(57)【要約】【課題】  反応ガスの使用量を低減して、半導体ウェーハの表面に成長条件の制約を受けることなく均一に薄膜を形成させると共に、反応室の構造を簡単にする。【解決手段】  化学気相成長装置は、外部から内部２ａ（支持脚１３内）に導入した反応ガスをノズル７によって下方から上方に向かって流動可能とした反応室と、反応室の内部２ａに配置された支持脚１３に固定されたキャップ１４に、ベアリング１６を介して回転可能に設けられ、かつ半導体ウェーハ３を下面側に支持具１５によって装着可能なサセプタ４とを備え、サセプタ４には、半導体ウェーハ３を装着する領域の外周辺部であるリム部４ｂに、反応ガスの流動を受けてサセプタ４を回転させる羽根５が設けられ、キャップ１４には羽根５を通過した反応ガスを外へ排出する排気口１４ｅが設けられた構成とされている。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から内部に導入した反応ガスを下方から上方に向かって流動可能な反応室と、該反応室内に回転可能に設けられかつ半導体ウェーハを下面側に装着可能なサセプタとを備え、該サセプタには、半導体ウェーハを装着する領域の外周辺部に、前記反応ガスの流動を受けて前記サセプタを回転させる回転発生手段が設けられていることを特徴とする化学気相成長装置。
【請求項２】
前記サセプタに装着された前記半導体ウェーハの下側を向く表面の中心部に前記反応ガスを吹き付けて流動させるノズルを備えたことを特徴とする請求項１に記載の化学気相成長装置。
【請求項３】
前記サセプタは、その上面と反応室の支持部の下面との間に介在されたベアリングに支持されて軸回りに回転可能に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の化学気相成長装置。
【請求項４】
前記反応室には、前記サセプタの前記回転発生手段に対向する位置に、反応室内を流動して前記回転発生手段を通過した反応ガスを排出する排気口が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の化学気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応室内に配置された半導体ウェーハの表面に反応ガスの反応によって薄膜を形成する化学気相成長装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、大面積半導体ウェーハに均一に薄膜を化学気相成長（ＣＶＤ成長）させるための化学気相成長装置として、反応室に該反応室内を上下に隔てるガイド板を設けて、該ガイド板に水平に回転可能にサセプタを支持させ、前記反応室の一方から他方に向けて前記ガイド板の上面に沿って反応ガスを流動させると共に、前記ガイド板の下方の室内に流動されたキャリアガスにより、前記サセプタをその下面に設けた回転羽根を介して回転させながら、前記サセプタの上面に支持された半導体ウェーハの上を向く表面を、該表面に平行に流動する前記反応ガスに接触させて、該半導体ウェーハの表面に薄膜を形成するようにした横型の化学気相成長装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。上記と同様な構成要素を有し、サセプタが垂直面内で回転する縦型の化学気相成長装置も知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１１−１１６３８４号公報
【特許文献２】特開平１１−１１６３８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、前記従来の化学気相成長装置においては、ガス供給機構から送り出された反応ガスが水平または垂直な半導体ウェーハの表面に平行に流動させるものであるため、昇温した反応ガスは、自体に上昇流動する傾向があって速やかに排出口へ抜けるため、半導体ウェーハの上を向く表面または垂直な表面には十分な付勢圧をもって接触することができず、大面積半導体ウェーハに均一な所要厚さの薄膜を成長させる場合には、莫大な反応ガス（原料ガスや水素、希ガス等のキャリアガス）を流さないと所望の目的を達成させることができず、このため。反応ガスの消費量が増大する問題がある。
