(57)【要約】【課題】  測定のスループットを低下させることなく測定デバイスを除電することができ、正しい測定値が得られる半導体ウェハ検査装置を実現できるようにする。【解決手段】  半導体検査装置は、複数のウェハ１１を収納するウェハキャリア２と、ウェハ１１を載せ検査を実行する測定用ステージ４と、測定用ステージ４にウェハを搬送する前に一旦ウェハ１１を保持し且つ除電手段が設けられている待機部３と、ウェハキャリア２からウェハを取り出すと共にウェハキャリア２と待機部３と測定用ステージ４との間で相互にウェハを搬送する搬送アーム２１とから構成されている。除電手段は、絶縁性基板３３と絶縁性基板３３の主面に設けられ且つ電気的に接地された導電性ゴム３４とを有する除電用平板を含み、除電用平板の主面がウェハ１１の表面と対向するように配置されている。【選択図】  図１
2006222204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ、複数の半導体素子及び該複数の半導体素子のいずれかと接続された複数のパッドが表面に設けられている複数のウェハを収納するウェハ収納キャリアと、
前記各ウェハを検査するウェハ測定用ステージと、
前記ウェハ収納キャリアと前記ウェハ測定用ステージとの間で前記ウェハを搬送する搬送アームを含む搬送手段と、
前記搬送手段が前記ウェハを搬送する経路の途中に設けられ且つ測定待機中の前記ウェハを保持するウェハ待機部と、
前記ウェハ待機部において、測定待機中の前記ウェハを除電する除電用平板を含む除電手段とを備え、
前記除電用平板は、その主面が測定待機中の前記ウェハの表面と接するように配置され、且つ、前記主面の少なくとも一部に形成された導電性領域を介して測定待機中の前記ウェハに設けられた前記複数のパッドを接地することを特徴とする半導体ウェハ検査装置。
【請求項２】
前記除電用平板における前記導電性領域は、前記除電用平板と接する前記ウェハの表面に存在する凹凸に対応して変形する導電性ゴムからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ検査装置。
【請求項３】
前記除電用平板は、前記導電性領域に、前記除電用平板と接する前記ウェハの表面に存在する凹凸に対応して伸縮し、且つ前記除電用平板と接する前記ウェハの表面に設けられた前記複数のパッドとそれぞれ電気的に接続される導電性材料からなる伸縮性のピンを有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ検査装置。
【請求項４】
前記除電用平板は、前記導電性領域に、前記除電用平板と接する前記ウェハに設けられた前記複数のパッドとそれぞれ電気的に接続される複数のバンプを有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ検査装置。
【請求項５】
前記ウェハ待機部は、測定待機中の前記ウェハを位置合わせするサブステージからなるアライメント機構を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体ウェハ検査装置。
【請求項６】
それぞれ、複数の半導体素子及び該半導体素子と接続された複数のパッドが表面に設けられている複数のウェハが収納されたウェハ収納キャリアから搬送アームにより一のウェハを抜き取った後、抜き取ったウェハを所定の待機位置にまで搬送する工程と、
前記待機位置に前記ウェハを保持し、且つ、接地電位が印加された導電性領域が主面の少なくとも一部に設けられた除電用平板における前記主面と、保持された前記ウェハの表面とを互いに接触させることにより除電を行う工程と、
除電を行った前記ウェハを検査ステージに搬送して移載した後、移載されたウェハに形成された半導体素子の電気的特性を検査する工程とを備えていることを特徴とする半導体ウェハ検査方法。
【請求項７】
前記除電用平板における、前記導電性領域は、除電を行う前記ウェハの表面に存在する凹凸に対応して変形し、且つ前記ウェハの表面に設けられた前記複数のパッドとそれぞれ電気的に接続される導電性ゴムからなることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェハ検査方法。
【請求項８】
前記除電用平板は、前記導電性領域に、前記ウェハの表面に存在する凹凸に対応して伸縮し、且つ前記ウェハの表面に設けられた前記複数のパッドとそれぞれ電気的に接続される導電性材料からなる伸縮性のピンを有していることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェハ検査方法。
