(57)【要約】【課題】  樹脂封止基板において、封止樹脂部でのバリ或いは欠けの発生を防止し、もって基板表面に実装された回路素子が露出することなのない、信頼性の高い積層基板を提供する。【解決手段】  複数のセラミック層を積層してなり、第１の分割溝で区画された領域に回路素子が配置され、前記第１の分割溝を含む前記多層基板の一主面の略全体を樹脂部材で被覆し、前記回路素子を封止し、前記樹脂部材で被覆した側の裏面に、前記第１の分割溝と透視的同一箇所に第２の分割溝を有する多層基板とした。【選択図】  図１
2006013318.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層を積層してなる多層基板であって、前記多層基板の一面側には第１の分割溝が形成され、前記第１の分割溝で区画された領域に回路素子が配置され、前記第１の分割溝を含む前記多層基板の一主面の略全体を樹脂部材で被覆して前記回路素子を封止し、前記樹脂部材で被覆した側の裏面に、前記第１の分割溝と透視的同一箇所に第２の分割溝を有することを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記第２の分割溝の幅が、前記第１の分割溝の幅よりも広いことを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記第２の分割溝の深さが、前記第１の分割溝の深さよりも深いことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記樹脂部材の表面の、前記第１及び第２の分割溝と透視的同一箇所に第３の分割溝を形成したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の多層基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の多層基板を、第１及び第２の分割溝に沿って分割してなることを特徴とする高周波電子部品。
【請求項６】
請求項５に記載の高周波電子部品の製造方法であって、前記多層基板の第２の分割溝を拡げる力を加え、樹脂部材を被覆した主面側に折って、前記セラミック層と樹脂部材の少なくとも一部が破断するが樹脂部材の一部が繋がった状態とし、さらに樹脂部材側から裏面側に折り、個片の多層基板に分割して高周波電子部品としたことを特徴とする高周波電子部品の製造方法。
【請求項７】
前記樹脂部材をガラス転移温度以上に加熱保持し、前記多層基板を分割することを特徴とする請求項６に記載の高周波電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁層を積層してなる多層基板に関し、特には、半導体素子等の回路素子が配置され、前記回路素子を樹脂部材で被覆する多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラスチックやセラミックスなどからなる基板の表面に、トランジスタ、ＦＥＴ、ダイオード、ＩＣ等の半導体素子や、抵抗素子、キャパシタンス素子、インダクタンス素子、フィルタ素子などの回路素子を搭載した高周波電子部品が知られている。この様な基板には、半導体素子や電子部品の機械的応力からの保護、電気的特性の向上、熱的な保護が要求される。
近年、半導体素子の動作時発熱が大きくなって来ているが、この発熱は半導体素子自身及び、他の電子部品の動作に影響を及ぼす。このため前記発熱を効率的に放熱することが回路基板の重要な要求特性の一つとなっている。そこで回路基板材料として放熱性、電気的特性、機械的強度等に優れた機能材料であるＡｌ２  Ｏ３  などのセラミックスが多用されている。
【０００３】
