(57)【要約】      （修正有）【課題】密着強化処理装置において、密着強化処理後、密着強化剤が処理装置内に残存して処理装置外に漏洩するのを防止する。【解決手段】液晶表示パネル等基板の密着強化処理を行なう密着強化処理装置が、基板５を保持する昇降可能な載置台４と、載置台４と合体して、載置台４上に保持された基板５の密着強化処理空間Ｓを画成する凹部６ａを有する蓋体６と、載置台４を昇降させる昇降手段７と、密着強化処理空間Ｓに密着強化剤のガス及び不活性ガスを交互に供給可能なガス供給手段８と、載置台４の下方に載置台４の周囲を取り囲むようにして設けられ、多数のガス吸引細孔を有する排気ダクトを有するガス排出手段と、昇降手段７が載置台４を下降させて、載置台４と蓋体６との合体を解いている間、ガス排出手段が排気ダクト内を吸引、排気するようにガス排出手段を制御する制御手段１４とを備えている。【選択図】図１
2006128412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルや半導体ウエハ等の基板の表面に塗膜を形成するに際して、塗膜の基板
に対する密着性を強化するために、密着強化剤のガスを基板の表面に供給、塗布して基板
の密着強化処理を行なう密着強化処理装置が、
基板を保持する昇降可能な載置台と、
前記載置台が所定位置にまで上昇した状態において前記載置台と合体してこれを覆い、
前記載置台上に保持された前記基板を密着強化処理するための空間を画成する凹部を有す
る蓋体と、
前記載置台を昇降させるための昇降手段と、
前記密着強化処理空間に前記密着強化剤のガス及び不活性ガスを交互に供給可能なガス
供給手段と、
前記載置台の下方に、前記載置台の周囲を取り囲むようにして設けられた排気ダクトを
有するガス排出手段と、
前記昇降手段が前記載置台を前記所定位置から下降させて、前記載置台と前記蓋体との
合体を解いている間、前記ガス排出手段が前記排気ダクト内を吸引、排気するように前記
ガス排出手段を制御する制御手段と
を備えている
ことを特徴とする密着強化処理装置。
【請求項２】
前記排気ダクトには、その上壁面の略全面に渡って、多数のガス吸引細孔が形成されて
いる
ことを特徴とする請求項１に記載の密着強化処理装置。
【請求項３】
前記載置台に貫通形成された複数の細孔にそれぞれ挿通され、前記載置台がそれらの頂
端よりも低い位置にある時、前記基板をそれらの頂端で支持することが可能な複数のピン
を有する基板支持手段
をさらに備えている
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の密着強化処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願の発明は、密着強化処理装置に関し、特に液晶表示パネルや半導体ウエハ等の基板
の表面に塗布されるレジストの塗膜の密着性を高めるために、これら基板の表面を密着強
化剤を用いて密着強化処理するために用いられる装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネル等基板の製造装置において、基板の表面に微細パターンを形成する工程
がある。この工程においては、基板表面にレジスト液を塗布し、次いで、露光、加熱、現
像の各処理が順次実行される。この場合、基板表面は元々親水性となっており、レジスト
との密着性が悪いので、塗布されたレジストの塗膜の剥離が生ずる場合があり、これを防
ぐために、基板表面にレジスト液を塗布するに先立って、基板表面を、密着強化剤を用い
て密着強化処理することが行なわれている。密着強化剤としては、通常、ＨＭＤＳ（ヘキ
サメチルジシラザン）が使用される。
【０００３】
ところで、この密着強化剤は、密着強化処理後、処理装置外に導かれ、所定の処理をし
て廃棄されるが、処理装置内に残った密着強化剤が、処理済み・処理前基板の処理装置に
対する搬出・搬入時に、処理装置外に漏洩することがある。この漏洩した密着強化剤は、
空気中の水分と反応してアンモニアを発生し、露光後ウエハの露光パターンを消失させた
り、レジスト液に接触して、その感光能力を低下させたりする問題を生じさせる。
【０００４】
そこで、このような問題を解消するために、密着強化処理装置から処理後の密着強化剤
が漏洩するのを防止するための種々の手段が提案されている。
