(57)【要約】【課題】インクジェットヘッドの損傷なくインクジェットヘッドを整備することができるインクジェットヘッドクリーニングシステム及びその方法を提供する。【解決手段】本発明によるインクジェットヘッドクリーニングシステムは、インクジェットヘッドの下面にソルベントを噴射するソルベント噴射装置、ソルベント噴射装置と所定の間隔で離隔していて、ソルベント噴射装置によって溶解されたインクジェットヘッドの下面の汚れを吸入する吸入装置、吸入装置と所定の間隔で離隔していて、空気を噴射する空気噴射装置を含む。【選択図】図１
2006281209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェットヘッドの下面にソルベントを噴射するソルベント噴射装置、
前記ソルベント噴射装置と所定の間隔で離隔していて、前記ソルベント噴射装置によって溶解されたインクジェットヘッドの下面の汚れを吸入する吸入装置、
前記吸入装置と所定の間隔で離隔していて、前記インクジェットヘッドの下面側に空気を噴射する空気噴射装置を含むことを特徴とするインクジェットヘッドクリーニングシステム。
【請求項２】
ブラシの回転によって前記インクジェットヘッドの下面の汚れを除去するブラッシング装置をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッドクリーニングシステム。
【請求項３】
前記汚れが固形汚れであることを特徴とする請求項２に記載のインクジェットヘッドクリーニングシステム。
【請求項４】
前記ソルベント噴射装置、吸入装置、及び空気噴射装置は、一つの支持体に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッドクリーニングシステム。
【請求項５】
前記ソルベントは、前記インクジェットヘッドのノズルの周辺部及びノズルの内部に噴射されることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッドクリーニングシステム。
【請求項６】
インクジェットヘッドの内部のインクを全て除去する段階、
前記インクジェットヘッドの下面にソルベントを噴射する段階、
前記インクジェットヘッドの下面の汚れを吸入する段階、
前記インクジェットヘッドの下面に空気を噴射する段階を含むことを特徴とするインクジェットヘッドクリーニング方法。
【請求項７】
前記インクジェットヘッドの下面をブラッシング装置のブラシと接触させて、ブラシの回転によってインクジェットヘッドの下面の汚れを除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェットヘッドクリーニング方法。
【請求項８】
前記汚れが固形汚れであることを特徴とする請求項６に記載のインクジェットヘッドクリーニング方法。
【請求項９】
前記汚れを除去するためにインクジェットヘッドの下面をブラッシングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェットヘッドクリーニング方法。
【請求項１０】
ソルベントの噴射、吸入、及び空気の噴射のために前記インクジェットヘッドを移動させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェットヘッドクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットヘッドクリーニングシステム及びインクジェットヘッドクリーニング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、インクジェットプリンティングシステム（ｉｎｋｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ  ｓｙｓｔｅｍ）は、有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ）の発光層を含む多様な有機物からなる薄膜パターン、液晶表示装置の色フィルターパターン及び配向膜パターンなどを形成する際に使用される。このようなインクジェットプリンティングシステムは、インクジェットヘッドの複数のノズルホールを通じてインクを基板上の所定の領域に一定の体積で滴下して色フィルターを形成する。インクジェットプリンティングシステムでは、インクジェットヘッドのノズルホールの状態を維持及び管理することが非常に重要である。インクジェットヘッドのノズルホールが汚れた場合には、噴射がばらつき、噴射の直線性が得られない。噴射の直線性が得られない場合には、隣接した領域にインクが噴射される確率が高くなる。また、インクジェットヘッドのノズルホールが著しく汚れた場合には、インクが正確に噴射されずにノズルホールにインクが溜まって、隣接したノズルホールからも正確に噴射されなくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、インクジェットヘッドの損傷なくインクジェットヘッドを整備することができるインクジェットヘッドクリーニングシステム及びその方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明によるインクジェットヘッドクリーニングシステムは、インクジェットヘッドの下面にソルベントを噴射するソルベント噴射装置、前記ソルベント噴射装置と所定の間隔で離隔していて、前記ソルベント噴射装置によって溶解されたインクジェットヘッドの下面の汚れを吸入する吸入装置、前記吸入装置と所定の間隔で離隔していて、空気を噴射する空気噴射装置を含むことを特徴とする。
【０００５】
また、ブラシの回転によって前記インクジェットヘッドの下面の汚れを除去するロールブラッシング装置をさらに含むことが好ましい。
【０００６】
また、前記汚れは固形汚れであることが好ましい。
【０００７】
また、前記ソルベント噴射装置、吸入装置、及び空気噴射装置は、一つの支持体に形成されていることが好ましい。
【０００８】
また、前記ソルベントは、前記インクジェットヘッドのノズルの周辺部及びノズルの内部に噴射されることが好ましい。
【０００９】
また、本発明によるインクジェットヘッドクリーニング方法は、インクジェットヘッド内部のインクを全て除去する段階、前記インクジェットヘッドの下面にソルベントを噴射する段階、前記インクジェットヘッドの下面の汚れを吸入する段階、前記インクジェットヘッドの下面に空気を噴射する段階を含むことを特徴とする。
【００１０】
また、前記インクジェットヘッドの下面をロールブラッシング装置のブラシと接触させて、ブラシの回転によってインクジェットヘッドの下面の汚れを除去する段階をさらに含むことが好ましい。
【００１１】
また、前記汚れは固形汚れであることが好ましい。
【００１２】
また、前記汚れを除去するためにインクジェットヘッドの下面をブラッシングする段階をさらに含むことが好ましい。
【００１３】
また、ソルベントの噴射、吸入、及び空気の噴射のために前記インクジェットヘッドを移動させる段階をさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によるインクジェットヘッドクリーニングシステム及びその方法は、ソルベントを利用してインクジェットヘッドをクリーニングすることによって、インクジェットヘッドの下面に損傷を与えずに汚れを除去することができる。また、ロールブラッシング装置のブラシを回転させて、物理的摩擦によってインクジェットヘッドの下面の汚れを除去することによって、長期間放置され固まり固形化した汚れも除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるよう、本発明の実施例について、添付した図面を参照して詳細に説明する。本発明は多様に相違した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されない。
【実施例】
【００１６】
