(57)【要約】【課題】  リードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランドとリード端子とで材質や厚さを異ならせることができるようにする。【解決手段】  リードフレーム２０を用いた電子装置の製造方法であって、リードフレーム２０として開口部２２およびこの開口部２２の周辺部にリード端子２１が形成された板状のものを用意し、開口部２２にリードフレーム２０とは別体の別部材１０を配置し、リードフレーム２０の一面側に取り外し可能なテープ部材２００を貼り付けることにより、リードフレーム２０と別部材１０とをテープ部材２００により一体に固定し、リードフレーム２０および別部材１０をモールド樹脂により封止した後、テープ部材２００をはがす。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム（２０）を用いた電子装置の製造方法であって、
前記リードフレーム（２０）として開口部（２２）およびこの開口部（２２）の周辺部にリード端子（２１）が形成された板状のものを用意し、
前記開口部（２２）に前記リードフレーム（２０）とは別体の別部材（１０）を配置し、
前記リードフレーム（２０）の一面側に取り外し可能なテープ部材（２００）を貼り付けることにより、前記リードフレーム（２０）と前記別部材（１０）とを前記テープ部材（２００）により一体に固定し、
前記リードフレーム（２０）および前記別部材（１０）をモールド樹脂（５０）により封止した後、前記テープ部材（２００）をはがすことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記別部材（１０）として、材質が前記リードフレーム（２０）とは異なるものを用いることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記別部材（１０）として、厚さが前記リードフレーム（２０）とは異なるものを用いることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記別部材（１０）として、半導体素子（３０）を用いることを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記リード端子（２１）は、前記開口部（２２）の開口縁部と連結して形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記リード端子（２１）は、前記開口部（２２）の開口縁部とは離れて形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
部品（３０）が搭載されるアイランド（１０）と、
前記アイランド（１０）の周囲に位置するリード端子（２１）と、
前記アイランド（１０）および前記リード端子（２１）を封止するモールド樹脂（５０）とを備え、
前記アイランド（１０）および前記リード端子（２１）が同一側の面にて前記モールド樹脂（５０）から露出している電子装置において、
前記アイランド（１０）と前記リード端子（２１）とが、別部材から作られたものであることを特徴とする電子装置。
【請求項８】
前記アイランド（１０）と前記リード端子（２１）とは、材質が異なるものであることを特徴とする請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
前記アイランド（１０）と前記リード端子（２１）とは、厚さが異なるものであることを特徴とする請求項７または８に記載の電子装置。
【請求項１０】
半導体素子（３０）と、
前記半導体素子（３０）の周囲に位置し前記半導体素子（３０）と電気的に接続されたリード端子（２１）と、
前記半導体素子（３０）および前記リード端子（２１）を封止するモールド樹脂（５０）とを備え、
前記半導体素子（３０）および前記リード端子（２１）が同一側の面にて前記モールド樹脂（５０）から露出していることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームを用いたＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置およびそのような電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化・高密度化のニーズに伴い、ＩＣパッケージの小型化が進んでいる。
【０００３】
そこでリードフレームを用いたＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造を有する電子装置が提案されている。
【０００４】
この電子装置におけるリードフレームの形状を図１２および図１３に示す。図１２は、当該リードフレーム２０の概略平面図、図１３は、同リードフレーム２０の概略断面図である。
