(57)【要約】【課題】  検査対象の良否を高精度で検査できるセンサ、検査装置および検査方法を提供する。【解決手段】  中央部分がたわみ、その断面形状がゆるいＳ字型のガラス等からなるセンサ基板５ａ，５ｂの一方端部上面にセンサ回路３１を配し、その部分を、他の信号基板２４上に設けた一定の高さを有するスペーサ３３に密着させる。その結果、センサ回路３１が信号基板２４の面位置よりも高くなり、センサ回路３１に設けたセンサ電極２０を、検査対象である液晶パネルの画素電極に容易に近接して制御することができる。【選択図】        図３
2006194786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査対象に検査信号を供給して、その検査対象の状態を検査するセンサであって、
表面が平板状の第１の基板と、
前記第１の基板の所定部位に設けられた凸部と、
少なくとも一方端部が前記凸部表面に当接するとともに他方端部が前記第１の基板の表面に当接するよう湾曲した第２の基板と、
前記第２の基板の前記一方端部の表面に配したセンサ素子とを備え、
前記センサ素子は、前記検査対象に対向するセンサ電極を配設してなることを特徴とするセンサ。
【請求項２】
前記センサ電極は、前記第２の基板上に形成されたＭＯＳ型トランジスタのゲート端子に連結された所定の面積を有する導体膜であることを特徴とする請求項１記載のセンサ。
【請求項３】
前記センサ電極と前記検査対象間の容量結合を介して非接触で前記検査対象より前記検査信号を検出することを特徴とする請求項２記載のセンサ。
【請求項４】
前記第２の基板は、前記一方端部どうしが対向しながら前記凸部上に列状に配されるとともに、その列方向において前記一方端部の一部が互いに重なり合う配列構成を有することを特徴とする請求項３記載のセンサ。
【請求項５】
前記第２の基板は、所定厚のガラスあるいはプラスチックあるいは石英からなることを特徴とする請求項４記載のセンサ。
【請求項６】
前記列状に配された前記第２の基板を複数列設け、これら複数列の基板に対応した前記センサ素子を個別に選択できることを特徴とする請求項４記載のセンサ。
【請求項７】
前記凸部は、前記第１の基板と前記第２の基板の前記一方端部との間に載設したスペーサであることを特徴とする請求項１記載のセンサ。
【請求項８】
前記凸部は、前記第１の基板の一部を突出して形成されていることを特徴とする請求項１記載のセンサ。
【請求項９】
前記凸部は、前記第１の基板の所定部位に第３の基板を積層してなることを特徴とする請求項１記載のセンサ。
【請求項１０】
検査対象に検査信号を供給する信号供給手段と、
前記検査対象に対向する部分を突出させた構成を有するセンサと、
前記検査対象より非接触で前記検査信号を検出する手段と、
前記検出信号の変化に基づいて前記検査対象の良否を識別する識別手段とを備え、
前記センサは、各々がセンサ電極を有する複数のセンサ基板を列状に対向して配してなり、前記センサ基板は、その一方端部が、平板状の基板の所定部位に設けられた凸部に当接するとともに、他方端部が前記基板の表面に当接するよう湾曲し、前記センサ電極は、前記検査対象に対向するよう前記センサ基板の前記一方端部の表面に配設されていることを備えることを特徴とする検査装置。
【請求項１１】
前記センサ電極は、前記センサ基板上に形成されたＭＯＳ型トランジスタのゲート端子に連結された所定の面積を有する導体膜であることを特徴とする請求項１０記載の検査装置。
【請求項１２】
前記センサ電極と前記検査対象間の容量結合を介して非接触で前記検査対象より前記検査信号を検出することを特徴とする請求項１１記載の検査装置。
【請求項１３】
前記センサ基板は、前記一方端部どうしが対向しながら前記凸部上に列状に配されるとともに、その列方向において前記一方端部の一部が互いに重なり合う配列構成を有することを特徴とする請求項１２記載の検査装置。
【請求項１４】
前記センサ基板は、所定厚のガラスあるいはプラスチックあるいは石英からなることを特徴とする請求項１３記載の検査装置。
【請求項１５】
さらに、前記列状に配された前記センサ基板を複数列設け、これら複数列のセンサ基板を個別に選択する手段を備えることを特徴とする請求項１３記載の検査装置。
