(57)【要約】【課題】半導体ブロックの側面のうねりや凹凸及び切断傷などをを低減させて、スライス加工後の側面からの割れや欠けの発生を抑えると共に、デバイス工程でも同様の割れや欠けを抑制し、高い工程歩留りを確保することのできる半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】半導体インゴット１を切断してなる半導体ウェハ１４の製造方法において、前記半導体インゴット１を切断して半導体ブロック８とする第一工程と、前記半導体ブロック８の切断面を平滑化させる化学エッチングを施す第二工程と、を含む半導体ウェハ１４の製造方法。【選択図】図１
2006278701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体インゴットを切断してなる半導体ウェハの製造方法において、
前記半導体インゴットを切断して半導体ブロックとする第一工程と、
前記半導体ブロックの切断面を平滑化させる化学エッチングを施す第二工程と、
を含む半導体ウェハの製造方法。
【請求項２】
前記半導体ブロックをスライスするワイヤーソーで切断するとともに、前記切断面から前記ワイヤーソーを入刃する第三工程を含む請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項３】
前記第二工程は、前記切断面を、酸性溶液又はアルカリ性溶液に接触させる請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェハを形成する場合、例えばシリコン原料などを溶融し、鋳型内で凝固させてシリコンインゴットを形成する。その後、鋳型から取り出してシリコンインゴットをダイヤモンドチップを固着させたバンドソーなどの切断機を使用して所定の寸法に切断してシリコンブロックを形成していた。そして、このシリコンブロックをエポキシ系などの接着剤にてガラスやカーボン材もしくは樹脂製のスライスベースに接着した後、このシリコンブロックをマルチワイヤーソー装置等で切断して複数枚のシリコンウェハを形成していた。
【０００３】
図３に一般的なバンドソー型切断機を示す。図３中、１０１は半導体インゴット、２はバンドソー、３は加工ステージ、４はプーリー、５は供給ノズルである。
【０００４】
このように、半導体インゴット１０１を切断する際に用いられるバンドソー型切断機は図３に示すように半導体インゴット１を加工ステージ３に設置し、その上方にはバンドソー２と、半導体インゴット１０１とバンドソー２との切削部位へ水性クーラントや油性クーラントを供給する供給ノズル５が設置されている。
【０００５】
図６に一般的なバンドソー型切断機のバンドソー部分の拡大図を示す。２はバンドソー、６は台金、７はダイヤモンドチップである。バンドソー２は図６に示すように台金６にダイヤモンドチップ７が配列されたものであり、図３に示すように装置左右に設置されているプーリー４によって左右にテンションをかけた状態で設置され高速で回転する。すなわち高速回転するバンドソー２が下降し、予めバンドソー２の下方に載置された半導体インゴット１０１にバンドソー２を押し当てることにより切断する。この時、バンドソー２の刃先がダイヤモンドであるため切断速度が速いという利点がある。
【特許文献１】特開２００４−６９９７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、半導体インゴット１０１をバンドソー２で切断することにより得られた半導体ブロック１０８は、半導体ブロック１０８の側面に切断傷１１３や表面に微小な凹凸を有していた。従来、半導体ブロック１０８の切断面の凹凸やうねりを平滑にするといった加工を行わないまま、次工程のワイヤーソー装置等によるスライス加工を経て、半導体ウェハが形成されていた。この半導体ウェハの厚みが、例えば３００μｍ以下に薄くなると、半導体ブロック１０８の切断面に残る切断傷１１３や半導体ブロック１０８の表面に生じた微小な凹凸を起点とした割れ、欠けが発生するという問題があった。
【０００７】
