(57)【要約】【課題】  半導体素子の保護を図りつつ、更なる小型化・薄型化を為し得ると共に、製造工程中の不良発生を防止し、生産性の向上を可能とする、半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体素子３０と、配線２４が形成された一方の面２３ａと、その反対面となる他方の面２３ｂとを有する絶縁層２３とを備え、半導体素子３０が、能働面と側面とが絶縁層２３に被覆され、且つ該能働面が絶縁層２３の一方の面を向くよう、絶縁層２３に埋め込まれ、半導体素子３０の背面が、保護膜２２により被覆され、半導体素子３０と配線２４とが電気的に接続されていることを特徴とする。【選択図】  図３
2006222164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
配線が形成された一方の面と、その反対面となる他方の面とを有する絶縁層とを備え、
前記半導体素子が、能働面と側面とが前記絶縁層に被覆され、且つ該能働面が前記絶縁層の一方の面を向くよう、前記絶縁層に埋め込まれ、
前記半導体素子の背面が、保護膜により被覆され、
前記半導体素子と前記配線とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の背面と前記絶縁層の他方の面とが同一平面に位置し、
前記半導体素子の背面と前記絶縁層の他方の面とが、前記保護膜により一体に被覆されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護膜の露出面と前記絶縁層の他方の面とが同一平面に位置することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記配線がソルダレジストにより被覆され、該ソルダレジストの開口部分に、前記配線と接続された外部接続端子が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子の能働面に突起電極が設けられており、該突起電極の端面が前記配線と接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁層部分に貫通ビアが形成され、該貫通ビアの一端が前記配線に接続され、他端が前記絶縁層の他方の面もしくは前記保護膜に形成された外部接続端子に接続されていることを特徴とする、請求項1乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５記載の半導体装置の、前記配線が形成されている側とは反対側となる露出面が第二の保護膜により被覆されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
支持体上に分離層を形成する工程と、
前記分離層上に接着剤層を介して半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の能動面と側面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記半導体素子と電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記支持体と前記分離層との界面から分離を行い、前記支持体を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
支持体の一方の面とその反対面となる他方の面との両面に分離層を形成する工程と、
前記分離層上に接着剤層を介して半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の能動面と側面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記半導体素子と電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記支持体の両面と前記分離層との界面から分離を行い、前記支持体を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
分離層が形成された一方の面と、その反対面となる他方の面とを有する２つの支持体を用意し、該支持体の他方の面同士を接着し、複合支持体を形成する工程と、
前記複合支持体の分離層上に接着剤層を介して半導体素子を搭載する工程と、
前記半導体素子の能動面と側面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記半導体素子と電気的に接続する配線を形成する工程と、
前記複合支持体を形成する２つの支持体を分離し、
各支持体の一方の面と前記分離層との界面から分離を行い、前記支持体を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記分離層上に複数の半導体素子が搭載され、
前記支持体の除去後に、少なくとも一つの半導体素子が前記絶縁層に内蔵されるよう、前記絶縁層および分離層の分割を行うことを特徴とする請求項８乃至１０いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記支持体の除去後に、前記分離層の除去工程を有することを特徴とする請求項８乃至１１いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記分離層上全面に，前記接着剤層を形成することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法
【請求項１４】
前記分離層上の半導体素子を搭載するエリアに前記接着剤層を形成し、もしくは半導体素子に接着剤層を形成して、該接着剤層を介して半導体素子を搭載することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半導体素子の能動面に突起電極が設けられており、
前記絶縁層の表面を研磨して、前記突起電極の端面を前記絶縁層の一方の面に露出する工程と、
前記絶縁層の一方の表面に、前記突起電極と接続する配線を形成する工程と、を有することを特徴とする、請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記接着剤層もしくは前記絶縁層の露出している部位に外部接続端子を形成する工程と、
前記絶縁層に、一端が前記配線に接続され、他端が前記外部接続端子に接続される貫通ビアを形成する工程を有すること特徴とする請求項８乃至１５いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記支持体が、シリコン基板またはガラス基板からなることを特徴とする請求項８乃至１６のいずれか１項に半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記分離層が、金属層からなることを特徴とする請求項８乃至１７のいずれか１項に半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記金属層が、クロムまたは銅からなることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化により、それに搭載される半導体装置の小型化・薄型化が進んでいる。
このため、図１に示すような、支持体１６１上に搭載された半導体素子１７０が、支持体１６１上に形成された絶縁層１６３内部に埋め込まれ、且つ、絶縁層１６３の表面に、半導体素子１７０と電気的に接続する配線１６４と外部接続端子１６６が形成された半導体装置１５０が提案されている（例えば、特許文献１の図４，５参照）。
図1の半導体装置１５０では、配線１６４を表面に形成する絶縁層１６３に半導体素子１７０を内蔵するため、半導体装置１５０の小型化・薄型化を図れる。
【０００３】
図２は、図1の半導体装置の製造方法を説明する図である。
この製造方法では、最初に、図２（ａ）に示すように、支持体１６１上に接着剤１６２により複数の半導体素子１７０を搭載する。支持体１６１は板状のものであり、厚さ２００〜４００μｍのガラスエポキシ基板等の樹脂板や、銅やアルミニウム等の金属板を用いる。また、半導体素子１７０としては、厚さ２０〜５０μｍのものを用いる。
