(57)【要約】      （修正有）【課題】較正装置及びリソグラフィ装置の放射センサを較正する方法を提供する。【解決手段】リソグラフィ装置の放射センサＲＳを較正するための較正装置１が提供される。較正装置は、放射を通過させて放射センサに到達させるための、放射に対して実質的に透明な材料からなる窓３を備えている。窓に接触した活性表面を有する、窓を通過する放射の強度を測定するための第１の基準センサ６が窓の後方に配置されている。また、窓に面した活性表面を有する第２の基準センサ８が窓の後方に若干の間隔を隔てて配置されている。この第２の基準センサは、窓、窓に形成される第１の汚染層１２、及び第２の基準センサの活性表面に形成される第２の汚染層１３を通過する放射の強度を測定するためのセンサである。放射センサは、第１及び第２の基準センサからの測値を組み合わせることによって較正することができる。【選択図】図２
2006032945.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを提供する照明システムを有するリソグラフィ装置の放射センサを較正する較正装置であって、
放射を通過させて前記放射センサに到達させる、放射に対して実質的に透明な材料からなる窓と、
前記窓の後方に配置された、前記窓に接触した活性表面を有する、前記窓を通過する放射の強度を測定するようになされた第１の基準センサと、
前記窓の後方に配置された、前記窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサであって、前記窓、前記窓に形成される第１の汚染層、及び前記第２の基準センサの前記活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するようになされた第２の基準センサとを備えた較正装置。
【請求項２】
前記第２の基準センサの前記活性表面に形成された、放射に対して実質的に透明な材料の層をさらに備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２の基準センサ上の、放射に対して実質的に透明な材料の前記層が、前記窓の材料と同じ材料からなる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記放射に対して実質的に透明な材料がジルコニウムを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記窓が、前記第２の基準センサの前記活性表面の材料と同じ材料から形成された、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記放射センサ、前記第１及び第２の基準センサ、及び前記窓が真空チャンバ内に密閉された、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記放射センサに到達する放射の強度が、前記第１の基準センサによって測定される強度と、前記第２の基準センサによって測定される強度との組合せから計算される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記放射センサに到達する放射の強度が、前記第１の基準センサによって測定される強度と、前記第２の基準センサによって測定される強度の平均に基づいて計算される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記放射センサに到達する放射の強度が、前記第１の基準センサによって測定される強度と、前記第２の基準センサによって測定される強度の積に基づいて計算される、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記放射センサが、前記放射センサに到達する放射の計算強度から較正される、請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記窓、前記第１の基準センサ及び前記第２の基準センサが、投影ビームの光路の外側にそれらが配置される第１の位置と、前記投影ビームの前記光路内にそれらが配置される第２の位置との間で移動可能である、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記照明システムとは異なる、参照放射ビームを提供するようになされた放射源をさらに備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記窓、前記第１の基準センサ及び前記第２の基準センサが、前記参照ビームの光路内に配置された、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記放射センサが、前記参照ビームの光路の外側の第１の位置と、前記参照ビームの前記光路内の第２の位置との間で移動可能である、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記放射源が高真空チャンバ内に密閉された、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
前記窓が前記高真空チャンバの壁を形成し、それにより前記放射源に面している前記窓の表面の汚染が実質的に防止される、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記放射源がレントゲン管を備えた、請求項１２に記載の装置。
【請求項１８】
前記第１の基準センサが前記窓の上に直接成長した、請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の基準センサが真空シールを使用して前記窓に取り付けられ、それにより前記第１の基準センサの前記活性表面への汚染物質の到達が防止される、請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記窓を通過する放射の強度を大きくするための集束エレメントをさらに備えた、請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
基板を保持するようになされた基板ホルダと、
放射ビームを調節するようになされた照明システムと、
前記放射ビームに所望のパターンを付与するパターン化デバイスを支持するようになされた支持構造と、
パターン化されたビームを前記基板の目標部分に投射する投影システムと、
前記基板を照射する放射の強度を測定するようになされた放射センサと、
前記放射センサを較正するようになされた放射センサ・キャリブレータとを備えたリソグラフィ装置であって、前記キャリブレータが、
放射を通過させて前記放射センサに到達させる材料からなる窓と、
前記窓の後方に配置された、前記窓に接触した活性表面を有する、前記窓を通過する放射の強度を測定するようになされた第１の基準センサと、