【請求項１６】
さらに、前記センサ電極と前記検査対象の近接状態を維持したまま前記検査対象を順次走査するよう前記検査対象を位置決め移動させる位置決め移動手段を備えることを特徴とする請求項１３記載の検査装置。
【請求項１７】
前記位置決め移動手段は、前記検査対象を空気流で浮かせた状態で位置決めを行うことを特徴とする請求項１６記載の検査装置。
【請求項１８】
請求項１０乃至１７のいずれかに記載の検査装置を用いて検査対象の状態を検査することを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶パネル、液晶ディスプレイに形成された画素電極の良否を検査可能なセンサ、検査装置および検査方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
テレビ受像機、パーソナルコンピュータ等のディスプレイの薄型化や大型化の要求に伴ない、高画素数の液晶表示パネルが開発され、それを採用した製品が市場に出回っている。このような薄型かつ大型の表示装置を採用した製品では、製品組立て後の動作試験はもとより、ディスプレイ単体での検査が重要である。
【０００３】
液晶表示パネル等のディスプレイ基板を検査する方法として、従来より知られているものに、各画素に対応して設けられたＴＦＴトランジスタに接続されたゲート配線、ソース配線それぞれにプローブを接触させて、その出力電圧から画素電極の欠陥の有無を判定するものがある。
【０００４】
一方、上記のようなプローブを使用する検査方法では、液晶ディスプレイのフルカラー化、高精細化に伴なう画素ピッチの狭小により、接触不良の多発、プローブの交換費用の増大等の問題が生じていた。このような問題点に鑑み、例えば、特許文献１に開示された液晶パネル検査装置では、基板上に薄型のアレイセンサを配し、そのアレイセンサに隣接してアンプ、スキャナを設け、それらの間に金属膜成膜による引出し電線を配線して、アレイセンサを検査対象である液晶パネルに近接させて、非接触検査における検知レベルとＳ／Ｎ比を向上させている。
【０００５】
上記のアレイセンサは、電界効果トランジスタを応用した電位センサを組み込んでなるが、同様に、特許文献２には、液晶ディスプレイ基板上に配列された画像電極に対向して、検査基板上にソース電極、半導体、ドレイン電極からなるスイッチ素子を配列し、検査基板を画素電極に接近させて、その画素電極への正常な電圧印加によりソース電極およびドレイン電極間を導通させ、その導通を検出する検査装置が開示されている。
【０００６】
液晶ディスプレイの画素電極にセンサを近接させて、非接触でその良否を検査する方法として、例えば、特許文献３に記載の電位センサは、エンハンスメント型ＭＯＳ−ＦＥＴを使用しており、その他、静電ＣＭＯＳセンサを採用したものも知られている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−１５３６３７号公報
【特許文献２】特開平１０−６２４７４号公報
【０００８】
【特許文献３】特開２００１−１３３４８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上述した従来の検査方法で使用するセンサ、例えば、特許文献１，２に記載の電位センサは、検査対象の液晶パネルの画素電極を電界効果トランジスタのゲートとして作用させ、その画素電圧より配線の断線や短絡を検出している。そのため、センサ感度等が電界効果トランジスタの作り込みのプロセスに依存し、センサとしての機能が不十分である、という問題があった。
【００１０】
また、静電ＣＭＯＳセンサを採用したものでは、平坦なセンサ基板の上面に、そのセンサからの検出信号をアンプ等へ導くためにフレキ接続をしており、そのフレキ厚（３０μｍ）の占めるギャップが不可避となる。その結果、フレキ厚が非接触検査においてセンサと検査対象を近接させる際の妨げとなって、センサ感度や分解能が低下するという問題があった。