【０００５】
このリードフレーム２０は、アイランド２５が吊りリード２６によりリードフレーム２０に連結支持され、このアイランド２５の周囲にリード端子２１が設けられている。それにより、当該リードフレーム２０は、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）などガルウイング形状のパッケージのアウターリード部を無くし、リードフレーム２０の下面をモールド樹脂から露出させるハーフモールドをした構造となっている。
【０００６】
このリードフレーム２０は、図１２、図１３に示されるように、リードフレーム２０をプレス、エッチング加工などによりリード端子２１や吊りリード２６、さらにそこに固定されたアイランド２５を作製したものである。
【０００７】
その後、アイランド２５に回路が内蔵されたＩＣチップなどの部品を導電性接着剤（例えばＡｇペースト）やはんだなどにより固定し、ワイヤボンディング（例えばＡｕ、Ａｌ）により部品とリード端子２１とを電気的に接続し、樹脂モールド、リードカットによりＱＦＮ構造を有する電子装置は作製される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このようなリードフレーム２０を用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の場合、アイランド２５を固定する吊りリード２６があるため、その部分にリード端子２１を配置することが出来ずリード端子２１の数や配置形態が制限されるという問題が生じる。
【０００９】
また、アイランド２５は吊りリード２６によりリードフレーム２０と固定されているためリードフレーム２０全体としては同じ材料に限定され、更に特殊な加工を施さない限り、リードフレーム２０全体の厚みは均一でなければならない。
【００１０】
そのためＱＦＮ構造を有する電子装置においてはアイランド２５として、ＡｌやＣｕを用いたリードフレーム２０よりも厚いヒートシンクとして機能するパッケージは現状、実現できていない。
【００１１】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、リードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランドとリード端子とで材質や厚さを異ならせることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、リードフレーム（２０）を用いた電子装置の製造方法であって、リードフレーム（２０）として開口部（２２）およびこの開口部（２２）の周辺部にリード端子（２１）が形成された板状のものを用意し、開口部（２２）にリードフレーム（２０）とは別体の別部材（１０）を配置し、リードフレーム（２０）の一面側に取り外し可能なテープ部材（２００）を貼り付けることにより、リードフレーム（２０）と別部材（１０）とをテープ部材（２００）により一体に固定し、リードフレーム（２０）および別部材（１０）をモールド樹脂（５０）により封止した後、テープ部材（２００）をはがすことを特徴としている。
【００１３】
それによれば、リードフレーム（２０）の開口部（２２）に別部材（１０）を配置し、これらをテープ部材（２００）で一体に固定した後、モールド樹脂（５０）による封止を行うことで、リードフレーム（２０）および別部材（１０）はモールド樹脂（５０）により封止され固定される。
【００１４】
ここで、別部材（１０）は、アイランドとして機能させることができ、この別部材（１０）上にたとえば半導体素子などの部品（３０）を搭載することができる。そして、この別部材（１０）に搭載した部品（３０）とリード端子（２１）とをボンディングワイヤ（４０）などにより電気的に接続する。
【００１５】
その後は、テープ部材（２００）をはがすことにより、リードフレーム（２０）のリード端子（２１）および別部材（１０）におけるこのテープ部材（２００）がはがされた面は、モールド樹脂（５０）から露出する。
【００１６】
つまり、本発明の製造方法によれば、別部材（１０）とリード端子（２１）とが同一側の面にてモールド樹脂（５０）から露出するＱＦＮ構造を有する電子装置を製造することができる。
【００１７】
ここで、テープ部材（２００）をはがすことで、アイランド（１０）およびリード端子（２１）のうちテープ部材（２００）をはがした部分が、モールド樹脂（５０）から露出するため、従来のようなこの露出面に対する樹脂バリの問題も防止することができる。
【００１８】
そして、本製造方法では、アイランドとして機能する別部材（１０）は、リードフレーム（２０）とは別体の部材であるが、テープ部材（２００）によってリードフレーム（２０）と一体に固定されて、部品搭載や樹脂封止などの工程に供することができる。
【００１９】
