(57)【要約】【課題】  １回のレーザー加工によって形成されるレーザー加工溝の加工深さを深くすることができるとともに、レーザー光線を照射することにより発生するデブリが既にレーザー加工させている加工溝に堆積することなく加工することができるレーザー加工方法を提供する。【解決手段】  被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工方法であって、パルスレーザー光線は集光スポットが楕円形に形成され、該楕円形の集光スポットにおける長軸を分割予定ラインに沿って位置付け、集光スポットと被加工物とを分割予定ラインに沿って相対的に加工送りする。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工方法であって、
パルスレーザー光線は集光スポットが楕円形に形成され、該楕円形の集光スポットにおける長軸を該分割予定ラインに沿って位置付け、該集光スポットと被加工物とを該分割予定ラインに沿って相対的に加工送りする、
ことを特徴とするレーザー加工方法。
【請求項２】
該楕円形の集光スポットの長軸の長さd1(mm)と短軸の長さd２(mm)との比が、４：１〜１２：１に設定されている、請求項１記載のレーザー加工方法。
【請求項３】
該楕円形の集光スポットの長軸の長さをd1(mm)とし、パルスレーザー光線の周波数をＺ（Ｈｚ）とし、加工送り速度をX(mm／秒)とした場合、d1＞Ｘ÷Zの関係を満足するように設定されている、請求項１又は２記載のレーザー加工方法。
【請求項４】
該楕円形の集光スポットの短軸側のエネルギー分布は、ガウシアン分布からトップハット分布に変換さる、請求項１から３のいずれかに記載のレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインに沿ってレーザー加工を施すレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路（機能素子）を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面にフォトダイオード等の受光素子（機能素子）やレーザーダイオード等の発光素子（機能素子）等が積層された光デバイスウエーハも分割予定ラインに沿って切断することにより個々のフォトダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を備えたスピンドルユニットを含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径３μｍ程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ２０μｍ程度に形成されている。
【０００４】
しかるに、切削ブレードは２０μｍ程度の厚さを有するため、チップを区画する分割予定ラインとしては幅が５０μｍ程度必要となり、ウエーハの面積に対する分割予定ラインが占める面積比率が大きく、生産性が悪いという問題がある。また、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。
【０００５】
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射することによりレーザー加工溝を形成し、このレーザー加工溝に沿って破断する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開平１０−３０５４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
而して、レーザー加工によって形成されるレーザー加工溝の深さは浅く、被加工物に所望深さのレーザー加工溝を形成するためには、同一の分割予定ラインに沿って複数回レーザー光線照射工程を実施する必要がある。従って、レーザー加工による加工効率を向上するためには、１回の加工深さを如何に深くすることができるかが重要となる。また、従来のレーザー加工は照射するレーザー光線の集光スポットが円形であるため、被加工物の分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射すると、溶融したデブリが発生し、このデブリが形成されたレーザー加工溝を塞ぎ、次に照射するレーザー光線を遮断したり、レーザー光線の集光スポットをレーザー加工溝の底に位置付けることができず、所望深さのレーザー加工溝を効率よく形成することができないという問題がある。
【０００７】
本発明は上記事実に鑑みてなされたもので、その主たる技術課題は、１回のレーザー加工によって形成されるレーザー加工溝の加工深さを深くすることができるとともに、レーザー光線を照射することにより発生するデブリが既にレーザー加工させている加工溝に堆積することなく加工することができるレーザー加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記主たる技術課題を解決するために、本発明によれば、被加工物に形成された分割予定ラインに沿ってパルスレーザー光線を照射し、該分割予定ラインに沿ってレーザー加工溝を形成するレーザー加工方法であって、
パルスレーザー光線は集光スポットが楕円形に形成され、該楕円形の集光スポットにおける長軸を該分割予定ラインに沿って位置付け、該集光スポットと被加工物とを該分割予定ラインに沿って相対的に加工送りする、
ことを特徴とするレーザー加工方法が提供される。