また、半導体ウェーハを装着したサセプタを回転させる回転羽根を駆動させるガスを、半導体ウェーハの表面に接触させる反応ガスとは別にして、別途の供給経路を経て供給するようになっているので、反応室の構造が複雑になると共に、回転羽根を駆動するガスが反応ガスの成長の雰囲気に混ざるおそれがあり、成長条件を制約する問題がある。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、反応ガスの使用量を低減して、半導体ウェーハの表面に成長条件の制約を受けることなく均一に薄膜を形成させることができると共に、反応室の構造を簡単にすることができる化学気相成長装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前記課題を解決するために、以下の点を特徴としている。
すなわち、請求項１に係る化学気相成長装置は、外部から内部に導入した反応ガスを下方から上方に向かって流動可能な反応室と、該反応室内に回転可能に設けられかつ半導体ウェーハを下面側に装着可能なサセプタとを備え、該サセプタに、半導体ウェーハを装着する領域の外周辺部に、前記反応ガスの流動を受けて前記サセプタを回転させる回転発生手段が設けられていることを特徴としている。
【０００６】
請求項２に係る化学気相成長装置は、請求項１に記載の化学気相成長装置において、前記サセプタに装着された前記半導体ウェーハの下側を向く表面の中心部に前記反応ガスを吹き付けて流動させるノズルを備えたことを特徴としている。
【０００７】
請求項３に係る化学気相成長装置は、請求項１または２に記載の化学気相成長装置において、前記サセプタが、その上面と反応室の支持部の下面との間に介在されたベアリングに支持されて軸回りに回転可能に設けられていることを特徴としている。
【０００８】
請求項４に係る化学気相成長装置は、請求項１〜３のいずれかに記載の化学気相成長装置において、前記反応室には、前記サセプタの前記回転発生手段に対向する位置に、反応室内を流動して前記回転発生手段を通過した反応ガスを排出する排気口が設けられていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、以下の優れた効果を奏する。
すなわち、請求項１に係る化学気相成長装置によれば、反応ガスが上昇流動によって半導体ウェーハの下方を向く表面に対して効果的に付勢されて接触されるので、少量の反応ガスでも効率よく所定厚さの薄膜を形成することができ、これにより、反応ガスの使用量を低減することができる。また、サセプタは半導体ウェーハに成膜する反応ガスが回転発生手段に流動されて回転されるので、前記サセプタを回転させるためのガスを反応ガスと別途の経路で回転発生手段に流動させる必要がなく、反応室の構成を簡単にすることができると共に、前記回転発生手段を駆動するガスが反応ガスの成長の雰囲気に混ざるおそれがなく、成長条件の制約を受けることがない。
【００１０】
また、請求項２に係る化学気相成長装置によれば、反応ガスが半導体ウェーハの中心部から外周縁方向に向けて均等に流れるので、サセプタの全周の羽根に均等に回転力を発生させて、前記サセプタを円滑に回転させることができる。
【００１１】
また、請求項３に係る化学気相成長装置によれば、上昇流動する反応ガスによって浮上するサセプタが、ベアリングによって反応室の支持部にしっかりと支持されて円滑に回転することができる。
【００１２】
また、請求項４に係る化学気相成長装置によれば、サセプタの回転発生手段を通過した反応ガスに抵抗を付加させることがなく、該反応ガスを円滑に反応室外へ排出することができ、前記サセプタが安定して効率よく回転することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施の形態に係る化学気相成長装置について図面を参照して説明する。図１において、１は本発明の一実施の形態に係る化学気相成長装置である。この化学気相成長装置１は、内部２ａに反応ガスを流動可能な反応室２と、該反応室２の内部２ａに回転可能に設けられかつ半導体ウェーハ３を下面側に装着可能なサセプタ４と、前記反応室２の内部２ａの流動ガスで前記サセプタ４を回転させる羽根（回転発生手段）５と、前記サセプタ４に装着された半導体ウェーハ３を加熱するヒータ６と、前記半導体ウェーハ３の表面３ａに反応ガスを吹き付けて流動させるノズル７とを備えている。
