(57)【要約】【課題】  プラズマからのＥＵＶ光の特性（例えば、集光点の位置、集光点でのＥＵＶ光の強度、集光点から発散する発散角度内での強度分布及びスペクトルなど）を維持し、レチクルを均一に照明して優れた露光性能を発揮する露光装置を提供する。【解決手段】  プラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を集光する集光ミラーを有する光源と、前記集光ミラーが集光した前記光でレチクルを照明する照明光学系とを有し、前記レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、前記集光ミラーと前記照明光学系との間に配置され、前記光の特性を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて、前記プラズマの状態を変化させる手段とを有することを特徴とする露光装置を提供する。【選択図】          図２
2006128342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を集光する集光ミラーを有する光源と、前記集光ミラーが集光した前記光でレチクルを照明する照明光学系とを有し、前記レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
前記集光ミラーと前記照明光学系との間に配置され、前記光の特性を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて、前記プラズマの状態を変化させる手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記光の特性は、前記光の集光点の位置、前記集光点から発散する発散角度内での強度分布、前記光のスペクトル及び前記集光点での前記光強度の少なくとも一つであることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記プラズマの状態を変化させる手段は、前記プラズマの位置及び前記プラズマの電子温度の少なくとも一方を変化させることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記検出手段は、前記プラズマの生成中において、前記光の特性を所定の時間間隔ごとに検出することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記検出手段は、前記プラズマの生成中において、前記光の特性を常に検出することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出手段は、前記集光点と前記照明光学系との間に配置されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記光は、２０ｎｍ以下の波長を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項８】
プラズマを生成する生成部と、
前記プラズマから放射される光を集光する集光ミラーと、
前記生成部及び前記集光ミラーを収納するチャンバと、
前記チャンバに収納され、前記光の集光点における前記光の特性を検出する検出手段とを有することを特徴とする光源装置。
【請求項９】
前記光の特性は、少なくとも、前記光の集光点の位置、前記集光点から発散する発散角度内での強度分布、前記集光点での前記光強度及び前記光のスペクトルの一であることを特徴とする請求項８記載の光源装置。
【請求項１０】
請求項１乃至７のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、露光装置に係り、特に、ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、ＣＣＤなどの撮像素子といった各種デバイス、マイクロメカニクスで用いる微細パターンの製造に用いられる露光装置の光源装置に関する。本発明は、例えば、露光光源として極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ  ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を利用する露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル（又はマスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する縮小投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
縮小投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例し、投影光学系の開口数（ＮＡ）に反比例する。従って、波長を短くすればするほど解像度はよくなる。このため、近年の半導体素子の微細化への要求に伴い露光光の短波長化が進められ、超高圧水銀ランプ（ｉ線（波長約３６５ｎｍ））、ＫｒＦエキシマレーザー（波長約２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長約１９３ｎｍ）と用いられる紫外線光の波長は短くなってきた。
【０００４】
しかし、半導体素子は急速に微細化しており、紫外線光を用いたリソグラフィーでは限界がある。そこで、０．１μｍ以下の非常に微細な回路パターンを効率よく転写するために、紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いた縮小投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。
【０００５】
ＥＵＶ露光装置は、光源として、レーザー光をターゲット材に照射してプラズマを生成することによりＥＵＶ光を発生させるレーザープラズマ光源や、電極にガスを流して放電することによってプラズマを生成してＥＵＶ光を発生させる放電型プラズマ光源を典型的に使用する。プラズマからのＥＵＶ光は、集光ミラーによって集光点に集光され、かかる集光点から発散して後段の照明光学系に入射する。
【０００６】
