(57)【要約】【課題】          光学ヒステリシスを本質的に低減した、特に中間調域におけるＨＳ５０が小さい光散乱型液晶デバイスを提供する。【解決手段】      側鎖型ラジカル重合性組成物及び液晶組成物を含有する調光層形成材料を重合させて得た調光層を有する光散乱型液晶デバイスにおいて、前記側鎖型ラジカル重合性組成物が、下記式を同時に満たす。  【数１】2006045416.tif 000100  【数２】2006045416.tif 000101  【数３】2006045416.tif 000102（Δαは、ラジカル重合性化合物から導き出された複数のαの、最大値αと最小値αの差を表す。ＮＲ１Ｒ２は、ラジカル重合性化合物が重合した時に生じる、隣り合う側鎖同士の距離を表す。ＮＲ１及びＮＲ２は側鎖の長さを表す。Σ（αi×βi）は、複数のαiに対して、ラジカル重合性化合物間の反応性がすべて同じと仮定した際に得られるαiの出現確率βiを乗じた期待値を該重合体のすべてのαiに対して和した、理論値を表す。）【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラジカル重合性組成物及び液晶組成物を含有する調光層形成材料を重合させて得た調光層を有する光散乱型液晶デバイスにおいて、前記ラジカル重合性組成物が、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を少なくとも１種含む組成物であり、且つ、数式（１）および数式（３）を同時に満たすことを特徴とする光散乱型液晶デバイス。
【化１】
2006045416.tif 000094
（１）
（式中、Ｒは炭素原子数３〜４０のアルキル基を表す。但し、該アルキル基中の炭素原子は、
a）酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよく、
b）置換基として炭素原子数１〜１５のアルキル基を有していても良い。
Ａ１は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、又は、アルキレン基（但し、該アルキレン基中の炭素原子は、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、炭素原子数６〜１２の脂環基、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよい）で表され、Ａ１が結合する２つの炭素原子間結合を辿ったときに含まれる結合数Ｎａ１が３〜４０である連結基を表し、Ａ２は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、又は、アルキレン基（但し、該アルキレン基中の炭素原子は、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、炭素原子数６〜１２の脂環基、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよい）を表し、Ａ３は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、アルキレン基、アルキルトリイル基、又はアルキルテトライル基（但し、該アルキレン基、該アルキルトリイル基、又は該アルキルテトライル基中の炭素原子は、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、炭素原子数６〜１２の脂環基、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよい）を表し、−Ａ２−Ａ３−Ａ２−に含まれる結合数Ｎａ２が３〜４０である連結基を表す。
Ｂ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｂ２は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、複数あるＲ、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１、及びＢ２は、同じであってもよく、異なっていて良い。ｍは２〜４の整数を表す。）
【数１】
2006045416.tif 000095
（１）
【数２】
2006045416.tif 000096
（２）
【数３】
2006045416.tif 000097
（３）
（数式（１）において、Δαは、前記ラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物から導き出された複数のαの、最大値α（αmax）と最小値α（αmin）の差を表し、αは、数式（２）から導き出される値を表す。数式（２）において、ＮＲ１Ｒ２は、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物において、隣接する２つのＲをＲ１及びＲ２としたとき、及び、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が重合反応することにより形成される、隣接する２つのＲをＲ１及びＲ２としたときの、Ｒ１およびＲ２が結合している炭素原子の間にある結合数を表す。ＮＲ１及びＮＲ２は、Ｒ１およびＲ２が結合している炭素原子からＲ１およびＲ２の末端の炭素原子までの結合を辿ったときに含まれる結合の数を表す。但し、Ｒ１およびＲ２が置換基を有する場合は、もっとも原子数の多い末端の炭素原子までの結合に含まれる結合数をＮＲ１及びＮＲ２とする。また、先端の原子が水素原子である場合はこれを数えない。Σ（αi×βi）は、前記ラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物から導き出された複数のαiに対して、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を含むラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物間の反応性がすべて同じと仮定した際に得られるαiの出現確率βiを乗じた、所謂期待値を、該重合体のすべてのαiに対して和した、理論値を表す。但し、Ｂ２とＲを取り替えても前記定義を満たす場合は、前記結合数の多い方をＲとする。）
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ａ１が−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ−、又は−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−であり、Ａ２が−ＣＨ２−Ｏ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＨ２−であり、Ａ３が、ｍが２のときは、炭素数２〜４０のアルキレン基（但し、該基中に存在し、Ａ２と直接結合しない１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−、アリーレン基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基で置き換えられていても良い）、炭素数６〜１８のアリーレン基、炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、又は、−Ｙ−Ａ４−Ｙ−  （但し、Ｙはアリーレン基又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基を表し、Ａ４は単結合又は炭素数１〜１５のアルキレン基（但し、アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−で置き換えられていても良い）を表す。）を表し、
ｍが３のときは、炭素数２〜３０のアルキルトリイル基（但し、該基中に存在し、Ａ２と直接結合しない１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−、アリーレン基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基で置き換えられていても良い）を表し、ｍが４のときは、炭素数２〜３０のアルキルテトライル基（但し、該基中に存在し、Ａ２と直接結合しない１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−、アリーレン基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基で置き換えられていても良い）である、請求項１に記載の光散乱型液晶デバイス。
【請求項３】
前記数式（１）のΔαが、数式（４）を満たし、且つ数式（５）を満たす、請求項１又は２に記載の光散乱型液晶デバイス。
【数４】
2006045416.tif 000098
（４）
【数５】
2006045416.tif 000099
（５）
（但し、Δα、αmax、αmin、及びΣ（αi×βi）は、前記数式（１）〜（３）での定義と同様である）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光散乱型の液晶デバイスに関し、更に詳しくは高分子化合物中に液晶を分散させた高分子分散型液晶表示デバイスに関する。この高分子分散型液晶表示デバイスには、ポリマーマトリックスの連続相に液晶滴が分散された狭義の高分子分散型液晶と、三次元網目状に形成されたポリマーマトリックスの網目内に液晶が連続的に分散されたポリマーネットワーク型液晶の双方が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の進展に伴い、情報通信材料の需要がますます高まっている。特に、光散乱型の液晶デバイスは、偏光板が不要なことや視野角依存性が少ないことから、広告板、装飾表示板、時計、コンピューター、プロジェクション、デジタルペーパー、携帯用情報端末、光シャッター、などの液晶表示素子又は光学素子として大きく期待されている。
光散乱型液晶デバイスとしては、重合性組成物と液晶組成物とからなる調光層形成材料に光照射又は加熱して、重合性組成物と液晶組成物とを相分離させた状態で重合性組成物を硬化させて得た、ポリマーマトリックスと液晶組成物からなる調光層を有する高分子分散型液晶表示デバイスが知られている。
【０００３】
従来の高分子分散型液晶表示デバイスには、光学ヒステリシスが大きいという問題がある。
光学ヒステリシスとは、印加電圧と光の透過率との関係において（印加電圧−光透過率曲線）、同一印加電圧での電圧上昇過程と電圧下降過程で、透過率が同じ軌跡を辿らない現象である。光学ヒステリシスの大きいデバイスは、階調表示が正しく行えない、あるいは表示の焼き付けを起こす等の不具合を生じる。特に印加電圧上昇時に透過率変化５０％の透過率を与える電圧と印加電圧下降時に透過率変化５０％の透過率を与える電圧の差として定義される光学ヒステリシスＨＳ５０（単位：ｍＶ）（以下、単にＨＳ５０と略す）は、中間調の階調表示性能に強い影響を与えることから、この低減が大きな課題となっていた。なおここで透過率変化５０％の透過率（％）をＴ５０（％）と表記すると、Ｔ５０（％）は数式（ａ）で表される。
【０００４】
【数１】
2006045416.tif 000002
【０００５】
（Ｔ１００は光散乱型液晶デバイスに対してそれ以上透過率が変化しなくなるまで電圧を印加した場合の透過率（％）を表し、Ｔ０は電圧無印加状態における透過率（％）を表す。）
さらに、ＨＳ５０（ｍＶ）は数式（ｂ）で表される。
【０００６】
【数２】
2006045416.tif 000003
【０００７】
（前記数式（ａ）、（ｂ）において、Ｖｒ５０（ｍＶ）は光散乱型液晶デバイスに対する印加電圧を無印加から上昇させていった時にＴ５０（％）が得られる印加電圧を表し、Ｖｄ５０（ｍＶ）は光散乱型液晶デバイスに対する印加電圧をＶ１００（ｍＶ）から下降させていった時にＴ５０（％）が得られる印加電圧を表す。Ｖ１００（ｍＶ）はＴ１００（％）における印加電圧を表す。）
【０００８】
一般に、光散乱型液晶デバイスの光学ヒステリシスは、用いる重合性組成物と液晶組成物、及び形成されるポリマーネットワークの網目サイズあるいは液晶液滴径が同じであれば、光散乱型液晶デバイスのセルギャップの大きさに比例する。このため、最も簡単な光学ヒステリシスの低減手段は光散乱型液晶デバイスのセルギャップを小さくすることである。しかし光散乱型液晶デバイスのセルギャップを小さくすると、散乱強度が低下して良好な光学特性が得られなくなる。
【０００９】
光学ヒステリシスを低減させるための対策として、調光層内の液晶滴径の平均を１５μｍ以上とする手法が提案されている（例えば特許文献１参照）。しかし該手法では、光散乱型液晶デバイスのセルギャップが１５μｍ以下の場合には実施不可能であった。またこの手法は、明確な液晶滴が存在しないポリマーネットワーク型液晶には適用できなかった。さらに、このように液晶滴径が大きくなると、ポリマーマトリックスと液晶液滴の界面が少なくなるために、散乱強度の低下や応答速度の低下を避けることができなかった。
また、ポリマーマトリックス中の液晶滴径を、基板界面とポリマーマトリックス内部で変化させることによって電気光学特性の急峻性を調整し、光学ヒステリシスの低減及び駆動電圧の低減の両者を図る提案もなされている（例えば特許文献２）。この方法は、各液晶液滴個々には光学ヒステリシスが存在することを容認したものであり、印加電圧−透過率変化挙動が異なる液晶液滴を共存させ急峻性を最適範囲とすることで、光学ヒステリシス低減を図ったものである。しかしこの方法は、光学ヒステリシスを液晶液滴単位で低減することはできないため、低減効果は十分ではなかった。
【００１０】
また、使用する液晶分子の配向状態をバイポーラ配向とする提案もなされている。かかる提案では、液晶組成物の構成成分として分子長軸に対する側方位置に極性基を有する分子を用いる（例えば特許文献３）、あるいは、重合性組成物と液晶組成物とを相分離させた状態で重合性組成物を紫外線硬化させる、即ち調光層を形成する際の紫外線照射強度を制御して、基板と高分子分散型液晶との界面近傍を除く領域に位置する液晶滴をほぼ同一の形状と大きさとして、電圧無印加時における液晶滴内の液晶分子の配向形態をバイポーラ型とする（例えば特許文献４）、といった手段がとられている。
しかしながら、特許文献３のように、分子長軸方向に対する側方位置に極性基を有する液晶分子を液晶組成物中に含有させると、駆動電圧が上昇するという問題点があった。これを解消するために該デバイスのセルギャップを小さくしたり、液晶滴径を大きくすると、散乱強度が低下してしまう。また特許文献４においては紫外線照射強度が非常に強い条件であり、該紫外線により液晶分子が劣化してしまうといった問題があった。
さらにこれらの提案は、液晶滴内で液晶分子が水平に配向したバイポーラ配向状態を得ることを目的としているが、バイポーラ配向状態が得られたとしても依然として光学ヒステリシスが解消されない場合も数多く、光学ヒステリシスを効果的に低減できるようになったとは言い難い状況であった。
【００１１】
【特許文献１】特開平１１−３４４６９３号公報
【特許文献２】特開２０００−１３７２１３号公報
【特許文献３】特開平１０−１９５４４５号公報
【特許文献４】特開平１０−２３２３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の課題は、光学ヒステリシスを本質的に低減すること、即ち、単位セルギャップ当たりの光学ヒステリシス、特に階調表示に重要な中間調域におけるＨＳ５０が小さい光散乱型液晶デバイスを提供することである。（以下、単位セルギャップ当たりの光学ヒステリシスを、単に光学ヒステリシスと略す。また、単位セルギャップ（μｍ）当たりのＨＳ５０（ｍＶ）をＨＳ５０／ｄ（ｍＶ／μｍ）と略す。）
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、上記課題を解決するために、まず光学ヒステリシスが発生する原因について鋭意検討した。
高分子化合物中に液晶を分散させた高分子分散型液晶表示デバイスにおいては、電圧無印加状態−（電圧印加過程）−印加状態−（電圧降下過程）−無印加状態の各状態における光散乱の強弱により表示を行なう。これらの状態および過程を説明すると、
１）電圧無印加状態
液晶分子は電圧無印加状態では、平均的にはあらゆる方向を向いているポリマーの主鎖または側鎖との相互作用により、あらゆる方向に対して平均的に配向している、所謂ランダムな配向をしている。このため、光散乱状態となる。
２）電圧印加過程
電圧無印加状態に電圧が印加されると、液晶分子はポリマーの主鎖または側鎖との相互作用を振り払って電界方向に配列しようとする。
この際、液晶−ポリマーの相互作用が強いと電圧−光透過率曲線は高電圧側にシフトする。
３）電圧降下過程
電界により電界方向に配列している液晶分子に対して、電界強度を弱める、または無印加にすると、液晶とポリマーの相互作用によるエネルギー安定化状態に戻ろうとする。
この際、液晶−ポリマーの相互作用が強いと安定化状態への戻りが促進され、電圧−光透過率曲線は高電圧側にシフトする。
一方、この相互作用が弱いと安定化状態への戻りが遅くなり、電圧−光透過率曲線は低電圧側にシフトする。
【００１４】
このように、電圧−透過率曲線は、液晶分子とポリマーとの相互作用の大きさによりシフトすることがわかる。
このため、高分子分散型液晶表示デバイスを電気光学素子として利用する際の光学ヒステリシスは、液晶分子とポリマーの相互作用を制御することにより、電圧印加過程と電圧降下過程での電圧−光透過率曲線を一致させることにより低減させることができることがわかった。この考えの基づき多くの液晶分子とポリマー（特に側鎖型ポリマー）の組み合わせについて、電圧印加過程と電圧降下過程の電圧−光透過率曲線および光学ヒステリシスを測定して検討した結果、
１）液晶分子とポリマーの相互作用の大きさの平均値と、
２）液晶分子とポリマーの相互作用の大きさの不均一度とを
制御することによりヒステリシスを低減できることを見出した。
これらの知見により下記１）〜３）の指針に基づく発明を行い、本発明を完成するに至った。
１）液晶と強く相互作用が起こる主鎖領域と側鎖領域とを混在させる。
２）相互作用は全体の内の限られた少ない領域で、強い相互作用をしている方が好ましい。（立ち上がりには、大きな束縛にはならないが、立下りには、トリガーとして働く）
３）しかし、全体としての液晶とポリマーとの相互作用は、あまり大きくない。
（複数ある相互作用が相殺しているような状態が好ましい）
すなわち、液晶相と接するポリマー界面において、液晶分子に対して主鎖が強いアンカリング力がある部分と側鎖が強いアンカリング力がある部分が混在しており、前記の強いアンカリングを有する部分のポリマー全体に対する比率が特定の比率以下であり、ポリマー界面全体の平均としては主鎖若しくは側鎖のアンカリング力がバランスをとられているように、側鎖型ポリマーとして使用するラジカル重合性組成物をラジカル重合性化合物の特定の組み合わせとすることで、上記課題を解決した。
【００１５】
即ち、本発明は、ラジカル重合性組成物及び液晶組成物を含有する調光層形成材料を重合させて得た調光層を有する光散乱型液晶デバイスにおいて、前記ラジカル重合性組成物が、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を少なくとも１種含む組成物であり、且つ、数式（１）および数式（３）を同時に満たすことを特徴とする光散乱型液晶デバイスを提供する。
【００１６】
【化１】
2006045416.tif 000004
（１）
【００１７】
（式中、Ｒは炭素原子数３〜４０のアルキル基を表す。但し、該アルキル基中の炭素原子は、
a）酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよく、
