(57)【要約】【課題】  損失が少なく減衰量が大きい積層構造の高周波回路部品を提供する。【解決手段】  第１のインダクタンス素子Ｌｐｇ１と第２のインダクタンス素子Ｌｐｇ２とは電磁的に結合し、Ｌｐｇ１の一端はＣｐｇ１を介して入力端子に接続され、Ｌｐｇ１とＣｐｇ１との接続点とグランドとの間にＣｐｇ２が接続され、Ｌｐｇ１の他端はグランドに接続され、Ｌｐｇ２の一端は、Ｃｐｇ５を介して出力端子に接続され、Ｌｐｇ２とＣｐｇ５の接続点とグランドとの間にＣｐｇ４が接続され、Ｌｐｇ２の他端はグランドに接続され、Ｃｐｇ３は入力端子と出力端子との間に接続され、Ｃｐｇ６はＬｐｇ１の一端とＣｐｇ２の接続点と出力端子との間に接続され、Ｃｐｇ７はＬｐｇ２の一端とＣｐｇ４の接続点と入力端子との間に接続され、Ｌｐｇ１とＬｐｇ２とを、それぞれ並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子で構成したバンドパスフィルタを用いた高周波回路である。【選択図】        図３
2006013849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子及び出力端子を有し、第１乃至第７の複数のキャパシタンス素子と第１及び第２の複数のインダクタンス素子とを主構成とするバンドパスフィルタであって、
前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子とは電磁的に結合し、
前記第１のインダクタンス素子の一端は、前記第１のキャパシタンス素子を介して前記入力端子に接続され、
前記第１のインダクタンス素子と前記第１のキャパシタンス素子との接続点とグランドとの間に前記第２のキャパシタンス素子が接続され、
前記第１のインダクタンス素子の他端はグランドに接続され、
前記第２のインダクタンス素子の一端は、前記第５のキャパシタンス素子を介して前記出力端子に接続され、
前記第２のインダクタンス素子と前記第５のキャパシタンス素子との接続点とグランドの間に前記第４のキャパシタンス素子が接続され、
前記第２のインダクタンス素子の他端はグランドに接続され、
前記第３のキャパシタンス素子は、前記入力端子と前記出力端子との間に接続され、
前記第６のキャパシタンス素子は、前記第１のインダクタンス素子の一端と前記第２のキャパシタンス素子との接続点と前記出力端子との間に接続され、
前記第７のキャパシタンス素子は、前記第２のインダクタンス素子の前記一端と前記第４のキャパシタンス素子との接続点と入力端子との間に接続され、
更に、前記第１のインダクタンス素子と前記第２のインダクタンス素子とを、それぞれ、並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子で構成したことを特徴とするバンドパスフィルタ。
【請求項２】
請求項１記載のバンドパスフィルタを構成するインダクタンス素子、キャパシタンス素子を、電極パターンを有する積層体により構成したことを特徴とする高周波回路部品。
【請求項３】
少なくとも２つの互いに周波数の異なる通信システムに共用可能な高周波回路であって、
互いに周波数が異なる通信システムで送受信が可能な複数のアンテナに接続される複数のアンテナ側端子と第１及び第２の送信側端子および第１及び第２の受信側端子との接続を切り替える少なくとも４つの端子を備えた高周波スイッチと、
該高周波スイッチの一つの端子と前記第１及び第２の受信側端子との間に接続された第１の分波回路と、
前記高周波スイッチの他の端子と前記第１及び第２の送信側端子との間に接続された第２の分波回路と、
前記第１の分波回路に接続された請求項１記載のバンドパスフィルタとを備えたことを特徴とする高周波回路。
【請求項４】
前記第１の分波回路の低周波側端子に接続された請求項１記載のバンドパスフィルタと前記第１の受信側端子との間に接続された第１の平衡-不平衡変換回路と、
前記第１の分波回路の高周波側端子と前記第２の受信側端子との間に接続された第２の平衡-不平衡変換回路とを更に備えたことを特徴とする請求項３記載の高周波回路。
【請求項５】
請求項３または４記載の高周波回路を積層体で一体化した高周波回路部品であって、
前記第１の分波回路、前記第２の分波回路、及びバンドパスフィルタは、インダクタンス素子、キャパシタンス素子を主構成とし、
前記インダクタンス素子、前記キャパシタンス素子の少なくとも一部を、電極パターンを有する積層体により構成したことを特徴とする高周波回路部品。
【請求項６】
請求項４記載の高周波回路を積層体で一体化した高周波回路部品であって、
前記第１の分波回路、前記第２の分波回路、バンドパスフィルタ、前記第１の平衡-不平衡変換回路、及び前記第２の平衡-不平衡変換回路は、インダクタンス素子、キャパシタンス素子を主構成とし、
前記インダクタンス素子、キャパシタンス素子の少なくとも一部を、電極パターンを有する積層体により構成したことを特徴とする高周波回路部品。
【請求項７】
請求項１記載のバンドパスフィルタを用いたマルチバンド通信装置であって、
各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調する送受信回路部と、
前記高周波スイッチの切り替えを制御するスイッチ回路制御部とを備えたことを特徴とするマルチバンド通信装置。
【請求項８】
請求項３または４記載の高周波回路を用いたマルチバンド通信装置であって、
各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調する送受信回路部と、
前記高周波スイッチの切り替えを制御するスイッチ回路制御部とを備えたことを特徴とするマルチバンド通信装置。
【請求項９】
請求項２、５、または６のいずれかに記載の高周波回路部品を用いたマルチバンド通信装置であって、
各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調する送受信回路部と、
前記高周波スイッチの切り替えを制御するスイッチ回路制御部とを備えたことを特徴とするマルチバンド通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線ＬＡＮ等の無線伝送に用いるバンドパスフィルタ、高周波回路、高周波回路部品、およびこれらを用いたマルチバンド通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
バンドパスフィルタに関する従来技術として、例えば特許文献１が知られている。図８は従来のバンドパスフィルタの等価回路図、図９は従来のバンドパスフィルタを積層体で構成したときの各層の電極パターン図を示す。
特許文献１記載のバンドパスフィルタは、積層バンドパスフィルタであって、互いに電磁結合する３本のストリップ線路導体１１８，１１９，１２０を同一層に配置し、第１と第２のストリップ線路導体１１８，１１９及び、第２と第３のストリップ線路導体１１９，１２０をそれぞれ容量２０２，２０３で容量結合させる。容量２０２は容量導体１２１と１２３で形成され、容量２０３は容量導体１２３と１２２で形成される。
【０００３】
一方、ＩＥＥＥ８０２．１１規格に代表される無線ＬＡＮ（ＷＬＡＮ）によるデータ通信が広く一般化している。例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、プリンタやハードディスク、ブロードバンドルーターなどのＰＣの周辺機器、ＦＡＸ、冷蔵庫、標準テレビ（ＳＤＴＶ）、高品位テレビ（ＨＤＴＶ）、カメラ、ビデオ、携帯電話等々の電子機器、自動車内や航空機内でのワイヤに変わる信号伝達手段として採用され、それぞれの電子電器機器間において無線データ伝送が行われている。
【０００４】
ＷＬＡＮの規格として、ＩＥＥＥ規格８０２．１１ａは、ＯＦＤＭ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｓ：直交周波数多重分割）変調方式を用いて、最大５４Ｍｂｐｓの高速データ通信をサポートするものであり、その周波数帯域は５ＧＨｚ帯が利用される。
またＩＥＥＥ規格８０２．１１ｂは、ＤＳＳＳ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｓｅｑｕｅｎｃｅ Ｓｐｒｅａｄ Ｓｐｅｃｔｒｕｍ：ダイレクト・シーケンス・スペクトル拡散）方式で、５．５Ｍｂｐｓ、１１Ｍｂｐｓの高速通信をサポートするものであり、無線免許なしに自由に利用可能な、２．４ＧＨｚのＩＳＭ（Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ， Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ ａｎｄ Ｍｅｄｉｃａｌ：産業、科学及び医療）帯域が利用される。
更にＩＥＥＥ規格８０２．１１ｇは、ＯＦＤＭ（Ｏｒｔｈｏｇｏｎａｌ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ Ｄｉｖｉｓｉｏｎ Ｍｕｌｔｉｐｌｅｓ：直交周波数多重分割）変調方式を用いて、最大５４Ｍｂｐｓの高速データ通信をサポートするものであり、ＩＥＥＥ８０２．１１ｂと同様に２．４ＧＨｚ帯域が利用される。
