(57)【要約】【課題】本発明はプラズマディスプレイ装置に関し、より詳しくはフィルターを含むプラズマディスプレイ装置を提供する。【解決手段】本発明によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、前記プラズマディスプレイパネルの上部に配置されるフィルターとを備え、フィルタは、グランドに接地された透明導電層と、前記透明導電層上部に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層を含む電磁波遮蔽膜を含む。本発明では、透明導電層上に遮蔽用導電層を形成することでプラズマディスプレイ装置のコントラストが向上して、易しく電磁波遮蔽膜のバイアスアングルを調節することができるし、電磁波遮蔽膜の製造原価が減少する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネルと、
前記プラズマディスプレイパネルの上部に配置されるフィルタであって、
透明導電層と、
前記透明導電層上部に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層とを含む電磁波遮蔽膜と、
を備える前記フィルターと、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記フィルターは、
ガラスフィルターまたはフィルムフィルター中の何れかであることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記遮蔽用導電層は、メッシュタイプの遮蔽用導電層であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記遮蔽用導電層のメッシュピッチは５００μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項３記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記透明導電層は、
ＩＴＯ、ＺｎＯ及びＡＴＯの中の何れか一つから成ることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記遮蔽用導電層は、
Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ及びＡｕの中の何れか一つの酸化物からなることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記遮蔽用導電層は、
スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式、スクリーンプリンティング方式、ウェットコーティング方式、薄膜シート接合方式及びフォトリソグラピ工程を利用した方式の中で一つの方式に形成されることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記透明導電膜は、グランドに接地されていることを特徴とする、請求項１乃至７何れか記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
プラズマディスプレイパネルの上部に配置されるフィルターにおいて、
透明導電層と、
前記透明導電層上部に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層を含む電磁波遮蔽膜と、
を含むフィルター。
【請求項１０】
前記フィルターは、
ガラスフィルターまたはフィルムフィルター中の何れか一つであることを特徴とする、請求項９記載のフィルター。
【請求項１１】
前記遮蔽用導電層はメッシュタイプの遮蔽用導電層であることを特徴とする、請求項９記載のフィルター。
【請求項１２】
前記遮蔽用導電層のメッシュピッチは５００μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１１記載のフィルター。
【請求項１３】
前記透明導電層は、
ＩＴＯ、ＺｎＯ及びＡＴＯの中の何れか一つからなることを特徴とする、請求項９記載のフィルター。
【請求項１４】
前記遮蔽用導電層は、
Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ及びＡｕの中の何れか一つの酸化物からなることを特徴とする、請求項９記載のフィルター。
【請求項１５】
前記遮蔽用導電層は、
スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式、スクリーンプリンティング方式、ウェットコーティング方式、薄膜シート接合方式及びフォトリソグラピ工程を利用した方式の中で一つの方式に形成されることを特徴とする、請求項９記載のフィルター。
【請求項１６】
グランドに接地され、光を透過させる透明導電層と、
前記透明導電層上部に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層と、
を含むことを特徴とする電磁波遮蔽膜。
【請求項１７】
前記遮蔽用導電層はメッシュタイプの遮蔽用導電層であることを特徴とする、請求項１６記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項１８】
前記遮蔽用導電層のメッシュピッチは５００μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１７記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項１９】
前記透明導電層は、
