(57)【要約】【課題】  発熱抵抗体性能を最大限発揮させ、かつ高密度化とを兼ね備えたインクジェット記録ヘッド、該ヘッド用基板を提供すること。【解決手段】  基板上に、絶縁体からなる絶縁膜と、インクを発泡させるために必要な熱を発生する複数の発泡用発熱抵抗体列と、その発泡用発熱抵抗体の加熱を補助する複数の補助加熱用発熱抵抗体列と、インクを吐出する吐出口に連通する複数のインク路列が設けられたインクジェット吐出ヘッド用基板であって、発泡用発熱抵抗体と、絶縁層をはさんでその直下に補助加熱用発熱抵抗体と、さらに絶縁層をはさんでその直下に該発熱抵抗体に電気的に接続する配線が設けられており、かつ、基板の鉛直線上、発泡用発熱抵抗体の領域は、列方向でインク路の壁部より外側に位置し、かつ、補助加熱用発熱抵抗体の領域は列方向でインク路の壁部に重なり合うことを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、絶縁体からなる絶縁膜と、インクを発泡させるために必要な熱を発生する複数の発泡用発熱抵抗体列と、その発泡用発熱抵抗体の加熱を補助する複数の補助加熱用発熱抵抗体列と、インクを吐出する吐出口に連通する複数のインク路列が設けられたインクジェット吐出ヘッド用基板であって、
発泡用発熱抵抗体と、絶縁層をはさんでその直下に補助加熱用発熱抵抗体と、さらに絶縁層をはさんでその直下に該発熱抵抗体に電気的に接続する配線が設けられており、かつ、基板の鉛直線上、発泡用発熱抵抗体の領域は、列方向でインク路の壁部より外側に位置し、かつ、補助加熱用発熱抵抗体の領域は列方向でインク路の壁部に重なり合うことを特徴とするインクジェット吐出ヘッド用基板。
【請求項２】
基板上に、絶縁体からなる絶縁膜と、インクを発泡させるために必要な熱を発生する複数の発泡用発熱抵抗体と、その発泡用発熱抵抗体の加熱を補助する複数の補助加熱用発熱抵抗体と、インクを吐出する吐出口に連通する複数のインク路が設けられたインクジェット吐出ヘッド用基板であって、
発泡用発熱抵抗体と、絶縁層をはさんでその直下に補助加熱用発熱抵抗体と、さらに絶縁層をはさんでその直下に該発熱抵抗体に電気的に接続する配線が設けられており、かつ、発泡用発熱抵抗体に接続する片方の電極と、補助加熱用発熱抵抗体に接続する片方の電極と、その直下の配線用電極が同一部のスルーホールを介して接続されていることを特徴とするインクジェット吐出ヘッド用基板。
【請求項３】
請求項１において列方向で補助加熱用発熱抵抗体の領域が発泡用発熱抵抗体の領域よりも広いことを特徴とするインクジェット吐出ヘッド用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクを吐出して記録を行うインクジェット記録ヘッド、該ヘッド用基板、該基板の製造方法及びインクジェット記録装置、インクジェット吐出ヘッド用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１あるいは特許文献２等に開示されているインクジェット記録方式は、高速、高密度で高精度、高画質の記録が可能で、かつカラー化、コンパクト化に適している。このインクジェット記録方式を用いる、熱エネルギーを利用してインクを発泡させて記録媒体にインクを吐出する記録ヘッドは、インクを発泡させるための発熱抵抗体とこれに電気的接続を行う配線とを同一の基板上に作製してインクジェット記録ヘッド用基板とし、さらにその上にインクを吐出させるためのノズルを形成した構成が一般的である。
【０００３】
また、この熱エネルギー効率をあげるために様々な工夫がなされており、特許文献３では発泡用ヒーター以外に補助加熱用ヒーターを設けることによって低温時のインクの吐出効率をあげる工夫がなされている。
【特許文献１】米国特許第４７２３１２９号明細書
【特許文献２】米国特許第４７４０７９６号明細書
【特許文献３】特開平１０−７７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
さらに、最近になって、高画質記録の要求はさらに高まり、インク滴のサイズはますます小ドット化する傾向であり、同時に記録速度を落とさないためにはこの小ドット用のノズルを高密度に配置する必要が出てきた。この結果、高密度ノズル配置及び小ドットインク滴を達成するために新たな問題が出てきた。
