(57)【要約】【課題】人体に無害で、環境にやさしい接合材を用いたパッケージであって、外部接続端子や接合材に不具合を発生させない気密信頼性の高い安価なセラミックパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】セラミック基体１１の一方の主面をキャビティ部１４の底面とし、底面の周囲を囲うような形状で溝１６を有し、セラミック基体１１と、セラミック基体１１と同材料からなるセラミック枠体１２との間に、外部接続端子１３がキャビティ部１４側で一方の先端部上面を露出するようにして接合材１５、１５ａを介して接合されるセラミックパッケージ１０であって、接合材１５、１５ａがＶ２Ｏ５系無鉛ガラス、又はエポキシ樹脂からなる。【選択図】図１
2006013281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体の一方の主面をキャビティ部の底面とし、該底面の周囲を囲うような形状で溝を有し、前記セラミック基体と、該セラミック基体と同材料からなるセラミック枠体との間に、外部接続端子が前記キャビティ部側で一方の先端部上面を露出するようにして接合材を介して接合されるセラミックパッケージであって、
前記接合材がＶ２Ｏ５系無鉛ガラス、又はエポキシ樹脂からなることを特徴とするセラミックパッケージ。
【請求項２】
請求項１記載のセラミックパッケージにおいて、前記外部接続端子の表面にＮｉめっき被膜が施された後、シンター処理が行われた表面にＡｕめっき被膜が施されていることを特徴とするセラミックパッケージ。
【請求項３】
セラミック基体と、該セラミック基体と同材料からなるセラミック枠体との間に外部接続端子をそれぞれ接合材で接合して形成するセラミックパッケージの製造方法において、
前記外部接続端子を形成するためのリードフレームがリード端子部及び該リード端子部を支持するタイバー部からなり、前記リードフレームの前記接合材での接合前の表面にＮｉめっき被膜を形成した後、シンター処理を施し、更にＡｕめっき被膜を施す工程と、
前記接合材がＶ２Ｏ５系無鉛ガラスからなり、前記接合材を前記セラミック基体及び前記セラミック枠体のそれぞれの一方の主面に展着し、焼成して固着する工程と、
前記セラミック基体に固着した前記接合材上に前記リードフレームを当接し、該リードフレーム上に前記リード端子部の一方の先端部の上面側が前記セラミック枠体の開口部から露出するように前記セラミック枠体に固着した前記接合材を介して前記セラミック枠体を当接し、窒素雰囲気中で焼成してそれぞれの前記接合材を再溶融し、前記セラミック基体、前記リードフレーム、及び前記セラミック枠体を接合する工程と、
前記リードフレームの前記タイバー部を切断して除去し、前記セラミック基体、前記外部接続端子、及び前記セラミック枠体の接合体を形成する工程を有することを特徴とするセラミックパッケージの製造方法。
【請求項４】
セラミック基体と、該セラミック基体と同材料からなるセラミック枠体との間に外部接続端子をそれぞれ接合材で接合して形成するセラミックパッケージの製造方法において、
前記外部接続端子を形成するためのリードフレームがリード端子部及び該リード端子部を支持するタイバー部からなり、前記リードフレームの前記接合材での接合前の表面にＮｉめっき被膜を形成した後、シンター処理を施し、更にＡｕめっき被膜を施す工程と、
前記接合材がエポキシ樹脂からなり、前記接合材を前記セラミック基体及び前記セラミック枠体のそれぞれの一方の主面に展着する工程と、
前記セラミック基体に展着した前記接合材上に前記リードフレームを当接し、該リードフレーム上に前記リード端子部の一方の先端部の上面側が前記セラミック枠体の開口部から露出するように前記セラミック枠体に固着した前記接合材を介して前記セラミック枠体を当接し、大気雰囲気、又は窒素雰囲気中で加熱してそれぞれの前記接合材を硬化し、前記セラミック基体、前記リードフレーム、及び前記セラミック枠体を接合する工程と、
