(57)【要約】【課題】基板の洗浄によりブラシに付着する微粒子をブラシの劣化を抑制しつつブラシから効率よく除去する。【解決手段】基板洗浄装置１では、基板９に基板洗浄用ノズル２４から第１洗浄液を付与するとともにブラシ３１にて基板９を擦ることにより基板９が洗浄され、基板９の非洗浄時において待機ポット４１に設けられる洗浄液ノズルからブラシ３１に第２洗浄液を付与することによりブラシ３１が洗浄される。ここで、基板洗浄装置１にて用いられる第２洗浄液は水素イオン指数ｐＨ６．５のおよそ中性とされ、第２洗浄液中においてブラシ３１のゼータ電位と基板９の洗浄によりブラシ３１に付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となる。これにより、基板９の洗浄によりブラシ３１に付着する微粒子をブラシ３１の劣化を抑制しつつブラシ３１から効率よく除去することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
基板に第１の洗浄液を付与するとともに樹脂にて形成されるブラシにて前記基板を擦ることにより前記基板を洗浄する基板洗浄機構と、
基板の非洗浄時に前記ブラシに水素イオン指数ｐＨが６以上７．５以下の第２の洗浄液を付与して前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄機構と、
を備え、
前記第２の洗浄液中において、前記ブラシのゼータ電位と基板の洗浄により前記ブラシに付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板洗浄装置であって、
前記第２の洗浄液が、アニオン性界面活性剤を含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシが、ポリビニルアルコールまたはナイロンにて形成されることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシ洗浄機構による洗浄の直後に、前記ブラシにリンス液を付与して前記ブラシに残存する前記第２の洗浄液を前記リンス液に置換するリンス液付与部をさらに備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の基板洗浄装置であって、
前記ブラシへと付与された前記第２の洗浄液を回収し、回収後の前記第２の洗浄液を濾過した後に前記ブラシ洗浄機構に供給する洗浄液循環部をさらに備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項６】
基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
基板に第１の洗浄液を付与するとともに樹脂にて形成されるブラシにて前記基板を擦ることにより前記基板を洗浄する基板洗浄工程と、
基板の非洗浄時に前記ブラシに水素イオン指数ｐＨが６以上７．５以下の第２の洗浄液を付与して前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程と、
を備え、
前記第２の洗浄液中において、前記ブラシのゼータ電位と基板の洗浄により前記ブラシに付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となることを特徴とする基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ブラシを用いて基板を洗浄する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板やガラス基板（以下、「基板」という。）を洗浄する際に、樹脂繊維にて形成されるドラム型やペン型のブラシを用いた洗浄が行われている。ブラシを用いた洗浄では、基板に所定の洗浄液を付与しつつブラシにて基板を擦ることにより基板が洗浄されるが、基板に付着していた微粒子がブラシに転写されてブラシ自体が汚染されてしまい、次の基板の洗浄時にブラシに付着した微粒子により基板が汚染されるという問題がある。そこで、基板の洗浄後にブラシ自体も洗浄する技術が提案されており、例えば、特許文献１ではブラシを洗浄液に浸漬しつつブラシを回転してブラシを洗浄する技術が開示されており、特許文献２では、アルカリ性の洗浄液である水酸化アンモニウム（ＮＨ４ＯＨ）溶液を利用してブラシを洗浄する技術が開示されている。
