(57)【要約】【課題】１セル当たりのバス電極の抵抗値と透明電極の抵抗値との比に着目し、この比を適切に設定することで画面のストリーキング現象を防止する。【解決手段】一対の基板が放電空間を介して配置され、それらの基板の一方において隣接する電極間で面放電を発生する複数の表示電極が形成されたプラズマディスプレイパネルにおいて、表示電極を、一定方向に延長された給電用のバス電極と、バス電極に接続された基端部とその基端部から隣接する表示電極に向かって延出する先端部とを有しバス電極から給電を受けて面放電を発生させる電極とで構成し、面放電を発生させる電極の基端部から先端部までの抵抗値を、１セル当たりの長さのバス電極の抵抗値の４×１０7倍以上の値に設定する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が放電空間を介して配置され、それらの基板の一方において隣接する電極間で面放電を発生する複数の表示電極が形成され、その表示電極は一定方向に延長された給電用のバス電極と、バス電極に接続された基端部とその基端部から隣接する表示電極に向かって延出する先端部とを有しバス電極から給電を受けて面放電を発生させる電極とからなり、
面放電を発生させる電極の基端部から先端部までの抵抗値が、１セル当たりの長さのバス電極の抵抗値の４×１０7倍以上の値を有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記面放電を発生させる電極が、ＺｎＯを主成分とする酸化物を用いて形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記面放電を発生させる電極とバス電極を覆って形成された誘電体層をさらに備え、その誘電体層が、低融点ガラスペーストを塗布し、これを焼成することで形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記面放電を発生させる電極とバス電極を覆って形成された誘電体層をさらに備え、その誘電体層が、基板温度が２００℃以上に維持されて、ＣＶＤ法で形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記面放電を発生させる電極とバス電極を覆って形成された誘電体層をさらに備え、その誘電体層が、酸化ガスを含んだ雰囲気で、プラズマを使用したＣＶＤ法で形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記面放電を発生させる電極は、ＺｎＯを主成分とする酸化物を用いて透明電極が形成され、その透明電極上にバス電極となる銀ペーストが塗布された後、２５０℃以上の加熱工程を経て形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と記す）に関し、主として画面のストリーキング現象を防止することで、画質の向上を図ったＰＤＰに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＰＤＰとして、ＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰが知られている。このＰＤＰは、前面側（表示面側）の基板の内面に面放電が可能な表示電極を水平方向に多数設け、背面側の基板の内面に発光セル選択用のアドレス電極を表示電極と交差する方向に多数設け、表示電極とアドレス電極との交差部をセルとするものである。
【０００３】
前面側の基板の表示電極は誘電体層で覆われ、その上に保護膜が形成されている。背面側の基板のアドレス電極も誘電体層で覆われ、その誘電体層上にストライプ状またはメッシュ状の隔壁が形成され、隔壁間には蛍光体層が形成されている。
【０００４】
ＰＤＰは、このように作製した前面側の基板と背面側の基板とを対向させて周辺を封止した後、内部に放電ガスを封入することにより作製されている（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２３４５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のＰＤＰでは、図６に示すような表示を行った場合、図中、Ｃ部およびＤ部を１００％輝度表示部（白表示部）、Ｅ部を０％輝度表示部（黒表示部）の部分とすると、Ｃ部とＤ部は、本来同じ輝度であるが、表示電極の給電線となるバス電極に流れる電流が異なるため、バス電極の電圧降下が発生し、電圧降下分が輝度差として現れる。このため、画面のＳ部のように縞模様のストリーキング現象が現れる。
