(57)【要約】【課題】  分割時のバリの発生を防止するとともに、スリットに沿った分割を良好に行うことができ、さらに、電極や抵抗体等の形成に際して、ペーストの印刷作業が繁雑とならない等、電極や抵抗体等の形成を良好に行なうことができるチップ抵抗器の製造方法とチップ抵抗器を提供する。【解決手段】  アルミナ基板の上面に、ＹＡＧレーザーにより一次スリットと二次スリットとを形成し（Ｓ１３）、その後、抵抗体や第１上面電極や保護膜等を形成する（Ｓ１４〜Ｓ１９）。その後、ＵＶレーザーにより、一次スリットや二次スリットを跨いで形成されている部材を切断した（Ｓ２０）後に、一次分割を行う（Ｓ２１）。【選択図】        図５
2006128480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットを形成するスリット形成工程で、少なくとも、該スリット形成工程後に基板素体の上面側に形成される部材である形成部材で該一次スリット又は二次スリットを跨いで形成される形成部材が形成されていない状態の基板素体に対して、一次スリットと二次スリットとを形成するスリット形成工程と、
該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、
該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿って切断する形成部材切断工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体で、基板素体の上面側に形成される部材である形成部材がいずれも形成されていない基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットを形成するスリット形成工程と、
該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、
該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿って切断する形成部材切断工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
上記スリット形成工程においては、レーザースクライブにより一次スリットと二次スリットの形成を行なうことを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
レーザースクライブにおいては、ＹＡＧレーザーを用いることを特徴とする請求項３に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項５】
上記形成部材切断工程においては、レーザースクライブにより切断を行なうことを特徴とする請求項１又は２又は３又は４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項６】
レーザースクライブにおいては、ＵＶレーザーを用いることを特徴とする請求項５に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項７】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットを形成するスリット形成工程で、少なくとも、該スリット形成工程後に基板素体の上面側に形成される部材である形成部材で該一次スリット又は二次スリットを跨いで形成される形成部材が形成されていない状態の基板素体に対して、一次スリットと二次スリットとをＹＡＧレーザーにより形成するスリット形成工程と、
該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、
該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿ってＵＶレーザーにより切断する形成部材切断工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項８】
チップ抵抗器の製造方法であって、
チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体で、基板素体の上面側に形成される部材である形成部材がいずれも形成されていない基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットをＹＡＧレーザーにより形成するスリット形成工程と、
該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、
該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿ってＵＶレーザーにより切断する形成部材切断工程と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項９】
上記ＵＶレーザーが、３５５ｎｍ以下の波長を有するレーザーであることを特徴とする請求項６又は７又は８に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
上記形成部材が、抵抗体と、上面電極と、保護膜であり、
上記形成部材形成工程が、
抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、
該抵抗体の端部に接続された上面電極を形成する上面電極形成工程と、
保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を有することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１１】
上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される上面電極と、保護膜であり、
上記形成部材形成工程において、少なくとも上面電極を一次スリットを跨いだ状態で形成するとともに、少なくとも保護膜を二次スリットを跨いだ状態で形成することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１２】
上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される上面電極と、保護膜であり、
上記形成部材形成工程が、
基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、一次スリットを跨いだ状態に帯状に抵抗体ペーストを印刷することによりチップ抵抗器複数個分の抵抗体ペーストを一度に印刷する工程を有する抵抗体形成工程と、
該抵抗体の上面に上面電極を形成する上面電極形成工程で、抵抗体形成方向において隣接する２つの上面電極の形成領域に一次スリットを跨いだ状態に一度に上面電極ペーストを印刷する工程を有する上面電極形成工程と、
二次スリットを跨いだ状態に帯状にチップ抵抗器複数個分まとめて保護膜を形成する保護膜形成工程と、
を有することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１３】
上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される第１上面電極と、該第１上面電極の上面に積層して形成される第２上面電極と、保護膜であり、
上記形成部材形成工程において、少なくとも第２上面電極を一次スリットを跨いだ状態で形成するとともに、少なくとも保護膜を二次スリットを跨いだ状態で形成することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１４】
上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される第１上面電極と、該第１上面電極の上面に積層して形成される第２上面電極と、保護膜であり、
上記形成部材形成工程が、
基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、一次スリットを跨いだ状態に帯状に抵抗体ペーストを印刷することによりチップ抵抗器複数個分の抵抗体ペーストを一度に印刷する工程を有する抵抗体形成工程と、
該抵抗体の上面に第１上面電極を形成する第１上面電極形成工程で、抵抗体形成方向において隣接する２つの第１上面電極の形成領域に一次スリットを跨いだ状態に一度に第１上面電極ペーストを印刷する工程を有する第１上面電極形成工程と、
二次スリットを跨いだ状態に帯状にチップ抵抗器複数個分まとめて保護膜を形成する保護膜形成工程と、
該第１上面電極の上面に第２上面電極を形成する第２上面電極形成工程で、抵抗体形成方向において隣接する２つの第２上面電極の形成領域に一次スリットを跨いだ状態に一度に第２上面電極ペーストを印刷する工程を有する第２上面電極形成工程と、