また、露光装置の高解像度化を達成するためには、レチクルを均一に照明することが極めて重要であり、そのためには、集光点から発散されるＥＵＶ光の強度が発散角度内で均一であることが望ましい。しかし、ＥＵＶ光源は、長期にわたって運転（使用）すると、集光点から照明光学系に入射するＥＵＶ光の強度の変化や、集光点から発散される発散角度内での強度分布の変化を生じる。これは、ＥＵＶ光源の構成部材の劣化に起因する。例えば、レーザープラズマ光源の場合には、ターゲット材を供給するノズルがプラズマから発生するデブリの衝突によって侵食されて変形することで、また、放電型プラズマ光源の場合には、プラズマからの熱により電極が溶解及び変形することで、ＥＵＶ光を発生するプラズマの位置が変動する。その結果、集光点の位置が変化して照明光学系に入射するＥＵＶ光の強度が低下したり、集光点から発散される発散角度内での強度分布が初期とは異なったりするからである。
【０００７】
そこで、プラズマの生成位置をピンホールカメラ及び／又はＣＣＤによって検出し、ターゲットを供給する位置、若しくは、パルスレーザーを照射する位置（パルスレーザーの集光点の位置）を制御することで、プラズマの生成位置を所定の位置に保つ提案がされている（例えば、特許文献１及び２参照。）。
【特許文献１】特開２０００−５６０９９号公報
【特許文献２】特開昭６２−２８３６２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来技術においては、プラズマの生成位置だけを検出しているため、必ずしも集光点から発散されるＥＵＶ光の強度を発散角度内で均一に保つことができないことが分かった。即ち、集光点から発散されるＥＵＶ光は、プラズマの位置だけではなく、プラズマの形状やガス濃度の分布、集光ミラーの形状などの因子によっても、発散角度内での強度が決まるからである。
【０００９】
例えば、プラズマからのＥＵＶ光を集光点に集光する集光ミラーは、プラズマ又はプラズマ近傍から発生するデブリの衝突やコンタミネーションの付着によって反射率が低下し、その結果、照明光学系に入射するＥＵＶ光の強度が低下する場合がある。更に、集光ミラーの反射率の低下は、反射面全面にわたって均一に生じるわけではないため、集光点から発散される発散角度内での強度分布が初期とは異なることになる。このように、プラズマの位置が変動しなくても集光点でのＥＵＶ光の特性が変化する場合もあるため、プラズマの位置だけを制御しているだけでは、レチクルを均一に照明することが困難となり、露光装置の性能の低下を招くことになる。
【００１０】
なお、集光点でのＥＵＶ光の特性の変化は、長期運転（使用）によるＥＵＶ光源の構成部材の劣化と共に生じるだけではなく、変化量は小さいものの短期的な時間単位でのばらつきでも生じる。これは、光源の温度変化や、レーザープラズマ光源におけるターゲット材の供給の不安定性及びレーザーの不安定性、放電型プラズマ光源におけるガス供給の不安定性に起因するものであり、同様に、露光装置の性能を低下させる。
【００１１】
そこで、本発明は、プラズマからのＥＵＶ光の特性（例えば、集光点の位置、集光点でのＥＵＶ光の強度、集光点から発散する発散角度内での強度分布及びスペクトルなど）を維持し、レチクルを均一に照明して優れた露光性能を発揮する露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、プラズマを生成し、前記プラズマから放射される光を集光する集光ミラーを有する光源と、前記集光ミラーが集光した前記光でレチクルを照明する照明光学系とを有し、前記レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、前記集光ミラーと前記照明光学系との間に配置され、前記光の特性を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて、前記プラズマの状態を変化させる手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の別の側面としての光源装置は、プラズマを生成する生成部と、前記プラズマから放射される光を集光する集光ミラーと、前記生成部及び前記集光ミラーを収納するチャンバと、前記チャンバに収納され、前記光の集光点における前記光の特性を検出する検出手段とを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【００１５】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、プラズマからのＥＵＶ光の特性（例えば、集光点の位置、集光点でのＥＵＶ光の強度、集光点から発散する発散角度内での強度分布及びスペクトルなど）を維持し、レチクルを均一に照明して優れた露光性能を発揮する露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置を説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。図１は、本発明の露光装置１の構成を示す概略断面図である。
【００１８】
本発明の露光装置１は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル３００に形成された回路パターンを被処理体６００に露光する投影露光装置である。かかる露光装置は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００１９】
図１を参照するに、露光装置１は、光源装置１００と、照明光学系２００と、レチクル３００を載置するレチクルステージ４００と、投影光学系５００と、被処理体６００を載置するウェハステージ７００と、アライメント検出機構８００と、フォーカス位置検出機構９００とを有する。なお、光源装置１００と照明光学系２００とは、照明装置を構成し、投影光学系５００の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、１３．４ｎｍ）によりレチクル３００を照明する。
【００２０】
また、図１に示すように、ＥＵＶ光は、大気に対する透過率が低く、残留ガス（高分子有機ガス）成分との反応によりコンタミを生成してしまうため、少なくとも、ＥＵＶ光が通る光路中（即ち、光学系全体）は真空環境ＶＣとなっている。
【００２１】
光源装置１００は、本実施形態では、放電型プラズマ光源であり、図２及び図３に示すように、生成部１１０と、デブリフィルタ１２０と、集光ミラー１３０と、ステージ１４０と、光源チャンバ１５０と、検出手段１７０とを有する。ここで、図２及び図３は、露光装置１の光源装置１００の構成を示す概略断面図である。なお、以下の説明における座標軸は、図２及び図３に示すように、紙面に垂直な方向をＸ軸、紙面の上下方向をＹ軸、紙面の左右方向をＺ軸とする。
【００２２】
生成部１１０は、ノズル１１２から供給される、例えば、キセノン（Ｘｅ）ガスと、電極１１４に印加される高圧電圧によって放電を生じ、更に、荷電粒子流の自己磁場によるピンチ作用によって高密度のプラズマＰＬを生成する。かかるプラズマＰＬからＥＵＶ光ＥＬが発生する。
