(57)【要約】    【課題】  コンタクトの狭ピッチ化と接触安定性の確保とを可能にする。    【解決手段】  第１の孔３１ａを有する複数の第１の絶縁薄膜３１と第１の孔３１ａより大きい第２の孔３２ａを有する複数の第２の絶縁薄膜３２とを第１、第２の孔３１ａ，３２ａが対向するように交互に積層してレセプタクルコネクタ３を構成する。複数の第３の絶縁薄膜５１とこの膜より小さい複数の第４の絶縁薄膜５２とを交互に積層してプラグコネクタ５を構成する。複数の第２の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第１の導体パターン３２ｃを形成し、それらの第１の導体パターン３２ｃを貫通電極によって第１プリント配線板７電気的に接続する。複数の第３の絶縁薄膜５１の片面にそれぞれ異なる第２の導体パターン５１ｃを形成し、それらの第２の導体パターン５１ｃを貫通電極によって第２プリント配線板９に電気的にする。【選択図】        図６
2006236672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
雌型コネクタとこのコネクタに嵌合可能な雄型コネクタとで構成されるコネクタにおいて、
前記雌型コネクタは、第１の孔を有する複数の第１の絶縁薄膜と前記第１の孔より小さい第２の孔を有する複数の第２の絶縁薄膜とを前記第１、第２の孔が対向するように交互に積層してなり、
前記雄型コネクタは、複数の第３の絶縁薄膜とこの膜より小さい複数の第４の絶縁薄膜とを交互に積層してなり、
前記複数の第２の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第１の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第２の孔の周縁部に集結し、
それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第１、第２の絶縁薄膜を貫通する第１の貫通導体によって、電気的に接続され、
前記複数の第３の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第２の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に集結し、
それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第３、第４の絶縁薄膜を貫通する第２の貫通導体によって、電気的に接続され、
前記第２の絶縁薄膜と前記第３の絶縁薄膜との少なくとも一方が、前記雌型コネクタに前記雄型コネクタが嵌合した際に弾性変形する弾性材料で形成されている
ことを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
前記第２の絶縁薄膜の前記第２の孔の内周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１記載のコネクタ。
【請求項３】
前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のコネクタ。
【請求項４】
雌型コネクタとこのコネクタに嵌合可能な雄型コネクタとで構成されるコネクタにおいて、
前記雌型コネクタは、第１の切欠きを有する複数の第１の絶縁薄膜と前記第１の切欠きより小さい第２の切欠きを有する複数の第２の絶縁薄膜とを前記第１、第２の切欠きが対向するように交互に積層してなり、
前記雄型コネクタは、複数の第３の絶縁薄膜とこの膜より小さい複数の第４の絶縁薄膜とを交互に積層してなり、
前記複数の第２の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第１の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第２の切欠きの周縁部に集結し、
それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第１、第２の絶縁薄膜を貫通する第１の貫通導体によって、電気的に接続され、
前記複数の第３の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第２の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に集結し、
それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第３、第４の絶縁薄膜を貫通する第２の貫通導体によって、電気的に接続され、
前記第２の絶縁薄膜と前記第３の絶縁薄膜との少なくとも一方が、前記雌型コネクタに前記雄型コネクタが嵌合した際に弾性変形する弾性材料で形成されている
ことを特徴とするコネクタ。
【請求項５】
前記第２の絶縁薄膜の前記第２の切欠きの内周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする請求項４記載のコネクタ。
【請求項６】
前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする請求項４又は５記載のコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はコネクタに関し、特に狭ピッチ化を可能にしたコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、コンタクト（端子）とインシュレータ（ボディ）とからなるコネクタが知られている（下記特許文献１参照）。
【０００３】
コンタクトは導電性を有する金属板を所定形状に打ち抜き、打ち抜いたものを折り曲げることによって形成されている。
【０００４】
インシュレータは電気絶縁性の合成樹脂で形成され、コンタクトを保持する。
【特許文献１】特開平８−２９３３６１号公報（段落００２３〜００２４参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のタイプのコネクタでは、一般にコンタクトの最小配列ピッチは０．４ｍｍであるといわれている。
【０００６】
それ以下になると、所望の接触力を得ることや、確実な接触を実現するための加工精度を得ることが困難であった。
【０００７】
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題はコンタクトの狭ピッチ化と接触安定性の確保とを可能にしたコネクタを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述の課題を解決するため請求項１の発明のコネクタは、雌型コネクタとこのコネクタに嵌合可能な雄型コネクタとで構成されるコネクタにおいて、前記雌型コネクタは、第１の孔を有する複数の第１の絶縁薄膜と前記第１の孔より大きい第２の孔を有する複数の第２の絶縁薄膜とを前記第１、第２の孔が対向するように交互に積層してなり、前記雄型コネクタは、複数の第３の絶縁薄膜とこの膜より小さい複数の第４の絶縁薄膜とを交互に積層してなり、前記複数の第２の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第１の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第２の孔の周縁部に集結し、それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第１、第２の絶縁薄膜を貫通する第１の貫通導体によって、電気的に接続され、前記複数の第３の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第２の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に集結し、それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第３、第４の絶縁薄膜を貫通する第２の貫通導体によって、電気的に接続され、前記第２の絶縁薄膜と前記第３の絶縁薄膜との少なくとも一方が、前記雌型コネクタに前記雄型コネクタが嵌合した際に弾性変形する弾性材料で形成されていることを特徴とする。
【０００９】
