(57)【要約】  【目的】樹脂加工板や樹脂加工ケースの静電破壊対策として有効な非導通金属光沢メッキ及び非導通金属光沢メッキ形成方法を提供する。  【構成】非導通金属光沢メッキは、成膜対象の基板表面に塗布乾燥して形成された第一の樹脂塗膜層と、真空中でスズ又はスズとインジウムを含む合金を加熱して前記基板上の前記第一の樹脂塗膜層の上に真空蒸着してなる極薄膜の金属光沢を有する非導通金属蒸着膜と、前記非導通金属蒸着膜の上に塗布乾燥して形成された第二の樹脂塗膜層と、を有する構成であり、前記非導通金属蒸着膜は前記第一の樹脂塗膜層の上に前記スズ又はスズとインジウムの合金のグレインが金属膜として連続してつながる前に成膜が止められているので金属光沢を有しながらも非導通となって静電気が表面を通電せず、且つ電磁シールド作用を有しない特徴を有する。【選択図】  図１
2006281726.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜対象の基板表面に塗布乾燥して形成された第一の樹脂塗膜層と、真空中でスズ又はスズとインジウムを含む合金を加熱して前記基板上の前記第一の樹脂塗膜層の上に真空蒸着してなる金属光沢を有する非導通金属蒸着膜と、前記非導通金属蒸着膜の上に塗布乾燥して形成された第二の樹脂塗膜層と、を有することを特徴とする非導通金属光沢メッキ。
【請求項２】
樹脂を成形加工して成る電子機器用ケースであって、その表面又は表面と内面に第一の樹脂塗膜層が形成され、前記第一の樹脂塗膜層の上にスズ又はスズとインジウムを含む合金を真空蒸着してなる金属光沢を有する非導通金属蒸着膜が成膜され、前記非導通金属蒸着膜の上に第二の樹脂塗膜層が形成されてなる非導通金属光沢メッキを有することを特徴とする非導通金属光沢メッキ付電子機器用ケース。
【請求項３】
樹脂加工板の表面又は表面と裏面に対して、第一の樹脂塗膜層を塗布乾燥して形成し、真空蒸着炉中でスズ又はスズとインジウムを含む合金のペレットを加熱して前記樹脂加工板に形成された前記第一の樹脂塗膜層の上に前記スズ又はスズとインジウムの合金を真空蒸着させ、そのグレインが金属膜として連続してつながる前に成膜を止めることにより、金属光沢を有するとともに非導通の非導通金属蒸着膜を形成し、さらに、前記非導通金属蒸着膜の上に第二の樹脂塗膜層を塗布乾燥することを特徴とする非導通金属光沢メッキ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に電子機器用ケース等の樹脂加工板の表面に形成される金属光沢メッキの形成技術に関し、特に、静電気がケース表面に形成されたメッキ層を通電することによって生じるケース内等に収納された電子回路への悪影響を防止する金属光沢メッキ処理の技術分野に属する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の電子回路が高密度に収納された電子機器用ケース（筺体）には、一般に、樹脂加工ケースの表面に対して、下地として紫外線樹脂コート（ＵＶアンダーコートと称する。）が形成れ、その表面にクロムメッキ（Ｃｒ）等の導電性の金属蒸着膜が成膜され、さらにその表面に保護膜として透明樹脂コート（トップコートと称する）が形成されてなる美しい金属光沢を有するメッキ処理が施された樹脂ケースが多く用いられている。
【０００３】
また、例えば、パチンコ遊技機の遊技盤上のデコレーション部材には、主に樹脂加工板の成形部材が多く用いられ、その用途に応じてキャラクター等の形状を模したもの、後方からの光源によりランプカバーとして使用するレンズ形状のもの等種々存在するが、その殆どが装飾効果を向上させるために前述と同様のクロムメッキ等の金属光沢を有するメッキ処理が施されている。
【０００４】
ところで、上記電子機器等の樹脂加工ケースや樹脂加工板における金属光沢のメッキ処理に関して、ケース内の電子回路に対する静電気破壊対策を念頭にした金属蒸着膜に関する公知の特許文献は発見されず、強いて挙げれば、下記［特許文献１］に静電気の影響による薄膜トランジスタの絶縁破壊や性能低下を防止する技術が開示されているに留まる。
