(57)【要約】【課題】  金属膜の付着強度のばらつきが小さいプリント配線基板と、このプリント配線基板に用いられるフッ素樹脂基板と、そのフッ素樹脂基板の製造方法を実現する。【解決手段】  工程（３）では、フッ素樹脂基板２の表面の脱フッ素処理を行う。脱フッ素処理は、フッ素樹脂基板２を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に１０〜３０秒、望ましくは１５〜２５秒浸漬することにより行う。フッ素樹脂基板２を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に浸漬することにより、基板表面のフッ素元素を取り除き、ヒドロキシ基を導入することで、親水性を高めることができる。ここで、脱フッ素処理に溶液を用いるため、表面を均一に処理することができる。また、脱フッ素処理はフッ素樹脂基板２を溶液に浸漬するだけで行うことができるので、作業が容易である。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素を離脱させる脱フッ素処理が表面に施されており、その表面における表面分析によるフッ素定量値が、前記脱フッ素処理を行う前の表面におけるフッ素定量値の１０％以下であることを特徴とするフッ素樹脂基板。
【請求項２】
前記脱フッ素処理は、前記フッ素樹脂基板を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に浸漬する処理であることを特徴とする請求項１に記載のフッ素樹脂基板。
【請求項３】
前記表面には、表面加工により凹凸が形成された後に前記脱フッ素処理が施されており、さらに、その脱フッ素処理が施された表面には、酸素ガスを用いたプラズマ処理が施されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のフッ素樹脂基板。
【請求項４】
前記表面加工が機械的加工であることを特徴とする請求項３に記載のフッ素樹脂基板。
【請求項５】
前記表面加工がレーザー加工であることを特徴とする請求項３に記載のフッ素樹脂基板。
【請求項６】
前記フッ素樹脂基板は、ポリテトラフルオロエチレンからなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１つに記載のフッ素樹脂基板。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載のフッ素樹脂基板を用いたプリント配線基板の表面に、金属膜により配線パターンが形成されたことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項８】
前記金属膜がめっき法で形成されたことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線基板。
【請求項９】
前記金属膜が蒸着またはスパッタ法で形成されたことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線基板。
【請求項１０】
前記金属膜がめっき法と蒸着とを併用して形成されたことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線基板。
【請求項１１】
前記金属膜がめっき法とスパッタ法とを併用して形成されたことを特徴とする請求項７に記載のプリント配線基板。
【請求項１２】
前記配線パターンが前記金属膜のエッチングにより形成されたことを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか１つに記載のプリント配線基板。
【請求項１３】
前記配線パターンが前記金属膜に対する選択めっき法により形成されたことを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか１つに記載のプリント配線基板。
【請求項１４】
前記配線パターンが前記金属膜に対してエッチングと選択めっき法とを併用して形成されたことを特徴とする請求項７ないし請求項１１のいずれか１つに記載のプリント配線基板。
【請求項１５】
前記金属膜が、銅であることを特徴とする請求項７ないし請求項１４のいずれか１つに記載のプリント配線基板。
【請求項１６】
前記金属膜が、銅を最下層とした複数の金属膜の積層構造を有することを特徴とする請求項７ないし請求項１４のいずれか１つに記載のプリント配線基板。
