(57)【要約】【課題】  半導体装置の信頼性を向上する。【解決手段】  配線基板３の上面３ａに第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂが形成され、第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して半導体チップ２が接合されている。半導体チップ２の電極２ａは、第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５にボンディングワイヤ４を介して電気的に接続されている。配線基板３の上面３ａに、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂５が形成されている。第１ソルダレジスト部１４ａの平面寸法は半導体チップ２の平面寸法よりも小さく、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方にも封止樹脂５が充填されている。【選択図】  図４
2006128455.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面と、前記第１主面に形成された複数の第１電極と、前記第１主面に形成された絶縁膜とを有する配線基板と、
互いに対向する表面および裏面を有し、前記表面には複数の第２電極が形成され、前記裏面が前記配線基板の前記第１主面に接合された半導体チップと、
前記配線基板の前記複数の第１電極と前記半導体チップの前記複数の第２電極とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを覆うように形成された封止樹脂と、
を有する半導体装置であって、
前記絶縁膜は、その上に前記半導体チップの前記裏面が接合された第１の絶縁膜部と、前記第１の絶縁膜部の外周に形成された第２の絶縁膜部とを有し、
前記半導体チップの前記裏面の外周部の下方に前記封止樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体チップの前記裏面の外周部の下方に前記第１の絶縁膜部が延在していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜部の平面寸法は前記半導体チップの平面寸法よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜部の厚みは、前記第２の絶縁膜部の厚みよりも厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１の絶縁膜部上に接着材を介して前記半導体チップの前記裏面が接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記接着材は前記半導体チップの前記裏面の外周部には延在していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体チップの端部は、前記第１の絶縁膜部と前記第２の絶縁膜部との間の領域の上方に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体チップの端部は、前記第２の絶縁膜の上方に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、
前記ボンディングワイヤは、前記配線基板の前記第１電極上に形成されたバンプに接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、
前記ボンディングワイヤは、先に前記配線基板の前記第１電極に接続されてから、前記半導体チップの前記第２電極に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１電極は前記第２の絶縁膜部の開口部から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置において、
前記第１電極の一部は前記第２の絶縁膜部が重なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記絶縁膜は、更に、前記第１の絶縁膜部と前記第２の絶縁膜部との間に形成された第３の絶縁膜部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２の絶縁膜部の内周の角部では、前記第２の絶縁膜部のパターンが前記半導体チップから遠ざかる方向に後退していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２の絶縁膜部は、その内周に、櫛歯状のパターンを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第１主面では、前記第１電極から前記配線基板の端部にかけて前記第２の絶縁膜部が形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記複数の第１電極は、電解めっき法を用いることなく、無電解めっき法を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体チップの前記第１主面上に搭載された他の半導体チップと、
前記他の半導体チップの複数の第３電極と前記複数の第１または第２電極とを電気的に接続する他の複数のボンディングワイヤと、
を更に有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第１主面に接合された複数の前記半導体チップを有し、
前記配線基板の前記第１主面には、複数の前記第１の絶縁膜部が形成され、
前記複数の半導体チップの裏面が、それぞれ、前記複数の第１の絶縁膜部に接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
（ａ）配線基板の第１主面上に半導体チップを搭載する工程、
（ｂ）前記配線基板の前記第１主面上の複数の第１電極と前記半導体チップの複数の第２電極とを複数のボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程、
を有し、
前記（ｂ）工程では、前記ボンディングワイヤの一端を前記配線基板の前記第１電極に接続してから、前記ボンディングワイヤの他端を前記半導体チップの前記第２電極に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップの前記第２電極にはバンプが形成されており、前記（ｂ）工程では、前記ボンディングワイヤの前記他端は、前記半導体チップの前記第２電極に形成されたバンプに接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程後に、更に、
（ｃ）前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを覆うように封止樹脂を形成する工程、
を有し、
前記配線基板は、前記配線基板の第１主面上に形成され、第１の絶縁膜部と前記第１の絶縁膜部の外周に形成された第２の絶縁膜部とを有する絶縁膜を有し、
前記（ａ）工程では、前記第１の絶縁膜部上に前記半導体チップの裏面が接合され、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップの前記裏面の外周部の下方に前記封止樹脂を形成するための材料が充填されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜部の平面寸法は前記半導体チップの平面寸法よりも小さく、
前記（ａ）工程で前記第１の絶縁膜部上に前記半導体チップの裏面を接合した際に、前記半導体チップの前記裏面の外周部の下方に前記第１の絶縁膜部が延在していないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記第１の絶縁膜部上に接着材を介して前記半導体チップの裏面が接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
（ａ）配線基板の第１主面上に半導体チップを搭載する工程、
（ｂ）前記配線基板の前記第１主面上の複数の第１電極と前記半導体チップの複数の第２電極とを複数のボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｃ）前記配線基板の前記第１主面上に前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを覆うように封止樹脂を形成する工程、
を有し、
前記配線基板は、前記配線基板の第１主面上に形成され、第１の絶縁膜部と前記第１の絶縁膜部の外周に形成された第２の絶縁膜部とを有する絶縁膜を有し、
前記（ａ）工程では、前記第１の絶縁膜部上に前記半導体チップの裏面が接合され、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップの前記裏面の外周部の下方に前記封止樹脂を形成するための材料が充填されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
（ａ）複数の単位基板領域を有する配線基板の第１主面の前記各単位基板領域上に半導体チップを搭載する工程、
（ｂ）前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上の複数の第１電極と前記半導体チップの複数の第２電極とを複数のボンディングワイヤを介して電気的に接続する工程、
（ｃ）前記配線基板の前記第１主面の前記複数の単位基板領域上に前記半導体チップおよび前記複数のボンディングワイヤを覆うように封止樹脂を形成する工程、
（ｄ）前記配線基板および前記封止樹脂を前記各単位基板領域に分割する工程、
を有し、
前記配線基板は、前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域上に形成された第１の絶縁膜部と、前記第１の絶縁膜部の外周に形成された第２の絶縁膜部とを前記第１主面に有し、
前記（ａ）工程では、前記配線基板の前記第１主面の前記各単位基板領域の前記第１の絶縁膜部上に前記半導体チップの裏面が接合され、
前記（ｃ）工程では、前記半導体チップの前記裏面の外周部の下方に前記封止樹脂を形成するための材料が充填されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、配線基板上に半導体チップが搭載された半導体装置およびその製造技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に半導体チップを搭載し、半導体チップの電極と配線基板の接続端子をボンディングワイヤで電気的に接続し、半導体チップおよびボンディングワイヤを樹脂封止し、配線基板の裏面に半田ボールを接続することで、半導体パッケージ形態の半導体装置が製造される。このような半導体装置には、例えば、ＣＳＰ（Chip Size Package）と呼ばれるチップサイズもしくは半導体チップより僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージがある。
【０００３】
特開２００３−９２３７４号公報（特許文献１）には、主面と主面上に形成される絶縁膜とその絶縁膜から露出し前記主面上に形成される電極とを有する配線基板と、配線基板の主面上の絶縁膜上に接着材を介して固定される半導体チップと、配線基板主面の電極と半導体チップの電極とを接続する導電性のワイヤと、半導体チップ、配線基板の主面および電極を覆う封止体とを有する半導体装置において、半導体チップと電極との間に絶縁膜をその深さ全域に亘って除去することで溝を形成し、接着材（絶縁性樹脂）の流出部分が溝内に溜まり溝を乗り越えず、電極には到達しないようにする技術が記載されている。
【特許文献１】特開２００３−９２３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者の検討によれば、新たに次のことが分かった。
【０００５】
ＣＳＰ形態の半導体装置のように、半導体パッケージが小型化すると、半導体チップの端部と配線基板の電極との距離が接近するようになる。配線基板に半導体チップを接着材で固定する場合、この接着材が配線基板の電極上に流出すると、その電極へのボンディングワイヤの接続不良が発生しやすくなり、配線基板の電極とボンディングワイヤとの間の電気的接続の信頼性が低下する可能性がある。
【０００６】
配線基板の主面上に形成される絶縁膜をその深さ全域に亘って除去することで半導体チップと電極との間に溝を形成する技術では、接着材（絶縁性樹脂）の流出部分が溝内に溜まり溝を乗り越えず、電極には到達しないようにすることができる。これにより、接着材流出に伴う不良発生を抑止することができる。
【０００７】
しかしながら、配線基板の主面上の絶縁膜上に接着材を介して半導体チップを固定する技術では、半導体チップの裏面における全面が配線基板の主面上の絶縁膜上に接着材を介して接合される。接着材と封止樹脂との密着性は、半導体チップと封止樹脂との密着性に比べて低い。そのため、塗布された接着材が半導体チップの外周部からはみ出す、あるいはチップの側面に濡れあがると、接着材と封止樹脂との接合面積が増加することから、封止樹脂の密着性が低下する。封止樹脂の密着性が低いと、半導体装置（半導体パッケージ）の信頼性や製造歩留りが低下する可能性がある。
【０００８】
また、半導体チップを固定するために使用される接着材が半導体チップの外周部よりもはみ出した位置まで到達していると、配線基板の電極を半導体チップの外周部により接近して配置することが困難であるため、更なる半導体装置の小型化が実現できない。
【０００９】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、半導体パッケージの小型化を実現できる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本発明は、配線基板の第１主面に第１の絶縁膜部とその外周の第２の絶縁膜部とが形成され、第１の絶縁膜部上に半導体チップの裏面が接合され、配線基板の第１主面上に半導体チップおよびボンディングワイヤを覆うように封止樹脂が形成され、半導体チップの裏面の外周部の下方にも封止樹脂が充填されたものである。
【００１４】
