(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造方法の薄型化・貫通電極形成工程において、主面から内部に向けて非貫通電極が形成された半導体基板の主面に対向する裏面の研磨により、非貫通電極を構成する導電材料が裏面に露出するのを精度良く検知し、導電材料の露出不良、研磨し過ぎなどを防止する。【解決手段】  主面５からその内部に向けて非貫通電極７が形成される半導体基板２と、異方性導電フィルム３と、導電性支持体４とを貼り合わせた研磨構造体１を作製し、研磨面６の研磨により非貫通電極７を構成する導電材料が研磨面６表面に露出すると電流が流れるように電圧を印加し、半導体基板２の厚み方向における電気抵抗値の変化により導電材料の露出を検知する。【選択図】      図２
2006278469.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成される主面と、主面に対向する裏面と、主面から厚さ方向に形成されて導電材料からなる未貫通電極とを含む半導体基板を、その主面がフィルムを介して剛性支持体と積層されるように貼り合わせ、得られる構造体の剛性支持体側を回転体に載置して保持し、該半導体基板の裏面を研磨して該半導体基板を薄型化するとともに、未貫通電極を構成する導電材料を裏面に露出させる薄型化・貫通電極形成工程を含む半導体装置の製造方法であって、
導電材料の裏面への露出を検知し、その検知結果に応じて半導体基板の研磨量を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
導電材料の裏面への露出は、
半導体基板の厚さ方向の電気抵抗値を検出することにより検知されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板の厚さ方向の電気抵抗値は、
回転体と研磨治具との間に電圧を印加して検出されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板の厚さ方向の電気抵抗値は、
半導体基板の裏面への、炭酸ガスを含む冷却用水の供給下に検出されることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
フィルムが異方性導電シートであることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
剛性支持体が導電性材料からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では、携帯電話などモバイル機器の一層の小型および薄型化を目指して、デバイスのさらなる小型化が求められる。このような要求に応えるため、従来平面状に配置していた半導体装置を、厚み方向に積み上げる３次元積層デバイスが開発されている。
【０００３】
そして、３次元積層デバイスに用いる半導体装置の製造プロセスにおいては、半導体基板の主面である回路パターン形成面に対向する裏面を研磨する薄型化工程、その主面からその厚み方向に形成されて導電材料からなる非貫通電極を有する半導体基板の裏面を研磨して薄型化しかつ裏面に導電材料を露出させる工程（以後「薄型化・貫通電極形成工程」と称す）、半導体基板のＣｕ配線層上に形成される絶縁膜を研磨して所定のＣｕ配線を露出させる平坦化工程などの機械的研磨工程が実施されることが多い。
【０００４】
これらの機械的研磨工程では、最終的な研磨仕上げ厚さの目標値を設定し、研磨時にリニアゲージなどで半導体基板の厚さをモニタリングし、目標値に達したところで研磨を停止する方法により研磨量を制御している。
【０００５】
しかしながら、薄型化・貫通電極形成工程、Ｃｕ配線層の平坦化工程などでは、非貫通電極の基板厚み方向の長さ、絶縁膜厚さなどにばらつきがあるため、半導体基板の厚さをモニターするだけでは、非貫通電極を構成する導電材料またはＣｕ配線の露出が不充分になり易い。
【０００６】