上述のように構成したので、実質的に狭ピッチ化を実現することができるし、十分な接触力も得られる。また、高い加工精度を要求されないため、接触安定性を確保できる。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１記載のコネクタにおいて、前記第２の絶縁薄膜の前記第２の孔の内周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は２記載のコネクタにおいて、前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項４の発明のコネクタは、雌型コネクタとこのコネクタに嵌合可能な雄型コネクタとで構成されるコネクタにおいて、前記雌型コネクタは、第１の切欠きを有する複数の第１の絶縁薄膜と前記第１の切欠きより大きい第２の切欠きを有する複数の第２の絶縁薄膜とを前記第１、第２の切欠きが対向するように交互に積層してなり、前記雄型コネクタは、複数の第３の絶縁薄膜とこの膜より小さい複数の第４の絶縁薄膜とを交互に積層してなり、前記複数の第２の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第１の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第２の切欠きの周縁部に集結し、それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第１、第２の絶縁薄膜を貫通する第１の貫通導体によって、電気的に接続され、前記複数の第３の絶縁薄膜の片面にそれぞれ異なる第２の導体パターンが形成され、それらの導体パターンの一端部がそれぞれ前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に集結し、それらの導体パターンの他端部が、交互に積層された前記第３、第４の絶縁薄膜を貫通する第２の貫通導体によって、電気的に接続され、前記第２の絶縁薄膜と前記第３の絶縁薄膜との少なくとも一方が、前記雌型コネクタに前記雄型コネクタが嵌合した際に弾性変形する弾性材料で形成されていることを特徴とする。
【００１３】
上述のように構成したので、実質的に狭ピッチ化を実現することができるし、十分な接触力も得られる。また、高い加工精度を要求されないため、接触安定性を確保できる。
【００１４】
更に、雄型コネクタを第１及び第２の絶縁薄膜の積層方向と直交する方向で、第１及び第２の切欠きに対して雄型コネクタを嵌合・離脱させることができる。第１及び第２の絶縁薄膜の積層方向での雌型コネクタと雄型コネクタとの嵌合・離脱に較べ、より小さい力で嵌合・離脱を行なうことができる。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項４記載のコネクタにおいて、前記第２の絶縁薄膜の前記第２の切欠きの内周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項４又は５記載のコネクタにおいて、前記第３の絶縁薄膜の外周縁部に所定間隔で複数のスリットが形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したようにこの発明のコネクタによれば、コンタクトの狭ピッチ化と接触安定性の確保とを可能にした。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１９】
図１はこの発明の第１実施形態に係るコネクタの斜視図、図２は第１プリント配線基板の平面図、図３はレセプタクルコネクタを示し、図３Ａは第１の絶縁薄膜の平面図、図３Ｂは第２の絶縁薄膜の平面図、図３Ｃは第１の絶縁薄膜の平面図、図３Ｄは第２の絶縁薄膜の平面図、図３Ｅは第１の絶縁薄膜の平面図、図３Ｆは第２の絶縁薄膜の平面図、図３Ｇは第５の絶縁薄膜の平面図、図４は第２プリント配線基板の平面図、図５はプラグコネクタを示し、図５Ａは第３の絶縁薄膜の平面図、図５Ｂは第４の絶縁薄膜の平面図、図５Ｃは第３の絶縁薄膜の平面図、図５Ｄは第４の絶縁薄膜の平面図、図５Ｅは第３の絶縁薄膜の平面図、図５Ｆは第４の絶縁薄膜の平面図、図５Ｇは第３の絶縁薄膜の平面図である。
【００２０】
図１に示すように、コネクタ１はレセプタクルコネクタ（雌型コネクタ）３とこのレセプタクルコネクタ３に嵌合可能なプラグコネクタ（雄型コネクタ）５とで構成されている。
【００２１】
レセプタクルコネクタ３は第１プリント配線基板７に実装されている。
【００２２】
図２に示すように、第１プリント配線基板７の一面には複数の導電路７ｃが形成されている。
【００２３】
図３に示すように、レセプタクルコネクタ３は、複数の第１の絶縁薄膜３１−１〜４と複数の第２の絶縁薄膜３２−１〜３とを交互に積層してなる。
【００２４】