【請求項９】
前記除電用平板は、前記導電性領域に、前記ウェハの表面に設けられた前記複数のパッドと電気的に接続されるバンプを有していることを特徴とする請求項６に記載の半導体ウェハ検査方法。
【請求項１０】
前記待機位置に、保持された前記ウェハのアライメントを行う工程をさらに備えていることを特徴とする請求項６から９のいずれか１項に記載の半導体ウェハ検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、除電手段を有する半導体ウェハ検査装置及び半導体ウェハ検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造においては、ウェハ上にデバイスを形成する製造工程（以下、前処理工程と称する）の終了後にデバイス特性を検査することによって良品ウェハと不良品ウェハとの判定を行っている。
【０００３】
図１２は従来の半導体ウェハ検査装置（以下、プローバと称する）の平面構成の概略を示している。図１２に示すようにプローバ本体１０１は、基本的に複数枚のウェハを収納しておくウェハキャリア１０２と、ウェハキャリア１０２から取り出されたウェハの天地を合わせる回転機構等を有するサブステージ１０５と、サブステージ１０５において天地を合わせたウェハを移載した後、検査を行う測定用ステージ１０４と、ウェハキャリア１０２、サブステージ１０５及び測定用ステージ１０４の相互間でウェハを搬送する搬送アーム１２１とから構成される。
【０００４】
従来の半導体ウェハ検査装置を用いた半導体ウェハ検査方法は、まず、ウェハキャリア１０２に収納されている前処理工程が終了したウェハ１１１を、搬送アーム１２１によってサブステージ１０５に搬送してサブステージ１０５に移載する。
【０００５】
次に、サブステージ１０５に移載したウェハ１１１をサブステージ１０５の回転機構及びセンサによりあらかじめ設定された天地の状態とする。例えば、ウェハ１１１の外周における１箇所に刻まれているノッチ又はオリフラ（オリエンテーションフラットアライナ）の位置（角度）が、０度又は１８０度等となるようにウェハ１１１の位置を調節する。
【０００６】
次に、サブステージ１０５において天地の調整を行ったウェハ１１１を搬送アーム１２１により測定用ステージ１０４に搬送して測定用ステージ１０４に移載する。測定用ステージ１０４に移載されたウェハ１１１に設けられている所定のパッド１１２にプローブ１４１をそれぞれ接触させ、ウェハ１１１に形成されているデバイスの検査を行う。
【０００７】
しかし、前処理工程にはプラズマ処理工程等があるため、前処理工程終了後においてはウェハ上に形成されたデバイスが帯電している場合がある。このような場合には、デバイス特性を測定する際に正確な測定が行えないおそれがある。
【０００８】
デバイスに帯電した電荷を除電する方法として、ウェハ１１１を載せる測定用ステージ１０４を接地する手法が従来用いられている（例えば特許文献１を参照。）。
【特許文献１】特開２００３−２１８１７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の除電方法は、裏面が研磨され測定用ステージと導電性が確保されたウェハにしか対応できないという問題がある。ウェハの大口径化に伴い、薄く研磨することによるウェハの割れが問題となってきており、測定用ステージとウェハとの導電性を確保するためにウェハの裏面を研磨することが困難になってきている。
【００１０】
測定用ステージ１０４を接地する以外の除電方法として、測定用ステージ１０４に保持されたウェハ１１１に設けられているパッド１１２とそれぞれ接触させたプローブ１４１を一時的に接地するステップを検査プログラムにあらかじめ組み込んでおくことにより、デバイスに蓄積された電荷をデバイス特性の測定前に除電する方法も実施されている。しかし、この方法においてはプローブ１４１が接触するすべてのパッド１１２に対して除電ステップを実施する必要がある。除電のためには、かなり長い時間を必要とする場合もあるため、正しい測定結果が得られるという反面、測定のスループットが低下するという問題がある。
【００１１】