図１は本発明の一実施例によるインクジェットヘッドクリーニングシステムを示す図面である。図１に示すように、インクジェットヘッドクリーニングシステムは、ソルベント噴射装置（ｓｏｌｖｅｎｔ  ｓｈｏｗｅｒ）６０、吸入装置（ｓｕｃｔｉｏｎ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）７０、空気噴射装置（ａｉｒ  ｂｌｏｗｅｒ）８０、及びロールブラッシング装置（ｒｏｌｌ  ｂｒｕｓｈｉｎｇ  ａｐｐａｒａｔｕｓ）９０を含む。このようなソルベント噴射装置６０、吸入装置７０、及び空気噴射装置８０は、同一なフレーム５０に設置することができ、別途のフレームに各々設置することもできる。
【００１７】
ソルベント噴射装置６０は、インクジェットヘッド４０１の下面にソルベント（ｓｏｌｖｅｎｔ）を噴射して、インクジェットヘッド４０１の下面、特にノズルホール４１０の周辺の汚れ７を溶解する。そして、吸入装置７０は、ソルベント噴射装置６０と所定の間隔で離隔していて、ソルベント噴射装置６０によって溶解されたインクジェットヘッド４０１の下面の汚れ７を吸入して除去する。真空工程の間に、吸入装置７０は、インクジェットヘッド４０１からソルベントを吸入して除去することもできる。吸入装置７０は小真空装置または適当な大きさの真空装置であり、吸入装置７０には、ノズルホール４１０と吸入装置７０との間に空気が小経路を構成するようにするために、方向制御ノズルが形成されることもできる。
【００１８】
そして、空気噴射装置８０は、吸入装置７０と所定の間隔で離隔していて、インクジェットヘッド４０１から空気を噴射してインクジェットヘッド４０１の下面の残存ソルベントを乾燥させる。
【００１９】
ロールブラッシング装置９０は、回転可能なブラシ（図示せず）を含む。ロールブラッシング装置９０は、ブラシを回転させて物理的にインクジェットヘッド４０１の下面の汚れ７を除去することによって、長期間放置され固まり固形化した汚れ７も除去することができる。ロールブラッシング装置９０は、モータハブまたはパワーハブによって回転可能な円形またはシリンダー型ブラシでありうる。剛毛の密度、形態、強度、及び長さのようなブラシの特性は、固形化した汚れの硬度及び大きさ、ブラシの回転速度、そしてインクジェットヘッドの表面物質のような多様な要素によって決定される。
【００２０】
このような本発明の一実施例によるインクジェットヘッドクリーニングシステムを利用したインクジェットヘッドクリーニング方法について、以下で詳細に説明する。まず、インクジェットヘッド４０１の内部のインク５を全て噴射して、インクジェットヘッド４０１の内部にインク５が残存しないようにする。これは、インクジェットヘッド４０１のノズルが下を向くようにインクジェットヘッド４０１を回してインク障壁を除去するような多様な方法で行うことができる。これを図１の＜Ａ＞に示す。
【００２１】
次に、インクジェットヘッド４０１をソルベント噴射装置６０上に位置させる。この時、インクジェットヘッド４０１に噴射されるソルベントの強さ及び量を最少化するように、可能な限りソルベント噴射装置６０の近くに位置させる。例えば、ソルベント噴射装置６０が噴射のために０．５ｍｍの最少距離を有するとすれば、インクジェットヘッド４０１とソルベント噴射装置６０との間の間隔は少なくとも０．５ｍｍ以上でなければならない。その間隔は、噴射圧力及び噴射形態のような多様な要素によって変更される。噴射圧力は、増加した間隔に合せて増加しうる。噴射圧力が大きい場合、インクジェットヘッド４０１の隣接領域を汚染することがあるので、噴射圧力は０．２ｂａｒ以下であるのが好ましい。インクジェットヘッド４０１がソルベント噴射装置６０上に位置した場合、ソルベント噴射装置６０は、インクジェットヘッド４０１の下面にソルベントを噴射して、インクジェットヘッド４０１の下面、特にノズルホール４１０の周辺の汚れ７を溶解する。ソルベントは、プロピルグリコールメチルエーテルアセテート（ｐｒｏｙｌ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ  ａｃｅｔａｔｅ；ＰＧＭＥＡ）であるのが好ましい。ソルベントは、インク混合物のような要素に依存する多様なタイプでありうる。例えば、ソルベント噴射装置６０は、インクジェットヘッド４０１のノズルが浴槽に満たされたソルベントに浸かる浴槽タイプでありうる。これを図１の＜Ｂ＞に示す。
【００２２】
次に、インクジェットヘッド４０１を吸入装置７０上に位置させる。そして、ソルベント噴射装置６０によって溶解されたインクジェットヘッド４０１の下面の汚れ７を一つまたは複数のホールを通じて吸入して除去する。吸入率は、ホールの直径、インクジェットヘッドからの距離、インクジェットヘッドの移動速度、及びノズルの大きさのような多様な要素によって決定される。吸入圧力が相対的に小さくても吸入装置７０のホールの直径が小さいほど吸入率は向上する。ホールの直径は３．０ｍｍ以下であるのが好ましい。これを図１の＜Ｃ＞に示す。
【００２３】
次に、インクジェットヘッド４０１を空気噴射装置８０上に位置させる。そして、空気を噴射してインクジェットヘッド４０１の下面の残存ソルベントを乾燥させる。空気噴射装置８０は、インクジェットヘッド４０１の下面に対して所定の角度で空気を噴射する。図１には、約４５°の角度で空気を噴射する実施例が示されており、ノズルと平行な角度だけでなく他の角度も可能である。空気圧は、空気が噴射される領域の他の領域が汚染されないように、その圧力が調節されることが好ましい。空気圧は、空気噴射装置８０の空気噴射部の直径、インクジェットヘッドとの距離、インクジェットヘッドが通過する速度、ノズルの大きさなどの多様な要素によって決定される。空気圧は０．２ｂａｒ以下であることが好ましく、空気噴射装置の噴射部の直径は３．０ｍｍ以下であることが好ましい。これを図１の＜Ｄ＞に示す。このように、ソルベントを利用してインクジェットヘッド４０１をクリーニングすることによって、インクジェットヘッド４０１の下面に損傷を与えずに汚れ７を除去することができる。
【００２４】
次に、インクジェットヘッド４０１をロールブラッシング装置９０上に位置させる。そして、インクジェットヘッド４０１の下面及びロールブラッシング装置９０のブラシ（図示せず）を接触させ、ブラシを回転させて、物理的摩擦によってインクジェットヘッド４０１の下面の汚れ７を除去することによって、長期間の放置によって固まり固形化した汚れ７も除去する。ロールブラッシング装置９０の仕様は、インクジェットヘッドに付着した汚れの量及び大きさなどの多様な要素によって決定される。インクジェットヘッド４０１は、クリーニング工程の間にコンベヤーベルトによって移動したり、クリーニングシステムの他の要素がコンベヤーベルトによって移動する間は停止したりすることもできる。そして、このような移動は、インクジェットヘッドが特定の要素上に位置する場合に、連続したり停止することができる。これを図１の＜Ｅ＞に示す。
【００２５】
前記インクジェットヘッドクリーニングシステムによってそのノズルホール４１０がふさがらないように下面の状態が整備されたインクジェットヘッドは、色フィルターを形成するインクジェットプリンティングシステムの一部であって、以下ではインクジェットプリンティングシステムについて、図面を参照して詳細に説明する。
【００２６】
図２はインクジェットプリンティングシステムの概略的な斜視図である。図３は図２のインクジェットプリンティングシステムの複数のインクジェットヘッドユニットが色フィルターを形成する方法を説明した図面である。図４は一つのインクジェットヘッドユニットの概略的な斜視図である。図５は一つのインクジェットヘッドユニットの平面図である。図６は図４のインクジェットヘッドユニットを利用して基板上にインクを滴下して色フィルターを形成する方法を説明した図面である。
【００２７】
