(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体発光素子から放出された光の光路を変更する光路変更手段を設けることにより、指向特性を柔軟に制御可能とした半導体発光装置を提供する。【解決手段】埋め込み樹脂と、前記埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと、前記埋め込み樹脂の前記一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと、前記第１のリードのインナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、前記半導体発光素子と前記第２のリードとを接続するワイヤと、前記凹部の中に設けられた半導体発光素子２５及び前記ワイヤを封止する封止樹脂２４と、前記半導体発光素子から前記封止樹脂を介して外部に放出される光の指向性を制御する光路変更手段２７と、を備えたことを特徴とする半導体発光装置。【選択図】図１
2006278675.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋め込み樹脂と、
前記埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと、
前記埋め込み樹脂の前記一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと、
前記第１のリードのインナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第２のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
前記半導体発光素子から前記封止樹脂を介して外部に放出される光の指向性を制御する光路変更手段と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記光路変更手段は、前記封止樹脂の中に設けられ前記封止樹脂とは異なる屈折率を有する構造体であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記光路変更手段は、前記封止樹脂の表面に設けられ前記半導体発光素子から放出された光を四方に散乱させる凹凸であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記光路変更手段は、前記封止樹脂の表面に設けられ前記半導体発光素子から放出された光を集束あるいは発散させるフレネルレンズであることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記光路変更手段は、前記第１及び第２のリードの少なくともいずれかの上面に設けられ傾斜した反射面を有する凹凸であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体発光装置に関連し、特に半導体発光素子を用いた表面実装型の発光装置であって用途に応じて指向特性を制御可能とした半導体発光装置に関連する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（light emitting diode：発光ダイオード）などの半導体発光素子を搭載した半導体発光装置は、白色発光型ＬＥＤや青色発光型ＬＥＤの出現により、ディスプレイ、照明、交通信号などの光源としてますます用途が拡大している。例えば、携帯電話、パソコン、液晶テレビなどにおいて、カラー液晶表示装置のバックライトや押しボタン照明に広く使われるようになっている。
【０００３】
携帯機器やパソコンの用途においては、回路基板の上に直接実装できるようにより小型化されたＳＭＤ（Surface Mount Device：表面実装）型の半導体発光装置が開発され、実用化が進んでいる（例えば、特許文献１）。ＳＭＤ型半導体発光装置は、いわゆる「砲弾型」の半導体発光装置などと異なり、全体の厚みを薄くすることが可能で、かつ量産性にも優れる。この結果として、高密度実装に適した小型の半導体発光装置が実現できる。
【０００４】
ところで、例えば、携帯電話用の押しボタンの照明においては、４個の押しボタンの照明を１個の半導体発光装置を用いて行うために、極めて広い指向特性が要求される。これとは逆に、ディスプレイ用途においては、従来の砲弾型半導体発光装置と同様な狭い指向特性が要求される。
【０００５】
しかしながら、従来のＳＭＤ型半導体発光装置においては、光の指向特性を多様な用途に応じて制御することは困難であった。  
また一方、半導体発光素子から得られる１次光を蛍光体により波長変換して２次光を取り出す半導体発光装置が開発されている。例えば、赤色発光と緑色発光と青色発光を混合させることにより白色光を得ることもできる。しかしながら、このような波長変換型の半導体発光装置においても、光の指向特性を多様な用途に応じて柔軟に制御することは困難であった。