【０００７】
さらに、近年、ＰＤＰの大型化が進み、大面積を放電させる必要がある。また、バス電極の長さも長くなる傾向にあるため、バス電極の電圧降下による画質の悪化（ストリーキング現象）も激しくなってきた。
したがって、このようなストリーキング現象を防止できるＰＤＰの出現が望まれていた。
【０００８】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、１セル当たりのバス電極の抵抗値と透明電極の抵抗値との比に着目し、この比を適切に設定することで画面のストリーキング現象を防止するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、一対の基板が放電空間を介して配置され、それらの基板の一方において隣接する電極間で面放電を発生する複数の表示電極が形成され、その表示電極は一定方向に延長された給電用のバス電極と、バス電極に接続された基端部とその基端部から隣接する表示電極に向かって延出する先端部とを有しバス電極から給電を受けて面放電を発生させる電極とからなり、面放電を発生させる電極の基端部から先端部までの抵抗値が、１セル当たりの長さのバス電極の抵抗値の４×１０7倍以上の値、好ましくは、３×１０9倍以上の値を有していることを特徴とするプラズマディスプレイパネルである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、放電時にバス電極から面放電を発生させる電極に供給されるピーク電流が制限されるので、バス電極による電圧降下が軽減し、画面のストリーキング現象が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明において、一対の基板は、対向して配置されていればよい。一対の基板としては、ガラス、石英、セラミックス等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１２】
複数の表示電極は、基板の一方において隣接する電極間で面放電を発生する電極であって、一定方向に延長された給電用のバス電極と、バス電極に接続された基端部とその基端部から隣接する表示電極に向かって延出する先端部とを有しバス電極から給電を受けて面放電を発生させる電極であればよい。
【００１３】
この面放電を発生させる電極は、当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成することができる。面放電を発生させる電極に用いられる材料としては、例えば、ＺｎＯ系、ＳｎＯ2系、Ｉｎ2Ｏ3系（たとえばＩＴＯ）などの透明な導電性材料が挙げられる。バス電極に用いられる材料としては、例えば、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属の導電性材料が挙げられる。電極の形成方法としては、当該分野で公知の各種の方法を適用することができる。たとえば、印刷などの厚膜形成技術を用いて形成してもよいし、物理的堆積法または化学的堆積法からなる薄膜形成技術を用いて形成してもよい。これらの形成方法としては、スクリーン印刷法、（マグネトロン）スパッタ法、メッキ法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法、抵抗線加熱又は電子線加熱蒸着（酸素ガス添加の反応性蒸着、イオンプレーティング（ＩＰ）、イオンアシスト）法、化学ビーム蒸着（ＣＢＤ、すなわち有機金属分子線蒸着（ＭＯＭＢＤ）法、パルスレーザ蒸着（ＰＬＤ）法などが挙げられる。
【００１４】
面放電を発生させる電極およびバス電極は、上記の方法で導電膜（膜状の導電性材料）を形成し、導電膜のパターニングを行うことで形成する。導電膜のパターニングは、導電膜上にレジストを塗布し、レジストの露光・現像の後、導電膜のウエットエッチングを行い、レジストを除去することにより行う。
【００１５】
レジストは、たとえばペースト状のレジストを塗布して乾燥させることで形成してもよい。また、ドライフィルムレジストをラミネートすることで形成してもよい。レジストの露光は、光学マスクを経由した紫外線露光が一般的であるが、紫外線（場合によっては青色）のレーザーをミラーで走査する方式などを適用してもよい。
【００１６】
導電膜のパターニングは、この他に、パワーの強いレーザーを導電膜に直接照射し、導電膜を部分的に昇華させることで行ってもよい。その場合は、レジストの塗布・露光・現像・ウエットエッチング・レジスト除去の工程は不要である。
