(57)【要約】【課題】  電磁ラッチを有するＨＤＤにおいて、安価な構成で、必要最低限の電流でラッチを駆動させ、消費電力を低減したディスク装置を提供する。【解決手段】  本願のディスク装置は、ラッチアームに取り付けられた永久磁石を用いてアクチュエータをラッチする電磁ラッチ機構において、巻線を有し永久磁石に制御可能な磁界を作用させてラッチアームを第１位置と第２位置との間で移動させる電磁石と、電磁石の巻線に第１の磁界発生用電流を供給する第１の磁界発生用電流回路と、当該第１の磁界とは別の第２の磁界発生用電流を供給する第２の磁界発生用電流回路とを有するラッチ機構駆動回路とからなり、温度センサで検出された温度に応じた第１、第２の磁界発生用電流回路を選択的に切り替え制御する制御手段とを有する。【選択図】      図８
2006236533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内に回転可能に設けられたディスク状の媒体と、
前記媒体に情報を記録および再生するヘッドと、
前記ヘッドを前記媒体表面に沿って移動させるアクチュエータと、
前記ヘッドを前記媒体から外れた位置に保持すべく前記アクチュエータを退避位置に係止するラッチ機構と、を有し、
前記ラッチ機構は、
前記アクチュエータを前記退避位置に係止する第１位置と当該アクチュエータの前記退避位置から移動を許容する第２位置との間で移動可能に設定されたラッチアームと、
前記ラッチアームに取り付けられた永久磁石と、
巻線を有し、前記永久磁石に制御可能な磁界を作用させて前記ラッチアームを前記第１位置と第２位置との間で移動させる電磁石と、
前記電磁石の巻線に第１の磁界発生用電流を供給する第１の磁界発生用電流回路と、当該第１の磁界とは別の第２の磁界発生用電流を供給する第２の磁界発生用電流回路とを有するラッチ機構駆動回路と、
ディスク装置内の温度を検出する温度センサと、
前記温度センサにより検出された温度に対応して、前記ラッチ機構駆動回路のに対し、前記第１の磁界発生用電流回路と前記第２の磁界発生用電流回路を選択的に切り替え制御する制御手段と
を有することを特徴とするディスク装置。
【請求項２】
前記ラッチ機構駆動駆動回路は、複数のＭＯＳ型ＦＥＴを直列に接続し、
前記直列に接続された複数のＭＯＳ型ＦＥＴに前記電磁石の巻線が直列に接続される
ことを特徴とした請求項１に記載のディスク装置。
【請求項３】
前記ラッチ機構駆動駆動回路は、複数のＭＯＳ型ＦＥＴを並列に接続し、
前記並列に接続された複数のＭＯＳ型ＦＥＴに前記電磁石の巻線が並列に接続される
ことを特徴とした請求項１に記載のディスク装置。
【請求項４】
前記制御手段には少なくとも３つ以上のＭＯＳ型ＦＥＴが接続され、これらＭＯＳ型ＦＥＴは前記電磁石の巻線に直列に接続される
ことを特徴とした請求項２に記載のディスク装置。
【請求項５】
前記制御手段には少なくとも３つ以上のＭＯＳ型ＦＥＴが接続され、これらＭＯＳ型ＦＥＴは前記電磁石の巻線に並列に接続される
ことを特徴とした請求項３に記載のディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ディスク状の媒体に情報を記憶および再生するディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータの外部記録装置や画像記録装置として磁気ディスク装置、光ディスク装置などのディスク装置が広く用いられている。
ディスク装置として、例えば、磁気ディスク装置は、一般に、矩形箱状の筐体を有している。筐体内には、磁気記録媒体としての磁気ディスク、この磁気ディスクを支持および回転させるスピンドルモータ、磁気ディスクに対して情報の書き込み、読み出しを行なう複数の磁気ヘッド、これらの磁気ヘッドを磁気ディスクに対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ、ヘッドアクチュエータを回動および位置決めするボイスコイルモータ、ヘッドＩＣ等を有する基板ユニット等が収納されている。
【０００３】
また、筐体内には、磁気ヘッドを磁気ディスクから外れた位置に退避させた退避位置にヘッドアクチュエータを拘束するランプロード機構、および外部からの振動などによりヘッドアクチュエータが退避位置から不用意に外れることを防止するためのラッチ機構が設けられている。
【０００４】
