(57)【要約】【課題】誘電体の変色を防止し、良好な表示品質を維持する。【解決手段】背面ガラス基板１上に、アドレス電極形成用の銀ペーストを用いて、アドレス電極用パターン２を形成し乾燥させる。銀ペーストの銀粉体の平均粒径は略１０ｎｍとし、ガラスフリットの軟化点が略４２０℃とする。銀ペーストのなかの、がラスフリットの含有率は５ｗｔ％に設定する。次に、アドレス電極用パターン２を覆うように、白色誘電体層形成用のガラスぺーストを用いて、誘電体層用パターン３を形成し乾燥させる。ガラスぺーストのガラスフリットは、軟化点が略５４０℃のものを用いる。次に、アドレス電極用パターン２及び誘電体層用パターン３を５４０℃で焼成する。これによって、アドレス電極用パターン２及び誘電体層用パターン３の樹脂成分を焼失させると共に、ガラスフリットの成分を軟化させて、背面ガラス基板１上に固着させる。【選択図】図１
2006128055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、金属粉体と第１のガラスフリットとが所定の比率で混合されてなる金属ぺースト層を形成する第１の工程と、前記金属ぺースト層上に、第２のガラスフリットを含むガラスぺースト層を形成する第２の工程と、前記金属ぺースト及び前記ガラスぺーストを同時に焼成して電極層及び誘電体層を形成する第３の工程とを有し、
前記第１の工程では、前記所定の比率が、前記電極層中の前記第１のガラスフリットの含有率が１重量％以上１２重量％以下となるように設定された前記金属ぺーストを用い、かつ、軟化点が前記第２のガラスフリットの軟化点以下の前記第１のガラスフリットを用いる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、金属酸化物と第３のガラスフリットとを含む導電性ペースト層を形成する第４の工程と、前記導電性ぺースト層上に、金属粉体と第４のガラスフリットとが所定の比率で混合されてなる金属ぺースト層を形成する第５の工程と、前記金属ぺースト層上に、第５のガラスフリットを含むガラスぺースト層を形成する第６の工程と、前記導電性ペーストと前記金属ぺーストと前記ガラスぺーストとを同時に焼成して第１及び第２の電極層と誘電体層とを形成する第７の工程とを有し、
前記第４の工程では、軟化点が前記第５のガラスフリットの軟化点以下の前記第３のガラスフリットを用い、
前記第５の工程では、前記所定の比率が、前記第２の電極層中の前記第４のガラスフリットの含有率が１重量％以上１２重量％以下となるように設定された前記金属ぺーストを用い、かつ、軟化点が前記第５のガラスフリットの軟化点以下の前記第４のガラスフリットを用いる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち一方の基板上に、金属粉体と第６のガラスフリットとが所定の比率で混合されてなる金属ぺースト層を形成する第８の工程と、前記金属ぺースト層が形成された前記基板上に、金属酸化物と第７のガラスフリットを含む隔壁形成用のガラスぺースト層を形成する第９の工程と、前記金属ぺースト及び前記ガラスぺーストを同時に焼成して電極層及び前記隔壁を形成する第１０の工程とを有し、
前記第８の工程では、前記所定の比率が、前記電極層中の前記第６のガラスフリットの含有率が１重量％以上１２重量％以下となるように設定された前記金属ぺーストを用い、かつ、軟化点が前記第７のガラスフリットの軟化点以下の前記第６のガラスフリットを用いる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記第１、第５又は第８の工程で用いる前記金属粉体の平均粒径は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１、２又は３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、金属酸化物と第８のガラスフリットとを含む導電性ペースト層を形成する第１１の工程と、前記導電性ぺースト層上に、金属粉体を含む金属ペースト層を形成する第１２の工程と、前記金属ペースト層上に、第９のガラスフリットを含むガラスぺースト層を形成する第１３の工程と、前記導電性ぺーストと前記金属ぺーストと前記ガラスぺーストとを同時に焼成して第１及び第２の電極層と誘電体層とを形成する第１４の工程とを有し、
前記第１１の工程では、軟化点が前記第９のガラスフリットの軟化点以下の前記第８のガラスフリットを用いる
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１２の工程で用いる前記金属粉体の平均粒径は、０．００１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記金属粉体は、銀粉体又は金粉体であることを特徴とする請求項４又は６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
前記誘電体層又は前記隔壁を形成するための前記ガラスぺースト層を形成する前に、前記金属ぺースト層又は／及び前記導電性ぺースト層の電気的特性を検査する検査工程を実施することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
前記電極層と、前記誘電体層又は前記隔壁とを形成するための焼成温度は、前記誘電体層又は前記隔壁を形成するために用いられる前記第２、第５、第７又は第９のガラスフリットの粘度によって定義された軟化点以上で、該軟化点よりも３０℃高い温度以下に設定されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
前記電極層と、前記誘電体層又は前記隔壁とを形成するための焼成温度は、前記誘電体層又は前記隔壁を形成するための前記第２、第５、第７又は第９のガラスフリットを試料として用いた示差熱分析において前記試料が昇温と共に焼結収縮過程から軟化流動過程へ転換する温度を軟化点とみなした場合に、該軟化点よりも２０℃低い温度以上で、前記軟化点よりも１０℃高い温度以下に設定されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
プラズマディスプレイパネルを製造する第１５の工程と、前記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに前記プラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第１６の工程と、画像信号のフォーマット変換を行い、前記モジュールに送信するインタフェースを前記モジュールに電気的に接続する第１７の工程とを含むプラズマ表示装置の製造方法であって、
前記第１５の工程では、請求項１乃至１０のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法が実行されることを特徴とするプラズマ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置に係り、例えば、同一の焼成工程で電極と誘電体層とを形成するプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）ともいう）を主要部として含むプラズマ表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）ディスプレイや液晶表示装置等に比べて、ちらつきがなく、表示コントラスト比が大きく、薄型大画面化が可能であり、応答速度が速い等の利点を有し、近年、大型平面テレビジョン受像機や、情報処理機器のディスプレイとして利用されている。
このプラズマ表示装置は、放電により発生した紫外線を蛍光体に照射することによって可視光を取り出して表示を行うディスプレイであり、動作方式により、電極が誘電体で被覆されて間接的に交流放電の状態で動作させるＡＣ型のものと、電極が放電空間に露出されて直流放電の状態で動作させるＤＣ型のものとに略大別され、特にＡＣ型のものは、高輝度が得られ、比較的簡単な構造で上述したような大画面化が容易に実現できるので、広く用いられている。また、ＡＣ型のプラズマディスプレイパネルとしては、電極構造の違いから面放電方式のものと、対向電極方式のものとが提案されている。
このようなＡＣ型のプラズマ表示装置の主要部を構成するプラズマディスプレイパネルは、ガラス等の透明材料からなる前面基板と背面基板とが対向するように配置されて、両基板間にプラズマを発生させる放電ガス空間が形成されて概略構成されている。
【０００３】
また、ＡＣ型のプラズマ表示装置のなかで、プラズマディスプレイパネルにおいて、放電セル（以下、セルともいう）を形成する上述したような一対の基板のうちの一方の基板である前面基板の内面に、水平方向に沿って平行に走査電極と維持電極（共通電極）とからなる行電極を配置すると共に、他方の基板である背面基板の内面に、上記行電極と直交するように垂直方向に沿ってアドレス電極（データ電極）からなる列電極を配置した３電極面放電型の構成のプラズマディスプレイパネルは、前面基板において行われる面放電時に発生する高エネルギのイオンによる影響を抑えることができるので、長寿命化が図れるため、最も広く採用されている。
【０００４】
この３電極面放電方式ＡＣ型のプラズマ表示装置は、背面基板のアドレス電極と前面基板の走査電極との間で表示（発光）すべき放電セルを選択する書込放電を行い、次に、前面基板の走査電極と維持電極との間で選択したセルの面放電による維持放電（表示放電）を行うように構成されている。走査電極と維持電極とは電極対を構成している。このようなプラズマディスプレイパネルで、背面基板の内面に、赤色、緑色、及び青色の各蛍光体層を形成して多色発光を可能としたカラープラズマディスプレイ装置が提供されている。
上記プラズマ表示装置の主要部を構成するプラズマディスプレイパネル１０１は、図１６に示すように、前面基板１０２と、背面基板１０３とが互いに対向するように配置され、前面基板１０２と背面基板１０３との間に放電ガス空間１０４が形成されて概略構成されている。
【０００５】
前面基板１０２は、ガラス等の透明材料からなる前面ガラス基板１０５と、前面ガラス基板１０５の内面に行方向に沿って互いに平行に形成された酸化錫やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明電極１０６ａ，１０７ａ及び透明電極１０６ａ，１０７ａの一部にそれぞれ抵抗値を小さくするためのＡｌ，Ｃｕ、Ａｇ等からなるバス電極１０６ｂ，１０７ｂからなる走査電極１０６及び維持電極１０７と、走査電極１０６及び維持電極１０７を被覆するＰｂＯ（酸化鉛）のような低融点ガラス等からなる透明誘電体層１０８と、動作中に発生する放電から透明誘電体層１０８を保護するために、二次電子放出係数が大きく、耐スパッタ性に優れたＭｇＯ（酸化マグネシウム）等からなる保護膜１０９とを備えてなっている。
【０００６】
また、背面基板１０５は、ガラス等の透明材料からなる背面ガラス基板１１０と、背面ガラス基板１１０の内面に列方向に沿って互いに平行に形成されたＡｌ，Ｃｕ、Ａｇ等からなるアドレス電極１１１と、アドレス電極１１１を被覆する白色誘電体層１１２と、Ｈｅ（ヘリウム）、Ｎｅ（ネオン）、Ｘｅ（キセノン）等の放電用ガスが単独で又は混合されて充填され上記放電ガス空間１０４を確保するとともに個々の放電セルを区切るために垂直方向に沿って形勢された低融点ガラス等からなる隔壁１１３と、隔壁１１３によって画成される放電セルの底部や側部に配置され放電用ガスの放電により発生する紫外線を可視光に変換する赤色、緑色、及び青色の各蛍光体層に塗り分けられた蛍光体層１１４とを備えてなっている。