【００１７】
本発明においては、面放電を発生させる電極の基端部から先端部までの抵抗値が、１セル当たりの長さのバス電極の抵抗値の４×１０7倍以上の値を有している必要がある。
【００１８】
この値が満足できれば、バス電極の抵抗値を減少させてもよいし、面放電を発生させる電極の抵抗値を増加させてもよい。その際、バス電極の材料および形状、並びに面放電を発生させる電極の材料および形状は、どのようなものであってもよい。
【００１９】
バス電極の抵抗値を減少させるには、バス電極の材料を抵抗率の低いものにしてもよいし、バス電極を太くしてもよい。バス電極を太くする場合には、面積を広くしてもよいし、厚みを厚くしてもよい。しかし、バス電極を太くすると、表示発光の遮光が増加し、輝度・効率低下を招く。また、バス電極を厚くすると、電極材料を多く消費し、コスト増加を招く。
【００２０】
面放電を発生させる電極の抵抗値を増加させるには、面放電を発生させる電極の材料を抵抗率の高いものにしてもよいし、面放電を発生させる電極を細くしてもよい。面放電を発生させる電極を細くする場合には、面積を狭くしてもよいし、厚みを薄くしてもよい。面積を狭くするのは、全体を狭くしてもよいし、例えば面放電以外の部分の面積だけを狭くするというように、部分的に狭くしてもよい。厚みを薄くするのは、面放電を発生させる電極を形成する際の成膜時間を短くすればよい。
【００２１】
また、面放電を発生させる電極の材料および形状を変えないで、抵抗値だけを変えることもできる。この方法としては、例えば、面放電を発生させる電極として、透明電極の上に形成する誘電体層を低融点ガラスペーストの塗布・焼成により形成するのであれば、低融点ガラスペーストの配合を変えたり、焼成温度を変えることで、透明電極の抵抗値を変えることができる。しかし、透明電極にＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物）を用いると、抵抗値の増加が大きく、パネル面内を均一に、設計値通りの抵抗値にすることは、困難であった。
【００２２】
上記構成においては、透明電極を、ＺｎＯを主成分とする酸化物を用いて形成することが望ましい。その理由は、後述する。また、面放電を発生する電極をこの後から、透明電極と呼ぶ。
透明電極とバス電極の上には、透明電極とバス電極を覆って、低融点ガラスペーストを塗布し、これを焼成することで誘電体層を形成してもよい。
【００２３】
具体的には、誘電体層は、低融点ガラスフリットとバインダー樹脂からなる低融点ガラスペーストを、基板上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することで形成することができる。ここで用いる低融点ガラスとしては、酸化シリコン，ホウケイ酸ガラス，酸化アルミニウム，酸化イットリウム，酸化鉛などを主成分とするガラス材を適用することができる。
【００２４】
透明電極は、基板温度を２００℃以上に維持したＣＶＤ法で形成してもよい。また、酸化ガスを含んだ雰囲気で、プラズマを使用したＣＶＤ法で形成してもよい。
【００２５】
上記透明電極は、ＺｎＯを主成分とする酸化物を用いて形成し、その透明電極上にバス電極となる銀ペーストを塗布し後、２５０℃以上の加熱工程を経て形成することもできる。
【００２６】
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００２７】
図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明のＰＤＰの構成を示す説明図である。図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）は部分分解斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ駆動型３電極面放電形式のＰＤＰである。
【００２８】
本ＰＤＰ１０は、ＰＤＰ用の各種の構成要素が形成された前面側の基板１１と、背面側の基板２１から構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等を使用することができる。
【００２９】
