(57)【要約】【課題】  本発明は、半導体チップの周辺部に集積された温度検知素子を用いて、半導体チップの中心部により近い温度を検知して、半導体チップが過熱しているかどうかを精度よく検出できる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明は、半導体チップの一方の端部に温度検知素子が集積された半導体チップと、Ｘ方向に延びる複数のワイヤボンディング点を有する第１および第２の金属ワイヤと、を備えた半導体装置において、第１の金属ワイヤが、Ｙ方向において、第２の金属ワイヤよりも温度検知素子に近接するとき（Ｌｙ１＜Ｌｙ２）、温度検知素子が隣接する一方の端部からこれに最も隣接した第１の金属ワイヤのワイヤボンディング点までのＸ方向における第１の距離（Ｌｘ１）が、第２の金属ワイヤのワイヤボンディング点までの第２の距離（Ｌｘ２）より短い（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）ことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の端部および側部で主面の周縁部を構成するとともに、一方の該端部付近に温度検知素子が集積された半導体チップと、該側部に平行な方向（Ｘ方向）に延び、該半導体チップの主面上に複数のワイヤボンディング点を有する少なくとも１つの第１および第２の金属ワイヤと、を備えた半導体装置において、
前記少なくとも１つの第１の金属ワイヤが、前記端部に平行な方向（Ｙ方向）において、前記少なくとも１つの第２の金属ワイヤより前記温度検知素子に近接するとき（Ｌｙ１＜Ｌｙ２）、該温度検知素子が隣接する前記一方の端部からこれに最も隣接した前記第１の金属ワイヤの前記ワイヤボンディング点までの前記側部に平行な方向（Ｘ方向）における第１の距離（Ｌｘ１）が、該温度検知素子が隣接する前記一方の端部からこれに最も隣接した前記第２の金属ワイヤの前記ワイヤボンディング点までの第２の距離（Ｌｘ２）より短い（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１の金属ワイヤが前記少なくとも１つの第２の金属ワイヤより長いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第１および第２の金属ワイヤは、同数の前記ワイヤボンディング点を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
互いに対向する一対の端部および側部で主面の周縁部を構成するとともに、一方の該側部付近に温度検知素子が集積された半導体チップと、該側部に平行な方向（Ｘ方向）に延び、該半導体チップの主面上に始端および終端のワイヤボンディング点を有する少なくとも１つの第１および第２の金属ワイヤと、を備えた半導体装置において、
前記少なくとも１つの第１の金属ワイヤが、前記端部に平行な方向（Ｙ方向）において、前記少なくとも１つの第２の金属ワイヤより前記温度検知素子に近接するとき（Ｌｙ１＜Ｌｙ２）、該温度検知素子から前記第１の金属ワイヤの前記始端および終端のワイヤボンディング点までの前記側部に平行な方向（Ｘ方向）における第１の距離（Ｌｘ１）が、該温度検知素子から前記第２の金属ワイヤの前記始端および終端のワイヤボンディング点までの第２の距離（Ｌｘ２）より短い（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
互いに対向する一対の端部および側部で主面の周縁部を構成するとともに、一方の該側部付近に温度検知素子が集積された半導体チップと、該側部に平行な方向（Ｘ方向）に延び、該半導体チップの主面上にワイヤボンディング点を有する第１の金属ワイヤと、該半導体チップの主面上に始端および終端のワイヤボンディング点を有する少なくとも１つの第２の金属ワイヤと、を備えた半導体装置において、
前記第１の金属ワイヤが、前記端部に平行な方向（Ｙ方向）において、前記少なくとも１つの第２の金属ワイヤより前記温度検知素子に近接するとき（Ｌｙ１＜Ｌｙ２）、該温度検知素子から前記第１の金属ワイヤの前記ワイヤボンディング点までの前記側部に平行な方向（Ｘ方向）における第１の距離（Ｌｘ１）が、該温度検知素子から前記第２の金属ワイヤの前記始端および終端のワイヤボンディング点までの第２の距離（Ｌｘ２）より短い（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第１および第２の金属ワイヤは、互いに交差しないことを特徴とする請求項１、４または５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モータやヒータなどの電子機器に流れる大電流を制御するための電力用半導体装置に関し、とりわけ半導体チップの周辺部に温度検知素子が集積された電力用半導体装置に関する。
