(57)【要約】【課題】  銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド・亀裂が発生しない表面処理銅箔の提供と、該銅箔を使用することにより低融点金属を含む導電性ペーストが使用でき、かつ、接続信頼性の高い積層回路基板を提供する。【解決手段】  本発明の表面処理銅箔は、一方の面の表面粗さが０．１μｍ〜５μｍ以下の銅箔または銅合金箔からなる元箔の前記一方の面上に、低融点金属を含有する銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の少なくとも１種の金属または２種類以上の組成物で表面粗さが０．３〜１０．０μｍの粗化処理層が形成されている表面処理銅箔である。  また本発明は、前記表面処理銅箔と、樹脂基板に穿設した貫通孔に低融点金属を含有する導電性ペーストを充填した基板とを積層してなる積層回路基板である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面の表面粗さが０．１μｍ〜５μｍ以下の銅箔または銅合金箔からなる元箔の前記一方の面上に、低融点金属を含有する銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の少なくとも１種の金属または２種類以上の組成物で表面粗さが０．３〜１０．０μｍの粗化処理層が形成されている表面処理銅箔。
【請求項２】
前記粗化処理層を形成する低融点金属は、銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の量に対し、少なくとも低融点金属が２％〜７０％含有している組成物であることを特徴とする請求項１に記載の表面処理銅箔。
【請求項３】
前記元箔は電解銅箔または電解銅合金箔であることを特徴とする請求項１または請求項2に記載の表面処理銅箔。
【請求項４】
前記電解銅箔からなる元箔が、少なくとも表面処理を行う面の粗さが２μｍ以下であり、粒状結晶で構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の表面処理銅箔。
【請求項５】
上記粗化処理層表面の明度数値が３５以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項4のいずれかに記載の表面処理銅箔。
【請求項６】
前記粗化処理層の１００μｍ×１００μｍ範囲内に高さが０．２〜３．０μｍの突起物が２００個〜１５００００個存在することを特徴とする請求項１乃至請求項5のいずれかに記載の表面処理銅箔。
【請求項７】
一方の面の表面粗さが０．１μｍ〜５μｍ以下の銅箔または銅合金箔からなる元箔の前記一方の面上に、低融点金属を含有する銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の少なくとも１種の金属または２種類以上の組成物で表面粗さを０．３〜１０．０μｍの粗化処理層が形成された表面処理銅箔と、樹脂基板に穿設した貫通孔に低融点金属を含有する導電性ペーストを充填した基板とを積層してなる積層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理銅箔および積層回路基板（多層プリント配線板）に関するもので、特に、表裏に設けられた配線の導通を導電性組成物（導電性ペースト）によって行う積層回路基板に最適な表面処理銅箔と該表面処理銅箔を用いて作成された積層回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層回路基板には、多層配線基板用基材を多層に積層後、絶縁層にスルーホールを開口し、該スルーホールの内周面をめっき処理しためっき層によって層間導通を取るスルーホールめっき法によるものがある。該スルーホールめっき法による積層回路基板は、各層の回路を低く安定した接続抵抗で接続できる利点をもつが、工程が複雑で、工数も多いため、コストが高くなり、積層回路基板の用途を制限する要因となっている。
また、スルーホールめっき法による積層回路基板では、スルーホールの直上には部品を実装できず、配線の自由度が低いと云う欠点もある。
この欠点を解消するために、スルーホールめっき法による積層回路基板において、実装部品の配置位置を避けるように、スルーホールを基板表面に対して傾斜させて形成する手法も採用されている。
【０００３】
また近年、スルーホールめっき法に代わる層間接続法として、スルーホールに導電性ペーストを充填したＩＶＨ（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）による積層回路基板が実用化されている。この導電性ペーストを用いた積層回路基板は、スルーホールめっき法によるものに比して製造工程が簡素化され、低コスト化を図ることができる。導電性ペーストを使用した多層配線基板としては、松下グループのＡＬＩＶＨ（Ａｎｙ  Ｌａｙｅｒ  Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）基板が知られている。
しかしながら現代ではさらなる工程の短縮などの要求から、一括プレスによる積層回路基板の製造方法も開発されており、この製造方法においても導電性ペーストが用いられている。