【０００５】
このようなＷＬＡＮを用いたマルチバンド通信装置が、特許文献２に記載されている。 このマルチバンド通信装置は、通信周波数帯が異なる２つの通信システム（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ、ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ）で送受信が可能な２個のデュアルバンドアンテナと、各通信システムでの送信データを変調し、受信データを復調する２個の送受信回路部と、前記アンテナを、前記送受信回路部にそれぞれ接続するための複数のスイッチ手段と、前記スイッチ手段の切り換え制御を行なうスイッチ制御手段とを備え、ダイバーシティ受信可能なものである（図１０参照）。
【０００６】
特許文献２記載のマルチバンド通信装置では、通信を開始する前に、まず周波数スキャンを行ない、受信可能な周波数チャンネルを探索する。このスキャン動作を行なう場合には、６つのＳＰＤＴ（単極双投）のスイッチ手段（ＳＷ１〜ＳＷ６）によりアンテナＡＮＴ１を８０２．１１ａ送受信回路部の受信端子Ｒｘに接続し、同時にアンテナＡＮＴ２を８０２．１１ｂ送受信回路部の受信端子Ｒｘに接続する。そして、８０２．１１ａ送受信回路部では５ＧＨｚ帯でスキャンし、これと並行し８０２．１１ｂ送受信回路部では２．４ＧＨｚ帯でスキャンして、受信可能な全てのチャンネルを検出する。
次に、デュアルバンドアンテナＡＮＴ１で受信した受信信号とデュアルバンドアンテナＡＮＴ２で受信した受信信号とを比較して、２つの通信システムのうち、望ましい方の信号が受信される方の通信システムを、アクティブにする通信システムとして選択する。
このスキャン動作後に、選択されたアクティブな送受信装置に接続するアンテナを他方のアンテナに変更して、受信チャンネルを変更せずに受信し、２つのアンテナでの受信信号を比較して、より良好な受信ができる方のアンテナを、アクティブにするアンテナとして選択して、ダイバーシティ受信を行なう。
【０００７】
次に、図１１を参照して、特許文献２記載のマルチバンド通信装置におけるバンドパスフィルタ（ＲＦフィルタ７２）の役割を説明する。
図１１は、ＩＥＥＥ８０２．１１ａ通信システムの送受信部２１の一例を示すブロック図である。ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ通信システムの送受信部２２の構成は、変調及び復調方式が送受信部２１と異なるが、ブロック図は送受信部２１と同様の構成である。
図１１において、送受信部２１はＲＦフィルタ７１、ＲＦフィルタ７２（バンドパスフィルタ）と、ＲＦブロック７０と、ベースバンドフィルタ７７と、ベースバンドブロック８０とで構成される。送受信部２１はベースバンドブロック８０のＭＡＣ（Ｍｅｄｉａ Ａｃｃｅｓｓ Ｃｏｎｔｒｏｌ：メディアアクセス制御部）８４を介してパーソナルコンピュータのＰＣＩバスに接続される。前記ＭＡＣ８４は、物理アドレスを用いたパケットの送受信や衝突の検出、再送などを行なうインターフェースである。
【０００８】
受信時には、デュアルバンドアンテナ１１又はデュアルバンドアンテナ１２から入力された信号は、ＲＦフィルタ７２（バンドパスフィルタ）によりＩＥＥＥ８０２．１１ａでの通過帯域周波数である５ＧＨｚ帯の信号のみが通過し、それ以外の周波数の信号は減衰し、ＲＦブロック７０の受信部７５に入力する。受信部７５ではＲＦフィルタ７２（バンドパスフィルタ）を通過した受信信号が増幅され、周波数変換と復調処理によってベースバンド信号に変換される。この時、ＲＦフィルタ７２（バンドパスフィルタ）の通過帯域周波数での挿入損失が大きいと受信信号の品質が劣化し、またＲＦフィルタ７２（バンドパスフィルタ）の通過帯域周波数以外での減衰量が小さいと不要な信号を増幅していまい、受信信号を正常に復調処理できないという問題が発生する。。
【０００９】
送信時には、送信部７３で変調及び周波数変換されたＲＦ信号はＲＦフィルタ７１に入力する。ＲＦフィルタ７１では５ＧＨｚ帯の信号を通過させ、高調波成分を減衰させる。このＲＦ信号がデュアルバンドアンテナ１１を介して放射される。
【００１０】
特許文献２記載のマルチバンド通信装置におけるバンドパスフィルタ（ＲＦフィルタ７２）は、前述のように重要な機能を果たすものであるが、特許文献２ではブラック・ボックスとしてしか記載されてない。ブラック・ボックスにおけるバンドパスフィルタとして特許文献１記載のものが適用可能か否かは不明である。
【００１１】
【特許文献１】特開２００２‐２９９９８７号公報    （図１，図２）
【特許文献２】特開２００３‐１６９００８号公報  （図１，図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１記載の従来のバンドパスフィルタは、バンドパスフィルタ特性における通過帯域周波数の特性を調整しようとすると、通過帯域周波数の低周波数域にある減衰量と高周波数域にある減衰量の周波数の位置がシフトするという問題があった。
また、Ｑ値が未だ十分とは言えず、高周波回路部に用いられる低損失かつ急峻なバンドパスフィルタを実現することができないという問題があった。
【００１３】
また、特許文献２記載のマルチバンド通信装置では、６つものＳＰＤＴ（単極双投）のスイッチ手段（ＳＷ１〜ＳＷ６）が必要であり、これらの制御回路も複雑になる。
すなわち、多くのスイッチ手段で高周波信号の経路を切り換えることが必要であり、スイッチ手段の数に応じてその制御も複雑化する。すなわち、回路が複雑化するという問題があった。
【００１４】
更に、スイッチ手段にはある程度の伝送損失が不可避であるから、アンテナから送受信回路部に至る経路において、多数のスイッチ手段が存在することは、それに応じて伝送損失が増加することとなる。特に受信時においては、アンテナから入射する高周波信号の品質が劣化するといった問題もあった。また、スイッチ手段の切り換えに消費される電力も、ノートＰＣや携帯電話などのバッテリーを駆動電源とする機器では無視できない。すなわち、損失が大きいという問題があった。
【００１５】
従って、本発明の第１目的は、バンドパスフィルタ及び高周波回路であって簡単な回路で損失の少なく減衰量が大きいものの提供である。
【００１６】
また本発明の第２目的は、簡単な回路で損失の少ない高周波回路を、３次元的な積層構造により小型に構成した高周波回路部品の提供である。
【００１７】
更に本発明の第３目的は、本発明に係るバンドパスフィルタ、高周波回路、及び高周波回路部品を用いることによる、各通信システムでの送信データを変調し、受信データを復調する送受信回路部と、前記高周波スイッチの切り換えを制御するスイッチ回路制御部を備えたマルチバンド通信装置の提供である。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
（手段１）
本発明の手段１は、入力端子（ＩＮ）及び出力端子（ＯＵＴ）を有し、第１乃至第７の複数のキャパシタンス素子と第１及び第２の複数のインダクタンス素子とを主構成とするバンドパスフィルタ（ＦＩＬ１）であって、前記第１のインダクタンス素子（Ｌｐｇ１）と前記第２のインダクタンス素子（Ｌｐｇ２）とは電磁的に結合し、前記第１のインダクタンス素子（Ｌｐｇ１）の一端は、前記第１のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ１）を介して前記入力端子（ＩＮ）に接続され、前記第１のインダクタンス素子（Ｌｐｇ１）と前記第１のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ１）との接続点（ｐ１）とグランド（ＧＮＤ）との間に前記第２のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ２）が接続され、前記第１のインダクタンス素子（Ｌｐｇ１）の他端はグランドに接続され、前記第２のインダクタンス素子（Ｌｐｇ２）の一端は、前記第５のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ５）を介して前記出力端子（ＯＵＴ）に接続され、前記第２のインダクタンス素子（Ｌｐｇ２）と前記第５のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ５）との接続点（ｐ２）とグランドとの間に前記第４のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ４）が接続され、前記第２のインダクタンス素子（Ｌｐｇ２）の他端はグランドに接続され、前記第３のキャパシタンス素子は、前記入力端子（ＩＮ）と前記出力端子（ＯＵＴ）との間に接続され、前記第６のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ６）は、前記第１のインダクタンス素子（Ｌｐｇ１）の一端と前記第２のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ２）との接続点（ｐ１）と前記出力端子（ＯＵＴ）との間に接続され、前記第７のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ７）は、前記第２のインダクタンス素子（Ｌｐｇ２）の前記一端と前記第４のキャパシタンス素子（Ｃｐｇ４）との接続点（ｐ２）と入力端子（ＩＮ）との間に接続され、更に、前記第１のインダクタンス素子（Ｌｐｇ１）と前記第２のインダクタンス素子（Ｌｐｇ２）とを、それぞれ、並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子（Ｌｐｇ１ａ、Ｌｐｇ１ｂ）、（Ｌｐｇ２ａ、Ｌｐｇ２ｂ）で構成したことを特徴とするバンドパスフィルタ（ＦＩＬ１）である。
