(57)【要約】【課題】  電界放出型画像表示装置のＦＥＤパネル等において、内部回路の電圧降下を抑制しつつ、内部回路をより確実に封止する技術を提供することにある。【解決手段】  表示基板の内部を封止する封止部３１０と、封止部３１０を貫き走査線１６０と外部回路とを接続する引出し線１３０とを有する表示基板において、走査線１６０の少なくとも一部は、引出し線（Ａｌ配線等）１３０より比抵抗の小さい物質（Ａｇ等）で形成されている。また、走査線１６０の少なくとも一部は、引出し線１３０より膜厚の厚い配線で形成されるようにしてもよい。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界放出型画像表示装置の表示基板であって、
前記表示基板の内部に形成された走査線と、
前記表示基板の内部を封止する封止部と、
前記封止部を貫き前記走査線と外部回路とを接続する引出し線とを有し、
前記走査線は、当該走査線の電圧降下が許容範囲内に収まる程度に低抵抗に形成されており、
前記引出し線の前記封止部における膜厚は、前記表示基板の内部が封止される程度に、薄く形成されている
ことを特徴とする表示基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記許容範囲は、電圧降下が０．５Ｖ以内であることを特徴とする表示基板。
【請求項３】
請求項１において、
前記引出し線の前記封止部における膜厚は、１００〜５００ｎｍの範囲である
ことを特徴とする表示基板。
【請求項４】
電界放出型画像表示装置の表示基板であって、
前記表示基板の内部を封止する封止部と、
前記表示基板の内部の走査線と外部回路とを接続する引出し線とを有し、
前記走査線の少なくとも一部は、前記封止部の引出し線より比抵抗の小さい物質で形成されていることを特徴とする表示基板。
【請求項５】
電界放出型画像表示装置の表示基板であって、
前記表示基板の内部を封止する封止部と、
前記表示基板の内部の走査線と外部回路とを接続する引出し線とを有し、
前記走査線の少なくとも一部は、前記封止部の引出し線より膜厚の厚い配線で形成されていることを特徴とする表示基板。
【請求項６】
電界放出型画像表示装置の表示基板であって、
前記表示基板の内部を封止する封止部と、
前記表示基板内の走査線を構成し且つ前記封止部を貫き外部回路と接続する第１の配線と、
前記第１の配線の走査線を構成する部分の少なくとも一部に重なり走査線を構成する第２の配線とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項７】
請求項６において、
前記第２の配線は、前記第１の配線より比抵抗の小さい物質で形成されていることを特徴とする表示基板。
【請求項８】
電界放出型画像表示装置の表示基板であって、
前記表示基板の内部を封止する封止部と、
前記表示基板内の走査線を構成する第１の配線と、
前記第１の配線の少なくとも一部に重なり走査線の一部を構成し且つ前記封止部を貫き外部回路と接続する第２の配線とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の配線は、前記第２の配線より比抵抗の小さい物質で形成されていることを特徴とする表示基板。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第２の配線は、前記第１の配線を覆うようにして形成されていることを特徴とする表示基板。
【請求項１１】
電界放出型画像表示装置の表示基板であって、
カソード基板とアノード基板との間の空間を封止する封止部と、
前記カソード基板上の走査線と外部回路とを接続する引出し線とを有し、
前記走査線の少なくとも一部は、前記封止部の引出し線より低抵抗の配線で形成されており、
前記引出し線は、スパッタ法により形成されたものであり、
前記走査線は、スクリーン印刷法により形成されたものである
ことを特徴とする表示基板。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記引出し線は、Ａｌ、Ｃｕ，Ｃｒ又はこれらの合金で形成され、
前記走査線は、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄ又はこれらの合金で形成されている
ことを特徴とする表示基板。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の表示基板であって、
