(57)【要約】【課題】ホト工程を使用しないでパターニング工程を遂行し製造工程を単純化すると共にアラインメントの正確性を向上させて薄膜パターンを定位置に形成させる。【解決手段】基板上に形成された薄膜上に第１光照射により極性が変わるエッチレジストを塗布し、エッチレジストとの対向面に表面処理によりエッチレジストと同一極性の突出面と溝を有するソフトモールドを設け、所定の間隔を置いて位置するソフトモールドと基板を１次アラインメントし、ソフトモールドをエッチレジスト上に配置させた後、ソフトモールドと基板を２次アラインメントし、エッチレジストは第１光照射により極性が変化すると共に、ソフトモールドの溝内に移動し、ソフトモールドの溝内に移動したエッチレジストに第２光を照射し、薄膜上にエッチレジストパターンを形成し、エッチレジストパターンからソフトモールドを分離し、薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する。【選択図】図３
2006139249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜上に第１光照射により極性が変わるエッチレジストを塗布するステップと、
前記エッチレジストとの対向面に表面処理によりエッチレジストと同一極性の突出面と溝を有するソフトモールドを設けるステップと、
前記ソフトモールドと基板を１次アラインメントするステップと、
前記ソフトモールドを前記エッチレジスト上に配置させた後、前記ソフトモールドと前記基板を２次アラインメントするステップと、
前記エッチレジストが前記ソフトモールドの溝内に移動するように前記第１光照射により前記エッチレジストの極性を変化させるステップと、
前記溝内に移動したエッチレジストに第２光を照射して前記薄膜上にエッチレジストパターンを形成するステップと、
前記エッチレジストパターンから前記ソフトモールドを分離するステップと、
前記エッチレジストパターンを用いて前記薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成するステップと
を含むことを特徴とする平板表示素子の製造方法。 
【請求項２】
前記エッチレジストは、０．０１〜３％程度の活性剤、０．０１〜３％程度の開始剤、３０〜５０％程度の誘導体及び３０〜５０％程度の樹脂を含むことを特徴とする請求項１記載の平板表示素子の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂は、ｔＢＯＣ-ｐ-Ｓ（パラ−ターシャル−ブトキシカルボニルオキシスチレン）を含む液状高分子前駆体及び液状単量体の中、少なくともいずれかの１つであり、前記活性剤はトリフェニルスルホニウム塩物質を含み、前記開始剤は１-ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンを含むことを特徴とする請求項２記載の平板表示素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１及び第２光は、互いに異なる波長帯のエネルギーを有することを特徴とする請求項１記載の平板表示素子の製造方法。
【請求項５】
前記活性剤は、前記第１光により反応して前記エッチレジストの極性を疎水性から親水性へ変化させることを特徴とする請求項２記載の平板表示素子の製造方法。
【請求項６】
前記開始剤は、前記第２光により反応し、前記エッチレジストを硬化させることを特徴とする請求項２記載の平板表示素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２アラインメントは、前記ソフトモールドの一側に位置する第１アラインメントマークと前記第１アラインメントマークと対応して、前記基板上に形成される第２アラインメントマークを互いに定位置させてアラインメントすることを特徴とする請求項１記載の平板表示素子の製造方法。
【請求項８】
前記平板表示素子は、液晶表示素子（ＬＣＤ）、電界放出表示素子（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及び電界発光素子（ＥＬ）の中、いずれかの１つであることを特徴とする請求項１記載の平板表示素子の製造方法。
【請求項９】
基板上に形成された薄膜上に第１光照射により極性が変わるエッチレジストを塗布する装置と、
前記エッチレジストとの対向面に表面処理によりエッチレジストと同一極性の突出面と溝を有するソフトモールドと、
所定の間隔を置いて位置する前記ソフトモールドと基板を１次アラインメントさせる装置と、
前記ソフトモールドを前記エッチレジスト上に配置させた後、前記ソフトモールドと前記基板を２次アラインメントさせる装置と、
前記エッチレジストに前記第１光照射を照射する装置と、
前記極性が変化したエッチレジストに第２光を照射する装置と、
