(57)【要約】【課題】  室内の微弱な蛍光灯のような可視光を主体とする光により空気中の有害物質を浄化したり、汚れを分解除去したり、抗菌、防黴作用を発揮し、各種用途に適用可能な可視光応答型光触媒およびその製造方法を提供する。【解決手段】  酸化チタン１００質量部に対して酸化タングステンが１０〜１００質量部の割合で含有されており、酸化タングステンがＸ線回折測定にて斜方晶系三酸化タングステンとして存在する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化チタンおよび酸化タングステンを含有する可視光応答型光触媒であって、酸化タングステンが、斜方晶系三酸化タングステンの形態で、かつ酸化チタン１００質量部に対し１０〜１００質量部の割合で存在することを特徴とする可視光応答型光触媒。
【請求項２】
斜方晶系三酸化タングステンの一次粒子径が１０〜１００ｎｍである請求項１記載の可視光応答型光触媒。
【請求項３】
酸化チタン粒子にタングステン化合物の溶液を含浸させた後、５００〜８００℃で焼成することを特徴とする請求項１記載の可視光応答型光触媒の製造方法。
【請求項４】
タングステン化合物の溶液がメタタングステン酸アンモニウムの水溶液である請求項３記載の可視光応答型光触媒の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可視光応答型光触媒およびその製造方法に関し、詳しくは室内の微弱な蛍光灯のような可視光を主体とする光により空気中の有害物質を浄化したり、汚れを分解除去したり、抗菌、防黴作用を発揮し、各種用途に適用可能な可視光応答型光触媒およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
酸化チタン等の光半導性を有した物質にバンドギャップ以上のエネルギーを有した光を照射すると電子と正孔が生成する。これによりスーパーオキサイドやＯＨラジカル等の強い酸化力を有した酸素種が光触媒の表面に生成して、接触する有害成分等を酸化分解することができる。そこで光触媒を建物の室内外に塗工して太陽光や蛍光灯の光を利用して大気や室内の環境浄化や脱臭、防汚、殺菌などへの応用が進められている。光半導性を有した物質としては一般に光触媒活性が高く化学的に安定な酸化チタンが使用されている。しかしながらアナターゼ形酸化チタンを励起するためには３８０ｎｍ以下の紫外線を照射する必要があり、例えば室内では十分な効果を期待することができなかった。
【０００３】
酸化チタンは紫外線しか利用できないが、可視光を利用できる光半導性物質として硫化カドミウムや酸化タングステンを用いることは公知の技術である。しかしながら、これらバンドギャップの小さい光半導性物質は量子効率が低かったり、光溶解等の安定性に問題があることが知られている。そこで光触媒の性能を向上させるために酸化チタンにＰｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｉｒ等の白金族金属やＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｖ、Ｗ等の各種遷移金属を添加することが検討されている。特に白金族金属の添加は光触媒の活性を高める効果が得られることがよく知られている。例えば酸化チタン等の異方性形状を有する光触媒粒子の表面にハロゲン化白金化合物を担持したことを特徴とする可視光応答型光触媒が例示されている（特許文献１参照）。白金族金属は高価であり微量担持するだけでも光触媒の製造コストアップを招くため好ましくない。
そこで、酸化チタンに窒素や硫黄をドープした可視光応答型光触媒が提案され注目されている。例えば、酸化チタン結晶の酸素サイトの一部を窒素原子で置換すること、または酸化チタン結晶の格子間に窒素原子をドーピングすること、または酸化チタンの結晶粒界に窒素原子をドーピングすること等により酸化チタン結晶に窒素を含有させたＴｉ−Ｏ−Ｎ構成を有し、可視光領域において光触媒作用を発現する光触媒物質が開示されている（特許文献２参照）。しかしながら、これら光触媒物質を製造するためには（１）酸化チタンをターゲット材料とし、これを窒素ガスを含む雰囲気中で蒸着又はイオンプレーティングした後、アンモニアガスを含む雰囲気中で４００℃以上７００℃以下の温度で熱処理することや（２）酸化チタンをアンモニアガスを含む雰囲気、あるいは窒素ガスを含む雰囲気、あるいは窒素ガスと水素ガスの混合雰囲気中で熱処理する等の方法が例示されており、特殊な製造装置や製造方法が必要であり適用性に問題があった。
