(57)【要約】【課題】隔壁の機械的強度を十分に確保できると共に高輝度化を実現できる、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板を提供する。【解決手段】この発明のプラズマディスプレイパネル用基板１は、基板上に放電セル６を区画する隔壁２…が形成されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁２は、該隔壁２の少なくとも一方の側面に凹溝３が設けられることによって形成された薄壁部４と、該薄壁部４に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部５とを備えていることを特徴とする。【選択図】図１
2006222075.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に放電セルを区画する隔壁が形成されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、
前記隔壁は、該隔壁の少なくとも一方の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備えていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項２】
基板上に、該基板に平行な面内における１方向に延ばされた隔壁が形成されることによって放電セルが区画されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、
一画素に対応する放電セルを構成する一対の隔壁のうち、少なくとも１つの隔壁は、該隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備え、かつ該肉厚壁部は前記隔壁における少なくとも中間部に配置されていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項３】
基板上に、該基板に平行な面内における異なる少なくとも２方向に延ばされた隔壁が形成されることによって放電セルが区画されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、
一画素に対応する放電セルを構成する複数の隔壁のうち、少なくとも１つの隔壁は、該隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備えていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項４】
基板上に、該基板に平行な面内における異なる少なくとも２方向に延ばされた隔壁が形成されることによって放電セルが区画されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、
一画素に対応する放電セルを構成する複数の隔壁は、いずれも、該隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備えていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項５】
前記一画素に対応する放電セルにおける少なくともコーナー部に前記肉厚壁部が配置されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項６】
前記凹溝は、その横断面積が下方向に向けて漸次減少する形状である請求項１〜５のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項７】
前記凹溝の深さを「Ｍ」とし、前記隔壁の高さを「Ｎ」としたとき、
０．１５≦Ｍ／Ｎ≦１．０
の関係が成立する請求項１〜６のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項８】
前記肉厚壁部の上面での長さを「Ｘ」とし、前記薄壁部の上面での長さを「Ｙ」としたとき、
０．５≦Ｙ／Ｘ≦２
の関係が成立する請求項１〜７のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項９】
前記隔壁は、前記基板上に平面視略格子状に配置されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項１０】
前記隔壁は、前記基板上に平面視略ハニカム状（略亀甲状）に配置されている請求項１〜８のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項１１】
前記隔壁は、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物及びノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の樹脂成分と、無機粒子とを含有した感光性ペーストの硬化物で形成されている請求項１〜１０のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項１２】
前記アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、下記（Ａ）及び（Ｂ）の化合物を含有してなる請求項１１に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
（Ａ）下記式（２）で示される官能基および下記式（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を含むポリオルガノシロキサン樹脂
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂
【化１】
2006222075.tif 000015
（式中、Ａ1 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒa 、Ｒb は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ1 、ｍ1 は０以上の整数を表す。）
【化２】
2006222075.tif 000016
（式中、Ａ2 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ’a 、Ｒ’b は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ4 〜Ｒ8 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ2 、ｍ2 は０以上の整数を表す。）
【請求項１３】
前記アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、下記（Ｂ）及び（Ｃ）の化合物を含有してなる請求項１１に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂
（Ｃ）分子内に下記式（２）で示される官能基を２個以上含有し、屈折率が１．３５〜１．６０である化合物
【化３】
2006222075.tif 000017
（式中、Ａ1 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒa 、Ｒb は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ1 、ｍ1 は０以上の整数を表す。）
【請求項１４】
前記ノボラック樹脂は、フェノールノボラック樹脂及び前記フェノールノボラック樹脂のフェニル環上に一価の有機基を有する置換フェノールノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種のノボラック樹脂である請求項１１に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板を用いて構成されたプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用基板の隔壁間の凹部底面及び隔壁の側面に蛍光体膜が固着されてなる背面パネル体と、
前面ガラス基板の表面に複数の表示電極が平行状に配置されると共に該表示電極を被覆した状態で前記前面ガラス基板に前面側誘電体層が積層されてなる前面パネル体とを備えてなり、
前記背面パネル体の隔壁形成面と前記前面パネル体の誘電体層とが対向した状態で両パネル体が積層一体化され、かつ前記アドレス電極と前記表示電極とが互いの軸線方向が直交する状態に配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載のプラズマディスプレイパネルを備えていることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
基板上に感光性ペーストを塗布して感光性膜を形成する工程と、前記感光性膜をパターン形成用フォトマスクを介してパターン露光する工程と、前記露光後に現像することによって所定のパターンを形成する工程と、前記パターン形成後に焼成する工程とを包含する、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法において、
前記パターン形成用フォトマスクとして、
フォトマスクに平行な面内における異なる少なくとも２方向に光透過スリットが延ばされることによってマスク部が区画されていると共に、前記光透過スリットが、その幅方向の少なくとも一方側に凹部が設けられることによって形成された薄スリット部と、隣り合う薄スリット部を連結する肉厚スリット部とを備えたパターン形成用フォトマスクを用いることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の製造方法により製造されたプラズマディスプレイパネル用基板を用いて構成されたプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
請求項１９に記載のプラズマディスプレイパネルを備えていることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板及びプラズマディスプレイパネルに関し、より詳しくはプラズマディスプレイパネルにおいて赤、緑、青の各画素を区画する隔壁の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）としては、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイ等が知られている。液晶ディスプレイは、パソコン用途を中心に広く普及してきているが、高視野角化、大画面化への対応が難しいことから、薄型テレビの大画面ディスプレイとしてはプラズマディスプレイが多く商品化されている。このプラズマディスプレイは、高解像度を維持しつつ更なる大画面化も容易であることから近年益々脚光を浴びている。
【０００３】
プラズマディスプレイは、一般に、前面ガラス基板と背面ガラス基板との間の空間において隔壁により区画された多数個の微小放電セル内で放電させることによって紫外線を発生させ、各放電セル内に設けられたＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の蛍光体に前記紫外線があたることによって各セルの蛍光体が励起発光して、これら各蛍光体からそれぞれＲ、Ｇ、Ｂの光が放たれ、これによってカラー画像が形成されるものである。
【０００４】
前記放電セルを区画する隔壁としては、基板上に略平板状の隔壁が多数相互に平行状に配列されたストライプ型の構成（特許文献１参照）や、基板上に略平板状の隔壁が平面視略格子状に配置されたメッシュ型の構成が公知である（特許文献２参照）。
【０００５】
なお、前記ストライプ型構成における隔壁の構造に関する公知文献としては、下記特許文献３、４を例示できる。
【特許文献１】特開２００３−３４６６６５号公報（段落００３３、図２）
【特許文献２】特開２００４−３９６２９号公報（請求項１、図１、図６）
【特許文献３】特開２００１−１２６６２２号公報（請求項１、図２）
【特許文献４】特開平１０−３２６５７０号公報（請求項１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、前記プラズマディスプレイとしては、高輝度で画像表示できることが求められている。高輝度化を図るためには、放電セル内における蛍光体塗布部の表面積を増大させる手法が有効と考えられる。放電セル内における蛍光体塗布部は、主に放電セルの凹部の底面及び側面（隔壁側面）であることから、本研究者は、この放電セルの凹部底面の表面積を増大させるべく平板状隔壁の厚さを現状よりも薄くすることを着想したが、この場合には薄壁化によって隔壁の機械的強度が低下してしまい、プラズマディスプレイとして十分な強度を確保できないことが判明した。このように、従来のプラズマディスプレイの隔壁構造では、隔壁の機械的強度を十分に維持しつつ高輝度化を図ることはできなかった。
【０００７】