ラッチ機構として、ヘッドアクチュエータの回転軸に対して直交する方向に回転軸を有するラッチレバーを設け、ラッチレバーに永久磁石を付設し且つこの永久磁石に対向して鉄芯付きの電磁石を筐体に固定したラッチ機構が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかし、この種のラッチ機構は、ラッチレバーに永久磁石を付設しているため、たとえば、ヘッドアクチュエータを駆動するボイスコイルモータからの漏れ磁束などの影響により、或いは周囲に配置された磁性体の影響により、ラッチレバーの移動時に永久磁石に不所望な磁力が作用し、ラッチレバーが正常に動作しない問題が生じる。このように、ラッチ機構が正常に動作しないと、最悪の場合、磁気ディスクが回転していない状態で、ヘッドアクチュエータが退避位置から不用意に外れて、磁気ヘッドが停止している磁気ディスクに吸着してしまい、記録された情報を損なうという重大な問題を生じる可能性がある。
【０００６】
また、従来の装置では、電磁ラッチを開放動作させる駆動電流はＯＮ／ＯＦＦの２値制御を行っている。そのため電磁ラッチのマグネット力やコイル抵抗は温度に依存し変化するため、低温環境においては、室温環境に比べ電磁ラッチ開放動作により大きな駆動電流を印加する必要がある。先行技術では低温動作を考慮して、室温でも必要以上に電流を印加しなくてはならず、消費電力が大きくなるという問題が生じる。
【０００７】
さらに、ラッチ開放後は磁気吸引力が低下するために、開放動作時ほどの駆動電流は必要としないが、ＯＮ／ＯＦＦの２値電流制御では、開放後も開放時と同じ電流を印加しなくてはならないため、必要以上の装置消費電力のロスを導いていた。
【特許文献１】特開２００３−６８０３８公報（段落［０００６］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、信頼性の高いラッチ機構を有するディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明のディスク装置は、筐体内に回転可能に設けられたディスク状の媒体と、前記媒体に情報を記録および再生するヘッドと、
前記ヘッドを前記媒体表面に沿って移動させるアクチュエータと、前記ヘッドを前記媒体から外れた位置に保持すべく前記アクチュエータを退避位置に係止するラッチ機構と、を有し、前記ラッチ機構は、前記アクチュエータを前記退避位置に係止する第１位置と当該アクチュエータの前記退避位置から移動を許容する第２位置との間で移動可能に設定されたラッチアームと、前記ラッチアームに取り付けられた永久磁石と、巻線を有し、前記永久磁石に制御可能な磁界を作用させて前記ラッチアームを前記第１位置と第２位置との間で移動させる電磁石と、前記電磁石の巻線に第１の磁界発生用電流を供給する第１の磁界発生用電流回路と、当該第１の磁界とは別の第２の磁界発生用電流を供給する第２の磁界発生用電流回路とを有するラッチ機構駆動回路と、ディスク装置内の温度を検出する温度センサと、前記温度センサにより検出された温度に対応して、前記ラッチ機構駆動回路のに対し、前記第１の磁界発生用電流回路と前記第２の磁界発生用電流回路を選択的に切り替え制御する制御手段とを有する。
【００１０】
上記発明によると、ディスク装置の使用環境の変化等によって装置内温度が変化した場合、例えば低温に変化した場合など、温度センサにより検出した装置内温度に対応した磁界発生用電流回路を選択して電磁石の巻線に適切な駆動電流を供給することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
この発明のディスク装置は、上記のような構成および作用を有しているので、信頼性の高いラッチ機構を有すると共に、安価な構成で必要最低限の電流でラッチを駆動させ消費電力を低減することが可能なディスク装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら、この発明の実施の形態に係るディスク装置として、ハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと称する）について詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１および図２に示すように、ＨＤＤは後述する種々の部材が収納されたほぼ矩形箱状の筐体１０と、筐体１０の外面に重ねて設けられた矩形状の制御回路基板１２と、を備えている。筐体１０および制御回路基板１２は、例えば、長さＬが３２ｍｍ、幅Ｗが２４ｍｍに形成され、筐体および制御回路基板を含む厚さＴは、収納するディスクの枚数に応じて、例えば、３．３ｍｍあるいは５ｍｍ程度に設定されている。
【００１３】
図２ないし図５に示すように、筐体１０は、互いにほぼ等しい寸法に形成された第１シェル１０ａおよび第２シェル１０ｂにより構成されている。第１および第２シェル１０ａ、１０ｂは、それぞれ磁性体材料によりほぼ矩形状に形成され、周縁部には側壁が立設されている。第１および第２シェル１０ａ、１０ｂは、その周縁部同士が対向した状態で、互いに向い合わせて配置されている。第１および第２シェル１０ａ、１０ｂの周縁部には帯状のシール材１６が巻き付けられ、このシール材により周縁部が互いに接続されているとともに、周縁部間の隙間がシールされている。これにより、矩形箱状の密閉された筐体１０が構成されている。