前面側の基板１１の内側面には、水平方向に対となる表示電極Ｘ，Ｙが放電の発生しない間隔（非放電ギャップ）を隔てて配置されている。表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が表示ラインＬとなる。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＺｎＯを主成分とする酸化物を用いて形成された幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ，Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００３０】
なお、本ＰＤＰでは、対となる表示電極Ｘ，Ｙが非放電ギャップを隔てて配置されているが、表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に配置され、隣接する表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が全て表示ラインＬとなる、いわゆるＡＬｉＳ構造のＰＤＰであっても本発明を適用することができる。
【００３１】
表示電極Ｘ，Ｙの上には、表示電極Ｘ，Ｙを覆うように交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、低融点ガラスペーストを、前面側の基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。
【００３２】
誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜はＭｇＯで形成されている。
【００３３】
背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ，Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、Ｙ電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ，Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。
【００３４】
隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、ストライプ状の複数の隔壁２９が形成されている。隔壁２９の形状はこれに限定されず、放電空間をセルごとに区画するメッシュ状であってもよい。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上にドライフィルムレジストを貼り付けて、隔壁パターンの開口を有するフォトマスクで露光し、現像を行い、切削粒子を吹きつけて、ドライフィルムレジストの開口部分のガラスペースト層を切削し、ドライフィルムレジストを剥離した後、焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
【００３５】
隔壁２９の側面及び隔壁間の誘電体層２４上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布・乾燥し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００３６】
ＰＤＰは、上記した前面側の基板１１と背面側の基板２１とを、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲を封止し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０に放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が表示の最小単位である１つのセル（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００３７】
図２は１セルの表示電極を平面的に見た説明図である。
本実施形態では、表示電極Ｘ，Ｙは、バス電極１３をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの三層構造の金属電極で形成している。透明電極１２は、ネック部Ｎに高抵抗部を形成している。この高抵抗部は、薄膜化、細線化、抵抗率の高い材料を用いる等で形成する。たとえば、透明電極１２に、ＩＴＯよりも抵抗値の高いＺｎＯ系の材料を用いる。
【００３８】
面放電Ｄは、表示電極Ｘのバス電極１３と表示電極Ｙのバス電極１３との間に電圧を印加することにより、表示電極Ｘの透明電極１２と表示電極Ｙの透明電極１２との間で発生される。
【００３９】
