(57)【要約】【課題】  表面に形成されるエピタキシャル膜の特性を均一で良好にできるウェハの製造方法を提供することこと。【解決手段】  表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するためのウェハ１０を製造するウェハの製造方法であって、表面１５Ａ及び裏面１５Ｂが平坦面に形成されたウェハ１５を準備する準備工程と、この準備工程にて準備されたウェハの表面に中央領域が突出する中央凸部１９を形成し、裏面に周辺領域が突出する周辺凸部２０を形成する凸部形成工程と、この凸部形成工程を経たウェハ１８の表面１８Ａ及び裏面１８Ｂに押圧力Fを作用して当該ウェハに歪を生じさせ、この状態で表面及び裏面を平面研削する研削工程とを有し、表面１１Ａ側に凸の湾曲形状を有し、当該表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するための加熱処理時には平坦に変形するウェハ１０を製造するものである。【選択図】            図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜が形成される表面を備えたウェハにおいて、
上記表面に上記膜を形成するための加熱処理時に反る形状と反対の上記表面側が、凸の湾曲形状に形成されていることを特徴とするウェハ。
【請求項２】
上記表面に形成される膜が、エピタキシャル成長により形成される膜であることを特徴とする請求項１に記載のウェハ。
【請求項３】
表面に膜を形成するためのウェハを製造するウェハの製造方法であって、
上記表面及び裏面が平坦面に形成されたウェハを準備する準備工程と、
この準備工程にて準備されたウェハの上記表面に中央領域が突出する中央凸部を形成し、上記裏面に周辺領域が突出する周辺凸部を形成する凸部形成工程と、
この凸部形成工程を経たウェハの上記表面及び上記裏面に圧力を作用して当該ウェハに歪を生じさせ、この状態で上記表面及び上記裏面を平面研削する研削工程とを有し、
上記表面側に凸の湾曲形状を有するウェハを製造することを特徴とするウェハの製造方法。
【請求項４】
上記研削工程の後に、ウェハの表面及び裏面の研削痕を除去する除去工程を実施することを特徴とする請求項３に記載のウェハの製造方法。
【請求項５】
上記表面の中央凸部の突出量と裏面の周辺凸部の突出量との和が、形成するウェハの湾曲形状の反り量にほぼ等しく設定されることを特徴とする請求項３または４に記載のウェハの製造方法。
【請求項６】
上記表面の中央凸部の外径が、裏面の周辺凸部の内径よりも小さいかまたは等しく設定されることを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載のウェハの製造方法。
【請求項７】
上記中央凸部及び周辺凸部をエッチング処理にて形成することを特徴とする請求項３乃至６のいずれかに記載のウェハの製造方法。
【請求項８】
請求項１または２に記載のウェハの表面に、膜が形成されて構成されたことを特徴とする半導体基板。
【請求項９】
上記膜が、エピタキシャル成長により形成された膜であることを特徴とする請求項８に記載の半導体基板。
【請求項１０】
請求項３乃至７のいずれかに記載のウェハの製造方法によって得られたウェハの表面に膜を形成して、半導体基板を製造することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