【００１１】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、パネル上の画素電極の良否を高精度で検出できるセンサ、検査装置および検査方法を提供することである。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、センサの分解能の低下を回避可能なセンサ、検査装置および検査方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
かかる目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。すなわち、本発明は、検査対象に検査信号を供給して、その検査対象の状態を検査するセンサであって、表面が平板状の第１の基板と、上記第１の基板の所定部位に設けられた凸部と、少なくとも一方端部が上記凸部表面に当接するとともに他方端部が上記第１の基板の表面に当接するよう湾曲した第２の基板と、上記第２の基板の上記一方端部の表面に配したセンサ素子とを備え、上記センサ素子は、上記検査対象に対向するセンサ電極を配設してなることを特徴とする。
【００１４】
例えば、上記センサ電極は、上記第２の基板上に形成されたＭＯＳ型トランジスタのゲート端子に連結された所定の面積を有する導体膜であることを特徴とする。また、例えば、上記センサ電極と上記検査対象間の容量結合を介して非接触で上記検査対象より上記検査信号を検出することを特徴とする。
【００１５】
例えば、上記第２の基板は、上記一方端部どうしが対向しながら上記凸部上に列状に配されるとともに、その列方向において上記一方端部の一部が互いに重なり合う配列構成を有することを特徴とする。また、例えば、上記第２の基板は、所定厚のガラスあるいはプラスチックあるいは石英からなることを特徴とする。
【００１６】
また、例えば、上記凸部は、上記第１の基板と上記第２の基板の上記一方端部との間に載設したスペーサであることを特徴とする。例えば、上記凸部は、上記第１の基板の一部を突出して形成されていることを特徴とする。例えば、上記凸部は、上記第１の基板の所定部位に第３の基板を積層してなることを特徴とする。
【００１７】
例えば、上記列状に配された上記第２の基板を複数列設け、これら複数列の基板に対応した上記センサ素子を個別に選択できることを特徴とする。
【００１８】
上述した課題を解決する他の手段として、例えば、本発明は、検査対象に検査信号を供給する信号供給手段と、上記検査対象に対向する部分を突出させた構成を有するセンサと、上記検査対象より非接触で上記検査信号を検出する手段と、上記検出信号の変化に基づいて上記検査対象の良否を識別する識別手段とを備え、上記センサは、各々がセンサ電極を有する複数のセンサ基板を列状に対向して配してなり、上記センサ基板は、その一方端部が、平板状の基板の所定部位に設けられた凸部に当接するとともに、他方端部が上記基板の表面に当接するよう湾曲し、上記センサ電極は、上記検査対象に対向するよう上記センサ基板の上記一方端部の表面に配設されていることを特徴とする。
【００１９】
例えば、上記センサ電極は、上記センサ基板上に形成されたＭＯＳ型トランジスタのゲート端子に連結された所定の面積を有する導体膜であることを特徴とする。また、例えば、上記センサ電極と上記検査対象との間の容量結合を介して非接触で上記検査対象より上記検査信号を検出することを特徴とする。
【００２０】
例えば、上記センサ基板は、上記一方端部どうしが対向しながら上記凸部上に列状に配されるとともに、その列方向において上記一方端部の一部が互いに重なり合う配列構成を有することを特徴とする。例えば、上記センサ基板は、所定厚のガラスあるいはプラスチックあるいは石英からなることを特徴とする。
【００２１】
例えば、さらに、上記列状に配された上記センサ基板を複数列設け、これら複数列のセンサ基板を個別に選択する手段を備えることを特徴とする。また、例えば、さらに、上記センサ電極と上記検査対象の近接状態を維持したまま上記検査対象を順次走査するよう上記検査対象を位置決め移動させる位置決め移動手段を備えることを特徴とする。例えば、上記位置決め移動手段は、検査対象を空気流で浮かせた状態で上記位置決めを行うことを特徴とする。
【００２２】
