(57)【要約】【課題】単純な構成で上部シールド層の磁化を安定させる。【解決手段】磁界検出センサは、外部磁界に応じてセンス電流に対する抵抗値が変化することによって、外部磁界の大きさを検知する磁界検出素子５と、磁界検出素子５を覆うように形成された上部シールド層７と、上部シールド層６の積層方向上方に形成された保護層とを有し、上部シールド層７は、少なくとも一部が磁界検出素子５の積層方向直上部を覆っている第１の部分７１と、第１の部分７１を覆っている第２の部分７２とを有し、第１の部分７１は、磁歪の絶対値が第２の部分７２よりも大きく形成されている。【選択図】図２Ａ
2006309842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部磁界に応じてセンス電流に対する抵抗値が変化することによって、該外部磁界の大きさを検知する磁界検出素子と、
前記磁界検出素子を覆うように形成された上部シールド層と、
前記上部シールド層の積層方向上方に形成された保護層とを有し、
前記上部シールド層は、
少なくとも一部が前記磁界検出素子の積層方向直上部を覆っている第１の部分と、
前記第１の部分を覆っている第２の部分とを有し、
前記第１の部分は、磁歪の絶対値が前記第２の部分よりも大きく形成されている、磁界検出センサ。
【請求項２】
前記第１の部分は正磁歪を有し、かつ、前記磁界検出素子のハイト方向に略同一の断面形状で延び、該ハイト方向の長さは前記磁界検出素子のトラック幅方向の幅の１．５倍以上、２００倍以下であるように形成されている、請求項１に記載の磁界検出センサ。
【請求項３】
前記第１の部分の前記ハイト方向の長さは前記磁界検出素子のトラック幅方向の幅の５倍以上、２００倍以下であるように形成されている、請求項２に記載の磁界検出センサ。
【請求項４】
前記磁界検出素子は、前記外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、前記外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、
前記ＭＲ素子の前記トラック幅方向の両側に設けられ、前記第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、
前記バイアス層の各々の少なくとも一部を覆い、前記ＭＲ素子に前記センス電流を供給する１対のリード電極と、
前記１対のリード電極の少なくとも対向面と、前記ＭＲ素子とを覆い、該リード電極間の位置に凹部が形成されるように設けられた上部ギャップ層とを有し、
前記第１の部分は、前記凹部のみを埋めるように、前記ハイト方向に延びている、請求項２または３に記載の磁界検出センサ。
【請求項５】
前記磁界検出素子は、前記外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、前記外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、
前記ＭＲ素子の前記トラック幅方向の両側に設けられ、前記第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、
前記１対のバイアス層の少なくとも一部と前記ＭＲ素子とを覆うように設けられた金属層とを有し、
前記上部シールド層は、前記ＭＲ素子に前記センス電流を供給し、
前記第１の部分は、前記金属層の積層方向上面において、前記ＭＲ素子の積層方向直上部から前記ハイト方向に向けて延びている、請求項２または３に記載の磁界検出センサ。
【請求項６】
前記第１の部分は負磁歪を有し、前記磁界検出素子のトラック幅方向に略同一の断面形状で延び、かつ、前記トラック幅方向の長さは前記磁界検出素子のハイト方向の長さの１．５倍以上、２００倍以下であるように形成されている、請求項１に記載の磁界検出センサ。
【請求項７】
前記第１の部分の前記トラック幅方向の長さは前記磁界検出素子のハイト方向の長さの５倍以上、２００倍以下であるように形成されている、請求項６に記載の磁界検出センサ。
【請求項８】
前記磁界検出素子は、前記外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、前記外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、
前記ＭＲ素子の前記トラック幅方向の両側に設けられ、前記第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、
前記バイアス層の各々の少なくとも一部を覆い、前記ＭＲ素子に前記センス電流を供給する１対のリード電極と、
前記１対のリード電極の少なくとも対向面と、前記ＭＲ素子とを覆い、該リード電極間の位置に凹部が形成されるように設けられた上部ギャップ層とを有し、
前記第１の部分は、前記上部ギャップ層の一部と、前記凹部の一部とを覆うように、前記トラック幅方向に延びている、請求項６または７に記載の磁界検出センサ。
【請求項９】
前記磁界検出素子は、前記外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、前記外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、
前記ＭＲ素子の前記トラック幅方向の両側に設けられ、前記第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、
前記１対のバイアス層の少なくとも一部と前記ＭＲ素子とを覆うように設けられた金属層とを有し、
前記上部シールド層は、前記ＭＲ素子に前記センス電流を供給し、
前記第１の部分は、前記金属層の積層方向上面において、前記１対のバイアス層の一方の一部と、前記ＭＲ素子の積層方向直上部と、前記１対のバイアス層の他方の一部とを覆うように、前記トラック幅方向に延びている、請求項６または７に記載の磁界検出センサ。
【請求項１０】
前記第１の部分の磁歪定数の絶対値は、０．５×１０-6以上である、請求項１から９のいずれか１項に記載の磁界検出センサ。
【請求項１１】
前記第１，第２の部分は、ニッケル，鉄，コバルトのいずれか、またはその合成物を主成分とする、請求項１０に記載の磁界検出センサ。
【請求項１２】
前記第１，第２の部分は、同一の成分で構成され、かつ各成分の組成比が互いに異なるように形成されている、請求項１１に記載の磁界検出センサ。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の磁界検出センサを備えた薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッドの製造に用いる、少なくとも１つの薄膜磁気変換素子が設けられたウエハ。