b）置換基として炭素原子数１〜１５のアルキル基を有していても良い。
【００１８】
Ａ１は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、又は、アルキレン基（但し、該アルキレン基中の炭素原子は、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、炭素原子数６〜１２の脂環基、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよい）で表され、Ａ１が結合する２つの炭素原子間結合を辿ったときに含まれる結合数Ｎａ１が３〜４０である連結基を表し、Ａ２は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、又は、アルキレン基（但し、該アルキレン基中の炭素原子は、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、炭素原子数６〜１２の脂環基、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよい）を表し、
Ａ３は、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、アルキレン基、アルキルトリイル基、又はアルキルテトライル基（但し、該アルキレン基、該アルキルトリイル基、又は該アルキルテトライル基中の炭素原子は、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯＮＨ−、炭素原子数６〜１２の脂環基、又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていてもよい）を表し、
−Ａ２−Ａ３−Ａ２−に含まれる結合数Ｎａ２が３〜４０である連結基を表す。
【００１９】
を表す。
Ｂ１は水素原子又はメチル基を表し、Ｂ２は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を表し、複数あるＲ、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１、及びＢ２は、同じであってもよく、異なっていて良い。ｍは２〜４の整数を表す。）
【００２０】
【数３】
2006045416.tif 000005
（１）
【００２１】
【数４】
2006045416.tif 000006
（２）
【００２２】
【数５】
2006045416.tif 000007
（３）
【００２３】
（数式（１）において、Δαは、前記ラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物から導き出された複数のαの、最大値α（αmax）と最小値α（αmin）の差を表し、αは、数式（２）から導き出される値を表す。数式（２）において、ＮＲ１Ｒ２は、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物において、隣接する２つのＲをＲ１及びＲ２としたとき、及び、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が重合反応することにより形成される、隣接する２つのＲをＲ１及びＲ２としたときの、Ｒ１およびＲ２が結合している炭素原子の間にある結合数を表す。ＮＲ１及びＮＲ２は、Ｒ１およびＲ２が結合している炭素原子からＲ１およびＲ２の末端の炭素原子までの結合を辿ったときに含まれる結合の数を表す。但し、Ｒ１およびＲ２が置換基を有する場合は、もっとも原子数の多い末端の炭素原子までの結合に含まれる結合数をＮＲ１及びＮＲ２とする。また、先端の原子が水素原子である場合はこれを数えない。Σ（αi×βi）は、前記ラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物から導き出された複数のαiに対して、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を含むラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物間の反応性がすべて同じと仮定した際に得られるαiの出現確率βiを乗じた、所謂期待値を、該重合体のすべてのαiに対して和した、理論値を表す。但し、Ｂ２とＲを取り替えても前記定義を満たす場合は、前記結合数の多い方をＲとする。）
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、光学ヒステリシスが本質的に小さく、焼き付きが起こりにくく、階調表示性能が高い光散乱型液晶デバイスを提供することができる。
具体的には、ＨＳ５０／ｄを２０（ｍＶ／μｍ）以下とすることができる。更に、ＨＳ５０／ｄを１０（ｍＶ／μｍ）とすることで、高階調度の表示を行うことも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
（一般式（１））
前記一般式（１）において、Ｒは下記一般式（２）
【００２６】
【化２】
2006045416.tif 000008
（２）
【００２７】
で表される基であることが好ましい。
一般式（２）中、Ｖは単結合、又は炭素原子数１〜５のアルキレン基を表す。中でも、単結合又は炭素原子数１のメチレン基が好ましい。
Ｘ１は単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−ＯＣＯ−、−ＮＨＣＯ−Ｏ−、又は−ＯＣＯＮＨ−を表す。中でも、−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、又は−ＯＣＯ−が好ましい。
【００２８】
Ｗは炭素原子数３〜３０のアルキル基をあらわす。また、該アルキル基は、置換基として、炭素原子数１〜１５であり、且つＷを構成する炭素原子数と同じ又は少ない数のアルキル基を有していてもよい。
Ｗ及びＷの置換基に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−又は炭素原子数６〜１２のアリーレン基で置き換えられていても良い。
Ｗは、具体的には、ノルマルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ノルマルオクチル基、ノルマルウンデシル基、ノルマルトリデシル基、ノルマルテトラデシル基、ノルマルオクタデシル基、２−ｎ−ヘプチルノニル基、イソミリスチル基、２−エチルヘキシル基、ブトキシエチル基、ヘキシロキシエチル基、ノルマルブトキシエトキシメチル基、シクロヘキシル基、ポリエチレングリコールモノエーテル基、４−ノニルフェニレン基、４−オクチルシクロヘキシル基等があげられる。中でも、炭素数６〜２０のアルキル基が好ましく、更に、アルキル基が直鎖アルキル基の場合は、炭素数７〜１４の直鎖アルキル基がより好ましい、アルキル鎖が分岐鎖の場合は、炭素数９〜１８の分岐アルキル基がより好ましい。
Ｗが、例えば、ノルマルウンデシル基、ノルマルトリデシル基等の炭素数６〜２０の直鎖アルキル基であると、より低電圧で駆動可能な液晶デバイスを得ることができる。また。Ｗが、例えば、２−ノルマルヘプチル−ノニル基等の分岐アルキル基であると、駆動電圧の温度による変化の少ない液晶デバイスを得ることができる。
【００２９】
前記一般式（１）において、Ａ１が結合する２つの炭素原子間結合を辿った時に含まれる結合数Ｎａ１は、多すぎると一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物の重合速度が低下するため充分なネットワークが形成されず光散乱が弱くなってしまう。このためＮａ１は３〜２０がより好ましく、３〜７が最も好ましい。
具体的には、−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ２−、−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ−、又は−Ｏ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）Ｏ−が好ましい。
また、Ａ２は、具体的には−ＣＨ２−Ｏ−、−ＣＨ２−ＯＣＯ−、−ＣＨ２−ＣＯ−Ｏ−又は−ＣＨ２−が好ましい。
【００３０】
前記一般式（１）において、Ａ３は、ｍが２のときは、炭素数２〜３０のアルキレン基（但し、該基中に存在し、Ａ２と直接結合しない１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−、アリーレン基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基で置き換えられていても良い）、炭素数６〜１８のアリーレン基、炭素数３〜１０のシクロアルキレン基、又は、−Ｙ−Ｒ４−Ｙ−  （但し、Ｙはアリーレン基又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基を表し、Ｒ４は単結合又は炭素数１〜１５のアルキレン基（但し、アルキレン基中に存在する１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−で置き換えられていても良い）を表す。）を表す。ｍが３のときは、炭素数２〜３０のアルキルトリイル基（但し、該基中に存在し、Ａ２と直接結合しない１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−、アリーレン基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基で置き換えられていても良い）を表す。ｍが４のときは、炭素数２〜３０のアルキルテトライル基（但し、該基中に存在し、Ａ２と直接結合しない１個又は２個以上のメチレン基は、場合によりそれぞれ相互に独立して、酸素原子が相互に直接に結合しないものとして、−Ｏ−、アリーレン基、又は炭素数３〜１０のシクロアルキレン基で置き換えられていても良い）であることが好ましい。また、Ａ３は、原子数３以上の側鎖を有さないことが好ましい。
【００３１】
前記Ａ３の、ｍが２のときの具体例としては、ブチレン基、ヘキシレン基、オクタメチレン基、７，１２−ジメチルオクタデシレン基、７−エチルヘキサデシレン基、２，２’−ジメチル−プロピレン基、繰り返し数が２〜１０のポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、ポリオキシブチレン基、ポリオキシテトラメチレン基、シクロヘキシレン基、ビフェニレンジイル基、
【００３２】
【化３】
2006045416.tif 000009
【００３３】
（上記基中、ｐ及びｑは各々独立して１〜４の整数を表し、ｒは１〜３の整数を表す）等の基が挙げられる。
また、前記Ａ３の、ｍが３のときの具体例としては、
【００３４】
【化４】
2006045416.tif 000010
【００３５】
【化５】
2006045416.tif 000011
【００３６】
【化６】
2006045416.tif 000012
【００３７】
（上記基中、ｓ及びｔは各々独立して１〜２の整数を表す）等の基が挙げられる。
また、前記Ａ３の、ｍが４のときの具体例としては、
【００３８】
【化７】
2006045416.tif 000013
【００３９】
【化８】
2006045416.tif 000014
【００４０】
（上記基中、ｕは１〜２の整数を表す）等の基が挙げられる。
一般式（１）においてｍは２であるとなお好ましい。また、その場合におけるＲの好ましい例としては、Ｖがメチレン基、Ｘ１が−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、又は−ＯＣＯ−、Ｗが炭素数２〜３０のアルキレン基の組み合わせが最も好ましい。
【００４１】
また、−Ａ２−Ａ３−Ａ２−に含まれる最小の結合数Ｎａ２が少なすぎると隣接する側鎖間の空間的干渉が非常に大きくなるため、側鎖の運動性が極端に低下する。この結果ポリマーの結晶性が高まり、低温における光散乱型液晶デバイスの駆動電圧が高くなるという問題が発生する。また、Ｎａ２が多すぎると一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物の重合速度が低下するため充分なネットワークが形成されず光散乱が弱くなってしまう。このためＮａ２の値は４〜３５がより好ましく、６〜３０がさらに好ましく、８〜２５が最も好ましい。
【００４２】
前記一般式（１）において、Ｂ１は水素原子又はメチル基を表す。中でも水素原子であることが、反応性の高さや合成のしやすさから特に好ましい。
Ｂ２は前記一般式（１）と同じ基であり、具体的には、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ノルマルブチル基、ノルマルペンチル基等の炭素数１〜５のアルキル基を表す。なお、Ｂ２がアルキル基の場合、該炭素原子数は、前記Ｒの炭素原子数と同等であるかそれ未満である。
Ｂ２の部位に炭素数１〜５のアルキル基を導入することにより、０℃以下の極低温でも前記一般式（２）における−Ｖ−Ｘ１−Ｗで表される基の運動性を保つことができる。更に、Ｂ２を炭素原子数１〜５のアルキル基とすることにより、前記Ｗが分岐アルキル基でも低駆動電圧化が図れる。従って、より低駆動電圧で、且つ、低温域における駆動電圧の上昇の少ない光散乱型液晶デバイスを得ることができる。Ｂ２の炭素数が５よりも大きくなるとアクリル基の重合性を阻害する恐れがある。
【００４３】
一般式（１）において、複数あるＲ、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ｂ１、及びＢ２は、同じであってもよく、異なっていて良い。
【００４４】
また、一般式（１）のラジカル重合性化合物は、Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．３０，ｐｐ４９８５、Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ６，ｐｐ６８１−６８４、及び、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｃｉｅｎｃｅ：ＰａｒｔＡ：Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｖｏｌ．３４，ｐｐ２１７−２２５等の公知の方法で合成することができる。
例えば、一般式（１）において、Ｂ１が水素であるラジカル重合性化合物は、エポキシ基を複数有する化合物と、エポキシ基と反応し得る活性水素を有するラジカル重合性化合物とを反応させ、水酸基を有するラジカル重合性化合物を合成し、次に、飽和脂肪酸とを反応させることにより得ることができる。
例えば、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が下記化合物の場合は
【００４５】
【化９】
2006045416.tif 000015
【００４６】
１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルとアクリル酸とを、トリフェニルフォスフィンやＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンの存在下、８０〜１２０℃で反応させて、水酸基を有するラジカル重合性化合物を合成し、次に、水酸基を有するラジカル重合性化合物とラウリル酸をジシクロヘキシルカルボジイミドなどの脱水剤を用いたエステル化反応により得ることができる。
【００４７】
更に、複数のエポキシ基を有する化合物と飽和脂肪酸とを反応させ、水酸基を有する化合物を合成し、次に水酸基と反応し得る基を有するラジカル重合性化合物とを反応させることにより得ることができる。
例えば、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が下記式（１−１）で表される化合物の場合は、
【００４８】
【化１０】
2006045416.tif 000016
（１−１）
【００４９】
１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテルと酪酸とをトリフェニルフォスフィンやＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミンの存在下８０〜１２０℃で反応させて、水酸基を有するラジカル重合性化合物を合成し、次に、アクリル酸塩化物をトリエチルアミンの存在下で反応させることにより得ることができる。
【００５０】
またラジカル重合性化合物が、例えば、一般式（１）のＢ１がアルキル基であり、一般式（２）のＶが炭素原子数１であるメチレン基である場合は、オキセタン基を複数有する化合物と、オキセタン基と反応し得る脂肪酸塩化物や脂肪酸とを反応させ、更に、アクリル酸などの活性水素を有する重合性化合物とを反応させる方法や、オキセタン基を一つ有する化合物と、オキセタン基と反応し得る多価の脂肪酸塩化物や脂肪酸とを反応させ、更に、アクリル酸などの活性水素を有する重合性化合物とを反応させる方法等により得ることができる。
また、一般式（２）のＶが炭素原子数４であるブチレン基の場合は、オキセタン基の代わりにフラン基を複数有する化合物を用いることにより得ることができる。更に、一般式（２）のＶが炭素原子数５であるペンチレン基の場合は、オキセタン基の代わりにピラン基を複数有する化合物を用いることにより得ることができる。
【００５１】
例えば、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が下記式（１−２）で表される化合物の場合は、
【００５２】
【化１１】
2006045416.tif 000017
（１−２）
【００５３】
１，６−ヘキサンジオールのスルホン酸エステルと３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタンを水酸化ナトリウムの存在下で反応させることにより３，３’−（１，６−ヘキサンジイルビス（オキシメチレン））ビス−（３−エチルオキセタン）を得ることができる。更にこの２官能のジオキセタン化合物とカプリン酸クロリドとをヨウ化ナトリウム、アセトニトリルの存在下、０℃で反応させ炭素数Ｃ９のメチレン鎖を有するヨード化合物を得る。次に、生成したヨード化合物とアクリル酸を１，８−ジアザビシクロ[５．４．０]−ウンデセン−７の存在下でジメチルスルオキシドを溶媒に用い、９０℃で１２時間反応させることにより目的物を得ることができる。
【００５４】
また、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が下記式（１−３）で表される化合物の場合は、
【００５５】
【化１２】
2006045416.tif 000018
（１−３）
【００５６】
ラウリルアルコールのスルホン酸エステルと３−エチル−３ヒドロキシメチルオキセタンを水酸化ナトリウムの存在下で反応させることにより３−エチル−３−ドデシルオキシオキセタンを得ることができる。更にこのオキセタン化合物とセバシン酸クロリドとをヨウ化ナトリウム、アセトニトリルの存在下、０℃で反応させ炭素数Ｃ１１のメチレン鎖を有するヨード化合物を得る。次に、生成したヨード化合物とアクリル酸を１，８−ジアザビシクロ[５．４．０]−ウンデセン−７の存在下でジメチルスルオキシドを溶媒に用い、９０℃、１２時間反応させることにより目的物を得ることができる。
【００５７】