積層回路基板の層間接続に用いられる導電性ペーストはＡｇペースト、銅ペーストを主成分とし、製造工程の安定性向上及び時間短縮のために、該主成分に低融点金属を含有させ多層配線基板を形成するプレス温度に近い温度で軟化し圧着させやすい状態にしている。
上記、Ａｇペースト、銅ペーストに添加するの低融点金属は導電率、積層回路基板を形成する時のプレス温度を考慮にいれて低融点金属の種類、量を決めている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、この低融点金属を含有した導電性ペーストを使用してプレスにより積層回路基板を成形する場合、銅箔表面に銅と低融点金属の拡散層が生成し、銅箔と導電性ペーストとの界面にボイドまたは亀裂が発生し、銅箔と導電性ペーストとの接続部に不具合が発生し、積層基板の接続信頼性が損なわれる問題が発生することがある。
【０００５】
本発明は、銅箔と低融点金属を含む導電性ペーストとの界面にボイド・亀裂が発生しない銅箔の提供と、該銅箔を使用することにより低融点金属を含む導電性ペーストが使用でき、かつ、接続信頼性の高い積層回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の表面処理銅箔は、一方の面の表面粗さが０．１μｍ〜５μｍ以下の銅箔または銅合金箔からなる元箔の前記一方の面上に、低融点金属を含有する銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の少なくとも１種の金属または２種類以上の組成物で表面粗さが０．３〜１０．０μｍの粗化処理層が形成されている表面処理銅箔である。
【０００７】
前記粗化処理層を形成する低融点金属は、銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の量に対し、少なくとも低融点金属が２％〜７０％含有している組成物であることが好ましい。
【０００８】
前記元箔は電解銅箔または電解銅合金箔であることが好ましく、さらに、前記電解銅箔からなる元箔が、少なくとも表面処理を行う面の粗さが２μｍ以下であり、粒状結晶で構成されていることがより好ましい。
【０００９】
また、上記粗化処理層表面の明度数値が３５以下であることが好ましい。
【００１０】
また、前記粗化処理層の１００μｍ×１００μｍ範囲内に高さが０．２〜３．０μｍの突起物が２００個〜１５００００個存在することが好ましい。
【００１１】
本発明の積層回路基板は、一方の面の表面粗さが０．１μｍ〜５μｍ以下の銅箔または銅合金箔からなる元箔の前記一方の面上に、低融点金属を含有する銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の少なくとも１種の金属または２種類以上の組成物で表面粗さを０．３〜１０．０μｍの粗化処理層が形成された表面処理銅箔と、樹脂基板に穿設した貫通孔に低融点金属を含有する導電性ペーストを充填した基板とを積層してなる基板である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、低融点金属を含む導電性ペーストを使用した積層回路基板に最適に対応できる銅箔を提供でき、該銅箔を用いた接続信頼性の高い積層回路基板を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、元箔（銅箔または銅合金箔。以下特に区別する必要がないときは単に元箔という）に低融点金属を含有する銅、ニッケル、銅合金またはニッケル合金の１種または２種類以上（ここで、低融点金属を含有する、との意味は低融点金属が単体で銅（合金）またはニッケル（合金）と混合されて存在してもいいし、銅（合金）またはニッケル（合金）と低融点金属の合金として存在してもいい、状態をいう。）（以下これらを総称して粗化処理組成物という）にて構成された粗化処理層を形成した表面処理銅箔であり、該表面処理銅箔と樹脂基板に穿設した貫通孔に低融点金属を含有する導電性ペーストを充填した基板とを必要数積層した積層回路基板である。
【００１４】
本発明で用いる表面処理銅箔は、絶縁基板であるエポキシ樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、吸湿性が著しく低いために誘電特性の変化が少なく半田付けに耐えられる耐熱性を有する液晶ポリマーフィルム、ポリエーテルエーテルケトン系樹脂フィルムと張り合わせた際、密着強度が大きく、ファインパターン化が可能で、銅箔と低融点金属含有導電性ペーストとの界面においてボイドが発生するようなことのない銅箔である。
特に、絶縁基板としては、エポキシ樹脂・ポリイミドフィルム・液晶ポリマーを５０%以上含む組成物からなるフィルムが適している。
【００１５】
本発明者等は、銅箔表面と低融点金属含有導電性ペーストとの界面におけるボイド発生の原因につき鋭意研究し、ボイドが、低融点金属が銅等からなる表面処理銅箔の粗化処理層に拡散する時に発生することを突き止め、拡散する低融点金属の量と粗化処理層に拡散する厚み（深さ）に依存することを解明し、また、はじめから粗化処理層にある量以上の低融点金属を含有する銅、ニッケル、それらの合金で構成されているとボイドが発生しないことを突き止め本発明を完成した。
【００１６】