を有することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１５】
上記形成部材切断工程において、一次スリットを跨いだ状態の全ての形成部材及び／又は二次スリットを跨いだ状態の全ての形成部材を切断することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９又は１０又は１１又は１２又は１３又は１４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１６】
上記形成部材切断工程において、一次スリットを跨いだ状態の形成部材及び／又は二次スリットを跨いだ状態の形成部材における最上層の形成部材のみを切断することを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８又は９又は１０又は１１又は１２又は１３又は１４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項１７】
上記形成部材切断工程において、一次スリットに沿って第２上面電極のみを切断し、二次スリットに沿って保護膜のみを切断することを特徴とする請求項１３又は１４に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のチップ抵抗器の製造方法においては、スリットの形成されていない無垢の絶縁基板にレーザーによってスリットを形成し、その後、電極、抵抗体、保護膜等を形成して、その後に形成されたスリットに沿って分割する方法を用いるのが一般的である。
【０００３】
従来のチップ抵抗器の製造方法として、絶縁基板の表面に一次スリットや二次スリットをレーザーにより形成するスリット形成工程を一次スリットに沿って絶縁基板を分割する一次分割工程の直前に行うものが存在する（特許文献１）。つまり、特許文献１のチップ抵抗器の製造方法においては、絶縁基板に、電極と、抵抗体と、一次保護膜と、二次保護膜と、第二表電極を形成した後に、一次スリットと二次スリットとをレーザスクライバにより形成し、その後、一次分割を行うのである。
【０００４】
また、従来のチップ抵抗器の製造方法として、表裏面に一次方向及び二次方向に分割スリットが入った絶縁基板に、表電極膜下層と、抵抗体膜と、アンダーコート膜と、オーバーコート膜とを形成し、レーザ工法により該分割スリットをなぞるようにアンダーコート膜と、オーバーコート膜と、表電極膜とを分断して、表電極層等におけるバリの発生を抑制させるものが存在する（特許文献２）。
【特許文献１】特開２００３−８６４０８
【特許文献２】特開２００２−２３１５０３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、スリットの形成されていない無垢の絶縁基板にレーザーによってスリットを形成し、その後、電極、抵抗体、保護膜等を形成して、その後に形成されたスリットに沿って分割する方法では、電極、抵抗体、保護膜等スリットを跨いで形成された場合には、分割時にバリが発生しやすくなるという問題がある。このバリの発生は、チップ抵抗器が小型になるほど、チップ抵抗器の大きさに対するバリの占める割合が大きくなり、チップ抵抗器全体の寸法のばらつきとなる。
【０００６】
また、上記特許文献１に記載の方法では、２６６ｎｍの波長のレーザーを使用することから、絶縁基板に対してスリットを形成するにはレーザーの強度が弱いという問題があった。そのため、特許文献１の方法では、レーザーによるスクライブを２回行っているが、それでも絶縁基板にスリットを形成するには必ずしも十分であるとはいえない。絶縁基板にスリットを十分に形成できない場合には、分割不良となる。また、特許文献１の方法においては、電極や抵抗体等を形成する際には、絶縁基板にスリットが形成されていないので、電極や抵抗体等を形成する際の目印とすることができず、電極や抵抗体等の形成を良好に行うことができないおそれもある。
【０００７】
また、特許文献２に記載の方法では、予め表裏面に一次方向及び二次方向に分割スリットが入った絶縁基板を用意し、これに裏面電極や、表電極膜下層、抵抗体膜、アンダーコート膜、オーバーコート膜を形成するが、このように、スリットが予め入ったいわゆるスリット基板を用いる場合には、同じ規格の基板であっても焼成条件の微妙な違い等によりスリット間の幅が微妙に異なる等の個体差があるため、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意しなければならないという問題がある。つまり、スリット基板を個体差に応じて複数種類に分類し、分類された基板ごとにスクリーンを用意するのである。つまり、ペーストの印刷における作業が煩雑となる。
【０００８】
そこで、本発明は、分割時のバリの発生を防止するとともに、スリットに沿った分割を良好に行うことができ、さらに、電極や抵抗体等の形成に際して、ペーストの印刷作業が繁雑とならない等、電極や抵抗体等の形成を良好に行なうことができるチップ抵抗器の製造方法と、該製造方法により製造されたチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットを形成するスリット形成工程で、少なくとも、該スリット形成工程後に基板素体の上面側に形成される部材である形成部材で該一次スリット又は二次スリットを跨いで形成される形成部材が形成されていない状態の基板素体に対して、一次スリットと二次スリットとを形成するスリット形成工程と、該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿って切断する形成部材切断工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
上記第１の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、形成部材切断工程において形成部材を一次スリットと二次スリットとに沿って切断するので、分割時にバリが発生することがない。つまり、形成部材の切断においては、一次スリットや二次スリットを跨いだ状態の形成部材を全て切断してもよいが、スリットを跨いだ状態の複数の形成部材においては、その一部のみを切断してもよく、例えば、少なくともバリの出やすい形成部材を一次スリットや二次スリットの最上層に形成する場合には、該最上層の形成部材を切断することにより一次分割や二次分割をした場合にバリの発生を少なくすることができる。また、スリット形成工程において、基板素体にスリットを形成しておくので、一次分割や二次分割で基板素体を分割する場合に分割不良となることがない。また、予めスリットが設けられたスリット基板を用いるのではなく、スリット形成工程において、基板素体に一次スリットと二次スリットとを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がなく、ペーストの印刷作業が繁雑にはならない。また、形成部材を形成する前にスリット形成工程においてスリットを形成しておくので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際の目印とすることが可能である。
【００１１】
また、第２には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体で、基板素体の上面側に形成される部材である形成部材がいずれも形成されていない基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットを形成するスリット形成工程と、該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿って切断する形成部材切断工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
上記第２の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、形成部材切断工程において形成部材を一次スリットと二次スリットとに沿って切断するので、分割時にバリが発生することがない。形成部材の切断においては、一次スリットや二次スリットを跨いだ状態の形成部材を全て切断してもよいが、スリットを跨いだ状態の複数の形成部材においては、その一部のみを切断してもよく、例えば、少なくともバリの出やすい形成部材を一次スリットや二次スリットの最上層に形成する場合には、該最上層の形成部材を切断することにより一次分割や二次分割をした場合にバリの発生を少なくすることができる。また、スリット形成工程において、基板素体にスリットを形成しておくので、一次分割や二次分割で基板素体を分割する場合に分割不良となることがない。また、予めスリットが設けられたスリット基板を用いるのではなく、スリット形成工程において、基板素体に一次スリットと二次スリットとを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がなく、ペーストの印刷作業が繁雑にはならない。また、形成部材を形成する前にスリット形成工程においてスリットを形成しておくので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際の目印とすることが可能である。