【特許文献１】特開２００３−８０７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、半導体発光素子から放出された光の光路を変更する光路変更手段を設けることにより、指向特性を柔軟に制御可能とした半導体発光装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一態様によれば、
埋め込み樹脂と、
前記埋め込み樹脂の一側面から突出した第１のアウターリード部を有する第１のリードと、
前記埋め込み樹脂の前記一側面に対向する側面から突出した第２のアウターリード部を有する第２のリードと、
前記第１のリードのインナーリード部にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子と前記第２のリードとを接続するワイヤと、
前記半導体発光素子及び前記ワイヤを封止する封止樹脂と、
前記半導体発光素子から前記封止樹脂を介して外部に放出される光の指向性を制御する光路変更手段と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、半導体発光素子（ＬＥＤ）からの放射光を光路変更手段により方向制御を行うことにより、種々の要求に対応できる指向特性を有する半導体発光装置が提供でき、産業上のメリットは多大である。 
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
【００１０】
図１は、本発明の第１の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。  
また、図２は、本発明者が本発明に至る過程で検討した比較例の半導体発光装置を表す模式断面図である。
【００１１】
まず、図２の比較例について説明すると以下の如くである。すなわち、この比較例はＳＭＤ型の半導体発光装置であり、一対のリード１０４、１０５が対向して設けられ、そのうちの一つのリード１０４に半導体発光素子１００が導電性ペースト１０２などにより接着されている。これらリード１０４、１０５は組み立て工程中は、図示しないリードフレームにそれぞれ接続され、多数個が連結されている。半導体発光素子１００が接着されたリード１０４及びこれに対向するリード１０５は、埋め込み樹脂１０６に埋め込まれて一体化されている。半導体発光素子１００を取り囲むように、反射率の高い樹脂１０８により反射壁が形成され、その開口内部において封止樹脂１１０により半導体発光素子１００が埋めこまれた構造が形成されている。
【００１２】
この比較例の構造においては、例えば、光の高指向性を実現するために封止樹脂１１０の上に半球状のレンズを形成することは可能であるが、指向特性を多様な用途に応じて制御することは容易ではない。
【００１３】
これに対して、本発明の半導体発光装置においては、指向特性を制御することが容易となる。以下、図１に表した本実施例の半導体発光装置について説明する。  
すなわち、本実施例の半導体発光装置も、ＳＭＤ型の半導体発光装置であり、一対のリード１１、１２が対向して配置されている。これらリード１１、１２は、そのインナーリード部１１Ａ、１２Ａが熱抵抗の小さい埋め込み樹脂２２により埋め込まれて一体化されている。そして、リード１１、１２のアウターリード部１１Ｂ、１２Ｂが、埋め込み樹脂２２から外側に突出している。なお、これらリード１１、１２は、組み立て工程中は図示しないリードフレームに接続され多数個が連結された状態にある。
【００１４】
リード１２のインナーリード部１２Ａには、ＬＥＤなどの半導体発光素子２５が接着剤２６により接着されている。接着剤２６としては、銀ぺーストや、金スズ（ＡｕＳｎ）共晶半田などの半田材を用いることができる。
【００１５】
半導体発光素子２５は、その発光に対して透過率の高い封止樹脂２４により埋め込まれている。そして、この封止樹脂２４とは屈折率の異なる構造体２７（例えば球状体、半球体、楕円体など）が光路変更手段として、半導体発光素子２５からの光路上に設けられている。この屈折率の異なる構造体２７は、樹脂（表面に金属膜や誘電体膜などを被着しても良い）、ガラス（表面に金属膜や誘電体膜などを被着しても良い）、油脂または気体などにより構成することができる。
【００１６】
