(57)【要約】【課題】部品内蔵モジュールなどのアスペクト比の高いインナービアホール接続であっても、より安定した接続信頼性が得られる部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物を有する絶縁性基材１０１ａの両面に保護部材１０２ａを貼り付ける貼付工程と、絶縁性基材１０１ａ及び保護部材１０２ａの所定の位置にパンチングにより複数の貫通孔１０３を形成する貫通孔形成工程と、レーザビーム１１２を照射することにより、複数の貫通孔１０３内のパンチ屑１１０の除去を行うレーザー照射工程とを備え、レーザビーム１１２のスポット径は、貫通孔１０３の径以下であるビアホールの製造方法。【選択図】図１
2006032664.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物を有する絶縁性基材の両面に保護部材を貼り付ける貼付工程と、
前記絶縁性基材及び前記保護部材の所定の位置にパンチングにより複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
レーザビームを照射することにより、前記複数の貫通孔内のパンチ屑の除去を行うレーザ照射工程とを備えた、ビアホールの製造方法。
【請求項２】
前記レーザビームのスポット径は、前記貫通孔の径以下である、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項３】
前記複数の貫通孔内にパンチ屑が残っているか、否かを検査する検査工程を更に備え、
前記レーザ照射工程は、前記検査工程により前記パンチ屑が残っていると判断された前記貫通孔内の前記パンチ屑の除去を行う工程である、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項４】
前記検査工程は、カメラ認識により前記パンチ屑が残っているか、否かを検査する工程である、請求項３記載のビアホールの製造方法。
【請求項５】
前記検査工程は、検査用レーザビームを前記複数の貫通孔内に照射することにより、前記パンチ屑が残っているか、否かを検査する工程である、請求項３記載のビアホールの製造方法。
【請求項６】
前記レーザビームは、前記検査用レーザビームを兼ねており、
前記レーザビームを前記検査用として用いるときは、前記パンチ屑の除去を行うときよりも出力が小さい、請求項５記載のビアホールの製造方法。
【請求項７】
前記レーザ照射工程は、前記貫通孔形成工程により形成された貫通孔に対応する位置に開口部を有するマスクを前記保護部材上に載置し、前記レーザビームを前記貫通孔に照射する工程である、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項８】
前記開口部の径は、前記貫通孔の径以下である、請求項７記載のビアホールの製造方法。
【請求項９】
前記レーザは、ＣＯ２レーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、及びエキシマレーザから選択される少なくとも１種類のレーザーである、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項１０】
前記保護部材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、及びポリプロピレンから選択される１種類以上を含む、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項１１】
前記貫通孔の径は、０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下である、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項１２】
前記レーザビームは、パルスレーザである、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項１３】
前記レーザ照射工程は、前記レーザビームの照射とともに、補助ガスを前記貫通孔に吹き付けることにより、前記パンチ屑の除去を行う工程である、請求項１記載のビアホールの製造方法。
【請求項１４】
無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物を有する絶縁性基材の両面に保護部材を貼り付ける貼付工程と、
前記絶縁性基材及び前記保護部材の所定の位置にパンチングにより複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
レーザビームを照射することにより前記複数の貫通孔内のパンチ屑の除去を行いビアホールを形成するレーザ照射工程と、
前記ビアホール内に導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記保護部材を前記絶縁性基材から剥離する剥離工程と、
少なくとも一方に半導体及び／又は回路部品が実装された２枚の回路基板を、前記絶縁性基材の上下の面に積層することで、前記絶縁性部材内に前記半導体及び／又は回路部品を埋め込む積層工程と、
加圧及び加熱することにより、前記絶縁性基材及び前記導電性ペーストを硬化させることで、積層された前記回路基板及び前記絶縁性基材を一体化する一体化工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記導電性ペーストは、金、銀、銅、ニッケル、錫、鉛から選択される少なくとも１種類以上を含む、請求項１４記載の部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１６】
保護部材が両面に貼り付けられ、前記保護部材とともに複数の貫通孔が形成された絶縁性基材を載置させるためのテーブルと、
前記貫通孔内のパンチ屑を除去するためのレーザビームを発振するレーザ発振器と、
前記レーザビームの前記絶縁性基材への照射位置を調整するための位置調整手段と、
前記複数の貫通孔内にパンチ屑があるか、否かを検査する検査手段と、