上記ウェハの表面に形成する膜が、エピタキシャル成長により形成される膜であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に膜を形成して半導体基板を製造するためのウェハ及びその製造方法、並びに半導体基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤを(発光ダイオード)始めとする半導体素子は半導体基板を加工して製造され、当該半導体基板は、ウェハの表面に膜を形成して製造される。例えば、ＧａＡｓウェハの表面に窒化ガリウムをエピタキシャル成長させてエピタキシャル膜を形成して半導体基板を製造し、当該半導体基板を加工してＬＤ(レーザーダイオード)やＬＥＤなどの発光素子を始めとする、多様な半導体素子が製造される（特許文献１）。
【０００３】
上記エピタキシャル成長を実施する場合、まず、ウェハの表面及び裏面を研削し、これらの表面及び裏面の研削痕を除去して、平坦形状で表面が鏡面加工されたウェハを準備する。次に、このウェハ１（図６の破線表示）を加熱装置のサセプター２に載置し、当該加熱装置のコイル３を用いてウェハ１を裏面１Ｂ側から加熱し、ウェハ１を所定温度にした状態で、このウェハ１の表面１Ａにエピタキシャル膜を形成する。
【特許文献１】特開２００４‐３５６６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、上述の加熱処理時には、ウェハ１は、裏面１Ｂ側が先に加熱されるため、裏面１Bの熱膨張が表面１Aより大きいため、図６の実線に示すように、表面１Ａ側に凹の湾曲形状に反ってしまう。このため、ウェハ１の表面１Ａの温度が周辺部において低くなって不均一となり、エピタキシャル成長にばらつきが生じて、表面１Ａに形成されるエピタキシャル膜の特性が不均一になってしまう。
【０００５】
例えば、ウェハ１の表面１ＡにＭＯＣＶＤ技術を用いてエピタキシャル成長を実施し、ＬＤ構造のエピタキシャル膜を形成して半導体基板を製造した場合、この半導体基板の表面における外周に曇りが発生してエピタキシャル膜の特性が低下し、また、レーザー発振波長も半導体基板の表面において同心円形状の分布を示し、面内において不均一となってしまう。
【０００６】
本発明の目的は、上述の事情を考慮してなされたものであり、表面に形成される膜の特性を均一で良好にできるウェハ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、ウェハの表面に形成された膜の特性が均一で良好な半導体基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の課題を解決するための第１の構成は、膜が形成される表面を備えたウェハにおいて、上記表面に上記膜を形成するための加熱処理時に反る形状と反対の上記表面側が、凸の湾曲形状に形成されていることを特徴とするウェハである。
【０００８】
第２の構成は、第１の構成に記載のウェハであって、上記表面に形成される膜が、エピタキシャル成長により形成される膜であることを特徴とするウェハである。
【０００９】
第３の構成は、表面に膜を形成するためのウェハを製造するウェハの製造方法であって、上記表面及び裏面が平坦面に形成されたウェハを準備する準備工程と、この準備工程にて準備されたウェハの上記表面に中央領域が突出する中央凸部を形成し、上記裏面に周辺領域が突出する周辺凸部を形成する凸部形成工程と、この凸部形成工程を経たウェハの上記表面及び上記裏面に圧力を作用して当該ウェハに歪を生じさせ、この状態で上記表面及び上記裏面を平面研削する研削工程とを有し、上記表面側に凸の湾曲形状を有するウェハを製造することを特徴とするウェハの製造方法である。
【００１０】
第４の構成は、第３の構成に記載のウェハの製造方法であって、上記研削工程の後に、ウェハの表面及び裏面の研削痕を除去する除去工程を実施することを特徴とするウェハの製造方法である。
【００１１】
第５の構成は、第３または第４の構成に記載のウェハの製造方法であって、上記表面の中央凸部の突出量と裏面の周辺凸部の突出量との和が、形成するウェハの湾曲形状の反り量にほぼ等しく設定されることを特徴とするウェハの製造方法である。