透明電極１２は、透明電極１２の基端部から先端部までの抵抗値が、１セル当たりのバス電極の抵抗値の４×１０7倍以上の値を有している。
【００４０】
図３〜図５は透明電極の形状を示す説明図である。
これらの図に示すように、透明電極１２は、バス電極１３に接続された基端部１２ａと、その基端部１２ａから延出されて面放電領域に至る先端部１２ｂとを有している。セル内の１つの透明電極１２は、基端部１２ａから先端部１２ｂまでに抵抗値Ｒｓを有している。バス電極１３は、１セル当たりのバス電極１３、つまり隔壁２９の中央から隔壁２９の中央までの部分に抵抗値Ｒｂを有している。
【００４１】
透明電極１２の形状はどのような形状であってもよい。たとえば、図４に示すような矩形の透明電極１２であってもよい。また、図５に示すように、帯状に連続した透明電極１２であってもよい。帯状に連続した透明電極１２である場合、１セル分の透明電極１２は、隔壁２９の中央から隔壁２９の中央までの部分である。
【００４２】
図６はストリーキング現象を示す説明図、図７はピーク電流を示す説明図である。
ＰＤＰの画面に、図６に示すような表示を行ったとする。図中、Ｃ部およびＤ部は１００％輝度表示部（白表示部）の部分、Ｅ部は０％輝度表示部（黒表示部）の部分、Ｓ部は表示ライン状の輝度差（ストリーキング現象）である。
【００４３】
面放電発生の際にバス電極に印加する電圧は、全てのバス電極に対してほぼ一定である。したがって、多くのセルを点灯させるバス電極には大量の電流が流れ、少ないセルを点灯させるバス電極には少量の電流しか流れない。
【００４４】
この表示の場合、Ｃ部とＤ部は同じ１００％白表示を行っているが、バス電極の負荷が異なる。Ｃ部は点灯セルが多いので負荷が大きく、バス電極に流れるピーク電流が大きくなるため、電圧降下が発生し、輝度低下を招く（図７のＰ１参照）。一方、Ｄ部は点灯セルが少ないので比較的負荷が小さく、バス電極に流れるピーク電流も小さいため、電圧降下がなく、輝度低下がない（図７のＰ２参照）。この負荷の違いから、ライン上のむら（ストリーキング現象）が発生する。
【００４５】
したがって、ストリーキング現象を軽減するために、透明電極を高抵抗にして、バス電極に流れるピーク電流を制限する。そのため、透明電極の基端部から先端部までの抵抗値が、１セル当たりのバス電極の抵抗値の４×１０7倍以上の値となるようにする。このような抵抗比になるのであれば、バス電極を太くしてバス電極の抵抗値を下げてもよい。
【００４６】
本発明では、透明電極を高抵抗にするために、透明電極にＺｎＯ系の材料を用いる。ＺｎＯ系の材料を用いることで、線幅、膜厚の変化に加え、必要に応じて添加物を入れ、透明電極の抵抗値を制御することが可能となる。
【００４７】
図８はバス電極の抵抗と相対放電ピーク電流との関係を示す説明図である。
この表は、同じ材料で同じ太さに形成した同一のバス電極に抵抗値の異なる透明電極を形成した実施形態を示している。透明電極の形状は図３に示した形状である。
セル例に関して説明すると、バス電極抵抗値［Ω］は、１セル幅の長さあたりのバス電極抵抗値であり、図３に示した抵抗値Ｒｂである。透明電極抵抗値は、１セルの透明電極抵抗値であり、図３に示した抵抗値Ｒｓである。この透明電極抵抗値は、相対放電ピーク電流値にほぼ比例する。
【００４８】
透明電極抵抗値／バス電極抵抗値は、透明電極とバス電極の抵抗比である。ストリーキング特性は、図６で示したＣ部とＤ部の輝度差である。
【００４９】
このようなセル例に関し、ストリーキング特性を調べた結果、目視で確認した場合、透明電極抵抗値が５．４×１０5［Ω］のセル例１では、１６％の輝度差であり、ストリーキングが気になる。透明電極抵抗値が１．１×１０6［Ω］のセル例２では、６．１％の輝度差であり、ときどきストリーキングが気になる。透明電極抵抗値が８．７×１０7［Ω］のセル例３では、３．０％の輝度差であり、よく見るとストリーキングが気になる。透明電極抵抗値が１．３×１０8のセル例４では、２．１％の輝度差であり、ほとんどストリーキングが気にならない。
【００５０】
図９は透明電極抵抗値と抵抗比との関係を示すグラフである。
このグラフに示すように、抵抗比が４×１０7以下の領域はストリーキングが気になる領域Ｆであり、抵抗比が４×１０7〜３×１０9の領域はときどきストリーキングが気になる領域Ｇであり、抵抗比が３×１０9以上の領域はほとんどストリーキングが気にならない領域Ｈとなる。したがって、抵抗比は、４×１０7以上、望ましくは３×１０9以上にする。
【００５１】
透明電極にＺｎＯ系の透明導電材料を用いた理由を以下に説明する。