【００１３】
また、第３には、上記第１又は第２の構成において、上記スリット形成工程においては、レーザースクライブにより一次スリットと二次スリットの形成を行なうことを特徴とする。
【００１４】
また、第４には、上記第３の構成において、レーザースクライブにおいては、ＹＡＧレーザーを用いることを特徴とする。このように、基板素体へのスリットの形成に際して、ＹＡＧレーザーを用いるので、基板素体に分割のために十分な深さにスリットを形成することができる。
【００１５】
また、第５には、上記第１から第４までのいずれかの構成において、上記形成部材切断工程においては、レーザースクライブにより切断を行なうことを特徴とする。
【００１６】
また、第６には、上記第５の構成において、レーザースクライブにおいては、ＵＶレーザーを用いることを特徴とする。よって、形成部材を切断する際に、形成部材が燃焼して炭化してしまうおそれを防止することが可能となる。
【００１７】
また、第７には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットを形成するスリット形成工程で、少なくとも、該スリット形成工程後に基板素体の上面側に形成される部材である形成部材で該一次スリット又は二次スリットを跨いで形成される形成部材が形成されていない状態の基板素体に対して、一次スリットと二次スリットとをＹＡＧレーザーにより形成するスリット形成工程と、該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿ってＵＶレーザーにより切断する形成部材切断工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
上記第７の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、形成部材切断工程において形成部材を一次スリットと二次スリットとに沿って切断するので、分割時にバリが発生することがない。形成部材の切断においては、一次スリットや二次スリットを跨いだ状態の形成部材を全て切断してもよいが、スリットを跨いだ状態の複数の形成部材においては、その一部のみを切断してもよく、例えば、少なくともバリの出やすい形成部材を一次スリットや二次スリットの最上層に形成する場合には、該最上層の形成部材を切断することにより一次分割や二次分割をした場合にバリの発生を少なくすることができる。また、スリット形成工程において、基板素体にスリットを形成しておくので、一次分割や二次分割で基板素体を分割する場合に分割不良となることがない。また、予めスリットが設けられたスリット基板を用いるのではなく、スリット形成工程において、基板素体に一次スリットと二次スリットとを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がなく、ペーストの印刷作業が繁雑にはならない。また、形成部材を形成する前にスリット形成工程においてスリットを形成しておくので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際の目印とすることが可能である。また、基板素体へのスリットの形成に際して、ＹＡＧレーザーを用いるので、基板素体に分割のために十分な深さにスリットを形成することができる。さらに、形成部材の切断に際して、ＵＶレーザーを用いるので、形成部材が燃焼して炭化してしまうおそれを防止することが可能となる。
【００１９】
また、第８には、チップ抵抗器の製造方法であって、チップ抵抗器における絶縁基板の素体となる基板素体で、該絶縁基板の複数個分の大きさを少なくとも有する基板素体で、基板素体の上面側に形成される部材である形成部材がいずれも形成されていない基板素体の上面に、一次分割用のスリットである一次スリットと二次分割用のスリットである二次スリットをＹＡＧレーザーにより形成するスリット形成工程と、該スリット形成工程の後に行われる、形成部材を形成する形成部材形成工程で、形成部材のうちの少なくとも１つを一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成する形成部材形成工程と、該形成部材形成工程の後に行われる形成部材切断工程で、一次スリット又は二次スリットを跨いだ状態に形成された形成部材の少なくとも１つを該跨いだスリットに沿ってＵＶレーザーにより切断する形成部材切断工程と、を有することを特徴とする。
【００２０】
上記第８の構成のチップ抵抗器の製造方法においては、形成部材切断工程において形成部材を一次スリットと二次スリットとに沿って切断するので、分割時にバリが発生することがない。形成部材の切断においては、一次スリットや二次スリットを跨いだ状態の形成部材を全て切断してもよいが、スリットを跨いだ状態の複数の形成部材においては、その一部のみを切断してもよく、例えば、少なくともバリの出やすい形成部材を一次スリットや二次スリットの最上層に形成する場合には、該最上層の形成部材を切断することにより一次分割や二次分割をした場合にバリの発生を少なくすることができる。また、スリット形成工程において、基板素体にスリットを形成しておくので、一次分割や二次分割で基板素体を分割する場合に分割不良となることがない。また、予めスリットが設けられたスリット基板を用いるのではなく、スリット形成工程において、基板素体に一次スリットと二次スリットとを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がなく、ペーストの印刷作業が繁雑にはならない。また、形成部材を形成する前にスリット形成工程においてスリットを形成しておくので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際の目印とすることが可能である。また、基板素体へのスリットの形成に際して、ＹＡＧレーザーを用いるので、基板素体に分割のために十分な深さにスリットを形成することができる。さらに、形成部材の切断に際して、ＵＶレーザーを用いるので、形成部材が燃焼して炭化してしまうおそれを防止することが可能となる。
【００２１】
なお、上記第１から第８の構成において、上記形成部材切断工程は、該基板素体を該一次スリットに沿って分割する分割工程の直前に行うことが好ましい。また、上記上記第１から第８までの構成において、形成部材切断工程の後に、該基板素体を該一次スリットに沿って分割する分割工程を設けるものとしてもよい。
【００２２】
また、第９には、第６又は第７又は第８の構成において、上記ＵＶレーザーが、３５５ｎｍ以下の波長を有するレーザーであることを特徴とする。なお、該ＵＶレーザーを、波長が２６６ｎｍよりも長く３５５ｎｍ以下であるレーザーとしてもよい。
【００２３】
また、第１０には、上記第１から第９までのいずれかの構成において、上記形成部材が、抵抗体と、上面電極と、保護膜であり、上記形成部材形成工程が、抵抗体を形成する抵抗体形成工程と、該抵抗体の端部に接続された上面電極を形成する上面電極形成工程と、保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２４】
また、第１１には、上記第１から第９までのいずれかの構成において、上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される上面電極と、保護膜であり、上記形成部材形成工程において、少なくとも上面電極を一次スリットを跨いだ状態で形成するとともに、少なくとも保護膜を二次スリットを跨いだ状態で形成することを特徴とする。これにより、形成部材の中で上面電極と保護膜についてバリが出やすい素材である場合に、これらを切断しておくことによりバリを出にくくすることができる。
【００２５】
また、第１２には、上記第１から第９までのいずれかの構成において、上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される上面電極と、保護膜であり、上記形成部材形成工程が、基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、一次スリットを跨いだ状態に帯状に抵抗体ペーストを印刷することによりチップ抵抗器複数個分の抵抗体ペーストを一度に印刷する工程を有する抵抗体形成工程と、該抵抗体の上面に上面電極を形成する上面電極形成工程で、抵抗体形成方向において隣接する２つの上面電極の形成領域に一次スリットを跨いだ状態に一度に上面電極ペーストを印刷する工程を有する上面電極形成工程と、二次スリットを跨いだ状態に帯状にチップ抵抗器複数個分まとめて保護膜を形成する保護膜形成工程と、を有することを特徴とする。