更に半導体ブロック１０８をスライス加工して形成された半導体ウェハの側面にも、半導体インゴット１０１を切断した際における切断傷や凹凸があるため、半導体ウェハは後工程となるデバイス工程へ投入された際に、デバイス工程の搬送やカセット収納などで半導体ウェハの側面にある凹凸を起点とした割れ、欠けが発生するといった問題や半導体ウェハの側面にあるうねりや凹凸などがあることによって、搬送中に半導体ウェハの引っ掛かりが生じ、高速で搬送できないなどの問題があった。
【０００８】
また、半導体ウェハのコーナー部分に角がある場合は、その部分が装置内搬送中、手作業中に引っ掛かり割れ、欠けを発生させたり、搬送スピードを速くできないなどの問題があった。
【０００９】
従来においては、半導体ブロック１０８をスライス加工して形成された半導体ウェハは、スライス加工工程におけるダメージ層を除去するために水酸化ナトリウムや水酸化カリウムあるいは、フッ酸やフッ酸と硝酸の混合溶液などでごく微量エッチングされていた。しかしながら、半導体ウェハの側面にある凹凸を起点とした割れ、欠けが発生するといった問題を充分に抑制することはできなかった。
【００１０】
特許文献１には、シリコンインゴットのバンドソーにて切断された切断面、つまりシリコンブロックの側面を機械的、例えばダイヤモンドやＳｉＣなどの砥粒を用いた研磨やスチールブラシや樹脂ブラシなどで研磨しシリコンブロックの側面の面精度を向上させることにより、後工程の割れ、欠けが削減されると開示されている。しかし、この技術ではシリコンブロックの側面を研磨するのに要する時間が長く、特に面精度を求めた場合には処理レートを遅くして加工する必要があり処理時間が長くなるという問題がある。
【００１１】
また、半導体ブロックに対して機械的な研磨を行った場合、研磨によって半導体ブロック表面の結晶が強制的に剥離されるため、処理された表面にダメージが残る。その後、ダメージ部分において半導体ブロックへの応力が集中し、その結果、後工程であるスライス工程やデバイス工程において割れ、欠けを生じていた。
【００１２】
更にシリコンブロックの端辺を除去する場合も、前述と同様な作業によりシリコンブロックの端辺を削り落とす工程が必要になるが、機械的な研削の場合には角が残ったり、また丸みを付けるには研削しながらシリコンブロックもしくは研削する装置側を円周状に駆動させる必要が有り装置として複雑となる。また、シリコンブロックの側面研磨を実施し、シリコンブロックの端辺の除去を実施すると、この二つの処理工程に要する処理時間も長く、装置も大きくなり設置面積が過剰になるという問題がある。
【００１３】
そして、機械的に研磨する方法においてはシリコンの細かな粉塵が発生し作業環境にも影響するという問題がある。
【００１４】
本発明はこのような従来の問題点に鑑みてなされたものであり、半導体インゴットを切断して得られる半導体ブロックの側面の凹凸やうねりもしくは切断傷を起点とした後工程で発生する割れ、欠けを抑制し高い工程歩留りを確保することができる半導体ウェハの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係る半導体ウェハの製造方法は、半導体インゴットを切断してなる半導体ウェハの製造方法において、前記半導体インゴットを切断して半導体ブロックとする第一工程と、前記半導体ブロックの切断面を平滑化させる化学エッチングを施す第二工程と、を含むようにした。
【００１６】
本発明の請求項２に係る半導体ウェハの製造方法は、請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法であって、前記半導体ブロックをスライスするワイヤーソーで切断するとともに、前記切断面から前記ワイヤーソーを入刃する第三工程を含むようにした。
【００１７】
本発明の請求項３にかかる半導体ウェハの製造方法は、請求項１又は請求項２に記載の半導体ウェハの製造方法において、前記第二工程は、前記切断面を、酸性溶液又はアルカリ性溶液に接触させるようにした。
【発明の効果】
【００１８】
