(57)【要約】【課題】整列パターン及び整列マーク形成工程が非常に簡単であり、マイクロミラーを固定させる工程も非常に簡単であって生産性が大きく向上したマイクロミラーアレイ及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板２０と、基板２０の一面に形成された少なくとも一つ以上の整列パターン２０ａと、整列パターン２０ａ内に整列されるように固定され、第１面３１ａと第２面３１ｂを有するマイクロミラー３０と、を備えるマイクロミラーアレイである。【選択図】図２Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光素子の光路制御のために使われるマイクロミラーアレイにおいて、
基板と、
前記基板の一面に形成された少なくとも一つ以上の整列パターンと、
前記整列パターン内に整列されるように固定され、少なくとも一つ以上のミラー面を有するマイクロミラーと、
を備えることを特徴とするマイクロミラーアレイ。
【請求項２】
前記基板は、Ｓｉまたはガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイ。
【請求項３】
前記マイクロミラーは、Ｓｉ、ガラスまたはポリマーで形成されたことを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイ。
【請求項４】
前記ミラー面は、反射率を向上させるために金属または誘電体が単層または多層にコーティングされたことを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイ。
【請求項５】
前記マイクロミラーは、第１傾斜角を有する第１面と第２傾斜角を有する第２面とを有することを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイ。
【請求項６】
光素子の光路制御のために使われるマイクロミラーアレイの製造方法において、
（ａ）基板上にマイクロミラーが固定される少なくとも一つ以上の整列パターンを形成させる工程と、
（ｂ）前記整列パターン内に少なくとも一つ以上の反射面を有するマイクロミラーを固定させる工程と、
を含むことを特徴とするマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項７】
前記（ａ）工程は、
前記基板上にフォトレジストを塗布してエッチングマスク層を形成する工程と、
前記エッチングマスク層の上部に前記整列パターンに対応する領域が開口されたフォトマスクを位置させて露光し、前記エッチングマスク層を現像して前記整列パターンに対応するエッチングマスク層を開口してエッチングウィンドウを形成する工程と、
前記エッチングウィンドウを通じて前記基板を乾式エッチングして前記基板に整列パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項８】
前記（ａ）工程は、
前記基板上にＳｉＯＢなどの光素子と整列接合させるための整列マークを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項９】
前記整列マークを形成する工程は、
前記基板上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層の上部に前記整列マークに対応する部位が開口されたフォトマスク層を位置させ、前記フォトマスク層の上方から露光する工程と、
前記フォトレジスト層を露光して前記整列マークが形成される部位のフォトレジスト層を除去して前記基板の一部を露出させる工程と、
前記基板の露出された部位及び前記フォトレジスト層上に整列マーク物質層を塗布し、前記フォトレジスト層を除去して前記整列マークを形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）工程は、
前記整列パターン内に前記マイクロミラーを載置する工程と、
前記整列パターンの一側方向に前記マイクロミラーを整列させる工程と、
前記マイクロミラー及び前記整列パターンの接触部に接合剤を注入する工程と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項１１】
前記接合剤は、シルバーペースト、ＵＶポリマー、ＵＶ接合剤またはフォトレジストであることを特徴とする請求項１０に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項１２】
前記基板は、Ｓｉまたはガラス基板であることを特徴とする請求項６ないし請求項１１のうち何れか１項に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項１３】
前記マイクロミラーは、Ｓｉ、ガラスまたはポリマーで形成されたことを特徴とする請求項６ないし請求項１１のうち何れか１項に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項１４】