【請求項１５】
請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッドを含み、前記記録媒体に対向して配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションとを有するヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１６】
請求項１３に記載の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向して配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに、前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と
を有するハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁界検出センサおよびヘッドジンバルアセンブリ等に関し、特に、磁気抵抗効果を用いた磁界検出センサの上部シールド層の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブの磁気記録の高密度化は、１００Ｇｂｐｓｉクラスの量産を目前とする段階にまで達している。このような高密度化に対応するため、ＭＲ(Magneto-resistive)素子などの磁気抵抗効果を用いた磁界検出センサが、磁気ヘッドとして用いられている。とりわけ、スピンバルブ(ＳＶ)膜を用いたＧＭＲ(Giant Magneto-resistive)素子は、記録媒体の記録を読み出すために素子に流されるセンス電流に対する抵抗変化が大きく、より高感度の磁気ヘッドを提供することができる。ここでＳＶ膜とは、磁化の方向が一方向に固定された強磁性膜（以下、ピンド層ということもある。）と、記録媒体が発生する外部磁界に応じて磁化の方向を変える強磁性膜（以下、フリー層ということもある。）との間に非磁性中間層を挟んで構成された積層膜である。ＳＶ膜では、フリー層の磁化方向は、ピンド層の磁化方向に対して、外部磁界に応じて相対角度をなし、相対角度に応じて伝導電子のスピン依存散乱が変化して磁気抵抗変化が生じる。磁気ヘッドは、この磁気抵抗変化を検出して、記録媒体の磁気情報を読み取る。
【０００３】
ＭＲ素子では、上述のように、フリー層が外部磁界に反応して磁気抵抗変化を生じるが、磁気抵抗変化に線形性を持たせ、ノイズを低減して出力特性を安定化させるために、ＭＲ素子にバイアス磁界を印加することが行われている。バイアス磁界を印加するバイアス層は、一般にＭＲ素子をはさんで、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側に置かれ、バイアス磁界はＭＲ素子のトラック幅方向に印加される。一方、外部磁界はこれと直交する膜面面内方向に生じる。外部磁界が０の場合は、フリー層の磁化はトラック幅方向を向き、外部磁界が印加されると、その大きさに応じて磁化の向きが回転する。
【０００４】
ところで、ＭＲ素子は、記録媒体の所定の記録ドメインからの磁界だけを検知するため、積層方向の上下方向をシールド層に覆われ、周囲から磁気的に遮蔽されている。しかし、実際にはシールド層自体が外部から磁化されるため、フリー層はシールド層によって影響を受ける。シールド層が磁化される原因には、記録媒体からの外部磁界と、隣接する記録ヘッドの作動に起因するシールド層の変形とがある。後者は、記録ヘッドの書込み動作によってコイルが加熱され、発生熱によって上部シールド層が変形（歪）を受け、逆磁歪効果によって上部シールド層の磁区構造が変化する現象である（以下、この上部シールド層の変形を外部歪という場合がある。）。これらの原因による上部シールド層の磁化は、外部磁界の大きさやコイルの発熱状態等によって一定しない。このため、せっかくバイアス磁界をかけても、特に後者の要因の場合、磁区構造が変化して上部シールド層の磁化状態が変化するため、バイアス磁界が擾乱され、フリー層に所定のバイアス磁界が印加されず、出力特性の安定化が実現されない。
【０００５】
このような課題に対処するため、シールド層を、非磁性中間層を介して磁性層を積層した多層構造として構成する技術が開示されている（特許文献１参照）。各磁性層の磁化の向きは、非磁性中間層を介して反平行とされるため、単磁区化が促進され、外部磁界の影響を受けにくくなる。また、外部歪による上部シールド層の磁化状態の乱れを最小限にするには、磁歪定数のなるべく小さな材料を用いることが望ましく、たとえば磁歪定数が０のNi82Fe18が上部シールド層の材料として用いられている。
【特許文献１】特開２０００−４８３２７号公報
【特許文献２】特開平１０−３０２２２７号公報
【特許文献３】特開平１１−２９６８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１のようにシールド層を多層膜構造とすることは、製造プロセスの複雑化を招き、コストアップの要因ともなる。多層膜構成の場合、各層の磁気モーメントの値が相互に相殺されて、全体としての漏れ磁界を０にする必要があるが、実際には０にすることは難しく、このため、フリー層への影響も避けられない。また、上部シールド層の磁歪定数を完全に０にすることは現実的には困難で、ＭＲ素子が多数形成されるウエハの各位置でばらつきが生じてしまう。上部シールド層は、機能上ある程度の厚さを必要とするため、小さなばらつきでも全体の磁化量は大きくなってしまい、ＭＲ素子への影響も大きなものとなる。
【０００７】
本発明の目的は、単純な構成で上部シールド層の磁化を安定させ、よって出力特性の安定化を図ることのできる磁界検出センサを提供することである。また、本発明の他の目的は、かかる磁界検出センサを用いたヘッドジンバルアセンブリ、およびハードディスク装置等を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の磁界検出センサは、外部磁界に応じてセンス電流に対する抵抗値が変化することによって、外部磁界の大きさを検知する磁界検出素子と、磁界検出素子を覆うように形成された上部シールド層と、上部シールド層の積層方向上方に形成された保護層とを有し、上部シールド層は、少なくとも一部が磁界検出素子の積層方向直上部を覆っている第１の部分と、第１の部分を覆っている第２の部分とを有し、第１の部分は、磁歪の絶対値が第２の部分よりも大きく形成されている。
