(57)【要約】  【課題】  ＡＣＦまたはファインピッチＡＣＦを接着部材として使用する従来型のボンディング技術に伴う、ショートまたは高コストの問題を解決すること。  【解決手段】  第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成されており、その構造は、第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、緩衝層上に形成される伝導性層と、ボンディング構造のためのボンディング手段として、伝導性層と第二のサブストレートとの間に形成される非伝導性フィルムから成る。【選択図】図１
2006222407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成される、ＩＣチップをボンディングするためのボンディング構造で、
緩衝層と前記ボンディング構造の厚さの比率は少なくとも約１：３である、前記第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、
前記緩衝層上に形成される伝導性層と、
前記ボンディング構造のためのボンディング手段として、前記伝導性層と前記第二のサブストレートとの間に形成される非伝導性フィルムを設けたことを特徴とする、
ＩＣチップをボンディングするためのボンディング構造。
【請求項２】
前記緩衝層の開口部上に形成される前記伝導性層は、前記緩衝層よりも厚さがあることを特徴とする請求項１に記載のボンディング構造。
【請求項３】
前記開口部の形状は、円、長方形、多角形、またはフレームのような形をしていることを特徴とする請求項１に記載のボンディング構造。
【請求項４】
前記緩衝層と前記伝導性層との間に形成された多層金属構造があることを特徴とする請求項１に記載のボンディング構造。
【請求項５】
前記非伝導性フィルムは、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂でできたことを特徴とする請求項１に記載のボンディング構造。
【請求項６】
前記伝導性層上に形成された溝が少なくともあることを特徴とする請求項１に記載のボンディング構造。
【請求項７】
前記伝導性層と前記緩衝層上に形成された溝が少なくともあることを特徴とする請求項１に記載のボンディング構造。
【請求項８】
前記緩衝層の開口部上にある前記伝導性層の厚さは、前記緩衝層の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のボンディング構造。
【請求項９】
前記伝導性層は、１マイクロミリよりも厚いことを特徴とする請求項８に記載のボンディング構造。
【請求項１０】
前記ボンディング構造は、第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成される、ＩＣチップをボンディングするためのボンディング構造で、
前記第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、
前記緩衝層上に形成され、少なくとも２マイクロミリの深さがある凹み部を有する伝導性層と、
前記ボンディング構造のためのボンディング手段として、前記伝導性層と前記第二のサブストレートとの間に形成される接着剤を設けたことを特徴とするＩＣチップをボンディングするためのボンディング構造。
【請求項１１】
前記開口部の形状は、円、長方形、多角形、またはフレームのような形をしていることを特徴とする請求項１０に記載のボンディング構造。
【請求項１２】
前記緩衝層と前記伝導性層との間に形成された多層金属構造があることを特徴とする請求項１０に記載のボンディング構造。
【請求項１３】
余分な前記接着材を流すために、前記伝導性層上に形成された溝が少なくともあることを特徴とする請求項１０に記載のボンディング構造。
【請求項１４】
余分な前記接着材を流すために、前記伝導性層と緩衝層上に形成された溝が少なくともあることを特徴とする請求項１０に記載のボンディング構造。
【請求項１５】
前記緩衝層と前記ボンディング構造の厚さの比率は少なくとも約１：３であることを特徴とする請求項１０に記載のボンディング構造。
【請求項１６】
バンプを有するＩＣチップをサブストレートにボンディングするための方法で、
前記バンプは、前記伝導性層で充填された開口部を備える緩衝層と伝導性層を有し、前記緩衝層と前記ボンディング構造の厚さの比率は少なくとも約１：３であり、
前記バンプに対応して配置された多数の伝導性要素を有する前記サブストレートを提供し、
前記多数の伝導性要素と前記バンプとの間に非伝導性フィルムを配置し、
