(57)【要約】【課題】  従来よりも転送電極の電気抵抗が低減した固体撮像装置を提供する。【解決手段】  電荷を転送する転送チャネル４と、絶縁膜３３を挟み転送チャネル４の一部分に対向して配置された転送電極１４とを備え、転送電極１４は、金属と多結晶シリコンとの反応を防止する反応防止膜１４ｃを介して金属部位１４ａが多結晶シリコン１４ｂに包囲されている。【選択図】  図２
2006278733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷を転送する転送チャネルと、
絶縁膜を挟み前記転送チャネルの一部分に対向して配置された転送電極とを備え、
前記転送電極は、金属と多結晶シリコンとの反応を防止する反応防止膜を介して金属が多結晶シリコンに包囲されてなること
を特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記反応防止膜は、窒化タングステン、窒化タンタル又は窒化チタンにより構成されること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記固体撮像装置は、さらに、
前記転送電極のうち前記絶縁膜に対向する面以外の面を被覆するシリコン酸化膜と、
前記シリコン酸化膜を挟んで前記転送電極に隣接する他の転送電極を備えること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
転送チャネルを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の一部分の上面に、少なくとも多結晶シリコンと、金属部位を包囲した反応防止膜とがこの順に形成された構造体を形成する工程と、
前記構造体のうち反応防止膜が露出した部分を多結晶シリコンで被覆する工程と、
被覆後に多結晶シリコンを熱酸化する工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記構造体は、さらに、前記金属部位の上面に多結晶シリコンが形成されており、
前記多結晶シリコンで被覆する工程は、
前記構造体を覆うように多結晶シリコンを堆積させる工程と、
堆積した多結晶シリコンのうち前記構造体の側面を覆う部分が残留するように、異方性エッチングにより多結晶シリコンをエッチバックする工程と
を含むことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記構造体を形成する工程は、
前記絶縁膜に多結晶シリコンを堆積させる工程と、
前記多結晶シリコンの上面に、第１及び第２の反応防止膜で金属が挟まれた積層体を形成する工程と、
前記積層体に等方性エッチングを施して、金属の一部を除去する工程と、
金属の一部が除去された後の積層体を覆うように反応防止膜を構成する物質を堆積させる工程と、
堆積した構成物質のうち前記積層体の側面を覆う部分が残留するように、異方性エッチングにより構成物質をエッチバックする工程と
を含むことを特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の構造に関し、特に、転送電極の電気抵抗を低減する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
CCD(Charge Coupled Device)型の固体撮像装置は、その撮像領域に複数の転送チャネルと、絶縁膜を挟んで転送チャネルと立体交差する複数の転送電極とを備えている。固体撮像装置を駆動する駆動装置は、各転送電極に所定パターンの電気信号を供給することにより、転送チャネルに電荷を転送させることができる。
近年、固体撮像装置が多画素化し、電荷をより高速に転送する要請が強くなってきた。この要請を満たすためには、駆動装置から供給された電気信号が遅延することを防止する観点から、転送電極の電気抵抗を極力低減させる必要がある。
【０００３】
特許文献１は、金属シリサイドが多結晶シリコンで包囲されてなる転送電極の構造を提案している。このように転送電極の一部に金属シリサイドを用いることで、電気抵抗を低減させることができる。さらに、金属シリサイドが多結晶シリコンで包囲されているので、転送電極形成後の熱処理工程において金属シリサイドが金属成分を基板に飛散させて製品不良を起こすようなことがない。
