(57)【要約】      （修正有）【課題】イメージセンサ素子やＭＥＭＳ素子のような特殊な類型の半導体素子の超薄型モジュールを提供すること。【解決手段】超薄型モジュール３０は、活性面と前記活性面中央にある特定領域３３と活性面の周辺に沿って配置された入出力パッド３２とを有する半導体チップ３１と、前記半導体チップを支持するとともに前記半導体チップが直接取り付けられて電気的に接続されるモジュール基板３５と、前記半導体チップに対向する下面の中央にキャビティが形成されて前記半導体チップの活性面に直接取り付けられるチップカバー３４とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性面と、前記活性面中央にある特定領域と、活性面の周辺に沿って配置された入出力パッドとを有する半導体チップと、
前記半導体チップを支持するとともに前記半導体チップが直接取り付けられて電気的に接続されるモジュール基板と、
前記半導体チップに対向する下面の中央にキャビティが形成されて前記半導体チップの活性面に直接取り付けられているチップカバーと
を備え、
前記チップカバーのキャビティは、前記半導体チップの活性面の特定領域を覆い、前記チップカバーの下面は、入出力パッドを覆わないように前記半導体チップの活性面の周辺内に限定することを特徴とする超薄型モジュール。
【請求項２】
前記半導体チップが、イメージセンサである請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項３】
前記特定領域が、光センサ領域である請求項２に記載の超薄型モジュール。
【請求項４】
前記半導体チップが、微細電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子である請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項５】
前記特定領域には、機械的要素を含む請求項４に記載の超薄型モジュール。
【請求項６】
前記モジュール基板が、印刷回路基板、リードフレーム、セラミック基板または配線フィルムである請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項７】
前記チップカバーが、透明物質である請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項８】
前記チップカバーが、ガラス、透明樹脂、及び透明金属酸化物である群より選ばれる請求項７に超薄型モジュール。
【請求項９】
前記チップカバーが、金属イオンで構成されるか被覆される請求項７に記載の超薄型モジュール。
【請求項１０】
前記チップカバーが、半透明または不透明物質である請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項１１】
前記チップカバーが、プラスチックまたはセラミックである請求項１０に記載の超薄型モジュール。
【請求項１２】
前記半導体チップを覆うとともに前記チップカバーの上面を露出させるプラスチック樹脂体をさらに備える請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項１３】
前記半導体チップを覆うとともに前記モジュール基板に取り付けられて前記チップカバー上方に位置するレンズ組立体を有するモジュールハウジングをさらに備える請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項１４】
前記特定領域の上方に位置するチップカバーの部分が湾曲してレンズ形態であることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の超薄型モジュール。
【請求項１５】
前記チップカバーが、赤外線を透過させる物質である請求項１に記載の超薄型モジュール。
【請求項１６】
活性面と、前記活性面の中央にある光センサ領域と、活性面の周辺に沿って配置された入出力パッドとを有するイメージセンサチップと、
前記イメージセンサチップを支持するとともに前記イメージセンサチップが直接取り付けられて電気的に接続されるモジュール基板と、
前記半導体チップに対向する下面と、前記半導体チップの活性面の特定領域に跨って上方に配置された下面の中央にキャビティとを有するチップカバーと、
を備え、
前記チップカバーの下面は、入出力パッドを覆わないように前記半導体チップの活性面の周辺内に限定する外縁を有し、前記チップカバーは、赤外線を透過させる物質から構成されていることを特徴とする超薄型イメージセンサモジュール。
【請求項１７】
前記光センサ領域を覆っているチップカバーの一部が、湾曲してレンズ形態を有する請求項１６に記載の超薄型イメージセンサモジュール。
【請求項１８】
前記チップカバーは、ガラス、透明樹脂及び透明金属酸化物からなる群より選ばれる請求項１６に記載の超薄型イメージセンサモジュール。
