(57)【要約】【課題】表示特性が良好で、しかも輝度の高い有機エレクトロルミネッセンス有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタが形成された絶縁性基板１０上に形成された層間絶縁膜４８と、層間絶縁膜４８上に形成され、光を反射する反射層１２と、反射層１２上に形成され、光を透過する層間絶縁膜５２、５４と、層間絶縁膜５４上に形成され、コンタクトホール５６を介してソース電極４２に電気的に接続された下部電極１６と、下部電極１６上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層１８と、有機エレクトロルミネッセンス層１８上に形成され、コンタクトホール５８を介して反射層１２に電気的に接続された上部電極２２とを有している。【選択図】  図１
2006278128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成され、光を透過する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、前記反射層に電気的に接続された上部電極と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板上に形成され、前記下部電極に電気的に接続されたスイッチング素子を更に有する
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射層は、前記上部電極と電気抵抗が同等の材料、又は、前記上部電極より電気抵抗が低い材料よりなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上部電極は、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記反射層に電気的に接続されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射層は、ストライプ状に形成されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射層における光の反射率は、５０％以上である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記下部電極は、光を透過する導電膜よりなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上部電極は、光を透過する他の導電膜よりなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板上に、前記下部電極と、前記有機エレクトロルミネッセンス層と、前記上部電極とを有する複数の画素が形成されており、
前記画素毎に、前記上部電極が前記反射層に電気的に接続されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記絶縁膜における光の透過率は、５０％以上である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＣＲＴ、ＬＣＤと比較して薄型化、軽量化が可能な表示装置として、近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ）を用いた表示装置が大きな注目を集めている。有機エレクトロルミネッセンス素子は、自己発光型であるため、視認性が高い、視野角依存性がない、可撓性を有するフィルム基板を用いることができる、液晶表示装置と比較して薄い・軽い、などの様々な利点がある。
【０００３】
さらには、応答時間の短縮や表示における高精細化を実現すべく、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型の表示装置が提案されている。
【０００４】
図１６は、提案されているアクティブマトリックス型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す断面図である。なお、図１６は１画素分の構造を示したものであるが、実際には複数の画素がマトリクス状に配置されている。
【０００５】
図示するように、ガラス基板よりなる絶縁性基板１００上には、バッファ層１０２が形成されている。バッファ層１０２上に、チャネル層１０４が形成されている。チャネル層１０４上には、ゲート絶縁膜１０６を介してゲート電極１０８が形成されている。ゲート電極１０８の両側のチャネル層１０４には、ソース領域１１０及びドレイン領域１１２が、それぞれ形成されている。こうして、バッファ層１０２上には、ゲート電極１０８とソース領域１１０及びドレイン領域１１２とを有する薄膜トランジスタが形成されている。
【０００６】
薄膜トランジスタが形成されたバッファ層１０２上には、層間絶縁膜１１４が形成されている。層間絶縁膜１１４上には、コンタクトホール１１６を介してソース領域１１０に接続されたソース電極１１８と、コンタクトホール１２０を介してドレイン領域１１２に接続されたドレイン電極１２２とがそれぞれ形成されている。
【０００７】
ソース電極１１８及びドレイン電極１２２が形成された層間絶縁膜１１４上には、層間絶縁膜１２４が形成されている。層間絶縁膜１２４には、ソース電極１１８に達するコンタクトホール１２６が形成されている。
【０００８】
コンタクトホール１２６が形成された層間絶縁膜１２４上には、コンタクトホール１２６を含む領域に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透明導電膜よりなる下部電極１２８と、有機エレクトロルミネッセンス層１３０と、Ａｌ（アルミニウム）膜やＭｇ（マグネシウム）−Ａｇ（銀）合金膜等よりなる上部電極１３２とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層１３０は、例えば、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層が順次積層されて構成されている。下部電極１２８は、層間絶縁膜１２４に形成されたコンタクトホール１２６を介して、薄膜トランジスタのソース電極１１８に電気的に接続されている。
【０００９】
図１６に示す提案されている有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、上部電極１３２の材料としてＡｌ膜等の光透過性を有しない膜が用いられている。このため、図１６に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス層１３０の発光層において発生した光が絶縁性基板１００側から出射される。このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置と称される。
【００１０】
図１６に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置においてフルカラー化を実現する場合には、画素領域に発光波長の異なる発光層を形成する必要がある。例えば、画素となる領域が開口されたマスクを基板に密着させ、ＲＧＢの各色を形成する発光層を、例えばＲＧＢの順にマスクを移動して形成することが行われている。
【００１１】
ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の場合、上述のように、有機エレクトロルミネッセンス素子において発生した光は絶縁性基板側から出射される。図１６に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、絶縁性基板と有機エレクトロルミネッセンス素子との間にスイッチング素子が形成されるため、１画素に占める発光面積がスイッチング素子の存在により実質的に小さくなり、高い輝度を得ることができない。
【００１２】
一方、輝度を向上すべく発光層において発生した光を上部電極側から出射することも提案されている。このような有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、トップエミッション型と称される。
【００１３】
図１７は、提案されているトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す断面図である。
【００１４】
図示するように、有機エレクトロルミネッセンス素子の上部電極として、光透過性を有するＩＴＯ膜等の透明導体膜よりなる上部電極１３４が用いられている。このため、有機エレクトロルミネッセンス層１３０の発光層において発生した光は、上部電極１３４側から出射される。このようなトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、有機エレクトロルミネッセンス素子において発生した光の出射が、薄膜トランジスタによって遮光されることがない。このため、図１７に示す提案されている有機エレクトロルミネッセンス表示装置によれば、画素の開口率を向上することが可能となる。
【００１５】
