(57)【要約】【課題】  導電性接着剤を介してリードフレーム上に電子部品を搭載し、これらリードフレームおよび電子部品をモールド樹脂により封止してなる電子装置において、モールド樹脂の剥離を適切に防止する。【解決手段】  導電性接着剤２０を介して、リードフレーム１０上に電子部品４０を搭載し、これらリードフレーム１０および電子部品４０をモールド樹脂６０により封止してなる電子装置において、リードフレーム１０のうち電子部品４０が配置される部位の外周には、凹部としての溝１５が設けられており、この溝１５は、電子部品４０の高さＬの２倍以内の距離に配置されている。【選択図】        図２
2006032774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性接着剤（２０）を介して、リードフレーム（１０）上に電子部品（３０、４０）を搭載し、これらリードフレーム（１０）および電子部品（３０、４０）をモールド樹脂（６０）により封止してなる電子装置において、
前記リードフレーム（１０）のうち前記電子部品（３０、４０）が配置される部位の外周には、凹部（１５）もしくは凸部（１６）が設けられており、
前記凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、前記電子部品（３０、４０）の高さ（Ｌ）の２倍以内の距離に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、前記電子部品（３０、４０）の高さ（Ｌ）以内の距離に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、前記電子部品（３０、４０）の端部からの前記導電性接着剤（２０）のはみ出し距離（ｙ）よりも外側に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、凹部（１５）であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項５】
前記凹部（１５）の深さ（ｈ）は、前記リードフレーム（１０）の厚さ（Ｈ）の１０〜５０％であることを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記凹部（１５）の深さ（ｈ）は、前記リードフレーム（１０）の厚さ（Ｈ）の１０〜２０％であることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、凸部（１６）であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項８】
前記電子部品は受動素子（４０）であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載の電子装置。
【請求項９】
前記受動素子（４０）はチップコンデンサであることを特徴とする請求項８に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性接着剤を介してリードフレーム上に電子部品を搭載し、これらリードフレームおよび電子部品をモールド樹脂により封止してなる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、導電性接着剤を介して、リードフレーム上に電子部品を搭載し、これらリードフレームおよび電子部品をモールド樹脂により封止してなる電子装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
このものは、リードフレーム上の所望位置に、電子部品としてたとえばコンデンサなどの受動素子を、Ａｇペーストなどの導電性接着剤を介して搭載し、その後、これらをエポキシ樹脂などのモールド樹脂により封止してなるものである。
【特許文献１】特開２００３−８６７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、電子部品をリードフレーム上に搭載する際に、導電性接着剤のはみ出しやブリード（つまり、導電性接着剤中の溶剤が流出し飛散する現象）によってモールド樹脂の密着性が劣化し、モールド樹脂が剥離するといった問題がある。
【０００５】
従来では、半導体素子のまわりに溝（凹部）を設け、導電性接着剤のはみ出しやブリードを防止しているものが、一般にあるが、それだけでは、不十分であり、樹脂剥離の可能性は完全には回避できていなかった。
