(57)【要約】【課題】発光素子が実装されるキャビティに対し、これに充填される封止用樹脂が強固に密着すると共に、上記発光素子からの光を効率良く反射できる発光素子実装用配線基板を提供する。【解決手段】表面３および裏面４を有し且つセラミック（絶縁材）からなる基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ底面７に発光素子８を実装するキャビティ５と、かかるキャビティ５の側面６に形成される光反射層１０と、上記キャビティ５の底面７に形成されるパッド（導体層）１１，１２と、を含み、上記光反射層１０におけるキャビティ５の底面７側の端部と上記キャビティ５の底面７との間には、厚み（ｔ）０．０５ｍｍ以上で且つ０．２ｍｍ以下のセラミック層ｚ１のセラミックが露出している側面（部分）ｒ１がある、発光素子実装用配線基板１。【選択図】  図２
2006222358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有し且つ絶縁材からなる基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し且つ底面に発光素子を実装するキャビティと、
上記キャビティの側面に形成される光反射層と、
上記キャビティの底面に形成される導体層と、を含み、
上記光反射層におけるキャビティの底面側の端部と上記キャビティの底面との間には、厚み０．０５ｍｍ以上で且つ０．２ｍｍ以下の絶縁材が露出している部分がある、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板。
【請求項２】
前記絶縁材が露出している部分は、前記キャビティの側面に形成された光反射層から当該キャビティの底面中央方向に張り出している、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用配線基板。
【請求項３】
前記絶縁材が露出している部分は、前記キャビティの側面に形成された光反射層から凹んで位置している、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオードのような発光素子を実装するための発光素子実装用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を実装する配線基板においては、かかる発光素子を実装するキャビティの側面に金属からなる光反射層を形成すると共に、当該キャビティ内に封止用樹脂を表面が平坦になるようにして充填することで、上記発光素子から発光された光を鮮明なものとすることができる。
ところで、キャビティに充填する封止用樹脂は、金属製の光反射層との密着強度が低いため、当該キャビティから剥離することに伴って、実装された発光素子やこれに接続したボンディングワイヤが引き剥がされる、という問題があった。
上記問題を解決し、封止用樹脂がキャビティから剥離せず、当該キャビティに強固に密着させるため、ほぼ円錐形のキャビティとなる貫通孔の中間位置にリング形状の段差を設けと共に、かかる段差の上側に突起および外向きに凹む溝を形成した発光素子取付用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、前記発光素子取付用パッケージでは、貫通孔の内周面に被覆した金属製の光反射層のうち、セラミックなどの絶縁材が露出する上記段差の直上部分では、発光素子からの光が反射せず、反射効率が低下する。しかも、上記突起や溝の形成が困難で且つ煩雑な工程を要する、という問題点があった。
また、発光素子を実装する凹部の底面と当該凹部の内壁面に被着させる金属反射膜との間に、かかる金属反射膜と上記底面の配線層との短絡防止のため、少なくとも０．３ｍｍの間隔を設けた発光素子収納用パッケージも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
しかしながら、かかる発光素子収納用パッケージでは、上記間隔を設けることにより、却って凹部の内壁面に被着させる金属反射膜の被着面積が狭くなり、発光素子からの光の反射効率が低下する、という問題点があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３２７５０４号公報（第１〜１０頁、図１〜６）
【特許文献２】実用新案登録第２５５６４８６号公報（第１〜４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前述した背景技術における問題点を解決し、発光素子が実装されるキャビティに対し、これに充填される封止用樹脂が強固に密着すると共に、上記発光素子からの光を効率良く反射できる発光素子実装用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、キャビティの側面に形成される光反射層と当該キャビティの底面との間に基板本体の一部である絶縁材を露出させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の発光素子実装用配線基板（請求項１）は、表面および裏面を有し且つ絶縁材からなる基板本体と、かかる基板本体の表面に開口し且つ底面に発光素子を実装するキャビティと、かかるキャビティの側面に形成される光反射層と、上記キャビティの底面に形成される導体層と、を含み、上記光反射層におけるキャビティの底面側の端部と上記キャビティの底面との間には、厚み０．