第１の絶縁薄膜３１−１〜４の平面形状及びサイズは同一である。第１の絶縁薄膜３１−１〜４には第１の孔３１ａが形成されている。第１の孔３１ａの形状は正方形であり、その一辺の長さはＬ１である。また、第１の絶縁薄膜３１−１〜４の厚さはＴ１である（図６参照）。
【００２５】
第２の絶縁薄膜３２−１〜３の平面形状及びサイズは同一である。第２の絶縁薄膜３２−１〜４には第２の孔３２ａが形成されている。第２の孔３２ａの形状は正方形であり、その一辺の長さは第１の孔３１ａの一辺よりも短いＬ２である。また、第２の絶縁薄膜３２−１〜３の厚さは第１の絶縁薄膜３１−１〜４よりも厚く、Ｔ２である（図６参照）。第２の孔３２ａの四角にはそれぞれ切欠き３２ｂが対角線方向へ形成されている。この切欠き３２ｂにより、第２の孔３２ａの周辺部分が第２の絶縁薄膜３２−１〜４の厚み方向へ弾性変形できる。
【００２６】
第１の絶縁薄膜３１−１〜４及び第２の絶縁薄膜３２−１〜３は自己組織化膜（例えばポリイミド）である。自己組織化膜にはその成膜時に規則正しく複数の非貫通の穴（図示せず）が形成される。この複数の穴の中から任意の穴を選択して貫通させることにより、後述する貫通孔３１ｄ−１〜４、３２ｄ−１〜３が形成される。
【００２７】
図３Ａに示すように、第１の絶縁薄膜３１−１には、複数の貫通孔３１ｄ−１が形成されている。複数の貫通孔３１ｄ−１は導電路７ｃ上にある。また、隣り合う貫通孔３１ｄ−１同士が互いに接触しないように所定方向ＤＬへ少しずれている。複数の貫通孔３１ｄ−１にはそれぞれ貫通電極３１ｅ−１が埋め込まれている。貫通電極３１ｅ−１は例えば印刷技術によって形成される。貫通電極３１ｅ−１は導電路７ｃに電気的に接続される。
【００２８】
図３Ｂに示すように、第２の絶縁薄膜３２−１には、複数の貫通孔３２ｄ−１が形成されている。複数の貫通孔３２ｄ−１はそれぞれ貫通孔３１ｄ−１上にある。複数の貫通孔３２ｄ−１にはそれぞれ貫通電極３２ｅ−１が埋め込まれている。貫通電極３２ｅ−１は貫通電極３１ｅ−１に電気的に接続される。また、第２の絶縁薄膜３２−１の一面には複数のレセプタクル側第１導体パターン（第１の導体パターン）３２ｃ−１が形成されている。レセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−１の一端部は第２の孔３２ａの周縁部に集結し、他端部は貫通電極３２ｅ−１に電気的に接続されている。
【００２９】
図３Ｃに示すように、第１の絶縁薄膜３１−２には、複数の貫通孔３１ｄ−２が形成されている。複数の貫通孔３１ｄ−２はそれぞれ貫通孔３２ｄ−１上にある。複数の貫通孔３１ｄ−２にはそれぞれ貫通電極３１ｅ−２が埋め込まれている。貫通電極３１ｅ−２は貫通電極３２ｅ−１に電気的に接続される。
【００３０】
図３Ｄに示すように、第２の絶縁薄膜３２−２には、複数の貫通孔３２ｄ−２が形成されている。複数の貫通孔３２ｄ−２はそれぞれ貫通孔３１ｄ−２上にある。複数の貫通孔３２ｄ−２にはそれぞれ貫通電極３２ｅ−２が埋め込まれている。貫通電極３２ｅ−２は貫通電極３１ｅ−２に電気的に接続される。また、第２の絶縁薄膜３２−２の一面には複数のレセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−２が形成されている。レセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−２の一端部は第２の孔３２ａの周縁部に集結し、他端部は貫通電極３２ｅ−２に電気的に接続されている。
【００３１】
図３Ｅに示すように、第１の絶縁薄膜３１−３には、複数の貫通孔３１ｄ−３が形成されている。複数の貫通孔３１ｄ−３はそれぞれ貫通孔３２ｄ−２上にある。複数の貫通孔３１ｄ−３にはそれぞれ貫通電極３１ｅ−３が埋め込まれている。貫通電極３１ｅ−３は貫通電極３２ｅ−２に電気的に接続される。
【００３２】
図３Ｆに示すように、第２の絶縁薄膜３２−３には、複数の貫通孔３２ｄ−３が形成されている。複数の貫通孔３２ｄ−３はそれぞれ貫通孔３１ｄ−３上にある。複数の貫通孔３２ｄ−３にはそれぞれ貫通電極３２ｅ−３が埋め込まれている。貫通電極３２ｅ−３は貫通電極３１ｅ−３に電気的に接続される。また、第２の絶縁薄膜３２−３の一面には複数のレセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−３が形成されている。レセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−３の一端部は第２の孔３２ａの周縁部に集結し、他端部は貫通電極３２ｅ−３に電気的に接続されている。
