(57)【要約】【課題】  磁界変調記録方式での光磁気ディスクへの情報記録において磁気コイルに流れる交流電流を高周波化するのに適した光磁気ヘッド、および、そのような光磁気ヘッドを備える光磁気ディスク装置を、提供すること。【解決手段】  本発明の光磁気ヘッド１０は、光磁気ディスク４０の記録膜４２上に光を集光するための集光レンズ１２と、記録膜４２に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイル１３Ａ，１３Ｂとを有する。導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と、当該内芯部を包囲して延びる周囲部とを有し、内芯部は、周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有する。或は、導電線は中空管構造を有する。本発明の光磁気ディスク装置は、例えばこのような光磁気ヘッド１０を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光磁気ディスクの記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルとを有し、
前記導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と、当該内芯部を包囲して延びる周囲部とを有し、
前記内芯部は、前記周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有する、光磁気ヘッド。
【請求項２】
前記内芯部は絶縁体よりなる、請求項１に記載の光磁気ヘッド。
【請求項３】
光磁気ディスクの記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルとを有し、
前記導電線は中空管構造を有する、光磁気ヘッド。
【請求項４】
記録膜を有する光磁気ディスクについて情報記録および情報再生を実行するための光磁気ディスク装置であって、
前記記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルと、を有する光磁気ヘッドを備え、
前記導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と、当該内芯部を包囲して延びる周囲部とを有し、
前記内芯部は、前記周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有する、光磁気ディスク装置。
【請求項５】
記録膜を有する光磁気ディスクについて情報記録および情報再生を実行するための光磁気ディスク装置であって、
前記記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルと、を有する光磁気ヘッドを備え、
前記導電線は中空管構造を有する、光磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集光手段であるレンズと磁界印加手段である磁気コイルとを共に備える光磁気ディスク用途の記録再生ヘッド、および、当該ヘッドを備える光磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気ディスクが知られている。光磁気ディスクは、所定の磁気的構造を有する記録膜を有し、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な記録媒体である。光磁気ディスクへの情報記録に際しては、記録用レーザ光が記録膜上に集光されて記録膜の所定箇所が局所的に昇温されるとともに、磁界の印加により当該所定箇所が所定の方向に磁化される。このようにして、磁化方向の変化として記録膜内に信号が記録される。また、光磁気ディスクの情報再生に際しては、再生用レーザ光が記録膜上に集光され、当該記録膜表面にて反射された光の偏光方向の変化を検知することにより、記録信号が読み取られる。したがって、光磁気ディスクを記録・再生するための光磁気ディスク装置には、光源や、当該光源からのレーザ光を集光するためのレンズ等を含む所定の光学系、並びに、記録膜に磁界を印加するための磁気コイルが、必要とされる。
【０００３】
光磁気ディスクの技術分野においては、高い記録密度を達成し得る記録媒体として、フロントイルミネーション（ＦＩ）型の光磁気ディスクが注目を集めている。ＦＩ型の光磁気ディスクでは、記録膜に対して基板とは反対の側（フロント面側）からレーザ光照射や磁界印加がなされて情報記録や情報再生が実行されるように構成されている。そして、このようなＦＩ型光磁気ディスクを記録・再生するための光磁気ディスク装置では、集光手段であるレンズと磁界印加手段である磁気コイルとを、フロント面側において光磁気ディスクに対して適切に近接配置すべく、当該レンズおよび磁気コイルを共に具備する記録再生ヘッド（光磁気ヘッド）が利用される場合がある。そのような光磁気ヘッドは、例えば下記の特許文献１や特許文献２に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３２０８６３号公報
【特許文献２】特開２００３−５１１４４号公報
【０００５】
一方、光磁気ディスクへの具体的記録手法としては、磁界変調記録方式および光変調記録方式が知られており、また、高記録密度化および高記録速度化の観点からは、光変調記録方式よりも磁界変調記録方式の方が好ましいことが知られている。磁界変調記録方式においては、光源から発せられてレンズにより集光された記録用レーザ光が、回転する光磁気ディスクの記録膜に対して連続照射またはパルス照射されることにより、記録膜の所定箇所が昇温される。そして、この昇温箇所に対し、所定に変調された交流磁界が印加される。この磁界印加は、磁界印加手段である磁気コイルに対して所定周波数の交流電流を流すことにより行われる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁界変調記録方式は、記録密度や記録速度を高めるうえで好適である。しかしながら、磁界変調記録方式においては、いわゆる表皮効果に起因して、磁気コイルを流れる交流電流の周波数が高いほど、磁気コイルの交流抵抗（交流電流が流れたときの実効的な抵抗）が増大してしまう。
