(57)【要約】【課題】  本発明は、磁気記録媒体においては信頼性の向上を目的とし、光磁気記録媒体においては高記録密度化、高転送レート化を目的としている。【解決手段】  上記目的は、少なくとも垂直磁化膜である第一の磁性層、第二の磁性層、第三の磁性層および第四の磁性層がこの順序で積層され、第三の磁性層と第四の磁性層との間に、互いに交換結合できないスペース層が形成された記録媒体であって、第四の磁性層は、第三の磁性層にある大きさ以上の磁区が形成されたときに静磁的な結合により記録磁区を形成することを特徴とする記録媒体である。【選択図】  図１
2006059499.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一、第二、第三、第四の磁性層が順次積層され、第三の磁性層と第四の磁性層との間にはお互いに交換結合できないスペース層が形成されている磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体において、第一の磁性層は垂直磁化膜であり最短マーク長のモノトーンによる記録磁区が形成され、第二の磁性層は該第一の磁性層、該第三の磁性層、及び該第四の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層からなり、該第三の磁性層は該第一の磁性層に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、該第四の磁性層は垂直磁化膜であり該第三の磁性層にある大きさ以上の磁区が形成されたときに静磁的な結合により記録磁区を形成することを特徴とする磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体であって、ある所定のクロックのタイミングで所定の極性の記録磁区を形成する記録の際には、記録箇所を加熱手段により、第一、第三、及び、第四の磁性層のキュリー温度より低く、かつ、第二の磁性層のキュリー温度より高くなるように昇温して温度分布を形成して、あらかじめ第一の磁性層から転写されて形成されている第三の磁性層上の記録磁区の磁壁が前記温度分布における略第二のキュリー温度の等温線が接した瞬間に、該温度分布の高温側に向かって磁壁を移動させて磁区を拡大し、この第三の磁性層の拡大磁区からの磁束により第四の磁性層に静磁的に結合して記録磁区を転写して形成し、
○最短マーク長の記録磁区を形成したい場合は、
次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御して情報の記録を行い、
○最短マーク長の奇数倍（３以上）の長さを有する記録磁区を形成したい場合は、
（プロセス１）次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以下の温度分布を形成するように加熱手段を制御する
（プロセス２）次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御する
の二つのプロセスを（プロセス１）、（プロセス２）の順で繰返し、所望の長さの記録磁区が形成された次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御して情報の記録を行うことを特徴とする磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は記録媒体及び該記録媒体に加熱手段を用いて磁気記録を行う記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報の書き換え可能な大容量メモリとして、磁性膜を用いた磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体がある。これらの記録媒体は、Ｎ極、及び、Ｓ極からなる磁化のスピンの向きを２値の情報に対応させ、そのスピンの向きを読み取ることにより情報の再生を行う。
【０００３】
従来の磁気記録媒体では、ハードディスクに見られるように、回転する円盤状の磁気記録媒体に記録信号に対応した電流を磁気ヘッドの巻き線コイルに流し、コイルを巻いたコアから発生した磁場を使って記録磁区を形成する。再生においては、磁気誘導、または、磁気抵抗効果（ＭＲ効果）を利用した磁気ヘッドを用いて、記録磁区からの漏れ磁束を電気信号に変換して再生している（特許文献３、４および５参照）。
【０００４】
一方、光磁気記録媒体においては、ある一方向に磁化された垂直磁化膜に対し、記録の際には、逆方向の磁化が形成されるように外部磁界を印加しながら、レーザー光を照射して局所的に加熱し、逆方向の磁化による記録磁区を形成して記録を行う。また、別の方法として、磁気記録媒体と同様に、記録信号に対応した電流を磁気ヘッドの巻き線コイルに流し、コイルを巻いたコアから発生した磁場を使って記録磁区を形成する方法もある。この場合、前者の記録方法でみられるような、記録前のある一方向へ着磁する初期化（あるいは、消去）という操作を省くことができる。前者は光変調記録方式と呼ばれ、初期化が必要であり、記録動作以外に初期化のためにディスクをさらに一回転させなければならず、転送レート的に不利となっている。この点では、後者の磁界変調記録方式は、情報の上書き（オーバーライト）が可能であり、初期化に必要な一回転分の時間を必要としないので、前者よりは転送レート的に優れたものとなっている（特許文献１および２参照）。
【０００５】
光磁気記録媒体の再生においては、再生用のレーザー光を記録磁区に照射し、磁気光学効果（磁気Ｋｅｒｒ効果）を利用して、記録磁区の磁化の向きに応じた磁気Ｋｅｒｒ回転角を検出して電気信号に変換することにより情報の再生を行っている。
【０００６】
磁気媒体の記録・再生および光磁気記録媒体の記録には、信号に応じて磁気ヘッドの巻き線コイルに電流を流し、コイルを巻いたヘッドコアからの漏れ磁束を利用して記録を行う必要がある。
【特許文献１】特開平５−２５８３７６号公報
【特許文献２】特開平６−２５１５２７号公報
【特許文献３】特開平５−２５８２０５号公報
【特許文献４】特開平５−１０１４７８号公報
【特許文献５】特開２０００−５７５３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
