(57)【要約】  【課題】  大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができ、導体パターンを高密度に形成しても、断線を防止することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板に半導体素子が搭載された半導体装置を提供すること。  【解決手段】  接続端子４を一体的に有する導体パターン３を備える配線回路基板１において、接続端子４には、接続側の表面に、接続端子４の幅方向の中央部において、その長手方向にわたって凸部５を設ける。接続端子４とバンプ１４とは、圧着（熱圧着）により、凸部５をバンプ１４に減り込ませて接続する。この接続では、接続端子４の基部６がバンプ１４に減り込まなくても、凸部５のバンプ１４に対する減り込みにより、これらを接続することができる。【選択図】        図１
2006013160.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体パターンを備える配線回路基板であって、
前記導体パターンは、接続端子を一体的に備えており、
前記接続端子には、接続側の表面に、前記接続端子の長手方向と直交する方向の中央部において、前記長手方向にわたって凸部が設けられていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
導体パターンを備える配線回路基板であって、
前記導体パターンは、接続端子を一体的に備えており、
前記接続端子には、接続側の表面に、前記接続端子の長手方向と直交する方向にわたって、凸部または凹部が設けられていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項３】
請求項１または２に記載の配線回路基板の前記接続端子と、半導体素子の突起電極とが、互いに減り込むように圧着されていることを特徴とする、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板および半導体装置、詳しくは、半導体素子を搭載する配線回路基板、および、その配線回路基板に半導体素子が搭載された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示板などに用いられる半導体素子は、小型化・高密度化がますます要求されており、このような半導体素子に設けられているバンプ（突起電極）のピッチ（バンプ間の間隔）も、ますます狭くする必要がある。そのため、このような半導体素子を搭載するための配線回路基板においても、バンプが接続される接続端子のピッチ（接続端子間の間隔）を、より狭くすることが要求されている。
【０００３】
また、半導体素子のバンプと配線回路基板の接続端子とは、通常、熱圧着により接続している（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特許第３４９４９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、バンプと接続端子とを熱圧着により接続するには、バンプに接続端子を減り込ませるので、バンプを塑性変形させるための大きな圧力を加える必要がある。
一方、そのような大きな圧力を、半導体素子や配線回路基板に加えると、バンプの塑性変形と同時に、接続端子やその接続端子を支持している絶縁層までもが変形して、導体パターンが高密度に形成されている場合には、接続端子の断線を生ずる。
【０００５】
本発明の目的は、大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができ、導体パターンを高密度に形成しても、断線を防止することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板に半導体素子が搭載された半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、導体パターンを備える配線回路基板であって、前記導体パターンは、接続端子を一体的に備えており、前記接続端子には、接続側の表面に、前記接続端子の長手方向と直交する方向の中央部において、前記長手方向にわたって凸部が設けられていることを特徴としている。
