(57)【要約】【課題】  スルーホールまたはブラインドビアホール壁面の導通化処理のための電気めっき処理の際に、露出する銅箔面に銅が析出し、厚膜化しても微細配線パターンの形成が可能な両面配線基板の製造方法、両面配線基板、およびそのベース基板を提供する。【解決手段】  ガラスエポキシ基材１等の電気絶縁基板にキャリア層３付きの１〜５μｍ程度の極薄銅箔４からなるキャリア付き極薄銅箔２を接着した両面配線ベース基板を作製し、スルーホール５等の形成前後にキャリア層３を引き剥がし、次いでめっき処理により無電解銅めっき膜６、電気銅めっき膜７を形成して上下面を導通化し、エッチングにより微細配線パターン８を形成した後、表面処理膜９を形成して両面配線基板を得る。【選択図】    図１
2006278774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板の製造方法において、
前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせる第１の工程と、
前記支持基板を引き剥がして前記電気絶縁基板上に前記金属層を残す第２の工程と、
前記金属層を有する前記絶縁基板に前記スルーホールおよび／または前記ブラインドビアホールを形成する第３の工程とを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法。
【請求項２】
電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板の製造方法において、
前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせる第１の工程と、
前記支持基板付き金属層を有する前記電気絶縁基板に前記スルーホールおよび／または前記ブラインドビアホールを形成する第２の工程と、
前記支持基板を引き剥がして前記電気絶縁基板上に前記金属層を残す第３の工程とを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記金属層は、銅またはその合金箔、ステンレス箔、アルミニウムまたはその合金箔、ニッケルまたはその合金箔、スズまたはその合金箔のいずれかであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記支持基板付き金属層は、金属を素材としたキャリア層と、前記キャリア層上に形成した剥離層と、前記剥離層上に形成した金属層とを備え、前記金属層が前記電気絶縁基板に接着されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記金属層は、前記剥離層を介した前記キャリア層との接着力が、前記金属層と前記電気絶縁基板との接着力よりも小さいことを特徴とする請求項４に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記金属層は、厚さが５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記金属層は、厚さが前記キャリア層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項４に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記スルーホールおよび前記ブラインドビアホールの壁面の導通化処理は、電気めっきまたは無電解めっき、あるいはそれらを組み合わせて行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の両面配線基板の製造方法。
【請求項９】
電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板の製造方法において、
前記電気絶縁基板の両面に支持基板付き金属層を貼り合わせる第１の工程と、
前記ブラインドビアホールの開口側に位置する前記支持基板を引き剥がした後に前記絶縁基板に前記ブラインドビアホールを形成する、或いは、前記絶縁基板に前記ブラインドビアホールを形成した後に前記ブラインドビアホールの開口側に位置する前記支持基板を引き剥がす第２の工程と、
前記ブラインドビアホールの開口面の裏側に位置する前記支持基板を前記ブラインドビアホールの壁面の導通化処理後に引き剥がす第３の工程とを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法。
【請求項１０】
電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板において、
