(57)【要約】【課題】  検出器の温度状況がわかる、あるいは検出器の温度を制御することができる撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】  撮像装置としてＸ線透視撮影装置は、フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３の温度を測定する温度センサ１４を備えている。この温度センサ１４を備えることで、ＦＰＤ３の温度状況がわかることができる。また、温度センサ１４によって測定された温度データ（温度データ１３１）を表示するモニタ１３を備えることで、モニタ１３によってＦＰＤ３の温度状況がより一層わかりやすくなる。【選択図】        図１
2006128890.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備え、光または放射線検出器から検出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記検出器の温度を測定する温度測定手段を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、前記温度測定手段によって測定された測定値を表示する表示手段を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項1または請求項２に記載の撮像装置において、前記温度測定手段によって測定された測定値が所定の動作範囲を逸脱した場合に、異常を報知する報知手段を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の撮像装置において、前記温度測定手段によって測定された測定値が所定の動作範囲を逸脱した場合に、前記検出器への給電を停止する機能を前記装置に有することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備え、光または放射線検出器から検出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記検出器の温度を所定の温度に制御する温度制御手段を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項５に記載の撮像検出装置において、前記検出器の温度に関して異常を検出する機能を前記温度制御手段に有し、その温度制御手段から前記異常を検出したときに、異常を報知する報知手段を前記装置に備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載の撮像装置において、前記検出器の温度に関して異常を検出する機能を前記温度制御手段に有し、その温度制御手段から前記異常を検出したときに、前記検出器への給電を停止する機能を前記装置に有することを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の撮像装置において、前記検出器は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、その半導体層は、セレンを主原料として形成されていることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、医療分野、工業分野、さらには原子力分野などに用いられる撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
検出された光または放射線に基づいて撮像を行う撮像装置は、光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えている。Ｘ線検出器を例に採って説明する。Ｘ線検出器はＸ線感応型のＸ線変換層（半導体層）を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層はキャリア（電荷情報）に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことでＸ線を検出する。Ｘ線変換層としては非晶質のアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）膜が用いられる（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