なお、支持体１６１は、半導体装置の製造工程において、製造中の半導体装置の形状維持や、一つの支持体１６１上に一度に多数の半導体装置を造り上げることによる生産性向上のため、必須のものである。また、製造工程中に反り等が発生しないよう、強度維持のため、ある程度の厚さが必要である。更に、半導体装置１５０において、半導体素子１７０の背面を外部から保護するためにも、支持体１７０は必要とされている。
【０００４】
次いで、図２（ｂ）に示すように、支持体１６１上に厚さ４０〜１００μｍの絶縁層１６３を形成する。この絶縁層１６３は、支持体１６１上の半導体素子１７０を埋め込むように形成し、これにより、絶縁層１６３に半導体素子１７０を内蔵し封止する。絶縁層１６３としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂を用いる。絶縁層１６３は、これら樹脂を塗布したり、または、これら樹脂のフィルムを貼着して形成する。
【０００５】
次いで、図２（ｃ）に示すように、絶縁層１６３に開口ＶＨを形成する。具体的には、レーザ加工により、絶縁層１６３に半導体素子１７０の電極１７１を露出する開口ＶＨを形成する。
ついで、図２（ｄ）に示すように、絶縁層１６３上に配線１６４を形成する。セミアディティブ法やサブトラクティブ法等の適宜の方法により、銅からなる配線１６４を形成する。
次いで、図２（ｅ）に示すように、配線１６４を保護するためのソルダレジスト１６５を形成する。ソルダレジスト１６５は、一例として感光性のエポキシアクリル系の樹脂からなり、厚さ      ２０〜４０μｍに形成する。  また、露光・現像により、配線１６４のパッド１６７部分が露出する開口を形成する。
次いで、図２（ｆ）に示すように、配線１６４のパッド１６７に、はんだボールを搭載・溶融させ、外部接続端子１６６を形成する。この後、互いに隣接する半導体素子１７０間をダイシングにより切断・分離し、図１のような、個々の半導体装置１５０を得る。
【特許文献１】特開２００１−２１７３３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年の半導体装置は、更なる小型化、特に薄型化が求められており、図1、２の従来の半導体装置においても、更なる薄型化の検討がなされている。しかしながら、従来の半導体装置においては、支持体が存在するため、半導体装置の薄型化に限界があった。
また、支持体の片面側に絶縁層を形成し半導体装置を製造するため、支持体と絶縁層との熱膨張率の差により、製造工程中に反り等の変形が発生し、製品の歩留りが悪化する場合があった。
そこで本発明は、上述の問題点に鑑みなされたものであり、半導体素子の保護を図りつつ、更なる小型化・薄型化を為し得ると共に、製造工程中の不良発生を防止し、生産性の向上を可能とする、半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するため、次に述べる構成を備える。
請求項１の発明では、配線が形成された一方の面と、その反対面となる他方の面とを有する絶縁層とを備え、前記半導体素子が、能働面と側面とが前記絶縁層に被覆され、且つ該能働面が前記絶縁層の一方の面を向くよう、前記絶縁層に埋め込まれ、前記半導体素子の背面が、保護膜により被覆され、前記半導体素子と前記配線とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置により、解決できる。
上記発明によれば、絶縁層内に半導体素子を埋め込んだ半導体装置において、半導体装置から支持体を排除し、半導体装置の薄型化を図れる。また、支持体が無くとも、半導体素子背面を保護膜で被覆するため、半導体素子を半導体装置の外部環境から保護できる。
【０００８】
請求項２の発明では、前記半導体素子の背面と前記絶縁層の他方の面とが同一平面に位置し、前記半導体素子の背面と前記絶縁層の他方の面とが、前記保護膜により一体に被覆されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置により、解決できる。
上記発明によれば、半導体素子側面と絶縁層との界面も保護膜により一体に被覆されるため、半導体素子を半導体装置の外部環境から保護できる。
請求項３の発明では、前記保護膜の露出面と前記絶縁層の他方の面とが同一平面に位置することを特徴とする請求項１記載の半導体装置により、解決できる。
上記発明によれば、絶縁層により、より半導体素子を保護できる。
【０００９】
請求項４の発明によれば、前記配線がソルダレジストにより被覆され、該ソルダレジストの開口部分に、前記配線と接続された外部接続端子が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置により、解決できる。。
請求項５の発明によれば、前記半導体素子の能働面に突起電極が設けられており、該突起電極の端面が前記配線と接続されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置により、解決できる。
【００１０】
請求項６の発明によれば、前記絶縁層部分に貫通ビアが形成され、該貫通ビアの一端が前記配線に接続され、他端が前記絶縁層の他方の面もしくは前記保護膜に形成された外部接続端子に接続されていることを特徴とする、請求項1乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置により、解決できる。
請求項７の発明によれば、請求項１乃至５記載の半導体装置の、前記配線が形成されている側とは反対側となる露出面が第二の保護膜により被覆されていることを特徴とする半導体装置により、解決できる。
【００１１】
請求項８の発明によれば、支持体上に分離層を形成する工程と、前記分離層上に接着剤層を介して半導体素子を搭載する工程と、  前記半導体素子の能動面と側面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、  前記絶縁層上に、前記半導体素子と電気的に接続する配線を形成する工程と、前記支持体と前記分離層との界面から分離を行い、前記支持体を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決できる。
上記発明によれば、半導体装置から簡単に支持体を除去でき、半導体装置を薄型化できる。
【００１２】
請求項９の発明によれば、前記支持体の一方の面とその反対面となる他方の面との両面に分離層を形成する工程と、前記分離層上に接着剤層を介して半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の能動面と側面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記半導体素子と電気的に接続する配線を形成する工程と、前記支持体の両面と前記分離層との界面から分離を行い、前記支持体を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決できる。
【００１３】
請求項１０の発明によれば、分離層が形成された一方の面と、その反対面となる他方の面とを有する２つの支持体を用意し、該支持体の他方の面同士を接着し、複合支持体を形成する工程と、前記複合支持体の分離層上に接着剤層を介して半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子の能動面と側面とを被覆するように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記半導体素子と電気的に接続する配線を形成する工程と、前記複合支持体を形成する２つの支持体を分離し、各支持体の一方の面と前記分離層との界面から分離を行い、前記支持体を除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決できる。
【００１４】
