(57)【要約】【課題】ウェハー等に吹き付け処理を行う対象物処理装置において、処理されるべき対象物の処理面全域にわたって均一な吹き付け処理ができるように、ノズルおよびステージの動作を精密にコントロールすること。【解決手段】略円形平面の処理対象面を有する対象物に対して吹き付け処理を行うための対象物処理装置であって、対象物の処理対象面と対面するように、処理対象面の中心部と外周端部との間を移動しながら、処理対象面に吹き付けを行うノズル部と、対象物を載置して、処理対象面の中心を回転軸として、対象物と共に一体的に回転動作を行うステージ部とを備え、ノズル部の移動速度および移動軌跡を制御するノズル動作制御手段と、ステージの回転速度を制御するステージ動作制御手段とを備え、ノズルとステージとの動作によって形成される対象物上の吹き付けの軌跡が、処理対象面の中心を始点とする螺旋軌跡を形成し、且つ形成される螺旋軌跡の周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御する軌跡制御手段を備える。【選択図】図１
2006128238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略円形平面の処理対象面を有する対象物に対して吹き付け処理を行うための対象物処理装置であって、
前記対象物の処理対象面と対面するように、処理対象面の中心部と外周端部との間を移動しながら、処理対象面に吹き付けを行うノズル部と、
前記対象物を載置して、処理対象面の中心を回転軸として、前記対象物と共に一体的に回転動作を行うステージ部と、を備え、
前記ノズル部の移動速度および移動軌跡を制御するノズル動作制御手段と、前記ステージの回転速度を制御するステージ動作制御手段とを備え、
前記ノズルとステージとの動作によって形成される前記対象物上の吹き付けの軌跡が、前記処理対象面の中心を始点とする螺旋軌跡を形成し、且つ形成される螺旋軌跡の周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御する軌跡制御手段を備える、ことを特徴とする対象物処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の対象物処理装置において、
前記軌跡制御手段は、ノズルの移動速度と対象物の回転速度との制御を連続的に行うために、アルキメデスの螺旋式を用いる、ことを特徴とする対象物処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の対象物処理装置において、
前記軌跡制御手段は、ノズルの移動速度と対象物の回転速度との制御を連続的に行うために、前記処理対象面上の座標を数値計算によって求める手段を用いる、ことを特徴とする対象物処理装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の対象物処理装置において、
前記ノズルが対象物の中心から外周端部へと直線的に移動するときのノズル速度Ｖn(θ)は、Ｖn(θ)＝Ｖ／√(θ2＋１) 、対象物と一体的に回転する前記ステージの回転速度ω(θ)は、ω(θ)＝６０Ｖ／Ｐ√(θ2＋１) 、ここで、Ｖ：周速度、Ｐ：ピッチ幅、θ：角度、として制御される、ことを特徴とする対象物処理装置。
【請求項５】
略円形平面の処理対象面を有する対象物に対して吹き付け処理を行うための対象物処理方法において、
前記対象物の処理対象面と対面するように、処理対象面の中心部と外周端部との間を移動しながら、処理対象面に吹き付けを行うノズル部と、
前記対象物を載置して、処理対象面の中心を回転軸として、前記対象物と共に一体的に回転動作を行うステージ部と、を備え、
前記ノズル部の移動速度と移動軌跡、および前記ステージの回転速度を制御することによって、
前記ノズルとステージとの動作によって形成される前記対象物上の吹き付けの軌跡が、前記処理対象面の中心を始点とする螺旋軌跡を成し、且つこの螺旋軌跡の周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御され、
