(57)【要約】      （修正有）【課題】  アライメント精度の向上が可能で高精度な成膜を行える、簡略化・コンパクト化を図ったプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】  真空槽１に設けられる一対の平行平板電極２・３の一方の電極２側に、マスク４が重合される基板５を設け、この平行平板電極２・３に電圧を印加してこの平行平板電極２・３間の空間部６に導入される成膜材料ガスをプラズマ化させることで前記基板５上に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空槽１に、前記マスク４と基板５との位置合わせを行うアライメント機構７と、前記空間部６でプラズマ化した成膜材料ガスのこの空間部６からの漏出を阻止するプラズマ漏出阻止機構８とを設ける。この阻止機構８は、空間部６を前記成膜材料ガスがプラズマ化しない絶縁領域で囲う構成とし、この空間部６と連通する絶縁領域形成体９の対向空間10を介してプラズマでない成膜材料ガスを空間部６から排出するように構成する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽に設けられる一対の平行平板電極の一方の電極側に、マスクが重合される基板を設け、この平行平板電極に電圧を印加してこの平行平板電極間の空間部に導入される成膜材料ガスをプラズマ化させることで前記基板上に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空槽に、前記マスクと基板との位置合わせを行うアライメント機構と、前記空間部でプラズマ化した成膜材料ガスのこの空間部からの漏出を阻止するプラズマ漏出阻止機構とを設け、このプラズマ漏出阻止機構は、前記平行平板電極に電圧を印加する際、前記空間部の外周位置に絶縁領域形成体を対向配設した構成として、空間部を前記成膜材料ガスがプラズマ化しない絶縁領域で囲う構成とし、この空間部と連通する絶縁領域形成体の対向空間を介してプラズマでない成膜材料ガスを空間部から排出するように構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記絶縁領域形成体は、前記平行平板電極の対向面を夫々囲うように設けられる板枠状の絶縁体とし、この絶縁体を接離自在に構成すると共に、この絶縁体同志の対向面積に応じて前記絶縁体同志の間隔を設定し得るように前記プラズマ漏出阻止機構を構成したことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記平行平板電極の一方の電極側に設ける基板に対して成膜材料ガスを吹き付けるガス吹き付け機構を他方の電極側に設け、このガス吹き付け機構は、前記基板に略均一に前記成膜材料ガスを吹き付けられるように構成したことを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記平行平板電極に、基板加熱温度及びプラズマの温度分布を均一にするための加熱機構を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記平行平板電極の上側電極側に基板を下向きに設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＶＤ（化学気相堆積：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を行うための具体的な手法としては、成膜材料ガスを熱エネルギーを用いて反応させる熱ＣＶＤ法や、プラズマ放電を用いて反応させるプラズマＣＶＤ法等があり、中でもプラズマＣＶＤ法は、非熱平衡状態で成膜材料ガスの化学反応を進行させることができ、熱ＣＶＤ法では実現できない組成を有する薄膜の成膜が可能であることから注目されている。
【０００３】
また、プラズマＣＶＤ法は、熱ＣＶＤ法より低温での成膜が可能であることから、近年目覚ましい発達を遂げている有機ＥＬの分野で、陰極，発光層，陽極を順次積層して成る（水分に弱い）有機ＥＬ層を、外気と隔離（封止）するための従来の封止缶や封止キャップに代わり、有機ＥＬ素子の更なる薄型化・小型化を可能とする封止膜を形成するための技術としても注目されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、封止膜による封止は、有機ＥＬ層の全面に成膜するのではなく、配線用の接続部を露出した状態となるように成膜する必要があることから、マスクを用いての成膜が不可欠であるが、従来のプラズマＣＶＤ法においては、マスクと基板との位置合わせを行う所謂アライメントの精度が悪いことからマスキングしながらの成膜では精度を出しにくい、即ち、高密度化（高解像度化）が難しいという問題がある。