【００１９】
（手段２）
本発明の手段２は、（手段１）記載のバンドパスフィルタ（ＦＩＬ１）を構成するインダクタンス素子、キャパシタンス素子を、電極パターンを有する積層体により構成したことを特徴とする高周波回路部品である。
【００２０】
（手段３）
本発明の手段３は、少なくとも２つの互いに周波数の異なる通信システムに共用可能な高周波回路であって、互いに周波数が異なる通信システムで送受信が可能な複数のアンテナ（ＡＮＴ１，ＡＮＴ２）に接続される複数のアンテナ側端子（Ａｎｔ１，Ａｎｔ２）と第１及び第２の送信側端子（２．４Ｇ＿Ｔｘ，５Ｇ＿Ｔｘ）および第１及び第２の受信側端子（２．４Ｇ＿Ｒｘ＋，２．４Ｇ＿Ｒｘ−及び５Ｇ＿Ｒｘ＋，５Ｇ＿Ｒｘ−）との接続を切り換える少なくとも４つの端子（ｐａ，ｐｂ，ｐｃ，ｐｄ）を備えた高周波スイッチ（ＳＷ１）と、該高周波スイッチ（ＳＷ１）の一つの端子（ｐｃ）と前記第１及び第２の受信側端子（２．４Ｇ＿Ｒｘ＋、２．４Ｇ＿Ｒｘ−及び５Ｇ＿Ｒｘ＋，５Ｇ＿Ｒｘ−）との間に接続された第１の分波回路（Ｄｉｐ１）と、前記高周波スイッチ（ＳＷ１）の他の端子（ｐｄ）と前記第１及び第２の送信側端子（２．４Ｇ＿Ｔｘ，５Ｇ＿Ｔｘ）との間に接続された第２の分波回路（Ｄｉｐ２）と、前記第１の分波回路（Ｄｉｐ１）に接続された（手段１）記載のバンドパスフィルタとを備えたことを特徴とする高周波回路である。
【００２１】
（手段４）
本発明の手段４は、前記第１の分波回路（Ｄｉｐ１）の低周波側端子（ｐ２ｂ）に接続された（手段１）記載のバンドパスフィルタ（ＦＩＬ１）と前記第１の受信側端子（２．４Ｇ＿Ｒｘ＋２．４Ｇ＿Ｒｘ−）との間に接続された第１の平衡-不平衡変換回路（ＢＡＬ１）と、前記第１の分波回路（Ｄｉｐ１）の高周波側端子（ｐ２ｃ）と前記第２の受信側端子（５Ｇ＿Ｒｘ＋ ，５Ｇ＿Ｒｘ−）との間に接続された第２の平衡-不平衡変換回路（ＢＡＬ２）とを更に備えたことを特徴とする（手段３）記載の高周波回路である。
【００２２】
（手段５）
本発明の手段５は、（手段３）または（手段４）記載の高周波回路を積層体で一体化した高周波回路部品であって、前記第１の分波回路（Ｄｉｐ１）、前記第２の分波回路（Ｄｉｐ２）、及び前記バンドパスフィルタ（ＦＩＬ１）は、インダクタンス素子、キャパシタンス素子を主構成とし、前記インダクタンス素子、前記キャパシタンス素子の少なくとも一部を、電極パターンを有する積層体により構成したことを特徴とする高周波回路部品である。
【００２３】
（手段６）
本発明の手段６は、（手段４）記載の高周波回路を積層体で一体化した高周波回路部品であって、前記第１の分波回路（Ｄｉｐ１）、前記第２の分波回路（Ｄｉｐ２）、前記バンドパスフィルタ（ＦＩＬ１）、前記第１の平衡-不平衡変換回路（ＢＡＬ１）、及び前記第２の平衡-不平衡変換回路（ＢＡＬ２）は、インダクタンス素子、キャパシタンス素子を主構成とし、前記インダクタンス素子、キャパシタンス素子の少なくとも一部を、電極パターンを有する積層体により構成したことを特徴とする高周波回路部品である。
【００２４】
（手段７）
本発明の手段７は、（手段１）記載のバンドパスフィルタ（ＦＩＬ１）を用いたマルチバンド通信装置であって、各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調する送受信回路部（３０）と、前記高周波スイッチの切り換えを制御するスイッチ回路制御部（５０）とを備えたことを特徴とするマルチバンド通信装置である。
【００２５】
（手段８）
本発明の手段８は、（手段３）または（手段４）記載の高周波回路を用いたマルチバンド通信装置であって、各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調する送受信回路部（３０）と、前記高周波スイッチの切り換えを制御するスイッチ回路制御部（５０）とを備えたことを特徴とするマルチバンド通信装置である。
【００２６】
（手段９）
本発明の手段９は、（手段２）、（手段５）、または（手段６）のいずれかに記載の高周波回路部品を用いたマルチバンド通信装置であって、各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調する送受信回路部（３０）と、前記高周波スイッチの切り換えを制御するスイッチ回路制御部（５０）とを備えたことを特徴とするマルチバンド通信装置である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のバンドパスフィルタ、高周波回路、および高周波回路部品によると、小型で損失の少ないものの提供が可能であり、それによって低価格、低損失なマルチバンド通信装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明に係るマルチバンド通信装置の一実施例を示す回路ブロック図を示す。
【００２９】
ここでは、第１の通信システムとしてＩＥＥＥ８０２．１１ａを、第２の通信システムとしてＩＥＥＥ８０２．１１ｂを例に取り説明するが、前記のようにＩＥＥＥ８０２．１１ｇはＩＥＥＥ８０２．１１ｂと同じ周波数帯を利用することから、ＩＥＥＥ８０２．１１ｂの高周波信号を扱う回路部はＩＥＥＥ８０２．１１ｇにも適用、あるいは共用することが出来る。なお、ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ、ＩＥＥＥ８０２．１１ｇをともに扱う場合には、変調方式が異なるため、それぞれに対応した送受信回路部が必要となる。
【００３０】
図１に示すマルチバンド通信装置は、２．４ＧＨｚ帯、５ＧＨｚ帯で送受信が可能な２つのマルチバンドのアンテナＡＮＴ１，ＡＮＴ２に各々接続する２つのアンテナ側端子Ａｎｔ１，Ａｎｔ２を有する。更に、アンテナＡＮＴ１，ＡＮＴ２と送信回路、受信回路との接続を切り換える高周波スイッチＳＷ１を備えた高周波回路部と、各通信システムでの送信データを変調し受信データを復調するＩＥＥＥ８０２．１１ａの送受信回路部及びＩＥＥＥ８０２．１１ｂの送受信回路部と高周波スイッチＳＷ１の切り換えを制御するスイッチ回路制御部５０と、図示しない受信信号の電力増幅器を備えた送受信回路部３０と、平衡信号を不平衡信号に変換する平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ１，ＢＡＬ２とを備えるものである。
平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ１，ＢＡＬ２は、平衡入力型の電力増幅器を用いる場合に必要となる。不平衡型の高周波回路と平衡入力型の電力増幅器を接続する場合に平衡‐不平衡変換する必要がある。
【００３１】
図１に示すマルチバンド通信装置における高周波回路について説明する。高周波信号の入出力は、第１のアンテナ側端子Ａｎｔ１、第２のアンテナ側端子Ａｎｔ２の２つである。
第１のアンテナＡＮＴ１は第１のアンテナ側端子Ａｎｔ１に、第２のアンテナＡＮＴ２は第２のアンテナ側端子Ａｎｔ２に接続される。
第１のアンテナ側端子Ａｎｔ１と第２のアンテナ側端子Ａｎｔ２は、ＤＰＤＴ（双極双投）のスイッチである高周波スイッチＳＷ１の各端子ｐａ、ｐｂに接続される。高周波スイッチＳＷ１は４つの端子ｐａ〜ｐｄを備え、一つの端子ｐｃは受信回路側のバンドパスフィルタＦＩＬ１と、他の端子ｐｄは送信回路側で第２の分波回路Ｄｉｐ２と接続される。
【００３２】
高周波スイッチＳＷ１は、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）やダイオードなどのスイッチング素子を主構成とし、適宜インダクタンス素子、キャパシタンス素子を組み合わせて用いられる。図２は、高周波スイッチＳＷ１の１実施例である。
【００３３】
図２に例示した高周波スイッチＳＷ１の動作を説明する。コントロール端子Ｖ１に電界効果型トランジスタが動作する閾値以上の電圧（例えば、＋１〜＋５Ｖ）を印加して、コントロール端子Ｖ２は０（ゼロ）Ｖとした場合を説明する。このとき電界効果型トランジスタＦＥＴ１とＦＥＴ４がＯＮ状態、電界効果型トランジスタＦＥＴ２とＦＥＴ３がＯＦＦ状態となる。
そのため、高周波スイッチＳＷ１の端子ｐａから入力した高周波信号はＯＮ状態の電界効果型トランジスタＦＥＴ１を通過し、端子ｐｃに伝送される。このとき電界効果型トランジスタＦＥＴ３はＯＦＦ状態なので端子ｐｂ側への高周波信号の漏洩は殆ど無く、かつ電界効果型トランジスタＦＥＴ２もＯＦＦ状態なので端子ｐｄ側への高周波信号の漏洩も殆ど無い。
【００３４】
