(57)【要約】  【課題】半導体ウェーハをダイシングブレードにより切削する際に、切断された半導体装置が、ダイシングテープから発生する屑により汚染されることを抑制する。  【解決手段】半導体ウェーハ１をダイシングテープ２によりウェーハ保持台５に固定し、回転するダイシングブレード３、４と半導体ウェーハとを相対的に移動させながら、半導体ウェーハとダイシングテープとを切削して、半導体ウェーハ中の複数の半導体素子を個別に分離する。半導体ウェーハの表面側領域に対しては、ダウンカット法で半導体ウェーハの厚みの途中まで切削を行った後、半導体ウェーハの裏面側領域に対してアッパカット法で切削を行い、ダイシングブレードをダイシングテープに切り込ませることにより半導体ウェーハを完全に切断する。裏面側領域を切削する工程における切り込み量を、表面側領域を切削する工程における切り込み量よりも小さく設定する。【選択図】図１
2006059914.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハをダイシングテープによりウェーハ保持台に固定し、回転するダイシングブレードと前記半導体ウェーハとを相対的に移動させながら、前記ブレードにより前記半導体ウェーハと前記ダイシングテープとを切削して、前記半導体ウェーハ中の複数の半導体素子を個別に分離する工程を備えた半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェーハの表面側領域に対しては、前記半導体ウェーハを切削する位置における前記ダイシングブレードの回転が下向きであるダウンカット法で、前記半導体ウェーハの厚みの途中まで切削を行った後、
前記半導体ウェーハの裏面側領域に対して、前記半導体ウェーハを切削する位置における前記ダイシングブレードの回転が上向きであるアッパカット法で切削を行い、前記ダイシングブレードを前記ダイシングテープに切り込ませることにより前記半導体ウェーハを完全に切断し、
前記裏面側領域を切削する工程における切り込み量を、前記表面側領域を切削する工程における切り込み量よりも小さく設定することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
２軸のダイシングブレードを有するダイシング装置を使用し、第１軸のダイシングブレードによりダウンカット法で切削を行い、第２軸のダイシングブレードによりアッパカット法で切削を行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体ウェーハの表面側領域を前記ダウンカット法で切削を行い、その後、前記ダイシングブレードの位置を降下させて、同一のラインをアッパカット法で切削を行うことにより前記半導体ウェーハを完全に切断する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
１軸のダイシングブレードを有するダイシング装置を２台使用し、一方のダイシング装置により前記ダウンカット法で切削する工程を行い、他方のダイシング装置により前記アッパカット法で切削する工程を行う請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハをダイシングテープによりウェーハ保持台に固定し、回転するダイシングブレードと前記半導体ウェーハとを相対的に移動させながら、前記ブレードにより前記半導体ウェーハと前記ダイシングテープとを切削して、前記半導体ウェーハ中の複数の半導体素子を個別に分離する工程を備えた半導体装置の製造方法において、
前記ダイシングブレードを前記ダイシングテープに切り込ませる状態で切削を行うことにより前記半導体ウェーハを完全に切断した後、
前記ダイシングブレードを回転させながら前記ダイシングブレードと前記半導体ウェーハを、前記切断の工程の切削ラインに沿って逆向きに相対移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウェーハを逆向きに相対移動させる際に、前記ダイシングブレードを、前記ダイシングテープに切り込まない高さに位置させる請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハをダイシングブレードにより切削して、前記半導体ウェーハ中の前記複数の半導体素子を個別に分離することにより作製された半導体装置において、
