(57)【要約】【課題】電子デバイスにおいて、ポリマ層を形成し封じ込める。【解決手段】絶縁性ポリマ層によって保護された半導性ポリマ層を形成する改良された方法を説明する。この方法では、半導性ポリマおよび絶縁性ポリマを形成する物質を溶媒中で溶解する。混合溶液を基板の上に堆積すると、半導性ポリマと絶縁性ポリマとが分離する。溶媒が気化すると、半導性物質はＴＦＴのアクティグ領域を形成し、絶縁性ポリマは、半導性ポリマが空気に露出されることを最小限にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボトムゲート型薄膜トランジスタＴＦＴを形成する方法であって、
第１の基板領域の上にソースを形成する工程と、
第２の基板領域の上にドレインを形成する工程と、
前記ソースと前記ドレインとの間に混合溶液を堆積させる工程と、を含み、
前記混合溶液は、堆積後に、前記ボトムゲート型薄膜トランジスタの前記ソースと前記ドレインとの間にポリマ半電導性層が形成されるように、半導性ポリマを形成するように意図された材料と、絶縁体を形成するように意図された材料とを含む、方法。
【請求項２】
ボトムゲート型ポリマ薄膜トランジスタを形成する構造体であって、
基板と、
前記基板の第１の部分の上に形成されたソースと、
前記基板の第２の部分の上に形成されたドレインと、
ゲートの上であって前記ソースおよび前記ドレインの間に堆積される混合溶液と、
を備え、
前記混合溶液は、ポリマ半導体および絶縁材料層を形成することを意図された混合溶液を含む、構造体。
【請求項３】
複数のボトムゲート型薄膜トランジスタを有するディスプレイシステムの製造のための中間構造体であって、
基板と、
前記基板の第１の部分の上に形成された前記複数のボトムゲート型薄膜トランジスのための複数のソースと、
前記基板の第２の部分の上に形成された前記複数のボトムゲート型薄膜トランジスタのための複数のドレインと、
各ソースおよび対応するドレインの間に位置された複数のゲートの上に堆積された混合溶液と、を備え、
前記混合溶液は、ポリマ半導体および絶縁材料層を形成することを意図された混合溶液を含む、中間構造体。
【請求項４】
基板上に複数の薄膜トランジスタを有するディスプレイシステムを形成する方法であって、
基板上に第１の溶媒、第１の導電体、および第１の絶縁体を含む第１のポリマ混合溶液を堆積させる工程であって、前記ポリマ混合溶液は略線状に堆積されて第１の薄膜トランジスタにおける接点を第２の薄膜トランジスタにおける接点に結合させる工程と、
前記第１の導電体が前記基板に隣接し、前記第１の絶縁体が前記第１の導電体に隣接するように前記第１のポリマ混合溶液が分離するのを待つ工程と、
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタを形成する方法に関する。なおこの出願は、特許出願第１０／８７５４８０号（アトーニードケット番号２００３１７２３Ｑ−ＵＳ−ＮＰ「Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ｍｅｔｈｏｄ  ｆｏｒ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ  Ｕｓｉｎｇ  ａ  Ｂｌｅｎｄ  Ｓｏｌｕｔｉｏｎ  ｔｏ  Ｆｏｒｍ  ａ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ  ａｎｄ  ａｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  Ｌａｙｅｒ」同じ発明者によって同日に出願された）と関係する。
【背景技術】
【０００２】
