(57)【要約】      （修正有）【課題】基板処理装置内に於けるカセットの搬送時間を短縮してスループットの向上を図る。【解決手段】熱処理炉６と、基板保持具８と、基板搬送容器収納手段３と、材料搬入出部２と、基板容器の搬送を行う１組の搬送手段４と、基板移載手段９と、前記搬送手段及び前記基板移載手段を制御する制御手段１３と、前記搬送手段がバッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを禁止する搬送作動態様を指定する指定手段と、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間も、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを可能とする搬送作動態様とを選択する選択手段とを具備する。【選択図】図１
2006222174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱処理炉と、該熱処理炉内で基板を保持する基板保持具と、装置内に設けられた基板搬送容器収納手段と、基板搬送容器を装置外部との間で搬入、払出しを行う為の材料搬入出部と、該材料搬入出部と前記基板搬送容器収納手段との間で基板搬送容器の搬送及び基板搬送容器収納手段内でのバッファ収納部と移載対象部間での基板搬送容器の搬送を行う１組の搬送手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器と前記基板保持具との間で基板の移載を行う基板移載手段と、前記搬送手段及び前記基板移載手段を制御する制御手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間は、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを禁止する搬送作動態様を指定する指定手段と、該指定手段によって指定された搬送作動態様と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間も、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを可能とする搬送作動態様とを選択する選択手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置には、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、或は所定枚数を一度に処理するバッチ式の基板処理装置がある。又、バッチ式の基板処理装置には縦型の処理炉を具備する縦型基板処理装置、横型の処理炉を具備する横型の基板処理装置とがある。
【０００３】
基板処理装置への基板の搬入出は、カセット等の基板搬送容器（以下、カセット）に基板を収納し、カセットを人、若しくは自動搬送機により搬送することで行っている。
【０００４】
先ず、基板処理装置の１つである縦型炉を具備し、シリコンウェーハ等から半導体装置を製造する基板処理装置について、図３に於いて概略を説明する。
【０００５】
基板処理装置１は半導体製造ラインを構成する様に設置され、該基板処理装置１への基板の搬送は、カセット等の基板搬送容器に基板を収納して行われている。
【０００６】
図３中、２は前記基板処理装置１の前面に設けられた材料搬入出部（カセット授受ステージ）であり、３はカセットに装填された材料を一時的に収納する基板搬送容器収納手段（カセット棚）、４は前記カセット授受ステージ２と前記カセット棚３との間に設けられた１組のカセット搬送手段であり、該カセット搬送手段４は前記カセット授受ステージ２と前記カセット棚３との間でカセット５を搬送する。
【０００７】
前記基板処理装置１の後部上方にはヒータユニット、該ヒータユニット内部に設けられる反応室（いずれも図示せず）を有する縦型熱処理炉６が設けられている。該縦型熱処理炉６の下方には昇降手段であるボートエレベータ７が設けられ、該ボートエレベータ７は基板保持具であるボート８を昇降させ、前記反応室に前記ボート８を装入、引出しする。
【０００８】
前記ボートエレベータ７と前記カセット棚３との間に基板移載機９が設けられ、該基板移載機９は前記カセット棚３に収納された前記カセット５と降下状態の前記ボートエレベータ７との間でウェーハ等の基板（以下、ウェーハ）の移載を行う。
【０００９】
人若しくは外部搬送装置により前記カセット５が前記カセット授受ステージ２に投入され、前記カセット搬送手段４が前記カセット授受ステージ２のカセット５を前記カセット棚３に搬送する。該カセット棚３は、単に前記カセット５を一時的に保管するバッファ収納部とウェーハの移載に供される前記カセット５を収納する移載対象部とを有している。
【００１０】
前記基板移載機９は前記カセット棚３の前記移載対象部のカセット５に対してウェーハの移載が可能であり、前記カセット搬送手段４は、前記バッファ収納部と移載対象部との間での前記カセット５の搬送も行う。即ち、ウェーハの移載に供される前記カセット５を前記バッファ収納部から前記移載対象部に移動し、又該移載対象部から前記バッファ収納部へ搬送する。例えば、１バッチで１００枚のウェーハをボートに搭載して処理する場合は、２５枚のウェーハの入ったカセットを４回、前記バッファ収納部から前記移載対象部へ搬送する必要がある。