【００２３】
生成部１１０は、Ｚ軸方向に移動可能なステージ１４０上に固定されている。換言すれば、生成部１１０は、ステージ１４０を駆動する図示しないステージ駆動源によってＺ軸方向に移動可能な構成となっている。
【００２４】
プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬは、デブリ粒子を除去するデブリフィルタ１２０を通過し、回転楕円面を反射面とする２対のミラーで構成される集光ミラー１３０によって反射され、集光点ＣＰに集光する。なお、上述したように、ＥＵＶ光ＥＬは、ガスによって吸収される性質を有し、かかる吸収を防ぐために、生成部１１０、デブリフィルタ１２０、集光ミラー１３０及びステージ１４０は、図示しない真空排気系によって排気がなされた光源チャンバ１５０の内部に配置された構成となっている。
【００２５】
集光点ＣＰに集光したＥＵＶ光ＥＬは、後述する照明光学系２００を構成する光学素子が内部に配置された照明系チャンバ２５０に導入され、照明系ミラー２１０で反射された後、オプティカルインテグレーター２２０に入射し、更に、照明系ミラー２１０を経てレチクル３００を均一に照明する。
【００２６】
照明系チャンバ２５０は、ガスによるＥＵＶ光の吸収を防ぐために、光源チャンバ１５０と同様に、図示しない真空排気系による排気がなされている。なお、光源チャンバ１５０の内部は、真空排気系による排気がなされているものの、ノズル１１２から供給されるガスが存在する。従って、光源チャンバ１５０と照明系チャンバ２５０との境界には、ＥＵＶ光ＥＬを透過し、且つ、光源チャンバ１５０に存在するガスが照明系チャンバ２５０に流入しないように、アパーチャ１５２が設けられ、光源チャンバ１５０と照明系チャンバ２５０との間で差動排気がなされている。アパーチャ１５２の大きさが小さいほど、光源チャンバ１５０から照明系チャンバ２５０に流入するガスの量を少なくすることができるため、アパーチャ１５２の位置を集光点ＣＰの位置と一致させ、アパーチャ１５２の大きさを集光点ＣＰの大きさと略一致させることが好ましい。
【００２７】
検出手段１７０は、集光点ＣＰと照明光学系２００との間に位置するＥＵＶ光ＥＬの特性を検出する機能を有し、本実施形態では、集光点ＣＰの近傍のＥＵＶ光ＥＬの強度分布を測定する強度分布測定装置１７０Ａとして具現化される。強度分布測定装置１７０Ａは、図示しないＹ軸ステージ及びＹ軸ステージ駆動源によってＹ軸方向に移動可能に構成される。これにより、強度分布測定装置１７０Ａは、露光装置１が露光を行っている場合には、図２に示すように、ＥＵＶ光ＥＬの光路を遮らない位置に配置され、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布を測定する場合には、図３に示すように、ＥＵＶ光ＥＬの光路上に配置することができる。
【００２８】
強度分布測定装置１７０Ａの構成を図４に示す。強度分布測定装置１７０Ａは、図４に示すように、蛍光板１７２Ａと、結像光学系１７６Ａと、ＣＣＤ１７８Ａとを有する。
【００２９】
蛍光板１７２Ａは、ＥＵＶ光ＥＬの入射側に、ＥＵＶ光ＥＬを透過すると共に、２０ｎｍ以上の波長を有する紫外線光を吸収する材料（例えば、ジルコニウム（Ｚｒ））及び赤外光を吸収する材料（例えば、シリコン（Ｓｉ））から構成されるフィルタ１７４Ａを有する。蛍光板１７２Ａは、ＥＵＶ光ＥＬと同様に照明光学系２００に向かう紫外線光及び赤外光をフィルタ１７４Ａで吸収し、集光点ＣＰからのＥＵＶ光ＥＬを可視光ＶＬに変換する。可視光ＶＬは、露光に用いるＥＵＶ光ＥＬに比例した強度を有する。
【００３０】
結像光学系１７６Ａは、蛍光板１７２Ａと２次元の可視光検出器であるＣＣＤ１７８Ａとを結像関係にする光学系である。これにより、ＣＣＤ１７８Ａからの出力（検出結果）は、蛍光板１７２Ａ上のＥＵＶ光ＥＬの強度分布を示すことになり、強度分布測定装置１７０Ａは、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布を測定することができる。但し、強度分布測定装置１７０Ａは、かかる構成に限るものではなく、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布が２次元的に検出できるものであればよい。また、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布が必ず軸対称であるならば、強度分布測定装置１７０Ａは、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布を１次元的に検出できるものでも構わない。
【００３１】
図３に示したプラズマＰＬの位置及びプラズマＰＬの位置に対応して決まる集光点ＣＰの位置は、光源装置１００を構成する電極１１４、デブリフィルタ１２０及び集光ミラー１３０の初期状態における位置であり、強度分布測定装置１７０Ａを用いて測定したＥＵＶ光ＥＬの強度分布を図５に示す。図５に示すＥＵＶ光ＥＬの強度分布は、蛍光板１７２ＡでのＥＵＶ光ＥＬの像と同様となっており、白い部分ＷＰにＥＵＶ光ＥＬが照射され、黒い部分ＢＰにはＥＵＶ光ＥＬが照射されていない。
【００３２】
光源装置１００を長期間にわたって運転（使用）することで、電極１１４がプラズマＰＬの熱による溶解等で劣化し、図３に示した初期状態とは異なる位置にプラズマＰＬ１が生成された場合を図６に示す。プラズマＰＬ１は、初期状態のプラズマＰＬの位置よりもＺ軸のマイナス方向に位置し、集光点ＣＰ１も対応して、初期状態の集光点ＣＰの位置よりもＺ軸のマイナス方向に位置する。図６に示す状態において、強度分布測定装置１７０Ａを用いて測定したＥＵＶ光ＥＬの強度分布を図７に示す。図７に示すＥＵＶ光ＥＬの強度分布は、蛍光板１７２ＡでのＥＵＶ光ＥＬの像と同様となっており、白い部分ＷＰ’にＥＵＶ光ＥＬが照射され、黒い部分ＢＰ’にはＥＵＶ光ＥＬが照射されていない。
【００３３】
図７を参照するに、蛍光板１７２ＡでのＥＵＶ光ＥＬの像は、図５に示した初期状態のＥＵＶ光ＥＬの像と比較して、外径が大きくなっており、初期状態とは強度分布が異なっている。従って、この状態では、レチクル３００を均一に照明することができなくなり、解像度などの露光装置１の性能が低下する。
【００３４】
