(57)【要約】【課題】  小型の超音波プローブを提供する。【解決手段】  マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子１６と、超音波振動素子１６からの電気信号を伝達するために、超音波振動素子１６の各々から突出させて設けられた複数の信号リード２２を挿入して超音波振動素子１６を制動するバッキング材２０と、バッキング材２０において超音波振動素子１６が設置される側と反対側の面に設けられた信号リード２２の端部としての信号リードパッド２３と、前記電気信号を処理する集積回路４５を搭載し、集積回路４５から引き出された信号線の端部として、信号リードパッド２３に接続される接続パッド４０１を具備するＩＣ基板４０とを有する超音波プローブであって、信号リードパッド２３に接続される接続パッド４０１はＩＣ基板４０の表面及び／又は裏面に設けられている。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードが挿入され、前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記バッキング材には、前記第１の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードの端部としての信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記第１の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする超音波プローブ。
【請求項２】
前記信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられ、前記溝部には、前記第２の接続パッドの配列に応じた前記信号リードパッドが形成されたことを特徴とする請求項１に記載の超音波プローブ。
【請求項３】
マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記中継基板には、前記第１の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードの端部としての信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記第１の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする超音波プローブ。
【請求項４】
前記中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられ、前記溝部には、前記第２の接続パッドの配列に応じた前記第２の中継パッドが形成されたことを特徴とする請求項３に記載の超音波プローブ。
【請求項５】
前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとが連結されたことを特徴とする請求項２又は４に記載の超音波プローブ。
【請求項６】
複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の超音波プローブ。
【請求項７】
マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記信号リードの端部としての信号リードパッドに対向する接続面を有する接続部材が前記第１の接続パッドに設けられたことを特徴とする超音波プローブ。
【請求項８】
前記信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする請求項７に記載の超音波プローブ。
【請求項９】
前記バッキング材には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする請求項８に記載の超音波プローブ。
【請求項１０】
マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記第２の中継パッドに対向する接続面を有する接続部材が前記第１の接続パッドに設けられたことを特徴とする超音波プローブ。
【請求項１１】
前記第２の中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする請求項１０に記載の超音波プローブ。
【請求項１２】
前記中継基板には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記第２の中継パッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする請求項１１に記載の超音波プローブ。
【請求項１３】
前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとが連結されたことを特徴とする請求項８，９，１１又は１２に記載の超音波プローブ。
【請求項１４】
前記接続面が露出するように、複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする請求項７〜１３の何れかに記載の超音波プローブ。
【請求項１５】
マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記信号リードの端部としての信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に前記接続パッドが設けられたことを特徴とする超音波プローブ。
【請求項１６】
前記集積回路から引き出された信号線の端部としての接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられたことを特徴とする請求項１５に記載の超音波プローブ。
【請求項１７】
前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドに、前記信号リードパッドに対向する接続面を有する接続部材が設けられたことを特徴とする請求項１６に記載の超音波プローブ。
【請求項１８】
前記バッキング材には、前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドとの導通がなされることを特徴とする請求項１７に記載の超音波プローブ。
【請求項１９】
マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、
係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、
平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、
前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板と
を有する超音波プローブであって、
前記第２の中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に前記接続パッドが設けられたことを特徴とする超音波プローブ。
【請求項２０】
前記集積回路から引き出された信号線の端部としての接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられたことを特徴とする請求項１９に記載の超音波プローブ。
【請求項２１】
前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドに、前記第２の中継パッドに対向する接続面を有する接続部材が設けられたことを特徴とする請求項２０に記載の超音波プローブ。
【請求項２２】
前記中継基板には、前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記第２の中継パッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドとの導通がなされることを特徴とする請求項２１に記載の超音波プローブ。
【請求項２３】
前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッドと前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドとが連結されたことを特徴とする請求項１６，１７，１８，２０，２１又は２２に記載の超音波プローブ。
【請求項２４】
複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする請求項１５〜２３の何れかに記載の超音波プローブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超音波診断装置や超音波探傷装置等に用いられる超音波プローブに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、超音波診断装置に使用する超音波プローブは超音波の送受信を行う超音波センサー（超音波トランスデューサ）と超音波トランスデューサと超音波診断装置本体との間で電気信号を授受するために機能するケーブルアセンブリ、更に必要に応じて電気信号を処理する集積回路等モジュールから構成される。
【０００３】
近年、超音波ビームの偏向、集束を全方位に渡って行い、超音波による３次元走査が可能な超音波プローブ、及びこの超音波プローブにより収集された被検体からの超音波情報に基づいて立体（３次元）超音波画像を生成し表示する超音波診断装置の検討が行われている。
【０００４】
この超音波の全方位的なフォーカシングや高速な３次元走査を実現する超音波プローブとしては、図２６（ａ），（ｂ）に示すように、超音波トランスデューサを構成する超音波振動素子をマトリックス状に多数配列した２次元アレイ超音波プローブがある。
【０００５】
図２６（ａ），（ｂ）に示すように、２次元アレイ超音波トランスデューサ１０は、音響整合層１２、アース電極１４、超音波振動素子（圧電体）１６、信号電極１８、バッキング材２０（負荷材相）及び信号リード２２を具備する構成となっている。