前記走査線は、
下地の上に形成され、フリット入りの金属ペーストから形成された第１の層と、
前記第１の層の上に形成され、フリット無しの金属ペーストから形成された第２の層とを有する
ことを特徴とする表示基板。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の表示基板であって、
前記走査線は、
下地の上に形成され、フリット入りの第１の金属ペーストから形成された第１の層と、
前記第１の層の上に形成され、前記第１の金属ペーストより金属濃度が高い第２の金属ペーストから形成された第２の層とを有する
ことを特徴とする表示基板。
【請求項１５】
回路基板であって、
内部回路が真空に維持されるように封止する封止部と、
前記封止部を貫き内部配線を外部回路と接続する引出し線とを有し、
前記内部回路の少なくとも一部は、前記引出し線より比抵抗の小さい物質で形成されていることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示基板に関し、特に電界放出型画像表示装置の表示基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、電界放出型画像表示装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）に用いられるパネル（ＦＥＤ基板）が記載されている。図１９は、このＦＥＤ基板の平面図である。図２０は図１９のＢ−Ｂ方向断面図である。図示するように、特許文献１にかかるＦＥＤ基板は、データ線６７０と走査線６３０とが交差して配置されたカソード基板６１０と、ブラックマトリクス、蛍光体及びアノード電極が形成されたアノード基板６２０とが、枠ガラス６５０を挟んで平行に配置されて構成されている。電子放出源は、データ配線６７０と走査線６３０とが交差する部分に設けられている。枠ガラス６５０とカソード基板６１０及びアノード基板６２０との間は、リークしないようにガラスフリット６５１，６５２で封止されている。そして、基板内部６１５は、電子源が電子を放出できるように真空となっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１１１０５３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、画面の大型化を達成するためには、走査線に生じる電圧降下を抑制して走査線に沿った輝度むらを低減する必要がある。例えば、特許文献１のＦＥＤ基板では、走査線を太くして抵抗値を下げ、電圧降下を抑制する方法が考えられる。
【０００５】
しかし、走査線を太くすると、走査線の内部応力によりガラスフリットによる封止部分で剥離や亀裂が生じ易くなり、基板内部の密閉性が低下してしまう。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、外部回路との接続配線を有する基板において、内部回路の電圧降下を抑制しつつ、内部回路をより確実に封止する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決すべく、本発明の表示基板は、内部回路の配線と、封止部における引出し線とを異なる仕様で構成させる。例えば、内部回路の配線の仕様を、低抵抗とし、封止部における引出し線の仕様を、リークが生じない程度の薄い膜厚とする。
【０００８】
具体的には、本発明の電界放出型画像表示装置の表示基板は、前記表示基板の内部に形成された走査線と、前記表示基板の内部を封止する封止部と、前記封止部を貫き前記走査線と外部回路とを接続する引出し線とを有し、前記走査線は、当該走査線の電圧降下が許容範囲内に収まる程度に低抵抗に形成されており、前記引出し線の前記封止部における膜厚は、前記表示基板の内部が封止される程度に、薄く形成されている。
【０００９】
また、本発明の電界放出型画像表示装置の表示基板は、前記表示基板の内部を封止する封止部と、前記表示基板の内部の走査線と外部回路とを接続する引出し線とを有し、前記走査線の少なくとも一部は、前記封止部の引出し線より比抵抗の小さい物質で形成されている。
【００１０】
また、前記走査線の少なくとも一部は、前記封止部の引出し線より膜厚の厚い配線で形成されていてもよい。
【００１１】