このような屈折率の異なる構造体２７は、製造工程において、封止樹脂２４が硬化前の流体状の状態にある時に、半導体発光素子２５の上の所定位置に配置させ、封止樹脂２４を硬化することにより、封止樹脂２４の中に埋め込むことができる。このような製造工程によれば、構造体の形状を自由に選択できる。屈折率の異なる構造体２７を所定の位置に形成するために、封止樹脂２４の硬化前の粘度、硬化温度、組成、比重、屈折率の異なる構造体２７の大きさ、比重などを調整することができる。例えば、屈折率の異なる構造体２７を構成する材料の比重が、封止樹脂２４の比重よりも大きい場合、硬化前の流体状の封止樹脂２４の上に屈折率の異なる構造体２７を形成し、その自重により封止樹脂２４の中に沈降させて埋め込むことができる。この場合、封止樹脂２４の硬化前の粘度や硬化温度などを適宜調整することにより、屈折率の異なる構造体２７の沈降速度を制御し、半導体発光素子２５の上の所定の位置に停止させ固定することができる。
【００１７】
また一方、例えば、屈折率の異なる構造体２７を構成する材料の比重が、封止樹脂２４の比重よりも小さい場合には、屈折率の異なる構造体２７を先に配置し、その上から流体状の封止樹脂２４を滴下し、屈折率の異なる構造体２７を浮上させつつ封止樹脂２４を硬化させることができる。あるいは、流体状の封止樹脂２４を半導体発光素子２５の上に滴下し、屈折率の異なる構造体２７を封止樹脂２４の中に押し入れて、屈折率の異なる構造体２７を封止樹脂２４の中で浮上させつつ封止樹脂２４を硬化させることができる。この場合、封止樹脂２４の硬化前の粘度や硬化温度などを適宜調整することにより、屈折率の異なる構造体２７の浮上速度を制御し、半導体発光素子２５の上の所定の位置に停止させ固定することができる。
【００１８】
さらにまた、屈折率の異なる構造体２７を気体により形成することもできる。例えば、硬化前の流体状の封止樹脂２４の中にノズルなどを挿入して所定の気体を吹き込むことにより、気泡が得られる。この状態で封止樹脂２４を硬化させればよい。
【００１９】
図３（ａ）は、屈折率の異なる構造体２７が封止樹脂２４より高い屈折率を有するときの光の指向特性を例示するグラフ図である。すなわち同図は、図３（ｂ）に表したように、ＳＭＤ型半導体発光装置３５のリード１２の中心線に対して垂直なＡ−Ａ‘断面において、放射角度（マイナス９０°からプラス９０°）に対する相対発光光度を半径方向に表したグラフである。  
発光素子２５から放出された光は、図１に矢印Ｌ１、Ｌ２で表したように、屈折率が相対的に高い球状体２７により集光される。このため、図３（ａ）に表したように、放出光の半値角θ1/2は約３０°と小さくできて、発光中心軸付近での発光光度が高くなる指向性が得られる。
【００２０】
一方、これとは反対に、屈折率の異なる構造体２７が封止樹脂２４より低い屈折率を有するときは、発光素子２５から放出された光は外側に向けて屈折し、あるいは反射される成分が多くなる。その結果として、発光中心軸付近での光度は低下し相対的に広い指向特性が得られる。
【００２１】
また、屈折率の異なる構造体２７の表面に反射率の高い金属膜が被覆されている場合にも、半導体発光素子２５から放出された光は反射されるので、発光中心軸付近での光度は高くなり、広い指向特性が得られる。
【００２２】
以上説明したように、本実施例においては、屈折率の異なる構造体２７の材料（すなわち屈折率）、大きさ、表面の反射率などを適宜選択することにより、所望の指向特性が得られる。
【００２３】
図４（ａ）は、本発明の第１の実施例の変形例にかかる半導体発光装置の模式断面図であり、図４（ｂ）はその平面図である。  
本変形例においては、封止樹脂２４の表面に近い部分に、複数の屈折率の異なる小構造体（光路変更手段）２８が配置されている。これら小構造体２８を、封止樹脂２４より低屈折率の物質により形成すると、矢印Ｌ３で表したように光を散乱させることができ、広い指向特性が容易に得られる。この場合、これら小構造体２８を例えば気体（例えば、空気）により構成することができる。
【００２４】
図５（ａ）は、本変型例の半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図である。すなわち同図は、図５（ｂ）に表したように、ＳＭＤ型半導体発光装置のリード１２の中心線に対して垂直なＡ−Ａ‘断面において、放射角度（マイナス９０°からプラス９０°）に対する相対発光光度を半径方向に表したグラフである。  
半値角θ１／２は約６５°であり、図３（ａ）に表した実施例と比べて広い指向特性が得られていることが明らかである。  
図６は、本発明の第２の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。同図については、図１乃至図５に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２５】
本実施例においては、封止樹脂２４の表面に凹凸(光路変更手段)３０が選択的に設けられている。半導体発光素子２５から放出された光Ｌ４は、この凹凸３０により四方に散乱されて（Ｌ４）、広角に広がる。すなわち、幅広い指向性が得られる。
【００２６】