【００１４】
第１シェル１０ａの底面は矩形状の実装面１１を形成している。実装面１１の角を含む筐体１０の４つの角は円弧状に丸めて形成されている。これにより、筐体１０の周縁部に巻装されたシール材１６が、筐体の角で損傷することを防止しているとともに、シール材の浮きによる気密性の悪化を防止している。
【００１５】
筐体１０内において、筐体の周縁部には複数の支持ポスト１８が設けられている。各支持ポスト１８は、第１シェル１０ａの内面に固定された基端を有し、第１シェルの内面に対してほぼ垂直に立設されている。各支持ポスト１８の位置で、実装面１１にねじ孔が形成され、支持ポスト内まで延びている。
【００１６】
筐体１０内には、ディスク状の媒体として機能する例えば、直径０．８５インチの磁気ディスク２０、この磁気ディスクを支持および回転させるスピンドルモータ２２、磁気ディスクに対して情報の書き込み、読み出しを行なう磁気ヘッド２４、磁気ディスク２０に対して磁気ヘッドを移動自在に支持したキャリッジ２６（アクチュエータ）、キャリッジを回動および位置決めする駆動モータとしてのボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）２８、磁気ヘッドが磁気ディスクの周縁部に移動した際、磁気ヘッドを磁気ディスクから離間した位置にアンロードして保持拘束するランプロード機構３０、キャリッジを退避位置に保持するラッチ機構３２、およびヘッドＩＣ等を有する基板ユニット３４等が収納されている。
【００１７】
磁気ヘッド２４は、空気軸受面を有しており、回転する磁気ディスク２０上を浮上しながら滑らかに移動することができる。しかし、非回転の磁気ディスク２０と磁気ヘッド２４が対向すると、磁気ディスク２０上に記録された情報を損傷する可能性がある。
【００１８】
スピンドルモータ２２は、第１シェル１０ａに取り付けられている。スピンドルモータ２２は枢軸３６を有し、この枢軸は第１シェル１０ａの内面に固定され、この内面に対してほぼ垂直に立設されている。枢軸３６の延出端は、第２シェル１０ｂの外側からねじ込まれた固定ねじ３７により第２シェルにねじ止めされている。これにより、枢軸３６は第１および第２シェル１０ａ、１０ｂに両持ち支持されている。
【００１９】
枢軸３６には、図示しない軸受を介してロータが回転自在に支持されている。ロータの第２シェル１０ｂ側の端部は円柱形状のハブ４３を構成し、このハブには、磁気ディスク２０が同軸的に嵌合されている。ハブ４３の端部には、環状のクランプリング４４が嵌合されて、磁気ディスク２０の周縁部を保持している。これにより、磁気ディスク２０はロータに固定され、ロータと一体的に回転可能に支持されている。
【００２０】
ロータの第１シェル１０ａ側の端部には図示しない環状の永久磁石が固定され、ロータと同軸的に位置している。スピンドルモータ２２は、第１シェル１０ａに取り付けられたステータコア、およびこのステータコアに巻回された複数のコイルを有し、これらステータコアおよびコイルは、永久磁石の外側に隙間を置いて配置されている。
【００２１】
ヘッドアクチュエータを構成するキャリッジ２６は、第１シェル１０ａの内面上に固定された軸受組立体５２を備えている。軸受組立体５２は、第１シェル１０ａの内面に対して垂直に立設された枢軸５３と、一対の軸受を介して枢軸５３に回転自在に支持された円筒形状のハブ５４と、を有している。枢軸５３の延出端は、第２シェル１０ｂの外側からねじ込まれた固定ねじ５６により第２シェルにねじ止めされている。これにより、枢軸５３は第１および第２シェル１０ａ、１０ｂに両持ち支持されている。軸受部として機能する軸受組立体５２は、スピンドルモータ２２に対し、筐体１０の長手方向に並んで配設されている。
【００２２】
キャリッジ２６は、ハブ５４から延出したアーム５８、アームの先端から延出した細長い板状のサスペンション６０、ハブ５４からアームと反対方向に延出した支持フレーム６２を備えている。サスペンション６０の延出端には、図示しないジンバル部を介して磁気ヘッド２４が支持されている。磁気ヘッド２４はサスペンション６０のばね力により磁気ディスク２０表面に向かって所定のヘッド荷重が印加されている。支持フレーム６２には、ＶＣＭ２８を構成するボイスコイル６４が一体的に固定されている。
【００２３】
キャリッジ２６を軸受組立体５２の回りで回動させるＶＣＭ２８は、第１シェル１０ａ上に固定され互いに隙間を置いて対向した一対のヨーク６３と、一方のヨークの内面に固定されボイスコイルに対向した図示しない磁石と、を備えている。ボイスコイル６４に通電することにより、キャリッジ２６は、図３に示す退避位置と磁気ディスク２０の表面上に位置する動作位置との間を回動し、磁気ヘッド２４は磁気ディスク２０の所望のトラック上に位置決めされる。図３に示す２つのストッパ１３０によりキャリッジ２６の可動範囲は制限される。