【０００７】
磁気コイルに交流電流を流すと、磁気コイルを構成する導線内における電流密度の分布に偏りが生じる。具体的には、導線断面の中心付近よりも表面（表皮）付近の方が電流密度は高くなり、電流が導線表面に集中する。このような表皮効果は、交流電流の周波数が高くなるほど顕著であり、磁気コイルの交流抵抗を増大させるのである。
【０００８】
このような交流抵抗の増大は、情報記録時（磁界印加時）における磁気コイルの温度上昇を招来する。集光用のレンズおよび磁気コイルを共に具備する光磁気ヘッドでは、磁界変調記録方式における交流電流の高周波化によって磁気コイルが過度に温度上昇すると、光磁気ヘッドにおける各部位が熱膨張することによって当該ヘッド内のレンズ等の光路が歪み、その結果、ヘッド内光学系の精度および光学特性が劣化してしまう場合がある。また、磁気コイルが過度に温度上昇すると、磁気コイル自体が変形ないし破損してしまう場合もある。したがって、集光用のレンズおよび磁気コイルを共に具備する光磁気ヘッドを使用して行う光磁気ディスクへの磁界変調記録においては、従来の技術によると、磁気コイルに流す交流電流について充分に高周波化することができない場合がある。
【０００９】
本発明は、このような事情のもとで考え出されたものであって、磁界変調記録方式での光磁気ディスクへの情報記録において磁気コイルに流れる交流電流を高周波化するのに適した光磁気ヘッド、および、そのような光磁気ヘッドを備える光磁気ディスク装置を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の側面によると光磁気ヘッドが提供される。この光磁気ヘッドは、光磁気ディスクの記録膜上に光を集光するための集光レンズと、記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルとを有する。導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と、当該内芯部を包囲して延びる周囲部とを有し、内芯部は、周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有する。
【００１１】
本光磁気ヘッドを使用して光磁気ディスクに対して磁界変調記録方式により情報記録を実行する際には、回転する光磁気ディスクの記録膜上に所定の記録用レーザ光を集光レンズにより集光して記録膜の所定箇所を昇温させる。そして、磁気コイルに所定周波数の交流電流を流すことにより、当該昇温箇所に磁界を印加する。本光磁気ヘッドによると、このような情報記録時において、磁気コイルを構成する導電線内の電流密度分布に関する表皮効果は、抑制される。
【００１２】
表皮効果の程度を示す指標として、下記の式（１）で表される表皮厚さδ［ｍ］が知られている。式（１）において、ρは抵抗率［Ωｍ］であり、μは透磁率［Ｈ／ｍ］であり、ωは角周波数であって２πｆ（ｆ：磁気コイルに流される交流電流の周波数［Ｈｚ］）に等しい。
【００１３】
【数１】
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【００１４】
表皮厚さδは、交流電流が流れる流路（本発明においては導電線）において、流路の最外表面における電流密度の１／ｅの電流密度を示す箇所の、流路最外表面からの距離に相当する。表皮厚さδが小さいほど、交流電流が流路最外表面に集中していることを意味し、従って、表皮効果は大きいことを意味する。すなわち、表皮厚さδが大きいほど、電流密度分布の偏りが小さくて流路内方部に多くの交流電流が流れていることを意味し、従って、表皮効果は小さいことを意味する。このように表皮厚さδにより程度が示唆される表皮効果は、上述したように、交流電流が高周波であるほど（即ちωが大きいほど）顕著となることが、式（１）からも理解できよう。
【００１５】
本発明の第１の側面の光磁気ヘッドにおける磁気コイルを構成する導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と、当該内芯部を包囲して延びる周囲部と、を含む複合構造を有し、その内芯部は、周囲部よりも大きな 抵抗率ρ／透磁率μ の値を有する。また、式（１）によると、所定の周波数（ωは一定）においては、抵抗率ρ／透磁率μ の値が大きいほど表皮厚さδは大きい（例えば、透磁率μが一定である場合には抵抗率ρが大きいほど、或は、抵抗率ρが一定である場合には透磁率μが小さいほど、表皮厚さδは大きい）。したがって、本光磁気ヘッドにおける磁気コイル（導電線）では、表皮効果が抑制されるのである。表皮効果の抑制は、導電線を流れる交流電流の高周波化に伴う当該導電線の交流抵抗上昇を抑制するうえで好適であり、このような交流抵抗上昇の抑制は、磁気コイルの発熱を抑制するうえで好適である。このように、本発明の第１の側面の光磁気ヘッドは、磁界変調記録方式での光磁気ディスクへの情報記録において磁気コイルに流れる交流電流を高周波化するのに適しているのである。
【００１６】
本発明の第２の側面によると別の光磁気ヘッドが提供される。この光磁気ヘッドは、光磁気ディスクの記録膜上に光を集光するための集光レンズと、記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルとを有し、導電線は中空管構造を有する。中空管構造を有する導電線の中空部には例えば空気が充満しており、導電線自体は所定の導電材料よりなる。空気は、導電材料よりも大きな 抵抗率ρ／透磁率μ の値を有する。したがって、本光磁気ヘッドにおける磁気コイル（導電線）では、表皮効果が抑制されるのである。
