(57)【要約】【課題】  配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する半導体装置などの性能劣化を抑制することができ、回路配線が他の回路配線や半導体装置の導体層とショートすることを抑制することができる、配線パターン形成方法、膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。【解決手段】  配線パターン形成方法は、基板上の所定の領域にバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に配線パターンの材料を含む機能液を吐出し、機能液を乾燥させて配線パターンを形成するステップと、バンクの高さと配線パターンの厚さとを略同一になるようにバンクの一部を削除するステップと、を有する。半導体装置の配線パターンは、上記配線パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。【選択図】  図５
2006128239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記所定の領域にバンクを形成するステップと、
前記バンクで囲まれた領域に前記配線パターンの材料を含む機能液を吐出し、前記機能液を乾燥させて前記配線パターンを形成するステップと、
前記バンクの高さと前記配線パターンの厚さとを略同一になるように前記バンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項２】
基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、
前記バンクで囲まれた領域に第１の機能液を吐出し、前記第１の機能液を乾燥させて、第１の配線パターンを形成するステップと、
前記第１の配線パターン上に、第２の機能液を吐出し、前記第２の機能液を乾燥させて、第２の配線パターンを形成するステップと、
前記バンクの高さと、前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとが積層された前記配線パターンの厚さとを略同一になるように前記バンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項３】
基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、
前記バンクで囲まれた領域に第１の配線パターンの材料を含む第１の機能液を吐出し、前記第１の機能液を乾燥させて、第１の配線パターンを形成するステップと、
前記バンクの厚さが前記第１の配線パターンの厚さより大きくなるように前記バンクの一部及び前記第１の配線パターンの一部を削除するステップと、
前記第１の配線パターン上に前記材料が拡散することを防止する拡散防止層を形成するステップと、
前記バンクの高さと、前記第１の配線パターンと前記拡散防止層とが積層された前記配線パターンの厚さとを略同一になるように前記バンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項４】
基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、
前記バンクで囲まれた領域に第１の配線パターンの材料を含む第１の機能液を吐出し、前記第１の機能液を乾燥させて、第１の配線パターンを形成するステップと、
前記第１の配線パターンを形成するステップを複数回行った後に、前記バンクの厚さが前記第１の配線パターンの厚さより大きくなるように前記バンクの一部及び前記第１の配線パターンの一部を削除するステップと、
前記第１の配線パターン上に前記材料が拡散することを防止する拡散防止層を形成するステップと、
前記バンクの高さと、前記第１の配線パターンと前記拡散防止層とが積層された前記配線パターンの厚さとを略同一になるように前記バンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする配線パターン形成方法。
【請求項５】
前記バンクの一部を除去する方法はハーフエッチングで行うことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線パターン形成方法。
【請求項６】
前記バンクを形成する材料は無機樹脂である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線パターン形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の配線パターン形成方法を用いて配線パターンが形成された半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置を備える電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【請求項１０】
基板上の所定の領域に膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記所定の領域にバンクを形成するステップと、
前記バンクで囲まれた領域に前記膜パターンの原料を含む機能液の液滴を吐出するステップと、
前記機能液を乾燥させて前記膜パターンを形成するステップと、
前記バンクの高さと前記膜パターンの厚さとを略同一になるように前記バンクの一部を削除するステップと、を有する膜パターン形成方法。
【請求項１１】
基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて膜パターンを形成する方法であって、
前記基板上の前記所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、
前記バンクで囲まれた領域に第１の機能液を吐出し、前記第１の機能液を乾燥させて、第１の膜パターンを形成するステップと、
前記第１の膜パターン上に、第２の機能液を吐出し、前記第２の機能液を乾燥させて、第２の膜パターンを形成するステップと、
前記バンクの高さと、前記第１の膜パターンと前記第２の膜パターンとが積層された前記膜パターンの厚さとを略同一になるように前記バンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする膜パターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターン形成方法、及び当該回路配線形成方法を用いて製造された配線パターンを備えた半導体装置、電気光学装置、及び電子機器、並びに膜パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、前記半導体装置は、基板上に、導体からなる薄膜（以下、「配線膜」という。）が配置された回路配線と、回路配線を覆う絶縁膜などの薄膜と、が積層されて形成されている。回路配線や薄膜の効率的な形成方法として、特許文献１に記載されたような、薄膜材料などを溶質として含む機能液を液滴吐出ヘッドから液滴として吐出し、着弾した機能液を乾燥させて溶媒を除き回路配線や薄膜を形成する、所謂インクジェット方式が知られている。インクジェット方式では、回路配線は、基板上にバンクを配置し、バンクに囲まれた凹部であって回路配線と同じ平面形状の凹部を形成し、この凹部に入るように機能液を吐出し、吐出されて凹部に着弾した機能液を乾燥させて配線膜を形成することによって、任意の形状にする。また、回路配線と薄膜とが積層されて形成された半導体装置のような装置では、回路配線と周囲との段差に起因して、回路配線上に積層された薄膜に不具合が発生することがある。当該不具合を防止するために、特許文献２に記載されたような、回路配線と周囲との段差を平坦化する方法が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開平２−１３２８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図１９（ａ）に示すように、凹部５３４に着弾するように吐出された機能液の液滴５０１は、図１９（ｂ）に示す機能液５０２のように、凹部５３４に入ることが望ましいが、図１９（ｂ）に示す機能液５０３のように、一部がバンクＢの上面に付着することがある。図１９（ｃ）に示すように、機能液５０２を乾燥して配線膜５０４を形成するときに、機能液５０３も乾燥されて、配線膜５０４がバンクＢの角部にはみ出したはみ出し部５０６や、機能液５０３の溶質の配線材料がバンクＢ上に残った残渣５０７が形成されることがある。
【０００５】
また、配線膜５０４を覆う絶縁膜５１０を、配線膜５０４及びバンクＢの上に形成すると、図１９（ｄ）に示すように、配線膜５０４の厚みとバンクＢの厚みとの違いによる段差の部分で、絶縁膜５１０にも段差が生ずる。薄膜の厚さ方向は図１９（ｄ）に矢印Ｚで示した薄膜の積層方向に増加するため、矢印Ｚと直交する方向には成長しない。そのため、段差部分では、絶縁膜５１０が薄くなった膜薄部５１１が形成されてしまうということもあった。これらに起因して、以下のような課題が発生していた。
【０００６】
課題１）配線材料が配線膜５０４及びバンクＢを覆う絶縁膜５１０などに拡散することを防止するために、図１９（ｄ）に示すように、配線膜５０４を覆う拡散防止膜５１２を設けることが行われている。しかし、バンクＢの上残った残渣５０７は、拡散防止膜５１２で覆うことができず、配線材料が絶縁膜５１０などに拡散することがある。
課題２）同様に、配線膜５０４がバンクＢの角部にはみ出したはみ出し部５０６は、拡散防止膜５１２では覆うことができず、配線材料が絶縁膜５１０などに拡散することがある。
課題３）段差部分で絶縁膜５１０が薄くなった膜薄部５１１では、絶縁膜５１０の絶縁機能が充分でない場合がある。そのため、図１９（ｅ）に示すように、絶縁膜５１０の上に他の配線膜５１５や半導体装置の導体層が形成されると、膜薄部５１１の部分で、配線膜５０４が配線膜５１５や半導体装置の導体層とショートするなどの不具合が発生する可能性が高くなる。
