(57)【要約】【課題】層間絶縁膜として厚い窒化膜を形成する際、ストレスを抑制するため、窒化膜を２回に分けて成膜し、２回目の成膜は枚葉式プラズマＣＶＤ法で行う。しかし枚葉式プラズマＣＶＤ法の初期堆積膜はエッチングレートが速いため、層間絶縁膜のエッチング時に初期堆積膜のみエッチングが進行し、開口部側壁に段差が形成されてしまう。その上に段差被覆性の悪い金属層等を被着すると、断線する問題があった。【解決手段】枚葉式プラズマＣＶＤ法による第２窒化膜の形成時に、反応ガスのアンモニアのガス流量を３０ｓｃｃｍ以下にする。これにより初期堆積膜は硬く薄い膜にすることができる。従って開口部形成時に初期堆積膜でのエッチングの進行を抑制でき、開口部側壁を平坦にすることができる。【選択図】    図１
2006278540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所望の素子領域が形成された半導体基板上に設けられた第１絶縁膜と、
該第１絶縁膜上に設けられ、初期堆積膜と安定後堆積膜からなる第２絶縁膜と、
前記第１および第２絶縁膜の一部を除去した開口部と、を具備し、
前記初期堆積膜のエッチングレートを第１絶縁膜および安定後堆積膜のエッチングレートと同等とし、前記開口部に露出する前記第１および第２絶縁膜側面をほぼ同一平面上に設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１および第２絶縁膜は窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記初期堆積膜の膜厚は３００Å以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１および第２絶縁膜の総膜厚は３００００Å以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
少なくとも前記開口部を覆う金属層を設けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記初期堆積膜のエッチングレートは、前記第１絶縁膜および前記安定後堆積膜のエッチングレートの±３０％以内であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板に所望の素子領域を形成し、前記基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に、それぞれ該第１絶縁膜と同等のエッチングレートの初期堆積膜および安定後堆積膜からなる第２絶縁膜を形成する工程と、
前記第１および第２絶縁膜の一部をエッチングして開口部を形成し、該開口部のほぼ同一平面上に前記第１および第２絶縁膜の側面を露出する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１および第２絶縁膜は窒化膜であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記初期堆積膜はアンモニア流量が３０ｓｃｃｍ以下の反応ガスにより形成することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜は枚葉式プラズマＣＶＤ法により成膜されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記初期堆積膜のエッチングレートを、前記第１絶縁膜と前記安定後堆積膜のエッチングレートの±３０％以内に形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
少なくとも前記開口部を覆う金属層を形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記反応ガスはモノシランおよび窒素であり、アンモニアを含まないことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に係り、特に基板上に厚い窒化膜を形成する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エミッタ周辺長を長大化してトランジスタの低飽和電圧化や大電流化を図る為にエミッタ領域を格子状又は島状に形成して複数の単位セルとし、該単位セルを電極で並列接続したものが知られている。また、外部接続用のボンディングパッドを１層目の電極で構成するとパッド面積分のセルが無効になるので、多層電極構造を利用してボンディングパッドを２層目の電極で形成することにより、パッドの下部にもセルを配置して小面積大電流のトランジスタを構成したものが知られている。