前記ダイシングブレードにより切断された端面は、前記半導体装置の一方の表面に隣接する第１領域と、他方の表面に隣接する第２領域とが、互いに異なるパターンのソーマークを有し、前記第１領域または前記第２領域の少なくとも一方のソーマークのパターンは、互いに異なる複数種類のパターンのソーマークを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記第１領域及び前記第２領域がいずれも、互いに異なる複数種類のパターンのソーマークを含む請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、特に、半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハを、ダイシングテープによりフラットリングに固定してホイールダイシングするダイシング技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、半導体ウェーハを素子毎に分断する際には、半導体ウェーハをダイシングブレード（以下、ブレードという。）によって切削するダイシング装置が広く使用されている。ダイシング装置は、垂直面内で一方向に回転するブレードを備えており、ブレードを回転させながらウェーハと相対移動させることにより、一条のスクライブラインに沿ってウェーハを一直線に切削する。一条のスクライブラインに沿った切削が完了したら、ブレードをウェーハの切削面から離間した状態で、ウェーハを所定ピッチだけ横方向に相対移動させて、同様の切削工程を行い、この動作が繰り返されることにより、複数本のスクライブラインがブレードによって切削される。
【０００３】
ところで、ブレードによる切削方法には、半導体ウェーハを切削する位置におけるダイシングブレードの回転が下向きであるダウンカット法と、上向きであるアッパカット法とがある。ダウンカット法は、アッパカット法に比べて切削面の状態が良好になるとともに、ウェーハ表面にチッピング（欠けや剥離等）の影響が出難いため、現在ではダウンカット法が主流になっている。
【０００４】
しかしながら、半導体ウェーハをブレードによりダウンカット法によってダイシングする従来のダイシング装置においては、ウェーハの裏面側部分にはウェーハ内部から外部に向かって力が働くため、ウェーハの裏面側部分が欠け易くなるという問題点がある。そのため、特許文献１には、半導体ウェーハの表面側部分はダウンカット法によって切削することにより、半導体ウェーハの厚みの途中まで切断するハーフカットを行い、次に、半導体ウェーハの裏面側部分をアッパカット法で切削することにより、半導体ウェーハを完全に切断する方法が記載されている。この方法によれば、ウェーハの表面側部分はダウンカット法で切削するためチッピングを防止でき、ウェーハの裏面側部分はアッパカット法で切削することでウェーハの外部から内部に向かって力が働くため、欠けを防止できる。
【特許文献１】特開２００１−３４５２８７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体ウェーハをダイシング装置によってダイシングする場合、半導体ウェーハは粘着テープやダイアタッチフィルム等のダイシングテープによりフラットリングに固定されて、ダイシングに供される。その状態で半導体ウェーハをブレードによりダウンカット法によって切削すると、特許文献１で認識されているものとは異なる、次のような問題が発生する。
【０００６】
半導体ウェーハを、ダウンカット法による一度のダイシングにより完全に切断する工程の断面図を図６Ａに示す。１は半導体ウェーハであり、ダイシングテープ２によりフラットリング（半導体ウェーハ保持台）５に固定されている。ブレード３は、半導体ウェーハ１に対する位置が、半導体ウェーハ１を完全に切断する状態に設定されている。従って、ブレード３の周縁部は、下方においてダイシングテープ２まで切り込む状態になっている。
【０００７】
半導体ウェーハ１の送り方向が矢印Ａ２で、ブレード３の回転方向が矢印Ｂ２で示される。矢印Ｃは、ブレード３における、半導体ウェーハ１及びダイシングテープ２に切り込んでいる領域を示す。領域Ｃにおいて、半導体ウェーハ１に対するブレード３の移動方向は下向きであり、従ってダウンカット法による切削が行われる。
【０００８】
この切削工程においては、ダイシングテープ２から発生したテープ屑や半導体ウェーハ１から発生した切削屑からなる屑１１が、切削汚水１０に混じって排出される。そのような屑１１が半導体装置を汚染する原因となる。また、ダウンカット法でフルカットを行った場合、半導体ウェーハ１をブレード３で切削する部分Ｃが発熱してダイシングテープ２を切削するため、ダイシングテープ２の基材や粘着剤が溶け、図６Ｂのようなテープヒゲ１２が発生し易い。このようなバリ状ヒゲ１２が、次工程で不良の原因となり生産歩留りが悪化する。
