(57)【要約】【課題】  本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置の測定精度の向上を実現した半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  外部との電気的入出力を行う端子となるリード１４はプレスカットによって切断し、その断面にはだれ面１９が形成される。このだれ面１９とプローブ２６の先端部に形成された傾斜面２４とを当接させることにより、半導体装置の電気特性を測定する。従って、だれ面１９からはリード１４が露出しており、リード１４の表面に形成されたメッキ膜や、メッキ膜の表面の酸化膜の影響を受けることなく測定を行うことができる。このことにより、測定精度の向上が実現された半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。【選択図】  図３
2006266713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部との電気的入出力を行う端子となる導電路に、半導体素子を電気的に接続する工程と、
前記導電路の一部が露出するように前記半導体素子を封止樹脂にて封止する工程と、
前記封止樹脂から露出した前記導電路を所望の形状に切断する工程と、
前記導電路の切断面の周辺端部に測定端子を接触させて、前記半導体素子の電気特性を測定する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電路の表面には導電性被膜が被着されており、
前記切断面の周辺端部は、前記導電性被膜から前記導電路が露出し、
前記導電路の露出部に前記測定端子を接触させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記切断面の周辺端部は、前記導電路が金型プレスによって切断されることにより形成されただれ面であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電路の表面には導電性被膜が被着されており、
前記だれ面から露出した前記導電路と前記測定端子とを接触させることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記測定端子の先端部には傾斜面が設けられており、前記傾斜面に前記導電路を接触させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体装置の測定精度の向上を実現させた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造方法において、樹脂封止された半導体装置の電気的特性は以下の方法で測定されていた。
【０００３】
図７（Ａ）を参照して、ここではフラットリードタイプの半導体装置１００の測定を例にとって説明する。半導体装置１００は、半導体素子がリード１０２と電気的に接続されており、半導体素子とリード１０２を被覆するように、封止樹脂１０１にて封止されている。リード１０２の一部は封止樹脂１０１から露出している。ここではリード１０２は、封止樹脂の側面から横方向に延在している。
【０００４】
図７（Ｂ）を参照して、測定端子１０３は、リード１０２の上面および下面を挟むようにしてリード１０２と当接している。そして、一つのリード１０２に対して２対の測定端子１０３が設けられており、接触抵抗による誤差を抑止している。更に、リードの表面には半田とのぬれ性の向上のためメッキ膜が形成されている。しかし、メッキ膜には酸化膜が形成されやすい。従って、測定端子１０３がワイピングすることにより、酸化膜を除去してメッキ膜と直接接触することにより、半導体装置の電気的特性が測定されている（特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開平６−２０９０３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したような半導体装置の製造方法では、以下のような問題点がある。
【０００６】
半導体装置の小型化に伴い、封止樹脂１０１から露出するリード１０２が短くなると、測定端子１０３とリード１０２とを接触させることが困難であった。更に、測定の際に半導体装置の位置がわずかにずれるだけで測定に支障をきたしていた。
【０００７】
また、リード１０２の表面に測定端子１０３が当接することにより、メッキ膜が剥がれてリード１０２が露出していた。この露出したリード１０２の上面における半田ぬれ性が低下し、実装基板との接続信頼性を低減させていた。
【０００８】
本発明は、このような問題を鑑みて成されたものであり、本発明の主な目的は、小型の半導体装置の電気的特性を精度よく測定することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、外部との電気的入出力を行う端子となる導電路に、半導体素子を電気的に接続する工程と、導電路の一部が露出するように半導体素子を封止樹脂にて封止する工程と、封止樹脂から露出した前記導電路を所望の形状に切断する工程と、導電路の切断面の周辺端部に測定端子を接触させて、半導体素子の電気特性を測定する工程とを具備することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、導電路の表面には導電性被膜が被着されており、切断面の周辺端部は、導電性被膜から導電路が露出し、導電路の露出部に測定端子を接触させることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、切断面の周辺端部は、導電路が金型プレスによって切断されることにより形成されただれ面であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、導電路の表面には導電性被膜が被着されており、だれ面から露出した導電路と測定端子とを接触させることを特徴とする。
【００１３】
