(57)【要約】【課題】  複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置において、放熱性能を高め、半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和する。【解決手段】  対向する２つの半導体素子１Ａ，１Ｂの間に一部が半導体装置の上面に露出する放熱体３を配置した。また、放熱体３と基板２上に形成された接続パターンとをワイヤを用いて接続し、放熱体３が電気的に定電位に接続される。これにより半導体素子に発熱があった際に、放熱体を伝導して外部に伝わることによって、複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置の放熱性能を高め、半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和することができる。【選択図】  図１
2006059871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部回路と接続するための外部電極を有する基板と、前記外部電極と反対側の前記基板上に積層して搭載された複数の半導体素子とを備えた積層型マルチチップ半導体装置であって、
対向する２つの半導体素子の間に一部が半導体装置の上面に露出する放熱体を配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記放熱体と基板上に形成された接続パターンとをワイヤを用いて接続し、前記放熱体が電気的に定電位に接続される請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
複数の半導体素子を熱伝導性接着剤を使用して基板上に積層する積層型マルチチップ半導体装置の製造方法であって、前記複数の半導体素子を積層する際に前記複数の半導体素子の中の２つの半導体素子間に放熱体を熱伝導性接着剤を使用して接続する工程と、前記基板の上面に配置された接続パターンと前記半導体素子の上面に配置された接続パターンをワイヤで接続する工程と、前記基板の上面に配置された接続パターンと前記放熱体の一部をワイヤで接続する工程と、前記基板上面に前記半導体素子と前記ワイヤを覆って封止樹脂を配置する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、前記基板に外部回路と接続するための外部電極を配置する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、配線基板上に積層して搭載された複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置の放熱性能を高め、半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和することができる半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の単位面積あたりの半導体素子の高密度化が求め続けられているが、チップ中の回路素子の高密度化と平行して、半導体素子を１つの半導体装置内に複数積層するマルチチップ構造の半導体装置が製造されている。
【０００３】
以下従来例としてワイヤボンディングタイプの半導体装置であるＰＢＧＡを例に、図５によって説明する。
【０００４】
図５（ａ）は半導体装置の断面図、図５（ｂ）は半導体装置の上面から見た透過図である。概略でいうと、この半導体装置は半導体素子１Ａ，１Ｂ、半導体基板２、熱伝導性接着剤４Ａ，４Ｂ、ボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂ、封止樹脂６、外部電極７を有している。
【０００５】
次にこの製造工程を図６によって説明する。概略でいうと、まず図６（ａ）のように半導体基板２の１主面に熱伝導性接着剤４Ａを塗布し、半導体素子１Ａの裏面を搭載する。次に図６（ｂ）のように半導体素子１Ａの表面に熱伝導性接着剤４Ｂを塗布し、半導体素子１Ｂの裏面を搭載する。引き続き図６（ｃ）のように半導体基板２の１主面に形成された接続パターン（図示せず）と半導体素子１Ａまたは１Ｂの表面に形成された接続パターン（図示せず）の間をボンディングワイヤ５Ａまたは５Ｂによって電気的に接続する。続いて図６（ｄ）のように金型８を使用し、封止樹脂６によって半導体基板２上を封止する。最後に図６（ｅ）のように外部電極７を半導体基板２の下面に形成された接続パターンに搭載する。
【０００６】
半導体素子１Ａ，１Ｂの素材には主にシリコンが用いられる。半導体基板２はガラスエポキシ製のものなどが用いられる。熱伝導性接着剤４Ａ，４Ｂの材料としてはエポキシ樹脂などが用いられる。ワイヤボンディング５Ａ，５Ｂとしては金線が用いられることが多い。封止樹脂６としては例えばエポキシ樹脂などが用いられ、外部電極７としては半田バンプなどの形態が取られ、半田バンプの材料としては低弾性である共晶半田が用いられることが多い。
【０００７】
従来技術としては、半導体素子上に放熱体を配置し、この放熱体の一部が半導体基板上に接続される構造にすることによって、半導体素子の発熱を半導体基板側に伝導させるというものがあった（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−７７５７５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、１つの半導体装置内に複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置においては、発熱体である半導体素子が複数になるために、従来よりも高い放熱性能が必要になる。
【０００９】
また異なる機能を持つ半導体素子が隣接して配置されることになる積層型マルチチップ半導体装置においては、半導体素子間の電気的な相互干渉が無視できなくなる。このため半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和するための対策が必要になる。
【００１０】
したがって、この発明の目的は、前記に鑑み、複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置において、放熱性能を高め、半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和することができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するためにこの発明の請求項１記載の半導体装置は、外部回路と接続するための外部電極を有する基板と、前記外部電極と反対側の前記基板上に積層して搭載された複数の半導体素子とを備えた積層型マルチチップ半導体装置であって、対向する２つの半導体素子の間に一部が半導体装置の上面に露出する放熱体を配置した。