図７（ａ）は、本実施例の半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図である。すなわち同図は、図７（ｂ）に表したように、ＳＭＤ型半導体発光装置のリード１２の中心線に対して垂直なＡ−Ａ‘断面において、放射角度（マイナス９０°からプラス９０°）に対する相対発光光度を半径方向に表したグラフである。  
半値角θ１／２は７０°以上であり、凹凸３０を設けない場合と比べて広い指向特性が得られる。この凹凸３０は、封止樹脂２４のコート後、硬化前に形成することができる。また、凹凸３０の高低差は、０．１μｍ〜５００μｍの範囲が好ましい。
【００２７】
図８（ａ）は、本発明の第３の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図であり、図８（ｂ）はその平面図である。同図についても、図１乃至図７に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。  
封止樹脂２４の表面にはフレネルレンズ（光路変更手段）４０ａ、４０ｂが形成されており、光の指向特性を制御する。一般に、フレネルレンズには「振幅型」と「位相型」があるが、図８においては、光の利用効率の高い位相型のフレネルレンズを用いた場合を例示した。本発明はこれには限定されず、振幅型のフレネルレンズを用いることもできる。
【００２８】
ここで、一般の平凸レンズに対応するフレネルレンズの作用について説明する。  
図９（ａ）は、平凸レンズの断面における等位相面５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄを表す模式図である。等位相面により分割されたレンズ内部の等位相面間の領域は、波面変換機能に影響を与えない。従ってこの部分を削除でき、図９（ｂ）に表したように、のこぎり状断面５２に近いフレネルレンズ５４が形成される。実際には、図９（ｃ）に例示したように、階段状に近似されたバイナリ構造が形成される場合が多い。この場合、ｎ回の微細加工ステップで２ｎのレベル数の多段構造を実現できる。
【００２９】
微細加工による最小段差及び最小ライン幅の加工精度は、０．１μｍ程度まで実現可能である。また、凹凸深さの加工精度は、数μｍ程度まで実現可能である。フレネルレンズ５４は光の回折現象を利用するので、のこぎり状断面の間隔Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４や深さＨは光の波長に近いことが必要であるが、前述した加工精度は、この要求を満たしている。なお、図９（ｃ）においては、説明の便宜上簡略化して表現したが、実際には非常に多数ののこぎり断面が配列される。
【００３０】
また、フェムト秒（１０００兆分の１秒）のパルスレーザー光を透明物質中で集光させると、焦点付近ではきわめて大きなエネルギー密度となり、内部に空洞やボイドを形成できる。この現象を利用すると、透明物質内部に所望のフレネルレンズを形成できる。このような技術を応用して、透明樹脂内部あるいは表面にフレネルレンズを形成することも可能である。
【００３１】
封止樹脂２４の表面に凸レンズ機能を有するフレネルレンズを形成すれば、指向特性を狭くできる。一方、凹レンズ機能を有するフレネルレンズを形成すれば、指向特性を広げることができる。図８に表した具体例の場合、発光中心軸付近では凹レンズの機能を有するフレネルレンズ４０ａが形成されているので、光は発散する（Ｌ１０及びＬ１１）。一方、発光中心から離れた周辺部においては、凸レンズの機能を有するフレネルレンズ４０ｂが形成されているので光は集束される（Ｌ１２及びＬ１３）。
【００３２】
本実施例においては、封止樹脂２４の表面は両者の合成となっている。図８（ｂ）には、上方から見たゾーンプレートの輪帯を模式的に表した。凹レンズ機能を有するフレネルレンズ部４０ａが発光中心軸近傍に設けられ、凸レンズ機能を有するフレネルレンズ部４０ｂが発光中心より離れて設けられている。上述したように、回折現象を利用しているので、のこぎり状間隔は十分に小さく、実際には輪帯数は十分に多い。このフレネルレンズは封止樹脂が硬化する前に、金型などを用いて形成することができる。
【００３３】
図１０（ａ）は、本実施例の半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図である。すなわち同図は、図１０（ｂ）に表したように、ＳＭＤ型半導体発光装置のリード１２の中心線に対して垂直なＡ−Ａ‘断面において、放射角度（マイナス９０°からプラス９０°）に対する相対発光光度を半径方向に表したグラフである。  
本実施例においては、発光中心軸付近では凹レンズの機能を有し、発光中心から離れた周辺では凸レンズの機能を有するフレネルレンズが合成されているので、広い範囲にわたって、指向特性を平坦にできる。この結果、半値角θ1/2は７５°以上と極めて広い指向特性が得られる。