【０００５】
【特許文献１】特開平７−１８１５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
携帯電話を典型とする携帯電子機器では、人体に蓄積された静電気が携帯電子機器のケースに触れた途端に放電して、電流がクロムメッキやアルミメッキ等のメッキ処理された機器の樹脂加工ケースの金属蒸着膜（導体）を通電して機器内部に達し、内部に収納されている電子回路基板上の高密度実装された電子回路の制御に影響を与えたり、最悪の場合は電子回路を破壊する恐れがあることが指摘されている。
【０００７】
図９及びそれを拡大した図１０は携帯電話の樹脂加工ケースのクロムメッキされた表面に静電気が放電した後の状態を示す写真を複写した図である。本図より静電気がケース表面をクロムメッキを破壊しつつ四方八方に通電していることが判る。
【０００８】
以下、従来製法に基づく上記クロムメッキやスズメッキ等の金属蒸着膜の構造を微視的に考察する。
【０００９】
図１１は従来技術による樹脂加工ケースの基板１の表面のアンダーコート（第一の樹脂塗膜層２）上に形成された従来のスズの真空蒸着による金属蒸着膜１１の成膜状態を微視的に説明するための模式図であり、図１２は従来技術のイオンプレーティング法によるスズの金属蒸着膜１２の成膜状態を微視的に説明するための模式図である。また、図２の（ｂ）は導通膜とした真空蒸着による金属蒸着膜１１（スズ）の表面を原子間力顕微鏡によって表面観察した写真の複写図であり、（ｃ）はイオンプレーティングによるスズの金属蒸着膜１２の表面を原子間力顕微鏡によって表面観察した写真の複写図である。
【００１０】
図１１及び図２の（ｂ）の金属蒸着膜１１においては、真空蒸着法によって樹脂加工ケース（基板１）の表面のアンダーコート（第一の樹脂塗膜層２）上にスズＳｎのグレイン８（金属粒）が成長しつつ積層して各々が積み重なり、金属膜として連続してつながる状態（図１１の左右方向に導通する状態）までに成膜されている。
【００１１】
また、図１２及び図２の（ｃ）のスズの金属蒸着膜１２においては、イオンプレーティング法の高周波プラズマの印加によってスズの小さなグレイン９が密集して成膜しているために小さなグレイン９同士の接触面積が大きくなって同じく導通状態にある。
【００１２】
以上のように従来の携帯電話を典型とする携帯電子機器の樹脂加工ケース（基板１）の表面の金属メッキ処理によって形成されたアルミ、クロム、スズ等の金属蒸着膜は通常は導電性を有しており、ケースとの密着性を高めるために多くはイオンプレーティング法を適用して０．１μｍ以上の厚さに形成されているのが一般である。而して、上述の静電気の放電に起因する電子回路への悪影響の問題が浮上してくるのである。
【００１３】
また、携帯電話等の樹脂加工ケースの表面に施されたクロムメッキ等の金属光沢メッキは上記のように導電性を有するために、電気的シールド作用、磁気的シールド作用を少なからず有しており、電波の送受信や内部に収納された電子回路の動作に悪影響を与える可能性がある。
【００１４】
一方、例えば、前述のパチンコ遊技機では、遊技盤上を動き回るパチンコ玉（鋼球）が帯電して前記金属メッキ処理された樹脂加工板のデコレーション部材に接触して静電気が放電すると、その電荷が金属メッキされた表面を通電してノイズが前記デコレーション部材の背面側に置かれた電子制御回路に入り込み、パチンコ遊技機の制御に悪影響を及ぼす恐れのあることが報告されている。
【００１５】
以上のような静電気のもたらす問題点に関して、静電気対策を念頭にした上記［特許文献１］の発明は、導電性の薄膜に関するものであり、薄膜トランジスタの基板の表面に静電気が帯電しないように導電性膜でアースするという思想に基づくものであって、本願の対象とする樹脂加工ケース等の金属メッキ処理とは全く異なる別分野の技術であり、金属光沢メッキ付樹脂加工板や金属光沢メッキ付樹脂加工ケースの静電気対策として有益な資料は得られない。