【請求項１７】
前記積層構造が、下層より、銅、ニッケル、金の順に積層された積層構造であることを特徴とする請求項１６に記載のプリント配線基板。
【請求項１８】
金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に浸漬することにより脱フッ素処理を施すフッ素樹脂基板の製造方法において、
前記フッ素樹脂基板の前記金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液への浸漬時間が１０〜３０秒であることを特徴とするフッ素樹脂基板の製造方法。
【請求項１９】
前記浸漬時間が１５〜２５秒であることを特徴とする請求項１８に記載のフッ素樹脂基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波素子用プリント基板などに用いられるフッ素樹脂基板、プリント配線基板、フッ素樹脂基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から用いられているプリント基板について、図９を参照して説明する。図９（ａ）は、銅箔を備えた基板を示す断面図、図９（ｂ）は、スルーホール等を備えた基板の断面図、図９（ｃ）は、エッチング状態を示す基板の断面図である。
従来より、例えば高周波素子用プリント基板として、図９（ａ）に示すように、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）からなる樹脂板１２を銅箔１３で挟んで熱圧着したＰＴＦＥ基板１１が用いられている。ここでは、銅箔１３の厚さが１８μｍのＰＴＦＥ基板１１について例示する。
このＰＴＦＥ基板１１は、次の工程により製造される。まず、図９（ｂ）に示すように、スルーホール１４が形成された後、スルーホール１４の内周部に厚さ１５μｍの銅めっき膜１５が形成され、ＰＴＦＥ基板１１の表面にエッチング液を遮蔽するためのドライフィルム１６が配置される。次に、図９（ｃ）に示すように、銅めっき膜１５及び銅箔１３をエッチングして配線パターンが形成される。
しかし、ＰＴＦＥ基板１１の表面には、３３μｍの銅の厚膜が形成されているため、厚膜の加工方法としてウェットエッチング法を選定する。そのため、等方性の性質と長時間の処理から、形成される配線や配線間の空間の線幅は１００μｍ程度が限界であった。
特に、近年では、基板の小型化を図るために、一層の微細配線が要求されており、上述した線幅を５０μｍ程度まで低減することが求められている。配線を微細化するためには、銅膜を薄膜化する必要がある。一方、銅膜を薄膜化するには、従来の熱圧着基板が適用できないため、薄膜銅の形成を行うが、付着強度が低下する問題が発生するため、付着強度を向上させる必要がある。
そこで、本願発明者らは、先の出願（特許文献１）において、次の方法を提案した。つまり、ＰＴＦＥ基板表面に機械加工により凹凸形状を形成した後、金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液による脱フッ素処理を行い、続いて、脱フッ素処理を行ったフッ素樹脂表面を酸素プラズマで処理した後に膜形成を行うことにより銅膜を薄膜化したＰＴＦＥ基板を作製する。このＰＴＦＥ基板を用いると、従来の熱圧着式基板と同程度の付着強度を達成することができ、その結果、エッチング制御が容易になり、線幅が５０μｍの微細配線が可能となった。
【０００３】
【特許文献１】特願２００３−１５５１０２号（図３、４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、その後の検討により、銅膜の付着強度は向上したが、そのばらつきが平均値の３０％以上と大きい幅を持っていることがわかった。
【０００５】
そこで、この発明は、金属膜の付着強度のばらつきが小さいプリント配線基板と、このプリント配線基板に用いられるフッ素樹脂基板と、そのフッ素樹脂基板の製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、フッ素樹脂基板（２）において、フッ素を離脱させる脱フッ素処理（工程（３））が表面に施されており、その表面における表面分析によるフッ素定量値が、前記脱フッ素処理を行う前の表面におけるフッ素定量値の１０％以下である、という技術的手段を採用する。
【０００７】
