(57)【要約】【課題】印刷方法による流動性や粘着性による不具合のない、チャネル長が短い薄膜トランジスタの形成方法を提供する。【解決手段】凹部が少なくともソース・ドレイン電極のパターンを有する凹版転写型１１の凹部に導電材２１を充填し硬化させた後、薄膜トランジスタ用基材を接着剤を介在させた状態で前記凹版転写型に重ね合わせてから、前記薄膜トランジスタ用基材を前記接着剤とともに凹版転写型から分離して、導電材を接着剤を介して薄膜トランジスタ用基材に転写させてソース・ドレイン電極を形成する工程を含むことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹部が少なくともソース・ドレイン電極のパターンを有する凹版転写型の凹部に導電材を充填し硬化させた後、薄膜トランジスタ用基材を接着剤を介在させた状態で前記凹版転写型に重ね合わせてから、前記薄膜トランジスタ用基材を前記接着剤とともに凹版転写型から分離して、導電材を接着剤を介して薄膜トランジスタ用基材に転写させてソース・ドレイン電極を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項２】
前記凹版転写型が、ＵＶ光透過性の転写型用基板に、ＵＶ光透過性と硬化後の前記導電材料に対して剥離性を有する凹版底面材と、遮光性と前記硬化後の導電材料に対して離型性を有する凹版凸部材が積層された構成であり、前記導電材がＵＶ硬化性を有しており、凹版転写型の版面全体に導電材を塗布し乾燥した後、転写型用基板側からＵＶ光を照射することで凹部の導電材を硬化させ、続いて未硬化部分の導電材を現像除去することで導電材を充填することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項３】
前記接着剤が絶縁性を有し、前記薄膜トランジスタ用基材としてゲート電極が形成されたものを用いることを特徴とする請求項１〜２に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタ用基材としてゲート電極とゲート絶縁膜が形成されたものを用いることを特徴とする請求項１〜２に記載の薄膜トランジスタの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年，フレキシブル化，軽量化，低コスト化などの観点から，湿式プロセスによる薄膜トランジスタの研究が盛んであり、有機ＥＬや電子ペーパーなどの駆動回路や電子タグなどへの応用が期待されている。湿式プロセスとしては、オフセット印刷によりレジストインキや遮光性インキを塗布し半導体パターンや回路基板を形成する方法（例えば、特許文献１）、スクリーン印刷やロールコーターにより導電ペーストを印刷し各種電極を形成する方法（例えば、特許文献２）、インクジェットにより金属微粒子溶液を塗布し各種電極を形成する方法（例えば、特許文献３）等が挙げられる。
【０００３】
以下に公知の文献を示す。
【特許文献１】特開平７−２４０５２３号公報
【特許文献２】特開２００４−８００２６号公報
【特許文献３】特開２００４−３１９３３号公
【特許文献４】特開２００１−３５０００９公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
薄膜トランジスタの湿式プロセスにおいては、半導体層として溶媒に可溶な有機半導体が用いられることが多いが、一般に有機半導体はキャリア移動度が小さく、溶媒に可溶なタイプはとりわけ小さい。よって、実用上十分な動作周波数を得るにはソース・ドレイン電極間隔（チャネル長）をできるだけ短くする必要があり、いかにチャネル長を短く形成するかが技術的課題の一つとなっている。
【０００５】
ソース・ドレイン電極の形成方法としては、例えば、金属粉等の導電材が溶剤に分散した電極形成材を印刷する方法が挙げられるが、チャネル長を短くしようとするほど、電極形成材の印刷後の流動によるソース・ドレイン電極の短絡が生じやすくなる。印刷後の流動は電極形成材の高粘度化により抑制されるが、所望のチャネル長がある程度以下となると、チャネル形成と印刷適性を両立することは困難である。例えば、インクジェットにおいてはインクジェット可能なインク粘度範囲ではこれに対応できない。また、スクリーン印刷においても、ペーストを高粘度化すると印刷後のレベリング不足が生じやすくなり、レベリング不足によりスクリーンメッシュの格子状パターンが印刷後に残存してしまう問題が生じる。本発明はこれらの問題点を鑑みてなされたものであり、チャネル長が短い薄膜トランジスタの形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題を考慮してなされたもので、請求項１の発明は、凹部が少なくともソース・ドレイン電極のパターンを有する凹版転写型の凹部に導電材を充填し硬化させた後、薄膜トランジスタ用基材を接着剤を介在させた状態で前記凹版転写型に重ね合わせてから、前記薄膜トランジスタ用基材を前記接着剤とともに凹版転写型から分離して、導電材を接着剤を介して薄膜トランジスタ用基材に転写させてソース・ドレイン電極を形成する
