(57)【要約】【課題】液膜を効率よく、かつ、膜厚の均一性を劣化させることなく乾燥することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】レジスト液により液膜を形成した基板を基板処理装置の乾燥処理部に備わる収容空間内に載置して、該空間を密閉し、圧力挙動をモニタしつつ、レジスト液の飽和蒸気圧ＰＶよりも低い設定圧力ＰＳを目指して減圧する。飽和蒸気圧ＰＶに達した時点でいったん減圧が停滞し、レジスト液の溶媒がほぼ全て揮発する。当該揮発の終了後さらに減圧が進むが、設定圧力ＰＳに近い到達圧力ＰＦにて圧力は一定値に収束する。この時点を乾燥終了時点と判断する。【選択図】図７
2006194577.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理を行う装置であって、
液膜を塗布された基板を載置可能な載置部を内部に含む収容空間と、
前記収容空間内の気体を排気可能な排気手段と、
前記載置部の温度を調整する温度調整手段と、
前記収容空間に対し不活性気体を供給する気体供給手段と、
前記収容空間の圧力を大気圧にする復圧手段と、
前記収容空間の圧力を測定する圧力測定手段と、
前記排気手段、前記気体供給手段、および前記復圧手段を制御する圧力制御手段と、
を含む乾燥処理部を備え、
前記圧力制御手段は、
前記気体供給手段に前記不活性気体を供給させつつ前記排気手段に排気させることによって前記収容空間を減圧し、前記圧力測定手段により計測される前記収容空間の圧力が所定の値以下になった場合に前記復圧手段を動作させて前記収容空間の圧力を大気圧にする、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記圧力制御手段が、
前記圧力測定手段により計測される前記収容空間内の圧力の変化から前記液膜の溶媒の揮発が終了したことを判断する判断手段をさらに備え、
前記判断手段において前記揮発が終了したと判断された後に前記復圧手段を動作させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記判断手段が、前記圧力測定手段により計測される前記収容空間内の圧力が、前記液膜を形成する材料の飽和蒸気圧より小さい所定の設定圧力値に達した時点で前記液膜の溶媒の揮発が終了したと判断する、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
基板を水平に保持可能な基板保持手段と、
処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、
を相対的に移動させつつ基板に処理液を塗布する塗布処理部と、
をさらに備え、
前記塗布処理部において処理液を塗布する処理がなされた後の基板が、前記乾燥処理部における乾燥処理に供されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置であって、
基板に対し加熱処理および冷却処理を行う熱処理部と、
露光された基板に対し現像処理を行う現像処理部と、
各処理部との間で基板の搬入および搬出を行う搬送部と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板に塗膜を形成する処理を行う方法であって、
収容空間内に配置され基板を載置可能な載置部に、液膜を塗布された基板を載置する載置工程と、
前記収容空間に不活性気体を供給しつつ当該収容空間を減圧する減圧工程と、
前記収容空間の圧力が所定の値以下になった場合に前記収容空間の圧力を大気圧にする復圧工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理方法であって、
前記減圧工程が前記収容空間内の圧力を計測しつつ行われ、
かつ、
前記圧力の変化から、前記液膜中の溶媒の揮発が終了したこと判断する判断工程を備え、
前記判断工程にて前記揮発が終了したと判断された後に、前記復圧工程を開始することを特徴とする基板処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記判断工程においては、前記収容空間内の圧力が、前記液膜を形成する材料の飽和蒸気圧より小さい所定の設定圧力値に達した時点で前記液膜の溶媒の揮発が終了したと判断する、
ことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板等（以下、「基板」と称する）に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品においては、上記基板に対してフォトリソグラフィー技術を用いた回路形成がなされている。フォトリソグラフィーは、レジスト塗布、露光、現像、エッチング等のプロセスによって回路形成を行う技術である。