【００１１】
前記基板移載機９は前記カセット棚３のカセット５から未処理ウェーハを前記ボート８に移載し、未処理ウェーハは該ボート８に保持された状態で、前記ボートエレベータ７により前記反応室（図示せず）に装入される。前記ボート８が装入された状態では、前記反応室は気密状態であり、前記ヒータユニット（図示せず）でウェーハが加熱され、反応ガスが導入されつつ排気され、所定の処理圧力、処理温度に維持され、レシピに設定されたステップが実行されることでウェーハが処理される。
【００１２】
ウェーハの処理が完了すると、前記ボートエレベータ７により前記ボート８が引出され、処理済ウェーハが前記基板移載機９により、前記ボート８から前記カセット棚３に収納されている空のカセット５に移載され、処理済ウェーハを収納するカセット（以下、処理済カセット）５が前記カセット搬送手段４により前記カセット授受ステージ２に払出され、人又は外部搬送装置により該カセット授受ステージ２から前記処理済カセット５が搬出される。未処理ウェーハを収納するカセット（以下、未処理カセット）５が前記バッファ収納部から前記移載対象部へ前記カセット搬送手段４により搬送される。又、外部搬送装置により前記カセット授受ステージ２へ搬入された未処理カセット５を前記カセット授受ステージ２から前記カセット棚３のバッファ収納部へ搬送する。
【００１３】
前記基板処理装置１内で一度に処理可能なウェーハの枚数（材料の量）は上限があり、処理する枚数はウェーハ１枚から上限の間で所要枚数が処理される。上限は、前記ボート８がウェーハを保持可能な枚数、例えば数カセット分のウェーハである。
【００１４】
１バッチ分のウェーハの数が数カセット分に相当する場合、前記カセット搬送手段４は次バッチ処理準備工程で、処理済カセット５の前記カセット授受ステージ２への搬送動作、該カセット授受ステージ２からの未処理カセット５の前記バッファ収納部への搬送動作、未処理カセット５をバッファ収納部から移載対象部へ移動する搬送動作とをシリーズに順次行う。
【００１５】
前記カセット５の投入時期（カセット５の前記カセット授受ステージ２への搬入時期）について、半導体製造ラインが自動化されていない場合は、作業者が前記基板処理装置１内に空き状態、例えば前記カセット棚３に空きがあるかどうか、又処理待ち材料発生（前記縦型熱処理炉６でウェーハが処理されておらず、ウェーハの装入待ち状態）であるかどうかを監視し、両方が揃った時点で、次処理の準備を開始する。
【００１６】
従来、前記カセット搬送手段４による未処理カセット５の前記バッファ収納部から前記移載対象部への移動、処理済カセット５の前記移載対象部から前記カセット授受ステージ２への払出しは、並行処理、即ち交互に行われており、全ての処理済カセット５の払出しと全ての所定数の未処理カセット５の移載対象部への搬送が完了してから、次処理が行われる様になっている。
【００１７】
この為、カセット搬送作業は多くの時間を要しており、スループットの向上を妨げる要因となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は斯かる実情に鑑み、次にバッチ処理するカセットを優先して搬送することにより、基板処理装置内に於けるカセットの搬送時間を短縮してスループットの向上を図ろうとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、熱処理炉と、該熱処理炉内で基板を保持する基板保持具と、装置内に設けられた基板搬送容器収納手段と、基板搬送容器を装置外部との間で搬入、払出しを行う為の材料搬入出部と、該材料搬入出部と前記基板搬送容器収納手段との間で基板搬送容器の搬送及び基板搬送容器収納手段内でのバッファ収納部と移載対象部間での基板搬送容器の搬送を行う１組の搬送手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器と前記基板保持具との間で基板の移載を行う基板移載手段と、前記搬送手段及び前記基板移載手段を制御する制御手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間は、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを禁止する搬送作動態様を指定する指定手段と、該指定手段によって指定された搬送作動態様と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間も、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを可能とする搬送作動態様とを選択する選択手段とを具備する基板処理装置に係るものである。
【００２０】