前記リードフレームの前記タイバー部を切断して除去し、前記セラミック基体、前記外部接続端子、及び前記セラミック枠体の接合体を形成する工程を有することを特徴とするセラミックパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン単結晶を用いたＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型や、ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｉｌｉｃｏｎ）型の撮像デバイス用等の電子部品素子を搭載するためのセラミックパッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤ型や、ＭＯＳ型の撮像デバイス用等の電子部品素子を収納するためのセラミックパッケージは、電子部品素子を搭載させた装置、例えば、デジタルカメラや、デジタルビデオカメラや、デジタルカメラ付き携帯電話等の小型化、高信頼性化、低価格化等の要求に伴い、ますますその対応が急務となっている。これに対応するために、パッケージには、気密信頼性の高いセラミック製からなるセラミック基材が用いられ、セラミック基材に取り付けられる他の部材との接合に接合信頼性を向上させることができるガラスを用いたセラミックパッケージが開発されている。
【０００３】
図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、代表的な従来のセラミックパッケージ５０は、セラミック基体５１の一方の主面の外周部に、パッケージの内側と外側に露出するようにして内側で電子部品素子と電気的に導通させ、外側で外部と電気的に導通することができるようにするための金属製の外部接続端子５２をガラス等の接合材５３で接合し、更に、必要に応じて、その上に額縁状のセラミック枠体５４をガラス等の接合材５３で接合して作製されている。そして、このセラミックパッケージ５０は、パッケージの中央部に、電子部品素子を搭載させるためのキャビティ部５５を備えるように形成されている。このセラミックパッケージ５０を構成するセラミック基体５１や、セラミック枠体５４は、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミック粉末にバインダー等を混合して形成される造粒粉末をプレス型で成形し、高温で焼成して焼成体にして作製している。また、外部接続端子５２は、セラミックと熱膨張係数が近似する金属板からなり、エッチングや、パンチング等でリードフレーム状に作製している。更に、セラミック基体５１やセラミック枠体５４と、外部接続端子５２を接合する接合材５３は、通常、低融点で、高い溶解性を有する酸化鉛（ＰｂＯ）を含有する粉末状の、例えば、ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系の鉛ガラスが用いられている。
【０００４】
従来のセラミックパッケージ５０の製造方法は、セラミック基体５１に接合材を展着させた後、外部接続端子５２を載置し、接合材を溶融させてセラミック基体５１に外部接続端子５２を接合している。また、必要に応じては、セラミック基体５１とセラミック枠体５４に接合材を展着させた後、間に外部接続端子５２を挟み込んで接合材を溶融させてセラミック基体５１、外部接続端子５２、及びセラミック枠体５４からなる接合体を形成している。鉛ガラスは、低融点であるので、接合するための溶融温度が低く、外部接続端子５２を気密信頼性を高くして容易に接合することができる。また、組立後の外部接続端子５２のめっき被膜形成工程においても、鉛ガラスが耐水性及び耐酸性に優れているので、ガラスの劣化や気密信頼性の問題を発生させることがない。
【０００５】
しかしながら、鉛は、人体に対して有害であると共に、鉛ガラスを使用した電子装置の廃棄物から染み出した鉛が土壌汚染や、地下汚染を引き起こし環境問題にもなっているので、鉛ガラス代替えの対策が急務となっている。そこで、最近は、電子部品素子を収納するセラミックパッケージを組み立てるための接合材にも、組立体のそれぞれ部材の性質に合わせて接合が可能なように、さまざまな無鉛ガラスの開発がなされている。
【０００６】
無鉛ガラスを用いたセラミックパッケージには、電子部品素子をセラミック基体のキャビティ部に収納した後に、蓋体でキャビティ部を気密に封止するための接合材として無鉛ガラスを用いるものが提案させている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−３０８２１３号公報
【特許文献２】特開２００３−１９２３７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述したような従来のセラミックパッケージ及びその製造方法は、次のような問題がある。
（１）従来の無鉛ガラスは、通常、接合するための溶融温度が高く、例えば、Ｓｎ−Ｐ２Ｏ５系、Ｂｉ系等の無鉛ガラスを用いる場合には、溶融温度が５００℃近くの高温となるので、接合材をセラミック基体と外部接続端子を接合するために用いるには、たとえ外部接続端子にＮｉめっき被膜、シンター処理、及びＡｕめっき被膜を形成したとしても、外部接続端子が変色したり、電子部品素子とのワイヤボンドにおいて外部接続端子にボンディングワイヤの不着が発生している。また、例えば、Ｓｎ−Ｐ２Ｏ５系、Ｂｉ系等の無鉛ガラスを窒素雰囲気中で溶融する場合は、ガラスの濡れ性が悪く、接合不足が発生して組立不可能となっている。