前記オキセタン基を有する化合物は、ハロゲン化合物とオキセタンアルコールとの反応、カルボン酸とオキセタンアルコールとの反応、アルコールとオキセタンアルコールのスルホン酸エステルとの反応、アルコールとオキセタンを有するハロゲン化合物との反応、ジメチロール化合物と炭酸ジメチルとの反応、等により得ることができる。アルコールとしては、１，６−ヘキサンジオール以外に、１，４−ブタンジオール、ネオペンチルグリコール、ポリプロピレングリコール、ダイマー酸ジオール、シクロヘキサンジメタノール、トリメチロールプロパン、エチレンオキサイド変性ビスフェノール、デカノール、ドデカノール、ウンデカノール、等が挙げられる。カルボン酸としては、セバシン酸、アジピン酸、イタコン酸、長鎖二塩基酸、ダイマー酸、カプリル酸、ラウリル酸、ステアリン酸、ミリスチン酸、イソミリスチン酸、パルミチン酸、ウンデカン酸等が挙げられる。ハロゲン化合物としては、１，６−ジブロモヘキサン、１，４−ジブロモブタン、１−クロロヘキサン、１−クロロデカン等が挙げられる。
【００５８】
オキセタン基と反応し得る脂肪酸塩化物や脂肪酸としては、カプリン酸クロリド以外に、カプリル酸クロリド、ラウリル酸クロリド、ステアリン酸クロリド、ミリスチン酸クロリド、イソミリスチン酸クロリド、パルミチン酸クロリド、ウンデカン酸クロリド、カプリル酸、ラウリル酸、ステアリン酸、ミリスチン酸、イソミリスチン酸、パルミチン酸、ウンデカン酸、セバシン酸、アジピン酸、ダイマー酸、イタコン酸、セバシン酸、アジピン酸、イタコン酸等を使用することができる。
【００５９】
前記活性水素を有するラジカル重合性化合物としては、アクリル酸以外に、例えば、メタクリル酸、アクリル酸ダイマー、メタクリル酸ダイマー、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート等を使用することができる。また、オキセタンと脂肪酸との反応の場合は、アクリル酸塩化物、メタクリル酸塩化物、アクリル酸メチル、アクリル酸エチル等を使用することができる。
【００６０】
また、オキセタンアルコールの合成方法としては、例えば特開平１１−０１２２６１号公報、特開平９−７１５４５号公報等の公知の方法で合成することができる。具体的には、トリメチロールアルカンとジメチルカーボネートとを反応させる方法等により得ることができる。
例えばオキセタンアルコールが下記化合物の場合は、
【００６１】
【化１３】
2006045416.tif 000019
【００６２】
メチルターシャリーブチルエーテル中にヘキサナールとパラホルムアルデヒドとを水酸化ナトリウムの存在下で反応させ、トリメチロールブタンを合成する。更に、トリメチロールブタンと炭酸ジメチルを炭酸カリウムの存在下で反応させ、副生するメタノールを除去してカーボネート化を行った後に、２００℃に加熱して脱炭酸することにより合成することができる。
【００６３】
また、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が、例えば下記式（１−４）で表される化合物の場合は、
【００６４】
【化１４】
2006045416.tif 000020
（１−４）
【００６５】
ジブチル−１，３−プロパンジオールとアクリル酸クロリドをトリエチルアミンの存在下で反応させ、更にこの生成物とセバシン酸とを１−エチル−３−（３′−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩とジメチルアミノピリジンの存在下で塩化メチレン中に室温で８時間反応させることにより得ることができる。
【００６６】
本発明で使用する一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物の具体例としては、例えば、特開平６−３２７６１号公報、特開平１１−０２９５２７号公報に記載のような化合物が挙げられる。
【００６７】
本発明で使用するラジカル重合性組成物は、上記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を少なくとも１種使用し、且つ、数式（１）及び数式（３）を同時に満たすように、モノマーを選択する。
【００６８】
【数６】
2006045416.tif 000021
（１）
【００６９】
【数７】
2006045416.tif 000022
（２）
【００７０】
【数８】
2006045416.tif 000023
（３）
【００７１】
数式（２）において、αは、ポリマー界面における主鎖または側鎖のアンカリング力の程度を示す指標を表す。
図５に示すように、ＮＲ１Ｒ２は、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物において、隣接する２つのＲをＲ１及びＲ２としたとき、及び、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が重合反応することにより形成される、隣接する２つのＲをＲ１及びＲ２としたときの、Ｒ１およびＲ２が結合している炭素原子の間にある結合数を表す。また、ＮＲ１及びＮＲ２は、Ｒ１およびＲ２が結合している炭素原子からＲ１およびＲ２の末端の炭素原子までの結合を辿ったときに含まれる結合の数を表す。（但し、Ｒ１およびＲ２が置換基を有する場合は、もっとも原子数の多い末端の炭素原子までの結合に含まれる結合数をＮＲ１及びＮＲ２とする。また、先端の原子が水素原子である場合はこれを数えない。）
【００７２】
これらの数値は次のように決定する。
ＮＲ１、ＮＲ２：側鎖の付け根から先端までの側鎖骨格を形成する結合の数を数える。ただし先端の原子が水素原子である場合はこれを数えない。なお、本発明においてこの値が３未満の場合は側鎖とみなさない。
ＮＲ１Ｒ２：Ｒ１、Ｒ２二本の側鎖間に挟まれた主鎖骨格を形成する結合の数を数える。
例えば図５の場合では、ＮＲ１＝１０、ＮＲ２＝７、ＮＲ１Ｒ２＝８であり、α＝８−｛（１０−１）＋（７−１）｝／２＝０．５  である。
【００７３】
例えば、仮にポリマーマトリックスが、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物１種のみで形成されたと考えると、ＮＲ１Ｒ２は、−Ａ２−Ａ３−Ａ２−の結合数、及び、−Ａ１−ＣＯ−ＣＢ１（ＣＨ２Ｚ）−ＣＨ２−ＣＢ１Ｚ−ＣＯ−Ａ１−の結合数となる（式中Ｚは隣接主鎖との連結基、又は二重結合と反応した後の重合開始剤を表す）。
具体的には、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が下記式（１−５）で表される化合物であり、該ラジカル重合性化合物のみでポリマーマトリックスが形成された場合、ＮＲ１Ｒ２の、−Ａ２−Ａ３−Ａ２−は、２５であり、−Ａ１−ＣＯ−ＣＢ１（ＣＨ２Ｚ）−ＣＨ２−ＣＢ１Ｚ−ＣＯ−Ａ１−は、１０である。
【００７４】
【化１５】
2006045416.tif 000024
（１−５）
【００７５】
また、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物が、前記式（１−５）で表される化合物、及び下記式（１−６）で表される化合物であり、該２種のラジカル重合性化合物でポリマーマトリックスが形成された場合、ＮＲ１Ｒ２の、−Ａ２−Ａ３−Ａ２−は、２５と８であり、
−Ａ１−ＣＯ−ＣＢ１（ＣＨ２Ｚ）−ＣＨ２−ＣＢ１Ｚ−ＣＯ−Ａ１は、１０である。
【００７６】
【化１６】
2006045416.tif 000025
（１−６）
【００７７】
定義から明らかなように、隣接するＲ１、Ｒ２の二本の側鎖が側鎖間長の結合数に比べて小さくなるとαの値は増加し、逆に隣接するＲ１、Ｒ２二本の側鎖が側鎖間長の結合数に比べて大きくなるとαの値は減少する。同じく定義から明らかなように、αはポリマーマトリックスあるいはポリマーネットワーク中の任意の微小部分における側鎖長と側鎖間長の関係を示したものである。
ポリマー界面におけるアンカリング力はポリマー界面を形成するポリマー鎖の側鎖長と側鎖間長の関係と強い相関がある。すなわち、側鎖長に比べて側鎖間長が長くなると主鎖のアンカリング力が増大し、側鎖長に比べて側鎖間長が短くなると逆に主鎖のアンカリング力が減少する。さらに側鎖長に比べて側鎖間長が短くなるとその部分は側鎖のアンカリング力を有するようになり、その傾向がさらに顕著になるにつれ側鎖のアンカリング力が増大する。これは側鎖間すなわち主鎖の運動性は低く、側鎖の運動性は一般的にこれよりも著しく高いことに起因している。液晶分子は運動性の低い主鎖に対して水平に配向しやすい。従って液晶バルクからポリマー界面を見て、ポリマー主鎖が露出していればその部分に液晶分子が水平配向することになる。しかしながら、運動性の高い側鎖が存在するとその排除体積効果の及ぶ範囲では、液晶分子は主鎖に接近することができず主鎖に対して水平配向することができない。側鎖の排除体積効果の及ぶ範囲は側鎖長に比例しているため、側鎖長に比べて側鎖間長が長ければ長いほどすなわちαの値が正で大きいほどその部分は液晶分子に対する主鎖の水平アンカリング力が強いことになる。一方、側鎖長が隣接する側鎖間長よりも長くなるとその排除体積効果は側鎖間全体に及び、該側鎖間の主鎖の水平アンカリング力を完全に奪ってしまう。さらに側鎖長が側鎖間長よりも長くなると、次第に隣接する側鎖同士が空間的に干渉するようになり、その立体障害により両方の側鎖の運動性が損なわれる。この立体障害の程度が強まると側鎖はポリマー界面に対して垂直に立った運動性の低い状態に変化する。液晶分子はこの状態となった側鎖に対して平行に配向し、側鎖に対する水平アンカリングが強くなる。この配向は実質的には、ポリマー主鎖に対しては垂直配向することになる。すなわちαの値が負で大きいほど液晶分子と側鎖との水平アンカリングが強くなり、言い換えれば主鎖に対する垂直アンカリング力が強いことになる。
【００７８】
なお、αの定義においてＲ１、Ｒ２の各側鎖長の数値から−１しているのは、側鎖の付け根の結合は主鎖に対して垂直方向を向いていることから、排除体積効果によって主鎖を液晶分子から覆い隠すことに寄与しないため、この分を差し引いたものである。
【００７９】
一方、数式（１）は、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を少なくとも１種含むラジカル重合性組成物から導き出された複数のαの、最大値α（αmax）と最小値α（αmin）の差を表す。
Δαが大きければ大きいほど光学ヒステリシスの低減効果が高くなる。Δαが大きいほどαが正で大きいか、負で大きいかとなるため、主鎖に対する水平アンカリング力の強い部分（αが正で大きい場合）または、側鎖に対する水平アンカリング力の強い部分（αが負で大きい場合）を導入できることになるから、電圧降過程における液晶分子が垂直配向状態から水平配向状態に戻る反応を鋭くすることができるためである。
【００８０】
本発明の光散乱型液晶デバイスにおいては、主鎖に対して水平アンカリング力を有する部分のαは正の値、側鎖に対して水平アンカリング力を有する部分（主鎖に対して垂直アンカリング力を有する部分）のαは負の値を示す。ポリマーマトリックスあるいはポリマーネットワーク全体でこれらの主鎖に対して水平アンカリング力を有する部分と垂直アンカリング力を有する部分をどのような比率で存在させるかは光学ヒステリシスを低減させる上で重要である。両者のバランスが悪いと前記した光学ヒステリシス発生要因である電圧−光透過率曲線が電圧印加過程と電圧降下過程で異なった方向にシフトし、光学ヒステリシスが大きくなるからである。その指標が数式（３）である。
数式（３）において、Σ（αi×βi）は、一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を少なくとも１種含むラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物から導き出された複数のαiに対して、ラジカル重合性組成物に含まれるラジカル重合性化合物間の反応性がすべて同じと仮定した際に得られるαiの出現確率βiを乗じた、所謂期待値を、該重合体のすべてのαiに対して和した、理論値を表す。
出現確率βiは、以下の式（９）により導き出される。
【００８１】
【数９】
2006045416.tif 000026
（９）
【００８２】
式中、ｘiは、ポリマーマトリックスあるいはポリマーネットワーク全体の中に存在する全ての側鎖間のうち、αの値がαiである側鎖間の数の合計値を表す。またｙは、ポリマーマトリックスあるいはポリマーネットワーク全体の中にある全ての側鎖間数を表す。異なる構造を持つにも関わらずαの値が同一である側鎖間パターンが複数ある場合は、これらのβｉを個々に計算しても良いし、αの値が同一の側鎖間パターンをひとまとめにしてβｉを求めても良い。
【００８３】
以下具体例を挙げてΔα、Σ（αi×βi）の計算方法を説明する。例えばラジカル重合性化合物として下記式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物と下記式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物を混合させて使用し、その混合比率が、式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物が２０ｍｏｌ％、式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物が８０ｍｏｌ％であるラジカル重合性組成物を使用する場合を考える。説明上下記のように、式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物の主鎖骨格を側鎖Ｒが結合した炭素の箇所で区切り、Ａ部分〜Ｃ部分の３つの部分に分ける。同様に下記のように式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物の化合物の主鎖骨格を側鎖Ｒが結合した炭素の箇所で区切り、Ｄ部分〜Ｆ部分の３つの部分に分ける。
【００８４】
【化１７】
2006045416.tif 000027
（１−７）
【００８５】
【化１８】
2006045416.tif 000028
（１−８）
【００８６】
式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物と式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物を混合して重合させることにより、重合体中には以下ア）〜シ）の側鎖間パターンが生成しうる。
ア）Ａ部分とＡ部分が結合して生成する側鎖間
イ）Ａ部分とＣ部分が結合して生成する側鎖間
ウ）Ａ部分とＤ部分が結合して生成する側鎖間
エ）Ａ部分とＦ部分が結合して生成する側鎖間
オ）Ｃ部分とＣ部分が結合して生成する側鎖間
カ）Ｃ部分とＤ部分が結合して生成する側鎖間
キ）Ｃ部分とＦ部分が結合して生成する側鎖間
ク）Ｄ部分とＤ部分が結合して生成する側鎖間
ケ）Ｄ部分とＦ部分が結合して生成する側鎖間
コ）Ｆ部分とＦ部分が結合して生成する側鎖間
サ）Ｂ部分
シ）Ｅ部分
【００８７】
式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物のＡ部分とＣ部分は同一構造であり、式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物のＤ部分とＦ部分は同一構造であるから、上記ア）〜シ）は下記１）〜５）のようにまとめることができる。
１）ＡまたはＣ部分と、ＡまたはＣ部分が結合して生成する側鎖間、即ち、ア）、イ）、オ）
２）ＡまたはＣ部分と、ＤまたはＦ部分が結合して生成する側鎖間、即ちウ）、エ）、カ）、キ）
３）ＤまたはＦ部分と、ＤまたはＦ部分が結合して生成する側鎖間即ちク）、ケ）、コ）
４）Ｂ部分即ちサ）
５）Ｅ部分即ちシ）
上記１）〜５）の側鎖間パターンについてそれぞれαを計算すると表１のようになる。
【００８８】
【表１】
2006045416.tif 000029
【００８９】
このとき、αの最大値は側鎖間パターン４）の８である。αの最小値は側鎖間パターン３）と５）の−３である。従ってΔα＝８−（−３）＝１１となる。
【００９０】
各側鎖間パターンの出現確率βｉは次のようにして求める。
ラジカル重合性化合物全体に占める式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物のモル分率は０．２である。同様に式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物のモル分率は０．８である。式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物一個に含まれるＡ〜Ｃ部分の数はそれぞれ一個づつである。式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物一個に含まれるＤ〜Ｆ部分の数はそれぞれ一個づつである。従ってラジカル重合性化合物全体のモル数をγとするとその中に存在するＡ〜Ｆ部分のモル数は表２のようになる。
【００９１】
【表２】
2006045416.tif 000030
【００９２】
式（１−７）で表されるラジカル重合性化合物と式（１−８）で表されるラジカル重合性化合物の重合速度が同じであり、重合により生成する１）〜３）の側鎖間の数が重合体の末端の数よりも充分に多いとすると、表２から重合後に存在する上記１）〜５）の側鎖間パターンのモル数は下のように計算される。
１）０．４γ×０．４γ／（０．４γ＋１．６γ）＝０．０８γ
３）１．６γ×１．６γ／（０．４γ＋１．６γ）＝１．２８γ
２）上記１）と３）の結果を使って以下のように計算する。
（０．４γ＋１．６γ）−（０．０８γ＋１．２８γ）＝０．６４γ
４）０．２γ
５）０．８γ
計算結果を下記表３にまとめる。
【００９３】
【表３】
2006045416.tif 000031
【００９４】
前述したようにβｉは下記数式（９）から求める。
【００９５】
【数１０】
2006045416.tif 000032
（９）
【００９６】
（上式（９）中、ｘｉはαの値がαｉである側鎖間の数の合計値、ｙはポリマーマトリックスまたはポリマーネットワーク全体の中に含まれる全ての側鎖間の数の合計値。）
【００９７】
側鎖間パターン３）と５）はαが同じであるが、ここではそれぞれ分けてβｉを求める。（βｉの算出の際このようにαの値が同一であって構造が異なった側鎖間パターンが複数ある場合、それらのβｉを個々に計算しても良いし、αの値が同一である側鎖間パターンをひとまとめにして計算しても良い。）すると側鎖間パターン１）〜５）のｘｉはそれぞれ表３の計算結果の通りとなる。ｙはこれらの合計値であるから
ｙ＝０．０８γ＋０．６４γ＋１．２８γ＋０．２γ＋０．８γ＝３γ
となる。表３に示したｘｉと上記ｙの計算結果を数式（９）に代入することによって、側鎖間パターン１）〜５）のβｉは表４のように計算される。
【００９８】
【表４】
2006045416.tif 000033
【００９９】
側鎖間パターン１）〜５）のαｉは表１に示したαの値のとおりである。これと表４のβｉ計算結果から各側鎖間パターンの（αｉ×βｉ）を計算すると表５のようになる。
【０１００】
【表５】
2006045416.tif 000034
【０１０１】
Σ（αｉ×βｉ）は、表５の側鎖間パターン１）〜５）の（αｉ×βｉ）を全て合計することによって計算される。この場合は下記のようになる。
Σ（αｉ×βｉ）＝０．０８１＋０−１．２８１＋０．５３６−０．８０１
＝−１．４６５
【０１０２】
このようにして得られたΣ（αi×βi）が数式（３）を満たす、即ち、−３．１６以上、２．００以下となるように光散乱型液晶デバイスを製造すれば、光学ヒステリシスを小さくすることができる。言い換えると、前記数式（２）及び（３）は、光学ヒステレシスを低減する方法の指標とすることができ、前記数式（２）及び（３）を同時に満たすように前記ラジカル重合性組成物を調整する方法は、光学ヒステリシスの小さい光散乱型液晶デバイスを得る方法として有用である。
