(57)【要約】【課題】  ＰＤＰの保護膜及びその製造方法を提供する。【解決手段】  前記保護膜の組織には，方向性を有するグレーンカラムが形成されることを特徴とする維持電極を含むＰＤＰの基板に形成されるＰＤＰ用の保護膜である。これにより，保護膜組織のグレーンカラム配列に方向性を与えて，ボイドの方向を決定することができるため，ボイドが少ない方向に電場を印加して放電させれば，プラズマイオンによりスパッタリング収率が小さくて保護膜の寿命を延長させることができ，放電イオンがボイドと表面粗度とによって妨害されずに２次電子放出が急速に成されるため，放電遅延時間がさらに短くなり，放電開始電圧もさらに改善されうる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
維持電極を含むプラズマディスプレイパネルの基板に形成されるプラズマディスプレイパネル用保護膜であって，
前記保護膜の組織には，方向性を有するグレーンカラムが形成されることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項２】
前記グレーンカラムの第１の方向のカラム密度は，第２の方向のカラム密度と異なることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項３】
前記カラム密度の前記第１の方向は，第２の方向に垂直なことを特徴とする，請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項４】
前記第１の方向は，プラズマディスプレイパネルの維持電極の長手方向に垂直なことを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項５】
レーザパルス又はプラズマイオンを導入して，電子ビーム蒸着法で形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項６】
レーザパルス又はプラズマイオンを導入して，スパッタリング蒸着法で形成されることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項７】
基板を傾けて前記グレーンカラムに方向性を与えることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項８】
前記保護膜がＭｇＯを含むことを特徴とする，請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜。
【請求項９】
維持電極を含むプラズマディスプレイパネルの基板に保護膜を製造するプラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法であって，
前記保護膜の組織には，方向性を有するグレーンカラムが形成されることを特徴とする，プラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法。
【請求項１０】
前記グレーンカラムの第１の方向のカラム密度と第２の方向のカラム密度とは，異なることを特徴とする，請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法。
【請求項１１】
前記カラム密度の第１の方向は，第２の方向に垂直なことを特徴とする，請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法。
【請求項１２】
前記第１の方向は，プラズマディスプレイパネルの維持電極の長手方向に垂直なことを特徴とする，請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法。
【請求項１３】
前記保護膜は，レーザパルス又はプラズマイオンを導入して，電子ビーム蒸着法で形成されることを特徴とする，請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法。
【請求項１４】
前記保護膜は，レーザパルス又はプラズマイオンを導入して，スパッタリング蒸着法で形成されることを特徴とする，請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法。
【請求項１５】