【特許文献１】特開平１１−３０７７４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
今後、固体撮像装置の大型化がさらに進行すれば、転送電極は、撮像領域の大型化に伴いその長さが長くなり、画素の微細化に伴いその断面積が小さくなる。すなわち、転送電極の電気抵抗を低減することが困難になってくる。
そこで、特許文献１に係る構造において、金属シリサイドに代えて金属を用いることが考えられる。金属は一般的に金属シリサイドよりも１桁程度比抵抗が小さいので、転送電極の電気抵抗の低減に寄与することができる。
【０００５】
しかしながら、単に金属シリサイドを金属に置換しただけでは、転送電極が形成された後の熱処理工程において金属がその周囲の多結晶シリコンと反応し、金属シリサイドに変質してしまうという問題がある。転送電極が微細化するほど金属部位も微細化し、金属のほとんど全てがシリサイド化すると考えられる。
そこで、本発明は、上記問題を解消して従来よりも転送電極の電気抵抗が低減した固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る固体撮像装置は、電荷を転送する転送チャネルと、絶縁膜を挟み前記転送チャネルの一部分に対向して配置された転送電極とを備え、前記転送電極は、金属と多結晶シリコンとの反応を防止する反応防止膜を介して金属が多結晶シリコンに包囲されてなる。
【発明の効果】
【０００７】
上記構成によれば、金属と多結晶シリコンとの間に反応防止膜が介在しているので、金属が多結晶シリコンと反応して金属シリサイドに変質することを抑制することができる。したがって、従来よりも電気抵抗が低い転送電極を実現することができる。
また、前記反応防止膜は、窒化タングステン、窒化タンタル又は窒化チタンにより構成されることとしてもよい。
【０００８】
反応防止膜としての適正は、転送電極形成後の工程のうち最も温度が上昇する工程における温度環境下で多結晶シリコンとの反応性が低いこと、及び、導電性を有することが挙げられる。窒化タングステン、窒化タンタル又は窒化チタンなどは、物理的及び化学的に安定しており、１０００℃程度の温度環境下でも多結晶シリコンとの反応性が低いという特性を有する。さらに、導電性にも優れている。したがって、これらは上記条件を満たし、反応防止膜としての適性を有する。
【０００９】
また、前記固体撮像装置は、さらに、前記転送電極のうち前記絶縁膜に対向する面以外の面を被覆するシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜を挟んで前記転送電極に隣接する他の転送電極を備えることとしてもよい。
上記構成によれば、転送電極の表層は多結晶シリコンとなる。したがって、シリコン酸化膜を多結晶シリコンの熱酸化により形成することができる。
【００１０】
固体撮像装置の性能を指標するもののひとつに転送効率がある。転送効率を向上させるためには、隣接する転送電極間の距離が短いほうが望ましい。熱酸化により形成されたシリコン酸化膜は、耐圧性能が高く、かつ、厚みのばらつきが少ない。したがって、当該シリコン酸化膜を層間絶縁膜として採用すれば、隣接する転送電極間の距離を短くすることができ、その結果、転送効率を向上させることができる。なお、前記他の転送電極は、金属と多結晶シリコンとの反応を防止する反応防止膜を介して金属部位が多結晶シリコンに包囲された構造でもよいし、多結晶シリコンのみからなる構造でもよい。
【００１１】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、転送チャネルを覆うように絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の一部分の上面に、少なくとも多結晶シリコンと、金属部位を包囲した反応防止膜とがこの順に形成された構造体を形成する工程と、前記構造体のうち反応防止膜が露出した部分を多結晶シリコンで被覆する工程と、被覆後に多結晶シリコンを熱酸化する工程とを含む。
【００１２】
上記構成によれば、金属部位が反応防止膜で包囲された後に、熱酸化が施される。したがって、熱酸化工程において、金属が多結晶シリコンと反応して金属シリサイドに変質することがない。その結果、従来よりも転送電極の電気抵抗が低い固体撮像装置を製造することができる。