一方、高周波スイッチＳＷ１の端子ｐｂから入力した高周波信号は、ＯＮ状態の電界効果型トランジスタＦＥＴ４を通過し、端子ｐｄに伝送される。このとき、電界効果型トランジスタＦＥＴ２はＯＦＦ状態なので、端子ｐａ側への高周波信号の漏洩は殆ど無く、かつ電界効果型トランジスタＦＥＴ３もＯＦＦ状態なので、端子ｐｃ側への高周波信号の漏洩も殆ど無い。
【００３５】
第１の分波回路Ｄｉｐ１は、２．４ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ）の高周波信号を通過させるが５ＧＨｚ帯（８０２．１１ａ）の高周波信号を減衰させるフィルタ回路と、５ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ）の高周波信号を通過させるが２．４ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ）の高周波信号を減衰させるフィルタ回路とを組み合わせて成る。
従って、第１のアンテナＡＮＴ１、或いは第２のアンテナＡＮＴ２に入射し高周波スイッチＳＷ１の一つの端子ｐｃに現れる高周波信号のうち、２．４ＧＨｚ帯の高周波信号が、第１の分波回路Ｄｉｐ１の低周波側端子ｐ２ｂに現れるが、高周波側端子ｐ２ｃには現れない。他方、５ＧＨｚ帯の高周波信号は、第１の分波回路Ｄｉｐ１の高周波側端子ｐ２ｃに現れるが、低周波側端子ｐ２ｂには現れない。
【００３６】
第２の分波回路Ｄｉｐ２は、２．４ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ）の高周波信号を通過させるが５ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ）の高周波信号を減衰させるフィルタ回路と、５ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ）の高周波信号を通過させるが２．４ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ）の高周波信号を減衰させるフィルタ回路とを組み合わせて成る。
それにより、２．４ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ）の送信回路から第２の分波回路Ｄｉｐ２の低周波側端子ｐ１ｂに入力する２．４ＧＨｚ帯の高周波信号は、第２の分波回路Ｄｉｐ２の共通端子ｐ１ａに現れるが、高周波側端子ｐ１ｃには現れない。
【００３７】
他方、５ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ）の送信回路から第２の分波回路Ｄｉｐ２の高周波側端子ｐ１ｃに入力する５ＧＨｚ帯の高周波信号は、第２の分波回路Ｄｉｐ２の共通端子ｐ１ａに現れるが、低周波側端子ｐ１ｂには現れない。  
そして、第２の分波回路Ｄｉｐ２の共通端子ｐ１ａに現れた高周波信号は、高周波スイッチＳＷ１を経て、第２のアンテナ側端子Ａｎｔ２から放射される。
【００３８】
図３は、本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１の一実施例における回路図を示す。図４は、バンドパスフィルタＦＩＬ１を組み込んだ、本発明に係る高周波回路の一実施例における回路図を示す。
【００３９】
図３に示すバンドパスフィルタＦＩＬ１の周波数特性を、図４に示す。ＩＥＥＥ８０２．１１ｂの使用周波数である２．４ＧＨｚから２．４８ＧＨｚが通過帯域周波数である。
通過帯域周波数より低い周波数には、主に２つの減衰極が存在する。１つは２ＧＨｚ帯の携帯電話システム（例えば欧州で使用されているＤＣＳ、米国で使用されているＰＣＳなどのＩＥＥＥ８０２．１１ｂの使用周波数より低い周波数を使用するもの）の高周波信号を減衰させる低周波第１減衰極、もう１つは更に低い周波数の１ＧＨｚ帯の携帯電話システム（例えば欧州で使用されているＥＧＳＭ、米国で使用されているＧＳＭ８５０など）の高周波信号を減衰させる低周波第２減衰極である。
通過帯域周波数より高い周波数には、主に１つの減衰極が存在する。ＩＥＥＥ８０２．１１ａなどの高周波信号を減衰させる高周波減衰極である。
【００４０】
従来のバンドパスフィルタにおいては、通過帯域周波数の特性を改善するために、インダクタンス素子Ｌｐｇ１とインダクタンス素子Ｌｐｇ２との間の電磁結合Ｍの結合度を調整することが行われていた。
電磁結合Ｍの結合度を調整すると、通過帯域周波数の特性は改善できるものの、同時に低周波第１減衰極、高周波減衰極の周波数がシフトしてしまうという問題があり、その設計・調整は困難であった。
【００４１】
本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１においては、電磁結合Ｍの結合度を固定したまま、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に形成したキャパシタンス素子Ｃｐｇ６、Ｃｐｇ７の容量値を調整することにより、通過帯域周波数の特性が改善できる。
そのため、通過帯域周波数の特性、低周波第１減衰極の周波数、および高周波減衰極の周波数を独立に制御できるようになり、それにより、バンドパスフィルタＦＩＬ１の設計・調整は格段と容易になった。
【００４２】
本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１において、通過帯域周波数の特性は、キャパシタンス素子Ｃｐｇ６、Ｃｐｇ７で調整できる。キャパシタンス素子Ｃｐｇ６とＣｐｇ７の容量値を調整は、インダクタンス素子Ｌｐｇ１とインダクタンス素子Ｌｐｇ２の間における電磁結合Ｍの結合度を調整することと同様な働きがあり、通過帯域周波数の特性を改善できる。
但し、このとき低周波第１減衰極と高周波減衰極の周波数はシフトしない。低周波第１減衰極の周波数は、主にキャパシタンス素子Ｃｐｇ３で調整でき、キャパシタンス素子Ｃｐｇ３の容量値を大きくすると低周波側へ移動できる。
低周波第２減衰極の周波数は、主にキャパシタンス素子Ｃｐｇ１、Ｃｐｇ５で調整でき、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１、Ｃｐｇ５の容量値を大きくすると低周波側へ移動できる。  
高周波減衰極の周波数はキャパシタンス素子Ｃｐｇ２、Ｃｐｇ４で調整でき、キャパシタンス素子Ｃｐｇ２、Ｃｐｇ４の容量値を大きくすると低周波側へ移動できる。
【００４３】
本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１（図３）と従来の特許文献１記載のバンドパスフィルタ（図８）との違いについて説明する。
本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１と従来の特許文献１記載のバンドパスフィルタは電磁結合を利用する点で共通するが、次の２点で相違する。
【００４４】
相違点の第１は、本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１においては、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に接続されるキャパシタンス素子Ｃｐｇ３、Ｃｐｇ６、Ｃｐｇ７に工夫を施したのに対して、従来の特許文献１記載のバンドパスフィルタでは単に多段結合したバンドパスフィルタの段間の結合容量としてしか認識されていない。
本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１においては、従来の特許文献１記載のバンドパスフィルタの課題であったバンドパスフィルタにおける通過帯域周波数の特性改善をしようとすると低周波第１減衰極と高周波減衰極の周波数がシフトするという問題を解決できた。
【００４５】
相違点の第２は、本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１においては、第１のインダクタンス素子Ｌｐｇ１と第２のインダクタンス素子Ｌｐｇ２とを、それぞれ、並列接続した少なくとも２つ以上のインダクタンス素子Ｌｐｇ１ａ、Ｌｐｇ１ｂ、及びＬｐｇ２ａ、Ｌｐｇ２ｂで構成した点である。
すなわち、第１のインダクタンス素子Ｌｐｇ１は並列接続した２つ以上のインダクタンス素子Ｌｐｇ１ａ、Ｌｐｇ１ｂで構成する。また、第２のインダクタンス素子Ｌｐｇ２は並列接続した２つ以上のインダクタンス素子Ｌｐｇ２ａ、Ｌｐｇ２ｂで構成する。
従って、本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１においては、第１のインダクタンス素子Ｌｐｇ１と第２のインダクタンス素子Ｌｐｇ２との抵抗成分が低減され、それによってＱ値が従来の特許文献１記載のバンドパスフィルタよりも向上する結果、低損失なバンドパスフィルタを構成できる。
【００４６】
以上のように、本発明に係るバンドパスフィルタＦＩＬ１においては、相違点の第１と相違点の第２の、構成の違いを組み合わせたので、従来の特許文献１記載のバンドパスフィルタに比べて設計、調整が格段に容易になり、且つＱ値が高く低損失なバンドパスフィルタを実現できた。
【００４７】