図４および図５は、従来の薄型化・貫通電極形成工程を説明するための断面図である。薄型化・貫通電極形成工程では、半導体基板の裏面の研磨を実施するために、図４に示す構造体１０１を形成する。構造体１０１は、次のようにして形成される。まず、半導体基板１０２の主面１０３に成膜、フォトリソグラフィー、イオン注入などの工程を経て図示しない回路パターンを形成し、次いで主面１０３から半導体基板１０２の厚さ方向にドライエッチングなどにより未貫通孔１０６を形成し、引き続き化学気相成長法（ＣＶＤ）、真空印刷などにより未貫通孔１０６の側面および底面を図示しない絶縁膜で被覆し、電解めっき、真空印刷などにより未貫通孔１０６の内部に導電材料１０７を充填し、さらに無電解めっきなどにより未貫通孔１０６の内部に充填される導電材料１０７の上に外方に向けて突出するようにバンプ１０８を設けることにより、半導体基板１０２中に非貫通電極１０５が形成される。この半導体基板１０２を、その主面１０３が両面テープ１０９を介して剛性支持体１１０と重なるように貼り合わせると、研磨前の構造体１０１が得られる。
【０００７】
図５に示す研磨工程では、構造体１０１は、その剛性支持体１１０側をステージ２０１上に載置し、真空吸着により保持される。ステージ２０１ひいては構造体１０１を矢符２０３の方向に回転させた状態で、構造体１０１の研磨面１０４に、研磨治具２０５を矢符２０７の方向に回転させながら近づけ、給水口２１０からの冷却用水２１１の供給下に、研磨面１０４と研磨砥石２０９とを擦り合せることによって、研磨面１０４を研磨し、半導体基板１０２の薄型化を行う。最終的には、図５に示すとおり、研磨面１０４に導電材料１０７が露出し、貫通電極１１１が形成される。なお、この研磨工程では、導電材料１０７が研磨面１０４に露出する半導体基板１０２の研磨仕上げ厚さを設計値に基づいて予め計算しておき、厚み測定ゲージ２１２を用いて半導体基板１０２の厚さをモニターし、予定の研磨仕上げ厚さになった段階で研磨が終了する。その後、半導体基板１０２から両面テープ１０９および剛性支持体１１０を剥離し、半導体基板１０２をダイシングによりチップ化し、該チップを厚さ方向に積層し、３次元デバイスを形成する。
【０００８】
しかしながら、この薄型化・貫通電極形成工程には、半導体基板１０２の主面１０３にエッチングにより未貫通孔１０６を形成する場合に、未貫通孔１０６の基板厚み方向の深さにばらつきを生じ、さらに未貫通孔１０６内部に導電材料１０７を充填して形成される非貫通電極１０５の半導体基板１０２内部での長さにばらつきが生じるという問題がある。その結果、たとえば、半導体基板１０２の厚みを１００μｍに仕上げれば、研磨面１０４に導電材料１０７が露出する設定であっても、導電材料１０７が露出しないことが発生する。しかも、未貫通孔１０６の深さのばらつきは、ドライエッチングの度ごとに微妙に変化するので、ばらつきを予測して半導体基板１０２の研磨仕上げ厚さを設定することも困難である。したがって、薄型化・貫通電極形成工程においては、半導体基板１０２の研磨仕上げ厚さを設定し、半導体基板１０２の厚さをモニターする方法では、所望の貫通電極１１１が形成されない場合がある。
【０００９】
なお、半導体基板１０２の研磨仕上げ厚さを設定値よりも著しく小さくすると、所望の貫通電極１１１が形成される。しかしながら、この場合には、半導体基板１０２と導電材料１０７とを同時に研磨することが多くなり、研磨屑により研磨砥石２０９に目詰まりなどが発生するという問題がある。さらに、半導体基板１０２の厚みが必要以上に小さくなるので、半導体基板１０２に割れなどが発生しやすいという問題もある。
【００１０】
このような問題に鑑み、配線層の平坦化工程などにおいて、導電材料の露出を検知する方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１によれば、主面に配線層および層間絶縁膜がこの順番で形成され、主面以外の全面を絶縁膜で被覆し、かつ、裏面を被覆する絶縁膜の一部を導電性膜で置換した半導体基板を、その裏面の導電性膜が導電材料からなる回転ステージに接触するように回転ステージに吸着保持し、層間絶縁膜を研磨治具で研磨して配線層を露出させるに際し、回転ステージと研磨治具との間に電圧を印加し、この両者間の電圧および／または電流を検知し、配線層の露出による導通時の電圧および／または電流の変化により配線層の露出を検出する。
