(57)【要約】【課題】  以上のように、波長が３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う場合、簡単な工程で良好な記録再生特性を得ることが可能なアニール処理を必要とする磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することにある。【解決手段】  本発明は、第一の誘電体層側から再生に用いるレーザ光を照射した際に、反射率が極小となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍｉｎ１とし、反射率が極大となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍａｘ１としたとき、前記第一の誘電体層の厚さｄが、ｄＲｍａｘ１−４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５≦ｄ≦ｄＲｍａｘ１＋４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５であることを特徴とする波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体。【選択図】    図１
2006059500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、少なくとも、順次、第一の誘電体層４と、磁性層１０と、第二の誘電体層５からなり、さらに、前記磁性層１０は、少なくとも情報の再生に寄与し磁壁が移動する第一磁性層１（磁壁移動層）と、情報に応じた記録磁区を保持する第三磁性層３（記録層）と、前記第一磁性層１と第三磁性層３間に配置され前記両層よりキュリー温度が低い第二磁性層２（スイッチング層）とを含む複数の磁性層からなり、前記第一磁性層１、第二磁性層２、第三磁性層３は前記第二の磁性層のキュリー温度以下で交換結合をしている磁壁移動型光磁気記録媒体であって、
前記磁壁移動型光磁気記録媒体は複数の記録トラックを有し、磁性層１０に対して第二の誘電体層５側から、高出力のレーザ光を前記記録トラック間に照射し、少なくとも前記第一磁性層１における記録トラック間の磁気的結合を切断もしくは低減するための処理を行うことにより、第三磁性層３から第一磁性層１に転写された記録磁区の磁壁を移動させ、前記記録磁区を拡大して情報の再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体において、
前記第一の誘電体層の厚さｄが、前記第一の誘電体層側から再生に用いるレーザ光を照射した際に、反射率が極小となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍｉｎ１とし、反射率が極大となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍａｘ１としたとき、
ｄＲｍａｘ１−４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５≦ｄ≦ｄＲｍａｘ１＋４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５
であることを特徴とする波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第一の誘電体層の厚さｄが、
ｄＲｍａｘ１−３（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５≦ｄ≦ｄＲｍａｘ１＋３（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５
であることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第一の誘電体層が厚さ４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下の窒化シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第一の誘電体層が厚さ５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下の窒化シリコンであることを特徴とする請求項１に記載の磁壁移動型光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光として波長が３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生が行われる、再生時に磁壁の移動を利用した超高密度記録に適した磁壁移動型光磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報の書き換え可能な情報記録媒体として、各種の磁性記録媒体が実用化されている。特に、半導体レーザの熱エネルギーを利用して磁性薄膜に磁区を書き込むことで情報を記録し、磁気光学効果（カー（Ｋｅｅｒ）効果）を利用して記録情報を読み出す光磁気記録媒体は、高密度記録が可能な大容量可換媒体として期待されている。
【０００３】
近年、動画像のデジタル化に伴って、これらの磁性記録媒体の記録密度を高めてさらに大容量の記録媒体とする要求が高まっている。
【０００４】
一般に、光記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザ光の波長及び対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存する。すなわち、再生光学系のレーザ光の波長λと対物レンズの開口数ＮＡが決まることでビームウェスト径が決定するため、信号再生可能な記録ピットの空間周波数は２ＮＡ／λ程度が限界となってしまう。したがって、従来の光ディスクで高密度化を実現するためには、再生光学系のレーザ光の波長λを短くするか、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。
【０００５】
一方で、レーザ光の波長λや対物レンズの開口数ＮＡを変更することなく、記録媒体の構成や再生方法を工夫して記録密度を改善する、いわゆる超解像技術が種々提案されている。
【０００６】
例えば、特開平３−９３０５８号公報に、磁気的に結合される再生層と記録保持層とからなる多層膜構造が開示されている。特開平３−９３０５８号公報に開示されている信号再生方法は、記録保持層に信号記録を行うとともに、再生層の磁化の向きを揃え、その後、レーザ光を照射して加熱しながら、再生層の昇温領域に、記録保持層に記録された信号を転写し、再生層に転写された信号を読み取るものである。