【００２６】
また、第１３には、上記第１から第９までのいずれかの構成において、上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される第１上面電極と、該第１上面電極の上面に積層して形成される第２上面電極と、保護膜であり、上記形成部材形成工程において、少なくとも第２上面電極を一次スリットを跨いだ状態で形成するとともに、少なくとも保護膜を二次スリットを跨いだ状態で形成することを特徴とする。これにより、形成部材の中で第２上面電極と保護膜についてバリが出やすい素材である場合に、少なくともこれらを切断しておくことによりバリを出にくくすることができる。
【００２７】
また、第１４には、上記第１から第９までのいずれかの構成において、上記形成部材が、抵抗体と、該抵抗体の上面に積層して形成される第１上面電極と、該第１上面電極の上面に積層して形成される第２上面電極と、保護膜であり、上記形成部材形成工程が、基板素体の上面に抵抗体を形成する抵抗体形成工程で、一次スリットを跨いだ状態に帯状に抵抗体ペーストを印刷することによりチップ抵抗器複数個分の抵抗体ペーストを一度に印刷する工程を有する抵抗体形成工程と、該抵抗体の上面に第１上面電極を形成する第１上面電極形成工程で、抵抗体形成方向において隣接する２つの第１上面電極の形成領域に一次スリットを跨いだ状態に一度に第１上面電極ペーストを印刷する工程を有する第１上面電極形成工程と、二次スリットを跨いだ状態に帯状にチップ抵抗器複数個分まとめて保護膜を形成する保護膜形成工程と、該第１上面電極の上面に第２上面電極を形成する第２上面電極形成工程で、抵抗体形成方向において隣接する２つの第２上面電極の形成領域に一次スリットを跨いだ状態に一度に第２上面電極ペーストを印刷する工程を有する第２上面電極形成工程と、を有することを特徴とする。これにより、形成部材の中で第２上面電極と保護膜についてバリが出やすい素材である場合に、少なくともこれらを切断しておくことによりバリを出にくくすることができる。
【００２８】
また、第１５には、上記第１から第１４までのいずれかの構成において、上記形成部材切断工程において、一次スリットを跨いだ状態の全ての形成部材及び／又は二次スリットを跨いだ状態の全ての形成部材を切断することを特徴とする。よって、一次スリットを跨いだ状態の形成部材や二次スリットを跨いだ状態の形成部材を分割前に全て切断しておくことによりバリの発生を防止することができる。
【００２９】
また、第１６には、上記第１から第１４までのいずれかの構成において、上記形成部材切断工程において、一次スリットを跨いだ状態の形成部材及び／又は二次スリットを跨いだ状態の形成部材における最上層の形成部材のみを切断することを特徴とする。これにより、形成部材の中で該最上層に位置する形成部材についてバリが出やすい素材（例えば、樹脂を含む素材）である場合に、少なくともこれらを切断しておくことによりバリを出にくくすることができる。
【００３０】
また、第１７には、上記第１３又は第１４の構成において、上記形成部材切断工程において、一次スリットに沿って第２上面電極のみを切断し、二次スリットに沿って保護膜のみを切断することを特徴とする。これにより、形成部材の中で第２上面電極と保護膜についてバリが出やすい素材である場合に、少なくともこれらを切断しておくことによりバリを出にくくすることができる。
【００３１】
なお、以下の構成としてもよい。すなわち、上記第１から第１４までのいずれかの構成において、上記形成部材切断工程において、一次スリットを跨いだ状態の形成部材及び／又は二次スリットを跨いだ状態の形成部材における少なくとも最上層の形成部材を含む１又は複数の形成部材で、樹脂を含む素材により形成された形成部材のみを切断することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法とする。これにより、樹脂を含む素材により形成された形成部材はバリが出やすいので、少なくともこれらを切断しておくことによりバリを出にくくすることができる。
【００３２】
なお、上記第１２の構成において、上面電極形成工程を、「該基板素体の上面及び抵抗体の上面に上面電極を形成する上面電極形成工程で、該抵抗体を形成した方向である抵抗体形成方向とは直角の方向である上面電極形成方向に帯状に上面電極ペーストを印刷することにより、該上面電極形成方向にチップ抵抗器複数個分を有し、かつ、抵抗体形成方向には隣接する２つの上面電極の形成領域を有する形成領域に一度に上面電極ペーストを印刷する工程を有する上面電極形成工程」としてもよい。
【００３３】
また、第１２の構成の変形例として、さらに、上記上面電極形成工程の後に行なうカバーコート形成工程で、抵抗体を被覆するカバーコートを形成するカバーコート形成工程と、該カバーコート形成工程の後で、かつ、上記保護膜形成工程の前に行なう抵抗値調整工程で、抵抗体をトリミングして抵抗体の抵抗値を調整する抵抗値調整工程と、を有するものとしてもよい。
【００３４】
また、第１２の構成のさらなる変形例として、保護膜形成工程の後で、かつ、形成部材切断工程の前に行なう第２上面電極形成工程で、上面電極の上面に積層して第２上面電極を形成する第２上面電極形成工程と、を有するものとしてもよい。
【００３５】
なお、上記各構成において、基板素体の上面側に形成される形成部材としては、抵抗体、上面電極（第１上面電極、第２上面電極）、カバーコート、保護膜等が挙げられる。
【００３６】
なお、チップ抵抗器であって、上記第１から第１７までのいずれかの製造方法によって製造されたチップ抵抗器としてもよい。
【００３７】
また、以下の構成としてもよい。すなわち、第１８には、チップ抵抗器であって、略方形状を呈する絶縁基板で、その側面の上端部分に、製造時にＹＡＧレーザーにより形成したスリットを分割してなる切欠部が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の上面側に形成された形成部材で、製造時にスリットを跨いで形成された部材をＵＶレーザーにより切断することにより、その端面にＵＶレーザーによる切断面が形成されている形成部材と、を有することを特徴とする。
【００３８】
上記第１８の構成のチップ抵抗器においては、形成部材が製造時にスリットを跨いで形成された部材をＵＶレーザーにより切断することにより形成されているので、分割時にバリが発生することがない。また、絶縁基板は、予めＹＡＧレーザーでスリットを形成した後に分割したものであるので、一次分割や二次分割で基板素体を分割する場合に分割不良となることがなく、製品の歩留まりを向上させることができる。また、予めスリットが設けられたスリット基板を用いるのではなく、基板素体にＹＡＧレーザーにより一次スリットと二次スリットとを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がなく、ペーストの印刷作業が繁雑にはならない。さらに、形成部材の切断に際して、ＵＶレーザーを用いるので、形成部材が燃焼して炭化してしまうおそれを防止することが可能となる。
【００３９】
また、第１９には、チップ抵抗器であって、略方形状を呈する絶縁基板で、その側面の上端部分に、製造時にレーザーにより形成したスリットを分割してなる切欠部が形成された絶縁基板と、該絶縁基板の上面側に形成され、製造時にスリットを跨いで形成された部材をレーザーにより切断することにより形成された形成部材で、その切断した端面が、上記絶縁基板に形成された切欠部の側面とは横方向にずれて形成されている形成部材と、を有することを特徴とする。
【００４０】
上記第１９の構成のチップ抵抗器においては、形成部材が製造時にスリットを跨いで形成された部材をレーザーにより切断することにより形成されているので、分割時にバリが発生することがない。また、予めスリットが設けられたスリット基板を用いるのではなく、基板素体にレーザーにより一次スリットと二次スリットとを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がなく、ペーストの印刷作業が繁雑にはならない。
【００４１】
また、第２０には、上記第１９の構成において、絶縁基板のスリットの形成に用いられたレーザーがＹＡＧレーザーであり、また、上記形成部材を形成する際のレーザーがＵＶレーザーであることを特徴とする。よって、絶縁基板は、予めＹＡＧレーザーでスリットを形成した後に分割したものであるので、一次分割や二次分割で基板素体を分割する場合に分割不良となることがなく、製品の歩留まりを向上させることができる。さらに、形成部材の切断に際して、ＵＶレーザーを用いるので、形成部材が燃焼して炭化してしまうおそれを防止することが可能となる。
