(57)【要約】【課題】  アルツハイマーや精神的疾患を抱えた患者等の利用者の脳波信号を利用して、種々の被制御装置（ワープロ、自動車等）の操作を簡便に行う手段の提供を目的とする。また、人体の動作の命令を記憶させた無線通信可能なメモリ（無線メモリ）との無線通信を採用し、利用者自らの能動的な行動をサポートする手段の提供を目的とする。【解決手段】  本発明に係る生体信号処理装置は、生体の内部からの生体信号（電気信号）を検出するため、又は生体の内部に電気信号を伝達するための電極及びインターフェースと、外部機器（無線メモリやリーダ／ライタ等）と通信可能なアンテナとを備えることを特徴としているため、利用者が電子機器等を利用する場合に利便性が向上する。また、利用者自らの能動的な行動をサポートすることができる。【選択図】  図１
2006051343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体の内部から生体信号を検出するため、又は生体の内部に電気信号を伝達するための電極及びインターフェースと、
生体の外部の無線メモリと通信可能なアンテナとを備えた生体信号処理装置。
【請求項２】
生体の内部から生体信号を検出するため、又は生体の内部に電気信号を伝達するための電極及びインターフェースと、
生体の外部のリーダ／ライタと通信可能なアンテナとを備えた生体信号処理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の生体信号処理装置を有するヘルメット。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の生体信号処理装置を有する帽子。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の生体信号処理装置を有する眼鏡。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の生体信号処理装置を有するヘッドホン。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の生体信号処理装置を有する装飾品。
【請求項８】
生体の内部に伝達される電気信号の情報を記憶するメモリ素子と、アンテナを備えた無線メモリ。
【請求項９】
生体の内部に電気信号を伝達するための電極及びインターフェースと、生体の外部の無線メモリと通信可能なアンテナとを備えた生体信号処理装置と、
生体の内部に伝達される電気信号の情報を記憶するメモリ素子と、前記生体信号処理装置と通信可能なアンテナを備えた前記無線メモリと、
を有することを特徴とする生体信号処理システム。
【請求項１０】
生体の内部から電気信号を検出するための電極及びインターフェースと、生体の外部のリーダ／ライタと通信可能なアンテナとを備えた生体信号検出装置と、
前記生体信号検出装置と通信可能なリーダ／ライタと、
前記リーダ／ライタに接続された被制御装置と、
を有し、
前記リーダ／ライタを介して前記被制御装置に伝達された、前記生体の内部からの電気信号に基づいて、該被制御装置の制御を可能とする被制御装置制御システム。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記被制御装置は、電子機器又は移動体であることを特徴とする被制御装置の制御システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、人間や動物から生体信号（電気信号）を検出し、又は生体の内部に人体等の動作の命令をするための電気信号を伝達することができ、検出した又は伝達すべき電気信号の情報について、外部機器と通信することができる生体信号処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アルツハイマー（老人性痴呆症の一種）や精神的疾患を抱えた患者が増加している。それらの患者に対しては、脳波信号を利用して種々の被制御装置（例えば、ワープロ、車輌装置）の操作を行う手段の模索が行われている（例えば、非特許文献１及び特許文献１参照）。
【非特許文献１】Ｌａｋｓｈｍｉ  Ｓａｎｄｈａｎａ（日本語版：長谷  睦／高森郁哉）、"脳とコンピューターを直結、考えるだけで車椅子を操れる新インターフェース"、「ｏｎｌｉｎｅ」、平成１５年７月３０日、ＷＩＲＥＤ  ＮＥＷＳ、「平成１６年７月８日検索」、インターネット＜ＵＲＬ： HYPERLINK "http://hotwired.goo.ne.jp/news/news/technology/story/20030801301.html" ｈｔｔｐ：／／ｈｏｔｗｉｒｅｄ．ｇｏｏ．ｎｅ．ｊｐ／ｎｅｗｓ／ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／ｓｔｏｒｙ／２００３０８０１３０１．ｈｔｍｌ＞
【特許文献１】特開２００４−１５２００２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、それらの脳波信号による制御手段により利便性を持たせるには、脳波信号と外部機器との間の通信を無線（ワイヤレス）によって行うのが便利である。また、外部機器として、電子機器や移動体等の被制御装置ではなく、人体の動作の命令を記憶させた無線通信可能なメモリ（無線メモリ）を採用した場合には、利用者自らの能動的な行動をサポートすることができる。そしてこれは、疾患者のみならず、健常者にとっても有意義な手段である。
【０００４】
本発明は、このような利便性を追求すべく成されたものであり、人間や動物から生体信号（代表的には脳波の電気信号）を検出し、又は生体の内部（代表的には脳）に人体等の動作の命令をするための電気信号を伝達することができ、検出した又は伝達すべき電気信号の情報について、外部機器と通信することができる生体信号処理装置を提供することを目的とする。また、同時に、該生体信号処理装置と通信可能な無線メモリの提供、該生体信号処理装置と電子機器等の外部機器との通信システムの提供をも目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る生体信号処理装置は、生体の内部から生体信号（電気信号）を検出するため、又は生体の内部に電気信号を伝達するための電極及びインターフェースと、外部機器と通信可能なアンテナとを備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る生体信号処理装置は、生体信号（電気信号）を検出するための電極を備えていることにより、生体信号センサとしての機能を果たす。この電極の個数は特に制限はないが、通常は多点電極とすればよい。また、電極の使用形態としては、代表的には、皮膚等の表面に触れるタイプと、直接刺すタイプとがあるが、いずれをも採用することができる。そのような電極に限定は無いが、例えば、Ｕ．Ｓ．Ｐａｔｅｎｔ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｎｏ．ＵＳ２００５／０１１３７４４  Ａ１に開示された電極を用いても良い。ここで開示された電極は、大脳皮質の中に延在し、脳内において電極に近接するニューロンが発生する電気的な神経信号を一つ、又は複数検出する働きをする。ニューロンとは、例えば脳が特定の体の部位を特定の方法で動かすよう命令する際に、そのような電気的な神経信号を発生する。また部位とは、手、腕、足等などの体の部位を示す。なお、電極の他に、生体信号（電気信号）を検出する機能を有していればセンサー等であってもよい。
【０００７】
ここで、外部機器とは、無線メモリ、リーダ／ライタ等をいう。さらに、これらが電子機器等に接続されていても良い。なお、リーダ／ライタは、少なくともリーダ又はライタのいずれかの機能を有していればよいものとする。
【０００８】
また、検出、制御される生体信号は、人間のみならず動物のものも含む。代表的には、脳波又は脳に伝達される電気信号、脈拍を意味する。
【０００９】
また、該生体信号処理装置は、ヘルメット、帽子、眼鏡、ヘッドホン等の身の回り品や、装飾品等に内蔵されていても良い。
【００１０】
（２）本発明に係る無線メモリは、生体の内部に伝達される電気信号の情報を記憶するメモリ素子と、アンテナを備えることを特徴とする。
【００１１】
無線メモリとは、該無線メモリが有するアンテナを介して、無線によって外部端末機器（本発明に係る生体信号処理装置、リーダ／ライタ等）と通信可能なメモリをいう。メモリの種類に特に制限はないが、代表的には、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＵＶ−ＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、強誘電体メモリ等）を用いることができる。
【００１２】
また、無線メモリ及び生体信号処理装置は、少なくとも一部が薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構成されていてもよい。
【００１３】
この無線メモリは、人体等に対し容易に貼り付け、交換することができ、リーダ／ライタ等の外部機器によって情報を更新することもできる。
