(57)【要約】【課題】  選択消去アドレス法によって駆動されるＰＤＰにおいて、アドレス放電により非発光セルに設定された放電セルが、サステイン期間においてもこの非発光セルの状態を保持することが出来るＰＤＰを提供する。【解決手段】  行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と列電極Ｄ１が前面ガラス基板１１側に形成されて第１誘電体層１３および第２誘電体層１４によって被覆され、第２誘電体層１４の放電空間側の面のうち、列電極Ｄ１の列電極放電部Ｄ１ｂに対向してこの列電極放電部Ｄ１ｂと行電極Ｙ１の透明電極Ｙ１ｂとの間で行われるアドレス放電に寄与する部分の面上の２次電子放出係数が、第２誘電体層１４の面上の他の部分の２次電子放出係数よりも小さくなっている。【選択図】    図５
2006221910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板の間に表示ライン毎に配置されて行方向に延びる複数の行電極対と、列方向に延びる複数の列電極とを備え、この行電極対と列電極の配置に対応してマトリクス状に配置される単位発光領域が放電空間内に形成され、行電極対を構成する行電極のうちの少なくとも列電極との間で放電を行う一方の行電極が列電極とともに一対の基板のうちの一方の基板に形成されて誘電体層によって被覆されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記誘電体層の放電空間側の面のうちの列電極に対向してこの列電極と一方の行電極との間で行われる放電に寄与する部分の面上の２次電子放出係数が、誘電体層の面上の他の部分の２次電子放出係数よりも小さくなっていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記誘電体層の放電空間側の面のうちの列電極に対向してこの列電極と一方の行電極との間で行われる放電に寄与する部分以外の部分の面が、誘電体層よりも２次電子放出係数が大きい材料によって形成された第１保護層によって被覆されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１保護層が、酸化マグネシウムによって形成されている請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記誘電体層の放電空間側の面のうちの列電極に対向してこの列電極と一方の行電極との間で行われる放電に寄与する部分が、第１保護層を形成する材料よりも２次電子放出係数が小さい材料によって形成された第２保護層によって被覆されている請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記第２保護層が、二酸化ケイ素によって形成されている請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記列電極が、列方向に延びる列電極本体部と、この列電極本体部に単位発光領域毎に一体的に形成されて列電極本体部から行方向に突出するとともに一方の行電極との間で放電を行う位置に位置される列電極放電部とを有している請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記列電極放電部が、行電極対を構成する行電極間に単位発光領域毎に形成された放電ギャップのほぼ中間位置に対向する位置に位置されている請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記一方の基板が、パネル表示面となる前面基板である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記行電極対を構成する双方の行電極および列電極が、一方の基板側に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記行電極対を構成する行電極のうちの他方の行電極が、一方の行電極および列電極が形成された一方の基板と放電空間を介して対向する他方の基板側に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記列電極が、行方向に隣接する単位発光領域の間の部分に対向する位置において列方向に延びており、この列電極と単位発光領域内の空間との間の部分の誘電体層の面上の２次電子放出係数が、誘電体層の他の部分の面上の２次電子放出係数よりも小さくなっている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記列電極が、行方向に隣接する単位発光領域の間の部分に対向する位置において列方向に延びており、単位発光領域内の空間に面していて列電極とこの列電極との間で放電を行う一方の行電極との間に位置する部分の誘電体層の面上の２次電子放出係数が、誘電体層の他の部分の面上の２次電子放出係数よりも小さくなっている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルのパネル構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来の面放電方式交流型プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）のパネル構造を模式的に示す正面図である。
【０００３】