前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせ、前記支持基板を引き剥がしてから前記スルーホールおよび前記ブラインドビアホールの形成を行い、該ホール内壁と、少なくとも開口面に露出する前記金属層をめっきで被覆して導通化させ、次いで上下両面の金属層をエッチングして所望の形状のパターンを形成したことを特徴とする両面配線基板。
【請求項１１】
電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板において、
前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせ、前記スルーホールおよび前記ブラインドビアホール形成を行ってから前記支持基板を引き剥がし、次いで該ホール内壁と、少なくとも開口面に露出する前記金属層をめっきで被覆して導通化させ、次いで上下両面の金属層をエッチングして所望の形状のパターンを形成したことを特徴とする両面配線基板。
【請求項１２】
電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板において、
前記金属配線パターンは、前記電気絶縁基板上に貼り合わされた支持基板付き金属層から前記支持基板が引き剥がされて形成される前記金属層と、前記金属層の表面にめっきによって形成されるめっき層とからなることを特徴とする両面配線基板。
【請求項１３】
前記金属層は、１μｍ以上５μｍ以下の厚さを有する請求項１２に記載の両面配線基板。
【請求項１４】
電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板を作製するためのベース基板において、
前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせたことを特徴とする、両面配線基板製造用ベース基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面配線基板製造方法、両面配線基板、およびそのベース基板に関し、特に、スルーホールまたはブラインドビアホール壁面の導通化処理のための電気めっき処理の際に、露出する銅箔面に銅が析出し、厚膜化しても微細配線の形成が可能な両面配線基板製造方法、両面配線基板、およびそのベース基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、高集積化、高性能化の急速な流れに伴い、ＩＣチップ搭載用途の基板として両面配線基板が注目されている。両面配線基板は、絶縁層としてのガラスエポキシやポリイミドなどからなる基板の上下（表裏）両面に銅箔パターン層を有し、さらに表裏パターンの任意の位置にスルーホールまたはブラインド（有底）ビアホールを形成し、その内壁をめっき処理やペースト埋め込みで電気的に導通化させた構造を有している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
斯かる両面配線基板は、表裏両面に配線パターンを有しているため高密度実装上有利であり、電気特性に優れることも確認されている。
【０００４】
図５（ａ）〜（ｆ）は、ガラスエポキシ基板（スルーホール加工）を用いた従来の両面配線基板の製造方法（各工程）における断面図である。
【０００５】
両面配線ベース基板の作製工程では、ガラスエポキシ基板１を挟んで両面に銅箔１１が貼り合わせられる（図５（ａ））。銅箔１１は、ハンドリング性を考慮し、１８μｍ以上の厚さの箔が一般的である。
【０００６】
上下配線のビアホール部での導通化方法は、一般には配線をエッチング加工で形成する前の銅箔の状態で所望の位置にレーザ法、パンチ法、ドリル法などで、貰通ホールであるスルーホール５を形成し（図５（ｂ））、露出したホール壁面に無電解銅めっきを施すことにより、無電解銅めっき膜６を形成して簡易的に導通化させた後（図５（ｃ））、電気銅めっきを施すことにより電気銅めっき膜７を形成して厚膜化する方法が取られる（図５（ｄ））。
【０００７】
スルーホール壁面の初期導通化処理として、ガラスエポキシ基板では、上記の無電解銅めっき処理が多用されているが、パラジウム触媒付与、導電性物質塗布などを行ってもよい。
【０００８】
スルーホール５の開口径は、穿孔方法がパンチ法やドリル法の場合は最小１００μｍと微細である。これらの微細開口に無電解銅めっき液を浸入させ、薄い銅皮膜を形成させた後、上下の銅箔１１を陰極として通電するとスルーホール５の壁面のほか銅箔１１上にさらに厚く銅めっきが析出し、その結果、ガラスエポキシ基板１（絶縁基材）を挟んで上下両面に設置されている銅箔１１が、スルーホール５形成部分で電気的に導通するものである。
【０００９】
その後、銅箔を―般的にはフォトエッチング法で加工して微細配線パターン８に仕上げ（図５（ｅ））、さらにこれらの配線面に電子部品搭載、プリント配線板ヘの実装、ガラス基板への接着、コネクタ端子への装着、などの目的に合致した表面処理膜９を施し、両面配線基板が完成する（図５（ｆ））。
