(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ層等の発光層において、その発光を均一にでき、さらに、寿命を向上させることのできる表示装置を提供することにある。【解決手段】  各画素の領域に発光層とこの発光層を駆動させる回路が形成されている表示装置であって、  前記発光層が形成されている第１絶縁基板と、前記回路が形成されている第２絶縁基板とが、該発光層と回路とが向き合って対向配置されて形成され、  前記回路が形成されている第２絶縁基板には、該回路が形成されている面側に該回路から引き出されかつ前記発光層の上面を押圧する電極が突起層の上面に形成され、  該突起層は第２絶縁基板上において該突起層以外の他の層よりも高く形成されている。【選択図】    図１
2006128199.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素の領域に発光層とこの発光層を駆動させる回路が形成されている表示装置であって、
前記発光層が形成されている第１絶縁基板と、前記回路が形成されている第２絶縁基板を有し、これらは該発光層と回路とが向き合って対向配置されて形成され、
前記第２絶縁基板には、前記発光層と対向して配置され該第２絶縁基板上において高さが最も高く形成された突起層と、この突起層の上面に前記回路から引き出されかつ前記発光層に当接される電極が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
各画素の領域に発光層とこの発光層を駆動させる回路が形成されている表示装置であって、
前記発光層が形成されている第１絶縁基板と、前記回路が形成されている第２絶縁基板とを有し、これらは該発光層と回路とが向き合って対向配置されて形成され、
前記回路が形成されている第２絶縁基板には、該回路が形成されている面側に突起層が形成され、該突起層の上面に前記回路から配線が引き回された電極が形成され、
前記第１絶縁基板と第２絶縁基板とは、前記突起層の上面の電極と前記第２絶縁基板の発光層とが接触する間隔で固定されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１絶縁基板側の発光層は透光性の電極の上面に形成されていることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項４】
前記透光性の電極は各画素領域において共通に形成されていることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
第１絶縁基板側の発光層は透光性の電極の上面に形成され、該発光層の上面には第２絶縁基板側の前記電極と当接される別個の電極が形成されていることを特徴とする請求項１、２のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記別個の電極は、第２絶縁基板側の回路と対向する部分を有することを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
第１絶縁基板と第２絶縁基板は、第１絶縁基板側の前記発光層あるいは前記別個の電極と第２絶縁基板側の前記電極との当接が図られるとともに、シール材によって一体化されていることを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
第２絶縁基板を内包して第１絶縁基板に固着される封止基板を備え、この封止基板の第２絶縁基板と対向する内面に乾燥剤を固着させたことを特徴とする請求項１ないし６のうちいずれかに記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、たとえば有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば有機ＥＬ表示装置は、その各画素において有機ＥＬ素子を備え、その下層および上層に設けた各電極を通して流す電流によって該有機ＥＬ素子を発光させている。
【０００３】
また、いわゆるアクティブ・マトリックス型と称されるものは、マトリックス状に配置された各画素のうち、行方向に配列される各画素の画素群を順次選択しながら、その選択のタイミングに合わせて、該各画素に映像信号を供給するように構成されている。
【０００４】
そして、このような構成において、一方の基板上に複数の有機ＥＬ素子を二次元的に形成し、また、他方の基板上にそれぞれの有機ＥＬ素子に対応し薄膜トランジスタを含む回路を形成し、これら２つの基板を、該有機ＥＬ素子の一方の電極とこれに対応した前記回路の電極とを接触させて、互いに張り合わせたものが知られている。
【０００５】
この場合、有機ＥＬ素子の一方の電極とこれに対応した前記回路の電極とを接触において、その接触を信頼性よく行うため、有機ＥＬ素子が形成された側の基板において該有機ＥＬ素子の下層に突起層を設けたものが知られている。
【０００６】