この配線回路基板の接続端子に、半導体素子の突起電極を、圧着により接続するときには、接続端子の接続側の表面に設けられている凸部を、突起電極に減り込ませて、それによって、接続端子と突起電極とを接続することができる。そのため、接続端子の全体が突起電極に減り込まなくても、これらを接続することができるので、大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができる。その結果、小型化・高密度化が図られている半導体素子の、ピッチの狭い突起電極に対応して形成されている導体パターンの接続端子であっても、その断線を有効に防止することができる。
【０００７】
また、本発明の配線回路基板は、導体パターンを備える配線回路基板であって、前記導体パターンは、接続端子を一体的に備えており、前記接続端子には、接続側の表面に、前記接続端子の長手方向と直交する方向にわたって、凸部または凹部が設けられていることを特徴としている。
この配線回路基板の接続端子に、半導体素子の突起電極を、圧着により接続するときには、接続端子の接続側の表面に設けられている凸部を突起電極に減り込ませて、または、接続端子の接続側の表面に設けられている凹部に突起電極を減り込ませて、それによって、接続端子と突起電極とを接続することができる。そのため、接続端子の全体が突起電極に減り込まなくても、これらを接続することができるので、大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができる。その結果、小型化・高密度化が図られている半導体素子の、ピッチの狭い突起電極に対応して形成されている導体パターンの接続端子であっても、その断線を有効に防止することができる。
【０００８】
また、本発明の半導体装置は、上記した配線回路基板の前記接続端子と、半導体素子の突起電極とが、互いに減り込むように圧着されていることを特徴としている。
この半導体装置は、上記した配線回路基板の接続端子と半導体素子の突起電極とが互いに減り込むように圧着されているので、小型化・高密度化の要求を満足し、しかも、接続時の断線が有効に防止された、接続信頼性の高い半導体装置として提供することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線回路基板によれば、接続端子を半導体素子の突起電極と接続するときには、大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができ、ピッチの狭い突起電極に対応して形成されている導体パターンの接続端子であっても、その断線を有効に防止することができる。
そして、本発明の半導体装置は、小型化・高密度化の要求を満足し、しかも、接続時の断線が有効に防止された、接続信頼性の高い半導体装置として提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す斜視図である。
図１において、この配線回路基板１は、半導体素子を搭載するフレキシブル配線回路基板であって、薄層状のベース絶縁層２と、そのベース絶縁層２の上に配線回路パターンとして形成される導体パターン３とを備えている。
ベース絶縁層２は、可撓性および絶縁性を有するものであれば、特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの樹脂フィルムなどからなる。好ましくは、ポリイミド樹脂フィルムからなる。また、ベース絶縁層２の厚みは、例えば、１０〜５０μｍである。
【００１１】
導体パターン３は、導電性を有するものであれば、特に制限されないが、例えば、銅、クロム、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、銅−ベリリウム、リン青銅、鉄−ニッケル、および、それらの合金などの金属箔からなる。好ましくは、銅箔からなる。
この導体パターン３は、図１には部分的に示されているが、複数の配線３ａ、３ｂが、それら配線３ａ、３ｂの長手方向と直交する方向（以下、幅方向とする。）において互いに所定間隔を隔てて並行配置される配線回路パターンからなり、各配線３ａ、３ｂは、ベース絶縁層２の長手方向に沿って延びるように形成されている。
【００１２】
そして、各配線３ａ、３ｂには、半導体素子１２（図２参照）の複数のバンプ１４を接続するための接続端子４が一体的に形成されている。各接続端子４は、各配線３ａ、３ｂと同一幅および同一厚みで、各配線３ａ、３ｂに連続する平面視略矩形状の基部６と、基部６におけるバンプ１４との接続側（ベース絶縁層２と反対側）の表面に、接続端子４の長手方向（各配線３ａ、３ｂの長手方向と同じ。）と直交する方向（配線３ａ、３ｂの幅方向と同じ。）の中央部において、接続端子４の長手方向にわたって、基部６から上方に向かって突出する平面視略矩形状の凸部５とを一体的に備えている。