一方、携帯電話などの移動体通信分野においては、用いられる回路部品を小型化する要求が強く、キャパシタンス素子、インダクタンス素子などをＬＴＣＣ（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｏ−ｆｉｒｅａｂｌｅ  ｃｅｒａｍｉｃｓ  ｕｓｅｄ）技術によりセラミック体に内蔵させたＬＣフィルタ等が広く用いられる様になってきている。
このようなＬＴＣＣ技術による高周波電子部品は、１０００℃以下で焼結可能な低温焼結セラミックス材料と、これと同時焼成可能な導体ペーストを用いて構成される場合が多い。
例えば、ドクターブレード等によりキャリアフィルムに塗こう形成（キャスティング）したセラミックスグリーンシートを用い、所望形状に切断した前記グリーンシートに、キャパシタンス素子やインダクタンス素子を構成する回路パターン（電極パターン）をＡｇやＣｕなどの導体ペーストで形成し、さらに孔開け装置によりグリーンシートの上下を貫通するビアホールを形成する。次いで、各グリーンシートに形成したビアホールに、ＡｇやＣｕなどの金属を主成分とする導体ペーストを印刷充填し、そして前記グリーンシートを必要枚数重ね、積層、圧着し、その後、必要な寸法に切断し、グリーンシートと導体ペーストとの積層体して、これを同時焼成する。
最近、このようなＬＴＣＣ技術を前記基板に採用し、キャパシタンス素子、インダクタンス素子の少なくとも一部を電極パターンにより積層内蔵するとともに、キャビティーを形成して、このキャビティーにベアチップ状態の半導体素子を実装し、前記回路素子を樹脂部材により樹脂封止することが行われている。以下、セラミックと電極パターンとを積層し、焼結した基板を多層基板と呼ぶ。また前記多層基板に回路素子を搭載し、個片に分割してなる部品を高周波電子部品と呼ぶ。
【０００４】
半導体装置などの分野では半導体素子の封止方法のひとつとして、従来から樹脂で封止する方法が採用されている、
例えば特許文献１には、分割溝Ｍが形成されたセラミック基板１５０の主面に、半導体素子が搭載され、前記半導体素子２００と基板１５０主面に形成された接続端子とがワイヤＷ等により電気的に接続され、樹脂樹脂２０で封止された複数の半導体装置が得られる樹脂封止基板１が開示されている（図１３参照）。そして、前記樹脂封止基板１を分割溝Ｍの方向から折り曲げて、個片の基板に分割して、半導体装置（高周波電子部品）としている。
【特許文献１】特開平１０−１５０１１９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記樹脂封止基板１のように、前記基板の一方の面に形成された分割溝Ｍの方向から、樹脂封止された面側に折り曲げて分割すると、セラミック基板１５０が垂直に分割されずに、図１３において破線で示すように、分割が本来進むべき方向からずれ、斜めに分割される場合があった。分割のずれは封止樹脂部で更に広がり、樹脂部においては、前記分割のずれによるバリが発生してしまうという問題があった。
このような高周波電子部品では、図１２に示した高周波電子部品３００のように、前記バリがオーバーハング状に外周に突き出る（図中破線円部）ため、外形寸法がばらついてしまい、外形寸法の規格が満足できないという問題があった。また前記バリはマザーボードへの実装の際に、他の回路部品と接触干渉する場合があり、部品搭載精度の著しく劣化させ、オープン不良、ショート不良を生じさせる。
さらには、前記樹脂封止基板１は、多数個の高周波電子部品が隣接して形成されているので、前記バリの発生した半導体装置と隣接する半導体装置には、封止部に欠けが発生してしまう。樹脂部に発生する欠けは、基板表面に実装された半導体素子２００やワイヤＷを露出させる場合があり、気密性を著しく損ねる場合があった。
【０００６】
