(57)【要約】【課題】  たとえば露光光としてＥＵＶ光を用い且つ反射型のマスクを用いているにもかかわらず、比較的簡素な構成にしたがって感光性基板上における露光量の調整を良好に行うことのできる走査型の露光装置。【解決手段】  所定のパターンが設けられたマスク（Ｍ）を照明するための照明系と、マスクのパターン像を感光性基板（Ｗ）上に形成するための投影光学系（ＰＬ）とを備え、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を所定方向に沿って相対移動させてマスクのパターンを感光性基板上へ投影露光する露光装置。照明系は、パルス発光型の光源（１１）と、マスクに近接した位置に配置されてマスク上における照明領域を規定するための視野絞り（２１）と、視野絞りを通過する光束の一部を遮るための遮光部材とを有する。【選択図】  図２
2006128366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンが設けられたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って相対移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光装置において、
前記照明系は、パルス発光型の光源と、前記マスクに近接した位置、あるいは前記マスクと光学的に共役な位置またはその近傍の位置に配置されて前記マスク上における照明領域を規定するための視野絞りと、該視野絞りを通過した光束または前記視野絞りを通過する光束の一部を遮るための遮光部材とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記視野絞りは、前記マスクに近接して配置され、
前記遮光部材は、前記視野絞りを通過する光束の一部を遮るように前記視野絞りの直前に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記遮光部材は、前記マスクの移動する走査方向に沿った幅寸法が前記走査方向と直交する方向に沿って変化するように配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記遮光部材は、前記照明領域の短手方向に沿ったほぼ中央位置に対応して配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記マスクを照明する照明光の開口数をＮＡｉとし、前記照明領域の短手方向の寸法をＷｉとし、前記マスクと前記視野絞りとの距離をＤｆとし、前記マスクと前記遮光部材との距離をＤｓとするとき、
Ｄｆ＜Ｄｓ≦Ｗｉ／（２×ＮＡｉ）
の条件を満足することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記遮光部材は、形状の異なる別の遮光部材と交換可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記遮光部材は、前記照明領域の長手方向に対応して移動可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記遮光部材は、相対的に移動可能な第１遮光部材と第２遮光部材とを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記光源と前記感光性基板との間の光学系は反射光学系を構成していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
所定のパターンが設けられたマスクをパルス発光型の光源からの光により照明し、投影光学系に対して前記マスクおよび感光性基板を所定方向に沿って相対移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光方法において、
前記マスクに近接した位置、あるいは前記マスクと光学的に共役な位置またはその近傍の位置に配置されて前記マスク上における照明領域を規定するための視野絞りを通過した光束または前記視野絞りを通過する光束の一部を遮光部材により遮ることを特徴とする露光方法。
【請求項１１】
前記マスクに近接して前記視野絞りを配置し、
前記視野絞りを通過する光束の一部を遮るように前記視野絞りの直前に前記遮光部材を配置することを特徴とする請求項１０に記載の露光方法。
【請求項１２】