【０００９】
上記楕円形の集光スポットの長軸の長さd1(mm)と短軸の長さd２(mm)との比が、４：１〜１２：１に設定されていることが望ましい。また、上記楕円形の集光スポットの長軸の長さをd1(mm)とし、パルスレーザー光線の周波数をＺ（Ｈｚ）とし、加工送り速度をX(mm／秒)とした場合、d1＞Ｘ÷Z  の関係を満足するように設定することが望ましい。更に、上記楕円形の集光スポットの短軸側のエネルギー分布は、ガウシアン分布からトップハット分布に変換されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、集光スポットが楕円形に形成されているので、長軸側においては集光率は短軸側より小さくなり、スポットの面積の変化率はスポットが円形のレーザー光線のスポットの面積の変化率より小さい。このため、集光点において所定の単位面積当たりの出力が得られるレーザー光線を照射した場合、集光点から所定間隔を置いた位置においては、スポットが楕円形のレーザー光線の方がスポットが円形のレーザー光線より単位面積当たりの出力は大きく、スポットが楕円形のレーザー光線Lはスポットが円形のレーザー光線より加工可能な深度（焦点深度）が大きくなり、１回のレーザー加工によって形成されるレーザー加工溝の加工深さを深くすることができる。
また、スポットが楕円形のレーザー光線は、長軸側においては集光率は短軸側より小さくなるので、加工方向のエネルギー分布の変化がなだらかとなる。この結果、レーザー光線を照射することによって発生するデブリは、なだらかに変化するエネルギー分布の接線方向に沿うように飛散し排出されるので、既に加工したレーザー加工溝に堆積することはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明によるレーザー加工方法について添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１２】
図１には、本発明によるレーザー加工方法に従って加工される被加工物としての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、GaAs等の半導体基板２０の表面２０ａに格子状に配列された複数の分割予定ライン２１によって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス２２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハ２は、図1に示すように環状のフレーム３に装着された保護テープ４に表面２ａ即ち分割予定ライン２１およびデバイス２２が形成されている面を上側にして裏面が貼着される。
【００１３】
図２乃至図４には、本発明によるレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置が示されている。図２乃至図４に示すレーザー加工装置を用いて実施する。図２乃至図４に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５８を具備している。チャックテーブル５１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図２において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００１４】
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５３を含んでいる。ケーシング５３内には図３に示すようにパルスレーザー光線発振手段５４と伝送光学系５５とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段５４は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器５４１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段５４２とから構成されている。
【００１５】
伝送光学系５５は、図４に示すようにビームエキスパンド５５１と、楕円シェーピング５５２を具備している。上記パルスレーザー光線発振手段５４から照射されたスポット（断面形状）が円形のレーザー光線LBaは、ビームエキスパンド５５１によってスポット（断面形状）が円形のレーザー光線LBbに拡張され、更に楕円シェーピング５５２によってスポット（断面形状）が楕円（長軸がD1、短軸がD2）のレーザー光線LBcに形成される。
【００１６】
図３に戻って説明を続けると、上記ケーシング５３の先端には、集光器５６が装着されている。集光器５６は、図３に示すように偏向ミラー５６１と、対物集光レンズ５６２を備えている。従って、上記パルスレーザー光線発振手段５４から伝送光学系５５を通して照射されたレーザー光線LBc（スポットは長軸がD1、短軸がD2の楕円形）は、偏向ミラー５６１によって直角に偏光され、上記対物集光レンズ５６２によって集光されパルスレーザー光線LBdとして上記チャックテーブル５１に保持される被加工物に集光スポットSで照射される。この集光スポットSは、断面形状が長軸がd1、短軸がd２の楕円形状に形成される。
【００１７】
図２に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５３の先端部に装着された撮像手段５８は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００１８】