前記位置調整手段により位置合わせを行い、前記検査手段によってパンチ屑が有ると判定された貫通孔に対して前記加工用レーザを照射し前記パンチ屑の除去を行う制御手段とを備えた、レーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は樹脂と無機フィラーの混合物により放熱性、熱膨張係数、誘電体特性を向上させ、かつ半導体などの能動部品やコンデンサなどの受動部品を内蔵した高密度実装モジュールの製造方法等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化の要求に伴い、半導体の高密度、高機能化が一層叫ばれている。これによりそれらを実装するため回路基板もまた小型高密度なものが望まれている。
【０００３】
これらの要求に対し、高密度実装を実現する手段として、ＬＳＩ間や部品間の電気配線を最短距離で接続できる基板の層間の電気接続方式である、ビアホールに導電性ペーストを充填させたインナービア接続を用いた全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板と呼ばれるものがある（例えば特許文献１参照。）。この全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板は、最も回路の高密度配線化が図れることから各方面で採用されている。
【０００４】
このような基板によると、多層配線基板のビアホール内に導電性ペーストを充填して必要な各層間のみを電気的に接続し、また部品ランド直下にインナービアホールを設けることができるために基板サイズの小型化や高密度実装を実現することができる。またインナービアホール接続における電気的接続に導電性ペーストを用いているので、ビアホールに印加される応力を緩和することができ、熱衝撃等に対する寸法変化に対しても安定な電気的接続を実現することができている。
【０００５】
しかし、これらの方法によっても２次元的に部品を高密度に実装することは限界に近づきつつある。また、高速化、高密度化に伴いノイズの影響も避けて通れなくなりつつある。従って、回路基板は高密度、高機能、対ノイズに加え、部品を内蔵した３次元実装形態のモジュールの出現が期待されている。
【０００６】
このような要求に対し、低温で半導体などの能動部品やコンデンサ、抵抗などの受動部品を内蔵させたモジュールの提案（例えば、特許文献２参照。）がなされている。この特許文献２には、インナービア構成で半導体やコンデンサなどを内蔵させたモジュールとその製造方法が記載されている。この部品内蔵モジュールは、無機質フィラーと熱硬化性樹脂を含む混合物からなる絶縁性基材にインナービアと、能動部品及び／又は受動部品を埋設したコア層とを備え、少なくともコア層の片面には複数の配線パターンとインナービアを有する絶縁性基材あるいはセラミック基板が配されている。
【０００７】
そして、製造方法としては、無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物からなる絶縁性基材にインナービアを設け、さらに離型キャリアに形成した配線パターン上に実装された能動部品及び／又は受動部品を重ね合わせ加圧加熱することで埋没一体化させる。その後、離型キャリアを剥離し複数の配線パターンとインナービアを有する電気絶縁層あるいはセラミック基板とを一体化させることより作成される。
【０００８】
あるいは、離型キャリアの代わりに銅箔上に能動部品および／又は受動部品を実装した物を絶縁性基材に重ね合わせ、加熱加圧により埋没一体化後に銅箔をパターニングし、複数の配線パターンとインナービアを有する電気絶縁層あるいはセラミック基板とを一体化させることより作成される部品内蔵モジュールの製造方法が示されている。
【０００９】
以下に、具体的な部品内蔵モジュールの製造方法の一例について説明する。図４（ａ）〜（ｆ）は部品内蔵モジュールの製造方法を工程順に示した断面図である。
【００１０】
図４（ａ）に示すように、無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂とを含む混合物からなる厚み１００μｍ程度の絶縁性基材４０１を所定の厚みに重ね、両面に保護フィルム（または支持フィルム）４０２を貼り付ける。その後、全てを貫通するビアホール４０３を形成する。
【００１１】
ビアホールの形成方法としてドリル加工、レーザ加工、パンチング加工等がある。
【００１２】
部品内蔵モジュールの製造では、絶縁性基材４０１を複数重ねて微細なビアホールを形成するため、アスペクト比（開口部の深さと開口部の内径の比）が大きくなる。そのため、レーザ加工では、ビームのエネルギー密度が影響して、すり鉢状のテーパ穴になりストレート形状のビアホール形状が得られにくい。
【００１３】
またドリル加工では絶縁性基材４０１は未硬化状態で軟らかいため切削性が悪くなることから、一般にパンチ４０６および貫通穴を備えたダイ４０７とで構成される金型を用いてパンチング加工によりビアホール形成を行う。
【００１４】
次に、図４（ｂ）に示すように、ビアホール４０３に導電性ペースト４０４を充填する。充填する方法としては、ビアホール４０３が形成された絶縁性基材４０１をスクリーン印刷機（図示せず）のテーブル上に設置し、保護フィルム４０２の上からスキージ４０５を用いて導電性ペースト４０４を印刷する。このとき、保護フィルム４０２は印刷マスクの役割と絶縁性基材４０１の汚染防止の役割を果たす。
【００１５】
次に、図４（ｃ）は印刷後の状態を示しており、導電性ペースト４０４の表面と保護フィルム４０２の表面とは、ほぼ同じ高さになっている。
【００１６】
次に、図４（ｄ）に示すように絶縁性基材４０１の両面から保護フィルム４０２を剥離する。このときビアホール４０３の導電性ペースト４０４は、保護フィルムの厚み分だけ絶縁性基材４０１の表面から突出している。
【００１７】
そして図４（ｅ）に示すように保護フィルム４０２を剥離した絶縁性基材４０１の両面に回路基板４０８および内蔵用部品４１１が実装された回路基板４０９をアライメント積層して加熱加圧する。これにより絶縁性基材４０１および導電性ペーストの完全硬化と、回路基板４０８および内蔵用部品４１１が実装された回路基板４０９の接着および内蔵用部品４１１の埋設が行なわれ、一体化することで図４（ｆ）に示すように部品内蔵モジュール４００を製造することができる。
【特許文献１】特許第２６０１１２８号公報（例えば、４頁−７頁。第1図、第２図、第３図、第７図）