前記窓の後方に配置された、前記窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサであって、前記窓、前記窓に形成される第１の汚染層、及び前記第２の基準センサの前記活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するようになされた第２の基準センサとを備えたリソグラフィ装置。
【請求項２２】
リソグラフィ装置の放射センサを較正する方法であって、
放射ビームを窓を介して前記放射センサに投射するステップと、
前記窓を通過する放射の強度を、前記窓の後方に配置された、前記窓に接触した活性表面を有する第１の基準センサを使用して測定するステップと、
前記窓の後方に配置された、前記窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサを使用するステップと、
前記窓、前記窓に形成される汚染層、及び前記第２の基準センサの前記活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するステップと、
前記放射センサに到達する放射の強度を、前記第１及び第２のセンサによって測定される強度から計算するステップと、
計算した強度を使用して前記放射センサを較正するステップとを含む方法。
【請求項２３】
放射に対して実質的に透明な材料の層が前記第２の基準センサの前記活性表面に形成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第２の基準センサ上の、放射に対して実質的に透明な材料の前記層が、前記窓の材料と同じ材料からなる、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記窓がジルコニウムを含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２６】
前記窓が、前記第２の基準センサの前記活性表面の材料と同じ材料から形成される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２７】
基板テーブル、前記放射センサ、前記第１及び第２の基準センサ、及び前記窓が真空チャンバ内に密閉される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２８】
前記放射センサに到達する放射の強度が、前記第１の基準センサによって測定される強度と、前記第２の基準センサによって測定される強度の平均に基づいて計算される、請求項２２に記載の方法。
【請求項２９】
前記放射センサに到達する放射の強度が、前記第１の基準センサによって測定される強度と、前記第２の基準センサによって測定される強度の積に基づいて計算される、請求項２２に記載の方法。
【請求項３０】
前記窓を通過する前記放射ビームが投影ビームであるよう、パターン化されたビームの光路の外側の第１の位置から前記パターン化されたビームの前記光路内の第２の位置へ、前記窓、前記第１の基準センサ及び前記第２の基準センサを移動させるステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項３１】
前記窓を通過する前記放射ビームが、照明システムとは異なる放射源によって供給される参照ビームである、請求項２２に記載の方法。
【請求項３２】
前記第１及び第２の基準センサが前記参照ビームの光路内に配置される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記放射センサを、前記参照ビームの光路の外側の第１の位置から前記参照ビームの前記光路内の第２の位置へ移動させるステップをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３４】
前記放射源が高真空チャンバ内に密閉される、請求項３１に記載の方法。
【請求項３５】
前記窓が前記高真空チャンバの壁を形成し、それにより前記放射源に面している前記窓の表面の汚染が実質的に防止される、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記放射源がレントゲン管を備えた、請求項３１に記載の方法。
【請求項３７】
前記窓を通過する放射の強度を大きくするために、前記参照ビームに集束エレメントを通過させるステップをさらに含む、請求項３１に記載の方法。
【請求項３８】
前記第１の基準センサが前記窓の上に直接成長する、請求項２２に記載の方法。
【請求項３９】
前記第１の基準センサが真空シールを使用して前記窓に取り付けられ、それにより前記第１の基準センサの前記活性表面への汚染物質の到達が防止される、請求項２２に記載の方法。
【請求項４０】
放射ビームを調節するための照明システムと、
投影ビームの断面にパターンを付与するように機能するパターン化デバイスを支持するための支持構造と、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記基板を保持するための基板テーブルと、
前記パターン化デバイスが受け取る放射量を測定するための放射センサと、
放射を通過させて前記放射センサに到達させるための、放射に対して実質的に透明な材料からなる窓と、
前記窓の後方に配置された、前記窓に接触した活性表面を有する、前記窓を通過する放射の強度を測定するための第１の基準センサと、
前記窓の後方に配置された、前記窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサであって、前記窓、前記窓に形成される第１の汚染層、及び前記第２の基準センサの前記活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するための第２の基準センサとを備えたリソグラフィ装置。
【請求項４１】
放射ビームを調節するための照明システムと、
投影ビームの断面にパターンを付与するように機能するパターン化デバイスを支持するための支持構造と、
パターン化されたビームを基板の目標部分に投射するための投影システムと、
前記基板を保持するための基板テーブルと、
前記基板が受け取る放射量を測定するための放射センサと、
前記放射センサの前面に配置された、放射を通過させて前記放射センサに到達させるための、放射に対して実質的に透明な材料からなる窓と、
前記窓の後方に配置された、前記窓に接触した活性表面を有する、前記窓を通過する放射の強度を測定するための第１の基準センサと、
前記窓の後方に配置された、前記窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサであって、前記窓、前記窓に形成される第１の汚染層、及び前記第２の基準センサの前記活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するための第２の基準センサとを備えたリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、較正装置及びリソグラフィ装置の放射センサを較正する方法に関し、より詳細には、排他的ではないが、極紫外（ＥＵＶ）レンジの波長を有する放射と共に使用するべく設計された、基板に照射される放射量を測定するためのセンサを備えたリソグラフィ装置の較正に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。このような場合、「マスク」或いは「レチクル」とも呼ばれるリソグラフィ・パターン化デバイスを使用して、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンが生成され、このパターンが、放射線感応材料（即ちレジスト）の層を有する基板（たとえばシリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば１つ又は複数のダイ部分からなる）に画像化される。