しかしながら、トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における上部電極は、光透過性を確保するために薄膜化が要求される。また、上部電極として用いられるＩＴＯ膜等の透明導電膜は、金属膜等と比較して抵抗値が大きい。このため、上部電極の抵抗値が上昇して電圧降下が生じ、輝度が低下したり、輝度むらが生じたりする等、表示性能が低下してしまうこととなる。
【００１６】
上部電極における電圧降下を抑制するための対策としては、金属材料よりなる補助配線を上部電極に接続することが提案されている（例えば特許文献１〜４を参照）。
【００１７】
例えば、特許文献１には、マスクのスペーサと上部共通電極の補助配線とを兼ねるリブが各画素に設けられた有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開示されている。
【００１８】
また、特許文献２には、下部電極と同一層よりなり、下部電極に対して絶縁性を保って配置された補助配線に、接続孔を介して上部電極が接続された有機エレクトロルミネッセンス表示装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１９５００８号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７２１７号公報
【特許文献３】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献４】特開２００２−３５２９６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、特許文献１に開示された技術では、補助配線を兼ねるリブの分だけ画素が小さくなるため、十分に高い輝度を得ることは困難である。
【００２０】
また、特許文献２に開示された技術では、補助配線の分だけ画素が小さくなるため、十分に高い輝度を得ることは困難である。
【００２１】
本発明の目的は、表示特性が良好で、しかも輝度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の一観点によれば、基板上に形成され、光を反射する反射層と、前記反射層上に形成され、光を透過する絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、前記反射層に電気的に接続された上部電極とを有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、下部電極の下層に反射層が形成されており、かかる反射層に上部電極が電気的に接続されているので、画素の開口率の低下を回避しつつ、上部電極の低抵抗化を図り、上部電極の電圧降下を抑制することができる。これにより、本発明によれば、表示特性が良好で、しかも輝度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法について図１乃至図６を用いて説明する。図１は本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す概略図、図２乃至図６は本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００２５】
まず、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造について図１を用いて説明する。図１（ａ）は本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ′線拡大断面図である。
【００２６】
本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、図１（ａ）に示すように、絶縁性基板１０上に、有機エレクトロルミネッセンス素子を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタが用いられたアクティブマトリクス型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置である。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、例えばガラス基板よりなる絶縁性基板１０上には、シリコン酸化膜よりなるバッファ層２６が形成されている。バッファ層２６上には、ポリシリコン膜よりなるチャネル層２８が形成されている。チャネル層２８上には、シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜３０を介してゲート電極３２が形成されている。ゲート電極３２の両側のチャネル層２８には、ソース領域３４及びドレイン領域３６が、それぞれ形成されている。こうして、バッファ層２６上に、ゲート電極３２とソース領域３４及びドレイン領域３６を有する薄膜トランジスタが形成されている。
【００２８】
薄膜トランジスタが形成されたバッファ層２６上には、シリコン窒化膜よりなる層間絶縁膜３８が形成されている。層間絶縁膜３８上には、コンタクトホール４０を介してソース領域３４に接続されたソース電極４２と、コンタクトホール４４を介してドレイン領域３６に接続されたドレイン電極４６とがそれぞれ形成されている。
【００２９】
ソース電極４２及びドレイン電極４６が形成された層間絶縁膜３８上には、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜４８が形成されている。なお、層間絶縁膜４８はシリコン酸化膜に限定されるものではなく、層間絶縁膜４８としてシリコン窒化膜等の無機絶縁膜、樹脂よりなる絶縁膜を用いてもよい。
【００３０】
層間絶縁膜４８上には、光反射性を有するとともに、良好な導電性を有する反射層１２が形成されている。反射層１２は、図１（ａ）に示すように、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって形成されている。なお、反射層１２は、所定の形状を有するものが画素Ｐ毎に形成されていてもよい。薄膜トランジスタの上方の領域は、反射層１２により覆われている。反射層１２には、ソース電極４２上の領域に、開口部５０が形成されている。反射層１２としては、例えばＡｌ膜が用いられている。反射層１２における光の反射率は、例えば、５０％以上、より好ましくは８０％となっている。このように光の透過率の高い層間絶縁膜４８を形成しているのは、高い輝度を実現するためである。後述するように、反射層１２は、上部電極２２に電気的に接続され、上部電極２２を低抵抗化するための補助電極としても機能するものである。反射層１２の材料としては、後述する上部電極２２の材料より電気抵抗の低い材料が用いられている。反射層１２の材料として、上部電極２２の材料より電気抵抗の低い材料を用いるのは、後述するように、上部電極２２の低抵抗化を図るためである。なお、反射層１２の材料として上部電極２２の材料と電気抵抗が同等の材料を用いてもよく、この場合においても上部電極２２の低抵抗化を図ることができる。
【００３１】
反射層１２が形成された層間絶縁膜４８上には、シリコン窒化膜よりなる層間絶縁膜５２が形成されている。層間絶縁膜５２は光透過性を有しており、その光の透過率は、５０％以上、好ましくは８０％以上となっている。このように光の透過率の高い層間絶縁膜５２を形成しているのは、高い輝度を実現するためである。層間絶縁膜５２上には、光透過性を有する層間絶縁膜５４が形成されている。層間絶縁膜５４の材料としては、例えばアクリル系樹脂等の感光性樹脂が用いられている。層間絶縁膜５４における光の透過率は、例えば、５０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。このように光の透過率の高い層間絶縁膜５４を形成しているのは、高い輝度を実現するためである。層間絶縁膜５２と層間絶縁膜５４との総膜厚は、例えば１μｍ以上となっている。このように層間絶縁膜４８と層間絶縁膜５４との総膜厚を比較的厚く設定しているのは、層間絶縁膜５２、５４において光の干渉の影響により減光が生じるのを防止するためである。
【００３２】
ソース電極４２上の領域における層間絶縁膜５４、層間絶縁膜５２及び層間絶縁膜４８には、反射層１２に形成された開口部５０を介してソース電極４２に達するコンタクトホール５６が形成されている。層間絶縁膜５４及び層間絶縁膜５２には、反射層１２に達するコンタクトホール５８が形成されている。
【００３３】
層間絶縁膜５４上には、コンタクトホール５６を含む領域に、下部電極１６が形成されている。下部電極１６は、層間絶縁膜４８、５２、５４に形成されたコンタクトホール５６を介してソース電極４２に電気的に接続されている。下部電極１６は、図１（ａ）に示すように、画素Ｐ毎に矩形状に形成されている。下部電極１６としては、例えばＩＴＯよりなる透明導電膜が用いられている。下部電極１６は、アノード電極として機能するものである。
【００３４】
