(57)【要約】【課題】高周波で高透磁率と低損失とを示し、平面インダクタや平面トランスなどの平面型磁気素子に有効に適用できる軟磁性薄膜を提供する。【解決手段】基板上に磁性薄膜および保護膜を形成し、前記磁性薄膜の膜面に平行に磁場を印加しながら熱処理を行って、局所異方性分散量を極めて小さくした後、前記磁性薄膜の膜面に対して垂直方向に磁場を印加しながら熱処理を行い、前記磁性薄膜の膜面に非平行に、膜面内成分を含む誘導磁気異方性を導入することを特徴とする磁性薄膜の磁気異方性の制御方法。【選択図】    図３
2006013549.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁性薄膜および保護膜を形成し、前記磁性薄膜の膜面に平行に磁場を印加しながら熱処理を行って、局所異方性分散量を極めて小さくした後、前記磁性薄膜の膜面に対して垂直方向に磁場を印加しながら熱処理を行い、前記磁性薄膜の膜面に非平行に、膜面内成分を含む誘導磁気異方性を導入することを特徴とする磁性薄膜の磁気異方性の制御方法。
【請求項２】
前記磁性薄膜がアモルファス磁性薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁性薄膜の磁気異方性の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は平面インダクタや平面トランスなどの平面型磁気素子に用いられる軟磁性薄膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器の小形化が盛んに進められている。しかし、電子機器の電源部の小形化はそれに比較して遅れている。このため、電源部が機器全体に占める容積比率は増大する一方である。電子機器の小形化は各種回路のＬＳＩ化によるところが大きいが、電源部に必須であるインダクタやトランスなどの磁気部品についてはこのような小形化・集積化が遅れており、これが容積比率増大の主因となっている。
【０００３】
この課題を解決するために、平面コイルと磁性体とを組み合わせた平面型の磁気素子が提案され、その高性能化の検討が進められている。これらの磁気素子に用いられる磁性薄膜には１ＭＨｚ以上の高周波領域において高透磁率かつ低損失であることが要求されている。また、最適の磁気素子の設計のためには透磁率が特定の値に制御された薄膜が必要となる。これらの要求は、薄膜磁気ヘッドなどのその他の磁気素子においても共通するものである。
【０００４】
高周波領域では、透磁率は主に回転磁化過程によってまかなわれる。このため、磁化困難軸方向の励磁が重要になり、磁化困難軸方向の高周波透磁率および高周波損失が重要な物性値になる。高周波透磁率は試料の様々な物性と複雑に関連した量であるが、最も相関が高いものとして異方性磁場と局所異方性分散量とが挙げられる。高周波透磁率は、おおむね異方性磁場の逆数に比例して変化し、異方性分散量の増大によって減少する。
【０００５】
従来、異方性磁場が制御された磁性膜を得るために、種々の方法が検討されている。例えば、膜を特定の形状に加工して形状異方性などを利用する方法、斜め蒸着などによる柱状構造などのサブストラクチャーを利用する方法、基板の選択や成膜条件の制御により得られる優先配向膜やエピタキシャル成長膜の結晶磁気異方性を利用する方法、積層や異種磁性体との組み合わせによる方法、磁場中成膜や磁場中熱処理による方法、およびこれらを組み合わせた方法などがある。
【０００６】
このうち、磁場中熱処理としては、膜面内の一方向に磁場を印加する直流磁場中熱処理方法、膜面内で磁場方向を回転させる回転磁場中熱処理方法などが知られている。直流磁場中熱処理方法は、磁区の固着などを防ぎながら、一軸異方性を誘導する方法である。回転磁場中熱処理方法は、すでに試料が持つ面内異方性を低減する方法である。これらの熱処理は、方向性規則配列の理論に準じた構造異方性が誘導される系における磁気異方性制御に特に有効である。
【０００７】
しかし、これらの方法により磁性薄膜の高透磁率および低損失を実現しようとすると以下のような問題が生じる。