特開平０９−１６０２５５号公報に記載された密着強化処理装置では、その外殻を構成
する密閉容器の内部を排気するための排気手段と、密閉容器の蓋が解放された際に、該排
気手段を動作させて、密閉容器内の排気を行なわせる排気動作制御手段とが備えられてい
る。そして、基板の搬出・搬入時に密閉容器の蓋が解放された際には、排気手段が作動し
て、密閉容器内のＨＭＤＳを不活性ガスで置換し、置換されたＨＭＤＳを所定個所に排出
し、これが密閉容器内に残存して周囲に漏洩することのないようにしている。しかしなが
ら、この装置は、密閉容器が蓋を備えてはいるが、蓋開閉タイプであり、密着強化剤の吸
出個所も、密閉容器の底壁の所定個所に限定されるなど、密着強化剤の排出の完全を期す
には、なお改善すべき点が残されている。
【０００５】
また、特開平１１−００８１９１号公報に記載された密着強化処理装置では、装置内の
載置部に保持された被処理体（ウエハ）の周囲を取り囲む環状の隙間から処理後のＨＭＤ
Ｓガスを吸引・排出するようになっているが、装置の外殻体をなす密閉容器が蓋を備える
構造のものとはされていない。
【０００６】
さらに、特開平０５−１７１４４７号公報、特開平０７−３２５２７９号公報に記載さ
れた密着強化処理装置では、装置内の載置部に保持された被処理体（ウエハ）の周囲の適
数個所から処理後のＨＭＤＳガスを吸引・排出するようになっているが、被処理体（基板
）の周囲を取り囲む排気溝を有するものではなく、装置の外殻体をなす密閉容器が蓋を備
える構造のものともされていない。
したがって、これらの３例も、密着強化剤の排出の完全を期す上で、なお改善すべき点
が残されたものとなっている。
【特許文献１】特開平０９−１６０２５５号公報
【特許文献２】特開平１１−００８１９１号公報
【特許文献３】特開平０５−１７１４４７号公報
【特許文献４】特開平０７−３２５２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本願の発明は、従来の密着強化処理装置が有する前記のような問題点を解決して、密着
強化処理後、密着強化剤が処理装置内に残存する量をさらに低減し、処理済み・処理前基
板の処理装置に対する搬出・搬入時に、処理装置内の密着強化剤が処理装置外に漏洩する
のを高度に防止して、密着強化剤が空気中の水分と反応して生じるアンモニアが露光後基
板の露光パターンを消失させたり、レジスト液の感光能力を低下させたりする問題を解消
することが可能な密着強化処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記のような課題は、本願の各請求項に記載された次のような発明により解決される。
すなわち、その請求項１に記載された発明は、液晶表示パネルや半導体ウエハ等の基板
の表面に塗膜を形成するに際して、塗膜の基板に対する密着性を強化するために、密着強
化剤のガスを基板の表面に供給、塗布して基板の密着強化処理を行なう密着強化処理装置
が、基板を保持する昇降可能な載置台と、前記載置台が所定位置にまで上昇した状態にお
いて前記載置台と合体してこれを覆い、前記載置台上に保持された前記基板を密着強化処
理するための空間を画成する凹部を有する蓋体と、前記載置台を昇降させるための昇降手
段と、前記密着強化処理空間に前記密着強化剤のガス及び不活性ガスを交互に供給可能な
ガス供給手段と、前記載置台の下方に、前記載置台の周囲を取り囲むようにして設けられ
た排気ダクトを有するガス排出手段と、前記昇降手段が前記載置台を前記所定位置から下
降させて、前記載置台と前記蓋体との合体を解いている間、前記ガス排出手段が前記排気
ダクト内を吸引、排気するように前記ガス排出手段を制御する制御手段とを備えているこ
とを特徴とする密着強化処理装置である。
【０００９】
請求項１に記載された発明は、前記のように構成されているので、密着強化処理空間を
画成する器壁は、載置台と蓋体とにより構成されている。そして、密着強化処理が終了し
て、処理済み基板が密着強化処理装置から搬出され、また、処理前基板が密着強化処理装
置に搬入されるに際しては、昇降手段が載置台を蓋体との合体位置から下降させて、載置
台と蓋体との合体を解くが、この間、ガス排出手段が排気ダクト内を吸引、排気するよう
に制御手段がガス排出手段を制御するので、密着強化処理空間内に充満して不活性ガスに
より置換されることとなる処理後の密着強化剤のガスは、その殆どが、載置台が下降する