また、前記構造体は、さらに、前記金属部位の上面に多結晶シリコンが形成されており、前記多結晶シリコンで被覆する工程は、前記構造体を覆うように多結晶シリコンを堆積させる工程と、堆積した多結晶シリコンのうち前記構造体の側面を覆う部分が残留するように、異方性エッチングにより多結晶シリコンをエッチバックする工程とを含むこととしてもよい。
【００１３】
このように、多結晶シリコンを堆積した後に異方性エッチングによりエッチバックすることで、構造体の側面を多結晶シリコンで被覆するとともに不要部分の多結晶シリコンを除去することができる。
また、前記構造体を形成する工程は、前記絶縁膜に多結晶シリコンを堆積させる工程と、前記多結晶シリコンの上面に、第１及び第２の反応防止膜で金属が挟まれた積層体を形成する工程と、前記積層体に等方性エッチングを施して、金属の一部を除去する工程と、金属の一部が除去された後の積層体を覆うように反応防止膜を構成する物質を堆積させる工程と、堆積した構成物質のうち前記積層体の側面を覆う部分が残留するように、異方性エッチングにより構成物質をエッチバックする工程とを含むこととしてもよい。
【００１４】
このように、積層体を構成する金属の一部を除去すれば、金属の上面に積層された反応防止膜により庇が形成されることとなる。その後、反応防止膜の構成物質を堆積させれば、積層体の側面を被覆する構成物質の厚みを厚くすることができる。したがって、エッチバック後においても積層体の側面を被覆する反応防止膜の厚みを十分に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態１）
＜構成＞
図１は、本発明に係る固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。
固体撮像装置１は、撮像領域２、転送チャネル６、出力部７を備え、撮像領域２は、光電変換部３、転送チャネル４、ゲート部５、転送電極１０を備える。
【００１６】
実際には転送電極１０は撮像領域２の全域に配されているが、説明を容易にするため一部のみが記載されている。また、固体撮像装置１は、この他に層間絶縁膜、遮光膜などを備えるが、説明を容易にするため図１には記載されていない。
光電変換部３は、入射光を電荷に変換する機能を有し、撮像領域２の全域にわたり２次元配列されている。
【００１７】
転送チャネル４は、電荷を垂直方向に転送する機能を有し、２次元配列された光電変換部の各列に挿設されている。
ゲート部５は、光電変換部３により生成された電荷を転送チャネル４に読み出す機能を有し、各光電変換部と転送チャネルとの間に設けられる。
転送電極１０は、絶縁膜を挟んで転送チャネル４と立体交差するように配設され、撮像領域２の外部において固体撮像装置を駆動する駆動装置と電気的に接続されている。図１には、転送電極１０の一部のみが記載されている。
【００１８】
転送チャネル４により垂直方向に転送された電荷は、転送チャネル６により水平方向に転送され、出力部７から外部へ出力される。
図２は、実施の形態１に係る固体撮像装置の転送チャネル（Ａ−Ａ線）に沿った断面図である。
図２には、図１では記載が省略された層間絶縁膜４１、４２及び遮光膜５１が記載されている。
【００１９】
転送チャネル４は、シリコン基板２１に不純物が導入されて形成されている。シリコン基板２１の上面には、シリコン酸化膜３１及びシリコン窒化膜３２から構成される絶縁膜３３が形成される。
転送電極１１乃至１５は、絶縁膜３３を挟み転送チャネル４の各部分に対向してそれぞれ設けられる。このうち、転送電極１２及び１４（第１の転送電極）は、金属部位１４ａ、多結晶シリコン１４ｂ及び反応防止膜１４ｃにより構成されている。転送電極１１、１３及び１５（第２の転送電極）は、多結晶シリコンにより構成されている。
【００２０】
第１の転送電極と第２の転送電極とは、酸化シリコンにより構成される層間絶縁膜４１で電気的に絶縁されている。また、第２の転送電極と遮光膜５１とは、酸化シリコンにより構成される層間絶縁膜４２で電気的に絶縁されている。
本実施の形態は、転送電極１２及び１４が、金属と多結晶シリコンとの反応を防止する反応防止膜１４ｃを介して金属部位１４ａが多結晶シリコン１４ｂに包囲されていることを特徴とする。
【００２１】
反応防止膜１４ｃは、次の条件を満たす。