前記螺旋軌跡の制御には、ノズルの移動速度と対象物の回転速度との制御を連続的に行うために、アルキメデスの螺旋式または処理対象面上の座標の数値計算が用いられる、ことを特徴とする対象物処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハー等からなる対象物の処理対象面に対して、不要物の除去や剥離、処理対象面の洗浄等の処理を施すための装置および方法にかかり、より詳細には、対象物を効率良く剥離／洗浄等の処理するためのプロセスの制御にかかるものである。そして具体的には、半導体ウェハーやハードディスク（ＨＤ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又はフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）などの対象物の表面に、リソグラフィ工程で被着したレジスト膜やエッチング工程で被着したポリマー残渣等の不用物を、除去／洗浄等の処理をするための装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置・液晶・磁気ディスク・プリント基板などの製造工程では、これらの対象物の表面にレジストを塗布し、リソグラフィやエッチングを用いて対象物表面にパターン形成等の精密加工を施す。その後、これらの対象物の表面に被着しているレジスト膜やポリマー残渣等の不用物を除去する処理が行なわれる。従来からあるレジスト膜等不用物の除去技術としては、酸素プラズマによりレジスト膜を灰化除去するプラズマアッシング方法、有機溶媒（フェノール系・ハロゲン系など溶媒）で膜体を加熱溶解除去させる方法、濃硫酸・過酸化水素による加熱溶解方法などがあった。
【０００３】
しかしながら、上述のいずれの方法にあっても、レジスト膜等を分解し溶解するための時間やエネルギーおよび化学材料が必要であり、レジスト膜等を分解除去する工程での負担は大きい。また、付帯設備と制御装置が複雑となり大型化やコスト高となったり、大量の薬液・高温薬液制御・廃液・排水等の多くの付帯設備ならびに環境対策が必要となったりするなどの問題が生じており、今後研究開発や設備投資を検討するための対象物処理装置として、上記のような従来方法のものを採用することには、消極的にならざるを得ないものであった。
【０００４】
そのため、レジスト膜等の不用物を除去する技術を必須として精密表面処理を行う技術分野においては、化学物質や化学的処理を用いる従来の技術から脱却し、地球や環境に優しい技術として、自然界に豊富にある水や水蒸気を用いる方式に大いに注目して、これを利用し発展させたいという期待がある。これらに関連して、液状水微粒子を含む水ミスト体（霧状の水）と水蒸気体（気体の水）とを混合して対象物に提供する発明については［特許文献１］［特許文献２］において開示されており、また、処理装置のノズル動作とステージ動作とを制御して対象物を処理する発明については［特許文献３］において開示されている。
【特許文献１】特開２００３−２４９４７４号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２２８８号公報
【特許文献３】特開２００４−１５３１７２号公報
【０００５】
ここでは、従来の処理装置の一例として［特許文献３］で開示されている、ノズル動作とステージ動作とを制御して対象物を処理する技術を引用して説明する。この［特許文献３］における技術は、いわゆる「１０Ｚｏｎｅ(１０ゾーン)制御」といわれる技術であって、吹き付けノズルのスピードを１０段階に設定し、処理される半導体ウェハーの処理面を１０分割とし、半導体ウェハーを載せるステージの回転は周速制御として設定して制御がなされるものである。
【０００６】
つぎに、図７の(１)および(２)を参照して、この「１０Ｚｏｎｅ制御」におけるノズル速度と周速の計算シーケンスについて説明する。
＜１０Ｚｏｎｅ制御のノズル速度の計算シーケンス＞
(１)ウェハー半径を１０分割したZone(ゾーン)毎の面積比率を計算する。
Zone1：Zone2：Zone31 …… Zone10 ＝ １：３：５…………１９
(２)Zone毎の面積比率にプロセス時間の積を与える。
Zone1 time ＝ 1/100 × Total Process Time
：                  ：
Zone10 time ＝ 19/100 × Total Process Time
(３)各Zoneに与えられた時間からノズルの移動速度(スイング速度)を算出する。
図７(１)には、「１０Ｚｏｎｅ制御」におけるノズルの移動速度（ノズルスピード）に関し、各Zone毎(1〜10)の「ウェハーの中心からの距離(mm)」と「スウィングスピード(移動速度)(mm/sec)」との関係を示す。
【０００７】
＜１０Ｚｏｎｅ制御の周速の計算シーケンス＞
ノズルの半径位置を読むことによって、回転数を決定する。
式：ウェハーの回転数＝周速度／(２×π×半径) 