【０００２】
一般に、パワーモジュールなどの電力用半導体装置は、大電流をスイッチング制御するＩＧＢＴチップなどの電力用半導体チップを有し、これから生じる熱量は相当量に達し、自らの温度を著しく上昇させる。しかし、これらの半導体チップは、通常、シリコンなどの構成材料からなり、所定の温度以上に過熱すると、その所与の機能を失い、誤作動・暴走する虞がある。そこで、半導体チップの周辺部に温度検知素子を集積して、半導体チップの温度を随時モニタし、所定の温度以上に過熱した場合に、その制御を安全に中断または停止するインテリジェント・パワー・モジュール（ＩＰＭ）などの半導体装置が提案されている。
【０００３】
一般の電力用半導体装置において、ＩＧＢＴチップなどの半導体チップの主面上には、ゲート配線が複数列状に形成され、その両側にはエミッタ電極に接続される複数の主電流用金属ワイヤが配置される。各主電流用金属ワイヤは、エミッタ電極上の複数のワイヤボンディング点においてワイヤボンディングされる。このように構成された半導体装置が通常のスイッチング制御を行うと、半導体チップの中心部付近が最も高温となる。したがって、半導体チップが過熱したかどうかを正確に検知するためには、半導体チップの中心部の温度を直接的に測定することが好ましく、こうした半導体装置がいくつかの先行技術文献で教示されている。
【０００４】
例えば、特開平７−２９７３９２号公報によれば、半導体素子の中心付近に温度検出部１２を形成した半導体素子が開示されており、これにより半導体基板での熱伝導の遅れや熱損失を少なくして、正確な温度検出を可能にしている。
同様に、特開平１０−４１５１０号公報は、その図５において、ＩＧＢＴチップの中心部に形成された温度検知用ダイオード１７を開示している。
【特許文献１】特開平７−２９７３９２号公報
【特許文献２】特開平１０−４１５１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記先行技術で開示されたように、温度検知ダイオードを半導体チップの中心部に配置したとき、中心部にある温度検知ダイオードのアノード領域およびカソード領域とそれぞれの外部端子とを直接的に電気接続するためのダイオード用金属ワイヤが必要となる。択一的には、チップ中心部からチップ周辺部まで延びる引出し用配線パターンをチップ表面上に形成しなければならない。
【０００６】
こうしたダイオード用金属ワイヤは、半導体チップの中心部から外部端子まで延びるため、実質的な長さを有し、半導体チップの主電流が流れる別の主電流用金属ワイヤと容易に接触してしまう虞がある。すなわち、製造工程中に発生する不具合品の数が増大し、歩留まりが低下し、ひいては製造コストが上昇する。さらに、主電流用金属ワイヤに印加される電圧（例えば、６００Ｖ）は、通常、ダイオード用金属ワイヤの電圧（例えば、１．５Ｖ）に比べて格段に大きいが、ダイオード用金属ワイヤは、その長さが長くなるほど、主電流用金属ワイヤから放射される電磁ノイズの影響を受けやすくなり、検出される電圧値が不安定となり、精度よく温度を検知することが困難となる。
【０００７】
また、チップ中心部からチップ周辺部まで延びる引出し用配線パターンをチップ上に形成した場合、主電流が流れるエミッタ電極を形成する面積が、引き出し用配線パターンの面積だけ小さくなってしまう。換言すると、引出し用配線パターンを形成するとともに、エミッタ電極の面積を確保しようとすると、半導体チップ全体の面積を大きくする必要があり、半導体チップの小型化を阻害することになる。以上のように、温度検知ダイオードを半導体チップの中心部に配置すると、さまざまな問題点が生じる。
【０００８】
