(57)【要約】    【課題】  レーザ結晶単体での性能を評価可能とし、固体レーザの歩留りを向上させ、或は射出レーザ光線の強度が所定の強度以上となる部位を検出し、レーザ結晶の持つ性能を有効に利用可能とする。    【解決手段】  励起光２６を発する発光源２４と、レーザ結晶８を保持するレーザ結晶保持台１５と、レーザ結晶から射出されるレーザ光線２７を受光する受光検出部２９と、前記発光源と前記レーザ結晶とを該レーザ結晶の端面と平行に相対移動させる移動装置１８と、該移動装置からの相対移動量と前記受光検出部からの受光結果とを取得する演算制御装置３１とを具備し、前記励起光が入射するレーザ結晶の端面内の位置を前記移動装置により移動させ、前記演算制御装置は励起光の入射位置と前記受光結果に基づきレーザ結晶端面内の出力分布を求める様にした。    【選択図】          図２
2006128557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を発する発光源と、レーザ結晶を保持するレーザ結晶保持台と、レーザ結晶から射出されるレーザ光線を受光する受光検出部と、前記発光源と前記レーザ結晶とを該レーザ結晶の端面と平行に相対移動させる移動装置と、該移動装置からの相対移動量と前記受光検出部からの受光結果とを取得する演算制御装置とを具備し、前記励起光が入射するレーザ結晶の端面内の位置を前記移動装置により移動させ、前記演算制御装置は励起光の入射位置と前記受光結果に基づきレーザ結晶端面内の出力分布を求める様にしたことを特徴とするレーザ結晶評価装置。
【請求項２】
前記演算制御装置は表示部を有し、相対移動に対応する受光結果の前記出力分布をグラフ化し前記表示部に表示する請求項１のレーザ結晶評価装置。
【請求項３】
前記演算制御装置が評価基準を有し、評価基準は複数の出力値基準、出力領域、領域の位置であり、基準を満足する場合に出力値基準に従って評価の分別を行う請求項１のレーザ結晶評価装置。
【請求項４】
前記レーザ結晶保持台は冷却器を具備し、前記レーザ結晶を所定の温度に維持する請求項１のレーザ結晶評価装置。
【請求項５】
レーザ結晶は、該レーザ結晶と波長変換結晶が一体化されたものである請求項１のレーザ結晶評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体レーザに使用されるレーザ結晶の品質を評価するレーザ結晶評価装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
固体レーザは、レーザ結晶に励起光を入射させ、該レーザ結晶で励起光を共振させ、レーザ光線を射出するものである。
【０００３】
前記レーザ結晶の結晶品質は、出力されるレーザ光線の品質（光強度、光強度分布、偏光、安定性等）に影響を与える。又、レーザ結晶は切出し時に発生したミクロの傷、残留応力、或は回折の作用により、励起光がレーザ結晶の周辺部に入射した場合、レーザ結晶から射出したレーザ光線が安定しない、或はレーザ光線が射出しない。中央部に励起光が入射されたとしても、所定の光強度が得られないもの、或は最大光強度を発する部位が入射面の中央にないもの等、各レーザ結晶間で個体差があり、各レーザ結晶間で射出されるレーザ光線の品質のバラツキが生じることがあった。
【０００４】