【０００６】
音響整合層１２は、被検体（図示せず）と超音波振動素子１６との間に位置するように設けられており、被検体と超音波振動素子１６との音響インピーダンスの整合をとるものである。
【０００７】
アース電極１４は、各超音波振動素子１６の一端に設けられている。アース電極１４はアース接続されている。
【０００８】
超音波振動素子（圧電体）１６は、２成分系或いは３成分系の圧電セラミックス等から成る圧電素子であり、２次元マトリックス状に配列されている。この超音波振動素子１６の２次元的配列により、超音波の全方位的なフォーカシングと高速な３次元走査が可能である。
【０００９】
信号電極１８は、各超音波振動素子１６の他端（すなわち、アース電極１４とは異なる一端）に設けられており、圧電効果のための電力印加や被検体から受波した超音波に基づく電気信号を入力する電極である。
【００１０】
バッキング材２０は、超音波振動素子１６の背面に設けられており、当該超音波振動素子１６を機械的に支持する。
【００１１】
また、バッキング材２０は、超音波パルスを短くするために、超音波振動素子１６の動きを制動している。
【００１２】
このバッキング材２０は、後述する信号リード２２の端部２２１が超音波振動素子１６と同じ配列ピッチとなるように、信号電極１８から超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に信号リード２２を引き出し可能な経路が形成されている。
【００１３】
信号リード２２は、その一端において信号リード２２の端部２２１を有している。また、他端においては各超音波振動素子１６の信号電極１８と接続されており、超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に、信号電極１８から伸延して、バッキング材２０中の経路を通し信号リード２２の端部２２１が引き出されている。従って、信号リード２２の端部２２１は、超音波振動素子１６と反対側のバッキング材２０の面において、２次元アレイ状に並んだ構成となっている。
【００１４】
このように、超音波振動素子の実装密度をあげてくると、超音波振動素子を駆動したり、超音波振動素子からのデータを処理する集積回路等との接続関係が問題になってくる。
【００１５】
この問題を解決する２次元アレイ超音波プローブについては、以前から多数の提案が検討されている。（例えば、特許文献１〜特許文献３）。
【００１６】
特許文献１によれば、バッキング材に穴構造を設け、信号を引き出す構造が提案されており、特許文献２によれば、超音波振動素子の配列に対応する基板を積層して信号引き出し部を構成する構造が提案されている。
【００１７】
これらに開示されている２次元アレイ超音波プローブの構造は、１素子の音響特性を良好に保つことを可能としている。
【００１８】
また、特許文献３によれば、信号取り出しのための積層基板８０を超音波振動素子直下に配した構造等が提案されており、素子ピッチを小さくしても比較的容易に信号引き出し可能な構造が開示されている。
【００１９】
【特許文献１】米国特許第５２６７２２１号明細書
【特許文献２】特開昭６２−２７９９号公報
【特許文献３】米国特許第５３１１０９５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、超音波プローブは超音波トランスデューサと超音波診断装置本体とをケーブルアセンブリで連結することを基本構成としているので、微細な超音波振動素子を有する２次元アレイ超音波プローブにおいては、超音波トランスデューサからの超音波信号を効率良く取り出すための集積回路等が超音波トランスデューサ近傍に必要である。
【００２１】
また一方、２次元アレイ超音波プローブでは、超音波振動素子からの信号を超音波診断装置本体に伝達する構成では、超音波振動素子数が膨大であるため、ケーブルアセンブリのケーブル芯数が膨大となり、通常の超音波診断装置の使用方法に合致しない。
【００２２】
このため、超音波トランスデューサからの超音波信号を処理し、且つ信号数を減ずる操作を行った上で超音波診断装置に伝達するために機能する集積回路等が必要である。
【００２３】
すなわち、信号線を引き出すのみならず、超音波振動素子群から信号線によって導かれた電気信号を処理するための集積回路等を超音波トランスデューサ近傍に高密度で実装することが求められる。
【００２４】
この要求に応じる技術として、本発明者らによる特開２００１−２９２４９６号公報に開示されているように、２種類の基板を、信号リードを用いて略直交して電気的且つ機械的に連結する構成が提案されている。
【００２５】
しかしながら、この構成においても、形成する信号リードピッチを十分小さくすることが不可能であるので、超音波トランスデューサと集積回路等との連結部分を高密度で実装することに限界が生じていた。この結果、超音波プローブの外形が非常に大きくなってしまう問題があった。また、この構成において複数の基板を立体的に組み立てることは非常に困難であった。
【００２６】
超音波トランスデューサに対して集積回路等を高密度で実装することに限界が生じていた原因としては、図２７に示す超音波プローブの従来の構成のように、信号リード２２と集積回路４５との接続がスルーホール（図示せず）のみを有した中継基板３０によってなされ、中継基板３０に形成された前記スルーホールに集積回路４５を搭載した基板４０を直接設置していたこと、すなわち、前記スルーホールの構造が信号リード２２のピッチに比べて大きくなってしまうことにあった。
【００２７】
また、図２７に示すように、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続は、超音波トランスデューサ１０の背面側に設けられた信号リードパッド２３（図示せず）と、ＩＣ基板４０側に設けられた、突出した接続ピンとの接続によってなされていた。従って、ＩＣ基板４０上において、前記接続ピンを突出させて設けるためのスペースが必要なため、設置される接続ピンの数には制限があった。また、前記接続ピンが突出した形状であるため、信号リードパッド２３（図示せず）に接続するための位置合せにも困難を来たし、接続不良が生じる恐れがあった。
【００２８】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、形成領域が拡大するピン形状の電極を用いることなく超音波トランスデューサとＩＣ基板との接続をなし、小型の超音波プローブを提供することにある。
【００２９】
また、本発明は、超音波振動素子群から信号線によって導かれた電気信号を処理するための集積回路等を超音波トランスデューサ近傍に高密度で実装した超音波プローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
上記課題を解決するための、請求項１記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードが挿入され、前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記バッキング材には、前記第１の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードの端部としての信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記第１の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。
【００３１】
上記課題を解決するための、請求項２記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１に記載の超音波プローブにおいて、前記信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられ、前記溝部には、前記第２の接続パッドの配列に応じた前記信号リードパッドが形成されたことを特徴とする。
【００３２】
上記課題を解決するための、請求項３記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記中継基板には、前記第１の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードの端部としての信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記第１の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。
【００３３】
上記課題を解決するための、請求項４記載の発明に係る超音波プローブは、請求項３に記載の超音波プローブにおいて、前記中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられ、前記溝部には、前記第２の接続パッドの配列に応じた前記第２の中継パッドが形成されたことを特徴とする。
【００３４】
上記課題を解決するための、請求項５記載の発明に係る超音波プローブは、請求項２又は４に記載の超音波プローブにおいて、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとが連結されたことを特徴とする。
【００３５】
上記課題を解決するための、請求項６記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１〜５の何れかに記載の超音波プローブにおいて、複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする。
【００３６】
上記課題を解決するための、請求項７記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記信号リードの端部としての信号リードパッドに対向する接続面を有する接続部材が前記第１の接続パッドに設けられたことを特徴とする。
