(57)【要約】【課題】セラミック基板あるいはキャリアに反りやうねりが生じている場合においてもセラミック基板およびキャリアをろう材で確実に接合し、導波管部からの電波の漏れを防ぐことができること。【解決手段】キャリア基板２との接合面に複数のパッド部８が形成され、電波を送受信する半導体電子部品５が搭載された多層セラミック基板１と、半導体電子部品５が送受信する電波を通過させるための導波管孔７を有し多層セラミック基板１を保持するキャリア基板２とを備え、多層セラミック基板１の複数のパッド部８に高温はんだでバンプ１０ａ，１０ｂをそれぞれ形成し、これら複数バンプ１０ａ，１０ｂとキャリア基板２とをバンプ１０ａ，１０ｂよりも溶融温度が低い低温はんだ１１で接合することにより、多層セラミック基板１及びキャリア基板２を接合するようにした高周波回路基板において、バンプ１０ａ，１０ｂを、キャリア基板２の面形状に倣うように高さが異なるよう形成する。【選択図】        図７
2006278943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第２の基板との接合面に複数のパッド部が形成され、電波を送受信する回路が搭載された第１の基板と、前記回路が送受信する電波を通過させるための導波管孔を有し前記第１の基板を保持する第２の基板とを備え、前記第１の基板の複数のパッド部に高温はんだでバンプをそれぞれ形成し、これら複数バンプと第２の基板とを前記バンプよりも溶融温度が低い低温はんだで接合することにより、第１の基板及び第２の基板を接合するようにした高周波回路基板において、
前記バンプを、第２の基板の面形状に倣うように高さが異なるよう形成したことを特徴とする高周波回路基板。
【請求項２】
第２の基板との接合面に複数のパッド部が形成され、電波を送受信する回路が搭載された第１の基板と、前記回路が送受信する電波を通過させるための導波管孔を有し前記第１の基板を保持する第２の基板とを備え、前記第１の基板の複数のパッド部に高温はんだでバンプをそれぞれ形成し、これら複数バンプと第２の基板とを前記バンプよりも溶融温度が低い低温はんだで接合することにより、第１の基板及び第２の基板を接合するようにした高周波回路基板において、
前記導波管孔に対向する部位にある導波管開口の周囲のパッド部上に形成するバンプの高さを、前記導波管開口の周囲のパッド部以外のパッド部上に形成するバンプの高さよりも高く形成したことを特徴とする高周波回路基板。
【請求項３】
前記第２の基板は上凸形状であり、前記第１の基板は下凸形状であることを特徴とする請求項２に記載の高周波回路基板。
【請求項４】
電波を送受信する回路が搭載された第１の基板と、前記回路が送受信する電波を通過させるための導波管孔を有し前記第１の基板を保持する第２の基板とを備え、前記第１の基板および第２の基板をろう材で接合するようにした高周波回路基板において、
前記第２の基板における少なくとも導波管孔の近傍に、前記第１の基板を支えるためのスペーサを設けるようにしたことを特徴とする高周波回路基板。
【請求項５】
前記スペーサは、導波管孔の近傍における第１の基板の極点に近い側に形成されることを特徴とする請求項４に記載の高周波回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電波を送受信する回路が搭載されたセラミック基板と、該セラミック基板が送受信する電波を通過させるための導波管孔を有し前記セラミック基板を保持するキャリアとを備える高周波回路基板に関し、更に詳しくはセラミック基板とキャリアとの接合構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーダなどの高周波回路には、電波を送受信する回路が搭載されたセラミック基板と、該セラミック基板が送受信する電波を通過させるための導波管孔を有し該セラミック基板を保持するキャリアとから構成される高周波回路基板が用いられることが多い。これらセラミック基板とキャリアとは、従来、ろう材としての板状はんだによって接合されていたが、板状はんだの場合は、板状はんだが溶融、硬化される際に、空気が閉じこめられたボイドが形成されて、導波管部のアイソレーションが確保できないことが多いという問題がある。