上述したレーザー加工装置５を用いて上記半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って実施するレーザー加工方法について、図２、図５乃至図９を参照して説明する。
上記半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿ってレーザー加工を実施するには、先ず上述した図２に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を表面２ａを上にして載置し、該チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を吸着保持する。なお、図２においては、保護テープ４が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
【００１９】
上述したように半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１は、図示しない移動機構によって撮像手段５８の直下に位置付けられる。チャックテーブル５１が撮像手段５８の直下に位置付けられると、撮像手段５８および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５８および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている分割予定ライン２１と、分割予定ライン２１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５６との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角に延びる分割予定ライン２１に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００２０】
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持された半導体ウエーハ２に形成されている分割予定ライン２１を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図５の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５６が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２１の一端（図５において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５６の直下に位置付ける。このとき、図５の(b)に示すように集光器５６から照射されるレーザー光線LBdは、楕円形の集光スポットSにおける長軸d1を分割予定ライン２１に沿って位置付ける。なお、集光スポットSにおける短軸d2は、分割予定ライン２１の幅Bより小さく設定されている。
【００２１】
次に、集光器５６からパルスレーザー光線LBdを照射しつつチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２を図５の(a)において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、分割予定ライン２１の他端（図５の(a)において右端）がレーザー光線照射手段５２の集光器５６の照射位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。この結果、半導体ウエーハ２には、図６に示すように分割予定ライン２１に沿ってレーザー加工溝２１０が形成される。
【００２２】
上記このレーザー光線照射工程においては、半導体ウエーハ２に照射されるレーザー光線のスポットSが楕円形に形成されているので、スポットが円形のレーザー光線と比較して対物集光レンズ５６２によって集光される集光点における楕円形スポットSの長軸側における集光率が小さくなる。この点について図７を参照して説明する。図７の(a)は対物集光レンズ５６２にスポットが円形のレーザー光線LB1が照射された場合を示す。図７の(a)に示すように対物集光レンズ５６２に照射されたスポットが円形のレーザー光線LB1(直径がD2)は、集光点ＰでスポットS1が円形のレーザー光線LB２(直径がd2)に集光される。一方、図７の(b)は対物集光レンズ５６２にスポットが楕円形のレーザー光線LBcが照射された場合を示す。図７の(b)に示すように対物集光レンズ５６２に照射されたスポットが楕円形のレーザー光線LBc(長軸がD1、短軸がD2)は、集光点ＰでスポットSが楕円形のレーザー光線LBd(長軸がd1、短軸がd2)に集光される。スポットが楕円形のレーザー光線LBcの場合は、集光点Ｐで短軸側ではD2がd2に集光されるので集光率はスポットが円形のレーザー光線LB1の場合路同じであるが、長軸側においてはD1がd1に集光されるので集光率は短軸側より小さくなる。従って、スポットが楕円形のレーザー光線LBｄのスポットの面積の変化率は、スポットが円形のレーザー光線LB2のスポットの面積の変化率より小さい。このため、集光点Ｐにおいて所定の単位面積当たりの出力が得られるレーザー光線を照射した場合、集光点Ｐから所定間隔を置いた位置においては、スポットが楕円形のレーザー光線LBdの方がスポットが円形のレーザー光線LB2より単位面積当たりの出力は大きい。即ち、スポットが楕円形のレーザー光線LBdは、スポットが円形のレーザー光線LB１より加工可能な深度（焦点深度）Ｅが大きくなる。