【０００９】
また、別の観点における問題も発生する。図７は、上述のような切削工程で半導体ウェーハをダイシングブレードにより切断することにより、切断面すなわち半導体装置の端面に残されるソーマーク１３を示している。半導体ウェーハを、ダウンカット法による一度のダイシングにより完全に切断するため、同図に示すように、半導体装置の端面には、ソーマークが一方向に一様に形成されている。このようなソーマークを有する場合、ソーマークに沿った半導体装置クラックが発生しやすくなり、半導体装置の強度が低下する。
【００１０】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングブレード３により切削する際に、切断された半導体装置が、ダイシングテープから発生する屑により汚染されることを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
また、半導体装置の端面に形成されたソーマークに起因する強度低下を抑制可能な構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置の第１の製造方法は、複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハをダイシングテープによりウェーハ保持台に固定し、回転するダイシングブレードと前記半導体ウェーハとを相対的に移動させながら、前記ブレードにより前記半導体ウェーハと前記ダイシングテープとを切削して、前記半導体ウェーハ中の複数の半導体素子を個別に分離する工程を備える。そして、前記半導体ウェーハの表面側領域に対しては、前記半導体ウェーハを切削する位置における前記ダイシングブレードの回転が下向きであるダウンカット法で、前記半導体ウェーハの厚みの途中まで切削を行った後、前記半導体ウェーハの裏面側領域に対して、前記半導体ウェーハを切削する位置における前記ダイシングブレードの回転が上向きであるアッパカット法で切削を行い、前記ダイシングブレードを前記ダイシングテープに切り込ませることにより前記半導体ウェーハを完全に切断し、前記裏面側領域を切削する工程における切り込み量を、前記表面側領域を切削する工程における切り込み量よりも小さく設定することを特徴とする。
【００１３】
本発明の半導体装置の第２の製造方法は、複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハをダイシングテープによりウェーハ保持台に固定し、回転するダイシングブレードと前記半導体ウェーハとを相対的に移動させながら、前記ブレードにより前記半導体ウェーハと前記ダイシングテープとを切削して、前記半導体ウェーハ中の複数の半導体素子を個別に分離する工程を備え、前記ダイシングブレードを前記ダイシングテープに切り込ませる状態で切削を行うことにより前記半導体ウェーハを完全に切断した後、前記ダイシングブレードを回転させながら前記ダイシングブレードと前記半導体ウェーハを、前記切断の工程の切削ラインに沿って逆向きに相対移動させることを特徴とする。
【００１４】
本発明の半導体装置は、複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハをダイシングブレードにより切削して、前記半導体ウェーハ中の前記複数の半導体素子を個別に分離することにより作製され、前記ダイシングブレードにより切断された端面は、前記半導体装置の一方の表面に隣接する第１領域と、他方の表面に隣接する第２領域とが、互いに異なるパターンのソーマークを有し、前記第１領域または前記第２領域の少なくとも一方のソーマークのパターンは、互いに異なる複数種類のパターンのソーマークを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
上記の第１の製造方法によれば、半導体ウェーハを完全に切断する工程はアッパカット法により行うので、排出される屑を半導体ウェーハがブロックして、それらが半導体ウェーハの表面に残留することが防止される。しかも、アッパカット法による切削を、ダウンカット法による切削よりも小さい切り込み量により行ので、アッパカット法による切削時の負荷が軽減され、アッパカット法による切削に起因する半導体ウェーハの表面側でのチッピングの発生が抑制される。
【００１６】