前記反応室２は、石英で構成された円筒形（筒状）の胴部８と、該胴部８の上部の環状フランジ８ａにＯリング９を介在させて気密に着脱可能に固定された円板状のフランジ１０とを備え、ロードロックチャンバの壁部１１の上面に、下部の環状フランジ８ｂをＯリング９を介在させて気密に着脱可能に固定されて、中心軸Ｓ１の方向を上下方向に向けて設置されている。前記フランジ１０の中心（前記中心軸Ｓ１の位置）には、上下に貫通する排気口１０ａが設けられている。
【００１４】
前記反応室２の下方には、平板状の隔壁（仕切弁）１２が、前記ロードロックチャンバの壁部１１の下面にＯリング９を介して接合されて、前記壁部１１の開口部１１ａを気密に閉鎖するように設けられている。そして、前記反応室２の内部２ａには、カーボン製の円筒形（筒状）の支持脚１３が、その下端を前記隔壁１２の上面に固定され、かつ軸線を前記反応室２の中心軸Ｓ１に一致させて配置されている。前記支持脚１３の上端には、図２に示すように、下端に突出形成した小径の支持部１４ａを設けたカーボン製で円盤状のキャップ１４が、中間の前記支持部１４ａより大径の嵌着部１４ｂを支持脚１３の上端部に設けた大径穴部１３ａに嵌合され、上端のフランジ１４ｃを介して固定されている。
【００１５】
前記サセプタ４は、カーボン製であり、図２、図３に示すように、円盤状のウェーハホルダ４ａの外周に上方に突出する環状のリム部４ｂを有し、該リム部４ｂの外周に前記羽根５が一体に形成されて構成されている。前記ウェーハホルダ４ａの下面に、前記半導体ウェーハ３が、表面３ａを下方に向けかつ中心Ｃを前記反応室２の中心軸Ｓ１に一致させた状態で、ウェーハホルダ４ａの外周側に周方向に間隔をあけた配置した複数のフック状の支持具１５によって、装着し得るようになっている。前記羽根５は、前記ウェーハホルダ４ａの軸線に対して傾斜させた羽根部材５ａを、前記リム部４ｂの外周に、すなわち半導体ウェーハ３を装着する領域の外周辺部に、周方向に所定間隔をあけて複数枚配列して、タービン翼と同様に形成されている。
【００１６】
そして、前記サセプタ４は、前記キャップ１４の支持部１４ａの下面と前記ウェーハホルダ４ａの上面との間に設けたベアリングに１６によって支持されて、軸線を反応室２の中心軸Ｓ１に一致させて該中心軸Ｓ１の回りに回転するようになっている。前記ベアリング１６は、前記キャップ１４の支持部１４ａの下面に前記中心軸Ｓ１と同心の円周に沿って形成された断面Ｖ字状の環状溝１４ｄと、前記サセプタ４のウェーハホルダ４ａの上面４ｄに、前記中心軸Ｓ１と同心であり前記環状溝１４ｄの円周と同径の円周に沿って形成された断面Ｖ字状の環状溝４ｅと、各環状溝１４ｄ，４ｅとに跨って嵌入されて、それらの周方向に間隔をあけて配列された複数のボール１６ａとで構成されている。前記ボール１６ａはカーボン製であり、表面をＴａＣで被覆されて、摩耗し難いように形成されており、図示しない保持器によって前記各環状溝１４ｄ，４ｅの周方向における相互間隔を一定に維持されて、各環状溝１４ｄ，４ｅ内を転動するようになっている。
【００１７】
前記羽根５は、その羽根部材５ａの外周部が間隙ｇをあけて前記支持脚１３の大径穴１３ａ内に位置され、常時は、羽根部材５ａの外周下端が、前記ウェーハホルダ４ａの自重による下降で前記支持脚１３の大径穴１３ａの段部１３ｂに当接されており、また、前記ウェーハホルダ４ａが上昇されて前記ボールベアリング１６を介して前記キャップ１４に当接されるときは、前記羽根部材５ａの外周下端が前記段部１３ｂから離れると共に、羽根部材５ａの外周上端と前記キャップ１４の嵌着部１４ｂの下面との間に隙間があけられ、かつ前記支持部１４ａの外周部と前記サセプタ４のリム部４ｂの内周面４ｆとの間に隙間があけられるようになっている。また、前記サセプタ４の羽根５に対向する位置には、前記キャップ１４の中心軸Ｓ１と同心の円周上に沿って所定間隔をあけて配置された複数の排気口１４ｅが、前記中心軸Ｓ１と平行に向けて上下に貫通して設けられている。前記排気口１４ｅは円形の孔であってもよく、前記円周方向に沿う円弧状の長孔であってもよい。
【００１８】
また、前記ヒータ６は、例えば、前記中心軸Ｓ１方向に所定の長さ（高さ）を有する高周波誘導コイルからなり、前記サセプタ４の前記中心軸Ｓ１方向における高さ位置に長さ方向の中央が位置されるようにして、前記反応室２の外周部を囲むように設置されており、前記サセプタ４に装着された半導体ウェーハ３を、例えば、１５００〜１８００℃程度に高周波誘導加熱によって加熱するようになっている。
