(57)【要約】【課題】導電性のコア基材と配線パターンとの間を確実に絶縁し、高い信頼性を有する配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】スルーホール１２が形成された平板状の導電性コア基材１０と、導電性コア基材１０の表面及びスルーホール１２の内壁面に形成された絶縁層１４と、絶縁層１４が形成されたスルーホール１２内に充填された樹脂１８と、絶縁層１４が形成された導電性コア基材１０の表裏面に形成された配線２２ａ、２２ｂと、樹脂１８に形成されたスルーホール２０内に形成され、配線２２ａ、２２ｂに電気的に接続された配線２２ｄとを有している。【選択図】  図１
2006222216.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールが形成された平板状の導電性コア基材と、
前記導電性コア基材の表面及び前記スルーホールの内壁面に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に形成された第１の配線と、
前記第１の絶縁層が形成された前記スルーホール内に形成され、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線と、
前記第１の絶縁層と前記第２の配線との間に形成された第２の絶縁層と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記スルーホールの前記内壁面と前記第１の絶縁層との間に形成された金属層を更に有する
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
スルーホールが形成された平板状の導電性コア基材と、
前記導電性コア基材の表面及び前記スルーホールの内壁面に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に形成された第１の配線と、
前記第１の絶縁層が形成された前記スルーホール内に形成され、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線と、
前記スルーホールの前記内壁面と前記第１の絶縁層との間に形成された第２の絶縁層と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項３記載の配線基板において、
前記第２の絶縁層と前記第１の絶縁層との間に形成された金属層を更に有する
ことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
平板状の導電性コア基材に、第１のスルーホールを形成する工程と、
前記導電性コア基材の表面及び前記第１のスルーホールの内壁面に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層が形成された前記第１のスルーホール内に絶縁材を充填する工程と、
前記絶縁材に、第２のスルーホールを形成する工程と、
前記絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に第１の配線を形成し、前記第２のスルーホール内に、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線基板の製造方法において、
前記第１のスルーホールを形成する工程の後、前記絶縁層を形成する工程の前に、前記第１のスルーホールの前記内壁面に金属層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
平板状の導電性コア基材に、第１のスルーホールを形成する工程と、
前記第１のスルーホール内に絶縁材を充填する工程と、
前記絶縁材に、第２のスルーホールを形成する工程と、
前記導電性コア基材の表面及び前記第２のスルーホールの内壁面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面に第１の配線を形成し、前記絶縁層が形成された前記第２のスルーホール内に、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板の製造方法において、
前記第２のスルーホールを形成する工程の後、前記絶縁層を形成する工程の前に、前記第２のスルーホールの前記内壁面に金属層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程では、蒸着法により樹脂よりなる前記絶縁層を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程では、電着法により樹脂よりなる前記絶縁層を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に係り、特に導電性のコア基材を用いた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化が急速に進展している。これに伴い、電子機器を構成する半導体素子、及び半導体素子を実装するための配線基板には、小型薄型であること、高い性能を有すること、高い信頼性を有すること等が要求されている。このような要求に応えるべく、半導体素子の実装方法としては、プリント基板上に半導体素子を直接実装するベアチップ実装技術が用いられている。
【０００３】
また、半導体素子の多ピン化に伴い、半導体素子を実装するための配線基板として、配線層を多層化した多層配線基板の重要性が高まっている。また、半導体素子をテストするためのテスターボードにおいても、配線層の多層化は必要不可欠なものとなっている。多層配線基板としては、例えば、絶縁層と導体層とが交互に積層された微細配線がコア基板の片面又は両面に形成されたビルトアップ方式のものが用いられている。
【０００４】
ところで、ベアチップ実装においては、シリコンチップが、ガラスエポキシ樹脂基板よりなるプリント基板上に直接実装される。ここで、シリコンチップの熱膨張係数は約３．５ｐｐｍ／℃であるのに対し、ガラスエポキシ樹脂基板の熱膨張係数は１２〜２０ｐｐｍ／℃となっている。このようにシリコンチップが実装されるガラスエポキシ樹脂基板の熱膨張係数は、シリコンチップの熱膨張係数と大きく異なっている。このため、シリコンチップが実装される実装基板の熱膨張係数自体を低減し、熱膨張係数の違いに起因する歪による疲労破壊、断線等を防止する必要がある。
【０００５】
実装基板の熱膨張係数を低減する手法としては、ガラスエポキシ樹脂基板の基材として用いられるガラス布に代えて、熱膨張係数が１．０〜２０ｐｐｍ／Ｋ程度であるカーボンファイバを用いる手法がある。しかしながら、エポキシ樹脂は、絶縁層材料として安価で汎用性が高いものの熱膨張係数が高いため、無機フィラーを混合して熱膨張係数を低減したとしても、通常は４０ｐｐｍ／Ｋ以上の熱膨張係数しか得ることができない。このため、エポキシ樹脂を用いていたのでは、実装基板の熱膨張係数を十分に低減することは困難であった。
【特許文献１】特開２００２−８４０７２号公報
【特許文献２】特開２０００−２３６１６７号公報
【特許文献３】特開２００２−１００８６９号公報
【特許文献４】特開２０００−１３３９４２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ベアチップ実装等に用いられる実装基板の熱膨張係数を低減すべく、近時では、実装基板のコア基材として、カーボンファイバ、インバー等の低熱膨張率材料が用いられるようになっている。ところが、これらのような低熱膨張率材料の多くは、ガラスエポキシ樹脂基板とは異なり導電性を有している。このため、コア基材に形成されたスルーホール内に形成されるめっき層等の配線と、導電性を有するコア基材との間を確実に絶縁する必要がある。
【０００７】
しかしながら、従来の印刷法によりスルーホールを埋め込む工程では、スルーホールを埋め込むためのエポキシ樹脂等の充填材が不足してしまうことがあった。また、スルーホールに埋め込まれた充填材中に、ボイド、クラック等が生じてしまうことがあった。この結果、導電性のコア基材とめっき層とが短絡してしまう場合があった。
【０００８】
本発明の目的は、導電性のコア基材と配線パターンとの間を確実に絶縁し、高い信頼性を有する配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、スルーホールが形成された平板状の導電性コア基材と、前記導電性コア基材の表面及び前記スルーホールの内壁面に形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に形成された第１の配線と、前記第１の絶縁層が形成された前記スルーホール内に形成され、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線と、前記第１の絶縁層と前記第２の配線との間に形成された第２の絶縁層とを有する配線基板が提供される。
【００１０】
また、本発明の他の観点によれば、スルーホールが形成された平板状の導電性コア基材と、前記導電性コア基材の表面及び前記スルーホールの内壁面に形成された第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に形成された第１の配線と、前記第１の絶縁層が形成された前記スルーホール内に形成され、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線と、前記スルーホールの前記内壁面と前記第１の絶縁層との間に形成された第２の絶縁層とを有する配線基板が提供される。
【００１１】
また、本発明の更に他の観点によれば、平板状の導電性コア基材に、第１のスルーホールを形成する工程と、前記導電性コア基材の表面及び前記第１のスルーホールの内壁面に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層が形成された前記第１のスルーホール内に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材に、第２のスルーホールを形成する工程と、前記絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に第１の配線を形成し、前記第２のスルーホール内に、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を形成する工程とを有する配線基板の製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明の更に他の観点によれば、平板状の導電性コア基材に、第１のスルーホールを形成する工程と、前記第１のスルーホール内に絶縁材を充填する工程と、前記絶縁材に、第２のスルーホールを形成する工程と、前記導電性コア基材の表面及び前記第２のスルーホールの内壁面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面に第１の配線を形成し、前記絶縁層が形成された前記第２のスルーホール内に、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を形成する工程とを有する配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、導電性コア基材のスルーホールの内壁面に、バリを被覆するように絶縁層を形成するので、導電性コア基材と配線との間を確実に絶縁することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、導電性コア基材のスルーホールの内壁面に、金属層を介して、バリを被覆するように絶縁層を形成するので、更に密着性の高い状態で絶縁層を形成することができる。これにより、導電性コア基材と配線との間を更に確実に絶縁することができる。したがって、更に信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による配線基板及びその製造方法について図１乃至図４を用いて説明する。図１は本実施形態による配線基板の構造を示す断面図、図２乃至図４は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００１６】
まず、本実施形態による配線基板について図１を用いて説明する。
【００１７】
平板状の導電性コア基材１０に、その表面から裏面に貫通するスルーホール１２が形成されている。導電性コア基材１０には、配線レイアウト等に応じて所定の数のスルーホール１２が形成されており、具体的には、例えば約１０００個のスルーホール１２が形成されている。スルーホール１２の直径は、例えば０．５ｍｍである。
【００１８】
導電性コア基材１０は、カーボンファイバを含有する樹脂基板であり、例えば０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグ（図示せず）を例えば５枚積層して圧着したものである。導電性コア基材１０の厚さは、例えば１．０ｍｍである。カーボンファイバシートは、カーボンファイバがシート状に編み込まれてなるものである。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合され、熱膨張率が低減されている。
【００１９】
スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール２１の内壁面には、例えば平均膜厚２０μｍの樹脂よりなる絶縁層１４が形成されている。絶縁層１４は、例えばポリパラキシリレン膜よりなるものである。
【００２０】
ここで、導電性コア基材１０に形成されたスルーホール１２の内壁面には、その開孔時に生じたバリ１６が存在している場合がある。バリ１６では、導電性コア基材１０のカーボンファイバが導電性コア基材１０外に露出していることがある。絶縁層１４は、このような導電性コア基材１０外に露出したカーボンファイバを含めてバリ１６を被覆するように形成されている。