【００１３】
なお、接続端子４を含む各配線３ａ、３ｂの幅は、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍであり、各配線３ａ、３ｂ間の間隔（各配線３ａ、３ｂのピッチ）は、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは、１０〜４０μｍである。
また、基部６を含む各配線３ａ、３ｂの厚みは、例えば、２〜３０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。また、凸部５の幅は、例えば、基部６の幅１００％に対して２０〜８０％であり、好ましくは、２０〜５０％である。また、接続端子４において、基部６から突出する凸部５の高さ（厚さ）は、例えば、０．５〜１０μｍ、好ましくは、１〜３μｍである。
【００１４】
なお、図１には図示しないが、この配線回路基板１では、必要により、導体パターン３を被覆するように、ベース絶縁層２の上に、カバー絶縁層２４（図３（ｉ）参照）が形成される。カバー絶縁層２４は、ベース絶縁層２と同様の樹脂からなり、各接続端子４を露出させる開口部を有する所定のパターンとして形成される。
そして、この配線回路基板１には、図２に示すように、半導体素子１２（図２参照）が搭載されて、半導体装置１１が形成される。
【００１５】
図２において、この半導体装置１１は、図１に示す配線回路基板１と、この配線回路基板１に搭載される半導体素子１２とを備えている。なお、図２は、半導体装置１１を、接続端子４の幅方向に沿う断面として示している。
半導体素子１２は、半導体チップを含む本体部１３と、本体部１３における接続端子４との接続側の表面に形成された突起電極としての複数のバンプ１４とを備えている。
【００１６】
各バンプ１４は、本体部１３の幅方向において、互いに所定間隔を隔ててファインピッチで並列配置されており、配線回路基板１の各接続端子４は、半導体素子１２の各バンプ１４に対応して配置されている。
そして、各接続端子４と各バンプ１４とは、各接続端子４の凸部５が各バンプ１４の下面から各バンプ１４に対して減り込み、各接続端子４の基部６が各バンプ１４の下面と当接するようにして、接続されており、これによって、配線回路基板１と半導体素子１２とが電気的に接続されている。
【００１７】
各接続端子４と各バンプ１４は、例えば、１５０〜４５０℃、０．０５〜０．５ＭＰａ／バンプの圧着（熱圧着）により、凸部５をバンプ１４に減り込ませることで、接続されている。この接続においては、接続端子４の基部６がバンプ１４に減り込まなくても、凸部５のバンプ１４に対する減り込みにより、これらを接続することができる。そのため、大きな圧力を加えずとも、バンプ１４と接続端子４とを確実に接続することができる。その結果、小型化・高密度化が図られている半導体素子１２の、ファインピッチで形成されるバンプ１４に対応して形成されている各配線３ａ、３ｂの接続端子４であっても、その断線を有効に防止することができる。
【００１８】
次に、図３を参照して、図１に示す配線回路基板１の製造方法を簡単に説明する。
この方法では、まず、図３（ａ）に示すように、上記したベース絶縁層２を用意する。ベース絶縁層２は、予めドライフィルムとして用意するか、あるいは、樹脂ワニスを基板上にキャスティングして、成膜することにより用意する。
次いで、ベース絶縁層２の上に、種膜として金属薄膜２１を形成する。金属薄膜２１の形成には、無電解めっき、真空蒸着法などの公知の薄膜形成方法が用いられる。好ましくは、スパッタ蒸着法が用いられる。金属薄膜２１の厚みは、例えば、３〜３００ｎｍである。また、金属薄膜２１となる金属は、クロム、ニッケル、銅などが好ましく用いられる。より具体的には、例えば、ベース絶縁層２の上に、クロム薄膜と銅薄膜とをスパッタ蒸着法によって順次形成する。
【００１９】
次いで、図３（ｃ）に示すように、この金属薄膜２１の上に、第１めっきレジスト２２を、配線回路パターンの反転パターンで形成する。より具体的には、第１めっきレジスト２２は、ベース絶縁層２の上において、複数の配線３ａ、３ｂに対応する部分に、金属薄膜２１が露出する溝状の開口部が形成されるように、形成する。第１めっきレジスト２２は、例えば、ドライフィルムレジストをラミネートして、露光および現像する公知の方法により、配線回路パターンの反転パターンとして形成する。
【００２０】