０５ｍｍ以上で且つ０．２ｍｍ以下の絶縁材が露出している部分がある、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記キャビティの側面に形成される光反射層と当該キャビティの底面との間に、厚み０．０５〜０．２ｍｍの絶縁材の露出部分が位置している。このため、追ってキャビティの底面に発光素子を実装し且つ当該キャビティ内に封止用樹脂を充填して固化した際に、かかる固化した封止用樹脂と上記絶縁材の露出部分とが強固に密着する。しかも、上記絶縁材の厚みが０．２ｍｍ以下であるため、光反射層の面積をかなり確保できる。
更に、前記キャビティの底面と光反射層との間に絶縁材の露出部分を設けることで、上記底面に実装される発光素子（具体的には、発光素子に導通するパッドなどの導体層）と上記光反射層との絶縁が確保できるので、発光素子（パッド）と光反射層との距離を大きく取る必要がなくなる。これにより、発光素子を実装するための領域を小さくできるため、本配線基板の小型化も可能となる。
従って、封止用樹脂が強固にキャビティ密着し、上記発光素子からの光を効率良く反射できると共に、小型化も可能となる。
【０００８】
前記絶縁材が露出している部分の厚みが０．０５ｍｍ未満になると、かかる部分と封止用樹脂との接触面積が過少となって密着力が低下し、一方、上記厚みが０．２ｍｍを越えると、キャビティの側面に形成する光反射層の面積が過少となり、発光素子からの光の効率的な反射が行い難くなる。このため、絶縁材が露出している部分の厚みを前記範囲とした。また、かかる厚みは、例えばキャビティの底面上から当該底面に沿って基板本体の内部に延びる導体層が形成されている場合には、光反射層におけるキャビティの底面側の端部と、上記導体層の表面との間の距離にも適用される。
【０００９】
尚、前記基板本体を形成する絶縁材は、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成セラミックの１つであるガラス−セラミック、あるいエポキシ系樹脂をはじめとする各種の樹脂である。
また、前記キャビティは、貫通孔の側面に光反射層を備える上側絶縁層と、追ってキャビティの底面となる上面を含む下側絶縁層との２部材により形成されると共に、露出部分を有する前記絶縁材は、上側絶縁層の最下層または下側絶縁層の最上層に形成される。かかるキャビティは、円形、楕円形、または長円形の底面の周囲から傾斜して基板本体の表面に向けて広がる側面（周面）を有する全体がほぼ円錐形、ほぼ楕円錐形、あるいは、ほぼ長円錐形を呈する形態のほか、円筒形、楕円筒形、または長円筒形の側面（周面）を有する全体が円柱形、楕円柱形、または長円柱形の形態も含まれる。
更に、前記導体層は、キャビティの底面に形成されるパッド、またはキャビティの底面から当該底面に沿って基板本体の内部に延びて形成される導体層である。
また、前記光反射層は、少なくともその表層に光を反射するＡｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどのメッキ層や薄膜層を含んでいる。加えて、前記発光素子には、発光ダイオードのほか、半導体レーザも含まれる。
【００１０】
また、本発明には、前記絶縁材が露出している部分は、前記キャビティの側面に形成された光反射層から当該キャビティの底面中央方向に張り出している、発光素子実装用配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、上記絶縁材が露出している部分は、追ってキャビティの底面に発行素子を実装し且つ当該キャビティ内に封止用樹脂を充填・固化した際に、かかる封止用樹脂と、その側面および上面の双方の比較的広い面積で密着する。従って、封止用樹脂が一層強固にキャビティに密着すると共に、上記発光素子からの光を効率良く反射できる。
【００１１】
更に、本発明には、前記絶縁材が露出している部分は、前記キャビティの側面に形成された光反射層から凹んで位置している、発光素子実装用配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、上記光反射層から凹んで位置しつつ絶縁材が露出している部分は、追ってキャビティの底面に発行素子を実装し且つ当該キャビティ内に封止用樹脂を充填・固化した際に、かかる封止用樹脂と、その側面および直上の絶縁層の下面の双方の広い面積で密着する。しかも、封止用樹脂の一部は、光反射層の下端部から凹んで位置する上記絶縁材の露出部分に進入して固化するため、アンカー効果による物理的な抜け防止も図れる。従って、封止用樹脂が一層強固にキャビティに密着すると共に、上記発光素子からの光を効率良く反射できる。
【００１２】
付言すれば、本発明には、前記光反射層と前記導体層との間に介在する前記露出する部分を含む絶縁材は、前記基板本体の中間に挟持される専用の絶縁層からなる、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。
