(57)【要約】【課題】超音波振動が付与された気体を利用して基板に付着したパーティクルを適切かつ効率よく除去する。【解決手段】基板洗浄装置では、薬液付与部４４により基板９の上面に希釈された薬液が付与されることにより、基板９の上面にライトエッチングが施されて基板９上の自然酸化膜が除去され、基板９に付着するパーティクルの付着力が低減する。そして、ライトエッチングが施された後の基板９の上面に向けて、基板９の上面に沿って移動するドライノズル部４６の超音波付与部から超音波振動が付与されたエアを噴出することにより、パーティクルが基板９上から引き離されて基板９上に残存する希釈された薬液に混入し、薬液と共に基板９上から除去される。このようにして、基板洗浄装置では超音波振動が付与されたエアを利用して基板９に付着したパーティクルが適切かつ効率よく除去される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を洗浄する基板洗浄装置であって、
基板を保持する保持部と、
基板の主面に付着するパーティクルの付着力を低減する前処理を行う前処理手段と、
前記前処理後の前記主面に向けて、超音波振動が付与された気体を噴出する超音波付与部と、
を備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板洗浄装置であって、
前記前処理手段が、前記主面に希釈された薬液を付与して前記主面に対してライトエッチングを施す薬液付与部を有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板洗浄装置であって、
前記ライトエッチングが施された直後の前記主面にリンス液を付与して、前記主面上に残存する薬液を前記リンス液に置換するリンス液付与部をさらに備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板洗浄装置であって、
前記超音波付与部からの気体の噴出後に、前記主面に残存する液体を除去する手段をさらに備えることを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれかに記載の基板洗浄装置であって、
前記前処理手段が、前記薬液付与部により前記主面に前記希釈された薬液が付与される前に前記主面に紫外線を照射する紫外線照射部をさらに有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項６】
請求項１に記載の基板洗浄装置であって、
前記超音波付与部に近接して設けられるとともに、前記主面上から気体を吸引する吸引部をさらに備え、
前記前処理手段が、前記主面に紫外線を照射する紫外線照射部を有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項７】
基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
基板の主面に付着するパーティクルの付着力を低減する前処理を行う前処理工程と、
前記前処理後の前記主面に向けて、超音波振動が付与された気体を噴出する超音波付与工程と、
を備えることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板洗浄方法であって、
前記前処理工程が、前記主面に希釈された薬液を付与して前記主面に対してライトエッチングを施す薬液付与工程を有することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項９】
請求項８に記載の基板洗浄方法であって、
前記ライトエッチングが施された直後の前記主面にリンス液を付与して、前記主面上に残存する薬液を前記リンス液に置換するリンス液付与工程をさらに備えることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の基板洗浄方法であって、
前記超音波付与工程の後に、前記主面に残存する液体を除去する工程をさらに備えることを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１１】
請求項８ないし１０のいずれかに記載の基板洗浄方法であって、