下部電極１６上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層とが順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス層１８が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層１８は、矩形状の下部電極１６を覆うように、下部電極１６の幅よりも幅広の矩形状に形成されている。正孔注入層としては、例えば２−ＴＮＡＴＡ（４，４’，４’’−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）膜が用いられている。正孔輸送層としては、例えばα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン）膜が用いられている。発光層としては、例えばＡｌｑ３（トリス（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム）膜が用いられている。
【００３５】
コンタクトホール５８が形成された層間絶縁膜５４上及び有機エレクトロルミネッセンス層１８上には、光透過性を有する上部電極２２が形成されている。上部電極２２は、共通電極として、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって形成されている。上部電極２２は、コンタクトホール５８を介して、反射層１２に電気的に接続されている。上述したように、反射層１２は、上部電極２２より電気抵抗の低い材料により構成されている。上部電極２２としては、例えば、膜厚３０ｎｍ以下の光透過性を有するＡｌ膜と、ＩＴＯよりなる透明導電膜とが順次積層されてなる積層膜が用いられている。上部電極２２における光の透過率は、例えば、５０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。このように光の透過率の高い上部電極２２を形成しているのは、高い輝度を実現するためである。上部電極２２は、カソード電極として機能するものである。
【００３６】
こうして、層間絶縁膜５４上に、下部電極１６と、有機エレクトロルミネッセンス層１８と、上部電極２２とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子２３が形成されている。
【００３７】
上記の有機エレクトロルミネッセンス素子２３は、下部電極１６と上部電極２２とが重なる領域のそれぞれに形成されており、図１（ａ）に示すように、矩形状の下部電極１６が形成された領域毎に画素Ｐが構成されている。コンタクトホール５８は画素Ｐ毎に形成されており、画素Ｐ毎に上部電極２２がコンタクトホール５８を介して反射層１２に電気的に接続されている。
【００３８】
こうして、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置が構成されている。
【００３９】
本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、上部電極２２から電子が有機エレクトロルミネッセンス層１８に注入され、下部電極１６から正孔が有機エレクトロルミネッセンス層１８に注入される。電子は上部電極２２から発光層に直接注入され、注入された正孔は正孔輸送層により発光層に輸送される。こうして発光層に輸送された電子と正孔とが、発光層において再結合することにより発光が生じる。発光層において発生した光は、上部電極２２側及び下部電極１６側に放出される。上部電極２２側に放出された光は、光透過性を有する上部電極２２側から直接出射される。下部電極１６側に放出された光は、透明導電膜よりなる下部電極１６及び光透過性を有する層間絶縁膜５２、５４を介して、反射層１２により上部電極２２側に反射され、光透過性を有する上部電極２２側から出射される。
【００４０】
このように、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上部電極２２側から光が出射されるトップエミッション型の構造となっている。
【００４１】
本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、透明導電膜よりなる下部電極１６の下層に、光透過性を有する層間絶縁膜５２、５４を介して、光反射性を有する反射層１２が形成されていることに主たる特徴の一つがある。
【００４２】
本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、下部電極１６の下層に、反射層１２が形成されているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８から下部電極１６側に放出された光を、反射層１２により上部電極２２側に反射させることができる。このため、本実施形態によれば、輝度の高いトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を構成することができる。
【００４３】
しかも、本実施形態によれば、下部電極１６としてＩＴＯよりなる透明導電膜が用いられているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８として、図１６に示すようなボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の有機エレクトロルミネッセンス層の構成を利用して、輝度の高いトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を構成することができる。
【００４４】
さらに、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上部電極２２が、反射層１２に電気的に接続されていることにも主たる特徴の一つがある。
【００４５】
トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、上部電極側から光が出射されるため、上部電極に高い光透過性が求められる。高い光透過性を実現するためには、上部電極を薄膜化することが必要となる。しかし、単に上部電極を薄膜化した場合には、上部電極の抵抗値が高くなり、上部電極に電圧降下が生じる。この結果として、輝度の低下、輝度むらの発生など、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示特性が劣化することとなる。
【００４６】
これに対し、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、良好な導電性を有する反射層１２が上部電極２２に電気的に接続されている。本実施形態によれば、反射層１２が補助電極として機能するため、上部電極２２が薄膜化された場合であっても、上部電極２２の低抵抗化を図り、上部電極２２の電圧降下を抑制することができる。このため、本実施形態によれば、良好な表示特性を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【００４７】
さらに、上部電極２２を低抵抗化する補助電極として機能する反射層１２は、下部電極１６と別個に、下部電極１６の下層に形成されている。このため、反射層１２の膜厚、形状等は比較的高い自由度で設計することができ、反射層１２の抵抗値を所望の値に設定することができる。これにより、上部電極２２の低抵抗化を確実に実現することができる。
【００４８】
また、特許文献１や特許文献２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置のように、上部電極を低抵抗化するための補助電極を下部電極と同層又は下部電極よりも上層に形成した場合には、補助電極の分だけ開口率が低下してしまう。
【００４９】
これに対し、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置によれば、上部電極２２を低抵抗化する補助電極が、下部電極１６の下層に形成された反射層１２により構成されているため、画素の開口率の低下を招くことなく、上部電極２２を低抵抗化することができる。
【００５０】
さらに、薄膜トランジスタの上方領域が反射層１２により覆われているため、有機エレクトロルミネッセンス素子２３の発光による薄膜トランジスタの特性への影響を抑制することができる。なお、画素Ｐ毎に所定の形状を有する反射層１２を形成する場合においても、下部電極１６下に下部電極１６よりも幅広の反射層１２を形成し、薄膜トランジスタの上方領域を反射層１２により覆うことで、有機エレクトロルミネッセンス素子２３の発光による薄膜トランジスタの特性への影響を抑制することができる。
【００５１】
次に、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について図２乃至図６を用いて説明する。
【００５２】
まず、ガラス基板よりなる絶縁性基板１０上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚３００ｎｍのシリコン酸化膜よりなるバッファ層２６を形成する。
【００５３】
次いで、バッファ層２６上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚５０ｎｍのポリシリコン膜を形成する。なお、ポリシリコン膜の代わりにアモルファスシリコン膜を形成し、レーザアニール法等によりこれを結晶化してポリシリコン膜としてもよい。
【００５４】
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、ポリシリコン膜をパターニングし、ポリシリコン膜よりなるチャネル層２８を形成する（図２（ａ）参照）。