磁気記録媒体で用いられる磁気ヘッドとしては、フォトリソグラフィ技術を応用して、スパッタリング膜等をパターニングしてヘッドコアや巻き線コイルを形成する薄膜磁気ヘッドが用いられている。これにより、ヘッドインダクタンスを小さくすることができ、高周波記録への対応が可能となり、高密度記録を実現している。しかし、このような薄膜磁気ヘッドにおいては磁界発生領域が数十ｎｍ〜数百ｎｍ程度と非常に狭く、記録の際には媒体に近接して用いなければならない。そのため、ヘッドクラッシュを引き起こす確率が高く、信頼性を確保するための各種の手段や構成の付加が必要となる場合が多い。
【０００８】
一方、光磁気記録媒体で用いられる磁気ヘッドにおいては、磁気ヘッドのコアとしてバルク磁性材料を用いているので、磁界発生領域を数μｍ〜数十μｍオーダーにまで拡大できる。従って、ヘッドと媒体間で比較的距離をとることができ、磁気記録媒体にみられるようなヘッドクラッシュによるデータ破壊の確率は小さく、信頼性の高い大容量可換記録媒体として用いられている。しかし、ヘッドコアとしてバルク磁性材料を用いているので、ヘッドインダクタンスは大きく、十分な高周波特性は得られず、より一層の高記録密度化、高転送レート化のために一層の記録速度の向上が要求されている。
【０００９】
本発明は以上の問題点に鑑みなされたものであり、磁気記録媒体においては信頼性の向上を目的とし、光磁気記録媒体においては高記録密度化、高転送レート化を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的は以下の構成により達成される。
【００１１】
すなわち、少なくとも第一、第二、第三、第四の磁性層が順次積層され、第三の磁性層と第四の磁性層との間にはお互いに交換結合できないスペース層が形成されている磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体において、第一の磁性層は垂直磁化膜であり最短マーク長のモノトーンによる記録磁区が形成され、第二の磁性層は該第一の磁性層、該第三の磁性層、及び該第四の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層からなり、該第三の磁性層は該第一の磁性層に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなり、該第四の磁性層は垂直磁化膜であり該第三の磁性層にある大きさ以上の磁区が形成されたときに静磁的な結合により記録磁区を形成することを特徴とする磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体。
【００１２】
さらに具体的には、上述の磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体に対して、ある所定のクロックのタイミングで所定の極性の記録磁区を形成する記録の際には、記録箇所を加熱手段により、第一、第三、及び、第四の磁性層のキュリー温度より低く、かつ、第二の磁性層のキュリー温度より高くなるように昇温して温度分布を形成して、あらかじめ第一の磁性層から転写されて形成されている第三の磁性層上の記録磁区の磁壁が前記温度分布における略第二のキュリー温度の等温線が接した瞬間に、該温度分布の高温側に向かって磁壁を移動させて磁区を拡大し、この第三の磁性層の拡大磁区からの磁束により第四の磁性層に静磁的に結合して記録磁区を転写して形成し、
○最短マーク長の記録磁区を形成したい場合は、
次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御して情報の記録を行い、
○最短マーク長の奇数倍（３以上）の長さを有する記録磁区を形成したい場合は、
（プロセス１）次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以下の温度分布を形成するように加熱手段を制御する。
（プロセス２）次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御する。
の二つのプロセスを（プロセス１）、（プロセス２）の順で繰返し、所望の長さの記録磁区が形成された次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御して情報の記録を行うことを特徴とする磁気記録媒体、または、光磁気記録媒体。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、記録用の磁気ヘッド不要の光変調記録が実現でき、磁気記録媒体では記録用磁気ヘッドによるヘッドクラッシュがなく高信頼性の記録媒体が実現でき、光磁気記録媒体においては高周波数記録を可能にし、高速転送レート、もしくは、高密度記録が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の記録媒体は、少なくとも垂直磁化膜である第一の磁性層、第二の磁性層、垂直磁化膜である第三の磁性層および垂直磁化膜である第四の磁性層が順次積層され、第三の磁性層と第四の磁性層との間にはお互いに交換結合できないスペース層が形成され、第二の磁性層は、第一の磁性層、第三の磁性層及び第四の磁性層よりもキュリー温度の低い磁性層で、且つ、第三の磁性層は、第一の磁性層に比べ磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜であり、第一の磁性層に、モノトーン、すなわち記録磁区を担うスピンの方向が単一周期的に変化する最短マーク長の記録磁区が形成されていることを特徴とする磁性層からなる記録媒体である。
【００１５】
次に、上記の記録媒体に記録する方法を説明する。
【００１６】
記録媒体に対して、ある所定のクロックのタイミングで所定の極性の記録磁区を形成する記録の際には、記録箇所を加熱手段により、第一、第三、及び、第四の磁性層のキュリー温度より低く、かつ、第二の磁性層のキュリー温度より高くなるように昇温して温度分布を形成して、あらかじめ第一の磁性層から転写されて形成されている第三の磁性層上の記録磁区の磁壁が前記温度分布における略第二のキュリー温度の等温線が接した瞬間に、該温度分布の高温側に向かって磁壁を移動させて磁区を拡大し、この第三の磁性層の拡大磁区からの磁束により第四の磁性層に静磁的に結合して記録磁区を転写して形成し、
○最短マーク長の記録磁区を形成したい場合は、
次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御して情報の記録を行い、