該有機ＥＬ素子の上面に形成する電極の表面において該突起層の突起が顕在するようになり、この突起部にて前記回路の電極との当接が確実になされることを図ったものである（下記特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３５６６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した構成からなる表示装置は、有機ＥＬ層の下層に突起層を設け、該有機ＥＬ層は該突起層を充分に被って形成されたものとなっていることから、該有機ＥＬ層に該突起層による段差部が形成されることを免れず、該段差部において有機ＥＬ層の膜厚が薄くなり、これによって、該有機ＥＬ層の発光が均一にできなくなるという不都合が生じるとともに、該有機ＥＬ層の寿命の向上を妨げるという憂いを生じさせるものである。
【０００９】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、いわゆる開口効率の向上を図った表示装置を提供することにある。
【００１０】
また、本発明の他の目的は、発光層において、その発光を均一にでき、さらに、寿命を向上させることのできる表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１２】
（１）本発明による表示装置は、たとえば、各画素の領域に発光層とこの発光層を駆動させる回路が形成されている表示装置であって、
前記発光層が形成されている第１絶縁基板と、前記回路が形成されている第２絶縁基板を有し、これらは該発光層と回路とが向き合って対向配置されて形成され、
前記第２絶縁基板には、前記発光層と対向して配置され該第２絶縁基板上において高さが最も高く形成された突起層と、この突起層の上面に前記回路から引き出されかつ前記発光層に当接される電極が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
（２）本発明による表示装置は、たとえば、各画素の領域に発光層とこの発光層を駆動させる回路が形成されている表示装置であって、
前記発光層が形成されている第１絶縁基板と、前記回路が形成されている第２絶縁基板とを有し、これらは該発光層と回路とが向き合って対向配置されて形成され、
前記回路が形成されている第２絶縁基板には、該回路が形成されている面側に突起層が形成され、該突起層の上面に前記回路から配線が引き回された電極が形成され、
前記第１絶縁基板と第２絶縁基板とは、前記突起層の上面の電極と前記第２絶縁基板の発光層とが接触する間隔で固定されていることを特徴とする。
【００１４】
（３）本発明による表示装置は、たとえば、（１）、（２）のいずれかの構成を前提とし、第１絶縁基板側の発光層は透光性の電極の上面に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
（４）本発明による表示装置は、たとえば、（１）、（２）のいずれかの構成を前提とし、前記透光性の電極は各画素領域において共通に形成されていることを特徴とする。
【００１６】
（５）本発明による表示装置は、たとえば、（１）、（２）のいずれかの構成を前提とし、第１絶縁基板側の発光層は透光性の電極の上面に形成され、該発光層の上面には第２絶縁基板側の前記電極と当接される別個の電極が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
（６）本発明による表示装置は、たとえば、（４）の構成を前提とし、前記別個の電極は、第２絶縁基板側の回路と対向する部分を有することを特徴とする。
【００１８】
（７）本発明による表示装置は、たとえば、（１）ないし（６）のうちいずれかの構成を前提とし、第１絶縁基板と第２絶縁基板は、第１絶縁基板側の前記発光層あるいは前記別個の電極と第２絶縁基板側の前記電極との当接が図られるとともに、シール材によって一体化されていることを特徴とする。
【００１９】
（８）本発明による表示装置は、たとえば、（１）ないし（６）のうちいずれかの構成を前提とし、第２絶縁基板を内包して第１絶縁基板に固着される封止基板を備え、この封止基板の第２絶縁基板と対向する内面に乾燥剤を固着させたことを特徴とする。
【００２０】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【発明の効果】
【００２１】
このような構成からなる表示装置によれば、いわゆる開口率を向上させることができる。また、発光層において、その発光を均一にでき、さらに、寿命を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を用いて、本発明による表示装置をたとえば有機ＥＬ表示装置を例として説明する。
【００２３】
図１は、本発明による有機ＥＬ表示装置の一画素部ＰＩＸにおける構成の一実施例を示した断面図である。
【００２４】
図１に示す有機ＥＬ素子は、図中点線Ａ−Ａを境にし、その上側の積層体ＵＰと下側の積層体ＤＰを別個に製造し、その後、これら各積層体ＵＰ、ＤＰを張り合わせて構成されるものとなっている。
【００２５】
上側の積層体ＵＰは回路部を構成するそれであり、下側の積層体ＤＰは発光部を構成するそれとなっている。
【００２６】
まず、上側の積層体ＵＰは、その最上層に相当する部分が絶縁基板（第２絶縁基板）ＳＵＢ２となっており、その材料としてたとえばガラス、フィルム、あるいは光を透過させることのないウェーハ状のシリコン等が選定される。この絶縁基板ＳＵＢ２の上面には画素の駆動に必要とされる回路ＣＣおよびこの回路に信号を供給するための信号線（図示せず）等が形成されている。
【００２７】