（１）転送電極１４を形成した後の工程のうち最も温度が上昇する工程における温度環境下であっても多結晶シリコン１４ｂとの反応性が低い。この条件を満たせば、金属部位１４ａが金属シリサイドに変質することを抑制できる。本実施の形態の場合、最も温度が上昇する工程は、層間絶縁膜４１、４２を形成する熱酸化工程である。熱酸化工程では、転送電極１４は８００℃乃至１０００℃の温度環境下に置かれる。
（２）導電性を有する。この条件を満たせば、金属部位１４ａと多結晶シリコン１４ｂとが電気的に接続されるので、駆動装置からの電気信号の伝播遅延を小さくすることができる。
【００２２】
窒化タングステン、窒化タンタル又は窒化チタンなどは、物理的及び化学的に安定しており、１０００℃程度の温度環境下でも多結晶シリコンとの反応性が低いという特性を有する。さらに、導電性にも優れている。すなわち、上記条件を満たし、反応防止膜１４ｃを構成する物質としての適性を有する。
金属部位１４ａを構成する金属としては、例えば、タングステン、コバルト、タンタル、チタン、モリブデンなどの高融点金属を用いることができる。
【００２３】
上記構成により、金属部位１４ａを構成する金属が金属シリサイドに変質することを抑制することができる。したがって、従来よりも電気抵抗が低い転送電極を実現することができる。
例えば、金属部位１４ａにタングステンを用いれば、タングステンの比抵抗は多結晶シリコンの１／１００程度であるため、転送電極の断面においてタングステンが占める割合を１０％とすることで転送電極の電気抵抗を１／１０に低減させることができる。これは、転送電極が多結晶シリコンのみからなる固体撮像装置に比べて１０倍の駆動周波数で駆動させることができることを意味する。あるいは、転送電極の厚みを薄くすることができる。転送電極の厚みを薄くすることができれば、入射光が転送電極により遮られることを極力防止することができる。これにより、入射光を集光率が向上するとともに、集光率の外部レンズＦ値依存性が緩和されるという効果が得られる。
【００２４】
さらに、タングステンと多結晶シリコンとが接した状態で８００℃〜１０００℃程度の熱処理を行うと、タングステンの密着性が低下し膜剥がれを起こすことがある。
しかし、反応防止膜として上記の材料を用いることにより膜剥がれを防止できるというメリットもある。
特開平６−２５２３７６号公報、特開平１１−２７４４４５号公報には、転送電極自身は多結晶シリコンにより構成し、電気信号の伝播遅延を抑制するため別途シャント配線を敷設している。しかしながら、シャント配線は層間絶縁膜を挟んで転送電極の上部に設けられる。しかも、シャント配線と転送電極とのコンタクト部においてシャント配線を構成するアルミニウムと転送電極を構成する多結晶シリコンとが反応しないためにバッファ層を設ける必要がある。そのため、オンチップマイクロレンズと光電変換部との距離が大きくなり、集光率が低下するとともに、集光率の外部レンズＦ値依存性が強くなるという問題がある。本実施の形態に係る転送電極１４の構造によれば、このような問題が発生することがない。
【００２５】
さらに、本実施の形態は、転送電極１２及び１４が、反応防止膜１４ｃと層間絶縁膜４１（シリコン酸化膜）との間に多結晶シリコン１４ｂが介在していることを特徴とする。
反応防止膜１４ｃは、転送電極１４の製造方法によっては金属部位１４ａを包囲する包囲部分に加えて、包囲に寄与しない不要部分（図２のＹ部）も形成される。反応防止膜１４ｃは包囲部分のみならず不要部分も転送電極１４の表面に露出しない。
【００２６】
これにより、層間絶縁膜４１（シリコン酸化膜）を、多結晶シリコン１４ｂの熱酸化により形成することができる。固体撮像装置１の性能を指標するもののひとつに転送効率がある。転送効率を向上させるためには、隣接する転送電極間の絶縁距離が短いほうが望ましい。シリコン酸化膜は、熱酸化により形成された場合、耐圧性能が高く、かつ、厚みのばらつきが少ないので、他の方法により形成される場合に比べてシリコン酸化膜の厚みを薄く設計することができる。したがって、隣接する転送電極間の距離を短くすることができ、その結果、転送効率を向上させることができる。
＜製造方法＞
実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、反応防止膜１４ｃを構成する物質の一例として窒化タングステン、金属部位１４ａを構成する金属の一例としてタングステンを採用するものとする。
【００２７】
図３、図４及び図５は、実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