【特許文献２】特開平１１−２２０２６２号公報（例えば、第８−１１頁。第１図、第２図、第３図、第４図、第５図、第６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、上述のパンチング加工によりビアホール形成した孔内に導電性ペーストを充填した導体によって配線層間を電気接続する部品内蔵モジュールの製造方法においては、内蔵する部品の厚みを吸収するために絶縁性基材の厚みが厚く設定される一方で、高密度配線を実現するためにビアホールの穴径は小さく設計されている。このため微細な孔あけを１枚基材あたり数千〜数万穴をパンチング加工している。
【００１９】
パンチング加工を数多く重ねていくと、打ち抜いた孔内にパンチ屑が付着する場合があり、この状態で導電性ペーストを充填するとパンチ屑が孔を塞ぐため配線間の電気的接続不良や抵抗値増加が発生するという問題があった。
【００２０】
以下詳細について図５および図６を用いて詳細に説明する。図５（ａ）に示すように厚さ１２５μｍを４枚重ねた絶縁性基材５０１の両面に保護フィルム５０２ａ、５０２ｂを貼り付けて、１５０μｍ径のパンチ５０６とダイ５０７を用いている。この場合のビアホールは５０：１５（３．３）の高アスペクト比になっている。
【００２１】
次に図５（ｂ）に示すように未硬化状態の軟らかい絶縁性基材５０１に保護フィルム５０２ａ、５０２ｂを貼り付けた基材にパンチング加工を行う。ここで、パンチは上の保護フィルム５０２ａを貫通後、下側の保護フィルム５０２ｂが障壁となるため、パンチが下降する部分の絶縁性基材５０１ａを圧縮変形させながら加工は進む。このためパンチ５０６の先端面は保護フィルム５０２ｃと密着した状態で加工が進むことになる。その際、下側の保護フィルム５０２ｂにはダイ５０７の孔方向へ伸びが発生する。
【００２２】
次に図５（ｃ）に示すように、さらに加工が進むと孔が貫通し、打ち抜かれたパンチ屑５１０は通常、装置下の吸塵装置（図示せず）により吸引除去される。
【００２３】
しかし、図５（ｄ）に示すようにパンチングを重ねていくとパンチ５０６やダイ５０７に摩耗が生じてパンチ５０６にかかる負荷が一層大きくなる。そのようになると図５（ｅ）に示すようにパンチ５０６先端部表面にパンチ屑５１０が強く密着した状態になり、吸引では除去できないでパンチ５０６に付着したまま上昇する。
【００２４】
すると、図５（ｆ）に示すようにパンチ屑５１０がビアホール５０３内に残留付着してパンチ屑詰まりが発生する。このような基材にパンチ屑が残ったまま導電性ペースト充填すると電気的接続が得られず、歩留まり低下の原因となる。
【００２５】
また、図６（ａ）に示すように、パンチング加工を繰り返すことによりダイ６０７の出口付近や表面に粉状のパンチ屑６１０が累積付着していく。図６（ｂ）に示すように、この状態で両面に保護フィルム６０２の貼り付けられた絶縁性基材６０１をパンチング加工すると、パンチ６０６にパンチ屑が付着する場合がある。
【００２６】
そして、パンチ屑が付着した状態でパンチ６０６を、保護フィルム６０２の貼り付けられた絶縁性基材６０１内を上に移動させると、図６（ｃ）に示すように粉状のパンチ屑６１０が貫通孔６０３内に付着する。この状態で導電性ペースト充填を行うと配線間を相互に接続する導電性ペーストとの接触面積が少なくなり、接続抵抗にばらつきが生じ、品質に悪影響を起こす問題を有していた。
【００２７】
上記従来の課題を考慮して、本発明の目的は、電気的接続不良、抵抗値増加、又は接続抵抗のばらつき等に伴う品質不良のより少ない、安定した接続信頼性を得ることが可能なビアホールの製造方法、部品内蔵モジュールの製造方法、及びそれらに用いるレーザー加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
上記目的を達成するために、第１の本発明は、
無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物を有する絶縁性基材の両面に保護部材を貼り付ける貼付工程と、
前記絶縁性基材及び前記保護部材の所定の位置にパンチングにより複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
レーザビームを照射することにより、前記複数の貫通孔内のパンチ屑の除去を行うレーザ照射工程とを備えた、ビアホールの製造方法である。
【００２９】
又、第２の本発明は、
前記レーザビームのスポット径は、前記貫通孔の径以下である、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３０】
又、第３の本発明は、
前記複数の貫通孔内にパンチ屑が残っているか、否かを検査する検査工程を更に備え、
前記レーザ照射工程は、前記検査工程により前記パンチ屑が残っていると判断された前記貫通孔内の前記パンチ屑の除去を行う工程である、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３１】
又、第４の本発明は、
前記検査工程は、カメラ認識により前記パンチ屑が残っているか、否かを検査する工程である、第３の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３２】
又、第５の本発明は、
前記検査工程は、検査用レーザビームを前記複数の貫通孔内に照射することにより、前記パンチ屑が残っているか、否かを検査する工程である、第３の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３３】
又、第６の本発明は、
前記レーザビームは、前記検査用レーザビームを兼ねており、
前記レーザビームを前記検査用として用いるときは、前記パンチ屑の除去を行うときよりも出力が小さい、第５の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３４】
又、第７の本発明は、
前記レーザ照射工程は、前記貫通孔形成工程により形成された貫通孔に対応する位置に開口部を有するマスクを前記保護部材上に載置し、前記レーザビームを前記貫通孔に照射する工程である、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３５】
又、第８の本発明は、
前記開口部の径は、前記貫通孔の径以下である、第７の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３６】
又、第９の本発明は、
