(57)【要約】【課題】反射型液晶表示装置に用いられ、可視光を極めて効率よく反射する層を有する多層基板、および、その多層基板を用いた反射型液晶表示装置を、比較的簡便かつ低コストで提供する。【解決手段】少なくとも、支持基板と、該支持基板の表面に形成されたフォトニック結晶と、該フォトニック結晶の表面に形成され半導体素子が作製される素子形成層と、を有する多層基板であって、前記フォトニック結晶は、可視光に対して屈折率の異なる２種以上の層を周期的に配列した周期構造体であり、かつ、該周期構造体は、前記可視光に対して一次元フォトニック結晶となるように、その1周期の層厚が調整されてなることを特徴とする多層基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、支持基板と、該支持基板の表面に形成されたフォトニック結晶と、該フォトニック結晶の表面に形成され半導体素子が作製される素子形成層と、を有する多層基板であって、前記フォトニック結晶は、可視光に対して屈折率の異なる２種以上の層を周期的に配列した周期構造体であり、かつ、該周期構造体は、前記可視光に対して一次元フォトニック結晶となるように、その1周期の層厚が調整されてなることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記周期構造体の1周期を構成する各層において、前記可視光に対する屈折率が最大となるものと、最小となるものとの屈折率差が、１．０以上であることを特徴とする請求項１に記載された多層基板。
【請求項３】
前記周期構造体の１周期を構成する各層において、前記可視光に対する屈折率が最大となるものがＳｉ層であり、最小となるものがＳｉＯ２層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載された多層基板。
【請求項４】
前記周期構造体が２種類の層からなり、かつ、その周期数が５周期以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載された多層基板。
【請求項５】
前記素子形成層が単結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載された多層基板。
【請求項６】
前記周期構造体は、前記可視光の全波長領域中の少なくとも１００ｎｍの波長帯幅において、９８％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載された多層基板。
【請求項７】
前記支持基板が単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載された多層基板。
【請求項８】
前記素子形成層の一部に半導体素子が作製されており、該半導体素子が形成された領域の最表面に反射層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載された多層基板。
【請求項９】
請求項８に記載された多層基板において、前記半導体素子が形成された素子形成層上に、少なくとも、液晶層と透明基体とを積層した構造を有する反射型液晶表示素子であって、前記半導体素子が前記液晶層の液晶の駆動を制御するものであることを特徴とする反射型液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型液晶プロジェクターや高解像度プロジェクションＴＶ等に使用される反射型液晶表示素子の形成に用いられ、可視光を極めて効率よく反射する層を有する多層基板、および、その多層基板を用いた反射型液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子を用いた液晶プロジェクターとしては、透明基板上に堆積したポリシリコン層に液晶駆動素子を形成した透過型液晶プロジェクターが広く市販されているが、液晶駆動に高温ポリシリコンデバイスが使われているため、周辺回路の駆動素子のスピードが小さく、液晶特有の遅れがある。
【０００３】
近年、従来の透過型液晶プロジェクターに変わり、高精度で大画面が得られ、かつ量産として安価が期待されるＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）と呼ばれる構造を用いた反射型液晶プロジェクターが研究・開発されている。
【０００４】
