(57)【要約】【課題】  半田の再溶融による流れ出しを防止した回路基板を提供する。【解決手段】  回路基板は、表面に複数の電極パッド１１が形成された配線基板１と、電極パッド１１に半田を介して接続された電子部品２１と、電子部品２１を封止するように表面に形成された樹脂部４１とを備える。配線基板１の表面には、複数の溝３１が形成されている。溝３１は、互いに隣り合う電極パッド１１の間に延びるように複数配置され、溝３１は、互いに実質的に分離して形成されている。溝３１は、隣り合う電極パッド１１のうち、一の電極パッド１１を他の電極パッド１１に投影したときに影となる領域を横断するように形成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数の第１の電極が形成された基体と、
前記第１の電極に半田を介して接続された電子部品と、
前記電子部品を封止するように前記基体の表面に形成された第１の樹脂部と
を備え、
前記表面に複数の第１の溝が形成され、
前記第１の溝は、互いに隣り合う前記第１の電極の間に延びるように複数配置され、
前記第１の溝は、互いに実質的に分離して形成され、
前記第１の溝は、隣り合う前記第１の電極のうち、一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成された、回路基板。
【請求項２】
前記第１の樹脂部が形成されている前記基体の表面と反対側の表面に、内部に電子部品が封止された第２の樹脂部を備える、請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記基体の反対側の表面に複数の第２の電極および複数の第２の溝が形成され、
前記第２の溝は、互いに隣り合う前記第２の電極の間に延びるように複数配置され、
前記第２の溝は、互いに実質的に分離して形成され、
前記第２の溝は、隣り合う前記第２の電極のうち、一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成された、請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第１の樹脂部の表面に、内部に電子部品が封止された第３の樹脂部を備える、請求項１から３のいずれかに記載の回路基板。
【請求項５】
前記第１の樹脂部の表面に複数の第３の電極および複数の第３の溝が形成され、
前記第３の溝は、互いに隣り合う前記第３の電極の間に延びるように複数配置され、
前記第３の溝は、互いに実質的に分離して形成され、
前記第３の溝は、隣り合う前記第３の電極のうち一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成された、請求項４に記載の回路基板。
【請求項６】
前記第１の溝の延びる方向において、前記一の電極の長さよりも前記他の電極の長さの方が長くなるように形成され、
前記一の電極と前記他の電極との間に配置された前記第１の溝は、前記他の電極の前記第１の溝の延びる方向の長さよりも短くなるように形成された、請求項１から５のいずれかに記載の回路基板。
【請求項７】
互いに隣り合う前記第１の電極同士の間隔が２以上ある場合に、少なくとも前記間隔が最大である前記第１の電極同士の間を避けた領域に前記第１の溝が形成されている、請求項１から６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項８】
前記第１の電極同士の間の全てに前記第１の溝が形成された、請求項１から６のいずれかに記載の回路基板。
【請求項９】
表面に複数の電極が形成された基体と、
前記電極に半田を介して接続された電子部品と、
前記電子部品を封止するように前記表面に形成された第１の樹脂部と
を備え、
前記表面に複数の孔が形成され、
前記孔は、互いに実質的に分離して形成され、
前記孔は、複数の列になるように配列され、
前記孔の列は、互いに隣り合う前記電極の間に延びるように複数配置され、
前記孔の列は、隣り合う前記電極のうち、一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成された、回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に関する。特に、表面に電子部品が配置され、この電子部品が樹脂封止された回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の中には、配線基板の表面に電子部品が実装された回路基板が内蔵されている。電子部品は、回路基板の表面に形成された電極パッドに固定されることにより、回路基板の表面または内部の電気回路と電気的に接続されている。さらに回路基板の中には、表面に配置された電子部品が樹脂によって封止されたものがある。