【０００５】
このアライメント精度の問題は、アライメントを行うためのアライメント室と成膜を行うための成膜室とが別々に存在することに起因する。即ち、アライメント室でアライメントを行った後、搬送装置で成膜室に搬送する必要があるため、基板とマスクとに位置ズレが生じるのは避けられないのである。
【０００６】
そこで、上記搬送装置による搬送を省くために、アライメント機構と成膜機構とを同一室（真空槽）内に設けることが考えられるが、基板若しくはマスクのＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向への移動を制御する複雑な機械構造を有するアライメント機構を、例えば上述のようなプラズマＣＶＤによる成膜機構と同居させた場合、成膜時に発生して前記機械構造に付着したパーティクルを除去するためのメンテナンスが極めて厄介となることから現実的でなかったのが現状である。
【０００７】
本発明は、上述のような現状に鑑み、プラズマを局所的に閉じ込めること、即ち、基板への成膜に必要な部位以外へのプラズマの漏出を簡易な構成で阻止することで、アライメント機構と成膜機構との一体化を実現したものであり、アライメント精度の向上を図ることができ、高精度な成膜を行えると共に、成膜装置の簡略化・コンパクト化を図ることができる等、極めてコスト安にして実用性に秀れたプラズマＣＶＤ装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
【０００９】
真空槽１に設けられる一対の平行平板電極２・３の一方の電極２側に、マスク４が重合される基板５を設け、この平行平板電極２・３に電圧を印加してこの平行平板電極２・３間の空間部６に導入される成膜材料ガスをプラズマ化させることで前記基板５上に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空槽１に、前記マスク４と基板５との位置合わせを行うアライメント機構７と、前記空間部６でプラズマ化した成膜材料ガスのこの空間部６からの漏出を阻止するプラズマ漏出阻止機構８とを設け、このプラズマ漏出阻止機構８は、前記平行平板電極２・３に電圧を印加する際、前記空間部６の外周位置に絶縁領域形成体９を対向配設した構成として、空間部６を前記成膜材料ガスがプラズマ化しない絶縁領域で囲う構成とし、この空間部６と連通する絶縁領域形成体９の対向空間10を介してプラズマでない成膜材料ガスを空間部６から排出するように構成したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置に係るものである。
【００１０】
また、前記絶縁領域形成体９は、前記平行平板電極２・３の対向面を夫々囲うように設けられる板枠状の絶縁体９とし、この絶縁体９を接離自在に構成すると共に、この絶縁体９同志の対向面積に応じて前記絶縁体９同志の間隔を設定し得るように前記プラズマ漏出阻止機構８を構成したことを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置に係るものである。
【００１１】
また、前記平行平板電極２・３の一方の電極２側に設ける基板５に対して成膜材料ガスを吹き付けるガス吹き付け機構11を他方の電極３側に設け、このガス吹き付け機構11は、前記基板５に略均一に前記成膜材料ガスを吹き付けられるように構成したことを特徴とする請求項１，２のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置に係るものである。
【００１２】
また、前記平行平板電極２・３に、基板加熱温度及びプラズマの温度分布を均一にするための加熱機構12を設けたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置に係るものである。
【００１３】
また、前記平行平板電極２・３の上側電極２側に基板５を下向きに設けたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のプラズマＣＶＤ装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は上述のように構成したから、アライメント精度の向上を図ることができ、高精度な成膜を行えると共に、成膜装置の簡略化・コンパクト化を図ることができる等、極めてコスト安にして実用性に秀れたプラズマＣＶＤ装置となる。