一般的なＬＣＯＳ構造を用いた反射型液晶表示素子２００の断面構造を図２に示す。基本的にはシリコンデバイス２０２の上に液晶を乗せ、そのデバイス上の反射電極２０４（これは電極であると同時に反射層でもある）と最上層のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）電極２０７の間に電界を掛け、液晶のＯｎ−Ｏｆｆをコントロールするというものである。この反射電極２０４は下層のシリコン基板２０１とつながっており、ここから電気信号を受け、電界をコントロールする事ができる。
【特許文献１】特開平９−２０３８８４号公報
【特許文献２】特開平１１−１４２８６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このＬＣＯＳは、計算上は９０％以上の開口率や高解像度、高輝度、高コントラスト等の利点がある。しかし、その複雑な光の経路、すなわち、プリズムや外部反射板の使用等により透過型の特性を大きく凌駕していない。さらに問題となるのは、金属反射層の可視光に対する反射率である。
【０００６】
図２において、入射した可視光が液晶下部に位置する反射電極により反射し、その反射光により画像が表示されるので、輝度の高い画像を得るためにはその反射率は１００％に近いことが望まれる。しかしながら、反射電極として通常用いられるアルミニウムや銀の反射率は、それぞれ約９０％、９６％程度であり十分とはいえない。このような金属による反射以外に、誘電体膜の積層構造を用いれば９６％を超える反射率が得られる場合もあるが、このような高反射率が得られる誘電体膜の積層には数１０層以上の積層が必要でコスト高になり、かつ光の照射によって電荷が発生し、液晶の駆動に障害となる。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、反射型液晶表示装置に用いられ、可視光を極めて効率よく反射する層を有する多層基板、および、その多層基板を用いた反射型液晶表示装置を、比較的簡便かつ低コストで提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の多層基板は、少なくとも、支持基板と、該支持基板の表面に形成されたフォトニック結晶と、該フォトニック結晶の表面に形成され半導体素子が作製される素子形成層と、を有する多層基板であって、前記フォトニック結晶は、可視光に対して屈折率の異なる２種以上の層を周期的に配列した周期構造体であり、かつ、該周期構造体は、前記可視光に対して一次元フォトニック結晶となるように、その１周期の層厚が調整されてなることを特徴とする。
【０００９】
このように、可視光の反射層としての一次元フォトニック結晶を、半導体素子（デバイスと呼ぶことがある）を形成する素子形成層の下部に形成することにより、素子形成層を透過した可視光を効率よく反射することができる。
【００１０】
この場合、前記周期構造体の１周期を構成する各層において、前記可視光に対する屈折率が最大となるものと、最小となるものとの屈折率差が、１．０以上であることが好ましい。反射される可視光の波長幅は、周期構造体の1周期内における屈折率差の増加に伴い、大きくなる。そのため、屈折率差をより大きくすることで、より広い波長幅における反射をより確実なものとすることができる。従って、屈折率差としては、より好ましくは１．２以上、さらに好ましくは、１．５以上確保されることが望ましい。
【００１１】
フォトニック結晶を形成する具体的な層としては、可視光に対する屈折率が最大となるものをＳｉ層とし、最小となるものがＳｉＯ２層とすることが好ましい。これらは、ＣＶＤ法により容易に形成することができ、しかも屈折率差は約２．０と極めて大きな値となる。
【００１２】
また、フォトニック結晶の製造コストを考慮すると、前記周期構造体が２種類の層からなり、かつ、その周期数を５周期以下とすることが好適である。このように少ない周期数であっても、可視光に対して一次元フォトニック結晶となるようにその１周期の層厚を調整するので、極めて高い反射率が得られる。その結果、可視光の全波長領域中の少なくとも１００ｎｍの波長帯幅において、９８％以上の反射率を有する多層基板を得ることができる。
【００１３】