課題４）図１９（ｅ）に示すように、配線膜５０４がバンクＢの角部にはみ出したはみ出し部５０６が存在すると共に、段差部分で絶縁膜５１０が薄くなった膜薄部５１１が存在すると、はみ出し部５０６と膜薄部５１１とは段差部分の近傍で互いに近接して存在する。これにより、配線膜５０４が、はみ出し部５０６を介して配線膜５１５や半導体装置の導体層とショートするなどの不具合が発生する可能性がより高くなる。
配線材料が絶縁膜などに拡散すると、絶縁膜などの機能に変化が生じ、絶縁膜などの性能や配線膜や絶縁膜を含む半導体装置の性能などを損なうことがあり、配線材料が絶縁膜などに拡散することは、重大な課題である。
【０００７】
そこで、本発明は、配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する半導体装置などの性能劣化を抑制することができ、回路配線が他の回路配線や半導体装置の導体層とショートすることを抑制することができる、配線パターン形成方法、膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による配線パターン形成方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、基板上の所定の領域にバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に配線パターンの材料を含む機能液を吐出し、機能液を乾燥させて配線パターンを形成するステップと、バンクの高さと配線パターンの厚さとを略同一になるようにバンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明による配線パターン形成方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、基板上の所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に第１の機能液を吐出し、第１の機能液を乾燥させて、第１の配線パターンを形成するステップと、第１の配線パターン上に、第２の機能液を吐出し、第２の機能液を乾燥させて、第２の配線パターンを形成するステップと、バンクの高さと、第１の配線パターンと第２の配線パターンとが積層された配線パターンの厚さとを略同一になるようにバンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の方法によれば、バンクの一部を削除することにより、バンクの厚さを、配線パターンの厚さまたは重畳された配線パターンの総厚さと略同一にする。この結果、バンクと配線パターンとの段差が大きくなることを抑制することから、バンク及び配線パターンの上に形成する薄膜が段差部分で薄くなることを抑制することができる。従って、薄膜が薄くなることに起因して、配線パターンが薄膜によって隔てられている他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制することができる。バンクの一部を削除することにより、また、バンク上にはみ出した配線材料を除去することができる。即ち、薄膜が薄くなる可能性が比較的高いバンクと配線パターンとの境目に位置する配線材料を除去することから、薄膜が薄くなることに起因して、配線パターンが薄膜によって隔てられている他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを、さらに抑制することができる。
【００１１】
本発明による配線パターン形成方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、基板上の所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に第１の配線パターンの材料を含む第１の機能液を吐出し、第１の機能液を乾燥させて、第１の配線パターンを形成するステップと、バンクの厚さが第１の配線パターンの厚さより大きくなるようにバンクの一部及び第１の配線パターンの一部を削除するステップと、第１の配線パターン上に材料が拡散することを防止する拡散防止層を形成するステップと、バンクの高さと、第１の配線パターンと拡散防止層とが積層された前記配線パターンの厚さとを略同一になるように前記バンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする配線パターン形成方法。
【００１２】
本発明による配線パターン形成方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて配線パターンを形成する方法であって、基板上の前記所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に第１の配線パターンの材料を含む第１の機能液を吐出し、第１の機能液を乾燥させて、第１の配線パターンを形成するステップと、第１の配線パターンを形成するステップを複数回行った後に、バンクの厚さが第１の配線パターンの厚さより大きくなるようにバンクの一部及び第１の配線パターンの一部を削除するステップと、第１の配線パターン上に材料が拡散することを防止する拡散防止層を形成するステップと、バンクの高さと、第１の配線パターンと拡散防止層とが積層された配線パターンの厚さとを略同一になるようにバンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の方法によれば、バンクの厚さが配線パターンの厚さまたは重畳された配線パターンの総厚さより大きくなるように、バンクの一部及び配線パターンの一部を削除することにより、バンク上にはみ出した配線材料や、バンク上に残った配線材料の残渣を除去することから、拡散防止膜で覆われていない配線パターンや、配線材料を殆ど無くすことができる。これにより、配線材料が、バンク及び配線パターンを覆うように形成される薄膜に拡散することを抑制することができる。即ち、配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する半導体装置などの性能劣化を抑制することができる。また、バンクの上面より低くなった配線パターンの上に拡散防止膜を形成することにより、バンクの上面と拡散防止膜の上面との段差を小さくし、バンクの上面と拡散防止膜の上面との段差が大きくなることを抑制することから、バンクと配線パターンとの上に形成する薄膜が段差部分で薄くなることを抑制することができる。従って、薄膜が薄くなることに起因して、配線パターンが薄膜によって隔てられている他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制することができる。
【００１４】
この場合、バンクの一部を除去するステップはハーフエッチングで行うことが好ましい。
【００１５】
この方法によれば、ハーフエッチングでは、薄膜を薄膜の厚み方向に表面から途中まで削除するため、バンクの厚みを減じて適当な厚さにすることができる。
【００１６】
この場合、バンクを形成する材料は無機樹脂であることが好ましい。
【００１７】
この方法によれば、無機樹脂は熱に強いため、耐熱性に優れたバンクを形成することができる。バンクが耐熱性に優れることにより、バンク間の凹部やバンクの上に薄膜などを形成する工程において、バンクに影響を及ぼすことなく、バンクが高温環境に曝されることを必要とする処理を実施することができる。
【００１８】
本発明による半導体装置は、前記した請求項に記載の配線パターン形成方法を用いて配線パターンが形成されている。
【００１９】
本発明の構成によれば、配線材料が、バンク及び配線パターンを覆うように形成される薄膜に拡散することを抑制することができると共に、配線膜が薄膜によって隔てられている他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制できる配線パターン形成方法を用いて形成された配線パターンを有するため、配線パターンの配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する性能の劣化の可能性が小さくなると共に、配線パターンが他の回路配線や薄膜層に接触して、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高い半導体装置を実現することができる。
【００２０】
本発明による電気光学装置は、前記した請求項に記載の半導体装置を備える。
【００２１】
本発明の構成によれば、配線パターンの配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する性能の劣化の可能性が小さいと共に、配線パターンが他の回路配線や薄膜層に接触して、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さい半導体装置を備えるため、配線パターンの配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する性能劣化が少ないと共に、配線パターンが他の回路配線や薄膜層に接触して、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高い電気光学装置を実現することができる。
【００２２】
なお、電気光学装置としては、液晶表示装置、有機ＥＬ（Electro-Luminescence）装置、電子放出装置、ＰＤＰ（Plasma Display Panel）装置および電気泳動表示装置等が考えられる。なお、電子放出装置は、いわゆるＦＥＤ（Field Emission Display）装置を含む概念である。
【００２３】
本発明による電子機器は、前記した請求項に記載の電気光学装置を備える。
【００２４】
本発明の構成によれば、配線パターンの配線材料が絶縁膜などに拡散することに起因する性能劣化が少ないと共に、配線パターンが他の回路配線や薄膜層に接触して、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高い電気光学装置を搭載したため、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【００２５】