【０００３】
このような問題を解決するために、特許文献１においては、セラミック基板の裏面、すなわちキャリアとの接合面に格子状に配列された複数のパッド部を設け、さらにこれら複数のパッド部に高温はんだで形成した一定高さのバンプを設けてキャリアと所定の間隔を得るためのスペーサとするとともに、キャリア側には低温はんだを供給し、低温はんだが溶融し高温はんだが溶融しない温度で加熱することで、セラミック基板およびキャリアを接合するようにしている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−６８９３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
セラミック基板の面状態は一般に平坦ではないが、ＩＣを搭載するための凹み（キャビティ）をセラミック基板の表面に形成する場合には、セラミック基板の厚みの変化により焼成状態が不均一となるために、キャリアとの接合面にはより顕著な反りやうねりが生じることが多い。また、キャリアについても、プレス加工によって安価に形成する場合には、部品に反りが生じる。このように、反りがある部品同士をはんだ付けで接合する場合には、特許文献１のように一定高さのバンプを設けるようにしていたのでは、隙間が大きい箇所においてはんだ量が不足するために、はんだフィレット幅の細過ぎや、フィレットが繋がっていない等の欠陥が生じ、これらの欠陥が導波管の周囲に生じた場合には、欠陥部から電波が漏れて、通過損失の増加や、隣接する他のポートへの漏れ込みによりアイソレーション特性が劣化するなどの問題が生じる。このように、セラミック基板およびキャリア間の隙間管理は、正常なフィレット形状を得る上で、非常に重要である。なお、セラミック基板やキャリアの反りを修正する方法として、表面を研磨する方法もあるが、部品のコストアップに繋がるため、有効とはいえない。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、セラミック基板あるいはキャリアに反りやうねりが生じている場合においてもセラミック基板およびキャリアをろう材で確実に接合し、導波管部からの電波の漏れを防ぐことができる高周波回路基板を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、第２の基板との接合面に複数のパッド部が形成され、電波を送受信する回路が搭載された第１の基板と、前記回路が送受信する電波を通過させるための導波管孔を有し前記第１の基板を保持する第２の基板とを備え、前記第１の基板の複数のパッド部に高温はんだでバンプをそれぞれ形成し、これら複数バンプと第２の基板とを前記バンプよりも溶融温度が低い低温はんだで接合することにより、第１の基板及び第２の基板を接合するようにした高周波回路基板において、前記バンプを、第２の基板の面形状に倣うように高さが異なるよう形成したことを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、各バンプの高さが、第２の基板の面形状に倣うように形成される。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、第１の基板に形成されるバンプの高さを第１の基板の面形状に倣うように異ならせているので、第１あるいは第２の基板に反りやうねりがある場合でも、ろう材としての低温はんだを安定的に接合することが可能となり、はんだ不足やはんだ過剰によるフィレットの形状異常を防ぐことが可能となる。これにより、導波管周囲の接合状態も安定させることが可能となり、電波の漏れを防止することができ、通過特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる高周波回路基板およびその製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１１】
実施の形態１．