【０００７】
この信号再生方法によれば、再生時の符号間干渉を減少させることができるとともに、再生用のレーザ光のビームスポット径に対して、このレーザ光によって加熱されて転写温度に達し信号が検出される領域は、より小さな領域に限定できるため、空間周波数が２ＮＡ／λ以上の信号を再生することが可能である。
【０００８】
しかしながら、上述した信号再生方法は、再生用のレーザ光のビームスポット径に対して、有効に使用される信号検出領域が小さくなるため、再生信号の振幅が低下し、十分な再生出力が得られない場合がある。このような場合には、有効信号検出領域をビームスポット径に対してあまり小さくすることができず、結局は光学系の回折限界で決まる記録密度に対して、大幅な高密度化を達成することはできない。
【０００９】
このような問題点を解決する方法の１つとして、特開平６−２９０４９６号公報には、磁壁移動型光磁気記録媒体およびその再生方法が提案されている。磁壁移動型光磁気記録媒体の再生方法は、記録マークの境界部に存在する磁壁を温度勾配によって高温側に移動させ、この磁壁移動を検出することにより、再生信号振幅を低下させることなく、光学系の分解能を超えた記録密度の信号を再生することを可能とするものである。
【００１０】
磁壁移動を円滑に行うために、例えば特開２００２−１５０６３１号公報には、隣接する記録トラック間での磁気的な結合を分断する提案がなされている。特開２００２−１５０６３１号公報は、高出力のレーザ光を記録トラック間に照射し、レーザーアニール処理を施すことでトラック間の磁性層を面内磁化膜に変質させて、記録トラック間での磁気的な結合を切断もしくは低減し、良好な磁壁移動磁区拡大再生を実現させるものである。
【００１１】
さらに、特開２００２−２０３３４３号公報ではサンプルサーボ方式でトラッキング制御を行いながら、磁性膜に対して基板と逆側からアニール処理を施す提案がなされ、さらに、特開２００３−３１７３３６号公報には、狭トラックピッチ化のためにランド／グルーブ記録を用い、記録トラックであるランドとグルーブ間の側壁部にアニール処理を施す提案がなされている。
【００１２】
上述した超解像技術は、レーザ光の波長λを短くして光学系の回折限界を小さくすると、さらなる狭トラックピッチ化が可能となり、トラック密度方向に対しても高密度化が可能となる。
【００１３】
再生特性であるC／Nは性能指数（Ｒ）0.5×θｋ(Ｒは反射率、θｋはカー回転角)に比例することが知られている。そこで、従来、レーザ光の入射側に配置される誘電体層としては、再生時に用いるレーザ光の波長に対して、性能指数が大きくなるような条件が用いられている。
【００１４】
特開２００１−１２６３３０号公報には、レーザ光として波長が３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いた磁気超解像再生において、（Ｒ）0.5×θｋが大きくなるような、レーザ光の入射側に配置される誘電体層の条件が提案されている。
【００１５】
ところが、レーザ光として波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う場合、フォトディテクターの量子効率が低下し、光磁気記録媒体から得られた光学情報を電気信号に変換する際の信号量が減少してしまうこと、ディテクターノイズが大きいこと、及び、従来再生層として用いられている希土類−遷移金属磁性膜の再生信号として検出するカー回転角、ファラデー回転角が減少してしまうことが知られている。そのため、青紫色レーザを用いて再生を行う場合、再生信号の信号量（キャリアレベル）が小さくなってしまい、再生系のシステムノイズや媒体ノイズの影響を受けやすくなり、再生特性が悪化してしまう。
青紫色レーザを用いて再生を行う光磁気記録媒体において、基板上に設けられる誘電体層として、性能指数（Ｒ）0.5×θｋが大きくなるような厚さを選ぶ場合、特開２００１−１２６３３０号公報にも記載されているように、反射率Ｒは低くなる。そのため、熱的感度が高く、再生に必要とする再生パワーがさらに小さくなってしまう。この結果、ディテクターに入る信号量が少なくなってしまい、再生特性が大幅に悪化してしまう。
【００１６】
上記問題を解決するために、レーザパワーを増加させることで、信号量を増加させディテクターに入る信号量を増加させようとすると、光磁気記録媒体の温度上昇をまねき、記録情報の安定性の低下、再生パワーマージンの減少などの問題が発生してしまう。
【００１７】
そこで、従来は熱伝導率の高い熱制御層を設けることで熱的感度を下げ、温度上昇を抑制することで、再生時のレーザパワーを増加させる方法を用いていた。
【特許文献１】特開平３−９３０５８号公報
【特許文献２】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献３】特開２００２−１５０６３１号公報
【特許文献４】特開２００２−２０３３４３号公報
【特許文献５】特開２００３−３１７３３６号公報
【特許文献６】特開２００１−１２６３３０号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
再生時の磁壁移動を円滑に行うために、磁壁移動層で記録トラック間の交換相互作用による結合を切断もしくは低減するために、記録トラック間に高出力のレーザ光を、磁性層に対して照射（レーザーアニール処理）する場合、熱制御層が設けられていると、レーザーアニール処理時にも熱制御層の影響で熱的感度が下がってしまうため、十分な温度上昇を確保するために非常に高いレーザパワーでアニール処理をする必要があり、問題となる場合がある。
【００１９】
この問題を解決するために、従来は、熱制御層を被着形成する前にアニール処理を施す、または、線速度を落としてレーザーアニール処理を施す等の手順をとっていた。
【００２０】
例えば、熱制御層を被着形成する前にアニール処理を施す場合、基板上に少なくとも誘電体層と、磁性層と、誘電体層の各層を順次マグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリングなどによって被着形成後、成膜チャンバーの真空を大気圧までリークさせ、光磁気記録媒体を大気中に取り出し、アニール処理を施し、その後、再び成膜装置のチャンバー内に戻し、真空排気を行い、熱制御層を被着形成しなければならない。
【００２１】
以上のように、波長が３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う場合、レーザーアニール処理を必要とする磁壁移動型光磁気記録媒体は、生産効率が著しく悪いという問題があった。
