(57)【要約】【課題】半導体支持部材の貫通孔周辺に低温領域が形成されるという問題があった。【解決手段】板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とし、該載置面から上記板状体の他方の主面へ貫通する貫通孔を有し、上記載置面側から上記他方の主面に向かって滑らかに上記貫通孔の開口面積が減少し、上記貫通孔の載置面側の開口面積を上記他方の主面側の開口面積で除した値を２〜１５とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とし、該載置面から上記板状体の他方の主面へ貫通する貫通孔を有し、上記載置面側から上記他方の主面に向かって滑らかに上記貫通孔の開口面積が減少し、上記貫通孔の載置面側の開口面積を上記他方の主面側の開口面積で除した値が２〜１５であることを特徴とするウェハ支持部材。
【請求項２】
上記貫通孔の内面の算術平均粗さＲａは、上記載置面の算術平均粗さＲａより大きいことを特徴とする請求項１に記載のウェハ支持部材。
【請求項３】
上記貫通孔の内面の算術平均粗さＲａは、０．１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ支持部材。
【請求項４】
上記載置面と上記貫通孔に接する接平面とのなす角度が、１０〜７０°であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のウェハ支持部材。
【請求項５】
上記板状体がセラミックスからなることを特徴とする請求項1〜４のいずれかに記載のウェハ支持部材。
【請求項６】
上記板状体に吸着用の電極を備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のウェハ支持部材。
【請求項７】
上記板状体に抵抗発熱体を備えたことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のウェハ支持部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の製造に使用するＣＶＤの成膜装置やエッチング装置において、半導体ウェハを保持するウェハ支持部材に関する発明であって、特にウェハを強固に保持したりウェハを保持すると同時に加熱して処理するためのウェハ支持部材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを製造する半導体ウェハ（以下、ウェハという）の処理工程であるＰＶＤ、ＣＶＤ、スパッタリング、ＳＯＤ、ＳＯＧ等の成膜工程やエッチング工程では、被処理物であるウェハに均一な厚みで均質な膜を成膜することや、成膜した膜に均一な深さでエッチングを施す加工処理が重要である。このため、板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とし、ウェハを強固に保持するために上記板状体の内部または上記載置面とは反対側の面に吸着用の電極を配して、該吸着用の電極に電圧を印可することによりジョンソンラーベック力やクーロン力を発現させてウェハを上記載置面に吸着する静電チャック機能を有するウェハ支持部材や、ウェハを均一な温度に加熱するために板状体の内部または載置面とは反対側の面に抵抗発熱体用の電極を配してウェハを加熱する機能を有するヒータがあった。また、上記吸着用の電極と抵抗発熱体をともに備えた静電チャックが要求されてきた。
【０００３】
特許文献１では、図４に示すように円板形状のセラミックスからなる板状体１０の表面または内部に温度制御手段を備えた半導体製造・検査用セラミックスヒータであって、上記板状体１０の外周の少なくとも加熱面側の角部が面取形状となっていることを特徴とする半導体製造・検査用セラミックスヒータが紹介されている。
【０００４】