図３（ａ）：シリコン基板２１に、不純物導入により転送チャネル４を形成した後、熱酸化によりシリコン酸化膜３１を形成し、さらに気相成長法によりシリコン窒化膜３２を形成する。シリコン酸化膜３１とシリコン窒化膜３２とで絶縁膜３３が構成される。なお、この時点で既に光電変換部３及びゲート部５の形成は完了しているものとする。
【００２８】
図３（ｂ）：絶縁膜３３に、多結晶シリコン６１、窒化タングステン６２及びタングステン６３をこの順に堆積させる。
多結晶シリコン６１は、例えば、気相成長法により２００ｎｍの厚さに形成される。成長時に燐などの不純物を導入しておくか、ノンドープ多結晶膜を形成後にイオン注入あるいは気相拡散法により不純物を導入することにより多結晶シリコン膜の導電性を高めることができる。
【００２９】
窒化タングステン６２は、例えば、反応性スパッタリング法により２０ｎｍの厚さに形成される。
タングステン６３は、例えば、気相成長法により１００ｎｍの厚さに形成される。
図３（ｃ）：フォトリソグラフィ技術及びエッチングを用いて、窒化タングステン６２及びタングステン６３からなる２層膜のうち一部分を残留させ、他の部分を除去する。このとき、多結晶シリコン６１は、絶縁膜３３が露出しなければ多少除去されても構わない。
【００３０】
図３（ｄ）：２層膜の残留部分を覆うように、反応性スパッタリング法により２０ｎｍの厚さの窒化タングステン６４を堆積させる。これにより、反応防止膜で金属部位が包囲された構造体６５を形成することができる。
図４（ａ）：構造体６５を覆うように、気相成長法により２００ｎｍの厚さの多結晶シリコン６６を堆積させる。
【００３１】
図４（ｂ）：フォトリソグラフィ技術及び異方性エッチングを用いて、絶縁膜３３の上面に堆積した層のうち、構造体６５を内包する部分を残留させ、それ以外の部分を絶縁膜３３が露出するように除去する。
このとき、残留させる部分は、多結晶シリコン６６が構造体６５を覆うことにより周囲よりも突出した部分とするのが望ましい。
【００３２】
図３（ｂ）から図４（ｂ）までの工程により、絶縁膜３３の一部分の上面に、多結晶シリコン、金属部位を包囲した反応防止膜及び多結晶シリコンがこの順に形成された構造体６７が形成される。当該構造体６７が形成された時点では、窒化タングステン６４が露出している（図４（ｂ）、Ｙ部）。
図４（ｃ）：構造体６７を覆うように多結晶シリコン６８を堆積させる。多結晶シリコン６８は、例えば、気相成長法により５０ｎｍの厚さに形成される。
【００３３】
図４（ｄ）：堆積した多結晶シリコン６８のうち構造体６７の側面を覆う部分が残留するように、異方性エッチングにより多結晶シリコン６８をエッチバックする。このように、構造体６７のサイドウォールをエッチバックにより形成すれば、エッジ部（図４（ｄ）、Ｘ部）が曲率を有する形状となる。この曲率は、図４（ｂ）において残留させる部分が突出した部分とした場合に最大となる。
【００３４】
図４（ｃ）から図４（ｄ）までの工程により、構造体６７のうち窒化タングステン６４が露出した部分を多結晶シリコン６８で被覆することができる。これが第１の転送電極となる。
電荷転送方式（駆動パルスの印加方式）に依存するが、通常、この段階でフォトリソグラフィ技術とイオン注入技術を用いて、転送チャネル４の一部にホウ素などをイオン注入して、ポテンシャル障壁を形成する工程を設けることがあるが、ここでは説明を省略する。
【００３５】
図５（ａ）：第１の転送電極の表面を熱酸化することにより、酸化シリコンにより構成される層間絶縁膜４１を形成する。層間絶縁膜４１の厚さは、例えば、６５ｎｍとする。このとき、Ｙ部において層間絶縁膜４１と窒化タングステン６４とが直接接触することがないように、サイドウォールには多結晶シリコンが確保されている必要がある。図４（ｃ）では、多結晶シリコン６６を５０ｎｍの厚さで堆積した。その後、図４（ｄ）においてエッチバックすれば、サイドウォールの厚みは４５ｎｍ程度になる。その後の熱酸化では、目的とする層間絶縁膜４１の厚さの少なくとも４４％の厚さの多結晶シリコンが消費される。そうすると熱酸化後には１３ｎｍ程度の多結晶シリコンがサイドウォールに残ることとなる。
【００３６】