第２の製造方法によれば、半導体ウェーハを完全に切断する工程で、排出される屑が半導体ウェーハの切断面に付着しても、次の戻り動作中に、ダイシングブレードにより除去され、半導体ウェーハの表面に残留することが防止される。
【００１７】
上記構成の半導体装置によれば、半導体装置の厚み方向の２つの領域においてソーマークのパターンが異なることにより、半導体装置の強度が向上する。しかも、少なくとも一方の領域が、複数種類のソーマークを含むことにより、半導体装置の強度が更に向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の半導体装置の第１の製造方法において、２軸のダイシングブレードを有するダイシング装置を使用し、第１軸のダイシングブレードによりダウンカット法で切削を行い、第２軸のダイシングブレードによりアッパカット法で切削を行う構成とすることができる。
【００１９】
また、前記半導体ウェーハの表面側領域を前記ダウンカット法で切削を行い、その後、前記ダイシングブレードの位置を降下させて、同一のラインをアッパカット法で切削を行うことにより前記半導体ウェーハを完全に切断する構成とすることができる。
【００２０】
あるいは、１軸のダイシングブレードを有するダイシング装置を２台使用し、一方のダイシング装置により前記ダウンカット法で切削する工程を行い、他方のダイシング装置により前記アッパカット法で切削する工程を行う構成とすることができる。
【００２１】
本発明の半導体装置の第２の製造方法において、好ましくは、前記半導体ウェーハを逆向きに相対移動させる際に、前記ダイシングブレードを、前記ダイシングテープに切り込まない高さに位置させる。
【００２２】
本発明の半導体装置において、前記第１領域及び前記第２領域がいずれも、互いに異なる複数種類のパターンのソーマークを含む構成とすることができる。
【００２３】
以下、本発明の実施の形態における半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は、実施の形態１における半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。１は複数の半導体素子が造り込まれた半導体ウェーハであり、ダイシングテープ２によりフラットリング（半導体ウェーハ保持台）５に固定されている。ダイシング装置（全体構造は図示を省略）は、第１軸ブレード３及び第２軸ブレード４を有する２軸機である。半導体ウェーハ１の送り方向は、矢印Ａ１で示されるように、右から左へ向かう方向である。
【００２５】
本実施の形態においては、第１軸ブレード３は、半導体ウェーハ１の表面側領域を厚みの途中まで切り込みハーフカットする高さに設定されている。第２軸ブレード４は、半導体ウェーハ１の裏面側領域を完全に切断し、ダイシングテープ２まで切り込む高さに設定されている。
【００２６】
第１軸ブレード３は、半導体ウェーハ１の送り方向Ａ１に対して矢印Ｂ１で示されるように、ダウンカット法で切削する向きに回転する。第２軸ブレード４は、矢印Ｂ２で示されるように、アッパカット法で切削する向きに回転する。半導体ウェーハ１の進行に伴い、まず第１軸ブレード３によりダウンカット法で、半導体ウェーハ１の厚みの途中まで切削を行う。その後、第２軸ブレード４によりアッパカット法で、半導体ウェーハ１を完全に切断するように切削を行う。
【００２７】
この工程によれば、半導体ウェーハ１の表面側領域の切削はダウンカット法により行うので、ウェーハ表面にチッピングが発生し難い。一方、半導体ウェーハ１の裏面側領域の切削はアッパカット法により行うので、半導体ウェーハ１がダイシングテープ２の基材及び粘着剤の巻上げをブロックして、それらが半導体ウェーハ１の表面に残留することが防止される。また、冷却された状態のブレードによりダイシングテープ２を切断するため、バリ状のヒゲの発生が抑えられる。更に、ブレードの半導体ウェーハ１を切削している部分が発熱するが、半導体ウェーハ１を通過した後、すぐに切削水により冷却されることで、ブレードの異常摩耗や途中破損等の不具合を緩和できる。
【００２８】
このダイシング工程において、第２軸ブレード４による裏面側領域の切削工程における半導体ウェーハ１の切り込み量は、第１軸ブレード３による表面側領域の切削工程における切り込み量よりも小さく設定する。すなわち、アッパカット法による切削を、ダウンカット法による切削よりも小さい切り込み量により行う。従って、アッパカット法による切削時の負荷が軽減され、アッパカット法による切削に起因する半導体ウェーハ１の表面側でのチッピングの発生が抑制される。
【００２９】
（実施の形態２）
