(57)【要約】      （修正有）【課題】ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法を提供する。【解決手段】補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）の一側面に接着手段を付着し、接着手段上にシード層５０３を形成し、シード層５０３上に回路パターン５０４を形成し、回路パターン５０４上に絶縁層５０５を積層し、補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）を除去し、シード層５０３を除去する。【選択図】図５ｆ
2006032947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強用基材の一側面に接着手段を付着する第１段階と、
前記接着手段上にシード層を形成し、前記シード層上に回路パターンを形成する第２段階と、
前記回路パターン上に絶縁層を積層し、前記補強用基材を除去する第３段階と、
前記シード層を除去する第４段階とを含んでなることを特徴とする高密度基板の製造方法。
【請求項２】
前記接着手段は、紫外線剥離接着剤であることを特徴とする請求項１記載の高密度基板の製造方法。
【請求項３】
前記第３段階は、
前記シード層上の回路パターン上に絶縁層を積層する第３−１段階と、
前記補強用基材の下側から紫外線を照射する第３−２段階と、
前記補強用基材を除去する第３−３段階とを含むことを特徴とする請求項２記載の高密度基板の製造方法。
【請求項４】
前記接着手段は、熱剥離接着剤であることを特徴とする請求項１記載の高密度基板の製造方法。
【請求項５】
前記第３段階は、
前記シード層上の回路パターン上に絶縁層を積層する第３−１段階と、
前記接着手段に熱を加える第３−２段階と、
前記補強用基材を除去する第３−３段階とを含むことを特徴とする請求項４記載の高密度基板の製造方法。
【請求項６】
前記接着手段は、テープ基材の両面に紫外線剥離接着層が形成された接着テープであることを特徴とする請求項１記載の高密度基板の製造方法。
【請求項７】
前記第３段階は、
前記シード層上の回路パターン上に絶縁層を積層する第３−１段階と、
前記補強用基材の下側から上方に紫外線を照射する第３−２段階と、
前記補強用基材を除去する第３−３段階とを含むことを特徴とする請求項６記載の高密度基板の製造方法。
【請求項８】
前記接着手段は、テープ基材の両面に熱剥離接着剤が形成された接着テープであることを特徴とする請求項１記載の高密度基板の製造方法。
【請求項９】
前記第３段階は、
前記シード層上の回路パターン上に絶縁層を積層する第３−１段階と、
前記熱剥離接着層に熱を加える第３−２段階と、
前記補強用基材を除去する第３−３段階とを含むことを特徴とする請求項８記載の高密度基板の製造方法。
【請求項１０】
前記シード層と前記回路パターンに使用される金属は同一金属であり、前記第４段階のシードの除去はソフトエッチングによりなされることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項記載の高密度基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高密度基板の製造方法に関する。さらに詳しくは、ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に、剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としてパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ソフトウェアがなければ、コンピュータは、ハードウェアという名前の通り、硬い金属箱に過ぎない。同様に、優れた性能を有する集積回路ないしはＩＣ（Integrated Circuit）と様々な電子部品をいくら多く集めておいても、それのみでは役に立たない。
【０００３】
これらを適切に配置して互いに電気的に連結し、電源などを供給して初めて設計の通りに動作する電子製品となる。このように、電子部品の取付けの基礎となるとともに部品を電気的に連結するものがＰＣＢ（Printed Circuit Board）である。
【０００４】
ＰＣＢという用語は、初期の製造工程でスクリーン印刷法で配線を形成したので、印刷という単語が含まれて作られた。
【０００５】
現在、片面ＰＣＢの製造工程においては、部分的に印刷用インクを使用するが、両面以上のＰＣＢにおいては、感光性フィルムなどで配線を形成するので、プリント基板という用語は適切でない。電子回路基板と呼ぶことがより好ましいであろう。韓国を含む東アジアではＰＣＢという用語を多く使用するが、欧米ではＰＷＢ（Printed Wiring Board）という用語を多く使用する。
【０００６】
ＰＣＢは、前述したように電子部品を電気的に連結する機能のほかに部品を機械的に固定させる役割もする。機械的強度を高めるため、ＰＣＢ原資材中には補強材としてガラス繊維が５０％程度含まれている。
【０００７】
製造過程中に、ＰＣＢは２００℃以上の高温に露出されるが、このときに原資材が曲がるか変形することない耐熱性が要求される。
【０００８】