この従来のＰＤＰは、図１において、表示面となる前面ガラス基板（図示せず）の背面に行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄが形成されている。
【０００４】
この行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極Ｘ，Ｙは、それぞれ、行方向（図１の左右方向）に延びる金属膜からなるバス電極Ｘａ，Ｙａと、このバス電極Ｘａ，Ｙａの等間隔位置に接続されて対になっている他の行電極の方向（図１の上下方向）に突出して互いに放電ギャップｇを介して対向される略Ｔ字形状の透明電極Ｘｂ，Ｙｂとによって構成されている。
【０００５】
列電極Ｄは、行電極対（Ｘ，Ｙ）と同じ前面ガラス基板の背面側に、行電極対（Ｘ，Ｙ）との間に図示しない誘電体層を介して形成されており、行電極Ｘのバス電極Ｘａに沿って等間隔に配置されている各透明電極Ｘｂの中間位置および行電極Ｙのバス電極Ｙａに沿って等間隔に配置されている各透明電極Ｙｂの中間位置に対向する位置において、列方向に延びる列電極本体部Ｄａと、この列電極本体部Ｄａから行方向に突出して先端部分が行電極対（Ｘ，Ｙ）の各透明電極Ｘｂ，Ｙｂ間の放電ギャップｇのほぼ中間位置に対向される位置に位置される列電極放電部Ｄｂとから構成されている。
【０００６】
そして、前面ガラス基板と対向する背面ガラス基板（図示せず）との間の放電空間の行電極対（Ｘ，Ｙ）の放電ギャップｇを介して対向されて互いに対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂおよび列電極Ｄの列電極放電部Ｄｂに対向する部分に、それぞれ放電セルＣが形成されており、背面ガラス基板側の各放電セルＣに対向する位置に、赤，緑，青に色分けされた蛍光体層（図示せず）がそれぞれ行方向に順に並ぶように配列されている。
【０００７】
放電空間内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。
【０００８】
図１中、Ｅは、前面ガラス基板の背面の隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）のそれぞれの互いに背中合わせに位置されるバス電極ＸａとＹａの間に形成された黒色または暗色の光吸収層であり、Ｐは、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に形成されて、放電空間を各放電セルＣ毎に方形に区画する略格子形状の隔壁である（例えば、特許文献１参照）。
【０００９】
このＰＤＰにおける画像形成は、以下のようにして行われる。
【００１０】
すなわち、図２に示されるように、リセット期間Ｒに、行電極対（Ｘ，Ｙ）の行電極ＸとＹに交互にリセット・パルスＲＰｘ，ＲＰｙが印加されて、放電ギャップｇを介して対向される透明電極ＸｂとＹｂ間でリセット放電Ｒｄが発生され、次のアドレス期間Ｗに、行電極Ｙに走査パルスＳＰが印加されるとともに、列電極Ｄに映像信号の表示データに対応したデータパルスＤＰが選択的に印加されて、このデータパルスＤＰが印加された列電極Ｄの列電極放電部Ｄｂと走査パルスが印加された行電極Ｙの透明電極Ｙｂとの間でアドレス放電Ａｄが発生され、これによって、パネル面に、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆している誘電体層の放電セルＣに対向する部分に壁電荷が形成された放電セル（発光セル）Ｃと、壁電荷が形成されていない放電セル（非発光セル）Ｃとが分布される。
【００１１】
そして、次のサステイン期間Ｉにおいて、行電極ＸとＹにサステイン・パルスＩＰｘ，ＩＰｙが交互に印加され、誘電体層に壁電荷が形成された発光セル内において、行電極ＸとＹの放電ギャップｇを介して互いに対向する透明電極ＸｂとＹｂの間でサステイン放電Ｉｄが発生され、放電空間内の放電ガス中に含まれているキセノンガスから真空紫外線が放射されて、それぞれ赤，緑，青に色分けされている蛍光体層が励起されて発光することにより、マトリクス表示による画像の形成が行われる。
【００１２】
上記構成のＰＤＰは、放電ギャップｇの中間位置に対向する位置に列電極Ｄの列電極放電部Ｄｂが配置されているので、サステイン放電Ｉｄの発生時に、透明電極ＸｂとＹｂ間に生じる電気力線の一部が列電極放電部Ｄｂに引き寄せられて、放電の中心位置に電界が集中するのが抑制されることにより、発光効率が向上されるという特徴を備えている。
【００１３】
しかしながら、上記構成のＰＤＰについては、駆動方法として、リセット放電Ｒｄによって全ての放電セルＣを発光セルの状態に設定した後、アドレス放電Ａｄによって壁電荷を選択的に消去して、発光セルと非発光セルを形成する画像に対応して分布させる選択消去アドレス法を採用した場合に、以下のような問題が発生することが判明した。
【００１４】
図３は、上記構成のＰＤＰにおいて発生する問題点を示す説明図であり、（ａ）はリセット期間Ｒの終了時（図２にｆ１で示される時点）、（ｂ）はアドレス期間Ｗの終了時（ｆ２で示される時点）、（ｃ）は最初のサステイン放電Ｉｄの発生時（ｆ３で示される時点）におけるそれぞれの放電セルＣ内の壁電荷の形成状態を示している。
【００１５】
図中、１は前面ガラス基板、２は誘電体層、３は誘電体層２を被覆する保護層、４は背面ガラス基板、５は蛍光体層をそれぞれ示している。
【００１６】