そして、該回路ＣＣと近接した画素領域内には突起層ＰＬが形成されている。この突起層ＰＬの材料としてはたとえば有機材料が選定され、さらに具体的にはポリイミド等が用いられる。後に説明するように該突起層ＰＬは弾性材として機能させることが好都合だからである。この突起層ＰＬは、図１では回路ＣＣの形成されていない面に形成されているが、該回路ＣＣの一部をあるいは全部を被って形成するようにしてもよいことはいうまでもない。
【００２８】
この突起層ＰＬは第２絶縁基板ＳＵＢ２上において該突起層ＰＬ以外の他の層、たとえば回路ＣＣを構成する層よりも高く形成されている。このため、第２絶縁基板ＳＵＢ２の面において、該突起層ＰＬは最も高さが高い状態で形成されたものとなっている。
【００２９】
この突起層ＰＬの上面には電極ＴＭ１が形成され、この電極ＴＭ１は該突起層ＰＬの形成されていない面にまで延在されて前記回路ＣＣに接続されている。換言すれば、前記回路ＣＣから配線層ＤＬを介して信号が引き出されるようになっており、該配線層ＤＬが該突起層ＰＬの頂部にまで延在されて前記電極ＴＭ１を構成するようになっている。
【００３０】
下側の積層体ＤＰは、その最下層において絶縁基板（第１絶縁基板）ＳＵＢ１を有し、その材料としてはたとえばガラスあるいはフィルム等が選定される。この絶縁基板ＳＵＢ１の上面にはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透光性の導電層が形成されている。この導電層は隣接する他の画素領域にも及んで形成され、各画素において共通の電極ＴＭ２として形成されている。
【００３１】
また、この導電層の上面の画素領域には発光層ＲＬが形成されている。この発光層ＲＬはたとえば有機ＥＬ層から構成されている。また、この有機ＥＬ層はその両面に電荷移送層および電子移送層等が形成される場合もあるが、この場合にあっても、この明細書にあって、これらの積層体を発光層と称する。
【００３２】
そして、この発光層ＲＬの上面には電極ＴＭ３が形成されている。前記発光層ＲＬはたとえば画素領域の全域あるいはほぼ全域に近い部分に形成され、その上面に形成される電極ＴＭ３も隣接する画素領域の対応する電極と電気的に接続しない限りにおいて広い面積で形成されている。
【００３３】
これにより、該発光層ＲＬおよび電極ＴＭ３のいずれにおいても、第２絶縁基板ＳＵＢ２面の回路ＣＣと対向できるように配置され、いわゆる画素の開効率の向上が図れることになる。
【００３４】
このように形成された上側の積層体ＵＰと下側の積層体ＤＰは、該上側の積層体ＵＰの電極ＴＭ１と下側の積層体ＤＰの電極ＴＭ３とが互いに当接するように張り合わされた後に、一体として構成されている。上側の積層体ＵＰと下側の積層体ＤＰの張り合わせはたとえば画素の集合からなる表示部を囲むようにして配置されるシール材ＳＬ（図５参照）によってなされ、減圧下のもとで互いに張り合わされる。
【００３５】
この場合、電極ＴＭ１と電極ＴＭ３との接触は、充分な押圧によってなされ、かつ、前記電極ＴＭ１の下層には弾性を有する突起層ＰＬが配置されていることから、信頼性ある押圧が保持されるようになる。
【００３６】
そして、このように構成される表示素子は、発光層ＲＬがたとえば電極ＴＭ３側から電極ＴＭ２へ流れることによって発光され、その光は透光性の電極ＴＭ２および第１絶縁基板ＳＵＢ１を介して照射されることになる。
【００３７】
なお、上述した構成において、突起層ＰＬは回路ＣＣ等が形成された第２絶縁基板ＳＵＢ２側に形成したものであり、発光層ＲＬが形成された第１絶縁基板ＳＵＢ１側ではないものとなっている。これにより、発光層ＲＬは平坦化された面に形成され、該発光層ＲＬからの発光は該発光層ＲＬの形成面の全域にわたって均一なものとできる効果を奏する。
【００３８】
仮に、図２に示すように、発光層ＲＬが形成された第１絶縁基板ＳＵＢ１側に形成するとすれば、図２に示すように、突起層ＰＬ、電極ＴＭ２、発光層ＲＬ、電極ＴＭ３の順に積層させる必要が生じ、該発光層ＲＬは突起層ＰＬの段差部において、その層厚がｗ（電極ＴＭ３と電極ＴＭ２との間に挟持された膜厚）となってしまうことを免れず、他の部分の膜厚であるＷよりも大幅に薄くなってしまい、発光の均一化が図れなくなるという不都合が生じる。
【００３９】
図３（ａ）ないし（ｃ）は、上述した有機ＥＬ表示装置のうち、回路部を構成する積層体ＵＰの製造方法の一実施例を示す工程図である。以下工程順に説明する。
【００４０】
工程１．
まず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板（第２絶縁基板）ＳＵＢ２を用意し、この絶縁基板ＳＵＢ２の主表面に回路ＣＣを形成する。この回路ＣＣは、パターン化された導電層、絶縁層、および半導体層等の積層体で形成され、いわゆるフォトリソグラフィ技術による選択エッチング方法等で形成される。また、この回路ＣＣは各画素領域において当該画素を駆動するための回路ＣＣと、隣接する画素領域との間の領域において該回路ＣＣに信号を供給するための信号線（図示せず）とからなっている。
【００４１】
工程２．
図３（ｂ）に示すように、各画素領域内の一部に突起層ＰＬを形成する。この突起層ＰＬはたとえば樹脂層からなり、それ自体弾性を有するものが適当なものとして選定される。また、この突起層ＰＬは、その高さが前記回路ＣＣ等のそれよりも高く形成し、この結果、画素領域内において最も突出した層として形成される。