【００２２】
本発明は、以上のような問題に鑑みなされたものであり、簡単な工程で良好な記録再生特性を得ることが可能なアニール処理を必要とする磁壁移動型光磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
透明基板上に、少なくとも、順次、第一の誘電体層４と、磁性層１０と、第二の誘電体層５からなり、さらに、前記磁性層１０は、少なくとも情報の再生に寄与し磁壁が移動する第一磁性層１（磁壁移動層）と、情報に応じた記録磁区を保持する第三磁性層３（記録層）と、前記第一磁性層１と第三磁性層３間に配置され前記両層よりキュリー温度が低い第二磁性層２（スイッチング層）とを含む複数の磁性層からなり、前記第一磁性層１、第二磁性層２、第三磁性層３は前記第二の磁性層のキュリー温度以下で交換結合をしている磁壁移動型光磁気記録媒体であって、
前記磁壁移動型光磁気記録媒体は複数の記録トラックを有し、磁性層１０に対して第二の誘電体層５側から、高出力のレーザ光を前記記録トラック間に照射し、少なくとも前記第一磁性層１における記録トラック間の磁気的結合を切断もしくは低減するための処理を行うことにより、第三磁性層３から第一磁性層１に転写された記録磁区の磁壁を移動させ、前記記録磁区を拡大して情報の再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体において、
前記第一の誘電体層の厚さｄが、前記第一の誘電体層側から再生に用いるレーザ光を照射した際に、反射率が極小となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍｉｎ１とし、反射率が極大となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍａｘ１としたとき、
ｄＲｍａｘ１−４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５≦ｄ≦ｄＲｍａｘ１＋４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５
であることを特徴とする波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体を用いることで前記課題を解決することが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、第一の誘電体層として、反射率Ｒが高くなるような特定の厚さを選ぶことで、レーザ光を照射した場合に、熱的感度を低くすることができるため、過度の温度上昇を抑制して再生に必要とする再生パワーレベルを大きくすることができる。その結果、ディテクターに再生に十分な信号量を入れることができ、性能指数は小さくなってしまうが、実用に問題の無い、良好な再生特性が得られる。本発明によれば、熱的感度を下げるための熱制御層を設ける必要がないので、アニール処理を施す際に線速を落とす必要も無く、アニール処理を施した後に再び成膜装置で真空排気を行い、熱制御層を作成するという工程も必要としない、簡単な工程で良好な記録再生特性を得ることが可能な、レーザーアニール処理を施す磁壁移動型光磁気記録媒体の提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の磁壁移動型光磁気記録媒体の基本構成を、図１を用いて説明する。図１に示す本発明の磁壁移動型光磁気記録媒体は、透明な基板６上に、順次、第一の誘電体層４と、磁性層１０と、第二の誘電体層５が積層され、さらに、磁性層１０は、少なくとも情報の再生に寄与し磁壁が移動する第一磁性層１（磁壁移動層）と、情報に応じた記録磁区を保持する第三磁性層３（記録層）と、第一磁性層１と第三磁性層３間に配置され両層よりキュリー温度が低い第二磁性層２（スイッチング層）とを含む複数の磁性層からなり、第一磁性層１、第二磁性層２、第三磁性層３は第二の磁性層のキュリー温度以下で交換結合をしている。更に、磁壁移動型光磁気記録媒体は複数の記録トラックを有し、磁性層１０に対して、高出力のレーザ光を記録トラック間に照射し、少なくとも第一磁性層１での記録トラック間の磁気的結合を切断もしくは低減するための処理が行われている。
【００２６】
本発明の磁壁移動型光磁気記録媒体は、第一の誘電体層側から再生に用いるレーザ光を再生に必要な条件で照射した際に、第一の誘電体層の厚さｄが、反射率が極小となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍｉｎ１とし、反射率が極大となる第一の誘電体層の最小の厚さをｄＲｍａｘ１としたとき、
ｄＲｍａｘ１−４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５≦ｄ≦ｄＲｍａｘ１＋４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５
であることを特徴とする波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザを用いて再生を行う磁壁移動型光磁気記録媒体である。
【００２７】
さらに、前記第一の誘電体層の厚さｄは、
ｄＲｍａｘ１−３（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５≦ｄ≦ｄＲｍａｘ１＋３（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５
であることがより好ましい。
【００２８】
また、第一の誘電体層として、波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度のレーザ光に対して吸収のない窒化シリコンを用いることが好ましい。この場合は、波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度のレーザ光に対して、反射率Ｒは、誘電体層の厚さの薄い方から順に、３０ｎｍ近傍（ｄＲｍｉｎ１）に極小値を示し、８０ｎｍ近傍（ｄＲｍａｘ１）に極大値を示す。従って、第一の誘電体層を、窒化シリコンによって構成する場合、窒化シリコン膜の厚さは、４０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下であることが好ましく、５０ｎｍ以上１１０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２９】