【０００３】
なお、非特許文献１では、アニオン性界面活性剤の溶液中にシリコン基板を浸漬してシリコン基板の表面のゼータ電位、および、シリコン基板に付着する微粒子のゼータ電位を共に負に制御することにより、シリコン基板の表面への微粒子の吸着を抑制する技術が開示されている。
【特許文献１】特開昭５９−１９５６５０号公報
【特許文献２】特表２０００−５００６１６号公報
【非特許文献１】板野充司，ＩＩ−２ウェット洗浄プロセスにおける粒子の吸着・脱離のメカニズム，「ウェットサイエンスが拓くプロダクトイノベーション」，サイペック株式会社，２００１年７月２８日，ｐ．４２−５３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１の手法では、洗浄液中におけるブラシのゼータ電位と基板の洗浄によりブラシに付着する微粒子のゼータ電位との関係が考慮されていないため、ブラシを効率よく洗浄することは困難である。また、特許文献２のようにアルカリ性の洗浄液を用いてブラシを洗浄する場合には、洗浄液によりブラシを形成する樹脂繊維が早く劣化してしまう。アニオン性界面活性剤を利用するとしても、一般的なアニオン性界面活性剤溶液はアルカリ性であるため、この場合もブラシが早く劣化してしまう。特に、アルカリ性を嫌う洗浄の場合、上記のブラシ洗浄手法は利用することができない。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板の洗浄によりブラシに付着する微粒子をブラシの劣化を抑制しつつブラシから効率よく除去することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板を洗浄する基板洗浄装置であって、基板に第１の洗浄液を付与するとともに樹脂にて形成されるブラシにて前記基板を擦ることにより前記基板を洗浄する基板洗浄機構と、基板の非洗浄時に前記ブラシに水素イオン指数ｐＨが６以上７．５以下の第２の洗浄液を付与して前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄機構とを備え、前記第２の洗浄液中において、前記ブラシのゼータ電位と基板の洗浄により前記ブラシに付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となる。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板洗浄装置であって、前記第２の洗浄液が、アニオン性界面活性剤を含む。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシが、ポリビニルアルコールまたはナイロンにて形成される。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれかに記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシ洗浄機構による洗浄の直後に、前記ブラシにリンス液を付与して前記ブラシに残存する前記第２の洗浄液を前記リンス液に置換するリンス液付与部をさらに備える。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれかに記載の基板洗浄装置であって、前記ブラシへと付与された前記第２の洗浄液を回収し、回収後の前記第２の洗浄液を濾過した後に前記ブラシ洗浄機構に供給する洗浄液循環部をさらに備える。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、基板を洗浄する基板洗浄方法であって、基板に第１の洗浄液を付与するとともに樹脂にて形成されるブラシにて前記基板を擦ることにより前記基板を洗浄する基板洗浄工程と、基板の非洗浄時に前記ブラシに水素イオン指数ｐＨが６以上７．５以下の第２の洗浄液を付与して前記ブラシを洗浄するブラシ洗浄工程とを備え、前記第２の洗浄液中において、前記ブラシのゼータ電位と基板の洗浄により前記ブラシに付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、基板の洗浄によりブラシに付着する微粒子をブラシの劣化を抑制しつつブラシから効率よく除去することができる。
