(57)【要約】【課題】  放電時にイオン衝撃を防止して永久残像を除去しうるＰＤＰを提供する。【解決手段】  本発明に係るＰＤＰは、背面基板１１０、背面基板１１０の上側に配され、一方向に延びたアドレス電極１１１、アドレス電極１１１を覆う下側誘電体層１１２、下側誘電体層１１２の上側に形成された隔壁１１３、背面基板１１０と平行に配された前面基板１２０、前面基板１２０の下側に配されてアドレス電極１１１と交差するように延びた維持電極対１２１、維持電極対１２１を覆っている上側誘電体層１２３、上側誘電体層１２３を覆っている保護層１２４と、放電セル内にある放電ガスを備え、放電セルの区間の維持電極対１２１の間には上側誘電体層１２３がエッチングされたギャップ１３０が形成され、前面基板１２０の下面のギャップ１３０には蛍光体層１１５が塗布されることを特徴とする。【選択図】図３
2006128070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面基板と、
前記背面基板の上側に配され、一方向に延びたアドレス電極と、
前記アドレス電極を覆う下側誘電体層と、
前記下側誘電体層の上側に形成された隔壁と、
前記背面基板と平行に配された前面基板と、
前記前面基板の下側に配され、前記アドレス電極と交差するように延びた維持電極対と、
前記維持電極対を覆っている上側誘電体層と、
前記上側誘電体層を覆っている保護層と、
前記放電セル内にある放電ガスと、を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記放電セルの区間の維持電極対の間には、上側誘電体層がエッチングされたギャップが形成され、前面基板の下面の前記ギャップには蛍光体層が塗布されることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記蛍光体層は、上側誘電体層がエッチングされて露出された前記前面基板の下面に塗布されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記前面基板の露出された下面には、蛍光体を塗布するための溝がさらに形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記溝は、前記放電セルの区間内に位置されることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記蛍光体層は、前記溝内部に塗布されていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記ギャップで露出された上側誘電体層の側面に保護層が形成されていることを特徴とする請求項５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記保護層は、ＭｇＯを含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、畝形成（ｒｉｄｇｅ）構造のプラズマディスプレイパネルに係り、より詳細には、畝形成構造の上板に蛍光体を形成して永久残像を改善したプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
電気的放電を利用して画像を形成するプラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ；以下、ＰＤＰ）は、輝度や視野角などの表示性能に優れてその使用が益々増大しつつある。このようなＰＤＰは、電極に印加される直流または交流電圧によって電極間にあるガスで放電が起こり、ガス放電の過程で伴われる紫外線の放射によって蛍光体が励起されて可視光を放射する。
【０００３】
図１及び図２には、従来の面放電型ＰＤＰの一例が図示されている。図２では、ＰＤＰの内部構造をさらに理解しやすく示すために、前面基板だけを９０゜回転させて示している。
【０００４】
図１及び図２を共に参照すれば、従来の面放電型ＰＤＰは相互に対面する背面基板１０と前面基板２０とを備えている。
【０００５】
前記背面基板１０の上面には、複数のアドレス電極１１がストライプ状に配列されており、前記アドレス電極１１は透明な下側誘電体層１２に埋め込まれている。そして、下側誘電体層１２の上面には、放電セル間の電気的、光学的干渉を防止するための複数の隔壁１３が互いに所定間隔をおいて形成されている。この隔壁１３により区画された放電セルの内面には各々赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍光体層１５が所定厚さだけ塗布されており、この放電セル内にＮｅ、Ｘｅまたはこれらが混合された放電ガスが注入される。