【００１２】
第６の構成は、第３乃至第５の構成のいずれかに記載のウェハの製造方法であって、上記表面の中央凸部の外径が、裏面の周辺凸部の内径よりも小さいかまたは等しく設定されることを特徴とするウェハの製造方法である。
【００１３】
第７の構成は、第３乃至第６の構成のいずれかに記載のウェハの製造方法であって、上記中央凸部及び周辺凸部をエッチング処理にて形成することを特徴とするウェハの製造方法である。
【００１４】
第８の構成は、第１または第２の構成に記載のウェハの表面に、膜が形成されて構成されたことを特徴とする半導体基板である。
【００１５】
第９の構成は、第８の構成に記載の半導体基板であって、上記膜がエピタキシャル成長により形成された膜であることを特徴とする半導体基板である。
【００１６】
第１０の構成は、第３乃至第７の構成のいずれかに記載のウェハの製造方法によって得られたウェハの表面に膜を形成して、半導体基板を製造することを特徴とする半導体基板の製造方法である。
【００１７】
第１１の構成は、第１０の構成に記載の半導体基板の製造方法であって、上記ウェハの表面に形成する膜が、エピタキシャル成長により形成される膜であることを特徴とする半導体基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１８】
第１または第２の構成に記載の発明によれば、表面に膜を形成するための加熱処理時に反る形状と反対の、上記表面側に凸の湾曲形状にウェハが構成されたことから、このウェハの表面に膜を形成するための加熱処理時に当該ウェハを平坦化できる。この結果、上記加熱処理時にウェハの表面が均一な温度になるので、この表面に形成される膜の特性を当該表面において均一で良好にできる。
【００１９】
第３乃至第７の構成のいずれかに記載の発明によれば、ウェハの表面に中央凸部を、裏面に周辺凸部をそれぞれ形成し、このウェハに表面及び裏面から圧力を作用して歪を生じさせた状態で、表面及び裏面を平面研削することから、表面側に凸の湾曲形状のウェハを良好に製造することができる。
【００２０】
第８または第９の構成に記載の発明によれば、膜を形成するための加熱処理時にウェハが平坦になり、このウェハの表面の温度が均一になるので、この表面に形成される膜の特性が均一となり、全面に亘り均一な品質の半導体基板を製造することができる。
【００２１】
第１０または第１１の構成に記載の発明によれば、膜を形成するための加熱処理時にウェハが平坦になるので、このウェハの表面の温度が均一になって、この表面に形成される膜の特性を均一で良好にでき、この結果、全面に亘り品質が均一な半導体基板を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づき説明する。
図１は、本発明に係るウェハの一実施の形態を示す側面図である。図２は、図１のウェハを示し、（Ａ）が表面図、（Ｂ）が裏面図である。尚、図２（Ａ）（Ｂ）に記載された線はウェハの湾曲構造を示す等高線である。
【００２３】
図示しない半導体基板を製造するためのウェハ１０は、図１及び図２に示すように、表面１１Ａが鏡面加工され、裏面１１Ｂが粗面に加工されている。このウェハ１０の表面１１Ａに膜が形成され、例えばエピタキシャル成長によるエピタキシャル膜が形成されて、半導体基板が製造される。
【００２４】