図２乃至図６に示すように、インクジェットプリンティングシステムは、基板２１０が位置するステージ１、基板２１０上にインク５を滴下する複数のインクジェットヘッドユニット９を含む。インクジェットヘッドユニット９は、三つのインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂ、そして、インクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｂの中央部に各々形成されている整列軸５００を含む。三つのインクジェットヘッドは、赤色用インクジェットヘッド４０１Ｒ、緑色用インクジェットヘッド４０１Ｇ、及び青色用インクジェットヘッド４０１Ｂであるのが好ましく、長い棒状のインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂの下面には各々複数のノズルホール４１０Ｒ、４１０Ｇ、４１０Ｂが形成されている。
【００２８】
三つのインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂは、互いに平行に同一な間隔を維持していて、三つのインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂは、同時に所定の角度（θ）でＹ方向に対して傾くように設置されている。これは、図３に示すように、インクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂに形成されているノズルホール４１０Ｒ、４１０Ｇ、４１０Ｂ間の距離であるノズルピッチ（Ｄ）とプリンティングされる画素間の距離である画素ピッチ（Ｐ）とは差があるので、インクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂを所定の間隔で回転させることによって、ノズルホール４１０Ｒ、４１０Ｇ、４１０Ｂを通じて滴下されるインク５間の間隔を画素ピッチ（Ｐ）と一致させるためである。
【００２９】
整列軸５００は、固定されている中央のインクジェットヘッド４０１Ｇには設置されず、移動可能なインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｂに設置されている。整列軸５００は、インクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｂを水平移動、垂直移動、及び回転移動させることによって、インクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｂを個別に整列させることができる。整列軸５００を利用してインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｂを移動させることによって、中央のインクジェットヘッド４０１Ｇのノズルホール４１０Ｇと他のインクジェットヘッド４０１Ｒのノズルホール４１０Ｒとの間の間隔（Ｙ１）は、中央のインクジェットヘッド４０１Ｇのノズルホール４１０Ｇと他のインクジェットヘッド４０１Ｂのノズルホール４１０Ｂとの間の間隔（Ｙ２）と互いに一致する。
【００３０】
このような構造のインクジェットプリンティングシステムを利用して色フィルターを形成する方法について、以下で説明する。ステージ１上に搭載された基板２１０と所定の間隔で離隔した位置にインクジェットヘッドユニット９を配置する。そして、インクジェットヘッドユニット９をＸ方向に移動させながらノズルホール４１０から基板２１０上にインク５を滴下する。基板２１０上の遮光部材２２０に形成された開口部５０に滴下されたインク５は色フィルター２３０となる。
【００３１】
前記インクジェットプリンティングシステムのインクジェットヘッドユニット９は、既に説明したように、赤色用インクジェットヘッド４０１Ｒ、緑色用インクジェットヘッド４０１Ｇ、及び青色用インクジェットヘッド４０１Ｂの三つのインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂからなるので、インクジェットヘッドユニット９を移動させながら赤色、緑色、及び青色色フィルター２３０を同時に形成する構造である。しかし、赤色用インクジェットヘッド４０１Ｒが移動して赤色色フィルター２３０を形成した後、緑色用インクジェットヘッド４０１Ｇが移動して緑色色フィルター２３０を形成し、最後に青色用インクジェットヘッド４０１Ｂが移動して青色色フィルター２３０を形成する構造のインクジェットプリンティングシステムのインクジェットヘッド４０１Ｒ、４０１Ｇ、４０１Ｂも、本発明の一実施例によるインクジェットヘッドクリーニングシステムに適用することができる。
【００３２】
また、前記では反復印刷を減少させて色フィルター２３０を効率的に形成するために、インクジェットヘッドユニット９を複数設置して同時に移動させて基板２１０の全ての領域に色フィルター２３０を形成したが、一つのインクジェットヘッドユニット９を反復移動させて基板２１０の全ての領域に色フィルター２３０を形成することもできる。
【００３３】
次に、本発明の一実施例によるインクジェットプリンティングシステムによって形成された色フィルターを含む液晶表示装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００３４】
図７は本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図８は液晶表示装置用色フィルター表示板の配置図であり、図９は図７の薄膜トランジスタ表示板及び図８の色フィルター表示板を含む液晶表示装置の配置図であり、図１０は図９の液晶表示装置をＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図であり、図１１は図９の液晶表示装置をＸＩ−ＸＩ´、ＸＩ´−ＸＩ´´線に沿って切断した断面図である。
【００３５】
図７乃至図１１を参照すれば、液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００、色フィルター表示板２００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に注入されている液晶層３を含む。まず、図７、図９乃至図１１を参照して、薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１及び複数の維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｌｉｎｅ）１３１が形成されている。
【００３６】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。各ゲート線１２１は、下上に突出した複数のゲート電極（ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１がのびてこれと直接連結される。
【００３７】
維持電極線１３１は、所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行にのびた幹線１３１ａ、及びこれから分離された複数対の第１及び第２維持電極１３１ｂ、１３１ｃを含む。維持電極線１３１の各々は、隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、幹線１３１ａは、二つのゲート線１２１のうちの下側に近く位置している。維持電極１３１ｂ、１３１ｃの各々は、幹線１３１ａと連結された固定端、及びその反対側の自由端を含む。第１維持電極１３１ｂの固定端は面積が広く、その自由端は直線部分及び曲線部分の二股に分かれる。しかし、維持電極線１３１の形態及び配置は多様に変更することができる。