また、本発明の電界放出型画像表示装置の表示基板は、前記表示基板の内部を封止する封止部と、前記表示基板内の走査線を構成し且つ前記封止部を貫き外部回路と接続する第１の配線と、前記第１の配線の走査線を構成する部分の少なくとも一部に重なり走査線を構成する第２の配線とを有するものであってもよい。
【００１２】
また、本発明の電界放出型画像表示装置の表示基板は、前記表示基板の内部を封止する封止部と、前記表示基板内の走査線を構成する第１の配線と、前記第１の配線の少なくとも一部に重なり走査線の一部を構成し且つ前記封止部を貫き外部回路と接続する第２の配線とを有するものであってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明を用いたＦＥＤ基板の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態にかかるＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）基板の概略構成を示す平面図である。また、図２は、図１のＦＥＤ基板におけるＡ−Ａ方向断面図である。図示するように、本実施形態のＦＥＤ基板は、カソード基板１１０とアノード基板１２０とが、枠ガラス１５０を介して対向して配置され構成される。
【００１５】
カソード基板１１０は、ガラス等の絶縁性の基板で構成される。カソード基板１１０上には、データ線１７０及び走査線１６０とが交差して設けられている。データ線１７０は、Ａｌ、Ａｌ合金等で形成されている。データ線１７０の膜厚は、通常１００〜５００ｎｍの範囲である。データ線１７０の末端は、外部回路であるデータ線駆動回路（図示しない）と接続される。
【００１６】
各走査線１６０は、通常、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄまたはこれらの合金等で形成されるが、低抵抗性（比抵抗が小さい）、特に製造の容易性等の観点からは、Ａｇで形成されるのが好ましい。走査線１６０の膜厚は、通常１〜３０μｍ、好ましくは５〜２０μｍの範囲である。線幅は、通常５０〜６００μｍ範囲である。ただし、走査線の膜厚や線幅は、走査線の電圧降下が、その許容範囲に収まるように、所定の抵抗値となるように定められるのが好ましい。各走査線１６０は、接合部３２０において、カソード基板１１０上の走査線引出し線１３０と接続している。
【００１７】
走査線引出し線１３０は、封止部３１０を貫いて、外部回路である走査線駆動回路（図示しない）と接続するための配線である。走査線引出し線１３０は、通常Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒまたはこれらの合金等で形成されるが、製造容易性等の観点からＡｌで形成されるのが好ましい。走査線引出し線１３０の厚さは、封止部３１０でより完全に封止する観点から、通常１００〜５００ｎｍの範囲である。
【００１８】
冷陰極電子源（図示しない）は、データ線１７０と走査線１６０とが交差する位置に設けられている。冷陰極電子源は、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等の電界放出型電子源と、金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型電子源、金属―絶縁体―半導体電極を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型電子源等のホットエレクトロン型電子源とに大別されるが、いずれの電子源を設けてもよい。例えば、ＭＩＭ型電子源については、特開平１０−１５３９７９号公報、特開２００４−１１１０５３等に開示されているが、これらのＭＩＭ型電子源を配置してもよい。
【００１９】
アノード基板１２０は、透明性のあるガラス板等で構成されている。アノード基板１２０の一方の面にはブラックマトリックス、蛍光体及びアノード電極が形成されており、形成面がカソード基板１１０の配線形成面と向かい合うように配置されている。ブラックマトリックスは、酸化クロム等で形成されている。蛍光体は、例えば、赤色にＹ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ（Ｐ２２−Ｒ）、緑色にＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（Ｐ２２−Ｇ）、青色にＺｎＳ：Ａｇ（Ｐ２２−Ｂ）で構成することができる。
【００２０】
