(57)【要約】【課題】  プラスチック基板の切断方法を改善した可撓性液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、第１基板を支持体に付着する段階と、前記第１基板のみを切断して第１領域と第２領域とに分離する段階と、前記第１基板と前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階と、前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階と、を含む。これにより、これにより、各支持体から基板を除去する時に別途の工程を追加することなく薄膜トランジスタ表示板の駆動部に対応するカラーフィルター表示板領域を容易に除去することができる。【選択図】図１５
2006139241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板を支持体に付着する段階と、
前記第１基板のみを切断して第１領域と第２領域とに分離する段階と、
前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階と、
前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階と、
を含む、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板はプラスチックで形成することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板のみを切断して第１領域と第２領域とに分離する段階の前かまたは後に、
前記第１領域に黒色層を形成する段階と、
前記黒色層上にカラーフィルターを形成する段階と、
前記カラーフィルターの上に共通電極を形成する段階と、
を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２領域は、液晶表示装置の駆動部が形成される領域であることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１基板は接着剤を用いて前記支持体に付着されており、
前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階は、前記接着剤の接着力を除去して前記第１基板から前記支持体をさらに分離する段階を含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記支持体はガラスで形成することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階は、温度を変化させて行うことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記温度を０℃以下に調節することを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１表示板から第２領域の基板を除去する段階は、紫外線を照射する方法で行うことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階の前に、
前記第２基板上にゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び半導体層上にソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向しているドレイン電極を形成する段階と、
前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、
を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階の前に、
前記第２基板上にゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体を形成する段階と、
前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、
を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階の後に、ホットプレス加工を行う段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は可撓性液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インターネットの急速な普及と共に情報量も爆発的に増加している。最近では、いつどこでも情報を接することができる‘ユビキタスディスプレイ’の開発が進んでいる。これに伴い、ノートブックＰＣ、電子手帳及びPDAなどのような携帯用ディスプレイが重要視されている。このようなユビキタスディスプレイ環境を実現するためには、いつどこでも情報を直ちに接することができるようにディスプレイの携帯性が要求されると同時に、各種のマルチメディア情報を表示するための大画面特性も要求される。したがって、このような携帯性及び大画面特性を同時に満足させるためには、ディスプレイに柔軟性を付与し、ディスプレイとしての機能を発揮する際には広げて利用し、携帯する際には小さく折りたたんで保管することができる形状のディスプレイの開発が必要である。
【０００３】
現在広く使用されている平板表示装置のうち代表的なものに液晶表示装置（LCD）がある。液晶表示装置（ＬＣＳ）は、電極が形成されている二枚のガラス基板と、その間に挿入されている液晶層からなる構造を有し、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を再配列させることによって透過する光の量を調節する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このような液晶表示装置は重くて破損しやすいガラス基板を使用するために、携帯性及び大画面表示特性には限界がある。したがって、最近では重量が軽くて衝撃に強いだけでなく、柔軟性のある特性を有するプラスチック基板を利用する液晶表示装置が開発されている。既存のガラス基板の代わりに柔軟性のあるプラスチック基板を利用すると、携帯性、安全性及び軽量性などで既存のガラス基板に比べて多くの利点がある。また、製造工程においてもプラスチック基板は蒸着または印刷によって製作が可能であるので製造費用を下げることができる。また、既存のシート単位の工程と異なってロール-トゥ-ロール（roll-to-roll）工程で表示装置を製作することができるので、大量生産による低費用の表示装置を製造することができる。
【０００５】
しかし、プラスチック基板はガラス基板と切断する方式が異なるために既存の工程をそのまま利用することはできない。
一般に液晶表示装置は、図１のように薄膜トランジスタを含む第１表示板１００、カラーフィルターを含む第２表示板２００と、第１表示板１００と第２表示板２００との間に介在する液晶層（図示せず）とで構成される。しかし、第１表示板１００は第２表示板２００と対向する領域外部にゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００をさらに含むため、第１表示板１００は第２表示板２００より大きく形成しなければならない。そのために、ガラス基板を含む既存の液晶表示装置を製造する際は、第１表示板と第２表示板とを組立てた後、第１表示板を先に切断し、上下を返して第１表示板の切断位置よりさらに内側に第２表示板を切断した。つまり、ガラス基板を含む液晶表示装置の場合、第１表示板と第２表示板の各々異なる位置に切断することができた。
【０００６】
しかし、プラスチック基板を利用する場合、組立てられた第１表示板及び第２表示板を一度に切断しなければならないために、第１表示板及び第２表示板の各々の他の位置を切断することができない問題点がある。
