(57)【要約】【課題】  磁気抵抗効果素子により記憶媒体内の情報を再生する磁気抵抗効果型の再生ヘッド、当該再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドとが一体化された複合型薄膜磁気ヘッド、および当該複合型薄膜磁気ヘッドを有するディスク装置に関し、ディスク装置等の高記録密度化に対応するために、ハード膜等による磁気抵抗効果素子の磁区制御を行い、かつ記憶媒体上の隣接トラック間のクロストークを防止することを目的とする。【解決手段】  磁気抵抗効果素子１と、磁気抵抗効果素子１を挟むように形成された第１の電極端子2-1および第２の電極端子2-2とを有し、磁気抵抗効果素子１の抵抗値の変化を利用して記憶媒体内の任意の記憶領域の情報を再生する再生ヘッド10において、磁気抵抗効果素子１に一定のバイアス磁界を予め印加しておくための高保磁力膜５および軟磁性膜４を含む積層部６を、磁気抵抗効果素子１の幅方向の両端に形成する。【選択図】      図１
2006139850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗値が磁界により変化する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を挟むように形成された第１の電極端子および第２の電極端子とを有し、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を利用して記憶媒体内の任意の記憶領域の情報を磁気信号として再生する再生ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子に一定のバイアス磁界を予め印加しておくための高保磁力膜および軟磁性膜を含む積層部を、前記磁気抵抗効果素子の幅方向の両端に形成することを特徴とする再生ヘッド。
【請求項２】
前記高保磁力膜と前記軟磁性膜の間に非磁性膜が形成されることを特徴とする請求項１記載の再生ヘッド。
【請求項３】
前記積層部は、少なくとも２つの軟磁性膜の間に少なくとも１つの高保磁力膜が形成された構成になっていることを特徴とする請求項１または２記載の再生ヘッド。
【請求項４】
前記積層部は、少なくとも１つの前記軟磁性膜と少なくとも１つの前記高保磁力膜とが積層された構成になっていることを特徴とする請求項１または２記載の再生ヘッド。
【請求項５】
抵抗値が磁界により変化する磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子を挟むように形成された第１の電極端子および第２の電極端子とを有し、前記磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を利用して記憶媒体内の所望の記憶領域の情報を磁気信号として再生する再生ヘッドにおいて、
前記磁気抵抗効果素子に一定のバイアス磁界を予め印加しておくための反強磁性膜と該反強磁性膜によって磁気的に固着された強磁性膜とが積層された積層膜および軟磁性膜を含む積層部を、前記磁気抵抗効果素子の幅方向の両端に形成することを特徴とする再生ヘッド。
【請求項６】
前記積層部は、前記反強磁性膜および前記強磁性膜の前記積層膜と、前記軟磁性膜との間に非磁性膜が形成された構成になっていることを特徴とする請求項５記載の再生ヘッド。
【請求項７】
前記積層部は、少なくとも２つの軟磁性膜の間に少なくとも１つの前記反強磁性膜および前記強磁性膜の前記積層膜が形成された構成になっていることを特徴とする請求項５または６記載の再生ヘッド。
【請求項８】
前記積層部は、少なくとも１つの前記軟磁性膜と少なくとも１つの前記反強磁性膜および前記強磁性膜の前記積層膜とが積層された構成になっていることを特徴とする請求項５または６記載の再生ヘッド。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の再生ヘッドと、記憶媒体内の任意の記憶領域に情報を記録する記録ヘッドとが一体化された構造を有することを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか一項に記載の再生ヘッドと、記憶媒体内の任意の記憶領域に情報を記録する記録ヘッドとが一体化された構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドと、
ほぼ同心円状の複数のトラックからなる記憶領域が前記記憶媒体内に形成されたディスクと、
前記ディスクの内周部の位置と外周部の位置との間を往復移動するように前記複合型薄膜磁気ヘッドを駆動するボイスコイルモータと、
前記ディスクを回転可能に駆動するスピンドルモータと、
前記複合型薄膜磁気ヘッドを用いて前記ディスクの任意の位置に情報を記録すると共に、該任意の位置に記録されている情報を再生する動作を制御する制御部とを備えることを特徴とするディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果素子の抵抗値が外部からの磁界により変化する現象を利用してディスク等の記憶媒体内の情報（データ）を磁気信号として再生する磁気抵抗効果型の再生ヘッド、記憶媒体への情報の記録を行う誘導型の記録ヘッドと当該再生ヘッドとが一体化された構造を有する複合型薄膜磁気ヘッド、および、当該複合型薄膜磁気ヘッドを用いてディスクの任意の位置に情報を書き込むと共に、任意の位置に書き込まれている情報を読み出すための制御を行うディスク装置（例えば、磁気ディスク装置）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、非磁性層（または低抵抗層）を介して積層された２種類の磁性層（例えば、磁化の方向が固定されているピンド層、および、磁化の方向が外部からの磁界により変化し得るフリー層）を有するような磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistance Effect）素子と略記することもある）を使用した磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッド（Magnetoresistive Head ）と略記することもある）が、ディスク装置等の磁気記憶装置の再生ヘッドとして使用される傾向にある。この磁気抵抗効果型の再生ヘッドは、誘導型の磁気ヘッドに比べて高感度であり再生信号の出力がディスク等の記録媒体と磁気ヘッドとの間の相対速度に依存しないことや、薄膜ＩＣ（集積回路）等の微細素子加工技術により容易に作製され得ることからして、磁気記憶装置の高記録密度化および小型化に対して有利な磁気ヘッドである。実際には、上記の磁気抵抗効果型の再生ヘッドと、記憶媒体へのデータの記録を行う誘導型の記録ヘッドとが一体化された構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドが、ディスク装置等の磁気記憶装置に組み込まれる。
【０００３】
また一方で、近年は、ディスク装置の大容量化と共にディスク等の記憶媒体上のトラックのビット長およびトラック幅が急激に狭くなってくる傾向にある。これに伴って、記憶媒体から磁気信号として検出される再生信号の出力も減少している。それゆえに、ＭＲヘッドのような高感度の再生ヘッドの使用が望まれる。さらに、記憶媒体上のトラック幅が狭くなることによってＭＲヘッドおよびＭＲ素子の微細化が進み、隣接するトラックからの漏洩磁界によって当該隣接トラックのデータを誤って読み取ってしまうおそれが生ずる。これを防止するために、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側に、隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するためのシールドを設ける構造も知られている。
【０００４】
一般に、ディスク等の記憶媒体は、再生ヘッドまたは複合型薄膜磁気ヘッドによるアクセスが可能な複数の同心円状のトラックにより構成されている。さらに、各々のトラックは、複数の記憶領域に区分されている。この複数の記憶領域の各々は、「セクタ」と呼ばれる。
【０００５】
さらに、ＭＲ素子を用いた再生ヘッドは、ＭＲ素子を構成する磁気抵抗効果膜が単磁区構造とならない場合、バルクハウゼンノイズが発生する。このバルクハウゼンノイズによって、記憶媒体から検出される再生信号の出力が大きく変動するという不都合な事態が生じてくる。この対策として、ＭＲ素子の磁気抵抗効果膜の磁区制御を行って当該磁気抵抗効果膜を単磁区構造にするために、下記の図３１および図３２に代表されるように、ＭＲ素子に一定のバイアス磁界（静磁界）を予め印加しておくための磁区制御膜が再生ヘッドに形成されている。
【０００６】
図３１は、従来の第１例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図、図３２は、従来の第２例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図、そして、図３３は、従来の第３例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。
【０００７】
図３１の第１例において、再生ヘッド１００は、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子１を挟むように形成された上側電極端子２−１および下側電極端子２−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３−１および下側シールド部３−２とを有する。
【０００８】
一般に、ＭＲヘッドの高感度化を狙った構造の一つとして、ＭＲ素子の磁界による抵抗値の変化を比較的大きくするために、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構造が使用されている。より詳細にいえば、図３１に示すように、上側電極端子２−１および下側電極端子２−２を介して、定電圧源ＰＳからＭＲ素子１に対し所定の電圧Ｖを印加することによって、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に一定の電流を流すようにしている。