被検体にＸ線を照射して放射線撮像を行う場合には、被検体を透過した放射線像がアモルファスセレン膜上に投影されて、像の濃淡に比例したキャリアが膜内に発生する。その後、膜内で生成されたキャリアが、２次元状に配列されたキャリア収集電極に収集されて、所定時間（『蓄積時間』とも呼ばれる）分だけ積分された後、薄膜トランジスタを経由して外部に読み出される。
【非特許文献１】W. Zhao, et al. , "A flat panel detector for digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium," Proc. SPIE Vol. 2708, pp. 523 - 531, 1996.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、アモルファスセレンでＸ線変換層を形成した場合には、温度特性にシビアであるという問題点がある。すなわち、アモルファスセレンは温度が４０℃を超えると結晶化してしまい、変換層としての機能が永久に失われてしまうという問題点がある。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、検出器の温度状況がわかる、あるいは検出器の温度を制御することができる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備え、光または放射線検出器から検出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記検出器の温度を測定する温度測定手段を備えることを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、光または放射線の入射により光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで放射線検出器は光または放射線を検出する。そして、光または放射線検出器から検出された電荷情報に基づいて画像を得ることで撮像を行う。このとき、上述した検出器の温度を測定する温度測定手段を備えることで、検出器の温度状況がわかることができる。
【０００８】
また、請求項５に記載の発明は、光または放射線の入射により前記光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで光または放射線を検出する光または放射線検出器を備え、光または放射線検出器から検出された電荷情報に基づいて画像を得る撮像装置であって、前記検出器の温度を所定の温度に制御する温度制御手段を備えることを特徴とするものである。
【０００９】
［作用・効果］請求項５に記載の発明によれば、光または放射線の入射により光または放射線の情報を電荷情報に変換し、その変換された電荷情報を読み出すことで放射線検出器は光または放射線を検出する。そして、光または放射線検出器から検出された電荷情報に基づいて画像を得ることで撮像を行う。このとき、上述した検出器の温度を所定の温度に制御する温度制御手段を備えることで、検出器の温度を制御することができる。
【００１０】
上述した前者の発明（請求項１に記載の発明）において、温度測定手段によって測定された測定値を表示する表示手段を備えるのが好ましい（請求項２に記載の発明）。表示手段を備えることで、表示手段によって検出器の温度状況がより一層わかりやすくなる。
【００１１】
前者の発明（請求項１に記載の発明）において、温度測定手段によって測定された測定値が所定の動作範囲を逸脱した場合に、異常を報知する報知手段を備えるのが好ましい（請求項３に記載の発明）。報知手段を備えることで、報知手段によって検出器の異常状況がわかりやすくなる。同様に、後者の発明（請求項５に記載の発明）においても、検出器の温度に関して異常を検出する機能を上述した温度制御手段に有し、その温度制御手段から上述した異常を検出したときに、異常を報知する報知手段を装置に備えるのが好ましい（請求項６に記載の発明）。
【００１２】
前者の発明（請求項１に記載の発明）において、温度測定手段によって測定された測定値が所定の動作範囲を逸脱した場合に、検出器への給電を停止する機能を装置に有するのが好ましい（請求項４に記載の発明）。所定の動作範囲を逸脱することによる温度に関する異常が発生したにも関わらず検出を行う事態を、かかる機能を有することで、検出器への給電を停止してかかる事態を防止することができる。また、温度に関する異常が発生したにも関わらず検出を行うことで撮像に異常を来たす事態をも防止することができる。同様に、後者の発明においても（請求項５に記載の発明）、検出器の温度に関して異常を検出する機能を上述した温度制御手段に有し、その温度制御手段から上述した異常を検出したときに、検出器への給電を停止する機能を装置に有するのが好ましい（請求項７に記載の発明）。