【０００７】
そこで、本発明は、プラスチック基板の切断方法を改善した可撓性液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、発明１は、第１基板を支持体に付着する段階と、前記第１基板のみを切断して第１領域と第２領域とに分離する段階と、前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階と、前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階と、を含む、液晶表示装置の製造方法を提供する。これにより、各支持体から基板を除去する時に別途の工程を追加することなく薄膜トランジスタ表示板の駆動部に対応するカラーフィルター表示板領域を容易に除去することができる。
【０００９】
発明２は、前記発明１において、前記第１基板はプラスチックで形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
発明３は、前記発明１において、前記第１基板のみを切断して第１領域と第２領域とに分離する段階の前かまたは後に、前記第１領域に黒色層を形成する段階と、前記黒色層上にカラーフィルターを形成する段階と、前記カラーフィルターの上に共通電極を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１０】
発明４は、前記発明１において、前記第２領域は、液晶表示装置の駆動部が形成される領域であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
発明５は、前記発明１において、前記第１基板は接着剤を用いて前記支持体に付着されており、前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階は、前記接着剤の接着力を除去して前記第１基板から前記支持体をさらに分離する段階を含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１１】
発明６は、前記発明１において、前記支持体はガラスで形成することを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
発明７は、前記発明１において、前記第１基板から前記第２領域の基板を除去する段階は、温度を変化させて行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１２】
発明８は、前記発明７において、前記温度を０℃以下に調節することを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供す。これにより、接着剤の接着力が弱くなって支持体から液晶表示装置が分離される。
【００１３】
発明９は、前記発明１において、前記第１表示板から第２領域の基板を除去する段階は、紫外線を照射する方法で行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
発明１０は、前記発明１において、前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階の前に、前記第２基板上にゲート線を形成する段階と、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜及び半導体層上にソース電極を含むデータ線及び前記ソース電極と対向しているドレイン電極を形成する段階と、前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１４】
発明１１は、前記発明１において、前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階の前に前記第２基板上にゲート線を形成する段階と、前記ゲート線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体を形成する段階と、前記ドレイン電極と連結される画素電極を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【００１５】
発明１２は、前記発明１において、前記第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を組み立てる段階の後に、ホットプレス加工を行う段階をさらに含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、薄膜トランジスタ表示板及びカラーフィルター表示板を組み立てる前にカラーフィルター表示板の所定領域のみを切断するため、各支持体からプラスチック基板を除去する時に別途の工程を追加することなく薄膜トランジスタ表示板の駆動部に対応するカラーフィルター表示板領域を容易に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下より、添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様で相異なる形態で実現することができ、ここで説明する実施例に限定されるものではない。
【００１８】
図面で多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にかけて類似な部分については同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、基板、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００１９】
以下より、本発明の実施例による液晶表示装置の製造方法について図面を参照して詳細に説明する。
≪第１実施形態≫
図１４に示すように、本実施例による可撓性液晶表示装置は、主に薄膜トランジスタ表示板１００、カラーフィルター表示板２００及びこれらの表示装置板１００、２００の間に介在している液晶層３００とで構成されている。
＜カラーフィルター表示板＞
（構造）
まず、本実施例による可撓性液晶表示装置を構成するカラーフィルター表示板２００について、図７を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図７を参照すると、上部基板２１０は両面接着テープ９０の一面に付着されており、前記両面接着テープ９０の他の一面にはガラス支持体８０が付着されている。つまり、ガラス支持体８０、接着テープ９０、上部基板２１０が順に形成されている。
【００２１】
上部基板２１０は切断されて切断部７０を中心に第１領域２１０aと第２領域２１０bとに分離されている。即ち、上部基板２１０下部のガラス支持体８０は切断せず、上部基板２１０のみを切断した状態にする。切断された上部基板２１０は接着テープ９０に付着しているために、第１領域２１０a及び第２領域２１０bは接着テープ９０を介してガラス支持体８０に付着している。第１領域２１０aは、黒色層、カラーフィルター及び共通電極が形成される表示領域である。第２領域２１０bは表示領域を除いた部分で、薄膜トランジスタ表示板を組み立てる際に、薄膜トランジスタ表示板のゲート駆動部及びデータ駆動部が装着される領域に対応する。
【００２２】
上部基板２１０の上部及び下部には酸化ケイ素（SiO2）または窒化ケイ素（SiNOx）からなる基板保護膜（図示せず）をさらに形成することもできる。このような基板保護膜は、外部からの酸素または水分を遮断して、後で形成されるカラーフィルターの特性を維持する防護壁の役割を果たす。
【００２３】