【０００６】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、導電性接着剤を介してリードフレーム上に電子部品を搭載し、これらリードフレームおよび電子部品をモールド樹脂により封止してなる電子装置において、モールド樹脂の剥離を適切に防止できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、鋭意検討を行った。
【０００８】
本発明者は、、導電性接着剤を介してリードフレーム上に電子部品を搭載し、これらリードフレームおよび電子部品をモールド樹脂により封止してなる電子装置において、まずは、導電性接着剤のはみ出しやブリードによってモールド樹脂の密着性が劣化するのを防止するために、リードフレームのうち電子部品の外周に、従来と同様に、凹部を設けた構成を検討した。なお、この凹部と同じ機能は凸部でも実現できると考えられる。
【０００９】
そして、このようにリードフレームに凹部または凸部を設けた構成において、モールド樹脂の剥離を極力抑制可能な構成を、検討した。この検討は、図２に示されるような推定メカニズムによって行った。
【００１０】
図２は、電子部品４０とリードフレーム１０との接合部近傍を示す概略断面図である。リードフレーム１０上に導電性接着剤２０を介して電子部品４０が搭載され接合されている。
【００１１】
リードフレーム１０のうち電子部品４０が配置される部位の外周には、凹部１５が設けられている。電子部品４０の搭載時には、この凹部１５によって導電性接着剤２０のはみ出しやブリードが抑制される。
【００１２】
そして、これら電子部品４０およびリードフレーム１０を封止するモールド樹脂６０は、高温で成形された後、冷却されて硬化するが、この冷却の際には、モールド樹脂６０は縮む。
【００１３】
そのとき、熱膨張係数の違いによって電子部品４０の端部に、モールド樹脂６０が圧縮応力を加える。これは、電子部品４０よりもモールド樹脂６０の方が熱膨張係数が大きく、冷却によって大きく縮むためである。
【００１４】
このモールド樹脂６０の圧縮応力が電子部品４０の端部に加わる際に、電子部品４０の反力によって、凹部１５の側面、すなわち凹部１５における電子部品４０に対向する側面には、図２中の矢印に示されるような圧縮応力Ｆが加わる。モールド樹脂６０の剥離は、この圧縮応力Ｆが大きいところにおいて発生しやすい。
【００１５】
そこで、この圧縮応力Ｆが大きいところに、凹部１５を設け、その凹部１５の側面に大きな圧縮応力Ｆを加えれば、モールド樹脂６０の剥離の進行が、凹部１５によって抑制される。
【００１６】
このような推定メカニズムに基づいて、凹部１５の位置をどのあたりにすれば、モールド樹脂６０の剥離を適切に抑制することができるか、ＦＥＭ（有限要素法）による解析を行った。
【００１７】
ＦＥＭによって、電子部品４０の端部からの凹部１５の距離ｘ（図２参照）と圧縮応力Ｆとの関係を解析した。ここで、図２に示されるように、電子部品４０の高さをＬとしている。この解析結果は、図３に示される。
【００１８】
図３に示されるように、圧縮応力Ｆは、電子部品４０の端部からの凹部１５の距離ｘが小さいほど、つまり、凹部１５が電子部品４０の端部に近いほど大きい。そして、当該距離ｘが２Ｌすなわち電子部品４０の高さＬの２倍を超えると、圧縮応力Ｆは小さくなり、やがて飽和していく。
【００１９】
そこで、圧縮応力Ｆが大きいところに、凹部１５を設ければ、モールド樹脂６０の剥離の進行が凹部１５によって抑制されるという考えから、凹部１５は、電子部品４０の高さＬの２倍以内、好ましくは１倍以内の距離に配置すればよい。
【００２０】
なお、この凹部１５の配置構成と同様のことが、凸部の配置構成についても言える。これは凸部の側面に上記圧縮応力Ｆが加わると考えれば、あきらかである。
【００２１】
請求項１に記載の発明は、このような本発明者の行った解析結果に基づいてなされたものであり、導電性接着剤（２０）を介して、リードフレーム（１０）上に電子部品（３０、４０）を搭載し、これらリードフレーム（１０）および電子部品（３０、４０）をモールド樹脂（６０）により封止してなる電子装置において、リードフレーム（１０）のうち電子部品（３０、４０）が配置される部位の外周には、凹部（１５）もしくは凸部（１６）が設けられており、凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、電子部品（３０、４０）の高さ（Ｌ）の２倍以内の距離に配置されていることを特徴としている。
【００２２】
それによれば、リードフレーム（１０）のうち電子部品（３０、４０）が配置される部位の外周に設ける凹部（１５）もしくは凸部（１６）を、電子部品（３０、４０）の高さ（Ｌ）の２倍以内の距離に配置しているため、圧縮応力Ｆが大きいところに、凹部（１５）もしくは凸部（１６）を設けた形となり、モールド樹脂（６０）の剥離の進行が凹部（１５）もしくは凸部（１６）によって抑制される。
