(57)【要約】【課題】光ガイド層の層厚および材料組成の制御を簡便に高精度で行なうことができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板１９上には、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２０、ノンドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ光ガイド評価層２１、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第１クラッド層２２、ｎ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第２クラッド層２３、ノンドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第１光ガイド層２４、ノンドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ量子井戸活性層２５、ノンドープＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第２光ガイド層２６、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第１クラッド層２７、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層２８、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ第２クラッド層２９およびｐ型ＧａＡｓキャップ層３０を形成している。光ガイド評価層２１のＡｌ混晶比は第１，２光ガイド層２４，２６のＡｌ混晶比と同じになっている。【選択図】図２Ｄ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、
上記活性層による発振光を閉じ込める光ガイド層と、
上記光ガイド層の材料組成と同じ材料組成を有する光ガイド評価層と
を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザ素子において、
上記光ガイド評価層と上記活性層との間に位置するクラッド層を備えていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体レーザ素子において、
上記光ガイド評価層の層厚は上記光ガイド層の層厚より厚いことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体レーザ素子を製造する製造方法であって、
上記光ガイド評価層の材料組成を測定し、上記光ガイド評価層の材料組成の測定結果に基づいて上記光ガイド層の成長条件を調整することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体レーザ素子を製造する製造方法であって、
上記光ガイド評価層の材料組成を測定し、上記光ガイド評価層の層厚の測定結果に基づいて上記光ガイド層の成長条件を調整することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ素子及びその製造法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＤＶＤ（デジタル多目的ディスク）、ＣＤ（コンパクトディスク）用のピックアップに用いられる化合物半導体デバイスである半導体レーザ素子の需要は益々拡大しており、特性のばらつきが少なく信頼性に優れた半導体レーザが要求されている。
【０００３】
半導体レーザ素子の基本構造としてダブルヘテロ接合が用いられていたが、光出力の高出力化、或いはしきい電流の低電流化の要求に伴い、例えば、キャリア閉じ込め領域と光り閉じ込め領域（光ガイド層）とが分離されたＳＣＨ（separate confinement heterostructure：分離閉じ込めヘテロ構造）や、活性領域に量子井戸が形成されたＭＱＷ（multi quantum well：多重量子井戸）構造といった積層構造が提案されている。これらの積層構造で最も薄い層厚は数十〜数百Åであり、従来の液相エピタキシ法に代わり層厚制御が容易なＭＯＣＶＤ（metal organic chemical vapor deposition：有機金属気相成長）法やＭＢＥ（molecular beam epitaxy：分子線エピタキシ）法などの気相エピタキシ法が半導体薄膜の形成に使われている。
【０００４】
上記気相エピタキシ法で作成した半導体レーザ素子の特性ばらつきを低減する方法として積層構造の各層厚や材料組成の制御が重要となる。一般的に、上記半導体レーザ素子のような積層構造を結晶成長する場合、積層構造を結晶成長する前段階として、積層構造を構成する各層ごとに単層で成長を行い層厚や材料の組成比などの評価を行い、成長時間や、ガス流量などの成長条件を積層構造へフィードバックしている。さらに、上記積層構造の結晶成長を開始しても、積層構造を構成する各層の層厚や組成比を測定し、設計値からのずれを調整して、次の積層構造の結晶成長を行う。
【０００５】
層厚を測定する方法としては、ウェハをへき開し、積層した層の断面を走査電子顕微鏡などで直接観察する方法や、堆積した層を選択的にエッチングし、その段差を接触式段差計で測定する方法などがある。材料組成比の評価としては目的の層のフォトルミネッセンス測定やＸ線回折測定を行なって組成比の同定を行なっている。
【０００６】
従来、半導体レーザ素子としては、特開２００３−６０３１５号公報（特許文献１）に記載されたものがある。
【０００７】
