(57)【要約】      （修正有）【課題】回転機構を備えた基板処理装置において、パーティクルの低減を図る。【解決手段】基板処理装置は、被処理基板Ｗを処理するための処理空間を区画する処理容器１と、処理容器内において被処理基板Ｗを支持する基板支持体１２と、基板支持体１２に直接もしくは間接的に連結された可動部材１１と、可動部材１１に当接しつつ回転することにより、該可動部材１１を介して基板支持体１２を回転させる回転体１０と、を備えており、可動部材１１と回転体１０は、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値および／またはＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成される。【選択図】図１
2006128368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値および／またはＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項２】
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項３】
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、ＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項４】
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値およびＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置。
【請求項５】
前記回転体を構成するセラミックス材料の破壊靱性は、４．５〜５．５［ＭＰａ√ｍ］であり、前記可動部材を構成するセラミックス材料の破壊靱性は、２．０〜３．０［ＭＰａ√ｍ］であることを特徴とする、請求項１、請求項２または請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記回転体を構成するセラミックス材料の３点曲げ強度は、５１０〜５７０［ＭＰａ］であり、前記可動部材を構成するセラミックス材料の３点曲げ強度は、４２０〜４８０［ＭＰａ］であることを特徴とする、請求項１、請求項３または請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記可動部材および前記回転体の周部は、ともにテーパー状に形成されて互いに当接する当接面を形成していることを特徴とする、請求項５または請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えた基板処理装置において、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板処理装置。
【請求項９】
前記緩衝部材は、エラストマーにより構成されていることを特徴とする、請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記緩衝部材として、前記回転体の周部にＯリングを配備したことを特徴とする、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記緩衝部材として、前記回転体の少なくとも周部に被覆層を設けたことを特徴とする、請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板支持体に載置された被処理基板を加熱するための加熱手段をさらに備え、前記処理が熱処理であることを特徴とする、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値および／またはＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板回転装置。
【請求項１４】
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板回転装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの基板に熱処理などを行なうための基板処理装置および該基板処理装置において被処理基板を回転させるための基板回転装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置に代表される基板処理装置の一例として、半導体ウエハ等の基板を熱輻射ランプなどの加熱手段により加熱してアニール等の処理を行なう装置が知られている。このような装置としては、熱的均一性を高めるため、基板を１枚ずつ回転させながら処理する枚葉式の熱処理装置が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
枚葉式の熱処理装置では、基板を載置する基板支持体に直接または間接的に連結された可動部材と、この可動部材に当接しつつ自転することにより、可動部材ごと基板支持体を回転させる回転体とを備えた回転機構が採用されている。このような回転機構を構成する可動部材や回転体などの部材の材質としては、１０００℃を超える場合もある熱処理装置の高温にも耐え得るように、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）などのセラミックス材料が使用されてきた。
