(57)【要約】      （修正有）【課題】分散性を改善するためにスラリー中に燐酸エステルを添加しても、磁器密度が高く、高い強度と絶縁耐湿性を有する多層配線基板とそれを容易に製造できる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】無機粉末と有機成分とを含むスラリーをテープ状に成形してなるグリーンシート及び／又は回路形成工程で作製したビア導体及び配線回路層を具備するグリーンシートを組み合わせてそれぞれ複数枚積層して積層体を作製する積層工程と、該積層体を焼成する焼成工程とを具備するガラスセラミック配線基板の製法において、前記スラリーが、無機粉末として２ａ族及び３ａ族元素を含むガラス粉末と、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＯ及びＳｉＯ２のうち少なくとも１種のセラミック粉末と、Ｐ２Ｏ５換算で０．０２〜０．３０質量％の燐含有化合物と、を含有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機粉末と有機成分とを含むスラリーをテープ状に成形してなるグリーンシートを複数作製する成形工程と、該グリーンシートの一部に対してビアホールを形成し、該ビアホール内にＣｕ及び／又はＡｇを含む導体ペーストを充填してビア導体を形成するとともに、前記グリーンシート表面に、前記導体ペーストを回路パターン状に印刷塗布して配線回路層を形成する回路形成工程と、前記成形工程で作製したグリーンシート及び／又は前記回路形成工程で作製したビア導体及び配線回路層を具備するグリーンシートを組み合わせて複数枚積層して積層体を作製する積層工程と、該積層体を焼成する焼成工程とを具備するガラスセラミック配線基板の製法において、前記スラリーが、無機粉末として２ａ族及び３ａ族元素を含むガラス粉末と、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＯ及びＳｉＯ２のうち少なくとも１種のセラミック粉末と、Ｐ２Ｏ５換算で０．０２〜０．３０質量％の燐含有化合物と、を含有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記燐を含む化合物が、燐酸エステルであり、前記ガラス粉末と前記セラミック粉末と前記有機成分とを含むスラリーを作製した後、該スラリーに前記燐酸エステルを添加することを特徴とする請求項１記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記ガラス粉末がＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１種、及びＢ、Ａｌのうち少なくとも１種の元素を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス粉末が結晶化ガラス粉末であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
焼成工程後に、前記結晶化ガラスがディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、スピネル、ムライト、フォルステライトのうち少なくとも１種を形成していることを特徴とする請求項４記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記無機粉末の比表面積が２〜１２ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の方法で作製され、表面及び内部に導体層を有するセラミック層が積層されてなることを特徴とする多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板及びその製造方法に関し、特に、密度及び強度が高く、耐湿性に優れ、回路基板に適した多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、マイクロ波やミリ波等の高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体基板、及び導波路等に誘電体磁器が広く利用されているが、特に、近年における携帯電話をはじめとする移動体通信等の発達及び普及に伴い、電子回路基板や電子部品の材料として誘電体磁器の需要が増大しつつある。