更に、上記ウェハ１０は、表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するために加熱処理されるが、この加熱処理時に反る形状と反対の形状、つまり、表面１１Ａ側に凸の湾曲形状で、図２にも示すように、表面１１Ａが凸曲面に、裏面１１Ｂが凹曲面にそれぞれ形成されて構成される。このウェハ１０の反り量Ｈは、平坦なウェハが上記加熱処理されたときに反る反り量Ｈ０（図６）に対応して設定され、例えば、この反り量Ｈ０とほぼ等しく設定されて、上記加熱処理時にウェハ１０が平坦になるように構成される。ここで、ウェハ１０の反り量Ｈは、凸曲面形状の表面１１Ａの頂点Ｐと、凹曲面形状の裏面１１Ｂにおける底面Ｎとの距離である。この反り量Ｈは、例えば５〜２０μｍの値に設定される。当該反り量Ｈは、後述する成膜工程において、ウェハの加熱により生じるウェハのそりをキャンセルできる量を適宜選択すれば良い。
【００２５】
従って、このウェハ１０の表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成すべく、当該ウェハ１０を図３に示す加熱装置１２のサセプター１３に載置し、コイル１４により上記ウェハ１０を裏面１１Ｂ側から加熱したとき、このウェハ１０は、図３の破線に示す湾曲形状から実線に示す平坦形状に変形し、ウェハ１０の表面１１Ａにおける全面が均一な温度に加熱される。このため、上記加熱状態下において、例えば、ＭＯＣＶＤ技術を用いてウェハ１０の表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成して、ＬＤ構造をもつ半導体基板を製造したとき、このエピタキシャル膜の特性は、表面１１Ａの全面に亘り均一となる。即ち、半導体基板におけるエピタキシャル膜の外周に曇りが発生せず、且つレーザー発振波長も半導体基板の全面に亘り均一で良好なものとなる。
【００２６】
次に、ウェハ１０を上述の如く表面１１Ａ側に凸の湾曲形状に構成する製造手順を、図４を用いて説明する。この製造手順は、図４（Ａ）に示す準備工程と、図４（Ｂ）〜（Ｄ）に示す凸部形成工程と、図４（Ｅ）に示す研削工程と、図４（Ｆ）及び（Ｇ）に示す除去工程とを有してなる。表面１１Ａ側に凸の湾曲形状を有するウェハは、この後、ポリッシュ（または研磨）工程を経て、成膜工程において所定の膜が形成される。
【００２７】
まず、準備工程では、図４（Ａ）に示すように、インゴットからスライスされた厚肉のウェハ原板において、表面１５Ａ及び裏面１５Ｂを平坦面に形成してウェハ１５を準備する。
【００２８】
次に、凸部形成工程では、まず、図４（Ｂ）及び図５に示すように、ウェハ１５における表面１５Ａの中央領域に円形状のレジスト膜１６を施し、裏面１５Ｂの周辺領域にリング形状のレジスト膜１７を施す。ここで、ウェハ１５が２インチ以上であれば本発明を適用可能であるが、例えば、ウェハ１５が３インチウェハの場合は、外径Ｄ０がＤ０＝７６ｍｍとなるので、上記レジスト膜１６の外径ｄ１を、例えば４０ｍｍ、上記レジスト膜１７の内径ｄ２を、例えば５０ｍｍにそれぞれ設定する。そして、このレジスト膜１６及び１７をマスクにしてウェハ１５をエッチング処理し（図４（Ｃ））、その後、上記レジスト膜１６及び１７を除去して、表面１８Ａに中央凸部１９が形成され、裏面１８Ｂに周辺凸部２０が形成されたウェハ１８を形成する（図４（Ｄ））。尚、上記マスクは、レジスト膜に限られるものではなく、マスキングテープを用いることもできる。
【００２９】
上記ウェハ１８において、中央凸部１９は円形状であり、その外径Ｄ１は前記レジスト膜１６の外径ｄ１と同一径である。また、周辺凸部２０はリング形状であり、その内径Ｄ２は、前記レジスト膜１７の内径ｄ２と同一径である。このとき、中央凸部１９の外径Ｄ１は、周辺凸部２０の内径Ｄ２によりも小さいかまたは等しく設定される。これは、後述の研削工程でウェハ１８に表面１８Ａ及び裏面１８Ｂから押圧力Ｆが作用した際に、このウェハ１８を変形させ易くするためである。
【００３０】
更に、中央凸部１９の突出量Ｈ１と周辺凸部２０の突出量Ｈ２との和は、形成されるウェハ１０の表面１１Ａ側に凸の湾曲形状の反り量Ｈ（図１）とほぼ等しく設定される。従って、上記突出量Ｈ１とＨ２との和は５〜２０μｍに設定される。このように、ウェハ１８の表面１８Ａ、裏面１８Ｂは、中央凸部１９、周辺凸部２０がそれぞれ形成されて共に段差形状に構成される。