ＩＴＯ、ＺｎＯ及びＡＴＯの中の何れか一つからなることを特徴とする、請求項１６記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項２０】
前記遮蔽用導電層は、
Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ及びＡｕの中の何れか一つの酸化物からなることを特徴とする、請求項１６記載の電磁波遮蔽膜。
【請求項２１】
前記遮蔽用導電層は、
スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式、スクリーンプリンティング方式、ウェットコーティング方式、薄膜シート接合方式及びフォトリソグラピ工程を利用した方式の中で一つの方式に形成されることを特徴とする、請求項１６記載の電磁波遮蔽膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置に関し、より詳しくは、フィルターを含むプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、プラズマディスプレイパネルは、ソーダライム（Ｓｏｄａ−ｌｉｍｅ）ガラスからなる前面基板と背面基板とからなる。前面基板と背面基板との間に形成された隔壁は、放電セルを区切る。放電セルの内部に注入されたヘリウム-キセノン（Ｈｅ−Ｘｅ）、ヘリウム-ネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）などのような不活性ガスは、高周波電圧によって放電を起こす。放電が起きる時、真空紫外線（Ｖａｃｕｍ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  ｒａｙｓ）が発生して、真空紫外線が隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることで画像が具現される。
【０００３】
図１は、従来プラズマディスプレイパネルの構造を概略的に示す斜視図である。図１に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルは、前面パネルと背面パネルとからなる。前面パネルは前面ガラス基板１０を含み、背面パネルは背面ガラス基板２０を含む。前面パネルと背面パネルとは一定距離を間に置いて平行に結合される。
【０００４】
前面ガラス基板１０上には相互放電によってセルの発光を維持するための維持電極対(１１、１２)が形成される。維持電極対は、スキャン電極１１とサステイン電極１２とから成り立つ。スキャン電極１１とサステイン電極１２それぞれは、透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極(１１a、１２a)と、金属材質に製作されたバス電極(１１ｂ、１２ｂ)とからなる。スキャン電極１１は、パネルスキャンのためのスキャン信号と、放電維持のための維持信号を入力受ける。サステイン電極１２は維持信号を入力受ける。誘電体層１３ａは、維持電極対(１１、１２)の上部に形成されて放電電流を制限して電極対の間を絶縁させる。保護層１４は、誘電体層１３ａ上面に形成されて放電条件を容易くするために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる。
【０００５】
背面ガラス基板２０上には、維持電極対(１１、１２)と交差されるようにアドレス電極２２が配置される。誘電体層１３ｂは、アドレス電極２２の上部に形成されてアドレス電極２２の間を絶縁させる。隔壁２１は、誘電体層１３ｂ上に形成されて放電セルを区切る。Ｒ、Ｇ、Ｂ蛍光層２３は、隔壁２１と隔壁２１との間に塗布されて画像の表示のための可視光線を放出する。
【０００６】
隔壁上側面には、前面ガラス１０外部で発生する外部光を吸収して反射を減らしてくれる光遮断の機能と、前面ガラス１０の色純度（Ｐｕｒｉｔｙ）及びコントラストを進めるなどの機能をするブラックマトリックス（２１ａ）とが配列されて構成される。
【０００７】
このような構造を持つ従来のプラズマディスプレイパネルは、プラズマ放電のための高電圧及び高周波を印加して画像を具現するから、ガラス基板の前面で電磁波が多く放出する問題点がある。また、従来のプラズマディスプレイパネルは、Ｎｅ、Ｘｅのような不活性ガスから誘導される近赤外線（ＮＩＲ）を放出するが、近赤外線の波長は家電製品のリモートコントローラーの波長と近く、家電製品の誤作動を起こす問題点がある。このような従来のプラズマディスプレイパネルの多くの問題点を解決するために、従来のプラズマディスプレイパネルの前面にガラスフィルター（Ｇｌａｓｓ  Ｆｉｌｔｅｒ）やフィルム型フィルター（ＦｉｌｍＦｉｌｔｅｒ）が設置される。
【０００８】
一方、従来のガラスフィルターに形成された電磁波遮蔽膜は、図２ａ及び図２ｂに示すように形成される。
【０００９】
図２ａは、従来の電磁波遮蔽膜を含むガラスフィルターを示す。図２ｂは、従来の電磁波遮蔽膜の平面図である。図２ａに示すように、従来の電磁波遮蔽膜を含んだガラスフィルター２００は、紫外線及び外部反射光を減らすための反射防止膜（ＡＲ  Ｃｏａｔｉｎｇ)２１０、近赤外線遮断のための近赤外線遮蔽膜（ＮＩＲ  Ｃｏａｔｉｎｇ）２３０及び電磁波遮断のための電磁波遮蔽膜（ＥＭＩＣｏａｔｉｎｇ）２５０を含む。ガラスフィルター２００は、膜と膜の間に形成されたガラス２２０を含む。各膜は、基板膜（Ｂａｓｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ)２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃに附着する。基板膜２４０ａ，２４０ｂは、粘着膜２７０ａ，２７０ｂと結合される。また、ガラス２２０に附着する粘着膜２７０ｂには、ブラックフレーム（Ｂｌａｃｋ  Ｆｒａｍｅ）２６０が形成される。図２ｂに示すように、従来の電磁波遮蔽膜（ＥＭＩ Ｃｏａｔｉｎｇ)２５０は、電磁波を遮蔽するための導電性メッシュ２０３と、導電性メッシュ２０３を接地させるために従来の電磁波遮蔽膜２５０のまわりに形成される接地部２０１を含む。