【００１３】
また、請求項４の発明では、ブラシに残存する第２の洗浄液により基板に影響が生じることを防止することができ、請求項５の発明では、第２の洗浄液を再利用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明の一の実施の形態に係る基板洗浄装置１の構成を示す正面図であり、図２は基板洗浄装置１を示す平面図である。基板洗浄装置１は、ブラシを用いて基板を洗浄する装置である。
【００１５】
図１に示すように、基板洗浄装置１はシリコン（Ｓｉ）にて形成される半導体の基板９を水平に保持する円板状の保持部２１、および、保持部２１が内部に配置されるとともに底面に排気口および排液口が形成されるカップ２２を備える。基板９は吸引吸着やメカニカルチャック等により保持部２１に保持される。保持部２１の基板９とは反対側の面にはモータ２３のシャフトが接続され、モータ２３を駆動することにより保持部２１が鉛直方向を向くモータ２３の中心軸Ｊ１を中心として回転する。カップ２２の上方には基板９の保持部２１とは反対側の主面である上面に向けて基板洗浄用の洗浄液（例えば、アンモニアと過酸化水素水との混合液や純水等であり、以下、「第１洗浄液」という。）を付与する基板洗浄用ノズル２４が設けられる。なお、図２中の他のノズルからも必要に応じて他の洗浄液が基板９に向けて吐出可能とされる。
【００１６】
図１の基板洗浄装置１はポリビニルアルコール（ＰＶＡ）の繊維にて形成されるブラシ３１をさらに備え、ブラシ３１はブラシ支持部３２を介してモータ３３に接続される。モータ３３は水平方向に伸びる支持アーム３４の一端に固定されており、支持アーム３４の他端にはモータ３６から伸びるシャフト３５が接続される。基板洗浄装置１では、モータ３３を駆動することによりブラシ３１が鉛直方向を向く中心軸Ｊ２を中心として回転し、また、基板９の洗浄時においてモータ３６を駆動することによりブラシ３１が鉛直方向に伸びる中心軸Ｊ３を中心として基板９上を揺動する。モータ３６は図示省略の昇降機構に接続されており、昇降機構を駆動することによりブラシ３１が鉛直方向に移動する。なお、図示の都合上、図１ではシャフト３５およびモータ３６を後述の待機ポット４１に並べて図示している。
【００１７】
図１および図２に示すように、カップ２２の近傍には基板９の非洗浄時においてブラシ３１が内部に配置される待機ポット４１が設けられる。図３は待機ポット４１の近傍を拡大して示す断面図である。
【００１８】
図３に示すように、待機ポット４１にはブラシ３１の洗浄時においてブラシ３１が挿入される開口４１１、および、待機ポット４１内の液体を排出する排液口４１２が形成される。また、待機ポット４１にはブラシ３１に向けて所定の洗浄液（以下、「第２洗浄液」という。）を吐出する洗浄液ノズル４２、および、ブラシ３１に向けて所定のリンス液（例えば、純水）を吐出するリンス液ノズル４３が設けられる。洗浄液ノズル４２には、第２洗浄液を洗浄液ノズル４２へと供給するとともにブラシ３１へと付与された第２洗浄液を回収する洗浄液循環部４４が接続される。また、リンス液ノズル４３にはリンス液を供給するリンス液供給部４５が接続され、リンス液ノズル４３およびリンス液供給部４５によりブラシ３１にリンス液を付与するリンス液付与部が構成される。なお、第２洗浄液の詳細については後述する。
【００１９】
図４は洗浄液循環部４４の構成を示すブロック図である。洗浄液循環部４４は待機ポット４１の排液口４１２に接続される排液切換バルブ４４１を有し、待機ポット４１からの液体は排液切換バルブ４４１によりフィルタ４４２側または廃液回収部４４３側へと送られる。後述するように、待機ポット４１からの液体が第２洗浄液である場合には、液体はフィルタ４４２側へと導かれて洗浄液タンク４４４にて貯溜され、洗浄液タンク４４４内の第２洗浄液はポンプ４４５により洗浄液ノズル４２へと供給される。また、待機ポット４１からの液体がリンス液である場合には廃液回収部４４３側へと導かれて廃液回収部４４３にて回収される。
【００２０】