前記エッチレジストパターンから前記ソフトモールドを分離させる装置と、
前記エッチレジストパターンを用いて前記薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する装置と
を備えることを特徴とする平板表示素子の製造装置。
【請求項１０】
前記エッチレジストは０．０１〜３％程度の活性剤、０．０１〜３％程度の開始剤、３０〜５０％程度の誘導体及び３０〜５０％程度の樹脂を含むことを特徴とする請求項９記載の平板表示素子の製造装置。
【請求項１１】
前記樹脂は、ｔＢＯＣ-ｐ-Ｓ（パラ−ターシャル−ブトキシカルボニルオキシスチレン）を含む液状高分子前駆体及び液状単量体の中、少なくともいずれかの１つであり、前記活性剤はトリフェニルスルホニウム塩物質を含み、前記開始剤は１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンを含むことを特徴とする請求項９記載の平板表示素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平板表示素子に関し、特に、ホト工程を使用しないで、パターニング工程を遂行し、製造工程を単純化すると共に、アラインメントの正確性を向上させて薄膜パターンを定位置に形成させることができる平板表示素子の製造方法及び装置に関する。 
【背景技術】
【０００２】
最近の情報化社会において、表示素子は視覚情報伝達媒体としてその重要性がいつの時より強調されている。現在、主流をなしている陰極線管、または、ブラウン管は重さと体積が大きいという問題がある。
【０００３】
一方、平板表示素子には、液晶表示素子（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）、電界放出表示素子（Field Emission Display：ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）及び電界発光素子（Electroluminescence：ＥＬ）などがあり、これらの大部分が実用化して市販されている。
【０００４】
液晶表示素子は、電子製品の軽薄短小の要求を満足でき、量産性が向上し、多くの応用分野で陰極線管と替わりつつある。
【０００５】
特に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、“ＴＦＴ”という）を用いて液晶セルを駆動するアクティブマトリックスタイプの液晶表示素子は、画質が優れ、消費電力が低い長所があり、最近の量産技術確保と研究開発の成果により大型化と高解像度化に急速に発展している。
【０００６】
このようなアクティブマトリックスタイプの液晶表示素子は、図１のように液晶層１５を間に置いてカラーフィルタ基板２２とＴＦＴアレイ基板２３とが合着する。図１に図示された液晶表示素子は全体有効画面の一部を示すものである。 
【０００７】
カラーフィルタ基板２２には、上部ガラス基板１２の背面上にカラーフィルタ１３及び共通電極１４が形成される。上部ガラス基板１２の前面上には偏光板１１が付着する。カラーフィルタ１３は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）色のカラーフィルタ層が配置され、特定の波長帯域の光を透過させることにより、カラー表示を可能にする。隣接した色のカラーフィルタ１３間には図示しないブラックマトリックス（Black Matrix）が形成される。 
【０００８】
ＴＦＴアレイ基板２３には、下部ガラス基板１６の前面にデータライン１９とゲートライン１８が相互交差して、その交差部にＴＦＴら２０が形成される。そして、下部ガラス基板１６の前面には、データライン１９とゲートライン１８との間のセル領域に画素電極２１が形成される。
【０００９】
ＴＦＴ２０は、ゲートライン１８からのスキャニング信号に応答し、データライン１９と画素電極２１との間のデータ転送パスを切り換えることにより、画素電極２１を駆動することになる。ＴＦＴアレイ基板２３の背面には偏光板１７が付着する。 
【００１０】
液晶層１５は自分に印加された電界によりＴＦＴアレイ基板２３を経由して入射する光の透過量を調節する。
【００１１】
カラーフィルタ基板２２とＴＦＴ基板２３上に設けた偏光板１１、１７は、いずれかの一方向に偏光された光を透過させることになり、液晶１５が９０゜ＴＮモードである際、それらの偏光方向は互いに直交することになる。 
【００１２】
カラーフィルタ基板２２とアレイＴＦＴ基板２３の液晶対向面には図示していない配向膜が形成される。 
【００１３】
アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子を製造するための製造工程は、基板洗浄、基板パターニング工程、配向膜形成／ラビング工程、基板合着／液晶注入工程、実装工程、検査工程及びリペア（Repair）工程などに分けられる。
