(57)【要約】【課題】  効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減することができる半導体装置を提供すること。【解決手段】  本発明に係る半導体装置は、分割された複数領域毎にデータを記憶する揮発性メモリの複数領域の各々をリフレッシュするのに、揮発性メモリの複数領域の各々に対して読み出し可能回数を設定する設定レジスタ１２ｎ、揮発性メモリの複数領域の各々から読み出しされた読み出し回数を数えるカウンタ１１ｎ、揮発性メモリの複数領域の各々に対応してそれぞれ設けられ、揮発性メモリの複数領域の各々に対し、設定レジスタ１２ｎに設定された読み出し可能回数およびカウンタ１１ｎが数える読み出し回数を比較する比較器１３ｎを用い、比較器１３ｎの比較結果に応じて、揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行う。【選択図】          図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
分割された複数領域毎に、データを記憶する揮発性メモリ、
およびこの揮発性メモリの複数領域の各々をリフレッシュするリフレッシュコントローラ部を備え、
上記複数領域に読み出し回数が設定され、この設定された読み出し回数に基づいて、上記リフレッシュコントローラ部に対し、上記揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
分割された複数領域毎に、データを記憶する揮発性メモリ、
この揮発性メモリの複数領域の各々をリフレッシュするリフレッシュコントローラ部、
上記揮発性メモリの複数領域の各々に対応してそれぞれ設けられ、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対し、読み出し可能回数を設定するレジスタ、
上記揮発性メモリの複数領域の各々に対応してそれぞれ設けられ、上記揮発性メモリの複数領域の各々から読み出しされた読み出し回数を数えるカウンタ、
上記揮発性メモリの複数領域の各々に対応してそれぞれ設けられ、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対し、上記レジスタに設定された読み出し可能回数および上記カウンタが数える読み出し回数を比較する比較器を備え、
この比較器の比較結果に応じて、上記リフレッシュコントローラ部に対し、上記揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
比較器は、レジスタに設定された読み出し可能回数に、カウンタが数える読み出し回数が達したとき、リフレッシュコントローラ部に対し、揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の揮発性メモリを半導体装置。
【請求項４】
揮発性メモリの複数領域はアドレスにより分割されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
比較器の比較結果を記録保持する保持部を備え、この保持部に記録保持された比較結果に応じて、上記リフレッシュコントローラ部に対し、揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
レジスタ、カウンタ、および比較器に替えて、
揮発性メモリへ読み出しがあったとき、上記リフレッシュコントローラ部に対し、リフレッシュの停止制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
レジスタ、カウンタ、および比較器は、揮発性メモリの複数領域のうちの一部の領域に対してのみ設けられ、
上記一部の領域以外の領域に対しては、読み出しがあったとき、上記リフレッシュコントローラ部に対し、リフレッシュの停止制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
分割された複数領域毎に、データを記憶する揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ処理方法であって、