請求項１１の発明によれば、前記分離層上に複数の半導体素子が搭載され、前記支持体の除去後に、少なくとも一つの半導体素子が前記絶縁層に内蔵されるよう、前記絶縁層および分離層の分割を行うことを特徴とする請求項８乃至１０いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により、解決できる。
請求項１２の発明によれば、前記支持体の除去後に、前記分離層の除去工程を有することを特徴とする請求項８乃至１１いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により、解決できる。
【００１５】
請求項１３の発明によれば、前記分離層上全面に，前記接着剤層を形成することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により、解決できる。
請求項１４の発明によれば、前記分離層上の半導体素子を搭載するエリアに前記接着剤層を形成し、もしくは半導体素子に接着剤層を形成して、該接着剤層を介して半導体素子を搭載することを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により、解決できる。
【００１６】
請求項１５の発明によれば、前記半導体素子の能動面に突起電極が設けられており、前記絶縁層の表面を研磨して、前記突起電極の端面を前記絶縁層の一方の面に露出する工程と、前記絶縁層の一方の表面に、前記突起電極と接続する配線を形成する工程とを有することを特徴とする請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により、解決できる。
請求項１６の発明によれば、前記接着剤層もしくは前記絶縁層の露出している部位に外部接続端子を形成する工程と、前記絶縁層に、一端が前記配線に接続され、他端が前記外部接続端子に接続される貫通ビアを形成する工程を有すること特徴とする請求項８乃至１５いずれか１項に記載の半導体装置の製造方法により、解決できる。
【００１７】
請求項１７の発明によれば、前記支持体が、シリコン基板またはガラス基板からなることを特徴とする請求項８乃至１６のいずれか１項に半導体装置の製造方法により、解決できる。
請求項１８の発明によれば、前記分離層が、金属層からなることを特徴とする請求項８乃至１７のいずれか１項に半導体装置の製造方法により、解決できる。
請求項１９の発明によれば、前記金属層が、クロムまたは銅からなることを特徴とする請求項１８記載の半導体装置の製造方法により、解決できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、薄型化できると共に、生産性を向上した半導体装置及びその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に、本発明の実施の形態に関し、添付の図面を参照して以下に説明する。
（第1の実施形態）
図３は、本発明に関する第1の実施形態の半導体装置を示す断面図であり、図４は、その部分拡大図である。
この半導体装置１０では、半導体素子３０が絶縁層２３に埋め込まれ、且つ、絶縁層２３の一方の面２３ａに、半導体素子３０の電極３１と電気的に接続する配線２４が形成されている。  なお、この例では半導体素子３０を埋め込んでいるが、本発明は、チップキャパシタ、抵抗、インダクタ、ディスクリート半導体等、各種電子部品の埋め込みに適用できる。
【００２０】
絶縁層２３は、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の電気的絶縁性を有する樹脂材からなり、厚さ４０〜１００μｍに形成される。一例として、厚さ８０μｍに形成する。  この絶縁層２３は、半導体装置１０の基材として機能し、また、半導体素子３０を封止する封止層として機能する。絶縁層２３は、配線２４が形成される一方の面２３ａと、その反対面となる他方の面２３ｂを有する。
半導体素子３０は、電子回路や電極３１が形成された能動面３０ａが絶縁層２３の一方の面２３ａ方向を向くよう、能働面３０ａと側面３０ｃの全周囲が絶縁層２３に被覆され、背面３０ｂが絶縁層２３の他方の面２３ｂ表面と略同一平面となるよう絶縁層２３に埋め込まれている。
【００２１】
この半導体素子３０としては、厚さ１０〜５０μｍのものを使用し、一例として、厚さ５０μｍのものを使用する。電極３１は、銅等のめっきにより、直径５０〜３００μｍ、高さ１０〜３０μｍの柱状に突出させて形成する。  一例として、直径２００μｍ、高さ２０μｍに形成する。この電極３１の頂部である端面３１ａは、絶縁層２３の一方の面２３ａ表面と略同一平面となるよう位置し、配線２４と電気的に接続されている。具体的には、絶縁層２３表面を研磨して電極３１の端面３１ａと絶縁層２３の一方の面２３ａが略同一平面となるよう形成する。
【００２２】
更に詳細に説明すると、この半導体素子３０としては、図４（ａ）に示す部分拡大図のように、能動面３０ａに形成されたアルミニウム等からなる接続パッド３２に、電極３１が形成されたものを使用する。または、図４（ｂ）に示すように、能動面３０ａを被覆するパッシベーション膜３３上にエポキシ樹脂やポリイミド樹脂からなる絶縁層３４が形成され、絶縁層３４上に接続パッド３２と電気的に接続する再配線３５が形成され、この再配線３５上に電極３１が形成されたものを使用する。あるいは、図４（ｃ）に示すように、能動面３０ａを被覆するパッシベーション膜３３上に接続パッド３２と電気的に接続する再配線３５が形成され、この再配線３５上に電極３１が形成されたものを使用する。
【００２３】
絶縁層２３の一方の面２３ａに形成された配線２４は、半導体素子３０の側面３０ｃ周囲に位置する絶縁層２３の一方の面２３ａ上に延出して形成されている。  この配線２４は銅等からなり、アディティブ法やセミアディティブ法により、配線幅２０μｍ〜３０μｍに形成されている。一例として、Ｌ／Ｓ＝２０／２０μｍに形成する。配線２４の外部接続部としてのパッド２４ａには、はんだバンプ２６との濡れ性向上のため、ニッケルめっきと金めっきがこの順に施される（図示せず）。
【００２４】
なお、この配線２４は、半導体素子３０直上に位置する絶縁層２３の一方の面２３ａ上に設けても良い。  つまり、配線２４は半導体素子３０上方に位置する絶縁層２３の一方の面２３の全ての位置に形成可能である。  半導体素子３０周囲や直上の絶縁層２３の一方の面２３ａ上に配線２４を引き回すと、パッド２４ａを格子状に設けることができ、外部接続端子としてのはんだバンプ２６を高密度に多数設けることができる。  よって、半導体装置１０の多端子化と小型化及び外部接続端子位置の標準化に好適に対応できる。
【００２５】
絶縁層２３の一方の面２３ａと配線２４は、ソルダレジスト２５により被覆されている。ソルダレジスト２５は感光性のエポキシアクリル系の樹脂からなり、厚さ２０〜４０μｍに形成する。  一例として、厚さ３０μｍに形成する。  また、直径２５０μｍの開口部２５ａが形成されており、配線２４のパッド２４ａを露出している。  パッド２４ａには、外部接続端子としてのはんだバンプ２６が接合されている。
【００２６】
絶縁層２３の他方の面２３ｂには半導体素子３０の背面３０ｂが露出しており、背面３０ｂは絶縁層２３の他方の面２３ｂ表面と略同一平面となるよう位置している。  絶縁層２３の他方の面２３ｂと半導体素子３０の背面３０ｂは、保護膜（第一の保護膜）としての接着剤２２により一体に被覆されている。接着剤２２は、例えば、エポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂からなり、厚さ４０〜１００μｍに形成される。一例として、厚さ７０μｍに形成される。  接着剤２２（保護膜）が、絶縁層２３の他方の面２３ｂと半導体素子３０の背面３０ｂとを一体に被覆すると、半導体素子３０の側面３０ｃと絶縁層２３との界面を外部から保護でき、界面からの水分等の半導体装置１０内部への浸入を防げ、半導体装置１０の不具合発生を防止できる。
【００２７】
以上説明したように、従来の半導体装置では、厚さ２００〜４００μｍの支持体を用いていたが、本発明の半導体装置１０は、支持体を排除することができる。よって、従来の半導体装置にと比較し、大幅な薄型化を達成できる。  更に、絶縁層２３の一方の面２３ａ側に研磨を施すため、より半導体装置１０の薄型化を達成できる。