前記照明領域の短手方向に沿ったほぼ中央位置に対応して前記遮光部材を配置することを特徴とする請求項１０または１１に記載の露光方法。
【請求項１３】
前記マスクを照明する照明光の開口数をＮＡｉとし、前記照明領域の短手方向の寸法をＷｉとし、前記マスクと前記視野絞りとの距離をＤｆとし、前記マスクと前記遮光部材との距離をＤｓとするとき、
Ｄｆ＜Ｄｓ≦Ｗｉ／（２×ＮＡｉ）
の条件を満足することを特徴とする請求項１１または１２に記載の露光方法。
【請求項１４】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光装置または請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の露光方法を用いて前記マスクのパターンを前記感光性基板へ露光する露光工程と、
前記露光工程を介して露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法に関する。さらに詳細には、本発明は、半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するために使用される走査型の露光装置における露光量の調整に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子などの製造に使用される露光装置では、マスク（レチクル）上に形成された回路パターンを、投影光学系を介して感光性基板（たとえばウェハ）上に投影転写する。感光性基板にはレジストが塗布されており、投影光学系を介した投影露光によりレジストが感光し、マスクパターンに対応したレジストパターンが得られる。ここで、露光装置の解像力Ｗは、露光光の波長λと投影光学系の開口数ＮＡとに依存し、次の式（ａ）で表される。
Ｗ＝ｋ・λ／ＮＡ （ｋ:定数）    （ａ）
【０００３】
したがって、露光装置の解像力を向上させるためには、露光光の波長λを短くするとともに、投影光学系の開口数ＮＡを大きくすることが必要になる。一般に、投影光学系の開口数ＮＡを所定値以上に大きくすることは光学設計の観点から困難であるため、露光光の短波長化が必要になる。そこで、半導体パターニングの次世代の露光方法（露光装置）として、ＥＵＶＬ（Extreme UltraViolet Lithography：極紫外リソグラフィ）の手法が注目されている。
【０００４】
ＥＵＶＬ露光装置では、波長が２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光や波長が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光を用いる従来の露光方法と比較して、５〜２０ｎｍ程度の波長を有するＥＵＶ（Extreme UltraViolet：極紫外線）光を用いる。露光光としてＥＵＶ光を用いる場合、使用可能な光透過性の光学材料が存在しなくなる。このため、ＥＵＶＬ露光装置では、必然的に、反射型のマスクを用いるとともに、反射型の投影光学系を用いることになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、走査型（スキャン型）の露光装置では、所定のパターンが設けられたマスク上においてスリット状（細長い矩形状、円弧状など）の領域を照明し、投影光学系に対してマスクおよび感光性基板を所定方向（走査方向）に相対移動させつつ、マスクのパターンを感光性基板上へ走査露光（スキャン露光）する。ここで、静止状態における感光性基板上のスリット状の露光領域すなわち静止露光領域における照度分布はほぼ均一であり、マスク上のスリット状の照明領域および感光性基板上のスリット状の静止露光領域の走査方向に沿った幅寸法は走査方向と直交する走査直交方向に沿って一定である。
【０００６】
従来、透過型のマスクを用いる走査型の露光装置、たとえば露光光としてＫｒＦエキシマレーザ光やＡｒＦエキシマレーザ光を用いる走査型の露光装置では、静止露光領域における照度分布が走査直交方向に沿って実質的に不均一になった場合、マスク（ひいては感光性基板）と光学的に共役な位置からある程度デフォーカスした位置に配置された視野絞りのスリット状の開口部（光透過部）の走査方向に沿った幅寸法を走査直交方向に沿って変化させることにより、感光性基板上における露光量の調整を行っていた。
【０００７】