ポリマベースの電子装置は、従来の非有機ベース装置の代替物を表す。これは、ポリマ合成およびポリマベースのデバイスにおける最近の進歩のためである。こうした進歩は、ポリマ発光ダイオード（ＬＥＤ）における輝度効率や、ポリマの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）における改良された電界効果移動度を含む。しかし、ポリマベース電子デバイスの環境的な不安定は依然として、商用化の障害となっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
各種の環境パラメータの中でも酸素、湿度、光、熱は、ポリマ物質を損なう可能性がある。こうした物質の劣化を最小限にするために、通常は不活性ガスを充満させた「グローブボックス」の中、あるいは真空状態等において、厳密に管理され環境条件下でポリマベース電子デバイスを製造してテストすることが多い。しかし、厳密に管理した環境下で大量生産すると製造費が増加するので、営利化する機会が減る。
【０００４】
半導体および導体のポリマを組み立てたデバイス内に封じ込めて環境への露出を最小限にすることで、製造後の装置劣化を最小限にする。しかし、ポリマ層を封じ込めることは困難である。これはポリマ層と、封じ込めのための処理とが両立しないからである。封じ込めのために用いる部材の多くは、ポリマ半導体を損傷するかもしれない溶媒や高温を含む処理ステップを利用する。固体の封じ込め層を堆積する際に用いる光もポリマ層を損なう可能性がある。
【０００５】
したがって、電子デバイスにおいてポリマ層を形成し封じ込める、改良された非破壊的な方法が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
ボトムゲート型薄膜トランジスタの形成方法を説明する。この方法では、ソースおよびドレインを基板の領域上に形成する。半導性ポリマを形成することを意図された物質と、絶縁体を形成することを意図された物質とを含む混合溶液をソースとドレインとの間に堆積する。この時、半導性ポリマが、ボトムゲート型トランジスタのソースとドレインの間に層を形成するように行う。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
ポリマ電子機器を処理して封じ込める方法を本明細書で説明する。この方法は、半導性および絶縁性のポリマを含むポリマ混合物を用いる。堆積（deposition）後、ポリマ混合物が分離して、絶縁性ポリマによって封じ込められたポリマ半導層が形成される。この方法を用いることができる方法の一例は、ポリマベースの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するものである。このようなポリマＴＦＴの形成について詳細に説明する。しかし、以下で説明する封じ込められた半導性ポリマを用いて、他にも多くのデバイスを製造できる。したがって、説明する発明は何れの任意のデバイスにも限定されるべきではない。
【０００８】
図１は、例示的なボトムゲート型ポリマＴＦＴ１００の概略図である。図示するＴＦＴは、ソース１０８と、ドレイン１１２との間に配置されているポリマ半導層１０４を含む。ポリマ半導体１０４は基板１１６上に形成される。図では、基板は誘電体層１１６である。基板はゲートライン１２０上に形成される。動作中、ゲートライン上にある電荷がポリマ半導体１０４の導電度を制御する。つまり、ゲートライン１２０上の電荷が、ドレイン１１２とソース１０８との間の電流の流れを制御する。誘電体層１１６は、ゲートライン１２０と共にベース構造体１２４を形成する。
【０００９】
図２〜図５は、ポリマ混合溶液を用いて、封じ込められたポリマ半導体を含むボトムゲート型ポリマＴＦＴを形成する処理を示す。最終的な構造体では、ポリマ混合溶液から沈殿した封じ込め層がポリマ半導体１０４を保護する。１実施形態では、ポリマ混合溶液は、半導性ポリマと絶縁性ポリマとを含む。本明細書で用いるように、絶縁性ポリマは、電流の流れに対して非常に高い抵抗を示すポリマとして規定される。絶縁性ポリマおよび半導性ポリマを共通の溶媒中で一緒に溶解する。
【００１０】