【００２１】
内壁面に絶縁層１４が形成されたスルーホール１２内には、樹脂１８が充填されている。樹脂１８は、例えばポリイミドよりなるものである。
【００２２】
スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心には、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０が形成されている。スルーホール２０の直径は、例えば０．２ｍｍである。
【００２３】
導電性コア基材１０の表面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ａが形成されている。導電性コア基材１０の裏面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ｂが形成されている。導電性コア基材１０の側端面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ｃが形成されている。また、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面には、配線２２ｄが形成されている。スルーホール２０の内壁面に形成された配線２２ｄにより、導電性コア基材１０の表面に形成された配線２２ａと、導電性コア基材１０の裏面に形成された配線２２ｄとが互いに電気的に接続されている。配線２２ａ〜２２ｄは、例えば銅膜よりなるものである。配線２２ａ〜２２ｃと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４により絶縁されている。配線２２ｄと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４、樹脂１８により絶縁されている。
【００２４】
なお、図１では導電性コア基材１０の表裏面にそれぞれ１層のみの配線２２ａ、２２ｂが形成されている場合を示しているが、導電性コア基材１０の表裏面には、上記と同様の配線が絶縁層を介して繰り返し形成され、例えば５層の多層配線（図示せず）が形成されている。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、オーバーコート層（図示せず）が形成されている。
【００２５】
こうして、本実施形態による配線基板が構成されている。
【００２６】
本実施形態による配線基板は、導電性コア基材１０のスルーホール１２の内壁面に、バリ１６を被覆するように形成された絶縁層１４を有することに主たる特徴の一つがある。
【００２７】
絶縁層１４により、スルーホール１２の内壁面に存在するバリ１６が被覆されているため、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００２８】
次に、本実施形態による配線基板の製造方法について図２乃至図４を用いて説明する。
【００２９】
まず、カーボンファイバがシート状に編み込まれたカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合させたプリプレグを例えば５枚重ねて、例えば真空プレス法によりこれらを圧着する。こうして、平板状の導電性コア基材１０を用意する。なお、プリプレグの圧着は、真空プレス法に限らず、真空ラミネータ等のラミネータ、積層板プレス機等を用いて行ってもよい。
【００３０】
次いで、導電性コア基材１０に、例えばドリルを用いた切削加工により、表面から裏面に貫通するスルーホール１２を形成する（図２（ａ）参照）。スルーホール１２の直径は、例えば０．５ｍｍとする。スルーホール１２の数は、例えば１０００個とする。このとき、スルーホール１２の内壁面には、バリ１６が生じることがある。
【００３１】
次いで、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０に対して、所定の脱脂処理、及び所定の洗浄処理を行う。
【００３２】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に、蒸着法により、例えば平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００３３】
このように、本実施形態による配線基板の製造方法では、蒸着法により、気相状態の原料を用いて絶縁層１４を形成するので、導電性コア基材１０の表裏面のみならず、スルーホール１２の内壁面にも、微小なピンホールの発生が抑制された被覆性の高い絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と、後にスルーホール１２の内壁面に絶縁層１４を介して形成される配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。
【００３４】
また、絶縁層１４を構成するポリパラキシリレン膜は室温で形成すること可能であるため、導電性コア基材１０が耐熱性の低い材料からなる場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。また、熱ストレスが加わることなく絶縁層１４を形成することができるため、残留応力の小さい絶縁層１４が形成することができる。したがって、絶縁層１４の応力に起因するクラックの発生を抑制することができる。
【００３５】
次いで、絶縁層１４が形成された導電性コア基材１０の両面に、例えば真空プレス法により、熱可塑性ポリイミドシートをラミネートする。真空プレス法によるラミネート時の温度は例えば２００℃とし、プレス時間は例えば３０分とする。ラミネートされた熱可塑性ポリイミドシートの厚さは、例えば０．０５ｍｍとなるようにする。こうして、絶縁層１４が内壁面に形成されたスルーホール１２内に、ポリイミドよりなる樹脂１８が充填される。スルーホール１２内に樹脂１８を充填した後、導電性コア基材１０の表裏面に残存するポリイミドを除去する（図２（ｃ）参照）。
【００３６】
次いで、スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心に、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０を形成する（図３（ａ）参照）。スルーホール２０の直径は、例えば０．２μｍとする。スルーホール２０の形成には、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ等を用いたレーザドライエッチング、プラズマドライエッチング等のドライエッチングを用いることができる。また、例えばドリルを用いた切削加工により、スルーホール２０を形成してもよい。
【００３７】
次いで、スルーホール２０に対してデスミア処理を行った後、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面及び側端面に形成された絶縁層１４上、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面に、例えば無電解めっき法により、例えば膜厚０．３μｍの銅膜２４を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００３８】
次いで、ドライフィルムレジストで導電性コア基材１０をラミネートすることにより、導電性コア基材１０の表裏面に形成された銅膜２４上に、例えば膜厚５０μｍのレジスト層２８を形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術により、レジスト層２８に、配線形成予定領域を露出する開口部３０を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００３９】
次いで、無電解めっき法により形成された銅膜２４をシードとして、電解めっき法により、レジスト層２８の開口部３０に露出した銅膜２４上、及びスルーホール２０の内壁面に形成されている銅膜２４上に、例えば膜厚３０μｍの銅膜２６を形成する（図４（ａ）参照）。
【００４０】
銅膜２６を形成した後、レジスト層２８を除去する（図４（ｂ）参照）。
【００４１】
次いで、銅膜２６をマスクとして、シードとして用いた銅膜２４をエッチング除去する。エッチング液としては、例えば過酸化水素水と硫酸との混合液を用いる。こうして、導電性コア基材１０の表裏面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線２２ａ、２２ｂがそれぞれ形成される。また、導電性コア基材１０の側端面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線２２ｃが形成される。また、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面には、銅膜２４、２６よりなる配線２２ｄが形成される（図４（ｃ）参照）。
【００４２】
以後、絶縁層を形成する工程と、上記と同様の配線を形成する工程とを繰り返すことにより、導電性コア基材１０の表裏面のそれぞれに、例えば５層の多層配線（図示せず）を形成する。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、例えばスクリーン印刷技術とフォトリソグラフィ技術とを併用して、オーバーコート層（図示せず）を形成する。
【００４３】
こうして、本実施形態による配線基板が形成される。
【００４４】
このように、本実施形態によれば、導電性コア基材１０のスルーホール１２の内壁面に、バリ１６を被覆するように絶縁層１４を形成するので、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００４５】
（実施例１）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０重量％のシリカフィラーとを混合した。アルミナフィラーとしては、平均粒径７μｍ以下、熱膨張率７ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜２００℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が２ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が８０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、蒸着法により、次のようにして形成した。まず、蒸着装置の蒸着室内の成膜ステージ上に、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０を設置した。一方、蒸着装置の熱分解室において、原材料のダイマーであるジパラキシリレン２０ｇを、５１０℃、２５ｍＴｏｒｒの条件下で熱分解し、ジラジカルパラキシリレンを生成した。続いて、生成したジラジカルパラキシリレンを蒸着室内に導入し、基板温度２５℃、蒸着室内圧力３０ｍＴｏｒｒの条件下で蒸着を行った。蒸着時間は６時間とした。こうして、蒸着法により、平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【００４６】
（比較例１）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例１と同様にした。
【００４７】
（評価結果）
上記の実施例１及び比較例１に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【００４８】
温度サイクル試験の結果、実施例１では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【００４９】
一方、比較例１では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【００５０】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による配線基板及びその製造方法について図５を用いて説明する。図５は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１実施形態による配線基板及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００５１】
本実施形態による配線基板の構造は、第１実施形態による配線基板とほぼ同様である。本実施形態による配線基板は、電着法により絶縁層１４が形成されている点で、第１実施形態による配線基板と異なっている。以下、本実施形態による配線基板の製造方法について図５を用いて説明する。
【００５２】
まず、第１実施形態による配線基板の製造方法と同様に、平板状の導電性コア基材１０に、スルーホール１２を形成する（図５（ａ）参照）。
【００５３】
次いで、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０に対して、所定の脱脂処理及び所定の洗浄処理を行う。
【００５４】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に、導電性コア基材１０中のカーボンファイバを電極として、電着法により、例えば平均膜厚１５μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成する（図５（ｂ）参照）。
【００５５】
ここで、絶縁層１４を構成するポリイミドは、導電性コア基材１０に対して電着される前に、既に耐熱性を有するイミド化した分子構造を有している。これにより、ポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成するために、イミド化のための４００℃程度の熱処理工程を行う必要がない。したがって、導電性コア基材１０の耐熱性が低い場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。
