(57)【要約】【課題】半導体ウエーハ表面のマイクロラフネス（表面粗さ）を正確に評価する半導体ウエーハの評価方法及び評価装置を提供する。【解決手段】半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定し、該測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換し、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なう半導体ウエーハの評価方法及び少なくとも、表面形状測定手段と、パワースペクトル変換手段と、ノイズ成分判別除去手段とを具備する半導体ウエーハの評価装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定し、該測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換し、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なうことを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
【請求項２】
請求項１に記載の評価方法であって、前記異なる測定条件として、表面のスキャンスピードを異なるものとすることを特徴とする評価方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の評価方法であって、前記ノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換して評価を行なうことを特徴とする評価方法。
【請求項４】
請求項３に記載の評価方法であって、前記ノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出して評価を行なうことを特徴とする評価方法。
【請求項５】
請求項４に記載の評価方法であって、前記算出する表面粗さを、ＲＭＳ値、ＰＶ値、Ｒａ値の少なくとも１つとすることを特徴とする評価方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の評価方法であって、前記半導体ウエーハの表面形状を、原子間力顕微鏡法、触針法、光干渉法、位相シフト干渉法、光散乱トポグラフィ法のいずれかで測定することを特徴とする評価方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の評価方法であって、前記ノイズ成分の判別及び除去を、電子計算機により、前記各パワースペクトルを読み込み、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、該記憶したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から差し引くことにより行なうことを特徴とする評価方法。
【請求項８】
半導体ウエーハの評価装置であって、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定する表面形状測定手段と、該測定手段により測定された各表面形状のデータを各パワースペクトルに変換するパワースペクトル変換手段と、該変換手段により変換された各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去するノイズ成分判別除去手段とを具備するものであることを特徴とする半導体ウエーハの評価装置。
【請求項９】
請求項８に記載の評価装置であって、前記表面形状測定手段は、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つのスキャンスピードで測定するものであることを特徴とする評価装置。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の評価装置であって、前記ノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換する表面形状変換手段を具備するものであることを特徴とする評価装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の評価装置であって、前記ノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出する表面粗さ算出手段を具備するものであることを特徴とする評価装置。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項に記載の評価装置であって、前記表面形状測定手段は、原子間力顕微鏡、触針式形状測定装置、光干渉式形状測定装置、位相シフト干渉式形状測定装置、光散乱トポグラフィ式形状測定装置のいずれかのものであることを特徴とする評価装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項に記載の評価装置であって、前記ノイズ成分判別除去手段は電子計算機を具備し、該電子計算機は、前記各パワースペクトルを読み込み、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、該記憶したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から差し引くものであることを特徴とする評価装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハの評価方法及び評価装置に関するものであり、より詳しくは半導体ウエーハ表面のマイクロラフネスの評価方法及び評価装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のデバイスの高集積化、高精度化によりシリコンウエーハへの要求品質はますます高度化しており、特にシリコンウエーハ表面の平坦度や表面粗さを改善することは、デバイスの電気特性を向上するために必要となっている。
【０００３】
すなわち、ウエーハ表面におけるマイクロラフネスが、デバイスの電気特性に影響を与えていることが分かってきており、例えば、マイクロラフネスが大きければ酸化膜耐圧は低下し、更にゲート酸化膜下チャンネルではマイクロラフネスが大きくなると電子の散乱が起こり電子の移動度は小さくなること等が知られている。特に、ウエーハ表面における空間波長が０．０１〜５μｍ程度の凹凸であるヘイズについては、デバイスの電気特性の信頼性試験、特に酸化膜の経時絶縁破壊特性（ＴＤＤＢ）に影響を与えることが分かっている。
【０００４】
従って、今後のデバイスの電気特性を向上させるためには、シリコンウエーハのヘイズ等のマイクロラフネスを改善する必要があり、これらの改善方法が開示されている（例えば特許文献１）。
【０００５】