【００１４】
（３）本発明に係る生体信号処理システムは、生体の内部に電気信号を伝達するための電極及びインターフェースと、生体の外部の無線メモリと通信可能なアンテナとを備えた生体信号処理装置と、生体の内部に伝達される電気信号の情報を記憶するメモリ素子と、前記生体信号処理装置と通信可能なアンテナを備えた無線メモリと、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明は、本発明に係る生体信号処理装置にさらに無線メモリを付帯させ、無線通信を行わせることにより、生体信号処理装置に記憶されていない新たな情報を、随時、生体の内部に伝達することができる。
【００１６】
（４）本発明に係る被制御装置の制御システムは、生体の内部から電気信号を検出するための電極及びインターフェースと、生体の外部のリーダ／ライタと通信可能なアンテナとを備えた生体信号検出装置と、前記生体信号検出装置と通信可能なリーダ／ライタと、前記リーダ／ライタに接続された被制御装置と、有し、前記リーダ／ライタを介して前記被制御装置に伝達された、前記生体の内部からの電気信号に基づいて、該被制御装置の制御を可能とすることを特徴とする。
【００１７】
ここでいう被制御装置としては、代表的には、パーソナルコンピュータ等の電子機器、乗用車、車椅子等の移動体が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１８】
また、リーダ／ライタは、被制御装置とは独立して設けられていても、内蔵されていても良い。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る生体信号処理装置は、無線メモリ、リーダ／ライタ等の外部機器と無線通信が可能なため、利用者の生体信号（例えば脳波）の情報に基づいて電子機器等を遠隔操作する場合や、無線メモリに記憶された人体の行動の命令に関する情報を生体の内部に伝達する場合において、利用者の利便を向上させることができる。
【００２０】
また、無線メモリは、必要に応じて交換したり、書き換えたりすることができるので、利用者の要望、疾患の状況等に応じた情報を提供することができる。
【００２１】
また、これら無線メモリやリーダ／ライタを介して、生体信号処理装置から電子機器、移動体等の被制御装置に対し、利用者の生体信号に基づく命令の情報を伝達することができ、被制御装置の遠隔操作が可能となる。
【００２２】
なお、生体信号処理装置や無線メモリは薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の薄膜能動素子を用いて形成するのが望ましい。こうすることで、より小型・薄型の生体信号処理装置や無線メモリを提供することができ、ヘルメット、眼鏡等の各種商品に容易に内蔵したり、利用者に貼り付けたり、携帯させたりするのが容易になる。
【００２３】
また、ＴＦＴを用いた生体信号処理装置や無線メモリは、それらを構成するＴＦＴを被剥離基板に形成した後、被剥離基板を化学的若しくは物理的に（又はそれらを併有して）剥離し、素子分離を行う等の方法により、低コストで大量に生産することができる。したがって、従来のシリコン基板上に形成されたＩＣチップのように、裏面研磨を行う必要がなく、工程を大幅に簡略化でき、かつ製造コストを大幅に削減することができる。また、被剥離基板として、シリコン基板よりも安価なガラス基板、石英基板、太陽電池級シリコン基板（太陽電池グレードシリコン基板）等を用いることができ、さらに、被剥離基板を再利用することもできるため、大幅にコスト低減を図ることができる。また、シリコンウエハで作製されたＩＣのように、クラックや研磨痕の原因となるバックグラインド処理を行う必要がなく、また、素子の厚さのバラツキも、ＴＦＴを用いた生体信号処理装置や無線メモリを構成する各膜の成膜時におけるばらつきに依存することになるので、大きくても数百ｎｍ程度であり、バックグラインド処理による数〜数十μｍのばらつきと比べて飛躍的に小さく抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更することができる。例えば、本実施形態及び本実施例の各々を適宜組み合わせて本発明を実施することができる。したがって、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２５】
（実施の形態１）  本発明に係る生体信号処理装置１の構成について、図１を参照して説明する。図１は、生体信号処理装置１のブロック図、及び生体信号処理装置１と通信可能な無線メモリ２のブロック図を示したものである。
【００２６】
生体信号処理装置１には、人間又は動物の脳波の電気信号を検出し、又はそれらの脳内に電気信号を伝達するための複数の電極３が設けられており、電極３は、人間又は動物の頭部４（頭皮）に密着させて用いられる。なお、電極３は、頭部の前頭葉から頭頂にかけて、いずれかの位置に密着させるのが望ましいが、必ずしもこの位置に限定されない。また、電極３の数も図示した数に限定されない。
【００２７】
なお、図１乃至図３において、図示上は、生体信号処理装置１と電極３とが分離して記載されているが、生体信号処理装置１には、電極３も含まれるものとする。
【００２８】
また、生体信号処理装置１は、電極３によって検出された脳波を処理するためのプロセッサ１１を備えている。プロセッサ１１は、電極３から検出された脳波信号に対して、増幅、レベル調整、アナログ・デジタル変換等の信号処理や様々な制御処理を施す。
【００２９】
また、電極３とプロセッサ１１又は電極３とアンテナ７、８の間には、生体信号インターフェース（以下「生体信号Ｉ／Ｆ５」という。）が設けられている。生体信号Ｉ／Ｆ５は、電極３によって検出された脳波（電気信号に変換された脳波を含む。）を単に伝達する配線として機能するものであってもよいし、図１乃至図３に示されているように、上記プロセッサ１１と類似の機能を有する素子であっても良い。また、それらの機能を兼ね備えたものであっても良い。例えば、電極３を介して脳内に電気信号を伝達する場合には、生体信号Ｉ／Ｆ５は、必要に応じて、電気信号を適切な脳波に変換する機能を果たす。
【００３０】
なお、生体信号Ｉ／Ｆ５は、出力（検出）用と、入力（伝達）用と分けて設けてもよいし、一体に設けてもよい。
【００３１】
また、生体信号処理装置１は、検出された脳波信号に基づく情報を、無線メモリ２や、図２に示すようなリーダ／ライタ（以下「Ｒ／Ｗ６」という。）等の外部機器に対し無線で通信するためのアンテナ７、８を有している。アンテナは、図示するように入力用と出力用に分けて設けても良いし、入力用と出力用を一体に設けても良い。また、図１においては、入力用アンテナ７に対応して入力用インターフェース（以下「入力用Ｉ／Ｆ９」という。）を設け、出力用アンテナ８に対応して出力用インターフェース（以下「出力用Ｉ／Ｆ１０」という。）を設けたが、両者を一体形成しても良い。また、生体信号Ｉ／Ｆ５を一体に形成しても良い。
【００３２】
ここで、入力用アンテナ７の入力用Ｉ／Ｆ９において、一般には復調回路が設けられる。また、生体信号処理装置１が外部から電源供給を受けて作動する所謂パッシブ型の場合、入力用Ｉ／Ｆ９において整流回路を設ける。すなわち、入力用アンテナ７から入力された交流の電源電圧は、整流回路において整流化され、直流の電源電圧として上記各種回路に供給される。また、入力用アンテナ７から入力された交流の各種信号は、復調回路において復調される。そして復調されることで波形整形された各種信号は、各種回路に供給される。
【００３３】
一方、出力用アンテナ８の出力用Ｉ／Ｆ１０において、一般には変調回路とアンプを設ける。すなわち、出力用Ｉ／Ｆ１０に入力された各種信号は、変調回路において変調され、アンプにおいて増幅又は緩衝増幅された後、出力用アンテナ８から無線メモリ２やリーダ／ライタのような外部の端末装置に送られる。
【００３４】
なお、アンテナの材質は、導電性を有するものであれば特に制限はないが、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ若しくはＴｉ、又はそれらを含む合金を用いることができる。金属に限らず、導電性ポリマーを用いてもよい。膜厚は、５〜６０μｍとするのがよい。
【００３５】
また、各種アンテナの数は、図１に示した数に限定されない。また、アンテナの形状も、コイル状に限定されない。
【００３６】
なお、検出された脳波信号に対し、必要に応じてプロセッサ１１によって演算処理を行ってもよい。プロセッサ１１として代表的なものは、ＣＰＵ、ＭＰＵである。この際、プロセッサ１１の働きを助ける副プロセッサの役割を担うためのコプロセッサを別途設けても良い。
【００３７】
また、メモリ素子１２において、検出された脳波信号の情報又は脳に脳波として伝達すべき情報を蓄積しておくことも可能である。メモリ素子１２を構成するメモリとしては、代表的には、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＵＶ−ＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、強誘電体メモリ等）を用いることができる。
【００３８】
