(57)【要約】【課題】  窒素の抜けを抑制しつつｐ型不純物を活性化することができるｐ型窒化物半導体の製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】  ｐ型不純物を含む窒化物半導体１２を形成したのち、ＮＦ3 などのハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中において熱処理を行い、ｐ型不純物を活性化する。ハロゲン化窒素ガスは２００℃以下の低温で分解して窒素とハロゲンとを生じるので、窒素により窒化物半導体１２から窒素が抜けることを抑制することができると共に、ハロゲンにより窒化物半導体１２に含まれる水素を引き寄せて、水素の放出を促進させることができる。よって、窒素の抜けを抑制しつつ、ｐ型不純物を活性化することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型不純物を含む窒化物半導体について、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とするｐ型窒化物半導体の製造方法。
【請求項２】
ハロゲン化窒素ガスに加えて、不活性ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項１記載のｐ型窒化物半導体の製造方法。
【請求項３】
更に、酸素ガスおよび二酸化炭素ガスのうちの少なくとも一方を含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項２記載のｐ型窒化物半導体の製造方法。
【請求項４】
ハロゲン化窒素ガスに加えて、酸素ガスおよび二酸化炭素ガスのうちの少なくとも一方を含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項１記載のｐ型窒化物半導体の製造方法。
【請求項５】
前記ハロゲン化窒素ガスとして、三フッ化窒素ガス，三塩化窒素ガスおよび三塩化臭素ガスからなる群のうちの少なくとも１種を用いることを特徴とする請求項１記載のｐ型窒化物半導体の製造方法。
【請求項６】
前記ｐ型不純物として、マグネシウム（Ｍｇ），ベリリウム（Ｂｅ），カルシウム（Ｃａ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種を含む窒化物半導体についてｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項１記載のｐ型窒化物半導体の製造方法。
【請求項７】
ｐ型不純物を含む窒化物半導体について、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行う工程を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
ハロゲン化窒素ガスに加えて、不活性ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項７記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
更に、酸素ガスおよび二酸化炭素ガスのうちの少なくとも一方を含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項８記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
ハロゲン化窒素ガスに加えて、酸素ガスおよび二酸化炭素ガスのうちの少なくとも一方を含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項７記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ハロゲン化窒素ガスとして、三フッ化窒素ガス，三塩化窒素ガスおよび三塩化臭素ガスからなる群のうちの少なくとも１種を用いることを特徴とする請求項７記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記ｐ型不純物として、マグネシウム（Ｍｇ），ベリリウム（Ｂｅ），カルシウム（Ｃａ）および亜鉛（Ｚｎ）からなる群のうちの少なくとも１種を含む窒化物半導体についてｐ型不純物を活性化する処理を行うことを特徴とする請求項７記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｐ型不純物を活性化する工程を含むｐ型窒化物半導体の製造方法およびそれを用いた半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ、ＡｌＧａＮ混晶、ＧａＩｎＮ混晶、あるいはこれらにホウ素（Ｂ）を任意の量で添加した窒化物半導体は、量子カスケード構造や量子井戸構造を発光層に用いることで、遠赤外領域から紫外領域までの幅広い発光波長帯域を得ることができる発光素子の構成材料として、あるいは電子素子の構成材料として有望視されている。特に、窒化物半導体を用いた発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）については既に実用化が図られている波長帯域があり、大きな注目を集めている。また、窒化物半導体を用いた半導体レーザ（ＬＤ；Laser Diode ）の実現も報告されており、光ディスク装置の光源を初めとした応用が期待されている。