【００１３】
上述した各発明において、検出器は、光または放射線の入射により光または放射線の情報を電荷情報に変換する半導体層を備え、その半導体層は、セレンを主原料として形成されているが挙げられる（請求項８に記載の発明）。セレンの場合には温度特性にシビアで、特にアモルファスセレンの場合には温度が４０℃を超えると結晶化してしまい、半導体層において光または放射線を電荷情報に変換する機能が失われるという問題点がある。そこで、この発明がセレンに適用することで、検出器の温度状況がわかる、あるいは検出器の温度を制御することができて、セレンへの温度による被害を最小限にとどめることができる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明に係る撮像装置によれば、検出器の温度を測定する温度測定手段を備える(請求項１に記載の発明)、あるいは検出器の温度を所定の温度に制御する温度制御手段を備える(請求項５に記載の発明)ことで、検出器の温度状況がわかる、あるいは検出器の温度を制御することができる。
【実施例１】
【００１５】
以下、図面を参照してこの発明の実施例1を説明する。
図１は、実施例１に係るＸ線透視撮影装置のブロック図であり、図２は、Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路であり、図３は、平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。後述する実施例２も含めて、本実施例１では、光または放射線検出器としてフラットパネル型Ｘ線検出器（以下、適宜「ＦＰＤ」という）を例に採るとともに、撮像装置としてＸ線透視撮影装置を例に採って説明する。
【００１６】
後述する実施例２も含めて、本実施例１に係るＸ線透視撮影装置は、図１に示すように、被検体Ｍを載置する天板１と、その被検体Ｍに向けてＸ線を照射するＸ線管２と、被検体Ｍを透過したＸ線を検出するＦＰＤ３とを備えている。ＦＰＤ３は、この発明における放射線検出器に相当する。
【００１７】
Ｘ線透視撮影装置は、他に、天板１の昇降および水平移動を制御する天板制御部４や、ＦＰＤ３の走査を制御するＦＰＤ制御部５や、Ｘ線管２の管電圧や管電流を発生させる高電圧発生部６を有するＸ線管制御部７や、ＦＰＤ３から電荷信号であるＸ線検出信号をディジタル化して取り出すＡ／Ｄ変換器８や、Ａ／Ｄ変換器８から出力されたＸ線検出信号に基づいて種々の処理を行う画像処理部９や、これらの各構成部を統括するコントローラ１０や、処理された画像などを記憶するメモリ部１１や、オペレータが入力設定を行う入力部１２や、処理された画像などを表示するモニタ１３などを備えている。
【００１８】
天板制御部４は、天板１を水平移動させて被検体Ｍを撮像位置にまで収容したり、昇降、回転および水平移動させて被検体Ｍを所望の位置に設定したり、水平移動させながら撮像を行ったり、撮像終了後に水平移動させて撮像位置から退避させる制御などを行う。ＦＰＤ制御部５は、ＦＰＤ３を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させることによる走査に関する制御などを行う。高電圧発生部６は、Ｘ線を照射させるための管電圧や管電流を発生してＸ線管２に与え、Ｘ線管制御部７は、Ｘ線管２を水平移動させたり、被検体Ｍの体軸の軸心周りに回転移動させるによる走査に関する制御や、Ｘ線管３側のコリメータ（図示省略）の照視野の設定の制御などを行う。なお、Ｘ線管２やＦＰＤ３の走査の際には、Ｘ線管２から照射されたＸ線をＦＰＤ３が検出できるようにＸ線管２およびＦＰＤ３が互いに対向しながらそれぞれの移動を行う。
【００１９】
コントローラ１０は、中央演算処理装置（ＣＰＵ）などで構成されており、メモリ部１１は、ＲＯＭ（Read-only Memory）やＲＡＭ（Random-Access Memory）などに代表される記憶媒体などで構成されている。また、入力部１２は、マウスやキーボードやジョイスティックやトラックボールやタッチパネルなどに代表されるポインティングデバイスで構成されている。Ｘ線透視撮影装置では、被検体Ｍを透過したＸ線をＦＰＤ３が検出して、検出されたＸ線に基づいて画像処理部９で画像処理を行うことで被検体Ｍの撮像を行う。
【００２０】