基板を傾けて前記グレーンカラムに方向性を与えることを特徴とする，請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル用保護膜製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ；ＰＤＰ）の保護膜及びその製造方法に係り，より詳しくは，保護膜の組織に方向性があるグレーンカラム（ｇｒａｉｎ  ｃｏｌｕｍｎ）が形成されたＰＤＰ用の保護膜及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰは，画面を大型化するのが容易であり，自発光型であって，表示品質がよく，応答速度が速いという特徴を有している。薄形化が可能なのでＬＣＤなどと共に壁掛け用ディスプレイとして注目されている。
【０００３】
図１は，数十万個のＰＤＰピクセルのうち一つを示している。図１を参照して，ＰＤＰの構造について述べれば，前面基板１４上にＸ電極とＹ電極とを対とする放電維持電極１５が形成されており，前記放電維持電極は，前方誘電体層１６により埋め込まれており，前記誘電体層が放電空間に直接的に露出される場合，放電特性が低下され，寿命が短縮されるので薄膜工程を通じて保護膜１７を形成して，前記誘電体層１６を保護している。保護膜は，プラズマ放電時に，ガスイオンの衝撃から上部誘電体層の厚膜を保護すると共に二次電子を放出する役割を果たす。したがって，保護膜は，絶縁性，耐スパッタリング性，低い放電電圧，速い放電応答特性及び可視光透過率などの条件を同時に満足することが好ましい。
【０００４】
一方，前面基板１４の内側には，パターン化されたＩＴＯなどで形成された透明電極１５があり，その上にバス電極を形成し，前方誘電体層１６が印刷法で印刷されている。また，背面基板１０の上面には，アドレス電極１１が位置され，背面基板の上面には，後方誘電体層１２が形成されてアドレス電極１１を埋め込む。他方，こうした前面基板と背面基板は，数十μｍの間隔を置いて隔壁１９により向き合っており，隔壁１９により区画された発光セルには蛍光体層１３が形成される。また，前面基板１４と背面基板１０との間の間隔には，紫外線１２０を発生させるＮｅ＋Ｘｅの混合ガス又はＨｅ＋Ｎｅ＋Ｘｅの混合ガスが一定した圧力（例えば，４５０Ｔｏｒｒ）に充填される。
【０００５】
Ｘｅガスは，真空紫外線（Ｘｅイオン１４７ｎｍ共鳴放射光，Ｘｅ２  １７３ｎｍ共鳴放射光）を作り出す役割を果たし，Ｎｅガス又はＮｅ＋Ｈｅの混合ガスは，放電開始電圧を低める役割を果たす。
【０００６】
一方，特許文献１では，保護膜に微細な量のドーピングを通じて放電気体であるＸｅの二次電子放出係数を増加させることを開示している。しかしながら，保護膜の組織に対する構造的配列を考慮せずに，Ｘｅガスのみを使用すれば，高密度真空紫外線の放射が可能であって，可視光変換を蛍光体の量子効率まで引き上げることができるが，放電開始電圧が非常に高くて，ディスプレイ装置に適用しにくい。したがって，高輝度放電のためにＸｅガス含量増加に応じて高まる放電開始電圧を低めるために，ＨｅガスをＮｅ＋Ｘｅ混合ガスに添加する。これは，Ｈｅイオンの運動量が多いので，放電開始電圧を低めるのには有利であるが，Ｈｅの添加は，保護膜及び蛍光体がスパッタリングエッチングにより損傷される問題が深刻になるという問題点がある。
【０００７】
【特許文献１】韓国公開特許第２００１−４８５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の技術的課題は，スパッタリング収率を低め，イオンによるＭｇＯエッチングを大きく減らすことができ，同時に放電開始電圧を低めて放電特性を向上させることができるように，保護膜組織のグレーンカラムが方向性を有するＰＤＰ用の保護膜及びその製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的課題を達成するために，本発明の好適な一実施形態による維持電極を含むＰＤＰの基板に形成されるＰＤＰ用の保護膜によれば，前記保護膜の組織に方向性を有するグレーンカラム（grain column）が形成されることを特徴とする。
【００１０】
ここで，前記グレーンカラムの第１の方向のカラム密度（column density）は，第２の方向のカラム密度と異なり，前記第１の方向は，第２の方向に垂直である。
【００１１】
前記第１の方向は，ＰＤＰの維持電極の長手方向に垂直に形成される。
【００１２】
一方，前記保護膜は，レーザパルス又はプラズマイオンを導入して電子ビーム蒸着法で形成されることが好ましい。
