(57)【要約】【課題】  有機ＥＬディスプレイパネルの電極構造及びその製造方法の提供。【解決手段】  ガラス基板、ガラス基板上に成長させたＩＴＯ導線パターン層、該ＩＴＯ導線パターン層上に成長させた少なくとも一つの補助金属導電パターン層、該補助金属導電パターン層上に位置して隔離を形成する絶縁領域、該絶縁領域上に設けられ且つ突出する所定の高さを具えて電気的干渉を隔離する隔離領域、及び該ガラス基板と該隔離領域上に設けられた少なくとも一つの金属導電層、を包含し、隔離領域が所定高さを有して該隔離領域と補助金属導電パターン層上に位置する該金属導電層と分離状態を呈して電気的に隔離され、該隔離領域の少なくとも一つの金属導電層と該補助金属導電パターン層上の該金属導電層、該補助金属導電パターン層、ＩＴＯ導線パターン層は共同で並列接続状態を呈して電気抵抗を減らす。【選択図】        図５
2006032337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、
ガラス基板、
ガラス基板上に位置して隔離を形成する絶縁領域、
該絶縁領域上に設けられて突出する所定高さを具え電気的干渉を隔離する隔離領域、
該ガラス基板と該隔離領域上に設けられた少なくとも一つの金属導電層７、
を包含し、該隔離領域の具備する所定高さにより、該隔離領域と該ガラス基板上に位置する金属導電層が分離状態を呈して電気的に隔離され、該隔離領域の少なくとも一つの金属導電層と該ガラス基板上の少なくとも一つの金属導電層が並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造。
【請求項２】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、ガラス基板上に不存在の導線パターン層を更に包含し、該導線パターン層は複数の相互に平行な導線であり、金属導電層が導線パターン層と隔離領域上に設けられ、これにより、隔離領域上の金属導電層と導線パターン層上の金属導電層、及び導線パターン層が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造。
【請求項３】
請求項２記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、導線パターン層がＩＴＯ材料で形成されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造。
【請求項４】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、絶縁領域がポリイミド或いはアクリル材料で形成されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造。
【請求項５】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、隔離領域がポリイミド或いはアクリル材料で形成されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造。
【請求項６】
請求項２記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、導線パターン層上に設けられた少なくとも一つの補助金属導電パターン層を更に包含し、絶縁領域が該補助金属導電パターン層の上に設けられ、金属導電層が補助金属導電パターン層と隔離領域上に設けられ、これにより、隔離領域上の金属導電層と導線パターン層上の金属導電層、導線パターン層、及び補助金属導電パターン層が共同で並列接続状態を呈して電気抵抗を減らすことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造。
【請求項７】
有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、
（ａ）ガラス基板を提供する工程、
（ｂ）ホトレジスト材料とリソグラフィー工程を使用して該ガラス基板上に隔離用の絶縁領域を形成する工程、
（ｃ）得られた構造上にホトレジスト材料をコーティングし、更にリソグラフィー工程を利用して所定高さの隔離領域を形成し、該隔離領域を絶縁領域の上に存在させる工程、  （ｄ）得られた構造上に、少なくとも一つの金属導電層を成長させる工程、
を包含し、該隔離領域の具備する所定高さにより、隔離領域とガラス基板上に位置する金属導電層が分離状態を呈して電気的に隔離され、且つ該隔離領域の少なくとも一つの金属導電層とガラス基板上の少なくとも一つの金属導電層が並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、（ａ）の工程の前に洗剤等化学薬品と清水を用いてガラス基板を洗浄する工程を包含することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、ガラス基板上にＩＴＯ薄膜を成長させ、且つリソグラフィーエッチング工程を利用してＩＴＯ導線パターン層を形成する工程を更に包含し、金属導電層は隔離領域と該ＩＴＯ導線パターン層の上に成長させ、これにより隔離領域の金属導電層と導線パターン層上の金属導電層、及び導線パターン層が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、ＩＴＯ薄膜をスパッタ機で成長させることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項１１】