【０００４】
現在、光触媒として広く使用されている酸化チタンは光照射により生成した電子と正孔が再結合を起こしにくく優れた光半導性を有しているが、光触媒作用を発現するためには３８０ｎｍ以下の紫外線が必要であり室内の微弱な光では十分な効果が得られなかった。一方、酸化タングステンはバンドギャップが２．５ｅＶであり４８０ｎｍまでの可視光を利用することができる光触媒として古くから知られている。しかしながら、酸化タングステンは電子と正孔の再結合が起こりやすい特性（量子効率が低い）があり、可視光性能は優れているが紫外照射条件では酸化チタンと比較して見劣りするものであった。また、光溶解性（自己溶解性）があり長期にわたり光触媒効果が得られにくいという問題があり実用レベルで使用されるには至っていない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７３９１０号公報
【特許文献２】ＷＯ０１／１０５５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上記現状に鑑み、室内や太陽光に含まれる可視光照射により光触媒効果を発現する可視光応答型光触媒およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、酸化タングステンが有している可視光光触媒性能に着目して前記課題を解決すべく鋭意研究を進めた結果、酸化チタンと酸化タングステンとを特定の割合で含有せしめ、特に酸化タングステンの結晶構造を特定することにより、優れた可視光性能を有する可視光応答型光触媒が得られることを知り、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、（１）酸化チタンおよび酸化タングステンを含有する可視光応答型光触媒であって、酸化タングステンが、実質的に斜方晶系三酸化タングステン（ＷＯ３）の形態で、かつ酸化チタン１００質量部に対し１０〜１００質量部の割合で存在することを特徴とする可視光応答型光触媒、（２）斜方晶系三酸化タングステンの一次粒子径が１０〜１００ｎｍである上記（１）の可視光応答型光触媒、（３）酸化チタン粒子にタングステン化合物の溶液を含浸させた後、５００〜８００℃で焼成することを特徴とする上記（１）の可視光応答型光触媒の製造方法、および（４）タングステン化合物の溶液がメタタングステン酸アンモニウムの水溶液である上記（３）の可視光応答型光触媒の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の可視光応答型光触媒（以下、単に光触媒という。）は、４２０ｎｍ以上の波長の光で効率よく作用することから、室内の微弱な光によってもホルムアルデヒドやアセトアルデヒドなどの各種有害な有機物を効率よく分解することができる。また、本発明の光触媒は、酸化チタン粒子にタングステン化合物の溶液を含浸させた後に、乾燥、焼成するだけで製造できる。このため、特別な生産設備やガス雰囲気をコントロールする必要なく通常の設備で大気中で容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の光触媒において、酸化タングステンは実質的に斜方晶系三酸化タングステン（ＷＯ３）の形態で存在する。酸化タングステンが斜方晶系三酸化タングステンの形態にあることは、ＣｕＫαを線源とするＸ線回折測定図において、ブラック角（２θ±０．２°）の２３．１°、２３．７°、２４．１°、３３．４°、３４．０°に強いピークが存在することにより確認することができる。
【００１０】