なお、各種インターフェース、アンテナ、プロセッサ１１、メモリ素子１２は、バスライン１９によって接続されている。
【００３９】
以上が、本発明に係る生体信号処理装置１の構成であり、これによって、検出された脳波信号に基づく情報を、無線メモリ２やリーダ／ライタ等の外部機器に対し無線で通信することができる。一方、無線メモリ２やリーダ／ライタ等の外部機器から入力した情報は、各種インターフェースによって脳に伝達される脳波信号に変換された後、電極３を介して脳に伝達される。
【００４０】
本発明に係る生体信号処理装置は、無線メモリ、リーダ／ライタ等の外部機器と無線通信が可能なため、患者等の利用者の脳波の情報に基づいて電子機器等を遠隔操作する場合や、無線メモリに記憶された人体の行動の命令に関する情報を脳に伝達する場合において、利用者の利便を向上させることができる。
【００４１】
（実施の形態２）  本実施の形態では、本発明に係る生体信号処理装置１と通信可能な無線メモリ２の構成、及び生体信号処理装置１と無線メモリ２との通信方法について、図１を参照して説明する。
【００４２】
本発明に係る無線メモリ２は、図示するように、メモリ素子１３、生体信号処理装置１と通信を行うアンテナ１４、１５を少なくとも有し、必要に応じて、入力用Ｉ／Ｆ１６、出力用Ｉ／Ｆ１７、プロセッサ１８、プロセッサを補佐するコプロセッサ（図示せず）等を有し、それらは、バスライン２０によって接続されている。なお、プロセッサ１８として代表的なものは、ＣＰＵ、ＭＰＵである。
【００４３】
ここでメモリ素子１３は、主として、脳に脳波として伝達すべき情報が蓄積される。メモリ素子１３を構成するメモリとしては、代表的には、ＲＯＭ、ＲＡＭ、不揮発性メモリ（ＥＰＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、ＵＶ−ＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ、強誘電体メモリ等）を用いることができる。
【００４４】
そして、メモリ素子１３に記憶された情報は、出力用Ｉ／Ｆ１７によって通信可能な信号に変調された後、出力用アンテナ１５によって生体信号処理装置１に発信される。
【００４５】
無線メモリ２は、ここでは主として、脳に脳波として供給される情報を記憶することを目的としているため、入力用アンテナ１４及び入力用Ｉ／Ｆ１６は必須ではないが、生体信号処理装置１にメモリ素子１２が設けられていない場合や、メモリ素子１２に加えてさらに無線メモリ２においても検出された脳波に基づく情報を蓄積したい場合には、それらを設けても良い。この場合の入力用Ｉ／Ｆ１６は、生体信号処理装置１から受信した信号を復調することを主な目的とする。
【００４６】
なお、無線メモリ２にプロセッサ１８を設ける場合、無線プロセッサ又は無線メモリ・プロセッサと考えることもできるが、本実施の形態では、無線メモリ２は、主として、脳に脳波として供給される情報を記憶することを目的としているため、プロセッサを内蔵する場合であっても、無線メモリ２と呼ぶこととする。
【００４７】
なお、無線メモリ２は、フレキシブルな基板上に形成されており、人間や動物の頭部４や人体の一部等に容易に貼り付けられるものであることが望ましい（図１参照）。
【００４８】
このように、無線メモリ２によって、脳に必要な情報を脳波として供給することにより、人体の動作に必要な命令を伝達することが可能になる。例えば、アルツハイマーの患者に対し、その日常生活をサポートする役割を果たす。無線メモリ２には、人間等の日常生活に必要な動作を命令する情報を記憶させておき、患者の症状の具合に応じて、無線メモリ２を容易に貼り替えたり、Ｒ／Ｗによって外部から情報を書き換えたりすることができる。
【００４９】
なお、無線メモリ２を貼り付ける位置は、生体信号処理装置１が有するアンテナの位置関係や、無線メモリ２と生体信号処理装置１との間の通信方式によって適宜選択することができる。
【００５０】
ここで通信方式としては、代表的には、誘導起電力を利用した電磁誘導方式（通信距離は約１ｍ以下）、交流磁界によるコイルの相互誘導を利用した電磁結合方式又は静電気による誘導作用を利用した静電結合方式（通信距離は、いずれも数ｍｍ〜数十ｍｍ程度）、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）によりデータの送受信を行うマイクロ波方式（通信距離は数ｍ程度）、近赤外線により、光による空間電送を利用してＩＤラベルとの更新を行う光通信方式（通信距離は数十ｃｍ程度）を用いることができる。
【００５１】
例えば、無線メモリ２を頭部に貼り付ける場合には、通信距離の短い電磁結合方式又は静電結合方式を採用すればよい。
【００５２】
なお、無線メモリ２におけるアンテナの材質、形状等は、実施の形態１に準ずる。
【００５３】
なお、本実施の形態における生体信号処理装置１への電源供給方式は、外部端末装置である無線メモリ２から電源電圧が供給される所謂パッシブ型としても良いし、生体信号処理装置１自体が独自のバッテリを有する所謂アクティブ型としても良い。
【００５４】
実施の形態１に係る生体信号処理装置１と、本実施の形態に係る無線メモリ２とを組み合わせることにより、人体等の動作に対する命令を行うことができる生体信号処理システムを得ることができる。これによって、特に脳に障害を持った患者の日常生活をサポートすることが可能となる。
【００５５】
また、無線メモリは、必要に応じて交換したり、書き換えたりすることができるので、利用者の要望に応じた情報を提供することができる。
【００５６】
（実施の形態３）  本発明に係る電子機器制御システムについて、図２を参照して説明する。図２は、本発明に係る電子機器制御システムの構成を示すブロック図である。図２において、生体信号処理装置１の構成は実施の形態１に準ずる。
【００５７】
本発明に係る電子機器制御システムは、生体信号処理装置１の他、Ｒ／Ｗ６及び制御されるべき電子機器２６からなる。Ｒ／Ｗ６の機構は、電子機器２６と別途設けられていても良いし、電子機器２６に内蔵されていてもよい。
【００５８】
ここで、Ｒ／Ｗ６は、入力用アンテナ２１、入力用Ｉ／Ｆ２３、出力用アンテナ２２、出力用Ｉ／Ｆ２４及びデータ処理を行うための制御部２５を少なくとも有している。ただし、Ｒ／Ｗ６の機能が読み込み（入力）機能のみを有し、書き込み（出力）機能を有する必要性がない場合にはこの限りでない。なお、アンテナの材質、形状等は実施の形態１に準ずる。
【００５９】
また、入力用Ｉ／Ｆ２３は、制御部２５でデータ処理が可能となるように、生体信号処理装置１から受信した信号を復調させることを主な目的とする。一方、出力用Ｉ／Ｆ２４は、制御部２５からの情報を通信可能な信号に変調、増幅することを主な目的とする。
【００６０】
Ｒ／Ｗ６は、各種の電子機器２６に接続されており、生体信号処理装置１が検出した脳波の情報に基づいて、電子機器２６を遠隔操作することが可能となる。操作可能な距離は、生体信号処理装置１とＲ／Ｗ６との通信方式によって決まる。かかる通信方式は実施の形態２に準ずる。
【００６１】
また、電子機器２６には、予めソフトウェア２７をインストールしておき、検出される脳波に対応した電子機器２６に対する命令を読み込ませておいても良い。
【００６２】
なお、ここでいう電子機器２６としては、代表的には、パーソナルコンピュータ、テレビ、ラジオ、ＣＤプレーヤー、ＭＤプレーヤー、カセットテープデッキ、ＤＶＤプレイヤー等のオーディオ家電製品、携帯電話、ＰＤＡ等のモバイル機器等が上げられるが、脳波を電気信号に変換することによってその動作を命令することが可能なものであれば、これらに限定されるものではない。
【００６３】
なお、電子機器２６によって得た情報を、Ｒ／Ｗ６、生体信号処理装置１を介して、脳波として脳にフィードバックさせることも可能である。
【００６４】
また、電子機器の他、自動車等の移動体、その他の被制御装置に対しても、本実施の形態に係るシステムを採用することができる。該移動体としては、障害者用の車椅子等をも含む。
【００６５】
また、実施の形態２における無線メモリ２を、生体信号処理装置１とＲ／Ｗ６の間に介して、本実施の形態に係る発明を実施することも可能である。この場合には、無線メモリ２とＲ／Ｗ６との間においても無線通信が行われることとなる。
【００６６】
なお、本実施の形態における生体信号処理装置１への電源供給方式は、外部端末装置であるＲ／Ｗ６から電源電圧が供給される所謂パッシブ型としても良いし、生体信号処理装置１自体が独自のバッテリを有する所謂アクティブ型としても良い。
【実施例１】
【００６７】
本実施例では、図３を参照して、実施の形態１に示した生体信号処理装置１を有する商品の一例をしめす。図３（Ａ）は、本発明に係る生体信号処理装置１（電極３を含む。）を内蔵したヘルメット２８を示している。図３（Ｂ）は、本発明に係る生体信号処理装置１を内蔵した眼鏡２９を示している。図３（Ｃ）は、本発明に係る生体信号処理装置１を内蔵したヘッドホン３０を示している。
【００６８】
いずれの商品においても、頭部に密着させるための電極３が設けられている。なお、電極３の位置、個数は図示したものに限定されない。また、各商品の形態も図示したものに限定されない。特に電極３を設ける位置を調整するために、特異な形態となっていても差し支えない。なお、電極３と生体信号処理装置１内のインターフェース等とは配線によって接続されている。