【０００３】
通常、１枚の基板には、順次露光される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを投影ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。
【０００４】
本明細書に使用されている「パターン化デバイス」という用語は、投影ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するために使用することができるデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。また、投影ビームに付与されるパターンは、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。通常、投影ビームに付与されるパターンは、目標部分に生成されるデバイス、たとえば集積回路（ＩＣ）内の特定の機能層に対応している。
【０００５】
パターン化デバイスは、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化手段の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この方法によって反射ビームがパターン化される。
【０００６】
上で指摘したように、リソグラフィ装置を使用した製造プロセスの間、パターン化デバイス（たとえばマスク若しくはレチクル）に放射を衝突させ、最終的には、少なくとも一部が放射線感応材料（たとえばレジスト）の層で覆われた基板に衝突させることによってパターン化デバイスのパターンが画像化即ち露光される。レジストに対するその照射放射の効果は、放射の量に極めて敏感であり、したがって基板の目標部分に照射される放射を測定する必要がある。この放射の測定は、基板を保持しているステージ上にセンサ（たとえばフォトダイオード）を備えることによって達成されている。
【０００７】
リソグラフィにおける重要なパラメータは、基板に適用されるパターンのフィーチャ・サイズである。フィーチャを可能な限り細かく、且つ、可能な限り近接して解像することができる装置が提供されることが望ましい。フィーチャの有効解像度には多くのパラメータが影響しており、その中でも最も重要なパラメータは、パターンの露光に使用される放射の波長である。
【０００８】
ＥＵＶリソグラフィを使用することにより、５ｎｍと２０ｎｍの間、典型的には１３．５ｎｍの波長のＥＵＶ（極紫外）放射を使用して、３２ｎｍ未満のフィーチャ・サイズを製造することができることが期待されている。この波長の放射は、ほとんどの材料に吸収されるため、基板は、放射ビームの減衰を防止するために真空チャンバ内に密閉される。上で参照したセンサも同じく真空チャンバ内に密閉される。
【０００９】
現在のＥＵＶリソグラフィ・システムが抱えている重大な問題は、真空チャンバ内の汚染の問題である。真空チャンバ内のすべての表面には、結合が極めて微弱な分子が含まれており、真空チャンバが排気されると、これらの表面から汚染物質が放出される。詳細には、基板上に提供されているレジスト層が放射によって照射されると、とりわけ高レベルの汚染物質が放出される。この汚染物質の放出は、化学結合強度より大きいＥＵＶ光子のエネルギーによるものである。
【００１０】
これらの汚染物質には、通常、炭化水素、水及び／又は硫黄が含まれているが、同じく他の物質が放出される可能性があることは理解されよう。汚染物質分子は真空中に放出されるため、それらは急速に真空チャンバ内全体に分散し、放射センサの活性表面を含む真空チャンバ内のすべての表面にそれらの汚染物質が常に蓄積する。汚染物質が蓄積した表面（たとえば放射センサの活性表面）がＥＵＶ放射に露光されると、ＥＵＶ露光によって汚染物質が「焼き固められる」。また、真空チャンバは、真空チャンバ内の照射表面の酸化によっても汚染される。
【００１１】
放射センサの表面が汚染されると、放射センサの性能が低下する。したがって放射センサの感度は常に低下し、基板が受け取る絶対放射量の測定に対する信頼性がなくなる。
【００１２】
この問題を解決するために、放射センサは、通常、外部基準センサを使用して定期的に較正されているが、ＥＵＶシステムの場合、これらの外部基準センサも汚染の対象になっている。外部基準センサが個別の真空チャンバ内に収納されている場合であっても、基準センサを使用して放射を測定する毎に汚染物質が焼き固められることになる。したがって較正の回数が多くなると、それに応じて基準センサに対する汚染が蓄積されることになるが、基準センサに対する汚染量が未知であるため、放射センサの絶対較正が不可能になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上で確認した問題を解決する方法の１つは、可能な限り小さい外部基準センサを使用して汚染の蓄積を防止することであるが、これは、放射センサの較正の頻度が減少するため、満足すべき解決法ではない。別法としては、多数の較正センサが提供され、且つ、異なる回数で使用されるセンサ「カスケード」を使用することができるが、複雑であり、依然として不正確性の問題を抱えている。また、縦続接続されたセンサは、かなりの汚染に晒すことはできるが、放射に露光されていない場合であっても表面に汚染物質が蓄積するため、放射へのただ１回の露光だけでも、蓄積した汚染物質をその表面に焼き固めるには十分である。したがって、放射センサを絶対較正することができる基準センサが必要である。
【００１４】
ＥＵＶ帯域以外の波長を有する放射を使用したリソグラフィにも同様の考察が適用されることは理解されよう。たとえば波長が１５７ｎｍの放射を使用したリソグラフィのための投影システムの場合も、同じく基板を真空若しくはパージ・ガスの下で保持しなければならない。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
少なくともこれらの理由により、本明細書において具体化され、且つ、広範囲に渡って説明されている本発明の原理は、照明システムを有するリソグラフィ装置の放射センサを較正する較正装置を提供している。一実施例では、較正装置は、放射を通過させて放射センサに到達させる、放射に対して実質的に透明な材料からなる窓と、窓の後方に配置された、窓に接触した活性表面を有する、窓を通過する放射の強度を測定するようになされた第１の基準センサと、窓の後方に配置された、窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサであって、窓、窓に形成される第１の汚染層、及び第２の基準センサの活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するようになされた第２の基準センサとを備えている。