つまり、本製造方法によれば、アイランドである別部材（１０）の周囲には、従来のようなアイランドをリードフレームに固定するための吊りリードが不要となり、その分、リード端子（２１）の数や配置形態の自由度が広がる。
【００２０】
また、アイランドとして機能する別部材（１０）は、リードフレーム（２０）とは別体の部材であるため、その材質や厚さなどをリードフレーム（２０）とは異なったものにすることができる（請求項２、請求項３に記載の発明）。
【００２１】
そのため、たとえば、本製造方法により形成された電子装置においては、別部材（１０）としてのアイランドをリードフレーム（２０）よりも厚く且つ放熱性に優れたものとし、ヒートシンクとして機能させることができる。
【００２２】
このように、本発明によれば、リードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランドとリード端子とで材質や厚さを異ならせることができる。
【００２３】
また、本発明によれば、別部材をＩＣチップなどの半導体素子（３０）そのものとしてもよく（請求項４に記載の発明）、この場合には、アイランド自体を排除することができる。
【００２４】
ここで、請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４に記載の電子装置の製造方法において、リード端子（２１）は、開口部（２２）の開口縁部と連結して形成されていることを特徴としている。
【００２５】
また、請求項６に記載の発明では、請求項１〜請求項４に記載の電子装置の製造方法において、リード端子（２１）は、開口部（２２）の開口縁部とは離れて形成されていることを特徴としている。
【００２６】
請求項７に記載の発明では、部品（３０）が搭載されるアイランド（１０）と、アイランド（１０）の周囲に位置するリード端子（２１）と、アイランド（１０）およびリード端子（２１）を封止するモールド樹脂（５０）とを備え、アイランド（１０）およびリード端子（２１）が同一側の面にてモールド樹脂（５０）から露出している電子装置において、アイランド（１０）とリード端子（２１）とが、別部材から作られたものであることを特徴としている。
【００２７】
本発明の電子装置は、上記請求項１に記載の製造方法によって、適切に製造されるものであり、その作用効果は、上記請求項１に記載の発明と同様のものである。
【００２８】
また、請求項８に記載の発明では、請求項７に記載の電子装置において、アイランド（１０）とリード端子（２１）とは、材質が異なるものであることを特徴としている。
【００２９】
また、請求項９に記載の発明では、請求項７または請求項８に記載の電子装置において、アイランド（１０）とリード端子（２１）とは、厚さが異なるものであることを特徴としている。
【００３０】
請求項１０に記載の発明では、半導体素子（３０）と、半導体素子（３０）の周囲に位置し半導体素子（３０）と電気的に接続されたリード端子（２１）と、半導体素子（３０）およびリード端子（２１）を封止するモールド樹脂（５０）とを備え、半導体素子（３０）およびリード端子（２１）が同一側の面にてモールド樹脂（５０）から露出していることを特徴とする電子装置が提供される。
【００３１】
本発明の電子装置は、上記請求項４に記載の製造方法によって、適切に製造されるものであり、その作用効果は、上記請求項４に記載の発明と同様のものである。
【００３２】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１００の構成を示す図であり、（ａ）は同電子装置１００の概略平面図、（ｂ）は同電子装置１００の概略断面図である。
【００３５】
図１に示されるように、本電子装置１００は、アイランド１０とアイランド１０の周囲に位置するリード端子２１とを備えている。これらアイランド１０とリード端子２１とは、別部材から作られたものであり、リード端子２１は後述するようにリードフレーム２０からなるものであり、アイランド１０は、リードフレーム２０とは別の部材からなるものである。
【００３６】
リード端子２１は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、プレス加工やエッチング加工などにより形成することができる。また、アイランド１０は、リードフレーム２０と同じ材料および同じ厚さで形成されていてもよいが、リードフレーム２０すなわちリード端子２１とは材質や厚さが異なっていてもよい。
【００３７】
さらに、アイランド１０とリードフレーム２０とを同じ材料とした場合においては、アイランド１０とリードフレーム２０とで、めっきなどの表面処理を変えたものとしてもよい。
【００３８】
本例では、アイランド１０は、ヒートシンクとして構成されており、Ｃｕやアルミニウムなどの放熱性に優れた材料からなり、リード端子２１よりも厚いものとして構成されている。
【００３９】