上部基板２１０ａの上部には、所定間隔離隔されている複数の黒色層２２０が形成されている。黒色層２２０はそれぞれ約２乃至４μmの厚さで形成されている。黒色層２２０及び上部基板２１０ａの上部には、赤色、緑色及び青色のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bが交互に形成されている。カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bは互いに所定間隔離隔されており、これらの周縁部は互いに隣接する黒色層の周縁部と重畳するように形成されている。
【００２４】
カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０B上にはカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを平坦化するための平坦化膜２５０が形成されており、平坦化膜２５０上にはITOまたはIZOからなる共通電極２７０が形成されている。
（製造方法）
以下より、図２乃至図７を参照し、本発明の一実施例による可撓性液晶表示装置の構成のうちのカラーフィルター表示板２００の製造方法について詳細に説明する。
【００２５】
まず、図２に示すように、プラスチックからなる上部基板２１０を用意する。上部基板２１０はポリアクリレート、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン酸またはポリイミドより選択された少なくとも一つの物質からなる。上部基板２１０の上部及び下部には、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる基板保護膜（図示せず）をさらに形成することもできる。このような基板保護膜（図示せず）は、外部からの酸素または水分を遮断し、後に形成されるカラーフィルターの特性を維持する防護壁の役割を果たす。
【００２６】
次に、上部基板２１０の一側面に両面接着テープ９０の一側面を付着し、両面接着テープ９０の他の一側面にはガラス支持体８０を付着する。即ち、ガラス支持体８０、接着テープ９０及び上部基板２１０が順次に形成されている構造を形成する。
【００２７】
次に、図３に示すように、上部基板２１０を、切断器を用いて切断する。即ち、上部基板２１０の下部のガラス支持体８０は切断せずに上部基板２１０のみを切断した状態にする。すると、上部基板２１０は切断部７０を中心に第１領域２１０aと第２領域２１０bとに分離される。即ち、図３に示すように、上部基板２１０は接着テープ９０と付着しているため、第１領域２１０a及び第２領域２１０bは接着テープ９０を介してガラス支持体８０に付着された状態である。この状態でその後の工程を行う。
【００２８】
第１領域２１０aは、後で黒色層、カラーフィルター及び共通電極などが形成される表示領域である。第２領域２１０bは、表示領域を除いた領域であって、後で薄膜トランジスタ表示板を組み立てる際に薄膜トランジスタ表示板上に駆動部が形成される位置に対応している。
【００２９】
次に、図４に示すように、上部基板２１０の第１領域２１０a上に、カーボンブラック、酸化鉄、クロム（Cr）-鉄（Fe）-ニッケル（Ni）酸化物などの不透明金属からなる黒色層２２０を複数個形成する。複数個の黒色層２２０は、それぞれ所定間隔隔離して位置している。黒色層２２０は好ましくは２乃至４μmの厚さでそれぞれ形成する。
【００３０】
また、黒色層２２０上にスピンコーティング法でフォトレジストを形成する。この場合、好ましくはネガティブフォトレジストを利用する。次いで、パターニングされたマスクを利用して３５０乃至４４０ｎｍ波長領域の光でフォトレジストを露光した後、１１０℃の温度で９０秒程度露光熱処理工程を行う。この場合、マスクを通じて露光されたネガティブフォトレジスト部分は後述する現像工程によって残留し、露光されなかったネガティブフォトレジスト部分は現像工程によって除去される。次に、２．３８％TMAH溶液を利用してネガティブフォトレジストを現像して、逆テーパを有する形態のフォトレジストパターンを形成する。つまり、露光されたネガティブフォトレジスト部分はフォトレジストパターンとなり、露光されなかったネガティブフォトレジスト部分は除去される。その後、フォトレジストパターンを利用して黒色層２２０をパターニングする。
【００３１】
また、図５に示すように、所定間隔で隔離されている複数の黒色層２２０のそれぞれの間に、赤色、緑色及び青色カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを順次に形成する。この時、赤色、緑色及び青色カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bは互いに分離されており、これらの周縁部は互いに隣接する黒色層の周縁部と重畳されるように形成する。
【００３２】
次に、後で形成されるITO膜との接着力を向上させるために、黒色層２２０及び赤色、緑色、青色のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bの表面に紫外線及び赤外線を照射して表面処理を行う。赤外線表面処理を行う工程は、紫外線表面処理を行う前に表面を予熱させるための工程である。この時、赤色、緑色及び青色カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０B内に残留する水分及び気体成分は除去される。また、紫外線表面処理では、高濃度のオゾン分子を紫外線チャンバーに注入させて行う。この時、注入されたオゾンの酸素原子または分子は、赤色、緑色及び青色のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bまたは黒色層２２０の表面に残留する有機物を分解する。
【００３３】
次に、図６に示すように、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを平坦化するために、平坦化膜２５０を形成する。平坦化膜２５０は、例えばアクリル系物質からなる。
【００３４】
次に、図７に示すように、平坦化膜２５０上にITOまたはIZOからなる共通電極２７０を形成してカラーフィルター表示板が完成する。この時、共通電極２７０は５００乃至２５００Åの厚さで形成する。
＜薄膜トランジスタ表示板＞
（構成）
次に、本実施例による液晶表示装置を構成する薄膜トランジスタ表示板１００について図１３A及び図１３Bを参照して詳細に説明する。
【００３５】
まず、カラーフィルター表示板２００と同様に、下部基板１１０はポリアクリレート、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホンまたはポリイミドより選択された少なくとも一つのプラスチック物質からなっている。下部基板１１０の上部及び下部には、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる基板保護膜（図示せず）をさらに形成することもできる。このような基板保護膜は外部からの酸素または水分を遮断して、その後に形成されるカラーフィルターの特性を維持する防護壁の役割を果たす。
【００３６】
下部基板１１０は両面接着テープ５０の一側面に付着されており、両面接着テープ５０の他の一側面にはガラス支持体４０が付着されている。即ち、ガラス支持体４０、接着テープ５０及び下部基板１１０が順次に形成されている構造を有している。
【００３７】
下部基板１１０上には、ゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は主に横方向に伸びており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２４を構成している。また、各ゲート線１２１の他の一部は下方向に突出して複数の拡張部１２７を構成している。さらに、ゲート線１２１の一端部にはゲートパッド部１２９が形成されており、ゲートパッド部１２９は外部装置と液晶表示装置とを接続する役割をもつため、幅が拡張されて形成されている。