このような多層基板の素子形成層の一部に液晶駆動に必要なデバイスなどの周辺回路を形成し、その周辺回路を形成した素子形成層の一部の表面には入射してくる可視光を反射するための反射膜を形成する。残余の周辺回路が形成されない素子形成層領域にはそのような反射膜を形成しなくても、下地に形成されたフォトニック結晶により入射可視光の十分な反射が可能である。
【００１４】
さらに、前記周辺回路および反射膜が形成された素子形成層の上に、少なくとも、液晶層と透明基体が積層された構成とすること、反射型液晶表示素子を形成することができる。この際、液晶駆動に必要なデバイスを形成する層としてフォトニック結晶の表面に形成される素子形成層を、単結晶シリコンとすることが好ましい。このように単結晶シリコンにより液晶駆動に関係する周辺回路を形成することにより、高温多結晶シリコンで回路素子を形成した場合に比較して駆動素子のスピードが速くなり、液晶特有の遅れを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、反射型液晶表示素子の形成に用いられ、可視光を極めて効率よく反射する層を有する多層基板、および、その多層基板を用いた反射型液晶表示素子を、比較的簡便かつ低コストで得ることができる。また、液晶駆動回路を単結晶シリコン層で形成することができるので、駆動素子のスピードを向上することができる。
さらに、反射型液晶表示素子の表面から入射した赤外光は、フォトニック結晶および支持基板を透過していくので液晶温度の上昇を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明に係る多層基板の最上層である素子形成層１０３の一部の領域に半導体素子１０４が形成され、その半導体素子１０４の最表面には反射膜１０９が形成され、さらにその上に、ＩＴＯ電極１０７と配向膜１０６を介して液晶層１０５と透明基体１０８とを積層した構造を有する反射型液晶表示素子１００の断面摸式図である。
【００１７】
このような構造を有する本発明の多層基板および反射型液晶表示素子は、以下の工程により製造することができる。
まず、支持基板１０１となるシリコンウェーハを用意する。支持基板としては、シリコン単結晶ウェーハの他、ガラス、石英、サファイア等の基板を用いることもできるが、後工程においてＣ−ＭＯＳあるいはＳＲＡＭなどのデバイス形成を行なうので、成熟したＬＳＩプロセスをそのまま適用可能であり、かつ基板材料のコスト面でもシリコンウェーハが有利である。
【００１８】
次に、支持基板１０１の表面に、屈折率の違う２種以上の層を周期的に配列させた複数の周期構造体１０２を積層させた積層体を形成する。この周期構造体１０２は、可視光に対して一次元フォトニック結晶となるように、その１周期の層厚が調整される。具体的には、図１のように高屈折率層１０と低屈折率層１１との一対を１周期とし、さらに、その１周期の層厚は、可視光の各々高屈折率層１０と低屈折率層１１における媒質内波長を平均化した媒質内平均波長λａの半波長（λａ／２）の整数倍に対応するように調整されてなる。
【００１９】
上記のように構成される周期構造体においては、図４の模式図に示すように、屈折率が積層方向に対して周期的に変化することになる。該屈折率の周期的変化における１周期の長さが、周期構造体内を積層方向に伝播しようとする伝播光の半波長、つまりは、上記媒質内平均波長の半波長（λａ／２）の整数倍に対応する場合、そのような伝播光は周期構造体内を伝播することができず完全反射に近い形で反射されることとなる。このように特定波長領域の光を反射させる現象は、半導体などにおける電子の固体結晶内の分散関係より説明されるバンドギャップと同じ概念であることから、一般的にフォトニックバンドギャップと呼ばれる。特に、周期構造体のように、積層方向への伝播光に対してのみフォトニックバンドギャップを有するものは、一次元フォトニック結晶と呼ばれる。
【００２０】
図１は、支持基板上の一次元フォトニック結晶として、低屈折率層１１と高屈折率層１０を1周期とする３周期の周期構造体を形成した例を示している。低屈折率層１１をＳｉ層とし、高屈折率層１０をＳｉＯ２層とすると、この周期構造体は、ＳｉＯ２層を形成する熱酸化工程とＳｉ層を形成するＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）工程を繰り返すことにより形成することができる。Ｓｉ層だけでなくＳｉＯ２層の形成もＣＶＤで実施することも可能である。また、ＣＶＤ法のほか、ＭＯＶＰＥ（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法、高周波スパッタやマグネトロンスパッタも含めたスパッタ法等の周知の薄膜成長方法を用いて形成させることもできる。さらには、一方のウェーハに水素イオンを注入した後に他方のウェーハと貼り合わせ、熱処理を加えて薄膜を剥離する、いわゆるスマートカット（登録商標）と呼ばれる方法（特開平５−２１１１２８号参照）を繰り返し行なうことにより、極めて膜厚均一性の高いフォトニック結晶を得ることができる。
