(57)【要約】【課題】  トンネルバリア層１５のショートを防止することが可能な、トンネル接合素子１０のエッチング加工方法を提供する。【解決手段】  トンネル接合膜１０ａの表面にマスク９０を設け、トンネル接合膜１０ａの底面にエッチングストップ層９２を設けて、トンネル接合膜１０ａのエッチングを行うことによりトンネル接合膜１０ａに所定パターンの凹部２０を形成するとともに、エッチングストップ層９２の露出後にもエッチングを行うことにより凹部２０の側壁への付着物２２を除去する構成とした。【選択図】        図２
2006278456.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル接合膜の表面にマスクを設け、前記トンネル接合膜の底面にエッチングストップ層を設けて、前記トンネル接合膜のエッチングを行うことにより前記トンネル接合膜に所定パターンの凹部を形成するとともに、前記エッチングストップ層の露出後にもエッチングを行うことにより前記凹部の側壁への付着物を除去することを特徴とするトンネル接合素子のエッチング加工方法。
【請求項２】
前記エッチングは、反応性エッチングであることを特徴とする請求項１に記載のトンネル接合素子のエッチング加工方法。
【請求項３】
前記エッチングストップ層をＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆで構成し、ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させることにより、前記エッチングを行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のトンネル接合素子のエッチング加工方法。
【請求項４】
前記マスクをＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆで構成し、ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させることにより、前記エッチングを行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のトンネル接合素子のエッチング加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＲＡＭ（Magnetic Random Access Memory）半導体デバイスや磁気記録ヘッドなどに用いられる、ＴＭＲ（Tunneling Magnetro-Resistive；トンネル磁気抵抗）やＭＴＪ（Metal Tunneling junction）等の、トンネルバリア層を有するトンネル接合素子のエッチング加工方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＲＡＭ半導体デバイスや磁気記録ヘッドなどには、ＴＭＲやＭＴＪなどと呼ばれるトンネルバリア層を有するトンネル接合素子が用いられている。
図５は、トンネル接合素子の側面断面図である。トンネル接合素子１０は、強磁性層（固定層）１４、トンネルバリア層１５、強磁性層（フリー層）１６等を順次積層したトンネル接合膜１０ａから形成される。このトンネルバリア層１５は、アルミナ等の電気絶縁性材料で構成されている。また、固定層１４の面内における磁化方向は一定に保持され、フリー層１６の面内における磁化方向は外部磁場の向きによって反転しうるようになっている。これら固定層１４およびフリー層１６の磁化方向が平行か反平行かによって、トンネル接合素子１０の抵抗値が異なるので、トンネル接合素子１０の厚さ方向に電圧を印加した場合に、トンネルバリア層１５を流れる電流の大きさが異なることになる（ＴＭＲ効果）。そこで、この電流値を検出することにより、「１」または「０」を読み出すことができるようになっている。
【０００３】
このようなトンネル接合素子１０の形成は、トンネル接合膜１０ａをエッチングして、トンネルバリア層１５を貫通する所定パターンの凹部２０を形成することによって行う。そのエッチングには、Ａｒ等のイオンミリングや、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）等が採用されている。そのＲＩＥの反応ガスには、塩素ガス（Ｃｌ２）、臭素ガス（Ｂｒ２）、ヨウ素ガス（Ｉ２）、フッ素ガス（Ｆ２）や、それらの化合物ガスなど、ハロゲン系のガスが利用されている。