○最短マーク長の奇数倍（３以上）の長さを有する記録磁区を形成したい場合は、
（プロセス１）次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以下の温度分布を形成するように加熱手段を制御する。
（プロセス２）次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御する。
の二つのプロセスを（プロセス１）、（プロセス２）の順で繰返し、所望の長さの記録磁区が形成された次のクロックタイミングで第二の磁性層のキュリー温度以上の温度分布を形成するように加熱手段を制御して情報の記録を行うことを特徴とする磁気記録方法である。
【００１７】
以下、図面を用いて本発明の記録媒体と記録原理を説明する。図１は、本発明の記録原理を説明する概略図である。
【００１８】
図１に示すように、本発明の記録媒体は、少なくとも垂直磁化膜である第一の磁性層（１１）、第二の磁性層（１２）、垂直磁化膜である第三の磁性層（１３）および垂直磁化膜である第四の磁性層がこの順で積層され、第三の磁性層（１３）と第四の磁性層（１４）との間にはお互いに交換結合できないスペース層（１５）が形成され、第二の磁性層（１２）は、第一の磁性層（１１）、第三の磁性層（１３）及び第四の磁性層（１４）よりもキュリー温度の低い磁性層で、且つ、第三の磁性層（１３）は、第一の磁性層（１１）に比べ磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜であり、第一の磁性層（１１）、第二の磁性層（１２）および第三の磁性層（１３）は、互いに交換結合し、第一の磁性層（１１）に、スピンの方向が単一周期的に変化する最短マーク長の記録磁区が形成されている。これは、第一の磁化方向の磁区と第２の磁化方向の磁区が交互に配列された状態である。
【００１９】
第一の磁性層（１１）、第二の磁性層（１２）および第三の磁性層（１３）は、各々交換結合しているが、第四の磁性層（１４）はスペース層（１５）により他の磁性層とは静磁的な結合はあるものの、交換結合はしていない。第三の磁性層（１３）は、第一の磁性層（１１）に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなっている。
【００２０】
第四の磁性層（１４）は、垂直磁化膜であり第三の磁性層（１３）にある大きさ以上の磁区が形成されたときに静磁結合により記録磁区を形成するように構成されている。したがって、第三の磁性層（１３）としては、第四の磁性層（１４）に記録磁区を形成する温度で、できるだけ漏れ磁束が大きくなるような組成を選ぶことにより、第四の磁性層（１４）により安定した記録磁区を形成することができる。また、第四の磁性層（１４）も、第一の磁性層（１１）と同様、少なくとも最短マーク長の記録磁区が保持できるのに必要な垂直磁気異方性を有していることが好ましい。
【００２１】
尚、第一の磁性層に、スピンの方向が単一周期的に変化する最短マーク長の記録磁区を形成する初期化は、例えばディスクの場合、ディスクを回転し、ディスクの一方の側から、磁気ヘッドに単一周期で変調をかけたコイル電流を印加し、該磁気ヘッドと対向するディスクの他方の側からレーザーを照射することで形成できる。
【００２２】
以上のような構成の本発明の記録媒体に、レーザー照射すると、グラフに示されるような温度分布が記録媒体上に形成される。図１では、第一の磁性層（１１）側からレーザー光を照射しているが、第四の磁性層（１４）側からレーザー光を照射しても同様の形状をした温度分布が得られるので、レーザーの照射方向は記録媒体のどちらの面に照射しても良い。
【００２３】
グラフは、縦軸は媒体上の温度であり、横軸は媒体上の位置を表している。ここで、Ｔｓは第二の磁性層（１２）のキュリー温度、Ｔｃは第三の磁性層（１３）の漏れ磁束からの静磁結合により第四の磁性層（１４）に磁化が転写される温度で、Ｔｐは光スポット内におけるピーク温度である。
【００２４】
レーザー・スポットは固定され、記録媒体は紙面右側から左側へと動いている。
【００２５】
図１は、移動中のある時間での記録媒体を構成する磁性層の磁化状態を示している。
【００２６】
レーザー照射により、スポット中心部に向かって媒体温度は上昇する。が、第二の磁性層（１２）のキュリー温度Ｔｓ以下の領域では、第一〜第三の磁性層は交換結合しているので、第一の磁性層（１１）に形成されたスピンの方向が単一周期的に配列された記録磁区が第二の磁性層を介して第三の磁性層（１３）まで転写され、第三の磁性層（１３）上にもスピンの方向が単一周期的に配列された記録磁区（１６）が形成されている。
【００２７】
温度Ｔｓ以上の領域においては、第二の磁性層（１２）はキュリー温度に達しており磁化は消失し、第一の磁性層（１１）と第三の磁性層（１３）との交換結合は切断された状態になっている。
【００２８】
この結果、第三の磁性層（１３）上の転写磁区（１７）の磁壁エネルギーの温度依存性により、磁壁に光スポット内へ移動する圧力が誘発されるため、転写磁区（１７）の磁壁が瞬間的に光スポット内へ移動する。そして、その結果、光スポット内の原子スピンの向きが反転して全て一方向にそろい、記録磁区が拡大される。そして、さらには、その拡大された記録磁区（１７）からの漏れ磁束により、スペース層（１５）を介して、静磁的に、第四の磁性層（１４）上にも転写磁区（１８）が形成される。
【００２９】
図２は、記録磁区の最短マーク長を１Ｔ−ｍａｒｋとした場合の１Ｔ−ｍａｒｋの記録方法である。図２（ａ）は、１Ｔ−ｍａｒｋの記録方法のレーザー出力信号である。ｂ、ｃ、ｄ、ｅは記録動作時の時刻を表しており、記録磁区の最短マーク長（１Ｔ−ｍａｒｋ）の距離を媒体が移動するのに要する時間を１Ｔとした場合、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ、時刻ｂ、時刻ｂから１Ｔ後、時刻ｂから２Ｔ後、時刻ｂから３Ｔ後を表している。尚、図２中の矢印は、媒体の移動方向を示す。図１と同様に、レーザーは、固定され、固定されたレーザーの下を媒体が移動している。レーザー光は、ｏｎ時は、第一の磁性層（１１）、第三の磁性層（１３）、及び、第四の磁性層（１４）のキュリー温度よりも低く、第二の磁性層（１２）よりもキュリー温度よりも高い記録パワーＰｗ＝Ｐ１のレーザー光が照射され、ｏｆｆ時は、記録媒体の温度が、第二の磁性層（２２）のキュリー温度よりも低くなるように記録パワーをＰｗ＝Ｐ０と低下させる。