【０００９】
保護層は、磁界検出センサの製造プロセス中のウエハ内の面内残留応力が開放されることによって、一定の方向に変形し、第１の部分も、保護層の変形にひきづられて一定の方向に変形する。第１の部分は、第２の部分よりも磁歪の絶対値が大きいため、逆磁歪効果によって磁化の方向に異方性が生じる。このため、第１の部分の磁化の向きも固定的となる。これによって、第１の部分は、磁歪の正負に依存した磁化容易軸が形成され、硬磁性材料に類似した性質を帯び、外部磁界や外部歪によってランダムな方向に磁化されにくくなる。この結果、第１の部分の積層方向直下にある磁界検出素子も、外部磁界の変動による影響を受けにくくなり、出力特性が安定する。
【００１０】
第１の部分は正磁歪を有し、かつ、磁界検出素子のハイト方向に略同一の断面形状で延び、該ハイト方向の長さは磁界検出素子のトラック幅方向の幅の１．５倍以上、２００倍以下であるように形成されていることが好ましい。第１の部分のハイト方向の長さは磁界検出素子のトラック幅方向の幅の５倍以上、２００倍以下であるように形成されていることがより好ましい。
【００１１】
磁界検出素子は、外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側に設けられ、第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、バイアス層の各々の少なくとも一部を覆い、ＭＲ素子にセンス電流を供給する１対のリード電極と、１対のリード電極の少なくとも対向面と、ＭＲ素子とを覆い、リード電極間の位置に凹部が形成されるように設けられた上部ギャップ層とを有し、第１の部分は、凹部のみを埋めるように、ハイト方向に延びているように構成することができる。
【００１２】
また、磁界検出素子は、外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側に設けられ、第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、１対のバイアス層の少なくとも一部とＭＲ素子とを覆うように設けられた金属層とを有し、上部シールド層は、ＭＲ素子にセンス電流を供給し、第１の部分は、金属層の積層方向上面において、ＭＲ素子の積層方向直上部から、ハイト方向に延びているように構成してもよい。
【００１３】
第１の部分は負磁歪を有し、磁界検出素子のトラック幅方向に略同一の断面形状で延び、かつ、トラック幅方向の長さは磁界検出素子のハイト方向の長さの１．５倍以上、２００倍以下であるように形成されていることが好ましい。第１の部分のトラック幅方向の長さは磁界検出素子のハイト方向の長さの５倍以上、２００倍以下であるように形成されていることがより好ましい。
【００１４】
磁界検出素子は、外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側に設けられ、第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、バイアス層の各々の少なくとも一部を覆い、ＭＲ素子にセンス電流を供給する１対のリード電極と、１対のリード電極の少なくとも対向面と、ＭＲ素子とを覆い、リード電極間の位置に凹部が形成されるように設けられた上部ギャップ層とを有し、第１の部分は、上部ギャップ層の一部と、凹部の一部とを覆うように、トラック幅方向に延びているように構成することができる。
【００１５】
また、磁界検出素子は、外部磁界に対して磁化方向が固定された第１の強磁性層と、非磁性層と、外部磁界に対して磁化方向が変化する第２の強磁性層とが積層されて形成されたＭＲ素子であり、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側に設けられ、第２の強磁性層にバイアス磁界を供給する１対のバイアス層と、１対のバイアス層の少なくとも一部とＭＲ素子とを覆うように設けられた金属層とを有し、上部シールド層は、ＭＲ素子にセンス電流を供給し、第１の部分は、金属層の積層方向上面において、１対のバイアス層の一方の一部と、ＭＲ素子の積層方向直上部と、１対のバイアス層の他方の一部とを覆うように、トラック幅方向に延びているように構成してもよい。
【００１６】
第１の部分の磁歪定数の絶対値は、０．５×１０-6以上とすることが好ましい。
【００１７】
第１，第２の部分は、ニッケル，鉄，コバルトのいずれか、またはその合成物を主成分とすることができる。このとき、第１，第２の部分は、同一の成分で構成され、かつ各成分の組成比が互いに異なるように形成されていてもよい。
【００１８】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、上記の磁界検出センサを備えている。
【００１９】
本発明のウエハは、上記の薄膜磁気ヘッドの製造に用いる、少なくとも１つの薄膜磁気変換素子が設けられている。
【００２０】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向して配置されるスライダと、スライダを弾性的に支持するサスペンションとを有している。
【００２１】
本発明のハードディスク装置は、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向して配置されるスライダと、スライダを支持するとともに、記録媒体に対して位置決めする位置決め装置とを有している。
【発明の効果】
【００２２】
以上説明したように、本発明によれば、上部シールド層は、保護層の変形によって引き起こされる変形と逆磁歪効果とを利用して、磁化の変動を受けにくいように構成されている。このため、単純な構成で上部シールド層の磁化を安定させ、よって出力特性の安定化を図ることのできる磁界検出センサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（第１の実施形態）
以下、図面を用いて本発明の磁界検出センサの第１の実施形態について詳細に説明する。図１は、本発明の磁界検出センサを有する薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。薄膜磁気ヘッド１は、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる基板（図示せず）の上に、以下に示す下地層２から保護層１４までが、順に積層されて形成されている。
