(57)【要約】【課題】基板周辺でのプラズマ等における放電状態の安定化を図り、真空状態での製膜処理における膜厚分布をより均一に導くことを可能とした基板保持部材を有する真空処理装置を提供すること。【解決手段】処理室内に設置される台座をなすヒータカバー１５に各辺が１ｍを超える基板Ｋを固定するための基板保持部材２０は、基板厚みの５％以上３０％以下の厚みを有して基板縁部を押さえる板部材２１と、基板厚みと略同一な厚み部分を有して前記板部材２１を支持する支持部材２２とを備える構成とした。また、支持部材２２を基板Ｋから離間させるために板部材２１に延長部を追加して基板Ｋを押さえる構成を追加した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に設置される台座に基板保持部材を介して各辺が１ｍを超える基板を固定し、真空状態に導いて前記基板の製膜等のプラズマ処理を行う真空処理装置において、
前記基板保持部材は、基板端部を押さえる板部材と該板部材を支持する支持部材とからなり、
前記板部材は、基板厚みの５％以上３０％以下の厚みを有し、前記基板の端部形状に合わせて折り曲げられた押さえ部と、前記支持部材への嵌めこみ構造を得るべく折り曲げられた接続部とを備え、
前記支持部材は、前記板部材と接続される側にて基板厚みと略同一な厚みを有する部分を備えるとともに、前記板部材と接続される端側に前記接続部が嵌め込まれるべく形成された溝部を備えることを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
前記板部材と前記支持部材との組み合わせ後における変位差を吸収しつつ互いの接続状態を保持する変位差吸収接続手段が備えられてなることを特徴とする請求項１記載の真空処理装置。
【請求項３】
前記板部材は、前記接続部と前記押さえ部との間に位置する延長部とを有して形成されてなり、
該延長部は、基板長さの４％以上の高さ寸法を有して形成されてなることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の真空処理装置。
【請求項４】
前記板部材には、前記基板の延在方向に交わってなお且つ前記延長部の一部を少なくとも切り欠く複数のスリットが形成されてなることを特徴とする請求項３記載の真空処理装置。
【請求項５】
前記各スリットは、前記板部材の縁部手前まで形成されてなることを特徴とする請求項４記載の真空処理装置。
【請求項６】
前記複数のスリットの間隔は１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下とされ且つスリット幅が０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とされていることを特徴とする請求項４又は請求項５記載の真空処理装置。
【請求項７】
前記板部材の表面が粗面とされていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項記載の真空処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、プラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置などの真空状態にて基板に製膜などのプラズマ処理を施す真空処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、シリコン太陽電池等の半導体を製造する際に、その製膜処理を行う装置としてプラズマＣＶＤ装置、スパッタリング装置（共に真空処理装置）などが用いられている。なお、ここでは、その代表例として図７に示されるプラズマを用いたプラズマＣＶＤ装置１０を例に挙げて説明する。
このプラズマＣＶＤ装置１０は、図示しない真空ポンプによって真空状態にまで減圧される製膜室（処理室）を形成する図示しない真空チャンバの略中央に、ラダー電極１３が両側面に設けられた製膜ユニット１１を有しており、この製膜ユニット１１の両側面側にヒータカバー１５（台座）を介して基板加熱ヒータ１６が設けられている。
【０００３】
このプラズマＣＶＤ装置１０では、真空チャンバ内が減圧された真空状態にてＳｉＨ４からなる原料ガスを含む処理原料ガスである製膜ガスが送り込まれる。
そして、ラダー電極１３に高周波電力が供給されると真空チャンバ内にてプラズマが発生し、ヒータカバー１５上に設置されて基板加熱ヒータ１６により加熱された基板Ｋにアモルファスシリコン等の製膜が施されるようになっている。