【０００３】
図８を用いてこの構造を説明すると、ｎ＋型半導体基板５１上にｎ型半導体層５２をコレクタとして表面にｐ型のベース領域５３を形成し、ベース領域５３の表面に格子状にｎ＋型領域を設けてエミッタ領域５４とする。酸化膜５５に形成したコンタクトホールを通して１層目の第１電極層５６によりベース電極５６ｂとエミッタ電極５６ｅとが各々の拡散領域にコンタクトする。第１電極層５６上はシリコン窒化膜からなる層間絶縁膜６０が被覆する。
【０００４】
層間絶縁膜６０上には、２層目の第２電極層５９が設けられる。第２電極層５９は、板状にベース電極５９ｂおよびエミッタ電極５９ｅに分離され、それぞれ層間絶縁膜６０に形成したコンタクトホールを介して、１層目のベース電極５６ｂおよびエミッタ電極５６ｅ電極と各々共通接続する。第２電極層５９は板状でありボンディングパッドとして利用される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
図９は、上記のハッチングで示した層間絶縁膜６０部分の拡大図である。層間絶縁膜６０は窒化膜であり、トランジスタの大電流化に伴いその膜厚は増大傾向にある。このような場合、例えば、１層目電極層５６上に第１窒化膜６１を１２０００Å程度デポジションした後、第２窒化膜６２を２００００Å程度デポジションし、所定の膜厚（例えば３２０００Å）の層間絶縁膜６０を形成する方法が採用されている。
【特許文献１】特開２０００−４０７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
エミッタ電流の電流容量を増大するために、ボンディングパッドに接続するワイヤの大径化が進んでいる。ワイヤの直径が大きくなれば、それをワイヤボンドするために必要な超音波エネルギーも大となり、ワイヤボンディング時に与える機械的応力によって層間絶縁膜となる窒化膜にクラックが生じやすくなる。これにより、ボンディングパッドとなる２層目電極層５９とその下の１層目電極層５６とが短絡して、ベース・エミッタ間の短絡事故が多発する欠点があった。
【０００７】
この欠点を単純に解決するためには、層間絶縁膜６０である窒化膜の膜厚を増大すればよい。ところが、シリコン窒化膜はボンディング時の超音波エネルギーに耐える為の適度な硬度を有する一方、シリコン基板に与える機械的応力が大であり、ウェハに大きなそりを発生させるという問題がある。
【０００８】
例えば、層間絶縁膜としてシリコン窒化膜６０を拡散炉タイプのバッチ式プラズマＣＶＤ装置で、３００００Å以上積層すると、生産性が良い反面、ウェハのそりが５００μｍ以上にもなり、後の組立工程に大きな障害となる。
【０００９】
そこで上記の図９のごとく、２回のデポジション工程により厚い窒化膜６０を形成している。この場合、第１窒化膜６１は拡散炉タイプのバッチ式プラズマＣＶＤ装置で、膜厚ｔ４＝１２０００Åに形成され、第２窒化膜６２は枚葉式のプラズマＣＶＤ装置によって膜厚ｔ５＝２００００Åに形成される。第２窒化膜６２を形成する枚葉式の装置では、応力をコントロールできるため、厚い窒化膜であってもトータルでの反り量を抑制できる利点がある。
【００１０】
また、第２窒化膜６２を形成するプラズマＣＶＤ法では、プラズマが安定するまでの初期段階にも反応ガスによって成膜が行われる。つまり、第２窒化膜６２は初期堆積膜６２ｐと、プラズマが安定した後の堆積膜６２ｓ（以下安定後堆積膜と称する）の２層構造となっている。
【００１１】
図１０は、第２窒化膜６２の成膜条件を示す図である。このように、初期堆積膜６２ｐは、反応ガスは同じであっても安定後堆積膜６２ｓと膜質が異なる膜である。具体的には、安定後堆積膜６２ｓより柔らかい膜である。そして、プラズマが安定するまでの間に約５００Åの膜厚ｔ６に形成される。
【００１２】
一方でコンタクトホールを形成する場合などの層間絶縁膜６０のエッチング工程において、初期堆積膜６２ｐによって以下の不良が発生する問題があった。
【００１３】
図１１は第１窒化膜６１および第２窒化膜６２のエッチングと２層目電極層５９の形成工程を示す断面図である。
【００１４】
レジストＰＲにより所望のパターンが開口されたマスクを設け、第１窒化膜６１および第２窒化膜６２を同時に等方性ドライエッチングする（図１１（Ａ））。