【００１０】
図６（ａ）〜（ｈ）は、ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた従来の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【００１１】
両面配線ベース基板の作製工程では、フレキシブル特性を有するポリイミドテープからなるポリイミド基板１０を挟んで両面に銅箔１１が貼り合わせられる（図６（ａ））。このようなポリイミドテープの特性を生かした両面配線フレキシブル基板では、銅箔１１が薄くなるように極力薄い銅箔材料が用いられるが、現状では厚さ１２μｍ程度までが限界である。
【００１２】
両面配線フレキシブル基板においては、特に配線密度向上のために少なくとも信号配線に微細ピッチが要求される。このため、導通用ホールは非貫通のブラインドビアホール１２が一般的である（図６（ｂ））。
【００１３】
ブラインドビアホール１２の形成は、レーザ加工で行われることが多い。この場合のビア開口径は４０〜８０μｍと、パンチ法やドリル法よりも微細な開口を形成できることから、微細配線形成用に多用される。
【００１４】
ブラインドビアホール１２内の導通化処理は、図５のガラスエポキシ基板１の場合とほぼ同様であるが、ビアホールめっきの際に、信号配線形成用銅箔を銅めっきで厚膜化すると、より微細なピッチの配線のエッチング形成が極めて困難になるので、ビアホール開口面と反対の銅箔面にはマスキングテープ（絶縁性テープ）１３を貼り付けてマスキングし、厚膜化させない工夫が施される（図６（ｃ））。
【００１５】
次いで、ブラインドビアホール１２の内壁にパラジウム触媒１４を付与して簡易的に導通化させた後（図６（ｄ））、電気銅めっきを施すことにより電気銅めっき膜７を形成して厚膜化する方法が取られる（図６（ｅ））。
【００１６】
ブラインドビア壁面の初期導通化処理として、上記のパラジウム触媒付与に換えて、或いは併用して、無電解銅めっき処理や導電性物質塗布などを行ってもよい。
【００１７】
その後、マスキングテープ１３を引き剥がしてから（図６（ｆ））、銅箔１１をフォトエッチング法で加工して微細配線パターン８に仕上げ（図６（ｇ））、さらにこれらの配線面に電子部品搭載、プリント配線板への実装、ガラス基板への接着、コネクタ端子への装着、などの目的に合致した表面処理膜９を施し、両面配線フレキシブル基板が完成する（図６（ｈ））。
【特許文献１】特許第３５９３２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかし、従来の両面配線基板によると、スルーホールまたはブラインドビアホールの導通化処理のための銅めっきの厚さは、基板の耐熱および耐湿信頼性確保の点から１５μｍ以上に厚くされる必要があり、このとき、導通用のホールが貫通したスルーホールの場合は両面の銅箔面に、ブラインドビアホールで片面銅箔を絶縁性テープなどでマスキングしている場合はマスキング処置をしていないビアホール開ロ側の銅箔面にも銅めっきが施され、銅箔が元の厚さと合わせておよそ３０μｍ以上に厚くなるため、微細配線の形成が困難になるという問題がある。微細配線をエッチング法で形成するためには、銅箔の厚さは薄いほど有利である。例えば、銅箔厚さが３５μｍであればエッチング法で形成できる配線ピッチの限界は１００μｍ、２５μｍ厚であれば配線ピッチは８０ｎｍ、１８μｍ厚であれば６０μｍピッチ、の如きである。
【００１９】
電子部品の小型化の強い要求から、電子部品搭載用配線基板の配線ピッチがますます狭あい化しているため、更なる微細配線化が求められている。
【００２０】
従って、本発明の目的は、スルーホールまたはブラインドビアホール壁面の導通化処理のための電気めっき処理の際に、露出する銅箔面に銅が析出し、厚膜化しても微細配線の形成が可能な両面配線基板の製造方法、両面配線基板、およびそのベース基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、上記目的を達成するため、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板の製造方法において、前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせる第１の工程と、前記支持基板を引き剥がして前記電気絶縁基板上に前記金属層を残す第２の工程と、前記金属層を有する前記絶縁基板に前記スルーホールおよび／または前記ブラインドビアホールを形成する第３の工程とを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法を提供する。