請求項２に記載の発明では、請求項１に記載のフッ素樹脂基板（２）において、前記脱フッ素処理（工程（３））は、前記フッ素樹脂基板を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に浸漬する処理である、という技術的手段を採用する。
【０００８】
請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載のフッ素樹脂基板（２）において、前記表面には、表面加工（工程（１））により凹凸が形成された後に前記脱フッ素処理が施されており、さらに、その脱フッ素処理が施された表面には、酸素ガスを用いたプラズマ処理（工程（４））が施されている、という技術的手段を採用する。
【０００９】
請求項４に記載の発明では、請求項３に記載のフッ素樹脂基板（２）において、前記表面加工（工程（１））が機械的加工である、という技術的手段を採用する。
【００１０】
請求項５に記載の発明では、請求項３に記載のフッ素樹脂基板（２）において、前記表面加工（工程（１））がレーザー加工である、という技術的手段を採用する。
【００１１】
請求項６に記載の発明では、請求項１ないし請求項５のいずれか１つに記載のフッ素樹脂基板（２）において、前記フッ素樹脂基板（２）は、ポリテトラフルオロエチレンからなる、という技術的手段を採用する。
【００１２】
請求項７に記載の発明では、請求項１ないし請求項６のいずれか１つに記載のフッ素樹脂基板（２）を用いたプリント配線基板の表面に、金属膜（４、５、６）により配線パターン（３）が形成された、という技術的手段を採用する。
【００１３】
請求項８に記載の発明では、請求項７に記載のプリント配線基板（１）において、前記金属膜（４、５、６）がめっき法（工程（５）、工程（７）、工程（１０）、工程（１１））で形成された、という技術的手段を採用する。
【００１４】
請求項９に記載の発明では、請求項７に記載のプリント配線基板（１）において、前記金属膜（４、５、６）が蒸着またはスパッタ法で形成された、という技術的手段を採用する。
【００１５】
請求項１０に記載の発明では、請求項７に記載のプリント配線基板において、前記金属膜（４、５、６）がめっき法（工程（５）、工程（７）、工程（１０）、工程（１１））と蒸着とを併用して形成された、という技術的手段を採用する。
【００１６】
請求項１１に記載の発明では、請求項７に記載のプリント配線基板（１）において、前記金属膜（４、５、６）がめっき法（工程（５）、工程（７）、工程（１０）、工程（１１））とスパッタ法とを併用して形成された、という技術的手段を採用する。
【００１７】
請求項１２に記載の発明では、請求項７ないし請求項１１のいずれか１つに記載のプリント配線基板（１）において、前記配線パターン（３）が前記金属膜（４、５、６）のエッチングにより形成された、という技術的手段を採用する。
【００１８】
請求項１３に記載の発明では、請求項７ないし請求項１１のいずれか１つに記載のプリント配線基板（１）において、前記配線パターン（３）が前記金属膜（４、５、６）に対する選択めっき法（工程（６）、工程（７））により形成された、という技術的手段を採用する。
【００１９】
請求項１４に記載の発明では、請求項７ないし請求項１１のいずれか１つに記載のプリント配線基板（１）において、前記配線パターン（３）が前記金属膜（４、５、６）に対してエッチングと選択めっき法（工程（６）、工程（７））とを併用して形成された、という技術的手段を採用する。
【００２０】
請求項１５に記載の発明では、請求項７ないし請求項１４のいずれか１つに記載のプリント配線基板（１）において、前記金属膜（４、５、６）が、銅である、という技術的手段を採用する。
【００２１】
請求項１６に記載の発明では、請求項７ないし請求項１４のいずれか１つに記載のプリント配線基板（１）において、前記金属膜（４、５、６）が、銅（４）を最下層とした複数の金属膜（４、５、６）の積層構造を有する、という技術的手段を採用する。
【００２２】
請求項１７に記載の発明では、請求項１６に記載のプリント配線基板（１）において、前記積層構造が、下層より、銅（４）、ニッケル（５）、金（６）の順に積層された積層構造である、という技術的手段を採用する。
【００２３】