多くの様々なポリマが、半導性ポリマおよび絶縁性ポリマとして使用可能である。一般的な半導性ポリマの例は、ポリ（３−アルキルチオフェン）（Ｐ３ＡＴ），ポリ（３−ｎ−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）および、ポリ［５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ビチオフェン］（ＰＱＴ−１２）等のポリチオフェン、ならびに、（ポリ（フッ素−ｃｏ−ビチオフェン）（Ｆ８Ｔ２）およびポリ（９，９’−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビス−Ｎ，Ｎ’−（４−ブチルフェニル）−ビス−Ｎ，Ｎ’−フェニル−１，４−フェニレンジアミン）（ＴＦＢ））等のポリフルオレンを含む。溶媒中に溶解される一般的な絶縁性ポリマの例は、ポリ−（メチルメタクリラート）（ＰＭＭＡ）および、ポリ（４−ビニルフェノール（ＰＶＰ）を含む。アニールされるとポリマになる一般的なモノマの例（以後、ポリマ先駆物質と称する）は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含む。半導性ポリマおよび絶縁性ポリマを溶解するために使用してもよい一般的な溶媒は、有機溶媒（その他の中のジクロロベンゼン，キシレン，クロロホルム，メシチレン）等を含む。好適な態様では、混合溶液は、ＰＭＭＡおよびＰＱＴ−１２を含み、ＰＱＴ−１２に対するＰＭＭＡの比は、０．１％と９９．９％との間である。また、好適な態様では、混合溶液は、ＰＭＭＡおよびレジオ−レギュラーポリチオフェンを含む。
【００１１】
代替的な実施形態では、他の物質をポリマ絶縁体およびポリマ導電体の代わりに用いてもよい。例えば、絶縁体を、アニールまたは硬化処理後に絶縁体になる先駆物質から形成してもよい。同様に、アニールまたは硬化処理後にポリマ半導体になる先駆物質を、実際の溶解されたポリマの代わりに用いてもよい。特に、ポリマ誘電体フィルムを、ポリマ先駆物質としても知られる初期ポリマの堆積物から得ることができる。ポリマ先駆物質の溶液は、熱処理した場合に不溶解性ポリマフィルムに変質するモノマおよびオリゴメネルを含む可能性がある。（その他の中の）先駆物質の堆積物から得られた誘電体ポリマの例は、２つのモノマ（二無水物およびジアミン）から合成されたポリイミドである。ポリイミドの幾つかの変形体を、二無水物およびジアミンモノマについての構造的な変形、可撓性架橋モノマ、フッ化およびシリコンモノマ、並びにアセチレン末端ポリイミドの含有によって、合成する。誘電体ポリマの異なる部類は、モノマビスベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）から導出したポリベンゾシクロブテン（ＰＢＣＢ）である。ＢＣＢ先駆物質の熱重合は、無酸素環境下において、２５０℃で生じる。
【００１２】
図２は、ゲートライン２０６と基板２０８とを含むベース構造体にポリマ混合溶液２０４を堆積させる様子を示す。ポリマ混合溶液２０４を、ソース２１２とドレイン２１６との間に堆積する。ソース２１２およびドレイン２１６は、多様な技術を用いて形成してもよい。これには、フォトリソグラフ技術、ジェット堆積、および当業者には既知であるその他の技術を含む。堆積中、半導性ポリマおよび絶縁性ポリマが溶媒中に溶解して、均質な液体ポリマ溶液となる。通常、ポリマ溶液は加熱する必要がなく、室温温度（１０℃〜５０℃）でも液体状態に維持される。
【００１３】
異なる技術を用いて、混合ポリマ溶液２０４を堆積してもよい。堆積技術の例は、スピンコーティング、ドロップキャスティング、インクジェット印刷、ディップコーティングを含む。いずれの堆積方法を用いるかは、幾つかの要因によって異なる。これらの要因とは、製造対象であるデバイス、ポリマ溶液の粘性を含む。例えば、ポリマ溶液をジェット印刷する場合、粘性は通常、４０ｍＰａ．ｓより低く保ち、ポリマ／溶媒の濃度を調整して、噴射条件を容易にしてもよい。スピンコーティングを行う場合には、より高い濃度および粘性のポリマ混合溶液を用いてもよい。これは、フィルムの形成を、スピン被膜速度や溶媒の気化速度によって制御できるからである。
