(57)【要約】【課題】  高密度記録特性および耐久性に優れた磁気テープを提供すること。【解決手段】  支持体１４の少なくとも一方の面に、スパッタ法により磁性層１６を形成し、前記磁性層１６上に潤滑層２０を形成し、さらに前記磁性層１６の反対面にバックコート層２２を形成した後、所定の幅にスリットし、前記磁性層１６面をラッピングテープ処理することを特徴とする磁気テープの製造方法。【選択図】  図１
2006139880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の少なくとも一方の面に、スパッタ法により磁性層を形成し、前記磁性層上に潤滑層を形成し、さらに前記磁性層の反対面にバックコート層を形成した後、所定の幅にスリットし、前記磁性層面をラッピングテープ処理することを特徴とする磁気テープの製造方法。
【請求項２】
前記バックコート層に、潤滑剤を含有させることを特徴とする請求項１記載の磁気テープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気テープの製造方法に関し、とくに高密度磁気記録が可能な高容量磁気テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及により、パーソナル・コンピュータを用いて大容量の動画情報や音声情報の処理を行う等、コンピュータの利用形態が変化してきている。これに伴い、ハードディスク等の情報記録メディアに要求される記憶容量も増大している。
【０００３】
ハードディスクはメディア、ヘッド、システム等の様々な技術革新によって、その面記録密度およびその記憶容量は飛躍的に増大しつづけている。特に大規模サーバーに保存されるデータ量は膨大であり、そのバックアップ方法が深刻な問題となってきている。
【０００４】
現在のバックアップはコンピューターバックアップテープに行われているが、磁気テープの記録密度の向上よりもハードディスクの記録密度の向上が著しく高いため、システム当たりに必要なテープ巻数が非常に多く、またそのバックアップに要する時間も長大となってきている。一方で、光ディスクはランダムアクセスが可能であるものの、１枚当たりの記憶容量は磁気テープよりもさらに小さく、バックアップには不向きである。
【０００５】
以上のような背景から磁気テープの高容量化と高転送レート化は非常に期待されているものの、超高容量磁気テープの実用化はいくつかの課題のために現実のものになっていない。
【０００６】
その一つの原因として磁気テープに形成される磁性層の構造があげられる。現在市販されている磁気テープの磁性層は大きく分けて鉄系の磁性微粒子を高分子バインダーに分散させて塗布した塗布型媒体とコバルト系合金を真空中の斜め蒸着法で成膜した蒸着型媒体に分けられる。これらの媒体の磁性層はハードディスクで使用されているコバルト系合金のスパッタリングで成膜した強磁性金属薄膜と比較するとノイズが高く、高記録密度特性には適していない。
【０００７】
そこでハードディスクと同様にスパッタリングによる強磁性金属薄膜テープを作製しようとする試みはいくつか報告されているものの、実用化にはいたっていない。これはハードディスクの製造ではスパッタリング時に基板を２００℃程度まで加熱しているが、これと同様の製造方法を磁気テープに適用しようとすると、磁気テープで一般的なポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートでは耐熱性が不足し、変形してしまう。また耐熱性に優れている芳香族ポリアミドフィルムを使用しても、製造工程中でフィルムの熱膨張、熱収縮、湿度膨張などの寸法変化が生じるため、変形の少ない磁気テープを作製することが困難であった。また芳香族ポリアミドフィルムは価格が非常に高いため、製造コストが高くなるという問題もあった。この様な課題に対し、磁性層スパッタ時の基板温度を室温としても、高い磁気特性が達成できる磁気テープ材料としてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2磁性層が提案されている。この磁性膜を使用することで磁気テープ用支持体として一般的なポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートが使用可能となった（例えば特許文献１参照）。
【０００８】
