(57)【要約】【課題】ＯＥデバイスのパッケージングを改善する方法を提供する。【解決手段】上記課題は、ウエハスケール・パッケージ用のリッドを形成する為の方法であって、基板中に空洞を形成するステップと、前記ウエハ上の前記空洞上及び前記空洞周囲のボンディング領域上に酸化物層を形成するステップと、前記酸化物層の上に反射層を形成するステップと、前記反射層の上に障壁層を形成するステップと、前記ボンディング領域の上にある前記障壁層の一部をエッチングして前記反射層の一部分を露出するステップと、前記反射層の一部分の上にはんだ層を形成するステップとを有することを特徴とする方法により解決される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハスケール・パッケージ用のリッドを形成する為の方法であって、
基板中に空洞を形成するステップと、
前記ウエハ上の前記空洞上及び前記空洞周囲のボンディング領域上に酸化物層を形成するステップと、
前記酸化物層の上に反射層を形成するステップと、
前記反射層の上に障壁層を形成するステップと、
前記ボンディング領域の上にある前記障壁層の一部をエッチングして前記反射層の一部分を露出するステップと、
前記反射層の一部分の上にはんだ層を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記基板中に空洞を形成するステップが、前記基板を異方性エッチングすることにより前記空洞を形成することを含み、
前記基板が、ウエハ上面からずれて配向する第一の結晶平面を含んでいることにより、前記空洞が、前記ウエハ上面に対する垂線から４５°に配向する第二の結晶平面に沿った面を含んでいることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記反射層を形成するステップが、金属スタック層を形成することを含み、
前記障壁層を形成するステップが、前記金属スタック層上に金属酸化物層を熱成長させることを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記金属スタック層が、チタン層と、前記チタン層上に設けられたプラチナ層と、前記プラチナ層上に設けられた金層を含み、
前記金属酸化物層が、二酸化チタン層を含み、
前記はんだ層が金錫はんだを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記障壁層の一部分をエッチングするステップが、
フォトレジスト層を前記障壁層上にパターニングすることにより前記反射層の一部分上にウィンドウを形成するステップと、
前記ウィンドウにより露出した前記障壁層の一部分をエッチングするステップと、
前記はんだ層を前記反射層の一部分上に形成するステップの後又は前に、前記フォトレジストを剥離するステップとを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記障壁層が、窒化物、ホウ化物、フッ化物、フルオロカーボン及びポリイミドを含むグループから選択されたもので構成されていることを特徴とする請求項１から５にいずれかに記載の方法。
【請求項７】
ウエハレベル・パッケージ用のリッドであって、
本体によって画定された空洞の周囲にあるボンディング領域を含む本体と、
前記ボンディング領域と前記空洞の上にある酸化物層と、
前記酸化物層の上にある反射層と、
前記反射層の前記空洞中にある部分上に設けられた障壁層と、
前記反射層の前記ボンディング領域上にある他の部分上に設けられたはんだ層とを具備したことを特徴とするリッド。
【請求項８】
前記空洞が、第一の結晶平面に沿った表面を含み、
前記本体が前記本体の上面からずれて配向された第二の結晶平面を含み、これにより前記第一の結晶平面に沿った表面が前記上面から４５°に配向していることを特徴とする請求項７に記載のリッド。
【請求項９】
前記反射層がチタンとプラチナと金を含む金属スタックを含み、
前記障壁層が二酸化チタン層を含み、
前記はんだ層が金錫はんだを含むことを特徴とする請求項７または８に記載のリッド。
【請求項１０】
