(57)【要約】【課題】処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬することにより施される基板処理のスループットをさらに向上させることができる基板処理装置を提供する。【解決手段】処理槽１０に貯留される処理液を、純水から硫酸に交換するとともに、交換後の硫酸の液温を所定温度に温調する液交換処理において、まず、処理槽１０および外槽２０から純水を排出する。次に、供給ノズル４０から外槽２０に向けて硫酸を供給する。次に、ポンプ５３および温調部６３を動作させつつ、バルブ５６ａ、６７、６６ａを開放し、バルブ５６ｂ、５７、６６ｂを閉鎖することにより、上部循環処理を実行する。続いて、処理槽１０の液温が所定値より高くなった時点において、ポンプ５３および温調部６３を動作状態を維持させつつ、バルブ５６ａ、６７、バルブ６６ｂを開放し、バルブ５６ａ、５７、６６ｂを閉鎖することにより、内側循環処理を実行する。【選択図】図１
2006278628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留し、基板を収容可能な処理槽と、
処理槽の外部に設けられ、前記処理槽から溢れ出た処理液を回収する外槽と、
前記外槽から処理液を排出させるための共通配管と、
前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第１配管と、
前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第２配管と、
処理液の流れを前記第１配管と前記第２配管とに切り替える切換部と、
前記共通配管に設けられ、前記共通配管を流れる処理液を温調する温調部と、
前記第２配管に設けられたフィルタと、
処理液の温度を計測する温度計測部と、
前記温度計測部で計測された処理液の温度が所定値以下の場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第１配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させ、前記温度計測部で計測された処理液の温度が所定値を超えた場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第２配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記温度計測部は、前記外槽に貯留された処理液の温度を計測することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留し、基板を収容可能な処理槽と、
処理槽の外部に設けられ、前記処理槽から溢れ出た処理液を回収する外槽と、
前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部と、
前記外槽から処理液を排出させるための共通配管と、
前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第１配管と、
前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第２配管と、
処理液の流れを前記第１配管と前記第２配管とに切り替える切換部と、
前記共通配管に設けられ、前記共通配管を流れる処理液を温調する温調部と、
前記第２配管に設けられたフィルタと、
前記外槽に貯留された処理液の貯留量を検出する貯留量検出部と、
前記貯留量検出部で検出された処理液の貯留量が所定値以下の場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第１配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させ、前記貯留量検出部で検出された処理液の温度が所定値を超えた場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第２配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板に処理を行う基板処理装置において、
処理液を貯留し、基板を収容可能な処理槽と、
処理槽の外部に設けられ、前記処理槽から溢れ出た処理液を回収する外槽と、
前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部から前記処理槽へ供給される処理液の供給量を計測する供給量計測部と、
前記外槽から処理液を排出させるための共通配管と、
前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第１配管と、
前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第２配管と、
処理液の流れを前記第１配管と前記第２配管とに切り替える切換部と、
前記共通配管に設けられ、前記共通配管を流れる処理液を温調する温調部と、
前記第２配管に設けられたフィルタと、
前記供給量計測部で計測された処理液の供給量が所定値以下の場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第１配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させ、前記供給量計測部で計測された処理液の供給量が所定値を超えた場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第２配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させる制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記切換部は、前記第１配管に設けられた第１バルブと、前記第２配管に設けられた第２バルブとを備え、
前記制御部は、前記第１バルブと前記第２バルブの開閉状態を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１配管に接続され、前記処理槽の上方から処理液を供給する第１ノズルと、
前記第２配管に接続され、前記処理槽に配置された第２ノズルと、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理槽に貯留された純水、薬液等の処理液に半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を浸漬して所定の処理を施す基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬して所定の処理を行う基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特許３５３０４２６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１の基板処理装置の処理槽に貯留される処理液を交換するとともに、交換された処理液の液温を基板処理に適した温度に調整する液交換処理は以下の手順で実行される。