本発明で用いる元箔は、電解もしくは圧延によって製造された銅箔である。その銅箔の厚さは１μｍ〜２００μｍであり、少なくとも片面の表面粗さが、Ｒｚ：０．１μｍ〜５μｍの銅もしくは銅合金箔である。元箔の厚みについては、厚さが１μｍ以下の元箔に対し、その表面上に粗化処理を施すことは非常に難しく、また、実用性を考慮すると、例えば高周波プリント配線板用に使用する元箔としては、２００μｍ以上の箔は現実的でないと考えるためである。
【００１７】
元箔の表面粗さを、Ｒｚ：０．１μｍ〜５μｍに規定するのは、Ｒｚが０．１μｍ以下の箔は、現実的に製造も困難であり、もし製造できたとしても製造コストがかかることから現実的に不適であり、また、Ｒｚ：５．０μｍ以上の元箔を使用してもよいが、高周波特性及びファインパターン化を考えると５．０μｍ以下であることが好ましく、その表面粗さが２μｍ以下であると更に好ましい。また、この元箔は、導電性ペーストを使用し積層回路基板を形成する際、高温におけるプレス工程がはいるため銅箔に柔軟性がないとプレス時に破断が生じる可能性があるため銅箔には柔軟性が要求される。
銅箔に柔軟性を付与するためには粒状晶で構成されその表面粗さが２μｍ以下である銅箔が好ましい。また、粒状結晶のサイズは平均０．３μｍ以上が好ましく、１μｍ以上の結晶サイズのものが銅箔断面の１０％以上を占めているものが特に好ましい。
【００１８】
本発明においては、上記した元箔に表面処理を行う。元箔表面の表面粗化処理は、元箔の表面に粗化処理組成物を付着させ粗化処理層を形成する。上記Ｃｕ合金とはＣｕにＮｉ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ及びＷの群から選ばれる少なくとも１種の元素を含んでいるものである。またＮｉ合金とはＣｕ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ及びＷの群から選ばれる少なくとも１種の元素を含んでいるものである。
前記粗化処理層を形成する合金粒子として含まれるＭｏ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｖ及びＷの群から選ばれる少なくとも１種の元素は、ＣｕまたはＮｉに対し０．０１ｐｐｍ〜２０％を占めることが好ましい。存在量が２０％を越える金組成では、後工程で回路パターンをエッチングする際に、溶解しにくくなるためである。
更に、均一な突起物を得るために、粗化処理時の各種電解液の選択、電流密度、液温、処理時間を最適にすることが望ましい。
更に、粗化処理層を構成する低融点金属は、粗化処理層を構成する銅またはニッケルの量の２％〜７０％が好ましい。２％以下では導電ペーストに含有する低融点金属の粗化処理層に拡散する量が少なくボイド・亀裂が発生し易くなる。また、低融点金属が７０％以上含まれると粗化処理層の硬さが低くなり樹脂との密着力が弱くなり、かつ接合部の抵抗を増大させることが考えられるため不適である。
【００１９】
元箔上に形成する粗化処理層は、導電ペーストから粗化処理層に拡散する低融点金属の原子個数と粗化処理層に含有する低融点金属の原子個数の和に対し粗化処理層を形成する銅またはニッケルの原子数が４倍以下であることが好ましい。前記低融点金属とは、単体金属において４５０℃以下の融点を有する金属をさし、具体的にあげるとＺｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ｂｉまたは少なくともそれら金属が１種類含まれる合金である。
【００２０】
元箔上の少なくとも片面に施した粗化処理層の表面粗さはＲｚ：０．３〜１０．０μｍである。このように規定する理由は、粗化処理による表面粗さＲｚが０．３μｍ未満では、ピール強度が低いためその目的を果たす表面処理銅箔としては満足でなく、また、Ｒｚ：１０．０μｍより大きいと、高周波特性が低下し、また、ファインパターン化にも不向きとなるためである。
高周波特性・ファインパターン化を考慮すると表面粗さは３μｍ以下にすることが好ましい。
【００２１】
前記樹脂基板に穿設した貫通穴に充填の導電性ペーストは、主成分（Ａｇ、Ｃｕ）に対し低融点金属が１％〜５０％添加されたものが積層回路基板用として特に好ましい。導電性ペーストが含有する低融点金属としてはＺｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉまたはこれらの合金であり、少なくともこれら金属の１種類が含有されているものが好ましい。また、表面処理箔は、導電ペーストに含有する低融点金属と同一の低融点金属が含まれる粗化処理層とすることが好ましい。
【００２２】
本発明における表面処理銅箔の明度数値は、３５以下であることが望ましい。本発明において明度数値とは、通常、表面の粗さを見る指標として使用されている明度数値であり、測定方法としては、測定サンプル表面に光をあて光の反射量を測定し明度数値として表す方法である。
本発明においては、被測定表面処理銅箔に
Ｎｉ：    ０．０１〜０．５ｍｇ／ｄｍ2
Ｚｎ：    ０．０１〜０．５ｍｇ／ｄｍ2
Ｃｒ：    ０．０１〜０．３ｍｇ／ｄｍ2
の範囲内の防錆処理を施した後、明度計（スガ試験機株式会社  機種名：ＳＭカラーコンピューター  型番ＳＭ−４）を使用して明度数値を測定した。