【０００４】
基板Ｋは基板ヒータカバー１５に着座して固定されることになるが、基板Ｋをヒータカバー１５に固定する手段として、従来より図８にも示すような基板保持部材２０がプラズマＣＶＤ装置１０に設けられている。
この基板保持部材２０は、基板Ｋの周囲（縁部）を押さえることで、基板Ｋとヒータカバー１５との密着状態を良好に保ちつつ、ヒータカバー１５や、製膜処理を施さないヒータカバー１５と面する基板の表面などに製膜における膜を付着させないような役目を担っている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
さて、上述した基板保持部材２０の下部を拡大した図８に示すように、基板保持部材２０は基板Ｋを確実に押さえる必要性から、基板厚みｔの約２倍の厚さ寸法２ｔを有して形成されている。例えば、基板Ｋの大きさが各辺で１ｍを超えるような大面積型の基板Ｋであると基板厚みが３〜４ｍｍ程度とされるが、このような大面積で重い基板Ｋを押さえるためには、基板保持部材２０の厚みを基板厚みの約２倍の８ｍｍ程度とすることが好適であると考えられていた。
【０００６】
より詳細に基板保持部材２０の形状を説明すると、実質的に基板Ｋの周囲を押さえるために必要とされる厚みは、材質等を考慮した上で基板厚みと同等な厚みが妥当であるとされていた。これによって、上記の例を考慮すると、基板Ｋを直接押さえる部分の厚みに基板厚みの４ｍｍ分を加算した厚さ８ｍｍの基板保持部材２０がヒータカバー１５の上面に配置されることになり、８ｍｍの板厚のうち半分が削り込まれた段付き部分Ｓに基板Ｋが押さえられていた。
【０００７】
しかしながら、ヒータカバー１５の上面にて基板Ｋよりも大きく凸となった部分、つまりは従来型の基板保持部材２０が基板Ｋの周囲に存在してしまうことになり、この部分はラダー電極１３と基板Ｋの間の距離の１０％以上にもなるため、また基板周辺でのプラズマ状態が変わるために、この凸とされた基板保持部材２０がプラズマ等における製膜処理に影響を与え兼ねない状態となった。すなわち、製膜処理での膜厚分布が不均一となりやすい問題が生じていた。
【０００８】
但し、基板厚みが１ｍｍ程度の小型で薄い基板の場合には、この基板を固定するための剛性もさほど必要としないため、基板保持部材が薄く形成されて基板の周囲で凸となる部分が小さい。このため、今までの製膜処理においては製膜処理に大きな影響を与えることはなかった。
しかし、基板Ｋの表面高さよりも大きく凸となった部分が基板Ｋの周囲に存在すると、ラダー電極１３と基板Ｋとの距離に狭い部分が発生したり、誘電率の違う材質が設置されることによりコンデンサ容量が変化することになり、プラズマ等の放電状態が乱れて製膜処理における膜厚分布が不均一になり、膜厚が薄くなる部分や厚くなる部分ができて安定した製膜処理を行うことが困難となった。
【０００９】
なお、上述の傾向は４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚという高高周波の放電領域で顕著に現れ、この領域を用いる製膜処理では特に解決すべき問題とされている。そして、このような高高周波の領域では、高高周波にさらされる要素の基板Ｋや基板保持部材２０のコンデンサ容量に差があると、同様にプラズマ等の放電状態が乱れて製膜処理の安定化が阻害されることが懸念されており、製膜処理に影響を与えない基板保持部材２０が求められていた。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みて成されたものであり、基板周辺でのプラズマ等における放電状態の安定化を図り、真空状態での製膜処理における膜厚分布をより均一に導くことを可能とした基板保持部材を有する真空処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を採用する。
請求項１に記載の発明は、処理室内に設置される台座に基板保持部材を介して各辺が１ｍを超える基板を固定し、真空状態に導いて前記基板の製膜等のプラズマ処理を行う真空処理装置において、前記基板保持部材は、基板端部を押さえる板部材と該板部材を支持する支持部材とからなり、前記板部材は、基板厚みの５％以上３０％以下の厚みを有し、前記基板の端部形状に合わせて折り曲げられた押さえ部と、前記支持部材への嵌めこみ構造を得るべく折り曲げられた接続部とを備え、前記支持部材は、前記板部材と接続される側にて基板厚みと略同一な厚みを有する部分を備えるとともに、前記板部材と接続される端側に前記接続部が嵌め込まれるべく形成された溝部を備えることを特徴としている。