ここで、蛍光体材料のうち、赤色蛍光体としては、（Y，Gｄ）BO：Eu、（Y，Gｄ）BO３：Eu、緑色蛍光体としては、Zn２SiO４：Mn、青色蛍光体としては、BaMgAl１０O１７：Euが用いられる。
【０００７】
この３電極面放電方式ＡＣ型のプラズマディスプレイパネル１０１の製造方法について説明する。
まず、図１６に示すように、前面基板１０２を製造するために、前面ガラス基板１０５の内面に水平方向Ｈに沿って平行に透明電極１０６ａ，１０７ａを形成する（ステップＳＡ１１（図１７））。
次に、抵抗値を小さくするためのバス電極１０６ｂ，１０７ｂを水平方向に沿って透明電極１０６ａ，１０７ａの上に（図１６においては下面側に）形成する（ステップＳＡ１２）。すなわち、電極材料として銀を選択する場合は、銀粉体とガラスフリットと有機バインダとからなる銀ペーストを、スクリーン印刷等によってパターニングし、この後、銀ペーストを焼成処理して、有機バインダの焼失とガラスフリットの軟化を行い、バス電極パターンを前面ガラス基板１０５に固着させてバス電極１０６ｂ，１０７ｂを形成する。
【０００８】
こうして、透明電極１０６ａ，１０７ａ及びバス電極１０６ｂ，１０７ｂとから走査電極１０６及び維持電極１０７が形成される。
次に、走査電極１０６及び維持電極１０７を被覆する透明誘電体層１０８を形成する（ステップＳＡ１３）。すなわち、ガラスフリットと有機バインダとからなるガラスペーストを、スクリーン印刷やテーブルコータ等によって形成し、この後、ガラスペーストを焼成処理して、有機バインダの焼失とガラスフリットの軟化を行い、透明誘電体層パターンを前面ガラス基板１０５に固着させて透明誘電体層１０８を形成する。
次に、透明誘電体層１０８を放電から保護するための保護膜１０９を形成する（ステップＳＡ１４）。こうして、前面基板１０２が完成する。
【０００９】
一方、図１６に示すように、背面基板１０３を製造するために、背面ガラス基板１１０の上面に垂直方向に沿って平行にアドレス電極１１１を形成する（ステップＳＢ１１（図１７））。すなわち、電極材料として銀を選択する場合は、銀粉体とガラスフリットと有機バインダとからなる銀ペーストを、スクリーン印刷等によってパターニングし、この後、銀ペーストを焼成処理して、有機バインダの焼失とガラスフリットの軟化を行い、アドレス電極パターンを背面ガラス基板１１０に固着させてアドレス電極１１１を形成する。
次に、アドレス電極１１１を被覆する白色誘電体層１１２を形成する（ステップＳＢ１２）。すなわち、ガラスフリットと有機バインダとからなるガラスペーストを、スクリーン印刷やテーブルコータ等によって形成し、この後、ガラスペーストを焼成処理して、有機バインダの焼失とガラスフリットの軟化を行い、白色誘電体層パターンを背面ガラス基板１１０に固着させて白色誘電体層１１２を形成する。
【００１０】
次に、白色誘電体層１１２上に、放電セルを画成するために、ストライプ状に隔壁１１３を形成する（ステップＳＢ１３）。すなわち、ガラスフリットと有機バインダとからなるガラスペーストを、白色誘電体層１１２上にリバースコート法やスリットコート法等によって、一様に塗布した後、レジストをパターニングし、サンドブラスト法等によってレジストの開口箇所を切削し、この後、ガラスペーストを焼成処理して、有機バインダの焼失とガラスフリットの軟化を行い、隔壁パターンを白色誘電体層１１２に固着させて隔壁１１３を形成する。
【００１１】
次に、隔壁１１３，１１３間に蛍光体層１１４を形成する（ステップＳＢ１４）。
次に、背面ガラス基板１１０の外周部に、シールフリットを塗布し、これを焼成して、背面基板１０３を完成させる（ステップＳＢ１５）。
次に、前面基板１０２と背面基板１０３とを１００μｍ程度のギャップを隔てて互いに対向した状態で、電極対の延長方向（行方向）とアドレス電極１１１の延長方向（列方向）とが互いに直交するように、かつ、両基板１０２，１０３間に放電ガス空間１０４が形成されるように、貼り合わせて配置し（ステップＳＣ１６（図１７））、その周縁部を、例えば、フリットガラスからなる封止材によって気密封着する（ステップＳＣ１７）。
【００１２】
すなわち、背面基板１０３の周縁部にフリットガラスを塗布した後、前面基板１０２と背面基板１０３とを貼り合わせた状態で焼成処理を施し、フリットガラスを溶かして、前面基板１０２と背面基板１０３とを接合してパネル状とする。ここで、隔壁１１３によって放電セルが画成されている。
次に、パネル状の前面基板１０２及び背面基板１０３を加熱炉内に導入するとともに、通気管を介して、前面基板１０２と背面基板１０５との間に形成された放電空間と接続して、放電空間内の排気を行いながら、真空加熱を行い、放電ガス空間１０４に、例えばキセノンを含む混合希ガスからなる放電ガスを所定の圧力で導入して充填した後、通気管を過熱によってチップオンし、開口端部を閉塞する（ステップＳＣ１８）。このようにして、放電ガス空間１０４内に放電ガスが充填される。
次に、放電セル内で放電を発生させて、一定時間継続させることで、放電を安定化させる（ステップＳＣ１９）。
このようにして、放電ガス空間１０４内に放電ガスが充填されて、プラズマディスプレイパネル１０１が完成する。
【００１３】
上述したように、プラズマディスプレイパネル１０１を製造するためには、多くの焼成工程を実行する必要があり、この焼成処理によって、ペースト層内に含まれる有機バインダを焼失させ、パネル内に有機成分が残存しないようにし、同時にガラス成分を軟化させることによって、例えば、電極材料等をガラス基板に固着させている。
次に、焼成処理方法について、図１８を用いて、詳細に説明する。
焼成処理の温度プロファイルは、同図に示すように、昇温部Ｌ１と、脱バインダ部Ｌ２と、昇温部Ｌ３と、キープ温度部Ｌ４と、降温部Ｌ５とからなっている。
昇温部Ｌ１では、時刻ｔ０から時刻ｔ１まで、有機バインダの焼失温度より１０〜２０℃程度高い温度Ｔａまで昇温される。ここで、昇温速度は、通常１０〜２０℃／分程度に設定される。
【００１４】
脱バインダ部Ｌ２では、時刻ｔ１から時刻ｔ２までの一定時間（脱バイ）、焼成温度として、温度Ｔａを維持して、ペースト中の有機バインダを完全に焼失させる。この一定時間（ｔ２−ｔ１）は、使用するペースト中に含まれる有機バインダの種類及び電極、透明誘電体層、白色誘電体層などの膜厚等を考慮して設定され、通常は、５〜２０分程度とされる。
昇温部Ｌ３では、時刻ｔ２から時刻ｔ３まで、ガラスフリットの軟化点以上の温度Ｔｂまで昇温される。
ここで、試料として上記ガラスフリットを用いた示差熱分析（ＤＴＡ：Differential  Thermal  Analysis）において昇温と共に焼結収縮過程から軟化流動過程へ転換する温度を軟化点（ＤＴＡ軟化点）とみなして用いている。
キープ温度部Ｌ４では、時刻ｔ３から時刻ｔ４までの一定時間（保持時間）、焼成温度として、温度Ｔｂを維持する。この保持時間（ｔ４−ｔ３）は、ガラスフリットが完全に軟化し、かつ、完全に構造物から気泡が抜けるまでの時間として、１０〜４０分程度に設定される。
【００１５】
降温部Ｌ５では、時刻ｔ４から時刻ｔ５まで、通常、３〜７℃／分程度に設定された降温速度で降度される。
通常、ガラス板を急速に冷却すると、冷却むらによる基板の変形や歪がガラス板中に残って、ガラスの破壊や焼成収縮の不均一が発生する。このガラスの破壊や焼成収縮の不均一は、ときには数百ｐｐｍの大きさとなり、例えば、４２型のプラズマ表示装置では、その収縮の不均一が数百μｍ程度になる。この値は、４２型のＶＧＡクラスの表示装置の場合、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の光を発光するセルのサイズが略３５０μｍ程度であることを考慮すると、急速冷却によるガラス基板の変形はプラズマ表示装置にとって致命的な問題となる。このため、通常は、この歪が残らないように、ゆっくり温度を下げる。
【００１６】
したがって、１回の焼成処理で費やされる時間は、焼成温度が例えば６００℃の場合、最短でも略２時間、最も長い場合には５時間程度となる。この条件で、タクトタイム２分で生産するためには、焼成炉は、１回の焼成当り６０〜１５０ｍの長さが必要とされ、かつ、１ｍ角程度の基板が収容可能な広い幅が必要とされる。図１７に示すような各焼成工程で、この焼成炉が必要となると、焼成炉の設置面積や消費電力は莫大となり、プラズマ表示装置の量産工場の建屋は大規模とせざるを得なくなり、エネルギも大量消費して、製造コストも嵩むこととなる。
焼成工程に要する時間を削減するために、導電性粉体と焼成によって除去可能な有機バインダとを含む導体インキを用いて電極用パターンを基板上に形成し、ガラスフリットと焼成によって除去可能な有機バインダとを含む誘電体形成ぺーストを用いて、電極用パターンを覆うように、誘電体層用パターンを形成し、電極用パターン及び誘電体層用パターンを同時に焼成して電極層及び誘電体層を形成する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１７】
この技術では、誘電体層用パターンの上に、ガラスフリットと有機バインダとを含む隔壁形成ぺーストを用いて、隔壁用パターンを形成し、電極用パターンと誘電体層用パターンと隔壁用パターンとを同時に焼成して電極層と誘電体層と隔壁を形成することも行われる。また、基板上に、ガラスフリットと有機バインダとを含む下地層形成ぺーストを用いて、下地層用パターンを形成し、下地層用パターンの上に電極用パターンを形成し、さらに、電極用パターンの上に誘電体層用パターンを形成し、下地層用パターンと電極用パターンと誘電体層用パターンとを同時に焼成して下地層と電極層と誘電体層とを形成することも行われる。
また、基板上に金属粉体とガラスフリットとを含む金属ぺースト層を形成し、金属ぺースト層上にガラスフリットを含むガラスぺースト層を形成し、金属ぺースト及びガラスぺーストを同時に焼成して結晶化ガラスを含む電極層及び低融点ガラス層からなる誘電体層を形成する技術も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
ここで、結晶化ガラスの結晶化ピーク温度が、低融点ガラスの軟化点（上記ＤＴＡ軟化点）よりも低い値となるようにして、同時焼成を行う。
【特許文献１】特開２００１−２９７６９１号公報
【特許文献２】特開２００３−２２３８５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
解決しようとする第１の問題点は、特に特許文献１に記載された従来技術では、同時焼成によって、導電性粉体としての例えば銀粉体が、誘電体中に拡散して、誘電体が黄色に変色し、この同時焼成した基板を前面基板として用いると、プラズマ表示装置の表示品質が著しく悪化するという点である。
すなわち、２層以上のペースト層を同時焼成すると、その成分が移動したり異なる層の成分同士が混ざり合ったり、層の中に気泡が発生したりする現象が起こるが、特に導電性材料として銀を用いた場合は、導体インキ中のガラスフリットの有無に関わらず、銀が誘電体中に拡散して、透明誘電体層が黄色に変色する。
【００１９】
また、第２の問題点は、特許文献１及び特許文献２に記載された従来技術では、電極層での導電性は焼成した後に得られ、焼成した後に例えば電気的検査を行って電極に欠陥を確認することができたとしても、同時焼成を行うために、既に電極層の殆ど全てが誘電体層で覆われ、欠陥箇所の修理が不可能であるので、不良品となってしまうという点である。