【００６９】
なお、本発明に係る生体信号処理装置１を適用できるのは本実施例に係る商品にとどまらず、他にも帽子や装飾品等、頭部に密着させることが可能な商品に適用することができる。
【実施例２】
【００７０】
本実施例では、図４を参照して、実施例１に係るヘルメットを用いて、工事現場作業員の健康管理を行うシステムについて説明する。図４は、作業員の健康管理システムの概略図である。
【００７１】
作業員は、各自、生体信号処理装置１を内蔵したヘルメット２８を着用しており、生体信号処理装置１によって検出された脳波の情報を、Ｒ／Ｗ６によって読み出すことができる。生体信号処理装置１とＲ／Ｗ６との間の情報のやりとりは通常電磁波３２を用いて行う。そして、Ｒ／Ｗ６で読み取った各作業員の脳波の情報をパーソナルコンピュータ（ＰＣ３１）等によってデータ処理を行うことによって、各作業員の健康状態等を把握することができる。
【００７２】
特に、危険物を取り扱う作業や、地下や空気の希薄な状況下での作業、原子力発電所での作業等、作業員の人命に関わる場合において、本発明に係る健康管理システムは有意である。
【００７３】
なお、通信方式としては、実施の形態２で示したものを採用することができるが、できるだけ通信距離の長い方式を採用するのが望ましい。
【実施例３】
【００７４】
本実施例では、本発明に係る生体信号処理装置１又は無線メモリ２内のメモリ素子、プロセッサ等の集積回路を構成する素子としてＴＦＴを用いた場合における、ストレス・ピール・オフ・プロセスによる該集積回路の作製工程について説明する。
【００７５】
まず、図５（Ａ）に示すように絶縁表面を有する第１の基板２１０上に、金属膜２１１を形成する。なお、第１の基板は後の剥離工程に耐えうる剛性を有していればよく、例えばガラス基板、石英基板、セラミック基板、シリコン基板、金属基板またはステンレス基板を用いることができる。金属膜としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、或いはこれらの積層を用いることができる。金属膜の作製方法として例えば、金属のターゲットを用いるスパッタリング法により形成すればよい。なお金属膜の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとなるように形成すればよい。
【００７６】
金属膜の代わりに、上記金属が窒化された（例えば、窒化タングステンや窒化モリブデン）膜を用いても構わない。また金属膜の代わりに上記金属の合金（例えば、ＷとＭｏとの合金：ＷxＭｏ1-X）膜を用いてもよい。この場合、成膜室内に第１の金属（Ｗ）及び第２の金属（Ｍｏ）の複数のターゲット、又は第１の金属（Ｗ）と第２の金属（Ｍｏ）との合金のターゲットを用いたスパッタリング法により形成すればよい。更に、金属膜に窒素や酸素を添加してもよい。添加する方法として例えば、金属膜に窒素や酸素をイオン注入したり、成膜室を窒素や酸素雰囲気としてスパッタリング法により形成したりすればよく、又はターゲットとして窒化金属を用いてもよい。
【００７７】
このように金属膜の材料や形成方法を適宜設定することにより、剥離工程を簡略化することができる。例えば、金属膜として、Ｍｏを採用した場合には加熱処理を省略することができる。
【００７８】
その後、金属膜２１１上に素子形成領域を有する被剥離層２０９を形成する。この被剥離層では、珪素を有する酸化膜が金属膜と接するように積層されている。被剥離層はアンテナを有していてもよい。被剥離層２０９は、金属膜や基板からの不純物やゴミの侵入を防ぐため、金属膜と接する領域に、窒化珪素（ＳｉＮ）膜、窒化酸化珪素（ＳｉＯＮやＳｉＮＯ）膜等の窒素を有する絶縁膜を設けると好ましい。当該絶縁膜は、薄膜トランジスタの下地膜として機能する。
【００７９】
珪素を有する酸化膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法により酸化シリコン、酸化窒化シリコン等を形成すればよい。なお珪素を有する酸化膜の膜厚は、金属膜の約２倍以上であることが望ましい。本実施の形態では、シリコンターゲットを用いたスパッタリング法により、酸化シリコン膜を１５０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚として形成する。
【００８０】
この珪素を有する酸化膜を形成するときに、金属膜上に当該金属を有する金属酸化膜２１３が形成される。また金属酸化膜は、硫酸、塩酸或いは硝酸を有する水溶液、硫酸、塩酸或いは硝酸と過酸化水素水とを混同させた水溶液又はオゾン水で処理することにより金属膜表面に形成される薄い金属酸化膜を用いることもできる。また、他の方法としては、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中で紫外線照射することによりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよく、クリーンオーブンを用い２００〜３５０℃程度に加熱して形成してもよい。
【００８１】
金属酸化膜の膜厚は、０．１ｎｍ〜１μｍ、好ましくは０．１ｎｍ〜１００ｎｍ、更に好ましくは０．１ｎｍ〜５ｎｍとなるように形成すればよい。
【００８２】
なお、珪素を有する酸化膜や下地膜等を合わせて絶縁膜と表記する。すなわち、金属膜と、金属酸化膜と、絶縁膜と、半導体膜とが積層された構造となっている。また金属膜、及び金属酸化膜を剥離層と表記することができる。
【００８３】
また半導体膜に所定の作製工程を施し、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって、島状に分離された半導体膜により、少なくともチャネル形成領域が形成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成する。この半導体素子が、メモリ素子１３、プロセッサ１８、各種インターフェース等の集積回路を構成する。そして半導体素子を保護する保護膜として、半導体素子上にＤＬＣ或いは窒化炭素（ＣＮ）等の炭素を有する絶縁膜、又は窒化珪素（ＳｉＮ）或いは窒化酸化珪素（ＳｉＮＯやＳｉＯＮ）等の窒素を有する絶縁膜を設けると好ましい。
【００８４】
以上のような被剥離層２０９を形成後、具体的には金属酸化膜形成後に適宜加熱処理を行い、金属酸化膜を結晶化させる。例えば、金属膜にＷ（タングステン）を用いる場合、４００℃以上で加熱処理を行うと、ＷＯｘ（ｘ＝２〜３）の金属酸化膜が結晶状態となる。このような加熱処理は、選択される金属膜により温度や要否を決定すればよい。すなわち剥離を容易に行うために、必要に応じて金属酸化膜を結晶化しておけばよい。
【００８５】
また被剥離層２０９が有する半導体膜を形成後に加熱を行うと、半導体膜の水素を拡散させることができる。この水素により金属酸化膜の価数に変化が起こる場合もある。
【００８６】
更に加熱処理は、半導体素子の作製と兼用させて工程数を低減させてもよい。例えば、結晶性半導体膜を形成する場合の加熱炉やレーザ照射を用いて加熱処理を行うことができる。
【００８７】
次いで、図５（Ｂ）に示すように被剥離層２０９を、支持基板２３３へ第１の接着剤２０７により貼り付ける。なお、支持基板２３３は第１の基板２１０よりも剛性の高い基板を用いることが好ましい。第１の接着剤２０７としては剥離可能な接着剤、例えば紫外線により剥離する紫外線剥離型、熱により剥離する熱剥離型或いは水により剥離する水溶性の接着剤、又は両面テープ等を使用するとよい。
【００８８】
そして、金属膜２１１が設けられている第１の基板２１０を、物理的手段を用いて剥離する（図５（Ｃ））。図面は模式図であるため記載していないが、結晶化された金属酸化膜の層内、又は金属酸化膜の両面の境界（界面）で剥がれる。金属酸化膜の両面の境界とは、金属酸化膜と金属膜との界面又は金属酸化膜と被剥離層との界面であり、これら界面のいずれかから剥がれる。こうして、被剥離層２０９を第１の基板２１０から剥離することができる。
【００８９】
このとき剥離を容易に行うため、基板の一部を切断し、切断面における剥離界面、すなわち金属膜と金属酸化膜との界面付近にカッター等で傷を付けるとよい。
【００９０】
次いで図５（Ｄ）に示すように、剥離した被剥離層２０９を、第２の接着剤２０８により転写体となる第２の基板１１０（例えばプラスチック基板等の可撓性基板）に貼り付け、固定する。被剥離層２０９にアンテナが形成されている場合、素子形成領域とアンテナは、同時に前記第２の基板上に固定される。第２の接着剤２０８としては紫外線硬化樹脂、具体的にはエポキシ樹脂接着剤或いは樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いればよい。また第２の基板１１０が接着性を有する場合は、第２の接着剤は要しない。
【００９１】
第２の基板１１０としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート又はポリエーテルスルフォン等のプラスチック材料等を用いることができる。このような第２の基板をプラスチック基板と表記する。このようなプラスチック基板は、フレキシブル（可撓）性を有し、さらに軽量である。またプラスチック基板へコーティング処理することによって、表面の凹凸を低減させたり、硬性、耐性や安定性を高めておいてもよい。