【００３８】
ゲート線１２１は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などのアルミニウム系列の金属、銀または銀合金などの銀系列の金属、銅または銅合金などの銅系列の金属、モリブデンまたはモリブデン合金などのモリブデン系列の金属、クロム、タンタル及びチタニウムなどからなる。また、ゲート線１２１は、物理的性質が異なる二つの膜を含んでいてもよい。具体的には、ゲート線１２１は上部膜と下部膜との２つの膜から構成されるとすると、下部膜はゲート線１２１の信号遅延を減少させたり電圧降下を防止することができるように低い比抵抗の金属で形成されるとよい。例えば、下部膜は、アルミニウムまたはアルミニウム合金などのアルミニウム系列の金属、銀または銀合金などの銀系列金属、銅または銅合金などの銅系列金属から形成されることができる。上部膜は、下部膜とは別の物質、特にITOまたはIZOとの接触特性に優れた物質、例えばクロム、モリブデン、モリブデン合金、タンタルまたはチタニウムなどから形成することができる。下部膜と上部膜との組合わせの例としては、アルミニウム-クロム（Al-Cr）二重層またはアルミニウム-モリブデン（Al-Mo）二重層がある。
【００３９】
また、ゲート線１２１の側面は下部基板１１０の表面に対して傾斜をなしており、その傾斜角は約３０〜８０゜であるのが好ましい。
ゲート線１２１上には窒化ケイ素などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００４０】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコンまたは多結晶シリコンなどからなる複数の線形半導体１５１が形成されている。線形半導体１５１は、図１３Ａの図面において主に縦方向に伸びており、線形半導体１５１からは複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向かって延長するように形成されている。また、線形半導体１５１は、ゲート線１２１と交差する領域付近において広い幅を有し、ゲート線１２１の広い面積を覆っている。
【００４１】
半導体１５１の上部には、シリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の抵抗性接触部材１６１、１６５が形成されている。抵抗性接触部材１６１，１６５は線形及び島形を有している。線形の抵抗性接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島形接触部材１６５とは対をなして半導体１５１の突出部１５４上に位置している。
【００４２】
半導体１５１と抵抗性接触部材１６１、１６５との側面は下部基板１１０の表面に対して所定の角度傾斜しており、傾斜角は３０〜８０゜である。
抵抗接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数のストレージキャパシタ用導電体１７７がそれぞれ形成されている。データ線１７１は主に縦方向に伸びてゲート線１２１と交差しデータ電圧を伝達する。データ線１７１のドレイン電極１７５に向かって伸びた複数の分枝はソース電極１７３を構成する。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５とは互いに分離されており、ゲート電極１２４に対して互いに反対側に位置している。ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（TFT）を構成し、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成されている。また、ストレージキャパシタ用導電体１７７はゲート線１２１の拡張部１２７と重畳している。
【００４３】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７は、モリブデン系列金属や、クロム、タンタル、チタニウムなどの耐化学性金属からなるのが好ましく、抵抗の低い上部膜と接触特性の良い下部膜とを含む多層膜構造を有しても良い。各データ線１７１の端部であるデータパッド部１７９は、外部装置との接続のために広い幅を有している。
【００４４】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７もゲート線１２１と同様にその側面は下部基板１１０に対して約３０〜８０゜の角度をなすように傾斜している。抵抗性接触部材１６１、１６５は、その下部の線形半導体１５１と、その上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５と、の間にのみ存在し、接触抵抗を下げる役割を果たす。線形半導体１５１はソース電極１７３とドレイン電極１７５との間など、即ちデータ線１７１及びドレイン電極１７５に覆われずに露出された部分を有しており、大部分の箇所では線形半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より狭いが、上述したようにゲート線１２１と交差する部分では幅が広くなって表面の状態をよくしてデータ線１７１の断線を防止する。
【００４５】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７と露出された線形半導体１５１部分の上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機物からなる下部保護膜８０１が形成されており、その上には平坦化特性に優れた有機物からなる上部保護膜８０２が形成されている。下部保護膜８０１及び上部保護膜８０２のうちの一つは省略することができる。
【００４６】
下部及び上部保護膜８０１、８０２には、データパッド部１７９、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７を各々露出する複数の接触孔１８２、１８５、１８７が形成されており、下部及び上部保護膜８０１、８０２及びゲート絶縁膜１４０にはゲートパッド部１２９を露出させる複数の接触孔１８１が形成されている。
【００４７】
上部保護膜８０２上には、ITOまたはIZOからなる画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
画素電極１９０は、接触孔１８５、１８７を通じてドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７と各々物理的・電気的に連結され、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。そして、画素電極１９０は、印加されたデータ電圧をストレージキャパシタ用導電体１７７に伝達する。
【００４８】
また、データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧の印加を受けた他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成し、二つの電極１９０の間の液晶層（図示せず）の液晶分子を再配列する。
【００４９】
また、画素電極１９０及び共通電極はキャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”と言う）を構成し、薄膜トランジスタが遮断された後にも印加された電圧を維持する。また、電圧維持能力を強化するために液晶キャパシタと並列に別のキャパシタを並列に接続することもあるこれをストレージキャパシタと言う。ストレージキャパシタは画素電極１９０及びこれと隣接するゲート線１２１（これを前段ゲート線と言う）の重畳などからなり、ストレージキャパシタの静電容量、つまり、維持容量を増やすためには、ゲート線１２１を拡張した拡張部１２７の画素電極１９０との重畳部分の面積を大きくする。また、画素電極１９０と連結されて拡張部１２７と重なるストレージキャパシタ用導電体１７７を下部及び上部保護膜８０１、８０２の下において二つの間の距離を近くするとよい。