【００１１】
特許文献１の方法は、配線層の平坦化工程においては、配線層の露出を検知するのに有効である。しかしながら、薄型化・貫通電極形成工程に特許文献１の方法を応用すると、薄型化・貫通電極形成工程では、層間絶縁膜ではなく導電性を有する半導体基板そのものを研磨するので、半導体基板にも電流が流れ、導電材料の露出を検知するのが困難である。
【００１２】
また、絶縁膜の中に一部分だけ導電性膜を形成するには、複数の工程からなる処理が必要になり、しかも莫大な数の半導体基板にこのような処理を施すことが要求されるので、生産効率は著しく低下する。したがって、特許文献１の方法は現実的ではない。
【００１３】
また、従来の薄型化・貫通電極形成工程においては、半導体基板と剛性支持体とを接着する両面テープは絶縁材料で形成されるのが当業者間での技術的な常識である。したがって、半導体基板と剛性支持体とを導電材料からなる両面テープにより貼り合わせるのはもちろんのこと、半導体基板、導電材料からなる両面テープおよび剛性支持体をこの順番で貼り合せ、回転ステージと研磨治具との間に電圧を印加して半導体基板中の導電材材料の露出を検出する技術は知られていない。
【００１４】
【特許文献１】特開平６−０６１２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、薄型化・貫通電極形成工程が、半導体基板の主面に対向する裏面に導電材料が露出するのを精度良く検知するための新規な検出方法を含む半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、回路パターンが形成される主面と、主面に対向する裏面と、主面から厚さ方向に形成されて導電材料からなる未貫通電極とを含む半導体基板を、その主面がフィルムを介して剛性支持体と積層されるように貼り合わせ、得られる構造体の剛性支持体側を回転体に載置して保持し、該半導体基板の裏面を研磨して該半導体基板を薄型化するとともに、未貫通電極を構成する導電材料を裏面に露出させる薄型化・貫通電極形成工程を含む半導体装置の製造方法であって、
導電材料の裏面への露出を検知し、その検知結果に応じて半導体基板の研磨量を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１７】
また本発明の製造方法は、
導電材料の裏面への露出が、半導体基板の厚さ方向の電気抵抗値を検出することにより検知されることを特徴とする。
【００１８】
さらに本発明の製造方法は、
半導体基板の厚さ方向の電気抵抗値が、回転体と研磨治具との間に電圧を印加して検出されることを特徴とする。
【００１９】
さらに本発明の製造方法は、
半導体基板の厚さ方向の電気抵抗値が、半導体基板の裏面への、炭酸ガスを含む冷却用水の供給下に検出されることを特徴とする。
【００２０】
さらに本発明の製造方法は、フィルムが異方性導電シートであることを特徴とする。
さらに本発明の製造方法は、剛性支持体が導電性材料からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半導体装置を製造するに際し、薄型化・貫通電極形成工程において、導電材料が半導体基板の主面に対向する裏面に露出するのを検知し、その検知結果に応じて半導体基板の研磨量を制御することによって、半導体基板における非貫通電極部分の導電材料がすべて裏面に露出するのと同時に研磨を終了することが可能になり、半導体基板の厚さで研磨量を制御する方法に比べ、導電材料露出後の半導体基板の研磨量が少なくなる。その結果、研磨砥石の目詰まり、半導体基板の割れなどが発生し難い状態で、研磨を実施できる。