表面処理銅箔の表面明度を測定すると、表面粗さのＲｚが大きいかまたは粗化粒子間の深さが深い時は、光の反射量が少なくなるため明度数値が低くなり、平滑だと光の反射量が大きくなり明度数値が高くなる傾向にある。絶縁基板とのピール強度を向上させるためには明度数値を３５以下とすることが好ましい。即ち、明度数値が３５以上では、粗化面の表面粗度Ｒｚを大きくしてもなだらかな凹凸面となり表面処理銅箔と絶縁基板との食いつきが悪く、ピール強度が向上しないためである。
【００２３】
本発明の表面処理銅箔は、導電性ペーストによる亀裂・ボイドの影響を抑えるために粗化処理による付着金属量を絶縁樹脂との接着強度を充分持たせる量より少なく付着することになる。そのため、絶縁樹脂との密着性を上げるために最適な粗化形状が要求される。
本発明において、粗化粒子から構成される突起物は、場所による密着性の差を無くすため、高さとして０．２μm〜３．０μmの範囲に入っている突起物が、１００μｍ×１００μｍの面積の中に２００〜１５００００個存在することが好ましい。なお、ここでいう高さとは、元箔の表面と突起物の頂点との距離をいう。
【００２４】
元箔表面に形成される突起物の高さについては、０．２μｍ以下では、高さが低いためピール強度を上げる効果が得られず、また、３．０μｍ以上では、高周波特性が低下するうえにファインパターン化に不向きとなる。
元箔の表面に形成される突起物の数は、１００μｍ×１００μｍの面積の中に２００個〜１５００００個存在することが好ましい。突起物の数が２００個以下になると密着性の安定性に関して不適となり、また１５００００個以上になると突起物間の空間が少なくなり密着性に対する効果が果たされなくなり不適となる。
突起物の高さは、表面処理銅箔を樹脂埋めし、研磨を行った後断面のＳＥＭ観察を行い観察写真により突起物の高さを確認する。突起物は表面に均一に分布していることがさらに好ましい。
【００２５】
また、突起物を設けた表面に、粉落ち性・耐塩酸性・耐熱性・導電性を向上させることを目的にＮｉ、Ｎｉ合金、Ｚｎ、Ｚｎ合金、Ａｇの群から選ばれる少なくとも1種の金属めっき層を設けると良い。更に、突起物を設けなかった方の表面にも耐塩酸性・耐熱性・導電性を向上させることを目的にＮｉ、Ｎｉ合金、Ｚｎ、Ｚｎ合金、Ａｇの少なくとも1種の金属めっき層を付着させると良い。これらの目的を果たすためには、付着金属量として０．０５ｍｇ／ｄｍ２以上、１０ｍｇ／ｄｍ２以下であることが望ましい。
特に液晶ポリマー樹脂等におけるＮｉまたはＮｉ合金は、ピール強度を高める効果がある。
【００２６】
上記構成からなる表面処理銅箔上にＣｒおよび／またはクロメート被膜を形成させ防錆処理を行い、又は、必要に応じシランカップリング処理または防錆処理＋シランカップリング処理を施す。
【実施例】
【００２７】
以下、本発明を実施形態に基づいて更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
原箔１
厚さ：１２μmで、マット面粗度：Ｒｚ＝０．８９μmの未処理電解銅箔、及び未処理圧延銅箔（元箔）を用意した。
原箔２
厚さ：１２μmで、マット面粗度：Ｒｚ＝１．３５μmの未処理電解銅箔を用意した。
原箔３
厚さ：１２μmで、マット面粗度：Ｒｚ＝１．４２μmの未処理電解銅箔を用意した。
【００２９】
上記原箔１〜３を下記電気めっきＡ〜Ｃの液組成・浴温度・電流条件範囲内にてめっき浴１→めっき浴２またはめっき浴１→めっき浴２→めっき浴３の順番で少なくとも１回のめっき（粗化処理）を行い、更にその粗化処理面に、Ｎｉめっき（０．３ｍｇ／ｄm2）亜鉛めっき（０．１mｇ／ｄm2）を施し、その上にクロメート処理を施した。
【００３０】
（実施例１〜７）
電気めっきＡ
・めっき浴１
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：      １〜１０ｇ／ｄm3
硫酸                                        ：  ３０〜１００ｇ／ｄm3
モリブデン酸アンモニウム（Ｍｏ金属として）  ：０．１〜５．０ｇ／ｄm3
電流密度                                    ：１０〜６０Ａ／dm２
通電時間                                    ：１秒〜3分
浴温                                        ：２０〜６０℃
【００３１】
・めっき浴２
硫酸錫                                      ：  ３０〜５０ｇ／ｄm3
硫酸                                        ：８０〜１２０ｇ／ｄm3
クレゾールスルホン酸                        ：８０〜１００ｇ／ｄm3
β―ナフトール                              ：      １〜３ｇ／ｄm３
電流密度                                    ：1〜5Ａ／dm2
浴温                                        ：１０〜３０℃
【００３２】
・めっき浴３
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：  ２０〜７０ｇ／dm3
硫酸                                        ：３０〜１００ｇ／dm３、  
電流密度                                    ：５〜４５Ａ／dm2