【００１３】
選択的に前記保護膜は，レーザパルス又はプラズマイオンを導入して，スパッタリング蒸着法で形成されることもできる。
【００１４】
選択的に基板を傾けてグレーンカラムに方向性を与えることもできる。
【００１５】
前記保護膜は，ＭｇＯを含んで形成される。
【００１６】
他方，本発明の維持電極を含むＰＤＰの基板に保護膜を製造するＰＤＰ用の保護膜の製造方法によれば，前記保護膜の組織には，方向性を有するグレーンカラムが形成される。
【００１７】
こうした保護膜の製造方法でも，前記グレーンカラムの第１の方向のカラム密度は第２の方向のカラム密度と異なれば，前記第１の方向は，第２の方向に垂直である。
【００１８】
また，こうした保護膜の製造方法で，前記第１の方向は，ＰＤＰの維持電極の長手方向に垂直に形成される。
【００１９】
特に，前記保護膜は，レーザパルス又はプラズマイオンを導入して電子ビーム蒸着法で形成されるか，或いはスパッタリング蒸着法で形成されうる。また，基板を傾けてチルティングすることによってグレーンカラムに方向性を与えて保護膜を形成することもできる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば，Ｘｅ含量とシングルスキャンとに対応することに有利である。
【００２１】
また，保護膜組織のグレーンカラム配列に方向性を与えれば，ボイドの方向を決定することができるため，ボイドが少ない方向に電場を印加して放電させれば，プラズマイオンによりスパッタリング収率が低くて保護膜の寿命を延長させることができ，放電イオンがボイドと表面粗さにより妨害されず，２次電子放出が急速に成されうるため，放電遅延時間がさらに短くなり，放電開始電圧もさらに改善される。
【００２２】
現在使用されている保護膜に比べてスパッタリング収率，放電開始電圧，放電遅延時間をさらに向上させ得る。保護膜組織のグレーンカラムに方向性を与えて，スパッタリング収率を低めてパネル寿命をさらに延長させることができ，放電開始電圧をさらに低めて，高輝度のためのＸｅ含量増加にも放電電圧上昇を抑制することができ，また放電遅延時間をより短くし，高速アドレッシングを可能として，ＨＤ級パネルのシングルスキャンを現実化することができる。併せてサステイン数増加で輝度増加と，ＴＶ−フィールド（ｆｉｅｌｄ）を構成するサブ（ｓｕｂ）−フィールド増加で擬似輪郭低減などの効果とをもたらすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
先ず，ＰＤＰ保護膜の役割を説明すれば，三つに分けて説明することができる。
【００２５】
第一に，電極と誘電体とを保護する機能である。電極或いは誘電体／電極のみあっても放電は形成される。しかしながら，電極のみある場合，放電電流制御が難しく，誘電体／電極のみあれば，スパッタリングエッチングが問題になるので，誘電体層は，プラズマイオンに強い保護膜でコーティングされなければならない。
【００２６】
第二に，放電開始電圧を低める役割である。放電開始電圧と直接関係する物理量は，プラズマイオンに対する物質の二次電子放出係数であり，放電開始電圧と互いに反比例するので，保護膜から放出される二次電子の量が多いほど放電開始電圧は低くなる。誘電体の場合，二次電子放出係数が非常に低いので，保護膜の二次電子放出係数は高くしなければならない。
【００２７】
最後に，放電遅延時間を短くする。放電遅延時間は，印加電圧に対してある時間後に放電が起こる現象を記述する物理量であり，形成遅延時間Ｔｆと統計遅延時間Ｔｓとの和で表示される。形成遅延時間は，印加電圧と放電電流との時間差であり，統計遅延時間は，形成遅延時間の統計的散布である。放電遅延時間が短いほど高速アドレッシングが可能になり，これによってシングルスキャンが可能であって，スキャンドライブコストを節減することができ，サブフィールド数を増加させて，輝度及び画質を高めることができる。
【００２８】
一般的なＰＤＰの垂直断面図である図１を参照すれば，維持電極１５とアドレス電極１１との間に電圧を印加すれば，宇宙線又は紫外線によって生成されたシード電子（Ｓｅｅｄ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ）がガスと衝突してガスイオンが生成され，ガスイオンは，保護膜１７と衝突して多量の二次電子を放出して，放電セルに十分な量の電子が生成されて放電が起こる。