【００２３】
なお、集光器５６から照射されるレーザー光線LBは、上述したように楕円形のスポットSで半導体ウエーハ２に照射される。そして、パルスレーザー光線の繰り返し周波数をＹ（Ｈｚ）、加工送り速度（ウエーハとパルスレーザー光線との相対移動速度）をＶ（ｍｍ／秒）、パルスレーザー光線のスポットSの長軸の長さd1（加工送り方向の長さ）とした場合に、d1＞（Ｖ／Ｙ）を満たす加工条件に設定することにより、図8で示すようにパルスレーザー光線の隣接するスポットSは加工送り方向Ｘ即ち分割予定ライン２１に沿って互いに一部がオーバーラップすることになる。なお、図８で示す例は、パルスレーザー光線のスポットSの加工送り方向Ｘのオーバーラップ率は５０％である。このオーバーラップ率は、加工送り速度Ｖ（ｍｍ／秒）を変更することにより、またパルスレーザー光線のスポットSの加工送り方向の長さを変更することにより、適宜設定することができる。
【００２４】
なお、上記レーザー加工溝形成工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線の光源  ：ＹＶＯ４レーザーまたはＹＡＧレーザー
波長                ：３５５ｎｍ
平均出力            ：２Ｗ
繰り返し周波数      ：３０ｋＨｚ
パルス幅            ：１００ｎｓ
スポットｓの大きさ  ：Ｈ２０μｍ×Ｌ４０μｍ、Ｈ２０μｍ×Ｌ２０μｍ
加工送り速度        ：４００ｍｍ／秒
加工重ね回数        ：８回
【００２５】
上述したレーザー加工溝形成工程を例えば８回実施することにより、図８に示すように半導体ウエーハ２の分割予定ライン２１に沿って分割予定ライン２１の幅Ｄを越えない範囲でGaAs基板２０にはレーザー加工溝２１０が形成される。
ここで、上述したレーザー加工溝形成工程において加工されるレーザー加工溝２１０の加工深さの実験結果について説明する。図１０は、直径１００mm、厚さ０．２mmのGaAsウエーハを上述した加工条件を同一の分割予定ラインに沿って８回実施した結果のレーザー加工溝の深さを示す図である。なお、この実験においてレーザー光線の照射は、集光器５６の高さ位置（Ｚ方向位置）を変更しないで実施した。図１０において、横軸はスポットが楕円形のレーザー光線の長軸d1と短軸d2の比、縦軸はレーザー加工溝の深さを示している。なお、図１０の横軸における長軸d1と短軸d2の比が１：１は、レーザー光線のスポットが円形のものである。図１０から判るようにスポットが楕円形のレーザー光線によって加工すると、スポットが円形のレーザー光線で加工するより加工溝が深いことが判る。特に、楕円形のスポットの長軸d1と短軸d2の比が４：１〜１２：１の範囲では、スポットが円形のレーザー光線に対して５倍以上の加工量が得られ、加工効率が著しく向上する。従って、スポットが楕円形のレーザー光線は、スポットの長軸d1と短軸d2の比が４：１〜１２：１の範囲に設定することが望ましい。
【００２６】
次に、ウエーハにレーザー光線を照射することによって発生するデブリの排出方向について検討する。
図１１の(a)はスポットが円形のレーザー光線LB２が被加工物である半導体ウエーハ２に照射された場合における加工方向と垂直な方向からみた加工状況を示す。図１１の(a)に示すようにスポットが円形のレーザー光線LB２は、加工方向X1における集光率も全ての方向の集光率と同じであるため、鋭い鋭角度のエネルギー分布で半導体ウエーハ２に照射される。レーザー光線を照射することによって発生するデブリは、エネルギー分布（ガウシアン分布）の接線方向に沿うように飛散するが、スポットが円形のレーザー光線L2は加工方向Ｘにおけるエネルギー分布（ガウシアン分布）も鋭い鋭角度であるため、上方に向けて飛散するので既に加工したレーザー加工溝に堆積することになる。このようにレーザー加工溝に堆積したデブリは、次にレーザー加工溝に沿ってレーザー光線を照射する際の妨げとなる。
【００２７】
図１１の(b)はスポットが楕円形のレーザー光線LBｄが被加工物である半導体ウエーハ２に照射された場合における加工方向と垂直な方向からみた加工状況を示す。図１１の(b)に示すようにスポットが楕円形のレーザー光線LBdは、上述したように加工方向X1（スポットの長軸方向）の集光率が小さいので、加工方向X1のエネルギー分布（ガウシアン分布）の変化がなだらかとなる。この結果、レーザー光線を照射することによって発生するデブリは、なだらかに変化するエネルギー分布（ガウシアン分布）の接線方向に沿うように飛散し排出されるので、既に加工したレーザー加工溝に堆積することはない。
【００２８】
次に、本発明によるレーザー加工方法の他の実施形態について、図１2を参照して説明する。
図１２に示す実施形態は、上述した実施形態の図４に示す伝送光学系５５を通して照射されるレーザー光線のスポット形状を変更したものである。即ち、伝送光学系５５において、楕円シェーピング５５２によってスポット（断面形状）が楕円（長軸がD1、短軸がD2）に形成されたレーザー光線LBcを、矩形ハットトップマスク５５３を通過させることにより、短軸D1側がマスキングされたレーザー光線LBeに形成する。このレーザー光線LBeは、長軸側の長さがD1、短軸側の幅がD3となる。なお、図１2に示す実施形態においては、矩形ハットトップマスク５５３を設ける以外は上記図４に示す実施形態と実質的に同一であるため、同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