【００１２】
本発明によれば、基板保持部材が、基板厚みの５％以上３０％以下の厚みを有する板部材と、基板厚みと同等な厚み部分を有する支持部材とを備えることで、基板保持部材の薄肉化がなされて基板に対する製膜処理が的確に行われる。すなわち、台座上で基板よりも遥かに凸となった部分が存在しなくなることで、製膜処理における障害物が除去されたことになり、製膜処理の精度が向上する。また、放電を受ける基板の場合、このコンデンサ容量と異なる要素である基板保持部材の体積が減少することで互いのコンデンサ容量の差が減少し、基板に対するプラズマ等の放電状態が安定化する。なお、基板の端部は、範囲をもって規定されるものである。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の真空処理装置において、前記板部材と前記支持部材との組み合わせ後における変位差を吸収しつつ互いの接続状態を保持する変位差吸収接続手段が備えられていることを特徴としている。
【００１４】
板部材と支持部材とを組み合わせて基板保持部材を構成するにあたり、例えば、これらの組み合わせ後に入熱があると、板部材と支持部材との線膨張係数の違いや熱容量の違いにより互いの熱変形に差（変位差）が生じる場合がある。このような変位差が基板保持部材に生じると、熱膨張の低い側に熱膨張の高い側が拘束されることとなって基板保持部材の形状が変形しかねない。この結果、基板を台座に的確且つ確実に押さえることが困難となる。
本発明によれば、変位差吸収接続手段が備えられているので、基板厚みよりも薄い板部材と基板厚みと同等な支持部材とを組み合わせた後に生じる互いの変位差が吸収されつつ、形状が変化しないように接続状態が保持される。）
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２記載の真空処理装置において、前記板部材は、前記接続部と前記押さえ部との間に位置する延長部とを有して形成されてなり、該延長部は、基板長さの４％以上の高さ寸法を有して形成されてなることを特徴としている。
【００１６】
本発明によれば、基板と支持部材とが基板長さの４％以上離間して配置されることになり、製膜処理において支持部材の影響が除去される。すなわち、製膜処理としてプラズマを用いる場合を例に挙げると、基板周辺で基板のコンデンサ容量と大きく異なる要素が存在すると、基板に対するプラズマが乱れて製膜処理が的確になされない可能性が高い。基板周囲でコンデンサ容量の異なるものとして挙げられるものが基板を押さえる基板保持部材であり、特に基板とのコンデンサ容量に差が生じやすい厚みのある支持部材を本発明のように基板から離すことで、製膜時のプラズマの安定化が導かれる。なお、基板と支持部材との各コンデンサ容量に差が生じることは、同等な厚みを有していても材質が異なる場合が多々あるからである。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項３記載の真空処理装置において、前記板部材に、前記基板の延在方向に交わってなお且つ前記延長部の一部を少なくとも切り欠く複数のスリットが形成されていることを特徴としている。
【００１８】
本発明によれば、延長部を有することで入熱等に対して温度分布により変形しやすい板部材の変形がスリットの吸収作用で抑えられることとなる。すなわち、延長部を有することで基板の延在方向に大きく拡大された板部材は、入熱などによって温度分布が生じて変形しやすい問題があるが、本発明における複数のスリットの設置によって、板部材の変形が該スリットに吸収されて上記問題が解決される。なお、スリットの形成については、薄い板部材を基板の延在方向に対して交わるように切断し、延長部の一部を少なくとも切り欠きつつ、例えば、押さえ部や接続部にまで延長してもかまわない。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、請求項４記載の真空処理装置において、前記各スリットが前記板部材の縁部手前まで形成されていることを特徴としている。
【００２０】
本発明によれば、各スリットが板部材の縁部を分割することはない。これによって、この板部材の縁部側にスリット形成による角部が存在することもないので、基板に対する製膜処理が安定する。すなわち、スリットによって板部材の縁部に角部や段差が形成されると、例えば、プラズマでの製膜時にこの角部からプラズマの異常発生が生じて基板処理に不都合が招かれることになるが、本発明によればスリット形成における角部が存在しないので、上記問題が回避される。