【００１６】
窓に形成される第１の汚染層は、第２の基準センサの活性表面に形成される第２の汚染層の厚さ及び組成と概ね同じ厚さ及び組成を有している。第１の基準センサは、窓の頂部の汚染層のみを通過した放射の強度を測定し、第２の基準センサは、２つの全く同じ汚染層を通過した放射の強度を測定している。窓及び第１の汚染層を通過した（基板テーブル及び放射センサを照射する）放射の強度は、第１及び第２の基準センサによって測定される強度を比較することによって計算することができる。もう１つの要求事項は、少なくとも放射センサ、第１の基準センサ及び第２の基準センサの領域における汚染層の厚さ及び組成が一様であることである。
【００１７】
好ましい実施例では、放射に対して実質的に透明な材料の層は、第２の基準センサの活性表面に形成されている。この材料は、窓に使用される材料と同じ材料であることが好ましく、たとえばジルコニウムを使用することができる。したがって第２の基準センサの活性表面及び窓の汚染速度は同じであるか、或いは少なくとも極めて類似しており、それにより第１及び第２の汚染層の厚さがほぼ同じ厚さになることが保証される。２つの材料の間の汚染速度の関係が分かっており、第１の汚染層のみを通過する放射の強度計算を補償することができる限り、異なる材料を使用することができる。代替実施例では、窓は、第２の基準センサの活性表面の材料と同じ材料から形成されている。
【００１８】
通常、放射センサ、第１の基準センサ、第２の基準センサ及び窓は、真空チャンバ内に密閉されている。
【００１９】
放射センサに到達する放射の強度は、第１の基準センサによって測定される強度と第２の基準センサによって測定される強度の平均から計算することができる。別法としては、放射センサに到達する放射の強度は、第１の基準センサによって測定される強度と第２の基準センサによって測定される強度の積の平方根から計算することができる。放射センサは、放射センサに到達する放射の計算強度から較正されることが好ましい。
【００２０】
一実施例では、投影システムから射出する放射ビームを使用して放射センサを較正することができる。汚染の蓄積速度を遅くするためには、窓、第１の基準センサ及び第２の基準センサは、投影ビームの光路の外側の第１の位置と投影ビームの光路内の第２の位置の間で移動させることができることが好ましい。
【００２１】
代替実施例では、もう１つの放射源、たとえばレントゲン管が参照放射ビームを提供している。この実施例の利点は、実質的に平行な放射ビームが準備されることである。窓、第１の基準センサ及び第２の基準センサは、参照ビームの光路内に配置することができる。この構造を使用する場合、放射センサは、参照ビームの光路の外側の第１の位置と参照ビームの光路内の第２の位置の間で移動させることができることが好ましい。
【００２２】
放射源は、真空の品質をさらに改善するためのゲッター電極を備えることができる高真空チャンバ内に密閉することができる。窓は、この高真空チャンバ内の壁に形成されることが好ましく、それにより放射源に面している窓の表面の汚染が実質的に防止される。
【００２３】
第１の基準センサは、窓の上に直接成長させることができる。別法としては、真空シールを使用して第１の基準センサを窓に取り付け、それにより第１の基準センサの活性表面への汚染物質の到達を防止することができる。
【００２４】
集束エレメント、たとえばゾーン・プレートを提供し、それにより窓を通過する放射の強度を大きくすることができる。これは、基板テーブルに到達する放射の強度が、たとえば窓によるビームの減衰のために極めて小さい場合に有用である。これは、放射センサの較正を総使用可能範囲に渡って実行する場合に必要である。
【００２５】
放射センサは、基板を照射する放射を測定するために、リソグラフィ装置の基板テーブルの上若しくは基板テーブルの近傍に配置することができる。別法としては、リソグラフィ装置のパターン化手段を照射する放射を測定するために、支持構造の上に放射センサを配置することもできる。
【００２６】
本発明の他の態様によれば、基板を保持するようになされた基板ホルダと、放射ビームを調節するようになされた照明システムと、放射ビームに所望のパターンを付与するパターン化デバイスを支持するようになされた支持構造と、パターン化されたビームを基板の目標部分に投射する投影システムと、基板を照射する放射の強度を測定するようになされた放射センサと、放射センサを較正するようになされた較正装置とを備えたリソグラフィ装置が提供される。較正装置は、放射を通過させて放射センサに到達させる、放射に対して実質的に透明な材料からなる窓と、窓の後方に配置された、窓に接触した活性表面を有する、窓を通過する放射の強度を測定するようになされた第１の基準センサと、窓の後方に配置された、窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサであって、窓、窓に形成される第１の汚染層、及び第２の基準センサの活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するようになされた第２の基準センサとを備えている。
【００２７】
本発明の他の態様によれば、放射に対して実質的に透明な材料からなる窓を介して放射センサに放射ビームを投射するステップと、窓を通過する放射の強度を、窓の後方に配置された、窓に接触した活性表面を有する第１の基準センサを使用して測定するステップと、窓の後方に配置された、窓に面してはいるが接触はしていない活性表面を有する第２の基準センサを使用するステップと、窓、窓に形成される汚染層、及び第２の基準センサの活性表面に形成される第２の汚染層を通過する放射の強度を測定するステップと、放射センサに到達する放射の強度を、第１及び第２のセンサによって測定される強度から計算するステップと、計算した強度を使用して放射センサを較正するステップとを含む、リソグラフィ装置の放射センサを較正する方法が提供される。
【００２８】
本明細書においては、リソグラフィ装置の、とりわけＩＣの製造における使用が参照されているが、本明細書において説明するリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは、当業者には理解されよう。
【００２９】
本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）或いは度量衡学ツール若しくは検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００３０】
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍの放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００３１】