揮発性メモリの複数領域の各々に対し、読み出し可能回数を設定し、
上記揮発性メモリの複数領域の各々から読み出しされた読み出し回数を数え、
上記揮発性メモリの複数領域の各々に対し、上記読み出し可能回数および上記読み出し回数を比較し、
この比較結果に応じて、上記揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とする半導体装置のリフレッシュ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、揮発性メモリを有する半導体装置に関し、特にメモリ容量の増大に伴う消費電力の増大抑止する揮発性メモリの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、カメラ付き携帯電話機等の画像を取り扱う電子機器では、年々ＣＣＤの画素数が増加し、処理するデータ容量も大きくなる傾向にあり、このように大きなデータ容量を処理するには、一般にはＤＲＡＭ(Ｄｙｎａｍｉｃ  ＲＡＭ)が使用されている。ＤＲＡＭ以外の揮発性メモリとして他に、ＳＲＡＭ(Ｓｔａｔｉｃ  ＲＡＭ)があるが、高コストであり、素子の回路規模が大きく、また、大きな消費電力が必要であって、画像データのような大容量のデータ記録には適さない。従って、ＤＲＡＭの方がＳＲＡＭに比較して画像処理用の揮発性メモリとして適している。
【０００３】
ＤＲＡＭを使用したとき、記録されたデータを記録保持するために定期的に情報を再生し書き直すリフレッシュ処理が行われる。ここで、リフレッシュ処理に必要な消費電流は、データ容量に比例して増加する。リフレッシュ処理期間と揮発性メモリへのアクセスが同一時間内に行われ、処理が競合した場合、揮発性メモリへのアクセスが待機され、アクセス速度が低減してしまうため、リフレッシュ回数を効率よく低減する必要もある。
【０００４】
揮発性メモリのリフレッシュ回数の低減例として、例えば、ＦＡＴ（Ｆｉｌｅ  Ａｌｌｏｃａｔｉｏｎ  Ｔａｂｌｅ：ファイルアロケーションテーブル）の情報を使用する半導体記憶装置の例がある。すなわち、ＤＲＡＭにおいて、セルフリフレッシュモードを有し、ＦＡＴ用のメモリと、ＦＡＴに付属するレジスタ群を有し、ＦＡＴにより関連付けられた第一のレジスタに記憶された値とセルフ・リフレッシュ動作モード信号とにより、このレジスタ群の値を書き換え、ＦＡＴが示すメモリ領域のセルフ・リフレッシュを停止する。（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−１２８９６５号公報（図１）
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、データ格納用の揮発性メモリの他に、ＦＡＴ情報の管理用メモリが更に必要で、このＦＡＴ情報管理用メモリの分、コストも高く、消費電力が増加していた。特に、ＦＡＴ単位で管理するため、データ領域の分割数も多く、また、ＦＡＴ情報単位であるクラスタ単位で使用中か未使用か、リフレッシュの要否等の管理するため、大容量の管理用メモリが別に必要となる。また、ＦＡＴ情報では、データをクラスタ単位で固定化して管理する必要があるため、本来必要なデータ容量以上のメモリ領域に対して、リフレッシュを行わなければならない状況が生じていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体装置は、分割された複数領域毎に、データを記憶する揮発性メモリ、およびこの揮発性メモリの複数領域の各々をリフレッシュするリフレッシュコントローラ部を備え、上記複数領域に読み出し回数が設定され、この設定された読み出し回数に基づいて、上記リフレッシュコントローラ部に対し、上記揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とするものである。
このような構成により、効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減することができる。