【００２４】
第１シェル１０ａに固定されたラッチ機構３２は、退避位置に移動したキャリッジ２６をラッチ（係止）し、ＨＤＤが衝撃等の外力を受けた際、キャリッジ２６が退避位置から作動位置へ移動することを防止する。
【００２５】
ランプロード機構３０は、第１シェル１０ａの内面に固定され磁気ディスク２０の周縁部に対向したランプ部材７０と、サスペンション６０の先端から延出し係合部材として機能するタブ７２と、を備えている。ランプ部材７０は樹脂などで金型成型され、タブ７２が係合可能なランプ面７３を有している。キャリッジ２６が磁気ディスク２０の内周部から磁気ディスク外周の退避位置まで回動すると、タブ７２は、ランプ部材７０のランプ面７３に係合し、その後、ランプ面の傾斜によって引き上げられ、磁気ヘッド２４のアンロード動作を行なう。キャリッジ２６が退避位置まで回動すると、タブ７２はランプ部材７０のランプ面７３上に支持され、磁気ヘッド２４は磁気ディスク２０の表面から離間した状態に保持される。
【００２６】
基板ユニット３４は、フレキシブルプリント回路基板により形成された本体３４ａを有し、この本体３４ａは第１シェル１０ａの内面に固定されている。本体３４ａ上にはヘッドＩＣ、ヘッドアンプ等の電子部品が実装されている。基板ユニット３４は本体３４ａから延出したメインフレキシブルプリント回路基板（以下、メインＦＰＣと称する）３４ｂを有している。メインＦＰＣ３４ｂの延出端は、キャリッジ２６の軸受組立体５２近傍に接続され、更に、アーム５８およびサスペンション６０上に設けられた図示しないケーブルを介して磁気ヘッド２４に電気的に接続されている。基板ユニット３４の本体底面には制御回路基板１２と接続するためのコネクタ３４ｃが実装されている。このコネクタ３４ｃは、第１シェル１０ａに形成された開孔を介して第１シェルの実装面１１に露出してい
【００２７】
る。
図２および図４に示すように、プリント回路基板からなる制御回路基板１２は筐体１０の実装面１１とほぼ等しい長さおよび幅を有した矩形状を有している。筐体１０の実装面１１には、スピンドルモータ２２に対応した円形の凸部７０ａ、および軸受組立体５２に対応した円形の凸部７０ｂがそれぞれ形成されている。制御回路基板１２には、これらの凸部７０ａ、７０ｂにそれぞれ対応した円形の開口７２ａ、７２ｂが形成されている。制御回路基板１２の４つの角部は、それぞれ斜めに、例えば、各辺に対して４５度の角度で斜めに切欠かれ、それぞれ切欠き部７７を形成している。制御回路基板１２の内面上、つまり、筐体１０と対向する面上には、複数の電子部品７４、およびコネクタ７１が実装されている。また、制御回路基板１２にはＨＤＤを外部機器と電気的に接続するためのフレキシブルプリント回路基板７６が接続されている。フレキシブルプリント回路基板７６は制御回路基板１２の一方の短辺から外方に引き出され、その延出端には複数の接続端子７５が形成されている。
【００２８】
上記構成の制御回路基板１２は、筐体１０の実装面１１に重ねて配置され、複数のねじにより第１シェル１０ａにねじ止めされている。この際、制御回路基板１２は、４つの辺が実装面１１の４辺とそれぞれ整列した状態、つまり、実装面１１の４辺と一致した状態で配置されている。実装面１１に形成された凸部７０ａ、７０ｂは、それぞれ制御回路基板１２の開口７２ａ、７２ｂ内に配置されている。制御回路基板１２上に実装されたコネクタ７１は、基板ユニット３４のコネクタに接続される。
【００２９】
制御回路基板１２の４つの角部に形成された切欠き部７７は、それぞれ実装面１１の４つの角部に位置している。これにより、実装面１１の４つの角部は制御回路基板１２によって覆われることなく外部に露出している。実装面１１の露出した４つの角部を含む筐体１０の角部は、制御回路基板１２に接触することなく筐体を保持するための保持部７８をそれぞれ構成している。
【００３０】
以下、この発明の第１の実施の形態に係るラッチ機構３２について、図６および図７に示す模式図を参照して詳細に説明する。図６には、発明の要部の構成のみを簡略化して図示してあるとともにＶＣＭ２８の一対のヨーク６３および磁石の図示を省略したＨＤＤの内部構造を示してある。また、図７には、図６の線分VII-VIIで切断した断面図として、ラッチ機構３２の動作を説明するための動作説明図を示してある。
【００３１】
ラッチ機構３２は、第１シェル１０ａに取り付けられた支持部材１１２に対し、ピン８２により、回転可能に取り付けられたラッチアーム８０を有する。すなわち、ラッチアーム８０は、その先端および後端が第１シェル１０ａおよび第２シェル１０ｂに離接する方向に回転可能に取り付けられている。