なお、エッジ部（図５（ａ）、Ｘ部）が曲率を有する形状であるため、層間絶縁膜４１の厚みはエッジ部においても均一となる。すなわち、層間絶縁膜４１の厚みが不必要に厚くなる部分が存在しない。その結果、隣接する第２の転送電極との距離を可能な限り近づけることができ、転送効率の向上を図ることができる。
図５（ｂ）：気相成長法、フォトリソグラフィ技術及びエッチングを用いて、多結晶シリコンにより構成される第２の転送電極６９を形成する。
【００３７】
図５（ｃ）：第２の転送電極６９の表面を熱酸化することにより、酸化シリコンにより構成される層間絶縁膜４２を形成する。その後、層間絶縁膜４２を覆うように遮光膜５１が形成される。遮光膜５１は、例えばタングステンにより構成されるが、設計思想に応じてアルミニウムや他の高融点金属により構成することもできる。
（実施の形態２）
＜構成＞
実施の形態２では、実施の形態１と異なる点のみについて説明する。
【００３８】
図６は、実施の形態２に係る固体撮像装置の転送チャネルに沿った断面図である。
本実施の形態は、転送電極１４の製造方法の相違に基づき、反応防止膜１４ｄの形状が実施の形態１と相違する。転送電極１４が、反応防止膜１４ｄを介して金属部位１４ａが多結晶シリコン１４ｂに包囲されている点、及び、反応防止膜１４ｄと層間絶縁膜４１であるシリコン酸化膜との間に多結晶シリコン１４ｂが介在する点については、実施の形態１と同様である。したがって、実施の形態２は、転送電極１４の構造に起因する効果については実施の形態１と同様の効果を有する。
＜製造方法＞
実施の形態２に係る固体撮像装置の製造方法について説明する。実施の形態２は、実施の形態１と対比すれば、図３（ｂ）乃至図４（ｂ）の過程が異なる。したがって、図３（ａ）の過程及び図４（ｃ）以降の過程については説明を省略する。なお、以下の説明では、反応防止膜１４ｄを構成する物質の一例として窒化タングステン、金属部位１４ａを構成する金属の一例としてタングステンを採用するものとする。
【００３９】
図７及び図８は、実施の形態２に係る固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
図７（ａ）：図３（ａ）により形成された絶縁膜３３に、多結晶シリコン６１、窒化タングステン６２、タングステン６３及び窒化タングステン７１をこの順に堆積させる。
多結晶シリコン６１、窒化タングステン６２及びタングステン６３の形成方法は、実施の形態１と同様である。
【００４０】
窒化タングステン７１は、例えば、反応性スパッタリング法により２０ｎｍの厚さに形成される。
図７（ｂ）：フォトリソグラフィ技術及びエッチングを用いて、窒化タングステン６２、タングステン６３、窒化タングステン７１からなる３層膜のうち一部分を残留させ、他の部分を除去する。ここで、エッチングは異方性エッチングと等方性エッチングを連続して行う。まずフォトレジスト７２をマスクとした異方性エッチングにより３層の積層体７３を形成する。このとき、多結晶シリコン６１は、絶縁膜３３が露出しなければ多少除去されても構わない。次に等方性エッチングにより、積層体７３におけるタングステン６３を一部除去する。これは、窒化タングステン６２、７１よりもタングステン６３のエッチング速度が速いエッチング液を用いることで実現できる。このように、タングステン６３の一部を除去すれば、窒化タングステン７１により庇が形成されることとなる（図７（ｂ）、Ｚ部）。
【００４１】
図７（ｃ）：積層体７３を覆うように、反応性スパッタリング法により２０ｎｍの厚さの窒化タングステン７４を堆積させる。図７（ｂ）において、窒化タングステン７１の庇を形成したことにより、庇下部には窒化タングステン７４が厚めに堆積する。
図７（ｄ）：窒化タングステン７４を異方性エッチングによりエッチバックする。庇下部は窒化タングステン７４が厚めに堆積しているので、エッチバック後においても積層体７３の側面を被覆する窒化タングステン７４は厚く残留する。これにより、絶縁膜３３の一部分の上面に、多結晶シリコンと、金属部位を包囲する反応防止膜とがこの順に形成された構造体７５が形成される。
【００４２】
図８（ａ）：構造体７５を覆うように、気相成長法により２００ｎｍの厚さの多結晶シリコン７６を堆積させる。
図８（ｂ）：フォトリソグラフィ技術及び異方性エッチングを用いて、絶縁膜３３の上面に堆積した層のうち、構造体７５を内包する部分を残留させ、それ以外の部分を絶縁膜３３が露出するように除去する。このとき、多結晶シリコン６１、７６を除去する必要があるが、これらの間に反応防止膜が形成されていないため、基板全体において均一にエッチングすることができる。