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、分割された複数領域毎に、データを記憶する揮発性メモリ、この揮発性メモリの複数領域の各々をリフレッシュするリフレッシュコントローラ部、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対応してそれぞれ設けられ、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対し、読み出し可能回数を設定するレジスタ、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対応してそれぞれ設けられ、上記揮発性メモリの複数領域の各々から読み出しされた読み出し回数を数えるカウンタ、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対応してそれぞれ設けられ、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対し、上記レジスタに設定された読み出し可能回数および上記カウンタが数える読み出し回数を比較する比較器を備え、この比較器の比較結果に応じて、上記リフレッシュコントローラ部に対し、上記揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とするものである。
このような構成により、効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減することができる。
【０００９】
また、比較器は、レジスタに設定された読み出し可能回数に、カウンタが数える読み出し回数が達したとき、リフレッシュコントローラ部に対し、揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行ってもよい。
【００１０】
また、揮発性メモリの複数領域はアドレスにより分割されてもよい。
【００１１】
また、比較器の比較結果を記録保持する保持部を備え、この保持部に記録保持された比較結果に応じて、上記リフレッシュコントローラ部に対し、揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うようにしてもよい。
【００１２】
また、レジスタ、カウンタ、および比較器に替えて、揮発性メモリへ書き込みが発生したときから読み出しがあったときまでの期間、上記リフレッシュコントローラ部に対し、リフレッシュの停止制御を行うようにしてもよい。
【００１３】
また、レジスタ、カウンタ、および比較器は、揮発性メモリの複数領域のうちの一部の領域に対してのみ設けられ、上記一部の領域以外の領域に対しては、書き込みが発生したときから読み出しがあったときまでの期間、上記リフレッシュコントローラ部に対し、リフレッシュの停止制御を行うようにしてもよい。
【００１４】
本発明に係る半導体装置のリフレッシュ処理方法は、分割された複数領域毎に、データを記憶する揮発性メモリをリフレッシュするリフレッシュ処理方法であって、揮発性メモリの複数領域の各々に対し、読み出し可能回数を設定し、上記揮発性メモリの複数領域の各々から読み出しされた読み出し回数を数え、上記揮発性メモリの複数領域の各々に対し、上記読み出し可能回数および上記読み出し回数を比較し、この比較結果に応じて、上記揮発性メモリの領域毎にリフレッシュの停止制御を行うことを特徴とするものである。
このような方法により、効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減することができる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明により、効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減することができる半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
発明の実施の形態１．
本発明の実施の形態１について、図に基づいて説明する。
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。
図２は、図１にアクセス監視回路部の内部の構成を示す図である。
【００１７】