前記レーザは、ＣＯ２レーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、及びエキシマレーザから選択される少なくとも１種類のレーザーである、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３７】
又、第１０の本発明は、
前記保護部材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンナフタレート、及びポリプロピレンから選択される１種類以上を含む、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３８】
又、第１１の本発明は、
前記貫通孔の径は、０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下である、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００３９】
又、第１２の本発明は、
前記レーザビームは、パルスレーザである、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００４０】
又、第１３の本発明は、
前記レーザ照射工程は、前記レーザビームの照射とともに、補助ガスを前記貫通孔に吹き付けることにより、前記パンチ屑の除去を行う工程である、第１の本発明のビアホールの製造方法である。
【００４１】
又、第１４の本発明は、
無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂を含む混合物を有する絶縁性基材の両面に保護部材を貼り付ける貼付工程と、
前記絶縁性基材及び前記保護部材の所定の位置にパンチングにより複数の貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
レーザビームを照射することにより前記複数の貫通孔内のパンチ屑の除去を行いビアホールを形成するレーザ照射工程と、
前記ビアホール内に導電性ペーストを充填する充填工程と、
前記保護部材を前記絶縁性基材から剥離する剥離工程と、
少なくとも一方に半導体及び／又は回路部品が実装された２枚の回路基板を、前記絶縁性基材の上下の面に積層することで、前記絶縁性部材内に前記半導体及び／又は回路部品を埋め込む積層工程と、
加圧及び加熱することにより、前記絶縁性基材及び前記導電性ペーストを硬化させることで、積層された前記回路基板及び前記絶縁性基材を一体化する一体化工程とを備えた、部品内蔵モジュールの製造方法である。
【００４２】
又、第１５の本発明は、
前記導電性ペーストは、金、銀、銅、ニッケル、錫、鉛から選択される少なくとも１種類以上を含む、第１４の本発明の部品内蔵モジュールの製造方法である。
【００４３】
又、第１６の本発明は、
保護部材が両面に貼り付けられ、前記保護部材とともに複数の貫通孔が形成された絶縁性基材を載置させるためのテーブルと、
前記貫通孔内のパンチ屑を除去するためのレーザビームを発振するレーザ発振器と、
前記レーザビームの前記絶縁性基材への照射位置を調整するための位置調整手段と、
前記複数の貫通孔内にパンチ屑があるか、否かを検査する検査手段と、
前記位置調整手段により位置合わせを行い、前記検査手段によってパンチ屑が有ると判定された貫通孔に対して前記加工用レーザを照射し前記パンチ屑の除去を行う制御手段とを備えた、レーザ加工装置である。
【発明の効果】
【００４４】
本発明によれば、電気的接続不良、抵抗値増加、又は接続抵抗のばらつき等に伴う品質不良のより少ない、安定した接続信頼性を得ることが可能なビアホールの製造方法、部品内蔵モジュールの製造方法、及びそれらに用いるレーザー加工装置を提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
【００４６】
（実施の形態１）
図１（ｉ）は本発明の実施の形態１に於ける部品内蔵モジュール１００の断面図である。この部品内蔵モジュール１００は、電気絶縁性樹脂を含む絶縁樹脂基材１１４と、絶縁樹脂基材１１４で接着接合され一体化された回路基板１０８と、回路基板１０９とを備えている。この回路基板１０９には、半導体チップである内蔵部品１１３が実装されており、絶縁樹脂基材１１４の内部に埋設されている。また、絶縁樹脂基材１１４にはビアホール１１５が形成されており、回路基板１０８と１０９との間の電気的な接続はビアホール１１５内の導電性ペースト１０４によって接続されている。
【００４７】
次に、本発明の実施の形態１における部品内蔵モジュールの製造方法の一例について以下に説明するとともに、本発明のビアホールの製造方法の一例についても同時に説明する。
【００４８】
図１（ａ）〜図１（ｉ）は本発明の実施の形態１における部品内蔵モジュールの製造工程を示す断面図である。図１（ａ）に示す１０１ａは、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＯ２などで構成される無機質フィラー７０〜９５重量％と、エポキシ樹脂、フェノール樹脂もしくはシアネート樹脂を主成分とする未硬化状態の熱硬化樹脂組成物５〜３０重量％を含む混合物からなる絶縁性基材である。無機質フィラーとして上記から選ばれる少なくとも１種類以上の材料を用いることで放熱性に優れた絶縁性基材となる。又、無機質フィラーとして、ＳｉＯ２を用いた場合、基板の誘電率を小さくすることが出来る。又、熱硬化性樹脂として上記から選ばれる少なくとも１種類以上の材料を用いることで、優れた耐熱性や電気絶縁性を得ることが出来る。
【００４９】
無機質フィラーが７０重量％以下になると絶縁性基材を加熱硬化させる際に粘度が急速に低下し流動性が増加する。流動性が良過ぎると絶縁性基材内に形成されるビアホールが樹脂流動とともに流れたり変形が生じたりする。また、９５重量％以上では高粘度過ぎるため必要とされる性状および形状のシート成型が困難となる。そのため、無機質フィラーは７０〜９５重量％であることが好ましい。
【００５０】
始めに、図１（ａ）に示す様に内蔵する部品の厚みに合わせて、厚み１００μｍの絶縁性基材１０１ａを１枚から複数枚と、両面に保護フィルム１０２ａを配置してラミネートを行い一体化させる（本発明の貼付工程の一例に相当する。）。本実施の形態１では、絶縁性基材１０１ａを３枚重ねた厚さ０．３ｍｍの絶縁性基材１０１ｂと、その両面に厚み１６マイクロメートルのＰＰＳ保護フィルム１０２ａに配置して真空ラミネートにより８０℃、０．８ＭＰａの条件で約２分間ラミネートを行なった。
【００５１】