そこで本発明の目的は、封止樹脂部でのバリ或いは欠けの発生を防止し、もって基板表面に実装された回路素子が露出することなのない、信頼性の高い積層基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、複数のセラミック層を積層してなり、第１の分割溝で区画された領域に回路素子が配置され、前記第１の分割溝を含む前記多層基板の一主面の略全体を樹脂部材で被覆し、前記回路素子を封止し、前記樹脂部材で被覆した側の裏面に、前記第１の分割溝と透視的同一箇所に第２の分割溝を有する多層基板である。
本発明においては、前記第２の分割溝の幅を、前記第１の分割溝の幅よりも広く構成するのが好ましい。また、前記第２の分割溝の深さを、前記第１の分割溝の深さよりも深く構成するのも好ましい。
【０００８】
第２の発明は、第１の発明の多層基板を、分割溝に沿って分割してなる高周波電子部品である。
前記第１及び第２に分割溝に加え、前記樹脂部材の表面の、前記第１及び第２の分割溝と透視的同一箇所に第３の分割溝を形成し、第３の分割溝を起点として分割するのも好ましい。
【０００９】
第３の発明は、第２の発明の高周波電子部品の製造方法であって、前記多層基板の第２の分割溝を拡げる力を加え、樹脂部材を被覆した主面側に折って、前記セラミック層と樹脂部材の少なくとも一部が破断するが樹脂部材の一部が繋がった状態とし、さらに樹脂部材側から裏面側に折り個片の多層基板に分割して高周波電子部品とした高周波電子部品の製造方法である。
本発明においては、前記樹脂部材をガラス転移温度以上に加熱保持し、前記多層基板を分割するのも好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、樹脂部におけるバリ或いは欠けの発生を防止し、もって基板表面に実装された回路素子が露出することなのない信頼性の高い積層基板を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の多層基板について図面に基づいて説明する。尚、図において従来と同じ部位は同一符号を付す。また、各符号は製造工程上、焼成の前後で区別しないことにする。
【００１２】
図１は、本発明の一実施例に係る多層基板を個片に分割して得られる高周波電子部品の斜視図である。図２は、図１の高周波電子部品が得られる多層基板の平面図であり、図３はその斜視図である。
各図において、１は多層基板、５はセラミック層、Ｍ１（１０ａ，１０ｂ），Ｍ２（１５ａ，１５ｂ）は分割溝、２０は回路素子を被覆している封止樹脂、５０は多層基板１の内部に形成された内部配線層、１００は多層基板１の裏面に形成された端子電極等の裏面配線層、１１０は多層基板１の表面に形成された表面配線層、２００は積層基板１に実装される半導体素子等の回路素子である。
【００１３】
図１に示した高周波電子部品は高周波増幅器であって、個片の多層基板に形成されたキャビティーに半導体素子２００が収容され、前記半導体素子２００はキャビティーの周りに形成された接続端子１１０とワイヤーボンディグされ電気的に接続されている。また半導体素子の他にもコンデンサ、抵抗、ダイオード等のスイッチング素子等の回路素子２００が搭載されている。そして、半導体素子やコンデンサ、抵抗、ダイオード等の回路素子２００を覆う様に、樹脂で被覆し半導体素子を封止している。
【００１４】
図２及び図３に示すように、複数の高周波電子部品が隣接して形成される多層基板１は、その主面及び裏面側に形成された分割溝Ｍ１（１０ａ，１０ｂ）、Ｍ２（１５ａ，１５ｂ）により多数の単位区画に区切られている。本実施例では、９×１５の単位区画に区切り、１３５個の高周波電子部品が得られるようにしている。なお、多層基板の外縁部はみみ部と呼ばれ、高周波電子部品として供しない部分である。
図４は、多層基板の断面拡大図である。分割溝Ｍ１，Ｍ２で区切られた前記単位区画には、それぞれ内部配線層５０が形成される。前記内部配線層５０は、セラミック層５に形成され、コンデンサを形成する容量電極、インダクタを形成するライン電極、グランド電極などを構成している。また、セラミック層の厚み方向には、前記内部配線層５０間の接続や、端子電極との接続を行うビアホール導体が形成されている。また、表面には、回路素子２００を搭載するための電極パッドや、ワイヤボンディングパッド等の表面配線層１１０が形成されている。裏面（実装面側）には、多層基板１をマザーボードに接続するための端子電極等の裏面配線層１００が形成されている。多層基板の裏面には、グランド電極となる裏面導体層を形成する場合もある。