【００４２】
また、第２１には、上記第１８又は第１９又は第２０の構成において、上記形成部材が、抵抗体と、上面電極（第１上面電極、第２上面電極）と、保護膜における少なくともいずれかであることを特徴とする。なお、ＵＶレーザーにより切断された形成部材が、樹脂を含む部材、例えば、第２上面電極や保護膜であるものとしてもよい。
【発明の効果】
【００４３】
本発明に基づくチップ抵抗器の製造方法によれば、形成部材切断工程において形成部材を一次スリットと二次スリットとに沿って切断するので、分割時にバリが発生することがない。つまり、形成部材の切断においては、一次スリットや二次スリットを跨いだ状態の形成部材を全て切断してもよいが、スリットを跨いだ状態の複数の形成部材においては、その一部のみを切断してもよく、例えば、少なくともバリの出やすい形成部材を一次スリットや二次スリットの最上層に形成する場合には、該最上層の形成部材を切断することにより一次分割や二次分割をした場合にバリの発生を少なくすることができる。また、スリット形成工程において、基板素体にスリットを形成しておくので、一次分割や二次分割で基板素体を分割する場合に分割不良となることがない。また、予めスリットが設けられたスリット基板を用いるのではなく、スリット形成工程において、基板素体に一次スリットと二次スリットとを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がなく、ペーストの印刷作業が繁雑にはならない。また、形成部材を形成する前にスリット形成工程においてスリットを形成しておくので、電極のペーストや抵抗体のペーストを印刷する際の目印とすることが可能である。特に、スリット形成工程において、ＹＡＧレーザーによりレーザースクライブすることにより、基板素体へのスリットの形成に際して、ＹＡＧレーザーを用いるので、基板素体に分割のために十分な深さにスリットを形成することができる。また、特に、形成部材切断工程において、ＵＶレーザーによりレーザースクライブすることにより、形成部材を切断する際に、形成部材が燃焼して炭化してしまうおそれを防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
本発明においては、分割時のバリの発生を防止するとともに、スリットに沿った分割を良好に行うことができ、さらに、電極や抵抗体等の形成に際して、ペーストの印刷作業が繁雑とならない等、電極や抵抗体等の形成を良好に行なうことができるチップ抵抗器の製造方法とチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【００４５】
すなわち、本発明に基づく実施例におけるチップ抵抗器Ａは、図１に示されるように、絶縁基板１０と、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）（機能素子）１２と、第１上面電極（「第１上面電極層」としてもよい）１４と、第２上面電極（「第２上面電極層」としてもよい）１６と、カバーコート１８と、保護膜（「保護層」としてもよい）２０と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６と、を有している。
【００４６】
ここで、チップ抵抗器Ａについてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００４７】
なお、この絶縁基板１０にはレーザースクライブにより一次スリットと二次スリットとが形成されるので、レーザースクライブして形成したスリットを分割することにより形成された切欠部Ｋ１、Ｋ２（図２参照）が形成されている。なお、この切欠部Ｋ１、Ｋ２は一次スリット側、つまり、図３で言えば、Ｘ１側の側面とＸ２側の側面についてのものであるが、当然二次スリット側、つまり、図３におけるＹ１側の側面とＹ２側の側面においても、上面側と下面側に同じような切欠部が形成されている。
【００４８】
また、抵抗体１２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０上面に設けられている。つまり、抵抗体１２は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状に形成され、具体的には、絶縁基板１０のＸ１側の端部からＸ２側の端部にまで帯状に形成されている。この抵抗体１２は、具体的には、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）である。この抵抗体１２は、上記チップ抵抗器Ａとして電気的特性を担う機能素子である。
【００４９】
また、第１上面電極１４は、図１に示すように、主に、上記抵抗体１２の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、第１上面電極１４は、抵抗体１２の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、第１上面電極１４は、抵抗体１２の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この第１上面電極１４は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、第１上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向（このＹ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直角な方向である）の幅は、抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。これにより、第１上面電極１４は基本的には抵抗体１２の上面に積層して形成されているが、第１上面電極１４の一部は絶縁基板１０の上面に積層している。なお、この第１上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向の幅を抵抗体１２のＹ１−Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。
【００５０】
また、第２上面電極１６は、図１に示すように、主に、第１上面電極１４の上面に形成されている。つまり、第２上面電極１６は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、第２上面電極１６は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この第２上面電極１６は、樹脂銀、具体的には、樹脂銀系厚膜により形成されている。また、第２上面電極１６のＹ１−Ｙ２方向（このＹ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＺ１−Ｚ２方向に直角な方向である）の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一となっている。これにより、第２上面電極１６は基本的には第１上面電極１４の上面に積層して形成されているが、第２上面電極１６の一部は絶縁基板１０の上面に積層している。なお、この第２上面電極１６のＹ１−Ｙ２方向の幅を第１上面電極１４のＹ１−Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。
【００５１】
また、カバーコート１８は、主に、抵抗体１２の上面に形成されていて、抵抗体１２の露出部分を被覆するように形成されている。つまり、このカバーコート１８のＸ１−Ｘ２方向の幅は、第１上面電極１４間の距離よりも若干大きく形成され、また、カバーコート１８のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一となっている。このカバーコート１８は、抵抗体へのトリミング時の熱衝撃を和らげてトリミング溝先端のマイクロクラックを防止するために形成されていて、ガラス、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。
【００５２】