【００５６】
絶縁層１４を形成した後の工程は、図２（ｃ）乃至図４（ｃ）に示す第１実施形態による配線基板の製造方法と同様なので説明を省略する。
【００５７】
このように、本実施形態によれば、導電性コア基材１０のスルーホール１２の内壁面に、バリ１６を被覆するように絶縁層１４を形成するので、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００５８】
（実施例２）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０重量％のシリカフィラーとを混合した。アルミナフィラーとしては、平均粒径７μｍ以下、熱膨張率７ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜２００℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が２ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が８０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、電着法により、次のようにして形成した。まず、ステンレス製の容器に満たされたポリイミド電着液中に、導電性コア基材１０を浸漬した。ここで、導電性コア基材１０には、その側端面のカーボンファイバが露出した部分を結線して直流電源を接続した。導電性コア基材１０をポリイミド電着液に浸漬した状態で、直流電源を用いて、定電流法により５０ｍＡ、５クーロンの条件で１８０秒間の通電を行い、ポリイミドを導電性コア基材１０にポリイミドを被着させた。この後、ポリイミドが被着した導電性コア基材１０に対して、９０℃、３０分間の乾燥処理、及び１８０℃、３０分間の乾燥処理を順次段階的に行った。こうして、電着法により、平均膜厚１５μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【００５９】
（実施例３）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の５重量％の窒化アルミニウムフィラーと、組成物全体の２５重量％のシリカフィラーとを混合した。窒化アルミニウムフィラーとしては、平均粒径８μｍ以下、熱膨張率５ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜１５０℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が３ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、電着法により、次のようにして形成した。まず、ステンレス製の容器に満たされたポリイミド電着液中に、導電性コア基材１０を浸漬した。ここで、導電性コア基材１０には、その側端面のカーボンファイバが露出した部分を結線して直流電源を接続した。導電性コア基材１０をポリイミド電着液に浸漬した状態で、直流電源を用いて、定電圧法により１００Ｖ、１０クーロンの条件で１２０秒間の通電を行い、ポリイミドを導電性コア基材１０にポリイミドを被着させた。この後、ポリイミドが被着した導電性コア基材１０に対して、９０℃、３０分間の乾燥処理、及び１８０℃、３０分間の乾燥処理を順次段階的に行った。こうして、電着法により、平均膜厚２０μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【００６０】
（比較例２、３）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例２、３と同様にした。
【００６１】
（評価結果）
上記の実施例２、３及び比較例２、３に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【００６２】
温度サイクル試験の結果、実施例２、３では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【００６３】
一方、比較例２、３では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【００６４】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による配線基板及びその製造方法について図６乃至図１０を用いて説明する。図６は電着法により絶縁層を形成した場合におけるスルーホール及びその周辺の状態を示す断面図、図７は本実施形態による配線基板の構造を示す断面図、図８乃至１０は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１実施形態による配線基板及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００６５】
本実施形態による配線基板は、第１実施形態による配線基板において、絶縁層１４と導電性コア基材１０との間に、めっき法により形成された金属層を更に有することに主たる特徴がある。
【００６６】
第２実施形態による配線基板の製造方法のように電着法により絶縁層１４を形成する場合、以下に述べるように、スルーホール１２の内壁面に存在するバリに起因して、導電性コア基材１０と配線２２ｃとが短絡してしまう可能性があると考えられる。
【００６７】
電着法によりポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成した場合、図６に示すように、スルーホール１２の内壁面において、絶縁層１４は、導電性の高い導電性コア基材１０のカーボンファイバ３４が露出している部分には形成されるものの、導電性の低い導電性コア基材１０の樹脂部分には十分に形成されない場合がある。このとき、カーボンファイバ３４は、絶縁層１４には完全に被覆されない虞がある。
【００６８】
また、スルーホール１２内に充填された樹脂１８中には、その形成時に混入した気泡等により、ボイド（空隙）３６が発生している。このような状態で樹脂１８にスルーホール２０を形成し、めっき法により配線２２ｄを形成すると、樹脂１８中のボイド３６に配線材料が滲入し、ボイド３６中に配線材料よりなる金属塊３８が形成される。このような金属塊３８が、絶縁層１４に完全に被覆されていないカーボンファイバ３４と接触するように形成されると、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間に短絡が発生してしまうこととなる。
【００６９】
本実施形態による配線基板は、上記のような短絡の発生をも防止し得るものである。以下、本実施形態による配線基板について図７を用いて説明する。
【００７０】
平板状の導電性コア基材１０に、その表面から裏面に貫通するスルーホール１２が形成されている。導電性コア基材１０には、配線レイアウト等に応じて所定の数のスルーホール１２が形成されており、具体的には、例えば約１０００個のスルーホール１２が形成されている。スルーホール１２の直径は、例えば０．５ｍｍである。
【００７１】
導電性コア基材１０は、カーボンファイバを含有する樹脂基板であり、例えば０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグ（図示せず）を例えば５枚積層して圧着したものである。導電性コア基材１０の厚さは、例えば１．０ｍｍである。カーボンファイバシートは、カーボンファイバがシート状に編み込まれてなるものである。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合され、熱膨張率が低減されている。
【００７２】
スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面には、例えば膜厚３０μｍの銅膜よりなる金属層４０が形成されている。
【００７３】
ここで、導電性コア基材１０に形成されたスルーホール１２の内壁面には、その開孔時に生じたバリ１６が存在している場合がある。バリ１６では、導電性コア基材１０のカーボンファイバが導電性コア基材１０外に露出していることがある。金属層４０は、このような導電性コア基材１０外に露出したカーボンファイバを含めてバリ１６を被覆するように形成されている。
【００７４】
導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に形成された金属層４０上には、例えば平均膜厚２０μｍの樹脂よりなる絶縁層１４が形成されている。絶縁層１４は、例えばポリパラキシリレン膜よりなるものである。
【００７５】
内壁面に絶縁層１４が形成されたスルーホール１２内には、樹脂１８が充填されている。樹脂１８は、例えばポリイミドよりなるものである。
【００７６】
スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心には、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０が形成されている。スルーホール２０の直径は、例えば０．２ｍｍである。
【００７７】
導電性コア基材１０の表面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ａが形成されている。導電性コア基材１０の裏面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ｂが形成されている。導電性コア基材１０の側端面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ｃが形成されている。また、樹脂１８に形成されたスルーホール２０内には、配線２２ｄが形成されている。スルーホール２０内に形成された配線２２ｄにより、導電性コア基材１０の表面に形成された配線２２ａと、導電性コア基材１０の裏面に形成された配線２２ｄとが互いに電気的に接続されている。配線２２ａ〜２２ｄは、例えば銅膜よりなるものである。配線２２ａ〜２２ｃと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４により絶縁されている。配線２２ｄと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４、樹脂１８により絶縁されている。
【００７８】
なお、図７では導電性コア基材１０の表裏面にそれぞれ１層のみの配線２２ａ、２２ｂが形成されている場合を示しているが、導電性コア基材１０の表裏面には、上記と同様の配線が絶縁層を介して繰り返し形成され、例えば５層の多層配線（図示せず）が形成されている。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、オーバーコート層（図示せず）が形成されている。
【００７９】
こうして、本実施形態による配線基板が構成されている。
【００８０】
本実施形態による配線基板では、上述のように、開孔時に生じたバリ１６が存在するスルーホール１２の内壁面に金属層４０が形成されているため、スルーホール１２の内壁面の表面粗さが低減されている。このように、金属層４０により表面粗さが低減されたスルーホール１２の内壁面に絶縁層１４が形成されているため、絶縁層１４は、第１及び第２実施形態による配線基板と比較して、更に密着性の高い状態で形成されている。このような絶縁層１４により、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を更に確実に絶縁することができる。これにより、更に信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【００８１】
また、本実施形態による配線基板では、スルーホール１２内における配線構造が同軸構造となっている。すなわち、配線２２ｄの周囲が、金属層４０により覆われた構造となっている。これにより、配線基板の高周波特性を向上することができる。
【００８２】
次に、本実施形態による配線基板の製造方法について図８乃至図１０を用いて説明する。
【００８３】
まず、第１実施形態による配線基板の製造方法と同様に、導電性コア基材１０に、表面から裏面に貫通するスルーホール１２を形成する（図８（ａ）参照）。
【００８４】
次いで、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０に対して、所定の脱脂処理、及び所定の洗浄処理を行う。
【００８５】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に、例えば無電解めっき法により、例えば膜厚０．３μｍの銅膜を形成する。
【００８６】
次いで、無電解めっき法により形成された銅膜をシードとして、電解めっき法により、導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に、例えば膜厚３０μｍの銅膜２６を更に形成する。こうして、導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に、例えば膜厚３０μｍの銅膜よりなる金属層４０が形成される（図８（ｂ）参照）。
【００８７】
なお、金属層４０を形成した後、所定の処理を行うことにより、金属層４０の表面に凹凸を形成し、金属層４０の表面粗さを大きくしておいてもよい。これにより、スルーホール１２内においてその後に形成される絶縁層１４等を高い密着性で形成することができる。例えば、硫酸、過酸化水素水等の酸溶液を用いたソフトエッチングにより金属層４０の表面を化学的に数μｍ程度除去することにより、金属層４０の表面に凹凸を形成することができる。また、ブラシ、砥石等を用いて金属層４０の表面を物理的に研磨することにより、金属層４０の表面に凹凸を形成することができる。