前記前処理工程が、前記薬液付与工程の前に前記主面に紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに有することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１２】
請求項７に記載の基板洗浄方法であって、
前記超音波付与工程に並行して、前記主面上から気体を吸引する吸引工程をさらに備え、
前記前処理工程が、前記主面に紫外線を照射する紫外線照射工程を有することを特徴とする基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を洗浄する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体基板やガラス基板（以下、「基板」という。）を洗浄する際に、洗浄液を用いたウェット洗浄が行われている。一方で、超音波振動が付与されたエアを基板の主面に向けて噴出しつつ基板の主面上から気体を吸引する除塵装置を利用して基板を洗浄する技術（いわゆる、超音波ドライ洗浄）も知られており、特許文献１および２では、除塵装置において洗浄効果を向上する各種手法が提案されている。
【０００３】
なお、特許文献３では、長期間放置された半導体基板の表面にライトエッチングを施した後に、半導体基板を洗浄液中に浸漬してメガソニックを付与することにより、半導体基板の表面に付着したパーティクルを除去する手法が提案されている。
【特許文献１】特開平７−６８２２６号公報
【特許文献２】特開平１１−２３５５５９号公報
【特許文献３】特開平７−２２３６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、半導体製品の製造工程の複雑化により洗浄液等の処理液の使用量も増加しており、処理液のコストや管理等の観点からウェット洗浄における洗浄液の使用量の削減が要求されている。そこで、洗浄液を用いない超音波ドライ洗浄を半導体基板の洗浄に採用することも考えられるが、例えば、半導体基板の表面において周囲が自然酸化膜に囲まれたパーティクル等、半導体基板への付着力が強いパーティクルが存在する場合には、除塵装置における通常の条件ではパーティクルを除去することが困難となる。また、半導体基板上に単に付着しているだけのパーティクルであれば、除塵装置からのエアの噴出量を増大したり超音波出力を増大する等してパーティクルの除去能力を向上することも可能であるが、半導体基板上に形成された微細パターンを損傷してしまうおそれがある（すなわち、洗浄効果とパターンへの影響とが、いわゆるトレードオフの関係となっている。）。
【０００５】
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、超音波振動が付与された気体を利用して基板に付着したパーティクルを適切かつ効率よく除去することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板を洗浄する基板洗浄装置であって、基板を保持する保持部と、基板の主面に付着するパーティクルの付着力を低減する前処理を行う前処理手段と、前記前処理後の前記主面に向けて、超音波振動が付与された気体を噴出する超音波付与部とを備える。
【０００７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板洗浄装置であって、前記前処理手段が、前記主面に希釈された薬液を付与して前記主面に対してライトエッチングを施す薬液付与部を有する。
【０００８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板洗浄装置であって、前記ライトエッチングが施された直後の前記主面にリンス液を付与して、前記主面上に残存する薬液を前記リンス液に置換するリンス液付与部をさらに備える。
【０００９】
請求項４に記載の発明は、請求項２または３に記載の基板洗浄装置であって、前記超音波付与部からの気体の噴出後に、前記主面に残存する液体を除去する手段をさらに備える。
【００１０】
請求項５に記載の発明は、請求項２ないし４のいずれかに記載の基板洗浄装置であって、前記前処理手段が、前記薬液付与部により前記主面に前記希釈された薬液が付与される前に前記主面に紫外線を照射する紫外線照射部をさらに有する。
【００１１】