従来、レーザ結晶単体での品質を評価しているものはなく、レーザ結晶を固体レーザに組込んだ後、固体レーザとしての評価試験を行っている。この為、レーザ結晶の品質が起因して、所定の性能が得られないものもあり、固体レーザの歩留りの低下の原因となっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は斯かる実情に鑑み、レーザ結晶単体での性能を評価可能とし、固体レーザの歩留りを向上させ、或は射出レーザ光線の強度が所定の強度以上となる部位を検出し、レーザ結晶の持つ性能を有効に利用可能とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、励起光を発する発光源と、レーザ結晶を保持するレーザ結晶保持台と、レーザ結晶から射出されるレーザ光線を受光する受光検出部と、前記発光源と前記レーザ結晶とを該レーザ結晶の端面と平行に相対移動させる移動装置と、該移動装置からの相対移動量と前記受光検出部からの受光結果とを取得する演算制御装置とを具備し、前記励起光が入射するレーザ結晶の端面内の位置を前記移動装置により移動させ、前記演算制御装置は励起光の入射位置と前記受光結果に基づきレーザ結晶端面内の出力分布を求める様にしたレーザ結晶評価装置に係り、又前記演算制御装置は表示部を有し、相対移動に対応する受光結果の前記出力分布をグラフ化し前記表示部に表示するレーザ結晶評価装置に係り、又前記演算制御装置が評価基準を有し、評価基準は複数の出力値基準、出力領域、領域の位置であり、基準を満足する場合に出力値基準に従って評価の分別を行うレーザ結晶評価装置に係り、又前記レーザ結晶保持台は冷却器を具備し、前記レーザ結晶を所定の温度に維持するレーザ結晶評価装置に係り、更に又レーザ結晶は、該レーザ結晶と波長変換結晶が一体化されたものであるレーザ結晶評価装置に係るものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、励起光を発する発光源と、レーザ結晶を保持するレーザ結晶保持台と、レーザ結晶から射出されるレーザ光線を受光する受光検出部と、前記発光源と前記レーザ結晶とを該レーザ結晶の端面と平行に相対移動させる移動装置と、該移動装置からの相対移動量と前記受光検出部からの受光結果とを取得する演算制御装置とを具備し、前記励起光が入射するレーザ結晶の端面内の位置を前記移動装置により移動させ、前記演算制御装置は励起光の入射位置と前記受光結果に基づきレーザ結晶端面内の出力分布を求める様にしたので、結晶自体の品質が事前に分り、ＬＤ励起固体レーザを製造する場合にレーザ結晶に起因する不良を排除でき歩留りが向上する。
【０００８】
又本発明によれば、前記演算制御装置は表示部を有し、相対移動に対応する受光結果の前記出力分布をグラフ化し前記表示部に表示するので、評価結果が視覚的に判断できる。
【０００９】
又本発明によれば、前記演算制御装置が評価基準を有し、評価基準は複数の出力値基準、出力領域、領域の位置であり、基準を満足する場合に出力値基準に従って評価の分別を行うので、レーザ結晶の用途に応じた評価が行え、レーザ結晶の有効利用が行える。
【００１０】
又本発明によれば、前記レーザ結晶保持台は冷却器を具備し、前記レーザ結晶を所定の温度に維持するので、評価精度が向上すると共にレーザ結晶の評価中の温度を変化させることで、温度に対応させた評価を得ることができ、ＬＤ励起固体レーザの使用条件を考慮したレーザ結晶の選択が可能となる。
【００１１】
又本発明によれば、レーザ結晶は、該レーザ結晶と波長変換結晶が一体化されたものであり、チップ化されたレーザ結晶の総合評価が可能となる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１３】
先ず、図１によりＬＤ励起固体レーザ１の概略を説明する。
【００１４】
図１中、２は発光部、３は光共振部である。前記発光部２はＬＤ発光器４、集光レンズ５を具備し、更に前記光共振部３は第１誘電体反射膜７が形成された第１光学結晶（レーザ結晶８）、第２光学結晶（非線形光学結晶（ＮＬＯ）（波長変換結晶９））、第２誘電体反射膜１０が形成された凹面鏡１１から構成され、前記光共振部３に於いてレーザ光線をポンピングし、共振、増幅し、更に波長を変換して出力している。