【０００９】
さらに、図３１に示すように、ＭＲ素子１は、非磁性層（または低抵抗層）１４を介して積層されたピンド層１２およびフリー層１３からなる２種類の磁性層を有する。ここで、ピンド層１２は、反強磁性層１１によって、磁化の方向が固定されている。また一方で、フリー層１３は、記憶媒体上のトラックからの磁界によって磁化の方向が変化するようになっている。このフリー層１３に対して前述のような磁区制御を行うために、ＭＲ素子１のトラック幅方向（ＭＲ素子の高さ方向および膜厚方向と直交する方向）の両側に、高い保磁力を有するハード膜６００が設けられている。このハード膜６００は、フリー層１３に一定のバイアス磁界を印加するための磁区制御膜として機能する。より具体的には、ハード膜６００として、ＣｏＰｔ（コバルト白金）等に代表される高保磁力膜またはＰｄＰｔＭｎ（パラジウム白金マンガン）等に代表される反強磁性膜と強磁性膜との積層膜が、ＭＲ素子１のトラック幅方向の両側に形成されている。
【００１０】
また一方で、図３２の第２例において、再生ヘッド１１０は、前述の図３１の場合と同様に、ＭＲ素子１と、上側電極端子２−１および下側電極端子２−２と、上側シールド部３−１および下側シールド部３−２とを有する。さらに、図３２においても、前述の図３１の場合と同様に、上側電極端子２−１および下側電極端子２−２を介して、定電圧源ＰＳからＭＲ素子１に対し所定の電圧Ｖを印加することによって、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に一定の電流を流すようにしている。
【００１１】
さらに、図３２においては、ＭＲ素子１のフリー層（図３１参照）に対して前述のような磁区制御を行うために、バイアス用反強磁性膜６１０と強磁性膜６２０との積層膜（図３１のハード膜に相当する）が、ＭＲ素子１の膜厚方向（すなわち、トラックのビット長方向）の一方の側に積層されている。この積層膜もまた、フリー層に一定のバイアス磁界を印加するための磁区制御膜として機能する。
【００１２】
また一方で、図３３に示すような再生ヘッド１２０では、磁気記憶装置の高記録密度化を促進するために、低い保磁力を有する軟磁性膜であるソフト膜６３０が、ＭＲ素子１のトラック幅方向の両側に形成されている。このソフト膜６３０は、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を確実に遮蔽するサイドシールドの機能を有する。これによって、記憶媒体上の所望のトラックと隣接トラックとの間で生ずるクロストークが確実に抑制されるので、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）が良好な再生信号が得られると共に、互いに隣接するトラック間の間隔を比較的狭くすることができ、磁気記憶装置の高記録密度化が促進されると考えられる。
【００１３】
ここで、磁気記憶装置の高記録密度化を図るために、図３３のようにＭＲ素子のトラック幅方向の両側にソフト膜を形成した場合、従来の再生ヘッドの構造では、図３１のように、ＭＲ素子のトラック幅方向の両側に磁区制御膜として機能するハード膜を設けることはできない。
【００１４】
それゆえに、図３３のようにＭＲ素子のトラック幅方向の両側にソフト膜を形成した場合、従来の再生ヘッドは、図３２のように、ＭＲ素子の膜厚方向の一方の側に磁区制御膜として機能する反強磁性膜と強磁性膜との積層膜を設けるような構造にせざるを得ない。
【００１５】
しかしながら、ＭＲ素子の膜厚方向の一方の側に反強磁性膜と強磁性膜との積層膜を設けるような構造にした場合、反強磁性膜と強磁性膜との積層膜がＭＲ素子上に積層されるので、再生ヘッドの上側シールド部と下側シールド部との間の距離が増加してしまう。このため、再生ヘッドのトラックのビット長方向の長さ（すなわち、リードギャップ）が大きくなる。それゆえに、磁気記憶装置の高記録密度化に対応することが難しくなってくる。
【００１６】
ここで、参考のため、前述のような従来の再生ヘッドの構造に関連した下記の特許文献１〜３を先行技術文献として呈示する。これらの特許文献１〜３のいずれにおいても、前述の従来の再生ヘッドと同様の問題が発生する。
【００１７】
【特許文献１】特開２００３−２６４３２４号公報
【特許文献２】特開平７−２１０８２８号公報
【特許文献３】特開２００２−２２２５０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、Ｓ／Ｎ比が良好な再生信号を得ると共にディスク装置等の磁気記憶装置の高記録密度化に対応するために、ハード膜等による磁気抵抗効果素子の磁区制御を行うと共に記憶媒体上の所望のトラックと隣接トラックとの間で生ずるクロストークを確実に防止することができるような再生ヘッド、複合型薄膜磁気ヘッド、および当該複合型薄膜磁気ヘッドが組み込まれたディスク装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記問題点を解決するために、本発明の一つの態様は、抵抗値が磁界により変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を挟むように形成された第１の電極端子および第２の電極端子とを有し、上記磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を利用して記憶媒体内の任意の記憶領域の情報を磁気信号として再生する再生ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子に一定のバイアス磁界を予め印加しておくための高保磁力膜および軟磁性膜を含む積層部を、上記磁気抵抗効果素子の幅方向の両端に形成するように構成される。
【００２０】
好ましくは、本発明の一つの態様において、上記高保磁力膜と上記軟磁性膜の間に非磁性膜が形成される。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明の一つの態様において、上記積層部は、少なくとも２つの軟磁性膜の間に少なくとも１つの高保磁力膜が形成された構成になっている。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明の一つの態様において、上記積層部は、少なくとも１つの上記軟磁性膜と少なくとも１つの上記高保磁力膜とが積層された構成になっている。
【００２３】
また一方で、本発明の他の態様は、抵抗値が磁界により変化する磁気抵抗効果素子と、この磁気抵抗効果素子を挟むように形成された第１の電極端子および第２の電極端子とを有し、上記磁気抵抗効果素子の抵抗値の変化を利用して記憶媒体内の所望の記憶領域の情報を磁気信号として再生する再生ヘッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子に一定のバイアス磁界を予め印加しておくための反強磁性膜と当該反強磁性膜によって磁気的に固着された強磁性膜とが積層された積層膜および軟磁性膜を含む積層部を、上記磁気抵抗効果素子の幅方向の両端に形成するように構成される。
【００２４】
好ましくは、本発明の他の態様において、上記積層部は、上記反強磁性膜および上記強磁性膜の上記積層膜と、上記軟磁性膜との間に非磁性膜が形成された構成になっている。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明の他の態様において、上記積層部は、少なくとも２つの軟磁性膜の間に少なくとも１つの上記反強磁性膜および上記強磁性膜の上記積層膜が形成された構成になっている。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明の他の態様において、少なくとも１つの上記軟磁性膜と少なくとも１つの上記反強磁性膜および上記強磁性膜の上記積層膜とが積層された構成になっている。
【００２７】
また一方で、本発明は、前述のような構成の再生ヘッドと、記憶媒体内の任意の記憶領域に情報を記録する記録ヘッドとが一体化された構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００２８】
また一方で、本発明は、前述のような構成の再生ヘッドと、記憶媒体内の任意の記憶領域に情報を記録する記録ヘッドとが一体化された構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドと、ほぼ同心円状の複数のトラックからなる記憶領域が上記記憶媒体内に形成されたディスクと、上記ディスクの内周部の位置と外周部の位置との間を往復移動するように上記複合型薄膜磁気ヘッドを駆動するボイスコイルモータと、上記ディスクを回転可能に駆動するスピンドルモータと、上記複合型薄膜磁気ヘッドを用いて上記ディスクの任意の位置に情報を記録すると共に、当該任意の位置に記録されている情報を再生する動作を制御する制御部とを備えるディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００２９】
要約すれば、本発明では、再生ヘッドにおける磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）のトラック幅方向の両端に、磁区制御膜として機能する高保磁力膜（例えば、ハード膜）と、互いに隣接するトラック間のクロストークを抑制するための軟磁性膜（例えば、ソフト膜）との積層部を形成している。それゆえに、従来は両立させることができなかったような、高保磁力膜による磁気抵抗効果素子の磁区制御と軟磁性膜のサイドシールドによる隣接トラック間のクロストーク防止とを同時に実現することが可能になる。
【００３０】
また一方で、前述の高保磁力膜の代わりに、反強磁性膜と強磁性膜との積層膜を形成しても、反強磁性膜により磁気的に固着された（ピニングされた）強磁性膜によって、磁気抵抗効果素子の磁区制御を実現することが可能になる。