【００１５】
また、請求項２記載の発明においては、本発明を一層容易に実現できる実用性に秀れたものとなる。
【００１６】
また、請求項３記載の発明においては、より均一な膜厚を有する薄膜の成膜が可能となるより一層実用性に秀れたものとなる。
【００１７】
また、請求項４記載の発明においては、より均質な薄膜の成膜が可能となるより一層実用性に秀れたものとなる。
【００１８】
また、請求項５記載の発明においては、より高品質の薄膜の成膜が可能となるより一層実用性に秀れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
好適と考える本発明の実施形態（発明をどのように実施するか）を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
【００２０】
一の真空槽１でアライメント機構７により基板５とマスク４との位置を合わせて重合せしめた後、平行平板電極２・３間の空間部６に成膜材料ガスを導入すると共に、平行平板電極２・３に電圧を印加して前記成膜材料ガスをプラズマ化させることで成膜を行う。
【００２１】
この平行平板電極２・３に電圧を印加する際、平行平板電極２・３は適宜な間隔で対向近接され、且つプラズマ漏出阻止機構８によりこの平行平板電極２・３と共に若しくは平行平板電極２・３とは別々に、絶縁領域形成体９が対向近接されて、前記空間部６の外周位置に対向配設され、この空間部６の外周位置には空間部６を囲うように絶縁領域が形成される。
【００２２】
従って、平行平板電極２・３に電圧を印加しても、空間部６を囲う絶縁領域内では前記成膜材料ガスがプラズマ化しないから、プラズマは空間部６内でのみ生じることになり、この絶縁領域形成体９により空間部６からのプラズマの漏出を阻止できる。
【００２３】
また、空間部６でプラズマ化した成膜材料ガスは、この空間部６から排出される際、空間部６と連通する絶縁領域形成体９の対向空間10を介してアライメント機構７側に排出されるから、プラズマ化していた成膜材料ガスは絶縁領域により、プラズマ化していない通常の成膜材料ガスとして、空間部６からアライメント機構７が設けられる空間部６外部の真空槽１内に排出されて真空槽１外に排気される。
【００２４】
即ち、絶縁領域形成体９は、空間部６においてプラズマ化した成膜材料ガスを、アライメント機構７と反応しない状態として空間部６外の真空槽１内に排出するもので、空間部６からのプラズマの漏出を阻止する作用と、プラズマ化していない成膜材料ガスの通過を許容する作用とを発揮する。
【００２５】
従って、プラズマが空間部６に閉じ込められることで、プラズマ化した成膜材料ガスが空間部６を除く真空槽１内の各部と反応することを阻止でき、よって、複雑な機械構造を有するアライメント機構７等の汚染が抑制され、それだけメンテナンスが容易となる。
【００２６】
即ち、アライメント機構７と成膜機構（平行平板電極２・３）とを同一真空槽１に設けた構成でありながら、従来危惧されていたアライメント機構７の汚染に伴うメンテナンス性の低下を阻止できることになり、アライメント精度を高めることができるのは勿論、頻繁なメンテナンスが必要なく生産性に秀れた構成を実現できる。
【００２７】
また、従来成膜室と別途必要であったアライメント機構のみを有するアライメント室が必要なくなるから、それだけ成膜装置の低コスト化，簡略化及びコンパクト化を図ることができる。
【００２８】
よって、成膜機構とアライメント機構７との一体化により、アライメント機構７により正確にマスク４とアライメントされた基板５の成膜機構までの搬送距離が極めて短くなり、それだけ工程の簡略化及びアライメント精度の向上を図ることができ、効率的に且つ高精度な成膜が可能となり、例えば有機ＥＬ素子の封止膜を、有機ＥＬ層を劣化させず且つ精度良くプラズマＣＶＤ法により成膜でき、有機ＥＬディスプレイの高解像度化を図れることになる。
【００２９】
また、三フッ化窒素等のエッチングガスを前記空間部６に導入して電圧を印加することで所謂セルフエッチングをかけることにより、真空槽１内に成膜された成膜材料を除去することができるから、従来、アライメント機構７と成膜機構とが別々に設けられていた場合には、マスク４にこのエッチング処理をかけることができなかったが、本発明によれば、マスク４に付着した成膜材料を除去できることになり、この点、（成膜室とアライメント室とが別々にある）従来のように汚れたら別のマスクに交換したり、マスクを手作業でクリーニングする場合に比して極めてメンテナンス性に秀れたものとなる。