【００１５】
ＬＤ励起固体レーザ１は、励起光を前記光共振部３に入射させる励起光光源として、例えば、半導体レーザである前記ＬＤ発光器４が使用されている。
【００１６】
前記レーザ結晶８は励起光を基本波に変換し、光の増幅を行う為のものである。該レーザ結晶８には、発振線が１０６４ｎｍのＮｄ：ＹＶＯ4 が使用される。その他、Ｎｄ3+イオンをドープしたＹＡＧ（イットリウム  アルミニウム  ガーネット）等が採用され、ＹＡＧは、９４６ｎｍ、１０６４ｎｍ、１３１９ｎｍ等の発振線を有している。又、発振線が７００〜９００ｎｍのＴｉ（Ｓａｐｐｈｉｒｅ）等を使用することができる。
【００１７】
又、前記波長変換結晶９は基本波を１／２にする等波長変換を行うものであり、前記波長変換結晶９としてはＫＴＰ（ＫＴｉＯＰＯ4   リン酸チタニルカリウム）が挙げられる。
【００１８】
前記レーザ結晶８の前記ＬＤ発光器４側には、前記第１誘電体反射膜７が形成されている。該第１誘電体反射膜７は、前記ＬＤ発光器４からのレーザ光線に対して高透過であり、且つ前記レーザ結晶８の発振波長（基本波長）に対して高反射である。又、２次高調波（ＳＨＧ：ＳＥＣＯＮＤ  ＨＡＲＭＯＮＩＣ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮ）に対しても高反射としてもよい。勿論２次高調波に対しては、前記レーザ結晶８の励起側の反対側の端面、又は波長変換結晶９の励起側に設けてもよい。
【００１９】
前記凹面鏡１１は、前記レーザ結晶８に対向する様に構成されており、前記凹面鏡１１のレーザ結晶８側は、適宜の半径を有する凹面球面鏡の形状に加工されており、前記第２誘電体反射膜１０が形成されている。該第２誘電体反射膜１０は、基本波長に対して高反射であり、２次高調波に対して高透過となっている。
【００２０】
以上の様に、前記レーザ結晶８の前記第１誘電体反射膜７と、前記凹面鏡１１の前記第２誘電体反射膜１０とを組合わせ、前記ＬＤ発光器４からの励起光を前記集光レンズ５を介して前記レーザ結晶８にポンピングさせると、該レーザ結晶８の前記第１誘電体反射膜７と、前記第２誘電体反射膜１０との間で光が往復し、光を長時間閉込めることができるので、光を共振させて増幅させることができる。
【００２１】
前記レーザ結晶８の第１誘電体反射膜７と、前記凹面鏡１１とから構成された光共振部３内に前記波長変換結晶９が挿入されている。該波長変換結晶９にレーザ光線の様に強力なコヒーレント光が入射すると、光周波数を２倍にする２次高調波が発生する。該２次高調波の発生は、ＳＥＣＯＮＤ  ＨＡＲＭＯＮＩＣ  ＧＥＮＥＲＡＴＩＯＮと呼ばれている。従って、前記ＬＤ励起固体レーザ１からは例えば波長５３２ｎｍのレーザ光線が射出される。
【００２２】
尚、該ＬＤ励起固体レーザ１から射出されるレーザ光線で、波長変換が要求されない場合は、図１で示した構成から、前記波長変換結晶９が省略される。この場合、前記第２誘電体反射膜１０は基本波を数％透過させる。又、前記集光レンズ５は無くても可能であり、その場合は前記ＬＤ発光器４とレーザ結晶８の間隔を小さくする。
【００２３】
上記ＬＤ励起固体レーザ１で使用されるレーザ結晶８は、前記ＬＤ励起固体レーザ１から射出されるレーザ光線の品質を決定するものであるが、製作された前記レーザ結晶８の中には所定品質のレーザ光線を発しないものもあり、又該レーザ結晶８の入射端面の中央が必ずしも最高強度等、最高品質のレーザ光線を発するとも限らない。
【００２４】
