(57)【要約】  【課題】  セラミック基板にロウ付けされた回路となる金属板にネジ締め部を設けてもセラミック基板がクラック等によって破損することのない回路基板を提供すること。  【解決手段】  回路基板は、セラミック基板１と金属製のネジ締め部材３と金属板２とを具備し、ネジ締め部材３は、外周部に下面に角部３ｃをゆする突出部３ｂが形成されているとともに、角部３ｃを第一のメタライズ層１ａに当接させて突出部３ｂの下面が第一のメタライズ層１ａにロウ付け接合され、突出部部３ｂの上面が金属板２の一端にロウ付けされており、セラミック基板１は、上側主面の貫通孔１ｃと載置部１ｄとの間の部位に、上面に第三のメタライズ層10ａが形成されたセラミックスから成る支持部10が形成されており、支持部10の第三のメタライズ層10ａに金属板２がロウ付けされている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下主面間を貫通する貫通孔が設けられるとともに上側主面の前記貫通孔の開口の周囲に第一のメタライズ層が形成され、上側主面の前記貫通孔に近接して電子部品が載置される載置部が設けられるとともに該載置部に隣接して前記電子部品の信号入出力部となる第二のメタライズ層が形成されたセラミック基板と、前記貫通孔に挿通され前記第一のメタライズ層にロウ付けされた金属製のネジ締め部材と、一端が前記ネジ締め部材にロウ付けされ、他端が前記第二のメタライズ層にロウ付けされた金属板とを具備する回路基板において、前記ネジ締め部材は、その外周部に下面に角部を有する突出部が形成されているとともに、前記角部を前記第一のメタライズ層に当接させて前記突出部の下面が前記第一のメタライズ層にロウ付けされ、前記突出部の上面が前記金属板の一端にロウ付けされており、前記セラミック基板は、上側主面の前記貫通孔と前記載置部との間の部位に、上面に第三のメタライズ層が形成されたセラミックスから成る支持部が形成されており、該支持部の前記第三のメタライズ層に前記金属板がロウ付けされていることを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大電力で作動する半導体装置等に使用される回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の大電力半導体装置、例えば、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ＩＥＧＴ（Injection Enhanced Gate Transistor）等の大電力トランジスタモジュールや、モーターや無停電電源装置の制御に用いられるインバータ等のパワーモジュールは、セラミック基板上に銅（Ｃｕ）から成る回路を形成した回路基板上に、電子部品が実装されている。このような回路基板においては、回路上に大電流が流れるため、Ｃｕから成る金属板を半田付け等で接合することによって回路を形成し電流容量を大きくしている。
【０００３】
このようなＣｕから成る金属板を半田付け等で接合することによって回路が形成された回路基板の断面図を図４に示す。
【０００４】
図４において、回路基板は、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックスまたはＡｌ２Ｏ３質セラミックスともいう）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体等のセラミックスから成るセラミック基板21の上面に、Ｃｕから成る金属板22が半田付けされている構成である（特許文献１参照）。
【０００５】
この回路基板に電子部品24が載置固定されるとともに、電子部品24の電極がボンディングワイヤ等の電気的接続手段25を介して金属板22の一端に電気的に接続され、金属板22の他端が外部電気回路に接続されることで、電子部品が大電流で作動するものとなる。
【０００６】
また、外部電気回路との接続部に、ネジ締め用のＣｕ板を有する樹脂製のパワーモジュールが提案されている（特許文献２参照）。
【０００７】
Ｃｕ板に設けられたネジ締め用の貫通穴にネジを挿入してネジ締めすることで、外部電気回路との接続部において大電流が電気抵抗によって損失することを有効に抑制するとともに、パワーモジュールと外部電気回路とを長期にわたって強固かつ確実に接続し、外部電気回路との電気的接続の信頼性に優れたものとすることができる。
【特許文献１】特開2003-7936号公報