【００１４】
基板洗浄工程は、液晶表示素子の基板の表面に汚染された異物を洗浄液で除去する。基板パターニング工程は、カラーフィルタ基板のパターニング工程とＴＦＴアレイ基板のパターニング工程とに分れて行われる。配向膜形成／ラビング工程は、カラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基板の各々に配向膜を塗布して、その配向膜をラビング布等でラビングすることになる。基板合着／液晶注入工程は、シール材（sealant）を用してカラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基板とを合着し、液晶注入口を通じて液晶とスペーサを注入した後、その液晶注入口を封入する。
【００１５】
実装工程は、ゲートドライブ集積回路及びデータドライブ集積回路などの集積回路が実装されたテープキャリヤパッケージ（Tape Carrier Package：以下、“ＴＣＰ”という）を基板上のパッド部に接続させることになる。このようなドライブ集積回路は、前述のＴＣＰを用いたテープオートメーテッドボンディング（Tape Automated Bonding）方式の以外に、チップオンガラス（Chip On Glass；以下、“ＣＯＧ”という）方式などで基板上に直接実装されることもできる。
【００１６】
検査工程は、ＴＦＴアレイ基板にデータラインとゲートラインなどの信号配線と画素電極が形成された後に行われる電気的検査、基板合着／液晶注入工程後に行われる電気的検査及び肉眼検査を含む。リペア工程は、検査工程によりリペアが可能であると判定された基板に対する復元を行う。検査工程においてリペアが不可能な基板は廃棄処分される。
【００１７】
このような液晶表示素子を含んだ大部分の平板表示素子の製造方法において、基板上に積層する薄膜物質は、ホトリソグラフィ（Photorithography）工程でパターニングされる。ホトリソグラフィ工程は、一般的にホトレジスト（Photoresist）の塗布、マスクアライニング、露光、現像及び洗浄を含む一連の写真工程である。ところが、このようなホトリソグラフィ工程は、工程所要時間が長く、ホトレジスト物質とストリップ溶液の浪費が大きくて露光装備などの高価の装備が必要であるという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
従って、本発明は、ホト工程を使用しないで、パターニング工程を遂行し、製造工程を単純化すると共に、アラインメントの正確性を向上させて薄膜パターンを定位置に形成させることができる平板表示素子の製造方法及び装置を提供することをその目的とする。 
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記の目的の達成のために、本発明の実施の形態に係る平板表示素子の製造方法は、基板上に形成された薄膜上に第１光照射により極性が変わるエッチレジストを塗布するステップと、前記エッチレジストとの対向面に表面処理によりエッチレジストと同一極性の突出面と溝を有するソフトモールドを設けるステップと、所定の間隔を置いて位置する前記ソフトモールドと基板を１次アラインメントするステップと、前記ソフトモールドを前記エッチレジスト上に配置させた後、前記ソフトモールドと前記基板を２次アラインメントするステップと、前記エッチレジストは前記第１光照射により極性が変わると共に、前記ソフトモールドの溝内に移動するステップと、前記極性が変わると共に、ソフトモールドの溝内に移動したエッチレジストに第２光を照射し、前記薄膜上にエッチレジストパターンを形成するステップと、前記エッチレジストパターンから前記ソフトモールドを分離するステップと、前記エッチレジストパターンを用いて前記薄膜をエッチングし、薄膜パターンを形成するステップとを含むことを特徴とする。 
【００２０】
また、本発明の実施の形態に係る平板表示素子の製造装置は、基板上に形成された薄膜上に第１光照射により極性が変わるエッチレジストを塗布する装置と、前記エッチレジストとの対向面に表面処理によりエッチレジストと同一極性の突出面と溝を有するソフトモールドと、所定の間隔を置いて位置する前記ソフトモールドと基板を１次アラインメントさせる装置と、前記ソフトモールドを前記エッチレジスト上に配置させた後、前記ソフトモールドと前記基板を２次アラインメントさせる装置と、前記エッチレジストに前記第１光照射を照射する装置と、前記極性が変化したエッチレジストに第２光を照射する装置と、前記エッチレジストパターンから前記ソフトモールドを分離させる装置と、前記エッチレジストパターンを用いて前記薄膜をエッチングし、薄膜パターンを形成する装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るホト工程でないソフトモールド及びエッチレジストを用いて薄膜パターンを形成することにより、製造工程が単純化する。また、光により極性が変わるエッチレジストを用いることにより、ソフトモールドをエッチレジストに直接接触させてソフトモールドと基板をアラインメントさせることにより、正確なアラインメントがなされる。これによって、薄膜パターンを定位置に形成させることができることになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図２ないし図５を参照しながら本発明の好ましい実施の形態に対して説明する。