枠ガラス１５０とカソード基板１１０及びアノード基板１２０との間は、ガラスフリット等の接着剤１５１、１５２により、基板内部１１５の圧力が１０−５Ｐａ程度に維持できるように封止されている。
【００２１】
次に、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の製造方法について説明する。図３は、基板の平面図であり、図４及び５は、図３のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【００２２】
まず、カソード基板（ガラス基板）１１０上に、ＭＩＭ電子源等の電子源とともにデータ線１７０を形成させる。データ線１７０は、スパッタ法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等を用いて、ＡｌやＡｌ合金等により形成させることができる。データ線１７０の厚さは、通常１００〜５００ｎｍの範囲となるように形成させる。
【００２３】
次に、図３及び図４に示すように、カソード基板１１０上に、走査線用引出し線１３０を形成させる。走査線引出し線１３０は、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｒ又はこれらの合金等を用いてスパッタ法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等により形成させることができる。膜厚は、より完全に封止する観点から、通常１００〜５００ｎｍの範囲となるように形成させる。
【００２４】
次に、カソード基板１１０上に走査線１６０を形成させる。形成方法は、走査線１６０を形成させることができる方法であれば、特に制限はない。以下に、Ａｇで走査線を形成させる方法について説明する。
【００２５】
ここでは、図５に示すように、スクリーン印刷法を用いる。すなわち、Ａｇ配線を設ける部分の形状（直線状）パターン２２０を有するスクリーン版２００の上部から、Ａｇペースト２３０をスキージ２１０を用いて擦り付ける。そして、カソード基板１１０上にＡｇペースト２３０を塗布する。このとき、Ａｇ配線１６０の両末端が走査線引出し線１３０に接触するようにする。その後、加熱してＡｇペースト中の溶剤及びバインダを除去し、Ａｇペースト中のＡｇ粒子を融着させる。
【００２６】
Ａｇペーストは、カソード基板１１０に設けられている電子源の耐熱温度以下で焼成可能なものを用いるのが好ましい。例えば、カソード基板１１０にＭＩＭ電子源が設けられている場合は、ＭＩＭ電子源の耐熱性が４３０℃程度であるので、４３０℃以下で焼成可能なＡｇペーストを用いるのが好ましい。具体的には、フリット入りのＸＦＰ５３６９−５０Ｌ（ナミックス社製、加熱条件：仮乾燥１５０℃で１５分、焼成４３０℃で３０分）を用いることができる。
【００２７】
Ａｇ配線の膜厚は、通常１〜３０μｍの範囲となるように形成させる。また、線幅は、通常１００〜３００μｍの範囲となるように形成させる。
【００２８】
また、複数回スクリーン印刷を行うことで、膜厚を厚くしてもよい。例えば、1回目の印刷後、乾燥させ、２度目の印刷を重ねて行い、乾燥後、焼成する。こうすれば、１回印刷では、７μｍ程度の膜厚のＡｇ配線が得られる場合に、２回印刷で１２μｍ程度のＡｇ配線が得られる。
【００２９】
次に、図２に示すように、一方の面にブラックマトリックス、蛍光体及びアノード電極が形成されたアノード基板を、形成面がカソード基板の配線形成面と向かい合うように、枠ガラス１５０を介して配置させる。このとき、枠ガラス１５０とアノード基板１２０及びカソード１１０基板との間には、ガラスフリット１５１，１５２を塗布する。そして、塗布したガラスフリット１５１，１５２を加熱することにより一端溶解した後、冷却して硬化させ接着させる。
【００３０】
接着剤として用いるガラスフリット１５１，１５２は、電子源の耐熱温度以下で溶解可能なものを用いるのが好ましい。例えば、カソード基板１１０にＭＩＭ電子源が設けられている場合は、４３０℃以下で溶解するものが好ましい。
【００３１】
次に、排気口（図示しない）から、基板内部１１５の圧力が１０−５Ｐａ程度になるまで真空ポンプを用いて排気した後、封止する。
【００３２】
以上、第１実施形態にかかるＦＥＤ基板について説明した。
【００３３】
本実施形態によれば、走査線と引出し線とを別個に形成させるので、それぞれを異なる仕様とすることができる。すなわち、走査線は、抵抗の少ないＡｇ等で構成できるので、走査線の電圧降下を抑制できる。一方、引出し線は、距離が短いため十分に膜厚の薄さを確保できる。したがって、ガラスフリットの溶解のために高温加熱した場合でも、内部応力による剥離や亀裂を防止でき、封止部の密閉性が向上できる。