【００２３】
よって、本発明によれば、導電性接着剤（２０）を介してリードフレーム（１０）上に電子部品（３０、４０）を搭載し、これらリードフレーム（１０）および電子部品（３０、４０）をモールド樹脂（６０）により封止してなる電子装置において、モールド樹脂（６０）の剥離を適切に防止することができる。
【００２４】
ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の電子装置においては、凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、電子部品（３０、４０）の高さ（Ｌ）以内の距離に配置されていること、すなわち電子部品（３０、４０）の高さ（Ｌ）の１倍以内の距離に配置されていることが好ましい。このことは、上記図３に示される結果から導出されるものである。
【００２５】
また、請求項３に記載の発明によれば、請求項１または請求項２に記載の電子装置において、凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、電子部品（３０、４０）の端部からの導電性接着剤（２０）のはみ出し距離（ｙ）よりも外側に配置されていることを特徴としている。
【００２６】
もし、凹部（１５）もしくは凸部（１６）を、電子部品（３０、４０）の端部からの導電性接着剤（２０）のはみ出し距離（ｙ）以内に設けた場合、凹部（１５）もしくは凸部（１６）が導電性接着剤（２０）に埋まってしまい、用をなさなくなる恐れがあるためである。
【００２７】
また、請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３に記載の電子装置において、凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、凹部（１５）であることを特徴としている。
【００２８】
また、請求項５、請求項６に記載の発明のように、請求項４に記載の電子装置において、凹部（１５）の深さ（ｈ）は、リードフレーム（１０）の厚さ（Ｈ）の１０〜５０％とすることができ、好ましくは、リードフレーム（１０）の厚さ（Ｈ）の１０〜２０％であることが望ましい。
【００２９】
これは、あまり凹部（１５）が深いと、凹部（１５）におけるリードフレーム（１０）が薄くなり、リードフレーム（１０）の強度の確保が困難になるためである。
【００３０】
また、請求項７に記載の発明では、請求項１〜請求項３に記載の電子装置において、凹部（１５）もしくは凸部（１６）は、凸部（１６）であることを特徴としている。上述した凹部（１５）と同様の効果が、凸部（１６）においても得られることを本発明者は確認している。
【００３１】
また、請求項８に記載の発明のように、請求項１〜請求項７に記載の電子装置においては、電子部品としては、受動素子（４０）を採用することができ、さらに、請求項９に記載の発明のように、この受動素子（４０）としては、チップコンデンサを採用することができる。
【００３２】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３４】
図１は、本発明の実施形態に係る電子装置１００の構成を示す概略平面図である。
【００３５】
図１に示されるように、電子装置１００においては、リードフレーム１０上には、導電性接着剤２０を介して電子部品としてのＩＣチップなどからなる半導体素子３０が搭載され接合されている。また、リードフレーム１０には、電子部品としての受動素子４０が導電性接着剤２０を介して搭載され接合されている。
【００３６】
ここで導電性接着剤２０としては、Ａｇペーストなどの樹脂に導電性フィラーを含有させたものが用いられ、受動素子４０としては、たとえば、コンデンサや抵抗体などが採用される。
【００３７】
本例では、導電性接着剤２０としては、Ａｇペーストを採用し、受動素子４０としてはチタン酸バリウムなどのセラミックからなり、両端にＡｇなどからなる電極４１を有するチップコンデンサを採用している。
【００３８】
そして、この受動素子４０は、その電極４１において導電性接着剤２０によりリードフレーム１０と接合されている。このようなコンデンサは、電子装置におけるノイズ除去などのために設けられている。
【００３９】
また、図１に示されるように、半導体素子３０、リードフレーム１０、およびリードフレーム１０のリード部１２の各間は、ボンディングワイヤ５０により接続されている。このボンディングワイヤ５０は、ＡｕやＡｌなどからなるものであり、通常のワイヤボンディング手法により形成することができる。