【特許文献１】国際公開第ＷＯ０１／０８４５７０号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、トンネル接合膜１０ａをエッチングして凹部２０を形成すると、エッチングにより除去された磁性元素のハロゲン化合物を主体とする物質が凹部２０の側壁に付着する。この付着物２２は導電性を有するので、電気絶縁性材料からなるトンネルバリア層１５のショートが発生するという問題がある。なお、上述したトンネルバリア層１５を流れる電流は微量であり、ＴＭＲ効果を利用するには、固定層１４とフリー層１６との間に大きな短絡電流が流れないことが前提となる。そのため、導電性付着物２２が存在するとトンネル接合素子１０として機能しなくなり、トンネル接合素子１０のエッチング加工において大きな課題となっている。
【０００５】
この付着物２２を取り除くため、特許文献１に示すように、酸素ガスによるアッシングや純水洗浄など、いろいろなエッチング後処理が試みられてきた。しかしながら、この付着物２２は、蒸気圧が低く水に難溶性な磁性元素のハロゲン化合物を主体としているため、上述した方法では必ずしも上手く除去できなかった。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、トンネルバリア層のショートを防止することが可能な、トンネル接合素子のエッチング加工方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明のトンネル接合素子のエッチング加工方法は、トンネル接合膜の表面にマスクを設け、前記トンネル接合膜の底面にエッチングストップ層を設けて、前記トンネル接合膜のエッチングを行うことにより前記トンネル接合膜に所定パターンの凹部を形成するとともに、前記エッチングストップ層の露出後にもエッチングを行うことにより前記凹部の側壁への付着物を除去することを特徴とする。
この構成によれば、エッチングストップ層の露出後にもエッチングを行うことにより、エッチャントをもっぱら凹部の側壁への付着物に作用させて、その付着物を除去することができる。したがって、トンネルバリア層のショートを防止することができる。
【０００８】
また前記エッチングは、反応性エッチングであることが望ましい。
この構成によれば、物理エッチングに加えて化学エッチングを行うので、トンネル接合素子の側壁が垂直面の場合でも、側壁への付着物を除去することができる。したがって、トンネルバリア層のショートを防止することができる。
【０００９】
また前記エッチングストップ層をＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆで構成し、ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させることにより、前記エッチングを行うことが望ましい。
この構成によれば、磁性材料に対するエッチングストップ層のエッチング選択比が十分に確保されるので、エッチャントをもっぱら凹部の側壁への付着物に作用させてその付着物を確実に除去することができる。したがって、トンネルバリア層のショートを確実に防止することができる。
【００１０】
また前記マスクをＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆで構成し、ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させることにより、前記エッチングを行うことが望ましい。
この構成によれば、トンネル接合膜の構成材料に対するマスクのエッチング選択比が十分に確保されるので、エッチングに伴うマスクの欠損を防止することができる。したがって、トンネル接合膜を所定形状にエッチングすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
図２は、トンネル接合素子のエッチング加工方法の工程図である。第１実施形態に係るトンネル接合素子１０のエッチング加工方法は、トンネル接合膜１０ａの表面にマスク９０を設け、トンネル接合膜１０ａの底面にエッチングストップ層９２を設けて、トンネル接合膜１０ａのエッチングを行うことによりトンネル接合膜１０ａに所定パターンの凹部２０を形成するとともに、エッチングストップ層９２の露出後にもエッチングを行うことにより凹部２０の側壁への付着物２２を除去するものである。
【００１２】
（トンネル接合素子、ＭＲＡＭ）