すなわち、導電性材料として銀等を使用し、スクリーン印刷法や、オフセット印刷法、感光性ペーストを用いた方法等の厚膜技術で形成された電極層は、焼成によって有機バインダが除去されてはじめて導電性を示すので、同時焼成を行わない場合は、焼成後に、電極の検査として、通常、画像認識を利用した画像検査と、実際に電極に電流を流して、断線や隣接する電極との接触を検査する電気的検査とを実施して、これらの検査で異常が発見されたときに、欠陥箇所を修理することができたが、同時焼成を行う場合は、誘電体層も形成されているために修理ができない。
【００２０】
また、第３の問題点は、特に特許文献１に記載された従来技術では、同時焼成によると、焼成で、電極用パターンに含まれる有機バインダの焼失に伴ってガスが発生し、このガスが電極層を覆う誘電体層によって妨げられて、誘電体層を通過できずに気泡となって層内に閉じ込められ残存し、パネル表示の際に、誘電体層の耐圧不良を招くという点である。
また、第４の問題点は、特に特許文献２に記載された従来技術では、銀等の誘電体層中への拡散や、気泡の発生の問題が解消されても、金属ぺーストに含まれるガラスフリットの種類が例えば結晶化ガラスに限定されてしまうという点である。
【００２１】
この発明は、上述の事情に鑑みてなされたもので、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減することができると共に、誘電体層の変色を防止し、良好な表示品質を維持することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法を提供することを第１の目的としている。
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減することができると共に、例えば電極層の電気的検査を行うことができ、検査によって電極層での断線等の欠陥が発見された場合に、修理を行うことができるプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法を提供することを第２の目的としている。
【００２２】
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減することができると共に、焼成処理の過程で、特に電極用パターンに含まれる有機バインダの焼失に伴ってガスが発生した場合、このガスが電極用パターンを覆う誘電体層用パターンによって閉じ込められて、気泡となって残存することを防止し、パネル表示の際に、誘電体層の耐圧不良を招くことを抑止することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法を提供することを第３の目的としている。
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減することができると共に、例えば金属ぺーストに含まれるガラスフリットの種類に依存することなく誘電体層の変色を防止し、良好な表示品質を維持することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法を提供することを第４の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、金属粉体と第１のガラスフリットとが所定の比率で混合されてなる金属ぺースト層を形成する第１の工程と、上記金属ぺースト層上に、第２のガラスフリットを含むガラスぺースト層を形成する第２の工程と、上記金属ぺースト及び上記ガラスぺーストを同時に焼成して電極層及び誘電体層を形成する第３の工程とを有し、上記第１の工程では、上記所定の比率が、上記電極層中の上記第１のガラスフリットの含有率が１重量％以上１２重量％以下となるように設定された上記金属ぺーストを用い、かつ、軟化点が上記第２のガラスフリットの軟化点以下の上記第１のガラスフリットを用いることを特徴としている。
ここで、軟化点とは、粘度によって定義された軟化点はもとより、示差熱分析において昇温と共に焼結収縮過程から軟化流動過程へ転換する温度を軟化点とみなす場合も含む広い概念を意味するものとする。
【００２４】
また、請求項２記載の発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、金属酸化物と第３のガラスフリットとを含む導電性ペースト層を形成する第４の工程と、上記導電性ぺースト層上に、金属粉体と第４のガラスフリットとが所定の比率で混合されてなる金属ぺースト層を形成する第５の工程と、上記金属ぺースト層上に、第５のガラスフリットを含むガラスぺースト層を形成する第６の工程と、上記導電性ペーストと上記金属ぺーストと上記ガラスぺーストとを同時に焼成して第１及び第２の電極層と誘電体層とを形成する第７の工程とを有し、上記第４の工程では、軟化点が上記第５のガラスフリットの軟化点以下の上記第３のガラスフリットを用い、上記第５の工程では、上記所定の比率が、上記第２の電極層中の上記第４のガラスフリットの含有率が１重量％以上１２重量％以下となるように設定された上記金属ぺーストを用い、かつ、軟化点が上記第５のガラスフリットの軟化点以下の上記第４のガラスフリットを用いることを特徴としている。
【００２５】
また、請求項３記載の発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち一方の基板上に、金属粉体と第６のガラスフリットとが所定の比率で混合されてなる金属ぺースト層を形成する第８の工程と、上記金属ぺースト層が形成された上記基板上に、金属酸化物と第７のガラスフリットを含む隔壁形成用のガラスぺースト層を形成する第９の工程と、上記金属ぺースト及び上記ガラスぺーストを同時に焼成して電極層及び上記隔壁を形成する第１０の工程とを有し、上記第８の工程では、上記所定の比率が、上記電極層中の上記第６のガラスフリットの含有率が１重量％以上１２重量％以下となるように設定された上記金属ぺーストを用い、かつ、軟化点が上記第７のガラスフリットの軟化点以下の上記第６のガラスフリットを用いることを特徴としている。
【００２６】
また、請求項４記載の発明は、請求項１、２又は３記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第１、第５又は第８の工程で用いる上記金属粉体の平均粒径は、１ｎｍ以上５０ｎｍ以下であることを特徴としている。
【００２７】
また、請求項５記載の発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、プラズマディスプレイパネルを構成し、対向配置された一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に、金属酸化物と第８のガラスフリットとを含む導電性ペースト層を形成する第１１の工程と、上記導電性ぺースト層上に、金属粉体を含む金属ペースト層を形成する第１２の工程と、上記金属ペースト層上に、第９のガラスフリットを含むガラスぺースト層を形成する第１３の工程と、上記導電性ぺーストと上記金属ぺーストと上記ガラスぺーストとを同時に焼成して第１及び第２の電極層と誘電体層とを形成する第１４の工程とを有し、
上記第１１の工程では、軟化点が上記第９のガラスフリットの軟化点以下の上記第８のガラスフリットを用いることを特徴としている。
【００２８】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記第１２の工程で用いる上記金属粉体の平均粒径は、０．００１μｍ以上５μｍ以下であることを特徴としている。
【００２９】
また、請求項７記載の発明は、請求項４又は６記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記金属粉体は、銀粉体又は金粉体であることを特徴としている。
【００３０】
また、請求項８記載の発明は、請求項１乃至７のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記誘電体層又は上記隔壁を形成するための上記ガラスぺースト層を形成する前に、上記金属ぺースト層又は／及び上記導電性ぺースト層の電気的特性を検査する検査工程を実施することを特徴としている。
【００３１】
また、請求項９記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記電極層と、上記誘電体層又は上記隔壁とを形成するための焼成温度は、上記誘電体層又は上記隔壁を形成するために用いられる上記第２、第５、第７又は第９のガラスフリットの粘度によって定義された軟化点以上で、該軟化点よりも３０℃高い温度以下に設定されることを特徴としている。
【００３２】
また、請求項１０記載の発明は、請求項１乃至８のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法に係り、上記電極層と、上記誘電体層又は上記隔壁とを形成するための焼成温度は、上記誘電体層又は上記隔壁を形成するための上記第２、第５、第７又は第９のガラスフリットを試料として用いた示差熱分析において上記試料が昇温と共に焼結収縮過程から軟化流動過程へ転換する温度を軟化点とみなした場合に、該軟化点よりも２０℃低い温度以上で、上記軟化点よりも１０℃高い温度以下に設定されることを特徴としている。
【００３３】
また、請求項１１記載の発明は、プラズマディスプレイパネルを製造する第１５の工程と、上記プラズマディスプレイパネルを駆動する回路とともに上記プラズマディスプレイパネルを一つのモジュールとして製造する第１６の工程と、画像信号のフォーマット変換を行い、上記モジュールに送信するインタフェースを上記モジュールに電気的に接続する第１７の工程とを含むプラズマ表示装置の製造方法に係り、上記第１５の工程では、請求項１乃至１０のいずれか１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法が実行されることを特徴としている。
【発明の効果】
【００３４】
この発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法の構成によれば、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減して製造コストを低減することができると共に、金属ぺーストのガラスフリットとして、軟化点がガラスぺーストのガラスフリットの軟化点以下のガラスフリットを用い、金属ぺースト中のガラスフリット含有率が適切に設定されるので、焼成時に金属が誘電体中に拡散して、誘電体層が変色することを防止し、良好な表示品質を維持することができる。
また、金属ぺースト及びガラスぺーストを適切な焼成温度で焼成することによって、焼成時に金属が誘電体中に拡散して、誘電体層が変色することを一段と確実に防止し、良好な表示品質を維持することができる。
【００３５】
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減して製造コストを低減することができると共に、金属ぺースト中のガラスフリット含有率が適切に設定されるので、金属ぺースト層は乾燥状態で導電性を示すので、ガラスぺースト層の形成前に、例えば電極層の電気的検査を行うことができ、検査によって電極層での断線等の欠陥が発見された場合に、修理を行うことができる。したがって、歩留まりの低下を回避することができる。
また、金属ぺースト中のガラスフリット含有率に加えて、金属ぺーストに用いる金属粉体の平均粒径を適切に設定することによって、金属ぺースト層は乾燥状態で一段と高い導電性を示すので、検査を確実に行うことができる。
【００３６】