電子機器としては、いわゆるフラットパネルディスプレイを搭載した携帯電話、パーソナルコンピュータの他、各種の電気製品がこれに該当する。
【００２６】
本発明による膜パターン形成方法は、基板上の所定の領域に膜パターンを形成する方法であって、基板上の所定の領域にバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に膜パターンの原料を含む機能液の液滴を吐出するステップと、機能液を乾燥させて膜パターンを形成するステップと、バンクの高さと膜パターンの厚さとを略同一になるようにバンクの一部を削除するステップと、を有する。
【００２７】
本発明による膜パターン形成方法は、基板上の所定の領域に、液滴吐出法を用いて膜パターンを形成する方法であって、基板上の所定の領域を囲むようにバンクを形成するステップと、バンクで囲まれた領域に第１の機能液を吐出し、第１の機能液を乾燥させて、第１の膜パターンを形成するステップと、第１の膜パターン上に、第２の機能液を吐出し、第２の機能液を乾燥させて、第２の膜パターンを形成するステップと、バンクの高さと、第１の膜パターンと第２の膜パターンとが積層された膜パターンの厚さとを略同一になるようにバンクの一部を削除するステップと、を有することを特徴とする。
【００２８】
膜パターンを形成した後、バンクをハーフエッチングして、膜パターンとバンクとを略平坦にすることで、膜パターン及びバンクの上に形成する膜をより容易に形成できるようにすることができる。また、膜パターン及びバンクの上に形成する膜を、略平坦で、厚さが均一な膜にすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明に係る配線パターン形成方法の一実施形態について、図面を参照して、説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００３０】
（第１の実施形態）
本実施形態では、液滴吐出法により液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（配線膜）形成用インク（機能液）を液滴状に吐出し、基板上に配線パターンを形成する場合の例を用いて説明する。
【００３１】
まず、使用するインク（機能液）について説明する。液体材料である配線パターン形成用インクは導電性微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００３２】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３３】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法によりインクを吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インクのノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、インクの基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００３４】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いてインクを液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００３５】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００３６】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００３７】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
【００３８】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００３９】
図１は液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。図１において、液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
【００４０】
ステージ７はこの液滴吐出装置ＩＪによりインクを配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００４１】
液滴吐出ヘッド１は複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。
【００４２】
Ｘ軸方向駆動軸４にはＸ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
【００４３】
Ｙ軸方向ガイド軸５は基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００４４】
制御装置ＣＯＮＴは液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、Ｘ軸方向駆動モータ２に対して液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給するとともに、Ｙ軸方向駆動モータ３に対してステージ７のＹ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００４５】
クリーニング機構８は液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであって、図示しないＹ軸方向駆動モータを備えている。このＹ軸方向駆動モータの駆動により、クリーニング機構８はＹ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４６】
ヒータ１５はここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布されたインクに含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４７】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｙ軸方向を走査方向、Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することでノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節可能としてもよい。
【００４８】
図２はピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。図２において、液体材料（配線パターン形成用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００４９】
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて製造される装置の一例である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））について説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ１個を含む一部分の概略構成を示した平面図である。図４（ａ）は、ＴＦＴの断面図であり、図４（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図である。
【００５０】
図３に示すように、ＴＦＴ３０を有するＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート配線１２と、ソース配線１６と、ドレイン電極１４と、ドレイン電極１４に電気的に接続する画素電極１９とを備えている。ゲート配線１２はＸ軸方向に延びるように形成され、その一部がＹ軸方向に延びるように形成されている。そして、Ｙ軸方向に伸びるゲート配線１２の一部がゲート電極１１として用いられている。なお、ゲート電極１１の幅はゲート配線１２の幅よりも狭くなっている。そして、このゲート配線１２が、本実施形態の配線パターン形成方法で形成される。また、Ｙ軸方向に伸びるように形成されたソース配線１６の一部は幅広に形成されており、このソース配線１６の一部がソース電極１７として用いられている。
【００５１】
図４に示すように、ゲート配線１２は、基板Ｐの上に設けられたバンクＢの間に形成されている。ゲート配線１２及びバンクＢは、絶縁膜２８に覆われており、絶縁膜２８の上に、ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４と、バンクＢ１とが形成されている。ゲート配線１２は、絶縁膜２８によって、ソース配線１６と絶縁されており、ゲート電極１１は、絶縁膜２８によって、ソース電極１７及びドレイン電極１４と絶縁されている。ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４とは、絶縁膜２９で覆われている。
【００５２】
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法について説明する。図５は、本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る配線パターンの形成方法は、上述した配線パターン形成用インクを基板上に配置し、基板上に配線膜を形成して、配線パターンを形成するものである。ステップＳ１は、基板上に配線パターンの形状に応じた凹部を形成するようにバンクを突設するバンク形成工程であり、次のステップＳ２は、基板に親液性を付与する親液化処理工程であり、次のステップＳ３は、バンクに撥液性を付与する撥液化処理工程である。また、次のステップＳ４は、撥液性を付与されたバンク間にインクを配置する機能液配置工程であり、次のステップＳ５は、インクの液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程であり、次のステップＳ６は、インクに含まれる導電性微粒子が機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行う焼成工程である。さらに、次のステップＳ７は、バンクをハーフエッチングするハーフエッチング工程である。