上述した課題を解決する他の手段として、例えば、本発明に係る検査方法は、上述した検査装置を用いて検査対象の状態を検査することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、検査対象であるパネル上の画素電極の良否を精度よく検出できる。また、本発明によれば、センサの分解能の低下を回避した非接触検査を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る実施の形態例を詳細に説明する。図１は、本実施の形態例に係る検査装置の全体構成を示すブロック図である。図１に示す検査装置の検査対象は、例えば、ガラス製の基板上に複数の画素電極、およびそれらを駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がアレイ状（あるいは、マトリックス状）に配列された構造を有する液晶表示パネルやタッチ式パネル等である。
【００２５】
図１に示す検査装置において、検査対象である液晶パネル１０の上面にはセンサ１が配されており、そのセンサ出力に基づいて液晶パネル１０の画素電極等の良否を検査する。本実施の形態例に係る検査装置では、非接触方式で検査を行うため、液晶パネル１０と所定距離離間した位置にライン状のセンサ１が位置決めされている。センサ１は、例えば、液晶パネル１０の幅と同じ幅を有するとともに、後述するセンサ回路等により非接触方式で液晶パネル１０の画素電極の断線の有無等を判定する一次元ラインセンサである。なお、図１に示すセンサ１´は、センサ１のセンサ配置面とは逆の面（裏面）に配された機能部分の構成を示している。
【００２６】
液晶パネル１０には、画素電圧供給部１３が接続されており、それにより個々の画素電極に画素の検査に必要な信号を供給している。センサ１は、後述するように規則的に配列した複数のセンサを有する。各々のセンサで検出された画素信号は微小な信号であるため、不図示の演算増幅器（オペアンプ）等により所定の増幅度で増幅された後、マルチプレクサ（ＭＰＸ）２によって一定の周期で走査（スキャン）され、多重化される。多重化された各センサ信号は、例えば、リミッタ回路等で構成された波形整形部３へ送られる。
【００２７】
波形整形部３からの出力信号は、Ａ／Ｄ変換部４へ送られる。Ａ／Ｄ変換部４は、上述のように増幅され、波形整形された交流信号を直流レベルの信号に変換する波形処理や、アナログ信号をディジタル信号に変換する等の変換処理を行う。
【００２８】
制御部６は、変換後の信号レベルと、あらかじめ設定した基準値とを比較し、上記の信号処理で得た結果が基準の範囲内か否かを判定する。その判定結果は、表示部９へ送られる。また、制御部６は、本検査装置全体の制御を行うため、例えば、マイクロプロセッサで構成され、所定の検査シーケンスを統括的に制御する。制御部６は、さらにＲＯＭ７やＲＡＭ８を有し、ＲＯＭ７には、検査手順を含む制御手順等が、例えば、コンピュータプログラムとして格納され、ＲＡＭ８を、例えば、制御データや検査データ等を一時的に格納するための作業領域として使用している。
【００２９】
表示部９は、例えば、ＣＲＴや液晶表示器等からなり、制御部６から送られた判定結果である検査対象（液晶パネルの画素電極）の良否を検査員が容易に理解できる形式で可視表示する。画素電極等に不良があれば、その電極のパネル基板上での位置も、例えば、電極番号や座標等で表示する。なお、検査結果の表示は、可視表示に限定されず、音声等の形式で出力してもよい。また、可視表示と音声を混在させてもよい。
【００３０】
駆動部１６は、制御部６からの制御信号を受けて、液晶パネル１０を載置しているステージ（不図示）全体を所定方向に所定の速度で移動することで、センサ１が、非接触の状態で液晶パネル１０上のアレイ状の画素電極を順次走査できるようにしている。具体的には、駆動部１６は、μｍオーダーでステージを所定方向へ移動するため、ＸＹＺＣθ角度の４軸制御により三次元位置制御が可能に構成されており、液晶パネル１０をセンサ位置より一定距離離反させた検査前の基準となる位置に位置決めする。
【００３１】