【００３２】
ラッチアーム８０の先端には、キャリッジ２６の支持フレーム６２の後端側から突設された突起６２ａに係合する爪部８１が突設されている。すなわち、図７（ａ）に示すラッチ位置にラッチアーム８０が回動された状態で、爪部８１が支持フレーム６２の突起６２ａに係合し、キャリッジ２６が図６に示す退避位置から動作位置へ移動することを防止する。一方、図７（ｂ）に示す解除位置にラッチアーム８０が回動された状態で、キャリッジ２６の動作位置への移動が許容される。
【００３３】
ラッチアーム８０の後端には、永久磁石８４が埋設されている。また、第２シェル１０ｂの永久磁石８４に対向する位置には、支持部材１１２を介して鉄芯８６および巻線８８を有する電磁石９０が取り付けられている。電磁石９０は、ラッチアーム８０の後端に埋設された永久磁石８４に対して制御可能な磁界を作用させる。
【００３４】
また、ラッチアーム８０の動作により図７（ｂ）に示すように永久磁石８４が近付く第１シェル１０ａの部位には、孔９２が設けられている。孔９２の位置および形状は、図７（ｂ）に示すように永久磁石８４が近付いた際に、少なくとも永久磁石８４に不所望な磁力が作用しない位置および形状に設定されている。これにより、図７（ｂ）に示す解除位置にラッチアーム８０が回動した際、永久磁石８４が第１シェル１０ａに引き寄せられたり磁着したりすることを防止でき、ラッチ機構３２の誤動作を防止できる。尚、孔９２には、非磁性体により形成されたシール部材１３１が貼着され、筐体１０の内部を機密に保持している。
【００３５】
上記構造のラッチ機構３２は、以下のように動作する。
例えば、電磁石９０の巻線８８に電流を流さずにおくと鉄芯８６と永久磁石８４の間に吸入力が作用するので図７（ａ）に示すようにラッチアーム８０がラッチ位置に配置され、ラッチアーム８０の先端にある爪部８１が支持フレーム６２の突起６２ａに係合可能となる。この状態で、キャリッジ２６が退避位置から動作位置へ移動しようとすると、支持フレーム６２の突起６２ａがラッチアーム８０の爪部８１に係合して移動が規制され、キャリッジ２６が退避位置に係止される。
【００３６】
逆に、電磁石９０の巻線８８に適切な方向にある一定以上の電流を流して永久磁石８４を遠ざける方向の磁界を生じると、図７（ｂ）に示すように、永久磁石８４と電磁石９０との間に反発力が作用し、ラッチアーム８０が解除位置に付勢される。この状態で、キャリッジ２６の退避位置から動作位置への移動が許容される。
【００３７】
ラッチアーム８０を解除位置に付勢したとき、ラッチアーム８０の爪部８１がラッチ位置から退避すると同時に、永久磁石８４が第１シェル１０ａに近付く方向に移動するが、本実施の形態では、永久磁石８４が近付く部位で第１シェル１０ａに孔９２を形成したため、永久磁石８４に不所望な磁界が作用することがなく、電流を止めるとラッチアーム８０は自然にラッチ位置に戻る。
【００３８】
しかし、もし、第１シェル１０ａの上述した部位に孔９２を形成しないと、ラッチアーム８０の動作により永久磁石８４が近付いた際に、磁性体からなる第１シェル１０ａに永久磁石８４が引き付けられ磁力で吸着してしまう場合がある。このように、永久磁石８４が第１シェル１０ａに磁着してしまうと、電磁石９０の巻線８８に流す電流を切っても、ラッチアーム８０の後端が第１シェル１０ａに近付いたまま固定されてしまい、ラッチアーム８０を動作できなくなる場合がある。
【００３９】
このため、本実施の形態では、永久磁石８４が近付く部位で第１シェル１０ａに孔９２を形成し、永久磁石８４に不所望な磁力が作用しないようにした。
以上のように、本実施の形態によると、ラッチアーム８０の動作時に永久磁石８４が近付く第１シェル１０ａの部位に孔９２を設けたため、永久磁石８４が第１シェル１０ａに近付いたときに両者が磁力で吸着してラッチアーム８０が誤動作する不具合を防止でき、信頼性の高いラッチ機構３２を実現できる。
【００４０】
また、本実施の形態によると、ラッチ機構３２を組み立てる際に、孔９２から治具を挿入してラッチアーム８０を支えて作業性を向上させることもできる。さらに、孔９２を介して第２シェル１０ｂの外側からラッチ機構３２を目視確認することができ、組み立て後にラッチ機構３２が正常に動作するか否かを容易に確認できる。シール部材はその後貼れば良い。
【００４１】
次に、本実施形態に係る電磁ラッチ機構３２の電磁石巻線へ磁界発生用電流を供給するラッチ機構駆動回路８００について、図８を用いて説明する。