一方、ウエーハ表面における空間波長が数ｍｍ〜２０ｍｍ程度の凹凸であるうねりについても、デバイス作製工程におけるフォトリソグラフィーや素子分離等において問題となる。これに対して、ウエーハ裏面の表面形状を測定し、そこからパワースペクトル密度を求め、その空間波長１０ｍｍのパワースペクトル密度を１０μｍ３以下とすることが開示されている（特許文献２）。
【０００６】
しかし、従来の表面形状の測定においては、測定装置から駆動モーターの振動や電気ノイズ等による外乱が発生し、外乱成分がノイズピークとなってパワースペクトルに現れ、表面粗さに対応するピークとの区別ができず、マイクロラフネスを正確に評価できなかった。
【０００７】
【特許文献１】特許第３５３６６１８号公報
【特許文献２】特許第３３５８５４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、半導体ウエーハ表面のマイクロラフネス（表面粗さ）を正確に評価する半導体ウエーハの評価方法及び評価装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的達成のため、本発明は、半導体ウエーハの評価方法であって、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定し、該測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換し、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なうことを特徴とする半導体ウエーハの評価方法を提供する（請求項１）。
【００１０】
このように、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定して得た各パワースペクトルに現れるピークのうち、ピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なえば、ノイズ成分を除去した実際の表面粗さに対応するピークのみを評価できる。
【００１１】
この場合、前記異なる測定条件として、表面のスキャンスピードを異なるものとすることが好ましい（請求項２）。
このように、異なる測定条件として、表面のスキャンスピードを異なるものとすれば、容易にノイズ成分の判別及び除去ができる。
【００１２】
また、前記ノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換して評価を行なうことが好ましい（請求項３）。
このように、ノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換して評価を行なえば、ノイズが除去された正確な表面形状を評価できる。
【００１３】
この場合、前記ノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出して評価を行なうことが好ましい（請求項４）。
このように、ノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出して評価を行なえば、ノイズが除去された正確な表面粗さを評価できる。
【００１４】
また、前記算出する表面粗さを、ＲＭＳ値、ＰＶ値、Ｒａ値の少なくとも１つとすることができる（請求項５）。
このように、算出する表面粗さを、従来使用されているＲＭＳ値、ＰＶ値、Ｒａ値の少なくとも１つとすることができ、これにより正確に表面粗さ評価を行なうことができる。
【００１５】
また、前記半導体ウエーハの表面形状を、原子間力顕微鏡法、触針法、光干渉法、位相シフト干渉法、光散乱トポグラフィ法のいずれかで測定することができる（請求項６）。
このように、半導体ウエーハの表面形状を、原子間力顕微鏡法、触針法、光干渉法、位相シフト干渉法、光散乱トポグラフィ法のいずれかで測定することにより、従来の測定装置を用いて容易に測定を行なうことができる。
【００１６】
また、前記ノイズ成分の判別及び除去を、電子計算機により、前記各パワースペクトルを読み込み、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、該記憶したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から差し引くことにより行なうことが好ましい（請求項７）。
このように、ノイズ成分の判別及び除去を、電子計算機により、各パワースペクトルを読み込み、各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、記憶したノイズ成分をパワースペクトルの少なくとも一方から差し引くことにより行なえば、容易かつ自動的にノイズ成分の判別及び除去を行うことができる。
【００１７】
また、本発明は、半導体ウエーハの評価装置であって、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定する表面形状測定手段と、該測定手段により測定された各表面形状のデータを各パワースペクトルに変換するパワースペクトル変換手段と、該変換手段により変換された各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去するノイズ成分判別除去手段とを具備するものであることを特徴とする半導体ウエーハの評価装置を提供する（請求項８）。
【００１８】
このように、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定する表面形状測定手段と、該測定手段により測定された各表面形状のデータを各パワースペクトルに変換するパワースペクトル変換手段と、該変換手段により変換された各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去するノイズ成分判別除去手段とを具備する評価装置であれば、ノイズ成分を除去した実際の表面粗さに対応するピークのみを評価できる評価装置となる。
【００１９】
この場合、前記表面形状測定手段は、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つのスキャンスピードで測定するものであることが好ましい（請求項９）。
このように、表面形状測定手段が、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つのスキャンスピードで測定するものであれば、容易にノイズ成分の判別及び除去ができる。
【００２０】
また、前記ノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換する表面形状変換手段を具備するものであることが好ましい（請求項１０）。