請求項１８に記載の発明では、金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に浸漬することにより脱フッ素処理（工程（３））を施すフッ素樹脂基板（２）の製造方法において、前記フッ素樹脂基板（２）の前記金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液への浸漬時間が１０〜３０秒である、という技術的手段を採用する。
【００２４】
請求項１９に記載の発明では、請求項１８に記載のフッ素樹脂基板（２）の製造方法において、前記浸漬時間が１５〜２５秒である、という技術的手段を採用する。
なお、上記括弧内の符号は、後述の実施形態において使用する符号に対応するものである。
【発明の効果】
【００２５】
（請求項１に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板表面に、フッ素を離脱させる脱フッ素処理が施されているため、フッ素樹脂基板表面の疎水性が改善され、親水性が向上するので、配線パターンを形成するための金属膜のフッ素樹脂基板に対する付着強度を向上させることができる。このとき、表面における表面分析によるフッ素定量値を、脱フッ素処理を行う前の表面におけるフッ素定量値の１０％以下に制御した時、最も大きな付着強度が得られる。
【００２６】
（請求項２に記載の発明の効果）
脱フッ素処理に金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液という溶液を用いるため、フッ素樹脂基板の表面を均一に処理することができる。また、脱フッ素処理はフッ素樹脂基板を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液という溶液に浸漬するだけで行うことができるので、作業が容易である。
【００２７】
（請求項３に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板の表面に、加工により凹凸が形成されているので、表面積が増大し、その後のめっき工程等によりフッ素樹脂基板上に形成される膜の付着強度をアンカー効果により向上させることができる。脱フッ素処理が施された表面には、酸素ガスを用いたプラズマ処理が施されているため、フッ素樹脂基板の表面の親水性が向上するので、その後のめっき工程等により、フッ素樹脂基板上に形成される膜の付着強度をさらに向上させることができる。
【００２８】
（請求項４に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板の表面加工を機械的加工で行うので、表面粗さ等の表面形状を精度良く設定することができる。
【００２９】
（請求項５に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板の表面加工をレーザー加工で行うため、微細な表面形状に加工することができるので、表面積を増大させることができる。
【００３０】
（請求項６に記載の発明の効果）
ポリテトラフルオロエチレンは、化学的に安定であり、低誘電率で高周波特性に優れているので、配線基板などのベースとなる樹脂材料として適している。
【００３１】
（請求項７に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板に脱フッ素処理が施されているため、例えば、銅箔を用いないでめっき等により薄膜の金属膜を形成した場合でも十分な付着強度が得られるので、金属膜を薄膜化することができる。また、金属膜を薄膜化することにより、微細配線を形成することができる。
【００３２】
（請求項８に記載の発明の効果）
金属膜がめっき法で形成されるので、薄膜の金属膜を蒸着またはスパッタ法よりも短時間に容易に形成することができる。
【００３３】
（請求項９に記載の発明の効果）
金属膜が蒸着またはスパッタ法で形成されるので、薄膜の金属膜を膜厚さの制度を高く形成することができる。
【００３４】
（請求項１０に記載の発明の効果）
金属膜の形成方法を例示したものであり、めっき法と蒸着とを併用することにより、それぞれの利点を活用し、薄膜の金属膜を形成することができる。
【００３５】
（請求項１１に記載の発明の効果）
金属膜の形成方法を例示したものであり、めっき法とスパッタ法とを併用することにより、それぞれの利点を活用し、薄膜の金属膜を形成することができる。
【００３６】
（請求項１２に記載の発明の効果）
一般的な半導体の配線パターン形成法として例示したものであり、フッ素樹脂基板表面に形成した金属膜の不要部分をエッチングにより除去することにより、所望の形状の配線パターンを得ることができる。