図７に本実施形態に係る電磁ラッチ機構３２の断面構成図を記載する。ラッチアーム８０内部には永久磁石８４が埋め込まれており、永久磁石８４と対向する位置に電磁石９０（コイル巻線８８が巻かれた鉄心８６）が配置されている。永久磁石８４と鉄心８６が吸引しあう事で、通常、ＨＤＤの動作時はこのラッチ機構３２のラッチアーム８０は閉じた状態を維持するが、電源遮断時等の緊急時にヘッドをディスク媒体外に退避して固定するような場合、永久磁石８４と反発するようにコイル巻線８８に電流を流すことで、電磁ラッチ機構３２のラッチアーム８０を開くことが出来る。
【００４２】
図８は図７に示した本実施形態の電磁ラッチ機構３２を開閉させるためのラッチ機構駆動回路８００であるが、ＣＰＵ８０１の汎用ポートに複数の、本実施形態では３つのＭＯＳ型のＦＥＴ８０２ａ、８０２ｂ、８０２ｃが直列に接続されており、ＭＯＳ型ＦＥＴ８０２ａ、８０２ｂ、８０２ｃの各ドレイン側に電磁ラッチ機構３２のコイル巻線８０３が直列に接続されるている。
【００４３】
電磁ラッチ機構３２を有するＨＤＤでは、ヘッド２４を磁気ディスク２０外に退避、即ちロード／アンロードする場合（少なくともロードする場合）には、図８に示すようなラッチ機構駆動回路８００を用いて、永久磁石８４と鉄心８６間の磁気吸引力に打ち勝つようにコイル巻線８０３に電流を流してラッチを開く。
【００４４】
このような本実施形態のラッチ機構駆動回路８００を用いれば、所望のタイミングでＣＰＵ８０１の汎用ポート（ａ、ｂ、ｃ）の信号をロー（Ｌ）からアクティブ（Ｈ）にして、ＭＯＳ型ＦＥＴ８０２ａ、８０２ｂ、８０２ｃをＯＮすることで電磁ラッチ機構３２のコイル巻線８０３に電流が流れ、ラッチアーム８０を開放状態に維持することが出来る。ロード／アンロードが完了した時点で信号をアクティブ（Ｈ）からロー（Ｌ）に戻すことで、コイル巻線８０３に供給される電流は遮断され、ラッチアーム８０は閉じた状態に戻る。
【００４５】
ところで、電磁ラッチ機構３２のラッチアーム８０に取り付けられた永久磁石８４の吸引力（磁力）やコイル巻線８０３の抵抗は、温度、特に装置内部の温度に大きく依存して変化するため、低温環境においては、室温環境に比べ電磁ラッチ機構３２のラッチアーム８０の開放動作で大きな駆動電流を印加する必要が生じる。しかし、従来技術ではＯＮ／ＯＦＦの２値電流制御を行なっていたため、低温動作を考慮した場合、室温でも必要以上に電流を印加することになる。
【００４６】
また、ラッチアーム８０の開放後は磁気吸引力が低下するために、開放動作時ほどの駆動電流は必要としないが、従来技術ではＯＮ／ＯＦＦの２値電流制御のため、開放後も開放時と同じ電流を印加しなくてはならないため、必要以上に装置消費電力のロスが発生していた。
【００４７】
これに対し本実施形態における電磁ラッチ機構３２のラッチ機構駆動回路８００では、ＣＰＵ８０１に最低３つのＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）８０２ａ、８０２ｂ、８０２ｃが電磁ラッチ機構３２のコイル巻線８０３に直列接続されている。また、温度センサ８０４がＨＤＤ内、或いは、ＨＤＤ近傍に搭載され、この温度センサ８０４を利用して、外部環境に対応したラッチ駆動電流を電磁ラッチ機構３２に供給するようにしている。本実施形態に係るラッチ機構駆動回路８００には、抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）８０５ａ、８０５ｂ、８０５ｃに関しては、駆動に必要な電流に従い予め決定しておいた抵抗値の抵抗を配置する。
【００４８】
本実施形態におけるラッチ開閉制御においては、図９（ａ）〜（ｃ）に示すような、ラッチアーム８０の開放角度θと開放時間との関係（図９（ａ））、装置内温度が高温時のＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）８０２ａ、８０２ｂ、８０２ｃへの制御信号と時間との関係（図９（ｂ））、装置内温度が低温時のＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）８０２ａ、８０２ｂ、８０２ｃへの制御信号と時間との関係（図９（ｃ））となっており、温度センサ８０４で観測された環境温度、特にＨＤＤ装置内の温度に従い、ラッチアーム８０の開放動作および開放状態維持におけるＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）８０２ａ、８０２ｂ、８０２ｃへを決定する。
【００４９】
本実施形態でのラッチアーム８０の開放駆動においては、
駆動に電流を必要としない常温・高温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）８０２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）８０２ｂをＯＦＦ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）８０２ｃをＯＮとする。