【０００６】
前記前面基板２０は、可視光が透過できる透明基板であって、主にガラスからなり、隔壁１３が設けられた背面基板１０に結合される。前面基板２０の底面には、前記アドレス電極１１と直交するストライプ状の維持電極２１ａ、２１ｂが対をなして形成されている。前記維持電極２１ａ、２１ｂは、可視光が透過可能に、主にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性材料より形成される。そして、前記維持電極２１ａ、２１ｂのライン抵抗を減らすために、維持電極２１ａ、２１ｂそれぞれの底面には金属材よりなるバス電極２２ａ、２２ｂが維持電極２１ａ、２１ｂより幅が狭く形成されている。このような維持電極２１ａ、２１ｂとバス電極２２ａ、２２ｂは、透明な上側誘電体層２３に埋め込まれており、上側誘電体層２３の底面には保護層２４が形成されている。
【０００７】
このような構造で、低電圧と効率の向上のために、前面基板を中心に維持電極、上側誘電体層、保護層よりなる上板構造体には、畝形式で誘電体が形成される。すなわち、放電セル内で対をなす維持電極２１ａ、２１ｂ間の空間にある上側誘電体層の一部がエッチングされて除去されることによって、１つの放電セル内の維持電極間にギャップ３０が形成され、前記ギャップでは前面基板の下面が露出されている構造である。
【０００８】
しかし、かかる従来の畝形成構造のＰＤＰでは、蛍光体層が隔壁で取り囲まれた放電セル内、すなわち背面基板を中心に下板に形成されることにより、アドレス指定（ａｄｄｒｅｓｓｉｎｇ）の間に、あるいは維持放電の間に、イオン衝撃によって蛍光体層が劣化するという問題点があった。
【０００９】
また蛍光体層が下板に形成されることによって、ＰＤＰの駆動時に永久残像が画面に残るという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記問題点を解決して、畝形成構造のＰＤＰで前面基板の上側誘電体層のエッチングされたギャップに蛍光体層を形成し、永久残像を除去して輝度及び効率の向上を果たし得るＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために本発明の望ましい実施形態によるＰＤＰは、背面基板と、前記背面基板の上側に配され、一方向に延びたアドレス電極と、前記アドレス電極を覆う下側誘電体層と、前記下側誘電体層の上側に形成された隔壁と、前記背面基板と平行に配された前面基板と、前記前面基板の下側に配され、前記アドレス電極と交差するように延びた維持電極対と、前記維持電極対を覆っている上側誘電体層と、前記上側誘電体層を覆っている保護層と、前記放電セル内にある放電ガスと、を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記放電セルの区間の維持電極対の間には、上側誘電体層がエッチングされたギャップが形成され、前面基板の下面の前記ギャップには蛍光体層が塗布されることを特徴とする。
【００１２】
ここで、前記蛍光体層は、上側誘電体層がエッチングされて露出された前記前面基板の下面に塗布される。
【００１３】
また、前記前面基板の露出された下面は、蛍光体を塗布するための溝で形成されていることが望ましい。
【００１４】
前記溝は、前記放電セルの区間内に位置する。
【００１５】
また、前記蛍光体層は、前記溝内に塗布される。
【００１６】
前記ギャップで露出された上側誘電体層の側面に保護層が形成されることが望ましい。
【００１７】
一方、前記保護層は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含むことが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によるＰＤＰは次のような効果を奏する。
【００１９】
第１に、下板構造体には、蛍光体層が形成されないために、アドレス指定を行う間に、イオン衝撃が発生することを防止しうる。
【００２０】
第２に、下板構造体に蛍光体層が存在しない構造によって維持放電を行う間に発生しうるイオン衝撃も防止できる。