【００３７】
（請求項１３に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板表面にフォトレジストパターンを形成した後に、めっき法を用いて選択的に配線を形成するので、エッチングによる配線に比べて、より微細な配線パターンを形成できる。
【００３８】
（請求項１４に記載の発明の効果）
配線パターンの形成方法を例示したものであり、エッチングと選択めっき法とを併用することにより、微細な配線パターンを形成できる。
【００３９】
（請求項１５に記載の発明の効果）
金属膜が銅であるので、無電解めっきが可能で成膜が容易である。
【００４０】
（請求項１６に記載の発明の効果）
最下層に無電解めっきなどにより銅を成膜しておくと、その後の成膜に電解めっきを適用できるので、他の金属膜を成膜しやすい。また、その後の成膜に無電解めっきを適用した場合でも、銅が下地になるので、他の金属膜を強固に付着させることができる。
【００４１】
（請求項１７に記載の発明の効果）
金属膜の構成を例示したものであり、実装などでワイヤボンディングが必要な基板に適用することができる。
【００４２】
（請求項１８に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板の金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液への浸漬時間が１０〜３０秒である場合に、目標とする付着強度を達成できる。
【００４３】
（請求項１９に記載の発明の効果）
フッ素樹脂基板の金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液への浸漬時間が１５〜２５秒である場合に、目標とする付着強度を達成でき、付着強度のばらつきを小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
（フッ素樹脂基板およびプリント配線基板の製造方法）
本実施形態のフッ素樹脂基板およびプリント配線基板について、図１ないし図４を参照して説明する。図１は、プリント配線基板の一部縦断面説明図である。図２は、プリント配線基板の製造方法の工程を示す説明図である。図３は、図２の続きの工程を示す説明図である。図４は、表面加工されたフッ素樹脂基板の表面状態を模式的に示す斜視説明図である。
図１に示すように、プリント配線基板１は、ポリテトラフルオロエチレン（以下、ＰＴＦＥという）からなるフッ素樹脂基板２と、その表面に形成された金属膜からなる配線パターン３から構成される。ＰＴＦＥは、化学的に安定であり、低誘電率で高周波特性に優れているので、配線基板などのベースとなる樹脂材料として適している。
配線パターン３は、膜厚が９．３μｍであり、従来のＰＴＦＥ基板の金属膜の厚さに比べ薄膜化がなされている。配線パターン３は、複数の金属層から構成されており、最下層より、無電解Ｃｕめっき及び電解Ｃｕめっきにより形成された膜厚６μｍのＣｕ層４、無電解Ｎｉめっきにより形成された膜厚３μｍのＮｉ層５、無電解Ａｕめっきにより形成された膜厚０．３μｍのＡｕ層６の積層構造を有している。ここで、Ｃｕ層４は、無電解Ｃｕめっきにより形成された膜厚１μｍの無電解Ｃｕ層４ａと、電解Ｃｕめっきにより形成された膜厚５μｍの電解Ｃｕ層４ｂとからなる。
【００４５】
フッ素樹脂基板およびプリント配線基板は、以下の工程を経て作製される。
工程（１）
図２に示すように、ＰＴＦＥ製のフッ素樹脂基板２を用意し、ダイアモンドカッターを用いたシェーパ加工により、表面に凹凸を形成する。図４に示すように、フッ素樹脂基板２基板の表面には、ほぼ均一に凹凸の加工パターン８が形成される。フッ素樹脂基板２の表面加工を機械的加工で行うので、表面粗さ等の表面形状を精度良く設定することができる。
工程（２）
フッ素樹脂基板２の表面を有機溶剤、純水などで洗浄し、脱脂や清浄化などを行う。
【００４６】
工程（３）
フッ素樹脂基板２の表面の脱フッ素処理を行う。脱フッ素処理は、フッ素樹脂基板２を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液、ここでは、潤工社製のテトラエッチ液に１０〜３０秒、望ましくは１５〜２５秒浸漬することにより行う。フッ素樹脂基板２を金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液に浸漬することにより、基板表面のフッ素元素を取り除き、ヒドロキシ基（ＯＨ基）を導入することで、親水性を高めることができる。ここで、脱フッ素処理に溶液を用いるため、表面を均一に処理することができる。また、脱フッ素処理はフッ素樹脂基板２を溶液に浸漬するだけで行うことができるので、作業が容易である。