【０００８】
面内直流磁場中熱処理により付与される磁気異方性は、主に熱処理の温度によって決定され、印加磁場の大きさには陽には依存しない。この異方性の大きさは一般にその試料に固有の値となり、熱処理温度の上昇とともに減少するため、異方性磁場の制御性がよくない。特に結晶化温度がキュリー温度より低いアモルファス系においては、磁気異方性を結晶化温度直下における磁気異方性より小さくすることは困難であり、より高い透磁率が要求される場合に対応できないことがある。結晶質やキュリー温度と結晶化温度との関係が逆転しているアモルファス系においても、薄膜インダクタや磁気ヘッドなどの磁気素子に実際に適用した場合には磁性体以外の材料の耐熱温度などの制約から所望の高透磁率に対応した低異方性磁場が達成できない場合がある。
【０００９】
回転磁場中熱処理は熱処理前の巨視的な異方性を弱めて、原理的には０にできる方法である。その点、面内直流磁場中熱処理よりも異方性磁場の制御性に優れている。現実には、面内直流磁場中熱処理と回転磁場中熱処理とを適宜組み合わせて異方性磁場を制御し、所望の高周波透磁率を得ている場合が多い。しかし、この方法では巨視的な磁化困難軸方向に高周波で励磁する際に、微視的には局所的に磁化容易軸方向に励磁している可能性があり、高周波特性の劣化、損失の増大を招く場合がある。また、面内に分布する局所異方性分散によっても高周波特性が損なわれるおそれがある。
【００１０】
以上述べたように、小形化対応の磁気素子には高透磁率・低損失の軟磁性体が必要とされ、限定された温度範囲内で低損失性と小異方性磁場とが両立した軟磁性薄膜を制御性よく得ることが求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、限定された温度範囲において、面内異方性磁場の制御が容易で、かつ高周波で高透磁率と低損失とを可能にする異方性が誘導された軟磁性薄膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁性薄膜の磁気異方性の制御方法は、基板上に磁性薄膜および保護膜を形成し、前記磁性薄膜の膜面に平行に磁場を印加しながら熱処理を行って、局所異方性分散量を極めて小さくした後、前記磁性薄膜の膜面に対して垂直方向に磁場を印加しながら熱処理を行い、前記磁性薄膜の膜面に非平行に、膜面内成分を含む誘導磁気異方性を導入することを特徴とする。
【００１３】
本発明の対象となる磁性薄膜は、柱状構造などのサブストラクチャーを持たず、かつ方向性規則配列に準じた構造異方性が誘導され得る軟磁性薄膜である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高周波で高透磁率と低損失とを示す軟磁性薄膜を提供でき、平面インダクタや平面トランスなどの平面型磁気素子に有効に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を図１および図２を参照してさらに詳細に説明する。図１（ａ）は膜面に対して角度βをなす方向に磁化容易軸を持つ軟磁性薄膜を示す斜視図、図１（ｂ）は磁化ベクトルの極座標表示を示す図である。また、図２（ａ）は磁化ベクトルＩの方向を示す説明図、図２（ｂ）は有効磁場の方向を示す説明図である。これらの図において、Ｋ0 は磁場中熱処理による誘導磁気異方性の一軸異方性エネルギー、Ｉは磁化ベクトル、Ｈd は反磁場、Ｈexは外部磁場、Ｈeff は有効磁場である。図１（ａ）では、Ｋ0 を磁化容易軸方向に平行なベクトルとして表現している。
【００１６】