請求項８記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、（ｂ）の工程の前にＩＴＯ薄膜の上に少なくとも一つの補助金属導電薄膜を成長させる工程を包含することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、補助金属導電薄膜をスパッタ機或いは電子ビーム機で成長させることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、（ｂ）の工程が、リソグラフィー工程を利用してＩＴＯ導線パターン層と補助金属導電パターン層を形成する工程を包含することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項１４】
請求項７記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、絶縁領域をポリイミド或いはアクリル材料で形成することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【請求項１５】
請求項７記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、隔離領域をポリイミド或いはアクリル材料で形成することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネル（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）に係り、特に、電気抵抗が低い外部電極導線を具えた有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセントは電流駆動下にあって、キャリアの注入と再結合により発光をもたらす現象を指す。その原理はＩＴＯ等の材料で製造した透明電極と金属電極をそれぞれ装置の陽極と陰極となし、一定電圧駆動下で、電子と正孔を陰極と陽極より電子及び正孔輸送層に注入し、該電子と正孔を電子と正孔輸送層を通し発光層に移動させ、並びに発光層中で遭遇させて発光分子を励起し可視光を発射させる、というものである。有機エレクトロルミネッセントの技術特徴は、セルフ発光であり、直流低電圧駆動（１０Ｖ以下）であり、発光効率が高く、パワーが低く、発光色が豊富であり、カラー表示の達成が容易であり、加工が簡単で、製造コストが低く、温度特性が優れ、発光性能が温度の影響を受けないこと、等を包含する。液晶ディスプレイと比較すると、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの長所は以下のようである。即ち、（１）視角問題が存在しない。（２）厚さが液晶ディスプレイより薄い。（３）大バッチ生産時の製造コストが液晶ディスプレイと競争できるものである。（４）応答時間が液晶ディスプレイより優れている。（５）低温下での表示可能である。液晶ディスプレイは低温下での応答時間が遅くなる。有機エレクトロルミネッセントは現在新興の技術であり、実際の応用上は未だ困難があり、例えば、大パネルに応用すると瞬間発光の安定性と発光効率の維持が困難があり、有機材料自身の付帯する防水パッケージと使用寿命の問題ゆえに、有機材料の不均一性が発光輝度と色の不均一等の問題を有する。
【０００３】
特許文献１に記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルは、金属導線をＩＴＯ等透明陽極電極表面上の側辺に接触させることにより、その陽極電極導線の抵抗を低減している。また、特許文献２に記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルは、この金属導線をＩＴＯ等透明陽極電極の両側に接触させることにより、その陽極電極導線の抵抗を低減し、並びに不必要なキャリアを注入させ、発光効率の減少を防止している。特許文献３に記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルは、陰極隔離層により画素領域を区画する陰極を製造する。特許文献４に記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルは、インシュレータのような絶縁構造を使用して画素発光領域を画定している。
【０００４】
周知のように、透明電極のＩＴＯ面抵抗の影響により発光効率が下がる問題を解決することは、有機エレクトロルミネッセント技術の将来の発展過程の重大な課題である。しかし、上述の特許文献１と特許文献２に記載の技術は、陽極抵抗を低減し、発光効率を高める目的を達成するため余分に金属導線を設置する必要がある。それは製造工程上、簡易化不能で、却って余分に金属導線を組み合わせる工程が必要となる。また特許文献３と特許文献４には有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの構造の改善に関する技術のみが記載され、製造工程中の既存の工程の利用に対してその他の機能を考慮する先駆的作用を有するが、陽極抵抗の低減に対しては役に立たない。
【０００５】
ゆえに、周知の技術の欠点に対して、合理的な設計で上述の欠点を有効に改善するために本発明は提供される。
【０００６】
【特許文献１】米国特許第５，３９９，９３６号明細書
【特許文献２】特開平１０−１０６７５１号明細書
【特許文献３】米国特許第５，７０１，０５５号明細書
