(57)【要約】【課題】ＡＬＤによる膜と基板との界面特性を高く維持することが可能なＡＬＤ成膜装置を提供すること。【解決手段】基板を内部に入れた反応容器の該基板を所定温度に昇温した後、該反応容器にＡＬＤによる膜形成用の金属原料ガスを供給し、次いで、該反応容器内の前記金属原料ガスを排気し、該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給し、次いで、該反応容器内の前記酸化剤ガス又は窒化剤ガスを排気し、前記の１サイクルで１原子層が形成されるＡＬＤ成膜方法であって、前記１サイクル目の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して減圧状態で前記昇温されている基板の被処理面に対してプラズマを発生させずに１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行うこと。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を内部に入れた反応容器の該基板を所定温度に昇温した後、
（１）該反応容器に原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給し、
（２）次いで、該反応容器内の前記金属原料ガスを排気し、
（３）該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給し、
（４）次いで、該反応容器内の前記酸化剤ガス又は窒化剤ガスを排気し、
前記（１）―（４）の１サイクルで１原子層が形成され、これを複数サイクル繰り返して多原子層の膜を形成するＡＬＤ成膜方法であって、
前記１サイクル目の（１）の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して前記昇温されている基板の被処理面に対してエッチング処理を行い、次いで、前記エッチングガスを排気することを特徴とするＡＬＤ成膜方法。
【請求項２】
基板を内部に入れた反応容器の該基板を所定温度に昇温した後、
（１）該反応容器に原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給し、
（２）次いで、該反応容器内の前記金属原料ガスを排気し、
（３）該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給し、
（４）次いで、該反応容器内の前記酸化剤ガス又は窒化剤ガスを排気し、
前記（１）―（４）の１サイクルで１原子層が形成され、これを複数サイクル繰り返して多原子層の膜を形成するＡＬＤ成膜方法であって、
前記１サイクル目の（１）の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して前記昇温されている基板の被処理面に対して表面を１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行い、次いで、前記エッチングガスを排気することを特徴とするＡＬＤ成膜方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記（２）及び（４）の工程を
（２’）次いで、該反応容器へ不活性ガスを供給しつつ前記金属原料ガスを排気して不活性ガスに置き換え、
（４’）次いで、該反応容器へ不活性ガスを供給しつつ前記酸化剤原料ガスを排気して不活性ガスに置き換え、
とすることを特徴とするＡＬＤ成膜方法。
【請求項４】
反応容器と、
該反応容器内に設けられて基板を昇温する昇温部材と、
該反応容器へ原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給する第１原料供給手段と、
該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給する第２原料供給手段と、
該反応容器を吸引排気する吸引排気手段と、
該反応容器へエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記昇温部材、前記第１原料供給手段、前記第２原料供給手段、前記吸引排気手段および前記エッチングガス供給手段の各動作を前記基板の被処理面にＡＬＤによる薄膜を形成するように制御する制御部と、を備えたＡＬＤ成膜装置であって、
前記制御部は、前記吸引排気手段及び昇温手段を作動させて反応容器内の基板を所定温度に昇温した後、前記第１原料供給手段を作動させて該基板の被処理面にＡＬＤによる膜形成を開始させるのに先立って、前記エッチングガス供給手段を作動させて前記昇温された基板の被処理面に対してエッチング処理を行い、前記吸引排気手段を作動させて前記エッチングガスを排気する制御を実行可能に構成されていることを特徴とするＡＬＤ成膜装置。
【請求項５】
反応容器と、
該反応容器内に設けられて基板を昇温する昇温部材と、
該反応容器へ原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給する第１原料供給手段と、
該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給する第２原料供給手段と、
該反応容器を吸引排気する吸引排気手段と、