図１（ａ）は、トンネル接合素子の側面断面図である。トンネル接合素子１０は、ＰｔＭｎやＩｒＭｎ等からなる反強磁性層１３、ＮｉＦｅやＣｏＦｅ等からなる強磁性層（固定層）１４、ＡｌＯ（アルミナ）等からなるトンネルバリア層１５、およびＮｉＦｅやＣｏＦｅ等からなる強磁性層（フリー層）１６を主として構成されている。実際には、上記以外の機能層も積層されて、１５層程度の多層構造になっている。なおフリー層の厚さを固定層の厚さより薄く形成すれば、膜厚差を利用した保磁力差型のトンネル接合素子を形成することができる。
【００１３】
トンネル接合素子１０の底面には、基板５のほぼ全面にわたってエッチングストップ層９２が形成されている。このエッチングストップ層９２は、その表面においてトンネル接合膜１０ａのエッチングを停止させるものであり、トンネル接合膜１０ａの構成材料に対してエッチング選択比を有する材料で形成されている。具体的には、後に詳述するようにＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ若しくはＨｆのいずれかの材料またはこれらの混合材料を採用することが望ましい。このような導電性材料を採用すれば、エッチングストップ層９２をトンネル接合素子１０の下部電極として利用することも可能である。
【００１４】
なおトンネル接合膜１０ａをパターニングするため、トンネル接合膜１０ａの表面にはマスクを形成する必要がある。そこでフリー層１６の上面に、マスク加工時のエッチングストップ層１７が形成されていてもよい。このエッチングストップ層１７は、その表面においてマスクのエッチングを停止させるものであり、マスクの構成材料に対してエッチング選択比を有する材料で形成されている。後述するようにマスクの構成材料としてＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆを採用するので、エッチングストップ層１７はＲｕ等で形成することが望ましい。Ｒｕのような導電性材料を採用すれば、エッチングストップ層１７をトンネル接合素子１０の検査用電極として利用することも可能である。
【００１５】
図１（ｂ）は、トンネル接合素子を用いたＭＲＡＭの概略構成図である。ＭＲＡＭ１００は、ＭＯＳＦＥＴ１１０およびトンネル接合素子１０を、基板５上にマトリクス状に整列配置して構成されている。上述したトンネル接合素子１０の上端部はビット線１０２に接続され、その下端部はＭＯＳＦＥＴ１１０のソース電極またはドレイン電極に接続されている。また、ＭＯＳＦＥＴ１１０のゲート電極は、読み出し用ワード線１０４に接続されている。一方、トンネル接合素子１０の下方には、書き換え用ワード線１０６が配置されている。
【００１６】
図１に示すトンネル接合素子１０では、固定層１４の磁化方向は一定に保持され、フリー層１６の磁化方向は反転しうるようになっている。これら固定層１４およびフリー層１６の磁化方向が平行か反平行かによって、トンネル接合素子１０の抵抗値が異なるので、トンネル接合素子１０の厚さ方向に電圧を印加した場合に、トンネルバリア層１５を流れる電流の大きさが異なることになる（ＴＭＲ効果）。そこで、読み出し用ワード線１０４によりＭＯＳＦＥＴ１１０をＯＮにして、その電流値を測定することにより、「１」または「０」を読み出すことができるようになっている。また、書き換え用ワード線１０４に電流を供給して、その周囲に磁場を発生させれば、フリー層１６の磁化方向を反転させることができる。これにより、「１」または「０」を書き換えることができるようになっている。
【００１７】
なお、固定層１４およびフリー層１６の磁化方向の組み合わせによるトンネル接合素子１０の抵抗値の差は、一般的に非常に小さくなる。この抵抗値の微差を検出するには、アルミナ等の電気絶縁性材料からなるトンネルバリア層１５の抵抗値を極力小さくする必要がある。そのため、トンネルバリア層１５の厚さは、酸化前の金属アルミニウムの厚さで８〜１２オングストロームと非常に薄く形成されている。
【００１８】
（トンネル接合素子のエッチング加工方法）
次に、トンネル接合膜をエッチングしてトンネル接合素子を形成する方法につき、図２を用いて説明する。なお図２では、フリー層の上面に形成されるマスク加工時のエッチングストップ層の記載を省略している。
【００１９】
まず図２（ａ）に示すように、基板５の表面にエッチングストップ層９２を形成し、その表面にトンネル接合膜１０ａを形成する。エッチングストップ層９２は、その表面においてトンネル接合膜１０ａのエッチングを停止させるものであり、トンネル接合膜１０ａの構成材料に対してエッチング選択比を有するＴｉＮ等の材料で形成されている。