【００１６】
そこで、本発明は、各種電気・電子機器の樹脂加工ケース等として金属光沢を有しながら内部或いは背面側に置かれた電子回路に対する静電気の悪影響を防止し、また、電磁シールド作用のない非導通の金属光沢メッキを成膜する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、上記課題を解決するために、
（１）  成膜対象の基板表面に塗布乾燥して形成された第一の樹脂塗膜層と、真空中でスズ又はスズとインジウムを含む合金を加熱して前記基板上の前記第一の樹脂塗膜層の上に真空蒸着してなる金属光沢を有する非導通金属蒸着膜と、前記非導通金属蒸着膜の上に塗布乾燥して形成された第二の樹脂塗膜層と、を有することを特徴とする非導通金属光沢メッキを提供する。
（２）  また、樹脂を成形加工して成る電子機器用ケースであって、その表面又は表面と内面に第一の樹脂塗膜層が形成され、前記第一の樹脂塗膜層の上にスズ又はスズとインジウムを含む合金を真空蒸着してなる金属光沢を有する非導通金属蒸着膜が成膜され、前記非導通金属蒸着膜の上に第二の樹脂塗膜層が形成されてなる非導通金属光沢メッキを有することを特徴とする非導通金属光沢メッキ付電子機器用ケースを提供する。
（３）  さらに、樹脂加工板の表面又は表面と裏面に対して、第一の樹脂塗膜層を塗布乾燥して形成し、真空蒸着炉中でスズ又はスズとインジウムを含む合金のペレットを加熱して前記樹脂加工板に形成された前記第一の樹脂塗膜層の上に前記スズ又はスズとインジウムの合金を真空蒸着させ、そのグレインが金属膜として連続してつながる前に成膜を止めることにより、金属光沢を有するとともに非導通の非導通金属蒸着膜を形成し、さらに、前記非導通金属蒸着膜の上に第二の樹脂塗膜層を塗布乾燥することを特徴とする非導通金属光沢メッキ形成方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る非導通金属光沢メッキ、非導通金属光沢メッキ付電子機器用ケースでは、上記のように樹脂加工板等の基板表面に形成された第一の樹脂塗膜層（アンダーコート）上に成膜された金属蒸着膜が非導通であるために、静電気が電子機器用ケースをはじめとする樹脂加工板上の表面の金属蒸着膜層に放電しても、その影響が発生した箇所だけに留まって、気中放電してしまうために、電荷が樹脂ケース内や樹脂加工板の金属メッキ面の裏面側に置かれた電子回路等に入り込まず、静電気の放電に起因する電子制御回路等の制御、故障、破壊等の現象を防止できる。
【００１９】
また、上記非導通金属光沢メッキは、電気的シールド作用や磁気的シールド作用を持たず、磁場や電場、電磁波に対して何ら影響を与えないので、携帯電話等の樹脂ケースに金属光沢を得るために成膜しても、電波の送受信が悪くなるといった電磁シールド作用に起因する不具合が回避される。
【００２０】
また、本発明に係る非導通金属光沢メッキ形成方法では、上記のように樹脂加工板の表面又は表面と裏面に対して、そのアンダーコート上に真空蒸着によってスズ又はスズとインジウムの合金のグレインが金属膜として連続してつながる前に成膜を止める処理を行っているので、薄膜でありながら外観上は美しい金属光沢を有するとともに非導通の金属蒸着膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明に係る非導通金属光沢メッキ、非導通金属光沢メッキ付電子機器用ケース及び非導通金属光沢メッキ形成方法の実施の形態について図面に基づいて説明する。なお、本発明に係る非導通金属光沢メッキのメッキ処理プロセス及びそのサンプルを以降はＭＤプロセス、ＭＤとも略称する。
【００２２】