（２）従来の無鉛ガラスは、耐水性、及び耐酸性が低ので、キャビティ部に電子部品素子が実装され蓋体で気密に封止された後に、例えば、外部接続端子にめっき被膜の一例であるＳｎめっき被膜等を形成するめっき処理において、ガラスの劣化や、気密信頼性の低下が発生している。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、人体に無害で、環境にやさしい接合材を用いたパッケージであって、外部接続端子や接合材に不具合を発生させない気密信頼性の高い安価なセラミックパッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係るセラミックパッケージは、セラミック基体の一方の主面をキャビティ部の底面とし、底面の周囲を囲うような形状で溝を有し、セラミック基体と、セラミック基体と同材料からなるセラミック枠体との間に、外部接続端子がキャビティ部側で一方の先端部上面を露出するようにして接合材を介して接合されるセラミックパッケージであって、接合材がＶ２Ｏ５系無鉛ガラス、又はエポキシ樹脂からなる。
ここで、セラミックパッケージは、外部接続端子の表面にＮｉめっき被膜が施された後、シンター処理が行われた表面にＡｕめっき被膜が施されているのがよい。
【０００９】
前記目的に沿う本発明に係るセラミックパッケージの製造方法は、セラミック基体と、セラミック基体と同材料からなるセラミック枠体との間に外部接続端子をそれぞれ接合材で接合して形成するセラミックパッケージの製造方法において、外部接続端子を形成するためのリードフレームがリード端子部及びリード端子部を支持するタイバー部からなり、リードフレームの接合材での接合前の表面にＮｉめっき被膜を形成した後、シンター処理を施し、更にＡｕめっき被膜を施す工程と、接合材がＶ２Ｏ５系無鉛ガラスからなり、接合材をセラミック基体及びセラミック枠体のそれぞれの一方の主面に展着し、焼成して固着する工程と、セラミック基体に固着した接合材上にリードフレームを当接し、リードフレーム上にリード端子部の一方の先端部の上面側がセラミック枠体の開口部から露出するようにセラミック枠体に固着した接合材を介してセラミック枠体を当接し、窒素雰囲気中で焼成してそれぞれの接合材を再溶融し、セラミック基体、リードフレーム、及びセラミック枠体を接合する工程と、リードフレームのタイバー部を切断して除去し、セラミック基体、外部接続端子、及びセラミック枠体の接合体を形成する工程を有する。
【００１０】
前記目的に沿う本発明に係るセラミックパッケージの製造方法は、セラミック基体と、セラミック基体と同材料からなるセラミック枠体との間に外部接続端子をそれぞれ接合材で接合して形成するセラミックパッケージの製造方法において、外部接続端子を形成するためのリードフレームがリード端子部及びリード端子部を支持するタイバー部からなり、リードフレームの接合材での接合前の表面にＮｉめっき被膜を形成した後、シンター処理を施し、更にＡｕめっき被膜を施す工程と、接合材がエポキシ樹脂からなり、接合材をセラミック基体及びセラミック枠体のそれぞれの一方の主面に展着する工程と、セラミック基体に展着した接合材上にリードフレームを当接し、リードフレーム上にリード端子部の一方の先端部の上面側がセラミック枠体の開口部から露出するようにセラミック枠体に固着した接合材を介してセラミック枠体を当接し、大気雰囲気、又は窒素雰囲気中で加熱してそれぞれの前記接合材を硬化し、セラミック基体、リードフレーム、及びセラミック枠体を接合する工程と、リードフレームのタイバー部を切断して除去し、セラミック基体、外部接続端子、及びセラミック枠体の接合体を形成する工程を有する。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１及びこれに従属する請求項２記載のセラミックパッケージは、セラミック基体の一方の主面をキャビティ部の底面とし、底面の周囲を囲うような形状で溝を有し、セラミック基体と、セラミック基体と同材料からなるセラミック枠体との間に、外部接続端子がキャビティ部側で一方の先端部上面を露出するようにして接合材を介して接合されるセラミックパッケージであって、接合材がＶ２Ｏ５系無鉛ガラス、又はエポキシ樹脂からなるので、溝によって、接合材がキャビティ部内に流れ込むのを防止することができると共に、電子部品素子の搭載部であるキャビティ部の壁面を適当な高さにして確保でき、電子部品素子を安定して実装でき、しかも、電子部品素子を実装後、セラミック枠体に蓋体を接着樹脂等で気密信頼性よく接合させることができる。