前記障壁層が、窒化物、ホウ化物、フッ化物、フルオロカーボン及びポリイミドを含むグループから選択されたもので構成されていることを特徴とする請求項７から９のいずれかに記載のリッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オプトエレクトロニクス・パッケージのリッド用ウエハを製作する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトエレクトロニクス（ＯＥ）デバイスは一般に、個々のダイとしてパッケージングされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このアセンブリ手段には時間と手間がかかることが多く、製品コストを引き上げる結果となっている。従って、ＯＥデバイスのパッケージングを改善する方法が必要とされているのである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施例においては、ウエハスケールのパッケージ用リッド（ＬＩＤ）を形成する為の方法は（１）基板中に空洞を形成するステップと、（２）基板の空洞上及び空洞を囲むボンディング領域上に酸化膜を形成するステップと、（３）酸化膜上に反射層を形成するステップと、（４）反射層上に障壁層を形成するステップと、（５）ボンディング領域上において、障壁層の一部分を反射層の一部分までエッチングするステップと、（６）反射層のその部分上にはんだ層を形成するステップとを含む。一実施例において、反射層はチタン−プラチナ−金の金属スタックであり、障壁層は二酸化チタン層である。
【０００５】
複数の図を通じ、同様又は同一の要素には同じ符号を使用した。断面図は寸法通りに描いたものではなく、説明目的に限って図示するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
図１、図２及び図３は、サブマウント８０及びリッド１３０を含む、本発明の一実施例に基づくウエハスケールのオプトエレクトロニクス・パッケージ１５０を描いた図である。サブマウント８０は、基板５４上に形成され、酸化膜５６で覆われた光学レンズ５２を含んでいる。酸化膜５６上には埋め込みトレース９０、９２、９８及び１００が形成され、誘電体層６４により覆われている。接触パッド８２、８４、８６及び８８（全て図３に図示）はプラグにより埋め込みトレース９０、９２、９８及び１００へと接続されており、埋め込みトレース自体もプラグにより封止リング１０６の外側にある接触パッド９４、９６、１０２及び１０４（図３に図示）へと接続している。レーザーダイ１２２は接触パッド８２上にボンディングされ、接触パッド８４へとワイヤボンディングされており、そしてモニタ・フォトダイオードダイ１２４は接触パッド８６上にボンディングされ、接触パッド８８へとワイヤボンディングされている。封止リング１０６は接地目的で接触パッド１０８及び１１０へと接続されている。
【０００７】
リッド１３０は、表面１３２が反射材料１３４で覆われたリッド空洞１３１を画定する本体１３３を含んでいる。リッド空洞１３１はサブマウント８０上に搭載されたダイを収容する為に必要な空間を提供するものである。表面１３２上の反射材料１３４は４５度ミラー１３５を形成しており、これがレーザーダイ１２２からの光をレンズ５２へと反射する。封止リング１３６はリッド空洞１３１周囲のリッド１３０端部に沿ったボンディング領域上に形成されている。リッド空洞１３１上の反射材料１３４は更に、封止リング１３６と接触パッド１０８、１１０を通じて接地された場合のＥＭＩシールドとしても働く。一実施例においては、障壁３２２が反射材料１３４上に形成されており、封止リング１３６の形成箇所を画定している。障壁３２２は封止リング材料（例えばはんだ）が空洞１３１中へと這い上がり、ミラー１３５の障害とならないように封止リング１３６を閉じ込めるものである。
【０００８】
一実施例においては、リッド１３０は主面１３８から９．７４°ずれた配向にある（１００）結晶平面を持っている。リッド１３０は、表面１３２が（１１１）結晶平面に沿って形成されるように異方性エッチングされている。リッド１３０の（１００）平面が主面１３８から９．７４°ずれて配向されると、（１１１）平面及びミラー１３５は主面１３８から４５°ずれて配向されることになる。
【０００９】
一実施例においては、サブマウント８０の裏側にアライメントポスト１４０がボンディングされる。アライメントポスト１４０はフェルール中の光ファイバに対するパッケージ１５０のアライメントを実現するものである。
【００１０】
図４は本発明の一実施例に基づいてウエハスケールのリッド１３０を形成する為の方法２００を説明するものである。
