(57)【要約】    【課題】製品の小型化を図り得る低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供する。    【解決手段】誘電体基体１１は、第１の誘電体部分１１１と、第２の誘電体部分１１２とを含む。第２の誘電体部分１１２は、第１の誘電体部分１１１よりも高い比誘電率を持つ。信号線２０は、第１の誘電体部分１１１の一面側、及び、第２の誘電体部分１１２の一面側に連続して形成されている。接地導体３１は、第２の誘電体部分１１２の他面側に形成されている。【選択図】      図１
2006222797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む低域通過フィルタであって、
前記誘電体基体は、第１の誘電体部分と、第２の誘電体部分とを含み、前記第２の誘電体部分は、前記第１の誘電体部分よりも高い比誘電率を持ち、前記第１の誘電体部分と横並びに隣接し、
前記信号線は、一体に連続した線路であり、前記第１の誘電体部分の一面側、及び、前記第２の誘電体部分の一面側に形成され、
前記接地導体は、前記第２の誘電体部分の他面側に形成されている
低域通過フィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載された低域通過フィルタであって、
前記接地導体は、更に、前記第１の誘電体部分の他面側に形成されている
低域通過フィルタ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された低域通過フィルタであって、更に、基体を含み、
前記基体は、前記誘電体基体、及び、前記信号線の上に備えられ、
前記接地導体は、更に、前記基体の前記信号線が備えられていない側の面に形成されている
低域通過フィルタ。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載された低域通過フィルタであって、
前記信号線のうち前記第１の誘電体部分に形成された部分は、インダクタの機能を果たし、
前記信号線のうち前記第２の誘電体部分に形成された部分、及び、前記接地導体のうち前記第２の誘電体部分に形成された部分は、コンデンサ電極の機能を果たす
低域通過フィルタ。
【請求項５】
誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む低域通過フィルタであって、
前記誘電体基体は、第３の誘電体部分と、第４の誘電体部分とを含み、前記第４の誘電体部分は、前記第３の誘電体部分よりも厚みが薄く、前記第３の誘電体部分と横並びに隣接し、
前記信号線は、一体に連続した線路であり、前記第３の誘電体部分の一面側、及び、前記第４の誘電体部分の一面側に形成され、
前記接地導体は、前記第４の誘電体部分の他面側に形成されている
低域通過フィルタ。
【請求項６】
請求項５に記載された低域通過フィルタであって、
前記接地導体は、更に、前記第３の誘電体部分の他面側に形成されている
低域通過フィルタ。
【請求項７】
請求項５又は６に記載された低域通過フィルタであって、更に、基体を含み、
前記基体は、前記誘電体基体、及び、前記信号線の上に備えられ、
前記接地導体は、更に、前記基体の前記信号線が備えられていない側の面に形成されている
低域通過フィルタ。
【請求項８】
請求項５乃至７の何れかに記載された低域通過フィルタであって、
前記信号線のうち前記第３の誘電体部分に形成された部分は、インダクタの機能を果たし、
前記信号線のうち前記第４の誘電体部分に形成された部分、及び、前記接地導体のうち前記第４の誘電体部分に形成された部分は、コンデンサ電極の機能を果たす
低域通過フィルタ。
【請求項９】
請求項５乃至８の何れかに記載された低域通過フィルタであって、
前記第４の誘電体部分は、前記第３の誘電体部分よりも高い比誘電率を持つ
低域通過フィルタ。
【請求項１０】
請求項１乃至４の何れかに記載された低域通過フィルタの製造方法であって、
第１の誘電体グリーンシートと、第２の誘電体グリーンシートとを用意し、前記第１の誘電体グリーンシートは、前記第１の誘電体部分となるものであり、所定形状の切欠きを有し、前記第２の誘電体グリーンシートは、前記第２の誘電体部分となるものであり、前記切欠きに対応する形状を有し、
次に、前記第１の誘電体グリーンシートの前記切欠きに、前記第２の誘電体グリーンシートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む
低域通過フィルタの製造方法。
【請求項１１】
請求項５乃至９の何れかに記載された低域通過フィルタの製造方法であって、
第３の誘電体グリーンシートと、導体シートとを用意し、前記第３の誘電体グリーンシートは、前記第３の誘電体部分の一部となるものであり、所定形状の切欠きを有し、前記導体シートは、前記接地導体の一部となるものであり、前記切欠きに対応する形状を有し、
次に、前記第３の誘電体グリーンシートの前記切欠きに、前記導体シートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む