【００１７】
本発明の第３の側面によると、記録膜を有する光磁気ディスクについて情報記録および情報再生を実行するための光磁気ディスク装置が提供される。この光磁気ディスク装置は、記録膜上に光を集光するための集光レンズと、記録膜に対して磁界を印加するための磁気コイルと、を有する光磁気ヘッドを備える。磁気コイルを構成する導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と当該内芯部を包囲して延びる周囲部とを有し、内芯部は、周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有する。本光磁気ディスクは、本発明の第１の側面に係る光磁気ヘッドを備える。したがって、本光磁気ディスク装置によると、磁界変調記録方式による光磁気ディスクに対する情報記録の際に、第１の側面に関して上述したのと同様の効果が奏される。
【００１８】
本発明の第１および第３の側面において、好ましくは、磁気コイルを構成する導電線の周囲部は貴金属よりなり、内芯部は貴金属または卑金属よりなる。或は、周囲部は導体よりなり、内芯部は絶縁体よりなる。このような構成は、内芯部が周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有するという構成を実現するうえで好適である。
【００１９】
本発明の第４の側面によると、記録膜を有する光磁気ディスクについて情報記録および情報再生を実行するための別の光磁気ディスク装置が提供される。この光磁気ディスク装置は、記録膜上に光を集光するための集光レンズと、記録膜に対して磁界を印加するための磁気コイルと、を有する光磁気ヘッドを備える。磁気コイルを構成する導電線は、中空管構造を有する。本光磁気ディスクは、本発明の第２の側面に係る光磁気ヘッドを備える。したがって、本光磁気ディスク装置によると、磁界変調記録方式による光磁気ディスクに対する情報記録の際に、本光磁気ヘッドにおける磁気コイル（導電線）にて、表皮効果が抑制されるのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスク装置Ｘ１を表す。光磁気ディスク装置Ｘ１は、光磁気ヘッド１０と、キャリッジ２０と、制御部３１と、固定光学部３２と、スピンドルモータ３３とを備え、光磁気ディスク４０について情報記録および情報再生を実行できるように構成されている。
【００２１】
光磁気ディスク４０は、ディスク基板４１、記録膜４２、および保護膜４３を含む積層構造を有し、垂直磁気記録方式かつフロントイルミネーション（ＦＩ）型の光磁気記録媒体として構成されたものである。ディスク基板４１は、ディスク形状を有し、例えば、樹脂基板やガラス基板よりなる。記録膜４２は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を果たすことが可能な磁性構造を有し、再生方式に応じた１または２以上の磁性層、および、必要に応じて設けられる誘電体層よりなる。例えば、記録膜４２は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層（磁性層）よりなる。或は、記録膜４２は、ＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式での再生を実現するための、記録層（磁性層）、再生層（磁性層）、およびこれらの間の中間層（磁性層）を含む三層以上の多層構造を有する。記録膜４２のとり得る各磁性構造における各磁性層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。また、保護膜４３は、記録膜４２を塵埃などから保護すべく記録膜４２を覆い、光源（図示略）から出射されるレーザ光Ｌに対して充分な透過性を有する樹脂材料よりなる。
【００２２】
このような光磁気ディスク４０は、スピンドルモータ３３に支持され、スピンドルモータ３３が所定の回転速度で回転駆動することによって回転動作する。また、スピンドルモータ３３の回転駆動は、制御部３１からの所定の制御信号に基づいて制御される。
【００２３】
光磁気ヘッド１０は、図２に示すように、スライダ１１、レンズ１２、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂ、および磁性膜１４を有し、浮上スライダ型の記録再生ヘッドとして構成されたものである。図２は、光磁気ディスク４０の周方向に沿った断面図である。
【００２４】
スライダ１１は、透光性のガラス基板１１Ａおよび透光性の絶縁層１１Ｂよりなる積層構造を有する。絶縁層１１Ｂは、透光性を有する絶縁材料よりなり、例えば、酸化アルミニウムや酸化ケイ素などよりなる。また、スライダ１１は、回転動作中の光磁気ディスク４０において光磁気ヘッド１０に対向する箇所の線速度が所定以上であるときに、光磁気ディスク４０ないしその保護膜４３と光磁気ヘッド１０との間に浮上圧を生じさせるための所定の形状を有する。
【００２５】
レンズ１２は、光源（図示略）からの記録用または再生用のレーザ光Ｌを集光するためのものであり、ガラス基板１１Ａと同一の材料またはガラス基板１１Ａと略同等の屈折率を有する材料よりなる。
【００２６】