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の基板洗浄装置であって、前記超音波付与部に近接して設けられるとともに、前記主面上から気体を吸引する吸引部をさらに備え、前記前処理手段が、前記主面に紫外線を照射する紫外線照射部を有する。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、基板を洗浄する基板洗浄方法であって、基板の主面に付着するパーティクルの付着力を低減する前処理を行う前処理工程と、前記前処理後の前記主面に向けて、超音波振動が付与された気体を噴出する超音波付与工程とを備える。
【００１３】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の基板洗浄方法であって、前記前処理工程が、前記主面に希釈された薬液を付与して前記主面に対してライトエッチングを施す薬液付与工程を有する。
【００１４】
請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の基板洗浄方法であって、前記ライトエッチングが施された直後の前記主面にリンス液を付与して、前記主面上に残存する薬液を前記リンス液に置換するリンス液付与工程をさらに備える。
【００１５】
請求項１０に記載の発明は、請求項８または９に記載の基板洗浄方法であって、前記超音波付与工程の後に、前記主面に残存する液体を除去する工程をさらに備える。
【００１６】
請求項１１に記載の発明は、請求項８ないし１０のいずれかに記載の基板洗浄方法であって、前記前処理工程が、前記薬液付与工程の前に前記主面に紫外線を照射する紫外線照射工程をさらに有する。
【００１７】
請求項１２に記載の発明は、請求項７に記載の基板洗浄方法であって、前記超音波付与工程に並行して、前記主面上から気体を吸引する吸引工程をさらに備え、前記前処理工程が、前記主面に紫外線を照射する紫外線照射工程を有する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板の主面に付着するパーティクルの付着力を低減することにより、超音波振動が付与された気体を利用してパーティクルを適切かつ効率よく除去することができる。
【００１９】
また、請求項２および８の発明では、基板の主面に対してライトエッチングを施すことにより、基板の主面に付着するパーティクルの付着力を容易に低減することができ、請求項４および１０の発明では、基板上のパターンの損傷を防止しつつ基板の主面を確実に乾燥することができる。
【００２０】
また、請求項５、６、１１および１２の発明では、基板の主面に存在する有機物を除去または分解することにより、基板の主面に付着するパーティクルの付着力を容易に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板洗浄装置１の構成を示す平面図である。基板洗浄装置１は、半導体の基板９が収容されたカセット９１が載置されるインデクサ２、基板９に向けて紫外線を照射する紫外線照射部３、基板９に対して薬液を利用した洗浄および後述の超音波ドライ洗浄を施す洗浄部４、並びに、インデクサ２、紫外線照射部３および洗浄部４の間において基板９の搬送を行う搬送ロボット５を備える。洗浄部４はチャンバ本体４１を有し、チャンバ本体４１の搬送ロボット５に対向する位置には、洗浄部４に対する基板９の搬入および搬出に利用される搬出入口が設けられる。なお、以下に洗浄部４の詳細について説明するが、紫外線照射部３は後述する他の処理例にて利用されるため、紫外線照射部３の構成については他の処理例において述べる。
【００２２】
図２は洗浄部４の構成を示す平面図であり、チャンバ本体４１の内部を示している。また、図３は、図２中の矢印Ａ−Ａにて示す位置での洗浄部４の断面図である。図３に示すように、洗浄部４は基板９の下側の主面に当接して基板９を保持する保持部４２、および、保持部４２が内部に配置されるとともに底面に排液口および排気口（図示省略）が形成されたカップ４３を備える。保持部４２はシャフト４２１を介してモータ４２２に接続され、モータ４２２が駆動することによりシャフト４２１を中心に保持部４２が回転する。基板９がチャンバ本体４１に対して搬出入される際には、シャフト４２１および保持部４２が上昇して搬送ロボット５と保持部４２との間で基板９の受け渡しが行われる。
【００２３】