【０００３】
ところで、このような素子において優れた特性を得るためには、半導体に対して電極を良好にオーミック接触させ、接触抵抗を低くすることが重要である。例えば、ｎ型半導体については、ケイ素（Ｓｉ）などのｎ型不純物を添加することにより比較的高いキャリア濃度を得ることができるが、ｐ型半導体については、マグネシウム（Ｍｇ）などのｐ型不純物を添加しても水素（Ｈ）と結合しているために活性化率が低く、十分なキャリア濃度を得ることが難しい。そこで、ｐ型不純物を活性化する必要がある。
【０００４】
ｐ型不純物を活性化する方法としては、窒素雰囲気中などにおいて４００℃以上の温度で熱処理する方法（特許文献１参照）、真空中において電子線を照射する方法（特許文献２参照）、または窒素雰囲気中などにおいて高周波電界を印加する方法（特許文献３参照）などが報告されている。
【特許文献１】特許第２５４０７９１号公報
【特許文献２】特許第２５８７８２５号公報
【特許文献３】特開２００１−３５１９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、これらの方法によればｐ型不純物を活性化することはできるものの、ｐ型活性化に時間を要したり、または、窒化物半導体から窒素（Ｎ）が抜けて結晶性が低下してしまう場合があるという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、窒素の抜けを抑制しつつｐ型不純物を活性化することができるｐ型窒化物半導体の製造方法、およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるｐ型窒化物半導体の製造方法は、ｐ型不純物を含む窒化物半導体について、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行うものである。
【０００８】
本発明による半導体素子の製造方法は、ｐ型不純物を含む窒化物半導体について、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化する処理を行う工程を含むものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のｐ型窒化物半導体の製造方法および本発明による半導体素子の製造方法によれば、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化するようにしたので、ハロゲン化窒素ガスが分解して生じた窒素により、窒化物半導体から窒素が抜けることを抑制することができる。また、ハロゲン化窒素ガスが分解して生じたハロゲンにより、窒化物半導体に含まれる水素を引き寄せて、水素の放出を促進させることができる。よって、窒素の抜けを抑制しつつ、ｐ型不純物を活性化することができる。
【００１０】
特に、ハロゲン化窒素ガスは低温でも分解するので、熱処理によりｐ型不純物を活性化する場合には、例えば６００℃以下の低温においてもｐ型不純物を容易に活性化することができる。よって、窒素の抜けをより抑制することができると共に、熱による劣化が大きい層を有していても、その劣化を抑制することができる。従って、半導体素子の性能および信頼性を向上させることができる。
【００１１】
また、ハロゲン化窒素ガスと不活性ガスとを含有する雰囲気中において処理するようにすれば、窒化物半導体の表面にハロゲン化物が形成されてしまうことを抑制することができる。
【００１２】
更に、ハロゲン化窒素ガス、またはハロゲン化窒素ガスおよび不活性ガスに加えて、酸素ガスおよび二酸化炭素ガスのうちの少なくとも一方を含有する雰囲気中において処理するようにすれば、窒化物半導体結晶の種類に応じて、その結晶に含まれる水素を引き寄せる力を微妙に制御し、結晶外に水素または水素イオンを追い出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１は本発明の一実施の形態に係るｐ型窒化物半導体の製造方法における一工程を表すものである。なお、窒化物半導体というのは、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），インジウム（Ｉｎ）およびホウ素などからなる長周期型周期表の１３族元素のうちの少なくとも１種と、窒素，ヒ素（Ａｓ）およびリン（Ｐ）などからなる長周期型周期表の１５族元素のうちの少なくとも窒素とを含むものを言う。具体的には、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ混晶、ＧａＩｎＮ混晶、ＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＧａＮＡｓ混晶、ＡｌＧａＮＡｓ混晶、ＧａＩｎＮＡｓ混晶、ＡｌＧａＩｎＮＡｓ混晶、あるいはこれらにホウ素を任意の量で添加した混晶などがある。