また、本発明は、半導体チップの電極と配線基板の電極との間をワイヤボンディングする際に、ボンディングワイヤの一端を配線基板の電極に接続してから、ボンディングワイヤの他端を半導体チップの電極に接続するものである。
【発明の効果】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１６】
半導体チップの裏面の外周部の下方にも封止樹脂が充填されるため、半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００１７】
また、半導体チップと封止樹脂との接合面積が増加するため、封止樹脂の密着性が向上し、半導体装置の製造歩留りを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションに分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２０】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２１】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置およびその製造工程を図面を参照して説明する。
【００２２】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の上面図、図２はその下面図、図３はその断面図（全体断面図）、図４はその要部断面図（部分拡大断面図）、図５はその側面図である。図１のＡ−Ａ線の断面が図３にほぼ対応し、図３の端部近傍領域の拡大図が図４にほぼ対応する。また、図６は、封止樹脂５を透視したときの半導体装置１の平面透視図（上面図）であり、図７は、封止樹脂５、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を透視したときの半導体装置１の平面透視図（上面図）、すなわち半導体装置１に用いられている配線基板３の上面図である。なお、図７では、半導体チップ２の外形を点線で示してある。また、図７は平面図であるが、理解を簡単にするために、第１ソルダレジスト部１４ａ、第２ソルダレジスト部１４ｂ、および第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５にハッチングを付してある。
【００２３】
図１〜図７に示される本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２が配線基板３に搭載（接合、接続、実装）された半導体装置（半導体パッケージ）であり、例えば、チップサイズもしくは半導体チップ２より僅かに大きい程度の小形の半導体パッケージであるＣＳＰ（Chip Size Package）形態の半導体装置である。
【００２４】
本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を支持または搭載する配線基板３と、半導体チップ２の表面の複数の電極（第２電極、ボンディングパッド、パッド電極）２ａとこれに対応する配線基板３の複数の接続端子（第１電極、ボンディングパッド、パッド電極）１５とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ４と、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を含む配線基板３の上面３ａを覆う封止樹脂（封止樹脂部、封止部、封止体）５と、配線基板３の下面３ｂに外部端子としてエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子）６とを有している。
【００２５】
半導体チップ２は、その厚さと交差する平面形状が正方形であり、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ２に分離したものである。半導体チップ２は、互いに対向する表面（半導体素子形成側の主面、上面）２ｂおよび裏面（半導体素子形成側の主面とは逆側の主面、下面）２ｃを有し、その表面２ｂが上方を向くように配線基板３上面（チップ支持面）３ａ上に配置され、半導体チップ２の裏面２ｃが配線基板３の上面３ａに接着材（ダイボンド材、接合材、接着剤）８を介して接着され固定されている。接着材８は、例えば絶縁性または導電性のペースト材などを用いることができる。接着材８の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。半導体チップ２の表面２ｂには、複数の電極２ａが形成されており、電極２ａは、半導体チップ２内部または表層部分に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。
【００２６】
配線基板３は、絶縁性の基材層（絶縁基板、コア材）１１と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂに形成された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層）１２と、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成された絶縁層（絶縁体層、絶縁膜）としてのソルダレジスト層（絶縁膜、半田レジスト層）１４とを有している。他の形態として、配線基板３を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板により形成することもできる。
【００２７】
導体層１２はパターン化されており、配線基板３の配線または配線層となる導体パターンである。導体層１２は、導電性材料からなり、例えばめっき法で形成された銅薄膜などにより形成することができる。基材層１１の上面１１ａの導体層１２により、ボンディングワイヤ４を接続するための接続端子（電極、ボンディングパッド、パッド電極）１５が複数形成され、基材層１１の下面１１ｂの導体層１２により、半田ボール６を接続するための導電性のランド（電極、パッド、端子）１６が複数形成されている。また、基材層１１には複数の開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７が形成されており、各開口部１７の側壁上にも導体層１２が形成されている。基材層１１の上面１１ａの接続端子１５は、基材層１１の上面１１ａの導体層１２（導体層１２からなる引き出し配線）、開口部１７の側壁上の導体層１２、および基材層１１の下面１１ｂの導体層１２を介して、基材層１１の下面１１ｂのランド１６に電気的に接続されている。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ４は、例えば金線などの金属細線からなる。
【００２８】
ソルダレジスト層１４は、導体層１２を保護する絶縁層（絶縁膜）としての機能を有しており、例えば有機系樹脂材料などの絶縁体材料からなる。また、ソルダレジスト層１４は、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上に導体層１２を覆うように形成されており、ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７の内部を埋めている。ソルダレジスト層１４が基材層１１の開口部１７を埋めているので、半導体チップ２を配線基板３に接合するための接着材８が開口部１７から配線基板３の下面３ｂ側に漏れてしまうのを防止することができ、また、開口部１７から半導体チップ２の裏面２ｃが露出してしまうのを防止することができる。また、配線基板３の導体層１２のうち、接続端子１５とランド１６とは、ソルダレジスト層１４（の開口部）から露出されている。また、基材層１１の上面１１ａおよび下面１１ｂ上のソルダレジスト層１４の厚みは、例えば２０〜３０μｍ程度とすることができる。
【００２９】
複数のランド１６は、配線基板３の下面３ｂにアレイ状に配置されている。各ランド１６の隣に開口部１７が形成されている。また、各ランド１６には半田ボール６が接続されている。このため、配線基板３の下面３ｂに複数の半田ボール６がアレイ状に配置されている。半田ボール６は、半導体装置１の外部端子として機能することができる。従って、半導体チップ２の複数の電極２ａは、複数のボンディングワイヤ４を介して配線基板３の複数の接続端子１５に電気的に接続され、更に配線基板３の導体層１２を介して配線基板３の複数のランド１６および複数のランド１６に接続された複数の半田ボール６に電気的に接続されている。なお、図２の半田ボール６の数と図６，図７の接続端子１５の数とは一致していないが、図１〜図７は半導体装置１の構造を模式的に示したものであり、半導体装置１における半田ボール６の数や接続端子１５の数は必要に応じて種々変更可能であり、半導体装置１における半田ボール６の数と接続端子１５の数とを同じにすることもでき、また異ならせることもできる。また、半導体チップ２の電極２ａと電気的に接続していない半田ボール６は、放熱用に用いることもできる。
【００３０】
本実施の形態では、配線基板３の上面３ａにソルダレジスト層１４が形成されているが、配線基板３の上面３ａのソルダレジスト層１４は、半導体チップ２の下方（すなわち配線基板３の上面３ａの中央部）に位置する第１ソルダレジスト部（第１の絶縁膜部）１４ａと、第１ソルダレジスト部１４ａの外周（周囲）に位置する（すなわち配線基板３の上面３ａの外周部に位置する）第２ソルダレジスト部（第２の絶縁膜部）１４ｂとを有している。第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間には、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出された領域（ダム領域）１８が存在している。従って、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとは、領域１８を挟んで離間している。領域１８では、接続端子１５と開口部１７の側壁上の導体層１２との間を接続するための引き出し配線（この引き出し配線も導体層１２からなるが、図６，図７の平面図では図示を省略している）も露出している。
【００３１】
半導体チップ２は、第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して接合（搭載、接続、固定、配置）されている。第２ソルダレジスト部１４ｂは、接続端子１５を露出するための開口部１９を有している。図６に示されるように、接続端子１５は略長方形状のパターン（導体パターン）を有しており、第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９は、接続端子１５用の導体パターンにオーバラップするように形成されている。このため、接続端子１５の一部（両端部）上に第２ソルダレジスト部１４ｂが重なっている。これにより、接続端子１５が剥離するのをより確実に防止し、半導体装置の信頼性をより向上させることができる。
【００３２】
第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５に、ボンディングワイヤ４が接続されている。接続端子１５へのボンディングワイヤ４の接続を容易または確実にするために、第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５の上面（ボンディングワイヤ４の接続面）には金めっき層（またはニッケルめっき層（下層側）と金めっき層（上層側）の積層膜）などが形成されている。また、第２ソルダレジスト部１４ｂには、パッケージインデックスとしての開口部２０ａも形成されている。第２ソルダレジスト部１４ｂに形成されたパッケージインデックスとしての開口部２０ａは、半導体装置１の製造工程中の位置決めや向きの認識などに用いることができる。
【００３３】
半導体チップ２は、配線基板３の上面３ａの第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して接合（搭載、接続、固定、配置）されているが、この第１ソルダレジスト部１４ａの平面寸法（面積）は、半導体チップ２の平面寸法（面積）よりも小さい。このため、半導体チップ２を搭載したとき、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部（周辺部、端部近傍領域）２ｄの下方には、第１ソルダレジスト部１４ａが延在（存在）していない。従って、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄおよび裏面２ｃの端部２ｆは、ソルダレジスト層１４が形成されていない領域１８上に位置することになる。また、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディング（接合）する際には、半導体チップ２よりも小さな寸法の第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を配置してそこに半導体チップ２が接合されるので、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄ上には接着材８が延在（存在）しない。従って、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディングしたとき、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方には接着材８およびソルダレジスト層１４が存在しない。すなわち、接着材８およびソルダレジスト層１４（第１ソルダレジスト部１４ａ）は半導体チップ２の側面２ｅ（端部２ｆ）よりも内側に存在するため、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄは露出された状態となる。このため、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間には空間（隙間）２１が形成される。空間２１の高さ方向の寸法（半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間の距離）Ｈ１は、第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１と、接着材８の厚みＴ２との合計にほぼ相当する（Ｈ１＝Ｔ１＋Ｔ２）。封止樹脂５を形成するとき（モールド工程）には、封止樹脂５を形成するための材料が半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１にも充填され、硬化（固化）した封止樹脂５が半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方を充填することとなり、硬化した封止樹脂５が半導体チップ２の表面２ｂと、半導体チップ２の側面２ｅと、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄとを覆うので、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）を高めることができ、半導体装置１の信頼性を向上させることができる。