低域通過フィルタの製造方法。
【請求項１２】
低域通過フィルタと、主回路部とを含むモジュール部品であって、
前記低域通過フィルタは、請求項１乃至９の何れかに記載されたものであり、
前記主回路部は、前記低域通過フィルタと一体に構成されている
モジュール部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低域通過フィルタ、モジュール部品、及び、低域通過フィルタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波回路で用いられる低域通過フィルタとして、ストリップ、又は、マイクロストリップ構造の低域通過フィルタが知られている。
【０００３】
ストリップ、又は、マイクロストリップ構造の低域通過フィルタでは、信号線の一部の面積を大きくした大面積部分と、これに対向する接地導体とによりコンデンサ電極が形成され、大面積部分よりも細く形成された信号線の一部によりインダクタが形成され、ＬＣフィルタが構成される。
【０００４】
この種の低域通過フィルタでは、信号線の一部に形成された大面積部分を大型にしなければ、十分な大きさのキャパシタンス成分が得られないので、大面積部分の大型化に伴い、製品が大型化するという問題があった。
【０００５】
また、十分な大きさのインダクタンス成分を得るためには、信号線の一部を極めて細く形成するか、長く引き回す必要があり、信号線の構造が複雑になる。このため、製造が困難になるという問題や、通過特性が劣化するという問題があった。
【特許文献１】実開平２−３８８０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、製品の小型化を図り得る低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することである。
【０００７】
本発明のもう一つの課題は、単純な構造の低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することである。
【０００８】
本発明の更にもう一つの課題は、良好な低域通過特性を有する低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することである。
【０００９】
本発明の更にもう一つの課題は、本発明に係る低域通過フィルタの製造に適した製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決するため、本発明は、２つの態様に係る低域通過フィルタ、これらを用いたモジュール部品、及び、２つの態様に係る低域通過フィルタの製造方法を開示する。
【００１１】
１．第１の態様に係る低域通過フィルタ
本発明の第１の態様に係る低域通過フィルタは、誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む。誘電体基体は、第１の誘電体部分と、第２の誘電体部分とを含み、第２の誘電体部分は、第１の誘電体部分よりも高い比誘電率を持ち、第１の誘電体部分と横並びに隣接する。信号線は、一体に連続した線路であり、第１の誘電体部分の一面側、及び、第２の誘電体部分の一面側に形成されている。接地導体は、第２の誘電体部分の他面側に形成されている。
【００１２】
上述したように、本発明の第１の態様に係る低域通過フィルタでは、信号線の一部が第２の誘電体部分の一面側に形成され、第２の誘電体部分の他面側に形成された接地導体と対向している。第２の誘電体部分は、第１の誘電体部分よりも高い比誘電率を持つから、第２の誘電体部分に大容量のキャパシタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
【００１３】
しかも、信号線の別の一部は、第１の誘電体部分の一面側に形成されている。第１の誘電体部分は、第２の誘電体部分よりも低い比誘電率を持つから、第１の誘電体部分に、浮遊容量の低減された大きなインダクタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
【００１４】
また、第２の誘電体部分の高い比誘電率により、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線の小面積化が可能であり、これに伴い、製品の小型化を図ることができる。
【００１５】
第１の誘電体部分の低い比誘電率により、浮遊容量の低減された大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。特に、信号線を幅の広いラインとすることが可能となり、導体損失が低減する、又は、通過損失が改善されるという効果が顕著に顕れることとなる。
【００１６】
また、信号線は、一体に連続した線路であり、第１、第２の誘電体部分の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
【００１７】
２．第２の態様に係る低域通過フィルタ