柱状構造などの３次元的に異方的な構造を持たず、方向性規則配列の理論に準じた構造異方性が誘導され得る系では、図１（ａ）および（ｂ）に示すように、磁場中熱処理または磁場中成膜によって誘導される磁気異方性の磁化容易軸方向は、熱処理時または成膜時の磁化ベクトルＩの方向に一致する。また、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、磁化ベクトルＩの方向は、有効磁場Ｈeff の方向とほぼ同じである。図２（ｂ）に示すように、有効磁場Ｈeff は、外部磁場Ｈexと反磁場Ｈd とをベクトル合成したものである。ここで、Ｈd ＝−Ｉｓｉｎφ／μ0 である。したがって、有効磁場Ｈeff の方向が膜面に平行、垂直、またはその中間の傾斜した方向のいずれの方向であっても、誘導される磁気異方性エネルギー定数Ｋ0 の大きさに差異は生じず、磁化容易軸方向はその有効磁場Ｈeff の方向に平行となる。
【００１７】
図２（ｂ）に示すように、外部磁場Ｈexとして反磁場Ｈd に比較して十分に大きい直流磁場を膜面または基板面に対して角度αの方向に印加し、膜面または基板面に対して角度βの方向に有効磁場Ｈeff が生じるように熱処理または成膜すると、構造異方性による誘導異方性は膜面に対して角度βの方向に形成される。外部直流磁場Ｈexが反磁場Ｈd に対して大きいほどαとβとの差は０に近づく。ただし、磁場誘起方向性規則配列を生じる軟磁性体であって十分な飽和磁化を有する系では、一般に、誘導される異方性よりも形状異方性の効果の方が大きいため、総合的には面内が磁化容易面となる軟磁性薄膜が得られる。したがって、面内の磁化容易軸方向は、初期状態の面内異方性の容易軸方向に保存される。
【００１８】
膜面に対して角度βの方向に磁化容易軸が誘導された軟磁性薄膜の面内の一軸異方性定数Ｋplは以下のようにして導くことができる。ここで、図１（ｂ）に示すように、磁化ベクトルＩが方向（θ，φ）にあるときの磁気異方性エネルギーＥ0 は、磁化ベクトルＩの方向の関数として次のように表せる。
【数１】
2006013549.tif 000003
【００１９】
面内の磁気異方性について考えると、常にθ＝π／２が成立するので、式（１）は次のように書ける。
【数２】
2006013549.tif 000004
【００２０】
式（２）から明らかなように、括弧内のＫ0 ｃｏｓ2 βが面内の見掛けの一軸磁気異方性定数として作用し、θ＝０，πの方向が磁化容易軸方向になっている。すなわち、図のｘ軸方向が磁化容易軸方向となり、面内の一軸異方性定数Ｋpl＝Ｋ0 ｃｏｓ2 βとなる。
【００２１】
このうち、特に膜面に垂直な方向の直流磁場中で熱処理または成膜する場合について図３を参照して説明する。図３においては、事前の面内直流磁場中熱処理（成膜手法に起因する場合もある）によって面内磁気異方性Ｋplが誘導されているものとする。また、Ｋpdは膜面に垂直な方向の直流磁場中熱処理による磁気異方性、ｅDOは方向性規則配列による誘導磁気異方性の磁化容易軸を示す。
【００２２】
前述した議論と同様に、外部磁場Ｈexとして反磁場Ｈd に比較して十分に大きい直流磁場を膜面に垂直な方向に印加すると、構造異方性による誘導異方性は膜面に垂直な方向に形成される。このため、事前の面内直流磁場中熱処理に起因する方向性規則配列によって面内磁気異方性が存在していても、熱処理の時間経過に伴い面内の異方性は減少する。これは、磁気異方性が方向性規則配列の規則度パラメータであり、膜面に垂直な方向の規則度が成長するにつれて、膜面内の規則度が減少するためである。図３に示されるように、理想的には平衡状態に達するに十分な時間の熱処理を施せば、膜面内の異方性を０にすることができる。したがって、熱処理時間を制御することにより、面内異方性の大きさを制御できる。
【００２３】
前述したように、本発明の磁性薄膜では面内の一軸異方性定数Ｋpl＝Ｋ0 ｃｏｓ2 βとなる。したがって、図４に示すように、方向性規則配列による誘導磁気異方性の磁化容易軸方向と膜面のなす角度βをπ／２から０まで変化させることにより、面内の見掛けの一軸磁気異方性エネルギーＫplが０からＫ0 まで制御された軟磁性薄膜が得られる。角度βに関しては、簡単な実験装置でも十分によい精度で所望の値に設定できる。このことは、膜面に非平行に磁気異方性を誘導した膜では、膜面に平行に磁気異方性を誘導した膜に比較して、より小さい面内異方性磁場を実現できることを意味する。
【００２４】