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減して製造コストを低減することができると共に、金属ぺーストのガラスフリットとして、軟化点がガラスぺーストのガラスフリットの軟化点以下のガラスフリットを用いるので、焼成処理の過程で、特に電極用パターンに含まれる有機バインダの焼失に伴ってガスが発生した場合、このガスが電極用パターンを覆う誘電体層用パターンによって閉じ込められて、気泡となって残存することを防止し、パネル表示の際に、誘電体層の耐圧不良を招くことを抑止することができる。
【００３７】
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減して製造コストを低減することができると共に、金属ぺースト中のガラスフリット含有率を適切に設定することによって、例えば金属ぺーストに含まれるガラスフリットの種類に依存することなく誘電体層の変色を防止し、良好な表示品質を維持することができる。
また、この発明のプラズマ表示装置の製造方法の構成によれば、プラズマ表示装置をモジュール化することによって、部品交換の必要が生じた場合に、モジュール毎交換することによって、補修の簡素化及び迅速化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を参照して、この発明を実施するための最良の形態について説明する。
同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減して製造コストを低減することができると共に、金属ぺーストのガラスフリットとして、軟化点がガラスぺーストのガラスフリットの軟化点以下のガラスフリットを用い、金属ぺースト中のガラスフリット含有率を適切に設定することによって、焼成時に金属が誘電体中に拡散して、誘電体層が変色することを防止し、良好な表示品質を維持するという第１の目的を実現した。
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減して製造コストを低減することができると共に、金属ぺースト中のガラスフリット含有率を適切に設定することによって、金属ぺースト層は乾燥状態で導電性を示すので、ガラスぺースト層の形成前に、例えば電極層の電気的検査を行い、検査によって電極層での断線等の欠陥が発見された場合に、修理を行うという第２の目的を実現した。
【００３９】
同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減して製造コストを低減することができると共に、金属ぺーストのガラスフリットとして、軟化点がガラスぺーストのガラスフリットの軟化点以下のガラスフリットを用いることによって、焼成処理の過程で、特に電極用パターンに含まれる有機バインダの焼失に伴ってガスが発生した場合、このガスが電極用パターンを覆う誘電体層用パターンによって閉じ込められて、気泡となって残存することを防止し、パネル表示の際に、誘電体層の耐圧不良を招くことを抑止するという第３の目的を実現した。
また、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減することができると共に、金属ぺースト中のガラスフリット含有率を適切に設定することによって、例えば金属ぺーストに含まれるガラスフリットの種類に依存することなく誘電体層の変色を防止し、良好な表示品質を維持するという第４の目的を実現した。
【実施例１】
【００４０】
図１は、この発明の第１実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための工程図、図２は、同プラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図、図３は、試料としてガラスフリットを用いて得られた示差熱分析曲線及び昇温の際の温度曲線を示す図、図４は、示差熱分析におけるガラスフリットの状態の変化を説明するための説明図、また、図５は、銀粉体の平均粒径と乾燥後のシート抵抗値との間の関係を示す図である。
この例のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、銀ペースト中のガラスフリットの含有率や、銀ペースト及びガラスぺーストのガラスフリットの軟化点の関係、銀粉体の平均粒径等の製造条件を適切に設定して、アドレス電極用パターン及び誘電体層用パターンを形成して両パターンを同時焼成して、背面基板を製造し、従来の同時焼成しない方法で前面基板を製造する。
【００４１】
なお、この例では、図３に示すように、試料としてのガラスフリットと基準物質（例えば、アルミナ粉末）との間の温度差ΔＴを温度（又は時間ｔ）に対して記録した示差熱分析曲線Ｌmにおいて、温度曲線Ｌnにしたがって、昇温した際に試料が焼結収縮過程から軟化流動過程へ転換する温度Ｔmを軟化点（ＤＴＡ（Differential  Thermal  Analysis）軟化点）とみなして、材料選定や焼成温度等の製造条件の設定基準として用いる。なお、同図で、示差熱分析曲線Ｌmにおいて、縦軸上で下向きに吸熱反応が行われることを示す。
図４（ａ）に示すように、カプセルＣ内に粉体の状態で収納された試料Ｓa（ガラスフリット）は、昇温とともに、同図（ｂ）に示すように、焼結が行われて（ta＜ｔ＜tb）、焼結体としての試料Ｓbとなり、さらに、昇温されると、軟化しはじめ、同図（ｃ）及び同図（ｄ）に示すように、軟化が進行して、軟化流動体としての試料Ｓc，Ｓdとなり、さらに、昇温されると、同図（ｅ）に示すように、流動が完了して（ｔ＞tc）、流動体としての試料Ｓeとなる。ここで、示差熱分析曲線Ｌm上の吸熱が増加傾向から減少傾向へ転じる温度が軟化点Ｔmとして検出される。
【００４２】
まず、図１（ａ）に示すように、背面ガラス基板１を用意する。背面ガラス基板１としては、例えば、高歪点ガラスを用いることができるが、特にその種類は限定されない。
次に、同図（ｂ）に示すように、背面ガラス基板１の上面に、垂直方向Ｖに沿って平行にアドレス電極形成用の銀ペーストを用いて、アドレス電極用パターン２を形成する。（図２参照）。
ここで、銀ペーストとしては、銀粉体と、ガラスフリットと、有機バインダとからなり、ペースト化されたものを用いる。
なお、金属粉体として、加工が容易なことから、銀粉体が用いられるが、このほか、加工容易な実用的な材料として金粉体を用いても良い。
【００４３】
銀粉体としては、平均粒径が１ｎｍ以上〜５０ｎｍ以下のものを用いる。１ｎｍの平均粒径の銀粉体は、現在の技術で製造可能な最小の粒径の銀粉体である。また、ガラスフリットの周りに銀粉体が集まった状態で導電性を示すのは、銀粉体の平均粒径がガラスフリットの粒径の１／１００以下とした場合にあることが知られており、通常使用されるガラスフリットの最大粒径を５μｍとして、銀粉体の平均粒径の上限は、５０ｎｍに設定するのが適切である。
この例では、銀粉体としては、その粒径サイズから、所謂「ナノ粒子」と称される平均粒径が略１０ｎｍのものを用いる。
発明者らが、所定の銀粉体の平均粒径に対応する乾燥後のシート抵抗値を測定したところ、表１及び図５に示すような結果が得られた。この測定では、銀ペーストを１２０℃で１０分間乾燥し、乾燥後の膜厚を８μｍ（焼成後は５μｍ）とした。
【００４４】
【表１】
2006128055.tif 000003
【００４５】
この結果、表１及び図５に示すように、例えば、銀粉体の平均粒径が１〜２［ｎｍ］のときは、シート抵抗値は、０．１［Ω／ｍ２］、５［ｎｍ］のときは、３００［Ω／ｍ２］、１［μｍ］のときは、５０００［Ω／ｍ２］であった。５０［ｎｍ］の場合は、１０００［Ω／ｍ２］以下であり、十分な導電性が得られている。
【００４６】
また、ガラスフリットとしては、その軟化点がガラスペーストのガラスフリットの軟化点以下のものを用いる。この例では、ガラスフリットとしては、その軟化点が略４２０℃のＢｉ２Ｏ３系のものを用いる。
また、有機バインダとしては、樹脂成分としてセルロース系やアクリル系のもの、溶剤としてＢＣＡ（ブチルカルビトールアセテート）やα−ターピネオールを含むものを用いる。上記樹脂成分の焼失温度は、３５０℃〜４００℃である。
また、銀ペースト中の成分比は、ガラスフリットの含有率が焼成後の状態で１重量％以上１２重量％以下となるように設定する。ここで、含有率１重量％は、焼成によって電極をガラス基板に固着させるための最低限の含有率である。また、含有率１２重量％を越えると、誘電体と同時に焼成して電極を形成する際に、電極の形状が変形して、抵抗値も悪化する虞があるため、含有率１２重量％を上限として設定した。
この例では、銀ペーストのなかの、銀粉体と、ガラスフリットと、有機バインダとの比率は、銀粉体が７０ｗｔ％、ガラスフリットが５ｗｔ％、有機バインダが２５ｗｔ％に設定する。
【００４７】
この銀ペーストを用いて、例えばスクリーン版印刷法によって、アドレス電極用パターン２を形成する。すなわち、スクリーン版として、例えば、ＳＵＳ３２５メッシュの乳剤厚さ１０μｍのものを用い、電極の幅を略１３０μｍとなるように、背面ガラス基板１上に直接印刷する。
この後、略１５０℃の温度で乾燥させることによって、有機バインダ中の溶剤分を除去する。
次に、こうして、アドレス電極用パターン２が形成された背面ガラス基板１を、まず、画像認識によって欠陥を検出する画像検査装置を用いて検査する。
発明者らが、この画像検査装置を用いて、所定のサンプルについて実際に検査を実施したところ、欠陥は皆無であった。
【００４８】
次に、電気的検査装置を用いて、アドレス電極用パターン２に電流を流して、断線や隣接する電極との接触を検査する。この電気的検査装置は、電極の１本１本にプローブで接触して微弱な電流を流し、電極の断線や隣接する電極との接触を検出する。
発明者らが、電気的検査装置を用いて、上記サンプルについて、検査を実施したところ、１本を除いて、ライン抵抗値は略３００ｋΩであり、１本は、略１００ＭΩの抵抗値を示した。これにより、この略１００ＭΩを示したアドレス電極用パターン２は、断線状態にあることが認識できた。このため、断線箇所に印刷で用いた銀ペーストを塗布し、乾燥させ、再度電気的検査装置を用いて検査した。この結果、今度は、略３００ｋΩの抵抗値を示し、断線箇所の修理が完了した。
【００４９】
次に、図１（ｃ）に示すように、アドレス電極用パターン２を覆うように、白色誘電体層形成用のガラスぺーストを用いて、誘電体層用パターン３を形成する。ここで、アドレス電極と外部回路とを接続する端子部は除外して、誘電体層用パターン３を形成する。
ガラスぺーストとしては、ガラスフリットと、有機バインダとを含み、ペースト化されたものを用いる。
ガラスフリットとしては、その軟化点が略５４０℃のＺｎＯ系のものを用い、有機バインダとしては、樹脂成分としてセルロース系やアクリル系のもの、溶剤としてＢＣＡやα−ターピネオールを含むものを用いる。なお、白色とするためのＴｉＯ２が添加されている。また、上記樹脂成分の焼失温度は、３５０℃〜４００℃である。
【００５０】
このガラスペーストを用いて、例えばスクリーン版印刷法によって、誘電体層用パターン３を形成する。この後、乾燥させることによって、有機バインダ中の溶剤分を除去する。
次に、アドレス電極用パターン２及び誘電体層用パターン３を、ガラスペーストのガラスフリットの軟化点よりも２０℃低い温度以上で、この軟化点よりも１０℃高い温度以下の焼成温度で、焼成する。焼成温度が、軟化点よりも１０℃高い温度を越えると、泡が多数発生したり、ガラスが結晶化する虞がある。この例では、焼成温度を５４０℃として焼成する。