工程を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの形成方法である。
【０００７】
請求項２の発明は、前記凹版転写型が、ＵＶ光透過性の転写型用基板に、ＵＶ光透過性と硬化後の前記導電材料に対して剥離性を有する凹版底面材と、遮光性と前記硬化後の導電材料に対して離型性を有する凹版凸部材が積層された構成であり、前記導電材がＵＶ硬化性を有しており、凹版転写型の版面全体に導電材を塗布し乾燥した後、転写型用基板側からＵＶ光を照射することで凹部の導電材を硬化させ、続いて未硬化部分の導電材を現像除去することで導電材を充填することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの形成方法である。
【０００８】
請求項３の発明は、前記接着剤が絶縁性を有し、前記薄膜トランジスタ用基材としてゲート電極が形成されたものを用いることを特徴とする請求項１〜２に記載の薄膜トランジスタの形成方法である。
【０００９】
請求項４の発明は、前記薄膜トランジスタ用基材としてゲート電極とゲート絶縁膜が形成されたものを用いることを特徴とする請求項１〜２に記載の薄膜トランジスタの形成方法である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の薄膜トランジスタの形成方法は、凹部がソース・ドレイン電極のパターンを有する凹版転写型の凹部に導電材を充填し硬化させた後、硬化した導電材を薄膜トランジスタ用基材に転写する工程を含むので、従来の印刷法による流動性と高粘度化による不具合が解消され、よりチャネル長を短くソース・ドレイン電極を形成することができる。また、導電材の充填および硬化を、該凹版転写型の版面全体に塗布した導電材の露光現像により行うことで、導電材が精度良く充填され、より高精度でソース・ドレイン電極を形成することができる。また、該薄膜トランジスタ用基材として、ゲート電極あるいはゲート電極とゲート絶縁膜が予め形成された薄膜トランジスタ用基材を用いることで、ボトムゲート型薄膜トランジスタも形成することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明は、凹部が少なくともソース・ドレイン電極のパターンを有する凹版転写型の凹部に導電材を充填し硬化させた後、薄膜トランジスタ用基材を接着剤を介在させた状態で前記凹版転写型に重ね合わせてから、前記薄膜トランジスタ用基材を前記接着剤とともに凹版転写型から分離して、導電材を接着剤を介して薄膜トランジスタ用基材に転写させてソース・ドレイン電極を形成する方法である。
【００１２】
本発明では凹版転写型への導電材の充填方法として２種類提示している。
【００１３】
第一の充填方法を図１に示す。図１は、本発明の薄膜トランジスタの形成方法の一例を、断面で示した部分説明図である。凹版転写型１１を用意し（図１（ａ））、その版面に導電材２１を塗布し（ｂ）、ドクターで掻きとることで導電材を充填する（ｃ）。続いて凹部に充填された導電材を硬化することで導電材が充填硬化された凹版転写型３１が得られる（ｄ）。
【００１４】
凹版転写型１１はフォトリソグラフィーとエッチングを組み合わせるなどの通常用いられる方法で少なくともソース・ドレイン電極の形状を含むパターンを形成したものである。凹版転写型１１の材質としては、特に限定されるものではなく、例えば、ステンレス鋼、燐青銅、ガラスなどの材料が用いられる。また、必要に応じ、硬化後の導電材に対する離型性を付与するため、凹版転写型１１の表面に離型層が設けられる。
【００１５】
導電材２１は、硬化性を有するものであれば特に限定されるものではなく、Nｉ、Ａｌ、Ｃu、Ａｇ、Ａｕ、カーボン等の微粉体、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等のナノ粒子、有機Ａｇ化合物等の導電材を含有する各種熱硬化性あるいは光硬化性導電性ペースト等の公知の材料を用いることができる。
【００１６】