この発明は、かかる技術的背景に鑑みてなされたものであって、隔壁の機械的強度を十分に確保できると共に高輝度化を実現できる、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板及びその製造方法並びにプラズマディスプレイパネルとプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供する。
【０００９】
［１］基板上に放電セルを区画する隔壁が形成されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、前記隔壁は、該隔壁の少なくとも一方の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備えていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１０】
［２］基板上に、該基板に平行な面内における１方向に延ばされた隔壁が形成されることによって放電セルが区画されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、一画素に対応する放電セルを構成する一対の隔壁のうち、少なくとも１つの隔壁は、該隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備え、かつ該肉厚壁部は前記隔壁における少なくとも中間部に配置されていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１１】
［３］基板上に、該基板に平行な面内における異なる少なくとも２方向に延ばされた隔壁が形成されることによって放電セルが区画されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、一画素に対応する放電セルを構成する複数の隔壁のうち、少なくとも１つの隔壁は、該隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備えていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１２】
［４］基板上に、該基板に平行な面内における異なる少なくとも２方向に延ばされた隔壁が形成されることによって放電セルが区画されてなるプラズマディスプレイパネル用基板において、一画素に対応する放電セルを構成する複数の隔壁は、いずれも、該隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられることによって形成された薄壁部と、該薄壁部に連接された薄壁部厚さよりも厚さの大きい肉厚壁部とを備えていることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１３】
［５］前記一画素に対応する放電セルにおける少なくともコーナー部に前記肉厚壁部が配置されている前項１〜４のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１４】
［６］前記凹溝は、その横断面積が下方向に向けて漸次減少する形状である前項１〜５のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１５】
［７］前記凹溝の深さを「Ｍ」とし、前記隔壁の高さを「Ｎ」としたとき、０．１５≦Ｍ／Ｎ≦１．０の関係が成立する前項１〜６のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１６】
［８］前記肉厚壁部の上面での長さを「Ｘ」とし、前記薄壁部の上面での長さを「Ｙ」としたとき、０．５≦Ｙ／Ｘ≦２の関係が成立する前項１〜７のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１７】
［９］前記隔壁は、前記基板上に平面視略格子状に配置されている前項１〜８のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１８】
［１０］前記隔壁は、前記基板上に平面視略ハニカム状（略亀甲状）に配置されている前項１〜８のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００１９】
［１１］前記隔壁は、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物及びノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の樹脂成分と、無機粒子とを含有した感光性ペーストの硬化物で形成されている前項１〜１０のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００２０】
［１２］前記アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、下記（Ａ）及び（Ｂ）の化合物を含有してなる前項１１に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
（Ａ）下記式（２）で示される官能基および下記式（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を含むポリオルガノシロキサン樹脂
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂
【００２１】
【化４】
2006222075.tif 000003
【００２２】
（式（２）中、Ａ1 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒa 、Ｒb は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ1 、ｍ1 は０以上の整数を表す。）
【００２３】
【化５】
2006222075.tif 000004
【００２４】
（式（３）中、Ａ2 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ’a 、Ｒ’b は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ4 〜Ｒ8 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ2 、ｍ2 は０以上の整数を表す。）
［１３］前記アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、下記（Ｂ）及び（Ｃ）の化合物を含有してなる前項１１に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂
（Ｃ）分子内に下記式（２）で示される官能基を２個以上含有し、屈折率が１．３５〜１．６０である化合物
【００２５】
【化６】
2006222075.tif 000005
【００２６】
（式（２）中、Ａ1 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒa 、Ｒb は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ1 、ｍ1 は０以上の整数を表す。）
［１４］前記ノボラック樹脂は、フェノールノボラック樹脂及び前記フェノールノボラック樹脂のフェニル環上に一価の有機基を有する置換フェノールノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種のノボラック樹脂である前項１１に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板。
【００２７】
［１５］前項１〜１４のいずれか１項に記載の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板を用いて構成されたプラズマディスプレイパネル。
【００２８】
［１６］前項１〜１４のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネル用基板の隔壁間の凹部底面及び隔壁の側面に蛍光体膜が固着されてなる背面パネル体と、
前面ガラス基板の表面に複数の表示電極が平行状に配置されると共に該表示電極を被覆した状態で前記前面ガラス基板に前面側誘電体層が積層されてなる前面パネル体とを備えてなり、
前記背面パネル体の隔壁形成面と前記前面パネル体の誘電体層とが対向した状態で両パネル体が積層一体化され、かつ前記アドレス電極と前記表示電極とが互いの軸線方向が直交する状態に配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【００２９】
［１７］前項１５または１６に記載のプラズマディスプレイパネルを備えていることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【００３０】
［１８］基板上に感光性ペーストを塗布して感光性膜を形成する工程と、前記感光性膜をパターン形成用フォトマスクを介してパターン露光する工程と、前記露光後に現像することによって所定のパターンを形成する工程と、前記パターン形成後に焼成する工程とを包含する、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法において、
前記パターン形成用フォトマスクとして、
フォトマスクに平行な面内における異なる少なくとも２方向に光透過スリットが延ばされることによってマスク部が区画されていると共に、前記光透過スリットが、その幅方向の少なくとも一方側に凹部が設けられることによって形成された薄スリット部と、隣り合う薄スリット部を連結する肉厚スリット部とを備えたパターン形成用フォトマスクを用いることを特徴とする隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法。
【００３１】
［１９］前項１８に記載の製造方法により製造されたプラズマディスプレイパネル用基板を用いて構成されたプラズマディスプレイパネル。
【００３２】
［２０］前項１９に記載のプラズマディスプレイパネルを備えていることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【発明の効果】
【００３３】
［１］の発明では、隔壁の少なくとも一方の側面に凹溝が設けられて薄壁部が形成されており、この薄壁部に、該薄壁部の厚さよりも厚い肉厚壁部が連接されているので、隔壁全体として良好な機械的強度を確保することができる。また、隔壁の少なくとも一方の側面に凹溝が設けられているので、蛍光体膜の形成可能面積を増大させることができ、これにより発光輝度を向上させることができる。このように、隔壁の機械的強度を維持しつつ輝度の向上を図ることができる。
【００３４】
［２］の発明では、ストライプ型の構成において、一画素に対応する放電セルを構成する一対の隔壁のうち、少なくとも１つの隔壁は、該隔壁の少なくとも内側の側面（一画素に対応する放電セルを取り囲む側の側面、即ち同放電セルに接する側の側面）に凹溝が設けられて薄壁部が形成されており、この薄壁部に、該薄壁部の厚さよりも厚い肉厚壁部が連接されているので、隔壁全体として良好な機械的強度を確保することができる。しかも、前記肉厚壁部は隔壁における少なくとも中間部（一画素に対応する放電セルを構成する隔壁における一端のコーナー部と他端のコーナー部との間の中間部領域）に配置されているから、隔壁の機械的強度を十分に確保することができる。また、隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられているので、蛍光体膜の形成可能表面積を増大させることができ、これにより発光輝度を向上させることができる。このように、隔壁の機械的強度を維持しつつ輝度の向上を図ることができる。
【００３５】
［３］の発明では、一画素に対応する放電セルを構成する複数の隔壁のうち、少なくとも１つの隔壁は、該隔壁の少なくとも内側の側面（一画素に対応する放電セルを取り囲む側の側面、即ち同放電セルに接する側の側面）に凹溝が設けられて薄壁部が形成されており、この薄壁部に、該薄壁部の厚さよりも厚い肉厚壁部が連接されているので、隔壁全体として良好な機械的強度を確保することができる。また、隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられているので、蛍光体膜の形成可能表面積を増大させることができ、これにより発光輝度を向上させることができる。このように、隔壁の機械的強度を維持しつつ輝度の向上を図ることができる。
【００３６】
［４］の発明では、一画素に対応する放電セルを構成する複数の隔壁は、いずれも、該隔壁の少なくとも内側の側面（一画素に対応する放電セルを取り囲む側の側面、即ち同放電セルに接する側の側面）に凹溝が設けられて薄壁部が形成されており、この薄壁部に、該薄壁部の厚さよりも厚い肉厚壁部が連接されているので、隔壁全体として良好な機械的強度を確保することができる。また、一画素に対応する放電セルを構成する複数の隔壁は、いずれも、該隔壁の少なくとも内側の側面に凹溝が設けられているので、蛍光体膜の形成可能面積をさらに増大させることができ、これにより発光輝度をより向上させることができる。このように、隔壁の機械的強度を維持しつつ更なる輝度の向上を図ることができる。