【００５３】
以下、各ステップの工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。最初に、ステップＳ１のバンク形成工程について説明する。図６は、バンクを形成する手順の一例を示す模式図である。バンク形成工程では、まず、バンクの形成材料を塗布する前に表面改質処理として、基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、図６（ａ）に示すように、バンクＢと基板Ｐとの密着性を向上する密着層としてのＨＭＤＳ層３２が基板Ｐ上に形成される。
【００５４】
バンクＢは仕切部材として機能する部材であり、バンクＢの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、基板ＰのＨＭＤＳ層３２上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料３１を塗布し、その上にレジスト層を塗布する。そして、バンク形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することによりバンク形状に合わせたレジストを残す。最後にエッチングしてマスク以外の部分のバンク材料を除去する。
【００５５】
これにより、図６（ｂ）に示すように、配線パターン形成予定領域の周辺を囲むようにバンクＢ、Ｂが突設される。なお、このようにして形成されるバンクＢ、Ｂとしては、その上部側の幅が狭く、底部側の幅が広いテーパ状とするのが、後述するようにバンク間の溝部にインクの液滴が流れ込みやすくなるため好ましい。
【００５６】
本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料として、無機質の材料が用いられる。無機質の材料によってバンクＢを形成する方法としては、例えば、各種コート法やＣＶＤ法（化学的気相成長法）等を用いて基板Ｐ上に無機質の材料からなる層を形成した後、エッチングやアッシング等によりパターニングして所定の形状のバンクＢを得ることができる。なお、基板Ｐとは別の物体上でバンクＢを形成し、それを基板Ｐ上に配置してもよい。
【００５７】
バンク材料としては、インクに対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。無機質のバンク材料としては、例えば、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、無機質のバンク材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。無機質の材料としてより具体的には、クラリアントジャパン株式会社製の感光性ポリメチルシラザンを挙げることができる。
【００５８】
なお、バンクＢの形成材料として、有機質の材料を用いることもできる。バンクを形成する有機材料としては、インクに対して撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。あるいは、無機骨格（シロキサン結合）を主鎖に有機基を持った材料でもよい。
【００５９】
基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、図６（ｃ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３２が除去され、基板Ｐが露出する。
【００６０】
次に、ステップＳ２の親液化処理工程について説明する。ステップＳ２の親液化処理工程では、バンクＢ、Ｂ間の底部３５（基板Ｐの露出部）に親液性を付与する親液化処理が行われる。親液化処理工程としては、紫外線を照射する紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ2プラズマ処理等を選択できる。本実施形態ではＯ2プラズマ処理を実施する。
【００６１】
Ｏ2プラズマ処理は、基板Ｐに対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ2プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。
【００６２】
そして、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は配線パターン形成用インクに対して親液性を有しているが、本実施形態のようにＯ2プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンクＢ、Ｂ間で露出する基板Ｐ表面（底部３５）の親液性を更に高めることができる。ここで、バンク間の底部３５のインクに対する接触角が１５度以下となるように、Ｏ2プラズマ処理や紫外線照射処理が行われることが好ましい。
【００６３】
図７はＯ2プラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図７に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。
【００６４】
ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの表面全体が連続的に処理される。
【００６５】
本実施形態では、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ2）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ2）等の不活性ガスとを混合したものである。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、バンクＢ、Ｂ間の底部３５におけるバンク形成時の有機物（レジストやＨＭＤＳ）残渣を除去できる。すなわち、上記フッ酸処理ではバンクＢ、Ｂ間の底部３５のＨＭＤＳ（有機物）が完全に除去されない場合がある。あるいは、バンクＢ、Ｂ間の底部３５にバンク形成時のレジスト（有機物）が残っている場合もある。そこで、Ｏ2プラズマ処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂ間の底部３５の残渣が除去される。
【００６６】
なお、ここでは、フッ酸処理を行うことでＨＭＤＳ層３２を除去するように説明したが、Ｏ2プラズマ処理あるいは紫外線照射処理によりバンク間の底部３５のＨＭＤＳ層３２を十分に除去できるため、フッ酸処理は行わなくてもよい。また、ここでは、親液化処理としてＯ2プラズマ処理又は紫外線照射処理のいずれか一方を行うように説明したが、もちろん、Ｏ2プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせてもよい。
【００６７】
次に、ステップＳ３の撥液化処理工程について説明する。撥液化処理工程では、バンクＢに対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ６やＳＦ５ＣＦ３などのガスも用いることができる。ＣＦ4プラズマ処理には、図７を参照して説明したプラズマ処理装置を用いることができる。
【００６８】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢ、Ｂにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、バンクＢ、Ｂに対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ2プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行ってもよいが、Ｏ2プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ2プラズマ処理することが好ましい。
【００６９】
なお、バンクＢ、Ｂに対する撥液化処理により、先に親液化処理したバンク間の基板Ｐ露出部に対し多少は影響があるものの、特に基板Ｐがガラス等からなる場合には、撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、基板Ｐはその親液性、すなわち濡れ性が実質上損なわれることはない。
【００７０】
上述した親液化処理工程及び撥液化処理工程により、バンクＢの撥液性がバンク間の底部３５の撥液性より高くなるように表面改質処理されたことになる。なお、ここでは親液化処理としてＯ2プラズマ処理を行っているが、上述したように、基板Ｐがガラス等からなる場合には撥液化処理によるフッ素基の導入が起こらないため、Ｏ2プラズマ処理を行わずにＣＦ4プラズマ処理のみを行うことによっても、バンクＢの撥液性をバンク間の底部３５より高くすることができる。
【００７１】
次に、ステップＳ４の機能液配置工程について説明する。図８は、機能液を配置する手順と、配置された機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順の一例を示す模式図である。機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成用インクの液滴が基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。なお、ここでは、導電性材料として有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた有機銀化合物からなるインクを吐出する。機能液配置工程では、図８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成用材料を含むインクを液滴にして吐出する。液滴吐出ヘッド１は、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に向け、インクの液滴を吐出して溝部３４内にインクを配置する。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。