前記バンプを前記多数の伝導性要素に接触させるために、前記ＩＣチップと前記サブストレートをプレス及び加熱することを特徴とするバンプを有するＩＣチップをサブストレートにボンディングするための方法。
【請求項１７】
前記開口部の形状は、円、長方形、多角形、またはフレームのような形をしていることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記緩衝層と伝導性層との間に多層金属構造を形成するステップを特徴とする請求項１６に記載の方法
【請求項１９】
前記多層金属構造は、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金、または上述の組み合わせなどの少なくとも金属でできていることを特徴とする請求項１８に記載の方法
【請求項２０】
ニッケルのベースコート及び金のトップコートによって前記伝導性層を形成するステップを特徴とする請求項１８に記載の方法
【請求項２１】
前記非伝導性フィルムは、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記伝導性層上に溝を形成するステップを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項２３】
前記溝をエッチングするステップを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記伝導性層と前記緩衝層上に溝を形成するステップを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップをボンディングするための構造と方法に関し、特に非伝導性フィルム(ＮＣＦ)を使用するＩＣチップをボンディングするための構造と方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）は、ブラウン管（CRT）に代わって広く使用されており、今日では市場の主流となっている。ＬＣＤの製造は多くの過程を含み、その中でＩＣチップをＬＣＤパネルにボンディングすることが最も重要な過程の一つとなっている。この過程で使用される全ての方法の中でも、テープによる自動ボンディング（ＴＡＢ）とチップオングラス（ＣＯＧ）の技術が一般的に見られる。これらは、その他のチップをプリント基板（ＰＣＢ）または、リードフレームにボンディングするのにも使用されている。
【０００３】
ＩＣチップをガラスサブストレート上にボンディングするために、製造者はしばしば異方性導電膜（ＡＣＦ）を接着部材として使用するが、それはＡＣＦが異方性伝導性の特性を持っているからである。一般的な実施において、ＩＣチップは、まずバンプを通じてＩＣチップのピンに対応しながら、ＡＣＦによってガラスサブストレートにボンディングされる。（すなわち、ＩＣチップピンのバンプは、ＡＣＦによってそれぞれガラスサブストレート上にボンディングされる。）しかし、この物質の使用は、ＬＣＤパネルがＩＣチップ上により高密度のピンまたはバンプを考慮して設計されている商品の場合、非常に困難となる。一番目に、バンプ近くにあるＡＣＦ中の伝道性粒子は、隣接するバンプを電気的に埋めてしまう傾向があり、結果としてショートが生じる。二番目に、ＡＣＦの水平断熱材は、ＩＣチップ上のピンのピッチまたはバンプと、ＡＣＦ中にある伝導性粒子の密度と、伝導性粒子の直径及びコーティングに付随する。ファインピッチのＡＣＦが上述の問題を軽減するために使用されることもあるが、高い製造コストを必要とする。
【０００４】
この問題を解決するために、製造者の中にはＡＣＦの代わりに非伝導性フィルム（ＮＣＦ）を使用している。しかし、実験的証拠により、ＮＣＦは金バンプの代用にはならないことが示されている。上述のジレンマを解決するための試みがされた。特許文献１は、多層バンプは波型または鋸歯状であり、オーム接点を形成するために、多層バンプをサブストレートにボンディングする方法をとる、多層バンプ構造を開示している。多層バンプは、接着部材が伝導性インターフェースを提供するために配置されるように、それぞれ波型または鋸歯状で形成されており、これにより望ましい接触抵抗を得ることができる。しかし、フォトリソグラフィによって形成された伝導性金属層は、一般的に全体の厚さが数千オングストロームしかなく、そのため、フリップチップボンディングの過程において、伝導性金属層のベースフィルムはヤング率が低いために圧力を受けて変形してしまう。従って、伝導性層はひびが入りやすく、バンプの接点に係る抵抗及び信頼性は、製品として適当でない。さらに、多層バンプのそれぞれのベースフィルムはポリマーでできているので、その酸化被膜を突き通す能力は従来型の金属バンプよりも低く、それゆえに接点における非常に高い電気抵抗の問題に悩まされる。
【特許文献１】米国特許第６,５３７,８５４号
