(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】  上側基板と、上側基板と対向すべく配置された下側基板と、上側基板と下側基板との間に形成されて放電が行われる放電セルと、放電セルに対応すべく配置され、Ｏ元素の含量がＭｇ元素の含量より多いＭｇＯ膜と、を備える。【選択図】図３
2006059801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側基板と、
前記上側基板と対向すべく配されてなる下側基板と、
前記上側基板と下側基板との間に形成されて放電が行われる放電セルと、
前記放電セルに対応すべく配され、Ｏ元素の含量がＭｇ元素の含量より多いＭｇＯ膜と、を備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記ＭｇＯ膜におけるＭｇ元素に対するＯ元素の成分比であるＯ／Ｍｇ成分比の値が、１．１００ないし１．２００の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記Ｏ／Ｍｇ成分比の値は、１．１５０ないし１．１７０の範囲にあることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記ＭｇＯ膜は、物理気相蒸着法により形成されてなることを特徴とする請求項１ないし３のうち何れか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記ＭｇＯ膜は、物理気相蒸着法のうち、イオンプレーティングにより形成されてなることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
上側基板と、
前記上側基板の下側に形成されてなる複数の維持電極対と、
前記維持電極対を埋め込む上側誘電体層と、
前記上側基板と対向すべく配されてなる下側基板と、
前記下側基板の上側に前記維持電極対と交差するように形成されてなるアドレス電極と、
前記アドレス電極を埋め込む下側誘電体層と、
前記上側基板と下側基板との間に形成され、前記維持電極対とアドレス電極とが共に対応すべく配されてなる放電セルを定める隔壁と、
前記放電セルに配置されてなる蛍光体層と、
前記放電セル内に充填されてなる放電ガスと、
前記上側誘電体層の下面に形成され、Ｏ元素の含量がＭｇ元素の含量より多いＭｇＯ膜と、を備えてなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記ＭｇＯ膜におけるＭｇ元素に対するＯ元素の成分比であるＯ／Ｍｇ成分比の値が、１．１００ないし１．２００の範囲にあることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記Ｏ／Ｍｇ成分比の値は１．１５０ないし１．１７０の範囲にあることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記ＭｇＯ膜は、物理気相蒸着法により形成されてなることを特徴とする請求項６ないし８のうち何れか１項に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記ＭｇＯ膜は、物理気相蒸着法のうち、イオンプレーティングにより形成されてなることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに係り、より詳細には、耐スパッタ性（ｓｐｕｔｔｅｒ−ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が向上するようにその構造が改善されたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、陰極線管に替わるものと注目されているＰＤＰは、複数の電極が形成された２つの基板間に放電ガスが封じ込められた後、放電電圧が加えられ、これにより発生する紫外線により、所定のパターンで形成された蛍光体層が励起して画像が表示される装置である。
【０００３】
このようなＰＤＰは、駆動方法によって直流型と交流型とに分類される。直流型ＰＤＰでは、電極が放電空間に露出し相互対応する電極の間で電荷の移動が直接的になされ、交流型ＰＤＰでは、少なくとも一側の電極が誘電体層で覆われ、誘電体層にたまった壁電荷（ｗａｌｌ  ｃｈａｒｇｅ）の移動により放電がなされる。
【０００４】
前記直流型ＰＤＰでは、対応する電極の間に電荷の移動が直接的になされるため、電極の損傷が激しいという問題点があったため、最近では３電極面放電型構造を有する交流型ＰＤＰが採用されている。
【０００５】