【００２４】
まず、基板上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる下地層２を介して、パーマロイ（ＮｉＦｅ）からなる下部シールド層３が形成されている。下部シールド層３は、磁界検出素子である再生ヘッド（ＭＲ素子５）の下部磁気シールド層としての機能を有している。下部シールド層３の上にはＭＲ素子５が、媒体対向面ＡＢＳ側に設けられている。媒体対向面ＡＢＳとは、薄膜磁気ヘッド１の記録媒体（図示せず）との対向面である。ＭＲ素子５の上には、ＭＲ素子５を覆うように上部シールド層７が形成されている。上部シールド層７は、ＭＲ素子５の上部磁気シールド層としての機能を有している。上部シールド層７の上には非磁性層１６を介して、下部磁極層９ａが形成されている。下部磁極層９ａは、後述する記録ヘッドの下部磁極層としての機能を有している。上部シールド層７の詳細については後述する。
【００２５】
下部磁極層９ａの上には、絶縁のための記録ギャップ８を介して、上部磁極層９ｂが設けられている。記録ギャップ８の材料としては、例えば、Ｒｕやアルミナ等のスパッタ法によって成膜可能な非磁性材料が用いられる。上部磁極層９ｂの材料としては、例えば、パーマロイやＣｏＮｉＦｅ等のめっき法によって成膜可能な磁性材料が用いられる。下部磁極層９ａと上部磁極層９ｂは、接続部１０によって磁気的に接続され、全体で１個のＵ字型磁性体を形成している。下部磁極層９ａ、記録ギャップ８、および上部磁極層９ｂは、記録ヘッドである誘導型磁気変換素子を形成している。記録ヘッドは、記録媒体の面内方向への記録をおこなう長手記録方式と、記録媒体の垂直方向への記録をおこなう垂直記録方式のいずれでもよい。
【００２６】
下部磁極層９ａと上部磁極層９ｂとの間の、媒体対向面ＡＢＳと接続部１０との間には、銅等の導電性材料からなる２段積みのコイル１１が設けられている。コイル１１は巻回して設けられた一体のコイルで、上部シールド層７と上部磁極層９に書込みのための磁束を供給する。コイル１１の巻数や段数は、図示のものに限られず、任意に定めることができる。コイル１１は絶縁層１２ａ，１２ｂ，１３ａ，１３ｂに取り囲まれて周囲から絶縁されている。上部磁極層９ｂを覆うように、保護層１４が形成されている。保護層１４の材料には、例えばアルミナ等の絶縁材料が用いられる。
【００２７】
ＭＲ素子５は、外部磁界に応じてセンス電流に対する抵抗値が変化することによって、外部磁界の大きさを検知する磁界検出素子である。磁界検出素子とは、磁気抵抗変化を生じさせる膜部分を指し、以下に説明するスピンバルブ膜だけでなく、ＡＭＲ膜、デュアルスピンバルブ膜、さらには後述するＴＭＲ膜なども含まれる。図２Ａは、媒体対向面から見た、薄膜磁気ヘッドの側面図である。同図において、記録媒体（図示せず）は図面手前側に、図面と平行な方向に広がっている。図２Ｂは、ＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である。同図は、後述する第２の部分よりも積層方向下側の平面図を示している。図２Ｃは、図２ＢのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【００２８】
図２Ａに示すように、ＭＲ素子５は、第１の強磁性層と、この層の磁化を固定するための反強磁性層とからなるピンド層５１と、非磁性中間層５２と、第２の強磁性層であるフリー層５３とがこの順で積層されて形成されている。ＭＲ素子５は、下部磁気シールド３の上に、下部ギャップ層４を介して設けられている。下部ギャップ層４にはアルミナなどが用いられる。
【００２９】
ピンド層５１は、磁化の方向が記録媒体等の外部磁界に影響されず、一方向に固定された強磁性膜である。ピンド層５１には、Fe、Co、Ni等を主成分とする強磁性合金が用いられる。いわゆるシンセティックピンド層（磁性層である第１ピンド層と、非磁性金属層と、磁性層である第２ピンド層とがこの順で積層され、第１ピンド層と第２ピンド層とが反強磁性的に結合した積層構造のピンド層）を用いてもよい。非磁性中間層５２には一般的にCuが用いられる。フリー層５３は、記録媒体から発生する外部磁界に応じて磁化の方向を変える強磁性膜である。フリー層５３には、CoFe、NiFe系などの合金を主体とする強磁性合金が用いられる。
【００３０】
ＭＲ素子５のトラック幅方向の両側側方部には、１対のバイアス層２１と１対のリード電極２４とが設けられている。ここでトラック幅方向とは、図中矢印で示した、紙面左右方向を意味する。バイアス層２１はＭＲ素子５にトラック幅方向のバイアス磁界を印加する。これによってフリー層５３の磁界の向きは、記録媒体からの外部磁界を受けないときにはトラック幅方向を向く。バイアス層２１は、CoCrPt等の硬磁性材料で一体で形成されるが、図示のように軟磁性層２２と反強磁性層２３とがこの順に積層されて形成されていてもよく、この場合積層順は逆でもよい。軟磁性層２２には例えば、NiFe、CoFe等が、反強磁性層２３には例えばIrMn、RuRhMn、PtMn等が用いられる。
【００３１】
リード電極２４はＭＲ素子５にセンス電流を流す電極である。リード電極２４には例えばAuCuが用いられ、上下をTa等からなる保護層（図示せず）によって覆う構造としてもよい。リード電極２４は、電気抵抗を十分に低く押えるため、ＭＲ素子５と比べて大きな断面積を有しており、しかも、図２Ｃに示すように、ＭＲ素子５の背後は絶縁層６１で埋められるので、ＭＲ素子５よりも積層方向上側に出張っている。
【００３２】
上部ギャップ層６は、１対のリード電極２４と上部シールド層７との間に、これらの間の電気的絶縁のために設けられている。上部ギャップ層６にはアルミナなどが用いられる。リード電極２４は、上述したとおりＭＲ素子５よりも積層方向上側に出張っており、また上部ギャップ層６は、リード電極２４とＭＲ素子５とを、それらの表面形状に沿って覆っているため、上部ギャップ層６の対向面２５の間には凹部２６が形成されている。
【００３３】
上部ギャップ層６は、さらに上部シールド層７によって覆われている。上部シールド層７は、少なくとも一部がＭＲ素子５の積層方向直上部を覆う第１の部分７１と、第１の部分７１を覆う第２の部分７２とを有している。第１の部分７１は凹部２６のみを埋めるように延びている。すなわち、図２Ｃに示すように、第１の部分７１の上面と、リード電極２４上方に積層された上部ギャップ層６の上面とは、ほぼ一致している。第１の部分７１は、図２Ｂに示すように、媒体対向面ＡＢＳからハイト方向に離れるにしたがって、第１の部分７１のトラック幅方向の幅Ｌが広がるように延びている。これは、第１の部分７１が、同様の形状を有するリード電極２４の形状に沿って形成されるためである。なお、ハイト方向とは、積層面内方向のうち、媒体対向面ＡＢＳと直交する方向を意味する。