【０００５】
従って、ＩＣチップをボンディングする改良型の構造及び方法が、現在及び将来のＬＣＤ製品に強く求められており、それはＬＣＤパネルまたはＰＣＢ上にボンディングされた高密度のＩＣチップピンを必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＡＣＦまたはファインピッチＡＣＦを接着部材として使用する従来型のボンディング技術に伴う、ショートまたは高コストの問題を解決することが本発明の目的である。
【０００７】
本発明のもう一つの目的は、ひび割れしやすい伝導性層の問題と、ＮＣＦを接着部材として使用する従来のボンディング技術に伴う高すぎる接点抵抗の問題に対処することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明はＩＣチップをボンディングするための構造と方法を開示する。本発明によるボンディング方法はいくつかのステップから成り、それぞれに緩衝層と伝導性層を備えるバンプを多数有するＩＣチップを提供するステップと、多数のバンプに対応して配置された多数の伝導性要素を有するサブストレートを提供するステップと、多数の伝導性装置とそれに対応するバンプとの間に非伝導性フィルムを配置するステップと、ＩＣチップ及びサブストレートをプレス及び加熱し、それにより多数のバンプが多数の伝導性要素にそれぞれ接触するステップを含んでいる。
【０００９】
本発明によるボンディング構造は、第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成されており、その構造は、第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、緩衝層上に形成される伝導性層と、ボンディング構造のためのボンディング手段として、伝導性層と第二のサブストレートとの間に形成される非伝導性フィルムから成る。
【００１０】
さらに、前記ボンディング構造の最上部に形成された凹みは、伝導性の接続インターフェース上に残留する接着部材の問題を改善するために、少なくとも２マイクロミリの深さがある。そして、ボンディング構造の最上部には、不必要な前記接着部材が効果的に流れるように少なくとも一つの溝がある。
【００１１】
上述は要約であるため、必然的に簡略化及び一般化されており、詳細を省いたものとなっている。そのため、要約はほんの一例に過ぎず、これに限定されないことは当業者にとって明白であろう。本発明のその他の側面、特徴及び利点は、請求の範囲によってのみ定められているが、以下に述べる限定されない詳細な説明により明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１２】
ＡＣＦまたはファインピッチＡＣＦを接着部材として使用する従来型のボンディング技術に伴うショートまたは高コストの問題を解決し、ひび割れしやすい伝導性層の問題と、ＮＣＦを接着部材として使用する従来のボンディング技術に伴う高すぎる接点抵抗の問題に対処できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【実施例】
【００１４】
図１は、本発明に係るボンディング構造の断面図を示している。ボンディング構造は、第一のサブストレート１１と第二のサブストレート１２との間に配置されており、緩衝層１３と、伝導性層１４と、接着層１５から成る。第一のサブストレート１１は、絶縁保護層２１に囲まれている伝導性パッド１６を備えるＩＣサブストレートである。第二のサブストレート１２は、多数の伝導性要素１７を備えるガラスサブストレートである。伝導性層１４は、一部緩衝層１３及び伝導性パッド１６上に形成される。接着層１５は、伝導性層１４と第二のサブストレート１２の間に形成され、ボンディング構造を終了するための接続手段として機能する。接着層１５は、エポキシ樹脂またはアクリル樹脂、あるいはなんらかの接着部材でできた非伝導性フィルムである。
【００１５】
ボンディング構造と一緒に使用されるボンディング方法は、以下のステップを含む。まず、伝導性要素１７と伝導性層１４との間に接着層１５を配置する。次に、第一のサブストレート１１と第二のサブストレート１２は、伝導性層１４を伝導性要素１７に接触させるために、プレス及び加熱される。ボンディング構造及び方法によって、伝導性パッド１６は伝導性要素１７に電気的に結合する。
【００１６】