動作に助けられ、載置台が下降する方向に拡散、流出しつつ、載置台の周囲を巡り、ガス
排出手段がガスを吸引する方向に導かれて、載置台の下方に載置台の周囲を取り囲むよう
にして設けられた排気ダクトに向かう。そして、そのガス吸引細孔を通ってその内部に吸
引され、さらに、そこから所定の処理施設へと排気される。
【００１０】
したがって、密着強化処理空間内に充満して不活性ガスにより置換されることとなる処
理後の密着強化剤のガスは、密着強化処理空間内から排気ダクト内へと滑らかに導かれて
迅速に排気されるので、密着強化処理装置内に残存して外部に漏洩する密着強化剤の量を
大きく低減することができ、密着強化剤が空気中の水分と反応して生じるアンモニアが露
光後基板の露光パターンを消失させたり、レジスト液の感光能力を低下させたりする問題
を解消することができる。また、処理後の密着強化剤の排気が迅速に行なわれるので、密
着強化処理の作業効率を向上させることができる。
【００１１】
また、その請求項２に記載された発明は、請求項１に記載の密着強化処理装置において
、その排気ダクトには、その上壁面の略全面に渡って、多数のガス吸引細孔が形成されて
いることを特徴としている。
【００１２】
これにより、載置台の周囲から、偏りなく、略均等にガスを排気ダクト内に吸引して、
排出することができ、ガスをさらに滑らかに迅速に排気することができる。
【００１３】
また、その請求項３に記載された発明は、請求項１又は請求項２に記載の密着強化処理
装置が、さらに、複数のピンを有する基板支持手段を備えていることを特徴としている。
ここで、この複数のピンは、載置台に貫通形成された複数の細孔にそれぞれ挿通されてい
て、載置台がそれらの頂端よりも低い位置にある時には、基板をそれらの頂端で支持する
ことが可能にされているものである。
【００１４】
これにより、密着強化処理が終わって、処理済み基板が密着強化処理装置から搬出され
、また、処理前基板が密着強化処理装置に搬入される時には、昇降手段により下降させら
れた載置台と蓋体との間にロボットのハンド等が出入して、基板を搬出・搬入することが
可能になり、この面からも、密着強化処理の作業効率を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１５】
前記のとおり、本願の発明の密着強化処理装置によれば、密着強化処理装置内に残存し
て外部に漏洩する密着強化剤の量を大きく低減して、それが空気中の水分と反応して生じ
るアンモニアが露光後基板の露光パターンを消失させたり、レジスト液の感光能力を低下
させたりする問題を解消することができる。また、密着強化処理の作業効率を向上させる
ことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
液晶表示パネルや半導体ウエハ等の基板の表面に塗膜を形成するに際して、塗膜の基板
に対する密着性を強化するために、密着強化剤のガスを基板の表面に供給、塗布して基板
の密着強化処理を行なう密着強化処理装置が、以下のような技術的手段、すなわち、基板
を保持する昇降可能な載置台、該載置台が所定位置にまで上昇した状態において該載置台
と合体してこれを覆い、該載置台上に保持された基板を密着強化処理するための空間を画
成する凹部を有する蓋体、該載置台を昇降させるための昇降手段、密着強化処理空間に密
着強化剤のガス及び不活性ガスを交互に供給可能なガス供給手段、該載置台の下方に、該
載置台の周囲を取り囲むようにして設けられた排気ダクトを有するガス排出手段、該昇降
手段が該載置台を前記所定位置から下降させて、該載置台と該蓋体との合体を解いている
間、該ガス排出手段が該排気ダクト内を吸引、排気するように該ガス排出手段を制御する
制御手段を備えてなるものとする。
【実施例】
【００１７】
次に、本願の発明の一実施例について説明する。
図１は、本実施例の密着強化処理装置の処理終了後の状態を示す概略側面図であって、
一部を断面にして示す図、図２は、同密着強化処理装置の処理中の状態を示す図１と同様
の図、図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図であって、一部（ピストン・シリンダ機構
）を平面視して示す図、図４は、排気ダクト単体の平面図である。
【００１８】
本実施例の密着強化処理装置は、液晶表示パネルや半導体ウエハ等の基板の表面にレジ