次に、この方法では、図３（ｄ）に示すように、第１めっきレジスト２２から露出する金属薄膜２１の上に、電解めっきにより、基部６を含む各配線３ａ、３ｂからなる導体パターン３を、配線回路パターンで形成する。なお、電解めっきは、第１めっきレジスト２２の開口部内に基部６の厚さとなるまで金属を析出させる。
続いて、この方法では、図３（ｅ）に示すように、第１めっきレジスト２２および基部６を含む導体パターン３の上に、第２めっきレジスト２３を、凸部５の反転パターンで形成する。より具体的には、第２めっきレジスト２３は、基部６の幅方向の中央部において、平面視略矩形状の開口部が形成されるように、形成する。第２めっきレジスト２３は、例えば、ドライフィルムレジストをラミネートして、露光および現像する公知の方法により、凸部５の反転パターンとして形成する。
【００２１】
次に、この方法では、図３（ｆ）に示すように、第２めっきレジスト２３から露出する基部６の上に、電解めっきにより、凸部５を形成する。電解めっきは、第２めっきレジスト２３の開口部内に凸部５の厚さとなるまで金属を析出させる。これによって、基部６および凸部５を一体的に有する接続端子４が形成される。
その後、図３（ｇ）に示すように、第１めっきレジスト２２および第２めっきレジスト２３を除去する。第１めっきレジスト２２および第２めっきレジスト２３の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法を用いるか、または、剥離する。
【００２２】
そして、図３（ｈ）に示すように、接続端子４を含む導体パターン３から露出する金属薄膜２１を除去する。金属薄膜２１の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法が用いられる。
その後、必要により、図３（ｉ）に示すように、ベース絶縁層２の上に、各接続端子４が露出する開口部を有するカバー絶縁層２４を形成し、配線回路基板１を得る。
【００２３】
カバー絶縁層２４は、例えば、導体パターン３を被覆するようにベース絶縁層２の上に感光性樹脂を積層し、露光および現像することにより、上記した開口部を有する所定のパターンとした後、加熱硬化することによって形成する。
なお、上記した配線回路基板１の、接続端子４を一体的に備える導体パターン３は、上記の方法に限らず、次の方法によっても、形成することができる。すなわち、まず、金属薄膜２１の上に、めっきレジストを、導体パターン３の反転パターンで形成し、そのめっきレジストから露出する金属薄膜２１の上に、電解めっきにより、めっきレジストの開口部内に凸部５の厚さとなるまで金属を析出させた後、めっきレジストを除去する。次いで、エッチングレジストを、凸部５の形成位置が被覆され、それ以外の導体パターン３の形成位置が露出する開口部が形成されるように、形成する。そして、エッチングレジストから露出する導体パターン３を、基部６の厚さとなるまでハーフエッチング（ウェットエッチング）した後、エッチングレジストを除去する。
【００２４】
また、図１に示す配線回路基板１では、接続端子４の幅方向の中央部において、その長手方向にわたって凸部５を形成したが、これに代えて、接続端子４の幅方向にわたって、平面視略矩形状の凸部７（図４参照）または凹部８（図５参照）を形成してもよい。
すなわち、図４に示す配線回路基板１には、各接続端子４の基部６の接続側の表面において、基部６の長手方向中央部において、接続端子４の幅方向にわたって、基部６から上方に向かって突出する凸部７が形成されている。この凸部７は、その幅（接続端子４の長手方向に沿う長さ）が、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜６０μｍで、その高さ（厚さ）が、例えば、０．５〜１０μｍ、好ましくは、１〜３μｍとして形成されている。なお、図４においては、図１と同一の部材には、同一の符号を付して、その説明を省略している。
【００２５】
なお、図４に示す配線回路基板１の各接続端子４は、図１に示す配線回路基板１の製造方法において、図３（ｄ）に示す工程において、第１めっきレジスト２２の開口部内に基部６を形成した後、図３（ｅ）に示す工程において、凸部７の反転パターンとして第２めっきレジストを形成し、図３（ｆ）に示す工程において、この第２めっきレジストの開口部内に、凸部７を形成することにより、形成することができる。
【００２６】
そして、図４に示す配線回路基板１には、図６に示すように、半導体素子１２が搭載されて、半導体装置１１が形成される。
図６において、この半導体装置１１は、図４に示す配線回路基板１と、この配線回路基板１に搭載される半導体素子１２とを備えている。なお、図６は、半導体装置１１を、接続端子４の幅方向に沿う断面として示している。また、図６においては、図２と同一の部材には、同一の符号を付して、その説明を省略している。