【００３０】
また、例えば、前記絶縁領域形成体９は、前記平行平板電極２・３の対向面を夫々囲うように設けられる板枠状の絶縁体９とし、この絶縁体９を接離自在に設定すると共に、この絶縁体９同志の対向面積に応じて前記絶縁体９同志の間隔を設定し得るように前記プラズマ漏出阻止機構８を構成した場合には、より確実に空間部６からプラズマ化した成膜材料ガスの漏出を阻止できることになる。
【００３１】
また、例えば、前記平行平板電極２，３の一方の電極２側に設ける基板５に対して成膜材料ガスを吹き付けるガス吹き付け機構11を他方の電極３側に設け、このガス吹き付け機構11は、前記基板５に略均一に前記成膜材料ガスを吹き付けるように構成した場合には、より均一な膜厚を有する薄膜を成膜できることになる。
【００３２】
また、例えば、前記平行平板電極２，３に、基板加熱温度若しくはプラズマの温度分布を均一にするための加熱機構12を設けた場合には、ムラのないより均質な薄膜を成膜できることになる。
【００３３】
また、例えば、前記平行平板電極２，３の上部電極２側に基板５を下側向きに設けた場合には、それだけ基板５上に異物が付着しにくくなり、それだけ薄膜の劣化が抑制され、より高品質の薄膜を成膜できることになる。
【００３４】
従って、本発明は、極めて高精度なアライメントを可能とすると共に、成膜装置の簡略化・コンパクト化を図ることができる等、極めて実用性に秀れたプラズマＣＶＤ装置となる。
【実施例】
【００３５】
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
【００３６】
本実施例は、真空槽１に設けられる一対の平行平板電極２・３の一方の電極２側に、マスク４が重合される基板５を設け、この平行平板電極２・３に電圧を印加してこの平行平板電極２・３間の空間部６に導入される成膜材料ガスをプラズマ化させることで前記基板５上に薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、前記真空槽１に、前記マスク４と基板５との位置合わせを行うアライメント機構７と、前記空間部６でプラズマ化した成膜材料ガスのこの空間部６からの漏出を阻止するプラズマ漏出阻止機構８とを設け、このプラズマ漏出阻止機構８は、前記平行平板電極２・３に電圧を印加する際、前記空間部６の外周位置に絶縁領域形成体９を対向配設した構成として、空間部６を前記成膜材料ガスがプラズマ化しない絶縁領域で囲う構成とし、この空間部６と連通する絶縁領域形成体９の対向空間10を介してプラズマでない成膜材料ガスを空間部６から排出するように構成したものである。
【００３７】
本実施例の真空槽１には、上述のようにマスク４と基板５との位置合わせを行うためのアライメント機構７と、このマスクが被覆された基板５上に薄膜を成膜するための成膜機構である平行平板電極２・３とを設けた構成であり、この一方の電極２は接地され（グランド電極）、他方の電極３には、高周波電圧を供給するための電源がインピーダンスマッチング回路を介して容量接続されている（ＲＦ電極）。
【００３８】
従って、本実施例は高周波電圧を前記平行平板電極２・３に供給してこの平行平板電極２・３間の空間部６に導入される成膜材料ガスをプラズマ化させ、成膜を行うように構成している。
【００３９】
基板５の設置法としては、図８に図示したように、ＲＦ電極Ａを上側、グランド電極Ｂを下側として、グランド電極Ｂ上に上向きに基板Ｃを設置する方法（フェースアップ成膜）と、図９に図示したように、ＲＦ電極Ａを下側、グランド電極Ｂを上側として、グランド電極Ｂ上に下向きに基板Ｃを設置する方法（フェースダウン成膜）とがあり、後者の方が上側電極の堆積薄膜の剥離・付着のおそれがなく、より良好な膜質の薄膜を成膜できる。本実施例においても後者の方式を採用している。
【００４０】