通電時間                                    ：１秒〜3分
浴温                                        ：２０℃〜６０℃
【００３３】
電気めっきＢ
・めっき浴１ 
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：１〜５０ｇ／ｄm3
硫酸ニッケル（Ｎｉ金属として）              ：３〜２５ｇ／ｄm3
メタパナジン酸アンモニウム（Ｖ金属として）  ：０．１〜１５ｇ／ｄm3
ｐH                                        ：１．０〜４．５
電流密度                                    ：１０〜６０Ａ／dm2
通電時間                                    ：５秒〜２０秒
浴温                                        ：２０℃〜６０℃
【００３４】
・めっき浴２
硫酸錫                                      ：  ３０〜５０   ｇ/dm３
硫酸                                        ：  ８０〜１２０ ｇ/dm3
クレゾールスルホン酸                        ：    80〜100   ｇ/dm3
β―ナフトール                              ：    １〜３     ｇ/ｄｍ３
電流密度                                    ：1〜5A／dm2
浴温                                        ：１０〜３０℃
【００３５】
・めっき浴３
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：１０〜７０ｇ／dm3
硫酸                                        ：３０〜１２０ｇ／dm3
電流密度                                    ：２０〜５０Ａ／dm2、
通電時間                                    ：５秒〜3分
浴温                                        ：２０℃〜６５℃
【００３６】
電気めっきＣ
・めっき浴１
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：      １〜５０ｇ／ｄm3、
硫酸コバルト（Ｃｏ金属として）              ：      １〜５０ｇ／ｄm3
モリブデン酸アンモニウム（Ｍｏ金属として）  ：  ０．１〜１０ｇ／ｄm3
pH                                          ：０．５〜４．０
電流密度                                    ：１０〜６０Ａ／dm2
通電時間                                    ：５秒〜２５秒
浴温                                        ：２０℃〜６０℃
【００３７】
・めっき浴２
ピロリン酸銅（Ｃｕ金属として）              ：5〜50ｇ／dm3
ピロリン酸錫                                ：３０〜１２０ｇ／dm3
ピロリン酸ナトリウム                        ：1５０〜４５０ｇ／dm3
シュウ酸アンモニウム                        ：３〜４０ｇ／dm3
電流密度                                    ：０．５〜２Ａ／dm2
通電時間                                    ：1分〜5分
浴温                                        ：２０℃〜６５℃
【００３８】
（比較例１〜７）
上記原箔１〜３を下記電気めっきＤ〜Ｆの液組成・浴温度・電流条件範囲内にてめっき浴３→めっき浴４の順番で少なくとも１回のめっき（粗化処理）を行い、表１に示す表面形状を得た。
更に、その粗化処理面に、Ｎｉめっき（０．３ｍｇ／ｄm2）亜鉛めっき（０．１mｇ／ｄm2）を施し、その上にクロメート処理を施した。
【００３９】
電気めっきＤ
・めっき浴３
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：      １〜１０ｇ／ｄm3
硫酸                                        ：  ３０〜１００ｇ／ｄm3
モリブデン酸アンモニウム（Ｍｏ金属として）  ：０．１〜５．０ｇ／ｄm3
電流密度                                    ：１０〜６０Ａ／dm２
通電時間                                    ：１秒〜3分
浴温                                        ：２０〜６０℃
【００４０】
・めっき浴４