【００３７】
［５］の発明では、一画素に対応する放電セルにおける少なくともコーナー部に肉厚壁部が配置されているから、隔壁の機械的強度をより向上させることができる。
【００３８】
［６］の発明では、凹溝は、その横断面積が下方向に向けて漸次減少する形状であるので、隔壁の機械的強度を一層向上させることができる。
【００３９】
［７］の発明では、凹溝の深さを「Ｍ」とし、隔壁の高さを「Ｎ」としたとき、０．１５≦Ｍ／Ｎ≦１．０の関係が成立するように構成されているから、隔壁の機械的強度をさらに向上させることができる。
【００４０】
［８］の発明では、肉厚壁部の上面での長さを「Ｘ」とし、薄壁部の上面での長さを「Ｙ」としたとき、０．５≦Ｙ／Ｘ≦２の関係が成立するように構成されているから、隔壁の機械的強度を十分に維持しつつ更なる輝度の向上を図ることができる。
【００４１】
［９］の発明では、隔壁は、基板上に平面視略格子状に配置されているから、蛍光体の塗布面積を大きくできる利点がある。
【００４２】
［１０］の発明では、隔壁は、基板上に平面視略ハニカム状（略亀甲状）に配置されているから、発光効率を向上させることができる利点がある。
【００４３】
［１１］の発明では、隔壁は、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物及びノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の樹脂成分と、無機粒子とを含有した感光性ペーストの硬化物で形成されているので、厚さの薄い薄壁部においても良好な機械的強度を確保することができると共に、焼成時の体積変化が小さいことから複雑な隔壁構造であっても所望の隔壁構造が精度高く形成される（寸法精度の良い隔壁構造が形成され得る）利点がある。
【００４４】
［１２］の発明では、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、前記（Ａ）及び（Ｂ）の化合物を含有してなる構成であるから、厚さの薄い薄壁部においても十分な機械的強度を確保することができる。
【００４５】
［１３］の発明では、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、前記（Ｂ）及び（Ｃ）の化合物を含有してなる構成であるから、厚さの薄い薄壁部においても十分な機械的強度を確保することができる。
【００４６】
［１４］の発明では、ノボラック樹脂として、フェノールノボラック樹脂及び前記フェノールノボラック樹脂のフェニル環上に一価の有機基を有する置換フェノールノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種のノボラック樹脂が用いられているから、厚さの薄い薄壁部においても十分な機械的強度を確保することができる。
【００４７】
［１５］の発明では、隔壁の機械的強度を十分に確保できると共に高輝度化を実現できるプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【００４８】
［１６］の発明では、隔壁の機械的強度を十分に確保できると共にさらに高輝度化を図り得るプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【００４９】
［１７］の発明では、パネルの隔壁の機械的強度を十分に確保できると共に高輝度の画像を表示できるプラズマディスプレイ装置を提供できる。
【００５０】
［１８］の発明では、フォトマスクに平行な面内における異なる少なくとも２方向に光透過スリットが延ばされることによってマスク部が区画されていると共に、光透過スリットが、その幅方向の少なくとも一方側に凹部が設けられることによって形成された薄スリット部と、隣り合う薄スリット部を連結する肉厚スリット部とを備えたパターン形成用フォトマスクを用いて露光を行うから、［１］〜［１４］に記載のプラズマディスプレイパネル用基板を精度高くかつ生産性良く製造することができる。得られた基板を用いてプラズマディスプレイパネルを構成すれば、隔壁の機械的強度を十分に確保できると共に高輝度化を実現することができる。
【００５１】
［１９］の発明では、隔壁の機械的強度を十分に確保できると共に高輝度化を実現できるプラズマディスプレイパネルを提供できる。
【００５２】
［２０］の発明では、パネルの隔壁の機械的強度を十分に確保できると共に高輝度の画像を表示できるプラズマディスプレイ装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
この発明に係る、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（１）の一実施形態を図１〜５に示す。本実施形態では、このプラズマディスプレイパネル用基板（１）は、プラズマディスプレイパネルの背面パネル体として用いられる。
【００５４】
前記プラズマディスプレイパネル用基板（１）は、図１、２に示すように、背面ガラス基板（１１）、アドレス電極（１２）…、誘電体層（１３）及び隔壁（２）…を備えている。
【００５５】
前記背面ガラス基板（１１）の上に複数のアドレス電極（１２）…が相互に離間して平行状に配置されている。また、前記背面ガラス基板（１１）の上にアドレス電極（１２）を被覆した状態で背面側誘電体層（１３）が積層され（図１、２参照）、該誘電体層（１３）の上に隔壁（２）…が形成されている。本実施形態では、この隔壁（２）…は、前記背面ガラス基板（１１）上に平面視略格子状に配置されている（図１、３参照）。このように隔壁（２）…が平面視略格子状に配置されることによって放電セル（６）…が区画されている。即ち、前記背面ガラス基板（１１）上に、該基板（１１）に平行な面内における異なる２方向（縦方向、横方向）に延ばされた隔壁が形成されることによって放電セル（６）…が区画されている。
【００５６】
前記アドレス電極（１２）としては、例えば銀電極などを例示できる。また、前記背面側誘電体層（１３）は、例えば、鉛系または亜鉛系のガラス材料を含むペーストを塗布した後、焼成することによって形成される。前記鉛系のガラス材料としては、例えば、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 及びＡｌ2Ｏ3からなるガラスを例示できる。前記亜鉛系のガラス材料としては、例えば、ＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3、Ｋ2 Ｏ、ＭｎＯ2 からなるガラスを例示できる。
【００５７】
一画素（Ｒ、Ｇ、Ｂのうちのいずれか一つの画素）に対応する平面視略矩形状の放電セル（６）を構成する４つの隔壁（２）（２）（２）（２）は、図１、３、４に示すように、いずれも、該隔壁（２）の少なくとも内側の側面（一画素に対応する放電セルを取り囲む側の側面、即ち同放電セルに接する側の側面）に凹溝（３）が設けられることによって形成された薄壁部（４）と、該薄壁部（４）に連接された肉厚壁部（５）とを備えている。前記肉厚壁部（５）の厚さは、前記薄壁部（４）の厚さよりも大きい。なお、図３、４では、隔壁の上面（２ａ）形状の理解の容易化のために隔壁の上面（２ａ）を濃色にしている。
【００５８】
図２に示すように、各放電セル（６）内には蛍光体膜（１４）が固着されている。即ち、図２の左端の放電セル（６）内の凹部底面（隔壁間の凹部底面）及び隔壁の側面（２ｂ）に赤色蛍光体膜（１４Ｒ）が固着され、その右隣の中央の放電セル（６）内の凹部底面及び隔壁の側面（２ｂ）に緑色蛍光体膜（１４Ｇ）が固着され、更に右隣の（即ち、右端の）放電セル（６）内の凹部底面及び隔壁の側面（２ｂ）に青色蛍光体膜（１４Ｂ）が固着されている。また、図５に示すように、前記凹溝（３）の斜面（底面）にも蛍光体膜（１４）が固着されている。この図５は、Ｒ画素に対応する放電セルの断面図であるから、凹溝（３）の斜面（底面）に赤色蛍光体膜（１４Ｒ）が固着されている。
【００５９】
本実施形態のプラズマディスプレイパネル用基板（１）では、一画素に対応する放電セル（６）を構成する複数の隔壁（２）…は、いずれも、該隔壁（２）の少なくとも内側の側面に凹溝（３）が設けられて薄壁部（４）が形成されている一方、この薄壁部（４）に、該薄壁部の厚さよりも厚い肉厚壁部（５）が連接されているので、隔壁（２）全体として良好な機械的強度を確保することができる。また、一画素に対応する放電セル（６）を構成する複数の隔壁（２）…は、いずれも、該隔壁（２）の少なくとも内側の側面に凹溝（３）が設けられているので、蛍光体膜（１４）の形成可能面積を増大させることができ、これによりプラズマディスプレイパネルの発光輝度を向上させることができる。即ち、隔壁（２）の機械的強度を維持しつつ発光輝度の向上を図ることができる。
【００６０】
本実施形態では、前記一画素に対応する平面視略矩形状の放電セル（６）において、その少なくともコーナー部（７）（７）（７）（７）に前記肉厚壁部（５）が配置されている（図３、４参照）。このようにコーナー部に肉厚壁部（５）が配置されているので、隔壁（２）の機械的強度を十分に確保することができる。
【００６１】
前記凹溝（３）は、図１、５に示すように、縦断面形状が略Ｖ字形状である。勿論、凹溝（３）の形状及び断面形状等は、図示した形状に特に限定されるものではなく、その他の形状を採用することもできる。例えば図１２に示すように、凹溝（３）は、縦断面形状が略矩形状に形成されていても良い。中でも、前記凹溝（３）は、その横断面積が下方向に向けて漸次減少する形状であるのが好ましく、このような構成を採用すれば、前記隔壁（２）の機械的強度をより向上させることができる。特に好ましいのは、前述した凹溝（３）の縦断面形状が略Ｖ字形状である構成である。
【００６２】
また、前記実施形態では、凹溝（３）の上面（隔壁上面）での平面視形状は略矩形状であるが、特にこのような形状に限定されるものではなく、例えば平面視略三角形状、平面視略円弧状等の形状に形成されていても良い。
【００６３】
この発明では、前記凹溝（３）の深さ（隔壁上面２ａからの深さ）を「Ｍ」とし、前記隔壁（２）の高さを「Ｎ」としたとき（図５参照）、０．１５≦Ｍ／Ｎ≦１．０の関係が成立するように構成されているのが好ましい。このような関係が成立するように構成されている場合には、Ｍ／Ｎが０．１５以上であるから蛍光体膜（１４）の形成可能表面積を十分に確保できると共に、Ｍ／Ｎが１．０以下であるから隔壁（２）の機械的強度をさらに向上させることができる。中でも、０．１５≦Ｍ／Ｎ≦０．７の関係が成立するように構成されているのがより好ましく、特に好ましい範囲は０．２５≦Ｍ／Ｎ≦０．６である。
【００６４】
この発明において、前記一画素に対応する放電セル（６）を構成する複数の隔壁（２）…において、前記薄壁部（４）の配置数の合計は４〜２０であるのが好ましい。この場合には、隔壁（２）の機械的強度を維持しつつ、発光輝度をより向上させることができる。中でも、前記一画素に対応する放電セル（６）において、即ち１つの放電セル（６）において、薄壁部（４）の配置数の合計は６〜１８であるのが好ましい。前記図１〜５に示す実施形態では、前記一画素に対応する放電セル（６）において、即ち１つの放電セル（６）において、薄壁部（４）の配置数の合計は８である（図３、４参照）。
【００６５】
前記薄壁部（４）の上面（４ａ）での厚さ（ｔ）は、５〜３０μｍの範囲であるのが好ましい（図４参照）。この場合には、薄壁部（４）の機械的強度を十分に確保しつつ、蛍光体膜（１４）の形成可能表面積を十分に増大させることができる。
【００６６】
前記肉厚壁部（５）の上面（５ａ）での厚さ（ｓ）は、３０μｍを超えて１００μｍ以下の範囲であるのが好ましい（図４参照）。この場合には、隔壁（２）の機械的強度を十分に確保しつつ、蛍光体膜（１４）の形成可能表面積を十分に増大させることができる。
【００６７】
また、前記肉厚壁部（５）の上面（５ａ）での長さを「Ｘ」とし、前記薄壁部（４）の上面（４ａ）での長さを「Ｙ」としたとき、
０．５≦Ｙ／Ｘ≦２
の関係が成立するように構成されるのが好ましい（図４参照）。このような関係が成立するように構成すれば、隔壁（２）の機械的強度を十分に維持しつつ更なる輝度の向上を図ることができる。
【００６８】
前記薄壁部（４）の配置間隔（ピッチ）（ｄ）は５０〜３００μｍに設定されるのが好ましい（図４参照）。
【００６９】
また、前記隔壁（２）の高さ（Ｎ）は５０〜２００μｍに設定されるのが好ましく、特に好ましい範囲は１００〜１５０μｍである。
【００７０】
上記実施形態では、隔壁（２）…は、前記基板（１１）上に平面視略格子状に配置されているが、特にこのような形態に限定されるものではなく、例えば図６に示すような平面視略ハニカム状（略亀甲状）に配置された構成を採用しても良い。なお、この図６において、（８）は予備放電空間である。この図６に示す実施形態では、１つの放電セル（６）において薄壁部（４）の配置数の合計は１４個である。
【００７１】