これによる場合、上記露出部分を有する絶縁材は、これを含む基板本体の絶縁材がセラミックまたは低温焼成セラミックのガラス−セラミックの場合、キャビティを形成する貫通孔の側面に光反射層を備える上側絶縁層の最下層、または追ってキャビティの底面となる上面を含む下側絶縁層の最上層に、専用のセラミック層などを形成することで、容易に形成することが可能となる。また、上記露出部分を有する絶縁材は、これを含む基板本体の絶縁材が樹脂である場合、例えばコア基板の上方でキャビティを形成する高さの層において、例えば、露出部分を打ち抜いた専用の樹脂フィルムを圧着するか、あるいは、専用の樹脂を所定の形状に塗布することで、容易に形成することが可能となる。
【００１３】
また、本発明には、前記光反射層と前記導体層との間に介在すると共に、前記キャビティの側面の下端よりも当該キャビティの底面中央方向に張り出して露出する前記露出部分を含む絶縁材、あるいは、基板本体の外側寄りに凹んで位置しつつ露出する部分を含む絶縁材は、キャビティに充填される封止用樹脂と密着する、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。
これによる場合、上記露出部分を含む絶縁材は、上記張り出し量または凹み量を考慮して、前記上側絶縁層の最下層または前記下側絶縁層の最上層に形成するか、あるいは、前記樹脂の塗布または露出部分を打ち抜いた前記樹脂フィルムを圧着することで、容易に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による発光素子実装用配線基板（以下、単に配線基板と称する）１を示す垂直断面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１は、図１に示すように、表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ底面７に発光ダイオード（発光素子）８を実装するキャビティ５と、かかるキャビティ５の側面６に形成される光反射層１０と、キャビティ５の底面７に離間して形成される一対のパッド（導体層）１１，１２と、を含んでいる。
上記基板本体２は、一体に積層された例えばアルミナ系のセラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ３，ｚ１，ｓ４，ｓ５からなり、平面視が約５ｍｍ×約５ｍｍの正方形で且つ約１〜２ｍｍの厚みを有する。
【００１５】
図１，図２に示すように、キャビティ５は、平面視が円形の底面７と、かかる底面７の周囲から立設するセラミック層ｚ１の円筒形の貫通孔ｈ１と、かかる貫通孔ｈ１から傾斜しつつセラミック層ｓ４，ｓ５を貫通し且つ基板本体２の表面３に向けて広がる側面６と、を有し、全体がほぼ円錐形を呈する。
セラミック層ｓ３，ｓ４間に挟持されるセラミック層ｚ１は、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍであり、図１，図２に示すように、底面７の直径と同じ内径の貫通孔ｈ１を有し、かかる貫通孔ｈ１の側面ｒ１が、本発明のセラミック（絶縁材）が露出している部分である。かかるセラミック層ｚ１は、セラミック層ｓ１〜ｓ５に比べ、図２ではやや薄肉であるが、同等の厚みとしても良い。
【００１６】
尚、前記側面６の仰角は、３０度乃至８０度の範囲において適宜選定される。
また、前記キャビティ５は、焼成により追ってセラミック層ｚ１，ｓ４，ｓ５となる３層の単位グリーンシートまたは大版のグリーンシートを積層して得られた上側グリーンシート積層体に、所要のクリアランスを介する打ち抜き加工、あるいは予め形成した円柱形の貫通孔にほぼ円錐形の金型を押し込んで、側面がほぼ円錐形の貫通孔および側面ｒ１を含む円筒形の貫通孔ｈ１を形成する。次いで、かかる上側グリーンシート積層体（上側絶縁層）の下に、追って焼成によりセラミック層ｓ１〜ｓ３となる３層グリーンシートを積層した平坦な下側グリーンシート積層体（下側絶縁層）を積層することで、工数を要さず容易に形成される。
【００１７】
図１，図２に示すように、前記キャビティ５の側面６のほぼ全面には、光反射層１０がほぼ円錐形にして形成されている。かかる光反射層１０は、側面６に接するＷ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕからなる金属層と、その上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を介して形成され且つ表層となるＡｇメッキ層など（何れも図示せず）と、からなる。
上記光反射層１０におけるキャビティ５の底面７側の端部と、キャビティ５の底面７との間に、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍの前記セラミック層ｚ１における貫通孔ｈ１の側面ｒ１が露出している。尚、上記厚み（ｔ）は、前記パッド１１，１２に替えて、例えばキャビティ５の底面７上から基板本体２の内部に延びる導体層が形成されている場合には、光反射層１０におけるキャビティ５の底面７側の端部と、上記導体層の表面との間の距離にも適用される。換言すれば、セラミック層ｚ１の厚み（ｔ）は、上記導体層の厚みを加算して設定される。
【００１８】