【００１５】
前述の如く初期堆積膜６２ｐは、第1窒化膜６１および安定後窒化膜６２ｓより柔らかい。つまりエッチングレートが速いため、第１窒化膜６１および安定後窒化膜６２ｓよりエッチングが進んでしまう。従ってエッチング後の開口部の側壁は、安定後窒化膜６２ｓがひさし状に突出した断面形状となってしまう（図１１（Ｂ））。
【００１６】
その後、２層目電極層５９を形成する。しかし、特にアルミニウムの蒸着により２層目電極層５９を形成する場合は段差被覆性が悪いため、第２窒化膜６２のひさし状部分によって断線してしまう問題がある（図１１（Ｃ））。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明はかかる課題に鑑みてなされ、第１に、所望の素子領域が形成された半導体基板上に設けられた第１絶縁膜と、該第１絶縁膜上に設けられ、初期堆積膜と安定後堆積膜からなる第２絶縁膜と、前記第１および第２絶縁膜の一部を除去した開口部と、を具備し、前記初期堆積膜のエッチングレートを第１絶縁膜および安定後堆積膜のエッチングレートと同等とし、前記開口部に露出する前記第１および第２絶縁膜側面をほぼ同一平面上に設けることにより解決するものである。
【００１８】
第２に、半導体基板に所望の素子領域を形成し、前記基板上に第１絶縁膜を形成する工程と、前記第１絶縁膜上に、それぞれ該第１絶縁膜と同等のエッチングレートの初期堆積膜および安定後堆積膜からなる第２絶縁膜を形成する工程と、前記第１および第２絶縁膜の一部をエッチングして開口部を形成し、該開口部のほぼ同一平面上に前記第１および第２絶縁膜の側面を露出する工程とを具備することにより解決するものである。
【発明の効果】
【００１９】
初期堆積膜を薄い膜とし、エッチングレートを第１窒化膜及び安定後窒化膜と同等にすることにより、第１窒化膜および第２窒化膜間のサイドエッチングの進行を抑制できる。
【００２０】
これにより、安定後窒化膜がひさし状に突出することがなくなり、開口部に露出する第１窒化膜および第２窒化膜の側面をほぼ同一平面に形成することができる。開口部の断面形状（側壁）が段差のない平坦な形状となるので、その上に形成される金属層の断線を防ぎ、安定した金属層を形成できる。
【００２１】
第２に、第２窒化膜は従来同様枚葉式プラズマＣＶＤ法で堆積でき、第２窒化膜を形成する反応ガスのうち、アンモニア流量を最小限の量とする。これにより、初期堆積膜中の残留不純物となる水素（Ｈ）を少なくし、エッチングレートの遅い硬い初期堆積膜を形成できる。従って、ウェハの反りを抑制した厚い窒化膜であり、且つ開口部の側壁の段差を回避できる。
【００２２】
また、アンモニア流量を最小限の量にすることにより、初期堆積膜の成膜レートを遅くすることができる。従って従来と同じ堆積時間で薄い初期堆積膜を形成できる。初期堆積膜が薄く、且つ硬い膜になればよりサイドエッチングを抑制でき、安定後窒化膜のひさし状部分の形成を抑制できる。
【００２３】
特に、低飽和トランジスタなどに採用される２層電極構造に本実施形態を採用すれば、第１窒化膜形成後、プラズマＣＶＤ法により第２窒化膜を形成する場合であってもコンタクトホール（開口部）側壁の段差を回避できる。つまり、ウェハの反りを抑制した厚い層間絶縁膜を形成しても、２層目電極層の断線を防止することができる。これによりワイヤボンディング時のエネルギーにも十分に耐えることができ、クラック等による層間絶縁破壊を未然に防止し、電極層の断線の不良を低減した半導体装置およびその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の実施形態を、図１から図７を参照して説明する。
【００２５】
本実施形態の半導体装置は、素子領域と、第１絶縁膜と、第２絶縁膜と、開口部を少なくとも有する。
【００２６】
ここで、本明細書においては、第１絶縁膜および第２絶縁膜について、２層の電極構造を有するトランジスタに設けられる層間絶縁膜を例に説明する。また素子領域は、シリコン半導体基板表面に所望の不純物領域を配置した、低飽和トランジスタを例に説明する。しかしこれに限るものではなく、開口部を有する厚い窒化膜を基板上に設ける半導体装置であれば、例えば電極構造が１層であっても適用できる。
【００２７】
図１は、本実施形態の半導体装置を示す図であり、図１（Ａ）は低飽和トランジスタの断面図である。また図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の丸印部分の拡大図である。