また、特許文献２には反応容器内にウェハを載置するサセプタを備え、該サセプタに座ぐり部を形成すると共に、該座ぐり部に設けられた貫通孔に挿通してリフトピンが摺動自在に配置され、前記リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、前記サセプタ上における基板の着脱を行う気相成長装置において、前記リフトピンと前記サセプタとの摺動面に研磨が施されていることを特徴とする気相成長装置が紹介されている。
【特許文献１】特開２００２−１７０７５３
【特許文献２】特開２００２−２９９２６０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ウェハを保持する半導体製造装置用のウェハ支持部材において、該ウェハ支持部材が静電チャック機能を備える場合には、貫通孔は、ガス導入口とリフトピン孔が必要であり、上記ウェハ支持部材にヒータ機能を備える場合であっても、貫通孔としてリフトピン孔が要求される。これらの貫通孔はウェハを半導体製造装置内で処理するために必要なガスを注入したり、ウェハを上下させるためのリフトピンが貫通孔内を上下したりするために必要な貫通孔である。しかしながら、これらの貫通孔は、載置面からウェハへの熱伝達を著しく妨げると共に、上記貫通孔の周辺のウェハから飛散した熱を拡散させる熱拡散孔となるために貫通孔の周辺のウェハの表面に低温領域を形成してしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は上記状況に鑑み、鋭意研究開発の結果、ウェハの支持部材貫通孔周辺の低温領域形成を抑制できる半導体ウェハ支持部材を考案した。すなわち、本発明は、板状体の一方の主面をウェハを載せる載置面とし、該載置面から上記板状体の他方の主面へ貫通する貫通孔を有し、上記載置面側から上記他方の主面に向かって滑らかに上記貫通孔の開口面積が減少し、上記貫通孔の載置面側の開口面積を上記他方の主面側の開口面積で除した値が２〜１５であることを特徴とする。
【０００７】
また、上記貫通孔の内面の算術平均粗さＲａは、上記載置面の算術平均粗さＲａｔより大きいことを特徴とする。
【０００８】
また、上記貫通孔の内面の算術平均粗さＲａは、０．１〜１０μｍであることを特徴とする。
【０００９】
また、上記載置面と上記貫通孔に接する接平面とのなす角度が、１０〜７０°であることを特徴とする。
【００１０】
また、上記板状体がセラミックスからなることを特徴とする。
【００１１】
また、上記板状体に吸着用の電極を備えたことを特徴とする。
【００１２】
また、上記板状体に抵抗発熱体を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体ウェハのウェハ支持部材として必要不可欠な貫通孔付近に形成されるウェハの低温領域の発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は本発明の一例であるウェハ支持部材１の概略の断面図を示す。板状体２の一方の主面をウェハを載せる載置面２ａとし、載置面２ａから上記板状体２の他方の主面へ貫通する貫通孔３を備えている。そして貫通孔３を通して上昇したウェハリフトピン５にウェハＷが載せられた後、ウェハリフトピン５を降下させて載置面２ａにウェハＷを載せることができる。また、載置面２ａの周辺のウェハ位置決め部２ｂは、ウェハＷを載置面２ａから脱落したり位置ずれすることを防ぐことができる。そして、図１の例では板状体２の内部に抵抗発熱体４が埋設され、ウェハＷを所定の温度に加熱しながらウェハＷに各種の成膜加工やエッチング加工を行うことができる。
【００１５】
本発明のウェハ支持部材１は、板状体２の一方の主面をウェハを載せる載置面２ａとし、該載置面２ａから上記板状体２の他方の主面へ貫通する貫通孔３を有し、上記載置面２ａ側から上記他方の主面に向かって滑らかに上記貫通孔３の開口面積が減少している。ここで前記開口面積とは貫通孔３を載置面に平行な面で切断した断面の面積で示すことができる。そして、上記貫通孔３の載置面２ａ側の開口面積Ｓｔを上記他方の主面側の開口面積Ｓｄで除した値（Ｓｔ／Ｓｄ）を２〜１５とすることにより、貫通孔３に対応したウェハ表面の温度低下を防止してウェハＷ表面の温度差を小さくすることができる。尚、載置面２ａ側の開口面積Ｓｔとは載置面の位置での貫通孔３の断面積であり、他方の主面側の開口面積Ｓｂとは貫通孔３の他方の主面の位置での断面積である。