図２に示すように洗浄部４は、基板９の上側の主面である上面に希釈された薬液（以下、「希釈薬液」という。）を付与する薬液付与部４４、基板９の上面にリンス液（例えば、純水）を付与するリンス液付与部４５、基板９の主面に沿う図２中のＹ方向に伸びる長尺のドライノズル部４６、ドライノズル部４６の両端を支持しつつドライノズル部４６を基板９の主面に沿う図２中のＸ方向に移動する（スキャンさせる）ノズル部移動機構４７をさらに備える。
【００２４】
薬液付与部４４は、保持部４２の上方に設けられる薬液ノズル４４１、および、薬液ノズル４４１に希釈薬液を供給する薬液供給部４４２を有する。ここで、希釈された薬液とは、例えば半導体用の所定濃度のフッ酸（ＨＦ）を１：１００の割合で水（Ｈ２Ｏ）で希釈した混合液やバッファードフッ酸（ＢＨＦ）を同様に希釈した混合液等である。リンス液付与部４５は、保持部４２の上方に設けられるリンス液ノズル４５１、および、リンス液ノズル４５１にリンス液を供給するリンス液供給部４５２を有する。また、ドライノズル部４６には、エア供給部４６１およびポンプ４６２が接続される。なお、リンス液付与部４５は本処理例の後に説明する他の処理例にて利用される。
【００２５】
図４はドライノズル部４６の下部を示す断面図である。ドライノズル部４６にはポンプ４６２（図２参照）に接続される吸引部４６３が設けられる。吸引部４６３は基板９に対向するとともに図４中のＹ方向に伸びる細長い吸引口４６４を有し、吸引口４６４を介して基板９の上面上から気体が吸引される。また、ドライノズル部４６の基板９側の端部には、Ｘ方向に関して吸引口４６４を挟んで２つの超音波付与部４６５が設けられ、各超音波付与部４６５にはエア供給部４６１（図２参照）が接続される。各超音波付与部４６５は、基板９に対向するとともにＹ方向に伸びる細長い噴出口４６６、および、Ｘ方向に関して各噴出口４６６を挟んで設けられる１対の超音波発生器４６７を有し、超音波発生器４６７により超音波振動が付与されたエアが噴出口４６６を介して基板９の上面に向けて噴出される。ドライノズル部４６は基板９に近接して設けられ、ドライノズル部４６の下端面と基板９の上面との間の距離は、例えば１０ミリメートル（ｍｍ）未満、好ましくは５ｍｍ以下とされ、下限値は基板９の平坦度に基づいてドライノズル部４６が基板９に接触しない範囲にて適宜決定される。なお、ドライノズル部４６の移動方向に垂直なＹ方向に関して、エアの噴出口４６６および気体の吸引口４６４は基板９の直径よりも長い。
【００２６】
図５は、基板洗浄装置１が基板９を洗浄する処理の流れを示す図である。図１の基板洗浄装置１では、まず、インデクサ２に載置されたロード用のカセット９１から処理対象の基板９が搬送ロボット５により取り出される。そして、基板９はチャンバ本体４１の搬出入口を介して洗浄部４内へと搬送され、図３の保持部４２上に載置されて真空吸着により保持される。続いて、モータ４２２が駆動されることにより基板９が一定の速度にて回転を開始し、薬液ノズル４４１から希釈薬液が基板９の上面上に一定時間（例えば、１０秒間）だけ吐出され（ステップＳ１１）、基板９の上面の自然酸化膜が所定の量（例えば、数オングストローム）だけ除去される。すなわち、基板９の上面に対してライトエッチングが施される。このとき、ドライノズル部４６は基板９の（−Ｘ）側にて待機する。
【００２７】
続いて、基板９の回転が停止され、図４のドライノズル部４６において超音波発生器４６７の駆動およびエアの噴出が開始されるとともに、ノズル部移動機構４７によりドライノズル部４６が（＋Ｘ）方向へと一定の速度にて移動を開始する。また、吸引部４６３による気体の吸引も開始される（ステップＳ１２）。
【００２８】
このとき、超音波振動が付与されたエアは基板９の上面に向けてエアナイフのように噴出されるため、基板９上に残存する希釈薬液は、ドライノズル部４６の移動に伴って（＋Ｘ）方向へと移動し、基板９の（＋Ｘ）側の端部にて基板９の外側へと除去される。さらに、基板９上に付着したパーティクル（例えば、シリコンや窒化シリコン等のシリコン化合物の微粒子、あるいは、他の無機物の微粒子等の不要物）がエアを介して与えられる超音波振動により基板９の上面から容易に引き離され、引き離されたパーティクルは上述の基板９上にてエアに押されて移動する希釈薬液と共に除去されたり、吸引部４６３により吸引口４６４の周囲の気体（超音波付与部４６５からのエアを含む。）と共に吸引されて除去される。
【００２９】