【０００５】
すなわち、発泡用ヒーターを小さくしていくと、横方向への熱の逃げによって、ヒーターサイズに対して実発泡する領域が狭くなり、発泡が不安定になっていく。このことによって、ヒーターサイズを小さくできなくなり、結果として高密度ノズル配置が困難になる。
【０００６】
例えば、片側１２００ｄｐｉピッチでノズルを配置すると、ノズル間距離は約２１μｍであり、ノズルの壁幅を８μｍ及び、ノズル壁とヒーターの位置合わせずれ３μｍを考慮するとヒーターサイズは１０μｍしか確保できない。ヒーターサイズがノズル列方向に対して、横幅１０μｍの場合、ヒーター周辺の約３μｍの部分が熱が拡散するため、実質の発泡領域が横幅４μｍ程度になってしまい発泡が不安定になり、必要な吐出エネルギーも不足する。ここでもし、ヒーター横幅領域１０μｍが発泡できれば、発泡の安定性が確保できるため、ヒーターの両端部をノズル壁の下に位置させれば横幅は十分な大きさになるが、今度はヒーターの発熱によってヒーター部と接するノズル壁部分が変形するという問題が生じる。
【０００７】
以上のようにヒーターサイズが小さくなるのに伴い、実質の発泡領域を広げることは高密度ノズル配置にとって、重要な課題である。
【０００８】
本発明の目的は、従来の問題点を解決し、ノズル壁によって制限されるヒーターサイズと実質の発泡領域のギャップを埋めることができるインクジェット吐出ヘッド用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のインクジェット記録ヘッド用基板は、各ノズル毎に発泡用発熱抵抗体と、その加熱を補助する補助加熱用発熱抵抗体を配置する。
【００１０】
すなわち、本発明の技術内容は以下の構成を備えることにより前記課題を解決できた。
【００１１】
（１）基板上に、絶縁体からなる絶縁膜と、インクを発泡させるために必要な熱を発生する複数の発泡用発熱抵抗体列と、その発泡用発熱抵抗体の加熱を補助する複数の補助加熱用発熱抵抗体列と、インクを吐出する吐出口に連通する複数のインク路列が設けられたインクジェット吐出ヘッド用基板であって、発泡用発熱抵抗体と、絶縁層をはさんでその直下に補助加熱用発熱抵抗体と、さらに絶縁層をはさんでその直下に該発熱抵抗体に電気的に接続する配線が設けられており、かつ、基板の鉛直線上、発泡用発熱抵抗体の領域は、列方向でインク路の壁部より外側に位置し、かつ、補助加熱用発熱抵抗体の領域は列方向でインク路の壁部に重なり合うことを特徴とする。
【００１２】
（２）基板上に、絶縁体からなる絶縁膜と、インクを発泡させるために必要な熱を発生する複数の発泡用発熱抵抗体と、その発泡用発熱抵抗体の加熱を補助する複数の補助加熱用発熱抵抗体と、インクを吐出する吐出口に連通する複数のインク路が設けられたインクジェット吐出ヘッド用基板であって、発泡用発熱抵抗体と、絶縁層をはさんでその直下に補助加熱用発熱抵抗体と、さらに絶縁層をはさんでその直下に該発熱抵抗体に電気的に接続する配線が設けられており、かつ、発泡用発熱抵抗体に接続する片方の電極と、補助加熱用発熱抵抗体に接続する片方の電極と、その直下の配線用電極が同一部のスルーホールを介して接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、発熱抵抗体性能を最大限発揮させ、かつ高密度化とを兼ね備えたインクジェット記録ヘッド、該ヘッド用基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明のインクジェット記録ヘッド用基板は、基板上に、絶縁体からなる絶縁膜と、インクを発泡させるために必要な熱を発生する複数の発泡用発熱抵抗体列と、その発泡用発熱抵抗体の加熱を補助する複数の補助加熱用発熱抵抗体列と、インクを吐出する吐出口に連通する複数のインク路列を設け、かつ、基板の鉛直線上、発泡用発熱抵抗体の領域は、列方向でインク路の壁部より外側に位置し、かつ、補助加熱用発熱抵抗体の領域は列方向でインク路の壁部に重なり合うことを特徴とし、発泡用発熱抵抗体の駆動時に同時に補助加熱用発熱抵抗体を駆動することで、発泡用発熱抵抗体の領域より一回り大きい領域を加熱し、発泡用発熱抵抗体が加熱される際、横方向の熱の逃げを抑制し、発泡用発熱抵抗体領域全域にわたっての発泡を実現させる。