また、保護膜２０は、図１に示すように、主に、カバーコート１８の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図３に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、カバーコート１８の露出部分と、両端に形成されている上記一対の第１上面電極１４の一部を被覆するように設けられている。つまり、保護膜２０は、図３のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この保護膜２０は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、ほう珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。
【００５３】
また、下面電極２２は、図１に示すように、上記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されている。つまり、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２２は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。なお、下面電極２２のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一（同一としてもよい）に形成されている。すなわち、下面電極２２は、図４のハッチング（つまり、左上から右下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。この下面電極２２は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
【００５４】
また、側面電極２４は、第２上面電極１４の一部と、下面電極２２の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面と、Ｙ１側の側面の一部と、Ｙ２側の側面の一部）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極２４は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。この側面電極２４の上面部分は、図３のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられており、また、側面電極２４の下面部分は、図４のハッチング（つまり、右上から左下方向へのハッチング）に示す領域に設けられている。
【００５５】
また、メッキ２６は、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。ニッケルメッキ２８は、保護膜２０の一部と、第２上面電極１６の一部と、側面電極２４と、下面電極２２の一部とを被覆するように形成されている。つまり、第２上面電極１６と側面電極２４と下面電極２２の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ２８は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、第２上面電極１６等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００５６】
また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記チップ抵抗器Ａの配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。
【００５７】
なお、上記第１上面電極１４と、第２上面電極１６と、下面電極２２と、側面電極２４と、メッキ２６とで電極部４０が形成されるが、この電極部４０において絶縁基板１０の下面側に位置する部分が下面側電極部４２となる。
【００５８】
なお、図３は、チップ抵抗器Ａを上面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、抵抗体１２、第１上面電極１４、第２上面電極１６、保護膜２０、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。同様に、図４は、チップ抵抗器Ａを下面側から視認した場合の各部の配置を示す図であり、下面電極２２、側面電極２４について平面視した際に、最外郭の輪郭を図示したものである。なお、実際には隠れて見えない部分を含めて、各部とも同様に表現している。
【００５９】
上記構成のチップ抵抗器Ａの製造方法について、図５〜図９等を使用して説明する。まず、一次スリットや二次スリットが設けられていない無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）５を用意し、このアルミナ基板５の裏面（すなわち、底面）に下面電極Ｇ２２を形成する（図５のＳ１１、図６のＷ１参照、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。なお、図６に示すように、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極Ｇ２２を形成する。つまり、Ｘ方向に隣接する２つのチップ抵抗器に対応するアルミナ基板の領域について、境界位置（つまり、一次スリット）となる位置を跨ぐように１つの印刷領域で下面電極を形成する。さらには、Ｙ方向には、帯状に連続して下面電極を形成する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に下面電極を形成し、さらに、Ｘ方向に隣接する２つの下面電極については、その２つの下面電極をまとめて形成する。この下面電極Ｇ２２は、複数分の下面電極２２であるといえる。なお、図６のＷ１は、アルミナ基板を下面側から見た状態を示す図である。
【００６０】
次に、アルミナ基板５の裏面にレーザースクライブによって一次スリットと二次スリットとを形成する（図５のＳ１２、図６のＷ２参照）。つまり、一次スリットをＹ方向に溝状に形成するとともに、二次スリットをＸ方向に溝状に形成する。一次スリットは、下面電極Ｇ２２のＸ方向の中心位置に沿って形成されることになる。この場合、アルミナ基板５の裏面に溝状のスリットを形成するので、一次スリットを形成する際には、当然下面電極Ｇ２２も切断されることになる（図１０参照）。なお、このレーザースクライブに際しては、ＹＡＧレーザーを用いる。つまり、ＹＡＧレーザーによって、アルミナ基板５の裏面に一次スリットと二次スリットとを形成する。このＹＡＧレーザーの波長は１０６４ｎｍであるので、高い熱量によりスリットを形成でき、アルミナ基板５に対しても十分な深さにスリットを形成することができる。なお、下面電極Ｇ２２は、銀系メタルグレーズ等の銀系ペーストにより形成するので、ＹＡＧレーザーで切断しても燃焼してしまうことがない。
【００６１】
次に、アルミナ基板５の表側の面（すなわち、上面）にレーザースクライブによって一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とを形成する（図５のＳ１３、図７のＷ３、図１０参照、スリット形成工程）。つまり、一次スリットＪ１をＹ方向に溝状に形成するとともに、二次スリットＪ２をＸ方向に溝状に形成する。一次スリットＪ１と二次スリットＪ２とは、当然裏面に形成された一次スリットＪ１と二次スリットＪ２に対応する位置に形成されることになる（図１０参照）。なお、このレーザースクライブに際しては、ＹＡＧレーザーを用いる。つまり、ＹＡＧレーザーによって、アルミナ基板５の表面に一次スリットと二次スリットとを形成する。このＹＡＧレーザーの波長は１０６４ｎｍであるので、高い熱量によりスリットを形成でき、アルミナ基板５に対しても分割のために十分な深さにスリットを形成することができる。
【００６２】
次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に抵抗体を形成する（図５のＳ１４、図７のＷ４参照、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）して抵抗体Ｇ１２を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）である。この抵抗体Ｇ１２は、Ｘ方向の複数の抵抗体１２分の抵抗体であり、抵抗体ペーストの印刷の際、アルミナ基板においてＸ方向（上面電極間方向）に抵抗体ペーストを帯状に連続して印刷する。つまり、アルミナ基板において、最終的に個々のチップ抵抗器となった場合のＸ方向に連なる一連の絶縁基板１０の領域（これを「集合領域」とする。この集合領域は、基板素体における個々のチップ抵抗器形成領域が直線状に複数連なる領域であるともいえる）において、該集合領域の一方の端部から他方の端部にまで１本の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。つまり、Ｘ方向に複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に抵抗体ペーストを印刷する。なお、Ｙ方向には、抵抗体ペーストは、絶縁基板１０のＹ方向の幅よりも小さい幅に形成する。なお、図７においては、抵抗体Ｇ１２については見やすくするためにハッチングを付して示してある。また、図７、図８、図９は、アルミナ基板を上面側から見た状態を示す図である。