【００５５】
次いで、チャネル層２８が形成されたバッファ層２６上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜を形成する。
【００５６】
次いで、例えばスパッタ法により、例えば膜厚２００ｎｍのＡｌＮｄ（アルミニウム−ネオジム合金）膜を形成する。
【００５７】
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、シリコン酸化膜及びＡｌＮｄ膜をパターニングし、チャネル層２８上に、シリコン酸化膜よりなるゲート絶縁膜３０と、ＡｌＮｄ膜よりなるゲート電極３２とを形成する。
【００５８】
次いで、ゲート電極３２をマスクとして、例えばイオン注入法により例えばリンイオンをイオン注入し、ゲート電極３２の両側のチャネル層２８に、ソース領域３４及びドレイン領域３６をそれぞれ形成する（図２（ｂ）参照）。
【００５９】
こうして、バッファ層２６上に、ゲート電極３２と、ソース領域３４及びドレイン領域３６とを有する薄膜トランジスタを形成する。
【００６０】
次いで、薄膜トランジスタが形成されたバッファ層２６上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚４５０ｎｍのシリコン窒化膜よりなる層間絶縁膜３８を形成する。
【００６１】
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、層間絶縁膜３８に、ソース領域３４に達するコンタクトホール４０及びドレイン領域３６に達するコンタクトホール４４をそれぞれ形成する（図２（ｃ）参照）。
【００６２】
次いで、例えばスパッタ法により、コンタクトホール４０、４４が形成された形成された層間絶縁膜３８上に、例えば、膜厚１５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜と、膜厚１５０ｎｍのＡｌ膜と、膜厚１５０ｎｍのＴｉ膜とが順次積層されてなるＴｉ／Ａｌ／Ｔｉ膜を形成する。
【００６３】
次いで、フォトリソグラフィー及びドライエッチングにより、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ膜をパターニングし、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ膜よりなるソース電極４２及びドレイン電極４６をそれぞれ形成する（図３（ａ）参照）。
【００６４】
次いで、例えばＣＶＤ法により、ソース電極４２及びドレイン電極４６が形成された層間絶縁膜３８上に、例えば膜厚４００ｎｍのシリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜４８を形成する。
【００６５】
次いで、層間絶縁膜４８上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚２００ｎｍのＡｌ膜１２を形成する（図３（ｂ）参照）。
【００６６】
次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、Ａｌ膜１２を所定の形状にパターニングする。この際、Ａｌ膜１２は表示領域の全面にわたって残存させるとともに、Ａｌ膜１２には層間絶縁膜４８のソース電極４２上の領域を露出する開口部５０を形成する。こうして、層間絶縁膜４８上に、Ａｌ膜よりなる反射層１２を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００６７】
次いで、反射層１２が形成された層間絶縁膜４８上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚２００ｎｍのシリコン窒化膜よりなる層間絶縁膜５２を形成する。
【００６８】
次いで、層間絶縁膜５２上に、例えばスピンコート法により、光透過性を有する感光性樹脂を塗布する。感光性樹脂としては、例えばアクリル系の樹脂を用いる。こうして、層間絶縁膜５２上に、光透過性を有する感光性樹脂よりなる層間絶縁膜５４を形成する（図４（ａ）参照）。なお、下部電極１６と反射層１２との間に形成するこの層間絶縁膜５４と層間絶縁膜５２との総膜厚は、１μｍ以上に設定することが望ましい。これは、層間絶縁膜５２、５４を総膜厚１μｍ以上と比較的厚く形成することで、層間絶縁膜５２、５４において光の干渉の影響により減光が生じるのを防止するためである。
【００６９】
次いで、フォトリソグラフィーにより、層間絶縁膜５４に、層間絶縁膜５２のソース電極上の領域に達する開口部５６ａ、及び層間絶縁膜５２の反射層１２上の領域に達する開口部５８ａを形成する（図４（ｂ）参照）。
【００７０】
次いで、ドライエッチングにより、層間絶縁膜５４の開口部５６ａに露出した層間絶縁膜５２、及び層間絶縁膜４８に、ソース電極４２に達する開口部５６ｂを形成する。こうして、開口部５６ａ、５６ｂにより構成され、ソース電極４２に達するコンタクトホール５６を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００７１】
次いで、コンタクトホール５６が形成された層間絶縁膜５４上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚１００ｎｍのＩＴＯよりなる透明導電膜１６を形成する（図５（ａ）参照）。
【００７２】
次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、透明導電膜１６を画素Ｐ毎に矩形状にパターニングする。こうして、層間絶縁膜５４上に、透明導電膜よりなる矩形状の下部電極１６を形成する（図５（ｂ）参照）。下部電極１６は、コンタクトホール５６を介してソース電極４２に電気的に接続される。なお、下部電極１６は矩形状のものに限定されるものではなく、種々の形状とすることができる。
【００７３】
次いで、ドライエッチングにより、層間絶縁膜５４の開口部５８ａに露出した層間絶縁膜５２に、反射層１２に達する開口部５８ｂを形成する。こうして、開口部５８ａ、５８ｂにより構成され、反射層１２に達するコンタクトホール５８を形成する（図５（ｃ）参照）。
【００７４】
次いで、下部電極１６上に、例えば真空蒸着法により、所定の大きさに開口された蒸着マスク２４を介して、例えば膜厚２０ｎｍの２−ＴＮＡＴＡ膜と、例えば膜厚２０ｎｍのα−ＮＰＤ膜と、例えば膜厚５０ｎｍのＡｌｑ３膜とを順次形成する。こうして、下部電極１６上に、２−ＴＮＡＴＡ膜よりなる正孔注入層と、α−ＮＰＤ膜よりなる正孔輸送層と、Ａｌｑ３膜よりなる発光層とを有する有機エレクトロルミネッセンス層１８を形成する（図６（ａ）参照）。有機エレクトロルミネッセンス層１８は、矩形状の下部電極１６を覆うように、下部電極１６の幅よりも幅広の矩形状に形成する。なお、有機エレクトロルミネッセンス層１８は矩形状のものに限定されるものではなく、下部電極１６の形状等に応じて種々の形状とすることができる。
【００７５】
次いで、有機エレクトロルミネッセンス層１８が形成された層間絶縁膜５４上に、例えば真空蒸着法及びスパッタ法により、所定の形状に開口されたマスクを介して、例えば膜厚１０ｎｍの光透過性を有するＡｌ膜と、例えば膜厚３０ｎｍのＩＴＯよりなる透明導電膜とを順次形成する。こうして、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって形成され、コンタクトホール５８を介して反射層１２に電気的に接続された上部電極２２を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００７６】
こうして、図１に示す本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置が製造される。
【００７７】
このように、本実施形態によれば、下部電極１６の下層に反射層１２が形成されており、かかる反射層１２に上部電極２２がコンタクトホール５８を介して電気的に接続されているので、画素の開口率の低下を回避しつつ、上部電極２２の低抵抗化を図り、上部電極２２の電圧降下を抑制することができる。これにより、表示特性が良好で、しかも輝度の高いトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【００７８】
なお、上記では、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって反射層１２を形成したが、下記の変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置のように、反射層１２をストライプ状に形成してもよい。反射層１２をストライプ状に形成することで、全面にわたって反射層１２が形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【００７９】
（変形例（その１））
本実施形態の変形例（その１）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置について図７を用いて説明する。図７は本変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【００８０】