【特許文献４】特許第３２５０５８３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の主要な目的は、一種の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造及びその製造方法を提供することにあり、それは、電極隔離層を利用して外部導線領域を形成し、余分に材料コスト或いは工程を増すことなく、外部電極導線の提供を低減し、それにより全体性能、例えば単位面積電流量等を向上し、発光効率を高めるものとする。
【０００８】
本発明の次の目的は、一種の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造及びその製造方法を提供することにあり、それは、直接電極隔離層を利用して外部導線の陰極と陽極を包含する外部領域導線を形成するものとする。
【０００９】
本発明のまた別の目的は、一種の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造及びその製造方法を提供することにあり、それは、インシュレータ等の絶縁構造が画素発光領域に限定されず、外部導線の絶縁構造とされうるものとする。
【００１０】
上述の目的を達成するため、本発明は有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造を提供し、それは、ガラス基板、ガラス基板上に成長させたＩＴＯ導線パターン層、該ＩＴＯ導線パターン層上に成長させた少なくとも一つの補助金属導電パターン層、該補助金属導電パターン層上に位置して隔離を形成する絶縁領域、該絶縁領域上に設けられ且つ突出する所定の高さを具えて電気的干渉を隔離する隔離領域、及び該ガラス基板と該隔離領域上に設けられた少なくとも一つの金属導電層、を包含し、隔離領域が所定高さを有して該隔離領域と補助金属導電パターン層上に位置する該金属導電層と分離状態を呈して電気的に隔離され、該隔離領域の少なくとも一つの金属導電層と該補助金属導電パターン層上の該金属導電層、該補助金属導電パターン層、ＩＴＯ導線パターン層は共同で並列接続状態を呈して電気抵抗を減らす。
【００１１】
上述の目的を達成するため、本発明は有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの製造方法を提供し、それは、（ａ）ガラス基板を製造する工程、（ｂ）ホトレジスト材料とリソグラフィー工程を使用して該ガラス基板上に隔離用の絶縁領域を形成する工程、（ｃ）得られた構造上にホトレジスト材料をコーティングし、更にリソグラフィー工程を利用して所定高さの隔離領域を形成する工程、（ｄ）得られた構造上に、金属導電層を成長させる工程、を包含し、これにより、該隔離領域に位置する少なくとも一つの金属導電層と該ガラス基板上に位置する金属導電層が、該隔離領域の具備する所定高さにより分離状態を呈して電気的に隔離し、且つ該隔離領域の金属導電層とガラス基板上の金属導電層、補助金属導電パターン層、及びＩＴＯ導線パターン層が共同で並列接続状態を呈して電極の抵抗を低減する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、
ガラス基板、
ガラス基板上に位置して隔離を形成する絶縁領域、
該絶縁領域上に設けられて突出する所定高さを具え電気的干渉を隔離する隔離領域、
該ガラス基板と該隔離領域上に設けられた少なくとも一つの金属導電層７、
を包含し、該隔離領域の具備する所定高さにより、該隔離領域と該ガラス基板上に位置する金属導電層が分離状態を呈して電気的に隔離され、該隔離領域の少なくとも一つの金属導電層と該ガラス基板上の少なくとも一つの金属導電層が並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造としている。
請求項２の発明は、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、ガラス基板上に不存在の導線パターン層を更に包含し、該導線パターン層は複数の相互に平行な導線であり、金属導電層が導線パターン層と隔離領域上に設けられ、これにより、隔離領域上の金属導電層と導線パターン層上の金属導電層、及び導線パターン層が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造としている。
請求項３の発明は、請求項２記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、導線パターン層がＩＴＯ材料で形成されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造としている。
請求項４の発明は、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、絶縁領域がポリイミド或いはアクリル材料で形成されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造としている。
請求項５の発明は、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、隔離領域がポリイミド或いはアクリル材料で形成されたことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造としている。