【０００３】
図１８に、従来技術に基づく回路基板において、電子部品が表面に実装された部分の拡大概略断面図を示す。配線基板１の表面に電極パッド１１が配置され、電極パッド１１に電子部品２１が接合されている。配線基板１の表面には、電子部品２１および電極パッド１１を取囲むように樹脂部４１が形成されている。電子部品２１は、樹脂部４１に封止されている。
【０００４】
従来技術に基づく回路基板は、配線基板の表面が平面状に形成されている。図１８に示す回路基板においては、配線基板１の表面が平面状に形成され、この表面に電極パッド１１が配置されている。
【０００５】
このような、配線基板の表面に電子部品が配置され、樹脂封止が行なわれている回路基板は、たとえば、特開２００３−１８８３４０号公報に開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１８８３４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図１８を参照して、電子部品２１は、半田によって電極パッド１１に接合されている。配線基板１の表面には、配線パターンや他の電子部品が配置されている。
【０００７】
電子部品が表面に配置された回路基板を、さらに異なる基板などに実装する際には、たとえば、リフローによる半田付けが行なわれる。このときに、回路基板の温度が上昇して、先に半田付けされた電子部品の接合部分に用いられていた半田が再び溶融し、既に固定された接合部分から半田の流れ出しが生じることがあった。
【０００８】
溶融した半田は、配線基板の表面に沿って流れ出る。このとき、互いに離れた電極パッド上の半田が接触してしまうことがあった。この結果、電極パッド同士が電気的に接続されることがあった。すなわち、複数の電極パッド同士がショート（短絡）するという問題があった。また、配線基板の電子部品が実装される表面は平坦であるため、配線基板の表面に配置された封止樹脂が剥離しやすく、剥離した部分を通って再溶融した半田が流れ、さらに電極パッドまたは配線パターンの間で短絡が生じやすいという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、半田の再溶融による流れ出しを原因とする電極パッド同士のショートが抑制された回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明に基づく回路基板は、表面に複数の第１の電極が形成された基体と、上記第１の電極に半田を介して接続された電子部品と、上記電子部品を封止するように上記基体の表面に形成された第１の樹脂部とを備える。上記表面に複数の第１の溝が形成され、上記第１の溝は、互いに隣り合う上記第１の電極の間に延びるように複数配置されている。上記第１の溝は、互いに実質的に分離して形成され、上記第１の溝は、隣り合う上記第１の電極のうち、一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成されている。この構成を採用することにより、上記半田の再溶融による流れ出しを原因とする電極パッド同士のショートが抑制された回路基板を提供することができる。
【００１１】
上記発明において好ましくは、上記第１の樹脂部が形成されている上記基体の表面と反対側の表面に、内部に電子部品が封止された第２の樹脂部を備える。この構成を採用することにより、上記回路基板の小型化を図ることができる。
【００１２】
上記発明において好ましくは、上記基体の反対側の表面に複数の第２の電極および複数の第２の溝が形成され、上記第２の溝は、互いに隣り合う上記第２の電極の間に延びるように複数配置され、上記第２の溝は、互いに実質的に分離して形成され、上記第２の溝は、隣り合う上記第２の電極のうち、一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成されている。この構成を採用することにより、上記第２の電極同士のショートを抑制することができる。
【００１３】
上記発明において好ましくは、上記第１の樹脂部の表面に、内部に電子部品が封止された第３の樹脂部を備える。この構成を採用することにより、上記回路基板の小型化を図ることができる。
【００１４】
上記発明において好ましくは、上記第１の樹脂部の表面に複数の第３の電極および複数の第３の溝が形成され、上記第３の溝は、互いに隣り合う上記第３の電極の間に延びるように複数配置され、上記第３の溝は、互いに実質的に分離して形成され、上記第３の溝は、隣り合う上記第３の電極のうち一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成されている。この構成を採用することにより、上記第３の電極同士のショートを抑制することができる。