【０００５】
すなわち、まず、（１）処理槽、および（２）オーバーフロー液回収部の処理液を装置外部に排出する。次に、（３）処理槽およびオーバーフロー液回収部からの処理液の排出処理が完了した後に、処理槽に略室温の新たな処理液を供給する。この処理液の供給に際して、処理槽から溢れ出した処理液はオーバーフロー液回収部に回収される。続いて、（４）新たな処理液の供給が完了した後に、この処理液を外槽から処理槽に循環しつつ温調する処理を開始する。そして、処理槽に所定量の処理液が所定温度とされた時点で、基板に対してこの交換された処理液による基板処理が可能となる。このように、特許文献１の液交換処理では、上述の（１）〜（４）の処理を実行する必要がある。
【０００６】
しかしながら、基板処理のスループットをさらに向上させるためには、この液交換処理に要する時間、例えば、予備加熱の施されていない略室温の処理液が基板処理槽へ供給される場合、この処理液が所定の液温に温調されるまでの時間も問題となる。
【０００７】
そこで、本発明では、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬することにより行われる基板処理のスループットをさらに向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を収容可能な処理槽と、処理槽の外部に設けられ、前記処理槽から溢れ出た処理液を回収する外槽と、前記外槽から処理液を排出させるための共通配管と、前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第１配管と、前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第２配管と、処理液の流れを前記第１配管と前記第２配管とに切り替える切換部と、前記共通配管に設けられ、前記共通配管を流れる処理液を温調する温調部と、前記第２配管に設けられたフィルタと、処理液の温度を計測する温度計測部と、前記温度計測部で計測された処理液の温度が所定値以下の場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第１配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させ、前記温度計測部で計測された処理液の温度が所定値を超えた場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第２配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部、をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記温度計測部は、前記外槽に貯留された処理液の温度を計測することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を収容可能な処理槽と、処理槽の外部に設けられ、前記処理槽から溢れ出た処理液を回収する外槽と、前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部と、前記外槽から処理液を排出させるための共通配管と、前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第１配管と、前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第２配管と、処理液の流れを前記第１配管と前記第２配管とに切り替える切換部と、前記共通配管に設けられ、前記共通配管を流れる処理液を温調する温調部と、前記第２配管に設けられたフィルタと、前記外槽に貯留された処理液の貯留量を検出する貯留量検出部と、前記貯留量検出部で検出された処理液の貯留量が所定値以下の場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第１配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させ、前記貯留量検出部で検出された処理液の温度が所定値を超えた場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第２配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留し、基板を収容可能な処理槽と、処理槽の外部に設けられ、前記処理槽から溢れ出た処理液を回収する外槽と、前記外槽へ処理液を供給する処理液供給部と、前記処理液供給部から前記処理槽へ供給される処理液の供給量を計測する供給量計測部と、前記外槽から処理液を排出させるための共通配管と、前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第１配管と、前記共通配管に接続され、前記共通配管を介して排出された処理液を前記処理槽へ供給する第２配管と、処理液の流れを前記第１配管と前記第２配管とに切り替える切換部と、前記共通配管に設けられ、前記共通配管を流れる処理液を温調する温調部と、前記第２配管に設けられたフィルタと、前記供給量計測部で計測された処理液の供給量が所定値以下の場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第１配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させ、前記供給量計測部で計測された処理液の供給量が所定値を超えた場合、前記温調部により処理液を加熱しつつ、前記切換部を制御して前記共通配管から前記第２配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させる制御部と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、前記切換部は、前記第１配管に設けられた第１バルブと、前記第２配管に設けられた第２バルブとを備え、前記制御部は、前記第１バルブと前記第２バルブの開閉状態を制御することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１配管に接続され、前記処理槽の上方から処理液を供給する第１ノズルと、前記第２配管に接続され、前記処理槽に配置された第２ノズルと、をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１ないし請求項３に記載の発明によれば、温度計測部で計測された処理液の温度が所定値以下の場合、温調部により処理液を加熱しつつ、切換部を制御して共通配管から第１配管を介して処理液を処理槽へ供給させ、温度計測部で計測された処理液の温度が所定値を超えた場合、温調部により処理液を加熱しつつ、切換部を制御して共通配管から第２配管を介して処理液を前記処理槽へ供給させているので、処理液の温度が低い場合に処理液がフィルタから受ける抵抗を低減でき、外槽から処理槽への処理液の循環速度を向上できる。これにより、外槽から処理槽へ循環される処理液を所定の温度にするために要する時間を短縮できる。