【００３４】
第１，第２の部分７１，７２は、ニッケル，鉄，コバルトのいずれか、またはその合成物を主成分としている。たとえば、パーマロイ（ＮｉＦｅ）などである。Ｍｏ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｏ，Ｎ，Ｓ．Ｃ，Ｎｂ等を含んでいてもよい。第１の部分７１は正の磁歪を有し、磁歪定数の値は０．５×１０-6以上である。この点についての詳細は後述する。第２の部分７２の磁歪は第１の部分７１の磁歪より小さくなるように形成され、０または０に近い方が好ましい。
【００３５】
第１，第２の部分７１，７２は、同一の成分で構成され、かつ各成分の組成比が互いに異なるように形成されているのが好ましい。図３には、純ＮｉＦｅを例として、Ｎｉ組成比（原子分率）と磁歪定数との関係を示す。Ｎｉ組成比が小さいと正の磁歪が大きく、Ｎｉ組成比が大きくなると小さくなる傾向があり、上述の磁歪定数の範囲はＮｉ組成比８０％以下に相当している。このように、同一の金属または合金を主成分として、その組成比を変えることで、第１，第２の部分７１，７２に異なる磁歪定数を持たせることができる。具体的な組成比の例は後述の実施例を参照されたい。なお、このような組成比と磁歪との関係は公知であって、材料毎、合金毎にあらかじめ求めておくことができる。
【００３６】
次に、本発明の作用について説明する。薄膜磁気ヘッドが搭載されたスライダを作る際には、図１１に示すように、ウエハ１００に、薄膜磁気ヘッドのもととなる薄膜磁気変換素子１０２を、薄膜工程によって多数形成する。次に、ウエハ１００を薄膜磁気変換素子１０２が１列に配列されたバー１０１に切断し、バー１０１を研磨して媒体対向面ＡＢＳを形成し、さらにバー１０１を切断して、薄膜磁気ヘッド１が形成された個々のスライダに分離する。ウエハの薄膜工程では、上述のように基板から保護層１４までの多層膜が積層されるが、作製される薄膜には成膜時に面内残留応力が発生することが知られている（例えば特開平１１−１３４６１５に同様の記載がある。）。この面内応力は、ウエハをバー、スライダと切断していく過程で次々と開放されていく。面内応力は保護層１４にも生じるため、保護層１４は、成膜時には圧縮応力を有しており、面内応力が開放された結果、図１の破線１５のように媒体対向面ＡＢＳから記録媒体側へ突き出すようにせり出す。
【００３７】
保護層１４は３０μｍ前後と比較的厚いため、保護層１４がせり出すと、保護層１４の近傍の部分もその影響を受ける。上部シールド層７も、保護層１４に引張られ、図１，図２Ｂの白抜き矢印の向きに変形する。このうち、第１の部分７１は、上述のように正磁歪を有しているので、図２Ｂの実線矢印のように、磁化の向きが変形（歪）の向きに揃えられる。この変形はスライダの寿命中長期間に渡って持続するため、第１の部分７１は、軟磁性材料であるにも拘らず、一種の硬磁性材料として振舞う。すなわち、第１の部分７１は、磁化容易軸が白抜き矢印の方向に発生したのと同様な効果が生じ、外部歪や外部磁界によってランダムな方向に磁化されにくくなる。この結果、第１の部分７１の積層方向直下にあるＭＲ素子５も、第１の部分７１の磁化の変動による影響を受けにくくなり、出力特性が安定するのである。
【００３８】
ＭＲ素子５への影響が大きいのは第１の部分７１であり、ＭＲ素子５から離れた第２の部分７２の影響は小さい。仮に、第２の部分７２が第１の部分７１と同程度の磁歪定数を有していると、第２の部分７２にも変形が生じているため磁歪効果によって磁化が生じ、上部シールド層７全体の磁化状態が変化して、ＭＲ素子５に逆に大きな磁場を与えてしまう。この磁場の向きは、フリー層５３の外部磁界による磁化方向と一致しているため、あまり大きくなるとＭＲ素子５の出力に悪影響を与える。このため、前述の通り、第２の部分７２の磁歪は第１の部分７１より小さいことが望ましく、０または０に近いのがより望ましい。
【００３９】
また、凹部２６の形状については、垂込んでいるという形状が重要である。凹部２６が垂込んでいれば、凹部２６を第１の部分７１で埋めることによって、第１の部分７１の安定した磁化特性の影響をＭＲ素子５に及ぼしやすくなる。換言すれば、第２の部分７２の相対的に不安定な磁化特性の影響を排除しやすくなる。凹部２６の垂込み深さＳＳＤ（ＭＲ素子５直上の上部ギャップ層６上面と、ギャップ層６のＭＲ素子５をはずれた平坦面との高低差）の、ＭＲ素子５の位置における上部ギャップ層６の対向面２５間の最短間隔Ｌ１に対する比（ＳＳＤ／Ｌ１）は０．３以上とすることが望ましい。これによって、ＭＲ素子５と第２の部分７２との離隔距離が確保されると共に、第１の部分７１としてある程度の大きさが確保され、上述の効果が一層高まる。ただし、凹部２６のすべてを第１の部分７１で埋める必要性は必ずしもなく、少なくともＭＲ素子５の直上部分が第１の部分７１で覆われていれば、最低限度の効果は得られるものと考えられる。
【００４０】
第１の部分７１は隣接する上部ギャップ層の一部を覆っていてもよい。この場合、図４Ａに示すように、第１の部分７１ｂは、凹部２６ｂを埋めるように延び、かつ、凹部２６ｂの上部が垂れ下がったような断面形状となっていてもよいし、図４Ｂに示すように、凹部２６ｃの上部も矩形断面を有するように形成してもよい。図４Ｃは、図４Ａ，４Ｂに示すＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である（上部ギャップ層６および第２の部分７２ｂの図示は省略）。これらの場合、ハイト方向の長さＨがトラック方向の幅Ｌの１．５倍以上、２００倍以下、より好ましくは５倍以上、２００倍以下であるように形成するのが望ましい。
【００４１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の部分およびリード電極の形状が第１の実施形態と異なっており、その他の点については同一である。そのため、第１の部分およびリード電極の形状の違いを中心に説明する。
【００４２】