図１において、アクセス監視回路部１は、アドレス（Ａｄｄｒｅｓｓ（ＲＡＳ／ＣＡＳ））信号Ｓｉｇｎａｌ（以下、Ｓを称する）１、書き込み信号（Ｗｒｉｔｅ  Ｅｎａｂｌｅ）Ｓ２、読み出し信号（Ｒｅａｄ  Ｅｎａｂｌｅ）Ｓ３、および予め設定されるメモリセル３の領域ごとの読み出し回数設定信号Ｓ４を受けて、リフレッシュ（Ｒｅｆｒｅｓｈ）停止信号Ｓ５をリフレッシュコントローラ部２へ出力する。
リフレッシュコントローラ部２はアクセス監視回路部１からのリフレッシュ停止信号Ｓ５および図示しないＣＰＵからのリフレッシュ要求（Ｒｅｆｒｅｓｈ＿Ｒｅｑ）信号Ｓ６に従って、後述のＲＡＳ（Ｒｏｗ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｔｒｏｂｅ）制御４およびＣＡＳ（Ｃｏｌｕｍｎ  Ａｄｄｒｅｓｓ  Ｓｔｒｏｂｅ）制御５を介して、メモリセル２の指定アドレスのリフレッシュを行う。
【００１８】
メモリセル３は揮発性のメモリであるＤＲＡＭであり、本実施の形態の説明では１６ｂｉｔのアドレス空間を有するものとする。また、メモリセル３は行アドレスおよび列アドレスを指定してアクセスされるように構成され、ＲＡＳ制御部４により行アドレスを入力され、ＣＡＳ制御部５により列アドレスが入力される。
図示しないＣＰＵは、アドレス信号Ｓ１、書き込み信号Ｓ２、読み出し信号Ｓ３、およびリフレッシュコントローラ部２からのリフレッシュ要求信号Ｓ６、リフレッシュ停止信号Ｓ５に従って、ＲＡＳ制御４およびＣＡＳ制御５を用いてメモリセル２のアドレスにより領域を特定し、特定された領域に対し、書き込み、読み出し、またはリフレッシュを行う。
【００１９】
次に、図１のアクセス監視回路部１の内部構成について、図２を用いて説明する。
図２において、アクセス検出部１０はメモリへのアクセス、すなわちアドレス信号Ｓ１、書き込み信号Ｓ２、読み出し信号Ｓ３の検出を行い、これらの信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３を後述のメモリ管理部（領域１）１０１〜（領域ｎ）１０ｎへ出力する。
メモリ管理部（領域１）１０１は、メモリセル３の分割された複数領域のうちの１つである領域１の管理を行う。メモリ管理部（領域１）１０１はカウンタ１１１、設定レジスタ１２１、比較器１３１、およびステータス１４１から構成される。メモリ管理部１０ｎ（ｎ＝１、２、・・・）は、アドレスで指定された領域毎に設けられ、メモリ管理部１０ｎ（ｎ＝１、２、３、・・・）の各々がカウンタ１１ｎ（ｎ＝１、２、３、・・・）、設定レジスタ１２ｎ（ｎ＝１、２、３、・・・）、比較器１３ｎ（ｎ＝１、２、３、・・・）、ステータス１４ｎ（ｎ＝１、２、３、・・・）を備えている。
【００２０】
設定レジスタ１２１はメモリセル３の複数領域の各々に対しそれぞれ設けられ、読み出し可能回数を設定する。
カウンタ１１１はメモリセル３の複数領域の各々に対しそれぞれ設けられ、アクセス検出部１０から入力される読み出し信号Ｓ２から読み出し回数を数える。
比較器１３１はメモリセル３の複数領域の各々に対しそれぞれ設けられ、設定レジスタ１２１に設定された読み出し可能回数およびカウンタ１１１が数える読み出し回数を比較し、比較結果をステータス１４１へ出力する。
ステータス１４１はメモリセル３の領域１に対するリフレッシュの要否を認識するための識別信号が保持されている。例えば、スタータス１４１に“０”が保持されている場合、リフレッシュコントローラ部２へリフレッシュ停止信号Ｓ５を出力し、メモリセル３の領域１に対しセルフ・リフレッシュを停止・抑制の制御を行う。
【００２１】
次に、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の動作説明をする。
図３は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の初期設定フロー図である。
図４は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の動作フロー図である。