【００２９】
図１２に示す実施形態は、楕円シェーピング５５２によってスポット（断面形状）が楕円（長軸がD1、短軸がD2）に形成されたレーザー光線LBcを、矩形ハットトップマスク５５３を通過させることにより、短軸D２側がマスキングされたレーザー光線LBd（長軸がD1、短軸がD３）に形成するので、図１３に示すように短軸D３側におけるエネルギー分布が破線で示すガウシアン分布から実線で示す所謂トップハット分布となる。このため、レーザー加工溝の幅方向両側のエネルギー分布が多くなるため、レーザー加工溝の両側をシャープに加工することができ、レーザー加工溝の両側における剥離の発生が防止される。
【００３０】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変更は可能である。図示の実施形態においてはGaAs基板からなるウエーハに本発明を実施した例を示したが、本発明はサファイヤ等の他の基板からなるウエーハにも適用できることはいうまでもない。また、図示の実施形態においてはウエーハの表面側からレーザー加工溝を形成する例を示したが、ウエーハの裏面側から分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの裏面側からレーザー加工溝を形成するようにしてもよい。この場合、上述したアライメント作業時にウエーハの表面に形成された分割予定ラインを裏面側から赤外線カメラによって検出する。また、図示の実施形態においては、伝送光学系５５に楕円シェーピング５５２や矩形ハットトップマスク５５３を配設した例を示したが、これらを集光器５６内に配設してもよい。また、上述した実施形態においてはレーザー光線の出力を一定にして照射する例を示したが、レーザー加工溝の深さに対応して出力を変更してもよい。更に、レーザー加工時に加工域に窒素ガスやアルゴンなどの不活性ガスを供給してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明によるレーザー加工方法によって加工される半導体ウエーハを保護テープを介してフレームに装着した状態を示す斜視図。
【図２】本発明によるレーザー加工方法を実施するレーザー加工装置の要部斜視図。
【図３】図２に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図４】図３に示すレーザー光線照射手段を構成するパルスレーザー発振手段および伝送光学系のブロック図。
【図５】本発明によるレーザー加工方法のレーザー加工溝形成工程の説明図。
【図６】本発明によるレーザー加工方法によってレーザー加工溝が形成された半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図７】スポットが円形のレーザー光線の集光スポットとスポットが楕円形のレーザー光線の集光スポットを示す説明図。
【図８】本発明によるレーザー加工方法においてスポットが楕円形のパルスレーザー光線の互いに隣接するスポットがオーバーラップしている状態を示す説明図。
【図９】本発明によるレーザー加工方法によりレーザー加工溝形成工程を複数回実施することによりレーザー加工溝が形成された半導体ウエーハの要部拡大断面図。
【図１０】スポットが楕円形のパルスレーザー光線における長軸と短軸の比に対する加工溝の深さとの関係を示す図。
【図１１】スポットが円形のレーザー光線とスポットが楕円形のレーザー光線による加工状態を示す説明図。
【図１２】図３に示すレーザー光線照射手段を構成するパルスレーザー発振手段および伝送光学系の他の実施形態を示すブロック図。
【図１３】図１２に示すレーザー光線照射手段によって照射されるレーザー光線のエネルギー分布の説明図。
【符号の説明】
【００３２】
２：半導体ウエーハ
２０：基板
２１：分割予定ライン
２２：デバイス
２１０：レーザー加工溝
３：環状のフレーム
４：保護テープ
５：レーザー加工装置
５１：レーザー加工装置のチャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５４：パルスレーザー光線発振手段
５４１：パルスレーザー光線発振器
４２５：繰り返し周波数設定手段
５５：伝送光学系
５５１：ビームエキスパンド
５５２：楕円シェーピング
５５３：矩形ハットトップマスク
５６：集光器
５６１：偏向ミラー
５６２：対物集光レンズ
５８：撮像手段
【図１】
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【図２】
2006051517.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006051517.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006051517.tif 000011
【図１０】
2006051517.tif 000012
【図１１】
2006051517.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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