【００４７】
工程（４）
フッ素樹脂基板２の表面に対して酸素プラズマ処理を行う。酸素プラズマ処理は、ＵＬＶＡＣ社製ＵＮＡ−２０００により行った。処理条件は、出力：８００Ｗ、温度：５０℃、Ｏ2ガス供給量：４０００ｓｃｃｍ、Ｎ2／Ｈ2、ガス供給量：２４０ｓｃｃｍ、処理時間：５ｓｅｃである。酸素プラズマ処理では、供給するＯ2ガス（Ｏ2gas）をプラズマ状態として、フッ素樹脂基板２の表面に残留しているＦ元素を飛ばし、Ｏ2ガスとフッ素樹脂基板２のＣ元素を結合させてカルボニル基（ＣＯ基）を導入し、更に親水性を高めることができる。
工程（５）
フッ素樹脂基板２の表面に無電解Ｃｕめっきを行い、膜厚約１μｍの無電解Ｃｕ層４ａを形成する。
工程（６）
配線パターン３の形成のために選択めっきを行うために、配線パターン３となる部分以外に、非導電性のレジスト７を用いてパターンニングを行う。
【００４８】
工程（７）
図３に示すように、電解Ｃｕめっきを行って、無電解Ｃｕ層４ａの表面に、膜厚約５μｍの電解Ｃｕ層４ｂを形成する。この工程では、フッ素樹脂基板２の表面にフォトレジストパターンを形成した後に、めっき法を用いて選択的に配線を形成するので、エッチングによる配線に比べて、より微細な配線パターンを形成できる。
工程（８）
有機洗浄により、レジスト７を除去する。
工程（９）
電解Ｃｕ層４ｂと無電解Ｃｕ層４ａとのエッチング速度の差を利用して、電解Ｃｕ層４ｂをマスクとして、無電解Ｃｕ層４ａのエッチングを、希硫酸を用いて、常温で行う。
工程（１０）
次に、無電解Ｎｉめっきを施して、Ｃｕ層４の表面全体に、膜厚約３μｍのＮｉ層５を形成する。なお、蒸着やスパッタにより、Ｎｉ層５を形成してもよい。
工程（１１）
無電解Ａｕめっきを施して、Ｎｉ層５の表面全体に、膜厚約０．３μｍのＡｕ層６を形成する。なお、蒸着やスパッタにより、Ａｕ層６を形成してもよい。
【００４９】
（フッ素樹脂基板の評価）
次に、本実施形態のプリント基板の効果を確認するために行った実験について、図５ないし図８を参照して説明する。図５は、付着強度の測定方法の説明図である。図６は、Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）によるＦスペクトルの測定結果を示す説明図である。図７は、浸漬時間と、付着強度（ピール強度）、または、規格化フッ素（Ｆ）定量値との関係を示すグラフである。図８は、表面加工および酸素プラズマ処理を施した場合と施していない場合の付着強度（ピール強度）とを比較するグラフである。
まず、フッ素樹脂基板２に、工程（２）の洗浄処理を行う。次に、工程（３）の脱フッ素処理において、室温の金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液（潤工社製のテトラエッチ液）に、溶液を撹拌しながらフッ素樹脂基板２を浸漬し、浸漬時間を１〜６０秒まで変えたフッ素樹脂基板を各水準５個ずつ用意する。
【００５０】
フッ素樹脂基板２の表面のフッ素濃度は、アルバック・ファイ社製のＸ線光電子分光装置（ＸＰＳ）ＥＳＣＡ５４００ＭＣを用いて表面分析を行い評価した。測定条件は、アノード：Ｍｇ、分析領域：φ１．１ｎｍ、検出角度：４５°のサーベイマルチ法である。各フッ素樹脂基板２について、Ｆのスペクトルのピーク強度を測定した。Ｆのスペクトルのピーク強度は、バックグラウンドを揃えた後に、脱フッ素処理前のフッ素樹脂基板２の表面におけるＦのスペクトルのピーク強度で規格化し、規格化フッ素定量値とした。
浸漬時間をフッ素樹脂基板について、工程（４）〜（５）に従って、厚み１５〜２０μｍ、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの帯状のＣｕ層４を形成して、付着強度測定に供した。
付着強度は、クワッドグループ社製のセバスチャンＶを用いたピール試験により評価した。ピール強度は、図５に示すように、フッ素樹脂基板２を水平に固定し、Ｃｕ層４の端部をクリップ１０で把持し、毎分５０ｍｍの速度で垂直方向に引き上げ、Ｃｕ層４を引き剥がした時の荷重より算出した。