ここで、光磁気記録媒体からの反射率Ｒは、第一の誘電体層の膜厚によって周期的に増減を繰り返す。薄い方から順に、ｄＲｍｉｎ１で極小値を示し、ｄＲｍａｘ１で極大値を示す。更に厚いｄＲｍｉｎ２で極小値を示し、更に厚くした場合においてもｄＲｍａｘ２、ｄＲｍｉｎ３、ｄＲｍａｘ３・・・において膜厚に対する周期的なＲの変化を示すことが知られている。
【００３０】
反射率Ｒの測定には、光度計やドライブ装置を用いることができる。光度計で測定しても、ドライブ装置で測定しても、反射率Ｒの膜厚依存性は変わらないので、どちらの測定でも、極値が得られる膜厚を測定することができる。後述するように、本発明では光度計を用いて反射率を測定する。
【００３１】
第一の誘電体層として、反射率Ｒが高くなるような特定の厚さを選ぶことで、レーザ光を照射した場合に、熱的感度を低くすることができるため、過度の温度上昇を抑制して再生に必要とする再生パワーレベルを大きくすることができる。その結果、ディテクターに入る信号量が多くなり、良好な再生特性が得られる。
【００３２】
従って、熱的感度を下げる目的での熱制御層を設ける必要がなくなる。また、レーザーアニール処理時には、第二の誘電体層側から高出力のレーザ光を照射するので、前記第一の誘電体層の反射率Ｒはレーザーアニール処理時のレーザパワーにはほとんど影響を与えない。
【００３３】
尚、図１では、基板６に接して第一の誘電体層４と第一の磁性層（磁壁移動層）１が形成されているが、基板６に第二の誘電体層５と第三の磁性層（記録層）３が接する構造であっても良い。また、この場合、高出力のレーザ光によるアニールは、基板側の第二の誘電体層側から照射すれば良い。
【００３４】
以下、図面を参照しながら本発明をより詳細に説明する。
【００３５】
初めに基本的な磁壁移動磁区拡大再生について説明する。
【００３６】
図６は、基本的な磁壁移動型光磁気記録媒体およびその情報再生原理を説明するための図で、図６（ａ）は光磁気記録媒体の構成および再生用の光ビームが照射された部分の磁化状態を示す模式的断面図、図６（ｂ）はその光ビーム照射時の光磁気記録媒体に形成される温度分布を示すグラフ、図６（ｃ）は図６（ｂ）の温度分布に対応する磁壁移動層の磁壁エネルギー密度σの分布及び温度勾配による駆動力Ｆを示すグラフである。
【００３７】
図６（ａ）に示すように、この光磁気記録媒体は基板上に磁壁抗磁力の小さな第一磁性層４１（磁壁移動層）と、キュリー温度の低い第二磁性層４２（スイッチング層）と、磁壁抗磁力の大きな第三磁性層４３（記録層）が順次積層されている。第二磁性層４２は第一磁性層４１と第三磁性層４３よりキュリー温度が低く、第一磁性層４１、第二磁性層４２、第三磁性層４３は第二磁性層４２のキュリー温度以下で交換結合している。
【００３８】
第三磁性層４３には、記録磁区３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ…が順次形成されており、媒体温度が第二磁性層４２のキュリー温度Ｔｓ以下の領域では、第一磁性層４１、第二磁性層４２、第三磁性層４３が交換結合することにより、第三磁性層４３の記録磁区がそのまま第一磁性層４１の記録磁区として転写された状態になっている。図６（ａ）中、第一磁性層４１の記録磁区１ａは、第三磁性層４３の記録磁区３ａが転写されたものである。
【００３９】
矢印ｒは媒体移動方向を表わしており、記録層が媒体移動方向ｒ方向へ移動することで、再生用ビームスポットが記録層の情報トラックに沿って移動する。この再生用ビームスポットが照射された部分では、図６（ｂ）に示すように、ビームの移動方向に対して、スポットの前方から温度が上昇し、位置Ｘｂに温度のピークが来るような温度分布が生じる。ここでは、位置Ｘａにおいて、媒体温度が第二磁性層４２のキュリー温度近傍の温度Ｔｓに達するようになっている。
【００４０】
第一磁性層４１における磁壁エネルギー密度σの分布は、図６（ｃ）に示すように、再生用ビームスポットのスポットの後方の温度ピークの近傍において極小となり、スポットの前方ほど大きくなる。この様に、位置Ｘ方向に磁壁エネルギー密度σの勾配があると、位置Ｘに存在する各層の磁壁に対して、Ｆ＝∂σ／∂Ｘで示される力Ｆが作用する。
【００４１】
この力Ｆは、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させるように作用する。第一磁性層４１は、磁壁抗磁力が小さく、磁壁移動度も大きいので、単層の場合にはこの力Ｆによって容易に磁壁４４が移動する。ただし、位置Ｘａよりスポットの前方側に位置する領域においては、媒体温度がＴｓより低く、磁壁抗磁力の大きな第三磁性層４３と交換結合しているために、磁壁４４は移動せず、抗磁力の大きな第三磁性層４３中の磁壁の位置と対応する位置に固定されている。
【００４２】
この光磁気記録媒体では、媒体移動方向ｒの方向に媒体が移動し、第一磁性層４１の磁壁４４が位置Ｘａの位置に来ると、その磁壁４４の部分における媒体温度が第二磁性層４２のキュリー温度近傍の温度Ｔｓまで上昇し、第一磁性層４１と第三磁性層４３との間の交換結合が切断される。この結果、第一磁性層４１の磁壁４４は、破線矢印ｓで示した様に、より温度が高く、より磁壁エネルギー密度の小さな領域へと瞬間的に移動する。再生用ビームスポットのスポットの下を磁壁４４が通過すると、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲で第一磁性層４１の原子スピンは一方向に揃う。
【００４３】
媒体の移動に伴って磁壁が位置Ｘａに来る度に、スポットの下を磁壁が瞬間的に移動し、位置Ｘａから位置Ｘｂの範囲に記録磁区が拡大し、第一磁性層４１の原子スピンは一方向に揃う。この結果、再生信号の振幅は、記録されている磁壁の間隔（即ち記録マーク長）によらず、常に一定かつ最大の振幅になり、光学的な回折限界に起因した波形干渉等の問題から完全に解放される。
【００４４】
次に、本発明による光磁気記録媒体の他の実施形態を説明する。
【００４５】
図２は、本発明による光磁気記録媒体の他の実施態様を示す模式的断面図である。図２に示すように、透明な基板１６上に第一の誘電体層１４、磁壁移動層１１、磁壁移動補助層１８、制御層１９、スイッチング層１２、記録層１３、磁界感度補助層２０、第二の誘電体層１５、保護コート１７が順次積層されている。基板１６としては、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ガラス等を用いることができる。保護コート１７としては、たとえば高分子樹脂からなる保護コートを用いることができる。第一の誘電体層１４としては例えば、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＳｉＯ，ＡｌＯ，ＺｎＳ，ＭｇＦ，ＴａＯ，ＴｉＯ等の透光性材料が使用できる。第二の誘電体層１５としても、第一の誘電体と同様、例えば、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＳｉＯ，ＡｌＯ，ＺｎＳ，ＭｇＦ，ＴａＯ，ＴｉＯ等の透光性材料が使用できる。