【００１１】
ステップ２０２においては、図５に示したように窒化物層３０２及び３０４が基板３０６の上面及び底面上にそれぞれ形成される。一実施例においては、基板３０６は約６７５μｍ厚のシリコンであり、窒化物層３０２及び３０４は減圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ）により形成された約１０００〜２０００Å厚の窒化シリコン（ＳｉＮ４）である。一実施例においては、窒化物層３０２及び３０４のシリコン基板３０６への接着が問題となる場合、窒化物層３０２及び３０４は気体の比率（ジクロロシラン対アンモニア）と気体流量を変えることにより低ストレス下で形成すれば良い。一実施例においては、ＫＯＨエッチング等に耐えられるよう、より高い密度の窒化物層３０２及び３０４が必要とされる場合、窒化物層３０２及び３０４のシリコン含有量を増大させることにより密度を上げることが出来る。
【００１２】
ステップ２０４においては、次に図６に示したように窒化物層３０２上にフォトレジスト３０８がスピンコートされ、露光、現像される。図１７は、このリソグラフィー処理の一実施例において利用されるマスク４１２を示している。マスク４１２は、図９〜図１６におけるリッド空洞３１４Ｂの形状を画定するリッド空洞パターン４１４を含んでいる。一実施例においては、リッド空洞パターン４１４は台形をしており、非平行関係にある辺により形成される側壁は段差を持たずに平坦に形成される。マスク４１２は更に、スクライブ線パターン４１６を含んでおり、これは図９Ａ及び図１０〜図１６に示した分離空洞３１４Ａ及び３１４Ｃを画定している。スクライブ線パターン４１６は対称のエッチング角度を提供するウエハ３０６上の方向に沿って配向している。図６〜図９Ａ及び図１０〜図１６は方法２００により形成された構造の線Ａ−Ａ’に沿った断面を示すものであり、図９Ｂは方法２００により形成された構造の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面を示すものであるという点に留意が必要である。
【００１３】
ステップ２０６においては、図７に示すように、フォトレジスト３０８のウィンドウ３１０Ａ、３１０Ｂ及び３１０Ｃにより露出された窒化物層３０２の部分が基板３０６までエッチングされる。一実施例においては、窒化物層３０２は反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）処理によりエッチングされる。窒化物層３０２の残りの部分は、異方性エッチング用のマスクとして働くものである。
【００１４】
ステップ２０８においては、図８に示すようにレジスト３０８が剥離される。図からわかるように、ウィンドウ３１２Ａ、３１２Ｂ及び３１２Ｃが窒化物層３０２中に形成されている。これらのウィンドウの寸法と間隔はアプリケーションに応じて異なる。
【００１５】
ステップ２１０においては、断面Ａ−Ａ’は図９Ａに、断面Ｂ−Ｂ’は図９Ｂに示したように、窒化物層３０２中のウィンドウ３１２Ａ〜３１２Ｃにより露出されている基板３０６の領域がエッチングされて分離空洞３１４Ａ及び３１４Ｃと、リッド空洞３１４Ｂが形成される。図９Ｂから明らかなように、リッド空洞３１４ｂは４５°の側壁３１５（図１の１３２表面に対応する）と６４．４８°の側壁３１７とを持っている。一実施例においては、（１００）〜（１１１）平面に４００：１の選択性を持つＫＯＨ水溶液を使ってシリコン基板３０６に異方性エッチングが施される。一実施例においては、各空洞は３７５μｍの深度にエッチングされるもので、この結果エッチャントの選択性による１μｍのアンダーカットが窒化物層３０２に形成される。
【００１６】
ステップ２１４においては、図１０に示したように窒化物層３０２及び３０４が除去される。一実施例においては、窒化物層３０２及び３０４は高温燐酸ウエットエッチングにより除去されるものである。
【００１７】
ステップ２１６においては、図１１に示したように酸化物層３１６が空洞３１４Ａ、３１４Ｂ及び３１４Ｃ上、そして基板３０６の上面上に形成される。一実施例においては、酸化物層３１６はシリコン基板３０６から熱成長させた二酸化シリコンであり、約１０００Åの厚さを持つものである。
【００１８】