このように、ノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換する表面形状変換手段を具備するものであれば、ノイズが除去された正確な表面形状を評価できる。
【００２１】
また、前記ノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出する表面粗さ算出手段を具備するものであることが好ましい（請求項１１）。
このように、ノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出する表面粗さ算出手段を具備するものであれば、ノイズが除去された正確な表面粗さを評価できる。
【００２２】
また、前記表面形状測定手段は、原子間力顕微鏡、触針式形状測定装置、光干渉式形状測定装置、位相シフト干渉式形状測定装置、光散乱トポグラフィ式形状測定装置のいずれかのものであることが好ましい（請求項１２）。
このように、表面形状測定手段が、原子間力顕微鏡、触針式形状測定装置、光干渉式形状測定装置、位相シフト干渉式形状測定装置、光散乱トポグラフィ式形状測定装置のいずれかのものであれば、従来の測定装置を用いて容易に測定を行なうことができる。
【００２３】
また、前記ノイズ成分判別除去手段は電子計算機を具備し、該電子計算機は、前記各パワースペクトルを読み込み、該各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、該記憶したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から差し引くものであることが好ましい（請求項１３）。
このように、ノイズ成分判別除去手段に具備される電子計算機が、各パワースペクトルを読み込み、各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、記憶したノイズ成分をパワースペクトルの少なくとも一方から差し引くものであれば、容易かつ自動的にノイズ成分の判別及び除去を行うことができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に従い、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定して得た各パワースペクトルに現れるピークのうち、ピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去してから評価を行なえば、ノイズ成分を除去した真の表面粗さに対応するピークのみを評価できる。
【００２５】
また、本発明に従う、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定する表面形状測定手段と、該測定手段により測定された各表面形状のデータを各パワースペクトルに変換するパワースペクトル変換手段と、該変換手段により変換された各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、該判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去するノイズ成分判別除去手段とを具備する評価装置であれば、ノイズ成分を除去した表面粗さに対応するピークのみを正確に評価できる評価装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明者らは、半導体ウエーハの表面粗さの評価の際に、外乱により表面形状のパワースペクトルに現れるノイズピークと表面粗さに対応するピークとを区別し、正確な表面粗さを評価するために鋭意検討を行った。そして、表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定した場合、測定した表面形状を変換して得られた各パワースペクトルに現れるピークのうち、表面粗さに対応するピークは測定条件が異なってもピーク空間周波数が一致し、外乱によるノイズピークはピーク空間周波数が一致しないことを見出した。そして、このようにピーク空間周波数が一致しないピークをノイズ成分と判別し、パワースペクトルから除去することにより、正確なパワースペクトルが得られるので、これを逆変換して表面形状を求める等すれば、正確な表面粗れの評価が可能になることに想到し、本発明を完成させた。
【００２７】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００２８】
図１は、本発明に係る半導体ウエーハの評価装置の一例を示す概略図である。
この評価装置１０は、少なくとも、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定する表面形状測定手段１と、測定手段１により測定された各表面形状のデータを各パワースペクトルに変換するパワースペクトル変換手段２と、変換手段２により変換された各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、判別したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から除去するノイズ成分判別除去手段３とを具備するものである。
【００２９】
この評価装置１０は、さらにノイズ成分判別除去手段３によりノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換する表面形状変換手段４を具備するものであることが好ましい。また、さらに表面形状変換手段４により得られたノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出する表面粗さ算出手段５を具備するものであることが好ましい。
【００３０】
表面形状測定手段１は、半導体ウエーハの表面形状が測定できれば特に限定されないが、原子間力顕微鏡、触針式形状測定装置、光干渉式形状測定装置、位相シフト干渉式形状測定装置、光散乱トポグラフィ式形状測定装置のいずれかのものであることが好ましい。これらのものであれば、一般に用いられているものであるし、簡単に半導体ウエーハの表面形状を測定することができる。この場合、表面形状測定手段１は、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つのスキャンスピードで測定するものであることが好ましい。もちろん、原子間力顕微鏡と触針式形状測定装置等の二種類の装置で形状を測定するものであってもよい。
【００３１】
ノイズ成分判別除去手段３は電子計算機６を具備し、電子計算機６は、パワースペクトル変換手段２により得られた各パワースペクトルを読み込み、各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、記憶したノイズ成分をパワースペクトルの少なくとも一方から差し引くものであることが好ましい。
【００３２】