前記ノズル７は、円筒状のノズル管７ａと、その外側に環状空間７ｂをあけて同心に設けたジャケット管７ｃとからなり、前記中心軸Ｓ１に沿う方向に軸線Ｓ２を向けて前記隔壁１２を貫通して上端（先端）部側を前記支持脚１３の内部２ａに突き出し、前記隔壁１２に固定して設けられており、前記ノズル管７ａの下端に反応ガス供給源（図示せず）から反応ガスが供給されるようになっている。そして、前記ジャケット管７ｃの環状空間７ｂには図示しない冷却水用配管を通して冷却水が供給されて、前記ノズル管７ａ内を流れる反応ガスが冷却されるようになっている。
【００１９】
また、前記ノズル管７ａは、その上端が前記ヒータ６の中心軸Ｓ１方向における下端（ヒータ６の加熱領域の下端）付近まで延長されて、先端開口部７ｄが前記サセプタ４に装着された半導体ウェーハ３の下方を向く表面３ａに対向されており、前記反応ガス供給源からノズル管７ａの下端に供給された反応ガスが、前記先端開口部７ｄから前記半導体ウェーハ３の表面３ａに吹き付けられて流動されるようになっている。そして、前記ノズル管７ａの先端開口部７ｄの位置（半導体ウェーハ３の表面３ａに対する反応ガスの吹きつけ位置）Ｅが、前記半導体ウェーハ３の中心Ｃに一致して設定されている。
【００２０】
また、前記反応室２の内部２ａには、前記支持脚１３の外周部と前記キャップ１４の外側を囲むようにして、低密度のカーボンからなる断熱体１７が配設されている。該断熱体１７は前記反応室２の内周部と前記支持脚１３の外周部との間にそれぞれ間隔をあけて設けられ、下端を前記壁部１１の開口部１１ａの外側において該壁部１１の上面に固定された円筒形（筒状）の断熱体胴部１７ａと、前記キャップ１４の上方に間隔をあけて配置されて断熱体胴部１７ａの上端を閉鎖する天板１７ｂとからなり、半導体ウェーハ３を加熱する熱が外部へ放散するのを防止している。前記天板１７ｂには中心を前記中心軸Ｓ１に一致して排気口１７ｃが設けられている。
なお、前記反応室２の胴部８、前記支持脚１３、前記断熱体１７の断熱体胴部１７ａは円筒形に限らず、角筒形その他の筒状に形成してもよい。
【００２１】
次に、前記のように構成された化学気相成長装置１の作用について説明する。
ロードロックチャンバにてサセプタ４に半導体ウェーハ３を装着した後、前記支持脚１３を反応室２内（断熱体１７内）に挿入して前記隔壁１２をロードロックチャンバの壁部１１に接合させて、前記サセプタ４を反応室２の内部２ａの所定位置に設置させる。そして、ヒータ６を作動させると共に、前記ノズル７のノズル管７ａに、反応ガス供給源から反応ガス（例えば、キャリアガスＨ２  と原料ガスＳｉＨ４  、Ｃ３Ｈ８）を供給する。ノズル管７ａに供給された反応ガスは、ノズル管７ａの先端開口部７ｄから噴出され、前記半導体ウェーハ３の表面３ａに対し、その中心Ｃにおいて下方から上方に向けて垂直に吹き付けられる。半導体ウェーハ３の表面３ａに吹き付けられた反応ガスは、その圧力でサセプタ４を浮上させると共に、半導体ウェーハ３を表面３ａを通ってサセプタ４の外周側へ流動し、この反応ガスの流動を前記羽根５が受けて回転力を発生して前記サセプタ４を中心Ｃの回りに回転させる。前記サセプタ４は、反応ガスの圧力で浮上すると、羽根５の下端が前記支持脚１３の段部１３ｂから離れ、前記ベアリング１６を介して前記キャップ１４の支持部１４ａに確実に支持されて中心軸Ｓ１の回りに円滑に回転する。そして、前記羽根５を通過した反応ガスは、前記キャップ１４の外周部の排気口１４ｅを通り抜け、断熱体１７の排気口１７ｃと反応室２の上部のフランジ１０の排気口１０ａを経て反応室２外へ排出される。
【００２２】
前記サセプタ４の回転中における前記ノズル管７ａからの反応ガスの吹き付けにより、反応ガスは半導体ウェーハ３の表面３ａに効果的に付勢されて接触され、該表面３ａに沿って外周方向に流れながら効率よくＣＶＤ反応して所定厚さの薄膜を形成する。その際、半導体ウェーハ３の外周部から前記羽根５側へ流動して該羽根５に回転力を発生させる反応ガスは、前記半導体ウェーハ３の表面３ａに吹き付けられた反応ガスのうちの未反応ガスと反応生成ガスということとなる。前記反応ガス（未反応ガスとキャリアガス）を反応室２外へ排出するための各排気口１７ｃ，１０ａが前記反応室２の中心軸Ｓ１上の位置に設けられているので、反応ガスの流れが反応室２の一方に片寄ることなく円滑に排出できて好ましい。しかし、前記排気口１７ｃ，１０ａは、前記位置に限らず、他の位置に設けてもよく、また、１つに限らず複数設けてもよい。