本発明の光触媒において、酸化タングステンはその全てが斜方晶系三酸化タングステンの形態にある必要はなく、本発明の光触媒が４２０ｎｍ以上の波長の光で効率よく作用するに有効な量の斜方晶系三酸化タングステンが存在すればよい。なお、酸化タングステンは、使用原料や調製方法等により２〜６価の酸化物になることが知られており、ＷＯ、Ｗ２Ｏ３、Ｗ４Ｏ１１、ＷＯ２、Ｗ２Ｏ５、Ｗ３Ｏ８、Ｗ５Ｏ１４、およびＷＯ３となるが、斜方晶系以外の結晶構造であったり、結晶化か不十分でアモルファスであったり、酸化チタンと固溶体を形成している等により三酸化タングステン斜方晶の結晶構造が見られない場合は本発明の効果は得られない。本発明の光触媒が優れた可視光性能を有する詳細な理由は不明であるが、可視光照射により斜方晶系三酸化タングステン上に生成した電子が酸化チタン粒子に移行することにより電荷分離が促進され量子効率が高まったことによるものと推定される。
【００１１】
本発明の光触媒において、酸化チタンは、通常、二酸化チタン（ＴｉＯ２）として存在する。なかでも、アナターゼ型二酸化チタンとして存在するのが好ましい。なお、チタン−ケイ素、チタン−ジルコニウムなどのチタン系複合酸化物も酸化チタンと同様の光半導性を有することが知られており（特公平５−５５１８４号公報参照）、これらチタン系複合酸化物をチタン酸化物に替えて使用することもできる。したがって、本発明の光触媒は、酸化タングステンおよび酸化チタンのほかに、ケイ素（Ｓｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）などの金属元素の酸化物を含んでいてもよい。
【００１２】
本発明の光触媒において、酸化タングステン（ＷＯ３として）は、酸化チタン（ＴｉＯ２として）１００質量部に対し１０〜１００質量部、好ましくは２０〜５０質量部の割合で存在する。酸化チタン１００質量部に対する酸化タングステンの配合比が１０質量部未満では、４２０ｎｍ以上の可視光に対する十分な光触媒性能が得られず、また１００質量部を超えると、酸化タングステンの結晶子径が大きくなり、増量による可視光性能の向上効果が得られず、かえって紫外性能が低下する。
【００１３】
また、本発明の光触媒においては、Ｘ線回折法にて測定した酸化タングステンの一次粒子径が１０〜１００ｎｍであることが好ましい。酸化タングステンの一次粒子径は、Ｘ線回折法により求め、一般によく知られているシェーラー（Ｓｃｈｅｒｒｅｒ）の式を用いて算出した。
【００１４】
一次粒子径が１０ｎｍ未満では結晶化が不十分であり高い可視光性能が得られない。原因としては電子と正孔の再結合が促進されるためと推定される。一方、一次粒子径が１００ｎｍを超えると酸化チタンとの接合が不十分となり、可視光性能の低下を招くため好ましくない。
【００１５】
本発明の光触媒は、粉末混合法、粉末混合高温焼結法、含浸法、共沈法、ゾルゲル法など各種方法により製造することができるが、なかでも含浸法、具体的には、酸化チタン粒子にタングステン化合物の溶液を含浸させて、５００〜８００℃、好ましくは６００℃を超え、７５０℃以下の温度で焼成する方法が好適に用いられる。この含浸法において、焼成温度が５００℃未満では酸化タングステンの結晶化が不十分であり十分な可視光性能が得られなくなる。一方、焼成温度が８００℃を超えると、酸化タングステンにおいて、斜方晶から正方晶への相転移が起こり、著しい粒子成長を招き、大幅な性能低下を招くため好ましくない。酸化チタン粒子としてはアナターゼ型であることが好ましく、比表面積が３０〜２００ｍ２／ｇの酸化チタン粒子を使用するのが好ましい。比表面積が３０ｍ２／ｇ未満では、酸化タングステンが分散しにくく、酸化チタンとの接合が不十分となり本発明の効果が得られにくくなる。また、比表面積が２００ｍ２／ｇを超える、アモルファスな酸化チタン粒子を使用すると、酸化チタンと酸化タングステンとが焼成時に固溶化しやすくなり好ましくない。
【００１６】