以下に述べるレーザ結晶評価装置は、前記レーザ結晶８が所定品質のレーザ光線を発するかどうか、或は前記レーザ結晶８の端面の励起光１２（後述）の入射位置に対応したレーザ光線の発振状態を検査し、発振するレーザ光線強度の分布を調査し、前記レーザ結晶８の品質を評価するものである。
【００２５】
図２に於いて、レーザ結晶評価装置１４について説明する。
【００２６】
レーザ結晶保持台１５には前記レーザ結晶８が所要の固定手段１６により着脱可能に設けられ、前記レーザ結晶保持台１５は電子冷凍素子（ＴＥＣ）等の冷却器１７を具備し、前記レーザ結晶８は前記冷却器１７によって冷却可能となっている。尚、評価される前記レーザ結晶８は単体であっても、或は両端面に第１誘電体反射膜７、第２誘電体反射膜１０が形成されたものであってもよい。
【００２７】
前記レーザ結晶８の入射端面８ａ側に対向して３軸移動装置１８が設けられ、該３軸移動装置１８はＸ軸−Ｚ軸ステージ１９をＸ軸−Ｚ軸の２方向に移動させるＸ軸−Ｚ軸移動部２１、前記Ｘ軸−Ｚ軸ステージ１９に設けられたＹ軸移動部２２、該Ｙ軸移動部２２によってＹ軸方向に移動されるＹ軸ステージ２３を具備し、該Ｙ軸ステージ２３にはＬＤ等励起光を発する発光源２４が設けられている。
【００２８】
該発光源２４の射出側には集光レンズ２５が前記Ｙ軸ステージ２３に設けられ、前記発光源２４から発せられる励起光２６を集光として前記レーザ結晶８に入射させる。
【００２９】
前記励起光２６は前記レーザ結晶８により発振され、該レーザ結晶８からは基本波のレーザ光線（以下基本波光２７）が発せられる。
【００３０】
前記レーザ結晶８の射出端面側には、前記基本波光２７の波長を透過する光学フィルタ２８が設けられ、更に該光学フィルタ２８の透過側には受光検出部２９が設けられている。該受光検出部２９としては、ＰＤ（フォトダイオード）、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）等が用いられる。尚、前記光学フィルタ２８は不必要な光をカットし、評価する光のみを透過するものが用いられる。
【００３１】
前記Ｘ軸−Ｚ軸移動部２１及び前記Ｙ軸移動部２２は演算制御装置３１、例えばＰＣにより駆動制御される様になっており、基準点Ｏ（座標原点）からＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動位置決め可能となっており、３軸方向の移動量はそれぞれ位置検出器３０により検出され、検出結果は前記演算制御装置３１に送出される様になっている。
【００３２】
尚、前記基準点Ｏは前記レーザ結晶８を前記レーザ結晶保持台１５に設置することで決定され、例えば前記レーザ結晶８を前記固定手段１６に突当て、該固定手段１６によって決定される。例えば前記レーザ結晶８が前記固定手段１６に当接する垂直面と前記レーザ結晶保持台１５に当接する水平面とが交差して形成される点、図２中では前記レーザ結晶８の入射端面の右下の角が基準点Ｏとされる。
【００３３】
例えば前記レーザ結晶８が前記固定手段１６に当接する垂直面と前記レーザ結晶保持台１５に当接する水平面とが交差して形成される点を基準点Ｏとすることで、前記レーザ結晶８を交換した場合にも、前記基準点Ｏの位置の再現性が保証される。
【００３４】
前記冷却器１７は、前記演算制御装置３１からの制御信号で駆動される様になっており、前記レーザ結晶８の温度は温度センサ３２によって検出され、温度検出結果は前記演算制御装置３１にフィードバックされ、前記レーザ結晶８の冷却温度が制御される。
【００３５】
又、前記受光検出部２９からは受光状態に依存する受光信号が前記演算制御装置３１に送出され、該演算制御装置３１では前記発光源２４の位置と前記受光検出部２９からの受光信号が関連付けられて記録される様になっている。
【００３６】
以下作動について説明する。
【００３７】