このような場合には、図８に示すように、ステージ１４０を駆動し、生成部１１０をＺ軸のプラス方向に移動させることによって、プラズマＰＬ１の位置を初期の位置である（図３に示す）プラズマＰＬの位置と一致させる。その結果、集光点ＣＰ１の位置は、初期の位置である（図３に示す）集光点ＣＰの位置と一致し、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布が初期状態と一致する。従って、強度分布測定装置１７０Ａを用いて測定したＥＵＶ光ＥＬの強度分布は、初期状態と同様な図５となる。これにより、図９に示すように、強度分布測定装置１７０ＡをＥＵＶ光ＥＬの光路外に退避させることによって、図２に示す初期状態と同様の性能で露光を行うことが可能となる。ここで、図８は、プラズマＰＬ１の位置を初期の位置に補正した状態を示す光源装置１００の概略断面図である。図９は、図８において強度分布測定装置１７０ＡをＥＵＶ光ＥＬの光路外に退避させた光源装置１００の概略断面図である。
【００３５】
強度分布測定装置１７０Ａを用いたＥＵＶ光ＥＬの強度分布の測定は、露光装置１の稼働（露光）中のうち、例えば、ウェハの交換時などのＥＵＶ光ＥＬが必要ないタイミングで行うことが好ましい、これにより、スループットを落とすことなく、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布の測定が可能となる。また、ＥＵＶ光ＥＬの強度分布の測定を行う時間間隔は、プラズマＰＬの位置の変化速度に応じて設定すればよく、例えば、時間あたりの変化が少ないと予想される場合には時間間隔を長く設定し、時間あたりの変化が大きいと予想される場合には時間間隔を小さく設定する。
【００３６】
本実施形態では、強度分布測定装置１７０ＡがＥＵＶ光ＥＬの強度分布を測定（配置）する位置を、集光点ＣＰと照明光学系２００（詳細には、照明光学系２００の最も光源装置１００側の照明系ミラー２１０）との間としたが、これに限定するものではない。例えば、強度分布測定装置１７０Ａは、集光点ＣＰの近傍や、図１０に示すように、集光ミラー１３０と集光点ＣＰの位置との間に配置してもよいが、プラズマＰＬからのノイズの影響が大きくなる可能性があるため、この観点からは、集光点ＣＰと照明光学系２００との間に配置することが好ましい。但し、照明光学系２００よりも後段でＥＵＶ光ＥＬの特性を検出すると、光源装置１００を構成する要素の劣化に、照明光学系２００を構成する要素の劣化の要因が加わり、ＥＵＶ光ＥＬの特性の変化の要因が分離できないため、好ましくない。ここで、図１０は、集光ミラー１３０と集光点ＣＰの位置との間に強度分布測定装置１７０Ａを配置した場合の光源装置１００を示す概略断面図である。
【００３７】
また、本実施形態では、光源装置１００を長期間にわたって運転（使用）することで、プラズマＰＬの位置がＺ軸方向に変化する場合を説明したが、例えば、プラズマＰＬの位置がＹ軸方向に変化する場合は、生成部１１０をＹ軸方向に移動させてプラズマＰＬの位置を補正すればよい。
【００３８】
このように、光源装置１００は、集光点ＣＰから発散する発散角度内でのＥＵＶ光ＥＬの強度分布を強度分布測定装置１７０Ａによって検出し、かかる検出結果を基にプラズマＰＬの位置を補正することで、レチクル３００を安定して均一に照明することが可能となる。また、光源装置１００は、レチクル３００の照明の均一化により、照明光学系２００が有する照明均一化のためのオプティカルインテグレーターを最小限にすることができる。これにより、ＥＵＶ光ＥＬの強度を低下させる要因である反射面の数を低減することができ、効率のよい照明が可能となるため、スループットの高い露光装置を実現することができる。更に、光源装置１００は、光源装置１００を構成する部材に劣化が生じても露光装置１としては初期と変わらない性能を維持することができ、光源装置１００を交換するまでの寿命が長くなり、ランニングコストの低減につながるというメリットも有する。
【００３９】
また、強度分布測定装置１７０Ａは、図１１に示すように、Ｚ軸方向に移動可能し、Ｚ軸上の少なくとも２つの位置（本実施形態では、位置ＺＡ及び位置ＺＢ）でのＥＵＶ光ＥＬの強度分布を測定できるように構成してもよい。ここで、図１１は、露光装置１の光源装置１００の構成を示す概略断面図である。
【００４０】
図３に示す構成においては、光源装置１００の長期運転により、例えば、集光ミラー１３０の外周側のミラー１３２のみが劣化し、ＥＵＶ光ＥＬを反射しなくなった場合には、集光点ＣＰからの発散角度が変化するため、集光点ＣＰの位置を把握することができない。一方、図１１に示す構成においては、光源装置１００の長期運転により、集光点ＣＰからの発散角度に変化が生じても、強度分布測定装置１７０Ａは、位置ＺＡ及び位置ＺＢの少なくとも２つの位置でＥＵＶ光ＥＬの強度を検出することができるため、集光点ＣＰの位置を把握することができる。これにより、上述したように、ステージ１４０を駆動して適切な位置にプラズマＰＬの位置を補正することができる。
【００４１】
なお、ピンホールカメラ等でプラズマＰＬの像を撮影し、撮影された像の位置に基づいて、ステージ１４０を駆動して（即ち、生成部１１０を移動して）プラズマＰＬの位置を補正することも考えられる。しかし、プラズマＰＬの周辺に配置される部材による制約から、ピンホールカメラの撮影光軸とＺ軸とのなす角を大きくすることは難しく、プラズマＰＬのＺ軸上での位置を精度よく検出することは困難である。
【００４２】
光源装置１００の検出手段１７０は、強度分布測定装置１７０Ａに限定するものではなく、図１２に示すように、強度検出器１７０Ｂを用いてもよい。図１２は、検出手段１７０として強度検出器１７０Ｂを用いた光源装置１００の構成を示す概略断面図である。
【００４３】
強度検出器１７０Ｂは、アパーチャ１５２の直後、且つ、ＥＵＶ光ＥＬの光路上に挿脱可能に設けられ、ＥＵＶ光ＥＬの強度を検出する。強度検出器１７０Ｂは、例えば、ＥＵＶ光ＥＬの入射側に、ＥＵＶ光ＥＬを透過すると共に、２０ｎｍ以上の波長を有する紫外線光を吸収する材料（例えば、ジルコニウム（Ｚｒ））及び赤外光を吸収する材料（例えば、シリコン（Ｓｉ））から構成されるフィルタを有するフォトダイオード又はＣＣＤで構成され、ＥＵＶ光ＥＬの強度に比例した信号を出力する。
【００４４】
光源装置１００の長期運転によって光源装置１００を構成する部材に劣化が生じ、集光点ＣＰの位置が変化する場合、集光点ＣＰの位置はアパーチャ１５２から離れる。従って、アパーチャ１５２によって遮られるＥＵＶ光ＥＬが生じ、アパーチャ１５２を通過するＥＵＶ光ＥＬの強度は低下する。かかる強度の低下を強度検出器１７０Ｂで検出することで、ＥＵＶ光ＥＬの強度が初期と同様になるようにステージ１４０を駆動し、プラズマＰＬの位置を調整することができる。
【００４５】