磁気コイル１３Ａ，１３Ｂは、光磁気ディスク４０の記録膜４２に所定の磁界を印加するためのものであり、絶縁層１１Ｂに埋め込み形成されている。磁気コイル１３Ａ，１３Ｂの各々は、図３に示すような渦巻き状のパターン形状を有し、内端Ｔ１および外端Ｔ２を有する。磁気コイル１３Ａ，１３Ｂにおける内端Ｔ１どうしは絶縁層１１Ｂ内で接続している。一方、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂの２つの外端Ｔ２は、端子として機能する部位であり、絶縁層１１Ｂ外にまで引き出されて所定の回路系に接続されている（図示略）。
【００２７】
また、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂを構成する導電線は、図４に示すように、内芯部１３ａおよび周囲部１３ｂからなる複合構造を有する。内芯部１３ａは導電線の内部を延び、周囲部１３ｂは、内芯部１３ａを包囲して延びる。また、内芯部１３ａの抵抗率ρ／透磁率μの値は、周囲部１３ｂのそれよりも大きい。本実施形態では、内芯部１３ａおよび周囲部１３ｂは共に導電材料よりなる。内芯部１３ａや周囲部１３ｂを構成する材料としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕなどを採用することができる。
【００２８】
磁性膜１４は、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂにおける発生磁界の強度を高めるための部位であり、絶縁層１１Ｂに埋め込み形成されている。また、磁性膜１４は、例えば円環状のパターン形状を有する。
【００２９】
このような浮上スライダ型の光磁気ヘッド１０は、図１に示すように、板バネ状のサスペンション３４を介してキャリッジ２０に連結されている。サスペンション３４は、光磁気ヘッド１０に対し、光磁気ディスク４０に向けて付勢力を作用させる。
【００３０】
キャリッジ２０は、光磁気ディスク４０の径方向に延びるガイドレール３５に沿って並進駆動可能に設けられており、径方向に沿って光磁気ヘッド１０を変移させることによって当該光磁気ヘッド１０の位置制御を行うためのものである。キャリッジ２０の並進駆動は、制御部３１からの所定の制御信号に基づいて制御される。
【００３１】
また、キャリッジ２０の内部には、光源（図示略）からのレーザ光Ｌや光磁気ディスク４０からの反射光が通過可能な導光路が確保されており、この導光路内には、反射ミラー２１が配設されている。また、反射ミラー２１と光磁気ヘッド１０の間における導光路内には、レンズ２２が配設されている。レンズ２２は、レンズ１２と協働して光源（図示略）からの記録用または再生用のレーザ光Ｌを集光するためのものであり、アクチュエータ２３により図中上下方向および光磁気ディスク４０のトラック方向に位置制御可能に設けられている。アクチュエータ２３は、例えば電磁的な駆動力により駆動可能に構成されており、アクチュエータ２３の駆動は、制御部３１からの所定の制御信号に基づいて制御される。
【００３２】
固定光学部３２は、光源、プリズム、および信号検出器など、光磁気記録媒体の記録および再生に必要な所定の光学系を備える。光源としては、例えばレーザダイオードを採用することができる。光源から出射されるレーザ光Ｌの波長は、制御部３１からの所定の制御信号に基づいて切り換えられ得る。プリズムは、光源から出射されたレーザ光Ｌについて、ビーム形状を整形したり、信号検出器への分光を行うためのものである。信号検出器は、光磁気ディスク４０からの反射光を検出して電気信号に変換し、光磁気ディスク４０に記録された情報を当該電気信号から読み取るためのものである。
【００３３】
以上の構成を有する光磁気ディスク装置Ｘ１による情報記録は、磁界変調記録方式に基づいて実行される。具体的には、本情報記録においては、まず、光磁気ディスク４０を所定の速度で回転動作させる。これにより、光磁気ディスク４０と光磁気ヘッド１０との間に浮上圧が生じ、光磁気ヘッド１０は、保護膜４３に対向しつつ光磁気ディスク４０に対して浮上配置されることとなる。この状態において、光源（図示略）から出射された記録用のレーザ光Ｌは、キャリッジ２０内の反射ミラー２１およびレンズ２２、並びに、光磁気ヘッド１０のレンズ１２を経て、記録膜４２上に集光される。このようにして、回転する光磁気ディスク４０の記録膜４２に対して記録用レーザを連続照射またはパルス照射し、記録膜４２の所定箇所を昇温する。そして、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂに所定周波数の交流電流を流すことにより、当該昇温箇所に磁界を印加する。
【００３４】
光磁気ヘッド１０によると、このような磁界変調記録方式の情報記録時において、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂを構成する導電線内の電流密度分布に関する表皮効果は、抑制される。磁気コイル１３Ａ，１３Ｂを構成する導電線の内部を延びる内芯部１３ａが、当該内芯部１３ａを包囲する周囲部１３ｂよりも、大きな 抵抗率ρ／透磁率μ の値を有するからである。表皮効果の程度を示す指標として、上記の式（１）で表される表皮厚さδが知られているところ、上述のように、抵抗率ρ／透磁率μの値が大きいほど表皮厚さδは大きく、表皮厚さδが大きいほど、電流密度分布の偏りが小さくて導電線内に多くの交流電流が流れていることを意味し、従って、表皮効果は小さいことを意味する。表皮効果の抑制は、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂを構成する導電線を流れる交流電流の高周波化に伴う当該導電線の交流抵抗上昇を抑制するうえで好適であり、このような交流抵抗上昇の抑制は、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂの発熱を抑制するうえで好適である。したがって、光磁気ヘッド１０によると、磁界変調記録方式での情報記録において磁気コイル１３Ａ，１３Ｂに流れる交流電流を高周波化するのに適しているのである。