【００３１】
上記のように、磁気抵抗効果素子の磁区制御と記憶媒体上の隣接トラック間のクロストーク防止とを同時に実現することにより、磁気記憶装置の高密度記録化に対応した微細素子加工において、良好な歩留まりで再生ヘッドを容易に作製することが可能になり、かつ、バルクハウゼンノイズの無いＳ／Ｎ比の良好な再生信号を得ることが可能になる。
【００３２】
また一方で、本発明では、上記のような構成の磁気抵抗効果型の再生ヘッドと、記憶媒体への情報（データ）の記録を行う誘導型の記録ヘッドとが一体化された構造を有する複合型薄膜磁気ヘッドが、ディスク装置等の磁気記憶装置に組み込まれる。上記の再生ヘッドおよび記録ヘッドを有する複合型薄膜磁気ヘッドは、磁気記憶装置の高密度記録化に対応した微細素子加工において、良好な歩留まりで容易に作製することが可能である。
【００３３】
また一方で、本発明では、上記のような構成の複合型薄膜磁気ヘッドが組み込まれたディスク装置を良好な歩留まりで容易に作製することができるので、ディスク装置の高密度記録化に対応することが容易に可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、添付図面（図１〜図３０）を参照しながら、本発明の好ましい実施例の構成を説明する。
【００３５】
図１は、本発明の基本原理に基づく基本実施例の概略的構成を示す斜視図である。なお、これ以降、前述した構成要素と同様のものについては、同一の参照番号を付して表す。
【００３６】
図１に示すように、本発明の基本実施例に係る再生ヘッド１０は、前述の従来の第１例（図３１参照）の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子１を挟むように形成された上側電極端子（第１の電極端子）２−１および下側電極端子（第２の電極端子）２−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部（第１のシールド部）３−１および下側シールド部（第２のシールド部）３−２とを有する。
【００３７】
図１においても、前述の従来の第１例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。より詳細にいえば、図１に示すように、上側電極端子２−１および下側電極端子２−２を介して、定電圧源ＰＳからＭＲ素子１に対し所定の電圧Ｖを印加することによって、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に一定の電流を流すようにしている。
【００３８】
さらに、図１に示すように、ＭＲ素子１は、非磁性層（または低抵抗層）１４を介して積層されたピンド層１２およびフリー層１３からなる２種類の磁性層を有する。ここで、ピンド層１２は、反強磁性層１１によって、磁化の方向が固定されている。また一方で、フリー層１３は、記憶媒体上のトラックからの磁界によって磁化の方向が変化するようになっている。
【００３９】
さらに、図１の基本実施例では、ＭＲ素子１のトラック幅方向の両側に、フリー層１３に一定のバイアス磁界を予め印加するための磁区制御膜として機能する高保磁力膜（ハード膜とも呼ばれる）５と、互いに隣接するトラック間のクロストークを抑制するための軟磁性膜（ソフト膜とも呼ばれる）４とを含む積層部６を形成している。この積層部６によって、従来は両立させることができなかったような、高保磁力膜５によるＭＲ素子１の磁区制御と軟磁性膜４のサイドシールドによる隣接トラック間のクロストーク防止とを同時に実現することができるようになる。
【００４０】
より詳細にいえば、従来は、図３１および図３３に基づいて説明したように、高保磁力膜と軟磁性膜とが同位置に存在するため、高保磁力膜による磁区制御と軟磁性膜による隣接トラック間のクロストーク防止とを同時に実現することはできなかった。また一方で、反強磁性膜による磁区制御を行う場合、図３２に基づいて説明したように、反強磁性膜をＭＲ素子上に積層するため、リードギャップに相当する上側シールド部および下側シールド部間の距離が増加し、磁気記憶装置の高記録密度化に対応することが難しかった。
【００４１】
これに対し、図１の基本実施例に係る再生ヘッドでは、図１に基づいて説明したように、高保磁力膜と軟磁性膜とを積層することで、高保磁力膜による磁区制御と軟磁性膜による隣接トラック間のクロストーク防止とを兼ね備えることができる。また一方で、高保磁力膜の代わりに、反強磁性膜と強磁性膜との積層膜を用いても、反強磁性膜により磁気的に固着された強磁性膜によって、磁気抵抗効果素子の磁区制御を実現することができる。
【００４２】
好ましくは、図１の基本実施例に代表される再生ヘッドに使用されるＭＲ素子は、非磁性の低抵抗層からなる低抵抗膜を２つの磁性膜（例えば、ピンド層およびフリー層）で挟んだ構造を有する素子であってよい。
【００４３】
さらに、好ましくは、上記の再生ヘッドに使用されるＭＲ素子は、ピンド層およびフリー層等からなる２つの強磁性膜のトンネル接合を利用した強磁性トンネル接合構造を有する素子であってよい。
【００４４】
さらに、好ましくは、上記の再生ヘッドに使用されるＭＲ素子は、少なくとも２つの磁性層と少なくとも１つの非磁性層とが積層された多層膜構造を有する素子であってよい。
【００４５】
図２は、本発明の第１の実施例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。なお、これ以降、ＭＲ素子のトラック幅方向、高さ方向および膜厚方向を、それぞれＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向と表すこととする。
【００４６】
図２に示すように、本発明の第１の実施例に係る再生ヘッド１０は、前述の基本実施例（図１参照）の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子１を挟むように形成された上側電極端子２−１および下側電極端子２−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３−１および下側シールド部３−２とを有する。図２においても、前述の基本実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００４７】
さらに、図２に示すように、ＭＲ素子１は、非磁性層（または低抵抗層）１４を介して積層されたピンド層１２およびフリー層１３からなる２種類の磁性層を有する。ここで、ピンド層１２は、反強磁性層１１によって、磁化の方向が固定されている。また一方で、フリー層１３は、記憶媒体上のトラックからの磁界によって磁化の方向が変化するようになっている。
【００４８】
さらに、図２の実施例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と下側ソフト膜４１との間に、磁区制御膜として機能するハード膜５０が形成された構造になっている。このハード膜５０により、ＭＲ素子１のフリー層１３に一定のバイアス磁界を印加することによって、ＭＲ素子１のフリー層１３の磁区制御が行われる。上記の上側ソフト膜４０、ハード膜５０および下側ソフト膜４１によって、積層部（図１参照）として機能する積層膜６０が構成される。
【００４９】
好ましくは、上側ソフト膜４０とハード膜５０との間、および、ハード膜５０と下側ソフト膜４１との間に、非磁性膜がそれぞれ形成される。さらに、好ましくは、ＭＲ素子１と積層膜６０との間に、非磁性の絶縁膜が形成される。
【００５０】
図２の実施例に係る再生ヘッドでは、上側ソフト膜４０、ハード膜５０および下側ソフト膜４１の積層膜６０によって、従来は両立させることができなかったような、ハード膜５０によるＭＲ素子の磁区制御と２つのソフト膜４０、４１のサイドシールドによる隣接トラック間のクロストーク防止とを同時に実現することができるようになる。
【００５１】
図３は、本発明の実施例に係るディスク装置の概略的構成を示す平面図であり、図４は、本発明の実施例に係る複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成を示す正面図である。
【００５２】
図３に示すディスク装置２００は、大まかにいって、ディスク装置内のディスク２０５、複合型薄膜磁気ヘッド１８、スピンドルモータ２２０およびボイスコイルモータ１４０等を収納するためのディスクエンクロージャ２０１と、複合型薄膜磁気ヘッド１８によりディスク２０５に対するデータ書き込み動作およびデータ読み出し動作等を制御する制御部（図示していない）とにより構成される。上記のディスクエンクロージャ２０１には、スピンドル２１０に結合されるスピンドルモータ２２０によって回転駆動される単一または複数のハードディスク等の回転するディスク２０５が同軸上に設けられている。スピンドルモータ２２０の動作は、制御部のサーボコントローラ（図示していない）により制御されている。ディスク２０５の表面（または裏面）の磁気記録面には、複数のトラック（または複数のシリンダ）が形成されており、このトラックの任意の位置のセクタに所定のデータに対応するデータパターンが書き込まれている。
【００５３】
ここで、「シリンダ」とは、複数のディスクが積層されて配置されている場合に、各々のディスク上で複数の薄膜磁気ヘッドによって同時にアクセスすることが可能な垂直方向の複数のトラックの集合体（すなわち、シリンダ状の複数のトラック）を指し示す用語である。
【００５４】
より詳細にいえば、複合型薄膜磁気ヘッド１８は、図４に示すように、図２の実施例に代表されるようなディスク２０５の磁気記録面の任意の位置に記録されているデータを磁気信号として再生するための（データ読み出し動作用の）磁気抵抗効果型の再生ヘッド１０と、上側磁極１６および下側電極１７間のギャップ（空隙）Ｇを利用してディスク２０５の磁気記録面の任意の位置にデータを記録するための（データ書き込み動作用の）誘導型の記録ヘッド１５とが一体化された構造になっている。
【００５５】