駆動に電流を必要とする低温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）８０２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）８０２ｂをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）８０２ｃをＯＮとする。
【００５０】
また、本実施形態でのラッチアーム８０の開放動作後においては、ラッチアーム８０の状態維持に必要な電流は駆動時に比べ少ないため、
常温・高温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）８０２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）８０２ｂをＯＦＦ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）８０２ｃをＯＦＦとする。
低温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）８０２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）８０２ｂをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）８０２ｃをＯＦＦとする。
以上のように構成されたディスク装置によれば、上記のような構成をとることにより、ディスク装置の使用環境の変化等によって装置内温度が変化した場合、例えば低温に変化した場合など、温度センサにより検出した装置内温度に対応した磁界発生用電流回路を選択して電磁石の巻線に適切な駆動電流を供給することが可能となる。
【００５１】
そして、信頼性の高いラッチ機構を有すると共に、安価な構成で必要最低限の電流でラッチを駆動させ消費電力を低減することが可能なディスク装置を提供することができる。
【００５２】
（第２の実施形態）
次に第２の実施形態として、図１０に示すようなラッチ機構駆動回路１０００を説明する。図１０に示した第２の実施形態では、電磁ラッチ機構３２を開閉させるためのラッチ機構駆動回路１０００は、ＣＰＵ１００１の汎用ポートに複数の、第２の実施形態では３つのＭＯＳ型のＦＥＴ１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃが並列に接続されており、ＭＯＳ型ＦＥＴ１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃの各ドレイン側に電磁ラッチ機構３２のコイル巻線１００３が並列に接続されるている。
【００５３】
第２の実施形態における電磁ラッチ機構３２のラッチ機構駆動回路１０００では、ＣＰＵ１００１に最低３つのＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃが電磁ラッチコイル１００３に対して並列接続されている。また、温度センサ１００４がＨＤＤ内、或いは、ＨＤＤ近傍に搭載され、この温度センサ１０４を利用して、外部環境に対応したラッチ駆動電流を電磁ラッチ機構３２に供給するようにしている。第２の実施形態に係るラッチ機構駆動回路１０００には、抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）１００５ａ、１００５ｂ、１００５ｃに関しては、駆動に必要な電流に従い予め決定しておいた抵抗値の抵抗を配置する。例えばそれぞれの抵抗値Ｒ１＝Ｒ２＝Ｒ３であっても良い。
【００５４】
第２の実施形態におけるラッチ開閉制御においては、図１１（ａ）〜（ｃ）に示すような、ラッチアーム８０の開放角度θと開放時間との関係（図１１（ａ））、装置内温度が高温時のＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃへの制御信号と時間との関係（図１１（ｂ））、装置内温度が低温時のＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃへの制御信号と時間との関係（図１１（ｃ））となっており、温度センサ１００４で観測された環境温度、特にＨＤＤ装置内の温度に従い、ラッチアーム８０の開放動作および開放状態維持におけるＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）１００２ａ、１００２ｂ、１００２ｃへを決定する。
【００５５】
本実施形態でのラッチアーム８０の開放駆動においては、