【００１５】
回路素子２００は、積層セラミックコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、ＳＡＷフィルタ、半導体素子などが例示され、半田、フリップチップ実装、ワイヤボンディングなどにより、前記表面配線層上、あるいは多層基板１の単位区画内に形成されたキャビティー内に実装される。
【００１６】
本実施例の多層基板の主面には、オーバーコート層を形成している。このオーバーコート層は、表面電極の周囲の少なくとも一部、あるいは全体を覆うように形成される。前記オーバーコート層は、期待しない部分にはんだが付着するのを防ぎ、また表面電極と多層基板との密着強度を向上させる機能を有するものであり、セラミック多層基板を主として構成するセラミック粉末を、樹脂（エチルセルロース）、可塑剤（ジメチルフタレート）、溶剤（ＢＣＡ、エタノール、ブタノール）とともに所定量混合してペースト化した誘電体ペーストを、未焼結の多層基板に印刷し、焼結してなるものである。また、このオーバーコート層の色調をセラミック層と異なるものとすれば、目視によりオーバーコート層の有無を容易に判別することが可能となる。この場合、前記誘電体ペーストに、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｒ等の金属の少なくとも１種含有する着色ガラス粉を０．５〜５重量％添加すれば良い。
【００１７】
多層基板１は、アルミナセラミックや、低温焼結が可能なガラスセラミック等のセラミックからなり、セラミックグリーンシートに、内部配線層５０、裏面配線層１００、表面配線層１１０を、ＡｇやＣｕなどの金属や、Ａｇ合金、Ｃｕ合金を主成分とする導体を用いたペーストで印刷形成あるいは転写形成し、セラミックグリーンシートを積層し、油圧プレス機により上下から加温しながらプレスして圧着し、焼結してなるものである。
前記セラミックグリーンシートは、低温焼成セラミック材料と適量の有機バインダや有機溶剤とを共に混合し、これをキャリアフィルム上にドクターブレート法によってキャスティングして形成される。前記本実例では多層基板の構成するセラミック材料としてＡｌ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系の低温焼成セラミック材料を用いた。このセラミック材料は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ｍｎ３Ｏ４主成分とし、ＳｒＣＯ３、Ｎａ２ＣＯ３、Ｋ２ＣＯ３を副成分とするものであり、７〜９の誘電率、２４０  ＭＰａ以上の３点曲げ強度（ＪＩＳ  Ｒ  １６０１、試料：長さ３６ｍｍ、幅４ｍｍ、厚さ３ｍｍ、支点間距離３０ｍｍ）、及び１１０ＧＰａ以上のヤング率を有し、ＬＴＣＣ材料としては高い抗折強度及びヤング率を有するものである。
他の低温焼成セラミック材料としては、例えば低誘電率（比誘電率５〜１０）のＡｌ−Ｍｇ−Ｓｉ−Ｇｄ−Ｏ系誘電体材料、Ｍｇ２ＳＯ４からなる結晶相とＳｉ−Ｂａ−Ｌａ−Ｂ−Ｏ系からなるガラス等からなる誘電体材料、Ａｌ−Ｓｉ−Ｓｒ−Ｏ系誘電体材料、Ａｌ−Ｓｉ−Ｂａ−Ｏ系誘電体材料、高誘電率（比誘電率５０以上）のＢｉ−Ｃａ−Ｎｂ−Ｏ系誘電体材料等様々な材料が開発されている。セラミック積層基板には、これらの低温焼成セラミック材料を単独で使用する場合もあるし、インダクタンス素子、コンデンサ素子を構成するセラミック層に応じて低誘電率の材料、高誘電率の材料を組み合わせて用いる場合もある。      