さらに、再び図３に示すように、複合型薄膜磁気ヘッド１８は、ヘッド支持用のアーム１７０の先端に実装されている。このアーム１７０は、サーボコントローラにより制御されるボイスコイルモータ１４０によって、ディスク２０５の内周部（インナ側）の位置と外周部（アウタ側）の位置との間を往復移動するように駆動される。これによって、ディスク２００の磁気記録面でデータが書き込まれている全てのデータ領域のセクタに対するアクセスを行うことが可能になる。ここで、アーム１７０の往復移動がスムーズに行えるようにするために、ボイスコイルモータ１４０の中心部にピボットベアリング３００が取り付けられている。
【００５６】
例えば、ボイスコイルモータ１４０によってアーム１７０が矢印Ｂの方向に回転することにより、複合型薄膜磁気ヘッド１８がディスク２０５の半径方向に移動し、所望のトラックを走査することが可能になる。ボイスコイルモータ１４０およびアーム１７０を含む構成要素は、ヘッドアクチュエータとも呼ばれている。さらに、このヘッドアクチュエータにはフレキシブルプリント基板（通常、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）と略記される）３１０が取り付けられており、このフレキシブルプリント基板３１０を経由して、ボイスコイルモータ１４０および複合型薄膜磁気ヘッド１８の動作を制御するためのサーボ信号が供給される。
【００５７】
ディスク２０５の外周部には、ランプ機構１８０が配置されており、アーム１７０の先端に係合して複合型薄膜磁気ヘッド１８をディスク２０５から離間させて保持するようになっている。
【００５８】
ついで、図５〜図１０を参照しながら、本発明の第１の実施例に係る再生ヘッドの作製工程に関して詳細に説明する。
【００５９】
図５は、図２の実施例に係る再生ヘッドの主要部の構成を示す斜視図、図６は、上記実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その１）、図７は、上記実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その２）、図８は、上記実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その３）、図９は、上記実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その４）、そして、図１０は、上記実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その５）である。
【００６０】
図５においては、図２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程が容易に理解されるようにするために、最上部の上側シールド部３−１と最下部の下側シールド部３−２とを取り外した状態での再生ヘッド１０の概略的な構造を示すようにしている。それゆえに、図５の再生ヘッド１０の構造は、シールド部３−１および下側シールド部３−２以外は、前述の図２の再生ヘッド１０の構造と同一である。したがって、ここでは、図５の再生ヘッド１０に関する再度の説明を省略する。
【００６１】
図６〜図１０の左側の側面図（ａ）においては、再生ヘッド１０の端子幅の中央部におけるＭＲ素子の高さ方向の断面図が図示されており、同図の右側の正面図（ｂ）においては、再生ヘッド１０の端子幅の中央部におけるＭＲ素子の幅方向（トラック幅方向）の断面図が図示されている。図２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を以下に記す。
【００６２】
まず第１に、図６に示すように、基板上に下側シールド部３−２、下側電極端子２−２、ＭＲ素子１、および上側電極端子２−１を基板上に順次成膜する。
【００６３】
ここで、下側電極端子２−２は成膜せず、下側シールド部３−２が下側電極端子を兼ねてもよい。この場合は、下側電極端子と下側シールド部の材料を同じにすることが好ましい。さらに、上側電極端子２−１は成膜せず、後に成膜される上側シールド３−１が上側電極端子を兼ねてもよい。この場合は、上側電極端子と上側シールド部の材料を同じにすることが好ましい。
【００６４】
好ましくは、ＭＲ素子１として、巨大磁気抵抗効果素子（通常、ＧＭＲ（Giant Magnetoresistance Effect）素子と略記する）からなるＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＩｒＭｎ（パーマロイ／銅／パーマロイ／イリジウム・マンガン）等のスピンバルブ膜、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＦｅＢ／Ｒｕ／ＣｏＦｅＢ／ＰｄＰｔＭｎ（パーマロイ／銅／コバルト鉄ホウ素／ルテニウム／コバルト鉄ホウ素／パラジウム白金マンガン）等の積層フェリ型スピンバルブ膜、または、ＮｉＦｅ／Ａｌ2Ｏ3／ＮｉＦｅ／ＰｄＰｔＭｎ（パーマロイ／酸化アルミニウム／パーマロイ／パラジウム白金マンガン）等のトンネル接合型磁気抵抗効果膜等が用いられる。
【００６５】
第２に、図７に示すように、所望の形状になるようにレジスト７−１のパターンニングを行う。このレジスト７−１をマスクとして、上側電極端子２−１、ＭＲ素子１、および下側電極端子２−２の一部をイオンミリング等によりエッチングする。この時点で、後に成膜するハード膜５０（例えば図５参照）がＭＲ素子の中のフリー層の近傍に配置されるようにするために、エッチングの深さを調節することが望ましい。
【００６６】
第３に、図７に示すように、レジスト７−１を除去せずに非磁性かつ非導電性の絶縁膜７−２を成膜する。この絶縁膜としてはＡｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）等を用いる。
【００６７】
第４に、図８に示すように、レジスト７−１を除去せずに下側ソフト膜４１、下側非磁性膜４３、ハード膜５０、上側非磁性膜４２、および上側ソフト膜４０を順次成膜する。この上側ソフト膜および下側ソフト膜としてはＮｉＦｅ（パーマロイ）等を用いる。また一方で、ハード膜としてはＣｏＰｔ（コバルト白金）やＣｏＣｒＰｔ（コバルト・クロム白金）等を用いる。
【００６８】
第５に、図９に示すように、レジスト７−１を除去した後、再度所望の形状になるようにレジスト８−１のパターンニングを行う。つぎに、このレジスト８−１をマスクとして、上側電極端子、ＭＲ素子、下側電極端子、ハード膜、上側および下側ソフト膜、上側および下側非磁性膜等をイオンミリング等によりエッチングする。つぎに絶縁膜８−２を成膜する。
【００６９】
第６に、図１０に示すように、レジスト８−１を除去した後、上側シールド部３−１を成膜する。
【００７０】
以上の構造において、上側ソフト膜４０は、上側シールド部３−１と電気的にも磁気的にも接触してよい。また一方で、上側非磁性膜４２および下側非磁性膜４３が絶縁膜であり、上側ソフト膜４０、上側非磁性膜４２、ハード膜５０、下側非磁性膜４３、および下側ソフト膜４１において、ＭＲ素子１の抵抗値の変化の検出に影響を及ぼす程度に電流が流れない場合を想定する。この場合、下側ソフト膜４１と下側電極端子２−２、もしくは下側電極端子２−２を下側シールド部３−２が兼用するときには、下側ソフト膜４１と下側シールド部３−２とは電気的にも磁気的にも接触してよい。
【００７１】
上記の説明の中で、上側シールド部３−１、下側シールド部３−２、上側電極端子２−１、および下側電極端子２−２はめっき法や蒸着法やスパッタリング法等により成膜され、ＭＲ素子１、上側ソフト膜４０、上側非磁性膜４２、ハード膜５０、下側非磁性膜４３、下側ソフト膜４１、および絶縁膜７−２、８−２はスパッタリング法等により成膜される。
【００７２】
上記の再生ヘッドの作製工程により、ＭＲ素子のトラック幅方向の両端部に絶縁膜を介してハード膜と上側および下側ソフト膜との積層膜が配置されることになる。この積層膜によって、フリー層の磁区制御を行うと共に、隣接トラックからの漏洩磁界の影響を受けないようにすることが可能になる。この結果、高記録密度にてトラックにデータを記録することができるようになり、磁気記憶装置の高記録密度化に対応することが可能な複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００７３】
図１１は、図２の実施例の第１変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１１の第１変形例に係る再生ヘッド１０は、前述の図２の実施例の場合とほぼ同様に、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と下側ソフト膜４１との間に、磁区制御膜として機能するハード膜５０が形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０、ハード膜５０および下側ソフト膜４１によって、積層膜６０が構成される。
【００７４】
さらに、図１１の第１変形例に係る再生ヘッド１０においては、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３０−１および下側シールド部３０−２とが形成されているが、前述の図２の実施例に示したような上側電極端子および下側電極端子は形成されていない。換言すれば、図１１の第１変形例では、上側シールド部３０−１および下側シールド部３０−２が、上側電極端子および下側電極端子をそれぞれ兼用する構造になっている。この場合、上側シールド部、下側シールド部、上側電極端子および下側電極端子の材料を同じにすることが望ましい。なお、図１１の第１変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００７５】
図１１の第１変形例によれば、上側電極端子および下側電極端子を形成する必要がないので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【００７６】