図１は本発明に係る非導通金属光沢メッキの非導通金属蒸着膜の成膜状態を微視的に説明するための模式図である。図２の（ａ）は本発明に係る非導通金属光沢メッキ（スズメッキ）の表面を原子間力顕微鏡によって表面観察した写真の複写図であり、図３の（ａ）〜（ｄ）は静電破壊試験による携帯電話の各種金属光沢メッキ処理された樹脂加工ケースの表面の静電気放電後の写真を複写した図である。図４は各種金属光沢メッキ処理された樹脂加工ケースの電気シールド特性を示す図であり、図５は各種金属光沢メッキ処理された樹脂加工ケースの磁気シールド特性を示す図である。図６は本発明に係る非導通金属光沢メッキ形成方法における真空蒸着炉中の治具の構成を表す正面図であり、図７はその蒸着自公転治具を真上から見た図であり、図８は蒸着回転治具とワーク（メッキ対象の携帯電話の樹脂加工ケース）を取り付けた状態を表す図である。
【００２３】
図１及び図２の（ａ）において、本発明の非導通金属光沢メッキ１０は、成膜対象の基板１の表面に塗布乾燥して形成された第一の樹脂塗膜層２（例えば、アクリル系樹脂、アルキド系樹脂或いはウレタン樹脂などの塗膜層）と、真空中でスズ（Ｓｎ）又はスズ（Ｓｎ）とインジウム（Ｉｎ）を含む合金を加熱して前記基板１上の前記第一の樹脂塗膜層２の上に真空蒸着してなる厚さｔ＝０．０１μｍ〜０．０５μｍの金属光沢を有する非導通金属蒸着膜３と、前記非導通金属蒸着膜３の上に塗布乾燥して形成された第二の樹脂塗膜層４（第一の樹脂塗膜層２と同様に、アクリル系樹脂、アルキド系樹脂或いはウレタン樹脂などの塗膜層）と、を有する特徴的な３層構造となっている。
【００２４】
即ち、従来の携帯電話等の電子機器の樹脂加工ケースに施された金属光沢メッキでは、そのアンダーコート上に成膜された金属蒸着膜の厚さが概ね０．１μｍ程度或いはそれ以上であり、図１１や図１２に示されるように、グレイン８、９が連続してつながっているので導電性を有して静電気を通電するのに対し、前記非導通金属蒸着膜３は図１の模式図のように、真空蒸着法によってスズ又はスズとインジウムの合金のグレイン３が対象となる基板上に、各々が縦に積み重なり、徐々に横にも拡がって金属膜として横方向に互いに連続してつながる前に非導通の状態で成膜を止めることによって形成されている。
【００２５】
而して、各々基板１の第一の樹脂塗膜層２に対して積層されたグレイン５は横方向には互いに連続して接続しておらず島状態になっていて、微視的に見れば図２の（ａ）のように斑な状態にある。この非導通状態の金属蒸着膜は、従来の前記金属蒸着膜１１、１２よりも薄いものの、外観的には十分に実用的な金属光沢面が得られるのである。なお、前記第二の樹脂塗膜層４（トップコート）が透明保護膜としてこの非導通金属蒸着膜３の金属光沢面を保護している。
【００２６】
ここに、上記非導通金属蒸着膜３の膜厚ｔ＝０．０１μｍ〜０．０５μｍの範囲は本発明者が鋭意研究によって得られたものであり、スズ又はスズとインジウムの合金を素材とする金属蒸着膜が真空蒸着法によって実用的な美しい金属光沢面を有しつつ非導通蒸着膜となるための好ましい条件である。
【００２７】
即ち、本発明者の試験によれば、スズの蒸着膜の形成は、膜厚ｔが薄いと非導通で外観として色味が青っぽく、膜厚が厚くなるにつれて黒っぽい外観から白っぽい外観となって導通し、さらに厚くなると光沢がなくなって白く曇ってしまうのであり、スズの金属蒸着膜３の膜厚ｔが０．０１μｍ〜０．０５μｍの範囲であれば、非導通でありながらやや黒味を帯びた好ましい金属光沢が得られることが判明した。
【００２８】
なお、本発明が蒸着金属としてスズ或いはスズとインジウムの合金を用いるのは、主としてスズが金属光沢として光の反射が高く、安価であり製造コストに見合うこと及び低温で溶融する点で膜厚のコントロールが比較的容易に行えることに拠る。なお、高純度のインジウムは銀白色でやわらかく、融点が１５６．６℃と低い易融合金として本非導通金属蒸着膜３のスズとの合金に適合的である。このスズとインジウムの合金の組成（重量割合）は任意であり、１：１でも、１：９９でも非導通金属蒸着膜３の成膜は可能であり、製造コストの面と要求される金属光沢の色味との兼ね合いで適宜決定されるべきである。