そして、バンドパスフィルタＦＩＬ１の出力端子ＯＵＴに現れた高周波信号は、第１の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ１を介して２．４ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ｂ）の受信回路に入力する。
【００４８】
また、第１の分波回路Ｄｉｐ１の高周波側端子ｐ２ｃに現れた高周波信号は、第２のフィルタ回路ＦＩＬ２、第２の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ２を介して５ＧＨｚ帯（ＩＥＥＥ８０２．１１ａ）の受信回路に入力する。
【００４９】
次に、本発明に係るマルチバンド通信装置のダイバーシティ受信動作について説明する。 ここで、高周波スイッチＳＷ１として図２に示すものを用いた。
高周波スイッチＳＷ１は、スイッチ回路制御部５０により制御された制御電圧がコントロール端子Ｖ１，Ｖ２に印加されることにより、表１に示すように各端子間が接続される。  ここで、コントロール端子Ｖ１，Ｖ２に印加する制御電圧がＨｉｇｈとは、＋１〜＋５Ｖ，Ｌｏｗとは−０．５〜＋０．５Ｖが望ましい。
【００５０】
【表１】
2006013849.tif 000003
【００５１】
ダイバーシティ受信を行なう場合、まず通信を開始する前に周波数スキャンを行ない、受信可能な周波数チャンネルを探索する。このスキャン動作を行なう場合には、例えば表１の接続モード１となるように、スイッチ回路制御部５０により高周波スイッチＳＷ１を制御する。
このとき、第１のアンテナＡＮＴ１と受信回路側の第１の分波回路Ｄｉｐ１とが接続され、１つのアンテナに２つの通信システムの受信回路が接続することとなる。次いで、ＩＥＥＥ８０２．１１ａ受信回路部では５ＧＨｚ帯でスキャンし、これと並行し８０２．１１ｂ送受信回路部では２．４ＧＨｚ帯でスキャンして、受信可能な全てのチャンネルを検出する。
【００５２】
次に接続モード２となるように、スイッチ回路制御部５０により高周波スイッチＳＷ１を制御する。このとき、第２のアンテナＡＮＴ２と受信回路側の第１の分波回路Ｄｉｐ１とが接続され、次いでＩＥＥＥ８０２．１１ａ受信回路部では５ＧＨｚ帯でスキャンし、これと並行し８０２．１１ｂ送受信回路部では２．４ＧＨｚ帯でスキャンして、受信可能な全てのチャンネルを検出する。
【００５３】
前記周波数スキャンの結果に基づいて、第１、第２のアンテナＡＮＴ１、ＡＮＴ２で受信した受信信号を振幅で比較して、アクティブにする通信システムとして選択するとともに、前記通信システムの送受信回路と接続するアンテナを選択する。
従って、本発明に係るマルチバンド通信装置によれば、フェージング等の外乱が生じても、最も好ましい通信システムを選択してダイバーシティ受信を行なうことが出来る。
【００５４】
以上の接続モード切り換えの制御は、図１に示された回路で行われ、回路ブロックとしての送受信回路部３０とスイッチ制御回路部５０とは、高周波用半導体集積回路装置に一体化されることが多い。高周波用半導体集積回路装置はＲＦＩＣ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）と略称されることが多い。
本発明に係るマルチバンド通信装置においては、従来から使われてきたＲＦＩＣ、例えば本願発明者らによる特開２００３−１８０３９号公報記載のＲＦＩＣを使用できる。これは、ＰＬＬ回路で制御されたＶＣＯ回路によって、受信系のパワーアンプ、ミキサー、フィルタ、復調器、及び閾値検出・データ回復回路が制御され、送信系のＤＡＣ（デジタル・アナログ変換回路）、ローパスフィルタ、変調器、及びパワーアンプが制御される。
【００５５】
なお、第１のアンテナＡＮＴ１と受信回路側の第１の分波回路Ｄｉｐ１とを接続して、５ＧＨｚ帯でスキャンし、これと並行して２．４ＧＨｚ帯でスキャンして受信可能な全てのチャンネルを検出し、得られた信号の振幅を比較して一方の通信システムを選択して、その送受信回路部をアクティブにし、選択されたアクティブな送受信回路部に接続するマルチバンドアンテナを第２のアンテナＡＮＴ２に変更して、受信チャンネルを変更せずに受信し、２つのアンテナでの受信信号を比較して、より良好な受信ができる方のアンテナを、アクティブにするアンテナとして選択して、ダイバーシティ受信を行なうことも当然可能である。
【００５６】
以上、本発明に係るマルチバンド通信装置（図１）と従来のマルチバンド通信装置（図１０）を比較すると、本発明に係るマルチバンド通信装置においてはスイッチの数が大幅に減少していることが分かる。
ＤＰＤＴ（双極双投）のスイッチである高周波スイッチＳＷ１を１個と、第１分波回路Ｄｉｐ１とバンドパスフィルタしかない簡潔な回路構成となる。従って、スイッチの制御も簡単で損失も少ないマルチバンド通信装置を提供できる。
【００５７】
次に、図５に示す高周波回路における各回路ブロックについて、個別に説明する。
【００５８】
高周波スイッチＳＷ１は、例えば図２に示す回路を用いることができ、キャパシタンス素子Ｃ１〜Ｃ４は直流カット用のキャパシタンス素子である。キャパシタンス素子Ｃ５およびＣ６は電源からのノイズを除去するためのものである。
【００５９】
インダクタンス素子ＬｔとＬｒは、高周波スイッチＳＷ１と後段の第１分波回路Ｄｉｐ１、第２分波回路Ｄｉｐ２の各々とのインピーダンス整合用のインダクタンス素子である。
【００６０】
第２の分波回路Ｄｉｐ２は、インダクタンス素子Ｌｆｔ１，Ｌｆｔ２とキャパシタンス素子Ｃｆｔ１とでなる低周波側のローパスフィルタと、インダクタンス素子Ｌｆｔ３とキャパシタンス素子Ｃｆｔ２〜Ｃｆｔ４とでなる高周波側のハイパスフィルタとで構成される。
低周波側のローパスフィルタは２．４ＧＨｚ帯の信号を、高周波側のハイパスフィルタは５ＧＨｚ帯の信号を、相互の回り込みを防止しつつ、各々高周波スイッチＳＷ１側に伝送する。低周波側のローパスフィルタは、高調波の除去機能も有している。
【００６１】
第１の分波回路Ｄｉｐ１は、インダクタンス素子Ｌｆｒ２とキャパシタンス素子Ｃｆｒ１〜Ｃｆｒ３とでなる高周波側のハイパスフィルタと、インダクタンス素子Ｌｆr１でなる低周波側のローパスフィルタで構成される。
高周波側のハイパスフィルタは５ＧＨｚ帯の信号を、低周波側のバンドパスフィルタは２．４ＧＨｚ帯の信号を、相互の回り込みを防止しつつ、各々の周波数に対応する受信回路へ高周波信号を分波する。
【００６２】
第１のフィルタ回路は、２．４ＧＨｚ帯の受信側バンドパスフィルタであり、インダクタンス素子Ｌｐｇ１、Ｌｐｇ２、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１〜Ｃｐｇ７で形成される。
近接するインダクタンス素子Ｌｐｇ１とＬｐｇ２とは、相互誘導係数Ｍによって結合される。入力端子側には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ２とインダクタンス素子Ｌｐｇ１によって第１の共振回路が構成され、出力端子側には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ４とインダクタンス素子Ｌｐｇ２によって第２の共振回路が構成される。
【００６３】
キャパシタンス素子Cｐｇ１、Ｃｐｇ５は、バンドパスフィルタの入出力と第１の共振回路、第２の共振回路を結合する。キャパシタンス素子Ｃｐｇ３は、バンドパスフィルタの入出力を結合する。また、キャパシタンス素子Ｃｐｇ６およびＣｐｇ７は、インダクタンス素子Ｌｐｇ１とＬｐｇ２との結合を補助する結合コンデンサである。
【００６４】
第１及び第２の共振回路は、相互誘導係数Ｍによって、いわばトランスのように結合する。このため、入力端子の高周波信号は、第１及び第２の共振回路による共振作用を受けつつ出力端子に導かれる。つまり、全体が２つの共振周波数を有する複同調回路として作用し、急峻な特性のバンドパスフィルタが得られる。
【００６５】
第２のフィルタ回路ＦＩＬ２は、５ＧＨｚ帯の受信側ローパスフィルタであり、インダクタンス素子Ｌｐａ１とキャパシタンス素子Ｃｐａ２，Ｃｐａ３，Ｃｐａ４で形成される。第１の分波器Ｄｉｐ１における高周波側のハイパスフィルタと組み合わせて、５ＧＨｚ帯の受信側バンドパスフィルタとしても機能する。
【００６６】
第３のフィルタ回路ＦＩＬ３は、５ＧＨｚ帯の送信側ローパスフィルタであり、インダクタンス素子Ｌｆｔ４とキャパシタンス素子Ｃｆｔ５で形成される。ローパスフィルタ特性の調整のために、必要に応じて、インダクタンス素子Ｌｆｔ３に並列にキャパシタンス素子を並列接続してもよい。
【００６７】
伝送線路Ｌｐｂｂは、バンドパスフィルタＦＩＬ１と第１の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ１との間のインピーダンス整合のために挿入した。同じく、伝送線路Ｌｐｂａは、第２のフィルタ回路ＦＩＬ２と第２の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ２との間のインピーダンス整合のために挿入する。
【００６８】