まず、半導体装置は初期設定を行う。図３において、図示しないＣＰＵからのアドレス信号Ｓ１による指示により、アクセス監視回路部１による初期設定が開始され（ＳＴ３０１）、アクセス検出部１０が、メモリ管理部１０ｎに対し、領域設定を行う（ＳＴ３０２）。ここで、メモリセル３の領域１に対して領域設定があった場合について説明する。まず、領域１のスタートアドレス（メモリセル３に１６ｂｉｔのアドレス空間を使用した場合、例えば０ｘ００００番地）を設定し（ＳＴ３０３）、次に領域１のエンドアドレス（例えば０ｘ０ＦＦＦ）を設定する（ＳＴ３０４）。次に、メモリ管理部（領域１）１０１の設定レジスタ１２１に、メモリセル３の領域１に対応する読み出し回数を例えばＮ回と設定する（ＳＴ３０５）。同様にして、図示しないＣＰＵの指示に従い、他の領域についても繰り返し領域設定を行い（ＳＴ３０２〜ＳＴ３０５）、領域設定が完了後（ＳＴ３０２）初期設定を完了する（ＳＴ３０６）。
【００２２】
次に、本発明に係る半導体装置の動作説明をする。
アクセス検出部１０は、図３で初期設定されたメモリセル３の各領域に対し、常時、書き込み信号Ｓ２、読み出し信号Ｓ３の有無を検出する。
図４において、例えば、図示しないＣＰＵが、メモリセル３の０ｘ００００番地に対する書き込み信号Ｓ２を出力したとすると、アクセス監視回路部１のアクセス検出部１０は書き込み信号Ｓ２を検出し、セルフ・リフレッシュのための各設定動作を開始する（ＳＴ４０１）。
【００２３】
次に、アクセス検出部１０がメモリセル３の領域１のスタートアドレス（０ｘ００００番地）が書き出されたか検出する（ＳＴ４０２）。検出の結果、スタートアドレスの書き込みが行われた場合（ＳＴ４０２）、カウンタ１１１の読み出し回数が０に初期化され、ステータス１４１の識別信号を“１”にする（ＳＴ４０３）。なお、メモリセル３の領域１のスタートアドレスが書き出されない場合（ＳＴ４０２）、カウンタ１１１の読み出し回数が０に初期化することなく、ステータス１４１の識別信号も書き換えされない。
次に、アクセス検出部１０がメモリセル３の領域１のエンドアドレス（０ｘ０ＦＦＦ番地）が読み出しされたかを検出する（ＳＴ４０４）。検出の結果、エンドアドレスが読み出された場合（ＳＴ４０４）、メモリ管理部（領域１）１０１のカウンタ１１１を＋１加算（インクリメント）する（ＳＴ４０５）。次に、比較器１３１は設定レジスタ１２１に設定された読み出し可能回数Ｎ回およびカウンタ１１１が数える読み出し回数を比較し（ＳＴ４０６）、両数値が同一であった場合、比較器１３１はステータス１４１の識別信号を“１”から“０”へ変換し（ＳＴ４０７）、セルフ・リフレッシュのための各設定動作の処理を終了する。一方、ＳＴ４０６で両数値が同一でなかった場合、ステータス１４１の識別信号の変換を行うことなく、セルフ・リフレッシュのための各設定動作の処理を終了する（ＳＴ４０８）。
【００２４】
そして、ステータス１４１は識別信号“０”を保持している場合、リフレッシュ停止信号Ｓ５をリフレッシュコントローラ部２へ出力する。図示しないＣＰＵからリフレッシュ要求信号Ｓ６が一定時間毎にリフレッシュコントローラ部２へ出力されたとき、リフレッシュコントローラ部２は、各メモリ管理部１０１、１０２、・・・１０ｎのステータス１４１、１４２、・・・１４ｎの識別信号が“０”の領域に対してはセルフ・リフレッシュを行わず、識別信号が“１”の領域に対してメモリセル３のセルフ・リフレッシュをＲＡＳ制御４およびＣＡＳ制御５を介して行う。
【００２５】
このような構成により、効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減することができる半導体装置を提供できる。すなわち、メモリセル３の物理アドレスに対して直接領域設定を行っているので、従来の技術で示した特許文献１の技術のように、ＦＡＴ適応されたシステム（例えばファイルシステム）を使用する必要もなく、データ管理用領域としてのＦＡＴ管理用メモリを新たに設ける必要もない。また、領域数や領域サイズも自由に設定可能であるため、従来の技術で示した特許文献１に記載の技術のように、メモリセルのデータ領域の分割数を多くとる必要もなく、また、これら全ての分割された単位に対し、リフレッシュの要否状態を保持するメモリを必要とせず、更に領域数を最適化して制御可能であるため、図示しないＣＰＵへの負荷を軽減することができ、半導体装置全体の消費電力を低減できる。更に、メモリ管理部で必要なデータ領域を自由に領域設定できるので、従来技術の特許文献１に記載の技術のように、データをクラスタ単位の固定サイズで管理する必要がなく、本来必要なデータ量よりも大きいサイズの領域に対し、リフレッシュを行ってしまう問題もない。領域毎に読み出し回数に応じて、リフレッシュを行うので、必要な処理を最適な期間のみリフレッシュを行うことが可能であり、半導体装置の消費電力を最小限に低減することができる。