【００７２】
本実施形態では、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４の幅Ｗ（ここでは、溝部３４の開口部における幅）はインク（機能液）の液滴の直径Ｄとほぼ同等に設定されている。なお、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００７３】
このような液滴を液滴吐出ヘッド１から吐出し、溝部３４内に配置すると、液滴はその直径Ｄが溝部３４の幅Ｗとほぼ同等であることから、図８（ｂ）に二点鎖線で示すようにその一部がバンクＢ、Ｂ上に乗ることがある。ところが、バンクＢ、Ｂの表面が撥液性となっておりしかもテーパ状になっていることから、これらバンクＢ、Ｂ上に乗った液滴部分がバンクＢ、Ｂからはじかれ、更には毛細管現象によって溝部３４内に流れ落ちることにより、図８（ｂ）の実線で示すように液滴の殆どが溝部３４内に入り込む。
【００７４】
また、溝部３４内に吐出され、あるいはバンクＢ、Ｂから流れ落ちたインクは、基板Ｐ（底部３５）が親液化処理されていることから濡れ拡がり易くなっており、これによってインクはより均一に溝部３４内を埋め込むようになる。
【００７５】
次に、ステップＳ５の中間乾燥工程について説明する。基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。中間乾燥工程が終了すると、図８（ｃ）に示すように、配線パターンを形成する配線膜である回路配線膜３３が形成される。本実施形態において、回路配線膜３３によって形成される配線パターンは、図３及び図４に示したゲート配線１２及びゲート電極１１である。
【００７６】
一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜３３の厚さが、必要な膜厚に達しない場合には、この中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う。回路配線膜３３が形成された上に機能液を配置すると、図８（ｄ）に示すように、溝部３４に入りきらない機能液が溝部３４の上に盛り上り、一部バンクＢの上に載った状態となる。そして、再び中間乾燥工程を行うことにより、図８（ｅ）に示すように、インクの液滴が積層され、膜厚の厚い回路配線膜３３が形成される。しかし一部バンクＢの上に載った状態であった機能液は、バンクＢに載った状態のまま乾燥することによって、はみ出し部３７となる。はみ出し部３７は、回路配線膜３３と連なっており、回路配線膜３３の一部であるはみ出し部３７が、バンクＢの上にはみ出した状態となる。なお、一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜３３の厚さと、必要な膜厚とから、中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う繰返し数を、適当に選ぶことにより、必要な膜厚を得ることができる。
【００７７】
次に、ステップＳ６の焼成工程について説明する。中間乾燥工程後の乾燥膜は、有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００７８】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、吐出されパターンを形成したインクに対して、大気中クリーンオーブンにて２８０〜３００℃で３００分間の焼成工程が行われる。なお、例えば、有機銀化合物の有機分を除去するには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上２５０℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。
【００７９】
次に、ステップＳ７のハーフエッチング工程について説明する。図９は、バンクをハーフエッチングした状態を示す模式図である。図９（ａ）は、ステップＳ６までの各工程が終了して回路配線膜３３が形成された状態をしめしている。バンクＢの上面と回路配線膜３３の上面とは段差があり、回路配線膜３３と連なるはみ出し部３７が、バンクＢの上にはみ出した状態となっている。
【００８０】
バンクＢ及び回路配線膜３３の上に絶縁膜を形成すると、段差部分で絶縁膜が薄くなりやすい。薄くなった部分では、絶縁機能が充分でない可能性が高いため、絶縁膜の上に他の配線膜や半導体装置の導体層が形成されると、図１９（ｅ）に示すように、絶縁膜が薄い部分で、回路配線膜３３が絶縁膜の上に形成された配線膜や半導体装置の導体層とショートするなどの不具合が発生する可能性が高くなる。さらに、回路配線膜３３と連なるはみ出し部３７は、回路配線膜３３からバンクＢの上にはみ出した状態となっており、バンクＢの上面と回路配線膜３３の上面との段差部分に位置している。即ち、はみ出し部３７は、絶縁膜が薄い部分と接触しており、絶縁膜の上に形成された配線膜や半導体装置の導体層とショートするなどの不具合が発生する可能性がより高くなる可能性が大きい。
【００８１】
ハーフエッチングは、バンクＢのみを選択的にエッチングするアルカリ水溶液を用いて行う。バンクＢのみを選択的にエッチングするアルカリ水溶液としては、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、Ｎ．Ｎ−ジアルキルエタノールアミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの水溶液を挙げることができる。
【００８２】
バンクをハーフエッチングすることによって、図９（ｂ）に示すような断面の回路配線膜３３が得られる。バンクＢの上面と回路配線膜３３の上面とは、略同一平面となっており、はみ出し部３７はバンクＢの上面がエッチングされて取り除かれるのに伴って、一緒に取り除かれている。
【００８３】
この実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料として、無機質の材料が用いられる。無機樹脂は熱に強いため、耐熱性に優れたバンクを形成することができる。さらに、バンクＢと、ガラスで形成された基板Ｐと、の間の熱膨張率の差が小さくなる。バンクＢが耐熱性に優れると共に、基板Ｐとの間の熱膨張率の差が小さことにより、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に回路配線膜３３を形成するための中間乾燥工程や焼成工程において、バンクに影響を及ぼすことなく、バンクが高温環境に曝されることを必要とする処理を実施することができる。また、バンクＢの上に薄膜などを形成する工程においても、バンクＢが高温環境に曝されることを必要とする処理を実施することができる。
【００８４】
（２）バンクＢをハーフエッチングすることにより、バンクＢの厚さを、回路配線膜３３の厚さと略同一にする。この結果、バンクＢと回路配線膜３３との段差が大きくなることを抑制することができる。これにより、バンクＢ及び回路配線膜３３（ゲート配線１２）の上に形成する絶縁膜２８が段差部分で薄くなることを抑制することができ、絶縁膜２８が薄くなることに起因して、回路配線膜３３が、絶縁膜２８によって隔てられているソース配線１６などの他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制することができる。
【００８５】
（３）バンクＢをハーフエッチングすることにより、バンクＢの厚さを、回路配線膜３３の厚さと略同一にする。このとき、バンク上にはみ出した配線材料を除去することができる。即ち、バンクＢ及び回路配線膜３３（ゲート配線１２）の上に形成する絶縁膜２８が薄くなる可能性が比較的高いバンクＢと回路配線膜３３との境目に位置する配線材料を除去することから、絶縁膜２８が薄くなることに起因して、回路配線膜３３が、絶縁膜２８によって隔てられているソース配線１６などの他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを、さらに抑制することができる。
【００８６】
（４）絶縁膜２８が薄くなることに起因して、回路配線膜３３が絶縁膜２８によって隔てられているソース配線１６などの他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制することができるため、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高いＴＦＴ３０を実現することができる。
【００８７】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る配線パターン形成方法の第２の実施形態について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出法や液滴吐出装置や、製造する半導体装置などは、第１の実施形態における液滴吐出法や液滴吐出装置や半導体装置と、基本的に同一である。第１の実施形態とは異なる配線パターンの形成方法について説明する。
【００８８】
図１０は、本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る配線パターンの形成方法では、上述した配線パターン形成用インクを基板上に配置し、基板上に導電膜配線パターンを形成する。ステップＳ２１は、基板上に配線パターンの形状に応じた凹部を形成するようにバンクＢを突設するバンク形成工程であり、次のステップＳ２２は、基板に親液性を付与する親液化処理工程であり、次のステップＳ２３は、バンクＢに撥液性を付与する撥液化処理工程である。
【００８９】