図１〜図６にしたがってこの発明の実施の形態１について説明する。図１は、多層セラミック基板１およびキャリア基板２によって構成される高周波回路基板を示すものであり、図２は、多層セラミック基板１の一部を省略した状態の高周波回路基板を示すものであり、図３は、多層セラミック基板１の表面側を示すものであり、図４は、多層セラミック基板１の裏面側を示すものであり、図５は、キャリア基板２を示すものである。
【００１２】
図１〜図３に示すように、多層セラミック基板（特許請求の範囲で云うところの第１の基板）１の表面側の中央部には、半導体実装エリアとしての凹部であるＩＣ搭載凹部（キャビティ）４が形成されており、このＩＣ搭載凹部４に、電波を送受信する回路などを含む半導体電子部品５が搭載されている。電子部品５間および電子部品５−多層セラミック基板１間は、配線ワイヤ６によって接続されている。
【００１３】
一方、多層セラミック基板１の裏面側には、図４に示すように、はんだ濡れ性の良い材料で形成された複数のパッド部８が格子状に配列されている。これらパッド部８上には、多層セラミック基板１とキャリア基板２との距離を確保するために、高温はんだによるバンプが形成される。このような格子状のパッド部８を採用した場合、バンプ形成時に、パッド部８間の溝にフラックスなどの不純物が流出するという利点がある。また、多層セラミック基板１の裏面側において、キャリア基板２に形成された導波管孔７に対向する部位には、多層セラミック基板１に形成された誘電体導波管の入出力部として機能する導波管開口部９が形成されている。導波管開口部９においては、セラミック面が露出されており、その周囲に、他の部分よりも小さな面積として形成された複数のパッド部８ａが配置されている。
【００１４】
キャリア基板２（特許請求の範囲で云うところの第２の基板）は、金属で構成されており、図２、図５に示すように、多層セラミック基板１を支持する。キャリア基板２には、複数の導波管孔７が形成されている。この場合、キャリア基板２の四隅には、キャリア基板２を図示しない別部品に固定するためのネジ孔２０が形成されている。
【００１５】
図６は、多層セラミック基板１およびキャリア基板２をろう材としてのはんだで接合したときの断面を示すものである。この場合は、多層セラミック基板１には上凸状の反りが、キャリア基板２には、下凸状の反りが発生している。実施の形態１においては、各パッド部８，８ａ上に高温はんだによって形成するバンプ１０ａ，１０ｂがキャリア基板２の面形状に倣うように、別言すれば多層セラミック基板１とキャリア基板２の隙間が大きい箇所ではバンプ高さが高くなるように、該隙間が小さい箇所ではバンプ高さが低くなるように、各バンプ１０ａ，１０ｂの高さを異ならせている。図６においては、１０ａは高さが高めのバンプを示しており、１０ｂは高さが低めのバンプを示している。そして、これら高さが異なるバンプ１０ａ，１０ｂとキャリア基板２とをバンプ１０ａ，１０ｂよりも溶融温度が低い低温はんだ１１で接合することにより、多層セラミック基板１とキャリア基板２を接合している。
【００１６】
このような高周波回路基板を製造するに当たっては、まず、多層セラミック基板１のキャリア基板２との接合面に、図４に示すような、格子状のパッド部８，８ａを形成し、これらパッド部８，８ａに高温はんだによって高さの異なるバンプ１０ａ，１０ｂを形成する。多層セラミック基板１とキャリア基板２を接合した際に、両部品間の隙間の変化を予め確認しておき、隙間に応じてバンプ高さを異ならせることで、各バンプ高さがキャリア基板２の面形状に倣うようにする。
【００１７】
多層セラミック基板１の反りやうねりの状態は、ＩＣ搭載凹部４の形状や焼成条件によって変化するが、製品によっては形状や条件の確定後は概ね同一の傾向が得られることがある。また、キャリア基板２においても、反りの方向を板金加工などによって故意に統一させることによって、両部品の隙間が最大となる位置や隙間量を定量化することが可能である。
【００１８】