本発明は、前記従来の問題を解決し、測定のスループットを低下させることなく測定デバイスを除電することができ、正しい測定値が得られる半導体ウェハ検査装置及び半導体ウェハ検査方法を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するため、本発明は半導体ウェハ検査装置を、検査待機中にデバイスの除電ができる除電手段を備えた構成とする。
【００１３】
具体的に本発明の半導体ウェハ検査装置は、それぞれ、複数の半導体素子及び該複数の半導体素子のいずれかと接続された複数のパッドが表面に設けられている複数のウェハを収納するウェハ収納キャリアと、ウェハを検査するウェハ測定用ステージと、ウェハ収納キャリアとウェハ測定ステージとの間でウェハを搬送する搬送アームを含む搬送機構と、搬送手段がウェハを搬送する経路の途中に設けられ且つ測定待機中のウェハを保持するウェハ待機部と、ウェハ待機部において、測定待機中のウェハを除電する除電用平板を含む除電手段とを備え、除電用平板は、その主面が測定待機中のウェハの表面と接するように配置され、且つ、主面の少なくとも一部に形成された導電性領域を介して測定待機中のウェハに設けられた複数のパッドを接地することを特徴とする。
【００１４】
本発明のウェハ検査装置において、除電用平板は、その主面が測定待機中のウェハの表面と接するように配置され、且つ、主面の少なくとも一部に形成された導電性領域を介して測定待機中のウェハに設けられた複数のパッドを接地するため、ウェハ待機位置においてあらかじめ半導体素子のパッドを接地してウェハの除電を行うことができるので、ウェハ検査装置のスループットを悪化させることなく、正確な検査を行うことができる。
【００１５】
本発明のウェハ検査装置において、除電用平板における導電性領域は、除電用平板と接するウェハの表面に存在する凹凸に対応して変形する導電性ゴムからなることが好ましい。また、除電用平板は、導電性領域に、除電用平板と接するウェハの表面に存在する凹凸に対応して伸縮し、且つ除電用平板と接するウェハの表面に設けられた複数のパッドとそれぞれ電気的に接続される導電性材料からなる伸縮性のピンを有していても、除電用平板と接するウェハに設けられた複数のパッドとそれぞれ電気的に接続される複数のバンプを有していてもよい。このような構成とすることにより、ウェハ表面に設けられたパッドと導電性領域とを電気的に接続し、パッドを確実に接地することが可能となる。
【００１６】
本発明のウェハ検査装置は、ウェハ待機部は、測定待機中のウェハを位置合わせするサブステージからなるアライメント機構を含むことが好ましい。このような構成とすることにより、待機中にウェハのアライメントを行うことができるので、検査のスループットを向上できる。また、バンプ等を有する除電用平板を用いる際に、位置合わせを行うことができるのでバンプとパッドとを確実に接触させることが可能となる。
【００１７】
本発明のウェハ検査方法は、それぞれ、複数の半導体素子及び該複数の半導体素子のいずれかと接続された複数のパッドが設けられている複数のウェハが収納されたウェハ収納キャリアから搬送アームにより一のウェハを抜き取った後、抜き取ったウェハを所定の待機位置にまで搬送する工程と、待機位置にウェハを保持し、且つ、接地電位が印加された導電性領域が主面の少なくとも一部に設けられた除電用平板における主面と、保持されたウェハの表面とを互いに接触させることにより除電する工程と、除電したウェハを検査ステージに搬送して移載した後、移載されたウェハに形成された半導体素子の特性を検査する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明のウェハ検査方法によれば、待機位置にウェハを保持し、且つ、接地電位が印加された導電性領域が主面の少なくとも一部に設けられた除電用平板の主面と、保持されたウェハの表面とを互いに接触させることにより除電する工程を備えているため、待機位置においてあらかじめ半導体素子のパッドを接地して除電を行うことができるので、スループットを悪化させることなく半導体ウェハの検査を行うことが可能となる。
【００１９】
本発明のウェハ検査方法は、除電用平板における、導電性領域は、ウェハの表面に存在する凹凸に対応して変形し、且つウェハの表面に設けられた複数のパッドと電気的に接続される導電性ゴムからなることが好ましい。また、除電用平板は導電性領域に、ウェハの表面に存在する凹凸に対応して伸縮し、且つウェハの表面に設けられた複数のパッドとそれぞれ電気的に接続される導電性材料からなる伸縮性のピンを有していても、ウェハの表面に形成された複数のパッドとそれぞれ電気的に接続されるバンプを有していてもよい。このような構成とすることにより、ウェハ表面に設けられたパッドを確実に接地することが可能となる。