【００２７】
図６において、各接続端子４と各バンプ１４とは、各接続端子４の凸部７が各バンプ１４の下面から各バンプ１４に対して減り込み、各接続端子４の基部６が各バンプ１４の下面と当接するようにして、接続されており、これによって、配線回路基板１と半導体素子１２とが電気的に接続されている。
各接続端子４と各バンプ１４は、例えば、上記した圧着（熱圧着）により、凸部７をバンプ１４に減り込ませることで、接続されている。この接続においては、接続端子４の基部６がバンプ１４に減り込まなくても、凸部７のバンプ１４に対する減り込みにより、これらを接続することができる。そのため、大きな圧力を加えずとも、バンプ１４と接続端子４とを確実に接続することができる。その結果、小型化・高密度化が図られている半導体素子１２の、ファインピッチで形成されるバンプ１４に対応して形成されている各配線３ａ、３ｂの接続端子４であっても、その断線を有効に防止することができる。
【００２８】
また、図５示す配線回路基板１には、各接続端子４の基部６の接続側の表面において、基部６の長手方向中央部において、接続端子４の幅方向にわたって、基部６の表面から下方に向かってくぼむ平面視略矩形状の凹部８が形成されている。この凹部８は、その幅（接続端子４の長手方向に沿う長さ）が、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、３０〜６０μｍで、その深さ（厚さ）が、例えば、０．５〜１０μｍ、好ましくは、１〜３μｍとして形成されている。なお、図５においては、図１と同一の部材には、同一の符号を付して、その説明を省略している。
【００２９】
なお、図５に示す配線回路基板１の各接続端子４は、図１に示す配線回路基板１の製造方法において、図３（ｄ）に示す工程において、第１めっきレジスト２２の開口部内に基部６を形成した後、基部６を含む導体パターン３の上に、凹部８の形成位置に開口部を有するエッチングレジストを形成し、このエッチングレジストの開口部から露出する基部６を、上記した深さまでハーフエッチングすることにより、形成することができる。
【００３０】
そして、図５に示す配線回路基板１には、図７に示すように、半導体素子１２が搭載されて、半導体装置１１が形成される。
図７において、この半導体装置１１は、図５に示す配線回路基板１と、この配線回路基板１に搭載される半導体素子１２とを備えている。なお、図７は、半導体装置１１を、接続端子４の幅方向に沿う断面として示している。また、図７においては、図２と同一の部材には、同一の符号を付して、その説明を省略している。
【００３１】
図７において、各接続端子４と各バンプ１４とは、各接続端子４の凹部８に対して各バンプ１４の下面が部分的に減り込み、各接続端子４の基部６が各バンプ１４の下面のその他の部分と当接するようにして、接続されており、これによって、配線回路基板１と半導体素子１２とが電気的に接続されている。
各接続端子４と各バンプ１４は、例えば、上記した圧着（熱圧着）により、凹部８に対してバンプ１４を部分的に減り込ませることで、接続されている。この接続においては、接続端子４の基部６がバンプ１４に減り込まなくても、凹部８に対するバンプ１４の部分的な減り込みにより、これらを接続することができる。そのため、大きな圧力を加えずとも、バンプ１４と接続端子４とを確実に接続することができる。その結果、小型化・高密度化が図られている半導体素子１２の、ファインピッチで形成されるバンプ１４に対応して形成されている各配線３ａ、３ｂの接続端子４であっても、その断線を有効に防止することができる。
【００３２】
なお、上記の説明では、配線回路基板１の各接続端子４には、１つの凸部５および７、または、１つの凹部８のみを形成したが、各接続端子４には、複数の凸部５および７、または、複数の凹部８を形成するようにしてもよい。
【実施例】
【００３３】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されない。
実施例１
厚み３８μｍのポリイミド樹脂フィルムからなるベース絶縁層を用意し（図３（ａ）参照）、このベース絶縁層の全面に、厚み１００Åのクロム薄膜と厚み２０００Åの銅薄膜とを、スパッタ蒸着法によって順次形成することにより、種膜として金属薄膜を形成した（図３（ｂ）参照）。
【００３４】
その後、金属薄膜の上に、第１めっきレジストを、配線回路パターンの反転パターンで形成した（図３（ｃ）参照）。