【００２２】
本発明によれば、薄型・貫通電極形成工程における導電材料の裏面への露出を、半導体基板の厚さ方向の電気抵抗値を検出することにより行うと、半導体基板裏面における導電材料の露出を、導電材料の露出により形成される貫通電極単位で把握できるので、研磨量をより一層精確に制御できる。
【００２３】
本発明によれば、半導体基板の厚み方向の電気抵抗値を、研磨時に半導体基板を保持する回転ステージと、半導体基板裏面を研磨する研磨治具との間に電圧を印加して検出することによって、研磨中において研磨量を精確に制御することが可能となり、生産上のタクトの削減につながる。
【００２４】
本発明によれば、半導体基板の厚み方向の電気抵抗値を、半導体基板裏面への、炭酸ガスを含む冷却用水の供給下に検出することによって、半導体基板と研磨治具との導通を効率良く確保できるので、電気抵抗値を一層正確に検出できる。
【００２５】
本発明によれば、半導体基板の主面と剛性支持体とを積層するために、両者の間に介在させるフィルムとして異方性導電シートを用いることによって、導電材料が研磨により裏面に露出する際に半導体基板に電流が流れるのを防止できる。その結果、導電材料の露出時期を正確に把握できる。また、半導体基板と剛性支持体との一般的な積層工程において、従来の絶縁性フィルムに代えて異方性導電シートを使用するだけなので、工程数の増加、繁雑な操作などを必要とせず、生産効率の低下がない。
【００２６】
本発明によれば、導電性材料からなる剛性支持体を用いることによって、半導体基板の厚み方向の電気抵抗値を容易にかつ正確に検出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の半導体基板の製造方法は、薄型化・貫通電極形成工程において、導電材料の裏面への露出を検知し、その検知結果に応じて半導体基板の研磨量を制御する以外は、薄型化・貫通電極形成工程を含む従来の半導体基板の製造方法と同様に実施できる。
【００２８】
本発明の製造方法において、薄型化・貫通電極形成工程は、半導体基板を含む研磨用構造体を形成する工程と、前工程により得られる研磨用構造体を研磨する研磨工程とを含む。
【００２９】
図１は、研磨用構造体１の構成を模式的に示す断面図である。図１に基づいて、研磨用構造体１を形成する工程を説明する。
【００３０】
研磨用構造体１は、半導体基板２と導電性支持体４とを、異方性導電シート３を介して積層し、貼り合せた構造体である。
【００３１】
半導体基板２は、所望の回路パターンを形成する主面５と、主面５に対向する面である裏面６と、主面５から半導体基板２の厚み方向に形成される非貫通電極７とを含んで構成される。
【００３２】
非貫通電極７は、導電材料からなる導電部８と、主面５に露出する導電部８表面に形成されるバンプ９とを含んで構成される。非貫通電極７は、たとえば、次のようにして形成される。まず、半導体基板２の主面５から半導体基板２の厚み方向に向けて、未貫通孔１０を形成する。未貫通孔１０の形成には、たとえば、ドライエッチングなどが挙げられる。未貫通孔１０の内側面および主面５の方向から見た底面には、ＣＶＤ、真空印刷などの方法で、図示しない絶縁膜が被覆される。さらに、未貫通孔１０の内部には、電解めっき、真空印刷などの方法で導電材料が充填され、導電部８が形成される。ここで用いられる導電材料は導電性を有するものであれば特に制限はないけれども、研磨による導電材料の裏面６への露出の検知感度を高めることを考慮すると、半導体基板２よりも導電性が非常に高いものが好ましく、たとえば、Ａｇペーストなどが挙げられる。主面５に露出する導電部８の表面には、無電解Ａｕめっきなどの無電解めっきにより、バンプ９が設けられ、非貫通電極７が形成される。
【００３３】
この非貫通電極７が形成された半導体基板２は、その主面５が異方性導電シート３と接するように貼り合わされる。
【００３４】