支持構造は、パターン化手段を支持している。つまりパターン化手段の重量を支えている。支持構造は、パターン化手段の配向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件、たとえばパターン化手段が真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン化手段を保持している。パターン化手段の支持には、機械式締付け技法、真空締付け技法或いは他の締付け技法、たとえば真空条件下における静電締付け技法を使用することができる。支持構造は、たとえば必要に応じて固定若しくは移動させることができ、且つ、たとえば投影システムに対してパターン化手段を確実に所望の位置に配置することができるフレームであっても、或いはテーブルであっても良い。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化手段」という用語の同義語と見なすことができる。
【００３２】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、たとえば使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した屈折光学系、反射光学系及びカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００３３】
また、照明システムには、投影放射ビームを導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント及びカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含されており、このようなコンポーネントについても、以下、集合的若しくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
【００３４】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００３５】
また、リソグラフィ装置は、基板が比較的屈折率の大きい液体中、たとえば水中に浸され、それにより投影システムの最終エレメントと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえばマスクと投影システムの第１のエレメントの間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。
【００３６】
以下、本発明の実施例について、単なる実施例に過ぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は、対応する部品を表している。
【実施例】
【００３７】
リソグラフィ装置
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置１を略図で示したものである。リソグラフィ装置１は、以下に列記するアイテムを備えている。
照明システム（イルミネータ）ＩＬ：投影放射（たとえばＵＶ放射若しくはＥＵＶ放射）ビームＰＢを提供するためのものである。
第１の支持構造（たとえばマスク・テーブル／ホルダ）ＭＴ：パターン化デバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するためのもので、パターン化デバイスをアイテムＰＬに対して正確に位置決めするための第１の位置決め機構ＰＭに結合されている。
基板テーブル（たとえばウェハ・テーブル／ホルダ）ＷＴ：基板（たとえばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するためのもので、基板をアイテムＰＬに対して正確に位置決めするための第２の位置決め機構ＰＷに結合されている。
投影システム（たとえば反射型投影レンズ）ＰＬ：パターン化デバイスＭＡによって投影ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイを備えている）に画像化するためのものである。
【００３８】
図に示すように、このリソグラフィ装置は、反射型（たとえば反射型マスク若しくは上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した）タイプの装置である。別法としては、このリソグラフィ装置は、透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置であっても良い。
【００３９】
イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばプラズマ放電源である場合、放射源及びリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、通常、たとえば適切な集光ミラー及び／又はスペクトル純度フィルタを備えた放射コレクタを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源はリソグラフィ装置の一構成要素にすることができる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、放射システムと呼ぶことができる。
【００４０】
イルミネータＩＬは、ビームの角強度分布を調整するための調整機構を備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。イルミネータは、所望する一様な強度分布をその断面に有する、投影ビームＰＢと呼ばれている調節済み放射ビームを提供している。
【００４１】
投影ビームＰＢは、マスク・テーブルＭＴ上に保持されているマスクＭＡに入射する。マスクＭＡで反射した投影ビームＰＢは、ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させるレンズＰＬを通過する。基板テーブルＷＴは、第２の位置決め機構ＰＷ及び位置センサＩＦ２（たとえば干渉デバイス）を使用して正確に移動させることができ、それにより、たとえば異なる目標部分Ｃを投影ビームＰＢの光路内に配置することができる。同様に、第１の位置決め機構ＰＭ及び位置センサＩＦ１を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクＭＡを投影ビームＰＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、対物テーブルＭＴ及びＷＴの移動は、位置決め機構ＰＭ及びＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現されているが、ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに結合することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合せマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合せマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。