また、半導体装置１０から支持体を排除すると、絶縁層２３の他方の面２３ｂから半導体素子３０の背面３０ｂが露出することになるが、本実施形態の半導体装置では、半導体素子３０の背面３０ｂが保護膜（接着剤２２）により被覆されている。  よって、半導体素子３０の半導体装置１０外部への露出を防止でき、支持板を排除しても半導体装置１０の信頼性を維持できる。
【００２８】
（第1の実施形態の製造方法）
次に、図５〜図８を参照し、図３の第1の実施形態における半導体装置１０の製造方法を説明する。図５〜図８は、第1の実施形態に関する半導体装置１０の製造工程を示した断面図である。
始めに、図５（ａ）に示すように支持体４０を用意する。支持体４０はシリコン基板（シリコンウェハ）からなり、厚さ７００〜８００μｍ程度である。一例として、厚さ７００μｍのものを使用する。支持体４０の一方の面４０ａは、後述する金属層２１との剥離を容易にするため、鏡面研磨を施しておくと好適である。
【００２９】
この支持体４０の一方の面４０ａに、分離層としての金属層２１を形成する。  金属層２１には、シリコンとの密着性の低いクロムや銅を用い、スパッタや蒸着により、３００〜５０００Åの厚さに形成する。  一例として、スパッタにより５００Åの厚さに形成する。  なお、金属層２１の強度確保のため、スパッタによる膜を形成後、さらにクロムや銅のめっきを施し、金属層２１の厚さを１〜２μｍとしても良い。めっきを施す場合、一例として金属層２１全体の厚さを、      １μｍとする。
【００３０】
なお、支持体４０としては、シリコン基板の替わりに、ガラス基板（ガラスウェハ）を使用しても良い。ガラス基板を使用する場合も、金属層２１としては、シリコン基板の場合と同様に、クロムや銅を用いる。金属層２１の形成方法もシリコン基板の場合と同様である。
次いで、図５（ｂ）に示すように、金属層２１上に接着剤２２を層状に形成する。接着剤２２としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を用い、これら樹脂を塗布したり、これら樹脂のフィルムを貼着して形成する。
【００３１】
なお、接着剤２２としては、絶縁層２３に使用する樹脂と同じものを使用しても良い。接着剤２２と絶縁層２３とに同じ樹脂を用いる場合、相互の密着性が向上し好適である。例えば、絶縁層２３に熱硬化性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用する場合、半硬化状態（Ｂステージ）のこれら樹脂を接着剤２２として使用できる。半硬化状態の樹脂は接着性を有するため、接着剤２２として使用可能である。
【００３２】
次いで、図５（ｃ）に示すように、接着剤２２上に半導体素子３０を搭載し、加熱により接着剤２２を硬化して固定する。この半導体素子３０としては、図４に示した電極３１を有する構造のものを用いる。
次いで、図５（ｄ）に示すように、接着剤２２上面及び半導体素子３０を被覆するよう、絶縁層２３を形成する。絶縁層２３としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂を用い、これら樹脂を塗布したり、これら樹脂のフィルムを貼着して形成する。絶縁層２３は、少なくとも半導体素子２３の能働面３０ａが被覆される厚さに形成すれば良いが、好適には、電極３１を含め、半導体素子３０全体が絶縁層２３内に埋設されるように形成する。
【００３３】
この際、絶縁層２３に、支持体４０の側面４０ｃ、金属層２１の側面（端面）２１ｃ、接着剤２２の側面（端面）２２ｃを被覆する被覆部２３ｃを設けると好適である。元々、支持体４０と金属層２１には、相互の密着性が低いものを用いる。また、支持体４０と金属層２１との剥離は、相互の積層界面の周縁部分から発生する。  よって、製造工程中に何らかの外力が支持体４０の側面４０ｃ等に加わると、意図せぬ時点で支持体４０と金属層２１との剥離が生じる場合がある。
この為、少なくとも支持体４０の側面４０ｃと金属層２１の側面２１ｃとを絶縁層２３の被覆部２３ｃで被覆・保護すると、不意の剥離を防止でき好適である。また、被覆部２３ｃの存在による、支持体４０と金属層２１との密着性向上によっても不意の剥離を防止できる。  被覆部２３ｃは、支持体４０の側面４０ｃに廻りこむよう樹脂を塗布または樹脂フィルムを貼着することにより、絶縁層２３形成時に同時に形成できる。なお、被覆部２３ｃの形成は必須ではない。被覆部２３ｃを形成しなくとも、本実施形態の製造方法は実施可能である。
【００３４】
次いで、図６（ａ）に示すように、絶縁層２３の表面を研磨して、絶縁層２３の一方の面２３ａの表面に、半導体素子３０の電極３１の端面３１ａを露出させる。具体的には、絶縁層２３の一方の面２３ａと電極３１の端面３１ａが略同一平面となるよう形成する。  一例として、研磨により、絶縁層２３の厚さは、７０μｍとなる。このように、本実施形態では絶縁層２３に研磨を施し、絶縁層２３を薄型化するため、より半導体装置１０の小型化を図れる。なお、研磨の際は、電極端子３１の端面３１ａが絶縁層２３と共に削られても良い。
【００３５】
次いで、図６（ｂ）に示すように、絶縁層２３の一方の面２３ａ表面に、半導体素子３０の電極３１の端面３１ａに接続するよう、配線２４を形成する。  配線２４は、銅からなり、アディティブ法やセミアディティブ法等、各種方法により、配線幅２０〜３０μｍに形成する。一例として、２０μｍに形成する。
なお、この配線２４は、半導体素子３０内蔵部周囲や直上の絶縁層２３の一方の面２３ａ上に、自由に引き回すことができる。  よって、任意の場所にパッド２４ａを位置させることができる。  これにより、例えば、パッド２４ａを格子状に設けることができ、外部接続端子としてのはんだバンプ２６を高密度に多数設けることができる。よって、半導体装置１０の多端子化と小型化及び外部接続端子位置の標準化に好適に対応できる。
【００３６】
次いで、図６（ｃ）に示すように、絶縁層２３の一方の面２３ａ上にソルダレジスト２５を形成する。  ソルダレジスト２５は、絶縁層２３の一方の面２３ａと配線２４を被覆するよう形成する。  ソルダレジスト２５は、例えば、感光性のエポキシアクリル系の樹脂からなり、厚さ２０〜４０μｍに形成する。  一例として、厚さ３０μｍに形成する。  また、直径２５０μｍ程度の開口部２５ａを形成し配線２４のパッド２４ａを露出する。  なお、開口部２５ａ形成後、配線２４のパッド２４ａに、はんだバンプ２６との濡れ性向上のため、ニッケルめっきと金めっきをこの順に施し、ニッケル層と金層を形成する（図示せず）。これにより、半導体装置１０の中間体１１が得られる。
【００３７】
次いで、図７（ａ）に示すように、絶縁層２３の被覆部２３ｃを除去する。  具体的には、破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し、被覆部２３ｃを除去する。  これにより、図７（ｂ）に示すように、支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５に、外部に露出する新たな側面４０ｃ´、２１ｃ´２２ｃ´、２３ｃ´、２５ｃ´が形成される。
【００３８】
被覆部２３ｃの除去は、少なくとも被覆部２３ｃのみ何らかの方法で除去すれば良い。  例えば、支持体４０の側面４０ｃ等と被覆部２３ｃの界面で中間体１１の切断を行い被覆部２３ｃのみ除去しても良いし、中間体１１に研磨を施し被覆部２３ｃを削り取り、支持体４０の側面４０ｃ等を露出しても良い。
なお、被覆部２３ｃを形成しない場合、中間体１１の形状は最初から図７（ｂ）となるため、図７（ａ）の除去工程を省略できる。
【００３９】
次いで、図７（ｃ）に示すように、中間体１１から支持体４０を除去する。具体的には、図中矢印で示す方向に、支持体４０の側面４０ｃ´に物理的な外力を加えることにより、分離層である金属層２１と支持体４０の界面から支持体４０を剥離し、分離・除去する。  支持体４０と金属層２１の材料には密着性の低い組み合わせを用いるため、ごく小さな力により簡単に剥離が行える。この際、カッター等を金属層２１と支持体４０の界面に差し込むと、剥離のきっかけができ、より容易に剥離が行える。支持体４０の除去を容易に行えることにより、本実施形態の半導体装置１０は薄型化が可能となる。
