(57)【要約】【課題】  樹脂封止の際にバリが発生しない電子部品並びに電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置１が収納された収納凹部２１を有するベース２と、収納凹部２１の内外に跨って設けられ半導体装置１に電気的に接続された導電パターン３とを備える。収納凹部２１の開口の周方向での各導電パターン３の両側において、それぞれ導電パターン３とベース２との境界を覆う塞き止め樹脂４を設けた。封止樹脂を収納凹部２１に充填する際には、導電パターン３とベース２との間を伝った封止樹脂が塞き止め樹脂４によって阻止されるから、バリが発生しない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料からなり半導体装置が収納された収納凹部を有するベースと、それぞれ収納凹部の内外に跨って設けられ収納凹部内の半導体装置に電気的に接続された１乃至複数の導電パターンと、収納凹部に充填された封止樹脂と、収納凹部の開口の周囲において、各導電パターンをそれぞれ収納凹部の開口の周方向での全幅にわたって覆うとともに各導電パターンの収納凹部の開口の周方向での両側でそれぞれ導電パターンとベースとの境界を覆い、導電パターンを伝った封止樹脂を阻止する塞き止め樹脂とを備えることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
収納凹部を全周にわたって囲む環状溝をベースに設け、各導電パターンのそれぞれ一部を環状溝に収納するとともに、塞き止め樹脂を封止溝に充填したことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
絶縁材料からなり半導体装置が収納された収納凹部を有するベースと、それぞれ収納凹部の内外に跨って設けられ収納凹部内の半導体装置に電気的に接続された１乃至複数の導電パターンと、収納凹部に充填された封止樹脂と、収納凹部の開口の周囲において収納凹部の開口の周方向での各導電パターンの両側でそれぞれ導電パターンとベースとの境界を覆い、導電パターンとベースとの間を伝った封止樹脂を阻止する塞き止め樹脂とを備えることを特徴とする電子部品。
【請求項４】
絶縁材料からなり半導体装置が収納された収納凹部を有するベースと、それぞれ収納凹部の内外に跨って設けられ半導体装置に電気的に接続された複数の導電パターンと、収納凹部に充填された封止樹脂とを備える電子部品の製造方法であって、
収納凹部に封止樹脂を充填する前に、収納凹部の開口の周囲において、収納凹部の開口の周方向での各導電パターンの両側においてそれぞれ導電パターンとベースとの境界を合成樹脂によって覆う工程を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を封止樹脂で封止した電子部品並びに電子部品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば発光ダイオードのような半導体装置を封止樹脂で封止した電子部品が提供されている（例えば、特許文献１参照）。この種の電子部品として、例えば図６（ｄ）に示すように、ベース２に設けた収納凹部２１に半導体装置１を収納し、収納凹部２１に封止樹脂５を充填することにより半導体装置１を封止するものがある。
【０００３】
この電子部品を製造する方法としては、例えば図６（ａ）に示すように、合成樹脂成形品又はセラミックスからなり直方体形状に形成され溝状の凹部２１ａが一面に設けられたベース体２ａに、凹部２１ａの内外に跨るリード３ａを銅板のインサート成形又はＭＩＤ工法によって設ける。次に、図６（ｂ）に示すように複数個の半導体装置１を一直線状に並べて凹部２１ａ内においてそれぞれリード３ａに実装する。次に、図６（ｃ）に示すように凹部２１ａに封止樹脂５を充填することにより各半導体装置１をそれぞれ封止樹脂５で封止する。最後に、図６（ｄ）に示すようにベース体２ａの長手方向に直交する面で切断して１個ずつの電子部品が完成する。封止樹脂５を充填する際には、図７（ａ）に示すように半導体装置１が収納されたベース体２ａに、図７（ｂ）に示すように凹部２１ａを覆う型６を被せる。そして、図７（ｃ）に示すように型６とベース体２ａとの間に封止樹脂５を充填し、封止樹脂が硬化した後に図７（ｄ）に示すように型６を外す。
【特許文献１】特開平１１−０７４４２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、図６及び図７の例では、ベース体２ａの長手方向に対応する方向でのベース２の全長にわたって導電パターン３を設けているから、図６における上端面を、リード体３ａのみで構成された平坦な面とすることが可能となっている。したがって、少なくとも電子部品として切り離される範囲では、図７（ｂ）に示すように型６をリード体３ａの上端面に密着させて封止樹脂５の漏れを防ぐことができるから、バリは発生しない。
【０００５】
しかし、例えば導電パターン３の幅をベース２の幅に対して小さくしたい場合など、図６のような製造方法を採用することができない場合には、図８に示すように複数の導電パターン３を互いに分離した状態で設ける必要があり、この場合は導電パターン３によって収納凹部２１の周囲に凹凸が生じる。そして、図７の例のように型６を用いて封止樹脂５を充填する場合、前記凹凸に合わせた凹凸を型６に設ける必要がある。しかし、型６に設ける凹凸の形状を導電パターン３によって生じる凹凸の形状に完全に合わせることが難しいため、図９（ａ）（ｂ）に示すように型６を被せたときに図９（ｃ）に示すように導電パターン３の周囲で隙間ができやすい。型６と導電パターン３との間に隙間が生じると、この隙間を伝って封止樹脂５が漏れ出すことによりバリが発生してしまう。