図１，図２に示すように、キャビティ５の底面７上には、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕからなり且つ互いに異なる回路を形成する一対のパッド１１，１２が、底面７の中央に位置する発光ダイオード８の実装エリアを挟みつつ離間して形成される。
また、キャビティ５の底面７の上方には、追って、ロウ材９またはエポキシ系樹脂を介して、発光ダイオード８が実装される。その際に、発光ダイオード８と一対のパッド１１，１２との間でボンディングワイヤｗが個別に結線される。かかるキャビティ５内には、固化前の封止用樹脂ｊが充填され、図２中の一点鎖線で示すように、表面が基板本体２の表面３と面一にして固化される。尚、上記ロウ材９は、例えば、Ａｕ−Ｓｎ系などの低融点合金からなる。
【００１９】
更に、図１，２に示すように、パッド１１，１２には、セラミック層ｓ１〜ｓ５，ｚ１を貫通するビア導体１５，１６が個別に接続され、各ビア導体１５，１６は、セラミック層ｓ１〜ｓ５，ｚ１間に形成される配線層１３，１４と個別に接続される。また、配線層１３，１４は、ビア導体１５，１６を介して、基板本体２の裏面４に形成される一対の裏面電極１７，１８に個別に接続されている。
尚、図２で左側に位置するパッド１１、配線層１３、ビア導体１５、および裏面電極１７は、例えば接地回路を形成する。また、図２で右側に位置するパッド１２、配線層１４、ビア導体１６、および裏面電極１８は、例えば信号回路を形成する。上記パッド１１，１２、配線層１３，１４、ビア導体１５，１６、および裏面電極１７，１８は、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕからなる。
【００２０】
以上の２０ような配線基板１によれば、前記キャビティ５の側面６に形成される光反射層１０と当該キャビティ５の底面７との間に、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍのセラミック層ｚ１における平面視がリング形の貫通孔ｈ１の側面（露出する部分）ｒ１が位置している。このため、追ってキャビティ５の底面７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ５内に封止用樹脂ｊを充填して固化した際に、かかる固化した封止用樹脂ｊと上記セラミック層ｚ１の側面ｒ１とが密着する。しかも、セラミック層ｚ１の厚み（ｔ）が０．２ｍｍ以下であるため、光反射層１０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが強固にキャビティ５に密着すると共に、上記発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射することができる。
【００２１】
図３は、前記配線基板１の変形形態である配線基板１ａを示す平面図、図４は、図３中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１ａも、図３，図４に示すように、前記同様の基板本体２ａ、キャビティ５ａ、光反射層１０、および一対のパッド（導体層）１１，１２、を含んでいる。以下においては、前記配線基板１と相違する部分について説明する。
図３，図４に示すように、キャビティ５ａは、平面視が円形の底面７と、かかる底面７の周囲から立設するセラミック層ｚ２の円筒形の貫通孔ｈ２と、かかる貫通孔ｈ２を囲む部分ｒ２の上面の周囲から傾斜しつつセラミック層ｓ４，ｓ５を貫通し且つ基板本体２ａの表面３に向けて広がる側面６と、を有し、全体がほぼ円錐形を呈する。かかるキャビティ５ａも前記と同様にして形成される。
【００２２】
図３，図４に示すように、セラミック層ｓ３，ｓ４間に挟持されるセラミック（絶縁材）層ｚ２も、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍである。また、かかるセラミック層ｚ２は、キャビティ５ａの比較的小径である底面７の直径と同じ内径の貫通孔ｈ２を有し、かかる貫通孔ｈ２の側面とこれに隣接する上面とを含む平面視でリング形の部分ｒ２が、本発明におけるセラミック（絶縁材）の露出している部分である。即ち、セラミック層ｚ２のセラミックが露出する部分ｒ２は、キャビティ５ａの側面６に形成される光反射層１０の下端側の端部から、当該キャビティ５ａにおける底面７の中央方向に沿って求心状に張り出している。
【００２３】
以上のような配線基板１ａによれば、キャビティ５ａの側面６に形成される光反射層１０と当該キャビティ５ａの底面７との間に、前記厚み（ｔ）のセラミック層ｚ２の露出する部分ｒ２が張り出しつつ位置している。このため、追ってキャビティ５ａの底面７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ５ａ内に封止用樹脂ｊを充填・固化した際、かかる固化した封止用樹脂ｊと、セラミック層ｚ２における上記部分ｒ２の側面および上面と、が密着する。しかも、セラミック層ｚ２の厚み（ｔ）も０．２ｍｍ以下のため、光反射層１０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが一層強固にキャビティ５ａに密着すると共に、発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射することができる。