図７(２)には、「１０Ｚｏｎｅ制御」におけるステージ上のウェハーの回転(Rotation)に関し、「ウェハーの中心からの距離(mm)」と「回転数(rpm)」との関係を示す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、従来技術である「１０Ｚｏｎｅ制御」においては、ノズルとステージとを分割して設定しているために、処理されるべきウェハーの処理面全域にわたって均一な処理ができるようにコントロールされているわけではない。そのため、処理面全域の均一なスキャニングができずに、その処理にむらが出てしまい、処理の効率がよくない、という問題点があった。
【０００９】
本発明は、上記の従来技術をふまえ、ノズルがステージ上の処理対象物面をより均一にスキャニングできるようにコントロールして、ウェハーの処理面全域を均等にムラなく処理することが確実にでき、処理の精度と効率を大幅に向上させることのできる対象物処理装置および対象物処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明による対象物処理装置および方法は、上述の課題を解決するために、次のような手段を用いる。
（１）略円形平面の処理対象面を有する対象物に対して吹き付け処理を行うための対象物処理装置であって、
対象物の処理対象面と対面するように、処理対象面の中心部と外周端部との間を移動しながら、処理対象面に吹き付けを行うノズル部と、
対象物を載置して、処理対象面の中心を回転軸として、対象物と共に一体的に回転動作を行うステージ部と、を備え、
ノズル部の移動速度および移動軌跡を制御するノズル動作制御手段と、ステージの回転速度を制御するステージ動作制御手段とを備え、
ノズルとステージとの動作によって形成される対象物上の吹き付けの軌跡が、処理対象面の中心を始点とする螺旋軌跡を成し、且つこの螺旋軌跡の周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御する軌跡制御手段を備える、ことを特徴とする対象物処理装置とした。
【００１１】
（２）(１)の対象物処理装置において、
軌跡制御手段は、ノズルの移動速度と対象物の回転速度との制御を連続的に行うために、アルキメデスの螺旋式が用いられる。
（３）(１)の対象物処理装置において、
軌跡制御手段は、ノズルの移動速度と対象物の回転速度との制御を連続的に行うために、処理対象面上の座標を数値計算によって求める手段を用いられる。
（４）(２)または(３)の対象物処理装置において、
ノズルが対象物の中心から外周端部へと直線的に移動するときのノズル速度Ｖn(θ)は、Ｖn(θ)＝Ｖ／√(θ2＋１) 、対象物と一体的に回転するステージの回転速度ω(θ)は、ω(θ)＝６０Ｖ／Ｐ√(θ2＋１) 、ここで、Ｖ：周速度、Ｐ：ピッチ幅、θ：角度、として制御される。
【００１２】
（５）略円形平面の処理対象面を有する対象物に対して吹き付け処理を行うための対象物処理方法において、
対象物の処理対象面と対面するように、処理対象面の中心部と外周端部との間を移動しながら、処理対象面に吹き付けを行うノズル部と、
対象物を載置して、処理対象面の中心を回転軸として、対象物と共に一体的に回転動作を行うステージ部と、を備え、
ノズル部の移動速度と移動軌跡、およびステージの回転速度を制御することによって、
ノズルとステージとの動作によって形成される対象物上の吹き付けの軌跡が、処理対象面の中心を始点とする螺旋軌跡を成し、且つこの螺旋軌跡の周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御され、
この螺旋軌跡の制御には、ノズルの移動速度と対象物の回転速度との制御を連続的に行うために、アルキメデスの螺旋式または処理対象面上の座標の数値計算、が用いられる、ことを特徴とする対象物処理方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による対象物処理装置および対象物処理方法では、ノズル移動動作とステージ回転動作とにより形成される吹き付けの軌跡が螺旋軌跡として形成され、この形成される螺旋軌跡は、アルキメデスの螺旋式または処理対象面上の座標の数値計算、に従うように制御されて、処理対象面の中心を始点とする螺旋軌跡を形成し、且つ形成される螺旋軌跡の周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御されることで、ウェハー等の対象物の上をノズルが一定間隔と一定速度もって通過する極めて正確な螺旋を描くことができるようになった。これにより、ウェハー等の処理対象物上での吹き付け軌跡は全面的で均一または均質なものとすることができ、対象物の処理プロセスにおける処理能力を向上させ、作業の効率化や低コスト化等にも大幅に寄与することができる。また、本発明による螺旋軌跡に従う制御は、再現性やリピータビリティーに優れ、処理装置のパラメータの設定がし易く、その制御性にも優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