【００１４】
堆積直後かつ溶媒の気化前は、ポリマ混合溶液は溶媒が豊富であり、分子は非常に移動性がある。この溶液段階を、「拡散および流体流レジーム（diffusion  and liquid flow regime）」と呼ぶ場合が多い。流体流レジームは、混合ポリマ溶液中の分子の高い移動性によって特徴付けられる。半導性ポリマと絶縁体との第１段階の相分離は、流体流レジーム中に生じる。本明細書で用いるように、相分離は、共通の溶媒中に溶解された異なるポリマ分子が除去され（repealed）、自然に相互に分離されて、異なるポリマの別個の（distinct）領域や相が形成される処理として規定される。
【００１５】
図３は、相分離の後半段階におけるポリマ混合溶液を示す。この段階は合体段階（coalescence stage）と呼ばれることが多い。合体段階では、分子の移動性が減少する。これは、溶媒の量が減るからである。しかし、別個の領域は、未だ形成中である。この段階では、各領域の組成や寸法は変化している。図３において、混合されたポリマ溶液２０４中の半導性ポリマ３０４が、混合されたポリマ溶液から析出する（exit）。ポリマ混合溶液の分子の移動性が低いことが、合体段階の特徴である。ポリマ溶液を構成する構成要素の分離は、注意深く制御される。これから説明するように、幾つかの方法を用いて、この分離を制御してもよい。これは、基板、溶媒、半導性ポリマ、絶縁性ポリマの特徴を注意深く選んで、所望の構造を形成することを含む。
【００１６】
図３に示す構成体の形成方法の１つは、基板２０８やポリマ溶液合成物を、基板２０８の表面エネルギーや、基板２０８とのポリマ相互作用に基づいて選択することを含む。特に、基板表面エネルギーや部材を、半導性ポリマ３０４が基板に対して親和性を有することで、絶縁物質よりも良好な、基板に対する濡れ性（wettability）条件が得られるように選択する。説明した例では、絶縁物質は分離して上方面に向かい、二重層構造体を形成する。あるいは、基板表面エネルギーや絶縁物質を、絶縁物質が、基板２０８ではなく、半導性ポリマを優先的に濡らすように選択してもよい。つまり、ポリマ層の順番づけや形成は、部分的に、１つのポリマの他のポリマに対する濡れ特性や、各ポリマの基板面に対する濡れ特性によって制御される。
【００１７】
ポリマ同士やポリマと基板との相互作用を、上記とは異なる技術を用いて調整してもよい。基板とポリマとの間の相互作用を調整するために、基板表面エネルギーを変更してもよい。基板表面エネルギーを変更する技術は以下を含むが、これらに限定されるものではない。つまり、プラズマ処理、溶液からの自己組織化膜の堆積、フッ素炭化水素−末端チオールまたはＣＯＯＨ−末端チオールのスタンピングである。同じエンド末端単分子層を、他のアタッチメントケミストリによって形成できる。これは、シリル化ベースの単分子層を含む。
【００１８】
二重層形成を制御する３番目の方法は、半導性ポリマおよび絶縁物質を、２つのポリマが共通の溶媒中で異なる溶解性を示すように選択した物質の組合せを用いることである。この例では、底層を形成する物質の溶解性は、上方層を形成する物質の溶解性よりも低い。図示した例では、底層を形成する物質は半導性ポリマ３０４である。絶縁性ポリマ３０８が上層物質を形成する。堆積後、溶質は徐々に気化し、半導性ポリマ３０４が溶液から無くなると（析出すると）、絶縁性ポリマの溶解度がより高くなる。更に溶媒が気化すると、絶縁性ポリマ３０８も飽和して溶液から沈殿する。この結果、半導性ポリマ３０４の上に絶縁性ポリマ３０８が形成される。
【００１９】