しかし、この様な優れた磁気特性を有する磁性膜を使用しても、その記録特性や耐久性は未だ実用化レベルに到達できない。これは使用するポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタレートの表面性が十分に平滑で無かったり、製造工程で発生する付着物（スパッタ時のパーティクルなど）が原因となり、スペーシングロスが増大したり、欠陥を起点とするメディアスクラッチを発生することが原因であることがわかってきた。特に磁性層としてＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ2等の金属合金・酸化物あるいは窒化物混合物を使用する場合、金属合金と酸化物あるいは窒化物のスパッタレートが異なるため、スパッタされにくい酸化物あるいは窒化物がパーティクルとしてターゲット表面に形成され、これが磁気テープ表面に付着し、数ミクロンサイズの表面欠陥を形成することが大きな問題となっている。この現象は従来の塗布型磁気テープや蒸着型磁気テープでは観察されない現象であり、特別な対策が必要であることが分かってきた。
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−２２０６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みなされたものであり、その目的は、高密度記録特性および耐久性に優れた磁気テープを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、以下のとおりである。
１）支持体の少なくとも一方の面に、スパッタ法により磁性層を形成し、前記磁性層上に潤滑層を形成し、さらに前記磁性層の反対面にバックコート層を形成した後、所定の幅にスリットし、前記磁性層面をラッピングテープ処理することを特徴とする磁気テープの製造方法。
２）前記バックコート層に、潤滑剤を含有させることを特徴とする上記１）記載の磁気テープの製造方法。
【発明の効果】
【００１２】
本発明では、支持体の表面欠陥や、スパッタリングにより発生した付着物（スパッタ時のパーティクルなど）をラッピングテープ処理によって除去し、これらの欠陥を原因とするスペーシングロスの増大や、メディアスクラッチの発生を防止している。したがって本発明によれば、高密度記録特性および耐久性に優れた磁気テープを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
図１は、本実施の形態に係る磁気テープの積層構成を示す斜視図である。本実施の形態に係る磁気テープ１０は、長尺状に形成されると共に、支持体１４の一方の面に、磁気的に情報を記録する磁性層１６、磁性層１６を劣化や摩耗から保護する保護層１８、および潤滑剤の付与により走行耐久性および耐食性を改善する潤滑層２０が、この順に積層されて構成されている。また必要に応じて、支持体の表面に表面性とガスバリア性を高めるための下塗り層（図示せず）や磁性層の結晶配向性を制御して記録特性を高めるための下地層１５を設けることが好ましい。なお、支持体１４を介した磁性層１６の反対面にはバックコート層２２が形成されている。
【００１４】
また図２は、磁気テープがカートリッジに収納された形態を示す概略図である。磁気テープ１０は、カートリッジ１００内に収納され、カートリッジ１００には、供給リール１０２、巻き取りリール１０４、テープ支持部材１０６，１０８が設けられており、磁気テープ１０は、これらのリールおよび支持部材に磁性層側を外側にして巻き掛けられている。そして、巻き取りリール１０４の矢印Ａ方向への回転に伴い、磁気テープ１０は矢印Ｂ方向に搬送される。また、カートリッジ１００には、テープ支持部材１０６，１０８間を搬送される磁気テープ表面が露出するように、開閉自在に構成された主リッド１１０が設けられている。この主リッド１１０を開いて磁気テープ１０表面を露出させた状態で、磁気ヘッド（図示せず）を磁気テープ１０に接触させて、情報の記録及び再生が行われる。
【００１５】
磁性層は、テープ面に対して垂直方向に磁化容易軸を有するいわゆる垂直磁気記録膜でもよいし、現在のハードディスクで主流となっている面内磁気記録膜でもかまわない。この磁化容易軸の方向は下地層の材料や結晶構造および磁性層の組成と成膜条件によって制御することができる。
【００１６】
磁性層は、コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性酸化物の混合物からなる磁性層であるのが好ましい。強磁性金属合金と非磁性酸化物はマクロ的には混合されているが、ミクロ的には強磁性金属合金微粒子を非磁性酸化物が被覆するような構造となっており、強磁性金属合金粒子の大きさは１ｎｍから１００ｎｍ程度である。この様な構造となることで、高い保持力を達成でき、また磁性粒子サイズの分散性が均一となるため、低ノイズ媒体を達成することができる。
【００１７】
コバルトを含有する強磁性金属合金としてはＣｏとＣｒ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐｔ、Ｂ、Ｓｉ、Ｔａ等の元素との合金が使用できるが、記録特性を考慮するＣｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ−Ｂ等が特に好ましい。
【００１８】