次に、本実施の形態例に係る検査装置におけるセンサ部について説明する。図２は、本実施の形態例のセンサ部における各センサ基板の配列状態を示しており、図３は、本実施の形態例のセンサ部の構造を説明するための図であり、図２の二点鎖線Ａ−Ａ’に沿ってセンサ基板を切断したときの断面構成を示している。図２および図３に示すように、センサ１は、複数のセンサ基板５ａ，５ｂをライン状に配し、それらを、所定の厚さを有するスペーサ３３上に一定のピッチ幅で交互に並置するとともに、全体として液晶パネル１０の検査対象部分とほぼ同じ幅を有するように構成された一次元ラインセンサである。
【００３２】
センサ基板５ａ，５ｂのスペーサ３３側の先端部分は、図２に示すように、対向して配された他のセンサ基板の先端端部と列方向において互いに一部が重なり合う配列構成をとる。また、センサ基板５ａ，５ｂは、図３に示すように、所定厚のガラスで構成されているが、これに限定されず、例えばプラスチックや石英等で構成してもよい。センサ基板５ａ，５ｂは、略中央部において、その断面がゆるいＳ字型に屈曲した（たわんだ）構造を有する。そして、センサ基板５ａ，５ｂのスペーサ３３側の上面端部には、センサ回路３１が配されている（図３参照）。
【００３３】
このように各センサ基板５ａ，５ｂの先端端部が、対向するセンサ基板と一部が重なり合う構成をとることで、各センサ基板５ａ，５ｂに配されたセンサ回路３１が有する後述のセンサ電極２０も列方向に互いに重なり合うため、液晶パネル１０の画素電極１５とセンサ回路３１との相対的な位置関係によっては、１つの画素電極に対して２つのセンサ回路３１（具体的には、センサ電極２０）で同時に信号を検出できるため、その画素電極の確実な良否判定が可能となる。
【００３４】
検査対象である液晶パネル１０は、図３に示すようにガラス基板とその表面に形成された複数の画素電極１５からなり、画素電極１５に近接して配されるセンサ電極２０は、画素電圧供給部１３より液晶パネル１０の画素電極１５に印加された信号電位（画素電圧）を非接触方式で検出する。
【００３５】
非接触で液晶パネルの検査を行うため、センサ電極２０と液晶パネル１０（実際は、液晶パネル１０上に形成された画素電極１５）との間の距離ｄを、例えば、１００μｍ以下にする必要がある。そこで、センサ１の中央部分を突出させた構成として、離間距離ｄを最小に制御できるよう、各センサ基板５ａ，５ｂに屈曲部（たわみ部）２１を設け、そのセンサ基板のセンサ回路３１を配した部分をスペーサ３３に密着させて、センサ回路３１が信号基板２４や後述するタブ２５の面位置よりも高くなるようにするとともに、センサ基板５ａ，５ｂのセンサ回路３１を配した側と反対側の部分が、センサ電極２０よりも低い位置で信号基板２４に密着する構造となっている。
【００３６】
センサ基板５ａ，５ｂ上には、例えば、金属膜形成法で形成した導電パターン３４が配線されており、その導電パターン３４を介して、センサ回路３１で検出された信号がタブ２５へ至る。タブ２５は、図３に示すように、その断面がＵ字型をしており、タブ２５の内側に設けた導電部を介して、センサ基板５ａ，５ｂ側の導電パターン３４と信号基板２４側の導電パターン３５を相互に電気的に接続するとともに、センサ基板５ａ，５ｂと信号基板２４を相互に固定する機能を有している。
【００３７】
導電パターン３５は、センサ回路３１からの信号が、信号基板２４の裏面（センサ基板５ａ，５ｂが配置された面とは逆の面）に配したマルチプレクサ（ＭＰＸ）２や波形整形部３、Ａ／Ｄ変換部４へ至る信号経路となる。
【００３８】
Ａ／Ｄ変換部４は、センサ電極２０で検出された画素電圧の値をディジタル値に変換し、それを図１に示す制御部６へ送る。制御部６は、上述したように、Ａ／Ｄ変換部４で変換して得られた信号の値と、あらかじめ設定した基準値（閾値）とを比較し、センサ信号のレベルが基準値の範囲内か否かを判定する。
【００３９】
なお、センサ回路３１を信号基板２４の面位置よりも高くして、センサ電極２０を液晶パネル１０上に形成された画素電極１５に近接させるための手段は、上記のスペーサ３３に限るものではなく、例えば、信号基板２４の一部を隆起させて所定高の突部を設けたり、あるいは、信号基板２４上にさらに所定サイズの別基板を積層して凸部を形成することで実現してもよい。いずれの場合においても、その突部や凸部の上面にセンサ基板５ａ，５ｂのうち、センサ回路３１を配した部分を密着させることになる。