前記レーザ結晶８を前記レーザ結晶保持台１５に設置し、前記演算制御装置３１より前記Ｘ軸−Ｚ軸移動部２１、前記Ｙ軸移動部２２を駆動して前記Ｘ軸−Ｚ軸ステージ１９、Ｙ軸ステージ２３を基準点に復帰させる。
【００３８】
前記発光源２４を駆動して前記励起光２６を射出させる。該励起光２６は連続光であっても、パルス光であってもよい。
【００３９】
前記Ｘ軸−Ｚ軸移動部２１を駆動して前記Ｘ軸−Ｚ軸ステージ１９をＺ軸方向に移動させ、前記励起光２６の射出状態を調整する。次に、前記Ｘ軸−Ｚ軸移動部２１を駆動して前記Ｘ軸−Ｚ軸ステージ１９をＸ軸＋方向に移動させ、前記入射端面８ａ内の前記励起光２６の入射点２６ａをＸ軸＋方向に移動させる。前記入射点２６ａの移動に伴い所定ピッチ間隔で前記受光検出部２９からの受光信号が前記演算制御装置３１に送出され、前記位置検出器３０は基準点Ｏからの変位量を検出して前記演算制御装置３１に送出する。該演算制御装置３１は前記３軸移動装置１８の位置検出器３０からの位置データと前記受光信号とを関連付けて記憶する。尚、前記Ｘ軸−Ｚ軸ステージ１９の移動は、ピッチ送りであっても、連続送りであってもよい。
【００４０】
前記レーザ結晶８のＸ軸方向全幅に亘って前記入射点２６ａが移動すると、前記Ｙ軸移動部２２を駆動して前記入射点２６ａをＹ軸方向に所定ピッチ分移動させる。前記Ｘ軸−Ｚ軸移動部２１を駆動して前記Ｘ軸−Ｚ軸ステージ１９をＸ軸−（マイナス）方向に移動させ、同様にして前記位置検出器３０からの位置データと前記受光検出部２９からの受光信号とを関連付けて記憶する。尚、走査範囲は必要に応じて中央部のみでもよい。
【００４１】
Ｘ軸−方向に前記レーザ結晶８のＸ軸全幅移動すると、前記Ｙ軸ステージ２３を駆動して前記Ｙ軸移動部２２を駆動して前記入射点２６ａをＹ軸方向に再び所定ピッチ分移動させる。前記Ｘ軸−Ｚ軸移動部２１により前記Ｘ軸−Ｚ軸ステージ１９をＸ軸＋方向に移動させ同様にして前記位置検出器３０からの位置データと前記受光検出部２９からの受光信号とを関連付けて記憶する。
【００４２】
前記Ｘ軸−Ｚ軸移動部２１による入射点２６ａの前記レーザ結晶８全幅に亘るＸ軸方向の移動と、前記Ｙ軸移動部２２によるＹ軸方向のステップ送りとの協働により、前記励起光２６の前記入射点２６ａを前記入射端面８ａ全面に亘り移動（スキャン）し、前記入射端面８ａ全面に於ける受光信号と該受光信号に関連付けされた位置信号とを取得する。
【００４３】
前記演算制御装置３１は、前記入射端面８ａの励起光２６の入射位置のデータと該入射位置に対応した受光信号（前記レーザ結晶８から射出される基本波光２７の光強度）のデータにより、図３（Ａ）、或は図４（Ａ）に示される様な３次元の光強度分布を作成し、光強度分布は前記演算制御装置３１の表示部３３に表示される。図３（Ａ）、図４（Ａ）中、Ｘ−Ｙはそれぞれ前記レーザ結晶８の入射端面中の座標、Ｚは前記受光検出部２９の出力強度を示す。又、図３（Ｂ）、或は図４（Ｂ）に示される様な２次元の光強度分布が作成され前記表示部３３に表示される。図３（Ｂ）、図４（Ｂ）中、Ｘ−Ｙはそれぞれ前記レーザ結晶８の入射端面中の座標、又図中の等高線は前記受光検出部２９の出力強度を示す。
【００４４】
３次元表示することで、前記レーザ結晶８の発振特性が視覚的に判断でき、更に強度に応じて色分けすることで、射出される基本波光２７の光強度の値も簡単に把握できる。又、２次元表示した場合は等高線、或は色分け表示により、光強度の分布が示され、所定光強度を示す色が所定の領域に広がっているか或は領域の位置が容易に判別でき、良品、不良品の評価ができる。
【００４５】
例えば、図３で示される評価結果と図４で示される評価結果とを比較すると、図４で示される評価結果では中央部に光強度が高く、領域も広く頂部に落込みもないことから、図３の評価の対象となったレーザ結晶８より図４の評価の対象となったレーザ結晶８が良品と評価される。