また、板部材の縁部が分割されずに繋がれた状態であれば、入熱による変形等で縁部が反ってずれたりすることはなく、縁部側に位置する押さえ部の形状が安定する。これによって、台座に対しての基板の押さえが的確且つ確実になされることとなる。
【００２１】
請求項６に記載の発明は、請求項４又は請求項５記載の真空処理装置において、前記複数のスリットの間隔が１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下とされ且つスリット幅が０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とされていることを特徴としている。
【００２２】
本発明によれば、製膜処理において例えばプラズマが用いられる場合、本発明に係る幅の狭いスリットからプラズマの異常発生はないので、製膜処理の安定化が図られる。また、板部材の変形を効果的に吸収する配置により、基板は台座に的確に押さえられて固定されることとなる。
【００２３】
請求項７に記載の発明は、請求項１から請求項６のいずれか１項記載の真空処理装置において、前記板部材の表面が粗面とされていることを特徴としている。
【００２４】
本発明によれば、板部材に製膜時の膜が付着する場合であっても、粗面とされた板部材に付着する付着膜の食いつきが良好となり、該付着膜の脱落が抑制されて、多数回に渡って製膜処理を行う処理室内が長期的に清浄に保たれる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の真空処理装置においては以下の効果を奏する。
請求項１記載の発明によれば、基板保持部材が、基板厚みの５％以上３０％以下の厚みを有して基板端部を押さえる板部材と、基板厚みと略同一な厚み部分を有して板部材を支持する支持部材とを備えているので、基板の製膜処理が安定し、膜厚分布が安定した高品質な基板を得ることができる。
【００２６】
請求項２記載の発明によれば、板部材と支持部材との組み合わせにおける変位差を吸収しつつ接続状態を保持する変位差吸収接続手段が備えられているので、複合体として基板保持部材が構成されたために、板部材と支持部材との変形に変位差が生じる場合であっても、この変位差を相殺して板部材と支持部材との接続における基板保持部材の変形を抑えることが可能となる。したがって、基板保持部材は、基板を的確に押さえる形状が常に維持されることになり、基板が台座上に的確且つ確実に押さえられることによれば、基板に対する製膜処理に高い精度と安定性を得ることができる。
【００２７】
請求項３記載の発明によれば、板部材が、基板縁部を直接押さえる押さえ部と、支持部材と接続される接続部と、該接続部と押さえ部との間に位置する延長部とを有して形成され、この延長部が、基板長さの４％以上の高さ寸法を有して形成されているので、基板と支持部材とが離間して基板の製膜処理における支持部材の影響が除去され、製膜処理における安定化と作業精度とをより向上させることができる。
【００２８】
請求項４記載の発明によれば、基板の延在方向に交わってなお且つ延長部の一部を少なくとも切り欠く複数のスリットが板部材に形成されているので、入熱等による板部材の変形を抑えて基板を確実に押さえることができる。
【００２９】
請求項５記載の発明は、板部材に形成される各スリットが、板部材の縁部手前まで形成されているので、安定した製膜処理を行うことができる。また、台座に対して基板を確実に押さえて的確且つ安定した製膜処理を行うことができる。
【００３０】
請求項６記載の発明は、複数のスリットの間隔は１００ｍｍ以上１５０ｍｍ以下とされ、且つスリット幅が０．１ｍｍ以上１．０ｍｍ以下とされているので、基板処理における安定化を確実に得て的確な製膜処理を行うことができる。
【００３１】
請求項７記載の発明は、板部材の表面が粗面とされているので、製膜処理が多数回に渡って行われる場合であっても処理室内が清浄に保たれ、処理室のクリーニングを行う回数を削減して製膜処理をより継続して行うことが可能となる。この結果、製膜処理の作業効率を高めてより多くの基板を製膜処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
次に、本発明に係る各実施形態について、図面を参照して説明する。