非磁性酸化物としてはＳｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｌ等の酸化物が使用できるが、記録特性を考慮するとＳｉＯｘが最も好ましい。
【００１９】
コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性酸化物の混合比は、強磁性金属合金：非磁性酸化物＝９５：５〜８０：２０（モル比）の範囲であることが好ましく、９０：１０〜８５：１５の範囲であることが特に好ましい。これよりも強磁性金属合金が多くなると、磁性粒子間の分離が不十分となり、保磁力が低下してしまう。逆にこれよりも少なくなると、磁化量が減少するため、信号出力が著しく低下してしまう。
【００２０】
コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性酸化物の混合物からなる磁性層の厚みとしては好ましくは１０ｎｍ〜６０ｎｍ、さらに好ましくは２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲である。これよりも厚みが厚くなるとノイズが著しく増加してしまい、逆に厚みが薄くなると、出力が著しく減少してしまう。
【００２１】
コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性酸化物の混合物からなる磁性層を形成する方法としては真空蒸着法、スパッタ法などの真空成膜法が挙げられるが、中でもスパッタ法は良質な超薄膜が容易に成膜可能であることから、本発明に使用される。スパッタ法としては公知のＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法のいずれも使用可能である。スパッタ法は連続フィルム上に連続して成膜するウェブスパッタ装置が好適である。ウェブスパッタ装置において、支持体はクーリングキャンに密着した状態で成膜される。この際のクーリングキャン温度は−２０℃〜５０℃、好ましくは、０℃〜３０℃の範囲である。
【００２２】
スパッタ時のスパッタガスとしては一般的なアルゴンガスが使用できるが、その他の希ガスを使用しても良い。また非磁性酸化物の酸素含有率を調整するために微量の酸素ガスを導入してもかまわない。
【００２３】
スパッタ法でコバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性酸化物の混合物からなる磁性層を形成するためには強磁性金属合金ターゲットと非磁性酸化物ターゲットの２種を用い、これらの共スパッタ法を使用することも可能であるが、磁性粒子サイズの分散性を改善し、均質な膜を作成するため、コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性酸化物の合金ターゲットを用いることが好ましい。この合金ターゲットはホットプレス法で作成することができる。
【００２４】
支持体は、磁気ヘッドと磁気ディスクとが接触した時の衝撃を回避するために、可とう性を備えた樹脂フィルム（可とう性高分子支持体）で構成されている。このような樹脂フィルムとしては、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポリアミドイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルサルフォン、ポリエーテルイミド、ポリサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセテートセルロース、フッ素樹脂等からなる樹脂フィルムが挙げられる。本発明では基板を加熱することなく良好な記録特性を達成することができるため、価格や表面性の観点からポリエチレンテレフタレートまたはポリエチレンナフタレートが特に好ましい。
【００２５】
支持体の厚みは、好ましくは３〜２０μｍ、さらに好ましくは４μｍ〜１２μｍである。支持体の厚みが３μｍより薄いと、強度が不足し、切断やエッジ折れが発生しやすくなる。一方、支持体の厚みが２０μｍより厚いと、磁気テープ一巻当たりに巻き取れる磁気テープ長が少なくなり、体積記録密度が低下してしまう。また剛性が高くなるため、磁気ヘッドへの当たり（追従性）が悪化する。
【００２６】
支持体の表面は、磁気ヘッドによる記録を行うために、可能な限り平滑であることが好ましい。支持体表面の凹凸は、信号の記録再生特性を著しく低下させる。具体的には、後述する下塗り層を使用する場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さＲａで５ｎｍ以内、好ましくは２ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが１μｍ以内、好ましくは０．１μｍ以内である。また、下塗り層を用いない場合では、光学式の表面粗さ計で測定した表面粗さが平均中心線粗さＲａで３ｎｍ以内、好ましくは１ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが０．１μｍ以内、好ましくは０．０６μｍ以内である。