【００１６】
特に、請求項２に記載の発明によれば、処理液供給部が外槽へ処理液を供給しているので、液交換時間を短縮できる。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明によれば、貯留量検出部で検出された処理液の貯留量が所定値以下の場合、温調部により処理液を加熱しつつ、切換部を制御して共通配管から第１配管を介して処理液を処理槽へ供給させ、貯留量検出部で検出された処理液の貯留量が所定地を越えた場合、温調部により処理液を加熱しつつ、切換部を制御して共通配管から第２配管を介して処理液を処理槽へ供給させているので、貯留量検出部で検出された処理液の貯留量が所定値以下の場合、つまり、処理液の温度が低いと考えられる場合に処理液がフィルタから受ける抵抗を低減でき、外槽から処理槽への処理液の循環速度を向上できる。これにより、外槽から処理槽へ循環される処理液を所定の温度にするために要する時間を短縮でき、その結果、液交換時間を短縮できる。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明によれば、供給量計測部で計測された処理液の供給量が所定値以下の場合、温調部により処理液を加熱しつつ、切換部を制御して共通配管から第１配管を介して処理液を処理槽へ供給させ、供給量計測部で計測された処理液の供給量が所定値を超えた場合、温調部により処理液を加熱しつつ、切換部を制御して共通配管から第２配管を介して処理液を処理槽へ供給させているので、供給量計測部で計測された処理液の供給量が所定値以下の場合、つまり、処理液の温度が低いと考えられる場合に処理液がフィルタから受ける抵抗を低減でき、外装から処理槽への処理液の循環速度を向上できる。これにより、外槽から処理槽へ循環される処理液を所定の温度にするために要する時間を短縮でき、その結果、液交換時間を短縮できる。
【００１９】
特に、請求項６に記載の発明によれば、切換部は、第１配管に設けられた第１バルブと、第２配管に設けられた第２バルブとを備え、制御部は、第１バルブと第２バルブの開閉状態を制御しているので、第１配管と第２配管とへの処理液の供給を確実に切り替えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２１】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の実施の形態における基板処理装置１の構成の一例を示す図である。基板処理装置１は、複数の基板に対して一度に基板処理を行う、いわゆる「バッチ式」の装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、処理槽１０と、処理槽１０の外側に設けられ、処理槽１０から溢れた処理液を回収するための外槽２０と、外槽２０から排出された処理液を再度処理槽１０へ供給させるための配管５１ａ、６１、６２ａ〜６２ｃと、対応する配管に設けられており外槽２０から再度処理槽１０へ供給される処理液の流路を設定するバルブ６６ａ、６６ｂと、を備える。
【００２２】
処理槽１０は、その内側に処理液１５を貯留し、この処理液１５に複数枚の基板Ｗを浸漬することにより、複数の基板Ｗに対して洗浄・エッチング等の処理が行われる。また、処理槽１０内側の底部近傍にはＹ軸方向に延伸する２本の第２処理液ノズル１７が配置されており、外槽２０から排出された処理液は、配管５１ａ、６１、６２ｂ、６２ｃを介して第２処理液ノズル１７から処理槽１０内へ矢印ＡＲ２のように供給される。さらに、処理槽１０の内側には温度計１６が配設されており、処理槽１０に貯留された処理液１５の温度を計測する。
【００２３】
昇降機構３０は、処理槽１０に貯留された処理液に複数の基板Ｗを浸漬させる機構であり、図１に示すように、主として、リフター３１と、保持棒３２とを備える。リフター３１は、駆動機構（図示省略）によって処理槽１０の上方位置と処理槽１０内との間を矢印ＡＲ２に示すようにＺ軸方向に昇降可能に設けられる。また、リフター３１には、Ｙ軸方向に沿って伸びる３本の保持棒３２が取り付けられる。ここで、３本の保持棒３２のそれぞれには複数の保持溝（図示省略）が設けられており、基板Ｗはその外縁部が対応する保持溝にはまり込むことによって起立姿勢にて保持される。
【００２４】
したがって、３本の保持棒３２によって保持された複数の基板Ｗは、リフター３１によって昇降させられることにより、処理液１５に浸漬させられる位置と、搬送ロボット（図示省略）との間で受渡しを行う処理槽１０の上方位置との間で昇降する。
【００２５】
処理槽１０の外側上部には、図１に示すように、処理槽１０の上端部を取り囲むように外槽２０が設けられている。これにより、処理槽１０から溢れた処理液は、外槽２０に回収される。
【００２６】
外槽２０の上方には供給ノズル４０、４５が、それぞれ配設されている。図１に示すように、供給ノズル４０は、バルブ４２、流量計４３、および配管４４を介して硫酸供給源４１と連通接続されている。また、供給ノズル４５は、バルブ４７、流量計４８、および配管４９を介して純水供給源４６と連通接続されている。したがって、バルブ４２、４７の開閉状態を制御することにより、供給ノズル４０、４５はそれぞれ外槽２０の上方から外槽２０へ硫酸および純水を供給する。
【００２７】
流量計４３、４８は、図１に示すように、それぞれ配管４４、４９に設けられており、硫酸供給源４１から供給される硫酸、および純水供給源４６から供給される純水の単位時間当りの流量を測定する。そのため、この流量計４３、４８の検出値に基づき、外槽２０へ供給された硫酸および純水の供給量が求められる。
【００２８】
また、図１に示すように、外槽２０の内側には、外槽２０に回収された処理液２５の液面の高さを検出できるレベルセンサ２３が配設されている。ここで、外槽２０の内側形状は設計上既知であるため、処理液の液面の高さから貯留量が求められる。すなわち、処理液の貯留量と処理液の液面の高さとは１対１に対応しているので、本実施の形態では、レベルセンサ２３の検出結果である処理液の液面高さ、または、レベルセンサ２３の検出結果から求められる貯留量に基づいて所定の処理を実行する。
【００２９】