【００４２】
工程３．
図３（ｃ）に示すように、前記突起層ＰＬの上面に電極ＴＭ１を形成する。この電極ＴＭ１は該突起層ＰＬの形成領域の外側にまで延在されて形成され、前記回路ＣＣの一部に接続されて構成される。
【００４３】
図４（ａ）ないし（ｃ）は、上述した有機ＥＬ表示装置のうち、発光部を構成する積層体ＤＰの製造方法の一実施例を示す工程図である。以下工程順に説明する。
【００４４】
工程１．
図４（ａ）に示すように、絶縁基板（第１絶縁基板）ＳＵＢ１を用意する。この絶縁基板ＳＵＢ１はたとえばガラスあるいはフィルムが選定される。そして、この絶縁基板ＳＵＢ１の一方の面の全域にたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透光性の導電層を形成する。この導電層は後述の発光層に電流を流すための他方の電極ＴＭ２として機能する。そして、この他方の電極ＴＭ２は各画素領域において共通となっている。
【００４５】
工程２．
図４（ｂ）に示すように、各画素領域に発光層ＲＬを形成する。この場合、発光層ＲＬは画素領域の全域に至って形成でき、これにより該発光層ＲＬの面積を最大限の大きさとすることができる。
【００４６】
また、互いに隣接する３つの画素領域にそれぞれ赤色、緑色、および青色の各発光層ＲＬを形成し、これらをカラー表示の単位画素領域とする。隣接する各発光層ＲＬはその周辺において隣接して配置される発光層ＲＬと重ね合わされていてもよい。
【００４７】
工程３．
図４（ｃ）に示すように、各画素の発光層ＲＬの上面に電極ＴＭ３を形成する。この電極ＴＭ３はたとえばＡｌを材料とするもので、マスク蒸着によって形成される。
【００４８】
この電極ＴＭ３にあっても、その面積を大きくすることにより、それに応じて画素の開効率を向上させることができる。この電極ＴＭ３は該発光層ＲＬに電流を流すための一方の電極として構成され、画素ごとに物理的および電気的に分離されて形成されている。
【００４９】
この場合、この電極ＴＭ３を形成した段階で、各画素の発光層ＲＬに対する双方の電極ＴＭ２、ＴＭ３の接続具合をチェックすることが可能となる。すなわち、他方の電極ＴＭ２にプローブの一端子をあてがい、各一方の電極ＴＭ３に該プローブの他端子をあてがって電流を流すことによって、発光層ＲＬの発光状態を検出することができるからである。
【００５０】
なお、このような検査を必要としない場合には、該他方の電極ＴＭ３を形成しないようにすることもできる。該他方の電極ＴＭ３に代わって、回路部側の電極ＴＭ１が同様の機能を果たすからである。
【００５１】
図５（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の全体を示す平面図である。また、図５（ｂ）は図５（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
第１絶縁基板ＳＵＢ１はその周辺において第２絶縁基板ＳＵＢ２よりも外方に延在して形成され、この延在部において、封止基板ＳＢが該第２絶縁基板ＳＵＢ２を内包するようにして第１絶縁基板ＳＵＢ１に固着されている。
【００５２】
このため、第１絶縁基板ＳＵＢ１と封止基板ＳＢとの間は密閉された空間を有するようになっている。そして、該封止基板ＳＢの第２絶縁基板ＳＵＢ２と対向する部分には乾燥材ＤＣが被着され、該空間は防湿空間を構成するようになっている。発光層ＲＬは湿気に対し特性劣化が生じるため、その対策が施されたものとなっている。
【００５３】
この場合、発光層ＲＬからの光は第１絶縁基板ＳＵＢ１を通して照射されるため、該乾燥材ＤＣがその通過の妨げになることはない。このため、該乾燥材ＤＣはその面積を大幅に大きくして形成することができ、その防湿効果を向上させることができる。
【００５４】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明による表示装置の画素領域における断面を示した図である。
【図２】突起層を第１絶縁基板側に形成した場合の不都合を示す説明図である。
【図３】本発明による表示装置の回路部が形成される側の積層体の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図４】本発明による表示装置の発光部が形成される側の積層体の製造方法の一実施例を示す工程図である。
【図５】本発明による表示装置の全体の構成を示す平面図、および断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
ＵＰ…回路部が形成される側の積層体、ＤＰ…発光部が形成される側の積層体、ＳＵＢ１…第１絶縁基板、ＳＵＢ２…第２絶縁基板、ＰＩＸ…一画素領域、ＣＣ…回路、ＰＬ…突起層、ＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３…電極、ＤＬ…配線層、ＲＬ…発光層
【図１】
2006128199.tif 000003
【図２】
2006128199.tif 000004
【図３】
2006128199.tif 000005
【図４】
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【図５】
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