【００１６】
図２は図１の貫通孔３の拡大図を示す。本発明の貫通孔３は載置面２ａ側から他方の主面である裏面側に向かって滑らかに開口面積が減少している貫通孔３であるのは、貫通孔３の内面に接する接平面に垂線を立てたときに垂線がウェハＷと平行な方向よりもウェハＷ側をむいていることが重要だからである。このような構造とすることにより、ウェハＷから放散された熱は貫通孔３の断面積が載置面側から裏面側に向かって絞られていることから、載置面２ａ側から他方の主面である裏面側に向かって逃げ難くなる。また、更に貫通孔３内面から輻射された熱は上記接平面に立てた垂線がウェハと平行方向よりもウェハ側を向いていることから、ウェハ方向に向かって熱線が輻射され開口面積Ｓｔに対応したウェハＷ下面を加熱することができることから貫通孔３部分のウェハＷ表面温度の低下を防止することができるからである。また、貫通孔３の内部で熱の対流が生じ、ウェハＷを効率よく加熱することができるからである。そして、ウェハの貫通孔３の付近における低温領域やクールスポットの発生を抑制することができる。
【００１７】
図３は、載置面側から裏面側に向かってなめらかに断面積が減少している本発明の貫通孔３の例を示す。図３（ａ）（ｂ）の貫通孔３は、載置面２ａ側から裏面側に向かってなめらかに断面積が減少しており、貫通孔内面に接する接平面に垂直な垂線ａ、ｂはウェハＷを向いていることから貫通孔３内面から輻射された輻射熱がウェハ裏面を加熱し貫通孔３付近のウェハＷ表面温度の低下を防止することができる。しかし、図５のように貫通孔３０の接平面に垂直な垂線Ｃは、ウェハＷと平行な方向を向いていることから貫通孔３０の内面から放散された輻射熱はｃ方向に効率よく伝達され、ウェハＷの貫通孔付近を加熱する効果が小さく、板状体２の他方の主面側に飛散してしまう虞があった。これに対し本発明の図３の貫通孔３は、貫通孔３内面から輻射された輻射熱は、垂線ａ、ｂ方向に進むことから、貫通孔３内部で対流を起こし易くなる。このために、ウェハＷの貫通孔３付近における低温領域の発生を抑制できるのである。
【００１８】
図３に示すような貫通孔３であれば、何らかの低温領域発生の抑制効果は得られるが、本発明の効果を顕著に得られるようにするために本発明者らは鋭意研究の結果、載置面２ａから貫通孔３の載置面の位置での開口面積Ｓｔを板状体２の他方の主面側の開口面積Ｓｄで除した値Ｓｔ／Ｓｄが２〜１５であることを特徴とする。このようにＳｔ／Ｓｄの値がウェハＷの低温領域の発生を抑制するメカニズムは、ウェハＷから貫通孔３を通過して熱が輻射しても、貫通孔３の断面積が絞られ、先細りとなっているため、熱が逃げにくくなると同時に貫通孔３の内面から放散される熱はウェハＷを加熱することから、貫通孔の内部で効率よく熱の対流が発生するためと考えられる。本発明者は上記効果をＳｔ／Ｓｄをパラメータとして確認する実験を行った結果、Ｓｔ／Ｓｄの値が２を下回ると、この熱の対流の発生が小さいために本発明者らが意図した効果が得られない。つまり、低温領域形成の抑制効果が低くなってしまう。逆にＳｔ／Ｓｄの値が１５を越えると、対流の効果はあるが、あまりにも載置面２ａ側の貫通孔３の直径が大きくなることから、ウェハＷ表面のクールスポット防止の抑制効果が小さくなり、貫通孔３付近のウェハＷの均熱性を低下させてしまうからである。
【００１９】
特許文献２には反応容器内に基板を載置するサセプタを備え、該サセプタに座ぐり部を形成すると共に、該座ぐり部に設けられた貫通孔に挿通してリフトピンが摺動自在に配置され、前記リフトピンを昇降させて前記基板の裏面と接離させることにより、前記サセプタ上における基板の着脱を行う気相成長装置において、前記リフトピンの前記サセプタとの摺動面に研磨が施されていることを特徴とする気相成長装置が紹介されているが、座ぐり部を形成することにより半導体製造製造にとって有害なパーティクルの発生を抑制するとしている。そのためか、ウェハからの熱の飛散防止や貫通孔の内面からの熱輻射と対流に関する本発明とはその思想や効果が全く異なるものである。また、本発明の特徴である貫通孔３の載置面側の開口面積Ｓｔを裏面側の開口面積Ｓｄで除した値を特許文献２の発明で計算すると１６となることからも、特許文献２は本発明の範囲外の発明であることが明白である。この点においても、特許文献２の発明は本発明と本質的に異なる発明であることが分かる。