【００３７】
上記課題を解決するための、請求項８記載の発明に係る超音波プローブは、請求項７に記載の超音波プローブにおいて、前記信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする。
【００３８】
上記課題を解決するための、請求項９記載の発明に係る超音波プローブは、請求項８に記載の超音波プローブにおいて、前記バッキング材には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。
【００３９】
上記課題を解決するための、請求項１０記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた第１の接続パッドであり、前記第２の中継パッドに対向する接続面を有する接続部材が前記第１の接続パッドに設けられたことを特徴とする超音波プローブ。
【００４０】
上記課題を解決するための、請求項１１記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１０に記載の超音波プローブにおいて、前記第２の中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に第２の接続パッドが設けられたことを特徴とする。
【００４１】
上記課題を解決するための、請求項１２記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１１に記載の超音波プローブにおいて、前記中継基板には、前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記第２の中継パッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記第１の接続パッド及び／又は第２の接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。
【００４２】
上記課題を解決するための、請求項１３記載の発明に係る超音波プローブは、請求項８，９，１１及び１２の何れかに記載の超音波プローブにおいて、前記第１の接続パッドと前記第２の接続パッドとが連結されたことを特徴とする。
【００４３】
上記課題を解決するための、請求項１４記載の発明に係る超音波プローブは、請求項７〜１３の何れかに記載の超音波プローブにおいて、前記接続面が露出するように、複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする。
【００４４】
上記課題を解決するための、請求項１５記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、前記信号リードに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記信号リードの端部としての信号リードパッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に前記接続パッドが設けられたことを特徴とする。
【００４５】
上記課題を解決するための、請求項１６記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１５に記載の超音波プローブにおいて、前記集積回路から引き出された信号線の端部としての接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられたことを特徴とする。
【００４６】
上記課題を解決するための、請求項１７記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１６に記載の超音波プローブにおいて、前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドに、前記信号リードパッドに対向する接続面を有する接続部材が設けられたことを特徴とする。
【００４７】
上記課題を解決するための、請求項１８記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１７に記載の超音波プローブにおいて、前記バッキング材には、前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記信号リードパッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記信号リードパッドと前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。
【００４８】
上記課題を解決するための、請求項１９記載の発明に係る超音波プローブは、マトリックス状に配列された複数の超音波振動素子と、係る超音波振動素子からの電気信号を伝達するために前記超音波振動素子の各々から突出させて設けられた複数の信号リードを挿入して前記超音波振動素子を制動するバッキング材と、平板形状をなし、前記信号リードに導通する第１の中継パッドが前記バッキング材に対向する面に形成されると共に、前記第１の中継パッドに導通する第２の中継パッドが前記バッキング材に対向する面の反対側の面に形成された中継基板と、前記電気信号を処理する集積回路を搭載し、係る集積回路から引き出された信号線の端部として、前記第２の中継パッドに接続される接続パッドを具備するＩＣ基板とを有する超音波プローブであって、前記第２の中継パッドに対向する前記ＩＣ基板の端面に前記接続パッドが設けられたことを特徴とする。
【００４９】
上記課題を解決するための、請求項２０記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１９に記載の超音波プローブにおいて、前記集積回路から引き出された信号線の端部としての接続パッドが前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられたことを特徴とする。
【００５０】
上記課題を解決するための、請求項２１記載の発明に係る超音波プローブは、請求項２０に記載の超音波プローブにおいて、前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドに、前記第２の中継パッドに対向する接続面を有する接続部材が設けられたことを特徴とする。
【００５１】
上記課題を解決するための、請求項２２記載の発明に係る超音波プローブは、請求項２１に記載の超音波プローブにおいて、前記中継基板には、前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドが当接する当接面を有する溝部が形成され、係る溝部の前記当接面に前記第２の中継パッドが形成され、前記ＩＣ基板の端面が前記溝部に嵌入することによって前記第２の中継パッドと前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッド及び／又は前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドとの導通がなされることを特徴とする。
【００５２】
上記課題を解決するための、請求項２３記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１６，１７，１８，２０，２１又は２２に記載の超音波プローブにおいて、前記ＩＣ基板の端面に設けられた接続パッドと前記ＩＣ基板の表面及び／又は裏面に設けられた接続パッドとが連結されたことを特徴とする。
【００５３】
上記課題を解決するための、請求項２４記載の発明に係る超音波プローブは、請求項１５〜２３の何れかに記載の超音波プローブにおいて、複数の前記ＩＣ基板間に樹脂を充填したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００５４】
本発明によれば、ＩＣ基板側の電極としてピン形状の電極を用いることがないので、当該電極の形成領域が拡大することなく、超音波トランスデューサとＩＣ基板との接続をなす構成としたので、小型の超音波プローブを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。
（第１の実施形態）
【００５６】
図１は、本発明の第１の実施形態における２次元アレイ超音波プローブが有する２次元アレイ超音波トランスデューサ１０の概略図である。図１（ａ）は、２次元アレイ超音波トランスデューサ１０の斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）において矢印方向から見たＡ−Ａ断面図である。
【００５７】
図１（ａ）に示すように、２次元アレイ超音波トランスデューサ１０は、音響整合層１２、アース電極１４、超音波振動素子（圧電体）１６、信号電極１８、バッキング材２０（負荷材相）及び信号リード２２を具備する構成となっている。
【００５８】
音響整合層１２は、被検体（図示せず）と超音波振動素子１６との間に位置するように設けられており、被検体と超音波振動素子１６との音響インピーダンスの整合をとるものである。
【００５９】
アース電極１４は、各超音波振動素子１６の一端に設けられている。アース電極１４はアース接続されている。
【００６０】
超音波振動素子（圧電体）１６は、２成分系或いは３成分系の圧電セラミックス等から成る圧電素子であり、２次元マトリックス状に配列されている。この超音波振動素子１６の２次元的配列により、超音波の全方位的なフォーカシングと高速な３次元走査が可能である。
【００６１】
信号電極１８は、各超音波振動素子１６の他端（すなわち、アース電極１４とは異なる一端）に設けられており、圧電効果のための電力を印加するための入力電極及び被検体から受波した超音波に基づく電気信号を出力する電極として機能する。
【００６２】