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第一の実施形態として、真空処理装置に係るプラズマＣＶＤ装置１０に備わる基板Ｋが設置されるヒータカバー１５（台座）、及び本発明に係る基板保持部材２０を部分的に示した断面を含む斜視図である。また、図２は、図１の符号Ａで囲まれた範囲を部分的に示した断面を含む斜視図である。
図１に示すように、基板保持部材２０は基板Ｋの縁部を押さえる構造（図示しないが、上下左右のそれぞれで押さえる。）とされており、上下左右の各位置（図においては下方）において、薄い板部材２１と該板部材２１を支持する支持部材２２との２つの部材から基板保持部材２０が構成されている。
【００３３】
また、図２にて詳細に示すように、板部材２１は基板Ｋの端部形状に合わせて直角に折り曲げられており、なお且つ、支持部材２２への嵌め込み構造を得るためにさらに直角に折り曲げられている。すなわち、直接的に基板Ｋと接して押さえる押さえ部Ｆと、支持部材２２に形成された後述する溝部２２ａと面接触するように接続される接続部Ｇとにより板部材２１が構成されている。なお、板部材２１の端部（紙面において上端部Ｕ）には丸みが設けられており、プラズマの異常発生と基板Ｋへの傷付きが防止されている。
【００３４】
また、板部材２１の厚みは、大面積型の基板Ｋの厚みである３〜４ｍｍに対して５％以上３０％以下の範囲内とされた０．２〜１．０ｍｍとされている。そして、このような薄い板部材２１の材質は、耐熱性に優れ、フッ素系ガス等に腐食されない耐食性に富んだ非磁性のインコネルが採用されている。なお、該板部材２１とフッ素系ガスとの接触は、製膜室（処理室）内のクリーニング作業時において生じるものであって、このことを考慮する必要がない場合であれば、プラズマ等に影響を与えない低磁性のＳＵＳ３０４等のステンレス材等であっても有効である。
【００３５】
また、板部材２１のラダー電極（図示せず）と対向する表面（紙面右側）にはブラスト処理と同様な効果をもたらす溶射がなされており、表面のごく僅かな凹凸によって該板部材２１の一平面が粗面となっている。なお、板部材２１が１ｍｍ以下と薄く変形しやすいことから、この板部材２１に対するブラスト処理と異なるアルミニウムの溶射膜で２０〜１００μｍの粗面が形成される。そして、製膜処理における付着膜の脱落抑制が図られている。
なお、後述する支持部材２２の表面については、従来と同様なブラスト処理がなされており、これも粗面とされることで付着膜の脱落が抑制される。
【００３６】
支持部材２２は、図１に示すように板部材２１と接続される側にて基板厚みの４ｍｍと同等な厚みを有する部分（符号Ｍ）と、自らの剛性を保つために従来と同等な厚みを有する部分（符号Ｎ）とで構成されている。なお、基板Ｋと同等な厚みを有する部分（Ｍ）の表面から従来と同様な厚みを有する部分（Ｎ）の表面とは角部ができないように緩やかに結ばれており、プラズマの異常発生が防止されている。
【００３７】
そして、板部材２１と接続される支持部材２２の端側における厚み方向の中心には、該支持部材２２の平面（ヒータカバー１５の延在方向）と平行な溝部２２ａが形成されており、この溝部２２ａの溝幅は板部材２１の厚みと同等とされ、また、溝部２２ａの深さは板部材２１の接続部Ｇの高さ寸法に合わせて形成されている。
【００３８】
そして、支持部材２２が板部材２１を支持する構造として、支持部材２２には、先に説明した溝部２２ａに加えて、複数の止めねじ２５が取り付けられるための複数のねじ穴２３が形成されている。
また、これに対応して板部材２１には、図３に示すような止めねじ２５を貫通させるための複数の貫通穴２１ａが形成されている。板部材２１に形成される複数の貫通穴２１ａは、板部材２１の長手方向において中心付近に位置する基準穴と、該基準穴を挟んで左右それぞれ形成された長穴とで構成されている。なお、以上説明した止めねじ２５、ねじ穴２３、貫通穴２１ａの構成により、本発明に係る変位差吸収接続手段が構成されることになる。
【００３９】
次に、以上説明した基板保持部材２０の作用について説明する。
薄い板部材２１が基板Ｋを直接押さえつつ、該板部材２１を支持する支持部材２２が備えられることにより、基板保持部材２０の薄肉化がなされてラダー電極との距離（例えば、電圧３００〜５００Ｖで３０〜４０ｍｍ）における基板Ｋ側の凹凸が小さくなる。この結果、基板Ｋに対する製膜処理が的確に行われる。すなわち、ヒータカバー１５上で基板Ｋよりも大きく凸となった部分が存在しなくなることで、プラズマによる製膜処理において障害物が除去されたことになる。
【００４０】