更に、本発明の半導体装置の製造方法は、測定端子の先端部には傾斜面が設けられており、傾斜面に導電路を接触させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法によると、導電路の切断面の周辺端部に測定端子を接触させて、半導体装置の電気特性を測定している。従って、小型の半導体装置においても測定端子と導電路とを良好にコンタクトさせることが可能である。また、導電路にメッキ膜が形成されていても、例えばプレスカットによって形成された切断面の周辺端部は部分的に導電路が露出しているので、半導体装置の電気特性を高精度に測定することが可能である。
【００１５】
また、測定された導電路の表面および裏面のメッキ膜には剥がれなどが生じないため、半田とのぬれ性の低下を抑止することができる。従って、実装基板との接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１から図４を参照して、本形態の半導体装置の製造方法を説明する。本形態では、フラットリードタイプの半導体装置の製造方法を例にとって説明していくが、他の形態の半導体装置の製造方法に適用することも可能である。
【００１７】
先ず、図１（Ａ）を参照して、短冊状のリードフレーム１１を用意する。リードフレーム１１には、複数のリード１４が一体となって形成されている。リード１４は、半導体素子が搭載されるランド１２やボンディングパッド１３などが含まれる。そして、外部と電気信号のやりとりを行う導電路としての機能を有する。領域Ａ１が、一つの半導体装置を構成するリード１４の集合である。従って、リードフレーム１１には、半導体装置を形成するリードの集合がマトリックス状に複数個形成されており、リードフレーム１１から複数の半導体装置を同時に製造することができる。
【００１８】
リードフレーム１１は金属板を加工することにより形成され、この加工方法としては、金型を用いた打ち抜き加工、または、エッチングを挙げることができる。また、リードフレームの代わりに導電箔を用いてもよく、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等を採用することができる。
【００１９】
図１（Ｂ）を参照して、リード１４と半導体素子１５とを電気的に接続する。ここでは図１（Ａ）に示す領域Ａ１について説明していくが、他の領域においても同様の処理が行われる。半導体素子１５はランド１２上に載置され、半導体素子１５の電極とボンディングパッド１３と金属細線１６を介して電気的に接続される。半導体素子１５としては、トランジスタ、ダイオード、ＩＣチップ等が挙げられる。また、半導体素子１５とチップコンデンサ、チップ抵抗等の受動素子を載置して電気回路を構成することも可能である。例えば、二個のトランジスタを内蔵し、外部接続端子が６本の半導体装置を形成することが可能である。ここでは、ベアのトランジスタチップが採用され、ランド１２上にダイボンディングされている。
【００２０】
図１（Ｃ）を参照して、リード１４、半導体素子１５および金属細線１６が被覆されるように封止樹脂１７を用いて封止する。このとき、リード１４の一部が封止樹脂１７から露出される。封止方法としては、トランスファーモールド、インジェクションモールドなどの金型モールド法を採用することができる。封止樹脂の材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂またはポリフェニレンサルファイトなどが挙げられる。エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで採用でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイトなどの熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで採用することができる。
【００２１】
図２（Ａ）を参照して、金型プレスにより、リードフレーム１１とリード１４とを一体に連結する部分を剪断分離する。まず、リードフレーム１１の半導体素子１０の載置された面を上になるように、リードフレーム１１を下金型２１の上部に載置する。そして、上金型２０をリード１４の上面に当接させ、上金型２０を下方へ移動させることにより切断分離される。
【００２２】
上金型２０は半導体装置１０から露出したリード１４の外部接続端子となる領域Ａ１の上部に当接され、下金型２１はリード１４の不要部分領域Ａ２の下部に当接される。従って、半導体装置１０側のリード１４の切断面にはだれ面が形成されるが、このだれ面は切断面の周辺端部の下方に相当する辺に形成される。このだれ面の詳細は後述する。
【００２３】
以上の工程により、リードフレーム１１から複数の半導体装置１０が個別に分離される。
【００２４】
図２（Ｂ）を参照して、プレスカットにより分離された半導体装置１０について説明する。半導体装置１０は、フラットリードタイプの半導体装置であり、リード１４Ａには半導体素子１５が載置され、リード１４Ｂと半導体素子１５とは、金属細線１６を介して電気的に接続されている。リード１４Ａおよびリード１４Ｂは、一端が封止樹脂１７から外部に導出して、外部との電気的入出力を行う外部接続端子として機能する。また、リード１４Ａおよびリード１４Ｂは封止樹脂１７の側面から半導体装置１０の裏面と平行になるように横方向へ露出している。そして、リード１４の裏面は半導体素子の裏面とほぼ同一平面上に位置している。
【００２５】
図３から図５を参照して半導体装置の電気的特性を測定する方法を説明する。
【００２６】
先ず、図３を参照して、封止樹脂１７から露出したリード１４について説明する。リード１４の厚みＴ１は、０．１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。また、露出したリード１４の長さＬ１は、０．０５ｍｍから０．２５ｍｍ程度であり、従来のパッケージと比較すると露出するリードが非常に微細である。更に、リード１４の表面および裏面にはメッキ膜が形成されている。このメッキ膜は、半導体装置が半田を用いて実装基板上に実装される際に、半田とのぬれ性を向上させるために形成される。実装精度を向上させるために形成されている。従って、このメッキ膜はリードよりもぬれ性のよい金属膜から成り、その膜厚は１０μｍ程度である。
【００２７】