【００４６】
以下に誘電体層として、使用する波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザに対して吸収の無い化学量論組成比がＳｉ3Ｎ4である窒化シリコンを例に本発明を詳細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限りにおい化学量論組成比がＳｉ3Ｎ4である窒化シリコンに限定されるものではない。
【００４７】
これら各層は、例えばマグネトロンスパッタ装置による連続スパッタリング、または連続蒸着等によって被着形成できる。特に各磁性層は、真空を破ることなく連続成膜されることで、お互いに交換結合をしている。
【００４８】
上記媒体において、各磁性層は磁気記録媒体や光磁気記録媒体に一般的に用いられている材料の他、磁気バブル材料や反強磁性材料等、種々の磁性材料によって構成することが考えられる。例えば、Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ等の希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０ａｔｏｍ％〜４０ａｔｏｍ％と、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の鉄族元素の一種類あるいは二種類以上が９０〜６０ａｔｏｍ％とで構成される希土類−鉄族非晶質合金によって構成し得る。また、耐食性向上等のために、これらの合金にＣｒ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐｔ，Ｉｎ等の元素を少量添加してもよい。また、Ｐｔ／Ｃｏ，Ｐｄ／Ｃｏ等の白金族−鉄族周期構造膜や、白金族−鉄族合金膜、Ｃｏ−Ｎｉ−ＯやＦｅ−Ｒｈ系合金等の反強磁性材料、磁性ガーネット等の材料も使用可能である。
【００４９】
重希土類−鉄族非晶質合金の場合、飽和磁化は、希土類元素と鉄族元素との組成比により制御することが可能である。補償組成にすれば、室温での飽和磁化を０ｅｍｕ／ｃｃにできる。キュリー温度も、組成比により制御することが可能である。飽和磁化と独立に制御するためには、鉄族元素として、Ｆｅの一部をＣｏで置き換えた材料を用い、置換量を制御する方法がより好ましく利用できる。すなわち、Ｆｅ元素１ａｔｏｍ％をＣｏで置換することにより、５〜６℃程度のキュリー温度上昇が見込めるので、この関係を用いて所望のキュリー温度となるようにＣｏの添加量を調整する。Ｃｒ，Ｔｉ，Ａｌ等の非磁性元素を微量添加することにより、逆にキュリー温度を低下させることも可能である。また、二種類以上の希土類元素を用いてそれらの組成比を調整することでもキュリー温度を制御できる。
【００５０】
磁壁抗磁力や磁壁エネルギー密度は、主として材料元素の選択によって制御するが、下引きされる第一の誘電体層の状態や、スパッタガス圧等の成膜条件によっても調整可能である。ＴｂやＤｙ系の材料は垂直磁気異方性が大きく磁壁抗磁力や磁壁エネルギー密度が大きく、Ｇｄ系材料は小さい。不純物の添加等によってこれらの物性値を制御することもできる。膜厚は、成膜速度と成膜時間で制御できる。
【００５１】
さらに具体的には、磁壁移動層１１としては、例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの磁壁抗磁力が小さな希土類−鉄族非晶質合金や、ガーネット等のバブルメモリ用材料を用いることが好ましい。
【００５２】
記録層１３としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ系からなる希土類−鉄族非晶質合金など、垂直磁気異方性が大きく、磁壁抗磁力が大きい、安定に磁化状態が保持できるものが好ましい。
【００５３】
スイッチング層１２は磁壁移動層１１及び記録層１３よりもキュリー温度が低く、材料としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＤｙＦｅ、ＴｂＤｙＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ系からなる重希土類−鉄族非晶質合金など、垂直磁気異方性が大きく、磁壁抗磁力が大きい、安定に磁化状態を転写できるものが好ましい。また、スイッチング層１２のキュリー温度Ｔｓ以下で磁壁移動層１１から記録層１３までは交換結合している。以上のように、Ｔｓ以下で磁壁移動層１１から記録層１３までが交換結合していることにより、Ｔｓの温度領域では、記録層１３に形成された記録磁区がそのまま磁壁移動層１１の記録磁区として転写された状態になっている。
【００５４】
本実施形態では、特開２０００−２０７７９１号公報に提案されている、再生特性向上の観点から磁壁移動補助層１８を設けた構造を示しているが、これ以外に磁壁移動層１１の膜厚方向に組成勾配を設ける、或いは、磁壁移動層１１を多層化した構成を用いても良い。磁壁移動補助層１８としては磁壁移動層１１よりキュリー温度が低く、材料としては、例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏ系からなる磁壁抗磁力が小さい、希土類−鉄族非晶質合金や、ガーネット等のバブルメモリ用材料を用いることが好ましい。
【００５５】
また、特開２０００−１８７８９８号公報に提案されているように、制御層１９は、再生ビームスポット内後方端部での余計な磁壁移動（ゴースト信号）を抑制するものであり、磁壁が移動する層とスイッチング層１２の間に配置することが好ましい。すなわち、磁壁移動層１１とスイッチング層１２の間、または磁壁移動補助層１８が設けられている場合は磁壁移動補助層１８とスイッチング層１２の間に配置することが好ましい。制御層１９は、スイッチング層１２よりキュリー温度が高く、材料としてはＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏ系から成る、磁気異方性が大きく磁壁抗磁力が移動層より大きい磁性層等を用いることが好ましい。
【００５６】