異方性導電シート３とは、その厚み方向は絶縁性であり、厚み方向に直交する方向は導電性であり、さらにその厚み方向の対向する２つの面が接着性を有する樹脂フィルムである。このような異方性導電シート３を用いることによって、半導体基板２中を流れる電流はこの異方性導電シート３により絶縁され、裏面６の研磨により非貫通電極７の導電部８を構成する導電材料が裏面６に露出する際に流れる電流は、バンプ９を介して異方性導電性フィルム４中を流れ、さらに導電性支持体４に流れる。これによって、導電材料の裏面６への露出を検知できる。異方性導電シート３としては公知のものをいずれも使用でき、その中でも、直径１〜１０μｍの樹脂粒子の表面にＮｉ、Ａｕなどの導電性金属を被覆してなる導電材を樹脂中に分散させ、シート状またはフィルム状に形成したものを好ましく使用できる。また、異方性導電性シート３の厚みは特に制限されず広い範囲から適宜選択できるけれども、半導体基板２の裏面６を研磨する際の半導体基板２の保持性、研磨による導電材料の裏面６への露出の検知性などを考慮すると、１００〜５０００μｍ程度である。
【００３５】
なお、本実施の形態では、異方性導電シート３に代えて一般的な導電性シートを用いることも可能である。この場合、導電性シートはバンプ９と導電性支持体４とを導通させるけれども、半導体基板２とも導通するので、研磨による導電材料の裏面６への露出を検知する感度が低くなる場合がある。
【００３６】
導電性支持体４は、半導体基板２の裏面６を研磨する際に、半導体基板２の剛性を向上させ、研磨により半導体基板２に反り、割れなどが発生するのを防止する。また、導電性支持体４は、研磨による導電材料の裏面６への露出を検出するために導電性材料から形成される。導電性支持体４としては、導電性を有しかつ半導体基板２の剛性を向上させるのに充分な機械的強度を有する材料からなるものであれば特に制限されず、公知のものをいずれも使用できる。その中でも、Ｓｉウェハ、ステンレス鋼などが好ましい。導電性支持体４の厚みは特に制限されず広い範囲から適宜選択できるけれども、半導体基板２への剛性付与の効率性などを考慮すると、１００〜１０００μｍである。
【００３７】
本発明では、異方性導電シート３および導電性支持体４を用いるとこによって、特許文献１のように、半導体基板を被覆する絶縁膜の一部を導電性膜に置き換えるような余計で繁雑な工程を付加することなく、従来と全く同じ半導体基板と樹脂フィルム（両面テープ）と支持体との積層工程のみで、研磨による導電材料の露出を電気的に検知できる構成を見出すことに成功したものである。
【００３８】
研磨用構造体１は、異方性導電シート３の厚み方向に対向する２つの面（接着面）が常温で接着性を有する場合は、その主面５と異方性導電性シート３と導電性支持体４とを重ね合わせ、適切な圧力で加圧することによって製造できる。また、異方性導電性シート３の接着面が加熱により接着性を発現する場合は、その主面５と異方性導電性シート３と導電性支持体４とを重ね合わせ、加熱または加圧加熱することによって製造できる。
【００３９】
図２は、研磨用構造体１における半導体基板２の裏面６（以後「研磨面６」とも言う）の研磨工程を説明するための断面図である。図２に基づいて、研磨用構造体１の研磨面６の研磨工程を説明する。
【００４０】
図２に示す研磨工程では、研磨用構造体１の研磨面６を研磨する。研磨用構造体１の研磨には、回転ステージ２０と研磨治具２４とが用いられる。回転ステージ２０は、図示しない真空吸着機構を有しかつ導電性材料から形成されるステージ２１と、図示しない駆動手段により矢符２３の方向に回転駆動可能に設けられ、ステージ２１を支持しながら回転させかつ導電性材料から形成される支持体２２とを含む。
【００４１】
また、研磨治具２４は、図示しない駆動手段により矢符２６の方向に回転駆動可能に設けられる回転軸２５と、回転軸２５の一端に固定され、回転軸２５の回転に伴って回転する回転板２７と、回転板２７の下面端部に配置される研磨砥石２８とを含む。
【００４２】
