(57)【要約】【課題】記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を防止し得る構造を備えた薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】薄膜磁気ヘッド用構造物は記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な構成を有している。主磁極層は、磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有し、薄膜コイルに近い側の表面が平坦な構造を有している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物であって、
前記主磁極層は、前記磁極端部と、前記磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有し、前記薄膜コイルに近い側の表面が平坦な構造を有する薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項２】
前記薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるようにして形成された極細溝部を備え、前記主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を更に有し、
前記ベース絶縁層の前記磁極形成用凹部における前記極細溝部以外の領域内で前記磁極端部と、前記ヨーク磁極部との端面同士が接合されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項３】
前記磁極端部と、前記ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項４】
前記磁極端部と、前記ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項５】
前記ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、前記磁極端部の飽和磁束密度が高く設定されている請求項３記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項６】
前記ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、前記磁極端部の飽和磁束密度が高く設定されている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項７】
前記磁極端部と、前記ヨーク磁極部とが、非磁性材からなる非磁性膜を介して接合されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項８】
前記磁極端部と、前記ヨーク磁極部とが、非磁性材からなる非磁性膜を介して接合されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項９】
前記ヨーク磁極部における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分に、前記磁極端部よりも大きさの大きい上部ヨーク磁極部が接合されている請求の項１記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項１０】
前記ヨーク磁極部における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分に、前記磁極端部よりも大きさの大きい上部ヨーク磁極部が接合されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項１１】
前記極細溝部は、奥行き方向に交差する方向の溝幅が深さ方向に漸次狭まる形状に形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項１２】
前記極細溝部は、奥行き方向に交差する方向の溝幅が深さ方向に漸次狭まる形状に形成されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド用構造物。
【請求項１３】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、
前記磁極端部の形成予定位置に、露出した端面を有する端面付磁極層を形成する工程と、
前記磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部の形成予定位置に、前記端面付磁極層の前記露出した端面に接合された接合磁極層を形成する工程と、
前記端面付磁極層と前記接合磁極層とにおける前記薄膜コイルに近い側の表面平坦化処理を行い、前記磁極端部と、前記磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部を形成する工程と、
前記磁極端部および前記ヨーク磁極部に、前記記録ギャップ層を形成する工程と、
絶縁層を介して接触するように、前記ヨーク磁極部に前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記記録ギャップ層を介して前記磁極端部と対向するようにして前記ライトシールド層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項１４】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるようにして形成された極細溝部を備え、前記主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、
前記ベース絶縁層の前記磁極形成用凹部における前記極細溝部以外の領域内において露出した凹部内端面を有する端面付磁極層を形成する工程と、
前記端面付磁極層における前記凹部内端面に接合された接合磁極層を形成する工程と、
前記端面付磁極層と前記接合磁極層とにおける前記薄膜コイルに近い側の表面平坦化処理を行い、前記磁極端部と、前記磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部を形成する工程と、
前記磁極端部および前記ヨーク磁極部に、前記記録ギャップ層を形成する工程と、
絶縁層を介して接触するように、前記ヨーク磁極部に前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記記録ギャップ層を介して前記磁極端部と対向するようにして前記ライトシールド層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項１５】
前記端面付磁極層における前記露出した端面に、非磁性材からなる非磁性膜を形成する工程を更に有し、
前記非磁性膜を介して接合されるようにして、前記接合磁極層を形成する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項１６】
前記端面付磁極層における前記凹部内端面に、非磁性材からなる非磁性膜を形成する工程を更に有し、
前記非磁性膜を介して接合されるようにして、前記接合磁極層を形成する請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項１７】
前記ヨーク磁極部における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分に前記磁極端部よりも大きさの大きい上部ヨーク磁極部を接合する工程を更に有する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項１８】
前記ヨーク磁極部における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分に前記磁極端部よりも大きさの大きい上部ヨーク磁極部を接合する工程を更に有する請求項１４記載の薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法。
【請求項１９】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、前記ライトシールド層または前記主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるようにして形成された極細溝部を備え、前記主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を有し、