【００２１】
第３に、イオン衝撃を防止することによって、蛍光体の劣化を防止しうる。
【００２２】
第４に、駆動時に画面に永久残像が生じる問題点を改善して永久残像を画期的に低減しうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
添付された図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２４】
図３は、本発明の望ましい第１実施形態によるＰＤＰの分離斜視図であり、図４は、図３のＰＤＰの分解断面図である。図４では、ＰＤＰの内部構造をさらに分かりやすく示すために前面基板だけを９０゜回転して示されている。
【００２５】
図３及び図４を共に参照すれば、本発明の第１実施形態によるＰＤＰは、背面基板１１０と、前記背面基板１１０の上面に形成される複数のアドレス電極１１１と、前記背面基板１１０の上面で前記アドレス電極１１１を埋め込むように形成される下側誘電体層１１２を含む。また前記下側誘電体層１１２の上部には、放電空間の放電セルを区画して放電セル間の電気的、光学的干渉を防止する隔壁１１３が設けられる。
【００２６】
前記隔壁１１３の上方には、前記背面基板１１０と結合されて放電空間を形成する前面基板１２０と、前記前面基板１２０の下面に形成されて前記アドレス電極１１１と交差するように所定角度をなしつつ、ストライプ状よりなる維持電極１２１ａ、１２１ｂが対をなして形成されている。したがって、１つの放電セルには、２つの維持電極が対をなして通過して延びるように配される。
【００２７】
前記維持電極１２１ａ、１２１ｂは、可視光が透過されるように主にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明な導電性材料よりなる。しかし、このようなＩＴＯのような材料は電気的抵抗が大きいため、前記維持電極１２１ａ、１２１ｂのライン抵抗を減らすために、維持電極１２１ａ、１２１ｂのそれぞれの底面には、金属材よりなるバス電極１２２ａ、１２２ｂが維持電極１２１ａ、１２１ｂより幅が狭く形成されている。このような維持電極１２１ａ、１２１ｂとバス電極１２２ａ、１２２ｂは、透明な上側誘電体層１２３により埋め込まれている。したがって、維持電極１２１ａ、１２１ｂとバス電極１２２ａ、１２２ｂは放電空間に直接露出されない。
【００２８】
一方、上側誘電体層１２３の一部がエッチングされて除去されることによって、前面基板１２０を中心とする上板は畝形成構造を有する。エッチングされる形態としては、必ずしも上側誘電体層を垂直にエッチングする必要はないが、上側誘電体層のうち、非エッチング面が、エッチング部分に比べて相対的に突出しつつ畝形状をなすものであれば、十分である。具体的に説明すれば、対をなす維持電極１２１ａ、１２１ｂの間で充填されている上側誘電体層の一部がエッチングされて除去されることによって、誘電体層が除去された部分には、前面基板１２０の下面が露出されるようにギャップ１３０が形成される。
【００２９】
このようなギャップ１３０が形成されることによって、前面基板１２０の下面のうち、上側誘電体層１２３が除去された部分には、各々赤、青、緑の蛍光体層１１５が塗布される。特に、蛍光体層１１５が塗布される別の区間としてギャップ１３０に露出された前面基板１２０の下面は、凹溝１３２で形成されるが、正方形の溝形状であることが望ましい。
【００３０】
前記溝１３２は、放電セルの横及び縦の長さより短く形成され、溝が放電セルの区間を越えず、放電セルの区間内に位置することが望ましい。また、前記溝１３２の内部には、蛍光体層１１５が塗布されるため、所定の厚さに蛍光体層が塗布されうる程度の深さに溝が形成されねばならない。のみならず、蛍光体層が溝内部の底面と側面とに何れも塗布された際に、溝内の側面に塗布される蛍光体層も所定の高さを形成できる程度に溝の大きさが設定されることが望ましい。また、溝１３２の内部底面だけでなく、溝の内部側面で蛍光体層１１５が一体に形成されることが望ましい。
【００３１】
一方、上側誘電体層１２３は、保護層１２４により覆われるが、上側誘電体層１２３がエッチングされて除去されたギャップ１３０では、上側誘電体層１２３の一部の表面が露出されるため、上側誘電体層１２３のうち、ギャップに露出された表面、すなわち、エッチングによって除去された上側誘電体層の表面にも保護層１２４が形成される。前記保護層１２４は、プラズマ粒子のスパッタリングによる上側誘電体層１２３の損傷を防止し、二次電子を放出して放電電圧と維持電圧とを下げる役割を果たすものであって、一般的に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）よりなる。