この効果を図５のように示すこともできる。この図は、本発明に係る磁性薄膜および従来の磁性薄膜について面内磁気異方性エネルギーの大きさの制御範囲を示すものである。この図では、膜面内の直流磁場中熱処理を施した場合に方向性規則配列に準じた構造異方性により面内に平行に導入される一軸異方性エネルギーの最小値をＫ0minで表す。これに対して、本発明に係る膜面に非平行な誘導磁気異方性の磁化容易軸を有する軟磁性薄膜の面内の誘導磁気異方性エネルギーの大きさの制御範囲を示す。本発明では、より小さい面内異方性に対応でき、より高透磁率に対応できることがわかる。
【００２５】
次に、磁性薄膜を面内の磁化困難軸方向に高周波励磁する場合を考える。本発明の磁性薄膜を得るための熱処理程においては、面内の磁化困難軸方向に有効磁場は生じない。これは、統計力学的観点からは、局所的な微視的磁化容易軸が、巨視的な面内磁化困難軸方向に平行に生じる可能性が非常に低いことを意味する。また、本発明では、回転磁場中熱処理とは異なり、本来の誘導磁気異方性の方位の分散はほとんどないため、局所異方性分散量を極めて小さくできる。
【００２６】
図６に複素透磁率の実数部および虚数部の周波数特性を模式的に示す。この図において、実線は本発明の磁性薄膜、破線は回転磁場中熱処理が施された磁性薄膜である。複素透磁率の虚数部は１ループ当たりの損失に比例する量である。図６に示されるように、巨視的には同じ面内異方性磁場を示す軟磁性薄膜であっても、本発明のものは回転磁場中熱処理が施されたものよりも低損失を実現できる。
【００２７】
以上述べたように本発明によれば、膜面に非平行な直流磁場中での熱処理または成膜により面内の異方性磁場を制御でき、所望の高透磁率に対応した微小な面内異方性磁場を有し、しかも異方性分散が除去された磁性薄膜を得ることができる。その結果、磁化困難軸方向に高周波励磁した場合に高透磁率と低損失とを実現できる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明の実施例を説明する。
【００２９】
以下の実施例および比較例では、ＲＦマグネトロン・スパッタリング法により作製されたアモルファスＣｏＺｒＮｂ薄膜からなる試料を用いた。主な成膜条件は以下の通りである。
【００３０】
・ターゲット：Ｃｏ84Ｚｒ6.2 Ｎｂ9.8 （鋳込み組成）、３インチ径
・基板回転数：１９．５ｒｐｍ
・基板：アモルファスＳｉＯ2 （熱酸化、０．８μｍ厚）／Ｓｉウェハ（１００）、５インチ径
・基板温度：３９〜５５℃
・到達真空度：１〜３×１０-4Ｐａ
・スパッタ条件
ＲＦパワー：１０．５Ｗ／ｃｍ2 
雰囲気：Ａｒフロー（０．２０Ｐａ）
成膜時間：６８ｍｉｎ
以上の条件により２．０μｍ厚のＣｏＺｒＮｂ薄膜を得た。引き続き真空を破らずに同一装置で直ちに保護膜としてアモルファスＳｉＯ2 （１μｍ厚）を積層した。この試料の飽和磁化は２０℃で１．０Ｔ、４５０℃で０．６Ｔであった。また、この試料の結晶化温度は５００℃であった。
【００３１】
実施例１
試料に、膜面に対して角度α（α＝３０°、４５°、６０°、６５°、７０°、７５°、９０°）の方向に直流磁場を印加して真空中で熱処理を施した。熱処理装置としては、振動試料型磁力計（東英工業社製、商品名ＶＳＭ−５）を利用した。磁力計を用いたのは、装置に付属する電磁石（最大印加磁場２０ｋＯｅ）を利用して、膜面に垂直な方向の強力な反磁場（６〜１０ｋＯｅ）よりも大きな外部磁場により磁化ベクトルの膜面に対する角度βを制御するためである。印加磁場は１５ｋＯｅ、熱処理温度は４５０℃、熱処理時間は１０ｍｉｎとした。
【００３２】
実施例２
試料を石英管に真空封入し、膜面に平行に２ｋＯｅの直流磁場を印加して熱処理を行った。熱処理温度は４５０℃とした。この熱処理によって成膜直後の異方性分散が除去され、面内で一様な一軸磁気異方性が誘導されたアモルファスＣｏＺｒＮｂ薄膜が得られる。
【００３３】
この試料に、実施例１と同一の装置を用い、膜面に垂直に直流磁場を印加して真空中で熱処理を施した。印加磁場は１３ｋＯｅ、熱処理温度は３５０℃、４００℃または４５０℃、熱処理時間は１０ｍｉｎとした。