【００２１】
本発明の多層基板の場合、フォトニック結晶の表面に形成され半導体素子が作製される素子形成層を有することが一つの特徴となっている。この素子形成層としては、フォトニック結晶を形成した後に改めてＳｉ層を形成してもよいが、フォトニック結晶の最上層にＳｉ層が形成される場合にはそのＳｉ層を素子形成層として用いることができる。素子形成層としては、ＣＶＤ法等により形成された多結晶シリコン層を用いることもできるが、前述した様に液晶周辺回路の動作速度を向上させるために、単結晶シリコン層とすることが好適である。このように、フォトニック結晶（３周期）の最上層に単結晶シリコン層を形成する方法について、図３を用いて説明する。
【００２２】
図３において、まず、いずれも鏡面研磨されたシリコン単結晶ウェーハからなる支持基板５１と最上層に単結晶シリコン層を形成するための材料ウェーハ５２とを用意する。そして、支持基板５１の表面上には、フォトニック結晶を構成するためのＳｉＯ２層５４とＳｉ層５３を交互に２周期形成する。この周期構造体は、前述の通り、例えば、ＳｉＯ２層を形成する熱酸化工程とＳｉ層を形成するＣＶＤ工程を繰り返すことにより形成することができる。また、ＳｉＯ２層を形成する工程もＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を用いたＣＶＤ工程にすることもできる。
【００２３】
一方、材料ウェーハ５２の表面には、支持基板５１の表面上に形成される前記周期構造体のＳｉＯ２層５４と同一厚さのＳｉＯ２層５４’を熱酸化により形成する。さらに、このＳｉＯ２層５４’を通して材料ウェーハ５２の表面から所定の深さに水素イオンを注入して水素イオン注入層５５を形成する。
【００２４】
そして、ＳｉＯ２層５４’と水素イオン注入層５５が形成された材料ウェーハ５２のＳｉＯ２層５４’の表面と、支持基板５１の最上層に形成されたＳｉ層５３の表面とを室温で密着させた後、熱処理を加えることにより水素イオン注入層５５にて剥離を生じさせる。これにより、支持基板５１側に材料ウェーハ５２のＳｉＯ２層５４’とＳｉ層５３’が転写され、支持基板５１上に３周期の周期構造体６０からなるフォトニック結晶が形成される。
【００２５】
ここで、Ｓｉ層５３’はシリコン単結晶ウェーハから転写された単結晶層であるので良好な結晶性を有しており、液晶周辺回路として好適に用いることができる。また、剥離直後のＳｉ層５３’の表面の平坦度を向上させるため、研磨や熱処理、あるいはこれらを組み合わせて平坦化処理を行なうことが好ましく、その場合には、平坦化処理後のＳｉ層５３’の層厚を下地のＳｉ層５３の層厚に一致させる。
【００２６】
尚、上記実施形態におけるＳｉ層５３’の形成は、いわゆるスマートカット法を利用して薄膜化を行なっているが、この方法に限定されることなく、例えば、研削、研磨、エッチング等を適宜組み合わせて材料ウェーハ５２の背面（貼り合わせ面とは反対側の主表面）から薄膜化を行いＳｉ層５３’を形成することもできる。
【００２７】
また、貼り合わせ面となる支持基板５１側の最表層のＳｉ層５３がＣＶＤにより形成されている場合には、貼り合わせを良好に行なうためにその表面は十分に平坦である必要がある。そこで、貼り合わせを行なう前に最表層であるＳｉ層５３の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により平坦化しておいたり、Ｓｉ層５３層を形成する前のＳｉＯ２層５４の表面をＣＭＰにより平坦化した後に最表層であるＳｉ層５３を堆積することなどの手法を付加することが好ましい。
【００２８】