【００８８】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に形成された金属層４０上に、蒸着法により、例えば平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成する（図８（ｃ）参照）。
【００８９】
このように、本実施形態による配線基板の製造方法では、蒸着法により、気相状態の原料を用いて絶縁層１４を形成するので、導電性コア基材１０の表裏面のみならず、スルーホール１２の内壁面にも、微小なピンホールの発生が抑制された被覆性の高い絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と、後にスルーホール１２の内壁面に絶縁層１４を介して形成される配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。
【００９０】
また、絶縁層１４を構成するポリパラキシリレン膜は室温で形成すること可能であるため、導電性コア基材１０が耐熱性の低い材料からなる場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。また、熱ストレスが加わることなく絶縁層１４を形成することができるため、残留応力の小さい絶縁層１４が形成することができる。したがって、絶縁層１４の応力に起因するクラックの発生を抑制することができる。
【００９１】
次いで、絶縁層１４が形成された導電性コア基材１０の両面に、例えば真空プレス法により、熱可塑性ポリイミドシートをラミネートする。真空プレス法によるラミネート時の温度は例えば２００℃とし、プレス時間は例えば３０分とする。ラミネートされた熱可塑性ポリイミドシートの厚さは、例えば０．０５ｍｍとなるようにする。こうして、絶縁層１４が内壁面に形成されたスルーホール１２内に、ポリイミドよりなる樹脂１８が充填される。スルーホール１２内に樹脂１８を充填した後、導電性コア基材１０の表裏面に残存するポリイミドを除去する（図９（ａ）参照）。
【００９２】
次いで、スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心に、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０を形成する（図９（ｃ）参照）。スルーホール２０の直径は、例えば０．２μｍとする。スルーホール２０の形成には、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ等を用いたレーザドライエッチング、プラズマドライエッチング等のドライエッチングを用いることができる。また、例えばドリルを用いた切削加工により、スルーホール２０を形成してもよい。
【００９３】
次いで、スルーホール２０に対してデスミア処理を行った後、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面及び側端面に形成された絶縁層１４上、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面に、例えば無電解めっき法により、例えば膜厚０．３μｍの銅膜２４を形成する。
【００９４】
次いで、ドライフィルムレジストで導電性コア基材１０をラミネートすることにより、導電性コア基材１０の表裏面に形成された銅膜２４上に、例えば膜厚５０μｍのレジスト層２８を形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術により、レジスト層２８に、配線形成予定領域を露出する開口部３０を形成する（図９（ｃ）参照）。
【００９５】
次いで、無電解めっき法により形成された銅膜２４をシードとして、電解めっき法により、レジスト層２８の開口部３０に露出した銅膜２４上、及びスルーホール２０の内壁面に形成されている銅膜２４上に、例えば膜厚３０μｍの銅膜２６を形成する（図１０（ａ）参照）。
【００９６】
銅膜２６を形成した後、レジスト層２８を除去する（図１０（ｂ）参照）。
【００９７】
次いで、銅膜２６をマスクとして、シードとして用いた銅膜２４をエッチング除去する。エッチング液としては、例えば過酸化水素水と硫酸との混合液を用いる。こうして、導電性コア基材１０の表裏面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線２２ａ、２２ｂがそれぞれ形成される。また、導電性コア基材１０の側端面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線２２ｃが形成される。また、樹脂１８に形成されたスルーホール２０内には、銅膜２４、２６よりなる配線２２ｄが形成される（図１０（ｃ）参照）。
【００９８】
以後、絶縁層を形成する工程と、上記と同様の配線を形成する工程とを繰り返すことにより、導電性コア基材１０の表裏面のそれぞれに、例えば５層の多層配線（図示せず）を形成する。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、例えばスクリーン印刷技術とフォトリソグラフィ技術とを併用して、オーバーコート層（図示せず）を形成する。
【００９９】
こうして、本実施形態による配線基板が形成される。
【０１００】
このように、本実施形態によれば、導電性コア基材１０のスルーホール１２の内壁面に、金属層４０を介して、バリ１６を被覆するように絶縁層１４を形成するので、更に密着性の高い状態で絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を更に確実に絶縁することができる。したがって、更に信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０１０１】
（実施例４）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０重量％のシリカフィラーとを混合した。アルミナフィラーとしては、平均粒径７μｍ以下、熱膨張率７ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜２００℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が２ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が８０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、蒸着法により、次のようにして形成した。まず、蒸着装置の蒸着室内の成膜ステージ上に、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０を設置した。一方、蒸着装置の熱分解室において、原材料のダイマーであるジパラキシリレン２０ｇを、５１０℃、２５ｍＴｏｒｒの条件下で熱分解し、ジラジカルパラキシリレンを生成した。続いて、生成したジラジカルパラキシリレンを蒸着室内に導入し、基板温度２５℃、蒸着室内圧力３０ｍＴｏｒｒの条件下で蒸着を行った。蒸着時間は６時間とした。こうして、蒸着法により、平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【０１０２】
（実施例５）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の５重量％の窒化アルミニウムフィラーと、組成物全体の２５重量％のシリカフィラーとを混合した。窒化アルミニウムフィラーとしては、平均粒径８μｍ以下、熱膨張率５ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜１５０℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が３ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、蒸着法により、次のようにして形成した。まず、蒸着装置の蒸着室内の成膜ステージ上に、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０を設置した。一方、蒸着装置の熱分解室において、原材料のダイマーであるジパラキシリレン３０ｇを、５００℃、２０ｍＴｏｒｒの条件下で熱分解し、ジラジカルパラキシリレンを生成した。続いて、生成したジラジカルパラキシリレンを蒸着室内に導入し、基板温度２５℃、蒸着室内圧力５０ｍＴｏｒｒの条件下で蒸着を行った。蒸着時間は４．５時間とした。こうして、蒸着法により、平均膜厚２５μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【０１０３】
（比較例４、５）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例４、５と同様にした。
【０１０４】
（評価結果）
上記の実施例４、５及び比較例４、５に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【０１０５】
温度サイクル試験の結果、実施例４、５では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された金属層４０、絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【０１０６】
一方、比較例４、５では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【０１０７】
［第４実施形態］
本発明の第４実施形態による配線基板及びその製造方法について図１１を用いて説明する。図１１は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１乃至第３実施形態による配線基板及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【０１０８】
本実施形態による配線基板の構造は、第３実施形態による配線基板とほぼ同様である。本実施形態による配線基板は、電着法により絶縁層１４が形成されている点で、第３実施形態による配線基板と異なっている。以下、本実施形態による配線基板の製造方法について図１１を用いて説明する。
【０１０９】
まず、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示す第３実施形態による配線基板の製造方法と同様にして、導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に、金属層４０までを形成する（図１１（ａ）参照）。
【０１１０】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に形成された金属層４０上に、金属層４０を電極として、電着法により、例えば平均膜厚２０μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成する（図１１（ｂ）参照）。
【０１１１】
ここで、絶縁層１４を構成するポリイミドは、導電性コア基材１０に対して電着される前に、既に耐熱性を有するイミド化した分子構造を有している。これにより、ポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成するために、イミド化のための４００℃程度の熱処理工程を行う必要がない。したがって、導電性コア基材１０の耐熱性が低い場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。
【０１１２】
絶縁層１４を形成した後の工程は、図９（ａ）乃至図１０（ｃ）に示す第３実施形態による配線基板の製造方法と同様なので説明を省略する。
【０１１３】
このように、本実施形態によれば、導電性コア基材１０のスルーホール１２の内壁面に、金属層４０を介して、バリ１６を被覆するように絶縁層１４を形成するので、更に密着性の高い状態で絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を更に確実に絶縁することができる。したがって、更に信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０１１４】
（実施例６）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の５重量％の窒化アルミニウムフィラーと、組成物全体の２５重量％のシリカフィラーとを混合した。窒化アルミニウムフィラーとしては、平均粒径８μｍ以下、熱膨張率５ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜１５０℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が３ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が７０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、電着法により、次のようにして形成した。まず、ステンレス製の容器に満たされたポリイミド電着液中に、導電性コア基材１０を浸漬した。ここで、導電性コア基材１０には、その側端面に形成された金属層４０を結線して直流電源を接続した。導電性コア基材１０をポリイミド電着液に浸漬した状態で、直流電源を用いて、定電圧法により１００Ｖ、１０クーロンの条件で１２０秒間の通電を行い、ポリイミドを導電性コア基材１０にポリイミドを被着させた。この後、ポリイミドが被着した導電性コア基材１０に対して、９０℃、３０分間の乾燥処理、及び１８０℃、３０分間の乾燥処理を順次段階的に行った。こうして、電着法により、平均膜厚２０μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【０１１５】