【００２７】
支持体表面には、平面性の改善とガスバリア性を目的として下塗り層を設けることが好ましい。磁性層をスパッタリングで形成するため、下塗り層は耐熱性に優れることが好ましく、下塗り層の材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコン樹脂、フッ素系樹脂等を使用することができる。溶剤可溶型ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂は、平滑化効果が高く、特に好ましい。下塗り層の厚みは、０．１μｍ〜３．０μｍが好ましい。
【００２８】
熱硬化性シリコン樹脂としては、有機基が導入されたケイ素化合物を原料としてゾルゲル法で重合したシリコン樹脂が好適に用いられる。このシリコン樹脂は、二酸化ケイ素の結合の一部を有機基で置換した構造からなりシリコンゴムよりも大幅に耐熱性に優れると共に、二酸化ケイ素膜よりも柔軟性に優れるため、可とう性フィルムからなる支持体上に樹脂膜を形成しても、クラックや剥離が生じ難い。また、原料となるモノマーを支持体上に直接塗布して硬化させることができるため、汎用溶剤を使用することができ、凹凸に対する回り込みも良く、平滑化効果が高い。更に、縮重合反応は、酸やキレート剤などの触媒の添加により比較的低温から進行するため、短時間で硬化させることができ、汎用の塗布装置を用いて樹脂膜を形成することができる。また熱硬化性シリコン樹脂はガスバリア性に優れており、磁性層形成時に支持体から発生する磁性層または下地層の結晶性、配向性を阻害するガスを遮蔽するガスバリア性が高く、特に好適である。
【００２９】
下塗り層の表面には、磁気ヘッドやガイドポール等の摺動部材と磁気テープとの真実接触面積を低減し、摺動特性を改善することを目的として、微小突起（テクスチャ）を設けることが好ましい。また、微小突起を設けることにより、支持体のハンドリング性も良好になる。微小突起を形成する方法としては、球状シリカ粒子を塗布する方法、エマルジョンを塗布して有機物の突起を形成する方法などが使用できるが、下塗り層の耐熱性を確保するため、球状シリカ粒子を塗布して微小突起を形成するのが好ましい。
【００３０】
微小突起の高さは５ｎｍ〜６０ｎｍが好ましく、ｌ０ｎｍ〜３０ｍｍがより好ましい。微小突起の高さが高すぎると記録再生ヘッドと媒体のスペーシングロスによって信号の記録再生特性が劣化し、微小突起が低すぎると摺動特性の改善効果が少なくなる。微小突起の密度は０．１〜１００個／μｍ2が好ましく、１〜１０個／μｍ2がより好ましい。微小突起の密度が少なすぎる場合は摺動特性の改善効果が少なくなり、多過ぎると凝集粒子の増加によって高い突起が増加して記録再生特性が劣化する。
【００３１】
また、バインダーを用いて微小突起を支持体表面に固定することもできる。バインダーには、十分な耐熱性を備えた樹脂を使用することが好ましく、耐熱性を備えた樹脂としては、溶剤可溶型ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂を使用することが特に好ましい。
【００３２】
支持体と磁性層との間には、下地層を設けることが好ましい。下地層としてはＣｒまたはＣｒとＴｉ、Ｓｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｎｂ等から選ばれる金属との合金、Ｒｕ、Ｃなどを挙げることができる。これらの物質は単独で用いてもよく、二層以上を組合せて用いてもよい。この様な下地層を用いることによって、磁性層の配向性を改善できるため、記録特性が向上する。下地層の厚みは１０ｎｍ〜２００ｎｍが好ましく、２０ｎｍ〜１００ｎｍが特に好ましい。
【００３３】
また、下地層と磁性層との間には、下地層の結晶性を改善するために、シード層を設けることができる。シード層には、Ｔａ、Ｔａ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ａｌなどを使用することができる。
【００３４】
保護層は、磁性層に含まれる金属材料の腐蝕を防止し、磁気ヘッドと磁気ディスクとの擬似接触または接触摺動による摩耗を防止して、走行耐久性、耐食性を改善するために設けられる。保護層には、シリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラファイト、無定型カーボンなどの炭素等の材料を使用することができる。
【００３５】
保護層としては、磁気ヘッド材質と同等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜であり、摺動中に焼き付きを生じ難くその効果が安定して持続するものが、摺動耐久性に優れており好ましい。また、同時にピンホールが少ないものが、耐食性に優れておりより好ましい。このような保護膜としては、ＣＶＤ法で作製されるＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）と呼ばれる硬質炭素膜が挙げられる。