ドライノズル部４６が基板９の（＋Ｘ）側へと移動すると、ドライノズル部４６の移動方向が反転される。ドライノズル部４６が（−Ｘ）方向に移動する間にも同様に、超音波付与部４６５からのエアにより基板９の上面から剥離されて引き離されるパーティクルが、吸引部４６３により吸引され、または、基板９上を移動する希釈薬液と共に除去される。基板洗浄装置１では、ドライノズル部４６が所定の回数だけ基板９上を往復し、これにより、基板９の上面上に残存する希釈薬液が除去される。
【００３０】
ドライノズル部４６による超音波ドライ洗浄が終了すると、搬送ロボット５により基板９がチャンバ本体４１から取り出され、インデクサ２のアンロード用のカセット９１へと戻される。基板洗浄装置１では、ロード用のカセット９１内の他の基板９に対しても上記処理が繰り返され、全ての基板９の洗浄が終了すると、基板洗浄装置１における処理が終了する。
【００３１】
以上のように、図１の基板洗浄装置１では、薬液付与部４４によりライトエッチングが施された後の基板９の上面に向けて、超音波振動が付与されたエアが超音波付与部４６５から噴出される。ここで、基板９の上面において周囲が自然酸化膜に囲まれた、または、自然酸化膜に取り込まれたパーティクルが存在する場合に、超音波振動が付与されたエアのみによりパーティクルを除去しようとすると、超音波出力を増大させたりエアの噴出量を増大する必要がある。しかしながら、超音波出力を増大させると基板９の上面に形成されたパターンが損傷する恐れがあり、また、噴出量の増大のみではパーティクルが除去されるとは限らない。これに対し、基板洗浄装置１では、基板９に対してライトエッチングを施すことにより基板９の上面の自然酸化膜を除去してパーティクルを孤立させ、または、自然酸化膜を減少させてパーティクルを露出させ、基板９に付着するパーティクルの付着力を容易に低減することができる。その結果、過大な超音波振動を与えたり、エアの噴出量を必要以上に増大することなく、超音波振動が付与されたエアを利用してパーティクルを適切かつ効率よく除去することができる。
【００３２】
また、超音波付与部４６５を基板９の上面に沿って基板９に対して相対的に移動しつつ、超音波付与部４６５からのエアを利用して基板９の上面に付着するパーティクルの除去と基板９の上面上の希釈薬液の除去とが並行して行われることにより、基板９の洗浄に係る処理を効率よく行うことができる。さらに、基板洗浄装置１では薬液の使用量が少量であるため、洗浄液を利用したウェット洗浄のみにより同等の清浄度の洗浄を実現する場合に比べて処理液（原液である薬液や洗浄液等）の使用量を低減することができ、基板洗浄処理に要するコストの削減を図ることができる。
【００３３】
次に、基板洗浄装置１においてリンス液付与部４５を利用した基板洗浄処理の他の例について説明を行う。図６は基板洗浄装置１が基板９を洗浄する処理の流れの他の例を示す図である。他の例に係る基板洗浄処理では、図２の洗浄部４において基板９の上面に対してライトエッチングが施されると（ステップＳ１１）、基板９の回転が継続された状態でリンス液ノズル４５１から基板９の上面に向けてリンス液が一定の時間だけ吐出される（ステップＳ１１ａ）。これにより、基板９の上面上の希釈薬液がリンス液に置換される。
【００３４】
そして、ドライノズル部４６が基板９の上方をＸ方向に往復移動することにより、基板９の上面から引き離されたパーティクルが、超音波付与部４６５からのエアにより移動するリンス液に混入し、または、吸引部４６３により吸引されて除去される（ステップＳ１２）。このように、他の例に係る基板洗浄処理では、ライトエッチングが施された直後の基板９の上面にリンス液を付与して基板９上に残存する希釈薬液がリンス液に置換されることにより、薬液付与部４４からの希釈薬液によるライトエッチングの量を精度よくコントロールしつつ、基板９の上面に付着するパーティクルの付着力を低減して、超音波振動が付与されたエアによる適切かつ効率のよいパーティクルの除去が実現される。
【００３５】
次に、基板洗浄装置１における基板洗浄処理のさらに他の例について説明を行う。図７は基板洗浄装置１が基板９を洗浄する処理の流れのさらに他の例を示す図である。本処理例では、図６の場合と同様に、希釈薬液の付与およびリンス液の付与が行われた後（ステップＳ１１，Ｓ１１ａ）、図５および図６の場合よりも少ない回数だけドライノズル部４６が基板９上を往復移動しつつ（ドライノズル部４６が基板９上を一度通過するのみであってもよい。）、超音波付与部４６５からのエアの噴出および吸引部４６３による気体の吸引が行われる（ステップＳ１２）。なお、ドライノズル部４６の往復移動後、基板９の上面にはまだら状にリンス液が残存している。