【００２０】
本発明の半導体ウェハ検査方法は、待機位置に保持されたウェハのアライメントを行う工程をさらに備えていることが好ましい。このような構成とすることにより、待機位置においてウェハのアライメントを行うことができるため、検査のスループットを向上させることができる。また、バンプ等を備えた除電用平板を用いる際に、ウェハと除電用平板との位置合わせを行うことができるので、確実に除電を行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体ウェハ検査装置によれば、測定のスループットを低下させることなく測定デバイスを除電することができ、正しい測定値が得られる半導体ウェハ検査装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハ検査装置について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の半導体ウェハ検査装置の平面構成を示している。
【００２３】
図１に示すようにプローバ本体１は、基本的に、前処理工程によりデバイスが形成された複数枚のウェハ１１を収納するウェハキャリア２と、ウェハ１１を載せ電気的特性の検査を実行する測定用ステージ４と、測定用ステージ４にウェハを搬送する前に一旦ウェハ１１を保持し且つ除電手段が設けられている待機部３と、ウェハキャリア２からウェハを取り出し、ウェハキャリア２と待機部３と測定用ステージ４との間で相互にウェハを搬送する搬送アーム２１とから構成されている。なお、搬送アーム２１は複数設けられていてもよい。
【００２４】
除電手段は、除電用平板３２と搬送アーム２１を上下に移動させる上下移動機構（図示せず）とから構成されている。図２（ａ）及び図２（ｂ）は除電用平板３２の断面構成であり、（ａ）はウェハ１１と接触させる前の状態を示し、（ｂ）はウェハ１１と接触させた状態を示している。
【００２５】
図２に示すように除電用平板３２は、ガラス等の絶縁性基板３３と絶縁性基板３３の主面に設けられ且つ電気的に接地された導電性ゴム３４とにより構成されている。また、除電用平板３２は、導電性ゴム３４が設けられた主面を、待機部３において搬送アーム２１に保持されているウェハ１１と対向させて配置されている。
【００２６】
上下移動機構により搬送アーム２１を上下移動させることにより、除電用平板３２と搬送アーム２１に保持されているウェハ１１とを密着させ、導電性ゴム３４をパッド１２と電気的に接触させることにより、パッド１２を接地することが可能である。
【００２７】
なお、導電性ゴム３４はウェハ１１と密着させた際に表面の凹凸に対応して変形する程度の硬度を有し、さらに表面に小さな凹凸が設けられていることが好ましい。ウェハ１１の表面には凹凸が存在し、パッド１２は通常凹部に形成されているが、このようにすることにより、ウェハ表面の凸部において導電性ゴム３４が圧縮され、パッド１２が形成されている凹部においては導電性ゴム３４が圧縮されないため、導電性ゴム３４が図２（ｂ）に示すように変形して、導電性ゴム３４とパッド２２とを的確に接触させることが可能となる。
【００２８】
以下に、本実施形態の半導体ウェハ検査方法について図面を参照して説明する。なお、以下においては搬送アームを２本備えた装置を例に説明を行う。図３及び図４は本実施形態の半導体ウェハ検査方法におけるウェハの流れを工程順に示している。
【００２９】
まず、図３（ａ）に示すように搬送アーム２１によりウェハキャリア２の内部に収納されたウェハ１１を取り出す。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、搬送アーム２１により取り出されたウェハ１１は、除電手段が設けられた待機部３に搬送されて保持される。この状態における、搬送アーム２１の上に保持されたウェハ１１と除電用平板３２との位置関係を、図２（ａ）に示す。さらに、図２（ｂ）に示すように搬送アーム２１を上昇させ、搬送アーム２１上に保持されたウェハ１１と除電用平板３２とを密着させる。これにより、除電用平板の主面に設けられた導電性ゴム３４とウェハ１１に形成された半導体デバイスのパッドとが電気的に接触する。導電性ゴム３４は接地されているため、半導体デバイスに帯電した電荷を接地へ逃がすことができる。
【００３１】