【００４２】
図に示す装置は、以下に示す好ましいモードで使用することができる。
ステップ・モード：基本的にマスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターン全体が目標部分に１回で投影される（つまり単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
走査モード：投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴが同期走査される（つまり単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の）が決定される。
その他のモード：プログラム可能パターン化デバイスを保持するためにマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、投影ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００４３】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態若しくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００４４】
ウェハＷが受け取る放射の量（時間で積分した強度）を測定するために、１つ又は複数の放射センサＲＳが基板テーブルＷＴの上に取り付けられている。基板は、放射線感応層（レジスト）で被覆されたシリコン・ウェハである。現行の２００ｍｍ及び３００ｍｍのウェハは、シリコン単結晶軸を示す微小ノッチ（図示せず）を備えた円形である。現行のステージは、正方形若しくは長方形であり、ウェハを取り囲む４つの領域を与えている。この領域には、整列プロセスで使用されるフィデューシャル・マスク、波面収差の測定に使用されるＴＩＳセンサ或いはスポット・センサ（一般的には、直径が１２０μｍの微小ピンホールを備えた放射センサ）などのセンサ若しくはマスクを便利に配置することができる。この放射センサＲＳは、たとえばフォトダイオード、スポット・センサ或いはＣＣＤセンサであっても良い。
【００４５】
この放射センサＲＳは、ウェハＷが直接受け取る照度を測定していないことは理解されよう。存在している投影ビームは１つだけであり、ダイ及び放射センサを同時に照射することはできないため、ウェハ上の目標領域（ダイ）が照射されると、ウェハ・ステージ上のウェハに隣接して配置されている放射センサを使用してビームの強度を測定することは不可能である。実際には、照明システム内の投影ビームの約１％が、エネルギー・センサ（図示せず）として知られている他の放射センサに結合される。このエネルギー・センサは、ウェハ上の目標領域が露光されている間、投影ビームの強度を測定することができるが、エネルギー・センサによる測定の後に、且つ、投影ビームがウェハＷに到達する前に、多くの光エレメントが投影ビームに作用するため、エネルギー・センサの読み値は、ウェハ・レベルにおける強度の絶対測値ではない。たとえば、エネルギー・センサの読み値は、とりわけ照明モード及びレンズの透過率の変化に大きく依存している。したがって、この追加エネルギー・センサは、放射センサＲＳ（スポット・センサ）を使用して、ウェハ・レベルで定期的に較正しなければならない。
【００４６】
高周波放射、たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの極紫外（ＥＵＶ）放射、或いは波長が３００ｎｍ未満、典型的には１５７ｎｍの遠紫外（ＤＵＶ）放射を使用する場合、照射中、ウェハＷは真空下で維持される。このようなリソグラフィ・システムの主要な問題は、汚染、つまり放射によって照射される真空チャンバ内のあらゆる表面への炭素の蓄積若しくはこれらの表面の酸化の問題である。真空チャンバ内のウェハＷ及び他の表面は、Ｈ２Ｏ及びＣｘＨｙなどの汚染ガスを真空中に放出し、これらの汚染ガスが真空チャンバ内の表面に蓄積する。真空チャンバ内の表面に蓄積した汚染ガスは、これらの表面が照射されると焼き固められる。
【００４７】
したがって放射センサＲＳの表面に常に汚染が蓄積され、放射センサＲＳの感度が低下する原因になっている。したがって、ウェハＷが受け取る放射量の正確な測定を保証するためには、放射センサＲＳを較正する必要がある。
【００４８】
図２は、汚染層２の付着によって性能が低下した放射センサＲＳを較正するための本発明による較正装置１の一実施例を略図で示したものである。較正装置１は、ＥＵＶ放射に対して比較的透明な材料からなる窓３を備えている。窓に適した材料はジルコニウムであり、ＥＵＶレンジの放射に対する厚さ１００ｎｍのＺｒ窓の透過率は約７１％である。放射に対して透明なこの材料は、他の適切な材料であっても良く、また、透過率が７１％未満の材料であっても良いことを理解されたい。窓３は、投影システムＰＬの下方の、基板テーブルＷＴ及び放射センサＲＳを備えた真空チャンバ４内に密閉されている。窓３は、回転カップリング５を介して真空チャンバ４のハウジングに取り付けられている。回転カップリング５は、投影システムＰＬからの放射が窓３を通過しない第１の位置（図示せず）から、投影システムＰＬからの放射が窓３を通過する第２の位置（図２に示す位置）への窓３の移動を可能にしている。
【００４９】
窓３の投影システムＰＬとは反対側の面（図に示す下側の面）に、放射強度を測定するための活性表面７を有する第１の基準センサ６が取り付けられている。この第１の基準センサ６には、フォトダイオードを使用することも、或いはＥＵＶ放射強度の測定に適した任意の光検出器を使用することもできる。活性表面７は、窓３と接触しているか、或いはシールされており、したがって真空チャンバ４内からの汚染が活性表面７に及ぶことはない。一実施例では、第１の基準センサ６は、窓３の上に成長したダイオードである。別法としては、活性表面７と窓３の間の界面の周りに真空シール（図示せず）を使用して、この第１の基準センサを取り付けることも可能である。
【００５０】
第２の基準センサ８は、ブラケット９を介して窓３の後方に取り付けられており、その活性表面１０は窓に面している。第２の基準センサ８の活性表面１０には、ＥＵＶ放射に対して透明な、窓３と同じ材料（たとえばＺｒ）の薄い層１１が蒸着されている。この層１１の厚さは数ナノメートルであり、その厚さを制御している制約について、次に説明する。
【００５１】
リソグラフィ装置が正規に動作している間、窓３及び関連する基準センサ６、８は、投影ビームの光路の外側の第１の位置に位置している。放射センサＲＳを使用して、基板テーブルＷＴ上のウェハ（図示せず）が受け取る放射量を間接的に測定しているエネルギー・センサが較正される。このプロセスの間、放射センサＲＳがＥＵＶ放射によって照射されると、放射センサＲＳに汚染層２が蓄積する。
【００５２】
