(57)【要約】【課題】クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成された半導体集積回路において、クロックラインの変更なしにアンテナ効果を防止または抑制できるようにする。【解決手段】クロックバッファＣＢ１の出力端子ｔ０とメッシュ構造クロック配線７をつなぐ配線経路Ｒ０が、メッシュ構造クロック配線７における最下位配線層（Ｌ４）以下の配線層のみで構成されている。同期回路セルＦＦ１とメッシュ構造クロック配線７とは、同期回路セルの入力端子ｔ１からの配線経路Ｒ１が、メッシュ構造クロック配線７の最下位配線層（Ｌ４）以外の配線層において接続されている。あるいは、同期回路セルの入力端子とメッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路は、メッシュ構造クロック配線における最下位配線層より上位の配線層を経由する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成された半導体集積回路であって、
前記クロックバッファの出力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路の少なくとも１つは、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層以下の配線層のみで構成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記同期回路セルと前記メッシュ構造クロック配線とは、前記同期回路セルの入力端子からの配線経路が、前記メッシュ構造クロック配線の最下位配線層以外の配線層において接続されている請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成された半導体集積回路であって、
前記同期回路セルの入力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路は、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層より上位の配線層を経由するように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
前記メッシュ構造クロック配線は複数の配線層からなり、前記同期回路セルと前記メッシュ構造クロック配線とは、前記同期回路セルの入力端子からの配線経路が、前記メッシュ構造クロック配線の最下位配線層以外の配線層において接続されている請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記同期回路セルの入力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路は、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層より上位の配線層を経由するように構成されている請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成された半導体集積回路であって、
前記メッシュ構造クロック配線は複数の配線層からなり、前記クロックバッファが複数あり、
複数の前記クロックバッファの出力端子のそれぞれと前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路のいずれもが、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層以下の配線層のみで構成され、
かつ、複数の前記クロックバッファからの配線経路の前記メッシュ構造クロック配線への接続先がすべて前記最下位配線層とされていることを特徴とする半導体集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成された半導体集積回路にかかわり、特には、アンテナダメージを防止するメッシュ構造クロック配線設計の技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路におけるクロックメッシュ構造は、クロックバッファからフリップフロップなどの同期回路セルまでのクロック信号のスキューを低減するために、各クロック信号配線をメッシュ状に配置したものである。クロックメッシュ構造は、総配線長が大きくなるため、アンテナ効果現象を発生しやすい。アンテナ効果現象はアンテナ比が大きいときに発生しやすい。アンテナ比とは、配線導体のエッチング部分の露出部の面積をそれに接続するゲート酸化膜の面積で除したものである。
【０００３】