しかしながら、ＥＵＶＬ露光装置では、視野絞りのスリット状の開口部の幅寸法を変化させて露光量の調整を行う方法を適用することが困難である。以下、この点について簡単に説明する。ＥＵＶ光を供給する光源は一般にパルス発光型の光源であるため、（静止露光領域幅）／（スキャン速度）が光源の発光間隔の整数倍にならなければならない。ここで、静止露光領域幅はスリット状の静止露光領域の走査方向に沿った幅寸法であり、スキャン速度は走査露光に際して感光性基板が走査方向に移動する速度である。
【０００８】
透過型のマスクを用いる走査型の露光装置では、マスクと視野絞りとの間に十分な間隔が確保されているので、上述したようにマスクと共役な位置からある程度デフォーカスした位置に視野絞りを配置し、この視野絞りのデフォーカス効果により、（静止露光領域幅）／（スキャン速度）が厳密に発光間隔の整数倍にならなくても、感光性基板上においてほぼ均一な露光量分布が得られる。換言すれば、視野絞りのデフォーカス効果により、静止露光領域幅についてある程度の許容範囲が得られ、ひいては視野絞りの開口部の幅寸法についてもある程度の許容範囲が得られるため、視野絞りのスリット状の開口部の幅寸法を変化させて露光量の調整を行う方法が可能になる。
【０００９】
これに対し、反射型のマスクを用いるＥＵＶＬ露光装置では、反射型マスクに対して斜めから照明光束が入射するため、マスクに極力近接した位置に視野絞りを配置しなければ、マスクから反射された結像光線が視野絞りにより遮られ、感光性基板上における結像に悪影響が出てしまう。すなわち、ＥＵＶＬ露光装置では、視野絞りのデフォーカス効果を得ることができないため、（静止露光領域幅）／（スキャン速度）がほぼ厳密に発光間隔の整数倍になる必要があり、視野絞りのスリット状の開口部の幅寸法を変化させて露光量の調整を行う方法を適用することが困難になる。
【００１０】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、たとえば露光光としてＥＵＶ光を用い且つ反射型のマスクを用いているにもかかわらず、比較的簡素な構成にしたがって感光性基板上における露光量の調整を良好に行うことのできる走査型の露光装置および露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、所定のパターンが設けられたマスクを照明するための照明系と、前記マスクのパターン像を感光性基板上に形成するための投影光学系とを備え、前記投影光学系に対して前記マスクおよび前記感光性基板を所定方向に沿って相対移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光装置において、
前記照明系は、パルス発光型の光源と、前記マスクに近接した位置、あるいは前記マスクと光学的に共役な位置またはその近傍の位置に配置されて前記マスク上における照明領域を規定するための視野絞りと、該視野絞りを通過した光束または前記視野絞りを通過する光束の一部を遮るための遮光部材とを有することを特徴とする露光装置を提供する。
【００１２】
本発明の第２形態では、所定のパターンが設けられたマスクをパルス発光型の光源からの光により照明し、投影光学系に対して前記マスクおよび感光性基板を所定方向に沿って相対移動させて前記マスクのパターンを前記感光性基板上へ投影露光する露光方法において、
前記マスクに近接した位置、あるいは前記マスクと光学的に共役な位置またはその近傍の位置に配置されて前記マスク上における照明領域を規定するための視野絞りを通過した光束または前記視野絞りを通過する光束の一部を遮光部材により遮ることを特徴とする露光方法を提供する。
【００１３】
本発明の第３形態では、第１形態の露光装置または第２形態の露光方法を用いて前記マスクのパターンを前記感光性基板へ露光する露光工程と、
前記露光工程を介して露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、たとえば円弧状の静止露光領域における照度分布が走査直交方向に沿って実質的に不均一になった場合、この不均一な照度分布に応じた形状を有する遮光部材を視野絞りの直前に配置し、感光性基板上の円弧状の静止露光領域に形成される遮光部材のデフォーカス状態の影の作用により、感光性基板上のショット領域における露光量の調整を行うことができる。すなわち、本発明の露光装置および露光方法では、露光光としてＥＵＶ光を用い且つ反射型のマスクを用いているにもかかわらず、比較的簡素な構成にしたがって感光性基板における露光量の調整を良好に行うことができ、ひいては良好な走査露光に基づいて良好なデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の全体構成を概略的に示す図である。また、図２は、図１の光源および照明光学系および投影光学系の内部構成を概略的に示す図である。図１において、投影光学系の光軸方向すなわち感光性基板であるウェハの法線方向に沿ってＺ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に平行な方向にＹ軸を、ウェハ面内において図１の紙面に垂直な方向にＸ軸をそれぞれ設定している。