図５Ａは、媒体対向面から見た、薄膜磁気ヘッドの側面図である。図５Ｂは、ＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である。上部シールド層７ｄは、第１の部分７１ｄと第２の部分７２ｄとを有している。第１の部分７１ｄは、凹部２６ｄのみを埋めるように、ハイト方向に略同一の断面形状で延びている。これは、リード電極２４ｄがハイト方向にほぼ同一の間隔を保って延びていることに対応している。第１の部分７１ｄをハイト方向に細長く形成することによって、ハイト方向への形状異方性効果が生じ、磁歪効果と相まって、第１の部分７１ｄが図５Ｂの白抜き方向により磁化されやすくなる。形状異方性効果を高めるには、ハイト方向の長さＨはトラック方向の幅Ｌの１．５倍以上、２００倍以下、より好ましくは５倍以上、２００倍以下であるように形成するのが望ましい。第１の部分７１ｄは第１の実施形態と同様正磁歪を有しており、磁歪定数の範囲も第１の実施形態と同様である。なお、凹部２６ｄの垂込み深さＳＳＤのトラック方向の幅Ｌ１に対する比（ＳＳＤ／Ｌ１）は、第１の実施形態と同様の理由から、０．３以上とすることが望ましい。
【００４３】
（第３の実施形態）
次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの第３の実施形態について説明する。本実施形態は第１の部分およびリード電極の形状が第１の実施形態と異なり、その他の点については同一である。そのため、第１の部分およびリード電極の形状を中心に説明する。
【００４４】
図６Ａは、媒体対向面から見た、薄膜磁気ヘッドの側面図である。図６Ｂは、ＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である。図６Ｃは、図６ＢのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。１対のリード電極２４ｅがＭＲ素子５のトラック幅方向の両側に設けられ、上部ギャップ層６ｅは、１対のリード電極２４ｅの対向面とＭＲ素子５とを覆って延びている。この結果、上部ギャップ層６ｅの対向面の間には凹部２６ｅが形成されている。上部シールド層７ｅは、第１の部分７１ｅと第２の部分７２ｅとを有している。第１の部分７１ｅは、第１，第２の実施形態と異なり、トラック幅方向に略同一の断面形状で延び、トラック幅方向の長さはハイト方向の長さよりも大きくなるように形成されている。すなわち、第１の部分７１ｅは、上部ギャップ層６ｅのトラック幅方向における一方の側から、凹部２６ｅの一部を覆い、さらに上部ギャップ層６ｅの他方の側へと、凹部２６を跨いでトラック幅方向に延びている。第１の部分７１ｅは負磁歪を有しており、その磁歪定数は−０．５×１０-6以下である。形状異方性効果を高めるには、トラック幅方向の長さＬはハイト方向の長さＨの１．５倍以上、２００倍以下、より好ましくは５倍以上、２００倍以下であるように形成するのが望ましい。
【００４５】
本実施形態は負磁歪効果を用いている。すなわち、保護層１４がせり出し、これに引張られて第１の部分７１ｅが媒体対向面ＡＢＳから記録媒体に向けてせり出すと、負磁歪の効果によって、せり出し方向と直交する方向、すなわち第１の部分７１ｅの長軸方向に磁化の方向が向こうとする。さらに、せり出し方向と直交する方向に長軸があるため、形状異方性効果によって磁化の方向が長軸方向に揃えられようとする。つまり第２の実施形態と同様の効果が生じることになる。このように、磁歪の正負による磁化の向きと形状異方性の生じる軸とを一致させることによって、いずれかの方向に磁化容易軸を確実に形成することが可能となる。
【００４６】
ここで、上述した磁歪定数の絶対値の範囲の根拠について、実施例に基づいて説明する。
【００４７】
（実施例１）まず、１０×１０-6〜−３×１０-6の範囲から、異なる磁歪定数を有する７種類の材料を選択し、凹部および第１の部分が図４Ａ，４Ｃのような形状を有する７種類のサンプルを形成した。次に各サンプルに外部磁界を印加して、ＭＲ素子の出力を計測した。具体的には、ＭＲ素子５、リード電極２４、および上部ギャップ層６を作成後、第１の部分７１ｂをスパッタ法にて形成し、その上部に第２の部分を形成した。ただし、図４Ｃでは、上部ギャップ層および第２の部分の図示は省略している。リード電極間隔Ｌ１は０．１２μｍ、ハイト方向長さＨは１８μｍ、垂込み深さＳＳＤは０．１μｍとした。第１の部分の形状は図４Ｃに示すようなもので、幅３μｍ、ハイト方向長さ１８μｍ、膜厚０．１５μｍとした。
【００４８】
図７は、磁歪定数λと規格化した出力との関係を示す。同図（ａ）は結果のグラフを、同図（ｂ）は結果の表を示している。磁歪定数が負であると、磁化の向きがトラック幅方向を向こうとするが、第１の部分のＭＲ素子の近傍は、ハイト方向に細長くなっているため、形状異方性の効果はハイト方向にも働こうとする。このため、シールド層の磁化状態が不安定となり、バイアス磁界が乱されて、外部磁界の影響を受けやすくなり、ＭＲ素子の出力が変化したと考えられる。一方、磁歪定数が０．５×１０-6〜１０×１０-6までの範囲では、ＭＲ素子の出力は５％以内の変動にとどまり、良好な結果となった。
【００４９】
次に、同様に磁歪定数を１０×１０-6〜−３×１０-6まで変化させ、コイルに大きな電流を流して上部シールド層に変形を与えて、ＭＲ素子の出力を計測した（ライトストレス耐性試験）。図８は、このような電流印加前後のＭＲ素子の出力の変化を示す。同図は、磁歪定数の異なる各サンプルに電流を流す前と流した後での、ＭＲ素子の出力を規格化して示したものである。規格化はサンプル単位におこなっており、電流を流す前後の値が変わらないほど、外部歪による影響が小さいことを示している。これより、磁歪定数が０．５×１０-6以上の場合には、ＭＲ素子の出力変動は十分に小さな範囲にとどまり、外部歪の影響を受けにくいことがわかった。以上より、正磁歪を利用する実施形態の場合には、磁歪定数は０．５×１０-6以上であることが望ましい。なお、今回の試験では磁歪定数は１０×１０-6までの範囲としたが、上限は５０×１０-6程度と考えられる。
【００５０】
第３の実施形態のように負磁歪を利用する場合も、上述したとおり、磁歪による磁化の向きと形状異方性の生じる軸とが一致していれば同様の効果が生じるため、磁歪定数は−０．５×１０-6以下の範囲が適正範囲であると考えられる。
【００５１】