バッキング材２０は、超音波振動素子１６の背面に設けられており、当該超音波振動素子１６を機械的に支持する。
【００６３】
また、バッキング材２０は、その設置された方向における超音波パルスを制御するために、超音波振動素子１６を制動している。
【００６４】
このバッキング材２０は、後述する信号リード２２の端部である信号リードパッド２３が超音波振動素子１６と同じ配列ピッチとなるように、信号電極１８から超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に信号リード２２を引き出し可能な経路が形成されている。この経路に信号リード２２が挿入されている。
【００６５】
このようなバッキング材２０は、板状のバッキング材を、その板厚みが配列ピッチと同じになるような薄いバッキング材を積み重ねる等により作成することが可能である。
【００６６】
また、このバッキング材２０の厚さは、超音波トランスデューサの音響的特性を良好に保つため、使用する超音波周波数の波長に対して十分な厚さ（十分減衰される厚さ）にとるものとする。
【００６７】
信号リード２２は、その一端が信号リードパッド２３としてバッキング材２０の背面（バッキング材２０において超音波振動素子１６が設置された側の面を正面とした場合の反対側の面）にマトリックス状に配列されている。
【００６８】
また、信号リード２２の他端は、各超音波振動素子１６の信号電極１８と接続されている。すなわち、超音波振動素子１６の配列面と垂直な方向に、信号電極１８から伸延して、バッキング材２０中の経路を通し信号リード２２が引き出されている。従って、信号リードパッド２３は、超音波振動素子１６と反対側のバッキング材２０の面において、超音波振動素子１６と同様にマトリックス状（２次元アレイ状）に並んだ構成となっている。
【００６９】
なお、本実施形態において信号リードパッド２３の配列は、超音波振動素子１６と同じ配列ピッチのまま、すなわち電極配列と同様に並んだ例を示しているが、信号リードパッド２３の配線ピッチを素子ピッチより大きくとることも可能である。例えば、上述した板状バッキング材と信号線パターンとを張り合わせて信号リード２２の２次元配列を作る場合等では、張り合わせる信号リード２２のパターンを信号リードパッド２３の方向に進むに従って広がるようなパターンにすることで実現できる。
【００７０】
図２は、本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における構成を示す斜視図である。
【００７１】
図２に示すように、ケーブル接続基板５０は、上述したＩＣ基板４０と、超音波診断装置本体とＩＣ基板４０等との電気的接続を取るケーブル（図示せず）とを接続するための基板である。当該ケーブル接続基板５０は、柔軟性を備えたＦＰＣでできており、その一端は、ＩＣ基板４０における信号リード（図示せず）が設けられた一端とは反対側の一端に電気的に接続されている。
【００７２】
コネクタ６２は、ケーブル接続基板５０の他端及び前記ケーブルの一端にそれぞれ設けられている。このコネクタ６２によって、ケーブル接続基板５０と前記ケーブルとは電気的に接続される。
【００７３】
このような構成により、ＩＣ基板４０上の各ＩＣ４５によって処理された信号は、ケーブル接続基板５０を介して超音波診断装置本体に送信されることとなる。
【００７４】
また、図３に示すように、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との間に中継基板３０を介在させてもよい。中継基板３０は、樹脂やセラミクスなどからなる平板形状の基板が望ましい。また、図４（ａ），（ｂ）に示すように、中継基板３０には、超音波トランスデューサ１０に対向する側の面に第１の中継パッド３１が信号リードに応じて配設され、その反対側の面、すなわち、ＩＣ基板４０に対向する側の面に、第２の中継パッド３２が第１の中継パッド３１の各々に導通して配設されている。
【００７５】
ここで、第２の中継パッド３２の配列は第１の中継パッド３１と異なる配列としてもかまわない。すなわち、第１の中継パッド３１を複数共通接続することも可能であって、且つ第１の中継パッド３１の配列順序を変更して形成すること、第１の中継パッド３１の配列ピッチを変更することも可能である。
【００７６】
この第２の中継パッド３２とＩＣ基板４０の端部に形成された第１の接続パッド４０１が電気接続されることによって、超音波トランスデューサ１０の信号リード２２がＩＣ４５に電気的に接続されることとなり、信号リード２２によって超音波振動素子１６から発せられた前記信号に適宜処理が施される。
【００７７】
このように、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との間に中継基板３０を介在させることによって、ＩＣ基板４０に形成される接続パッドに接続される電極が、ゴムや樹脂等の材料で形成されるバッキング材２０に形成された信号リードパッド２３よりも、中継基板３に形成された第２の中継パッド３２のほうが強固に接続できるので、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との確実な接続を実現することができる。
【００７８】
図５は、本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図５に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び裏面に第１の接続パッド４０１が並んで形成されている。これらの第１の接続パッド４０１は、超音波トランスデューサ１０の底面側（超音波振動素子１６から見てバッキング材２０が設置された側）の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２に対応したピッチで形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。
【００７９】
そして、このような第１の接続パッド４０１とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、本実施形態では、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００が形成されている。また、溝部１００の側面には各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が露出形成されている。
【００８０】
本実施形態では、図６に示すように、バッキング材２０（又は中継基板３０）とＩＣ基板４０との電気的接続は、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を設け、そのＩＣ基板４０を、側面に信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が配設された溝部１００に嵌入することによって、第１の接続パッド４０１と信号リード２３（第２の中継パッド３２）とが電気的に接続される。
【００８１】
各溝部１００は、各ＩＣ基板４０の端面の面積（設置方向における各ＩＣ基板４０の断面積）に応じた底面が形成された凹部であり、所定の間隔で各ＩＣ基板４０が並行に設置されるようにバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成されている。
【００８２】
そして、超音波トランスデューサ１０の背面側へのＩＣ基板４０の接続は、ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１を、その接続先となる信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２の位置にあわせて接触させ電気接続を行う。
【００８３】
一方、本実施形態では、図７に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。
【００８４】
なお、本実施形態の望ましい態様として、図８に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とすることも可能である。ここで、ＩＣ基板ユニット４００の形状において、各ＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１は、当該ＩＣ基板４０の表面及び裏面に形成されているので、樹脂スペーサ４０４は各第１の接続パッド４０１が露出するように充填される。
【００８５】
このように、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことで、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。
【００８６】
このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０上に形成された個々の第１の接続パッド４０１と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。
【００８７】
このように、本実施形態では、ＩＣ基板４０の表面に形成される配線パターンと同様の工程で第１の接続パッド４０１を形成できるので、当該第１の接続パッド４０１の配列方向のピッチを小さくすることができ、ＩＣ基板４０の小型化を実現し、結果として超音波プローブの小型化をも実現することができる。
【００８８】
また、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を形成することにより、１つのＩＣ基板４０につき、２列の第１の接続パッド４０１を形成することが可能となるため、超音波トランスデューサ１０の接続に必要なＩＣ基板４０の数を少なくすることができ、ＩＣ基板４０の配列方向の厚みを小さくすることが可能となる。
【００８９】