【０００３】
このうち、レジスト塗布に関しては、従来、水平面内で回転させた基板上に、レジスト液を滴下し、回転による遠心力を利用してレジスト液を基板全体に行き渡らせる、スピン塗布という手法が一般的である。
【０００４】
スピン塗布は、基板上に均一なレジスト膜を形成することが可能であるが、滴下したレジスト液のうち、実際に膜形成に寄与するのは１０％程度でしかなく、滴下したレジスト液の大部分は、膜形成に寄与することなく基板外部に廃棄される。そのため、省レジスト化およびコストの面で問題がある。
【０００５】
そこで、この問題を回避するため、スピン塗布に代わる成膜技術が研究開発されており、その一つにスキャン塗布がある（例えば、特許文献１参照）。図１０は、スキャン塗布の概念を説明する図である。スキャン塗布は、基板Ｗと細径の先端を有するノズル１０１とを矢印ＡＲ１０１に示す方向に相対的に移動させつつ、ノズル１０１の先端からレジスト液１０２を連続的に吐出させ、基板Ｗ上にレジスト液１０２を線状に順次塗布することによって、液膜１０３を形成する技術である。なお、図１０においては、説明の便宜上、液膜１０３を構成する線の間隔が開いているが、実際には、それぞれの線は互いに隣接するように塗布され、最終的には略円板状の液膜が形成される。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−０７７３２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
レジスト液が塗布された基板は、引き続きベーキング工程へ移されるが、液膜の状態のまま移すとすると、搬送の途中にレジスト液が流動したり、また、ベーキング処理中にレジスト液中の有機溶媒が大量に揮発するなどの問題が生じる。
【０００８】
なお、スピンコート法によりレジスト液を塗布した場合には、基板の回転によりレジスト液が乾燥するので、このような問題は、通常は考慮する必要はない。
【０００９】
スキャン塗布された基板における上述のような問題を回避するためには、ベーキング処理を行う前に、余分な溶媒を揮発させて液膜を乾燥させ、固化した塗膜とする必要がある。例えば、ベーキング処理に先んじて、常温に近い温度にて液膜の減圧乾燥処理を行うことにより、これは実現される。
【００１０】
ただし、溶媒の揮発が不十分であると、後段の処理において上述のように溶媒の揮発が生じてしまう。また、十分に溶媒が揮発してしまっているのにも関わらず、減圧乾燥処理を継続するのは、処理時間の無駄である。十分に、かつ効率よく乾燥させるためには、溶媒が揮発したことを何らかの方法により判断することが必要である。
【００１１】
また、スキャン塗布においては、液膜を線状に順次形成していくため、塗布位置の違いや塗布後の経過時間の差に起因して、液膜の膜厚に不均一が生じる場合がある。減圧乾燥処理に伴って、膜厚がさらに不均一になることは、少なくとも回避されなければならない。
【００１２】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、液膜を効率よく、かつ、膜厚の均一性を劣化させることなく乾燥することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の処理を行う装置であって、液膜を塗布された基板を載置可能な載置部を内部に含む収容空間と、前記収容空間内の気体を排気可能な排気手段と、前記載置部の温度を調整する温度調整手段と、前記収容空間に対し不活性気体を供給する気体供給手段と、前記収容空間の圧力を大気圧にする復圧手段と、前記収容空間の圧力を測定する圧力測定手段と、前記排気手段、前記気体供給手段、および前記復圧手段を制御する圧力制御手段と、を含む乾燥処理部を備え、前記圧力制御手段は、前記気体供給手段に前記不活性気体を供給させつつ前記排気手段に排気させることによって前記収容空間を減圧し、前記圧力測定手段により計測される前記収容空間の圧力が所定の値以下になった場合に前記復圧手段を動作させて前記収容空間の圧力を大気圧にする、ことを特徴とする。
【００１４】
請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記圧力制御手段が、前記圧力測定手段により計測される前記収容空間内の圧力の変化から前記液膜の溶媒の揮発が終了したことを判断する判断手段をさらに備え、前記判断手段において前記揮発が終了したと判断された後に前記復圧手段を動作させることを特徴とする。