また、上記した３周期の周期構造体の形成において、水素イオン注入により薄層を移設する方法（すなわち、スマートカット法）は、最上部の１周期を形成する工程のみに用いる例を示したが、支持基板５１にＳｉＯ２層５４とＳｉ層５３を交互に２周期形成する際にスマートカット法を繰り返して用いることもできる。この場合、剥離面が次の周期の貼り合わせ面になるので、剥離面を研磨や熱処理、あるいはこれらを組み合わせて平坦化処理を行なうことが必要である。このように、スマートカット法を繰り返して所望の周期構造体を形成すれば、層厚の均一性や平坦性に優れた周期構造体が形成されるので、フォトニック結晶としての特性を極めて十分に引き出すことができる。
【００２９】
以上のようにして形成した素子形成層に、Ｃ−ＭＯＳあるいはＳＲＡＭなどの液晶駆動などに必要な周辺回路を形成する。この場合、支持基板として直径２００ｍｍや３００ｍｍなどのシリコン単結晶ウェーハを用いれば、通常のＬＳＩプロセスをそのまま適用可能であり、かつ基板材料のコスト面でも有利である。このようにして作製された本発明の多層基板の素子形成層上に、従来の反射型液晶表示素子と同様の工程を施し、液晶層、ＩＴＯ電極、配向膜、透明基体（ガラス基板）などを形成することにより、本発明の反射型液晶表示素子を形成することができる。
【００３０】
本発明において、素子形成層に周辺回路としての半導体素子１０４を形成する場合、図１に示すように１ピクセルあたりに占める面積をできるだけ小さくし、その表面には反射膜１０９を形成する。この反射膜１０９は従来と同様の材質、例えば、アルミニウム、銀、誘電体多層膜を用いて形成することができる。このような構造にすることにより、半導体素子１０４の部分へ入射した可視光（図１（ｄ）参照）は従来と同等の９０〜９６％程度の反射率しか得られないが、１ピクセルの大面積を占める半導体素子１０４以外の部分に入射した可視光（図１（ｃ）参照）は、下地のフォトニック結晶の性能が発揮されほぼ１００％の反射率が得られるようになり、結果として反射型液晶表示素子１００の性能を高めることができる。尚、図１（ａ）は液晶の配向性により入射光がフォトニック結晶まで到達しない場合を模式的に示したものであり、図１（ｂ）は入射光の一部がフォトニック結晶に達する場合を模式的に示したものである。図１（ｂ）のように入射光の一部のみがフォトニック結晶に達した場合においても、フォトニック結晶による反射率はほぼ１００％が得られる。
【００３１】
また、本発明の反射型液晶表示素子において、特筆すべき効果として、液晶の温度上昇を抑制することが挙げられる。すなわち、図２のような従来の反射型液晶表示素子においては、可視光とともに入射した赤外光（赤外線）が液晶下部の反射電極や金属配線等に吸収されるため液晶温度が上昇しやすく、それを防ぐための冷却機構を考慮する必要があった。しかしながら本発明の反射型液晶表示素子に用いられているフォトニック結晶は、液晶表示機能に必要とされる可視光の反射率を究極まで高めることができると同時に、液晶表示機能には不必要な赤外光は透過する性質がある。従って、液晶の温度上昇が抑制されるので、従来のように冷却機構を考慮する必要が少なく、装置の大型化を防ぐことが可能となる。
【００３２】
尚、上記実施形態においては、可視光に対する屈折率が最大となるものがＳｉ層であり、最小となるものがＳｉＯ２層である場合を中心に説明したが、本発明はこれらに限定されない。例えば、可視光に対する屈折率が最大となる層に適した高屈折率材料としては、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂｅ、Ｓｂ、Ｃｒ、Ｍｎ等の単一元素、および６ｈ−ＳｉＣ、３ｃ−ＳｉＣ、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、Ｓｂ２Ｓ３、ＧａＰ、ＺｎＳ、ＴｉＯ２等の化合物などを挙げることができる。これら高屈折率材料群のすべては、可視光に対する屈折率が２．４以上となるものであるが、可視光に対して透光性が高い、つまり可視光に対する光吸収効果が低い、Ｓｉ、６ｈ−ＳｉＣ、３ｃ−ＳｉＣ、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＺｎＳ、ＴｉＯ２からなる材料群が特に適したものである。さらには、屈折率が３．０以上となるＳｉ、６ｈ−ＳｉＣ、ＢＰ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＰからなる材料群が特に適したものとされる。この中においても、Ｓｉは比較的安価で薄膜化も容易であるとともに、その屈折率は３．５と高いものであることから最も適した材料と言える。