放射センサＲＳの較正が必要になると、窓３及び基準センサが図２に示す位置へ回転する。この位置では窓を通って光が通過するため、窓の背面に汚染層１２が形成され、また、第２の基準センサ８の活性表面１０に蒸着された、放射に対して透明な層１１の前面にもう１つの汚染層１３が形成される。放射に対して透明な層１１及び窓３は同じ材料から形成されているため、この２つの表面に対する汚染の速度は同じであるか、或いは少なくとも極めて類似している。しかしながら、第１の基準センサ６の活性表面７は窓３に対してシールされているため、活性表面７には汚染層は形成されない。
【００５３】
較正の方法については、図２に略図で示す３つの投影ビームの放射光路１４、１５及び１６を参照することによって理解することができる。図２に略図で示すこの３つの光路は、平行「サブビーム」として示されており、これは好ましい構造であるが、必ずしも平行である必要はないことは理解されよう。第１の光路１４の放射は、窓３及び窓３の背面に形成された汚染層１２を通過して、基板テーブルＷＴ及び放射センサＲＳを照射する（放射センサＲＳの前面に形成された汚染層２を通して）。この放射１４の強度が分かると、基板テーブルにおける所与の任意の放射強度１４と、汚染層２の後側の放射センサＲＳの出力とを相関させることができ、それにより放射センサＲＳを較正することができるが、この第１の光路１４の放射強度を直接測定することはできない。
【００５４】
第２の光路１５の放射は、窓３、窓３の背面に形成された汚染層１２、及び第２の基準センサ８の前面に形成された汚染層１３を通過する。また、この第２の光路１５の放射は、第２の基準センサに蒸着された、放射に対して透明な層１１を通過するが、この層１１は十分に薄いため、第２の光路１５の放射強度に対する影響は無視することができる。仮にこの層によってかなりの量の放射が吸収されるとしても、その修正は容易である。別法としては、窓３の、第２の基準センサ８の前面に存在する部分の厚さを、放射に対して透明な層１１の厚さと同じ厚さまで薄くし、それによりこの層１１の存在を補償することができる。したがって第２の基準センサ８によって測定されるレベルは、窓３及び同じ厚さの２つの汚染層１２、１３を通過した放射の強度に対応している。
【００５５】
第３の光路１６の放射は、窓３を通過し、汚染層を全く通過することなく第１の基準センサ６によって検出される。したがって第１の基準センサによって測定されるレベルは、窓３のみを通過する放射の強度に対応している。
【００５６】
第１の光路１４の放射（窓３及び一方の汚染層１２を通過する放射）の強度は、第２の光路１５の放射（窓３及び２つの汚染層１２、１３を通過する放射）の強度と、第３の光路１６の放射（窓３のみを通過する放射）の強度との比較から計算することができる。
【００５７】
吸収は、通常、指数プロセスである。窓３を通過して第１のセンサの活性表面に到達する第３の光路１６の放射の強度をＩ３とし、汚染層１２及び１３の厚さをｔとすると、放射センサＲＳ上の汚染層２に到達する、厚さｔの一方の汚染層１２を通過する第１の光路１４の放射に必要な強度Ｉ１は、ランベルト・ベールの法則によって、
【００５８】
【数１】
2006032945.tif 000003
で与えられる。ｌは汚染物質の減衰長である。汚染層１２及び１３の両方を通過し、したがって汚染層全体の厚さが２ｔである第２の基準センサ８の活性表面１０に到達する放射の強度Ｉ２は、
【００５９】
【数２】
2006032945.tif 000004
である。したがって、
【００６０】
【数３】
2006032945.tif 000005
であり、Ｉ３＝Ｉ１２であるため、したがって、
【００６１】
【数４】
2006032945.tif 000006
であり、第１の光路１４の放射が、第２の光路１５及び第３の光路１６の強度の積の平方根であることが分かる。つまり、基板テーブルＷＴを照射する放射１４の強度は、第１の基準センサ６及び第２の基準センサ８によって測定される強度の積の平方根である。
【００６２】
実際には、２つの汚染層１２及び１３の減衰は十分に小さいため、一次近似することが適切であり、その場合、基板テーブルＷＴを照射する放射１４の強度は、第１の基準センサ６及び第２の基準センサ８によって測定される強度の平均として計算することができる。
【００６３】
第２の基準センサ８の活性表面１０の上の、放射に対して透明な層１１の厚さは、汚染速度が窓３の汚染速度とほぼ同じ速度になるよう、十分な厚さが選択されるが、同時に可能な限り薄くして、この層１１の透過率を可能な限り大きくする必要がある。上で言及したように、数ナノメートルの厚さにすることにより、上記２つの考察の間に適切な平衡が提供される。同じく上で言及したように、厚さ１００ｎｍのＺｒの吸収率は２９％であるため、数ｎｍの厚さによって約１％の吸収率が得られる。吸収率がこのように小さい場合であっても、第１及び第２の基準センサによる相対強度側値を計算する際には、この吸収率を考慮しなければならない。
【００６４】
図３は、同じ材料（たとえばＺｒ）を使用して形成した場合に、第２の基準センサ８の表面の、放射に対して透明な層１１に対する汚染速度と、窓３に対する汚染速度が実質的に同じ速度になる理由を示したものである。図３は、窓３の縁及び放射に対して透明な層１１を略図で示したもので、電子の平均自由行程に対応する幅λの表面層３１、３２を有している。
【００６５】
層１１及び窓３に対する汚染速度を制御しているパラメータは、同じパラメータである。層１１及び窓３は、いずれも同じ真空環境に晒され、また、同じＨ２Ｏ汚染ガス分圧及び同じＣｘＨｙ汚染ガス分圧に晒される。したがって層１１に対する汚染物質の表面占有率と、窓３に対する汚染物質の表面占有率は同じである。
【００６６】
汚染の問題に影響する可能性のある第２のパラメータは、入射する光子の数及び表面層３１、３２中で生成される二次電子の数である。光子の数は、層１１及び窓３の両方でほぼ同じであるが、完全に同じではない。表面層中の光子の数は、完全な窓３若しくは層１１の全体に渡る吸収ではなく、その表面層中における吸収によってのみ逸脱することを理解されたい。同じ材料が選択されているため、層１１及び窓３の量子効率は同じであり、したがって二次電子の数も、層１１及び窓３の両方でほぼ同じである。
【００６７】
ジルコニウムなどの材料中の電子の平均自由行路λは、通常、０．５ｎｍである。これは、Ｄａｖｉｄ  Ａｔｔｗｏｏｄ著「Ｓｏｆｔ  Ｘ−ｒａｙｓ  ａｎｄ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｒａｄｉａｔｉｏｎ」（Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ  Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ  Ｐｒｅｓｓ、１９９９年）の中で説明されているように、任意の材料の１〜５００ｅＶのエネルギー・レンジの電子に対して適用される。ＥＵＶ光子によって生成される電子のエネルギーは、９２ｅＶ（１３．５ｎｍの波長に対応する）未満であり、汚染に対する下限は、通常、数ｅＶ、即ち化学結合のエネルギーである。
【００６８】