【特許文献２】特開2002-314038号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、セラミック基板21から成る回路基板に、Ｃｕから成る金属板22の他端にネジ締め部を設けるという検討がなされている。
【０００９】
しかしながら、セラミック基板21から成る回路基板において、Ｃｕから成る金属板22の他端にネジ締め部を設けると、ネジ締め部において金属板22の体積が大きくなってしまい、セラミック基板21に金属板22を半田付け等で接合する際に、セラミック基板21に金属板22との熱膨張差による応力が大きく作用する傾向にあった。そのため、セラミック基板21がクラック等によって破損し易いという問題点があった。
【００１０】
また、セラミック基板21から成る回路基板において、Ｃｕから成る金属板22の他端にネジ締め部を設けると、ネジ締めの際に金属板22にトルクが加わり、ネジ締め部近傍のセラミック基板21にせん断応力が作用する。そして、このせん断応力によって、セラミック基板21にクラック等の破損が発生し易くなってしまうという問題点があった。
【００１１】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、セラミック基板にロウ付けされた回路となる金属板にネジ締め部を設けてもセラミック基板がクラック等によって破損することのない回路基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の回路基板は、上下主面間を貫通する貫通孔が設けられるとともに上側主面の前記貫通孔の開口の周囲に第一のメタライズ層が形成され、上側主面の前記貫通孔に近接して電子部品が載置される載置部が設けられるとともに該載置部に隣接して前記電子部品の信号入出力部となる第二のメタライズ層が形成されたセラミック基板と、前記貫通孔に挿通され前記第一のメタライズ層にロウ付けされた金属製のネジ締め部材と、一端が前記ネジ締め部材にロウ付けされ、他端が前記第二のメタライズ層にロウ付けされた金属板とを具備する回路基板において、前記ネジ締め部材は、その外周部に下面に角部を有する突出部が形成されているとともに、前記角部を前記第一のメタライズ層に当接させて前記突出部の下面が前記第一のメタライズ層にロウ付けされ、前記突出部の上面が前記金属板の一端にロウ付けされており、前記セラミック基板は、上側主面の前記貫通孔と前記載置部との間の部位に、上面に第三のメタライズ層が形成されたセラミックスから成る支持部が形成されており、該支持部の前記第三のメタライズ層に前記金属板がロウ付けされていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の回路基板によれば、上下主面間を貫通する貫通孔が設けられるとともに上側主面の貫通孔の開口の周囲に第一のメタライズ層が形成され、上側主面の前記貫通孔に近接して電子部品が載置される載置部が設けられるとともに載置部に隣接して電子部品の信号入出力部となる第二のメタライズ層が形成されたセラミック基板と、貫通孔に挿通され第一のメタライズ層にロウ付けされた金属製のネジ締め部材と、一端がネジ締め部材にロウ付けされ、他端が第二のメタライズ層にロウ付けされた金属板とを具備し、ネジ締め部材は、その外周部に下面に角部を有する突出部が形成されているとともに、角部を第一のメタライズ層に当接させて突出部の下面が第一のメタライズ層にロウ付けされ、突出部の上面が金属板の一端にロウ付けされていることにより、ネジ締め部材とセラミック基板とのロウ付けによる接合面積を必要最小限に抑えることができ、セラミック基板にネジ締め部材をロウ付けする際に、セラミック基板に形成された第一のメタライズ層にネジ締め部材との熱膨張差による応力が大きく作用するのを抑制できる。
【００１４】
ネジ締め部材の突出部の下面が第一のメタライズ層にロウ付けされ、突出部の上面が金属板の一端にロウ付けされていることにより、ネジ締め部材をセラミック基板と金属板とで強固に固定できるとともに、ネジ締め時のトルクによるせん断応力をセラミック基板だけでなく金属板にも分散させて作用させることができ、第一のメタライズ層とネジ締め部材との接合部において、ネジ締め時のトルクによるせん断応力がセラミック基板に集中して作用するのを防止できる。
【００１５】
その結果、セラミック基板の第一のメタライズ層が形成された部位がクラック等によって破損するのを有効に防止できる。
【００１６】