【００１６】
図１を参照すると、本実施形態の露光装置は、露光光を供給するための光源として、たとえばレーザプラズマ光源１を備えている。光源１から射出された光は、波長選択フィルタ（不図示）を介して、照明光学系２に入射する。ここで、波長選択フィルタは、光源１が供給する光から、所定波長（たとえば１３．４ｎｍまたは１１．５ｎｍ）のＥＵＶ光だけを選択的に透過させ、他の波長光の透過を遮る特性を有する。波長選択フィルタを透過したＥＵＶ光３は、照明光学系２および光路偏向鏡としての平面反射鏡４を介して、転写すべきパターンが形成された反射型のマスク（レチクル）Ｍを照明する。
【００１７】
マスクＭは、そのパターン面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｙ方向に沿って移動可能なマスクステージ５によって保持されている。そして、マスクステージ５の移動は、レーザ干渉計６により計測されるように構成されている。照明されたマスクＭのパターンからの光は、反射型の投影光学系ＰＬを介して、感光性基板であるウェハＷ上にマスクパターンの像を形成する。すなわち、ウェハＷ上には、後述するように、たとえばＹ軸に関して対称な円弧状の静止露光領域（実効露光領域）が形成される。
【００１８】
ウェハＷは、その露光面がＸＹ平面に沿って延びるように、Ｘ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動可能なウェハステージ７によって保持されている。なお、ウェハステージ７の移動は、マスクステージ５と同様に、レーザ干渉計８により計測されるように構成されている。こうして、マスクステージ５およびウェハステージ７をＹ方向に沿って移動させながら、すなわち投影光学系ＰＬに対してマスクＭおよびウェハＷをＹ方向に沿って相対移動させながら走査露光（スキャン露光）を行うことにより、ウェハＷの１つの矩形状のショット領域にマスクＭのパターンが転写される。
【００１９】
このとき、投影光学系ＰＬの投影倍率（転写倍率）が例えば１／４である場合、ウェハステージ７の移動速度をマスクステージ５の移動速度の１／４に設定して同期走査を行う。また、ウェハステージ７をＸ方向およびＹ方向に沿って二次元的に移動させながら走査露光を繰り返すことにより、ウェハＷの各ショット領域にマスクＭのパターンが逐次転写される。
【００２０】
図２を参照すると、レーザプラズマ光源１では、レーザ光源１１から発した光（非ＥＵＶ光）が集光レンズ１２を介して気体ターゲット１３上に集光する。ここで、たとえばキセノン（Ｘｅ）からなる高圧ガスがノズル１４より供給され、ノズル１４から噴射されたガスが気体ターゲット１３を形成する。気体ターゲット１３は、集光されたレーザ光によりエネルギーを得てプラズマ化し、ＥＵＶ光を発する。なお、気体ターゲット１３は、楕円反射鏡１５の第１焦点に位置決めされている。したがって、レーザプラズマ光源１から放射されたＥＵＶ光は、楕円反射鏡１５の第２焦点に集光する。一方、発光を終えたガスはダクト１６を介して吸引されて外部へ導かれる。
【００２１】
楕円反射鏡１５の第２焦点に集光したＥＵＶ光は、凹面反射鏡１７を介してほぼ平行光束となり、一対のフライアイミラー１８ａおよび１８ｂからなるオプティカルインテグレータ１８に導かれる。フライアイミラー１８ａ，１８ｂは、たとえば円弧状の外形を有する多数の凹面鏡要素を縦横に且つ稠密に配列することによりそれぞれ構成されている。一対のフライアイミラー１８ａおよび１８ｂとして、たとえば特開平１１−３１２６３８号公報において本出願人が開示したフライアイミラーを用いることができる。なお、フライアイミラーのさらに詳細な構成および作用については、同公報における関連の記載を参照することができる。
【００２２】