【００３６】
保護層は、性質の異なる２種類以上の薄膜を積層した構成とすることができる。例えば、表面側に摺動特性を改善するための硬質炭素保護膜を設け、磁性層側に耐食性を改善するための窒化珪素などの窒化物保護膜を設けることで、耐食性と耐久性とを高い次元で両立することが可能となる。
【００３７】
保護層上には、走行耐久性および耐食性を改善するために、潤滑層が設けられる。潤滑層には、公知の炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤等の潤滑剤が使用される。
【００３８】
潤滑剤は保護層表面に化学吸着可能な吸着潤滑剤が好ましく、この様な潤滑剤は化学吸着のための極性官能基を分子鎖中に有しており、この官能基と保護膜表面の活性サイトが結合するように設計する。官能基としては、水酸基、エステル基、カルボキシル基、スルホン基、アミノ基、アミド基、エポキシ基、シラノール基等があげられる。
【００３９】
さらに具体的には炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
【００４０】
また、フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル鎖もしくはパーフルオロポリエーテル鎖で置換した潤滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル鎖としては  パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ2ＣＦ2ＣＦ2Ｏ）n、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ3）ＣＦ2Ｏ）n、またはこれらの共重合体等である。具体的には、分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン−パーフルオロエチレン共重合体（アウジモント社製、商品名Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＤＯＬ）等が挙げられる。
【００４１】
上記の潤滑剤の内、スルホン酸やパーフルオロポリエーテルカルボン酸（α位の炭素にフッ素が結合しているカルボン酸）などの酸性の強い潤滑剤は磁性層の腐食を招くことがあるため、注意が必要である。この場合、アンモニウム塩あるいはアルキルアミン塩として使用することが好ましい。またアルコキシシランやエポキシ化合物などの反応性の高い潤滑剤も摺動によって重合生成物を生じることがあり、注意が必要である。さらに、化学吸着後、潤滑剤（境界潤滑剤）として機能するためには、炭化水素鎖がある程度長く、保護性を高める必要があり、このためには炭素数１０〜２０程度のアルキル鎖、アルケニル鎖が必要となる。従って、本発明の好ましい潤滑剤としてはステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類およびこのアルキルアミン塩、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類のアルキルアミン塩、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類およびこのアルキルアミン塩等が挙げられ、これらの一部の水素をフッ素で置換した部分フッ化アルキル（アルケニル）化合物、アルキル基をパーフルオロポリエーテル基で置換した化合物も使用可能である。パーフルオロポリテール化合物の場合、十分な潤滑性を得るために、平均分子量が１５００〜５０００であることが好ましい。
【００４２】
上記潤滑剤を保護層表面に塗布すると一部の潤滑剤は保護層表面に化学吸着する。燐酸エステルやカルボン酸のように極性の強い官能基の場合、容易に吸着して単分子膜に近い緻密な吸着配向膜が得られ易いが、エステル基や水酸基のように極性の弱い官能基の場合、吸着力が弱く、十分な効果が得られない場合がある。この様な場合には塗布後アニールが有効である。官能基の種類にもよるが、１００℃〜１５０℃程度のアニールを施すことで、吸着量を著しく増加させることができる。
【００４３】
さらに非吸着潤滑剤を存在させることが有効である。非吸着潤滑剤は、フレキシブル磁気ディスク表面に化学吸着していない潤滑剤であるが、この潤滑剤は上記吸着潤滑剤であってもよい。例えば、極性の弱い官能基を有する潤滑剤を一種類用いた場合、その一部がフレキシブル磁気ディスク表面に化学吸着し、その他部が化学吸着していない場合は、この潤滑剤が非吸着潤滑剤の役割も兼ねることになる。また、吸着潤滑剤と非吸着潤滑剤の種類が異なる場合は、非吸着潤滑剤は吸着潤滑剤と混合して塗布してもかまわないが、組み合わせによって吸着潤滑剤の吸着を阻害することがあるため、分離して塗布することが好ましい。