【００１０】
このような従来の電磁波遮蔽膜では、電磁波遮蔽のためにメッシュピッチ（ｐｉｔｃｈ）が小さいから、光の透過率が低くて、プラズマディスプレイパネルのコントラストが低下される問題点がある。
【００１１】
また、従来の電磁波遮蔽膜は、メッシュ２０３によるモアレ現象（ｍｏｉｒｅ  ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）を阻むためにバイアスアングル（ｂａｉｓ  ａｎｇｌｅ）θを調節しなければならない。また、従来の電磁波遮蔽膜では、接地部２０１をプラズマディスプレイパネルに位置合わせなければならないから、バイアスアングル（ｂａｉｓ ａｎｇｌｅ）θの調節が易しくない。
【００１２】
このように従来の電磁波遮蔽膜では、メッシュピッチが小さくてバイアスアングルの調節が易しくないから、メッシュを形成するためのマスクの価格の上昇する問題点が発生する。
【００１３】
このように従来の電磁波遮蔽膜では、マスクの価格が上昇して電磁波遮蔽膜の製造原価が上昇する問題点が発生する。
【００１４】
一方、プラズマディスプレイパネルの前面にフィルム型フィルターを附着することができる。フィルムフィルターがガラスフィルターと同じく図２bのような電磁波遮蔽膜を含む場合も、上述した問題点が等しく発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、光の透過率を高めてバイアスアングルの調節が易しく製造原価が低い電磁波遮蔽膜を提供することにある。
【００１６】
本発明の他の目的は、光の透過率を高めてバイアスアングルの調節が易しく製造原価が低い電磁波遮蔽膜を含むフィルターを提供することにある。
【００１７】
本発明のまた他の目的は、光の透過率を高めてバイアスアングルの調節が易しく製造原価が低い電磁波遮蔽膜を含むプラズマディスプレイ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明によるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルと、透明導電層と前記透明導電層上部に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層とを含む電磁波遮蔽膜を含み、前記プラズマディスプレイパネルの上部に配置されるフィルターを含む。
【００１９】
本発明によるフィルターは透明導電層と、前記透明導電層上部に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層を含む電磁波遮蔽膜を含む。
【００２０】
本発明による電磁波遮蔽膜は光を透過させる透明導電層と、前記透明導電層上部に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層を含む。
【００２１】
前記フィルターは、 ガラスフィルターまたはフィルムフィルター中の一つのことを特徴とする。
【００２２】
前記遮蔽用導電層はメッシュタイプの遮蔽用導電層であることを特徴とする。
【００２３】
前記遮蔽用導電層のメッシュピッチは５００μｍ以上１０００μｍ以下なのを特徴とする。
【００２４】
前記透明導電層は、ＩＴＯ、ＺｎＯ及びＡＴＯの中で一つからなることを特徴とする。
【００２５】
前記遮蔽用導電層は、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ及びＡｕの中で一つの酸化物からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は透明導電層上に遮蔽用導電層を形成することでプラズマディスプレイ装置のコントラストが向上する。
【００２７】
本発明は透明導電層上に遮蔽用導電層を形成することで易しく電磁波遮蔽膜のバイアスアングルを調節することができる。
【００２８】
本発明は透明導電層上に遮蔽用導電層を形成することでマスクの価格が減って電磁波遮蔽膜の製造原価が減少する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に、本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照して説明する。
【００３０】
図３ａは、本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜を含むガラスフィルターを示す。
図３（ａ）に示すように、ガラスフィルター３００は、ガラス３２０、紫外線遮断及び外部反射光を減らすための反射防止膜（Ａｎｉｔ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ  Ｃｏａｔｉｎｇ）３１０、近赤外線遮断のための近赤外線遮蔽膜（Ｎｅａｒ  Ｉｎｆｒａ  Ｒｅｄ  Ｃｏａｔｉｎｇ)３１０、電磁波遮断のための電磁波遮蔽膜（ＥＭＩ Ｃｏａｔｉｎｇ）３５０及びネオン光遮断のためのカラー染料層（Ｃｏｌｏｒ  ｄｙｅ  ｌａｙｅｒ）３３０を含む。
【００３１】
カラー染料層（Ｃｏｌｏｒ ｄｙｅ ｌａｙｅｒ）３３０は、プラズマディスプレイパネル駆動の時、ネオン（Ｎｅ）によって発生される特定色の光を遮断する。カラー染料層３３０の一方面は、ガラス３２０の一方面と接触して、カラー染料層３３０とガラス表面３２０の面接触を通じてカラー染料層３３０とガラス３２０が結合する。
【００３２】