以上のように本発明に係る半導体ウェハの製造方法では、半導体インゴットを切断してなる半導体ウェハの製造方法において、この半導体インゴットを切断して半導体ブロックとする第一工程と、この半導体ブロックの切断面を平滑化させる化学エッチングを施す第二工程と、を含むようにした。
【００１９】
このように、半導体インゴットをバンドソー型切断機などを用いて切断された半導体ブロックの切断面を平滑化させる化学エッチングを施す第二工程を含むことによって、半導体ブロックの切断面の凹凸やうねり及びバンドソー等による切断時の切断傷などが抑制される。このため、後のスライス加工工程にて割れ、欠けが抑制されるだけではなく、スライス加工工程により形成された半導体ウェハの各側面には切断時の切断傷の痕による微細な欠けや側面のうねり、凹凸が低減されているため、スライス加工工程以降の後工程において、つまり半導体ウェハの洗浄工程やデバイス工程において微細欠けや凹凸などを起点とした割れ、欠けが抑制され高い歩留りを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき詳細に説明する。ここで、本発明において切断面とは半導体インゴット１をバンドソー型切断機などで半導体ブロック８へと切断した際に形成される面と、その面を形成する辺全体を指すこととする。
【００２１】
図３に本発明に係るバンドソー型切断機を示す。１は半導体インゴット、２はバンドソー、３は加工ステージ、４はプーリー、５は供給ノズルを示す。
【００２２】
図３に示すように、半導体インゴット１のバンドソー型切断機は切断機の左右に大型のプーリー４が設置されており、プーリー４間には金属で作られた台金６にダイヤモンドを固着させた切断用バンドソー２が円周状に取り付けられ、このバンドソー２の下方に半導体インゴット１を設置するための加工ステージ３が設置されている。
【００２３】
図６に本発明に係るバンドソー型切断機の台金部分を示す。２はバンドソー、６は台金、７はダイヤモンドチップを示す。図６に示すようにバンドソー２は台金６にダイヤモンドチップ７が配列されたものである。バンドソー２と半導体インゴット１との位置関係を図７に示す。バンドソー２が半導体インゴット１に向かって降下しながら高速回転することで半導体インゴット１を所望の寸法に切断する。また、バンドソー２の左右には切断中の摩擦熱を冷却するために水性もしくは油性のクーラントを供給する供給ノズル５が設置されており、半導体インゴット１を切断する場合に有効な冷却機構を有している。
【００２４】
半導体ブロック８は、例えば鋳造法などによって形成された多結晶シリコンのインゴット１を所定の寸法、例えば１５０×１５０×３００ｍｍの直方体に切り出したものである。そして半導体ブロック８の側面、つまり１５０×３００ｍｍの長方形の面が４面形成されることになる。また自ずと端辺は長さ３００ｍｍで４箇所形成される。
【００２５】
その後、半導体ブロック８に対して平滑化処理を行う。平滑化処理については、後述することとする。
【００２６】
図４に本発明に係るワイヤーソー装置の一例を示す。８は半導体ブロック、１５はワイヤー、１６はスラリーノズル、１７はスラリー受け、１８はメインローラー、１９は端材巻き込み防止板、２０はディップ槽、２１は供給リール、２２はスライスベースである。
【００２７】
ワイヤーソー装置は、スラリーノズル１６の下部に、複数のスラリー受け１７を並べて配設し、これらのスラリー受け１７の間に、接着剤などによりスライスベース２２の一面に接着された直方体形状を有する半導体ブロック８を配置し、メインローラー１８間にある複数の切断用のワイヤー１５に砥粒スラリーを供給しながら、ワイヤー１５を高速で移動走行させ、半導体ブロック８を徐々に下降させてワイヤー１５に押しつけることによって、半導体ブロック８を切断し、複数の半導体ウェハを得るものである。また、切断中に落下するかもしれない半導体ウェハの端材がメインローラー１８へ巻き込むのを防止するために端材巻き込み防止板１９を設け、さらに防ぎきれなかったときのためにディップ槽２０を設けている。またディップ槽２０は、砥粒スラリーの回収や切断するときに発生する切粉の回収の目的をも有している。
【００２８】