【００１５】
請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記判断手段が、前記圧力測定手段により計測される前記収容空間内の圧力が、前記液膜を形成する材料の飽和蒸気圧より小さい所定の設定圧力値に達した時点で前記液膜の溶媒の揮発が終了したと判断する、ことを特徴とする。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置であって、基板を水平に保持可能な基板保持手段と、処理液吐出口を有し、処理液を当該処理液吐出口から前記基板上に連続的に吐出可能な処理液吐出手段と、を相対的に移動させつつ基板に処理液を塗布する塗布処理部と、をさらに備え、前記塗布処理部において処理液を塗布する処理がなされた後の基板が、前記乾燥処理部における乾燥処理に供されることを特徴とする。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置であって、基板に対し加熱処理および冷却処理を行う熱処理部と、露光された基板に対し現像処理を行う現像処理部と、各処理部との間で基板の搬入および搬出を行う搬送部と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
請求項６の発明は、基板に塗膜を形成する処理を行う方法であって、収容空間内に配置され基板を載置可能な載置部に、液膜を塗布された基板を載置する載置工程と、前記収容空間に不活性気体を供給しつつ当該収容空間を減圧する減圧工程と、前記収容空間の圧力が所定の値以下になった場合に前記収容空間の圧力を大気圧にする復圧工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
請求項７の発明は、請求項６に記載の基板処理方法であって、前記減圧工程が前記収容空間内の圧力を計測しつつ行われ、かつ、前記圧力の変化から、前記液膜中の溶媒の揮発が終了したこと判断する判断工程を備え、前記判断工程にて前記揮発が終了したと判断された後に、前記復圧工程を開始することを特徴とする。
【００２０】
請求項８の発明は、請求項７に記載の基板処理方法であって、前記判断工程においては、前記収容空間内の圧力が、前記液膜を形成する材料の飽和蒸気圧より小さい所定の設定圧力値に達した時点で前記液膜の溶媒の揮発が終了したと判断する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１ないし請求項８の発明によれば、減圧乾燥において液膜の表面から溶媒が揮発する際の、収容空間内の圧力の挙動について知ることができるので、圧力を制御しつつ減圧乾燥を行うことができる。
【００２２】
請求項２、請求項３、請求項７、および請求項８の発明によれば、液膜が乾燥状態に達したことを的確に検知でき、処理時間の無駄をなくした処理を行うことができる。
【００２３】
請求項３および請求項８の発明によれば、圧力が設定圧力値に達したことが確認できれば、液膜が乾燥状態に達したと判断できるので、処理時間の無駄をなくした処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
＜塗布処理部の概要＞
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の塗布処理部１および乾燥処理部６の概要を示す図である。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図である。なお、それぞれには、水平面をｘｙ平面、鉛直方向をｚ軸とした３次元座標を付している。
【００２５】
塗布処理部１は、基板Ｗを水平に保持する保持部２と、吐出口５からレジスト液を基板上に吐出し、液膜を形成するノズル３とを主として備える。
【００２６】
保持部２は、駆動部１０の図示を省略する駆動機構により、矢印ＡＲ１に示す方向に移動可能となっている。ノズル３は、ノズル駆動部４によって矢印ＡＲ２に示す方向に移動可能となっている。ノズル駆動部４は、ベルト駆動による駆動機構であり、ベルト４Ｂに固定されたノズル３が、ベルト４Ｂのｙ軸方向の動作に応じて移動する態様となっている。なお、ノズル３の駆動機構はこれに限定されず、他の公知の駆動機構を採用してもよい。
【００２７】
塗布処理部１にてレジスト液を塗布され、液膜を形成された基板Ｗは、乾燥処理部６に受け渡される。乾燥処理部６の詳細は後述する。
【００２８】