本実施例１では、ＦＰＤ制御部５は、ＦＰＤ３に給電を行う電源ユニット５１を備えるとともに、モニタ１３は、後述する温度センサ１４によって測定された温度データ（図１の温度データ１３１を参照）を表示する機能および後述する温度警告判定部１５で異常か否かが判定されたときに温度警告（図１の温度警告１３２を参照）を表示する機能を備えている。
【００２１】
Ｘ線透視撮影装置は、さらに、ＦＰＤ３の温度を測定する温度センサ１４と、温度センサ１４によって測定された測定値である温度データが所定の動作範囲を逸脱したか否かを判定する温度警告判定部１５とを備えている。温度データが所定の動作範囲を逸脱した場合には、ＦＰＤ３の温度に関して異常が発生したときである。したがって、温度警告判定部１５は、異常か否かを判定することになる。温度センサ１４によって測定された温度データはモニタ１３に表示される（図１の温度データ１３１を参照）。温度警告判定部１５で異常だと判定した場合には、モニタ１３に表示する（図１の温度警告１３２を参照）ことで異常を報知する。したがって、モニタ１３は、この発明における表示手段に相当し、この発明における報知手段にも相当する。また、温度センサ１４は、この発明における温度測定手段に相当する。
【００２２】
異常だと判定した場合には、温度警告判定部１５は、上述したモニタ１３に表示する以外に、ＦＰＤ制御部５内の電源ユニット５１に給電停止信号を出力する。電源ユニット５１がこの給電停止信号を受信することでＦＰＤ３への給電を停止する。本実施例１に係るＸ線透視撮影装置は、温度センサ１４によって測定された温度データが所定の動作範囲を逸脱した場合に、ＦＰＤ３への給電を停止する機能を有している。
【００２３】
ＦＰＤ３は、図２に示すように、Ｘ線などの放射線が入射することによりキャリアが生成される放射線感応型の半導体厚膜３１と、半導体厚膜３１の表面に設けられた電圧印加電極３２と、半導体厚膜３１の放射線入射側とは反対側にある裏面に設けられたキャリア収集電極３３と、キャリア収集電極３３への収集キャリアを溜める電荷蓄積用のコンデンサＣａと、コンデンサＣａに蓄積された電荷を取り出すための通常時ＯＦＦ（遮断）の電荷取り出し用のスイッチ素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒとを備えている。後述する実施例２も含めて、本実施例１では、半導体厚膜３１は放射線の入射によりキャリアが生成される放射線感応型の物質、例えばアモルファスセレンで形成されているが、光の入射によりキャリアが生成される光感応型の物質であってもよい。半導体厚膜３１は、この発明における半導体層に相当する。
【００２４】
この他に、後述する実施例２も含めて、本実施例１では、薄膜トランジスタＴｒのソースに接続されているデータ線３４と、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されているゲート線３５とを備えており、電圧印加電極３２，半導体厚膜３１，キャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，薄膜トランジスタＴｒ，データ線３４およびゲート線３５が絶縁基板３６の上に積層されて構成されている。
【００２５】
図２、図３に示すように、縦・横式２次元マトリックス状配列で多数個（例えば、1024個×1024個や4096×4096個）形成されたキャリア収集電極３３ごとに、上述した各々のコンデンサＣａおよび薄膜トランジスタＴｒがそれぞれ接続されており、それらキャリア収集電極３３，コンデンサＣａ，および薄膜トランジスタＴｒが各検出素子ＤＵとしてそれぞれ分離形成されている。また、電圧印加電極３２は、全検出素子ＤＵの共通電極として全面にわたって形成されている。また、上述したデータ線３４は、図３に示すように、横（Ｘ）方向に複数本に並列されているとともに、上述したゲート線３５は、図３に示すように、縦（Ｙ）方向に複数本に並列されており、各々のデータ線３４およびゲート線３５は各検出素子ＤＵに接続されている。また、データ線３４はアンプアレイ回路３７に接続されており、ゲート線３５はゲートドライバ回路３８に接続されている。なお、検出素子ＤＵの配列個数は上述の1024個×1024個や4096×4096個だけでなく、実施形態に応じて配列個数を変更して使用することができる。したがって、検出素子ＤＵが１個のみの形態であってもよい。
【００２６】
検出素子ＤＵは２次元マトリックス状配列で絶縁基板３６にパターン形成されており、検出素子ＤＵがパターン形成された絶縁基板３６は『アクティブ・マトリクス基板』とも呼ばれている。
【００２７】