フリップフロップなどの同期回路セルをメッシュ構造クロック配線に接続するためのエッチングの際に、最上位の配線パターンにプラズマによって電荷が発生する。配線パターンがクロックバッファの拡散層に接続されていなければ、配線パターンに発生した電荷が同期回路セルにおけるトランジスタのゲートに流れ込み、ゲート酸化膜に蓄積される。アンテナ比が大きくなるにつれて、ゲート酸化膜に蓄積される電荷が相対的に増加する。すると、ゲート酸化膜から基板にチャージ電流として流れ込み、ゲート酸化膜が破壊されることがある。この現象が「アンテナ効果」である。
【０００４】
製造プロセスごとに、アンテナ効果によるゲート破壊を防止するために、アンテナ比の許容基準値が定められている。レイアウト設計後は、この許容基準値を超えた配線パターンが存在しないかどうかを検証する必要がある。
【０００５】
従来、詳細配線済みの半導体集積回路において、次のようなアンテナ効果防止の対策が講じられている。
【０００６】
第１のステップにおいて、同期回路セルのゲート面積に対する信号配線長さが所定の許容値を超えているか否かを判断する。第２のステップにおいて、許容値を超えている信号配線における最上層を検索する。さらに第３のステップにおいて、許容値範囲内で信号配線を前記検索した最上層まで迂回する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−７８０１２号公報（第４頁、第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１の技術は、既に配線完了した半導体集積回路において、アンテナルールに違反してないかを判断し、問題があればクロック信号の配線パターン（以下クロックライン）を修正し、アンテナ効果（クロックスキューやクロストークの影響等）を回避する方法である。配線完了後のクロックライン変更を伴うため、開発工数が余計にかかる、加えて、クロックラインの変更に起因して新たな問題が発生する可能性がある。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みて創作したものであり、クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成された半導体集積回路において、クロックラインを変更することなくアンテナ効果を防止できるようにすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するために次のような手段を講じる。
【００１０】
本発明による半導体集積回路は、クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成するに当たって、前記クロックバッファの出力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路の少なくとも１つは、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層以下の配線層のみで構成されていることを特徴とするものである。
【００１１】
この構成によれば、同期回路セルからの配線経路をメッシュ構造クロック配線に接続するときには、既にメッシュ構造クロック配線はクロックバッファからの配線経路に接続されている。同期回路セルからの配線経路をメッシュ構造クロック配線に接続する際のエッチングのためにメッシュ構造クロック配線に過大な電荷が発生したとしても、その電荷はメッシュ構造クロック配線からクロックバッファの配線経路を介してクロックバッファの拡散層に流れ込むことになる。同期回路セルからの配線経路を介して同期回路セルのトランジスタゲート酸化膜に電荷が流れ込むことを抑制ないし削減する。したがって、クロックラインを変更することなくアンテナ効果を防止できる。
【００１２】
上記の構成において、前記同期回路セルと前記メッシュ構造クロック配線との関係について、前記同期回路セルの入力端子からの配線経路は、前記メッシュ構造クロック配線の最下位配線層以外の配線層において接続する構成が好ましい。
【００１３】
この構成によれば、メッシュ構造クロック配線の最下位配線層をエッチングした時点では、同期回路セルはメッシュ構造クロック配線とは接続されておらず、最下位配線層のエッチングでメッシュ構造クロック配線に過大な電荷が発生したとしても、その電荷は同期回路セルからの配線経路を介して同期回路セルに流れ込むことはない。したがって、クロックラインを変更することなくアンテナ効果を防止できる。
【００１４】
また、本発明による半導体集積回路は、クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成するに当たって、前記同期回路セルの入力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路は、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層より上位の配線層を経由するように構成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