上記従来のリッジ型半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図１Ａに示すように、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層２（層厚０．５μm）、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層３（ｘ＝０．４６、層厚２．７μm）、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層４（ｘ＝０．４８、層厚０．２μm）、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第１光ガイド層５（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層６、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第２光ガイド層７（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層８（ｘ＝０．４８、層厚０．２μm）、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層９（層厚２６Å）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層１０（ｘ＝０．４８、層厚１．３μm）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１１（層厚０．７５μm）を順次結晶成長させる。
【０００８】
次に、図１Ｂに示すように、フォトリソグラフィー法などにより所定領域を覆うマスクパターンを有するレジスト１２を形成した後、エッチングで上記所定領域の両側のｐ型ＧａＡｓキャップ層１１及びｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層１０を除去する。これにより、上記レジスト１２下に残ったｐ型ＧａＡｓキャップ層１１及びｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層１０がリッジを構成する。
【０００９】
次に、上記レジスト１２を除去した後、図１Ｃに示すように、リッジ形状内に電流を狭窄するためにｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ電流ブロック層１３（ｘ＝０．７、層厚１．０μm）、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１４（層厚０．３μm）及びｐ型ＧａＡｓ平坦化層１５（層厚０．７μm）を順次積層する。
【００１０】
次に、上記ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ電流ブロック層１３、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１４及びｐ型ＧａＡｓ平坦化層１５に関してリッジ上に形成された不要な部分を除去するために、リッジ上以外の部分にフォトリソグラフィー法でレジストを形成し、上記不要な部分をエッチング除去する。
【００１１】
次に、上記レジスト除去した後、図１Ｄに示すように、上記リッジ、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ電流ブロック層１３、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層１４及びｐ型ＧａＡｓ平坦化層１５上にｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６（層厚５０μm）を結晶成長させる。
【００１２】
最後に、上記ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１６上にｐ側電極１７を形成する一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１下にｎ側電極１８を形成すると、半導体レーザ素子が完成する。
【００１３】
ところで、記録再生の高速化のため、光ディスク用光源である半導体レーザ素子の高出力化が進んでいる。このため、上記半導体レーザ素子では、素子特性のばらつき低減と特性の再現性向上とのために放射角の制御が重要となってくるが、高出力半導体レーザ素子に用いられているＳＣＨ−ＭＱＷ構造における垂直方向の放射角は、活性層とクラッド層との屈折率差や、光閉じ込めを行っている光ガイド層の層厚や材料組成比に依存している。
【００１４】
特に、図１Ａに示すようなレーザ構造を連続結晶成長で形成する場合、出来上がったレーザ構造を評価し、ウェハ段階で設計値からのずれを見積もることは、半導体レーザ素子の特性を予測することができ、さらに設計からのずれを正常値へ補正することは、素子特性のばらつき低減と再現性向上とのためには重要な技術である。
【００１５】
上記レーザ構造の中で比較的層厚が厚いクラッド層はウェハ断面を走査電子顕微鏡で直接観察する方法や、堆積した層を選択的にエッチングし、その段差を接触式段差計で測定する方法などで層厚が評価可能である。
【００１６】
また、材料組成比の評価としては、目的の層にフォトルミネッセンス測定やＸ線回折測定を行なうことにより、目的の層の組成比の測定が可能である。
【００１７】
また、多重量子井戸活性層の評価としては、Ｘ線回折のサテライト反射を利用した周期層厚の測定が確立されている。
【００１８】
しかしながら、上記従来の半導体レーザ素子では、活性層を構成する光ガイド層は通常数百Å以下と非常に薄い設計層厚となっているため、半導体レーザ素子を構成する層の層厚や組成比をウェハ段階で測定することが困難である。
【００１９】
上記光ガイド層は放射角を決定する重要な層であるにもかかわらず、ウェハ段階での層厚や組成比の評価が難しく、素子特性ばらつきや再現性向上のために、結晶成長での設計値からのずれを補正するためにも、簡便な測定方法が求められている。
【００２０】
半導体レーザ素子の積層構造を連続結晶成長で形成する場合、光ガイド層の層厚や組成比を確認しようとすると、上記積層構造とは別に光ガイド層を単層で結晶成長させ、その光ガイド層の層厚や組成比の評価を行い、積層構造へのフィードバックを行なう方法などがとられている。この場合は、半導体レーザ素子の積層構造の結晶成長とは別に光ガイド層確認用の結晶成長が必要であるから、余分な結晶成長をする必要が出てきてしまう。
【００２１】
また、半導体レーザ素子の積層構造が含む光ガイド層の評価ができれば、その積層構造が形成されたウェハ自体の特性予測ができるため、例えばウェハ段階で特性の良品判定を行なうことも可能である。