【００２９】
一方，保護膜の二次電子放出は，オージェ中和理論（Ａｕｇｅｒ  Ｎｅｕｔｒａｌｉｚａｔｉｏｎ）によって説明されるが，こうしたオージェ中和理論によれば，ガスイオンが固体と衝突すれば，固体から電子がガスイオンに移動して中性ガスを作り，固体で電子が真空に抜け，固体には正孔が形成される。物質の二次電子係数は，下記数式１のように示すことができる。
【００３０】
Ｅｋ＝ＥＩ−２（Ｅｇ＋χ）
・・・・・・（数式１）
【００３１】
ここで，Ｅｋは，固体から電子が真空に飛び出るときのエネルギーを意味し，ＥＩは，ガスのイオン化エネルギーであり，Ｅｇは，固体のバンドギャップエネルギーであり，χは，電子親和度を示す。
【００３２】
他方，表１はそれぞれの不揮発性気体の共鳴発光波長と電離電圧とを示している。
【００３３】
【表１】
2006059802.tif 000003
【００３４】
蛍光体の光変換効率を高めるためには，長波長の真空紫外線を出すＸｅ気体が適する。しかしながら，電離電圧が低くて，前記数式１で前記固体のバンドギャップエネルギーであるＥｇ＝７．７ｅＶであり，電子親和度であるχ＝０．５であるとき，Ｅｋ＜０であるため，放電電圧が非常に高い。したがって，放電電圧を低めるためには，電離電圧が高いガスを使用しなければならない。
【００３５】
前記数式１によれば，Ｈｅの場合には，Ｅｋは，８．１９ｅＶであり，Ｎｅの場合，Ｅｋは，５．１７ｅＶであるため，ＨｅのＥｋがさらに大きいので，さらに低い電圧で放電が可能である。しかしながら，ＨｅガスがＰＤＰ放電に使用された場合，Ｈｅの運動量が多いので，保護膜のプラズマエッチングが深刻に発生して，保護膜が損傷される。したがって，現在のＰＤＰには，Ｎｅ＋Ｘｅ混合ガスが用いられ，Ｘｅ含量は，５％から増加する趨勢である。そうではあるが，輝度を高めるためには，Ｘｅ含量を増加させることができるが，放電電圧も共に上昇するという問題点がある。
【００３６】
一方，図２は，ＭｇＯバンドギャップの間に変化を与えるガスイオンによる固体からの電子放出を説明している。ＰＤＰの保護膜に使用されているＭｇＯは，ダイヤモンドのようにワイドバンドギャップ材料（Ｗｉｄｅ  Ｂａｎｄ−ｇａｐ  Ｍａｔｅｒｉａｌ）であり，電子親和度（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ａｆｆｉｎｉｔｙ）は非常に小さいか，或いは負の符号を有する。保護膜は，バランスバンド（Ｖａｌｅｎｃｅ  Ｂａｎｄ）Ｅｖと伝導性バンド（Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｂａｎｄ）Ｅｃとの間に不純物ドーピングによるドナーレベル（Ｄｏｎｏｒ  Ｌｅｖｅｌ）Ｅｄ，アクセプターレベル（Ａｃｃｅｐｔｏｒ  Ｌｅｖｅｌ）Ｅａ及び深いレベル（Ｄｅｅｐ  Ｌｅｖｅｌ）Ｅｔを同時に形成して，バンドギャップ収縮効果を示すことがある。これは，前記数式１により効果的なバンドギャップエネルギー（Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ  Ｅｇ）は，７．７ｅＶよりさらに小さくてもよいため，Ｘｅに対するＥｋ値が０より大きいということになる。前記ＭｇＯは，マグネシウム酸化物又はマグネシウム塩の中で選択された一つ以上で得られることができ，前記マグネシウム酸化物はＭｇＯであり，マグネシウム塩はＭｇＣＯ３又はＭｇ（ＯＨ）２を含むことができる。
【００３７】
このように，高いＸｅ含量による放電電圧上昇分を低め，シングルスキャンに要求される放電遅延時間を満足させる保護膜及びその材料が要求されているが，現在までは，ＭｇＯがこれに一番適した材料であると認められている。本実施形態は，こうした保護膜の材料の選択でひいては保護膜の組織の構造を改善することによって放電開始電圧を低め，同時にプラズマエッチングを減少させることができる保護膜構造の配列に焦点を置く。
【００３８】
図３は，本実施形態によるＰＤＰ保護膜を備えたＰＤＰの分離分解斜視図であり，図４は図３のＰＤＰの前方パネルを９０度持ち上げて保護膜の表面が現れるように示した分離分解斜視図である。
【００３９】
図３を参照すれば，本実施形態による保護膜を備えたＰＤＰは，互いに対向されるように配置される前方パネル１１０と後方パネル１５０とを備える。前記前方パネル１１０と後方パネル１５０は，所定間隔に離隔されて，それらの間に発光セル１５２を形成する。
【００４０】