【００２４】
図５は、前記配線基板１の異なる変形形態である配線基板１ｂを示す前記図２と同様な断面図である。
配線基板１ｂも、図５に示すように、前記同様の基板本体２ｂ、キャビティ５ｂ、光反射層１０、および一対のパッド（導体層）１１，１２、を含んでいる。以下においては、前記配線基板１と相違する部分について説明する。
図５に示すように、キャビティ５ｂは、平面視が円形で比較的大径の底面７と、かかる底面７の周囲から立設するセラミック層ｚ３の円筒形の貫通孔ｈ３と、かかる貫通孔ｈ３の上端から底面７の中心方向に沿ってズレたセラミック層ｓ４の内周側の下端から傾斜ししつセラミック層ｓ４，ｓ５を貫通し且つ基板本体２ｂの表面３に向けて広がる側面６と、を有し、全体がほぼ円錐形を呈する。かかるキャビティ５ｂも前記と同様にして形成される。
【００２５】
図５に示すように、セラミック層ｓ３，ｓ４間に挟持されるセラミック（絶縁材）層ｚ３も、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍである。また、かかるセラミック層ｚ３は、キャビティ５ｂの底面７の直径と同じ内径の貫通孔ｈ３を有し、かかる貫通孔ｈ３の側面である平面視でリング形の側面ｒ３が、本発明におけるセラミック（絶縁材）の露出している部分である。即ち、セラミック層ｚ３のセラミックが露出する側面ｒ３は、キャビティ５ｂの側面６に形成される光反射層１０の下端側の端部から、基板本体２ｂの外側方向に沿って凹んで位置している。
【００２６】
以上のような配線基板１ｂによれば、キャビティ５ｂの側面６に形成される光反射層１０と当該キャビティ５ｂの底面７との間に、前記厚み（ｔ）のセラミック層ｚ３の露出する側面ｒ３が凹みつつ位置している。このため、追ってキャビティ５ｂの底面７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ５ｂ内に封止用樹脂ｊを充填・固化した際、かかる固化した封止用樹脂ｊと、セラミック層ｚ３の側面ｒ３およびセラミック層ｓ４における内周寄りの下面と、がアンカー効果を含めて強固に密着する。しかも、セラミック層ｚ３も前記厚み（ｔ）のため、光反射層１０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが一層強固にキャビティ５ｂに密着し、且つ発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射することができる。
【００２７】
図６は、前記配線基板１の更に異なる変形形態である配線基板１ｃを示す前記図２と同様な断面図である。
配線基板１ｃも、図６に示すように、前記同様の基板本体２ｃ、キャビティ５ｃ、光反射層１０、および一対のパッド（導体層）１１，１２、を含んでいる。以下においては、前記配線基板１と相違する部分について説明する。
図６に示すように、キャビティ５ｃは、平面視が円形で比較的小径の底面７と、かかる底面７の周囲から斜め上向きに傾斜するセラミック層ｚ４のほぼ円錐形の貫通孔ｈ４と、かかる貫通孔ｈ４の上端から同じ傾斜でセラミック層ｓ４，ｓ５を貫通し且つ基板本体２ｃの表面３に向けて広がる側面６と、を有し、全体がほぼ円錐形を呈する。かかるキャビティ５ｃも前記と同様にして形成される。
【００２８】
図６に示すように、セラミック層ｓ３，ｓ４間に挟持されるセラミック（絶縁材）層ｚ４も、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍである。また、かかるセラミック層ｚ４は、キャビティ５ｂの底面７の直径と同じ内径の底辺とこれよりもやや大きな内径の上辺とを含む貫通孔ｈ４を有し、かかる貫通孔ｈ４の傾斜した側面ｒ４が、本発明におけるセラミック（絶縁材）の露出している部分である。即ち、セラミック層ｚ４のセラミックが露出する側面ｒ４は、キャビティ５ｃの側面６に形成される光反射層１０の下端側の端部から、上記側面６と同じ傾斜に沿って形成されている。
【００２９】
以上のような配線基板１ｃによれば、キャビティ５ｃの側面６に形成される光反射層１０と当該キャビティ５ｃの底面７との間に、前記厚み（ｔ）のセラミック層ｚ４の露出する傾斜した側面ｒ４が傾斜して位置している。このため、追ってキャビティ５ｃの底面７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ５ｃ内に封止用樹脂ｊを充填・固化した際、かかる固化した封止用樹脂ｊとセラミック層ｚ４の側面ｒ４とが強固に密着する。しかも、セラミック層ｚ４も前記厚み（ｔ）のため、光反射層１０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが一層強固にキャビティ５ｃに密着し、且つ発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射することができる。
【００３０】