また、本実施形態では、記録特性の観点から記録層１３の基板とは逆側に記録磁界感度補助層２０を設けた例を示してある。記録磁界感度補助層２０としては、記録温度である記録層１３のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有し、記録時印加磁界に対応して容易に磁化反転するように、例えば、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＦｅ、ＮｄＧｄＦｅＣｏなどの垂直磁気異方性が小さく磁壁抗磁力が小さい希土類−鉄族非晶質合金や、ガーネット等のバブルメモリ用材料を用いることが好ましい。
【００５７】
ここで、各磁性層の膜厚としては、最適な特性が得られる膜厚を選ぶことができる。各磁性層の組成も、最適な特性が得られる組成を選ぶことができる。
【００５８】
さらには、光変調記録を行うのなら成膜後の基板を貼り合わせてもよい。また、膜面側からレーザ光を入射させて再生を行う場合は、上記各層の積層順序を逆にして、基板面側からレーザーアニール処理を行えばよい。
【００５９】
以下に具体的な例をもって本発明を詳細に説明するが、本発明はその主旨を逸脱しない限りにおいて以下の実施例に限定されるものではない。
【００６０】
以上のように作製した磁壁移動型光磁気記録媒体に、記録に先駆けて記録トラック間の磁気的結合を切断するために、高出力のレーザ光でレーザーアニール処理を施す。
【００６１】
図４に、アニール処理を施す装置が備える光学系の一例の模式図を示す。光磁気記録媒体２５は、基板２４と記録膜２３から成っており、レーザーアニール用のレーザ光２１の波長λを４０５ｎｍ、対物レンズ２２の開口数Ｎ．Ａを０．８５とし、所望の線速度で光磁気記録媒体を回転させながら膜２３側から記録トラックを形成するランドとグルーブ間の側壁部にレーザ光２１を集光し、所望のレーザパワーを連続照射して、レーザーアニール処理を施す。この処理により、磁気分断領域である側壁部の磁性膜の垂直磁気異方性エネルギーが低下し、記録トラック間の磁気的結合が切断される。
【００６２】
本実の施例の形態ではランド／グルーブ記録を用い、記録トラックであるランドとグルーブ間の側壁部をアニール処理するが、これに限定するものではなく、ランド記録であればランドとランド間のグルーブを、グルーブ記録であればグルーブとグルーブ間のランドをアニール処理する場合等にも効果を有することは言うまでもない。
【００６３】
本発明の磁性記録媒体へのデータ信号の記録は、磁気記録もしくは熱磁気記録によって、情報に応じた記録磁区を記録層に形成することによって行う。熱磁気記録には、媒体を移動させながら、記録層がキュリー温度以上になるようなパワーのレーザ光を照射しながら外部磁界を変調する方式と、一定方向の磁界を印加しながらレーザパワーを変調する方式とがある。
【００６４】
図３に、本実施形態の光磁気記録媒体に対してデータ信号の記録および再生を行う記録再生装置の光学系の一例の模式図を示す。
【００６５】
図３に示すように、光学系は、光路の順に、レーザ光２０を出射するレーザ光源７１と、このレーザ光源７１から出射されたレーザ光を平行光に変換するコリメータレンズ７２と、レーザ光源７１からのレーザ光２０を透過するとともに光磁気記録媒体からの戻り光を反射するビームスプリッタ７３と、このビームスプリッタ７３を透過したレーザ光２０を光磁気記録媒体に集光する対物レンズ７４と、ビームスプリッタ７３に反射された戻り光を受光するディテクター７６を有する信号検出系７５とを備えている。
【００６６】
レーザ光源７１は、記録再生用の光源であって、レーザ光２０の波長が４０５ｎｍであり、対物レンズ７４の開口数Ｎ．Ａは０．６５である。ビームスプリッタ７３は、レーザ光２０を整形する整形部を有している。
【００６７】
以上のように構成された光学系を備える記録再生装置では、光磁気記録媒体の記録面のグルーブ（またはランド）上において、レーザ光源７１からの出射されたレーザ光２０が集光された記録再生用のビームスポットが形成される。データ信号の記録は、記録光磁気記録媒体を所望の線速度で移動しながら、記録用のビームスポットを形成しこれと同時に、磁界発生用コイル８０を用いて外部磁界を発生させ、データに応じてこの外部磁界の向きを高周波で変化させ記録磁区を形成する。
【００６８】
データ信号の再生は、光磁気記録媒体を所望の線速度で移動しながら、再生用のビームスポットを用いて行う。これにより、再生時には、光磁気記録媒体を図６（ｂ）に示したような温度勾配で加熱することができる。
【実施例】
【００６９】
（実施例１）
本実例では、Ｇｌａｓｓ２Ｐ成型により作成した、厚さが０．６ｍｍ、トラックピッチが０．３６μｍ、溝深さが３０ｎｍのランド／グルーブ記録用基板を用いた。溝形状としては前記形状に限定するものではなく、サーボの安定性、記録信号の隣接トラックからの漏れ込みの制御、磁性層の構成、等によって最適な溝形状を選択することができる。
【００７０】
直流マグネトロンスパッタリング装置に、ＢドープしたＳｉ，及びＧｄ，Ｔｂ，ＦｅＣｒ，ＣｏＣｒの各ターゲットを取り付け、上記基板を基板ホルダーに固定した後、２×１０-5Ｐａ以下の高真空になるまでチャンバー内をクライオポンプで真空排気した。その後、真空排気したままＡｒガスをチャンバー内に導入し、基板を回転させながら、ターゲットをスパッタして各層を成膜した。ＳｉＮ層成膜時にはＡｒガスに加えてＮ2ガスを導入することで、直流反応性スパッタを行い成膜した。
【００７１】
まず初めに、ＡｒガスとＮ2ガスをチャンバー内に流しコンダクタンス調整により圧力を所望の値とし、第一の誘電体層として使用する波長３５０ｎｍから４５０ｎｍ程度の青紫色レーザに対して吸収の無い化学量論組成比がＳｉ3Ｎ4である窒化シリコンを８０ｎｍ形成した。後述するが、反射率ＲはＳｉ3Ｎ4の膜厚が３０ｎｍ近傍で極小値を、８０ｎｍ近傍で極大値を示す。磁性膜の成膜時にＮ２ガスが混入していると窒化などを起こし磁気特性に影響を与えるため、誘電体層とその他の磁性層は別のチャンバーにて成膜を行った。
【００７２】
第一の誘電体層成膜後に、別のチャンバーに基板を搬送しＡｒガスを導入し、コンダクタンス調整により所望の圧力とし、磁壁移動層としてＧｄＦｅＣｏＣｒ層を膜厚１８ｎｍ、磁壁移動補助層としてＧｄＦｅＣｒ層を膜厚１８ｎｍ成膜した。次いで、同様にＡｒガスを用い、コンダクタンス調整により所望の圧力とし、制御層としてＴｂＦｅＣｏＣｒを膜厚１８ｎｍ、スイッチング層としてＴｂＦｅＣｒ層を膜厚１０ｎｍ、記録層としてＴｂＦｅＣｏＣｒを膜厚４０ｎｍ、記録磁界感度補助層としてＧｄＦｅＣｏＣｒを膜厚１０ｎｍ形成した。
【００７３】
そして最後に、第二の誘電体層としてＳｉＮ層を膜厚５０ｎｍ、第一の誘電体層形成時と同様直流反応性スパッタにより成膜した。
【００７４】