これによって、アドレス電極用パターン２及び誘電体層用パターン３の樹脂成分を焼失させると共に、ガラスフリットの成分を軟化させて、背面ガラス基板１上に固着させ、図２に示すように、背面ガラス基板１上に、アドレス電極４及び白色誘電体層５を形成する。
この焼成処理によって、アドレス電極４中の銀粉体と、ガラスフリットとの比率は、銀粉体が略９３ｗｔ％、ガラスフリットが略７ｗｔ％となる。
【００５１】
このようにして、アドレス電極用パターン２及び誘電体層用パターン３を５４０℃で同時焼成して、背面ガラス基板１上に、形成されたアドレス電極４のライン抵抗値を、上記サンプルについて、発明者らが、測定したところ、表２に示すように、１４Ωであった。一方、アドレス電極と、白色誘電体層とを別々に焼成して形成した場合のサンプルについて、白色誘電体層形成前のアドレス電極単体でのアドレス電極と、白色誘電体層形成後のアドレス電極とのそれぞれのライン抵抗値を測定したところ、表２に示すように、それぞれ、１８Ω、１７Ωであった。
【００５２】
【表２】
2006128055.tif 000004
【００５３】
このように、アドレス電極用パターン２及び誘電体層用パターン３を同時焼成して、アドレス電極４を形成しても、アドレス電極４の機能は、アドレス電極と白色誘電体層とを別々に焼成して形成した場合と比べて、良好に維持されることがわかる。
次に、白色誘電体層５上に、放電セルを画成するために、ストライプ状に隔壁６を形成する。隔壁６は、例えば、リバースコート法や、スリットコート法等を用いて、アドレス電極４及び白色誘電体層５が形成された背面ガラス基板１上に１５０μｍ程度隔壁形成用のガラスペーストを塗布した後、この背面ガラス基板１を乾燥させ、所謂サンドブラス法によって、形成した。ここで、ガラスペーストは、ガラスフリットと、有機バインダと、ＴｉＯ２とを混合させたものを用いる。
【００５４】
次に、隔壁６，６間に蛍光体層７を形成する。蛍光体層７は、放電ガスの放電によって発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層７ｒ、緑色蛍光体層７ｇ、及び青色蛍光体層７ｂに塗り分けられてなっている。次に、背面ガラス基板１の外周部に、例えばシールフリットを塗布し、これを焼成し、背面基板８を完成させる。
一方、前面基板は従来の方法で製造した。すなわち、図２に示すように、前面ガラス基板１１の内面に水平方向Ｈに沿って平行に透明電極１２ａ，１３ａを形成する。ここで、透明電極１２ａ，１３ａは、酸化錫やＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなっている。
次に、抵抗値を小さくするためのバス電極（トレース電極）１２ｂ，１３ｂを水平方向Ｈに沿って透明電極１２ａ，１３ａの下面側に形成する。こうして、透明電極１２ａ，１３ａ及びバス電極１２ｂ，１３ｂから走査電極１２及び維持電極（共通電極）１３が形成される。
【００５５】
次に、走査電極１２及び維持電極１３を被覆する透明誘電体層１４を形成する。ここで、透明誘電体層１４は、例えばＰｂＯ（酸化鉛）等の低融点ガラスからなっている。
次に、透明誘電体層１４を放電から保護するための保護膜１５を形成する。ここで、保護膜６は、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）等からなっている。こうして、前面基板１６が完成する。
次に、前面基板１６と背面基板８とを１００μｍ程度のギャップを隔てて互いに対向した状態で、電極対１７の延長方向（行方向）とアドレス電極４の延長方向（列方向）とが互いに直交するように、かつ、両基板１６，８間に放電空間が形成されるように、貼り合わせて配置し、その周縁部を、例えば、フリットガラスからなる封止材によって気密封着する。すなわち、背面基板８の周縁部にフリットガラスを塗布した後、前面基板１６と背面基板８とを貼り合わせた状態で加熱し、フリットガラスを溶かして、前面基板１６と背面基板８とを接合してパネル状とする。
【００５６】
次に、パネル状の前面基板１６及び背面基板８を加熱炉内に導入するとともに、通気管を介して、前面基板１６と背面基板８との間に形成された放電空間と接続して、放電空間内の排気を行いながら、真空加熱を行う。
次に、放電空間に、例えばキセノンを含む混合希ガスからなる放電ガスを所定の圧力で導入して充填した後、通気管を過熱によってチップオンし、開口端部を閉塞する。このようにして、放電空間内に放電ガスが充填される。
【００５７】
次に、エージング工程を実施する。すなわち、放電セル内で放電を発生させて、一定時間継続させることで、放電を安定化させる。
このようにして、放電空間内に放電ガスが充填されて、プラズマディスプレイパネル１８が完成する。
上記プラズマディスプレイパネル１８において、発明者らが、再度、アドレス電極４の電気的検査を実施したところ、断線は皆無であり、また、表示品位も従来の方法によるものと同等であった。
【００５８】
このように、この例の構成によれば、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減することができる。
同時に、銀ぺースト中のガラスフリット含有率と銀ぺーストに用いる銀粉体の平均粒径とをが適切に設定されるので、アドレス電極用パターン２は乾燥状態で導電性を示すため、誘電体層用パターン３の形成前に、例えばアドレス電極の電気的検査を行うことができ、検査によって電極での断線等の欠陥が発見された場合に、修理を行うことができる。したがって、歩留まりの低下を回避することができる。
【００５９】
また、銀ぺーストのガラスフリットとして、軟化点がガラスぺーストのガラスフリットの軟化点以下のガラスフリットを用いるので、焼成処理の過程で、特にアドレス電極用パターン２に含まれる有機バインダの焼失に伴ってガスが発生した場合、このガスがアドレス電極用パターン２を覆う誘電体層用パターン３によって閉じ込められて、気泡となって残存することを防止し、パネル表示の際に、誘電体層の耐圧不良を招くことを抑止することができる。
また、銀ぺースト中のガラスフリット含有率を適切に設定することによって、例えば銀ぺーストに含まれるガラスフリットの種類に依存することなく誘電体層の変色を防止し、良好な表示品質を維持することができる。
【実施例２】
【００６０】
図６は、この発明の第２実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための工程図、図７乃至図１０は、焼成条件と前面基板の透過率との関係を示す図、図１１は、同プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマ表示装置の色光の特性を説明するための説明図、また、図１２は、焼成温度と前面基板のｂ＊値との関係を示す図である。
この例が上述した実施例１と大きく異なるところは、前面基板の製造時に、銀ペースト中のガラスフリットの含有率や、銀ペースト及びガラスぺーストのフリットガラスの軟化点の関係、銀粉体の平均粒系等の製造条件を適切に設定し、背面基板は従来の同時焼成しない方法で製造した点である。
これ以外の構成は、上述した実施例１の構成と略同一であるので、その説明を簡略にする。
【００６１】
まず、図６（ａ）に示すように、前面ガラス基板２１を用意する。前面ガラス基板２１としては、例えば、高歪点ガラスを用いることができるが、特にその種類は限定されない。
次に、同図（ｂ）に示すように、前面ガラス基板２１上に、水平方向（図２の水平方向Ｈに対応）に沿って平行に、透明電極２２ａ，２３ａを形成する。ここで、透明電極１２ａ，１３ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を前面ガラス基板２１全面にスパッタ法等で成膜した後、エッチングによって形成する。
次に、透明電極２２ａ，２３ａ上に少なくともその一部が接するように、抵抗値を小さくするためのバス電極を水平方向Ｈに沿って形成する。この例では、バス電極は２層構造とされる。
【００６２】
このために、透明電極２２ａ，２３ａ上に、バス電極黒層形成用の導電性ペーストを用いて、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂを形成する。
この導電性ペーストとしては、バス電極が前面基板に形成されるために、外光の反射を抑え、パネルのコントラストを向上させる目的で、黒色のペーストを用いる。すなわち、この導電性ペーストとしては、無機導電性黒色顔料としての酸化ルテニウムと、ガラスフリットと、有機バインダとからなり、ペースト化されたものを用いる。
この例では、ガラスフリットとしては、その軟化点がガラスペーストのガラスフリットの軟化点以下のものを用いる。この例では、ガラスフリットとしては、その軟化点が略４２０℃のＢｉ２Ｏ３系のものを用いる。
また、有機バインダとしては、樹脂成分としてセルロース系やアクリル系のもの、溶剤としてＢＣＡやα−ターピネオールを含むものを用いる。上記樹脂成分の焼失温度は、３５０℃〜４００℃である。
【００６３】
この導電性ペーストを用いて、例えばスクリーン版印刷法によって、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂを形成する。
この後、略１５０℃の温度で乾燥させることによって、有機バインダ中の溶剤分を除去する。
このバス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ上に、全体の抵抗値を下げてバス電極としての機能を果たすために、同図（ｃ）に示すように、バス電極銀層形成用の銀ペーストを用いて、バス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃを積層する。
【００６４】
この銀ペーストとしては、銀粉体と、有機バインダとからなり、ペースト化されたものを用いる。
銀粉体としては、平均粒径が０．００１μｍ以上５μｍ以下のものを用いる。ここで、バス電極の高さは、抵抗値の抑制や誘電体層の形成に対応するために略５μｍ〜７μｍとされることから、銀粉体の平均粒径の上限値は、５μｍに設定される。この例では、銀粉体としては、平均粒径が略１μｍのものを用いる。銀粉体の平均粒径が比較的大きいために、ガラスフリットを用いていない。
また、有機バインダとしては、樹脂成分としてセルロース系やアクリル系のもの、溶剤としてＢＣＡやα−ターピネオールを含むものを用いる。上記樹脂成分の焼失温度は、３５０℃〜４００℃である。
この銀ペーストを用いて、例えばスクリーン版印刷法によって、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ上にバス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃを積層する。
【００６５】
この後、略１５０℃の温度で乾燥させることによって、有機バインダ中の溶剤分を除去する。
次に、こうして、透明電極２２ａ，２３ａ、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ及びバス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃが形成された前面ガラス基板２１を、まず、画像認識によって欠陥を検出する画像検査装置を用いて検査する。
発明者らが、この画像検査装置を用いて、所定のサンプルについて実際に検査を実施したところ、スクリーン版の目詰りによる欠陥が確認されたが、修理が必要となる程度のものではなかった。