次のステップＳ２４は、バンクＢ間の凹部に親液性の薄膜を形成するためのインクを配置する第１機能液配置工程であり、次のステップＳ２５は、インクの液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程である。次のステップＳ２６は、バンクＢ間の凹部に導電性の薄膜（配線膜）を形成するためのインクを配置する第２機能液配置工程であり、次のステップＳ２７は、インクの液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程であり、次のステップＳ２８は、インクに含まれる導電性微粒子が機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行う焼成工程である。また、次のステップＳ２９は、バンクと導電膜とをハーフエッチングする第１ハーフエッチング工程である。次のステップＳ３０は、配線膜上に拡散防止膜を形成するためのインクを配置する第３機能液配置工程であり、次のステップＳ３１は、インクの液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程である。さらに、次のステップＳ３２は、バンクをハーフエッチングする第２ハーフエッチング工程である。
【００９０】
以下、各ステップの工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。ステップＳ２１のバンク形成工程は、第１の実施形態におけるステップＳ１のバンク形成工程と基本的に同一である。ステップＳ２１のバンク形成工程によって図６（ｃ）に示したようなバンクが形成される。
【００９１】
ステップＳ２２の親液化処理工程は、第１の実施形態におけるステップＳ２の親液化処理工程と基本的に同一である。ステップＳ２２の親液化処理工程によって、バンクＢ、Ｂ間の底部３５（基板Ｐの露出部）に親液性が付与される。
【００９２】
次のステップＳ２３の撥液化処理工程は、第１の実施形態におけるステップＳ３の撥液化処理工程と基本的に同一である。ステップＳ２３の撥液化処理工程によって、バンクＢの表面に撥液性が付与される。
【００９３】
次に、ステップＳ２４の第１機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、親液性膜７１を形成するためのインクの液滴が、図１１（ａ）に示すように、基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。親液性膜７１は、次にバンクＢ、Ｂ間の凹部に配置される配線パターン形成用インクに対する親液性を有する薄膜である。なお、親液性膜７１を形成するためのインクは、親液性膜７１を形成する原料としてマンガンを用いている。
【００９４】
次のステップＳ２５の中間乾燥工程では、基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。ステップＳ２５の中間乾燥工程は、第１の実施形態におけるステップＳ５の中間乾燥工程と基本的に同一である。ステップＳ２５の中間乾燥工程によって、図１１（ｂ）に示したように、バンクＢ、Ｂ間の凹部に配線パターン形成用インクに対する親液性を有する親液性膜７１が形成される。
【００９５】
次のステップＳ２６の第２機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成用インクの液滴が基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間の凹部に、図１１（ｃ）に示したように、配置される。なお、ここでは、導電性材料として有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた有機銀化合物からなるインクを吐出する。
【００９６】
第２機能液配置工程では、図８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成用材料を含むインクを液滴にして吐出する。液滴吐出ヘッド１は、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に向け、インクの液滴を吐出して溝部３４内にインクを配置する。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。
【００９７】
バンクＢ、Ｂ間の溝部３４の幅Ｗ（ここでは、溝部３４の開口部における幅）はインク（機能液）の液滴の直径Ｄとほぼ同等に設定されている。このような液滴を液滴吐出ヘッド１から吐出し、溝部３４内に配置すると、液滴はその直径Ｄが溝部３４の幅Ｗとほぼ同等であることから、図１１（ｃ）に二点鎖線で示すようにその一部がバンクＢ、Ｂ上に乗ることがある。ところが、バンクＢ、Ｂの表面が撥液性となっておりしかもテーパ状になっていることから、これらバンクＢ、Ｂ上に乗った液滴部分がバンクＢ、Ｂからはじかれ、更には毛細管現象によって溝部３４内に流れ落ちることにより、図１１（ｃ）の実線で示すように液滴の殆どが溝部３４内に入り込む。しかし、液滴の極一部は、残留液７２となって、バンクＢの上に残されてしまうことがある。
【００９８】
一方、溝部３４内に吐出され、あるいはバンクＢ、Ｂから流れ落ちたインクは、バンクＢ、Ｂ間の凹部には、配線パターン形成用インクに対する親液性を有する親液性膜７１が形成されていることから濡れ拡がり易くなっており、これによってインクはより均一に溝部３４内を埋め込むようになる。
【００９９】
次のステップＳ２７の中間乾燥工程では、バンクＢ、Ｂ間の凹部に配線パターン形成用インクの液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。ステップＳ２７の中間乾燥工程は、第１の実施形態におけるステップＳ５の中間乾燥工程と基本的に同一である。ステップＳ２５の中間乾燥工程によって、図１１（ｄ）に示したように、バンクＢ、Ｂ間の凹部に配線パターンを形成する配線膜である回路配線膜７３が形成される。本実施形態において、回路配線膜７３と後述する拡散防止膜７７とによって形成される配線パターンは、第１の実施形態で図３及び図４に示して説明したゲート配線１２及びゲート電極１１である。
【０１００】
一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜７３の厚さが、必要な膜厚に達しない場合には、この中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う。充分な厚さの回路配線膜７３が得られるような機能液を配置すると、図１１（ｃ）に示すように、溝部３４に入りきらない機能液が溝部３４の上に盛上り、一部バンクＢの上に載った状態となる。そして、再び中間乾燥工程を行うことにより、図１１（ｄ）に示すように、インクの液滴が積層され、膜厚の厚い回路配線膜（薄膜パターン）７３が形成される。しかし一部バンクＢの上に載った状態であった機能液は、バンクＢに載った状態のまま乾燥することによって、はみ出し部７４となる。はみ出し部７４は、回路配線膜７３と連なっており、回路配線膜７３の一部であるはみ出し部７４が、バンクＢの上にはみ出した状態となる。
【０１０１】
また、バンクＢの上に残されていた残留液７２も乾燥して、導電性材料の残渣７６がバンクＢの上に形成される。なお、一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜７３の厚さと、必要な膜厚とから、中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う繰返し数を、適当に選ぶことにより、必要な膜厚を得ることができる。
【０１０２】
次のステップＳ２８の焼成工程では、導電性を得るために熱処理を行う。中間乾燥工程後の乾燥膜は、有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。ステップＳ２８の焼成工程は、第１の実施形態におけるスステップＳ６の焼成工程と基本的に同一である。ステップＳ２８の焼成工程によって、乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。
【０１０３】
次のステップＳ２９の第１ハーフエッチング工程では、バンクＢと回路配線膜７３とを順次ハーフエッチングする。図１２（ａ）は、ステップＳ２８までの各工程が終了して回路配線膜７３が形成された状態を示す。バンクＢの上面と回路配線膜７３の上面とは段差があり、回路配線膜７３と連なり導通しているはみ出し部７４が、バンクＢの上にはみ出した状態となっている。また、回路配線膜７３とは離れており、導通してはいないが、導電性材料の残渣７６がバンクＢの上に形成されている。
【０１０４】
バンクＢ及び回路配線膜７３の上に絶縁膜を形成すると、図１９（ｅ）に示すように、段差部分で絶縁膜が薄くなりやすい。薄くなった部分では、絶縁機能が充分でない可能性が高いため、絶縁膜の上に他の配線膜や半導体装置の導体層が形成されると、絶縁膜が薄い部分で、回路配線膜７３が絶縁膜の上に形成された配線膜や半導体装置の導体層とショートするなどの不具合が発生する可能性が高くなる。さらに、回路配線膜７３と連なるはみ出し部７４は、回路配線膜７３からバンクＢの上にはみ出した状態となっており、バンクＢの上面と回路配線膜７３の上面との段差部分に位置している。即ち、はみ出し部７４は、絶縁膜が薄い部分と接触しており、絶縁膜の上に形成された配線膜や半導体装置の導体層とショートするなどの不具合が発生する可能性がより高くなる可能性が大きい。
【０１０５】
また、後述するように、導電性材料が、バンクＢ及び回路配線膜７３の上に形成される絶縁膜に拡散するのを防止するために、回路配線膜７３の上に拡散防止膜７７を形成する。しかし、バンクＢの上にはみ出したはみ出し部７４や、拡散防止膜７７からやや離れてバンクＢの上に形成されている導電性材料の残渣７６は、拡散防止膜７７で覆うことができない。そのため、はみ出し部７４や残渣７６の導電性材料は、絶縁膜に拡散する。
【０１０６】
バンクＢのハーフエッチングは、バンクＢのみを選択的にエッチングするアルカリ水溶液を用いて行う。バンクＢのみを選択的にエッチングするアルカリ水溶液としては、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、トリアルキルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、Ｎ．Ｎ−ジアルキルエタノールアミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの水溶液を挙げることができる。