【００１５】
上記発明において好ましくは、上記第１の溝の延びる方向において、上記一の電極の長さよりも上記他の電極の長さの方が長くなるように形成され、上記一の電極と上記他の電極との間に配置された上記第１の溝は、上記他の電極の上記第１の溝の延びる方向の長さよりも短くなるように形成されている。この構成を採用することにより、上記溝の長手方向の長さを短くすることができて生産性が向上し、また、上記回路基板の強度低下を抑制することができる。
【００１６】
上記発明において好ましくは、互いに隣り合う上記第１の電極同士の間隔が２以上ある場合に、少なくとも上記間隔が最大である上記第１の電極同士の間を避けた領域に上記第１の溝が形成されている。この構成を採用することにより、上記溝の本数を減らすことができて生産性が向上し、また、上記回路基板の強度低下を抑制することができる。
【００１７】
上記発明において好ましくは、上記第１の電極同士の間の全てに上記第１の溝が形成されている。この構成を採用することにより、それぞれの上記電極パッド同士の間の短絡を確実に防止することができる。
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明に基づく回路基板は、表面に複数の電極が形成された基体と、上記電極に半田を介して接続された電子部品と、上記電子部品を封止するように上記表面に形成された第１の樹脂部とを備える。上記表面に複数の孔が形成されている。上記孔は、互いに実質的に分離して形成され、上記孔は、複数の列になるように配列されている。上記孔の列は、互いに隣り合う上記電極の間に延びるように複数配置され、上記孔の列は、隣り合う上記電極のうち、一の電極を他の電極に投影したときに影となる領域を横断するように形成されている。この構成を採用することにより、上記半田の再溶融による流れ出しを防止した回路基板を提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、半田の再溶融による流れ出しを原因とする電極パッド同士のショートが抑制された回路基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（実施の形態１）
図１から図７を参照して、本発明に基づく実施の形態１における回路基板について説明する。図１は、本実施の形態における回路基板の表面の部分の概略断面図であり、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線に関する矢視断面図である。
【００２１】
本実施の形態における回路基板は、表面に複数の電極パッド１１が形成された配線基板１と、電極パッド１１に半田を介して接続された電子部品２１と、電子部品２１を封止するように、配線基板１の表面に形成された樹脂部４１とを備える。配線基板１は、基体として形成されている。基体には、たとえばプリント配線板やセラミック基板などの単層または多層の配線基板が含まれる。電極パッドは、基体の表面に形成された第１の電極として形成されている。電極には、電極パッドの他に、たとえば基体の表面に形成された配線パターンが含まれる。
【００２２】
電子部品２１としては、たとえば、コンデンサ、インダクタ、抵抗、ダイオード、スイッチまたはＩＣ（Integrated Circuit）などが挙げられる。電子部品２１は、半田を用いて電極パッド１１に接続されている。本実施の形態における電子部品２１は、平面形状がほぼ長方形になるように形成されている。電極パッド１１は、導電性物質で形成されている。図２を参照して、本実施の形態における電極パッド１１は、平面形状がほぼ長方形になるように形成されている。
【００２３】
封止樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂が挙げられる。封止樹脂としては、この形態に限られず、電子部品を封止することができる樹脂であれば構わない。たとえば、無機フィラーが混合された樹脂であっても構わない。配線基板１と電子部品２１との間には、封止樹脂が配置されている。溝３１の内部にも封止樹脂が充填されている。
【００２４】
本実施の形態においては、配線基板１の表面に複数の溝３１が形成されている。本実施の形態においては、４本の溝３１が形成されている。溝３１は、第１の溝として形成されている。溝３１は、それぞれの平面形状が同じになるように形成されている。溝３１は、電子部品２１が接続された２つの電極パッド１１間に配置されている。溝３１の断面形状は四角形になるように形成されている。