図４は、半導性ポリマ４０４が絶縁性ポリマ４０８から最終的に分離した後のボトムゲート型ＴＦＴを示す。図４では、溶媒は気化し終わっている。溶媒が膜（フィルム）から無くなるために必要な時間は、変質時間（transformation time）と呼ばれることが多い。ポリマ混合物から溶媒が無くなることを制御して十分な変質時間を確保し、半導性ポリマと絶縁体とを十分に分離できるようにする。拡散および流体流レジームの時間を延ばすために、高沸点溶媒を用いることが多い。高沸点溶媒の溶媒気化速度は、より低い。例示的な溶媒は、沸点が６０℃を越える有機溶媒である。これらの特徴に適合する一般的な溶媒は、ジクロロベンゼンである。一般的な溶媒の気化時間は、堆積後１〜６分である。
【００２０】
処理技術を変えることによっても、変質時間を増すことができる。したがって、上述の方法の使用は、高沸点溶媒に限定されない。気化速度を制御する２番目の方法は、溶媒が豊富な雰囲気を作ることである。こうした雰囲気は、溶媒気化速度を低下させる。溶媒が豊富な雰囲気を作る１方法は、混合溶液と共に共通の封止した環境下で溶媒リザーバを提供することである。溶媒が豊富な雰囲気を用いることは、特に、スピンコーティングやドロップキャスティング堆積方法に適している。
【００２１】
溶媒が気化した後、半導性ポリマ３０４のフィルムは誘電体層２０８と接触した状態にある。図示した例示的な構造体はボトムゲート型ＴＦＴである。ＴＦＴでは、半導性ポリマフィルムは、ソース２１２とドレイン２１６との間における電流を、ゲートライン２０６に印加される電圧に応じて制御するスイッチとして機能する。ポリマ半導体は通常、ｐ型半導体として機能する。Ｐ型半導性ポリマフィルムでは、ゲートライン２０６に電圧を印加しない場合、半導性ポリマフィルムが、ソース２１２とドレイン２１６との間において電流が流れないようにする。一方、ゲートライン２０６に電圧を印加する場合、ｐ型半導性ポリマフィルムによって、ソース２１２とドレイン２１６との間に電流が流れるようにする。
【００２２】
図４では、絶縁性ポリマ４０８が半導性ポリマ４０４を封じ込めて、環境への露出を減らすことによって、デバイスの劣化を最小限にする。封じ込めることにより、半導性ポリマの長期にわたる性能が改善し、更に、薄膜トランジスタのゲート領域上にデバイスを堆積できるようにする。
【００２３】
図５は、図４に示す種類のＴＦＴのおおよその導電特性を示す。ドレイン電流を垂直軸５０４に示し、ゲード電圧を水平軸５０８に沿って示す。第１のプロット５１２は製造直後の導電特性を示し、第２のプロット５１６は製造後２日後のデバイス特性を示す。分かるように、２日後であっても同様の性能は最小の変化しか示さない。これは、半導性ポリマを封じ込めることによって、絶縁性ポリマが半導性ポリマの劣化を効果的に最小限にすることを示唆する。
【００２４】
上記の説明はＴＦＴについてであるが、ポリマ混合物を使って、回路を封じ込める絶縁層を作ることは、多様な電子デバイスに用いてもよい。封じ込めを用いることで、回路要素を上述のように環境的に孤立させてもよいし、電気的に孤立させて、回路要素を積み重ねられるようにしてもよい。例えば、絶縁体を導体ポリマまたは金属のコロイド状分散物と混合して、二重層フィルムを形成してもよい。二重層フィルムは導電層および非導電層を含む。図６は、導電および非導電の混合物を用いて、積み重ねられた相互接続ラインを製造する様子を示す。図６では、二重層の非導電層が、積み重ねられた相互接続ラインを分離して、短絡回路を防止する。代替的な実施形態では、導体／絶縁体の混合物を用いてダイオードの上方接点を形成できる。一般的なダイオードは、発光ダイオード、整流ダイオード、フォトダイオードを含む。図８は絶縁体と導電体の混合物を使って、ダイオードの上方接点を形成する様子を示す。
【００２５】
図６に示す実施形態では、導電体および絶縁体ポリマの混合溶液によって、回路要素間における相互接続ラインを形成する。導電体ライン６０４、６０８等の導電ラインによって、回路デバイス６１２，６１６，６２０等の回路デバイスを相互に接続する。図６の例では、回路デバイス６１２，６１６，６２０は表示システムに用いる薄膜トランジスタである。このような薄膜トランジスタの列を共通に、センサシステムに使用してもよい。