【００１８】
セラミックグリーンシートの厚さは、多層基板内にコンデンサ素子が形成される場合にはセラミック層厚さで１０〜２５μｍとし、他の層には１００〜１５０μｍのものを用いた。なお、セラミック層厚さは適宜設定されるものであり、前記厚さに限定されるものではないが、好ましくは１０〜１５０μｍの範囲で選択する。
【００１９】
単位区画をなす分割溝Ｍ１（１０ａ，１０ｂ），Ｍ２（１５ａ，１５ｂ）は、焼結前の積層基板１の両主面に、透視的に同一箇所となるように縦横に形成される。透視的に同一箇所とは、透視的に分割溝Ｍ１，Ｍ２が実質的に重なり合う位置あることを言う。
分割溝Ｍ１，Ｍ２は、焼結前の多層基板にカッター刃により、前記多層基板の表面に形成された位置決め用マークを基準とし、画像認識させて切込んで形成する。位置決めマークは、セラミック層に形成されたビアホールを基準として、着色されたガラスセラミックペーストを印刷してライン状、或いは円形、多角形状に形成されている。前記位置決めマークを基準として分割溝を形成することで、多層基板内に形成された電極パターンを精度良く区画することが出来、本実施例においては分割溝Ｍ１、Ｍ２のずれを６０μｍ以下としている。
【００２０】
分割溝Ｍ１，Ｍ２の形成においては、カッター刃を抜いた後に生じるセラミック層の弾性変形や、焼結の際に生じるセラミックの収縮により、分割溝が閉じることがない様にすることが必要である。このためには、カッター刃の開角度を３０°以上７０°以下とするのが好ましい。カッター刃の開角度が３０°未満であると、切込みが閉じたり、閉じないまでも切込みの幅が著しく狭くなり、焼結後の多層基板を分割する際に、分割溝を介して隣り合う面が接触して、相互に応力を作用させてかけ、欠け、われといった不具合を生じることがある。また、カッター刃の開角度が７０°を超えると、切込みが困難となり、焼結前の多層基板に不要な圧力を作用させ、表面配線層や、裏面配線層にまで及ぶ変形を生じさせることがあり、好ましく無い。
図５は多層基板の断面図であり、分割溝部を拡大したものである。カッター刃の開角度が大きくなると、カッター刃の接触圧で、切込み時に焼結前のセラミック層が弾性変形し、さらに所定の切込み深さまで分割溝を形成するようにカッター刃を押し込むと、セラミック層は塑性変形して、前記カッター刃を抜いた後もＲ状の変形が残る。カッター刃の開角度が７０°以下であると、そのＲ状態は、なだらかな曲面に形成され、分割の際に個片の多層基板の縁部が当接して欠けや、クラックなどが生じるのを防ぐことが出来る。前記Ｒを分割溝の深さの１／２以下とするのが好ましい。
【００２１】
分割溝Ｍ１，Ｍ２の深さは、焼結後の多層基板の分割のしやすさから、一般的に多層基板１の厚み、多層基板１を構成するセラミックの機械的強度等によって適宜設定される。分割溝Ｍ１，Ｍ２は、その断面形状を略Ｖ字状とし、その深さｄ１、ｄ２を焼結後の寸法で０．０１〜０．３ｍｍ程度、その開口幅ｔ１、ｔ２が０．０２０〜０．２０ｍｍ程度とする。また、分割溝Ｍ１、Ｍ２の開角度θ１、θ２は、θ１≦θ２とするのが好ましい。
表面側の分割溝Ｍ１が深いと封止樹脂が溝部に回り込みにくく、分割溝部に空孔として残り、場合によっては、回路素子２００まで至る連続気孔を形成する場合がある。このような気孔の存在は、多層基板の気密性を著しく損ねる。また、多層基板が分割溝部で工程途中割れない程度の強度を保ちながら、樹脂封止後の分割を容易とする等の観点から、好まし溝深さの関係は、１．１×ｄ１≦ｄ２であり、分割溝の溝深さの総和ｄ１＋ｄ２は、多層基板の厚みＤに対して、（ｄ１＋ｄ２）＜０．５×Ｄとするのが好ましい。本実施例では、焼結後の表面側の分割溝Ｍ１の溝深さｄ１を９０μｍ〜１００μｍ、溝幅ｔ１を４０μｍ〜６０μｍ、裏面側の分割溝Ｍ２の溝深さｄ２を１１０μｍ〜１２０μｍ、溝幅ｔ２を７０μｍ〜９０μｍとしている。