そこで本発明は、温度検知素子を半導体チップの中心部に配置することなく、半導体チップの周辺部に配置しながら、中心部により近い温度を検知することにより、半導体チップの最高温度をより正確に検知して、半導体チップが過熱しているかどうかを精度よく検出できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの態様は、互いに対向する一対の端部および側部を含み、一方の該端部付近に温度検知素子が集積された半導体チップと、該側部に平行な方向（Ｘ方向）に延び、該半導体チップの主面上に複数のワイヤボンディング点を有する少なくとも１つの第１および第２の金属ワイヤと、を備えた半導体装置において、前記少なくとも１つの第１の金属ワイヤが、前記端部に平行な方向（Ｙ方向）において、前記少なくとも１つの第２の金属ワイヤより前記温度検知素子に近接するとき（Ｌｙ１＜Ｌｙ２）、該温度検知素子が隣接する前記一方の端部からこれに最も隣接した前記第１の金属ワイヤの前記ワイヤボンディング点までの前記側部に平行な方向（Ｘ方向）における第１の距離（Ｌｘ１）が、該温度検知素子が隣接する前記一方の端部からこれに最も隣接した前記第２の金属ワイヤの前記ワイヤボンディング点までの第２の距離（Ｌｘ２）より短い（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体装置によれば、温度検知ダイオードを半導体チップの周辺部に配置しながら、隣接する金属ワイヤのワイヤボンディング点を温度検知ダイオードにより近接させるという簡便な手法を用いて、半導体チップの周辺部において半導体チップの中心部により近い温度を実現し、これを検知することにより、半導体チップが過熱しているかどうかを精度よく検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して本発明に係る半導体装置の実施の形態を説明する。各実施の形態の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語（例えば、「左側」、「右側」、「上下方向」、「Ｘ方向」、および「Ｙ方向」など）を適宜用いるが、これは説明のためのものであって、これらの用語は本発明を限定するものでない。
【００１２】
実施の形態１．
図１および図２を参照しながら、本発明に係るパワーモジュール（電力用半導体装置）の実施の形態１について以下に説明する。このパワーモジュール１は、概略、基板５上に実装されたＩＧＢＴチップなどの電力用半導体チップ１０を有する（図２）。ＩＧＢＴチップ１０は、ほぼ矩形の平面形状を有し、Ｘ方向に延びる一対の側部１２ａ，１２ｂおよびＹ方向に延びる端部１４ａ，１４ｂを含む（図１）。また、ＩＧＢＴチップ１０は、その主面１６上において、ゲート配線１８およびゲート電極２０と、ゲート配線１８の両側に配置されたエミッタ電極２２ａ，２２ｂと、Ｘ方向（側部１２ａ，１２ｂに平行な方向）に延び、各エミッタ電極２２ａ，２２ｂに接続される複数の主電流用アルミワイヤ（主電流用金属ワイヤ）、すなわち後述する少なくとも１つの第１および第２の主電流用アルミワイヤ３０，４０と、を有する。
【００１３】
さらに、実施の形態１によれば、図１に示す半導体チップ１０は、左側の端部１４ａ付近において温度検知ダイオード（温度検知素子）５０が集積され、半導体チップ１０の主面１６上には温度検知ダイオード５０のアノード電極５２およびカソード電極５４が形成されている。ゲート電極２０、アノード電極５２、およびカソード電極５４には、図示しない外部端子と電気的に接続するためのゲート電極用アルミワイヤ２４、アノード電極用アルミワイヤ５３、およびカソード電極用アルミワイヤ５５がそれぞれ配設されている。
【００１４】
図１に示す実施の形態１によれば、第１の主電流用アルミワイヤ３０は、第２の主電流用アルミワイヤ４０よりも、温度検知ダイオード５０により近接するように配設されている。すなわち、図示のＹ方向（端部１４ａ，１４ｂに平行な方向）において、温度検知ダイオード５０（アノード電極５２およびカソード電極５４の中間点）から第１の主電流用アルミワイヤ３０の延長線までの距離（Ｌｙ１）が、温度検知ダイオード５０から第２の主電流用アルミワイヤ４０の延長線までのＹ方向における距離（Ｌｙ２）より短くなるように（Ｌｙ１＜Ｌｙ２）、各主電流用アルミワイヤ３０，４０は配設されている。
【００１５】