図２は、本発明の実施例に係るボンディング構造の良好なバンプの透視図を示している。図示されたように、ＩＣサブストレート１１上に多数の伝導性パッド１６が配置されている。ＩＣサブストレート１１は、ＬＣＤを駆動するための多数のＩＣを支えるサブストレートであり、伝導性パッド１６は、外部接続のために使用される。伝導性パッド１６は、アルミニウム、タングステン、銅などの金属製のパッドであり、それぞれのパッドは、保護層２１によって囲まれている。保護層２１は、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの誘電体でできている。緩衝層１３は、ＩＣサブストレート１１上に形成され、ポリイミドなどのポリマー製である。緩衝層１３は、主にバンプのヤング率を下げるために使用され、またボンディング処理のために必要とされるボンディング圧力からひび割れしないよう保護層２１を守るために使用される。伝導性層１４は、一部緩衝層１３及び伝導性パッド１６上に作られ、金属または合金でできており、電気メッキまたはスパッタリングによって形成されている。深さ約２マイクロミリ、あるいはそれ以上の凹み部１９は、伝導性層１４の上面に形成される。
【００１７】
図３Ａは、本発明に係るボンディング構造の良好なバンプから成る緩衝層の断面図を示している。図３Ｂは、本発明に係るボンディング構造の良好なバンプから成る緩衝層の平面図を示している。図示されるように、緩衝層１３は、スピンコーティング、リソグラフィー、及びエッチングによって形成される開口部３１を有する。開口部３１は、その上にある伝導性層（図示せず）及びその下にある伝導性パッド１６に接触するように形成される。開口部３１は、正方形３２、長方形、半円、円、または多角形のような形をしている。さらに、少なくとも開口部は、電気接続をよりよくするために、緩衝層１３上に形成されている。図３Ｃは、本発明に係るもう一つの実施例の良好なバンプから成る緩衝層の断面図を示している。図３Ｄは、本発明に係るもう一つの実施例の良好なバンプから成る緩衝層の平面図を示している。緩衝層１３は、ハーフトーンプロセスのようなフォトリソグラフィによって形成された開口部３３を有する。上から見ると、開口部３３は、フレーム３４のような形をしている。
【００１８】
図４Ａは、本発明に係るある種（以下タイプＩと呼ぶ）のボンディング構造の良好なバンプの断面図を示している。バンプ４０a中で、伝導性層１４は、少なくとも一つの開口部を有し、電気メッキまたはスパッタリングによって緩衝層１３上に形成される。そして、伝導性層１４は、緩衝層の開口部上に位置する凹み部１９及び前記緩衝層と断面が類似する。伝導性層１４は、凹み部１９あたりでＨ３の厚さを有し、それは緩衝層１３のＨ２の厚さより大きい（すなわち  Ｈ３＞Ｈ２）。そして、バンプ４０aのヤング率をよりよくするために、緩衝層１３のＨ２の厚さは、少なくともバンプ４０aのＨ１の厚さの三分の一となっている（すなわち、Ｈ２/Ｈ１＞＝１/３）
【００１９】
図４Ｂは、本発明に係るボンディング構造のもう一つのタイプ（以下タイプＩＩと呼ぶ）の良好なバンプの断面図を示している。バンプ４０ｂ中で、伝導性層１４は、少なくとも一つの開口部を有し、スパッタリングまたは電気メッキによって緩衝層１３上に形成される。そして、伝導性層１４は、緩衝層の開口部上に位置する凹み部１９及び前記緩衝層と断面が類似する。伝導性層１４は、凹み部１９あたりでＨ３の厚さを有し、それは緩衝層１３のＨ２の厚さより小さく（すなわち、Ｈ３＜Ｈ２）、実質的に緩衝層１３上の伝導性層１４のＨ４の厚さに等しい。Ｈ３の厚さが１マイクロミリよりも大きければ、伝導性層１４はボンディング処理中にひび割れしない。さらに、バンプ４０bのヤング率をよりよくするために、Ｈ２の厚さは、Ｈ１の厚さと比例している（すなわち、Ｈ２/Ｈ１>=１/３）。
【００２０】
図４Ｃは、本発明に係るボンディング構造のもう一つのタイプ（以下タイプＩＩＩと呼ぶ）の良好なバンプの断面図を示している。バンプ４０c中で、伝導性層１４は、スパッタリングまたは電気メッキによって、緩衝層１３上に一部形成される。緩衝層１３は、伝導性層１４が？の形になるような二つの開口部を有する。
【００２１】
図４Ｄは、本発明に係るボンディング構造のもう一つのタイプ（以下タイプＩＶと呼ぶ）の良好なバンプの断面図を示している。バンプ４０d中で、伝導性層１４は、少なくとも一つの開口部を有し、スパッタリングまたは電気メッキによって緩衝層１３上に形成される。伝導性層１４は、緩衝層の開口部上でＨ３の厚さを有し、それは良好なバンプ４０dのＨ１の厚さと等しく、また緩衝層１３のＨ２の厚さより大きい（すなわち、Ｈ３＝Ｈ１、及びＨ３＞Ｈ２）。バンプ４０dのヤング率をよりよくするために、緩衝層１３のＨ２の厚さは、バンプ４０dのＨ１の厚さの少なくとも三分の一となる（すなわち、Ｈ２/Ｈ１>=１/３）。
【００２２】