【００２０】
また、本発明のウェハ支持部材１の貫通孔３内面の算術表面粗さＲａが載置面２ａの表面の算術表面粗さＲａより大きいことが好ましい。上記のように貫通孔３の内面からの輻射熱を利用しウェハＷの裏面を加熱するとともに、貫通孔３の輻射熱を利用し対流を効果的に利用してウェハ裏面を加熱するには、載置面２ａの表面からの輻射熱を相対的に抑え、貫通孔２ａの内面からの輻射量を増やすことにより貫通孔３付近のウェハＷ表面温度の低下を抑え、ウェハＷ表面の温度差が小さくなるからである。特に輻射熱が本発明の効果をもたらす様に作用する温度域は３００℃〜６５０℃であり、より好ましくは４００〜６００℃である。また、ウェハ支持部材１の雰囲気ガス圧力は５〜８０ｋＰａが好ましい。更に好ましくは１０〜５０ｋＰａである。
【００２１】
また、本発明のウェハ支持部材１の貫通孔３内面の算術平均粗さはＲａは０．１〜１０μｍであることが好ましい。より望ましくは５〜１０μｍである。その理由は、貫通孔３の周辺のウェハＷに形成される低温領域であるクールスポットを更に抑制することができるからであれう。貫通孔３内面の算術表面粗さＲａが０．１を下回ると、貫通孔の内面の被表面積が小さくなりすぎるため、貫通孔内面からの熱の輻射や放散が小さくなり、貫通孔３内面の熱の対流が起こり難くなるからである。一方、貫通孔３の内面の算術表面粗さＲａが０．１μｍ以上、望ましくは５μｍ以上であれば、貫通孔３の内面の被表面積が大きくなり、該貫通孔内面からの熱の輻射や放散が大きくなるため、貫通孔３の内部で熱の対流が発生し易くなり、ウェハＷ表面の温度差が小さくなり好ましい。
【００２２】
また、図１に示す載置面２ａと貫通孔３に接する接平面とのなす角度θが、１０〜７０°であることが好ましい。その理由は、貫通孔３の周辺のウェハＷに形成される低温領域の発生を更に抑制する効果が働くからである。上記の角度θが１０°未満では、貫通孔に接する接平面から立てた垂線と載置面２ａとが平行に近くなってしまうため、熱の対流と同時に逃げが発生するため、対流の発生が小さくなり、やはり低温領域が発生し易くなってゆくからである。また上記角度θが７０°を越えると、熱の対流と同時に熱が板状体２の他方の主面側に逃げが発生するため、対流の発生が小さくなり、やはり低温領域が発生し易くなるからである。
【００２３】
また、板状体２がセラミックスからなることを特徴とするとしたのは、半導体製造装置では、他種類のプロセスガスのプラズマを用いる関係上、耐プラズマ性の観点から、耐食性の優れたセラミックスを用いることが好ましい。特にセラミックスとしては窒化アルミニウムや炭化珪素を主成分とするものが好ましい。
【００２４】
また、本発明のウェハ支持部材１は、板状体２にウェハＷを吸着する吸着用の電極を備えたことが好ましい。静電チャックでは、必要不可欠な貫通孔３としてウェハ裏面へのガス導入口とウェハを静電チャックの載置面に載置し、静電チャック上で処理が終了したウェハを吸着状態から引き剥がすために必要なリフトピン孔があるが、これらの貫通孔は、半導体製造装置に静電チャックを使用する上でどうしても必要な貫通孔ではあるが、これらの貫通孔周辺部には、どうしても低温領域が発生するためにウェハを処理して半導体チップを製造する際の歩留まりを著しく落としていた。静電チャックにも本発明の構成を適用することにより、低温領域の形成が抑制できることから好ましい。
【００２５】