【００３１】
次に、研削工程では、凸部形成工程を経て中央凸部１９及び周辺凸部２０が形成されたウェハ１８を研削装置の上下定盤間で挟持し、これらの定盤によりウェハ１８の表面１８Ａ及び裏面１８Ｂに、互いに接近する方向の押圧力Ｆを作用する。ウェハ１８は、表面１８Ａ及び裏面１８Ｂが段差形状に構成されているため、上記押圧力Ｆの作用によって変形し歪が生ずる。この研削工程では、このようにウェハ１８に歪を生じさせた状態で、注入される研削液により表面１８Ａ及び裏面１８Ｂが平面になるように、当該ウェハ１８を平面研削する。この研削工程により、ウェハ１８の表面１８Ａ及び裏面１８Ｂが合計で４０μｍ以上研削されて、薄肉で平坦形状のウェハ２１が形成され、表面２１Ａ、裏面２１Ｂがそれぞれ粗面加工される。これは、片面で２０μｍ研削すれば、上述した準備工程におけるスライスで生じた厚さムラと、スライスダメージ層とを除去できるからである、
【００３２】
但し、この研削量は、形成すべきウェハ１０の種類に応じて適宜変更して設定される。また、研削工程における表面１８Ａ、裏面１８Ｂの研削は、研削装置により表面１８Ａ、裏面１８Ｂを同時に研削する。尚、図４(Ｅ)中の一点鎖線は、ウェハ１８が平面研削されるときの研削面の一例を示す。
【００３３】
上記研削工程の後に除去工程を実施して、ウェハ２１の表面２１Ａ及び裏面２１Ｂの研削痕を、例えばエッチング処理によって除去する。この除去工程の実施により、平坦形状の上記ウェハ２１は、研削工程での歪が解消されて、表面１１Ａ側に凸の湾曲形状に変形されてウェハ１０になる。
【００３４】
除去工程が完了したウェハ１０は、ポリッシュ（または研磨）工程にて、表面１１Ａ側をメカノケミカル研磨等により鏡面研磨した後、有機溶剤、アルカリ系水溶液、純水、等で洗浄し、更にエッチング液で極微量のエッチング等を行った後、純水でリンスして仕上げる。当該仕上げ工程では、上述の湾曲構造はそのまま維持される。
【００３５】
仕上げられたウェハ１０は、成膜工程において、加熱装置に搬入されて加熱され、ウェハ１０の表面１１Ａに、所定の物質のエピタキシャル成長が実施されて膜（エピタキシャル膜）は形成され、半導体基板となる。
【００３６】
以上のように構成されたことから、上記実施の形態によれば、次の効果（１）及び（２）を奏する。
（１）ウェハ１０が、表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するための加熱処理時に反る形状と反対の、上記表面１１Ａ側に凸の湾曲形状に構成されたことから、このウェハ１０の表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するための加熱処理時に当該ウェハ１０を平坦化できる。この結果、上記加熱処理時に平坦形状のウェハ１０の表面が均一な温度となるので、この表面１１Ａに形成されるエピタキシャル膜の特性を、当該表面１１Ａにおいて均一で良好にできる。従って、表面の全面に亘りに均一な品質の半導体基板を製造することができる。
【００３７】
（２）ウェハ１８の表面１８Ａに中央凸部１９を、裏面１８Ｂに周辺凸部２０をそれぞれ形成し、このウェハ１８に表面１８Ａ及び裏面１８Ｂから押圧力Ｆを作用して歪を生じさせた状態で、これらの表面１８Ａ及び裏面１８Ｂを平面研削してウェハ２１を形成し、このウェハ２１の表面２１Ａ及び裏面２１Ｂの研削痕を除去してウェハ１０を製造することから、表面１１Ａ側に凸の湾曲形状のウェハ１０を良好に製造することができる。
【００３８】
以上、本発明を上記実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、本実施の形態では、ウェハ１０の表面１１Ａにエピタキシャル膜を形成するものを述べたが、他の膜を形成する場合であっても、本発明を適用できる。