ここで、リード端子２１は、アイランド１０の周囲の全周において、くまなく複数本のものが配列されている。また、アイランド１０上には、部品としての半導体素子３０が搭載されている。
【００４０】
この半導体素子３０は、半導体プロセスにより形成されたＩＣチップなどである。ここでは、半導体素子３０は、図示しないダイボンド材などを介してアイランド１０に接着固定されている。なお、部品としては、この半導体素子３０以外にも、種々の電子部品を採用することができる。
【００４１】
そして、図１に示されるように、半導体素子３０の上面と各リード端子２１とは、ボンディングワイヤ４０により結線され電気的に接続されている。このボンディングワイヤ４０は、Ａｕやアルミニウムなどからなるもので、通常のワイヤボンディング法により形成可能である。
【００４２】
そして、アイランド１０、リード端子２１、半導体素子３０およびボンディングワイヤ４０は、モールド樹脂５０により包み込まれるように封止されている。このモールド樹脂４０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成できるものである。
【００４３】
ここで、図１（ｂ）に示されるように、本電子装置１００においては、アイランド１０およびリード端子２１がその下面側にてモールド樹脂５０から露出している。そして、この電子装置１００は、外部基板などへ実装される際には、これらアイランド１０およびリード端子２１のモールド樹脂５０からの露出部にて、はんだなどを介した実装が可能となっている。
【００４４】
次に、このリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１００の製造方法について、図１に加えて図２も参照して述べる。
【００４５】
図２は、本製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。なお、図２（ａ）中、テープ部材２００の外形線は、破線にて示してある。
【００４６】
まず、図２に示されるように、リードフレーム２０として開口部２２およびこの開口部２２の周辺部にリード端子２１が形成された板状のものを用意する。本実施形態では、リード端子２１は、開口部２２の開口縁部と連結して形成されている。
【００４７】
そして、開口部２２に、リードフレーム２０とは別体の別部材としてのアイランド１０を配置する。次に、リードフレーム２０の一面（図２（ｂ）中の下面）側に取り外し可能なテープ部材２００を貼り付けることにより、リードフレーム２０とアイランド１０とをテープ部材２００により一体に固定する。
【００４８】
ここでは、テープ部材２００としては、ポリイミドなどを用いた粘着テープが用いられている。そのようなテープ部材２００の貼り付けは、圧着などの通常の方法により容易に行うことができる。
【００４９】
次に、アイランド１０上に上記半導体素子３０などの部品３０をダイマウントし、半導体素子３０とリード端子２１との間でワイヤボンディングを行い、これらの間をボンディングワイヤ４０で結線する。
【００５０】
なお、あらかじめアイランド１０上に半導体素子３０を搭載し、この半導体素子３０が搭載されたアイランド１０を、リードフレーム２０の開口部２２に配置し、次に、テープ部材２００の貼り付けを行い、その後、ワイヤボンディングを行うようにしてもよい。
【００５１】
次に、ここまでの工程に共されたワークを、樹脂成型用の金型に設置し、トランスファーモールド成形などによりモールド樹脂５０による封止を行う。それにより、リードフレーム２０、半導体素子３０、ボンディングワイヤ４０およびアイランド１０がモールド樹脂５０により封止される。
【００５２】
その後、テープ部材２００をはがす。そして、モールド樹脂５０の側面から突出するリードフレーム１０のカットを行う。こうして、上記図１に示される本実施形態の電子装置１００ができあがる。
【００５３】
ところで、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いた電子装置１００の製造方法であって、リードフレーム２０として開口部２２およびこの開口部２２の周辺部にリード端子２１が形成された板状のものを用意し、開口部２２にリードフレーム２０とは別体の別部材１０を配置し、リードフレーム２０の一面側に取り外し可能なテープ部材２００を貼り付けることにより、リードフレーム２０と別部材１０とをテープ部材２００により一体に固定し、リードフレーム２０および別部材１０をモールド樹脂５０により封止した後、テープ部材２００をはがすことを特徴とする電子装置１００の製造方法を提供することができる。
【００５４】
それによれば、上述したように、リードフレーム２０の開口部２２に別部材１０を配置し、これらをテープ部材２００で一体に固定した後、樹脂封止を行うことで、リードフレーム２０および別部材１０はモールド樹脂５０により封止され固定される。