高さの異なるバンプは、多層セラミック基板１の格子状のパッド部８，８ａ毎に、はんだの供給量を増減することで、形成することができる。はんだをスクリーン印刷等で供給する場合には、はんだの供給厚みは印刷マスク（ステンシル）の厚さに依存するため、場所毎に可変することはできないが、印刷マスクの開口部を多層セラミック基板１の格子状のパッド部８，８ａのパターンに合わせて配置し、各パッド部８，８ａに対する印刷マスクの開口面積を可変することで、はんだ供給量を増減させることができる。また、はんだをディスペンサーで供給する場合には、各パッド部８，８ａ毎に、ディスペンサーのはんだ吐出量を増減することで、任意の箇所におけるバンプ高さを変化させることができる。すなわち、はんだの供給量が多い箇所ほど、バンプ高さは高くなる。
【００１９】
このようにして、多層セラミック基板１に高さの異なるバンプが形成されると、キャリア基板２における多層セラミック基板１のパッド部８，８ａに対応する部位に、低温はんだ１１を供給する。キャリア基板２側への低温はんだの供給は、例えば通常のスクリーン印刷によって行う。したがって、低温はんだ１１の厚さは一定となる。
【００２０】
つぎに、多層セラミック基板１をキャリア基板２上に位置決めした後、全体をバンプの溶融温度よりも低く低温はんだの溶融温度よりも高い温度で加熱して、低温はんだを溶融させて、バンプ及びキャリア基板２を接合するはんだ接合部としてのはんだフィレットを形成する。
【００２１】
このようにこの実施の形態１においては、多層セラミック基板１側のはんだバンプ１０ａ，１０ｂの高さをキャリア基板２の面形状に倣うように異ならせているので、セラミック基板やキャリアに反りやうねりがある場合でも、ろう材としての低温はんだを安定的に接合することが可能となり、はんだ不足やはんだ過剰によるフィレットの形状異常を防ぐことが可能となる。そして、電波の送受信機能を有したセラミック基板や導波管付きキャリア基板を接合する構成においては、特性に影響を及ぼす導波管周囲の接合状態も安定させることが可能であり、電波の漏れを防止することができ、通過特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【００２２】
実施の形態２．
図７を用いてこの発明の実施の形態２について説明する。この実施の形態２においては、キャリア基板２に形成された導波管孔７と対向する位置に形成された導波管開口部９の周囲のパッド部８ａ（図４参照）上に高温はんだによって形成するバンプの高さを、それ以外のパッド部上に形成するバンプの高さよりも高く形成するようにしている。
【００２３】
このように実施の形態２においては、導波管開口部９の周囲のパッド部８ａ上に形成するバンプの高さを、それ以外のパッド部上に形成するバンプの高さよりも高く形成するようにしているので、導波管開口部９の周囲が常にキャリア基板２と接触する状態を得ることができ、低温はんだによるキャリア基板２との接合において、導波管開口部９の周囲のはんだ接合状態を安定させることが可能となる。したがって、導波管部からの電波の漏れを防止することができ、導波管部の通過特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【００２４】
因みに、特許文献１に示された従来技術においては、図８に示すように、高温はんだによるバンプ１０の高さを一定に形成するようにしていたので、図９に示すように、多層セラミック基板１やキャリア基板２に反りやうねりがある場合、隙間が大きい箇所においてはんだ量が不足するために、はんだフィレット幅の細過ぎや、フィレットが繋がっていない等の欠陥が生じ、これらの欠陥が導波管の周囲に生じた場合には、欠陥部から電波が漏れて、通過損失の増加や、アイソレーション特性が劣化するなどの問題が生じていた。
【００２５】
実施の形態３．
つぎに、図１０〜図１２を用いてこの発明の実施の形態３について説明する。図１０は、多層セラミック基板１およびキャリア基板３によって構成される高周波回路基板を示すものであり、多層セラミック基板１の一部は省略されている。図１１は、キャリア基板３を示すものであり、図１２は、多層セラミック基板１およびキャリア基板３をろう材としてのはんだで接合したときの断面を示すものである。図１０〜図１２において、先の実施の形態のものと同一機能を有する構成要素については同一符号を付しており、重複する説明は省略する。