図７に示すように、図の上下方向に並んだ矩形状の下部電極１６の配列に沿って延在するように、ストライプ状に反射層１２が形成されている。反射層１２は、下部電極１６の幅よりも幅広となっている。下部電極１６の幅よりも反射層１２が幅広となっているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８の発光層で発生した光を確実に上部電極２２側に反射することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光による薄膜トランジスタの特性への影響を抑制することができる。上部電極２２は、画素Ｐ毎に、コンタクトホール５８を介して、ストライプ状の反射層１２に電気的に接続されている。
【００８１】
本変形例によれば、反射層１２がストライプ状に形成されているため、上述したように、表示領域の全面にわたって反射層１２が形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【００８２】
（変形例（その２））
本実施形態の変形例（その２）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置について図８を用いて説明する。図８は本変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【００８３】
図８に示すように、図の上下方向に並んだ矩形状の下部電極１６の複数の配列に沿って延在するように、ストライプ状に反射層１２が形成されている。反射層１２は、下部電極１６の複数の配列の幅よりも幅広となっている。なお、図８では、ストライプ状の反射層１２が、図の上下方向に並んだ下部電極１６の３本の配列に沿って延在している場合を示している。下部電極１６の複数の配列の幅よりも反射層１２が幅広となっているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８の発光層で発生した光を確実に上部電極２２側に反射することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光による薄膜トランジスタの特性への影響を抑制することができる。上部電極２２は、画素Ｐ毎に、コンタクトホール５８を介して、ストライプ状の反射層１２に電気的に接続されている。
【００８４】
本変形例の場合にも、反射層１２がストライプ状に形成されているため、上述したように、表示領域の全面にわたって反射層１２が形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【００８５】
（変形例（その３））
本実施形態の変形例（その３）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置について図９を用いて説明する。図９は本変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【００８６】
図９に示すように、図の左右方向に並んだ矩形状の下部電極１６の配列に沿って延在するように、ストライプ状に反射層１２が形成されている。反射層１２は、下部電極１６の幅よりも幅広となっている。下部電極１６の幅よりも反射層１２が幅広となっているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８の発光層で発生した光を確実に上部電極２２側に反射することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光による薄膜トランジスタの特性への影響を抑制することができる。上部電極２２は、画素Ｐ毎に、コンタクトホール５８を介して、ストライプ状の反射層１２に電気的に接続されている。
【００８７】
本変形例の場合にも、反射層１２がストライプ状に形成されているため、上述したように、表示領域の全面にわたって反射層１２が形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【００８８】
（変形例（その４））
本実施形態の変形例（その４）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置について図１０を用いて説明する。図１０は本変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【００８９】
図１０に示すように、図の左右方向に並んだ矩形状の下部電極１６の複数の配列に沿って延在するように、ストライプ状に反射層１２が形成されている。反射層１２は、下部電極１６の複数の配列の幅よりも幅広となっている。図１０では、ストライプ状の反射層１２が、図の左右方向に並んだ下部電極１６の２本の配列に沿って延在している場合を示している。下部電極１６の複数の配列の幅よりも反射層１２が幅広となっているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８の発光層で発生した光を確実に上部電極２２側に反射することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光による薄膜トランジスタの特性への影響を抑制することができる。上部電極２２は、画素Ｐ毎に、コンタクトホール５８を介して、ストライプ状の反射層１２に電気的に接続されている。
【００９０】
本変形例の場合にも、反射層１２がストライプ状に形成されているため、上述したように、表示領域の全面にわたって反射層１２が形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【００９１】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法について図１１乃至図１３を用いて説明する。図１１は本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す概略図、図１２及び図１３は本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
【００９２】
まず、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造について図１１を用いて説明する。図１１（ａ）は本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＡ−Ａ′線拡大断面図である。
【００９３】
本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス層を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタを画素毎に設けることなく構成された有機エレクトロルミネッセンス表示装置、即ち、パッシブマトリクス型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置であることに主な特徴がある。
【００９４】
図１１に示すように、例えばガラス基板よりなる絶縁性基板１０上には、光反射性を有するとともに、良好な導電性を有する反射層１２が形成されている。反射層１２は、図１１（ａ）に示すように、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって形成されている。なお、反射層１２は、所定の形状を有するものが画素Ｐ毎に形成されていてもよい。反射層１２としては、例えばＡｌ膜が用いられている。反射層１２における光の反射率は、例えば、５０％以上、より好ましくは８０％となっている。このように光の反射率が高い反射層１２を形成しているのは、高い輝度を実現するためである。後述するように、反射層１２は、上部電極２２に電気的に接続され、上部電極２２を低抵抗化するための補助電極としても機能するものである。
【００９５】
反射層１２上には、光透過性を有する層間絶縁膜１４が形成されている。層間絶縁膜１４の材料としては、例えばアクリル系樹脂等の感光性樹脂が用いられている。層間絶縁膜１４の膜厚は、例えば１μｍ以上となっている。このように比較的厚い層間絶縁膜１４を形成しているのは、層間絶縁膜１４において光の干渉の影響により減光が生じるのを防止するためである。層間絶縁膜１４における光の透過率は、例えば、５０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。このように光の透過率の高い層間絶縁膜１４を形成しているのは、高い輝度を実現するためである。
【００９６】
層間絶縁膜１４上には、下部電極１６が形成されている。下部電極１６は、図１１（ａ）に示すように、所定の方向（図１１（ａ）の上下方向）に延在するストライプ状に形成されている。下部電極１６としては、例えばＩＴＯよりなる透明導電膜が用いられている。下部電極１６は、アノード電極として機能するものである。
【００９７】