前記主磁極層は、前記ベース絶縁層の前記磁極形成用凹部における前記極細溝部以外の領域内で前記磁極端部と、該磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有し、前記薄膜コイルに近い側の表面が平坦な構造を有する薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドを製造するための薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、ハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向に情報を記録する長手記録方式と、ハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する垂直記録方式とに分けることができる。このうち、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手記録方式よりも有望視されている。
従来の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、特許文献１，２，３，４等に開示されている。
【特許文献１】米国特許第６，５０４，６７５号明細書
【特許文献２】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【特許文献３】米国特許第４，６７２，４９３号明細書
【特許文献４】特開２００４−９４９９７号公報
【特許文献５】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献６】特開２００３−２０３３１１号公報
【０００４】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドはハードディスクの内周や外周の領域にデータを記録するときに、データを記録するトラックに対して、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）の側に配置された磁極端部がある角度での傾き(Skew Angle）を生じる。垂直記録方式の磁気ヘッド（perpendicular magnetic recording head：以下「ＰＭＲ」ともいう）で書き込み能力が高い場合は、このSkewAngleが生じることによって、隣接するトラック同士の間に余分なデータを記録してしまう、いわゆる書きにじみと呼ばれる問題があった。この書きにじみが生じると、サーボ信号の検出や、再生波形のＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす。そのため、従来のＰＭＲは、主磁極層におけるＡＢＳ側の磁極端部を一方向に向って漸次幅の狭まるベベル形状にしている（この点に関しては、例えば、特許文献５，６参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＰＭＲには、高密度で情報記録を行うと、既にハードディスクに書き込まれているデータを消去してしまう、ポールイレージャー（Pole  Erasure）とよばれる現象が生じるという問題があった。このポールイレージャーとは、最大保持力(Coercivity）Ｈｃの大きい記録媒体（ハードディスク）にデータを書込みした後、薄膜コイルに記録電流（ｗritecurrent）を流していないにもかかわらず、漏れ磁束がＡＢＳからハードディスクに流れて他のデータを消去してしまう現象である。
【０００６】
この点について、詳しく説明する。
従来のＰＭＲの中には、例えば図２７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すような構造を有する薄膜磁気ヘッド４００があった。この薄膜磁気ヘッド４００は、絶縁層４０１上に形成され、ＡＢＳ４０３の側に配置された磁極端部がベベル形状を有する主磁極層４０２と、主磁極層４０２と磁気的に連結され、ＡＢＳ４０３の側で記録ギャップ層４０４を挟んで、主磁極層４０２と対向するライトシールド（Write  shield）層４０５と、薄膜コイル４０６とを有している。また、薄膜コイル４０６がフォトレジスト４０７により互いに絶縁され、主磁極層４０２と、ライトシールド層４０５とを連結する連結部４０８の周りに平面渦巻き状に巻回されている。
そして、この薄膜磁気ヘッド４００のように従来のＰＭＲでは、磁化ｍｓの方向がＡＢＳ４０３に沿った方向を向くように磁性材を磁化して、主磁極層４０２を形成している。
【０００７】
しかし、薄膜磁気ヘッド４００のような従来のＰＭＲでは、磁化ｍｓの方向をＡＢＳ４０３に沿った方向に揃えても、書き込み終了後における主磁極層４０２の内部の残留磁化（remnant magnetization）ｍｒの方向がＡＢＳ４０３側を向き磁化ｍｓとは異なる方向を向いてしまう（以下、ＡＢＳに沿った方向と異なる方向を「異方向」という）。そのため、このようなＰＭＲによってデータの書き込みを行うと、記録電流（ｗritecurrent）を流していないにも関わらず、残留磁化ｍｒによる漏れ磁束によって、既にハードディスクに書き込まれているデータが消去されたり、書き込まれたデータの信号が弱められてしまうというわけである。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を防止し得る構造を備えた薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物であって、主磁極層は、磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有し、薄膜コイルに近い側の表面が平坦な構造を有する薄膜磁気ヘッド用構造物を特徴とする。
この薄膜磁気ヘッド用構造物は、磁極端部とヨーク磁極部との端面接合によって、ヨーク磁極部から磁極端部への残留磁化の放出が遮断されるようになっている。
【００１０】
また、上記薄膜磁気ヘッド用構造物は、薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるようにして形成された極細溝部を備え、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を更に有し、ベース絶縁層の磁極形成用凹部における極細溝部以外の領域内で磁極端部と、ヨーク磁極部との端面同士が接合されているようにするとよい。
こうすると、主磁極層が磁極形成用凹部内に埋め込まれるようにして形成される。
【００１１】
また、上記薄膜磁気ヘッド用構造物は磁極端部と、ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成されていることが好ましい。さらに、ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、磁極端部の飽和磁束密度が高く設定されていることが好ましい。
【００１２】
また、磁極端部と、ヨーク磁極部とが、非磁性材からなる非磁性膜を介して接合されているようにすることもできる。
【００１３】
さらに、ヨーク磁極部における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分に、磁極端部よりも大きさの大きい上部ヨーク磁極部が接合されているようにしてもよい。
さらにまた、極細溝部は、奥行き方向に交差する方向の溝幅が深さ方向に漸次狭まる形状に形成されているようにすることができる。
【００１４】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、以下の（１）〜（６）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法を提供する。
（１）磁極端部の形成予定位置に、露出した端面を有する端面付磁極層を形成する工程と、
（２）磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部の形成予定位置に、端面付磁極層の露出した端面に接合された接合磁極層を形成する工程と、
（３）端面付磁極層と接合磁極層とにおける薄膜コイルに近い側の表面平坦化処理を行い、磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部を形成する工程と、
（４）磁極端部およびヨーク磁極部に、記録ギャップ層を形成する工程と、
（５）絶縁層を介して接触するように、ヨーク磁極部に薄膜コイルを形成する工程と、
（６）記録ギャップ層を介して磁極端部と対向するようにしてライトシールド層を形成する工程。
【００１５】
さらに、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法であって、以下の（１）〜（７）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法を提供する。