【００３４】
また、走査線は、量産性の高いスクリーン印刷法により容易にＡｇ配線により構築できる。スクリーン印刷法は、スキージに対して直交方向のパターン形成を得意とし、斜め方向や平行パターンは、塗出不良（にじみや切れ）を生じ易く不得意である。本実施形態では、図１に示すように、平行した直線パターンの走査線部分のみをスクリーン印刷により形成させる。パターンの絞り部分は、走査線引出し線として、スパッタ法等により形成させる。したがって、本実施形態のＦＥＤ基板の製造方法では、切れの少ない、きれいな配線を効率よく形成することができる。
【００３５】
＜第２実施形態＞
図６は、第２実施形態にかかるＦＥＤ基板の平面図である。また図７は、図６のＡ−Ａ方向の断面図である。なお、上記第１実施形態のＦＥＤ基板と同様に構成される部分は説明を省略する。
【００３６】
上記第１実施形態のＦＥＤ基板では、封止部３１０の密閉性を確保するため、走査線引出し線１３０を、膜厚の薄いＡｌ等の配線で構成していた。また、走査線１６０の抵抗を下げるために、走査線１６０を、低抵抗のＡｇ等の配線で構成していた。これに対して本実施形態では、図示するように、走査線引出し線１３０は、走査線の部分まで伸びており、走査線の一部１３０２を構成している。そして、走査線の抵抗を下げるために、走査線部分１３０２には、Ａｇ等の低抵抗の配線１６０２が重ねられている。すなわち、走査線は、配線１３０２と配線１６０２とが合わさって形成されている。
【００３７】
走査線の一部をかねる走査線引出し線１３０は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の走査線引出し線と同様に、通常Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒまたはこれらの合金等で形成されるが、製造容易性等の観点からＡｌで形成されるのが好ましい。走査線引出し線１３０の厚さは、封止部３１０でより完全に封止する観点から、通常１００〜５００ｎｍ、好ましくは２００〜４００ｎｍの範囲である。
【００３８】
配線１３０２に重ねられる配線１６０２は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の走査線１６０と同様に、通常、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄまたはこれらの合金等で形成される。これらの中でも、低抵抗性、製造の容易性等の観点から、Ａｇで形成されるのが好ましい。配線１６０２の線幅は、通常５０〜６００μｍ範囲であり、膜厚は、通常１〜３０μｍ、この好ましくは５〜２０μｍの範囲である。ただし、配線１６０２の膜厚や線幅は、走査線の電圧降下が、その許容範囲に収まるように、所定の抵抗値となるように定められるのが好ましい。
【００３９】
次に、第２実施形態のＦＥＤ基板の製造方法について説明する。図８は、基板の平面図であり、図９及び１０は、図８のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【００４０】
まず、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の製造の場合と同様に、カソード基板（ガラス基板）１１０上に、ＭＩＭ電子源等の電子源（図示しない）とともにデータ線１７０を形成させる。
【００４１】
次に、図８及び図９に示すように、カソード基板１１０上に、走査線の一部１３０２をかねる走査線用引出し線１３０を形成させる。走査線用引出し線１３０の形成方法は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の走査線引出し線１３０の形成方法と同様である。
【００４２】
次に、走査線部分を低抵抗にするため、配線１３０２にＡｇ等の低抵抗の配線を重ねる。ここでは、図１０に示すように、スクリーン印刷法を用いる。スクリーン印刷法は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の場合と同様である。
【００４３】
Ａｇ配線の膜厚は、通常１〜３０μｍの範囲となるように形成させる。また、上記第１実施形態と同様に、複数回スクリーン印刷を行うことで、膜厚を厚くしてもよい。
