(57)【要約】【課題】  構造を簡単にし、大型の基板を熱処理する場合にも基板の処理温度の面内均一性を図ると共に、製品歩留まりの向上を図れるようにすること。【解決手段】  被処理基板Ｇを熱処理する処理容器６０内に収容され、被処理基板Ｇの下面全域に接触する液状の熱媒体７０と、熱媒体７０を所定の処理温度に温調する熱源例えばヒータ８０とを具備する。これにより、熱媒体７０上に被処理基板Ｇを浮上させると共に、被処理基板Ｇの下面全域に熱媒体７０を接触させた状態で、基板Ｇに熱媒体７０から熱を伝達して熱処理を施すことができる。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を熱処理する処理容器内に収容され、被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体と、
上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、
を具備することを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項２】
被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体を収容する処理容器と、
上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、
を具備することを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項３】
被処理基板を熱処理する処理容器内に収容され、被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体と、
上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、
上記処理容器を収容する処理室の上部に設けられた排気口と、処理容器内とを接続する循環管路と、
上記循環管路に介設され、上記処理室内に発生する熱媒体蒸気を処理容器内に供給するポンプと、
を具備することを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項４】
被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体を収容する処理容器と、
上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、
上記処理容器を収容する処理室の上部に設けられた排気口と、処理容器内とを接続する循環管路と、
上記循環管路に介設され、上記処理室内に発生する熱媒体蒸気を処理容器内に供給するポンプと、
を具備することを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載の基板熱処理装置において、
上記循環管路に介設され、熱媒体蒸気を気液分離する気液分離手段を更に具備することを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
上記処理容器の底部に設けられた貫通孔内を水密及び摺動可能に貫通して被処理基板を昇降可能に支持する支持ピンを更に具備することを特徴とする基板熱処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の基板熱処理装置において、
上記被処理基板が熱媒体に接触する際に、被処理基板の表面に熱媒体が侵入するのを阻止する枠部材を更に具備することを特徴とする基板熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば液晶表示デバイス等に使用されるＬＣＤガラス基板等の基板を熱処理する基板熱処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）等の製造においては、ＬＣＤ用のガラス基板上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）の薄膜や電極パターンを形成するために、半導体デバイスの製造に用いられるものと同様のフォトリソグラフィ技術が利用されている。このフォトリソグラフィ技術では、フォトレジストをガラス基板に塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成されている。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィ工程においては、レジスト塗布後の加熱処理（プリベーク）、露光後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーク）、現像処理後の加熱処理（ポストベーク）等の種々の加熱処理が施されている。
【０００４】
一般に、この種の加熱処理装置においては、その上方にガラス基板（以下に基板という）を載置し、基板を加熱する加熱プレートと、この加熱プレートを加熱する熱源であるヒータとを具備するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２０４４２８号公報（特許請求の範囲、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、実際に加熱処理する基板において、その形状が反っているため、従来のこの種の加熱処理装置を用いて加熱処理を行った場合には、加熱処理時における加熱プレートと基板の間の距離に不均一な部分が生じ、その不均一さが伝熱特性の変化を生じ、これが基板面内における温度のバラツキの要因となって製品歩留まりの低下をきたすという問題があった。
【０００６】
特に、近年、大型化の傾向にある基板の熱処理においては、加熱プレート自体が大型となり、加熱プレートの加工が面倒であるという問題もあった。