また、接合材が無鉛で人体に無害であると共に、環境に優しい。しかも、接合材が溶融温度が低くて低温での接合が可能であり、外部接続端子の酸化を防止できるので、外部接続端子の変色や、外部接続端子のワイヤボンドにおいるボンディングワイヤ不着の発生を防止することができる。更に、Ｖ２Ｏ５系無鉛ガラスをセラミック基体やセラミック枠体と、外部接続端子の接合材とする場合には、外部接続端子の酸化防止のために窒素雰囲気中で溶融しても、ガラスの濡れ性がよく、たとえ外部接続端子の表面にＡｕめっき被膜が形成されていても接合不足による組立不可能の発生を防止できる。
【００１２】
特に、請求項２記載のセラミックパッケージは、外部接続端子の表面にＮｉめっき被膜が施された後、シンター処理が行われた表面にＡｕめっき被膜が施されているので、たとえ接合材が無鉛ガラスの場合で、接合材が耐水性、及び耐酸性が低くても、接合前にめっき処理を行って接合しても変色等の発生がなく接合後のめっき処理を必要とせず、めっき処理によって発生するガラスの劣化や、気密信頼性の低下の発生を防止することができる。また、外部接続端子はＮｉめっき被膜形成後、Ｎｉめっき被膜のシンター処理を行ってからＡｕめっき被膜の形成を行うことで、接合時の高温におけるＡｕへのＮｉの染み出しを防止することができ、接合加熱時の酸化の発生を防止することができる。    
【００１３】
請求項３記載のセラミックパッケージの製造方法は、外部接続端子を形成するためのリードフレームがリード端子部及びリード端子部を支持するタイバー部からなり、リードフレームの接合材での接合前の表面にＮｉめっき被膜を形成した後、シンター処理を施し、更にＡｕめっき被膜を施す工程と、接合材がＶ２Ｏ５系無鉛ガラスからなり、接合材をセラミック基体及びセラミック枠体のそれぞれの一方の主面に展着し、焼成して固着する工程と、セラミック基体に固着した接合材上にリードフレームを当接し、リードフレーム上にリード端子部の一方の先端部の上面側がセラミック枠体の開口部から露出するようにセラミック枠体に固着した接合材を介してセラミック枠体を当接し、窒素雰囲気中で焼成してそれぞれの接合材を再溶融し、セラミック基体、リードフレーム、及びセラミック枠体を接合する工程と、リードフレームのタイバー部を切断して除去し、セラミック基体、外部接続端子、及びセラミック枠体の接合体を形成する工程を有するので、鉛を含まない接合材で人体に無害で、環境に優しい製造方法を提供できると共に、Ｎｉめっき被膜のシンター処理と、Ｖ２Ｏ５系無鉛ガラスによる接合時の溶融温度を低くすることで接合時の高温におけるＮｉのＡｕへの拡散を防止でき、外部接続端子の変色や、ボンディングワイヤの不着を防止する製造方法を提供できる。また、Ｖ２Ｏ５系無鉛ガラスが窒素雰囲気中で焼成できるので、外部接続端子とのガラス濡れ性不良の発生がないと共に、外部接続端子の酸化を防止でき、外部接続端子に酸化が発生した場合に行う接合後のめっき処理の必要がないので、ガラスの劣化や、気密信頼性の低下を防止する製造方法を提供できる。更に、セラミック枠体が電子部品素子の搭載部であるキャビティ部の壁面の高さを適当な高さにし、電子部品素子を安定して実装させる製造方法を提供できると共に、電子部品素子を実装後、セラミック枠体に蓋体を接着樹脂等で気密信頼性よく接合させる製造方法を提供できる。
【００１４】
請求項４記載のセラミックパッケージの製造方法は、外部接続端子を形成するためのリードフレームがリード端子部及びリード端子部を支持するタイバー部からなり、リードフレームの接合材での接合前の表面にＮｉめっき被膜を形成した後、シンター処理を施し、更にＡｕめっき被膜を施す工程と、接合材がエポキシ樹脂からなり、接合材をセラミック基体及びセラミック枠体のそれぞれの一方の主面に展着する工程と、セラミック基体に展着した接合材上にリードフレームを当接し、リードフレーム上にリード端子部の一方の先端部の上面側がセラミック枠体の開口部から露出するようにセラミック枠体に固着した接合材を介してセラミック枠体を当接し、大気雰囲気、又は窒素雰囲気中で加熱してそれぞれの前記接合材を硬化し、セラミック基体、リードフレーム、及びセラミック枠体を接合する工程と、リードフレームのタイバー部を切断して除去し、セラミック基体、外部接続端子、及びセラミック枠体の接合体を形成する工程を有するので、鉛を含まない接合材で人体に無害で、環境に優しい製造方法を提供できると共に、取扱いの容易な樹脂の接合材で、しかも還元あるいは酸化雰囲気のいずれの雰囲気でも加熱が可能であり、安価なパッケージの製造方法を提供できる。