【００４０】
ここで、リードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料を採用し、エッチングやプレスなどにより形成できるものである。そして、リードフレーム１０には、ボンディングワイヤ５０の種類や導電性接着剤２０の種類などに応じて、その表面に適宜メッキ（たとえばＡｇメッキ）などの処理が施されている。
【００４１】
たとえば、半導体素子３０や受動素子４０が導電性接着剤２０により接合され、ボンディングワイヤ５０がＡｕからなる場合、リードフレーム１０のうちこれら導電性接着剤２０の配設部やボンディングワイヤ５０との接続部にはＡｇメッキを施すことになる。
【００４２】
そして、これらリードフレーム１０、半導体素子３０、受動素子４０、およびボンディングワイヤ５０、すなわち装置１００の全体がリード部１２の一部（つまりアウターリード）が露出するように、モールド樹脂６０により封止されている。このモールド樹脂６０は、通常の電子分野で採用されるエポキシ樹脂などのモールド材料を採用し、トランスファーモールド法により形成されるものである。
【００４３】
このように、本実施形態の電子装置１００は、大きくは、導電性接着剤２０を介して、リードフレーム１０上に電子部品３０、４０を搭載し、これらリードフレーム１０および電子部品３０、４０をモールド樹脂６０により封止してなる構成を有している。
【００４４】
さらに、図１に示されるように、本実施形態では、このような電子装置１００において、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周には、凹部としての溝１５が設けられている。この溝１５はプレス加工やエッチングなどにより形成可能なものである。
【００４５】
この溝１５の詳細構成について、図２を参照して述べる。図２は、図１中の受動素子４０の近傍を拡大して示す断面図、すなわち、受動素子４０とリードフレーム１０との接合部近傍を示す概略断面図である。
【００４６】
なお、本実施形態では、以下、受動素子４０まわりの溝１５について主として述べるが、半導体素子３０の回りの溝１５についても、受動素子４０回りの溝１５の構成と同じような構成にできるものである。
【００４７】
図２に示されるように、この溝１５は、電子部品である受動素子４０の高さＬの２倍以内の距離に配置されている。好ましくは、溝１５は、受動素子４０の高さＬ以内の距離に配置されていることが望ましい。
【００４８】
また、溝１５は、受動素子４０の端部からの導電性接着剤２０のはみ出し距離ｙよりも外側に配置されていることが好ましい。
【００４９】
そして、この凹部としての溝１５の深さｈは、リードフレーム１０の厚さＨの１０〜５０％であることが好ましく、より好ましくは、溝１５の深さｈは、リードフレーム１０の厚さＨの１０〜２０％である。
【００５０】
この電子装置１００の製造方法は、たとえば、次の通りである。Ａｇペーストなどの上記導電性接着剤２０をリードフレーム１０上に塗布し、半導体素子３０をマウントして導電性接着剤２０を硬化させる、
続いて、ワイヤボンディングを行って各ボンディングワイヤ５０を形成する。これは、受動素子４０を搭載してから、ワイヤボンディングを行うと、ワイヤボンディングのツールが、ボンディングワイヤ５０の近傍に位置する受動素子４０に当たるので、ワイヤボンディングがうまくできないためである。
【００５１】
次に、リードフレーム１０の所定領域に導電性接着剤２０を塗布し、受動素子４０をマウントして導電性接着剤２０を硬化させる。その後、トランスファーモールド成形などにより、モールド樹脂６０による封止を行う。こうして、図１に示されるような電子装置１００ができあがる。
【００５２】
ところで、本実施形態によれば、導電性接着剤２０を介して、リードフレーム１０上に電子部品３０、４０を搭載し、これらリードフレーム１０および電子部品３０、４０をモールド樹脂６０により封止してなる電子装置において、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周には、凹部としての溝１５が設けられており、溝１５は、電子部品３０、４０の高さＬの２倍以内の距離に配置されていることを特徴とする電子装置１００が提供される。
【００５３】
それによれば、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周に、凹部としての溝１５を設けているため、電子部品３０、４０をリードフレーム１０上に搭載する際に、導電性接着剤２０のはみ出しや導電性接着剤中の溶剤が流出し飛散するブリード現象によってモールド樹脂６０の密着性が劣化することを、極力防止することができる。