（比較例６）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例６と同様にした。
【０１１６】
（評価結果）
上記の実施例６及び比較例６に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【０１１７】
温度サイクル試験の結果、実施例６では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された金属層４０、絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【０１１８】
一方、比較例６では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【０１１９】
［第５実施形態］
本発明の第５実施形態による配線基板及びその製造方法について図１２乃至図１５を用いて説明する。図１２は本実施形態による配線基板の構造を示す断面図、図１３乃至図１５は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１乃至第４実施形態による配線基板及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【０１２０】
本実施形態による配線基板は、絶縁層１４が形成される前に、導電性コア基材１０に形成されたスルーホール１２が、樹脂１８により埋め込まれている点で、第１乃至第４実施形態による配線基板と異なっている。
【０１２１】
まず、本実施形態による配線基板について図１２を用いて説明する。
【０１２２】
平板状の導電性コア基材１０に、その表面から裏面に貫通するスルーホール１２が形成されている。導電性コア基材１０には、配線レイアウト等に応じて所定の数のスルーホール１２が形成されており、具体的には、例えば約１０００個のスルーホール１２が形成されている。スルーホール１２の直径は、例えば０．５ｍｍである。
【０１２３】
導電性コア基材１０は、カーボンファイバを含有する樹脂基板であり、例えば０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグ（図示せず）を例えば５枚積層して圧着したものである。導電性コア基材１０の厚さは、例えば１．０ｍｍである。カーボンファイバシートは、カーボンファイバがシート状に編み込まれてなるものである。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合され、熱膨張率が低減されている。
【０１２４】
スルーホール１２内には、樹脂１８が充填されている。樹脂１８は、例えばポリイミドよりなるものである。スルーホール１２の内壁面に存在するバリ１６は、樹脂１８により被覆されている。
【０１２５】
スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心には、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０が形成されている。スルーホール２０の直径は、例えば０．２ｍｍである。
【０１２６】
導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面には、例えば平均膜厚２０μｍの樹脂よりなる絶縁層１４が形成されている。絶縁層１４は、例えばポリパラキシリレン膜よりなるものである。
【０１２７】
樹脂１８中にはボイドが生じている場合があり、このボイドによりスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成されていることがある。絶縁層１４は、このような凹部４２内に充填されるように形成されている。これにより、凹部４２にバリ１６が露出している場合には、このようなバリ１６は、絶縁層１４により被覆されている。
【０１２８】
導電性コア基材１０の表面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ａが形成されている。導電性コア基材１０の裏面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ｂが形成されている。また、樹脂１８に形成されたスルーホール２０内には、配線２２ｄが形成されている。スルーホール２０内に形成された配線２２ｄにより、導電性コア基材１０の表面に形成された配線２２ａと、導電性コア基材１０の裏面に形成された配線２２ｄとが互いに電気的に接続されている。配線２２ａ、２２ｂ、２２ｄは、例えば銅膜よりなるものである。配線２２ａ、２２ｂと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４により絶縁されている。配線２２ｄと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４、樹脂１８により絶縁されている。
【０１２９】
なお、図１２では導電性コア基材１０の表裏面にそれぞれ１層のみの配線２２ａ、２２ｂが形成されている場合を示しているが、導電性コア基材１０の表裏面には、上記と同様の配線が絶縁層を介して繰り返し形成され、例えば５層の多層配線（図示せず）が形成されている。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、オーバーコート層（図示せず）が形成されている。
【０１３０】
こうして、本実施形態による配線基板が構成されている。
【０１３１】
本実施形態による配線基板は、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面に、絶縁層１４が形成されていることに主たる特徴の一つがある。
【０１３２】
樹脂１８中のボイドに起因してスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成され、凹部４２にバリ１６が露出するような場合においても、このようなバリ１６は、絶縁層１４により被覆されることとなる。このため、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０１３３】
次に、本実施形態による配線基板の製造方法について図１３乃至図１５を用いて説明する。
【０１３４】
まず、第１実施形態による配線基板の製造方法と同様に、平板状の導電性コア基材１０に、スルーホール１２を形成する（図１３（ａ）参照）。
【０１３５】
次いで、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０に対して、所定の脱脂処理、及び所定の洗浄処理を行う。
【０１３６】
次いで、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０の両面に、例えば真空プレス法により、熱可塑性ポリイミドシートをラミネートする。真空プレス法によるラミネート時の温度は例えば２００℃とし、プレス時間は例えば３０分とする。ラミネートされた熱可塑性ポリイミドシートの厚さは、例えば０．０５ｍｍとなるようにする。こうして、スルーホール１２内に、ポリイミドよりなる樹脂１８が充填される。スルーホール１２内に樹脂１８を充填した後、導電性コア基材１０の表裏面に残存するポリイミドを除去する（図１３（ｂ）参照）。このとき、樹脂１８中には、ボイド３６が生じる場合がある。
【０１３７】
次いで、スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心に、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０を形成する（図１３（ｃ）参照）。スルーホール２０の直径は、例えば０．１μｍとする。スルーホール２０の形成には、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ等を用いたレーザドライエッチング、プラズマドライエッチング等のドライエッチングを用いることができる。また、例えばドリルを用いた切削加工により、スルーホール２０を形成してもよい。このとき、樹脂１８中のボイド３６により、スルーホール２０の内壁面に、凹部４２が形成されることがある。
【０１３８】
次いで、スルーホール２０に対してデスミア処理を行った後、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面に、蒸着法により、例えば平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成する（図１４（ａ）参照）。
【０１３９】
絶縁層１４は、スルーホール２０の内壁面に形成された凹部４２内には充填されるように形成される。これにより、凹部４２に露出しているバリ１６は、絶縁層１４により被覆される。
【０１４０】
このように、本実施形態による配線基板の製造方法では、蒸着法により、気相状態の原料を用いて絶縁層１４を形成するので、導電性コア基材１０の表裏面のみならず、スルーホール２０の内壁面にも、微小なピンホールの発生が抑制された被覆性の高い絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と、後にスルーホール２０内に絶縁層１４を介して形成される配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。
【０１４１】
また、絶縁層１４を構成するポリパラキシリレン膜は室温で形成すること可能であるため、導電性コア基材１０が耐熱性の低い材料からなる場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。また、熱ストレスが加わることなく絶縁層１４を形成することができるため、残留応力の小さい絶縁層１４が形成することができる。したがって、スルーホール１２の内壁面に形成された絶縁層１４の応力に起因するクラックの発生を抑制することができる。
【０１４２】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表裏面及び側端面に形成された絶縁層１４上、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面に、例えば無電解めっき法により、例えば膜厚０．３μｍの銅膜２４を形成する。
【０１４３】
次いで、ドライフィルムレジストで導電性コア基材１０をラミネートすることにより、導電性コア基材１０の表裏面に形成された銅膜２４上に、例えば膜厚５０μｍのレジスト層２８を形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術により、レジスト層２８に、配線形成予定領域を露出する開口部３０を形成する（図１４（ｂ）参照）。
【０１４４】
次いで、無電解めっき法により形成された銅膜２４をシードとして、電解めっき法により、レジスト層２８の開口部３０に露出した銅膜２４上、及びスルーホール２０の内壁面に形成されている銅膜２４上に、例えば膜厚２０μｍの銅膜２６を形成する（図１４（ｃ）参照）。
【０１４５】
銅膜２６を形成した後、レジスト層２８を除去する（図１５（ａ）参照）。
【０１４６】
次いで、銅膜２６をマスクとして、シードとして用いた銅膜２４をエッチング除去する。エッチング液としては、例えば過酸化水素水と硫酸との混合液を用いる。こうして、導電性コア基材１０の表裏面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線２２ａ、２２ｂがそれぞれ形成される。また、導電性コア基材１０の側端面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線（図示せず）が形成される。また、絶縁層１４が形成されたスルーホール２０内には、銅膜２４、２６よりなる配線２２ｄが形成される（図１５（ｂ）参照）。
【０１４７】
以後、絶縁層を形成する工程と、上記と同様の配線を形成する工程とを繰り返すことにより、導電性コア基材１０の表裏面のそれぞれに、例えば５層の多層配線（図示せず）を形成する。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、例えばスクリーン印刷技術とフォトリソグラフィ技術とを併用して、オーバーコート層（図示せず）を形成する。
【０１４８】
こうして、本実施形態による配線基板が形成される。
【０１４９】
このように、本実施形態によれば、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面に絶縁層１４を形成するので、樹脂１８中のボイドに起因してスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成され、凹部４２にバリ１６が露出するような場合においても、このようなバリ１６は、絶縁層１４により被覆されることとなる。このため、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０１５０】