本発明の第２の態様に係る低域通過フィルタは、誘電体基体と、信号線と、接地導体とを含む。誘電体基体は、第３の誘電体部分と、第４の誘電体部分とを含む。第４の誘電体部分は、第３の誘電体部分よりも厚みが薄く、第３の誘電体部分と横並びに隣接する。信号線は、一体に連続した線路であり、第３の誘電体部分の一面側、及び、第４の誘電体部分の一面側に形成されている。接地導体は、第４の誘電体部分の他面側に形成されている。
【００１８】
上述したように、本発明の第２の態様に係る低域通過フィルタは、第４の誘電体部分の一面側に形成された信号線の一部と、第４の誘電体部分の他面側に形成された接地導体とが、コンデンサ電極を形成しており、第４の誘電体部分が、第３の誘電体部分よりも厚みが薄くなっている。このため、第４の誘電体部分に大容量のキャパシタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
【００１９】
しかも、信号線の別の一部は、第３の誘電体部分の一面側に形成されている。第３の誘電体部分は、第４の誘電体部分よりも厚みが厚いから、第３の誘電体部分に大きなインダクタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
【００２０】
また、第４の誘電体部分の薄さにより、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線の小面積化が可能であり、これに伴い、製品の小型化を図ることができる。
【００２１】
第３の誘電体部分の厚みにより、大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。特に、信号線を幅の広いラインとすることが可能となり、導体損失が低減する、又は、通過損失が改善されるという効果が顕著に顕れることとなる。
【００２２】
また、信号線は、一体に連続した線路であり、第３、第４の誘電体部分の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
【００２３】
３．モジュール部品
本発明に係るモジュール部品は、低域通過フィルタと、主回路部とを含む。低域通過フィルタは、上述した本発明に係る低域通過フィルタである。主回路部は、低域通過フィルタと一体に構成されている。
【００２４】
上述したように、本発明に係るモジュール部品は、本発明に係る低域通過フィルタを含むので、低域通過フィルタの有する作用効果をそのまま得ることができる。
【００２５】
４．第１の態様に係る低域通過フィルタの製造方法
本発明の第１の態様に係る低域通過フィルタの製造方法では、まず、第１の誘電体グリーンシートと、第２の誘電体グリーンシートとを用意する。第１の誘電体グリーンシートは、第１の誘電体部分となるものであり、所定形状の切欠きを有する。第２の誘電体グリーンシートは、第２の誘電体部分となるものであり、切欠きに対応する形状を有する。次に、第１の誘電体グリーンシートの切欠きに、第２の誘電体グリーンシートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む。
【００２６】
本発明の製造方法によれば、複合シートを用いて、第１の誘電体部分、及び、第２の誘電体部分を形成でき、第１の態様に係る低域通過フィルタを容易に製造し得る。
【００２７】
５．第２の態様に係る低域通過フィルタの製造方法
本発明の第２の態様に係る低域通過フィルタの製造方法では、まず、第３の誘電体グリーンシートと、導体シートとを用意する。第３の誘電体グリーンシートは、第３の誘電体部分の一部となるものであり、所定形状の切欠きを有する。導体シートは、接地導体の一部となるものであり、切欠きに対応する形状を有する。次に、第３の誘電体グリーンシートの切欠きに、導体シートを嵌め込んで複合シートを形成する工程を含む。
【００２８】
本発明の製造方法によれば、複合シートを用いて、第３の誘電体部分、及び、接地導体を形成でき、第２の態様に係る低域通過フィルタを容易に製造し得る。
【発明の効果】
【００２９】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）製品の小型化を図り得る低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することができる。
（ｂ）単純な構造の低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することができる。
（ｃ）良好な低域通過特性を有する低域通過フィルタ、及び、モジュール部品を提供することができる。
（ｄ）本発明に係る低域通過フィルタの製造に適した製造方法を提供することができる。
【００３０】
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
１．第１の態様に係る低域通過フィルタ
図１は本発明の第１の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図、図２は図１に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。