回路素子２００が搭載される側の分割溝Ｍ１の深さｄ１に対して、裏面側に形成する分割溝Ｍ２の溝深さｄ２を深く形成すると、分割溝Ｍ２を拡げるような力を加えることにより、境界部を折割って分割しても、裏面側の分割溝Ｍ２から発生した亀裂が常に表面側の分割溝Ｍ１に到達し、バリやカケを発生させることなく分割することができる。また、後述する封止樹脂部の分割は、前記分割溝Ｍ１を起点として始まるため、前記封止樹脂部でバリ或いは欠けの発生を抑止することが出来る。      
【００２２】
本実施例においては、前記オーバーコート層を多層基板の主面のほぼ全面に形成している。オーバーコート層の形成は、分割溝形成の前でも良いし、後でも良い。しかし、オーバーコート層を分割溝と重ねて形成すると、分割溝形成後であれば、分割溝を埋めてしまい、また、分割溝形成前であれば、切断刃を押込む際に生じる変形で、オーバーコート層が剥離、脱落するので、図６に示すように、分割溝部にはオーバーコート層（図中斜線で示す）を形成しないようにするのが好ましい。      
【００２３】
前記未焼結の多層基板をセッタ等の焼成治具上に配置して、用いるセラミック材料に応じて８００℃〜１０００℃の温度で焼成する。導体ペーストとしてＡｇを用いる場合には、大気中で焼成時に水蒸気を含まない乾燥空気を用いるのが好ましい。水蒸気を含む場合には、Ａｇの緻密化が進まず、密着強度が著しく低下する場合がある。また導体ペーストとしてＣｕを用いる場合には、所定のガス雰囲気中（還元雰囲気、例えばＮ２、Ａｒガス）で焼成する。なお、ガス雰囲気での焼成では脱バインダーのために水蒸気を含むガスとするのが好ましい。  さらに、Ｎｉめっき、Ａｕめっきの電解又は無電解めっき処理を行い、多層基板の表面に形成された端子電極や表面配線層にめっき層を形成した（図７）。      
【００２４】
焼結後の多層基板１の表面配線層に回路素子２００を実装し、はんだ接続した（図８）。しかる後、前記回路素子２００と表面配線層を覆うように、エポキシ系樹脂の樹脂部材２０により多層基板の一面側の略全面を被覆した（図９）。他の樹脂部材２０としては、フェノール系樹脂、シリコン系樹脂などの熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂などが例示される。封止の方法は、ディスペンサを用いて、仕切り冶具で仕切られた部分に液状封止材を塗布する注型法（ポッティング）を採用した。他の方法としては、印刷封止法、あるいは金型内に多層基板を配置し、成形機のポットに室温では固形状の封止材タブレットをセットし、金型温度１７０〜１８０℃の条件で封止材を溶融し、圧をかけて金型に流し込み、加圧しながら封止材を熱硬化させるトランスファーモールド工法等を採用することが出来る。
なお多層基板の一面側全面に樹脂封止を行っても良いが、図４、図５に示すように、多層基板の縁部の耳部で、基板表面を露出させるのが好ましい。この部分を樹脂封止しないことで、樹脂使用量を減じることが出来る。また、前記耳部には分割溝形成時等の製造工程で利用される位置決めマークが形成されており、分割溝も現れているので、これらを画像認識して封止樹脂部の表面に分割溝を形成する際に利用することが出来る。このため、図１０に示すように前記封止樹脂部に第３の分割溝Ｍ３を形成する場合には、多層基板の分割溝と、透視的同一箇所に形成することが出来る。第３の分割溝Ｍ３は、カッター刃やレーザー照射により形成することが出来る。レーザーを用いれば、一度に分割溝と印字を同じ工程で形成できるので好ましい。
【００２５】