尚、保護フィルム１０２ａは、本発明の保護フィルムの一例に相当し、厚み１０〜１００μｍのＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＰフィルム（ポリプロピレン）、ＰＰＳフィルム（ポリフェニレンサルファイド）、ＰＥＮフィルム（ポリエチレンナフタレート）などで構成される。これらから選ばれる少なくとも１種類以上の材料を保護フィルムが含むことにより、耐熱性や加工性の点で有利である。又、１０２ａはフィルム状に限らなくとも良く、絶縁性基材を保護出来さえすれば良い。
【００５２】
次に、図１（ｂ）に示すように内蔵部品を埋め込むための空隙１２０の形成を行う。この空隙形成は、金型やパンチングにより加工することができる。本実施の形態１においては、パンチング加工により、貫通孔１１８の形成を行なった。この様に従来と異なり、内蔵部品のための空隙を形成しておくことにより、内蔵部品の埋設による未硬化状態の絶縁性基材に含まれる熱硬化性樹脂の余分な流動が抑制される。また、内蔵する部品に応力を与えることなく埋設することができる。
【００５３】
次に、図１（ｃ）に示すように空隙形成されたシートの保護フィルム１０２ａを片面剥離する。そして、回路基板と内蔵部品とを干渉させない目的である絶縁性基材１０１ｃを１枚から複数枚と、保護フィルム１０２ｂを、保護フィルム１０２ａを剥離した絶縁性基材１０１ｂ上に積層してラミネートを行い一体化させ、絶縁接合基材１１１を作成した。本実施の形態１においては、絶縁性基材１０１ｃは１枚使用した。ここでのラミネート条件は、絶縁性基材１０１ｂ、１０１ｃ間および絶縁性基材１０１ｃと保護フィルム１０２ｂ、絶縁性基材１０１ｂと保護フィルム１０２ａとの密着性を得ることができ、かつ空隙形状の変形が生じないことが望まれる。尚、貫通孔１１８は、片側を絶縁性基材１０１ｃによって塞がれるため、次工程の図１（ｄ）に示される空隙１２０を構成することになる。
【００５４】
なお、保護フィルム１０２ｂの厚みは、導電性ペーストを充填する側に貼り付けるため、もう一方の対向する側に貼り付けられている保護フィルム１０２ａの厚さと同等またはより厚くすることが好ましい。例えば、導電性ペーストの表面の凹みが大きくなる場合でも、保護フィルム１０２ｂの厚さを厚くすることで絶縁性基材表面からの導電性ペーストの突出量を最適化することが可能となりビアホール内に十分な量の導電性ペーストが充填できる。しかしながら、保護フィルム１０２ｂの厚さは、厚くしすぎると保護フィルム１０２ｂを剥離したときに保護フィルム側に導電性ペーストがとられて突出量が少なくなり電気的接続が不安定になるので１５〜３０μｍとすることが好ましい。
【００５５】
本実施の形態１においては、ＳｉＯ２フィラーを８０重量％、エポキシ主成分の樹脂を１９．５重量％、未硬化による残溶剤０．５重量％とした場合において、ラミネート条件としては、５０℃、０．２ＭＰａの条件が最適であり、１０×１０×０．３ｍｍに加工された空隙１１８の最大変形量（開口寸法最小値）は開口中央部の９．７ｍｍである。空隙形状の変形を許容できるラミネート条件は、温度１００℃以下、圧力１ＭＰａ以下であった。なお、保護フィルム１０２ｂの厚さとしては２５マイクロメートルのＰＰＳを使用した。
【００５６】
次に図１（ｄ）に示すように、図１（ｃ）で作製した絶縁性基材１０１ｂ、１０１ｃおよび保護フィルム１０２ｂ、１０２ａをラミネートにより一体化させた状態の絶縁接合基材１１１に貫通孔１０３の形成をパンチングで行った（本発明の貫通孔形成工程の一例に相当する。）。φ１６０μｍ径の炭化タングステン−コバルトなどの超硬合金材料のパンチ１０６とφ１８０μｍのダイ１０７を使用してクリアランスを１０μｍ設けてパンチング加工により全てを貫通する孔を形成した。パンチング加工において、絶縁接合基材１１１は軟らかいため若干、収縮するので実際の孔径としては１４０〜１５０μｍの寸法になった。パンチング加工では、レーザ加工に比べ、穴品質のストレート性の点で、特に有利である。
【００５７】
連続してパンチング加工を重ねていくとパンチ１０６とダイ１０７の摩耗が進み切れ味が悪くなり、加工穴数が３０万穴あたりからパンチ屑がビアホール内に残留していく数が増加した。パンチ屑は装置内の吸塵装置（図示せず）で吸引しているが、パンチ屑が、微細で、柔らかく取りきれなくなるため、その都度、パンチとダイのクリーニングを行った。本実施の形態１では、超硬材料のダイを用いたが、特に、ダイの材料としては、超硬材料に加工部分のみを単結晶や多結晶のダイヤモンドを埋め込んだものを用いた方が寿命的に有利であり、好ましい。
【００５８】
次に図１（ｄ）でパンチング加工した絶縁接合基材１１１をカメラ認識によりビアホール画像検査して孔異常を検出する（本発明の検査工程の一例に相当する。）。そして、図１（ｅ）に示すように、粉状や塊状のパンチ屑１１０が発生した絶縁接合基材１１１にレーザビーム１１２を照射することによりパンチ屑１１０を熱溶解除去する（本発明のレーザ照射工程の一例に相当する。）。尚、パンチ屑としては、図５に示した打ち抜かれた貫通孔形状のパンチ屑５１０や、図６に示した粉状のパンチ屑６１０がある。本実施の形態１では、これらのパンチ屑は、貫通孔形状のパンチ屑が１１０ａ、粉状のパンチ屑が１１０ｂとして図１（ｅ）に示されている。
【００５９】
又、パンチング加工による貫通孔１０３の径よりもレーザ加工によるレーザビーム１１２のスポット径が小さいか、若しくは少なくとも同サイズであることが好ましい。このようにすることで、パンチングをした貫通孔１０３への熱影響が少ないことで形状変化もなく、また貫通孔１０３内壁に直接レーザーが照射されないため、熱硬化性樹脂を含む基材に対して熱硬化抑制した状態でパンチ屑除去が実現できる。
【００６０】
以下に、孔異常の検出とパンチ屑の熱溶解除去について詳細に説明する。
【００６１】
図２は、本実施の形態１のレーザ加工装置の構成図である。
【００６２】
図２に示す様に、本実施の形態１のレーザ加工装置は、炭酸ガスレーザの発振を行うためのレーザ発振器１２１と、発振されたレーザの絞りこみを行うレーザマスク１２２を備えている。又、絞りこまれた炭酸ガスレーザの位置決め制御を行うガルバノメータ１２３と、可動ミラー１２４とを備えている。この可動ミラー１２４を通ったレーザを絶縁接合基材１１１に集光するための集光レンズ１２５が設置されている。又、絶縁接合基材１１１を載置するためのＸＹ可動テーブル１２６が設置されている。又、レーザ発振器１２１、ガルバノメータ１２３、可動ミラー１２４、及びＸＹ可動テーブル１２６を制御するための制御手段１２７が設置されている。