具体的には、平行平板電極２・３間にマスク４及び基板５が露出するＣＶＤ用開口部20ａを有し、アライメント機構７と連結される枠状の固定部20を吊り下げ配設し、この固定部20上に薄板状のマスク４を水平載置し、アライメント機構７によりこのマスク４と位置を合わせた状態で薄板状のガラス基板５をマスク４と重合せしめ、この基板５の裏面に上側グランド電極２を近接（若しくは当接）せしめることでマスク４と基板５とを固定部20上に重合固定し、下側ＲＦ電極３を基板５と対向近接せしめてこの平行平板電極２・３間の空間部６で成膜材料ガスをプラズマ化させて基板５に所望のマスクパターンで成膜を行うように構成している。即ち、本実施例は、上部電極２側に基板５を配設し、下部電極３側から成膜材料ガスをこの基板５に吹き付ける構成としている。
【００４１】
尚、上側グランド電極２を基板５の裏面に近接せしめるのではなく、基板５とマスク４とを固定部20上に重合固定する固定機構を別途設けた構成としても良い。
【００４２】
また、本実施例においては、プラズマ漏出阻止機構８を設けて前記空間部６からプラズマが漏出しないように構成している。
【００４３】
具体的には、プラズマ漏出阻止機構８は、平行平板電極２・３の対向面を夫々囲うように設けられる板枠状の一対の絶縁体９から成る絶縁領域形成体９と、この絶縁体９同志の対向面積に応じて前記絶縁体９同志の間隔を設定し得る接離駆動機構とで構成されている。即ち、板枠状の絶縁体９の幅が広い程、絶縁体９同志の対向間隔を広く設定しても前記プラズマの漏出は阻止されることになり、それだけ空間部６への成膜材料ガスの供給量を増加させることができる。
【００４４】
空間部６の外周位置に対向配設される絶縁領域形成体９は、図４に図示したような上側グランド電極２側に設けられる絶縁体９と、図５に図示したような下側ＲＦ電極３側に設けられる絶縁体９とで構成され、上側グランド電極２側の絶縁体９は、前記固定部20の下面に設けられ、下側ＲＦ電極３側の絶縁体９は、下側ＲＦ電極３の上面に設けられている。
【００４５】
具体的には、上側グランド電極２側の絶縁体９は、固定部20の下面に形成される取付段部20ｂに取り付けられ（図３参照）、成膜時に基板５の成膜面を囲うように構成し、下側ＲＦ電極３側の絶縁体９は、下側ＲＦ電極３は、その上面に多数の孔11ａを格子状に配列して成るガス吹き付け機構11を設けて基板５上に均一に成膜材料ガスを供給できるように構成しているが、このガス吹き付け機構11が設けられた面を囲うように取り付けられている。
【００４６】
即ち、上側グランド電極２側の絶縁体９はこの上側グランド電極２とは共に移動せず、固定部20の移動と共に移動し、また、下側ＲＦ電極３側の絶縁体９は、下側ＲＦ電極３と共に移動する構成であり、夫々固定部20の駆動部と下側ＲＦ電極の駆動部を利用して接離駆動し得る構成であり、別途絶縁体９駆動用の駆動機構を設ける必要がない。
【００４７】
従って、成膜を行う際、固定部20によって保持される基板５に対して上側グランド電極２及び下側ＲＦ電極３を対向近接せしめることで、絶縁体９同志も対向近接し、この絶縁体９により、上側グランド電極２，固定部20及び下側ＲＦ電極３で囲まれる空間部６の外周位置にこの空間部６を囲繞するように絶縁領域を形成することができ（図２参照）、複雑な機構や手順を別途追加する必要なく、この空間部６からのプラズマの漏出を確実に阻止できる構成を実現できる。
【００４８】
絶縁体９としては、樹脂でないものを採用している。これは、樹脂の場合には、平行平板電極２・３に電圧を印加した際、成膜材料ガスと共にプラズマ化するおそれがあるためである。具体的には、本実施例においてはアルミナ（酸化アルミニウム）製のものを採用している。尚、石英等、樹脂でない絶縁体であれば他のものを採用しても良い。
【００４９】
また、絶縁体９は４つの分割体から成る構成であり、交換・洗浄等を容易に行える。尚、例えば２分割とした構成等、他の構成としても良い。
【００５０】
従って、プラズマ漏出阻止機構８により、前記空間部６からのプラズマを阻止すると共に、この空間部６と連通する絶縁領域形成体９の対向空間10を介してプラズマでない成膜材料ガスを真空槽１内にして空間部６以外の部分に排出して真空ポンプ等の真空排気系から排気する際に、他の部位を汚染してしまうことがなく、アライメント機構７等のメンテナンスが極めて容易となる。
【００５１】
また、本実施例においては、前記平行平板電極２・３に、基板加熱温度若しくはプラズマの温度分布を均一にするための加熱機構12を設けている。
【００５２】
即ち、基板温度とプラズマエネルギーとを利用して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置において、基板温度及びプラズマ温度を均一とすることは、膜質、膜厚の観点から極めて重要であるが、本実施例においては、各電極に略等間隔で埋設した加熱されたシリコンオイルが循環するオイルヒータを用いることで、前記基板温度及びプラズマ温度を略均一に保てるように構成している。具体的には、６０〜２００℃に加熱し得るように構成している。