【００２６】
次に、本発明に係る半導体装置を、デジタルカメラに適用した例について、説明する。
図５はデジタルカメラの処理システムを説明する図である。
図５において、ＣＣＤ２００は被写体を撮像するカメラである。取り込み部３００はＣＣＤ２００が撮像した被写体画像を撮像素子に取り込んで撮像データへ変換し、大規模ＤＲＡＭ４００へ撮像データ書き込みをする。大規模ＤＲＡＭ４００は、図１に示された構成を有するメモリセル３に相当する。画質調整部５００はＤＲＡＭ４００に書き込まれた撮像データに対し、明るさ、彩度、表示バランス等の画質調整を行う。ＪＰＥＧ処理部６００は大規模ＤＲＡＭ４００に書き込まれた撮像データに対し、ＪＰＥＧ方式で圧縮処理を行う。外部データ記録部７００はカード等８００の記録媒体に撮像データを記録する。リサイズ部９００はＬＣＤ等１０００の表示部へ表示できるサイズに撮像データを変換する。表示制御部１１００はＬＣＤ等１０００の表示部へ表示制御を行う。ＣＰＵ等１２００はデジタルカメラ全体の制御を行う。また、これらはメインバス１２００を介して、信号接続されている。
【００２７】
次に、ＣＣＤ２００が撮像した撮像データをカード等８００に記録する処理について、説明する。
図６はデジタルカメラの処理システムの動作フローを示す図である。
図６において、まず、ＣＣＤ２００が被写体を撮像する（ＳＴ６０１）。次に、取り込み部３００が、ＣＣＤ２００が撮像した被写体を撮像データとして取り込む（ＳＴ６０２）。次に、取り込み部３００は、大規模ＤＲＡＭ４００に撮像データを記録する（ＳＴ６０３）。この際、例えば大規模ＤＲＡＭ４００の特定領域（領域１とする）に記録されるように指定されている。次に、画質調整部５００が大規模ＤＲＡＭ４００の領域１から、領域１に記録された撮像データを読み出し（ＳＴ６０４）、画質調整を行った後（ＳＴ６０５）、再度大規模ＤＲＡＭ４００の特定領域（領域２とする）に書き戻しする（ＳＴ６０６）。次に、ＪＰＥＧ処理部６００が大規模ＤＲＡＭ４００の領域２に記録された画質調整後の撮像データを読み出し（ＳＴ６０７）、ＪＰＥＧ方式に圧縮変換した後（ＳＴ６０８）、再度大規模ＤＲＡＭ４００の特定領域（領域３）に書き戻しする（ＳＴ６０９）。次に、外部データ記録部７００が、大規模ＤＲＡＭ４００の領域３に記録され、ＪＰＥＧ変換された撮像データを読み出して（ＳＴ６１０）、カード等８００に記録保存する（ＳＴ６１１）。
【００２８】
次に、ＣＣＤ２００が撮像データをＬＣＤ等１０００に表示する処理について、説明する。
ＳＴ６０１〜ＳＴ６０６は、カード等８００に記録する処理と同様である。
画質調整部５００が大規模ＤＲＡＭ４００から、領域１に記録された撮像データを読み出し、画質調整を行った後、再度大規模ＤＲＡＭ４００の特定領域（領域２）に書き戻し後（ＳＴ６０６）、リサイズ部９００が、大規模ＤＲＡＭ４００の領域２に記録された画質調整後の撮像データを読み出し（ＳＴ６１２）、ＬＣＤ等１０００に表示可能にリサイズした後（ＳＴ６１３）、再度大規模ＤＲＡＭ４００の特定領域（領域４）に書き戻しする（ＳＴ６１４）。次に、表示制御部１１００が、リサイズ後の撮像データを大規模ＤＲＡＭ４００の領域４から読み出し（ＳＴ６１５）、ＬＣＤ等１０００へ表示させる（ＳＴ６１６）。
【００２９】
通常、デジタルカメラの使用者は、ＣＣＤ２００で撮像する画像データをカード等８００に記録し、カード等８００に記録後に、ＬＣＤ等１０００に表示させて、撮像内容を確認する。
ここで、大規模ＤＲＡＭ４００への読み出し回数を確認すると、領域１へはＳＴ６０４の１回、領域２へはＳＴ６０７、ＳＴ６１２の２回、領域３へはＳＴ６１０の１回、領域４へはＳＴ６１５の１回である。