【００５４】
また、溝１５は、電子部品３０、４０の高さＬの２倍以内の距離に配置していることも特徴点であるが、このような溝１５の配置構成とした根拠について述べる。
【００５５】
本発明者は、次に述べるような推定メカニズムを考えた。電子部品４０およびリードフレーム１０を封止するモールド樹脂６０は、高温で成形された後、冷却されて硬化するが、この冷却の際には、モールド樹脂６０は縮む。
【００５６】
そのとき、熱膨張係数の違いによって電子部品４０の端部に、モールド樹脂６０が圧縮応力を加える。これは、電子部品４０よりもモールド樹脂６０の方が熱膨張係数が大きく、冷却によって大きく縮むためである。
【００５７】
このモールド樹脂６０の圧縮応力が電子部品４０の端部に加わる際に、電子部品４０の反力によって、溝（凹部）１５の側面、すなわち溝１５における電子部品４０に対向する側面には、図２中の矢印に示されるような圧縮応力Ｆが加わる。モールド樹脂６０の剥離は、この圧縮応力Ｆが大きいところにおいて発生しやすい。
【００５８】
そこで、この圧縮応力Ｆが大きいところに、溝（凹部）１５を設け、その溝１５の側面に大きな圧縮応力Ｆを加えれば、モールド樹脂６０の剥離の進行が、溝１５のところで抑制される。
【００５９】
このような推定メカニズムに基づいて、溝１５の位置をどのあたりにすれば、モールド樹脂６０の剥離を適切に抑制することができるか、ＦＥＭ（有限要素法）による解析を行った。
【００６０】
ＦＥＭによって、電子部品である受動素子４０の端部からの溝１５の距離ｘ（図２参照）と、この溝１５に加わる圧縮応力Ｆとの関係を解析した。ここで、図２に示されるように、受動素子４０の高さをＬとしている。この解析結果は、図３に示される。
【００６１】
図３に示されるように、圧縮応力Ｆは、受動素子４０の端部からの溝１５の距離ｘが小さいほど、つまり、溝１５が電子部品４０の端部に近いほど大きいことがわかった。そして、当該距離ｘが２Ｌすなわち受動素子４０の高さＬの２倍を超えると、圧縮応力Ｆは小さくなり、やがて飽和していく。
【００６２】
そこで、圧縮応力Ｆが大きいところに、溝（凹部）１５を設ければ、モールド樹脂６０の剥離の進行が溝１５によって抑制されるという考えから、溝１５は、電子部品４０の高さＬの２倍以内の距離に配置すればよい。実際に実験的に確認したところ、溝１５の配置をこのようにすれば、モールド樹脂６０の剥離が大幅に低減した。
【００６３】
これが、溝１５を、電子部品３０、４０の高さＬの２倍以内の距離に配置したことの根拠である。また、上述したように、受動素子４０回りの溝１５だけでなく、半導体素子３０回りの溝１５についても、同様の配置構成を採用して、同様の効果が得られることは、確認している。
【００６４】
このように、本実施形態の電子装置１００によれば、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周に設ける溝（凹部）１５を、電子部品３０、４０の高さＬの２倍以内の距離に配置しているため、圧縮応力Ｆが大きいところに、溝１５を設けた形となり、モールド樹脂６０の剥離の進行が溝１５によって抑制される。
【００６５】
よって、本実施形態によれば、導電性接着剤２０を介してリードフレーム１０上に電子部品３０、４０を搭載し、これらリードフレーム１０および電子部品３０、４０をモールド樹脂６０により封止してなる電子装置１００において、モールド樹脂６０の剥離を適切に防止することができる。
【００６６】
ここで、本実施形態の電子装置１００においては、凹部としての溝１５は、電子部品３０、４０の高さＬ以内の距離に配置されていること、すなわち電子部品３０、４０の高さＬの１倍以内の距離に配置されていることが好ましい。
【００６７】
このことは、上記図３に示される結果から導出されるものである。つまり、溝１５を、電子部品３０、４０の高さの１倍以内の距離に配置すれば、上記２倍以内の場合に比べて、より圧縮応力Ｆが大きいところに溝１５を設けた形となり、モールド樹脂６０の剥離の抑制がより確実となる。
【００６８】
また、上述したが、本実施形態では、電子装置１００において、溝１５は、電子部品３０、４０の端部からの導電性接着剤２０のはみ出し距離ｙよりも外側に配置されていること（図２参照）が好ましいとしている。
【００６９】
もし、溝１５を、電子部品３０、４０の端部からの導電性接着剤２０のはみ出し距離ｙ以内に設けた場合、溝１５が導電性接着剤２０に埋まってしまい、用をなさなくなる恐れがあるためである。
【００７０】