また、ネジ締め部材が金属板とは別部材であることにより、金属板とセラミック基板との熱膨張差を金属板とネジ締め部材とのロウ付け部で緩和できるので、ネジ締め部材とセラミック基板との接合部において、セラミック基板に形成された第一のメタライズ層に金属板との熱膨張差による応力が作用するのを抑制できる。
【００１７】
さらに、セラミック基板の貫通孔と載置部との間の部位に、上面に第三のメタライズ層が形成されたセラミックスから成る支持部が形成されており、支持部の第三のメタライズ層に金属板がロウ付けされていることにより、金属板は、セラミック基板の貫通孔よりも載置部側の部位で支持固定されるので、ネジ締め部材にネジ締めする際のトルクによるせん断応力が金属板に加わっても、金属板が支持部によって支持固定されることでせん断応力が遮断され、金属板の他端が接合されるセラミック基板の第二のメタライズ層が形成されている部位に金属板のせん断応力が作用することがない。よって、セラミック基板の第二のメタライズ層が形成されている部位がクラック等によって破損するのを有効に防止できる。
【００１８】
以上の結果、セラミック基板がクラック等によって破損するのを有効に防止でき、回路にネジ締め部を設けてもセラミック基板がクラック等によって破損することのない回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の回路基板について以下に詳細に説明する。図１は本発明の回路基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図２は図１のＡ−Ａ’線における断面図、図３は図１のＢ−Ｂ’線における断面図である。これらの図において、１はセラミック基板、２は金属板、３はネジ締め部材、10は支持部を示し、回路基板は主としてこれらで構成される。なお、これらの図において、１ａは第一のメタライズ層、１ｂは第二のメタライズ層、１ｃは貫通孔、１ｄは載置部、２ａは金属板の一端、２ｂは金属板の他端、３ｂは突出部、３ｃは突出部３ｂの下面の角部、４は電子部品、10ａは第三のメタライズ層を示す。
【００２０】
本発明の回路基板は、上下主面間を貫通する貫通孔１ｃが設けられるとともに上側主面の貫通孔１ｃの開口の周囲に第一のメタライズ層１ａが形成され、上側主面の貫通孔１ｃに近接して電子部品４が載置される載置部１ｄが設けられるとともに載置部１ｄに隣接して電子部品４の信号入出力部となる第二のメタライズ層１ｂが形成されたセラミック基板１と、貫通孔１ｃに挿通され第一のメタライズ層１ａにロウ付け接合された金属製のネジ締め部材３と、一端２ａがネジ締め部材３にロウ付けされ、他端２ｂが第二のメタライズ層１ｂにロウ付けされた金属板２とを具備し、ネジ締め部材３は、その外周部に下面に角部３ｃを有する突出部３ｂが形成されているとともに、角部３ｃを第一のメタライズ層１ａに当接させて突出部３ｂの下面が第一のメタライズ層１ａにロウ付けされ、突出部３ｂの上面が金属板２の一端２ａにロウ付けされており、セラミック基板１は、上側主面の貫通孔１ｃと載置部１ｄとの間の部位に、上面に第三のメタライズ層10ａが形成されたセラミックスから成る支持部10が形成されており、支持部10の第三のメタライズ層10ａに金属板２がロウ付けされている。
【００２１】
本発明におけるセラミック基板１は、Ａｌ２Ｏ３質セラミックスやＡｌＮ質焼結体，ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックスから成る。
【００２２】
セラミック基板１の上側主面には、第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂがタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等から成る金属ペーストを高温で焼成したメタライズ層として形成される。また、第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂは金属薄膜形成法によって形成されていてもよく、その場合、第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂは窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，チタン（Ｔｉ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）等から成る金属薄膜層によって形成され、セラミックグリーンシートを焼成した後にスパッタリング等の周知の金属薄膜形成法により形成される。
【００２３】