該反応容器へエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記昇温部材、前記第１原料供給手段、前記第２原料供給手段、前記吸引排気手段および前記エッチングガス供給手段の各動作を前記基板の被処理面にＡＬＤによる薄膜を形成するように制御する制御部と、を備えたＡＬＤ成膜装置であって、
前記制御部は、前記吸引排気手段及び昇温手段を作動させて反応容器内の基板を所定温度に昇温した後、前記第１原料供給手段を作動させて該基板の被処理面にＡＬＤによる膜形成を開始させるのに先立って、前記エッチングガス供給手段を作動させて前記昇温された基板の被処理面に対して表面を１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行い、前記吸引排気手段を作動させて前記エッチングガスを排気する制御を実行可能に構成されていることを特徴とするＡＬＤ成膜装置。
【請求項６】
請求項４または５において、
更に、該反応容器へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を備え、
前記制御部は、前記エッチング処理または前記ソフトエッチング処理に続いて、前記不活性ガス供給手段を作動させて該反応容器へ不活性ガスを供給しつつ前記吸引排気手段を作動させて前記エッチングガスを排気して不活性ガスに置き換える制御を実行可能に構成されていることを特徴とするＡＬＤ成膜装置。
【請求項７】
請求項５または６において、前記ソフトエッチング処理は、第１原料ガス供給手段を作動させて金属原料ガスを基板の被処理面に送りＡＬＤによる膜生成を開始させる温度と同じ温度で実行されるように構成されていることを特徴とするＡＬＤ成膜装置。
【請求項８】
請求項４から７のいずれか１項において、前記基板は反応容器に入れる前にその表面を洗浄して自然酸化膜などの不純物層を除去する前処理が行われたものであることを特徴とするＡＬＤ成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応容器内で基板上に原子層気相成長（ＡＬＤ：Ａtomic Ｌayer Ｄeposition）による薄膜を形成するＡＬＤ成膜装置及び方法に係り、特にフラットパネルディスプレイ用のＴＦＴ（Ｔhin
Ｆilm Ｔransistor）ゲート絶縁膜あるいはＬＳＩのゲート絶縁膜を形成する際に用いられるＡＬＤ成膜装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のＡＬＤ成膜装置は、その反応容器には、成膜対象である基板を、通常フッ化水素酸の希釈溶液等で表面洗浄する前処理を行ってからセットするので、直ちにＡＬＤによる膜形成が開始されるようになっている。すなわち、基板をセット後に該反応容器を大気圧以下の減圧状態とし、前記基板を所定温度に昇温した後、テトラエチルオシロシリケートや四塩化珪素などの金属原料ガスが送られてＡＬＤによる膜形成が開始する。
【０００３】
ところが、前記前処理の後で前記ＡＬＤ用の金属原料ガスが供給される前の間の、減圧及び昇温過程において酸素が僅かに残留し、この酸素が例えばポリシリコンの表面を酸化して数原子層程度の酸化物（ＳｉＯ２）膜が形成されることが判明した。
【０００４】
また従来、基板に薄膜を形成する前に該基板の表面にエッチングを行う技術として、特開２００２−３２４７６０号公報が挙げられる。この公報には、基板表面にできた自然酸化膜を、該基板を７００℃に加熱し、水素を導入して３０分程エッチング処理を施して除去することが可能な成膜装置（段落０００３）、またプラズマを発生させてプラズマエッチングして自然酸化膜をハードに除去すること（段落０００６，０００７）が可能な成膜装置がそれぞれ開示されている。尚、この成膜装置は、ＡＬＤ成膜装置ではなく、また、フッ化水素酸による前処理がなされずに基板が反応容器にセットされる構成のものである。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３２４７６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記前処理の後、反応容器内で前記減圧及び昇温過程において残存した酸素によって基板の表面に形成された部分的酸化物（ＳｉＯ２）膜は、電気特性が悪い不良膜であるので、そのまま、その表面にＡＬＤによる高品質のＳｉＯ２膜を形成すると、基板と膜との界面特性が前記不良膜の部分的存在によって低下し、更にはその部分だけ一様な膜厚にならず、例えばゲート絶縁膜としての所望の特性が得られなくなる問題があった。
【０００７】
また、特開２００４−４７６６０号公報は、基板表面の全面にできた自然酸化膜を高温（７００℃）で長時間（３０分）かけて除去するか、その自然酸化膜をプラズマエッチングによって短時間でハードに除去するという限りの開示であり、前記前処理の後、反応容器内で前記減圧及び昇温過程において形成された前記不良膜の問題については全く考慮していない。仮に例えばプラズマエッチングを前記不良膜の除去に適用すると、該不良膜は、薄くて且つ部分的な存在であるため、基板表面の全面にできている前記自然酸化膜より、遙かに小規模であるため、過剰エッチングになり、この過剰さに起因した界面特性の低下の問題につながる。
【０００８】
本発明の目的は、ＡＬＤによる膜と基板との界面特性を高く維持することが可能なＡＬＤ成膜装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第１の態様は、基板を内部に入れた反応容器の該基板を所定温度に昇温した後、