図１２は、図２の実施例の第２変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１２の第１変形例に係る再生ヘッド１０は、前述の図２の実施例の場合とほぼ同様に、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と下側ソフト膜４１との間に、磁区制御膜として機能するハード膜５０が形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０、ハード膜５０および下側ソフト膜４１によって、積層膜６０が構成される。
【００７７】
さらに、図１２の第２変形例に係る再生ヘッド１０においても、前述の図１１の第１変形例の場合とほぼ同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３１−１および下側シールド部３１−２とが形成されているが、上側電極端子および下側電極端子は形成されていない。換言すれば、図１２の第２変形例においても、上側シールド部３１−１および下側シールド部３１−２が、上側電極端子および下側電極端子をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図１２の第２変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００７８】
ただし、図１２の第２変形例においては、前述の図１１の第１変形例の場合と異なり、に、上側シールド部３１−１の形状が、前述の図２の実施例における上側シールド部３−１と上側電極端子２−１とを合体した形状になっている。
【００７９】
それゆえに、図１２の第２変形例によれば、前述の図２の実施例とほぼ同じ条件で、上側シールド部にシールド機能を持たせることができると共にＭＲ素子の面内に垂直な方向に電流を流すことができる。
【００８０】
図１３は、図２の実施例の第３変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１３の第３変形例に係る再生ヘッド１０は、前述の図２の実施例の場合とほぼ同様に、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と下側ソフト膜４１との間に、磁区制御膜として機能するハード膜５０が形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０、ハード膜５０および下側ソフト膜４１によって、積層膜６０が構成される。
【００８１】
さらに、図１３の第３変形例に係る再生ヘッド１０においては、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子に予め形成された上側ＭＲ素子電極端子部１５−１および下側ＭＲ素子電極端子部１５−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３−１および下側シールド部３−２とが形成されている。換言すれば、図１３の第３変形例では、両端部に電極端子部が予め形成されているＭＲ素子を使用して再生ヘッドを作製するようにしている。なお、図１３の第３変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００８２】
図１３の第３変形例によれば、既存の電極端子部を利用することで再生ヘッドの作製工程の中で上側電極端子および下側電極端子をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【００８３】
図１４は、図２の実施例の第４変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１４の第４変形例に係る再生ヘッド１０においては、前述の図１３の第３変形例の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子に予め形成された上側ＭＲ素子電極端子部１５−１および下側ＭＲ素子電極端子部１５−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３−１および下側シールド部３−２とが形成されている。なお、図１４の第４変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００８４】
さらに、図１４の第４変形例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と、磁区制御膜として機能するハード膜５０とが形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０およびハード膜５０によって、積層膜６１が構成される。換言すれば、図１４の第４変形例では、下側ソフト膜を省略し、上側ソフト膜４０のみによってクロストークを抑制する。
【００８５】
それゆえに、図１４の第４変形例によれば、再生ヘッドの作製工程の中で下側ソフト膜をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【００８６】
図１５は、図２の実施例の第５変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１５の第５変形例に係る再生ヘッド１０においては、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子に予め形成された上側ＭＲ素子電極端子部１５−１および下側ＭＲ素子電極端子部１５−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３２−１および下側シールド部３２−２とが形成されている。なお、図１５の第５変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００８７】
さらに、図１５の第５変形例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、ソフト膜は形成されず、磁区制御膜として機能するハード膜５０のみが形成された構造になっている。その代わりに、上側ソフト膜および下側ソフト膜の部分をそれぞれ包含するような形状で上側シールド部３２−１および下側シールド部３２−２が形成されている。換言すれば、図１５の第５変形例では、上側シールド部３２−１および下側シールド部３２−２が、上側ソフト膜および下側ソフト膜をそれぞれ兼用する構造になっており、かつ、上側ソフト膜および下側ソフト膜の部分をそれぞれ包含するような形状になっている。
【００８８】
それゆえに、図１５の第５変形例によれば、再生ヘッドの作製工程の中で上側ソフト膜および下側ソフト膜をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【００８９】
図１６は、図２の実施例の第６変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１６の第６変形例に係る再生ヘッド１０においては、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子に予め形成された上側ＭＲ素子電極端子部１５−１および下側ＭＲ素子電極端子部１５−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３３−１および下側シールド部３３−２とが形成されている。なお、図１６の第６変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００９０】
さらに、図１６の第６変形例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、ソフト膜は形成されず、磁区制御膜として機能するハード膜５０のみが形成された構造になっている。その代わりに、上側ソフト膜の近傍に上側シールド部３３−１が形成されている。換言すれば、図１６の第６変形例では、上側シールド部３３−１が、上側ソフト膜を兼用する構造になっている。ただし、図１６の第６変形例では、上側シールド部３３−１のみが、上側ソフト膜の部分を包含するような形状になっており、下側シールド部３３−２の形状は、前述の図１４の第４変形例の場合と変わらない。
【００９１】
それゆえに、図１６の第６変形例によれば、再生ヘッドの作製工程の中で下側ソフト膜をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【００９２】
図１７は、図２の実施例の第７変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１７の第７変形例に係る再生ヘッド１０においては、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子に予め形成された上側ＭＲ素子電極端子部１５−１および下側ＭＲ素子電極端子部１５−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３４−１および下側シールド部３４−２とが形成されている。なお、図１７の第７変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００９３】
さらに、図１７の第７変形例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、磁区制御膜として機能するハード膜５０と、隣接トラック間のクロストークを抑制するための下側ソフト膜４１とが形成された構造になっている。換言すれば、図１７の第７変形例では、上側シールド部３４−１が、上側ソフト膜を兼用する構造になっており、かつ、上側ソフト膜の部分を包含するような形状になっている。
【００９４】
それゆえに、図１７の第７変形例によれば、再生ヘッドの作製工程の中で上側ソフト膜をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【００９５】