【００３４】
封止樹脂５は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５を形成することもできる。封止樹脂５は、配線基板３の上面３ａ上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように形成されており、封止樹脂５により、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４が封止され、保護される。
【００３５】
図８は、第１の比較例の半導体装置１０１の要部断面図（部分拡大断面図）であり、図９は、第２の比較例の半導体装置２０１の要部断面図（部分拡大断面図）であり、図１０は、第３の比較例の半導体装置３０１の要部断面図（部分拡大断面図）であり、それぞれ本実施の形態の図４に対応する領域が示されている。
【００３６】
図８に示される第１の比較例の半導体装置１０１では、本実施の形態とは異なり、接続端子１５上を除く配線基板１０３の上面１０３ａの全面にソルダレジスト層１１４が形成されており、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方にも、ソルダレジスト層１１４が延在している。このため、第１の比較例の半導体装置１０１では、半導体チップ２を配線基板１０３上にダイボンディングしたときに、ペースト材などからなる接着材８が半導体チップ２の裏面２ｃの端部を越えて広がり、更にソルダレジスト層１１４の上面上を流れて接続端子１５上にまで接着材８が広がってしまう可能性がある。接続端子１５上にまで接着材８が広がってしまう（流出する）と、その接続端子１５へのボンディングワイヤ４の接続不良が発生しやすくなり、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性が低下する可能性がある。また、接続端子１５への接着材８の流出を防止するために半導体チップ２の端部と配線基板３の接続端子１５との距離を長くすることも考えられるが、これは、半導体装置の大型化（大面積化）を招いてしまう。
【００３７】
図９に示される第２の比較例の半導体装置２０１では、配線基板２０３の上面２０３ａに第１ソルダレジスト部２１４ａと第２ソルダレジスト部２１４ｂとからなるソルダレジスト層２１４が形成されており、第１ソルダレジスト部２１４ａと第２ソルダレジスト部２１４ｂとの間には、ソルダレジスト層２１４が形成されずに配線基板２０３の基材層１１が露出した領域（ダム領域）２１８が存在しているが、本実施の形態とは異なり、第１ソルダレジスト部２１４ａの平面寸法（面積）は、半導体チップ２の平面寸法（面積）よりも大きく、半導体チップ２の裏面２ｃ全面の下方に第１ソルダレジスト部２１４ａが延在（存在）している。第２の比較例の半導体装置２０１では、半導体チップ２を配線基板２０３上にダイボンディングしたときには、第１ソルダレジスト部２１４ａと第２ソルダレジスト部２１４ｂとの間にソルダレジスト層２１４がなく基材層１１が露出した領域（ダム領域）２１８を設けたことにより、ペースト材などからなる接着材８が領域２１８を越えて第２ソルダレジスト部２１４ｂ上にまで広がってしまうのを防止することができる。これにより、接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのを防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。
【００３８】
しかしながら、図９に示される第２の比較例の半導体装置２０１では、第１ソルダレジスト部２１４ａの平面寸法（面積）が半導体チップ２の平面寸法（面積）よりも大きく、半導体チップ２の裏面２ｃ全面が接着材８を介して第１ソルダレジスト部２１４ａに接着されている。封止樹脂５と接着材８との密着性（接着強度）は、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）に比較して低い。このため、第２の比較例の半導体装置２０１では、封止樹脂５が半導体チップ２の表面２ｂおよび側面２ｅを覆うが、封止樹脂５は半導体チップ２の裏面２ｃは覆わず、半導体チップ２と封止樹脂５の接合面積が本実施の形態１（の半導体装置１）よりも小さいため、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）が本実施の形態１（の半導体装置１）よりも比較的低くなる可能性がある。更には、半導体チップ２を固定するために使用される接着材８が半導体チップ２の外周部よりもはみ出した位置まで到達していると、配線基板２０３上の接続端子１５を半導体チップ２の外周部により接近して配置することが困難であるため、本実施の形態１（の半導体装置１）に比較して半導体装置２０１の小型化が実現できない。
【００３９】
図１０に示される第３の比較例の半導体装置３０１では、第２の比較例の半導体装置２０１よりも接着材８の塗布領域や塗布量を少なくしている。これにより、半導体チップ２を配線基板２０３の上面２０３ａの第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して接合したときに、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方に接着材８が延在（存在）せず、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板２０３の上面２０３ａとの間に空間（隙間）２２１を形成することができる。これにより、封止樹脂５を形成するときには、封止樹脂５を形成するための材料を空間２２１にも充填可能となり、硬化した封止樹脂５が半導体チップ２の表面２ｂと、半導体チップ２の側面２ｅと、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄとを覆い、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）を高めることができる。
【００４０】
しかしながら、図１０に示される第３の比較例の半導体装置３０１では、接着材８の塗布領域や塗布量を調節することにより半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板２０３の上面２０３ａとの間に空間２２１を形成しているので、接着材８の塗布量が少な過ぎて半導体チップ２と配線基板２０３の接合強度が低下したり、あるいは接着材８の塗布量が多過ぎて半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板２０３の上面２０３ａとの間に空間２２１を形成できない可能性がある。このため、ダイボンディング工程の管理が容易ではなく、製品ごとのばらつきが大きくなる。また、半導体チップ２よりも平面寸法（面積）が小さなダイボンドフィルムを接着材８として用いることで、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板２０３の上面２０３ａとの間に空間２２１を形成することも考えられるが、ダイボンドフィルムはペースト型の接着材よりも高価であり、半導体装置の製造コストの増大を招く可能性がある。
【００４１】
また、図１０に示される第３の比較例の半導体装置３０１では、本実施の形態とは異なり、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方に第１ソルダレジスト部２１４ａが延在しているので、半導体チップ２を配線基板２０３上にダイボンディングしたときに、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板２０３の上面２０３ａとの間に形成される空間２２１の高さ方向の寸法Ｈ２が低く（小さく）なる。空間２２１の高さ方向の寸法Ｈ２は、接着材８の厚みＴ２にほぼ相当する（Ｈ２＝Ｔ２）。接着材８の厚みが例えば２０〜３０μｍ程度であれば、空間２２１の高さ方向の寸法Ｈ２も２０〜３０μｍ程度となる。半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２２１の高さ方向の寸法Ｈ２が小さいので、封止樹脂５を形成するときに、封止樹脂５を形成するための材料に含まれるフィラーなどが、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２２１に侵入しにくくなり、空間２２１を充填した封止樹脂５の成分比と、他の領域の封止樹脂５の成分比とが不均一化するなどして、硬化した封止樹脂５と半導体チップ２との密着性（接着強度）が低下する可能性がある。
【００４２】
それに対して、本実施の形態では、配線基板３の上面３ａには、その上に接着材８を介して半導体チップ２を接合する第１ソルダレジスト部（第１の絶縁膜部）１４ａと、第１ソルダレジスト部１４ａの周囲（外周）に設けられ、その開口部１９から接続端子１５を露出する第２ソルダレジスト部（第２の絶縁膜部）１４ｂとが形成されている。第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間には、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出する領域（ダム領域）１８が存在している。このため、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディングしたときには、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間にソルダレジスト層１４がなく基材層１１が露出した領域（ダム領域）１８を設けたことにより、接着材８が領域１８を越えて第２ソルダレジスト部１４ｂ上にまで広がってしまうのを防止することができる。これにより、接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのを防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。また、たとえ流動性が比較的高いペースト型の接着材（接合材）を接着材８として用いたとしても、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間にソルダレジスト層１４がない領域（ダム領域）１８を設けたことにより、ペースト材からなる接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのを防止することができるので、ダイボンドフィルムよりも相対的に廉価なペースト型の接着材を接着材８として用いることが可能になり、半導体装置の製造コストの低減に有利である。また、配線基板３の接続端子１５を半導体チップ２の外周部により接近して配置することが可能になるので、半導体装置の更なる小型化が可能になる。
【００４３】
更に、本実施の形態では、第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して半導体チップ２が搭載され固定されているが、この第１ソルダレジスト部１４ａの平面寸法（面積）は、半導体チップ２の平面寸法（面積）よりも小さい。このため、半導体チップ２を配線基板３の上面３ａの第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して接合したときに、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方には第１ソルダレジスト部１４ａおよび接着材８が延在（存在）せず、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に空間２１が形成される。このため、封止樹脂５を形成するときには、封止樹脂５を形成するための材料がこの空間２１にも充填され、硬化した封止樹脂５が半導体チップ２の表面２ｂと、半導体チップ２の側面２ｅと、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄとを覆うので、半導体チップ２と封止樹脂５との接合面積が増加するため、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）を高めることができ、半導体装置１の信頼性を向上させることができる。本実施の形態のように、半導体チップ２の裏面２ｃ側にも封止樹脂５を回り込ませ、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間を封止樹脂５で満たす（充填する）ことにより、半導体チップ２の表面２ｂおよび裏面２ｃの両面（と側面２ｅと）で封止樹脂５により半導体チップ２をしっかりと封止することができ、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性を高め、半導体チップ２と封止樹脂５との間に剥離などが生じるのをより的確に防止することができる。
【００４４】