図７は、異なる形態の配線基板２０を示す平面図、図８は、図７中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板２０は、図７，図８に示すように、表面２３および裏面２４を有する前記同様の基板本体２２と、かかる基板本体２２の表面２３に開口し且つ底面２７に発光ダイオード（発光素子）８を実装するキャビティ２５と、かかるキャビティ２５の垂直な側面２６に形成される光反射層３０と、キャビティ２５の底面２７に離間して形成される一対のパッド（導体層）１１，１２と、を含んでいる。
上記基板本体２２は、一体に積層された例えばアルミナ系のセラミック（絶縁材）層ｓ１〜ｓ３，ｚ１，ｓ６，ｓ７からなり、平面視が約５ｍｍ×約５ｍｍの正方形で且つ約１〜２ｍｍの厚みを有する。
【００３１】
図７，図８に示すように、キャビティ２５は、平面視が円形の底面２７と、かかる底面７の周囲から立設するセラミック層ｚ１の円筒形の貫通孔ｈ１と、かかる貫通孔ｈ１の上端からセラミック層ｓ６，ｓ７を垂直に貫通し且つ基板本体２２の表面２３に達する側面２６と、を有し、全体が円筒形を呈する。
セラミック層ｓ３，ｓ６間に挟持されるセラミック層ｚ１は、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍであり、図７，図８に示すように、底面２７の直径と同じ内径の貫通孔ｈ１を有し、かかる貫通孔ｈ１の側面ｒ１が、本発明のセラミック（絶縁材）が露出している部分である。かかるセラミック層ｚ１は、セラミック層ｓ１〜ｓ３，ｓ６，ｓ７に比べ、図８ではやや薄肉であるが、同等の厚みとしても良い。
【００３２】
また、前記キャビティ２５は、焼成により追ってセラミック層ｚ１，ｓ６，ｓ７となる３層の単位グリーンシートまたは大版のグリーンシートを積層して得られた上側グリーンシート積層体に、最小限のクリアランスを介する打ち抜き加工により形成することで、側面ｒ１を含む側面全体が円筒形の貫通孔を形成する。次いで、かかる上側グリーンシート積層体の下に、追って焼成によりセラミック層ｓ１〜ｓ３となる３層グリーンシートを積層した平坦な下側グリーンシート積層体を積層することで、特別な工程を要することなく容易に形成される。
【００３３】
図７，図８に示すように、前記キャビティ２５の側面２６のほぼ全面には、表層に形成される図示しないＡｇなどを含む光反射層３０が、円筒形にして形成されている。かかる光反射層３０におけるキャビティ２５の底面２７側の端部と、キャビティ２５の底面２７との間に、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍの前記セラミック層ｚ１における側面ｒ１が露出している。
尚、上記厚み（ｔ）は、前記パッド１１，１２に替えて、例えばキャビティ２５の底面２７上から基板本体２２の内部に延びる導体層が形成されている場合には、光反射層３０におけるキャビティ２５の底面２７側の端部と、上記導体層の表面との間の距離にも適用される。
【００３４】
図７，図８に示すように、キャビティ２５の底面２７上には、前記同様のパッド１１，１２が、底面２７中央に位置する発光ダイオード８の実装エリアを挟み且つ離間して形成されている。また、キャビティ２５の底面２７上には、追って、ロウ材９またはエポキシ系樹脂を介して、発光ダイオード８が実装されると共にに、一対のパッド１１，１２との間でボンディングワイヤｗが個別に結線される。更に、キャビティ２５内には、固化前の封止用樹脂ｊが充填され、図８中の一点鎖線で示すように、表面が基板本体２２の表面２３と面一にして固化される。  
図８に示すように、基板本体２２には、接地回路および信号回路の何れかを形成する前記パッド１１，１２、配線層１３，１４、ビア導体１５，１６、および裏面電極１７，１８が前記同様に形成されている。
【００３５】
以上のような配線基板２０によれば、前記キャビティ２５の側面２６に形成される光反射層３０と当該キャビティ２５の底面２７との間に、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍのセラミック層ｚ１における平面視でリング形の貫通孔ｈ１の側面（露出する部分）ｒ１が位置している。このため、追ってキャビティ２５の底面２７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ２５内に封止用樹脂ｊを充填して固化した際に、かかる固化した封止用樹脂ｊと上記セラミック層ｚ１の側面ｒ１とが密着する。しかも、セラミック層ｚ１の厚み（ｔ）が０．２ｍｍ以下であるため、光反射層３０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが強固にキャビティ２５に密着すると共に、上記発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射することができる。
【００３６】
図９は、前記配線基板２０の変形形態である配線基板２０ａを示す前記図８と同様な断面図である。
配線基板２０ａも、図９に示すように、前記同様の基板本体２２ａ、キャビティ２５ａ、光反射層３０、および一対のパッド（導体層）１１，１２、を含んでいる。以下においては、前記配線基板２０と相違する部分について説明する。