【００６３】
次に、抵抗体Ｇ１２の上に第１上面電極（電極）Ｇ１４を形成する（図５のＳ１５、図７のＷ４参照、第１上面電極形成工程（上面電極形成工程））。すなわち、個々のチップ抵抗器となった場合に抵抗体１２となる領域の端部領域に第１上面電極を形成する。つまり、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）である。なお、図７において、第１上面電極Ｇ１４は、チップ抵抗器Ａにおける第１上面電極１４の２つ分の上面電極である。つまり、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。また、第１上面電極Ｇ１４は、Ｙ方向には、抵抗体Ｇ１２の幅よりも若干大きく形成する。
【００６４】
次に、抵抗体Ｇ１２の露出部分を覆うようにカバーコートＧ１８を形成する（図５のＳ１６、図８のＷ６参照、カバーコート形成工程）。つまり、Ｙ方向に帯状にホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷し、乾燥・焼成（８４０〜８６０℃（好適には８５０℃）による焼成）する。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状にカバーコートを形成する。なお、Ｘ方向には、抵抗体Ｇ１２の露出部分の幅よりも若干大きくする。このカバーコートＧ１８は、カバーコート１８の複数分であるといえる。
【００６５】
次に、抵抗体Ｇ１２にトリミング溝Ｔを形成して抵抗値を調整する（図５のＳ１７、図８のＷ７参照、抵抗値調整工程）。つまり、レーザートリミングにより、カバーコートの上から抵抗体Ｇ１２にトリミング溝を形成する。
【００６６】
次に、カバーコートＧ１８の露出部分を覆うように保護膜Ｇ２０を形成する（図５のＳ１８、図８のＷ８参照、保護膜形成工程）。つまり、Ｙ方向に帯状に樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化（１９０〜２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。つまり、Ｙ方向には複数のチップ抵抗器分まとめて一連の帯状に保護膜を形成する。なお、保護膜Ｇ２０は、Ｘ方向には、カバーコートＧ１８の幅よりも若干大きくする。この保護膜Ｇ２０は、保護膜２０の複数分であるといえる。
【００６７】
次に、第２上面電極（電極）Ｇ１６を形成する（図５のＳ１９、図９のＷ９参照、第２上面電極形成工程（上面電極形成工程））。すなわち、第１上面電極Ｇ１４の露出した部分を被覆するように、上面電極ペーストをＹ方向に帯状に印刷し、乾燥・硬化（１９０〜２１０℃（好適には２００℃）による硬化）させる。この場合の第２上面電極ペーストは、樹脂銀系ペーストである。なお、図９において、第２上面電極Ｇ１６は、Ｙ方向には、複数個分に亘って帯状に形成されるとともに、Ｘ方向には、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の第２上面電極で互いに隣接し合う第２上面電極について１つの印刷領域で形成される。つまり、第２上面電極Ｇ１６において、Ｘ方向においては２つ分の第２上面電極１６となる。
【００６８】
なお、上記ステップＳ１４〜Ｓ１９までが、上記形成部材形成工程に当たる。つまり、抵抗体Ｇ１２や第１上面電極Ｇ１４やカバーコートＧ１８や保護膜Ｇ２０や第２上面電極Ｇ１６が上記「基板素体の上面側に形成される形成部材」に当たる。また、一次スリットを跨ぐ部材としては、抵抗体Ｇ１２や、第１上面電極Ｇ１４や、第２上面電極Ｇ１６が挙げられ、また、二次スリットを跨ぐ部材としては、カバーコートＧ１８や、保護膜Ｇ２０が挙げられる。
【００６９】
次に、アルミナ基板５の表側の面において、レーザースクライブによって一次スリットと二次スリットとを形成する（図５のＳ２０、図９のＷ１０、図１１参照、形成部材切断工程）。つまり、一次スリットをＹ方向に溝状に形成するとともに、二次スリットをＸ方向に溝状に形成する。なお、一次スリットについては、すでに上記ステップＳ１３において形成されている一次スリットと同じ位置（つまり、平面視における同じ位置）に形成し、二次スリットについては、すでに上記ステップＳ１３において形成されている二次スリットと同じ位置（つまり、平面視における同じ位置）に形成する。この場合のスリットの形成のためのレーザースクライブにおいては、ＵＶレーザーを用いる。そして、ＵＶレーザーを用いることから、スリットの形成に際しては、アルミナ基板５の上面側に形成されている各部で一次スリットと二次スリットとを跨いでいるものを切断することになる。つまり、一次スリット側においては、抵抗体Ｇ１２と、第１上面電極Ｇ１４と、第２上面電極Ｇ１６とを切断し、二次スリット側においては、カバーコートＧ１８と保護膜Ｇ２０を切断する。なお、アルミナ基板５にはすでにスリットが形成されているので、アルミナ基板５をさらに切断してスリットを形成する必要はなく、また、ＵＶレーザーを用いることから、アルミナ基板５はほとんど切断されないことになる。
【００７０】
このステップＳ２０においては、ＵＶレーザーを用いてスリットを形成するが、ＵＶレーザーは３５５ｎｍの波長を有しその熱量は小さいため、アルミナ基板５の上面側に形成された各部が燃焼して炭化してしまうことがない。つまり、３５５ｎｍという波長の短いレーザーを用いることにより、非熱加工が可能となる。よって、特に、第２上面電極Ｇ１６や保護膜Ｇ２０は、樹脂系の部材により形成されているが、これらが燃焼して炭化してしまうことがない。
【００７１】
このＵＶレーザーは、図１２に示すように、１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーに基づき生成されたもので、１０６４ｎｍのＹＡＧレーザーを分光結晶に透過させて得た５３２ｎｍのレーザーと１０６４ｎｍのレーザーとをさらに分光結晶に透過させて３５５ｎｍのレーザーとして得たものである。その意味で、このＵＶレーザーは第３高調波であるといえる。なお、上記の説明では、ＵＶレーザーとして、３５５ｎｍの波長を有するレーザーであるとしたが、３５５ｎｍ以下の波長を有するレーザーとしてもよい。また、波長が２６６ｎｍよりも長く３５５ｎｍ以下のレーザーとしてもよい。
【００７２】
その後は、一次スリットＪ１に沿って一次分割する（図５のＳ２１参照、分割工程）。この分割に際しては、例えば、下面側を基点として、アルミナ基板を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つのチップ抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて分割する。
【００７３】
その後、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（図５のＳ２２参照、側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・硬化する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成する方法としてもよい。また、スパッタ法により側面電極を金属薄膜で形成してもよい。
【００７４】
その後、二次スリットＪ２に沿って二次分割する（図５のＳ２３参照）。そして、メッキを形成してチップ抵抗器とする（図５のＳ２４参照）。
【００７５】
なお、上記の製造方法に示すように、アルミナ基板５の表面側においては、ＹＡＧレーザーによるスリットの形成と、ＵＶレーザーによるスリットの形成を行なうので、完成状態のチップ抵抗器Ａにおいても、その痕跡が残ることになる。
【００７６】
つまり、上記のように２回のレーザースクライブを行うので、実際にはレーザーの照射位置が微妙にずれるため、スリットに段差が残る等して２回レーザースクライブした痕跡が残る。つまり、絶縁基板１０の側面の上端に設けられた切欠部Ｋ２の側面の位置Ｐ１と、抵抗体１２や第１上面電極１４や第２上面電極１６の端面の位置Ｐ２は、横方向に微妙にずれることになる。つまり、図２においては、切欠部Ｋ２の側面の位置Ｐ１と、抵抗体１２や第１上面電極１４や第２上面電極１６の端面の位置Ｐ２とが横方向に一致しているものとして表現しているが、実際には、若干ずれることになる。二次スリット側においても、同じように、絶縁基板１０の側面の上端に設けられた切欠部の側面の位置と、カバーコート１８や保護膜２０の端面の位置は、横方向に微妙にずれることになる。