【００３４】
比較例１
実施例１と同一の装置を用い、試料に面内直流磁場中熱処理を施した。この際、熱処理温度は３５０℃から試料の結晶化温度である５００℃の直下まで種々変化させた。その他の条件は実施例１と同一である。
【００３５】
比較例２
実施例１と同一の装置を用い、試料に面内直流磁場中熱処理を施した。その他の条件は実施例１と同一である。この後、さらに成瀬科学機械製の回転磁場中熱処理炉を用い、真空雰囲気で面内の回転磁場中熱処理を施した。面内印加磁場は０．３ｋＯｅ、回転速度は１００ｒｐｍとし、熱処理温度は３５０℃から５００℃まで種々変化させた。
【００３６】
以下、これらの磁性薄膜の特性について検討した結果を説明する。
【００３７】
まず、実施例２の磁性薄膜について、第１段の面内直流磁場中熱処理後に、面内の容易軸方向および困難軸方向のそれぞれで磁化曲線を測定した。図１２に磁化困難軸方向の磁化曲線、図１３に磁化容易軸方向の磁化曲線をそれぞれ示す。各図には印加磁場１０Ｏｅおよび２５０Ｏｅの２種の磁化曲線を示した。横軸は外部印加磁場表示である。これらはフルループの磁化環線であるが、保磁力が非常に小さいため往復のヒステリシスはほとんど観察されない。なお、容易軸方向でもほぼ飽和するには２Ｏｅの磁場を要しているが、これは反磁場の影響によるものである。これらの２方向の飽和磁場の差から面内の異方性磁場を評価でき、良好な軟磁性薄膜が得られていることがわかる。
【００３８】
図７に実施例１の磁性薄膜について面内の異方性磁場Ｈｋの熱処理時の印加磁場角度αに対する依存性を示す。この図から明らかなように、角度αの増加とともに、面内の異方性磁場Ｈｋが減少する。図８は横軸を熱処理時の有効磁場角度すなわち熱処理時に形成される磁気異方性の磁化容易軸の膜面に対する角度βとして、図７を表示し直したものである。この図には理論予想値を破線で併記する。面内の異方性磁場Ｈｋの角度βに対する依存性の実測値は理論予測値とよく一致している。このことから、膜面に非平行な直流磁場中熱処理によって、膜面内の異方性磁場を良好に制御できることがわかる。
【００３９】
図９に実施例１の磁性薄膜について面内の磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃの角度αに対する依存性を示す。この図から、膜面に対して非平行な方向に磁化容易軸が誘導された軟磁性薄膜において保磁力の劣化が生じないことが確認できる。特に、α＝９０℃の条件で得られた軟磁性薄膜は１ｍＯｅ以下と非常に小さい保磁力を示している。
【００４０】
図１０に実施例１および比較例２の磁性薄膜について周波数１０ＭＨｚで磁化困難軸方向に励磁した際の高周波透磁率虚数部μ''の高周波透磁率実数部μ´に対する依存性を示す。図中、実線は実施例１、破線は比較例２である。また、この図には抵抗率や膜厚などの値から予想される渦電流損失の計算値を併記する。この図から明らかなように、実施例１では比較例２よりも損失が小さく、渦電流損失以外のヒステリシス損失やその他の異常損の影響はほとんどない。このことから、本発明に係る膜面に傾斜した誘導磁気異方性が付与された系においては、良好な磁化困難軸励磁が行われていることが確認できる。
【００４１】
次に、実施例１の軟磁性薄膜（β＝５０°）および膜面に平行な誘導磁気異方性を有する比較例１の軟磁性薄膜（β＝０°）を用いて、それぞれ薄膜インダクタを作製した。図１１にこれらの薄膜インダクタのインダクタンスＬと品質係数Ｑの周波数特性を示す。図中、実線は実施例１、破線は比較例１である。この図から明らかなように、実施例１では比較例１と比較して、より高いＬが得られ、Ｑの劣化も認められない。
【００４２】
図１４に実施例２（２段階熱処理後）および比較例１の磁性薄膜について面内の異方性磁場Ｈｋの熱処理温度依存性を示す。図中、実線は実施例２、破線は比較例１である。熱処理温度の上昇とともに面内の異方性磁場Ｈｋが減少する傾向が認められるが、実施例２は比較例１よりも面内異方性磁場が小さい。