上記タングステン化合物としては、タングステン酸、塩化タングステン、パラタングステン酸アンモニウム、メタタングステン酸アンモニウム、タングストイソプロピルオキシド等の無機および有機のタングステン化合物を用いることができる。なかでも、メタタングステン酸アンモニウムの水溶液が好適に用いられる。メタタングステン酸アンモニウムは、焼成により結晶性の優れた斜方晶の酸化タングステンを生成しやすく、良好な可視光光触媒性能が得られる。
【００１７】
本発明の光触媒は、室内外の建材等に塗工したりすることにより太陽光や室内光を利用して、大気中の有害物質や臭気物質を分解除去したり、廃水浄化、防汚、抗菌、防黴等の優れた機能を得ることができる。特に４２０ｎｍ以下の可視光に対しても有効的に作用するため従来十分な効果が得られなかった室内照明下においても良好な光触媒効果が得られる。本発明の光触媒を適用する製品としては室内では天井材、壁紙、床材、照明器具、家具、タイル等の建材や衣類、カーテン、絨毯、カーペット、蒲団等が挙げられる。また、室外でも太陽光を有効的に利用できるため路面、ブロック、レンガ、防音壁、遮光壁、ビル側壁、屋根、窓ガラス、ガードレール、道路標識、自動車ボディ、船底等に適用することができる。
（実施例）
本発明の有利な実施態様を示している以下の実施例を挙げて、本発明を更に具体的に説明する。
【実施例１】
【００１８】
市販のメタタングステン酸アンモニウム水溶液（ＷＯ３換算濃度５０ｗｔ％）５０ｇに水１００ｇを追加した含浸液に酸化チタン（アナターゼ型ＴｉＯ２、比表面積８２ｍ２／ｇ）１００ｇを投入して混合し、１００℃で５時間乾燥した後、６５０℃で５時間焼成して光触媒Ａを得た。この光触媒Ａにおいては、酸化チタン１００質量部に対して酸化タングステンが２５質量部担持されており、この酸化タングステンが斜方晶系三酸化タングステンとして存在すること、またこの酸化タングステンの一次粒子径が３８ｎｍであることをＸ線回折測定により確認した。図１にＸ線回折チャートを示す。光触媒Ａの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【実施例２】
【００１９】
実施例１において、焼成温度７５０℃に変更した以外は実施例１と同様にして光触媒Ｂを得た。この光触媒Ｂにおいて、酸化チタン１００質量部に対して酸化タングステンとして２５質量部担持されており、この酸化タングステンが斜方晶系三酸化タングステンとして存在すること、またこの酸化タングステンの一次粒子径が７６ｎｍであることをＸ線回折測定により確認した。図２にＸ線回折チャートを示す。光触媒Ｂの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【実施例３】
【００２０】
実施例１において、メタタングステン酸アンモニウム水溶液の添加量を変更した以外は実施例１と同様にして酸化タングステン含有比の異なる光触媒ＣからＤを調製した。光触媒Ｃの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【実施例４】
【００２１】
実施例１において、メタタングステン酸アンモニウム水溶液の添加量を変更した以外は実施例１と同様にして酸化タングステン含有比の異なる光触媒ＣからＤを調製した。光触媒Ｄの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【実施例５】
【００２２】
チタンとケイ素の複合酸化物を以下に述べる方法で調製した。シリカゾル２０ｋｇ（日産化学製ＮＣＳ−３０）にアンモニア水３００ｋｇ（濃度２５％）と水４００ｋｇを添加して溶液ａを得た。次に、硫酸チタニルの硫酸水溶液１８０Ｌ（ＴｉＯ２濃度２５０ｇ／Ｌ，全硫酸濃度１１００ｇ／Ｌ）を水２５０ｋｇで希釈して溶液ｂを得た。溶液ａを攪拌しながら徐々に溶液ｂを滴下して共沈ゲルを生成し１５時間静置した。得られたゲルをろ過、水洗後２００℃で１０時間乾燥し、５５０℃で６時間焼成してチタン−ケイ素複合酸化物ＴＳ−１を得た。複合酸化物ＴＳ−１はチタンとケイ素がモル比でＴｉ／Ｓｉ＝８５／１５であり、比表面積は１５５ｍ２／ｇであった。次に、実施例１において市販の酸化チタンの代わりに上記ＴＳ−１を用いた以外は実施例１と同様にして光触媒Ｅを得た。この光触媒Ｅは、Ｔｉ／Ｓｉの組成比を換算して酸化チタン１００質量部に対して酸化タングステンが２８質量部担持されており、この酸化タングステンは斜方晶系三酸化タングステンとして存在していること、またこの酸化タングステンの一次粒子径が３０ｎｍであることをＸ線回折測定により確認した。光触媒Ｅの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【比較例１】