近年の電子機器の高機能化および軽薄短小化の要求に応えて、電子部品の高密度集積化、および高密度実装化が進んでいるので、これらの電子機器に使用される半導体パッケージは小型化および多ピン化が進んでいる。
【０００９】
従来の回路基板はプリント配線板と呼ばれるもので、ガラス繊維の不織布にエポキシ樹脂を含浸させた積層板に、ガラスエポキシ板に付着可能な銅箔をパターニングした後、複数枚重ねて積層および接着し、ドリルで貫通孔を開け、この貫通孔の壁面に銅メッキを施してビア(via)を形成し、層間の電気的接続を行った配線基板の使用が主流であった。
【００１０】
しかし、搭載部品の小型化、高密度化が進むにしたがい、前記配線基板上の配線密度が小さいため、部品の搭載に問題が発生している。
【００１１】
このような背景のため、近年にはビルドアップ多層配線板が採用されている。ビルドアップ多層配線板は、樹脂のみで構成される絶縁層と導体を重ねて積むことにより成形される。
【００１２】
ビア形成方法は、従来のドリル加工の代わりに、レーザ法、プラズマ法、フォト法などの多様な方法により、小径のビアホールを自由に配置することで、高密度化を達成するものである。
【００１３】
層間接続部としては、ブラインドビア（Blind Via）、ベリードビア（Buried Via：ビアを導電体として充填した構造）などがあるが、ビア上にビアを形成するスタック型ビアが可能なベリードビアが特に注目を浴びている。
【００１４】
ベリードビアとしては、ビアホールをメッキで充填する方法と、導電性ペーストなどで充填する方法とに分けることができる。
【００１５】
一方、配線パターンを形成する方法としては、銅箔をエッチングする方法（Subtractive process；サブトラクティブ法）、電解銅メッキによる方法（Semi additive process；セミアディティブ法）、無電解銅メッキによる方法（Full additive process；フルアディティブ法）などがあるが、配線密度の高密度化に対応可能なセミアディティブ法が特に注目を浴び始めている。
【００１６】
銅箔をエッチングする方法（サブトラクティブ法）は、銅箔または銅メッキ上に感光性レジストを付着し、露光、現像、フォトリソグラフィ法でレジストパターンを形成した後、エッチングで不要な銅を除去し、最後に残った回路上のレジストを除去する。
【００１７】
図１ａ〜図１ｅは従来技術によるサブトラクティブ法による高密度基板の製造方法を示す工程図である。
【００１８】
図１ａに示すように、ベース基板として使用される補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）１０１を用意し、図１ｂに示すように、ベース基板として使用される補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）１０１上に無電解銅メッキを施して無電解銅メッキ層１０２を形成する。
【００１９】
そして、無電解銅メッキ層１０２上に電解銅メッキで電解銅メッキ層１０３を形成し、図１ｃに示すように、電解銅メッキ層１０３上に画像形成工程を行うことにより、感光材による腐食レジスト１０４のパターンを基板上に形成する。
【００２０】
ついで、図１ｄに示すように、腐食液を噴霧して、腐食レジストにより保護される領域を除いた残り領域の銅箔を除去し、図１ｅに示すように、役割を果たした腐食レジストを剥離し、最終に銅箔の配線パターンを形成する。
【００２１】
この方法を使用する場合の微細回路形成能力は銅厚さとレジストの解像度の影響を受ける。この際、銅をエッチングするメカニズムを用いるため、一般に、銅厚さに対し２．０ほどの縦横比（aspect ratio）を有し、銅厚さが１０μｍの場合、Ｌ／Ｓ＝２０／２０μｍが限界である。
【００２２】
図２ａ〜図２ｆは従来技術のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【００２３】
図２ａに示すように、従来技術のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法は、まずベース基板として使用される補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）２０１を用意する。
【００２４】
図２ｂに示すように、ベース基板上に無電解銅メッキを施して薄いシード層２０２を形成する。
【００２５】
図２ｃに示すように、無電解銅メッキにより形成された薄いシード層２０２上にドライフィルムを積層した後、露光および現像により配線パターンを形成する。
【００２６】
図２ｄに示すように、無電解銅メッキにより形成された薄いシード層２０２上に形成されたドライフィルムによる配線パターン上に電解銅メッキで電解銅メッキ層２０４を形成することにより、銅箔による配線パターンを形成する。
【００２７】
図２ｅおよび図２ｆに示すように、ドライフィルム２０３とシード層２０２を順次除去して回路パターンを形成する。
【００２８】
セミアディティブ法によると、無電解銅シード層をエッチングするとき、シード層の残渣、または回路幅の過エッチングが発生するため、現在の技術によっては、Ｌ／Ｓ＝１５／１５μｍが限界である。
【００２９】
図３ａ〜図３ｄは従来技術のフルアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【００３０】