具体的には、Δαが５以上であって、（α×β）合計が−３．１６以上、２．００以下になるようにすれば、ＨＳ５０／ｄを２０（ｍＶ／μｍ）以下にすることができる。
さらに、上記条件で、Δαを１２以上とすると、ＨＳ５０／ｄを１０（ｍＶ／μｍ）以下にすることができる。
Σ（αi×βi）は、中でも、−１．７９以上、２．００以下の範囲とすることが好ましく、より光学ヒステリシスを低減することができる。
【０１０３】
本発明においては、Δαの値は大きければ大きいほど光学ヒステリシス低減効果が高くなるため好ましい。しかしながら側鎖長が骨格を形成する結合数（先端の水素原子は含まない）にして２０以上になると低温環境において光散乱型液晶デバイスの駆動電圧が上昇しやすくなる。従って、この低温駆動電圧の観点から側鎖長は１９以下とすることが好ましく、１７以下とすることが最も好ましい。それに伴って実際上選択できるαの値には好ましい下限がある。また、側鎖間長を長くすることは架橋点間長を長くすることにもなっている。架橋点間長が長くなりすぎると重合速度が極端に低下し、最悪の場合相分離しなくなるため、あまり長くしすぎることはできない。このような観点から側鎖間長は３５以下とすることが好ましい。このため実際上選択できるαの値には好ましい上限がある。
【０１０４】
本発明において、前記数式（１）〜（３）を満たすことで、何故光学ヒステレシスが低減できるかを推定した。
上記上記数式（１）〜（３）を満たすことは、主鎖に対するアンカリング又は側鎖に対するアンカリングが大きい部分があるが、全体としての平均アンカリングは大きくないようにすることである。即ち、ポリマー界面の中でアンカリング力の分布を不均一にすることである。このような構成とする理由の一つとして、ポリマー界面全体でアンカリング力の分布が均一である場合、前述した光学ヒステリシス発生要因である電圧印加過程での電圧−光透過率曲線のシフトと電圧降下過程での電圧−光透過率曲線のシフトを最適化できないことが挙げられる。すなわち光学ヒステリシス発生要因である電圧印加過程と電圧降下過程での電圧−光透過率曲線のシフトを最適に制御するためには電圧印加過程ではポリマーの主鎖または側鎖に対する水平アンカリング力が一定の水準より弱く、電圧降下過程には上記水平アンカリング力が一定の水準より強いという相反する条件を満たさなければならない。
【０１０５】
本発明による光散乱型液晶デバイスは、ポリマー界面の中の限られた主鎖または側鎖の部分が強い水平アンカリング力を持つ。この限られた部分では、電圧印加により大半の液晶分子が主鎖または側鎖に対して垂直に立ち上がった後も、ポリマー界面近傍の液晶分子の水平配向性が維持される。このため電圧降下時にこの水平配向した液晶分子が他の大半の液晶分子をポリマー界面に対して水平に戻すトリガーとして働き、印加電圧−光透過率曲線が低電圧側にシフトすることを防ぐことにより、光学ヒステリシスの発生が抑制される。この強い水平アンカリング力を持つ部分の、ポリマー界面全体における存在比率は高くないため、この部分の水平アンカリング力が他の大半の液晶分子が昇電圧時に立ち上がることを妨げようとする束縛力として働くことは少ない。加えて、ポリマー界面の中には主鎖と側鎖（主鎖に対して垂直）に対するアンカリング力を持つ部分が混在するため、前記水平アンカリング力を持つ部分に接する液晶分子が電圧印加時に他の大半の液晶分子の立ち上がりを妨げようとする力は一層減じられる。このようにして本発明による光散乱型液晶デバイスでは前記光学ヒステリシスの電圧印加過程および電圧降下過程における電圧−光透過率曲線のシフトを最適に制御することができると考えられる。
【０１０６】
本発明においては、調光層形成材料に使用するラジカル重合性組成物を、前記一般式（１）で表されるラジカル重合性化合物を少なくとも１種含み、かつ、前記数式（１）〜（３）を満たすように、組成物を構成するラジカル重合性化合物を選択して得る。従って、この範囲であれば、若干の公知慣用のラジカル重合性化合物を共重合させることは問題ない。
ラジカル重合性化合物としては、例えば、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、イソミリスチル（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、ウレタンアクリレート、ポリテトラエチレングリコールジマレイミド等や、１，１１−ジアクリロイルオキシ−２，１０−ジドデカノイルオキシ−６，６−ジメチル−４，８−ジオキサウンデカン、１，１４−ジアクリロイルオキシ−２，１０−ジドデカノイルオキシ−４，１１−ジオキサテトラデカン、１，１４−ジアクリロイルオキシ−２，１０−ジテトラデカノイルオキシ−４，１１−ジオキサテトラデカン、１，１４−ジアクリロイルオキシ−２，１０−ジヘキサノイルオキシ−４，１１−ジオキサテトラデカン、２，１３−ジアクリロイルオキシ−１，１４−［ジ（２−ｎ−ヘプチルウンデカノイルオキシ）］−４，１１−ジオキサテトラデカン、２，１３−ジアクリロイルオキシエチル−１，１４−ジエチル−１，１４−ウンデカノイルオキシ−４，１１−ジオキサテトラデカン、２，１３−ジアクリロイルオキシエチル−１，１４−ジメチル−１，１４−ドデカノイルオキシ−４，１１−ジオキサテトラデカン、１３,２２−ジアクリロイルオキシエチル−１３，２２−ジエチル−１５−オキシカルボニル―２０−カルボニルオキシ−１１，２４−ジオキサテトラトリアコンタン、等が挙げられる。これらのラジカル重合性化合物の配合率としては、一般式（１）のラジカル重合性化合物の合計量に対して、３０％以下とすることが好ましく、２０％以下とすることが最も好ましい。
【０１０７】
また、重合させる際には、重合開始剤を使用するのが好ましい。重合開始剤としては、ラジカル重合開始剤やイオン重合触媒を使用できる。ラジカル重合開始剤としては、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチルケタール、２−イソプロピルチオキサントン等のラジカル光重合開始剤や、ベンゾイルパーオキサイド、２，２’−アゾビスイソブチロニトリル等のラジカル熱重合開始剤が挙げられる。またイオン重合触媒としては、三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム等のルイス酸、燐酸等のプロトン酸等のカチオン重合触媒、アルキルリチウム、グリニャール試薬等のアニオン重合触媒等が挙げられる。これらの重合開始剤の添加率はラジカル重合性化合物の全量に対し０．０１〜１０％が好ましく、１〜５％がより好ましい。
【０１０８】
その他、必要に応じて酸化防止剤、紫外線吸収剤、非反応性のオリゴマーや無機充填剤、有機充填剤、重合禁止剤、消泡剤、レベリング剤、可塑剤、シランカップリング剤等を適宜、添加しても良い。
【０１０９】
本発明で使用する液晶組成物は、液晶化合物としては通常この技術分野で液晶相と認識される相を示す化合物および組成物であり、中でも、液晶相としてネマチック液晶、コレステリック液晶、カイラルネマチック液晶を発現するものが好ましい。そのような液晶相を示すものとしては、例えば、安息香酸エステル系、シクロヘキサンカルボン酸エステル系、ビフェニル系、ターフェニル系、フェニルシクロヘキサン酸系、ピリミジン系、ピリジン系、ジオキサン系、シクロヘキサンシクロヘキサンエステル系、トラン系、アルケニル系、フルオロ系、シアノ系、ナフタレン系等の液晶化合物からなる組成物や、該液晶化合物を含有する組成物が挙げられる。
【０１１０】
中でも、下記に示した一般式（I−a）および（Ｉ−ｂ）の液晶化合物を用いることにより、アクティブ素子にて駆動可能な高分子分散型液晶デバイスを得ることができる。
一般式（I-a）及び一般式（I-b）
【０１１１】
【化１９】
2006045416.tif 000035
【０１１２】
（式中、Ｒ1１及びＲ１2はそれぞれ独立して、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のＣＨ2基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、Ａ１1及びＡ１2はそれぞれ独立して、１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができ、Ｘ１1及びＸ１7はそれぞれ独立して、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基を表し、Ｘ１2からＸ１6及びＸ１8からＸ２2はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表し、Ｚ１1及びＺ１3はそれぞれ独立して、単結合又は−ＣＨ2−ＣＨ2−を表し、Ｚ１2及びＺ１4はそれぞれ独立して、単結合、−ＣＨ2−ＣＨ2−又は−ＣＦ2Ｏ−を表し、ｎ１1及びｎ１2は０又は１を表す。）
更に一般式（Ｉ-ｃ）とを併用することもできる。
【０１１３】
【化２０】
2006045416.tif 000036
【０１１４】
（式中、Ｒ21は炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基を表し、該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のＣＨ2基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよく、Ａ21は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができ、Ｚ21は単結合又は−ＣＨ2−ＣＨ2−を表し、Ｘ51は、炭素原子数１から２０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のＣＨ2基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基又は一般式（Ｉ−ｄ）を表し、
【０１１５】
【化２１】
2006045416.tif 000037
【０１１６】
（式中、Ａ22は１，４−フェニレン基又は１，４−シクロヘキシレン基を表し、該１，４−フェニレン基は非置換であるか又は置換基として１個又は２個以上のフッ素原子、塩素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を有することができ、Ｘ60は、炭素原子数１から１０のアルキル基又は炭素原子数２から１０のアルケニル基（該アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個又は２個以上のＣＨ2基は、酸素原子が相互に直接結合しないものとして、酸素原子で置換されていてもよい。）、フッ素原子、塩素原子、イソシアネート基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、又はジフルオロメトキシ基基を表す。）
Ｘ52からＸ57はそれぞれ独立して、水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、メチル基、メトキシ基又はエチル基を表し、
ｎ10は０又は１を表す。）で表される化合物群から選ばれる化合物を少なくとも一種類含有することが望ましい。
【０１１７】
本発明の光散乱型液晶デバイスは、例えば、透明電極層を有し少なくとも片方が透明であり、該透明電極層を対向させた状態でスペーサー等を使用して一定間隔を保った２枚の基板間に、ラジカル重合性化合物と、液晶組成物との混合物を挟持させ、相分離させることで得られる。
前記液晶組成物とラジカル重合性組成物との配合比は、所望の電気光学特性に応じて調整することができ、５９：４１〜８９：１１の範囲が好ましく、６３：３６〜７５：２５の範囲がより好ましい。
ラジカル重合開始剤としては、熱重合開始剤、光重合開始剤を用いることができるが、光重合開始剤が好ましい。具体的には以下の化合物が好ましい。
ジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、１−（４−イソプロピルフェニル）−２−ヒドロキシ−２−メチルプロパン−１−オン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル−（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、１−ヒドロキシシクロヘキシル−フェニルケトン、２−メチル−２−モルホリノ（４−チオメチルフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン等のアセトフェノン系；
ベンゾイン、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾイン系；２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィンオキサイド系；ベンジル、メチルフェニルグリオキシエステル系；
ベンゾフェノン、ο−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、ヒドロキシベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチル−ジフェニルサルファイド、アクリル化ベンゾフェノン、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系；
２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン等のチオキサントン系；
ミヒラーケトン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン等のアミノベンゾフェノン系；
１０−ブチル−２−クロロアクリドン、２−エチルアンスラキノン、９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン等が好ましい。
この中でも、ベンジルジメチルケタールが最も好ましい。
【０１１８】
透明電極層を有する透明基板は、例えば、ガラス板等の透明基板上にインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）をスパッタリングすることにより得ることができる。また、低波長分散の透明性基板を用いることにより本発明のデバイスの光散乱能が高まり反射率やコントラストが向上してより好ましい。低波長分散の透明性基板としては、ホウケイ酸硝子や、ポリエチレンテレフタレートまたはポリカーボネート等のプラスチック透明フィルム、１／４λの光干渉条件を使用した誘電体多層膜をコートした透明性基板が挙げられる。
【０１１９】
また、該基板上には、必要に応じて、高分子膜や、配向膜やカラーフィルターを配置することもできる。配向膜としては、例えば、ポリイミド配向膜、光配向膜等が使用できる。配向膜の形成方法としては、例えばポリイミド配向膜の場合、ポリイミド樹脂組成物を該透明基板上に塗布し、１８０℃以上の温度で熱硬化させ、更に綿布やレーヨン布でラビング処理することで得ることができる。また、ラビング処理を施していないポリイミド膜等の高分子膜も用いることもできる。更に、片側の基板にはシリコン等の不透明な材料でも良い。
【０１２０】
カラーフィルターは、例えば、顔料分散法、印刷法、電着法、又は、染色法等によって作成することができる。顔料分散法によるカラーフィルターの作成方法を一例に説明すると、カラーフィルター用の硬化性着色組成物を、該透明基板上に塗布し、パターニング処理を施し、そして加熱又は光照射により硬化させる。この工程を、赤、緑、青の３色についてそれぞれ行うことで、カラーフィルター用の画素部を作成することができる。その他、該基板上に、ＴＦＴ、薄膜ダイオード、金属絶縁体金属比抵抗素子等の能動素子を設けた画素電極を設置してもよい。
【０１２１】
前記基板を、透明電極層が内側となるように対向させる。その際、スペーサーを介して、基板の間隔を調整してもよい。このときは、得られる調光層の厚さが１〜１００μｍ、中でも２〜５０μｍとなるように、該基板の間隔を調整することが好ましい。スペーサーとしては、例えば、ガラス粒子、プラスチック粒子、アルミナ粒子、フォトレジスト材料等が挙げられる。その後、エポキシ系熱硬化性組成物等のシール剤を、液晶注入口を設けた形で該基板にスクリーン印刷し、該基板同士を貼り合わせ、加熱しシール剤を熱硬化させる。
【０１２２】
得られた液晶セルに前記調光層形成材料を封入し、調光層形成材料中の液晶組成物を等方性液体状態に保持した状態で光照射又は加熱、冷却することで、本発明の光散乱型液晶デバイスを作成することができる。作製方法としては、特に限定はなく、紫外線、可視光線、高周波等のエネルギー線を利用することができる。中でも紫外線を用いたラジカル重合性化合物の重合を利用する方法は、調光層形成材料を等方性液体状態に保持した状態で瞬間的にラジカル重合性化合物の重合を進行させるので、調光層内の平均空隙間隔を均一な大きさにでき、且つ３次元ネットワーク状のポリマーマトリックスを得ることができるので、より好ましい。すなわち、該ポリマーマトリックスが３次元ネットワーク状となることで、得られる液晶デバイスの電気光学特性がより向上する。
【０１２３】
また、本発明の液晶デバイスの裏面側に光吸収層や、拡散反射板等を配置することもでき、反射率とコントラストの高い反射型光散乱型液晶デバイスが得られる。また、シアン・マゼンタ・イエロー等の光吸収波長の異なる光吸収層を各色別に分割した画素電極の位置に一致するように配置すると、カラー表示が可能である。鏡面反射、拡散反射、再帰性反射、ホログラム反射等の機能を付加することもできる。
【実施例】
【０１２４】
以下、合成例及び実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。
【０１２５】
（合成例）
（中間体１）
撹拌装置、及び温度計を備えた反応容器に、１−ブロモドデカン３０ｇ（０．１２モル）、テトラブチルアンモニウムブロミド１．９ｇ、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン（東亜合成社製：ＯＸＴ−１０１）２８ｇ（０．２４モル）、およびジメチルスルオキシド２００ｍｌを加え、５０％水酸化カリウム水溶液２６．５ｇをゆっくり滴下した。滴下終了後は、室温で４時間撹拌して反応を終了した。反応液に酢酸エチルを１Ｌ加えた後に５％炭酸ナトリウム、純水、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、シリカゲルカラムにより精製を行い式（１）で表される中間体１を２４ｇ得た。
【０１２６】
【化２２】
2006045416.tif 000038
（１）
【０１２７】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：４．４５−４．４０（ｄｄ，４Ｈ），３．５６（ｓ，２Ｈ），３．４５（ｔ、２Ｈ），１．７５（ｍ，２Ｈ），１．５９（ｍ，２Ｈ），１．２６（ｍ，１８Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：７８．６，７３．４，７１．６，４４．３，４３．４，３１．９，２９．５，２９．４，２９．３，２６．７，２６．１，２２．７，１４．０，８．２
【０１２８】
（中間体２）
撹拌装置、及び温度計を備えた反応容器に、１−ブロモウンデカン４０ｇ（０．１７モル）、テトラブチルアンモニウムブロミド２．７ｇ、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン（東亜合成社製：ＯＸＴ−１０１）３０ｇ（０．２５モル）、およびジメチルスルオキシド２００ｍｌを加え、５０％水酸化カリウム水溶液２３．５ｇをゆっくり滴下した。滴下終了後は、室温で４時間撹拌して反応を終了した。反応液に酢酸エチルを１Ｌ加えた後に５％炭酸ナトリウム、純水、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、シリカゲルカラムにより精製を行い式（２）で表される中間体２を３０ｇ得た。