第１の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ１は、２．４ＧＨｚ帯の受信側を平衡入力型のローノイズアンプ（図示しない）を有するＲＦＩＣに接続するための平衡‐不平衡変換用のものである。第１の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ１は、一次側をインダクタンス素子Ｌｂｇ１で、２次側をインダクタンス素子Ｌｂｇ２、Ｌｂｇ３で構成される。
【００６９】
２．４ＧＨｚ帯受信信号の同相成分を出力する伝送線路Ｌｂｇ２の一端の２．４Ｇ＿Ｒｘ＋端子とグランドとの間は、キャパシタンス素子Ｃｂｇ２で接続される。同様に、２．４ＧＨｚ帯受信信号の逆相成分を出力する伝送線路Ｌｂｇ３の一端の２．４Ｇ＿Ｒｘ−端子とグランドとの間は、キャパシタンス素子Ｃｂｇ３で接続される。
インダクタンス素子Ｌｂｇ２の他端とインダクタンス素子Ｌｂｇ３の他端とが接続されて、キャパシタンス素子Ｃｂｇ1を介するか、或いは直接にグランドに接続される。
【００７０】
第2の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ2は、５ＧＨｚ帯の受信側を平衡入力型のローノイズアンプ（図示しない）を有するＲＦＩＣに接続するための平衡‐不平衡変換用のものである。第2の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ2は、一次側をインダクタンス素子Ｌｂａ１で、２次側をインダクタンス素子Ｌｂａ２、Ｌｂａ３で構成される。
【００７１】
５ＧＨｚ帯受信信号の同相成分を出力するインダクタンス素子Ｌｂａ２の一端と５ＧＨｚ帯受信信号の逆相成分を出力するインダクタンス素子Ｌｂａ３の一端とが接続されて、キャパシタンス素子Ｃｂａ1を介してグランドと接続される。
【００７２】
図３に例示したバンドパスフィルタは、図６Ａと図６Ｂに例示した誘電体のグリーンシートｇｓ１〜ｇｓ１６で示した１６層の積層体で一体化できる。
【００７３】
グリーンシートｇｓ１は、電極パターンを持たないダミーのグリーンシートである。グリーンシートｇｓ２には、ＧＮＤ用の電極パターンを形成する。グリーンシートｇｓ３には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ５用の電極パターンを形成する。
また、グリーンシートｇｓ３上のキャパシタンス素子Ｃｐｇ１用の電極パターンはキャパシタンス素子Ｃｐｇ２の一部を構成し、キャパシタンス素子Ｃｐｇ５用の電極パターンはキャパシタンス素子Ｃｐｇ４の一部を構成している。
グリーンシートｇｓ４には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ５用の電極パターンを形成し、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴを形成する。グリーンシートｇｓ５には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ５用の電極パターンを形成する。グリーンシートｇｓ６には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ５用の電極パターンを形成し、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴを形成する。グリーンシートｇｓ７は、ビアホールだけを形成したグリーンシートである。
【００７４】
グリーンシートｇｓ８には、電磁結合するインダクタンス素子Ｌｐｇ１ａ用とインダクタンス素子Ｌｐｇ２ａ用の電極パターンを形成する。同様に、グリーンシートｇｓ９にも、インダクタンス素子Ｌｐｇ１ｂ用とインダクタンス素子Ｌｐｇ２ｂ用の電極パターンを形成する。グリーンシートｇｓ８上のインダクタンス素子Ｌｐｇ１ａと、グリーンシートｇｓ９上のインダクタンス素子Ｌｐｇ１ｂとは積層方向で重なり合うように同一の電極パターンを形成する。同様に、グリーンシートｇｓ８上のインダクタンス素子Ｌｐｇ２ａと、グリーンシートｇｓ９上のインダクタンス素子Ｌｐｇ２ｂとは積層方向で重なり合うように同一の電極パターンを形成する。
インダクタンス素子Ｌｐｇ１ａとインダクタンス素子Ｌｐｇ１ｂとは並列接続される。同様に、インダクタンス素子Ｌｐｇ２ａとインダクタンス素子Ｌｐｇ２ｂとは並列接続される。
【００７５】
本発明に係るバンドパスフィルタにおいては、電磁結合する各々のインダクタンス素子を、夫々、並列接続したので抵抗成分を低減でき、その結果、Ｑ値が向上して低損失となりフィルタ特性が改善される。
【００７６】
グリーンシートｇｓ１０は、ビアホールだけを形成したグリーンシートである。グリーンシートｇｓ１１には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ３用の電極パターンを形成する。グリーンシートｇｓ１２には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ７用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ６用の電極パターンを形成し、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴを形成する。ここで、キャパシタンス素子Ｃｐｇ７用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ６用の電極パターンは、キャパシタンス素子Ｃｐｇ３の一部を構成する。グリーンシートｇｓ１３には、キャパシタンス素子Ｃｐｇ２用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ４用の電極パターンを形成し、キャパシタンス素子Ｃｐｇ２用の電極パターンはキャパシタンス素子Ｃｐｇ６の一部を、キャパシタンス素子Ｃｐｇ４用の電極パターンはキャパシタンス素子Ｃｐｇ７の一部を構成する。グリーンシートｇｓ４、ｇｓ６、及びｇｓ１２上の入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴは、それぞれビアホールにて接続されている。
【００７７】
この様に、キャパシタンス素子Ｃｐｇ３をキャパシタンス素子Ｃｐｇ６用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ７用の電極パターンの一部を利用して構成し、キャパシタンス素子Ｃｐｇ６をキャパシタンス素子Ｃｐｇ３用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ４用電極パターンの一部を利用して構成し、キャパシタンス素子Ｃｐｇ７をキャパシタンス素子Ｃｐｇ３用とキャパシタンス素子Ｃｐｇ４用の電極パターンの一部を利用して構成した。
その結果、バンドパスフィルタを小型に構成することができた。
【００７８】
以上のように、本発明に係るバンドパスフィルタは、誘電体のグリーンシートｇｓ１〜ｇｓ１６の各々に導電性ペーストで電極パターンを印刷形成し、各層を電気的に接続するビアホールにも導電性ペーストを充填して、各層を積層して積層体を形成した後、一体焼成して製造できる。
【００７９】
図５に例示した高周波回路は、図７Ａと図７Ｂに例示した誘電体のグリーンシートＧＳ１〜ＧＳ１６を積層した１６層の積層体で一体化できる。
【００８０】
この場合、インダクタンス素子Ｌｂａ１〜Ｌｂａ３、インダクタンス素子Ｌｂｇ１〜Ｌｂｇ３、インダクタンス素子Ｌｆｔ１〜Ｌｆｔ３、インダクタンス素子Ｌｆｒ１,Ｌｆｒ２、インダクタンス素子Ｌｐａ１、インダクタンス素子Ｌｆｔ４、インダクタンス素子Ｌｐｂａ，Ｌｐｂｂ、インダクタンス素子Ｌｐｇ１、Ｌｐｇ２、インダクタンス素子Ｌｔ、Ｌｒは、全て誘電体誘電体のグリーンシートＧＳ１〜ＧＳ１６の上に導電ペーストを印刷して所定の電極パターンで構成される伝送線路で形成することもできる。
【００８１】
図７Ａはグリーンシートの第１乃至８層（ＧＳ１〜ＧＳ８）の電極パターン、図７Ｂは第９乃至１６層（ＧＳ９〜ＧＳ１６）と裏面の電極パターンを示す平面図である。図中、符号を付した電極パターン以外の黒角印のものはビアホールであり、導電性ペーストが充填され誘電体各層に形成された電極パターンを接続するためのものである。
各回路は積層基板に三次元的に構成されるが、各回路を構成する電極パターンは、それぞれ他の回路を構成する電極パターンとの不要な電磁気的干渉を防ぐように、グランド電極ＧＮＤによる分離や、積層方向に見て互いが重ならないようにしている。
【００８２】
次に、回路ブロック毎に、図５に示した高周波回路と図７Ａと図７Ｂに示した積層体の各層における電極パターンとの対応を説明する。
なお、図７Ａと図７Ｂに示した積層体では、インダクタンス素子はグリーンシート上に導体ペーストで印刷形成された伝送線路で構成したが、これに限られるものではなく、積層体の外側に搭載したチップインダクタを用いることもできる。
また、高周波スイッチＳＷ１は積層体の上に搭載し、キャパシタンス素子Ｃ１〜Ｃ６もチップ部品として搭載することもできる。
【００８３】
第１の分波回路Ｄｉｐ１について説明する。
インダクタンス素子Ｌｆr１は、グリーンシートＧＳ７、ＧＳ８、ＧＳ９、ＧＳ１０の4層に亘って形成されるので、小型の割には大きいインダクタンスを得られる。更に、インダクタンス素子Ｌｆr１は、グリーンシートＧＳ１４に形成されたグランドＧＮＤとの距離を隔てて配置しているので、インダクタンス素子Ｌｆr１とグランド間の浮遊容量を僅かにすることができる。