【００２３】
なお、前記ＣＶＤ反応中は、前記サセプタ４が、半導体ウェーハ３をその中心Ｃを前記反応室２の中心軸Ｓ１に一致させた状態で回転させるので、半導体ウェーハ３の表面３ａが前記ヒータ６によって全体を均一に加熱されて温度むらを生じることがなく、半導体ウェーハ３の表面３ａへの薄膜の形成が良好に行われる。
前記半導体ウェーハ３の表面３ａに形成される薄膜の膜厚は、前記ノズル管７ａの先端開口部７ｄが半導体ウェーハ３の回転の中心Ｃに位置されているために、反応ガスが吹き付けられている中心領域が断面視で若干山形状に厚くなって、その両側が徐々に薄くなる傾向にあるが、実用上、半導体ウェーハ３の表面３ａ全体にわたって膜厚が均一に形成されていると見なして差し支えないものである。
【００２４】
前記のように、実施の形態に係る化学気相成長装置１は、外部から内部２ａ（支持脚１３内）に導入した反応ガスを下方から上方に向かって流動可能とした反応室２と、該反応室２の内部２ａに、支持脚１３に固定されたキャップ１４を介して回転可能に設けられ、かつ半導体ウェーハ３を下面側に装着可能なサセプタ４とを備え、該サセプタ４に、半導体ウェーハ３を装着する領域の外周辺部に、前記反応ガスの流動を受けて前記サセプタ４を回転させる回転発生手段としての羽根５が設けられた構成とされている。
したがって、前記実施の形態に係る化学気相成長装置１によれば、反応ガスが上昇流動によって半導体ウェーハ３の下方を向く表面３ａに対して効果的に付勢されて接触されるので、少量の反応ガスでも効率よく所定厚さの薄膜を形成することができ、これにより、反応ガスの使用量を低減することができる。加えて、反応後のガスを除外するシステムもコンパクトにすることができる。
さらに、前記サセプタ４は半導体ウェーハ３に薄膜を形成した後の反応ガスが羽根５に流動されることによって回転されるので、サセプタ４を回転させるためのガスを反応ガスと別途の経路で羽根５に流動させる必要がなく、反応室２の構成を簡単にすることができると共に、前記羽根５を駆動するガスが反応ガスの成長の雰囲気に混ざるおそれがなく、成長条件の制約を受けることがない。
【００２５】
また、前記羽根５がサセプタ４の外周辺部であるリム部４ａに設けられているので、前記サセプタ４の下面に半導体ウェーハ３を装着する領域を広く確保することができて、大面積の半導体ウェーハ３の成膜にも好適に対応させることができる。
また、前記サセプタ４の下面に半導体ウェーハ３の表面３ａを下向きにして支持具１５で装着するようにしたので、反応ガスが昇温により生起された上昇流によって半導体ウェーハ３の表面３ａに良好に接触され、この点からも前記表面３ａへの薄膜の形成を効率よく行うことができると共に、反応室２内に生じる微粉が前記表面３ａに付着するのを防止され、薄膜の質を向上させることができる。
また、前記サセプタ４が前記ヒータ６によって加熱される前記反応室２（支持脚１３）の上部に配設されて回転するようになっているが、前記サセプタ４を回転させるために、摺動部を有する回転機構を備えていないので、該回転機構の摺動部が高熱に曝されて損耗するといった心配がなく、装置のメンテナンスが極めて容易である。
【００２６】
また、前記実施の形態に係る化学気相成長装置１によれば、前記サセプタ４に装着された前記半導体ウェーハ３の下側を向く表面３ａの中心Ｃに反応ガスを吹き付けて流動させるノズル７を備えた構成とされているので、反応ガスが半導体ウェーハ３の中心部から外周縁方向に向けて均等に流れるため、サセプタ４の全周の羽根５に均等に回転力を発生させて、サセプタ４を円滑に回転させることができる。
また、前記実施の形態に係る化学気相成長装置１によれば、前記サセプタ４が、その上面と、反応室２におけるサセプタ４の支持部として前記キャップ１４に設けた支持部１４ａの下面との間に介在されたベアリング１６に支持され、軸回りに回転可能に設けられた構成とされているので、上昇流動する反応ガスによって浮上するサセプタ４が、前記ベアリング１６によってキャップ１４の支持部１４ａにしっかりと支持されて円滑に回転することができる。
【００２７】