【００２９】
上記非導通金属蒸着膜３の膜厚に関して、下記［表１］と［表２］に本ＭＤプロセスのサンプルＭＤ−ＴＰ１〜ＭＤ−ＴＰ６の６個と、比較対象として従来の一般的なアルミ蒸着膜のサンプルＡｌ−ＴＰ１〜Ａｌ−ＴＰ６の６個の触針式表面形状測定装置（アンビオス社製ＸＰ−２型）を用いた各金属蒸着膜の膜厚測定結果を示す。
【００３０】
【表１】
2006281726.tif 000003
【００３１】
【表２】
2006281726.tif 000004
表１より、本発明の非導通金属蒸着膜３の膜厚ｔの適正値がｔ＝０．０１μｍ〜０．０５μｍの範囲内であることが判る。
【００３２】
また、本発明者の試験によれば、蒸着は真空蒸着法で行われるのが好ましく、蒸着膜形成に一般的に用いられている高周波をかけてプラズマを発生させた中で膜形成が行われる金属膜の密着性に優れるといわれるイオンプレーティングの手段によると、図に示されるように金属（スズ）のグレインが小さくなって密集しているためにグレインの接触面積が多く、電気抵抗が比較的小さくなるので、本ＭＤプロセスには不適である。
【００３３】
次に、成膜された金属蒸着膜の非導通／導通に関して、以下の［表３］、［表４］、［表５］にそれぞれ本発明の非導通金属光沢メッキのサンプル２個及び参考比較対象としてのポリカーボネイト（絶縁体）の表面抵抗の測定結果（ヒューレットパッカード社製抵抗測定器４３２９Ａ使用）と、従来のスズの蒸着膜のサンプル２個と、アルミ蒸着膜のサンプル３個の表面抵抗の測定結果（共和理研社製抵抗測定器Ｋ−７０５ＲＳ使用）を示す。なお、表中の「トップ無し」とは第二の樹脂塗膜層（トップコート）が成膜されていない状態をいう。
【００３４】
【表３】
2006281726.tif 000005
【００３５】
【表４】
2006281726.tif 000006
【００３６】
【表５】
2006281726.tif 000007
上記測定結果より、従来金属メッキとして用いられてきたアルミ及びスズの一般的な金属蒸着膜では、数Ω単位の抵抗値だったのに対し、本ＭＤプロセス（トップ無し）のサンプルの抵抗値は１０１４Ω、ポリカーボネイト素材は＞１０１８Ωという結果であった。なお、参考比較対象のポリカーボネイトの抵抗値は測定器の限界値であり真の抵抗値ではない。
【００３７】
上記結果から、スズ、アルミ等の従来の一般的な金属蒸着膜は導体膜であり、本ＭＤプロセスの金属蒸着膜は非導通膜といってよいことが判る。
【００３８】
次に、静電破壊試験を本ＭＤプロセスのサンプルとクロムスパッタ膜とアルミ蒸着膜のサンプルについて行ったところ、図３の（ａ）〜（ｄ）の各放電箇所の拡大写真の複写図に示されるように、（ａ）クロムスパッタ膜（導通膜）では、気中放電（３０ｋＶ）でクロム層を破壊しつつ表面をスパークして電荷が走っており、樹脂加工ケースの合わせ目から電荷が侵入し、内部の電子回路を破壊する可能性がある。また、（ｂ）アルミ蒸着膜（導通膜）では気中放電せずに、接触放電（３０ｋＶ）してアルミ蒸着膜を通してアースに落ちており、ケース、カバーの合わせ目から電荷が侵入して内部の電子回路を破壊する可能性がより高いと考えられる。本発明のスズの非導通蒸着膜では、（ｃ）接触放電（３０ｋＶ）では接触部分のスズが残り、その周りが少し破壊しているが広がりは小さく、（ｄ）気中放電（３０ｋＶ）では静電気が当たった箇所だけスズの蒸着膜が破壊されているが他の領域には影響ない。
【００３９】
以上から、本ＭＤプロセスの前記非導通金属蒸着膜３では、静電気のスパークが当たった箇所のメッキ部分だけ破壊するが、中の電子回路には影響を与えないことが確認された。
【００４０】