この構成によれば、メッシュ構造クロック配線のいずれかの配線層に対するエッチングの際にメッシュ構造クロック配線に過大な電荷が発生したとしても、メッシュ構造クロック配線は同期回路セルとはまだ接続されていないため、チャージ電流が流れる可能性はない。したがって、クロックラインを変更することなくアンテナ効果を防止できる。
【００１６】
また、本発明による半導体集積回路は、メッシュ構造クロック配線が複数の配線層からなり、クロックバッファの出力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路が、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層以下の配線層のみで構成されている半導体集積回路において、前記同期回路セルと前記メッシュ構造クロック配線とは、前記同期回路セルの入力端子からの配線経路が、前記メッシュ構造クロック配線の最下位配線層以外の配線層において接続されているものである。
【００１７】
この構成によれば、同期回路セルからの配線経路がメッシュ構造クロック配線に接続される際には、既にメッシュ構造クロック配線がクロックバッファの拡散層に接続されている。その結果、エッチングに起因して発生する電荷はメッシュ構造クロック配線からクロックバッファの拡散層に流れ込むことになる。同期回路セルに電荷は流れ込むことが抑制され、クロックラインを変更することなくアンテナ効果を防止できる。
【００１８】
また、本発明による半導体集積回路は、クロックバッファの出力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路が、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層以下の配線層のみで構成されている半導体集積回路において、前記同期回路セルの入力端子と前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路が、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層より上位の配線層を経由するように構成されている。
【００１９】
この構成によれば、同期回路セルからの配線経路がメッシュ構造クロック配線に接続される際には、既にメッシュ構造クロック配線がクロックバッファの拡散層に接続されている。その結果、エッチングに起因して発生する電荷はメッシュ構造クロック配線からクロックバッファの拡散層に流れ込むことになる。同期回路セルに電荷は流れ込むことはなく、クロックラインを変更することなくアンテナ効果を防止できる。
【００２０】
また、本発明による半導体集積回路は、クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するに当たって、前記メッシュ構造クロック配線は複数の配線層からなり、前記クロックバッファが複数あり、複数の前記クロックバッファの出力端子のそれぞれと前記メッシュ構造クロック配線をつなぐ配線経路のいずれもが、前記メッシュ構造クロック配線における最下位配線層以下の配線層のみで構成され、かつ、複数の前記クロックバッファからの配線経路の前記メッシュ構造クロック配線への接続先がすべて前記最下位配線層とされていることを特徴とするものである。
【００２１】
この構成によれば、複数のクロックバッファからメッシュ構造クロック配線への配線経路のすべてを、メッシュ構造クロック配線の最下位配線層以下の配線層で構成するので、メッシュ構造クロック配線から同期回路セルへの配線経路はどのようなものであってもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、エッチングに際してメッシュ構造クロック配線に過大な電荷が発生したとしても、メッシュ構造クロック配線があらかじめクロックバッファからの配線経路に接続されている、あるいは、同期回路セルからの配線経路がメッシュ構造クロック配線からは分離されているので、発生した電荷が同期回路セルのトランジスタゲート酸化膜に流れ込むことを回避できる。したがって、クロックラインを変更することなくアンテナ効果によるゲート破壊を防止できる。さらに、後戻り工数を削減でき、クロックライン変更に伴う新たな問題の発生を抑制でき、設計効率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明にかかわる半導体集積回路の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１における半導体集積回路のレイアウト図である。