インダクタンス素子Ｌｆｒ２は、グリーンシートＧＳ７，ＧＳ８，ＧＳ１０の３層に亘って形成される。
キャパシタンス素子Ｃｆｒ１は、グリーンシートＧＳ５とＧＳ６の電極パターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｆｒ２は、グリーンシートＧＳ３とＧＳ４、ＧＳ４とＧＳ５上の電極パターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｆｒ３は、グリーンシートＧＳ１５上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。
【００８４】
第１のフィルタ回路ＦＩＬ１であるバンドパスフィルタについて説明する。
インダクタンス素子Ｌｐｇ１とインダクタンス素子Ｌｐｇ２とは、グリーンシートＧＳ８とグリーンシートＧＳ９との各々に２層に亘って並列接続によって形成される。近接するインダクタンス素子Ｌｐｇ１とＬｐｇ２とは、相互誘導係数Ｍによって結合され、いわばトランスのように結合する。
キャパシタンス素子Ｃｐｇ１は、グリーンシートＧＳ３〜ＧＳ６上の電極パターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｐｇ２は、グリーンシートＧＳ４、ＧＳ１３，ＧＳ１５上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｐｇ３は、グリーンシートＧＳ１２とＧＳ１３上の電極パターンとの間で形成される。
キャパシタンス素子Ｃｐｇ４は、グリーンシートＧＳ４、ＧＳ１３，ＧＳ１５上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｐｇ５は、グリーンシートＧＳ３〜ＧＳ６上の電極パターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｐｇ６は、グリーンシートＧＳ１２とＧＳ１３上の電極パターンの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｐｇ７は、グリーンシートＧＳ１２とＧＳ１３上の電極パターンの間で形成される。
【００８５】
図５に例示した高周波回路と図７Ａ，図７Ｂに例示した電極パターン図との対応において注意すべき点がある。
キャパシタンス素子Ｃｆｒ１とキャパシタンス素子Ｃｆｒ２、キャパシタンス素子Ｃｆｔ２とキャパシタンス素子Ｃｆｔ３、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１とキャパシタンス素子Ｃｐｇ２、キャパシタンス素子Ｃｐｇ５とキャパシタンス素子Ｃｐｇ４、キャパシタンス素子Ｃｐｇ２とキャパシタンス素子Ｃｐｇ６、キャパシタンス素子Ｃｐｇ４とキャパシタンス素子Ｃｐｇ７、キャパシタンス素子Ｃｐｇ６とキャパシタンス素子Ｃｐｇ３、キャパシタンス素子Ｃｐｇ７とキャパシタンス素子Ｃｐｇ３は、電極パターンの一部を共用している点である。
このように電極パターンを共有化することにより、電極パターン数を減らすことができるため、小型化に有利となる。
【００８６】
すなわち、キャパシタンス素子Ｃｆｒ２は、キャパシタンス素子Ｃｆｒ１を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ５上の電極パターンを利用する。
キャパシタンス素子Ｃｆｔ３は、キャパシタンス素子Ｃｆｔ２を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ５上の電極パターンを利用する。
キャパシタンス素子Ｃｐｇ２は、キャパシタンス素子Ｃｐｇ１を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ３上の電極パターンを利用する。
キャパシタンス素子Ｃｐｇ４は、キャパシタンス素子Ｃｐｇ５を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ３上の電極パターンを利用する。
キャパシタンス素子Ｃｐｇ６は、キャパシタンス素子Ｃｐｇ２を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ１３上の電極パターンを利用する。
キャパシタンス素子Ｃｐｇ７は、キャパシタンス素子Ｃｐｇ４を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ１３上の電極パターンを利用する。
キャパシタンス素子Ｃｐｇ３は、キャパシタンス素子Ｃｐｇ６を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ１２上の電極パターンと、キャパシタンス素子Ｃｐｇ７を構成する複数の電極パターンのうち、その一部であるグリーンシートＧＳ１３上の電極パターンを利用する。
【００８７】
第２のフィルタ回路ＦＩＬ２について説明する。インダクタンス素子Ｌｐａ１は、グリーンシートＧＳ７，ＧＳ８の２層に亘って形成される。キャパシタンス素子Ｃｐａ３は、必要に応じて追加するものであって、この実施態様では省略している。キャパシタンス素子Ｃｐａ４は、グリーンシートＧＳ１２上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。
【００８８】
第３のフィルタ回路ＦＩＬ３について説明する。インダクタンス素子Ｌｆｔ４は、グリーンシートＧＳ１０〜ＧＳ１２の３層に亘って形成される。キャパシタンス素子Ｃｆｔ５は、必要に応じて追加するものであって、この実施態様では省略している。また、必要に応じて、インダクタンス素子Ｌｆｔ４に並列にキャパシタンス素子を並列接続してもよい。
【００８９】
第２の分波回路Ｄｉｐ２について説明する。インダクタンス素子Ｌｆｔ１は、グリーンシートＧＳ７〜ＧＳ１０の4層に亘って形成されるので、小型の割には大きいインダクタンスを得られる。インダクタンス素子Ｌｆｔ２は、グリーンシートＧＳ７〜ＧＳ９の３層に亘って形成される。インダクタンス素子Ｌｆｔ３は、グリーンシートＧＳ７，ＧＳ８，ＧＳ１０の３層に亘って形成される。
【００９０】
キャパシタンス素子Ｃｆｔ１は、グリーンシートＧＳ１５上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｆｔ２は、グリーンシートＧＳ４とＧＳ５上の電極パターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｆｔ３は、グリーンシートＧＳ５とＧＳ６の電極パターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｆｔ４は、グリーンシートＧＳ１５６上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。
インダクタンス素子ＬｐｂｂはグリーンシートＧＳ３上に形成され、インダクタンス素子ＬｐｂａはグリーンシートＧＳ４上に形成される。
【００９１】
第１の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ１について説明する。インダクタンス素子Ｌｂｇ１は、グリーンシートＧＳ４，ＧＳ６〜ＧＳ８，ＧＳ１０〜ＧＳ１２の７層に亘って形成される。インダクタンス素子Ｌｂｇ２とインダクタンス素子Ｌｂｇ３は、共に、グリーンシートＧＳ６〜ＧＳ８，ＧＳ１０〜ＧＳ１１の５層に亘って形成される。
キャパシタンス素子Ｃｂｇ１は、グリーンシートＧＳ１３，ＧＳ１５上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。キャパシタンス素子Ｃｂｇ２，Ｃｂｇ３は、グリーンシートＧＳ１４上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される
【００９２】
第２の平衡‐不平衡変換回路ＢＡＬ２について説明する。インダクタンス素子Ｌｂａ１は、グリーンシートＧＳ５とＧＳ８の２層に亘って形成される。インダクタンス素子Ｌｂａ２とインダクタンス素子Ｌｂａ３は、共に、グリーンシートＧＳ９とＧＳ１２の２層に亘って形成される。
キャパシタンス素子Ｃｂａ１は、グリーンシートＧＳ１３とＧＳ１５上の電極パターンとＧＮＤパターンとの間で形成される。
【００９３】
図７Ｂの右欄下部に、底面の電極配置を示す。積層体の左部にはグランド電極ＧＮＤを中心としてグランド電極ＧＮＤに挟まれてアンテナ側端子Ａｎｔ１、Ａｎｔ２が夫々位置される。積層体の上部にはグランド電極ＧＮＤに挟まれて、コントロール端子Ｖ１，第２の受信側端子５Ｇ＿Ｒｘ＋，５Ｇ＿Ｒｘ−が配置される。積層体の右部にはグランド電極ＧＮＤを中心としてグランド電極ＧＮＤに挟まれて第２の送信側端子５Ｇ＿Ｔｘ、第２の送信側端子２．４Ｇ＿Ｔｘが夫々位置される。積層体の下部にはグランド電極ＧＮＤに挟まれて、コントロール端子Ｖ２，第１の受信側端子２．４Ｇ＿Ｒｘ＋，２．４Ｇ＿Ｒｘ−が配置される。
【００９４】