ステップ２１８においては、図１２に示したように酸化物層３１６上に反射層３２０が形成される。一実施例においては、反射層３２０はｅビーム蒸着又はスパタリングによりチタン−プラチナ−金（ＴｉＰｔＡｕ）の順番に形成された金属スタックである。一実施例においては、チタン層は約５００Å厚、チタン層上のプラチナ層は約１０００Å厚、チタン層上の金層は約１５００Å厚である。金属スタック３２０は（１１１）平面表面１３２（図１）上のミラー１３５（図１）を形成する反射材料１３４（図１）である。
【００１９】
ステップ２２０においては、図１２に示したように反射層３２０上に障壁層３２２が形成される。一実施例においては、障壁層３２２は反射層３２０上に形成された金属酸化物である。例えば、障壁層３２２はＴｉＰｔＡｕ金属スタック３２０上に蒸着された、約５００Åの厚さを持つ二酸化チタン（ＴｉＯ２）層である。代わりに、障壁層３２２は窒化物、ホウ化物、フッ化物、フルオロカーボン、ポリイミド、又ははんだに接着することなくはんだ温度に耐え得る他のいずれかの材料とすることも出来る。更に障壁層３２２は、スパタリング、反応性スパタリング、化学蒸着及びプラズマ化学蒸着を含む他のプロセスを通じて形成されたものでも良い。
【００２０】
ステップ２２２においては、図１３に示したように、障壁層３２２上にフォトレジスト３２４が形成（例えばスピンオン又はスプレイ法により）される。
【００２１】
ステップ２２４においては、図１４に示したように、フォトレジスト３２４が露光・現像され、ウィンドウ３２６Ａ、３２６Ｂ、３２６Ｃ及び３２６Ｄが形成される。ウィンドウ３２６Ａ〜３２６Ｄから露出した障壁層３２２の領域が、反射層３２０までエッチングされる。一実施例においては、二酸化チタン障壁層３２２は希釈ＨＦ（１０００：１）及び硝酸（１００：１）を使ってエッチングされる。
【００２２】
ステップ２２６においては、図１５に示したように、ウィンドウ３２６Ａ〜３２６Ｄを通じて反射層３２０へとはんだめっきが施される。はんだはリッド空洞３１４Ｂ（図１にもリッド空洞１３１としても図示）の周囲のボンディング領域に封止リング１３６（図１及び図２）を形成する。一実施例においては、はんだは金錫（ＡｕＳｎ）はんだであり、厚さ１８，５００Åの金層３２８と、その金層３２８上に厚さ１８，５００Åの錫層３３０を含んでいる。一実施例においては、はんだめっきの前にフォトレジスト３２４が剥離され、その後再度塗布、パターニングされてウィンドウ３２６Ａ〜３２６Ｄが形成される。これは、金めっき（下側）が、最初の金めっき用レジストの上に膨れ上がる可能性がある為である。従って、ある程度垂直な端部を得る為に、元のレジストを除去し、はんだめっき形成用により厚めのレジストを再度設ける必要性が生じる可能性がある。
【００２３】
ステップ２２８においては、図１６に示したように、フォトレジスト３２４が剥離され、ここで想像線３３２に沿ってリッド１３０を隣接するリッド１３０（部分的に図示）から分割することが出来るようになる。
【００２４】
図１８は、本発明の他の実施例に基づくウエハスケール・リッド１３０を形成する為の方法４００を説明したものである。明らかなように、方法４００はステップ４２６及び４２８がステップ２２６及び２２８と置き換えられている点を除いては方法２００と同様である。
【００２５】
ステップ４２６においては、図１９に示したように、フォトレジスト３２４が剥離される。これにより、はんだめっき時のマスクとして障壁層３２２が残されるものである。
【００２６】
ステップ４２８においては、図２０に示したように、金層３２８及び錫層３３０を含むはんだが、ウィンドウ３２６Ａ〜３２６Ｄ（ここでは障壁層３２２により画定されている）を通じて反射層３２０上にめっきされる。ここでも想像線３３２に沿ってリッド１３０を隣接するリッド１３０（部分的に図示）から分割することが出来るようになる。
【００２７】
方法２００においては、フォトレジスト３２４をはんだめっき時のマスクとして残しておくものであった。方法４００では、フォトレジスト３２４が剥離されており、障壁層３２２がはんだめっき時のマスクとして使用されている。方法４００の利点は、フォトレジスト３２４を厚くする必要が無いという点にある。加えて、フォトレジスト範囲の均一性が重要ではないという点もあげられる。はんだ及びこれにより形成される封止リング１３６の膨れ上がりはわずかであり、それははんだが横に伸びるのと同じだけ垂直方向にも成長する為である。一実施例においては、はんだの合計厚は約３μｍであることから、横方向への成長は問題とはならない。
【００２８】