次に添付の図１〜５を参照して、本発明による対象物処理装置および対象物処理方法の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態にかかる対象物処理装置を示す構造図である。また、図２は本発明で適用されるアルキメデス螺旋の形成についての説明図である。そして、図３は、本発明の装置および方法によって形成される螺旋軌跡について、その周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御されるピッチング制御で用いられる計算式、計算用パラメータおよび螺旋の形成を示す図であり、次の図４は、本発明によるピッチング制御の区間計算による方法に基づいたウェハー処理のシミュレーションによる例を示す図である。さらに、図５は本発明の一実施形態におけるシミュレーション用図面と剥離実験を示す写真図であり、図６は本発明を適用したときのシミュレーションによる制御比較を、従来技術との対比で示した図である。
【００１５】
図１は、本発明による対象物処理装置およびその方法を実施するための装置の一例を示した構造図である。
図１で示された装置１００内には、サーボモーター１３の回転に連動されて上向きに保持された回転軸２４と一体的に回転される対象物配置用のステージ（回転テーブル）２２上には、吹き付け処理がなされる対象物である半導体ウェハー２０が載置されている。この対象物２０は、全体としては円形扁平状または円形平板状の形状をなし、その上面の全てが円形平面の処理対象面２０’である。ただし、処理される対象物２０としては、略円形平面の処理対象面２０’を有してはいるものの、対象物２０自体は略円形平板形状でない場合もありうる。
【００１６】
この対象物２０の処理対象面２０’に対向して、ノズル部１７は、ノズル端部の吹き出し口１７’から所定のクリアランス（間隔）だけ離間させられて配置設定されており、吹き出し口１７’から吹付体１８が下向きに噴出されて、対象物２０の処理対象面２０’の処理が行われる。この吹付体１８としては、適宜に選別された各種の液体または気体から構成されたものが用いられるとよいが、吹付体１８としてベーパー体、すなわち１）スチーム（水蒸気体）、２）ドライスチーム（乾き水蒸気）、３）ミストのいずれか、またはそれらいずれかの混合物、が用いられてもよい。
【００１７】
このような処理装置１００の構成により、レジスト等の不用物除去の処理に際しては、ウェハー２０が載せられたステージ２２を、回転軸２４を中心に所定の速さで回転させる状態（回転を示す矢印２４’）としておいて、さらに、ノズル部１７にステッピング動作をさせて、ウェハー２０の中心から半径方向への移動動作またはスキャニング動作をさせながら（移動を示す矢印ｄ１および矢印ｄ２）、ノズル部１７の先端側にある吹き出し口１７’から吹出体１８を噴出し、ウェハー２０の処理対象面２０’に吹付体として吹き付けて、この面の洗浄やレジスト剥離／除去を行うものである。
【００１８】
この処理装置１００では、ノズル１７をステッピング動作(移動動作)させるためのノズル用モータードライバ１１と、ステージを回転動作させるためのステージ用モータードライバ１２とを備えており、これらはコントローラー１０によって制御される。コントローラー１０は、アルキメデス式から、ノズルの移動動作およびステージの回転動作を演算し、モータードライバからその命令をモーターに伝えて、これを駆動させる。
このステージ用モータードライバ１２は、これに接続されるサーボモーター１３を回転させ、このサーボモーター１３に連結接続されているステージ２２を回転させる。すると、このステージ２２上に配置されたウェハー２０も一体になって回転させられる。
【００１９】
また、ノズル用モータードライバ１１にはステッピングモーター１４が接続されており、このステッピングモーター１４の回転動作は、ガイドレール１５を介して接続されるノズル用連結支持体１６の移動動作（移動矢印ｄ１）に変換される。このノズル用連結支持体１６の構成部材１６'の下向き先端部にはノズル１７を有するよう構成されているので、このノズル１７は先の移動動作（移動矢印ｄ１）と同じ方向／距離／速度の移動動作（移動矢印ｄ２）を行うこととなる。なお、連結支持体１６の構成部材１６'を管路として構成しておけば、ノズル１７から吹き出す流体の通路をそこに確保することができる。
【００２０】
図２は、本発明において螺旋軌跡を形成するにあたり、その周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御されるピッチング制御で用いられるアルキメデス螺旋式について、その螺旋の形成について説明するための図である。