【００２２】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板の製造方法において、前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせる第１の工程と、前記支持基板付き金属層を有する前記電気絶縁基板に前記スルーホールおよび／または前記ブラインドビアホールを形成する第２の工程と、前記支持基板を引き剥がして前記電気絶縁基板上に前記金属層を残す第３の工程とを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法を提供する。
【００２３】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板の製造方法において、前記電気絶縁基板の両面に支持基板付き金属層を貼り合わせる第１の工程と、前記ブラインドビアホールの開口側に位置する前記支持基板を引き剥がした後に前記絶縁基板に前記ブラインドビアホールを形成する、或いは、前記絶縁基板に前記ブラインドビアホールを形成した後に前記ブラインドビアホールの開口側に位置する前記支持基板を引き剥がす第２の工程と、前記ブラインドビアホールの開口面の裏側に位置する前記支持基板を前記ブラインドビアホールの壁面の導通化処理後に引き剥がす第３の工程とを有することを特徴とする両面配線基板の製造方法を提供する。
【００２４】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板において、前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせ、前記支持基板を引き剥がしてから前記スルーホールおよび前記ブラインドビアホールの形成を行い、該ホール内壁と、少なくとも開口面に露出する前記金属層をめっきで被覆して導通化させ、次いで上下両面の金属層をエッチングして所望の形状のパターンを形成したことを特徴とする両面配線基板を提供する。
【００２５】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板において、前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせ、前記スルーホールおよび前記ブラインドビアホール形成を行ってから前記支持基板を引き剥がし、次いで該ホール内壁と、少なくとも開口面に露出する前記金属層をめっきで被覆して導通化させ、次いで上下両面の金属層をエッチングして所望の形状のパターンを形成したことを特徴とする両面配線基板を提供する。
【００２６】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板において、前記金属配線パターンは、前記電気絶縁基板上に貼り合わされた支持基板付き金属層から前記支持基板が引き剥がされて形成される前記金属層と、前記金属層の表面にめっきによって形成されるめっき層とからなることを特徴とする両面配線基板を提供する。
【００２７】
また、本発明は、上記目的を達成するため、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板を作製するためのベース基板において、前記電気絶縁基板の少なくとも片面に支持基板付き金属層を貼り合わせたことを特徴とする、両面配線基板製造用ベース基板を提供する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、スルーホールまたはブラインドビアホール壁面の導通化処理のための電気めっき処理の際に、露出する銅箔面に銅が析出し、厚膜化しても微細配線の形成が可能な両面配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（本発明の両面配線基板の製造方法）
本発明の両面配線基板の製造方法は、主として、両面配線ベース基板の作製、キャリア層剥離、スルーホール及び／又はブラインドビアホール穿孔、導通化処理、エッチング処理、金属めっき処理の各工程からなり、必要に応じて、マスキングテープの貼り付け／剥離の工程などが行われる。以下、各工程を詳細に説明する。
【００３０】
両面配線ベース基板の作製工程では、ポリイミド基材やガラスエポキシ基材などの電気絶縁基板の両面または片面に、支持基板付き金属層を接着することにより、両面配線ベース基板が作製される。支持基板付き金属層を片面にのみ貼り合わせた場合、もう一方の面は通常の厚さの銅箔を貼り合わせてもよい。
【００３１】
ここで、支持基板付き金属層とは、金属を素材としたキャリア層と、キャリア層上に形成した剥離層と、剥離層上に形成した金属層とを備えたものである。具体的には、例えば、キャリア付き極薄銅箔が好適なものとして挙げられる。