前記樹脂を熱硬化させた後、多層基板の裏面側分割溝Ｍ２を拡げるような力を加えて、個片の多層基板に分割した。図１１は、分割の際に用いた分割装置の要部拡大断面図である。６５ａ〜６５ｃは、第１〜第３のローラであり、７０ａ、７０ｂは、それぞれ上側押えベルト、下側搬送ベルト、８０は押えブレード、８５は支持プレートである。多層基板１は、支持プレート８５側から投入され、所定の速度で移動する下側搬送ベルトにより水平方向に移動し、支持プレート８５から第１のローラ６５ａ、第３のローラ６５ｃ、第２のローラ６５ｂへと移動して行く。前記第３のローラ６５ｃは、多層基板を下側に抑えるような位置にあり、支持プレート８５と押さえプレート８０とで挟持された多層基板は、第１のローラ６５ａを支点とし、第３のローラ６５ｃを下側の外力を与える力点として、分割溝Ｍ２を広げるようにして、セラミック層と樹脂部材の少なくとも一部を破断させる。この時点では、樹脂部材の表面側は繋がった状態となっている。さらに前記第２のローラ６５ｂは、多層基板を上側に押えるような位置にあり、第３のローラ６５ｃを支点とし、第２のローラ６５ｂを上側の外力を与える力点として、樹脂部材側から樹脂部材の残部を破断させた。
なお分割の際には、また多層基板１を封止樹脂２０のガラス転移点よりも高い温度に保った状態で分割するのが好ましい。支持プレートをヒータ等で加熱し、樹脂部材をそのガラス転移温度以上とすれば、強度および弾性率が低くなるため、容易に、精度良く分割することが出来る。好ましくは、ガラス転移温度＋５℃〜ガラス転移温度＋３０℃とする。
さらに、樹脂部材２０に第３の分割溝Ｍ３を形成しておけば、封止部材２０の破断のきっかけとなり、より精度良く分割することが出来る。
【００２６】
本実施例によれば、分割溝Ｍ２の溝幅を分割溝Ｍ１の溝幅よりも、幅広く形成することで、樹脂部材側から分割溝Ｍ２側に折り曲げても、隣り合う分割溝の上部がぶつかるのを防いでいる為、分割溝Ｍ２の上部に欠けや、クラックなどが生じるのを防ぐことが出来た。
そして２方向から分割することで、分割溝Ｍ１，Ｍ２に沿って容易かつ正確に分割することが出来、得られる高周波電子部品の樹脂部にバリや欠けが発生することを有効に防止することができた。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明の多層基板によれば、分割溝に沿って容易、かつ正確に分割することが可能であり、もって、分割の際の、樹脂部のバリ或いは欠けの発生を防止し、基板表面に実装された回路素子が露出することなのない信頼性の高い積層基板を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施例に係る多層基板を個片に分割して得られる高周波電子部品の斜視図である。
【図２】本発明の一実施例に係る多層基板の平面図である。
【図３】本発明の一実施例に係る多層基板の斜視図である。
【図４】本発明の一実施例に係る多層基板の断面拡大図である。
【図５】本発明の一実施例に係る多層基板の分割溝部断面拡大図である。
【図６】本発明の一実施例に係る多層基板における、オーバーコート層形成状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の一実施例に係る多層基板の回路素子実装前の断面図である。
【図８】本発明の一実施例に係る多層基板の回路素子実装後の断面図である。
【図９】本発明の一実施例に係る多層基板の樹脂封止後の断面図である。
【図１０】本発明の他の実施例に係る多層基板の樹脂封止後の断面図である。
【図１１】本発明の多層基板を分割する分割装置の要部拡大断面図である。
【図１２】従来の封止樹脂基板を分割して得られる高周波電子部品の断面図である。
【図１３】従来の樹脂封止基板の断面拡大図である。
【符号の説明】
【００２９】
１  多層基板
５  セラミック層
２０  樹脂部材
１０ａ，１０ｂ，Ｍ１  第１の分割溝
１５ａ，１５ｂ，Ｍ２  第２の分割溝
５０  内部配線層
１００  裏面配線層
１１０  表面配線層
２００  回路素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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