【００３８】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは、物理的性質が異なるの二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少させることができるように、比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性が優れている物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどからなる。これらの組み合わせの好ましい例としては、クロムの下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜やアルミニウム（合金）の下部膜及びモリブデン（合金）の上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、その他にも多様な金属または導電体からなることができる。
【００３９】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが好ましい。ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなるゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは略してａ−Ｓｉとする）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向にのびていて、ゲート電極１２４に向かってのび出た複数の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）１５４を含む。線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１付近で幅が広くなって、これらを幅広く覆っている。
【００４０】
半導体１５１上には、複数の線状及び島型抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５が形成されている。抵抗性接触部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなったり、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）からなることができる。線状抵抗性接触部材１６１は、複数の突出部１６３を含み、この突出部１６３及び島型抵抗性接触部材１６５は対をなして、半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
【００４１】
半導体１５１及び抵抗性接触部材１６１、１６５の側面も基板１１０の面に対して傾いていて、傾斜角は３０゜乃至８０゜程度である。抵抗性接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１及び複数のドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。
【００４２】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、また、維持電極線１３１と交差して、隣接した維持電極１３１ｂ、１３１ｃ）の集合の間を走る。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かってのびた複数のソース電極（ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３、及び他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積される。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１がのびてこれと直接連結される。
【００４３】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、広い一側端部及び棒状の他側端部を含む。広い端部は維持電極線１３１と重畳し、棒状の端部は曲がったソース電極１７３で一部囲まれている。一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。
【００４４】
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ  ｍｅｔａｌ）、またはこれらの合金からなるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）及び低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）の下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜の二重膜、モリブデン（合金）の下部膜、アルミニウム（合金）の中間膜、及びモリブデン（合金）の上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５は、その他にも多様な金属または導電体からなることができる。
【００４５】
データ線１７１及びドレイン電極１７５もその側面が基板１１０の面に対して傾いていて、傾斜角は３０゜乃至８０゜程度であるのが好ましい。抵抗性接触部材１６１、１６５は、その下の半導体１５１とその上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ存在して、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、先に説明したように、ゲート線１２１とぶつかる部分で幅が広くなって、表面のプロファイルを円滑にすることによってデータ線１７１が断線するのを防止する。半導体１５１には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された部分がある。
【００４６】
データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出された半導体１５１部分上には、保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物などからなり、表面が平坦でありうる。無機絶縁物の例としては、窒化ケイ素や酸化ケイ素がある。有機絶縁物は、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）があり、その誘電定数（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）は約４．０以下であるのが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出された半導体１５１部分に害が及ばないように、下部無機膜及び上部有機膜の二重膜構造からなることができる。
【００４７】
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５を各々露出する複数の接触孔（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）１８２、１８５が形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出する複数の接触孔１８１、第１維持電極１３１ｂの固定端付近の維持電極線１３１の一部を露出する複数の接触孔１８３ａ、そして第１維持電極１３１ｂの自由端の突出部を露出する複数の接触孔１８３ｂが形成されている。
【００４８】