前記ミラー面は、反射率を向上させるために金属または誘電体が単層または多層にコーティングされていることを特徴とする請求項６ないし請求項１１のうち何れか１項に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項１５】
前記マイクロミラーは、第１傾斜角を有する第１面と第２傾斜角を有する第２面とを有することを特徴とする請求項６ないし請求項１１のうち何れか１項に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロミラーアレイに係り、特に、超小型光学部品として広く使われるマイクロミラーを精密に製造可能なマイクロミラーアレイ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロミラーは、光ピックアップ装置、光通信システムに広く使われる光学素子である。光ピックアップが使われる光情報記憶装置は、光ディスクに情報を記録し、光ディスクから情報を再生する装置である。
【０００３】
このような光情報記憶装置は、光エネルギーを利用して高い記録密度を達成できるように使用する光源の波長を短くして、対物レンズの開口数を高める方向に開発が進められつつある。例えば、ＣＤ用光情報記憶装置は、７８０ｎｍの波長を有する光源と０.４５の開口数（ＮＡ：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有する対物レンズとを採用しており、ＤＶＤ用光情報記憶装置は、６５０ｎｍの波長を有する光源と０.６のＮＡを有する対物レンズとを採用している。
【０００４】
最近、光ディスクを携帯型情報機器に採用しようとする趨勢によって、超小型光ピックアップの開発が活発に進められつつある。光ピックアップの製造において、半導体工程を利用しようとする試みがある。従来の光ピックアップ製造工程は、数ｍｍ単位の光学部品を組立てる過程で各部品相互間の光軸調整に長時間を必要とし、自動化率が低下するという短所がある。これに対し、光ピックアップを半導体工程で製造する場合、ウェーハレベルで製造できて量産が可能であり、小型化でき、かつ組立て及び調整が容易であるという長所がある。
【０００５】
図１Ａないし図１Ｅは、従来技術に係るマイクロミラーを半導体工程で製造する工程を示す図面である。
図１Ａに示すように、シリコンインゴットを（１００）面から［０１１］方向に対して約９.７４°オフアクシス（ｏｆｆ−ａｘｉｓ）されるように切断して、５００μｍの厚さにシリコンウェーハ１０を形成する。
【０００６】
そして、図１Ｂに示すように、シリコンウェーハ１０の両面にＳｉＯ２またはＳｉＮＸでエッチングマスク層１１，１２を形成する。
【０００７】
そして、図１Ｃに示すように、フォトリソグラフィ工程でエッチングマスク層１１の一部にエッチングウィンドウ１３を形成する。
【０００８】
次いで、図１Ｄに示すように、エッチングウィンドウ１３が形成されたシリコンウェーハ１０を適正温度に維持したＫＯＨ、ＴＭＡＨなどのシリコン異方性エッチング液に浸けて湿式エッチングを実施する。所定時間エッチングが進められれば、図１Ｄに示すように、シリコンウェーハ１０の下面に対して約４５°の傾斜角を有する第１面１５ａと約６４.４８°の傾斜角を有する第２面１５ｂとが形成される。ここで、符号１４は、エッチングされたシリコンウェーハ１０の領域を表すものである。
【０００９】
次に、図１Ｅに示すように、エッチングマスク層１１，１２を除去し、シリコンウェーハを切断して第１面１５ａ及び第２面１５ｂをマイクロミラーとして使用する。
【００１０】
このようなマイクロミラーは、ウェーハレベルで製造可能であり、長波長の光源を使用するか、またはエッチング深さが低い場合、面精度が得られる。しかし、図１Ａないし図１Ｅに示した従来のマイクロミラーの製造方法としては、エッチング深さが数百μｍ以上である場合、一般的な光ピックアップ用光学部品で要求される形状精度を満足させ難いという点がある。
【００１１】
光ピックアップシステムで、光学的に満足するマイクロミラーの表面精度は、一般的に、次のように計算される。
【００１２】
【数１】
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【００１３】
ここで、Ｒｔは、１０点平均照度（ｔｅｎ−ｐｏｉｎｔ  ａｖｅｒａｇｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）であり、λは、光ピックアップシステムに使用する光の波長を意味する。したがって、ブルーレイ光ピックアップシステムの場合、使用する光の波長が約４０５ｎｍであるので、ミラー表面の精度は、約６８ｎｍより低い表面粗度を要求する。
【００１４】