【００３６】
続いて、モータ４２２が再度駆動されて基板９が希釈薬液およびリンス液の付与時よりも高速に回転する（ステップＳ１３）。これにより、基板９上に形成された微細パターンが非常に脆弱な場合であっても、超音波付与部４６５からのエアを基板９の上面に必要以上の長時間に亘って噴出して基板９の上面に形成されたパターンが損傷することを防止しつつ、基板９の上面に残存するリンス液を基板９の回転により除去して基板９を確実に乾燥することができる。なお、図７のステップＳ１１ａが省略され、ステップＳ１３において基板９の上面に残存する希釈薬液が基板９の回転により確実に除去されてもよい。
【００３７】
次に、図１に示す紫外線照射部３を利用する処理例について説明を行う。図１に示す紫外線照射部３は、搬入される基板９が載置されるステージ３１、および、ステージ３１にて保持される基板９の上方に設けられる複数のランプ３２を有し、各ランプ３２から、例えば波長１８５ナノメートル（ｎｍ）および２５４ｎｍの紫外線が基板９の上面に向けて照射される。複数のランプ３２はカバー３３にて覆われ、ランプ３２からの紫外線がカバー３３外へと漏れることが防止される。
【００３８】
図８は基板洗浄装置１が基板９を洗浄する処理の流れのさらに他の例を示す図である。基板洗浄装置１が紫外線照射部３を利用して基板９を洗浄する際には、搬送ロボット５により処理対象の基板９がロード用のカセット９１から取り出されて、紫外線照射部３のステージ３１上に載置される。そして、複数のランプ３２からの紫外線の出射が開始され、基板９の上面に紫外線が所定時間だけ照射されて基板９の上面に存在する有機物が分解（または、除去）される（ステップＳ１０）。
【００３９】
紫外線の照射が終了すると、搬送ロボット５により基板９が紫外線照射部３から取り出されて洗浄部４の保持部４２上へと移載される。そして、ドライノズル部４６が基板９の上方を往復移動しつつ、超音波付与部４６５からのエアにより基板９の上面からパーティクルが剥離されて基板９の上面から引き離され、吸引部４６３により吸引されて基板９上から除去される（すなわち、超音波ドライ洗浄が行われる。）（ステップＳ１２）。このとき、基板９の上面上の有機物の分解により、パーティクルの基板９への再付着が抑制される。ドライノズル部４６の所定回数の往復移動が終了すると、基板９が洗浄部４から取り出されてアンロード用のカセット９１内へと搬送され、基板洗浄処理が終了する。
【００４０】
以上のように、基板洗浄装置１における図８の処理例では、紫外線照射部３により基板９の上面に紫外線が照射される。これにより、基板９の上面に存在する有機物によりパーティクルが強固に付着する場合であっても、有機物を除去または分解してパーティクルの付着力を容易に低減することができる。そして、基板９の上面に対する超音波付与部４６５からのエアの噴出に並行して、超音波付与部４６５に近接して設けられる吸引部４６３により超音波付与部４６５からのエアを含む気体が基板９の上面上から吸引されることにより、基板９の上面に形成されたパターンに影響を与えることなく、超音波振動が付与されたエアを利用してパーティクルを適切かつ効率よく除去することができる。また、本処理例では、洗浄対象の基板９がウェット処理を施すことが好ましくないものであっても、希釈薬液等の液体を利用することなく、基板９上のパーティクルを除去することができる。
【００４１】
次に、図５ないし図８の処理が組み合わせられたより好ましい処理例について図９に示す処理の流れを参照しつつ説明を行う。本処理例では、紫外線照射部３により基板９の上面に紫外線が所定時間だけ照射された後（ステップＳ１０）、洗浄部４にて基板９の上面に希釈薬液が付与されてライトエッチングが施され（ステップＳ１１）、その後、基板９の上面上の希釈薬液がリンス液に置換される（ステップＳ１１ａ）。続いて、ドライノズル部４６が基板９の上方を移動することにより、超音波付与部４６５からのエアにより基板９の上面から引き離されたパーティクルが、ドライノズル部４６と共に移動するリンス液に混入して、または、吸引部４６３により吸引されて除去される（ステップＳ１２）。そして、モータ４２２が再度駆動して基板９が希釈薬液およびリンス液の付与時よりも高速に回転し（ステップＳ１３）、基板９の上面上に残存するリンス液が除去される。