【００３４】
上述したように、フレネルレンズでは波面変換に寄与しない等位相面間を削除するので、通常のレンズより薄くでき、半導体発光装置の薄型化に寄与する。さらに、封止樹脂２４を薄層化することにより、半導体発光素子２５に負荷される膨張・収縮応力を軽減できる。この結果として、半導体発光装置の長期信頼性を改善できる。
【００３５】
図１１（ａ）は、本発明の第４の実施例にかかる半導体発光装置の模式断面図であり、図１１（ｂ）は、その平面図である。同図についても、図１乃至図１０に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。  
本実施例においては、リード３１、３２の上面に、同心円状のブレード状領域（光路変更手段）３３が形成されている。ブレード状領域３３は、リード３１、３２の上面に対して略垂直な側面と、半導体発光素子２５からみて外側に傾斜した傾斜した反射面と、からなる凹凸を有する。封止樹脂２４中で多重反射された光（Ｌ１５）は、ブレード状領域３３の傾斜した反射面、外向きに反射される。その結果として、光を周囲に散乱させ、指向特性を広げることができる。
【００３６】
図１２（ａ）は、本実施例の半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図である。すなわち同図は、図１２（ｂ）に表したように、ＳＭＤ型半導体発光装置のリード３２の中心線に対して垂直なＡ−Ａ‘断面において、放射角度（マイナス９０°からプラス９０°）に対する相対発光光度を半径方向に表したグラフである。  
本実施例においては、光の指向特性が広がることが分かる。また、これとは逆に、ブレード状領域３３の反射面を半導体発光素子２５に向けて傾斜させた反射面とすれば、光は発光中心軸の近傍に向けて収束される。つまり、指向特性を狭めることができる。
【００３７】
なお、ブレード状領域３３は光を反射させるためであるから、回折を起こすように微細に形成する必要はない。ただし、回折を起こす程度の微細反射領域としてブレード状領域を形成してもよい。
【００３８】
図１３は、第４実施例の変形例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。  
本変型例は、第４実施例と第１の実施例とを組み合わせたものである。ブレード状領域３３により光は発散され（Ｌ１６及びＬ１８）、かつ屈折率の異なる構造体４７の内部の屈折率を封止樹脂２４より低くすることにより、半導体発光素子２５の上方においても光は発散されて（Ｌ１７）、広い指向特性が得られる。このような広角の指向特性は、携帯機器の押しボタン多数個を１個の半導体発光装置で照明する用途などに最適である。
【００３９】
図１４は、第４実施例の第２の変形例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。
【００４０】
本変型例においては、第４の実施例におけるブレード状領域３３と、封止樹脂２４の上面に形成された凸レンズ領域６０及び凹レンズ領域６２とが組み合わせられている。  
この変形例では、ブレード領域３３、凸レンズ領域６０、凹レンズ領域６２を適宜組み合わせることにより、指向性を様々に制御できる。すなわち、半導体発光素子２５から上方に放出された光Ｌ２０は、凹レンズ領域６２において広げられる。また一方、半導体発光素子２５から斜め上方に向けて放出された光Ｌ２１は、凸レンズ領域６０においてやや集光され、光の指向性の分布が調整される。さらにまた、半導体発光素子２５から放出されまたは樹脂２４の内部または上面などで反射された光Ｌ２２は、ブレード領域３３の反射面において反射され、外側に向けて放出される。
【００４１】
このように、凸レンズ領域６０、凹レンズ領域６２、ブレード領域３３を適宜組み合わせることにより、広角に広がり且つ光度の分布が均一な指向性を得ることが容易となる。本変型例の半導体発光装置も、例えば携帯機器の押しボタン照明などに用いて好適である。
【００４２】
図１５は、第４実施例の第３の変形例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。  本変型例においては、ブレード領域３４が内側に向けて傾斜した反射面を有する。そして、封止樹脂２４の上面に凸レンズ６４が形成されている。半導体発光素子２５から上方に放出された光Ｌ２３は、凸レンズ６４により集光されて外部に放出される。また、半導体発光素子２５から下方に放出され、または樹脂２４の内部や表面などで反射された光Ｌ２４は、ブレード領域３３の反射面により内側に向けて反射され、さらに凸レンズ６４により集光されて外部に放出される。
【００４３】
つまり、本変型例においては、高い集光性が得られ、非常に狭い指向特性を実現できる。
【００４４】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。  