また、板状体２に抵抗発熱体４を備えることが好ましい。このようなウェハ支持部材１はヒータであることを特徴とするとするもので、特にセラミックスヒータにおいて必要不可欠な貫通孔３としてウェハＷをセラミックスヒータの載置面２ａに載置し、ヒータ上で処理が終了したウェハを持ち上げるために必要なリフトピン孔３があるが、この貫通孔３周辺部には、どうしても低温領域が発生するためにウェハを処理して半導体チップを製造する際の歩留まりを著しく落としていた。セラミックスヒータにも本発明を適用することにより、低温領域の形成が抑制できるからである。
【００２６】
次に図１に示す本発明のウェハ支持部材１の製造方法を説明する。ウェハ支持部材１を構成する板状体２としては、窒化アルミニウム質焼結体を用いることができる。窒化アルミニウム質焼結体の製造に当たっては、窒化アルミニウム粉末に重量換算で２質量％以下程度の酸化アルミニウムを添加し、ＩＰＡとウレタンボールを用いてボールミルにより４８時間混合し、得られた窒化アルミニウムのスラリーを２００メッシュに通し、ウレタンボールやボールミル壁の屑を取り除いた後、防爆乾燥機にて１２０℃で２４時間乾燥して、均質な窒化アルミニウム混合粉末を得る。そして、該混合粉末にアクリル系のバインダーと溶媒を混合して窒化アルミニウム質のスリップを作成し、ドクターブレード法にてテープ成形を行う。得られた窒化アルミニウムのテープを複数枚積層し、その上に抵抗発熱体発熱体４としてタングステンなどの導電性を持つ粉体をスクリーン印刷法で形成し、無地のテープに所望の密着液を塗り、テープを複数枚重ねてプレス成形して成形体を得る。
【００２７】
得られた成形体を非酸化性ガス気流中にて５００℃で５時間程度の脱脂を行い、更に非酸化性雰囲気にて０．２ＭＰａ以上、２００ＭＰ以下の圧力下にて１８００℃以上、１９００℃以下の温度で０．５時間以上、１０時間以下保持して焼結させる。このようにして抵抗発熱体４を埋設した窒化アルミニウム質焼結体を得る。
【００２８】
こうして得られた窒化アルミニウム質焼結体に所望の形状が得られるように機械加工を施す。この貫通孔３は図３の（ａ）または（ｂ）に示す構造で、載置面２ａ側の開口面積Ｓｔが裏面側の開口面積Ｓｄよりも大きくなるように設計し、上記開口面積Ｓｔを裏面側の開口面積Ｓｄで除した値が２〜１５となるように加工することが重要である。更に、発熱体へ電流を流すための金属端子（不図示）をメタライズ法などの方法を用いて接合する。このようにして図１に示す本発明のウェハ支持部材１が得られる。
【００２９】
以上の工程は本発明の製造方法の一例である。特に窒化アルミニウム質焼結体をテープ成型で作成しなければならない必然性は無く、焼結助剤と窒化アルミニウムが混合ミルによって調合された窒化アルミニウム粉末をカーボンモールドに入れ、発熱体として、モリブデン、インコネルといった導電性箔または導電性メッシュを窒化アルミニウム粉末内に挿入し、１７００℃〜２０００℃の温度で、１〜５０ＭＰａの圧力をかけながら、所謂ホットプレス法で作成してもよい。
【実施例１】
【００３０】
窒化アルミニウム粉末に重量換算で２質量％以下の酸化アルミニウムを添加し、ＩＰＡとウレタンボールを用いてボールミルにより４８時間混合し、得られた窒化アルミニウムのスラリーを２００メッシュに通し、ウレタンボールやボールミル壁の屑を取り除いた後、防爆乾燥機にて１２０℃で２４時間乾燥して、均質な窒化アルミニウム質混合粉末を得る。得られた窒化アルミニウム質混合粉末にアクリル系のバインダーと溶媒を混合して窒化アルミニウム質のスリップを作成し、ドクターブレード法にてテープ成形を行った。
【００３１】
得られた窒化アルミニウムのテープを複数枚積層し、その上に抵抗発熱体としてタングステンを印刷法で形成し、無地のテープに所望の密着液を塗り、テープを複数枚重ねてプレス成形を行った。
【００３２】
得られた窒化アルミニウムに抵抗発熱体を埋設した成形体を非酸化性ガス気流中にて５００℃で５時間程度の脱脂を行い、更に非酸化性雰囲気の１ＭＰａの圧力で１９０１℃以上、２０５０℃以下程度の温度で５時間の焼成を行い、窒化アルミニウム質焼結体を得た。
【００３３】