【００５０】
また、画素電極１９０は、隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重なって開口率を高めているが、重ならなくてもよい。
接触補助部材８１、８２は、接触孔１８１、１８２を通じてゲートパッド部１２９及びデータパッド部１７９と各々連結されている。接触補助部材８１、８２は、ゲートパッド部１２９及びデータパッド部１７９と外部装置との接触を補い、これらを保護する役割をもつ。ゲート線１２１に走査信号を印加するゲート駆動部（図示せず）が表示板上に集積された場合、接触部材８１はゲートパッド部１２９とゲート駆動部とを連結する連結部材の役割を果たすことができ、場合によっては省略することもできる。
（製造方法）
以下より、図８乃至図１３Bを参照して本実施例による薄膜トランジスタ表示板１００の製造方法について詳細に説明する。図９A、図１０A、図１１A、図１２A及び図１３Aは、本実施例による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を順次に示した配置図である。図９B、図１０B、図１１B、図１２B及び図１３Bは、図９A、図１０A、図１１A、図１２A及び図１３Aの各々に示した薄膜トランジスタ表示板をIXb-IXb´線、Xb-Xb´線、XIb-XIb´線、XIIb-XIIb´線及びXIIIb-XIIIb´線に沿って切断した断面図である。
【００５１】
まず、プラスチックからなる下部基板１１０を用意する。下部基板１１０はポリアクリレート、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン酸またはポリイミドより選択された少なくとも一つの物質からなる。下部基板１１０の上部及び下部には、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる基板保護膜（図示せず）をさらに形成することもできる。このような基板保護膜は外部からの酸素または水分などを遮断し、後に形成されるカラーフィルターの特性を維持する防護壁の役割を果たす。
【００５２】
次に、図９A及び図９Bに示すように、透明なガラスなどで作られた支持体４０上にポリイミド系列の接着テープ５０を用いて下部基板１１０を接着し、下部基板１１０上に金属膜をスパッタリングなどで順次に積層し、写真エッチングして複数のゲート電極１２４と複数の拡張部１２７とを含むゲート線１２１を形成する。
【００５３】
次に、図１０A及び図１０Bに示すように、下部基板１１０上に、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層１５０、不純物非晶質シリコン層１６０の３層膜を順次に連続して積層し、上の二つの層をパターニングして複数の線形の不純物半導体１６４及び複数の線形の真性半導体１５１を形成する。
【００５４】
また、図１１A及び図１１Bに示すように、金属膜をスパッタリングなどで積層した後、写真エッチングして複数のソース電極１７３を各々含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数のストレージキャパシタ用導電体１７７を形成する。
【００５５】
次に、データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７に覆わずに露出された不純物半導体１６４部分を除去して、複数の突出部１６３を各々含む複数の線形抵抗性接触部材１６１と複数の島形抵抗性接触部材１６５とを形成する。また、その下の真性半導体１５１部分を露出させる。露出された真性半導体１５１部分の表面を安定化させるために、酸素プラズマを連続して実施するのが好ましい。
【００５６】
次に、図１２A及び図１２Bに示すように、無機物質からなる下部保護膜８０１を化学気相蒸着などで積層し、感光性有機物からなる上部保護膜８０２を塗布する。次に、露光マスク（図示せず）を通じて上部保護膜８０２に光を照射した後、現像して下部保護膜８０１を露出させて乾式エッチング方法で下部保護膜８０１の露出された部分とその下のゲート絶縁膜１４０部分とを除去し、接触孔１８１、１８２、１８５、１８７を形成する。
【００５７】
次に、図１３A及び図１３Bに示すように、ITOまたはIZO膜をスパッタリングで積層して写真エッチングし、複数の画素電極１９０と複数の接触補助部材８１、８２とを形成する。その他にも配向膜（図示せず）を形成する工程を追加することもできる。
【００５８】
そして、以上のような方法で製造されたカラーフィルター表示板２００及び薄膜トランジスタ表示板１００を組立てる。液晶注入の方法は、カラーフィルター表示板２００及び薄膜トランジスタ表示板１００の合着前に液晶を下降させるドロップ方式で行なっても良い。または、２つの表示板１００、２００を合着した後、毛細管現象と圧力差を利用して注入しても良い。
【００５９】
図１４は、組立及び液晶注入工程が完了した液晶表示装置の断面図である。図１４に示すように、薄膜トランジスタ１００及びカラーフィルター表示板２００は対向しており、その間に液晶層３００が介している。また、薄膜トランジスタ表示板１００とカラーフィルター表示板２００との内側には各々配向膜１１、１２が形成されている。
【００６０】
組立後には、約１５０℃の温度でホットプレス工程を追加的に行う。この時、プラスチックからなる下部基板１１０及び上部基板２１０はガラスなどからなる支持体４０、５０によって固定されているため、基板が膨脹したり曲がるような変形は発生しない。
【００６１】
その後、図１５に示すように、２つの基板１１０、２１０を支持している支持体４０、８０を液晶表示装置から除去する。接着テープ５０、９０の接着力を除去して液晶表示装置から支持体４０、８０を自然に分離させる方法を利用するが、他の方法としては、例えば温度を調節する方法や、接着力を除去することができる溶媒を使用する方法、または紫外線を照射する方法などがある。温度を調節する方法では、温度は０°以下がこのましい。０℃以下の温度で処理すると、接着テープ５０、９０の接着力が弱くなって支持体４０、８０から液晶表示装置が分離される。このとき、組み立て前に切断されたカラーフィルター表示板２００の第２領域２１０bもまた液晶表示装置と分離される。
【００６２】
したがって、図１５及び図１に示すように、薄膜トランジスタ表示板１００のゲートパッド部１２９を含むゲート駆動部４００及びデータパッド部１７９を含むデータ駆動部５００の上部は、カラーフィルター表示板２００で覆われずに露出される。
【００６３】
このように、本発明では、カラーフィルター表示板２００及び薄膜トランジスタ表示板１００を組み立てる前に、カラーフィルター表示板２００の所定領域を切断して薄膜パターンが形成される第１領域２１０aと薄膜トランジスタ表示板１００の駆動部に対応する第２領域２１０bとを分離する。これにより、その後に支持体４０、８０からプラスチック基板１１０、２１０を除去する際、別途の工程を追加することがなく第２領域２１０bを除去することができる。
≪実施例２≫
第２実施形態では、図１６乃至図２５を参照してプラスチック基板と共に有機薄膜トランジスタを利用する可撓性液晶表示装置について説明する。
＜カラーフィルター表示板＞
（構造）
まず、本実施例による可撓性液晶表示装置を構成するカラーフィルター表示板２００について図７を参照して詳細に説明する。
【００６４】
プラスチックで形成される上部基板２１０は両面接着テープ９０の一側面に付着されており、両面接着テープ９０の他の一側面にはガラス支持体８０が付着されている。つまり、ガラス支持体８０、接着テープ９０及び上部基板２１０が順次に形成されている。