さらに、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続の際、バッキング材２０（中継基板３０）に溝部１００を複数形成し、それら溝部１００に各ＩＣ基板４０を嵌め込むようにしたので、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続が強固に行える。
【００９０】
加えて、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。
【００９１】
本実施形態では、超音波トランスデューサ１０の底面側に形成された信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続される第１の接続パッド４０１を、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に設けたが、接続パッド４０１はＩＣ基板４０の表面又は裏面のどちらか一方に形成された態様でもよい。
【００９２】
また、本実施形態においては、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２と、第１の接続パッド４０１との接続をハンダによる接続としたが、他の接続態様として、例えば導電性樹脂や異方導電フィルムなどによる接続を行ってもよい。
【００９３】
さらに、本実施形態では、個々のＩＣ基板４０をＩＣ基板ユニット４００として固定した後に、バッキング材２０又は中継基板３０に対して接続しているが、それに限られることなく、ＩＣ基板４０を複数枚ずつ、複数のグループに分けて固定したＩＣ基板ユニット４００として、複数回数の接続を行うことも可能である。
【００９４】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態について図面を参照して説明する。
【００９５】
本実施形態は、前述の第１の実施形態に対し、各第１の接続パッドに、接続方向を変換する接続部材を設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。
【００９６】
図９は、本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図９に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び裏面に第１の接続パッド４０１が並んで形成されると共に、略直方体形状の接続部材４０３が各第１の接続部材４０１に設置されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。
【００９７】
すなわち、本実施形態では、前述の第１の実施形態においてＩＣ基板４０の表面及び／又は裏面に接続面が形成された第１の接続パッド４０１に、その接続面を超音波トランスデューサ１０の方向に変換するための接続部材４０３が鑞付けされているのである。
【００９８】
そして、本実施形態のように、接続部材４０３の端面とＩＣ基板４０の端面とがほぼ面一になるように、接続部材４０３を第１の接続パッド４０１上に設置することによって、図１０に示すように、ＩＣ基板４０を超音波トランスデューサ１０に接続する際、接続部材４０３の端面が信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２の接続面に対向するので、接続しやすく、電気接続の不良を低減することも可能となる。ここで、前記「面一」とは、二つの面が例えば同じ高さになる形態を意味する。従って、本実施形態では、高さ方向に限らず、二つの面（接続部材４０３の端面とＩＣ基板４０の端面）がほぼ同一平面となるように位置することを意味する。
【００９９】
本実施形態では、図１１に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。このとき、接続部材４０３の接続面は、ＩＣ基板４０の端面とほぼ面一となって超音波トランスデューサ１０の方向に露出するように樹脂スペーサ４０４が充填される。
【０１００】
なお、本実施形態の望ましい態様として、図１２に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とし、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことが、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。
【０１０１】
このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０上に形成された個々の第１の接続パッド４０１と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。
【０１０２】
なお、本実施形態では、前述の第１の実施形態とは異なり、超音波トランスデューサ１０側の電極（信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２）と、第１の接続パッド４０１（接続部材４０３）との接続面が対向しているので、バッキング材２０又は中継基板３０に溝部を必ずしも形成する必要はない。
【０１０３】
仮に、本実施形態において、第１の接続パッド４０１とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００を形成する場合には、その溝部１００は、接続部材４０３が第１の接続パッド４０１に設置された各ＩＣ基板４０の、超音波トランスデューサ１０側の断面形状に応じた形状にすればよい。このように溝部１００をバッキング材２０又は中継基板３０に形成することにより、各溝部１００に各ＩＣ基板４０が嵌入するように固定されるので、バッキング材２０又は中継基板３０と各ＩＣ基板４０との電気的な接続が強固に行われる。
【０１０４】
このように、本実施形態では、ＩＣ基板４０の表面に形成される配線パターンと同様の工程で第１の接続パッド４０１を形成できるので、当該第１の接続パッド４０１の配列方向のピッチを小さくすることができ、ＩＣ基板４０の小型化を実現し、結果として超音波プローブの小型化をも実現することができる。
【０１０５】
また、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を形成することにより、１つのＩＣ基板４０につき、２列の第１の接続パッド４０１を形成することが可能となるため、超音波トランスデューサ１０の接続に必要なＩＣ基板４０の数を少なくすることができる。
【０１０６】
さらに、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを接続部材４０３を介して複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。
【０１０７】
本実施形態では、超音波トランスデューサ１０の底面側に形成された信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に、接続部材４０３を介して接続される第１の接続パッド４０１を、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に設けたが、接続パッド４０１はＩＣ基板４０の表面又は裏面のどちらか一方に形成された態様でもよい。
【０１０８】
また、本実施形態においては、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２と、接続部材４０３との接続をハンダによる接続としたが、他の接続態様として、例えば導電性樹脂や異方導電フィルムなどによる接続を行ってもよい。
【０１０９】
さらに、本実施形態では、個々のＩＣ基板４０をＩＣ基板ユニット４００として固定した後に、バッキング材２０又は中継基板３０に対して接続しているが、それに限られることなく、ＩＣ基板４０を複数枚ずつ、複数のグループに分けて固定したＩＣ基板ユニット４００として、複数回数の接続を行うことも可能である。
【０１１０】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態について図面を参照して説明する。
【０１１１】
本実施形態は、前述の第２の実施形態と同様に、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続する接続面が超音波トランスデューサ１０側に向いた接続パッドをＩＣ基板４０に設けたものであり、その接続パッドとして、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２を設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態及び第２の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。
【０１１２】
図１３は、本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図１３に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、ＩＣ基板４０の端面（ＩＣ基板４０において、超音波トランスデューサ１０に対向する面）に第２の接続パッド４０２が並んで形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。
【０１１３】
本実施形態における第２の接続パッド４０２は、例えば、予めＩＣ基板４０内にスルーホールを形成しておき、ＩＣ基板４０と共に当該スルーホールを切断してそのスルーホールの切断面をＩＣ基板４０の端面に露出させることによって形成される。
【０１１４】
また、この他にも、ＩＣ基板４０を切断・研削することによって、ＩＣ基板４０の内部配線を端面に露出させ、その後メッキ又は蒸着・スパッタ等の薄膜形成方法によって第２の接続パッド４０２を形成することも可能である。なお、本実施形態では、端面に形成した第２の接続パッド４０２を２列としたが、それ以上の列での形成も可能である。