【００２６】
この実施の形態３においては、先の実施の形態のように、二種類（高温はんだ及び低温はんだ）のはんだを使用するのではなく、一種類のはんだ１２のみを使用する。また、キャリア基板３における少なくとも導波管孔７の近傍に、多層セラミック基板１を支えるための突起であるスペーサ１３を設けるようにしている。
【００２７】
スペーサ１３は、先の実施の形態１，２で用いたバンプとは異なり、配設位置を最適にする必要がある。導波管部におけるはんだの状態を安定化させるためには、導波管孔７の位置における多層セラミック基板１とキャリア基板２間のギャップを一定にすることが効果的であるため、スペーサ１３は導波管の位置に形成することが理想的であるが、現実には以下の制約があるために、導波管孔７から離れた位置に配置することになる。
・導波管孔７上にスペーサを配置することはできない。
・電磁波漏れを防ぐため導波管孔７の周囲ははんだで覆わなければならないため、導波管孔７に隣接する箇所にもスペーサは配置できない。
・製品によっては、はんだの外周にチョーク構造が必要となる場合もあり、その領域においてもスペーサ１３を配置することができない。
【００２８】
このようにスペーサ方式では、ギャップばらつきを抑制したい導波管部の位置と、スペーサ１３の位置が離れてしまうという問題がある。実施の形態３では、多層セラミック基板１の反りがばらついても、導波管位置のギャップばらつきを抑制することで、導波管孔７の周囲のはんだ接合状態を安定させることが可能なスペーサ配置を選ぶようにしている。
【００２９】
そこで、本実施の形態３においては、スペーサ１３は、図１０，図１１に示すように、導波管孔７の周囲であって、かつ多層セラミック基板１の反り形状の極点（極大点あるいは極小点）に近い側に設けるようにしている。図１２に示す高周波回路基板においては、多層セラミック基板１は上凸形状でありその極大点はほぼ中央部にある。したがって、この場合は、導波管孔７の周囲における中央部寄りにスペーサ１３を設けるようにしている。
【００３０】
つぎに、図１３〜図１６を用いて、スペーサ１３を導波管孔７から極点に遠い側ではなく近い側に配置したほうが有利であることを証明する。図１３および図１４は多層セラミック基板１の１／２モデルであり、平面形状についての２つの状態を示すものである。図１３および図１４において、図示していないキャリア基板２は横軸ｘと平行な直線である。以下では簡単のためキャリア基板２=反り0mmと仮定して、多層セラミック基板１の反り量が変化した場合について説明している。平面度Ｐの規格を0≦Ｐ≦Ｐ0とした場合において、図１３は平面度Ｐ=０mm(理想的な平面状態)の多層セラミック基板１を示すものであり、図１４は平面度Ｐ=Ｐ0mm（規格内最大反り状態）を示すものである。縦軸ｙは、多層セラミック基板１の高さを示し、横軸ｘは多層セラミック基板１の中心部（原点）からの水平方向距離を示すものである。図１４においては、説明しやすいように便宜的に反り形状を円弧近似した時の曲率半径の中心を原点にしている。よって、反り形状の極点（この場合極大点）は、ｘ＝０の縦軸(ｙ軸)上にある。
【００３１】
横軸上のＸWGは導波管孔７が配設される位置、ＸinはＸWGから中心側に所定距離δだけ離れた位置、ＸoutはＸWGから外側側に所定距離δだけ離れた位置を示している。Ｇinは位置Ｘinにスペーサ１３を配置した場合における、位置Ｘinでの多層セラミック基板１の高さ位置と、導波管孔７の位置ＸWGでの多層セラミック基板１の高さ位置との差を示す値である。また、Ｇoutは位置Ｘoutにスペーサ１３を配置した場合における、位置Ｘoutでの多層セラミック基板１の高さ位置と、導波管孔７の位置ＸWGでの多層セラミック基板１の高さ位置との差を示す値である。Ｐ0は、極大点から多層セラミック基板１の端部までの高さ距離であり、Ｌは極大点から導波管孔７の位置ＸWGまでの距離である。
【００３２】