【００５３】
尚、図中符号15は成膜材料ガス導入管、16はオイル導入管、17はオイル導出管、18は上側グランド電極用オイル循環部、19は前記成膜材料ガス導入管15，オイル導入管16及びオイル導出管17を被覆する管体、21は基板５を支持する支持部、22は真空ポンプ等から成る真空排気系と接続される排気口である。
【００５４】
従って、本実施例は、前記空間部６からのプラズマの漏出を確実に阻止することができ、高精度な成膜が可能でありながら、極めてコスト性・作業性に秀れた成膜装置となる。
【００５５】
アライメント機構７について詳述する。
【００５６】
本実施例は、真空槽１外上部に回転機構24（回転駆動源と回転軸等から成る）を設け、成膜時にはこの回転機構24により回転する固定部20を連設部23（回転軸を有する）を介して真空槽１内に吊り下げ配設し、空間部６でプラズマ化させた成膜材料が固定部20のＣＶＤ用開口部20ａから露出しているマスク４に設けた開口部を介して基板５上に堆積して、このマスク４の重合位置（マスク４の開口部位置）により定められる基板５の所定部位に薄膜が形成されるように構成している。
【００５７】
本実施例では、この真空槽１外に設けられる回転機構24及びこれと一体となって真空槽１内で回転する固定部20を前記真空槽１外上部に設けた補正駆動機構26により移動自在に設けている。
【００５８】
即ち、この補正駆動機構26の固定側を前記真空槽１側（真空槽１上部面）に固定し、移動側に回転機構24を設けると共にこの移動側と真空槽１内に配設する固定部20とを回転軸を有する連設部23にて連設し、この真空槽１外に設けた補正駆動機構26の作動により真空槽１内に設けた固定部20を回転機構と共に移動制御し得るように構成している。
【００５９】
また、上側グランド電極２を基板５から離脱せしめ前記マスク４との重合固定を解除した状態の基板５を保持し、真空槽１に対して固定する基板保持機構25を設けている。
【００６０】
即ち、上述のようにマスク４を重合させた基板５を、上側グランド電極２をこの基板５の裏面に近接させることで前記固定部20に（押圧）固定するように構成し、この固定を解除し、真空槽１に設けた基板保持機構25により前記基板５を保持した状態で、固定部20を前記補正駆動機構26の作動により移動制御することで固定部20に配設したマスク４を、真空槽１に対して固定保持されている基板５に対して移動制御するように構成している。
【００６１】
更に説明すれば、マスク４と基板５とには適正重合位置を判別する指標が夫々隅部に設けられていて、これが一致することで適正な重合位置となり、これがズレていることで移動補正が必要であることがわかるようにし、この指標を真空槽１外に設けたカメラ部13により透明窓部27を介して視認するように設け、このカメラ部13の画像に基づく判別により前記補正駆動機構26を作動して前記マスク４を支承している前記固定部20を、前記基板保持機構25により保持されている基板５に対して移動制御して適正重合位置となるまで自動補正する補正制御部を備えた構成としている。
【００６２】
即ち、本実施例のアライメント機構７は、公知のアライメント機構７であり、このアライメント機構７により、固定部20に水平載置されたマスク４を、前記基板保持機構25により保持された基板５に対して固定部20をＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向に移動補正してマスク４と基板５とを適正重合位置で重合できる構成である。また、上側グランド電極２も固定部20と同様に補正駆動機構26により移動制御されるように構成している。
【００６３】
また、本実施例においては、前記カメラ部13はＣＣＤカメラを採用して、前記マスク４と基板５に設けた前記指標の一致・位置ズレを透明窓部27を介して真空槽１外からとらえ、この画像データに基づいて前記補正制御部により前記補正駆動機構26をＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向のどの方向にどれだけ移動させるか制御処理して移動制御するように構成している。
【００６４】
即ち、カメラ部13（補正制御部）を用いてアライメントする場合には、マスク４と基板との重合固定を解除すると共に、真空槽１に設けた前記基板保持機構25により基板５をチャックする。