保護膜１８０上には、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌｅ  ｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１、複数の連結橋（ｏｖｅｒｐａｓｓ）８３、及び複数の接触補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１、８２が形成されている。これらは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質や、アルミニウム、銀、クロム、またはその合金などの反射性金属からなることができる。画素電極１９１は、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的、電気的に連結されて、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧（ｃｏｍｍｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ）の印加を受ける他の表示板２００の共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって、液晶層を通過する光の偏光が変更される。画素電極１９１及び共通電極２７０は、キャパシタ［以下、“液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）”とする］を構成し、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【００４９】
画素電極１９１及びこれと連結されたドレイン電極１７５は、維持電極１３１ｂ、１３１ｃをはじめとする維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれと電気的に連結されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳して構成するキャパシタをストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）といい、ストレージキャパシタは、液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。
【００５０】
接触補助部材８１、８２は、各々接触孔１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完して、これらを保護する。
【００５１】
連結橋８３は、ゲート線１２１を横切って、ゲート線１２１を間に置いて反対側に位置する接触孔１８３ａ、１８３ｂを通じて維持電極線１３１の露出された部分及び維持電極１３３ｂの自由端の露出された端部に連結されている。維持電極１３１ｂ、１３１ｃをはじめとする維持電極線１３１は、連結橋８３と共にゲート線１２１やデータ線１７１、または薄膜トランジスタの欠陥を修理するのに使用される。
【００５２】
色フィルター表示板２００について、図８乃至図１１を参照して説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板２１０上に、遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）ともいい、光漏れを防止する。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向して、画素電極１９１とほぼ同一な形態の複数の開口部を含み、画素電極１９１間の光漏れを防止する。しかし、遮光部材２２０は、ゲート線１２１及びデータ線１７１に対応する部分及び薄膜トランジスタに対応する部分からなることができる。このような遮光部材２２０は、インクジェットプリンティングシステムを利用した色フィルター表示板の製造工程時に、色フィルター用インク５を封じ込める隔壁部材の役割を果たす。      
【００５３】
基板２１０上には、また、複数の色フィルター２３０が形成されている。色フィルター２３０は、遮光部材２２０で囲まれた領域内に大部分が存在し、画素電極１９１列に沿って縦方向に長くのびている。各色フィルター２３０は、赤色、緑色、及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。色フィルター２３０及び遮光部材２２０上には、蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。蓋膜２５０は、（有機）絶縁物からなることができ、色フィルター２３０が露出されるのを防止して、平坦面を提供する。蓋膜２５０は省略することもできる。蓋膜２５０上には、共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる。
【００５４】
表示板１００、２００の内側面には、配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｌａｙｅｒ）１１、２１が塗布されていて、これらは水平配向膜または垂直配向膜でありうる。表示板１００、２００の外側面には、偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）１２、２２が形成されているが、二つの偏光子１２、２２の偏光軸は直交し、これらのうちの一つの偏光軸はゲート線１２１に対して平行であるのが好ましい。反射型液晶表示装置の場合には、二つの偏光子１２、２２のうちの一つを省略することができる。
【００５５】
本実施例による液晶表示装置は、液晶層３の遅延を補償するための位相遅延膜（ｒｅｔａｒｄａｔｉｏｎ  ｆｉｌｍ）（図示せず）をさらに含むことができる。液晶表示装置は、また、偏光子１２、２２、位相遅延膜、表示板１００、２００、及び液晶層３に光を供給する照明部（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ｕｎｉｔ）（図示せず）を含むことができる。
【００５６】
以下、図７乃至図１１に示した薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、詳細に説明する。透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０上に、導電膜を順次にスパッタリング蒸着し、順次に湿式または乾式エッチングして、複数のゲート電極１２４及び端部１２９を含むゲート線１２１、及び複数の維持電極１３１ｂ、１３１ｃを含む維持電極線１３１を形成する。厚さが約１，５００〜５，０００Åのゲート絶縁膜１４０、厚さが約５００〜２，０００Åの真性非晶質シリコン層（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）、厚さが約３００〜６００Åの不純物非晶質シリコン層（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ  ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）の三重膜を連続して積層し、不純物非晶質シリコン層及び真性非晶質シリコン層を写真エッチングして、ゲート絶縁膜１４０上に複数の線状不純物半導体及び複数の突出部１５４を含む複数の線状真性半導体１５１を形成する。
【００５７】
次に、スパッタリングなどによって導電膜を厚さが１，５００Å乃至３，０００Åになるように蒸着した後でパターニングして、複数のソース電極１７３及び端部１７９を含む複数のデータ線１７１、及び複数のドレイン電極１７５を形成する。次に、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出された不純物半導体部分を除去することによって、複数の突出部１６３を含む複数の線状抵抗性接触部材１６１及び複数の島型抵抗性接触部材１６５を完成する一方で、その下の真性半導体１５１部分を露出させる。露出された真性半導体１５１部分の表面を安定化させるために、酸素プラズマ工程を引き続き行うのが好ましい。
【００５８】
正の感光性有機絶縁物からなる保護膜１８０を塗布した後に、複数の透過領域（図示せず）、その周囲に位置した複数のスリット領域（図示せず）、そして遮光領域が形成された光マスク（図示せず）を通じて露光する。したがって、透過領域と対向する保護膜１８０部分は光エネルギーを全て吸収するが、スリット領域と対向する保護膜１８０部分は光エネルギーの一部だけを吸収する。
【００５９】