【００２５】
図３に、電極パッド１１と溝３１との構成を説明する概略平面図を示す。２つの電極パッド１１は、長手方向が互いにほぼ平行になるように配置されている。溝３１は、電極パッド１１の長手方向とほぼ平行に延びるように直線状に形成されている。溝３１の延びる方向は、２つの電極パッド１１が配列する方向に対して垂直になるように形成されている。溝３１同士は、実質的に分離されている。本発明において、「溝が実質的に分離されている」とは、一の溝に侵入した半田が、上記一の溝に隣り合う溝に進入しない程度に、互いの溝が接続されずに分離されている状態をいう。つまり、一の溝に進入した半田が隣り合う溝に直ちに進入しない限り、両溝が連通することを妨げない状態であればよい。本実施の形態においては、それぞれの溝３１同士は、互いに接続しないように完全に分離されている。
【００２６】
溝３１は、互いに隣り合う電極パッド１１のうち、一の電極パッド１１を他の電極パッド１１に投影したときに、影になる投影領域５１を横断するように形成されている。すなわち、溝３１は、上記の影になる投影領域５１の一方の端から他方の端まで到達するように形成されている。または、複数の溝３１は、２つの電極パッド１１同士の間を完全に断絶するように形成されている。溝３１の長手方向の長さは、溝３１の長手方向の長さに平行な方向における電極パッド１１の長さよりも長くなるように形成されている。
【００２７】
図１および図２を参照して、本実施の形態における回路基板は、配線基板１の表面に溝３１が形成され、溝３１は、互いに隣り合う電極パッド１１の間に延びるように複数配置されている。配線基板１および電子部品２１を含む回路基板を他の基板に接合する際などに、回路基板の温度が上昇する場合がある。しかしながら、本実施の形態における回路基板は、温度が上昇して半田が溶融したとしても、半田が溝３１に流れ込むため、電極パッド１１同士の短絡を防止することができる。
【００２８】
また、電極パッド１１同士の間の領域に溝３１が形成されていることにより、封止樹脂と、配線基板１との接触面積が大きくなり、封止樹脂の剥離を抑制することができる。すなわち、溝３１におけるアンカー効果により、配線基板１と封止樹脂との接着強度を向上させることができ、封止樹脂の剥離を抑制することができる。この結果、剥離された部分に沿って再溶融した半田が流れることを抑制でき、電極パッド同士の短絡を防止することができる。
【００２９】
図３を参照して、本実施の形態における溝３１は、隣り合う電極パッド１１同士のうち、一の電極パッド１１を他の電極パッド１１に投影したときに、影となる投影領域５１を横断するように形成されている。この構成を採用することにより、再溶融した半田が、一方の電極パッド１１から他方の電極パッド１１に向かって流れる経路の途中に、溝３１を配置することができ、より確実に再溶融した半田を溝に導くことができる。この結果、電極パッド同士の間の短絡を防止することができる。
【００３０】
また、本実施の形態においては、基体に溝を形成するのみで、再溶融した半田の流れ出しによる電極同士の短絡を防止することができる。すなわち、容易な加工で電極同士の短絡を防止することができる。さらに、容易な加工で溝を形成できるため、基体に用いる材質の自由度が高くなる。
【００３１】
また、溝３１は、電極パッド１１同士の間に複数本形成されている。溝３１が電極パッド同士の間に１本のみ形成されている場合には、両側の電極パッドから再溶融した半田が、上記の１本の溝の内部で接触して短絡が生じる可能性がある。しかしながら、実質的に互いに接続されていない溝を２個以上形成することによって、溝の内部で二方向から流れてきた半田が接合することをより確実に防止することができる。
【００３２】
また、溝は、断面形状が四角形である場合に、溝のアスペクト比（深さ／幅）が、０．１以上２．０以下であることが好ましい。アスペクト比が２．０を超えると（すなわち溝が深くなると）、封止樹脂が溝の内部に充填されにくくなる。または、溝の内部に空間ができることがあり、この空間内の空気が膨張することに起因して封止樹脂が基体から剥がれたり、封止樹脂や基体に亀裂が生じたりすることがある。この結果、回路基板の歩留りが悪くなる。したがって、溝の断面形状が四角形である場合には、溝のアスペクト比は、２．０以下であることが好ましい。
【００３３】
反対に、溝の断面形状のアスペクト比が０．１未満であると（すなわち溝が浅いと）、再溶融した半田を流し込むための溝の表面積が小さくなって、半田を溝の内部に十分に溜めることができず、短絡を十分に抑制できなくなる。このため、溝のアスペクト比は、０．１以上であることが好ましい。