次に、図４（ａ）に示すように除電が完了した後、搬送アーム２１を再び下降させ、続いて待機部３から測定用ステージ４にウェハ１１を搬送して移載する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）に示すように、ウェハ１１に形成されたパッド１２にプローブ４１を接触させ検査を開始する。
【００３３】
なお、図３及び４に示すように搬送アーム２１と別にもう一本搬送アーム２２を設けておくことにより、搬送アーム２１が待機部３から測定ステージ４へウェハ１１を移動させると同時に、搬送アーム２２によりウェハキャリア内にある別のウェハ１１を待機部３へ移動させることが可能となるため、スループットを向上させることができる。
【００３４】
なお、除電用平板３２とウェハ１１とを接触させる時間は数秒程度とすればよい。しかし、半導体デバイスの電気特性の検査には数分以上要するのが一般的であるため、測定用ステージ４の上にあるウェハ１１の検査が終わるまで、待機部３に保持された次に検査するウェハ１１と除電用平板３２とを接触させておいてもよい。このようにすることにより、除電の時間を十分に確保することができる。
【００３５】
図５はキャパシタの電気特性を測定する場合における電圧の印加時間とリーク電流との関係を示している。図５（ｂ）に示すようなシリコン基板５１と酸化膜５２とゲート電極５３とからなるキャパシタにおいて、シリコン基板５１を接地してゲート電極５３に電圧を印加することにより測定を行った。なお、図５（ａ）において、縦軸はゲート電極５３とシリコン基板５１との間を流れるリーク電流の値を示し、横軸は電圧を印加してからリーク電流値を測定するまでの時間（測定ウェイト時間）を示している。
【００３６】
図５（ａ）に示すように、図中に波線で示した、デバイスが帯電している場合には、ゲート電極５３に電圧を印加した直後には非常に大きなリーク電流の値を示し、徐々に電流値が低下し、約１．５秒後にはデバイスの規定値である０．０１ｎＡ以下となる。このことから、デバイスが帯電している場合には、デバイスに電圧を印加した直後には正確なデバイスの特性を検査できないことが明らかである。また、デバイスに電圧を印加してから、測定値が安定するまでの時間は、デバイスの種類及びサイズ等により大きく異なり、非常に長い時間がかかる場合もある。従って、一律にウェイト時間を挿入するだけでは、正確な測定を確実に行うことはできない。
【００３７】
一方、図中に実線で示した、本実施形態の半導体ウェハの検査装置によりあらかじめ除電を行った場合には、ゲート電極５３に電圧を印加して０．０５秒後にはリーク電流の値が０．０１ｎＡ以下で安定した値を示している。従って、本実施形態の半導体ウェハの検査装置を用いる場合には、デバイスに電圧を印加してすぐにデバイスの特性を正確に検査することが可能であり、検査のスループットを向上させ且つ正確な検査を行うことが可能である。
【００３８】
本実施形態の半導体ウェハの検査装置において、待機部３に保持されたウェハと除電用平板３２とを接触させるために、搬送アーム２１を上下させる機構を設けたが、除電用平板３２の方を上下させる機構を設けてもよい。また、搬送アーム２１とウェハ１１とが接触する面積は、ウェハ１１と除電用平板３２とが接触したときに、ウェハ１１の割れ及び反りを防ぐために可能な限り広い方が望ましい。
【００３９】
また、ウェハ１１の全面に形成されているすべての半導体デバイスの除電を行うためには、除電用平板３２の径をウェハ１１の全面を覆うことができるようにウェハ１１よりも大きくすることが好ましい。また、ウェハ１１の表面に形成されている半導体デバイスの一部のみを検査する場合には、検査するデバイスが形成されている領域のみを覆うようにしてもよい。
【００４０】
（第１の実施形態の第１変形例）
以下に、第１の実施形態の第１変形例に係る半導体ウェハ測定装置について図面を参照して説明する。図６は本変形例の半導体ウェハ測定装置に用いる除電用平板３２の断面構造を示す。
【００４１】
図６（ａ）に示すように、本変形例の除電用平板３２はガラス等の絶縁性基板３３に導電層３５と表面層３６とが張り合わされており、表面層３６には伸縮可能な導電ピン３７が多数埋め込まれている。導電ピン３７と導電層３５とは電気的に接続されており、導電層３５は電気的に接地されている。
【００４２】
図６（ｂ）に示すように本変形例の除電用平板３２をウェハ１１と密着させると、ウェハ表面の凸部においては導電ピン３７が圧縮された状態となり、パッド１２が設けられた凹部においては、導電ピン３７が伸びた状態となるため、導電ピン３７とパッド１２と的確に接触することが可能となる。