下部電極１６上には、正孔注入層と、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層とが順次積層されてなる有機エレクトロルミネッセンス層１８が形成されている。有機エレクトロルミネッセンス層１８は、ストライプ状の下部電極１６の幅よりも幅広の矩形状に形成されている。正孔注入層としては、例えば２−ＴＮＡＴＡ膜が用いられている。正孔輸送層としては、例えばα−ＮＰＤ膜が用いられている。発光層としては、例えば少量のｔ（ｎｐａ）ｐｙ（１，３，６，８−テトラ（Ｎ−ナフチル−Ｎ’−フェニルアミノ）ピレン）をドープしたＡｌｑ３膜が用いられている。電子輸送層としては、例えばＡｌｑ３膜が用いられている。電子注入層としては、例えばＬｉＦ（フッ化リチウム）膜が用いられている。
【００９８】
有機エレクトロルミネッセンス層１８が形成された下部電極１６両側の層間絶縁膜１４には、反射層１２に達するコンタクトホール２０が形成されている。
【００９９】
コンタクトホール２０が形成された層間絶縁膜１４上及び有機エレクトロルミネッセンス層１８上には、光透過性を有する上部電極２２が形成されている。上部電極２２は、図１１（ａ）に示すように、下部電極１６と直交する方向（図１１（ａ）の左右方向）に延在するストライプ状に形成されている。上部電極２２は、コンタクトホール２０を介して、反射層１２に電気的に接続されている。上部電極２２が接続される反射層１２は、上部電極２２より電気抵抗の低い材料により構成されている。上部電極２２としては、例えば、膜厚３０ｎｍ以下の光透過性を有するＡｌ膜と、ＩＴＯよりなる透明導電膜とが順次積層されてなる積層膜が用いられている。上部電極２２における光の透過率は、例えば、５０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。上部電極２２は、カソード電極として機能するものである。
【０１００】
こうして、層間絶縁膜１４上に、下部電極１６と、有機エレクトロルミネッセンス層１８と、上部電極２２とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子２３が形成されている。
【０１０１】
有機エレクトロルミネッセンス素子２３は、下部電極１６と上部電極２２とが交差する領域のそれぞれに形成されており、図１１（ａ）に示すように、下部電極１６と上部電極２２とが交差する領域毎に画素Ｐが構成されている。コンタクトホール２０は画素Ｐ毎に形成されており、画素Ｐ毎に上部電極２２がコンタクトホール２０を介して反射層１２に電気的に接続されている。
【０１０２】
こうして、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置が構成されている。
【０１０３】
本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、上部電極２２から電子が有機エレクトロルミネッセンス層１８に注入され、下部電極１６から正孔が有機エレクトロルミネッセンス層１８に注入される。注入された電子は電子輸送層により発光層に輸送され、注入された正孔は正孔輸送層により発光層に輸送される。こうして発光層に輸送された電子と正孔とが、発光層において再結合することにより発光が生じる。発光層において発生した光は、上部電極２２側及び下部電極１６側に放出される。上部電極２２側に放出された光は、光透過性を有する上部電極２２側から直接出射される。下部電極１６側に放出された光は、透明導電膜よりなる下部電極１６及び光透過性を有する層間絶縁膜１４を介して、反射層１２により上部電極２２側に反射され、光透過性を有する上部電極２２側から出射される。
【０１０４】
このように、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上部電極２２側から光が出射されるトップエミッション型の構造となっている。
【０１０５】
本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、上述したように、パッシブマトリクス型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置、即ち、有機エレクトロルミネッセンス層を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスタを画素毎に設けることなく構成された有機エレクトロルミネッセンス表示装置であることに主な特徴がある。
【０１０６】
本実施形態のように、パッシブマトリクス型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を構成してもよい。本実施形態によれば、パッシブマトリクス型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、上部電極２２側から光を出射するように構成する場合であっても、輝度の高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【０１０７】
次に、本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法について図１２及び図１３を用いて説明する。
【０１０８】
まず、例えばガラス基板よりなる絶縁性基板１０上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚２００ｎｍのＡｌ膜１２を形成する。
【０１０９】
次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、Ａｌ膜１２を所定の形状にパターニングする。こうして、絶縁性基板１０上に、Ａｌ膜よりなる反射層１２を形成する（図１２（ａ）参照）。
【０１１０】
次いで、反射層１２が形成された絶縁性基板１０上に、例えばスピンコート法により、光透過性を有する感光性樹脂を塗布する。感光性樹脂としては、例えばアクリル系の樹脂を用いる。こうして、反射層１２上及び絶縁性基板１０上に、光透過性を有する感光性樹脂よりなる層間絶縁膜１４を形成する（図１２（ｂ）参照）。なお、下部電極１６と反射層１２との間に形成するこの層間絶縁膜１４の膜厚は、１μｍ以上に設定することが望ましい。これは、層間絶縁膜１４の膜厚を１μｍよりも小さく設定すると、光の干渉の影響による減光が層間絶縁膜１４で起きてしまい、十分な輝度を得ることができない虞があるためである。
【０１１１】
次いで、感光性樹脂よりなる層間絶縁膜１４を所定のマスクを用いて露光した後、所定の現像液を用いて層間絶縁膜１４を現像する。こうして、層間絶縁膜１４に、反射層１２に達するコンタクトホール２０を形成する（図１２（ｃ）参照）。
【０１１２】
次いで、層間絶縁膜１４上に、例えばスパッタ法により、例えば膜厚２０ｎｍのＩＴＯよりなる透明導電膜１６を形成する（図１２（ｄ）参照）。
【０１１３】
次いで、フォトリソグラフィー及びエッチングにより、透明導電膜１６を、所定の方向に延在するストライプ状にパターニングする。こうして、透明導電膜よりなる下部電極１６を形成する（図１３（ａ）参照）。
【０１１４】
次いで、下部電極１６上に、例えば真空蒸着法により、所定の大きさに開口された蒸着マスク２４を介して、例えば膜厚２０ｎｍの２−ＴＮＡＴＡ膜と、例えば膜厚２０ｎｍのα−ＮＰＤ膜と、例えば少量のｔ（ｎｐａ）ｐｙをドープした例えば膜厚２０ｎｍのＡｌｑ３膜と、例えば膜厚２０ｎｍのＡｌｑ３膜と、例えば０．５ｎｍのＬｉＦ膜とを順次形成する。こうして、下部電極１６上に、２−ＴＮＡＴＡ膜よりなる正孔注入層と、α−ＮＰＤ膜よりなる正孔輸送層と、ｔ（ｎｐａ）ｐｙをドープしたＡｌｑ３膜よりなる発光層と、Ａｌｑ３膜よりなる電子輸送層と、ＬｉＦ膜よりなる電子注入層とを有する有機エレクトロルミネッセンス層１８を形成する（図１３（ｂ）参照）。
【０１１５】
次いで、有機エレクトロルミネッセンス層１８が形成された層間絶縁膜１４上に、例えば真空蒸着法及びスパッタ法により、所定の形状に開口されたマスクを介して、例えば膜厚１０ｎｍの光透過性を有するＡｌ膜と、例えば膜厚３０ｎｍのＩＴＯよりなる透明導電膜とを順次形成する。こうして、下部電極１６と直交する方向に延在するストライプ状の上部電極２２を形成する（図１３（ｃ）参照）。上部電極２２は、コンタクトホール２０を介して反射層１２に電気的に接続される。
【０１１６】
こうして、図１１に示す本実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置が製造される。
【０１１７】
このように、本実施形態によれば、下部電極１６の下層に反射層１２が形成されており、かかる反射層１２に上部電極２２がコンタクトホール２０を介して電気的に接続されているので、画素の開口率の低下を回避しつつ、上部電極２２の低抵抗化を図り、上部電極２２の電圧降下を抑制することができる。これにより、表示特性が良好で、しかも輝度の高いトップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。
【０１１８】
なお、上記では、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって反射層１２を形成したが、下記の変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置のように、反射層１２をストライプ状に形成してもよい。反射層１２をストライプ状に形成することで、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって反射層１２が形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【０１１９】