（１）薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるようにして形成された極細溝部を備え、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を形成する工程と、
（２）ベース絶縁層の磁極形成用凹部における極細溝部以外の領域内において露出した凹部内端面を有する端面付磁極層を形成する工程と、
（３）端面付磁極層における凹部内端面に接合された接合磁極層を形成する工程と、
（４）端面付磁極層と接合磁極層とにおける薄膜コイルに近い側の表面平坦化処理を行い、磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部を形成する工程と、
（５）磁極端部およびヨーク磁極部に、記録ギャップ層を形成する工程と、
（６）絶縁層を介して接触するように、ヨーク磁極部に薄膜コイルを形成する工程と、
（７）記録ギャップ層を介して磁極端部と対向するようにしてライトシールド層を形成する工程。
【００１６】
上記製造方法は、端面付磁極層における露出した端面に、非磁性材からなる非磁性膜を形成する工程を更に有し、非磁性膜を介して接合されるようにして、接合磁極層を形成するようにすることができる。
【００１７】
また、端面付磁極層における凹部内端面に、非磁性材からなる非磁性膜を形成する工程を更に有し、非磁性膜を介して接合されるようにして、接合磁極層を形成するようにすることができる。
【００１８】
さらに、ヨーク磁極部における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分に磁極端部よりも大きさの大きい上部ヨーク磁極部を接合する工程を更に有するようにすることもできる。
【００１９】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、ライトシールド層または主磁極層の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有する薄膜磁気ヘッドであって、薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるようにして形成された極細溝部を備え、主磁極層に対応する形状に窪ませた磁極形成用凹部を有するベース絶縁層を有し、主磁極層は、ベース絶縁層の磁極形成用凹部における極細溝部以外の領域内で磁極端部と、その磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部との端面同士が接合されている端面接合構造を有し、薄膜コイルに近い側の表面が平坦な構造を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。
【発明の効果】
【００２０】
以上詳述したように、本発明によれば、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を防止し得る構造を備えた薄膜磁気ヘッドを製造可能な薄膜磁気ヘッド用構造物およびその製造方法並びに薄膜磁気ヘッドが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００２２】
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッド用構造物の構造）
まず、図１〜図６を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の構造について説明する。ここで、図１は、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物３００の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【００２３】
第１の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、垂直記録方式の磁気ヘッドを製造可能な構成を有している。この薄膜磁気ヘッド用構造物３００は図示しない基板上に形成されていて、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０で切断することによって、本発明における薄膜磁気ヘッドが得られるようになっている。
【００２４】
薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、基板と、その基板に積層され、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッドを製造するための再生ヘッド用構造物と、記録ヘッドを製造するための記録ヘッド用構造物とを有している。なお、図１（Ａ），（Ｂ）では絶縁層１に積層されている記録ヘッド用構造物が示され、基板および再生ヘッド用構造物は省略されている。
以下では薄膜磁気ヘッド用構造物３００における記録ヘッド用構造物の主要部の構造について説明し、その他の部分の構造については後述する製造工程において説明する。また、特に断りのないかぎり、記録ヘッド用構造物の各構成要素はＡＢＳ３０で切断する前と後とにおいて、ともに同じ名称および符号を用いて説明するが、双方を区別するときは、ＡＢＳ３０で切断した後の符号に“´”を付している。
【００２５】
薄膜磁気ヘッド用構造物３００は絶縁層１と、主磁極層１０、記録ギャップ層２４、ライトシールド（Write  shield）層４０、バック磁極層５１および薄膜コイル１００を有し、これらが絶縁層１に積層された構成を有している。
絶縁層１は本発明におけるベース絶縁層であって、基板上の所定領域に形成されている。ここで、図２は絶縁層１を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。図３は図２の要部を拡大して示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ｂ）における要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す断面図である。なお、図２では、絶縁層１について、後述するキャビティ２を中心とする矩形状の所定領域を示している。
【００２６】
絶縁層１はアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなり、記録ヘッドが形成される表面側の中央部分にキャビティ（cavity）２を有している（図２の（Ａ），図３の（Ａ）における斜線部分）。キャビティ２は本発明における磁極形成用凹部であって、設定通りの寸法および形状で主磁極層１０を形成するため、主磁極層１０の外形形状に対応する形状に窪ませたものである。すなわち、キャビティ２は、詳しくは後述するが、主磁極層１０よりも先に形成されていて、深さｄ１（約０．２５〜０．３５μｍ、好ましくは０．３μｍ）、幅、奥行きを含む寸法および形状が想定している主磁極層１０の厚さ、幅、奥行きに一致するように形成されている。キャビティ２は極細溝部３、可変幅凹部４、定幅凹部５および張出凹部６を有し、中に埋め込まれる磁性材によって、主磁極層１０が形成されるようになっている。
【００２７】
極細溝部３は薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決まるように形成され、そのトラック幅を狭めて記録密度を向上可能な構造を有している。この極細溝部３は図３に示すように、奥行き方向中間部分にＡＢＳ３０を確保できるように奥行き（長さ）がＬ１（後述するネックハイトＮＨよりも長い、Ｌ１＞ＮＨ）に設定されている。また、奥行き方向に交差する表面側の溝幅がＷ３、下側の溝幅がＷ４となっていて、薄膜磁気ヘッドの記録密度が向上するように、溝幅Ｗ３および溝幅Ｗ４を可変幅凹部４および定幅凹部５よりも極力狭めた極細構造を有している。また、主磁極層１０の後述する磁極端部１１がベベル形状を有するように、溝幅が深さ方向に漸次狭まる形状に形成されている。すなわち、極細溝部３は溝幅Ｗ３よりも溝幅Ｗ４が小さく（Ｗ３＞Ｗ４）、図３の（Ｃ）に示すべベル角θが約７〜１２度程度（例えば、１０度）になっている。
【００２８】
可変幅凹部４は極細溝部３に接続され、幅方向の溝幅が漸次広がっている。この可変幅凹部４と極細溝部３の境界部分と、ＡＢＳ３０までの間隔がのちにネックハイトＮＨになる。定幅凹部５は可変幅凹部４に接続され、幅方向の溝幅が一定になっている。張出凹部６は、極細溝部３の可変幅凹部４と反対側の端部に接続されている。
【００２９】