図２及び図３は、本発明に係る平板表示素子の製造方法を概略的に示す図面であり、図４Ａないし図４Ｅは、ソフトモールド及びエッチレジストを用いて薄膜を形成する工程を詳細に示す図面である。
【００２３】
図２及び３を参照すると、本発明の実施の形態に係る平板表示素子の製造方法は、薄膜１３２ａが形成された基板１３１上にエッチレジスト（etch resist）溶液１３３ａの塗布工程、ソフトモールド１３４を用いたエッチレジスト層１３３のパターニング工程、薄膜１３２のパターニングのためのエッチング工程、残留エッチレジストパターンのストリップ工程及び検査工程を含む。 
【００２４】
基板１３１上に形成された薄膜１３２ａは、平板表示素子のアレイに存在する金属パターン、有機物パターン及び無機物パターンに用いられる基本材料であって、公知の塗布工程や蒸着工程により基板１３１上に形成される。 
【００２５】
エッチレジスト溶液１３３ａは、液状高分子前駆体、または、液状単量体の中、少なくともいずれかの１つであるメイン樹脂、活性剤（activator）、開始剤（initiator）、thermal flow誘導体を含み、所定の極性を帯びることになる。本発明におけるエッチレジスト溶液１３３ａは、所定の光照射により疎水性から親水性へ極性が変化する。これの具体的な造成は、表１の通りである。 
【００２６】
【表１】
2006139249.tif 000003
【００２７】
ここで、メイン樹脂は、エッチレジストの固有の機能を遂行するためのメイン物質であって、初期状態は液状の単量体、または、オリゴマー（oligomer）タイプで存在してから硬化後に高分子に変化する。本発明におけるメイン樹脂は、液状高分子前駆体、または、液状単量体の中、少なくともいずれかの１つの物質、例えば、ｔＢＯＣ-ｐ-Ｓ（パラ−ターシャル−ブトクシカルボニルオキシスチレン：para-tert-butoxycarbonyloxystyrene）などが用いられることができる。
【００２８】
活性剤は、メイン樹脂の極性を変化させ、全体のエッチレジスト溶液の極性を変化させる機能をする。例えば、疎水性から親水性へ変化させなければならない場合、メイン樹脂の−ＯＨ基を形成させることができるようにして、開始剤には影響を与えないエネルギーで反応する物質が用いられる。このような活性剤の物質としては、ＵＶ（紫外線）２５０ｎｍ程度で反応するOnium salts系物質、例えば、トリフェニルスルホニウム塩：triphenylsulfonium salts物質が用いられる。
【００２９】
開始剤は、メイン樹脂の成分が活性剤により疎水性から親水性へ極性が変化した後に、液状の材料を固状に変化させる役割をする。このような開始剤物質には、活性剤が反応する波長帯では反応が生じなく、３６５ｎｍ程度で反応が生じる物質が用いられる。例えば、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン：１-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketoneなどの物質が用いられる。
【００３０】
誘導体は、工程完了後にエッチレジストと基板との接着性を増加させる役割をする。このような物質を含むエッチレジスト溶液１３３ａは、ノズル噴射、スピンコーティングなどの塗布工程により薄膜１３２ａ上に塗布される。
【００３１】
ソフトモールド１３４は、弾性の大きいゴム材料、例えば、ポリジメチルシロキサン（Polydimethylsiloxane；ＰＤＭＳ）、ポリウレタン（Polyurethane）、クロスリンクドノボラック樹脂（Cross-linked Novolac resin）などで製作されて、基板１３１上に残留させるパターンと対応する溝１３４ａが形成される。ここで、溝１３４ａと突出面１３４ｂを有するソフトモールド１３４は、本発明の出願人により既に出願された韓国特許出願第２００３−００９８１２２号で提案されたソフトモールド１３４であって、韓国特許出願第２００３−００９８１２２号で提案された方式と同一な方式を用いて疎水性、または、親水性で表面処理される。以下、本発明では、ソフトモールド１３４が疎水性である場合を想定して説明する。
【００３２】
このソフトモールド１３４はエッチレジスト溶液１３３ａ上にアライニングさせた後、薄膜１３２ａとの接触が可能な程度の圧力、即ち、自分の自重程度の重さだけでエッチレジスト溶液１３３ａに加圧される。