図３ａに示すように、従来技術のフルアディティブ法による高密度基板の製造方法は、まずベース基板として使用される絶縁性樹脂３０１を用意する。
【００３１】
図３ｂに示すように、絶縁性樹脂３０１上に感光性レジスト３０２を付着し、露光および現像でレジストパターンを形成する。
【００３２】
図３ｃに示すように、感光性レジスト３０２により形成された配線パターン上に無電解銅メッキを施して無電解銅メッキ層３０３を形成する。
【００３３】
ついで、図３ｄに示すように、感光性レジスト３０２を除去して回路を形成する。
【００３４】
この方法を使用する場合の微細回路形成能力はレジストの解像度および無電解銅メッキの析出能力の影響を受けるが、現在技術によってはＬ／Ｓ＝１５／１５μｍが限界である。
【００３５】
一方、前述したサブトラクティブ方で回路を形成する場合、エッチング液による側面エッチング（side etching）が発生して、微細回路の形成に限界があるため、各ＰＣＢメーカーはセミアディティブ法を採用している。
【００３６】
セミアディティブ法の場合、微細ラインを形成するとき、レジストの密着力および銅回路の密着力は絶縁層材料、表面状態の影響を多く受けるため、レジストの性能を充分に発揮することができなく、微細回路を形成するのに限界がある。
【００３７】
また、無電解銅またはスパッタリング銅で形成されたシード層をエッチングするシードエッチング（seed etching）工程があり、これによる被害のため、微細化に限界がある。具体的には、シードエッチングを行うことにより、シード層とともに回路もエッチングされるため、パターンのメッキの際、メッキ厚さを厚く、ライン幅は太く補正する必要がある。
【００３８】
この補正分が微細化の限界として作用する。また、シードエッチングを行う場合、銅回路の下にエッチング液が染み込んで回路が浮き上がる不良が発生する。シードエッチングが不充分な場合は、シード層の残渣によりショート不良が発生する。このような問題は回路間隔が狭くなるほど著しく現れる。
【００３９】
特許文献１の場合は、実装する銅パッドの面積を広めることを目的とする点、片面ＣＣＬを材料として使用する点、サブトラクティブ法で回路を形成する点、樹脂をエッチングする点で、本発明とは全く異なり、サブトラクティブ法による回路形成であるため、高密度化に適しない。
【００４０】
特許文献２、特許文献３、特許文献４、特許文献５、特許文献６、特許文献７、特許文献８および特許文献９に開示された回路形成方法は、金属板または金属箔を電流印加部分とし、最後にエッチングで金属部を除去するものに対し、本発明は剥離層を剥離する点で異なる。
【００４１】
特許文献１０は、接着層上に銅箔を形成し、銅箔にサブトラクティブ法で回路を形成し、回路を絶縁基板上に転写させる方法であるが、銅箔によるサブトラクティブ法では微細化が不可能である欠点がある。
【００４２】
一方、セミアディティブ法による配線転写法は、自由な回路設計に対応であるので、一括積層工程による多層化にも対応することができるという利点で特に注目を浴び始めている。このようなセミアディティブ法による配線転写法は、導電性フレームの配線形成側表面に絶縁樹脂層を形成する工程を含むが、当該配線表面と当該絶縁樹脂層の密着を確保するため、加熱処理を行う。
【００４３】
この際、前記加熱処理の温度は２００℃以上の温度に至るものが多いため、この熱履歴により、導電性フレームとして用いた銅とバリア金属として用いた金が相互拡散を引き起こす。この拡散により合金層が形成されるが、導電性フレームの除去後、銅−金合金が露出されるので、たとえばフリップチップの金スタッドバンプとの接合不良、半田付けにおける半田接合剤の密着性の不良、接合部の信頼性、実装信頼性、および製品比率の低下が発生することがあった。
【００４４】
このような問題点を解決するため、特許文献１１は、プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板の製造方法を開示している。これに開示されたプリント配線板の製造方法および多層プリント配線板の製造方法は、金属拡散防止層を備えて高密度基板を製造する方法である。
【００４５】
しかし、前記特許文献１１に開示されたプリント配線板の製造方法および多層プリント配線板の製造方法は、導電性フレームをエッチングで除去するのにあまり長い時間がかかるという問題点があった。
【００４６】
すなわち、特許文献１１の配線板の製造方法および多層プリント配線板の製造方法において、導電線フレームであるニッケルボード（Ni board）を除去するためには、Ｈ2ＳＯ4による第１エッチングと、選択的な第２エッチングが必要であり、第１エッチングには１３２０秒の時間がかかり、第２エッチングには３６００秒の時間がかかり、総エッチング時間は４９２０秒で１時間３０分くらいとなるため、実際に使用し難い。
【００４７】
より詳細に説明すると、特許文献１１の配線板の製造方法および多層プリント配線板の製造方法において、導電線フレームとして使用されるニッケルボードはその厚さがおよそ２００μｍである。
【００４８】
ここで、第１エッチングの条件としては、Ｈ2ＮＯ3を２０％、Ｈ2Ｏ2を１．７５％含んだ溶液を使用し、温度は３０〜３７．６℃の範囲であり、スプレーの圧力は０．１ＭＰａであり、チャンバー長を１．３ｍとし、コンベヤー速度を０．６５ｍ／ｍｉｎとする。
【００４９】