請求項６の発明は、請求項２記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造において、導線パターン層上に設けられた少なくとも一つの補助金属導電パターン層を更に包含し、絶縁領域が該補助金属導電パターン層の上に設けられ、金属導電層が補助金属導電パターン層と隔離領域上に設けられ、これにより、隔離領域上の金属導電層と導線パターン層上の金属導電層、導線パターン層、及び補助金属導電パターン層が共同で並列接続状態を呈して電気抵抗を減らすことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造としている。
請求項７の発明は、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、
（ａ）ガラス基板を提供する工程、
（ｂ）ホトレジスト材料とリソグラフィー工程を使用して該ガラス基板上に隔離用の絶縁領域を形成する工程、
（ｃ）得られた構造上にホトレジスト材料をコーティングし、更にリソグラフィー工程を利用して所定高さの隔離領域を形成し、該隔離領域を絶縁領域の上に存在させる工程、  （ｄ）得られた構造上に、少なくとも一つの金属導電層を成長させる工程、
を包含し、該隔離領域の具備する所定高さにより、隔離領域とガラス基板上に位置する金属導電層が分離状態を呈して電気的に隔離され、且つ該隔離領域の少なくとも一つの金属導電層とガラス基板上の少なくとも一つの金属導電層が並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項８の発明は、請求項７記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、（ａ）の工程の前に洗剤等化学薬品と清水を用いてガラス基板を洗浄する工程を包含することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項９の発明は、請求項８記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、ガラス基板上にＩＴＯ薄膜を成長させ、且つリソグラフィーエッチング工程を利用してＩＴＯ導線パターン層を形成する工程を更に包含し、金属導電層は隔離領域と該ＩＴＯ導線パターン層の上に成長させ、これにより隔離領域の金属導電層と導線パターン層上の金属導電層、及び導線パターン層が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項１０の発明は、請求項９記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、ＩＴＯ薄膜をスパッタ機で成長させることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項１１の発明は、請求項８記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、（ｂ）の工程の前にＩＴＯ薄膜の上に少なくとも一つの補助金属導電薄膜を成長させる工程を包含することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項１２の発明は、請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、補助金属導電薄膜をスパッタ機或いは電子ビーム機で成長させることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項１３の発明は、請求項１１記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、（ｂ）の工程が、リソグラフィー工程を利用してＩＴＯ導線パターン層と補助金属導電パターン層を形成する工程を包含することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項１４の発明は、請求項７記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、絶縁領域をポリイミド或いはアクリル材料で形成することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
請求項１５の発明は、請求項７記載の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法において、隔離領域をポリイミド或いはアクリル材料で形成することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の製造方法としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造及びその製造方法は以下の長所を有している。
１．電極隔離層を利用して外部導線領域を形成し、余分に材料コスト或いは工程を増すことなく、外部電極導線の提供を低減し、隔離領域がガラス基板上の金属導電層及びその他の例えばＩＴＯ導線パターン層或いは少なくとも一層の補助金属導電パターン層が並列接続状態を呈して電極の抵抗を有効に低減し、これにより発光効率を高める。
２．直接電極隔離層（インシュレータ等の絶縁構造）を利用して外部導線（陰極と陽極を包含する）を形成し、該絶縁領域或いは隔離領域が本発明では画素発光領域の規定に限定されず、直接外部導線の絶縁構造とされて、製造効率を高める。
【００１４】