選択消去アドレス法によるＰＤＰに駆動時には、リセット期間Ｒにリセット放電Ｒｄが発生されると、図３（ａ）に示されるように、各放電セルＣ内において、リセット放電Ｒｄによって生成されたイオンｉが透明電極Ｘｂと列電極放電部Ｄｂに対向する保護層３の表面に移動するとともに、電子ｅが透明電極Ｙｂに対向する保護層３の表面に移動して、透明電極Ｘｂに対向する部分の絶縁層（誘電体層２と保護層３）と透明電極Ｙｂに対向する部分の絶縁層との間に壁電荷が形成される。
【００１７】
次に、アドレス期間Ｗにアドレス放電Ａｄが発生されると、図３（ｂ）に示されるように、アドレス放電Ａｄが発生された放電セルＣ内において、イオンｉが透明電極Ｙｂに対向する保護層３の表面に移動するとともに、電子ｅが列電極放電部Ｄｂに対向する保護層３の表面に移動し、透明電極Ｘｂに対向する部分の絶縁層と透明電極Ｙｂに対向する部分の絶縁層との間に形成されていた壁電荷が消去されて、この放電セルＣが非発光セルに設定される。
【００１８】
この後、サステイン期間Ｉに、行電極Ｘ，Ｙにサステイン・パルスが印加されると、透明電極Ｘｂに対向する部分の絶縁層と透明電極Ｙｂに対向する部分の絶縁層の間に壁電荷が保持されている発光セル（図３（ａ）の状態にある放電セルＣ）において、透明電極Ｘｂに対向する部分の絶縁層と透明電極Ｙｂに対向する部分の絶縁層との間に形成されている壁電荷によってサステイン放電Ｉｄが発生されるが、図３（ｂ）の状態にある非発光セルにおいても、行電極Ｙに最初のサステイン・パルスが印加された際に、この透明電極Ｙｂに対向する部分の絶縁層と列電極放電部Ｄｂに対向する部分の絶縁層に蓄積されている電荷によって、透明電極Ｙｂと列電極放電部Ｄｂ間にアドレス放電と同様の放電（誤放電）が発生してしまう。
【００１９】
図２にも、この図３（ａ）〜（ｂ）に対応して、絶縁層上の行電極Ｘ，Ｙおよび列電極Ｄに対向する部分におけるイオンｉまたは電子ｅの蓄積状態が示されている。
【００２０】
この結果、図３（ｂ）の状態にあった非発光セルが、サステイン期間中に、図３（ｃ）に示されるように、イオンｉと電子ｅの移動によって図３（ａ）に示される発光セルと同じ状態になってしまい、その後のサステイン・パルスの印加によって、サステイン放電が発生してしまうこととなる。
【００２１】
【特許文献１】特開２００４−３９５７８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
この発明は、上記従来のＰＤＰが有している問題点を解決することをその技術的課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
この発明によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を挟んで対向する一対の基板と、この一対の基板の間に表示ライン毎に配置されて行方向に延びる複数の行電極対と、列方向に延びる複数の列電極とを備え、この行電極対と列電極の配置に対応してマトリクス状に配置される単位発光領域が放電空間内に形成され、行電極対を構成する行電極のうちの少なくとも列電極との間で放電を行う一方の行電極が列電極とともに一対の基板のうちの一方の基板に形成されて誘電体層によって被覆されているＰＤＰにおいて、前記誘電体層の放電空間側の面のうちの列電極に対向してこの列電極と一方の行電極との間で行われる放電に寄与する部分の面上の２次電子放出係数が、誘電体層の面上の他の部分の２次電子放出係数よりも小さくなっていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
この発明は、行電極対を構成する行電極のうちの少なくとも列電極との間で放電を行う一方の行電極が列電極とともに一対の基板のうちの一方の基板に形成されて、誘電体層によって被覆されており、この誘電体層の放電空間側の面のうち、列電極に対向してこの列電極と一方の行電極との間で行われるアドレス放電に寄与する部分の面上の２次電子放出係数が、誘電体層の他の部分の面のみが高γ材料によって形成された保護層によって被覆されたり、または、誘電体層の列電極と一方の行電極との間で行われるアドレス放電に寄与する部分の面が低γ材料によって形成された保護層によって被覆されるとともに誘電体層の他の部分の面が高γ材料によって形成された保護層によって被覆される等の方法によって、誘電体層の他の部分の面上の２次電子放出係数よりも小さくなっているＰＤＰを、その最良の実施形態としている。
【００２５】
この実施形態におけるＰＤＰは、同じ基板側に行電極対のアドレス放電を行う行電極と列電極とが形成されていて選択消去アドレス法によって駆動される場合に、アドレス放電の発生後、発光セル内においてサステイン放電が発生される際に、非発光セルにおいて、アドレス放電によってこのアドレス放電に寄与する列電極に対向する誘電体層の部分と一方の行電極に対向する誘電体層の部分との間に電荷が蓄積されている場合でも、誘電体層の放電空間側の面のうち、列電極に対向してこの列電極と一方の行電極との間で行われるアドレス放電に寄与する部分の面上の２次電子放出係数が、他の部分の面上の２次電子放出係数よりも小さくなっていることによって、列電極と一方の行電極との間でアドレス放電と同様の誤放電が発生するのが防止されて、非発光セルがそのままの状態を保持することが出来る。
【実施例１】
【００２６】
図４ないし７は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第１の実施例を示しており、図４はこの実施例におけるＰＤＰの正面図であり、図５は図４のＶ１−Ｖ１線における断面図，図６は図４のＶ２−Ｖ２線における断面図，図７は図４のＷ−Ｗ線における断面図である。
【００２７】