また、上述したが、本実施形態の電子装置において、溝（凹部）１５の深さｈは、リードフレーム１０の厚さＨの１０〜５０％とすることができ、好ましくは、リードフレーム１０の厚さＨの１０〜２０％であること（図２参照）が望ましいとしている。
【００７１】
これは、あまり凹部１５が深いと、凹部１５におけるリードフレーム１０が薄くなり、リードフレーム１０の強度の確保が困難になるためである。
【００７２】
また、本実施形態では、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周に、凹部としての溝１５が設けられているため、この溝１５を、電子部品３０、４０の搭載時における位置決めマークとして用いてもよい。
【００７３】
図４は、リードフレーム１０上に受動素子４０を搭載した状態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。上述したが、リードフレーム１０のうち導電性接着剤２０の配設部にはＡｇメッキが施されるが、このＡｇメッキ２０ａは、図４（ａ）中、点ハッチング領域として示されている。
【００７４】
リードフレーム１０に溝１５が無い場合、従来では、電子部品３０、４０を搭載する場合、このようなＡｇメッキ２０ａの端部を、画像認識装置によって認識し、これを位置決めマークとして電子部品の搭載を行っていた。しかし、このＡｇメッキ２０ａの位置精度は低いため、搭載精度の低下の原因となりうる。
【００７５】
その点、本実施形態では、溝１５を位置決めマークとして、電子部品３０、４０の搭載を行うことができるため、搭載精度の向上が図れる。
【００７６】
また、本実施形態において、溝１５の形状は、上記図１、図２に示されるようなＶ字溝形状に限定されるものではないことはもちろんである。たとえば、図５に示されるように、Ｕ字溝形状であってもよい。さらには、コの字形状の溝などであってもよい。
【００７７】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周に、凹部１５を設け、この凹部１５を電子部品３０、４０の高さＬの２倍以内の距離に配置したが、凹部に代えて凸部としてもよい。
【００７８】
図６は、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周に、凹部１６を設けた構成を示す概略断面図である。ここでは、リードフレーム１０のみ示してある。そして、この凸部１６についても、電子部品３０、４０の高さＬの２倍（好ましくは１倍）以内の距離に配置する。
【００７９】
この凸部１６の場合にも、上述した凹部１５と同様の効果が得られることを、本発明者は上記同様の解析などにより確認している。
【００８０】
要するに、本発明は、導電性接着剤２０を介して、リードフレーム１０上に電子部品３０、４０を搭載し、これらリードフレーム１０および電子部品３０、４０をモールド樹脂６０により封止してなる電子装置において、リードフレーム１０のうち電子部品３０、４０が配置される部位の外周に、凹部１５もしくは凸部１６を設け、凹部１５もしくは凸部１６を、電子部品３０、４０の高さの２倍以内の距離に配置したことを主たる特徴としたものであり、その他の部分については、適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施形態に係る電子装置の構成を示す概略平面図である。
【図２】図１中の受動素子の近傍を拡大して示す断面図である。
【図３】電子部品の端部からの溝の距離ｘと溝に加わる圧縮応力Ｆとの関係を解析した結果を示す図である。
【図４】リードフレーム上に受動素子を搭載した状態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図５】Ｕ字形状の溝を示す概略断面図である。
【図６】リードフレームのうち電子部品が配置される部位の外周に凹部を設けた構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０…リードフレーム、１５…凹部としての溝、１６…凸部、
２０…導電性接着剤、３０…電子部品としての半導体素子、
４０…電子部品としての受動素子、ｈ…凹部の深さ、
Ｈ…リードフレームの厚さ、Ｌ…電子部品としての受動素子の高さ、
ｙ…導電性接着剤のはみ出し距離。
【図１】
2006032774.tif 000003
【図２】
2006032774.tif 000004
【図３】
2006032774.tif 000005
【図４】
2006032774.tif 000006
【図５】
2006032774.tif 000007
【図６】
2006032774.tif 000008