【００４６】
次に図５を参照して、前記演算制御装置３１により、前記レーザ結晶８の良品、不良品の評価を行う場合について説明する。
【００４７】
良品、不良品の判定の基準としては、前記レーザ結晶評価装置１４により取得した、光強度（即ち前記受光検出部２９からの受光信号出力）が所定光強度以上であるかどうか、所定光強度以上の領域が所定の範囲（面積）以上であるかどうか、領域が分断されていない等適正な形であるかどうかである。又光強度については、前記レーザ結晶８に要求される光強度に対応した出力が得られているかどうかで判断される。
【００４８】
例えば、前記レーザ結晶保持台１５にレーザ結晶８を設置し、前記入射端面８ａの励起光２６の入射位置のデータと該入射位置に対応した受光信号のデータにより、前記受光検出部２９からの受光信号出力が第１基準レベル以上、例えば１２ｍＷ以上であるかどうかが判断される（ＳＴＥＰ：０１）。
【００４９】
出力が１２ｍＷの場合、発光領域が所定量域、例えば０．３×０．３ｍｍ以上であるかどうかが判断され（ＳＴＥＰ：０２）、発光領域が０．３×０．３ｍｍ以上である場合は、更に発光領域の位置（例えば図形の重心）が前記入射端面８ａの中心から０．３ｍｍ以内にあるかどうかが判断される（ＳＴＥＰ：０３）。
【００５０】
ＳＴＥＰ：０３で発光領域の位置が前記入射端面８ａの中心から０．３ｍｍ以内にあるかどうかが判断された場合は、評価されたレーザ結晶８は高出力用良品と評価される。
【００５１】
又、ＳＴＥＰ：０２で発光領域が０．３×０．３ｍｍ以下であると、或はＳＴＥＰ：０３で発光領域の位置が前記入射端面８ａの中心から０．３ｍｍ以内から外れていると判断された場合は、ＳＴＥＰ：０１で出力が１２ｍＷ以下であると、更に、第２基準レベル、例えば６ｍＷ以上であるかどうかが判断される（ＳＴＥＰ：０４）。出力が６ｍＷ以上ある場合は、ＳＴＥＰ：０５で発光領域が０．３×０．３ｍｍ以上あるか、更にＳＴＥＰ：０６で発光領域の位置が前記入射端面８ａの中心から０．３ｍｍ以内にあるかどうかが判断され、発光領域が０．３×０．３ｍｍ以上あり、発光領域の位置が前記入射端面８ａの中心から０．３ｍｍ以内にあると判断されると低出力用良品と評価される。
【００５２】
ＳＴＥＰ：０４、ＳＴＥＰ：０５、ＳＴＥＰ：０６で判断基準を満たさないものについては、不良品として評価される。
【００５３】
上記した評価の判断基準として、出力、発光領域、発光領域の位置を説明したが、前記レーザ結晶８の温度に伴う出力の変化を判断基準としてもよい。一般に、前記レーザ結晶８の出力の状態は、該レーザ結晶８の温度によって変化するので、温度をパラメータとして、前記演算制御装置３１により前記レーザ結晶評価装置１４による評価中、前記レーザ結晶８を一定温度に保持すると共に複数温度でレーザ結晶８を評価し、高温用レーザ結晶８、低温用レーザ結晶８に分別してもよい。
【００５４】
更に、前記光学フィルタ２８に偏光板を用いることで、偏光特性の２次元分布を評価することができる。
【００５５】
尚、レーザ結晶評価装置１４としては、前記発光源２４を固定とし、前記レーザ結晶８を保持する前記レーザ結晶保持台１５が３軸方向に移動する構成としてもよい。
【００５６】
前記レーザ結晶評価装置１４が評価可能なものは、前記レーザ結晶８単体の他に、該レーザ結晶８の端面に前記第１誘電体反射膜７、前記第２誘電体反射膜１０を直接形成して光共振部３をチップ化したＬＤ励起固体レーザ１についても評価試験を実施できる。
【００５７】
図６により前記誘電体反射膜７、前記レーザ結晶８、前記第２誘電体反射膜１０を一体とし、チップ化した光共振部３について説明する。
【００５８】