金属薄膜形成法により第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂを形成する場合、セラミック基板１となるセラミックグリーンシートを焼成した後に第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂを形成することから、第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂの寸法にセラミック基板１の焼成時の収縮ばらつきが含まれない状態とすることができる。すなわち、第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂを寸法精度良く所定の寸法および形状で形成することができる。なお、第一のメタライズ層１ａの中央部にはセラミック基板１の上下主面間を貫通する貫通孔１ｃが設けられ、第一のメタライズ層１ａは上側主面の貫通孔１ｃの開口の周囲に設けられた形態となる。
【００２４】
このようなセラミック基板１は、Ａｌ２Ｏ３質セラミックスから成る場合、例えば以下のようにして作製される。Ａｌ２Ｏ３，酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化マグネシウム（ＭｇＯ），酸化カルシウム（ＣａＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダ、溶剤等を添加混合してスラリーと成す。このスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法によってグリーンシートと成し、所要の大きさに切断する。次に、これらのグリーンシートにＷ等の金属粉末を主成分とする金属ペーストを印刷塗布して第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂとなる導体層を形成し、次いでこれらの導体層を形成したグリーンシートを積層し、約1600℃の温度で焼成することによってセラミック基板１が作製される。
【００２５】
また、セラミック基板１は、その上側主面の貫通孔１ｃに近接した部位に、電子部品４を載置する載置部１ｄを有している。載置部１ｄは、貫通孔１ｃとの間に支持部10を設けるだけの余裕を持たせた貫通孔１ｃに近接した部位に設けられる。載置部１ｄには、電子部品４が機械的に接着固定されるための導体層（図示せず）が形成されていてもよい。この場合、電子部品４は、この導体層に金（Ａｕ）−錫（Ｓｎ）半田や銀（Ａｇ）エポキシ等の導電性接着材を介して接着される。また、この導体層は接地電位に接続される場合もある。
【００２６】
金属板２は、Ｃｕ，Ａｇ等の電気抵抗値の低い金属の線材や板材等の電気抵抗を少なくするために断面形状が十分大きなものから成り、一端２ａがネジ締め部材３の突出部３ｂの上面にＡｇロウ，Ａｇ−Ｃｕロウ，Ａｕ−Ｓｎ半田等のロウ材を介してロウ付けされて接合され、他端２ｂが第二のメタライズ層１ｂにＡｇロウ，Ａｇ−Ｃｕロウ，Ａｕ−Ｓｎ半田等のロウ材を介してロウ付けされ接合されている。この構成により、回路基板に形成された回路の電気抵抗値を低いものとして電流容量を大きくすることができ、回路に大電流を流しても電気抵抗による損失を最小にして効率よく大電流を流すことのできるものとなる。
【００２７】
また金属板２は、一端２ａがネジ締め部材３の突出部３ｂの上面にロウ付けされて接合され、他端２ｂが第二のメタライズ層１ｂにロウ付けされて接合されいるため、一端２ａと他端２ｂとの間に高低差が生ずる場合があり、その場合、金属板２の一端２ａと他端２ｂとの間に折り曲げ加工等を施すことによって段差部２ｃを形成するとよい。この構成により、金属板２に熱膨張が発生しても、段差部２ｃ部分において変形させることができる。そして、金属板２の熱膨張による応力が、第二のメタライズ層１ｂに作用するのを防止することができる。
【００２８】
ネジ締め部材３は、Ｃｕ，Ａｇ，鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金，Ｆｅ−Ｎｉ合金，ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属から成り、中央部にネジ山が形成された貫通穴３ａを有するとともに、外周部に突出するようにして下面に角部３ｃを有する突出部３ｂが設けられている。このネジ締め部材３は、セラミック基板１の貫通孔１ｃに挿通され、角部３ｃを第一のメタライズ層１ａに当接させて突出部３ｂの下面が第一のメタライズ層１ａにＡｇロウ，Ａｇ−Ｃｕロウ，Ａｕ−Ｓｎ半田等のロウ材を介してロウ付けされ接合されている。そして、突出部３ｂの上面が金属板２の一端２ａにＡｇロウ，Ａｇ−Ｃｕロウ，Ａｕ−Ｓｎ半田等のロウ材を介してロウ付けされ接合されている。