【００６３】
尚、ガルバノメータ１２３はガルバノミラー軌道回路１２８を、ＸＹ可動テーブル１２６はＸＹテーブル軌道回路１２９を介して制御手段１２７によって制御されている。又、図示していないが、絶縁接合基材１１１の貫通孔を画像検査するためのカメラも設置されており、制御手段１２７によって制御されている。
【００６４】
尚、本発明の位置調整手段の一例は、ガルバノメータ１２３、可動ミラー１２４、及びＸＹ可動テーブル１２６に相当するが、これに限らなくとも良い。
【００６５】
次に、上記レーザ加工装置の動作について述べる。
【００６６】
貫通孔１０３が形成された絶縁接合基材１１１をＸＹ可動テーブル１２６に載置し、カメラ認識によって、パンチ屑１１０詰まりのある孔を検出する。このパンチ屑１１０詰まりの検出された孔の位置が制御手段１２７によって記憶されている。
【００６７】
そして、制御手段１２７により、可動ミラー１２４によるレーザー照射位置と、ＸＹ可動テーブル１２６による絶縁接合基材１１１の位置の調整を行うことで、パンチ屑１１０詰まりのある孔とレーザビーム照射位置を一致させ、レーザーを発振することにより、パンチ屑１１０を除去する。
【００６８】
ここで、可動ミラー１２４は動作が速いが（１秒間に５００ポイント程度の位置決め回数が可能）、可動領域（約５０ｍｍ×５０ｍｍエリア）が狭く、ＸＹ可動テーブル１２６は逆に可動領域を広くとることが出来る。そのため、可動ミラー１２４の可動領域をずらせるようにＸＹ可動テーブル１２６を移動させることにより、速い速度で複数のパンチ屑１１０のある貫通孔１０３のレーザ加工を行うことが可能となる。例えば、可動ミラー１２４の可能領域が約５０ｍｍ×５０ｍｍエリアである場合、ＸＹ可動テーブル１２６はピッチ５０ｍｍの基盤目の中心点間を移動するように制御される。
【００６９】
上記加工の際に、レーザビーム１１２として平均出力２５０ｗ、照射時間０．５ｍｓｅｃ、休止時間４．５ｍｓｅｃのパルス発振炭酸ガスレーザを照射した。又、レーザビーム径は約１３０μｍと貫通孔１０３の径より僅かに小さい関係にあり、パンチ屑１１０にレーザを照射する際、補助ガスとして窒素ガスをレーザ照射ノズルにより貫通孔に向かって吹き付けた（図示せず）。
【００７０】
上記レーザ照射によりパンチ屑１１０は急峻な温度上昇により溶解・蒸散する。パンチ屑１１０が貫通孔形状のパンチ屑１１０ａの場合、同時に吹き付けている補助ガスの圧力で溶融・蒸散状態のパンチ屑１１０ａはシート裏側に吹き飛ばされると共に、貫通孔１０３の内壁に残されたパンチ屑１１０ａの残り部は薄肉の筒状となり、補助ガスにより吹き飛ばされる。
【００７１】
又、パンチ屑１１０が粉状のパンチ屑１１０ｂの場合、レーザビーム径を超える部分（貫通孔１０３の内壁周縁部）の付着物は残存してしまうことがある。しかしながら、レーザ径が約１３０μｍであるため孔径は最低でも１２０μｍは確保されるので、下記導電性ペーストを充填する際に、粉状パンチ屑１１０ｂの残存部分により完全に充填できないといった不具合はない。また、電気接続の抵抗値からも１ｍΩ以下であり正常な貫通孔との抵抗値の差異は見られなかった。
【００７２】
尚、本実施の形態１ではレーザによる照射時間は０．５ｍｓｅｃ、休止時間４．５ｍｓｅｃとパルス発振に設定しているため、絶縁接合基材１１１への伝熱はほとんどない。逆に、連続発振あるいは照射時間を延長すると伝熱により貫通孔１０３の内壁が溶融状態となり絶縁性基材１０１ｄの両面に貼り付けた保護フィルム１０２ａ、１０２ｂが溶着するなどの不具合を防止するために、パルス発振の方が好ましい。
【００７３】
次に、図１（ｆ）に示す様に、保護フィルム１０２ｂに接触しながら移動するスキージ１０５によって導電性粉末、有機バインダ（樹脂成分および溶剤）のふくまれている導電性ペースト１０４を、パンチ屑１１０がある場合には貫通孔１０３にレーザ照射することにより形成されたビアホール１１５内に印刷充填して絶縁接合基材１３０を作製した（本発明の充填工程の一例に相当する。）。このビアホール１１５への導電性ペースト１０４の充填においては、導電性ペースト１０４の上面と保護フィルム１０２ｂの上面とが同様の高さになるようにスキージ１０５による充填条件を最適化して、上述した充填印刷を繰り返した。
【００７４】
尚、導電性ペーストは、金や銀、銅、ニッケル、錫および鉛の粉末を導電材料とし、有機バインダとしては、エポキシ樹脂、シアネート樹脂およびフェノール樹脂から選ばれる熱硬化性樹脂を混練したものが使用できる。導電性ペーストとしては、上記材料中、銅は特に導電性が良好でマイグレーションも少ないため有効である。また、金属自体が軟らかい場合には、導電性ペーストが充填されたビアホール導体に圧縮が加えられた際の導電性粉末同士の接触面積が拡大し、低抵抗化しやすいので、金または銀が適している。また、コストの点からは、銅が優れている。また銅粉を核にして銀を被覆したものが、銀、銅の長所をあわせもち、更に好適である。また、熱硬化性樹脂としては液状のエポキシ樹脂が耐熱性の面で安定である。
【００７５】
本実施の形態１においては、平均粒径２μｍの球形状の銅粒子８５質量％と、樹脂組成としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂３質量％とグルシジルエステル系エポキシ樹脂９質量％と、硬化剤としてアミンアダクト硬化剤３質量％とを三本ロールにて混練したものを用いた。充填条件としてスキージは変形を抑えるためゴム硬度９０度ウレタンゴムスキージを使用し、スキージ先端部がスキージの押しつけ力によりビア内に入り込んで発生する凹み量を少なくするため充填圧力は０．０４ＭＰａにして低圧で繰り返し充填を行った。また、絶縁接合基材１１１の下部から吸引することによる下方の垂れ下がりの影響を抑制するため吸引力を低くした。
【００７６】
次に、図１（ｇ）に示すように保護フィルム１０２ｂ、１０２ａを剥離して導電性ペーストが表面に突出した絶縁性基材１３０を作製した（本発明の剥離工程の一例に相当する。）。
【００７７】
次に、図１（ｈ）に示すように、絶縁性基材１３０の空隙１１５が形成されている側に内蔵部品１１３を実装した回路基板１０９を配置し、反対側に回路基板１０８を配置してアライメント積層を行った（本発明の積層工程の一例に相当する。）。尚、内蔵部品１１３としては、半導体や回路部品に相当する。又、本実施の形態１では、回路基板１０９にのみ内蔵部品１１３を設けたが、回路基板１０８にも内蔵部品１１３を設けても良い。