この図４ないし７において、表示面である前面ガラス基板１１の背面に、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）が、前面ガラス基板１１の行方向（図４の左右方向）に延び列方向に並設された状態で、複数形成されている。
【００２８】
行電極Ｘ１は、行方向に延びる黒色または暗色の金属膜からなる帯状のバス電極Ｘ１ａと、このバス電極Ｘ１ａに沿って等間隔に配置されてその基端部がバス電極Ｘ１ａに接続されているとともに、バス電極Ｘ１ａから対になっている行電極Ｙ１側に向かって列方向に突出する略Ｔ字形状のＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘ１ｂとによって構成されている。
【００２９】
行電極Ｙ１も同様に、行方向に延びる黒色または暗色の金属膜からなる帯状のバス電極Ｙ１ａと、このバス電極Ｙ１ａに沿って等間隔に配置されてその基端部がバス電極Ｘ１ａに接続されているとともに、バス電極Ｘ１ａから対になっている行電極Ｙ１側に向かって列方向に突出する略Ｔ字形状のＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙ１ｂとによって構成されている。
【００３０】
そして、行電極Ｘ１とＹ１の対になっている透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂのそれぞれの幅広の先端部が、放電ギャップｇ１を介して互いに対向されている。
【００３１】
この行電極対（Ｘ１，Ｙ１）によって、それぞれ、パネルの一表示ラインＬが形成されている。
【００３２】
前面ガラス基板１１の背面には、さらに、列方向において隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）のそれぞれの互いに背中合わせになったバス電極Ｘ１ａとＹ１ａの間に、このバス電極Ｘ１ａとＹ１ａｂに沿って行方向に延びる黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１２が形成されている。
【００３３】
さらに、前面ガラス基板１１の背面に第１誘電体層１３が形成されて、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）および光吸収層１２が被覆されている。
【００３４】
この第１誘電体層１３の背面側には、複数の列電極Ｄ１が形成されている。
【００３５】
各列電極Ｄ１は、前面ガラス基板１１の背面のバス電極Ｘ１ａに沿って等間隔に並設されている透明電極Ｘ１ｂの中間位置、および、バス電極Ｙ１ａに沿って等間隔に並設されている透明電極Ｙ１ｂの中間位置に対向する位置において、列方向に延びる帯状の列電極本体部Ｄ１ａと、この列電極本体部Ｄ１ａと一体的に形成されて、表示ラインＬごとに、それぞれ、列電極本体部Ｄ１ａから透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂ間の放電ギャップｇ１に対向する位置に向かって図４において行方向右向きに突出して、先端部が放電ギャップｇ１の中間位置に対向される複数の帯状の列電極放電部Ｄ１ｂとから構成されている。
【００３６】
第１誘電体層３の背面には、さらに、第２誘電体層１４が形成されて、この第２誘電体層１４によって列電極Ｄ１の列電極本体部Ｄ１ａおよび列電極放電部Ｄ１ｂが被覆されている。
【００３７】
この第２誘電体層１４の背面側には、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに背中合わせに位置するバス電極Ｘ１ａとＹ１ａおよびその間に位置する光吸収層１２に対向する位置に、第２誘電体層１４の背面側に突出するとともにバス電極Ｘ１ａ，Ｙ１ａに沿って行方向に延びる嵩上げ誘電体層１４Ａが形成されている。
【００３８】
この第２誘電体層１４と嵩上げ誘電体層１４Ａの背面側に、第１誘電体層１３および第２誘電体層１４の形成材料よりも２次電子放出係数が大きいＭｇＯからなる保護層１５が形成されている。
【００３９】
この保護層１５は、第２誘電体層１４の背面の列電極Ｄ１の列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分およびその周囲の後述するアドレス放電に寄与する部分以外の部分を被覆する位置に形成されていて、列電極Ｄ１の列電極放電部Ｄ１ｂとその周囲のアドレス放電に寄与する部分に対向する位置に、方形の窓部１５ａが形成されている。
【００４０】
これによって、第２誘電体層１４の背面において、保護層１５の窓部１５ａが位置している部分の２次電子放出係数が、保護層１５によって被覆されている部分の２次電子放出係数よりも小さくなるように設定されている。
なお、この窓部１５ａは、透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂには対向していない。
【００４１】
一方、前面ガラス基板１１と放電空間を介して対向する背面ガラス基板１６の前面ガラス基板１１に対向する側の面上には、前面ガラス基板１１側の列電極本体部Ｄ１ａと対向する位置においてそれぞれ列方向に延びるように形成された帯状の縦壁１７Ａと、隣接する行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の互いに背中合わせに位置するバス電極Ｘ１ａとＹ１ａおよびその間に位置する光吸収層１２に対向する位置にそれぞれ行方向に延びるように形成された帯状の横壁１７Ｂとによって構成される略格子形状の隔壁１７が形成されており、この隔壁１７によって、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１６の間に形成される放電空間が、各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）において対となっている透明電極Ｘ１ａとＹ１ａに対向する部分毎に区画されて、それぞれ方形の放電セルＣ１が形成されている。