【００３５】
一方、光磁気ディスク装置Ｘ１による情報再生に際しては、光磁気ディスク４０を所定の速度で回転動作させる。これにより、光磁気ディスク４０と光磁気ヘッド１０との間に浮上圧が生じ、光磁気ヘッド１０は、保護膜４３に対向しつつ光磁気ディスク４０に対して浮上配置されることとなる。この状態において、光源（図示略）から出射された再生用のレーザ光Ｌをレンズ１２により記録膜４２上に集光しつつ、記録膜４２の表面にて反射した光の偏光方向を検知する。このようにして、記録膜４２内に記録されている信号を反射光偏光方向の変化として読み出すための情報再生が実行される。
【００３６】
図５〜図９は、磁気コイル１３Ａまたは磁気コイル１３Ｂないしこれらを構成する導電線の形成方法を表す。
【００３７】
本実施形態における磁気コイル１３Ａ，１３Ｂないし導電線の形成方法においては、まず、例えば蒸着法やスパッタリング法により、電気めっき法における通電層として機能する下地層５２を、図５（ａ）に示すように基材５１上に形成する。磁気コイル１３Ａないしその導電線の形成の場合、基材５１は、ガラス基板１１Ａ、絶縁層１１Ｂの一部、および、当該一部に既に埋め込み形成されている磁性膜１４を含む構造（図示略）を有し、下地層５２は、絶縁層１１Ｂの更なる部分が積層形成されるべき絶縁材料表面上に形成される。一方、磁気コイル１３Ｂないしその導電線の形成の場合、基材５１は、ガラス基板１１Ａ、絶縁層１１Ｂの一部、および、当該一部に既に埋め込み形成されている磁性膜１４および磁気コイル１３Ａを含む構造（図示略）を有し、下地層５２は、絶縁層１１Ｂの更なる部分が積層形成されるべき絶縁材料表面上に形成される。また、下地層５２の構成材料としては、例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｃｕを採用することができる。
【００３８】
次に、図５（ｂ）に示すように、下地層５２上にレジストパターン５３を形成する。レジストパターン５３は、形成すべき磁気コイル１３Ａまたは磁気コイル１３Ｂの渦巻き形状に相当する開口部５３ａを有する。レジストパターン５３の形成においては、下地層５２上に例えばスピンコーティング法によりレジスト膜を形成した後、露光処理および現像処理を経て開口部５３ａを形成する。
【００３９】
次に、図５（ｃ）に示すように、電気めっき法により、開口部５３ａ内の下地層５２上にめっき膜５４ａを成長させる。めっき膜５４ａは、上述の周囲部１３ｂの一部を構成する部位を含み、従って、周囲部１３ｂを構成するための材料よりなる。
【００４０】
次に、図５（ｄ）に示すように、例えば所定の剥離液を作用させることにより、レジストパターン５３を除去する。この後、図６（ａ）に示すように、例えばイオンミリング法により、下地層５２においてめっき膜５４ａに覆われていない部位を除去する。
【００４１】
次に、図６（ｂ）に示すように、例えばスパッタリング法により、めっき膜５４ａを覆うようにして基材５１上に絶縁材料５５を成膜する（図の簡潔化の観点より、本実施形態における図６（ｂ）以降の工程図では下地層５２を省略する）。絶縁材料５５は、上述の絶縁層１１Ｂの一部を構成する部位を含み、従って、絶縁層１１Ｂを構成するための材料よりなる。この後、図６（ｃ）に示すように絶縁材料５５を研磨する。具体的には、絶縁材料５５とめっき膜５４ａとが面一状になるように、絶縁材料５５を研磨して平坦化する。
【００４２】
次に、図６（ｄ）に示すように、めっき膜５４ａ上にレジストパターン５６を形成する。レジストパターン５６は、形成すべき磁気コイル１３Ａまたは磁気コイル１３Ｂの渦巻き形状に相当するパターン形状を有する。
【００４３】
次に、図７（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法により、レジストパターン５６を覆うようにして更なる絶縁材料５５を成膜する。この後、図７（ｂ）に示すように絶縁材料５５を研磨する。具体的には、絶縁材料５５とレジストパターン５６とが面一状になるように、絶縁材料５５を研磨して平坦化する。この後、図７（ｃ）に示すように、例えば所定の剥離液を作用させることにより、レジストパターン５６を除去する。
【００４４】
次に、図７（ｄ）に示すように、めっき膜５４ａ上にレジストパターン５７を形成する。レジストパターン５７は、形成すべき磁気コイル１３Ａまたは磁気コイル１３Ｂの内芯部１３ａの渦巻き形状に相当するパターン形状を有する。
【００４５】
次に、図８（ａ）に示すように、電気めっき法により、めっき膜５４ａ上にめっき膜５４ｂを形成する。具体的には、めっき膜５４ａと同じ導電材料を当該めっき膜５４ａ上にめっき成長させることにより、めっき膜５４ｂを形成する。この後、図８（ｂ）に示すように、例えば所定の剥離液を作用させることにより、レジストパターン５７を除去して開口部５８を形成する。
【００４６】
次に、図８（ｃ）に示すように、開口部５８内に内芯部１３ａを形成する。具体的には、例えば電気めっき法や無電解めっき法により、開口部５８内に所定材料をめっき成長させる。
【００４７】
次に、図８（ｄ）に示すように、絶縁材料５５上にレジストパターン５９を形成する。レジストパターン５９は、形成すべき磁気コイル１３Ａまたは磁気コイル１３Ｂの渦巻き形状に相当する開口部５９ａを有する。
【００４８】
次に、図９（ａ）に示すように、例えば電気めっき法や無電解めっき法により、めっき膜５４ａ，５４ｂと同じ導電材料よりなるめっき膜５４ｃを開口部５９ａ内に形成する。これにより、内芯部１３ａを包囲する周囲部１３ｂが形成されることとなる。
【００４９】