各磁性層は、Ｇｄ，Ｔｂ，ＦｅＣｒ，ＣｏＣｒの各ターゲットに投入するパワーの比によって組成比を制御した。
【００７５】
具体的には、磁壁移動層としてキュリー温度は３２０℃程度で補償温度は２９０℃程度となるように組成を調整し、磁壁移動補助層としてキュリー温度は２２５℃程度で補償温度は４５℃程度となるように組成を調整し、制御層としてキュリー温度は１８０℃程度で室温からキュリー温度まで希土類元素磁化優勢となるように組成を調整し、スイッチング層としてキュリー温度は１５５℃程度で補償温度は９０℃となるように組成を調整し、記録層としてキュリー温度は３３０℃程度で補償温度は４０℃程度となるように組成を調整し、記録磁界感度補助層としてキュリー温度は３５４℃で補償温度は２３０℃となるように調整した。
【００７６】
以上のように作製した磁壁移動型光磁気記録媒体に対して、記録に先駆けて記録トラック間の磁気的結合を切断するために、図４に、示した光学系を用いて、高出力のレーザ光でレーザーアニール処理を施した。
【００７７】
レーザーアニール用のレーザ光２１の波長４０５ｎｍ、対物レンズ２２の開口数Ｎ．Ａを０．８５、線速３．０ｍ／ｓとして光磁気記録媒体を回転させながら膜２３側から記録トラックを形成するランドとグルーブ間の側壁部にレーザ光２１を集光し、レーザパワーは５．６ｍＷで連続照射して、レーザーアニール処理を施した。この処理により、磁気分断領域である側壁部の磁性膜の垂直磁気異方性エネルギーが低下し、記録トラック間の磁気的結合が切断される。
【００７８】
その後、高分子樹脂からなる保護コートを形成した。
【００７９】
こうして作製した光磁気記録媒体について、図３に示した光学系を用いて、レーザ波長を４０５ｎｍ、対物レンズのＮ．Ａを０．６５、線速を２．４ｍ／ｓとして、クロック３２ＭＨｚ、線記録密度０．１１２５μｍ／ｂｉｔの（１−７）変調による信号をもちいて、記録再生特性の評価を行った。
【００８０】
記録はレーザを連続照射し、光磁気記録媒体を記録層のキュリー温度以上に加熱した後の冷却過程で、信号に応じて磁界を変調させて記録を行った。このとき、ランド部において、記録パワーは３．６ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは３．６ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００８１】
以上の記録条件で信号を記録し、再生パワーを変化させた時のジッターの再生パワー依存性を測定し、ジッター値が１４．５％（ｂＥＲが５Ｅ−４に相当）以下となる再生パワーマージンを比較した。その結果、ランドではジッター値９．３％、再生パワーマージンは１．８４ｍＷ±１９．３％、グルーブではジッター値９．２％、再生パワーマージンは１．７３ｍＷ±２２．５％となった。
【００８２】
ここで、反射率Ｒの第一の誘電体層の膜厚依存性測定を行った。反射率測定はglass基板を用いた別サンプルにて行った。
【００８３】
成膜条件は上記、記録再生特性評価用サンプルと同条件で行い、第一の誘電体層の膜厚は２０ｎｍから１００ｎｍの厚さを用いた。
分光光度計を用いて反射率を測定し、Ｇｌａｓｓからの反射率をさし引いた。
その結果、第一の誘電体層の膜厚が３０ｎｍ近傍で反射率Ｒは１４％で極小値を示し、８０ｎｍ近傍で反射率Ｒは４１％で極大値を示した。
（実施例２）
実施例２の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を１００ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは第１の誘電体層の膜厚を厚くした分高くなり、５．７ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは３．６ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは３．６ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００８４】
その結果、ランドでは、ジッター値９．５％、再生パワーマージンは１．９８ｍＷ±１８．８％、グルーブではジッター値９．４％、再生パワーマージンは１．８８ｍＷ±２１．３％となった。
（実施例３）
実施例３の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を１１０ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは、５．８ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは３．５ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは３．３ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００８５】
その結果再生ランドでは、ジッター値９．７％、再生パワーマージンは１．８５ｍＷ±１６．２％、グルーブでは、ジッター値９．６％、再生パワーマージンは１．７５ｍＷ±１８．３％となった。
（実施例４）
実施例４の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を１２０ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは、５．９ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは３．４ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは３．０ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００８６】
その結果ランドでは、ジッター値１０．３％、再生パワーマージンは１．７ｍＷ±１０．５％、グルーブではジッター値１０．０％、再生パワーマージンは１．５４ｍＷ±１１．３％となった。
（比較例１）
比較例１の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を１３０ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは、６．０ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは２．８ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは２．５ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００８７】