【００１５】
まず、図１に示したように、例えば、サファイア（α−Ａｌ2 Ｏ3 ）よりなる基板１１のｃ面に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により、マグネシウムなどのｐ型不純物を含む窒化物半導体１２を成長させる。
【００１６】
その際、ガリウムの原料ガスには例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）あるいはトリエチルガリウム（（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスには例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、インジウムの原料ガスには例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ）、ホウ素の原料ガスには例えばトリメチルホウ素（（ＣＨ3 ）3 Ｂ）、窒素の原料ガスには例えばアンモニア（ＮＨ3 ）、マグネシウムの原料ガスには例えばビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）、メチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（ＣＨ3 ）（Ｃ5 Ｈ5 ）Ｍｇ）あるいはエチルシクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ2 Ｈ5 ）（Ｃ5 Ｈ5 ）Ｍｇ）を用いる。
【００１７】
成長させた窒化物半導体１２には水素原子が含まれており、この水素との結合によりｐ型不純物は活性化が阻害されている。なお、ｐ型不純物としては、マグネシウムの他にも、ベリリウム（Ｂｅ），カルシウム（Ｃａ）または亜鉛（Ｚｎ）なども挙げられ、これらの２種以上を混合して用いてもよい。
【００１８】
次いで、窒化物半導体１２を、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中において熱処理し、ｐ型不純物を活性化する。その際、ハロゲン化窒素ガスは分解して窒素とハロゲンとを生じ、窒素により窒化物半導体１２から窒素の抜けを抑制すると共に、ハロゲンにより窒化物半導体１２に含まれる水素を引き寄せ、放出を促進させる。ハロゲン化窒素ガスは２００℃以下の低温においても分解し、また、ハロゲンにより水素の放出を促進させることができるので、熱処理温度を６００℃以下の低温としてもｐ型不純物は容易に活性化される。よって、熱処理によりｐ型不純物を活性化させる場合には、処理温度を高くするとｐ型不純物の活性化率は高いが、窒化物半導体１２から窒素が抜けてしまい、処理温度を低くすると窒素の抜けは少なくなるが、ｐ型不純物の活性化率は低下してしまうという問題があったが、ハロゲン化窒素ガスを用いることにより、処理温度を低くしてもｐ型不純物の活性化率を高めることができると共に、窒素の抜けを更に抑制することができる。
【００１９】
ハロゲン化窒素ガスとしては、例えば、三フッ化窒素（ＮＦ3 ）ガス，三塩化窒素（ＮＣｌ3 ）ガスまたは三塩化臭素（ＮＢｒ3 ）ガスが挙げられる。ハロゲン化窒素ガスには、１種を単独で用いても２種以上を混合して用いてもよいが、中でもフッ化窒素ガスが好ましい。ハロゲンはいずれも電気陰性度の高い元素であるが、フッ素はハロゲンの中だけでなく他の元素に比べても最も電気陰性度が高いので、水素を引き寄せる力が大きいからである。
【００２０】
熱処理時の雰囲気はハロゲン化窒素ガスのみとしてもよいが、ハロゲン化窒素ガスと不活性ガスとの混合ガスとした方が好ましく、その場合、ハロゲン化窒素ガスの濃度は例えば０．１ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％とすることが好ましい。ハロゲン化窒素ガスは微量でも上述した効果を得ることができ、また、ハロゲン化窒素ガスの濃度が高いと窒化物半導体１２の表面にハロゲン化物の被膜が形成されてしまう場合もあるからである。不活性ガスとしては、窒素（Ｎ2 ）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガスあるいはネオン（Ｎｅ）ガスなどが挙げられ、中でも窒素ガスが汎用性の点からも好ましい。
【００２１】
また、ハロゲン化窒素ガス、またはハロゲン化窒素ガスと不活性ガスとの混合ガスに、酸素（Ｏ2 ）ガスあるいは二酸化炭素（ＣＯ2 ）ガスまたはその両方を混合してもよい。酸素ガスおよび二酸化炭素ガスも窒化物半導体１２に含まれる水素を引き寄せる作用を有しているが、物質によりその力が異なるので、それを利用することにより、窒化物半導体１２の結晶の種類に応じて、その結晶中の水素を引き寄せる力を微妙に制御することができるからである。この場合、酸素ガスまたは二酸化炭素ガスの濃度は、例えば０．１ｍｏｌ％〜５０ｍｏｌ％とすることが好ましい。
【００２２】