【００３２】
キャリア付き極薄銅箔とは、薄い銅箔を提供するために、１５〜３５μｍ程度の厚い金属箔（キャリア層：多くの場合は銅箔）に、後工程で剥離できる程度に弱い接着性を有する剥離層を形成した後、電解法で１〜５μｍ厚程度の薄い金属箔を形成した材料である。市販されているキャリア付き極薄銅箔としては、日本オーリンブラス（株）の「CopperBond Extra Thin Foil（商品名）」、三井金属鉱業（株）の「Micro Thin（商品名）」などがある。
【００３３】
剥離層は、キャリア層と金属層を接着かつ剥離できる材料であれば特に限定されることなく用いることができるが、電気絶縁基板と金属層の接着力よりも接着力が小さくなるような材料を用いることが望ましい。
【００３４】
また、剥離層上に形成する金属層は、銅箔のほか、銅合金箔、ステンレス箔、アルミニウムまたはその合金箔、ニッケルまたはその合金箔、スズまたはその合金箔などを用いることができる。その厚さは、上述のキャリア層の厚さよりも薄いものであり、８μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００３５】
キャリア付き極薄銅箔と電気絶縁基板の貼り合わせは、接着剤を用いてもよく、また電気絶縁基板が熱可塑性樹脂で構成されている場合は、基板を加熱して軟化させ銅箔をラミネートする工法でもよい。さらには、キャリア付き極薄銅箔にポリイミド前駆体ワニスのポリアミック酸を塗布してから熱硬化させるようなキャスティング法を適用してもよく、またこれらの工法の複合法を取ることもできる。
【００３６】
両面配線ベース基板を作製後、比較的厚い金属箔からなるキャリア層を引き剥がすことで、絶縁基板の両面に１〜５μｍ程度の極薄銅箔層を有する両面配線基板形成材ができあがる。
【００３７】
この両面配線基板形成材に、スルーホール及び／又はブラインドビアホール穿孔、および導通化処理であるめっきを施す方法は、従来と同様の方法が適用できる。すなわち、所望の位置にレーザ法、パンチ法、ドリル法などでスルーホールまたはブラインドビアホールを形成し、ホール内壁の絶縁面を無電解銅めっき、パラジウム触媒付与、導電性物質付与などの方法で電気的に導通化させた後、電気銅めっき液に浸潰して、銅箔を陰極として通電させると、ホール内壁と銅箔面上に銅が析出し、電気的に導通化するものである。
【００３８】
その後、銅箔をフォトエッチング法で加工して配線に仕上げ、さらにこれらの配線面に電子部品搭載、プリント配線板への実装、ガラス基板への接着、コネクタ端子への装着、などの目的に合致した表面処理膜を金属めっき処理により施して、本発明の両面配線基板が完成する。
【００３９】
上述の説明では、キャリア付き極薄銅箔を絶縁基板の少なくとも片面に貼り合わせた後、キャリア層を剥離してからスルーホールまたはビアホール形成のための加工を行うこととしたが、キャリア層を剥離する前にホール加工を行ってもよい。この場合、スルーホール加工時にキャリア層が支持基板の作用を有するために、搬送が容易になるという長所を有する。ホール開口後にキャリア層を引き剥がしてから銅めっき作業に入る。
【００４０】
ブラインドビアホールを設ける両面配線フレキシブル基板において、キャリア付き極薄銅箔を絶縁基板の両面に貼り合わせた場合、ビアホールの加工後にホール開口面と反対の面の銅箔面に絶縁性テープを貼り付けてマスキングしてからビアホールめっきを行い、マスキングテープを引き剥がすと、開口面と反対の面の銅箔は１〜５μｍ程度の極薄銅箔となり、さらに微細な３０μｍピッチ以下の配線をエッチングで形成することも可能になる。１〜５μｍ程度の極薄銅箔層はセミアディティブ法での配線形成時のシード層にも成り得る。
【００４１】
（本発明の両面配線基板）
上述の製造方法により製造された本発明の両面配線基板は、電気絶縁基板を挟んで上下両面に金属配線パターンが形成され、該上下両面の配線パターン間が任意の位置でスルーホールおよび／またはブラインドビアホールを介して電気的に導通された構造の電子部品搭載用両面配線基板であって、該金属配線パターンが電気絶縁基板に貼り合わせた支持基板付き金属層由来の金属層と、スルーホールめっきまたはブラインドビアホールめっきの際のめっき層とから構成される両面配線基板である。
【００４２】
本発明の両面配線基板は、少なくともスルーホールまたはブラインドビアホールめっきを施す前の銅箔の厚さが１〜５μｍ程度と極めて薄いため、ホール内壁に１５μｍ程度のめっきを施す際に、露出する銅箔面上に同じ厚さの銅めっきが析出しても、銅箔層の厚さは１６〜２０μｍ程度の薄さが確保できる。これによりエッチング法による微細配線の形成が容易となり、両面配線による高密度配線形成の相乗効果と相まって、配線密度の一層の向上を図ることができる。
【００４３】