図１Ａないし図１Ｅに示したようなエッチング工程を通じたマイクロミラーは、光ピックアップだけでなく、光モジュールをはじめとする多様な光通信素子で頻繁に使われている。しかし、ここで使われる波長は、ほぼ赤外線領域（６５０ｎｍ）以上のマイクロウェーブ領域である１.３〜１.５μｍの波長帯を有する光を使用する光学システムで満足するが、それ以下の波長帯を有する光を使用するシステムでは、適用し難いという問題点がある。
【００１５】
通常、アレイ形態の大面積のマイクロミラーをエッチング工程によって製造する場合、非常に純度の高い大面積のＳｉウェーハを使用し、実験条件を厳格に管理しなければならず、一つのウェーハのエッチングにかかる時間が約８時間ないし１０時間であるので、経済性の側面でも大きいという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明では、このような従来技術の問題点を解決するためのものであって、整列パターン及び整列マーク形成工程が非常に簡単であり、マイクロミラーを固定させる工程も非常に簡単であって、生産性を大きく向上できるマイクロミラーアレイ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明では、前記目的を達成するために、光素子の光路制御のために使われるマイクロミラーアレイにおいて、基板と、前記基板の一面に形成された少なくとも一つ以上の整列パターンと、前記整列パターン内に整列されるように固定され、少なくとも一つ以上のミラー面を有するマイクロミラーと、を備えるマイクロミラーアレイを提供する。
【００１８】
本発明において、前記基板は、Ｓｉまたはガラス基板であり、前記マイクロミラーは、Ｓｉ、ガラスまたはポリマーで形成されたことを特徴とする。
【００１９】
本発明において、前記ミラー面は、反射率を向上させるために金属または誘電体が単層または多層にコーティングされ、前記ミラー面は、第１傾斜角を有する第１面と第２傾斜角を有する第２面とを有する。
【００２０】
また、本発明では、光素子の光路制御のために使われるマイクロミラーアレイの製造方法において、（ａ）基板上にマイクロミラーが固定される少なくとも一つ以上の整列パターンを形成する工程と、（ｂ）前記整列パターン内に少なくとも一つ以上の反射面を有するマイクロミラーを固定させる工程と、を含むマイクロミラーアレイの製造方法を提供する。
【００２１】
本発明において、前記（ａ）工程は、前記基板上にフォトレジスト（ＰＲ：Ｐｈｏｔｏ−Ｒｅｓｉｓｔ）を塗布してエッチングマスク層を形成する工程と、前記エッチングマスク層の上部に前記整列パターンに対応する領域が開口されたフォトマスクを位置させて露光し、前記エッチングマスク層を現像して前記整列パターンに対応するエッチングマスク層を開口してエッチングウィンドウを形成する工程と、前記エッチングウィンドウを通じて前記基板を乾式エッチングして前記基板に整列パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２２】
本発明において、前記（ａ）工程は、前記基板上にＳｉＯＢなどの光素子と整列接合させるための整列マークを形成させる工程をさらに含むことを特徴とする。
【００２３】
本発明において、前記整列マークを形成させる工程は、前記基板上にＰＲを塗布してＰＲ層を形成させる工程と、前記ＰＲ層の上部に前記整列マークの対応する部位が開口されたフォトマスク層を位置させ、前記フォトマスク層の上方から露光する工程と、前記ＰＲ層を露光して前記整列マークが形成される部位のＰＲ層を除去して前記基板の一部を露出させる工程と、前記基板の露出された部位及び前記ＰＲ層上に整列マーク物質層を塗布し、前記ＰＲ層を除去して前記整列マークを形成させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００２４】
本発明において、前記（ｂ）工程は、前記整列パターン内に前記マイクロミラーを位置させる工程と、前記整列パターンの一側方向に前記マイクロミラーを整列させる工程と、前記マイクロミラー及び前記整列パターンの接触部に接合剤を注入する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２５】
本発明において、前記接合剤は、シルバーペースト、ＵＶポリマー、ＵＶ接合剤またはＰＲのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、次のような長所がある。
第一に、湿式エッチングを利用してマイクロミラーを製造するためには、そのエッチング時間が相対的に長いので、生産性が低かったが、本発明は、整列パターン及び整列マーク形成工程が非常に簡単であり、別途に製作されたマイクロミラーを固定させる工程も非常に簡単であって生産性が大きく向上する。
【００２７】
第二に、従来技術に係るマイクロミラーを半導体工程で製造する場合、形成されたミラー面の表面精度が短波長を使用する光素子の要求値を満足させ難かったが、本発明によれば、単位マイクロミラーに対して精度自体を制御可能であるので、ブルーレイ光ディスク装置に有効に適用可能である。