図４Ｅを参照すると、本発明に係る上述の良好なバンプから成る、異なる種の緩衝層の構造が示されている。この構造の中では、隣接する二つのバンプならどれでも共通の保護層２１上に共通の緩衝層１３を有する。すなわち、第一のバンプ４０１及び第二のバンプ４０２の緩衝層１３は、スピンコーティング、リソグラフィー、及びエッチングのプロセス中に分離されない。
【００２３】
上述したバンプ４０a、４０b、４０c、４０dは、緩衝層１３と伝導性層１４との間に位置する多層金属構造４１を含み、アルミニウム、ニッケル、銅、銀、金、または合金またはスタックなどの上述の組み合わせからできている。スタックの多層金属構造を例にとると、それはニッケルのベースコート及び金のトップコートからできている。また、それは接着フィルム、湿潤フィルム、伝導性フィルムから成るスタック層となっている。接着フィルムの主な目的は、バンプを緩衝フィルム１３及び伝導性パッド１６によく接着させることである。接着フィルムは、タングステン、チタニウム、クロミウムなどの物質で作られている。湿潤フィルムは、ニッケルまたは銅などの物質で作られている。ゴールドなどの伝導性フィルムは、湿潤フィルムの上に形成される。多層金属構造４１は、例えばスパッタリングまたは電気メッキなどによって形成される。多層金属構造４１とともに、バンプ４０a、４０b、４０c、４０dの要素間の結合構造は、機械によって強化される。
【００２４】
図４Ｆを参照すると、本発明に係る従来型の金バンプ及び良好なバンプに関する応力・ひずみ曲線が示されている。図４Ｆのカーブ４２１は、本発明に係る良好なバンプの応力・ひずみの測定係数を示しており、カーブ４２２は、従来型の金バンプの応力・ひずみの測定係数を示している。この図により、１００ＭＰaの同一圧力をかけると、良好なバンプは６０％のひずみを示し、従来型の金バンプは約１５％のひずみを示していることがわかる。良好なバンプは、従来型の金バンプと比べて、少なくとも４倍のひずみがある。つまり、良好なバンプは、従来型の金バンプと比べて、圧縮抵抗が良い。従って、良好なバンプの厚さは９マイクロミリまで減少されており、それでもバンピング処理から生じる高さの違いを埋め合わせるのに十分となっているため、ＣＯＧボンディング処理量を上げる。
【００２５】
図４Ｇを参照すると、ＣＯＧ  ＮＣＦ処理後の従来型の金バンプ及び良好なバンプに関する、加熱サイクルテストの結果が示されている。異なる加熱温度下における、従来型の金バンプの抵抗がカーブ４２３で示されており、良好なバンプの抵抗がカーブ４２４で示されている。この図を通じて、金バンプ及びＡＣＦ間の熱膨張係数が一致しないため、従来型の金バンプ中の温度が８０℃を超えるとき、接触抵抗は不安定となり、断線が生じることがわかる。一方、良好なバンプの接触抵抗は、温度が２０℃から１００℃に急上昇しても安定している。
【００２６】
図５は、本発明に係るもう一つの実施例である、良好なバンプの平面図である。伝導性インターフェースの接触不良を起こす可能性のある、余分な接着部材をボンディング構造の伝導性インターフェースに残さないようにするため、深さ約２マイクロミリまたはそれ以上が望ましい凹み部５１が、図６Ａに示されるように、伝導性層１４に提供される。さらに、余分な前記接着部材が効果的に流れるように、少なくとも溝５２が良好なバンプの上部に形成される。一つの選択として、図６Ｂに示されるように、溝５２は伝導性層１４上に形成される。もう一つの選択として、図６Ｃに示されるように、溝５２は伝導性層１４及び緩衝層１３上に形成される。凹み部５１、及び溝５２と５２’の深さは、必要に応じて異なり、エッチングによって処理される。
【００２７】
図７Ａ−図７Ｃは、本発明に係るもう一つの実施例である、良好なバンプの断面図を示している。図７Ａに示されるように、バンプ６１は、円形の凹み部６２、及び二つの溝６３aと６３bを備えている。図７Ｂに示されるように、バンプ６４は、正方形の凹み部６５、及び四つの溝６６a−６６dを備えており、それぞれの溝６６a−６６dは、正方形の凹み部６５の一面に垂直方向に広がっている。図７Ｃに示されるように、バンプ６７は、正方形の凹み部６８、及び四つの溝６９a−６９dを備えており、それぞれの溝６９a−６９dは、正方形の凹み部６８の対角線に沿って外に広がっている。接着材を送る上述の構造に基づいて、凹み部６８は、正方形、長方形、円、多角形、枠などの形状をしている。そして、良好なバンプは、状況に合わせて、方向、配置、形状の面でデザインされた一つまたはそれ以上の溝を有する。
【００２８】
ＮＣＦが本発明に係るボンディング構造、及びボンディング方法に使用されるので、ショートの問題、及び従来型のボンディング構造でのＡＣＦ使用による費用増加の問題は取り除かれる。さらに、本発明に係るバンプは、ヤング率の最適化を図るとともに、従来型の金バンプと比べて伝導性層の厚さを最大に活用するために設計されているので、ボンディング処理中において伝導性層に亀裂が入る問題や、従来型のボンディング構造で悩みの種だった接触点における過剰な抵抗といった問題は回避される。また、溝に通じている凹み部・通じていない凹み部が、本発明に係るバンプ構造の上部にあるので、ボンディング界面で過剰な接触抵抗を引き起こすＮＣＦ物質があふれる問題は回避される。