このとき、第１および第２の主電流用アルミワイヤ３０，４０は、図中右側にある始端ワイヤボンディング点３２，４２と、左側の終端ワイヤボンディング点３４，４４とを有するが、第１の主電流用アルミワイヤ３０の終端ワイヤボンディング点３４は、Ｘ方向において、第２の主電流用アルミワイヤ４０の終端ワイヤボンディング点４４より温度検知ダイオード５０に隣接している。換言すると、温度検知ダイオード５０が近接配置された左側端部１４ａを起点として、第１の主電流用アルミワイヤ３０の終端ワイヤボンディング点３４までのＸ方向における第１の距離（Ｌｘ１）が、第２の主電流用アルミワイヤ４０の終端ワイヤボンディング点４４までのＸ方向における第２の距離（Ｌｘ２）よりも短くなるように（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）、各終端ワイヤボンディング点３４，４４の位置が設定されている。
【００１６】
一般に、ＩＧＢＴチップなどの電力用半導体チップ１０がスイッチング動作を行うと、ワイヤボンディング点の周囲領域は、ワイヤボンディング点から離れた領域と比べて、その電流密度がより大きくなるので、より高い温度に達する。したがって、実施の形態１によれば、第１の主電流用アルミワイヤ３０の終端ワイヤボンディング点３４は、半導体チップ１０の左側端部１４ａ付近に設けられた温度検知ダイオード５０により隣接するように配設されたので、温度検知ダイオード５０の周囲の電流密度が増大し、その周囲温度（ＴＤ）がより上昇するため、通常最も高温となる半導体チップの中心部の温度（Ｔｃ）により近い温度が検出される。
【００１７】
上述のように、半導体装置１は、温度検知ダイオード５０を半導体チップ１０の一方の端部１４ａに配置しながら、終端ワイヤボンディング点３４を温度検知ダイオード５０により隣接させるという簡便な手法を用いて、半導体チップ１０の中心部により近い温度を検知することにより、半導体チップ１０が過熱しているかどうかを精度よく検出することができる。
【００１８】
なお、当業者ならば容易に理解されるように、第１および第２の主電流用アルミワイヤ３０，４０は、互いに交差しないことが好ましい。これにより、それぞれのアルミワイヤ長をできるだけ短くするとともに、交差して形成された場合に生じるワイヤボンディング不良を未然に防止することができる。
【００１９】
実施の形態２．
図３ないし図５を参照しながら、本発明に係る半導体装置の実施の形態２について以下に説明する。実施の形態２のパワーモジュール２は、複数の第１および第２の主電流用アルミワイヤを有する点を除いて、実施の形態１の半導体装置１と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。
【００２０】
上述のように、図３に示す実施の形態２の半導体装置２によれば、Ｘ方向に延びる第１および第２の主電流用アルミワイヤ３０，４０が、それぞれ、ただ１本ではなく複数本（それぞれ４本および３本）設けられている。また、第１の主電流用アルミワイヤ３０は、各エミッタ電極（図１以外では省略）上において３点のワイヤボンディング点（すなわち、始端、中間、および終端ワイヤボンディング点３２，３３，３４）でワイヤボンディングされている。
【００２１】
第１の主電流用アルミワイヤ３０は、実施の形態１と同様、Ｙ方向において、第２の主電流用アルミワイヤ４０よりも温度検知ダイオード５０に近接している。そして、左側端部１４ａから第１の主電流用アルミワイヤ３０の終端ワイヤボンディング点３４までのＸ方向における距離が（Ｌｘ１）が、左側端部１４ａから第２の主電流用アルミワイヤ４０の終端ワイヤボンディング点４４までのＸ方向における距離（Ｌｘ２）より短くなるように、各終端ワイヤボンディング点３４，４４の位置が設定されている。より具体的には、第１の主電流用アルミワイヤ３０を第２の主電流用アルミワイヤ４０より左側に長くする。すなわち、第１の主電流用アルミワイヤ３０の終端ワイヤボンディング点３４を、第２の主電流用アルミワイヤ４０に比べて左側にずらして、温度検知ダイオード５０により隣接するような位置に配置する。こうして、温度検知ダイオード５０の周囲領域におけるエミッタ−コレクタ電流の電流密度を高くすることにより、温度検知ダイオード５０付近において、半導体チップ１０の中心部と同様の温度上昇を再現し、半導体チップ１０の過熱の有無をより精度よく検出することができる。
【００２２】
また図３に示すように、４本の第１の主電流用アルミワイヤ３０のうち、終端ワイヤボンディング点３４をさらに左側にずらすことが可能な第１の主電流用アルミワイヤ３０（図中の４本のうち最も上側および下側にある第１の主電流用アルミワイヤ）については、Ｘ方向における左側端部１４ａからの距離がＬｘ１より短い位置に終端ワイヤボンディング点３４を配置することにより、温度検知ダイオード５０の周囲温度を半導体チップ１０の中心部の温度によりいっそう近づけ、半導体チップ１０の過熱の有無をさらに正確に検出することが好ましい。
