(57)【要約】【課題】  ダイパッド上に半導体素子を搭載し、このダイパッドにボンディングワイヤを接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、ダイパット上のモールド樹脂の剥離が発生しても、ダイパッド上のワイヤ接続部までの剥離の進行を抑え、ワイヤの寿命を長くする。【解決手段】  半導体素子２０と、半導体素子２０が搭載されるダイパッド１１と、を備え、ダイパッド１１にはボンディングワイヤ４０が接続されて、半導体素子２０、ダイパッド１１およびボンディングワイヤ４０がモールド樹脂５０によって封止されてなる半導体装置１００において、ダイパッド１１には、根元部１１ａから半導体素子２０とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部１１ｂが半導体素子２０へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部１１ｃが延設され、突出部１１ｃの先端部１１ａにボンディングワイヤ４０が接続されている。【選択図】        図１
2006032635.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（２０）と、
前記半導体素子（２０）が搭載されるダイパッド（１１）と、を備え、
前記ダイパッド（１１）にはボンディングワイヤ（４０）が接続されており、
前記半導体素子（２０）、前記ダイパッド（１１）および前記ボンディングワイヤ（４０）がモールド樹脂（５０）によって包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、
前記ダイパッド（１１）には、根元部（１１ａ）から前記半導体素子（２０）とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部（１１ｂ）が前記半導体素子（２０）へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部（１１ｃ）が延設されており、
前記突出部（１１ｃ）の前記先端部（１１ａ）に、前記ボンディングワイヤ（４０）が接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記突出部（１１ｃ）のうち前記半導体素子（２０）へ向かう方向へ延びる部位に、溝（１１ｅ）もしくはスリット（１１ｆ）が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ボンディングワイヤ（４０）は、前記ダイパッド（１１）と前記半導体素子（２０）とを接続するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、このダイパッドにボンディングワイヤを接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体装置は、一般に、半導体素子と、半導体素子が搭載されるダイパッドとを備え、ダイパッドには半導体素子などからボンディングワイヤが接続されており、半導体素子、ダイパッドおよびボンディングワイヤがモールド樹脂によって包み込まれるように封止されてなる。
【０００３】
ここで、半導体素子などからダイパッドに対してワイヤボンディングを行うのは、たとえば、ＩＣチップなどの半導体素子を、ノイズを除去するためにＧＮＤ状態とするためである。
【０００４】
このような半導体装置においては、通常、Ａｇメッキなどを施したダイパット上にワイヤボンディングを行うようにしているが、この場合、半導体素子周辺のせん断応力が大きく、さらにＡｇメッキとモールド樹脂との密着力は弱いので、ほとんどの場合においてダイパット上にモールド樹脂の剥離が生じる。
【０００５】
ましてや、モノリシックＩＣのようなリフローを要するパッケージ形態を有する半導体装置においては、リフロー時に大きな熱応力が加わるため、上記したダイパッド上におけるモールド樹脂の剥離は顕著となる。
【０００６】
このダイパッド上におけるモールド樹脂の剥離の問題に対して、従来では、一般に、ダイパット上にスリットを入れてスリットを介した上でワイヤボンドを打つ技術が知られている。
【０００７】
この場合、ダイパット上にモールド樹脂の剥離が生じたとしても、ダイパッドにおいてこの樹脂の剥離部とボンディングワイヤの接続部との間にスリットが介在しているため、このスリットの存在によってモールド樹脂の剥離の進行を抑えることができるとされている。
【０００８】
また、従来では、別の技術として特許文献１に記載されているように、ダイパットの端部をＬ字状に延ばし、その先端部にワイヤボンドを行う技術が提案されている。この場合にも、このＬ字状の部分によって、モールド樹脂の剥離の進行を抑えることができるとされている。
【特許文献１】特開２００３−１９７８４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図６は、上記したダイパット上にスリットを入れる構成を示す概略平面図である。ダイパッド１１の上にＩＣチップなどの半導体素子２０が搭載され、この半導体素子２０からダイパッド１１にボンディングワイヤ４０が接続されている。