図５は基板洗浄装置１における基板９の洗浄に係る動作の流れを示す図である。図１の基板洗浄装置１が基板９を洗浄する際には、まず、パターンが形成されている側の主面を保持部２１側に向けて基板９が保持部２１に載置される。すなわち、本実施の形態では、基板９の裏面が洗浄対象の上面とされる。基板９が載置されると、ブラシ３１の待機位置である待機ポット４１内からブラシ３１が上昇し、モータ３６が支持アーム３４をシャフト３５を中心として所定の回転角だけ回転することにより、図２中に二点鎖線にて示すようにブラシ３１が基板９の上方へと移動する。続いて、ブラシ３１が下降して基板９の上面に当接し、基板洗浄用ノズル２４から基板９の上面への第１洗浄液の付与が開始される。また、ブラシ３１の自転および揺動が開始されるとともに、モータ２３による基板９の回転が開始される。これにより、基板９の上面がブラシ３１により擦られて基板９に付着する微粒子（例えば、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）や酸化シリコン（ＳｉＯ２）等の微粒子）が第１洗浄液と共に基板９の上面上から除去され、基板９の上面が洗浄される（ステップＳ１１）。このとき、除去された微粒子の一部がブラシ３１に付着する。
【００２１】
基板９の上面の洗浄が所定の時間だけ行われると、第１洗浄液の付与、ブラシ３１の自転および揺動、並びに、基板９の回転が停止され、ブラシ３１が上昇して基板９から離間し、基板９の上面に対してブラシ３１を作用させる動作が終了する。そして、基板９上に所定のリンス液が付与された後に、基板９が高速に回転して基板９の上面が乾燥し、基板９が基板洗浄装置１から搬出される。
【００２２】
また、洗浄後の基板９に対する処理（リンス液の付与や乾燥、あるいは、洗浄後の基板９の搬出）に並行して、基板９の洗浄後のブラシ３１が待機ポット４１の上方へと移動し、下降して待機ポット４１内へと挿入される。そして、ブラシ３１の自転が開始されるとともに洗浄液ノズル４２からブラシ３１に向けて第２洗浄液が付与されてブラシ３１が洗浄される（ステップＳ１２）。
【００２３】
ここで、第２洗浄液は、疎水基と電離によりマイナスイオンとなる親水基とを有するアニオン性界面活性剤を含み、水素イオン指数ｐＨが６．５となるおよそ中性の液体とされる。第２洗浄液中において基板９の上面から除去された微粒子のゼータ電位（すなわち、微粒子を取り巻く層の、いわゆる滑り面における電位）は、アニオン性界面活性剤の影響により所定の測定器におけるアースの電位を基準として負（例えば、（−１００）〜（−１０）ミリボルト（ｍＶ））となり、ブラシ３１を形成する繊維のゼータ電位も同様に負（例えば、（−１００）〜（−１０）ｍＶ）となる。したがって、ブラシ３１の洗浄時においてブラシ３１（の繊維）とブラシ３１に付着する微粒子との間には斥力が作用し、ブラシ３１に付着した微粒子がブラシ３１から効率よく除去される。
【００２４】
また、ブラシ３１の洗浄時においてブラシ３１に付与される第２洗浄液は、排液口４１２および排液切換バルブ４４１を介して図４に示すフィルタ４４２へと導かれて濾過され、第２洗浄液中の微粒子が取り除かれる。濾過後の第２洗浄液は洗浄液タンク４４４にて貯溜される。そして、洗浄液タンク４４４内の第２洗浄液が洗浄液ノズル４２に供給されて第２洗浄液が再利用される。
【００２５】
ブラシ３１の洗浄が所定の時間だけ行われると、洗浄液ノズル４２からの第２洗浄液の吐出が停止され、ブラシ３１の自転が継続されたままで、リンス液ノズル４３からブラシ３１に向けて所定の時間だけリンス液が付与される（ステップＳ１３）。これにより、ブラシ３１に残存する第２洗浄液がリンス液に置換される。
【００２６】
そして、次の洗浄対象の基板９が保持部２１上に載置されると（ステップＳ１４）、この基板９が洗浄後のブラシ３１を用いて洗浄される（ステップＳ１１）。このとき、ブラシ３１に付与された第２洗浄液がブラシ洗浄の直後にリンス液に置換されていることにより、ブラシ３１に残存する第２洗浄液により基板９に何らかの影響が生じてしまうことが防止される。基板９の洗浄が終了すると、第２洗浄液を付与しつつブラシ３１が洗浄され（ステップＳ１２）、その後、ブラシ３１に残存する第２洗浄液がリンス液に置換される（ステップＳ１３）。上記ステップＳ１１〜Ｓ１３は、洗浄対象の全ての基板９に対して繰り返され（ステップＳ１４）、洗浄対象の基板９がなくなると基板洗浄装置１における基板洗浄に係る動作が終了する。