【００７８】
その後、２００℃で３ＭＰａの圧力２時間熱プレスを行い、電気絶縁性基材と導電性ペーストを完全硬化させることで、図１（ｉ）に示す様な部品内蔵モジュール１００が得られる（本発明の一体化工程の一例に相当する。）。これによりビアホール１１５内の導電性ペースト１０４が加圧圧縮され、導電性ペースト１０４内の導電性粉末が緻密化され、回路基板１０８と１０９の良好な電気的接続が導電性ペースト１０４を介して行われる。
【００７９】
上述した製造方法によれば、パンチ屑詰まりが発生していてもレーザビームをパンチ屑に照射することで、アスペクト比の高いインナービアホール接続の場合であっても、パンチ屑詰まりの無い、良好なビアホールを形成することが出来る。そのため安定した層間接続を実現でき、接続性信頼性に優れた部品内蔵モジュールが実現できる。
【００８０】
又、上述した様に、本実施の形態１ではパンチング加工により絶縁性基材に形成された孔をカメラ認識により検査し、パンチ屑詰まりのある孔を選択的にレーザー加工する。このため効率が良く、高生産性、高品質確保が可能となる。但し、パンチングするビアホール数が少ない場合は、検査をしないで全箇所レーザ加工しても構わない。
【００８１】
尚、本実施の形態１では、レーザビーム１１２として、加工効率、設備コスト、高出力、メンテナンス性に優れる炭酸ガスレーザを用いたが、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等であってもよい。但し、絶縁接合基材１１１の両面に配置された保護フィルム１０２ｂ、１０２ａとしてＰＥＴフィルム、ＰＰフィルム、ＰＰＳフィルム、ＰＥＮフィルム等を用いているため、レーザの波長によっては保護フィルムを透過してしまうものがある。特に、ＹＡＧレーザのように１．０６μｍ近傍の波長帯では顕著であり、レーザが保護フィルムを透過してしまうと絶縁性基材１０１ｄにのみ吸収されることになり、蒸散物や保護フィルムが残渣として貫通孔１０３に残るなどの現象によりパンチ屑除去が出来なくなる。要するに、保護フィルムを透過しないレーザであればよく、保護フィルムの種類によっては上記レーザの種類に限定されない。
【００８２】
又、本実施の形態１では、レーザ加工装置に設置されている、本発明の検査手段の一例であるカメラの認識によって絶縁接合基材１１１の貫通孔１０３のパンチ屑１１０の詰まりを検出してるが、カメラを備えずにレーザによってパンチ屑１１０の詰まりを検出しても良い。
【００８３】
例えば、レーザ発振器１２１からパンチ屑除去を行う出力よりも弱い出力で検査用としてレーザビームを発振し、絶縁接合基材１１１の貫通孔１０３を走査する。この走査によりパンチ屑１１０のある貫通孔１０３の認識を行い、その位置が制御手段１２７に記憶される。そして、記憶された位置に基づいて、上記と同様にパンチ屑１１０の除去をレーザビーム１１２によって行う。このパンチ屑１１０除去を行う出力よりも弱い出力で発振し貫通孔１０３の走査を行う場合が、本発明のレーザビームを検査用として用いるときに相当する。又、同一のレーザを用いずに、レーザビーム１１２と同一光軸に、本発明の検査用レーザの一例としてＨｅレーザを別に設置してパンチ屑１１０の検査を行っても良い。
【００８４】
尚、本実施の形態１では、貫通孔１０３の径を１４０〜１５０μｍとしたが、以下の（表１）に示す様にパンチの径を変えて、パンチ屑の発生数を評価した。
【００８５】
絶縁性基材の厚みを０．５ｍｍ（０．１２５ｍｍを４枚重ね）、パンチ及びダイの材質を超硬とし、パンチ径は０．０５ｍｍ、０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍの異なった径を用いて、絶縁性基材に貫通孔を作製した。又、１０万個の貫通孔を金属顕微鏡で検査して、透過光が５０％以下の貫通孔をパンチ屑不良の貫通孔と判断した。
【００８６】
【表１】
2006032664.tif 000003
【００８７】
上記（表１）に示されるように、パンチ径が０．３ｍｍ以下で径が小さくなると共にパンチにかかる負荷の増加やパンチ先端部及びダイの磨耗が起因してパンチ屑発生数が増加する傾向にある。又、パンチ径が０．０５ｍｍではパンチにかかる負荷が大きいためパンチ折れが発生した。又、パンチ径が０．４ｍｍ以上の場合にはパンチ屑不良が発生しなかった。
【００８８】
以上のことから判断して、貫通孔の径は０．１ｍｍ以上、０．３ｍｍ以下の範囲とした。又、アスペクト比では１．６７以上、５．０以下となった。
【００８９】
（実施の形態２）
本実施の形態２における部品内蔵モジュールの製造方法を説明するとともに、ビアホールの製造方法についても同時に説明する。図３は本実施の形態２におけるビアホールの製造方法を示す断面図である。尚、実施の形態１と同一の内容については同一番号を付して説明は省略する。
【００９０】
図１（ａ）〜（ｄ）と同様に作製した絶縁接合部材１１１をＸＹ可動テーブル１４０上に設置した。そして、絶縁接合基材１１１の貫通孔１０３に対応した位置に開口部１６０が形成されたマスク１５０をＣＣＤカメラ等で光学的にアライメント位置合わせを行った。その後、実施の形態１と同様にレーザ加工を行った。
【００９１】
本実施の形態２では、マスクとしては５０〜１００μｍ銅箔や銅箔にニッケル-金メッキをしたものを使用した。このような材料は表面でレーザが反射しやすいので好ましい。また、マスク１５０の開口部１６０の大きさを、貫通孔１０３の径１４０〜１５０μｍより小さく１２０μｍとして、パンチ屑１１０にレーザビーム１１２を照射することで熱溶解除去した。
【００９２】
また、上述した様にマスクの開口部の大きさが、前記パンチング加工により形成される貫通孔の径よりも小さいか、若しくは少なくとも同サイズであることが好ましい。これにより、パンチングをした貫通孔内壁への熱影響が少なくすることが可能となる。
【００９３】
この様にマスク１５０を設けることで、貫通孔１０３内壁に対する熱影響を抑制でき、基材表面への熱影響がより抑制され、加工による表面汚染防止が可能となり、又、導電性ペースト充填においてビアホール内への汚染物混入がより少なくなるため、実施の形態１と同様に良好な層間接続が実現できる。また、マスクを使用する場合、レーザビームを成形してラインビームで加工を行うことも可能である。