又本発明は、熱処理炉と、該熱処理炉内で基板を保持する基板保持具と、装置内に設けられた基板搬送容器収納手段と、基板搬送容器を装置外部との間で搬入、払出しを行う為の材料搬入出部と、該材料搬入出部と前記基板搬送容器収納手段との間で基板搬送容器の搬送及び基板搬送容器収納手段内でのバッファ収納部と移載対象部間での基板搬送容器の搬送を行う１組の搬送手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器と前記基板保持具との間で基板の移載を行う基板移載手段と、前記搬送手段及び前記基板移載手段を制御する制御手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間は、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを禁止する搬送作動態様を指定する指定手段と、該指定手段によって指定された搬送作動態様と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間も、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを可能とする搬送作動態様とを選択する選択手段とを具備する基板処理装置に於いて、外部から投入され未処理基板を収納する基板搬送容器を前記バッファ収納部へ搬入する工程と、処理済基板を前記移載対象部の基板搬送容器に移載する工程と、処理済基板を収納する処理済基板搬送容器を前記移載対象部から前記バッファ収納部へ搬送する工程と、前記移載対象部の未処理基板搬送容器から前記基板保持具へ未処理基板を移載する工程とを有すると共に、次バッチ分の未処理基板を全て前記基板保持具に移載した後前記バッファ収納部から処理済基板搬送容器を払出す工程と前記基板保持具へ未処理基板を移載する間に前記バッファ収納部から処理済基板搬送容器を払出す工程とのいずれかを選択可能とした基板処理方法に係るものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、熱処理炉と、該熱処理炉内で基板を保持する基板保持具と、装置内に設けられた基板搬送容器収納手段と、基板搬送容器を装置外部との間で搬入、払出しを行う為の材料搬入出部と、該材料搬入出部と前記基板搬送容器収納手段との間で基板搬送容器の搬送及び基板搬送容器収納手段内でのバッファ収納部と移載対象部間での基板搬送容器の搬送を行う１組の搬送手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器と前記基板保持具との間で基板の移載を行う基板移載手段と、前記搬送手段及び前記基板移載手段を制御する制御手段と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間は、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを禁止する搬送作動態様を指定する指定手段と、該指定手段によって指定された搬送作動態様と、前記移載対象部の前記基板搬送容器から前記基板保持具へ次に処理する基板の移載を行う為に、前記搬送手段が前記移載対象部と前記バッファ収納部又は前記材料搬入出部との間で基板搬送容器の搬送を行う必要のある期間も、前記搬送手段が前記バッファ収納部と前記材料搬入出部との間で前記基板搬送容器の搬送を行うことを可能とする搬送作業態様とを選択する選択手段とを具備するので、基板搬送容器の搬送作動態様を基板処理に応じた最適な状態とすることができ、スループットの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２３】
図１は本発明に係る基板処理装置の概略を示しており、又基板処理装置の基本的な構成は図３で示したものと同等であり、又図１中、図３中で示したものと同等のものには同符号を付しその説明を省略する。
【００２４】
図１中、１１は、縦型熱処理炉６のヒータ、反応ガスの供給を制御する流量制御器、或は圧力制御弁等を制御する処理作動部、１２は処理温度、ガス流量、圧力等を検出するセンサ部であり、カセット授受ステージ２にはカセット５の有無を検出するカセット検出器２３が設けられている。又、１３は基板処理装置１の制御手段としての制御装置であり、該制御装置１３は主に制御部１４、ハードディスク等の外部記憶手段１５、メカ制御部１６、入出力制御部１７、ディスプレイ、操作盤等に設けられた表示部等のデータ表示部１８、キーボード等の入力手段１９、材料投入管理部２１、主制御装置（図示せず）に対する主入出力部２２から構成されている。
【００２５】
前記外部記憶手段１５にはカセット搬送手段４、ボートエレベータ７、基板移載機９等を駆動する為のカセット搬送手段駆動シーケンスプログラム、基板移載機駆動シーケンスプログラム等、又処理設定テーブルのデータに従って実行される駆動シーケンスプログラム、前記縦型熱処理炉６で基板を処理する為の処理シーケンスプログラム、基板を処理する場合の各種処理条件、処理を実行する為のステップを設定したプロセスレシピ、処理設定テーブル等が格納されている。該処理設定テーブルには、前処理時間、材料待ちテーブル、スタート指示待ちフラグが保持され、前処理時間は（材料準備時間、基板移載時間、カセット搬送時間、前洗浄時間等）の合計であり、予め計算されたものが前記入力手段１９から入力され、或は前記基板処理装置１が稼働された場合の過去のデータを前記制御部１４等が積算記録し、前記外部記憶手段１５に格納する。材料待ちテーブル（材料待ちフラグ：待つ／待たない、材料量：材料量［基板枚数］が指定された値になる迄処理を開始しない）が保持され、スタート指示待ちフラグ（人若しくは主制御装置（図示せず）からのスタート指示がくる迄スタートしない）が保持されている。