総合すると、本発明は確実に予期された目的と機能を達成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１及び図２は本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造１０を示し、それは、陰極構造１１と陽極構造１２を包含する。図２に示されるように、電極導線は相互に平行な関係を呈し且つ絶縁領域５と隔離領域６により区別され、各二つの隣り合う電極導線に電気的接続或いは電気的干渉が発生する情況が防止される。該電極導線の導電材質は、ＩＴＯ導線層、及び一層以上の金属層を包含し得て、複数層の該導電材料の並列接続状態により電極総抵抗が低減される特性、及び周知の技術に記載の抵抗の低減が発光効率アップに役立つことにより、発光効率アップの目的が達成される。このほか、この構造は余分の工程或いは材料コストを必要とせず、有効に外部電極導線の抵抗を低減し、発光効率を高めることができる。
【００１６】
図３は本発明の第１実施例を示し、該有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造１０は、ガラス基板２、ガラス基板２上に成長させた導線パターン層３、該導線パターン層３上に位置して隔離を形成する絶縁領域５、該絶縁領域５上に位置し且つ突出する所定高さを具えて電気的干渉を隔離する隔離領域６、及び該導線パターン層３及び該隔離領域６上に位置する少なくとも一つの金属導電層７を包含する。該絶縁領域５は隣り合う導線の電気的接続を隔離する。該隔離領域６は所定高さを具え、該隔離領域６と該導線パターン層３上に位置する金属導電層７が分離状態を呈して電気的に隔離されているため、隣り合う導線の電気的干渉が防止される。且つ該隔離領域６の少なくとも一つの金属導電層７と該導線パターン層３上の該金属導電層７、及び導線パターン層３が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減する。
【００１７】
図５は本発明の第３実施例を示し、該有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造１０は、ガラス基板２、ガラス基板２、ガラス基板２上に位置する導線パターン層３、該導線パターン層３上に位置する少なくとも一つの補助金属導電パターン層４、該導線パターン層３の上に位置して隔離を形成する絶縁領域５、該絶縁領域５上に位置し且つ突出する所定高さを具えて電気的干渉を隔離する隔離領域６、及び該補助金属導電パターン層４と該隔離領域６上に位置する少なくとも一つの金属導電層７を包含する。該絶縁領域５は隣り合う導線の電気的接続を隔離する。該隔離領域６は所定高さを具え、これにより該隔離領域６に位置する少なくとも一つの金属導電層７と該補助金属導電パターン層４上に位置する該金属導電層７と該導線パターン層３上に位置する金属導電層７が分離状態を呈して電気的に隔離され、並びに更に隣り合う導線の電気的干渉を防止する。且つ該隔離領域６と該補助金属導電パターン層４上の該金属導電層７、導線パターン層３、及び補助金属導電パターン層４が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減する。
【００１８】
そのうち、上述の実施例中の導線パターン層３はＩＴＯ材料で形成され、該絶縁領域５と該隔離領域６はポリイミド或いはアクリル材料で形成される。
【００１９】
図６から図９は本発明の第１実施例の製造工程を示す。それは、（ａ）洗剤等化学薬品と清水を使用して洗浄したガラス基板２を提供する工程、（ｂ）ポリイミド或いはアクリル材料のホトレジストとリソグラフィー工程を使用して該ガラス基板２上に隔離用の絶縁領域５を成長させる工程、（ｃ）得られた構造上にポリイミド或いはアクリル材料のホトレジストをコーティングし、更にリソグラフィー工程を利用して所定高さの隔離領域６を形成し、該隔離領域６を該絶縁領域５の上に存在させる工程、（ｄ）得られた構造上に、少なくとも一つの金属導電層７を成長させる工程、を包含し、これにより、該絶縁領域５が隣り合う導線の電気的接続を隔離し、該隔離領域６が所定高さを具え、これにより該隔離領域６に位置する少なくとも一つの金属導電層７と該ガラス基板２上に位置する金属導電層７が、分離状態を呈して電気的に隔離され、隣り合う導線の電気的干渉を防止する。
【００２０】
図１０から図１５は本発明の第２実施例の製造工程を示す。それは、（ａ）洗剤等化学薬品と清水を使用して洗浄したガラス基板２を提供する工程、（ｂ）ガラス基板２上にＩＴＯ薄膜を成長させ且つリソグラフィー工程を利用して、ＩＴＯ導線パターン層３を形成する工程、（ｃ）ポリイミド或いはアクリル材料のホトレジストとリソグラフィー工程を使用して該ＩＴＯ導線パターン層３上に隔離用の絶縁領域５を成長させる工程、（ｄ）得られた構造上にポリイミド或いはアクリル材料のホトレジストをコーティングし、更にリソグラフィー工程を利用して所定高さの隔離領域６を形成し、該隔離領域６を該絶縁領域５の上に存在させる工程、（ｅ）得られた構造上に、少なくとも一つの金属導電層７を成長させる工程、を包含し、これにより、該絶縁領域５が隣り合う導線の電気的接続を隔離し、該隔離領域６が所定高さを具え、これにより該隔離領域６及びＩＴＯ導線パターン層３上に位置する金属導電層７が分離状態を呈して電気的に隔離され、隣り合う導線の電気的干渉を防止する。且つ該隔離領域６の少なくとも一つの金属導電層７と該ＩＴＯ導線パターン層３上の金属導電層７、及び該ＩＴＯ導線パターン層３が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減する。
【００２１】