アルキメデス螺旋式は、ｘ座標：ｘ＝ｒcosθ、ｙ座標：ｙ＝ｒsinθ、中心からの距離：r＝αθ で表される。
図２(１)において、接線と動径との成す角をψとすると、tanψ＝θであり、よって、ＯＰの垂線上にＡをとってＯＡ＝ａとするとき、角度ＰＡＯ＝ψであって、ＰＡはＰにおける法線である。すなわち、Tan(角度ＰＡＯ)＝ＯＰ／ＯＡ＝ｒ／ａ＝θである。
また、ＰＡからそれぞれＯＰ、ＰＡに引いた垂線の交点をＱとし、ＯＱとＰＡとの交点をＳとするとき、ＳはＰにおける曲率の中心であり、その曲率半径Ｒは、Ｒ＝(ｒ2＋ａ2)3/2／(ｒ2＋2ａ2)となる。
そして、アルキメデス螺旋の性質として、回転する円盤の中心から一定の速度の速さで外に向かう物体が描く軌跡がアルキメデス螺旋となるのであって、アルキメデス螺旋が形成される一例を、図２(２)に示す。
【００２１】
図３は本発明の一実施形態である装置または方法において、処理される対象物上に形成される螺旋軌跡について、その周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御されるピッチング制御で用いられる計算式、計算用パラメータおよび螺旋の形成を示す図である。また、本発明によるピッチング制御としては、(１)アルキメデス螺旋式を用いた積分計算による方法、(２)座標を数値計算により制御する区間計算による方法、の２つを例にして、説明する。
【００２２】
図３で示される対象物処理装置または方法では、ノズルの移動動作とステージの回転動作によって形成される対象物上の吹き付けの軌跡が、その周速度とピッチ幅とが所定値(ここでは一定値)となるよう形成された螺旋軌跡となるように制御されている。
この図３では、処理される対象面に螺旋軌跡が形成される対象物の一例として半導体ウェハーを採り上げており、図３中で表示されているウェハーについてのデータは、次のとおりである。
・ウェハーのサイズ(直径)：Ｗ＝８インチ（２００ｍｍ）
・ピッチング(ピッチ幅)：Ｐ＝１０ｍｍ  
・ラインスピーディング(周速度)：Ｖ＝１００ｍｍ／sec
・ステッピング：０.０２
・処理時間：１０.４８２ sec
・ラインの長さ：３１４４.２１ｍｍ
【００２３】
つぎに、図３に示した計算用パラメータを用い、本発明によるピッチング制御として(１)アルキメデス螺旋式を用いた＜積分計算＞による方法によって、処理される対象物の中心からθまでのノズルの移動距離や移動時間、角度θでのノズル速度とステージ回転速度などを求めることとし、その計算経過およびその結果を［数式１］とそれに続く［数式２］において示す。
これらの式では、対象物に吹き付け処理をするとき、ノズルの移動動作とステージの回転動作によって形成される対象物上の吹き付けの軌跡が、アルキメデス螺旋式に従うこととした計算により、ノズル速度と回転速度とを求めたが、それによれば、ノズル速度Ｖn(θ)＝Ｖ／√(θ2＋１)、回転速度ω(θ)＝６０Ｖ／Ｐ√(θ2＋１)、という結果が得られた。
【００２４】
【数１】
2006128238.tif 000003
【００２５】
【数２】
2006128238.tif 000004
【００２６】
さらに、図３に示した計算用パラメータを用い、本発明によるピッチング制御として(２)座標を数値計算により制御する＜区間計算＞による方法について説明する。
この区間計算による方法とは、移動区間を細分化しそれぞれの位置に置いてノズル速度とステージ回転速度を数値計算により求める方法である。
【００２７】
【数３】
2006128238.tif 000005
【００２８】
初期値としてθ0 のときは、
ｘ0 ＝０、ｙ0 ＝０、ｒ0 ＝０ より、
Ｓ0 ＝０、ｔ0 ＝０
また、ノズル速度初期値は
Ｖn ＝Ｖ      [mm/sec]
ステージ回転速度初期値は、
ω0 ＝６０Ｖ／Ｐ    [rpm]
とする。
【００２９】
この＜区間計算＞による方法では、ｍを十分に大きな値をとることで近似計算の精度を上げることが出来る。したがって、コンピューターによりｍの値を十分に大きくとり各要素ｉを計算し、ノズル速度とステージ回転速度を精度よく求めることが出来る。
そして、＜区間計算＞と＜積分計算＞との大きな違いは、＜区間計算＞では、１.数値計算があらかじめ区間を十分大きなｍ個に分割しそれぞれの区間ｉで近似計算する必要があり、且つ、２.精度を上げるために十分大きなｍを選択する必要があるのに対し、＜積分計算＞では、任意のθに対してノズル速度とステージ回転数が正確に求まる、という特徴がある。
【００３０】
図４には、本発明によるピッチング制御の＜区間計算＞による方法に基づいたウェハー処理のシミュレーションによる例を示しており、ｍ＝７５００の場合で計算したものである。