次に、電気的検査装置を用いて、透明電極２２ａ，２３ａ、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ及びバス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃに電流を流して、断線や隣接する電極との接触を検査する。
【００６６】
発明者らが、電気的検査装置を用いて、上記サンプルについて、検査を実施したところ、電極のライン抵抗値は、平均で略１０ＭΩであった。また、１００ＭΩ以上の抵抗値を示すラインが複数本確認されたため、該当ラインを調査したところ、画像検査では発見できなかった電極の断線が発見され、断線箇所に銀ペーストを塗布して乾燥させ、再度電気的検査を行った結果今度は、全てのラインで１０ＭΩの抵抗値が得られ、断線箇所の修理が完了した。
【００６７】
次に、同図（ｄ）に示すように、電極と外部回路を接続する端子部を除いて、透明電極２２ａ，２３ａ、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ及びバス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃを覆うように、透明誘電体層形成用のガラスぺーストを用いて、透明誘電体層用パターン２４を形成する。
ガラスぺーストとしては、ガラスフリットと、有機バインダとを含み、ペースト化されたものを用いる。
ガラスフリットとしては、その軟化点がいずれも略５４０℃のＰｂＯ系のもの又はＺｎＯ系のものを用い、有機バインダとしては、樹脂成分としてセルロース系やアクリル系のもの、溶剤としてＢＣＡやα−ターピネオールを含むものを用いる。また、上記樹脂成分の焼失温度は、３５０℃〜４００℃である。
【００６８】
このガラスペーストを用いて、例えばスクリーン版印刷法によって、透明誘電体層用パターン２４を形成する。この後、乾燥させることによって、有機バインダ中の溶剤分を除去する。
次に、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ、バス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃ及び透明誘電体層用パターン２４を、ガラスペーストのガラスフリットの軟化点よりも２０℃低い温度以上で、この軟化点よりも１０℃高い温度以下の焼成温度で、焼成する。
焼成温度が、ガラスペーストのガラスフリットの軟化点よりも２０℃低い温度よりも低い温度では、焼成不足となり、軟化点よりも１０℃高い温度を越えると、微小泡が成長して、例えば前面ガラス基板の透過率を悪化させる。この例では、焼成温度を略５３０℃とし、この焼成温度を保つ保持時間を略３０分間として焼成する。
これによって、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ、バス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃ及び透明誘電体層用パターン２４の樹脂成分を焼失させると共に、ガラスフリットの成分を軟化させて、前面ガラス基板２１上に固着させ、前面ガラス基板２１上に、透明電極２２ａ，２３ａと、バス電極黒層及びバス電極銀層からなるバス電極と、透明誘電体層とを形成する。
【００６９】
この焼成処理によって、アドレス電極４中の銀粉体と、ガラスフリットとの比率は、銀粉体が略９３ｗｔ％、ガラスフリットが略７ｗｔ％となる。
このようにして、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ、バス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃ及び透明誘電体層用パターン２４を５５０℃で同時焼成して、前面ガラス基板２１上に、形成された電極（透明電極２２ａ，２３ａ及びバス電極）のライン抵抗値を、上記サンプルについて、発明者らが、測定したところ、表３に示すように、４１Ωであった。一方、電極（バス電極）と、透明誘電体層とを別々に焼成して形成した場合のサンプルについて、透明誘電体層形成前の電極（透明電極２２ａ，２３ａ及びバス電極）単体と、透明誘電体層形成後の電極（透明電極２２ａ，２３ａ及びバス電極）とのそれぞれのライン抵抗値を測定したところ、表３に示すように、それぞれ、５３Ω、５０Ωであった。
【００７０】
【表３】
2006128055.tif 000005
【００７１】
このように、バス電極黒層用パターン２２ｂ，２３ｂ、バス電極銀層用パターン２２ｃ，２３ｃ及び透明誘電体層用パターン２４を同時焼成して、電極（バス電極）を形成しても、電極の機能は、電極（バス電極）と透明誘電体層とを別々に焼成して形成した場合と比べて、良好に維持されることがわかる。
また、発明者らは、透明誘電体層形成用のガラスぺーストに含まれるガラスフリットとして、軟化点が５３８℃のガラスフリットＳ1を選定し、透明誘電体層を形成した後に、焼成条件（焼成温度及びその保持時間）を変えた場合の前面基板の透過率を測定した。
すなわち、ガラスフリットＳ1について、焼成温度を５３０℃、５３５℃、５４０℃とし、それぞれについて、保持時間を１０分、２０分、３０分の場合について、透過率を測定した。ここで、波長５５０ｎｍの光を用い、膜厚３０μｍ換算の拡散透過率を求めた。これにより、表４及び図７に示すような結果が得られた。図７において、折線Ｌa，Ｌb，Ｌcは、それぞれ、燃焼温度を、５３０℃、５３５℃、５４０℃とした場合の結果を示す。
【００７２】
【表４】
2006128055.tif 000006
【００７３】
表４及び図７に示す測定結果からわかるように、保持時間を１０分としたときは、軟化点（５３８℃）付近か、軟化点よりも若干高温側で、焼成するほうが、高い透過率が得られ、保持時間を３０分としたときは、軟化点よりも若干低温側で、焼成するほうが、高い透過率が得られることがわかり、燃焼温度に対応した最適な保持時間があることを意味するものと考えられる。
さらに、ガラスフリットの種類を変えて、別のガラスフリットＳ2，Ｓ3，Ｓ4を用いた場合について、焼成条件（焼成温度及びその保持時間）を変えた場合の前面基板の透過率を測定した。
すなわち、透明誘電体層形成用のガラスぺーストに含まれるガラスフリットＳ2（軟化点：５４０℃）について、保持時間を１０分、３０分とし、それぞれについて、焼成温度を５２０℃、５３０℃、５４０℃、５５０℃とした場合について、透過率を測定した。ここで、波長５５０ｎｍの光を用い、拡散透過率を求めた。
これにより、表５及び図８に示すような結果が得られた。図８において、折線Ｌd，Ｌeは、それぞれ、保持時間を、１０分、３０分とした場合の結果を示す。
【００７４】
【表５】
2006128055.tif 000007
【００７５】
表５及び図８に示す測定結果からわかるように、この場合も、保持時間を１０分としたときは、軟化点（５４０℃）付近か、軟化点よりも若干高温側で、焼成するほうが、高い透過率が得られ、保持時間を３０分としたときは、軟化点付近か、軟化点よりも若干低温側で、焼成するほうが、高い透過率が得られることがわかる。
このように、保持時間を３０分とすると、低温側での焼成温度の適正範囲が拡大することがわかる。
なお、軟化点を基準として低温側で、特に保持時間を１０分とした場合に透過率が低下しているのは、焼成不足が原因であると考えられる。また、高温側で透過率が低下しているのは、焼成が進行して、微小泡が成長していることが原因と考えられる。
【００７６】
また、透明誘電体層形成用のガラスぺーストに含まれるガラスフリットＳ3（軟化点：５７０℃）について、保持時間を１０分、３０分とし、それぞれについて、焼成温度を５４０℃、５５０℃、５６０℃、５７０℃とした場合について、透過率を測定した。ここで、波長５５０ｎｍの光を用い、拡散透過率を求めた。
これにより、表６及び図９に示すような結果が得られた。図９において、折線Ｌf，Ｌgは、それぞれ、保持時間を、１０分、３０分とした場合の結果を示す。
【００７７】
【表６】
2006128055.tif 000008
【００７８】
表６及び図９に示す測定結果からわかるように、保持時間を１０分としたときは、軟化点付近で、焼成するほうが、高い透過率が得られ、保持時間を３０分としたときは、軟化点よりも若干低温側で、焼成するほうが、高い透過率が得られることがわかる。
このように、保持時間を３０分とすると、低温側での焼成温度の適正範囲が拡大することがわかる。
なお、軟化点を基準として低温側で、特に保持時間を１０分とした場合に透過率が低下しているのは、焼成不足が原因であると考えられる。
【００７９】
また、透明誘電体層形成用のガラスぺーストに含まれるガラスフリットＳ4（軟化点：５７０℃）について、保持時間を１０分、３０分とし、それぞれについて、焼成温度を５６０℃、５７０℃、５８０℃、５９０℃とした場合について、透過率を測定した。ここで、波長５５０ｎｍの光を用い、拡散透過率を求めた。
これにより、表７及び図１０に示すような結果が得られた。図１０において、折線Ｌh，Ｌiは、それぞれ、保持時間を、１０分、３０分とした場合の結果を示す。
【００８０】
【表７】
2006128055.tif 000009
【００８１】
表７及び図１０に示す測定結果からわかるように、保持時間を３０分としたときは、軟化点付近か、軟化点よりも若干低温側で、焼成するほうが、高い透過率が得られることがわかる。
また、軟化点を基準として高温側で、特に保持時間を３０分とした場合に透過率が低下しているのは、白濁が原因と考えられる。
【００８２】
また、発明者らは、透明誘電体層を形成した後に、透明誘電体層形成用のガラスぺーストに含まれるガラスフリットの種類（ＰｂＯ系のもの又はＺｎＯ系のもの）に対応した心理計測量的色度としての前面基板のｂ＊値を測定した。
この結果、表８に示すように、ＰｂＯ系のガラスフリットを用いた場合は、ｂ＊値は２．８、ＺｎＯ系のガラスフリットを用いた場合は、ｂ＊値は４．０と測定された。
【００８３】
【表８】
2006128055.tif 000010
【００８４】
心理計測量測定測色学では、ディスプレイの色光の特性は、心理計測明度Ｌ＊と、心理計測量的色度（ａ＊，ｂ＊）とを用いて、色空間内の１点で表され、このｂ＊値は、図１１に示すように、Ｌ＊と（ａ＊，ｂ＊）とで色光の特性を表現する座標系で、黄色の度合いを示す値である。なお、Ｌ＊は、同図では紙面に垂直な方向に沿った座標である。ｂ＊値が正の向きに大きいということは、より黄色いことを示している。
通常、銀をガラス上で焼成すると、ガラスは黄色く発色する。誘電体も、ガラスフリットを使用しているために、従来技術では、焼成時に銀が透明誘電体層中に拡散して、誘電体が黄色く発色する。
【００８５】
この例では、銀ペースト中のガラスフリットの含有率や、銀ペースト及びガラスぺーストのフリットガラスの軟化点の関係、焼成温度等の製造条件を適切に設定しているために、これらを同時焼成しても黄変が抑制される。
発明者らは、同一種類のガラスフリット（ＰｂＯ系のもの）について、軟化点のみを変更した場合の前面基板のｂ＊値を測定した。この結果、表９に示すように、軟化点が５４０℃のガラスフリットを用いたときのｂ＊値は、２．８、軟化点が４８０℃のガラスフリットを用いたときのｂ＊値は、６〜８と測定された。
【００８６】
【表９】
2006128055.tif 000011
【００８７】
このように、この例で選定したガラスフリットを用いたときは、黄変は抑えられていることがわかる。これに対して、軟化点が４８０℃のガラスフリットを用いた基板では、銀が誘電体層中に拡散しており、黄変以外にも様々な不具合が発生している。経験的にｂ＊値は５以下であれば、表示品位に問題がないことが確認されている。