【０１１５】
また、本実施形態では、ＩＣ４５と第２の接続パッド４０１とを結ぶ配線は、ＩＣ基板４０の内部に設けてもよいし、外側（ＩＣ基板４０の表面及び／又は裏面）に形成してもよい。
【０１１６】
すなわち、本実施形態では、前述の第２の実施形態における接続部材４０３のように、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２の接続面に対向し、それらとＩＣ４５とを導通する第２の接続パッド４０２がＩＣ基板４０の端面に設けられたものである。
【０１１７】
そして、ＩＣ基板４０を超音波トランスデューサ１０に接続する際、ＩＣ基板４０の端面に形成された第２の接続パッドの接続面が、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２の接続面に対向するので、接続しやすく、電気接続の不良を低減することも可能となる。
【０１１８】
ここで、本実施形態では、第２の接続パッド４０２とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、第１の実施形態と同様に、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００が形成されている。
【０１１９】
各溝部１００は、各ＩＣ基板４０の端面の面積（設置方向における各ＩＣ基板４０の断面積）に応じた底面が形成された凹部であり、所定の間隔で各ＩＣ基板４０が並行に設置されるようにバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成されている。
【０１２０】
第２の接続パッド４０２が対向する溝部１００の底面には、各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が露出形成されており、凹形状をなす当該溝部１００にＩＣ基板４０を嵌合させることによって、溝部１００の底面に露出した各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）と各第２の接続パッド４０２との導通がなされる。
【０１２１】
すなわち、図１４に示すように、本実施形態では、バッキング材２０（又は中継基板３０）とＩＣ基板４０との電気的接続は、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２を設けたので、底面に信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が配設された溝部１００を形成したのである。
【０１２２】
そして、超音波トランスデューサ１０の背面側へのＩＣ基板４０の接続は、ＩＣ基板４０に設けられた第２の接続パッド４０２を、その接続先となる信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２の位置にあわせて接触させ電気接続を行う。
【０１２３】
また、本実施形態では、図１５に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。このとき、第２の接続パッド４０２の接続面は、ＩＣ基板４０の端面とほぼ面一となって超音波トランスデューサ１０の方向に露出するように樹脂スペーサ４０４が充填される。
【０１２４】
なお、本実施形態の望ましい態様として、図１６に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とし、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことが、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。
【０１２５】
このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０の端面に形成された個々の第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。
【０１２６】
なお、本実施形態においても、超音波トランスデューサ１０側の電極（信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２）と、第２の接続パッド４０２との接続面が対向しているので、バッキング材２０又は中継基板３０に溝部１００を必ずしも形成する必要はない。
【０１２７】
このように、本実施形態では、ＩＣ基板４０の表面に設置されるＩＣ４５の配置や個数に依存することなく、端面に第２の接続パッド４０２を形成できるので、当該第２の接続パッド４０２の配列方向のピッチを自由に設計することができ、ＩＣ基板４０の小型化を実現し、結果として超音波プローブの小型化をも実現することができる。
【０１２８】
また、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２を形成することにより、１つのＩＣ基板４０につき、任意の列数の第２の接続パッド４０２を形成することが可能となるため、超音波トランスデューサ１０の接続に必要なＩＣ基板４０の数を少なくすることができ、従って、ＩＣ基板４０の配列方向の小型化実現できる。
【０１２９】
さらに、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第２の接続パッド４０２と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを接続部材４０３を介して複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。
【０１３０】
本実施形態では、個々のＩＣ基板４０をＩＣ基板ユニット４００として固定した後に、バッキング材２０又は中継基板３０に対して接続しているが、それに限られることなく、ＩＣ基板４０を複数枚ずつ、複数のグループに分けて固定したＩＣ基板ユニット４００として、複数回数の接続を行うことも可能である。
【０１３１】
（第４の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態について図面を参照して説明する。
【０１３２】
本実施形態は、超音波トランスデューサ１０側の信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続する各ＩＣ基板４０側の接続パッドとして、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を設けると共に、超音波トランスデューサ１０側の端面に第２の接続パッド４０２を各ＩＣ基板４０に設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態〜第３の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。
【０１３３】
図１７は、本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図である。図１７に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０は、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び裏面に第１の接続パッド４０１が並んで形成されると共に、前記端部電極として端面（超音波トランスデューサ１０に対向する面）には、第２の接続パッド４０２が並んで形成されている。これらの第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２は、超音波トランスデューサ１０の底面側（超音波振動素子１６から見てバッキング材２０が設置された側）の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２に対応したピッチで形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。
【０１３４】
そして、第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、本実施形態でも、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００が形成されている。
【０１３５】
すなわち、図１８に示すように、各溝部１００は、各ＩＣ基板４０の端面の面積（設置方向における各ＩＣ基板４０の断面積）に応じた底面が形成された凹部であり、所定の間隔で各ＩＣ基板４０が並行に設置されるようにバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成されている。
【０１３６】
そして、溝部１００の底面及び側面には各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）が露出形成されており、当該溝部１００にＩＣ基板４０を嵌合させることによって、溝部１００の側面に露出した各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）と各第１の接続パッド４０１との導通がなされると共に、溝部１００の底面に露出した各信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）と各第２の接続パッド４０２との導通がなされる。
【０１３７】
このように、超音波トランスデューサ１０の背面側へのＩＣ基板４０の接続は、ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２を、その接続先となる信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッド３２の位置にあわせて接触させ電気接続を行う。