【００３０】
図２（ｂ）は、図２（ａ）の時刻ｂの媒体の状態を示す図である。第一の磁性層（１１）の最短マーク長の単位記録磁区イ、ロ、ハ、ニ、ホ、ヘ、ト・・は、イ、ハ、ホ、トの磁化状態は同一極性で、ロ、ニ、ヘの磁化状態は逆極性であり、イ、ロ、ハ、ニ、ホ、ヘ、ト・・の幅は同一である。時刻ｂでは記録パワーはＰｗ＝Ｐ１であり、位置１における媒体の温度はＴｓとなっている。位置１の左側のＴｓ以下の温度領域では第一の磁性層（１１）から第三の磁性層（１３）まで交換結合している。位置１においては、第二の磁性層（１２）を介した交換結合力の増大により、第一の磁性層（１１）の磁化が、すなわち、磁区イと同じ極性の磁化がそのまま第三の磁性層（１３）まで転写されている。一方、第二の磁性層（１２）のキュリー温度Ｔｓよりも温度が高い領域（位置１に対して右側）では、第二の磁性層（１２）は磁化を消失し第一の磁性層（１１）と第三の磁性層（１３）とは交換結合が切断された状態である。第三の磁性層（１３）のＴｓより温度が高い領域は、媒体が、図１の温度勾配をもっていると、磁壁エネルギーの温度依存性により、磁壁に光スポット内へ移動する圧力が誘発され磁壁が瞬間的に温度の高い方へ移動し磁区イと同じ極性の磁区１７が形成される。第四の磁性層の温度が、第三の磁性層（１３）上の主に磁区１７による漏れ磁束からの静磁結合により第四の磁性層（１４）に磁化が転写される温度（Ｔｃ：位置２）以上の領域に転写磁区（１８）が形成される。
【００３１】
図２（ｃ）は、時刻ｃの媒体の状態を示す図である。
【００３２】
時刻ｃでは記録パワーはＰｗ＝Ｐ１であり、位置１における媒体の温度はＴｓとなっている。位置１の左側のＴｓ以下の温度領域では第一の磁性層（１１）から第三の磁性層（１３）まで交換結合している。位置１においては、第二の磁性層（１２）を介した交換結合力の増大により、第一の磁性層（１１）の磁化が、すなわち、磁区ロと同じ極性の磁化がそのまま第三の磁性層（１３）まで転写されている。一方、第二の磁性層のキュリー温度Ｔｓよりも温度が高い領域では、第二の磁性層（１２）は磁化を消失し第一の磁性層（１１）と第三の磁性層（１３）とは交換結合が切断された状態である。第三の磁性層（１３）のＴｓより温度が高い領域は、媒体が、図１の温度勾配をもっていると、磁壁エネルギーの温度依存性により、磁壁に光スポット内へ移動する圧力が誘発され磁壁が瞬間的に温度の高い方へ移動し磁区ロと同じ極性の磁区（１７）が形成される。第四の磁性層には、図２（ｂ）で形成された磁区イと同極性の領域が第四の磁性層の温度がＴｃより低い領域（位置２に対して左側）に転写形成される。第四の磁性層の温度がＴｃより高い領域（位置２に対して右側）には、第三の磁性層（１３）上の主に磁区１７による漏れ磁束からの静磁結合により磁区ロと同じ極性の転写磁区（１８）が形成される。
【００３３】
図２（ｄ）は、時刻ｄの媒体の状態を示す図である。
【００３４】
時刻ｄでは記録パワーはＰｗ＝Ｐ１であり、位置１における媒体の温度はＴｓとなっている。位置１の左側のＴｓ以下の温度領域では第一の磁性層（１１）から第三の磁性層（１３）まで交換結合している。位置１においては、第二の磁性層（１２）を介した交換結合力の増大により、第一の磁性層（１１）の磁化が、すなわち、磁区ハと同じ極性の磁化がそのまま第三の磁性層（１３）まで転写されている。一方、第二の磁性層のキュリー温度Ｔｓよりも温度が高い領域では、第二の磁性層（１２）は磁化を消失し第一の磁性層（１１）と第三の磁性層（１３）とは交換結合が切断された状態である。第三の磁性層（１３）のＴｓより温度が高い領域は、媒体が、図１の温度勾配をもっていると、磁壁エネルギーの温度依存性により、磁壁に光スポット内へ移動する圧力が誘発され磁壁が瞬間的に温度の高い方へ移動し磁区ハと同じ極性の磁区が形成される。第四の磁性層の温度がＴｃより低い領域（位置２に対して左側）には、図２（ｂ）で形成された磁区イと図２（ｃ）で形成された磁区ロとが転写形成されている。第四の磁性層の温度がＴｃより高い領域（位置２に対して右側）には、第三の磁性層（１３）上の主に磁区１７による漏れ磁束からの静磁結合により磁区ハと同じ極性の転写磁区（１８）が形成される。
【００３５】
図２（ｅ）は、時刻ｅの媒体の状態を示す図である。
【００３６】
時刻ｅでは記録パワーはＰｗ＝Ｐ１であり、位置１における媒体の温度はＴｓとなっている。位置１の左側のＴｓ以下の温度領域では第一の磁性層（１１）から第三の磁性層（１３）まで交換結合している。位置１においては、第二の磁性層（１２）を介した交換結合力の増大により、第一の磁性層（１１）の磁化が、すなわち、磁区二と同じ極性の磁化がそのまま第三の磁性層（１３）まで転写されている。一方、第二の磁性層のキュリー温度Ｔｓよりも温度が高い領域では、第二の磁性層（１２）は磁化を消失し第一の磁性層（１１）と第三の磁性層（１３）とは交換結合が切断された状態である。第三の磁性層（１３）のＴｓより温度が高い領域は、媒体が、図１の温度勾配をもっていると、磁壁エネルギーの温度依存性により、磁壁に光スポット内へ移動する圧力が誘発され磁壁が瞬間的に温度の高い方へ移動し磁区ニと同じ極性の磁区（１７）が形成される。第四の磁性層には、図２（ｂ）で形成された磁区イ、図２（ｃ）で形成された磁区ロ、図２（ｄ）で形成された磁区ハと同じ極性の磁区が第四の磁性層の温度がＴｃより低い領域（位置２に対して左側）に転写形成される。第四の磁性層の温度がＴｃより高い領域（位置２に対して右側）には、第三の磁性層（１３）の漏れ磁束からの静磁結合により磁区ニと同じ極性の転写磁区（１８）が形成される。
【００３７】
図３は、３Ｔ−ｍａｒｋの記録方法を示した図である。ここで、ｎＴ−ｍａｒｋ（ｎは整数）は、１Ｔ−ｍａｒｋのｎ倍の長さを有するマーク長のことを指している。
【００３８】
図３（ａ）は、３Ｔ−ｍａｒｋの記録方法のレーザー出力信号である。ｂ、ｃ、ｄ、ｅは記録動作時の時刻を表しており、記録磁区の最短マーク長（１Ｔ−ｍａｒｋ）の距離を媒体が移動するのに要する時間を１Ｔとした場合、ｂ、ｃ、ｄ、ｅはそれぞれ、時刻ｂ、時刻ｂから１Ｔ後、時刻ｂから２Ｔ後、時刻ｂから３Ｔ後を表している。尚、図３中の矢印は、媒体の移動方向を示す。図１と同様に、レーザーは、固定され、固定されたレーザーの下を媒体が移動している。レーザー光は、ｏｎ時は、第一の磁性層（１１）、第三の磁性層（１３）、及び、第四の磁性層（１４）のキュリー温度よりも低く、第二の磁性層（１２）よりもキュリー温度よりも高い記録パワーＰｗ＝Ｐ１のレーザー光が照射され、ｏｆｆ時は、記録媒体の温度が、第二の磁性層（２２）のキュリー温度よりも低くなるように記録パワーをＰｗ＝Ｐ０と低下させる。