主磁極層１０´（切断前の主磁極層１０も同様）は図４、図５に示すように、磁極端部１１´とヨーク磁極部２０´とを有し、薄膜コイル１００に近い側の表面が段差のない平坦な構造を有している。ここで、図４はＡＢＳ３０に沿って切断した後の主磁極層１０´を示す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。図５は主磁極層１０´を示す平面図である。この主磁極層１０´は、キャビティ２に埋め込まれるように形成されている。また、主磁極層１０´は、磁極端部１１´とヨーク磁極部２０´とのＡＢＳ３０に沿った方向の端面同士が、キャビティ２における極細溝部３以外の領域（可変幅凹部４）において接合された端面接合構造を有している。そして、端面同士の接合によって、境界面１４が形成されている。
【００３０】
磁極端部１１´（切断前の磁極端部１１も同様）は、ヨーク磁極部２０´よりも、ＡＢＳ３０に近い位置に配置されている。磁極端部１１´はトラック幅を規定するための一定の幅を有するトラック幅規定部１２と、ＡＢＳ３０に沿った方向の横幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がる可変幅構造の可変幅部１３とを有し、ＡＢＳ３０からの奥行きがＤ２になっている。この奥行きＤ２は、ＡＢＳ３０からヨーク磁極部２０´の後端部までの奥行きＤ１よりも短く、磁極端部１１´がライトシールド層４０に接続されない縮長構造を有するようになっている。
【００３１】
そして、磁極端部１１は薄膜磁気ヘッドによるデータの記録密度を高くするため、後述する横幅Ｗ１を狭めた狭トラック幅構造になっている。しかしながら、磁極端部１１は、狭トラック幅構造にしても磁束の飽和が起きないように、ヨーク磁極部２０よりも飽和磁束密度の高い磁性材（Hi-Bs材）が用いられている。磁極端部１１およびヨーク磁極部２０は磁化ｍｓの方向がＡＢＳ３０に沿った方向に揃うようにして磁化されている（図５参照）。
【００３２】
トラック幅規定部１２は、極細溝部３によって決まる幅を有している。トラック幅規定部１２は、ＡＢＳ３０に沿った方向における薄膜コイル１００に近いほうの幅がＷ１で、薄膜コイル１００から離れたほうの幅がＷ２であり、幅が薄膜コイル１００から離れるにしたがい漸次狭まるベベル形状になっている（Ｗ１＞Ｗ２であり、幅Ｗ１がトラック幅になる）。これらの幅Ｗ１、Ｗ２は、それぞれキャビティ２における極細溝部３の溝幅Ｗ３、Ｗ４に対応している。
そして、トラック幅規定部１２の奥行き（ＡＢＳ３０からの距離）がネックハイトＮＨに対応するようになっている（本実施の形態では、ネックハイトＮＨは０．１〜０．３μｍ程度、好ましくは０．１５μｍになっている）。
【００３３】
可変幅部１３はトラック幅規定部１２と同じ磁性材を用いて一体に形成され、バック磁極層５１に接続されないようにＡＢＳ３０からの奥行きを短くして形成されている。また、可変幅部１３はＡＢＳ３０に沿った方向の端面が接合端面１１ａとなっていて、この接合端面１１ａがヨーク磁極部２０´の後述する接合端面２０ａに接合されている。これらの接合端面１１ａおよび接合端面２０ａによって、境界面１４が形成されている。この境界面１４は、ＡＢＳ３０と略平行になっている。
【００３４】
ヨーク磁極部２０´は磁極端部１１´よりも大きさ（面積）が大きく形成されている。このヨーク磁極部２０´は幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がる可変幅領域２１と、幅が一定の定幅領域２２とを有している。可変幅領域２１は、ＡＢＳ３０に沿った方向のＡＢＳ３０側の端面が接合端面２０ａとなっている。定幅領域２２は、記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた位置において、バック磁極層５１と磁気的に連結されている。
また、ヨーク磁極部２０´は可変幅領域２１と定幅領域２２に跨るようにして記録ギャップ層２４および絶縁層３１を介して薄膜コイル１００が形成されている。
【００３５】
ここで、図１を再び参照し、記録ギャップ層２４は、主磁極層１０と、ライトシールド層４０の後述する第１のシールド部４１および絶縁層３１との間に形成されている。
ライトシールド層４０は第１のシールド部４１と、第２のシールド部４２と、第３のシールド部４３とを有している。第１のシールド部４１は、ＡＢＳ３０側において、記録ギャップ層２４を挟んで主磁極層１０の磁極端部１１と対向し、ＡＢＳ３０に交差する方向のＡＢＳ３０からの奥行きによって、ネックハイトＮＨが決まるようにして形成されている。
【００３６】
第２のシールド部４２は、第１のシールド部４１とバック磁極層５１に薄膜コイル１００に近い側から接続するように形成され、薄膜コイル１００の厚さと同等の高さを有している。
第３のシールド部４３は第２のシールド部４２に接続され、絶縁層３２を介して薄膜コイル１００およびフォトレジスト１０１を被覆するようにして形成されている。
バック磁極層５１は、記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた部分において、ヨーク磁極部２０に接続されている。また、バック磁極層５１は、第２のシールド部４２に磁気的に連結され、第２のシールド部４２とともに連結部４４を形成している。
薄膜コイル１００は、ライトシールド層４０に対して、絶縁層３１，３２を介して絶縁された状態で、ライトシールド層４０の回りに平面渦巻き状に巻回されている。なお、図示はしないが、薄膜コイル１００を主磁極層１０の周りを螺旋状に巻回するヘリカル型のコイルに変更してもよい。
【００３７】
以上のような構成を有する薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、極細溝部３の中間部分において、ＡＢＳ３０を形成するように切断することによって、本発明における薄膜磁気ヘッド３００Ａ（図１参照）となる。
ところで、従来のＰＭＲでは、図２７に示した上述の薄膜磁気ヘッド４００のように、主磁極層４０２がＡＢＳ４０３から薄膜コイルを挟んで反対側の端部まで、すべて同じ磁性材を用いて形成されていた。そのため、残留磁化ｍｒがＡＢＳ４０３側を向いてしまい、ポールイレージャーの発生を防止することが困難であった。
【００３８】
しかし、本実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３００によれば、記録ヘッド用構造物が上述した主磁極層１０を有し、その主磁極層１０は磁極端部１１とヨーク磁極部２０という２つの磁極による端面接合構造を有している。そして、図５に示すように、磁極端部１１とヨーク磁極部２０との端面接合による境界面１４によって、ヨーク磁極部２０から磁極端部１１への残留磁化ｍｒ２０の放出が遮断されるようになっている。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３００はＡＢＳ３０側を向いてしまう残留磁化ｍｒが少ない薄膜磁気ヘッドを製造することができる。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いることによって、ポールイレージャーの発生を効果的に防止可能な薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００３９】
しかも、磁極端部１１をヨーク磁極部２０よりも小さくし、ヨーク磁極部２０が磁極端部１１よりも大きさ（面積）が大きくなるようにしているため、ヨーク磁極部２０の磁気量（magnetic  volume、磁気ボリュームともいう）は、磁極端部１１の磁気量よりも大きくなっている。しかし、境界面１４によって、その磁気量の大きいヨーク磁極部２０からの残留磁化の放出が遮断され、残留磁化の放出が激減するようになっているので、ポールイレージャーの発生がより効果的に防止されるようになっている。そして、極細溝部３の幅を可能なかぎり狭めればトラック幅を狭めることができ、記録密度を向上させることができる。したがって、薄膜磁気ヘッド用構造物３００によれば、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００４０】
ところで、一般にＰＭＲの場合、主磁極層は最大保持力Ｈｃが小さく（２〜１０Ｏｅ程度）、磁歪（Magnetostriction）λが小さい（１〜３×１０−６）磁性材が望ましいとされており、ポールイレージャーを解消するにも、磁歪（Magnetostriction）λが小さい磁性材が望ましいとされている。
【００４１】