更に、本実施の形態では、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に形成される空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１は、第３の比較例の半導体装置３０１の空間２２１の高さ方向の寸法Ｈ２よりも、第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１の分だけ大きくすることができる（Ｈ１＞Ｈ２）。例えば、接着材８の厚みＴ２が２０〜３０μｍ程度で、第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１が２０〜３０μｍ程度であれば、空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１は４０〜６０μｍ程度にすることができる。このように、本実施の形態では、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１を比較的大きくすることができるので、封止樹脂５を形成するとき（モールド工程）に、封止樹脂５を形成するための材料に含まれるフィラーなどが、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１に侵入しやすく、空間２１を充填した封止樹脂５の成分比と、他の領域の封止樹脂５の成分比とが均一化される。これにより、硬化した封止樹脂５と半導体チップ２との密着性（接着強度）をより向上させ、半導体装置１の信頼性をより向上することができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、第２ソルダレジスト部１４ｂの内周部（第１ソルダレジスト部１４ａに対向する第２ソルダレジスト部１４ｂの内周部、半導体チップ２の四辺に対向する第２ソルダレジスト部１４ｂの内周部）の角部（四隅、コーナー部）では、第２ソルダレジスト部１４ｂのパターンを半導体装置１の外周方向に（すなわち半導体チップ２から遠ざかる方向に）後退させている。すなわち、第２ソルダレジスト部１４ｂの内周部の角部（四隅）に、ソルダレジストが形成されずに基材層１１が露出したソルダレジスト後退部２０ｂを設けている。
【００４６】
第２ソルダレジスト部１４ｂの内周部の角部（四隅）で第２ソルダレジスト部１４ｂのパターンを後退させる（すなわちソルダレジスト後退部２０ｂを設ける）ことで、封止樹脂５をトランスファモールド工程などによって形成する際に、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間の空間２１から空気が抜けやすくなり、封止樹脂５を形成するための材料の流動性が向上し、上記空間２１への封止樹脂の充填性をより向上させることができる。このため、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）をより向上させることができ、半導体装置１の信頼性をより向上させることができる。
【００４７】
図１１は、他の形態の半導体装置１ａの要部断面図であり、図１２は、その平面透視図（上面図）である。図１１は、上記図４に対応する。また、図１２は、上記図７に対応し、封止樹脂５、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を透視したときの半導体装置１ａの平面透視図（上面図）、すなわち半導体装置１ａに用いられている配線基板３の上面図が示されている。なお、図１２では、半導体チップ２の外形を点線で示してある。また、図１２は平面図であるが、理解を簡単にするために、第１ソルダレジスト部１４ａ、第２ソルダレジスト部１４ｂ、および第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５にハッチングを付してある。
【００４８】
上記半導体装置１では、半導体チップ２の裏面２ｃの端部２ｆ（半導体チップ２の側面２ｅ）は、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出する領域（ダム領域）１８上に位置していたが、図１１および図１２に示される半導体装置１ａでは、半導体チップ２の裏面２ｃの端部２ｆ（半導体チップ２の側面２ｅ）は、第２ソルダレジスト部１４ｂ上に位置している。半導体装置１ａの他の構成は上記半導体装置１とほぼ同様である。
【００４９】
半導体装置１ａも半導体装置１とほぼ同様の効果を得ることができ、本発明の半導体装置に含むものとする。ただし、半導体装置１のように半導体チップ２の裏面２ｃの端部２ｆ（半導体チップ２の側面２ｅ）が領域（ダム領域）１８上に位置している場合の方が、半導体装置１ａのように半導体チップ２の裏面２ｃの端部２ｆ（半導体チップ２の側面２ｅ）が第２ソルダレジスト部１４ｂ上に位置している場合よりも、半導体チップ２を配線基板３の上面３ａにダイボンディングしたときに半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に形成される空間２１をより広くすることができ、封止樹脂５を形成するときにフィラーなどが半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１に侵入しやすくなるので、空間２１を満たす封止樹脂５の成分比と、他の領域の封止樹脂５の成分比とをより均一にすることができる。このため、半導体装置１は、封止樹脂５と半導体チップ２との密着性（接着強度）向上や信頼性の向上により有利である。一方、半導体装置１ａのように半導体チップ２の裏面２ｃの端部２ｆ（半導体チップ２の側面２ｅ）の下方に第２ソルダレジスト部１４ｂを延在させることで、接続端子１５を半導体チップ２側により近づけることが可能になる。このため、半導体装置１ａは、小型化（小面積化）により有利である。
【００５０】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法を、図面を参照して説明する。図１３〜図２０は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の断面図である。図２１〜図２３は、本実施の形態の半導体装置１の製造に用いられる配線基板３１の製造工程の一例を模式的に示す平面図（上面図）である。図２４は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図であり、図１４と同じ工程段階（ダイボンディング工程）に対応する。図２５は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の平面図（上面図）であり、図１５と同じ工程段階に対応する。図２６，図２７は、ワイヤボンディング工程の説明図（要部断面図）である。図２８は、本実施の形態の半導体装置の製造工程中の要部断面図であり、図１６と同じ工程段階（モールド工程）に対応する。また、図２１〜図２８には、後述する切断工程で配線基板３１を切断するダイシング領域（ダイシングライン）３９も示してある。
【００５１】
なお、本実施の形態では、複数の配線基板３がアレイ状に繋がって形成された多数個取りの配線基板（配線基板母体）３１を用いて個々の半導体装置１を製造する場合について説明する。この配線基板３１は、上記配線基板３の母体であり、配線基板３１を後述する切断工程で切断し、各半導体装置領域（基板領域、単位基板領域）３２に分離したものが半導体装置１の配線基板３に対応する。配線基板３１は、そこから１つの半導体装置１が形成される領域である半導体装置領域（基板領域、単位基板領域）３２がマトリクス状に複数配列した構成を有している。
【００５２】
まず、配線基板３１を準備する。配線基板３１は例えば次のようにして製造することができる。
【００５３】
コア材としての絶縁性の基材層１１の上面１１ａおよび下面上に無電解めっき（無電界めっき）法により無電解銅めっき層を形成し、この無電解銅めっき層をエッチングなどによりパターニングする。それから、無電解銅めっき層上に電解めっき（電界めっき）法により電解銅めっき層を形成し、銅層の厚みを厚くする。この無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜（銅層）によって、上記導体層１２を形成することができる。図２１には、スルーホール用の導体パターン３３と接続端子１５（用の導体パターン）とが、基材層１１の上面に、無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜（導体層１２）によって形成された状態が示されている。接続端子１５と導体パターン３３とは、基材層１１の上面１１ａに形成された無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜（導体層１２）からなる引き出し配線（図示省略）によって電気的に接続されている。また、図示はしないけれども、基材層１１の下面には、ランド１６も、無電解銅めっき層および電解銅めっき層の積層膜によって形成されている。また、電解めっき法を用いるので、基材層１１の上面１１ａには、めっき配線（給電線）３４も形成されており、このめっき配線３４を介して所定の電位（電力）を供給して、無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成することができる。
【００５４】
次に、図２２に示されるように、基材層１１に開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７を形成する。開口部１７は、スルーホール用の導体パターン３３の内側に形成される。
【００５５】
次に、無電解めっき法により開口部１７の側壁上に無電解銅めっき層を形成する。この基材層１１の開口部１７の側壁上に形成された無電解銅めっき層が、開口部１７の側壁上に形成された上記導体層１２となる。それから、図２３に示されるように、印刷法などを用いてソルダレジスト層１４を基材層１１の上面１１ａおよび下面上に開口部１７内を埋めるように形成する。これにより、基材層１１の上面１１ａには、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂが形成される。基材層１１の上面１１ａでは、接続端子１５がソルダレジスト層１４（第２ソルダレジスト部１４ｂ）の開口部から露出し、基材層１１の下面では、ランド１６がソルダレジスト層１４の開口部から露出する。次に、基材層１１の上面１１ａおよび下面上の銅めっき層の露出部（すなわち接続端子１５およびランド１６）上に、ニッケルめっき層および金めっき層を電解めっき法により順に形成する。その後、必要に応じて基材層１１を外形加工（切断）して配線基板３１を形成することができる。このようにして準備された配線基板３１は、後述する配線基板３１の切断工程で分割されて配線基板３となる半導体装置領域（基板領域、単位基板領域）３２を複数有しており、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２に形成された第１ソルダレジスト部１４ａと、この第１ソルダレジスト部１４ａの外周に形成された第２ソルダレジスト部１４ｂとを有している。
【００５６】
上記のようにして準備（製造）された配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２上に、図１４および図２４に示されるように、半導体チップ２を接着材８を介して接合（ダイボンディング、チップマウント）する。このダイボンディング工程では、例えば、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２の第１ソルダレジスト部１４ａ上に熱硬化性の接着材８を塗布してチップ固定用の接着層を第１ソルダレジスト部１４ａ上に形成し、接着材８上に半導体チップ２を載置し、加熱などにより接着材８を硬化して、半導体チップ２の裏面２ｃと第１ソルダレジスト部１４ａとを接着材８を介して接合する。半導体チップ２のダイボンディング工程では、上記のように、半導体チップ２よりも平面寸法（面積）が小さな第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して半導体チップ２を接合しているので、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方にはソルダレジスト層１４（第１ソルダレジスト部１４ａおよび第２ソルダレジスト部１４ｂ）や接着材８が延在（存在）しない。このため、半導体チップ２を配線基板３１の各半導体装置領域３２上に接合したときに、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に空間２１が形成され、この空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１は、第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１と、接着材８の厚みＴ２との合計にほぼ相当する（Ｈ１＝Ｔ１＋Ｔ２）ものになり、空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１を比較的大きくすることができる。例えば、接着材８の厚みＴ２が２０〜３０μｍ程度で、第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１が２０〜３０μｍ程度であれば、空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１は４０〜６０μｍ程度にすることができる。
【００５７】
次に、図１５および図２５に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ２の各電極２ａと、これに対応する配線基板３１に形成された接続端子１５とをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの各半導体装置領域３２上の複数の接続端子１５とその半導体装置領域３２上に接合された半導体チップ２の複数の電極２ａとを複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続する。例えば、ワイヤボンディング装置を用い、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）する。
【００５８】
このワイヤボンディング工程においては、他の形態として、図２６の要部断面図に示されるように、まず配線基板３１の接続端子１５に金（Ａｕ）などからなるスタッドバンプ（バンプ電極、バンプ）３５を形成した後、図２７に示されるように、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続してから、配線基板３１の接続端子１５上に形成したスタッドバンプ３５にボンディングワイヤ４の他端を接続することもできる。接続端子１５を半導体チップ２に比較的近い位置に形成し、あるいは比較的厚い半導体チップ２を用いるなどして、ボンディングワイヤ４と接続端子１５とが為す角度が急に（例えば垂直に近く）なり、ボンディングワイヤ４に対する折り曲げストレスが大きくなったとしても、接続端子１５上にスタッドバンプ３５を形成し、このスタッドバンプ３５にボンディングワイヤ４を接続したことによりボンディングワイヤ４と接続端子１５（スタッドバンプ３５）との間の接続強度を向上でき、ボンディングワイヤ４の接続端子１５（スタッドバンプ３５）からの剥がれを抑制または防止することができる。このため、接続端子１５から半導体チップ２までの距離を小さくすることができ、半導体装置１の平面寸法を低減することが可能になる。また、厚みが比較的厚い半導体チップ２の使用も可能になり、半導体チップ２に対する選択の幅を広くすることができる。