（実施例７）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０重量％のシリカフィラーとを混合した。アルミナフィラーとしては、平均粒径７μｍ以下、熱膨張率７ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜２００℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が２ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が８０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、蒸着法により、次のようにして形成した。まず、蒸着装置の蒸着室内の成膜ステージ上に、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０を設置した。一方、蒸着装置の熱分解室において、原材料のダイマーであるジパラキシリレン２０ｇを、５１０℃、２５ｍＴｏｒｒの条件下で熱分解し、ジラジカルパラキシリレンを生成した。続いて、生成したジラジカルパラキシリレンを蒸着室内に導入し、基板温度２５℃、蒸着室内圧力３０ｍＴｏｒｒの条件下で蒸着を行った。蒸着時間は６時間とした。こうして、蒸着法により、平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【０１５１】
（比較例７）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例７と同様にした。
【０１５２】
（評価結果）
上記の実施例７及び比較例７に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【０１５３】
温度サイクル試験の結果、実施例７では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【０１５４】
一方、比較例７では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【０１５５】
［第６実施形態］
本発明の第６実施形態による配線基板の製造方法について図１６を用いて説明する。図１６は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１乃至第６実施形態による配線基板及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【０１５６】
本実施形態による配線基板の構造は、第５実施形態による配線基板とほぼ同様である。本実施形態による配線基板は、電着法により絶縁層１４が形成されている点で、第５実施形態による配線基板と異なっている。以下、本実施形態による配線基板の製造方法について図１６を用いて説明する。
【０１５７】
まず、図１３（ａ）乃至図１３（ｃ）に示す第５実施形態による配線基板の製造方法と同様に、平板状の導電性コア基材１０にスルーホール１２を形成した後、スルーホール１２に樹脂１８を埋め込み、樹脂１８にスルーホール２０を形成する（図１６（ａ）参照）。
【０１５８】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に、導電性コア基材１０中のカーボンファイバを電極として、電着法により、例えば平均膜厚１５μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成する（図１６（ｂ）参照）。
【０１５９】
絶縁層１４は、スルーホール２０の内壁面に形成された凹部４２内には充填されるように形成される。これにより、凹部４２に露出しているバリ１６は、絶縁層１４により被覆される。
【０１６０】
ここで、絶縁層１４を構成するポリイミドは、導電性コア基材１０に対して電着される前に、既に耐熱性を有するイミド化した分子構造を有している。これにより、ポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成するために、イミド化のための４００℃程度の熱処理工程を行う必要がない。したがって、導電性コア基材１０の耐熱性が低い場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。
【０１６１】
絶縁層１４を形成した後の工程は、図１４（ｂ）乃至図１５（ｂ）に示す第５実施形態による配線基板の製造方法と同様なので説明を省略する。
【０１６２】
このように、本実施形態によれば、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面に絶縁層１４を形成するので、樹脂１８中のボイドに起因してスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成され、凹部４２にバリ１６が露出するような場合においても、このようなバリ１６は、絶縁層１４により被覆されることとなる。このため、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。したがって、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０１６３】
（実施例８）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０重量％のシリカフィラーとを混合した。アルミナフィラーとしては、平均粒径７μｍ以下、熱膨張率７ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜２００℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が２ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が８０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、電着法により、次のようにして形成した。まず、ステンレス製の容器に満たされたポリイミド電着液中に、導電性コア基材１０を浸漬した。ここで、導電性コア基材１０には、その側端面のカーボンファイバが露出した部分を結線して直流電源を接続した。導電性コア基材１０をポリイミド電着液に浸漬した状態で、直流電源を用いて、定電流法により５０ｍＡ、５クーロンの条件で１８０秒間の通電を行い、ポリイミドを導電性コア基材１０にポリイミドを被着させた。この後、ポリイミドが被着した導電性コア基材１０に対して、９０℃、３０分間の乾燥処理、及び１８０℃、３０分間の乾燥処理を順次段階的に行った。こうして、電着法により、平均膜厚１５μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【０１６４】
（比較例８）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例８と同様にした。
【０１６５】
（評価結果）
上記の実施例８及び比較例８に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【０１６６】
温度サイクル試験の結果、実施例８では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【０１６７】
一方、比較例８では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【０１６８】
［第７実施形態］
本発明の第７実施形態による配線基板及びその製造方法について図１７乃至図２０を用いて説明する。図１７は本実施形態による配線基板の構造を示す断面図、図１８乃至図２０は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１乃至第６７実施形態による配線基板及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【０１６９】
本実施形態による配線基板は、第５実施形態による配線基板において、絶縁層１４と導電性コア基材１０との間に、めっき法により形成された金属層を更に有することに主たる特徴がある。以下、本実施形態による配線基板について図１７を用いて説明する。
【０１７０】
平板状の導電性コア基材１０に、その表面から裏面に貫通するスルーホール１２が形成されている。導電性コア基材１０には、配線レイアウト等に応じて所定の数のスルーホール１２が形成されており、具体的には、例えば約１０００個のスルーホール１２が形成されている。スルーホール１２の直径は、例えば０．５ｍｍである。
【０１７１】
導電性コア基材１０は、カーボンファイバを含有する樹脂基板であり、例えば０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグ（図示せず）を例えば５枚積層して圧着したものである。導電性コア基材１０の厚さは、例えば１．０ｍｍである。カーボンファイバシートは、カーボンファイバがシート状に編み込まれてなるものである。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、アルミナフィラー、窒化アルミニウムフィラー、シリカフィラー等の無機フィラーが混合され、熱膨張率が低減されている。
【０１７２】
スルーホール１２内には、樹脂１８が充填されている。樹脂１８は、例えばポリイミドよりなるものである。スルーホール１２の内壁面に存在するバリ１６は、樹脂１８により被覆されている。
【０１７３】
スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心には、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０が形成されている。スルーホール２０の直径は、例えば０．２ｍｍである。
【０１７４】
導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面には、例えば膜厚２０μｍの銅膜よりなる金属層４０が形成されている。
【０１７５】
樹脂１８中にはボイドが生じている場合があり、このボイドによりスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成されていることがある。金属層４０は、このような凹部４２内に充填されるように形成されている。これにより、凹部４２にバリ１６が露出している場合には、このようなバリ１６は、金属層４０により被覆されている。
【０１７６】
導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面に形成された金属層４０、及びスルーホール２０の内壁面に形成された金属層４０上には、平均膜厚２０μｍの樹脂よりなる絶縁層１４が形成されている。絶縁層１４は、例えばパラキシリレン膜よりなるものである。
【０１７７】
導電性コア基材１０の表面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ａが形成されている。導電性コア基材１０の裏面に形成された絶縁層１４上には、配線２２ｂが形成されている。導電性コア基材１０の側端面に形成された絶縁層１４上には、配線（図示せず）が形成されている。また、樹脂１８に形成されたスルーホール２０内には、配線２２ｄが形成されている。スルーホール２０内に形成された配線２２ｄにより、導電性コア基材１０の表面に形成された配線２２ａと、導電性コア基材１０の裏面に形成された配線２２ｄとが互いに電気的に接続されている。配線２２ａ〜２２ｄは、例えば銅膜よりなるものである。配線２２ａ〜２２ｃと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４により絶縁されている。配線２２ｄと導電性コア基材１０との間は、絶縁層１４、樹脂１８により絶縁されている。
【０１７８】
なお、図１７では導電性コア基材１０の表裏面にそれぞれ１層のみの配線２２ａ、２２ｂが形成されている場合を示しているが、導電性コア基材１０の表裏面には、上記と同様の配線が絶縁層を介して繰り返し形成され、例えば５層の多層配線（図示せず）が形成されている。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、オーバーコート層（図示せず）が形成されている。
【０１７９】
こうして、本実施形態による配線基板が構成されている。
【０１８０】
本実施形態による配線基板では、上述のように、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面に金属層４０が形成されているため、スルーホール２０の内壁面の表面粗さが低減されている。このように、金属層４０により表面粗さが低減されたスルーホール２０の内壁面に絶縁層１４が形成されているため、絶縁層１４は、第５及び第６実施形態による配線基板と比較して、更に密着性の高い状態で形成されている。このような絶縁層１４により、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を更に確実に絶縁することができる。これにより、更に信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０１８１】
さらに、樹脂１８中のボイドに起因してスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成され、凹部４２にバリ１６が露出するような場合においても、このようなバリ１６は、金属層４０により被覆されることとなる。このような金属層４０上に絶縁層１４が形成されているため、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。
【０１８２】
次に、本実施形態による配線基板の製造方法について図１８乃至図２０を用いて説明する。
【０１８３】
まず、第１実施形態による配線基板の製造方法と同様に、平板状の導電性コア基材１０に、スルーホール１２を形成する（図１８（ａ）参照）。
【０１８４】
次いで、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０に対して、所定の脱脂処理、及び所定の洗浄処理を行う。
【０１８５】