こうして、第２フライアイミラー１８ｂの反射面の近傍、すなわちオプティカルインテグレータ１８（１８ａ，１８ｂ）の射出面の近傍には、所定の形状を有する実質的な面光源が形成される。ここで、実質的な面光源は、照明光学系２の射出瞳位置またはその近傍、すなわち投影光学系ＰＬの入射瞳と光学的に共役な面またはその近傍に形成される。実質的な面光源からの光は、凸面反射鏡１９と凹面反射鏡２０とにより構成されたコンデンサー光学系（１９，２０）を介して、照明光学系２から射出される。
【００２３】
照明光学系２から射出された光は、平面反射鏡４により偏向された後、マスクＭにほぼ平行に且つ近接して配置された視野絞り２１の円弧状の開口部（光透過部）を介して、マスクＭ上に円弧状の照明領域を形成する。このように、光源１（１１〜１６）、照明光学系２（１７〜２０）、平面反射鏡４および視野絞り２１は、所定のパターンが設けられたマスクＭをケーラー照明するための照明系を構成している。
【００２４】
照明されたマスクＭのパターンからの光は、投影光学系ＰＬを介して、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域にマスクパターンの像を形成する。投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの中間像を形成するための第１反射結像光学系と、マスクパターンの中間像の像（マスクＭのパターンの二次像）をウェハＷ上に形成するための第２反射結像光学系とにより構成されている。第１反射結像光学系は４つの反射鏡Ｍ１〜Ｍ４により構成され、第２反射結像光学系は２つの反射鏡Ｍ５およびＭ６により構成されている。また、投影光学系ＰＬはウェハ側（像側）にテレセントリックな光学系である。
【００２５】
図３は、本実施形態における１回の走査露光を概略的に説明する図である。図３を参照すると、１回の走査露光（スキャン露光）によりウェハＷの矩形状の１つのショット領域ＳＲにマスクＭのパターンを転写する際に、Ｙ軸に関して対称な円弧状の静止露光領域（実効露光領域）ＥＲは、図中実線で示す走査開始位置から図中破線で示す走査終了位置まで移動することになる。ここで、感光性基板であるウェハＷ上の円弧状の静止露光領域ＥＲの走査方向（スキャン方向：Ｙ方向）に沿った幅寸法Ｗｅは走査直交方向（Ｘ方向）に沿って一定である。
【００２６】
したがって、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域ＥＲに対応して、図４（ａ）に示すようにマスクＭ上の円弧状の照明領域（静止照明領域）ＩＲの走査方向に沿った幅寸法Ｗｉも走査直交方向に沿って一定であり、図４（ｂ）に示すように視野絞り２１の円弧状の開口部２１ａの走査方向に沿った幅寸法Ｗｓ（＝Ｗｉ）も走査直交方向に沿って一定である。また、ウェハＷの走査方向の移動速度Ｖｗに対する静止露光領域ＥＲの走査方向に沿った幅寸法Ｗｅの比Ｗｅ／Ｖｗは、光源１の発光間隔のほぼ整数倍に設定されている。
【００２７】
前述したように、透過型のマスクを用いる走査型の露光装置では、たとえば円弧状の静止露光領域における照度分布が走査直交方向に沿って実質的に不均一になった場合、この不均一な照度分布に応じて、マスク（ひいては感光性基板）と共役な位置からある程度デフォーカスした位置に配置された視野絞りの円弧状の開口部の走査方向に沿った幅寸法を走査直交方向に沿って変化させることにより、感光性基板上における露光量の調整を行っていた。
【００２８】
具体的には、図５に示すように、円弧状の静止露光領域ＥＲにおける照度分布が図中右側において最も小さく図中左側に向かって照度が単調に増加しているような場合、図中右側において走査方向（図中鉛直方向）に沿った幅寸法が最も大きく図中左側に向かって幅寸法が単調に減少するような変形円弧状の静止露光領域ＥＲが感光性基板上に形成されるように、視野絞りの開口部の走査方向に沿った幅寸法を走査直交方向に沿って適宜変化させることにより、視野絞りの開口部も変形円弧状の静止露光領域ＥＲに対応するような変形円弧状に設定していた。
【００２９】
しかしながら、前述したように、反射型のマスクＭを用いるＥＵＶＬ露光装置では、反射型マスクＭに対して斜めから照明光束が入射する。このため、図２に示すようにマスクＭに極力近接した位置に視野絞り２１を配置しなければ、マスクＭから反射された結像光線が視野絞り２１により遮られ、ウェハＷ上における結像に悪影響が出てしまう。すなわち、ＥＵＶＬ露光装置では、視野絞り２１のデフォーカス効果を得ることができないため、視野絞り２１の円弧状の開口部２１ａの幅寸法を変化させて露光量の調整を行うことが困難になる。