【００２０】
図３は、ＴｉＮと磁性材料とのエッチング選択比の説明図である。なお図３は、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、ＴｉＮ、ＣｏＦｅおよびＣｏＦｅＢを同一時間エッチングした場合について、縦軸にエッチング量（すなわちエッチングレート）をとり、横軸に酸素ガスの添加量をとって示している。酸素ガスが導入されプラズマ放電により活性化されると、ＴｉＮの表面が酸化されてＴｉＯｘが形成される。このＴｉＯｘはスパッタイールドが小さく、塩素ガスに対するエッチングレートが小さい。そのため図３に示すように、酸素ガスの添加量の増加とともに、ＴｉＮのエッチング量が減少することになる。そして酸素ガスの添加量が所定値を超えると、ＴｉＮのエッチング量がＣｏＦｅおよびＣｏＦｅＢのエッチング量よりも小さくなる。すなわちＴｉＮは、ＣｏＦｅおよびＣｏＦｅＢに対してエッチング選択比を有することになる。したがって、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いてＣｏＦｅまたはＣｏＦｅＢのエッチングを行う際に、ＴｉＮをエッチングストップ層の構成材料として利用することができる。
【００２１】
なおＴｉＮは、ＣｏやＦｅ、Ｎｉ等の合金からなる強磁性層の構成材料に対してエッチング選択比を有する。またＴｉＮは、ＰｔＭｎやＮｉＭｎ、ＩｒＭｎ等の反強磁性層の構成材料に対してもエッチング選択比を有する。さらにＴｉＮは、これらの磁性材料のハロゲン化合物に対してもエッチング選択比を有する。このようにＴｉＮは、ほとんど全ての遷移金属化合物に対してエッチング選択比を有している。なおＴｉやＴａ、Ｚｒ、Ｈｆ等の金属材料も、その酸化物が難エッチング性を示すものであり、ＴｉＮと同様のエッチング選択比を有する。したがって、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて磁性材料膜のエッチングを行う際に、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆをエッチングストップ層の構成材料として利用することができる。
【００２２】
次に図２（ｂ）に示すように、トンネル接合膜１０ａの表面に所定パターンのマスク９０を形成する。このマスク９０も、エッチングストップ層９２と同様に、トンネル接合膜１０ａの構成材料に対してエッチング選択比を有する材料で形成する必要がある。そこでＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｚｒ若しくはＨｆのいずれかの材料、またはこれらの混合材料によってマスク９０を形成する。具体的には、上記材料の被膜をスパッタ法等によりトンネル接合膜１０ａの表面全体に形成し、フォトリソグラフィを行うことによりトンネル接合素子の形成領域のみにマスク９０を形成する。
【００２３】
（主エッチングプロセス）
次に、図２（ｃ）に示すように、マスク９０を介してトンネル接合膜１０ａを異方性ドライエッチングし、トンネルバリア層１５を貫通する所定パターンの凹部２０を形成する。このエッチングは、以下に説明するエッチング装置において行う。
【００２４】
図４は、エッチング装置の概略構成図である。以下には、誘導結合方式（Inductive Coupling Plasma；ＩＣＰ）の反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）装置を例にして説明する。このエッチング装置６０は、チャンバ６１への反応ガスの供給手段と、チャンバ６１の内部ガスの排気手段とを備えている。またチャンバ６１の外部上方にＲＦアンテナ６８が設けられ、そのＲＦアンテナ６８にプラズマ発生用ＲＦ電源６９が接続されている。さらにチャンバ６１の内部下方に基板５を静電チャックしうるテーブル６２が設けられ、そのテーブル６２にバイアス印加用ＲＦ電源６３が接続されている。
【００２５】
そして、上記のようにトンネル接合膜およびマスクを形成した基板５を、チャンバ６１内のテーブル６２上に載置する。次に、チャンバ６１内に反応ガスとして塩素ガスおよび酸素ガスの混合ガスを導入する。そして、ＲＦアンテナ６８によりチャンバ６１内にプラズマを発生させ、トンネル接合膜のエッチングを開始する。そのエッチングプロセスの代表的な条件は、反応ガスの圧力が０．１〜１０Ｐａ、プラズマを発生させるためのＲＦアンテナ６８への投入電力が５００〜７００Ｗ、基板５に高周波バイアスを印加するためのテーブル６２への投入電力が５０〜１００Ｗである。