即ち、本発明では真空蒸着法によってスズ又はスズとインジウムの合金のグレイン（金属粒）が成膜対象となる基板１上に形成された第一の樹脂塗膜層２（アンダーコート）上に、図１のように各々が積み重なり、金属膜として連続してつながる前に成膜を止めることによって製作されており、結果として、静電気が基板１上に放電しても、その影響が放電した箇所近辺だけに留まり、気中放電してしまうために、樹脂加工ケース等の樹脂成形部材の反対面側にある電子回路等に電荷が入り込まず、静電気に起因する電子回路等の制御、故障、破壊といった悪影響が防止されるのである。
【００４１】
次に、本発明に係る上記非導通金属蒸着膜３と比較参照の他の蒸着膜等の各電磁波シールド特性を調べると、図４、図５のような測定結果のグラフが得られた。
【００４２】
ここに電界シールドとは静電気を遮ることと考えてよい。図４のグラフ中のアルミ２ｍｍは厚さ２ｍｍのアルミ板の測定値であるが、真のシールド性能ではなく測定器の測定限界なので、この線に近いほどシールド効果が高いことになり、０ｄＢに近いほどシールド効果が少ないことになる。
【００４３】
然るに、図４から明らかなように、本発明に係る非導通膜と絶縁体のポリカーボネイトは０ｄＢに重なっていて電界のシールド効果はなく、スズの導通膜とアルミ一般蒸着膜は、アルミ２ｍｍほどではないがそこそこの電界シールド効果を得ていることが判る。
【００４４】
また、図５の磁界のシールド特性（電流が流れる際に発生する磁界（磁力線）を遮る作用）についての測定結果のグラフから明らかなように電界のシールド特性とほぼ同様の関係であることが判る。
【００４５】
以上から、本発明に係るスズ又はスズとインジウムを含む合金を真空蒸着してなる金属光沢を有する非導通金属蒸着膜３には、電界、磁界のシールド作用が殆どなく、この特徴によって携帯電話等の電波を送受信する電子通信機器の樹脂加工ケース（筺体）や電子回路の至近距離に使用する部材に金属調の外観が求められる場合に何ら電子回路に影響を与えないで済むという利点があることが判る。
【００４６】
なお、上述の実施の形態は携帯電話の樹脂加工ケースを成膜対象の基板１としているが、勿論、前述のパチンコ遊技機の樹脂加工板からなるデコレーション部材の表面も成膜対象とできることは言うまでもない。さらに、この成膜対象の基板１は樹脂加工板以外の素材であってもよい。例えば、金属基板に絶縁膜として第一の樹脂塗膜層２をアンダーコートとして厚塗りし、その上に前記非導通蒸着膜３を成膜してもよいし、成膜対象がセラミック基板であってもよい。
【００４７】
次に、本発明に係る上記携帯電話の樹脂加工ケースを典型とする樹脂加工板等の基板１への前記非導通金属光沢メッキ１０の形成方法は、先ず、樹脂加工板１の表面又は表面と裏面に対して、第一の樹脂塗膜層２をスプレー等で塗布して熱風乾燥して形成し、真空蒸着炉中でスズ又はスズとインジウムを含む合金のペレットをフィラメントで加熱して前記樹脂加工板１に形成された前記第一の樹脂塗膜層２の上に金属光沢を有するとともに前記スズ又はスズとインジウムの合金のグレインが金属膜として連続してつながる前に成膜を止める用に蒸着温度、蒸着時間、前記ペレットとワーク（成膜対象の樹脂加工板１）との距離を適宜設定して膜厚ｔをコントロールすることにより非導通状態の非導通金属蒸着膜３を真空蒸着させ、さらに、前記非導通金属蒸着膜３の上に保護膜として第二の樹脂塗膜層４（トップコート）をスプレー等で塗布し乾燥して形成することを特徴とする。
【００４８】
本発明者の試験では、図６の側面図、図７の平面図に示されるような形状の蒸着自公転治具２０に立てた電極棒２１に取り付けた複数のるつぼ形タングステンフィラメント２２にペレットのスズ線（約０．３ｇ）を入れ、その周りに垂設した９本の蒸着治具２３に対象のワークを図８の取付図に示されるようにワークＷを取付治具２４（８個付け治具）に取り付けて自公転させながら８×１０−５Ｔｏｒｒ程度に真空中で余熱の後１８０秒程度蒸着を行うことにより、非導通金属蒸着膜３がワークＷの表面に形成することができる。
【００４９】