【００２８】
第三に、従来技術に係るマイクロミラーを製造するために、特定面方位を有するＳｉ基板を使用したが、本発明では、整列パターンを形成できる基板であれば、何れも利用可能であるので、製造コストが大きく節減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本実施形態に係るマイクロミラー及びその製造方法について詳細に説明する。図２Ａ及び図２Ｂは、本実施形態に係るマイクロミラーの構造を示す図面である。
【００３０】
図２Ａに示すように、マイクロミラー３０は、基板２０の整列パターンに所定形状に整列されている。ここで、マイクロミラー３０は、基板２０をエッチングなどの工程で形成したものではなく、別途に製造したマイクロミラー３０を基板２０上に形成された整列パターン内に固定させたものである。
【００３１】
このことについて、図２Ｂを用いて詳細に説明すれば、次の通りである。ここで参照する図２Ｂは、図２ＡのＡ´−Ａ部分で切断した断面を示す斜視図である。図２Ｂに示すように、基板２０には、マイクロミラー３０が整列されて固定される整列パターン２０ａが形成されている。マイクロミラー３０は、基板２０に対して第１傾斜角を有する第１面３１ａと第２傾斜角を有する第２面３１ｂとを備える構造を有している。ここで、第１面３１ａ及び第２面３１ｂの傾斜角は、使われる用途によって調節して形成される。例えば、光ピックアップに使われる場合、第１面３１ａは、約４５°の傾斜角を有し、第２面３１ｂは、約６４.４８°の傾斜角を有する。第１面３１ａと第２面３１ｂ（ミラー面）は反射率を向上させるために金属または誘電体が炭層または多層にコーティングされていることが好ましい。図２Ｂに示すＢ領域は、Ｓｉ光ベンチ（ＳｉＯＢ：Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｅｎｃｈ：ＳｉＯＢ）単位素子とウェーハレベルで接合される領域であり、これについては後述する。
【００３２】
以下、図３Ａないし図３Ｉを参照して、本実施形態に係るマイクロミラーの製造方法について詳細に説明する。ここでは、マイクロミラー３０を基板２０上に固定させ、ＳｉＯＢなどの光学素子と接合するための整列マークを形成させる工程を含めて説明する。ここで、マイクロミラーは、Ｓｉ、ガラスまたはポリマーで形成されていることが好ましい。
【００３３】
図３Ａに示すように、基板２０を設け、その上部にＰＲを塗布してＰＲ層２１を形成させる。基板２０は、整列パターンの形成が可能なものならば、材料を制限せずに使用でき、例えば、Ｓｉまたはガラスを使用できる。Ｓｉウェーハの場合にも、前述した従来の技術のように、Ｓｉインゴットが特定面方位を有するものではなく、一般的な（１００）基板など、制限なく使用できる。
【００３４】
図３Ｂに示すように、整列マーク２１ｂ（図３Ｄ参照）が形成される位置２２ａが開口されたフォトマスク２２を基板２０上に位置させ、フォトマスク２２の上部から光を照射して露光を実施する。
【００３５】
図３Ｃに示すように、フォトマスク２２を除去し、現像すれば、整列マーク２１ｂ（図３Ｄ参照）が形成される位置２１ａのＰＲ層２１が除去される。そして、ＡｕまたはＣｒ金属（整列マーク物質）をスパッタリング法または電子ビーム蒸着法で蒸着させて、整列マーク２１ｂが形成される位置２１ａに充填する。
【００３６】
図３Ｄに示すように、リフトオフ工程によってＰＲを除去してＰＲ層２１を分離すれば、基板２０上の特定位置に整列マーク２１ｂが形成された構造となる。
【００３７】
これにより、後続の工程でＳｉＯＢなどと接合させる整列マーク２１ｂが形成される。
次に、マイクロミラー３０が載置される整列パターン２０ａを形成させる工程について説明する。
【００３８】
図３Ｅに示すように、スピンコーティングによってＰＲを基板２０及び整列マーク２１ｂ上に塗布してエッチングマスク層２３を形成する。
【００３９】
図３Ｆに示すように、マイクロミラーが載置する整列パターンに対応する部位２４ａが開口されたフォトマスク２４をエッチングマスク層２３の上部に位置させ、露光を実施する。これによりフォトマスク２４を通じて、整列パターン２０ａ（図３Ｈ参照）に対応するエッチングマスク層２３の一部が露光される。
【００４０】
図３Ｇに示すように、現像を実施すれば、エッチングマスク層２３の一部が除去されてエッチングウィンドウ２３ｂが形成される。
【００４１】
図３Ｈに示すように、基板２０に対して乾式エッチングを実施すれば、エッチングウィンドウ２３ｂによって開口された基板２０の一部でのみエッチングが進められる。それにより、基板２０には、マイクロミラー３０が載置される整列パターン２０ａが形成される。そして、エッチングマスク層２３を除去すれば、基板２０に整列パターン２０ａと整列マーク２１ｂとが形成された構造が得られる。このとき、整列パターン２０ａの深さはマイクロミラー３０のサイズを考慮して決定し、整列パターン２０ａは、マイクロミラー３０が載置され、後続工程でＳｉＯＢ光素子と整列結合させるための目的で使われるので、数ないし数十μｍのサイズに調節して形成させる。