【０００７】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、構造を簡単にし、大型の基板を熱処理する場合にも基板の処理温度の面内均一性を図ると共に、製品歩留まりの向上を図れるようにした基板熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、請求項１記載の基板熱処理装置は、被処理基板を熱処理する処理容器内に収容され、被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体と、上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２記載の基板熱処理装置は、被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体を収容する処理容器と、上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
上記のように構成することにより、熱源によって所定の処理温度に温調された液状の熱媒体を被処理基板の下面全域に接触させた状態で、被処理基板に熱媒体から熱を伝達して熱処理を施すことができる。
【００１１】
また、請求項３記載の基板熱処理装置は、被処理基板を熱処理する処理容器内に収容され、被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体と、上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、上記処理容器を収容する処理室の上部に設けられた排気口と、処理容器内とを接続する循環管路と、上記循環管路に介設され、上記処理室内に発生する熱媒体蒸気を処理容器内に供給するポンプと、を具備することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４記載の基板熱処理装置は、被処理基板の下面全域に接触する液状の熱媒体を収容する処理容器と、上記熱媒体を所定の処理温度に温調する熱源と、上記処理容器を収容する処理室の上部に設けられた排気口と、処理容器内とを接続する循環管路と、上記循環管路に介設され、上記処理室内に発生する熱媒体蒸気を処理容器内に供給するポンプと、を具備することを特徴とする。
【００１３】
上記のように構成することにより、熱源によって所定の処理温度に温調された液状の熱媒体を被処理基板の下面全域に接触させた状態で、被処理基板に熱媒体から熱を伝達して熱処理を施すことができる他、蒸発して処理室の上部に滞留する熱媒体蒸気をポンプによって処理室外に排出すると共に、排出された熱媒体を循環管路により再度処理容器に戻すことができる。
【００１４】
また、請求項５記載の基板熱処理装置は、請求項３又は４記載の基板熱処理装置において、上記循環管路に介設され、熱媒体蒸気を気液分離する気液分離手段を更に具備することを特徴とする。
【００１５】
このように構成することにより、排出された熱媒体蒸気を気液分離した後、液状の熱媒体を循環管路により再度処理容器に戻すことができる。
【００１６】
また、請求項６記載の発明は、請求項１ないし５のいずれかに記載の基板熱処理装置において、上記処理容器の底部に設けられた貫通孔内を水密及び摺動可能に貫通して被処理基板を昇降可能に支持する支持ピンを更に具備することを特徴とする。
【００１７】
このように構成することにより、液状の熱媒体に下面が接触されるように配置される被処理基板の熱媒体に対する受け渡しを円滑に行うことができると共に、処理容器内から熱媒体が漏洩するのを防止することができる。
【００１８】
また、請求項７記載の発明は、請求項１ないし６のいずれかに記載の基板熱処理装置において、上記被処理基板が熱媒体に接触する際に、被処理基板の表面に熱媒体が侵入するのを阻止する枠部材を更に具備することを特徴とする。
【００１９】
このように構成することにより、熱処理の際に、被処理基板の表面に熱媒体が回り込むことなく、熱処理を行うことができる。
【発明の効果】
【００２０】
この発明の基板熱処理装置は、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００２１】
（１）請求項１，２記載の発明によれば、熱源によって所定の処理温度に温調された液状の熱媒体を被処理基板の下面全域に接触させた状態で、被処理基板に熱媒体から熱を伝達して熱処理を施すことができるので、構造が簡単な上、大型の被処理基板を熱処理する場合にも被処理基板の処理温度の面内均一性を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる。また、液状の熱媒体を用いるので、従来の熱板のような表面を平らに加工する必要がなく、調整しなくても常に表面を水平にすることができ、かつ、熱媒体上に浮いた被処理基板は表面張力によってスライドが抑制されるので、処理の安定化を図ることができる。
【００２２】
（２）請求項３，４記載の発明によれば、構造が簡単な上、大型の被処理基板を熱処理する場合にも被処理基板の処理温度の面内均一性を図ることができると共に、製品歩留まりの向上を図ることができる他、蒸発して処理室の上部に滞留する熱媒体蒸気をポンプによって処理室外に排出すると共に、排出された熱媒体を循環管路により再度処理容器に戻すことができるので、更に熱媒体の有効利用を図ることができる。また、熱処理中に処理室内に発生した熱媒体蒸気が被処理基板に付着するのを防止することができる。
【００２３】
（３）請求項５記載の発明によれば、循環管路に更に気液分離手段を介設することにより、排出された熱媒体蒸気を気液分離した後、液状の熱媒体を循環管路により再度処理容器に戻すことができるので、上記（２）に加えて、更に熱媒体の回収率を高めることができる。
【００２４】
（４）請求項６記載の発明によれば、上記（１）〜（３）に加えて、更に液状の熱媒体に下面が接触されるように配置される被処理基板の熱媒体に対する受け渡しを円滑に行うことができると共に、処理容器内から熱媒体が漏洩するのを防止することができる。
【００２５】