しかし、記録密度が向上するようにトラック幅を狭めても、磁束の飽和に伴うオーバーライト特性の悪化が生じないようにするには、主磁極層の磁性材を飽和磁束密度の高い磁性材で形成するのが望ましい。しかし、そうすると、主磁極層の磁歪λを小さくすることが難しくなる。この点を考慮して、上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００では、主磁極層１０を飽和磁束密度の異なる磁極端部１１とヨーク磁極部２０との接合構造とし、しかも、ヨーク磁極部２０の飽和磁束密度を磁極端部１１の飽和磁束密度よりも低くして、ヨーク磁極部２０の磁歪λが小さくなるようにしている。こうすることによって、主磁極層１０の全体としての磁歪λが小さくなるようにしている。したがって、薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いることによって、ポールイレージャーの発生をより効果的に防止可能な薄膜磁気ヘッドが得られるようになっている。
【００４２】
以上に加え、薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、キャビティ２を備えた絶縁層１を有し、そのキャビティ２に主磁極層１０が埋め込まれているため、以下の作用効果を奏するようになっている。薄膜磁気ヘッド用構造物３００および薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いて製造される薄膜磁気ヘッドの作用効果について従来のＰＭＲと比較しながら説明する。
【００４３】
従来のＰＭＲでは、主磁極層における磁極端部のＡＢＳ側部分をベベル形状にするにあたって、次のようにすることがあった。すなわち、従来のＰＭＲでは、図２３（Ａ）に示すように、絶縁層５００に形成されている主磁極層５０１にアルミナからなる絶縁層５０２を形成し、イオンビームＰの直接照射によってイオンビームエッチング（以下「ＩＢＥ」という）を行うことがあった。この場合において、ＩＢＥによる絶縁層５００のエッチングスピードよりも、主磁極層５０１における磁極端部のエッチングスピードが遅く、磁極端部をベベル形状にするためにはＩＢＥを長い時間行う必要があった。そのため、磁極端部のＡＢＳ側部分が図２３（Ｂ）に示すように、径の細い縮径部５０１ａを含む形状になっていた。
【００４４】
したがって、図２４（Ａ）に示すような形状で主磁極層５０１を形成しようとしたにもかかわらず、トラック幅に対応した幅の狭い帯状部分５０１ｂが図２４（Ｂ）に示すように後退してflare pointが現れ、ネックハイトＮＨが想定していた長さ（約０．１５μｍ）よりもｄ（約０．２〜０．３μｍ）だけ長くなってしまう、という問題があった。このことから、従来のＰＭＲでは、ＡＢＳ５０３に近い箇所の磁気量を大きくすることが困難であったため、オーバーライト特性（記録媒体に記録されているデータに別のデータを上書きしてしまう特性）を良好にすることが難しいという問題があった。
【００４５】
そして、従来、主磁極層５０１における磁極端部は、フォトリゾグラフィにより、めっきで形成されているが、ＡＢＳ側部分をベベル形状にするときに、図２５（Ａ）に示すようにテーパー角をもったレジストパターン５０４が用いられることがある。この場合において、記録密度を向上させるため、トラック幅を狭めるようとすると、図２５（Ｂ）に示すように、レジストパターン５０４を除去した後、イオンビームＰを照射して、ＩＢＥによる調節作業（trimming）を長時間行わねばならなかった。そのため、トラック幅が良好でなくなったり、歩留まりが悪化することもあった。
【００４６】
一方、幅の狭いレジストパターンを用いてめっきを行うことが非常に難しく、図２６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、形成された磁極端部がＩＢＥによって倒れるおそれもあった。
このように、従来のＰＭＲでは、記録密度を向上させようとすると、主磁極層を確実に形成することが困難になるといった問題もあった。
【００４７】
これに対し、本実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、キャビティ２を備えた絶縁層１を有し、そのキャビティ２に主磁極層１０が埋め込まれているため、以上のような問題をすべて解消できるようになっている。
すなわち、キャビティ２が主磁極層１０の外形形状に対応した形状に窪ませたものであるため、主磁極層１０がキャビティ２に埋め込まれるようにして形成されると、主磁極層１０を設定したとおりの形状および寸法で形成することができる。また、キャビティ２の極細溝部３によってトラック幅が決まるため、磁極端部をベベル形状にするためにＩＢＥを長い時間行う必要は一切ない。そのため、ネックハイトを想定したとおりの値に設定でき、ＡＢＳ４０３に近い箇所の磁気量を大きくすることが可能であり、オーバーライト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを製造できるようになっている。
【００４８】
また、極細溝部３の幅を可能なかぎり狭めればトラック幅を狭めることができるし、その極細溝部３によってトラック幅を想定したとおりの値に設定できるため、トラック幅が狭いだけでなく、その寸法精度および歩留まりも良好になり、形成された磁極端部が倒れるおそれも皆無である。したがって、薄膜磁気ヘッド用構造物３００のようなキャビティ２を有することによって、記録密度の高められる主磁極層を確実に形成することができる。
【００４９】
（変形例１）
上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、境界面１４がＡＢＳ３０に略平行に形成されている主磁極層１０を有している。しかし、薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、図６に示すような主磁極層１５を有していてもよい。この主磁極層１５は、境界面１７が境界面１４と異なり、ＡＢＳ３０に対して一定の傾斜角で傾斜している。この場合も、上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００および薄膜磁気ヘッド用構造物３００を用いて製造される薄膜磁気ヘッド３００Ａと同様の作用効果を奏する。
【００５０】
（変形例２）
また、上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００の場合、絶縁層１がキャビティ２を有し、キャビティ２内において、磁極端部１１とヨーク磁極部２０とが接合されている。しかし、本発明における薄膜磁気ヘッド用構造物は、キャビティ２を用いない薄膜磁気ヘッド用構造物３０２（図１参照）にすることもできる。薄膜磁気ヘッド用構造物３０２は、図１に示した薄膜磁気ヘッド用構造物３００と断面構造が同様であり、磁極端部１１と、ヨーク磁極部２０との端面同士が接合されている端面接合構造を有し、また、薄膜コイル１００に近い側の表面が平坦な構造を有している。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３０２も、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００５１】
（薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法）
次に、上述の図１、図２（Ａ），（Ｂ）、図３（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）と、図７（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）〜図１１（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）および図１２（Ａ），（Ｂ）〜図１５（Ａ），（Ｂ）を参照して、上述の構造を有する第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物３００の製造方法について説明する。
【００５２】
ここで、図７〜図１５は、製造方法の各工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。また、（Ｃ）は（Ａ）の要部を拡大して示す平面図、（Ｄ）は、（Ｂ）におけるＡＢＳ３０で切断した断面図である。なお、図示の都合上、各図における（Ｃ）は（Ａ）の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示している。
本実施の形態に係る製造方法では、まず、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる図示しない基板の上に、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッド用構造物を積層する。次に、絶縁層１をアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や非磁性材を用いて形成する。