図１８は、図２の実施例の第８変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１８の第８変形例に係る再生ヘッド１０においては、前述の図１５の第５変形例の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３５−１および下側シールド部３５−２とが形成されている。しかしながら、図１８の第８変形例に係る再生ヘッド１０においては、前述の図１５の第５変形例の場合と異なり、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部がＭＲ素子に予め形成されていない。
【００９６】
換言すれば、図１８の第８変形例では、上側シールド部３５−１および下側シールド部３５−２が、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図１８の第８変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【００９７】
さらに、図１８の第８変形例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、ソフト膜は形成されず、磁区制御膜として機能するハード膜５０のみが形成された構造になっている。その代わりに、上側ソフト膜および下側ソフト膜の部分をそれぞれ包含するような形状で上側シールド部３５−１および下側シールド部３５−２が形成されている。換言すれば、図１８の第８変形例では、上側シールド部３５−１および下側シールド部３５−２が、上側ソフト膜および下側ソフト膜をそれぞれ兼用する構造になっており、かつ、上側ソフト膜および下側ソフト膜の部分をそれぞれ包含するような形状になっている。さらに、上側シールド部３５−１および下側シールド部３５−２は、前述のように、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部をそれぞれ兼用する構造にもなっている。
【００９８】
それゆえに、図１８の第８変形例によれば、上側ＭＲ素子電極端子部、下側ＭＲ素子電極端子部、上側ソフト膜、および下側ソフト膜をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程が顕著に簡略化される。
【００９９】
図１９は、図２の実施例の第９変形例の概略的構成を示す斜視図である。図１９の第９変形例に係る再生ヘッド１０においては、前述の図１６の第６変形例の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３６−１および下側シールド部３６−２とが形成されている。しかしながら、図１９の第９変形例に係る再生ヘッド１０においては、前述の図１６の第６変形例の場合と異なり、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部がＭＲ素子に予め形成されていない。
【０１００】
換言すれば、図１９の第９変形例では、上側シールド部３６−１および下側シールド部３６−２が、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図１９の第９変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１０１】
さらに、図１９の第９変形例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、ソフト膜は形成されず、磁区制御膜として機能するハード膜５０のみが形成された構造になっている。その代わりに、上側ソフト膜の近傍に上側シールド部３６−１が形成されている。換言すれば、図１９の第９変形例では、上側シールド部３６−１が、上側ソフト膜を兼用する構造になっている。ただし、図１９の第９変形例では、上側シールド部３６−１のみが、上側ソフト膜の部分を包含するような形状になっており、下側シールド部３６−２の形状は、前述の図１６の第６変形例の場合と変わらない。さらに、上側シールド部３６−１および下側シールド部３６−２は、前述のように、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部をそれぞれ兼用する構造にもなっている。
【０１０２】
それゆえに、図１９の第９変形例によれば、上側ＭＲ素子電極端子部、下側ＭＲ素子電極端子部、および上側ソフト膜をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程が顕著に簡略化される。
【０１０３】
図２０は、図２の実施例の第１０変形例の概略的構成を示す斜視図である。図２０の第１０変形例に係る再生ヘッド１０においては、前述の図１７の第７変形例の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３７−１および下側シールド部３７−２とが形成されている。しかしながら、図２０の第１０変形例に係る再生ヘッド１０においては、前述の図１７の第７変形例の場合と異なり、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部がＭＲ素子に予め形成されていない。
【０１０４】
換言すれば、図２０の第１０変形例では、上側シールド部３７−１および下側シールド部３７−２が、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図２０の第１０変形例においても、前述の図２の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１０５】
さらに、図２０の第１０変形例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、磁区制御膜として機能するハード膜５０と、隣接トラック間のクロストークを抑制するための下側ソフト膜４１とが形成された構造になっている。換言すれば、図２０の第１０変形例では、上側シールド部３７−１が、上側ソフト膜を兼用する構造になっており、かつ、上側ソフト膜の部分を包含するような形状になっている。さらに、上側シールド部３７−１および下側シールド部３７−２は、前述のように、上側ＭＲ素子電極端子部および下側ＭＲ素子電極端子部をそれぞれ兼用する構造にもなっている。
【０１０６】
それゆえに、図２０の第１０変形例によれば、上側ＭＲ素子電極端子部、下側ＭＲ素子電極端子部、および上側ソフト膜をわざわざ形成する必要がなくなるので、再生ヘッドの作製工程が顕著に簡略化される。
【０１０７】
図２１は、本発明の第２の実施例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。図２１に示すように、本発明の第２の実施例に係る再生ヘッド１０は、前述の基本実施例（図１参照）の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子１を挟むように形成された上側電極端子２−１および下側電極端子２−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３−１および下側シールド部３−２とを有する。図２１においても、前述の基本実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１０８】
さらに、図２１の実施例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と、磁区制御膜として機能するハード膜５０とが形成された構造になっている。このハード膜５０により、ＭＲ素子１のフリー層（図２参照）に一定のバイアス磁界を印加することによって、ＭＲ素子１のフリー層の磁区制御が行われる。上記の上側ソフト膜４０およびハード膜５０によって、積層部（図１参照）として機能する積層膜６２が構成される。
【０１０９】
好ましくは、上側ソフト膜４０とハード膜５０との間に、非磁性膜が形成される。さらに、好ましくは、ＭＲ素子１と積層膜６２との間に、非磁性の絶縁膜が形成される。
【０１１０】
図２１の実施例に係る再生ヘッドでは、上側ソフト膜４０およびハード膜５０の積層膜６２によって、従来は両立させることができなかったような、ハード膜５０によるＭＲ素子の磁区制御と上側ソフト膜４０のサイドシールドによる隣接トラック間のクロストーク防止とを同時に実現することができるようになる。
【０１１１】
ついで、図２２および図２３を参照しながら、本発明の第２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程に関して説明する。
【０１１２】
図２２は、図２１の実施例に係る再生ヘッドの主要部の構成を示す斜視図であり、図２３は、上記実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図である。
【０１１３】
図２２においては、図２１の実施例に係る再生ヘッドの作製工程が容易に理解されるようにするために、最上部の上側シールド部３−１と最下部の下側シールド部３−２とを取り外した状態での再生ヘッド１０の概略的な構造を示すようにしている。それゆえに、図２２の再生ヘッド１０の構造は、シールド部３−１および下側シールド部３−２以外は、前述の図２１の再生ヘッド１０の構造と同一である。したがって、ここでは、図２２の再生ヘッド１０に関する再度の説明を省略する。
【０１１４】
図２３の左側の側面図（ａ）においては、再生ヘッド１０の端子幅の中央部におけるＭＲ素子の高さ方向の断面図が図示されており、同図の右側の正面図（ｂ）においては、再生ヘッド１０の端子幅の中央部におけるＭＲ素子の幅方向（トラック幅方向）の断面図が図示されている。図２１の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を以下に記す。ただし、ソフト膜とハード膜との積層膜の構成以外の部分は、前述の図５〜図１０の第１の実施例と同様であるため、ここでは再度の説明を省略する。
【０１１５】