上述したようにリード１４はプレスカットされているので、切断面の周辺端部にはだれ面１９が形成されている。このだれ面１９は、切断面の周辺端部の下面側に形成されている。また、切断面の上面側にはバリと呼ばれる鋭利な部分が形成されている。
【００２８】
だれ面１９の表面は、メッキ膜の剥がれや伸長により、リード１４の表面が露出している。従って、このだれ面１９に測定端子であるプローブ２６を当接させることにより、半導体装置の電気的特性を正確に測定することが可能となる。
【００２９】
本形態のプローブ２６の先端部は傾斜面２４が設けられており、この傾斜面２４によってだれ面１９とプローブ２６との接触を確実にすることができる。また、メッキ膜の表面には酸化膜が形成され測定不良の原因となっていたが、だれ面１９とプローブ２６とを接触させるので、酸化膜の影響をほとんど受けない。従って、接触抵抗を低下させることができ、且つ測定不良などを抑止することができる。本形態では、プローブ２６の先端部に傾斜面を設けたが、プローブ２６の形状はだれ面１９と当接できる形状であればよい。つまりだれ面とプローブの一面を接触できればよい。
【００３０】
このように、パッケージの小型化により、封止樹脂１７から露出するリード１４が微細になっても本願の測定方法を採用することにより、半導体装置の電気特性を高精度に測定することが可能となる。
【００３１】
図４および図５を参照して、測定方法の詳細を説明する。
【００３２】
図４（Ａ）を参照して、プローブ２６が配置された測定用ステージ２５上に半導体装置１０を載置する。具体的には、半導体装置１０は吸引コレットを用いて測定ステージ２５上に移動される。そして、半導体装置１０は、半導体装置１０の上面が吸引コレットによって吸引密着した状態で、プローブ２６とリード１４とが当接するように移動される。このようにして、半導体装置１０の電気特性が測定される。このときプローブはワイピング動作をしており、だれ面にプローブが接触することで、だれ面に接触痕が形成される。しかし、本形態では接触痕がだれ面に形成されるため、半導体装置の実装工程における半田のぬれ性に影響を与えない。
【００３３】
各プローブ２６からは、図示していないが電源線、接地線および各種信号線が引き出され、測定器であるテスターと接続されている。テスターから半導体装置１０に入力された信号波形に対し、半導体装置１０が出力した信号波形をテスターが読み取り、あらかじめプログラムされている正しい信号波形と比較して、半導体装置１０の良、不良を判断する。本形態では三端子のディスクリード型トランジスタであるので２０〜３０項目の測定を行う。
【００３４】
図５（Ａ）を参照して、リード１４の断面の周辺端部がプローブ２６の傾斜面２４と当接するように、半導体装置１０がプローブ２６上に載置される。ここでリード１４の周辺端部とは、プレスカットによって形成されただれ面１９を示しており、だれ面１９と傾斜面２４とが当接するように半導体装置１０が載置される。
【００３５】
リード１４Ａとリード１４Ｂとは封止樹脂１７の対向する側面から露出している。そして、プローブ２６Ａはリード１４Ａと当接し、プローブ２６Ｂはリード１４Ｂと当接する。プローブ２６Ａの傾斜面２４Ａとプローブ２６Ｂの傾斜面２４Ｂとは向かい合うように形成されている。この傾斜面２４の面積が広ければ、半導体装置１０が水平方向にずれた状態でプローブ２６上に載置されても、リード１４とプローブ２６とを確実に当接させることができる。
【００３６】
半導体装置１０の載置ずれの許容範囲は傾斜面の形状に依存している。例えば、図５（Ｂ）に示すプローブ２６を参照して、傾斜面２４は縦の長さをＬ２、横の長さをＬ３とすると、半導体装置１０の縦方向へのずれの許容範囲はおおむねＬ２であり、横方向ではおおむねＬ３である。
【００３７】
また、図６に示すような半導体装置１０の載置位置のずれに対しても対応することができる。先ず、図６（Ａ）を参照して、半導体装置１０が傾くことにより、少なくも一つのリード１４の裏面が他のリードの裏面と同一水平面状にない状態で半導体装置１０がプローブ２６上に載置されても、リード１４とプローブ２６とを確実に当接させることができる。
【００３８】
また、図６（Ｂ）を参照して、半導体装置１０に水平面に対して平行に回転した状態のずれが生じた状態で、プローブ２６上に載置しても、リード１４とプローブ２６とを確実に当接することができる。
【００３９】
更に、リード１４の切断寸法にばらつきが生じても測定コンタクトの調整の必要はなく、良好に測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（Ａ）−（Ｃ）は、本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図２】（Ａ）（Ｂ）は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】（Ａ）（Ｂ）は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】（Ａ）（Ｂ）は、本発明の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】（Ａ）（Ｂ）は、従来の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０            半導体装置
１１            リードフレーム
１２            ランド
１３            ボンディングパッド
１４            リード
１５            半導体素子
１６            金属細線
１７            封止樹脂
１９            だれ面
２０            上金型
２１            下金型
２４            傾斜面
２５            測定用ステージ
２６            プローブ
【図１】
2006266713.tif 000003
【図２】
2006266713.tif 000004
【図３】
2006266713.tif 000005
【図４】
2006266713.tif 000006
【図５】
2006266713.tif 000007
【図６】
2006266713.tif 000008
【図７】
2006266713.tif 000009