【００４４】
次に、図７に示すように、上記第１実施形態と同様に、一方の面にブラックマトリックス、蛍光体及びアノード電極が形成されたアノード基板１２０を、形成面がカソード基板１１０の配線形成面と向かい合うように、枠ガラス１５０を介して配置させる。このとき、枠ガラス１５０とアノード基板１２０及びカソード１１０基板との間には、ガラスフリット１５１，１５２を塗布する。そして、塗布したガラスフリット１５１，１５２を加熱することにより一端溶解した後、冷却して硬化させ接着させる。
【００４５】
次に、排気口（図示しない）から、基板内部１１５の圧力が１０−５Ｐａ程度になるまで真空ポンプを用いて排気した後、封止する。こうして、図７に示すＦＥＤ基板を製造することができる。
【００４６】
以上第２実施形態のＦＥＤ基板について説明した。本実施形態によれば、走査線部分と、引出し線部分とを異なる仕様で構成することができる。すなわち、走査線は、Ａｌ等の配線と、それに重なったＡｇ等の低抵抗の配線とで構成される。したがって、走査線の電圧降下を抑制できる。一方、引出し線は、低抵抗にする必要がないので、Ａｌ等の配線のまま十分に膜厚の薄さを確保できる。したがって、ガラスフリットの溶解のために高温加熱した場合でも、内部応力による剥離や亀裂を防止でき、封止部の密閉性が向上できる。
【００４７】
＜第３実施形態＞
図１１は、第３実施形態にかかるＦＥＤ基板の平面図である。図１２は、図１１のＡ−Ａ方向の断面図である。なお、上記第１及び第２実施形態のＦＥＤ基板と同様に構成される部分は説明を省略する。
【００４８】
上記第２実施形態のＦＥＤ基板では、走査線引出し線１３０は、走査線部分まで伸びており、走査線の一部１３０２を構成していた。そして、走査線の抵抗を下げるために、走査線部分１３０２には、Ａｇ等の低抵抗の配線１６０２が重ねられていた。これに対して本実施形態のＦＥＤ基板は、図１１及び１２に示すように、データ線１７０上に、まず、Ａｇ等の低抵抗の配線で走査線１６０３が形成され、その上に、走査線の引出し線部分まで伸びた配線１３０３が重なった構成を有する。
【００４９】
走査線１６０３は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の走査線１６０と同様に、通常、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄまたはこれらの合金等で形成される。これらの中でも、低抵抗性、製造の容易性等の観点から、Ａｇで形成されるのが好ましい。配線１６０３の線幅は、通常５０〜６００μｍ範囲である。走査線１６０３の膜厚は、走査線の低抵抗化の観点から、通常１〜３０μｍ、この好ましくは５〜２０μｍの範囲である。ただし、走査線の膜厚や線幅は、走査線の電圧降下が、その許容範囲に収まるように、所定の抵抗値となるように定められるのが好ましい。
【００５０】
走査線の一部１３０３をかねる走査線引出し線１３０は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の走査線引出し線と同様に、通常Ａｌ，Ｃｕ，Ｃｒまたはこれらの合金等で形成されるが、製造容易性等の観点からＡｌで形成されるのが好ましい。走査線引出し線１３０の厚さは、封止部３１０において、通常１００〜５００ｎｍの範囲である。
【００５１】
次に、第３実施形態のＦＥＤ基板の製造方法について説明する。図１３は、基板の平面図であり、図１４〜図１６は、図１３のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【００５２】
まず、図１３及び図１４に示すように、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の製造の場合と同様に、カソード基板（ガラス基板）１１０上に、ＭＩＭ電子源等の電子源（図示しない）とともにデータ線１７０を形成させる。
【００５３】
次に、Ａｇ等の低抵抗の配線により走査線１６０３を形成させる。ここでは、図１５に示すように、スクリーン印刷法を用いる。スクリーン印刷法は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の場合と同様である。
【００５４】
Ａｇ配線の膜厚は、通常１〜３０μｍの範囲となるように形成させる。また、上記第１実施形態と同様に、複数回スクリーン印刷を行うことで、膜厚を厚くしてもよい。