次に、保護膜１８０を現像して、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５の一部を露出させる複数の接触孔１８２、１８５を形成し、ゲート線１２１の端部１２９上に位置したゲート絶縁膜１４０部分を露出させる複数の接触孔１８１の上部側壁を形成する。透過領域に対応する保護膜１８０部分は全て除去され、スリット領域に対応する部分は厚さだけが減少するので、接触孔１８１、１８２、１８５の側壁は階段型プロファイルを有する。保護膜１８０を負の感光膜で形成する場合には、正の感光膜で形成する場合と比較する時、マスクの遮光領域及び透過領域の前後が変わる。ゲート絶縁膜１４０の露出された部分を除去して、接触孔１８１を完成する。最後に、厚さが約４００〜５００ÅのＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜をスパッタリングして積層して写真エッチングして、保護膜１８０、ゲート線１２１の端部１２９の露出された部分、ドレイン電極１７５、データ線１７１の端部１７９の露出された部分上に、複数の画素電極１９１及び複数の接触補助部材８１、８２を形成する。
【００６０】
次に、図１２乃至図１３を参照して、本発明の一実施例によるインクジェットプリンティングシステムによって形成された発光層を含む有機発光表示装置用薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
【００６１】
図１２は本発明の一実施例によるインクジェットヘッドクリーニングシステムによって整備されたインクジェットプリンティングシステムを利用して完成した有機発光表示装置用有機発光表示板の配置図である。図１３及び図１４は各々図１２の有機発光表示板をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線及びＸＩＶ−ＸＩＶ線によって切断した断面図である。図１２乃至図１４を参照すれば、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板１１０上に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などからなる遮断膜（ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｆｉｌｍ）１１１が形成されている。遮断膜１１１は、二重膜構造でありうる。遮断膜１１１上に、多結晶シリコンなどからなる複数対の第１及び第２島型半導体１５１ａ、１５１ｂが形成されている。島型半導体１５１ａ、１５１ｂの各々は、ｎ型またはｐ型の導電性不純物を含む複数の不純物領域（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ  ｒｅｇｉｏｎ）、及び導電性不純物をほとんど含まない少なくとも一つの真性領域（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｒｅｇｉｏｎ）を含む。
【００６２】
スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）用第１半導体１５１ａを見ると、不純物領域は、第１ソース領域（ｓｏｕｒｃｅ  ｒｅｇｉｏｎ）１５３ａ、中間領域（ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ  ｒｅｇｉｏｎ）１５３５、及び第１ドレイン領域（ｄｒａｉｎ  ｒｅｇｉｏｎ）１５５ａを含み、これらはｎ型不純物でドーピングされていて、互いに分離されている。真性領域は、不純物領域１５３ａ、１５３５、１５５ａの間に位置した一対の第１チャンネル領域（ｃｈａｎｎｅｌ  ｒｅｇｉｏｎ）１５４ａ１、１５４ａ２などを含む。
【００６３】
駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）用第２半導体１５１ｂを見ると、不純物領域は、第２ソース領域１５３ｂ及び第２ドレイン領域１５５ｂを含み、これらはｐ型不純物でドーピングされていて、互いに分離されている。真性領域は、第２ソース領域１５３ｂと第２ドレイン領域１５３ｂ、１５５ｂとの間に位置した第２チャンネル領域１５４ｂを含む。第２ソース領域１５３ｂは、上に長くのびて維持領域（ｓｔｏｒａｇｅ  ｒｅｇｉｏｎ）１５７を構成する。
【００６４】
不純物領域は、チャンネル領域１５４ａ１、１５４ａ２、１５４ｂとソース及びドレイン領域１５３ａ、１５５ａ、１５３ｂ、１５５ｂとの間に位置した低濃度ドーピング領域（ｌｉｇｈｔｌｙ  ｄｏｐｅｄ  ｒｅｇｉｏｎ）（図示せず）をさらに含むことができる。このような低濃度ドーピング領域は、不純物をほとんど含まないオフセット領域（ｏｆｆｓｅｔ  ｒｅｇｉｏｎ）で代替することもできる。
【００６５】
これとは異なって、第１半導体１５１ａの不純物領域１５３ａ、１５５ａがｐ型不純物でドーピングされたり、第２半導体１５１ｂの不純物領域１５３ｂ、１５５ｂがｎ型不純物でドーピングされることもできる。ｐ型の導電性不純物としては、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）などがあり、ｎ型の導電性不純物としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）などがある。島型半導体１５１ａ、１５１ｂは、非晶質シリコンからなることができる。この場合、不純物領域が存在せず、島型半導体１５１ａ、１５１ｂと他の金属層との間の接触特性を補強するための抵抗性接触部材が半導体１５１ａ、１５１ｂ上に形成されることができる。
【００６６】
半導体１５１ａ、１５１ｂ及び遮断膜１１１上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上には、第１制御電極（ｃｏｎｔｒｏｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４ａを含む複数のゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１及び複数の第２制御電極１２４ｂを含む複数のゲート導電体（ｇａｔｅ  ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）が形成されている。
【００６７】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向にのびている。第１制御電極１２４ａは、ゲート線１２１から上にのびて第１半導体１５１ａと交差し、特に第１チャンネル領域１５４ａ１、１５４ａ２と重畳する。各ゲート線１２１は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部を含むことができる。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合には、ゲート線１２１がのびてゲート駆動回路と直接連結される。
【００６８】
第２制御電極１２４ｂは、ゲート線１２１と分離されていて、第２半導体１５１ｂの第２チャンネル領域１５４ｂと重畳する。第２制御電極１２４ｂは、のびて維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２７を構成し、維持電極１２７は、第２半導体１５１ｂの維持領域１５７と重畳してストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を構成する。
【００６９】