【００１５】
また本発明のインクジェット記録ヘッド用基板は、基板上に、絶縁体からなる絶縁膜と、インクを発泡させるために必要な熱を発生する複数の発泡用発熱抵抗体と、その発泡用発熱抵抗体の加熱を補助する複数の補助加熱用発熱抵抗体と、インクを吐出する吐出口に連通する複数のインク路が設けられたインクジェット吐出ヘッド用基板であって、発泡用発熱抵抗体と、絶縁層をはさんでその直下に補助加熱用発熱抵抗体と、さらに絶縁層をはさんでその直下に該発熱抵抗体に電気的に接続する配線を設け、かつ、発泡用発熱抵抗体に接続する片方の電極と、補助加熱用発熱抵抗体に接続する片方の電極と、その直下の配線用電極を同一部のスルーホールを介して接続することにより、ノズルピッチと同一ピッチで発泡用発熱抵抗体と、補助加熱用発熱抵抗体を配置することを実現する。
【００１６】
この様に、本発明によれば、発熱抵抗体性能を最大限発揮させ、かつ高密度化とを兼ね備えたインクジェット記録ヘッド、該ヘッド用基板を提供することができる。
【実施例】
【００１７】
以下に実施例を示して、本発明をさらに詳細に説明する。
【００１８】
図１は本発明のインクジェット記録ヘッド用基板の要部を示す模式的上面図である。図２は、図１中のＸ１−Ｘ２の一点鎖線によって切断した模式的側断面図である。
【００１９】
図１および図２に示すように、インクジェット基板上に絶縁膜を形成し、発熱抵抗体に接続する配線が形成され、次に絶縁膜が形成され、次に補助加熱用発熱抵抗体）が配置され、次に絶縁膜が形成され、次に発泡用発熱抵抗体が形成され、スルーホールを介して配線と補助加熱用抵抗体と発泡用発熱抵抗体が接続される。その上には保護膜が形成された後、耐キャビテーションが形成されている。この後、このインクジェット基板上にノズル壁及流露路部材が形成され、図５に示すヘッドが完成する。
【００２０】
この構造をもつインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法を図４、さらにインクジェット記録ヘッドの製造方法を図６を用いて説明する。
【００２１】
まず、Ｓｉ結晶方位が＜１．０．０．＞面のＳｉ基板１を用意する。このＳｉ基板は、ヒーターを駆動するための半導体素子をあらかじめ作りこんでおいたものでも良くその最上層にはＳｉＯの絶縁層７０が形成されている。この基板上にスパッタリングによって，約５００ｎｍのＡＬを形成しフォトリソグラフィ法によってレジストを所定の形状としそれをエッチングマスクとし、ＢＣｌ３とＣｌ２ガスを混合したリアクテブイオンエッチング法によって所定の形状にエッチングする。その後Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去し、配線として所定の形状に形成する。
【００２２】
半導体との接続はあらかじめＳｉＯの絶縁層にフォトリソグラフィ法によってレジストを所定の形状としそれをエッチングマスクとし、ＣＦ４を用いたリアクテブイオンエッチング法によって所定の形状にエッチングする。その後Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去することでスルーホールを形成しておきＡＬのスパッタリングによって接続する。
【００２３】
続いて、この配線を保護するための絶縁膜ＳｉＯ７１をＣＶＤ法によって約８００ｎｍの厚さに形成し、続いてフォトリソグラフィ法によってレジストを所定の形状としそれをエッチングマスクとし、ＣＦ４を用いたリアクテブイオンエッチング法によって所定の形状にエッチングする。その後Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去することでスルーホールを形成する。
【００２４】
