(57)【要約】【課題】  拡散熱処理時の高熱によるストレスのために半導体ウエハ保持ボードが変形しても、半導体ウエハにダメージを与えることのない半導体ウエハ保持ボードを提供する。【解決手段】  成膜装置内において半導体ウエハを保持する対の溝を複数備える半導体ウエハの半導体保持ボードの外側近傍の対の溝を内側の対の溝よりも深くすることで、ストレスを受け易い外側近傍の対の溝に余裕（遊び）を与える。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜装置に内において半導体ウエハを保持する対の溝を複数備える半導体ウエハの保持ボードであって、
外側近傍の対の溝が内側の対の溝よりも深くなっていること
を特徴とする半導体ウエハ保持ボード。
【請求項２】
前記外側近傍の対の溝は、同じ深さであるか、又は、外側に向かうほど深さが深くなっていること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ保持ボード。
【請求項３】
成膜装置に内おいて半導体ウエハを保持する対の溝を複数備える半導体ウエハの保持ボードであって、
前記複数の対の溝は、
第１の深さを有する第１の対の溝と、
第１の深さよりも深い第２の深さを有する第２の対の溝と、
を備えることを特徴とする半導体ウエハ保持ボード。
【請求項４】
前記第２の対の溝は、同じ深さであるか、又は、外側に向かうほど深さが深くなっていること
を特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ保持ボード。
【請求項５】
前記半導体ウエハ保持ボードの一番外側にある対の溝の深さは内側の対の溝と同じ深さであること
請求項１乃至請求項４に記載の半導体ウエハ保持ボード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置内に設置される、半導体製品特に半導体ウエハを保持する半導体ウエハ保持ボードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１及び図２に、従来における、成膜装置に設置する、半導体ウエハを保持する半導体ウエハ保持ボードを示す。
図１は、半導ウエハ体保持ボードを上からみた図であり、図２は、半導体ウエハ保持ボードを横からみた図であって図１の半導体ウエハ保持ボードをＸ−Ｙ線で切った断面図である。
【０００３】
半導体ウエハ保持ボード１の上下両端には溝が彫られており（図１上では上下になっているので上下と表現したが、図１を９０度回転させれば左右となる）、この上下にある溝によって半導体ウエハを支える。図１に示す半導体ウエハ保持ボード１では、２７枚の半導体ウエハを保持できるようになっており、２７枚中実製品は２５枚、両端の２枚は例えばモニタ用の半導体ウエハとして使用される。図１に示すように、これらの溝の深さは、全て同じ深さとなっている。
【０００４】
図２は、図１に示す半導体ウエハ保持ボードを線Ｘ−Ｙで切った断面図である。半導体ウエハ保持ボード２は、円形の半導体ウエハの下側をａ点、ｂ点及びｃ点の３点で支えるように構成されている。
前記の関連技術として特許文献１、２が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−７９７５１号公報
【特許文献２】特開２００１−６０５５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体ウエハ保持ボードはシリコン製のものもあるが、石英製のものがほとんどである。石英は、加工性に優れているとともに価格が安価でありその汎用性が高いからである。
半導体ウエハが載置された半導体ウエハ保持ボードは成膜装置に設置され、拡散熱処理時に石英の融点に近い高熱に晒される。この高熱のために半導体ウエハ保持ボードが対角線上にねじれて、半導体ウエハ保持ボードの対角線上にストレスがかかる。このストレスに半導体ウエハ保持ボード自体の重みが加わり、半導体ウエハ保持ボードの対角線上の溝、特に対角線上の外側近くに配置される溝に変形が生じる。この外側近くの溝の変形が、この溝に載置される半導体ウエハにダメージを与える。このダメージが原因となり、半導体ウエハが以後の半導体装置生成工程で破壊される場合が生じる。例えば、エッチングチャンバー内で半導体ウエハをクランプするときに半導体ウエハが割れてしまう場合がある。このような半導体ウエハの破壊により、歩留まりが低下して半導体装置生成の操業に大きな損失を与えることになる。
上記問題は、図１及び図２で説明した横型の成膜装置だけではなく、縦型の成膜装置にも当てはまる。縦型の成膜装置においては下側に排気機能が備え付けられており、下側で温度が低下する傾向にある。そのため、縦型の成膜装置の制御部は装置の下側に対して温度を高めるように機能し、半導体ウエハ保持ボードの下側は高熱に晒される。この高熱のために半導体ウエハ保持ボードの下側には大きなストレスがかかり、半導体ウエハ保持ボードの下側に載置される半導体ウエハに対しては、横型の成膜装置用半導体ウエハ保持ボードに載置される半導体ウエハに対して与えられるダメージと同じようなダメージが与えられる。