【００３３】
図３Ｇに示すように、第５の絶縁薄膜３１−４には、複数の貫通孔３１ｄ−４が形成されている。複数の貫通孔３１ｄ−４はそれぞれ貫通孔３２ｄ−３上にある。複数の貫通孔３１ｄ−４にはそれぞれ貫通電極３１ｅ−４が埋め込まれている。貫通電極３１ｅ−４は貫通電極３２ｅ−３に電気的に接続される。また、第５の絶縁薄膜３１−４の一面には複数のレセプタクル側第２導体パターン３１ｃ−４が形成されている。レセプタクル側第２導体パターン３１ｃ−４の一端部は第１の孔３１ａの周縁部に集結し、他端部は貫通電極３１ｅ−４に電気的に接続されている。
【００３４】
第１、第５の絶縁薄膜３１−１〜４と第２の絶縁薄膜３２−１〜３との間、及び第１の絶縁薄膜３１−１と第１プリント配線板７との間には、それぞれ熱硬化樹脂が配置され、この熱硬化樹脂を超音波接合手段等により加熱することにより、第１、第５の絶縁薄膜３１−１〜４と第２の絶縁薄膜３２−１〜３とが機械的に結合され、また、第１の絶縁薄膜３１−１が第１プリント配線板７に結合される。
【００３５】
第１、第５の絶縁薄膜３１−１〜４と第２の絶縁薄膜３２−１〜３とが機械的に結合されたとき、第１の絶縁薄膜３１と第２の絶縁薄膜３２との積層方向で重なる貫通電極３１ｅ−１〜４、３２ｅ−１〜３は超音波接合手段により互いに接合され、一体的な貫通導体となる。貫通導体はレセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−１〜３及びレセプタクル側第２導体パターン３１ｃ−４をそれぞれ第１プリント配線板７の導電路７ｃに電気的に接続する。
【００３６】
プラグコネクタ５は第２プリント配線基板９に実装されている（図１参照）。
【００３７】
図４に示すように、第２プリント配線基板９の一面には複数の導電路９ｃが形成されている。
【００３８】
図５に示すように、プラグコネクタ５は、複数の第３の絶縁薄膜５１−１〜４と複数の第４の絶縁薄膜５２−１〜３とを交互に積層してなる。
【００３９】
複数の第３の絶縁薄膜５１−１〜４の平面形状及びサイズは同一である。第３の絶縁薄膜５１−１〜４の形状は正方形であり、その一辺の長さはＬ１である。第３の絶縁薄膜５１−１〜４の厚さはＴ２である（図６参照）。第３の絶縁薄膜５１−１〜４の四角には切欠き５１ｂが形成されている。この切欠き５１ｂにより、第３の絶縁薄膜５１−１〜４の周辺部分が第３の絶縁薄膜５１−１〜４の厚み方向へ弾性変形できる。
【００４０】
第４の絶縁薄膜５２−１〜３の平面形状及びサイズは同一である。第４の絶縁薄膜５２−１〜３の形状は正方形であり、その一辺の長さは第３の絶縁薄膜５１の一辺よりも短いＬ２である。また、第４の絶縁薄膜５２−１〜４の厚さはＴ１である（図６参照）。
【００４１】
第３の絶縁薄膜５１−１〜４及び第４の絶縁薄膜５２−１〜３は自己組織化膜である。
【００４２】
図５Ａに示すように、第３の絶縁薄膜５１−１には、複数の貫通孔５１ｄ−１が形成されている。複数の貫通孔５１ｄ−１は導電路９ｃ上にある。複数の貫通孔５１ｄ−１にはそれぞれ貫通電極５１ｅ−１が埋め込まれている。貫通電極５１ｅ−１は導電路９ｃに電気的に接続される。また、第３の絶縁薄膜５１−１の一面には複数のプラグ側導体パターン（第２の導体パターン）５１ｃ−１が形成されている。プラグ側導体パターン５１ｃ−１の一端部は第３の絶縁薄膜５１−１の周縁部に集結し、他端部は貫通電極５１ｅ−１に電気的に接続されている。
【００４３】
図５Ｂに示すように、第４の絶縁薄膜５２−１には、複数の貫通孔５２ｄ−１が形成されている。複数の貫通孔５２ｄ−１はそれぞれ貫通孔５１ｄ−１上にある。複数の貫通孔５２ｄ−１にはそれぞれ貫通電極５２ｅ−１が埋め込まれている。貫通電極５２ｅ−１は貫通電極５１ｅ−１に電気的に接続される。
【００４４】
図５Ｃに示すように、第３の絶縁薄膜５１−２には、複数の貫通孔５１ｄ−２が形成されている。複数の貫通孔５１ｄ−２はそれぞれ貫通孔５２ｄ−１上にある。複数の貫通孔５１ｄ−２にはそれぞれ貫通電極５１ｅ−２が埋め込まれている。貫通電極５１ｅ−２は貫通電極５２ｅ−１に電気的に接続される。また、第３の絶縁薄膜５１−２の一面には複数のプラグ側導体パターン５１ｃ−２が形成されている。プラグ側導体パターン５１ｃ−２の一端部は第３の絶縁薄膜５１−２の周縁部に集結し、他端部は貫通電極５１ｅ−２に電気的に接続されている。