ここで処理されるウェハーサイズは、２００ｍｍ、線速度３０ｍｍ/sec、ピッチ幅２.０ｍｍのとき、積分計算値では、５２３.６３５６秒の処理時間となる。
これに対して、ｍ＝７５００では、５２３.７０３４秒となり、ｍ＝７５００では、真値である積分計算値に近い値が出る。
【００３１】
図５(１)は、本発明の装置または方法により、吹き付け処理がなされたウェハーにおけるシミュレーションの一例(ピッチ幅Ｐ＝１０ｍｍ、周速度Ｖ＝１００ｍｍ／sec)を示す説明図である。また、図５(２)は吹き付け処理がなされたウェハーにおいて剥離実験を行ったときの写真図であり、このウェハーの処理面では、ノズルの移動とステージの回転とに伴う吹き付けの軌跡として、本発明によるピッチング制御によって螺旋模様が形成されたことが見てとれる。なお、この図５(２)において上下に縦断する部材は、寸法付の直線定規である。
【００３２】
図６は、従来の技術(１)と本発明による技術(２)について、それらをシミュレーションによる制御比較を行った例を示した説明図である。図６(１)は、従来の１０ＺＯＮＥ制御による吹き付けの軌跡を示す図である。これによると、処理される対象物のセンターの位置決めが不確実となっていて、ピッチの幅が均一ではなくて、あちこちに間隔のズレが生じており、吹き付けの軌跡の制御が不適切となっているのが明らかである。これに対し、図６(２)は本発明にかかる装置による吹き付けの軌跡を示す図であるが、これによると、処理される対象物のセンターの位置決めが確実になされており、ピッチの幅がすべて均等または均一となっている。このように、本発明による図５(２)における吹き付けの軌跡が、ノズルの移動動作とステージの回転動作とのピッチング制御により、アルキメデス螺旋式に従って適正に形成されていることが明らかとなっている。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明による対象物処理装置および方法では、ウェハー等の処理対象物の剥離・洗浄プロセスにおいて、そこで使用されるノズルとステージとの機械的な動作を制御する方法を提供しており、このような剥離・洗浄等のプロセス制御の分野では、大いなる活用が期待される。具体的には、シリコン・酸化膜及びメタル界面処理プロセス制御方法、有機物・レジスト・ポリマー等の生成物を剥離洗浄プロセス制御方法、半導体ドライエッチング処理後おける後処理工程に用いるプロセス制御方法、などの広い産業分野において本発明を適用することができ、その効果は大変に大きい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態にかかる対象物処理装置の構造を示す図である。
【図２】本発明で適用されるアルキメデス螺旋の形成について説明するための図である。
【図３】本発明によって形成される螺旋軌跡について、その周速度とピッチ幅とが所定値となるように制御されるピッチング制御で用いられる計算式、計算用パラメータおよび螺旋の形成を示す図である。
【図４】本発明によるピッチング制御の区間計算による方法に基づいたウェハー処理の例を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態において、シミュレーション用図面と剥離実験の１例を示す写真図である。
【図６】本発明を適用したときのシミュレーションによる制御比較を従来技術との対比で示した図である。
【図７】従来による対象物処理装置を示すための説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１００  対象物処理装置
１０    コントローラー
１１    ノズル用モータードライバ
１２    ステージ用モータードライバ
１３    サーボモーター
１４    ステッピングモーター
１５    ガイドレール
１６    ノズル用連結支持体
１６’  ノズル用連結支持体１６の構成部材
１７    ノズル部
１７’  吹き出し口
１８    吹付体
２０    半導体ウェハー（対象物）
２０’  処理対象面
２２    ステージ（回転テーブル）
２４    回転軸
２４’  回転動作を示す矢印
ｄ１，ｄ２    移動動作を示す矢印
【図１】
2006128238.tif 000006
【図２】
2006128238.tif 000007
【図３】
2006128238.tif 000008
【図４】
2006128238.tif 000009
【図５】
2006128238.tif 000010
【図６】
2006128238.tif 000011
【図７】
2006128238.tif 000012