続いてスパッタリング法によって約４０ｎｍの厚さに補助加熱用抵抗体としてＴａＳｉＮ発熱抵抗体４０，続いて５００ｎｍの厚さに接続用ＡＬ層２５を形成し、フォトリソグラフィ法によってそれをエッチングマスクとし、ＢＣｌ３とＣｌ２ガスを混合したリアクテブイオンエッチング法によって所定の形状にエッチングする。その後、Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去し、再びフォトリソグラフィ法によってそれをエッチングマスクとし、酢酸とリン酸を混合したＡＬウエットエッチングによって補助加熱用発熱抵抗体部のＡＬを除去し、その後Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去することで補助加熱用発熱抵抗体部６０を形成する。
【００２５】
次に、この発熱抵抗体及びＡＬ上に絶縁膜ＳｉＯ７２をＣＶＤ法によって約８００ｎｍの厚さに形成し、続いてフォトリソグラフィ法によってレジストを所定の形状としそれをエッチングマスクとし、ＣＦ４を用いたリアクテブイオンエッチング法によって所定の形状にエッチングする。その後Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去することでスルーホールを形成する。
【００２６】
続いてスパッタリング法によって約４０ｎｍの厚さに発泡用発熱抵抗体としてＴａＳｉＮ発熱抵抗体４１，続いて５００ｎｍの厚さに接続用ＡＬ層２６を形成し、フォトリソグラフィ法によってそれをエッチングマスクとし、ＢＣｌ３とＣｌ２ガスを混合したリアクテブイオンエッチング法によって所定の形状にエッチングする。その後、Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去し、再びフォトリソグラフィ法によってそれをエッチングマスクとし、酢酸とリン酸を混合したＡＬウエットエッチングによって発泡用発熱抵抗体部のＡＬを除去し、その後Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去することで発泡用発熱抵抗体部６５を形成する。
【００２７】
次にＣＶＤ法によって保護膜ＳｉＮ３０を約３００ｎｍの厚さに形成し、続いてスパッタリング法によって耐キャビテーション膜のＴａ５０を約２００ｎｍの厚さに成膜し、フォトリソグラフィイ法によってＴａ膜をＣＦ４ガスを用いたリアクテブイオンエッチングによって所定の形状とし、その後、Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去し、つづいてフォトリソグラフィによってレジストを所定の形状に形成後ＣＦ４を用いた反応性イオンエッチングによって所定の形状に保護膜をエッチングし、その後、Ｏ２によるプラズマアッシングおよびウエットハクリ液によりレジスト及びエッチング残さ等を除去し、電極パッド部を形成する。
【００２８】
以上の工程によって基板の電気的な機能部分が完成する。
【００２９】
つづいて、ノズル及びインクを供給する部分の製造方法について説明する。図５は製造完了後のインクジェット記録ヘッドの模式的な斜視図であり、以下順を追って説明する。
【００３０】
このインクジェット記録ヘッド（液体吐出ヘッド）は、インク吐出エネルギー発生素子（液体吐出エネルギー発生素子）２が所定のピッチで２列並んで形成されたＳｉ基板１を有している。Ｓｉ基板１には、後述するように、ＳｉＯ２膜７をマスクとしてＳｉの異方性エッチングによって形成されたインク供給口（液体供給口）９が、インク吐出エネルギー発生素子２の２つの列の間に開口されている。Ｓｉ基板１上には、オリフィスプレート材４によって、各インク吐出エネルギー発生素子２の上方に開口するインク吐出口（液体吐出口）５と、インク供給口９から各インク吐出口５に連通するインク流路（液体流路）が形成されている。
【００３１】
なお、図５では、分かりやすくするために、インク吐出エネルギー発生素子２およびインク吐出口５が、インク供給口９を挟んで対称に配置されているように記載しているが、通常、インク供給口９を挟んだ２列のインク吐出エネルギー発生素子２およびインク吐出口５は、半ピッチずれて配置されている。
【００３２】
このインクジェット記録ヘッドは、インク供給口９が形成された面が被記録媒体の記録面に対面するように配置される。そしてこのインクジェット記録ヘッドは、インク供給口９を介してインク流路内に充填されたインク（液体）に、インク吐出エネルギー発生素子２によって発生する圧力を加えることによって、インク吐出口５からインク液滴６を吐出させ、被記録媒体に付着させることによって記録を行う。