【００５３】
次に、絶縁層１にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、絶縁層１の表面をキャビティ２に対応した形状に露出させるレジストパターンを形成する。そして、そのレジストパターンをマスクにして、反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）を行い、絶縁層１のレジストパターンで被覆されない部分を除去して、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、キャビティ２を形成する。このとき形成されるキャビティ２（の極細溝部３）によって、薄膜磁気ヘッドのトラック幅が決められる。
【００５４】
次に、図７（Ａ）に示すように、絶縁層１の表面全体に、ＣＶＤ法またはスパッタ法により、Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮなどからなる被膜１６を厚さ約２００〜５００Åで形成する。また、キャビティ２を埋めるようにして、スパッタ法またはＩＢＤにより、後に行われる磁性材を用いためっきのシード層となる被膜を被膜１６上に形成する。続いて、絶縁層１の表面全体にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、磁極端部１１の形成予定位置に後述する磁性層２６を形成するため、図７（Ａ）,（Ｃ）に示すように、キャビティ２の可変幅凹部４の略全域、定幅凹部５およびその周辺部分を被覆し、被膜１６のそのほかの部分が露出するように、レジストパターン２５を形成する。
【００５５】
そして、飽和磁束密度が２．３Ｔ〜２．４Ｔの高い飽和磁束密度を有するＣｏＮｉＦｅを磁性材に用い、レジストパターン２５をマスクにしてめっきを行う。すると、レジストパターン２５で被覆されない箇所に磁性層２６が形成される。この磁性層２６によって、後に磁極端部１１が形成される。磁極端部１１を形成するための領域については、めっきにより磁性層２６を形成する。
次に、レジストパターン２５を除去すると、図８（Ａ）、（Ｃ）に示すように、絶縁層１におけるレジストパターン２５で被覆されていなかった領域（キャビティ２における磁極端部１１を形成するための領域および張出凹部６と、キャビティ２の周辺領域）に磁性層２６が残された状態が得られる。このとき、磁性層２６はキャビティ２における極細溝部３以外の領域内において露出した凹部内端面２６ａ（図８（Ａ）参照）を有し、本発明における端面付磁極層となっている。この場合、レジストパターン２５の形成位置を調節することによって、凹部内端面２６ａの奥行きを変えることができる。凹部内端面２６ａの奥行きを大きくすると、凹部内端面２６ａの大きさが大きくなるため、後述する磁性層２７との接合が確実になる。しかし、境界面１４がＡＢＳ３０から離れてヨーク磁極層２０の磁気量が減少し、それにともない、ポールイレージャーが発生しやすくなる。ポールイレージャーを発生し難くするには、凹部内端面２６ａの奥行きを小さくすればよく、そうすると、磁性層２７との接合が難しくなる。これらの点を考慮して、レジストパターン２５の形成位置を調節する。
【００５６】
続いて、図９（Ａ）、（Ｃ）に示すように、飽和磁束密度が磁性層２６よりも低いＣｏＦｅや、飽和磁束密度が１．９〜２．１Ｔで磁歪λおよび最大保持力Ｈｃが小さいＣｏＮｉＦｅを磁性材に用いて、スパッタリングにより、ヨーク磁極部２０の形成予定位置を含む絶縁層１の表面全体に、０．５〜０．８μｍ程度の厚さで磁性層２７を形成する。すなわち、磁極端部１１よりも広いヨーク磁極部２０を形成するための領域については、スパッタリングにより磁性層２７を形成する。
この磁性層２７を形成すると、キャビティ２内において、磁性層２６の凹部内端面２６ａに磁性層２７が接合して、その両者の接合部分が境界面２８になる。すなわち、磁性層２７は本発明における接合磁極層となっている。この磁性層２７によって、後にヨーク磁極部２０が形成される。また、境界面２８は後に境界面１４になる。さらに、基板の表面全体における絶縁層１の外側部分にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層２９を０．５〜１．０μｍ程度の厚さで形成する（なお、絶縁層２９は図９（Ａ）には表示されていない）。
【００５７】
続いて、図１０（Ａ），（Ｃ）に示すように、磁性層２６および磁性層２７の薄膜コイル１００に近い側の表面を含む基板の表面全体を化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、表面平坦化処理を行う。このとき、Ｔａ，Ｗ，ＴｉＮなどからなる被膜１６がストッパとして機能し、キャビティ２の深さｄ１（図３（Ｃ）参照）が０．２〜０．２５μｍ程度になるように、絶縁層１の底面から磁性層２７の表面までの厚さｈ１が制御される。この表面の平坦化処理を行うことにより、後に磁極端部１１と、ヨーク磁極部２０とが形成される。
【００５８】
さらに、ＣＭＰ、ＩＢＥまたはＲＩＥなどの方法を用いて被膜１６を除去すると、図１１（Ａ），（Ｃ）に示すように、磁極端部１１と、ヨーク磁極部２０とが形成される。このとき、キャビティ２における極細溝部３以外の領域（可変幅凹部４）において、磁極端部１１とヨーク磁極部２０とのＡＢＳ３０に沿った方向の端面同士が接合されている。これにより、キャビティ２に埋め込まれるようにして主磁極層１０が形成される。以下、続いて、記録ギャップ層２４、薄膜コイル１００、ライトシールド層４０、バック磁極層５１などを形成する。
【００５９】
そして、図１２（Ａ），（Ｂ）に示すように、磁極端部１１とヨーク磁極部２０を含む基板の上面全体を覆うようにして、記録ギャップ層２４を形成するための被膜３４を４００〜５００Åで形成する。この被膜３４の材料はアルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ２Ｏ３，ＮｉＰｄの等の非磁性金属材料でもよい。この被膜３４によって、後に記録ギャップ層２４が形成される。
【００６０】
続いて、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、被膜３４のうちの、第１のシールド部４１と、バック磁極層５１が形成される部分を開口した上で、第１のシールド部４１とバック磁極層５１を形成する。この場合、第１のシールド部４１はネックハイトＮＨを決めるように、記録ギャップ層２４を介して磁極端部１１と対向するようにして形成される。また、バック磁極層５１は、ヨーク磁極部２０における記録ギャップ層２４で被覆されない箇所に接合されるように形成される。第１のシールド部４１とバック磁極層５１はヨーク磁極部２０と同様のＣｏＮｉＦｅや、ＮｉＦｅを磁性材に用いて、めっきで形成すればよい。
【００６１】
次に、基板の上面全体を覆うように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層３１を例えば１．０〜１．５μｍの厚さで形成する。また、第１のシールド部４１とヨーク磁極部２０の厚さが０．５〜１．０μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。これにより、第２のシールド部４２を形成すべき箇所に開口部が形成される。
【００６２】
さらに続いて、図１４（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層３１の上に、導電性材料からなる電極膜（図示せず）およびフォトリゾグラフィによるフレームを形成した上で、電極膜を用いた電気めっきを行い、Ｃｕよりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の電極膜が薄膜コイル１００になる。薄膜コイル１００は絶縁層３１を介してヨーク磁極部２０上に形成される。
【００６３】
次に、図示しないが、フォトリゾグラフィによって、フレームを形成し、フレームめっき法によって、第２のシールド部４２を形成する。第２のシールド部４２は、第１のシールド部４１と同じ磁性材を用いる。なお、この第２のシールド部４２と、薄膜コイル１００とは、順序を逆にして形成してもよい。
【００６４】
さらに、図１５（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板の上面全体を覆うように、フォトレジスト１０１を塗布する。さらにその上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層３５を厚さ３．０〜４．０μｍ程度で形成した後、表面全体をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。