図１６から図２３は本発明の第３実施例の製造工程を示す。それは、（ａ）洗剤等化学薬品と清水を使用して洗浄したガラス基板２を提供する工程、（ｂ）ガラス基板２上にＩＴＯ薄膜を成長させる工程、（ｃ）該ＩＴＯ薄膜上にスパッタ機或いは電子ビーム機を使用して少なくとも一つの補助金属導電薄膜を成長させる工程、（ｄ〜ｅ）リソグラフィーエッチング工程を利用して、ＩＴＯ導線パターン層３と補助金属導電パターン層４を形成する工程、（ｆ）ポリイミド或いはアクリル材料のホトレジストとリソグラフィー工程を使用して該補助金属導電パターン層上に隔離用の絶縁領域５を成長させる工程、（ｇ）得られた構造上にポリイミド或いはアクリル材料のホトレジストをコーティングし、更にリソグラフィー工程を利用して所定高さの隔離領域６を形成し、該隔離領域６を該絶縁領域５の上に存在させる工程、（ｈ）得られた構造上に、少なくとも一つの金属導電層７を成長させる工程、を包含し、これにより、該絶縁領域５が隣り合う導線の電気的接続を隔離し、該隔離領域６が所定高さを具え、これにより該隔離領域６に位置する少なくとも一つの金属導電層７と補助金属導電パターン層上の金属導電層７が分離状態を呈して電気的に隔離され、隣り合う導線の電気的干渉を防止する。且つ該隔離領域６の少なくとも一つの金属導電層７と該ＩＴＯ導線パターン層３上の金属導電層７、該ＩＴＯ導線パターン層３、及び補助金属導電パターン層４が共同で並列接続状態を呈して電極抵抗を低減する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の側面断面図である。
【図２】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の局部拡大図である。
【図３】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第１実施例の断面図である。
【図４】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第２実施例の断面図である。
【図５】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の断面図である。
【図６】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第１実施例の工程表示図である。
【図７】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第１実施例の工程表示図である。
【図８】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第１実施例の工程表示図である。
【図９】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第１実施例の工程表示図である。
【図１０】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第２実施例の工程表示図である。
【図１１】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第２実施例の工程表示図である。
【図１２】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第２実施例の工程表示図である。
【図１３】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第２実施例の工程表示図である。
【図１４】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第２実施例の工程表示図である。
【図１５】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第２実施例の工程表示図である。
【図１６】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【図１７】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【図１８】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【図１９】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【図２０】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【図２１】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【図２２】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【図２３】本発明の有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造の第３実施例の工程表示図である。
【符号の説明】
【００２３】
１０  有機エレクトロルミネッセントディスプレイパネルの電極構造
１１  陰極構造              １２  陽極構造
２  ガラス基板              ３  導線パターン層
４  補助金属導電パターン層  ５  絶縁領域
６  隔離領域                ７  金属導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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