【００３２】
図１に示した低域通過フィルタは、マイクロストリップライン構造を有する。図示の低域通過フィルタは、チップ型積層フィルタであり、形状は、例えば、縦４．５ｍｍ×横３．２ｍｍ×高さ０．６ｍｍ程度である。
【００３３】
図１に示した低域通過フィルタは、例えば、携帯電話や無線ＬＡＮ等の高周波を用いる製品に用いられる。本発明に係る低域通過フィルタは、単独で取引される電子部品であってもよいし、他の電子部品と一体化されたモジュール部品の一部であってもよい。
【００３４】
まず、図１、図２を参照すると、低域通過フィルタは、誘電体基体１１と、信号線（伝送線路）２０と、接地導体３１とを含む。
【００３５】
誘電体基体１１は、例えば、板状であり、第１の誘電体部分１１１と、第２の誘電体部分１１２とを含む。図において、第２の誘電体部分１１２は、、第１の誘電体部分１１１と横並びに隣接している。
【００３６】
第２の誘電体部分１１２は、第１の誘電体部分１１１よりも高い比誘電率を持つ。第１の誘電体部分１１１の比誘電率εｒ１と、第２の誘電体部分１１２の比誘電率εｒ２とは、比誘電率（εｒ２／εｒ１）が一桁以上（１０倍以上）異なることが望ましい。
【００３７】
例えば、図示の実施例では、第１の誘電体部分１１１の比誘電率はεｒ１＝６、第２の誘電体部分１１２の比誘電率はεｒ２＝７５とした。
【００３８】
誘電率εｒ１の誘電体材料はアルミナ、バリウム、シリカを主成分としたものを使用し、誘電率εｒ２の誘電体材料はバリウム、ネオジウム、チタンを主成分としたものを使用した。
【００３９】
第１、第２の誘電体部分１１１、１１２の材料は、特に限定がなく、例えば、一般的な高周波用の誘電体（所定の誘電率で、Ｑ値が高く、温度特性の良好なもの）を使用し得る。但し、信号線２０を形成する導体と同時焼成するために、信号線２０の導体材料と同程度の温度で焼結が可能であることが好ましい。第１、第２の誘電体部分１１１、１１２の材料としては、例えば、セラミックス誘電体材料、有機系誘電体材料又は両者の複合材料等を挙げることができる。
【００４０】
信号線２０は、一体に連続した線路であり、キャパシタ用導体２１１、２１２と、インダクタ用導体２２１、２２２、２２３とを含む。信号線２０は、第１の誘電体部分１１１の一面側、及び、第２の誘電体部分１１２の一面側に形成されている。
【００４１】
すなわち、インダクタ用導体２２１〜２２３は、第１の誘電体部分１１１の一面側に形成され、キャパシタ用導体２１１、２１２は、第２の誘電体部分１１２の一面側に形成され、導体２２１−２１１−２２２−２１２−２２３が電気的、機械的に一連に接続されている。
【００４２】
信号線２０の一端Ｔ１は、誘電体基体１１の一端側に導出されており、他端Ｔ２は、誘電体基体１１の一端側とは反対の他端側に導出されている。信号線２０のパターン形状、太さ、長さ等は、得ようとする電気特性等に対応して選定されるべき設計的事項に属する。
【００４３】
電極ペーストを用いて信号線２０を形成する場合、電極ペーストに用いられる導電性材料は、特に限定はないが、一般的な高周波用のものであることが好ましい。例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ等の導電率の高い金属材料又は銅箔等によって構成することができる。
【００４４】
図において、接地導体３１は、第１の誘電体部分１１１の他面側の全面、及び、第２の誘電体部分１１２の他面側の全面に形成されている。信号特性の劣化を防止するため、接地導体３１は、第１、第２の誘電体部分１１１、１１２の略全面的に形成されることが好ましい。接地導体３１の材料は任意である。
【００４５】
図３は、図１に示した低域通過フィルタの等価的電気回路図である。図３において、インダクタＬ１、Ｌ２、Ｌ３は、図２に示した信号線２０のうち第１の誘電体部分１１１に形成された部分で構成されている。
【００４６】
コンデンサＣ１、Ｃ２の電極は、図２に示した信号線２０のうち第２の誘電体部分１１２に形成された部分、及び、接地導体３１のうち第２の誘電体部分１１２に形成された部分で構成されている。
【００４７】
図４は、図１に示した低域通過フィルタの特性図である。図において、横軸は周波数（ＧＨｚ）を示し、縦軸は減衰量（ｄＢ）を示す。曲線Ｓ１１は反射特性を示し、曲線Ｓ２１は通過特性を示している。
【００４８】
図４を参照すると、低周波領域に通過帯域が形成され、高周波領域に通過帯域が形成されておらず、良好な低域通過フィルタ特性が得られている。
【００４９】
上述したように、本発明の第１の態様に係る低域通過フィルタでは、信号線２０の一部２１１、２１２が第２の誘電体部分１１２の一面側に形成され、第２の誘電体部分１１２の他面側に形成された接地導体３１と対向している。第２の誘電体部分１１２は、第１の誘電体部分１１１よりも高い比誘電率を持つから、第２の誘電体部分１１２に大容量のキャパシタンス成分Ｃ１、Ｃ２が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。例えば、携帯電話や無線ＬＡＮ等で使用される周波数において、良好な低域通過特性が実現される。