【００３３】
一方、可視光に対する屈折率が最小となる層に適した低屈折率材料としては、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の単一元素、およびＳｉＯ２、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、Ｓｂ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＮ、ＣＮ等の化合物を挙げることができる。これら低屈折率材料群のすべては、屈折率が２．２より小さいものよりなるが、上記高屈折率材料と組み合わせた際に、屈折率差が大きくなる、特には屈折率差が１．０以上となるようなものを適宜選択されることが望ましい。また、上記低屈折率材料群の中においても、可視光に対する光吸収効果が低い、ＳｉＯ２、ＣｅＯ２、ＺｒＯ２、ＭｇＯ、Ｓｂ２Ｏ３、ＢＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３からなる材料群が媒質に特に適したものとされる。さらには、屈折率が１．５と低いＳｉＯ２が最も適した材料と言える。
【実施例】
【００３４】
直径２００ｍｍのシリコン単結晶ウェーハを２枚用意し、第１のウェーハの表面に１０３ｎｍのＳｉＯ２層を熱酸化により形成し、そのＳｉＯ２層の表面から水素イオンを注入し、シリコン単結晶ウェーハの表面から１００ｎｍの深さにイオン注入層を形成した。
次に、このイオン注入されたウェーハのＳｉＯ２層の表面と第２のシリコン単結晶ウェーハの表面とを貼り合わせ、熱処理を加えてイオン注入層で剥離することにより、第２のウェーハ表面にＳｉＯ２層と単結晶Ｓｉ層を移設した。そして、移設した単結晶Ｓｉ層の表面（剥離面）を研磨し、厚さを約３５ｎｍに調整した。
【００３５】
次に、直径２００ｍｍのシリコン単結晶ウェーハを別途用意し、前記と同様にＳｉＯ２層の形成と水素イオン注入層の形成を行った後、第２のウェーハ表面の約３５ｎｍに調整した単結晶Ｓｉ層表面と貼り合わせて、２周期目のＳｉＯ２層と単結晶Ｓｉ層とを剥離し、剥離した単結晶Ｓｉ層の厚さを約３５ｎｍに調整した。さらに、これらの工程を繰り返すことにより、第２のシリコン単結晶ウェーハの表面に、１０３ｎｍのＳｉＯ２層と３５ｎｍの単結晶Ｓｉ層を１周期とする３周期の周期構造体を作製した。
【００３６】
この表面に光を入射することにより反射スペクトルを測定し、結果を図５に示した。図５によれば、波長４５０ｎｍ付近ではまだ不完全であるが、可視光（４００〜８００ｎｍ）の広範囲にわたり光が進行できずに全反射するようになる、いわゆるフォトニックバンドギャップの現象が得られていることがわかった。特に５５０ｎｍ〜７００ｎｍの波長帯においては、およぞ９９％以上の高い反射率が得られていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の多層基板およびそれを用いた反射型液晶表示素子の一例を示す断面摸式図である。
【図２】従来の反射型液晶素子の断面摸式図である。
【図３】本発明の多層基板の素子形成層を作製するフローを示す図である。
【図４】本発明における周期構造体を説明するための模式図である。
【図５】本発明の実施例における反射スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１００、２００  反射型液晶表示素子
１０１    支持基板
１０２    周期構造体
１０３    素子形成層
１０４、２０２    デバイス
１０５、２０５    液晶層
１０６、２０６    配向膜
１０７、２０７    ＩＴＯ電極
１０８    透明基体
２０１    シリコン基板
２０３    金属配線
２０４    反射電極
２０５    液晶層
２０８    ガラス基体
１０      高屈折率層
１１      低屈折率層
５１、５２    シリコン単結晶ウェーハ
５３、５３’  Ｓｉ層
５４、５４’  ＳｉＯ２層  
６０      周期構造体
【図１】
2006139050.tif 000003
【図２】
2006139050.tif 000004
【図３】
2006139050.tif 000005
【図４】
2006139050.tif 000006
【図５】
2006139050.tif 000007