また、ＦＰＤ３の検出素子ＤＵ周辺を作成する場合には、絶縁基板３６の表面に、各種真空蒸着法による薄膜形成技術やフォトリソグラフィ法によるパターン技術を利用して、データ線３４およびゲート線３５を配線し、薄膜トランジスタＴｒ，コンデンサＣａ，キャリア収集電極３３，半導体厚膜３１，電圧印加電極３２などを順に積層形成する。なお、半導体厚膜３１を形成する半導体については、アモルファス型の半導体や多結晶型の半導体などに例示されるように、用途や耐電圧などに応じて適宜選択することができる。
【００２８】
続いて、本実施例１に係るＸ線透視撮影装置およびフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の作用について説明する。電圧印加電極３２に高電圧（例えば数１００Ｖ〜数１０ｋＶ程度）のバイアス電圧ＶAを印加した状態で、検出対象である放射線を入射させる。このバイアス電圧ＶAの印加の制御についてもＦＰＤ制御部５から行う。
【００２９】
放射線の入射によってキャリアが生成されて、そのキャリアが電荷情報として電荷蓄積用のコンデンサＣａに蓄積される。ゲートドライバ回路３８の信号取り出し用の走査信号（すなわちゲート駆動信号）によって、ゲート線３５が選択されて、さらに選択されたゲート線３５に接続されている検出素子ＤＵが選択指定される。その指定された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、選択されたゲート線３５の信号によってＯＮ状態に移行した薄膜トランジスタＴｒを経由して、データ線３４に読み出される。
【００３０】
また、各検出素子ＤＵのアドレス（番地）指定は、データ線３４およびゲート線３５の信号取り出し用の走査信号（ゲート線３５の場合にはゲート駆動信号、データ線３４の場合にはアンプ駆動信号）に基づいて行われる。アンプアレイ回路３７やゲートドライバ回路３８に信号取り出し用の走査信号が送り込まれると、ゲートドライバ回路３８から縦（Ｙ）方向の走査信号（ゲート駆動信号）に従って各検出素子ＤＵが選択される。そして、横（Ｘ）方向の走査信号（アンプ駆動信号）に従ってアンプアレイ回路３７が切り換えられることによって、選択された検出素子ＤＵのコンデンサＣａに蓄積された電荷が、データ線３４を介してアンプアレイ回路３７に送り出される。そして、アンプアレイ回路３７で増幅されて、Ｘ線検出信号としてアンプアレイ回路３７から出力されてＡ／Ｄ変換器８に送り込まれる。
【００３１】
上述の動作によって、例えばＸ線透視撮影装置の透視Ｘ線像の検出に本実施例１に係るＦＰＤ３を用いた場合、データ線３４を介して外部に読み出された電荷情報（Ｘ線検出信号）が画像情報に変換されて、Ｘ線透視画像として出力される。
【００３２】
温度センサ１４は、ＦＰＤ３の温度を測定し続けており、この温度データをモニタ１３に表示する。その一方で、温度データを温度警告判定部１５にも送り込み続ける。温度警告判定部１５は、送られてきた温度データが所定の動作範囲を逸脱したか否かを判定する。半導体厚膜３１を形成するアモルファスセレンの場合には、４０℃を超えると結晶化するので、余裕をとって例えば３５℃までの温度をＦＰＤ３の動作範囲として設定する。そして、３５℃を超えたらＦＰＤ３の温度に関して異常が発生したとして判定する。温度警告判定部１５で異常だと判定した場合には、モニタ１３に表示して異常を報知し、ＦＰＤ制御部５内の電源ユニット５１に給電停止信号を出力する。そして、ＦＰＤ３への給電を停止する。
【００３３】
上述した本実施例１に係るＸ線透視撮影装置によれば、Ｘ線の入射により半導体厚膜３１は放射線をキャリアである電荷情報に変換し、その変換されたキャリアを読み出すことでフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３はＸ線を検出する。そして、ＦＰＤ３から検出されたＸ線検出信号（キャリア）に基づいて放射線画像を得ることで撮像を行う。このときＦＰＤ３の温度を測定する温度センサ１４を備えることで、ＦＰＤ３の温度状況がわかることができる。
【００３４】
本実施例１では、温度センサ１４によって測定された温度データを表示するモニタ１３を備えることで、モニタ１３によってＦＰＤ３の温度状況がより一層わかりやすくなる。また、本実施例１では、温度センサ１４によって測定された温度データが所定の動作範囲を逸脱した場合に、異常を報知する報知手段としてモニタ１３に兼用させている。このモニタ１３を備えることで、モニタ１３によってＦＰＤ３の異常状況がわかりやすくなる。さらに、本実施例１では、上述した動作範囲を逸脱した場合に、ＦＰＤ３への給電を停止する機能を有している。所定の動作範囲を逸脱することによる温度に関する異常が発生したにも関わらず検出を行う事態を、かかる機能を有することで、ＦＰＤ３への給電を停止してかかる事態を防止することができる。また、温度に関する異常が発生したにも関わらず検出を行うことで撮像に異常を来たす事態をも防止することができる。