【００７７】
また、アルミナ基板５にスリットを形成する場合には、ＹＡＧレーザーを用いるので、絶縁基板１０の切欠部Ｋ１の側面は、ＹＡＧレーザーによる照射の痕跡が残り、また、第２上面電極や第１上面電極や抵抗体やカバーコートや保護膜にスリットを形成する場合には、ＵＶレーザーを用いるので、第２上面電極１６や第１上面電極１４や抵抗体１２やカバーコート１８や保護膜２０の横端面には、ＵＶレーザーによる照射の痕跡が残る。
【００７８】
上記構成のチップ抵抗器Ａの配線基板への実装においては、図１３に示すように行われる。つまり、チップ抵抗器Ａは、配線基板５４上に形成されたランド５２にハンダフィレット５０を介して実装される。
【００７９】
なお、上記の説明においては、ステップＳ１６により、チップ抵抗器Ａにカバーコート１８を設けるものとしたが、ステップＳ１６の工程を省略してカバーコート１８の構成を省略してもよい。また、上記の説明においては、ステップＳ１９により、第２上面電極１６を設けるものとしたが、ステップＳ１９の工程を省略して、第２上面電極１６の構成を省略してもよい。
【００８０】
以上のように本実施例のチップ抵抗器の製造方法及び該製造方法により製造されたチップ抵抗器によれば、一次分割の直前にレーザースクライブによりスリットを形成して、抵抗体や第１上面電極や第２上面電極やカバーコートや保護膜を切断しておく（ステップＳ２０参照）ので、一次分割や二次分割によるバリの発生を防止することができる。特に、第２上面電極１６や保護膜２０は樹脂系の素材により形成されているので、上記ステップＳ２０において一次スリットと二次スリットを形成して第２上面電極１６や保護膜２０を切断しておかないとバリが発生するおそれがあるが、上記ステップＳ２０において、第２上面電極１６や保護膜２０を切断するので、一次分割の際に第２上面電極１６においてバリの発生を防ぐことができ、また、二次分割の際に保護膜２０においてバリの発生を防ぐことができる。また、特に、この一次分割の直前のレーザースクライブにおけるスリット形成においては、ＵＶレーザーを用いるので、切断される部材が燃焼して炭化してしまうことがない。特に、第２上面電極や保護膜は樹脂により形成されているが、燃焼して炭化することなく切断することができる。
【００８１】
また、上記の実施例においては、抵抗体や第１上面電極等を形成する前に予めＹＡＧレーザーによりアルミナ基板にスリットを形成しておく（ステップＳ１３参照）ので、アルミナ基板に分割を行うために十分な深さのスリットを形成しておくことができ、また、ＹＡＧレーザーを用いても、アルミナ基板の表面には、抵抗体や第１上面電極や第２上面電極やカバーコートや保護膜は形成されていないので、これらが燃焼して炭化する等の支障を来すことがない。
【００８２】
また、上記の実施例においては、予めスリットが形成されたアルミナ基板、すなわち、スリット基板を用いるのではなく、アルミナ基板にレーザースクライブによりスリットを形成するので、電極のペーストや抵抗体のペースト等を印刷する際のスクリーンを複数用意する必要がない。
【００８３】
また、アルミナ基板の表面には、抵抗体や電極を形成する前にスリットを形成しておく（ステップＳ１３参照）ので、電極のペーストや抵抗体のペースト等を印刷する際の目印とすることができ、例えば、画像認識等によりスリットの位置を把握した上で印刷を行うことにより、印刷のずれを防止することができる。
【００８４】
また、ＹＡＧレーザーによりレーザースクライブすることにより形成されたスリットは、スリットの開口部分が、図１４に示すように、狭くなった状態となる。これはＹＡＧレーザーの熱により基板の一部が溶解してこのような形状になり、全体に略楕円弧状の断面形状となる。すると、スリットの内部には、印刷されるペーストが入り込みにくくなり、これにより、バリを少なくすることができる。また、特に、二次スリット側においては、カバーコートのペースト（カバーコートを形成しない場合には、保護膜のペースト）がこの二次スリット内に入り込もうとするが、上記のように、スリットの開口部分が狭くなることにより、該ペーストが入り込みにくくなり、完成状態のチップ抵抗器Ａにおける二次スリット側の側面の見栄えを良好にすることができる。つまり、カバーコートや保護膜は黒色等の濃い色が多く、また、絶縁基板は白色系であることから、該ペーストがスリットに入り込んだ場合には、カバーコートや保護膜が染みこんだような状態となり見栄えが悪いが、本実施例の場合には、そのようなおそれを小さくすることができる。
【００８５】
なお、上記の説明においては、上記ステップＳ２０において、アルミナ基板５の上面側に形成されている各部で一次スリットと二次スリットとを跨いでいるもの、すなわち、抵抗体Ｇ１２と、第１上面電極Ｇ１４と、第２上面電極Ｇ１６と、カバーコートＧ１８と、保護膜Ｇ２０とをレーザースクライブにより切断するものとして説明したが、上記の各部において、バリが出やすい部材が第２上面電極Ｇ１６と、保護膜Ｇ２０であることからすると、少なくとも、第２上面電極１６と保護膜Ｇ２０とを切断するようにすれば、バリの発生を極力少なくすることができる。つまり、最上層としての第２上面電極Ｇ１６と保護膜Ｇ２０のみを切断できるように、スリットを形成するのである。このように、第２上面電極と保護膜のみを切断するようにすれば、少ないパワーのレーザー光で済ますことができ、作業効率を向上させることができる。
【００８６】
なお、上記第１上面電極Ｇ１４は、Ｙ方向には個々に形成するものとしたが、Ｙ方向に帯状に形成してもよい。また、第２上面電極Ｇ１６は、Ｙ方向に帯状に形成するものとして説明したが、帯状に形成するのではなく、Ｙ方向に個別に形成するものとしてもよい。また、抵抗体についても、Ｘ方向に帯状に抵抗体Ｇ１２を形成するものとして説明したが、各チップ抵抗器ごとに個別に形成してもよい。その場合には、ステップＳ２０において、抵抗体はＵＶレーザーにより切断されないことになる。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す要部縦断面図である。
【図３】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図４】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の要部の配置を概念的に示す説明図である。
【図５】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示すフローチャート図である。
【図６】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図８】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図９】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す要部縦断面図である。
【図１１】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す要部縦断面図である。
【図１２】本発明の実施例に使用するＵＶレーザーを説明するための説明図である。
【図１３】本発明の実施例に基づくチップ抵抗器の実装状態を示す縦断面図である。
【図１４】基板にＹＡＧレーザーでレーザースクライブした状態を示す要部縦断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
Ａ  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
１２、Ｇ１２  抵抗体
１４、Ｇ１４  第１上面電極
１６、Ｇ１６  第２上面電極
１８、Ｇ１８  カバーコート
２０、Ｇ２０  保護膜
２２、Ｇ２２  下面電極
２４  側面電極
２６  メッキ
２８  ニッケルメッキ
３０  錫メッキ
４０  電極部
４２  下面側電極部
【図１】
2006128480.tif 000003
【図２】
2006128480.tif 000004
【図３】
2006128480.tif 000005
【図４】
2006128480.tif 000006
【図５】
2006128480.tif 000007
【図６】
2006128480.tif 000008
【図７】
2006128480.tif 000009
【図８】
2006128480.tif 000010
【図９】
2006128480.tif 000011
【図１０】
2006128480.tif 000012
【図１１】
2006128480.tif 000013
【図１２】
2006128480.tif 000014
【図１３】
2006128480.tif 000015
【図１４】
2006128480.tif 000016