【００２９】
本発明は実施例に関連して詳細に述べられているが、当業者が添付の請求項に示された範囲から逸脱することなく、その他の様々な方法で本発明を実施することは容易に可能であろう。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
この明細書の一部として組み込まれている添付図面は、本発明の一つまたは複数の実施例を示しており、詳細な説明とともに本発明の原則及び実施を説明するためのものである。図面は実物大ではない。
【図１】本発明に係るボンディング構造の断面図である。
【図２】本発明に係る良好なバンプの透視図である。
【図３Ａ】本発明に係る良好なバンプから成る緩衝層の断面図である。
【図３Ｂ】本発明に係る良好なバンプから成る緩衝層の平面図である。
【図３Ｃ】本発明に係るもう一つの実施例の良好なバンプから成る緩衝層の断面図である。
【図３Ｄ】本発明に係るもう一つの実施例の良好なバンプから成る緩衝層の平面図である。
【図４Ａ】図２で示された本発明のボンディング構造のタイプＩの良好なバンプの断面図である。
【図４Ｂ】図２で示された本発明のボンディング構造のタイプＩＩの良好なバンプの断面図である。
【図４Ｃ】図２で示された本発明のボンディング構造のタイプＩＩＩの良好なバンプの断面図である。
【図４Ｄ】図２で示された本発明のボンディング構造のタイプＩＶの良好なバンプの断面図である。
【図４Ｅ】本発明に係る上述の良好なバンプから成る緩衝層の断面図である。
【図４Ｆ】本発明に係る従来型の金バンプ及び良好なバンプに関する応力・ひずみ曲線を示している。
【図４Ｇ】ＣＯＧ  ＮＣＦプロセスの熱サイクル試験後の従来型の金バンプ及び良好なバンプの抵抗曲線を示している。
【図５】本発明に係る良好なバンプの平面図である。
【図６Ａ】本発明に係る良好なバンプの断面図である。
【図６Ｂ】本発明に係る良好なバンプの断面図である。
【図６Ｃ】本発明に係る良好なバンプの断面図である。
【図７Ａ】本発明に係るもう一つの実施例の良好なバンプの平面図である。
【図７Ｂ】本発明に係るもう一つの実施例の良好なバンプの平面図である。
【図７Ｃ】本発明に係るもう一つの実施例の良好なバンプの平面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１１  第一のサブストレート
１２  第二のサブストレート
１３  緩衝層
１４  伝導性層
１５  接着層
１６  伝導性パッド
１７  伝導性要素
１９  凹み部
２１  絶縁保護層
３１  開口部
３２  正方形
３３  開口部
３４  フレーム
４０a  バンプ
４０b  バンプ
４０c  バンプ
４０d  バンプ
４１  多層金属構造
５１  凹み部
５２  溝
５２’溝
６１  バンプ
６２  凹み部
６３a  溝
６３b  溝
６５  凹み部
６６a  溝
６６b  溝
６６c  溝
６６d  溝
６７  バンプ
６８  凹み部
６９a  溝
６９b  溝
６９c  溝
６９d  溝
４０１  第一のバンプ
４０２  第二のバンプ
４２１  カーブ
４２２  カーブ
４２３  カーブ
４２４  カーブ
【図１】
2006222407.tif 000003
【図２】
2006222407.tif 000004
【図３Ａ】
2006222407.tif 000005
【図３Ｂ】
2006222407.tif 000006
【図３Ｃ】
2006222407.tif 000007
【図３Ｄ】
2006222407.tif 000008
【図４Ａ】
2006222407.tif 000009
【図４Ｂ】
2006222407.tif 000010
【図４Ｃ】
2006222407.tif 000011
【図４Ｄ】
2006222407.tif 000012
【図４Ｅ】
2006222407.tif 000013
【図４Ｆ】
2006222407.tif 000014
【図４Ｇ】
2006222407.tif 000015
【図５】
2006222407.tif 000016
【図６Ａ】
2006222407.tif 000017
【図６Ｂ】
2006222407.tif 000018
【図６Ｃ】
2006222407.tif 000019
【図７Ａ】
2006222407.tif 000020
【図７Ｂ】
2006222407.tif 000021
【図７Ｃ】
2006222407.tif 000022