図９に示すように、キャビティ２５ａは、平面視が円形でやや小径の底面２７と、かかる底面２７の周囲から立設するセラミック層ｚ２の円筒形の貫通孔ｈ２と、かかる貫通孔ｈ２を囲む部分ｒ２の上面の周囲からセラミック層ｓ６，ｓ７を垂直に貫通し且つ基板本体２２ａの表面２３に達する側面２６と、を有し、全体がほぼ円筒形を呈する。かかるキャビティ２５ａも前記と同様にして形成される。
【００３７】
図９に示すように、セラミック層ｓ３，ｓ６間に挟持されるセラミック（絶縁材）層ｚ２も、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍである。また、かかるセラミック層ｚ２は、キャビティ２５ａの比較的小径である底面２７の直径と同じ内径の貫通孔ｈ２を有し、かかる貫通孔ｈ２の側面とこれに隣接する上面とを含む平面視でリング形の部分ｒ２が、本発明におけるセラミックの露出している部分である。即ち、セラミック層ｚ２のセラミック（絶縁材）が露出する部分ｒ２は、キャビティ２５ａの側面２６に形成される光反射層３０の下端側の端部から、当該キャビティ２５ａにおける底面２７の中央方向に沿って求心状に張り出している。
【００３８】
以上のような配線基板２０ａによれば、キャビティ２５ａの側面２６に形成される光反射層３０と当該キャビティ２５ａの底面２７との間に、前記厚み（ｔ）のセラミック層ｚ２の露出する部分ｒ２が張り出しつつ位置している。このため、追ってキャビティ２５ａの底面２７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ２５ａ内に封止用樹脂ｊを充填・固化した際、かかる固化した封止用樹脂ｊとセラミック層ｚ２における上記部分ｒ２の側面および上面とが密着する。しかも、セラミック層ｚ２の厚み（ｔ）も０．２ｍｍ以下のため、光反射層３０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが一層強固にキャビティ２５ａに密着すると共に、発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射可能となる。
【００３９】
図１０は、前記配線基板２０の異なる変形形態である配線基板２０ｂを示す前記図８と同様な断面図である。
配線基板２０ｂも、図１０に示すように、前記同様の基板本体２２ｂ、キャビティ２５ｂ、光反射層３０、および一対のパッド（導体層）１１，１２、を含んでいる。以下においては、前記配線基板２０と相違する部分について説明する。
図１０に示すように、キャビティ２５ｂは、平面視が円形で比較的大径の底面２７と、かかる底面２７の周囲から立設するセラミック層ｚ３の円筒形の貫通孔ｈ３と、かかる貫通孔ｈ３の上端から底面２７の中心方向に沿ってズレたセラミック層ｓ４における内周側の下端からセラミック層ｓ６，ｓ７を垂直に貫通し且つ基板本体２２ｂの表面２３に達する側面２６と、を有し、全体がほぼ円筒形を呈する。かかるキャビティ２５ｂも前記と同様にして形成される。
【００４０】
図１０に示すように、セラミック層ｓ３，ｓ６間に挟持されるセラミック（絶縁材）層ｚ３も、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍである。また、かかるセラミック層ｚ３は、キャビティ２５ｂの底面２７の直径と同じ内径の貫通孔ｈ３を有し、かかる貫通孔ｈ３の側面である平面視でリング形の側面ｒ３が、本発明におけるセラミック（絶縁材）の露出している部分である。即ち、セラミック層ｚ３のセラミックが露出する側面ｒ３は、キャビティ２５ｂの側面２６に形成される光反射層３０の下端側の端部から、基板本体２２ｂの外側方向に沿って凹んで位置している。
【００４１】
以上のような配線基板２０ｂによれば、キャビティ２５ｂの側面２６に形成される光反射層３０と当該キャビティ２５ｂの底面２７との間に、前記厚み（ｔ）のセラミック層ｚ３の露出する側面ｒ３が凹みつつ位置している。このため、追ってキャビティ２５ｂの底面２７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ２５ｂ内に封止用樹脂ｊを充填・固化した際、かかる固化した封止用樹脂ｊと、セラミック層ｚ３の側面ｒ３およびセラミック層ｓ６における内周寄りの下面と、がアンカー効果を含めて強固に密着する。しかも、セラミック層ｚ３も前記厚み（ｔ）のため、光反射層３０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが一層強固にキャビティ５ｂに密着し、且つ発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射することができる。
【００４２】
図１１は、前記配線基板２０の更に異なる変形形態である配線基板２０ｃを示す前記図２と同様な断面図である。
配線基板２０ｃも、図１１に示すように、前記同様の基板本体２２ｃ、キャビティ２５ｃ、光反射層３０、および一対のパッド（導体層）１１，１２、を含んでいる。以下においては、前記配線基板１と相違する部分について説明する。
図１１に示すように、キャビティ２５ｃは、平面視が円形で比較的小径の底面２７と、かかる底面２７の周囲から斜め上向きに傾斜するセラミック層ｚ４のほぼ円錐形の貫通孔ｈ４と、かかる貫通孔ｈ４の上端からセラミック層ｓ６，ｓ７を垂直に貫通し且つ基板本体２２ｃの表面２３に達する側面２６と、を有し、全体がほぼ円筒形を呈する。このキャビティ２５ｃも前記と同様にして形成される。