【００３９】
図３（ｂ）は、図２（ｂ）とまったく同じ動作であるので説明は省略する。
【００４０】
図３（ｃ）は、時刻ｃの媒体の状態を示す図である。
【００４１】
時刻ｃでは記録パワーはＰｗ＝Ｐ０であり、位置１における媒体の温度はＴｓより小さいものとなっており、第一の磁性層（１１）、第二の磁性層（１２）および第三の磁性層（１３）は交換結合している。このために第三の磁性層（１３）に形成される磁区も最短マーク長の大きさの磁区がトラック方向に交互に配置されており、第三の磁性層からの漏れ磁束も極めて小さいものとなっているので、第四の磁性層には図３（ｂ）で転写形成された磁区（１８）が形成されたままの状態である。
【００４２】
図３（ｄ）は、時刻ｄの媒体の状態を示す図である。
【００４３】
時刻ｄでは記録パワーはＰｗ＝Ｐ１であり、位置１における媒体の温度はＴｓとなっている。位置１の左側のＴｓ以下の温度領域では第一の磁性層（１１）から第三の磁性層（１３）まで交換結合している。位置１においては、第二の磁性層（１２）を介した交換結合力の増大により、第一の磁性層（１１）の磁化が、すなわち、磁区ハと同じ極性の磁化がそのまま第三の磁性層（１３）まで転写されている。一方、第二の磁性層のキュリー温度Ｔｓよりも温度が高い領域では、第二の磁性層（１２）は磁化を消失し第一の磁性層（１１）と第三の磁性層（１３）とは交換結合が切断された状態である。第三の磁性層（１３）のＴｓより温度が高い領域は、媒体が、図１の温度勾配をもっていると、磁壁エネルギーの温度依存性により、磁壁に光スポット内へ移動する圧力が誘発され磁壁が瞬間的に温度の高い方へ移動し磁区ハと同じ極性の磁区が形成される。第四の磁性層の温度がＴｃより低い領域（位置２に対して左側）および、第四の磁性層（１４）の温度がＴｃより高い領域（位置２に対して右側）には、図３（ｃ）で形成された磁区に加え第三の磁性層（１３）上の主に磁区１７による漏れ磁束からの静磁結合により磁区ハと同じ極性の転写磁区（１８）が形成される。
【００４４】
図３（ｅ）は、時刻ｅの媒体の状態を示す図である。
【００４５】
時刻ｅでは記録パワーはＰｗ＝Ｐ１であり、位置１における媒体の温度はＴｓとなっている。位置１の左側のＴｓ以下の温度領域では第一の磁性層（１１）から第三の磁性層（１３）まで交換結合している。位置１においては、第二の磁性層（１２）を介した交換結合力の増大により、第一の磁性層（１１）の磁化が、すなわち、磁区二と同じ極性の磁化がそのまま第三の磁性層（１３）まで転写されている。一方、第二の磁性層のキュリー温度Ｔｓよりも温度が高い領域では、第二の磁性層（１２）は磁化を消失し第一の磁性層（１１）と第三の磁性層（１３）とは交換結合が切断された状態である。第三の磁性層（１３）のＴｓより温度が高い領域は、媒体が、図１の温度勾配をもっていると、磁壁エネルギーの温度依存性により、磁壁に光スポット内へ移動する圧力が誘発され磁壁が瞬間的に温度の高い方へ移動し磁区ニと同じ極性の磁区（１７）が形成される。第四の磁性層の温度がＴｃより低い領域（位置２に対して左側）には、図３（ｂ）から（ｄ）で形成された単位磁区の３倍の幅の磁区が転写形成され、第四の磁性層の温度がＴｃより高い領域（位置２に対して右側）には、第三の磁性層（１３）の漏れ磁束からの静磁結合により磁区ニと同じ極性の転写磁区（１８）が形成される。この結果、単位磁区の３倍の幅の磁区（３Ｔ−ｍａｒｋ）を形成できる。
【００４６】
以上のように、１Ｔ−ｍａｒｋ、３Ｔ−ｍａｒｋの形成方法を説明したが、本発明の記録方法では、（２ｍ＋１）Ｔ−ｍａｒｋ（ｍは、１以上の整数）の形成が可能である。
【００４７】
（２ｍ＋１）Ｔ−ｍａｒｋ（ｍは、１以上の整数）は、加熱を、ｏｎ（ｂ）−[ｏｆｆ（ｃ）−ｏｎ（ｄ）]ｍ−ｏｎ（ｅ）のレーザー出力パターンで形成することができる（ｏｎ（ｂ）、ｏｆｆ（ｃ）、ｏｎ（ｄ）、ｏｎ（ｅ）は、それぞれ図３の（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）の記録動作のことを意味し、[ｏｆｆ（ｃ）−ｏｎ（ｄ）]ｍは、[ｏｆｆ（ｃ）−ｏｎ（ｄ）]をｍ回繰り返すことを意味する）。
【００４８】
ランダムな、（２ｎ−１）Ｔ（ｎは、１以上の整数）−ｍａｒｋの磁区は、上記の1Ｔ-ｍａｒｋの形成法と（２ｍ＋１）Ｔ−ｍａｒｋの形成法とを組み合わせることで形成することができることは言うまでもない。
【実施例】
【００４９】
（実施例１）
本実施例における光磁気記録媒体の基本構成図を図４に示す。本実施例で使用した基板（３１）は、ポリカーボネート（ＰＣ）を用いて射出成形により作製した。基板（３１）は、トラックピッチ３５０ｎｍ、グルーブ幅３００ｎｍ、溝深さ４０ｎｍのグルーブ記録用基板である。グルーブ幅は溝深さの半値幅で規定している。また、本実施例では、ランドを利用してトラッキング動作を行っている。本実施例では射出成形基板にポリカーボネート（ＰＣ）を用いたが、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等を成形材料として用いてもよい。また、紫外線硬化樹脂による、いわゆる２Ｐ成形したガラス基板を使用することもできる。また、本実施例では、グルーブ記録用基板を用いたが、当然、ランド記録用基板でも、ランド・グルーブ記録用基板でも使用可能である。
【００５０】
以上のようにして作製した基板上に記録膜をスパッタ法により成膜した。記録膜としては、基板上に第一の誘電体層（３２）（ＳｉＮ）、記録磁区を担うスピンの方向が単一周期的に変化する最短マーク長の磁区を形成する第一の磁性層（３３１）（ＴｂＦｅＣｏ、膜厚６０ｎｍ）、第二の磁性層（３３２）（ＴｂＦｅ、膜厚１０ｎｍ）、第三の磁性層（３３３）（ＧｄＦｅＣｏ、膜厚４０ｎｍ）、非磁性層からなるスペース層（３３５）（Ａｌ、膜厚２０ｎｍ）、第四の磁性層（３３４）（ＴｂＦｅＣｏ、膜厚６０ｎｍ）および第二の誘電体層（３４）（ＳｉＮ、膜厚４０ｎｍ）が順次積層されている。
【００５１】