通常の交流型ＰＤＰには、画像が表示される上側基板と、前記上側基板と平行に対向すべく配された下側基板が備えられている。前記上側基板の下面には、共通電極とスキャン電極とよりなる維持電極対が形成されており、前記維持電極対は、上側誘電体層により埋め込まれている。そして、前記下側基板の上面には、維持電極対と交差すべくアドレス電極が形成されており、前記アドレス電極は、下側誘電体層により埋め込まれている。前記下側誘電体層の上面には、隔壁が形成されて放電セルを特定する。前記放電セルには、放電ガスが充填されており、カラー具現のために赤、緑、青の蛍光体層が選択的に形成されている。
【０００６】
前記のように構成されたＰＤＰにおいて、上側誘電体層は、ＭｇＯ膜により覆われうるが、前記ＭｇＯ膜は、放電時のイオンスパッタリングによる上側誘電体層の損傷を保護し、２次電子を放出する役割を行う。前記ＭｇＯ膜から２次電子が多量に放出されると、放電が容易になって共通電極とスキャン電極との間に印加される維持電圧が低くなり、これにより、消費電力が低減する。
【０００７】
このようなＭｇＯ膜は、上側誘電体層の下面に蒸着されて形成されうるが、蒸着されたＭｇＯ膜の密度が過度に低まると、スパッタリングに耐える特性である耐スパッタ性が弱くなって寿命が短くなるという問題を招きうる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ＭｇＯ膜において、Ｏ元素の含量をＭｇ元素の含量より多く設定することによりＭｇＯ膜の密度を高めることによって、耐スパッタ性が向上したＰＤＰを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によるＰＤＰは、上側基板と、前記上側基板と対向すべく配置された下側基板と、前記上側基板と下側基板との間に形成されて放電が行われる放電セルと、前記放電セルに対応すべく配され、Ｏ元素の含量がＭｇ元素の含量より多いＭｇＯ膜と、を備えてなることを特徴とする。
【００１０】
そして、本発明によるＰＤＰは、上側基板と、前記上側基板の下側に形成された複数の維持電極対と、前記維持電極対を埋め込む上側誘電体層と、前記上側基板と対向すべく配置される下側基板と、前記下側基板の上側に前記維持電極対と交差するように形成されたアドレス電極と、前記アドレス電極を埋め込む下側誘電体層と、前記上側基板と下側基板との間に形成され、前記維持電極対とアドレス電極とが共に対応すべく配置される放電セルを限定する隔壁と、前記放電セルに配された蛍光体層と、前記放電セル内に充填された放電ガスと、前記上側誘電体層の下面に形成され、Ｏ元素の含量がＭｇ元素の含量より多いＭｇＯ膜と、を備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ＭｇＯ膜が十分な密度を有するようにＯ元素の含量をＭｇ元素の含量より多く、より望ましくは、Ｏ／Ｍｇ成分比を最適範囲に設定することによって、耐スパッタ性を向上させうる。これにより、パネルの寿命が延びる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
前記本発明の目的と利点は、添付された図面と共に、望ましい実施例が詳細に説明されることによってさらに明白になる。
【００１３】
図１は、本発明の一実施例によるＰＤＰを示す分離斜視図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【００１４】
図１及び図２を参照すれば、ＰＤＰ１００には、上側基板１１１と、前記上側基板１１１に対向して配される下側基板１３１とが備えられている。前記上側基板１１１において、下側基板１３１に向かう面には複数の維持電極対１２１が配列されており、前記維持電極対１２１は、上側誘電体層１１２により覆われている。前記上側誘電体層１１２の下面には、本発明の一特徴による保護膜としてＭｇＯ膜１１３が形成されているが、これについての詳細な説明は後述する。
【００１５】
前記維持電極対１２１は、相互間に放電ギャップＧをなす共通電極１２２とスキャン電極１２５とを一組にして各々形成されている。前記共通電極１２２は、図面に示されるように、共通透明電極１２３とこれと接続される共通バス電極１２４を備え、前記スキャン電極１２５は、スキャン透明電極１２６とこれと接続されるスキャンバス電極１２７を備えうる。
【００１６】
前記共通電極及びスキャン透明電極１２３、１２６は、蛍光体層１３６から発散された可視光を透過させるために透明な材質であるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）で形成される。前記共通電極及びスキャン透明電極１２３、１２６と各々接続された共通バス電極及びスキャンバス電極１２４、１２７は、共通電極及びスキャン透明電極１２３、１２６に電圧を各々印加する役割を担うが、電気伝導度の相対的に低いＩＴＯで形成された共通電極及びスキャン透明電極１２３、１２６の電気抵抗を改善するために、導電性に優れた金属で形成されることが望ましい。