【００４０】
次いで、図８（ａ）に示すように、中間体１１から金属層２１を除去する。例えば、金属層２１が銅からなる場合、塩化第二鉄水溶液でエッチングを行う。これにより、接着剤２２が外部に露出する。外部に露出した接着剤２２は保護膜として機能し、半導体素子３０を保護する。
ついで、図８（ｂ）に示すように、配線２４のパッド２４ａに外部接続端子としてのはんだバンプ２６を形成する。  具体的には、直径３００μｍのはんだボールをパッド２４ａに搭載しリフローすることにより形成する。あるいは、はんだペーストをパッド２４ａに塗布し、リフローすることにより形成する。  この例の場合、外部接続端子としてはんだバンプを形成することにより、得られる半導体装置１０は、ＢＧＡ型（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）となる。なお、金属層２１のエッチングによる除去の際に、はんだバンプ２６に溶解等の支障が生じない場合、はんだバンプ２６の形成は、図６（ｃ）または図７（ｂ）の段階で行っても良い。
【００４１】
この例では、ＢＧＡ型の半導体装置を形成するが、はんだボールの替わりにパッド２４ａにピンを接合して、ＰＧＡ型（Ｐｉｎ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）の半導体装置としても良いし、パッド２４ａ自体を外部接続端子として、ＬＧＡ型（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）の半導体装置としても良い。
最後に、図８（ｃ）に示すように中間体１１を個々の半導体装置の領域毎に分離し、図３に示す半導体装置１０を得る。  具体的には、ダイサーにより破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５を切断し、個々の半導体装置１０を得る。
【００４２】
（第２の実施形態）
図９は、本発明に関する第２の実施形態の半導体装置５０を示す断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
この例では、半導体装置５０に、金属層２１を設けた形態を示す。半導体装置５０に金属層２１を設けることにより、半導体装置５０の放熱性が向上する。また、金属層２１は第二の保護膜としての機能も有する。第一の保護膜としての接着剤２２に加え金属層２１を有するので、より好適に半導体素子３０を保護できる。
【００４３】
（第２の実施形態の製造方法）
次に、図１０を参照し、図９の第２の実施形態における半導体装置５０の製造方法を説明する。図１０は、第２の実施形態に関する半導体装置５０の製造工程を示した断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図１０（ａ）に示すように、第１の実施形態における製造方法の図５（ａ）から図６（ｃ）と同様の工程を施し、次いで、はんだボールを搭載しリフローを行い、配線２４のパッド２４aにはんだバンプ２６を形成する。この例では、金属層２１を除去しないので、金属層２１のエッチング液により、はんだバンプ２６が溶解する虞が無い。よって、支持体４０の除去前にはんだバンプ２６の形成を行うと好適である。
【００４４】
次いで、図１０（ｂ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図７（a）以降と同様の工程を行う（ただし、図８（ａ）の金属層除去工程と、図８（ｂ）のはんだバンプ搭載工程を除く）。  そして、個々の半導体装置の領域毎に分離を行い、図９に示す半導体装置５０を得る。  具体的には、ダイサーにより破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５を切断し、個々の半導体装置５０を得る。
なお、本実施形態の半導体装置５０は、単に第１の実施形態の製造方法における図８（ａ）の金属層２１除去工程を除くだけでも得ることができる。
【００４５】
（第３の実施形態）
図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明に関する第３の実施形態の半導体装置６０、６０ｂを示す断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
図１１（ａ）の例では、半導体装置６０において、絶縁層２３の他方の面２３ｂが外部に露出し、半導体素子３０の背面３０ｂが保護膜としての接着剤２２で被覆されている。  半導体素子３０の封止性を向上するため、半導体素子３０周囲をなるべく絶縁層２３で被覆したい場合、この実施形態をとる。また、半導体素子３０は、背面３０ｂに搭載（ダイボンディング）のための接着剤２２が設けられた状態で供給される場合がある。  この場合も半導体装置６０のような実施形態をとる。
なお、図１１（ａ）の半導体装置６０の更なる封止性の向上や放熱性の向上を図る場合、図１１（ｂ）の半導体装置６０ｂのように、絶縁層２３の他方の面２３ｂと接着剤２２を金属層２１が被覆する形態をとっても良い。
【００４６】
（第３の実施形態の製造方法）
次に、図１２を参照し、図１１の第３の実施形態における半導体装置６０の製造方法を説明する。図１２は、第３の実施形態に関する半導体装置６０の製造工程を示した断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図１２（ａ）に示すように、金属層２１のみを設けた支持体４０を用意する。
次いで、図１２（ｂ）に示すように、背面３０ｂに接着剤２２を設けた半導体素子３０を搭載する。または、金属層２１上の半導体素子３０の搭載部にのみ接着剤２２を供給し、半導体素子３０を搭載する。以降の工程は、第１の実施形態の製造方法と同様に行うことにより、図１１（ａ）の半導体装置６０を得る。なお、金属層２１の除去工程を省き、絶縁層２３の他方の面２３ｂと接着剤２２を金属層２１が被覆する形態とした場合、図１１（ｂ）の半導体装置６０ｂとなる。
【００４７】
（第４の実施形態）
図１３は、本発明に関する第４の実施形態の半導体装置７０を示す断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
この例では、半導体素子３０の電極３１と配線２４とが、ビア２４ｂを介して接続される半導体装置７０を示す。この場合、絶縁層２３の研磨工程を省けるため、製造方法が簡略化される。
【００４８】
（第４の実施形態の製造方法）
次に、図１４を参照し、図１４の第４の実施形態における半導体装置７０の製造方法を説明する。図１４は、第４の実施形態に関する半導体装置７０の製造工程を示した断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図１４（ａ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図５（ａ）から図５（ｄ）と同様の工程を施し、次いで、絶縁層２３にビア穴２３ｄを形成する。ビア穴２３ｄは、例えば、ＣＯ2レーザ等によるレーザ加工により形成する。または、絶縁層２３に感光性樹脂を用い、フォトリソ工程により、ビア穴２３ｄを形成する。
次いで、図１４（ｂ）に示すように、ビア２４ｂと配線２４を形成する。ビア２４ｂと配線２４は、ビア穴２３ｄ内にめっきが充填されるよう、アディティブ法やセミアディティブ法で形成する。その後は、第１の実施形態の製造方法における図６（ｃ）以降と同様の工程を行い、図１３の半導体装置７０を得る。
【００４９】
（第５の実施形態）
図１５は、本発明に関する第５の実施形態の半導体装置８０を示す断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