なお、パワースペクトル変換手段２と表面形状変換手段４は、例えばフーリエ変換を行うことができる電子計算機で構成することができ、表面粗さ算出手段５は、通常用いられる表面粗さを表すパラメータであるＲＭＳ値、ＰＶ値、Ｒａ値等を算出できる電子計算機で構成することができる。
【００３３】
次に、本発明に係る半導体ウエーハの評価方法について、図１の評価装置１０を用いる場合を例にして説明する。図２は、このような評価方法の一例を示す工程図である。
【００３４】
まず、半導体ウエーハを用意する（工程Ａ）。
この半導体ウエーハは、例えばＣＺ法やＦＺ法で育成された、シリコンや他の化合物半導体等の半導体インゴットをスライスし、従来法により面取り、ラッピング、エッチング、研磨、洗浄等の工程を適宜行なって得られたものであるが、特に限定はされない。
【００３５】
次に、表面形状測定手段１により、半導体ウエーハの表面形状を少なくとも異なる２つの測定条件で測定する（工程Ｂ）。
このとき、表面形状測定手段１の種類に応じて、半導体ウエーハの表面形状を、原子間力顕微鏡法、触針法、光干渉法、位相シフト干渉法、光散乱トポグラフィ法のいずれかで測定することができる。測定条件は、異なるものであれば３つ以上であってもよい。また、異なる測定条件として、表面のスキャンスピードを異なるものとすることが好ましい。スキャンスピードを変更するのは、簡単にできるし、ノイズと表面粗さの区別がし易いからである。
【００３６】
図３は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により、スキャンスピードを２．５μｍ／ｓｅｃとして測定したシリコンウエーハの表面形状の２次元データの一例を示す図である。測定範囲は１０μｍ×１０μｍで、データ点は２５６ポイント×２５６ポイントである。一方、図４は、スキャンスピードを（ａ）５μｍ／ｓｅｃ、（ｂ）２．５μｍ／ｓｅｃとして測定したシリコンウエーハの表面形状の１次元データの一例を示す図である。横方向はウエーハ上の位置を示し、縦方向はその位置でのウエーハ表面の相対的高さを示す。なお、データ点はそれぞれ２５６ポイントである。
【００３７】
次に、パワースペクトル変換手段２により、測定した各表面形状のデータをパワースペクトルにそれぞれ変換する（工程Ｃ）。
図５は、スキャンスピードが５μｍ／ｓｅｃ、２．５μｍ／ｓｅｃで測定した各表面形状の１次元データをフーリエ変換して得たパワースペクトルの一例を示す図である。横軸は空間周波数又は空間波長、縦軸はパワースペクトル密度である。このように、スキャンスピード等の測定条件が異なる２つの表面形状のデータから得られたパワースペクトルにおいては、パワースペクトルに現れるピークのうち表面粗さに対応するものは測定条件が変わっても同じ結果が得られるのでピーク空間周波数が一致し、外乱によるノイズピークは測定条件が変わるとピーク空間周波数が一致しない。これは、振動等の外乱によるノイズのピーク空間周波数は、スキャンスピード等の測定条件に依存するからである。
【００３８】
そこで、ノイズ成分判別除去手段３により、各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分と判別し、判別したノイズ成分をパワースペクトルの少なくとも一方から除去する（工程Ｄ）。
このノイズ成分の判別及び除去を、ノイズ成分判別除去手段３に具備される電子計算機６により、前記各パワースペクトルを読み込み、各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しないものをノイズ成分として記憶し、記憶したノイズ成分を前記パワースペクトルの少なくとも一方から最小二乗法等を用いて差し引くことにより行なえば、容易かつ自動的にノイズ成分の判別及び除去を行うことができるので好ましい。
【００３９】
図６は、ノイズ成分を除去したパワースペクトルの一例を示す図である。これは、図５の各パワースペクトルを電子計算機により読み込み、各パワースペクトルに現れるピークのうちピーク空間周波数が一致しない０．５〜０．６（／μｍ）付近のピークをノイズ成分として記憶し、記憶したノイズ成分を、スキャンスピードが２．５μｍ／ｓｅｃの場合のパワースペクトルから差し引くことにより、ノイズ成分を除去して得られたものである。このように、ノイズ成分が除去され、実際の表面粗さに対応するピークだけが現れたパワースペクトルを得ることができる。
【００４０】
次に、表面形状変換手段４により、ノイズ成分を除去したパワースペクトルをノイズが除去された表面形状のデータに逆変換する（工程Ｅ）。
図７は、ノイズが除去されたシリコンウエーハの表面形状の１次元データの一例を示す図である。この表面形状のデータは、図６に示すノイズ成分を除去したパワースペクトルを逆フーリエ変換して得られたものである。また、図８は、上記評価方法により得られたシリコンウエーハの表面形状の２次元データの一例を示す図である。このように、外乱によるノイズ成分が除去された表面形状のデータが得られる。
【００４１】
次に、表面粗さ算出手段５により、ノイズが除去された表面形状のデータから表面粗さを算出する（工程Ｆ）。
この場合、算出する表面粗さを、通常用いられる表面粗さを表すパラメータであるＲＭＳ値、ＰＶ値、Ｒａ値の少なくとも１つとすることができる。このようにして、外乱によるノイズが除去された、正確な表面粗さを評価できる。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る半導体ウエーハの評価装置の一例を示す概略図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエーハの評価方法の一例を示す工程図である。
【図３】スキャンスピードを２．５μｍ／ｓｅｃとして測定したシリコンウエーハの表面形状の２次元データの一例を示す図である。
【図４】スキャンスピードを（ａ）５μｍ／ｓｅｃ、（ｂ）２．５μｍ／ｓｅｃとして測定したシリコンウエーハの表面形状の１次元データの一例を示す図である。
【図５】各表面形状のデータをフーリエ変換して得たパワースペクトルの一例を示す図である。
【図６】ノイズ成分を除去したパワースペクトルの一例を示す図である。
【図７】ノイズが除去されたシリコンウエーハの表面形状の１次元データの一例を示す図である。
【図８】本発明に係る評価方法により得られたシリコンウエーハの表面形状の２次元データの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１…表面形状測定手段、  ２…パワースペクトル変換手段、
３…ノイズ成分判別除去手段、  ４…表面形状変換手段、  ５…表面粗さ算出手段、
６…電子計算機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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