【０１３８】
一方、本実施形態では、図１９に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。
【０１３９】
なお、本実施形態の望ましい態様として、図２０に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とすることも可能である。ここで、ＩＣ基板ユニット４００の形状において、各ＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１は、当該ＩＣ基板４０の表面及び裏面に形成されているので、樹脂スペーサ４０４は各第１の接続パッド４０１が露出するように充填される。
【０１４０】
このように、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことで、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。
【０１４１】
このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０上に形成された個々の第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。
【０１４２】
このように、本実施形態では、ＩＣ基板４０の表面に形成される配線パターンと同様の工程で第１の接続パッド４０１を形成できるので、当該第１の接続パッド４０１の配列方向のピッチを小さくすることができ、ＩＣ基板４０の小型化を実現し、結果として超音波プローブの小型化をも実現することができる。
【０１４３】
また、本実施形態における第２の接続パッド４０２は、例えば、予めＩＣ基板４０内にスルーホールを形成しておき、ＩＣ基板４０と共に当該スルーホールを切断してそのスルーホールの切断面をＩＣ基板４０の端面に露出させることによって形成される。
【０１４４】
また、この他にも、ＩＣ基板４０を切断・研削することによって、ＩＣ基板４０の内部配線を端面に露出させ、その後メッキ又は蒸着・スパッタ等の薄膜形成方法によって第２の接続パッド４０２を形成することも可能である。なお、本実施形態では、端面に形成した第２の接続パッド４０２を２列としたが、それ以上の列での形成も可能である。
【０１４５】
また、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を形成すると共に、端面に第２の接続パッド４０２を形成することにより、ＩＣ基板４０の１枚あたりの接続パッド数を更に大きくすることが可能となるため、接続に必要なＩＣ基板４０の枚数を更に少なくすることが可能となり、超音波プローブの小型化が図れる。
【０１４６】
さらに、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続の際、バッキング材２０（中継基板３０）に溝部１００を複数形成し、それら溝部１００に各ＩＣ基板４０を嵌め込むようにしたので、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続が強固に行える。
【０１４７】
加えて、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。
【０１４８】
本実施形態では、超音波トランスデューサ１０の底面側に形成された信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続される第１の接続パッド４０１を、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に設けたが、接続パッド４０１はＩＣ基板４０の表面又は裏面のどちらか一方に形成された態様でもよい。
【０１４９】
また、本実施形態においては、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２と、第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２との接続をハンダによる接続としたが、他の接続態様として、例えば導電性樹脂や異方導電フィルムなどによる接続を行ってもよい。
【０１５０】
さらに、本実施形態では、個々のＩＣ基板４０をＩＣ基板ユニット４００として固定した後に、バッキング材２０又は中継基板３０に対して接続しているが、それに限られることなく、ＩＣ基板４０を複数枚ずつ、複数のグループに分けて固定したＩＣ基板ユニット４００として、複数回数の接続を行うことも可能である。
【０１５１】
本実施形態の他の態様として、図２１に示すように、第１の接続パッド４０１と第２の接続パッド４０２とを連結した第３の接続パッド４０５をＩＣ基板４０に形成してもよい。
【０１５２】
このような構成を採用することにより、各超音波振動素子１６と各ＩＣ４５との導通にあたり、第２の接続パッド４０２のみならず、第１の接続パッド４０１を利用できるため、接続パッドとしての面積が大きくなり、信号リードパッド２２（第２の中継パッド３２）との電気的な接続不良を低減することができる。
【０１５３】
（第５の実施形態）
次に、本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態について図面を参照して説明する。
【０１５４】
本実施形態は、前述の第４の実施形態に対し、各第１の接続パッドに、接続方向を変換する接続部材を設置したことが特徴である。本実施形態の説明では、ＩＣ基板４０の構成を中心に説明し、第１の実施形態〜第４の実施形態と重複する部分についての説明は省略する。
【０１５５】
図２２に示すように、本実施形態のＩＣ基板４０には、各ＩＣ４５から引き出された信号線の端部電極として、ＩＣ基板４０の表面（例えば、ＩＣ４５が搭載される面）及び／又は裏面に前述の接続部材４０３が設置された第１の接続パッド４０１が形成されると共に、ＩＣ基板４０の端面に第２の接続パッド４０２が形成されている。なお、当図では、ＩＣ基板４０の端部のみを示し、他の部分は省略してある。
【０１５６】
すなわち、本実施形態では、前述の第２の実施形態と同様に、ＩＣ基板４０の表面及び／又は裏面に接続面が形成された第１の接続パッド４０１に接続部材４０３が鑞付けされており、ＩＣ基板４０の端面に形成された第２の接続パッド４０２と共に、ＩＣ基板４０の接続面を超音波トランスデューサ１０の方向に対向させているのである。
【０１５７】
従って、超音波トランスデューサ１０と各ＩＣ基板４０との接続の際には、図２３に示すように、各ＩＣ基板４０の端面に形成された第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して接続固定される。
【０１５８】
このような構成をなすことにより、信号リードパッド２２（第２の中継パッド３２）に接続されるＩＣ基板４０側の接続端子としての、接続部材４０３及び第２の接続パッド４０２のそれぞれの接続面が超音波トランスデューサ１０側に対向しているので、１つのＩＣ基板４０が有する接続電極の数が増し、信号リードパッド２２（第２の中継パッド３２）の配列に応じてＩＣ基板４０の厚さを薄くできるので、結果として、超音波プローブの小型化を実現することができる。
【０１５９】
本実施形態では、図２４に示すように、各ＩＣ基板４０間に（一のＩＣ基板４０の裏面と他のＩＣ基板４０の表面とを連結するように）樹脂スペーサ４０４を充填（封止）してもよい。このとき、接続部材４０３の接続面は、ＩＣ基板４０の端面とほぼ面一となって超音波トランスデューサ１０の方向に露出するように樹脂スペーサ４０４が充填される。
【０１６０】
なお、本実施形態の望ましい態様として、図２５に示すように、樹脂スペーサ４０４を各ＩＣ基板４０間に予め充填しておいて、樹脂スペーサ４０４で各ＩＣ基板４０が並列に封止されたＩＣ基板ユニット４００とし、このＩＣ基板ユニット４００とバッキング材２０（中継基板３０）とを接続して、ＩＣ基板ユニット４００を構成する各ＩＣ基板４０に設けられた第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０（中継基板３０）の信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすことが、超音波プローブの組み立て効率の面でも好適である。
【０１６１】
このＩＣ基板ユニット４００を形成する際には、各ＩＣ基板４０上に形成された個々の第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、バッキング材２０の信号リードパッド２３又は中継基板３０の第２の中継パッドとの位置が合うように各ＩＣ基板４０の間隔を決定して封止固定される。
【０１６２】
なお、本実施形態では、超音波トランスデューサ１０側の電極（信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２）と、第１の接続パッド４０１（接続部材４０３）及び第２の接続パッド４０２との接続面が対向しているので、バッキング材２０又は中継基板３０に溝部を必ずしも形成する必要はない。
【０１６３】
仮に、本実施形態において、第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２とバッキング材２０（又は中継基板３０）に形成された信号リードパッド２３（第２の中継パッド３２）との導通をなすために、バッキング材２０（又は中継基板３０）に溝部１００を形成する場合には、その溝部１００は、各ＩＣ基板４０の、超音波トランスデューサ１０側の断面形状に応じた形状にすればよい。このように溝部１００をバッキング材２０又は中継基板３０に形成することにより、各溝部１００に各ＩＣ基板４０が嵌入するように固定されるので、バッキング材２０又は中継基板３０と各ＩＣ基板４０との電気的な接続が強固に行われる。
【０１６４】