【００２６】
前記データ表示部１８には、処理すべき基板（以下未処理基板）の投入時期、投入時期の適切なタイミング、前準備時間、処理終了予定時刻、未処理基板の投入要求、材料の投入状況、一括処理中か連続処理中か、或は実行されている駆動シーケンスプログラムの内容等が表示される。
【００２７】
前記入力手段１９は、実行する駆動シーケンスプログラムの選択、該駆動シーケンスプログラムに対する処理設定テーブルの設定、基板処理の処理条件（レシピ）の設定、処理設定テーブルについての項目設定、処理設定テーブルへの設定項目の書込みを前記制御部１４を介して行う。又、前記処理設定テーブルの設定項目については異なる作動条件を設定し、選択可能としてもよい。前記処理設定テーブルの設定項目としては、例えば後述する払出し待ちステップの指定有り、無しがある。
【００２８】
ここで、前記処理設定テーブル、該処理設定テーブルへの設定項目の書込みを行う前記入力手段１９、前記制御部１４等は、搬送態様指定手段を構成し、更に前記処理設定テーブルの設定項目の選択は前記入力手段１９、前記制御部１４によって行われ、前記入力手段１９、前記制御部１４等は搬送態様選択手段を構成する。
【００２９】
前記材料投入管理部２１は前記カセット棚３に於ける前記カセット５の収納状態、未処理基板の投入状態を監視し、前記カセット５の前記カセット授受ステージ２から前記カセット棚３への搬送、該カセット棚３でのバッファ収納部・移載対象部間の搬送、前記カセット棚３から前記カセット授受ステージ２への搬送の可否、処理開始可能通知等を前記制御部１４に通知する。
【００３０】
該制御部１４は前記入力手段１９からの指令、主制御装置（図示せず）からの指令に従って前記外部記憶手段１５から所要のプログラムを起動し、又設定された条件でプログラムを実行し、又該外部記憶手段１５からプロセスレシピ等、所要のデータを読込む。又、前記制御部１４は、前記基板処理装置１でプロセスレシピを実行し、基板処理している状態で、プロセスレシピの実行状態を監視し処理の残存時間を演算し、該残存時間が前記前準備時間に等しくなった時点（未処理基板の適切な投入時期、タイミング）を判断し、この時点で判断結果を前記材料投入管理部２１に送出する。
【００３１】
又、前記制御部１４は前記センサ部１２からの信号を基に前記入出力制御部１７を介して前記処理作動部１１を制御し、処理温度、供給ガス流量、処理圧力、処理時間等レシピに設定された内容で基板の処理を行う。
【００３２】
前記材料投入管理部２１は、前記制御部１４から送出された判断に基づき、前記データ表示部１８に基板投入要求を発して表示させ、又前記主入出力部２２を介して主制御装置（図示せず）に投入要求を送信する。
【００３３】
本発明に於ける、前記縦型熱処理炉６での基板処理自体については従来と同様であるので説明を省略する。
【００３４】
以下、本発明の実施形態に於けるカセットの搬送作動について図２を参照して説明する。
【００３５】
前記カセット搬送手段４の駆動シーケンスについては、複数の搬送作動態様が設定されており、搬送作動態様の選択は前記入力手段１９により選択される。例えば、本実施の形態では搬送作動態様Ａ、搬送作動態様Ｂが設定され、例えば前記処理設定テーブルの設定項目で払出し待ちステップの指定有り、無しを指定することで、搬送作動態様Ａ、搬送作動態様Ｂのいずれかが選択される。前記制御装置１３は、選択された搬送作動態様を実行する。ここで、払出し待ちステップ有りの指定は、処理済基板の払出し処理等よりも次バッチの未処理基板の前記ボート８への移載等を優先させる搬送作動態様であり、払出し待ちステップ無しの場合は従来と同様の搬送作動態様である。
【００３６】
先ず、払出し待ちステップ有りの指定によって、例えば搬送作動態様Ａが選択された場合を説明する。
【００３７】
前記縦型熱処理炉６での基板処理が完了すると、処理済基板の前記縦型熱処理炉６からの搬出及び前記カセット棚３への搬送が行われる（ＳＴＥＰ：０１）。即ち、前記ボート８が降下され、前記基板移載機９により前記ボート８から処理済基板が移載対象部に収納されている空のカセット５に移載される。処理済カセット５が前記カセット搬送手段４によりバッファ収納部に搬送される。
【００３８】
前記カセット棚３内に次バッチ分の未処理カセットが収納されているかどうかが確認され、次バッチ分の未処理カセットが前記カセット棚３に収納されていない場合は、前記カセット搬送手段４による未処理カセットの前記カセット棚３への搬入が行われる（ＳＴＥＰ：０２、ＳＴＥＰ：０３）。尚、前記未処理カセットは、通常は前バッチ分の基板が熱処理されている間に、前記カセット棚３内に収納される。
【００３９】
前記カセット棚３に次バッチ分の未処理カセットが収納されている場合は、次バッチ処理の開始が指示され（ＳＴＥＰ：０４）、払出し待ちステップの指定有り、無しの判断が成される（ＳＴＥＰ：０５）。