【０１２９】
【化２３】
2006045416.tif 000039
（２）
【０１３０】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：４．４５−４．４０（ｄｄ，４Ｈ），３．５６（ｓ，２Ｈ），３．４５（ｔ、２Ｈ），１．７５（ｍ，２Ｈ），１．５９（ｍ，２Ｈ），１．２６（ｍ，１６Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：７８．６，７３．４，７１．６，４４．３，４３．４，３１．９，２９．５，２９．４，２９．３，２６．７，２６．１，２２．７，１４．０，８．２
【０１３１】
（中間体３）
撹拌装置、及び温度計を備えた反応容器に、１−ブロモヘキサン２０ｇ（０．１２モル）、テトラブチルアンモニウムブロミド１．９ｇ、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン（東亜合成社製：ＯＸＴ−１０１）２８ｇ（０．２４モル）、およびジメチルスルオキシド２００ｍｌを加え、５０％水酸化カリウム水溶液２６．５ｇをゆっくり滴下した。滴下終了後は、室温で４時間撹拌して反応を終了した。反応液に酢酸エチルを１Ｌ加えた後に５％炭酸ナトリウム、純水、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、シリカゲルカラムにより精製を行い式（３）で表される中間体３を１４ｇ得た。
【０１３２】
【化２４】
2006045416.tif 000040
（３）
【０１３３】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：４．４５−４．４０（ｄｄ，４Ｈ），３．５６（ｓ，２Ｈ），３．４５（ｔ、２Ｈ），１．７５（ｍ，２Ｈ），１．５９（ｍ，２Ｈ），１．２６（ｍ，６Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：７８．６，７３．４，７１．６，４４．３，４３．４，３１．９，２９．５，２９．３，２６．１，２２．７，１４．０，８．２
【０１３４】
（中間体４）
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、１，６−ヘキサンジオール２３．６ｇ（０．２モル）、トリエチルアミン４４．５ｇ（０．４４モル）、テトラメチルエチレンジアミン（０．０４モル）４．６ｇおよびトルエン５００ｍｌを入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。ｐ−トルエンスルホニウムクロリド８０ｇ（０．４２モル）を５回に分けて１時間添加した。添加終了後、室温で反応容器を３時間撹拌した後反応を終了した。生成する塩酸塩を濾過した後、反応液を１／１０Ｎの塩酸溶液、純水、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、１，６−ヘキサンジオールジトシレートの白色固体を８３．６ｇ得た。
次いで、撹拌装置、及び温度計を備えた反応容器に、１，６−ヘキサンジオールジトシレート５０ｇ（０．１２モル）、テトラブチルアンモニウムブロミド４ｇ、３−エチル−３−ヒドロキシメチルオキセタン（東亜合成社製：ＯＸＴ−１０１）４１ｇ（０．３５モル）、およびジメチルスルオキシド１５０ｍｌを加え、５０℃で溶解させた後に、粒状の水酸化ナトリウム  １８．７ｇ（０．４７モル）を５回に分けて１時間かけて添加した。添加終了後に反応容器を８０℃に加熱して３時間撹拌して反応を終了した。反応液に酢酸エチルを１Ｌ加えた後に５％炭酸ナトリウム、純水、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、式（４）で表される中間体４を３０ｇ得た。
【０１３５】
【化２５】
2006045416.tif 000041
（４）
【０１３６】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：４．４５−４．４０（ｄｄ，８Ｈ），３．５６（ｓ，４Ｈ），３．４５（ｔ、４Ｈ），１．７０（ｍ，４Ｈ），１．６０（ｍ，４Ｈ），１．３８（ｍ，４Ｈ），０．８８（ｔ，６Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：７３．４，７１．５，４４．３，４３．４，３２．７，２９．５，２６．８，２６．２，２６．０，２５．５，８．２
【０１３７】
（合成例１）
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、長鎖二塩基酸であるＩＰＳ−２２（岡村製油社製）５ｇ、テトラヒドロフラン２０ｍｌ、ジメチルホルムアミド２滴を仕込み、室温で撹拌した。次いでオキザリルクロリド１．８ｇ（０．０１４モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で４時間撹拌しながら発生する塩化水素を除去する。その後、反応容器を減圧し、テトラヒドロフラン、塩化水素を除去して、長鎖二塩基酸塩化物（ＩＰＳ−２２Ｃｌ）７．８ｇを得た。
更に撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、前記の中間体１を６ｇ（０．０２１モル）、ヨウ化ナトリウム３．５ｇ（０．０２３モル）、およびアセトニトリルを５０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで上記で合成したＩＰＳ−２２Ｃｌ  ４．５ｇをゆっくり滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌した後に、更に室温で３時間撹拌して反応を終了した。反応容器に少量の水を加えた後にヘキサン／酢酸エチル＝１／１溶液を１００ｍｌ加え、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液  ２００ｍｌでヨウ素を分解した。更に純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に、有機溶媒を減圧留去して中間体Ｍ−１を１０ｇ合成した。
【０１３８】
次いで、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、上記の方法で合成した中間体Ｍ−１  ４ｇ（０．００３モル）、アクリル酸１ｇ（０．０１３モル）、ｐ−メトキシフェノール６ｍｇ、およびジメチルスルオキシド４０ｍｌを入れ、室温で撹拌しながら１，８―ジアザビシクロ［５，４，０］７−ウンデセン（以下ＤＢＵと略す）を２．１ｇ（０．０１３モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、反応容器を９０℃に加熱し、１２時間撹拌して反応を終了した。反応容器にヘキサン／酢酸エチル＝１／１  １００ｍｌ加え、１／１０Ｎの塩酸溶液、５％水酸化ナトリウム溶液、純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、ラジカル重合性化合物「Ｍ１」を３ｇ得た。
【０１３９】
【化２６】
2006045416.tif 000042
（Ｍ１）
【０１４０】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４３（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．２１（ｓ，４Ｈ）４．０７（ｓ，４Ｈ），３．３７（ｔ，４Ｈ），３．３２（ｓ，４Ｈ），２．３２（ｔ，４Ｈ），１．７５−１．３８（ｍ，８Ｈ），１．２５（ｍ，６６Ｈ），０．８７（ｔ，１８Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．６，１６５．９，１３０．６，１２８．３，７１．６，７０．４，６４．７，６４．４，４１．５，３４．３，３２．７３１．９，２９．６−２９．２，２６．９，２６．１，２５．０，２３．０，２２．６，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１４１】
（合成例２）
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、前記の中間体１を６．７ｇ（０．０２４モル）、ヨウ化ナトリウム３．９ｇ（０．０２６モル）、およびアセトニトリルを５０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、ジメチルマロン酸クロリド  ２ｇ（０．０１２モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌した後に、更に室温で３時間撹拌して反応を終了した。反応容器に少量の水を加えた後にヘキサン／酢酸エチル＝１／１溶液を１００ｍｌ加え、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液  ２００ｍｌでヨウ素を分解した。更に純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に、有機溶媒を減圧留去して中間体Ｍ−２を７ｇ合成した。
【０１４２】
次いで、撹拌装置、温度計を備えた反応容器に、上記の方法で合成した中間体Ｍ−２  ７ｇ（０．００８モル）、アクリル酸２．２ｇ（０．０３０モル）、ｐ−メトキシフェノール  １４ｍｇ、およびジメチルスルオキシド１００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを４．６ｇ（０．０３０モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、反応容器を９０℃に加熱し、１２時間撹拌して反応を終了した。反応容器にヘキサン／酢酸エチル＝１／１  １００ｍｌ加え、１／１０Ｎの塩酸溶液、５％水酸化ナトリウム溶液、純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、ラジカル重合性化合物「Ｍ２」を５ｇ得た。
【０１４３】
【化２７】
2006045416.tif 000043
（Ｍ２）
【０１４４】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４２（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．０８（ｓ，８Ｈ），３．３５（ｔ，４Ｈ），３．２７（ｓ，４Ｈ），１．６３−１．３８（ｍ，１４Ｈ），１．２５（ｍ，３６Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７２．２，１６５．８，１３０．７，１２８．２，７１．６，７０．４，６５．４，６４．７，６４．６，５０．２，４１．７，３１．９，２９．５−２９．３，２６．１，２３．１，２２．７，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１４５】
（合成例３）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体３を６．５ｇ（０．０３２モル）、ヨウ化ナトリウム５．３ｇ（０．０３６モル）、およびアセトニトリルを５０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、セバシン酸クロリド  ４ｇ（０．０１７モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌した後に、更に室温で３時間撹拌して反応を終了した。反応容器に少量の水を加えた後にヘキサン／酢酸エチル＝１／１溶液を１００ｍｌ加え、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液  ２００ｍｌでヨウ素を分解した。更に純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に、有機溶媒を減圧留去して中間体Ｍ−３を１０ｇ合成した。
【０１４６】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−３  １０ｇ（０．０１２モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  ３．５ｇ（０．０４８モル）、ｐ−メトキシフェノール  １４ｍｇ、およびジメチルスルオキシド１００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを７．４ｇ（０．０４８モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、反応容器を９０℃に加熱し、１２時間撹拌して反応を終了した。反応容器にヘキサン／酢酸エチル＝１／１  １００ｍｌ加え、１／１０Ｎの塩酸溶液、５％水酸化ナトリウム溶液、純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、ラジカル重合性化合物「Ｍ３」を６ｇ得た。
【０１４７】
【化２８】
2006045416.tif 000044
（Ｍ３）
【０１４８】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４１（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１０（ｓ，４Ｈ）３．９９（ｓ，４Ｈ），３．３５（ｔ，４Ｈ），３．２９（ｓ，４Ｈ），２．２９（ｔ，４Ｈ），１．６−１．４６（ｍ，１２Ｈ），１．２５（ｓ，２０Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．６，１６５．９，１３０．７，１２８．４，７１．７，７０．４，６４．７，６４．４，４１．５，３４．３，３１．６，２９．５−２９．１，２５．８，２４．９，２３．１，２２．６，１４．０，７．５
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１４９】
（合成例４）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体１を１２ｇ（０．０４２モル）、ヨウ化ナトリウム６．９ｇ（０．０４６モル）、およびアセトニトリルを７０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、グルタル酸クロリド  ３．７ｇ（０．０２２モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、中間体Ｍ−４を１７ｇ合成した。
【０１５０】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−４  １６ｇ（０．０１７モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  ５．０ｇ（０．０７０モル）、ｐ−メトキシフェノール  ３０ｍｇ、およびジメチルスルオキシド２００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを１０．５ｇ（０．０７０モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、シリカゲルクロマトグラフィー精製により、ラジカル重合性化合物「Ｍ４」を７．４ｇ得た。
【０１５１】
【化２９】
2006045416.tif 000045
（Ｍ４）
【０１５２】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４１（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１０（ｓ，４Ｈ）４．００（ｓ，４Ｈ），３．３４（ｔ，４Ｈ），３．２８（ｓ，４Ｈ），２．３７（ｔ，４Ｈ），１．９２（ｍ，２Ｈ），１．６３（ｍ，８Ｈ），１．２５（ｓ，３６Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７２．６，１６５．９，１３０．７，１２８．３，７１．７，７０．４，６４．７，６４．４，４１．５，３３．２，３１．９，２９．６−２９．３，２６．１，２３．０，２２．６，１４．０，７．５
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１５３】
（合成例５）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体１を１０ｇ（０．０３５モル）、ヨウ化ナトリウム５．８ｇ（０．０３９モル）、およびアセトニトリルを７０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、コハク酸クロリド  ２．９ｇ（０．０１８モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、中間体Ｍ−５を１４ｇ合成した。
【０１５４】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−５  １４ｇ（０．０１５モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  ４．４ｇ（０．０６１モル）、ｐ−メトキシフェノール  ２５ｍｇ、およびジメチルスルオキシド２００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを９．３ｇ（０．０６１モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、シリカゲルクロマトグラフィー精製により、ラジカル重合性化合物「Ｍ５」を５．０ｇ得た。
【０１５５】
【化３０】
2006045416.tif 000046
（Ｍ５）
【０１５６】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４２（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１０（ｓ，４Ｈ）４．０２（ｓ，４Ｈ），３．３４（ｔ，４Ｈ），３．２９（ｓ，４Ｈ），２．３７（ｓ，４Ｈ），１．６４−１．３８（ｍ，８Ｈ），１．２５（ｍ，３６Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７１．９，１６５．９，１３０．７，１２８．３，７１．７，７０．４，６４．９，６４．６，４１．５，３１．９，２９．６−２９．０，２６．１，２３．０，２２．６，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１５７】
（合成例６）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体３を１０ｇ（０．０５０モル）、ヨウ化ナトリウム８．２ｇ（０．０５５モル）、およびアセトニトリルを７０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、スベリル酸クロリド  ５．５ｇ（０．０２６モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、中間体Ｍ−６を１７ｇ合成した。