【００４５】
図５Ｄに示すように、第４の絶縁薄膜５２−２には、複数の貫通孔５２ｄ−２が形成されている。複数の貫通孔５２ｄ−２はそれぞれ貫通孔５１ｄ−２上にある。複数の貫通孔５２ｄ−２にはそれぞれ貫通電極５２ｅ−２が埋め込まれている。貫通電極５２ｅ−２は貫通電極５１ｅ−２に電気的に接続される。
【００４６】
図５Ｅに示すように、第３の絶縁薄膜５１−３には、複数の貫通孔５１ｄ−３が形成されている。複数の貫通孔５１ｄ−３はそれぞれ貫通孔５２ｄ−２上にある。複数の貫通孔５１ｄ−３にはそれぞれ貫通電極５１ｅ−３が埋め込まれている。貫通電極５１ｅ−３は貫通電極５２ｅ−２に電気的に接続される。また、第３の絶縁薄膜５１−３の一面には複数のプラグ側導体パターン５１ｃ−３が形成されている。プラグ側導体パターン５１ｃ−３の一端部は第３の絶縁薄膜５１−３の周縁部に集結し、他端部は貫通電極５１ｅ−３に電気的に接続されている。
【００４７】
図５Ｆに示すように、第４の絶縁薄膜５２−３には、複数の貫通孔５２ｄ−３が形成されている。複数の貫通孔５２ｄ−３はそれぞれ貫通孔５１ｄ−３上にある。複数の貫通孔５２ｄ−３にはそれぞれ貫通電極５２ｅ−３が埋め込まれている。貫通電極５２ｅ−３は貫通電極５１ｅ−３に電気的に接続される。
【００４８】
図５Ｇに示すように、第３の絶縁薄膜５１−４には、複数の貫通孔５１ｄ−４が形成されている。複数の貫通孔５１ｄ−４はそれぞれ貫通孔５２ｄ−３上にある。複数の貫通孔５１ｄ−４にはそれぞれ貫通電極５１ｅ−４が埋め込まれている。貫通電極５１ｅ−４は貫通電極５２ｅ−３に電気的に接続される。また、第３の絶縁薄膜５１−４の一面には複数のプラグ側導体パターン５１ｃ−４が形成されている。プラグ側導体パターン５１ｃ−４の一端部は第３の絶縁薄膜５１−４の周縁部に集結し、他端部は貫通電極５１ｅ−４に電気的に接続されている。
【００４９】
第３の絶縁薄膜５１−１〜４と第４の絶縁薄膜５２−１〜３との間、及び第３の絶縁薄膜５１−１と第２プリント配線板９との間には、それぞれ熱硬化樹脂が配置され、この熱硬化樹脂を超音波接合手段等により加熱することにより、第３の絶縁薄膜５１−１〜４と第４の絶縁薄膜５２−１〜３とが機械的に結合され、また、第３の絶縁薄膜５１−１が第２プリント配線板７に結合される。
【００５０】
第３の絶縁薄膜５１−１〜４と第４の絶縁薄膜５２−１〜３とが機械的に結合されたとき、第３の絶縁薄膜５１と第４の絶縁薄膜５２との積層方向で重なる貫通電極５１ｅ−１〜４、５２ｅ−１〜３は超音波接合手段により互いに接合され、一体的な貫通導体となる。この貫通導体はプラグ側導体パターン５１ｃ−１〜４をそれぞれ第２プリント配線板９の導電路に電気的に接続する。
【００５１】
図６は嵌合前のコネクタの断面図、図７は嵌合後のコネクタの断面図である。
【００５２】
次に、第１実施形態に係るコネクタの嵌合について説明する。
【００５３】
図６に示すように、まず、レセプタクルコネクタ３の第１及び第２の孔３１ａ，３２ａの下にプラグコネクタ５を配置する。
【００５４】
次に、プラグコネクタ５をレセプタクルコネクタ３の第１及び第２の孔３１ａ，３２ａ
に挿入する。このとき、第２の孔３２ａの周辺部分が撓み、第２の孔３２ａが広がり、プラグコネクタ５が第２の孔３２ａに入り込む。
【００５５】
図７に示すように、第３の絶縁薄膜５１−４が第１プリント配線板７に接触するまでプラグコネクタ５をレセプタクルコネクタ３に押し込むと、第１〜第５の絶縁薄膜３１，３２，５１，５２の厚さの関係で、第２の絶縁薄膜３２と第３の絶縁薄膜５１との間に弾性力が生じ、その結果として、導電路７ｃとプラグ側導体パターン５１ｃ−４、レセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−１とプラグ側導体パターン５１ｃ−３、レセプタクル側第１導体パターン３２ｃ−２とプラグ側導体パターン５１ｃ−２、レセプタクル側導体パターン３２ｃ−３とプラグ側導体パターン５１ｃ−１、レセプタクル側第２導体パターン３１ｃ−４と導電路９ｃとがそれぞれ接触する。この結果、これらの導体パターン３２ｃ−１〜３、３１ｃ−４、５１ｃ−１〜４と上述の貫通導体を介して第１プリント配線板７の導電路７ｃと第２プリント配線板９の導電路９ｃとが電気的に接続される。
【００５６】