上述したように、ＴｉＯ２を障壁層として利用することが出来る。多くの理由から、ＴｉＯ２は本アプリケーションにおいては特に良好な障壁層を作るものである。第一には、ＡｕＳｎはんだがこれに接着しないという点である。第二には、多くの材料がそうでない中、これは金属スタック中の金によく接着するという点である。第三には、これは、金の屈折率を変化させることが出来るほど高い屈折率をもっているにもかかわらず、非常に薄い（例えば四分の一波長よりも大幅に薄い）層を形成することが出来るという点である。この厚さにより、リッドを通じた光伝送に対する影響は小さくなる。他の利点は、説明したこの方法において、空洞エッチング後に要とされるマスクがたった１つであるという点である。これは空洞エッチング後に最大３枚のマスクを要することも多い他の方法と比べ、コスト的にも大きな利点となるものである。
【００２９】
障壁層の材料としてＴｉＯ２を開示したものであるが、以下の特性を持つ他の材料も同様に使用することが出来る；（１）ミラー（例えば反射層）への良好な接着性；（２）はんだへの濡れ性が無い；（３）透光性である；及び（４）めっき溶液に対して非溶解性を持つ。
【００３０】
更に、障壁層は薄く（例えば四分の一波長未満）なくても良い。一部のアプリケーションにおいては、厚い障壁層とすることが有利な場合もある。障壁層が四分の一波長付近で幾何学的厚さ（角度依存性）を持つと、反射率の実質的な変化が明らかとなる。これは反射率が高くなるか、低くなるかのいずれかである。レーザーが平行化される場合、これらの干渉効果を利用してミラーの反射率を改善することが出来る。しかしながら、レーザーが平行化されない場合は光の広い角度範囲によってミラー全体の反射率が局所的な角度に依存することになる為、ミラーを出る光線の強度はばらつくことになる。
【００３１】
本願に開示した実施例への様々な改変及びその特徴の組み合わせは、本発明の範囲内にある。様々な実施例は本願請求項により包含されるものである。
【００３２】
最後に、本発明の代表的な実施態様を以下に述べる。
（実施態様１）
ウエハスケール・パッケージ用のリッドを形成する為の方法であって、
基板中に空洞を形成するステップと、
前記ウエハ上の前記空洞上及び前記空洞周囲のボンディング領域上に酸化物層を形成するステップと、
前記酸化物層の上に反射層を形成するステップと、
前記反射層の上に障壁層を形成するステップと、
前記ボンディング領域の上にある前記障壁層の一部をエッチングして前記反射層の一部分を露出するステップと、
前記反射層の一部分の上にはんだ層を形成するステップとを有することを特徴とする方法。
【００３３】
（実施態様２）
前記基板中に空洞を形成するステップが、前記基板を異方性エッチングすることにより前記空洞を形成することを含み、
前記基板が、ウエハ上面からずれて配向する第一の結晶平面を含んでいることにより、前記空洞が、前記ウエハ上面に対する垂線から４５°に配向する第二の結晶平面に沿った面を含んでいることを特徴とする実施態様１に記載の方法。
【００３４】
（実施態様３）
前記反射層を形成するステップが、金属スタック層を形成することを含み、
前記障壁層を形成するステップが、前記金属スタック層上に金属酸化物層を熱成長させることを含むことを特徴とする実施態様１または２に記載の方法。
【００３５】
（実施態様４）
前記金属スタック層が、チタン層と、前記チタン層上に設けれたプラチナ層と、前記プラチナ層上に設けられた金層を含み、
前記金属酸化物層が、二酸化チタン層を含み、
前記はんだ層が金錫はんだを含むことを特徴とする実施態様３に記載の方法。
【００３６】
（実施態様５）
前記障壁層の一部分をエッチングするステップが、
フォトレジスト層を前記障壁層上にパターニングすることにより前記反射層の一部分上にウィンドウを形成するステップと、
前記ウィンドウにより露出した前記障壁層の一部分をエッチングするステップと、
前記はんだ層を前記反射層の一部分上に形成するステップの後又は前に、前記フォトレジストを剥離するステップとを含むことを特徴とする実施態様１から４のいずれかに記載の方法。
【００３７】
（実施態様６）
前記障壁層が、窒化物、ホウ化物、フッ化物、フルオロカーボン及びポリイミドを含むグループから選択されたもので構成されていることを特徴とする実施態様１から５にいずれかに記載の方法。
【００３８】
（実施態様７）
ウエハレベル・パッケージ用のリッドであって、