ゲート導電体１２１、１２４ｂは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金などの銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることもできる。このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減少させることができるように、比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）が低い金属、例えばアルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などからなる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性が優れている物質、例えばモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなる。これらの組み合わせの好ましい例としては、クロムの下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜やアルミニウム（合金）の下部膜及びモリブデン（合金）の上部膜がある。しかし、ゲート導電体１２１、１２４ｂは、その他にも多様な金属または導電体からなることができる。
【００７０】
ゲート導電体１２１、１２４ｂの側面は基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は約３０゜乃至約８０゜であるのが好ましい。ゲート導電体１２１、１２４ｂ上には、層間絶縁膜（ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｆｉｌｍ）１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物、有機絶縁物、低誘電率絶縁物などからなる。有機絶縁物及び低誘電率絶縁物の誘電定数は４．０以下であるのが好ましく、低誘電率絶縁物の例としては、プラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＰＥＣＶＤ）で形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどがある。有機絶縁物のうちの感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するもので層間絶縁膜１６０を形成することもでき、層間絶縁膜１６０の表面は平坦でありうる。
【００７１】
層間絶縁膜１６０には、第２制御電極１２４ｂを露出する複数の接触孔（ｃｏｎｔａｃｔ  ｈｏｌｅ）１６４が形成されている。また、層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０には、ソース及びドレイン領域１５３ａ、１５３ｂ、１５５ａ、１５５ｂを露出する複数の接触孔１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂが形成されている。
【００７２】
層間絶縁膜１６０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１、複数の駆動電圧線（ｄｒｉｖｉｎｇ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｌｉｎｅ）１７２、複数の第１及び第２出力電極（ｏｕｔｐｕｔ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５ａ、１７５ｂを含む複数のデータ導電体（ｄａｔａ  ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）が形成されている。
【００７３】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差する。各データ線１７１は、接触孔１６３ａを通じて第１ソース及びドレイン領域１５３ａと連結されている複数の第１入力電極（ｉｎｐｕｔ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３ａを含み、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部を含むことができる。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）が基板１１０上に集積されている場合には、データ線１７１がのびてデータ駆動回路と直接連結される。
【００７４】
駆動電圧線１７２は、駆動電圧を伝達し、主に縦方向にのびてゲート線１２１と交差する。各駆動電圧線１７２は、接触孔１６３ｂを通じて第２ソース及びドレイン領域１５３ｂと連結されている複数の第２入力電極１７３ｂを含む。駆動電圧線１７２は互いに連結される。第１出力電極１７５ａは、データ線１７１及び駆動電圧線１７２と分離されている。第１出力電極１７５ａは、接触孔１６５ａを通じて第１ドレイン領域１５５ａに連結されており、接触孔１６４を通じて第２制御電極１２４ｂに連結されている。第２出力電極１７５ｂは、データ線１７１、駆動電圧線１７２、及び第１出力電極１７５ａと分離されていて、接触孔１６５ｂを通じて第２ドレイン領域１５５ｂに連結されている。
【００７５】
データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウムなどの耐火性金属、またはこれらの合金からなるのが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）及び低抵抗導電膜（図示せず）を含む多重膜構造からなることができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）の下部膜及びアルミニウム（合金）の上部膜の二重膜、モリブデン（合金）の下部膜、アルミニウム（合金）の中間膜、モリブデン（合金）の上部膜の三重膜がある。しかし、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂは、その他にも多様な金属または導電体からなることができる。ゲート導電体１２１、１２１ｂと同様に、データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂもその側面が基板１１０の面に対して傾いていて、その傾斜角は３０゜乃至８０゜程度であるのが好ましい。
【００７６】
データ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂ上には、保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機物、有機物、低誘電率絶縁物質などからなる。保護膜１８０には、第２出力電極１７５ｂを露出する複数の接触孔１８５が形成されている。保護膜１８０には、また、データ線１７１の端部を露出する複数の接触孔（図示せず）が形成されることができ、保護膜１８０及び層間絶縁膜１６０には、ゲート線１２１の端部を露出する複数の接触孔（図示せず）が形成されることができる。保護膜１８０上には、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１が形成されている。
【００７７】
画素電極１９１は、接触孔１８５を通じて第２出力電極１７５ｂと連結されている。画素電極１９１は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなるのが好ましく、アルミニウム、銀、カルシウム、バリウム、マグネシウムなどの不透明反射性金属からなることができる。
【００７８】
保護膜１８０上には、また、複数の接触補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ  ａｓｓｉｓｔａｎｔ）（図示せず）または連結部材（ｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）（図示せず）が形成されることができ、これらはゲート線１２１及びデータ線１７１の露出された端部と連結される。保護膜１８０上には、有機発光表示装置の画素を分離するための隔壁（ｐａｒｔｉｔｉｏｎ）３６１が形成されている。隔壁３６１は、画素電極１９１の周縁の周辺を囲って有機発光物質で満たされる開口部（ｏｐｅｎｉｎｇ）を定義し、有機絶縁物または無機絶縁物からなる。隔壁３６１が定義する画素電極１９１上の開口部内には、有機発光部材（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）３７０が形成されている。有機発光部材３７０は、赤色、緑色、青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちのいずれか一つの光を固有に発する有機物質からなる。有機発光表示装置は、有機発光部材３７０が発する基本色の光の空間的な合計によって、所望の映像を表示する。