すると、このような条件の第１エッチングによるエッチング率は７〜８μｍ／ｍｉｎであり、エッチングの反復回数は１１回であり、所要時間は１３２０秒である。
【００５０】
ついで、第２エッチングは、ニッケルボードのみに対して選択的エッチングが行えるように、その条件として、Ｈ2ＳＯ4を１０％、Ｈ2Ｏ2を１．７５％含んだ溶液を使用し、温度は２５．０〜２７．５℃の範囲であり、スプレーの圧力は０．１ＭＰａであり、チャンバー長を１．３ｍとし、コンベヤー速度を０．６５ｍ／ｍｉｎとする。
【００５１】
すると、このような条件の第１エッチングによるエッチング率は１．０〜２．０μｍ／ｍｉｎであり、エッチングの反復回数は３０回であり、所要時間は３６００秒である。
【００５２】
このように、第１エッチングと第２エッチング過程でエッチングを行うと、その時間はおよそ４９２０秒で１時間３０分くらいの時間がかかり、実質的にこのような技術を用いて製品を生産することは現実的に難しい。
【００５３】
【特許文献１】特開２００４−６３５７５号公報
【特許文献２】特開２００２−３３５０７９号公報
【特許文献３】特開２００３−５１６７６号公報
【特許文献４】特開２００３−１６８８６７号公報
【特許文献５】特開２００３−２１８５２４号公報
【特許文献６】特開２００３−２１８５３２号公報
【特許文献７】特開２００３−２３４５７７号公報
【特許文献８】特開２００３−２８９１８２号公報
【特許文献９】特開２００４−６６８７号公報
【特許文献１０】特開２００４−７１８２１号公報
【特許文献１１】特開２００４−４７８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００５４】
したがって、本発明は前記のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）上に剥離可能な接着層を塗布し、接着層上にメッキ、積層またはスパッタリング金属薄膜を形成し、形成された金属薄膜をシード層としパターンメッキで高密度回路を形成する高密度基板の製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００５５】
上記のような目的を達成するため、本発明は、補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）の一側面に接着手段を付着する第１段階と、前記接着手段上にシード層を形成し、前記シード層上に回路パターンを形成する第２段階と、前記回路パターン上に絶縁層を積層し、前記補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）を除去する第３段階と、前記シード層を除去する第４段階とを含んでなることを特徴とする、高密度基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００５６】
このような本発明によると、微細回路をフォトレジストで形成する場合、レジスト密着力は絶縁層材料および表面状態の影響を多く受けるが、基板表面を金属にすることにより、レジスト密着に最適な表面を形成することができるので、レジストの密着力を最大に得ることができる効果がある。
【００５７】
また、本発明によると、ベース基板の回路面を絶縁層でラミネーションした後にエッチングを行うことから、セミアディティブ法のようなフラッシュエッチングが不要であるので、前述したセミアディティブ法で微細回路を形成する場合に発生するシードエッチングによる問題がない効果がある。
【００５８】
また、本発明によると、セミアディティブ法で発生するフラッシュエッチングによる回路の過エッチング現像がないため、回路をより微細に形成することができ、ライン幅の制度が向上し、インピーダンス特性も安定化する効果がある。
【００５９】
また、本発明によると、セミアディティブ法のシードエッチングに比べ、金属薄膜のエッチングは裏面で実施するため、プロセスも容易であり、工程管理も便利である効果がある。
【００６０】
また、本発明によると、回路を絶縁樹脂層でラミネーションし、回路を絶縁層に内蔵する構造を採択するため、回路の凹凸がなく、工程上の損傷などによる不良が減少し、高収率の生産を期待し得る効果がある。
【００６１】
また、本発明によると、回路を絶縁層内に内蔵するため、回路と絶縁層の密着は回路の底面と側面の総３面でなされるので、密着強度を高めることができ、従来の工法では使用できなかった絶縁材料を使用することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６２】
以下、図４ａ〜図８ｇに基づいて本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００６３】
図４ａ〜図４ｇは本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【００６４】
図４ａに示すように、本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法は、まずベース基板として使用する補強用基材４０１を用意する。ここで、補強用基材４０１としては、リジッド基板またはキャリアフィルムを使用する。
【００６５】