後方パネル１５０の背面基板１５４の上面には，アドレス電極１５８が形成され，前記アドレス電極は，背面基板の上面１５６に形成される後方誘電体層１６０によって埋め込まれる。
【００４１】
前記前方パネル１１０は，可視光が透過される透明基板であり，主にガラスから作られる前面基板１１２を含み，前面基板の背面１１８には，背面基板に形成された前記アドレス電極１５８と直交するように配置されたストライプ状の多数の維持電極対１２４が形成される。前記維持電極対は，Ｘ電極１２０とＹ電極１２２とで形成され，Ｘ電極１２０は，ＩＴＯなどの透明な材質で形成された透明電極１２０ａと導電性が良い金属で形成されたバス電極１２０ｂとより成り，Ｙ電極１２２もやはりＩＴＯなどで形成された透明電極１２２ａと導電性が良いバス電極１２２ｂとより成る。
【００４２】
前記維持電極対１２４が形成された前面基板の背面１１８には，維持電極対１２４を埋め込む前方誘電体層１１４が形成され，前方誘電体層には，再び保護膜１１６が形成される。前記前方パネルと後方パネルとの間には，発光セル１５２を区画する隔壁１６２が形成され，区画された発光セル１５２には，蛍光体１６４が塗布される。
【００４３】
図４を参照すれば，こうした構造を有したＰＤＰで本実施形態の核心は，保護膜組織であるグレーンカラム１３０の配列に方向性を与えることである。保護膜のグレーンカラム１３０は，所定の方向を有した状態に配列されて，維持電極対１２４と前方誘電体層１１４とを保護する。
【００４４】
図５は，グレーンカラムが形成された保護膜の垂直断面を示す模式図であって，図４の前方パネルの一部のみを切開して保護膜の上部を向くように配列した状態を示す。特に，図５では，説明のためにＰＤＰの内部構造の中で一部の構成要素のみを示している。
【００４５】
維持電極対の透明電極１２０ａ，１２２ａは，前方誘電体層１１４によって埋め込まれており，前記前方誘電体層１１４の上部に保護膜が形成されて，結局保護膜のグレーンカラム１３０が前方誘電体層１１４上に配列される。
【００４６】
図６は，図５の平面図に該当する図面であって，グレーンカラム１３０の方向性に対する推移を示す。
【００４７】
図６を参考すれば，グレーンカラム１３０のカラム密度に方向性が付加されて，二つの方向が形成される。その中一つの方向は，グレーンカラム１３０が非常に緻密に形成された方向であって，以下第１の方向という。緻密に形成されたグレーンカラムの第１の方向は，図６で矢印Ｂで表示される。一方，残りの他の方向はグレーンカラム１３０が第１の方向に対して垂直に配向され，より緻密ではなく形成された方向であって，以下第２の方向という。第２の方向は，図６で矢印Ａで表示される。
【００４８】
図４及び図６を参考すれば，保護膜のグレーンカラム１３０の密度は方向に応じて相異なる。すなわち，グレーンカラムの第１の方向のカラム密度と第２の方向のカラム密度とは相異なる。例えば，組織が緻密な方向である第１の方向Ｂは，ＰＤＰの維持電極対１２４の長手方向，すなわち透明電極１２０ａ，１２２ａの長手方向に垂直な方向になるように形成される。したがって，前方パネルに保護膜１１６を形成するとき，保護膜組織のグレーンカラム１３０は，維持電極対に垂直な方向に緻密に形成され，維持電極対に並んだ方向にはより緻密ではなく形成される。
【００４９】
グレーンカラムの配列に方向性がないときは，ボイドがランダムに分布され，グレーンカラムの配列に方向性があるときは，ボイドがグレーンカラムの緻密な方向（第１の方向）に並んで形成される。したがって，グレーンカラムが緻密な第１の方向には，ボイドが少なく，グレーンカラムがより緻密ではない第２の方向には，ボイドが相対的に多くなる。
【００５０】
保護膜組織のグレーンカラム１３０のカラム密度が高い，すなわち非常に緻密な方向である第１の方向Ｂをパネルに形成された維持電極対の長手方向（図６の矢印Ａ方向），すなわち透明電極１２０ａ，１２２ａが長手方向と垂直になるように形成すれば，次のような二つ改善点を導出することができる。
【００５１】
その一番目は，スパッタリング収率を低めることができる。維持電極対に電圧を印加すれば，プラズマイオンが緻密な方向に動くため，放電時に発生するイオンによる保護膜組織の成分であるＭｇＯがプラズマエッチングされて，損傷を受ける現象を大きく減らすことができる。
【００５２】