【００４０】
払出し待ちステップの指定有りと判断されると、払出し指定ステップが実行され（ＳＴＥＰ：０６）、前記カセット搬送手段４により未処理カセット５が前記カセット棚３のバッファ収納部から移載対象部へ移動される。次に移載対象部の前記未処理カセット５から前記ボート８へ基板が移載される。そして、前記基板移載中或は前記カセット搬送手段４が前記移載対象部と前記バッファ収納部との間で前記未処理カセット５の搬送を行う必要がある期間は、前記バッファ収納部と前記カセット授受ステージ２間への前記処理済カセット５の搬送が禁止される。
【００４１】
前記制御部１４は、前記カセット搬送手段４の駆動状況を監視し、次に処理する未処理基板を全て前記ボート８に移載し終わったこと、又は移載し終わる為に最後の未処理カセット５が前記カセット棚３のバッファ収納部から移載対象部へ移動したことを確認すると、前記処理済カセット５を前記カセット授受ステージ２に払出すこと或はカセット授受ステージ２からカセット棚３へ搬送することを可能とする（ＳＴＥＰ：０７）。尚、本実施の形態では、未処理基板を前記ボート８に移載するステップの次のステップであるボートステップになったら、前記処理済カセット５を前記カセット授受ステージ２に払出す様にしているが、このタイミングに拘わらず、全ての未処理カセット５内の基板を前記ボート８に移載した後であればよい。
【００４２】
払出し待ちステップの指定有りと判断され、払出し指定ステップが実行中には、レシピ実行に必要とされるカセット５の搬送が優先され、未処理カセット５の前記カセット授受ステージ２から前記カセット棚３への搬送、処理済カセット５の前記カセット棚３から前記カセット授受ステージ２への払出しは、レシピ実行に必要とされるカセット５の搬送後に可能とする。
【００４３】
而して、前記カセット搬送手段４の搬送作動に於いて、基板処理のレシピ実行に必要な前記カセット５の搬送、即ち前記基板移載機９による基板移載に関連するカセット５の搬送が優先して行われる。よって、次に処理する未処理基板の搬送を優先して行うことになり、スループット向上が見込まれる。
【００４４】
次に、払出し待ちステップ無しの指定によって、搬送作動態様Ｂが選択された場合を説明する。
【００４５】
前バッチの処理が完了すると、前記ボート８が降下され、前記基板移載機９により処理済基板が前記移載対象部に収納されている空のカセット５に移載される。処理済カセット５が前記カセット搬送手段４により前記バッファ収納部に搬送される。
【００４６】
ＳＴＥＰ：０５で払出し待ちステップの指定無しと判断されると、レシピのステップが順次実行されると共にステップの進行状態が監視される。未処理基板を前記ボート８に移載するステップが実行される状態となると、前記カセット搬送手段４により未処理カセット５が前記バッファ収納部から移載対象部へ搬送され、前記未処理カセット５内の基板が前記ボート８に移載される。前記ボート８への移載中にも必要に応じて、処理済カセット５がバッファ収納部から前記カセット授受ステージ２へ払出される。
【００４７】
上述した様に、搬送態様指定手段、搬送態様選択手段により、基板の処理条件に対応してスループットを向上させるに最適な搬送作動態様が選択できる。
【００４８】
尚、上記では、前記ボート８へ基板を移載するの場合について説明したが、前記ボート８から基板を払出す際にも、本発明の適用は可能である。
【００４９】
又、本発明は、ＣＶＤ、酸化、拡散、アニール処理等、基板処理全般に実施可能であることは勿論である。更に、本実施例では、カセット棚にバッファ収納部と、移載対象部を有する装置として説明したが、特にバッファ収納部と移載対象部は１つのカセット棚にある必要はなく、個別に装置内に有してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態を示すフローチャートである。
【図３】半導体製造装置の概略斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１              基板処理装置
２              カセット授受ステージ
３              カセット棚
４              カセット搬送手段
５              カセット
６              縦型熱処理炉
９              基板移載機
１１            処理作動部
１２            センサ部
１３            制御装置
１４            制御部
１５            外部記憶手段
１６            メカ制御部
１７            入出力制御部
１８            データ表示部
１９            入力手段
２１            材料投入管理部
２２            主入出力部
２３            カセット検出器
【図１】
2006222174.tif 000003
【図２】
2006222174.tif 000004
【図３】
2006222174.tif 000005