そして、ベース基板として使用する補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）４０１上に、熱または紫外線により剥離可能な接着層４０２を塗布してベース基板を完成する。この際、補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）４０１の材料としてはどんな材料を使用してもよいが、紫外線照射により剥離可能な接着層４０２を使用する場合は、ガラスを使用することが好ましい。
【００６６】
図４ｂに示すように、ベース基板として使用される補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）４０１上に接着層４０２を塗布する。この際、接着層４０２の材料としては、紫外線が照射されたとき、接着力が著しく低下する材料（ここでは、これを紫外線剥離接着層という）を使用することができ、加熱されると接着力が著しく低下する材料（ここでは、これを熱剥離接着層という）を使用することもできる。ここで、紫外線剥離接着層４０２とは、持続的に紫外線を投射すると、時間の経過につれて接着力が低下する接着層をいう。そして、熱剥離接着層４０２とは、一定温度の熱が加わると、その温度により接着力が低下する接着層をいう。
【００６７】
ついで、図４ｃに示すように、接着層４０２上に、回路形成に使用する金属と異なる金属で無電解メッキまたは金属箔積層またはスパッタリングを行うことにより、回路形成のためのシード層４０３を形成する。
【００６８】
図４ｄに示すように、シード層４０３にパターンメッキで回路層４０４を形成する。このような回路層４０４は、メッキレジスト層（図示せず）、たとえば紫外線感光性のドライフィルムレジスタを積層し、あるいは液状レジストを塗布し乾燥し、露光マスクを介してパターンを感光させた後、現像させることにより形成することができる。
【００６９】
ついで、図４ｅに示すように、前記回路層４０４を絶縁樹脂層４０５内に内蔵するラミネーションを行い、図４ｆに示すように、接着層４０２を剥離し、図４ｇに示すように、シード層４０３をエッチングして回路面を露出させる。
【００７０】
この際、接着層４０２の剥離は、紫外線剥離接着層の場合、補強用基材４０１側から紫外線を照射して接着層４０２の接着力を低下させることにより、補強用基材４０１を剥離させる。この際、補強用基材４０１の材料としてガラスが使用され、紫外線を下側から上方に照射したとき、照射された紫外線が補強用基材４０１を通過して接着層４０２に照射され、接着層４０２の接着力が低下することにより、補強用基材４０１が除去される。すなわち、ガラスからなった補強用基材（リジッド基板またはキャリアフィルム）４０１の下側から上方に紫外線を照射すると、接着層４０２の接着力が時間の経過につれて低下し、これにより、一定時間後にベース基板が除去される。この際、接着層４０２の接着力は上面と下面が互いに異なることができる。上面の接着力が下面の接着力より小さい場合、同一時間の間に紫外線が照射されても、上面の接着力は、補強用基材４０１がシード層４０３から分離可能な臨界点に先に到達し、その結果、シード層４０３から分離される補強用基材４０１には接着層４０２が付着されている。一方、下面が上面より先に臨界点に到達するようにすると、補強用基材４０１のみが先にシード層４０３から分離され、その後、接着層４０２が除去される必要がある。
【００７１】
また、接着層４０２が熱剥離接着層の場合、接着層４０２に熱を加えると、一定温度に到達したとき、接着層４０２の接着力は、補強用基材４０１がシード層４０３から分離可能な臨界点に到達し、その結果、補強用基材４０１がシード層４０３から分離される。
【００７２】
もちろん、この場合にも、上面と下面が互いに異なることができる。上面の接着力が下面の接着力より小さい場合、一定温度で、上面の接着力は、補強用基材４０１がシード層４０３から分離可能な臨界点に到達し、その結果、シード層４０３から分離される補強用基材４０１には接着層４０２が付着されている。一方、下面が上面より先に臨界点に到達するようにすると、補強用基材４０１のみが先にシード層４０３から分離され、その後、接着層４０２が除去される。
【００７３】
そして、シード層４０３をエッチングするときに使用するエッチング液としては、前述したように、回路層４０４の金属がシード層４０３の金属と異なる場合は、回路層４０４はエッチングさせずに金属シード層４０３のみをエッチングさせる選択的エッチング液（たとえば、金属シード層としてニッケルを使用する場合は希硫酸）を使用する。
【００７４】
一例として、金属シード層４０３がニッケル層で、その厚さが１２μｍの場合は、エッチング液としてＨ2ＳＯ4とＨ2Ｏ2を含む液を使用し、エッチング温度を２５℃に維持し、スプレー圧力を０．１ＭＰａとして、チャンバー長を１．３ｍとし、エッチング率を１．０μｍ／ｍｉｎとし、５回繰り返すと、３９０秒ぶりにニッケル層を除去することができる。
【００７５】
この結果から、従来技術は３６００秒もかかるが、本発明は３９０秒ばかりかかるので、短時間にエッチングが行えることが分かる。
【００７６】
一方、前述した実施形態による高密度基板の製造方法のベース基板の役目をし得る材料であればどんな材料を使用してもよい。
【００７７】