また、ポリイミド基材などを用いた両面配線フレキシブル基板では、配線基板加工後の可撓性（折り曲げ性）の維持が重要であるが、本発明の両面配線フレキシブル基板は、片側の銅箔が２０μｍ以下にできるため、従来のフレキシブル基板に比較し、可撓性が良い。このため、従来フレキシブル基板で行っていた、銅箔を化学研磨で薄くしたり、曲げ位置に銅箔を残さないような設計にしたりするなどの追加工程や設計上の工夫の必要性が少なくなる。
【００４４】
本発明の両面配線基板の好ましい実施の形態においては、金属配線パターンが、最小ピッチ８０μｍ以下の微細配線パターンを有する。さらに好ましい実施の形態においては、最小ピッチ６０μｍ以下の微細配線パターンを有する。
【００４５】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はそれらによって限定されるものではない。
【実施例１】
【００４６】
図１（ａ）〜（ｇ）は、ガラスエポキシ基板（スルーホール加工）を用いた実施例１の両面配線基板の製造方法（各工程）における断面図である。
【００４７】
厚さ１００μｍ、大きさ５００×５００ｍｍのガラスエポキシ基板１を用意した。エポキシ樹脂は半硬化状態（Ｂステージ状態）になっている。
【００４８】
ガラスエポキシ基板１を挟むように、該基板１の上下両面にキャリア付き極薄銅箔２（商品名：「CopperBond Extra Thin Foil」、日本オーリンブラス株式会社製）を、熱プレスを用いて接着した。該銅箔２の構成は、極薄銅箔４（３μｍ）／剥離可能層／キャリア銅箔３（１８μｍ）、からなる。ガラスエポキシ基板１とキャリア付き極薄銅箔２との接着は、極薄銅箔４の面をガラスエポキシ基板１へ貼り合わせた（図１（ａ））。
【００４９】
作製した両面配線ベース基板の所定の位置に、ドリルを用いて直径１５０μｍの貫通スルーホール５を形成した（図１（ｂ））。
【００５０】
次いで、上記両面銅箔貼り合わせガラスエポキシ基板の上下両面から、１８μｍ厚さの銅箔からなるキャリア層３を引き剥がした（図１（ｃ））。これにより、ガラスエポキシ基板１を中心に上下にそれぞれ３μｍの極薄銅箔層４を有するスルーホール形成済みの３層構成材が完成した。
【００５１】
次いで、該３層構成材をパラジウムイオンを含む水溶液に浸潰し、スルーホール５の壁面の絶縁部表面にパラジウム触媒を付与した後に、該３層構成材を無電解銅めっき液に浸漬し、スルーホール５の壁面を含む全面に銅めっきを施すことにより無電解銅めっき膜６を約０．５μｍの厚さに析出させた（図１（ｄ））。
【００５２】
次いで、無電解銅めっき膜６を施した３層構成材を電気銅めっき液に浸漬し、上下両面の極薄銅箔４を陰極として電気めっき処理し、スルーホール５の壁面を含む上下両面の銅箔面上に電気銅めっき膜７を１５μｍの厚さに析出させた（図１(ｅ)）。これにより、スルーホール５の内壁のめっき厚さは１５μｍであるが、上下両面の銅箔は、初期の３μｍに銅めっきの１５μｍが加えられ、それぞれ１８μｍとなった。
【００５３】
次いで、電気銅めっき膜７を施した３層構成材の上下両面の銅箔面に液状のフォトレジストを塗布し乾燥硬化させた後、露光、現像の所定の工程を経て、レジストパターンを形成させた。そして、該銅箔面に塩化第２鉄水溶液をスプレーしてフォトレジストで覆われていない銅箔露出部を溶解除去した。次に、フォトレジスト膜を所定の方法で剥離除去して、上下両面に銅の微細配線パターン８を完成させた（図１（ｆ））。パターンの最小ピッチは６０μｍである。
【００５４】
次いで、微細配線パターン８上のめっき不要部をソルダーレジストで被覆した後に、電気めっき法でニッケルめっきを０．５μｍ施した後、金めっきを０．５μｍ施すことにより表面処理膜９を形成し、電子部品搭載用両面配線基板が完成した（図１（ｇ））。
【実施例２】
【００５５】
図２（ａ）〜（ｉ）は、ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた実施例２の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【００５６】
熱可塑性ポリイミド系接着剤を両面に塗布し、総厚２５μｍとした幅７０ｍｍのポリイミドテープ（ポリイミド基板１０）を数１０ｍ用意した。
【００５７】
ポリイミド基板１０を挟むように、該基板１０の片面にキャリア付き極薄銅箔２（商品名：「CopperBond Extra Thin Foil」、日本オーリンブラス株式会社製）を、もう一方の面に厚さ１２μｍの電解銅箔１１を熱プレスを用いて接着した（図２（ａ））。該キャリア付き極薄銅箔２の構成は、極薄銅箔４（３μｍ）／剥離可能層／キャリア銅箔３（１８μｍ）、からなる。ポリイミド基板１０とキャリア付き極薄銅箔２との接着は、極薄銅箔４の面をポリイミド基板１０へ貼り合わせた。