【００４２】
図３Ｉに示すように、基板２０に形成された整列パターン２０ａにマイクロミラー３０を固定させる。マイクロミラー３０は、第１傾斜角を有する第１面３１ａ及び第２傾斜角を有する第２面３１ｂの側面を有しており、その底面は、整列パターン２０ａより若干小さく形成されたものである。マイクロミラー３０は、所望の傾斜角を有するように、シリコン、ＢＫ７やパイレックス（登録商標）などのガラスまたはポリマー材質として機械加工法を利用してその形態及びサイズを制御して容易に形成できる。そして、反射面の反射度を向上させるために、第１面３１ａ及び第２面３１ｂの表面が、金属または誘電体が単層または多層にコーティングされたものを使用する。ＳｉＯＢのような光素子に使われる場合、第１面３１ａは、４５°の傾斜角を有するように形成させ、第２面３１ｂは、６４.４８°を有するように形成させる。したがって、本実施形態に係るマイクロミラーアレイを製造できる。
【００４３】
図４Ａないし図４Ｃは、基板の整列パターン内にマイクロミラーを固定させる過程を示す図面である。
【００４４】
図４Ａに示すように、基板２０に多数形成された整列パターン２０ａ内にマイクロミラー３０をそれぞれ整列されるように固定させることが分かる。整列パターン２０ａの幅は、マイクロミラー３０より若干大きく形成させることが望ましく、本発明者は、整列パターン２０ａをマイクロミラー３０の下面に対して横及び縦の長さを、約１５μｍ大きく形成させた。
【００４５】
図４Ｂに示すように、マイクロミラー３０を第１面３１ａ及び第２面３１ｂの方向を考慮して、整列パターン２０ａに載置する。図４Ｂにおける上面及び右側面を基準アライン面に設定して、マイクロミラー３０の左側及び下側から力を加える。
【００４６】
図４Ｃに示すように、マイクロミラー３０は、整列パターン２０ａのアライン面の上面及び右側面に正確に接合されたことが分かる。後続の工程で、ＳｉＯＢ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｅｎｃｈ）光素子がアレイ形態に形成されたウェーハと接合させる工程が進められるので、マイクロミラー３０を整列パターン２０ａに固定させる工程が要求される。このために、シルバーペースト、ＵＶポリマー、ＵＶ接合剤またはＰＲを接合剤として使用する。例えば、微量の接合剤を、マイクロミラー３０の一側または両側に注入する。そして、光ファイバを利用してＵＶを照射するか、あるいはホットプレートまたはコンベンショナルオーブン内で加熱して接合剤のソルベント成分を除去する。それにより、マイクロミラー３０は、整列パターン２０ａと結合する。微量の接合剤のみでも、マイクロミラー３０は、容易に整列パターン２０ａに接合可能である。
【００４７】
図５及び図６は、本実施形態に係るマイクロミラーとＳｉＯＢ光素子とを結合させた光ピックアップ装置の構造を示す図面である。図２Ａに示したような本実施形態に係るマイクロミラーアレイをＳｉＯＢ光素子アレイが形成されたウェーハと整列マーク２１ｂとを通じて相互整列させて、陽極接合または共接合させたものである。単位ＳｉＯＢ光素子と接合されるマイクロミラーは、図２ＢのＢ領域に該当する。
【００４８】
図５及び図６に示すように、光ピックアップ装置は、光学ベンチ４０、光学ベンチ４０上に形成されて光源を含むマウント部４３、レンズ部４１、マイクロミラー３０及び光路分離部４２ａを含む構造を有する。光学ベンチ４０には、マウント部４３の光源から光が通過する光通過孔４２ｂが形成されている。光学ベンチ４０には、メイン光検出器４４とモニター光検出器４５とが形成されている。
【００４９】
マイクロミラー３０は、光学ベンチ４０の一側に設けられてマウント部４３の光源から発生する光を光通過孔４２ｂに反射させて情報記録媒体に入射させる第１面３１ａと、光学ベンチ４０の他側に設けられて情報記録媒体から反射されて第１面３１ａから伝えられた反射光をメイン光検出器４４に入射させる第２面３１ｂとを含む。
【００５０】
メイン光検出器４４は、情報記録媒体から反射される光を受光して、情報再生信号（ＲＦ信号）及びサーボ駆動に使われるエラー信号（例えば、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号またはチルトエラー信号）を検出する役割を担う。モニター光検出器４５は、マウント部４３の光源から出射される光の一部を直接受光して、光量を利用してモニタリング信号を発生させる役割を担う。
【００５１】
光路分離部４２ａは、マウント部４３の光源から出射されて情報記録媒体に入射される光路と情報記録媒体から反射される光路とを分離する。光路分離部４２ａには、回折光学素子、例えば、ＨＯＥ（Ｈｏｌｏｇｒａｍ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）またはＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）を使用する。