第２の磁性層（３３２）のキュリー温度は、第一の磁性層（３３１）、第三の磁性層（３３３）、第四の磁性層（３３４）のキュリー温度より低く、第三の磁性層は、磁壁が移動し、拡大磁区を形成する。非磁性層からなるスペース層（３３５）は、第三の磁性層（３３３）と情報を担う記録磁区を蓄積するメモリ層としての第四の磁性層（３３４）との交換結合を切断してスペース層の役割を担う。
【００５２】
各誘電体層としては、上記誘電体層の他に、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ2などの透明誘電材料が使用できる。スペース層は、上記非磁性膜の他に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、上記透明誘電体材料などが用いることができる。また、第一の磁性層（３３１）、第二の磁性層（３３２）、第三の磁性層（３３３）、第四の磁性層（３３４）としては、上記磁性材料を含む種々の磁性材料によって構成することが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの遷移金属の一種類あるいは二種類以上が６０〜９０ａｔ％で構成される希土類・遷移金属非晶質合金によって構成し得る。さらに、第四の磁性層（３３４）としては、垂直磁気異方性、及び、磁気Ｋｅｒｒ回転角を有する磁性材料が必要とされるが、スペース層側に垂直磁気異方性を有する磁性層を形成し、その上に磁気Ｋｅｒｒ回転角の大きな磁性層を形成して、お互いに交換結合させて、この二つの磁性層を第四の磁性層（３３４）とみなして形成してもよい。
【００５３】
以上のようにして作製した光磁気記録媒体に、ディスク回転速度１．８ｍ／ｓで、磁気ヘッドのコイル電流２００ｍＡ、磁界変調周波数６ＭＨｚ、レーザーパワー４．０ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５）のレーザー光を基板側からグルーブに照射して、第一の磁性層に０．１５μｍの記録磁区を担うスピンの方向が単一周期的に変化する記録磁区を形成する初期化を行った。
【００５４】
以上のようにして作製された光磁気記録媒体を用いて、レーザーパワーを１．５ｍＷと０ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５）の二値で変調し、レーザー光を膜面側からグルーブに照射して情報の記録を行った。このときの線速度はＬＶ＝９．０ｍ／ｓであり、クロック周波数Ｃｌｏｃｋ＝６０ＭＨｚのランダムデータを記録した。このとき、ランダムデータを（１，７）変調で変換し、（１，７）変調後のデータに対して図６のような変調則に変換して記録媒体に記録した。すなわち、（１，７）変調におけるｎＴ（ｎは２〜８の整数、図６における左欄）を記録する場合は、本発明の記録媒体に記録するマークとしては（２ｎ−３）Ｔ（ｎは２〜８の整数、図６における右欄）のマークを記録する。
【００５５】
その後、レーザーパワー１．０ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５）のレーザー光を膜面側からグルーブに照射して情報の再生を行い、記録信号と再生信号と比較して、再生信号が記録信号と異なっている箇所を誤りと判定し、総データ量に対する総誤り量の割合を誤り率（ｂＥＲ）として測定した。このとき、ｂＥＲ＝２．０×１０-5と良好な特性を示した。
（実施例２）
本実施例における磁気記録媒体の基本構成図を図５に示す。本実施例で使用した基板（４１）には、紫外線硬化樹脂による、いわゆる２Ｐ成形したガラス基板を用いた。基板（４１）は、トラックピッチ４２０ｎｍ、ランド幅３７０ｎｍ、溝深さは３０ｎｍのランド記録用基板である。ランド幅は溝深さの半値幅で規定している。また、本実施例では、溝を形成しているグルーブを利用してトラッキング動作を行っている。本実施例では２Ｐ成形したガラス基板を用いたが、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等を成形材料として用いてもよい。また、本実施例では、ランド記録用基板を用いたが、当然、グルーブ記録用基板でも、ランド・グルーブ記録用基板でも使用可能である。
【００５６】
以上のようにして作製した基板上に記録膜をスパッタ法により成膜した。記録膜としては、基板上に第一の誘電体層（４２）（ＳｉＮ）、第一の磁性層（４３１）、記録磁区を担うスピンの方向が単一周期的に変化する最短マーク長の磁区を形成する第一の磁性層（４３１）（ＴｂＦｅＣｏ、膜厚６０ｎｍ）、第二の磁性層（４３２）（ＴｂＦｅ、膜厚１０ｎｍ）、第三の磁性層（４３３）（ＧｄＦｅＣｏ、膜厚４０ｎｍ）、第一の非磁性層（４３５）（Ａｌ、膜厚１５ｎｍ）、第二の非磁性層（４３６）（Ｔｉ、膜厚５０ｎｍ）、第四の磁性層（４３４）第四の磁性層（４３４）（ＣｏＣｒ、膜厚１００ｎｍ）および第一の保護層（４４）（Ｃ、膜厚１０ｎｍ）が順次積層されている。
【００５７】
第２の磁性層（４３２）のキュリー温度は、第一の磁性層（４３１）、第三の磁性層（４３３）、第四の磁性層（４３４）のキュリー温度より低く、第三の磁性層は、磁壁が移動し、拡大磁区を形成する。第一の非磁性層（４３５）は、第三の磁性層（４３３）と第四の磁性層（４３４）との交換結合を切断してスペース層の役割を担う。第二の非磁性層（４３６）は、第一の非磁性層（４３５）と同様に、第三の磁性層（４３３）と第四の磁性層（４３４）との交換結合を切断するとともに、第四の磁性層（４３４）の垂直磁気異方性を高める役割をもっている。
【００５８】
各誘電体層としては、上記誘電体層の他に、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２などの透明誘電材料が使用できる。
【００５９】
また、第一の磁性層（４３１）、第二の磁性層（４３２）、第三の磁性層（４３３）としては、上記磁性材料を含む種々の磁性材料によって構成することが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの遷移金属の一種類あるいは二種類以上が６０〜９０ａｔ％で構成される希土類・遷移金属非晶質合金によって構成し得る。
【００６０】