また、外槽２０の内側領域には、第１排出管５１ａと連通接続されているとともに、第１排出管５１ａには開閉可能なバルブ５６ａが設けられている。また、第１排出管５１ａは、連通位置８２にて共通配管６１と連通接続する。さらに、連通位置８２には、処理槽１０の内側領域と接続し、開閉可能なバルブ５６ｂが結合された第２排出管５１ｂとも接続している。
【００３０】
共通配管６１は、主として、外槽２０から排出された処理液２５を処理槽１０側に供給する配管である。図１に示すように、共通配管６１には、外槽２０側（位置８２）から処理槽１０側（位置８３）に向けて順に、ポンプ５３、バルブ６７、および温調部６３が設けられている。また、共通配管６１は、連通位置８３にて第１配管６２ａ、第２配管６２ｂのそれぞれと接続する。
【００３１】
第１配管６２ａは、共通配管６１によって導入された処理液を処理槽１０の上方から供給するために使用される配管である。図１に示すように、第１配管６２ａには開閉可能なバルブ６６ａが結合されており、第１配管６２ａの連通位置８３と逆側の端部には処理槽１０の上方に配設された第１処理液ノズル６５が連通接続される。
【００３２】
一方、第２配管６２ｂは、共通配管６１によって導入された処理液を処理槽１０の内側から供給するために使用される配管である。図１に示すように、第２配管６２ｂには、連通位置８３から処理槽１０側に向けて順に、バルブ６６ｂ、およびフィルタ６４が設けられている。また、第２配管６２ｂの連通位置８３と逆側の端部は２本に分岐されている。さらに、２本に分岐された第２配管６２ｃは、それぞれ対応する第２処理液ノズル１７と接続されている。
【００３３】
したがって、ポンプ５３が駆動させられるとともに、バルブ５６ａ、６７、６６ａが開放され、かつ、バルブ５６ｂ、６６ｂ、および後述するバルブ５７が閉鎖させることにより、外槽２０に回収された処理液２５は、第１排出管５１ａ、共通配管６１、温調部６３、第１配管６２ａ、および第１処理液ノズル６５を介して処理槽１０へ供給される。
【００３４】
これに対して、ポンプ５３が駆動させられるとともに、バルブ５６ａ、６７、６６ｂが開放され、かつ、バルブ５６ｂ、５７、６６ａが閉鎖されることにより、外槽２０に回収された処理液２５は、第１排出管５１ａ、共通配管６１、温調部６３、第２配管６２ｂ、６２ｃ、および第２処理液ノズル１７を介して矢印ＡＲ２の方向に吐出し、処理槽１０の内側へ供給される。
【００３５】
このように、本実施の形態の基板処理装置１では、２つの処理液循環処理、すなわち、外槽２０から排出された処理液を、（１）処理槽１０の上方から処理槽１０へ供給して循環させる処理（以下、「上部循環処理」とも呼ぶ）と、（２）処理槽１０の内側から処理槽１０へ供給して循環させる処理（以下、「内側循環処理」とも呼ぶ）とが実行される。
【００３６】
また、本実施の形態の基板処理装置１において基板処理に使用された処理液が排液として廃棄される場合、この使用済みの排液は、基板処理装置１の外部に設けられており、半導体工場内の共通設備として使用されるの排液ドレイン５９に排出される。
【００３７】
すなわち、外槽２０の内側領域と連通する第１排出管５１ａ、および、処理槽１０の内側領域と連通する第２排出管５１ｂは、それぞれ位置８２にて共通配管６１と連通する。また、第３排出管５２は、連通位置８２より下流側であってポンプ５３とバルブ６７とに挟まれた位置８１にて共通配管６１と連通する。さらに、第３排出管５２には開閉可能なバルブ５７が設けられており、連通位置８１と逆の端部は排液ドレイン５９と連通接続されている。
【００３８】
したがって、ポンプ５３が駆動させられるとともに、バルブ５６ａ、５７が開放され、かつ、バルブ５６ｂ、６７が閉鎖させることにより、外槽２０に回収された処理液２５は、第１排出管５１ａ、共通配管６１、および第３排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される。また、ポンプ５３が駆動させられとともに、バルブ５６ｂ、５７が開放され、かつ、バルブ５６ａ、６７が閉鎖されることにより、処理槽１０に貯留された処理液１５は、第２排出管５１ｂ、共通配管６１、および第３排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される。さらに、バルブ６６ａ、６６ｂ、６７、５７が開放されるとともに、バルブ５６ａ、５６ｂ、６６ｂが閉鎖されることにより、共通配管６１、第１配管６２ａ、および第２配管６２ｂ、６２ｃのそれぞれに残留する処理液は、その自重によって排液ドレイン５９に排出される。
【００３９】
温調部６３は、図１に示すように、共通配管６１におけるバルブ６７の下流に設けられている。温調部６３は、共通配管６１を流通する処理液を昇温させて温調する。
【００４０】
フィルタ６４は、図１に示すように、第２配管６２ｂに設けられており、第２配管６２ｂを流通する処理液に含まれるパーティクル等を除去する。
【００４１】
制御部９０は、図１に示すように、プログラムや変数等を格納するメモリ９１と、メモリ９１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９２とを備える。また、制御部９０の制御対象であるバルブ４２、４７、５６ａ、５６ｂ、５７、６６ａ、６６ｂ、６７、ポンプ５３、温調部６３等は、信号線９５によって電気的に接続される。
【００４２】
したがって、ＣＰＵ９２は、メモリ９１に格納されたプログラムに従って、バルブ４２、４７、５６ａ、５６ｂ、５７、６６ａ、６６ｂ、６７の開閉制御や、ポンプ５３、および温調部６３の駆動制御等を所定のタイミングで実行する。
【００４３】
＜１．２．液交換処理の手順＞
図２は、本実施の形態における処理液の交換処理を説明するためのタイミングチャートである。また、図３は、上部循環処理、および温調部６３による温調処理の動作開始タイミングを説明するための図である。ここでは、図１から図３を参照しつつ、液交換処理の手順について説明する。
【００４４】
なお、以下では、時刻ｔ１より前の時点において処理槽１０に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明する。また、図２の時刻ｔ１より前の時点において、基板Ｗは、昇降機構３０によってＺ軸正方向に昇降させられるとともに、搬送ロボット（図示省略）に受け渡されたものとする。さらに、外槽２０へ供給される硫酸の液温は略室温であるものとする。
【００４５】
時刻ｔ１において、ポンプ５３の動作が開始させられるとともに、バルブ５６ｂ、５７が開放され、バルブ５６ａ、６７が閉鎖される。これにより、処理槽１０に貯留された純水１５は、ポンプ５３の駆動によって第２排出管５１ｂ、共通配管６１、および第３排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される（処理槽ドレイン）。
【００４６】