【００２５】
図１に示すように、この半導体集積回路は、複数のブロックを含む状態に構成されている。１はメッシュ構造クロック配線を有するブロック、２はクロック信号を作る機能を持つブロック、３〜４はその他のブロックである。ブロック２よりクロック信号配線５およびクロックバッファ６を介してブロック１，３，４に同じタイミングでクロック信号が伝播されるように構成されている。
【００２６】
メッシュ構造クロック配線を有するブロック１内において、７はメッシュ構造クロック配線、８〜１１はクロックバッファである。伝播されたクロック信号をクロックバッファが駆動し、メッシュ構造クロック配線７を介してフリップフロップ（図示せず）へ伝播する。
【００２７】
図２は図１のメッシュ構造クロック配線７を有するブロック１の一部を示し、図３は図２におけるａ−ａ′線での断面図である。図４は配線経路を分かりやすく示す斜視図である。
【００２８】
メッシュ構造クロック配線７は、４層配線Ｌ４と、５層配線Ｌ５と、これら両層配線間を接続するコンタクトＣ４５から構成されている。メッシュ構造クロック配線７に、クロックバッファＣＢ１およびフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２が接続され、クロックバッファＣＢ１からメッシュ構造クロック配線７を介してフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２にクロック信号が供給されるようになっている。
【００２９】
クロックバッファＣＢ１からメッシュ構造クロック配線７への配線経路Ｒ０は次のように構成されている。すなわち、図２で破線Ａで囲んで示し、また図３にも示すように、クロックバッファＣＢ１の出力端子ｔ０がコンタクトＣ１２ａを介して２層配線Ｌ２ａに接続され、２層配線Ｌ２ａがコンタクトＣ２３ａを介して３層配線Ｌ３ａに接続されている。３層配線Ｌ３ａがコンタクトＣ３４ａを介してメッシュ構造クロック配線７の４層配線Ｌ４に接続されている。
【００３０】
メッシュ構造クロック配線７からフリップフロップＦＦ１への配線経路Ｒ１は次のように構成されている。すなわち、図２で破線Ｂで囲んで示すように、メッシュ構造クロック配線７の５層配線Ｌ５がコンタクトＣ４５ｂを介して４層配線Ｌ４ｂに接続され、４層配線Ｌ４ｂがコンタクトＣ３４ｂを介して３層配線Ｌ３ｂに接続されている。３層配線Ｌ３ｂがコンタクトＣ２３ｂを介して２層配線Ｌ２ｂに接続され、２層配線Ｌ２ｂがフリップフロップＦＦ１の入力端子ｔ１に接続されている。
【００３１】
また、メッシュ構造クロック配線７からフリップフロップＦＦ２への配線経路Ｒ２は次のように構成されている。すなわち、図２で破線Ｃで囲んで示すように、メッシュ構造クロック配線７の５層配線Ｌ５がコンタクトＣ４５ｃを介して４層配線Ｌ４ｃに接続され、４層配線Ｌ４ｃがコンタクトＣ３４ｃを介して３層配線Ｌ３ｃに接続されている。３層配線Ｌ３ｃがコンタクトＣ２３ｃを介して２層配線Ｌ２ｃに接続され、２層配線Ｌ２ｃがフリップフロップＦＦ２の入力端子ｔ２に接続されている。
【００３２】
上記の構造により、クロックバッファＣＢ１から出力されるクロック信号がメッシュ構造クロック配線７を介してフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２に伝播される。
【００３３】
上記構成において、クロックバッファＣＢ１からメッシュ構造クロック配線７への配線経路Ｒ０は、メッシュ構造クロック配線７の最下位配線層（４層配線Ｌ４）以下の配線層のみで構成されている。
【００３４】
また、メッシュ構造クロック配線７からフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２への配線経路Ｒ１，Ｒ２は、メッシュ構造クロック配線７を構成する５層配線Ｌ５から配線されている。メッシュ構造クロック配線７からフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２の入力端子までの配線経路Ｒ１，Ｒ２は全て、メッシュ構造クロック配線７の５層配線Ｌ５からの配線のみに限定している。
【００３５】
以上のように、本実施の形態においては、予め登録されたクロックバッファＣＢ１とクロック信号を受ける同期回路セルであるフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２を配置し、メッシュ構造クロック配線７を配線している。ここで、クロックバッファＣＢ１の出力端子ｔ０とメッシュ構造クロック配線７とをつなぐ配線経路Ｒ０（このような配線経路が複数ある場合には、そのうちの少なくとも１つ）が、メッシュ構造クロック配線７における最下位配線層（４層配線Ｌ４の配線層）より上位の配線層を使用せずに配線する構成となっている。