本実施例では、スペース層として第一の非磁性層（４３５）と第二の非磁性層（４３６）の二層により形成したが、本発明の効果を得る目的においては、二層で形成する必要はなく、少なくともどちらか一つの非磁性層を第三の磁性層（４３３）と第四の磁性層（４３４）の間に挟むようにして作製すれば良い。逆に、三層以上からなる非磁性層でスペース層として用いても当然良い。本実施例の第一の非磁性層はＡｌの表面を酸化してアルマイト処理をして用いている。また、スペース層は、上記非磁性膜の他に、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、及び、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２などの透明誘電材料などが用いることができる。
【００６１】
第四の磁性層（４３４）としては垂直磁気異方性を有するものであり、ＣｏＣｒ合金等で構成したものを用いても良く、たとえば、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＴａＰｔ、ＣｏＣｒＮｂＰｔ等の垂直磁気異方性を有する合金の中から選択して用いてもよい。また、［Ｃｏ／Ｐｔ］，［Ｃｏ／Ｐｄ］，［ＣｏＣｒＴａ／Ｐｄ］等の人工格子膜で形成されてもよい。さらには、ＴｂＦｅＣｏ，ＦｅＰｔなどの垂直磁気異方性を有する合金等の中から材料を選択して用いてもよい。
【００６２】
以上のようにして作製した磁気記録媒体に、ディスク回転速度１．８ｍ／ｓで、磁気ヘッドのコイル電流２００ｍＡ、磁界変調周波数６ＭＨｚ、レーザーパワー４．０ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５）のレーザー光を基板側からグルーブに照射して、第一の磁性層に０．１５μｍの記録磁区を担うスピンの方向が単一周期的に変化する記録磁区を形成する初期化を行った。
【００６３】
以上のようにして作製された磁気記録媒体をレーザー、レーザーパワーを２．０ｍＷと０ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５）と二値で変調し、レーザー光を基板側からランドに照射して情報の記録を行った。このときの線速度はＬＶ＝９．０ｍ／ｓであり、クロック周波数Ｃｌｏｃｋ＝６０ＭＨｚのランダムデータを記録した。このとき、ランダムデータを（１，７）変調で変換し、（１，７）変調後のデータに対して図６のような変調則に変換して記録媒体に記録した。すなわち、（１，７）変調におけるｎＴ（ｎは２〜８の整数、図６における左欄）を記録する場合は、本発明の記録媒体に記録するマークとしては（２ｎ−３）Ｔ（ｎは２〜８の整数、図６における右欄）のマークを記録する。
【００６４】
その後、磁気スペーシング５０ｎｍ（磁気スペーシング：ヘッド浮上面から第四の磁性層（４３４）表面までの距離）にして、ＭＲヘッドで情報の再生を行い、記録信号と再生信号と比較して誤り率を測定した。このとき、ｂＥＲ＝１．０×１０-6と良好な特性を示した。
【００６５】
従って、本発明の磁気記録媒体においては、光変調で記録を行うことができるので、記録磁気ヘッドは不要であり、記録磁気ヘッドからのヘッドクラッシュによる記録媒体への破損がなく、信頼性を向上した磁気記録媒体を実現している。
（実施例３）
本実施例における光磁気記録媒体の基本構成図を図７に示す。本実施例で使用した基板（７１）は、ポリカーボネート（ＰＣ）を用いて射出成形により作製した。基板（７１）は、トラックピッチ３５０ｎｍ、グルーブ幅２５０ｎｍ、溝深さ１００ｎｍのグルーブ記録用基板である。グルーブ幅は溝深さの半値幅で規定している。また、本実施例では、ランドを利用してトラッキング動作を行っている。本実施例では射出成形基板にポリカーボネート（ＰＣ）を用いたが、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アモルファスポリオレフィン（ＡＰＯ）等を成形材料として用いてもよい。また、紫外線硬化樹脂による、いわゆる２Ｐ成形したガラス基板を使用することもできる。また、本実施例では、グルーブ記録用基板を用いたが、当然、ランド記録用基板でも、ランド・グルーブ記録用基板でも使用可能である。
【００６６】
以上のようにして作製した基板上に記録膜をスパッタ法により成膜した。記録膜としては、基板上に第一の誘電体層（７２）（ＳｉＮ）、記録磁区を担うスピンの方向が単一周期的に変化する最短マーク長の磁区を形成する第一の磁性層（７３１）（ＴｂＦｅＣｏ、膜厚６０ｎｍ）、第二の磁性層（７３２）（ＴｂＦｅ、膜厚１０ｎｍ）、第三の磁性層（７３３）（ＧｄＦｅＣｏ、膜厚４０ｎｍ）、非磁性層からなるスペース層（７３９）（Ａｌ、膜厚２０ｎｍ）、第四の磁性層（７３４）（ＴｂＦｅＣｏ、膜厚５０ｎｍ）、第五の磁性層（７３５）（ＴｂＦｅ、膜厚２０ｎｍ）、第六の磁性層（７３６）（ＴｂＦｅＣｏ、膜厚１０ｎｍ）、第七の磁性層（７３７）（ＧｄＦｅ、膜厚２０ｎｍ）、第八の磁性層（７３８）（ＧｄＦｅＣｏ、膜厚２０ｎｍ）、および第二の誘電体層（７４）（ＳｉＮ、膜厚４０ｎｍ）が順次積層されている。
【００６７】
第一の磁性層（７３１）から第四の磁性層（７３４）までが、本発明における磁性層部分である。第二の磁性層（７３２）のキュリー温度は、第一の磁性層（７３１）、第三の磁性層（７３３）、第四の磁性層（７３４）のキュリー温度より低く、第三の磁性層は、磁壁が移動し、拡大磁区を形成する。非磁性層からなるスペース層（７３９）は、第三の磁性層（７３３）と情報を担う記録磁区を蓄積するメモリ層としての第四の磁性層（７３４）との交換結合を切断してスペース層の役割を担う。
【００６８】
また、第四の磁性層（７３４）から第八の磁性層（７３８）までが、ＤＷＤＤ再生動作を行う磁性層部分である。ＤＷＤＤ再生方式光磁気記録媒体の基本的な層構成は、第四の磁性層（７３４）、第五の磁性層（７３５）、第八の磁性層（７３８）であり、この三つの磁性層により、磁壁移動・磁区拡大再生動作が実現できる光磁気記録媒体を作製することが可能となる。このとき、第八の磁性層（７３８）は少なくとも再生ビームスポット内の記録情報検出領域内では第四の磁性層（７３４）に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなっている。また、第五の磁性層（７３５）は、全磁性層の中で最もキュリー温度の低い磁性層からなり、垂直磁気異方性、磁壁抗磁力が大きく、安定に磁化状態を転写できるものが望ましい。第四の磁性層（７３４）は垂直磁化膜からなっており、垂直磁気異方性、磁壁抗磁力が大きく、安定に記録磁区が保持できるものが望ましい。
【００６９】