その結果ランドでは、ジッター値１４．５％、再生パワーマージンは１．３ｍＷ±４．０％、グルーブではジッター値１０．９％、再生パワーマージンは１．２５ｍＷ±５％となった。
（実施例５）
実施例５の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を６０ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは、５．６ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは３．２ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは３．２ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００８８】
その結果ランドでは、ジッター値１０．０％、再生パワーマージンは１．７４ｍＷ±１８．５％、グルーブではジッター値９．４％、再生パワーマージンは１．６３ｍＷ±１９．０％となった。
（実施例６）
実施例６の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を５０ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは、５．６ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは２．９ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは２．７ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００８９】
その結果ランドでは、ジッター値１０．６％、再生パワーマージンは１．５５ｍＷ±１５．４％、グルーブではジッター値９．７％、再生パワーマージンは１．５２ｍＷ±１６．５％となった。
（実施例７）
実施例７の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を４０ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは、５．６ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは２．４ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは２．２ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００９０】
その結果ランドでは、ジッター値１２．２％、再生パワーマージンは１．２９ｍＷ±１０．５％、グルーブではジッター値１０．３％、再生パワーマージンは１．３ｍＷ±１３．８％となった。
（比較例２）
比較例２の光磁気記録媒体は、第１の誘電体層の膜厚を３０ｎｍにした以外は実施例１と同様の構成で光磁気記録媒体を作製した。次に、実施例１と同様にレーザーアニール処理並びに記録再生特性の評価を行った。このとき、アニール時のレーザパワーは、５．５ｍＷでレーザーアニール処理を行った。また、ランド部において、記録パワーは１．６ｍＷ、変調磁界強度は２００（Ｏｅ）、グルーブ部においては、記録パワーは１．５ｍＷ、変調磁界強度は２５０（Ｏｅ）で行った。
【００９１】
その結果ランドでは、ジッター値１４．０％、再生パワーマージンは０．９ｍＷ±５．０％、グルーブではジッター値１０．９％、再生パワーマージンは０．８５ｍＷ±８．０％となった。
【００９２】
上記の各実施例及び比較例の結果をグラフにすると、図５に示すようになった。
図５から、第１の誘電体層である化学量論組成比がＳｉ3Ｎ4である窒化シリコンの膜厚が４０ｎｍ〜１２０ｎｍの場合、再生パワーマージンが１０％以上と良好であり、第１の誘電体層の膜厚が５０ｎｍ〜１１０ｎｍの場合は、再生パワーマージンが１５％以上とさらに、良好な特性が得られることが分かった。
【００９３】
ここで、膜厚４０ｎｍはｄＲｍａｘ１−４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５、膜厚１２０ｎｍはｄＲｍａｘ１＋４（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５である。膜厚５０ｎｍはｄＲｍａｘ１−３（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５、膜厚１１０ｎｍはｄＲｍａｘ１＋３（ｄＲｍａｘ１−ｄＲｍｉｎ１）／５に対応する。
【００９４】
また、上記各実施例から、第一の誘電体層の膜厚を４０ｎｍから１２０ｎｍまで変化させた場合でも、レーザーアニール処理は第二の誘電体層側から行うために、レーザーアニールパワーはほとんど影響を受けないことが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】基本的な磁壁移動型光磁気記録媒体の模式的断面図。
【図２】本発明による光磁気記録媒体の一実施態様を示す模式的断面図である。
【図３】光磁気記録媒体に対してデータ信号の記録および再生を行う記録再生装置が備える光学系の一例の模式図。
【図４】アニール処理を施す装置が備える光学系の一例の模式図。
【図５】各実施例及び比較例の結果。
【図６】基本的な磁壁移動型光磁気記録媒体およびその情報再生原理を説明するための図。
【符号の説明】
【００９６】
４１  第一磁性層（磁壁移動層）
４２  第二磁性層（スイッチング層）
４３  第三磁性層（記録層）
４４  磁壁
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ・・・  記録磁区
ｒ  媒体移動方向の方向
１１  磁壁移動層
１２  スイッチング層
１３  記録層
１４  第一の誘電体層
１５  第二の誘電体層
１６  透明な基板上
１７  保護コート
１８  磁壁移動補助層
１９  制御層
２０  磁界感度補助層
２１レーザ光
２２  対物レンズ
２３記録膜
２４  基板
２５  光磁気記録媒体
７１  レーザ光源
７２コリメータレンズ
７３  ビームスプリッタ
７４  対物レンズ
７５  信号検出系
７６  ディテクター
８０  磁界発生用コイル
【図１】
2006059500.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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