【特許文献１】特開２００３−６０３１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
そこで、本発明の課題は、光ガイド層の層厚および材料組成の制御を簡便に高精度で行なうことができる半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するため、第１の発明の半導体レーザ素子は、
活性層と、
上記活性層による発振光を閉じ込める光ガイド層と、
上記光ガイド層の材料組成と同じ材料組成を有する光ガイド評価層と
を備えたことを特徴としている。
【００２４】
上記構成の半導体レーザ素子によれば、上記光ガイド評価層の層厚の評価は、例えば、光ガイド評価層を含むウェハの断面の走査電子顕微鏡観察したり、上記ウェハに選択エッチングを行い、この選択エッチングにより生じた段差を接触式段差計で測定したりすることで可能である。
【００２５】
また、上記光ガイド評価層の層厚をその成長時間で除算することにより、光ガイド層の成長レートを求めることができる。
【００２６】
また、上記光ガイド層の成長時間と上記成長レートとを掛け合わせることにより、上記成長時間で成長させる光ガイド層の層厚が推定できる。
【００２７】
また、上記光ガイド評価層の材料組成の評価は、フォトルミネッセンス法や、Ｘ線回折法を用いることで可能である。この評価結果に基づいて、光ガイド層の材料組成を推定できる。
【００２８】
このように、上記光ガイド評価層の層厚および材料組成を評価できるから、その評価結果に基づいて光ガイド層の層厚および材料組成の制御を簡便に高精度で行なうことができる。
【００２９】
一実施形態の半導体レーザ素子では、上記光ガイド評価層と上記活性層との間に位置するクラッド層を備えている。
【００３０】
上記実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記光ガイド評価層と上記活性層との間に位置するクラッド層を備えているから、光ガイド評価層が活性層の光学的な特性に悪影響を与え難くなっている。
【００３１】
なお、上記光ガイド評価層を第２導電型上クラッド層上に形成することは、従来のリッジ形成法では光ガイド評価層をリッジ形状にできない可能があるので好ましくない。
【００３２】
一実施形態の半導体レーザ素子では、上記光ガイド評価層下に形成された基板と、
上記光ガイド評価層と上記活性層との間に形成された第１導電型下クラッド層と、
上記活性層上に形成された第２導電型上クラッド層とを備える。
【００３３】
上記第１導電型とは、ｐ型またはｎ型を意味する。また、上記第２導電型とは、第１導電型がｐ型の場合はｎ型、ｎ型の場合はｐ型を意味する。
【００３４】
一実施形態の半導体レーザ素子では、上記光ガイド評価層の層厚は上記光ガイド層の層厚より厚い。
【００３５】
上記実施形態の半導体レーザ素子によれば、上記光ガイド評価層の層厚は光ガイド層の層厚より厚いので、光ガイド評価層の層厚および組成比の評価を簡単かつ高精度に行える。
【００３６】
第２の発明の半導体レーザ素子の製造方法は、上記第１の発明の半導体レーザ素子を製造する製造方法であって、上記光ガイド評価層の材料組成を測定し、上記光ガイド評価層の材料組成の測定結果に基づいて上記光ガイド層の成長条件を調整することを特徴としている。
【００３７】
上記構成の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記光ガイド評価層の材料組成を測定し、光ガイド評価層の材料組成の測定結果に基づいて光ガイド層の成長条件を調整するから、光ガイド層の材料組成を設計値に近づけることができる。したがって、特性のばらつきが小さく、かつ、再現性良く半導体レーザ素子を製造できる。
【００３８】
第２の発明の半導体レーザ素子の製造方法は、上記第１の発明の半導体レーザ素子を製造する製造方法であって、上記光ガイド評価層の材料組成を測定し、上記光ガイド評価層の層厚の測定結果に基づいて上記光ガイド層の成長条件を調整することを特徴としている。
【００３９】
上記構成の半導体レーザ素子の製造方法によれば、上記光ガイド評価層の材料組成を測定し、光ガイド評価層の層厚の測定結果に基づいて光ガイド層の成長条件を調整するから、光ガイド層の層厚を設計値に近づけることができる。したがって、特性のばらつきが小さく、かつ、再現性良く半導体レーザ素子を製造できる。
【発明の効果】
【００４０】
本発明の半導体レーザ素子によれば、光ガイド層を含む活性層外に、光ガイド層の材料組成と同じ材料組成を有する光ガイド評価層を形成することによって、光ガイド評価層の層厚および材料組成を評価し、その評価結果に基づいて光ガイド層の層厚および材料組成の制御を簡便に高精度で行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、本発明の半導体レーザ素子及びその製造方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００４２】
本実施の形態の形態では、ＡｌＧａＡｓ系材料で構成された発振波長が７８０〜７８６ｎｍであるＳＣＨ−ＭＱＷ半導体レーザ素子の製造例について説明する。
【００４３】
上記ＳＣＨ−ＭＱＷ半導体レーザ素子の製造ではＭＯＣＶＤ法による結晶成長を行うが、この結晶成長を行う前に、形成すべきガイド層、ＡｌＧａＡｓクラッド層およびＧａＡｓキャップ層などの成長レートとＡｌ混晶比とを求める必要がある。
【００４４】
まず、ノンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層およびｐ型ＧａＡｓキャップ層の成長レートを求める方法を説明する。例えば、クラッド層、キャップ層を１μm程度堆積した後、断面を走査電子顕微鏡で直接観察して層厚を求め、成長時間から成長レートを計算する。
【００４５】
上記Ａｌ混晶比については、測定すべき層を１μｍ程度堆積したウェハをＸ線回折法で求めることができる。
【００４６】
上述のような方法で求めた成長レートを元に所定の設計層厚になるように各層の成長時間を決める。また、上記Ａｌ混晶比についても設計値からのずれを考慮してガス流量を補正する。