なお、図１においては図示を省略しているが、図２に示すように、レジスト液Ｒは、レジスト貯留部に備わるポンプ１２によって、配管１４を経てノズル３に供給されている。ノズル３が矢印ＡＲ４に示す塗布動作を行う際、ノズル３にレジスト液Ｒを供給する配管１４の可動部分１４Ｍは、ノズル３の動作に伴って移動する。
【００２９】
＜乾燥処理部の詳細構成＞
図３は、乾燥処理部６の全体を示す概略断面図である。この乾燥処理部６は、基板Ｗを収容保持する容器２０と、基板Ｗに対する乾燥温度を調整可能な加熱ヒータ４０と、該加熱ヒータ４０による温度調整制御を行う制御部４５とを主として備えており、基板Ｗに塗布されたレジスト液の液膜を低圧化におくことによって溶媒を揮発させ、固化した塗膜を得る、減圧乾燥を行うためのものである。
【００３０】
加熱ヒータ４０は、容器２０内に収容された基板Ｗに対する乾燥温度を調整する機能を有している。本実施の形態では、後述する載置部２１の下面側及び蓋体３０の上面側に加熱ヒータ４０が設けられており、加熱ヒータ４０で生じた熱が載置部２１及び蓋体３０内を介して容器２０の収容空間２３内の気体に伝わる。液膜の乾燥に伴い発生する揮発熟の影響で基板Ｗおよび載置部２１の温度が下がると、液膜中の溶媒の蒸気圧が下がって乾燥しにくくなり、その結果、乾燥処理時間が増加してしまう。加熱ヒータ４０にて乾燥温度を調整することにより、これは回避される。また、乾燥温度を調整することによって、容器２０の内壁に溶媒が結露することも防止できる。なお、加熱ヒータ４０に代わって温度が一定に保たれる温調水を用いて乾燥温度を調整する態様であってもよい。また、加熱ヒータ４０が設けられる態様は、上述したものに限られず、例えば、収容空間２３内に設けられていてもよい。
【００３１】
容器２０は、基板Ｗを気密状態で収容可能に構成されている。具体的には、容器２０は、基板Ｗが載置される載置部２１とその載置部２１上を覆う蓋体３０とを備えている。
【００３２】
また、図４には載置部２１の平面図を、図５には蓋体３０を開いた状態における容器２０の断面図を示す。図３〜図５に示すように、載置部２１は、略円盤状に形成されており、その上面側中央部に、周囲を周壁部２２によって囲まれた所定の収容空間２３が形成されている。収容空間２３は、基板Ｗを水平姿勢のままで収容可能な形状及び大きさに形成されている。ここでは、略円形状である基板Ｗよりも一回り大きな円形穴形状に形成されている。
【００３３】
載置部２１のうち収容空間２３内の底面２４には、基板Ｗを水平に支持する複数の突起部２５と、基板Ｗの周縁側面に当接して基板Ｗの水平方向の位置決めを担い、かつ基板の滑りを防止する滑り防止手段として機能する複数の滑り防止ピン２６が備わっている。図４は、基板Ｗが載置されたならばその外周部分に相当する位置に、３つの突起部２５が所定間隔をあけて形成され、各突起部２５に対応する外側位置に滑り防止ピン２６が形成されている場合を示している。
【００３４】
突起部２５を具備することにより、基板Ｗが載置部２１に載置されるときは、底面２４に直接に面接触するのではなく、複数の突起部２５に略点接触の状態にて支持され、底面２４から離間して保持されることになる。このように基板Ｗを支持し、接触部分を最小限に止めることにより、乾燥処理部６から基板Ｗへの熱伝導に起因して液膜に生ずる温度の不均一、さらにはこれに伴う乾燥後塗膜の膜厚不均一性の増大を防ぐことができる。
【００３５】
一方、上述のような略点接触による基板Ｗの支持は外力に対して不安定であり、例えば後述するような収容空間２３からの排気を実行する場合であれば、当該空間内に生じる気流によって、基板Ｗが滑ってしまい位置ずれを起こす可能性がある。滑り防止ピン２６は、これを防止し、基板Ｗを所定の位置及び姿勢にて保持するために設けられている。これらを保持することは、膜厚不均一性の増大を抑止する一助となる。
【００３６】
また、載置部２１には、上記底面２４からの出退が自在な突き上げピン２７が複数備わっている。突き上げピン２７は、収容空間内への基板Ｗの載置と、収容空間内からの基板Ｗの取り出しとを担うためのものである。図５において矢印ＡＲ５にて示すように、突き上げピン２７は、図示を省略する駆動機構により底面２４から出退自在となっている。上方へ進出した状態では、基板Ｗを上方に持ち上げ、下方へ退避した状態では、基板Ｗを収容空間２３内の下方へ移動させて突起部２５に支持させる構成となっている。なお、突き上げピン２７は加熱ヒータ４０にて直接に加熱されないため、基板Ｗにおいて突き上げピン２７と接触する箇所は他の箇所とは温度が異なってしまうことになる。これは上述の突起部２５の場合と同様に温度の不均一を生じることになる。本実施の形態においてはこれに起因する膜厚の不均一を回避するために、図４に示すように、３つの突き上げピン２７を、基板Ｗが載置されたならばその外周部分に相当する位置であって、それぞれの突起部２５の中間の位置に設けている。