【００２６】
チャンバ６１内に発生したプラズマにより、反応ガスが励起されてラジカルやイオン等が生成される。そして、テーブル６２により基板５に高周波バイアスを印加すれば、図２（ｃ）に示すように、生成されたイオンを加速してトンネル接合膜１０ａに衝突させることが可能になり、化学・物理エッチングが行われる。すなわち、主に基板の垂直方向にエッチングが行われ、横方向にはほとんど削れない、いわゆる異方性エッチングとなる。このエッチングにより、エッチングストップ層９２の表面までトンネル接合膜１０ａが掘り下げられて、トンネル接合膜１０ａに凹部２０が形成される。なおエッチングストップ位置をモニタリングしつつエッチングを行ってもよい。本実施形態では、このように凹部２０を形成する工程を主エッチングプロセスと呼ぶ。
【００２７】
なお反応ガスとして、塩素ガスに代えてＢＣｌ３やＳｉＣｌ４、ＢＩ３、ＢＢｒ３、ＨＢｒ、ＳｉＦ４などのハロゲン系ガス若しくはこれらの混合ガスを、酸素ガスとともに導入してもよい。このようなハロゲン系ガスを採用すれば、エッチングによる副生成物の蒸気圧が比較的高くなり、トンネル接合素子の側壁への付着物を低減することができる。
【００２８】
（オーバーエッチングプロセス）
ここで、形成された凹部２０の側壁には、付着物２２が存在している。この付着物２２は、主エッチングプロセスによる副生成物であって、蒸気圧が低い磁性元素のハロゲン化合物等で構成されている。この化合物は導電性を有することから、電気絶縁性材料からなるトンネルバリア層１５のショートが発生し、トンネル接合素子が機能しなくなるおそれがある。
【００２９】
そこで、この付着物２２を除去するため、主エッチングプロセスに引き続きオーバーエッチングプロセスを行う。このオーバーエッチングプロセスは、主エッチングプロセスによるエッチングストップ層９２の露出後にエッチングを継続して行うものである。そのためオーバーエッチングプロセスは、主エッチングプロセスと同じ装置を用いて同じ条件で行えばよい。その場合、オーバーエッチング時間は１００％程度とする。
【００３０】
オーバーエッチングプロセスでも、チャンバ内に発生したプラズマにより、反応ガスが励起されてラジカルやイオン等の励起活性種が生成される。そして基板５に高周波バイアスを印加すれば、生成された励起活性種が基板５に導入される。しかしながら、基板５の凹部２０の底面にはエッチングストップ層９２が露出しているので、それ以上トンネル接合膜１０ａがエッチングされることはなく、凹部２０の側壁への新たな付着物が発生することもない。このようにトンネル接合膜１０ａがエッチングされないので、基板５に導入された励起活性種はもっぱら凹部２０の側壁の付着物２２に作用する。運動エネルギーを持った励起活性種が凹部２０の側壁に入射すると、側壁への付着物２２が物理的作用および化学的作用により除去される。そしてオーバーエッチング時間を調整することにより、図２（ｄ）に示すように凹部２０の側壁への付着物を完全に除去することができる。
【００３１】
なおオーバーエッチングプロセスは、主エッチングプロセスと異なる条件で行ってもよい。例えばチャンバ内の反応ガスの圧力を１００〜１０００Ｐａに高めるとともに、基板に印加する高周波バイアスを０〜３０Ｗに低下させる。このエッチング条件では、反応ガスの圧力に比例してラジカルの密度が高くなり、化学エッチングが支配的となる。すなわち、垂直方向、横方向ともほぼ同じエッチング速度で削れる、いわゆる等方性エッチング加工となる。これにより、凹部側壁への付着物を効率的に除去することができる。
【００３２】
（純水リンス工程）
その後、図２（ｄ）に示すように、Ｃｌ２やＢＣｌ３等によるプラズマ処理を行ってマスク９０を除去する。さらに、トンネル接合膜１０ａの表面に吸着している残留塩素を除去するため、酸素ガスまたは水素ガス等によるプラズマ処理や純水リンスなど、通常のエッチング後処理を行う。以上により、トンネル接合素子１０が形成される。
【００３３】
以上に詳述したように、本実施形態のトンネル接合素子のエッチング加工方法は、トンネル接合膜の表面にマスクを設け、トンネル接合膜の底面にエッチングストップ層を設けて、トンネル接合膜のエッチングを行うことによりトンネル接合膜に所定パターンの凹部を形成するとともに、エッチングストップ層の露出後にもエッチングを行うことにより凹部の側壁への付着物を除去する構成とした。