【００２３】
上記説明では、第１の主電流用アルミワイヤ３０は、３点のワイヤボンディング点３２，３３，３４を有するものとしたが、図５に示すように、第２の主電流用アルミワイヤ４０と同数（すなわち２点）のワイヤボンディング点３２，３４でエミッタ電極にワイヤボンディングすることが好ましい。これにより、第１の主電流用アルミワイヤ３０のアルミワイヤ長を第２の主電流用アルミワイヤ４０よりも長くしたにもかかわらず、ワイヤボンディング加工に要する時間を必要最小限に抑えることができる。
【００２４】
実施の形態３．
図６および図７を参照しながら、本発明に係る半導体装置の実施の形態３について以下に説明する。実施の形態３の半導体装置３は、温度検知ダイオードが半導体チップの左側端部ではなく、右側端部付近に集積された点を除いて、実施の形態２の半導体装置２と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。
【００２５】
上述のように、実施の形態３によれば、温度検知ダイオード５０が半導体チップ１０の左側端部１４ａではなく、右側端部１４ｂ付近に集積されている。
この実施の形態の第１の主電流用アルミワイヤ３０は、実施の形態２と同様、Ｙ方向において、第２の主電流用アルミワイヤ４０のそれぞれよりも温度検知ダイオード５０に近接している。そして、右側端部１４ｂから第１の主電流用アルミワイヤ３０の始端ワイヤボンディング点３２までのＸ方向における距離が（Ｌｘ１）が、右側端部１４ｂから第２の主電流用アルミワイヤ４０の始端ワイヤボンディング点４２までのＸ方向における距離（Ｌｘ２）よりも短くなるように、各始端ワイヤボンディング点３２，４２の位置が設定されている。すなわち、第１の主電流用アルミワイヤ３０の始端ワイヤボンディング点３２を、第２の主電流用アルミワイヤ４０に比べて右側にずらして、温度検知ダイオード５０により隣接するような位置に配置する。こうして、温度検知ダイオード５０の周辺領域におけるエミッタ−コレクタ電流の電流密度を高くすることにより、温度検知ダイオード５０の周囲において、半導体チップ１０の中心部と同様の温度上昇を再現する。こうして、半導体装置３は、半導体チップ１０の過熱の有無をより精度よく検出することができる。
【００２６】
また図６に示すように、４本の第１の主電流用アルミワイヤ３０のうち、始端ワイヤボンディング点３２をさらに右側にずらすことが可能な（図中の４本のうち最も上部および下部にある）第１の主電流用アルミワイヤ３０については、Ｘ方向における右側端部３２からの距離がＬｘ１より短い位置に始端ワイヤボンディング点３２を配置することにより、温度検知ダイオード５０の周囲温度を半導体チップ１０の中心部の温度によりいっそう近づけ、半導体チップ１０の過熱の有無をさらに正確に検出することが好ましい。
【００２７】
実施の形態４．
図８および図９を参照しながら、本発明に係る半導体装置の実施の形態４について以下に説明する。実施の形態４の半導体装置４は、温度検知ダイオードが半導体チップの端部ではなく、下側側部付近に集積された点を除いて、実施の形態２の半導体装置２と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。
【００２８】
実施の形態４によれば、第１の主電流用アルミワイヤ３０は、図８に示すように、温度検知ダイオード５０に対して、第２の主電流用アルミワイヤ４０より近接するように配設されている。すなわち、図示のＹ方向（端部１４ａ，１４ｂに平行な方向）において、温度検知ダイオード５０から第１の主電流用アルミワイヤ３０までの距離（Ｌｙ１）が、温度検知ダイオード５０から第２の主電流用アルミワイヤ４０までの距離（Ｌｙ２）より短くなるように（Ｌｙ１＜Ｌｙ２）、各主電流用アルミワイヤ３０，４０は配設されている。
【００２９】
このとき、第１の主電流用アルミワイヤ３０の始端および終端ワイヤボンディング点３２，３４が、第２の主電流用アルミワイヤ４０の始端および終端ワイヤボンディング点４２，４４より、Ｘ方向において、温度検知ダイオード５０により近接するように、第１の主電流用アルミワイヤ３０はワイヤボンディングされる。換言すると、温度検知ダイオード５０を起点として、第１の主電流用アルミワイヤ３０の始端および終端ワイヤボンディング点３２，３４までのＸ方向における第１の距離（Ｌｘ１）が、第２の主電流用アルミワイヤ４０の始端および終端ワイヤボンディング点４２，４４までのＸ方向における第２の距離（Ｌｘ２）よりも短くなるように（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）、各始端および終端ワイヤボンディング点３２，３４の位置が設定されている。