【００１７】
前記共通バス電極及びスキャンバス電極１２４、１２７は、共通電極及びスキャン透明電極１２３、１２６の幅より狭く、横隔壁１３４ｂが形成された方向と平行した方向に延びるように形成されている。そして、前記共通透明電極１２３は、複数個に分割された共通突出電極１２３ａよりなっており、前記共通突出電極１２３ａが縦隔壁１３４ａを挟んで離隔されている状態で共通バス電極１２４に接続されており、これと同様に前記スキャン透明電極１２６も複数個に分割されたスキャン突出電極１２６ａよりなっており、前記スキャン突出電極１２６ａが縦隔壁１３４ａを挟んで離隔された状態でスキャンバス電極１２７に接続されている。前記共通突出電極１２３ａとスキャン突出電極１２６ａは、放電セル１３５毎に相互間に放電ギャップＧをなすように共に配されている。前述したように、共通電極及びスキャン透明電極１２３、１２６が縦隔壁１３４ａに対応する部分が各々削除された構造よりなることによって、共通電極及びスキャン透明電極１２３、１２６の放電面積が減り、かつ電流が制限されて消費電力が節減されうる。一方、維持電極対の構造は、前述した点に限定されず、多様な形状になりうる。
【００１８】
前記上側基板１１１と対向する下側基板１３１において、前記上側基板１１１に向かう面にはアドレス電極１３２が、維持電極対１２１に交差するように配列されている。前記アドレス電極１３２は、下側誘電体層１３３により覆われており、前記下側誘電体層１３３の上面には隔壁１３４が形成されている。
【００１９】
前記隔壁１３４は、複数個の放電セル１３５を区切って、隣接した放電セル１３５との混線（クロストーク）を防止する。前記隔壁１３４は、所定間隔に離隔されて形成された縦隔壁１３４ａと、前記縦隔壁１３４ａの各側面から前記縦隔壁１３４ａと交差する方向に延長形成された横隔壁１３４ｂを含んで構成されうる。ここで、前記縦隔壁１３４ａは、１つのアドレス電極１３２を挟んでこれと平行に配されうる。前述したように縦隔壁１３４ａ及び横隔壁１３４ｂの形成によって、マトリックス状に４面が閉鎖された放電セル１３５を限定する。一方、前記隔壁としては、前述した点に限定されず、放電セルを画素の配列パターンで限定しうる構造ならば、何でも良い。
【００２０】
前記隔壁１３４の内側面と前記隔壁１３４で取り囲まれた下側誘電体層１３３の上面には、蛍光体が塗布され、蛍光体層１３６が形成されている。前記蛍光体は、カラー画面を具現するために赤色、緑色、青色を各々発光する蛍光体で構成され、前記蛍光体の発光色相によって赤、緑、青の蛍光体層をなす。
【００２１】
そして、前記蛍光体層１３６の発光色相によって、放電セル１３５は、赤、緑、青の放電セルに大別され、３個の隣接した赤、緑、青の放電セルは単位ピクセルを構成する。前記放電セル１３５には放電ガスが充填され、このように放電ガスが充填された状態で、上側基板１１１と下側基板１３１の縁部に形成された密封部材（図示せず）により上側基板１１１と下側基板１３１とが封合される。
【００２２】
前記のように構成されたＰＤＰ１００の作動を概略的に説明する。まず、スキャン電極１２５とアドレス電極１３２との間にアドレス電圧が印加されると、アドレス放電が起こり、前記アドレス放電の結果、維持放電が起こる放電セル１３５が選択される。アドレス放電が実行された後に、選択された放電セル１３５に配置された共通電極１２２とスキャン電極１２５との間に交互に維持電圧が印加されると、共通電極１２２とスキャン電極１２５との間に維持放電が起こる。このような維持放電によって励起された放電ガスのエネルギー準位が低まりつつ、紫外線が放出される。このような紫外線は、放電セル１３５内に形成された蛍光体層１３６を励起させ、励起した蛍光体層１３６から可視光線が発散されることによって画像が具現される。
【００２３】
一方、前記上側誘電体層１１２の下面を覆うように形成された本発明の一特徴による保護膜は、イオンスパッタリングにより上側誘電体層１１２の損傷を防止し、２次電子を放出させうるＭｇＯ膜１１３で形成されうる。前述したようにＭｇＯ膜１１３から２次電子が多量に放出されれば、放電が容易になるので、共通電極１２２とスキャン電極１２５との間に印加される維持電圧が低くなり、これによる消費電力が低減されうる。
【００２４】