第二の充填方法を図２に示す。図２は、本発明の薄膜トランジスタの形成方法の他の例を、断面で示した部分説明図である。凹版転写型１２を用意し（図２（ａ））、その版面全体に、ＵＶ硬化性導電材２１を塗布し乾燥する（ｂ）。その後版面と反対の面からＵＶ光を照射（裏面露光）し、凹部の導電材を硬化させた後（ｃ）、未硬化部を現像除去する（ｄ）ことで導電材２２が充填硬化された凹版転写型３２が得られる。裏面露光においてUV硬化性導電材が硬化する深さは裏面露光量により変化する。すなわち、裏面露光量によりUV硬化性導電材が硬化する深さを制御することが可能である。前記第一の充填方法は、凹部の導電材も一部はドクターにより掻きとられてしまうため充填物に膜厚分布が生じやすい。これに対し、この第二の充填方法は充填物の厚み精度が優れており、また、導電材の凹部以外における残存が少ないため、ソース・ドレイン電極をより精度良く形成することが可能である。
【００１７】
凹版転写型１２は、ＵＶ光透過性の転写型用基板１２１に、ＵＶ光透過性と硬化後の導電材料２２に対して剥離性を有する凹版底面材１２２と、遮光性と前記硬化後の導電材料２２に対して離型性を有する凹版凸部材１２３が積層された構成である。転写型用基板１２１はＵＶ光透過性を有するものであれば特に限定されるものはなく、例えば、ガラス基板が用いられる。凹版底面材１２２は、転写型用基板１２１の全面に形成され、ＵＶ光透過性および硬化後の導電材料に対して剥離性を有するものが用いられる。例えば、各種公知の光重合性アクリルモノマー（例えば、特許文献４の合成例１に開示されている感光性樹脂）と重合開始剤を適当な溶剤に溶かした組成物が用いられ、該組成物を転写型用基板１２１に均一塗布し乾燥した後、ＵＶ硬化することで形成可能である。凹版凸部材１２３は凹版底面材１２２上にパターン形成され、遮光性および硬化後の導電材料に対して離型性を有するものである。例えば、各種公知のカラーフィルタ用ブラックマトリクス用黒色感光性樹脂組成物（例えば、特許文献４の実施例１に記載されているもの）が用いられ、該組成物を凹版底面材１２２上に均一塗布し乾燥した後、パターン露光し現像することで形成可能である。凹版底面材１２２および凹版凸部材の塗布方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スピンコートやダイコートが挙げられる。
【００１８】
導電材２２はＵＶ硬化性を有するものであれば特に限定されるものではなく、Nｉ、Ａｌ、Ｃu、Ａｇ、Ａｕ、カーボン等の微粉体、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等のナノ粒子、有機Ａｇ化合物等の導電材を含有するＵＶ硬化性導電性ペースト等の公知の材料を用いることができる。
【００１９】
凹版転写型１１および１２の凹部パターンはソース・ドレイン電極の形状以外に配線パターンを含んでいても良いことがあり（配線抵抗が問題とならない場合）、この場合はソース・ドレイン電極と配線を同工程で形成することが可能である。また、本発明はソース・ドレイン電極の形成方法に関するものであるが、本発明において凹部パターンをゲート電極の形状とすることで、薄膜トラランジスタ用基材に予めゲート電極を形成する方法として、型を用い転写しても良い。すなわち全ての電極形成に転写方法を利用しても良い。
【００２０】
次に、凹版転写型の凹部に前記の如く充填硬化した導電材を、薄膜トランジスタ用基材へ転写することでソース・ドレイン電極を形成する。図３は、本発明の薄膜トランジスタの形成方法にかかる転写の例を、断面で示した部分説明図である。
【００２１】
すなわち、図３に示すように、導電材２２が充填硬化された凹版転写型３１または３２
（なお、以下の説明において、特にことわりの無い限り、凹版転写型３１は前記の一例またはその他の例の凹版転写型３１、３２とする。）と薄膜トランジスタ用基材４１を接着剤５を介した状態で重ね合わせ（図３（ａ））、接着材を硬化させた後、薄膜トランジスタ用基材を接着剤とともに凹版転写型から分離し、導電材を接着剤を介して薄膜トランジスタ用基材に転写させることでソース・ドレイン電極６が形成される（ｂ）。
【００２２】
接着剤５は、無溶剤熱硬化タイプが用いられるが、後述の薄膜トランジスタ用基材の種類よっては、無溶剤ＵＶ硬化タイプを用いることも可能である。熱硬化タイプの接着材としては、例えば各種エポキシ系接着剤、UV硬化タイプの接着剤としては、例えば各種アクリル系接着剤が挙げられ、硬化後の導電材に対する十分な接着性を有するものが適宜選択して用いられる。
【００２３】