【００３７】
さらに、載置部２１のうち周壁部２２の内面と底面２４とが交わる環状部分に沿って、環状スリット２８が形成されていると共に、その環状スリット２８から載置部２１の外面に貫通するエア吸引孔２９が形成されている。
【００３８】
エア吸引孔２９の外側開口部分には、排気手段としての真空ポンプ５０が圧調整バルブ５１を介して接続されている。真空ポンプ５０に排気動作を行わせると、容器２０内の気体が排気されることとなる。なお、排気に伴う気流が液膜の上方にて発生すると、液膜表面に気流による流跡が形成されてしまい、その凹凸によって局所的に膜厚が不均一になってしまうが、載置部２１においては、環状スリット２８を通じて基板Ｗの周辺部側から気体が排気されるため、基板Ｗの周りに均等な吸引力を作用させることができ、上述のような流跡の形成を阻止することができる。
【００３９】
蓋体３０は、載置部２１を気密状態に覆い、かつ、その載置部２１に対して開閉自在に取付けられる。上記周壁部２２の上部は、その外周側部分が内周側部分よりも段落ちした形状を有しており、蓋体３０の下面外周部が、これに対応して一段突出した形状を有している。そして、蓋体３０の下面外周部を周壁部２２の上部に嵌め込むようにして蓋体３０を載置部２１に取付けると、収容空間２３が気密状態に保たれることになる。なお、周壁部２２側にはゴム等の弾性部材によるＯリング３８が設けられており、気密状態をより確実に保つようにしている。
【００４０】
なお、蓋体３０の開閉動作は、図示省略の駆動部の駆動により行われる。
【００４１】
さらに、蓋体３０には、その上下（容器２０を基準にするとその内外）に貫通するガス供給孔３２が形成されている。このガス供給孔３２には、ガス供給手段としての不活性ガス供給源５２がリーク量調整バルブ５３を介して接続されている。本実施の形態においては、蓋体３０を取り付け載置部２１を閉じた状態にて、真空ポンプ５０により容器２０内の空気を排気し、収容空間２３を負圧にしつつも、当該不活性ガス供給源５２から不活性ガス（例えば窒素ガス等）を前記ガス供給孔３２を通じて収容空間２３内に導入する。すなわち、不活性ガスにて収容空間内の雰囲気を置換しつつ、収容空間２３の排気を行う。不活性ガスは、その湿度、温度等の管理が容易だからである。
【００４２】
制御部４５は、本装置全体の制御を行うものであり、ＣＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭ等を備え、予め格納されたソフトウェアプログラムによって所定の演算動作を行う一般的なマイクロコンピュータにより構成されている。この制御部４５は、後述する一連の動作の制御を行う。
【００４３】
また、この容器２０には、その収容空間２３内の圧力を監視するための圧力計５４が設けられている。後述するように、圧力計５４によって計測される収容空間２３内の圧力値に基づいて、制御部４５内に備わる判断部４６が、乾燥処理の終了を判断する。
【００４４】
＜乾燥処理動作＞
次に、乾燥処理部６における減圧乾燥処理の動作について説明する。図６は、乾燥処理部６における減圧乾燥処理の流れを示す図である。また、図７は、乾燥処理部６にて減圧を行った場合の、収容空間２３内の圧力の時間変化を示す図である。図７においては、縦軸が収容空間２３内の圧力、横軸が処理を開始してからの経過時間を表しており、波線が設定圧力曲線６１、実線が圧力計５４にて計測された収容空間２３内の実圧力曲線６２を表している。また、説明の便宜上、実圧力曲線６２の挙動に応じて、処理の過程を過程Ｉ〜過程Ｖの５つの過程に分けている。
【００４５】
基板Ｗに対して塗布処理部１にてレジスト液が塗布された後、保持部２により当該基板Ｗが容器２０内に搬送される。基板Ｗは、載置部２１内の突起部２５にて支持され、かつ滑り防止ピン２６および突き上げピン２７にて固定される（ステップＳ１）。
【００４６】
その後、蓋体３０が閉じられて容器２０が密閉され（ステップＳ２）、続いて、真空ポンプ５０により容器２０内の気体が設定圧力を目指して排気される。同時に、不活性ガスが不活性ガス供給源５２から容器２０内に導入される（ステップＳ３）。排気動作は制御部４５により制御される。その際、収容空間２３内が減圧していくように圧調整バルブ５１及びリーク量調整バルブ５３の開度は制御されるので、収容空間２３内は、不活性ガス雰囲気を保持しつつ減圧されることになる。
【００４７】