第１基板膜３４０ａは、ポリエチレンテレフタルレート(以下、ＰＥＴ：Ｐｏｌｙ
Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ)や、ツリーアセチルセルロース(以下、ＴＡＣ：Ｔｒｉａｃｅｔｙｌ  Ａｃｅｔｙｌ  Ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ)のような材質に形成される。第１基地膜３４０ａの一方面は、カラー染料層３３０の他方面と接触する。
【００３３】
反射防止膜（ＡＲ Ｃｏａｔｉｎｇ）及び近赤外線遮蔽膜（ＮＩＲ Ｃｏａｔｉｎｇ）は、紫外線遮断及び外部反射光を減らして近赤外線遮断のために一つの膜３１０に形成される。反射防止膜（ＡＲ Ｃｏａｔｉｎｇ）及び近赤外線遮蔽膜（ＮＩＲ Ｃｏａｔｉｎｇ）の一方面は基地膜３４０ａの他方面と接触する。
【００３４】
第２基地膜３４０ｂは、ＰＥＴやＴＡＣのような材質で形成されて、ガラス３２０の他方面と接触する。
【００３５】
本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜３５０は、電磁波遮断のために形成され、第２基地膜３４０ｂの他方面と接触する。図３（ｂ）に示すように、本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜３５０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ及びＡＴＯのような材質からなる透明導電層３５０ａと、透明導電層３５０ａ上に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層３５０ｂとを含む。このように本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜の遮蔽用導電層３５０ｂは、メッシュタイプの遮蔽用導電層である。
【００３６】
本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜３５０では、図２（ｂ）に示す従来の電磁波遮蔽膜２５０が含む接地部２０１代りに、透明導電層３５０ａがグラウンドと繋がれることで遮蔽用導電層３５０ｂが接地される。このように透明導電層３５０ａがグラウンドと繋がれて、透明導電層４５０ａを介して遮蔽用導電層３５０ｂが接地されることで、図２ｂに示す従来の接地部２０１を省略することが可能となり、遮蔽用導電層３５０ｂのメッシュピッチは従来のメッシュピッチに比べて大きくすることができる。
【００３７】
すなわち、電磁波遮蔽能力はメッシュピッチが小さいほど増加する。従来の電磁波遮蔽層は、図２ｂの導電性メッシュ２０３だけが電磁波を遮蔽する役目をするのでメッシュピッチが小さかったが、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層は、遮蔽用導電層３５０ｂだけでなく透明導電層３５０ａも電磁波を遮蔽するのでメッシュのピッチを大きくすることができる。従来のメッシュピッチは、３００μｍであったが、本発明の実施形態でのメッシュピッチは５００μｍ以上１０００μｍ以下に製作可能である。
【００３８】
以上のように、本実施形態に係る電磁波遮蔽膜３５０では、透明導電層３５０ａを接地し、透明導電層３５０ａを介して遮蔽用導電層３５０ｂを接地するので、従来のように電磁波遮蔽膜３５０の周囲に接地部を配置する必要がなくなり、また、遮蔽用導電層３５０ｂだけでなく透明導電層３５０ａも電磁波を遮蔽するので、遮蔽用導電膜３５０ｂのメッシュピッチを従来に比較して大きくすることができる。
これによって、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層は光の透過率が大きくなって、プラズマディスプレイパネルのコントラストが向上する。また、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層は、従来の接地部に対する考慮なしに本発明の実施形態による電磁波遮蔽層の回転だけでバイアスアングルθが調節可能である。また、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層ではメッシュピッチが大きく、バイアスアングルθの調節が易しいから、低価格のマスクを利用して遮蔽用導電層３５０ｂを形成することができる。
【００３９】
遮蔽用導電層３５０ｂは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕのような導電性材質の酸化物を利用してスパッタリング方式（Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、スクリーンプリンティング（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式、ウェットコーティング（Ｗｅｔ  Ｃｏａｔｉｎｇ）方式、薄膜シート接合方式及びフォトリソグラフィー工程を利用した方式の中で一つの方式に形成されることができる。薄膜シート接合方式は、遮蔽用導電層３５０ｂがあらかじめ形成された薄膜シートを利用して透明導電層３５０ａ上に遮蔽用導電層３５０ｂを形成するのである。
【００４０】
このような本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜を含むガラスフィルターがプラズマディスプレイパネルの上部に配置されることでプラズマディスプレイ装置を成す。
【００４１】
図４は、本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜を含むフィルムフィルターを示す。