【００６５】
上部基板２１０は切断されて切断部７０を中心に第１領域２１０aと第２領域２１０bとに分離されている。即ち、上部基板２１０の下部のガラス支持体８０は切断されずに上部基板２１０のみ切断されている状態にする。切断された上部基板２１０は接着テープ９０に付着されているために、第１領域２１０a及び第２領域２１０bは両面接着テープ９０を介してガラス支持体８０に付着されている。第１領域２１０aは、黒色層、カラーフィルター及び共通電極が形成される表示領域である。また、第２領域２１０bは表示領域を除いた部分で、この後に薄膜トランジスタ表示板１００を組み立てる際の、薄膜トランジスタ表示板１００のゲート駆動部４００及びデータ駆動部５００が装着される領域に対応する。
【００６６】
上部基板２１０の上部及び下部には酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる基板保護膜（図示せず）がさらに形成されていることもある。このような基板保護膜は外部から酸素または水分などを遮断して、後に形成されるカラーフィルターの特性を維持する防護壁の役割を果たす。
【００６７】
上部基板２１０の上部には、所定間隔離隔されている複数の黒色層２２０が形成されている。それぞれの黒色層２２０は約２乃至４μmの厚さで形成されている。黒色層２２０の上部には、赤色、緑色及び青色カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bが交互に形成されている。カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bは互いに所定間隔離隔されており、これらの周縁部分は互いに隣接する黒色層の周縁部分と重畳するように形成されている。
【００６８】
カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０B上には、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを平坦化するための平坦化膜２５０が形成されており、平坦化膜２５０上にはITOまたはIZOからなる共通電極２７０が形成されている。
（製造方法）
以下より、図２乃至図７を参照して本発明の一実施例による可撓性液晶表示装置の構成のうちのカラーフィルター表示板２００の製造方法について詳細に説明する。
【００６９】
まず、プラスチックからなる上部基板２１０を用意する。上部基板２１０は、ポリアクリレート、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン酸またはポリイミドより選択された少なくとも一つの物質からなる。上部基板２１０の上部及び下部には酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる基板保護膜（図示せず）をさらに形成することもできる。このような基板保護膜は外部から酸素または水分などを遮断して後に形成されるカラーフィルターの特性を維持する防護壁の役割を果たす。
【００７０】
次に、上部基板２１０の一側面を両面接着テープ９０の一側面に付着し、両面接着テープ９０の他の一側面にはガラス支持体８０を付着させる。即ち、ガラス支持体８０、接着テープ９０及び上部基板２１０が順次に形成されている構造を形成する。
【００７１】
次に、上部基板２１０を、切断器用いて切断する。即ち、上部基板２１０の下部のガラス支持体８０は切断されずに上部基板２１０のみ切断されている状態にする。すると、上部基板２１０は切断部７０を中心に第１領域２１０aと第２領域２１０bとに分離される。図３に示すように、上部基板２１０は接着テープ９０に付着されているため、第１領域２１０a及び第２領域２１０bは接着テープ９０を介してガラス支持体８０に付着された状態で後続の工程が行われる。
【００７２】
第１領域２１０aは、後に黒色層、カラーフィルター及び共通電極などが形成される表示領域である。第２領域２１０bは、表示領域を除いた領域で、後に薄膜トランジスタ表示板１００を組み立てる際に、薄膜トランジスタ表示板１００上に駆動部４００、５００が形成される位置に対応している。
【００７３】
その後、図４に示すように、上部基板２１０の第１領域２１０a上に、カーボンブラック、酸化鉄、クロム-鉄-ニッケル酸化物などの不透明金属からなる黒色層２２０を形成する。黒色層２２０は複数個あり、互いに所定の間隔離隔されて形成されている。また黒色層２２０のそれぞれは好ましくは２乃至４μmの厚さで形成する。
【００７４】
また、黒色層２２０上にスピンコーティング法でフォトレジストを形成する。この場合、好ましくはネガティブフォトレジストを利用する。次に、パターニングされたマスクを利用して３５０乃至４４０ｎｍ波長領域の光でフォトレジストを露光した後、１１０℃の温度で９０秒程度露光熱処理工程を進める。この場合、マスクを通じて露光されたネガティブフォトレジスト部分は後述する現像工程によって残留し、露光されなかったネガティブフォトレジスト部分は現像工程によって除去される。次に、２．３８％TMAH溶液を利用してネガティブフォトレジストを現像し逆テーパの形状を有するフォトレジストパターンを形成する。つまり、露光されたネガティブフォトレジスト部分はフォトレジストパターンとなり、露光されていないネガティブフォトレジスト部分は除去されて空き空間として残る。その後、フォトレジストパターンを利用して黒色層２２０をパターニング行う。
【００７５】
また、図５に示すように、所定間隔隔離されている複数の黒色層２２０の間に、赤色、緑色及び青色カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを順次に形成する。この時、赤色、緑色及び青色カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bは互いに分離されており、これらの周縁部分は互いに隣接する黒色層２２０の周縁部分と重畳するように形成する。
【００７６】
次に、後に形成されるITO膜との接着力を向上させるために、黒色層２２０及び赤色、緑色、青色のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bの表面に紫外線及び赤外線を照射して表面処理を実施する。この時、赤外線表面処理は、紫外線表面処理を実施する前に行う工程であって、表面を予熱させるために行う。この時、赤色、緑色及び青色カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０B内に残留する水分及び気体成分は除去される。また、紫外線表面処理は、高濃度のオゾン分子を紫外線チャンバーに注入させて行われる。この時、注入されたオゾンの酸素原子または分子は、赤色、緑色及び青色のカラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bまたは黒色層２２０の表面に残留する有機物を分解する。
【００７７】
次に、図６に示すように、カラーフィルター２３０R、２３０G、２３０Bを平坦化するために、平坦化膜２５０を形成する。平坦化膜２５０は、例えばアクリル系物質で形成する。
【００７８】
次に、図７に示すように、平坦化膜２５０上にITOまたはIZOからなる共通電極２７０を形成して、カラーフィルター表示板２００を完成する。この時、共通電極２７０は５００乃至２５００Åの厚さで形成する。
＜有機薄膜トランジスタ表示板＞
（構造）
また、本実施例による液晶表示装置を構成する有機薄膜トランジスタ表示板１００について図面を参照して詳細に説明する。
【００７９】
図１６は、本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図である。図１７は、図１６のXVI-XVI´線に沿って切断した断面図である。