【００４２】
この隔壁１７の縦壁１７Ａの前面ガラス基板１１に対向する側の面は保護層１５に当接されておらず（図６および７参照）、その間に隙間ｒが形成されているが、横壁１７Ｂの前面ガラス基板１１に対向する側の面が、保護層１５の嵩上げ誘電体層１４Ａを被覆している部分に当接されていて、列方向において隣接する放電セルＣ１の間がそれぞれ閉じられている（図５参照）。
【００４３】
放電セルＣ１に面する隔壁１７の縦壁１７Ａおよび横壁１７Ｂの側面と背面ガラス基板１６の表面には、これらの五つの面を全て覆うように蛍光体層１８が形成されており、この蛍光体層１８の色は、各放電セルＣ１毎に赤，緑，青の三原色が行方向に順に並ぶように配列されている。
【００４４】
そして、前面ガラス基板１１と背面ガラス基板１６の間の放電空間内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００４５】
図８は、ＰＤＰの駆動状態を示す駆動波形図であり、図９は放電セルＣ１内における壁電荷の形成状態を示す説明図である。
【００４６】
次に、この図８および９に基づいて、上述したＰＤＰの選択消去アドレス法による画像形成方法について説明を行う。
【００４７】
なお、図８の駆動波形は、１リセット１選択消去アドレス法（１フィールドが複数のサブフィールドによって構成されていて、先頭のサブフィールドにおいてのみアドレス期間の前にリセット期間が設けられて、全ての放電セルが発光セルの状態に設定され、何れかのサブフィールドのアドレス期間において画像データに対応して選択的にアドレス放電が発生され、このアドレス放電が発生されるまでのサブフィールドが発光状態に維持されるアドレス方法）において、Ｎ個のサブフィールドによってＮ＋１階調表示を行うシーケンスにおける先頭のサブフィールドのリセット期間とアドレス期間とサステイン期間が連続している部分の駆動波形を示している。
【００４８】
なお、以下の説明は、上記１リセット１選択消去アドレス法において、前のサブフィールドのサステイン期間の終了後、続いて次のサブフィールドのアドレス期間が開始される場合についても同様である。
【００４９】
また、１リセット１選択消去アドレス法の場合に限らず、各サブフィールドにリセット期間が設定されていて、サブフィールド毎にリセット放電によって全放電セルを一旦発光セルの状態に設定した後、アドレス放電を行って、Ｎ個のサブフィールドによって２Ｎ階調表示を行うシーケンスについても同様に適用される。
【００５０】
図８において、先ず、リセット期間Ｒ１に、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）の行電極Ｘ１とＹ１に交互にリセット・パルスＲＰ１ｘ，ＲＰ１ｙが印加されて、放電ギャップｇ１を介して対向される透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂの間で、リセット放電Ｒ１ｄが発生される。
【００５１】
そして、このリセット放電Ｒ１ｄによって、図９（ａ）に示されるように、各放電セルＣ１内において、リセット放電Ｒｄによって生成されたイオンｉが、透明電極Ｘ１ｂに対向する部分の保護層１５の表面、および、この保護層１５の窓部１５ａ内に露出された第２誘電体層１４の列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分の表面に移動するとともに、電子ｅが、透明電極Ｙ１ｂに対向する部分の保護層１５の表面に移動して、リセット期間Ｒ１の終了時（図８にｆ１１で示される時点）には、透明電極Ｘ１ｂに対向する部分の絶縁層（第１誘電体層１３と第２誘電体層１４，保護層１５）と透明電極Ｙ１ｂに対向する部分の絶縁層との間に壁電荷が形成される。
【００５２】
次のアドレス期間Ｗ１に、行電極Ｙ１に走査パルスＳＰ１が印加されるとともに、列電極Ｄ１に映像信号の表示データに対応したデータパルスＤＰ１が選択的に印加されて、このデータパルスＤＰ１が印加された列電極Ｄ１の列電極放電部Ｄ１ｂと走査パルスＳＰ１が印加された行電極Ｙ１の透明電極Ｙ１ａとの間でアドレス放電Ａ１ｄが発生される。
【００５３】
そして、このアドレス放電Ａ１ｄによって、図９（ｂ）に示されるように、アドレス放電Ａ１ｄが発生された放電セルＣ１内において、イオンｉが透明電極Ｙ１ｂに対向する部分の保護層１３の表面に移動するとともに、電子ｅが、保護層１５の窓部１５ａ内に露出している部分の第２誘電体層１４の表面の列電極放電部Ｄ１ｂに対向している部分に移動して、アドレス期間Ｗ１の終了時（ｆ１２で示される時点）には、透明電極Ｘ１ｂに対向する部分の絶縁層と透明電極Ｙ１ｂに対向する部分の絶縁層との間に形成されていた壁電荷が消滅することによって、非発光セルが形成される。
【００５４】
この後、サステイン期間Ｉ１に、行電極Ｘ１，Ｙ１にサステイン・パルスが印加されると、アドレス期間Ｗ１にアドレス放電が発生されずに、透明電極Ｘ１ｂに対向する部分の絶縁層と透明電極Ｙ１ｂに対向する部分の絶縁層の間に壁電荷が保持されている発光セル（図９（ａ）の状態にある放電セルＣ１）において、透明電極Ｘ１ｂに対向する部分の絶縁層と透明電極Ｙ１ｂに対向する部分の絶縁層との間に形成されている壁電荷によって、透明電極Ｘ１ｂとＹ１ｂ間で放電ギャップｇ１を介してサステイン放電Ｉ１ｄが発生される。