Ｎｄ：ＹＶＯ4 、Ｎｄ：ＹＡＧ等のレーザ結晶８の励起光１２が入射する端面には第１誘電体反射膜７が形成され、前記レーザ結晶８の他端面には第２誘電体反射膜１０が形成され、前記第１誘電体反射膜７は前記励起光１２に対して高透過であり、前記レーザ結晶８の発振波（基本波）に対して高反射であり、前記第２誘電体反射膜１０は発振波に対して高透過となっており、前記レーザ結晶８が光共振部３として機能する様になっている。
【００５９】
前記光共振部３について前記レーザ結晶評価装置１４により評価した場合、前記レーザ結晶８の両端面の平行度、前記第１誘電体反射膜７、第２誘電体反射膜１０の性能を含めた総合的な性能が評価される。
【００６０】
図７は前記レーザ結晶８に波長変換結晶９を接着剤で貼合せ、波長変換機能を有する光共振部３をチップ化したものである。第１誘電体反射膜７は前記レーザ結晶８の入射端面に形成され、第２誘電体反射膜１０は前記波長変換結晶９の射出端面に形成される。前記光共振部３についても前記レーザ結晶評価装置１４により同様に評価することが可能である。この場合、前記第１誘電体反射膜７、前記波長変換結晶９、前記第２誘電体反射膜１０の評価、前記波長変換結晶９と前記レーザ結晶８間の接着剤、接着状態も含めた総合的な性能が評価される。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明が実施されるＬＤ励起固体レーザの基本構成を示す説明図である。
【図２】本発明の実施の形態を示す概略斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るレーザ結晶評価装置で評価した結果の一例を示し、（Ａ）はレーザ結晶の評価結果を示す３次元グラフ、（Ｂ）はレーザ結晶の評価結果を示す２次元グラフである。
【図４】本発明の実施の形態に係るレーザ結晶評価装置で評価した結果の他の例を示し、（Ａ）はレーザ結晶の評価結果を示す３次元グラフ、（Ｂ）はレーザ結晶の評価結果を示す２次元グラフである。
【図５】本発明の実施の形態に於ける評価の過程を示すフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態に係るレーザ結晶評価装置で評価されるレーザ結晶チップを示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るレーザ結晶評価装置で評価されるレーザ結晶チップを示す説明図である。
【符号の説明】
【００６２】
１              ＬＤ励起固体レーザ
３              光共振部
７              第１誘電体反射膜
８              レーザ結晶
９              波長変換結晶
１０            第２誘電体反射膜
１５            レーザ結晶保持台
１７            冷却器
１８            ３軸移動装置
１９            Ｘ軸−Ｚ軸ステージ
２２            Ｙ軸移動部
２３            Ｙ軸ステージ
２５            集光レンズ
２６            励起光
２７            基本波光
２８            光学フィルタ
２９            受光検出部
３０            位置検出器
３１            演算制御装置
３２            温度センサ
３３            表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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