この例では、絶縁層２３上に次層の絶縁層８３を積層し、次層の配線８４を形成している。つまり、絶縁層２３，８３と配線２４，８４を多層に形成した半導体装置８０を示す。この場合、多層化により配線の引き回しが容易になる。
【００５０】
（第５の実施形態の製造方法）
次に、図１６を参照し、図１５の第５の実施形態における半導体装置８０の製造方法を説明する。図１６は、第５の実施形態に関する半導体装置８０の製造工程を示した断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図１６（ａ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図５（ａ）から図６（ｂ）と同様の工程を施す。  次いで、絶縁層２３と配線２４上に絶縁層８３を形成し、絶縁層８３にビア穴８３ｄを形成する。ビア穴８３ｄは、例えば、ＣＯ2レーザ等によるレーザ加工により形成する。または、絶縁層８３に感光性樹脂を用い、フォトリソ工程により、ビア穴８３ｄを形成する。この際、ビア穴８３ｄ底部に配線２４のパッド２４ａが露出するよう形成する。
【００５１】
次いで、図１６（ｂ）に示すように、ビア８４ｂと配線８４を形成する。ビア８４ｂと配線８４は、ビア穴８３ｄ内にめっきが充填されるよう、アディティブ法やセミアディティブ法で形成する。その後は、第１の実施形態の製造方法における図６（ｃ）以降と同様の工程を行い、図１５の半導体装置８０を得る。
なお、この例では、第１の実施形態の絶縁層２３と配線２４を形成し、その上に絶縁層８３、配線８４を形成したが、第４の実施形態の絶縁層２３とビア２４ｂを有する配線２４を形成し、その上に絶縁層８３、配線８４を形成することも可能である。
【００５２】
（第６の実施形態）
図１７は、本発明に関する第６の実施形態の半導体装置９０を示す断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
この例では、図１１（ａ）に示した半導体装置において、絶縁層２３に貫通ビア２４ｄを設ける。  この貫通ビア２４ｄは、一端が配線２４に接続され、他端が、絶縁層２３の他方の面２３ｂに露出するパッド２４ｃに接続される。この貫通ビア２４ｄの存在により、半導体装置９０は、絶縁層２３の一方の面２３ａと他方の面２３ｂとで電気的な接続が取れる。つまり、半導体装置９０の表裏面間の電気的接続が取れる。
なお、図１３に示す半導体装置においても、接着剤層（保護膜）にパッド２４ｃ（図示せず）を形成して、貫通ビア２４ｄ（図示せず）の一端を配線２４に、他端をパッド２４ｃに接続してもよい。
【００５３】
図１８は、図１７の半導体装置９０を積層した実装例を示す。半導体装置９０は、上記の構造により、多数の半導体装置９０ａ，９０ｂ，９０ｃを積層したスタック型の半導体装置１００として使用できる。  この半導体装置１００では、下層の半導体装置９０ａのパッド２４ｃに、上層の半導体装置９０ｂのはんだバンプ２６を接続し電気的接続を行う。また、実装基板９１上のパッド９２に最下層の半導体装置９０ａのはんだバンプ２６を接続し実装を行う。  このように、半導体装置９０によれば、スタック型の半導体装置１００を可能とするため実装密度を向上できる。
【００５４】
（第６の実施形態の製造方法）
次に、図１９、図２０を参照し、図１７の第６の実施形態における半導体装置９０の製造方法を説明する。図１９、図２０は、第６の実施形態に関する半導体装置９０の製造工程を示した断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図１９（ａ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図５（ａ）に示した、金属層２１を形成した支持体４０を用意し、金属層２１上にパッド２４ｃを形成する。パッド２４ｃは、金属層２１のエッチングによる除去の際に、エッチング液により溶解しないものを使用する。例えば、金めっきとニッケルめっきをこの順に施し、金層とニッケル層（図示せず）からなるパッド２４ｃを形成する。
【００５５】
次いで、図２０（ｂ）に示すように、半導体素子３０を搭載する。この例の場合、半導体素子３０の搭載部のみに接着剤２２を設けるか、背面３０ｂに接着剤２２が設けられた半導体素子３０を搭載する。
次いで、図２０（ｃ）に示すように、絶縁層２３を形成し、絶縁層２３に研磨を施し、半導体素子３０の電極３１の端面３１ａを絶縁層２３の一方の面２３ａに露出させる。
【００５６】
次いで、図２０（ａ）に示すように、絶縁層２３に貫通ビア穴２３ｅを形成する。貫通ビア穴２３ｅは、例えば、ＣＯ2レーザ等によるレーザ加工により形成する。または、絶縁層２３に感光性樹脂を用い、フォトリソ工程により、貫通ビア穴２３ｅを形成する。
次いで、図２０（ｂ）に示すように、貫通ビア２４ｄと配線２４を形成する。貫通ビア２４ｄと配線２４は、貫通ビア穴２３ｅ内にめっきが充填されるよう、アディティブ法やセミアディティブ法で形成する。その後は、第１の実施形態の製造方法における図６（ｃ）以降と同様の工程を行い、図１７の半導体装置９０を得る。
【００５７】
（第７の実施形態）
図２１は、本発明に関する第７の実施形態の半導体装置１１０を示す断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
この例では、保護膜としての接着剤２２の表面に、第二の保護膜としてのフィルム体１１１が積層されている。フィルム体１１１は、銅箔やアルミ箔等の金属箔や、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂フィルムからなる。  フィルム体１１１としては、厚さ１０〜３５μｍのものを使用する。  一例として、１８μｍのものを使用する。フィルム体１１１が金属箔からなる場合、半導体装置の構造としては、第２の実施形態の半導体装置５０と類似したものとなる。
フィルム体１１１が樹脂フィルムからなる場合、半導体素子３０の背面３０ｂをより好適に保護でき、半導体装置１１０の信頼性が向上する。  また、フィルム体１１１が金属箔からなる場合、第２の実施形態における半導体装置５０の金属層２１に比較し、金属箔の厚さが厚いため、より放熱性が向上する。
【００５８】
（第７の実施形態の製造方法  その１）
次に、図２２を参照し、図２１の第７の実施形態における半導体装置１１０の製造方法（その１）を説明する。図２２は、第７の実施形態に関する半導体装置１１０の製造工程を示した断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図２２（ａ）に示すように、分離層としてのフィルム体１１１を、接着剤１１２により支持体４０の一方の面４０ａに接着し積層する。具体的には、フィルム体１１１の周縁部１１１ａのみを、接着剤１１２により支持体４０の一方の面４０ａの周縁部４０ｄに接着する。フィルム体１１１は、銅箔やアルミ箔等の金属箔、または、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂フィルムからなる。  この例の場合、製造工程に耐え得る強度を有していれば、支持体４０の材質は特に限定されない。適宜の厚さの各種金属板や樹脂基板を使用できる。
【００５９】
次いで、図２２（ｂ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図５（ｂ）から図６（ｃ）と同様の工程を施す。  ただし、この例の場合、金属層２１のエッチングによる除去工程がないため、はんだバンプ２６が後の工程で溶解する恐れがない。  よって、図６（ｃ）の工程後にバンプ２６を形成する。
次いで、図２２（ｃ）に示すように、支持体４０とフィルム体１１１の接着剤１１２による接着部分である、支持体４０とフィルム体１１１の周縁部４０ｄ、１１１ａを除去する。具体的には、破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、フィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し除去する。これにより、支持体４０とフィルム体１１１の接着部分が除去される。  なお、切断は、少なくともフィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部に施せば良い。支持体４０の切断は必須では無い。