また、後段の照明光学系２００において、光源装置１００からのＥＵＶ光ＥＬが最初に入射する光学素子が、図１３に示すように、凹面鏡２３２と凸面鏡２３４から構成されるシュバルツシルト反射鏡２３０で構成される場合、集光点ＣＰから発散するＥＵＶ光ＥＬのうち、レチクル３００の照明には用いない（即ち、Ｚ軸とのなす角が小さい）ＥＵＶ光ＥＬ１のみの強度を検出する位置に、強度検出器１７０Ｂを配置することが可能である。これにより、光源装置１００の運転中（プラズマＰＬの生成中）において、常にＥＵＶ光ＥＬ１の強度を検出することができる。ここで、図１３は、検出手段１７０として強度検出器１７０Ｂを用いた光源装置１００の構成を示す概略断面図である。
【００４６】
例えば、プラズマＰＬの位置の変動により、集光点ＣＰの位置がＺ軸のプラス方向に変化した場合には、強度検出器１７０Ｂに入射するＥＵＶ光ＥＬ１が多くなるために強度検出器１７０Ｂが検出する強度は大きくなり、集光点ＣＰの位置がＺ軸のマイナス方向に変化した場合には、強度検出器１７０Ｂに入射するＥＵＶ光ＥＬ１が少なくなるために強度検出器１７０Ｂが検出する強度は小さくなる。これを利用することによって、強度検出器１７０Ｂが検出するＥＵＶ光ＥＬ１の強度に基づいて、集光点ＣＰの位置が適正な位置となるように、プラズマＰＬの位置を調整することができる。
【００４７】
本実施形態では、露光に用いないＥＵＶ光ＥＬ１によって集光点ＣＰの位置を検出するため、露光中常に、集光点ＣＰの位置を検出することができる。従って、光源装置１００を構成する部材の劣化等を要因とする長期間の変動のみならず、振動や温度変化などを要因とする短期間の変動も把握することが可能であり、強度検出器１７０Ｂの検出するＥＵＶ光ＥＬ１の強度が一定となるように制御することができる。また、レチクル３００での照明むらに影響がない範囲において、強度検出器１７０Ｂが検出するＥＵＶ光ＥＬ１の強度が所定の範囲内となるように制御することもできる。
【００４８】
これまでは、放電プラズマ方式の光源装置１００を説明してきたが、放電型プラズマ光源に限定するものではなく、レーザープラズマ方式のレーザープラズマ光源も同様に構成することができる。図１４は、図１３に示す光源装置１００をレーザープラズマ方式として構成した光源装置１００Ａを示す概略断面図である。
【００４９】
光源装置１００Ａは、レーザープラズマ光源であり、図１４に示すように、生成部１１０Ａと、集光ミラー１３０Ａとを有する。
【００５０】
生成部１１０Ａは、ターゲット材である液体を供給する図示しないノズルと、ターゲット材にレーザー光ＬＬを集光するレーザー集光光学系１１２Ａとを有し、ステージ１４０上に固定されている。生成部１１０Ａは、ターゲット材に集光したレーザー光ＬＬを照射することによって、プラズマＰＬを生成する。かかるプラズマＰＬからＥＵＶ光ＥＬが発生する。
【００５１】
プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬは、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）とを交互に積層した多層膜が形成された回転楕円面形状の集光ミラー１３０Ａによって反射され、集光点ＣＰに集光する。
【００５２】
プラズマＰＬの位置がＺ軸上で変化すると、集光点ＣＰの位置も変化するが、上述したように、強度検出器１７０Ｂが検出するＥＵＶ光ＥＬ１の強度に基づいて、集光点ＣＰの位置が適正な位置となるように、プラズマＰＬの位置を調整することができる。
【００５３】
なお、これまでは、検出手段１７０は、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬを集光する集光ミラー１３０又は１３０Ａと照明光学系２００との間における集光点ＣＰの位置、集光点ＣＰにおけるＥＵＶ光ＥＬの強度、集光点ＣＰから発散する発散角度内での強度分布のうちの少なくとも１つを検出したが、ＥＵＶ光ＥＬの特性を検出する物理量はこれらに限定されるものではない。同様に、これまでは、検出手段１７０の検出するＥＵＶ光ＥＬの特性に基づいて、プラズマＰＬの位置を補正していたが、補正する対称はプラズマＰＬの位置に限定するものではない。
【００５４】
例えば、照明光学系２００に入射するＥＵＶ光ＥＬのスペクトルを検出し、かかる検出結果に基づいて（即ち、検出したＥＵＶ光ＥＬのスペクトルからプラズマＰＬのプラズマ電子温度が最適であるかどうかを把握し）、プラズマＰＬのプラズマ電子温度を調整してもよい。
【００５５】
検出手段１７０をスペクトル測定装置１７０Ｃとし、スペクトル測定装置１７０Ｃが検出するＥＵＶ光ＥＬのスペクトルに基づいて、プラズマＰＬのプラズマ電子温度を調整する光源装置１００を図１５に示す。図１５を参照するに、照明系チャンバ２５０に入射したＥＵＶ光ＥＬのほとんどは、上述したように、照明系ミラー２１０で反射されるが、一部のＥＵＶ光ＥＬは照明系ミラー２１０に入射せず、スペクトルを測定するための被測定光ＭＬとしてスペクトル測定装置１７０Ｃに入射する。
【００５６】
被測定光ＭＬは、照明光学系２００を構成する光学素子を介さない光であるので、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬを集光する集光ミラー１３０と照明光学系２００との間の位置における集光点ＣＰでのスペクトルとほぼ同じである。
【００５７】
スペクトル測定装置１７０Ｃの構成を図１６に示す。スペクトル測定装置１７０Ｃは、アパーチャ１７１Ｃと、高次光カットミラー１７２Ｃ及び１７３Ｃと、可視光カットフィルタ１７４Ｃと、平面結像型回折格子１７５Ｃと、エッジアパーチャ１７６Ｃと、ＣＣＤ１７７Ｃとを有する。なお、以下では、図１６に示すように、被測定光ＭＬの光軸をＺ軸とする座標軸を用いると共に、ＣＣＤ１７７Ｃにおける座標として、ＣＣＤ１７７Ｃの横、縦、奥行きをｘ軸、ｙ軸、ｚ軸とする座標軸を用いて説明する。
【００５８】
図１６を参照するに、被測定光ＭＬは、アパーチャ１７１Ｃで整形され、例えば、表面（入射面）にダイヤモンドライクカーボンをコーティングした高次光カットミラー１７２Ｃ及び１７３Ｃで反射され、測定波長域の高次光に相当する波長成分が取り除かれる。
【００５９】
次いで、被測定光ＭＬは、例えば、ジルコニウム（Ｚｒ）薄膜で構成される可視光カットフィルタ１７４Ｃによって可視光や赤外光がカットされ、平面結像型回折格子１７５Ｃに対して略垂直方向の向きに設けたＹ軸角度を制限するエッジアパーチャ１７６ＣによってＹＺ平面内での特定方向へ制限される。
【００６０】