【００９２】
次いで、第１の接着剤２０７を除去し、支持基板２３３を剥がす（図５（Ｅ））。具体的には、第１の接着剤を剥がすために紫外線照射を照射したり、加熱したり、水洗したりすればよい。
【００９３】
なお第１の接着剤２０７の除去と、第２の接着剤２０８の硬化は一工程で行ってもよい。例えば、第１の接着剤２０７と第２の接着剤２０８とを、それぞれ熱剥離型樹脂と熱硬化型樹脂、又は紫外線剥離型樹脂と紫外線硬化型樹脂とを用いる場合、一度の加熱や紫外線照射により除去と硬化とを行うことができる。
【００９４】
以上のようにして、プラスチック基板に固定された集積回路を形成することができる。
【００９５】
なお金属酸化膜２１３は、集積回路において全て除去されている場合、又は一部或いは大部分が被剥離層下面に点在（残留）している場合がある。金属酸化膜２１３が残留している場合は、エッチング等により除去した後に、プラスチック基板等の可撓性基板へ固定してもよい。更にこのとき、珪素を有する酸化膜を除去しても構わない。
【００９６】
このような集積回路は、シリコンウエハで作製されたＩＣの膜厚が５０μｍ程度であるのに対し、厚さが１０ｎｍ乃至２００ｎｍであって、島状に分離された半導体膜を用いて形成するため非常に薄くなる。その結果、本発明の生体信号処理装置又は無線メモリは非常に薄く、フレキシブル性を有し、軽量なものとすることができる。その結果、耐衝撃性や柔軟性に優れた生体信号処理装置又は無線メモリを得ることができる。
【００９７】
また、シリコンウエハで作製されたＩＣのように、クラックや研磨痕の原因となるバックグラインド処理を行う必要がなく、また、厚さのバラツキも、半導体膜等の成膜時におけるばらつきに依存することになるので、大きくても数百ｎｍ程度であり、バックグラインド処理による数〜数十μｍのばらつきと比べて格段に小さく抑えることができる。
【００９８】
このようにストレス・ピール・オフ・プロセスを用いることにより、素子形成領域が形成された基板を再利用することができ、結果として無線プロセッサ又は生体信号処理装置の一個当たりの製造コストを下げることができる。また素子形成領域が形成された基板は、レーザ光を透過する必要がないため、設計の自由度を高めることができる。
【実施例４】
【００９９】
本実施例では、上記実施例と異なる方法により無線メモリ２の素子形成領域を可撓性基板に固定する方法について説明する。なお、本実施例では、無線メモリ２を例にとって説明するが、生体信号処理装置１についても同様に作製することができる。
【０１００】
図６（Ａ）に示すように絶縁基板である第１の基板２１０に、剥離層２３０、素子形成領域２３１を有する被剥離層を順次形成する。素子形成領域２３１は、プロセッサ１８、メモリ素子１３、インターフェース２０４、アンテナ２０５、電源回路２０６を有する。なお素子形成領域２３１を有する被剥離層の構成又はその作製方法は、実施例３と同様である。
【０１０１】
剥離層２３０は、珪素を有する膜又は金属膜を用いることができる。珪素を有する膜の状態は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体（ＳＡＳとも表記する）、及び結晶性半導体のいずれでもよい。なおＳＡＳは、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体が含まれる。これらの剥離層２３０は、スパッタリング法、又はプラズマＣＶＤ法等によって形成することができる。また剥離層２３０は、０．０３μｍ〜１μｍの膜厚とすればよく、剥離層の成膜装置の薄膜形成限界が許容すれば、０．０３μｍ以下とすることも可能である。
【０１０２】
珪素を有する剥離層には、リンやボロン等の元素を添加してもよい。さらに加熱等により当該元素を活性化させてもよい。これら元素を添加することにより、剥離層の反応速度、つまりエッチングレートを改善することができる。
【０１０３】
また被剥離層は、素子形成領域２３１がエッチングされないために、剥離層２３０と接する領域に絶縁膜を形成する。当該絶縁膜は、薄膜トランジスタの下地膜として機能することができる。絶縁膜としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜の単層構造、又はこれらの積層構造を用いることができる。例えば３層の積層構造を用いる場合、第１の絶縁膜として酸化珪素膜、第２の絶縁膜として酸化窒化珪素膜、第３の絶縁膜として酸化珪素膜を用いることができる。これら絶縁膜は、第１の基板２１０等からの不純物拡散を考えると、酸化窒化珪素膜を用いると好ましいが、当該酸化窒化珪素膜は剥離層、及びＴＦＴの半導体膜との密着性が低いことが懸念される。そこで、剥離層、半導体膜、及び酸化窒化珪素膜との密着性の高い酸化珪素膜を設ける３層の積層構造とするとよい。
【０１０４】
このように形成された状態で、素子形成領域２３１以外に、剥離層２３０が露出するような開口部２３２を形成する。そして穴２３４が設けられた支持基板２３３を、接着剤を用いて第１の基板２１０上に固定する。接着剤としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の樹脂材料、又は両面テープ等を用いることができる。
【０１０５】
そして図６（Ｂ）に示すように、穴２３４を介して、開口部２３２へエッチャント２３５（エッチング剤）を導入する。その結果、剥離層２３０を除去することができる。剥離層に金属膜を用いた場合、少なくとも反応物がエッチング剤と反応することにより、除去することができる。
【０１０６】
エッチャント２３５としては、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用することができる。例えばフッ化ハロゲンとして、ＣｌＦ3（三フッ化塩素）を使用することができる。エッチャント２３５の導入により、選択的に剥離層２３０をエッチングする。より具体的には、減圧ＣＶＤ装置を用い、温度：３５０℃、ＣｌＦ3の流量：３００ｓｃｃｍ、気圧：７９８Ｐａ（６Ｔｏｒｒ）、時間：３ｈの条件で剥離層を除去することができる。
【０１０７】
このように剥離層２３０を除去し、第１の基板２１０を剥離し、プラスチック基板又はプラスチックフィルム基板等の可撓性を有する第２の基板１１０上に、接着剤を介して素子形成領域２３１を固定することができる。接着剤としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の樹脂材料、又は両面テープ等を用いることができる。
【０１０８】
このように無線メモリ又は生体信号処理装置を形成する場合、第１の基板２１０を再利用することができ、結果として無線メモリ等の一個当たりの製造コストを下げることができる。また素子形成領域が形成された基板は、レーザ光を透過する必要がないため、設計の自由度を高めることができる。
【実施例５】
【０１０９】
本実施例では、図７乃至図９を参照して、上記実施例と異なる剥離層を用いて、素子形成領域を可撓性基板に固定する方法及び、無線メモリ又は生体信号処理装置に用いる薄膜トランジスタの作製工程について説明する。
【０１１０】
本実施例において、剥離層に金属を用いる。剥離層として用いる金属は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、又はこれらの積層を用いることができる。
【０１１１】
これらの金属膜は、スパッタリング法、又はプラズマＣＶＤ法等によって形成することができる。具体的な作製方法は、スパッタリング法を用いる場合、金属をターゲットして、第１の基板上に形成すればよい。なお金属膜の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとする。また金属膜の代わりに、窒化された金属膜（窒化金属膜）を用いても構わない。また更に、金属膜に窒素や酸素を添加してもよい。例えば、金属膜に窒素や酸素をイオン注入したり、成膜室を窒素や酸素雰囲気とし、スパッタリング法により金属膜を形成したり、更にターゲットとして窒化金属を用いてもよい。このとき、金属膜に上記金属の混合物（例えば、ＷとＭｏとの合金：Ｗ(x)Ｍｏ(1-x)）を用いる場合、成膜室内に第１の金属（Ｗ）及び第２の金属（Ｍｏ）といった複数のターゲット、又は第１の金属（Ｗ）と第２の金属（Ｍｏ）との合金のターゲットを配置してスパッタリング法により形成すればよい。
【０１１２】
そして、金属膜上に、当該金属を有する酸化物、窒化物、又は窒化酸化物を形成する。これら金属を有する酸化物、窒化物、又は窒化酸化物をあわせて、反応物とも表記する。例えば、金属膜にＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を用いる場合、当該金属を有する酸化物、窒化物、又は窒化酸化物は、Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物となる。
【０１１３】
このような反応物は、金属膜表面上に、酸化物、窒化物、又は窒化酸化物を有する膜を形成するときに形成される。