スラリーノズル１６の下部にあるスラリー受け１７は複数本に張られたワイヤー１５にムラなく均等に砥粒スラリーが供給できるように設けられており、砥粒スラリーは例えば、砥粒と鉱物油、界面活性剤、分散剤からなるラッピングオイルを混合して構成される。
【００２９】
メインローラー１８は、例えばウレタンゴムなどからなり、その表面に所定間隔でワイヤー１５がはまる多数の溝（不図示）が形成されている。この溝の間隔とワイヤー１５の直径との関係によって、最終製品である半導体ウェハの厚みが定まる。
【００３０】
ワイヤー１５はワイヤー供給リール２１から供給され、メインローラー１８上に設けられた所定間隔の溝に巻きつけ配列される。なお、ワイヤー１５は、例えば、鉄または鉄合金を主成分とするピアノ線が使用されている。このワイヤー１５はメインローラー１８を所定の回転速度で回転させることによって、移動走行させることができる。
【００３１】
このようにして、平滑化処理された半導体ブロック８は、上述したワイヤーソー装置などを用いてスライス加工を経て半導体ウェハとすることができる。
【００３２】
以下、本発明に係る半導体ウェハの製造方法について詳細に説明する。
【００３３】
図５に本発明に係る半導体ウェハの様子を示す。図５（ａ）は半導体ウェハ、図５（ｂ）は図５（ａ）で示した半導体ウェハの点線で囲った部分の拡大図である。１４は本発明に係る半導体ウェハを示す。
【００３４】
本発明に係る半導体ウェハの製造方法は半導体インゴット１を切断してなる半導体ウェハ１４の製造方法において、半導体インゴット１を切断して半導体ブロック８とする第一工程と、この半導体ブロック８の切断面を平滑化させる化学エッチングを施す第二工程と、を含むようにした。
【００３５】
図２に半導体ブロックを機械研磨した場合と化学エッチングにより平滑化処理した場合の比較例を示す。図２（ａ）は従来の半導体ブロック、図２（ｂ）は機械研磨した半導体ブロック、図２（ｃ）は本発明に係る平滑化処理を行なった半導体ブロック表面を示す。
【００３６】
図２（ｂ）に示すように機械研磨をすることによって、従来よりも半導体ブロック表面の表面粗さは軽減することができた。しかし、平滑化されていないため、その後のスライス加工よりも後の工程において、特に半導体ウェハの凹部を起点とした割れ、欠けを抑制することができなかった。
【００３７】
ここで、本発明に係る半導体ブロックの表面は図２（ｃ）のように平滑化されており、半導体インゴット１を切断した際における切断傷１１３や凹凸が軽減され、半導体ウェハ１４が後工程となるデバイス工程へ投入された際でも、デバイス工程の搬送やカセット収納などで半導体ウェハ１４の側面にある凹凸を起点とした割れ、欠けが発生するといった問題を抑制することができる。そして、半導体ウェハ１４の側面にうねりや凹凸などが抑制されるため、搬送中に半導体ウェハ１４の引っ掛かりが生じ、高速で搬送できないなどの問題を飛躍的に抑制することができる。
【００３８】
また、半導体ウェハのコーナー部分に角がある場合は、その部分が装置内搬送中、手作業中に引っ掛かり割れ、欠けを発生させたり、搬送スピードを速くできないなどの問題があったが半導体ウェハ１４のコーナー部分も化学エッチングにより平滑化されているため、割れ、欠けを抑制できて高い歩留りを得ることができる。
【００３９】
次に、バンドソー型切断機などで切断した半導体ブロック８の切断面を平滑化する方法の一例を以下に示す。
【００４０】
図１に、本発明に係る半導体ウェハ１４の製造方法において、化学エッチングにより半導体ブロック８の切断面を平滑化する方法を詳細に示す。８は半導体ブロック、９は水洗浄槽、１０は化学エッチング槽、１１ａ、１１ｂは水洗浄槽、１２は乾燥槽である。
【００４１】
まず、半導体インゴット１はバンドソー型切断機により所定の寸法に切断される。そして、形成された半導体ブロック８をバンドソー型切断機より取り出し、図１に示すような化学エッチング処理を施す。まず最初に水もしくは洗剤を含んだ水などの水洗浄槽９に半導体ブロック８を浸し表面を軽く洗浄し、各面に残された切断切り粉やクーラント成分などを洗い落とす。次に酸性またはアルカリ性の薬液で満たされた化学エッチング槽１０に水洗浄槽９で洗浄された半導体ブロック８を所定の時間浸す。そして、半導体ブロック８に付着した薬液を洗い落とすために再度、水洗浄槽１１ａ、１１ｂへ浸して薬液を洗い落とし、最終的に乾燥槽１２で表面を乾燥させて終了となる。