【００４２】
以上のように、基板洗浄装置１における図９の処理例では、紫外線照射部３による処理と薬液付与部４４による処理とを組み合わせて、基板９の上面に存在する有機物を除去または分解した後に基板９上の自然酸化膜を除去することにより、基板９の上面に付着するパーティクルの付着力のさらなる低減を容易に実現することができる。その結果、超音波振動が付与されたエアを利用してパーティクルを適切かつ効率よく除去し、基板９の上面がより高清浄度となるように洗浄することができる。
【００４３】
図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る基板洗浄装置１ａの構成を示す平面図であり、図１１は図１０の基板洗浄装置１ａを図１０中の（−Ｙ）側から（＋Ｙ）方向を向いて見た場合の様子を示す正面図である。図１０の基板洗浄装置１ａでは、洗浄対象の基板９ａが平面表示装置用の矩形のガラス基板とされる。基板洗浄装置１ａは基板９ａを移動する基板移動機構６１を有し、基板移動機構６１は、それぞれが図１０中のＹ方向に伸びる複数のローラ６１１を図１０中のＸ方向に配列して有する。複数のローラ６１１のうち図示省略のモータが接続されたローラ６１１が回転することにより、基板９ａが下面から支持されるようにして保持されつつ（＋Ｘ）方向へと移動する。基板移動機構６１の上方には、基板９の進行方向（（＋Ｘ）方向）に向かって順に紫外線照射部６２、ウェット洗浄部６３、ドライ洗浄部６４、ヒータ６５が設けられる。
【００４４】
次に、基板洗浄装置１ａの各構成の説明を行いつつ、基板洗浄装置１ａが基板９ａを洗浄する処理の流れについて図９に準じて説明を行う。まず、基板移動機構６１の（−Ｘ）側に基板９ａが搬送されると、基板９ａが（＋Ｘ）方向へと移動を開始し、紫外線照射部６２へと搬入される。紫外線照射部６２はそれぞれが紫外線を出射するとともにＹ方向に伸びる長尺の複数のランプ６２１を有し、下方を通過する基板９ａの上面に紫外線が照射される（ステップＳ１０）。その後、基板９ａはウェット洗浄部６３に対向する位置へと連続的に移動する。
【００４５】
ウェット洗浄部６３の（−Ｘ）側の部位には、基板９ａに希釈薬液を付与する薬液付与部６３１が設けられ、薬液付与部６３１が有する薬液ノズル６３２から基板９ａの上面に希釈薬液が連続的に吐出される。薬液付与部６３１はその吐出口がＹ方向に長くされ、基板９ａの移動に伴って基板９ａの上面の各部位に希釈薬液が順次付与される。これにより、基板９ａの上面に対してライトエッチングが施される（例えば、ガラス基板の本体、あるいは、基板９ａ上に形成された所定の膜が数オングストロームだけエッチングされる。）（ステップＳ１１）。
【００４６】
基板９ａの希釈薬液が付与された部位はウェット洗浄部６３の（＋Ｘ）側の部位に設けられるリンス液付与部６３３の下方へと移動し、リンス液付与部６３３が有するリンス液ノズル６３４から基板９ａの上面にリンス液が連続的に吐出される。リンス液ノズル６３４も、その吐出口がＹ方向に長くされ、基板９ａの移動に伴って基板９ａの上面の各部位にリンス液が順次付与され、基板９ａ上に残存する希釈薬液がリンス液に置換される（ステップＳ１１ａ）。なお、基板移動機構６１を介してウェット洗浄部６３に対向する位置には、使用済の液体を回収する液体回収部６３５が設けられる。
【００４７】
ウェット洗浄部６３の下方を通過した基板９ａは、ドライ洗浄部６４が有するドライノズル部６４１の近傍へと移動する。ドライノズル部６４１は、図４のドライノズル部４６と同様の構成とされ、ドライノズル部６４１の各超音波付与部により基板９ａの上面に向けて超音波振動が付与されたエアが噴出されるとともに、吸引部により基板９ａの上面上から気体が吸引される（ステップＳ１２）。このとき、超音波付与部からのエアにより基板９ａに付着したパーティクルが基板９ａの上面から引き離されて基板９ａ上のリンス液に混入し、または、吸引口の周囲の気体と共に吸引される。また、超音波付与部からのエアにより基板９ａ上のリンス液は基板９ａの移動に伴って基板９ａに対して（−Ｘ）方向へと相対的に移動し、（−Ｘ）側の端部にて基板９ａの外側へと除去される。なお、基板移動機構６１を介してドライ洗浄部６４に対向する位置には、基板９ａ上から除去された液体を回収する液体回収部６４２が設けられる。
【００４８】