【００２９】
この構成により、ネジ締め部材３とセラミック基板１とのロウ付けによる接合面積を小さく抑えることができ、セラミック基板１にネジ締め部材３をロウ付けする際に、セラミック基板１に形成された第一のメタライズ層１ａにネジ締め部材３との熱膨張差による応力が大きく作用するのを抑制できる。
【００３０】
さらに好ましくは、突出部３ｂの下面の角部３ｃは、図２に示すように鋭角状となっているのがよい。この構成により、ネジ締め部材３とセラミック基板１との接合面積を必要最小限に抑えることができ、セラミック基板１にネジ締め部材３をロウ付けする際に、セラミック基板１の第一のメタライズ層１ａにネジ締め部材３との熱膨張差による応力が大きく作用するのを確実に防止できる。
【００３１】
またこの構成により、ネジ締め部材３をセラミック基板１と金属板２とで強固に固定できるとともに、ネジ締め時のトルクによるせん断応力をセラミック基板１だけでなく金属板２にも分散させて作用させることができ、第一のメタライズ層１ａとネジ締め部材３との接合部において、セラミック基板１にネジ締め時のトルクによるせん断応力が集中して作用するのを防止できる。
【００３２】
これらの結果、セラミック基板１が第一のメタライズ層１ａにおいてクラック等によって破損するのを有効に防止できる。
【００３３】
また、ネジ締め部材３は金属板２と一体に形成せずに別部材として形成する。そして、ネジ締め部材３の突出部３ｂの上面に金属板２の一端２ａをＡｇロウ，Ａｇ−Ｃｕロウ，Ａｕ−Ｓｎ半田等のロウ材を介してロウ付けする構成により、金属板２とセラミック基板１との熱膨張差を金属板２とネジ締め部材３とのロウ付け部で緩和できるので、ネジ締め部材３とセラミック基板１との接合部、すなわちセラミック基板１に形成された第一のメタライズ層１ａに、金属板２との熱膨張差による応力が直接作用するのを防止できる効果がある。
【００３４】
好ましくは、ネジ締め部材３はＣｕ，Ａｇ等の電気抵抗値の低い金属から成るのがよく、この構成により、ネジ締め部材３の電気抵抗値を低いものとして電流容量を大きくすることができ、ネジ締め部材３を外部電気回路に接続させて大電流を流しても、ネジ締め部材３で電気抵抗による損失を発生させることなく効率よく電流を流すことのできるものとなる。
【００３５】
また、セラミック基板１の貫通孔１ｃと載置部１ｄとの間の部位に、セラミック基板１の上側主面から突出するようにしてＡｌ２Ｏ３質セラミックスやＡｌＮ質焼結体，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質焼結体，ガラスセラミックス等のセラミックス製の支持部10が設けられる。そして、支持部10の上面にＷ，Ｍｏ，Ｍｎ等から成る金属ペーストを高温で焼成することにより形成された、またはＴａ２Ｎ，Ｎｉ−Ｃｒ合金，Ｔｉ，Ｐｄ，Ｐｔ等から成る金属薄膜層によって形成された第三のメタライズ層10ａが設けられるとともに第三のメタライズ層10ａに金属板２がロウ付けされ接合されている。この構成により、金属板２は、セラミック基板１の貫通孔１ｃよりも載置部１ｄ側の部位でセラミック基板１よりも厚い支持部10によって支持固定されることとなる。従って、ネジ締め部材３にネジ締めする際のトルクによるせん断応力が金属板２に加わっても、金属板２が支持部10によって支持固定されることでせん断応力が遮断され、第二のメタライズ層１ｂにおいて、セラミック基板１に金属板２のせん断応力が作用することがない。よって、セラミック基板１が第二のメタライズ層１ｂにおいてクラック等によって破損するのを有効に防止できる。
【００３６】
以上の結果、セラミック基板１が第一のメタライズ層１ａにおいてクラック等によって破損するのを有効に防止できる。
【００３７】
支持部10は、セラミック基板１と一体に形成されている形態であっても、セラミック基板１と別体で形成され、セラミック基板１にロウ付け等によって接合されている形態であってもよい。
【００３８】
支持部10がセラミック基板１と一体に形成されている場合は、支持部10となるグリーンシートを予め形成しておき、これをセラミック基板１となるグリーンシートに積層し、約1600℃の温度で焼成することによってセラミック基板１と支持部10とが一体となったものが作製される。この場合、支持部10を作製する工程をセラミック基板１を作製する工程に組み込ませることができ、セラミック基板１を作製する工程と同一工程とすることができる。これにより、セラミック基板１と支持部10を効率良く作製でき、回路基板を量産に適するものとさせることができる。