更に、被測定光ＭＬは、平面結像型回折格子１７５Ｃに入射してｙ軸方向に波長分散し、検出器であるＣＣＤ１７７Ｃに、短波長はｙ軸のマイナス側、長波長はｙ軸のプラス側に分散されて入射する。これにより、ＣＣＤ１７７Ｃの出力は各波長の強度に比例した信号となり、かかる波長毎の信号強度を波長毎に高次光カットミラー１７２Ｃ及び１７３Ｃの反射率、可視光カットフィルタ１７４Ｃの透過率、平面結像型回折格子１７５Ｃの回折効率で除算することによって、波長毎の強度比、即ち、スペクトルを検出することができる。但し、スペクトル測定装置１７０Ｃは、かかる構成に限るものではなく、被測定光ＭＬ（ＥＵＶ光ＥＬ）の強度等に応じて他の構成であってもよい。なお、スペクトル測定装置１７０Ｃが検出した被測定光ＭＬ（ＥＵＶ光ＥＬ）のスペクトルは、プラズマＰＬのプラズマ電子温度を調整する調整手段１８０に送られる。
【００６１】
スペクトル測定装置１７０Ｃで検出される被測定光ＭＬのスペクトルは、プラズマＰＬを生成するガスをキセノン（Ｘｅ）とすると、光源装置１００の構成部材が劣化していない場合、図１７に示すようなグラフとなる。ＥＵＶ露光装置では、１３．５ｎｍ近傍である約２％のバンド幅のＥＵＶ光、即ち、約１３．３６５ｎｍ乃至１３．６３５ｎｍの波長を有する光（以下、「１３．５ｎｍ２％バンド幅の光」と称する。）が用いられ、それに対応した１３．５ｎｍのピークは、Ｉ１３．５ｎｍの強度を有するが、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬは、１３．５ｎｍに対応したエネルギー遷移以外のエネルギー遷移の光、即ち、１３．５ｎｍ以外の波長を有する光も多く含まれ、そのうち１１ｎｍの波長を有する光が最も強度が強く、Ｉ１１ｎｍの強度を有する。
【００６２】
光源装置１００の構成部材が劣化していない場合では、プラズマＰＬのプラズマ電子温度は、３０ｅＶ程度の最適化された温度となっており、その結果、露光に用いる１３．５ｎｍ２％バンド幅の光が露光に必要な十分な強度を有し、また、それ以外の光は、露光装置１を構成する何れかの部材に吸収される。なお、吸収された光は露光装置１にとって熱負荷となるが、かかる熱負荷は露光装置１の冷却能力を上回らないように設定されている。また、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬの強度角度分布などの特性も、レチクル３００での照明むらがないような状態となっている。
【００６３】
しかし、光源装置１００の構成部材が劣化し、例えば、電極１１４の形状が変わることによってプラズマＰＬの状態が変わるため、プラズマＰＬのプラズマ電子温度は変化する。プラズマＰＬのプラズマ電子温度が最適なプラズマ電子温度よりも低くなると、スペクトル測定装置１７０Ｃが検出するスペクトルは、図１８に示すように、１３．５ｎｍのピークはＩ’１３．５ｎｍの強度に、１１ｎｍの波長を有する光はＩ’１１ｎｍの強度に変わる。即ち、プラズマＰＬのプラズマ電子温度が最適なプラズマ電子温度よりも低い場合には、（Ｉ’１１ｎｍ／Ｉ’１３．５ｎｍ）＜（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）となる。また、プラズマＰＬのプラズマ電子温度が最適なプラズマ電子温度よりも高い場合には、（Ｉ’１１ｎｍ／Ｉ’１３．５ｎｍ）＞（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）となる。
【００６４】
プラズマＰＬのプラズマ電子温度が最適なプラズマ電子温度でない場合には、１３．５ｎｍ２％バンド幅の光が露光に必要な十分な強度に満たなかったり、十分な強度はあるものの露光装置１の熱負荷が過大になったり、また、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬの強度角度分布がレチクル３００での照明むらを生じるようなものになるなど、露光装置１の性能を損なうことになる。
【００６５】
調整手段１８０は、スペクトル測定装置１７０Ｃが検出した被測定光ＭＬのスペクトルから、（１１ｎｍの強度／１３．５ｎｍの強度）を算出すると共に、プラズマ電子温度が最適な場合の（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）と比較し、（１１ｎｍの強度／１３．５ｎｍの強度）＜（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）であればプラズマ電子温度が最適な状態よりも低いと判断し、プラズマＰＬのプラズマ電子温度が（１１ｎｍの強度／１３．５ｎｍの強度）＝（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）となるように、電極１１４への印加電圧を上げる。また、プラズマ電子温度が最適な場合の（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）と比較し、（１１ｎｍの強度／１３．５ｎｍの強度）＞（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）であればプラズマ電子温度が最適な状態よりも高いと判断し、プラズマＰＬのプラズマ電子温度が（１１ｎｍの強度／１３．５ｎｍの強度）＝（Ｉ１１ｎｍ／Ｉ１３．５ｎｍ）となるように、電極１１４への印加電圧を下げる。
【００６６】
このように、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬを集光する集光ミラー１３０と照明光学系２００との間の位置におけるＥＵＶ光ＥＬのスペクトル特性からプラズマＰＬのプラズマ電子温度を調整し、プラズマＰＬのプラズマ電子温度を常に最適に維持することによって、安定して露光を行うことができる。なお、プラズマ電子温度の判断には、１１ｎｍ及び１３．５ｎｍの強度だけではなく、プラズマ電子温度の変化によって強度比が変化する２つの波長を用いればよく、他の波長のＥＵＶ光や紫外光及び可視光であってもよい。また、プラズマＰＬを生成するガスの種類に応じて、プラズマ電子温度の変化によって強度比が変化する２つの波長を選択すればよい。また、プラズマＰＬのプラズマ電子温度を制御するパラメータは、電極１１４への印加電圧に限らず、例えば、プラズマＰＬを生成するガスの流量などのプラズマ電子温度を変えることができるものであればよい。
【００６７】
また、検出手段１７０としてのスペクトル測定装置１７０Ｃ及び調整手段１８０は、図１９に示すように、レーザープラズマ方式の光源装置１００Ａにも適用することができる。図１９は、図１５に示す光源装置１００をレーザープラズマ方式として構成した光源装置１００Ａを示す概略断面図である。
【００６８】