【００５０】
しかも、信号線２０の別の一部２２１〜２２３は、第１の誘電体部分１１１の一面側に形成されている。第１の誘電体部分１１１は、第２の誘電体部分１１２よりも低い比誘電率を持つから、第１の誘電体部分１１１に大きなインダクタンス成分Ｌ１〜Ｌ３が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
【００５１】
また、第２の誘電体部分１１２の高い比誘電率により、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線２０の面積を小さくすることができ、製品の小型化を図り得る。
【００５２】
第１の誘電体部分１１１の低い比誘電率により、大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線２０の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線２０の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。特に、信号線２０を幅の広いラインとすることが可能となり、導体損失が低減する、又は、通過損失が改善されるという効果が顕著に顕れることとなる。
【００５３】
また、信号線２０は、一体に連続した線路であり、第１、第２の誘電体部分１１１、１１２の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
【００５４】
更に、接地導体３１が、第１、第２の誘電体部分１１１、１１２の他面側に形成され、信号線２０をシールドする機能を果たすから、良好な電気特性が得られる。
【００５５】
図１、図２に示した低域通過フィルタは、マイクロストリップ構造であるから、誘電体基板上で簡易に形成することができ、半導体等を実装したり他の機能回路を形成したりする誘電体基板上に容易に適用できる。
【００５６】
図１に示した低域通過フィルタは、例えば、積層プロセスを適用することによって容易に製造できる。以下、図５を参照してグリーンシートを用いた製造方法の一実施例を説明する。
【００５７】
まず、図５（ａ）に示すように、ドクターブレード法等を用いて、比誘電率が低い材料からなる誘電体シート９１を所定の厚みに成形する。次に、図５（ｂ）に示すように、形成された誘電体シート９１から所定部分を除去して、切欠きを形成し、第１の誘電体グリーンシート９１１を得る。第１の誘電体グリーンシート９１１は、第１の誘電体部分１１１となる部分である。
【００５８】
次に、図５（ｃ）に示すように、同じくドクターブレード法等を用いて、比誘電率が高い材料からなる誘電体シート９２を所定の厚みに成形する。次に、図５（ｄ）に示すように、形成された誘電体シート９２から第２の誘電体グリーンシート９２１を切出す。第２の誘電体グリーンシート９２１は、第２の誘電体部分１１２となる部分であり、第１の誘電体グリーンシート９１１の切欠きに対応する形状を有する。
【００５９】
次に、図５（ｅ）に示すように、第１の誘電体グリーンシート９１１に、第２の誘電体グリーンシート９２１をはめ込み、複合シート９３を得る。このとき、複合シート９３が均一厚みのシートになるように、焼成縮率を考慮して、第１、第２の誘電体グリーンシート９１１、９２１を組合せることが好ましい。
【００６０】
次に、図５（ｆ）に示すように、電極ぺーストを用いたスクリーン印刷法等により信号線２０を形成し、焼成し、更に、図５（ｇ）に示すように、接地導体３１を形成し、完成品が得られる。
【００６１】
信号線２０の形成に用いられる電極ペーストは、収縮挙動に関して、第１、第２の誘電体グリーンシート９１１、９２１との相性があっていることが好ましい。例えば、９００℃程度で焼成可能な誘電体を用いればＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ等、導電率の高い金属が使用できる。
【００６２】
ビアホールや各導体及び電極を形成する導電性材料はＡｇを使用した。伝送線路を形成するグリーンシートの厚さは各々４０μｍである。
【００６３】
図示の製造方法では、１枚のシートに２本のライン（切欠き）か描かれ、１枚のシートで１つの完成品を得ているが、例えば、集合シートを用いて、１つのシートに多数の低域通過フィルタ要素を格子状に配列し、複数の完成品を同時に製造してもよい。また、本発明に係る低域通過フィルタは、例えば、印刷工法などを用いても製造し得る。
【００６４】
図６は本発明に係る低域通過フィルタの別の一実施例を示す分解斜視図である。以下の図において、同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【００６５】
図６に示した低域通過フィルタは、図１に示した構成に加えて、基体１２を含む。基体１２は、誘電体基体１１、及び、信号線２０を被覆するように、その上に備えられている。基体１２は、例えば、誘電体で構成することができる。接地導体３１は、基体１２の誘電体基体１１、及び、信号線２０が備えられていない側の面にも備えられている。