また、基板Ｋの周囲でコンデンサ容量が多大な基板保持部材２０の本体部である支持部材２２の厚みが一部で基板Ｋと同等とされることで、基板保持部材２０のコンデンサ容量が低減され、且つ、図示しないラダー電極との距離が基板Ｋと同一に保たれている。
【００４１】
また、板部材２１と支持部材２２とを組み合わせて基板保持部材２０を構成するにあたり、製膜処理時における入熱があると板部材２１と支持部材２２との線膨張係数や熱容量の差による熱膨張の違いにより互いの熱変形に差（変位差）が生じる。しかしながら、板部材２１に設けられた基準穴とその両側の各長穴（共に符号２１ａを指す。）とによって、板部材２１は基準位置を保ちながら長手方向に自由に伸縮することができる。これによって、板部材２１の変形が支持部材２２に拘束されることがなくなる。
【００４２】
このように、互いの部材２１，２２の変位差を吸収しつつ互いの接続状態を維持する止めねじ２５、及び各ねじ穴２３，２１ａの構成が本発明に係る変位差吸収接続手段として備えられることで、基板厚みよりも薄い板部材２１と基板厚みと同等な支持部材２２とを組み合わせた後に生じる互いの変位差が吸収され、形状が変化しないことによれば、基板Ｋに対する押さえ付けの状態があらゆる環境下で確実に維持される。
【００４３】
以上説明した本実施形態の構成によれば、プラズマ発生に異常を来す要因となりうる基板Ｋの周囲の平滑化と、基板Ｋに対するコンデンサ容量の近似化がなされることで、基板Ｋに対する製膜処理の安定化がなされ、膜厚分布の安定した高品質な基板を得ることができる。特に、４０〜１００ＭＨｚの高高周波において従来の膜厚分布が±３０％の製膜処理であったものが、本発明に係る実施形態にて±２０％程度に改善された。このことを換言すると、膜厚分布が５０％向上したと言える。
【００４４】
また、複合体として基板保持部材２０が構成されるために、板部材２１と支持部材２２との変形量に差が生じる場合であっても、この変位差を相殺して板部材２１と支持部材２２との接続における基板保持部材２０の変形を抑えることが可能となる。これによって、基板Ｋはヒータカバー１５上に的確且つ確実に押さえられることになり、基板Ｋに対する製膜処理に高い精度と安定性を得ることができる。
また、板部材２１に製膜時の膜が付着しても、粗面とされた板部材２１に付着する付着膜の食いつきが良好となり、該付着膜の脱落が抑制されて、多数回に渡って製膜処理を行う製膜室内を長期に渡って清浄に保つことができる。
【００４５】
［第２の実施形態］
次に、本発明に係る第２の実施形態について図４〜６を用いて説明する。なお、本実施形態の構成は基板保持部材の構造及び構成が異なるので、この点について詳しく説明するものとし、その他の点については先の実施形態及び従来技術と同様であるので、同一符号を付してその説明を一部省略する。
【００４６】
図４及び図４の符号Ｂの範囲を拡大した図５に示すように、本実施形態に係る基板保持部材２０は、基板Ｋの縁部を直接押さえる押さえ部Ｆと、支持部材２２と接続される接続部Ｇと、接続部Ｇと押さえ部Ｆとの間に位置する延長部Ｈとを有する板部材２１からなる板部材２１、及び、これを支持する支持部材２２により構成されている。なお、押さえ部Ｆと接続部Ｇとは第１の実施形態と略同様な構造である。
【００４７】
板部材２１に設けられた延長部Ｈは、基板長さの４％以上の高さ寸法を満たすように、一辺の長さが１ｍである基板長さに対して５０ｍｍの高さ寸法を有して形成されている。この延長部Ｈは、押さえ部Ｆから折り曲げられ接続部Ｇにて再度折り曲げられるまでの間で上記寸法を有しており、ヒータカバー１５側に密着するように配置される。
【００４８】
さらに、この延長部Ｈには、基板Ｋの延在方向に交わりつつ、板部材２１の長手方向（図において奥行き方向）にて等間隔に配置された複数のスリット２１ｃが形成されている。
スリット２１ｃを正面から見た図６に示すように、これらスリット２１ｃは、板部材２１の長手方向に対して直交するように延長部Ｈを含んでさらには接続部Ｇにまで達して形成されており、接続部Ｇの端部にてまで達して接続部Ｇを分割している。しかしながら、基板Ｋを直接押さえる押さえ部Ｆにまでは形成されてはおらず、押さえ部Ｆが分割されることはない。つまり、板部材２１の一方側の縁部手前でスリット２１ｃの形成が止められている。
【００４９】
このことは、押さえ部Ｆの分割によって押さえ部が分割されたそれぞれの部分で反って基板Ｋを押さえる力や形状にばらつきを生じさせないためであり、また、分割したことによって形成される角部や段差によるプラズマの異常発生を回避するためでもある。
【００５０】