スト液を塗布してレジスト塗膜を形成するに際して、塗膜の基板に対する密着性を強化す
るために、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）からなる密着強化剤のガスを基板の表面
に供給、塗布して、基板の密着強化処理を行なうために使用される。以下においては、そ
れが特に液晶表示パネル（液晶基板）の密着強化処理を行なうために使用される場合につ
いて説明する。
【００１９】
本実施例の密着強化処理装置１は、概略、次のように構成されている。
図１ないし図３に図示されるように、平面視正方形状の基台２の四隅にそれぞれ立設さ
れた支柱３には、基板５を載置して保持する載置台４が昇降可能に支持されている。また
、各支柱３の上端には、蓋体６が、その四隅で取り付けられて固定されている。この蓋体
６は、載置台４が所定の最高位置にまで上昇した状態において、該載置台４と合体して、
これを覆うとともに、同状態において、該載置台４上に保持された基板５を密着強化処理
するための空間Ｓを画成するための凹部６ａを有している。載置台４は、基台２の外枠体
２ａの対向する２辺の各中央部に立設された２台のシリンダ・ピストン機構（昇降手段）
７により昇降させられる。基台２の構造の詳細については、後述する。
【００２０】
密着強化処理空間Ｓには、ガス供給手段８により、密着強化剤のガス及び不活性ガスが
交互に供給される。具体的には、密着強化処理が行なわれる時（図２参照）には、ガス供
給管８ａを介して密着強化剤のガスが密着強化処理空間Ｓに供給される。また、密着強化
処理が終了して、載置台４と蓋体６との合体が解かれ、載置台４が下降させられた時（図
１参照）には、ガス供給管８ｂを介して不活性ガスが密着強化処理空間Ｓに供給される。
これらガス供給管８ａ、８ｂは、ガス供給手段８の構成要素をなしている。不活性ガスが
密着強化処理空間Ｓに供給されると、それまでに該空間Ｓ内に充満していた密着強化剤の
ガスは、この不活性ガスにより置換されて、空間Ｓ内から排出される。
【００２１】
載置台４の下方であって、基台２の高さ位置には、該載置台４の周囲を取り囲むように
して、排気ダクト９が設けられている。この排気ダクト９は、基台２の周囲四辺の各辺に
沿ってそれぞれ２個ずつ配置された合計８個の排気ダクト単体９−１、９−２・・・９−
８からなり、これらは、いずれも正方形状に組まれた外枠体２ａの各辺に沿ってその内側
に、平面視して該外枠体２ａと基台２の底板２ｂとにより挟まれるようにして設けられて
いる。各排気ダクト単体９−ｎ（ｎ＝１、２・・・８）の上壁には、その上壁面の略全面
に渡って、図４に図示されるように、多数のガス吸引細孔９ａが一様に形成されている。
【００２２】
正方形状に組まれた外枠体２ａの各辺に沿ってその内側に配置された各２個の排気ダク
ト単体９−ｎ、９−（ｎ＋１）の対は、１本の排気管１５−ｍ（ｍ＝１、２・・・４）に
連結され、さらに、これらの排気管１５−ｍは、集合ダクト１０に連結されている。集合
ダクト１０の後流側には、排気ポンプ１１が設置されている。したがって、各排気ダクト
単体９−ｎ内は、これらの排気管１５−ｍ、集合ダクト１０を介して排気ポンプ１１によ
り排気される。
【００２３】
したがって、今、排気ポンプ１１が作動すると、密着強化処理空間Ｓから排出された密
着強化剤のガスは、その殆どが載置台４の周囲を巡り、排気ポンプ１１がガスを吸引する
方向、すなわち、排気ダクト９がある方向に導かれ、各排気ダクト単体９−ｎの複数のガ
ス吸引細孔９ａを介して各排気ダクト単体９−ｎ内に吸引される。そして、さらに、そこ
から排気管１５−ｍ、集合ダクト１０を通って所定の処理施設へと排気される。８個の排
気ダクト単体９−ｎ（ｎ＝１、２・・・８）からなる排気ダクト９、排気管１５−ｍ（ｍ
＝１、２・・・４）、集合ダクト１０、排気ポンプ１１等は、ガス排出手段を構成してい
る。
【００２４】
排気ポンプ１１の作動は、制御手段１４により制御される。この制御手段１４は、密着
強化処理が終了して、シリンダ・ピストン機構（昇降手段）７が載置台４を蓋体６との合
体位置から下降させ、蓋体６との合体を解いている間（図１参照）、排気ポンプ１１が集
合ダクト１０、各排気管１５−ｍ、排気ダクト９内を吸引、排気するように該排気ポンプ
１１を制御する。
【００２５】