【００３５】
また、本実施例１では、Ｘ線の入射によりＸ線をキャリアに変換する放射線感応型の半導体厚膜３１を備え、その半導体厚膜３１は、アモルファスセレンのようにセレンを主体として形成されている。ここで『セレン』を主体とは、１００％のセレンで形成されたものの他に、セレンに電子や正孔などの不純物を拡散したものや、セレン化合物を含む。セレンの場合には温度特性にシビアで、特にアモルファスセレンの場合には温度が４０℃を超えると結晶化してしまい、半導体厚膜３１においてＸ線をキャリアに変換する機能が失われるという問題点がある。そこで、この発明がセレンに適用することで、ＦＰＤ３の温度状況がわかり、セレンへの温度による被害を最小限にとどめることができる。
【実施例２】
【００３６】
次に、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。
図４は、実施例２に係るＸ線透視撮影装置のブロック図である。実施例１と共通する箇所については、同じ符号を付して図示を省略するとともに、その説明を省略する。なお、フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）３については、図２、図３と同様の構成である。
【００３７】
本実施例２に係るＸ線透視撮影装置は、上述した実施例１と同様に、天板１とＸ線管２とＦＰＤ３と天板制御部４とＦＰＤ制御部５とＸ線管制御部７とＡ／Ｄ変換器８と画像処理部９とコントローラ１０とメモリ部１１と入力部１２とモニタ１３とを備えている。
【００３８】
実施例１との相違点は、実施例１の温度センサ１４や温度警告判定部１５の替わりに本実施例２では温度維持部１６を備えた点である。温度維持部１６は、ＦＰＤ３の温度を所定の温度に制御するもので、冷却機あるいは加熱機、または冷却および加熱の双方の機能を備えたもので構成されている。ＦＰＤ３の温度が上昇する傾向にあるのであれば、冷却機で温度維持部１６を構成してもよいし、ＦＰＤ３の温度が下降する傾向にあるのであれば、加熱機で温度維持部１６を構成してもよい。また、ＦＰＤ３の温度が動作範囲外を上昇および下降する傾向にあるのであれば、冷却および加熱の双方の機能を備えたもので温度維持部１６を構成してもよい。
【００３９】
また、温度維持部１６は、実施例１の温度警告判定部１６の機能、すなわちＦＰＤ３の温度に関して異常を検出する機能を有して、その異常を報知するように構成されている。報知するときには、実施例１と同様にモニタ１３に表示する（図４の温度警告１３２を参照）。また、本実施例２では、実施例１の温度センサ１４を備えていない関係で、正確な温度データを測定しておらず、実施例１の図１の温度データ１３１に示すようにモニタ１３に温度データを表示していない。なお、実施例１の温度センサ１４のようにＦＰＤ３の温度を精密に測定する機能を温度維持部１６に備えてもよい。温度維持部１６は、この発明における温度制御手段に相当する。
【００４０】
異常を検出した場合には、温度維持部１６は、実施例１と同様にモニタ１３に表示する以外に、ＦＰＤ制御部５内の電源ユニット５１に給電停止信号を出力する。電源ユニット５１がこの給電停止信号を受信することでＦＰＤ３への給電を停止する。
【００４１】
上述した本実施例２に係るＸ線透視撮影装置によれば、ＦＰＤ３の温度を所定の温度に制御する温度維持部１６を備えることで、ＦＰＤ３の温度を制御することができる。
【００４２】
また、本実施例２では、異常を検出した場合に、異常を報知する報知手段として実施例１と同様にモニタ１３に兼用させている。このモニタ１３に備えることで、モニタ１３によってＦＰＤ３の異常状況がわかりやすくなる。さらに、本実施例２では、異常を検出した場合に、実施例１と同様にＦＰＤ３への給電を停止する機能を有している。したがって、温度に関する異常が発生したにも関わらず検出を行う事態を、かかる機能を有することで、ＦＰＤ３への給電を停止してかかる事態を防止することができる。また、温度に関する異常が発生したにも関わらず検出を行うことで撮像に異常を来たす事態をも防止することができる。また、実施例１のようにアモルファスセレンで形成された半導体厚膜３１（図２を参照）に適用することで、セレンへの温度による被害を最小限にとどめることができる。