【請求項１９】
前記チップカバーは、金属イオンで構成されるか被覆される請求項１８に記載の超薄型イメージセンサモジュール。
【請求項２０】
活性面と、前記活性面中央にある特定領域と、前記活性面の周辺に沿って配置された入出力パッドとを有する半導体チップと、
前記半導体チップに対向する下面と、前記半導体チップの活性面の特定領域に跨って上方に配置された下面の中央にキャビティとを有するチップカバーと、
前記チップカバーの下面は、入出力パッドを覆わないように前記半導体チップの活性面の周辺内に限定する外縁を有し、
前記半導体チップを組み込んで、前記チップカバーの上面を露出させるプラスチック樹脂体と、
を備えることを特徴とする超薄型モジュール。
【請求項２１】
前記プラスチック樹脂体に組み込まれて複数のリードを有するリードフレームと、
前記リードフレームに電気的に接続する入出力パッドと、
をさらに備える請求項２０に記載の超薄型モジュール。
【請求項２２】
前記リードフレームには、前記半導体チップを支持するチップ固定用パッドをさらに含む請求項２１に記載の超薄型モジュール。
【請求項２３】
前記半導体チップを支持するモジュール基板と、
前記プラスチック樹脂体を介して前記入出力パッドからモジュール基板まで延長するボンディングワイヤと、
をさらに備える請求項２０に記載の超薄型モジュール。
【請求項２４】
活性面と、前記活性面中央にある特定領域と、前記活性面の周辺に沿って入出力パッドとを含むウエハを提供する段階と、
下面と、前記下面の中央部にキャビティとを有するチップカバーを、前記チップカバーのキャビティが前記半導体チップの特定領域の上方に位置して特定領域に開口し、さらに前記チップカバーの外側に前記入出力パッドを露出したままにして、それぞれの前記半導体チップの活性面に直接取り付ける段階と、
前記ウエハを切断してそれぞれの前記半導体チップを個別的に分離する段階と、
個別的に分離された前記半導体チップを基板に直接取り付ける段階と、
を含む超薄型モジュール製造方法。
【請求項２５】
前記プラスチック樹脂体の外側に、前記半導体チップの上面を露出したままにして、前記半導体チップを前記プラスチック樹脂体に組み込む段階をさらに含む請求項２４に記載の超薄型モジュール製造方法。
【請求項２６】
レンズ組立体を有するモジュールハウジングを、前記半導体チップを覆うとともに前記レンズ組立体が前記半導体チップの特定領域の上方に位置するように、前記基板に取り付ける段階をさらに含む請求項２４に記載の超薄型モジュール製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子パッケージング技術に関し、さらに詳細には、イメージセンサ(ｉｍａｇｅ ｓｅｎｓｏｒ)素子、微細電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子のように特殊な類型の半導体素子におけるモジュール構造及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、映像技術の向上に伴い、高解像カメラフォンだけではなく、低価の映像キャプチャー機能の必要な分野にも優れた画質を提供することができるようになってきた。この映像技術は、イメージセンサモジュールにおいて行われており、イメージセンサモジュールには、光学的映像を電気的信号に変換し得るイメージセンサを含む。
【０００３】
すなわち、イメージセンサは、一連の画素から構成され、光が画素に入射されることにより映像が得られる。こうした種類のイメージセンサは、大きく固体撮像素子（ＣＣＤ）と相補性金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）イメージセンサとに分けられる。前者のＣＣＤイメージセンサは、画質に優れかつ騒音が少ないという長所を有し、後者のＣＭＯＳイメージセンサは、製造費用や電力消耗が少ないという長所を有する。
【０００４】
このようなイメージセンサ素子は、パッケージ形態に組み立てた後モジュールに組み立てるかまたは直接モジュールに組み立てる。図１Ａは、イメージセンサ素子がパッケージ中に組み立てられた構造を示しており、図１Ｂは、イメージセンサパッケージがモジュール中に組み立てられた構造を示す。また、図２は、イメージセンサ素子が直接モジュール中に組み立てられた構造を示す。
【０００５】
図１Ａに図示の従来のイメージセンサパッケージ１０を参照すれば、イメージセンサ素子が、ウエハ状態で個々のチップ１１に分離されパッケージ基板１２に取り付けられる。イメージセンサチップ１１とパッケージ基板１２とは金属線１３によって互いに電気的に接続する。パッケージ基板１２外側にはパッケージ端子１４が形成されており、パッケージ端子１４は、パッケージ基板１２の回路配線(図示せず)を介して金属線１３と電気的に接続する。パッケージ基板１２の上部にはパッケージカバー１５が取り付けられイメージセンサチップ１１と金属線１３とを外側環境から保護する。パッケージカバー１５は、外側から入射してくる光を透過可能に透明な材質からなる。