【００３９】
また、支持部10がセラミック基板１と別体で形成されている場合は、例えば、セラミック基板１を焼成した後にセラミック基板１の上側主面に研磨加工を施し平面とした後に、支持部10をセラミック基板１の上側主面にロウ付けや接着剤等によって接合する。なお、セラミック基板１の上側主面を研磨の際に、同じく下側主面も研磨加工するのが好ましい。
【００４０】
ロウ付けする場合、第一のメタライズ層１ａ，第二のメタライズ層１ｂおよび支持部10の接合用の金属層は、セラミック基板１の上下主面に研磨加工を施した後に金属薄膜形成法によって形成される。セラミック基板１となるグリーンシートを焼成する際にセラミック基板１に反りや捩れ等の変形が生じ易いが、この構成により、セラミック基板１の上下主面に研磨加工を施し平面とすることができ、外部電気回路に密着させることができる。その結果、電子部品４から発生する熱を効率良く外部へ放散させることのできる放熱性に優れた回路基板とすることができる。
【００４１】
好ましくは、支持部10は、図１〜３に示すように、第三のメタライズ層10ａが形成される部位が凹部10ｂとされているのがよい。この構成により、凹部10ｂに金属板２を嵌め込んで、金属板２をセラミック基板１に対して正確に位置合わせした状態でセラミック基板１に接合することができる。またこの構成により、金属板２と第三のメタライズ層10ａとの接合部において、金属板２の両側が支持部10によって保持されることから、ネジ締め部材３にネジ締めする際に金属板２に加わるせん断応力を支持部10で確実に遮断させることができるようになる。
【００４２】
かくして、上述の回路基板によれば、セラミック基板１の載置部１ｄ上に電子部品４をガラス，樹脂，ロウ材等から成る接着材を介して接着固定するとともに、電子部品４の各電極をボンディングワイヤ等の電気的接続手段５を介して金属板２の他端２ｂに電気的に接続し、しかる後、ネジ締め部材３にネジを挿入し、ネジ締め部材３を外部電気回路基板等の外部電気回路の電極にネジ締めすることによって、電子部品４が外部電気回路に電気的に接続され、電子部品４が大電流で作動するようになる。
【００４３】
以上により、セラミック基板１がクラック等によって破損するのを有効に防止でき、回路にネジ締め部を設けてもセラミック基板がクラック等によって破損することのない回路基板を提供することができる。
【００４４】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更を行なうことは何等支障ない。例えば、セラミック基板１は、上記したＡｌ２Ｏ３質セラミックスやＡｌＮ質焼結体，３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２質焼結体，ガラスセラミックスの他、ジルコニア（ＺｒＯ２）質焼結体，炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体，窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）質焼結体等のセラミックスから成っていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の回路基板の実施の形態の一例を示す平面図である。
【図２】図１の回路基板のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図３】図１の回路基板のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図４】従来の回路基板の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１：セラミック基板
１ａ：第一のメタライズ層
１ｂ：第二のメタライズ層
１ｃ：貫通孔
１ｄ：載置部
２：金属板
２ａ：（金属板の）一端
２ｂ：（金属板の）他端
３：ネジ締め部材
３ｂ：突出部
３ｃ：角部
４：電子部品
10：支持部
10ａ：第三のメタライズ層
【図１】
2006013357.tif 000003
【図２】
2006013357.tif 000004
【図３】
2006013357.tif 000005
【図４】
2006013357.tif 000006