【０００６】
また、図１０（ａ）（ｂ）に示すように型６を用いずに矢印Ａ２で示すように封止樹脂５を収納凹部２１に注入するいわゆるポッティングによって封止樹脂５を形成した場合であっても、図１０（ｃ）に示すように導電パターン３とベース２との間を毛細管現象で封止樹脂５が伝うことにより、やはり矢印Ａ３で示すように収納凹部２１外に封止樹脂５が漏れ出してバリが発生してしまう。
【０００７】
さらに、導電パターン３の表面の性状と封止樹脂５の性状との組み合わせにより、導電パターン３が封止樹脂５に濡れやすい場合には、封止樹脂５が導電パターン３の表面を伝って収納凹部２１外に漏れ出すことも考えられる。
【０００８】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、樹脂封止の際にバリが発生しない電子部品並びに電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の発明は、絶縁材料からなり半導体装置が収納された収納凹部を有するベースと、それぞれ収納凹部の内外に跨って設けられ収納凹部内の半導体装置に電気的に接続された１乃至複数の導電パターンと、収納凹部に充填された封止樹脂と、収納凹部の開口の周囲において、各導電パターンをそれぞれ収納凹部の開口の周方向での全幅にわたって覆うとともに各導電パターンの収納凹部の開口の周方向での両側でそれぞれ導電パターンとベースとの境界を覆い、導電パターンを伝った封止樹脂を阻止する塞き止め樹脂とを備えることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、封止樹脂を収納凹部に充填する際には、毛細管現象によって導電パターンとベースとの間を伝った封止樹脂が塞き止め樹脂によって阻止される。また、導電パターンが封止樹脂に濡れやすい場合にも、導電パターンの表面を伝った封止樹脂は塞き止め樹脂によって阻止される。したがって、バリが発生しない。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、収納凹部を全周にわたって囲む環状溝をベースに設け、各導電パターンのそれぞれ一部を環状溝に収納するとともに、塞き止め樹脂を封止溝に充填したことを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、塞き止め樹脂として硬化前の粘度が低いものを用いることができるから、塞き止め樹脂の形成が容易となる。
【００１３】
請求項３の発明は、絶縁材料からなり半導体装置が収納された収納凹部を有するベースと、それぞれ収納凹部の内外に跨って設けられ収納凹部内の半導体装置に電気的に接続された１乃至複数の導電パターンと、収納凹部に充填された封止樹脂と、収納凹部の開口の周囲において収納凹部の開口の周方向での各導電パターンの両側でそれぞれ導電パターンとベースとの境界を覆い、導電パターンとベースとの間を伝った封止樹脂を阻止する塞き止め樹脂とを備えることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、封止樹脂を収納凹部に充填する際に、導電パターンとベースとの間を伝った封止樹脂が塞き止め樹脂によって阻止されるから、バリが発生しない。
【００１５】
請求項４の発明は、絶縁材料からなり半導体装置が収納された収納凹部を有するベースと、それぞれ収納凹部の内外に跨って設けられ半導体装置に電気的に接続された複数の導電パターンと、収納凹部に充填された封止樹脂とを備える電子部品の製造方法であって、収納凹部に封止樹脂を充填する前に、収納凹部の開口の周囲において、収納凹部の開口の周方向での各導電パターンの両側においてそれぞれ導電パターンとベースとの境界を合成樹脂によって覆う工程を備えることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、封止樹脂を収納凹部に充填する際に、導電パターンとベースとの間を伝った封止樹脂が塞き止め樹脂によって阻止されるから、バリが発生しない。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、各導電パターンの収納凹部の開口の周方向での両側でそれぞれ導電パターンとベースとの境界を覆う塞き止め樹脂を備えることにより、封止樹脂を収納凹部に充填する際には、導電パターンとベースとの間を伝った封止樹脂が塞き止め樹脂によって阻止されるから、バリが発生しない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
（実施形態１）
本実施形態は、図１に示すように、例えば合成樹脂又はセラミックスのような絶縁材料からなり直方体形状であって図１での上面（以下、「上面」と呼ぶ。）に収納凹部２１が設けられたベース２と、収納凹部２１に収納された半導体装置１と、それぞれ例えばベース２にインサート成形された銅板又はＭＩＤ工法によって形成された導体からなり半導体装置１の端子に電気的に接続された複数本（図では５本）の導電パターン３と、ベース２の収納凹部２１に充填され半導体装置１を封止する封止樹脂（図示せず）とを備える。また、ベース２の上面には、収納凹部２１の開口を全周にわたって囲む塞き止め樹脂４が設けられている。