【００５５】
次に、図１６に示すように、走査線１６０３の上に走査線用引出し線１３０まで伸びる配線１３０３を形成させる。配線１３０３の形成方法は、上記第１実施形態のＦＥＤ基板の走査線引出し線１３０の形成方法と同様である。
【００５６】
次に、図１２に示すように、上記第１実施形態と同様に、一方の面にブラックマトリックス、蛍光体及びアノード電極が形成されたアノード基板１２０を、形成面がカソード基板１１０の配線形成面と向かい合うように、枠ガラス１５０を介して配置させる。このとき、枠ガラス１５０とアノード基板１２０及びカソード１１０基板との間には、ガラスフリット１５１，１５２を塗布する。そして、塗布したガラスフリット１５１，１５２を加熱することにより一端溶解した後、冷却して硬化させ接着させる。
【００５７】
次に、排気口（図示しない）から、基板内部１１５の圧力が１０−５Ｐａ程度になるまで真空ポンプを用いて排気した後、封止する。こうして、図１２に示すＦＥＤ基板を製造することができる。
【００５８】
以上第３実施形態のＦＥＤ基板について説明した。本実施形態によれば、走査線部分と、引出し線部分とを異なる仕様で構成することができる。すなわち、走査線の一部は、Ａｇ等の低抵抗の配線で構成される。したがって、走査線の電圧降下を抑制できる。一方、引出し線は、低抵抗にする必要がないので、Ａｌ等の配線のまま十分に膜厚の薄さを確保できる。したがって、ガラスフリットの溶解のために高温加熱した場合でも、内部応力による剥離や亀裂を防止でき、封止部の密閉性が向上できる。
【００５９】
なお、上記第３実施形態において走査線の一部を構成する査線引出し線１３０は、図１７（Ａ）の平面図に示すように、Ａｇ等で形成される走査線１６０がはみ出るように形成されてもよい。また、図１７（Ｂ）の平面図のように、走査線１６０を覆うように形成されてもよい。また、図１７（Ｃ）の平面図のように、走査線１６０の全体を覆うのではなく、走査線引出し部分に近い部分のみを覆うようにしてもよい。
【００６０】
以上、本発明のいくつかの実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。上記実施形態は、本発明の要旨の範囲内で様々な変形が可能である。
【００６１】
例えば、上記実施形態では、走査線部分（若しくは一部）と走査線引出し線部分を異なる材料で構成したが、図１８の１３０４に示すように、同じ材料で構成してもよい。図１８において、走査線引出し線１３０の封止部３１０の膜厚は、基板内部１１５が真空に封止されるように十分に薄い。一方、走査線部分１３０４は、走査線引出し線部分１３０より膜厚を厚くして、走査線の電圧降下を抑制している。このような部位により層の厚みを変化させた配線１３０４，１３０は、スパッタ法、フォトリソグラフィ法、エッチング法等により形成可能である。また、スクリーン印刷法により、厚くする部分について複数回重ね印刷するなどして、厚みを変えた配線を形成することもできる。
【００６２】
また、上記したように、走査線の膜厚や線幅は、走査線の電圧降下の許容範囲に応じて定められる。より具体的には、電圧降下の許容範囲に応じて定められる抵抗値の許容範囲により定められる。電圧降下の許容範囲は、通常、０．５Ｖ以内である。例えば、表示画面サイズが２０〜３２インチの場合、走査線の長さは４００〜７２０ｍｍであり、電圧降下の許容範囲に収めるためには、走査線の抵抗値は１５〜４０Ωにする。また、表示画面サイズが３３〜５０インチの場合、走査線の長さは７００〜１２００ｍｍであり、電圧降下の許容範囲に収めるためには、走査線の抵抗値は６〜１５Ωにする。また、表示画面サイズが５１〜６５インチの場合、走査線の長さは１０００〜１５００ｍｍであり、電圧降下の許容範囲に収めるためには、走査線の抵抗値は３〜６Ωにする。走査線の膜厚や線幅は、このような抵抗値に収まるように調整する。
【００６３】
また、上記実施形態では、走査線をスクリーン印刷により形成する過程において、下地（第２実施形態の図７の例では、金属配線１３０２）との密着性向上のためフリット入りの金属ペースト（Ａｇペースト）を用いた。本発明は、これに限られない。より低抵抗のフリット無しの金属ペーストを用いてもよい。例えば、フリット入りの金属ペーストを印刷した上に、フリット無しの金属ペーストを重ね印刷してもよい。こうすれば、下地との密着性を確保しつつ、より薄い膜厚で低抵抗の走査線を形成できる。また、フリット入りの金属ペーストを印刷した上に、その金属ペーストよりフリット濃度が低い金属ペースト（若しくは金属濃度が高い金属ペースト）を用いてもよい。