積層体は、例えば１０００℃以下で低温焼結が可能なセラミック誘電体材料からなり、厚さが１０μｍ〜２００μｍのグリーンシートに、低抵抗率のＡｇやＣｕ等の導電ペーストを印刷して所定の電極パターンを形成し、複数のグリーンシート（図７Ａ，図７Ｂの例示では、ＧＳ１〜ＧＳ１６の１６層）を適宜一体的に積層し、焼結することにより製造することが出来る。
グリーンシート各層の厚みは、必ずしも同一である必要は無く、各層間の距離を変えてキャパシタンス素子やインダクタンス素子の値を調整するために、異なる厚みに選定することができる。
【００９５】
誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ，Ｍｎ，Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ，Ｓｒを主成分として、Ｃａ，Ｐｂ，Ｎａ，Ｋを複成分とする材料や、Ａｌ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｇｄを含む材料や、Ａｌ，Ｓｉ、Ｚｒ，Ｍｇ含む材料が用いられ、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。前記誘電体材料としては、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分として、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒを主成分としてＣａ、Ｐｂ、Ｎａ、Ｋを副成分とする材料や、Ａｌ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｇｄを含む材料や、Ａｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｍｇ含む材料が用いられ、誘電率は５〜１５程度の材料を用いる。一例としては、主成分がＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉの酸化物で構成され、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、ＴｉをそれぞれＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｒＯ、ＴｉＯ２に換算し合計１００質量％としたとき、Ａｌ２Ｏ３換算で１０〜６０質量％、ＳｉＯ２換算で２５〜６０質量％、ＳｒＯ換算で７．５〜５０質量％、ＴｉＯ２換算で２０質量％以下のＡｌ、Ｓｉ、Ｓｒ、Ｔｉを含有し、前記合計１００質量％に対し副成分として、Ｂｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｏの群のうちの少なくとも１種をＢｉ２Ｏ３換算で０．１〜１０質量％、Ｎａ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、Ｋ２Ｏ換算で０．１〜５質量％、ＣｏＯ換算で０．１〜５質量％含有し、更に、Ｃｕ、Ｍｎ、Ａｇの群のうちの少なくとも１種をＣｕＯ換算で０．０１〜５質量％、ＭｎＯ２換算で０．０１〜５質量％、Ａｇを０．０１〜５質量％の含有し、その他不可避不純物を含有しているセラミック誘電体材料が挙げられる。
なお、セラミック誘電体材料の他に、樹脂積層基板や、樹脂とセラミック誘電体粉末を混合してなる複合材料を用いてなる積層基板を用いることも可能である。また、前記セラミック基板をＨＴＣＣ（高温同時焼成セラミック）技術を用いて、誘電体材料としてＡｌ２Ｏ３を主体とするものとし、伝送線路等をタングステンやモリブデン等の高温で焼結可能な金属導体として構成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明によれば、無線ＬＡＮ等の無線伝送を行なう通信装置に用いられるバンドパスフィルタにおいて、簡単な回路構成で損失の少なく減衰量が大きいものを得ることができるまた、少ないスイッチ手段で電力消費を抑えながら複数のマルチバンドアンテナと送信側回路、受信側回路との接続を切り換え、さらにフィルタ回路や平衡―不平衡変換回路、さらにインピーダンス変換回路を備えた高周波回路を提供することができる。
そして前記高周波回路を３次元的な積層構造により小型に構成した高周波回路部品とし、さらに各通信システムでの送信データを変調し、受信データを復調する送受信部と、前記高周波スイッチの切り換えを制御するスイッチ回路制御部を備えたマルチバンド通信装置を提供することが出来、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、プリンタやハードディスク、ブロードバンドルーターなどのＰＣの周辺機器、ＦＡＸ、冷蔵庫、標準テレビ（ＳＤＴＶ）、高品位テレビ（ＨＤＴＶ）、カメラ、ビデオ、携帯電話等々の電子機器、自動車内や航空機内でのワイヤに変わる信号伝達手段として有用なものである。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明に係るマルチバンド通信装置の一実施例を示す回路ブロック図である。
【図２】本発明に係る高周波回路に用いる高周波スイッチの一実施例を示す回路図である。
【図３】本発明に係るバンドパスフィルタの一実施例を示す回路図である。
【図４】図３に示したバンドパスフィルタの高周波特性を示す図である。
【図５】本発明に係る高周波回路の一実施例を示す回路図である。
【図６−Ａ】本発明に係るバンドパスフィルタの積層体を構成するグリーンシートの第１乃至８層の電極パターンの一例を示す平面図である。
【図６−Ｂ】本発明に係るバンドパスフィルタの積層体を構成するグリーンシートの第９乃至１６層の電極パターンの一例を示す平面図である。
【図７−Ａ】本発明に係る高周波回路部品の積層体を構成するグリーンシートの第１乃至８層の電極パターンの一例を示す平面図である。
【図７−Ｂ】本発明に係る高周波回路部品の積層体を構成するグリーンシートの第９乃至１６層の電極パターンの一例を示す平面図、及び裏面から見た平面図である。
【図８】従来のバンドパスフィルタの等価回路図である。
【図９】従来の積層型バンドパスフィルタにおける各層の電極パターン図である。
【図１０】従来のマルチバンド通信装置の回路ブロック図である。
【図１１】従来のマルチバンド通信装置の回路ブロック図の一部を、より詳細に記載した回路ブロック図である。
【符号の説明】
【００９８】
２．４Ｇ＿Ｒｘ＋，２．４Ｇ＿Ｒｘ−    第１の受信側端子
５Ｇ＿Ｒｘ＋  ，５Ｇ＿Ｒｘ−    第２の受信側端子
２．４Ｇ＿Ｔｘ    第１の送信側端子
５Ｇ＿Ｔｘ    第２の送信側端子
Ａｎｔ１，Ａｎｔ２    アンテナ側端子
ＡＮＴ１，ＡＮＴ２    アンテナ
３０    送受信回路部
５０    スイッチ回路制御部
ＦＩＬ１    バンドパスフィルタ
ＢＡＬ１    第１の平衡‐不平衡変換回路
ＢＡＬ２    第２の平衡‐不平衡変換回路
Ｃ１〜Ｃ６    キャパシタンス素子
Ｃｂａ１    キャパシタンス素子
Ｃｆｔ１〜Ｃｆｔ４    キャパシタンス素子
Ｃｆｒ１〜Ｃｆｒ３    キャパシタンス素子
Ｃｐａ１〜Ｃｐａ４    キャパシタンス素子
Ｃｐｇ１〜Ｃｐｇ７    キャパシタンス素子
Ｄｉｐ１    第１の分波回路
Ｄｉｐ２    第２の分波回路
ＦＩＬ１    第１のフィルタ回路
ＦＩＬ２    第２のフィルタ回路
ＦＩＬ３    第３のフィルタ回路
ＧＮＤ    グランド端子
ＧＳ１〜ＧＳ１７    グリーンシート
ＩＮ    入力端子
Ｌｂａ１〜Ｌｂａ３    インダクタンス素子
Ｌｂｇ１〜Ｌｂｇ３    インダクタンス素子
Ｌｆｔ１〜Ｌｆｔ３    インダクタンス素子
Ｌｆｒ１，Ｌｆｒ２    インダクタンス素子
Ｌｐａ１    インダクタンス素子
Ｌｐｂａ，Ｌｐｂｂ    インダクタンス素子
Ｌｒ    インダクタンス素子
Ｌｔ    インダクタンス素子
ＯＵＴ    出力端子
ｐ１、ｐ２    接続点
ｐａ〜ｐｄ    端子
ｐ１ａ，ｐ２ａ    共通端子
ｐ１ｂ，ｐ２ｂ    低周波側端子
ｐ１ｃ，ｐ２ｃ    高周波側端子
ＳＷ１    高周波スイッチ
Ｖ１，Ｖ２    コントロール端子
【図１】
2006013849.tif 000004
【図２】
2006013849.tif 000005
【図３】
2006013849.tif 000006
【図４】
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【図５】
2006013849.tif 000008
【図６−Ａ】
2006013849.tif 000009
【図６−Ｂ】
2006013849.tif 000010
【図７−Ａ】
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【図７−Ｂ】
2006013849.tif 000012
【図８】
2006013849.tif 000013
【図９】
2006013849.tif 000014
【図１０】
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【図１１】
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