【０００３】
そして、電子回路基板や電子部品用の誘電体磁器組成物として、高導電性の金属である銀や銅とともに同時焼成が可能なガラス、またはガラスとセラミックスとの複合材料、または焼結助剤を含むセラミックスからなるいわゆる１０００℃以下で焼成可能な低温焼成セラミックスが開発されている。
【０００４】
このような低温焼成セラミックスは、ガラス及びセラミックフィラーを含む原料粉体とバインダとを含むスラリーを用いてグリーンシートを作製し、その内部及び表面に、所望の配線・回路パターン電極をスクリーン印刷等の方法によって形成する。また、必要に応じて電極接続用のビアホール導体、スルーホール導体を形成する。次いで、配線・回路パターン電極、ビアホール導体、スルーホール導体を具備する上記グリーンシートを所望の層構成で積層して、積層成形体を形成しる。この積層成形体は、所望により表面導体を誘電体または絶縁体のペーストなどを用いて塗布等の方法により被覆した後、低温焼成セラミックスと電極との同時焼成によって多層配線基板からなるセラミック電子部品を作製することができる（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００５】
このような低温焼成セラミックス製造工程におけるスラリーには、原料粉末の分散性を改善するために燐酸エステルをスラリーに加えることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平７−２４２４４０号公報
【特許文献２】特開２００１−２４３８３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に記載の多層配線基板の製造方法では、２〜７質量％の燐酸エステルをスラリー中に加えて分散性を改善することができるものの、焼結性が劣化して数〜１０数μｍの気孔が増加するという問題があった。
【０００７】
また、特許文献２では焼成中にガラスが軟化し、流動するのを利用してセラミックス粉末粒子を再配列させながら焼結させるため、ガラスに多量の燐が固溶すると、そのガラスの結晶化を促進して軟化流動性を劣化して、十分な焼結密度が得られず、密度ばらつきが大きくなり、その結果、部分的に気孔率の高い部位が生じて、破壊源となるため磁器強度が低下するとともに、水分が浸入して電極導体のマイグレーションにより絶縁耐湿性が低下するという問題があった。
【０００８】
さらに、多量の燐が結晶に固溶するため、Ｑ値が劣化する、所望の比誘電率から変動するという問題があった。
【０００９】
従って、本発明は、分散性を改善するためにスラリー中に燐酸エステルを添加しても、磁器密度が高く、高い強度と絶縁耐湿性を有する多層配線基板とそれを容易に製造できる多層配線基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の多層配線基板の製造方法は、無機粉末と有機成分とを含むスラリーをテープ状に成形してなるグリーンシートを複数作製する成形工程と、該グリーンシートの一部に対してビアホールを形成し、該ビアホール内にＣｕ及び／又はＡｇを含む導体ペーストを充填してビア導体を形成するとともに、前記グリーンシート表面に、前記導体ペーストを回路パターン状に印刷塗布して配線回路層を形成する回路形成工程と、前記成形工程で作製したグリーンシート及び／又は前記回路形成工程で作製したビア導体及び配線回路層を具備するグリーンシートを組み合わせて複数枚積層して積層体を作製する積層工程と、該積層体を焼成する焼成工程とを具備するガラスセラミック配線基板の製法において、前記スラリーが、無機粉末として２ａ族及び３ａ族元素を含むガラス粉末と、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＯ及びＳｉＯ２のうち少なくとも１種のセラミック粉末と、Ｐ２Ｏ５換算で０．０２〜０．３０質量％の燐含有化合物と、を含有することを特徴とする。
【００１１】
特に、前記燐を含む化合物が、燐酸エステルであり、前記ガラス粉末と前記セラミック粉末と前記有機成分とを含むスラリーを作製した後、該スラリーに前記燐酸エステルを添加することが好ましい。
【００１２】