【００３３】
このインクジェット記録ヘッドは、プリンタ，複写機，通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置、さらには各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置に搭載可能である。そして、このインクジェット記録ヘッドを用いることによって、紙、糸、繊維、布帛、皮革、金属、プラスチック、ガラス、木材、セラミックスなど種々の被記録媒体に記録を行うことができる。なお、本発明において、『記録』とは、文字や図形などの意味を持つ画像を被記録媒体に対して付与することだけでなく、パターンなどの意味を持たない画像を付与することも意味する。
【００３４】
本実施形態においてＳｉ基板１としては、インク吐出エネルギー発生素子２を形成する面のＳｉ結晶方位が＜１００＞のものを用いることを上述した。これを用いてインク吐出部及び供給口の製造法を図５及び図６を用いて説明する。まず、Ｓｉ基板１の、インク吐出エネルギー発生素子すなわちヒーター１０２が形成された面上に型材１０３を形成する。この型材３は、後の工程で溶解して、それが設けられた部分をインク流路とするために形成するものであり、所望の高さおよび平面パターンのインク流路を形成するために、相応の高さ、平面パターンに形成する。このような型材１０３の形成は、例えば以下のようにして行うことができる。
【００３５】
まず、型材１０３の材料として例えば、ポジ型フォトレジストＯＤＵＲ１０１０（登録商標）（東京応化工業（株）製、商品名）を用い、これをドライフィルムのラミネート、スピンコートなどによってＳｉ基板１上に所定の厚みで塗布する。次に、紫外線、Ｄｅｅｐ  ＵＶ光などによって露光、現像を行うフォトリソグラフィ技術を用いてパターニングする。これによって、所望の厚み、平面パターンを有する型材３が得られる。
【００３６】
次に、Ｓｉ基板１上に、前の工程で形成した型材３を被覆するように、オリフィスプレート材１０４をスピンコートなどによって塗布し、フォトリソグラフィ技術によって、所定の形状にパターニングする。そして、インク吐出エネルギー発生素子１０２上の所定の位置にインク吐出口１０５をフォトリソグラフィ技術によって開口する。また、オリフィスプレート材１０４の、インク吐出口１０５が開口する面には、ドライフィルムのラミネートなどによって不撥水層１０６を形成する。
【００３７】
オリフィスプレート材１０４の材料としては、感光性エポキシ樹脂、感光性アクリル樹脂などを用いることができる。オリフィスプレート材１０４は、インク流路及び発泡用発熱抵抗体間のノズル壁を構成するものであり、インクジェット記録ヘッドを使用している時には常にインクと接触することになるので、その材料としては、特に、光反応によるカチオン重合性化合物が適している。また、オリフィスプレート材１０４の材料としては、使用するインクの種類、特性によって耐久性などが大きく左右されるので、使用するインクによっては、上記の材料以外の相応の化合物を選択してもよい。
【００３８】
次に、Ｓｉ基板１の裏面のＳｉＯ２膜１０７上に、耐アルカリ性を有するマスク剤であるＳｉＯ２膜パターニングマスク１０８を形成する。ＳｉＯ２膜パターニングマスク１０８は、例えば以下のようにして形成する。
【００３９】
まず、ＳｉＯ２膜パターニングマスク１０８となるマスク剤をスピンコートなどによってＳｉ基板１の裏面に全面塗布し、熱硬化させる。そして、さらにその上にポジ型レジストをスピンコートなどによって塗布し、乾燥させる。次に、このポジ型レジストを、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングし、このポジ型レジストをマスクとして、ＳｉＯ２膜パターニングマスク１０８となるマスク剤の露出された部分をドライエッチングなどによって除去する。最後にポジ型レジストを剥離して、所定のパターンのＳｉＯ２膜パターニングマスク１０８が得られる。
【００４０】