【０００６】
図１Ｂに図示の従来のイメージセンサモジュール２０ａを参照すれば、前述したイメージセンサパッケージ１０がモジュール基板２１に実装される。このとき、パッケージ端子１４は、モジュール基板２１の回路配線(図示せず)に電気的に接続する。次いで、パッケージ１０全体を覆うようにモジュールハウジング２２がモジュール基板２１上に取り付けられる。モジュールハウジング２２にはパッケージのイメージセンサチップ上部に位置するレンズ組立体２３と赤外線フィルタ２４とが設けられる。
【０００７】
図２に図示の従来のイメージセンサモジュール２０ｂは、チップーオンーボード（ＣＯＢ）技術を用いてイメージセンサチップ１１を直接モジュール基板２１に取り付けている。イメージセンサチップ１１及びモジュール基板２１は金属線１３によって電気的に接続する。モジュールハウジング２２は、イメージセンサチップ１１を覆いながらモジュール基板２１に取り付けている。モジュールハウジング２２は、レンズ組立体２３とイメージセンサチップ１１とを覆う赤外線フィルタ２４とを有する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来のイメージセンサモジュール２０ａ及び２０ｂは、その機能を遂行するためのレンズ組立体２３と赤外線フィルタ２４とを必需的に具備しなければならず、レンズ組立体２３及び赤外線フィルタ２４が、モジュールハウジング２１に一体化されるため、イメージセンサチップ１１から必ず離れて配置される必要があった。従って、イメージセンサモジュールが相対的に厚くなり、特に携帯電話機器の製品関連において、サイズや重さ等を決定付ける一つの要因となっていた。
【０００９】
本発明の目的は、イメージセンサ素子とＭＥＭＳ素子のような特殊な類型の半導体素子の超薄型モジュールを提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的は、大量生産が容易な特殊な類型の半導体素子の超薄型モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施形態によれば、超薄型モジュール構造は、半導体チップと、半導体チップの活性面の特定領域に形成された保護チップカバーとを備えている。ここで、特定領域とは、該半導体チップの活性面の中央部に位置する領域のことをいう。そして、半導体チップには、特定領域が光センサ領域であるイメージセンサもしくは活性面の特定領域に機械的要素を占めるＭＥＭＳ素子が構成されている。多数の入出力パッドは活性面の周辺に沿って配置される。チップカバーは、該チップカバーの下面の中央にキャビティを設けて半導体チップの活性面の特定領域を覆う。しかし、下面は、入出力パッドを覆わない。
【００１２】
さらに、超薄型モジュールは、半導体チップを支持して半導体チップを直接取り付けられるともに電気的に接続するモジュール基板を備える。モジュール基板として、印刷回路基板、リードフレーム、セラミック基板、または配線フィルムが使用される。
【００１３】
本発明の他の一実施形態によれば、チップカバーの素材は、ガラス、透明樹脂物質、または透明酸化物のような透明物質からなる。チップカバーは、金属イオンで構成されるかコーティングされ得る。また、チップカバーの素材は、プラスチックかセラミックのような半透明または不透明な物質からなる。すなわち、チップカバーは、レンズ組立体及び/または赤外線フィルタの役割を果たすために製造され得る。
【００１４】
本発明の他の実施形態によれば、超薄型モジュール構造は、半導体チップを密封するプラスチック樹脂体をさらに含む。このとき、プラスチック樹脂体の外側にチップカバーの上面が露出する。そして、前記半導体チップを覆うとともに前記モジュール基板に取り付けて、前記チップカバー上方に位置するレンズを有したモジュールハウジングをさらに含むことができる。
【００１５】
本発明のさらに他の一実施形態によれば、超薄型モジュール製造方法は、多数の半導体チップを含むウエハを提供する段階と、個別半導体チップに分離するためにウエハをスライスする前にそれぞれの半導体チップにチップカバーを取り付ける段階とを含む。前記チップカバーの下面のキャビティが、前記半導体チップの特定領域の上方に位置して特定領域に開口し、さらに前記チップカバーの外側に前記入出力パッドを露出したままにして、それぞれの前記半導体チップの活性面に直接取り付ける段階と、半導体チップが互いに分離されたら、モジュール基板に取り付けて電気的に接続する段階をさらに含む。
【００１６】