【００２０】
塞き止め樹脂４は、封止樹脂を収納凹部２１に充填する前に設けられており、各導電パターン３をそれぞれ収納凹部２１の開口の周方向での全幅にわたって覆うとともに、収納凹部２１の開口の周方向での導電パターン３の両側において導電パターン３とベース２との境界をそれぞれ覆っている。塞き止め樹脂４の材料は、封止樹脂との間の親和性が十分に小さいものであればよく、例えばソルダーレジストと同様に、エポキシ系、フェノール系、アクリル系、ポリウレタン系、シリコン系などの合成樹脂を用いることができる。また、塞き止め樹脂４を形成する方法としては、シルク印刷やノズル塗布を用いることができる。
【００２１】
上記構成によれば、封止樹脂を収納凹部２１に充填する際に、毛細管現象によって導電パターン３とベース２との間を伝った封止樹脂を塞き止め樹脂４によって阻止することができる。また、導電パターン３が封止樹脂に濡れやすい場合にも、導電パターン３の表面を伝った封止樹脂は塞き止め樹脂４によって阻止されるから、バリが発生しない。
【００２２】
なお、塞き止め樹脂４は必ずしも収納凹部２１の開口の全周にわたって設ける必要はなく、図２に示すように導電パターン３付近のみに設けても、矢印Ａ１で示すように導電パターン３を伝った封止樹脂を阻止することができる。
【００２３】
また、導電パターン３が特に封止樹脂に濡れやすくない場合には、毛細管現象によって導電パターン３とベース２との間を伝った封止樹脂を阻止するだけでよいから、塞き止め樹脂４は収納凹部２１の開口の周方向における導電パターン３の両側で導電パターン３とベース２との境界を覆うだけでよい。つまり、図３に示すように塞き止め樹脂４が導電パターン３の上側で途切れていてもよい。この構成を採用すれば、必要な塞き止め樹脂４の量を減らすことができる。
【００２４】
（実施形態２）
本実施形態の基本構成は実施形態１と共通であるので、共通する部分については同じ符号を付して説明を省略する。
【００２５】
本実施形態のベース２において収納凹部２１が開口した面（図４（ａ）での上面）には、図４（ａ）に示すように収納凹部２１の開口を全周にわたって囲む断面Ｖ字形状の環状溝２２を設けてある。また、各導電パターン３のそれぞれ一部を環状溝２２に収納するとともに、図４（ｂ）に示すように環状溝２２に塞き止め樹脂４を充填している。
【００２６】
上記構成によれば、塞き止め樹脂４として硬化前の粘度が低い合成樹脂を用い、環状溝２２への充填の際に塞き止め樹脂４の流れを利用することができるから、塞き止め樹脂４の形成が容易となる。また、塞き止め樹脂４の上面を平坦にすることができるから、塞き止め樹脂４に隙間無く当接し収納凹部２１を覆う型（図示せず）を用いて封止樹脂を容易に充填することができる。
【００２７】
なお、上記の型を封止樹脂の充填の際に用いないのであれば、環状溝２２全体に塞き止め樹脂４を充填する代わりに、図５に示すように導電パターン３付近のみに塞き止め樹脂４を充填してもよい。この構成を採用すれば、必要な塞き止め樹脂４の量を減らすことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態１に封止樹脂を充填する前の状態を示す斜視図である。
【図２】同上の別の形態の要部を示す斜視図である。
【図３】同上の更に別の形態の要部を示す斜視図である。
【図４】本発明の実施形態２を示す斜視図であり、（ａ）は環状溝に塞き止め樹脂を充填する前の状態を示し、（ｂ）は環状溝に塞き止め樹脂を充填した後の状態を示す。
【図５】同上の別の形態の要部を示す斜視図である。
【図６】従来例の製造工程を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ互いに異なる工程を示す。
【図７】同上において封止樹脂を収納凹部に充填する工程を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ互いに異なる工程を示す。
【図８】別の従来例に封止樹脂を充填する前の状態を示す斜視図である。
【図９】同上において封止樹脂を収納凹部に充填する方法の一例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は（ｂ）の要部拡大図である。
【図１０】同上において封止樹脂を収納凹部に充填する方法の別の例を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は（ｂ）の要部拡大図である。
【符号の説明】
【００２９】
１  半導体装置
２  ベース
３  導電パターン
４  塞き止め樹脂
５  封止樹脂
２１  収納凹部
２２  環状溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006013170.tif 000009
【図８】
2006013170.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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