【００２６】
図６の構造体を形成する１つの方法は、ジェットプリンタや圧電性プリント機構等といった小滴噴出機構を使用して混合溶液の小滴を噴出することである。噴出後、導電体および絶縁性ポリマが分離する。導電体および絶縁体を運ぶ溶媒は気化し、その後には絶縁体によって表面が被われた導電体が残る。上述した半導体および絶縁体の混合溶液の場合のように、幾つかの技術を用いて、絶縁体が導電体の表面を確実に覆うようにしてもよい。これらの技術は、導電体に対して優先的に濡れる基板を選ぶこと、導電体に対して優先的に濡れる絶縁体を選ぶこと、または溶媒中での溶解性が絶縁体よりも低い導電体を選ぶこと、を含む。
【００２７】
多くの様々な合成物が、導電体、絶縁体、および溶媒として使用可能である。例示的な導電体材料は、ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）が添加されたポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン），ポリアニリン（ＰＡＮＩ），金属ナノ粒子（Ａｕ，Ａｇ），炭素ナノチューブを含む。上記で同定した絶縁性ポリマの例は、ポリ−（メチルメタクリラート）（ＰＭＭＡ），ポリ（４−ビニルフェノール（ＰＶＰ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）を含む。上記で同定した一般的な溶媒は、その他の中でジクロロベンゼン，キシレン，クロロホルム，およびメシチレン等の有機溶媒を含む。
【００２８】
溶媒が気化すると、導電体は、電子デバイスを接続する導電ライン６０４，６０８等の導電ラインを形成する。電子デバイスがディスプレイ中のトランジスタである場合、導電ラインは、トランジスタのソース、ドレイン、およびゲートを、電源、つまりディスプレイを制御する回路に結合してもよい。絶縁ポリマ層は、各々の導電ラインを被って絶縁する。また、絶縁性ポリマによって、導電ライン６０４、６０８を環境的な損傷から保護する。更に絶縁性ポリマは、短絡またはライン６０４，６０８に流れる電流との干渉を防ぎつつ、導電ライン６０４，６０８の上にその他の電子デバイス（交差する導電ライン６２４，６２８を含む）を重ねることを可能にする。
【００２９】
図７は、図６に示す交差点６５０等の、導電体ラインが交差する例を示す断面図である。第１に堆積された導電体ライン６０４は導電層７０８上に設けられた絶縁層７１２を含む。絶縁層７１２があるので、電子デバイスを導電体ライン６０４上に戴置することができる。図７の例では、「電子デバイス」は別の導電体ライン６２４である。導電体ライン６２４は、導電体ライン６０４に対して垂直に設けられる。
【００３０】
製造中、絶縁層７１２を運ぶ溶媒が気化した後に導電体ライン６２４が堆積される。通常、導電体ライン６２４は、溶媒、導電体、絶縁体を含むポリマ混合物と共にプリントされる。使用される溶媒は、既に堆積された層を溶解しないように注意深く選ばれる。特に、溶媒は絶縁体７１２を溶解してはならない。一般的な溶媒の例は、水およびアルコールベースの溶媒を含む。また、底絶縁体は、後から堆積される溶媒に露出したとき溶解しないように、アニール中に架橋される先駆物質から形成されてもよい。
【００３１】
溶媒が気化すると、ポリマ混合物が導電層７１６を形成する。ポリマ混合物の溶液中に溶解された絶縁物質が、導電層上に絶縁層７２０を形成する。絶縁層は、導電層７１６を環境的な損傷からシールするとともに、後続の電子デバイスを導電体ライン６２４上に堆積できるようにする。
【００３２】
図８は、ポリマ物質の導電体／絶縁体混合物を更に別に使用する様子を示す。図８では、混合溶液を用いて、ダイオードに対する電気接点を形成する。１つの実施形態では、ダイオードは発光ダイオードである。