【００９４】
上述したように各実施形態の部品内蔵モジュールの製造方法により、従来よりも安定した層間の接続安定性に優れた部品内蔵モジュールを提供することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明にかかるビアホールの製造方法、部品内蔵モジュールの製造方法、及びレーザ加工装置は、安定した層間接続に優れた効果を有し、インナービアホール接続のための高アスペクト比のビアホール形成等に有効であり、例えば、高密度、高機能、耐ノイズ加え、部品を内蔵した実装形態のモジュールの製造方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】（ａ）本発明にかかる実施の形態１の部品内蔵モジュールの製造方法における絶縁性基材の積層及び保護フィルム貼付工程を説明するための断面図(ｂ)本発明にかかる実施の形態１の部品内蔵モジュールの製造方法における内蔵部品の空隙を形成する工程を説明するための断面図（ｃ）本発明にかかる実施の形態１の部品内蔵モジュールの製造方法における空隙形成した絶縁性基材と内蔵部品の緩衝防止用基材とを積層及びラミネートする工程を説明するための断面図（ｄ）本発明にかかる実施の形態１に部品内蔵モジュールの製造方法における絶縁性基材にパンチングにより貫通孔を形成する工程を説明するための断面図（ｅ）本発明にかかる実施の形態１の部品内蔵モジュールの製造方法におけるパンチング加工により発生したパンチ屑をレーザで除去する工程を説明するための断面図（ｆ）本発明にかかる実施の形態１の部品内蔵モジュールの製造方法におけるビアホール内に導電性ペーストを充填する工程を説明するための断面図（ｇ）本発明にかかる実施の形態１の部品内蔵モジュールの製造方法における保護フィルムを剥離する工程を説明するための断面図（ｈ）本発明にかかる実施の形態１の部品内蔵モジュールの製造方法における絶縁性基材と回路基板の積層及び熱プレスをして部品を内蔵する工程を説明するための断面図（ｉ）本発明にかかる実施の形態１における部品内蔵モジュールを示す断面図
【図２】本発明にかかる実施の形態１におけるレーザー加工装置の構成図
【図３】本発明にかかる実施の形態２における部品内蔵モジュールの製造方法のレーザ加工を説明するための断面図
【図４】（ａ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法におけるパンチングによるビアホール形成工程を説明するための断面図（ｂ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法における導電性ペーストを充填する工程を説明するための断面図（ｃ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法における導電性ペーストを充填した後の状態を説明するための断面図（ｄ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法における保護フィルムを剥離する工程を説明するための断面図（ｅ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法における絶縁性基材と回路基板を積層する工程を説明するための断面図（ｆ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法で製造された部品内蔵モジュールを示す断面図
【図５】（ａ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法における絶縁性基材の積層、及びフィルム貼り付け後、パンチング前の状態を説明するための図（ｂ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法における保護フィルムを貼り付けた絶縁性基材にパンチが入り絶縁性基材が圧縮される状態を説明するための図（ｃ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法におけるパンチが貫通した状態を説明するための図（ｄ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法におけるパンチが貫通したときにパンチ屑が付着している状態を説明するための図（ｅ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法におけるパンチが上昇するときにパンチ屑が貫通孔に入ることを説明するための図（ｆ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法における貫通孔にパンチ屑が残った状態を説明するための図
【図６】（ａ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法におけるダイに堆積した粉状のパンチ屑の付着した状態を説明するための図（ｂ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法におけるダイにパンチ屑が付着した状態でパンチが入ったことを説明するための図（ｃ）従来の部品内蔵モジュールの製造方法におけるパンチが上昇したときに貫通孔にパンチ屑が残った状態を説明するための図
【符号の説明】
【００９７】
１００、４００  部品内蔵モジュール
１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、４０１，５０１、６０１  絶縁性基材
１０２ａ、１０２ｂ，４０２、５０２ａ、５０２ｂ、６０２  保護フィルム
１０３  貫通孔
１０４  ４０４  導電性ペースト
１０５  スキージ
１０６、４０６、５０６パンチ
１０７  ダイ
１０８、１０９、４０８、４０９  回路基板
１１０、５１０、６１０  パンチ屑
１１０ａ  貫通形状のパンチ屑
１１０ｂ  粉状のパンチ屑
１１１  絶縁接合基材
１１２  レーザビーム
１１３  内蔵部品
１１４  絶縁樹脂基材
１１５  ビアホール
１２０  空隙
【図１】
2006032664.tif 000004
【図２】
2006032664.tif 000005
【図３】
2006032664.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
2006032664.tif 000009