【００３０】
こうして、温度検知ダイオード５０の周囲における半導体チップ１０に流れる電流密度をより増大させ、その温度（ＴＤ）をより上昇させる。その結果、上記の実施の形態と同様、温度検知ダイオード５０の周囲温度（ＴＤ）を、通常最も高温となる半導体チップ１０の中心部の温度（Ｔｃ）により近づけることにより、半導体チップ１０が過熱しているかどうかをより精度よく検出することが可能となる。
【００３１】
なお、半導体装置４は、図８において、２本の第１の主電流用アルミワイヤ３０と、５本の第２の主電流用アルミワイヤ４０を有するものとして説明したが、図１０に示すように、単一のワイヤボンディング点３２を含む１本の第１の主電流用アルミワイヤ３０と、始端および終端のワイヤボンディング点４２，４４を含む６本の第２の主電流用アルミワイヤ４０を有していてもよい。このように構成された図１０に示す半導体装置４においても同様に、温度検知ダイオード５０から第１の主電流用アルミワイヤ３０までのＹ方向における距離（Ｌｙ１）を極めて小さくし（そのためにＬｙ１を図示せず）、温度検知ダイオード５０から第２の主電流用アルミワイヤ３０までのＹ方向における距離（Ｌｙ２）と比べても実質的に小さくなるように、各主電流用アルミワイヤ３０，４０がワイヤボンディングされる。このとき、上述の実施の形態と同様に、温度検知ダイオード５０を起点として、第１の主電流用アルミワイヤ３０のワイヤボンディング点３２までのＸ方向における第１の距離（Ｌｘ１）が、第２の主電流用アルミワイヤ４０の始端および終端ワイヤボンディング点４２，４４までのＸ方向における第２の距離（Ｌｘ２）よりも短くなるように（Ｌｘ１＜Ｌｘ２）、ワイヤボンディング点３２の位置が設定される。
このように構成された図１０の半導体装置４によれば、当業者ならば容易に理解されるように、実施の形態４と同様の効果が得られる。
【００３２】
さらに、実施の形態４において、温度検知ダイオード５０が半導体チップ１０の下側側部１２ｂに隣接して集積されるものとして説明したが、本発明は、半導体チップ１０の上側側部１２ａに配置した場合の半導体装置４にも等しく適用されることは云うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明に係る第１の実施の形態による半導体装置の平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の側面図である。
【図３】本発明に係る第２の実施の形態による半導体装置の平面図である。
【図４】図３に示す半導体装置の側面図である。
【図５】第２の実施の形態の変形例による半導体装置の平面図である。
【図６】本発明に係る第３の実施の形態による半導体装置の平面図である。
【図７】図６に示す半導体装置の側面図である。
【図８】本発明に係る第４の実施の形態による半導体装置の平面図である。
【図９】図８に示す半導体装置の側面図である。
【図１０】第４の実施の形態による別の半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１，２，３，４  パワーモジュール（電力用半導体装置）、５  基板、１０  ＩＧＢＴチップ（電力用半導体チップ）、１２ａ，１２ｂ  側部、１４ａ，１４ｂ  端部、１６  主面、１８  ゲート配線、２０  ゲート電極、２２ａ，２２ｂ  エミッタ電極、２４  ゲート電極用アルミワイヤ、３０  第１の主電流用アルミワイヤ、３２，４２  始端ワイヤボンディング点、３３  中間ワイヤボンディング点、３４，４４  終端ワイヤボンディング点、４０  第２の主電流用アルミワイヤ、５０  温度検知ダイオード（温度検知素子）、５２  アノード電極、５４  カソード電極、５３  アノード電極用アルミワイヤ、５５  カソード電極用アルミワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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