下部基板１１０は、ポリアクリレート、ポリエチレンエーテルフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリーレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホンまたはポリイミドより選択された少なくとも一つの物質から形成される。
【００８０】
下部基板１１０の上部及び下部には、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる基板保護膜（図示せず）をさらに形成することもできる。このような基板保護膜は外部から酸素または水分などを遮断し、後に形成されるカラーフィルターの特性を維持する防護壁の役割を果たす。
【００８１】
下部基板１１０は両面接着テープ５０の一側面に付着されており、両面接着テープ５０の他の一側面にはガラス支持体４０が付着されている。即ち、図１７に示すように、ガラス支持体４０、接着テープ５０及び下部基板１１０が順次に形成されている構造を構成する。
【００８２】
ゲート信号を伝達するゲート線１２１は主に横方向に伸びており、各ゲート線１２１の一部は上に突出して複数のゲート電極１２４を構成する。
ゲート線１２１は、主に比抵抗の低い銀や銀合金などの銀系列金属、アルミニウムやアルミニウム合金などのアルミニウム系列金属などからなる導電膜を含む。このような導電膜に加えて他の物質、特にITOまたはIZOとの物理的、化学的及び電気的接触特性の良いクロム、チタニウム、タンタル、モリブデン及びこれらの合金（例えば、モリブデン-タングステン合金）などからなる他の導電膜を含む多層膜構造を有しても良い。下部膜と上部膜との組み合わせの例としては、クロム（Cr）/アルミニウム-ネオジム合金がある。また、ゲート線１２１は伝導性高分子を利用して形成することもできる。
【００８３】
そして、ゲート線１２１を含む下部基板１１０の全面には、窒化ケイ素などの無機絶縁物または有機絶縁物などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上には、各々複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５とが形成されている。データ線１７１は、主に縦方向に伸びてゲート線１２１と交差しデータ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレイン電極１７５に向かって伸びた複数の分枝はソース電極１７３を構成する。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５とは互いに分離されており、ゲート電極１２４に対して互いに反対側に位置する。また、ドレイン電極１７５の一端には、ドレイン電極１７５と連結されている画素電極連結部１７６が形成されている。
【００８４】
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、銀系列金属またはアルミニウム系列金属などからなる導電膜を含む。また、このような導電膜に加えてクロム、チタニウム、タンタル、モリブデン及びこれらの合金などからなる他の導電膜を含む多層膜構造を有することができる。さらに、データ線１７１及びドレイン電極１７５は伝導性高分子を用いて形成することができる。
【００８５】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５上には有機半導体１５４が形成されている。有機半導体１５４は、オリゴチオフェン、ペンタセン、フタロシアニン、フラーレンなどの低分子材料と、ポリチオフェン系列、ポリチエニレンビニレンなどの高分子材料とから形成することができる。
【００８６】
有機半導体１５４は、ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５と共に有機薄膜トランジスタを構成する。また、有機半導体１５４は、水溶液や有機溶媒に溶解される高分子物質または低分子物質を用いて形成することができる。高分子有機半導体は一般に溶媒によく溶解されるので印刷工程に適している。
【００８７】
有機半導体１５４上には、平坦化特性に優れ感光性を有する有機物質、プラズマ化学気相蒸着（PECVD）で形成されるa-Si:C:O、a-Si:O:Fなどの低誘電率絶縁物質、または無機物質である窒化ケイ素などからなる保護膜１８０が形成されている。
【００８８】
保護膜１８０には、画素電極連結部１７６の一部分及びデータパッド部１７９を各々露出する複数の接触孔１８１、１８２が形成されている。また、保護膜１８０上には、ITOまたはIZOからなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８２が形成されている。
【００８９】
画素電極１９０は、接触孔１８１を通じてドレイン電極１７５と物理的・電気的に連結されてドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９０は、他の表示板の共通電極と共に電場を生成し、二つの電極の間の液晶分子を再配列する。
【００９０】
接触補助部材８２は、接触孔１８２を通じてデータパッド部１７９と各々連結されている。接触補助部材８２はデータパッド部１７９と外部装置（図示せず）との接触を補助し、これらを保護する役割を果たす。接触補助部材８２は必須ではなく、選択的に形成することができる。
（製造方法）
以下より、図１６及び図１７に示した有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法について、図１８乃至２３を参照して詳細に説明する。
【００９１】
まず、図１８に示すように、透明なガラスなどで作られた支持体４０上にポリイミド系列の接着テープ５０を用いて下部基板１１０を接着し、下部基板１１０上に金属膜をスパッタリングなどで順次に積層して写真エッチングし、複数のゲート電極１２４を含むゲート線１２１を形成する。
【００９２】
次に、図１９に示すように、下部基板１１０上にゲート電極１２４を覆うようにゲート絶縁膜１４０を形成する。ゲート絶縁膜１４０は酸化ケイ素または窒化ケイ素などの無機絶縁物または有機絶縁物からなる物質で形成する。
【００９３】
次に、図２０に示すように、ゲート絶縁膜１４０上にソース電極１７３、ドレイン電極１７５及び画素電極連結部１７６を形成する。これは金などの導電層を真空熱蒸着したり、伝導性高分子をスリットコーティング方式で塗布した後、写真エッチング方法でパターニングして形成する。
【００９４】
次に、図２１に示すように、ソース電極１７３、ドレイン電極１７５、画素電極連結部１７６を含むゲート絶縁膜１４０上に、水溶液や有機溶媒に溶解される高分子物質や低分子物質をスリットコーティング方式を利用して塗布して有機半導体層１５０を形成する。そして、有機半導体層１５０上に感光液をスリットコーティング方式を利用して塗布した後、露光及び現像して有機半導体層１５０上に有機半導体形成領域を定義する感光膜パターン４００を形成する。
【００９５】
次に、図２２に示すように、感光膜パターン４００をマスクとして有機半導体層１５０をエッチングし、有機半導体１５４を形成する。
次に、図２３に示すように、ソース電極１７３、ドレイン電極１７５、画素電極連結部１７６を含むゲート絶縁膜１４０上に、窒化ケイ素のような無機絶縁物または低い誘電率を有する有機絶縁物を積層して保護膜１８０を形成する。
【００９６】
そして、保護膜１８０を写真エッチングして複数の接触孔１８１、１８２を形成する。接触孔１８１、１８２はドレイン電極１７５と連結されている画素電極連結部１７６及びデータパッド部１７９を各々露出する。
【００９７】
次に、図１７に示すように、IZOまたはITO膜をスパッタリングで積層して写真エッチングし、複数の画素電極１９０と複数の接触補助部材８２を形成してもよい。この場合は、接触抵抗を最少化するためにIZOのスパッタリング温度は２５０℃以下であるのが好ましい。