【００１０】
ここで、ダイパッド１１においては、半導体素子２０の搭載部とボンディングワイヤ４０の接続部との間にスリット９０が設けられている。この場合、スリット９０よりモールド樹脂の剥離の進行を抑えることができる。
【００１１】
しかし、ダイパット１１は完全に切り離されているわけではないので、図６中の矢印Ｙ１に示されるように、回り込んできた剥離の進行を抑えることができず、ワイヤボンド部に剥離が到達してしまう。
【００１２】
また、図７は、上記したダイパットの端部をＬ字状に延ばした構成を示す概略平面図である。ダイパット１１の端部をＬ字状に延ばし、その突出部９１の先端にボンディングワイヤ４０が接続されている。
【００１３】
この場合、図７中の矢印Ｙ２に示されるように、半導体素子２０周辺のせん断応力は半導体素子２０を中心として外へ広がる。
【００１４】
そのため、Ｌ字状突出部９１の根元部にて、いったんモールド樹脂が剥離しても、当該矢印Ｙ２方向への剥離の進行を抑制することはできるが、やはり、上記スリット構造と同様に、矢印Ｙ３のようにして回り込んでくる剥離に対しては、その進行を回避することができない。
【００１５】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、このダイパッドにボンディングワイヤを接続し、これらをモールド樹脂で封止してなる半導体装置において、ダイパット上のモールド樹脂の剥離が発生したとしても、ダイパッド上のワイヤ接続部までの剥離の進行を抑え、ワイヤの寿命を長くできるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体素子（２０）と、半導体素子（２０）が搭載されるダイパッド（１１）と、を備え、ダイパッド（１１）にはボンディングワイヤ（４０）が接続されており、半導体素子（２０）、ダイパッド（１１）およびボンディングワイヤ（４０）がモールド樹脂（５０）によって包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、ダイパッド（１１）には、根元部（１１ａ）から半導体素子（２０）とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部（１１ｂ）が半導体素子（２０）へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部（１１ｃ）が延設されており、突出部（１１ｃ）の先端部（１１ａ）に、ボンディングワイヤ（４０）が接続されていることを特徴としている。
【００１７】
モールド樹脂（５０）の剥離は、半導体素子（２０）とは離れる方向へ進行し、半導体素子（２０）と平行な方向へは進行するものの、半導体素子（２０）へ向かう方向へは進行しない。
【００１８】
そのため、本発明のように、ダイパッド（１１）において、根元部（１１ａ）から半導体素子（２０）とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部（１１ｂ）が半導体素子（２０）へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部（１１ｃ）を設け、この突出部（１１ｃ）の先端部（１１ｂ）にボンディングワイヤ（４０）を接続すれば、ボンディングワイヤ（４０）の接続部へは剥離が進行しない。
【００１９】
したがって、本発明によれば、ダイパッド（１１）上に半導体素子（２０）を搭載し、このダイパッド（１１）にボンディングワイヤ（４０）を接続し、これらをモールド樹脂（５０）で封止してなる半導体装置において、ダイパット（１１）上のモールド樹脂（５０）の剥離が発生したとしても、ダイパッド（１１）上のワイヤ接続部までの剥離の進行を抑え、ワイヤの寿命を長くすることができる。
【００２０】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、突出部（１１ｃ）のうち半導体素子（２０）へ向かう方向へ延びる部位に、溝（１１ｅ）もしくはスリット（１１ｆ）が設けられていることを特徴としている。
【００２１】
それによれば、突出部（１１ｃ）の先端部（１１ｂ）すなわちダイパッド（１１）上のワイヤ接続部までのモールド樹脂（５０）剥離の進行を、溝（１１ｅ）もしくはスリット（１１ｆ）によってより確実に抑制することができ、好ましい。
【００２２】
また、請求項３に記載の発明のように、請求項１または請求項２に記載の半導体装置においては、ボンディングワイヤ（４０）は、ダイパッド（１１）と半導体素子（２０）とを接続するものにできる。
【００２３】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２５】
図１は、本発明の実施形態に係る半導体装置１００の構成を示す概略平面図である。なお、図１中、モールド樹脂５０の外形は一点鎖線にて示してある。
【００２６】
図１に示されるように、半導体装置１００においては、リードフレーム１０のダイパッド１１上には、Ａｇペーストなどからなる導電性接着剤やはんだなどを介してＩＣチップなどからなる半導体素子２０が搭載され接合されている。