また、モルディング工程は、プラスチック樹脂の外側にチップ上面を露出したままにして半導体チップをプラスチック樹脂体に組み込むか、もしくはレンズ組立体を有するモジュールハウジングを、前記半導体チップを覆うとともに前記レンズ組立体が前記半導体チップの特定領域の上方に位置するように、前記基板に取り付ける段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による半導体素子の超薄型モジュール構造は、イメージセンサ素子またはＭＥＭＳ素子のような特殊な類型の半導体素子に有効に適用することができる。本発明による半導体素子の超薄型モジュール構造は、チップに直接取り付けられるチップカバーを含むことを特徴としており、そのチップカバーをレンズ及び赤外線フィルタの兼用として活用できる。この場合、モジュールの厚さを減らすことができるとともに、製品の大きさや重さも大幅に低減することができる。
【００１８】
また、イメージセンサ素子チップは、光の障害を受けず光センサ領域に入射することができ、ＭＥＭＳ素子チップは、機械的要素等が自在に作動可能な空間を有することができる。従って、本発明によるモジュール構造は、イメージセンサ素子及びＭＥＭＳ素子チップの特殊な条件を満たすことができる。
【００１９】
本発明による半導体素子の超薄型モジュール製造方法によれば、ウエハ切断工程前に、ウエハ状態において個々のチップ上にチップカバーを取り付けているので、半導体チップの特定領域が切断工程において発生し得るシリコン粒子と粉塵等の汚染の防止とともに、切断工程後にウエハを脱イオン水で洗浄する際に発生する汚れ等を防ぐことができる。なお、本発明による超薄型モジュール製造方法は、初期段階からチップの特定領域を保護できることから、通常のモルディング工程を行うことができかつ量産性や製造原価面において有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態をさらに詳細に説明する。
この実施形態の説明において、本発明の属する技術分野において周知の技術や本発明と直接的に関連のない技術内容については、その説明を省略する。これは、不要な説明を省略させることで、本発明の要旨をより明確にするためである。同様に、添付図面における一部構成要素は、誇張、省略又は概略的に図示するとともに、各構成要素の大きさは、実際の大きさを反映したものではない。また、図面において、同一構成部分には同一符号を付する。
【００２１】
図３乃至図５を参照すれば、超薄型モジュール３０、４０、５０は、モジュール基板３５、４５の上部面に直接貼付けられている半導体チップ３１が含まれている。半導体チップ３１の活性面上の周辺に沿って多数の入出力パッド３２が形成されて、活性面中央には保護を必要とする特定領域３３を有している。一方、図示していないが、モジュール基板３５の下面にはデジタル信号処理ＤＳＰチップが取り付けられている。
【００２２】
半導体チップ３１は、イメージセンサ素子や微細電気機械システム（ＭＥＭＳ）素子のような特殊な種類の半導体素子である。このとき、半導体チップ３１の特定領域３３は、イメージセンサ素子の光センサ領域であるか、またはＭＥＭＳ素子の機械的要素を通称するものである。
【００２３】
ＭＥＭＳ素子とは、小型製造技術を用いて共通シリコン基板にマイクロメカニカル部品や電子機器を集積するシステムである。一般の電子機器が集積回路工程によって製造されるのに対し、マイクロメカニカル部品は、マイクロ微細加工によって製造される。従って、これまでにないレベルの機能性、信頼性及び精巧さに優れたＭＥＭＳ素子を、小さなシリコンチップ上に製作できかつ製作コストを減らすことができる。
【００２４】
図３及び図５に示すように、モジュール基板として、印刷回路基板（ＰＣＢ）３５、または、図４に示すように、リードフレーム４５が採用され得る。しかし、モジュール基板は、必ずしもこれらに限定せず、例えば、セラミック基板、配線フィルム等の他の適宜なモジュール基板であっても採用可能である。
【００２５】
半導体チップ３１の上部面にはチップカバー３４が取り付けられている。チップカバー３４は、外部環境（図１Ａの従来のパッケージカバー１５に類似）から特定領域３３を保護するだけではなく、図１Ｂ及び図２に示すように、従来の赤外線フィルタ２４に代替される役割を兼ねることができる。また、図１Ｂ及び図２に示すように、従来のレンズ組立体に代替されるが、例えば、図３及び図４の実施形態では、チップカバー３４が、保護カバーに加えて、レンズ組立体と赤外線フィルタとしての役割を果たす場合であり、他方、図５の実施形態では、チップカバー３４が、保護カバーに加えて赤外線フィルタとしての役割を果たす場合である。
【００２６】
イメージセンサモジュールの場合、チップカバー３４は、ガラス等の透明物質、アクリル樹脂またはポリエステル樹脂等の透明樹脂物質、または酸化スズまたはインジウム酸化物などの透明金属酸化物から形成され得る。さらに、チップカバー３４を赤外線フィルタとして兼用する場合、銅または鉄等の金属イオンで構成されるかまたは薄膜被覆される。ＭＥＭＳ素子モジュールの場合、チップカバー３４は、プラスチックまたはセラミック等の半透明または不透明物質からできているかまたは透過物質からできている。
【００２７】