【００４７】
上記ＳＣＨ−ＭＱＷ半導体レーザ素子の製造方法では、まず、図２Ａに示すように、ＭＯＣＶＤ法によりｎ型ＧａＡｓ基板１９上にｎ型ＧａＡｓバッファ層２０（層厚０．５μm）、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ光ガイド評価層２１（ｘ＝０．３５、層厚０．４μｍ）、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層２２（ｘ＝０．４６、層厚２．７μm）、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層２３（ｘ＝０．４８、層厚０．２μm）、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第１光ガイド層２４（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層２５、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第２光ガイド層２６（ｘ＝０．３５、層厚２８０Å）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層２７（ｘ＝０．４８、層厚０．２μm）、ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層２８（層厚２６Å）、ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層２９（ｘ＝０．４８、層厚１．３μm）、ｐ型ＧａＡｓキャップ層３０（層厚０．７５μm）を順次結晶成長させる。
【００４８】
上記光ガイド評価層２１のＡｌ混晶比は、第１，２光ガイド層２４，２６と同じＡｌ混晶比設定になっている。
【００４９】
また、上記光ガイド評価層２１の層厚は第１，２光ガイド層２４，２６の層厚よりも厚くなっており、走査電子顕微鏡による断面観察や、Ｘ線回折法によるＡｌ混晶比測定ができるような設定値となっている。上記光ガイド評価層２１の層厚は、図１Ａに示す積層構造を有するウェハをへき開し、ウェハの断面を走査電子顕微鏡で直接観察することにより求めることができる。
【００５０】
また、上記光ガイド評価層２１の層厚を光ガイド評価層２１の成長時間で除算することにより第１，２光ガイド層２４，２６の成長レートを求めることができる。
【００５１】
上記第１，２光ガイド層２４，２６の成長時間が既知であるので、上述のように求めた光ガイド評価層２１の成長レートと第１，２光ガイド層２４，２６の成長時間とを掛け合わせて、出来上がりの光ガイド層成長層厚を推定できる。
【００５２】
また、上記第１，２光ガイド層２４，２６のＡｌ混晶比については、上記ウェハの表面をエッチ処理して第１，２光ガイド層２４，２６を露出させた後、第１，２光ガイド層２４，２６に対してＸ線回折方法などを行えば求めることができる。
【００５３】
以上のような方法を用いれば、第１，２光ガイド層２４，２６の層厚および組成のずれを評価できるので、ウェハの良品判定が可能である。
【００５４】
また、連続的に結晶成長を行なっている場合は、設計値からのずれがある場合は上記評価結果を基に設計値からのずれを補正できる。
【００５５】
次に、図１Ａの結晶成長後の工程について説明する。
【００５６】
上記キャップ層３０上に、図２Ｂに示すように、フォトリソグラフィー法などによりストライプ状のマスクパターンを有するレジスト３１を形成した後、硫酸系エッチング液とフッ酸を用いて、上記マスクパターンの両側のキャップ層３０および第２クラッド層２９を除去する。こにより、上記レジスト３１下に残ったキャップ層３０および第２クラッド層２９がリッジを構成する。
【００５７】
次に、上記レジスト３１を除去した後、図２Ｃに示すように、ＭＯＣＶＤ法でｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ電流ブロック層３２（ｘ＝０．７、層厚１．０μm）、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層３３（層厚０．３μm）、ｐ型ＧａＡｓ平坦化層３４（層厚０．７μm）を結晶成長させる。
【００５８】
次に、上記リッジ上に堆積した不要層を除去するために、上記リッジ上以外の部分にフォトリソグラフィー法でレジストを形成し、上記不要層をアンモニア系および硫酸系エッチング液でエッチング除去する。
【００５９】
次に、上記レジストを除去した後、図２Ｄに示すように、ＭＯＣＶＤ法でｐ型ＧａＡｓコンタクト層３５（層厚５０μm）を結晶成長させる。
【００６０】
このようにコンタクト層３５までの結晶成長を終えたウェハの基板面に研磨やエッチングを行い、ウェハの厚さを１００μmにした後、ウェハのｐ側の面にｎ側電極３６を付け、ウェハのｎ側の面にｎ側電極３７を付け、リッジストライプと垂直方向にバー状となるようにへき開分割を行い、出射両面に絶縁膜をコーティングすると、半導体レーザ素子が完成する。
【００６１】
本製造方法のようにＡｌＧａＡｓ系材料で構成されたＳＣＨ−ＭＱＷレーザ素子はレーザ構造を積層したウェハで第１，２光ガイド層２４，２６の層厚および組成比を容易に評価できるので、再現性良く半導体レーザ素子の製造ができる。
【００６２】
上記実施の形態では、ｎ型ＧａＡｓ基板１９が基板の一例であり、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ光ガイド評価層２１が光ガイド評価層の一例であり、ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層２２およびｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層２３がクラッド層の一例であり、第１，第２光ガイド層２４，２６が光ガイド層の一例であり、ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層２５が活性層の一例である。
【００６３】