基台２の四隅にそれぞれ立設された支柱３には、また、基板支持手段１２が支持・固定
されている。この基板支持手段１２は、基台２と載置台４との間の所定の高さ位置に設置
されていて、その台板面上に直立した複数のピン１３を有している。これらの複数のピン
１３は、載置台４に貫通形成された複数の細孔にそれぞれ挿通可能にされていて、載置台
４がそれらの頂端よりも低い位置にある時（図１参照）、それらの頂端が載置台４より上
方に突出して、基板５をそれらの頂端で支持することができるようにされている。
【００２６】
基台２は、四辺を囲む中空ダクトからなる外枠体２ａと、該外枠体２ａで囲まれた内部
領域を排気ダクト９とともに塞ぐ底板２ｂと、該外枠体２ａの各対向する二辺間に渡され
て十字状をなす補強枠体２ｃとからなっている。外枠体２ａの四隅は、支柱３の基礎部と
なる部分であり、特に水平方向及び上下方向寸法を外方にはみ出さないようにして大きく
されて、平面視正方形状の直方体ブロック状に形成されている。同様に、外枠体２ａの対
向する２辺の各中央部に立設されたシリンダ・ピストン機構（昇降手段）７の基礎部も、
特に水平方向及び上下方向寸法を外方にはみ出さないようにして大きくされて、平面視正
方形状の直方体ブロック状に形成されている。
【００２７】
次に、本実施例の密着強化処理装置１の作動について説明する。
先ず、密着強化処理が行なわれる時には、図２に図示されるように、昇降手段７により
載置台４が所定の最高位置にまで上昇させられ、そこに待機している蓋体６と合体させら
れる。これにより、蓋体６と載置台４との間には、蓋体６の凹部６ａに相当する密着強化
処理空間Ｓが画成される。この状態において、ガス供給管８ａを介して密着強化剤（ＨＭ
ＤＳ）のガスが密着強化処理空間Ｓに供給され、所定の処理条件下において、密着強化処
理が行なわれる。
【００２８】
所定の処理時間が経過して、密着強化処理が終了すると、図１に図示されるように、密
着強化剤のガスの供給が停止され、代わりに、ガス供給管８ｂを介して不活性ガスが密着
強化処理空間Ｓに供給される。同時に、昇降手段７により載置台４が上記所定の最高位置
から下降させられて、載置台４と蓋体６との合体が解かれ、それまでに密着強化処理空間
Ｓ内に充満していた密着強化剤のガスは、不活性ガスにより置換されつつ、空間Ｓ内から
排出される。
【００２９】
同時に、排気ポンプ１１が作動して、空間Ｓから排出された密着強化剤のガスは、その
殆どが、載置台の周辺へ流れ出しながら、載置台の下降に伴って載置台上のガスも下降し
て、最終的には載置台４の周囲を巡り、排気ポンプ１１がガスを吸引する方向、すなわち
、排気ダクト９がある方向に導かれ、各排気ダクト単体９−ｎの複数のガス吸引細孔９ａ
を介して各排気ダクト単体９−ｎ内に吸引される。そして、さらに、そこから排気管１５
−ｍ、集合ダクト１０を通って所定の処理施設へと排気される。したがって、載置台の下
降も、ガスの排出に寄与していることになる。
【００３０】
昇降手段７により載置台４が上記所定の最高位置から下降させられる途中では、基板支
持手段１２の複数のピン１３の各頂端が載置台４に貫通形成された複数の細孔の各々を通
り抜けて、載置台４より上方に突出する。これにより、それまで載置台４に保持されてい
た基板５は、複数のピン１３の全頂端上に移し替えられ、それらの頂端により支持される
。次いで、載置台４と蓋体６との間の空間内に、ピン１３と衝突しないようにして、図示
されない基板搬送用ロボットのハンドが進入して、処理済み基板５を掬い上げて保持し、
これを密着強化処理装置１の外部に搬出する。
【００３１】
処理済み基板５が密着強化処理装置１の外部に搬出され、処理後の密着強化剤のガスの
排気が完全に終了すると、処理前基板５がロボットのハンドにより密着強化処理装置１内
に搬入され、先とは逆の順序にて、複数のピン１３の全頂端上に載置される。そうすると
、再び昇降手段７が載置台４を上記所定の最高位置にまで上昇させて、載置台４を蓋体６
と合体させ、密着強化処理空間Ｓを形成させる。このとき、処理前基板５は載置台４上に
あって、密着強化処理空間Ｓ内に保持されている。次いで、この密着強化処理空間Ｓ内に
ガス供給管８ａを介して密着強化剤のガスが供給されて、前記した密着強化処理が反復さ
れる。この間、排気ポンプ１１の作動を続行させておくのが望ましい。
【００３２】
昇降手段７、ガス排出手段（排気ポンプ１１）、ガス供給手段８、図示されない基板搬