【００６６】
図６に示した低域通過フィルタは、ストリップライン構造を有するので、マイクロストリップライン構造の低域通過フィルタよりも良好な電気特性を得ることができる。ストリップライン構造の低域通過フィルタは、例えば、多層実装基板の内部や、或いは独立したチップ部品として構成することができる。
【００６７】
図示の低域通過フィルタは、図１〜図５に示した低域通過フィルタと同様の構成要素を有するので、同様の作用効果を奏することができる。以下の実施例の低域通過フィルタも、図１〜図６に示した低域通過フィルタと同様の構成要素を有するので、同様の作用効果を奏する。
【００６８】
図７は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。図７に示した低域通過フィルタは、図１に示した構成に加えて、基体１３を含む。基体１３は、誘電体基体１１と同様に、第１の誘電体部分１１１と、第２の誘電体部分１１２とを含む。
【００６９】
図７に示した低域通過フィルタは、信号線２０の一面側及び他面側に、第１、第２の誘電体部分１１１、１１２が備えられているので、図１に示した低域通過フィルタの構成により得られる作用効果が、更に顕著に顕れる。
【００７０】
以下の実施例では、マイクロストリップ構造の低域通過フィルタを用いて説明するが、ストリップ構造にも適用できる。
【００７１】
２．第２の態様に係る低域通過フィルタ
図８は本発明の第２の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図、図９は図８に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。図８、図９において、低域通過フィルタは、誘電体基体５１と、信号線２０と、接地導体３１とを含む。誘電体基体５１は、第３の誘電体部分５１１と、第４の誘電体部分５１２とを含む。
【００７２】
第４の誘電体部分５１２は、第３の誘電体部分５１１よりも厚みが薄い。第４の誘電体部分５１２は、第３の誘電体部分５１１と横並びに隣接している。誘電体基体５１の比誘電率εｒは、例えば、εｒ＝６程度である。
【００７３】
信号線２０は、一体に連続した線路であり、第３の誘電体部分５１１の一面側、及び、第４の誘電体部分５１２の一面側に形成されている。図において、信号線２０は、インダクタ用導体２２１〜２２３が、第３の誘電体部分５１１の一面側に形成され、キャパシタ用導体２１１、２１２が、第４の誘電体部分５１２の一面側に形成されている。
【００７４】
接地導体３１は、平坦部分３１１と、凸部分３１２を含む。平坦部分３１１は、第３の誘電体部分５１１の他面側に形成され、凸部分３１２は、第４の誘電体部分５１２の他面側に形成されている。平坦部分３１１及び凸部分３１２は、電気的に接続されている。図示の実施例では、直方体形状の２つの凸部分３１２により、接地導体３１の一部を信号線２０に近接させているが、凸部分の形状、数などは任意である。
【００７５】
また、図示の実施例では、第４の誘電体部分５１２が第３の誘電体部分５１１よりも厚みが薄くなる構成を実現するために、凸部分３１２を用いて、接地導体３１を信号線２０に近接させているが、信号線２０のキャパシタ用導体２１１、２１２を接地導体３１に近接させてもよい。
【００７６】
上述したように、本発明の第２の態様に係る低域通過フィルタは、第４の誘電体部分５１２の一面側に形成された信号線２０の一部２１１、２１２と、第４の誘電体部分５１２の他面側に形成された接地導体３１とが、コンデンサ電極を形成しており、第４の誘電体部分５１２が、第３の誘電体部分５１１よりも厚みが薄くなっている。このため、第４の誘電体部分５１２に大容量のキャパシタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
【００７７】
しかも、信号線２０の別の一部２２１〜２２３は、第３の誘電体部分５１１の一面側に形成されている。第３の誘電体部分５１１は、第４の誘電体部分５１２よりも厚みが厚いから、第３の誘電体部分５１１に大きなインダクタンス成分が形成され、良好な低域通過特性を有するフィルタが構成される。
【００７８】
また、第４の誘電体部分５１２の薄さにより、キャパシタンス成分の大容量化を図れるから、信号線２０の小面積化が可能であり、これに伴い、製品の小型化を図ることができる。
【００７９】
第３の誘電体部分５１１の厚みにより、大きなインダクタンス成分が得られるから、信号線２０の一部を極めて細くしたり、長く引き回す必要がなくなり、信号線２０の構造が単純になる。これにより、製造が容易になるとともに、通過特性の劣化を防止し得る。
【００８０】
また、信号線２０は、一体に連続した線路であり、第３、第４の誘電体部分５１１、５１２の一面側のみに形成されているから、同一工程で容易に形成し得る。
【００８１】
更に、接地導体３１が、第３、第４の誘電体部分５１１、５１２の他面側に形成され、信号線２０をシールドする機能を果たすから、良好な電気特性が得られる。
【００８２】