【００２８】
図１（Ａ）の如く、ｎ＋型シリコン半導体基板１上に、例えばｎ型エピタキシャル層を積層するなどしてコレクタ領域２を設ける。コレクタ領域２表面にはｐ型不純物領域であるベース領域３を設け、ベース領域３表面には格子状にｎ＋型不純物を拡散して、エミッタ領域４が形成される。これによりベース領域３は島状に分離され、エミッタ領域４と交互に配置されて素子領域７を構成する。ベース領域３およびエミッタ領域４に接続するベース電極およびエミッタ電極はそれぞれ２層構造となっている。
【００２９】
１層目の第１電極層６により、ベース電極６ｂおよびエミッタ電極６ｅが設けられる。ベース電極６ｂは島状または短冊状に設けられ、絶縁膜５に設けたコンタクトホールを介してベース領域３とコンタクトする。エミッタ電極６ｅは格子状に設けられ、絶縁膜５に設けたコンタクトホールを介してエミッタ領域４とコンタクトする。
【００３０】
これら第１電極層６上に、層間絶縁膜１０として第１窒化膜１１および第２窒化膜１２を積層し、２層目の第２電極層９を設ける。層間絶縁膜１０に設けたコンタクトホールを介して、第２電極層９が第１電極層６とコンタクトする。つまり、第２電極層９によりベース電極９ｂおよびエミッタ電極９ｅが設けられ、２層目のベース電極９ｂは、層間絶縁膜１０に設けたコンタクトホールを介して１層目のベース電極６ｂとコンタクトする。また、２層目のエミッタ電極９ｅは、層間絶縁膜１０に設けたコンタクトホールを介して１層目のエミッタ電極６ｅとコンタクトする。
【００３１】
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）にハッチングで示す層間絶縁膜１０およびコンタクトホール部分の拡大図である。
【００３２】
素子領域７とコンタクトする第１電極層６上に、層間絶縁膜１０として第１窒化膜１１および第２窒化膜１２が積層される。
【００３３】
第１窒化膜１１は、拡散炉タイプのバッチ式プラズマＣＶＤ装置により堆積された膜でありその膜厚ｔ１は１２０００Å程度である。一方第２窒化膜１２の膜厚ｔ２は２００００Å程度である。第２窒化膜１２は、枚葉式プラズマＣＶＤ法により堆積された膜であり、第１絶縁膜１１との界面に形成される初期堆積膜１２ｐとプラズマが安定した後の安定後堆積膜１２ｓとを有する２層構造である。
【００３４】
本実施形態の第１窒化膜１１および第２絶縁膜１２の総膜厚（ｔ１＋ｔ２）は３００００Å以上に設けられる。しかし、第２窒化膜１２を枚葉式プラズマＣＶＤ法によりストレスを抑制した条件で成膜可能なため、基板上での窒化膜の総膜厚が厚くなっても、ウェハの反りを抑制することができる。
【００３５】
また、初期堆積膜１２ｐの膜厚ｔ３は、３００Å以下（好適には２５０Å程度）であり、従来（図９および図１１）の初期堆積膜６１ｐのおよそ１／２の膜厚である。また、初期堆積膜１２ｐのエッチングレートは第１窒化膜１１および安定後堆積膜１２ｓのエッチングレートの±３０％以内に形成され、図９および図１１の初期堆積膜６２ｐと比較して硬い膜である。初期堆積膜１２ｐは、フッ化水素酸（５０％）によるウエットエッチングによる膜質評価では、３６００Å／ｍｉｎ以下（好適には３３００Å／ｍｉｎ程度）のエッチングレートを有する条件で成膜されている。
【００３６】
第１窒化膜１１および第２窒化膜１２の一部は等方性ドライエッチングにより除去され、コンタクトホールＣＨとなる開口部ＯＰが設けられる。初期堆積膜１２ｐを上記の条件で成膜することにより、開口部１２ｐ側壁に露出した第１窒化膜１１および第２窒化膜１２の側面は、ほぼ同一平面上に設けることができる。すなわち開口部ＯＰ側壁は段差の無い平坦な形状（面）となっている。
【００３７】
開口部ＯＰには金属層が設けられる。金属層は、第１電極層６とコンタクトホールを介して接続する第２電極層９である。開口部ＯＰの側壁が平坦な形状にできるため、例えばアルミニウムなどの段差被覆性の悪い金属層を形成しても断線することなく、良好な電極構造が得られる。
【００３８】
次に、図２から図６を参照して、図１の半導体装置の製造方法について説明する。  
【００３９】
第１工程（図２）：半導体基板に所望の素子領域を形成し、前記基板上に第１絶縁膜を形成する工程。
【００４０】
シリコン基板表面に所望の不純物領域を設け、例えば上記の如く低飽和トランジスタの素子領域７を形成する。尚、素子領域７の詳細については図１（Ａ）と同様であるので説明を省略し、以下、図１（Ｂ）に対応する箇所の拡大断面図を用いて説明する。