また、加熱温度が低いので、外部接続端子の酸化を防止でき、外部接続端子に酸化が発生した場合に行っていた接合後のめっき処理が必要でない製造方法を提供できる。更に、セラミック枠体が電子部品素子の搭載部であるキャビティ部の壁面の高さを適当な高さにし、電子部品素子を安定して実装させる製造方法を提供できると共に、電子部品素子を実装後、セラミック枠体に蓋体を接着樹脂等で気密信頼性よく接合させる製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施するための最良の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージの平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図、図２（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージの製造方法の一部説明図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージの製造方法の一部説明図である。
【００１６】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０は、セラミック基体１１とセラミック枠体１２の間に外部接続端子１３が電子部品素子を搭載する部分であるキャビティ部１４側で一方の先端部の上面を露出させ、パッケージの外側で他方の先端部を突出させるようにしてセラミック基体１１に接合された接合材１５と、セラミック枠体に接合された接合材１５ａを介して接合することで構成されている。ここで、セラミック基体１１は、セラミックの一例であるアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）や、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等からなり、この造粒粉末原料を金型を用いてプレス成形して成形体を形成し、更に焼成して焼成体に形成している。成形体を形成するプレス成形に際しては、セラミック基体１１に接合材１５が形成される表面側に、キャビティ部１４の底面を囲うような形状で溝１６を形成している。一方、セラミック枠体１２は、セラミック基体１１と同材料からなり、外形寸法をセラミック基体１１と実質的に同じにして中央部をくり抜いた額縁状にプレス成形した後、焼成して焼成体に形成している。外部接続端子１３は、ＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等のセラミックと熱膨張係数が近似する金属板からなり、エッチングや、パンチング等で加工して形成している。
【００１７】
この外部接続端子１３が挟み込まれるセラミック基体１１とセラミック枠体１２のそれぞれの表面には、接合材１５、１５ａがそれぞれ設けられるが、この接合材１５、１５ａには、鉛を含まないで、接合時の溶融温度の低い低融点で、しかも、窒素雰囲気で焼成できるＶ２Ｏ５系無鉛ガラスが用いらている。そして、セラミック基体１１とセラミック枠体１２のそれぞれの表面には、このＶ２Ｏ５系無鉛ガラスがスクリーン印刷等で展着され、焼成して固着されている。又は、この接合材１５、１５ａには、鉛を含まないで、接合時の溶融温度の低い低融点で窒素雰囲気や、大気雰囲気で加熱できるエポキシ樹脂が用いられている。そして、セラミック基体１１とセラミック枠体１２のそれぞれの表面には、このエポキシ樹脂がスクリーン印刷等で展着されている。
【００１８】
セラミックパッケージ１０は、Ｖ２Ｏ５系無鉛ガラス、又は、エポキシ樹脂の接合材１５、１５ａがガラスの場合には固着、又は、樹脂の場合には展着されたセラミック基体１１とセラミック枠体１２の間に、外部接続端子１３を挟み込み、加熱して接合材１５、１５ａをガラスの場合には再溶融、又は、樹脂の場合には硬化させて接合し、セラミック枠体１２の内周壁面とセラミック基体１１とでキャビティ部１４を設けるようにして形成している。
【００１９】