この後、図９（ｂ）に示すように、例えば所定の剥離液を作用させることにより、レジストパターン５９を除去する。次に、図９（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により、周囲部１３ｂを覆うようにして絶縁材料５５を成膜する。この後、図９（ｄ）に示すように絶縁材料５５を研磨する。具体的には、絶縁材料５５と周囲部１３ｂとが面一状になるように、絶縁材料５５を研磨して平坦化する。以上のようにして、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂないしこれらを構成する導電線を形成することができる。
【００５０】
図９は、本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスク装置Ｘ２を表す。光磁気ディスク装置Ｘ２は、光磁気ヘッド６０と、キャリッジ７０と、制御部３１と、固定光学部３２と、スピンドルモータ３３とを備え、光磁気ディスク４０について情報記録および情報再生を実行できるように構成されている。光磁気ディスク装置Ｘ２は、光磁気ヘッド１０およびキャリッジ２０に代えて光磁気ヘッド６０およびキャリッジ７０を具備する点と、このような変更に対応して必要とされる設計変更が制御部３１および固定光学部３２などに施されている点とにおいて、光磁気ディスク装置Ｘ１と異なる。
【００５１】
本実施形態の光磁気ヘッド６０は、図１１に示すように、ガラス基板６１、絶縁層６２、鏡筒６３、レンズ６４，６５、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂ、および磁性膜６７を有し、近接アクチュエータ型の記録再生ヘッドとして構成されたものである。
【００５２】
ガラス基板６１上に設けられている絶縁層６２は、透光性を有する絶縁材料よりなり、例えば、酸化アルミニウムや酸化ケイ素などよりなる。ガラス基板６１における絶縁層６２とは反対の側には鏡筒６３が接合されている。
【００５３】
レンズ６４，６５は、光源（図示略）からの記録用または再生用のレーザ光Ｌを集光するためのものである。レンズ６４は、ガラス基板６１と同一の材料またはガラス基板６１と略同等の屈折率を有する材料よりなる。レンズ６５は、鏡筒６３内に固定されている。
【００５４】
磁気コイル６６Ａ，６６Ｂは、光磁気ディスク４０の記録膜４２に所定の磁界を印加するためのものであり、絶縁層６２に埋め込み形成されている。磁気コイル６６Ａ，６６Ｂの各々は、図３に示すような渦巻き状のパターン形状を有し、内端Ｔ１および外端Ｔ２を有する。磁気コイル６６Ａ，６６Ｂにおける内端Ｔ１どうしは絶縁層６２内で接続している。一方、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂの２つの外端Ｔ２は、端子として機能する部位であり、絶縁層６２外にまで引き出されて所定の回路に接続されている（図示略）。
【００５５】
また、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂを構成する導電線は、図１２に示すように、内芯部６６ａおよび周囲部６６ｂからなる複合構造を有する。内芯部６６ａは導電線の内部を延び、周囲部６６ｂは、内芯部６６ａを包囲して延びる。また、内芯部６６ａの抵抗率ρ／透磁率μの値は、周囲部６６ｂのそれよりも大きい。本実施形態では、内芯部６６ａは絶縁材料よりなり、周囲部６６ｂは導電材料よりなる。好ましくは、内芯部１３ａは酸化アルミニウムよりなり、周囲部１３ｂは、Ａｕ、Ａｇ、またはＣｕよりなる。
【００５６】
磁性膜６７は、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂにおける発生磁界の強度を高めるための部位であり、絶縁層６２に埋め込み形成されている。また、磁性膜６７は、例えば円環状のパターン形状を有する。
【００５７】
このような近接アクチュエータ型の光磁気ヘッド６０は、図１０に示すように、アクチュエータ７１を介してキャリッジ７０に保持されている。アクチュエータ７１は、例えば電磁的な駆動力により、図中上下方向および光磁気ディスク４０のトラック方向に光磁気ヘッド６０を位置制御するためのものである。アクチュエータ７１の駆動は、制御部３１からの所定の制御信号に基づいて制御される。
【００５８】
キャリッジ７０は、光磁気ディスク４０の径方向に延びるガイドレール３５に沿って並進駆動可能に設けられており、径方向に沿って光磁気ヘッド６０を変移させることによって当該光磁気ヘッド６０の位置制御を行うためのものである。キャリッジ７０の並進駆動は、制御部３１からの所定の制御信号に基づいて制御される。
【００５９】
また、キャリッジ７０の内部には、光源（図示略）からのレーザ光Ｌや光磁気ディスク４０からの反射光が通過可能な導光路が確保されており、この導光路内には、反射ミラー７２が配設されている。
【００６０】
以上の構成を有する光磁気ディスク装置Ｘ２による情報記録は、磁界変調記録方式に基づいて実行される。具体的には、本情報記録においては、まず、光磁気ディスク４０を所定の速度で回転動作させ、キャリッジ７０およびアクチュエータ７１の作動により、光磁気ディスク４０の記録膜４２に対して光磁気ヘッド６０を近接配置する。この状態において、光源（図示略）から出射された記録用のレーザ光Ｌは、キャリッジ７０内の反射ミラー７２、および、光磁気ヘッド６０のレンズ６５，６４を経て、記録膜４２上に集光される。このようにして、回転する光磁気ディスク４０の記録膜４２に対して記録用レーザを連続照射またはパルス照射し、記録膜４２の所定箇所を昇温する。そして、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂに所定周波数の交流電流を流すことにより、当該昇温箇所に磁界を印加する。
【００６１】