このステップＳ３までは、図７の過程Ｉに相当する。すなわち、設定圧力曲線６１に示すように設定圧力ＰＳが与えられ、減圧処理が開始されると、実圧力曲線６２が示すように、収容空間２３内の圧力は設定圧力ＰＳを目指して急激に低下していく過程である。なお、設定圧力ＰＳは、レジスト液の溶媒の飽和蒸気圧よりも十分小さくする必要がある。また、この過程においては、レジスト液の液膜からの溶媒の揮発が、主として液膜表面から生じている。
【００４８】
処理開始後、ある一定の時間ｔ１が経過すると、収容空間２３内の圧力はほとんど低下せず、一定となる（過程II）。これは、減圧の結果、収容空間２３内の圧力が液膜を構成する溶媒の飽和蒸気圧ＰＶに達し、液膜内部からも連続的に溶媒の揮発が生じるためである。ほぼ全ての溶媒が揮発する時間ｔ２までは、排気動作に関わらず飽和蒸気圧ＰＶが保たれることとなる。
【００４９】
ほぼ全ての溶媒が揮発すると、再び設定圧力ＰＳを目指して減圧していく（過程III）。そして、時間ｔ３が過ぎた後のように、ほぼ設定圧力ＰＳに近い圧力に達すると、圧力の減少が鈍化し、ほぼ一定値に収束する（過程IV）。この時点に達すると、ほぼ完全に固化した塗膜が得られていることになる。
【００５０】
本実施の形態においては、収容空間２３内のこうした圧力変化に基づいて、液膜の乾燥が終了したか否か、すなわち、全ての溶媒の揮発が終了したか否かを判断することとなる（ステップＳ４）。具体的には、乾燥処理の開始後、収容空間２３内の圧力変化を圧力計５４にて絶えず測定し、実圧力曲線６２のような圧力挙動を得る。そして、測定した圧力が設定圧力ＰＳに達したと、判断部４６が判断した時点で、乾燥処理を終了すればよいこととなる。図７においては、時間ｔ４が経過してこの状態に達したことを意味する。
【００５１】
このようにして減圧乾燥が行った後は、不活性ガス供給源５２のリーク量調整バルブ５３を調整して、不活性ガスを流入させることにより収容空間２３を大気圧に復圧し（ステップＳ５）、基板Ｗを取り出せば（ステップＳ６）、処理は乾燥処理は終了する（過程Ｖ）。
【００５２】
なお、不活性ガスによる復圧を実行する代わりに、乾燥処理部６が大気圧用リークバルブを有し、当該大気圧用リークバルブを調整することにより収容空間２３内に装置外部の空気が流入して復圧がなされる構成であってもよい。
【００５３】
以上の手順を実行することにより、液膜が乾燥状態に達したことを的確に検知でき、処理時間の無駄をなくした処理を行うことができる。また、排気速度を適宜設定することにより、あるいは段階的に排気速度を変化させつつ排気を行うことにより、排気に伴う気流の発生による液膜の不均一を回避しつつ排気を行うことが望ましい。なお、本実施の形態においては乾燥条件を時間に基づいて設定しないので、乾燥が不完全な状態で終了することもない。
【００５４】
なお、設定圧力ＰＳに達しなくとも、過程IVにおいて圧力低下が鈍化して、設定圧力ＰＳに近い圧力に達した時点で乾燥処理を終了しても、実質的に大きな問題は生じない。すなわち、図７においては、設定圧力ＰＳに近い到達圧力ＰＦにて圧力がほぼ一定になったと判断して、乾燥処理を終了してもよい。これにより、さらなる処理時間の短縮が可能である。
【００５５】
＜装置の全体構成＞
上述のような構成を有する塗布処理部１および乾燥処理部６は、基板に対するフォトリソグラフィー処理を行う種々の装置に組み込んで機能させることが可能である。
【００５６】
図８は、そうしたフォトリソグラフィー処理を行う装置の一例としての、基板処理装置７０の構成の概略を示す図である。図８には、図１と同様に３次元座標系を付している。基板処理装置７０は、基板Ｗに対しレジスト塗布処理や現像処理を行う装置であって、基板の搬出入を行うインデクサＩＤと、基板に処理を行う複数の処理ユニットからなる第１処理部群ＰＧ１，第２処理部群ＰＧ２と、図示を省略する露光装置（ステッパ）との基板の受け渡しを行うインターフェイスＩＦと、第１処理部群ＰＧ１と、第２処理部群ＰＧ２とに挟まれた搬送ロボットＴＲとを備えている。
【００５７】
インデクサＩＤは、複数の基板を収納可能なキャリアＣＲを載置し、未処理基板を当該キャリアから搬送ロボットＴＲに払い出すとともに処理済基板を搬送ロボットＴＲから受け取ってキャリアに格納する。
【００５８】
インターフェイスＩＦは、基板処理装置７０と図外の露光装置との間で基板の授受を行う機能を有する。また、インターフェイスＩＦは、図示は省略するが、露光装置との受け渡しタイミングの調整を行うべく、露光前後の基板を一時的にストックする機能を有している。
【００５９】