次いで、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０の両面に、例えば真空プレス法により、熱可塑性ポリイミドシートをラミネートする。真空プレス法によるラミネート時の温度は例えば２００℃とし、プレス時間は例えば３０分とする。ラミネートされた熱可塑性ポリイミドシートの厚さは、例えば０．０５ｍｍとなるようにする。こうして、スルーホール１２内に、ポリイミドよりなる樹脂１８が充填される。スルーホール１２内に樹脂１８を充填した後、導電性コア基材１０の表裏面に残存するポリイミドを除去する（図１８（ｂ）参照）。このとき、樹脂１８中には、ボイド３６が生じる場合がある。
【０１８６】
次いで、スルーホール１２内に充填された樹脂１８のほぼ中心に、導電性コア基材１０の表面側から裏面側に貫通するスルーホール２０を形成する（図１８（ｃ）参照）。スルーホール２０の直径は、例えば２００μｍとする。スルーホール２０の形成には、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ等を用いたレーザドライエッチング、プラズマドライエッチング等のドライエッチングを用いることができる。また、例えばドリルを用いた切削加工により、スルーホール２０を形成してもよい。このとき、樹脂１８中のボイド３６により、スルーホール２０の内壁面に、凹部４２が形成されることがある。
【０１８７】
次いで、スルーホール２０に対してデスミア処理を行った後、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面に、無電解めっき法により、膜厚０．３μｍの銅膜を形成する。
【０１８８】
次いで、無電解めっき法により形成された銅膜をシードとして、電解めっき法により、導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール２０の内壁面に、例えば膜厚２０μｍの銅膜２６を更に形成する。こうして、導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール２０の内壁面に、例えば膜厚２０μｍの銅膜よりなる金属層４０が形成される（図１９（ａ）参照）。
【０１８９】
金属層４０は、スルーホール２０の内壁面に形成された凹部４２内には充填されるように形成される。これにより、凹部４２に露出しているバリ１６は、金属層４０により被覆される。
【０１９０】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール１２の内壁面に形成された金属層４０上に、蒸着法により、例えば平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成する（図１９（ｂ）参照）。
【０１９１】
このように、本実施形態による配線基板の製造方法では、蒸着法により、気相状態の原料を用いて絶縁層１４を形成するので、導電性コア基材１０の表裏面のみならず、スルーホール２０の内壁面にも、微小なピンホールの発生が抑制された被覆性の高い絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と、後にスルーホール２０内に絶縁層１４を介して形成される配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。
【０１９２】
また、絶縁層１４を構成するポリパラキシリレン膜は室温で形成すること可能であるため、導電性コア基材１０が耐熱性の低い材料からなる場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。また、熱ストレスが加わることなく絶縁層１４を形成することができるため、残留応力の小さい絶縁層１４が形成することができる。したがって、スルーホール１２の内壁面に形成された絶縁層１４の応力に起因するクラックの発生を抑制することができる。
【０１９３】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表裏面及び側端面に形成された絶縁層１４上、樹脂１８上、及びスルーホール２０の内壁面に形成された絶縁層１４上に、例えば無電解めっき法により、例えば膜厚０．３μｍの銅膜２４を形成する。
【０１９４】
次いで、ドライフィルムレジストで導電性コア基材１０をラミネートすることにより、導電性コア基材１０の表裏面に形成された銅膜２４上に、例えば膜厚５０μｍのレジスト層２８を形成する。次いで、フォトリソグラフィ技術により、レジスト層２８に、配線形成予定領域を露出する開口部３０を形成する（図１９（ｃ）参照）。
【０１９５】
次いで、無電解めっき法により形成された銅膜２４をシードとして、電解めっき法により、レジスト層２８の開口部３０に露出した銅膜２４上、及びスルーホール２０の内壁面に形成されている銅膜２４上に、例えば膜厚２０μｍの銅膜２６を形成する（図２０（ａ）参照）。
【０１９６】
銅膜２６を形成した後、レジスト層２８を除去する（図２０（ｂ）参照）。
【０１９７】
次いで、銅膜２６をマスクとして、シードとして用いた銅膜２４をエッチング除去する。エッチング液としては、例えば過酸化水素水と硫酸との混合液を用いる。こうして、導電性コア基材１０の表裏面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線２２ａ、２２ｂがそれぞれ形成される。また、導電性コア基材１０の側端面に形成された絶縁層１４上に、銅膜２４、２６よりなる配線（図示せず）が形成される。また、絶縁層１４が形成されたスルーホール２０内には、銅膜２４、２６よりなる配線２２ｄが形成される（図２０（ｃ）参照）。
【０１９８】
以後、絶縁層を形成する工程と、上記と同様の配線を形成する工程とを繰り返すことにより、導電性コア基材１０の表裏面のそれぞれに、例えば５層の多層配線（図示せず）を形成する。多層配線が形成された導電性コア基材１０の表裏面の最上層には、例えばスクリーン印刷技術とフォトリソグラフィ技術とを併用して、オーバーコート層（図示せず）を形成する。
【０１９９】
こうして、本実施形態による配線基板が形成される。
【０２００】
このように、本実施形態によれば、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面に、金属層４０を介して絶縁層１４を形成するので、更に密着性の高い状態で絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を更に確実に絶縁することができる。したがって、更に信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０２０１】
さらに、本実施形態によれば、樹脂１８中のボイドに起因してスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成され、凹部４２にバリ１６が露出するような場合においても、このようなバリ１６は、金属層４０により被覆されることとなる。このような金属層４０上に絶縁層１４を形成するため、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。
【０２０２】
（実施例９）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０重量％のシリカフィラーとを混合した。アルミナフィラーとしては、平均粒径７μｍ以下、熱膨張率７ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜２００℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が２ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が８０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、蒸着法により、次のようにして形成した。まず、蒸着装置の蒸着室内の成膜ステージ上に、スルーホール１２が形成された導電性コア基材１０を設置した。一方、蒸着装置の熱分解室において、原材料のダイマーであるジパラキシリレン２０ｇを、５１０℃、２５ｍＴｏｒｒの条件下で熱分解し、ジラジカルパラキシリレンを生成した。続いて、生成したジラジカルパラキシリレンを蒸着室内に導入し、基板温度２５℃、蒸着室内圧力３０ｍＴｏｒｒの条件下で蒸着を行った。蒸着時間は６時間とした。こうして、蒸着法により、平均膜厚２０μｍのポリパラキシリレン膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【０２０３】
（比較例９）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例９と同様にした。
【０２０４】
（評価結果）
上記の実施例９及び比較例９に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【０２０５】
温度サイクル試験の結果、実施例９では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【０２０６】
一方、比較例９では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【０２０７】
［第８実施形態］
本発明の第８実施形態による配線基板及びその製造方法について図２１を用いて説明する。図２１は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【０２０８】
本実施形態による配線基板の構造は、第７実施形態による配線基板とほぼ同様である。本実施形態による配線基板は、電着法により絶縁層１４が形成されている点で、第７実施形態による配線基板と異なっている。以下、本実施形態による配線基板の製造方法について図２１を用いて説明する。
【０２０９】
まず、図１８（ａ）乃至図１９（ａ）に示す第５実施形態による配線基板の製造方法と同様に、平板状の導電性コア基材１０にスルーホール１２を形成した後、スルーホール１２に樹脂１８を埋め込み、樹脂１８にスルーホール２０を形成する。次いで、導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール２０の内壁面に、金属層４０を形成する（図２１（ａ）参照）。
【０２１０】
次いで、全面に、すなわち導電性コア基材１０の表面、裏面、側端面、及びスルーホール２０の内壁面に形成された金属層４０上に、金属層４０を電極として、電着法により、例えば平均膜厚２０μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成する（図２１（ｂ）参照）。
【０２１１】
ここで、絶縁層１４を構成するポリイミドは、導電性コア基材１０に対して電着される前に、既に耐熱性を有するイミド化した分子構造を有している。これにより、ポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成するために、イミド化のための４００℃程度の熱処理工程を行う必要がない。したがって、導電性コア基材１０の耐熱性が低い場合であっても、導電性コア基材１０の劣化、破損等を伴うことなく、絶縁層１４を確実に形成することができる。
【０２１２】
絶縁層１４を形成した後の工程は、図１９（ｃ）乃至図２０（ｄ）に示す第７実施形態による配線基板の製造方法と同様なので説明を省略する。
【０２１３】
このように、本実施形態によれば、樹脂１８に形成されたスルーホール２０の内壁面に、金属層４０を介して絶縁層１４を形成するので、更に密着性の高い状態で絶縁層１４を形成することができる。これにより、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を更に確実に絶縁することができる。したがって、更に信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【０２１４】
さらに、本実施形態によれば、樹脂１８中のボイドに起因してスルーホール２０の内壁面に凹部４２が形成され、凹部４２にバリ１６が露出するような場合においても、このようなバリ１６は、金属層４０により被覆されることとなる。このような金属層４０上に絶縁層１４を形成するため、導電性コア基材１０と配線２２ｄとの間を確実に絶縁することができる。
【０２１５】
（実施例１０）
導電性コア基材１０として、０．２ｍｍのカーボンファイバシートとポリイミド系樹脂組成物とを複合化してなるプリプレグを５枚積層して圧着して形成した厚さ１．０ｍｍのものを用いた。カーボンファイバシートを包容するポリイミド系樹脂組成物には、組成物全体の１０重量％のアルミナフィラーと、組成物全体の１０重量％のシリカフィラーとを混合した。アルミナフィラーとしては、平均粒径７μｍ以下、熱膨張率７ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。シリカフィラーとしては、平均粒径３μｍ以下、熱膨張率３ｐｐｍ／Ｋのものを用いた。このような材料により構成された導電性コア基材１０は、温度範囲２５〜２００℃において、面広がり方向の平均熱膨張率が２ｐｐｍ／Ｋ、厚さ方向の平均熱膨張率が８０ｐｐｍ／Ｋであった。このような導電性コア基材１０に、直径０．５ｍｍのスルーホール１２を約１０００個形成した。また、絶縁層１４は、電着法により、次のようにして形成した。まず、ステンレス製の容器に満たされたポリイミド電着液中に、導電性コア基材１０を浸漬した。ここで、導電性コア基材１０には、その側端面のカーボンファイバが露出した部分を結線して直流電源を接続した。導電性コア基材１０をポリイミド電着液に浸漬した状態で、直流電源を用いて、定電圧法により１００Ｖ、１０クーロンの条件で１２０秒間の通電を行い、ポリイミドを導電性コア基材１０にポリイミドを被着させた。この後、ポリイミドが被着した導電性コア基材１０に対して、９０℃、３０分間の乾燥処理、及び１８０℃、３０分間の乾燥処理を順次段階的に行った。こうして、電着法により、平均膜厚２０μｍのポリイミド膜よりなる絶縁層１４を形成した。