【０１５８】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−６  １７ｇ（０．０２１モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  ６．２ｇ（０．０８５モル）、ｐ−メトキシフェノール  ３６ｍｇ、およびジメチルスルオキシド２５０ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを１３．０ｇ（０．０８５モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、シリカゲルクロマトグラフィー精製により、ラジカル重合性化合物「Ｍ６」を６．５ｇ得た。
【０１５９】
【化３１】
2006045416.tif 000047
（Ｍ６）
【０１６０】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４１（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１４（ｓ，４Ｈ）４．０７（ｓ，４Ｈ），３．３５（ｔ，４Ｈ），３．２９（ｓ，４Ｈ），２．２９（ｔ，４Ｈ），１．６３−１．４３（ｍ，１２Ｈ），１．２５（ｍ，１６Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．４，１６５．９，１３０．７，１２８．３，７１．６，７０．４，６４．７，６４．４，４１．５，３４．３，３１．９，２９．６−２９．１，２５．７，２４．７，２３．１，２２．６，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１６１】
（合成例７）
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル「エポライト１６００」（共栄社製）６０ｇ（０．２６モル）、アクリル酸４１ｇ（０．５７モル）、ｐ−メトキシフェノール２００ｍｇ、及び触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン０．５ｇを入れ、８０℃で撹拌した。次いで反応液を１００℃に昇温し、５時間撹拌した後反応を終了した。次いでトルエン５００ｍｌ加え、５％水酸化ナトリウム溶液３００ｍｌ、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して淡褐色透明液状の中間体Ｍ−７を８０ｇ得た。
【０１６２】
次に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、ｎ−ヘキサン酸２６．７ｇ（０．２３ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、「ドータイトＷＳＣ」４３ｇ（０．２３ｍｏｌ）及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン２．７ｇを加え、５℃に保ちながら、上記中間体Ｍ−７  ４０ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製し、ラジカル重合性化合物「Ｍ７」を４５．２ｇ得た。
【０１６３】
【化３２】
2006045416.tif 000048
Ｍ７  
【０１６４】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５(ｄ，２Ｈ),６．１７（ｑ，２Ｈ），５．８７（ｄ，２Ｈ），５．２８（ｍ，２Ｈ），４．４１（ｍ，２Ｈ），４．３７（ｍ，２Ｈ），３．６（ｍ，４Ｈ），３．４（ｍ，４Ｈ），２．３２（ｔ，４Ｈ），１．７３−１．５５（ｍ，８Ｈ），１．２１（ｓ，１２Ｈ）,０．８８（ｔ，６Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．０，１６５．６，１３１．１，１２８．０，７１．５，７０．５，６９．９，６８．９，６３．０，６２．６，３４．４，３４．０，３１．８，２９．６―２９．０，２４．９，２２．６，１４．０,
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃｍ−１：２９３０，２８６１，１７４４，
１６５２−１６２２，１１７６，８０７
【０１６５】
（合成例８）
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル「ＥＸ−２１１」（ナガセケミテックス社製）１００ｇ（０．４６モル）、アクリル酸９０ｇ（１．２モル）、ｐ−メトキシフェノール２００ｍｇ、及び触媒としてＮ，Ｎ−ジメチルベンジルアミン１ｇを入れ、８０℃で撹拌した。次いで反応液を１００℃に昇温して、温度を保ちながら５時間撹拌した後反応を終了した。
次にトルエン３００ｍｌを加え、５％水酸化ナトリウム溶液３００ｍｌ、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、有機溶媒を減圧留去して、中間体Ｍ−８を１７０ｇを得た。
【０１６６】
次に、撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、ラウリン酸５５ｇ（０．２７モル）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、同仁化学社製の１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩「ドータイトＷＳＣ」５３ｇ（０．２７モル）、及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン３．３ｇを入れ、５℃に保ちながら、上記中間体Ｍ−８  ５０ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製してラジカル重合性化合物「Ｍ８」を６０ｇ得た。
【０１６７】
【化３３】
2006045416.tif 000049
【０１６８】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５(ｄ，２Ｈ),６．１７（ｑ，２Ｈ），５．８７（ｄ，２Ｈ），５．２８（ｍ，２Ｈ），４．４１（ｍ，２Ｈ），４．３７（ｍ，２Ｈ），３．６（ｍ，４Ｈ），３．２（ｍ，４Ｈ），２．３４（ｔ，４Ｈ），１．６（ｍ，４Ｈ），１．２５（ｓ，１６Ｈ）,０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．０，１６５．６，１３１．１，１２８．０，６９．９，６９．５，６３．１，３６．４，３４．３，３１．８，２９．５―２９．０，２４．９，２２．６，２１．８，１４．０,
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃｍ−１：２９３０，２８６１，１７４４，
１６５２−１６２２，１１７６，８０７
【０１６９】
（合成例９）
撹拌装置、窒素導入管、冷却管及び温度計を備えた反応容器に、塩化メチレン３００ｍｌ、ラウリン酸２８ｇ（０．１４ｍｏｌ）、ｐ−メトキシフェノール２０ｍｇ、「ドータイトＷＳＣ」２７ｇ（０．１４ｍｏｌ）及び触媒として４−ジメチルアミノピリジン１．７ｇを加え、５℃に保ちながら、岡村製油社製の長鎖二塩基酸のエポキシアクリレート「ＩＰＳ−２２ＧＡ」４３．８ｇを溶解させた塩化メチレン溶液５０ｍｌ溶液を１時間かけてゆっくり滴下した。滴下終了後、室温で１０時間撹拌した後反応を終了した。１／１０Ｎの塩酸溶液、飽和食塩水の順で洗浄し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥させた。有機層の溶媒を減圧留去した後、濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィーにより精製してラジカル重合性化合物「Ｍ９」を３３ｇ得た。
【０１７０】
【化３４】
2006045416.tif 000050
Ｍ９
【０１７１】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４５(ｄ，２Ｈ),６．１７（ｑ，２Ｈ），５．６７（ｄ，２Ｈ），５．３０（ｍ，２Ｈ），４．３３（ｍ，２Ｈ），４．２５（ｍ，２Ｈ），４．２１（ｍ，４Ｈ），２．３４（ｍ，４Ｈ），２．３２（ｔ，４Ｈ），１．７０−１．５５（ｍ，８Ｈ），１．５３（ｍ，２Ｈ），１．２５（ｓ，５６Ｈ）,０．８８（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．５，１７３．２，１６５．９，１３１．５，１２８．０，７１．６，６９．９，６８．９，６８．８，６３．０，６２．６，４２．４，３４．９，３４．０，３１．８，２９．６―２９．０，２４．９，２２．６，１４．０,
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）ｃｍ−１：２９３０，２８６１，１７４４，
１６５２−１６２２，１１７６，８０７
【０１７２】
（合成例１０）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体１を５．７ｇ（０．０２０モル）、ヨウ化ナトリウム３．３ｇ（０．０２２モル）、およびアセトニトリルを５０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、セバシン酸クロリド  ２．５ｇ（０．０１０モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌した後に、更に室温で３時間撹拌して反応を終了した。反応容器に少量の水を加えた後にヘキサン／酢酸エチル＝１／１溶液を１００ｍｌ加え、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液  ２００ｍｌでヨウ素を分解した。更に純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に、有機溶媒を減圧留去して中間体Ｍ−１０を６．５ｇ合成した。
【０１７３】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−１０  ６．５ｇ（０．０１２モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  １．４ｇ（０．０２０モル）、ｐ−メトキシフェノール  １４ｍｇ、およびジメチルスルオキシド１００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを３．０ｇ（０．０２０モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、シリカゲルクロマトグラフィー精製により、ラジカル重合性化合物「Ｍ１０」を３．５ｇ得た。
【０１７４】
【化３５】
2006045416.tif 000051
（Ｍ１０）
【０１７５】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４１（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１４（ｓ，４Ｈ）４．０３（ｓ，４Ｈ），３．３６（ｔ，４Ｈ），３．２９（ｓ，４Ｈ），２．２９（ｔ，４Ｈ），１．６１−１．３８（ｍ，１２Ｈ），１．２５（ｍ，４４Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．５，１６５．９，１３０．６，１２８．３，７１．５，７０．４，６４．７，６４．４，４１．４，３４．３，３１．９，２９．６−２９．０，２６．１，２４．９，２３．０，２２．６，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１７６】
（合成例１１）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体２を１５ｇ（０．０５５モル）、ヨウ化ナトリウム９．１ｇ（０．０６１モル）、およびアセトニトリルを１５０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、アジピン酸クロリド  ５．３ｇ（０．０２９モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌した後に、更に室温で３時間撹拌して反応を終了した。反応容器に少量の水を加えた後にヘキサン／酢酸エチル＝１／１溶液を２００ｍｌ加え、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液  ３００ｍｌでヨウ素を分解した。更に純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に、有機溶媒を減圧留去して中間体Ｍ−１１を２３．３ｇ合成した。
【０１７７】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−１１  ２３．３ｇ（０．０２６モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  ７．４ｇ（０．１０２モル）、ｐ−メトキシフェノール  １１０ｍｇ、およびジメチルスルオキシド３００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを３．０ｇ（０．０２０モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、シリカゲルクロマトグラフィー精製により、ラジカル重合性化合物「Ｍ１１」を１１．２ｇ得た。
【０１７８】
【化３６】
2006045416.tif 000052
（Ｍ１１）
【０１７９】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４１（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１４（ｓ，４Ｈ）４．０３（ｓ，４Ｈ），３．３６（ｔ，４Ｈ），３．２９（ｓ，４Ｈ），２．２９（ｔ，４Ｈ），１．６１−１．３８（ｍ，１２Ｈ），１．２５（ｍ，３６Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．５，１６５．９，１３０．６，１２８．３，７１．５，７０．４，６４．７，６４．４，４１．４，３４．３，３１．９，２９．６−２９．０，２６．１，２４．９，２３．０，２２．６，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．
【０１８０】
（合成例１２）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体４を１４．３ｇ（０．０４５モル）、ヨウ化ナトリウム１６．４ｇ（０．１１０モル）、およびアセトニトリルを１５０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、ｎ−デカノイルクロリド１８．２ｇ（０．０９５モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌した後に、更に室温で３時間撹拌して反応を終了した。反応容器に少量の水を加えた後にヘキサン／酢酸エチル＝１／１溶液を３００ｍｌ加え、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液  ４００ｍｌでヨウ素を分解した。更に純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に、有機溶媒を減圧留去して中間体Ｍ−１２を２８．２ｇ合成した。
【０１８１】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−１２  ２８．２ｇ（０．０３２モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  ９．３ｇ（０．１２８モル）、ｐ−メトキシフェノール  ６０ｍｇ、およびジメチルスルオキシド３００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを１９．５ｇ（０．１２８モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、シリカゲルクロマトグラフィー精製により、ラジカル重合性化合物「Ｍ１２」を１６．７ｇ得た。
【０１８２】
【化３７】
2006045416.tif 000053
（Ｍ１２）
【０１８３】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４２（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１０（ｓ，４Ｈ）３．９９（ｓ，４Ｈ），３．３４（ｔ，４Ｈ），３．２９（ｓ，４Ｈ），２．２９（ｔ，４Ｈ），１．６２（ｓ，４Ｈ），１．６−１．４（ｍ，８Ｈ），１．２５（ｍ，２８Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．６，１６５．９，１３０．６，１２８．３，７１．５，７０．４，６４．７，６４．３，４１．４，３４．３，３１．８，２９．５−２９．１，２５．９，２４．９，２３．０，２２．６，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１８４】
（合成例１３）
合成例２と同様な反応容器に、前記の中間体４を９．４ｇ（０．０２９モル）、ヨウ化ナトリウム１０．３ｇ（０．０６９モル）、およびアセトニトリルを１５０ｍｌ入れ、５℃以下になるように氷水バスで冷却しながら撹拌した。次いで、ｎ−ミリストロイルクロリド１４．７ｇ（０．０６０モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌した後に、更に室温で３時間撹拌して反応を終了した。反応容器に少量の水を加えた後にヘキサン／酢酸エチル＝１／１溶液を４００ｍｌ加え、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液  ５００ｍｌでヨウ素を分解した。更に純水、飽和食塩水の順で有機層を洗浄した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後に、有機溶媒を減圧留去して中間体Ｍ−１３を２２．８ｇ合成した。
【０１８５】
次いで、合成例２の中間体Ｍ−２の代わりに上記中間体Ｍ−１３  ２２．８ｇ（０．０３２モル）を用いた以外は同様にして、アクリル酸  ６．８ｇ（０．０９５モル）、ｐ−メトキシフェノール  ６０ｍｇ、およびジメチルスルオキシド２００ｍｌを入れ、室温で撹拌しながらＤＢＵを１４．４ｇ（０．０９４モル）をゆっくり滴下した。滴下終了後、合成例２と同様な操作を行い、シリカゲルクロマトグラフィー精製により、ラジカル重合性化合物「Ｍ１３」を９．６ｇ得た。
【０１８６】
【化３８】
2006045416.tif 000054
（Ｍ１３）
【０１８７】
（物性値）
１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：６．４２（ｄ，２Ｈ），６．１２（ｑ，２Ｈ），５．８４（ｄ，２Ｈ），４．１０（ｓ，４Ｈ）３．９９（ｓ，４Ｈ），３．３４（ｔ，４Ｈ），３．２９（ｓ，４Ｈ），２．２９（ｔ，４Ｈ），１．６２（ｓ，４Ｈ），１．６−１．４（ｍ，８Ｈ），１．２５（ｍ，４６Ｈ），０．８７（ｔ，１２Ｈ）
１３Ｃ−ＮＭＲ（溶媒：重クロロホルム）：δ：１７３．７，１６５．９，１３０．６，１２８．３，７１．５，７０．４，６４．７，６４．４，４１．５，３４．３，３１．９，２９．６−２９．１，２５．９，２４．９，２３．０，２２．６，１４．０，７．４
赤外吸収スペクトル（ＩＲ）（ＫＢｒ）：２９２５，２８５５，１７３３，１６５２−１６２２，１１９０，８０８．９
【０１８８】
実施例中の光散乱型液晶デバイスは以下の方法で作製した。