【００４３】
図１５に実施例２（２段階熱処理後）および比較例２の磁性薄膜について面内の磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃの熱処理温度依存性を示す。図中、実線は実施例２、破線は比較例２である。実施例２では熱処理温度の上昇とともにＨｃが減少している。一方、比較例２では熱処理温度の上昇とともにＨｃが増加している。理想的な単一磁区を磁化困難軸方向に励磁する場合、回転磁化過程には保磁力が発生しない。したがって、比較例２における保磁力の増加は局所異方性分散量の増加などに対応しているものと推定される。
【００４４】
図１４および図１５から、実施例２では、保磁力の増加を回避しつつ、面内異方性磁場を減少できることがわかる。
【００４５】
図１６に実施例２（２段階熱処理後）および比較例２の磁性薄膜について周波数１０ＭＨｚで磁化困難軸方向に励磁した際のｔａｎδの高周波透磁率実数部μ´に対する依存性を示す。図中、実線は実施例２、破線は比較例２である。この図から明らかなように、実施例２では比較例２よりも損失が小さい。また、比較例２では前述した保磁力の増加に起因して、高周波におけるヒステリシス損失が増加している。
【００４６】
なお、前記実施例では磁性薄膜を成膜後に熱処理を施しているが、基板面に非平行な直流磁場中で磁性薄膜を成膜することにより、膜面に非平行な磁化容易軸を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）は本発明に係る膜面に対して角度βをなす方向に磁化容易軸を持つ磁性薄膜を示す斜視図、（ｂ）は磁化ベクトルの極座標表示を示す図。
【図２】（ａ）は磁化ベクトルの方向を示す説明図、（ｂ）は有効磁場の方向を示す説明図。
【図３】磁性薄膜の膜面に垂直な方向の直流磁場中で熱処理した際、時間経過に伴う方向性規則配列による誘導磁気異方性の磁化容易軸の方向の変化を示す説明図。
【図４】本発明に係る磁性薄膜についてＫpl／Ｋ0 の熱処理時の実効磁場角度βに対する依存性を示す図。
【図５】本発明に係る磁性薄膜および従来の面内直流磁場中熱処理された磁性薄膜について面内磁気異方性エネルギーの大きさの制御範囲を示す図。
【図６】本発明に係る磁性薄膜および従来の面内回転磁場中熱処理が施された磁性薄膜について複素透磁率の実数部および虚数部の周波数特性を示す図。
【図７】実施例１の磁性薄膜について面内の異方性磁場Ｈｋの熱処理時の印加磁場角度αに対する依存性を示す図。
【図８】実施例１の磁性薄膜について面内の異方性磁場Ｈｋの熱処理時の実効磁場角度βに対する依存性を示す図。
【図９】実施例１の磁性薄膜について面内の磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃの印加磁場角度αに対する依存性を示す図。
【図１０】実施例１および比較例２の磁性薄膜について周波数１０ＭＨｚで磁化困難軸方向に励磁した際の高周波透磁率虚数部μ''の高周波透磁率実数部μ´に対する依存性を示す図。
【図１１】実施例１および比較例１の磁性薄膜を用いて作製された薄膜インダクタのインダクタンスＬと品質係数Ｑの周波数特性を示す図。
【図１２】実施例２の磁性薄膜について第１段の熱処理後の磁化困難軸方向の磁化曲線を示す図。
【図１３】実施例２の磁性薄膜について第１段の熱処理後の磁化容易軸方向の磁化曲線を示す図。
【図１４】実施例２および比較例１の磁性薄膜について面内の異方性磁場Ｈｋの熱処理温度依存性を示す図。
【図１５】実施例２および比較例２の磁性薄膜について面内の磁化困難軸方向の保磁力Ｈｃの熱処理温度依存性を示す図。
【図１６】実施例２および比較例２の磁性薄膜について周波数１０ＭＨｚで磁化困難軸方向に励磁した際のｔａｎδの高周波透磁率実数部μ´に対する依存性を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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