【００４２】
水洗浄槽９、１１ａ、１１ｂにおいては半導体ブロック８を水に浸漬させるだけでなく、シャワーやスプレー等により水を半導体ブロック８の表面にかけることによって洗浄してもよい。また、水洗処理は複数回行ってもよく、例えば、化学エッチング後に水洗浄槽１１ａおよび水洗浄槽１１ｂを用いて半導体ブロック８を２回浸漬することによって、水洗浄槽１１ａにより半導体ブロックに付着した薬液の大部分を洗浄し、水洗浄槽１１ｂにより水洗浄槽１１ａで除去しきれなかった薬液を除去することができ、半導体ブロック８に付着した薬液を充分に除去することが可能となる。さらに、浸漬やシャワー等の洗浄方法を種々組み合わせて行っても構わない。
【００４３】
図８にバンドソー型切断機で切断した後の半導体ブロック１０８の様子を示す。
【００４４】
従来、図８に示すように半導体ブロック１０８の切断面に切断傷１１３や微小な凹凸を生じていた。その後、半導体ブロック８をスライス加工工程に投入すると、後工程における割れ、欠けに起因する欠陥を増大させるため、スライス加工工程後にフッ酸等の化学エッチング処理を行っても、充分に半導体ウェハの側面にある割れ、欠けに起因する欠陥を除去することができなかった。また、化学処理を長時間処理することにより、上記欠陥を低減させることも考えられるが、半導体ウェハの厚みも薄くなってしまい、原材料コストが増大するという問題も生じていた。
【００４５】
しかしながら、本発明に係る平滑化処理を半導体ブロックの状態で行なうことにより、半導体ブロック８は側面の切断傷１１３や凹凸が抑制され、またうねりも少なくなる。
【００４６】
本発明に係る半導体ブロック８においては、次工程のスライス加工工程によって形成された半導体ウェハ１４の側面においても細かな切断傷や凹凸及びうねりが抑制され、後工程における割れ、欠けに起因する欠陥も抑制される。そのため、スライス加工工程後の化学処理を長時間処理する必要もなく、原材料コストが増大するという問題を抑制することができる。更に、半導体ブロック８を化学エッチング槽１０に浸すことによって、半導体ブロック８端辺も同時に化学エッチングされ角が丸みを帯びた形状になる。
【００４７】
そして、本発明に係る半導体ウェハの製造方法は、半導体ブロック８をスライスするワイヤー１５で切断するとともに、切断面からワイヤー１５を入刃する第三工程を含むことが好ましい。
【００４８】
図４を用いて説明したように、本発明では半導体ブロック８にした後、ピアノ線などからなるワイヤーソー装置を使用して半導体ウェハ１４を形成する。このとき、半導体ブロック８はスラリー１７を有するワイヤー１５でスライス加工されるため、半導体ブロック８の表面が平滑化されていない場合、半導体ブロック８の表面の凹部では特にスライス加工時の振動により応力集中がかかりやすいが、本発明では表面が平滑化されているため、スライス加工時の振動や、ワイヤー１５が入刃する際に生じる応力を分散することができ、上述の効果に加え、スライス加工時の割れ、欠けの発生を抑制することができる。
【００４９】
さらに、本発明に係る半導体ウェハの製造方法において、半導体ブロック８を平滑化させる第二工程は、半導体ブロック８の切断面を、酸性溶液又はアルカリ性溶液に接触させることが好ましい。
【００５０】
半導体ブロック８の切断面を、酸性溶液又はアルカリ性溶液に接触させることにより、上述の効果に加えより平滑性の高い半導体ブロック表面を容易に低コストで形成できる。
【００５１】
図１に示す化学エッチング槽１０に用いる薬液はフッ酸、硝酸等の１種または複数種からなる酸性溶液や、もしくは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の強アルカリ性溶液を用いることが好ましい。また、沸騰、蒸発、分解、変質しない程度であれば、薬液の温度を上昇させて用いてもよい。例えば、酸性溶液の場合は３０℃から５０℃が好ましく、アルカリ性溶液の場合は６０℃から９０℃に温度調節することでより半導体ブロック８と酸性溶液又はアルカリ性溶液との間の反応速度が促進され、短時間で平滑性の高い半導体ブロック８を作製できる。