この様な非吸着潤滑剤としては吸着潤滑剤より官能基の極性が低く、流体潤滑性に優れたものが好ましい。官能基は水酸基あるいはエステル基であり、主鎖はポーフルオロポリエーテル鎖あるいは不飽和炭化水素鎖、分岐炭化水素差の中から選択され、常温で液体であるものが好ましい。パーフルオロポリエーテル化合物で官能基を有していない化合物も使用可能であるが、流動性、揮発性が高いため、好ましくない。本発明で使用できる好ましい非吸着潤滑剤は具体的には末端水酸基変性のパーフルオロポリエーテル（Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＤＯＬ等）、末端メチルエステル変性のパーフルオロポリエーテル（Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＤＥＡＬ等）、ブチルステアレート、オクチルステアレート、アミルステアレート、イソオクチルステアレート、ブチルミリステート、オクチルミリステート、ブトキシエチルステアレート、ブトキシジエチルステアレート、２ーエチルヘキシルステアレート、２ーオクチルドデシルパルミテート、２ーヘキシルドデシルパルミテート、イソヘキサデシルステアレート、オレイルオレエート等が挙げられる。
【００４４】
極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。
【００４５】
上記の潤滑剤は単独もしくは複数を併用して使用することができ、潤滑剤を有機溶剤に溶解した溶液を、スピンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、ディップコート法等で保護層表面に塗布するか、真空蒸着法により保護層表面に付着させればよい。潤滑剤の塗布量としては、１〜３０ｍｇ／ｍ2が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
【００４６】
また、耐食性をさらに高めるために、防錆剤を併用することが好ましい。防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メルカプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類およびこの誘導体等が挙げられる。これら防錆剤は、潤滑剤に混合して保護層上に塗布してもよく、潤滑剤を塗布する前に保護層上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布してもよい。防錆剤の塗布量としては、０．１〜１０ｍｇ／ｍ2が好ましく、０．５〜５ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
【００４７】
支持体の磁性層とは反対面（バック面）にはバックコート層を設ける。バックコート層はバック面と摺動部材が摺動する際のバック面の磨耗を防止する潤滑効果のほか、バックコート層へ上述の潤滑剤や防錆剤を添加したり、バックコート層自体のｐＨを制御することで磁性層の耐食性をさらに高める効果を有する。特に本発明においてはラッピングテープ処理によって磁性層面およびバックコート層面の突起先端部の潤滑剤が除去され易いため、バックコート層中に潤滑剤を含有させ、テープ巻き取り時に磁性層面の突起部に潤滑剤を転写、供給することが特に好ましい。この様な実施形態とすることで磁性層面の突起先端部に潤滑剤が常に存在する状態を実現でき、これによってスチル時あるいは繰り返し摺動時のヘッドおよびメディアダメージを著しく軽減できる。したがってスチルアウト、出力低下、ヘッド汚れなどを生じ難くすることができる。
【００４８】
バックコート層は、カーボンブラック、炭酸カルシウム、アルミナ等の非磁性粉体と塩化ビニルやポリウレタンなどの樹脂結合剤と硬化剤等を有機溶剤に分散し、得られた分散液をグラビア法やワイヤーバー法などで支持体に塗布し、乾燥することで作製できる。
【００４９】
バックコート層に防錆剤や潤滑剤を含有させる方法としては、前記の分散液中にこれらを溶解してもよいし、作製したバックコート層上にオーバーコートしてもよい。
バックコート層における潤滑剤の含有量（塗布量）としては、０．５〜３０ｍｇ／ｍ2が好ましく、１〜２０ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
また防錆剤の含有量（塗布量）としては、０．５〜２０ｍｇ／ｍ2が好ましく、１〜１０ｍｇ／ｍ2が特に好ましい。
またバックコート層の厚みは、０．３〜１．５μｍが好ましく、０．４〜０．８μｍが特に好ましい。
【００５０】
前記のようにして得られた磁気テープの原反は、裁断機などを使用して所望の幅にスリッティングされる。裁断機としては、特に制限はないが、回転する上刃（雄刃）と下刃（雌刃）の組が複数設けられたものが好ましく、適宜、スリット速度、噛み合い深さ、上刃（雄刃）と下刃（雌刃）の周速比（上刃周速／下刃周速）、スリット刃の連続使用時間等が選定される。