図８、図９に示した低域通過フィルタは、例えば、シート積層プロセスを適用することによって容易に製造できる。以下、図１０を参照してグリーンシートを用いた製造方法の一実施例を説明する。
【００８３】
まず、図１０（ａ）に示すように、ドクターブレード法等を用いて、誘電体シート９４を所定の厚みに成形する。次に、図１０（ｂ）に示すように、形成された誘電体シート９４の所定部分を除去して、切欠きを形成し、第３の誘電体グリーンシート９４１を得る。第３の誘電体グリーンシート９４１は、第３の誘電体部分５１１の一部となる部分である。
【００８４】
次に、図１０（ｃ）に示すように、同じくドクターブレード法等を用いて、第４の誘電体グリーンシート９５１を所定の厚みに成形する。第４の誘電体グリーンシート９５１は、第３の誘電体部分５１１の一部、及び、第４の誘電体部分５１２となる部分である。
【００８５】
次に、図１０（ｄ）に示すように、電極ペーストを用いて、所定厚みのシート９６成形し、図１０（ｅ）に示すように、シート９６から導体シート９６１を切出す。導体シート９６１は、凸部分３１２となる部分であり、第３の誘電体グリーンシート９４１の切欠きに対応する形状を有する。
【００８６】
次に、図１０（ｆ）に示すように、第３の誘電体グリーンシート９４１に導体シート９６１をはめ込み、複合シート９７を得る。このとき、複合シート９７が均一厚みのシートになるように、焼成縮率を考慮して、第３の誘電体グリーンシート９４１、及び、導体シート９６１を組合せることが好ましい。
【００８７】
次に、図１０（ｇ）〜（ｉ）に示すように、複合シート９７に第４の誘電体グリーンシート９５１を積層し、第４の誘電体グリーンシート９５１上に信号線２０を形成し、所定の大きさに切断し、焼成し、接地導体３１を形成し、完成品が得られる。
【００８８】
なお、信号線２０は、例えば、電極ぺ一ストを用いたスクリーン印刷法等により形成できる。信号線２０の形成に用いられる電極ペーストは、収縮挙動に関して、誘電体シート９４、９５１、導体シート９６との相性があっていることが好ましい。例えば、９００℃程度で焼成可能な誘電体を用いればＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄ等、導電率の高い金属が使用できる。
【００８９】
図１１は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図、図１２は図１１に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。図１１に示した低域通過フィルタは、第１の態様に係る低域通過フィルタの構成と、第２の態様に係る低域通過フィルタの構成とを併せ持つ。
【００９０】
図１１、図１２において、低域通過フィルタは、誘電体基体６１と、信号線２０と、接地導体３１とを含む。誘電体基体６１において、第４の誘電体部分５１２は、第３の誘電体部分５１１よりも高い比誘電率を持ち、かつ、第３の誘電体部分５１１よりも厚みが薄い。すなわち、誘電体基体６１は、図１に示した誘電体基体１１の構成と、図８に示した誘電体基体５１の構成とを併せ持つ。
【００９１】
信号線２０は、第３の誘電体部分５１１の一面側、及び、第４の誘電体部分５１２の一面側に、連続して形成されている。接地導体３１は、平坦部分３１１と、凸部分３１２を含む。平坦部分３１１は、第３の誘電体部分５１１の他面側に形成され、凸部分３１２は、第４の誘電体部分５１２の他面側に形成されている。
【００９２】
図示の低域通過フィルタは、上述した第１の態様に係る低域通過フィルタの構成と、第２の態様に係る低域通過フィルタの構成とを併せ持つので、両者の構成に起因する優れた作用効果を奏することができる。
【００９３】
以下の実施例の低域通過フィルタも、図１〜図１２に示した低域通過フィルタと同様の構成要素を有するので、同様の作用効果を奏することができる。
【００９４】
図１３は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図、図１４は図１３に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。図１３、図１４において、信号線２０は、例えば、線幅が均一な一直線の形状を有する。
【００９５】
図示の低域通過フィルタは、信号線２０が一直線状であるが、第４の誘電体部分５１２に形成された大容量のキャパシタ、及び、第３の誘電体部分５１１に形成された大きなインダクタンスにより、良好な低域通過特性が得られる。
【００９６】
また、図示の低域通過フィルタは、信号線２０が単純な形状であるから、容易に、かつ、歩留まり良く製造することができる。
【００９７】
図１５は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図である。図１５において、低域通過フィルタは、第４の誘電体部分５１２が３箇所設けられ、第３の誘電体部分５１１が４箇所設けられ、３段のローパスフィルタが構成されている。
【００９８】