【００４３】
なお、導電性ピン３７をウェハ１１の全面を覆うように配置することによって導電性平板３２を交換することなくすべてのウェハパターンに適用することが可能であるが、必要部分のみに導電性ピン３７を配置して、ウェハパターンごとにそれぞれ用意した除電用平板３２を交換してもよい。
【００４４】
（第１の実施形態の第２変形例）
以下に、第１の実施形態の第２変形例に係る半導体ウェハ測定装置について図面を参照して説明する。図７は本変形例の半導体ウェハ測定装置に用いる除電用平板３２の断面構造を示す。
【００４５】
図７（ａ）に示すように、本変形例の除電用平板３２はガラス等の絶縁性基板３３に導電層３５と表面層３６とが張り合わされており、表面層３６にはパッド１２に対応する位置にバンプ３８が形成されている。バンプ３８は導電性プラグ３９により導電層３５と電気的に接続され、導電層３５は接地されている。
【００４６】
図７（ｂ）に示すように本変形例の除電用平板３２をウェハ１１と密着させると、ウェハ表面に設けられたパッド１２とバンプ３８とが接した状態となるため、パッド１２をバンプ３８、導電プラグ３９及び導電層３５を介して接地することができる。
【００４７】
この場合には、ウェハのアライメントが必要であるが、簡易アライメント専用のサブステージを設けるなどしてアライメントを実施すればよい。
【００４８】
（第２の実施形態）
以下に、本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハ検査装置について図面を参照して説明する。図８は、本実施形態の半導体ウェハ検査装置の平面構成を示している。
【００４９】
図８に示すようにプローバ本体１は、基本的に、前処理工程によりデバイスが形成された複数枚のウェハ１１を収納するウェハキャリア２と、ウェハ１１のアライメントを行い且つ除電手段が組み込まれたサブステージ５とウェハ１１を載せ電気的特性の検査を実行する測定用ステージ４と、ウェハキャリア２からウェハを取り出し、ウェハキャリア２とサブステージ５と測定用ステージ４との間で相互にウェハを搬送する搬送アーム２１とから構成されている。
【００５０】
除電手段は、除電用平板３２とサブステージ５を上下に移動させる上下移動機構（図示せず）とから構成されている。図９（ａ）及び図９（ｂ）は除電用平板３２の断面構成であり、（ａ）はウェハ１１と接触させる前の状態を示し、（ｂ）はウェハ１１と接触させた状態を示している。
【００５１】
図９に示すように除電用平板３２は、ガラス等の絶縁基板３３と絶縁基板３３の主面に設けられ且つ電気的に接地された導電性ゴム３４とにより構成されている。また、除電用平板３２は、導電性ゴム３４が設けられた主面を、サブステージ５に保持されるウェハ１１と対向させて配置されている。
【００５２】
上下移動機構によりサブステージ５を上下移動させることにより、除電用平板３２とサブステージ５に保持されているウェハとを密着させ、導電性ゴム３４をパッド１２と電気的に接触させることにより、パッド１２を接地することが可能である。
【００５３】
なお、導電性ゴム３４はウェハ１１と密着させた際に表面の凹凸に対応して変形する程度の硬度を有し、さらに表面に小さな凹凸が設けられていることが好ましい。ウェハ１１の表面には凹凸が存在し、パッド１２は通常凹部に形成されているが、このようにすることにより、ウェハ表面の凸部において導電性ゴム３４が圧縮され、パッド１２が形成されている凹部においては導電性ゴム３４が圧縮されないため、導電性ゴム３４が図９（ｂ）に示すように変形するため、導電性ゴム３４とパッド２２とを的確に接触させることが可能となる。
【００５４】
以下に、本実施形態の半導体ウェハ検査方法について図面を参照して説明する。図１０及び図１１は本実施形態の半導体ウェハ検査方法におけるウェハの流れを工程順に示している。
【００５５】
まず、図１０（ａ）に示すように搬送アーム２１によりウェハキャリア２の内部に収納されたウェハ１１を取り出す。
【００５６】
次に、図１０（ｂ）に示すように、搬送アーム２１により取り出されたウェハ１１は、除電手段が設けられサブステージ５に搬送されてサブステージ５に移載される。ウェハ１１をサブステージ５に移載した後、サブステージを回転させてウェハの天地位置を合わせるアライメントを行う。この際、センサを用いてウェハ１１に刻まれたノッチ等を検出してアライメントを行えばよい。続いて、サブステージ５を上昇させ、サブステージ５に保持されたウェハ１１と除電用平板３２とを密着させる。これにより、除電用平板３２の主面に設けられた導電性ゴム３４とウェハ１１に形成された半導体デバイスのパッド１２とが電気的に接触する。導電性ゴム３４は接地されているため、半導体デバイスに帯電した電荷を接地へ逃がすことができる。