【０１１４】
本実施例では、Ｗを有する金属膜２１１上に、酸化珪素膜２１２を形成する。すると、Ｗを有する金属膜２１１表面に、Ｗを有する酸化膜、例えばＷＯｘ（ｘ＝２〜３）のごとき金属酸化膜２１３が形成される。また同様に、Ｗを有する金属膜２１１上に、窒化珪素膜を形成すると、Ｗを有する窒化膜が形成され、Ｗを有する金属膜２１１上に、窒化酸化珪素膜を形成すると、Ｗを有する窒化酸化膜が形成されうる。
【０１１５】
反応物のうち、上記酸化物を形成する手段として、金属膜に対して、硫酸、塩酸或いは硝酸を有する水溶液、硫酸、塩酸或いは硝酸と過酸化水素水とを混同させた水溶液又はオゾン水で処理する方法がある。更に他の方法としては、金属膜形成後、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中で紫外線照射することによりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよく、クリーンオーブンを用い２００〜３５０℃程度に加熱して薄い酸化膜を形成してもよい。
【０１１６】
このように形成される金属膜、及び反応物を選択することによって、エッチング速度を制御することができる。
【０１１７】
このように金属膜表面に形成された反応物は、その後の工程の熱処理等により化学的な状態に変化が生じることがある。例えば、Ｗを有する酸化膜が形成される場合、酸化タングステン（ＷＯｘ（ｘ＝２〜３））は、価数に変化が生じる。
【０１１８】
そして、金属膜、及び当該金属を有する反応物を剥離層として用いることができる。
【０１１９】
その後、酸化珪素膜２１２上に、薄膜トランジスタの下地膜として機能する絶縁膜２３６を形成する。絶縁膜２３６としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜の単層構造、又はこれらの積層構造をもちいることができる。例えば２層の積層構造を用いる場合、第１の絶縁膜として窒化珪素膜２３６ａ、第２の絶縁膜として酸化窒化珪素膜２３６ｂを用いることができる。これら絶縁膜により、絶縁表面を有する第１の基板２１０等からの不純物拡散を低減することができる（以上、図７（Ａ）参照）。
【０１２０】
その後、半導体膜を形成し、所定の形状にパターニングして、島状の半導体膜２１４を形成する。
【０１２１】
半導体膜２１４は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したＳＡＳ、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有してもよい。
【０１２２】
本実施例では、非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成する。加熱処理とは、加熱炉、レーザ照射、若しくはレーザ光の代わりにランプから発する光の照射（以下、ランプアニールと表記する）、又はそれらを組み合わせて用いることができる。
【０１２３】
レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザビーム（ＣＷレーザビーム）やパルス発振型のレーザビーム（パルスレーザビーム）を用いることができる。レーザビームとしては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ2Ｏ3レーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種から発振されるものを用いることができる。このようなレーザビームの基本波、及び当該基本波の第２高調波から第４高調波のレーザビームを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ2程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ2）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【０１２４】
またさらにレーザビームの入射角θを、半導体膜に対して０＜θ＜９０度となるようにしてもよい。その結果、レーザビームの干渉を防止することができる。
【０１２５】
なお連続発振の基本波のレーザビームと連続発振の高調波のレーザビームとを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザビームとパルス発振の高調波のレーザビームとを照射するようにしてもよい。複数のレーザビームを照射することにより、エネルギーを補うことができる。
【０１２６】
またパルス発振型のレーザビームであって、半導体膜がレーザ光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザ光を照射できるような発振周波数でレーザを発振させるレーザビームを用いることもできる。このような周波数でレーザビームを発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。具体的なレーザビームの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であって、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。
【０１２７】
なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザビームを照射するようにしてもよい。これにより、レーザビームの照射による半導体表面の荒れを抑えたり、平坦性を高めたりすることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。
【０１２８】
またＳｉＨ4とＦ2、又はＳｉＨ4とＨ2を用いて微結晶半導体膜を形成し、その後上記のようなレーザ照射をおこなって結晶化してもよい。
【０１２９】
その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、所謂水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、６００〜９５０℃に加熱しても構わない。
【０１３０】
但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、ＡｒやＰを含む非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するよう工程を行えばよい。
【０１３１】
また直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成してもよい。この場合、ＧｅＦ4、又はＦ2等のフッ素を有するガスと、ＳｉＨ4、又はＳｉ2Ｈ6等のシランを有するガスとを用い、熱又はプラズマを利用して直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成することができる。このように直接結晶性半導体膜を形成する場合であって、高温処理が必要となるときは、耐熱性の高い石英基板を用いるとよい。
【０１３２】
このように形成された半導体膜は、第１のＮ型ＴＦＴ２１５、第２のＮ型ＴＦＴ２１６、Ｐ型ＴＦＴ２１７、容量素子２１８として用いることができる。またＴＦＴの構造は、いずれの構造を有してもよく、半導体膜中にチャネル領域と高濃度不純物領域を有するシングルドレイン構造、半導体膜中にチャネル領域と高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を有するＬＤＤ構造、半導体膜中にチャネル領域と高濃度不純物領域と低濃度不純物領域を有し、前記低濃度不純物領域がゲート電極と重なっているＧＯＬＤ構造を採ることができる。本実施例では、第２のＮ型ＴＦＴ２１６及びＰ型ＴＦＴ２１７をシングルドレイン構造、第１のＮ型ＴＦＴ２１５をＬＤＤ構造とする場合で説明する。
【０１３３】
なお、実際の集積回路においては、Ｎ型又はＰ型ＴＦＴを単独若しくはそれらを組み合わせて、又はＮ型とＰ型を組み合わせたＣＭＯＳ型ＴＦＴを単独で若しくはＮ型、Ｐ型ＴＦＴとともに用いる。
【０１３４】
まず図７（Ａ）に示すように、容量素子２１８となる半導体膜に不純物元素を添加する。本実施例では、Ｎ型を有する不純物元素、例えば燐（Ｐ）等を添加することができる。このとき、ＴＦＴ領域の半導体膜には、不純物元素が添加されないよう、レジストマスク２１９で覆う。
【０１３５】
その後図７（Ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜３０３を形成する。絶縁膜としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜の単層構造、又はこれらの積層構造をもちいることができる。
本実施例では、窒化珪素膜を用いる。なお、窒化珪素膜は、酸化珪素膜と比較して比誘電率が高い。そのため、ゲート絶縁膜を厚くできる。ゲート絶縁膜が厚いとゲートリーク電流を低減することができるので、ＴＦＴ等が微細化するにつれ、比誘電率の高い絶縁材料を用いて、ゲート絶縁膜を形成するとよい。
【０１３６】