次に、時刻ｔ２において、バルブ５７、６７の開放・閉鎖状態と、ポンプ５３の動作状態が維持されつつ、バルブ５６ｂが閉鎖され、バルブ５６ａが開放される。これにより、外槽２０に回収された純水２５は、ポンプ５３の駆動によって第１排出管５１ａ、共通配管６１、および第３排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される（外槽ドレイン）。
【００４７】
続いて、時刻ｔ３において、バルブ５７の開放状態が維持されつつ、ポンプ５３の動作が停止させられ、バルブ５６ａ、５６ｂが閉鎖されるとともに、バルブ６７、６６ａ、６６ｂが開放される。これにより、第１配管６２ａ、および第２配管６２ｂ、６２ｃのそれぞれに残留する純水は、純水の自重によって共通配管６１および第３排出管５２を介して排液ドレイン５９に排出される（配管ドレイン）。
【００４８】
続いて、時刻ｔ４において、少なくともバルブ５６ａ、５６ｂが閉鎖状態にされるとともに、バルブ４２が開放されることにより、硫酸供給源４１の硫酸が配管４４を介して供給ノズル４０から外槽２０へ向けて供給され、外槽２０に硫酸が貯留される。なお、硫酸の供給は、基板処理に必要な量の供給が完了する時刻ｔ７まで行われる。
【００４９】
続いて、レベルセンサ２３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ１（図３参照：実線の液面）になったと判断される時刻ｔ５におて、バルブ５６ｂ、５７、６６ｂの閉鎖状態を維持しつつ、バルブ５６ａ、６７、６６ａが開放されるとともに、ポンプ５３の動作が開始される。これにより、外槽２０に貯留された硫酸２５は、第１排出管５１ａ、共通配管６１、および第１配管６２ａを介し、第１処理液ノズル６５から処理槽１０へ供給される。すなわち、時刻ｔ４において、上部循環処理が開始される。
【００５０】
なお、図２に示すように、上部循環処理が開始された後もバルブ４２は開放されており、外槽２０には硫酸が供給され続ける。そのため、処理槽１０には外槽２０から排出された硫酸が供給され続けて貯留される。また、上部循環処理を開始するトリガとなる硫酸の液面高さＺ１は、予め実験等によって求められている。
【００５１】
続いて、レベルセンサ２３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ２（図３参照：点線の液面）になったと判断される時刻ｔ６におて、上部循環処理が実行されつつ、温調部６３の動作が開始される。これにより、温調部６３による温調処理が開始され、共通配管６１を流通する硫酸は温調される。
【００５２】
なお、温調処理が開始された後もバルブ４２は開放されており、処理槽１０には硫酸が供給され続ける。そして、外槽２０から排出されて処理槽１０へ供給された硫酸の供給量が処理槽１０の最大貯留量を超過した場合、硫酸は処理槽１０から溢れ出し、外槽２０によって回収される。
【００５３】
続いて、温度計１６の検出値に基づき、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温が所定値より大きくなったと制御部９０によって判断される時刻ｔ７において、バルブ５６ａ、６７の開放状態、およびバルブ５６ｂ、５７の閉鎖状態と、ポンプ５３および温調部６３の作動状態が維持されつつ、バルブ６６ａが閉鎖されてバルブ６６ｂが開放される。
【００５４】
これにより、外槽２０から排出された硫酸２５は、第１排出管５１ａ、共通配管６１、および第２配管６２ｂ、６２ｃを介して、第２処理液ノズル１７から処理槽１０の内側に向けて導入される。すなわち、外槽２０から処理槽１０に硫酸を循環させる処理は、上部循環処理から内側循環処理に切り替えられる。
【００５５】
ここで、フィルタ６４に硫酸などの処理液を通過させる場合、処理液の液温が上昇するにしたがって、フィルタを通過する際における処理液の通水抵抗を低くなり、処理液の循環速度を向上できることが知られている。
【００５６】
本願発明は処理液の液温とフィルタ６４の通水抵抗との関係に着目してなされたものであり、処理液の循環処理において、処理液の液温が低くフィルタ６４の通水抵抗が高くなる液温範囲ではフィルタ６４を経由しない上部循環処理が実行され、処理液の液温が温調部６３から伝達される熱によって昇温し、フィルタ６４の通水抵抗が低くなる液温範囲ではフィルタ６４を経由する内側循環処理が実行される。
【００５７】
これにより、液交換処理全体として見た場合に、硫酸がフィルタ６４から受ける通水抵抗を低減でき、硫酸の循環速度を向上させることができる。そのため、外槽２０へ供給される硫酸の液温を所定値に昇温させるために要する時間を短縮でき、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。また、液交換処理において、フィルタ６４を通過しない循環処理を実行できるため、フィルタ６４の寿命を従来の基板処理装置と比較して長くできる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、硫酸による基板処理が施される液温（約１２０度）と、硫酸の通水抵抗とを考慮に入れて、硫酸の液温が８０度以下となる場合には上部循環処理によって、８０度より高くなる場合には内側循環処理によって、硫酸の循環処理が実行される。すなわち、本実施の形態では、８０度を閾値として２つの循環処理が切り替えられる。
【００５９】
そして、内側循環処理を実行し続けることにより、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温が基板処理可能な温度（例えば、約１２０度）まで昇温させられる時刻ｔ９において、液交換処理を完了する。
【００６０】
なお、液交換処理後において基板処理が施される時刻ｔ９以降の時点においても、内側循環処理が継続して実行される。これにより、処理槽１０から溢れ出した硫酸は外槽２０で回収され、外槽２０から排出されるとともに、循環経路上に設けられた温調部６３から硫酸に対して熱エネルギーが伝達される。そのため、硫酸は所定の温度に維持される。
【００６１】
また、処理槽１０にて基板処理を施す場合には、フィルタ６４を経由する内側循環処理が採用されており、硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質をフィルタ６４によって除去できるため、良好に基板処理を実行できる。
【００６２】
＜１．３．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１では、硫酸の液温に基づき、フィルタ６４を通過する硫酸の通水抵抗が高い液温範囲では、フィルタ６４を経由しない上部循環処理によって硫酸を温調しつつ循環できる。また、硫酸の通水抵抗が低くなる液温範囲、および、基板処理を実行する際には、フィルタ６４を経由する内側循環処理によって硫酸を温調しつつ循環できる。
【００６３】