図示のように、本発明に係る低域通過フィルタは、構造が簡単であるから、キャパシタやインダクタの個数を任意に設定できる。また、減衰極を設置するために別途電極を設けても良い。
【００９９】
ＬＣフィルタの構成は任意であるが、製品の小型化、及び、フィルタ設計の自由度を考慮すると、段数は２〜３段程度とすることが好ましい。
【０１００】
図１６は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。図１６において、低域通過フィルタは、第４の誘電体部分５１２、及び、凸部分３１２の形状が円板形状になっている。
【０１０１】
図示のように、本発明に係る低域通過フィルタは、構造が簡単であるから、第３の誘電体部分５１１、又は、第４の誘電体部分５１２等の形状を容易に変更でき、フィルタ設計の自由度が高くなる。
【０１０２】
図１７は本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。図１７において、低域通過フィルタは、第３、第４の誘電体部分５１１、５１２等の形状が簡単であるから、一段と容易、かつ、歩留まり良く製造することができる。
【０１０３】
図１８は本発明に係るモジュール部品の一実施例を示す外観斜視図である。図において、図１〜図１７に現れた構成部分と同一の部分については、同一の参照符号を付し、重複説明を省略する。
【０１０４】
図１８において、本発明に係るモジュール部品は、例えば、携帯電話や無線ＬＡＮ等の通信機器に使用されるアンテナ、カプラ、デュプレクサ等である。図示のモジュール部品は、主回路部と、低域通過フィルタとが一体に構成されている。
【０１０５】
低域通過フィルタは、上述した本発明に係る低域通過フィルタであり、誘電体基体８１の上部に構成されている。即ち、誘電体基体８１の上部に、誘電体基体１１と、信号線２０、接地導体３１が形成されている。誘電体基体１１は、第１の誘電体部分１１１と、第２の誘電体部分１１２とを含む。
【０１０６】
主回路部は、キャパシタＣ２１、Ｃ２２、インダクタＬ２１、Ｌ２２等を有し、誘電体基体８１の内部に構成されている。
【０１０７】
本発明に係るモジュール部品は、本発明に係る低域通過フィルタを含むので、低域通過フィルタの有する作用効果をそのまま得ることができる。
【０１０８】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の第１の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図である。
【図２】図１に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。
【図３】図１に示した低域通過フィルタの等価的電気回路図である。
【図４】図１に示した低域通過フィルタの特性図である。
【図５】本発明の低域通過フィルタの製造工程を説明する図である。
【図６】本発明に係る低域通過フィルタの別の一実施例を示す分解斜視図である。
【図７】本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。
【図８】本発明の第２の態様に係る低域通過フィルタの一実施例を示す外観斜視図である。
【図９】図８に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。
【図１０】本発明の低域通過フィルタの製造工程を説明する別の図である。
【図１１】本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図である。
【図１２】図１１に示した低域通過フィルタの分解斜視図である。
【図１３】本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。
【図１４】図１３に示した低域通過フィルタの外観斜視図である。
【図１５】本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す外観斜視図である。
【図１６】本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。
【図１７】本発明に係る低域通過フィルタの更に別の一実施例を示す分解斜視図である。
【図１８】本発明に係るモジュール部品の一実施例を示す外観斜視図である。
【符号の説明】
【０１１０】
２０                  信号線
１１                  誘電体基体
１１１                第１の誘電体部分
１１２                第２の誘電体部分
３１                  接地導体
【図１】
2006222797.tif 000003
【図２】
2006222797.tif 000004
【図３】
2006222797.tif 000005
【図４】
2006222797.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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