接着材５を凹版転写型３１と薄膜トランジスタ用基材４１に介在させる方法は、特に限定されるものではないが、例えば、凹版転写型の上に薄膜トランジスタ用基材を若干傾斜させて一端側を接触させるように位置させ、その接触している側で凹版転写型と薄膜トランジスタ用基材との間に接着剤を供給し、この状態で接触している側からプレスローラなどの圧着手段に通すことで、凹版転写型と薄膜トランジスタ用基材との間に接着材を展開することができる。
【００２４】
この状態で、接着剤５を硬化させ、凹版転写型３１の凹部にて硬化済みの導電剤を接着剤と強固に接着させた後、凹版転写型と薄膜トランジスタ用基材４１を分離することで、凹部にて硬化済みの導電剤が接着剤を介して薄膜トランジスタ用基材に転写され、薄膜トランジスタ基材はソース・ドレイン電極６を有したものとなる。
【００２５】
薄膜トランジスタ用基材４１は特に限定されるものではないが、各種ガラス基板をはじめ適当な機械的剛性をもつ公知のプラスチックフィルムもしくはシートより耐熱性や可撓性などの観点から適宜選択して用いることができる。具体的には、ソーダライムガラス、石英、シリコンウエハーや、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート、ポリアリルレートなどを使用することができる。これらのうちＵＶ透過性を有する基材であれば、前記接着剤５としてＵＶ硬化性のものを用いることが可能であり、凹版転写型３１と薄膜トランジスタ用基材４１を重ね合わせた状態で、薄膜トランジスタ基材４１側からＵＶ光を照射することで接着剤を硬化することができる。
【００２６】
このように得られたソース・ドレイン電極６が形成された薄膜トランジスタ用基材４１に、半導体層９１、ゲート絶縁膜７１およびゲート電極８１を順次形成することで、図４に示すトップゲート型薄膜トランジスタが形成される。
【００２７】
薄膜トランジスタ用基材４１は、予め薄膜トランジスタ用基材４１にゲート電極８２が形成されたもの（薄膜トランジスタ用基材４２、（図５（ａ））、あるいは、予め薄膜トランジスタ用基材４１にゲート電極８３とゲート絶縁膜７３が形成されたもの（薄膜トランジスタ用基材４３、（図５（ｂ）））としてもよい。これらの薄膜トランジスタ用基材４２（図５（ａ））ないし４３（図５（ｂ））を用い、ソース・ドレイン電極６を転写し半導体層９２、９３を形成することで、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すボトムゲート型の薄膜トランジスタも形成することができる。
【００２８】
薄膜トランジスタ用基材４２を用いる場合は、接着剤５をゲート絶縁膜として機能させるため、ゲート絶縁膜を設ける工程が不要となる長所があるが、接着剤としてゲート絶縁膜に必要な絶縁性を有するものを用い、凹版転写型３１と薄膜トランジスタ用基材４２の
ギャップを制御する必要が生じる点が短所となる。一方、薄膜トランジスタ用基材４３を用いる場合は、ゲート絶縁膜７３を設ける工程は必要ではあるが、凹版転写型とのギャップについては薄膜トランジスタ用基材４３との密着性を確保すればよく、薄膜トランジスタ用基材４２において必要となるギャップの制御よりは容易である。
【００２９】
薄膜トランジスタ用基材４２ないし４３を用いる場合は、薄膜トランジスタ用基材４１と凹版転写型３１がＵＶ透過性を有し、かつソース・ドレイン電極とゲート電極の重なりが無い場合、前記接着剤５としてＵＶ硬化性のものを用いること可能であり、薄膜トランジスタ基材４１側と凹版転写型３１側の両側からＵＶ光を照射することで接着剤５を硬化することができる。
【００３０】
ゲート絶縁膜７１および７３は公知の材料を用いて形成することができる。具体的には、ＳｉＯ2、ＢａxＳｒ(1-x)ＴｉＯ3、ＢａＴｉxＺｒ(1-x)Ｏ3等の無機系材料や、ポリエステル／メラミン樹脂ペースト、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリスチレン、シアノエチルプルランなどの有機系材料を用いることができる。絶縁層の形成には、例えば、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、インクジェット、真空蒸着、ＣＶＤ等の公知の方法が用いられる。
【００３１】
ゲート電極８１〜８３は、例えば導電性インクをスクリーン印刷した後、必要に応じ熱処理することや、銅箔を貼った銅貼り基板のパターニングにより形成できるが、勿論、真空蒸着、スパッタ、ＣＶＤなどの気相法やその他の塗布法などで形成してもよい。ゲート電極８１〜８３の導電材料としてはNｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの金属材料、あるいはNｉ、Ａｌ、Ｃu、Ａｇ、Ａｕ、カーボン等の微粉体、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ等のナノ粒子、有機Ａｇ化合物等の導電材を含有する各種導電性ペーストないし導電性インク等の公知の材料を用いることができる。