【００４１】
すなわち、図２（Ａ）の如く、素子領域７にコンタクトしベース電極およびエミッタ電極となる第１電極層６を形成する。その後、基板上に第１窒化膜１１を形成する。第１窒化膜１１は、多数のウェハの処理が可能な拡散炉タイプのバッチ式装置でプラズマＣＶＤ法により、１２０００Å程度の膜厚に成膜される。成膜条件は図２（Ｂ）に示すとおりであり、これは図９の第１窒化膜６１の成膜条件と同様である。
【００４２】
第２工程（図３）：第１絶縁膜上に、それぞれ第１絶縁膜と同等のエッチングレートの初期堆積膜および安定後堆積膜からなる第２絶縁膜を形成する工程。
【００４３】
第１窒化膜１１上に、第２窒化膜を形成する。第２窒化膜は、枚葉式プラズマＣＶＤ装置内で成膜する。
【００４４】
図３（Ａ）には、第２窒化膜の成膜条件を示す。反応ガスは、例えばモノシラン（ＳｉＨ４）、窒素（Ｎ２）、アンモニア（ＮＨ３）である。図９および図１１の成膜条件（図１０参照）ではアンモニア流量を７０ｓｃｃｍであったが、本実施形態の初期堆積膜成膜段階では、アンモニアは必要最小限のガス流量とする。具体的にはアンモニアのガス流量は３０ｓｃｃｍ以下で、ここでは０とする。
【００４５】
アンモニアのガス流量を必要最小限とする、または全く流さないことにより、初期堆積膜中１２ｐの残留不純物である水素（Ｈ）が少なくなる。従って、初期堆積膜１２ｐは、エッチングレートの遅い、硬い膜となる。初期堆積膜のエッチングレートは第１窒化膜１１のエッチングレートの±３０％以内になるように形成する。
【００４６】
また、アンモニアは反応性がよく窒化膜の堆積を促進する働きがあるので、初期堆積膜１２ｐの成膜レートが遅くなり従来と同じ成膜時間であれば膜厚を薄くすることができる。これにより、後の工程での初期堆積膜１２ｐのサイドエッチングの進行を抑制できる（図３（Ｂ））。
【００４７】
本実施形態では初期堆積膜１２ｐの膜厚が２５０Å程度でプラズマが安定する。そして初期堆積膜１２ｐに引き続き反応ガスにアンモニアを含む条件（図３（Ａ）参照）で安定後堆積膜１２ｓが成膜される。安定後窒化膜１２ｓのエッチングレートは、第１窒化膜１のエッチングレートと同等に形成される。安定後堆積膜１２ｓを１９７５０Å堆積し、２００００Åの第２窒化膜１２を形成する（図３（Ｃ））。
【００４８】
層間絶縁膜などに採用される窒化膜は適度な硬度を持たせるため、厚く形成する必要がある。しかし、単純に膜厚を厚くすると、膜のストレスが大きくなり、ウェハに大きな反りを発生させる問題がある。
【００４９】
そこで、窒化膜を第１窒化膜１１および第２窒化膜１２に分けて成膜し、第２窒化膜１２を枚葉式のプラズマＣＶＤ法により成膜する。第２窒化膜１２は図３（Ａ）の如くストレスを抑制した条件で安定後堆積膜を成膜できるため、厚い窒化膜であっても、ウェハの反りを抑えることができる。これにより、総膜厚が３２０００Åの窒化膜（層間絶縁膜１０）が形成される。
【００５０】
図４は、初期堆積膜１２ｐ成膜時のガス流量と、成膜レートおよび膜の緻密性（ウェットエッチングレート評価）の関係を示す。
【００５１】
条件１は、従来（図９および図１１）の成膜条件である（図１０参照）。条件２はアンモニア流量を条件１の１／２にした場合であり、条件３はアンモニアを流さない場合である。
【００５２】
この表からもあきらかなように、アンモニアのガス流量の低減に伴い、成膜レートが低減し、エッチングレートが低減している。エッチングレートが低減するとウエットエッチング量が低減する。又、エッチングレートの低減は、膜の緻密性の向上を示す。例えば、条件１と条件３を比較すると、アンモニアを流さないことにより、成膜レートをおよそ１／２にすることができる。これにより、同じ成膜時間で、条件１では初期堆積膜６２ｐの膜厚ｔ６が５００Åであったが、条件３では膜厚ｔ３を２５０Åに低減できる。
【００５３】
ここで、初期堆積膜１２ｐのエッチングレートは、安定後堆積膜１２ｓおよび第１窒化膜と同等（±３０％以内）であればよい。
【００５４】
ここでは、アンモニアを全く流さない条件を採用する。これにより、条件１（従来の方法）と同じ成膜時間で、エッチングレートが３３００Å／ｍｉｎで、膜厚が２５０Åの初期堆積膜１２ｐが形成される。
【００５５】
第３工程（図５）：第１および第２絶縁膜の一部をエッチングして開口部を形成し、開口部のほぼ同一平面上に第１および第２絶縁膜の側面を露出する工程。