【００６４】
例えば、上記第２の実施形態のＦＥＤ基板（図７）において、フリット無しのＡｇペーストを用いた場合、図２１のようになる。図２１は、ＦＥＤ基板のＡ−Ａ方向の断面図である。図示するように、下地の金属配線１３０２の上に、フリット入りのＡｇペーストから形成された層１６０５と、フリット無しのＡｇペーストから形成された層１６０６とが、この順に重なった構成となっている。そして、これらが走査線を構成している。
【００６５】
このような構成は、次のようにして達成できる。まず、スクリーン印刷法により、フリット入りのＡｇペースト（例えば、ＸＦＰ５３６９−５０Ｌ（ナミックス社製））を走査線の配線パターンに塗布し仮乾燥を行う。次に、フリットの入っていないＡｇペースト（例えば、ＸＦＰ５３６９−５０Ｌ−０（ナミックス社製、加熱条件：仮乾燥１５０℃で１５分、焼成４３０℃で３０分））を、フリット入りのＡｇペーストのパターン上に重なるように、スクリーン印刷法により塗布する。必要に応じて、フリットの入っていないＡｇペーストを重ね印刷してもよい。その後、乾燥後、焼成する。
【００６６】
このように、二つの層を重ねた状態で焼成すれば、Ａｇ粒子同士が融着し、二つの層の接触抵抗を小さくすることができる。
【００６７】
なお、本発明は、ＦＥＤ基板に限定されない。内部回路を外部回路から封止した構造を有し、かつ、内部回路と外部回路を接続する配線を有する基板であれば、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は本発明の第１実施形態にかかるＦＥＤ基板の平面図である。
【図２】図２は図１のＡ−Ａ方向断面図である。
【図３】図３は第１実施形態にかかるＦＥＤ基板の製造方法を説明するための基板の平面図である。
【図４】図４は図３のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図５】図５は図３のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図６】図６は第２実施形態にかかるＦＥＤ基板の製造方法を説明するための基板の平面図である。
【図７】図７は図６のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図８】図８は第２実施形態にかかるＦＥＤ基板の製造方法を説明するための基板の平面図である。
【図９】図９は図８のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図１０】図１０は図８のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図１１】図１１は本発明の第３実施形態にかかるＦＥＤ基板の平面図である。
【図１２】図１２は図１１のＡ−Ａ方向断面図である。
【図１３】図１３は第３実施形態にかかるＦＥＤ基板の製造方法を説明するための基板の平面図である。
【図１４】図１４は図１３のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図１５】図１５は図１３のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図１６】図１６は図１３のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図１７】図１７（Ａ）〜（Ｃ）は、走査線と引出し線を拡大した平面図である。
【図１８】図１８は、変形例にかかるＦＥＤ基板の図１のＡ−Ａ方向に相当する断面図である。
【図１９】図１９は従来例にかかるＦＥＤ基板の平面図である。
【図２０】図２０は図１９のＢ−Ｂ方向断面図である。
【図２１】図２１は、変形例にかかるＦＥＤ基板のＡ−Ａ方向断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１１０…カソード基板、１１５…基板内部、１２０…アノード基板、１３０…走査線引出し線、１５０…枠ガラス、１５１、１５２…ガラスフリット、１６０…走査線、１７０…データ配線、３１０…封止部、３２０…接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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