【００５１】
図６では、横軸に結合エネルギー（Ｂｉｎｄｉｎｇ  Ｅｎｅｒｇｙ）を、縦軸に強度（Ｃ／Ｓ）をとり、Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）によるＦスペクトルの測定結果を示した。結合エネルギー（Ｂｉｎｄｉｎｇ  Ｅｎｅｒｇｙ）６９２ｅＶのＦピーク強度は、浸漬時間１〜３０秒までは時間の経過につれて低下し、浸漬時間が長くなるのに伴い、フッ素樹脂基板２の表面からフッ素が離脱していることがわかる。また、浸漬時間６０秒では、ピーク強度が上昇している。
図７に示すように、規格化フッ素（Ｆ）定量値は、浸漬直後から１０秒までの短い時間の間に、１０％まで急激に低下する。浸漬時間が１０秒を越えると、規格化フッ素定量値の低下度合いは緩やかになり、約２０秒で最小値を取ると、その後上昇する。
【００５２】
付着強度（ピール強度）は、規格化フッ素定量値に対して負の相関を有して変化する。付着強度は、浸漬直後から１０秒までの間に急激に上昇し、浸漬時間が１０秒を越えると、付着強度の上昇度合いは緩やかになり、約２０秒で最大値を取ると、その後低下する。つまり、規格化フッ素定量値が低く、フッ素樹脂基板２の表面のフッ素量が少ない程、付着強度が上昇する。
図８に示すように、浸漬時間が短い条件Ａの浸漬時間５秒の場合では、付着強度は０．６Ｎ／ｍｍ、測定値の最大値と最小値の差の半分を平均値で除して求めたばらつきは６２％であるが、条件Ｂの浸漬時間が３０秒の場合では、付着強度は１．２Ｎ／ｍｍに向上し、ばらつきは１２％と大幅に改善された。  
また、表面加工および酸素プラズマ処理を施した場合では、付着強度は条件Ｃでの１．２Ｎ／ｍｍから条件Ｄでの１．６Ｎ／ｍｍに向上し、ばらつきは３３％から７％に大幅に改善された。
ここで、従来の熱圧着式基板における銅膜の付着強度は、１Ｎ／ｍｍである。薄膜化した場合においても、付着強度は１Ｎ／ｍｍ以上であることが必要であるが、図７に示すように、規格化フッ素定量値が１０％以下の場合には、付着強度がこの目標値である１Ｎ／ｍｍ以上になり、付着強度のばらつきも小さいため、好適である。また、浸漬時間が１０〜３０秒の場合に、付着強度が１Ｎ／ｍｍ以上になり、強度のばらつきも小さいため、好適である。特に、浸漬時間が１５〜２５秒の場合には、より一層付着強度のばらつきが小さくなり、付着強度が一層向上することが期待されるので、一層好適である。
【００５３】
さらに、工程（１）により凹凸加工したフッ素樹脂基板２を用い、脱フッ素処理後に、酸素プラズマによる処理を施すことにより、図８に示すように、強度のばらつきを小さく押さえたままで、さらに強度を向上させることができる。
浸漬時間が５秒の場合、フッ素樹脂基板２に表面加工および酸素プラズマ処理を施していない条件Ａでの付着強度は０．６Ｎ／ｍｍであるが、表面加工および酸素プラズマ処理を施した条件Ｃでの付着強度は１．２Ｎ／ｍｍに向上した。また、浸漬時間が３０秒の場合、フッ素樹脂基板２に表面加工および酸素プラズマ処理を施していない条件Ｂでの付着強度は１．２Ｎ／ｍｍであるが、表面加工および酸素プラズマ処理を施した条件Ｄでの付着強度は１．６Ｎ／ｍｍに向上した。
【００５４】
［発明を実施するための最良の形態による効果］
（１）フッ素樹脂基板２の表面に、金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液により、フッ素を離脱させる脱フッ素処理（工程（３））が施されているため、フッ素樹脂基板２の表面の疎水性が改善され、親水性が向上するので、配線パターン３を形成するためのＣｕ層４のフッ素樹脂基板２に対する付着強度を向上させることができる。ここで、規格化フッ素定量値を１０％以下に制御した時、最も大きな付着強度が得られる。
【００５５】
（２）フッ素樹脂基板２の表面に、加工により凹凸を形成することにより（工程（１））、表面積が増大し、その後のめっき工程等によりフッ素樹脂基板２上に形成されるＣｕ層４の付着強度をアンカー効果により向上させることができる。さらに、金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液による脱フッ素処理が施された表面には、酸素ガスを用いたプラズマ処理（工程（４））が施されているため、フッ素樹脂基板２の表面の親水性が向上するので、その後のめっき工程（工程（５））等により、フッ素樹脂基板２上に形成されるＣｕ層４の付着強度を向上させることができる。