【００３３】
韓国特許出願第２００３-００９８１２２号では、ソフトモールド１３４とガラス基板１３１との間の圧力で発生する毛細管力（Capillary force）と、ソフトモールド１３４とエッチレジスト溶液１３２ａとの間の反発力によりエッチレジスト溶液１３３ａが図３のようにソフトモールド１３４の溝１３４ａ内に移動する。その結果、ソフトモールド１３４の溝１３４ａパターンと反転転写されたパターン形態でエッチレジストパターン１３３ｂが薄膜１３２ａ上に形成される。
【００３４】
以後、ソフトモールド１３４と基板１３１とが分離した後、湿式エッチング工程（Wet etching process）や乾式エッチング工程（Dry etching process）が行われる。この際、エッチレジストパターン１３４ｂは、マスクとして作用するので、そのエッチレジストパターン１３４ｂの下部に位置した薄膜１３２ａのみ基板１３１上に残留して、その以外の薄膜１３２ａは除去される。
【００３５】
次に、エッチレジストパターン１３４ｂはストリップ工程により除去されて、薄膜パターン１３２ｂに対する電気的、光学的検査を通じて薄膜パターン１３２ｂのショット、断線などが検査される。
【００３６】
ソフトモールド１３４は基板１３１と分離した後、紫外線（ＵＶ）とオゾン（Ｏ３）で洗浄された後、他の薄膜１３２ａのパターニング工程に再投入される。
【００３７】
一方、ホト工程では、マスクを基板１３１上に所定の間隔を置いてアライニングさせた後、マスク上のアラインメントマークと基板上のアラインメントマークとアラインメントさせた後、ホト工程が行われる。
【００３８】
しかし、韓国特許出願第２００３-００９８１２２号で提案されたソフトモールド１３４は、ホト工程時に用いられるマスクとは異なり、基板１３１と所定間隔を置いてアラインメントする場合、ソフトモールド１３４が自重により撓むことになることにより、基板１３１とのアラインメントの正確性が非常に落ちることになる。これによって、ソフトモールド１３４及びエッチレジストを用いて薄膜を形成する場合、薄膜の形態が正確に形成できない短所がある。
【００３９】
以下、図４Ａないし図４Ｅを参照して上述したエッチレジスト溶液１３３ａ及びソフトモールド１３４を用いて薄膜パターン１３２ｂを定位置に形成させることができる工程を詳細に説明する。 
【００４０】
まず、表１及びその以下に記述した物質らを含むエッチレジスト溶液１３３ａが形成された基板１３１上に、図４Ａに示すように、所定の間隔を置いてソフトモールド１３４が１次アラインメントされる。１次アラインメントは、エッチレジスト溶液１３３ａとソフトモールド１３４とが接触しない状態で、基板１３１上のアラインメントマークとソフトモールド１３４とのアラインメントマークを用いて概略的なアラインメントがなされる。この際、約５０μｍ程度の相当な偏差が発生する。
【００４１】
以後、図４Ｂに示すように、ソフトモールド１３４がエッチレジスト溶液１３３ａに接触することになる。ここで、ソフトモールド１３４の溝１３４ａと突出面１３４ｂは疎水性を有するように表面処理されて、エッチレジスト溶液１３３ａも疎水性を帯びることになることにより、ソフトモールド１３４とエッチレジスト溶液１３３ａとの間に反発力が生じないので、エッチレジスト溶液１３３ａがソフトモールド１３４の溝１３４ａ内に移動しなくなる。 
【００４２】
この際、ソフトモールド１３４がエッチレジスト溶液１３３ａが塗布された基板１３１上に配置した状態であるので、ソフトモールド１３４が撓まなくなると共に、エッチレジスト溶液１３３ａがソフトモールド１３４と同一極性であるので、ソフトモールド１３４とエッチレジスト溶液１３３ａとの間に反発力が生じない。これによって、エッチレジスト溶液１３３ａ上においてソフトモールド１３４の位置を調節し、基板１３１上にアラインメントマークとソフトモールド１３４のアラインメントマークを定位置させ、２次アラインメントすることになる。これにより、ソフトモールド１３４とエッチレジスト溶液１３３ａが形成された基板１３１と正確にアラインメントされることになる。 
【００４３】
以後、図４Ｃに示すように、ＵＶ（紫外線）、または、ＩＲ（infra red）中、少なくともいずれかの１つがエッチレジスト溶液１３３ａに照射することにより、エッチレジスト溶液１３３ａに含まれた活性剤が反応することになる。その結果、エッチレジスト溶液１３３ａが疎水性から親水性へ変化することにより、ソフトモールド１３４とエッチレジスト溶液１３３ａとの反発力によりエッチレジスト溶液１３３ａがソフトモールド１３４の溝１３４ａ内に移動する。以後、エッチレジスト溶液１３３ａが硬化（curing）することにより、エッチレジストパターン１３３ｂが形成される。
【００４４】
図５に示すように、一連の構造式を参照しながら図４Ｃの過程を説明すると次の通りである。 