【００３６】
フリップフロップＦＦ１，ＦＦ２からの配線経路Ｒ１，Ｒ２がメッシュ構造クロック配線７に対して接続されるのは、メッシュ構造クロック配線７における５層配線Ｌ５を生成した後である。５層配線Ｌ５の生成後に始めて接続される。そのため、フリップフロップＦＦ１，ＦＦ２をメッシュ構造クロック配線７に接続するために５層配線Ｌ５をエッチングするときには、既に５層配線Ｌ５はメッシュ構造クロック配線７を介してクロックバッファＣＢ１の拡散層に接続されている。同様なクロックバッファが複数ある場合には、拡散層への接続数が増えている。その結果、５層配線Ｌ５をエッチングしたときに、過大な電荷が発生したとしても、電荷はメッシュ構造クロック配線７を介してクロックバッファＣＢ１の拡散層に流れ込む。すなわち、電荷がフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２に流れ込むことが阻止または抑制され、フリップフロップＦＦ１，ＦＦ２のトランジスタにおいてゲート破壊は免れる。したがって、クロックラインの変更なしに、アンテナ効果を防止することができる。
【００３７】
ここで、メッシュ構造クロック配線７の最下位にある４層配線Ｌ４のエッチング時の状態を考察する。クロックバッファＣＢ１からの配線経路Ｒ０を４層配線Ｌ４に接続する際には、フリップフロップＦＦ１，ＦＦ２からの配線経路Ｒ１，Ｒ２は、未だメッシュ構造クロック配線７には接続されていない。したがって、４層配線Ｌ４をエッチングしたときに、過大な電荷が発生したとしても、電荷がフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２に流れ込むことはなく、フリップフロップＦＦ１，ＦＦ２のトランジスタにおいてゲート破壊は免れる。この意味でも、クロックラインの変更なしに、アンテナ効果を防止することができる。
【００３８】
以上のように、アンテナ効果を防止しつつクロックラインを変更する必要がないため、開発工数を削減することができる。また、スキューやクロストークの影響等の新たな問題を発生することもない。
【００３９】
（実施の形態２）
図５は本発明の実施の形態２における半導体集積回路のメッシュ構造クロック配線７を有するブロック１の一部を示し、図６は図５におけるｄ−ｄ′線での断面図である。図５、図６において、実施の形態１の図２、図３におけるのと同じ符号は同一構成要素を指しているので、詳しい説明は省略する。図７は配線経路を分かりやすく示す斜視図である。
【００４０】
メッシュ構造クロック配線７の構造およびクロックバッファＣＢ１からメッシュ構造クロック配線７における４層配線Ｌ４までの配線経路Ｒ０については、図２、図３の場合と同様である。４層配線Ｌ４からフリップフロップＦＦ３までの配線経路Ｒ３は次のように構成されている。すなわち、メッシュ構造クロック配線７における４層配線Ｌ４はコンタクトＣ４５ｅを介して５層配線Ｌ５ｄに接続されている。この５層配線Ｌ５ｄはメッシュ構造クロック配線７に属するものではない。５層配線Ｌ５ｄがコンタクトＣ４５ｄを介して４層配線Ｌ４ｄに接続され、４層配線Ｌ４ｄがコンタクトＣ３４ｄを介して３層配線Ｌ３ｄに接続されている。３層配線Ｌ３ｄがコンタクトＣ２３ｄを介して２層配線Ｌ２ｄに接続され、２層配線Ｌ２ｄがコンタクトＣ１２ｄを介してフリップフロップＦＦ３の入力端子ｔ３に接続されている。
【００４１】
実施の形態１の場合は、メッシュ構造クロック配線７の構成要素である５層配線Ｌ５からフリップフロップＦＦ１，ＦＦ２まで下方に向けて配線している。換言すれば、フリップフロップＦＦ１，ＦＦ２への配線経路Ｒ１，Ｒ２の最上位に位置する配線は５層配線Ｌ５であるが、この５層配線Ｌ５はメッシュ構造クロック配線７の構成要素である。
【００４２】
これに対して、本実施の形態２の場合は、メッシュ構造クロック配線７の構成要素である５層配線Ｌ５は使われない。メッシュ構造クロック配線７の構成要素である４層配線Ｌ４から一旦、上層の５層配線Ｌ５ｄへ結線される。そして、５層配線Ｌ５ｄからフリップフロップＦＦ３まで下方に向けて配線している。ここで、フリップフロップＦＦ３への配線経路Ｒ３の最上位に位置する配線は５層配線Ｌ５ｄであるが、この５層配線Ｌ５ｄはメッシュ構造クロック配線７の構成要素ではない。つまり、メッシュ構造クロック配線７以外の５層配線Ｌ５ｄを経由してフリップフロップＦＦ３へと至るものとなっている。
【００４３】