【００３２】
隔壁１１３で取り囲まれてギャップ１３０に至る区間は全て放電空間となり、このような放電空間にはＸｅ、Ｎｅまたはそれらの混合物よりなる放電ガスが注入される。
【００３３】
図５は、図４のＩ−Ｉ’線に沿う透過図である。したがって、図５では、１つの放電セルに対してのみその上部から見た透過図である。
【００３４】
図５を参照すれば、隔壁１１３で取り囲まれた放電空間で平行に延びるバス電極１２２ａ、１２２ｂが配され、バス電極１２２ａ、１２２ｂの上部には、ストライプ状の維持電極１２１ａ、１２１ｂが相互に平行に形成されている。維持電極１２１ａ、１２１ｂの間には、ギャップ１３０（図４）が形成され、ギャップに露出された前面基板の下面に形成された溝１３２内に蛍光体層１１５が塗布されている構造となっている。
【００３５】
蛍光体層１１５は、紫外線を受けて可視光線を発生させる成分を有するが、赤色発光サブピクセルに形成された蛍光体層は、Ｙ（Ｖ，Ｐ）Ｏ４：Ｅｕのような蛍光体を含み、緑色発光サブピクセルに形成された蛍光体層は、Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、ＹＢＯ３：Ｔｂのような蛍光体を含み、青色発光サブピクセルに形成された蛍光体層はＢＡＭ：Ｅｕのような蛍光体を含むことが望ましい。
【００３６】
前述したような構成を有する本発明の望ましい一実施形態によるＰＤＰにおいては、アドレス電極１１１と維持電極１２１ａ、１２１ｂのうち、何れか１つの電極のＸ電極間にアドレス電圧が印加されることによってアドレス放電が起こり、このアドレス放電の結果、複数の放電セルのうち、維持放電が起こる放電セルが選択される。
【００３７】
その後、前記選択された放電セルのＸ電極と維持電極対のうち、残りの１つのＹ電極間に交流の維持放電電圧が印加されると、Ｘ電極とＹ電極との間に維持放電が起こる。この維持放電によって励起された放電ガスのエネルギー準位が低下しつつ、紫外線が放出される。そして、この紫外線が放電セルのギャップ１３０内に形成された溝１３２の内部に塗布された蛍光体層１１５を励起させるが、このような励起された蛍光体層１１５のエネルギー準位が低下しつつ可視光が放出され、このような過程で放出された可視光が画像を形成する。
【００３８】
図６及び図７は、維持電極の形状がストライプ状でない、「Ｔ」字形である場合の本発明の望ましい第２実施形態によるＰＤＰを示す。第２実施形態によるＰＤＰは、図３ないし図５に示されたＰＤＰと概略的な構造はほぼ同一である。図６では、ＰＤＰの内部構造をさらに分かりやすく示すために、前面基板だけを９０゜回転した状態で示されている。
【００３９】
第２実施形態によるＰＤＰは、背面基板２１０と、前記背面基板２１０の上面に形成される複数のアドレス電極２１１と、前記背面基板２１０の上面で前記アドレス電極２１１を埋め込むように形成される下側誘電体層２１２を含む。前記下側誘電体層２１２の上部には、放電空間の放電セルを区画する隔壁２１３が設けられる。
【００４０】
前記隔壁２１３の上方には、前記背面基板２１０と結合されて放電空間を形成する前面基板２２０と、前記前面基板２２０の下面に形成されて前記アドレス電極２１１と交差するように所定の角度をなす「Ｔ」字状の維持電極２２１ａ、２２１ｂが対をなして形成されている。
【００４１】
前記維持電極２２１ａ、２２１ｂは、可視光が透過されるように主にＩＴＯのような透明な導電性材料よりなる。そして、前記維持電極２２１ａ、２２１ｂのライン抵抗を減らすために、維持電極２２１ａ、２２１ｂそれぞれの外側には金属材よりなるバス電極２２２ａ、２２２ｂが維持電極２２１ａ、２２１ｂの突出する長さより幅が狭く形成されている。このような維持電極２２１ａ、２２１ｂとバス電極２２２ａ、２２２ｂは、透明な上側誘電体層２２３に埋め込まれている。
【００４２】
一方、上側誘電体層２２３の一部がエッチングによって除去されることによって、前面基板２２０を含む上板は畝形成構造を有する。具体的に説明すれば、対をなす維持電極２２１ａ、２２１ｂの間で充填されている上側誘電体層２２３の一部がエッチングによって除去されることによって、誘電体層が除去された部分には、前面基板２２０の下面が露出されるようにギャップ２３０が形成される。