そして、ゲート電極として機能する導電膜を形成する。ゲート電極３０４は、単層であっても積層であってもよく、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料で形成することができる。本実施例では、第１の導電膜３０４ａとして膜厚１０〜５０ｎｍ、例えば３０ｎｍの窒化タンタル膜を形成し、第２の導電膜３０４ｂとして膜厚２００〜４００ｎｍ、例えば３７０ｎｍのタングステン膜を順次形成する。
【０１３７】
そして、第１及び第２の導電膜３０４ａ、３０４ｂを所定の形状となるようにエッチングする。本実施例では、端部にテーパーを有するように形成する。このとき、第１の導電膜３０４ａ、又は第２の導電膜３０４ｂがそれぞれ基板と成す角度は６０°±１５°であるとよい。
【０１３８】
さらに、第１及び第２の導電膜３０４ａ、３０４ｂをエッチングしてもよく、本実施例では、図７（Ｃ）に示すように、端部のテーパーがなくなるように、つまり端部が基板と垂直となるようにエッチングする。このとき、第１の導電膜３０４ａ、又は第２の導電膜３０４ｂがそれぞれ基板と成す角度は９０°±５°であるとよい。また、第１の導電膜３０４ａと、第２の導電膜３０４ｂとのエッチングレートが異なるエッチング剤を用いることにより、第１の導電膜３０４ａを積極的にエッチングすることもできる。
【０１３９】
微細なゲート長を有するＴＦＴを形成するため、導電膜の幅を短くするとよい。そのため、導電膜をエッチングするために設けられたマスク、例えばレジストマスクを細める工程を行ってもよい。例えば、酸素プラズマにより、レジストマスクを細めることができる。
【０１４０】
図８（Ａ）に示すように、Ｐ型ＴＦＴ２１７を覆うマスク、例えばレジストマスク２２０を形成する。その後、Ｎ型を付与する元素、例えば燐（Ｐ）を、半導体膜２１４に添加する。そして、元素添加量を制御することにより、低濃度不純物領域２２１が、形成される。そして、レジストマスク２２０を除去する。
【０１４１】
その後、図８（Ｂ）に示すように、第１のＮ型ＴＦＴ２１５の一部を覆うマスク、例えばレジストマスク２２２を形成し、さらにＮ型を付与する元素を、半導体膜２１４に添加する。そして、元素添加量を制御することにより、高濃度不純物領域２２３が、形成される。このとき、第２のＮ型ＴＦＴ２１６が有する不純物領域は、第１の導電膜３０４ａが非常に薄いため、すべて高濃度不純物領域とすることができる。また、レジストマスク２２２の形成と同時に、第２のＮ型ＴＦＴ２１６の第２の導電膜３０４ｂのみを覆うレジストを形成した後、該元素を添加し、高濃度不純物領域を形成してもよい。
【０１４２】
またレジストマスク２２２の代わりに、サイドウォールを設け、高濃度不純物領域を形成してもよい。
【０１４３】
このとき、Ｐ型ＴＦＴへ該元素が添加されないように、再度レジストマスク２２０を形成する。または、前工程において、レジストマスク２２０を除去することなく、用いてもよい。
【０１４４】
次いで、Ｐ型ＴＦＴ２１７を形成するため、図８（Ｃ）に示すように、Ｎ型ＴＦＴ２１５、２１６及び容量素子２１８を覆うマスク、例えばレジストマスク２２４を形成する。そして、Ｐ型を付与する元素、例えばホウ素（Ｂ）を、半導体膜２１４に添加する。このとき、元素添加量を制御することにより、不純物領域２２９を形成することができる。ここで、高濃度又は低濃度と表現しないのは、不純物濃度の高低は相対的であり、Ｐ型ＴＦＴの不純物領域は１つであるため、不純物領域として表現している。
【０１４５】
その後、適宜加熱処理を行い、半導体膜の欠陥を緩和する。例えば、図９（Ａ）に示すように、絶縁膜２２５、絶縁膜２２６を順に形成した後、加熱処理を行うことができる。絶縁膜２２５、２２６としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。本実施例では、絶縁膜２２５にはＳｉＯＮを用い、絶縁膜２２６にはＳｉＮＯを用いる。これら絶縁膜中に含まれる水素により、半導体膜のダングリングボンドを低減（終端化）することができる。
【０１４６】
その後、層間絶縁膜２２７を形成し、平坦性を高めることができる。このような層間絶縁膜は、有機材料、シロキサン、ポリシラザンや無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテンを用いることができる。シロキサンとは、珪素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構造される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。それら置換基のうち少なくとも１種を有するポリマー材料、を出発原料として形成される。またポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料、いわゆるポリシラザンを含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。また、層間絶縁膜として、これら絶縁膜の積層構造を用いてもよい。特に、有機材料を用いて層間絶縁膜を形成すると、平坦性は高まる一方で、有機材料によって水分や酸素が吸収されてしまう。これを防止するため、有機材料上に、無機材料を有する絶縁膜を形成するとよい。無機材料に、窒素を有する絶縁膜を用いると、Ｎａ等のアルカリイオンの侵入を防ぐことができる。
【０１４７】
次いで、高濃度不純物領域２２３、及び不純物領域２２９が露出するように、層間絶縁膜２２７、絶縁膜２２５、２２６、ゲート絶縁膜３０３に開口部を形成する。そして、開口部に配線として機能する導電膜２２８を形成する。
【０１４８】
その後、保護膜として機能する絶縁膜を形成してもよい。保護膜として機能する絶縁膜は、窒素を有すると好ましい。
【０１４９】
このように薄膜トランジスタが形成された状態で、ＴＦＴ又は容量素子等が形成された素子形成領域（２１５乃至２１８）以外の領域に、剥離層の表面（ここでは金属酸化膜２１３）が露出するような開口部２３２を形成する。本実施例では、Ｐ型ＴＦＴ２１７と、容量素子２１８との間に開口部２３２を形成する。そして図６（Ｂ）と同様に、穴２３４が設けられた支持基板２３３を接着剤等を用いて第１の基板２１０上に固定する（図９（Ｂ））。接着剤としては、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の樹脂材料、又は両面テープ等を用いることができる。
【０１５０】
その後、穴２３４を介して、開口部２３２へエッチャントを導入し、剥離層を除去する。本実施例における剥離層は、絶縁基板上に形成された金属膜２１１と、その反応物である金属酸化膜２１３とであり、これらを除去することにより絶縁基板を剥離することができる（図９（Ｂ））。なお剥離層に金属膜を用いた場合、少なくとも金属酸化膜２１３がエッチャントと反応し、除去されることにより、支持基板２３３を剥離することができる。
【０１５１】
エッチャントとしては、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用することができ、化学的に剥離層を除去することができる。例えばフッ化ハロゲンとして、ＣｌＦ3（三フッ化塩素）を使用することができる。特に、剥離層が、Ｗとその酸化物であるＷＯ3である場合、ＣｌＦ3との反応速度が高く、剥離層の除去を短時間で行うことができ、好ましい。エッチング剤を用いて化学的に剥離層を除去すると、反応残留等の発生を低減することができるため好ましい。
【０１５２】
また上記のように化学的に剥離層を除去する方法以外に、応力を加えて物理的に除去する方法がある。特に上記のように、Ｗを有する酸化膜が形成される場合、酸化タングステン（ＷＯｘ（ｘ＝２〜３））は、価数に変化が生じると、物理的手段により剥離しやすい状態となることができ、好ましい。
【０１５３】
また化学的に除去する方法と、物理的に除去する方法とを組み合わせてもよい。その結果、より簡便に、短時間で剥離層を除去することができる。
【０１５４】
このように剥離層を除去し、第１の基板２１０を剥離し、別途用意されたプラスチック基板又はプラスチックフィルム基板等の可撓性基板上に、接着剤を用いて素子形成領域（２１５〜２１８）を固定することができる。接着剤には、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等の樹脂材料、又は両面テープ等を用いることができる。
【０１５５】
このように無線メモリ又は生体信号処理装置を形成する場合、第１の基板２１０を再利用することができ、結果として無線メモリ等の一個当たりの製造コストを下げることができる。また素子形成領域が形成された基板は、レーザ光を透過する必要がないため、設計の自由度を高めることができる。
【実施例６】
【０１５６】
本実施例では、無線メモリ又は生体信号処理装置に用いるＴＦＴの別の構成及びその作製方法について説明する。
【０１５７】