【００２７】
また、リードフレーム１０のリード部１２には、受動部品３０が導電性接着剤やはんだなどを介して搭載され接合されている。
【００２８】
ここで、受動部品３０としては、たとえば、コンデンサや抵抗体などを採用することができる。本例では、受動部品３０としてはチップコンデンサを採用している。このようなコンデンサは、半導体装置における電気的なノイズを除去することなどのために設けられている。
【００２９】
また、本実施形態の半導体装置１００では、図１に示されるように、ダイパッド１１には、根元部１１ａから半導体素子２０とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部１１ｂが半導体素子２０へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部１１ｃが延設されている。
【００３０】
そして、このダイパッド１１における突出部１１ｃの先端部１１ａに、ボンディングワイヤ４０が接続されている。また、ボンディングワイヤ４０は、半導体素子２０とリード部１２との間も接続している。
【００３１】
このボンディングワイヤ４０は、Ａｕ（金）やＡｌ（アルミニウム）やＣｕ（銅）などからなるものであり、半導体装置の分野における通常のワイヤボンディング手法により形成することができる。
【００３２】
ここで、ダイパッド１１およびリード部１２を構成するリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料を採用し、エッチングやプレスなどにより形成できるものである。
【００３３】
そして、リードフレーム１０には、ボンディングワイヤ４０の種類や上記導電性接着剤の種類などに応じて、その表面に適宜メッキ（たとえばＡｇメッキ）などの処理が施されている。
【００３４】
たとえば、半導体素子２０や受動部品３０が導電性接着剤により接合されており、ボンディングワイヤ４０がＡｕからなる場合においては、リードフレーム１０のうちこれら導電性接着剤やボンディングワイヤ４０との接続部に対しては、Ａｇメッキを施すことになる。
【００３５】
そして、これらリードフレーム１０、半導体素子２０、受動部品３０、およびボンディングワイヤ４０、すなわち装置１００の全体がリード部１２の一部（つまりアウターリード）が露出するように、モールド樹脂５０により封止されている。
【００３６】
このモールド樹脂５０としては、通常の電子分野で採用されるエポキシ樹脂などのモールド材料を採用することができ、金型を用いたトランスファーモールド法により形成されるものである。
【００３７】
この半導体装置１００の製造方法は、たとえば、次の通りである。Ａｇペーストなどの上記導電性接着剤をダイパッド１１上に塗布し、半導体素子２０をマウントして導電性接着剤を硬化させる、
続いて、ワイヤボンディングを行って各ボンディングワイヤ４０を形成する。これは、受動部品３０を搭載してから、ワイヤボンディングを行うと、ワイヤボンディングのツールが、ボンディングワイヤ４０の近傍に位置する受動部品３０に当たるので、ワイヤボンディングがうまくできないためである。
【００３８】
次に、リード部１２の所定領域に上記導電性接着剤を塗布し、受動部品３０をマウントして上記導電性接着剤を硬化させる。その後、トランスファーモールド成形などにより、モールド樹脂５０による封止を行う。こうして、図１に示されるような半導体装置１００ができあがる。
【００３９】
ところで、本実施形態によれば、半導体素子２０と、半導体素子２０が搭載されるダイパッド１１と、を備え、ダイパッド１１にはボンディングワイヤ４０が接続されており、半導体素子２０、ダイパッド１１およびボンディングワイヤ４０がモールド樹脂５０によって包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、ダイパッド１１には、根元部１１ａから半導体素子２０とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部１１ｂが半導体素子２０へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部１１ｃが延設されており、突出部１１ｃの先端部１１ａに、ボンディングワイヤ４０が接続されていることを特徴とする半導体装置１００が提供される。
【００４０】
上述したように、モールド樹脂５０の剥離は、半導体素子２０とは離れる方向へ進行し、半導体素子２０と平行な方向へは進行するものの、半導体素子２０へ向かう方向へは進行しない。
【００４１】
そのため、本実施形態のように、ダイパッド１１において、根元部１１ａから半導体素子２０とは離れる方向へ延び途中でＵターンして先端部１１ｂが半導体素子２０へ向かう方向へ延びるＵ字形状を有する突出部１１ｃを設け、この突出部１１ｃの先端部１１ｂにボンディングワイヤ４０を接続すれば、ボンディングワイヤ４０の接続部へは剥離が進行しない。
【００４２】