したがって、ＧinおよびＧoutのうちの値の小さい方が、平面度ばらつきに対して導波管孔７の位置ＸWGでの高さばらつきが小さいと言える。このため、Ｇin＜Ｇoutを証明することができれば、スペーサ１３を導波管孔７から極点に遠い側ではなく近い側に配置したほうが有利であることを証明することができる。
【００３３】
ＧinおよびＧoutの大小は、図１５に示すように、点Ｘinと点ＸWGとの中間点での傾きｑinと点Ｘoutと点ＸWGとの中間点での傾きｑoutの大小と等価である。傾きｑin，ｑoutとは、各点での多層セラミック基板１の形状曲線に対する接線である。図１５が正確に描けていれば、ｑin＜ｑoutは明らかであるが、図示が正しいことを式で説明する。
【００３４】
基板の反りを円弧近似して説明する。曲率半径をＲとすると、基板の反りは、
ｘ2＋ｙ2＝Ｒ2
である。これをｙについて解くと、
ｙ＝√（Ｒ2−ｘ2）              …（１）
となる。上式の両辺をｘで微分すると
ｙ´＝(1/2)*（1/√（Ｒ2−ｘ2））*(-2ｘ)
＝-ｘ/√（Ｒ2−ｘ2）        …（２）
となる。
【００３５】
Ｒ＝１として、式（２）をグラフ化すると図１６のようになる。ｙ´は多層セラミック基板１の各点での接線の傾きであるが、この図１６によれば、極大点(この場合はｘ＝０)から遠ざかるにつれてｙ´が大きくなることが確認できる。すなわち、ｑin＜ｑoutであり、したがって、Ｇin＜Ｇoutである。
【００３６】
ここで具体的な数値で検証する。例えば、反り規定の最大値Ｐ0＝0.2mm，多層セラミック基板１のｘ方向の全幅Ｗ＝20mm，基板１の中心から導波管孔７までの距離Ｌ＝7mm，スペーサ１３と導波管孔７との距離δ＝2mmとした場合、Ｇin＝0.048mmとなり、Ｇout＝0.064mmとなる。すなわち、基板１の平面度Pが0≦P≦0.2mmの範囲でばらつくとき、導波管孔７の位置ＸWGの近傍のギャップ寸法は、極点に近い側にスペーサ１３を配置した方が、遠い側に配置する場合よりも30%ばらつきが小さくなる。このように、スペーサ１３を導波管孔７から極点に近い側に配置した場合は、スペーサ１３を導波管孔７から極点に遠い側に配置した場合に比べ、基板の反りが規格値以下でばらついた場合でも、導波管孔７の位置ＸWGの近傍のギャップ寸法のばらつきを抑制することができる。
【００３７】
ところで、多層セラミック基板１の外周部側には、焼成時に反りが発生することが多い。このため、スペーサ１３を導波管孔７の周囲における外側ではなく内側（中央部側）に設けると、これら反りに影響されることなく、多層セラミック基板１およびキャリア基板３間の隙間を常に一定に確保することができる。
【００３８】
実施の形態３において、両部品を接合するためのはんだ１２は、多層セラミック基板１側に供給するようにしてもよいが、スペーサ１３が形成されたキャリア基板３側に供給するようにしてもよい。キャリア基板３側に供給する場合、スペーサ１３の突起高さよりも厚い印刷マスクを用いる場合には、印刷マスクにおけるスペーサ１３が干渉する部位に開口を設けることで、スペーサ１３がない場合と同様に印刷でのはんだ供給が可能となる。
【００３９】
このように実施の形態３によれば、導波管孔７の近傍にスペーサ１３を形成するようにしているので、導波管孔７の近傍における多層セラミック基板１およびキャリア基板３間の隙間を常に一定に確保することができ、これにより導波管孔周囲のはんだ接合状態を安定化させることができ、導波管の近傍部におけるはんだ不足によるフィレット幅の細すぎ、はんだ過剰によるフィレットの導波管孔７への落ち込みなどのフィレット形状異常を防ぐことが可能となる。したがって、導波管部からの電波の漏れを防止することができ、通過特性、アイソレーション特性を向上させることができる。
【００４０】
因みに、スペーサ１３を、両部品の外周に近い位置に形成した場合は、図１７に示すように、導波管孔７の近傍箇所において両部品間の隙間が大きい場合は、はんだの不足に伴うフィレット形状の欠陥が生じたり、図１８に示すように、導波管孔７の近傍箇所において両部品間の隙間が大きい場合は、はんだ量が過多となり余剰はんだが導波管孔に溢れ出りして、通過損失が増加したり、アイソレーション特性が悪化したりする問題がある。
【００４１】