【００５５】
このとき、図９（ｂ）の状態にある非発光セルにおいては、透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂに対向する部分の絶縁層と列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分の絶縁層との間に電荷が蓄積されてはいるが、透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂに対向する部分の第２誘電体層１４の表面が高２次電子放出材料であるＭｇＯによって形成された保護層１５によって被覆されているのに対し、列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分の第２誘電体層１４の表面は、保護層１５によって被覆されておらず、透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する部分よりも２次電子放出係数が小さくなっていることによって、行電極Ｘ１，Ｙ１にサステイン・パルスが印加された際に、従来のように、透明電極Ｘ１ｂ，Ｙｂと列電極放電部Ｄｂとの間にアドレス放電と同様の放電（誤放電）が発生するのが防止される。
【００５６】
従って、アドレス期間Ｗ１にアドレス放電Ａ１ｄが行われた非発光セルは、最初のサステイン放電Ｉ１ｄの発生時（図８にｆ１３で示される時点）における非発光セル内の状態を示す図９（ｃ）に示されるように、図９（ｂ）のときの状態をそのまま維持するので、従来のように、サステイン期間Ｉ１に、非発光セルに設定された放電セルＣ１内においてサステイン放電が発生される虞はなく、所要の画像形成が行われる。
【００５７】
そして、上記構成のＰＤＰによれば、放電ギャップｇ１のほぼ中間位置に対向する位置に列電極Ｄ１の列電極放電部Ｄ１ｂの先端部分が配置されていることによって、行電極Ｘ１，Ｙ１の透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂ間で発生されるサステイン放電が放電セルＣ１内に拡がって、放電の中心位置における電界の集中が抑制されることにより、発光効率が向上される。
【００５８】
なお、上記においては、列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分の第２誘電体層１４の表面の２次電子放出係数が小さくなっている例が示されているが、この列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分に加えて、放電セルＣ１および列電極本体部Ｄ１ａに対向する部分の第２誘電体層１４の表面も保護層１５によって被覆されないようにして、透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する部分よりも２次電子放出係数が小さくなるようにしても良い。
【００５９】
さらに、上記においては、列電極Ｄ１が列電極本体部Ｄ１ａと列電極放電部Ｄ１ｂとによって構成されている例が示されているが、列電極放電部を有しない列電極本体部のみの列電極を備えたＰＤＰにおいては、少なくともこの列電極とアドレス放電を行う透明電極Ｙ１ｂとの間の部分の第２誘電体層の表面が保護層によって被覆されないようにして、２次電子放出係数が透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する部分よりも小さくなるようにすることにより、同様の技術的効果を得ることが出来る。
【００６０】
また、上記においては、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と列電極Ｄ１が前面ガラス基板１側に形成されている例が示されているが、行電極対のうちのアドレス放電を行う一方の行電極と列電極が前面ガラス基板側と背面ガラス基板側のうち一方のガラス基板側に形成され、他方の行電極が他方のガラス基板側に形成されて対向放電によるサステイン放電が行われるＰＤＰについても、アドレス放電を行う一方の行電極と列電極を被覆する誘電体層の列電極に対向する部分を含むアドレス放電に寄与する部分に、ＭｇＯによる保護層を形成しないようにすることにより、非発光セルに設定された放電セルにおいて、行電極に印加されたサステイン・パルスによって行電極と列電極との間でアドレス放電と同様の誤放電が発生するのを防止することが出来るようになる。
【実施例２】
【００６１】
図１０は、この発明の実施形態における第２の実施例のＰＤＰを、前述した第１実施例の図５と同一位置において断面して示している。
【００６２】
この図１０において、第２誘電体層１４を被覆する保護層１５の窓部１５ａ内に、保護層１５を形成するＭｇＯ（高γ材料）よりも２次電子放出係数が小さい材料、例えばＳｉＯ２  等の材料（低γ材料）による第２保護層２５が形成されていて、第２誘電体層１４の透明電極Ｙ１ｂに対向する部分を含むアドレス放電に寄与する部分が被覆されている。
【００６３】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第１実施例のＰＤＰの場合と同様であり、図１０において第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については、図４ないし７と同一の符号が付されている。