図１０（Ａ）に示すように、絶縁表面を有する第１の基板２１０上に金属膜２１１、酸化珪素膜２１２を順に設け、当該金属を有する金属酸化膜２１３を形成する。例えば、金属膜にＷを用いる場合、Ｗを有する金属酸化膜２１３（ＷＯｘ（ｘ＝２〜３））が形成される。そして、ＴＦＴの下部電極５３を形成する。下部電極５３は、金属又は一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。下部電極５３は、マスク（例えばレジストマスク）を用いて、所定の形状にエッチングする。このとき、例えば、酸素プラズマにより、レジストマスクを細めることができる。このような工程により、ゲート電極となる下部電極５３を細める（テーパー状にする）ことができる。
【０１５８】
図１０（Ｂ）は、下部電極５３の上面図を示し、ａ−ｂにおける断面図が図１０（Ａ）に相当する。
【０１５９】
そして、図１１（Ａ）に示すように、下地膜として機能する絶縁膜２３６を形成する。本実施例において、第１の絶縁膜として窒化珪素膜２３６ａ、第２の絶縁膜として酸化窒化珪素膜２３６ｂを形成するが、この積層順に限定されるものではない。
【０１６０】
次に、所定の形状を有する半導体膜２１４、半導体膜を覆って設けられたゲート絶縁膜３０３、ゲート電極として機能する導電膜３０４ａを順に設ける。導電膜３０４ａを所定の形状にパターニングするため、マスク、例えばレジストマスクを形成する。このとき、下部電極５３を用いた裏面露光により所定の形状を有するレジストマスク５４を形成することができる。そして、当該レジストマスク５４を用いて、導電膜３０４ａを所定の形状にパターニングする。
【０１６１】
また図１１（Ｂ）は、導電膜３０４ａ上にレジストマスクが設けられた上面図を示し、ａ−ｂにおける断面図が図１１（Ａ）に相当する。
【０１６２】
その後図１２（Ａ）に示すように、パターニングされた導電膜３０４ａをマスクとして用いて、半導体膜２１４に不純物元素を添加する。
【０１６３】
そして、下部電極５３と、導電膜３０４ａを別に制御するため、それぞれ配線を設ける。このとき、下部電極５３と配線とを接続するコンタクトホールを設けるため、導電膜３０４ａの一部を除去する。このとき、導電膜３０４ａ上にマスク、例えばレジストマスクを設けて、導電膜３０４ａの一部をエッチングすればよい。
【０１６４】
また図１２（Ｂ）は、一部がエッチングされた導電膜３０４ａの上面図を示し、ａ−ｂにおける断面図が図１２（Ａ）に相当する。
【０１６５】
なお下部電極５３と、導電膜３０４ａとを同じように制御する場合、上記のように導電膜３０４ａの一部を除去する必要はない。下部電極５３上に設けられるゲート絶縁膜３０３にコンタクトホールを形成し、当該コンタクトホールに導電膜３０４ａを形成することにより、下部電極５３と、導電膜３０４ａとは接続することができる。
【０１６６】
次いで図１３（Ａ）に示すように、ゲート電極を積層構造とするため、導電膜３０４ｂを形成してもよい。本実施例では、マスク、例えばレジストマスクを用いて、導電膜３０４ｂを所定の形状にパターニングすることができる。そして、導電膜３０４ｂを設けた状態で、不純物元素を添加してもよい。このとき、導電膜３０４ａに重なるように、低濃度不純物領域を形成することができる。
【０１６７】
その後、ゲート電極を覆って、絶縁膜３０５を形成する。絶縁膜３０５は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。本実施例では、酸化窒化珪素を用いる。特に、プラズマＣＶＤ法により絶縁膜３０５を形成することで、多くの水素を有することができる。この水素によって半導体膜２１４のダングリングボンドを低減（終端化）することができ、好ましい。そのため、絶縁膜３０５を設けた状態で、加熱処理を施すとよい。
【０１６８】
次いで、絶縁膜３０５を覆って、層間絶縁膜３０６を形成し、平坦性を高めることができる。このような層間絶縁膜は、有機材料や無機材料を用いることができる。有機材料としては、前述したように、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。また、層間絶縁膜として、これら絶縁膜の積層構造を用いてもよい。特に、有機材料を用いて層間絶縁膜を形成すると、平坦性は高まる一方で、有機材料によって水分や酸素が吸収されてしまう。これを防止するため、有機材料上に、無機材料を有する絶縁膜を形成するとよい。無機材料に、窒素を有する絶縁膜を用いると、Ｎａ等のアルカリイオンの侵入を防ぐことができる。
【０１６９】
なお、絶縁膜３０５形成後の加熱処理は、層間絶縁膜３０６を形成後に行っても構わない。
【０１７０】
その後、層間絶縁膜３０６、絶縁膜３０５、ゲート絶縁膜３０３にコンタクトホールを形成し、不純物領域と接続する配線３０７を形成する。
【０１７１】
またさらに配線上に、保護膜として機能する絶縁膜を形成してもよい。このような絶縁膜は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。特に、不純物元素の侵入を防ぐためには、窒素を有する絶縁膜を用いると好ましい。
【０１７２】
また図１３（Ｂ）は、配線３０７、下部電極に接続される配線、及びゲート電極に接続される配線が設けられたの上面図を示し、ａ−ｂにおける断面図が図１３（Ａ）に相当する。なお、導電膜３０４ｂは図示しない。
【０１７３】
このようにして下部電極５３及び上部電極（導電膜３０４ａ、３０４ｂ）を有する所謂デュアルゲート型ＴＦＴを形成することができる。下部電極を有するＴＦＴの場合、下部電極をゲート電極と別に制御することができる。そのため、微細なＴＦＴを形成する場合、ゲート電極にオフとなる信号を入力するときであっても、電流が流れてしまうことがある。このとき、下部電極を制御することにより、正確にオフ状態とすることができる。その結果、低消費電力化を図ることができる。また、下部電極により、しきい値電圧（Ｖｔｈ）を制御することもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１７４】
上述した実施の形態及び実施例においては、生体信号として脳波を検出した場合について説明したが、その他のあらゆる生体信号についても、本発明によって検出、処理、制御することができる。例えば、心電図、呼吸曲線、血圧、組織血液量・血流量、脳血液量、脳血流速度、眼球運動、胃電図、瞳孔反射、心拍出量、ＧＳＲ（Ｇａｌｖａｎｉｃ  Ｓｋｉｎ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ；電気皮膚反応）、指尖容積脈波、経皮酸素／二酸化炭素分圧、動脈血酸素飽和度、脳内圧変化、筋交感神経活動・筋電図等の測定対象となる生体信号が挙げられる。このように、本発明の適用分野は極めて多岐にわたる。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】本発明に係る生体信号処理装置、無線メモリ及び生体信号処理システムの構成を示すブロック図
【図２】本発明に係る電子機器制御システムの構成を示すブロック図
【図３】本発明に係る生体信号処理装置を有する商品の一例を示す図
【図４】本発明に係る生体信号処理装置システムを用いた実施例を説明する図
【図５】本発明に係る生体信号処理装置又は無線メモリの作製工程図
【図６】本発明に係る生体信号処理装置又は無線メモリの作製工程図
【図７】本発明に係る生体信号処理装置又は無線メモリに用いられるＴＦＴの作製工程図
【図８】本発明に係る生体信号処理装置又は無線メモリに用いられるＴＦＴの作製工程図
【図９】本発明に係る生体信号処理装置又は無線メモリに用いられるＴＦＴの作製工程図
【図１０】本発明に係る無線メモリ等に用いられるデュアルゲート型ＴＦＴの作製工程図
【図１１】本発明に係る無線メモリ等に用いられるデュアルゲート型ＴＦＴの作製工程図
【図１２】本発明に係る無線メモリ等に用いられるデュアルゲート型ＴＦＴの作製工程図
【図１３】本発明に係る無線メモリ等に用いられるデュアルゲート型ＴＦＴの作製工程図
【符号の説明】
【０１７６】
１    生体信号処理装置
２    無線メモリ
３    電極
４    頭部
５    生体信号インターフェース（生体信号Ｉ／Ｆ）
６    リーダ／ライタ（Ｒ／Ｗ）
７    入力用アンテナ
８    出力用アンテナ
９    入力用インターフェース（入力用Ｉ／Ｆ）
１０    出力用インターフェース（出力用Ｉ／Ｆ）
１１    プロセッサ
１２    メモリ素子
１３    メモリ素子
１４    入力用アンテナ
１５    出力用アンテナ
１６    入力用インターフェース（入力用Ｉ／Ｆ）
１７    出力用インターフェース（出力用Ｉ／Ｆ）
１８    プロセッサ
１９    バスライン
２０    バスライン
【図１】
2006051343.tif 000003
【図２】
2006051343.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006051343.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006051343.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2006051343.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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