光磁気ヘッド６０によると、このような磁界変調記録方式の情報記録時において、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂを構成する導電線内の電流密度分布に関する表皮効果は、抑制される。磁気コイル６６Ａ，６６Ｂを構成する導電線の内部を延びる内芯部６６ａが、絶縁材料よりなり、当該内芯部６６ａを包囲する周囲部６６ｂよりも、大きな 抵抗率ρ／透磁率μ の値を有するからである。
【００６２】
一方、光磁気ディスク装置Ｘ２による情報再生に際しては、光磁気ディスク４０を所定の速度で回転動作させ、キャリッジ７０およびアクチュエータ７１の作動により、光磁気ディスク４０の記録膜４２に対して光磁気ヘッド６０を近接配置する。この状態において、光源（図示略）から出射された再生用のレーザ光Ｌをレンズ６４，６５により記録膜４２上に集光しつつ、記録膜４２の表面にて反射した光の偏光方向を検知する。このようにして、記録膜４２内に記録されている信号を反射光偏光方向の変化として読み出すための情報再生が実行される。
【００６３】
図１３〜図１６は、磁気コイル６６Ａまたは磁気コイル６６Ｂないしこれらを構成する導電線の形成方法を表す。
【００６４】
本実施形態における磁気コイル６６Ａ，６６Ｂないし導電線の形成方法においては、まず、例えば蒸着法やスパッタリング法により、電気めっき法における通電層として機能する下地層８２を、図１３（ａ）に示すように基材８１上に形成する。磁気コイル６６Ａないしその導電線の形成の場合、基材８１は、ガラス基板６１、絶縁層６２の一部、および、当該一部に既に埋め込み形成されている磁性膜６７を含む構造（図示略）を有し、下地層８２は、絶縁層６２の更なる部分が積層形成されるべき絶縁材料表面上に形成される。一方、磁気コイル６６Ｂないしその導電線の形成の場合、基材８１は、ガラス基板６１、絶縁層６２の一部、および、当該一部に既に埋め込み形成されている磁性膜６７および磁気コイル６６Ａを含む構造（図示略）を有し、下地層８２は、絶縁層６２の更なる部分が積層形成されるべき絶縁材料表面上に形成される。また、下地層８２の構成材料としては、例えばＴｉ，Ｃｒ，Ｃｕを採用することができる。
【００６５】
次に、図１３（ｂ）に示すように、下地層８２上にレジストパターン８３を形成する。レジストパターン８３は、形成すべき磁気コイル６６Ａまたは磁気コイル６６Ｂの渦巻き形状に相当する開口部８３ａを有する。
【００６６】
次に、図１３（ｃ）に示すように、電気めっき法により、開口部８３ａ内の下地層８２上にめっき膜８４ａを成長させる。めっき膜８４ａは、上述の周囲部６６ｂの一部を構成する部位を含み、従って、周囲部６６ｂを構成するための材料よりなる。
【００６７】
次に、図１３（ｄ）に示すように、例えば所定の剥離液を作用させることにより、レジストパターン８３を除去する。この後、図１３（ｅ）に示すように、例えばイオンミリング法により、下地層８２においてめっき膜８４ａに覆われていない部位を除去する。
【００６８】
次に、図１４（ａ）に示すように、例えばスパッタリング法により、めっき膜８４ａを覆うようにして基材８１上に絶縁材料８５を成膜する（図の簡潔化の観点より、本実施形態における図１４（ａ）以降の工程図では下地層８２を省略する）。絶縁材料８５は、上述の絶縁層６２の一部を構成する部位を含み、従って、絶縁層６２を構成するための材料よりなる。この後、図１４（ｂ）に示すように絶縁材料８５を研磨する。具体的には、絶縁材料８５とめっき膜８４ａとが面一状になるように、絶縁材料８５を研磨して平坦化する。
【００６９】
次に、図１４（ｃ）に示すように、絶縁材料８５の上にレジストパターン８６を形成するとともに、めっき膜８４ａ上にレジストパターン８７を形成する。レジストパターン８６は、形成すべき磁気コイル６６Ａまたは磁気コイル６６Ｂの渦巻き形状に相当する開口形状を有する。一方、レジストパターン８７は、形成すべき内芯部６６ａの渦巻き形状に相当するパターン形状を有する。
【００７０】
次に、図１４（ｄ）に示すように、電気めっき法により、めっき膜８４ａ上にめっき膜８４ｂを形成する。具体的には、めっき膜８４ａと同じ導電材料を当該めっき膜８４ａ上にめっき成長させることにより、めっき膜８４ｂを形成する。この後、図１５（ａ）に示すように、例えば所定の剥離液を作用させることにより、レジストパターン８６，８７を除去する。
【００７１】
次に、図１５（ｂ）に示すように、スパッタリング法により、めっき膜８４ｂを覆うようにして絶縁材料８５を成膜する。この後、図１５（ｃ）に示すように絶縁材料８５を研磨する。具体的には、絶縁材料８５とめっき膜８４ｂとが面一状になるように、絶縁材料８５を研磨して平坦化する。本工程において、内芯部６６ａが形成されることとなる。
【００７２】
次に、図１５（ｄ）に示すように、絶縁材料８５上にレジストパターン８８を形成する。レジストパターン８８は、形成すべき磁気コイル６６Ａまたは磁気コイル６６Ｂの渦巻き形状に相当する開口部８８ａを有する。
【００７３】
次に、図１６（ａ）に示すように、例えば電気めっき法や無電解めっき法により、めっき膜８４ａ，８４ｂと同じ導電材料よりなるめっき膜８４ｃを開口部８８ａ内に形成する。これにより、内芯部６６ａを包囲する周囲部６６ｂが形成されることとなる。
【００７４】
この後、図１６（ｂ）に示すように、例えば所定の剥離液を作用させることにより、レジストパターン８８を除去する。次に、図１６（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法により、周囲部６６ｂを覆うようにして絶縁材料８５を成膜する。この後、図１６（ｄ）に示すように絶縁材料８５を研磨する。具体的には、絶縁材料８５と周囲部６６ｂとが面一状になるように、絶縁材料８５を研磨して平坦化する。以上のようにして、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂないしこれらを構成する導電線を形成することができる。
【００７５】