例えば、半導体発光素子として用いることができるものは、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＧａＮ系、ＧａＡｌＡｓ系の他、各種の化合物半導体あるいはそれ以外の各種の半導体を用いて良い。  
その他、半導体発光装置を構成する半導体発光素子、リード、接着剤、埋込樹脂、封止樹脂、光路変更手段などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる半導体発光装置の要部構成を示す模式断面図である。
【図２】本発明者が本発明に至る過程で検討した半導体発光装置の要部構成を示す模式断面図である。
【図３】（ａ）は、球状体２７が封止樹脂２４より高い屈折率を有するときの光の指向特性を例示するグラフ図であり、（ｂ）は、半導体発光装置３５のリードの配置を表す平面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の第１の実施例の変形例にかかる半導体発光装置の模式断面図であり、（ｂ）はその平面図である。
【図５】（ａ）は、半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図であり、（ｂ）は、半導体発光装置のリードの配置を表す平面図である。
【図６】本発明の第２の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。
【図７】（ａ）は、半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図であり、（ｂ）は、半導体発光装置のリードの配置を表す平面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の第３の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図であり、図８（ｂ）はその平面図である。
【図９】（ａ）は、平凸レンズの断面における等位相面５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄを表す模式図であり、（ｂ）は、のこぎり状断面に近いフレネルレンズを表し、（ｃ）は、階段状に近似されたバイナリ構造を例示する模式図である。
【図１０】（ａ）は、半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図であり、（ｂ）は、半導体発光装置のリードの配置を表す平面図である。
【図１１】（ａ）は、本発明の第４の実施例にかかる半導体発光装置の模式断面図であり、（ｂ）は、その平面図である。
【図１２】（ａ）は、半導体発光装置の光の指向特性を例示するグラフ図であり、（ｂ）は、半導体発光装置のリードの配置を表す平面図である。
【図１３】第４実施例の変形例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。
【図１４】第４実施例の第２の変形例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。
【図１５】第４実施例の第３の変形例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１１      リード
１２      リード
２２      埋込樹脂
２４      封止樹脂
２５      半導体発光素子（ＬＥＤ）
２６      銀ペースト（または半田）
２７      屈折率の異なる構造体
２８      屈折率の異なる小構造体
３０      凹凸領域
３１      リード
３２      リード
３３      ブレード領域
３５      半導体発光装置
４０ａ    フレネルレンズ（凹レンズ領域）
４０ｂ    フレネルレンズ（凸レンズ領域）
４７      屈折率の異なる構造体
５０ａ，５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ      等位相面
５２      のこぎり状領域
５４      フレネルレンズ
６０      凸レンズ領域
６２      凹レンズ領域
６４      凸レンズ領域
１００    半導体発光素子（ＬＥＤ）
１０２    銀ペースト
１０４    リード
１０５    リード
１０６    埋込樹脂
１０８    樹脂
１１０    封止樹脂
【図１】
2006278675.tif 000003
【図２】
2006278675.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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