【００５９】
ワイヤボンディング工程の後、図１６および図２８に示されるように、モールド工程（例えばトランスファモールド工程）による樹脂封止を行って封止樹脂５ａ（封止部）を形成し、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を封止樹脂５ａによって封止する。このモールド工程では、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２を封止樹脂５ａで一括して封止する一括封止を行う。すなわち、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２上に半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を覆うように封止樹脂５ａを形成する。このため、封止樹脂５ａは、配線基板３１の上面３１ａの複数の半導体装置領域３２を覆うように形成される。封止樹脂５ａは、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂５ａを形成することができる。
【００６０】
このモールド工程では、封止樹脂５ａを形成するための材料は、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１にも充填される。本実施の形態では、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１が比較的大きいので、モールド工程で、封止樹脂５ａを形成するための材料に含まれるフィラーなどが、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１に侵入しやすく、空間２１を満たした（充填した）封止樹脂５ａの成分比と、他の領域の封止樹脂５ａの成分比とが均一化されるので、硬化した封止樹脂５ａと半導体チップ２との密着性（接着強度）をより向上させることができる。
【００６１】
次に、図１７に示されるように、配線基板３１の下面３１ｂのランド１６に半田ボール６を接続（接合）する。例えば、配線基板３１の下面３１ｂを上方に向け、配線基板３１の下面３１ｂの複数のランド１６上に複数の半田ボール６を配置してフラックスなどで仮固定し、リフロー処理（半田リフロー処理、熱処理）を行って半田を溶融し、半田ボール６と配線基板３１の下面３１ｂのランド１６とを接合することができる。その後、必要に応じて洗浄工程を行い、半田ボール６の表面に付着したフラックスなどを取り除くこともできる。このようにして、半導体装置１の外部端子としての半田ボール６が接合される。なお、本実施の形態では、半導体装置１の外部端子として半田ボール６を接合する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば半田ボール６の代わりに印刷法などによりランド１６上に半田を供給して半導体装置１の外部端子（バンプ電極）を形成することもできる。また、半導体装置１はＢＧＡ（Ball Grid Array）形態の半導体装置として説明したが、これに限定されるものではなく、半田ボール６の形成を省略し、半導体装置１をＬＧＡ（Land Grid Array）形態の半導体装置とすることもできる。また、半導体装置１の外部端子（ここでは半田ボール６）の材質は、鉛含有半田や鉛を含有しない鉛フリー半田を用いることができ、また、めっき（例えば金めっきやＰｄめっきなど）により半導体装置１の外部端子（バンプ電極）を形成することもできる。
【００６２】
次に、図１８に示されるように、マーキングを行って、封止樹脂５ａの表面に製品番号などのマークを付す。例えば、レーザ３６によりマーキングを行うレーザマークを行うことができるが、インクによりマーキングを行うインクマークを行うこともできる。また、図１７の半田ボール６の接続工程と図１８のマーキング工程の順番を入れ換え、図１８のマーキング工程を行った後に、図１７の半田ボール６の接続工程を行うこともできる。
【００６３】
次に、図１９に示されるように、封止樹脂５ａの上面をパッケージ固定テープ３７に貼り付け、配線基板３１およびその上に形成された封止樹脂５ａをダイシング領域（ダイシングライン）３９に沿ってダイシングブレード３８などにより切断（ダイシング）して、それぞれの半導体装置領域（ＣＳＰ領域）を個々の（個片化された）半導体装置１（ＣＳＰ）に切断分離する。すなわち、配線基板３１および封止樹脂５ａを各半導体装置領域３２に切断して分割する。このように、切断・個片化を行って、図１〜図７に示されるような半導体装置１を製造することができる。各半導体装置領域３２に切断され分離（分割）された配線基板３１が配線基板３に対応し、各半導体装置領域３２に切断され分離（分割）された封止樹脂５ａが封止樹脂５に対応する。
【００６４】
図２９は、上記のようにして製造された半導体装置１の端部近傍領域の他の要部断面図（部分拡大断面図）であり、図４とは異なる領域の断面が示されている。上記のように、配線基板３（配線基板３１）の導体層１２を電解めっき法を用いて形成しているので、配線基板３を構成する基材層１１の上面１１ａ周辺部（基材層１１の上面１１ａの端部と接続端子１５との間）には、めっき配線３４が存在している。本実施の形態では、このめっき配線３４上はソルダレジスト層１４（第２ソルダレジスト部１４ｂ）で覆われており、めっき配線３４と封止樹脂５とは接触しないようになっている。
【００６５】
本実施の形態とは異なり、めっき配線３４上にソルダレジスト層１４が形成されていない場合、接続端子１５上に金めっき層を形成した際に、めっき配線３４上にも金めっき層が形成され、封止樹脂５（封止樹脂５ａ）を形成した際には、上面に金めっき層が形成されためっき配線３４と封止樹脂５とが直接接触してしまう。この場合、封止樹脂５と電解金めっき層の密着性はソルダレジスト層１４と封止樹脂５との密着性よりも低いため、めっき配線３４と封止樹脂５における密着性が低下する。この密着性が低い界面（めっき配線３４と封止樹脂５との界面）は個片化後に半導体装置の側面で露出するので、その界面から湿気（水分）が進入する吸湿不良を引き起こす。この吸湿不良により封止樹脂５の密着性の低下による剥離や、湿気によるボンディングワイヤ４の錆や酸化が生じ、半導体装置の信頼性が低下する可能性がある。
【００６６】
本実施の形態では、配線基板３（配線基板３１）の導体層１２を電解めっき法を用いて形成した場合には、めっき配線３４上をソルダレジスト層１４（第２ソルダレジスト部１４ｂ）で覆うことで、めっき配線３４と封止樹脂５とが接触しないようにし、密着性が低い界面が半導体装置の側面に形成されないようにするので、半導体装置の側面からの吸湿不良を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００６７】
（実施の形態２）
図３０は、本発明の他の実施の形態である半導体装置１ｂの製造工程中の要部断面図であり、上記実施の形態１の図４にほぼ対応する領域が示されている。図３１および図３２は、本実施の形態のワイヤボンディング工程の説明図（要部断面図）である。
【００６８】
本実施の形態の半導体装置１ｂの製造工程は、ワイヤボンディング工程以外は上記実施の形態１とほぼ同様であるのでここではその説明は省略し、本実施の形態の半導体装置１ｂの製造工程におけるワイヤボンディング工程について説明する。
【００６９】
上記実施の形態１では、先に半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）しているが、本実施の形態では、先に配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。
【００７０】
すなわち、まず、図３１に示されるように、ボンディングワイヤ４形成用のワイヤボンディング装置のキャピラリ４１に保持された金（Ａｕ）などからなるボンディングワイヤ４の先端を超音波を印加しながら配線基板３１の接続端子１５表面に押し付けて接続する。それから、図３２に示されるように、キャピラリ４１を上方に引き上げてから横方向に移動させ、ボンディングワイヤ４を半導体チップ２の電極２ａの表面に超音波を印加しながらこすりつけて接続してからボンディングワイヤ４を切断する。これにより、配線基板３１の接続端子１５と半導体チップ２の電極２ａとをボンディングワイヤ４を介して電気的に接続することができる。このようにしてワイヤボンディングを行うことで、図３０に示される半導体装置１ｂを製造することができる。
【００７１】
図３３は、本実施の形態とは異なり、先に半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）する様子を示す要部断面図である。図３３に示されるように、先に半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の一端を接続する場合は、セカンドボンディングを行うためにキャピラリ４１を接続端子１５上に移動するときにキャピラリ４１と半導体チップ２との間にボンディングワイヤ４が位置することになる。このため、配線基板３１の接続端子１５を半導体チップ２に近づけ過ぎると、ボンディングワイヤ４が半導体チップ２と接触してしまう可能性がある。
【００７２】
それに対して、本実施の形態では、図３１および図３２に示されるように、先に配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）してから、半導体チップ２の電極２ａにボンディングワイヤ４の他端を接続（セカンドボンディング）している。すなわち、配線基板３１の接続端子１５へのファーストボンディングを行った後、キャピラリ４１を上方に引き上げてから横方向に移動させ、半導体チップ２の電極２ａへのセカンドボンディングを行うことができる。このため、セカンドボンディングを行うためにキャピラリ４１を半導体チップ２の電極２ａ上に移動するときに、キャピラリ４１と半導体チップ２との間にボンディングワイヤ４が位置しない。従って、配線基板３１の接続端子１５を半導体チップ２に近づけても、ボンディングワイヤ４が半導体チップ２と接触してしまうのを防止することができる。これにより、半導体装置の信頼性を高めることができる。また、配線基板３１の接続端子１５を半導体チップ２により近づけることが可能になるので、半導体装置を小型化（小面積化）することができる。
【００７３】
また、ワイヤボンディング工程では、セカンドボンディングに比較してファーストボンディングの方が、接続に要する電極面積を小さくすることができる。本実施の形態では、先に配線基板３１の接続端子１５にボンディングワイヤ４の一端を接続（ファーストボンディング）することにより、接続端子１５の面積を小さくすることが可能になり、第２ソルダレジスト部１４ｂの接続端子１５露出用の開口部１９を小さくすることができる。すなわち、キャピラリ４１に保持されたボンディングワイヤ４の先端を超音波を印加しながら配線基板３１の接続端子１５表面に押し付けて接続（ファーストボンディング）してから、キャピラリ４１を上方に引き上げるので、接続端子１５を小さくすることができ、第２ソルダレジスト部１４ｂの接続端子１５露出用の開口部１９を小さくすることができる。例えば、接続端子１５の長さ（接続端子１５の延在方向の長さ）Ｌ１、すなわち第２ソルダレジスト部１４ｂの接続端子１５露出用の開口部１９の長さＬ１を、好ましくは１２０μｍ以下（Ｌ１≦１２０μｍ）、より好ましくは１００μｍ以下（Ｌ１≦１００μｍ）にすることができる。これにより、半導体装置の小型化（小面積化）が可能になる。
【００７４】
また、図３１および図３２の要部断面図に示されるように、半導体チップ２の電極２ａに金（Ａｕ）などからなるスタッドバンプ（バンプ電極、バンプ）４２を形成しておき、セカンドボンディングの際には、半導体チップ２の電極２ａ上のスタッドバンプ４２にボンディングワイヤ４を接続すれば、より好ましい。これにより、ボンディングワイヤ４と半導体チップ２の電極２ａとの接続強度を向上することができる。また、半導体チップ２の電極２ａへのセカンドボンディングの際に半導体チップ２に与えられるストレスを低減することができる。
【００７５】
さらには、ボンディングワイヤ４と半導体チップ２（半導体チップの表面側における端部２ｆ）との距離が大きく取れるので、半導体チップ２の裏面２ｃ側への封止樹脂５の流動性が、図３３に示すようにワイヤボンディングする場合よりも向上できる。
【００７６】
（実施の形態３）
図３４は、本発明の他の実施の形態である半導体装置１ｃの要部断面図であり、図３５は、その平面透視図（上面図）である。図３４は、上記実施の形態１の図４に対応する。また、図３５は、上記実施の形態１の図７に対応し、封止樹脂５、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を透視したときの半導体装置１ｃの平面透視図（上面図）、すなわち半導体装置１ｃに用いられている配線基板３の上面図が示されている。なお、図３５では、半導体チップ２の外形を点線で示してある。また、図３５は平面図であるが、理解を簡単にするために、第１ソルダレジスト部１４ａ、第２ソルダレジスト部１４ｂ、第３ソルダレジスト部１４ｃ、および第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５にハッチングを付してある。
【００７７】
本実施の形態の半導体装置１ｃは、配線基板３の上面３ａに形成されたソルダレジスト層１４以外の構成は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様であるのでここではその説明は省略し、半導体装置１ｃにおける配線基板３の上面３ａに形成されたソルダレジスト層１４について説明する。
【００７８】