（５）請求項７記載の発明によれば、熱処理の際に、被処理基板の表面に熱媒体が回り込むことなく、熱処理を行うことができるので、上記（１）〜（４）に加えて、更に安全に熱処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板熱処理装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムに適用した場合について説明する。
【００２７】
図１は、この発明に係る基板熱処理装置を適用したＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図、図２は、その概略正面図、図３は、その概略背面図である。
【００２８】
上記レジスト塗布・現像処理システムは、図１ないし図３に示すように、複数の被処理基板であるＬＣＤガラス基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システムの長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、平面視に対して鉛直方向をＺ方向とする。
【００２９】
上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。
【００３０】
上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、この発明に係る基板熱処理装置を具備する第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及びこの発明に係る基板熱処理装置を具備する第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及びこの発明に係る基板熱処理装置を具備する第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、搬送ラインＡ，Ｂは、それぞれ複数の搬送ローラを列設したローラコンベアにて形成されている。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００３１】
なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３１，３２を有している。この場合、熱的処理ユニットブロック３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、基板Ｇにレジスト塗布前の加熱処理を施すこの発明に係る基板熱処理装置を適用したベーキングユニット（ＢＡＫＥ）が２段、ＨＭＤＳガスにより疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。一方、熱的処理ユニットブロック３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、基板Ｇに冷却処理を施すクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、アドヒージョンユニット（ＡＤ）が下から順に積層されている。これら２つの熱的処理ユニットブロック３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。
【００３２】
また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３４，３５を有している。この場合、熱的処理ユニットブロック３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、基板Ｇにレジスト塗布後の加熱処理を行うこの発明に係る基板熱処理装置を適用したプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）が３段積層されている。一方、熱的処理ユニットブロック３５は現像処理ユニット１４側に設けられており、クーリングユニット（ＣＯＬ）、露光後現像処理前の加熱処理を行うこの発明に係る基板熱処理装置を適用したポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。これら２つの熱的処理ユニットブロック３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。
【００３３】
また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック３７，３８を有している。この場合、熱的処理ユニットブロック３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇの現像後の加熱処理を行うこの発明に係る基板熱処理装置を適用したポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。一方、熱的処理ユニットブロック３８はカセットステーション１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３７と同様に、クーリングユニット（ＣＯＬ）、基板Ｇの現像後の加熱処理を行うこの発明に係る基板熱処理装置を適用したポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段、下から順に積層されている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。
【００３４】
なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。
【００３５】
このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。
【００３６】