【００３４】
本実施の形態における溝は、断面形状がほぼ四角形になるように形成されているが、この形態に限られず、任意の形状を採用することができる。たとえば、溝の断面形状を半円状にすることができる。また、溝の平面形状についても任意の形状を採用することができる。溝同士の間隔については、間隔を近づけすぎると、溝を形成している基体の強度が落ちるため、複数の溝同士の間隔は、基体の強度を保てる程度に互いに離して配置されることが好ましい。
【００３５】
次に、図４から図７を参照して、本実施の形態における回路基板の製造方法について説明する。図４から図７は、それぞれの製造工程における基体の表面の部分の概略断面図である。
【００３６】
はじめに、配線などの所定のパターンが形成された基体を形成する。本実施の形態においては、基体として配線基板１を形成する。基体としては、配線基板のほか、セラミック積層基板やプリント配線基板などの任意の電気配線や電気回路が形成されたものを用いることができる。
【００３７】
次に、図５に示すように、配線基板１の表面に、溝３１を複数本形成する。本実施の形態においては、後に電子部品を接合すべき電極パッド同士の間の領域に４個の溝３１を形成する。溝３１の形成においては、ＣＯ2レーザやＹＡＧレーザなどを用いて形成することができる。溝の形成においては、形成すべき溝の形状に沿ってレーザ光を照射することにより、配線基板１の表面から凹んだ溝を形成することができる。また、配線基板１の表面に、電極としての電極パッド１１を形成する。本実施の形態においては、電極パッド１１を互いに離して２個形成する。
【００３８】
次に、図６に示すように、電極パッド１１の表面に、半田を用いて電子部品２１を接合する。電子部品２１の接続においては、たとえば、半田粉末にフラックスを加えたペースト状の半田クリームを電極パッド１１の表面に配置して、電子部品２１を加熱しながら電極パッド１１に接合する。
【００３９】
次に、図７に示すように、たとえば、ダイヤフラム式のプレス機により、所定の温度および所定の圧力に加熱および加圧しながら封止樹脂を配置する。このときの封止樹脂の温度は、封止樹脂のゲル化時間が十分に大きくなるように設定する。また、封止樹脂の温度は、気泡を含まずに封止を行なうために必要な流動性を確保できる温度で行なう。樹脂封止を行なうことによって、配線基板１の表面および電子部品２１の表面のほか、配線基板１と電子部品２１との間および溝３１の内側にも封止樹脂が配置される。
【００４０】
次に、樹脂部４１の完全硬化を行なう。たとえば、封止樹脂の熱硬化温度よりも高い温度で熱処理を行なって、封止樹脂を完全に硬化させる。このように、本発明に基づく回路基板を形成することができる。
【００４１】
本実施の形態においては、配線基板の表面に凹んだ部分を形成することによって溝を形成したが、この形態に限られず、たとえば、平面状の基体の表面から飛び出すような凸部を形成することによって溝を形成しても構わない。
【００４２】
また、本実施の形態においては、１個の電子部品を実装するための２つの電極パッド同士の間に溝を形成したが、この形態に限られず、異なる電子部品の電極パッド同士の間に溝を形成しても構わない。
【００４３】
さらに、本実施の形態においては、電極として電極パッドを形成したが、この形態に限られず、たとえば、基体の表面の電極として、基体の表面に一部が埋込まれるような配線パターンを形成しても構わない。
【００４４】
なお、回路基板は、複数の回路基板の形成が可能な大型のコア基板に電子部品および封止樹脂を配置して、その後に、ダイサーなどを用いて個々の回路基板に切断しても構わない。または、予め切断された回路基板の表面に電子部品を配置して、この後に樹脂封止を行なっても構わない。
【００４５】
本実施の形態においては、基体の一方の表面に樹脂部が形成されているが、この形態に限られず、基体の一方の表面とは反対側の他方の表面に、電子部品が封止された第２の樹脂部が形成されていても構わない。この構成を採用することにより、基体の両方の表面に電子部品を実装することができ、回路基板の小型化を図ることができる。また、より多くの機能を回路基板に備えることができる。
【００４６】
または、電子部品が封止された第１の樹脂部の表面に、さらに電子部品が封止された第３の樹脂部が形成されていても構わない。この構成を採用することにより、電子部品を平面状に並べるだけではなく、縦方向の複数層にわたって実装することができる。この結果、回路基板の小型化を図ることができる。または、より多くの機能を回路基板に備えることができる。なお、第１の樹脂部の表面には配線のみが形成され、電子部品が内蔵されていない樹脂部が形成されてもよい。