（実施例２）次に、本発明の効果を実施例に基づいて確認した。まず、正磁歪のケース（実験１）として、ＭＲ素子、リード電極、および上部ギャップ層を作成後、第１の部分をスパッタ法にて形成し、その上部に第２の部分を形成した。第１の部分はNi75Fe25（磁歪定数１×１０-6）、第２の部分はNi82Fe18（磁歪定数０）を用いた。凹部の形状は図４Ａに示したようなもので、リード電極間隔Ｌ１は０．１２μｍ、ハイト方向長さＨは１８μｍ、垂込み深さＳＳＤは０．１μｍとした。第１の部分の形状は図４Ｃに示すようなもので、幅３μｍ、ハイト方向長さ１８μｍ、膜厚０．１５μｍとした。
【００５２】
同様に負磁歪のケース（実験２）として、ＭＲ素子、リード電極、および上部ギャップ層を作成後、第１の部分をスパッタ法にて形成し、その上部に第２の部分を形成した。第１の部分はNi90Fe10（磁歪定数−２×１０-6）、第２の部分はNi82Fe18（磁歪定数０）を用いた。凹部の形状は実験１と同一とし、第１の部分は図６Ｂに示すような形状とし、幅１５μｍ、ハイト方向長さ３μｍ、膜厚０．１５μｍとした。
【００５３】
さらに、比較例として、上部シールドすべてにNi82Fe18（磁歪定数０）を用いたサンプルを作製した。凹部の形状は実験１，２と同一とした。
【００５４】
測定項目は上述と同様、外部磁界および電流印加に対するＭＲ素子の出力とした。測定結果を、各々図９，１０に示す。図の見方は図７，８と同じである。このように、正負いずれのケースでも、外部磁界および外部歪の両方に対して本発明の効果が確認された。
【００５５】
以上、本発明の薄膜磁気ヘッドについてリード電流がＭＲ素子の両脇にあるＣＩＰ型のＧＭＲ素子を対象に説明したが、本発明はこれに限られるものではない。本発明は、上述の説明から明らかな通り、外部磁界に応じてセンス電流に対する抵抗値が変化することによって、外部磁界の大きさを検知する磁界検出素子に適用することが可能で、たとえば、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＣＰＰ型のＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子またはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子にも適用できる。ＣＰＰ型のＧＭＲ素子またはＴＭＲ素子の場合は、センス電流を供給するリード層は上部および下部シールド層が兼ね、ＭＲ素子の直上部に金属層が形成される。このため、素子のトラック幅方向両側にはリード層は不要となり、その分ＣＰＰ型素子における金属層は、ＣＩＰ型素子における上部ギャップ層と比べ、より平坦な形状に近づく。しかし、その場合でも金属層の積層方向上面を、ＭＲ素子の積層方向直上部からハイト方向に向けて細長い形状で延びるように第１の部分を形成することによって、同様の効果を得ることができる。この場合に、第３の実施形態と同様、トラック幅方向が長くなるような形状としてもよい。具体的には、第１の部分を、金属層の積層方向上面を、１対のバイアス層の一方の一部と、ＭＲ素子の積層方向直上部と、１対のバイアス層の他方の一部とを覆うように、トラック幅方向に延びる形状で形成すればよい。第１の部分の形状（特に寸法比）については、既述の説明と同様に考えることができる。このように、ＣＰＰ型のＧＭＲ素子またはＴＭＲ素子の場合も、全く同様にして本発明を実施することができる。
【００５６】
次に、上述した薄膜磁気ヘッドの製造に用いられるウエハについて説明する。図１１はウエハの概念的な平面図である。ウエハ１００は、少なくとも下部シールド層３から上部シールド層７までが積層された複数の薄膜磁気変換素子１０２を含んでいる。ウエハ１００を切断することによって、薄膜磁気変換素子１０２が一列に配列された複数のバー１０１に分割される。バー１０１は、媒体対向面ＡＢＳを研磨加工する際の作業単位となる。バー１０１は、研磨加工後さらに切断されて、薄膜磁気ヘッドを含む上述したスライダに分離される。ウエハ１００には、バー１０１およびスライダに切断するための切り代（図示せず）が設けられている。
【００５７】
次に、薄膜磁気ヘッドを用いたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。まず、図１２を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。スライダ２１０は、ハードディスク装置内に、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置されている。スライダ２１０は、ほぼ六面体形状をなしており、そのうちの一面はハードディスクと対向する媒体対向面ＡＢＳとなっている。ハードディスクが図１２におけるｚ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、ｙ方向下向きに揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。スライダ２１０の空気流出側の端部（図１２における左下の端部）の近傍には、本発明の薄膜磁気ヘッド１が形成されている。
【００５８】
次に、図１３を参照して、薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、スライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。フレクシャ２２３の、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【００５９】
ヘッドジンバルアセンブリ２２０を１つのアーム２３０に取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。アーム２３０は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させる。アーム２３０の一端はベースプレート２２４に取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持する軸２３４が取り付けられた軸受け部２３３が設けられている。アーム２３０および、アーム２３０を駆動するボイスコイルモータは、アクチュエータを構成する。
【００６０】