また、前記実施の形態に係る化学気相成長装置１によれば、前記支持脚１３に固定されたキャップ１４には、前記サセプタ４の前記羽根５に対向する位置に、支持脚１３の内部２ａを流動して前記羽根５を通過した反応ガスを、ＣＶＤ反応の反応室として実質的に機能する前記支持脚１３内から排出する排気口１４ｅが設けられた構成とされているので、前記サセプタ４の羽根５を通過する反応ガスに抵抗を付加させることがなく、該反応ガスを円滑に支持脚１３外へ排出することができ、サセプタ４が安定して効率よく回転することができる。
【００２８】
なお、前記実施の形態に係る化学気相成長装置１においては、前記サセプタ４を反応ガスの流動で回転させるための回転力を得る回転発生手段を、タービン翼と同様形状の羽根５として構成したが、回転発生手段は、前記羽根５に限らず、図４に示すように、前記サセプタ４のウェーハホルダ４ａの外周部に半径方向に幅広のリム部４ｂ１を形成して、該リム部４ｂ１に、サセプタ４の軸線に対して傾斜した排気口１８を、リム部４ｂ１の周方向に所定間隔をあけて複数個設けた構成としてもよい。この場合も、反応ガスが流動して前記排気口１８を通過する際に、排気口１８の内壁面が前記羽根５の羽根部材５ａの表面と同様に機能して、反応ガスの流動によって前記サセプタ４に回転力を発生させることができる。
【００２９】
また、前記実施の形態に係る化学気相成長装置１においては、前記ノズル管７ａの先端開口部７ｄの位置Ｅを半導体ウェーハ３の中心Ｃに一致させて設定して、該中心Ｃに反応ガスを吹き付けるようにしたので、反応ガスが半導体ウェーハ３の外周縁方向に向けて均等に流れるため、前記サセプタ４Ａの全周の羽根５に均等な回転力が発生されて、前記サセプタ４Ａが円滑に回転されて好ましい。しかし、前記ノズル管７の先端開口部７ｄの位置Ｅは、前記中心Ｃに正確に一致させる必要はなく、中心Ｃの周辺付近を含む中心部に設定してもよい。前記中心部とは、前記半導体ウェーハ３の直径の大きさにもよるが、前記中心Ｃから半導体ウェーハ３の半径方向に該半径の１／２だけ変位した位置までの範囲を含むものとする。前記先端開口部７ｄの位置Ｅが半導体ウェーハ３の外周縁方向に前記範囲より大きく変位すると、前記各羽根５に作用する回転力が不均等になって前記サセプタ４の回転が円滑に行えなくなるおそれがある。
【００３０】
また、前記ノズル管７ａの中心軸Ｓ１方向における先端の位置を、前記のように、ヒータ６による加熱領域の下限位置に設定したが、その位置に限定する必要はなく、加熱領域の内側または外側に設定してもよく、半導体ウェーハ３の直径の大きさにもよるが、半導体ウェーハ３の表面３ａからの距離Ｌが前記直径の１／２倍〜５倍の範囲に設定するのが好ましい。前記距離Ｌが前記下限より小さいと、膜厚分布が悪くなり、前記上限より大きいと、半導体ウェーハ３の表面３ａに接触する反応ガスの付勢圧が低くなり、所定厚さの薄膜を得るのに反応ガス量を多く必要とする。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施の形態に係る化学気相成長装置を示す縦断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る化学気相成長装置の要部を拡大して示す縦断面図である。
【図３】サセプタの一例を示す斜視図である。
【図４】サセプタの他の例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  化学気相成長装置
２  反応室
３  半導体ウェーハ
３ａ  表面
４  サセプタ
４ａ  ウェーハホルダ
４ｂ，４ｂ１  リム部
４ｅ，１４ｄ  環状溝
５  羽根
５ａ  羽根部材
６  ヒータ
７  ノズル
７ａ  ノズル管
８  胴部
１０  フランジ
１０ａ，１４ｅ，１７ｃ，１８  排気口
１１  ロードロックチャンバの壁部
１２  ロードロックチャンバの隔壁
１３  支持脚（反応室）
１４  キャップ
１４ａ  支持部
１５  支持具
１６  ベアリング
１６ａ  ボール
Ｃ  中心
Ｅ  ノズルの先端開口部の位置
Ｓ１  中心軸
【図１】
2006222229.tif 000003
【図２】
2006222229.tif 000004
【図３】
2006222229.tif 000005
【図４】
2006222229.tif 000006