駆動に電流を必要としない常温・高温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）１００２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）１００２ｂをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）１００２ｃをＯＦＦとする。
駆動に電流を必要とする低温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）１００２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）１００２ｂをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）１００２ｃをＯＮとする。
【００５６】
また、第２の実施形態でのラッチアーム８０の開放動作後においては、ラッチアーム８０の状態維持に必要な電流は駆動時に比べ少ないため、
常温・高温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）１００２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）１００２ｂをＯＦＦ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）１００２ｃをＯＦＦとする。
低温環境においては、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１）１００２ａをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ２）１００２ｂをＯＮ、ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ３）１００２ｃをＯＦＦとする。
以上述べた第２の実施形態のように構成されたディスク装置においても、このような構成をとることにより、ディスク装置の使用環境の変化等によって装置内温度が変化した場合、例えば低温に変化した場合など、温度センサにより検出した装置内温度に対応した磁界発生用電流回路を選択して電磁石の巻線に適切な駆動電流を供給することが可能となり、信頼性の高いラッチ機構を有すると共に、安価な構成で必要最低限の電流でラッチを駆動させ消費電力を低減することが可能なディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の形態に係るＨＤＤを示す斜視図。
【図２】図１のＨＤＤの分解斜視図。
【図３】図１のＨＤＤの筐体および内部構造を示す平面図。
【図４】図１のＨＤＤの制御回路基板側を示す斜視図。
【図５】図１の線Ａ−Ａに沿ったＨＤＤの断面図。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係るラッチ機構を含むＨＤＤの内部構造を模式的に示した概略図。
【図７】図６の線分VII-VIIに沿って切断した部分拡大断面図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るラッチ回路の回路構成図。
【図９】本発明の第１の実施形態に係るラッチ回路の制御タイミングチャート。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係るラッチ回路の回路構成図。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係るラッチ回路の制御タイミングチャート。
【符号の説明】
【００５８】
１０……筐体
１０ａ……第１シェル
１０ｂ……第２シェル
１２……制御回路基板
１６……シール材
２０……磁気ディスク
２６……キャリッジ
２８……ＶＣＭ
３２……ラッチ機構
６２……支持フレーム
６２ａ……突起
８０……ラッチアーム
８１……爪部
８２……ピン
８４……永久磁石
９０……電磁石
８００……ラッチ機構駆動回路
８０１……ＣＰＵ
８０２ａ−ｃ……ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）
８０３……コイル巻線
８０４……温度センサ
８０５ａ−ｃ……抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）
１０００……ラッチ機構駆動回路
１００１……ＣＰＵ
１００２ａ−ｃ……ＭＯＳ型ＦＥＴ（Ｑ１〜Ｑ３）
１００３……コイル巻線
１００４……温度センサ
１００５ａ−ｃ……抵抗（Ｒ１〜Ｒ３）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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