【実施例】
【００３９】
（実施例１）
（準備工程）
外径約８０ｍｍのＧａＡｓインゴットから、ワイヤーソーを用いてスライス板とし、当該スライス板を炭化水素系の有機溶剤で洗浄して、厚さ約０．６ｍｍの粗ＧａＡｓウェハを得た。当該粗ＧａＡｓウェハの表（おもて）面の中心に径４０ｍｍ、裏面の径５０ｍｍの外側にそれぞれレジスト膜を設けた。尚、レジスト膜には東京応化(株)製のフォトレジストを用い、ホットプレート上での１分間加熱により硬化させた。
【００４０】
（凸部形成工程）
当該レジスト膜が設けられた粗ＧａＡｓウェハを、エッチング液中に浸積し表裏両面のエッチングを行った。エッチング液として、２５℃のアンモニア＋過酸化水素＋純水（１：２：４）を用い約１分間のエッチングにより、表裏両面を合わせて８μｍのエッチングを行った。エッチング完了後、アセトンを満たした超音波洗浄槽内で５分間の洗浄を行い、表面に突出量４μｍの中央凸部を、裏面に突出量４μｍの周辺凸部を有するＧａＡｓウェハを得た。
【００４１】
（研削工程）
当該中央凸部と周辺凸部とを有するＧａＡｓウェハへ、外周端面研削機によるベベル研削を行い、外周７６．０ｍｍのＧａＡｓウェハを得た。当該ＧａＡｓウェハを両面研削加工機のガラス定盤へ設置し、アルミナ砥石と純水とを供給しながら上定盤圧力２．０ｋｇ／ｃｍ２を掛け、表裏両面のラップ加工を行った。研削量は表裏両面で４０μｍとした。
【００４２】
(除去工程)
研削後のＧａＡｓウェハを、再びエッチング液中に浸積し表裏両面のエッチングを行った。エッチング液として、１７℃のアンモニア＋過酸化水素＋純水（１：８：１１）を用い約２分間のエッチングにより、表裏両面を合わせて約１０μｍのエッチングを行って、ラップ工程での研削痕の除去を行った。
【００４３】
（ポリッシュ（または研磨）工程）
再エッチング後のＧａＡｓウェハの裏面に接着剤（液状ワックス）を設け、表面を平坦に研削加工したアルミナセラミック板に添付した後、片側研磨機を用い、次亜塩素酸系水溶液と多孔質研磨布とによるメカノケミカル研磨を行った後、純水で１分間洗浄し窒素ブロー乾燥を行った。この乾燥の後、ＧａＡｓウェハをアルミナセラミック板から剥ぎ取った。剥ぎ取られたＧａＡｓウェハを、まず有機溶剤洗浄によりワックスを溶解除去し、アルカリ系水溶液にて洗浄後、純水にてリンスし、ＩＰＡ蒸気により乾燥させた。
当該乾燥後のＧａＡｓウェハを、２０℃のアンモニア＋過酸化水素＋純水（１：１：２０）を用いて極微量のエッチングを行い、純水にてリンスし、スピン乾燥を行ってＧａＡｓウェハを得た。
当該得られたＧａＡｓウェハのそり形状写真及びその模式図を図７（Ａ）．（Ｂ）に示す。
図７（Ａ）．（Ｂ）から、実施例１に係るＧａＡｓウェハは、表面側に凸の湾曲構造を有するウェハであることが確認された。尚、ＧａＡｓウェハのそり形状模式図である図７（Ｂ）において、O.F．とはオリエンテーションフラットのことであり、I.F.とはインデックスフラットのことであり、記載された線は２μｍ毎の等高線である。
【００４４】
（成膜工程）
当該得られたＧａＡｓの表面にエピタキシャル膜を形成すべく、当該ウェハを加熱装置のサセプターに載置し、裏面側から加熱したとき、このウェハは、湾曲形状から平坦形状に変形し、ウェハの表面における全面が均一な温度に加熱される。このため、上記加熱状態下において、ＭＯＣＶＤ技術を用いてエピタキシャル膜を形成し、ＬＤ構造をもつ半導体基板を製造したとき、このエピタキシャル膜の特性は、表面の全面に亘り均一となった。そして、半導体基板におけるエピタキシャル膜の外周に曇りが発生せず、且つレーザー発振波長も半導体基板の全面に亘り均一で良好なものであった。
【００４５】
（実施例２）