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：２０〜７０ｇ／dm3
硫酸                                        ：３０〜１００ｇ／dm３、  
電流密度                                    ：５〜４５Ａ／dm2
通電時間                                    ：１秒〜3分
浴温                                        ：２０℃〜６０℃
【００４１】
電気めっきＥ
・めっき浴３ 
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                  ：    １〜５０ｇ／ｄm3
硫酸ニッケル（Ｎｉ金属として）              ：    ３〜２５ｇ／ｄm3
メタパナジン酸アンモニウム（Ｖ金属として）  ：０．１〜１５ｇ／ｄm3
pH                                          ：１．０〜４．５
電流密度                                    ：１０〜６０Ａ／dm2
通電時間                                    ：５秒〜２０秒
浴温                                        ：２０℃〜６０℃
【００４２】
・めっき浴４
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：  １０〜７０ｇ／dm3
硫酸                                        ：３０〜１２０ｇ／dm3
電流密度                                    ：２０〜５０Ａ／dm2、
通電時間                                    ：５秒〜3分
浴温                                        ：２０℃〜６５℃
【００４３】
電気めっきＦ
・めっき浴３
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：    １〜５０ｇ／ｄm3、
硫酸コバルト（Ｃｏ金属として）              ：    １〜５０ｇ／ｄm3
モリブデン酸アンモニウム（Ｍｏ金属として）  ：０．１〜１０ｇ／ｄm3
ｐH                                        ：０．５〜４．０
電流密度                                    ：１０〜６０Ａ／dm2
通電時間                                    ：５秒〜２５秒
浴温                                        ：２０℃〜６０℃
【００４４】
・めっき浴４
硫酸銅（Ｃｕ金属として）                    ：  ２０〜７０ｇ／dm3
硫酸                                        ：３０〜１２０ｇ／dm３
電流密度                                    ：３Ａ／dm2
通電時間                                    ：1秒〜２分
浴温                                        ：３０℃
【００４５】
実施例１〜７、比較例１〜７の電気めっきによる粗化処理による粒子の付着量、粗化処理面の表面粗さ、突起物の個数、明度数値を表１に示す。
【００４６】
・表面処理銅箔のピール強度の評価
実施例及び比較例で作成した表面処理銅箔に、液晶ポリマーフィルム１（以下フィルム１という）ポリエーテルエーテルケトンフィルム（以下フィルム２という）を下記ラミネート方法で貼り付け、ピール強度を測定した。
【００４７】
・液晶ポリマーフィルムと表面処理銅箔のラミネート方法
表面処理銅箔と液晶ポリマーフィルム１を積層し、２８０℃で一定圧力をかけ、１０分間保持した後冷却し、基板用複合材とした。
ポリエーテルエーテルケトンフィルムと表面処理銅箔のラミネート方法
表面処理銅箔とポリエーテルエーテルケトンフィルムを積層し、２０５℃で一定圧力をかけ、１０分間保持した後冷却し、基板用複合材とした。
【００４８】
この様にして作成した表面処理箔とフィルムとの基板複合材（銅張積層）のピール強度を測定した。ピール強度の測定は、ＪＩＳ・C６４７１に準じ、１８０度方向に引き剥がして行い、その結果を表１に示す。
【００４９】
ボイド発生の確認方法は次のとおりである。
低融点金属におけるボイド発生の確認方法
ボイド発生の評価については、低融点金属であるＳｎを粗化処理面に１．５μｍの厚さにめっきし、この銅箔を、３２０℃にて加熱処理を行い断面観察しボイド及び亀裂の発生状況を確認した。結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
2006278883.tif 000002
【００５１】
本発明の積層回路基板を構成する表面処理銅箔は、従来の銅のみの粗化と比較し、ピール強度を変えずにボイドの発生を低融点金属を含有させることで有効に抑制できた。