まず、活性剤に所定の波長を有するＵＶ（紫外線）、または、ＩＲ（infra red）などが照射することにより、活性剤がメイン樹脂から−Ｒ基を分離させて−ＯＨ基を結合させる（第１処理）。これによって、エッチレジスト溶液１３３ａが疎水性から親水性へ変化する。この活性剤の反応のために、例えば、約２５０ｎｍ以下の波長帯のＵＶ（紫外線）、または、ＩＲ（infra red）エネルギーが用いられる。
【００４５】
以後、活性剤の反応のために用いられた波長とは異なる独立した波長帯、例えば、３００ｎｍ〜４５０ｎｍ程度の波長帯を有するＵＶ（紫外線）、または、ＩＲを用いてエッチレジスト溶液１３３ａを硬化させることにより、活性剤によりメイン樹脂から分離した−Ｒ基が更に再結合しながらエッチレジスト溶液１３３ａが硬化する（第２処理）。
【００４６】
その結果、ソフトモールド１３４の溝１３４ａパターンと反転転写されたパターン形態でエッチレジストパターン１３３ｂが薄膜１３２ａ上に形成される。
【００４７】
以後、エッチレジストパターン１３３ｂをマスクとして用いたエッチング工程により薄膜パターンが形成される。 
【００４８】
このように、本発明に係る平板表示素子の製造方法は、ホト工程でないソフトモールド及びエッチレジストを用いて薄膜パターンを形成することにより、製造工程が単純化する。また、光により極性が変わるエッチレジストを用いることにより、ソフトモールドをエッチレジストに直接接触させてソフトモールドと基板をアラインメントさせることにより、正確なアラインメントがなされることになる。その結果、薄膜パターンを定位置に形成させることができることになる。
【００４９】
上述のように、本発明の実施の形態に係る平板表示素子を製造する製造装置は、基板上に形成された薄膜上に第１光照射により極性が変わるエッチレジストを塗布する装置と、前記エッチレジストとの対向面に表面処理によりエッチレジストと同一極性の突出面と溝を有するソフトモールドと、所定の間隔を置いて位置する前記ソフトモールドと基板を１次アラインメントさせる装置と、前記ソフトモールドを前記エッチレジスト上に配置させた後、前記ソフトモールドと前記基板を２次アラインメントさせる装置と、前記エッチレジストに前記第１光照射を照射する装置と、前記極性が変化したエッチレジストに第２光を照射する装置と、前記エッチレジストパターンから前記ソフトモールドを分離させる装置と、前記エッチレジストパターンを用いて前記薄膜をエッチングして薄膜パターンを形成する装置とを備えることを特徴とする。
【００５０】
また、本発明に係る平板表示素子の製造方法及び装置は、液晶表示素子（ＬＣＤ）、電界放出表示素子（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）及び電界発光素子（ＥＬ）などの平板表示素子の電極層、有機物層及び無機物層などをパターニングするための工程に適用されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】アクティブマトリックスタイプの液晶表示素子を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る平板表示素子の製造方法を示す図面である。
【図３】図２に図示されたソフトモールドと基板の接触の際、エッチレジスト溶液の移動を示す図面である。
【図４Ａ】光により極性が変わるエッチレジストを用いて薄膜を形成する方法を示す図面である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く工程図である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く工程図である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く工程図である。
【図５】光がエッチレジストに照射されることにより、その分子構造が変化することを示す概念図である。
【符号の説明】
【００５２】
１５    液晶
１９    データライン
２０    薄膜トランジスタ
２１    画素電極
２２    カラーフィルタ基板
１３１    基板
１３２ａ    薄膜
１３２ｂ    薄膜パターン
１３３ａ    エッチレジスト溶液
１３４    ソフトモールド
【図１】
2006139249.tif 000004
【図２】
2006139249.tif 000005
【図３】
2006139249.tif 000006
【図４Ａ】
2006139249.tif 000007
【図４Ｂ】
2006139249.tif 000008
【図４Ｃ】
2006139249.tif 000009
【図４Ｄ】
2006139249.tif 000010
【図４Ｅ】
2006139249.tif 000011
【図５】
2006139249.tif 000012