また、発明者らは、透明誘電体層形成用のガラスぺーストに含まれるガラスフリットＳ5，Ｓ6について、焼成温度を変化させて前面基板のｂ＊値を測定した。
すなわち、ガラスフリットＳ5について、焼成温度を５４０℃、５５０℃、５６０℃とした場合について、前面基板のｂ＊値を測定した。これによって、表１０及び図１２に示すような結果が得られた。
図１２において、折線Ｌj，Ｌkは、それぞれ、ガラスフリットＳ5，Ｓ6についての測定結果を示す。
【００８８】
【表１０】
2006128055.tif 000012
【００８９】
また、ガラスフリットＳ6について、焼成温度を５４０℃、５５０℃、５６０℃、５８０℃とした場合について、前面基板のｂ＊値を測定した。これによって、表１１及び図１２に示すような結果が得られた。
【００９０】
【表１１】
2006128055.tif 000013
【００９１】
表１０、表１１及び図１２に示される測定結果から、焼成温度が低いほど、ｂ＊値が改善され、黄変を抑制することができることがわかる。
【００９２】
次に、透明誘電体層を放電から保護するための保護膜を形成する。ここで、保護膜は、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）等からなっている。こうして、前面基板が完成する。
一方、背面基板は従来の方法で製造した。
【００９３】
次に、前面基板と背面基板とをギャップを隔てて互いに対向した状態で、電極対の延長方向（行方向）とアドレス電極の延長方向（列方向）とが互いに直交するように、かつ、両基板間に放電空間が形成されるように、貼り合わせて配置し、その周縁部を、例えば、フリットガラスからなる封止材によって気密封着する。すなわち、背面基板の周縁部にフリットガラスを塗布した後、前面基板と背面基板とを貼り合わせた状態で加熱し、フリットガラスを溶かして、前面基板と背面基板とを接合してパネル状とする。
次に、パネル状の前面基板及び背面基板を加熱炉内に導入するとともに、通気管を介して、前面基板と背面基板との間に形成された放電空間と接続して、放電空間内の排気を行いながら、真空加熱を行う。
【００９４】
次に、放電空間に、放電ガスを導入して充填した後、通気管を過熱によってチップオンし、開口端部を閉塞する。このようにして、放電空間内に放電ガスが充填される。
このようにして、プラズマディスプレイパネルが完成する。
上記プラズマディスプレイパネルにおいて、発明者らが、再度、バス電極の電気的検査を実施したところ、断線は皆無であり、また、表示品位も従来の方法によるものと同等であった。
【００９５】
この例の構成によれば、上述した実施例１と略同様の効果を得ることができる。
加えて、銀ぺースト及びガラスぺーストを適切な焼成温度で焼成し、かつ、銀ぺーストのガラスフリットとして、軟化点がガラスぺーストのガラスフリットの軟化点以下のガラスフリットを用い、銀ぺースト中のガラスフリット含有率が適切に設定されるので、焼成時に銀が誘電体中に拡散して、誘電体層が変色することを防止し、良好な表示品質を維持することができる。
特に、焼成温度を軟化点付近に設定することによって、高い透過率を得ることができると共に、保持時間を比較的長く（例えば３０分）設定することによって、適正な焼成温度の範囲を低温側に広げ、焼成温度を比較的低くすることによって、黄変を抑制することができる。
また、上層側のバス電極銀層用パターンを形成する際に、銀ペースト中にガラスフリットを含有させないので、銀粉体は、その平均粒径が０．００１μｍ以上５μｍ以下のもので十分であり、材料費を抑え、製造コストを低減することができる。
【実施例３】
【００９６】
図１３は、この発明の第３実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための工程図、また、図１４は、同プラズマディスプレイパネルの背面基板の構成を示す平面図である。
この例が上述した実施例１と大きく異なるところは、隔壁も同時に焼成して形成した点である。
これ以外の構成は、上述した実施例１の構成と略同一であるので、その説明を簡略にする。
【００９７】
この例のプラズマディスプレイパネルの製造方法では、まず、図１３（ａ）に示すように、背面ガラス基板３１を用意する。背面ガラス基板３１としては、実施例１の場合と同様に、例えば、高歪点ガラスを用いることができるが、特にその種類は限定されない。
次に、同図に示すように、背面ガラス基板３１の上面に、垂直方向に沿って平行にアドレス電極形成用の銀ペーストを用いて、アドレス電極用パターン３２を形成する。
ここで、アドレス電極と外部回路とを接続する端子部近傍では、図１４に示すように、アドレス電極用パターン３２間の間隔が狭くなるように形成され、後の工程で、隔壁３７は、その端部がアドレス電極３６に接触するように形成される。
【００９８】
銀ペーストとしては、銀粉体と、ガラスフリットと、有機バインダとからなり、ペースト化されたものを用いる。
銀粉体としては、平均粒径が１ｎｍ以上〜５０ｎｍ以下のものを用いる。この例では、銀粉体としては、平均粒径が略１０ｎｍのものを用いる。
また、ガラスフリットとしては、その軟化点がガラスペーストのガラスフリットの軟化点以下のものを用いる。ガラスフリットとしては、その軟化点が略４２０℃のＢｉ２Ｏ３系のものを用いる。
また、有機バインダとしては、樹脂成分としてセルロース系やアクリル系のもの、溶剤としてＢＣＡ（ブチルカルビトールアセテート）やα−ターピネオールを含むものを用いる。上記樹脂成分の焼失温度は、３５０℃〜４００℃である。
また、銀ペースト中の成分比は、ガラスフリットの含有率が焼成後の状態で１重量％以上１２重量％以下となるように設定する。この例では、銀ペーストのなかの、銀粉体と、ガラスフリットと、有機バインダとの比率は、銀粉体が７０ｗｔ％、ガラスフリットが５ｗｔ％、有機バインダが２５ｗｔ％に設定する。
【００９９】
この銀ペーストを用いて、例えばスクリーン版印刷法によって、アドレス電極用パターン２を形成する。すなわち、スクリーン版として、ＳＸ３００の乳剤厚さ１０μｍのものを用い、電極の幅を略１３０μｍとなるように、背面ガラス基板３１上に直接印刷する。
この後、略１５０℃の温度で乾燥させることによって、有機バインダ中の溶剤分を除去する。
次に、こうして、アドレス電極用パターン３２が形成された背面ガラス基板３１を、まず、画像検査装置を用いて検査する。
【０１００】
発明者らが、この画像検査装置を用いて、所定のサンプルについて実際に検査を実施したところ、欠陥は皆無であった。
次に、電気的検査装置を用いて、アドレス電極用パターン３２に電流を流して、断線や隣接する電極との接触を検査する。
発明者らが、電気的検査装置を用いて、上記サンプルについて、検査を実施したところ、ライン抵抗値は略３００ｋΩであり、アドレス電極用パターン３２の断線や隣接するパターンとの接触は１本も確認されなかった。
【０１０１】
アドレス電極用パターン３２の画像認識による検査及び電気的検査を実施した後、略２００で再度乾燥処理を行った。これによって、後の工程でサンドブラスト法を実施する際に、アドレス電極用パターン３２が切削されにくくなる。
次に、同図に示すように、アドレス電極用パターン３２を覆うように、隔壁形成用のガラスぺーストを用いて、隔壁用ぺースト層３３を一様に形成する。ロールを背面ガラス基板３１に擦りつけて転写するリバースコート法や、スリットからペーストを垂らしながらコートするスリットコート法等によって、ガラスぺーストを塗布する。但し、リバースコート法では乾燥状態の電極に傷をつける虞があるために、この例では、スリットコート法によって塗布する。これによって、膜厚略１５０μｍ（乾燥後）の隔壁用ぺースト層３３を形成する。
【０１０２】
次に、同図（ｃ）に示すように、隔壁用ぺースト層３３の上に、ＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）層３４をパターニングして形成し、同図（ｄ）に示すように、サンドブラスト法を実施してＤＦＲ層３４の開口部を切削し、同図（ｅ）に示すように、ＤＦＲ層３４を取り除いて隔壁用パターン３５を形成する。
次に、アドレス電極用パターン３２及び隔壁用パターン３５を、ガラスペーストのガラスフリットの軟化点よりも２０℃低い温度以上で、この軟化点よりも１０℃高い温度以下の焼成温度で、焼成する。この例では、焼成温度を略５７０℃として同時焼成する。
これによって、アドレス電極用パターン３２及び隔壁用パターン３５のなかの樹脂成分を焼失させると共に、ガラスフリットの成分を軟化させて、背面ガラス基板３１上に固着させ、背面ガラス基板３１上に、アドレス電極３６及び隔壁３７を形成する。
ここで、端子部近傍では、図１３に示すように、隔壁３７は、その端部がアドレス電極３６に接触するように形成される。
【０１０３】
発明者らが、アドレス電極３６及び隔壁３７が形成された背面ガラス基板３１について、同図に示す隔壁３７とアドレス電極３６とが接触した箇所を検査したところ、電極の断線や浮上り、隔壁３７における発泡や変色等は確認されなかった。
次に、隔壁３７，３７間に蛍光体層を形成する。蛍光体層は、放電ガスの放電によって発生する紫外線を可視光に変換する赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、及び青色蛍光体層に塗り分けられてなっている。次に、背面ガラス基板３１の外周部に、例えばシールフリットを塗布し、これを焼成し、背面基板を完成させる。
【０１０４】
一方、前面基板は従来の方法で製造した。すなわち、前面ガラス基板の内面に水平方向に沿って平行に透明電極を形成する。
次に、抵抗値を小さくするためのバス電極（トレース電極）を水平方向Ｈに沿って透明電極の下面側に形成する。こうして、透明電極及びバス電極から走査電極及び維持電極（共通電極）が形成される。
次に、走査電極及び維持電極を被覆する透明誘電体層を形成する。次に、透明誘電体層を放電から保護するための保護膜を形成する。こうして、前面基板が完成する。
【０１０５】
次に、前面基板と背面基板とをギャップを隔てて互いに対向した状態で、電極対の延長方向（行方向）とアドレス電極の延長方向（列方向）とが互いに直交するように、かつ、両基板間に放電空間が形成されるように、貼り合わせて配置し、その周縁部を、例えば、フリットガラスからなる封止材によって気密封着する。すなわち、背面基板の周縁部にフリットガラスを塗布した後、前面基板と背面基板とを貼り合わせた状態で加熱し、フリットガラスを溶かして、前面基板と背面基板とを接合してパネル状とする。
【０１０６】
次に、パネル状の前面基板及び背面基板を加熱炉内に導入するとともに、通気管を介して、前面基板と背面基板との間に形成された放電空間と接続して、放電空間内の排気を行いながら、真空加熱を行う。
次に、放電空間に、放電ガスを導入して充填した後、通気管を過熱によってチップオンし、開口端部を閉塞する。このようにして、放電空間内に放電ガスが充填される。
このようにして、プラズマディスプレイパネルが完成する。
上記プラズマディスプレイパネルにおいて、発明者らが、再度、アドレス電極の電気的検査を実施したところ、断線は皆無であり、また、表示品位も従来の方法によるものと同等であった。
【０１０７】
この例の構成によれば、同時焼成によって焼成工程に要する時間を削減することができる。
同時に、銀ぺースト中のガラスフリット含有率と銀ぺーストに用いる銀粉体の平均粒径とをが適切に設定されるので、アドレス電極用パターン３２は乾燥状態で導電性を示すため、隔壁用ぺースト層３３の形成前に、例えばアドレス電極の電気的検査を行うことができ、検査によって電極での断線等の欠陥が発見された場合に、修理を行うことができる。したがって、歩留まりの低下を回避することができる。