スリット２１ｃの構造を具体的に説明すると、各スリット２１ｃどうしの間隔は１００〜１５０ｍｍとされ、スリット２１ｃの幅はプラズマの異常発生を防止するために０．５ｍｍ弱とされている。そして、スリット２１ｃの形成範囲は、上述したように押さえ部Ｆを除いて延長部Ｈと接続部Ｇの全てに渡って形成されている。
【００５１】
なお、スリット２１ｃを形成する範囲については、延長部Ｈの一部を少なくとも含んで形成することが必要とされる。なぜなら、延長部Ｈには熱の影響で温度分布を発生することによって応力が生じやすいためであり、少なくともこの部分で応力を緩和するスリット２１ｃを設けることで、板部材２１の変形を効果的に回避することができるからである。
【００５２】
さて、このような構成によって、基板Ｋと支持部材２２とが延長部Ｈの高さ寸法である５０ｍｍにて離間して配置されることになり、製膜処理において支持部材２２の影響が除去される。すなわち、製膜処理としてプラズマを用いる場合、基板Ｋの周辺で基板Ｋのコンデンサ容量と大きく異なる要素が存在すると、基板に対するプラズマが乱れて製膜処理が的確になされない可能性が高い。しかし、基板Ｋに対してコンデンサ容量が異なる要素の１つである支持部材２２が離れることで、製膜時のプラズマの安定化が先の実施形態以上に確実に導かれる。
なお、基板Ｋと支持部材２２との各コンデンサ容量に差が生じることは、同等な厚みを有していても材質が異なることによってもたらせられることを本実施形態では考慮している。
【００５３】
以上説明した本実施形態の構成によれば、基板Ｋの周囲でプラズマ等の発生に異常を来す要因ともなりうる基板Ｋのコンデンサ容量と異なる支持部材２２を基板Ｋから離間させることが可能となり、プラズマ発生の安定化を図って製膜処理における膜厚分布の安定化を得ることができる。
また、上記構成を得ることで問題となる板部材２１の変形をスリット２１ｃの形成によって抑えることができ、変形を抑えつつ基板Ｋを的確に押さえ付けることが可能である。
【００５４】
なお、本実施形態にて説明した板部材２１、支持部材２２についても、プラズマを受ける表面にはブラスト処理やアルミニウム溶射処理によって粗面とされており、付着膜の脱落抑制がなされている。また、板部材２１と支持部材との接続には、第１の実施形態と同様に変位差を吸収できる各止めねじ２５と、長穴等を有する各穴２１ａ，２３からなる変位差吸収接続手段の構成が用いられ、基板保持部材２０の変形が抑えられている。
【００５５】
なお、以上説明した各実施形態において、基板保持部材２０の構成は製膜処理に用いられることで最良な効果がもたらされることを説明したが、これに拘わらずその他の用途として、大面積の基板を台座に固定する固定治具として適宜用いることが可能である。
また、基板保持部材を板部材２１と支持部材２２との組み合わせによって形成することとして説明したが、一体に形成することとしてもかまわない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施形態における基板保持部材の概略構成を説明する断面を含む斜視図である。
【図２】図１の基板保持部材の一部を拡大した断面を含む斜視図である。
【図３】第１の実施形態における板部材の構造を説明する平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における基板保持部材の概略構成を説明する断面を含む斜視図である。
【図５】図２の基板保持部材の一部を拡大した断面を含む斜視図である。
【図６】第２の実施形態における板部材の構造を説明する平面図である。
【図７】真空処理装置の一例であるプラズマＣＶＤ装置の概略構成を説明する分解斜視図である。
【図８】従来の基板保持部材の構造を説明する断面を含む斜視図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０  プラズマＣＶＤ装置（真空処理装置）
１１  製膜ユニット
１３  ラダー電極
１５  ヒータカバー（台座）
１６  基板加熱ヒータ
２０  基板保持部材
２１  板部材
２１ａ  貫通穴（変位差吸収接続手段）
２１ｃ  スリット
２２  支持部材
２２ａ  溝部
２３  ねじ穴（変位差吸収接続手段）
２５  止めねじ（変位差吸収接続手段）
Ｋ  基板
Ｆ  押さえ部
Ｇ  接続部
Ｈ  延長部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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