（１）該反応容器に原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給し、
（２）次いで、該反応容器内の前記金属原料ガスを排気し、
（３）該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給し、
（４）次いで、該反応容器内の前記酸化剤ガス又は窒化剤ガスを排気し、
前記（１）―（４）の１サイクルで１原子層が形成され、これを複数サイクル繰り返して多原子層の膜を形成するＡＬＤ成膜方法であって、
前記１サイクル目の（１）の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して前記昇温されている基板の被処理面に対してエッチング処理を行い、次いで、前記エッチングガスを排気することを特徴とするものである。
【００１０】
本発明によれば、ＡＬＤによる膜形成における前記１サイクル目の（１）の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して前記昇温されている基板の被処理面に対してエッチング処理を行うので、不良膜は除去され、基板とＡＬＤによる膜との界面特性を高く維持することができる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、基板を内部に入れた反応容器の該基板を所定温度に昇温した後、
（１）該反応容器に原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給し、
（２）次いで、該反応容器内の前記金属原料ガスを排気し、
（３）該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給し、
（４）次いで、該反応容器内の前記酸化剤ガス又は窒化剤ガスを排気し、
前記（１）―（４）の１サイクルで１原子層が形成され、これを複数サイクル繰り返して多原子層の膜を形成するＡＬＤ成膜方法であって、
前記１サイクル目の（１）の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して前記昇温されている基板の被処理面に対して表面を１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行い、次いで、該反応容器内の前記エッチングガスを排気することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明によれば、ＡＬＤによる膜形成における前記１サイクル目の（１）の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して前記昇温されている基板の被処理面に対してプラズマを発生させずに表面を１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行うので、不良膜は除去され、基板とＡＬＤによる膜との界面特性を高く維持することができることに加えて、以下の作用効果が得られる。  
この不良膜は、精々１〜２ｎｍ程度の薄い厚さで存在するといった小規模な膜であるため、プラズマエッチングのようにハードなエッチングではその不良膜に止まらず基板自体の表面にもプラズマ損傷をもたらす過剰エッチングになってしまうが、本発明のソフトエッチング処理によれば、基板表面からプラズマ損傷の虞なく（ソフトに）不良膜部分を確実に除去することができる。
【００１３】
本発明の第３の態様は、第１の態様または第２の態様において、前記（２）及び（４）の工程を
（２’）次いで、該反応容器へ不活性ガスを供給しつつ前記金属原料ガスを排気して不活性ガスに置き換え、
（４’）次いで、該反応容器へ不活性ガスを供給しつつ前記酸化剤原料ガスを排気して不活性ガスに置き換え、
とすることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明によれば、不活性ガスを供給しつつ金属原料ガスまたは酸化剤原料ガスを排気して不活性ガスに置き換えるので、例えば金属原料ガスから酸化剤原料ガスに切り替える際に切替効率を向上することができる。
【００１５】
本発明の第４の態様は、反応容器と、該反応容器内に設けられて基板を昇温する昇温部材と、該反応容器へ原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給する第１原料供給手段と、該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給する第２原料供給手段と、該反応容器を吸引排気する吸引排気手段と、該反応容器へエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、前記昇温部材、前記第１原料供給手段、前記第２原料供給手段、前記吸引排気手段および前記エッチングガス供給手段の各動作を前記基板の被処理面にＡＬＤによる薄膜を形成するように制御する制御部と、を備えたＡＬＤ成膜装置であって、前記制御部は、前記吸引排気手段及び昇温手段を作動させて反応容器内の基板を所定温度に昇温した後、前記第１原料供給手段を作動させて該基板の被処理面にＡＬＤによる膜形成を開始させるのに先立って、前記エッチングガス供給手段を作動させて前記昇温された基板の被処理面に対してエッチング処理を行い、前記吸引排気手段を作動させて前記エッチングガスを排気する制御を実行可能に構成されていることを特徴とするものである。  