これにより、液交換処理全体として見た場合に、硫酸がフィルタ６４から受ける抵抗を低減でき、硫酸の循環速度を向上させることができる。そのため、硫酸の液温を所定値に温調するために要する時間を短縮でき、液交換処理の時間を短縮できる。
【００６４】
また、処理槽１０にて施される洗浄処理等の基板処理が実行される場合において、硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質はフィルタ６４によって除去される。そのため、清浄な硫酸を処理槽１０に再投入でき、良好に基板処理を実行できる。
【００６５】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態における基板処理装置と第１の実施の形態の基板処理装置とを比較すると、同様なハードウェア構成を有する点で共通するが、液交換処理の手順において相違する。そこで、以下では、この相違点について説明する。
【００６６】
＜２．１．液交換処理の手順＞
図４は、本実施の形態における処理液の液交換処理を説明するためのタイミングチャートである。また、図５は、上部循環処理から内側循環処理に切り替えるタイミングを説明するための図である。ここでは、主として図４および図５を参照しつつ、液交換処理の手順について説明する。
【００６７】
なお、以下では、時刻ｔ１より前の時点において処理槽１０に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明する。また、図４の時刻ｔ１より前の時点において、基板Ｗは、昇降機構３０によってＺ軸正方向に昇降させられるとともに、搬送ロボット（図示省略）に受け渡されたものとする。さらに、外槽２０へ供給される硫酸の液温は略室温であるものとする。
【００６８】
液交換処理では、第１の実施の形態と同様に、時刻ｔ１〜ｔ２においては処理槽１０に貯留された純水１５を、時刻ｔ２〜ｔ３においては外槽２０に回収された純水２５を、時刻ｔ３〜ｔ４においては第１配管６２ａ、および第２配管６２ｂ、６２ｃに残留する純水を、それぞれ排液ドレイン５９に排出する処理が実行される。
【００６９】
続いて、時刻ｔ４において、硫酸供給源４１の硫酸が配管４４を介して供給ノズル４０から外槽２０へ向けて供給され、外槽２０に硫酸が貯留される。そして、硫酸の供給は、基板処理に必要となる量の供給が完了する時刻ｔ８まで行われる。
【００７０】
続いて、第１の実施の形態と同様に、レベルセンサ２３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ１（図３参照：実線の液面）になったと判断される時刻ｔ５におて上述の上部循環処理が、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ２（図３参照：点線の液面）になったと判断される時刻ｔ６におて温調部６３による温調処理が、それぞれ開始される。
【００７１】
なお、温調処理が開始された後も、外槽２０には硫酸が供給され続けており、上部循環処理も実行しつづけられる。そのため、外槽２０から排出されて処理槽１０へ供給された硫酸の供給量が処理槽１０の最大貯留量を超過した場合、硫酸は処理槽１０から溢れ出し、外槽２０によって回収される。
【００７２】
続いて、レベルセンサ２３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ３（図５参照）になったと判断される時刻ｔ７において、外槽２０から処理槽１０に硫酸を循環させる処理は、上部循環処理から内側循環処理に切り替えられる。
【００７３】
すなわち、硫酸供給源４１から供給される硫酸の単位時間当りの流量、ポンプ５３による硫酸の循環速度、および温調部６３から単位時間当り供給される熱量が予め定まっている場合、硫酸供給源４１から供給され、および、処理槽１０から溢れ出して外槽２０に貯留される硫酸２５の液面高さ（または、外槽２０に貯留される硫酸の貯留量）と、処理槽１０に貯留される硫酸の液温と、の間には一定の対応関係を見出すことができる。
【００７４】
そこで、本実施の形態では、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温と外槽２０に貯留される硫酸２５の液面の高さとの関係、および、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温と硫酸１５がフィルタ６４を通過する際の通水抵抗との関係の双方に着目してなされたものである。
【００７５】
すなわち、本実施の形態において、硫酸の通水抵抗が高くなる液温範囲と対応する液面高さＺの場合（すなわち、液面高さがＺ３以下となる場合）には、フィルタ６４を経由しない上部循環処理が実行される。一方、硫酸の通水抵抗が低くなる液温範囲と対応する液面高さＺの場合（すなわち、液面高さがＺ３より高くなる場合）には、フィルタ６４を経由する内側循環処理が実行される。
【００７６】
これにより、第１の実施の形態と同様に、液交換処理において、硫酸がフィルタ６４から受ける通水抵抗を低減でき、硫酸の循環速度を向上させることができる。そのため、外槽２０へ供給された硫酸の液温を所定値に昇温させるために要する時間を短縮でき、その結果、液交換処理に要する時間を短縮できる。
【００７７】
そして、内側循環処理を実行し続けることによって、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温が基板処理可能な温度まで昇温させられる時刻ｔ９において、液交換処理を完了する。
【００７８】
なお、液交換処理後において基板処理が施される時刻ｔ９以降の時点においても、内側循環処理が継続して実行される。これにより、処理槽１０から溢れ出した硫酸は外槽２０で回収され、外槽２０から排出されるとともに、循環経路上に設けられた温調部６３から硫酸に対して熱エネルギーが伝達される。そのため、硫酸は所定の温度に維持される。
【００７９】
また、処理槽１０にて基板処理を施す場合には、フィルタ６４を経由する内側循環処理が採用されており、硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質をフィルタ６４によって除去できるため、良好に基板処理を実行できる。
【００８０】
＜２．２．第２の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態の基板処理装置１では、外槽２０に貯留される硫酸の液面高さ（または、外槽２０に貯留される硫酸の貯留量）に基づいて、上部循環処理と内側循環処理とを切り替えることができる。
【００８１】
これにより、液交換処理全体として見た場合に、硫酸がフィルタ６４から受ける抵抗を低減でき、硫酸の循環速度を向上させることができる。そのため、第１の実施の形態と同様に、硫酸の液温を所定値に温調するために要する時間を短縮でき、液交換処理の時間を短縮できる。また、洗浄処理等の基板においては硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質をフィルタ６４によって除去できるため、良好に基板処理を実行できる。