上記レジスト処理ユニット１３は、図１及び図２に示すように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０と、このレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１と、基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ（ＥＲ）２２とを具備している。レジスト処理ユニット１３において、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０でレジストが塗布された基板Ｇは、一対の搬送アーム（図示せず）により減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１に搬入され、その後エッジリムーバ（ＥＲ）２２に搬入されて基板Ｇの周縁部のレジストが除去されるようになっている。また、エッジリムーバ（ＥＲ）２２と熱的処理ユニットブロック３４との間、及び熱的処理ユニットブロック３２とレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０との間には、それぞれ搬送アーム２３と同様な一対の搬送アーム（図示せず）が配設されている。
【００３７】
上記ベーキングユニット（ＢＡＫＥ），プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）にこの発明に係る基板熱処理装置が適用されている。以下に、この発明に係る基板熱処理装置について、第１の熱的処理ユニットセクション１６の熱的処理ブロック３１のベーキングユニット（ＢＡＫＥ）に適用した場合を参照して説明する。
【００３８】
◎第１実施形態
図４は、この発明に係る基板熱処理装置の第１実施形態を示す断面図、図５は、図４のＩ部拡大断面図である。
【００３９】
上記基板熱処理装置は、図４に示すように、ベーキングユニット（ＢＡＫＥ）の処理室５０内に収容される処理容器６０と、この処理容器６０内に収容され、基板Ｇの下面全域に接触して基板Ｇに熱を伝達する液状の熱媒体７０と、処理容器６０内に配設され、熱媒体７０を所定の熱処理温度例えば１００℃に温調する熱源であるヒータ８０を具備している。この場合、上記熱媒体７０には、融点が処理温度である１００℃より低く、沸点が処理温度である１００℃より高い温度である必要があり、例えばペンタノール（融点：−７８℃，沸点：１３８℃）やヘキサノール（融点：−４４℃，沸点：１５７℃）等の高沸点のアルコール等の液体、あるいは、ナトリウム（融点：９７．８１℃，沸点：８８２．９℃）や水銀（融点：−３８．８４℃，沸点：３５６．５８℃）等の液体金属を使用することができる。
【００４０】
上記処理室５０は、処理容器６０を収容する略箱状のケース５１と、ケース５１の上方に対向する一対の開口部５２を残して配設されるカバー５３と、各開口部５２をそれぞれ開閉するシャッタ５４と、各シャッタ５４を鉛直方向に昇降して開口部５２を開閉するシャッタ操作シリンダ５５とを具備している。なお、カバー５３の上部中央部には排気口５６が設けられている。
【００４１】
上記処理容器６０は、耐熱及び断熱性を有する材質例えばアルミニウム製ハニカム材やステンレス等にて形成されている。この処理容器６０の底部６１には、複数例えば９個の貫通孔６２が設けられており、これら貫通孔６２にそれぞれ耐熱性を有する、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）材と金属製ばねを組み合わせた複合材やフッ素系ゴム等にて形成されるシール部材６３を介して支持ピン６４が気水密にかつ摺動可能に貫通している。これら貫通孔６２と支持ピン６４は、上記Ｘ，Ｙ方向にそれぞれ平行な３列に配列されており、各支持ピン６４は、連結板６５に立設されている（図６参照）。また、連結板６５は、ケース５１の底部５１ａに立設された昇降シリンダ６６のピストンロッド６７に連結されている（図４参照）。
【００４２】
また、上記熱媒体７０の比重は、基板Ｇの比重と同等以上になっており、熱媒体７０の表面上に基板Ｇが浮上するようになっている。
【００４３】
上記のように構成することにより、昇降シリンダ６６の駆動によりピストンロッド６７が昇降すると、連結板６５を介して支持ピン６４が処理容器６０の底部６１及び液状の熱媒体７０を貫通して熱媒体７０の表面上方に出没する。そして、支持ピン６４が上昇位置に位置する状態で、第１の搬送機構３３との間で基板Ｇを受け渡し、支持ピン６４が下降位置に位置する状態で、基板Ｇを熱媒体７０の表面に載置（浮上）させる。この際、基板Ｇの周辺部が上方に反っていても、熱媒体７０の表面張力によって基板Ｇの下面全域に熱媒体７０が接触される（図５参照）。また、表面張力によって基板Ｇはスライドしずらくなるので、処理の安定化が図れる。
【００４４】
なお、上記ヒータ８０は、熱媒体７０の温度を検出する温度センサ９１と温度コントローラ９０によって所定の処理温度（１００℃）に温調されている。
【００４５】
次に、上記のように構成される基板熱処理装置の動作態様について説明する。まず、シャッタ５４が下降して、処理室５０の開口部５２が開放した状態において、第１の搬送機構３３によって基板Ｇが処理室５０内に搬入されると、昇降シリンダ６６の駆動によって支持ピン６４が上昇し、支持ピン６４が第１の搬送機構３３から基板Ｇを受け取る。その後、第１の搬送機構３３は処理室５０の外部へ退避する一方、シャッタ５４が上昇して開口部５２が閉塞される。次に、昇降シリンダ６６が作動して、支持ピン６４が下降して熱媒体７０中に移動すると、基板Ｇは熱媒体７０の表面に載置（浮上）される。この際、表面張力が作用して基板Ｇの下面全域が熱媒体７０に接触することにより、熱媒体７０の熱（１００℃）が基板Ｇに均一に伝達される。このようにして、所定の時間基板Ｇを熱媒体７０上に浮上させて熱処理を行う。これにより、基板Ｇの処理温度の面内均一性が図れる。
【００４６】