【００５２】
例えば、フッ酸を１０〜３０％、硝酸を７０〜９０％の比率で混合させ、溶液の温度を３０〜５０℃とした混合溶液を用いる場合、処理時間は４０〜３００秒が好ましい。また、フッ酸と硝酸の混合溶液に酢酸を加えてもよい。ただし、用いた薬液によって処理レートが異なるため、それぞれの薬液に適した処理時間で半導体ブロック８は処理されるほうが好ましい。また、一回の化学エッチングではなく、複数回の化学エッチングを行ってもよく、例えば、アルカリ性溶液で処理した後、酸性溶液で処理するなど、化学エッチングに用いられる薬液を種々組み合わせて行っても構わない。
【００５３】
以上のように、本発明の半導体ウェハ１４の製造方法にかかる半導体ブロック８の平滑化によれば、半導体ブロック８の側面の切断傷１１３や凹凸もしくは側面うねりを有効に低減することができるため、エッチング処理された半導体ブロック８を用いてスライス加工して得られる半導体ウェハ１４の側面の微小な切断傷や凹凸、側面うねりが軽減され、割れ、欠けが抑制される。その結果、高い歩留りで半導体ウェハ１４を得ることができ、また、同時に大量の半導体ウェハ１４を用い、高い品質が要求される太陽電池素子の作製などに対して極めて適している。
【００５４】
なお、本発明の実施形態は上述の例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることはもちろんである。
【００５５】
例えば、上述の説明では、薬品を純水で希釈しているがそれに限定されるものでも無く、油性の溶液やアルコールなどの溶剤を用いても構わない。また、設備としては半導体ブロック８全体が浸されなくとも一面毎に薬液に浸され複数槽を経て半導体ブロック８の切断面をエッチングをするような装置であっても、本発明の効果を良好に奏する。
【００５６】
さらに、水洗浄槽９、１１ａ、１１ｂ、化学エッチング槽１０において水、または薬液をバブリングしても構わないし、オーバーフローさせても構わない。
【実施例】
【００５７】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００５８】
まず、半導体インゴットとして３４０ｍｍ角＊Ｌ＝３２０ｍｍの多結晶シリコンインゴットを準備した。その後、シリコンインゴット１をバンドソー切断機にて切断して、１５０ｍｍ角×Ｌ＝３００ｍｍのシリコンブロック８を形成した。形成された１５０ｍｍ角×Ｌ＝３００ｍｍのシリコンブロック８を図１に示す化学エッチング処理を行なった。化学エッチング処理では複数槽で構成されており、実施例で使用した構成は第１槽が浸漬タイプの水洗浄槽、第２槽にフッ酸と硝酸を混合した混合溶液を用いた化学エッチング槽１０、第３槽と第４槽に浸漬タイプの水洗浄槽、最後尾の第５槽に水切りと熱風乾燥による乾燥槽１２を配設した。また槽の大きさはシリコンブロック８が完全に浸されるようにＷ４００×Ｈ４００×Ｌ２００ｍｍとした。また、混合溶液はフッ酸濃度が４５％、硝酸濃度が６０％のフッ酸、硝酸を３：７の比率で混合し、溶液の温度が３０℃に調整した。また、化学エッチングの処理時間を３０ｓｅｃ、６０ｓｅｃとした。
【００５９】
上記の方法で化学エッチングされたシリコンブロック８の側面の表面粗さとバンドソーのダイヤモンドチップによる切断傷の深さの評価を行なった。
【００６０】
シリコンブロック８の側面の表面粗さには、ＪＩＳ０６０１−１９９４に基づき、十点平均粗さＲｚで測定を行なった。
【００６１】
その後、上記化学エッチング処理されたシリコンブロック８をマルチワイヤーソー装置にて厚みが３００μｍのシリコンウェハが得られるようにスライス加工し、そのシリコンウェハ１４はデバイス工程に投入され太陽電池素子とした。このとき、スライス加工工程及びデバイス工程における割れ、欠けの発生率（％）について評価を行なった。割れ、欠けの発生率（％）の算出方法は、２本のシリコンブロック８から得られたシリコンウェハ１４の全数を目視により観察を行い、シリコンウェハ１４の割れ、欠けの存在を確認し、その２本のシリコンブロック８から得られたシリコンウェハ１４全数に対する脱落したシリコンウェハ１４の枚数の百分率で行っている。