この構成により、メッシュ構造クロック配線７とフリップフロップＦＦ３とは、５層配線Ｌ５ｄを生成した時点で始めて接続される。そのため、フリップフロップＦＦ３を５層配線Ｌ５ｄに接続するために５層配線Ｌ５ｄをエッチングするときには、既に５層配線Ｌ５ｄはメッシュ構造クロック配線７を介してクロックバッファＣＢ１の拡散層に接続されている。その結果、５層配線Ｌ５ｄをエッチングしたときに、過大な電荷が発生したとしても、電荷はメッシュ構造クロック配線７を介してクロックバッファＣＢ１の拡散層に流れ込む。すなわち、電荷がフリップフロップＦＦ３に流れ込むことはなく、フリップフロップＦＦ３のトランジスタにおいてゲート破壊は免れる。したがって、クロックラインの変更なしに、アンテナ効果を防止することができる。
【００４４】
以上のように、本実施の形態においては、予め登録されたクロックバッファＣＢ１とクロック信号を受ける同期回路セルであるフリップフロップＦＦ３を配置し、メッシュ構造クロック配線７を配線している。ここで、メッシュ構造クロック配線７とフリップフロップＦＦ３からの配線経路Ｒ３とは、メッシュ構造クロック配線７の最下位配線層（４層配線Ｌ４の配線層）より上位の配線層を経由する構成となっている。
【００４５】
メッシュ構造クロック配線７における４層配線Ｌ４をエッチングしたときに、過大な電荷が発生したとしても、電荷がフリップフロップＦＦ３に流れ込むことはなく、フリップフロップＦＦ３のトランジスタにおいてゲート破壊は免れる。この意味でも、クロックラインの変更なしに、アンテナ効果を防止することができる。
【００４６】
以上のように、アンテナ効果を防止しつつクロックラインを変更する必要がないため、開発工数を削減することができる。また、スキューやクロストークの影響等の新たな問題を発生することもない。
【００４７】
なお、上記のいずれの実施の形態においても、メッシュ構造クロック配線７に対して複数のクロックバッファが接続される場合に、アンテナ効果を防止する条件は次のようになる。すなわち、その複数のクロックバッファのうち少なくとも１つのクロックバッファについて、そのクロックバッファからの配線経路が、メッシュ構造クロック配線７の最下位配線層（４層配線Ｌ４の配線層）以下の配線層で構成されておればよい。
【００４８】
もっとも、複数のクロックバッファからメッシュ構造クロック配線７への配線経路のすべてを、メッシュ構造クロック配線７の最下位配線層（４層配線Ｌ４の配線層）以下の配線層で構成する場合には、メッシュ構造クロック配線７からフリップフロップへの配線経路はどのようなものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
クロックバッファからメッシュ構造クロック配線を介して同期回路セルにクロックを供給するように構成された本発明の半導体集積回路は、クロックラインを変更することなくアンテナダメージを防止するメッシュ構造クロック配線設計等の技術として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体集積回路のレイアウト図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体集積回路のメッシュ構造クロック配線を有するブロック内の接続構造を具体的に示すレイアウト図
【図３】図２におけるａ−ａ′線での断面図
【図４】本発明の実施の形態１の半導体集積回路の配線経路を分かりやすく示す斜視図
【図５】本発明の実施の形態２における半導体集積回路のメッシュ構造クロック配線を有するブロック内の接続構造を具体的に示すレイアウト図
【図６】図５におけるｄ−ｄ′線での断面図
【図７】本発明の実施の形態２の半導体集積回路の配線経路を分かりやすく示す斜視図
【符号の説明】
【００５１】
１  メッシュ構造クロック配線を有するブロック
２  クロック信号を作る機能を持つブロック
５  クロック信号配線
６  クロックバッファ
７  メッシュ構造クロック配線
８〜１１  クロックバッファ
ＣＢ１  クロックバッファ
ＦＦ１，ＦＦ２，ＦＦ３  フリップフロップ（同期回路セル）
Ｌ２ａ，Ｌ２ｂ，Ｌ２ｃ，Ｌ２ｄ  ２層配線
Ｌ３ａ，Ｌ３ｂ，Ｌ３ｃ，Ｌ３ｄ  ３層配線
Ｌ４  メッシュ構造クロック配線の４層配線
Ｌ４ｂ，Ｌ４ｃ，Ｌ４ｄ  ４層配線
Ｌ５  メッシュ構造クロック配線の５層配線
Ｌ５ｄ  ５層配線
Ｒ０，Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３  配線経路
ｔ０  出力端子
ｔ１，ｔ２，ｔ３  入力端子
【図１】
2006013036.tif 000003
【図２】
2006013036.tif 000004
【図３】
2006013036.tif 000005
【図４】
2006013036.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006013036.tif 000008
【図７】
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