【００４７】
複数の樹脂部を積層する回路基板においては、樹脂部同士の間の界面において、本発明の溝が形成されていることが好ましい。この場合においても、たとえば、第１の樹脂部の表面に溝を形成して、電子部品を内部に含む第３の樹脂部を形成することにより、第１の樹脂部の表面に配置された電極パッド同士の短絡を防止することができる。
【００４８】
（実施の形態２）
図８から図１４を参照して、本発明に基づく実施の形態２における回路基板について説明する。図８から図１４は、回路基板において、電極パッドと溝との部分の構成を説明する平面図である。配線基板の表面に電極パッドが形成され、電極パッド同士の間に複数の溝が形成されていることは、実施の形態１と同様である。
【００４９】
図８に、本実施の形態の第１の回路基板における配線基板の概略平面図を示す。第１の回路基板において、第１の電極としての電極パッド１２は、ほぼ長方形の平面形状を有し、２つの電極パッド１２同士の間に第１の溝としての溝３２が形成されている。溝３２は、平面形状が長方形になるように３個形成されている。溝３２は、２つの電極パッド１２が配列する方向に対して、長手方向が傾斜するように形成されている。すなわち、溝３２は、平面的に見て電極パッド１２が配列する方向に対して、斜めに延びるように形成されている。
【００５０】
図９に、本実施の形態の第２の回路基板における配線基板の概略平面図を示す。第２の回路基板においては、第１の溝としての溝３３が３個形成されている。それぞれの溝３３は、平面形状が湾曲するように形成されている。この構成を採用することにより、２つの電極パッド１２同士に挟まれる領域において、溝３３の面積を大きくすることができ、溝３３に溜めておく半田の量を多くすることができる。この結果、より確実に電極パッド同士の短絡を防止することができる。
【００５１】
図１０に、本実施の形態の第３の回路基板における配線基板の概略平面図を示す。第３の回路基板においては、第１の溝としての溝３４および溝３５が形成されている。溝３４は、直線状に形成され、溝３５は、それぞれの電極パッド１２の一部を囲むように形成されている。溝３５は、電極パッド１２の平面形状に沿って形成されている。この構成を採用することにより、再溶融した半田が溝の形成されている領域の外側に向かって流れ出して、この結果、溝が形成されている領域の外側で電極パッド同士の短絡が生じることを防止できる。
【００５２】
図１１に、本実施の形態の第４の回路基板における配線基板の概略平面図を示す。第４の回路基板においては、溝の代わりに孔３０が形成されている。孔３０は、複数形成され、２列に並ぶように形成されている。矢印６１は、孔３０の第１の列を示す。矢印６２は、孔３０の第２の列を示す。孔３０の２つの列は、互いに隣り合う電極パッド１２同士の間に延びるように配置され、それぞれの孔３０の列は、一の電極パッド１２を他の電極パッド１２に投影したときに影になる領域を横断するように形成されている。
【００５３】
第１の列の孔３０と第２の列の孔３０は、それぞれの列において等間隔で配置されている。孔３０は、電極パッド１２同士が対向する方向において、孔３０が形成されている位置がずれるように形成されている。すなわち、一の電極パッド１２から他の電極パッド１２を見たときに、矢印６１で示す第１の列の孔３０が、矢印６２で示す第２の列の孔３０同士の間に配置されるように形成されている。この構成を採用することによって、再溶融した半田を孔の内部により確実に導くことができ、電極同士の短絡を防止することができる。さらに、封止樹脂と、基体との接触面積を大きくすることができ、封止樹脂の剥離を抑制することができる。
【００５４】
本実施の形態における孔は、平面形状が円形になるように形成されているが、この形態に限られず、任意の平面形状を採用することができる。また、本実施の形態においては、２列に孔が形成されているが、この形態に限られず、任意の本数の列で孔を形成することができる。ここで、孔の列は、複数形成され、一方の電極から他方の電極を見たときに、孔が全ての領域に亘って形成されていることが好ましい。この構成を採用することによりより確実に電極同士の短絡を防止することができる。
【００５５】
図１２に、本実施の形態の第５の回路基板における配線基板の概略平面図を示す。第５の回路基板においては、配線基板１の表面に一の電極として電極パッド１３が配置され、他の電極として電極パッド１１が配置されている。
【００５６】