上記実施の形態１では、配線基板３の上面３ａのソルダレジスト層１４は、半導体チップ２の下方に位置する第１ソルダレジスト部１４ａと、配線基板３の上面３ａの外周部上に位置する第２ソルダレジスト部１４ｂとによって構成されていたが、本実施の形態の半導体装置１ｃでは、配線基板３の上面３ａのソルダレジスト層１４は、図３４および図３５に示されるように、半導体チップ２の下方に位置する第１ソルダレジスト部１４ａと、配線基板３の上面３ａの外周部上に位置する第２ソルダレジスト部１４ｂと、更に、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間に第１ソルダレジスト部１４ａを囲むように形成された第３ソルダレジスト部１４ｃとを有している。第１ソルダレジスト部１４ａと第３ソルダレジスト部１４ｃとの間には、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１（および導体層１２からなる引き出し配線）が露出された領域（ダム領域）１８ａが存在し、第３ソルダレジスト部１４ｃと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間には、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１（および導体層１２からなる引き出し配線）が露出された領域（ダム領域）１８ｂが存在している。第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して半導体チップ２が接合（搭載、接続、固定、配置）されている。第２ソルダレジスト部１４ｂは、接続端子１５を露出するための開口部１９を有している。上記実施の形態１と同様に、第１ソルダレジスト部１４ａの平面寸法（面積）は、半導体チップ２の平面寸法（面積）よりも小さい。このため、半導体チップ２を搭載したとき、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方には、第１ソルダレジスト部１４ａが延在（存在）しない。
【００７９】
このように、本実施の形態では、配線基板３の上面３ａには、その上に接着材８を介して半導体チップ２を接合する第１ソルダレジスト部１４ａと、第１ソルダレジスト部１４ａの周囲（外周）に設けられた第３ソルダレジスト部１４ｃと、第３ソルダレジスト部１４ｃの周囲（外周）に設けられてその開口部１９から接続端子１５を露出する第２ソルダレジスト部１４ｂとが形成されている。第１ソルダレジスト部１４ａと第３ソルダレジスト部１４ｃとの間および第３ソルダレジスト部１４ｃと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間には、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出する領域（ダム領域）１８ａ，１８ｂが存在している。このため、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディングしたときには、第１ソルダレジスト部１４ａと第３ソルダレジスト部１４ｃとの間にソルダレジスト層１４がなく基材層１１が露出した領域（ダム領域）１８ａを設けたことにより、ペースト材などからなる接着材８が領域１８ａを越えて第３ソルダレジスト部１４ｃ上にまで広がってしまうのを防止し、更に、たとえペースト材などからなる接着材８が領域１８ａを越えて第３ソルダレジスト部１４ｃ上にまで広がったとしても、第３ソルダレジスト部１４ｃと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間にソルダレジスト層１４がなく基材層１１が露出した領域（ダム領域）１８ｂを設けたことにより、ペースト材などからなる接着材８が領域１８ｂを越えて第２ソルダレジスト部１４ｂ上にまで広がってしまうのを防止することができる。これにより、接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのをより確実に防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性をより的確に向上することができる。また、たとえ流動性が比較的高いペースト型の接着材（接合材）を接着材８として用いたとしても、ペースト材からなる接着材８が接合端子１５上にまで広がってしまうのを防止することができるので、ダイボンドフィルムよりも相対的に廉価なペースト型の接着材を接着材８として用いることが可能になり、半導体装置の製造コストの低減に有利である。
【００８０】
（実施の形態４）
図３６は、本発明の他の実施の形態である半導体装置１ｄの要部断面図であり、上記実施の形態１の図４に対応する。
【００８１】
上記実施の形態１では、半導体装置１の配線基板３の上面３ａの第１ソルダレジスト部１４ａの厚みと第２ソルダレジスト部１４ｂとの厚みとは、ほぼ同じ厚みであったが、本実施の形態の半導体装置１ｄでは、配線基板３の上面３ａの第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１が第２ソルダレジスト部１４ｂの厚みＴ３よりも厚く（Ｔ１＞Ｔ３）なっている。他の構成は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００８２】
本実施の形態では、図３６に示されるように、半導体チップ２よりも平面寸法が小さく、その上に接着材８を介して半導体チップ２を接合する第１ソルダレジスト部１４ａの厚みをＴ１を、第１ソルダレジスト部１４ａの周囲（外周）に設けられた第２ソルダレジスト部１４ｂの厚みＴ３よりも厚く（Ｔ１＞Ｔ３）している。このような配線基板３は、例えば、基材層１１の上面１１ａにソルダレジスト層１４を形成する際に、ソルダレジスト層を２度塗り（複数塗り、複数印刷）し、第２ソルダレジスト部１４ｂは１層目のソルダレジスト層によって形成することで相対的に薄くし、第１ソルダレジスト部１４ａは１層目および２層目のソルダレジスト層（の積層膜）によって形成することで相対的に厚くすることで、準備（製造）することができる。
【００８３】
本実施の形態では、第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１を第２ソルダレジスト部１４ｂの厚みＴ３よりも厚く（Ｔ１＞Ｔ３）しているので、第１ソルダレジスト部１４ａの厚みＴ１と第２ソルダレジスト部１４ｂの厚みＴ３とが同じ（Ｔ１＝Ｔ３）場合に比較して、配線基板３上に半導体チップ２をダイボンディングしたときに半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に形成される空間２１の高さ方向の寸法Ｈ１をより大きくすることができる。このため、封止樹脂５を形成するときに、封止樹脂５を形成するための材料に含まれるフィラーなどが、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１により侵入しやすくなり、空間２１を充填した封止樹脂５の成分比と、他の領域の封止樹脂５の成分比とをより均一化することができる。これにより、硬化した封止樹脂５と半導体チップ２との密着性（接着強度）をより向上させ、半導体装置１ｄの信頼性をより向上することができる。
【００８４】
（実施の形態５）
図３７は、本発明の他の実施の形態である半導体装置の平面透視図（上面図）であり、図３８は、本発明の更に他の実施の形態である半導体装置の平面透視図（上面図）であり、それぞれ上記実施の形態１の図７に対応する。従って図３７および図３８には、封止樹脂５、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を透視したときの半導体装置の平面透視図（上面図）、すなわち、本実施の形態の半導体装置に用いられている配線基板３の上面図が示されている。また、図３７および図３８では、半導体チップ２の外形を点線で示してある。また、図３７および図３８は平面図であるが、理解を簡単にするために、第１ソルダレジスト部１４ａ、第２ソルダレジスト部１４ｂ、および第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９から露出する接続端子１５にハッチングを付してある。
【００８５】
本実施の形態の半導体装置は、配線基板３の上面３ａに形成された第２ソルダレジスト部１４ｂのパターン形状以外の構成は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様であるのでここではその説明は省略し、本実施の形態の半導体装置における配線基板３の上面３ａに形成された第２ソルダレジスト部１４ｂのパターン形状について説明する。
【００８６】
本実施の形態では、第２ソルダレジスト部１４ｂの内周部（第１ソルダレジスト部１４ａに対向する第２ソルダレジスト部１４ｂの四辺、半導体チップ２の四辺に対向する第２ソルダレジスト部１４ｂの四辺）には、櫛歯状（凹凸状）のパターンが形成されている。すなわち、第２ソルダレジスト部１４ｂは、配線基板３の上面３ａの外周部上に形成され、接続端子１５を露出するための開口部１９を有する第１の部分６１と、第１の部分６１に接続し、第１の部分６１から第１ソルダレジスト部１４ａ（半導体チップ２）に近づく方向に延在する複数の第２の部分６２とを有している。櫛歯状のパターンを含む第２ソルダレジスト部１４ｂ全体の膜厚はほぼ均一である。
【００８７】
第２ソルダレジスト部１４ｂを第１の部分６１と複数の第２の部分６２とにより形成し、第２ソルダレジスト部１４ｂの内周の四辺に櫛歯状のパターン（ソルダレジストパターン）を設けることで、封止樹脂５をトランスファモールド工程などによって形成する際に、半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間の空間２１から空気が抜けやすくなり、封止樹脂５を形成するための材料の流動性が向上し、上記空間２１への封止樹脂の充填性をより向上させることができる。このため、半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）をより向上させることができ、半導体装置の信頼性をより向上させることができる。
【００８８】
また、図３７のように、第２ソルダレジスト部１４ｂの第２の部分６２が半導体チップ２の下方まで延在していなければ、半導体チップ２を配線基板３の上面３ａにダイボンディングしたときに半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に形成される空間２１をより広くすることができ、封止樹脂５を形成するときにフィラーなどが半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１に侵入しやすくすることができる。これにより、空間２１を満たす封止樹脂５の成分比と、他の領域の封止樹脂５の成分比とをより均一にすることができる。また、図３８のように第２ソルダレジスト部１４ｂの第２の部分６２を半導体チップ２の下方まで延在させることもでき、この場合、接続端子１５を半導体チップ２側により近づけることが可能になり、半導体装置の小型化（小面積化）により有利である。
【００８９】
（実施の形態６）
図３９は、本発明の他の実施の形態である半導体装置１ｅの端部近傍領域の要部断面図（部分拡大断面図）であり、上記実施の形態１の図４に対応する。図４０は、封止樹脂５を透視したときの半導体装置１ｅの平面透視図（上面図）であり、上記実施の形態１の図６に対応する。図４１は、封止樹脂５、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を透視したときの半導体装置１ｅの平面透視図（上面図）、すなわち半導体装置１ｅに用いられている配線基板３の上面図であり、上記実施の形態１の図７に対応する。図４２〜図４４は、本実施の形態の半導体装置１ｅの製造に用いられる配線基板３１の製造工程の一例を模式的に示す平面図（上面図）であり、上記実施の形態１の図２１〜図２３に対応する。なお、図４１では、半導体チップ２の外形を点線で示してある。また、図４１は平面図であるが、理解を簡単にするために、第１ソルダレジスト部１４ａ、第２ソルダレジスト部１４ｂ、および第２ソルダレジスト部１４ｂから露出する接続端子１５にハッチングを付してある。
【００９０】
上記実施の形態１では、半導体装置１の配線基板３の上面３ａおよび下面３ｂの導体層１２は、主として電解めっき法を用いて形成されていたが、本実施の形態では、半導体装置１ｅの配線基板３の上面３ａおよび下面３ｂの導体層１２は、電解めっき法を用いずに、無電解めっき法を用いて形成されている。また、上記実施の形態１では、半導体装置１の配線基板３の上面３ａの外周端部上には第２ソルダレジスト部１４ｂが形成されていたが、本実施の形態の半導体装置１ｅでは、図３９〜図４１に示されるように、配線基板３の上面３ａの接続端子１５よりも外周側の領域には第２ソルダレジスト部１４ｂ（ソルダレジスト層１４）が形成されておらず、配線基板３の上面３ａの外周端部では配線基板３の基材層１１が封止樹脂５と密着（接触）している。他の構成は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００９１】
まず、本実施の形態の半導体装置１ｅの製造に用いられる配線基板３１の製造工程について説明する。配線基板３１は例えば次のようにして製造することができる。
【００９２】
コア材としての絶縁性の基材層１１の上面１１ａおよび下面上に無電解めっき（無電界めっき）法により無電解銅めっき層を形成し、この無電解銅めっき層をエッチングなどによりパターニングする。上記実施の形態１では無電解銅めっき層上に、電解銅めっき層を形成したが、本実施の形態では、無電解銅めっき層を厚く形成しておき、電解銅めっき層は形成しない。この無電解銅めっき層（銅層）によって、配線基板３１（配線基板３）の導体層１２を形成することができる。図４２には、スルーホール用の導体パターン３３と接続端子１５（用の導体パターン）とが、基材層１１の上面に、無電解銅めっき層（導体層１２）によって形成された状態が示されている。接続端子１５と導体パターン３３とは、基材層１１の上面１１ａに形成された無電解銅めっき層（導体層１２）からなる引き出し配線（図示省略）によって電気的に接続されている。また、図示はしないけれども、基材層１１の下面には、ランド１６も、無電解銅めっき層（導体層１２）によって形成されている。また、本実施の形態では、電解めっき法を用いないので、基材層１１の上面１１ａには、上記実施の形態１のようなめっき配線（給電線）３４は形成されていない。
【００９３】