【００１２】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記放熱体と基板上に形成された接続パターンとをワイヤを用いて接続し、前記放熱体が電気的に定電位に接続される。
【００１３】
請求項３記載の半導体装置の製造方法は、複数の半導体素子を熱伝導性接着剤を使用して基板上に積層する積層型マルチチップ半導体装置の製造方法であって、前記複数の半導体素子を積層する際に前記複数の半導体素子の中の２つの半導体素子間に放熱体を熱伝導性接着剤を使用して接続する工程と、前記基板の上面に配置された接続パターンと前記半導体素子の上面に配置された接続パターンをワイヤで接続する工程と、前記基板の上面に配置された接続パターンと前記放熱体の一部をワイヤで接続する工程と、前記基板上面に前記半導体素子と前記ワイヤを覆って封止樹脂を配置する工程と、前記封止樹脂を硬化する工程と、前記基板に外部回路と接続するための外部電極を配置する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１４】
この発明の請求項１記載の半導体装置によれば、対向する２つの半導体素子の間に一部が半導体装置の上面に露出する放熱体を配置したので、半導体素子に発熱があった際に、放熱体を伝導して外部に伝わることによって、複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置の放熱性能を高めることができる。
【００１５】
請求項２では、放熱体と基板上に形成された接続パターンとをワイヤを用いて接続し、放熱体が電気的に定電位に接続されるので、定電位に接続された放熱体によって、放熱体の両側の半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和することができる。
【００１６】
この発明の請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、複数の半導体素子を積層する際に複数の半導体素子の中の２つの半導体素子間に放熱体を熱伝導性接着剤を使用して接続する工程と、基板の上面に配置された接続パターンと放熱体の一部をワイヤで接続する工程とを含むので、複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置の放熱性能を高め、半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
この発明の第１の実施の形態を図１および図２に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施形態の半導体装置の断面図、（ｂ）はその半導体装置の上面から見た透過図である。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、外部回路と接続するための外部電極７を有する基板２と、外部電極７と反対側の基板２上に積層して搭載された複数の半導体素子とを備えた従来の構造に加えて、対向する２つの半導体素子１Ａ，１Ｂの間に一部が半導体装置の上面に露出する放熱体３を配置している。この場合、放熱体３と熱伝導性接着剤４Ｂが半導体素子１Ａと１Ｂ間に配置される。更にこの放熱体３は封止樹脂６の外部に露出する面を持った構造となっているが、図１（ｂ）に示すように、半導体素子間の部分と外部へ露出する部分の間の連結部は、ボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂ領域を避けるようになっており、ワイヤボンディングを妨げることのない構造になっている。具体的には、放熱体３の半導体素子間の部分は、上方の半導体素子１Ｂより面積が大きい平板状で、その４角部から対角線方向に連結部を立ち上げている。外部へ露出する部分は、連結部と一体に封止樹脂６の上面と面一となるように形成されている。
【００１９】
第１の実施形態によると、半導体素子１Ａ，１Ｂに発熱があった際に、放熱体３を伝導して半導体装置の外部に伝わることによって、半導体素子の放熱性能を向上させることが可能になる。
【００２０】
次に上記半導体装置の製造方法について説明する。図２は本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００２１】
まず図２（ａ）に示すように、半導体素子１Ａを半導体基板２に熱伝導性接着剤４Ａで接続する。熱伝導性接着剤４Ａは例えばエポキシ樹脂などを用いる。
【００２２】
図２（ｂ）に示すように、前記図２（ａ）の状態のものの上に放熱体３を熱伝導性接着剤４Ｂで接続する。この放熱体３は図２（ｄ）で示すボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂ，５Ｃの領域を避けるようになっており、上記のようにワイヤボンディングを妨げることのない構造になっている。
【００２３】
図２（ｃ）に示すように、前記図２（ｂ）の状態のものの上に半導体素子１Ｂを熱伝導性接着剤４Ｃで接続する。
【００２４】
図２（ｄ）に示すように、前記図２（ｃ）の状態のものの半導体素子１Ａ，１Ｂの図示しない接続パターンと半導体基板２の図示しない接続パターンをボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂで接続する。ボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂは例えば金線を用いる。
【００２５】
図２（ｅ）に示すように、前記図２（ｄ）の状態のものを金型８の中に配置する。この際、放熱体３が樹脂封止後も上部が露出するように金型８は製造されている。配置後に封止樹脂６を封止して図２（ｅ）に至る。封止樹脂６は例えば熱硬化性樹脂である。
【００２６】
最後に図２（ｆ）に示すように、前記図２（ｅ）の状態の半導体基板２の下面の図示しない接続パターンに外部電極７を搭載する。
【００２７】
半導体素子１Ａ，１Ｂの素材には主にシリコンが用いられる。半導体基板２はガラスエポキシ製のものなどが用いられる。放熱体３は例えば銅や鉄系の金属が用いられる。熱伝導性接着剤４Ａ，４Ｂ，４Ｃとしては例えばエポキシ樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、尿素系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂などが用いられる。ボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂとしては金線が用いられることが多い。封止樹脂６としては例えばエポキシ樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、尿素系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂などが用いられる。外部電極７としては半田バンプなどの形態が取られ、半田バンプの材料としては低弾性である共晶半田が用いられることが多い。