続いて、基板９ａはヒータ６５の下方へと移動し、ヒータ６５から付与される熱により基板９ａの上面上に残存するリンス液が除去される（ステップＳ１３）。これにより、基板９の上面が確実に乾燥し、基板９ａを洗浄する処理が終了する。実際には、上記処理は、複数の基板９ａに対して並行して行われ、基板の洗浄に係る処理の効率化が図られる。
【００４９】
以上のように、図１０の基板洗浄装置１ａでは、ガラスの基板９ａに対して紫外線照射部６２による紫外線の照射により基板９ａの上面上の有機物が除去または分解された後、薬液付与部６３１により希釈薬液が付与される。ここで、ガラスの基板９ａではパーティクルが電気的に上面に吸着していることがあり、このような場合でも、希釈薬液が付与されることにより電気的な吸着力が弱められる（すなわち、パーティクルの付着力が低減される。）。そして、紫外線照射部６２および薬液付与部６３１による処理後の基板９ａの上面に向けて超音波振動が付与されたエアが噴出されることにより、パーティクルを適切かつ効率よく除去することが実現される。
【００５０】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００５１】
基板洗浄装置における基板洗浄処理において薬液付与部が利用される場合には、ドライノズル部において吸引部が省略されてもよい。この場合であっても、超音波付与部により剥離されたパーティクルは基板上に残存する液体と共に基板上から除去される。
【００５２】
また、超音波付与部からのエアが付与される前に、基板の主面に付着するパーティクルの付着力を低減する前処理は、ライトエッチングや紫外線の照射以外の処理であってもよい。
【００５３】
上記実施の形態におけるドライノズル部では２つの超音波付与部が設けられるが、１つの超音波付与部のみにより前処理後の基板に対するエアの付与が行われてもよい。また、超音波付与部にエア以外の特定の気体が供給され、超音波振動が付与されつつ基板に向けて噴出されてもよい。
【００５４】
第１の実施の形態における基板洗浄装置１では、図３のモータ４２２が基板９を回転することにより超音波付与部４６５からのエアの噴出後に基板９の上面に残存する液体が除去されるが、図１０の基板洗浄装置１ａと同様にヒータが設けられて基板９の上面に残存する液体が除去されてもよい。また、基板洗浄装置１ａにおいてヒータ６５に代えて、例えば基板９ａ上に形成されたパターンに影響が生じない程度の噴出量にてエアを噴出するエアナイフ部が設けられ、基板９ａの上面に残存する液体が除去されてもよい。
【００５５】
基板洗浄装置における洗浄対象の基板は、半導体基板やガラス基板以外に、例えばプリント配線基板等であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施の形態に係る基板洗浄装置の構成を示す平面図である。
【図２】洗浄部の構成を示す平面図である。
【図３】洗浄部の構成を示す断面図である。
【図４】ドライノズル部の下部を示す断面図である。
【図５】基板洗浄装置が基板を洗浄する処理の流れを示す図である。
【図６】基板洗浄装置が基板を洗浄する処理の流れの他の例を示す図である。
【図７】基板洗浄装置が基板を洗浄する処理の流れのさらに他の例を示す図である。
【図８】基板洗浄装置が基板を洗浄する処理の流れのさらに他の例を示す図である。
【図９】基板洗浄装置が基板を洗浄する処理の流れのさらに他の例を示す図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る基板洗浄装置の構成を示す平面図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る基板洗浄装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１，１ａ    基板洗浄装置
３，６２    紫外線照射部
９，９ａ    基板
４２    保持部
４４，６３１    薬液付与部
４５，６３３    リンス液付与部
６１    基板移動機構
６５    ヒータ
４２２    モータ
４６３    吸引部
４６５    超音波付与部
Ｓ１０〜Ｓ１３，Ｓ１１ａ    ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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