【００６２】
比較例として、化学エッチング処理を実施せず、バンドソー型切断機にて切断したシリコンブロック１０８をスライスして得られたシリコンウェハについても、上述の評価を行った。
【００６３】
それぞれの試料について１０回行った結果を表１に示す。
【表１】
2006278701.tif 000003
【００６４】
表１より、シリコンブロック１０８の側面を化学エッチング処理せず、バンドソー切断機にて切断した比較例では、シリコンブロック１０８の表面粗さＲｚは平均で２１．７μｍであり、切断時のバンドソー２のダイヤモンドチップ７による切断傷１１３が確認され、その深さは平均で１７．２μｍであった。またスライス加工工程及びデバイス工程における割れ、欠け率は平均で２．３％、１．５％となった。
【００６５】
それに対して３０ｓｅｃの化学エッチング処理を実施したシリコンブロック８では側面の表面粗さＲｚは平均で１４．８μｍとなり、且つ切断による切断傷１３の深さは平均で９．２μｍと比較例に比べ改善されていた。また、スライス加工工程及びデバイス工程における割れ、欠け率は平均で１．６％、１．２％となり比較例に比べ歩留りが改善された結果となり本発明の効果が明らかになった。
【００６６】
さらに、６０ｓｅｃの化学エッチング処理を実施したシリコンブロック８では側面の表面粗さＲｚは１０μｍ以下であり、且つ切断による切断傷の深さも５．０μｍ以下と改善された。さらに、スライス加工工程及びデバイス工程における割れ、欠け率は最大値で両方０．９％、また、平均で０．７％、０．６％と充分に歩留りが改善された結果が得られ、本発明の効果が顕著に表われた。
【００６７】
また、化学エッチング処理を実施したシリコンブロック８の端辺は角が丸みを帯びた形状に研磨されており、そのためシリコンウェハ１４のコーナー部もＲ形状に形成されていた。また、比較例においてはコーナー部における割れ、欠けの発生が見られたものの、化学エッチング処理を行った実施例では、ほとんど見られなかったため、本発明の効果を十分に得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】化学エッチングにより半導体ブロックの切断面を平滑化する方法を示す概略図である。
【図２】半導体ブロックの切断面の拡大図である。
【００６９】
（ａ）は従来の半導体ブロックの切断面である。
【００７０】
（ｂ）は半導体ブロックの表面を機械研磨した切断面である。
【００７１】
（ｃ）は本発明に係る平滑化処理を行なった切断面である。
【図３】一般的なバンドソー型切断機の概略図である。
【図４】一般的なワイヤーソー装置の概略図である。
【図５】本発明に係る半導体ウェハの様子である。
【００７２】
（ａ）半導体ウェハを示す図である。
【００７３】
（ｂ）半導体ウェハの側面の部分拡大図である。
【図６】一般的なバンドソー型切断機のバンドソー部分の拡大図である。
【図７】バンドソーと半導体インゴットとの位置関係を示す図である。
【図８】バンドソー型切断機で切断した後の半導体ブロックの様子を示す図である。
【符号の説明】
【００７４】
１：半導体インゴット
２：バンドソー
３：加工ステージ
４：プーリー
５：供給ノズル
６：台金
７：ダイヤモンドチップ
８：半導体ブロック
９：水洗浄槽
１０：化学エッチング槽
１１ａ、ｂ：水洗浄槽
１２：乾燥槽
１３：切断傷
１４：半導体ウェハ
１５：ワイヤー
１６：スラリーノズル
１７：スラリー受け
１８：メインコントローラー
１９：端材巻き込み防止板
２０：ディプ槽
２１：供給リール
２２：スライスベース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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