【００５５】
ここで、本実施形態では、別部材１０は、アイランド１０として機能するものであり、このアイランド１０上にたとえば半導体素子３０などの部品３０を搭載することができる。そして、上述したように、このアイランド１０に搭載した半導体素子３０とリード端子２１とをボンディングワイヤ４０などにより電気的に接続する。
【００５６】
その後は、テープ部材２００をはがすことにより、リードフレーム２０のリード端子２１およびアイランド１０におけるこのテープがはがされた面は、モールド樹脂５０から露出する。
【００５７】
つまり、本実施形態の製造方法によれば、別部材すなわちアイランド１０とリード端子２１とが同一側の面にてモールド樹脂５０から露出するＱＦＮ構造を有する電子装置１００を製造することができる。
【００５８】
ここで、テープ部材２００をはがすことで、アイランド１０およびリード端子２１のうちテープ部材２００をはがした部分が、モールド樹脂５０から露出するため、従来のようなこの露出面に対する樹脂バリの問題も防止することができる。
【００５９】
そして、本製造方法では、アイランドとして機能する別部材１０は、リードフレーム２０とは別体の部材であるが、テープ部材２００によってリードフレーム２０と一体に固定されて、部品搭載や樹脂封止などの工程に供することができる。
【００６０】
つまり、本製造方法によれば、アイランドである別部材１０の周囲には、従来のようなアイランドをリードフレームに固定するための吊りリードが不要となり、その分、リード端子２１の数や配置形態の自由度が広がる。
【００６１】
また、アイランドとして機能する別部材１０は、リードフレーム２０とは別体の部材であるため、その材質や厚さなどをリードフレーム２０とは異なったものにすることができる。
【００６２】
そのため、たとえば、本製造方法により形成された電子装置１００においては、別部材としてのアイランド１０をリードフレーム２０よりも厚く且つ放熱性に優れたものとし、ヒートシンクとして機能させることができる。
【００６３】
このように、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド１０周囲の吊りリードを排除するとともに、アイランド１０とリード端子２１とで材質や厚さを異ならせることができる。
【００６４】
また、本実施形態によれば、部品３０が搭載されるアイランド１０と、アイランド１０の周囲に位置するリード端子２１と、アイランド１０およびリード端子２１を封止するモールド樹脂５０とを備え、アイランド１０およびリード端子２１が同一側の面にてモールド樹脂５０から露出している電子装置１００において、アイランド１０とリード端子２１とが、別部材から作られたものであることを特徴とする電子装置１００を提供することができる。
【００６５】
このような特徴を有する電子装置１００は、上記した本実施形態の製造方法によって、適切に製造されるものであり、その作用効果は、上記した通りである。
【００６６】
［変形例］
図３は、本実施形態の変形例としての半導体装置の概略平面構成を示す図である。
【００６７】
上述したように、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いたＱＦＮ構造を有する電子装置において、アイランド１０周囲の吊りリードを省略した構成とすることができる。
【００６８】
そのため、リード端子２１の数や配置形態の自由度が広がるだけでなく、アイランド１０の形状の自由度も大きくなる。たとえば、図３に示されるように、従来において吊りリードが存在していた部位に、アイランド１０が入り込んだ形状を採用することができる。この場合、アイランド１０の面積を大きくすることができ、ヒートシンクとしてより高い放熱性を実現することができる。
【００６９】
（第２実施形態）
図４は、本発明の第２実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１１０の構成を示す図であり、（ａ）は同電子装置１１０の概略平面図、（ｂ）は同電子装置１１０の概略断面図である。
【００７０】
本実施形態の電子装置１１０は、半導体素子３０と、半導体素子３０の周囲に位置し半導体素子３０と電気的に接続されたリード端子２１と、半導体素子３０およびリード端子２１を封止するモールド樹脂５０とを備え、半導体素子３０およびリード端子２１が同一側の面にてモールド樹脂５０から露出していることを特徴としている。
【００７１】
本実施形態の電子装置１１０は、上記第１実施形態における製造方法において、別部材１０を半導体素子３０そのものとすることにより、製造できるものである。そして、この場合には、アイランド自体を排除した電子装置１１０を実現でき、構成部品の簡素化、および電子装置の薄型化が可能となる。
【００７２】