【０２１６】
（比較例１０）
比較例として、絶縁層１４を形成せずに、スルーホール１２内に樹脂２０を直接充填した配線基板を作製した。絶縁層１４を形成しない点以外は、実施例１０と同様にした。  （評価結果）
上記の実施例１０及び比較例１０に対して、温度サイクル試験として、−６５℃での１５分間の冷却及び１２５℃での１５分間の加熱を１サイクルとし、このサイクルを１０００回繰り返した。
【０２１７】
温度サイクル試験の結果、実施例１０では、電気的接続部における抵抗変化率は＋５％以下であった。また、スルーホール１２内に形成された絶縁層１４、配線２２ｄ等にクラック、剥がれは観察されなかった。また、配線２２ｄを形成する際の銅めっき液の滲入による短絡は観察されなかった。
【０２１８】
一方、比較例１０では、温度サイクル試験の結果、スルーホール２０の中央部において、配線２２ｄに短絡が観察された。
【０２１９】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０２２０】
例えば、上記実施形態では、導電性コア基材１０として、カーボンファイバを含有する樹脂基板を用いる場合について説明したが、導電性コア基材１０はこれに限定されるものではなく、種々の基板を用いることができる。導電性コア基材１０として、例えばインバー等の金属よりなる基板を用いてもよい。
【０２２１】
また、上記実施形態では、絶縁層１４として、ポリパラキシリレン膜、ポリイミド膜を用いる場合について説明したが、絶縁層１４はこれらに限定されるものではない。絶縁層１４として、ポリパラキシリレンの他、例えば、フッ素化ポリパラキシリレン、塩素化ポリパラキシリレン等のポリパラキシリレンの一部が置換された置換ポリパラキシリレン等のポリパラキシリレン系樹脂よりなる膜を用いることができる。また、絶縁層１４として、例えば、種々のポリイミド系樹脂、種々のエポキシ系樹脂よりなる膜を用いることができる。
【０２２２】
また、上記実施形態では、銅膜よりなる配線２２ａ〜２２ｄを形成する場合について説明したが、配線２２ａ〜２２ｄの材料はこれに限定されるものではなく、種々の導体膜を配線として形成することができる。
【０２２３】
また、上記実施形態では、絶縁層１４、金属層４０を１層ずつ形成する場合について説明したが、絶縁層１４、金属層４０を形成する層数は１層に限定されるものではない。絶縁層１４を複数層形成し、或いは金属層４０と金属層４０上に形成された絶縁層１４との組を複数組形成することにより、更に高い絶縁性を確保することができる。
【０２２４】
また、上記実施形態では、蒸着法又は電着法により絶縁層１４を形成する場合について説明したが、絶縁層１４の形成方法はこれらに限定されるものではない。
【０２２５】
また、上記実施形態では、ドリルを用いた切削加工により導電性コア基材１０にスルーホール１２を形成する場合について説明したが、スルーホール１２の形成方法はこれに限定されるものではない。スルーホール１２の形成方法として、例えば、パンチング金型による打ち抜き加工、レーザによるアブレーション加工等を用いてもよい。
【０２２６】
また、上記実施形態では、導電性コア基材１０のスルーホール１２内に樹脂１８を充填し、スルーホール１２の内壁面に樹脂１８よりなる絶縁層を形成する場合について説明したが、スルーホール１２内に充填するのは樹脂に限定されるものではなく、種々の絶縁性材料を充填することができる。
【０２２７】
また、上記実施形態では、導電性コア基材１０の表裏面に配線が形成されている場合について説明したが、配線は、導電性コア基材１０の少なくとも一方の面に形成されていればよい。
【０２２８】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
【０２２９】
（付記１）
スルーホールが形成された平板状の導電性コア基材と、
前記導電性コア基材の表面及び前記スルーホールの内壁面に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に形成された第１の配線と、
前記第１の絶縁層が形成された前記スルーホール内に形成され、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線と、
前記第１の絶縁層と前記第２の配線との間に形成された第２の絶縁層と
を有することを特徴とする配線基板。
【０２３０】
（付記２）
付記１記載の配線基板において、
前記スルーホールの前記内壁面と前記第１の絶縁層との間に形成された金属層を更に有する
ことを特徴とする配線基板。
【０２３１】
（付記３）
スルーホールが形成された平板状の導電性コア基材と、
前記導電性コア基材の表面及び前記スルーホールの内壁面に形成された第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に形成された第１の配線と、
前記第１の絶縁層が形成された前記スルーホール内に形成され、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線と、
前記スルーホールの前記内壁面と前記第１の絶縁層との間に形成された第２の絶縁層と
を有することを特徴とする配線基板。
【０２３２】
（付記４）
付記３記載の配線基板において、
前記第２の絶縁層と前記第１の絶縁層との間に形成された金属層を更に有する
ことを特徴とする配線基板。
【０２３３】
（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の配線基板において、
前記導電性コア基材は、カーボンファイバを含有する樹脂基板である
ことを特徴とする配線基板。
【０２３４】
（付記６）
付記１乃至５のいずれかに記載の配線基板において、
前記導電性コア基材は、金属基板である
ことを特徴とする配線基板。
【０２３５】
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１の絶縁層は、ポリパラキシリレン系樹脂よりなる
ことを特徴とする配線基板。
【０２３６】
（付記８）
付記１乃至７のいずれかに記載の配線基板において、
前記第１の絶縁層は、ポリイミド系樹脂よりなる
ことを特徴とする配線基板。
【０２３７】
（付記９）
付記１乃至８のいずれかに記載の配線基板において、
前記スルーホールの前記内壁面には、バリが形成されており、
前記第１の絶縁層は、前記バリを被覆するように形成されている
ことを特徴とする配線基板。
【０２３８】
（付記１０）
平板状の導電性コア基材に、第１のスルーホールを形成する工程と、
前記導電性コア基材の表面及び前記第１のスルーホールの内壁面に、絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層が形成された前記第１のスルーホール内に絶縁材を充填する工程と、
前記絶縁材に、第２のスルーホールを形成する工程と、
前記絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面上に第１の配線を形成し、前記第２のスルーホール内に、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【０２３９】
（付記１１）
付記１０記載の配線基板の製造方法において、
前記第１のスルーホールを形成する工程の後、前記絶縁層を形成する工程の前に、前記第１のスルーホールの前記内壁面に金属層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０２４０】
（付記１２）
平板状の導電性コア基材に、第１のスルーホールを形成する工程と、
前記第１のスルーホール内に絶縁材を充填する工程と、
前記絶縁材に、第２のスルーホールを形成する工程と、
前記導電性コア基材の表面及び前記第２のスルーホールの内壁面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層が形成された前記導電性コア基材の前記表面に第１の配線を形成し、前記絶縁層が形成された前記第２のスルーホール内に、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【０２４１】
（付記１３）
付記１２記載の配線基板の製造方法において、
前記第２のスルーホールを形成する工程の後、前記絶縁層を形成する工程の前に、前記第２のスルーホールの前記内壁面に金属層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０２４２】
（付記１４）
付記１０乃至１３のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程では、蒸着法により樹脂よりなる前記絶縁層を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０２４３】
（付記１５）
付記１０乃至１３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層を形成する工程では、電着法により樹脂よりなる前記絶縁層を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０２４４】
（付記１６）
付記１１又は１３記載の配線基板の製造方法において、
前記金属層を形成する工程では、めっき法により前記金属層を形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２４５】
【図１】本発明の第１実施形態による配線基板の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】本発明の第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図５】本発明の第２実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図６】電着法により絶縁層を形成した場合におけるスルーホール及びその周辺の状態を示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態による配線基板の構造を示す断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図９】本発明の第３実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１０】本発明の第３実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１１】本発明の第４実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態による配線基板の構造を示す断面図である。
【図１３】本発明の第５実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１４】本発明の第５実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１５】本発明の第５実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１６】本発明の第６実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１７】本発明の第７実施形態による配線基板の構造を示す断面図である。
【図１８】本発明の第７実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１９】本発明の第７実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図２０】本発明の第７実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図２１】本発明の第８実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【０２４６】
１０…導電性コア基材
１２…スルーホール
１４…絶縁層
１６…バリ
１８…樹脂
２０…スルーホール
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ…配線
２４…銅膜
２６…銅膜
２８…レジスト層
３０…開口部
３４…カーボンファイバ
３６…ボイド
３８…金属塊
４０…金属層
４２…凹部
【図１】
2006222216.tif 000003
【図２】
2006222216.tif 000004
【図３】
2006222216.tif 000005
【図４】
2006222216.tif 000006
【図５】
2006222216.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006222216.tif 000009
【図８】
2006222216.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2006222216.tif 000015
【図１４】
2006222216.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2006222216.tif 000018
【図１７】
2006222216.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2006222216.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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