或いはまた、図７に示すように、平面視ストライプ状に配置された構成を採用しても良い。この図７に示す実施形態では、１つの放電セル（６）において薄壁部（４）の配置数の合計は６個である。また、この図７に示す実施形態では、肉厚壁部（５）は、一画素に対応する放電セル（６）におけるコーナー部に配置されている。更に、肉厚壁部（５）は、隔壁（２）における中間部（一画素に対応する放電セルを構成する隔壁における一端のコーナー部と他端のコーナー部との間の中間領域）に２個配置されている（図７参照）。なお、図７の一部においては、コーナー部に配置された肉厚壁部を（５Ａ）の符号を付す一方、隔壁（２）の中間部に配置された肉厚壁部を（５Ｂ）の符号を付した。
【００７２】
また、上記実施形態では、凹溝（３）は、その縦断面形状が略Ｖ字形状に形成されていて、凹溝（３）の最底部位置は、前記背面ガラス基板（１１）の上面位置よりも上方にあるが、例えば隔壁（２）…の側面にその上縁から下縁まで貫通する凹溝（３）が形成された構成を採用しても良い。また、隔壁（２）の形状は、上記実施形態の形状に特に限定されるものではない。
【００７３】
次に、この発明に係るプラズマディスプレイパネル（２０）の一実施形態を図８、９に示す。これら図面において、（１０）は背面パネル体、（２１）は前面パネル体であり、前者の背面パネル体（１０）としては、前記図１〜５に示したプラズマディスプレイパネル用基板（１）を用いている。
【００７４】
前記前面パネル体（２１）は、前面ガラス基板（２２）の下面に複数の表示電極（２３）…が平行状に配置されると共に、前記前面ガラス基板（２２）の下に表示電極（２３）…を被覆した状態で前面側誘電体層（２４）が積層され、この前面側誘電体層（２４）の下面にさらに保護層（ＭｇＯ）が積層された構成からなる。
【００７５】
前記表示電極（２３）としては、例えばＩＴＯ（透明電極）と銀からなる電極などを例示できる。また、前記前面側誘電体層（２４）は、例えば鉛系または亜鉛系のガラス材料を含むペーストを塗布した後、焼成することによって形成される。前記鉛系のガラス材料としては、例えば、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 及びＡｌ2Ｏ3からなるガラスを例示できる。前記亜鉛系のガラス材料としては、例えばＺｎＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2 、Ａｌ2Ｏ3、Ｋ2 Ｏ、ＭｎＯ2 からなるガラスを例示できる。また、前記保護層（ＭｇＯ）は、例えばスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成される。
【００７６】
しかして、前記背面パネル体（１０）の隔壁形成面と前記前面パネル体（２１）の保護層（２５）とが対向した状態で両パネル体（１０）（２１）が積層一体化されることによって、プラズマディスプレイパネル（２０）が構成されている。なお、前記アドレス電極（１２）と前記表示電極（２３）とが互いの軸線方向が直交する状態に配置されて両パネル体（１０）（２１）が積層一体化されている。更に、このプラズマディスプレイパネル（２０）に制御装置（４１）が接続されてプラズマディスプレイ装置（４０）が構成されている（図１０参照）。この制御装置（４１）は、表示電極（２３）とアドレス電極（１２）の間への電圧印加などを制御することができ、これによって各放電セル（６）毎の点灯、非点灯が制御される。
【００７７】
前記プラズマディスプレイパネル（２０）では、前記背面パネル体（１０）と前記前面パネル体（２１）の間において隔壁（２）…により放電セル（６）…が区画されている。この放電セル（６）内には放電ガス（例えばＨｅ−Ｘｅ系ガス等）が封入されている。しかして、前記表示電極（２３）と前記アドレス電極（１２）との間に電圧を印加すると、放電セル（６）内で放電現象が生じ、これにより発生した紫外線が各放電セル（６）内のＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（緑）の蛍光体膜にあたることによって各セルの蛍光体が励起発光して、これら各蛍光体からＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（緑）の光が放たれるのであるが、この時各放電セル（６）の点灯、非点灯を前記制御装置（４１）によって制御することによって、カラー画像が形成されるものとなる。
【００７８】
この発明に係る、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（１）は、例えば次のようにして製造される。
【００７９】
まず、基板上に感光性ペーストを塗布して感光性膜を形成する。基板としては、例えば、ガラス基板（１１）の上に複数のアドレス電極（１２）が平行状に配置されると共に該アドレス電極（１２）を被覆した状態で前記ガラス基板（１１）に誘電体層（１３）が積層されてなる基板（図２参照）を用い、この基板の誘電体層（１３）の上に感光性ペーストを塗布して感光性膜を形成する。
【００８０】
例えば、前記基板上に感光性ペーストを全面塗布または部分的に塗布した後、乾燥させる。塗布方法としては、例えば、バーコーター、ロールコーター、ダイコーター、スクリーン印刷などの方法を用いることができる。塗布厚みは、塗布回数、ペーストの粘度を選ぶことにより調整することができ、通常、５〜５００μｍ程度である。
【００８１】
前記感光性ペーストを基板上に塗布する場合、基板と塗布膜との密着性を高めるために基板表面を表面処理液で処理することが好ましい。表面処理液としては、例えば、グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、グリシジルオキシプロピルトリメトキシシシラン、オキセタニルオキシプロピルトリエトキシシランなどのシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、メチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなどの有機溶媒で０．１〜５％の濃度に希釈したものを用いることが好ましい。前記表面処理の方法は、例えば、表面処理液をスピナー等で基板上に均一に塗布した後、８０〜１４０℃で５〜６０分間乾燥する手法などを挙げることができる。
【００８２】
次に、前記感光性膜をパターン形成用フォトマスクを介してパターン露光する。この時、パターン形成用フォトマスクとしては、図１１に示すようなフォトマスク（３０）を用いる。このフォトマスク（３０）では、該フォトマスクに平行な面内における２方向（縦方向、横方向）に光透過スリット（３２）が延ばされることによってマスク部（３１）が区画されていると共に、前記光透過スリット（３２）は、その幅方向の少なくとも一方側に凹部（３３）が設けられることによって形成された薄スリット部（３２ａ）と、隣り合う薄スリット部（３２ａ）（３２ａ）を連結する肉厚スリット部（３２ｂ）とを備えている。
【００８３】
前記露光は、例えば露光装置を用いて行う。露光装置としては、例えば、プロキシミティ露光機などが挙げられる。大面積の露光を行う場合には、基板上に感光性ペーストを塗布した後に、移動させながら露光を行うことによって、小さな露光面積の露光機で大きな面積を露光することができる。露光には、例えば、紫外線、電子線、Ｘ線、可視光、近赤外光などを使用することができる。
【００８４】
前記露光後、現像液を用いて現像することによって所定のパターンを形成する。即ち、露光部と未露光部の現像液に対する溶解度差を利用して、現像を行う。現像は、通常、浸漬法、スプレー法、ブラシ法などで行う。この現像液による現像処理で未露光部を溶解除去することによって所定のパターン（露光部で構成される）を形成する。前記現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニイウムハイドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム等のアルカリ水溶液などが挙げられる。水溶液中のアルカリ濃度は、０．０５〜５重量％が好ましい。この場合、アルカリ濃度が０．０５重量％以上であるから可溶部を十分に除去することができ、５重量％以下であるから非可溶部の侵食を十分に防止することができる。中でも、水溶液中のアルカリ濃度は０．１〜５重量％であるのがより好ましい。前記現像時の現像温度は、１５〜５０℃であることが工程管理上好ましい。
【００８５】
次に、焼成を行うことによって、図１〜５に示す構成の、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（１）が得られる。焼成雰囲気や焼成温度は、感光性ペーストや基板の種類によって異なるが、空気中、窒素などの雰囲気中で４００℃〜６００℃で焼成することが好ましい。焼成炉は、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。特に、ガラス基板上にパターン加工する場合は、４００〜６００℃の温度で１０〜６０分間保持して焼成を行うことが好ましい。
【００８６】
こうして得られた隔壁（２）の表面にはコート層を形成してもよい。このコート層は、低融点硝子粒子とバインダー樹脂からなるペースト剤やセラミックコーティング剤などのコート剤を塗布・乾燥し、焼成して隔壁（２）の表面に形成するか、または上述のパターン形成後、該コート剤を塗布した後、焼成を行うことにより、隔壁（２）の形成と同時に隔壁（２）の表面に形成してもよい。低融点硝子粒子としては、例えば、酸化錫リン酸系硝子、酸化ビスマス系硝子、鉛ガラス等を挙げられる。低融点硝子粒子の作業温度は、通常、２５０℃〜４８０℃程度である。バインダー樹脂としては、例えば、ブチラール樹脂、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリα−メチルスチレンなどが挙げられる。セラミックコーティング剤としては、水性金属塩系コーティング剤、アルコキシ金属塩系コーティング剤などを用いることができ、具体的には、水性金属塩系コーティング剤としてはＭＳ−１７００（株式会社日セラ製）、アルコキシ金属塩系コーティング剤としてはＧ−３０１（株式会社日セラ製）、Ｇ−４０１（株式会社日セラ製）などを挙げることができる。焼成温度は、低融点硝子粒子とバインダー樹脂よりなるペースト剤を用いる場合、通常、２５０℃〜６００℃程度であり、セラミックコート剤を用いる場合、通常、室温〜５００℃である。
【００８７】
なお、上記製造方法は、その一例を示したに過ぎず、この発明に係る、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（１）は、上記製造方法によって製造されたものに特に限定されるものではない。
【００８８】
この発明において、前記隔壁（２）は、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物及びノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の樹脂成分と、無機粒子とを含有した感光性ペーストの硬化物で形成されているのが好ましい。また、前記製造方法において、感光性ペーストとしては、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物及びノボラック樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種の樹脂成分と、無機粒子とを含有した感光性ペーストを用いるのが好ましい。
【００８９】
前記アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、下記（Ａ）および（Ｂ）を含有してなる樹脂組成物であることが好ましい。
（Ａ）下記式（２）で示される官能基および下記式（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を含むポリオルガノシロキサン樹脂。
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂。
【００９０】
【化７】
2006222075.tif 000006
【００９１】
式（２）中、Ａ1 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒa 、Ｒb は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ1 〜Ｒ3 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ1 、ｍ1 は０以上の整数を表す。
【００９２】
【化８】
2006222075.tif 000007
【００９３】
式（３）中、Ａ2 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ’a 、Ｒ’b は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ4 〜Ｒ8 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ2 、ｍ2 は０以上の整数を表す。
【００９４】