ここで、回転軸２５、回転板２７は、いずれも、導電材料を含んで構成される通電性部材である。また研磨砥石２８も導電材料を含んで構成される通電性部材であることが望ましい。が、絶縁材料であったとしても、図示しない炭酸ガス供給源から炭酸ガスが混合され導電性を付与された冷却用水２９が回転板２７と接するため問題ない。
【００４３】
さらに、研磨砥石２８は通常直方体形状を有し、回転板２７の下面端部にその長手方向と回転板２７の回転方向（矢符２６の方向）とが一致するように固定されるので、その短手方向の幅が、１つの導電材料の露出部分とそれに最も近接するもう１つの導電材料の露出部分との間隔よりも短いに長さに形成するのが好ましい。これによって、研磨砥石２８が複数の導電材料の露出部分に接触せず、導電材料の露出を１つずつ検知できるので、設定される露出部分の個数に応じて研磨停止のタイミングを図り易くなる。
【００４４】
回転ステージ２０の支持体２２と、研磨治具２４の回転軸２５との間は電気的に接続され、直流電源３０および抵抗計測器３１が直列に接続され、研磨治具２４、研磨用構造体１および回転ステージ２０がこの順番で電気的に接続された回路を形成する。
【００４５】
研磨に際しては、まず、研磨用構造体１の導電性支持体４側をステージ２１に載置し、図示しない真空吸着機構により研磨用構造体１をステージ２１に吸着保持し、ステージ２１は研磨用構造体１を吸着保持しながら、矢符２３の方向に回転駆動する。この研磨用構造体１に、回転板２７を矢符２６の方向に回転駆動させながら研磨治具２４を近接させ、研磨用構造体１の研磨面６と、回転板２７の下面端部に取り付けられた研磨砥石２８とを擦り合せることで、研磨面６を研磨し、導電材料を研磨面６に露出させるとともに、半導体基板２の薄型化を行う。なお、研磨用構造体１の研磨面６と研磨砥石２８との接触部には、摩擦による研磨用構造体１の研磨面６の温度上昇を防止するため、給水手段３２から冷却用水２９が供給される。前述のとおり冷却用水２９には、図示しない炭酸ガス供給源から炭酸ガスが混合され、導電性が付与される。
【００４６】
導電材料の研磨面６への露出の検知は、抵抗計測器３１の値をモリタニング（監視）することにより実施される。すなわち、非貫通電極７の導電部８を構成する導電材料が半導体基板２中にあって、研磨面（裏面）６に露出しない場合は、研磨治具２４、研磨用構造体１および回転ステージ２０を含む回路には電流はほとんど流れることがなく、回路抵抗計測器３１により計測される抵抗値が非常に大きい。
【００４７】
これに対して、研磨により非貫通電極７の導電部８を構成する導電材料が研磨面６に露出すると、研磨治具２４の回転軸２５から、冷却用水２９、導電部８、バンプ９、異方性導電シート３、導電性支持体４および回転ステージ２０の順に電気的に導通してこの回路に電流が流れる。その結果、回路抵抗計測器３１により計測される抵抗値は、導電材料が露出する前よりも大幅に変化して著しく小さくなる。このことから、回路抵抗計測器３１に示される抵抗値をモニタリングすることによって、導電材料の研磨面６への露出のタイミングを検出することができる。
【００４８】
図３（ａ）は、研磨用積層体１の研磨面６の研磨進行状況を説明する上面図である。図３（ａ）において、研磨砥石２８の上部には回転板２７が存在するので、研磨砥石２８は点線で表してある。図３（ｂ）は、研磨用積層体１の研磨面６の研磨進行状況と、回路抵抗計測器３１により計測される抵抗値との関係を示すグラフである。この抵抗値は、研磨進行状況に連動して、回路抵抗計測器３１に接続される図示しないモニターに表示される。
【００４９】
図３（ａ）によれば、研磨砥石２８を固定化した図示しない回転板２７は時計回りとは反対方向（矢符２６の方向）に回転しながら、かつ矢符３８の方向に移動しながら、研磨砥石２８を研磨面６に擦り合せることによって、研磨面６を研磨する。
【００５０】