電極パッド１１と電極パッド１３との間には、第１の溝としての溝３６が２個形成されている。電極パッド１１は、溝３６の延びる方向において、電極パッド１３の長さよりも長くなるように形成されている。溝３６の長手方向の長さは、電極パッド１３を電極パッド１１に投影したときの投影領域５２を横断するように形成されている。さらに、溝３６の長手方向の長さは、電極パッド１１の溝３６が延びる方向における長さよりも短くなるように形成されている。または、溝３６は、電極パッド１１を電極パッド１３に向かって投影したときに、影になる領域の内部に配置されている。この構成を採用することにより、溝３６の長さを短くすることができて生産性が向上し、また、回路基板の強度低下を抑制することができる。
【００５７】
図１３に、本実施の形態の第６の回路基板において、配線基板の概略平面図を示す。第６の回路基板においては、基体としての配線基板２の平面形状がほぼ正方形になるように形成され、複数の電極パッド１２が格子状に配列するように配置されている。それぞれの電極パッド１２同士の間の全ての領域に、第１の溝としての溝３７が複数形成されている。この構成を採用することにより、すべての電極パッド同士の間における短絡を抑制することができる。
【００５８】
図１４に、本実施の形態の第７の回路基板において、配線基板の概略平面図を示す。第７の回路基板においては、基体としての配線基板２の平面形状がほぼ正方形になるように形成され、配線基板２の外縁に沿って複数の電極パッド１２が配置されている。複数の電極パッド１２は、枠形に配置されている。それぞれの電極パッド１２同士の間には、第１の溝としての溝３７が２個形成されている。
【００５９】
第７の回路基板においては、互いに隣り合う電極パッド同士の間隔が２以上ある。図１４を参照して、配線基板２の外縁に沿った方向における電極パッド同士の間隔と、電極パッド１２ａと電極パッド１２ｂとの間隔がある。このとき、電極パッド１２ａと電極パッド１２ｂとの間は、電極パッド同士の間隔の中で最も長くなる。この最も間隔が長くなる電極パッド同士の間の領域においては、溝が形成されていない。この構成を採用することにより、複数の電極パッド同士の間がある場合に、比較的距離の短い間隔の領域に溝が形成され、より効率的に電極パッド同士の短絡を防止することができる。電極パッド同士の距離が長い場合には、電極パッド同士の短絡が生じる可能性が小さいため、この領域における溝の形成を排除することができて生産性が向上する。さらに、溝を形成していない領域が大きくなって、基体の強度の低下を抑制することができる。
【００６０】
上記以外の構成、作用および効果については、実施の形態１と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【実施例１】
【００６１】
図１５を参照して、本発明における実施例１の回路基板について説明する。図１５は、本実施例における回路基板の概略断面図である。本実施例においては、基体としてセラミック多層基板５が形成されているが、基体はセラミックに限られず、樹脂からなる樹脂多層基板であってもよい。セラミック多層基板５は、複数のセラミック層を含み、内部に電気要素部品や配線などが形成されている。本実施例においては、セラミック多層基板５の表面に、第１の電極としての電極パッド１４ａ〜１４ｃが形成され、それぞれの電極パッド１４ａ〜１４ｃに電子部品２２ａ〜２２ｃが接合されている。
【００６２】
セラミック多層基板５の表面には、第１の溝としての溝３８が形成されている。溝３８は、電極パッド１４ａ同士の間、電極パッド１４ａと電極パッド１４ｂとの間、電極パッド１４ｂ同士の間、電極パッド１４ｂと電極パッド１４ｃとの間、および電極パッド１４ｃ同士の間にそれぞれ２個ずつ形成されている。それぞれの電子部品２２ａ〜２２ｃは、封止樹脂によって封止され、樹脂部４２が形成されている。
【実施例２】
【００６３】
図１６を参照して、本発明における実施例２の回路基板について説明する。図１６は、本実施例における回路基板の概略断面図である。本実施例の回路基板は、セラミック多層基板５を含み、セラミック多層基板５の一方の表面には、電子部品２２ａ〜２２ｃが配置されている。電子部品２２ａ〜２２ｃは、封止樹脂によって封止され、第１の樹脂部４２が形成されている。それぞれの電極パッド１４ａ〜１４ｃ同士の間には、溝３８が形成されている。セラミック多層基板５の他方の表面には、電子部品２３ａ〜２３ｃが配置されている。電子部品２３ａ〜２３ｃは、封止樹脂によって封止され、第２の樹脂部４３が形成されている。セラミック多層基板５の他方の表面には、第２の電極としての電極パッド１５ａ〜１５ｃが形成されている。それぞれの電子部品２３ａ〜２３ｃは、電極パッド１５ａ〜１５ｃに半田によって接合されている。それぞれの電極パッド１５ａ〜１５ｃ同士の間には、第２の溝としての溝３９が複数本形成されている。