図２は、実施の形態２における半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１に示した構成要素と同一の要素については、同一の参照符号を付して、説明の繰り返しを省略する。本実施の形態においては実施の形態１と同様に、２軸機のダイシング装置を使用する。第１軸ブレード３と第２軸ブレード４の回転は、いずれも矢印Ｂ１で示されるように同一の向きである。
【００３０】
まず（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１の送り方向を矢印Ａ１で示すように右から左への向きとし、第１軸ブレード３によりダウンカット法で半導体ウェーハ１をハーフカットする。このとき、第２軸ブレード４は、半導体ウェーハ１の上方に位置して切削加工を行わない。
【００３１】
次に（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１の送り方向を矢印Ａ２で示すように反転させる。第１軸ブレード３は、半導体ウェーハ１の上方に位置させて切削加工を行わず、第２軸ブレード４を降下させて、アッパカット法で切削加工を行う。第２軸ブレード４による切削は、半導体ウェーハ１を完全に切断し、ダイシングテープ２まで切り込むように設定する。
【００３２】
このダイシング工程においても、実施の形態１と同様に、第２軸ブレード４によるアッパカット法による切削工程における半導体ウェーハ１の切り込み量は、第１軸ブレード３によるダウンカット法による切削工程における切り込み量よりも小さく設定する。
【００３３】
この製造方法により、図１に示した実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
この製造方法を変形させて、次のように切削工程を構成することもできる。すなわち、第１軸ブレード３によりダウンカット法でハーフカットした後、第２軸ブレード４によりダウンカット法でハーフカットする。次に半導体ウェーハ１の送り方向を反転させ、第２軸ブレード４の高さを下げて、同じラインをアッパカット法で切削を行い、ダイシングテープ２まで切り込んで半導体ウェーハ１をフルカットする。この製造方法によれば、第２軸ブレード４による１回の切削量を小さくすることができるため、ブレード及び半導体ウェーハ１に対する切削負荷が低減され、ブレード摩耗が抑制される。
【００３５】
（実施の形態３）
図３は、実施の形態３における半導体装置の製造方法を示す断面図である。図１に示した構成要素と同一の要素については、同一の参照符号を付して、説明の繰り返しを省略する。本実施の形態においては、上記の実施の形態と異なり、１軸機のダイシング装置を使用する。ブレード３の回転は、矢印Ｂ１で示される向きである。
【００３６】
まず（ａ）に示すように、半導体ウェーハ１の送り方向を矢印Ａ１で示すように右から左への向きとし、ブレード３によりダウンカット法で半導体ウェーハ１をハーフカットする。
【００３７】
次に（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１の送り方向を矢印Ａ２で示すように反転させ、ブレード３の位置を降下させて、アッパカット法で切削加工を行う。このときの切削は、ダイシングテープ２まで切り込み、半導体ウェーハ１を完全に切断するように設定する。
【００３８】
この製造方法により、図１に示した実施の形態１と同様の効果を得ることができる。しかも、高価な２軸機のダイシング装置を使用する必要がないので、安価に半導体装置を製造できる。
【００３９】
この製造方法を変形させて、次のように切削工程を構成することもできる。すなわち、  １軸機のダイシング装置を２台使用する。１台目のダイシング装置により、図３（ａ）に示したように、ダウンカット法でハーフカットした後、２台目のダイシング装置により、図３（ｂ）に示したように、アッパカット法でダイシングテープ２まで切り込み、半導体ウェーハ１を完全に切断する。
【００４０】
この製造方法によれば、以上の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、次のような効果も得られる。すなわち、高価な２軸ダイシング装置を１台使用するよりも、安価な１軸ダイシング装置を２台使用することにより、半導体装置の製造コストを低減することができる。なお、１台目のダイシング装置では半導体ウェーハは個片化されていないため、２台目のダイシング装置に搬送される際の外力などによって、個片化された半導体装置どうしが接触して欠けが発生する等の問題は発生しない。