次に、図４３に示されるように、基材層１１に開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）１７を形成する。開口部１７は、スルーホール用の導体パターン３３の内側に形成される。
【００９４】
次に、無電解めっき法により開口部１７の側壁上に無電解銅めっき層を形成する。この基材層１１の側壁上に形成された無電解銅めっき層によって、開口部１７の側壁上の上記導体層１２が形成される。それから、図４４に示されるように、印刷法などを用いてソルダレジスト層１４を基材層１１の上面１１ａおよび下面上に開口部１７内を埋めるように形成する。これにより、基材層１１の上面１１ａには、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂが形成される。基材層１１の上面１１ａでは、接続端子１５がソルダレジスト層１４の開口部１９ａから露出し、基材層１１の下面では、ランド１６がソルダレジスト層１４の開口部から露出する。接続端子１５を露出するための開口部１９ａは、第２ソルダレジスト部１４ｂに形成されており、第２ソルダレジスト部１４ｂの開口部１９ａの中央をダイシング領域３９が横切るように形成されている。次に、基材層１１の上面１１ａおよび下面上の無電解銅めっき層の露出部（すなわち接続端子１５およびランド１６）上に、無電解ニッケルめっき層、無電解パラジウムめっき層および金めっき層を無電解めっき法により順に形成する。その後、必要に応じて基材層１１を外形加工（切断）して配線基板３１を形成することができる。
【００９５】
このようにして製造された配線基板３１を用いて本実施の形態の半導体装置１ｅを製造することができるが、その製造工程は上記実施の形態１とほぼ同様であるので、ここではその説明は省略する。
【００９６】
本実施の形態では、上記のように、配線基板３（配線基板３１）の導体層１２を電解めっき法を用いずに、無電解めっき法を用いて形成している。すなわち、配線基板３の接続端子１５やランド１６を電解めっき法を用いずに、無電解めっき法を用いて形成している。導体層１２の形成のために電解めっき法を用いていないので、配線基板３の上面３ａ（配線基板３１上面３１ａ）には、上記実施の形態１のようなめっき配線（給電線）３４は形成されていない。また、本実施の形態では、上記のように、接続端子１５を露出するための開口部１９ａの中央をダイシング領域３９が横切るようにすることで、配線基板３の上面３ａの接続端子１５よりも外周側の領域には第２ソルダレジスト部１４ｂが形成されない。すなわち、配線基板３の上面３ａでは、接続端子１５から配線基板３の端部にかけて第２ソルダレジスト部１４ｂ（ソルダレジスト層１４）が延在していない。このため、配線基板３の上面３ａの外周端部では配線基板３の基材層１１が露出し、露出した基材層１１が封止樹脂５と密着することができる。本実施の形態では、配線基板３の上面３ａの外周端部では、めっき配線が存在せず、基材層１１と封止樹脂５とが密着するので、密着性が低い界面が半導体装置の側面に形成されず、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００９７】
また、配線基板３の上面３ａの接続端子１５よりも外周側の領域には第２ソルダレジスト部１４ｂが形成されていないので、接続端子１５へのワイヤボンディングを行う際に、キャピラリ（上記キャピラリ４１に対応）が第２ソルダレジスト部１４ｂに接触するのを防止することができる。このため、接続端子１５へのワイヤボンディングが安定し、接続端子１５とボンディングワイヤ４との電気的接続の信頼性をより向上させることができる。また、接続端子１５の面積を小さくすることも可能になり、半導体装置の小型化（小面積化）に有利である。また、一つの接続端子１５に複数のボンディングワイヤ４を接続する複数ボンディング（例えばダブルボンディングやトリプルボンディング）も容易になる。
【００９８】
（実施の形態７）
図４５は、本発明の他の実施の形態である半導体装置１ｆの要部断面図であり、上記実施の形態６の図３９に対応する。
【００９９】
上記実施の形態６の半導体装置１ｅでは、半導体装置１ｅの配線基板３の上面３ａおよび下面３ｂの導体層１２は、電解めっき法を用いずに無電解めっき法を用いて形成していたが、本実施の形態の半導体装置１ｆでは、上記実施の形態１の半導体装置１と同様に、半導体装置１の配線基板３の上面３ａおよび下面３ｂの導体層１２を主として電解めっき法（または電解めっき法および無電界めっき法の組み合わせ）を用いて形成している。しかしながら、上記実施の形態１の半導体装置１とは異なり、本実施の形態の半導体装置１ｆでは、めっき配線（給電線）３４を基材層１１の上面１１ａ上は形成せずに、基材層１１の下面１１ｂ上に形成している。本実施の形態の半導体装置１ｆの他の構成および製造工程は上記半導体装置１ｅとほぼ同様である。従って、封止樹脂５を透視したときの半導体装置１ｆの平面透視図（上面図）は、上記実施の形態６の図４０と同様であり、封止樹脂５、半導体チップ２およびボンディングワイヤ４を透視したときの半導体装置１ｆの平面透視図（上面図）、すなわち半導体装置１ｆに用いられている配線基板３の上面図は、上記実施の形態６の図４１と同様である。すなわち、本実施の形態の半導体装置１ｆにおいても、上記実施の形態６の半導体装置１ｅと同様のソルダレジスト層１４（第１ソルダレジスト部１４ａおよび第２ソルダレジスト部１４ｂ）のパターン形状を有している。このため、上記実施の形態６の半導体装置１ｅと同様に、本実施の形態の半導体装置１ｆにおいても、配線基板３の上面３ａの接続端子１５よりも外周側の領域には第２ソルダレジスト部１４ｂ（ソルダレジスト層１４）が形成されておらず、配線基板３の上面３ａの外周端部では配線基板３の基材層１１が封止樹脂５と密着（接触）している。
【０１００】
本実施の形態においても、上記実施の形態６と同様に、配線基板３の上面３ａの接続端子１５よりも外周側の領域には第２ソルダレジスト部１４ｂが形成されていないので、接続端子１５へのワイヤボンディングを行う際に、キャピラリ（上記キャピラリ４１に対応）が第２ソルダレジスト部１４ｂに接触するのを防止することができる。このため、接続端子１５へのワイヤボンディングが安定し、接続端子１５とボンディングワイヤ４との電気的接続の信頼性をより向上させることができる。また、接続端子１５の面積を小さくすることも可能になり、半導体装置の小型化（小面積化）に有利である。また、一つの接続端子１５に複数のボンディングワイヤ４を接続する複数ボンディング（例えばダブルボンディングやトリプルボンディング）も容易になる。
【０１０１】
また、本実施の形態では、配線基板３の上面３ａおよび下面３ｂの導体層１２を主として電解めっき法を用いて形成しているが、電解めっきの際に用いるめっき配線（給電線）３４を基材層１１の上面１１ａ上は形成せずに、基材層１１の下面１１ｂ上に形成している。このため、配線基板３の上面３ａ（配線基板３１上面３１ａ）には、めっき配線（給電線）３４は形成されていない。また、本実施の形態でも、上記実施の形態６のように、接続端子１５を露出するための開口部１９ａの中央をダイシング領域３９が横切るようにすることで、配線基板３の上面３ａの接続端子１５よりも外周側の領域には第２ソルダレジスト部１４ｂが形成されない。すなわち、半導体装置１ｆの配線基板３の上面３ａでは、接続端子１５から配線基板３の端部にかけて第２ソルダレジスト部１４ｂ（ソルダレジスト層１４）が延在していない。このため、配線基板３の上面３ａの外周端部では配線基板３の基材層１１が露出し、露出した基材層１１が封止樹脂５と密着することができる。本実施の形態では、配線基板３の上面３ａの外周端部では、めっき配線が存在せず、基材層１１と封止樹脂５とが密着するので、密着性が低い界面が半導体装置の側面に形成されず、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【０１０２】
（実施の形態８）
図４６は、本発明の他の実施の形態である半導体装置１ｇの平面透視図（上面図）であり、図４７は、その断面図である。図４６は、上記実施の形態１の図６に対応し、封止樹脂５を透視したときの半導体装置１ｇの平面透視図（上面図）が示されている。図４７は、上記実施の形態１の図３に対応し、図４６のＢ−Ｂ線の断面が図４７にほぼ対応する。
【０１０３】
上記実施の形態１の半導体装置１では、配線基板３上に一つの半導体チップ２が搭載されていたが、本実施の形態の半導体装置１ｇでは、配線基板３上に複数の半導体チップ２が搭載されている。ここでは２つの半導体チップ２が搭載されている例について説明するが、これに限定されるものではなく、配線基板３上に２つ以上の半導体チップ２を搭載して半導体装置１ｇを製造することができる。
【０１０４】
本実施の形態では、配線基板３の上面３ａには、その上に接着材８を介して半導体チップ２を接合する第１ソルダレジスト部１４ａと、第１ソルダレジスト部１４ａの周囲（外周）に設けられ、その開口部１９から接続端子１５を露出する第２ソルダレジスト部１４ｂとが形成されているが、配線基板３上に搭載する半導体チップ２の数と同数の第１ソルダレジスト部１４ａが配線基板３の上面３ａに形成されている。例えば、図４６および図４７のように２つの半導体チップ２を配線基板３上に搭載する場合は、２つの第１ソルダレジスト部１４ａが配線基板３の上面３ａに形成され、各第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して半導体チップ２が接合されている。複数の半導体チップ２の複数の電極２ａは、配線基板３の複数の接続端子１５に複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続されている。他の構成は上記実施の形態１とほぼ同様である。
【０１０５】
本実施の形態においても、半導体チップ２を接合する第１ソルダレジスト部１４ａのそれぞれと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間には、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出する領域（ダム領域）１８が存在しているので、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディングしたときに、ペースト材などからなる接着材８が領域１８を越えて第２ソルダレジスト部１４ｂ上にまで広がってしまうのを防止することができる。これにより、接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのを防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。
【０１０６】
また、本実施の形態においても、各半導体チップ２は、その半導体チップよりも平面寸法（面積）が小さな第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して接合されている。このため、各半導体チップ２を配線基板３の上面３ａにダイボンディングしたときに、各半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方には第１ソルダレジスト部１４ａおよび接着材８が延在（存在）せず、各半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に空間２１が形成される。このため、封止樹脂５を形成するときには、封止樹脂５を形成するための材料が各半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間の空間２１にも充填され、硬化した封止樹脂５が各半導体チップ２の表面２ｂ、側面２ｅ、および裏面２ｃの外周部２ｄを覆うので、各半導体チップ２と封止樹脂５との密着性（接着強度）を高めることができ、半導体装置１ｇの信頼性を向上させることができる。また、封止樹脂５を形成するときに、封止樹脂５を形成するための材料に含まれるフィラーなどが、各半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１に侵入しやすく、空間２１を充填した封止樹脂５の成分比と、他の領域の封止樹脂５の成分比とが均一化される。これにより、硬化した封止樹脂５と各半導体チップ２との密着性（接着強度）をより向上させ、半導体装置１ｇの信頼性をより向上させることができる。
【０１０７】
（実施の形態９）
図４８は、本発明の他の実施の形態である半導体装置１ｈの平面透視図（上面図）であり、図４９および図５０は、その断面図である。図４８は、上記実施の形態１の図６に対応し、封止樹脂５を透視したときの半導体装置１ｈの平面透視図（上面図）が示されている。また、図４９と図５０とは異なる断面である。
【０１０８】
上記実施の形態１の半導体装置１では、配線基板３上に一つの半導体チップ２が搭載されていたが、本実施の形態の半導体装置１ｈでは、配線基板３上に複数の半導体チップ２を積層して搭載している。ここでは２つの半導体チップ２が積層されて配線基板３上に搭載されている例について説明するが、これに限定されるものではなく、２つ以上の半導体チップ２を積層して配線基板３上に搭載して半導体装置１ｈを製造することができる。
【０１０９】
本実施の形態では、図４８〜図５０に示されるように、配線基板３の上面３ａの第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して半導体チップ２を搭載（接合）し、更に半導体チップ２の表面２ｂ上に他の半導体チップ２、すなわち半導体チップ７０を接着材７１を介して搭載（接合）している。すなわち、配線基板３の上面３ａ上に半導体チップ２および半導体チップ７０が積層されている。上層側の半導体チップ７０の平面寸法（面積）は下層側の半導体チップ２の平面寸法（面積）よりも小さい。下層側の半導体チップ２の複数の電極２ａは、配線基板３の複数の接続端子１５に複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続されている。上層側の半導体チップ７０の複数の電極７０ａは、半導体チップ２の複数の電極２ａおよび／または配線基板３の複数の接続端子１５に複数のボンディングワイヤ４を介して電気的に接続されている。他の構成は上記実施の形態１とほぼ同様である。
【０１１０】