【００５８】
次いで、上記両面銅箔貼り合わせポリイミド基板の、キャリア付き銅箔２の厚さ１８μｍの銅箔からなるキャリア層３を引き剥がした（図２（ｂ））。これにより、ポリイミド基板１０を中心に、上面が３μｍの極薄銅箔４、下面が通常の１２μｍ電解銅箔１１である３層構成材が完成した。
【００５９】
次いで、上記３層構成材の極薄銅箔４上の所定の位置に、ＹＡＧレーザを用いて、直径５０μｍのブラインド（有底）ビアホール１２を形成した（図２（ｃ））。レーザ穿孔後のスミアは湿式法で除去した。
【００６０】
次いで、上記３層構成材の電解銅箔１１の露出面を耐薬品性の接着剤付きＰＥＴテープ１３で全面マスキングしてから（図２（ｄ））、パラジウムイオンを含む水溶液に浸漬し、ビアホール１２壁面の絶縁部表面にパラジウム触媒１４を付与した（図２（ｅ））。
【００６１】
次いで、パラジウム触媒１４を付与した上記３層構成材を電気銅めっき液に浸漬し、極薄銅箔４を陰極として電気めっき処理し、ビアホール１２の壁面を含む極薄銅箔４の面上に電気銅めっき膜７をダイレクトに析出させた（図２（ｆ））。めっき厚さは１５μｍとした。これにより、ビアホール１２の内壁のめっき厚さは１５μｍであるが、極薄銅箔４は、初期の３μｍに銅めっきの１５μｍが加えられ、１８μｍとなった。
【００６２】
次に、電解銅箔１１からマスキングテープ１３を引き剥がした（図２（ｇ））。
【００６３】
次いで、電気銅めっき膜７を施した３層構成材の上下両面の銅箔面に液状のフォトレジストを塗布し乾燥硬化させた後、露光、現像の所定の工程を経て、レジストパターンを形成させた。そして、上下両面の銅箔面に塩化第２鉄水溶液をスプレーしてフォトレジストで覆われていない銅箔露出部を溶解除去した後、フォトレジスト膜を所定の方法で剥離除去して上下両面に銅の微細配線パターン８を完成させた（図２（ｈ））。パターンの最小ピッチは、ビアホールめっきで１８μｍに厚膜化されたビアホール開口面側は６０μｍであり、テープマスキングによりめっきを析出させなかった１２μｍ厚の銅箔側は４４μｍである。
【００６４】
次いで、銅微細配線パターン８上のめっき不要部をソルダーレジストで被覆した後に、電気めっき法でニッケルめっきを０．５μｍ施した後、金めっきを０．５μｍ施すことにより表面処理膜９を形成し、電子部品搭載用両面配線フレキシブル基板が完成した（図２（ｉ））。
【００６５】
なお、ブラインドビアホール１２の導通用銅めっきは、ビアホール１２壁面に沿ってめっきを析出させるコンフォーマルめっき法を示したが、特に本法に限定されるものではなく、銅めっき液に加えられる微量添加剤の作用で異方成長性を示し、ビアホール１２がほぼ完全に充てんされるビアフィリングめっき法を用いても良い。
【実施例３】
【００６６】
図３（ａ）〜（ｉ）は、ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた実施例３の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【００６７】
熱可塑性ポリイミド系接着剤を両面に塗布し、総厚２５μｍとした幅７０ｍｍのポリイミドテープ（ポリイミド基板１０）を数１０ｍ用意した。
【００６８】
ポリイミド基板１０を挟むように、該基板１０の両面にキャリア付き極薄銅箔２（商品名：「CopperBond Extra Thin Foil」、日本オーリンブラス株式会社製）を、熱プレスを用いて接着した（図３（ａ））。該キャリア付き極薄銅箔２の構成は、極薄銅箔４（３μｍ）／剥離可能層／キャリア銅箔３（１８μｍ）、からなる。ポリイミド基板１０とキャリア付き極薄銅箔２は、極薄銅箔４の面をポリイミド基板１０へ貼り合わせて接着した。
【００６９】
次いで、上記両面銅箔貼り合わせポリイミド基板の、両面のキャリア付き銅箔の厚さ１８μｍの銅箔からなるキャリア層３を引き剥がした（図３（ｂ））。これにより、ポリイミド基板１０を中心に、上下両面が３μｍの極薄銅箔４である３層構成材が完成した。
【００７０】
次いで、上記３層構成材の極薄銅箔４上の所定の位置に、ＹＡＧレーザを用いて、直径５０μｍのブラインド（有底）ビアホール１２を形成した（図３（ｃ））。レーザ加工によるスミアは湿式法で除去した。
【００７１】
次いで、上記３層構成材のビアホール開口面とは反対の極薄銅箔４の露出面を耐薬品性の接着剤付きＰＥＴテープ１３で全面マスキングしてから（図３（ｄ））、パラジウムイオンを含む水溶液に浸漬し、ビアホール１２の壁面の絶縁部表面にパラジウム触媒１４を付与した（図３（ｅ））。
【００７２】