ここで、Ｒa 、Ｒb 、Ｒ’a 、Ｒ’b は、二価の有機基を表し、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。二価の有機基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基などのアルキレン基、シクロブチレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基などのシクロアルキレン基、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アルキル置換フェニレン基などのアリーレン基などが挙げられる。
【００９５】
Ｒ1 〜Ｒ8 は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。炭素数１〜２０の一価の有機基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基などが挙げられる。炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基はアルキル基、アルケニル基等で置換されていてもよい。これらの中で、炭素数１〜６の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜６の分岐状炭化水素基、炭素数３〜６の環状炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。
【００９６】
炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基などが挙げられる。
炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基としては、例えば、イソプロピル基、イソブチル基、ターシャリーブチル基などが挙げられる。
炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基の置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、エチニル基などのアルケニル基が挙げられる。
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基などが挙げられる。
【００９７】
式（２）または（３）で示される官能基としては、例えば、オキシラニル基、グリシジル基、オキシラニルエチル基、グリシジルオキシエチル基、グリシジルオキシプロピル基、グリシジルオキシフェニル基、オキセタニル基、（３'−メチル−３'−オキセタニル）メチル基、２−（３'−メチル−３'−オキセタニル）エチル基、（３'−メチル−３'−オキセタニル）メチルオキシエチル基、（３'−メチル−３'−オキセタニル）メチルオキシプロピル基、（３'−エチル−３'−オキセタニル）メチル基、２−（３'−エチル−３'−オキセタニル）エチル基、（３'−エチル−３'−オキセタニル）メチルオキシエチル基、（３'−エチル−３'−オキセタニル）メチルオキシプロピル基などが挙げられる。
【００９８】
（Ａ）式（２）で示される官能基および（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を含むポリオルガノシロキサン樹脂としては、例えば、ポリ[ グリシジルオキシプロピルシルセスキオキサン] 、ポリ[（ ３' −エチル−３' −オキセタニル）メチルオキシプロピルシルセスキオキサン] などが挙げられる。
【００９９】
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂としては、例えば、下記式（４）で示されるフェノール性水酸基を有する樹脂が挙げられる。
【０１００】
【化９】
2006222075.tif 000008
【０１０１】
式（４）中、Ａ3 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ’’a 、Ｒ’’b は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、Ｒ9 〜Ｒ12は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、水酸基または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｌ3 、ｍ3 は０以上の整数を表す。
式（４）中、Ｒ9 〜Ｒ12は、それぞれ独立に、水素原子を表すか、水酸基または炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。
炭素数１〜２０の一価の有機基としては、前記と同じ基が挙げられる。
式（４）で示される官能基としては、例えば、ヒドロキシフェニル基、（ヒドロキシフェニル）メチル基、２−（ヒドロキシフェニル）エチル基、１−（ヒドロキシフェニル）エチル基、３−（ヒドロキシフェニル）プロピル基、２−（ヒドロキシフェニル）プロピル基、１−（ヒドロキシフェニル）プロピル基などが挙げられる。
式（４）で示される官能基を有するポリオルガノシロキサン樹脂としては、例えば、ジメチル[２−（４'−ヒドロキシフェニル）エチル] シリル基を有するポリシルセスキオキサンなどが挙げられる。
【０１０２】
また、（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂としては、例えば、下記式（５）で示される水酸基を有する樹脂が挙げられる。
【０１０３】
【化１０】
2006222075.tif 000009
【０１０４】
式（５）中、Ｒ13〜Ｒ18は，それぞれ独立に，水素原子を表すか、または炭素数１〜２０の一価の有機基を表し、ｐ、ｑは０以上の整数を表し、ｒは１以上の整数を表す。
炭素数１〜２０の一価の有機基としては、前記と同じ基が挙げられる。
ｐ、ｑは０以上の整数を表し、２０以下であることが好ましい。
ｒは１以上の整数を表し、３０以下であることが好ましい。
式（５）で示される官能基としては、例えば、ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基、ヒドロキシエチルオキシエチル基などが挙げられる。
式（５）で示される官能基を有するポリオルガノシロキサン樹脂としては、例えば、ジメチルヒドロキシエチルオキシエチルシリル基を有するポリシルセスキオキサンなどが挙げられる。
【０１０５】
（Ａ）および（Ｂ）の樹脂は、上記した官能基を有してさえいれば、シロキサン樹脂の主鎖構造に特に制限はなく、直鎖状、ラダー状、籠状のものを用いることができる。
【０１０６】
アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物中の（Ａ）および（Ｂ）の樹脂の配合割合は、（Ａ）５〜８５重量％、（Ｂ）１５〜９５重量％であることが好ましく、より好ましくは、（Ａ）１０〜７０重量％、（Ｂ）３０〜９０重量％である。
【０１０７】
（Ａ）式（２）で示される官能基および式（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を含むポリオルガノシロキサン樹脂の重量平均分子量は、３５０〜３００００であることが好ましく、この場合には、露光部の硬化性をさらに向上させることができると共に未露光部の溶解性も十分に高いものとなる。中でも、３５０〜１００００であることがより好ましい。
【０１０８】
（Ａ）式（２）で示される官能基および（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を含むポリオルガノシロキサン樹脂は、式（２）および／または（３）で示される官能基を有するアルコキシシランを酸触媒またはアルカリ触媒を用いて水の存在下で縮合することにより得ることができる。縮合の際には、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシオルガノシラン、ジアルコキシジオルガノシラン，アルコキシトリオルガノシランなどを共存させて共縮合せしめてもよい。
式（２）または（３）で示される官能基を有するアルコキシシランとしては、グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、オキセタニルオキシプロピルトリエトキシシラン等を挙げることができる。
酸触媒としては、例えば、塩酸、酢酸などが挙げられる。また、アルカリ触媒としては、例えば、アンモニア、トリエチルアミンなどが挙げられる。
テトラアルコキシシランとしては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシランなどが挙げられる。
トリアルコキシオルガノシランとしては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシランなどが挙げられる。
ジアルコキシジオルガノシランとしては、例えば、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、エチルメチルジメトキシシラン、エチルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。
アルコキシトリオルガノシランとしては、例えば、メトキシトリメチルシラン、エトキシトリメチルシラン、メトキシトリエチルシラン、エトキシトリエチルシラン、エチルジメチルメトキシシランなどが挙げられる。
【０１０９】
また、式（２）で示される官能基を有するポリオルガノシロキサン樹脂は、分子内に不飽和結合を有するオルガノアルコキシシランまたはオルガノクロロシランを上記と同様にして縮合し、過酸化物またはオゾン等で酸化することによっても得ることができる。縮合の際には、上述した、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシオルガノシラン、ジアルコキシジオルガノシラン、アルコキシトリオルガノシランなどを共存させて共縮合せしめてもよい。
分子内に不飽和結合を有するオルガノアルコキシシランまたはオルガノクロロシランとしては、ジメチルビニルエトキシシラン、ジメチルビニルクロロシラン、アリルジメチルエトキシシラン、アリルジメチルクロロシラン等を挙げることができる。
過酸化物としては、ｍ−クロロ過安息香酸等をあげることができる。
【０１１０】
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂の重量平均分子量は、１０００〜５００００であることが必要であり、１０００〜３００００であることが好ましい。重量平均分子量１０００〜５００００の範囲であれば、塗布性をさらに向上させることができる。
【０１１１】
（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂は、オルガノアルコキシシランを前記の方法で縮合した後、末端のシラノール基を、保護された水酸基を有するクロロシラン化合物と反応させて封止し、水酸基の保護基を脱保護することにより得ることができる。
また、保護された水酸基を有するオルガノアルコキシシランを前記と同様に縮合した後、水酸基の保護基を脱保護することによっても得ることができる。
【０１１２】
ここで、オルガノアルコキシシランとしては、オルガノメトキシシラン、オルガノエトキシシランが挙げられ、具体的には、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニルメトキシシラン、メチルフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、ジメチルフェニルエトキシシラン、ジメチルフェニルメトキシシランなどが挙げられる。
【０１１３】
保護された水酸基を有するクロロシラン化合物は、分子内に保護された水酸基とビニル基やアリル基等の不飽和結合とを有する化合物と、ジアルキルクロロヒドロシラン化合物とを、遷移金属触媒の存在下、ヒドロシリル化することにより製造することができる。
また、保護された水酸基を有するクロロシラン化合物は、分子内に保護された水酸基を有する有機金属化合物とジアルキルジクロロシラン化合物との縮合反応によっても製造することができる。
【０１１４】