上記実施の形態では、ｎ型基板上に、ノンドープ光ガイド評価層、ｎ型下クラッド層、ノンドープ光ガイド層、ノンドープ活性層、ノンドープ光ガイド層、ｐ型上クラッド層を形成していたが、ｐ型基板上に、ノンドープ光ガイド評価層、ｐ型下クラッド層、ノンドープ光ガイド層、ノンドープ活性層、ノンドープ光ガイド層、ｎ型上クラッド層を形成してもよい。つまり、上記実施の形態の導電型を全て逆にしてもよい。ただし、ノンドープの層はノンドープの層のままとする。
【００６４】
本発明は、ＡｌＧａＡｓ系材料で構成された半導体レーザ素子だけでなく、例えば、赤色レーザに用いられるＡｌＧａＩｎＰ系材料等で構成された半導体レーザ素子にも適用できる。つまり、本発明の半導体レーザ素子の材料は上記実施の形態に限定されない。
【００６５】
また、本発明は、ダブルヘテロ構造の半導体レーザ素子およびその製造方法に適用できるばかりでなく、シングルヘテロ構造の半導体レーザ素子およびその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１Ａ】図１Ａは従来の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは従来の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは従来の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは従来の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【図２Ａ】図２Ａは本発明の一実施の形態の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは本発明の一実施の形態の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは本発明の一実施の形態の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは本発明の一実施の形態の半導体レーザ素子の製造工程図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  ｎ型ＧａＡｓ基板
２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
３  ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層
４  ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層
５  ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第１光ガイド層
６  ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層
７  ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第２光ガイド層
８  ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層
９  ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層
１０  ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層
１１  ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１２  レジスト
１３  ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ電流ブロック層
１４  ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
１５  ｐ型ＧａＡｓ平坦化層
１６  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
１７  ｐ側電極
１８  ｎ側電極
１９  ｎ型ＧａＡｓ基板
２０  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
２１  ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ光ガイド評価層
２２  ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層
２３  ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層
２４  ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第１光ガイド層
２５  ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ量子井戸活性層
２６  ノンドープＡｌxＧａ1-xＡｓ第２光ガイド層
２７  ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第１クラッド層
２８  ｐ型ＧａＡｓエッチングストップ層
２９  ｐ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ第２クラッド層
３０  ｐ型ＧａＡｓキャップ層
３１  レジスト
３２  ｎ型ＡｌxＧａ1-xＡｓ電流ブロック層
３３  ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
３４  ｐ型ＧａＡｓ平坦化層
３５  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
３６  ｐ側電極
３７  ｎ側電極
【図１Ａ】
2006278839.tif 000003
【図１Ｂ】
2006278839.tif 000004
【図１Ｃ】
2006278839.tif 000005
【図１Ｄ】
2006278839.tif 000006
【図２Ａ】
2006278839.tif 000007
【図２Ｂ】
2006278839.tif 000008
【図２Ｃ】
2006278839.tif 000009
【図２Ｄ】
2006278839.tif 000010