図２３においては、下側ソフト膜、下側非磁性膜、ハード膜、上側非磁性膜、および上側ソフト膜を順次成膜する代わりに、ハード膜５０、上側非磁性膜４２、および上側ソフト膜４０のみの積層膜とする。以上の構造において、上側ソフト膜４０は、上側シールド部３−１と電気的にも磁気的にも接触してよい。
【０１１６】
図２４は、図２１の実施例の第１変形例の概略的構成を示す斜視図である。図２４の第１変形例に係る再生ヘッド１０は、前述の図２１の実施例の場合とほぼ同様に、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と、磁区制御膜として機能するハード膜５０とが形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０およびハード膜５０によって、積層膜６２が構成される。
【０１１７】
さらに、図２４の第１変形例に係る再生ヘッド１０においては、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３０−１および下側シールド部３０−２とが形成されているが、前述の図２１の実施例に示したような上側電極端子および下側電極端子は形成されていない。換言すれば、図２４の第１変形例では、上側シールド部３０−１および下側シールド部３０−２が、上側電極端子および下側電極端子をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図２４の第１変形例においても、前述の図２１の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１１８】
図２４の第１変形例によれば、上側電極端子および下側電極端子を形成する必要がないので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【０１１９】
図２５は、図２１の実施例の第２変形例の概略的構成を示す斜視図である。図２５の第１変形例に係る再生ヘッド１０は、前述の図２１の実施例の場合とほぼ同様に、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と、磁区制御膜として機能するハード膜５０とが形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０およびハード膜５０によって、積層膜６２が構成される。
【０１２０】
さらに、図２５の第２変形例に係る再生ヘッド１０においても、前述の図２４の第１変形例の場合とほぼ同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３１−１および下側シールド部３１−２とが形成されているが、上側電極端子および下側電極端子は形成されていない。換言すれば、図２５の第２変形例においても、上側シールド部３１−１および下側シールド部３１−２が、上側電極端子および下側電極端子をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図２５の第２変形例においても、前述の図２１の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１２１】
ただし、図２５の第２変形例においては、前述の図２４の第１変形例の場合と異なり、上側シールド部３１−１の形状が、前述の図２１の実施例における上側シールド部３−１と上側電極端子２−１とを合体した形状になっている。
【０１２２】
それゆえに、図２５の第２変形例によれば、前述の図２１の実施例とほぼ同じ条件で、上側シールド部にシールド機能を持たせることができると共にＭＲ素子の面内に垂直な方向に電流を流すことができる。
【０１２３】
図２６は、本発明の第３の実施例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。図２６に示すように、本発明の第１の実施例に係る再生ヘッド１０は、前述の基本実施例（図１参照）の場合と同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、このＭＲ素子１を挟むように形成された上側電極端子２−１および下側電極端子２−２と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３−１および下側シールド部３−２とを有する。図２６においても、前述の基本実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１２４】
さらに、図２６の実施例に係る再生ヘッド１０は、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と下側ソフト膜４１との間に、磁区制御膜として機能する反強磁性膜５１と強磁性膜５２とが積層された積層膜が形成された構造になっている。換言すれば、図２６の実施例に係る再生ヘッド１０では、反強磁性膜５１により強磁性膜５２が磁気的に固着される構造になっている。上記の上側ソフト膜４０、反強磁性膜５１と強磁性膜５２とが積層された積層膜、および下側ソフト膜４１によって、積層部（図１参照）として機能する積層膜６３が構成される。
【０１２５】
図２６の実施例に係る再生ヘッドでは、反強磁性膜５１により磁気的に固着された（ピニングされた）強磁性膜５２から、ＭＲ素子１のフリー層に一定のバイアス磁界を印加することによって、ＭＲ素子の磁区制御を実現することが可能になる。
【０１２６】
上記のように、図２６の第３の実施例に係る再生ヘッド１０では、前述の第１および第２の実施例のハード膜の代わりに、反強磁性膜と強磁性膜とが積層された積層膜を形成することによって、ＭＲ素子の磁区制御膜としての機能を持たせることができるようになる。
【０１２７】
代替的な例として、少なくとも一つのソフト膜と少なくとも一つの反強磁性膜および強磁性膜の積層膜とが積層された構造にしても、ＭＲ素子の磁区制御を実現することが可能になる。
【０１２８】
好ましくは、上側ソフト膜４０と反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜との間、および、反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜と下側ソフト膜４１との間に、非磁性膜がそれぞれ形成される。さらに、好ましくは、ＭＲ素子１と積層膜６３との間に、非磁性の絶縁膜が形成される。
【０１２９】
図２６の実施例に係る再生ヘッドでは、上側ソフト膜４０、反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜、および下側ソフト膜４１の積層膜６３によって、従来は両立させることができなかったような、反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜によるＭＲ素子の磁区制御と２つのソフト膜４０、４１のサイドシールドによる隣接トラック間のクロストーク防止とを同時に実現することができるようになる。
【０１３０】
ついで、図２７および図２８を参照しながら、本発明の第３の実施例に係る再生ヘッドの作製工程に関して説明する。
【０１３１】
図２７は、図２６の実施例に係る再生ヘッドの主要部の構成を示す斜視図であり、図２８は、上記実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図である。
【０１３２】
図２７においては、図２６の実施例に係る再生ヘッドの作製工程が容易に理解されるようにするために、最上部の上側シールド部３−１と最下部の下側シールド部３−２とを取り外した状態での再生ヘッド１０の概略的な構造を示すようにしている。それゆえに、図２７の再生ヘッド１０の構造は、シールド部３−１および下側シールド部３−２以外は、前述の図２６の再生ヘッド１０の構造と同一である。したがって、ここでは、図２７の再生ヘッド１０に関する再度の説明を省略する。
【０１３３】
図２８の左側の側面図（ａ）においては、再生ヘッド１０の端子幅の中央部におけるＭＲ素子の高さ方向の断面図が図示されており、同図の右側の正面図（ｂ）においては、再生ヘッド１０の端子幅の中央部におけるＭＲ素子の幅方向（トラック幅方向）の断面図が図示されている。図２６の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を以下に記す。ただし、ソフト膜と反強磁性膜および強磁性膜の積層膜の構成以外の部分は、前述の図５〜図１０の第１の実施例と同様であるため、ここでは再度の説明を省略する。
【０１３４】
図２８においては、下側ソフト膜、下側非磁性膜、ハード膜、上側非磁性膜、および上側ソフト膜を順次成膜する代わりに、下側ソフト膜４１、下側非磁性膜４３、強磁性膜５２、反強磁性膜５１、上側非磁性膜４２、および上側ソフト膜４０を順次成膜する。以上の構造において、上側ソフト膜４０は、上側シールド部３−１と電気的にも磁気的にも接触してよい。また一方で、強磁性膜５２および反強磁性膜５１に関していえば、その積層の順番を逆にし、下側が反強磁性膜５１となってもよい。
【０１３５】
さらに、下側ソフト膜、下側非磁性膜、ハード膜、上側非磁性膜、および上側ソフト膜を順次成膜する代わりに、強磁性膜５２、反強磁性膜５１、上側非磁性膜４２、および上側ソフト膜４０のみの積層膜としてもよい。この際にも、上側ソフト膜４０は、上側シールド部３−１と電気的にも磁気的にも接触してよい。
【０１３６】
図２９は、図２６の実施例の第１変形例の概略的構成を示す斜視図である。図２９の第１変形例に係る再生ヘッド１０は、前述の図２６の実施例の場合とほぼ同様に、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と下側ソフト膜４１との間に、磁区制御膜として機能する反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜が形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０、反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜、および下側ソフト膜４１によって、積層膜６３が構成される。