【特許文献１】特開２００１−５７３４４号公報（図１など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記熱処理装置に限らず、一般に半導体製造装置においては、半導体装置の製品不良原因となる半導体ウエハへのパーティクル汚染を低減することが重要な課題となっている。パーティクル汚染の要因としては、主として半導体ウエハ近傍に配置される部品からのパーティクル発生や、チャンバー内付着物などに目が向けられ、パーティクル対策としてこれらの低減が図られてきた。
しかし、上記の回転機構を備えた熱処理装置では、定期的なチャンバー内クリーニングなどのパーティクル対策を実施しても、なお多くのパーティクルが発生するという課題があった。
従って、本発明の目的は、回転機構を備えた基板処理装置において、パーティクルの低減を図ることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点によれば、
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値および／またはＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
【０００６】
本発明の第２の観点によれば、
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の第３の観点によれば、被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、ＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の第４の観点によれば、被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値およびＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
【０００９】
上記第１、第２または第４の観点において、前記回転体を構成するセラミックス材料の破壊靱性は、４．５〜５．５［ＭＰａ√ｍ］であり、前記可動部材を構成するセラミックス材料の破壊靱性は、２．０〜３．０［ＭＰａ√ｍ］であることが好ましい。
また、上記第１、第３または第４の観点において、前記回転体を構成するセラミックス材料の３点曲げ強度は、５１０〜５７０［ＭＰａ］であり、前記可動部材を構成するセラミックス材料の３点曲げ強度は、４２０〜４８０［ＭＰａ］であることが好ましい。
【００１０】
さらに、前記可動部材および前記回転体の周部は、ともにテーパー状に形成されて互いに当接する当接面を形成していることが好ましい。
【００１１】
本発明の第５の観点によれば、被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えた基板処理装置において、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板処理装置が提供される。
【００１２】
上記第５の観点において、前記緩衝部材は、エラストマーにより構成されていることが好ましい。
また、前記緩衝部材として、前記回転体の周部にＯリングを配備することができる。
また、前記緩衝部材として、前記回転体の少なくとも周部に被覆層を設けることができる。
【００１３】
上記第１から第６のいずれかの観点において、前記基板支持体に載置された被処理基板を加熱するための加熱手段をさらに備え、前記処理が熱処理であることが好ましい。
【００１４】
本発明の第６の観点によれば、被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値および／またはＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板回転装置が提供される。
【００１５】
本発明の第７の観点によれば、被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板回転装置が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板処理装置におけるパーティクルの発生を大幅に低減することが可能になるため、半導体装置のパーティクル汚染を防止できる。従って、本発明の基板処理装置を用いることによって、信頼性の高い半導体装置を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい形態について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る熱処理装置の概略構成図である。この熱処理装置１００は、制御性がよい短時間アニール（ＲＴＡ；Rapid Thermal Annealing）を行なうために好適なＲＴＰ（Rapid Thermal Processor）として構成されており、例えば半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という）に形成した薄膜に不純物をドープした後の６００〜１２００℃程度の高温領域でのアニール処理などに用いることができる。
【００１８】
図１において、符号１は、円筒状のプロセスチャンバーであり、このプロセスチャンバー１は、上部チャンバー１ａおよび下部チャンバー１ｂに分離可能となっている。上部チャンバー１ａおよび下部チャンバー１ｂの間には石英窓２が設けられている。チャンバー１の上方には発熱部３が着脱可能に設けられている。発熱部３は、水冷ジャケット４と、その下面に複数配列された加熱手段としてのタングステンランプ５とを有している。プロセスチャンバー１の下方には円板状のボトムプレート６が着脱可能に装着されている。ボトムプレート６の周囲は、取り囲むように３箇所（一つのみ図示）に、回転体としてのローター１０が配置されている。
【００１９】