レーザープラズマ方式の光源装置１００Ａでは、ターゲット材を供給するノズルが劣化し、供給するターゲット材の密度が変動することなどによってプラズマＰＬのプラズマ電子温度が変化する可能性がある。図１９を参照するに、集光点ＣＰからのＥＵＶ光ＥＬのうち、照明光学系２００のシュバルツシルト反射鏡２３０に入射しない光が被測定光ＭＬとしてスペクトル測定装置１７０Ｃに入射する。
【００６９】
スペクトル測定装置１７０Ｃで検出される被測定光ＭＬのスペクトルは、図２０に示すグラフのように、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬに集光ミラー１３０Ａの反射率を乗じたものとなるため、ＥＵＶ光の波長領域では１３．５ｎｍ近傍のみの波長成分が存在するが、複数のエネルギー遷移に応じた複数の輝線が存在する。
【００７０】
調整手段１８０は、スペクトル測定装置１７０Ｃで検出される被測定光ＭＬのスペクトル（即ち、複数の輝線のうちの２つの強度比）から、プラズマＰＬのプラズマ電子温度が最適であるかどうか判断する。図２０を参照するに、波長λ１での強度をＩλ１、波長λ２での強度をＩλ２とし、且つ、λ１＜λ２である場合、調整手段１８０は、（Ｉλ１／Ｉλ２）＜最適なプラズマ電子温度での（波長λ１の強度／波長λ２での強度）であればプラズマ電子温度が最適な状態よりも低いと判断し、（Ｉλ１／Ｉλ２）＞最適なプラズマ電子温度での（波長λ１の強度／波長λ２での強度）であればプラズマ電子温度が最適な状態よりも高いと判断する。更に、調整手段１８０は、最適なプラズマ電子温度よりも低いと判断した場合には、ステージ１４０を介してレーザー集光光学系１１２ＡをＺ軸方向に移動させることによってレーザー光ＬＬをターゲット材上で絞って集光面積を小さくし、レーザー光ＬＬのパワー密度を大きくしてプラズマＰＬのプラズマ電子温度を高くする。また、最適なプラズマ電子温度よりも高いと判断した場合には、ステージ１４０を介してレーザー集光光学系１１２ＡをＺ軸方向に移動させることによってレーザー光ＬＬのターゲット材上での集光面積を大きくし、レーザー光ＬＬのパワー密度を小さくしてプラズマＰＬのプラズマ電子温度を低くする。
【００７１】
このように、光源装置１００Ａは、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬを集光する集光ミラー１３０Ａと照明光学系２００との間の位置におけるＥＵＶ光ＥＬのスペクトル特性を基に、プラズマＰＬのプラズマ電子温度を補正して最適な温度に維持することができる。なお、プラズマＰＬのプラズマ電子温度を制御するパラメータは、レーザー光ＬＬのパワー密度に限らず、例えば、レーザー光ＬＬのパルス幅などのプラズマ電子温度を変えることができるものであればよい。
【００７２】
以上のように、光源装置１００及び１００Ａは、プラズマＰＬからのＥＵＶ光ＥＬを集光する集光ミラー１３０及び１３０Ａと照明光学系２００との間の位置におけるＥＵＶ光ＥＬの特性（例えば、集光点ＣＰの位置、集光点ＣＰにおけるＥＵＶ光ＥＬの強度、集光点ＣＰから発散する発散角度内での強度分布及びスペクトル）を検出し、かかる検出結果に基づいてプラズマＰＬの状態を補正することで、レチクル３００を安定して均一に照明することができる。
【００７３】
再び、図１に戻って、照明光学系２００は、レチクル３００を照明する光学系であり、上述したように、照明系ミラー２１０、オプティカルインテグレーター２２０、シュバルツシルト反射鏡２３０などから構成される。また、照明光学系２００は、レチクル３００と共役な位置に、レチクル３００の照明領域を円弧状に限定するためのアパーチャを有してもよい。
【００７４】
レチクル３００は、反射型レチクルで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ４００に支持及び駆動されている。レチクル３００から発せられた回折光は、投影光学系５００で反射されて被処理体６００上に投影される。レチクル３００と被処理体６００とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル３００と被処理体６００を走査することによりレチクル３００のパターンを被処理体６００上に縮小投影する。
【００７５】
レチクルステージ４００は、レチクル３００を支持して図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ４００は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にレチクルステージ４００を駆動することでレチクル３００を移動することができる。露光装置１は、レチクル３００と被処理体６００を同期した状態で走査する。ここで、レチクル３００又は被処理体６００面内で走査方向をＸ、それに垂直な方向をＹ、レチクル３００又は被処理体６００面内に垂直な方向をＺとする。
【００７６】
投影光学系５００は、複数の反射ミラー（即ち、多層膜ミラー）５１０を用いて、レチクル３００面上のパターンを像面である被処理体６００上に縮小投影する。複数のミラー５１０の枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル３００と被処理体６００を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系５００の開口数（ＮＡ）は、０．２乃至０．３程である。
【００７７】
被処理体６００は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体６００には、フォトレジストが塗布されている。
【００７８】
ウェハステージ７００は、ウェハチャックを介して被処理体６００を支持する。ウェハステージ７００は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体６００を移動する。レチクル３００と被処理体６００は、同期して走査される。また、レチクルステージ４００の位置とウェハステージ７００との位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００７９】
アライメント検出機構８００は、レチクル３００の位置と投影光学系５００の光軸との位置関係、及び、被処理体６００の位置と投影光学系５００の光軸との位置関係を計測し、レチクル３００の投影像が被処理体６００の所定の位置に一致するようにレチクルステージ４００及びウェハステージ７００の位置と角度を設定する。
【００８０】
フォーカス位置検出機構９００は、被処理体６００面でフォーカス位置を計測し、ウェハステージ７００の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体６００面を投影光学系５００による結像位置に保つ。