第１実施形態によれば、コンタクトに相当する導体パターン３１ｃ，３２ｃ，５１ｃを３次元的に配置したので、多芯化することができる。また、コンタクトの狭ピッチ化と同様の効果を得られ、しかも安定した接触力が得られる。更に、導体パターン３１ｃ，３２ｃ，５１ｃの配列ピッチの精度やその他の加工精度を高める必要がないので、製造コストが高くならない。
【００５７】
また、第２の絶縁薄膜３２−１〜３にスリット３２ｂを形成するとともに、第３の絶縁薄膜５１−１〜４にスリット５１ｂを形成したので、両コネクタ３，５の嵌合・離脱をより小さな力で行うことができる。
【００５８】
なお、スリットを第２の絶縁薄膜３２−１〜３か第３の絶縁薄膜５１−１〜４のいずれか一方にだけ形成してもよい。
【００５９】
また、第２の絶縁薄膜３２−１〜３か第３の絶縁薄膜５１−１〜４のいずれか一方だけを弾性変形可能な弾性材料で形成してもよい。
【００６０】
図８はこの発明の第２実施形態に係るコネクタの斜視図である。
【００６１】
第１実施形態のレセプタクルコネクタ３では、第１及び第２の絶縁薄膜３１，３２にそれぞれ孔３１ａ，３２ａを形成したが、第２実施形態のレセプタクルコネクタ２０３では、第１及び第２の絶縁薄膜２３１，２３２にそれぞれ切欠き２３１ａ，２３２ａを形成した。孔３１ａ，３２ａに代えて切欠き２３１ａ，２３２ａを採用した点で第２実施形態は第１実施形態と相違し、それ以外の構成は第１実施形態と共通する。共通する部分の説明を省略する。
【００６２】
第２実施形態に係るコネクタ２０１の嵌合離脱方向は、絶縁薄膜２３１，２３２の積層方向ではなく、第１プリント配線板７の短手方向ＤＷである。
【００６３】
第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、コネクタ２０１の嵌合離脱の際、第２の絶縁薄膜２３２、第３の絶縁薄膜２５１がそれぞれ部分的に厚み方向へ撓まないので、嵌合離脱に要する力をより小さくすることができる。
【００６４】
図９はこの発明の第２実施形態に係るコネクタの変形例の斜視図である。
【００６５】
この変形例では、第２の絶縁薄膜２３２の切欠き２３２ａの入口側部分に面取り２３２ｇが形成されている。同様に、第３の絶縁薄膜２５１の先端側部分に切欠き２５１ｇが形成されている。
【００６６】
この変形例によれば、第２実施形態と同様の効果を奏するとともに、レセプタクルコネクタ２０３とプラグコネクタ２０５との嵌合離脱をよりスムースに行なうことができる。
【００６７】
図１０はこの発明の第３実施形態に係るコネクタの斜視図である。
【００６８】
第１実施形態に係るコネクタ１では、第１の絶縁薄膜３１にほぼ正方形の第１の孔３１ａを形成し、第２の絶縁薄膜３２に第１の孔３１ａよりも小さいほぼ正方形の第２の孔３２ａを形成した。    
これに対し、第３実施形態に係るコネクタ３０１のレセプタクルコネクタ３０３では、第１の絶縁薄膜３３１にほぼ円形の第１の孔３３１ａを形成し、第２の絶縁薄膜３３２に第１の孔３３１ａよりも小さいほぼ円形の第２の孔３３２ａを形成した。第２の孔３３２ａの内周面には等間隔で９つのスリット３３２ｈが形成されている。
【００６９】
また、第１実施形態に係るコネクタ１では、第３及び第４の絶縁薄膜５１，５２はいずれもほぼ正方形であり、第３の絶縁薄膜５１は第４の絶縁薄膜５２より大きい。
【００７０】
これに対し、第３実施形態に係るコネクタ３０１のプラグコネクタ３０５では、第３及び第４の絶縁薄膜３５１，３５２はいずれもほぼ円形であり、第３の絶縁薄膜３５１は第４の絶縁薄膜３５２より大きい。第３の絶縁薄膜３５１の外周面には等間隔で９つのスリット３５１ｈが形成されている。
【００７１】
ほぼ正方形の孔３１ａ，３２ａに代えてほぼ円形の孔３３１ａ，３３２ａを採用した点で第３実施形態は第１実施形態と相違し、それ以外の構成は第１実施形態と共通する。共通する部分の説明を省略する。
【００７２】
両コネクタ３０３，３０５の嵌合するには、まず、第３の絶縁薄膜３５１のスリット３５１ｈと第２の絶縁薄膜３３２のスリット３３２ｈとが一致しないように位置決めして、プラグコネクタ３０５をレセプタクルコネクタ３０３の第１及び第２の孔３３１ａ，３３２ａに挿入する。このときほとんど抵抗無くプラグコネクタ３０５がレセプタクルコネクタ３０３の第１及び第２の孔３３１ａ，３３２ａに入り込む。
【００７３】