【００２７】
以上のように、基板洗浄装置１では、基板９に第１洗浄液を付与するとともにブラシ３１にて基板９を擦ることにより基板９が洗浄され、基板９の非洗浄時において洗浄液ノズル４２からブラシ３１に第２洗浄液を付与することによりブラシ３１が洗浄される。ここで、ブラシ洗浄用の洗浄液として酸性またはアルカリ性の液体を利用する場合には、洗浄液によりブラシが早く劣化してしまう。また、ブラシ洗浄用の洗浄液中においてブラシのゼータ電位と基板の洗浄によりブラシに付着する微粒子のゼータ電位とが異極性となる場合には、両者の間に引力が作用してブラシから微粒子を除去することが困難となる。これに対し、基板洗浄装置１にて用いられる第２洗浄液は水素イオン指数ｐＨ６．５のおよそ中性とされるとともに、第２洗浄液中においてブラシ３１のゼータ電位と基板９の洗浄によりブラシ３１に付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となるため、基板９の洗浄によりブラシ３１に付着する微粒子をブラシ３１の劣化を抑制しつつブラシ３１から効率よく除去することができる。また、基板洗浄装置１は、アルカリ性を嫌う基板の洗浄にも利用することができる。
【００２８】
さらに、基板洗浄装置１では、ブラシ３１へと付与された第２洗浄液を回収し、回収後の第２洗浄液を濾過した後に洗浄液ノズル４２に供給する洗浄液循環部４４が設けられるため、第２洗浄液を再利用して基板９の洗浄に係る処理のコストを削減することができる。
【００２９】
次に、ブラシ洗浄用の洗浄液として純水（Deionized Water）、２重量％の水酸化アンモニウム溶液、および、０．４重量％のアニオン性界面活性剤溶液である第２洗浄液のそれぞれを利用して上記基板洗浄に係る動作を行った場合の基板の洗浄結果について説明する。ここでは、ブラシ洗浄用の各洗浄液に対して１２枚の基板が処理され、上述のように１枚の基板を洗浄する毎にこの洗浄液を利用したブラシ洗浄が行われる。また、１番目、４番目、８番目および１２番目にそれぞれ処理される４枚の基板（以下、「注目基板」という。）は付着する微粒子（ここでは、直径が０．１２マイクロメートル（μｍ）以上のものをいう。）がほとんどない高清浄なものとされ、他の基板は付着する微粒子の個数が比較的多い汚染されたものとされる。
【００３０】
図６は、各洗浄液における注目基板の洗浄結果を示す図である。図６の横軸の１、４、８、１２は、それぞれ１番目、４番目、８番目および１２番目の注目基板に対応している。また、図６の縦軸は洗浄前後における注目基板に付着する微粒子の増加数、すなわち、他の基板からブラシを介して注目基板に転写された微粒子の個数を示しており、図６中の線８１，８２，８３がそれぞれ純水、水酸化アンモニウム溶液および第２洗浄液を利用した場合の結果を示す。
【００３１】
図６に示すように、純水、水酸化アンモニウム溶液および第２洗浄液のそれぞれにおいて、１番目の注目基板では当然に微粒子の増加数はほぼ０となっている。また、純水を利用した場合には、２番目および３番目の汚染された基板の後に処理された４番目の注目基板において微粒子の増加数が９９個となり、４番目の注目基板よりも前の基板の洗浄時にブラシへと付着した微粒子が、その後のブラシ洗浄では除去されずにブラシに残存して４番目の注目基板に転写されたことが判る。これに対し、水酸化アンモニウム溶液および第２洗浄液では４番目の注目基板における微粒子の増加数はほぼ０となっている。
【００３２】
５番目ないし７番目の汚染された基板の後に処理された８番目の注目基板に関しては、純水では微粒子の増加数が１０２個となり、水酸化アンモニウム溶液では１０個となるのに対し、第２洗浄液ではほぼ０となっている。さらに、１２番目の注目基板における微粒子の増加数は純水では１５１個となり、水酸化アンモニウム溶液では９個となるのに対し、第２洗浄液ではほぼ０となっている。このように、第２洗浄液ではブラシを介した注目基板への微粒子の転写を純水および水酸化アンモニウム溶液よりも安定して抑制可能であることが判る。また、第２洗浄液では水酸化アンモニウム溶液よりも低い濃度とされるため（すなわち、溶質の量が少ないため）、基板の洗浄に係る処理のコストの削減を図ることができる。もちろん、第２洗浄液として利用されるアニオン性界面活性剤溶液の濃度は適宜変更されてよい。