図３及び図５の実施形態において、半導体チップ３１の入出力パッド３２は、印刷回路基板３５の回路配線(図示せず)と金属線３６とによって電気的に接続している。図４の実施形態において、半導体チップ３１は、接着剤(図示せず)によってリードフレーム４５のチップ固定用パッド４５ａに機械的に取り付けられるとともに、金属線３６によってリードフレーム４５のリード端子４５ｂに電気的に接続する。
【００２８】
また、図３及び図４の実施形態において、モルディング工程によって形成されたプラスチック樹脂体３７は、半導体チップ３１と金属線３６とを完全に覆うが、チップカバー３４は、プラスチック樹脂体３７によって露出したまま残される。このように、プラスチック樹脂体３７は、既存のモジュールハウジング２２(図１Ｂ及び図２)よりも、量産性が容易でかつ製造コストの低減をもたらす。
【００２９】
図４の実施形態において、リードフレーム４５のチップ固定用パッド４５ａはプラスチック樹脂体３７中に含まれるかまたは熱放出向上のために露出され得る。他の実施形態において、リードフレーム４５は、チップ固定用パッド４５ａを設置せずリード端子４５ｂだけを有することができる。この場合、半導体チップ３１の底面がプラスチック樹脂体３７外側に露出するので、モルディング工程前まで臨時に半導体チップ３１を固定可能な接着テープのようなチップ固定手段を使用することができる。
【００３０】
図５に示すように、チップカバー３４が赤外線フィルタのみで用いられると、超薄型モジュールは、レンズ組立体５８を有したモジュールハウジング５７をさらに含むことができる。上記モジュールハウジング５７は、半導体チップ３１を覆いながらモジュール基板３１に取り付けられる。そして、レンズ組立体５８は、チップカバー３４上に位置する。
【００３１】
本発明の実施形態による超薄型モジュール製造方法が、図６Ａ乃至図９に示されている。以下、図６Ａ乃至図９を参照して半導体素子モジュールの製造方法について説明するが、これにより、半導体素子モジュールの構造がさらに明確になるはずである。
【００３２】
図６Ａ及び図６Ｂを参照すれば、ウエハ６０は、シリコン基板に形成された多数の半導体チップ３１を含む。個々の半導体チップ３１間に直交方向にスクライブレーン６１が伸びている。上記のそれぞれの半導体チップ３１は、イメージセンサ素子またはＭＥＭＳ素子等の特殊な素子を構成することを特徴とする。前述したように、入出力パッド３２は、チップ活性面の周辺に沿って配置されるとともに、チップ活性面の中央部には、外側環境から保護しなければならない特定領域３３を有する。
【００３３】
次いで、半導体チップ３１にチップカバー３４が取り付けられる。すなわち、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、それぞれの半導体チップ３１活性面にチップカバー３４が直接取り付けられている。このとき、チップカバー３４を取り付ける工程は、ウエハ６０の半導体チップ３１全てを同時に行う。さらに、チップカバー３４は、下面中央部にキャビティ３４ａを有する。キャビティ３４ａは、半導体チップ３１の特定領域３３に対応できるほどの大きさを有するが、入出力パッド３２は覆わない。チップカバー３４のキャビティ３４ａを形成する方法は、機械的切断、レーザー切断、エッチング、またはモルディング方法等の幾つかの周知の方法から形成され得る。チップカバー３４が、単なるカバー及び赤外線フィルタとしての役割を果たす場合には、キャビティ３４ａの形態に特別な制限がないが、チップカバー３４が、レンズとしての役割を兼ねる場合には、キャビティ３４ａの表面をレンズの形態に合わせて加工する必要がある。
【００３４】
図１０Ａ乃至図１０Ｄには、チップカバー３４の様々な変形例が示されている。図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、チップカバー３４の表面（キャビティの底面を画成する）３４ａを湾曲させて、平凸レンズまたは平凹レンズとして具現することができる。そして、図１０Ｃ及び図１０Ｄに示すように、チップカバー（キャビティの底面を画成する）３４の表面３４ａ及び上部面３４ｂのいずれも湾曲させて、両凸レンズまたは両凹レンズとして具現することができる。
【００３５】
個々の半導体チップ３１に直接チップカバー３４を取り付けた後、ウエハ６０を切断してそれぞれの個々の半導体チップ３１に分離する。このために、図８に示すように、まず、ウエハ６０の底面に取り付けられた接着テープ６２を仮接着し、通常のウエハ切断工程を行う。ウエハ切断工程は、ダイアモンドホイールまたはレーザー等の切削工具(図示せず)を用いてスクライブレーン６１に沿ってウエハ６０を切断する工程である。従って、個々の半導体チップ３１は、接着テープ６２に取り付けられた状態で互いに分離される。一般に、ウエハ切断工程において、シリコン粒子や粉塵がよく発生する。しかしながら、チップカバー３４は、このような汚染、及び切断工程後にウエハを脱イオン水で洗浄する際に発生する汚れ等から特定領域３３を保護する。