研磨開始時の抵抗値は未導通部（導電材料が全く露出しない部分）の高い抵抗値であるけれども、研磨砥石２８が導電材料の露出部３５に接触すると、研磨により導電材料が露出し、露出部分が徐々に拡大するので、図３（ｂ）における３５導通時のグラフ部分から明らかなように、回路抵抗計測器３１により計測され、モニターに表示される抵抗値は徐々に低下し、導電材料が完全に露出したところで、抵抗値も最小になる。その後、回転板２７の矢符３８への移動に伴い、研磨砥石２８の露出部３５との接触面積が徐々に減少するので、抵抗値も徐々に上昇し、研磨砥石２８が露出部３５と全く接触しなくなると、抵抗値は未導通部の高い抵抗値に戻る。次に、研磨砥石２８は露出部３６に移動し、それに伴って露出部３５の研磨の際と同様の抵抗値の変化が起こる。さらに、露出部３７においても同様である。
【００５１】
以上の研磨操作を繰り返して実行し、最終的に半導体基板２内の非貫通電極７の大部分または全部が研磨面６表面に露出すると、モニターの表示は、図３（ｂ）の「開口完了」になる。よって、たとえば「開口完了」のような状態となった段階で研磨を自動的に停止させるなどして、非貫通電極７の研磨面６への露出の検出、研磨量の調整を完了する。
【００５２】
また、図３（ａ）に示す研磨のように、研磨面６上での導電材料の露出部が複数ある場合には、導電材料が各露出部で露出する場合の電気抵抗値の敷居値を実測などにより設定しておき、電気抵抗値が敷居値を超えた場合に研磨を停止するように構成できる。なお、半導体基板２は通常Ｓｉなどの材料を含んで構成されるため、導電材料が研磨面６に露出する前であっても、前述のように、電気的な導通が取れない訳ではない。しかしながら、導電材料がＡｇペーストである場合、導通前は導通後と比べて１０００倍程度の抵抗を持つため、敷居値の設定範囲を広くできる。
【００５３】
本実施の形態では、直流電源を用いるけれども、それに限定されず、交流電源を用いることもできる。
【００５４】
また本実施の形態では、電源として定電流電源を用いる場合には、電気抵抗値の変化だけでなく、電圧値の変化をモニタリングすることによっても、導電材料の裏面６への露出のタイミングを検出できる。また、電源として定電圧電源を用いる場合には、やはり電気抵抗値の変化だけでなく、電流値の変化をモニタリングすることによっても、導電材料の裏面６への露出のタイミングを検出できる。
【００５５】
また本実施の形態では、研磨面６から露出する導電材料を検出する方法として、電気抵抗値を測定する方法を採用するけれども、それに限定されず、たとえば、蛍光Ｘ線を用いる方法、研磨時に発生する排水から、導電材料に特有の成分、たとえば導電材料がＡｇペーストであればＡｇ原子を検出して研磨量を調整する方法などを利用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】研磨用構造体の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】研磨用構造体の研磨面の研磨工程を説明するための断面図である。
【図３】図３（ａ）は研磨用積層体の研磨面の研磨進行状況を説明する上面図である。図３（ｂ）は研磨用積層体の研磨面の研磨進行状況と、回路抵抗計測器により計測される抵抗値との関係を示すグラフである。
【図４】従来の薄型化・貫通電極形成工程を説明するための断面図である。
【図５】従来の薄型化・貫通電極形成工程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  研磨用構造体
２  半導体基板
３  異方性導電シート
４  導電性支持体
５  主面
６  裏面
７  非貫通電極
８  導電部
９  バンプ
１０  未貫通孔
２０  回転ステージ
２１  ステージ
２２  支持体
２３，２６，３８  矢符
２４  研磨治具
２５  回転軸
２７  回転板
２８  研磨砥石
２９  冷却用水
３０  直流電源
３１  抵抗計測器
３２  給水手段
３５，３６，３７  露出部
【図１】
2006278469.tif 000003
【図２】
2006278469.tif 000004
【図３】
2006278469.tif 000005
【図４】
2006278469.tif 000006
【図５】
2006278469.tif 000007