【０１０７】
回路配線膜７３のハーフエッチングは、回路配線膜７３のみを選択的にエッチングする溶液を用いて行う。回路配線膜７３のみを選択的にエッチングする溶液としては、導電性材料が銀の場合には、リン酸、硫酸および硝酸よりなる群から選ばれた１種または２種以上の無機酸と、硝酸第二鉄、硫酸第二鉄、過酸化水素、硝酸二アンモニウムセリウム、硝酸、ペルオキソ二硫酸、過マンガン酸、マンガン酸、クロム酸、硝酸塩、ペルオキソ二硫酸塩、過マンガン酸塩、マンガン酸塩およびクロム酸塩を１種または２種以上含有する酸化剤が挙げられる。
【０１０８】
バンクＢ及び回路配線膜７３をハーフエッチングすることによって、図１２（ｂ）に示すような断面の回路配線膜７３が得られる。バンクＢの上面と回路配線膜７３の上面とは、若干の段差があり、バンクＢの上面に対して回路配線膜７３の上面が凹んでいる。はみ出し部７４は、回路配線膜７３の上面がエッチングされて取り除かれるのに伴って、一緒に取り除かれており、残渣７６は、バンクＢの上面がエッチングされて取り除かれるのに伴って、一緒に取り除かれている。
【０１０９】
次のステップＳ３０の第３機能液配置工程では、配線膜上に拡散防止膜７７を形成するためのインクを配置する。なお、拡散防止膜７７を形成するためのインクは、拡散防止膜７７を形成する原料としてニッケルを用いている。
【０１１０】
次のステップＳ３１の中間乾燥工程では、バンクＢ、Ｂ間の配線膜上に拡散防止膜形成用インクの液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。ステップＳ３１の中間乾燥工程は、第１の実施形態におけるステップＳ５の中間乾燥工程と基本的に同一である。ステップＳ２５の中間乾燥工程によって、図１２（ｄ）に示したように、バンクＢ、Ｂ間の回路配線膜７３の上に拡散防止膜７７が形成される。なお、拡散防止膜７７は、ニッケルを材料としており、導電性を有するため、本実施形態における配線膜は、回路配線膜７３と拡散防止膜７７とで構成される。そして、前記したように、本実施形態において、回路配線膜７３と拡散防止膜７７とによって形成される配線パターンは、第１の実施形態で図３及び図４に示して説明したゲート配線１２及びゲート電極１１である。
【０１１１】
次のステップＳ３２の第２ハーフエッチング工程では、バンクＢをハーフエッチングする。バンクＢのハーフエッチングは、上記したハーフエッチング工程と同様に、バンクＢのみを選択的にエッチングするアルカリ水溶液を用いて行う。
【０１１２】
バンクＢをハーフエッチングすることによって、図１２（ｅ）に示すような断面の回路配線膜７３及び拡散防止膜７７が得られる。バンクＢの上面と拡散防止膜７７の上面とは、略同一平面となっている。
【０１１３】
この実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）第１ハーフエッチング工程において、バンクＢをハーフエッチングすることにより、バンクＢ上にはみ出したはみ出し部７４や、バンクＢ上に残った配線材料の残渣７６を除去することから、次の工程で回路配線膜７３の上に形成する拡散防止膜７７で覆われない配線材料を殆ど無くすことができる。これにより、配線材料が、バンクＢ及び拡散防止膜７７を覆うように形成される絶縁膜２８に拡散することを抑制することができる。即ち、配線材料が絶縁膜２８に拡散することに起因するＴＦＴ３０の性能劣化を抑制することができる。
【０１１４】
（２）第１ハーフエッチング工程において、回路配線膜７３をハーフエッチングすることにより、バンクＢ上にはみ出したはみ出し部７４や、バンクＢ上に残った配線材料の残渣７６を除去することから、次の工程で回路配線膜７３の上に形成する拡散防止膜７７で覆われない配線材料を殆ど無くすことができる。これにより、配線材料が、バンクＢ及び拡散防止膜７７を覆うように形成される絶縁膜２８に拡散することを抑制することができる。即ち、配線材料が絶縁膜２８に拡散することに起因するＴＦＴ３０の性能劣化を抑制することができる。
【０１１５】
（３）第２ハーフエッチング工程において、バンクＢをハーフエッチングすることにより、バンクＢの厚さを、回路配線膜３３と拡散防止膜７７と親液性膜７１との厚さの総和と略同一にする。この結果、バンクＢと拡散防止膜７７との段差が大きくなることを抑制することができる。これにより、バンクＢ及び拡散防止膜７７（ゲート配線１２）の上に形成する絶縁膜２８が段差部分で薄くなることを抑制することができ、絶縁膜２８が薄くなることに起因して、ゲート配線１２及びゲート電極１１を形成する拡散防止膜７７が、絶縁膜２８によって隔てられているソース配線１６などの他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制することができる。
【０１１６】
（４）第２ハーフエッチング工程において、バンクＢをハーフエッチングすることにより、バンクＢの厚さを、回路配線膜３３と拡散防止膜７７と親液性膜７１との厚さの総和と略同一にする。このとき、バンク上にはみ出した拡散防止膜７７の材料であるニッケルを除去することができる。即ち、バンクＢ及び拡散防止膜７７（ゲート配線１２）の上に形成する絶縁膜２８が薄くなる可能性が比較的高いバンクＢと拡散防止膜７７との境目に位置するニッケルを除去することから、絶縁膜２８が薄くなることに起因して、拡散防止膜７７が、絶縁膜２８によって隔てられているソース配線１６などの他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを、さらに抑制することができる。
【０１１７】
（５）絶縁膜２８が薄くなることに起因して、拡散防止膜７７が、絶縁膜２８によって隔てられているソース配線１６などの他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制することができるため、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高いＴＦＴ３０を実現することができる。
【０１１８】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、第１の実施形態及び第２の実施形態で説明した配線パターン形成方法を用いて形成された配線パターンを有するＴＦＴを備えた液晶表示装置である。
【０１１９】
図１３は本実施形態に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１４は図１３のＨ−Ｈ'線に沿う断面図である。図１５は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１６は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【０１２０】
図１３及び図１４において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【０１２１】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【０１２２】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１２３】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１５に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１２４】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１４に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１２５】
図１６はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記実施形態の回路配線の形成方法によりゲート配線６１がガラス基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に形成されている。
【０１２６】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する半導体層６３の部分がチャネル領域とされている。半導体層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における半導体層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、半導体層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【０１２７】
さらに、接合層６４ａ、６４ｂ及びＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６を突設し、これらバンク６６間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【０１２８】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【０１２９】
他の実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図１７に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。本実施形態では、上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。
【０１３０】
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１３１】
この実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）配線パターンが、絶縁膜２８によって隔てられているソース配線１６などの他の薄膜層に接触して、ショートなどが発生することを抑制することができるため、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高いＴＦＴ３０を備えるため、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１３２】