【００３４】
この構成によれば、エッチングストップ層を設けてエッチングを行うことにより、トンネル接合膜のエッチングを所定位置で停止させることができる。またエッチングストップ層の露出後にもエッチングを行うことにより、エッチャントをもっぱら凹部の側壁への付着物に作用させてその付着物を除去することができる。したがって、トンネル接合素子におけるトンネルバリア層のショートを防止することができる。
【００３５】
しかも、エッチングストップ層の構成材料としてＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆを採用したので、磁性材料に対するエッチングストップ層のエッチング選択比が十分に確保される。これにより、トンネル接合膜のエッチングを所定位置で確実に停止させることが可能になり、またエッチャントをもっぱら凹部の側壁への付着物に作用させてその付着物を確実に除去することができる。したがって、トンネル接合素子におけるトンネルバリア層のショートを確実に防止することができる。
【００３６】
なお、ハロゲン系ガスを採用したトンネル接合膜のエッチングでは、一般にＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の酸化物またはフォトレジストからなるマスクが利用されている。そのマスクを構成するＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の酸化物およびフォトレジストは、トンネル接合膜を構成する磁性材料に対するエッチング選択比が十分ではない。そのため、エッチングに伴ってマスクの周縁部にファセットと呼ばれる欠損が発生する。このマスクの欠損により、トンネル接合素子を所定形状にエッチングすることが困難になる。なおＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３等の酸化物は、そもそも精度良くマスクを形成すること自体が困難である。
【００３７】
これに対して、本実施形態では、マスクの構成材料としてＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆを採用したので、精度良くマスクを形成することができる。またトンネル接合膜の構成材料に対するマスクのエッチング選択比が十分に確保されるので、エッチングに伴うマスクの欠損を防止することができる。したがって、トンネル接合膜を所定形状にエッチングすることができる。これに伴って、トンネル接合素子の外形のばらつきが小さくなり、フリー層の磁化方向を反転させるのに弱い磁場を発生させれば足りることになって、ＭＲＡＭ等の半導体デバイスの消費電力を低減することができる。またトンネル接合素子の側壁を垂直面に近づけることができるので、将来的にはトンネル接合素子を０．１μｍ以下のサイズまで微細加工することが可能になり、トンネル接合素子を高集積化することができる。
【００３８】
なお物理エッチングにより側壁への付着物を除去するには、トンネル接合素子の側壁を傾斜面とする必要があり、高集積化を阻害することになる。しかしながら、本実施形態では反応性エッチングを採用し、物理エッチングに加えて化学エッチングを行う構成としたので、トンネル接合素子の側壁を垂直面とした場合でも、その側壁への付着物を除去することが可能になる。したがって、トンネル接合素子におけるトンネルバリア層のショートを防止することができる。
【００３９】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】トンネル接合素子およびＭＲＡＭの概略構成図である。
【図２】トンネル接合素子のエッチング加工方法の説明図である。
【図３】ＴｉＮと磁性材料とのエッチング選択比の説明図である。
【図４】エッチング装置の概略構成図である。
【図５】導電性物質が付着したトンネル接合素子の説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０‥トンネル接合素子  １０ａ‥トンネル接合膜  １５‥トンネルバリア層  ２０‥凹部  ２２‥付着物  ９０‥マスク  ９２‥エッチングストップ層
【図１】
2006278456.tif 000003
【図２】
2006278456.tif 000004
【図３】
2006278456.tif 000005
【図４】
2006278456.tif 000006
【図５】
2006278456.tif 000007