【００５１】
上記の様な構成の磁気テープは、そのままの状態では支持体表面あるいは下塗り表面上に塗布した微小突起の凝集物が存在したり、スパッタ工程でパーティクルが付着することがある。このような支持体の表面欠陥や付着物は、スペーシングロスの増大や、メディアスクラッチの発生の原因となる。さらにＭＲヘッドやＧＭＲヘッドなどの耐摩耗性が低い高感度ヘッドを使用する場合に、磁気信号のドロップアウトやエラーにつながるだけではなく、これらの磁気ヘッドを破壊してしまうことがある。特に本発明のように磁気テープとヘッドが接触摺動するテープシステムの場合、この影響が顕著となる。
【００５２】
そこで本発明ではラッピング（研磨）テープ処理を行う。
従来、塗布型や蒸着型の磁気テープの製造においては、サファイヤブレード、ダイヤモンドホイール、研磨テープを用いた処理が行われているが、本発明のように、磁性層をスパッタ法で形成する金属薄膜型の磁気テープにラッピング処理を施すことは知られていない。なお本発明では、従来の塗布型や蒸着型の磁気テープの研磨テープ処理条件よりも、下記で説明するような厳しい処理条件を採用することで、その効果が大きくなる。
【００５３】
ラッピングテープ処理は、ラッピングテープを所定のサイズにスリッティングした磁気テープと接触走行させ、磁気テープの表面をクリーニングまたは研磨処理するものである。なお、ラッピングテープ処理後は、必要に応じて加工クズの除去等を目的として、サファイヤブレードのような固定ブレードによってテープ表面を研削してもよい。
【００５４】
ラッピングテープは研磨剤を樹脂結合剤とともに溶剤中に分散させ、これを可とう性支持体上に研磨層として塗布、乾燥させた後、必要な幅に裁断して使用する。この際、必要に応じて研磨剤と樹脂結合剤の他に、硬化剤、潤滑剤、分散剤等の添加剤を適宜用いることができる。
ラッピングテープとしては、研磨層表面のＲａが０．２０μｍ以下、好ましくは０．２〜０．００５μｍ、更に好ましくは、０．１８〜０．０２μｍの範囲である。また、ラッピングテープの砥粒素材、テープの機械的特性、幅、長さ等のサイズ等の仕様は適宜選定され得る。ラッピングテープの選定に関しては、（色材、６６（３）、４７６−４８６（１９９３）；総説「研磨フィルムによる精密加工」）を参照することができる。
また、本発明において好ましいラッピングテープは、具体的には、粒度が１００００番を越える研磨テープを挙げることができる。このような研磨テープとしては、ＭＡ２００００（２００００番相当、０．６μｍ相当（粒度およびＲａ。以下同様））、ＫＸ２００００（２００００番相当、０．６μｍ相当）、ＣＦ１６０００（１６０００番相当、０．８μｍ相当）、１２Ｋ１００００（１００００番相当、１．１μｍ相当）、２３Ｋ１００００（１００００番相当、１．１μｍ相当）、３７Ｋ１００００（１００００番相当、１．１μｍ相当）、７ＭＡ２００００（２００００番相当、０．６μｍ相当）、１０ＭＡ２００００（２００００番相当、０．６μｍ相当）、３０ＭＡ２００００（２００００番相当、０．６μｍ相当）、１２ＭＳ２００００Ｎ（２００００番相当、０．６μｍ相当）、２３ＭＳ２００００Ｎ（２００００番相当、０．６μｍ相当）、２７ＫＭ１００００（２００００番相当、１．１μｍ相当）、５０ＫＭ１００００（１００００番相当、１．１μｍ相当）、７５ＫＭ１００００（１００００番相当、１．１μｍ相当）、２７ＫＸ２００００（２００００番相当、０．６μｍ相当）、３０ＫＸ２００００（２００００番相当、０．６μｍ相当）（以上、富士写真フイルム（株）製）等が挙げられる。
ラッピングテープに使用される研磨剤種としてはダイヤモンド、アルミナ、酸化クロム、酸化鉄などがあげられる。
具体的なラッピングテープ処理は、例えば次のようにして行う。保護層およびバックコート層まで形成した磁気テープをスリッティングした後、ラッピングテープと接触走行させ、ラッピングテープを磁気テープと相対的に反対方向に送ることで、磁気テープ表面のクリーニングおよび研磨処理を行う。磁性層を支持体の両面に形成した場合は両面から同時に処理しても良い。この際の磁気テープの送り速度は１〜１０００ｍ／分、好ましくは２０〜１００ｍ／分であり、ラッピングテープの送り速度は０．０１〜１ｍ／分、好ましくは０．１〜０．５ｍ／分である。また磁気テープとラッピングテープの接触圧は５〜２００ｇｆ／ｃｍ（４．９〜１９６Ｎ／ｍ）、好ましくは２０〜１００ｇｆ／ｃｍ（１９．６〜９８Ｎ／ｍ）である。
ラッピングテープと磁気テープを接触させるにはラッピングテープをバックアップローラーに巻き付け、この２つのバックアップローラー間に磁気テープを通過させる方法が好ましい。この様な方法とすることで、高い接触圧で加工することができる。一回の加工で十分な効果が得られない場合には複数回の加工を施す。
【実施例】