【００８２】
＜３．第３の実施の形態＞
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態における基板処理装置と第２の実施の形態の基板処理装置とを比較すると、上部循環処理と内側循環処理との切り替える際に参照する指標値を取得する対象が異なる点を除いては、第２の実施の形態と同様である。
【００８３】
すなわち、第２の実施の形態では、硫酸供給源４１から供給され、および、処理槽１０から溢れ出して外槽２０に貯留される硫酸２５の貯留量に基づいて２つの循環処理を切り替える。また、外槽２０に貯留される硫酸の貯留量と硫酸供給源４１から供給される硫酸の供給量との間には、一定の対応関係を見出すことができる。
【００８４】
したがって、硫酸供給源４１から供給される硫酸の供給量に基づいて、上部循環処理と内側循環処理とを切り替えることにより、液交換処理全体として見た場合に、硫酸がフィルタ６４から受ける通水抵抗を低減でき、硫酸の循環速度を向上させることができる。そのため、第１および第２の実施の形態と同様に、硫酸の液温を所定値に温調するために要する時間を短縮でき、液交換処理の時間を短縮できる。
【００８５】
また、洗浄処理等においては硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質をフィルタ６４によって除去できるため、良好に基板処理を実行できる。
【００８６】
＜４．第４の実施の形態＞
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。本実施の形態における基板処理装置１００と第１の実施の形態の基板処理装置１とを比較すると、図６に示すように、硫酸供給源４１と供給ノズル４０との間に、硫酸供給源４１から供給される硫酸を秤量する秤量槽１１０を有する点と、液交換処理の手順が相違する点と、を除いては第１の実施の形態の基板処理装置１と同様である。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
【００８７】
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
【００８８】
＜４．１．基板処理装置の構成＞
図６は、本発明の第４の実施の形態における基板処理装置１００の構成の一例を示す図である。図６に示すように、配管４４には、開閉可能なバルブ４２が設けられているとともに、硫酸供給源４１と連通する。これにより、バルブ４２の開閉制御を行うことによって秤量槽１１０に所定量の硫酸１１５を貯留する。なお、本実施の形態では、処理槽１０にて基板処理を施す際に必要となる量の硫酸が秤量槽１１０に貯留される。
【００８９】
また、図６に示すように、配管１１４の一端は供給ノズル４０と、他端は秤量槽１１０の内側領域と、それぞれ連通する。さらに、配管１１４には、開閉可能なバルブ１１２が設けられている。そのため、バルブ１１２の開閉制御を行うことによって秤量槽１１０に貯留された硫酸１１５を外槽２０へ供給する。
【００９０】
また、図６に示すように、外槽２０の内側には、秤量槽１１０に貯留された硫酸１１５の液面の高さを検出できるレベルセンサ１１３が配設される。したがって、レベルセンサ１１３の検出値である硫酸１１５の液面高さ、または、レベルセンサ１１３の液面高さによって求められる外槽２０に向けて供給された硫酸の供給量に基づいて所定の処理を実行する。
【００９１】
＜４．２．液交換処理の手順＞
図７は、第４の実施における処理液の液交換処理を説明するためのタイミングチャートである。ここでは、主として図６および図７を参照しつつ、液交換処理の手順について説明する。
【００９２】
なお、以下では、時刻ｔ１より前の時点において処理槽１０に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明する。また、図７の時刻ｔ１より前の時点において、基板Ｗは、昇降機構３０によってＺ軸正方向に昇降させられるとともに、搬送ロボット（図示省略）に受け渡されたものとする。さらに、以下において硫酸供給源４１から導入される硫酸の液温は略室温であるものとする。
【００９３】
液交換処理では、第１の実施の形態と同様に、時刻ｔ１〜ｔ２においては処理槽１０に貯留された純水１５を、時刻ｔ２〜ｔ３においては外槽２０に回収された純水２５を、時刻ｔ３〜ｔ４においては第１配管６２ａ、および第２配管６２ｂ、６２ｃに残留する純水を、それぞれ排液ドレイン５９に排出する処理が実行される。
【００９４】
続いて、時刻ｔ４において、バルブ１１２が開放されることにより、秤量槽１１０に貯留される硫酸１１５が配管１１４を介して供給ノズル４０から外槽２０に向けて供給される。そして、硫酸の供給は、秤量槽１１０に貯留された硫酸１１５がすべて処理槽１０へ供給し終わる時刻ｔ８まで行われる。
【００９５】
続いて、第１ないし第３の実施の形態と同様に、レベルセンサ２３の検出値に基づき、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ１（図３参照：実線の液面）になったと判断される時刻ｔ５において上部循環処理が、外槽２０に貯留された硫酸の液面の高さＺがＺ２（図３参照：点線の液面）になったと判断される時刻ｔ６において温調部６３による温調処理が、それぞれ開始される。
【００９６】
なお、温調処理が開始された後も、外槽２０には硫酸が供給され続けており、上部循環処理も実行しつづけられる。そのため、外槽２０から排出されて処理槽１０へ供給された硫酸の供給量が処理槽１０の最大貯留量を超過した場合、硫酸は処理槽１０から溢れ出し、外槽２０によって回収される。
【００９７】
続いて、レベルセンサ１１３の検出値に基づき、秤量槽１１０に貯留される硫酸１１５がすべてが外槽２０に向けて供給されたと判断される時刻ｔ８において、上部循環処理から内側循環処理に切り替えられる。
【００９８】
すなわち、本実施の形態では、レベルセンサ１１３によって外槽２０への硫酸の供給が完了したと判断される時刻ｔ８において、処理槽１０に貯留される硫酸の液温が所定の温度（例えば、第１の実施の形態のように約８０度）となるように、供給ノズル４０から供給される硫酸の単位時間当りの流量、ポンプ５３による硫酸の循環速度、および温調部６３から単位時間当り供給される熱量を予め定めている。
【００９９】
これにより、液交換処理全体として見た場合に、硫酸がフィルタ６４から受ける通水抵抗を低減でき、硫酸の循環速度を向上させることが可能となる。そのため、外槽２０へ供給された硫酸の液温を所定値に昇温させるために要する時間を短縮でき、液交換処理に要する時間を短縮できる。
【０１００】