次いで、パラジウム触媒１４を付与した上記３層構成材を電気銅めっき液に浸漬し、銅箔を陰極として電気めっき処理し、ビアホール１２の壁面を含む極薄銅箔４の面上に電気銅めっき膜７をダイレクトに析出させた（図３（ｆ））。めっき厚さは１５μｍとした。これにより、ビアホール１２の内壁のめっき厚さは１５μｍであるが、露出している極薄銅箔面は、初期の３μｍに銅めっきの１５μｍが加えられ、１８μｍとなった。
【００７３】
次に、開口面とは反対の３μｍ厚さの極薄銅箔４からマスキングテープ１３を引き剥がした（図３（ｇ））。
【００７４】
次いで、電気銅めっき膜７を施した３層構成材の上下両面の銅箔面に液状のフォトレジストを塗布し乾燥硬化させた後、露光、現像の所定の工程を経て、レジストパターンを形成させた。そして、上下両面の銅箔面に塩化第２鉄水溶液をスプレーしてフォトレジストで覆われていない銅箔露出部を溶解除去した後、フォトレジスト膜を所定の方法で剥離除去して上下両面に銅の微細配線パターン８を完成させた（図３（ｈ））。パターンの最小ピッチは、ビアホールめっきで１８μｍに厚膜化されたビアホール開口面側は６０μｍである。また、テープマスキングによりビアホールめっき時に銅めっきを析出させなかった３μｍ厚の極薄銅箔４は３０μｍピッチの超微細配線パターン８形成が可能であることを確認した。
【００７５】
次いで、銅微細配線パターン８上のめっき不要部をソルダーレジストで被覆した後に、電気めっき法でニッケルめっきを０．５μｍ施した後、金めっきを０．５μｍ施すことにより表面処理膜９を形成し、電子部品搭載用両面配線フレキシブル基板が完成した（図３（ｉ））。
【実施例４】
【００７６】
図４（ａ）〜（ｉ）は、ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた実施例４の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【００７７】
実施例３では、ポリイミド基板１０の両面に貼り合わせたキャリア付き極薄銅箔２のキャリア層３は、レーザビア加工前に両面とも引き剥がしたが、本実施例４のように、開口とは反対面のキャリア層はレーザビア加工前には引き剥がさずにエッチングによる銅箔成形の直前に引き剥がすこともできる。
【００７８】
この工法では、ビアホールめっき工程までホール開口面の反対面にキャリア層３が残存しているため、ポリイミド基板１０の機械的強度が高く維持でき、搬送性がきわめて良好である。また、マスキングテープ１３の引き剥がし時に、キャリア層３が極めて弱い力で簡単に引き剥がせるので、マスキングテープ１３を直接極薄銅箔４に貼り合わせた実施例３の方法よりも、引き剥がしに伴う極薄銅箔４への機械的応力負荷を軽減でき、極薄銅箔４が傷まない特徴を有している。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】ガラスエポキシ基板（スルーホール加工）を用いた実施例１の両面配線基板の製造方法（各工程）における断面図である。
【図２】ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた実施例２の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【図３】ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた実施例３の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【図４】ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた実施例４の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【図５】ガラスエポキシ基板（スルーホール加工）を用いた従来の両面配線基板の製造方法（各工程）における断面図である。
【図６】ポリイミド基板（ブラインドビアホール加工）を用いた従来の両面配線基板（両面配線フレキシブル基板）の製造方法（各工程）における断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１    ガラスエポキシ基板
２    キャリア付き極薄銅箔
３    キャリア層
４    金属層（極薄銅箔）
５    スルーホール
６    無電解銅めっき膜
７    電気銅めっき膜
８    微細配線パターン
９    表面処理膜
１０  ポリイミド基板
１１  銅箔
１２  ブラインドビアホール
１３  マスキングテープ
１４  パラジウム触媒
【図１】
2006278774.tif 000003
【図２】
2006278774.tif 000004
【図３】
2006278774.tif 000005
【図４】
2006278774.tif 000006
【図５】
2006278774.tif 000007
【図６】
2006278774.tif 000008