発熱部３の水冷ジャケット４と上部チャンバー１ａとの間、上部チャンバー１ａと石英窓２との間、石英窓２と下部チャンバー１ｂとの間、下部チャンバー１ｂとボトムプレート６との間にはそれぞれシール部材（図示せず）が介在されており、プロセスチャンバー１は気密状態となる。また、チャンバー１内は図示しない排気装置により減圧可能となっている。
【００２０】
図２は、熱処理装置１００の下部、すなわち上部チャンバー１ａと石英窓２と発熱部３を除いた状態、の平面図である。
下部チャンバー１ｂの底部には、略１２０°間隔で均等配置となるように開口したローターホルダ７ａ，７ｂ，７ｃが形成されている。各ローターホルダ７ａ，７ｂ，７ｃには、セラミックス製のローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃがその上部付近を露出させて配備されている。なお、各ローターホルダ７ａ，７ｂ，７ｃは図示しないシール手段によりシールされており、プロセスチャンバー内の気密性が確保されている。
【００２１】
各ローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃの周部は、内側（プロセスチャンバー１の中心）へ向けて縮径するようにテーパー状に形成されている。各ローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、図示しないモーターなどの駆動機構により回転可能に構成されている。
【００２２】
ローターホルダ７から露出したローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃの上方には、可動部材としての可動リング１１が載置されている。可動リング１１は、セラミックスにより形成された円形のリングであり、その外周が各ローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃを結ぶ円弧と略重なるような径を持っている。また、可動リング１１の底面は、前記ローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃのテーパー面に当接するような角度でテーパー状に形成されている。
【００２３】
可動リング１１には、その上部にリム１１ａが形成されており、このリム１１ａに嵌合するように、中央に開口を有する円環状のウエハ支持板１２が連結されている。ウエハ支持体としてのウエハ支持板１２には、複数箇所（本実施形態では３カ所）に、その開口部の中心へ向けて突設された支持アーム１３が設けられ、この支持アーム１３の先端付近にはウエハ支持ピン１４が設けられている。このウエハ支持ピン１４は、３箇所でウエハＷに当接し、これを支持する。
なお、ウエハＷを昇降させる場合は、ここでは図示しないリフトピンを例えばボトムプレート６から突没可能に設けることによって行なうことができる。
【００２４】
このような熱処理装置１００においては、プロセスチャンバー１内のウエハ支持ピン１４にウエハＷをセットした後、気密な空間を形成し、排気装置により排気してその中を真空状態とする。次いで、発熱部３のタングステンランプ５をオンにすると、タングステンランプ５で発生した熱が石英窓２を通過してウエハＷに至り、ウエハＷが急速に加熱される。
【００２５】
熱処理の間は、ローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃを所定の回転速度で回転させる。これにより、その上に載置された可動リング１１も摩擦力により回転する。つまり、ローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃの回転は、これと直交する軸を中心として可動リング１１を回転させ、さらに可動リング１１に連結されたウエハ支持板１２、支持アーム１３を介してウエハＷへ伝えられるので、ウエハＷはプロセスチャンバー１内で略水平方向に回転する。その結果、ウエハＷへの供給熱量の均一性が確保される。
【００２６】
また、各ローター１０ａ，１０ｂ，１０ｃは、プロセスチャンバー１の中心へ向けて縮径したテーパー形状を有しているため、その上に載置された可動リング１１の回転中心を常に一定に保つように作用する。これにより、熱処理の精度が向上するので、例えばアニールによって薄膜中に拡散させる不純物の分布を正確にコントロールできるようになる。
【００２７】
加熱が終了した後は、発熱部３のタングステンランプ５をオフにするとともに、下部チャンバー１ｂ内に、図示しないパージポートより窒素等のパージガスを流し込みつつ排気装置によりこれを排気してウエハＷを冷却する。
【００２８】
本実施形態では、以上の構成の熱処理装置１００において、可動リング１１とローター１０とが、ＪＩＳ  Ｒ１６０７に規定する破壊靱性の値およびＪＩＳ  Ｒ１６０１に規定する３点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されている。このように、可動リング１１とローター１０の材質として、破壊靱性の値もしくは３点曲げ強度の値またはこれら両方の値が、一方は高く、他方は低いセラミックス材料を用いることにより、パーティクルの発生を大幅に低減できる。
【００２９】
ここで可動リング１１とローター１０を構成するセラミックス材料としては、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）や窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）などを挙げることができる。これらのセラミックス材料は、元来優れた耐摩耗性を有するが、ローター１０と可動リング１１のように、プロセスチャンバー１内のウエハ回転機構に用いる場合には、荷重が加わった状態で互いに擦り合わされるため、両部材に破壊靱性や３点曲げ強度の物性値が同じ材質を用いた場合には、微細なパーティクルが発生するものと考えられる。これに対し、破壊靱性や３点曲げ強度の値に差を持たせることにより、パーティクル低減が可能になる。