【００５２】
光ピックアップ装置の動作について簡略に説明すれば、次の通りである。マウント部４３の光源から出射された光は、マイクロミラー３０の第１面３１ａに反射されて光通過孔４２ｂを通じてＣＤなどの情報記録媒体に入射される。そして、情報記録媒体から反射された光は、光通過孔４２ｂを通じてマイクロミラー３０の第１面３１ａに入射される。第１面３１ａで反射された光は、第２面３１ｂに入射してメイン光検出器４４に受光される。したがって、マイクロミラー３０は、光路を精密に制御できるように、ＳｉＯＢと精密に接合できる構造に形成されなければならない。本実施形態に係るマイクロミラーアレイは、整列パターン２０ａは、それ自体が整列面を考慮して形成されたものであって、光ピックアップなどの光学素子が要求する精度を満足させる。
【００５３】
前記説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施形態の例示として解釈されなければならない。例えば、マイクロミラーは、一つ以上のミラー面を有し、バー形態ではない、用途によって選択的に使用される。したがって、本発明の技術的範囲は、説明された実施形態によって限定されず、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決定されなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明のマイクロミラーは、光ピックアップ装置、光通信システムなどに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１Ａ】従来の技術に係るマイクロミラーを半導体工程で製造する工程を示す図面である。
【図１Ｂ】従来の技術に係るマイクロミラーを半導体工程で製造する工程を示す図面である。
【図１Ｃ】従来の技術に係るマイクロミラーを半導体工程で製造する工程を示す図面である。
【図１Ｄ】従来の技術に係るマイクロミラーを半導体工程で製造する工程を示す図面である。
【図１Ｅ】従来の技術に係るマイクロミラーを半導体工程で製造する工程を示す図面である。
【図２Ａ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの構造を示す図面である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの構造を示す図面である。
【図３Ａ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｇ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｈ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｉ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【図４Ａ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーを基板の整列パターンに固定させる方法を示す図面である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーを基板の整列パターンに固定させる方法を示す図面である。
【図４Ｃ】本発明の実施形態に係るマイクロミラーを基板の整列パターンに固定させる方法を示す図面である。
【図５】マイクロミラーアレイがＳｉＯＢとウェーハレベルで接合されて形成された光ピックアップ装置を示す図面である。
【図６】マイクロミラーアレイがＳｉＯＢとウェーハレベルで接合されて形成された光ピックアップ装置を示す図面である。
【符号の説明】
【００５６】
１０    シリコンウェーハ
１１    エッチングマスク層
１３    エッチングウィンドウ
１５ａ  第１面
１５ｂ  第２面
２０    基板
２０ａ  整列パターン
２１    ＰＲ層
２１ａ  位置
２１ｂ  整列マーク
２２    フォトマスク
２２ａ  位置
２３    エッチングマスク層
２３ｂ  エッチングウィンドウ
２４    フォトマスク
２４ａ  部位
３０    マイクロミラー
３１ａ  第１面
３１ｂ  第２面
４０    光学ベンチ
４１    レンズ部
４２ａ  光路分離部
４２ｂ  光通過孔
４３    マウント部
４４    メイン光検出器
４５    モニター光検出器
【図１Ａ】
2006139287.tif 000004
【図１Ｂ】
2006139287.tif 000005
【図１Ｃ】
2006139287.tif 000006
【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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