なお、スズ又はスズとインジウムの合金のペレットの量、ワークＷとペレットの距離、フィラメントの形状、加熱条件等は個々の真空蒸着炉の特性に依存するので、予めの試験・調整が必要である。一般的には、通常の金属光沢メッキに要する条件よりも薄い膜厚となるように緩やかな蒸着の成膜条件になるように調整を行うことが望ましい。
【００５０】
以上、詳述したように、本発明はスズやインジウムが沸溶解温度が低いことや金属光の反射が高いという性質に着目するとともに、極薄膜で微視的に見て島状積層が持続しやすいという性質を見出すことにより、非導通膜でありながら優れた金属光沢（メタル感）が得られて、静電気を拡散させにくい性質を併せ持つ非導通金属蒸着膜を持つ非導通金属光沢メッキを実現したのである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明に係る非導通金属光沢メッキの非導通金属蒸着膜の成膜状態を微視的に説明するための模式図である。
【図２】（ａ）は本発明に係る非導通金属光沢メッキ（スズメッキ）の表面を原子間力顕微鏡によって表面観察した写真の複写図であり、（ｂ）は膜厚を厚くして導通膜とした従来の金属光沢メッキ（スズメッキ）の表面を原子間力顕微鏡によって表面観察した写真の複写図であり、（ｃ）は従来のイオンプレーティングによるスズメッキの表面を原子間力顕微鏡によって表面観察した写真の複写図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は静電破壊試験による携帯電話の各種金属光沢メッキ処理された樹脂加工ケースの表面の静電気放電後の写真を複写した図である。
【図４】各種金属光沢メッキ処理された樹脂加工ケースの電気シールド特性を示す図である。
【図５】各種金属光沢メッキ処理された樹脂加工ケースの磁気シールド特性を示す図である。
【図６】本発明に係る非導通金属光沢メッキ形成方法における真空蒸着炉中の治具の構成を表す正面図である。
【図７】真空蒸着炉中の蒸着自公転治具を真上から見た図である。
【図８】蒸着回転治具とワーク（メッキ対象の携帯電話の樹脂加工ケース）を取り付けた状態を表す図である。
【図９】携帯電話の樹脂加工ケースのクロムメッキされた表面に静電気が放電した後の状態を示す写真を複写した図である。
【図１０】携帯電話の樹脂加工ケースのクロムメッキされた表面に静電気が放電した後の状態を示す拡大写真を複写した図である。
【図１１】従来の真空蒸着による金属蒸着膜の成膜状態を微視的に説明するための模式図である。
【図１２】従来のイオンプレーティングによる金属蒸着膜の成膜状態を微視的に説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００５２】
１    基板
２    第一の樹脂塗膜層
３    非導通金属蒸着膜
４    第二の樹脂塗膜層
５、８、９    グレイン
１０    非導通金属光沢メッキ
１１    従来のスズの真空蒸着による金属蒸着膜
１２    従来のイオンプレーティング法によるスズの金属蒸着膜
２０    蒸着自公転治具
２１    電極棒
２２    るつぼ形タングステンフィラメント
２３    蒸着治具
２４    取付治具（８個付け治具）
ｔ    厚さ
Ｗ    ワーク
【図１】
2006281726.tif 000008
【図２】
2006281726.tif 000009
【図３】
2006281726.tif 000010
【図４】
2006281726.tif 000011
【図５】
2006281726.tif 000012
【図６】
2006281726.tif 000013
【図７】
2006281726.tif 000014
【図８】
2006281726.tif 000015
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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