【００６５】
さらに続いて、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板の上面全体を覆うようにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁層を０．２μｍ程度の厚さで形成したのち、第２のシールド部４２が形成されている箇所に開口部を設ける。これによって、薄膜コイル１００と、第３のシールド部４３とがショートしないように絶縁するための絶縁層３２が得られる。
【００６６】
次に、第３のシールド部４３を２〜３μｍ程度の厚さで形成すると、ライトシールド層４０が形成される。以上までの各工程を経ることによって、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜磁気ヘッド用構造物３００が得られる。こうして得られる薄膜磁気ヘッド用構造物３００は上述の構成を有するから、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。なお、薄膜磁気ヘッド用構造物３００について、ＡＢＳ３０で切断することによって、本発明における薄膜磁気ヘッドが得られる。この薄膜磁気ヘッドも、薄膜磁気ヘッド用構造物３００と同様の作用効果を奏する。
【００６７】
（変形例１）
上述の製造工程は次のように変更することができる。すなわち、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、半導体ウェハーの上面全体をＣＭＰにより研摩した後で、第２のシールド部４２よりも先に絶縁層３１を介して薄膜コイル１００を形成する。次に、薄膜コイル１００を被覆するようにしてフォトレジスト１０１を形成する。さらに、薄膜コイル１００およびフォトレジスト１０１を被覆し、第１のシールド部４１とバック磁極層５１に接続されるようにして、第２のシールド部４２を形成する。すると、図１９（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のシールド部４１と第２のシールド部４２とを有し、第３のシールド部４３を備えないライトシールド層４０を有する薄膜磁気ヘッド用構造物３０１が得られる。
【００６８】
この薄膜磁気ヘッド用構造物３０１は、薄膜磁気ヘッド用構造物３００と比較して、第３のシールド部４３を有しない点と、絶縁層３２を有しない点とで異なるが、他は同じ構成を有する。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３０１は、薄膜磁気ヘッド構造物３００と同様の作用効果を奏する。また、本変形例における製造工程では、第３のシールド部４３を製造するための工程を要しないため、薄膜磁気ヘッド構造物３００の製造工程よりも工程を簡略化することができる。
【００６９】
（変形例２）
薄膜磁気ヘッド用構造物３００は、キャビティ２を用いないで製造することもできる。この場合まず、絶縁層１における磁極端部１１の形成予定位置に、凹部内端面１６ａと同様の露出した端面を有する端面付磁極層を形成する。次に、絶縁層１におけるヨーク磁極部２０の形成予定位置に、端面付磁極層の露出した端面に接合された接合磁極層を形成する。これ以降の工程は、上記同様に行えばよい。この変形例２における製造方法によれば、キャビティ２を有しない薄膜磁気ヘッド用構造物３０２が得られる。
【００７０】
第２の実施の形態
次に、図１６（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物について説明する。図１６は、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物３１０の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【００７１】
（薄膜磁気ヘッド用構造物の構造）
第２の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド用構造物３１０は上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００と比較して、非磁性膜６１を有する点で相違し、そのほかの点では一致している。なお、以下の説明は相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。
【００７２】
非磁性膜６１はヨーク磁極部２０の薄膜コイル１００側の表面以外の部分に形成されている。つまり、非磁性膜６１は磁極端部１１とヨーク磁極部２０との境界面１４およびヨーク磁極部２０と被膜１６との間の部分に配置されている。非磁性膜６１はＲｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ等からなり、厚さは約１０〜３０Åとなっている。この非磁性膜６１は、磁極端部１１およびヨーク磁極部２０における残留磁化ｍｒの方向を制御し、その残留磁化ｍｒの方向が異方向を向くことを防止する機能を有している。よって、薄膜磁気ヘッド用構造物３１０は、薄膜磁気ヘッド用構造物３００よりも記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を一層効果的に防止することができるようになっている。また、キャビティ２を用いない薄膜磁気ヘッド用構造物３０２についても、非磁性膜６１を設けることができる。
【００７３】
（薄膜磁気ヘッド用構造物の製造方法）
薄膜磁気ヘッド用構造物３１０の製造方法は、薄膜磁気ヘッド用構造物３００の製造方法と比較して、磁性層２６を形成するまでの各工程が同様で、磁性層２６を形成した後の工程が異なる。
薄膜磁気ヘッド用構造物３１０を製造するときは、磁性層２６を形成した後、磁性層２７を形成する前に非磁性膜６１を形成する。この場合、非磁性膜６１は凹部内端面２６ａとキャビティ２内の表面を被覆するようにして形成する。
【００７４】
次に、第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３００と同様にして磁性層２７を形成する。すると、ヨーク磁極部２０の薄膜コイル１００側の表面以外の部分に非磁性膜６１が形成されるため、キャビティ２内において磁性層２６の露出している凹部内端面２６ａと磁性層２７とが非磁性膜６１を挟んで接合し、境界面２８に非磁性膜６１が配置される。
続いて、第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３００と同様にして絶縁層２９（図示せず）を形成し、さらに基板の表面全体をＣＭＰにより研磨して、表面の平坦化処理を行う。すると、図１８（Ａ），（Ｂ）に示す状態が得られる。この状態は、図１０（Ｂ），（Ｄ）に対応している。これ以降の工程を第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３００と同様にして実行すると、薄膜磁気ヘッド用構造物３１０が得られる。
【００７５】
（変形例１）
上述の製造工程も、第１の実施の形態の場合同様に変更することができる。すなわち、第１のシールド部４１とバック磁極層５１を形成した後に基板の上面全体をＣＭＰにより研摩し、その後、第２のシールド部４２よりも先に絶縁層３１を介して薄膜コイル１００を形成する。次に、薄膜コイル１００を被覆するようにしてフォトレジスト１０１を形成する。さらに、薄膜コイル１００およびフォトレジスト１０１を被覆し、第１のシールド部４１とバック磁極層５１に接続されるようにして、第２のシールド部４２を形成する。すると、図２０（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のシールド部４１と第２のシールド部４２とを有し、第３のシールド部４３を備えないライトシールド層４０を有する薄膜磁気ヘッド用構造物３１１が得られる。
【００７６】
この薄膜磁気ヘッド用構造物３１１は、薄膜磁気ヘッド用構造物３１０と比較して、第３のシールド部４３を有しない点と、絶縁層３２を有しない点とで異なるが、他は同じ構成を有し、薄膜磁気ヘッド構造物３１０と同様の作用効果を奏する。また、本変形例における製造工程では、第３のシールド部４３を製造するための工程を要しないため、薄膜磁気ヘッド用構造物３１０の製造工程よりも工程を簡略化することができる。
【００７７】
（変形例２）