【００４３】
この後は、図４（ｃ）以降の製造過程と同様である。
以上、本発明に係る固体撮像装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例が考えられる。
（１）実施の形態では、第１の転送電極のみが金属又は金属シリサイドが多結晶シリコンで包囲されてなる構造である場合について説明している。しかしながら、本発明は、第１及び第２の転送電極の両方が上記構造である場合にも適用可能である。また、第２の転送電極のみが上記構造である場合にも適用可能である。
【００４４】
第２の転送電極が、金属又は金属シリサイドが多結晶シリコンで包囲された構造であれば、第２の転送電極１１、１３、１５と遮光膜５１との間の層間絶縁膜４２の厚みを均一に形成することができる。
遮光膜５１は、通常、グラウンド電位に保たれるか、シャント配線として用いられるかのいずれかであるが、どちらにしても第２の転送電極との絶縁性が要求される。したがって、絶縁性の観点からは、層間絶縁膜４２は厚いほうが望ましい。現に、層間絶縁膜４２は、第２の転送電極表面の熱酸化によるシリコン酸化膜だけでは足りず、さらに、気相成長法によるシリコン酸化膜が重ねられて形成される。
【００４５】
一方、以下に示すように、スミアの低減の観点からは、層間絶縁膜４２は薄いほうが望ましい。
図９は、固体撮像装置の転送チャネルの転送方向に直交するとともに光電変換部３を横切る断面図である。
シリコン基板２１にはフォトダイオード２３が形成され、フォトダイオード２３上面にはシリコン酸化膜３１及び層間絶縁膜４２が形成されている。遮光膜５１は層間絶縁膜４２の上面に形成されており、フォトダイオード２３に対応する部分５２が開口されている。
【００４６】
入射光は、開口部５２から主にフォトダイオード２３に到達するが、一部は遮光膜５１の端部３４の隙間から斜めに入射してフォトダイオード２３以外の部位に漏れこみスミアを発生することがある。スミアの発生を低減するには、図９から明らかなように層間絶縁膜４２を薄くする必要がある。
層間絶縁膜４２は、絶縁性及びスミア低減の両方の観点を考慮して最適な厚みに設計される。ここで、仮に層間絶縁膜４２の厚みにばらつきがあれば、絶縁性又はスミア低減のいずれかが犠牲になる。しかしながら、第２の転送電極が、金属又は金属シリサイドが多結晶シリコンで包囲された構造であれば、層間絶縁膜４２の厚みを均一に形成することができるので、絶縁性及びスミア低減を両立することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態１に係る固体撮像装置の転送チャネル（Ａ−Ａ線）に沿った断面図である。
【図３】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
【図４】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
【図５】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
【図６】実施の形態２に係る固体撮像装置の転送チャネルに沿った断面図である。
【図７】実施の形態２に係る固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
【図８】実施の形態２に係る固体撮像装置の製造過程を示す断面図である。
【図９】固体撮像装置の転送チャネルの転送方向に直交するとともに光電変換部３を横切る断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１    固体撮像装置
２    撮像領域
３    光電変換部
４    転送チャネル
５    ゲート部
６    転送チャネル
７    出力部
１０    転送電極
１４ａ  金属部位
１４ｂ  多結晶シリコン
１４ｃ、１４ｄ  反応防止膜
２１    シリコン基板
３１    シリコン酸化膜
３２    シリコン窒化膜
３３    絶縁膜
４１、４２    層間絶縁膜
５１    遮光膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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