本実施の形態においても、下層側の半導体チップ２を接合する第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間には、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出する領域（ダム領域）１８が存在しているので、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディングしたときに、ペースト材などからなる接着材８が領域１８を越えて第２ソルダレジスト部１４ｂ上にまで広がってしまうのを防止することができる。これにより、接着材８が接続端子１５上にまで広がってしまうのを防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性を向上することができる。
【０１１１】
また、本実施の形態においても、下層側の半導体チップ２は、その半導体チップ２よりも平面寸法（面積）が小さな第１ソルダレジスト部１４ａ上に接着材８を介して接合されている。このため、下層側の半導体チップ２を配線基板３の上面３ａにダイボンディングしたときに、下層側の半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方には第１ソルダレジスト部１４ａおよび接着材８が延在（存在）せず、下層側の半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間に空間２１が形成される。このため、封止樹脂５を形成するときには、封止樹脂５を形成するための材料が下層側の半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄと配線基板３の上面３ａとの間の空間２１にも充填され、硬化した封止樹脂５が下層側の半導体チップ２の表面２ｂ、側面２ｅ、および裏面２ｃの外周部２ｄと上層側の半導体チップ７０の表面および側面を覆うので、半導体チップ２，７０と封止樹脂５との密着性（接着強度）を高めることができ、半導体装置１ｈの信頼性を向上させることができる。また、封止樹脂５を形成するときに、封止樹脂５を形成するための材料に含まれるフィラーなどが、下層側の半導体チップ２の裏面２ｃの外周部２ｄの下方の空間２１に侵入しやすく、空間２１を充填した封止樹脂５の成分比と、他の領域の封止樹脂５の成分比とが均一化される。これにより、硬化した封止樹脂５と各半導体チップ２との密着性（接着強度）をより向上させ、半導体装置１ｈの信頼性をより向上させることができる。
【０１１２】
また、本実施の形態では、複数の半導体チップ２を積層したことにより、ここでは半導体チップ２上に他の半導体チップ７０を積層したことにより、半導体装置の小型化（低面積化）が可能になる。
【０１１３】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１４】
また、本発明は、配線基板上に半導体チップが搭載された種々の半導体パッケージ形態の半導体装置に適用できるが、ＣＳＰ（Chip Size Package）のような小形の半導体パッケージ形態の半導体装置に適用すれば、より効果が大きい。
【０１１５】
また、上記実施の形態１〜９では、配線基板３の上面３ａのソルダレジスト層１４の第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間に、ソルダレジスト層１４が形成されずに基材層１１が露出された領域（ダム領域）１８を設けていたが、この基材層１１が露出された領域１８の代わりにソルダレジスト層１４の凹部（溝部）を設けることもできる。すなわち、領域１８にもソルダレジスト層１４を第１および第２ソルダレジスト部１４ａ，１４ｂよりも薄く残存（存在）させることもでき、このような場合も本発明に含むものとする。このように、領域１８にもソルダレジスト層１４を薄く残存させ、配線基板３の上面３ａのソルダレジスト層１４に凹凸により第１ソルダレジスト部１４ａ（凸部）と第２ソルダレジスト部１４ｂ（凸部）と、それらの間の凹部（上記領域１８に対応する位置の凹部）とを設けた場合も、上記実施の形態１〜９とほぼ同様の効果を得ることができる。但し、上記実施の形態１〜９のように、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間の領域１８で基材層１１を露出させた場合の方が、領域１８にソルダレジスト層１４を薄く残存させた場合よりも、第１ソルダレジスト部１４ａと第２ソルダレジスト部１４ｂとの間に形成される凹部（溝部）の深さをより深くすることができるので、半導体チップ２を配線基板３上にダイボンディングしたときに接着材８が第２ソルダレジスト部１４ｂ上や接続端子１５上にまで広がってしまうのをより確実に防止でき、ボンディングワイヤ４と接続端子１５との間の電気的接続の信頼性向上の効果は大きい。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明は、配線基板上に半導体チップが搭載された半導体装置およびその製造技術に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】図１の半導体装置の下面図である。
【図３】図１の半導体装置の断面図である。
【図４】図１の半導体装置の要部断面図である。
【図５】図１の半導体装置の側面図である。
【図６】封止樹脂を透視したときの図１の半導体装置の平面透視図である。
【図７】封止樹脂、半導体チップおよびボンディングワイヤを透視したときの図１の半導体装置の平面透視図である。
【図８】第１の比較例の半導体装置の要部断面図である。
【図９】第２の比較例の半導体装置の要部断面図である。
【図１０】第３の比較例の半導体装置の要部断面図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態の半導体装置の要部断面図である。
【図１２】図１１の半導体装置の平面透視図である。
【図１３】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１４】図１３に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１５】図１４に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１６】図１５に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１７】図１６に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１８】図１７に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図１９】図１８に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図２０】図１９に続く半導体装置の製造工程中における断面図である。
【図２１】配線基板の製造工程を示す平面図である。
【図２２】図２１に続く配線基板の製造工程中における平面図である。
【図２３】図２２に続く配線基板の製造工程中における平面図である。
【図２４】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２５】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図２６】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２７】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図２８】本発明の一実施の形態である半導体装置の製造工程中の要部断面図である。
【図２９】本発明の一実施の形態である半導体装置の他の要部断面図である。
【図３０】本発明の他の実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図３１】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図３２】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図３３】ワイヤボンディング工程の説明図である。
【図３４】本発明の他の実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図３５】図３４の半導体装置の平面透視図である。
【図３６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図３７】本発明の他の実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図３８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図３９】本発明の他の実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図４０】図３９の半導体装置の平面透視図である。
【図４１】図３９の半導体装置の平面透視図である。
【図４２】図３９の半導体装置の製造に用いられる配線基板の製造工程を示す平面図である。
【図４３】図４２に続く配線基板の製造工程中における平面図である。
【図４４】図４３に続く配線基板の製造工程中における平面図である。
【図４５】本発明の他の実施の形態である半導体装置の要部断面図である。
【図４６】本発明の他の実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図４７】図４６の半導体装置の断面図である。
【図４８】本発明の他の実施の形態である半導体装置の平面透視図である。
【図４９】図４８の半導体装置の断面図である。
【図５０】図４８の半導体装置の他の断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１  半導体装置
１ａ  半導体装置
１ｂ  半導体装置
１ｃ  半導体装置
１ｄ  半導体装置
１ｅ  半導体装置
１ｆ  半導体装置
１ｇ  半導体装置
１ｈ  半導体装置
２  半導体チップ
２ａ  電極
２ｂ  表面
２ｃ  裏面
２ｄ  外周部
２ｅ  側面
２ｆ  端部
３  配線基板
３ａ  上面
３ｂ  下面
４  ボンディングワイヤ
５  封止樹脂
５ａ  封止樹脂
６  半田ボール
８  接着材
１１  基材層
１１ａ  上面
１１ｂ  下面
１２  導体層
１４  ソルダレジスト層
１４ａ  第１ソルダレジスト部
１４ｂ  第２ソルダレジスト部
１４ｃ  第３ソルダレジスト部
１５  接続端子
１６  ランド
１７  開口部
１８  領域
１８ａ  領域
１８ｂ  領域
１９  開口部
１９ａ  開口部
２０ａ  開口部
２０ｂ  後退部
２１  空間
３１  配線基板
３２  半導体装置領域
３３  導体パターン
３４  めっき配線
３５  スタッドバンプ
３６  レーザ
４１  キャピラリ
６１  第１の部分
６２  第２の部分
７０  半導体チップ
７０ａ  電極
７１  接着材
１０１  半導体装置
１０３  配線基板
１０３ａ  上面
１１４  ソルダレジスト層
２０１  半導体装置
２０３  配線基板
２０３ａ  上面
２１４  ソルダレジスト層
２１４ａ  第１ソルダレジスト部
２１４ｂ  第２ソルダレジスト部
２１８  領域
２２１  空間
３０１  半導体装置
【図１】
2006128455.tif 000003
【図２】
2006128455.tif 000004
【図３】
2006128455.tif 000005
【図４】
2006128455.tif 000006
【図５】
2006128455.tif 000007
【図６】
2006128455.tif 000008
【図７】
2006128455.tif 000009
【図８】
2006128455.tif 000010
【図９】
2006128455.tif 000011
【図１０】
2006128455.tif 000012
【図１１】
2006128455.tif 000013
【図１２】
2006128455.tif 000014
【図１３】
2006128455.tif 000015
【図１４】
2006128455.tif 000016
【図１５】
2006128455.tif 000017
【図１６】
2006128455.tif 000018
【図１７】
2006128455.tif 000019
【図１８】
2006128455.tif 000020
【図１９】
2006128455.tif 000021
【図２０】
2006128455.tif 000022
【図２１】
2006128455.tif 000023
【図２２】
2006128455.tif 000024
【図２３】
2006128455.tif 000025
【図２４】
2006128455.tif 000026
【図２５】
2006128455.tif 000027
【図２６】
2006128455.tif 000028
【図２７】
2006128455.tif 000029
【図２８】
2006128455.tif 000030
【図２９】
2006128455.tif 000031
【図３０】
2006128455.tif 000032
【図３１】
2006128455.tif 000033
【図３２】
2006128455.tif 000034
【図３３】
2006128455.tif 000035
【図３４】
2006128455.tif 000036
【図３５】
2006128455.tif 000037
【図３６】
2006128455.tif 000038
【図３７】
2006128455.tif 000039
【図３８】
2006128455.tif 000040
【図３９】
2006128455.tif 000041
【図４０】
2006128455.tif 000042
【図４１】
2006128455.tif 000043
【図４２】
2006128455.tif 000044
【図４３】
2006128455.tif 000045
【図４４】
2006128455.tif 000046
【図４５】
2006128455.tif 000047
【図４６】
2006128455.tif 000048
【図４７】
2006128455.tif 000049
【図４８】
2006128455.tif 000050
【図４９】
2006128455.tif 000051
【図５０】
2006128455.tif 000052