つまり、本実施形態によれば、リードフレーム２０を用いた電子装置１１０の製造方法であって、リードフレーム２０として開口部２２およびこの開口部２２の周辺部にリード端子２１が形成された板状のものを用意し、開口部２２に半導体素子３０を配置し、リードフレーム２０の一面側に取り外し可能なテープ部材２００を貼り付けることにより、リードフレーム２０と半導体素子３０とをテープ部材２００により一体に固定し、リードフレーム２０および半導体素子３０をモールド樹脂５０により封止した後、テープ部材２００をはがすことを特徴とする電子装置１１０の製造方法を提供することができる。
【００７３】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【００７４】
本実施形態では、図５に示されるように、リードフレーム２０のリード端子２１の一部を別部材であるアイランド１０に接続している。この場合、モールド樹脂５０による封止を行った後でも、リードフレーム２０を介してアイランド１０の導通がとれる。
【００７５】
そのため、テープ部材２００をはがした後、アイランド１０の下面に対して外装の電解はんだめっきを行うことが必要となる場合に有効である。アイランド１０の下面にこのようなめっきを行うことは、アイランド１０の下面におけるはんだ接合性を向上させる目的などによる。
【００７６】
なお、図５では、２本のリード端子２１とアイランド１０とを接続してあるが、アイランド１０と接続されるリード端子２１は、１本でもよく３本以上でもよい。また、どのリード端子２１とアイランド１０とを接続してもよい。
【００７７】
（第４実施形態）
図６は、本発明の第４実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１２０の構成を示す概略断面図である。
【００７８】
本実施形態の電子装置１２０では、アイランド１０の下面がリード端子２１の下面よりも、モールド樹脂５０から突出している。つまり、アイランド１０とリード端子２１とにスタンドオフｄを設けた構造としている。
【００７９】
このようなスタンドオフｄは、上記製造方法においてアイランド１０をテープ部材２００に押し込むことにより形成することができる。そして、このような構造とすることにより、スタンドオフｄを設けた分、リード端子２１におけるはんだ付けの高さを確保することができ、電子装置１２０における実装時の接続信頼性の向上が図れる。
【００８０】
なお、このようなスタンドオフｄを設けた構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。つまり、上記製造方法において半導体素子３０をテープ部材２００に押し込むことにより形成することができる。それにより、半導体素子３０とリード端子２１とにスタンドオフｄを設けた構造となる。
【００８１】
（第５実施形態）
図７は、本発明の第５実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１３０の構成を示す概略断面図である。
【００８２】
本実施形態の電子装置１３０では、モールド樹脂５０による封止後に、テープ部材２００を一部残した構成であり、図７に示されるように、アイランド１０の下面にテープ部材２００が残った構成となっている。
【００８３】
このような構造とすることにより、アイランド１０の下面に残ったテープ部材２００の厚さの分、リード端子２１におけるはんだ付けの高さを確保することができ、電子装置１２０における実装時の接続信頼性の向上が図れる。
【００８４】
また、このようなテープ部材２００の一部を残す構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。つまり、モールド樹脂５０から露出する半導体素子３０の下面にテープ部材２００を残すことになる。
【００８５】
（第６実施形態）
図８は、本発明の第６実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１４０の構成を示す概略平面図である。
【００８６】
本実施形態の電子装置１４０は、上記図２に示されるリードフレーム２０において、リード端子２１が開口部２２の開口縁部とは離れて形成されているものを用いることにより、製造することができる。
【００８７】
リード端子２１が開口部２２の開口縁部とは離れていても、アイランド１０を開口部２２に配置した後、テープ部材２００により、リードフレーム２０、リード端子２１およびアイランド１０は、テープ部材２００により固定されるため、モールド樹脂５０による封止工程を行うまでに、リード端子２１は固定される。
【００８８】
そして、モールド樹脂５０による封止後は、モールド樹脂５０により固定されるが、このとき、リード端子２１と開口部２２との間にもモールド樹脂５０は充填されるため、本実施形態の電子装置１４０においては、図８に示されるように、リード端子２１は、モールド樹脂５０の側面から露出しない。そのため、本実施形態では、リード端子２１間の絶縁性が向上する。