【００４１】
更に、１台目のダイシング装置に比べて２台目のダイシング装置の切削速度が遅い場合でも、２台目のダイシング装置として複数台のダイシング装置を用いて切削速度を補うことで、１台目のダイシング装置による生産能力とのバランスを取り、生産のリードタイムを短縮することが可能である。
【００４２】
更に本実施の形態における製造方法の変形例として、次のように切削工程を構成することもできる。すなわち、１台目のダイシング装置によりダウンカット法でハーフカットした後、２台目のダイシング装置によりダウンカット法で更にハーフカットの切削を行う。次に２台目のダイシング装置により、ブレードの高さを下げ、半導体ウェーハ１の送り方向を反転させて、同じラインをアッパカット法で切削を行い、ダイシングテープ２まで切り込んで半導体ウェーハ１をフルカットする。
【００４３】
なお、以上の実施の形態の切削工程において、最終切削工程、すなわち、アッパカット法でダイシングテープまで切り込んで半導体ウェーハ１を完全に切断する工程の直前の切削方法は、ダウンカット法、アッパカット法、またステップカットやベベルカットなどの多段カットや、１軸以上のダイシング装置を使用した多軸ダイシング装置によるカット等、どのような切削方法を用いてもよい。
【００４４】
（実施の形態４）
図４Ａ〜４Ｃは、実施の形態４における半導体装置の製造方法を示す。
【００４５】
本実施の形態においては、まず図４Ａに示す工程を行う。図４Ａの（ａ）は切削の進行方向における断面図、（ｂ）は切削の進行方向に直交する方向における断面図、（ｃ）は斜視図である。図４Ａ（ａ）、（ｂ）に示されるように、左から右へ半導体ウェーハ１を進行させながら、ブレード３によりダウンカット法で、ダイシングテープ２まで切り込んで半導体ウェーハ１を完全に切断する。この切削工程では、図４Ａ（ｃ）に示すように、切削動作時にダイシングテープ２から発生したテープ屑および半導体ウェーハ１から発生した切削屑からなる屑６が、半導体ウェーハ１の切断面に付着する。
【００４６】
次に図４Ｂに示す工程を行う。図４Ｂの（ａ）は切削の進行方向における断面図、（ｂ）は切削の進行方向に直交する方向における断面図、（ｃ）は斜視図である。図４Ｂ（ａ）、（ｂ）に示されるように、右から左へ図４Ａとは逆向きに半導体ウェーハ１を進行させて、ブレード３を、ダイシングテープ２の上面高さまで上昇させた位置で回転させながら、切断した同じラインを逆方向に戻す。この戻り動作中にブレード３により、図４Ｂ（ｃ）に示すように、半導体ウェーハ１側面に付着した屑６を除去する。
【００４７】
図４Ａ及び図４Ｂの工程を繰り返して、図４Ｃに示すように切断動作と戻り動作を所定回数行う。
【００４８】
ここで、ブレード３をダイシングテープ２の上面高さまで上昇させるのは、ダイシングテープ２にブレード３が接触しない状態を確実に維持するためである。それにより、ダイシングテープ２の厚みバラツキや、ブレード３の摩耗量バラツキ等、諸条件のバラツキ量を吸収する条件マージンが広がり、高品質の半導体装置をより安定して製造できる。
【００４９】
なお、本実施の形態における、ブレード３の回転方向は、ダウンカット法、及びアッパカット法のいずれを行う方向に設定してもよい。また、図４Ａの工程において、一度に半導体ウェーハ１を完全に切断するのではなく、ステップカットやベベルカットなどの多段カットや、２軸以上のダイシング装置を使用した多軸ダイシング装置による切断を行ってもよい。更に、図４Ｂの工程においても、ブレード３の回転方向は、ダウンカット法、及びアッパカット法のいずれを行う方向に設定してもよい。
【００５０】
以上の実施の形態において使用するダイシングテープ２は、基材が、例えば、ポリオレフィン、ポリエステル等を主成分とする樹脂、または銅、アルミニウム、ステンレス、鉄等の導電性金属である。また接着剤は、例えば、アクリル系、シリコン系、またはフェノール系またはエポキシ系等を主成分とする材料である。
【００５１】
また、ブレードの砥粒は、例えば、ダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、ＧＣ、Ａ、ＷＡ等の材質のものである。また、ボンドは、電着、電鋳等のニッケル等の金属をメッキしたもの、またはフリット、セラミック等を焼結したビトリファイド、またはフェノールレジン等の熱硬化性樹脂を焼結したレジン、または銅、すず等の各種メタルを用い焼結したメタル、等の材質である。
【００５２】
本発明の実施の形態における製造方法に適用される、ダイシング装置と材料の諸条件の例は以下のとおりである。