熱処理温度は、例えば２５０℃以上６００℃以下とすることが好ましく、処理時間は５分から６０分程度とすることが好ましい。熱による劣化があまり大きくない窒化物半導体の場合にはこれよりも高い温度で処理してもよいが、熱による劣化が大きいインジウムを含有する窒化物半導体、例えばＧａＩｎＮ混晶、ＩｎＮ混晶、ＧａＩｎＮＡｓ混晶、ＡｌＧａＩｎＮＡｓ混晶、ＡｌＧａＩｎＮ混晶、ＢＧａＩｎＮ混晶、ＢＩｎＮ混晶、ＢＩｎＮＡｓ混晶、ＢＡｌＩｎＮ混晶、ＢＡｌＧａＩｎＮＡｓ混晶、あるいはＢＡｌＧａＩｎＮ混晶などの場合には、このように低温とすることが好ましい。但し、温度をあまり低くするとｐ型不純物を活性化するのに時間がかかるので、５００℃以上６００℃以下の範囲内とすれば、処理時間も短くすることができるので好ましい。
【００２３】
これにより、ｐ型窒化物半導体がえられる。
【００２４】
次に、このｐ型窒化物半導体の製造方法を用いた半導体素子の製造方法、具体的にはＬＥＤあるいはＬＤなどの発光素子の製造方法について説明する。
【００２５】
図２は本実施の形態に係るｐ型窒化物半導体の製造方法を用いて製造する発光素子の層構造を表すものである。まず、例えば、サファイアよりなる基板２１を用意し、この基板２１のｃ面上に、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型窒化物半導体層である各層をそれぞれ成長させる。具体的には、例えば、ｎ型不純物であるケイ素を添加したｎ型ＧａＮあるいはｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型第１コンタクト層２２、ケイ素を添加したｎ型ＧａＩｎＮ混晶あるいはｎ型ＡｌＧａＩｎＮ混晶よりなるｎ型第２コンタクト層２３、ケイ素を添加したｎ型ＧａＮあるいはｎ型ＡｌＧａＮ混晶よりなるｎ型クラッド層２４、ケイ素を添加したｎ型ＧａＮ，ｎ型ＧａＩｎＮ混晶あるいはｎ型ＡｌＧａＩｎＮ混晶よりなる第１ガイド層２５を順次成長させる。なお、これらの少なくとも１層にホウ素を添加する場合もあり、第１ガイド層２５はｎ型不純物を添加せずｎ型としない場合もある。また、ｎ型第１コンタクト層２２とｎ型第２コンタクト層２３とはどちらか一方のみを形成するようにしてもよく、ＬＥＤの場合には、ｎ型クラッド層２４は形成しなくてもよい。
【００２６】
次いで、ｎ型窒化物半導体層の上に、例えば、ＭＯＣＶＤ法により組成の異なるＢx Ａｌy Ｇａz Ｉｎ1-(x+y+z) Ｎ混晶層（但し、１≧ｘ≧０、１≧ｙ≧０、１≧ｚ≧０、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を組み合わせて積層した多重量子井戸構造を有する活性層２６を成長させる。その際、少なくとも井戸層にはインジウムを添加する。
【００２７】
続いて、活性層２６の上に、例えばＭＯＣＶＤ法によりｐ型不純物を含む窒化物半導体層である各層をそれぞれ成長させる。具体的には、例えば、マグネシウムを添加したＧａＮ，ＧａＩｎＮ混晶あるいはｎ型ＡｌＧａＩｎＮ混晶よりなる第２ガイド層２７、マグネシウムを添加したＡｌＧａＮ混晶あるいはｎ型ＡｌＧａＩｎＮ混晶よりなるｐ型キャップ層（ｐ型障壁層）２８、マグネシウムを添加したＧａＮあるいはＡｌＧａＮ混晶よりなるｐ型クラッド層２９、マグネシウムを添加したＧａＮあるいはＧａＮＡｓ混晶よりなるｐ型第１コンタクト層３０、マグネシウムを添加したＧａＩｎＮ混晶，ＧａＩｎＮＡｓ混晶あるいはＡｌＧａＩｎＮＡｓ混晶よりなるｐ型第２コンタクト層３１を順次成長させる。なお、これらの少なくとも１層にホウ素を添加する場合もあり、第２ガイド層２７はｐ型不純物を添加せずｐ型としない場合もある。また、ｐ型第１コンタクト層３０とｐ型第２コンタクト層３１とはどちらか一方のみを形成するようにしてもよく、ＬＥＤの場合には、ｐ型クラッド層２９は形成しなくてもよい。
【００２８】
そののち、上述したｐ型窒化物半導体の製造方法と同様にして、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中において熱処理を行い、第２ガイド層２７，ｐ型キャップ層２８，ｐ型クラッド層２９，ｐ型第１コンタクト層３０およびｐ型第２コンタクト層３１に含まれるｐ型不純物を活性化させる。その際、井戸層がインジウムを含有する窒化物半導体により構成される活性層２６は、熱による劣化が大きいが、本実施の形態によれば、６００℃以下の低温で処理することができるので、劣化を抑制することができる。
【００２９】
更に、ｐ型第２コンタクト層３１の上に、後述するｎ側電極３２の形成位置に対応してストライプ形状の図示しないレジストパターンを形成する。そののち、このレジストパターンをマスクとして例えばＲＩＥ（Reactive Ion etching；反応性イオンエッチング）法により、ｐ型第２コンタクト層３１，ｐ型第１コンタクト層３０，ｐ型クラッド層２９，ｐ型キャップ層２８，第２ガイド層２７，活性層２６，第１ガイド層２５およびｎ型クラッド層２４を順次選択的に除去し、ｎ型第２コンタクト層２３を露出させる。次いで、図示しないレジストパターンを除去し、露出させたｎ型第２コンタクト層２３の上にｎ側電極３２を形成する。また、ｐ型第２コンタクト層３１の上にｐ側電極３３を形成する。これにより、図２に示した発光素子が完成する。