液晶組成物、ラジカル重合性化合物、光重合開始剤からなる調光層形成材料を真空注入法でセルギャップ５μｍのＩＴＯ付きガラスセル内に注入した。この時、調光層形成材料が常に均一状態となるよう、真空注入装置内の温度をコントロールした。また真空度は２パスカルとなるよう設定した。注入後ガラスセルを取り出し、注入口を封口剤３０２６Ｅ（スリーボンド社製）で封止した後、調光層形成材料のアイソトロピック−ネマチック転移点より１から２℃高い温度にコントロールし、紫外線カットフィルターＵＶ−３５（東芝硝子社製）を介した照射強度が１０ｍＷ／ｃｍ２となるように調整された高圧水銀ランプを６０秒間照射して、光散乱型液晶デバイスを得た。
【０１８９】
実施例中に示される光散乱型液晶デバイスの特性の略号、及び意味は以下に示す通りである。
２５℃の室内環境において、光散乱型液晶デバイスに対する印加電圧を無印加から０．２Ｖ／ステップかつ５秒／ステップの条件で光透過率が変化しなくなるまで段階的に上昇させる。光透過率が変化しなくなったら印加電圧を０．２Ｖステップかつ５秒／ステップの条件で無印加まで下降させる。この操作を行った時の印加電圧と光透過率の関係から、以下の特性値が定義される。
Ｔ０：電圧無印加時の光透過率（％）。
Ｔ１００：印加電圧上昇に伴う光透過率変化が飽和に達し、光透過率が変化しなくなった時の光透過率（％）。
Ｔ５０：Ｔ０＋０．５×（Ｔ１００−Ｔ０）で定義される、Ｔ０とＴ１００の中間の光透過率（％）。
Ｖ１００：Ｔ１００における印加電圧（Ｖ）。
Ｖｒ５０：光散乱型液晶デバイスに対する印加電圧を無印加から上昇させていった時、Ｔ５０の透過率における印加電圧（Ｖ）。
Ｖｄ５０：光散乱型液晶デバイスに対する印加電圧をＶ１００から下降させていった時、Ｔ５０の透過率における印加電圧（Ｖ）。
ＨＳ５０：Ｖｒ５０−Ｖｄ５０で定義される光学ヒステリシス（ｍＶ）。図６にこの定義を図解した。
ＨＳ５０／ｄ：光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０を該光散乱型デバイスのセルギャップｄで除した値（ｍＶ／μｍ）。
【０１９０】
（実施例１）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ１）と（Ｍ２）の混合物が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ａ）の液晶温度範囲は−３７℃から８２℃である。
【０１９１】
【化３９】
2006045416.tif 000055
液晶組成物（Ａ）
【０１９２】
ラジカル重合性化合物（Ｍ１）と（Ｍ２）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ１同士が結合することによって生じる「Ｍ１−Ｍ１間」
２）Ｍ１とＭ２が結合することによって生じる「Ｍ１−Ｍ２間」
３）Ｍ２同士が結合することによって生じる「Ｍ２−Ｍ２間」
４）Ｍ１中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ１中」
５）Ｍ２中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ２中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表６に示す。
【０１９３】
【表６】
2006045416.tif 000056
【０１９４】
表６から、ラジカル重合性化合物（Ｍ１）と（Ｍ２）の混合物より得られるΔαの値は
１２−（−５）＝１７となる。
【０１９５】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率であるβiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ１）と（Ｍ２）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ１）と（Ｍ２）の混合比（モル／モル）を表７のように変化させた。表７においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表７にラジカル重合性化合物（Ｍ１）と（Ｍ２）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０１９６】
【表７】
2006045416.tif 000057
【０１９７】
表６中のαiと表７中のβiから、ラジカル重合性化合物（Ｍ１）と（Ｍ２）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ(αi×βi)の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表８に示す。
【０１９８】
【表８】
2006045416.tif 000058
【０１９９】
（実施例２）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ４）の混合物が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。
【０２００】
ラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ４）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ３同士が結合することによって生じる「Ｍ３−Ｍ３間」
２）Ｍ３とＭ４が結合することによって生じる「Ｍ３−Ｍ４間」
３）Ｍ４同士が結合することによって生じる「Ｍ４−Ｍ４間」
４）Ｍ３中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ３中」
５）Ｍ４中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ４中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表９に示す。
【０２０１】
【表９】
2006045416.tif 000059
【０２０２】
表９から、ラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ４）の混合物より得られるΔαの値は
８−（−３）＝１１となる。
【０２０３】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ４）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ４）の混合比（モル／モル）を表１０のように変化させた。表１０においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表１０にラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ４）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２０４】
【表１０】
2006045416.tif 000060
【０２０５】
表９中のαiと表１０中のβiから、ラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ４）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表１１に示す。
【０２０６】
【表１１】
2006045416.tif 000061
【０２０７】
（実施例３）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ３）が５．９％、ラジカル重合性化合物（Ｍ５）が２３．５％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。
【０２０８】
ラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ５）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ３同士が結合することによって生じる「Ｍ３−Ｍ３間」
２）Ｍ３とＭ５が結合することによって生じる「Ｍ３−Ｍ５間」
３）Ｍ５同士が結合することによって生じる「Ｍ５−Ｍ５間」
４）Ｍ３中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ３中」
５）Ｍ５中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ５中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表１２に示す。
【０２０９】
【表１２】
2006045416.tif 000062
【０２１０】
表１２から、ラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ５）の混合物より得られるΔαの値は、８−（−４）＝１２となる。
【０２１１】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ５）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ３）と（Ｍ５）の混合比（モル／モル）は０．２２：０．７８である。表１３においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表１３に本実施例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２１２】
【表１３】
2006045416.tif 000063
【０２１３】
表１２中のαと表１３中のβから、本実施例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表１４に示す。
【０２１４】
【表１４】
2006045416.tif 000064
【０２１５】
（実施例４）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ６）が５．９％、ラジカル重合性化合物（Ｍ５）が２３．５％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ａ）の液晶温度範囲は−３７℃から８２℃である。
【０２１６】
ラジカル重合性化合物（Ｍ６）と（Ｍ５）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ６同士が結合することによって生じる「Ｍ６−Ｍ６間」
２）Ｍ６とＭ５が結合することによって生じる「Ｍ６−Ｍ５間」
３）Ｍ５同士が結合することによって生じる「Ｍ５−Ｍ５間」
４）Ｍ６中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ６中」
５）Ｍ５中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ５中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表１５に示す。
【０２１７】
【表１５】
2006045416.tif 000065
【０２１８】
表１５から、ラジカル重合性化合物（Ｍ６）と（Ｍ５）の混合物より得られるΔαの値は、６−（−４）＝１０となる。
【０２１９】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ６）と（Ｍ５）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ６）と（Ｍ５）の混合比（モル／モル）は０．２３：０．７７である。表１６においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表１６に本実施例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２２０】
【表１６】
2006045416.tif 000066
【０２２１】
表１５中のαiと表１６中のβiから、本実施例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表１７に示す。
【０２２２】
【表１７】
2006045416.tif 000067
【０２２３】
（実施例５）
液晶組成物（Ｂ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合物が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ｂ）の液晶温度範囲は−４１℃から８０℃である。
【０２２４】
【化４０】
2006045416.tif 000068
液晶組成物（Ｂ）
【０２２５】
ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ７同士が結合することによって生じる「Ｍ７−Ｍ７間」
２）Ｍ７とＭ８が結合することによって生じる「Ｍ７−Ｍ８間」
３）Ｍ８同士が結合することによって生じる「Ｍ８−Ｍ８間」
４）Ｍ７中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ７中」
５）Ｍ８中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ８中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表１８に示す。
【０２２６】
【表１８】
2006045416.tif 000069
【０２２７】
表１８から、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合物より得られるΔαの値は、５−（−４）＝９となる。
【０２２８】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合比（モル／モル）を表１９のように変化させた。表１９においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表１９にラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２２９】
【表１９】
2006045416.tif 000070
【０２３０】
表１８中のαiと表１９中のβiから、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表２０に示す。
【０２３１】
【表２０】
2006045416.tif 000071
【０２３２】
（実施例６）
液晶組成物（Ｂ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ９）と（Ｍ８）の混合物が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ｂ）の液晶温度範囲は−４１℃から８０℃である。
【０２３３】
ラジカル重合性化合物（Ｍ９）と（Ｍ８）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ９同士が結合することによって生じる「Ｍ９−Ｍ９間」
２）Ｍ９とＭ８が結合することによって生じる「Ｍ９−Ｍ８間」
３）Ｍ８同士が結合することによって生じる「Ｍ８−Ｍ８間」
４）Ｍ９中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ９中」
５）Ｍ８中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ８中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表２１に示す。
【０２３４】
【表２１】
2006045416.tif 000072
【０２３５】
表２１から、ラジカル重合性化合物（Ｍ９）と（Ｍ８）の混合物より得られるΔαの値は、１３−（−４）＝１７となる。
【０２３６】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ９）と（Ｍ８）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ９）と（Ｍ８）の混合比（モル／モル）を表２２のように変化させた。表２２においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表２２にラジカル重合性化合物（Ｍ９）と（Ｍ８）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２３７】
【表２２】
2006045416.tif 000073
【０２３８】
表２１中のαiと表２２中のβiから、ラジカル重合性化合物（Ｍ９）と（Ｍ８）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表２３に示す。
【０２３９】
【表２３】
2006045416.tif 000074
【０２４０】
（実施例７）
液晶組成物（Ｂ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ１０）が１１．８％、ラジカル重合性化合物（Ｍ１１）が１７．６％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ｂ）の液晶温度範囲は−４１℃から８０℃である。
【０２４１】
ラジカル重合性化合物（Ｍ１０）と（Ｍ１１）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ１０同士が結合することによって生じる「Ｍ１０−Ｍ１０間」
２）Ｍ１０とＭ１１が結合することによって生じる「Ｍ１０−Ｍ１１間」
３）Ｍ１１同士が結合することによって生じる「Ｍ１１−Ｍ１１間」
４）Ｍ１０中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ１０中」
５）Ｍ１１中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ１１中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表２４に示す。
【０２４２】
【表２４】
2006045416.tif 000075
【０２４３】
表２４から、ラジカル重合性化合物（Ｍ１０）と（Ｍ１１）の混合物より得られるΔαの値は、２−（−３）＝５となる。
【０２４４】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ１０）と（Ｍ１１）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ１０）と（Ｍ１１）の混合比（モル／モル）は０．３８：０．６２である。表２５においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表２５に本実施例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２４５】
【表２５】
2006045416.tif 000076
【０２４６】
表２４中のαiと表２５中のβiから、ラジカル重合性化合物（Ｍ１０）と（Ｍ１１）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表２６に示す。
【０２４７】
【表２６】
2006045416.tif 000077
【０２４８】
（実施例８）
液晶組成物（Ｃ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合物が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。
【０２４９】
【化４１】
2006045416.tif 000078
液晶組成物（Ｃ）
【０２５０】
ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ７同士が結合することによって生じる「Ｍ７−Ｍ７間」