さらに、他の磁性層について説明すると、第七の磁性層（７３７）は再生特性を向上させるために設けており、第八の磁性層（７３８）のキュリー温度よりは低く、また、少なくとも再生ビームスポット内の記録情報検出領域内では第四の磁性層（７３４）に比べ相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度が大きな垂直磁化膜からなっている。第六の磁性層（７３６）は、再生ビームスポット後方端部での第四の磁性層（７３４）から第八の磁性層（７３８）へ再転写された磁区の磁壁の移動により引き起こされる、再生信号への重畳信号、いわゆるゴースト信号を抑制するための磁性層である。この第六の磁性層（７３６）は、垂直磁気異方性が大きく、第八の磁性層（７３８）よりも磁壁抗磁力が大きい磁性層を用いるのが望ましい。
【００７０】
各誘電体層としては、上記誘電体層の他に、例えば、ＡｌＮ、ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＺｎＳ、ＭｇＦ２などの透明誘電材料が使用できる。スペース層は、上記非磁性膜の他に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、上記透明誘電体材料などが用いることができる。また、第一の磁性層（７３１）、第二の磁性層（７３２）、第三の磁性層（７３３）、第四の磁性層（７３４）、第五の磁性層（７３５）、第六の磁性層（７３６）、第七の磁性層（７３７）、第八の磁性層（７３８）としては、上記磁性材料を含む種々の磁性材料によって構成することが考えられるが、例えば、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどの希土類金属元素の一種類あるいは二種類以上が１０〜４０ａｔ％と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの遷移金属の一種類あるいは二種類以上が６０〜９０ａｔ％で構成される希土類・遷移金属非晶質合金によって構成し得る。
【００７１】
以上のようにして作製した光磁気記録媒体に、ディスク回転速度１．８ｍ／ｓで、磁気ヘッドのコイル電流２００ｍＡ、磁界変調周波数６ＭＨｚ、レーザーパワー６．０ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５）のレーザー光を基板側からグルーブに照射して、第一の磁性層に０．１５μｍの記録磁区を担うスピンの方向が単一周期的に変化する記録磁区を形成する初期化を行った。
【００７２】
以上のようにして作製された光磁気記録媒体を用いて、レーザーパワーを４．０ｍＷと０ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５）の二値で変調し、レーザー光を膜面側からグルーブに照射して情報の記録を行った。このときの線速度はＬＶ＝９．０ｍ／ｓであり、クロック周波数Ｃｌｏｃｋ＝６０ＭＨｚのランダムデータを記録した。このとき、ランダムデータを（１，７）変調で変換し、（１，７）変調後のデータに対して図６のような変調則に変換して記録媒体に記録した。すなわち、（１，７）変調におけるｎＴ（ｎは２〜８の整数、図６における左欄）を記録する場合は、本発明の記録媒体に記録するマークとしては（２ｎ−３）Ｔ（ｎは２〜８の整数、図６における右欄）のマークを記録する。
【００７３】
その後、レーザーパワー２．２ｍＷ（λ＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．８５）のレーザー光を膜面側からグルーブに照射して情報の再生を行い、記録信号と再生信号と比較して、再生信号が記録信号と異なっている箇所を誤りと判定し、総データ量に対する総誤り量の割合を誤り率（ｂＥＲ）として測定した。このとき、ｂＥＲ＝４．０×１０-6と良好な特性を示した。
また、本発明は、本実施例２で示したＤＷＤＤ再生方式の磁気超解像光磁気記録媒体以外にも、ＭＳＲ（ａ  ｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｓｕｐｅｒｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｒｅａｄｏｕｔ  ｍｅｔｈｏｄ）再生方式、ＭＡＭＭＯＳ（ａ  ｍａｇｅｔｉｃ  ａｍｐｌｉｆｙｉｎｇ  ｍａｇｎｅｔｏ−ｏｐｔｉｃａｌ  ｓｙｓｔｅｍ）再生方式などにも適用できる。すなわち、第四の磁性層（３３４）を各再生方式における情報を記録保持するメモリ層として用い、その上に各再生方式における超解像再生させるために機能する磁性層等を順次積層して用いれば、本発明の効果を得ることができる。
【００７４】
また、さらには、上述のような構成でＤＷＤＤ再生方式やＭＡＭＭＯＳ再生方式のような磁気超解像を本発明の磁気記録媒体に適用すれば、再生出力の増加をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の記録原理の説明図。
【図２】本発明の１Ｔ−ｍａｒｋの記録原理の説明図。
【図３】本発明の３Ｔ−ｍａｒｋの記録原理の説明図。
【図４】実施例１、及び、比較例１における光磁気記録媒体の構成図。
【図５】実施例２における光磁気記録媒体の構成図。
【図６】（１，７）変調と本発明の変調との関係を示す図。
【図７】実施例３における光磁気記録媒体の構成図。
【符号の説明】
【００７６】
１１    第一の磁性層
１２    第二の磁性層
１３    第三の磁性層
１４    第四の磁性層
１５    スペース層
１６    磁区
１７    磁区
１８    磁区
２６    記録磁区（１Ｔ−ｍａｒｋ）
２７    記録磁区（３Ｔ−ｍａｒｋ）
３１    基板
３２    第一の誘電体層
３３１    第一の磁性層
３３２    第二の磁性層
３３３    第三の磁性層
３３４    第四の磁性層
３３５    スペース層
３４    第二の誘電体層
４１    基板
４２    第一の誘電体層
４３１    第一の磁性層
４３２    第二の磁性層
４３３    第三の磁性層
４３４    第四の磁性層
４３５    第一の非磁性層
４３６    第二の非磁性層
４４    第一の保護層
【図１】
2006059499.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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