【００６０】
これにより、図２２（ｄ）に示すように、中間体１１から支持体４０が分離し除去される。具体的には、支持体４０とフィルム体１１１の界面から、支持体４０が分離する。この後、第１の実施形態の製造方法における図８（ｃ）と同様の工程を行い、中間体１１を個々の半導体装置の領域毎に分離し、図２１に示す半導体装置１１０を得る。
この製造方法では、中間体１１の周縁部１１ａの除去により、自動的に支持体４０を分離できるため、支持体４０の分離が容易になる。なお、この製造方法において、フィルム体１１１が金属箔からなる場合、支持体４０の分離後に、エッチングにより金属箔を除去しても良い。この場合、バンプ２６の接合は、金属箔の除去後に行う。
【００６１】
（第７の実施形態の製造方法  その２）
次に、図２３を参照し、図２１の第７の実施形態における半導体装置１１０の製造方法（その２）を説明する。図２３は、第７の実施形態に関する半導体装置１１０の製造工程を示した断面図である。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図２３（ａ）に示すように、分離層としてのフィルム体１１１を、支持体４０の一方の面４０ａに載置して、層状の接着剤２２で被覆し支持体４０に接着する。  具体的には、支持体４０に、支持体４０の一方の面４０ａの周縁部４０ｄが露出するよう、フィルム体１１１を載置して、次いで、フィルム体１１１上及び支持体４０の周縁部４０ｄ上に接着剤２２を層状に設ける。  接着剤２２としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を用い、これら樹脂を塗布したり、これら樹脂のフィルムを貼着して形成する。  これにより、層状の接着剤２２と支持体４０との間にフィルム体１１１を配置する。
【００６２】
なお、フィルム体１１１は、銅箔やアルミ箔等の金属箔、または、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の樹脂フィルムからなる。また、この例の場合、製造工程に耐え得る強度を有していれば、支持体４０の材質は特に限定されない。適宜の厚さの各種金属板や樹脂基板を使用できる。
次いで、図２３（ｂ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図５（ｂ）から図６（ｃ）と同様の工程を施す。  ただし、この例の場合、金属層２１のエッチングによる除去工程がないため、はんだバンプ２６が後の工程で溶解する恐れがない。  よって、図６（ｃ）の工程後にバンプ２６を形成する。
【００６３】
次いで、図２３（ｃ）に示すように、支持体４０と接着剤２２の接着部分である、支持体４０と接着剤２２の周縁部４０ｄ、２２ａを除去する。具体的には、破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、フィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し除去する。これにより、支持体４０と接着剤２２の接着部分が除去される。  なお、切断は、少なくともフィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部に施せば良い。支持体４０の切断は必須では無い。
【００６４】
これにより、図２３（ｄ）に示すように、中間体１１から支持体４０が分離し除去される。具体的には、支持体４０とフィルム体１１１の界面から、支持体４０が分離する。この後、第１の実施形態の製造方法における図８（ｃ）と同様の工程を行い、中間体１１を個々の半導体装置の領域毎に分離し、図２１に示す半導体装置１１０を得る。
この製造方法では、中間体１１の周縁部１１ａの除去により、自動的に支持体４０を分離できるため、支持体４０の分離が容易になる。なお、この製造方法において、フィルム体１１１が金属箔からなる場合、支持体４０の分離後に、エッチングにより金属箔を除去しても良い。この場合、バンプ２６の接合は、金属箔の除去後に行う。
【００６５】
（第８の実施形態）
図２４、図２５は、本発明に関する第８の実施形態（製造方法）を示す断面図である。この例では、第１の実施形態から第７の実施形態における、製造法方法の変形例を示す。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
まず図２４により、第１の実施形態から第６の実施形態における、製造方法の変形例を示す。始めに、図２４（ａ）に示すように、支持体４０の両面（一方の面４０ａと他方の面４０ｂ）に、分離層としての金属層２１を設ける。支持体４０と金属層２１には第1の実施形態における製造方法と同様のものを用いる。  ただし、この例の場合、支持体４０と金属層２１との密着性を低下させ金属層２１の剥離を容易にするため、支持体４０の両面を鏡面研磨しておくと好適である。
【００６６】
次に、図２４（ｂ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図５（ｂ）から図６（ｃ）と同様の工程を施す。これにより、支持体４０の両面に中間体１１を形成する。次いで、破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し、被覆部２３ｃを除去する。なお、被覆部２３ｃを形成しない場合、除去工程は省略できる。
次いで、図２４（ｃ）に示すように、中間体１１から支持体４０を除去する。具体的には、図中矢印で示す方向に、中間体１１の側面に物理的な外力を加えることにより、分離層である金属層２１と支持体４０の界面から中間体１１を剥離し、分離する。
【００６７】
その後、第１の実施形態の製造方法における図８（ａ）から図８（ｃ）と同様の工程を施すことにより半導体装置を得る。なお、第１の実施形態から第６の実施形態の各半導体装置を得る場合、それぞれの実施形態特有の工程を適宜施す。
支持体４０と絶縁層２３とに熱膨張率の差異がある場合、製造工程中に中間体１１に反りが発生し、製造に支障をきたす場合がある。しかし、この例の場合、支持体４０の両面に半導体装置を形成していくため、熱膨張率の差異による応力が支持体４０の両面で釣り合い、中間体１１の反りを防止できる。  また、支持体４０の両面に半導体装置を製造するため、半導体装置の生産性が向上する。
【００６８】
支持体の両面に半導体装置を形成する製造方法は、第７の実施形態における製造方法にも適用できる。図２５に、第７の実施形態における、製造方法の変形例を示す。
図２５（ａ）は、第８の実施例（製造方法）を、図２２に示した第７の実施形態の製造方法（その１）に適用した場合を示す。
この場合、支持体４０の両面（一方の面４０ａと他方の面４０ｂ）に、分離層としてのフィルム体１１１を接着剤１１２により接着し積層する。具体的には、フィルム体１１１の周縁部１１１ａのみを、接着剤１１２により支持体４０の両面の周縁部４０ｄに接着する。
その後、支持体４０の両面に中間体１１を形成していき、破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、フィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し除去する。これにより、支持体４０とフィルム体１１１の接着部分が除去される。  よって、支持体４０の両面から、中間体１１を分離できる。この後、中間体１１に各工程を施し、図２１の半導体装置１１０を得る。
【００６９】
図２５（ｂ）は、第８の実施例（製造方法）を、図２３に示した第７の実施形態の製造方法（その２）に適用した場合を示す。
この場合、分離層としてのフィルム体１１１を、支持体４０の両面（一方の面４０ａと他方の面４０ｂに載置して、接着剤２２で被覆し支持体４０に接着する。  具体的には、支持体４０の両面に、支持体４０両面の周縁部４０ｄが露出するようにフィルム体１１１を載置して、次いで、フィルム体１１１上及び支持体４０の周縁部４０ｄ上に接着剤２２を層状に設ける。  接着剤２２としてはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂を用い、これら樹脂を塗布したり、これら樹脂のフィルムを貼着して形成する。  これにより、層状の接着剤２２と支持体４０との間にフィルム体１１１を配置する。