前記ガラス粉末がＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１種、及びＢ、Ａｌのうち少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。
【００１３】
前記ガラス粉末が結晶化ガラス粉末であることが好ましい。
【００１４】
焼成工程後に、前記結晶化ガラスがディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、スピネル、ムライト、フォルステライトのうち少なくとも１種を形成していることが好ましい。
【００１５】
前記無機粉末の比表面積が２〜１２ｍ２／ｇであることが好ましい。
【００１６】
本発明の多層配線基板は、上記の方法で作製され、表面及び内部に導体層を有するセラミック層が積層されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、特定のセラミック粉末と特定のガラス粉末とを組合せた原料粉末を含むスラリー中に、燐を含む化合物を特定量だけ用いることによって、ガラスとセラミック粉末との濡れ性を顕著に改善できるという知見に基づくものであり、その結果、磁器密度が高く、密度ばらつきが小さく、強度と絶縁耐湿性が高く、かつ高Ｑ値を有して、所望の比誘電率を有する多層配線基板を実現できる。
【００１８】
即ち、本発明の多層配線基板の製造方法は、無機粉末と有機成分とを含むスラリー化をテープ状に成形してなるグリーンシートを複数作製する成形工程と、該グリーンシートの一部に対してビアホールを形成し、該ビアホール内にＣｕ及び／又はＡｇを含む導体ペーストを充填してビア導体を形成するとともに、前記グリーンシート表面に、前記導体ペーストを回路パターン状に印刷塗布して配線回路層を形成する回路形成工程と、前記成形工程で作製したグリーンシート及び／又は前記回路形成工程で作製したビア導体及び配線回路層を具備するグリーンシートを組み合わせてそれぞれ複数枚積層して積層体を作製する積層工程と、該積層体を焼成する焼成工程とを具備するガラスセラミック配線基板の製法において、前記スラリーが、無機粉末として２ａ族及び３ａ族元素を含むガラス粉末と、Ａｌ２Ｏ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＯ及びＳｉＯ２のうち少なくとも１種のセラミック粉末と、Ｐ２Ｏ５換算で０．０２〜０．３０質量％以下の燐含有化合物と、を含有することを特徴とするものである。
【００１９】
このように、スラリーが、無機粉末として２ａ族及び３ａ族元素を含むガラス粉末とＡｌ２Ｏ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、のうち少なくとも１種のセラミック粉末とを含み、且つ有機成分として有機バインダと有機溶剤を含み、さらに前記無機粉末の１００質量部に対して燐を含む化合物をＰ２Ｏ５換算で０．０２〜０．３０質量％以下添加含有することによって、焼成工程において軟化したガラスがセラミック粉末と濡れ性が向上するために焼結密度を安定して向上することができる。ところが、ガラス或いはセラミックスの組成に燐を含有させる場合には、濡れ性の改善は期待できず、本発明で使用する程度の添加量では焼結密度を向上する効果が得られず、添加量を増やすと、多層配線基板に必要とされる電気特性や誘電特性が所望の特性から外れる、 ガラスが失透する、或いは低温焼成ガラスセラミックス用のガラスとして適さなくなる、等の問題が生じる。
【００２０】
また、本発明の多層配線基板は、上記の方法で作製されているため、磁器の密度、強度及び絶縁耐湿性が高い多層配線基板を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明は、グリーンシートを作製する成形工程と、配線回路層を形成する回路形成工程と、グリーンシートを積層する積層工程と、積層体を焼成する焼成工程とを具備するセラミック配線基板の製法であり、簡易に焼結密度を向上できる多層配線基板の製造方法に関するものである。これらの工程について以下に説明する。
【００２２】
（成形工程）
まず、原料の無機粉末として、ガラス粉末とセラミック粉末の２種類を準備する。ガラス粉末が２ａ族及び３ａ族元素を含み、セラミック粉末がＡｌ２Ｏ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＭｇＯ、ＳｉＯ２、のうち少なくとも１種を含むことが重要である。このような組み合わせにすることで、燐含有化合物の濡れ性改善効果を期待でき、高密度、高Ｑ値、高強度、高絶縁耐湿性で、密度ばらつきの小さな磁器を実現できる。