以上により、半導体装置生成における歩留まりの低下を抑えて半導体装置生成を効率よく行うためには、拡散熱処理による高熱に晒されてストレスによる変形が生じても、載置される半導体ウエハにダメージを与えないような半導体ウエハ保持ボードが必要となる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するために、本発明に係る半導体ウエハ保持ボードは、成膜装置内において半導体ウエハを保持する対の溝を複数備える半導体ウエハの保持ボードであって、外側近傍の対の溝が内側の対の溝よりも深くなっていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、半導体ウエハ保持ボードの外側近傍の対の溝は内側の対の溝よりも深くなっているので、外側近傍の溝の対には、半導体ウエハ保持ボードに課せられるストレスを緩和する余裕即ち遊びが与えられる。即ち、半導体ウエハ保持ボードに多少の変形が生じても、載置される半導体ウエハには深くなった深さ分の遊びが与えられるので、半導体ウエハが受けるダメージを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明にかかる半導体ウエハ保持ボードについて具体化した実施形態を、図３及び図４に基づいて詳細に説明する。
【０００９】
図３は、本発明の第１実施例を示しており、図２に示すように、半導体ウエア保持ボードを横からみた図、即ち横に切った断面図である。外側近傍に位置する複数の（本実施例では５個の）半導体ウエハを支持する溝が、内側に位置する溝の深さよりも深い一定の深さを有している。
拡散熱処理時に晒される高熱のために半導体ウエハ保持ボードの外側近傍に配置される溝に大きなストレスがかかり溝に変形が生じる。しかしながら、このように外側に配置される複数の溝の深さを内側に配置される溝の深さよりも深くすることで、外側の溝には大きな余裕、即ち遊びが与えられる。そのためストレスによる溝の変形があっても、溝の遊びによってその溝に載置される半導体ウエハに与えられるダメージを低減することができる。
【００１０】
なお、深さを深くする溝の個数は、ストレスによる溝の変形度合いが小さい溝を除外するように設定される。ストレスがあまりかからない溝に対してその深さを深くすると、半導体保持ボードと半導体ウエハとのぶつかり合いが生じて別のダメージが半導体ウエハに与えられる。そのため、深さを深くする溝の個数は必要最小限に抑える必要がある。第１実施例、即ち、２７枚の半導体ウエハを保持できるような半導体ウエハ保持ボードにおいては、一番外側の溝を除いて片側５個の溝を深くするようにするのが最適であることが実験等で検証されているが、他の半導体ウエハ保持ボードはその特性に基づいて最適な個数が設定される。
【００１１】
深くできる溝の深さ分にも同様なことが言える。第１実施例においては、半導体保持ボードと半導体ウエハとのぶつかり合いを最小に抑えるために、内側の０．８ｍｍの溝に対して最大０．５ｍｍ深くしている。
【００１２】
このように、深くできる半導体ウエハ保持ボードの溝の個数及びその深さは、深くなったことによって生じる遊びが生み出す他の障害との調和によって最適に設定される。
第１実施例においては、一番外側に配置される溝の深さは内側の溝の深さと同じである。一番外側の溝には実製品の半導体ウエハではなくモニタ用半導体ウエハが載置されることが多いため、半導体ウエハにダメージが与えられても問題ないからである。しかしながら、一番外側の溝に載置されるモニタ用半導体ウエハに与えられるダメージを低減するために、一番外側の溝の深さを内側の溝の深さよりも深くしてもよい。
【００１３】
図４は、本発明の第２実施例を示しており、図２に示すように、半導体ウエア保持ボードを横からみた図、即ち横に切った断面図である。外側に位置する複数の半導体ウエハを支持する溝の深さが、内側に位置する溝の深さよりも深くなっている。
【００１４】
第２実施例では、第１実施例と異なり、深くなっている溝の深さが一定ではない。一番外側にある溝を除いて、外側から数えて２番目から６番目にある５個の溝の深さが内側から外側に向かって段々と深くなっている。これは、外側近傍に配置される溝へのストレスが大きく内側の溝へのストレスはそれ程大きくないことから、内側の溝の遊びを少なくして半導体保持ボードと半導体ウエハとのぶつかり合いによる半導体ウエハへのダメージを少なくするためである。
第２実施例においても、第１実施例と同様に、一番外側に配置される溝の深さは内側の溝の深さと同じであるが、第１実施例と同じ理由によるもので、一番外側の溝の深さを内側の溝の深さよりも深くしてもよいことは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】半導体ウエハ保持ボードを示す図である。
【図２】半導体ウエハ保持ボードの断面図を示す図である。
【図３】本発明に係る第１実施例を示す図である。
【図４】本発明に係る第２実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００１６】
１、２  従来の半導体ウエハ保持ボード
３      第１実施例に係る半導体ウエハ保持ボード
４      第２実施例に係る半導体ウエハ保持ボード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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