【００３６】
次いで、図９に示すように、個々の半導体チップ３１をモジュール基板３５(または図４のリードフレーム)に取り付けるチップ取り付け工程を行う。この工程において、真空チャックのようなチップ移送工具(図示せず)が用いられる。真空チャックは、真空でチップを固定して接着テープ（図８の６２）から半導体チップ３１を剥がす。そして、モジュール基板３５（またはリードフレーム４５）に上記半導体チップ３１を移動させて、モジュール基板３５（またはリードフレーム４５）に上記半導体チップ３１を載置する。また、チップ取り付け工程の間に、チップカバー３４は、機械的衝撃などから特定領域３３を保護してくれる。
【００３７】
続いて、ワイヤーボンディング工程を行う。図３及び図５に示すように、入出力パッド３２をモジュール基板３５にワイヤーボンディング工程によって配線する。他方、図４に示すように、入出力パッド３２をリードフレーム４５にワイヤーボンディングすることができる。最後に、モルディング工程を行ってプラスチック樹脂体を形成する。図５に示すように、ハウジング５７をモジュール基板３５に取り付けて工程を完了する。
【００３８】
なお、本明細書と図面に開示された本発明の実施形態は理解を助けるための特定例を提示したに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。ここに開示された実施形態の他にも本発明の技術的思想に基づき他の変形例が実施可能であることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１Ａ】イメージセンサ素子を備える従来技術のパッケージを示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示したパッケージを含む従来のモジュールを示す断面図である。
【図２】従来技術の他の実施形態におけるイメージセンサ素子が直接取り付けられているモジュールを示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態による超薄型モジュールを示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態における超薄型モジュールを示す断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態における超薄型モジュールを示す断面図である。
【図６Ａ】半導体チップを含むウエハを示す平面図である。
【図６Ｂ】半導体チップを含むウエハを示す断面図である。
【図７Ａ】ウエハ状態において半導体チップにチップカバーを直接取り付ける段階を示す平面図である。
【図７Ｂ】ウエハ状態において半導体チップにチップカバーを直接取り付ける段階を示す断面図である。
【図８】ウエハ状態において個々のチップに分離する段階を示す断面図である。
【図９】分離した個々のチップをモジュール基板に取り付ける段階を示す断面図である。
【図１０Ａ】本発明における超薄型モジュールに用いたチップカバーの様々な変形例を示す断面図である。
【図１０Ｂ】本発明における超薄型モジュールに用いたチップカバーの様々な変形例を示す断面図である。
【図１０Ｃ】本発明における超薄型モジュールに用いたチップカバーの様々な変形例を示す断面図である。
【図１０Ｄ】本発明における超薄型モジュールに用いたチップカバーの様々な変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
３０    超薄型半導体素子モジュール
３１    半導体チップ
３２    入出力パッド
３３    保護領域
３４    チップカバー
３４ａ  キャビティ
３５    モジュール基板
３６    金属線
３７    プラスチック樹脂体
４５    リードフレーム
５７    モジュールハウジング
５８    レンズ組立体
６０    ウエハ
６１    切断線
６２    固定テープ
【図１Ａ】
2006032940.tif 000003
【図１Ｂ】
2006032940.tif 000004
【図２】
2006032940.tif 000005
【図３】
2006032940.tif 000006
【図４】
2006032940.tif 000007
【図５】
2006032940.tif 000008
【図６Ａ】
2006032940.tif 000009
【図６Ｂ】
2006032940.tif 000010
【図７Ａ】
2006032940.tif 000011
【図７Ｂ】
2006032940.tif 000012
【図８】
2006032940.tif 000013
【図９】
2006032940.tif 000014
【図１０Ａ】
2006032940.tif 000015
【図１０Ｂ】
2006032940.tif 000016
【図１０Ｃ】
2006032940.tif 000017
【図１０Ｄ】
2006032940.tif 000018