本体によって画定された空洞の周囲にあるボンディング領域を含む本体と、
前記ボンディング領域と前記空洞の上にある酸化物層と、
前記酸化物層の上にある反射層と、
前記反射層の前記空洞中にある部分上に設けられた障壁層と、
前記反射層の前記ボンディング領域上にある他の部分上に設けられたはんだ層とを具備したことを特徴とするリッド。
【００３９】
（実施態様８）
前記空洞が、第一の結晶平面に沿った表面を含み、
前記本体が前記本体の上面からずれて配向された第二の結晶平面を含み、これにより前記第一の結晶平面に沿った表面が前記上面から４５°に配向していることを特徴とする実施態様７に記載のリッド。
【００４０】
（実施態様９）
前記反射層がチタンとプラチナと金を含む金属スタックを含み、
前記障壁層が二酸化チタン層を含み、
前記はんだ層が金錫はんだを含むことを特徴とする実施態様７または８に記載のリッド。
【００４１】
（実施態様１０）
前記障壁層が、窒化物、ホウ化物、フッ化物、フルオロカーボン及びポリイミドを含むグループから選択されたもので構成されていることを特徴とする実施態様７から９のいずれかに記載のリッド。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施例に基づくウエハスケール・オプトエレクトロニクス・パッケージの断面図である。
【図２】本発明の一実施例に基づくウエハスケール・オプトエレクトロニクス・パッケージの断面図である。
【図３】図１及び図２に示したオプトエレクトロニクス・パッケージの、本発明の一実施例に基づくサブマウントの上面図である。
【図４】図１、図２及び図３に示したウエハスケール・オプトエレクトロニクス・パッケージ用リッドの、本発明の一実施例に基づく製造方法を示すフローチャートである。
【図５】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図６】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図７】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図８】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図９】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１０】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１１】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１２】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１３】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１４】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１５】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１６】図４に示した本発明の一実施例に基づく方法により形成される構造を示す図である。
【図１７】図１に示した方法に使用される本発明の一実施例に基づくマスクである。
【図１８】図１、図２及び図３に示したウエハスケール・オプトエレクトロニクス・パッケージ用リッドの、本発明の他の実施例に基づく製造方法を示すフローチャートである。
【図１９】図１８に示した方法により形成された、本発明の一実施例に基づく構造を描いた図である。
【図２０】図１８に示した方法により形成された、本発明の一実施例に基づく構造を描いた図である。
【符号の説明】
【００４３】
１３０  リッド
１３１、３１４Ａ  空洞
１３３、３０６  本体（基板）
１３６、３１６  酸化物層
１５０  ウエハスケール・パッケージ
３２０  反射層
３２２  障壁層
３２８、３３０  はんだ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2006013484.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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