【００７９】
有機発光部材３７０は、光を発する発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）の他に、発光層の発光効率を向上させるための付帯層（ａｕｘｉｌｉａｒｙ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）を含む多層構造からなることができる。付帯層には、電子及び正孔の均衡を合せるための電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）、そして電子及び正孔の注入を強化するための電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）及び正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）などがある。有機発光部材３７０上には、共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０が形成されている。共通電極２７０は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）の印加を受け、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる。
【００８０】
このような有機発光表示装置において、ゲート線１２１に連結されている第１制御電極１２４ａ、データ線１７１に連結されている第１入力電極１７３ａ、及び第１出力電極１７５ａは、第１半導体１５４ａと共にスイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ  ＴＦＴ）（Ｑｓ）を構成し、スイッチング薄膜トランジスタ（Ｑｓ）のチャンネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、第１入力電極１７３ａと第１出力電極１７５ａとの間の第１半導体１５４ａに形成される。第１出力電極１７５ａに連結されている第２制御電極１２４ｂ、駆動電圧線１７２に連結されている第２入力電極１７３ｂ、及び画素電極１９０に連結されている第２出力電極１７５ｂは、第２半導体１５４ｂと共に駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ  ＴＦＴ）（Ｑｄ）を構成し、駆動薄膜トランジスタ（Ｑｄ）のチャンネルは、第２入力電極１７３ｂと第２出力電極１７５ｂとの間の第２半導体１５４ｂに形成される。画素電極１９１、有機発光部材３７０、及び共通電極２７０は、有機発光素子（ＬＤ）を構成し、画素電極１９１がアノード（ａｎｏｄｅ）になって共通電極２７０がカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）になったり、反対に画素電極１９１がカソードになって共通電極２７０がアノードになったりする。互いに重畳する維持電極１２７及び駆動電圧線１７２は、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）（Ｃｓｔ）を構成する。
【００８１】
このような有機発光表示装置は、基板１１０の上側または下側に光を発して映像を表示する。不透明な画素電極１９１及び透明な共通電極２７０は、基板１１０の上側方向に映像を表示する前面発光（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用され、透明な画素電極１９１及び不透明な共通電極２７０は、基板１１０の下側方向に映像を表示する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用される。
【００８２】
一方、半導体１５１ａ、１５１ｂが真性領域（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｒｅｇｉｏｎ）を含まない多結晶ケイ素からなる場合には、ｎ型不純物で高濃度にドーピングされた多結晶シリコンである抵抗性接触部材は、半導体１５１ａ、１５１ｂとデータ導電体１７１、１７２、１７５ａ、１７５ｂとの間に形成されることができる。第１及び第２制御電極１２４ａ、１２４ｂは、各々半導体層１５１ａ、１５１ｂに配置され、ゲート絶縁膜１４０は、半導体層１５１ａ、１５１ｂと第１及び第２制御電極１２４ａ、１２４ｂとの間に形成されることができる。この時、データ導電体１７１、１７２、１７３ｂ、１７５ｂは、ゲート絶縁層１４０上に直接形成されることができる。また、データ導電体１７１、１７２、１７３ｂ、１７５ｂは、半導体層１５１ａ、１５１ｂ下に形成されることができ、半導体層１５１ａ、１５１ｂと電気的に直接接触することができる。本実施例では、多結晶シリコン層からなる有機発光表示板について説明したが、非晶質シリコン層からなる有機発光表示板にも適用することができる。
【００８３】
以上で、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、前記の記載から多様な変形及び均等な他の実施例が可能である。したがって、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の一実施例によるインクジェットヘッドクリーニングシステムの断面図である。
【図２】本発明の一実施例によって色フィルターを形成するための複数のインクジェットヘッドユニットの斜視図である。
【図３】本発明の一実施例による複数のインクジェットヘッドユニットを利用して色フィルターを形成する工程の説明図である。
【図４】図２に示した複数のインクジェットヘッドユニットのうちの一つのインクジェットヘッドユニットに対する斜視図である。
【図５】図２に示したインクジェットヘッドユニットの平面図である。
【図６】本発明の一実施例によるインクジェットヘッドユニットを利用して色フィルターを形成するためのインクの滴下状態を示す図面である。
【図７】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図８】本発明の一実施例による色フィルター表示板の配置図である。
【図９】本発明の一実施例によるＬＣＤの配置図である。
【図１０】図９のＬＣＤをＸ−Ｘ線に沿って切断して示す断面図である。
【図１１】図９のＬＣＤをＸＩ−ＸＩ´線及びＸＩ´−ＸＩ´´線による断面図である。
【図１２】本発明の一実施例によるＯＬＥＤに利用された薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１３】図１２の薄膜トランジスタ表示板をＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線によって切断した断面図である。
【図１４】図１２の薄膜トランジスタ表示板をＸＩＶ−ＸＩＶ線によって切断した断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
６０      ソルベント噴射装置
７０      吸入装置
８０      空気噴射装置
９０      ロールブラッシング装置
４０１    インクジェットヘッド
４１０    ノズルホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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