【００３２】
半導体層９１〜９３は、各種公知の材料で形成可能である。例えは、ペンタセン、ポリチオフェン、ポリアリルアミン、フルオレンビオチオフェン共重合体などの有機系材料、カーボンナノチューブやフラーレンなどの炭素化合物材料、セレン化カドミウム粒子などの無機系の材料が挙げられる。さらに半導体層としては、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＺｎＧａＯ系、ＩｎＺｎＯ系、ＺｎＯ、ＳｎＯ2等の酸化物半導体が使用可能である。半導体層９１〜９３は、各種公知の方法で形成可能である。例えば、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、インクジェット、真空蒸着などから半導体材料に応じ適宜選択して用いられる。
【実施例】
【００３３】
＜実施例1＞
（凹版転写型作製と凹部への導電材の充填）
まず、前記図1に示した凹版転写型を作製し凹部へ導電材を充填した。
【００３４】
厚さ０．５ｍｍ、大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍのインバー合金の板を基板として、フォトリソグラフィーとエッチング法でチャネル長１０μｍのソース・ドレイン電極のパターンを形成し、凹部深さが２μｍの凹版転写型を得た。次に、前記凹版転写型に熱硬化性の銀ペースト（住友電工社製）を全面塗布しドクターリングした後、乾燥および熱硬化させ、導電材が凹部に充填された凹版転写型を得た。
（導電材の薄膜トランジスタ基材への転写）
薄膜トランジスタ用基材として厚さ０．７ｍｍ、大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス基材を用いた。前記で作製した導電材が充填された凹版転写型にＵＶ硬化型無溶剤タイプの接着材を塗布し、該薄膜トランジスタ用基材を重ねた後、ラミネータ
を通すことで、凹版転写型と薄膜トランジスタ基材との間に接着剤を展開した。続いて、薄膜トランジスタ用基材側からＵＶ照射し接着剤を硬化させた後、凹版転写型と薄膜トランジスタ用基材を引き剥がすことで、ソース・ドレイン電極が接着材を介して設けられた薄膜トランジスタ基材を得た。
（薄膜トランジスタの形成）
前記ソース・ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタ基材に、半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極を順次設け薄膜トランジスタを形成した。
・半導体層の形成
前記ソース・ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタ基材に、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）溶液をスピンコートした後乾燥させ半導体層を形成した。
・ ゲート絶縁膜の形成
ポリビニルフェノールをシクロヘキサノンに溶解した絶縁層形成溶液を、前記半導体層上にスピンコートした後熱硬化させ、膜厚１μｍのゲート絶縁膜を形成した。
・ゲート電極の形成
前記ゲート絶縁膜上にＡｇをマスク蒸着しゲート電極を形成した
最後に、ソース・ドレイン電極上にビアを形成しトップゲート型薄膜トランジスタを完成させた。ドレイン電圧Ｖとドレイン電流Ｉの相関（Ｖ−Ｉ特性）のゲート電圧依存性を評価した結果、ＦＥＴ特性が確認された。
＜実施例２＞
（凹版転写型作製と凹部への導電材の充填）
まず、前記図２に示した凹版転写型を作製し凹部へ導電材を充填した。
【００３５】
厚さ０．７ｍｍ、大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス基板を転写型用基板とした。特許文献４の合成例１に開示されている感光性樹脂とペンタエリスリトールトリアクリレートと適当な光重合開始剤からなる下記組成物を該ガラス基板にスピンコートし乾燥した後ＵＶ硬化し、厚さ２μｍの凹版底面材を形成した。
【００３６】
（凹版転写型用組成物）
感光性樹脂：１００重量部、ペンタエリスリトールトリアクリレート：４重量部
光重合開始剤：５重量部、ＰＧＭＡｃ：９００重量部。
【００３７】