【００９８】
次に、以上のような方法で製造されたカラーフィルター表示板２００及び薄膜トランジスタ表示板１００を組み立てる。液晶を注入する方法は、カラーフィルター表示板２００及び薄膜トランジスタ表示板１００の組立前に液晶を下降させるドロップ（drop）方式を用いてもよい。また、２つの表示板１００，２００を組み立てた後、毛細管現象と圧力差を利用して注入しても良い。
【００９９】
図２４は、組み立て及び液晶注入工程が完了した液晶表示装置の断面図である。図２４に示すように、薄膜トランジスタ１００及びカラーフィルター表示板２００は対向しており、その間に液晶層３００が介在している。また、薄膜トランジスタ表示板１００とカラーフィルター表示板２００との内側には各々配向膜（図示せず）が形成されている。
【０１００】
液晶表示装置を組み立てた後、約１５０℃の温度でホットプレス工程を行う。この場合、プラスチックからなる下部基板１１０及び上部基板２１０は支持体４０、８０によって固定されているため、基板が膨脹するなどの変形は発生しない。
【０１０１】
その後、図２５に示すように、液晶表示装置で２つの基板１１０、２１０を支持している支持体４０、８０を除去する。これには、接着テープ５０、９０の接着力を除去して液晶表示装置から支持体４０、８０を自然に分離させる方法を利用する。他には、例えば温度を調節する方法、接着力を除去することができる溶媒を使用する方法または紫外線を照射する方法などがある。温度を調節する方法を用いる場合は、０°以下の温度で処理するとよい。０℃以下の温度で処理すると、接着テープ５０、９０の接着力が弱くなって支持体４０、８０から液晶表示装置が分離される。
【０１０２】
これにより、組み立ての前に切断されたカラーフィルター表示板２００の第２領域２１０b支持対と共に液晶表示装置から分離される。
したがって、図２５及び図１に示すように、薄膜トランジスタ表示板１００のゲートパッド部１２９を含むゲート駆動部４００及びデータパッド部１７９を含むデータ駆動部５００の上部は、カラーフィルター表示板２００で覆われずに露出される。
【０１０３】
このように本発明では、カラーフィルター表示板２００及び薄膜トランジスタ表示板１００を組み立てる前に、カラーフィルター表示板２００の所定領域を切断して薄膜パターンが形成される第１領域２１０aと薄膜トランジスタ表示板１００の駆動部に対応する第２領域２１０bとを分離することによって、後で支持体４０、８０からプラスチック基板１１０、２１０を除去する時に別途の工程を追加することなく第２領域２１０bを除去することができる。
【０１０４】
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の多様な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】一般的な液晶表示装置の平面図。
【図２】本発明の一実施例によるカラーフィルター表示板の製造方法を順次に示した断面図。
【図３】本発明の一実施例によるカラーフィルター表示板の製造方法を順次に示した断面図。
【図４】本発明の一実施例によるカラーフィルター表示板の製造方法を順次に示した断面図。
【図５】本発明の一実施例によるカラーフィルター表示板の製造方法を順次に示した断面図。
【図６】本発明の一実施例によるカラーフィルター表示板の製造方法を順次に示した断面図。
【図７】本発明の一実施例によるカラーフィルター表示板の製造方法を順次に示した断面図。
【図８】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す断面図で、下部基板の製造初期状態を示す図面。
【図９Ａ】、本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す配置図。
【図９Ｂ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す図面で、図９AのIX-IX´線に沿って切断した断面図。
【図１０Ａ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す配置図。
【図１０Ｂ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す図面で、図１０AのX-X´線に沿って切断した断面図。
【図１１Ａ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す配置図。
【図１１Ｂ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す図面で、図１１AのXI-XI´線に沿って切断した断面図。
【図１２Ａ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す配置図。
【図１２Ｂ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す図面で、図１２A のXII-XII´線に沿って切断した断面図。
【図１３Ａ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す配置図。
【図１３Ｂ】本発明の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す図面で、図１３AのXIII-XIII´線に沿って切断した断面図。
【図１４】本発明の一実施例による液晶表示装置を示す断面図。
【図１５】本発明の一実施例によって液晶表示装置から支持体を除去する段階を示す断面図。
【図１６】本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の配置図。
【図１７】図１６のXVI-XVI´線に沿って切断した断面図。
【図１８】本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す断面図である。
【図１９】本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す断面図。
【図２０】本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す断面図。
【図２１】本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す断面図。
【図２２】本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す断面図。
【図２３】本発明の他の一実施例による薄膜トランジスタ表示板の製造方法を順次に示す断面図。
【図２４】本発明の他の一実施例による液晶表示装置を示す断面図。
【図２５】本発明の他の一実施例によって液晶表示装置から支持体を除去する段階を示す断面図。
【符号の説明】
【０１０６】
１１、２１  配向膜
４０、８０  支持体
７０        切断部
５０、９０  接着テープ
１００      薄膜トランジスタ表示板
１１０      下部基板
１２１      ゲート線
１２４      ゲート電極
１２９      ゲートパッド
１４０      ゲート絶縁膜
１５１      半導体層
１８１、１８２、１８５  接触孔
１９０      画素電極
２００      カラーフィルター表示板
２１０      上部基板
２２０      黒色層
２３０      カラーフィルター
２５０      オーバーコート層
２７０      共通電極
３００      液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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