図４に示すように、フィルムフィルター４００は、紫外線遮断及び外部反射光を減らすための反射防止膜４１０、近赤外線遮断のための近赤外線遮蔽膜４１０、電磁波遮断のための電磁波遮蔽膜４５０及びネオン遮断のためのカラー染料層４３０を含む。各膜の機能は、第１実施形態と等しいので各膜に対する詳細な説明は略する。反射防止膜と近赤外線遮蔽膜は一つの膜４１０からなる。反射防止膜及び近赤外線遮蔽膜４１０と、カラー染料層４３０との間には、第３基地膜４４０ａが形成される。本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜４５０は、透明化処理樹脂膜４６０と第４基地膜４４０ｂの間に形成される。透明化樹脂膜は、光を通過が出来る樹脂膜である。
【００４２】
このようにフィルムフィルター４００に含まれた本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜４５０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ及びＡＴＯのような材質からなる透明導電層４５０ａと、透明導電層４５０ａ上に形成されて複数個のホールが形成された遮蔽用導電層４５０ｂと、を含む。このように本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜の遮蔽用導電層４５０ｂは、メッシュタイプの遮蔽用導電層である。
【００４３】
本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜４５０では、図２（ｂ）に示す従来の電磁波遮蔽膜２５０が含む接地部２０１代りに、透明導電層４５０ａがグラウンドと繋がれることで、遮蔽用導電層４５０ｂが接地される。このように透明導電層４５０ａがグラウンドと繋がれて、遮蔽用導電層４５０ｂが透明導電層４５０ａを介して接地されることで、図２ｂに示す従来の接地部２０１を省略することが可能となり、遮蔽用導電層４５０ｂのメッシュピッチを従来のメッシュピッチに比べて大きくすることができる。
【００４４】
従来の電磁波遮蔽層は、図２（ｂ）の導電性メッシュ２０３だけが電磁波を遮蔽する役目をするので、メッシュピッチが小さかったが、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層は遮蔽用導電層４５０ｂだけでなく透明導電層４５０ａも電磁波を遮蔽するのでメッシュのピッチを大きくすることができる。従来のメッシュピッチは３００μｍであったが、本発明の実施形態でのメッシュピッチは５００μｍ以上１０００μｍ以下に製作可能である。
【００４５】
以上のように、本実施形態に係る電磁波遮蔽膜４５０では、透明導電層４５０ａを接地し、透明導電層４５０ａを介して遮蔽用導電層４５０ｂを接地するので、従来のように電磁波遮蔽膜４５０の周囲に接地部を配置する必要がなくなり、また、遮蔽用導電層４５０ｂだけでなく透明導電層４５０ａも電磁波を遮蔽するので、遮蔽用導電膜４５０ｂのメッシュピッチを従来に比較して大きくすることができる。
これによって、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層はプラズマディスプレイパネルのコントラストが向上する。また、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層は、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層の回転だけでバイアスアングルθが調節可能である。また、本発明の実施形態による電磁波遮蔽層では、低価格のマスクを利用して遮蔽用導電層４５０ｂを形成することができる。
【００４６】
遮蔽用導電層４５０ｂは、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｕのような導電性材質の酸化物を利用してスパッタリング方式、スクリーンプリンティング方式、ウェットコーティング方式、薄膜シート接合方式及びフォトリソグラフィー工程を利用した方式の中で一つの方式に形成されることができる。薄膜シート接合方式は、遮蔽用導電層４５０ｂがあらかじめ形成された薄膜シートを利用して透明導電層４５０ａ上に遮蔽用導電層４５０ｂを形成するのである。
【００４７】
このような本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜を含むフィルムフィルターがプラズマディスプレイパネルの上部に配置されることでプラズマディスプレイ装置を成す。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】従来プラズマディスプレイパネルの構造を概略的に示す斜視図。
【図２】図２（ａ）は、従来の電磁波遮蔽膜を含むガラスフィルターを示す図。図２（ｂ）は従来の電磁波遮蔽膜の平面図。
【図３】図３（ａ）は本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜を含むガラスフィルターを示す図。図３（ｂ）は本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜の平面図。
【図４】本発明の実施形態による電磁波遮蔽膜を含むフィルムフィルターを示す図である。
【図１】
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【図２】
2006139277.tif 000004
【図３】
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【図４】
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