【００７０】
その後、支持体４０の両面に中間体１１を形成していき、破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、フィルム体１１１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し除去する。これにより、支持体４０と接着剤２２との接着部分が除去される。  よって、支持体４０の両面から、中間体１１を分離できる。この後、中間体１１に各工程を施し、図２１の半導体装置１１０を得る。
図２５の場合においても、半導体装置の製造工程中の反りを防止し、且つ半導体装置の生産性を向上できる。
【００７１】
（第９の実施形態）
図２６は、本発明に関する第９の実施形態（製造方法）を示す断面図である。この例では、第１の実施形態から第６の実施形態における、製造法方法の変形例を示す。図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
始めに、図２６（ａ）に示すように、分離層としての金属層２１を形成した二つの支持体４０を用意し、支持体４０の他方の面４０ｂ同士を接着剤４１により接着し、複合支持体４２を形成する。  具体的には、二つの支持体４０の周縁部４０ｄ同士を接着剤４１により接合する。支持体４０と金属層２１には第1の実施形態における製造方法と同様のものを用いる。
【００７２】
次に、図２６（ｂ）に示すように、第１の実施形態の製造方法における図５（ｂ）から図６（ｃ）と同様の工程を施す。これにより、複合支持体４２の両面に中間体１１を形成する。次いで、破線で示す分離線Ｃ−Ｃで、中間体１１の周縁部１１ａ（支持体４０、金属層２１、接着剤２２、絶縁層２３、ソルダレジスト２５の周縁部）を切断し、２つの支持体４０の接着剤４１による接着部分を除去する。これにより、複合支持体４２が分離し、中間体１１が形成された個々の支持体４０の状態となる。
【００７３】
次いで、図２６（ｃ）に示すように、中間体１１から支持体４０除去する。具体的には、図中矢印で示す方向に、中間体１１の側面に物理的な外力を加えることにより、分離層である金属層２１と支持体４０の界面から中間体１１を剥離し、分離する。
その後、第１の実施形態の製造方法における図８（ａ）から図８（ｃ）と同様の工程を施すことにより、第１の実施形態から第６の実施形態の各半導体装置を得る。なお、第１の実施形態から第６の実施形態の各半導体装置を得る場合、それぞれの実施形態特有の工程を適宜施す。  この例の場合も、半導体装置の製造工程中の反りを防止し、且つ半導体装置の生産性を向上できる。
以上、本発明の好ましい実施形態について述べたが、本発明は特定の実施形態に限定されるものでなく、各実施形態の特徴を組み合わせた形態や製造方法が可能であり、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・改変が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、薄型化でき生産性の向上した半導体装置とその製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】従来の半導体装置の断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造工程を示した図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の半導体装置を示した断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の半導体装置における部分拡大図（断面図）である。
【図５】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その１）。
【図６】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その２）。
【図７】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その３）。
【図８】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その４）。
【図９】本発明の第２の実施形態の半導体装置を示した断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態の半導体装置を示した断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態の半導体装置を示した断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１５】本発明の第５の実施形態の半導体装置を示した断面図である。
【図１６】本発明の第５の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【図１７】本発明の第６の実施形態の半導体装置を示した断面図である。
【図１８】本発明の第６の実施形態の半導体装置の実装状態を示した断面図である。
【図１９】本発明の第６の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その１）。
【図２０】本発明の第６の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その２）。
【図２１】本発明の第７の実施形態の半導体装置を示した断面図である。
【図２２】本発明の第７の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その１）。
【図２３】本発明の第７の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その２）。
【図２４】本発明の第８の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その１）。
【図２５】本発明の第８の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である（その２）。
【図２６】本発明の第９の実施形態の半導体装置の製造工程を示した断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１０、５０、６０、６０ｂ、７０、８０、９０、９０ａ、９０ｂ、９０ｃ、１００、１１０、１５０  半導体装置
１１    中間体
１１ａ  周縁部
２１    金属層
２１ｃ  ２２ｃ、２３ｃ  側面
２２、１６２  接着剤
２２ａ  周縁部
２３、８３、１６３  絶縁層
２３ａ  一方の面
２３ｂ  他方の面
２３ｃ  側面
２３ｄ、  ８３ｄ  ビア穴
２３ｅ  貫通ビア穴
２４、８４、１６４  配線
２４ａ、パッド
２４ｂ、８４ｂ  ビア
２４ｃ  パッド
２４ｄ  貫通ビア
２５  １６５  ソルダレジスト
２５ａ  開口部
２６、１６６  はんだバンプ
３０、１７０  半導体素子
３０ａ  能動面
３０ｂ  背面
３１    電極
３２、１７１  パッド  
３３    パッシベーション膜
３４    絶縁層
３５    再配線
４０、１６１  支持体
４０ａ  一方の面
４０ｂ  他方の面
４０ｃ  側面
４０ｄ  周縁部
４１    接着剤
４２    複合支持体
９１    実装基板
９２    パッド
１１１  フィルム体
１１２  接着剤
【図１】
2006222164.tif 000003
【図２】
2006222164.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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