【００６４】
この実施例におけるＰＤＰも、前述した第１実施例のＰＤＰの場合と同様に、アドレス期間におけるアドレス放電によって非発光セルに設定されて、透明電極Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂに対向する部分の絶縁層と列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分の絶縁層との間に電荷が蓄積されている放電セルＣ１（図８，図９（ｂ）参照）は、次のサステイン期間に行電極Ｘ１，Ｙ１にサステイン・パルスが印加された場合でも、第２誘電体層１４の透明電極Ｙ１ｂに対向する部分を含むアドレス放電に寄与する部分（保護層１５の窓部１５ａ内の部分）が、透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する部分を被覆するＭｇＯよりも２次電子放出係数が小さいＳｉＯ２  等の材料によって形成された第２保護層２５により被覆されていることによって、透明電極Ｘ１ｂ，Ｙｂと列電極放電部Ｄ１ｂとの間にアドレス放電と同様の誤放電を発生させることはなく、これによって、非発光セルの状態を保持することが出来るので、画像データに対応した画像を形成することが出来る。
【００６５】
なお、上記においては、列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分の第２誘電体層１４の表面の２次電子放出係数が小さくなっている例が示されているが、この列電極放電部Ｄ１ｂに対向する部分に加えて、放電セルＣ１および列電極本体部Ｄ１ａに対向する部分の第２誘電体層１４の表面も第２保護層２５によって被覆されるようにして、透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する部分よりも２次電子放出係数が小さくなるようにしても良い。
【００６６】
さらに、上記においては、列電極Ｄ１が列電極本体部Ｄ１ａと列電極放電部Ｄ１ｂとによって構成されている例が示されているが、列電極放電部を有しない列電極本体部のみの列電極を備えたＰＤＰにおいては、少なくともこの列電極とアドレス放電を行う透明電極Ｙ１ｂとの間の部分の第２誘電体層の表面が第２保護層２５によって被覆されるようにして、２次電子放出係数が透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する部分よりも小さくなるようにすることにより、同様の技術的効果を得ることが出来る。
【００６７】
また、上記においては、行電極対（Ｘ１，Ｙ１）と列電極Ｄ１が前面ガラス基板１側に形成されている例が示されているが、行電極対のうちのアドレス放電を行う一方の行電極と列電極が前面ガラス基板側と背面ガラス基板側のうち一方のガラス基板側に形成され、他方の行電極が他方のガラス基板側に形成されて対向放電によるサステイン放電が行われるＰＤＰについても、アドレス放電を行う一方の行電極と列電極を被覆する誘電体層の列電極に対向する部分を含むアドレス放電に寄与する部分がＭｇＯよりも２次電子放出係数が小さい材料により形成された保護層によって被覆されるようにすることにより、非発光セルに設定された放電セルにおいて、行電極に印加されたサステイン・パルスによって行電極と列電極との間にアドレス放電と同様の誤放電が発生するのを防止することが出来るようになる。
【実施例３】
【００６８】
図１１は、この発明によるＰＤＰの実施形態における第３の実施例を模式的に示す正面図である。
【００６９】
この実施例におけるＰＤＰは、前述した第１および第２実施例のＰＤＰと異なる行電極対および列電極の構成を有しているものである。
【００７０】
すなわち、図１１において、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）は、行電極Ｘ２とＹ２のそれぞれの行方向に延びるバス電極Ｘ２ａとＹ２ａが、放電ギャップｇ２を介して対向され、このバス電極Ｘ２ａとＹ２ａに沿ってそれぞれ等間隔に配置された透明電極Ｘ２ｂとＹ２ｂは、バス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａから互いに反対向きに突出するようにバス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａに接続されている。
【００７１】
そして、列電極Ｄ２の列方向に延びる列電極本体部Ｄ２ａから行方向に延びる列電極放電部Ｄ２ｂは、バス電極Ｘ２ａ，Ｙ２ａを挟んで透明電極Ｘ２ｂと反対向きに突出している透明電極Ｙ２ｂの先端の前方位置に対向する位置に図示しない誘電体層を介して位置されている。
【００７２】
そして、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）および列電極Ｄ２を被覆する誘電体層の背面のうち、列電極放電部Ｄ２ｂに対向する部分を含むアドレス放電に寄与する部分ｐ以外の部分が、ＭｇＯによる保護層によって被覆されており、誘電体層の部分ｐには、第１実施例の場合と同様にＭｇＯによる保護層が形成されていないか、ＭｇＯよりも２次電子放出係数が小さいＳｉＯ２  等の材料により形成された保護層によって被覆されている。
【００７３】
なお、図１１中、２４Ａは、誘電体層の背面に形成された嵩上げ部で、放電セルＣ２を囲むように形成されている。
【００７４】