【００２３】
実施例１において、酸化チタンの代わりに活性アルミナ（ガンマアルミナ、比表面積１５０ｍ２／ｇ）を使用した以外は実施例１と同様にして光触媒ａを得た。光触媒ａの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【比較例２】
【００２４】
実施例２において、酸化チタンの代わりに二酸化ケイ素（比表面積３００ｍ２／ｇ）を使用した以外は実施例１と同様にして光触媒ｂを得た。光触媒ｂの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【比較例３】
【００２５】
実施例１において、焼成温度を変更した以外は実施例１と同様にして光触媒ｃおよびｄを得た。光触媒ｃの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【比較例４】
【００２６】
実施例１において、焼成温度を変更した以外は実施例１と同様にして光触媒ｃおよびｄを得た。光触媒ｄの組成、焼成温度、ＷＯ３結晶形およびＷＯ３一次粒子径を表１に示す。
【比較例５】
【００２７】
実施例１で用いた市販の酸化チタンを光触媒ｅとした。
【試験例１】
【００２８】
＜可視光光触媒性能試験＞
実施例１〜５および比較例１〜４で得られた光触媒Ａ〜Ｅおよび触媒ａ〜ｅについて、以下に示す閉鎖系試験方法でアセトアルデヒド分解性能を測定した。試験片は光触媒粉末をエタノールに分散させて塗布量２０ｇ／ｍ２となるように１５０×７０ｍｍのガラス板の片面に塗布して６０℃で乾燥し作成した。上記試験片を５Ｌ反応器に設置し初期ガス濃度を１０ｐｐｍになるようにアセトアルデヒドを注入して光を照射し経時後のガス濃度をガスクロマトグラフィで測定して光触媒性能を比較した。光源として４Ｗの蛍光灯（東芝ＦＬ４Ｄ昼光色）２本を用いて反応器外部より照射した。尚、反応器のランプ照射面は石英ガラス表面に紫外線カットフィルム（富士フィルム製、商品名「ＵＶ  Ｇｕａｒｄ」）を貼り付け４２０ｎｍ以下の紫外線が完全にカットされる条件で性能試験を実施した。各試料においての１８０分経過後の反応器内のアセトアルデヒド濃度を測定し結果を表１に示した。経時後のガス濃度が低いほど可視光による光触媒性能が良好であることを示している。また、実施例１、比較例１および比較例５について試験におけるアセトアルデヒド濃度の減衰結果を図３に示した。
【００２９】
【表１】
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【００３０】
比較例１および比較例２の結果より、酸化タングステンを酸化チタンと組み合わせることにより可視光光触媒性能は著しく向上すること、また比較例３およびび比較例４の結果より、本発明で開示される特定の組成比で特定の性状を示すものが優れた性能が得られることが明らかである。図３に経時変化を示したが可視光条件にて、実施例１の光触媒は比較例５の従来の酸化チタン光触媒に対して反応速度が２０倍以上となっている。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施例１で得た光触媒ＡのＸ線回折チャートである。
【図２】実施例２で得た光触媒ＢのＸ線回折チャートである。
【図３】実施例１、比較例１および比較例５の性能試験における、アセトアルデヒド濃度の経時的減衰を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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