【００３０】
そこで、本実施形態では、図６（ａ）に示すように、視野絞り２１を通過する光束の一部を遮るための遮光部材２２（図１では図面の明瞭化のために図示を省略）を視野絞り２１の直前に配置している。さらに詳細には、視野絞り２１はウェハＷと光学的に共役な位置（すなわちマスクＭのパターン面の位置）に極近接して配置されているが、遮光部材２２はウェハＷの共役位置からある程度デフォーカスした位置に配置されている。なお、遮光部材２２は、たとえば加工性に優れ且つＥＵＶ光の照射を受けたときに真空中に有害ガスを実質的に発生させないような適当な金属材料などにより形成されている。
【００３１】
また、遮光部材２２は、図６（ｂ）に示すように、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域（すなわち視野絞り２１の円弧状の開口部２１ａのほぼ鮮明なフォーカス像に対応）ＥＲにおいて、走査方向（図中鉛直方向）に沿った幅寸法が走査直交方向（図中水平方向）に沿って変化するようなデフォーカス状態の影２２ａを形成するように構成されている。換言すれば、遮光部材２２は、その遮光幅が視野絞り２１の円弧状の開口部２１ａの長手方向に沿って変化するような形状を有する。
【００３２】
こうして、本実施形態の露光装置では、たとえば円弧状の静止露光領域ＥＲにおける照度分布が走査直交方向に沿って実質的に不均一になった場合、この不均一な照度分布に応じた形状を有する遮光部材２２を視野絞り２１の直前に配置し、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域ＥＲに形成される遮光部材２２のデフォーカス影２２ａの作用により、透過型マスクを用いる走査型の露光装置において視野絞りの開口部を変形円弧状に設定するのと同様に、ウェハＷ上のショット領域ＳＲにおける露光量の調整を行うことができる。すなわち、本実施形態の露光装置では、露光光としてＥＵＶ光を用い且つ反射型のマスクＭを用いているにもかかわらず、比較的簡素な構成にしたがってウェハＷにおける露光量の調整を良好に行うことができる。
【００３３】
なお、上述の実施形態では、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域ＥＲに形成される遮光部材２２のデフォーカス影２２ａが走査方向に沿ったほぼ中央において走査直交方向に細長く延びること、すなわち遮光部材２２がマスクＭに形成される円弧状の照明領域の短手方向に沿ったほぼ中央位置に対応して配置されていることが好ましい。この構成により、マスクＭに入射する照明光が様々な入射角度を有するにもかかわらず、遮光部材２２に起因する結像性能の低下を良好に抑えることができる。
【００３４】
また、上述の実施形態では、マスクＭと遮光部材２２との距離Ｄｓ（図６（ａ）を参照）が、次の条件式（１）を満足することが好ましい。条件式（１）において、ＮＡｉはマスクＭを照明する照明光の開口数であり、Ｗｉは上述したようにマスクＭ上に形成される円弧状の照明領域ＩＲの短手方向の寸法（幅寸法）であり、Ｄｆ（図６（ａ）を参照）はマスクＭと視野絞り２１との距離である。
Ｄｆ＜Ｄｓ≦Ｗｉ／（２×ＮＡｉ）    （１）
【００３５】
条件式（１）の上限値を上回ると、マスクＭと遮光部材２２との距離Ｄｓが大きくなりすぎて、遮光部材２２に起因して結像性能が低下し易くなるので好ましくない。なお、上述したように、遮光部材２２は視野絞り２１の直前において、ウェハＷの共役位置（すなわちマスクＭのパターン面の位置）からある程度デフォーカスした位置に配置される必要があるので、本発明において条件式（１）の下限値を下回ることはない。
【００３６】
ところで、上述の実施形態では、たとえば所定形状の遮光部材２２を形状の異なる別の遮光部材と交換することにより、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域ＥＲ内に形成される遮光部材のデフォーカス影の形状を変化させて、静止露光領域ＥＲにおける様々な照度分布に対応してウェハＷにおける露光量を調整することができる。また、遮光部材２２を円弧状の照明領域ＩＲの長手方向（走査直交方向）に対応して円弧状の軌道に沿って移動させることにより、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域ＥＲ内に形成される遮光部材２２のデフォーカス影２２ａの形状を変化させて、静止露光領域ＥＲにおける様々な照度分布に対応してウェハＷにおける露光量を調整することができる。