【００４３】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４４】
（１）上述した各実施例では、図１、図４に示すようなＸ線透視撮影装置を例に採って説明したが、この発明は、例えばＣ型アームに配設されたＸ線透視撮影装置にも適用してもよい。また、この発明は、Ｘ線ＣＴ装置にも適用してもよい。
【００４５】
（２）上述した各実施例では、入射した放射線を半導体厚膜１（半導体層）によって電荷情報に直接に変換した、「直接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用したが、入射した放射線をシンチレータなどの変換層によって光に変換し、光感応型の物質で形成された半導体層によってその光を電荷情報に変換する「間接変換型」の放射線検出器をこの発明は適用してもよい。光感応型の半導体層については、上述した実施例と同じような厚膜で形成してもよいし、フォトダイオードで形成してもよい。
【００４６】
（３）上述した各実施例では、Ｘ線を検出するＸ線検出器を例に採って説明したが、この発明は、ＥＣＴ（Emission Computed Tomography）装置のように放射性同位元素（ＲＩ）を投与された被検体から放射されるγ線を検出するγ線検出器に例示されるように、放射線を検出する放射線検出器であれば特に限定されない。同様に、この発明は、上述したＥＣＴ装置に例示されるように、放射線を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００４７】
（４）上述した各実施例では、Ｘ線などに代表される放射線検出器を例に採って説明したが、この発明は、光を検出する光検出器にも適用できる。したがって、光を検出して撮像を行う装置であれば特に限定されない。
【００４８】
（５）上述した実施例１と実施例２とを互いに組み合わせてもよい。実施例１の温度センサ１４のように検出器（実施例１，２ではＦＰＤ３）の温度を測定する温度測定手段を備えるとともに、実施例２の温度維持部１６のように検出器の温度を所定の温度に制御する温度制御手段を備えてもよい。また、温度センサ１４の温度データに基づいて温度維持部１６がＦＰＤ３の温度を制御するように構成してもよい。これによりＦＰＤ３の温度をより精密に制御することができる。
【００４９】
（６）上述した実施例１では、温度センサ１４によって測定された測定値である温度データを表示するモニタ１３を備えたが、モニタ１３に温度データを表示せずに、温度センサ１４からの温度データに基づいて異常を報知する、あるいはＦＰＤ３への給電を停止するのみの機能であってもよい。
【００５０】
（７）上述した各実施例では、異常があったときにモニタ１３に異常を報知して温度警告を行ったが、異常を報知せずに、ＦＰＤ３への給電を停止するのみの機能であってもよい。また、異常を報知する手段は、モニタ１３に表示してオペレータの視覚に訴える手段に限定されず、警告音を出してオペレータの聴覚に訴える手段であってもよく、オペレータの五感に訴える手段であれば、報知手段については特に限定されない。
【００５１】
（８）上述した各実施例では、異常があったときにＦＰＤ３への給電を行ったが、ＦＰＤ３への給電を停止せずに、実施例２の温度維持部１６による温度制御のみを行ってもよいし、異常を報知するのみでもよいし、実施例１のように測定値である温度データをモニタ１３に表示するのみでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】実施例１に係るＸ線透視撮影装置のブロック図である。
【図２】Ｘ線透視撮影装置に用いられている側面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図３】平面視したフラットパネル型Ｘ線検出器の等価回路である。
【図４】実施例２に係るＸ線透視撮影装置のブロック図である。
【符号の説明】
【００５３】
３  …  フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）
１３  …  モニタ
１４  …  温度センサ
１６  …  温度維持部
３１  …  半導体厚膜
【図１】
2006128890.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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