実施例１にて説明した、「凸部形成工程」において、２分間のエッチングにより、表裏両面を合わせて１４μｍのエッチングを行った以外は、実施例１と同様の処理を行って、実施例２に係るＧａＡｓウェハを得た。当該得られたＧａＡｓウェハのそり形状写真及びその模式図を図８（Ａ）．（Ｂ）に示す。図８（Ａ）．（Ｂ）から、実施例２に係るＧａＡｓウェハは、表面側に凸の湾曲構造を有するウェハであることが確認された。尚、ＧａＡｓウェハのそり形状模式図である図８（Ｂ）において、O.F．、I.F.、記載された等高線は実施例１と同様である。
【００４６】
（比較例１）
実施例１にて説明した、「凸部形成工程」である、マスキング、そり形状修正エッチング、マスキング除去を行わない以外は、実施例１と同様の処理を行って、従来の技術に係るＧａＡｓウェハを得た。当該得られたＧａＡｓウェハのそり形状写真及びその模式図を図９（Ａ）．（Ｂ）に示す。図９（Ａ）．（Ｂ）から、比較例１に係るＧａＡｓウェハは、鞍型の湾曲構造を有するウェハであることが確認された。尚、ＧａＡｓウェハのそり形状模式図である図９（Ｂ）おいて、O.F．、I.F.、記載された等高線は実施例１と同様である。
【００４７】
「成膜工程」において、当該得られたＧａＡｓの表面にエピタキシャル膜を形成すべく、当該ウェハを加熱装置のサセプターに載置し、裏面側から加熱したとき、このウェハは鞍型の湾曲構造であったため、外周が中央よりもせり上がった表面側に凹の湾曲形状に変形し、ウェハの表面が不均一な温度に加熱された。このため、上記加熱状態下において、ＭＯＣＶＤ技術を用いてエピタキシャル膜を形成し、ＬＤ構造をもつ半導体基板を製造したとき、このエピタキシャル膜の特性は表面の全面に亘って均一とはならず、半導体基板におけるエピタキシャル膜の外周に曇りが発生し、且つレーザー発振波長も半導体基板の中央部と周辺部とでは異なるものであった。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係るウェハの一実施の形態を示す側面図である。
【図２】図１のウェハを示し、（Ａ）が表面図、（Ｂ）が裏面図である。
【図３】図１のウェハにエピタキシャル膜を形成するために加熱処理したときの状況を示す側面図である。
【図４】図１のウェハを製造する製造工程を示す動作図である。
【図５】図４（Ｂ）のレジスト膜の塗布状況を示し、（Ａ）が表面図、（Ｂ）が裏面図である。
【図６】従来のウェハにエピタキシャル膜を形成するために加熱処理したときの状況を示す側面図である。
【図７】実施例１に係るウェハのそり形状写真（Ａ）とその模式図（Ｂ）である。
【図８】実施例２に係るウェハのそり形状写真（Ａ）とその模式図（Ｂ）である。
【図９】比較例１に係るウェハのそり形状写真（Ａ）とその模式図（Ｂ）である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  ウェハ
１１Ａ  表面
１１Ｂ  裏面
１２  加熱装置
１９  中央凸部
２０  周辺凸部
Ｈ、Ｈ０  反り量
Ｈ１、Ｈ２  突出量
Ｄ１  外径
Ｄ２  内径
【図１】
2006278523.tif 000003
【図２】
2006278523.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006278523.tif 000006
【図５】
2006278523.tif 000007
【図６】
2006278523.tif 000008
【図７】
2006278523.tif 000009
【図８】
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【図９】
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