こうして得られた窒化アルミニウム質焼結体に所望の形状が得られるように機械加工を施した。この機械加工の際に貫通孔は図３の（ａ）または（ｂ）のような形状で、載置面側の断面積が裏面側の断面積よりも大きくなるように設計し、該貫通孔の載置面側の開口面積Ｓｔを板状体の他方の主面側の開口面積Ｓｄで除した値が１〜１６となるように加工した。こうして得られた機械加工を施した窒化アルミニウム質焼結体に更に抵抗発熱体へ電圧を印可するための金属端子（不図示）を銀ろうを用いたメタライズ法で接合しウェハ支持部材とした。
【００３４】
作製したウェハ支持部材を半導体製造装置用のチャンバに装着し、載置面の上にシリコンウェハを載置し、真空中にて５００℃まで昇温して、各ウェハ支持部材の均熱性をＩＲカメラで測定した。低温領域の評価として、リフトピン孔の中心位置の温度を測定した。また、リフトピン孔の外径から、１ｍｍ離れた場所の温度を４点測定し、その平均を算出し、外周温度とした。該外周温度から上記中心温度を差し引いた値を貫通孔付近のウェハ表面の温度差とし、該ウェハ表面の温度差の値が大きければ、大きいほど低温領域または高温領域が顕著に発生している状況となる。
【００３５】
表１にその結果を示す。
【表１】
2006128205.tif 000003
【００３６】
表１で本発明の載置面側の開口面積Ｓｔを板状体の他方の主面側の開口面積Ｓｄが除した値Ｓｔ／Ｓｄが２〜１５である本発明の試料Ｎｏ．３〜１３は、貫通孔付近のウェハ表面の温度差を１０℃以下とすることができた。
【００３７】
しかし、本発明の範囲外であるＳｔ／Ｓｄが２を下回る試料Ｎｏ．１は、ウェハ表面の温度差が１８℃と大きく、試料Ｎｏ．２は１１℃と大きかった。
【００３８】
また、Ｓｔ／Ｓｄの値が１６であった試料Ｎｏ．１４は、高温領域が発生してしまったため、ウェハ表面の温度差が１２℃と大きかった。
【実施例２】
【００３９】
実施例１の試料Ｎｏ．８と同様の大きさの貫通孔を備え、貫通孔の表面粗さをＲａで０．０５〜７．００まで変化させて、貫通孔付近のウェハ表面温度差を実施例１と同様に測定した。
【００４０】
その結果を表２に示す。
【表２】
2006128205.tif 000004
【００４１】
貫通孔３の内面の表面粗さＲａをで０．１〜２０とした試料Ｎｏ．２２〜２８はウェハ表面温度差を５℃以下とすることができ優れた特性が得られることが分かった。
【実施例３】
【００４２】
実施例２の試料Ｎｏ．２５において、載置面２ａと貫通孔３に接する接平面とのなす角度θを変えて試料を作成し、実施例１と同様にウェハ表面の温度差を測定した。
【００４３】
その結果を表３に示す。
【表３】
2006128205.tif 000005
【００４４】
表３に結果を示す。該載置面と該貫通孔の接線のなす角度θを１０°〜７０°とすることにより、均熱を５．０℃以下とすることができた。
【００４５】
また、試料Ｎｏ．３４〜３６のように角度θが４０〜２０°であるとウェハ表面の温度差が４℃を下回り更に好ましいことが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明によれば、貫通孔の周囲に発生する低温領域を抑制した半導体ウェハの支持部材を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明のウェハ支持部材の断面図である。
【図２】本発明の貫通孔の拡大図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は本発明の貫通孔の断面図である。
【図４】従来のウェハ支持部材の断面図である。
【図５】従来の貫通孔の断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１：ウェハ支持部材
２：板状体
２ａ：載置面
２ｂ：ウェハ位置決め部
３：貫通孔
４：発熱体
５：リフトピン
θ：載置面と貫通孔に接する接平面とのなす角度
ａ：貫通孔に接する接平面からの垂線
ｂ：貫通孔に接する接平面からの垂線
ｃ：貫通孔に接する接平面からの垂線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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