そして、内側循環処理を実行し続けることによって、処理槽１０に貯留される硫酸１５の液温が基板処理可能な温度まで昇温させられる時刻ｔ９において、液交換処理を完了する。
【０１０１】
なお、液交換処理後において基板処理が施される時刻ｔ９以降の時点においても、内側循環処理が継続して実行される。これにより、処理槽１０から溢れ出した硫酸は外槽２０で回収され、外槽２０から排出されるとともに、循環経路上に設けられた温調部６３から硫酸に対して熱エネルギーが伝達される。そのため、硫酸は所定の温度に維持され続ける。
【０１０２】
また、処理槽１０にて基板処理を施す場合には、フィルタ６４を経由する内側循環処理が採用されており、硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質をフィルタ６４によって除去できるため、良好に基板処理を実行できる。
【０１０３】
＜４．３．第４の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第４の実施の形態の基板処理装置では、硫酸供給源４１から供給される硫酸の供給量に基づいて、上部循環処理と内側循環処理とを切り替えることにより、液交換処理全体として見た場合に、硫酸がフィルタ６４から受ける通水抵抗を低減でき、硫酸の循環速度を向上させることができる。そのため、第１ないし第３の実施の形態と同様に、硫酸の液温を所定値に温調するために要する時間を短縮でき、液交換処理の時間を短縮できる。
【０１０４】
また、洗浄処理等においては、硫酸に含まれるパーティクル等の汚染物質をフィルタ６４によって除去できるため、良好に基板処理を実行できる。
【０１０５】
＜５．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【０１０６】
（１）第１ないし第４の実施の形態では、時刻ｔ１より前の時点において処理槽１０に貯留される純水を硫酸に交換する処理について説明したが、これに限定されるものでなく、処理槽１０に貯留される処理液を硫酸から純水に交換する場合にも適用できる。
【０１０７】
また、交換前および交換後の処理液は、それぞれ純水および硫酸以外であってもよく、例えば、新たな処理液としてリン酸を供給してもよい。この場合、リン酸による基板処理が施される液温（１５０〜１６０度付近）と、リン酸の通水抵抗とを考慮に入れ、リン酸の液温が１３０度以下となる場合には上部循環処理によって、１３０度より高くなる場合には内側循環処理によって、リン酸の循環処理を実行してもよい。
【０１０８】
（２）また、第１ないし第４の実施の形態において、硫酸供給源４１から導入される硫酸は、予備加熱されておらず、その液温は略室温であるが、これに限定されるものでなく、例えば、室温より高い温度に温調された硫酸を外槽２０へ供給してもよい。すなわち、本実施の形態では、基板処理に適した温度より低い液温の処理液を外槽２０に向けて供給する場合に、本発明の目的を達成できる。
【０１０９】
（３）また、第１ないし第４の実施の形態において、硫酸の液温、外槽２０に貯留さえる硫酸の貯留量、および、外槽２０に向けて供給される硫酸の供給量が所定値より大きくなる時点において、上部循環処理から内側循環処理に切り替える処理が実行されるが、これに限定されるものでない。例えば、これら所定値以下となる範囲では、上部循環処理と内側循環処理を行い、これら所定値より大きくなる時点において上部循環処理を停止させて内側循環処理のみとしてもよい。
【０１１０】
この場合、これら所定値以下となる範囲では、主として通水抵抗の低い第１配管６２ａ側を処理液が流通することになるため、通水抵抗の大きい液温範囲においてもフィルタのみを経由する従来の循環処理と比較して、処理液の循環速度を向上させることができ、液交換処理に要する時間を短縮できる。
【０１１１】
（４）また、第２および第３の実施の形態では、図４に示すように、供給ノズル４０かからの硫酸の供給が完了する前に、上部循環処理から内側循環処理に切り替えているが、これに限定されるものでなく、第４の実施の形態と同様に、硫酸の供給が完了した時点において２つの循環処理を切り替えてもよい。
【０１１２】
（５）さらに、第４の実施の形態では、秤量槽１１０に貯留された硫酸１１５がすべて外槽２０に向けて供給されたと判断された場合に、上部循環処理から内側循環処理に切り替える処理が実行される。しかし、供給ノズル４０から供給される硫酸の単位時間当りの流量、ポンプ５３による硫酸の循環速度、および温調部６３から単位時間当り供給される熱量を調整することにより、秤量槽１１０に貯留された硫酸１１５のすべてが外槽２０に向けて供給し終わる前に、外槽２０から処理槽１０に循環する硫酸の液温を、フィルタ６４の通水抵抗が低くなる液温範囲まで昇温させることも可能である。この場合は、秤量槽１１０に硫酸がレベルセンサ１１３の検出値に基づいて、２つの循環処理を切り替えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の第１ないし第３の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す図である。
【図２】第１の実施の形態における処理液の液交換処理を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】上部循環処理、および温調部の動作を開始するタイミングを説明するための図である。
【図４】第２および第３の実施における処理液の液交換処理を説明するためのタイミングチャートである。
【図５】上部循環処理から内側循環処理に切り替えるタイミングを説明するための図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す図である。
【図７】第４の実施における処理液の液交換処理を説明するためのタイミングチャートである。
【符号の説明】
【０１１４】
１、１００  基板処理装置
１０  処理槽
１５、２５、１１５  処理液
１６  温度計
１７、６５  処理液ノズル
２０  外槽
２３、１１３  レベルセンサ
４０、４５  供給ノズル
４１  硫酸供給源
４２、４７、５７、６６ａ、６６ｂ、６７、１１２  バルブ
４３、４８  流量計
４６  純水供給源
４８  流量計
５１ａ  第１排出管
５１ｂ  第２排出管
５２  第３排出管
５３  ポンプ
６１  共通配管
６２ａ  第１配管
６２ｂ、６２ｃ  第２配管
６３  温調部
６４  フィルタ
９０  制御部
１１０  秤量槽
Ｗ  基板
【図１】
2006278628.tif 000003
【図２】
2006278628.tif 000004
【図３】
2006278628.tif 000005
【図４】
2006278628.tif 000006
【図５】
2006278628.tif 000007
【図６】
2006278628.tif 000008
【図７】
2006278628.tif 000009