したがって、本実施形態によれば、ダイパッド１１上に半導体素子２０を搭載し、このダイパッド１１にボンディングワイヤ４０を接続し、これらをモールド樹脂５０で封止してなる半導体装置１００において、ダイパット１１上のモールド樹脂５０の剥離が発生したとしても、ダイパッド１１上のワイヤ接続部までの剥離の進行を抑え、ワイヤ４０の寿命を長くすることができる。
【００４３】
［変形例］
図２〜図５は、本実施形態におけるダイパッド１１の突出部１１ｃの各種の変形例を示す概略平面図である。
【００４４】
図２に示される第１の変形例では、突出部１１ｃにくびれ１１ｄを設けたものである。具体的には、突出部１１ｃのうち半導体素子２０とは離れる方向へ延びる部位や半導体素子２０へ向かう方向へ延びる部位に、くびれ１１ｄを設けることができる。
【００４５】
このような突出部１１ｃにくびれ１１ｄを設けた構成によれば、せん断応力が小さくなり、モールド樹脂５０が剥離する距離を短くすることができ、剥離抑制の効果を大きくすることができる。
【００４６】
図３に示される第２の変形例は、突出部１１ｃのうち半導体素子２０へ向かう方向へ延びる部位に、溝１１ｅもしくはスリット１１ｆが設けられていることを特徴としたものである。
【００４７】
なお、図３では、突出部１１ｃのうち半導体素子２０へ向かう方向へ延びる部位に、溝１１ｅおよびスリット１１ｆを１個ずつ設けた構成としているが、それ以外にも、たとえば溝１１ｅだけでもよいし、スリット１１ｆだけでもよい。また、溝１１ｅおよびスリット１１ｆの本数も単数でも複数でもよい。
【００４８】
この溝１１ｅもしくはスリット１１ｆは、突出部１１ｃのどこに設けても剥離進行の抑制効果はあるが、図３に示されるように、突出部１１ｃのうち半導体素子２０へ向かう方向へ延びる部位に設けることが好ましい。
【００４９】
それによれば、突出部１１ｃの先端部１１ｂすなわちダイパッド１１上のワイヤ接続部までのモールド樹脂５０剥離の進行を、溝１１ｅもしくはスリット１１ｆによってより確実に抑制することができ、好ましい。
【００５０】
図４に示される第３の変形例では、突出部１１ｃにおけるＵ字部の先端をさらに延ばし、突出部１１ｃ全体をＧ字形状としたものである。
【００５１】
具体的には、上記図１〜図３に示されるようなＵ字形状の突出部１１ｃの先端部から、さらに半導体素子２０と平行な方向に延びる部分を設けている。それによれば、さらにせん断応力が小さくなり、好ましい剥離抑制効果が得られる。
【００５２】
また、この図４に示される第３の変形例においても、突出部１１ｃに溝やスリットを設けてもよい。具体的には、図５に示される第４の変形例のように、スリットとしてのロックホール１１ｇを設けてよい。
【００５３】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、ボンディングワイヤ４０は、ダイパッド１１と半導体素子２０とを接続するものとしていたが、ダイパッド１１には半導体素子２０との間以外にも、何らかの部位との間でボンディングワイヤが接続された形態としてもよい。
【００５４】
要するに、本発明は、半導体素子２０と、半導体素子２０が搭載されるダイパッド１１と、を備え、ダイパッド１１にはボンディングワイヤ４０が接続されており、半導体素子２０、ダイパッド１１およびボンディングワイヤ４０がモールド樹脂５０によって包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、ダイパッド１１には、上記したＵ字形状を有する突出部１１ｃが延設されており、突出部１１ｃの先端部１１ａに、ボンディングワイヤ４０が接続されていることを主たる特徴としたものであり、その他の部分については、適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置の構成を示す概略平面図である。
【図２】上記実施形態におけるダイパッドの突出部の第１の変形例を示す概略平面図である。
【図３】上記実施形態におけるダイパッドの突出部の第２の変形例を示す概略平面図である。
【図４】上記実施形態におけるダイパッドの突出部の第３の変形例を示す概略平面図である。
【図５】上記実施形態におけるダイパッドの突出部の第４の変形例を示す概略平面図である。
【図６】従来のダイパット上にスリットを入れる構成を示す概略平面図である。
【図７】従来のダイパットの端部をＬ字状に延ばした構成を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…リードフレーム、１１…リードフレームのダイパッド、
１１ａ…突出部の根元部、１１ｂ…突出部の先端部、１１ｃ…突出部、
１１ｅ…溝、１１ｆ…スリット、１２…リードフレームのリード部、
２０…半導体素子、４０…ボンディングワイヤ、５０…モールド樹脂。
【図１】
2006032635.tif 000003
【図２】
2006032635.tif 000004
【図３】
2006032635.tif 000005
【図４】
2006032635.tif 000006
【図５】
2006032635.tif 000007
【図６】
2006032635.tif 000008
【図７】
2006032635.tif 000009