前記実施形態においては、ベース基板のいずれか一方の側面に接着層を形成し、接着層上に、回路形成に使用する金属と異なる金属で、無電解メッキまたは金属箔積層またはスパッタリングを行うことにより、回路形成に使用されるシード層を形成したが、図５ａ〜図５ｇに示すように、ベース基板５０１のいずれか一方の側面に接着層５０２を形成し、接着層５０２上に、回路形成のシード層５０３として、回路形成に使用する金属と同一金属で、無電解メッキまたは金属箔積層またはスパッタリングを行うことにより、回路形成に使用されるシード層５０３を形成することができる。
【００７８】
このように回路形成に使用される金属と同一の材料を使用する場合の工程はつぎのようである。
【００７９】
図５ａに示すように、本発明のほかの実施形態による、接着層の付いているベース基板を使用した高密度基板は、まずベース基板として使用する補強用基材５０１を用意する。ここで、補強用基材５０１としては、リジッド基板またはキャリアフィルムを使用する。
【００８０】
そして、ベース基板として使用する補強用基材５０１上に、熱または紫外線により剥離可能な接着層５０２を塗布してベース基板を完成する。この際、補強用基材５０１の材料としてはどんな材料を使用してもよいが、紫外線照射により剥離可能な接着層５０２を使用する場合は、ガラスを使用することが好ましい。
【００８１】
図５ｂに示すように、ベース基板として使用される補強用基材５０１上に接着層５０２を塗布する。この際、接着層５０２の材料としては、紫外線剥離接着層または熱剥離接着層を使用することができる。
【００８２】
ついで、図５ｃに示すように、接着層５０２上に、回路形成に使用する金属と同一金属で無電解メッキまたは金属箔積層またはスパッタリングを行うことにより、回路形成のためのシード層５０３を形成する。
【００８３】
図５ｄに示すように、シード層５０３にパターンメッキで回路層５０４を形成する。このような回路層５０４は、メッキレジスト層（図示せず）、たとえば紫外線感光性のドライフィルムレジスタを積層し、あるいは液状レジストを塗布し乾燥し、露光マスクを介してパターンを感光させた後、現像させることにより形成することができる。
【００８４】
ついで、図５ｅに示すように、前記回路層５０４を絶縁樹脂層５０５内に内蔵するラミネーションを行い、図５ｆに示すように、接着層５０２を剥離し、図４ｇに示すように、シード層５０３をフラッシュエッチング（Flash Etching）して回路面を露出させる。
【００８５】
前述した実施形態においては、接着層の材料として単一層を使用したが、接着テープを使用することもでき、図６ａ〜図６ｇおよび図７ａ〜図７ｇは接着テープを使用した例を示す。
【００８６】
図６ａ〜図６ｇは本発明のさらにほかの実施形態による高密度基板の製造方法を示す工程図で、接着テープを使用した例を示す。
【００８７】
図６ａに示すように、本発明のさらにほかの実施形態による高密度基板の製造方法は、まずテープ基材６０１の両面に紫外線剥離接着層６０２ａ、６０２ｂを形成したテープを用意する。
【００８８】
図６ｂに示すように、ガラスベース基板６０３上に、前記紫外線剥離接着層６０２ａ、６０２ｂが両面に形成された前記テープ基材６０１を付着する。
【００８９】
ついで、図６ｃに示すように、回路形成に使用する金属が銅の場合、金属シード層６０４として、銅とは異なる金属（たとえば、ニッケル）で無電解メッキ、金属箔積層またはスパッタリングを行ったものを接着層６０２ａ上に形成する。
【００９０】
その後、図６ｄに示すように、シード層６０４にパターンメッキで回路層６０５を形成する。この回路層６０５は、メッキレジスト層（図示せず）を例として挙げると、紫外線感光性のドライフィルムレジスタを積層し、あるいは液状レジストを塗布し乾燥し、露光マスクを介してパターン感光させた後、現像させることにより形成することができる。
【００９１】
ついで、図６ｅに示すように、このように形成された回路層６０５を絶縁樹脂層６０６内に内蔵するラミネーションを行い、図６ｆに示すように、テープ基材６０１の両面に接着層６０２ａ、６０２ｂが付着された接着テープを除去する。この際、ベース基板６０３側から紫外線を照射して接着層６０２ａを剥離すると、銅シード層６０４、接着テープおよびガラスベース基板６０３に分離される。こうして、ベース基板６０３を再使用することができ、生産コストを抑制することができる。
【００９２】
最後に、図６ｇに示すように、基板部のシード層６０４をエッチングして回路面を露出させる。
【００９３】
図６ａ〜図６ｇにおいては、紫外線剥離接着層を使用した場合について例示しているが、熱剥離接着層を使用する場合にも同様に適用される。
【００９４】
また、図６ａ〜図６ｇは、シード層と回路層が相違なる金属である場合を例示しているが、同一金属の場合の場合は図７ａ〜図７ｇに示すようである。
【００９５】
図７ａ〜図７ｇは本発明のさらにほかの実施形態による高密度基板の製造方法を示す工程図である。
【００９６】
図７ａに示すように、本発明のさらにほかの実施形態による高密度基板の製造方法は、まずテープ基材７０１の両面に紫外線剥離接着層７０２ａ、７０２ｂを形成したテープを用意する。
【００９７】
図７ｂに示すように、ガラスベース基板７０３上に、前記紫外線剥離接着層７０２ａ、７０２ｂが両面に形成された前記テープ基材７０１を付着する。
【００９８】
ついで、図７ｃに示すように、回路形成に使用する金属が銅の場合、金属シード層７０４として、銅と同一金属で無電解メッキ、金属箔積層またはスパッタリングを行ったものを接着層７０２ａ上に形成する。
【００９９】