【０１３７】
さらに、図２９の第１変形例に係る再生ヘッド１０においては、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３０−１および下側シールド部３０−２とが形成されているが、前述の図２６の実施例に示したような上側電極端子および下側電極端子は形成されていない。換言すれば、図２９の第１変形例では、上側シールド部３０−１および下側シールド部３０−２が、上側電極端子および下側電極端子をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図２９の第１変形例においても、前述の図２６の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１３８】
図２９の第１変形例によれば、上側電極端子および下側電極端子を形成する必要がないので、再生ヘッドの作製工程の簡略化が図れる。
【０１３９】
図３０は、図２６の実施例の第２変形例の概略的構成を示す斜視図である。図３０の第１変形例に係る再生ヘッド１０は、前述の図２６の実施例の場合とほぼ同様に、ＭＲ素子１のトラック幅方向（Ｘ方向）の両側にて、隣接トラック間のクロストークを抑制するための上側ソフト膜４０と下側ソフト膜４１との間に、磁区制御膜として機能する反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜が形成された構造になっている。上記の上側ソフト膜４０、反強磁性膜５１および強磁性膜５２の積層膜、および下側ソフト膜４１によって、積層膜６３が構成される。
【０１４０】
さらに、図３０の第２変形例に係る再生ヘッド１０においても、前述の図２９の第１変形例の場合とほぼ同様に、抵抗値が磁界により変化するＭＲ素子１と、記憶媒体上の隣接トラックからの漏洩磁界を遮蔽するための上側シールド部３１−１および下側シールド部３１−２とが形成されているが、上側電極端子および下側電極端子は形成されていない。換言すれば、図３０の第２変形例においても、上側シールド部３１−１および下側シールド部３１−２が、上側電極端子および下側電極端子をそれぞれ兼用する構造になっている。なお、図２５の第２変形例においても、前述の図２６の実施例の場合と同様に、ＭＲ素子１の面内に対し垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造が使用されている。
【０１４１】
ただし、図３０の第２変形例においては、前述の図２９の第１変形例の場合と異なり、上側シールド部３１−１の形状が、前述の図２６の実施例における上側シールド部３−１と上側電極端子２−１とを合体した形状になっている。
【０１４２】
それゆえに、図３０の第２変形例によれば、前述の図２６の実施例とほぼ同じ条件で、上側シールド部にシールド機能を持たせることができると共にＭＲ素子の面内に垂直な方向に電流を流すことができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４３】
本発明は、磁気抵抗効果型素子の面内に垂直な方向に電流を流すＣＰＰ構造の再生ヘッドに適用されるのみでなく、ＭＲ素子の面内方向に電流を流すＣＩＰ（Current In-plane to Plane ）構造の再生ヘッドにも適用され得る。さらに、本発明は、磁気抵抗効果型の再生ヘッドと誘導型の記録ヘッドとが一体化された構造の複合型薄膜磁気ヘッド、および、複合型薄膜磁気ヘッドが組み込まれた磁気ディスク装置等の高記録密度の磁気記憶装置に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の基本原理に基づく基本実施例の概略的構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施例に係るディスク装置の概略的構成を示す平面図である。
【図４】本発明の実施例に係る複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成を示す正面図である。
【図５】図２の実施例に係る再生ヘッドの主要部の構成を示す斜視図である。
【図６】図２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その１）である。
【図７】図２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その２）である。
【図８】図２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その３）である。
【図９】図２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その４）である。
【図１０】図２の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図（その５）である。
【図１１】図２の実施例の第１変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１２】図２の実施例の第２変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１３】図２の実施例の第３変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１４】図２の実施例の第４変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１５】図２の実施例の第５変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１６】図２の実施例の第６変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１７】図２の実施例の第７変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１８】図２の実施例の第８変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図１９】図２の実施例の第９変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図２０】図２の実施例の第１０変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図２１】本発明の第２の実施例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。
【図２２】図２１の実施例に係る再生ヘッドの主要部の構成を示す斜視図である。
【図２３】図２１の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図である。
【図２４】図２１の実施例の第１変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図２５】図２１の実施例の第２変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図２６】本発明の第３の実施例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。
【図２７】図２６の実施例に係る再生ヘッドの主要部の構成を示す斜視図である。
【図２８】図２６の実施例に係る再生ヘッドの作製工程を説明するための断面図である。
【図２９】図２６の実施例の第１変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図３０】図２６の実施例の第２変形例の概略的構成を示す斜視図である。
【図３１】従来の第１例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。
【図３２】従来の第２例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。
【図３３】従来の第３例に係る再生ヘッドの概略的構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１    磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）
２−１    上側電極端子
２−２    下側電極端子
３−１    上側シールド部
３−２    下側シールド部
４    軟磁性膜
５    高保磁力膜
６    積層部
７−１    レジスト
７−１    絶縁膜
８−１    レジスト
８−２    絶縁膜
１０    再生ヘッド
１５    記録ヘッド
１８    複合型薄膜磁気ヘッド
４０    上側ソフト膜
４１    下側ソフト膜
４２    上側非磁性膜
４３    下側非磁性膜
５０    ハード膜
５１    反強磁性膜
５２    強磁性膜
６０    積層膜
６１    積層膜
６２    積層膜
６３    積層膜
１４０    ボイスコイルモータ
２００    ディスク装置
２０１    ディスクエンクロージャ
２０５    ディスク
２１０    スピンドル
２２０    スピンドルモータ
【図１】
2006139850.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006139850.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006139850.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006139850.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2006139850.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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