薄膜のＣｕ層４を形成した場合でも、フッ素樹脂基板２に対して十分な付着強度が得られるので、Ｃｕ層４を薄膜化することができる。Ｃｕ層４を薄膜化することにより、微細配線を形成することができる。
【００５６】
（３）フッ素樹脂基板２の金属ナトリウム−ナフタレン錯体溶液への浸漬時間が１０〜３０秒である場合に、目標とする付着強度１Ｎ／ｍｍを達成できる。さらに、浸漬時間を１５〜２５秒とすると、目標とする付着強度１Ｎ／ｍｍを達成でき、強度ばらつきも小さくすることができる。
【００５７】
（その他の実施形態）
（１）フッ素樹脂基板２の機械的加工としては、シェーパ加工以外に、ブラスト加工、研削加工、研磨加工、プレス加工等を適用できる。また、機械的加工以外の手法としては、レーザ加工、ドライエッチング等の手法を適用できる。レーザー加工を適用した場合は、フッ素樹脂基板２の表面を微細な形状に加工することができるので、表面積を増大させることができる。
また、上述したその他の方法を適用した場合にも、前述した最良の形態の効果を奏することができる。
【００５８】
（２）金属膜の形成方法としては、めっき法以外に、蒸着、スパッタ法等の方法を適用することができる。また、これらの形成方法を併用することもできる。この方法を使用した場合でも、金属膜を容易に形成することができ、また、前述した最良の形態の効果を奏することができる。また、金属膜は、銅のみ、または、銅を最下層とした複数の金属膜の積層構造を有してもよい。
【００５９】
（３）配線パターンの形成方法としては、選択めっき法以外に、エッチングを適用することができる。また、これらの形成方法を併用することもできる。この方法を使用した場合でも、微細な配線パターンを形成することができ、また、前述した最良の形態の効果を奏することができる。
【００６０】
［各請求項と実施形態との対応関係］
工程（３）が請求項１に記載の脱フッ素処理に、ピーク強度がフッ素定量値に、それぞれ対応する。
工程（１）が請求項３に記載の表面加工に、工程（４）が酸素ガスを用いたプラズマ処理にそれぞれ対応する。
Ｃｕ層４、Ｎｉ層５およびＡｕ層６が請求項７に記載の金属膜に対応する。
工程（５）、工程（７）、工程（１０）および工程（１１）が請求項８に記載のめっき法に対応する。
工程（６）および工程（７）が請求項１３に記載の選択めっき法に対応する。
Ｃｕ層４が請求項１６に記載の銅に対応する。
Ｎｉ層５が請求項１７に記載のニッケルに、Ａｕ層６が金にそれぞれ対応する。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】プリント配線基板の一部縦断面説明図である。
【図２】プリント配線基板の製造方法の工程を示す説明図である。
【図３】図２の続きの工程を示す説明図である。
【図４】表面加工されたフッ素樹脂基板の表面状態を模式的に示す斜視説明図である。
【図５】付着強度の測定方法の説明図である。
【図６】Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）によるＦスペクトルの測定結果を示す説明図である。
【図７】浸漬時間と、付着強度（ピール強度）、または、規格化フッ素（Ｆ）定量値との関係を示すグラフである。
【図８】表面加工および酸素プラズマ処理を施した場合と施していない場合の付着強度（ピール強度）とを比較するグラフである。
【図９】図９（Ａ）は銅箔を備えた基板を示す断面図、図９（Ｂ）はスルーホール等を備えた基板の断面図、図９（Ｃ）はエッチング状態を示す基板の断面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１    プリント配線基板
２    フッ素樹脂基板
３    配線パターン
４    Ｃｕ層（金属膜）
５    Ｎｉ層（金属膜）
６    Ａｕ層（金属膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006128443.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006128443.tif 000009
【図８】
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【図９】
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