【実施例３】
【００６４】
図１７を参照して、本発明における実施例３の回路基板について説明する。図１７は、本実施例における回路基板の概略断面図である。本実施例における回路基板は、実施例１の回路基板の構成に加えて、第３の樹脂部４４を含む。セラミック多層基板５の表面に第１の樹脂部４２が形成され、第１の樹脂部４２の表面には、第３の樹脂部４４が形成されている。第３の樹脂部４４の内部には、電子部品２４ａ〜２４ｃが配置されている。第１の樹脂部４２の表面には、第３の電極としての電極パッド１６ａ〜１６ｃが形成され、それぞれの電子部品２４ａ〜２４ｃは、電極パッド１６ａ〜１６ｃに半田によって接合されている。それぞれの樹脂部における電子部品は、図示しないビアによって各層同士の間で接続されている。このような樹脂部が積層された回路基板については、公知の方法で製造することができる。
【００６５】
第１の樹脂部４２の表面には、第３の溝としての溝４０が形成されている。溝４０は、第１の樹脂部４２の表面に形成された電極パッド１６ａ同士の間、電極パッド１６ａと電極パッド１６ｂとの間、電極パッド１６ｂ同士の間、電極パッド１６ｂと電極パッド１６ｃとの間、および電極パッド１６ｃ同士の間にそれぞれ複数本形成されている。その他の構成については、実施例１と同様であるのでここでは説明を繰返さない。
【００６６】
なお、第２の溝は、第２の溝の延びる方向において、一の電極の長さよりも他の電極の長さが長くなるように形成されている場合に、一の電極と他の電極との間に配置された第２の溝は、他の電極の第２の溝の延びる方向の長さよりも短くなるように形成されていることが好ましい。また、互いに隣り合う第２電極同士の間隔が２以上ある場合に、少なくともその間隔が最大である第２の電極同士の間を避けた領域に第２の溝が形成されていることが好ましい。または、第２の電極同士の間の全てに第２の溝が形成されていることが好ましい。これらのうちいずれかの構造を備えることにより、生産性が向上して回路基板の強度低下を抑制することができ、または、電極パッド同士の間の短絡を確実に抑制することができることは、第１の溝の場合と同様である。このことは、第３の溝についても同様である。
【００６７】
それぞれの形態の図において、同一または相当する部分については、同一の符号を付してその説明を繰返さない。
【００６８】
なお、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に基づく実施の形態１における回路基板の概略断面図である。
【図２】本発明に基づく実施の形態１における回路基板の概略断面図である。
【図３】本発明に基づく実施の形態１における回路基板の電極パッドと溝との構成を説明する概略平面図である。
【図４】本発明に基づく実施の形態１における回路基板の製造方法の第１工程説明図である。
【図５】本発明に基づく実施の形態１における回路基板の製造方法の第２工程説明図である。
【図６】本発明に基づく実施の形態１における回路基板の製造方法の第３工程説明図である。
【図７】本発明に基づく実施の形態１における回路基板の製造方法の第４工程説明図である。
【図８】実施の形態２における第１の回路基板の配線基板の概略平面図である。
【図９】実施の形態２における第２の回路基板の配線基板の概略平面図である。
【図１０】実施の形態２における第３の回路基板の配線基板の概略平面図である。
【図１１】実施の形態２における第４の回路基板の配線基板の概略平面図である。
【図１２】実施の形態２における第５の回路基板の配線基板の概略平面図である。
【図１３】実施の形態２における第６の回路基板の配線基板の概略平面図である。
【図１４】実施の形態２における第７の回路基板の配線基板の概略平面図である。
【図１５】実施例１における回路基板の概略断面図である。
【図１６】実施例２における回路基板の概略断面図である。
【図１７】実施例３における回路基板の概略断面図である。
【図１８】従来の技術に基づく回路基板の概略断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１，２  配線基板、５  セラミック多層基板、１１，１２，１２ａ，１２ｂ，１３，１４ａ〜１４ｃ，１５ａ〜１５ｃ，１６ａ〜１６ｃ  電極パッド、２１，２２ａ〜２２ｃ，２３ａ〜２３ｃ，２４ａ〜２４ｃ  電子部品、３１〜４０  溝、３０  孔、４１〜４４  樹脂部、５１，５２  投影領域、６１，６２  矢印。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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