【００３０】
このように本実施の形態によれば、ハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中でｐ型不純物を活性化するようにしたので、ハロゲン化窒素ガスが分解して生じた窒素により、窒化物半導体から窒素が抜けることを抑制することができると共に、ハロゲン化窒素ガスが分解して生じたハロゲンにより、窒化物半導体に含まれる水素を引き寄せて、水素の放出を促進させることができる。また、ハロゲン化窒素ガスは低温でも分解するので、例えば６００℃以下の低温においてもｐ型不純物を容易に活性化することができる。
【００３１】
よって、窒素の抜けを抑制することができると共に、熱による劣化が大きい層を有していても、その劣化を抑制することができる。特に、半導体素子の製造においては、ｐ型窒化物半導体層を形成する前に、熱による劣化が大きい層が既に形成されている場合があるが、ｐ型窒化物半導体層に限らず、他の層についても劣化を抑制することができる。従って、半導体素子の性能および信頼性を向上させることができる。
【００３２】
また、ハロゲン化窒素ガスと不活性ガスとを含有する雰囲気中において処理するようにすれば、窒化物半導体の表面にハロゲン化物が形成されてしまうことを抑制することができる。
【００３３】
更に、ハロゲン化窒素ガス、またはハロゲン化窒素ガスおよび不活性ガスに加えて酸素ガスおよび二酸化炭素ガスのうちの少なくとも一方を含有する雰囲気中において処理するようにすれば、窒化物半導体結晶の種類に応じて、その結晶に含まれる水素を引き寄せる力を微妙に制御し、結晶外に水素または水素イオンを追い出すことができる。
【００３４】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。例えば、上記実施の形態では、熱処理によりｐ型不純物を活性化させる場合について説明したが、他の方法によりｐ型不純物を活性化するようにしてもよい。ｐ型不純物を活性化する他の方法としては、例えば、電子線を照射（特許文献２参照）または高周波電界の印加（特許文献３参照）があり、これらについてもハロゲン化窒素ガスを含有する雰囲気中において処理を行うようにすれば、窒化物半導体から窒素のが抜けることを抑制することができる。
【００３５】
また、上記実施の形態では、ＭＯＣＶＤ法により窒化物半導体１２を成長させる場合について説明したが、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法，ＭＯＭＢＥ（Metal Organic Molecular Beam Epitaxy；有機金属分子線エピタキシー）法，ハイドライド気相成長法あるいはハライド気相成長法などの他の方法により形成するようにしてもよい。なお、ハイドライド気相成長法とはハイドライド（水素化物）が反応もしくは原料ガスの輸送に寄与する気相成長法のことであり、ハライド気相成長法とはハライド（ハロゲン化物）が反応もしくは原料ガスの輸送に寄与する気相成長法のことである。
【００３６】
更に、上記実施の形態では、プレーナ（平面）型のサファイアよりなる基板１１，２１を用いるようにしたが、ＺｎＯ，ＡｌＮ，Ｓｉ，スピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ），ＧａＮ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ，ＧａＰあるいはＩｎＰなどの他の材料よりなる基板を用いるようにしてもよい。また、これらプレーナ（平面）型の基板を任意のマスクパターンでエッチング加工し、凹部を形成した、リセス（Recess) 型の基板を用いるようにしてもよい。
【００３７】
加えて、上記実施の形態では、半導体素子の製造方法としてＬＥＤあるいはＬＤなどの発光素子の製造方法を具体例に挙げて説明したが、本発明は、太陽電池、フォトダイオード、トランジスタあるいはサイリスタなどｐ型窒化物半導体を必要とする他の半導体素子を製造する場合についても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施の形態に係るｐ型窒化物半導体の製造方法の一工程を表す断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るｐ型窒化物半導体の製造方法を用いて作製する半導体レーザの構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１１，２１…基板、１２…窒化物半導体、２２…ｎ型第１コンタクト層、２３…ｎ型第２コンタクト層、２４…ｎ型クラッド層、２５…第１ガイド層、２６…活性層、２７…第２ガイド層、２８…ｐ型キャップ層、２９…ｐ型クラッド層、３０…ｐ型第１コンタクト層、３１…ｐ型第２コンタクト層、３２…ｎ側電極、３３…ｐ側電極。
【図１】
2006222225.tif 000003
【図２】
2006222225.tif 000004