セラミックパッケージ１０は、接合材１５、１５ａがＶ２Ｏ５系無鉛ガラスの場合には、溶融温度が４００℃程度であり、通常の無鉛ガラス、例えば、Ｓｎ−Ｐ２Ｏ５系や、Ｂｉ系等の無鉛ガラスの５００℃程度より低く、外部接続端子１３の加熱による変色や、酸化の発生を抑えることができる。また、接合後のＳｕめっき被膜等の形成を必要とせず、接合材１５、１５ａの耐水性や、耐酸性が低くてもめっき処理を必要としないので、接合材１５、１５ａの劣化や、接合部の気密信頼性の低下を防止することができる。更に、セラミックパッケージ１０は、接合材１５、１５ａがエポキシ樹脂の場合には、接合のための加熱温度が低く、外部接続端子１３の加熱による変色や、酸化の発生を防止することができるので、接合後のＳｕめっき被膜等の形成を必要とせず、接合材１５、１５ａの劣化や、接合部の気密信頼性の低下を防止することができる。
【００２０】
ＫＶや、４２アロイ等の金属板からなる外部接続端子１３は、金属板の表面にＮｉめっき被膜を形成した後、Ｎｉめっき被膜のシンター処理を、例えば、還元雰囲気中１０００℃程度の温度で行い、この後に、Ｎｉめっき被膜上にＡｕめっき被膜を施して形成するのがよい。Ｎｉめっき被膜のシンター処理によって、外部接続端子１３の表面には、接合材１５、１５ａの接合加熱があったとしてもＮｉのＡｕへの拡散を防止することができ、外部接続端子１３の変色や、外部接続端子１３へのボンディングワイヤの不着の発生を防止することができるので、接合後のＳｕめっき被膜等の形成を必要としない。従って、セラミックパッケージ１０は、接合材１５、１５ａの耐水性や、耐酸性が低くてもめっき処理が無いので、接合材１５、１５ａの劣化や、接合部の気密信頼性の低下を防止することができる。
【００２１】
次いで、図２（Ａ）、（Ｂ）、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０の製造方法を説明する。
図２（Ａ）に示すように、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０の製造方法で用いられるセラミック基体１１は、例えば、Ａｌ２Ｏ３等のセラミック粉末と、バインダー等を混合した水溶液をスプレードライヤーで乾燥して作製した造粒粉末原料を上金型、下金型、及びダイス等からなるプレス用金型を用いて所望の大きさの実質的に矩形形状にプレス成形して成形体を形成し、更に、焼成炉で約１５５０℃程度の高温で焼成して焼成体にすることで作製している。このセラミック基体１１には、所望の形状にプレス成形すると同時に、セラミック基体１１の一方の主面に、例えば、幅０．５ｍｍ、深さ０．５ｍｍ程度の凹みからなる枠状の溝１６を形成し、この溝１６で囲まれる内側を電子部品素子を載置するためのキャビティ部１４の底面となるようにしている。また、セラミック基体１１には、所望の形状にプレス成形すると同時に、矩形形状の対向する２辺（図２（Ａ）では短辺方向の２辺）のそれぞれの中間部に切り欠き部１７を設けている。
【００２２】
一方、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０の製造方法で用いられるセラミック枠体１２は、セラミック基体１１を作製する場合と同様の造粒粉末原料を用いてプレス成形し、外形寸法をセラミック基体１１と実質的に同じにして中央部をくり抜いた額縁状にプレス成形した後、更に、セラミック基体１１と同様に焼成炉で焼成して焼成体にすることで作製している。なお、セラミック枠体１２にも、セラミック基体１１と同様にして実質的に同じ位置に同じ形状の切り欠き部１７ａを設けている。また、セラミック枠体１２の長辺方向間のくり抜き幅の大きさは、セラミック基体１１に設けられる溝１６の長辺方向間の幅の大きさより若干大きく形成されている。
【００２３】
そして、セラミック基体１１の一方の主面に形成された溝１６から外側部分の表面には、Ｖ２Ｏ５系無鉛ガラスのガラスペーストからなる接合材１５をスクリーン印刷等で展着して乾燥した後、約４００℃以下の温度で焼成して固着している。また、セラミック枠体１２の額縁状の一方の主面には、Ｖ２Ｏ５系無鉛ガラスのガラスペーストからなる接合材１５ａをスクリーン印刷等で展着して乾燥した後、約４００℃以下の温度で焼成して固着している。
【００２４】
次に、図２（Ｂ）に示すように、外部接続端子１３を形成するためのリードフレーム１８は、ＫＶや、４２アロイ等のセラミック基体１１や、セラミック枠体１２のセラミックと熱膨張係数が近似する金属板からなりこの金属板をエッチングや、パンチング等で加工して複数のリード端子部１９の一方の端部を内周側で開放し、リード端子部１９の他方の端部を外周側で支持するタイバー部２０に接続するようにして所望の形状に形成している。このリードフレーム１８には、Ｎｉめっきや、Ｎｉ合金めっき等からなるＮｉめっき被膜が形成される。そして、Ｎｉめっき被膜が形成されたリードフレーム１８には、還元雰囲気中の約１０００℃程度の温度でシンター処理を行っている。更に、シンター処理が行われたリードフレーム１８には、Ａｕめっき被膜が形成されている。リードフレーム１８は、Ｎｉめっき被膜の形成後に、シンター処理を行い、Ａｕめっき被膜を形成することで、Ａｕめっき被膜形成後にリードフレーム１８に加熱が発生してもＡｕへのＮｉ拡散を防止することができる。なお、リードフレーム１８には、セラミック基体１１、及びセラミック枠体１２と間に入れて重ね合わせた時に、セラミック基体１１、及びセラミック枠体１２の切り欠き部１７、１７ａに露出するような位置合わせ部２１が設けられている。