【００２３】
また、前記ガラス粉末がＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのうち少なくとも１種、及びＢ、Ａｌのうち少なくとも１種の元素を含むことが好ましい。上記の元素は、焼成工程においてガラスとセラミック粉末との濡れ性及び焼結性をさらに改善することができる。
【００２４】
さらに、ガラス粉末が結晶化ガラスであることが望ましく、さらに、結晶化ガラスがディオプサイド、セルシアン、コージェライト、アノーサイト、スピネル、ムライト、フォルステライトのうち少なくとも１種を形成していることが望ましい。これにより、高強度化と誘電損失の低減が容易になる。
【００２５】
これらのうち、ガラス粉末とセラミック粉末の組み合わせとしては、高密度という理由でＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＢａＯガラスとＣａＴｉＯ３及び／又はＭｇＴｉＯ３とが、高強度という理由でＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＳｉＯ２ガラスとＡｌ２Ｏ３とが、高絶縁耐湿性という理由でＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯガラスとＭｇ２ＳｉＯ４及び／又はＭｇＯ及び／又はＳｉＯ２とが、高Ｑ値という理由でＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＢａＯ−ＣａＯガラスとＣａＴｉＯ３及び／又はＭｇＴｉＯ３とが好ましい。
【００２６】
また、無機粉末が、Ｐ２Ｏ５換算で０．０２〜０．３０質量％の燐含有化合物を含むことも重要である。このような燐含有化合物を添加することによって、焼成工程で軟化したガラスとセラミック粉末の濡れ性が向上してセラミック粉末の再配列を促進して焼結密度を安定して向上できる。特に０．０４〜０．２０重量％以下添加含有することで、気孔率が２％以下となり、強度と耐湿性が向上する点で望ましい。
【００２７】
燐を含む化合物としては、固体でも液体でも用いることができる。例えば、固体としては、Ｐ２Ｏ５、燐酸カルシウム、燐酸バリウム、及び燐酸アルミニウムを例示することができる。これらのうち、焼成工程低温から濡れ性効果を発揮するという理由で、Ｐ２Ｏ５が特に好ましい。
【００２８】
また、均一に分散することから、燐含有化合物として、固体よりも液体を用いるのが好ましい。液体及び／又は溶液としては、燐酸エステル、燐酸ジブチル、燐酸ジメチル、及び燐酸アンモニウム、Ｐ２Ｏ５を例示することができる。溶媒はトルエン、各種アルコール、特にイソプロピルアルコールが好ましい。これらのうち、特に、燐酸エステルを使用すると、ガラスとセラミック粉末の表面により選択的に、且つより均一に燐を供給できるため、焼結密度をより一層安定化して向上することができるので望ましい。
【００２９】
固体の場合、無機粉末と同時に添加すれば良く、液体及び／又は溶液の場合には、グリーンシート成形工程までにスラリーに加えることができる。特に、無機粉末と有機バインダと有機溶媒と所望により可塑剤を加えてスラリーとし、混合後に液体状のリン含有化合物を加えることが好ましい。これにより、顕著に濡れ性を向上して焼結性を改善することができる。
【００３０】
さらに、無機粉末の比表面積が２〜１２ｍ２／ｇであることが、少ない量の燐の添加にて焼結密度を安定して向上でき、耐湿信頼性や高い磁器強度が得られる点で望ましい。
【００３１】
上記の無機粉末に対して、有機成分として有機バインダと有機溶剤を加えて、混合し、スラリーを作製する。ここで、有機バインダは焼成工程途中で容易に揮発するものが良く、また、所望により可塑剤を添加含有しても良い。
【００３２】
有機バインダとしては、アクリル系樹脂、エチルセルロース樹脂、ブチラール樹脂、及びノイゲンを例示することができる。これらの中で、焼成工程中に熱分解性が良く、炭素の残留がほとんどないという理由でアクリル系樹脂が好ましい。
【００３３】
アクリル系樹脂としては、アクリル樹脂、アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等を例示できる。