また、実施の形態３においては、一種類のはんだを使用するために、実施の形態１，２の手法では制約となっていた、はんだ溶融温度の上限を解消でき、鉛フリーはんだの選定や加熱温度の管理が容易となる。すなわち、高温はんだでバンプを形成する構造においては、低温はんだを溶融する際の加熱温度を両はんだの融点温度の範囲内で制御する必要があるため、温度制御を容易化するには、両はんだの溶融温度差が大きくなるはんだの組合わせが必要となる。環境保護対応として最近では鉛フリーはんだを選定する必要性が高まっているが、鉛入りはんだの場合には溶融温度の異なる多数のはんだが存在するため、温度範囲の広い組合わせを容易に選定できるが、鉛フリーはんだでは溶融温度の異なるはんだの種類が少ないために、鉛入りはんだよりも溶融温度差が狭くなることから、加熱温度のバラツキによって、高温はんだの溶け出しや低温はんだが未溶融となる問題が生じ易く、厳しい温度管理が必要とされるのである。
【００４２】
なお、実施の形態３においては、スペーサ１３をキャリア基板３と一体的に設けるようにしたが、例えば、ボンディング用ワイヤ等の別部品としてのスペーサを、多層セラミック基板１またはキャリア基板３に取り付けるようにしてもよい。また、下凸形状のキャリア基板２，３を採用した場合、キャリア基板２，３を四方のネジ孔２０を介して下側のアンテナ基板等の別部品にねじ固定する際に、中央部に位置する導波管孔７が下の別部品に確実に接触されるという利点がある。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
以上のように、本発明にかかる高周波回路基板は、高周波を通過させる導波管が形成されたキャリア基板および高周波を送受信する回路が搭載された多層セラミック基板から構成される高周波回路基板に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】高周波回路基板の外観構成を示す斜視図である。
【図２】多層セラミック基板の一部を省略した状態の高周波回路基板の外観構成を示す斜視図である。
【図３】多層セラミック基板の表面側の外観構成を示す斜視図である。
【図４】多層セラミック基板の裏面側の外観構成を示す斜視図である。
【図５】キャリア基板の外観構成を示す斜視図である。
【図６】実施の形態１の高周波回路基板における多層セラミック基板とキャリア基板との接合構造を示す断面図である。
【図７】実施の形態２の高周波回路基板における多層セラミック基板とキャリア基板との接合構造を示す断面図である。
【図８】従来技術を示す断面図である。
【図９】従来技術を示す断面図である。
【図１０】実施の形態３の高周波回路基板の外観構成を示す斜視図である。
【図１１】実施の形態３の高周波回路基板に用いるキャリア基板の外観構成を示す斜視図である。
【図１２】実施の形態３の高周波回路基板における多層セラミック基板とキャリア基板との接合構造を示す断面図である。
【図１３】理想的な平面状態における多層セラミック基板の位置とギャップとの関係を示す図である。
【図１４】規格内最大反り状態における多層セラミック基板の位置とギャップとの関係を示す図である。
【図１５】導波管部内側および外側での基板の傾きを示す図である。
【図１６】基板の傾きと水平位置との関係を示す図である。
【図１７】スペーサを外周部に配置した接合構造を示す断面図である。
【図１８】スペーサを外周部に配置した接合構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  多層セラミック基板
２  キャリア基板
３  キャリア基板
４  ＩＣ搭載凹部
５  半導体電子部品
６  配線ワイヤ
７  導波管孔
８，８ａ  パッド部
９  導波管開口部
１０，１０ａ，１０ｂ  バンプ
１１  低温はんだ
１２  はんだ
１３  スペーサ
２０  ネジ孔
【図１】
2006278943.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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