【００８１】
露光において、光源装置１００から射出されたＥＵＶ光ＥＬはレチクル３００を照明し、投影光学系５００によりレチクル３００面上のパターンを被処理体６００面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、レチクル３００と被処理体６００を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル３００の全面を露光する。露光装置１に用いられる光源装置１００は、レチクル３００を均一に照明するためのＥＵＶ光ＥＬを安定して供給することができる。従って、露光装置１は、優れた露光性能を達成し、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００８２】
次に、図２１及び図２２を参照して、上述の露光装置１を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図２１は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、マスクとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する行程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００８３】
図２２は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１によってマスクの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００８４】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】図１に示す露光装置の光源装置の構成を示す概略断面図である。
【図３】図１に示す露光装置の光源装置の構成を示す概略断面図である。
【図４】図２及び図３に示す強度分布測定装置の構成を示す概略断面図である。
【図５】図３における集光点近傍のＥＵＶ光の強度分布を示す図である。
【図６】図３に示す光源装置の電極が劣化した場合の一例を示す図である。
【図７】図６における集光点近傍のＥＵＶ光の強度分布を示す図である。
【図８】図６に示すプラズマの位置を初期の位置に補正した状態を示す光源装置の概略断面図である。
【図９】図８において強度分布測定装置をＥＵＶ光の光路外に退避させた光源装置の概略断面図である。
【図１０】集光ミラーと集光点の位置との間に強度分布測定装置を配置した場合の光源装置を示す概略断面図である。
【図１１】図１に示す露光装置の光源装置の構成を示す概略断面図である。
【図１２】図１に示す露光装置の光源装置の構成を示す概略断面図である。
【図１３】図１に示す露光装置の光源装置の構成を示す概略断面図である。
【図１４】図１３に示す光源装置をレーザープラズマ方式として構成した光源装置を示す概略断面図である。
【図１５】図１に示す露光装置の光源装置の構成を示す概略断面図である。
【図１６】図１５に示すスペクトル測定装置の構成を示す概略斜視図である。
【図１７】図１６に示すスペクトル測定装置で検出されるスペクトルの一例を示すグラフである。
【図１８】図１６に示すスペクトル測定装置で検出されるスペクトルの一例を示すグラフである。
【図１９】図１５に示す光源装置をレーザープラズマ方式として構成した光源装置を示す概略断面図である。
【図２０】図１９に示すスペクトル測定装置で検出されるスペクトルの一例を示すグラフである。
【図２１】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図２２】図２１に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００８６】
１                        露光装置
１００及び１００Ａ        光源装置
１１０及び１１０Ａ        生成部
１１２                    ノズル
１１４                    電極
１１２Ａ                  レーザー集光光学系
１２０                    デブリフィルタ
１３０及び１３０Ａ        集光ミラー
１４０                    ステージ
１５０                    光源チャンバ
１５２                    アパーチャ
１７０                    検出手段
１７０Ａ                  強度分布測定装置
１７０Ｂ                  強度検出器
１７０Ｃ                  スペクトル測定装置
１８０                    調整手段
２００                    照明光学系
２１０                    照明系ミラー
２２０                    オプティカルインテグレーター
２３０                    シュバルツシルト反射鏡
２５０                    照明系チャンバ
ＰＬ                      プラズマ
ＣＰ                      集光点
ＭＬ                      被測定光
【図１】
2006128342.tif 000003
【図２】
2006128342.tif 000004
【図３】
2006128342.tif 000005
【図４】
2006128342.tif 000006
【図５】
2006128342.tif 000007
【図６】
2006128342.tif 000008
【図７】
2006128342.tif 000009
【図８】
2006128342.tif 000010
【図９】
2006128342.tif 000011
【図１０】
2006128342.tif 000012
【図１１】
2006128342.tif 000013
【図１２】
2006128342.tif 000014
【図１３】
2006128342.tif 000015
【図１４】
2006128342.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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