・ブレード回転数：３，０００〜６０，０００r/min
・半導体ウェーハ送り速度（ダウンカット法）：１０〜２００mm/s
・半導体ウェーハ送り速度（アッパカット法）：１０〜６００mm/s
・半導体ウェーハ切残し量（ダウンカット法）：０〜７００μｍ
・ダイシングテープ切込み量（アッパカット法）：０〜６０μｍ
・ブレード幅（１軸）：２０〜１５０μｍ
・ブレード幅（２軸）：２０〜１５０μｍ
・ダイシングテープ：粘着テープやダイヤタッチフィルムなど
（実施の形態５）
図５は、実施の形態５における半導体装置を示す断面図である。（ａ）及び（ｂ）はいずれも、半導体ウェーハをダイシングブレードにより切断することにより、切断面に残されるソーマークを示している。これらのソーマークは、例えば、上述の図１〜３に示した製造方法により製造された半導体装置の端面に形成される。
【００５３】
図５（ａ）に示す半導体装置１は、その端面における、一方の表面に隣接する第１領域７と、他方の表面に隣接する第２領域８とが、互いに異なるパターンのソーマークを有する。すなわち第１領域７のソーマーク７ａに対して、第２領域８は、ソーマーク８ａ、８ｂを有し、第１領域７のソーマーク７ａとはパターンが異なる。すなわち、第２領域８には、互いにパターンの異なる２種類のソーマーク８ａ、８ｂが含まれている。なお、第２領域８は、ダイシング装置による切削加工時に下側に位置する領域を意味する訳ではない。
【００５４】
このようなソーマークが形成された半導体装置の場合、ソーマークが２つの領域においてパターンが異なることにより、従来例のように全面において同一パターンのソーマークが形成された場合に比べて、半導体装置の強度が向上する。しかも、少なくとも一方の領域が、第２領域８のように複数種類のソーマークを含むことにより、半導体装置１の強度が更に向上する。
【００５５】
図５（ｂ）に示す半導体装置１は、第１領域７及び第２領域８がいずれも、互いにパターンの異なる複数種類のソーマーク７ａ、７ｂ、及びソーマーク８ａ、８ｂを含む。
【００５６】
本実施の形態において、異なるソーマークを有する領域は、第１領域及び第２領域に限らず、より領域数を増加させてもよい。
【００５７】
なお、ソーマークの形状は、ブレードの材質や砥石粒度、半導体装置の材質、ダイシングテープ等の材質や保持力、切り込み量・ブレード数・ブレード回転数・半導体装置送り速度・水量・水温などの諸条件を組合わすことや、コントロールすることによって調整可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明によれば、半導体ウェーハを切断する工程により排出される屑が半導体ウェーハの表面に残留することが防止され、しかも、アッパカット法による切削に起因する半導体ウェーハの表面側でのチッピングの発生が抑制されるので、高品質の半導体装置の生産性向上に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】実施の形態１における半導体装置の製造方法を説明するための断面図
【図２】実施の形態２における半導体装置の製造方法を説明するための断面図
【図３】実施の形態３における半導体装置の製造方法を説明するための断面図
【図４Ａ】実施の形態４における半導体装置の製造方法を示し、（ａ）は切削の進行方向における断面図、（ｂ）は切削の進行方向に直交する方向における断面図、（ｃ）は斜視図
【図４Ｂ】同製造方法における次の工程を示し、（ａ）は切削の進行方向における断面図、（ｂ）は切削の進行方向に直交する方向における断面図、（ｃ）は斜視図
【図４Ｃ】同製造方法における切削を概念的に示す平面図
【図５】実施の形態５における半導体装置を示す断面図
【図６Ａ】従来例の半導体装置の製造方法を説明するための断面図
【図６Ｂ】従来例の半導体装置の製造方法における問題点を説明するための断面図
【図７】従来例の半導体装置の問題点を説明するための断面図
【符号の説明】
【００６０】
１  半導体ウェーハ
２  ダイシングテープ
３  第１軸ブレード
４  第２軸ブレード
５  フラットリング（半導体ウェーハ保持台）
６  屑
７  第１領域
７ａ、７ｂ  ソーマーク
８  第２領域
８ａ、８ｂソーマーク
１０  切削汚水
１１  屑
１２  バリ状ヒゲ
１３  ソーマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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