【００２５】
次に、接合材１５を固着させたセラミック基体１１は、接合材１５側を上面に向けてセラミック基体１１の外形寸法と嵌合して挿入できる接合用位置合わせ治具（図示せず）に載置される。そして、図３（Ａ）に示すように、セラミック基体１１に固着した接合材１５の上面には、リードフレーム１８を、リードフレーム１８の位置合わせ部２１に設けられた貫通孔や、切り欠き孔を、接合用位置合わせ治具に設けられたガイドピンに通して当接させている。更に、リードフレーム１８の上面には、セラミック枠体１２を、リード端子部１９一方の先端部の上面側をセラミック枠体１２の開口部から露出するようにして、セラミック枠体１２に固着した接合材１５ａを介して当接している。セラミック基体１１、リードフレーム１８、及びセラミック枠体１２が重ね合わされた積層体は、窒素雰囲気中で焼成することで、それぞれの接合材１５、１５ａを再溶融して接合している。
【００２６】
次に、図３（Ｂ）に示すように、セラミック基体１１、リードフレーム１８、及びセラミック枠体１２の接合体は、リードフレーム１８からタイバー部２０を切断線２２で切断して除去することで、セラミック基体１１、外部接続端子１３、及びセラミック枠体１２の接合体を形成している。
【００２７】
次いで、本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージ１０の他の製造方法を説明する。基本的には前記のセラミックパッケージ１０の製造方法と同様に作製されるが、異なるところが接合材１５、１５ａにエポキシ樹脂を用いている。このエポキシ樹脂の接合材１５、１５ａは、セラミック基体１１及びセラミック枠体１２にスクリーン印刷等で展着した状態でセラミック基体１１、リードフレーム１８、及びセラミック枠体１２が重ね合わされ、積層体とされる。そして、この積層体は、大気雰囲気、又は窒素雰囲気中で加熱して、エポキシ樹脂の接合材１５、１５ａを硬化することで、セラミック基体１１、リードフレーム１８、及びセラミック枠体１２を接合している。更に、前記の場合と同様に、接合体は、リードフレーム１８からタイバー部２０を切断線２２で切断して除去することで、セラミック基体１１、外部接続端子１３、及びセラミック枠体１２の接合体を形成している。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明のセラミックパッケージ及びその製造方法は、撮像デバイス用の電子部品素子を搭載するためのセラミックパッケージ及びその製造方法のみならず小型化、高信頼性化、低価格化等の要求の高い通常の電子部品素子を搭載するためのセラミックパッケージ及びその製造方法として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係るセラミックパッケージの平面図、Ａ−Ａ’線縦断面図である。
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージの製造方法の一部説明図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同セラミックパッケージの製造方法の一部説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ従来のセラミックパッケージの平面図、Ｂ−Ｂ’線縦断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０：セラミックパッケージ、１１：セラミック基体、１２：セラミック枠体、１３：外部接続端子、１４：キャビティ部、１５、１５ａ：接合材、１６：溝、１７：切り欠き部、１８：リードフレーム、１９：リード端子部、２０：タイバー部、２１：位置合わせ部、２２：切断線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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