前記ＭｇＯ膜１１３は、上側誘電体層１１２の下面に多様な方法で形成されうるが、一例として物理気相蒸着法がある。物理気相蒸着法は、その原理によって、蒸発とスパッタリングとに大別される。蒸発は、蒸着する物質を気化するに当って、熱エネルギーを用いる方法であり、他方、スパッタリングは、プラズマを形成した他の気体の運動エネルギーを利用して蒸着物質を気化する方法である。蒸発法において、蒸発源としては、抵抗加熱、電子ビーム、アークなどが用いられる。このような蒸発とスパッタリングとを組み合わせた混成技術があるが、これがイオンプレーティングである。前記イオンプレーティングは、蒸発で使用する蒸発源をそのまま利用するが、スパッタリングで利用するプラズマを導入して蒸発原子、必要な場合には、反応ガスと共に部分的にイオン化して運動エネルギーと反応性とを高める方法である。これにより、イオンプレーティングは、蒸発から得られる速い蒸着速度と、スパッタリングで得られる緻密な薄膜組織と化合物の形成能力とを何れも備え得る。したがって、物理気相蒸着法のうち、イオンプレーティングが本実施例に用いられることが望ましい。
【００２５】
前述したような物理気相蒸着法によれば、高熱で昇華されて飛散したＭｇＯ粒子が上側誘電体層１１２の下面で冷却されて結晶化し、このように結晶化したＭｇＯ結晶が成長することによって、ＭｇＯ膜１１３が形成される。このような過程を経て上側誘電体層１１２の下面に蒸着したＭｇＯ膜１１３は所定の密度を有する。前記ＭｇＯ膜１１３の密度が高まると、スパッタリングに耐える耐スパッタ性が優れ、パネル１００の寿命を延ばすのに有利になる。
【００２６】
このようなＭｇＯ膜１１３の密度は、ＭｇＯ膜１１３のＭｇ元素に対するＯ元素の成分比、すなわちＯ／Ｍｇ成分比の値に影響を受けるが、本発明の一特徴によれば、ＭｇＯ膜１１３の密度を高めるための方案として、ＭｇＯ膜１１３において、Ｏ元素の含量をＭｇ元素の含量より多く、すなわちＯ／Ｍｇ成分比の値を１より大きくして蒸着させる。なお、Ｏ／Ｍｇ成分比は、単位体積当りの酸素（Ｏ）の個数とマグネシウム（Ｍｇ）の個数の比と定義する。
【００２７】
一方、前記Ｏ／Ｍｇ成分比の値は、耐スパッタ性を十分に確保しうる程度の密度を有するために最適の範囲に設定されることが望ましい。このようなＭｇＯ膜１１３のＯ／Ｍｇ成分比の最適の範囲は、図３に示されるグラフの実験データにより設定されうる。これについて詳述する。
【００２８】
図３は、ＭｇＯ膜のＯ／Ｍｇ成分比による屈折率を示すグラフである。ここで、屈折率はＭｇＯ膜の密度を示す指数であり、前記Ｏ／Ｍｇ成分比はＭｇＯ単結晶において、Ｏ／Ｍｇ成分比を１とした時、これに対する相対値である。
【００２９】
前記グラフによれば、ＭｇＯ膜１１３において、Ｏ元素の含量がＭｇ元素の含量より多くなるほど、すなわち、Ｏ／Ｍｇ成分比の値が大きくなるほど屈折率が次第に上昇し、Ｏ／Ｍｇ成分比の値が１．１７２である時、屈折率が１．６３８２で最大値に到達し、以後にはＯ／Ｍｇ成分比の値が増加するほど屈折率が減少する傾向を示している。
【００３０】
前記屈折率が上昇するという意味は、ＭｇＯ膜１１３の密度が高まるということを意味するので、Ｏ／Ｍｇ成分比の値が１．１７２である時、ＭｇＯ膜１１３の密度が最大となる。したがって、ＭｇＯ膜１１３の密度が最大のＯ／Ｍｇ成分比の値を中心として、これより大きいか、小さい範囲でＯ／Ｍｇ成分比の値を設定しうる。
【００３１】
本実施例でＯ／Ｍｇ成分比の値を約１．１００ないし１．２００に、より望ましくは、１．１５０ないし１．１７０に設定しているが、この場合には屈折率が１．６２００以上でＭｇＯ膜１１３の密度を十分に確保できると期待される。
【００３２】
本発明は添付した図面に示された一実施例を参考に説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の保護範囲は添付された特許請求の範囲によって決まるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、ＭｇＯ膜の耐スパッタ性が向上してパネルの寿命が延びるＰＤＰに好適に適用しうる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施例によるＰＤＰについての分離斜視図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図３】Ｏ／Ｍｇ成分比による屈折率の一例を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３５】
１００    ＰＤＰ，
１１１    上側基板、
１１２    上側誘電体層、
１１３    ＭｇＯ膜、
１２１    維持電極対、
１２２    共通電極、
１２３    共通透明電極、
１２４    共通バス電極、
１２５    スキャン電極、
１２６    スキャン透明電極、
１３１    下側基板、
１３２    アドレス電極、
１３３    下側誘電体層、
１３４    隔壁、
１３５    放電セル、
１３６    蛍光体層。
【図１】
2006059801.tif 000003
【図２】
2006059801.tif 000004
【図３】
2006059801.tif 000005