このように、本実施形態では、ＩＣ基板４０の表面に形成される配線パターンと同様の工程で第１の接続パッド４０１を形成できるので、当該第１の接続パッド４０１の配列方向のピッチを小さくすることができ、ＩＣ基板４０の小型化を実現し、結果として超音波プローブの小型化をも実現することができる。
【０１６５】
また、本実施形態における第２の接続パッド４０２は、例えば、予めＩＣ基板４０内にスルーホールを形成しておき、ＩＣ基板４０と共に当該スルーホールを切断してそのスルーホールの切断面をＩＣ基板４０の端面に露出させることによって形成される。
【０１６６】
また、この他にも、ＩＣ基板４０を切断・研削することによって、ＩＣ基板４０の内部配線を端面に露出させ、その後メッキ又は蒸着・スパッタ等の薄膜形成方法によって第２の接続パッド４０２を形成することも可能である。なお、本実施形態では、端面に形成した第２の接続パッド４０２を２列としたが、それ以上の列での形成も可能である。
【０１６７】
また、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に第１の接続パッド４０１を形成すると共に、端面に第２の接続パッド４０２を形成することにより、ＩＣ基板４０の１枚あたりの接続パッド数を更に大きくすることが可能となるため、接続に必要なＩＣ基板４０の枚数を更に少なくすることが可能となり、超音波プローブの小型化が図れる。
【０１６８】
さらに、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続の際、バッキング材２０（中継基板３０）に溝部１００を複数形成し、それら溝部１００に各ＩＣ基板４０を嵌め込むようにしたので、超音波トランスデューサ１０とＩＣ基板４０との接続が強固に行える。
【０１６９】
加えて、複数のＩＣ基板４０の間隙を樹脂スペーサ４０４で樹脂封止したＩＣ基板ユニット４００を構成することによって、複数のＩＣ基板４０を、それらＩＣ基板４０に形成された第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２と、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２とを複数同時に電気接続することが可能となり、接続工程が簡略化される。
【０１７０】
本実施形態では、超音波トランスデューサ１０の底面側に形成された信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２に接続される第１の接続パッド４０１を、ＩＣ基板４０の表面及び裏面に設けたが、接続パッド４０１はＩＣ基板４０の表面又は裏面のどちらか一方に形成された態様でもよい。
【０１７１】
また、本実施形態においては、信号リードパッド２３又は第２の中継パッド３２と、第１の接続パッド４０１及び第２の接続パッド４０２との接続をハンダによる接続としたが、他の接続態様として、例えば導電性樹脂や異方導電フィルムなどによる接続を行ってもよい。
【０１７２】
さらに、本実施形態では、個々のＩＣ基板４０をＩＣ基板ユニット４００として固定した後に、バッキング材２０又は中継基板３０に対して接続しているが、それに限られることなく、ＩＣ基板４０を複数枚ずつ、複数のグループに分けて固定したＩＣ基板ユニット４００として、複数回数の接続を行うことも可能である。
【０１７３】
上述の各実施形態は、本発明の一例であり、本発明は各実施の形態に限定されることはない。また、この他であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサの構成を示す斜視図。
【図２】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ及び超音波トランスデューサに接続されるＩＣ基板の構成を示す斜視図。
【図３】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ、中継基板及びその中継基板に接続されるＩＣ基板の構成を示す斜視図。
【図４】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における中継基板の構成を示す斜視図。
【図５】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。
【図６】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。
【図７】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。
【図８】本発明に係る超音波プローブの第１の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。
【図９】本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。
【図１０】本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。
【図１１】本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板ユニットとの接続態様を示す斜視図。
【図１２】本発明に係る超音波プローブの第２の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。
【図１３】本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。
【図１４】本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。
【図１５】本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板ユニットとの接続態様を示す斜視図。
【図１６】本発明に係る超音波プローブの第３の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。
【図１７】本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。
【図１８】本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。
【図１９】本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。
【図２０】本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。
【図２１】本発明に係る超音波プローブの第４の実施形態におけるＩＣ基板の他の構成を示す斜視図。
【図２２】本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態におけるＩＣ基板の構成を示す斜視図。
【図２３】本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板との接続態様を示す斜視図。
【図２４】本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態における超音波トランスデューサ又は中継基板とＩＣ基板ユニットとの接続態様を示す斜視図。
【図２５】本発明に係る超音波プローブの第５の実施形態におけるＩＣ基板ユニットの構成を示す斜視図。
【図２６】従来における超音波トランスデューサの構成を示す斜視図。
【図２７】従来における超音波プローブの構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１７５】
１０  超音波トランスデューサ
１２  音響整合層
１４  アース電極
１６  超音波振動素子
１８  信号電極
２０  バッキング材
２２  信号リード
２３  信号リードパッド
３０  中継基板
３１  第１の中継パッド
３２  第２の中継パッド
４０  ＩＣ基板
４００  ＩＣ基板ユニット
４０１  第１の接続パッド
４０２  第２の接続パッド
４０３  接続部材
４０４  樹脂スペーサ
４０５  第３の接続パッド
４５  集積回路（ＩＣ）
５０  ケーブル接続基板
６２  コネクタ
１００  溝部
【図１】
2006122105.tif 000003
【図２】
2006122105.tif 000004
【図３】
2006122105.tif 000005
【図４】
2006122105.tif 000006
【図５】
2006122105.tif 000007
【図６】
2006122105.tif 000008
【図７】
2006122105.tif 000009
【図８】
2006122105.tif 000010
【図９】
2006122105.tif 000011
【図１０】
2006122105.tif 000012
【図１１】
2006122105.tif 000013
【図１２】
2006122105.tif 000014
【図１３】
2006122105.tif 000015
【図１４】
2006122105.tif 000016
【図１５】
2006122105.tif 000017
【図１６】
2006122105.tif 000018
【図１７】
2006122105.tif 000019
【図１８】
2006122105.tif 000020
【図１９】
2006122105.tif 000021
【図２０】
2006122105.tif 000022
【図２１】
2006122105.tif 000023
【図２２】
2006122105.tif 000024
【図２３】
2006122105.tif 000025
【図２４】
2006122105.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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