水酸基の保護基としては、例えば、アルキル基、シリル基、アシル基、アルキルオキシカルボニル基などが挙げられる。具体例としては、メトキシメチル基、ベンジルオキシメチル基、ｔ−ブトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、２，２，２−トリクロロエトキシメチル基、２−（トリメチルシリル）エトキシメチル基、テトラハイドロピラニル基、３−ブロモテトラハイドロピラニル基、テトラハイドロチオピラニル基、４−メトキシテトラハイドロピラニル基、テトラハイドロフラニル基、１−エトキシエチル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、１−（イソプロポキシ）エチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、２−（フェニルセレニル）エチル基、ｔ−ブチル基、ベンジル基、３−メチル−２−ピコリルN-オキシド基、ジフェニルメチル基、５−ジベンゾスベリル基、トリフェニルメチル基、９−アンスリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、（トリフェニルメチル）ジメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、メチルジイソプロピルシリル基、メチルジｔ−ブチルシリル基、トリベンジルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、ホルミル基、アセチル基、３−フェニルプロピオネート基、３−ベンゾイルプロピオネート基、イソブチレート基、４−オキソペンタノエート基、ピバロエート基、アダマントエート基、ベンゾエート基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、２，２，２−トリクロロエトキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基などを挙げることができる。
式（４）で示される官能基の活性水素原子が保護されたクロロシラン化合物としては、例えば、２−（４' −トリメチルシリルオキシフェニル）エチルジメチルクロロシラン、[ ２−（４' −ｔ−ブトキシフェニル）エチル] ジメチルクロロシラン等が挙げられる。
【０１１５】
アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、前記（Ａ）および（Ｂ）に加えて、さらに（Ｄ）前記式（２）で示される官能基および前記式（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を含み、かつ前記式（４）で示される官能基および式（６）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基を含むアルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂を含有していてもよい。
【０１１６】
【化１１】
2006222075.tif 000010
【０１１７】
式（６）中、Ａ4 は酸素原子または硫黄原子を表し、Ｒ’’’a 、Ｒ’’’b は、それぞれ独立に、二価の有機基を表し、ｌ4 、ｍ4 は０以上の整数を表す。
二価の有機基としては、前記と同じ基が挙げられる。
【０１１８】
（Ｄ）アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂の重量平均分子量は、１０００〜５００００であることが好ましく、１０００〜３００００であることがより好ましい。（Ｄ）アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂は、前記の方法で製造した式（２）で示される官能基および（３）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を含むポリオルガノシロキサン樹脂の末端のシラノール基を、式（４）で示される官能基および式（６）で示される官能基からなる群から選ばれる少なくとも一種の官能基の活性水素原子が保護されたクロロシラン化合物と反応させて封止し、保護基を脱保護することにより得ることができる。また、（Ｄ）アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂は、式（２）または（３）で表される官能基を有するアルコキシシランと式（４）または（６）で表される官能基を有するアルコキシシランとを前記の方法で縮合することによっても得ることができる。
式（４）で示される官能基の活性水素原子が保護されたクロロシラン化合物としては、例えば、２−（４' −トリメチルシリルオキシフェニル）エチルジメチルクロロシラン、[ ２−（４' −ｔ−ブトキシフェニル）エチル] ジメチルクロロシラン等が挙げられる。
式（６）で示される官能基の活性水素原子が保護されたクロロシラン化合物としては、例えば、トリメチルシリルオキシカルボニルプロピルジメチルクロロシランなどが挙げられる。
（Ｄ）アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂としては、例えば、（３'−エチル−３'−オキセタニル）メチルオキシプロピル基とカルボキシプロピル基を有するポリシルセスキオキサンなどが挙げられる。
【０１１９】
アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物は、前記の（Ｂ）水酸基を有するポリオルガノシロキサン樹脂と（Ｃ）分子内に２個以上の前記式（２）で示される官能基を含有し、屈折率が１．３５〜１．６０である化合物とを含有してなる樹脂組成物であってもよい。
（Ｃ）分子内に２個以上の前記式（２）で示される官能基を含有し、屈折率が１．３５〜１．６０である化合物としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，２，７，８−ジエポキシオクタン、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールプロポキシレートトリグリシジルエーテル、グリセロールジグリシジルエーテルなどが挙げられる。
【０１２０】
前記ノボラック樹脂としては、フェノールノボラック樹脂、前記フェノールノボラック樹脂のフェニル環上に一価の有機基を有する置換フェノールノボラック樹脂が挙げられる。
【０１２１】
前記置換フェノールノボラック樹脂としては、例えばクレゾールノボラック樹脂などが挙げられる。
【０１２２】
前記フェノールノボラック樹脂としては、例えば、式（７）で表されるフェノール化合物と式（８）で表されるアルデヒド化合物とを重縮合させたノボラック樹脂や、前記ノボラック樹脂のフェノール性水酸基の水素原子の一部を一価の有機基で置換した樹脂が挙げられる。
【０１２３】
【化１２】
2006222075.tif 000011
【０１２４】
［式（７）および式（８）中、Ｒ19およびＲ20は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。
ｎは０〜２の整数を表す。
ｎが２のとき、Ｒ19は同一でも異なってもよい］。
【０１２５】
炭素数１〜２０の一価の有機基としては、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、例えば、炭素数１〜２０の直鎖状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の分岐状脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の環状脂肪族炭化水素基、炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基などが挙げられる。炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基はアルキル基、アルケニル基などで置換されていてもよい。
【０１２６】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基としては、芳香環を有する基または芳香環に炭化水素基が置換された基を表し、基を構成している炭素数の総和が６〜２０のものである。ここで、芳香環の置換基を例示すると、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基などのアルキル基、アリル基、ビニル基などのアルケニル基、アリルオキシ基などのアルケニルオキシ基、エチニル基などのアルキニル基、エチニルオキシ基などのアルキニルオキシ基などが挙げられる。
【０１２７】
炭素数６〜２０の芳香族炭化水素基を具体的に例示すると、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジエチルフェニル基、トリエチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、メチルナフチル基、ジメチルナフチル基、トリメチルナフチル基、ビニルナフチル基、メチルアンスリル基、エチルアンスリル基などが挙げられ、特に、フェニル基、トリル基、キシリル基が好ましい。
【０１２８】
式（７）におけるＲ19の置換位は、フェノール水酸基から２位、４位、６位の中で少なくとも２箇所が置換されていないものが好ましい。
式（７）で表される化合物としては、具体的には、フェノールｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−プロピルフェノール、ｍ−プロピルフェノール、ｐ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｔ−ブチルフェノール、ｍ−ｔ−ブチルフェノール、ｏ−ヘキシルフェノール、ｍ−ヘキシルフェノール、ｏ−デシルフェノール、ｍ−デシルフェノール、ｏ−ドデシルフェノール、ｍ−ドデシルフェノール、ｏ−ヘキサデシルフェノール、ｍ−ヘキサデシルフェノール、ｏ−イコシルフェノール、ｍ−イコシルフェノール、ｏ−シクロへプチルフェノール、ｍ−シクロへプチルフェノール、ｏ−シクロヘキシルフェノール、ｍ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｏ−トルイルフェノール、ｍ−トルイルフェノール、２，５−キシレノール、２，３−キシレノール、３，５−キシレノール、２−エチル−５−メチルフェノール、２−エチル−３−メチルフェノール、３−エチル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−イソプロピル−３−メチルフェノール、３−イソプロピル−５−メチルフェノール、２−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール、２−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール、３−ｔ−ブチル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−ヘキシル−３−メチルフェノール、３−ヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−シクロヘキシル−３−メチルフェノール、３−シクロヘキシル−５−メチルフェノール、２−フェニル−５−メチルフェノール、２−フェニル−３−メチルフェノール、３−フェニル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−５−メチルフェノール、２−ナフチル−３−メチルフェノール、３−ナフチル−５−メチルフェノール、２，５−ジエチルフェノール、２，３−ジエチルフェノール、３，５−ジエチルフェノール、２，５−ジプロピルフェノール、２，３−ジプロピルフェノール、３，５−ジプロピルフェノール、２，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，３−ビスシクロヘキシルフェノール、３，５−ビスシクロヘキシルフェノール、２，５−ジフェニルフェノール、２，３−ジフェニルフェノール、３，５−ジフェニルフェノールなどが挙げられる。
中でも、好ましくはフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，５−キシレノール、３，５−キシレノール、２，３−キシレノール、２−ブチルフェノール、２−イソブチルフェノール、２−シクロヘキシルフェノール、２−フェニルフェノールが挙げられ、より好ましくはフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾールが挙げられる。
【０１２９】
式（８）におけるＲ20は、前記と同じ意味を表す。式（８）で表されるアルデヒド化合物としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロパナール、ブタナール、ヘキサナール、オクタナール、デカナール、ドデカナール、ヘキサデカナール、イコサナール、２−メチルプロパナール、２−メチルブタナール、２−エチルブタナール、２，２−ジメチルプロパナール、アクロレイン、２−ブテナール、２−ヘキセナール、２−オクテナール、アセチレンアルデヒド、２−ブチナール、２−ヘキシナール、２−オクチナール、シクロヘプチルカルバルアルデヒド、シクロヘキシルカルバルアルデヒド、ベンズアルデヒド、１−ナフチルアルデヒド、２−ナフチルアルデヒド、スチリルアルデヒドなどが挙げられ、好ましくはホルムアルデヒド、アセトアルデヒドが挙げられる。また、アルデヒド化合物は、解重合可能な高分子前駆体を使用することもできるし、アルデヒド基をアセタール基またはヘミアセタール基で保護してもよい。
【０１３０】
ホルムアルデヒドは、解重合可能な高分子前駆体であるパラホルムアルデヒドや、水溶液であるホルマリンを使用することもできる。
【０１３１】