また基板処理装置７０は、基板に処理を行うための複数の処理ユニットを備えており、そのうちの一部が第１処理部群ＰＧ１を構成し、残部が第２処理部群ＰＧ２を構成する。図９は、第１処理部群ＰＧ１および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。第１処理部群ＰＧ１は、塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２と、その上方に３列３段に積層された熱処理ユニットとから構成されている。この塗布処理ユニットＳＣ１およびＳＣ２が、本実施の形態に係る塗布処理部１および乾燥処理部６により構成されるものである。
【００６０】
なお、図９においては、図示の便宜上処理ユニットを平面的に配置しているが、実際にはこれらは高さ方向（ｚ軸方向）に積層されているものである。
【００６１】
熱処理ユニットとしては、下から順に冷却ユニットＣＰ１、密着強化ユニットＡＨ、加熱ユニットＨＰ１が積層された列と、冷却ユニットＣＰ２、加熱ユニットＨＰ２、加熱ユニットＨＰ３が積層された列と、冷却ユニットＣＰ３、加熱ユニットＨＰ４、加熱ユニットＨＰ５が積層された列とが設けられている。
【００６２】
同様に、第２処理部群ＰＧ２は、現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２とその上方に３列３段に積層された熱処理ユニットとから構成されている。現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、露光後の基板上に現像液を供給することによって現像処理を行う、いわゆるスピンデベロッパである。熱処理ユニットとしては、下から順に冷却ユニットＣＰ４、露光後ベークユニットＰＥＢ、加熱ユニットＨＰ６が積層された列と、冷却ユニットＣＰ５、加熱ユニットＨＰ７、加熱ユニットＨＰ８が積層された列と、冷却ユニットＣＰ６、加熱ユニットＨＰ９、加熱ユニットＨＰ１０が積層された列とが設けられている。
【００６３】
加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ１０は、基板を加熱して所定の温度にまで昇温する、いわゆるホットプレートである。また、密着強化ユニットＡＨおよび露光後ベークユニットＰＥＢもそれぞれレジスト塗布処理前および露光直後に基板を加熱する加熱ユニットである。冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、基板を冷却して所定の温度にまで降温するとともに、基板を当該所定の温度に維持する、いわゆるクールプレートである。
【００６４】
なお、塗布処理ユニットおよび現像処理ユニットの直上には、温湿度の管理されたクリーンエアーのダウンフローを形成するフィルタファンユニットＦＦＵが設けられている。また、図示を省略しているが、搬送ロボットＴＲが配置された搬送空間の上方にも、フィルタファンユニットが設けられている。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の塗布処理部１および乾燥処理部６の概要を示す図である。
【図２】レジスト液の供給について説明する図である。
【図３】乾燥処理部６の全体を示す概略断面図である。
【図４】載置部２１の平面図である。
【図５】蓋体３０を開いた状態における容器２０の断面図である。
【図６】乾燥処理部６における減圧乾燥処理の流れを示す図である。
【図７】乾燥処理部６にて減圧を行った場合の、収容空間２３内の圧力の時間変化を示す図である。
【図８】基板処理装置７０の構成の概略を示す図である。
【図９】第１処理部群ＰＧ１および第２処理部群ＰＧ２の構成を示す図である。
【図１０】スキャン塗布の概念を説明する図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  塗布処理部
２  保持部
３  ノズル
５  吐出口
６  乾燥処理部
１２  ポンプ
１４  配管
２０  容器
２１  載置部
２２  周壁部
２３  収容空間
２４  底面
２５  突起部
２６  滑り防止ピン
２７  突き上げピン
３０  蓋体
３２  ガス供給孔
４０  加熱ヒータ
５１  圧調整バルブ
５３  リーク量調整バルブ
５４  圧力計
６１  設定圧力曲線
６２  実圧力曲線
ＡＲ１〜ＡＲ５  矢印
ＰＦ  基準到達圧力
ＰＳ  設定圧力
ＰＶ  飽和蒸気圧
Ｒ  レジスト液
Ｓ１〜Ｓ６  ステップ
Ｗ  基板
ｔ１〜ｔ４  時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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