【００３０】
好ましい態様では、ローター１０を構成するセラミックス材料として、可動リング１１を構成するセラミックス材料よりも破壊靱性および／または３点曲げ強度の値が高い材料を用いることができる。この場合、例えば、ローター１０の材質として破壊靱性が４．５〜５．５［ＭＰａ√ｍ］程度のＳｉＣを用い、可動リング１１の材質として、破壊靱性が２．０〜３．０［ＭＰａ√ｍ］程度のＳｉＣを用いることが好ましい。また、例えば、ローター１０の材質として３点曲げ強度が５１０〜５７０［ＭＰａ］のＳｉＣを用い、可動リング１１の材質として３点曲げ強度が４２０〜４８０［ＭＰａ］のＳｉＣを用いることが好ましい。
【００３１】
次に、本発明の効果を確認した試験結果について説明を行なう。この試験では、ローター１０の材質として以下の２種類のセラミックスを用いた。なお、可動リング１１には、材質Ａのセラミックスを用いた。
材質Ａ：
破壊靱性（ＪＩＳ  Ｒ１６０７）が２．５［ＭＰａ√ｍ］で３点曲げ強度（ＪＩＳ  Ｒ１６０１）が４５０［ＭＰａ］のＳｉＣ（例えば、京セラ株式会社製、型番ＳＣ１０００）
材質Ｂ：
破壊靱性（ＪＩＳ  Ｒ１６０７）が４．９［ＭＰａ√ｍ］で３点曲げ強度（ＪＩＳ  Ｒ１６０１）が５４０［ＭＰａ］のＳｉＣ（例えば、京セラ株式会社製、型番ＳＣ−２１１）
【００３２】
試験は、図１の熱処理装置１００においてローター１０を２０ｒｐｍの回転速度で回転させた後、吸引式パーティクルカウンタで３箇所のローター１０ａ、１０ｂ、１０ｃ（図２参照）のそれぞれにおける０．３μｍ超の大きさのパーティクル数をカウントした。また、ローター１０の回転数から通常の熱処理において、ウエハＷの処理枚数として何枚目に当たるかを換算した。その結果を表１に示した。なお、表１では、比較例については３回の試験の平均を、実施例については６回の試験の平均値を示している。
【００３３】
【表１】
2006128368.tif 000003
【００３４】
表１より、材質Ａ同士の組み合わせの場合には、ウエハＷ換算として約３千枚相当の処理で１万数千にも達するパーティクルが発生したのに対し、材質Ａと材質Ｂを組み合わせた場合には、ウエハＷ換算で約１０万枚近くを処理した後でも、せいぜい３００程度のパーティクルしか発生せず、劇的な改善がみられた。
【００３５】
次に、本発明の別の実施形態にかかる熱処理装置について、図３および図４を用いて説明を行なう。
図３は、熱処理装置におけるローター１０付近の要部断面図である。図示以外の構成は図１と同様であるため記載を省略する。なお、説明の便宜上、ローター１０は断面として図示していない。この実施形態では、ローター１０の周囲（可動リング１１との当接面）にＯリング２１を配備した。Ｏリング２１を介在させることにより、ローター１０と可動リング１１との直接の接触が回避されるので、両部材が擦れ合うことによるパーティクルの発生を低減できる。
【００３６】
このＯリング２１の材質は、柔らかいエラストマー材料を用いることが好ましく、また、少なくとも３００℃程度までの耐熱性を有するものが好ましい。このようなエラストマー材質としては、例えば、パーフルオロ系エラストマーが挙げられる。具体的には、バーレルパーフロＭＰ−３００Ｂ、ＭＳＰ−２（以上、商品名；株式会社森清化製）、カルレッツ（登録商標）４０７９（デュポン・ダウ・エラストマー社製）、アーマークリスタル（登録商標）などのアーマーシリーズ（日本バルカー工業株式会社製）などを挙げることができる。
【００３７】
図４は、熱処理装置におけるローター１０付近の要部断面図である。図示以外の構成は図１と同様であるため記載を省略する。なお、説明の便宜上、ローター１０は断面として図示していない。この実施形態では、ローター１０の周囲（可動リング１１との当接面）にエラストマーによる被覆層２２を設けた。このように被覆層２２を設けることによっても、ローター１０と可動リング１１とが直接摺接することを回避できるので、パーティクルの発生を防止できる。被覆層２２の材質としては、前記と同様のパーフルオロ系エラストマーを用いることができる。
【００３８】
以上、本発明の実施形態を述べたが、本発明は上記実施形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。
例えば、図１ではＲＴＰの熱処理装置１００を例に挙げて説明したが、本発明は、チャンバー内でウエハＷなどの基板を回転させる回転機構を有する装置であれば特に制限なく適用でき、例えば熱ＣＶＤ装置など他の基板処理装置への適用も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示す断面図。
【図２】熱処理装置の下部構造を示す平面図。
【図３】別の実施形態に係る熱処理装置の要部断面図。
【図４】さらに別の実施形態に係る熱処理装置の要部断面図。
【符号の説明】
【００４０】
１：プロセスチャンバー
１ａ：上部チャンバー
１ｂ：下部チャンバー
２：石英窓
３：発熱部
４：水冷ジャケット
５：タングステンランプ
６：ボトムプレート
７：ローターホルダ
１０：ローター
１１：可動リング
１２：ウエハ支持板
１３：支持アーム
１４：ウエハ支持ピン
【図１】
2006128368.tif 000004
【図２】
2006128368.tif 000005
【図３】
2006128368.tif 000006
【図４】
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