その後、図７ｄに示すように、シード層７０４にパターンメッキで回路層７０５を形成する。この回路層７０５は、メッキレジスト層（図示せず）を例として挙げると、紫外線感光性のドライフィルムレジスタを積層し、あるいは液状レジストを塗布し乾燥し、露光マスクを介してパターン感光させた後、現像させることにより形成することができる。
【０１００】
ついで、図７ｅに示すように、このように形成された回路層７０５を絶縁樹脂層７０６内に内蔵するラミネーションを行い、図７ｆに示すように、テープ基材７０１の両面に接着層７０２ａ、７０２ｂが付着された接着テープを除去する。この際、ベース基板７０３側から紫外線を照射して接着層７０２ａを剥離すると、銅シード層７０４、接着テープおよびガラスベース基板７０３に分離される。こうして、ベース基板７０３を再使用することができ、生産コストを抑制することができる。
【０１０１】
最後に、図７ｇに示すように、基板部のシード層７０４をフラッシュエッチングして回路面を露出させる。
【０１０２】
図７ａ〜図７ｇにおいては、紫外線剥離接着層を使用した場合について例示しているが、熱剥離接着層を使用する場合にも同様に適用される。
【０１０３】
本発明によると、多面基板、両面基板、多層基板、ビルドアップ基板、フレキシブル基板、マルチ−フレキシブル基板、リジッド−フレキシブル基板など、全てのプリント基板の微細回路形成が可能になる。
【０１０４】
以上、説明したものは本発明による高密度基板の製造方法を実施するための一実施形態に過ぎないもので、本発明は前記実施形態に限定されなく、特許請求の範囲で請求するような本発明の要旨から逸脱せずに、当該発明が属する分野で通常の知識を有する者であれば誰でも多様な変形実施が可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１ａ】従来のサブトラクティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図１ｂ】従来のサブトラクティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図１ｃ】従来のサブトラクティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図１ｄ】従来のサブトラクティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図１ｅ】従来のサブトラクティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図２ａ】従来のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図２ｂ】従来のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図２ｃ】従来のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図２ｄ】従来のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図２ｅ】従来のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図２ｆ】従来のセミアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図３ａ】従来のフルアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図３ｂ】従来のフルアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図３ｃ】従来のフルアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図３ｄ】従来のフルアディティブ法による高密度基板の製造方法の工程図である。
【図４ａ】本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図４ｂ】本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図４ｃ】本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図４ｄ】本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図４ｅ】本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図４ｆ】本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図４ｇ】本発明の一実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図５ａ】本発明のほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図５ｂ】本発明のほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図５ｃ】本発明のほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図５ｄ】本発明のほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