【００４３】
一方、ギャップ２３０が形成されることによって、上側誘電体層２２３が除去されて前面基板２２０の下面に形成された空間には、各々赤、青、緑の蛍光体層２１５が形成される。特に、蛍光体層２１５が形成される別途の空間としてギャップ２３０に露出された前面基板２２０の下側表面は凹状の溝２３２に形成される。
【００４４】
前記溝２３２は、放電セルの横及び縦の長さより短く形成され、放電セルの区間内に位置することが望ましい。また、前記溝２３２の内部には、蛍光体層２１５が塗布されるため、所定の厚さに蛍光体層が塗布されうる程度の深さに溝が形成されねばならない。溝２３２の内部底面だけでなく、溝の内部側面にも蛍光体層２１５が一体に形成されることが望ましい。
【００４５】
一方、上側誘電体層２２３は、保護層２２４により覆われるが、上側誘電体層２２３がエッチングによって除去されたギャップ２３０では、上側誘電体層２２３の一部側面が露出されないため、上側誘電体層２２３のうち、ギャップで露出された表面にも保護層２２４が形成される。前記保護層２２４は、プラズマ粒子のスパッタリングによる上側誘電体層２２３の損傷を防止し、二次電子を放出して放電電圧と維持電圧とを下げる役割を果たすものであって、一般的にＭｇＯよりなる。
【００４６】
図７は、図６のＩＩ−ＩＩ’線に沿う透過図である。したがって、図７は、１つの放電セルに対してのみその上部から見た透過図である。
【００４７】
図７を参照すれば、隔壁２１３で取り囲まれた放電空間で相互に平行に延びたバス電極２２２ａ、２２２ｂが配され、バス電極２２２ａ、２２２ｂの側面のバス電極間の区間には、「Ｔ」字形の維持電極２２１ａ、２２１ｂが対向して形成されている。維持電極２２１ａ、２２１ｂの間には、ギャップ２３０（図６）が形成され、ギャップに露出された前面基板の下面に形成された溝２３２内に蛍光体層２１５が塗布されている構造となっている。
【００４８】
このような構造を通じて、ギャップ２３０を基準に対向している維持電極２２１ａ、２２１ｂ間に維持放電が円滑になされて、溝２３２の内部に塗布された蛍光体層２１５が励起されてエネルギー準位が低下しつつ、可視光が放出されて画像が具現される。
【００４９】
本発明は図面に示された実施形態に基づいて説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならばこれより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるである。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、アドレス放電及び維持放電時に、イオン衝撃を防止し、蛍光体の劣化を防止し、永久残像を低減しうるＰＤＰに関わり、該関連技術分野に好適に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】従来の畝形成構造の上板を備えたＰＤＰの分離斜視図である。
【図２】図１のＰＤＰの分解断面図である。
【図３】本発明の望ましい実施形態による畝形成構造の上板を備えたＰＤＰの分離斜視図である。
【図４】図３のＰＤＰの分解断面図である。
【図５】図４のＩ−Ｉ’線に沿って切り取った断面から見た上板の透過図である。
【図６】本発明の他の実施形態による畝形成構造の上板を備えたＰＤＰの分離斜視図である。
【図７】図６のＩＩ−ＩＩ’線に沿って切り取った断面から見た上板の透過図である。
【符号の説明】
【００５２】
１１０    背面基板、
１１１    アドレス電極、
１１２    下側誘電体層、
１１３    隔壁、
１１５    蛍光体層、
１２０    前面基板、
１２１ａ、１２１ｂ    維持電極、
１２２ａ、１２２ｂ    バス電極、
１２３    上側誘電体層、
１２４    保護層、
１３０    ギャップ。
【図１】
2006128070.tif 000003
【図２】
2006128070.tif 000004
【図３】
2006128070.tif 000005
【図４】
2006128070.tif 000006
【図５】
2006128070.tif 000007
【図６】
2006128070.tif 000008
【図７】
2006128070.tif 000009