２）Ｍ７とＭ８が結合することによって生じる「Ｍ７−Ｍ８間」
３）Ｍ８同士が結合することによって生じる「Ｍ８−Ｍ８間」
４）Ｍ７中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ７中」
５）Ｍ８中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ８中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表２７に示す。
【０２５１】
【表２７】
2006045416.tif 000079
【０２５２】
表２７から、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合物より得られるΔαの値は、５−（−４）＝９となる。
【０２５３】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の混合比（モル／モル）を表２８のように変化させた。表２８においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表２８にラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２５４】
【表２８】
2006045416.tif 000080
【０２５５】
表２７中のαiと表２８中のβiから、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）と（Ｍ８）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表２９に示す。
【０２５６】
【表２９】
2006045416.tif 000081
【０２５７】
（実施例９）
液晶組成物（Ｃ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ１２）と（Ｍ１３）の混合物が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。
【０２５８】
ラジカル重合性化合物（Ｍ１２）と（Ｍ１３）の混合物を重合させることによって、下記５種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ１２同士が結合することによって生じる「Ｍ１２−Ｍ１２間」
２）Ｍ１２とＭ１３が結合することによって生じる「Ｍ１２−Ｍ１３間」
３）Ｍ１３同士が結合することによって生じる「Ｍ１３−Ｍ１３間」
４）Ｍ１２中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ１２中」
５）Ｍ１３中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ１３中」
これら１）〜５）の側鎖間について計算したαの値を表３０に示す。
【０２５９】
【表３０】
2006045416.tif 000082
【０２６０】
表３０から、ラジカル重合性化合物（Ｍ１２）と（Ｍ１３）の混合物より得られるΔαの値は、０−（−５）＝５となる。
【０２６１】
次に光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）〜５）の存在比率βiを見積もる。この存在比率βiはラジカル重合性化合物（Ｍ１２）と（Ｍ１３）の全てがランダムに重合したとして、確率的に計算した。本実施例ではラジカル重合性化合物（Ｍ１２）と（Ｍ１３）の混合比（モル／モル）を表３１のように変化させた。表３１においてモノマーとはラジカル重合性化合物を表す。表３１にラジカル重合性化合物（Ｍ１２）と（Ｍ１３）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の存在比率βiをモル分率で示した。
【０２６２】
【表３１】
2006045416.tif 000083
【０２６３】
表３０中のαiと表３１中のβiから、ラジカル重合性化合物（Ｍ１２）と（Ｍ１３）の各混合比から得られる光散乱型液晶デバイス中に含まれる、側鎖間１）〜５）の（αi×βi）及びΣ（αi×βi）の値を求めることができる。この計算値と該光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄ評価結果を表３２に示す。
【０２６４】
【表３２】
2006045416.tif 000084
【０２６５】
（比較例１）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ２）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ａ）の液晶温度範囲は−３７℃から８２℃である。
【０２６６】
ラジカル重合性化合物（Ｍ２）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ２同士が結合することによって生じる「Ｍ２−Ｍ２間」
２）Ｍ２中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ２中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表３３に示す。
【０２６７】
【表３３】
2006045416.tif 000085
【０２６８】
表３３から、ラジカル重合性化合物（Ｍ２）より得られるΔαの値は、（−３）−（−５）＝２となる。
【０２６９】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ２）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表３３中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると−３．６７となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ１０２．７ｍＶ／μｍであった。
【０２７０】
（比較例２）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ３）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ａ）の液晶温度範囲は−３７℃から８２℃である。
【０２７１】
ラジカル重合性化合物（Ｍ３）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ３同士が結合することによって生じる「Ｍ３−Ｍ３間」
２）Ｍ３中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ３中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表３４に示す。
【０２７２】
【表３４】
2006045416.tif 000086
【０２７３】
表３４から、ラジカル重合性化合物（Ｍ３）より得られるΔαの値は、８−３＝５となる。
【０２７４】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ３）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表３４中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると４．６７となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ４９．４ｍＶ／μｍであった。
【０２７５】
（比較例３）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ４）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ａ）の液晶温度範囲は−３７℃から８２℃である。
【０２７６】
ラジカル重合性化合物（Ｍ４）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ４同士が結合することによって生じる「Ｍ４−Ｍ４間」
２）Ｍ４中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ４中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表３５に示す。
【０２７７】
【表３５】
2006045416.tif 000087
【０２７８】
表３５から、ラジカル重合性化合物（Ｍ４）より得られるΔαの値は、（−３）−（−３）＝０となる。
【０２７９】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ４）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表３５中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると−３．００となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ４３．１ｍＶ／μｍであった。
【０２８０】
（比較例４）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ５）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ａ）の液晶温度範囲は−３７℃から８２℃である。
【０２８１】
ラジカル重合性化合物（Ｍ５）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ５同士が結合することによって生じる「Ｍ５−Ｍ５間」
２）Ｍ５中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ５中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表３６に示す。
【０２８２】
【表３６】
2006045416.tif 000088
【０２８３】
表３６から、ラジカル重合性化合物（Ｍ５）より得られるΔαの値は、（−３）−（−４）＝１となる。
【０２８４】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ５）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表３６中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると−３．３３となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ７６．０ｍＶ／μｍであった。
【０２８５】
（比較例５）
液晶組成物（Ａ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ６）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ａ）の液晶温度範囲は−３７℃から８２℃である。
【０２８６】
ラジカル重合性化合物（Ｍ６）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ６同士が結合することによって生じる「Ｍ６−Ｍ６間」
２）Ｍ６中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ６中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表３７に示す。
【０２８７】
【表３７】
2006045416.tif 000089
【０２８８】
表３７から、ラジカル重合性化合物（Ｍ６）より得られるΔαの値は、６−３＝３となる。
【０２８９】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ６）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表３７中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると４．００となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ７５．０ｍＶ／μｍであった。
【０２９０】
（比較例６）
液晶組成物（Ｃ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。
【０２９１】
ラジカル重合性化合物（Ｍ７）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ７同士が結合することによって生じる「Ｍ７−Ｍ７間」
２）Ｍ７中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ７中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表３８に示す。
【０２９２】
【表３８】
2006045416.tif 000090
【０２９３】
表３８から、ラジカル重合性化合物（Ｍ７）より得られるΔαの値は、５−４＝１となる。
【０２９４】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ７）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表３８中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると４．３３となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ６８．０ｍＶ／μｍであった。
【０２９５】
（比較例７）
液晶組成物（Ｃ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ８）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。
【０２９６】
ラジカル重合性化合物（Ｍ８）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ８同士が結合することによって生じる「Ｍ８−Ｍ８間」
２）Ｍ８中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ８中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表３９に示す。
【０２９７】
【表３９】
2006045416.tif 000091
【０２９８】
表３９から、ラジカル重合性化合物（Ｍ８）より得られるΔαの値は、（−２）−（−４）＝２となる。
【０２９９】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ８）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表３９中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると−２．６７となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ１７７．７ｍＶ／μｍであった。
【０３００】
（比較例８）
液晶組成物（Ｂ）が７０％、ラジカル重合性化合物（Ｍ９）が２９．４％、光重合開始剤イルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ社製）が０．６％からなる光散乱型液晶デバイス用組成物を調合し、前述の手法で光散乱型液晶デバイスを得た。液晶組成物（Ｂ）の液晶温度範囲は−４１℃から８０℃である。
【０３０１】
ラジカル重合性化合物（Ｍ９）を重合させることによって、下記２種類の側鎖間パターンが生成しうる。
１）Ｍ９同士が結合することによって生じる「Ｍ９−Ｍ９間」
２）Ｍ９中に重合前から存在している側鎖Ｒ１とＲ２の間である「Ｍ９中」
これら１）〜２）の側鎖間について計算したαの値を表４０に示す。
【０３０２】
【表４０】
2006045416.tif 000092
【０３０３】
表４０から、ラジカル重合性化合物（Ｍ９）より得られるΔαの値は、１３−（−２）＝１５となる。
【０３０４】
本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）の存在比率はラジカル重合性化合物（Ｍ９）の全てが重合したとして下記のモル分率βiとなる。
側鎖間１）のβi：側鎖間２）のβi＝０．６７：０．３３
表４０中のαiと上記βiから本比較例の光散乱型液晶デバイス中に含まれる側鎖間１）、２）のΣ（αi×βi）を求めると３．００となる。
本比較例の光散乱型液晶デバイスのＨＳ５０／ｄを評価したところ４８．８ｍＶ／μｍであった。
【０３０５】
以上に説明した実施例と比較例について、Δα、Σ（αi×βi）、２５℃におけるＨＳ５０／ｄの関係を表４１にまとめた。
【０３０６】
【表４１】
2006045416.tif 000093
【０３０７】
表４１に示すように、Δαが５以上、Σ（αi×βi）が−３．１６から２．００まで、の二つの条件を同時に満たす実施例の光散乱型液晶デバイスは単位セルギャップ当たりの光学ヒステリシスであるＨＳ５０／ｄが２０ｍＶ／μｍ以下となった。その中でもΔαを１２以上にした場合、Σ（αi×βi）を−１．７９から２．００まで、にした場合ではさらにＨＳ５０／ｄを低くすることができた。
一方、Δαが５以上、Σ（αi×βi）が−３．１６から２．００まで、の二つの条件を同時に満たしていない比較例の光散乱型液晶デバイスは実施例の光散乱型液晶デバイスよりもＨＳ５０／ｄが高かった。比較例の光散乱型液晶デバイスではＨＳ５０／ｄを２０ｍＶ／μｍ以下とすることができなかった。
【産業上の利用可能性】
【０３０８】
本発明の光散乱型液晶デバイスは、中間調領域における光学ヒステリシスが少ないため、再現性の高い階調表示、高い階調度での階調表示を行うことができる。さらに本発明の光散乱型デバイスは、表示セルのギャップを小さくすることなく低い光学ヒステリシスが得られるため、光散乱型液晶デバイスの散乱特性と低光学ヒステリシスの両立を図ることができる。このため、光散乱モードの高表示品位ディスプレイに使用することができる。具体的にはＰＤＡなどの携帯情報端末の表示素子や光散乱型の直視・反射型ペーパーライクディスプレイに使用することができる。またデジタルペーパー、ＩＣカードの情報表示、電子ブックや、光シャッターなどの光学素子としても有用である。
【図面の簡単な説明】
【０３０９】
【図１】ポリマー主鎖と液晶分子とのアンカリングについて説明した図である。
【図２】ポリマーの側鎖と液晶分子とのアンカリングについて説明した図である。
【図３】ポリマー主鎖または側鎖と液晶分子とのアンカリングによって電圧印加過程で電圧−光透過率曲線が高電圧側にずれる様子を説明した図である。
【図４】ポリマー主鎖または側鎖と液晶分子とのアンカリングによって電圧降下過程での電圧−光透過率曲線が低電圧側にずれる様子を説明した図である。
【図５】本発明におけるαの定義について具体例を挙げて説明した図である。
【図６】本発明の光散乱型液晶デバイスの主要評価項目である光学ヒステリシスＨＳ５０の定義について示した図である。
【図１】
2006045416.tif 000103
【図２】
2006045416.tif 000104
【図３】
2006045416.tif 000105
【図４】
2006045416.tif 000106
【図５】
2006045416.tif 000107
【図６】
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