【００６５】
この基板保持機構25は、重合しているマスク４と基板の端部に対して進退するチャック部25ａを真空槽１内面に設け、このチャック部25ａを前記重合端部に接近移動してマスク４上の基板５の端部のみをチャックし得る位置で停止し、チャック作動により基板５のみをチャックして基板５を保持するように構成している。
【００６６】
また、前記固定部20を基板５から相対的に離反移動自在に設け、基板保持機構25によりチャックして基板５を保持した状態で少し固定部４を下降するように構成している（補正終了後は逆に上昇することで基板保持機構25に保持されている基板５とマスク４とは適正重合位置となって重合し、上側グランド電極２を基板５の裏面に近接せしめてこの重合を固定した後、基板保持機構25を解除することでセット完了するように構成している。）。
【００６７】
このように基板５は真空槽１内面に設けた基板保持機構25によって保持し、マスク４は固定部20に載置された状態で下方へやや離反した状態とされ、この状態で基板５に対してマスク４を配設した前記固定部20を前記補正駆動機構26により移動制御し得るように構成している。
【００６８】
従って、本実施例では、真空槽１内にマスク４と基板５とをセットする前に予め適正な重合位置に位置合わせしておいて真空槽１内の固定部20にセットする必要は無く、また、マスク４の取り替えに際して再びこのようなセットを要せずに、例えば図１のように固定部20上にマスク４と基板５とを重合載置すれば、先ず図６のように上側グランド電極２を上昇せしめて重合を解除すると共に、下側ＲＦ電極３を下降せしめると、上側の基板５は基板保持機構25により自動的にチャック保持され、図７のように少し固定部20を下げて基板５とマスク４とを離反状態となり、補正駆動機構26により基板３に対するマスク４の移動補正を行うことができる。
【００６９】
この補正を終えた後、例えば固定部20を上昇して離反していた基板５とマスク４とを重合し、この基板５の裏面に上側グランド電極２を近接せしめて固定部20に重合固定した後、基板保持機構25を解除し、マスク４と基板５とを常に適正重合位置で固定部20に自動セットすることを完了することができる。
【００７０】
従って、本実施例は、このようなアライメント機構７を用いて確実に基板５とマスク４とを適正重合位置で重合せしめることができ、且つ搬送の必要なくこの適正重合位置をで確実に保持した状態で成膜を行うことができるから、極めて高精度（±５μｍ）な成膜が可能であり、例えば有機ＥＬ素子の封止膜を、有機ＥＬ層を劣化させず且つ精度良くプラズマＣＶＤ法により成膜でき、有機ＥＬディスプレイの高解像度化を図れることになるのは勿論、このアライメント機構７側へ、即ち空間部６外部へのプラズマの漏出を確実に阻止できるから、このアライメント機構７の汚染の心配がなく、極めてメンテナンス性に秀れると共に、このような作用効果を何ら複雑な機構を追加したり手順を複雑化させることなく、既存の設備に絶縁体９を設けるだけで極めて簡易に且つコスト安に実現できる画期的なプラズマＣＶＤ装置となる。
【００７１】
本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本実施例の概略構成説明図である。
【図２】本実施例の要部の概略構成説明図である。
【図３】本実施例の要部の拡大概略構成説明図である。
【図４】本実施例の固定部及び絶縁体の概略説明斜視図である。
【図５】本実施例の下側ＲＦ電極及び絶縁体の概略説明斜視図である。
【図６】本実施例のマスクと基板との重合固定を解除する状態の概略構成説明図である。
【図７】本実施例のマスクと基板とを離反させてアライメントする状態の概略構成説明図である。
【図８】フェースアップ成膜の概略説明図である。
【図９】フェースダウン成膜の概略説明図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  真空槽
２  （一方の）電極
３  （他方の）電極
４  マスク
５  基板
６  空間部
７  アライメント機構
８  プラズマ漏出阻止機構
９  絶縁領域形成体・絶縁体
10  対向空間
11  ガス吹き付け機構
12  加熱機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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