【０１０８】
また、銀ぺーストのガラスフリットとして、軟化点がガラスぺーストのガラスフリットの軟化点以下のガラスフリットを用いるので、焼成処理の過程で、特にアドレス電極用パターン３２に含まれる有機バインダの焼失に伴ってガスが発生した場合、端子部近傍で、このガスがアドレス電極用パターン３２を覆う隔壁用ぺースト層３３によって閉じ込められて、気泡となって残存することを防止し、パネル表示の際に、誘電体層としての隔壁３７の耐圧不良を招くことを抑止することができる。
銀ぺースト中のガラスフリット含有率を適切に設定することによって、例えば銀ぺーストに含まれるガラスフリットの種類に依存することなく誘電体層の変色を防止し、良好な表示品質を維持することができる。
【実施例４】
【０１０９】
図１５は、この発明の第４実施例であるプラズマ表示装置の製造方法によって製造されたプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。
この例のプラズマ表示装置４１は、図１５に示すように、モジュール構造を有するものとして設計されており、具合的には、アナログインタフェース（以下、ＩＦという）４２とＰＤＰモジュール４３とから構成されている。
【０１１０】
アナログＩＦ４２は、同図に示すように、クロマ・デコーダを有するＹ／Ｃ分離回路４４と、Ａ／Ｄ変換回路４５と、ＰＬＬ回路を有する同期信号制御回路４６と、画像フォーマット変換回路４７と、逆γ（ガンマ）変換回路４８と、システムコントロール回路４９と、ＰＬＥ制御回路５１とから構成されている。
概略的には、アナログＩＦ４２は、受信したアナログ映像信号をデジタル映像信号に変換した後、このデジタル映像信号をＰＤＰモジュール４３に供給する。例えば、テレビチューナから発信されたアナログ映像信号は、Ｙ／Ｃ分離回路４４において、ＲＧＢの各色の輝度信号に分解された後、Ａ／Ｄ変換回路４５において、デジタル映像信号に変換される。
【０１１１】
この後、ＰＤＰモジュール４３の画素構成と映像信号の画素構成とが異なる場合には、画像フォーマット変換回路４７において、必要な画像フォーマットの変換が行われる。ＰＤＰの入力信号に対する表示輝度の特性は線形的に比例するが、通常の映像信号は、ＣＲＴの特性に合わせて、予め補正されている（γ変換されている）。
このため、Ａ／Ｄ変換回路４５において、映像信号のＡ／Ｄ変換を行った後、逆γ変換回路４８において、映像信号に対して逆γ変換を施し、線形特性に復元されたデジタル映像信号を生成する。このデジタル映像信号は、ＲＧＢ映像信号としてＰＤＰモジュール４３に出力される。
【０１１２】
アナログ映像信号には、Ａ／Ｄ変換用のサンプリングクロック及びデータクロック信号が含まれていないため、同期信号制御回路４６に内蔵されているＰＬＬ回路がアナログ映像信号と同時に供給される水平同期信号を基準として、サンプリングクロック及びデータクロック信号を生成し、ＰＤＰモジュール４３に出力する。
アナログＩＦ４２のＰＬＥ制御回路５１は輝度制御を行う。具体的には、平均輝度レベルが所定値以下である場合には、表示輝度を上昇させ、平均輝度レベルが所定値を超える場合には、表示輝度を低下させる。
【０１１３】
システムコントロール回路４９は、各種制御信号をＰＤＰモジュール７３に出力する。ＰＤＰモジュール４３は、さらに、デジタル信号処理・制御回路５２と、パネル部５３と、Ｄ／Ｄコンバータを内蔵するモジュール内電源回路５４とから構成されている。
デジタル信号処理・制御回路５２は、入力ＩＦ信号処理回路５５と、フレームメモリ５６と、メモリ制御回路５７と、ドライバ制御回路５８とから構成されている。
例えば、入力ＩＦ信号処理回路５５に入力された映像信号の平均輝度レベルは、入力ＩＦ信号処理回路５５内の入力信号平均輝度レベル演算回路（不図示）によって計算され、例えば、５ビットデータとして出力される。また、ＰＬＥ制御回路５１は、平均輝度レベルに応じてＰＬＥ制御データを設定し、入力ＩＦ信号処理回路５５内の輝度レベル制御回路（不図示）に入力する。
【０１１４】
パネル部５３は、ＰＤＰ２３と、走査電極を駆動する走査ドライバ５９と、データ電極を駆動するデータドライバ６１と、ＰＤＰ２３及び走査ドライバ５９にパルス電圧を供給する高圧パルス回路６２と、高圧パルス回路６２からの余剰電力を回収する電力回収回路６３とから構成されている。
ＰＤＰ２３は、例えば１３６５個×７６８個に配列された画素を有するものとして構成されている。ＰＤＰ２３では、走査ドライバ５９が走査電極を制御し、データドライバ６１がデータ電極を制御することにより、これらの画素のうちの所定の画素の点灯又は非点灯が制御され、所望の表示が行われる。
なお、ロジック用電源がデジタル信号処理・制御回路５２及びパネル部５３にロジック用電源を供給している。さらに、モジュール内電源回路５４は、表示電源から直流電力を供給され、この直流電力の電圧を所定の電圧に変換した後、パネル部５３に供給している。
【０１１５】
次に、図１５を参照して、この例のプラズマ表示装置４１の製造方法について概略的に説明する。
まず、ＰＤＰ２３と、走査ドライバ５９と、データドライバ６１と、高圧パルス回路６２と、電力回収回路６３とを一基板上に配置し、パネル部５３を形成する。さらに、パネル部５３とは別個にデジタル信号処理・制御回路５２を形成する。
このようにして形成されたパネル部５３及びデジタル信号処理・制御回路５２を一つのモジュールとして組み立て、ＰＤＰモジュール４３を形成する。さらに、ＰＤＰモジュール７３とは別個にアナログＩＦ７４を形成する。
このように、ＰＤＰモジュール４３とは別個にアナログＩＦ４２を形成した後、双方を電気的に接続することによって、プラズマ表示装置４１が完成する。
【０１１６】
このように、プラズマ表示装置４１をモジュール化することによって、プラズマ表示装置４１を構成する他の構成部品とは別個に独立にＰＤＰモジュール４３を製造することが可能となり、例えば、プラズマ表示装置４１が故障した場合には、ＰＤＰモジュール４３毎交換することによって、補修の簡素化及び迅速化を図ることができる。
【０１１７】
以上、この発明の実施例を図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
例えば、上述した実施例では、示差熱分析において焼結収縮過程から軟化流動過程へ転換する温度を軟化点とみなして用いる場合について述べたが、粘性によって定義された軟化点を用いても良い。
すなわち、製造されたガラスの粘度ηが、（η＝４．５×１０７［ｄPaｓ］（＝１０７．６５［ｐｓ］））となる温度を軟化点とする。この軟化点は、径０．５５〜０．７５［ｍｍ］（±０．０２［ｍｍ］）、長さ２２９［ｍｍ］のガラス糸を１０［℃／ｍｉｎ］で昇温加熱した場合に、自重で伸びる速さが１［ｍｍ／ｍｉｎ］に達した時の温度である。
この場合は、同時焼成の際の焼成温度を、ガラスフリットの軟化点以上で、この軟化点よりも３０℃高い温度以下の温度に設定する。
【０１１８】
また、前面基板と背面基板とのうち、いずれか一方を従来技術の電極層と、誘電体層とを別々に焼成して形成して、プラズマディスプレイパネルを製造する場合について述べたが、両方の基板について、例えば、銀ペースト中のガラスフリットの含有率や、銀ペースト及びガラスぺーストのフリットガラスの軟化点の関係、銀粉体の平均粒系等の製造条件を適切に設定して、電極用パターン及び誘電体層用パターンを形成して両パターンを同時焼成する方法を採用するようにしても良い。
【０１１９】
また、実施例２で、銀粉体の平均粒径を略１ｎｍ〜５０ｎｍとして、ガラスフリットを１〜１２ｗｔ％含有させて、乾燥状態でバス電極銀層用パターンに導通が得られるようにしても良い。
また、実施例２で、バス電極銀層形成用の銀ペーストに、ガラスフリットを含有させ、かつ、この銀ペースト中のガラスフリットの含有率を、焼成後の状態で１重量％以上１２重量％以下となるように設定し、銀ペースト及び導電性ペースト中のガラスフリットの軟化点を、共にガラスペーストのガラスフリットの軟化点以下に設定するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【０１２０】
金属粉体として、銀粉体や金粉体のほか、銅粉体、アルミニウム粉体等を用いる場合に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】この発明の第１実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための工程図である。
【図２】同プラズマディスプレイパネルの構成を示す斜視図である。
【図３】試料としてガラスフリットを用いて得られた示差熱分析曲線及び昇温の際の温度曲線を示す図である。
【図４】示差熱分析におけるガラスフリットの状態の変化を説明するための説明図である。
【図５】銀粉体の平均粒径と乾燥後のシート抵抗値との間の関係を示す図である。
【図６】この発明の第２実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための工程図である。
【図７】焼成条件と前面基板の透過率との関係を示す図である。
【図８】焼成条件と前面基板の透過率との関係を示す図である。
【図９】焼成条件と前面基板の透過率との関係を示す図である。
【図１０】焼成条件と前面基板の透過率との関係を示す図である。
【図１１】同プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマ表示装置の色光の特性を説明するための説明図である。
【図１２】焼成温度と前面基板のｂ＊値との関係を示す図である。
【図１３】この発明の第３実施例であるプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための工程図である。
【図１４】同プラズマディスプレイパネルの背面基板の構成を示す平面図である。
【図１５】この発明の第４実施例であるプラズマ表示装置の製造方法によって製造されたプラズマ表示装置の構成を示すブロック図である。
【図１６】従来技術を説明するための説明図であってプラズマディスプレイパネルの構成を示す断面図である。
【図１７】従来技術を説明するための説明図であって、プラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための説明図である。
【図１８】従来技術を説明するための説明図であって、焼成処理における温度プロファイルを示す図である。
【符号の説明】
【０１２２】
１，３１      背面ガラス基板（基板）
２      アドレス電極用パターン（金属ペースト層）
３      誘電体層用パターン（ガラスペースト層）
４      アドレス電極（電極層）
５      白色誘電体層（誘電体層）
６，３７      隔壁
８      背面基板
１１，２１      前面ガラス基板（基板）
１２      走査電極
１３      維持電極
１４      透明誘電体層（誘電体層）
１６      前面基板
１８      プラズマディスプレイパネル
２２ｂ      バス電極黒層用パターン（導電性ペースト層）
２２ｃ      バス電極銀層用パターン（金属ペースト層）
２４      誘電体層用パターン（ガラスペースト層）
３２      アドレス電極用パターン（金属ペースト層）
３３      隔壁用ペースト層（ガラスペースト層）
４１      プラズマ表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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