次に、プラグコネクタ３０５を第３及び第４の絶縁薄膜３５１，３５２の中心軸を中心にして所定角度回転させる。その結果、第３の絶縁薄膜３５１の外周縁部が積層方向へ隣接する第２の絶縁薄膜３３２の第２の孔３３２ａの内周縁部に挟まれ、第２の孔３３２ａの内周縁部に集結した導体パターン（図示せず）同士が接触する。
【００７４】
第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏するとともに、コネクタ３０１をほぼ無挿入力で嵌合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】図１はこの発明の第１実施形態に係るコネクタの斜視図である。
【図２】図２は第１プリント配線基板の平面図である。
【図３Ａ】図３Ａは第１の絶縁薄膜の平面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは第２の絶縁薄膜の平面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは第１の絶縁薄膜の平面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは第２の絶縁薄膜の平面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは第１の絶縁薄膜の平面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは第２の絶縁薄膜の平面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは第５の絶縁薄膜の平面図である。
【図４】図４は第２プリント配線基板の平面図である。
【図５Ａ】図５Ａは第３の絶縁薄膜の平面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは第４の絶縁薄膜の平面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは第３の絶縁薄膜の平面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは第４の絶縁薄膜の平面図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは第３の絶縁薄膜の平面図である。
【図５Ｆ】図５Ｆは第４の絶縁薄膜の平面図である。
【図５Ｇ】図５Ｇは第３の絶縁薄膜の平面図である。
【図６】図６は嵌合前のコネクタの断面図である。
【図７】図７は嵌合後のコネクタの断面図である。
【図８】図８はこの発明の第２実施形態に係るコネクタの斜視図である。
【図９】図９はこの発明の第２実施形態に係るコネクタの変形例の斜視図である。
【図１０】図１０はこの発明の第３実施形態に係るコネクタの斜視図である。
【符号の説明】
【００７６】
１，２０１，３０１  コネクタ
３，２０３，３０３  レセプタクルコネクタ（雌型コネクタ）
５，２０５，３０５  プラグコネクタ（雄型コネクタ）
３１，２３１，３３１  第１の絶縁薄膜
３１ａ、３３１ａ  第１の孔
２３１ａ  切欠き
３２，２３２，３３２  第２の絶縁薄膜
３２ａ、３３２ａ  第２の孔
２３２ａ  切欠き
３２ｃ  レセプタクル側第１導体パターン（第１の導体パターン）
３２ｅ  貫通電極
５１，５３１，５３１  第３の絶縁薄膜
５１ｃ  プラグ側導体パターン（第２の導体パターン）
５２，５３２，５３２  第４の絶縁薄膜
５２ｅ  貫通電極
【図１】
2006236672.tif 000003
【図２】
2006236672.tif 000004
【図３Ａ】
2006236672.tif 000005
【図３Ｂ】
2006236672.tif 000006
【図３Ｃ】
2006236672.tif 000007
【図３Ｄ】
2006236672.tif 000008
【図３Ｅ】
2006236672.tif 000009
【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図６】
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【図７】
2006236672.tif 000021
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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