【００４０】
図４は、本実施の形態例に係る検査装置におけるセンサ部の回路構成を模式的に示している。図４に示すように、センサ回路３１を構成するセンサ電極２０は、センサ１のセンサ基板５ａ，５ｂ上に形成されたＣＭＯＳ素子（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）４１のゲート端子（Ｇ）に連結されており、所定の面積を有する導体膜（例えば、ＩＴＯ膜等）からなる。規則的に並列配置された各センサ電極２０の中心間の距離Ｌは、例えば、７０μｍで、ピッチ幅は５０μｍである。しかし、距離等はこれらに限定されるものではなく、検査対象の大きさに合わせて調整可能である。
【００４１】
また、各ＣＭＯＳ素子４１のソース端子（Ｓ）は、センサ回路のグランド（ＧＮＤ）に接続され、各ドレイン端子（Ｄ）は、上述した導電パターン３４，３５を介して、信号基板２４に配されたマルチプレクサ２に集中して接続されている。なお、マルチプレクサ２の後段には、波形整形部３、Ａ／Ｄ変換部４が配されている。
【００４２】
次に、本実施の形態例に係る検査装置における検査対象の検査方法について簡単に説明する。図５は、本実施の形態例に係る検査装置の検査時における検査対象とセンサとの位置関係を示している。図５において、検査対象である液晶パネル１０の下部には空気供給部５０が配置され、液晶パネル１０は、その空気供給部５０から吹き上げられる空気流（図中、上向きの矢印で示す）を受けて浮いた状態となる。そして、所定の高さに維持されながら、図中の矢印６１方向へ移動する。
【００４３】
一方、液晶パネル１０の上部には、それとは非接触状態で配置したセンサ１があり、センサ１と液晶パネル１０間の距離を一定に維持しながら矢印６１方向へ移動する液晶パネル１０上の画素電極１５を順次、走査することで、その良否を連続して検査できる。
【００４４】
空気供給部５０は、その全面に渡り多数の孔（不図示）が空けられており、それらの孔からの空気流は、検査対象の領域別に異なる方向となるよう制御されている。具体的には、図５に示すように液晶パネル１０のうち、その上部に配されたセンサ１に対向する部分（図中の領域Ｃ）に対しては、空気供給部５０より液晶パネル１０へ上昇する空気流と、液晶パネル１０から空気供給部５０へ下降する空気流とを混在させた空気流を発生させている。
【００４５】
一方、液晶パネル１０のうち、センサ１に対向する部分の周辺部領域Ａ，Ｂに対しては、空気供給部５０より液晶パネル１０へ向かって上昇する空気流を発生させている。このような空気流で液晶パネル１０を浮かせることで、例えば、液晶パネル１０の自重によるたわみ等に起因して、検査対象である液晶パネル１０の画素電極１５とセンサ１のセンサ回路３１との間の距離（ギャップ）ｄが変動するのを防止できる。その結果、非接触検査時にセンサ１の下部領域におけるギャップｄを常に最小かつ一定に保つようにするとともに、走査のための移動に伴なう液晶パネル１０の損傷等を回避している。
【００４６】
以上説明したように、センサの中央部分を突出させた構成とすることで、センサと検査対象間の距離が最小となるよう容易に制御できる。すなわち、センサを構成する各センサ基板の中間部位に湾曲部（たわみ部）を設けてカーブ状に形成し、その一方の端部上面にセンサ回路を配するとともに、その端部を信号基板上に設けた所定高のスペーサに密着させて、センサ回路が信号基板の面位置よりも高くなるようにすることで、センサ回路を検査対象である液晶パネルの画素電極に容易に近接して配することができ、センサと検査対象間の間隔制御も容易になる。
【００４７】
また、センサと検査対象の間隔を最小に制御することにより、センサの感度と分解能が向上し、画素電極の画素電圧を非接触方式で確実に検出することができる。さらに、個々のセンサのセンサ感度と分解能が向上することで、検査の信頼性の向上、検査時間の短縮化が可能となり、検査全体の処理能力（スループット）が高くなるという利点がある。
【００４８】