本発明によれば、第１の態様と同様の作用効果を構造簡単にして得ることができる。
【００１６】
本発明の第５の態様は、反応容器と、該反応容器内に設けられて基板を昇温する昇温部材と、該反応容器へ原子層気相成長（ＡＬＤ）による膜形成用の金属原料ガスを供給する第１原料供給手段と、該反応容器へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス又は窒化剤ガスを供給する第２原料供給手段と、該反応容器を吸引排気する吸引排気手段と、該反応容器へエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、前記昇温部材、前記第１原料供給手段、前記第２原料供給手段、前記吸引排気手段および前記エッチングガス供給手段の各動作を前記基板の被処理面にＡＬＤによる薄膜を形成するように制御する制御部と、を備えたＡＬＤ成膜装置であって、前記制御部は、前記吸引排気手段及び昇温手段を作動させて反応容器内の基板を所定温度に昇温した後、前記第１原料供給手段を作動させて該基板の被処理面にＡＬＤによる膜形成を開始させるのに先立って、前記エッチングガス供給手段を作動させて前記昇温された基板の被処理面に対して表面を１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行い、前記吸引排気手段を作動させて前記エッチングガスを排気する制御を実行可能に構成されていることを特徴とする。  
本発明によれば、第２の態様と同様の作用効果を構造簡単にして得ることができる。
【００１７】
本発明の第６の態様は、第４の態様または第５の態様において、更に、該反応容器へ不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を備え、前記制御部は、前記エッチング処理または前記ソフトエッチング処理に続いて、前記不活性ガス供給手段を作動させて該反応容器へ不活性ガスを供給しつつ前記吸引排気手段を作動させて前記エッチングガスを排気して不活性ガスに置き換える制御を実行可能に構成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明によれば、反応容器へ不活性ガスを供給しつつ前記吸引排気手段を作動させて前記エッチングガスを排気して不活性ガスに置き換えるので、エッチングガスの排出効率を向上することができる。
【００１９】
本発明の第７の態様は、第５または第６の態様において、前記ソフトエッチング処理は、第１原料ガス供給手段を作動させて金属原料ガスを基板の被処理面に送りＡＬＤによる膜生成を開始させる温度と同じ温度で実行されるように構成されていることを特徴とするものである。  
本発明によれば、ソフトエッチング処理から、続くＡＬＤによる膜形成工程への移行に際して温度調整工程が不要であるため、その分スループットを向上することができる。
【００２０】
本発明の第８の態様は、第４乃至第７のいずれかの態様において、前記基板は反応容器に入れる前にその表面を洗浄して自然酸化膜などの不純物層を除去する前処理が行われたものであることを特徴とする。  
本発明は、このような前処理を行った場合に特に顕著な効果が得られる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ＡＬＤによる膜形成における前記１サイクル目の（１）の金属原料ガスの供給に先立って、反応容器内にエッチングガスを供給して昇温されている基板の被処理面に対してエッチング処理を行うので、不良膜は除去され、基板とＡＬＤによる膜との界面特性を高く維持することができる。また、本発明のソフトエッチング処理によれば、基板表面からプラズマ損傷の虞なく（ソフトに）不良膜部分を確実に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面に基づいて、本発明に係るＡＬＤ成膜装置の実施の形態を詳細に説明する。  
図１は本発明に係るＡＬＤ成膜装置の一実施の形態でＡＬＤ成膜反応状態を示す概略ブロック構成図あり、図２は同概略構成図である。
【００２３】
本実施の形態に係るＡＬＤ成膜装置は、反応容器１と、反応容器１内に設けられて基板２を昇温する昇温部材であるヒータ部材３と、反応容器１へＡＬＤによる膜形成用の金属原料ガス（テトラエチルオシロシリケート等）を供給する第１原料供給手段であるＳｉ原料供給器４と、該反応容器１へ不活性ガス（窒素など）を供給する不活性ガス供給器５と、該反応容器１へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガス（水蒸気等）を供給する第２原料供給手段である酸化剤供給器６と、該反応容器１を吸引排気する吸引排気部７と、該反応容器１へエッチングガス（水素、ＮＦ３、ＣＦ４等）を供給するエッチングガス供給器８と、前記ヒータ部材３、Ｓｉ原料供給器４、不活性ガス供給器５、酸化剤供給器６、吸引排気部７及びエッチングガス供給器８の各動作を前記基板２の被処理面にＡＬＤによる薄膜を形成するように制御する制御部１０とを備えている。
【００２４】