【００３３】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００３４】
基板洗浄装置１にて用いられる第２洗浄液は、ブラシ３１の損傷を抑制する観点では水素イオン指数ｐＨ６以上７．５以下であればよい。また、ブラシ３１はポリビニルアルコール以外にナイロンにて形成されたものであってもよく、この場合も、第２洗浄液中においてブラシ３１のゼータ電位と基板９の洗浄によりブラシ３１に付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となり、ブラシ３１に付着する微粒子がブラシ３１から効率よく除去される。さらに、ブラシ３１のゼータ電位とブラシ３１に付着する微粒子のゼータ電位とが同極性となる限り、基板洗浄用のブラシ３１をポリビニルアルコールおよびナイロン以外の他の樹脂にて形成することも可能であり、基板洗浄装置１では第２洗浄液がほぼ中性とされるため、ブラシ３１の材料に対する制約が少なくなる。
【００３５】
上記実施の形態では、ブラシ３１、基板洗浄用ノズル２４、モータ２３，３３，３６により基板９を洗浄する基板洗浄機構が構成されるが、基板洗浄機構は他の構成とされてもよく、例えば、モータ３３が省略され、モータ２３，３６の駆動のみにより基板９がブラシ３１にて擦られてもよい。すなわち、基板９に第１洗浄液を付与しつつブラシ３１にて基板９が擦られるのであれば、基板洗浄機構はいかなる構成であってもよい。また、基板洗浄機構による洗浄対象は基板９の上面以外に基板９のエッジ等であってもよい。
【００３６】
ブラシ３１を洗浄するブラシ洗浄機構は、ブラシ３１に対して第２洗浄液を付与する洗浄液ノズル４２以外に、例えば、第２洗浄液を貯溜する待機ポット４１により実現されてもよく、この場合、ブラシ３１が待機ポット４１内に浸漬されて（いわゆる、ディップにより）ブラシ３１が洗浄される。
【００３７】
ブラシ３１の洗浄は必ずしも待機ポット４１内にて行われる必要はなく、保持部２１上に基板９が載置されていない状態で、カップ２２の近傍に設けられる洗浄ノズルから保持部２１の上方に位置するブラシ３１に向けて第２洗浄液が吐出されることによりブラシ３１の洗浄が行われてもよい。すなわち、ブラシ３１の洗浄はブラシ３１が基板９に作用していない基板９の非洗浄時に行えばよい。
【００３８】
ブラシ３１にリンス液を付与するリンス液付与部はリンス液ノズル４３およびリンス液供給部４５以外に、例えば、リンス液が貯溜された容器により実現されてもよく、この場合、ブラシ３１が当該容器に浸漬されることによりブラシ３１に残存する第２洗浄液がリンス液に置換される。
【００３９】
基板洗浄装置１は基板９が１枚毎に洗浄される枚葉式の装置以外に、複数の基板９が一度に処理される、いわゆるバッチ式の装置であってもよい。基板洗浄装置における洗浄対象の基板は、半導体基板以外に、例えばガラス基板やプリント配線基板等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】基板洗浄装置の構成を示す図である。
【図２】基板洗浄装置を示す平面図である。
【図３】待機ポットの近傍を拡大して示す断面図である。
【図４】洗浄液循環部の構成を示すブロック図である。
【図５】基板洗浄装置における基板の洗浄に係る動作の流れを示す図である。
【図６】基板の洗浄結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    基板洗浄装置
９    基板
２３，３３，３６    モータ
２４    基板洗浄用ノズル
３１    ブラシ
４２    洗浄液ノズル
４３    リンス液ノズル
４５    リンス液供給部
４４    洗浄液循環部
Ｓ１１，Ｓ１２    ステップ
【図１】
2006278392.tif 000003
【図２】
2006278392.tif 000004
【図３】
2006278392.tif 000005
【図４】
2006278392.tif 000006
【図５】
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【図６】
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