生成される電子の数は、吸収される光子の数によって決まる。材料が同じであるため、量子効率が同じであり、光子の数のみが電子の数を決定している。固体中のＥＵＶの減衰長（α）は、通常、１０〜５００ｎｍである。たとえばジルコニウムの減衰長は、α＝２９０ｎｍである。２倍の平均自由行路に対する透過率は、
【００６９】
【数５】
2006032945.tif 000007
である（λ＝０．５ｎｍ、α＝２９０ｎｍ）。
【００７０】
これは、最大の強度差がわずかに０．３％でしかないことを意味している。汚染速度は、照明源及び環境の清潔さに応じて強度に一次従属するか、或いは強度には全く依存しない。これは、速度を制限している要因が表面の分子の数であり、或いは生成される、これらの分子を活性化させる電子の数であることによるものである。
【００７１】
つまり、２つの表面の間の相対汚染速度の差は０％と０．３％の間であり、したがって絶対放射量較正の精度は、この差によって制限されている。
【００７２】
また、汚染速度の差は予測可能であり（選択された材料から）、或いは個別に測定可能であるため、汚染速度の差は修正が可能である。別法或いは追加として、第３のセンサを挿入することによって汚染速度の差を測定することができる（前もって、或いは動作中に）。
【００７３】
第２の基準センサの上に形成される、放射に対して透明な層１１は、窓３の材料と同じ材料からなっている必要はないことは理解されよう。２つの材料に対する汚染速度の関係が分かっている限り、所望の強度１４の計算を重み付けし、この材料の相異を考慮することができる。
【００７４】
図４は、本発明による較正装置の代替実施例を略図で示したものである。図４に示す較正装置は、図２に示す較正装置と類似しており、同じ参照数表示を使用して類似コンポーネントが示されている。この較正装置は、窓３及び基準センサ６、８が投影ビームに対して可動ではない点を除き、同様の方法で動作している。その代わりに、この較正装置は、ＥＵＶ放射を提供するための、投影システムＰＬとは全く別の個別放射源４１を備えている。図４に示す実施例では、この個別放射源４１は、レントゲン管である。
【００７５】
レントゲン管４１は、窓３と接触している真空チャンバ４２内に取り付けられている（したがって窓３は、真空チャンバの壁の１つを形成している）。この真空チャンバ内の真空はとりわけ高真空であるが、この高真空は、真空チャンバ４２内にゲッター電極４３を準備することによってさらに改善することができる。この高真空により、窓３の上部表面へのあらゆる汚染形成の機会が減少する。
【００７６】
窓３及び基準センサ６、８は、レントゲン管４１に対して固定されている。放射センサＲＳを較正する必要がある場合、レントゲン管４１によって放出される放射の光路に放射センサＲＳが位置するよう、基板テーブルＷＴが移動する。別法としては、レントゲン管が放射センサＲＳ及び基準センサ６、８を照射するよう、較正装置１が基板テーブルＷＴまで移動する。放射センサＲＳは、図２に示す実施例に使用されている方法と同様の方法で較正される。
【００７７】
第１の光路１４の放射の強度は、直接測定した２つの強度から計算されるため、個別放射源４１の安定性は重要ではない。いかなる強度出力の変動も検出が可能であり、放射センサＲＳの較正に影響することはない。また、レントゲン管４１によって提供される放射の強度は必ずしも大きい必要はなく、強度が小さい放射を使用する場合、基準センサ６及び８の寿命が長くなり、汚染層１２及び１３の蓄積速度が遅くなる。使用されている強度レンジで放射センサを較正し、且つ、放射センサの可能非直線挙動を回避するためには、参照ビームの強度と露光ビームの強度は同じ強度であることが好ましい。
【００７８】
強度が極めて小さい場合（たとえば窓３での減衰によって）、ゾーン・プレート若しくは他の集束方法（図示せず）を使用して局部強度を大きくすることができ、それにより較正における信号対雑音比が改善される。
【００７９】
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。以上の説明は、本発明の制限を意図したものではない。たとえば、上で説明した実施例は、基板テーブルに配置され、且つ、投影システムから放出される投影ビームによって照射される放射センサの較正を参照して説明されているが、上で説明した原理を使用して、センサが汚染に晒されるリソグラフィ装置内の任意の位置における放射センサを較正することができることは理解されよう。たとえばマスク・テーブルＭＴ若しくは照明システムＩＬ及び投影システムＰＬ内の他の位置に同様のセンサが存在していても良い。また、上で説明したセンサはフォトダイオードであるが、ＣＣＤなどの任意の適切なセンサを使用することも可能である。
【００８０】
また、ＥＵＶ放射と共に使用するための較正方法及び装置について説明したが、このような方法は、他の波長の放射、たとえば波長が１５７ｎｍのＤＵＶ放射などによって生じる汚染に晒される任意のセンサ・システムにも適用されることは理解されよう。
【００８１】
他の実施例では、窓３は、第２の基準センサ８の活性表面１０の材料と同じ材料から形成されている。これは、窓３に対する汚染速度と同じ汚染速度で活性表面１０に汚染層が形成されるため、放射に対して透明な層１１を活性表面１０に形成する必要が除去されることを意味している。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】リソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明による較正装置の一実施例を示す図である。
【図３】２つの表面に対する汚染速度を示す図である。
【図４】本発明による較正装置の代替実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  リソグラフィ装置（較正装置）
２、１２、１３  汚染層
３  窓
４、４２  真空チャンバ
５  回転カップリング
６  第１の基準センサ
７  第１の基準センサの活性表面
８  第２の基準センサ
９  ブラケット
１０  第２の基準センサの活性表面
１１  第２の基準センサの活性表面に蒸着された薄い層（放射に対して透明な層）
１４、１５、１６  投影ビームの３つの放射光路（放射、放射強度）
３１、３２  表面層
４１  個別放射源（レントゲン管）
４３  ゲッター電極
Ｃ  基板の目標部分
ＩＦ１、ＩＦ２  位置センサ
ＩＬ  照明システム（イルミネータ）
Ｍ１、Ｍ２  マスク位置合せマーク
ＭＡ  パターン化デバイス（マスク）
ＭＴ  第１の支持構造（マスク・テーブル）
Ｐ１、Ｐ２  基板位置合せマーク
ＰＢ  投影放射ビーム（投影ビーム）
ＰＬ  投影システム（レンズ）
ＰＭ  第１の位置決め機構
ＰＷ  第２の位置決め機構
ＲＳ  放射センサ
ＳＯ  放射源
Ｗ  基板（ウェハ）
ＷＴ  基板テーブル
【図１】
2006032945.tif 000008
【図３】
2006032945.tif 000009
【図２】
2006032945.tif 000010
【図４】
2006032945.tif 000011
【外国語明細書】
2006032945000001.pdf