次に、第１めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、電解銅めっきにより、基部を含む導体パターンを、厚み８μｍの配線回路パターンで形成した（図３（ｄ）参照）。なお、導体パターンの各配線（基部）の幅は、１５μｍであり、それらの間隔は、２０μｍであった。
【００３５】
続いて、第１めっきレジストおよび基部を含む導体パターンの上に、第２めっきレジストを、凸部の反転パターンで形成した（図３（ｅ）参照）。そして、第２めっきレジストから露出する基部の上に、電解銅めっきにより、厚み２μｍの凸部を形成した（図３（ｆ）参照）。なお、凸部は、基部の幅方向中央部において、５μｍの幅で、長手方向に１２０μｍの長さで形成された。
【００３６】
その後、第１めっきレジストおよび第２めっきレジストを、化学エッチングにより除去した後（図３（ｇ）参照）、接続端子を含む導体パターンから露出する金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図３（ｈ）参照）。
以上の工程により、接続端子を一体的に備える導体パターンを有する配線回路基板を得た。
【００３７】
比較例１
第２めっきレジストを形成して電解銅めっきする工程を省略した以外は、実施例１と同様の方法により、凸部を有さず基部（幅１５μｍ）のみからなる接続端子を一体的に備える導体パターンを有する配線回路基板を得た。
評価
実施例１および比較例１の配線回路基板を用いて、接続端子に対応するバンプを有する半導体素子との接続試験を実施した。バンプは、直方体形状（幅２０μｍ、長さ１００μｍ、厚さ１５μｍ）に形成し、各配線回路基板の接続端子と、半導体素子のバンプとを対向させて、３５０℃、０．１５ＭＰａ／バンプで熱圧着した。
【００３８】
熱圧着による接続端子のベース絶縁層に対する減り込み量（減り込み深さ）および接続端子の断線の有無を確認した。
実施例１の配線回路基板の減り込み量は、０．８μｍで、断線は確認されなかった。
比較例１の配線回路基板の減り込み量は、２．５μｍで、断線が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】本発明の半導体装置の一実施形態を示す断面図である。
【図３】図１に示す配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の全面に、種膜となる金属薄膜を形成する工程、（ｃ）は、金属薄膜の上に、配線回路パターンと反転パターンの第１めっきレジストを形成する工程、（ｄ）は、第１めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、電解めっきにより、基部を含む導体パターンを形成する工程、（ｅ）は、第１めっきレジストおよび基部を含む導体パターンの上に、凸部と反転パターンで第２めっきレジストを形成する工程、（ｆ）は、第２めっきレジストから露出する基部の上に、電解めっきにより、凸部を形成する工程、（ｇ）は、第１および第２めっきレジストを除去する工程、（ｈ）は、接続端子を含む導体パターンから露出する金属薄膜を除去する工程、（ｉ）は、導体パターンを被覆するように、ベース絶縁層の上にカバー絶縁層を形成する工程を示す。
【図４】本発明の配線回路基板の他の実施形態（接続端子の幅方向にわたって凸部を設けた態様）を示す斜視図である。
【図５】本発明の配線回路基板の他の実施形態（接続端子の幅方向にわたって凹部を設けた態様）を示す斜視図である。
【図６】本発明の半導体装置の他の実施形態（図４に示す配線回路基板に半導体素子が搭載されている態様）を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の他の実施形態（図５に示す配線回路基板に半導体素子が搭載されている態様）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１    配線回路基板
３    導体パターン
４    接続端子
５    凸部
７    凸部
８    凹部
１１    半導体装置
１２    半導体素子
【図１】
2006013160.tif 000003
【図２】
2006013160.tif 000004
【図３】
2006013160.tif 000005
【図４】
2006013160.tif 000006
【図５】
2006013160.tif 000007
【図６】
2006013160.tif 000008
【図７】
2006013160.tif 000009