次に、図１４および図１５を参照して、薄膜磁気ヘッドをヘッド素子として用いたヘッドスタックアセンブリとハードディスク装置について説明する。ヘッドスタックアセンブリとは、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものである。図１４はハードディスク装置の要部を示す説明図、図１５はハードディスク装置の平面図である。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。各々のアーム２５２には、ヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１の、アーム２５２の反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ボイスコイルモータは、コイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。
【００６１】
図１５を参照すると、ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディスク装置に組み込まれている。ハードディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置されている。スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応し、スライダ２１０を支持すると共に、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０はアクチュエータによって、ハードディスク２６２のトラック横断方向に動かされ、ハードディスク２６２に対して位置決めされる。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッド１は、記録ヘッドによってハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによってハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドのＭＲ素子の近傍を媒体対向面ＡＢＳから見た断面図である。
【図２Ａ】媒体対向面から見た、図１に示す薄膜磁気ヘッドの側面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示す薄膜磁気ヘッドの、ＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である。
【図２Ｃ】図２ＢのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図３】Ｎｉ組成比（原子分率）と磁歪定数との関係を示すグラフである。
【図４Ａ】本発明の第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドの変形例を示す側面図である。
【図４Ｂ】本発明の第１の実施形態の薄膜磁気ヘッドの他の変形例を示す側面図である。
【図４Ｃ】図４Ａ，４Ｂに示すＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である。
【図５Ａ】媒体対向面から見た、本発明の第２の実施形態の薄膜磁気ヘッドの側面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに示す薄膜磁気ヘッドの、ＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である。
【図６Ａ】媒体対向面から見た、本発明の第３の実施形態の薄膜磁気ヘッドの側面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに示す薄膜磁気ヘッドの、ＭＲ素子およびリード電極付近の部分平面図である。
【図６Ｃ】図６ＢのＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図７】磁歪定数とＭＲ素子の出力との関係を示す図表である。
【図８】電流印加前後のＭＲ素子の出力の変化を示すグラフである。
【図９】実施例における磁歪定数とＭＲ素子の出力との関係を示すグラフである。
【図１０】実施例における電流印加前後のＭＲ素子の出力の変化を示すグラフである。
【図１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造に係るウエハの平面図である。
【図１２】本発明の薄膜磁気ヘッドを組み込んだヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドを組み込んだヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図１４】本発明の薄膜磁気ヘッドを組み込んだハードディスク装置の要部を示す説明図である。
【図１５】本発明の薄膜磁気ヘッドを組み込んだハードディスク装置の平面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１  薄膜磁気ヘッド
３  下部シールド層
４  下部ギャップ層
５  ＭＲ素子
５１  ピンド層
２２  非磁性中間層
５３  フリー層
６  上部ギャップ層
７  上部シールド層
７１  第１の部分
７２  第１の部分
２１  バイアス層
２４  リード電極
ＡＢＳ  媒体対向面
【図１】
2006309842.tif 000003
【図２Ａ】
2006309842.tif 000004
【図２Ｂ】
2006309842.tif 000005
【図２Ｃ】
2006309842.tif 000006
【図３】
2006309842.tif 000007
【図４Ａ】
2006309842.tif 000008
【図４Ｂ】
2006309842.tif 000009
【図４Ｃ】
2006309842.tif 000010
【図５Ａ】
2006309842.tif 000011
【図５Ｂ】
2006309842.tif 000012
【図６Ａ】
2006309842.tif 000013
【図６Ｂ】
2006309842.tif 000014
【図６Ｃ】
2006309842.tif 000015
【図７】
2006309842.tif 000016
【図８】
2006309842.tif 000017
【図９】
2006309842.tif 000018
【図１０】
2006309842.tif 000019
【図１１】
2006309842.tif 000020
【図１２】
2006309842.tif 000021
【図１３】
2006309842.tif 000022
【図１４】
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【図１５】
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