そして次に、ＳｉＯ２膜パターニングマスク１０８をマスクとして、ＳｉＯ２膜１０７をウェットエッチングなどによってパターニングし、Ｓｉ基板１の裏面を露出するエッチング開始開口部１０９を開口する。
【００４１】
次に、Ｓｉ基板１を貫通する貫通口であるインク供給口１１０を、ＳｉＯ２膜１０７をマスクとした異方性エッチングによって開口する。この際、インクジェット記録ヘッドの機能素子が形成された面やＳｉ基板１の側面にエッチング液が触れないように、これらの部分を覆う、樹脂からなる保護材１１１をスピンコートなどによって塗布して予め形成しておく。保護材１１１の材料としては、異方性エッチングを行う際に使用する強アルカリ溶液に対して十分な耐性を有する材料を用いる。このような保護材１１１によってオリフィスプレート材４をも覆っておくことによって、前述した撥水層の劣化も防ぐことが可能である。
【００４２】
異方性エッチングに用いるエッチング液としては、例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニュウムハイドロオキサイド）溶液などの強アルカリ溶液を用いる。そして、例えば、ＴＭＡＨ２２ｗｔ％溶液を、その温度を８０℃にして、所定の時間（十数時間）、エッチング開始開口部１０９からＳｉ基板１に付与することによって貫通口を開口する。
【００４３】
最後に、ＳｉＯ２膜パターニングマスク１０８と保護材１１１を除去する。そしてさらに、型材１０３を溶解させ、インク吐出口５とインク供給口９あるいは１１０から溶出させて除去し、乾燥させる。型材１０３の溶出は、Ｄｅｅｐ  ＵＶ光によって全面露光を行った後、現像を行うことによって実施でき、必要に応じて現像の際、超音波浸漬すれば、実質的に完全に型材１０３を除去することができる。
【００４４】
以上で、インクジェット記録ヘッドの主要な製造工程が完了する。このようにして形成されたチップには、吐出エネルギー発生素子１０２を駆動するための接続部や、インク供給のためのチップタンクなどを必要に応じて取り付けられる。
【００４５】
このようにして作成した図４ａに示す基板を図３ａに示す従来の構造の基板と発泡領域の比較を行った結果，従来の基板では発泡領域が図３ｂであるのに対し、本発明の基板においては補助加熱発熱抵抗体を駆動することで図４ｂのように発泡領域が広がった。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明のインクジェット記録ヘッド用基板の要部を示す模式的上面図
【図２】図１中のＸ１−Ｘ２の一点鎖線によって切断した模式的側断面図
【図３ａ】従来のインクジェット記録ヘッドの基板を示す図
【図３ｂ】従来のインクジェット記録ヘッドの基板の発泡領域を示す図
【図４ａ】本発明のインクジェット記録ヘッドの基板を示す図
【図４ｂ】本発明のインクジェット記録ヘッドの基板の発泡領域を示す図
【図５】本発明のインクジェット記録ヘッドの模式的斜視図
【図６】インクジェット記録ヘッドの製造工程を示す図
【符号の説明】
【００４７】
１  Ｓｉ基板
２  インク吐出エネルギー発生素子、（すなわちヒーターあるいは発熱抵抗体）
４  オリフィスプレート材
５  インク吐出口
６  インク液滴
９  インク供給口
２０  Ａｌ配線及びＡｌ配線層
２５  接続用ＡＬ層
２６  接続用ＡＬ層
３０  保護膜ＳｉＮ
４０  ＴａＳｉＮ発熱抵抗体
４１  ＴａＳｉＮ発熱抵抗体
５０  Ｔａ耐キャビテーション膜
６０  補助加熱用発熱抵抗体部
６５  発泡用発熱抵抗体部
７０  ＳｉＯ絶縁層
７１  ＳｉＯ絶縁層
７２  ＳｉＯ絶縁層
８０  スルーホール
８５  発泡領域
１０２  インク吐出エネルギー発生素子
１０３  型材
１０４  オリフィスプレート材
１０５  インク吐出口
１０６  撥水層
１０７  ＳｉＯ２膜
１０８  ＳｉＯ２膜パターニングマスク
１０９  エッチング開始開口部
１１０  インク供給口
１１１  保護材
【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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