【００５５】
以下、本発明を実施例および比較例によりさらに説明するが、本発明は下記例に限定されるものではない。
【００５６】
厚み６．３μｍ、表面粗さＲａ＝１．２ｎｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、塩酸、アルミニウムアセチルアセトネート、エタノールからなる下塗り液をグラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥と硬化を行い、厚み０．２μｍのシリコン樹脂からなる下塗り層を作成した。この下塗り層上に粒子径１８ｎｍのシリカゾルと前記下塗り液を混合した塗布液をグラビアコート法で塗布して、下塗り層上に高さ１５ｎｍの突起を１０個／μｍ2の密度で形成した。次にウェブスパッタ装置にこの原反を設置し、水冷したキャン（１５℃）上にフィルムを密着させながら搬送し、下塗り層上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣからなるバリア層を２０ｎｍ、Ｒｕからなる下地層を４０ｎｍの厚みで形成し、引き続き（Ｃｏ70−Ｐｔ20−Ｃｒ10）88−（ＳｉＯ2）12からなる磁性層を１７ｎｍの厚みで形成した。次にこの原反をウェブ式のＣＶＤ装置に設置し、エチレンガス、窒素ガスを原料ガスとして用いたイオンビームプラズマＣＶＤ法で窒素添加ＤＬＣ保護膜を１０ｎｍの厚みで形成した。次に原反のバック面にカーボンブラック、炭酸カルシウム、ステアリン酸、ニトロセルロース、ポリウレタン、イソシアネート硬化剤をメチルエチルケトンに溶解、分散したバックコート液をワイヤーバー法で塗布し、１００℃で乾燥して、厚み０．５μｍのバックコート層を作成した。その後、保護層表面にステアリルアミンとモノラウリルフォスフェートの１：１（モル比）混合液を塗布して潤滑層を作製した。潤滑剤の塗布量としては、１０ｍｇ/ｍ2であった。バックコート層表面には分子末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮ  Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系潤滑剤（住友スリーエム社製ＨＦＥ−７２００）に溶解した溶液をグラビアコート法で塗布して潤滑層を形成した。潤滑剤の塗布量としては、１０ｍｇ/ｍ2であった。次にこの原反を幅８ｍｍにスリッティングした後、３００００番アルミナ研磨テープを用いて両面同時にラッピングテープ処理した。この際の磁気テープ送り速度は１００ｍ／分、研磨テープ送り速度は１００ｍｍ／分（原反送り方向と逆方向）、押しつけ圧は１００ｇｆ／ｃｍ（９８Ｎ／ｍ）、処理回数３回とした。テープバーニッシュした後、８ｍｍビデオカセット用のカートリッジに組み込んで、磁気テープを作製した。
【００５７】
（比較例１）
実施例１においてラッピングテープ処理を省略した試料を作製し、これを比較例１とした。
【００５８】
（実施例２）
実施例１においてバックコート層の潤滑剤Ｚ−ＤＯＬを磁性層面側に塗布し、バックコート層面に塗布しない試料を作製し、これを実施例２とした。
【００５９】
（評価）
実施例、比較例の各試料について表面欠陥密度を測定した。この測定はマイクロスコープ（キーエンス社製）を用いて５０倍の倍率で５×５ｍｍのエリアについてキャプチャーした画像を２値化処理し、観察光が散乱さて観察される欠陥を抽出することで行った。
磁気テープの記録再生特性はドラムテスターを用いて行った。ヘッドにはＭＲヘッドを使用し、１５０ｋＦＣＩの信号を記録・再生した。またこの際の信号出力を３時間モニターし、初期（ＣＮＲ）と３時間後を比較することで出力低下を調べた。
結果を下記表１に示す。
【００６０】
表１
欠陥数      ＣＮＲ        出力低下
実施例１        ５      ４５ｄＢ    −０．３ｄＢ
実施例２        ５      ４５ｄＢ    −０．９ｄＢ
比較例１      １３      ３９ｄＢ    −１．８ｄＢ
【００６１】
表１から分かるように、磁性層面をラッピングテープ処理した実施例の試料は、比較例に比べて表面欠陥数および出力特性に優れていることが分かる。とくにバックコート層に潤滑剤を含有させた実施例１の試料は、出力特性にとくに優れていた。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気テープの積層構成を示す斜視図である。
【図２】磁気テープがカートリッジに収納された形態を示す概略図である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  磁気テープ
１４  支持体
１５  下地層
１６  磁性層
１８  保護層
２０  潤滑層
２２  バックコート層
１００  カートリッジ
【図１】
2006139880.tif 000003
【図２】
2006139880.tif 000004