式（７）で表されるフェノール化合物と、式（８）で表されるアルデヒド化合物との縮合方法は、特に限定されないが、例えば、反応溶媒の存在下または不在下、酸触媒を用いることで達成できる。反応温度としては、好ましくは０〜２００℃、より好ましくは５０〜１５０℃であり、反応時間としては、好ましくは０．１〜３０時間、より好ましくは１〜２０時間である。前記の酸触媒としては、硫酸、塩酸、硝酸、燐酸、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸などが挙げられる。
【０１３２】
縮合に用いる反応溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトンなどのケトン類；酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、乳酸エチル、酢酸プロピレングリコールなどのエステル類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルムなどのハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテルなどの炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して使用することができる。また、反応系に水を共存させてもよく、水と互いに相溶しない溶媒の場合は２層に分離した反応溶媒を用いてもよい。蒸留脱水などで水を除去してもよい。
【０１３３】
前記の縮合方法の例示において、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類を反応溶媒として用い、酢酸、シュウ酸、マロン酸、トルエンスルホン酸などの有機酸を触媒とするのが好ましい。
【０１３４】
ノボラック樹脂のフェノール性水酸基の水素原子の一部を一価の有機基で置換した樹脂は、上記のようにして得られるノボラック樹脂のフェノール性水酸基の水素原子の一部をＲ21基に置換したものである。ここで、Ｒ21基は炭素数１〜２０の一価の有機基であり、前記のＲ19と同等の意味を表す。
【０１３５】
フェノール性水酸基の一部をＯＲ21基に置換する反応としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、金属ナトリウム、金属リチウム、金属カリウム、ｎ−ブチルリチウム、ナトリウムナフタレート、ナトリウムメトキシドなどの強アルカリを使用し、前記フェノール性水酸基を金属フェノラート基に変換し、次いで、式（９）で表される化合物を反応せしめて得ることができる。
【０１３６】
【化１３】
2006222075.tif 000012
【０１３７】
［式（９）中、Ｒ21は、炭素数１〜２０の一価の有機基を表す。Ｔは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メシル基またはトシル基を表す］。
【０１３８】
炭素数１〜２０の一価の有機基としては、前記と同じ例示が挙げられる。
【０１３９】
式（９）で表される化合物としては、フッ化メチル、フッ化エチル、フッ化デシル、フッ化ヘキシル、フッ化オクチル、フッ化ドデシル、フッ化ヘキサデシル、フッ化イコシル、塩化メチル、塩化エチル、塩化デシル、塩化ヘキシル、塩化オクチル、塩化ドデシル、塩化ヘキサデシル、塩化イコシル、臭化メチル、臭化エチル、臭化デシル、臭化ヘキシル、臭化オクチル、臭化ドデシル、臭化ヘキサデシル、臭化イコシル、臭化ベンジル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチル、ヨウ化デシル、ヨウ化ヘキシル、ヨウ化オクチル、ヨウ化ドデシル、ヨウ化ヘキサデシル、ヨウ化イコシル、ヨウ化ベンジル、エチルスルホン酸メチル、ブチルスルホン酸メチル、オクチルスルホン酸メチル、デシルスルホン酸メチル、エチルスルホン酸トルイル、ブチルスルホン酸トルイル、オクチルスルホン酸トルイル、デシルスルホン酸トルイルなどが挙げられ、好ましくは臭化メチル、臭化エチル、ヨウ化メチル、ヨウ化エチルが挙げられる。
【０１４０】
式（９）で表される化合物は、使用するノボラック樹脂のフェノール性水酸基１モル当量に対して、０．００１以上０．９９モル当量以下、好ましくは０．００１以上０．８モル当量以下、より好ましくは０．００１以上０．５モル当量以下を使用する。ここで、使用するノボラック樹脂中のフェノール性水酸基のモル当量は、通常行われるアルカリ滴定法を用いて求めることができる。
【０１４１】
ノボラック樹脂と式（９）で表される化合物との反応における溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルヘキシルケトン、メチルヘプチルケトン、シクロヘキシルケトンなどのケトン類；ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素、ブロモホルムなどのハロゲン化炭化水素類；ヘキサン、ヘプタン、デカン、石油エーテルなどの炭化水素類を用いることができ、これらは１種または２種以上を混合して用いることができる。とりわけ、エーテル類、芳香族炭化水素類またはハロゲン化炭化水素類が好ましい。また、反応には、使用する反応剤や触媒が失活しない限りにおいて、水を共存させてもよいが、水分１００ｐｐｍ以下の脱水された溶媒が好ましい。反応時間は、好ましくは０．１〜２０時間、より好ましくは１〜１０時間であり、反応温度は、−６０〜１００℃、好ましくは−２０〜５０℃である。
【０１４２】
中でも、ノボラック樹脂としては、式（７）におけるＲ19が水素原子であるフェノール化合物とホルムアルデヒドとを重合させたフェノールノボラック樹脂や、式（７）におけるＲ19がメチル基であるフェノール化合物とホルムアルデヒドとを重合させたクレゾールノボラック樹脂が好ましい。これらのフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂は、現像時の溶解コントラストが高いために好ましく用いることができる。
【０１４３】
上記のようにして得られたノボラック樹脂は、縮合反応や置換反応に使用した触媒や触媒残渣、未反応のフェノール化合物、未反応のアルデヒド化合物あるいは未反応の式（９）で表される化合物を除去することが好ましい。また、上記の縮合反応や置換反応に使用した溶媒も除去することが好ましい。ただし、後述の２５℃における屈折率が１．４０〜１．８０の有機溶剤と同じものを使用した場合は、除去せず、ノボラック樹脂を溶解させた溶液として、感光性ペーストの調整に使用してもよい。
【０１４４】
前記のノボラック樹脂としては、市販品を用いることができる。市販品としては、ＰＳＭ−４２６１、ＰＳＭ−４３２４、ＰＳＭ−４３２７、ＰＳＭ−４３２６（いずれも群栄化学（株）製）、ＣＲＧ−９５１（昭和高分子（株）製）などが挙げられる。
【０１４５】
樹脂成分の含有量は、感光性ペーストに対して質量分率で、好ましくは３〜３０質量％、より好ましくは４〜２０質量％、とりわけ好ましくは５〜１５質量％である。
【０１４６】
本発明に用いられる無機粒子は、特に限定されないが、比誘電率が９．５以下の無機粒子であることが好ましい。前記無機粒子としては、例えば、コロイダルシリカ、エアロジル、シリカゲルなどのシリカ粒子、けい素酸化物を主成分とするガラス粒子、またはこれらの混合物が挙げられる。
【０１４７】
前記無機粒子の屈折率は１．４０〜２．５０が好ましく、この場合には露光時に光の散乱がより小さくなり、一層良好なパターンを形成できる。中でも、前記無機粒子の屈折率は１．４３〜２．２０であるのがより好ましく、さらに１．４３〜１．８０であるのが特に好ましい。
【０１４８】
無機粒子の平均粒径は、形成しようとするパターンの形状により異なるが、０．０１μｍ〜４０μｍであることが好ましい。このような範囲であれば、充填量を上げることができる上に、露光時に光の散乱がより小さくなり、一層良好なパターンを形成できる。中でも、無機粒子の平均粒径は、０．１μｍ〜１０μｍであるのがより好ましく、さらに０．１μｍ〜５μｍであるのが特に好ましい。本発明では、平均粒径の異なる無機粒子を任意の割合で混合して用いてもよい。また、無機粒子の形状は、特に限定されないが、球状であることが好ましい。
【０１４９】
無機粒子の添加割合は、感光性ペーストの２０〜９５重量％であることが好ましい。このような範囲であれば、焼成時の収縮が小さくなる上に、パターン加工工程における露光光線の散乱がより小さくなり、一層良好なパターンを形成できる。中でも、無機粒子の添加割合は、感光性ペーストの４０〜９５重量％であることがより好ましい。
【０１５０】
前記感光性ペーストには、さらに硼酸又はその誘導体が含有されていてもよい。前記硼酸又はその誘導体は、無機粒子に対して０．１〜３０重量％であることが好ましい。このような範囲であれば、基板との密着性をさらに向上できると共に、パターン加工工程における露光光線の散乱がより小さくなり、一層良好なパターンを形成できる。中でも、前記硼酸又はその誘導体は、無機粒子に対して０．５〜２０重量％であることがより好ましく、さらに１〜１０重量％であることが特に好ましい。
【０１５１】
硼酸又はその誘導体は、無機粒子に担持または添加された後、シランカップリング剤で処理して使用することが好ましい。担持の方法としては、硼酸又はその誘導体を含有する溶液に無機微粒子を添加した後、溶媒を濃縮、乾固する方法、硼酸又はその誘導体を含有する溶液に無機粒子を添加した後、硼酸又はその誘導体が溶解しない溶媒で晶析する方法などが挙げられる。無機粒子の表面のシランカップリング剤としては、ビニル系、エポキシ系、オキセタン系などのシランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、例えば、信越化学製LS-70、LS-815、LS-2300、LS-4080、LS-2940、LS-3380、LS-4060、LS-1240、LS-1375、LS-1260、東亞合成製TESOX等を挙げることができる。硼酸の誘導体としては、酸化硼素等が挙げられる。
【０１５２】
また、前記感光性ペーストには、さらに電磁線または熱により酸を発生する化合物が含有されていてもよく、前述した硼酸又はその誘導体と電磁線または熱により酸を発生する化合物とが含有されていてもよい。
電磁線または熱により酸を発生する化合物としては、例えば、光酸発生剤、光カチオン重合開始剤、熱カチオン重合開始剤などが挙げられる。
光酸発生剤としては、例えば、[ シクロヘキシル−（２−シクロヘキサノニル）−メチル] スルホニウム  トリフルオロメタンスルフォネート、ビス（ｐ−トリルスルフォニル）ジアゾメタン、ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタン、ターシャリーブチルカルボニルメチル−テトラヒドロチオフェニウム  トリフルオロメタンスルフォネートなどが挙げられる。光酸発生剤としては、前記のもののほかに、特開平１１―２０２４９５号公報記載の化合物などを使用することもできる。
光カチオン重合開始剤、熱カチオン重合開始剤としては、例えば、ヨードニウム塩、スルフォニウム塩、ホスフェート塩、アンチモネート塩などを挙げることができる。具体的には、ロードシルフォトイニシエーター２０７４、アデカオプトマーＳＰ−１５０、アデカオプトマーＳＰ−１５２、アデカオプトマーＳＰ−１７０、アデカオプトマーＳＰ−１７２、アデカオプトンＣＰシリーズなどが挙げられる。また、前記のもののほかに、特開平９−１１８６６３号公報記載の化合物も使用することができる。
【０１５３】
これら光酸発生剤、光カチオン重合開始剤、熱カチオン重合開始剤の添加量は特に限定されないが、感光性ペースト全量の０．０１重量％〜２０重量％が好ましい。このような範囲であれば、十分な硬化性を確保できる。中でも、０．０５重量％〜１０重量％であるのがより好ましい。
【０１５４】
また、前記感光性ペーストには、さらに電磁線により下記式（１）で示される酸を発生する化合物が含有されていてもよく、前述した硼酸又はその誘導体、電磁線や熱により酸を発生する化合物、またはこれらの混合物と併用してもよい。
【０１５５】
【化１４】
2006222075.tif 000013
【０１５６】
式（１）中、Ｒｆは、フッ素原子で置換された炭素数１〜２０の一価の有機基を表わす。フッ素原子で置換された炭素数１〜２０の一価の有機基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ブチル基などが挙げられる。
電磁線により式（１）で示される酸を発生する化合物としては、例えば、式（１）で示される酸からなるヨードニウム塩、スルホニウム塩、エステル化合物などが挙げられる。
ヨードニウム塩としては、例えば、みどり化学製DPI-105、DPI-106、DPI-109、BI-105、MPI-105、MPI-109、BBI-105、BBI-109などが挙げられる。
スルホニウム塩としては、例えば、みどり化学製TPS-105、TPS-109、MDS-105、MDS-109、MDS-205、BDS-109、DTS-105、NDS-105、NDS-155、NDS-159、NDS-165などが挙げられる。
エステル化合物としては、例えば、みどり化学製NAI-105、NAI-109、NDI-105、NDI-109、SI-105、SI-109、PI-105、PI-109、などが挙げられる。