【００５６】
コンタクトホール部分が露出するレジストＰＲを設けて第１窒化膜１１および第２窒化膜１２を同時に等方性ドライエッチングする（図５（Ａ））。
【００５７】
これにより第１窒化膜１１および第２窒化膜１２の一部が除去され、コンタクトホールとなる開口部ＯＰが形成される。
【００５８】
このとき、初期堆積膜１２ｐは薄くエッチングレートが第１窒化膜および安定後堆積膜と同等の膜であるので、従来と比較してエッチングの進行を抑制できる。従って、開口部ＯＰ側壁には第１窒化膜１１および第２窒化膜１２の側面がほぼ同一平面上に露出し、断面形状において段差のない平坦な開口部ＯＰの側壁を形成できる。
【００５９】
このように本実施形態によれば、第１窒化膜１１形成工程、枚葉式プラズマＣＶＤ法による第２窒化膜１２の形成工程、第１窒化膜１１および第２窒化膜１２の同時エッチング工程を行う半導体装置の製造方法において、初期堆積膜１２ｐのサイドエッチングが進行せず、開口部ＯＰの側壁を平坦に形成することができる（図５（Ｂ））。
【００６０】
第４工程（図６）：少なくとも開口部を覆う金属層を形成する工程。
【００６１】
第２電極層９を少なくとも開口部ＯＰを覆って形成し、所望の電極形状にパターンニングする。これにより、コンタクトホールを介して第２電極層９と第１電極層６がコンタクトする。このとき、開口部ＯＰ（コンタクトホール）の側壁が平坦であるので、例えばアルミニウムなど段差被覆性の悪い金属層を形成しても断線を防ぐことができる。
【００６２】
図７は、第１窒化膜および第２窒化膜の界面を撮影したＳＥＭ写真である。図７（Ａ）が本実施形態の成膜条件により形成した第１窒化膜１１および第２窒化膜１２部分のＳＥＭ写真であり、図７（Ｂ）が従来の成膜条件により形成したものである。
【００６３】
図７（Ｂ）の如く、従来では第１窒化膜６１および第２窒化膜６２の界面にひさし状部分（丸印）が形成されているが、本実施形態によればひさし上部分が形成されず、第１窒化膜１１および第２窒化膜１２の開口部ＯＰ側壁が平坦で有ることがよくわかる（図７（Ａ））。
【００６４】
尚、前述の如く素子領域は低飽和トランジスタに限らない。すなわち素子領域の構成によっては、第１電極層６を設けなくてもよい。また、開口部には第２金属層９ではなくポリシリコン層や、他の絶縁膜等を設けてもよい。何れの場合も開口部ＯＰの側壁が平坦であるので、開口部ＯＰに良好な状態で被着できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の半導体装置を説明する断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法を説明する（Ａ）断面図、（Ｂ）成膜条件である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明する（Ａ）成膜条件、（Ｂ）断面図、（Ｃ）断面図である。
【図４】本発明および従来の半導体装置の製造方法を説明する成膜条件である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明および従来の半導体装置を説明するＳＥＭ写真である。
【図８】従来の半導体装置を説明する断面図である。
【図９】従来の半導体装置を説明する断面図である。
【図１０】従来の半導体装置の製造方法を説明する成膜条件である。
【図１１】従来の半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１    ｎ＋型半導体基板
２    ｎ型半導体層（コレクタ領域）
３    ベース領域
４    エミッタ領域
５    絶縁膜
６    第１電極層
７    素子領域
９    第２電極層
１０  層間絶縁膜
１１  第１窒化膜
１２  第２窒化膜
１２ｐ  初期堆積膜
１２ｓ  安定後堆積膜
５１    ｎ＋型半導体基板
５２    ｎ型半導体層（コレクタ領域）
５３    ベース領域
５４    エミッタ領域
５５    絶縁膜
５６    第１電極層
５９    第２電極層
６０  層間絶縁膜
６１  第１窒化膜
６２  第２窒化膜
６２ｐ  初期堆積膜
６２ｓ  安定後堆積膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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