熱処理を所定時間行った後、昇降シリンダ６６が駆動して、支持ピン６４を上昇させて、基板Ｇを熱媒体７０の上方に移動させる一方、シャッタ５４が下降して開口部５２が開放した状態で、第１の搬送機構３３が処理室５０内に侵入して支持ピン６４によって支持されている基板Ｇを受け取って、基板Ｇを処理室５０の外方に搬送する。
【００４７】
なお、基板Ｇの熱処理を行う際に、処理容器６０の振動等によって熱媒体７０が基板Ｇの表面側に侵入する虞がある場合には、図７及び図８に示すように、処理容器６０の開口部６０ａの内方近傍に略矩形状の枠部材６８を配設して、基板Ｇの表面側に熱媒体７０が侵入するのを阻止するように構成する方が好ましい。この場合、枠部材６８は、耐熱性の部材例えばステンレス等にて形成されている。また、枠部材６８は、垂直基部６８ａの上下端にそれぞれ相反する水平方向に折曲する下部水平片６８ｂと上部水平片６８ｃを折曲した断面略クランク状に形成されており、下部水平片６８ｂの先端側上面には、基板Ｇとの接触をできるだけ少なくして基板Ｇを支持する凸条６８ｄが設けられている。なお、枠部材６８は、図示しない取付部材によって処理容器６０の上端部に取り付けられている。
【００４８】
上記のように構成することにより、基板Ｇを熱媒体７０の表面に浮上させて熱処理を行う際に、処理容器６０の振動等によって熱媒体７０の表面（液面）が波立って基板Ｇの表面側に侵入するのを枠部材６８の垂直基部６８ａによって阻止することができる。また、枠部材６８によって基板Ｇの位置決めを行うことができる。
【００４９】
◎第２実施形態
図９は、この発明に係る基板熱処理装置の第２実施形態を示す断面図である。
【００５０】
第２実施形態は、熱媒体７０が液体金属以外の場合において、熱媒体７０の再利用を図れるようにすると共に、熱処理中に処理室５０内に発生した蒸気による基板Ｇへの支障を防止するようにした場合である。
【００５１】
すなわち、第２実施形態は、図９に示すように、処理室５０のカバー５３の上部中央に設けられた排気口５６と、処理容器６０内（具体的には、処理容器６０の開口部６０ａ）に循環管路１００を接続し、循環管路１００における排気口５６側から順に、開閉弁１０１，排気ポンプ１０２及び気液分離手段である気液分離器１０３を介設した場合である。なお、処理室５０内の上部には、処理室５０内に搬入（収容）された基板Ｇの上部に位置して基板Ｇのほぼ全域を覆う天板１０４が配設されている。
【００５２】
上記のように構成することにより、基板Ｇの熱処理中に、処理室５０内に発生する熱媒体蒸気を排気ポンプ１０２によって処理室５０の外部に排出すると共に、気液分離器１０３によって液状の熱媒体と気体とに分離し、液状の熱媒体を処理容器６０内に供給することができる。これにより、熱媒体の有効利用を図ることができると共に、熱処理中に処理室５０内に発生した熱媒体蒸気が基板Ｇに付着するのを防止することができる。
【００５３】
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して、説明は省略する。
【００５４】
◎その他の実施形態
上記実施形態では、この発明に係る基板熱処理装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムにおけるベーキングユニット（ＢＡＫＥ）に適用した場合について説明したが、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）あるいはポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）においても同様に適用することができる。なお、ポストエクスポージャーベーキングユニット（ＰＥＢＡＫＥ）においては、熱媒体７０は１２０℃の処理温度に設定される。したがって、熱媒体７０は、融点が１２０℃より低く、沸点が１２０℃より高い液状熱媒体である必要がある。
【００５５】
また、この発明に係る基板処理装置は、ＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システム以外の熱処理にも適用できることは勿論である。
【００５６】
上記実施形態では、この発明に係る基板熱処理装置を加熱処理装置に適用した場合について説明したが、熱媒体の設定温度を、例えば２３℃以下等の低温側に設定すれば、この発明に係る基板熱処理装置を冷却処理にも適用できる。なお、冷却処理においては、熱源として、例えば処理容器６０内に配設される循環パイプに、処理容器６０の外部に配設された冷媒生成手段によって生成された冷媒を流通する構造のものを使用することができ、これにより、液状熱媒体を所定の処理温度に温調することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】この発明に係る基板熱処理装置を具備するレジスト塗布現像処理システムの一例を示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布現像処理システムの概略正面図である。
【図３】上記レジスト塗布現像処理システムの概略背面図である。
【図４】この発明に係る基板熱処理装置の第１実施形態を示す断面図である。
【図５】図４のＩ部拡大断面図である。
【図６】この発明における支持ピンを示す斜視図である。
【図７】この発明における枠部材を使用した状態を示す要部断面図である。
【図８】上記枠部材の要部斜視図である。
【図９】この発明に係る基板熱処理装置の第２実施形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
５０  処理室
５６  排気口
６０  処理容器
６２  貫通孔
６３  シール部材
６４  支持ピン
６６  昇降シリンダ
６８  枠部材
７０  液状熱媒体
８０  ヒータ（熱源）
１００  循環管路
１０２  排気ポンプ
１０３  気液分離器（気液分離手段）
Ｇ  基板（被処理基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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