ＰＤＰに用いる透明電極は、一般的にＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物、抵抗率２×１０-4Ω・ｃｍ）が使用される。ＩＴＯを用いるのは、薬液でのエッチングが可能であるため、レジストを用いたフォトリソグラフィー技術を用いて電極形成が容易に行えるためである。しかし、ＩＴＯは、形成後に酸化雰囲気で加熱（２５０℃以上）されると、容易に抵抗率が増加する（図１０の抵抗上昇率参照）。この抵抗上昇分は、パネル作製時のばらつきにより大きく変動する。この変動分を見込んで、放電に必要な電力を与えるために十分低い抵抗値となるように、膜厚や電極幅を設計する必要があった。このため、ＩＴＯでは、セル毎に、設計したい放電電流に制限するための抵抗を透明電極に持たせることができない。
【００５２】
ＳｎＯ2膜（ネサ膜）も透明電極の材料として使用することができる。このＳｎＯ2膜は酸化加熱による抵抗値変動が少ない。しかし、このＳｎＯ2膜は、成膜に、一般的なスパッタ装置ではなく、ＣＶＤ装置を使用する必要がある。また、薬液でのエッチングが困難であるため、精度の良いパターニングが困難である。たとえば、リフトオフ法を用いればパターニングできることが知られているが、ＩＴＯと比較すると微細なパターニングは困難である。
【００５３】
これに対し、本発明のＺｎＯ系の透明電極は、ＩＴＯとほぼ同じ製造工程で透明電極を形成することが可能であり、量産化が容易である。また、加熱（焼成）工程による抵抗上昇が少ない（図１０の抵抗上昇率参照）。このため、放電セルに電力を供給する透明電極に抵抗を付加したセル設計が可能となる。これにより、放電によるピーク電流を制限することが可能となる。たとえば、図３に示したＴ字状の透明電極のネック部分の膜厚や幅を適切に設定したり、ＺｎＯに添加するドーパントを適切に設定することにより、放電ピーク電流を制限することができ、ストリーキング現象を緩和できる。
【００５４】
今後、ＰＤＰは大型化（たとえば、５０インチ型以上）が進む。したがって、放電電力が大きくなり、バス電極が長くなる傾向にある。そのため、表示負荷の大きい部分と小さな部分の放電電流の差が増大し、バス抵抗の電圧降下による輝度低下現象が生じ、ストリーキング現象が発生する。そのため、Ｔ字状の透明電極を用い、幅と厚さを設計することで、ストリーキングを目立たなくさせることができる。
【００５５】
透明電極用材料の抵抗値の測定結果を示す。
図１０は透明電極用材料の抵抗値の測定方法を示す説明図、図１１は測定結果を示す説明図である。
透明電極用材料の抵抗値を図１０に示す方法で測定した。すなわち、ガラス板３１上に透明電極１２を成膜し、銀ペースト３２で導線３３を接続し、導電３３を抵抗値測定機３４に接続して、透明電極１２の抵抗値を測定した。結果を図１１に示す。
【００５６】
ＩＴＯ膜は、大気中で２５０℃を超えて加熱処理を行うと、抵抗値の増加が顕著となった。さらに、図１０のＧ部に低融点ガラスを乗せて焼成を行うと、低融点ガラスが溶融してＩＴＯを侵食するため、さらに、抵抗値が急増した。
【００５７】
透明電極にネサ膜を用いても、ＺｎＯとほぼ同様な結果が得られる。しかし、ネサ膜は、一般的にウエットエッチングが困難であるため、パターニングができない。ネサ膜のパターニング方法としてリフトオフ方式が知られているが、微細なパターンができない。
【００５８】
これに対し、本発明のＺｎＯ系透明電極は、数十％の抵抗上昇であるため、抵抗値をセル設計に盛り込むことが可能である。また、ＺｎＯ系の添加物として、Ａｌ以外に、Ｇａ，Ｇｅ，Ｓｉ，Ｗ，Ｂ，Ｆを添加しても、さらに、添加物なしでも上記と同様な結果が得られた。添加物は、通常は抵抗値を下げるために使われることが多いが、本発明では、セル設計に合わせて透明電極の抵抗値を上げるために用いる。
【００５９】
また、ＺｎＯ系の透明電極は、ＩＴＯと同様な微細なパターニングが可能である。また、抵抗値の変動が少ないため、線幅と厚さを設計することで、抵抗を考慮したセル設計が可能となる。
【実施例】
【００６０】
実施例１、実施例２、比較例１、比較例２に関し、顕微鏡観察、ストリーキング評価、点灯状況の結果を図１２に示す。
４２型のＰＤＰを作製した。比較例１および比較例２として、透明電極にＩＴＯを用いた前面側のパネルを作製し、この前面側のパネルと公知の背面側のパネルとを貼り合せてＰＤＰを作製した。比較例１は透明電極（ＩＴＯ）の膜厚を０.１μｍとし、比較例２は透明電極（ＩＴＯ）の膜厚を０.２μｍとした。ＩＴＯの膜厚が０.１μｍ以下の場合、誘電体層の焼成時にＩＴＯが消失した（誘電体層の材料である低融点ガラスの溶融物にＩＴＯが浸食された）。