【００８９】
また、このようなリード端子２１が開口部２２の開口縁部とは離れている構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。
【００９０】
（第７実施形態）
図９は、本発明の第７実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置１５０の構成を示す概略断面図である。
【００９１】
上記図１に示される例では、アイランド１０はリード端子２１よりも厚いものとして構成されていたが、本実施形態の電子装置１５０は、図９に示されるように、アイランド１０はリード端子２１よりも薄いものとして構成されている。
【００９２】
このような構造とした場合、アイランド１０上に位置する半導体素子３０の上面とリード端子２１の上面との高さを近づけることができるため、ワイヤボンディングが容易になるという利点がある。
【００９３】
（第８実施形態）
図１０は、本発明の第８実施形態に係る電子装置の製造方法を示す図であり、リードフレーム２０にテープ部材２００を貼り付けた状態を示す概略断面図である。また、図１１は、本実施形態の製造方法により製造された電子装置１６０の概略断面構成を示す図である。
【００９４】
本実施形態では、図１０に示されるように、テープ部材２００として、穴２０１の開いたものを用いる。このようなテープ部材２００を用いた場合、この穴２０１の部分に、モールド樹脂５０が充填され、テープ部材２００をはがした後も、その部分に樹脂が残ることになる。
【００９５】
具体的には、図１１に示されるように、本実施形態の電子装置１６０において、モールド樹脂５０から露出するアイランド１０の下面およびリード端子２１の下面の一部に、モールド樹脂５０の一部である樹脂突起部５１が付着した形になる。
【００９６】
このような構造とすることにより、アイランド１０の下面およびリード端子２１の下面に残った樹脂突起部２０１の高さの分、アイランド１０やリード端子２１におけるはんだ付けの高さを確保することができ、電子装置１６０における実装時の接続信頼性の向上が図れる。
【００９７】
また、電子装置１６０における実装時においては、この樹脂突起部２０１の部分には、はんだが付着しないため、この樹脂突起部２０１を絶縁保護膜の如く機能させることができる。それによって、電子装置１６０における部分的な絶縁性の確保を実現することができる。
【００９８】
また、このような穴２０１を有するテープ部材２００を用いた製造方法およびその製造方法による樹脂突起部２０１が形成された構成は、上記第２実施形態においても適用可能である。
【００９９】
また、上記各実施形態は、実現可能な範囲で適宜組み合わせてもよいことは、もちろんである。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の第１実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】上記第１実施形態に係る電子装置の製造方法を示す工程図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図３】上記第１実施形態の変形例としての半導体装置の概略平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る電子装置の要部構成を示す図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略断面図である。
【図８】本発明の第６実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略平面図である。
【図９】本発明の第７実施形態に係るリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置の構成を示す概略断面図である。
【図１０】本発明の第８実施形態に係る電子装置の製造方法を示す概略断面図である。
【図１１】上記第８実施形態の製造方法により製造された電子装置の概略断面図である。
【図１２】従来のリードフレームを用いたＱＦＮ構造を有する電子装置におけるリードフレームの概略平面図である。
【図１３】図１２に示されるリードフレームの概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１０…別部材としてのアイランド、２０…リードフレーム、２１…リード端子、
２２…開口部、３０…部品としての半導体素子、５０…モールド樹脂、
２００…テープ部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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