（変形例（その１））
本実施形態の変形例（その１）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置について図１４を用いて説明する。図１４は本変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【０１２０】
図１４に示すように、図の上下方向に延在するストライプ状の下部電極１６に沿って延在するように、ストライプ状に反射層１２が形成されている。反射層１２は、下部電極１６の幅よりも幅広となっている。下部電極１６の幅よりも反射層１２が幅広となっているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８の発光層で発生した光を確実に上部電極２２側に反射することができる。上部電極２２は、画素Ｐ毎に、コンタクトホール２０を介して、ストライプ状の反射層１２に電気的に接続されている。
【０１２１】
本変形例によれば、反射層１２がストライプ状に形成されているため、上述したように、反射層１２が全面に形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【０１２２】
（変形例（その２））
本実施形態の変形例（その２）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置について図１５を用いて説明する。図１５は本変形例による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【０１２３】
図１５に示すように、図の左右方向に延在するストライプ状の上部電極２２に沿って延在するように、ストライプ状に反射層１２が形成されている。反射層１２は、上部電極２２の幅よりも幅広となっている。上部電極２２の幅よりも反射層１２が幅広となっているため、有機エレクトロルミネッセンス層１８の発光層で発生した光を確実に上部電極２２側に反射することができる。上部電極２２は、画素Ｐ毎に、コンタクトホール２０を介して、ストライプ状の反射層１２に電気的に接続されている。
【０１２４】
本変形例の場合にも、反射層１２がストライプ状に形成されているため、反射層１２が全面に形成されている場合と比較して、反射層１２と他の導電層との間に形成される寄生容量を低減することができる。
【０１２５】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１２６】
例えば、上記実施形態では、絶縁性基板１０としてガラス基板を用いる場合について説明したが、絶縁性基板１０はガラス基板に限定されるものではない。例えば、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムを絶縁性基板１０として用いてもよい。樹脂フィルムを絶縁性基板１０として用いることにより、可撓性を有するフレキシブルな有機エレクトロルミネッセンス表示装置を実現することができる。また、基板１０の上方に光が出射されるため、基板１０として、光透過性を有しない基板を用いてもよい。
【０１２７】
また、上記実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス層１８の発光層において発生した光を上部電極２２側へ反射するための反射層１２としてＡｌ膜を用いる場合について説明したが、反射層１２はＡｌ膜に限定されるものではない。反射層１２としては、Ａｌ又はＡｌを主成分とする合金のほか、例えば、Ａｇ、Ａｕ（金）、Ｓｉ（シリコン）、Ｎｄ（ネオジム）、Ｔｉ、Ｗ（タングステン）、Ｃｕ（銅）、Ｔａ（タンタル）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｃ（炭素）、又は少なくともこれらのうちのいずれかを主成分とする合金よりなる光反射性を有する導電膜を用いることができる。
【０１２８】
また、上記実施形態では、反射層１２が、複数の画素Ｐが配列された表示領域の全面にわたって形成されている場合及びストライプ状に形成されている場合について説明したが、反射層１２はこれらの形状に限定されるものではなく、種々の形状とすることができる。
【０１２９】
また、上記実施形態では、下部電極１６としてＩＴＯ膜を用いる場合について説明したが、下部電極１６はＩＴＯ膜に限定されるものではない。下部電極１６としては、ＩＴＯ膜のほか、例えば、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜、ＺｎＯ（酸化亜鉛）膜等の光透過性を有する導電膜を用いることができる。
【０１３０】
また、上記実施形態では、上部電極２２としてＡｌ膜とＩＴＯ膜とが順次積層されてなる積層膜を用いる場合について説明したが、上部電極２２はＡｌ膜とＩＴＯ膜との積層膜に限定されるものではない。上部電極２２としては、Ａｌ膜とＩＴＯ膜との積層膜のほか、例えば、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜、ＺｎＯ膜、Ａｌ膜、Ａｇ膜又はこれらの積層膜等の光透過性を有する導電膜を用いることができる。なお、Ａｌ膜、Ａｇ膜等を上部電極２２として用いる場合には、光透過性を有するように、これらの膜を薄く形成する必要がある。
【０１３１】
また、上記第１実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス層１８として、２−ＴＮＡＴＡ膜よりなる正孔注入層と、α−ＮＰＤ膜よりなる正孔輸送層と、Ａｌｑ３膜よりなる発光層とが順次積層されてなるものを用いる場合について説明し、上記第２実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス層１８として、２−ＴＮＡＴＡ膜よりなる正孔注入層と、α−ＮＰＤ膜よりなる正孔輸送層と、ｔ（ｎｐａ）ｐｙをドープしたＡｌｑ３膜よりなる発光層と、Ａｌｑ３膜よりなる電子輸送層と、ＬｉＦ膜よりなる電子注入層とが順次積層されてなるものを用いる場合について説明したが、有機エレクトロルミネッセンス層１８の構造及び材料は、これらに限定されるものではない。有機エレクトロルミネッセンス層１８の構造には、発光層のみの単層構造、正孔輸送層と発光層または発光層と電子輸送層の２層構造、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との３層構造等を適用することができる。また、有機エレクトロルミネッセンス層１８を構成する正孔注入層、正孔輸送層、発光層と、電子輸送層、電子注入層の材料には、あらゆる有機エレクトロルミネッセンス材料を用いることができる。
【０１３２】
また、上記実施形態では、層間絶縁膜１４、５４として感光性樹脂よりなるものを用いる場合について説明したが、層間絶縁膜１４、５４は、光透過性を有するものであれば、感光性樹脂よりなるものに限定されるものではない。層間絶縁膜１４、５４としては、感光性樹脂よりなるものほか、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜等の光透過性を有する無機絶縁膜を用いることができる。また、層間絶縁膜１４、５４は、光透過性を有するものであれば無色である必要はなく、層間絶縁膜１４、５４として、ポリイミド等の有色樹脂よりなるものを用いることもできる。
【０１３３】
また、上記実施形態では、薄膜トランジスタとしてトップゲート型のものを用いる場合について説明したが、薄膜トランジスタとしてはボトムゲート型のものを用いてもよい。
【０１３４】
また、上記実施形態では、チャネル層２８にポリシリコン膜を用いる場合について説明したが、チャネル層２８にはアモルファスシリコン膜を用いてもよい。
【０１３５】
また、上記実施形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いる場合について説明したが、他のスイッチング素子を用いてもよい。例えば、二端子素子であるダイオードを利用したＭＩＭ（金属−絶縁膜−金属）構造のスイッチング素子を用いてもよい。
【０１３６】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
【０１３７】
（付記１）
基板上に形成され、光を反射する反射層と、
前記反射層上に形成され、光を透過する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、前記反射層に電気的に接続された上部電極と
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１３８】
（付記２）
付記１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板上に形成され、前記下部電極に電気的に接続されたスイッチング素子を更に有する
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１３９】
（付記３）