図５ｅ】本発明のほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図５ｆ】本発明のほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図５ｇ】本発明のほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図６ａ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図６ｂ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図６ｃ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図６ｄ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図６ｅ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図６ｆ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図６ｇ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図７ａ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図７ｂ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図７ｃ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図７ｄ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図７ｅ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図７ｆ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【図７ｇ】本発明のさらにほかの実施形態による、接着層が付いているベース基板を使用した高密度基板の製造方法の工程図である。
【符号の説明】
【０１０６】
４０１、５０１、６０３、７０３    補強用基材
４０２、５０２    接着剤
４０３、５０３、６０４、７０４    シード層
４０４、５０４、６０５、７０５    パターンメッキ層
４０５、５０５、６０６、７０６    絶縁層
６０１、７０１    テープ基材
６０２ａ、６０２ｂ、７０２ａ、７０２ｂ    接着剤
【図１ａ】
2006032947.tif 000003
【図１ｂ】
2006032947.tif 000004
【図１ｃ】
2006032947.tif 000005
【図１ｄ】
2006032947.tif 000006
【図１ｅ】
2006032947.tif 000007
【図２ａ】
2006032947.tif 000008
【図２ｂ】
2006032947.tif 000009
【図２ｃ】
2006032947.tif 000010
【図２ｄ】
2006032947.tif 000011
【図２ｅ】
2006032947.tif 000012
【図２ｆ】
2006032947.tif 000013
【図３ａ】
2006032947.tif 000014
【図３ｂ】
2006032947.tif 000015
【図３ｃ】
2006032947.tif 000016
【図３ｄ】
2006032947.tif 000017
【図４ａ】
2006032947.tif 000018
【図４ｂ】
2006032947.tif 000019
【図４ｃ】
2006032947.tif 000020
【図４ｄ】
2006032947.tif 000021
【図４ｅ】
2006032947.tif 000022
【図４ｆ】
2006032947.tif 000023
【図４ｇ】
2006032947.tif 000024
【図５ａ】
2006032947.tif 000025
【図５ｂ】
2006032947.tif 000026
【図５ｃ】
2006032947.tif 000027
【図５ｄ】
2006032947.tif 000028
【図５ｅ】
2006032947.tif 000029
【図５ｆ】
2006032947.tif 000030
【図５ｇ】
2006032947.tif 000031
【図６ａ】
2006032947.tif 000032
【図６ｂ】
2006032947.tif 000033
【図６ｃ】
2006032947.tif 000034
【図６ｄ】
2006032947.tif 000035
【図６ｅ】
2006032947.tif 000036
【図６ｆ】
2006032947.tif 000037
【図６ｇ】
2006032947.tif 000038
【図７ａ】
2006032947.tif 000039
【図７ｂ】
2006032947.tif 000040
【図７ｃ】
2006032947.tif 000041
【図７ｄ】
2006032947.tif 000042
【図７ｅ】
2006032947.tif 000043
【図７ｆ】
2006032947.tif 000044
【図７ｇ】
2006032947.tif 000045