さらにまた、列状に対向して配されたセンサ基板相互の先端部分が、その列方向において互いに一部が重なり合う配列構成をとることで、センサ電極も列方向に互いに一部が重なり合うため、検査時において液晶パネルの画素電極のすべてを、抜けなく確実に検査可能となる。
【００４９】
なお、本発明は、上述の実施の形態例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限度において種々の変形が可能である。上記の実施の形態例に係る検査装置のセンサ部は、複数のセンサ基板をスペーサ上に交互に並べて構成された一次元ラインセンサである。このような構成をとった場合、複数あるセンサのうち１つでも故障あるいは不良になると、センサとしての機能を果たすことが困難になる。その場合、センサ全体を破棄等して正常なものと交換するのが通例である。
【００５０】
図６は、上記実施の形態例の変形例に係るセンサ部の回路構成を示している。本変形例に係るセンサ部には、一次元ラインセンサが複数設けられ、それらを個別に選択して検査に使用できる構成をとっている。すなわち、図６に示すセンサ回路は、３つの一次元ラインセンサ８１〜８３を有し、各ラインセンサは、図４に示すセンサ回路と同様、複数のＣＭＯＳ素子（一次元ラインセンサ８１では、ＣＭＯＳ素子７１ａ〜７１ｆ）のゲート端子（Ｇ）にセンサ電極（一次元ラインセンサ８１では、センサ電極７０ａ〜７０ｆ）が連結されている。
【００５１】
センサ部の一次元ラインセンサとして、例えば、一次元ラインセンサ８１を使用する場合、選択ラインＳ１に選択信号を送って、それに接続されたスイッチ素子７３ａ〜７３ｆを駆動状態（アクティブ）にすると、スイッチ素子７３ａ〜７３ｆが導通状態となる。その結果、ゲート端子（Ｇ）に接続されたセンサ電極７０ａ〜７０ｆで検出された信号（画素電圧供給部より画素電極に印加された信号）が、ＣＭＯＳ素子７１ａ〜７１ｆのドレイン（Ｄ）、およびスイッチ素子７３ａ〜７３ｆを介して、マルチプレクサ（ＭＰＸ）９２に入力される。他のセンサを選択して使用する場合も、これと同様の制御を行う。
【００５２】
このように、センサ回路として、各々にセンサ電極が配された複数の一次元ラインセンサを設け、それらを個別に選択できるように構成することで、例えば、１つのセンサの故障が原因で検査を遂行できないといった事態を回避でき、センサ部にバックアップ機能を持たせることができる。その結果、故障等に伴なうセンサ全体の破棄や交換等の必要がなく、冗長性のあるセンサ部や検査装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の実施の形態例に係る検査装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】実施の形態例のセンサにおける各センサ基板の配列状態を示す図である。
【図３】実施の形態例のセンサを切断したときの断面構成を示す図である。
【図４】実施の形態例に係る検査装置におけるセンサ部の回路構成を模式的に示す図である。
【図５】実施の形態例に係る検査装置の検査時における検査対象とセンサの位置関係を示す図である。
【図６】実施の形態例の変形例に係るセンサ部の回路構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１，１´    センサ
２    マルチプレクサ
３    波形整形部
４    Ａ／Ｄ変換部
５    センサ基板
６    制御部
７    ＲＯＭ
８    ＲＡＭ
９    表示部
１０    液晶パネル
１３    画素電圧供給部
１５    画素電極
１６    駆動部
２０    センサ電極
２４    信号基板
２５    タブ
３１    センサ回路
３３    スペーサ
３４，３５    導電パターン
４１    ＣＭＯＳ素子
５０    空気供給部
８１〜８３    一次元ラインセンサ
７０ａ〜７０ｆ    センサ電極
【図１】
2006194786.tif 000003
【図２】
2006194786.tif 000004
【図３】
2006194786.tif 000005
【図４】
2006194786.tif 000006
【図５】
2006194786.tif 000007
【図６】
2006194786.tif 000008