【００２８】
この発明の第２の実施の形態を図３および図４に基づいて説明する。図３（ａ）は本発明の第２の実施形態の半導体装置の断面図、（ｂ）はその半導体装置の上面から見た透過図である。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に放熱体３と熱伝導性接着剤４Ｂが半導体素子１Ａと１Ｂ間に配置される。また、この放熱体３はボンディングワイヤ５Ｃによって半導体基板２上の接続パターンに接続され、この接続パターンは半導体基板内の配線を介して定電位に接続される。更にこの放熱体３は封止樹脂６の外部に露出する面を持った構造となっているが、図３（ｂ）に示すように、半導体素子間の部分と外部へ露出する部分の間の連結部は、ボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂ，５Ｃ領域を避けるようになっており、ワイヤボンディングを妨げることのない構造になっている。
【００３０】
第２の実施形態によると、半導体素子１Ａ，１Ｂに発熱があった際に、放熱体３を伝導して半導体装置の外部に伝わることによって、半導体素子の放熱性能を向上させることが可能になる。また定電位に接続された放熱体３によって、放熱体３の両側の半導体素子１Ａ，１Ｂ間の電気的な相互干渉を緩和することが可能になる。
【００３１】
次に上記半導体装置の製造方法について説明する。図４は本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００３２】
まず図４（ａ）に示すように、半導体素子１Ａを半導体基板２に熱伝導性接着剤４Ａで接続する。熱伝導性接着剤４Ａは例えばエポキシ樹脂などを用いる。
【００３３】
図４（ｂ）に示すように、前記図４（ａ）の状態のものの上に放熱体３を熱伝導性接着剤４Ｂで接続する。この放熱体３は図４（ｄ）で示すボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂ，５Ｃの領域を避けるようになっており、上記のようにワイヤボンディングを妨げることのない構造になっている。
【００３４】
図４（ｃ）に示すように、前記図４（ｂ）の状態のものの上に半導体素子１Ｂを熱伝導性接着剤４Ｂで接続する。
【００３５】
図４（ｄ）に示すように、前記図４（ｃ）の状態のものの半導体素子１Ａ，１Ｂの図示しない接続パターンと半導体基板２の図示しない接続パターンをボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂで接続し、更に放熱体３上の一部分と半導体基板２の図示しない接続パターンをボンディングワイヤ５Ｃで接続する。この際ボンディングワイヤ５Ｃが接続される半導体基板２上の接続パターンは半導体基板２内部の配線と下面の外部電極７を通して定電位に接続されるように設計されることとする。ボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂ，５Ｃは例えば金線を用いる。
【００３６】
図４（ｅ）に示すように、前記図４（ｄ）の状態のものを金型８の中に配置する。この際、放熱体３が樹脂封止後も上部が露出するように金型８は製造されている。配置後に封止樹脂６を封止して図４（ｅ）に至る。封止樹脂６は例えば熱硬化性樹脂である。
【００３７】
最後に図４（ｆ）に示すように、前記図４（ｅ）の状態の半導体基板２の下面の図示しない接続パターンに外部電極７を搭載する。
【００３８】
半導体素子１Ａ，１Ｂの素材には主にシリコンが用いられる。半導体基板２はガラスエポキシ製のものなどが用いられる。放熱体３は例えば銅や鉄系の金属が用いられる。熱伝導性接着剤４Ａ，４Ｂ，４Ｃとしては例えばエポキシ樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、尿素系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂などが用いられる。ボンディングワイヤ５Ａ，５Ｂとしては金線が用いられることが多い。封止樹脂６としては例えばエポキシ樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、尿素系樹脂、イミド系樹脂、アミド系樹脂などが用いられる。外部電極７としては半田バンプなどの形態が取られ、半田バンプの材料としては低弾性である共晶半田が用いられることが多い。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明にかかる半導体装置およびその製造方法は、配線基板上に積層して搭載された複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置の放熱性能を高め、半導体素子間の電気的な相互干渉を緩和させる効果を有する。
【００４０】
従って、配線基板上に積層して搭載された複数の半導体素子を有する積層型マルチチップ半導体装置であるＰＢＧＡ、ＰＧＡ、ＣＳＰ等を適用するコンピュータやネットワークルータ、ＰＤＰ、デジタルＴＶ、ハイビジョンＴＶ、携帯電話、あるいは、特に非常な負荷の加わる車載用半導体装置などにおいて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態の半導体装置の断面図、（ｂ）はその半導体装置の上面から見た透過図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施形態の半導体装置の断面図、（ｂ）はその半導体装置の上面から見た透過図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】（ａ）は従来例の半導体装置の断面図、（ｂ）はその半導体装置の上面から見た透過図である。
【図６】従来例の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１Ａ,１Ｂ  半導体素子
２  半導体基板
３  放熱体
４Ａ,４Ｂ,４Ｃ  熱伝導性接着剤
５Ａ,５Ｂ,５Ｃ  ボンディングワイヤ
６  封止樹脂
７  外部電極
８  金型
【図１】
2006059871.tif 000003
【図２】
2006059871.tif 000004
【図３】
2006059871.tif 000005
【図４】
2006059871.tif 000006
【図５】
2006059871.tif 000007
【図６】
2006059871.tif 000008