本実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３１０についても、第１の実施の形態における薄膜磁気ヘッド用構造物３００と同様に、キャビティ２を用いないで製造することもできる。この場合の製造方法は、次のとおりである。まず、第１の実施の形態の変形例２における端面付磁極層について、その露出した端面に非磁性膜６１と同様の非磁性膜を形成する。次に、絶縁層１におけるヨーク磁極部２０の形成予定位置に、端面付磁極層の露出した端面に接合された接合磁極層を形成する。これにより、端面付磁極層と接合磁極層とを非磁性膜を介して接合させる。その他の工程は第１の実施の形態の変形例２と同様に行えばよい。
【００７８】
第３の実施の形態
次に、図２１（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図２１は，本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物３２０の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【００７９】
第３の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド用構造物３２０は、上述した薄膜磁気ヘッド用構造物３００と比較して、上部ヨーク磁極部４５を有する点と、バック磁極層５１を有しない点と、記録ギャップ層２４および絶縁層３１の形状が異なり、絶縁層３３を有する点で相違し、その他の点は一致している。なお、以下の説明は相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。
【００８０】
薄膜磁気ヘッド用構造物３２０は、上部ヨーク磁極部４５を有するが、この上部ヨーク磁極部４５はヨーク磁極部２０における薄膜コイル１００に近い側の表面の、記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた位置に接合されている。上部ヨーク磁極部４５は、第１シールド部４１をめっきで形成するときに第１シールド部４１と一緒に形成される。
この上部ヨーク磁極部４５をヨーク磁極部２０に接合することによって、主磁極層１０のＡＢＳ３０付近の磁気量を増やすことができる。そのため、薄膜磁気ヘッド用構造物３２０によれば、オーバーライト特性が良好な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００８１】
薄膜磁気ヘッド用構造物３２０を製造するときは、ヨーク磁極部２０における記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた部分に上部ヨーク磁極部４５を接合する工程を設ければよい。この場合、キャビティ２を用いて製造することができ、キャビティ２を用いないで製造することもできる。
また、薄膜磁気ヘッド用構造物３２０についても、第１の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド用構造物３００と同様に、図２２（Ａ），（Ｂ）に示すような薄膜磁気ヘッド用構造物３２１とすることができる。この薄膜磁気ヘッド用構造物３２１は、第１のシールド部４１と第２のシールド部４２とを有し、第３のシールド部４３を備えないライトシールド層４０を有する。
さらに、図示はしないが、薄膜磁気ヘッド用構造物３２０と、薄膜磁気ヘッド用構造物３２１のいずれについても、磁極端部１１とヨーク磁極部２０とが接合する部分およびヨーク磁極部２０と被膜１６との間の部分に非磁性膜６１が形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図２】絶縁層を示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。
【図３】図２の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す図で、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ｂ）における要部を拡大して示す断面図である。
【図４】ＡＢＳに沿って切断した後の主磁極層を示す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。
【図５】主磁極層を示す平面図である。
【図６】ＡＢＳに沿って切断した後の別の主磁極層を示す図で、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る製造方法の一工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。
【図８】図７の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。
【図９】図８の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。
【図１０】図９の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。
【図１１】図１０の後続の工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。
【図１２】図１１の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図１３】図１２の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図１４】図１３の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図１５】図１４の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図１６】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図１７】第２の実施の形態に係る製造方法の一工程における平面図または断面図を示し、（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）におけるＢ-Ｂ線断面図である。（Ｃ）は（Ａ）の要部を寸法の比率を変更の上、拡大して示す平面図、（Ｄ）は（Ｂ）におけるＡＢＳで切断した断面図である。
【図１８】図１７の後続の工程における断面図を示し、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図１９】第１の実施の形態の変形例に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図２０】第２の実施の形態の変形例に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図２１】第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図２２】第３の実施の形態の変形例に係る薄膜磁気ヘッド用構造物の断面図で、（Ａ）は薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳで切断したときのＡＢＳを示す断面図である。
【図２３】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図で、（Ａ）はエッチング前、（Ｂ）はエッチング後を示す図である。
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドにおける主磁極層を示す平面図で、（Ａ）は設定通りの主磁極層、（Ｂ）は製造された主磁極層を示す図である。
【図２５】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図で、（Ａ）はフォトレジストのある状態、（Ｂ）はフォトレジストの除去後を示す図である。
【図２６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す断面図で、（Ａ）は別のフォトレジストのある状態、（Ｂ）はフォトレジストの除去後を示す図である。
【図２７】従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図、（Ｃ）は平面図である。
【符号の説明】
【００８３】
２…キャビティ、３…極細溝部
１０…主磁極層、１１…磁極端部
２０…ヨーク磁極部、２４…記録ギャップ層
３０…ＡＢＳ、４０…ライトシールド層
４５…上部ヨーク磁極部、６１…非磁性膜
１００…薄膜コイル
３００，３０１，３０２…薄膜磁気ヘッド用構造物
３１０，３２０…薄膜磁気ヘッド用構造物
３００Ａ…薄膜磁気ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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