（第４の実施形態）
次に、本発明に係る電子機器について説明する。本実施形態の電子機器液晶表示装置は、第３の実施形態で説明した液晶表示装置を備えた電子機器である。本実施形態の電子機器の具体例について説明する。
【０１３３】
図１８（ａ）は携帯電話の一例を示した斜視図である。図１８（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部を示している。
【０１３４】
図１８（ｂ）はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１８（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部を示している。
【０１３５】
図１８（ｃ）は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１８（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部を示している。
【０１３６】
図１８（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前記した実施形態の液晶表示装置を備えたものであり、バンクと回路配線膜との段差が小さい、バンク上への回路配線膜のはみ出しが少ない、周囲のバンク上の導電材料の残渣が少ない配線パターンを有している。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１３７】
この実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、故に、信頼性が高い液晶表示装置１００を備えるため、ショートなどの不具合が発生する可能性が小さく、信頼性が高い携帯電話６００や、情報処理装置７００や、時計８００を実現することができる。
【０１３８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能であり、以下のように実施することもできる。
【０１３９】
（変形例１）前記実施形態においては、バンクを形成した後で、バンク間の凹部に親液化処理を行っている。しかし、親液化処理を行うことは、必須ではない。凹部を形成する基板やバンクなどの面が充分な親液性を備えている場合は、省略してもよい。
【０１４０】
（変形例２）前記実施形態においては、拡散防止膜を形成するための第３機能液配置工程の前に行う第１ハーフエッチング工程において、バンクＢと回路配線膜７３とをハーフエッチングしている。しかし、バンクＢと回路配線膜７３との両方をハーフエッチングすることは必須ではない。回路配線膜７３の厚みに対してバンクＢの高さを充分高くして、回路配線膜７３のハーフエッチングを省略してもよい。
【０１４１】
回路配線膜７３のハーフエッチングを省略する場合には、回路配線膜７３の厚みに対してバンクＢの高さを充分高くすることで、バンクＢの上面と回路配線膜７３の上面との段差を大きくして、回路配線膜７３と連なってバンクＢの上にはみ出すはみ出し部７４が形成され難くする。
【０１４２】
（変形例３）前記実施形態においては、拡散防止膜を形成するための第３機能液配置工程の前に行う第１ハーフエッチング工程において、バンクＢと回路配線膜７３とをハーフエッチングしている。しかし、バンクＢと回路配線膜７３との両方をハーフエッチングすることは必須ではない。バンクＢのハーフエッチングを省略してもよい。
【０１４３】
バンクＢのハーフエッチングを省略する場合には、回路配線膜７３をハーフエッチングする際に、バンクＢの上面も同時に処理することにより、バンクＢ上にはみ出したはみ出し部７４や、バンクＢ上に残った配線材料の残渣７６を除去する。
【０１４４】
（変形例４）前記実施形態においては、拡散防止膜７７を形成した後、第２ハーフエッチング工程を実施している。しかし、第２ハーフエッチング工程を実施することは必須ではない。第１ハーフエッチング工程において、バンクＢと回路配線膜７３との段差を、拡散防止膜７７の厚さとほぼ同一となるようにハーフエッチングすることによって、第２ハーフエッチング工程を省略してもよい。
【０１４５】
この場合、バンクＢの上に拡散防止膜７７を形成する材料の残渣が残ることや、バンクＢの上に拡散防止膜７７がはみ出す部分が形成される。しかし、拡散防止膜７７を形成する材料は回路配線及びバンクＢを覆う薄膜に拡散する可能性は極めて小さいため、残渣やはみ出し部が、回路配線及びバンクＢを覆う薄膜に拡散することによって回路配線及びバンクＢを覆う薄膜の性能が損なわれる可能性は極めて小さい。
【０１４６】
（変形例５）前記実施形態においては、本発明の回路配線形成方法を用いてゲート配線１２やゲート電極１１などを形成する例について説明したが、本発明の回路配線形成方法を用いてソース配線１６やソース電極１７を形成することもできる。ソース配線１６やソース電極１７を形成する場合も、ゲート配線１２やゲート電極１１を形成する場合と同様の効果が得られる。
【０１４７】
（変形例６）また、上記実施形態では、バンクＢの間に形成された凹部に導電性膜形成して配線パターンを形成したが、これに限られず、様々な膜パターンを形成することに適用することができる。例えば、液晶表示装置において表示画像をカラー化するために用いられているカラーフィルタにも適用可能である。このカラーフィルタは、基板に対してＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（赤）のインク（液体材料）を液滴として所定パターンで配置することで形成することができるが、基板に対して所定パターンに応じたバンクを形成し、このバンクにインクを配置してカラーフィルタを形成することで、カラーフィルタを有する液晶表示装置を製造することができる。
【０１４８】
カラーフィルタを形成した後、バンクをハーフエッチングして、カラーフィルタとバンクとを略平坦にすることで、カラーフィルタ及びバンクの上に形成する陰極膜をより容易に形成できるようにすることができる。また、略平坦で、厚さが均一な陰極膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図。
【図２】ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明する模式断面図。
【図３】ＴＦＴアレイ基板の要部の概略構成を示した平面図。
【図４】（ａ）ＴＦＴの断面図。（ｂ）ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図。
【図５】第１の実施形態の配線パターンの形成方法を示すフローチャート。
【図６】バンクを形成する手順の一例を示す模式図。
【図７】プラズマ処理装置の概略構成図。
【図８】機能液を配置する手順と、機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順とを示す模式図。
【図９】バンクをハーフエッチングした状態を示す模式図。
【図１０】第２の実施形態の配線パターンの形成方法を示すフローチャート。
【図１１】機能液を配置する手順と、機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順とを示す模式図。
【図１２】バンクをハーフエッチングする手順と、拡散防止膜を形成する手順とを示す模式図。
【図１３】第３の実施形態の液晶表示装置の対向基板側から見た平面図。
【図１４】図１３のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図１５】液晶表示装置の等価回路図。
【図１６】液晶表示装置の部分拡大断面図。
【図１７】非接触型カード媒体の分解斜視図。
【図１８】電子機器の具体例を示す外観図。
【図１９】従来の機能液を配置する手順と、機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順とを示す模式図。
【符号の説明】
【０１５０】
１…液体吐出ヘッド、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…ゲート電極、１２…ゲート配線、１４…ドレイン電極、１６…ソース配線、１７…ソース電極、１９…画素電極、２８，２９…絶縁膜、３０…ＴＦＴ、３１…形成材料、３３…回路配線膜、３４…溝部、３５…底部、３７…はみ出し部、７１…親液性膜、７２…残留液、７３…回路配線膜、７４…はみ出し部、７６…残渣、７７…拡散防止膜、１００…液晶表示装置、６００…携帯電話、７００…情報処理装置、８００…時計、Ｂ…バンク、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｐ…基板。
【図１】
2006128239.tif 000003
【図２】
2006128239.tif 000004
【図３】
2006128239.tif 000005
【図４】
2006128239.tif 000006
【図５】
2006128239.tif 000007
【図６】
2006128239.tif 000008
【図７】
2006128239.tif 000009
【図８】
2006128239.tif 000010
【図９】
2006128239.tif 000011
【図１０】
2006128239.tif 000012
【図１１】
2006128239.tif 000013
【図１２】
2006128239.tif 000014
【図１３】
2006128239.tif 000015
【図１４】
2006128239.tif 000016
【図１５】
2006128239.tif 000017
【図１６】
2006128239.tif 000018
【図１７】
2006128239.tif 000019
【図１８】
2006128239.tif 000020
【図１９】
2006128239.tif 000021