付記１又は２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射層は、前記上部電極と電気抵抗が同等の材料、又は、前記上部電極より電気抵抗が低い材料よりなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４０】
（付記４）
付記１乃至３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上部電極は、前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記反射層に電気的に接続されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４１】
（付記５）
付記１乃至４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射層は、ストライプ状に形成されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４２】
（付記６）
付記１乃至５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射層における光の反射率は、５０％以上である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４３】
（付記７）
付記１乃至６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記反射層は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｉ、Ｎｄ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃ、又は少なくともこれらのうちのいずれかを主成分とする合金よりなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４４】
（付記８）
付記１乃至７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記下部電極は、光を透過する導電膜よりなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４５】
（付記９）
付記８記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記下部電極は、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜又はＺｎＯ膜である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４６】
（付記１０）
付記１乃至９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上部電極は、光を透過する他の導電膜よりなる
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４７】
（付記１１）
付記１０記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記上部電極は、ＩＴＯ膜、ＩＺＯ膜又はＺｎＯ膜である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４８】
（付記１２）
付記１乃至１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板上に、前記下部電極と、前記有機エレクトロルミネッセンス層と、前記上部電極とを有する複数の画素が形成されており、
前記画素毎に、前記上部電極が前記反射層に電気的に接続されている
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１４９】
（付記１３）
付記１乃至１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記絶縁膜における光の透過率は、５０％以上である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【０１５０】
（付記１４）
付記１乃至１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記絶縁膜の膜厚は、１μｍ以上である
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】本発明の第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す概略図である。
【図２】本発明の第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図３】本発明の第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図４】本発明の第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図５】本発明の第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図６】本発明の第１実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図７】本発明の第１実施形態の変形例（その１）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【図８】本発明の第１実施形態の変形例（その２）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【図９】本発明の第１実施形態の変形例（その３）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態の変形例（その４）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す概略図である。
【図１２】本発明の第２実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１３】本発明の第２実施形態による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１４】本発明の第２実施形態の変形例（その１）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【図１５】本発明の第２実施形態の変形例（その２）による有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す平面図である。
【図１６】ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す断面図である。
【図１７】トップエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１５２】
Ｐ…画素
１０…絶縁性基板
１２…反射層
１４…層間絶縁膜
１６…下部電極
１８…有機エレクトロルミネッセンス層
２０…コンタクトホール
２２…上部電極
２３…有機エレクトロルミネッセンス素子
２４…蒸着マスク
２６…バッファ層
２８…チャネル層
３０…ゲート絶縁膜
３２…ゲート電極
３４…ソース領域
３６…ドレイン領域
３８…層間絶縁膜
４０…コンタクトホール
４２…ソース電極
４４…コンタクトホール
４６…ドレイン電極
４８…層間絶縁膜
５０…開口部
５２…層間絶縁膜
５４…層間絶縁膜
５６…コンタクトホール
５６ａ、５６ｂ…開口部
５８…コンタクトホール
５８ａ、５８ｂ…開口部
１００…絶縁性基板
１０２…バッファ層
１０４…チャネル層
１０６…ゲート絶縁膜
１０８…ゲート電極
１１０…ソース領域
１１２…ドレイン領域
１１４…層間絶縁膜
１１６…コンタクトホール
１１８…ソース電極
１２０…コンタクトホール
１２２…ドレイン電極
１２４…層間絶縁膜
１２６…コンタクトホール
１２８…下部電極
１３０…有機エレクトロルミネッセンス層
１３２…上部電極
１３４…上部電極
【図１】
2006278128.tif 000003
【図２】
2006278128.tif 000004
【図３】
2006278128.tif 000005
【図４】
2006278128.tif 000006
【図５】
2006278128.tif 000007
【図６】
2006278128.tif 000008
【図７】
2006278128.tif 000009
【図８】
2006278128.tif 000010
【図９】
2006278128.tif 000011
【図１０】
2006278128.tif 000012
【図１１】
2006278128.tif 000013
【図１２】
2006278128.tif 000014
【図１３】
2006278128.tif 000015
【図１４】
2006278128.tif 000016
【図１５】
2006278128.tif 000017
【図１６】
2006278128.tif 000018
【図１７】
2006278128.tif 000019