従って、図２のメモリ管理部（領域１）１０１の設定レジスタ１２１には１回、メモリ管理部（領域２）１０２の設定レジスタ１２２には２回、メモリ管理部（領域３）１０３の設定レジスタ１２３には１回、メモリ管理部（領域４）１０４の設定レジスタ１２４には１回を設定しておけば、必要最小限の撮像データ保持期間を確保し、大規模ＤＲＡＭ４００（メモリセル３）のセルフ・リフレッシュを行うことができる。
【００３０】
ところで、大規模ＤＲＡＭ４００はＣＰＵ等１２００の動作領域として使用される場合もある。この場合には、動作中の特定領域に対し、無限回数の読み出し、すなわち常時セルフ・リフレッシュを行う設定にすればよい。一方、現在動作中の特定領域以外の領域に対しては、０回の読み出し、すなわち常時セルフ・リフレッシュを行わない設定にすればよい。このようにすることで、効率的に半導体装置の消費電力の低減を実現できる。
【００３１】
また、図５において、予め、画像圧縮率やコントラスト等の表示制御を固定することにより、あるいはＣＰＵ等１２００でこれらの処理を行うようにした場合、リサイズ部９００および表示制御部１１００を省略して構成することもできる。
このとき、ＳＴ６１２における領域２に対する読み出し処理、およびＳＴ６１５における領域４に対する読み出し処理が必要なくなる。この場合、図２のメモリ管理部（領域１〜４）１０１〜１０４の設定レジスタ１２１〜１２４のすべてに１回を設定しておけば、必要最小限の撮像データ保持期間を確保し、大規模ＤＲＡＭ４００（メモリセル３）のセルフ・リフレッシュを行うことができる。このように、一律で各設定レジスタに１回を設定できる場合には、設定レジスタ１２１、カウンタ１１１、および比較器１３１に替えて、揮発性メモリとしてのメモリセル３へ読み出しがあったとき、リフレッシュコントローラ部２に対し、セルフ・リフレッシュの停止制御を行う。従って、各カウンタ、各設定レジスタおよび各比較器を不要とし、半導体装置の構成部品を少なくすることができ、セルフ・リフレッシュに際しても、更に効率的な電力低減を実現できる。
設定レジスタ１２１、カウンタ１１１、および比較器１３１は、揮発性メモリの複数領域のうちの一部の領域に対してのみ設けられてもよく、この場合、一部の領域以外の領域に対しては、読み出しがあったとき、リフレッシュコントローラ部２に対し、セルフ・リフレッシュの停止制御を行う。
【００３２】
更に、メモリセル３の領域について、読み出し回数設定可能領域と不可能領域とをそれぞれ適切な数量設定することにより、効率よくデータ保持の不要なメモリ領域のリフレッシュ期間を最小限度に抑え、消費電力を低減する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図２】図１にアクセス監視回路部の内部の構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の初期設定フロー図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る半導体装置の動作フロー図である。
【図５】デジタルカメラの処理システムを説明する図である。
【図６】デジタルカメラの処理システムの動作フローを示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  アクセス監視回路部、  ２  リフレッシュコントローラ部、  ３  メモリセル、  ４  ＲＡＳ制御、  ５  ＣＡＳ制御、  １０  アクセス検出部、  １０ｎ  アドレス管理部（領域ｎ）、  １１ｎ  カウンタ、  １２ｎ  設定レジスタ、  １３ｎ  比較器、  １４ｎ  ステータス、  ２００  ＣＣＤ、  ３００  取り込み部、  ４００  大規模ＤＲＡＭ、  ５００  画質調整部、  ６００  ＪＰＥＧ処理部、  ７００  外部データ記録部、  ８００  カード等、  ９００  リサイズ部、  １０００  ＬＣＤ等、１１００  表示制御部、  １２００  ＣＰＵ等。
【図１】
2006059403.tif 000003
【図２】
2006059403.tif 000004
【図３】
2006059403.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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