送用ロボット等の各作動は、全て制御手段１４により統合的に制御されている。
【００３３】
本実施例の密着強化処理装置１は、前記のように構成されているので、次のような作用
、効果を奏することができる。
密着強化処理空間Ｓを画成する器壁は、載置台４と蓋体６とにより構成されており、密
着強化処理が終了して、処理済み基板５が密着強化処理装置１から搬出され、また、処理
前基板５が密着強化処理装置１に搬入される時には、昇降手段７が載置台４を蓋体６との
合体位置から下降させて、載置台４と蓋体６との合体を解くが、この間、ガス排出手段を
構成する排気ポンプ１１が排気ダクト９内を吸引、排気するように制御手段１４が排気ポ
ンプ１１を制御するので、密着強化処理空間Ｓ内に充満して不活性ガスにより置換される
こととなる処理後の密着強化剤のガスは、その殆どが、載置台が下降する動作に助けられ
、載置台４が下降する方向に拡散、流出しつつ、載置台４の周囲を巡り、排気ポンプ１１
がガスを吸引する方向に導かれて、載置台４の下方に該載置台４の周囲を取り囲むように
して設けられた排気ダクト９に向かう。そして、排気ダクト９の上壁面の略全面に渡って
一様に設けられたガス吸引細孔９ａを通って、偏りなく、略均等に排気ダクト９の内部に
吸引され、さらに、そこから所定の処理施設へと排気される。
【００３４】
したがって、密着強化処理空間Ｓ内に充満して不活性ガスにより置換されることとなる
処理後の密着強化剤のガスは、従来の蓋体が開かれるタイプの密着強化処理装置と比較す
ると、密着強化処理空間Ｓ内から排気ダクト９内へと一様に滑らかに導かれて迅速に排気
されるので、密着強化処理空間Ｓの内外を問わず、密着強化処理装置１内に残存して外部
に漏洩する密着強化剤の量を大きく低減することができ、密着強化剤が空気中の水分と反
応して生じるアンモニアが露光後基板の露光パターンを消失させたり、レジスト液の感光
能力を低下させたりする問題を解消することができる。また、処理後の密着強化剤の排気
を迅速に行なうことができるので、密着強化処理の作業効率を向上させることができる。
【００３５】
また、密着強化処理装置１が、複数のピン１３を有する基板支持手段１２を備えている
ので、密着強化処理が終わって、処理済み基板５が密着強化処理装置１から搬出され、ま
た、処理前基板５が密着強化処理装置１に搬入される時には、昇降手段７により下降させ
られた載置台４と蓋体６との間にロボットのハンド等が出入して、基板５を搬出・搬入す
ることができ、この面からも、密着強化処理の作業効率を向上させることができる。
【００３６】
なお、本願の発明は、以上の実施例に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲において
、種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本実施例の密着強化処理装置の処理終了後の状態を示す概略側面図であって、一部を断面にして示す図である。
【図２】同密着強化処理装置の処理中の状態を示す図１と同様の図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図であって、一部（ピストン・シリンダ機構）を平面視して示す図である。
【図４】排気ダクト単体の平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…密着強化処理装置、２…基台、２ａ…外枠体、２ｂ…底板、２ｃ…補強枠体、３…
支柱、４…載置台、５…基板、６…蓋体、６ａ…凹部、７…シリンダ・ピストン機構（昇
降手段）、８…ガス供給手段、８ａ…ガス（密着強化剤のガス）供給管、８ｂ…ガス（不
活性ガス）供給管、９…排気ダクト、９−ｎ（ｎ＝１、２・・・８）…排気ダクト単体、
９ａ…ガス吸引細孔、１０…集合ダクト、１１…排気ポンプ、１２…基板支持手段、１３
…ピン、１４…制御手段、１５−ｍ（ｍ＝１、２・・・４）…排気管、Ｓ…空間。
【図１】
2006128412.tif 000003
【図２】
2006128412.tif 000004
【図３】
2006128412.tif 000005
【図４】
2006128412.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2006128412.tif 000007