【００３７】
また、相対的に移動可能な第１遮光部材と第２遮光部材とからなる遮光部材を用いて、静止露光領域ＥＲにおける様々な照度分布に対応してウェハＷにおける露光量を調整することもできる。具体的には、ウェハＷ上の円弧状の静止露光領域ＥＲ内に形成される第１遮光部材のデフォーカス影と第２遮光部材のデフォーカス影とを部分的に重ね合わせたり、部分的な重ね合わせ状態を維持しつつ相対的に位置ずれさせたりすることにより露光量を調整することができる。
【００３８】
あるいは、たとえば所定の関数にしたがって遮光幅が変化するような形状をそれぞれ有し且つ間隔を隔てた第１遮光部材と第２遮光部材とを円弧状の照明領域ＩＲの長手方向（走査直交方向）に対応して円弧状の軌道に沿って相対移動させることにより、露光量を調整することができる。このとき、たとえば遮光幅が（ｎ＋１）次のべき級数にしたがって変化している第１遮光部材と第２遮光部材とを相対移動させることにより、静止露光領域ＥＲにおける照度分布のｎ次成分を制御することができる。
【００３９】
なお、上述の実施形態では、反射型のマスクＭを用いるＥＵＶＬ露光装置に対して本発明を適用しているが、これに限定されることなく、パルス発光型の光源および反射型のマスクを用いる他の適当な走査型の露光装置に対しても同様に本発明を適用したり、パルス発光型の光源および透過型のマスクを用いる適当な走査型の露光装置に対しても本発明を適用したりすることができる。ただし、透過型のマスクを用いる場合、マスクと光学的に共役な位置またはその近傍の位置に視野絞りを配置し、視野絞りを通過した光束または視野絞りを通過する光束の一部を遮るための遮光部材をマスクの共役位置からある程度デフォーカスさせて位置決めすることになる。
【００４０】
上述の実施形態にかかる露光装置では、照明系によってマスクを照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図７のフローチャートを参照して説明する。
【００４１】
先ず、図７のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、その１ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク（レチクル）上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。
【００４２】
その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。
【００４３】
なお、上述の実施形態にかかるＥＵＶＬ露光装置では、ＥＵＶ光を供給するための光源としてレーザプラズマ光源を用いている。しかしながら、これに限定されることなく、ＥＵＶ光を供給する他の適当な光源、たとえばシンクロトロン放射（ＳＯＲ）光源などを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１の光源および照明光学系および投影光学系の内部構成を概略的に示す図である。
【図３】本実施形態における１回の走査露光を概略的に説明する図である
【図４】マスク上の円弧状の照明領域および視野絞りの円弧状の開口部の形状を概略的に示す図である。
【図５】透過型のマスクを用いる走査型の露光装置における露光量の調整方法の一例を概略的に説明する図である。
【図６】本実施形態における特徴的な要部構成を概略的に示す図である。
【図７】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例について、そのフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  レーザプラズマ光源
２  照明光学系
５  マスクステージ
７  ウェハステージ
１１  レーザ光源
１３  気体ターゲット
１４  ノズル
１５  楕円反射鏡
１８ａ，１８ｂ  フライアイミラー
２１  視野絞り
２１ａ  開口部
２２  遮光部材
２２ａ  デフォーカス影
Ｍ  マスク
ＰＬ  投影光学系
Ｗ  ウェハ
ＥＲ  静止露光領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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