【００６１】
一方、実施例１から実施例３として、透明電極にＺｎＯ系の酸化物を用いた本発明構造の前面側のパネルを作製し、この前面側のパネルと公知の背面側のパネルとを貼り合せて本発明構造のＰＤＰを作製した。実施例１は透明電極（ＺｎＯ：Ａｌ）の膜厚を０.０２μｍとし、実施例２は透明電極（ＺｎＯ：Ａｌ）の膜厚を０.１μｍとし、実施例３は透明電極（ＺｎＯ：Ａｌ）の膜厚を０.２μｍとした。
【００６２】
実施例１、実施例２、実施例３、比較例１、比較例２のパネルについては、すべて、４％Ｘｅ−Ｎｅガスを６５ｋＰａで充填した。また、前面側の基板の誘電体層は、軟化点４８０℃のフリットガラスを塗布し、６００℃の焼成を行い、焼成後に透明電極を光学顕微鏡にて観察した。顕微鏡観察の結果、比較例１では透明電極がほぼ消失していたため、非点灯セルが多数存在した。比較例２では透明電極に浸食があったが、非点灯セルは発生しなかった。実施例２、実施例３ではともに透明電極に変化はなかった。実施例１で、わずかに透明電極の浸食が認められたが、非点灯セルは発生しなかった。このように、ＺｎＯ系の透明電極は、０．０２μｍの膜厚でもわずかの浸食しか認められなかった。
【００６３】
パネル完成後にパネル試験を行ったところ、膜厚０．１μｍのＩＴＯを用いたパネルは、ＩＴＯのほとんどが消失し、点灯していない部分が多かった。それ以外は、通常点灯が可能であった。
【００６４】
さらに、ストリーキング評価を行った。この評価は、図６に示した画面を表示することにより行った。評価の結果、比較例１では非点灯セルが多く、評価不可能であった。比較例２ではストリーキングがしばしば気になり、実施例１ではストリーキングが気にならず、実施例２ではストリーキングがあまり気にならず、実施例３ではストリーキングがときどき気になる程度、という評価であった。
【００６５】
このように、透明電極１２のネック部Ｎに抵抗を入れる設計をすることで、ピーク電流を軽減でき、ストリーキングが改善した。これは、透明電極に抵抗を付加して画質が改善する一例である。
【００６６】
本実施形態によれば、透明電極を熱に安定な材料（ＺｎＯ系材料）にしたので、ＩＴＯと同様な工程（成膜、レジスト塗布、パターニング、エッチングなど）で、微細な電極を形成することが可能である。
【００６７】
また、ＺｎＯ系の透明電極は、熱的に安定であるので、透明電極の幅・厚さを変更することにより、抵抗を付加したセル設計が可能となり、ストリーキングが軽減する。
【００６８】
さらに、高価なＩｎを使用しないため、コストダウンになる。また、ＩＴＯの透明電極形成と同じ工程（設備）を利用することができ、安定（歩留まりの良い）した電極が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明のＰＤＰの構成を示す説明図である。
【図２】１セルの表示電極を平面的に見た説明図である。
【図３】透明電極の形状を示す説明図である。
【図４】透明電極の形状を示す説明図である。
【図５】透明電極の形状を示す説明図である。
【図６】ストリーキング現象を示す説明図である。
【図７】ピーク電流を示す説明図である。
【図８】バス電極の抵抗と相対放電ピーク電流との関係を示す説明図である。
【図９】透明電極抵抗値と抵抗比との関係を示すグラフである。
【図１０】透明電極用材料の抵抗値の測定方法を示す説明図である。
【図１１】透明電極用材料の抵抗値の測定結果を示す説明図である。
【図１２】実施例の結果を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７０】
１１  前面側の基板
１２  透明電極
１２ａ  透明電極の基端部
１２ｂ  透明電極の先端部
１３  バス電極
１７，２４  誘電体層
１８  保護膜
２１  背面側の基板
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ  蛍光体層
２９  隔壁
３０  放電空間
３１  ガラス板
３２  銀ペースト
３３  導線
３４  抵抗値測定機
Ａ  アドレス電極
Ｌ  表示ライン
Ｘ，Ｙ  表示電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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