【０１５７】
前記感光性ペーストは、アルカリ可溶性ポリオルガノシロキサン樹脂組成物と無機粒子と、必要に応じて、硼酸又はその誘導体、電磁線または熱により酸を発生する化合物、電磁線により前記式（１）で示される酸を発生する化合物、またはこれら２種以上の混合物とを、３本ローラや混練機等で均質に混合分散することにより製造することができる。
前記感光性ペーストは、例えば、２−ヘプタノン、プロピレングリコールモノメチルアセテート、ガンマ−ブチロラクトン等の有機溶媒を添加することにより任意の粘度に調整することができる。
【０１５８】
また、前記感光性ペーストには、必要に応じて、カルボキシル基を有する低分子けい素化合物を添加してもよい。前記低分子けい素化合物としては、例えば、ジ（カルボキシプロピル）テトラメチルジシロキサンなどが挙げられる。
【０１５９】
さらに、前記感光性ペーストには、必要に応じて、前記式（２）または（３）で示される官能基を有する低分子けい素化合物を添加してもよい。該低分子けい素化合物としては、例えば、グリシジルオキシプロピルトリメトキシシラン、グリシジルオキシプロピルトリエトキシシラン、オキセタニルオキシプロピルトリメトキシシラン、オキセタニルオキシプロピルトリエトキシシラン、１，３−ビス（グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチル−ジシロキサン、１，３−ジオキシラニル−１，１，３，３，−テトラメチル−ジシロキサン、１，３−ビス（オキセタニルオキシプロピル）−１，１，３，３，−テトラメチル−ジシロキサンなどが挙げられる。
【０１６０】
前記感光性ペーストには、必要に応じて、光吸収剤、光増感剤、可塑剤、分散剤、沈殿防止剤、レベリング剤などの添加剤を添加してもよい。
【０１６１】
上記のとおり、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【実施例】
【０１６２】
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【０１６３】
製造例１
樹脂１：フェノール性水酸基を有するシロキサン樹脂
テトラエトキシシラン１８７ｇ、２−（４' −ｔ−ブトキシフェニル）エチル−ジメチルクロロシラン（α付加体、β付加体の混合物）１１９ｇ、エタノール１００ｍｌの混合物に水６５ｇを滴下した後、６５℃で１時間反応を行った。次に反応混合物中に窒素をバブリングしてエタノールを留去しながら１１時間反応を継続した。さらにメチルイソブチルケトン（以下、「ＭＩＢＫ」という）２００ｍｌを加えてエタノールおよびＭＩＢＫを留去しながら４．５時間反応させた。反応終了液にＭＩＢＫを３００ｍｌ加え、水層が中性になるまで３００ｍｌの水を用いる水洗を３回繰り返して行った。水層を分離した後、有機層を濃縮することにより粘調なシロキサン樹脂溶液を得た。シロキサン樹脂溶液に約５００ｍｌの２−ヘプタノンを加え、部分濃縮してシロキサン樹脂の２−ヘプタノン溶液を得た。固形分を測定した結果、３６．２％であった。ＧＰＣ測定の結果、ポリスチレン換算重量平均分子量は１２，０００であった。ＧＰＣ測定には、東ソー製高温高速ＧＰＣ−８０２０を使用した。検出器はＩＲ検出器を用いた。カラムは、ＴＳＫＧＥＬ  Ｇ２０００ＨＸＬならびにＴＳＫＧＥＬ  Ｇ４０００ＨＸＬを各１本直列で使用した。分析条件は、カラム温度４０℃、溶離液テトラヒドロフラン、流量１ｍＬ／分で行った。
フェノール性水酸基を有するシロキサン樹脂の構造式：
【０１６４】
【化１５】
2006222075.tif 000014
【０１６５】
＜実施例１＞
製造例１で得た樹脂１の溶液（３６．２％２−ヘプタノン溶液）１８．９８ｇ、ロードシルフォトイニシエーター（ＰＩ−２０７４；ローデル社製）１．３７ｇ、増感剤（ＤＢＡ；川崎化成工業（株）製）０．０７ｇ、１，３−ビス（３' −グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（ＬＳ−７９７０；信越化学工業（株）製）３．４２ｇ、１，２−プロパンジオールジベンゾエート６．８４ｇ、γ−ブチロラクトン５．６１ｇを１００ｍｌのナスフラスコに入れ、均一な溶液を調製した。得られた溶液からロータリーエバポレーターで２−ヘプタノンを留去、濃縮して２３．８０ｇの粘調なアルカリ可溶シロキサン樹脂を含む感光性組成物１を得た。
【０１６６】
上記感光性組成物１０ｇ、平均粒径１．６μｍの球状シリカ（ＳＯ−Ｃ５；（株）アドマテックス製）２８．７４ｇ、平均粒径０．２μｍの球状シリカ（ＳＯ−Ｃ１；（株）アドマテックス製）３．７４ｇ、平均粒径５μｍの低融点ガラス（ＮＬＰＦ０２３Ｆ５；旭硝子（株）製）８．１９ｇ、をポリプロピレン製密閉容器に入れ、攪拌脱泡機（ＨＭ−５００；（株）キーエンス社製）を用いて攪拌して均一な感光性ペースト１を調製した。
【０１６７】
調製した感光性ペースト１を３００μｍギャップのアプリケーターを用いて、無アルカリガラス基板（＃１７３７；コーニング製）上に１回塗布した。塗布後１２０℃のオーブンで２５分乾燥して塗膜を調製した。
【０１６８】
乾燥後の塗膜を、図１１に示すパターン形成用フォトマスク（３０）を用いて、プロキシミティ露光機（ＭＡＰ−１３００；大日本スクリーン製造（株）製）で露光した。照射露光量は、２４００ｍＪ／ｃｍ2 であった。露光後、１２０℃で１０分間ベークした後、１ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液で現像することによって、肉厚壁部の上面での厚さ４２μｍ、肉厚壁部の下面での厚さ９９μｍ、肉厚壁部の高さ１１９μｍ、薄壁部の上面での厚さ１３μｍ、薄壁部の下面での厚さ７５μｍ、薄壁部の高さ１１３μｍ、薄壁部のピッチ（＝肉厚壁部のピッチ）１２８μｍであるパターンを得た。
【０１６９】
次いで卓上電気炉（サーモライン４８０００）中、５８０℃で３０分焼成することにより、図１〜５に示す構成の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（１）を得た。即ち、肉厚壁部の上面での長さ（Ｘ）５０μｍ、肉厚壁部の上面での厚さ（ｓ）３５μｍ、肉厚壁部の下面での厚さ８４μｍ、肉厚壁部の高さ１０６μｍ、薄壁部の上面での長さ（Ｙ）７５μｍ、薄壁部の上面での厚さ（ｔ）１５μｍ、薄壁部の下面での厚さ８１μｍ、薄壁部の高さ１００μｍ、薄壁部のピッチ（＝肉厚壁部のピッチ）（ｄ）１２５μｍである隔壁（２）が基板上に形成されたプラズマディスプレイパネル用基板（１）を得た。
【０１７０】
＜実施例２＞
ＰＭＳ−４３２６（群栄化学（株）製；フェノールノボラック樹脂の溶液；５０％γ−ブチロラクトン溶液）１５０．４８ｇ、ロードシルフォトイニシエーター（ＰＩ−２０７４；ローデル社製）１４．４２ｇ、増感剤（ＤＢＡ；川崎化成工業（株）製）３．１４ｇ、１，３−ビス（３' −グリシジルオキシプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン（ＬＳ−７９７０；信越化学工業（株）製）３７．６２ｇ、１，２−プロパンジオールジベンゾエート５０．１６ｇ、グリシジルノニルフェニルエーテル１２．５４ｇ、ジエチレングリコールモノビニルエーテル１２．５４ｇ、ポリエチレングリコール（Ｍｎ＝４００；アルドリッチ製）６．２７ｇ、ポリプロピレングリコールジベンゾエート（アルドリッチ製）６．２７ｇ、γ−ブチロラクトン４０．７６ｇを５００ｍｌのナスフラスコに入れ、均一な溶液を調製し、３３４．１９ｇの粘調なアルカリ可溶フェノールノボラック樹脂を含む感光性組成物２を得た。
【０１７１】
上記感光性組成物２を２５０．７９ｇ、酸化チタン２．３５ｇ（ＣＲ−ＥＬ；石原産業製）、平均粒径２．０μｍの球状シリカ（ＳＯ−Ｃ６；（株）アドマテックス製）５３１．６９ｇ、平均粒径５μｍの低融点ガラス（ＮＬＰＦ−０２３Ｆ５；旭硝子（株）製）１３４．１０ｇ、をセラミックス製３本ロール（（株）井上製作所社製）を用いて混練して均一な感光性ペースト２を調製した。
【０１７２】
調製した感光性ペースト２を２００μｍギャップのアプリケーターを用いて、無アルカリガラス基板（＃１７３７；コーニング製）上に１回塗布した。塗布後１１５℃のオーブンで３０分乾燥して塗膜を調製した。
【０１７３】
乾燥後の塗膜を、図１１に示すパターン形成用フォトマスク（３０）を用いて、プロキシミティ露光機（ＭＡＰ−１３００；大日本スクリーン製造（株）製）で露光した。照射露光量は、５００ｍＪ／ｃｍ2であった。露光後、１２０℃で１０分間ベークした後、０．４ｗｔ％水酸化ナトリウム水溶液で現像した。
【０１７４】
次いでマッフル炉（ＥＰＴＳ−３１２Ｋ；株式会社いすゞ製作所製）中、５８０℃で６０分焼成することにより、図１〜５に示す構成の隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（１）を得た。即ち、肉厚壁部の上面での長さ（Ｘ）５０μｍ、肉厚壁部の上面での厚さ（ｓ）６８μｍ、肉厚壁部の下面での厚さ１０３μｍ、肉厚壁部の高さ７７μｍ、薄壁部の上面での長さ（Ｙ）７５μｍ、薄壁部の上面での厚さ（ｔ）５１μｍ、薄壁部の下面での厚さ９０μｍ、薄壁部の高さ８０μｍ、薄壁部のピッチ（＝肉厚壁部のピッチ）（ｄ）１２５μｍである隔壁（２）が基板上に形成されたプラズマディスプレイパネル用基板（１）を得た。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】この発明に係る、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（蛍光体膜が形成される前の状態で示す平面図）の一実施形態を拡大して示す斜視図である。
【図２】図１におけるＶ−Ｖ線の断面図（蛍光体膜が形成された状態で示す断面図）である。
【図３】図１のプラズマディスプレイパネル用基板の一部を拡大して示す平面図（蛍光体膜が形成される前の状態で示す平面図）である。なお、隔壁の上面形状の理解の容易化のために隔壁の上面を濃色にした。
【図４】図３における一画素に対応する放電セルをさらに拡大して示す平面図（蛍光体膜が形成される前の状態で示す平面図）である。なお、隔壁の上面形状の理解の容易化のために隔壁の上面を濃色にした。
【図５】図４におけるＷ−Ｗ線の断面図（蛍光体膜が形成された状態で示す断面図）である。
【図６】他の実施形態に係る、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板の一部を拡大して示す平面図（蛍光体膜が形成される前の状態で示す平面図）である。なお、隔壁の上面形状の理解の容易化のために隔壁の上面を濃色にした。
【図７】更に他の実施形態に係る、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板の一部を拡大して示す斜視図（蛍光体膜が形成される前の状態で示す斜視図）である。
【図８】この発明に係るプラズマディスプレイパネルの一実施形態を示す斜視図（蛍光体膜が形成された状態で示す斜視図）である。
【図９】図８におけるＺ−Ｚ線の断面図（蛍光体膜が形成された状態で示す断面図）である。
【図１０】この発明に係るプラズマディスプレイ装置の概略構成図である。
【図１１】この発明の製造方法で用いるパターン形成用フォトマスクの一例を示す平面図である。
【図１２】この発明に係る、隔壁を備えたプラズマディスプレイパネル用基板（蛍光体膜が形成される前の状態で示す平面図）の他の実施形態を拡大して示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１７６】
１…プラズマディスプレイパネル用基板
２…隔壁
２ａ…上面
２ｂ…側面
４…薄壁部
５…肉厚壁部
６…放電セル
７…コーナー部
１０…背面パネル体
１１…背面ガラス基板
１２…アドレス電極
１３…誘電体層（背面側）
１４…蛍光体膜
１４Ｒ…赤色蛍光体膜
１４Ｇ…緑色蛍光体膜
１４Ｂ…青色蛍光体膜
２０…プラズマディスプレイパネル
２１…前面パネル体
２２…前面ガラス板
２３…表示電極
２４…誘電体層（前面側）
２５…保護層
３０…パターン形成用フォトマスク
３１…マスク部
３２…光透過スリット
３２ａ…薄スリット部
３２ｂ…肉厚スリット部
３３…凹部
４０…プラズマディスプレイ装置
Ｘ…肉厚壁部の上面での長さ
Ｙ…薄壁部の上面での長さ
ｓ…肉厚壁部の上面での厚さ
ｔ…薄壁部の上面での厚さ
ｄ…薄壁部のピッチ
Ｍ…凹溝の深さ
Ｎ…隔壁の高さ
【図１】
2006222075.tif 000018
【図２】
2006222075.tif 000019
【図５】
2006222075.tif 000020
【図７】
2006222075.tif 000021
【図８】
2006222075.tif 000022
【図９】
2006222075.tif 000023
【図１０】
2006222075.tif 000024
【図１２】
2006222075.tif 000025
【図３】
2006222075.tif 000026
【図４】
2006222075.tif 000027
【図６】
2006222075.tif 000028
【図１１】
2006222075.tif 000029