【００３４】
また、これらを構成するモノマーとしては、アクリル酸、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル等を例示できる。
【００３５】
これらのモノマーに対して、環状エーテル、直鎖エーテル、長鎖エーテル、長鎖−ＯＨ、−ＯＨモノマーを重合させることにより、官能基として環状エーテル、直鎖エーテル、長鎖−ＯＨ、−ＯＨのうちの少なくとも１種を有するアクリル系樹脂が得られる。
【００３６】
有機溶剤としては、トルエン、キシレン、ベンゼン、及びイソプロピルアルコールを例示することができる。これらの中で、テープ成形時の乾燥性が良いことと安価であるという理由でトルエンが好ましい。
【００３７】
可塑剤としては、ＤＯＰ（ジオクチルフタレート）、及びＤＢＰ（ジブチルフタレート）を例示することができる。これらの中で、焼成工程前までの製造工程中に揮発しにくい点で優れるという理由でＤＯＰが好ましい。
【００３８】
このスラリーを用いて、テープ上に成形する。成形方法としては、周知の成形方法が用いることができる。例えば、ドクターブレード法やリップコーター法などを用いることができる。テープ成形後、所定の寸法に切断し、グリーンシートを作製する。
【００３９】
（回路形成工程)
次に、成形工程で得られたグリーンシートに対して、パンチングやレーザー穿孔等の周知の穿孔方法によってビアホール貫通孔を形成し、グリーンシートの貫通孔の内部にＣｕ及び／又はＡｇを含む導体ペーストを充填してビア導体を形成する。
【００４０】
次に、グリーンシートの表面に、Ｃｕ及び／又はＡｇを含む導体ペーストを用いたスクリーン印刷法などによって、表面導体層や内部導体層となる回路パターン状に塗布又は印刷し、配線回路層を形成する。
【００４１】
このようにして、ビア導体及び／又は配線回路層を具備するグリーンシートを作製する。
【００４２】
（積層工程）
次に、回路形成工程で得られたビア導体及び／又は配線回路層を具備するグリーンシートと、成形工程で得られたビア導体及び配線回路層の形成されていないグリーンシートと、を周知の積層方法によって積層する。その際に、導体パターンが所定の設計した回路となるように組み合わせることは言うまでもない。積層条件としては、所望のグリーンシートを２〜２０枚を重ねて、３０℃〜１２０℃に加熱し、１０〜２００ｋｇ／ｃｍ２の圧力で積層することができる。また、この工程を真空チャンバー内で行うことで空気かみ込みによるシワやデラミネーションを抑制できる。
【００４３】
（焼成工程）
次に、積層工程で得られた積層体を焼成する。焼成温度は、低抵抗導体であるＣｕ及び／又はＡｇを含む導体ペーストの融点以下である１０００℃以下とすることが好ましい。焼成温度は最低ガラスの軟化点以上が必要で、無機粉末の再配列による緻密化が必要あるが、燐含有化合物の存在でガラスとセラミック粉末との濡れ性が良く、再配列が進むため、最低８５０℃で焼結できる。また、グリーンシート中の有機成分は４００〜７００℃でその９０％以上を脱脂することが、濡れ性を促進する上で望ましい。
【００４４】
本発明の多層配線基板の製造方法は、上記の成形工程、回路形成工程、積層工程及び焼成工程を具備することによって、下記の特徴を有する多層配線基板を得ることができる。
【００４５】
次に、上記の製造方法を用いて作製した本発明の多層配線基板について説明する。本発明の多層配線基板は、表面及び内部に導体層を有するセラミック絶縁層が積層されてなるものであり、その一例を図１に示した。
【００４６】
図１によれば、多層配線基板１は絶縁層２を７層積層したもので、その断面を示してある。表層導体３による外部接続及びチップ部品実装用の電極及び配線と、内層導体４によるインダクタ、コンデンサ、グランド、配線などの回路パターンと、層間接続のためのビアホール導体５とを有している。また、破線で囲まれた表層導体と内層導体で形成したコンデンサ部６を有している。
【００４７】
本発明の多層配線基板は、磁器密度が高く、強度と絶縁耐湿性が高いという特徴を有する。
【実施例】
【００４８】