【００４３】
図１１に示すように、セラミック層ｓ３，ｓ６間に挟持されるセラミック（絶縁材）層ｚ４も、厚み（ｔ）０．０５〜０．２ｍｍである。また、かかるセラミック層ｚ４は、キャビティ２５ｂの底面２７の直径と同じ内径の底辺とこれよりもやや大径の上辺との間で傾斜する貫通孔ｈ４を有し、かかる貫通孔ｈ４の傾斜した側面ｒ４が、本発明におけるセラミック（絶縁材）の露出している部分である。即ち、セラミック層ｚ４のセラミックが露出する側面ｒ４は、キャビティ２５ｃの側面２６に形成される光反射層３０の下端側の端部と底面２７との間で、ほぼ円錐形に傾斜しつつ位置している。
【００４４】
以上のような配線基板２０ｃによれば、キャビティ２５ｃの側面２６に形成される光反射層３０と当該キャビティ２５ｃの底面２７との間に、前記厚み（ｔ）のセラミック層ｚ４の露出する傾斜した側面ｒ４が位置している。このため、追ってキャビティ２５ｃの底面２７に発光ダイオード８を実装し且つ当該キャビティ２５ｃ内に封止用樹脂ｊを充填・固化した際、かかる固化した封止用樹脂ｊとセラミック層ｚ４の側面ｒ４とが強固に密着する。しかも、セラミック層ｚ４も前記厚み（ｔ）のため、光反射層３０の面積をかなり確保できる。従って、封止用樹脂ｊが一層強固にキャビティ２５ｃに密着し、且つ発光ダイオード８から発光された光を効率良く反射することができる。
【００４５】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
基板本体を形成する前記セラミック層ｓ１〜ｓ７，ｚ１〜ｚ４に替えて、ガラス−セラミック（絶縁材）層、あるいは例えばＢＴ樹脂やエポキシ系樹脂などの樹脂（絶縁材）層を用いても良い。上記ガラス−セラミックは、焼成温度が１０００℃以下のガラス−アルミナ系などで低温焼成セラミックの１つであるガラス−セラミックである。
また、前記キャビティは、全体がほぼ長円錐形、ほぼ楕円錐形、長円柱形、楕円柱形を呈する形態とすると共に、それらの側面に、前記光反射層を形成すると共に、それらの底面側に前記側面ｒ１，ｒ３，ｒ４または部分ｒ２を形成しても良い。あるいは、平面視が正方形で且つ全体がほぼ正四角錐形、あるいは平面視が長方形で且つ全体がほぼ四角錐形を呈するキャビティとし、それらの隣接する各側面間のコーナに表面が凹んでカーブするようにロウ材を充填すると共に、かかるロウ材と各側面とに、前記光反射層を形成しても良い。
【００４６】
更に、キャビティは、１つの基板本体に複数個を併設して形成しても良い。あるいは、同一の基板本体に異なる形状のキャビティを併設して形成しても良い。
加えて、前記パッド１１，１２に替えて、キャビティの底面に、左右対称で且つ当該底面に沿って基板本体の内部に進入して形成する一対の導体層を形成しても良い。この場合、前記絶縁層の厚み（ｔ）は、上記導体層の厚み分を除外したものとされる。あるいは、上記一対の導体層の一方または双方は、発光ダイオード（発光素子）８の下側まで延在し、これと直に導通する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明における一形態の配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。
【図３】上記配線基板の変形形態を示す平面図。
【図４】図３中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。
【図５】上記配線基板の異なる変形形態を示す図２と同様な断面図。
【図６】上記配線基板の更に異なる変形形態を示す図２と同様な断面図。
【図７】異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図８】図７中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図。
【図９】上記配線基板の変形形態を示す図８と同様な断面図。
【図１０】上記配線基板の異なる変形形態を示す図８と同様な断面図。
【図１１】上記配線基板の更に異なる変形形態を示す図８と同様な断面図。
【符号の説明】
【００４８】
１，１ａ〜１ｃ，２０，２０ａ〜２０ｃ…発光素子実装用配線基板
２，２ａ〜２ｃ，２２，２２ａ〜２２ｃ…基板本体
３，２３………………………………………表面
４，２４………………………………………裏面
５，５ａ〜５ｃ，２５，２５ａ〜２５ｃ…キャビティ
６，２６………………………………………側面
７，２７………………………………………底面
８………………………………………………発光ダイオード（発光素子）
１０，３０……………………………………光反射層
ｚ１〜ｚ４……………………………………セラミック層（露出部分を有する絶縁材）
ｒ１，ｒ３，ｒ４……………………………側面（露出する部分）
ｒ２……………………………………………部分（露出する部分）
ｓ１〜ｓ７……………………………………セラミック層（絶縁材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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