本発明においては、図１４（ｃ）を参照して上述した工程で形成されるレジストパターン８７を所定以上に幅狭に形成してもよい。レジストパターン８７を所定以上に幅狭に形成する場合には、図１５（ｂ）を参照して上述したスパッタリング工程において、めっき膜８４ａ，８４ｂにより規定される凹部に絶縁材料８５が充填されず、その結果、形成される導電線は、中空管構造を有することとなる。導電線が中空管構造を有する場合であっても、周囲部６６ｂに包囲される中空部は、周囲部６６ｂよりも大きな 抵抗率ρ／透磁率μ の値を有するので、磁界変調記録方式による情報記録時において表皮効果は抑制される。
【００７６】
また、本発明においては、第２の実施形態に係る近接アクチュエータ型の光磁気ヘッド６０において、磁気コイル６６Ａ，６６Ｂに代えて第１の実施形態に係る磁気コイル１３Ａ，１３Ｂを設けてもよい。或は、第１の実施形態に係るスライダ型の光磁気ヘッド１０において、磁気コイル１３Ａ，１３Ｂに代えて第２の実施形態に係る磁気コイル６６Ａ，６６Ｂを設けてもよい。
【００７７】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００７８】
（付記１）光磁気ディスクの記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルとを有し、
前記導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と、当該内芯部を包囲して延びる周囲部とを有し、
前記内芯部は、前記周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有する、光磁気ヘッド。
（付記２）光磁気ディスクの記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルとを有し、
前記導電線は中空管構造を有する、光磁気ヘッド。
（付記３）記録膜を有する光磁気ディスクについて情報記録および情報再生を実行するための光磁気ディスク装置であって、
前記記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルと、を有する光磁気ヘッドを備え、
前記導電線は、当該導電線の内部を延びる内芯部と、当該内芯部を包囲して延びる周囲部とを有し、
前記内芯部は、前記周囲部よりも大きな 抵抗率／透磁率 の値を有する、光磁気ディスク装置。
（付記４）記録膜を有する光磁気ディスクについて情報記録および情報再生を実行するための光磁気ディスク装置であって、
前記記録膜上に光を集光するための集光レンズと、前記記録膜に対して磁界を印加するための、導電線よりなる磁気コイルと、を有する光磁気ヘッドを備え、
前記導電線は中空管構造を有する、光磁気ディスク装置。
（付記５）前記周囲部は貴金属よりなり、前記内芯部は貴金属または卑金属よりなる、付記１に記載の光磁気ヘッドまたは付記３に記載の光磁気ディスク装置。
（付記６）前記周囲部は導体よりなり、前記内芯部は絶縁体よりなる、付記１に記載の光磁気ヘッドまたは付記３に記載の光磁気ディスク装置。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスク装置の概略構成を表す。
【図２】図１の光磁気ディスク装置の部分拡大断面図である。
【図３】光磁気ヘッドの有する磁気コイルのパターン形状例を表す。
【図４】第１の実施形態における磁気コイルを構成する導電線の断面を表す。
【図５】第１の実施形態における磁気コイルの形成方法の一部の工程を表す。
【図６】図５に示す工程の後に続く工程を表す。
【図７】図６に示す工程の後に続く工程を表す。
【図８】図７に示す工程の後に続く工程を表す。
【図９】図８に示す工程の後に続く工程を表す。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスク装置の概略構成を表す。
【図１１】図１０の光磁気ディスク装置の部分拡大断面図である。
【図１２】第２の実施形態における磁気コイルを構成する導電線の断面を表す。
【図１３】第２の実施形態における磁気コイルの形成方法の一部の工程を表す。
【図１４】図１３に示す工程の後に続く工程を表す。
【図１５】図１４に示す工程の後に続く工程を表す。
【図１６】図１５に示す工程の後に続く工程を表す。
【符号の説明】
【００８０】
Ｘ１，Ｘ２      光磁気ディスク装置
１０，６０      光磁気ヘッド
１２，３７，６４，６５      レンズ
１３Ａ，１３Ｂ，６６Ａ，６６Ｂ      磁気コイル
１３ａ，６６ａ      内芯部
１３ｂ，６６ｂ      周囲部
２０，７０      キャリッジ
３１      制御部
３２      固定光学部
４０      光磁気ディスク
４２      記録膜
【図１】
2006059487.tif 000004
【図２】
2006059487.tif 000005
【図３】
2006059487.tif 000006
【図４】
2006059487.tif 000007
【図５】
2006059487.tif 000008
【図６】
2006059487.tif 000009
【図７】
2006059487.tif 000010
【図８】
2006059487.tif 000011
【図９】
2006059487.tif 000012
【図１０】
2006059487.tif 000013
【図１１】
2006059487.tif 000014
【図１２】
2006059487.tif 000015
【図１３】
2006059487.tif 000016
【図１４】
2006059487.tif 000017
【図１５】
2006059487.tif 000018
【図１６】
2006059487.tif 000019