【００３３】
図８において、基板８００上に第１の導電体８０４を堆積する。第１の導電体８０４はアルミニウムや銅等の金属でもよい。第１の導電体８０４の上に堆積された半電体８０８が、ダイオードのアクティブ領域を形成する。半導体は、電気エネルギーが注入されると、ファセット８０８等のファセットを通して光を出力する。
【００３４】
第２の電気接点または電極８１２は、半電体８０８上に形成される。第２の電気接点は、導電物質、絶縁物質、溶媒を含むポリマ混合物の溶液中に堆積される。溶媒が気化すると導電物質と絶縁体とが分離し、溶液から析出する。導電物質が電極８１２を形成し、絶縁物質が保護層８１５を形成する。電極８１２と第１の導電体８０４とを電源に結合することによって、半電体８０８は電気的に励磁されて光を出力することができる。
【００３５】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変更することができる。
【００３６】
上記より、次の発明も把握される。
（ａ）基板上に複数の薄膜トランジスタを有するディスプレイシステムを形成する方法であって、
基板上に第１の溶媒、第１の導電体、および第１の絶縁体を含む第１のポリマ混合溶液を堆積させる工程であって、前記ポリマ混合溶液は略線状に堆積されて第１の薄膜トランジスタにおける接点を第２の薄膜トランジスタにおける接点に結合させる工程と、
前記第１の導電体が前記基板に隣接し、前記第１の絶縁体が前記第１の導電体に隣接するように前記第１のポリマ混合溶液が分離するのを待つ工程と、
を含む、方法。
（ｂ）上記（ａ）の方法において、
前記第１の溶媒が蒸発するのを待つ工程と、
第２の溶媒、第２の導電体、および第２の絶縁体を含む第２のポリマ混合溶液を略線状に堆積させて第３の薄膜トランジスタにおける接点を第４の薄膜トランジスタにおける接点に結合させる工程と、をさらに含み、
前記第２のポリマ混合溶液の略線状の領域は、前記第１のポリマ混合溶液の前記第１の絶縁体をオーバーレイする、方法。
（ｃ）上記（ｂ）の方法において、
前記オーバーレイの領域において、前記第２の導電体の第１のサイドが前記第１の絶縁体に隣接し、前記第２の導電体の第２のサイドが前記第２の絶縁体に隣接するように、前記第２のポリマ混合溶液中の前記第２の導電体と前記第２の絶縁体とが分離するのを待つ工程をさらに含む、方法。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】ボトムゲート型薄膜トランジスタの一例を示す図である。
【図２】液体相であるポリマ混合物を使用して、図１の構造体を製造する場合の第１のステップを示す図である。
【図３】絶縁層を半導層上に形成できるようにする、ポリマ混合物の合体を示す図である。
【図４】ボトムゲート型ＴＦＴにおいて、最終的に分離された薄膜および、ポリマ絶縁体によって保護された最終的なポリマ半導体を示す図である。
【図５】説明した構造体から製造され、空気中に置かれたＴＦＴの導電特性を示す図である。
【図６】半導性ポリマを絶縁性ポリマから分離することによって形成された相互接続ラインを用いる電子回路の上面図である。
【図７】２本の交差する相互接続ラインの間の交差を示す側方断面図である。
【図８】混合されたポリマを使用して製造された半導性ポリマおよび電極接点を含むダイオードを示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１００  ボトムゲート型ポリマＴＦＴ、１０４  ポリマ半導層、１０８  ソース、１１２  ドレイン、１１６  基板、１２４  ベース構造体、２０４  ポリマ混合溶液、２０６  ゲートライン、２０８  基板、２１２  ソース、２１６  ドレイン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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