次に、特許文献４の実施例１に記載の方法で調製した黒色のＵＶ感光性材料を、凹版底面材を形成したガラス基材にスピンコートし乾燥させた後、チャネル長１０μｍのソース・ドレイン電極のパターンを露光した。続いて、所定の条件で現像した後ベークすることで遮光性凹版凸部材を形成し、凹部深さが２μｍの凹版転写型を得た。
【００３８】
次に、前記凹版転写型にＵＶ硬化性の銀ペースト（東洋インキ社製）を全面塗布し乾燥させた後、凹版転写型の転写型用基材側からＵＶ照射し、凹部の銀ペーストを硬化させた。続いて、所定条件で現像した後ベークし、導電材が凹部に充填された凹版転写型を得た。
【００３９】
（導電材の薄膜トランジスタ基材への転写）
薄膜トランジスタ用基材として厚さ０．７ｍｍ、大きさが１００ｍｍ×１００ｍｍのソーダライムガラス基材を用いた。前記で作製した導電材が充填された凹版転写型にＵＶ硬化型無溶剤タイプの接着材を塗布し、該薄膜トランジスタ用基材を重ねた後、ラミネータを通すことで、凹版転写型と薄膜トランジスタ基材との間に接着剤を展開した。続いて、薄膜トランジスタ用基材側からＵＶ照射し接着剤を硬化させた後、凹版転写型と薄膜トランジスタ用基材を引き剥がすことで、ソース・ドレイン電極が接着材を介して設けられた薄膜トランジスタ基材を得た。
【００４０】
（薄膜トランジスタの形成）
前記ソース・ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタ基材に、半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極を順次設け薄膜トランジスタを形成した。
・半導体層の形成
前記ソース・ドレイン電極が形成された薄膜トランジスタ基材に、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）溶液をスピンコートした後乾燥させ半導体層を形成した。
・ゲート絶縁膜の形成
ポリビニルフェノールをシクロヘキサノンに溶解した絶縁層形成溶液を、前記半導体層上にスピンコートした後熱硬化させ、膜厚１μｍのゲート絶縁膜を形成した。
・ゲート電極の形成
前記ゲート絶縁膜上にＡｇをマスク蒸着しゲート電極を形成した。
【００４１】
最後に、ソース・ドレイン電極上にビアを形成しトップゲート型薄膜トランジスタを完成させた。ドレイン電圧Ｖとドレイン電流Ｉの相関（Ｖ−Ｉ特性）のゲート電圧依存性を評価した結果、ＦＥＴ特性が確認された。
【００４２】
＜比較例１＞
銀ペーストを用いスクリーン印刷によりチャネル長１０μｍのソース・ドレイン電極のガラス基材への形成を試みたところ、ペーストの流動によりチャネルを形成することができなかった。これに対し、より高粘度な銀ペーストを用いたところ、チャネル部は形成できたがペーストのレベリング不足が生じパターンが連続な電極は形成できなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の薄膜トランジスタの形成方法の一例を、断面で示した部分説明図である。
【図２】本発明の薄膜トランジスタの形成方法の他の例を、断面で示した部分説明図である。
【図３】本発明の薄膜トランジスタの形成方法に係る転写の方法を、断面で示した部分説明図である。
【図４】本発明により形成されたトップゲート型薄膜トランジスタの例を断面で示した説明図である。
【図５】本発明の薄膜トランジスタの形成方法に係る薄膜トランジスタ基材の例を、断面で示した部分説明図である。
【図６】本発明により形成された薄膜トランジスタのその他の例を断面で示した説明図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１・・・凹版転写型
１２・・・凹版転写型
１２１・・転写型用基板
１２２・・凹版底面材
１２３・・凹版凸部材
２１・・・ＵＶ硬化性導電材
２２・・・ＵＶ硬化した導電材
３１・・・導電材が充填硬化された凹版転写型
３２・・・導電材が充填硬化された凹版転写型
４１・・・薄膜トランジスタ用基材
４２・・・ゲート電極が形成された薄膜トランジスタ用基材
４３・・・ゲート電極とゲート絶縁膜が形成された薄膜トランジスタ用基材
５・・・・接着剤
６・・・・ソース・ドレイン電極
７１・・・ゲート絶縁膜
７３・・・ゲート絶縁膜
８１・・・ゲート電極
８２・・・ゲート電極
８３・・・ゲート電極
９１・・・半導体層
９２・・・半導体層
９３・・・半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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