その二番目は，放電特性を向上させ得る。従前の技術で成膜された保護膜のグレーンカラム配列は，一定した配向性なしに非常にランダムであって，これによりボイドもランダムに分布されており，表面粗度もまた一定せず，各領域によりランダムに形成された。したがって，放電遅延時間（形成遅延時間＋統計遅延時間）その散布を減らすことが容易でない。しかしながら，グレーンカラムの配列に方向性があるとき緻密な方向である第１の方向Ｂに電場が加えられるため，プラズマイオンが保護膜表面に沿って又はその上に移動するとき，ボイドや表面粗度により妨害をより少なく受けるため，速い２次電子放出が可能であって，さらに短い放電遅延時間とさらに低い放電開始電圧とを得ることができる。
【００５３】
誘電体上に保護膜を成膜するとき，従来の蒸着方法，すなわち電子−ビーム蒸着やスパッタリング蒸着法を使用すれば，保護膜組織は，特定の結晶配向を有したグレーンカラムのランダムな配列を有する。従来の他の蒸着方法，すなわちスクリーンプリンティング，ゾル−ゲルコーティング，スピンコーティング，ディッピングの方法は，グレーンカラムの配列を形成しない。
【００５４】
ＰＤＰ上板誘電体上のグレーンカラムの軸方向は，普通保護膜材料の結晶方向と関係し，蒸着条件（基板温度，雰囲気ガス，圧力）によって主要結晶面が現れる。蒸着条件により，グレーンカラムの直径と様子は変わることがあるが，ランダムな配列を有する。方向性があるグレーンカラムの配列は，既存の蒸着法に二つび他の方法を導入すれば可能である。その一つは，電子・ビーム蒸着又はスパッタリング蒸着にレーザパルス又はプラズマイオンを導入することであり，他の一つは，基板を特定の角度に傾斜してチルティングすることである。
【００５５】
電子・ビーム蒸着又はスパッタリング蒸着で成膜する場合，レーザパルス又はプラズマイオンを適用すれば，レーザビーム又はプラズマイオンは，維持電極対の軸方向と垂直であり，基板に対して特定角度にグレーンカラムをビーム又はイオンの方向に配列される。一方，基板を傾斜してチルティングして配列性を与える方法は，基板のサイズが小さい場合に適用することができる。
【００５６】
本発明は，図面に示された実施形態を参考に説明されたが，これは例示的なことに過ぎなく，当業者であればこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解であることである。したがって，本発明の真の技術的保護範囲は，特許請求の範囲の技術的思想により決められるべきである。すなわち，当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明は，ＰＤＰに関する技術分野に応用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】一般的な反射形ＰＤＰの内部構造を示した断面図である。
【図２】ガスイオンによる固体からの電子放出を説明するオージェ中和理論を説明する説明図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかるＰＤＰの斜視図である。
【図４】図３で前方パネルを９０度持ち上げた状態を示す斜視図である。
【図５】グレーンカラムが形成された保護膜の垂直断面を拡大して示す説明図である。
【図６】グレーンカラムが形成された保護膜の方向性を拡大して示す説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１１０  前方パネル
１１２  前面基板
１１４  前方誘電体層
１１６  保護膜
１１８  前面基板の背面
１２０  Ｘ電極
１２０ａ，１２２ａ  透明電極
１２０ｂ，１２２ｂ  バス電極
１２２  Ｙ電極
１２４  維持電極対
１３０  グレーンカラム
１５０  後方パネル
１５２  発光セル
１５４  背面基板
１５６  背面基板の上面
１５８  アドレス電極
１６０  後方誘電体層
１６２  隔壁
１６４  蛍光体層
【図１】
2006059802.tif 000004
【図２】
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【図３】
2006059802.tif 000006
【図４】
2006059802.tif 000007
【図５】
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【図６】
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