図において、符号１１，１２，１３，１４はそれぞれ開閉弁を示し、制御部１０の制御信号によって開閉されるようになっている。前記基板２は反応容器１に入れる前にその表面をフッ化水素酸の希釈溶液で洗浄して自然酸化膜などのを除去する前処理が行われたものである。これにより後述するソフトエッチング処理の作用効果が一層顕著になる。尚、基板２に金属酸化物の薄膜ではなく、金属窒化物の薄膜を形成する場合は、前記酸化剤ガスに替えて公知の窒化剤ガス（アンモニアガス等）を用いる。
【００２５】
前記制御部１０は、前記吸引排気部７及びヒータ部材３を作動させて反応容器１を大気圧以下の減圧状態とし、基板２を所定温度に昇温した後、前記Ｓｉ原料供給器４を作動させて該基板２の被処理面にＡＬＤによる膜形成を開始させるのに先立って、前記エッチングガス供給器８を作動させて前記昇温された基板２の被処理面に対してプラズマを発生させずに１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行い、次いで前記不活性ガス供給器５を作動させて該反応容器１へ不活性ガスを供給しつつ前記吸引排気部７を作動させてエッチングガスを排気して不活性ガスに置き換える制御を実行可能に構成されている。尚、ソフトエッチングではなく他のエッチングを行ようにしてもよい。そして、前記Ｓｉ原料供給器４を作動させて該基板２の被処理面にＡＬＤによる膜形成を開始させるようになっている。
【００２６】
更に、本実施例では、前記ソフトエッチング処理は、Ｓｉ原料供給器４を作動させてＳｉ金属原料ガスを基板２の被処理面に送りＡＬＤによる膜生成を開始させる温度と同じ温度で実行されるように構成されている。
【００２７】
次に、上記実施例の作用を図３も用いて説明する。  
本実施例のＡＬＤ成膜装置は以下のように動作する。基板２を内部に入れた反応容器１を減圧状態（１０―５Ｔｏｒｒ）とし、該基板２を所定温度（４００℃）に昇温した後、ＡＬＤによる膜形成の１サイクル目のＳｉ金属原料ガスの供給に先立って、反応容器１内にエッチングガスを供給（流速  １〜１００cc／min）して減圧状態で前記昇温されている基板２の被処理面に対してプラズマを発生させずにソフトエッチング処理を行う。これにより、表面を１ｎｍ〜２ｎｍ削る。エッチング時間は１〜１０分が望ましい。次いで、該反応容器１へ不活性ガスを供給しつつ前記エッチングガスを排気して不活性ガスに置き換える。
【００２８】
本実施例によれば、ＡＬＤによる膜形成における前記１サイクル目の（１）のＳｉ金属原料ガスの供給に先立って、反応容器１内にエッチングガスを供給して減圧状態で前記昇温されている基板２の被処理面に対してプラズマを発生させずに１ｎｍ〜２ｎｍ削る程度のソフトエッチング処理を行うので、不良膜は除去され、基板２とＡＬＤによる膜との界面特性を高く維持することができることに加えて、以下の作用効果が得られる。  
この不良膜は、精々１〜２ｎｍ程度の薄い厚さの小規模な膜であるため、プラズマエッチングのようにハードなエッチングではその不良膜に止まらず基板自体の表面にもプラズマ損傷をもたらす過剰エッチングになってしまうが、本発明のソフトエッチング処理によれば、基板表面からプラズマ損傷の虞なく（ソフトに）不良膜部分を確実に除去することができる。
【００２９】
そして、
（１）反応容器１にＡＬＤによる膜形成用のＳｉ金属原料ガスを供給し、
（２）次いで、該反応容器１へ不活性ガスを供給しつつ前記Ｓi金属原料ガスを排気して不活性ガスに置き換え、
（３）反応容器１へＡＬＤによる膜形成用の酸化剤ガスを供給し、
（４）次いで、反応容器１へ不活性ガスを供給しつつ前記酸化剤ガスを排気して不活性ガスに置き換え、
前記（１）―（４）の１サイクルで１原子層が形成され、これを複数サイクル繰り返して多原子層の膜を形成する。
【００３０】
これにより、不良膜が除去されて基板２とＡＬＤによる膜との界面特性が高く維持された状態でＡＬＤによる所定膜厚の膜が形成され、全体として高膜質の膜が得られる。
【００３１】
また、前記ソフトエッチング処理は、Ｓｉ原料供給器４を作動させてＳｉ金属原料ガスを基板２の被処理面に送りＡＬＤによる膜生成を開始させる温度と同じ温度で実行されるように構成されているので、ソフトエッチング処理から、それに続くＡＬＤによる膜形成工程への移行に際して温度調整工程が不要であるため、その分スループットを向上することができる。
【００３２】
尚、上記不活性ガス供給器５は設けなくてもよい。この場合は反応容器１内の原料ガスの切替時間が長くなるので、吸引排気部７を大容量のものに代えて吸引力を高めることが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、反応容器内で基板上にＡＬＤによる薄膜を形成するＡＬＤ成膜装置及び方法に係り、特にフラットパネルディスプレイ用のＴＦＴゲート絶縁膜あるいはＬＳＩのゲート絶縁膜を形成する際に用いられるＡＬＤ成膜装置に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明に係るＡＬＤ成膜装置の一実施の形態でＡＬＤ成膜反応状態を示す概略ブロック構成図ある。
【図２】同実施例の概略構成図である。
【図３】同実施例の作用説明図である。
【符号の説明】
【００３５】
１  反応容器
２  基板
３  ヒータ部材
４  Ｓｉ原料供給器
５  不活性ガス供給器
６  酸化剤供給器
７  吸引排気部
８  エッチングガス供給器
１０  制御部
【図１】
2006278483.tif 000003
【図２】
2006278483.tif 000004
【図３】
2006278483.tif 000005