【００５７】
次に、図１１（ａ）に示すように除電が完了した後、サブステージ５を再び下降させ、続いて待機部３から測定用ステージ４にウェハ１１を搬送して移載する。
【００５８】
次に、図１１（ｂ）に示すように、ウェハ１１に形成されたパッド１２にプローブ４１を接触させ検査を開始する。
【００５９】
なお、除電用平板３２とウェハ１１とを接触させる時間は数秒程度とすればよい。しかし、半導体デバイスの電気特性の検査には数分以上要するのが一般的であるため、測定用ステージ４の上にあるウェハ１１の検査が終わるまで、待機部３に保持された次に検査するウェハ１１と除電用平板３２とを接触させておいてもよい。このようにすることにより、除電の時間を十分に確保することができる。
【００６０】
なお、本実施形態においては、第１の実施形態と同様に導電ゴムを有する除電用平板３２を用いる例を示したが、各変形例に示したような、導電ピンを有する除電用平板又は、バンプを有する除電用平板を用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の半導体ウェハ検査装置及びその検査方法は、測定のスループットを低下させることなく測定デバイスを除電することができ、正しい測定値を得ることができるという効果を有し、除電手段を有する半導体ウェハ検査装置及び半導体ウェハ検査方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハ検査装置を示す平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハ検査装置に用いる除電用平板を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハの検査法方法を工程順に示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハの検査法方法を工程順に示す平面図である。
【図５】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体ウェハ検査によるキャパシタの測定例を示すグラフであり、（ｂ）は測定に用いたキャパシタを示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態の第１変形例に係る半導体ウェハ検査装置に用いる除電用平板を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態の第２変形例に係る半導体ウェハ検査装置に用いる除電用平板を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハ検査装置を示す平面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハ検査装置に用いる除電用平板を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハの検査法方法を工程順に示す平面図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る半導体ウェハの検査法方法を工程順に示す平面図である。
【図１２】従来例に係る半導体ウェハの検査装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１    半導体ウェハ検査装置（プローバ）本体
２    ウェハキャリア
３    待機部
４    測定用ステージ
５    サブステージ
１１  ウェハ
１２  パッド
２１  搬送アーム
２２  搬送アーム
３２  除電用平板
３３  絶縁性基板
３４  導電性ゴム
３５  導電層
３６  表面層
３７  導電性ピン
３８  バンプ
３９  導電性プラグ
４１  プローブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006222204.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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