セラミック粉末として、純度９９％以上のＭｇＴｉＯ３粉末、純度９５％以上のＣａＴｉＯ３粉末、純度９８％以上のＡｌ２Ｏ３粉末、Ｍｇ２ＳｉＯ４粉末、ＭｇＯ粉末及びＳｉＯ２粉末、ガラス粉末として、純度９８％以上のＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＢａＯガラス（ＢＡＭＢ）、ＣａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＭｇＯ−ＳｉＯ２ガラス（ＣＡＭＳ）及びＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＺｎＯガラス（ＢＡＳＺ）及びＢ２Ｏ３−ＳｉＯ２−Ｌｉ２Ｏ−ＢａＯ−ＣａＯガラス（ＢＳＬＢ）を準備した。ここで、無機粉末の比表面積は１０ｍ２／ｇの粉末を準備した。
【００４９】
燐含有化合物として、純度９８％以上のＰ２Ｏ５粉末、純度９８％以上の燐酸ブチル及び純度９８％以上の燐酸エステルを用いた。
【００５０】
セラミック粉末５０質量％及びガラス５０質量％からなる無機粉末１００質量部に対して、アクリル系樹脂（イソブチルメタクリレート系）を１３質量部、可塑剤としてジブチルフタレート（ＤＢＰ）を１０質量部、溶剤としてトルエン５０質量部を加え、２４時間混合しスラリーとした。このスラリーをドクターブレード法により、０．１２ｍｍの厚さに成形した。なお、アクリル系樹脂は官能基としてカルボキシル基とアミド基を有している。
【００５１】
燐含有化合物として、粉末状のＰ２Ｏ５を用いた場合には、無機粉末として添加し、イソプロピルアルコールに溶解した液体状の燐酸エステル、燐酸ブチルを用いた場合には、スラリーを作製した後、これら液体状の燐含有化合物をスラリーに添加し、その後、２４時間混合した。
【００５２】
そして、グリーンシートの所定の位置にパンチング等により貫通孔を形成し、この貫通孔にＡｇ粉末を含む導電性ペーストを充填するとともに、またこの導電性ペーストをグリーンシートの表面の所定の位置にスクリーン印刷し、乾燥して導体付グリーンシートを作製した。導電性ペーストが充填され、所定形状の導体層が形成されたグリーンシートを積層し、図１の構造となる積層成形体を作成した。この後、大気中４００℃で脱バインダ処理し、さらに９００℃で焼成し、図１に示すガラスセラミック配線基板を得た。
【００５３】
この配線基板を鏡面研摩しＳＥＭ像から、図１のａ部の導体に挟まれた層の気孔率を算出した。また、この配線基板の図１の６部の導体に挟まれたコンデンサ部について、絶縁耐湿性加速試験としてＤＣ１５Ｖを印加して、１２１℃、２気圧の蒸気圧下に４００時間時間置くＰＣＢＴを実施し、絶縁抵抗を測定し、１×１０１０Ωを下回ったものを不良として不良率を算出した。
【００５４】
また、強度評価用の試料として、グリーンシート８層を積層して同様に焼成して、５ｍｍ×４０ｍｍ×０．８ｍｍの試験片を得た。この試験片について、室温において、クロスヘッド速度０．５ｍｍ／ｍｉｎ、下部支点間距離３０ｍｍの条件で３点曲げ強度の測定を行った。結果を表１に示す。
【表１】
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【００５５】
本発明の試料Ｎｏ．３〜８、１１〜１５は、気孔率３％以下、３点曲げ強度が２６０ＭＰａ以上、ＰＣＢＴ４００時間後の不良率が３０％以下であった。
【００５６】
特に、Ｐ２Ｏ５換算量が０．０４〜０．２０重量％の範囲にある試料Ｎｏ．４〜７は、気孔率２％以下、強度が２９０ＭＰａ以上、ＰＣＢＴ不良率も２５％以下と特に良好であった。
【００５７】
これに対して、スラリー中の燐含有化合物の含有量が０．０２質量％に満たない本発明の範囲外の試料Ｎｏ．１、２は、強度がいずれも２００ＭＰａと小さく、気孔率が５％、ＰＣＢＴ不良率が８５％以上と大きかった。
【００５８】
また、スラリー中の燐含有化合物の含有量が０．３質量％を超える本発明の範囲外の試料Ｎｏ．９、１０は、気孔率が４％以上、強度が２５０ＭＰａ以下、ＰＣＢＴ不良率は３４％以上であった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明のセラミック積層基板の一例を示す概略断面図を示す。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・セラミック多層配線基板
２・・・絶縁層
３・・・表層導体
４・・・内層導体
５・・・ビアホール導体
６・・・コンデンサ部
【図１】
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