この実施例のＰＤＰも、第１および第２実施例のＰＤＰと同様に、誘電体層の列電極放電部Ｄ２ｂに対向する部分を含むアドレス放電に寄与する部分ｐにＭｇＯによる保護層が形成されていないか、この部分ｐがＭｇＯよりも２次電子放出係数が小さい材料により形成された保護層によって被覆されていることによって、サステイン放電のために行電極Ｘ２，Ｙ２にサステイン・パルスが印加された際に、アドレス放電によって非発光セルに設定された放電セルＣ２において、透明電極Ｙ２ｂに対向する部分の絶縁層（誘電体層および保護層）と列電極放電部Ｄ２ｂに対向する部分の絶縁層との間に蓄積された電荷に起因したアドレス放電と同様の誤放電が発生するのが防止される。
【００７５】
なお、上記においては、列電極放電部Ｄ２ｂに対向する部分の誘電体層の表面の２次電子放出係数が小さくなっている例が示されているが、この列電極放電部Ｄ２ｂに対向する部分に加えて、放電セルＣ２および列電極本体部Ｄ２ａに対向する部分の誘電体層の表面も、同様に、行電極Ｘ２およびＹ２に対向する部分よりも２次電子放出係数が小さくなるようにしても良い。
【００７６】
さらに、上記においては、列電極Ｄ２が列電極本体部Ｄ２ａと列電極放電部Ｄ２ｂとによって構成されている例が示されているが、列電極放電部を有しない列電極本体部のみの列電極を備えたＰＤＰにおいては、少なくともこの列電極とアドレス放電を行う透明電極Ｙ２ｂとの間の部分の第２誘電体層の表面が、同様に、透明電極Ｘ１ｂおよびＹ１ｂに対向する部分よりも２次電子放出係数が小さくなるようにすることにより、同様の技術的効果を得ることが出来る。
【００７７】
また、上記においては、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）と列電極Ｄ１が前面ガラス基板１側に形成されている例が示されているが、行電極対のうちのアドレス放電を行う一方の行電極と列電極が前面ガラス基板側と背面ガラス基板側のうち一方のガラス基板側に形成され、他方の行電極が他方のガラス基板側に形成されて対向放電によるサステイン放電が行われるＰＤＰについても、アドレス放電を行う一方の行電極と列電極を被覆する誘電体層の列電極に対向する部分を含むアドレス放電に寄与する部分にＭｇＯによる保護層を形成しないようにするか、または、この部分がＭｇＯよりも２次電子放出係数が小さい材料により形成された保護層によって被覆されるようにすることにより、非発光セルに設定された放電セルにおいて、行電極に印加されたサステイン・パルスによって行電極と列電極との間にアドレス放電と同様の誤放電が発生するのを防止することが出来るようになる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】従来のＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図２】従来のＰＤＰにおける駆動状態を示す駆動波形図である。
【図３】従来のＰＤＰにおける（ａ）リセット放電後の発光セル状態を示す説明図，（ｂ）アドレス放電後の非発光セル状態を示す説明図，（ｃ）非発光セルのサステイン期間における状態を示す説明図である。
【図４】この発明の実施形態の第１実施例におけるＰＤＰの構成を示す正面図である。
【図５】図４のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図６】図４のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図７】図４のＷ−Ｗ線における断面図である。
【図８】同実施例のＰＤＰにおける駆動状態を示す駆動波形図である。
【図９】同実施例のＰＤＰにおける（ａ）リセット放電後の発光セル状態を示す説明図，（ｂ）アドレス放電後の非発光セル状態を示す説明図，（ｃ）非発光セルのサステイン期間における状態を示す説明図である。
【図１０】この発明の実施形態の第２実施例におけるＰＤＰの構成を示す断面図である。
【図１１】この発明の実施形態の第３実施例におけるＰＤＰの構成を示す正面図である。
【符号の説明】
【００７９】
１１        …前面ガラス基板（一方の基板）
１３        …第１誘電体層（誘電体層）
１４        …第２誘電体層（誘電体層）
１５        …保護層
１５ａ      …窓部
１６        …背面ガラス基板（他方の基板）
２５        …第２保護層（保護層）
Ｘ１，Ｙ１，Ｘ２，Ｙ２          …行電極
Ｘ１ａ，Ｙ１ａ，Ｘ２ａ，Ｙ２ａ  …バス電極
Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂ，Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂ  …透明電極
Ｄ１，Ｄ２      …列電極
Ｄ１ａ，Ｄ２ａ  …列電極本体部
Ｄ１ｂ，Ｄ２ｂ  …列電極放電部
Ｃ１，Ｃ２      …放電セル（単位発光領域）
ｇ１，ｇ２      …放電ギャップ
【図１】
2006221910.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006221910.tif 000009
【図８】
2006221910.tif 000010
【図９】
2006221910.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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