(57)【要約】      （修正有）【課題】駆動トランジスタのしきい電圧に偏差があってもこれを補償して均一な表示を得るとともに、高精細化を実現する。【解決手段】各画素は、発光素子ＬＤと、キャパシタＣｓｔと、キャパシタの一端に接続され発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタＱｄと、走査信号によって駆動トランジスタの制御端子と出力端子とを電気的に接続するとともに、キャパシタの他端をデータ線に接続する第１スイッチング部Ｑｓ１、Ｑｓ２と、走査信号によって基準電圧をキャパシタの他端に供給するとともに、駆動トランジスタを発光素子に接続する第２スイッチング部Ｑｓ３、Ｑｓ４とを有する。第１スイッチング部Ｑｓ１、Ｑｓ２を動作させてプリチャージ電圧及びデータ電圧を順にデータ線に供給し、その後、第２スイッチング部Ｑｓ３、Ｑｓ４を動作させて基準電圧をキャパシタに供給する。【選択図】図２
2006221172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータ線と、
前記データ線に接続され、トランスミッションゲート信号によってプリチャージ電圧及びデータ電圧を前記データ線に供給する複数のトランスミッションゲートと、
前記データ線に接続された複数の画素とを有し、
前記各画素は、
発光素子と、
キャパシタと、
前記キャパシタの一端に接続された制御端子、入力端子及び出力端子を有し、前記発光素子が発光するように前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、
走査信号によって前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを電気的に接続するとともに、前記キャパシタの他端を前記データ線に接続する第１スイッチング部と、
前記走査信号によって基準電圧を前記キャパシタの前記他端に供給するとともに、前記駆動トランジスタを前記発光素子に接続する第２スイッチング部とを有し、
前記第１スイッチング部を動作させて前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順に前記データ線に供給し、その後、前記第２スイッチング部を動作させて前記基準電圧を前記キャパシタに供給することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１スイッチング部は、
前記走査信号によって前記キャパシタの前記他端を前記データ線に接続する第１スイッチングトランジスタと、
前記走査信号によって前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを接続する第２スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２スイッチング部は、
前記走査信号によって前記キャパシタの前記他端を前記基準電圧に接続する第３スイッチングトランジスタと、
前記走査信号によって前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子とを接続する第４スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記走査信号には、
前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオンさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオフさせる低電圧と、
前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオフさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオンさせる高電圧とが供給されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記駆動トランジスタの前記入力端子は駆動電圧に接続されており、前記キャパシタに保持される充電電圧は前記駆動電圧から前記駆動トランジスタのしきい電圧の絶対値及び前記データ電圧を引いた電圧であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項７】
前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１乃至第４スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは多結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１及び第２スイッチングトランジスタと前記駆動トランジスタはｐ型薄膜トランジスタであり、前記第３及び第４スイッチングトランジスタはｎ型薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記発光素子は有機発光層を有することを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項１１】
複数のデータ駆動線と、
前記データ駆動線に接続され、前記データ駆動線に前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を供給するデータ駆動部とをさらに有し、
前記複数のデータ駆動線の各々は前記複数のトランスミッションゲートにそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記データ駆動部は前記データ駆動線の各々に前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順次供給することを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記トランスミッションゲートに前記トランスミッションゲート信号を伝達する第１乃至第３トランスミッションゲート信号線と、
前記第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に前記トランスミッションゲート信号を供給するトランスミッションゲート駆動部とをさらに有し、
前記トランスミッションゲートは、第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に各々接続されている第１乃至第３トランスミッションゲート集合を含み、前記トランスミッションゲート駆動部は、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を同時に導通させた後、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を順次に導通させることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が同時に導通した後、前記第１スイッチング部が導通することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が順次に導通した後、前記第２スイッチング部が導通することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１６】
プリチャージ電圧及びデータ電圧を供給するトランスミッションゲートと、
キャパシタと、
発光素子と、
駆動電圧に接続されている入力端子、前記キャパシタの一端に接続されている制御端子、及び出力端子を有する駆動トランジスタと、
走査信号に応答して動作し、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタの他端との間に接続されている第１スイッチング素子と、
前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子との間に接続されている第２スイッチング素子と、
前記走査信号に応答して動作し、基準電圧とキャパシタの他端との間に接続されている第３スイッチング素子と、
前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子との間に接続されている第４スイッチング素子と、
を有し、
それぞれが時間区間であり、順次定義される第１乃至第３区間のうち、
前記第１区間で前記プリチャージ電圧が前記キャパシタの前記他端に印加され、
前記第２区間で前記データ電圧が前記キャパシタの前記他端に印加され、
前記第３区間で前記基準電圧が前記キャパシタの前記他端に印加されることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
前記第１及び第２区間で前記トランスミッションゲートと前記第１及び第２スイッチング素子がターンオンされ、
前記第３区間で前記第３及び第４スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１区間で前記トランスミッションゲートがターンオンされた後、前記第１及び第２スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記トランスミッションゲートがターンオフされた後、前記第３及び第４スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項２０】
トランスミッションゲートと、キャパシタと、発光素子と、前記キャパシタに接続されている制御端子、駆動電圧に接続されている第１端子及び第２端子を有する駆動トランジスタとを備えた表示装置の駆動方法であって、
前記トランスミッションゲートにプリチャージ電圧及びデータ電圧を順次に印加し、
前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとを接続し、
前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第２端子とを接続し、
前記キャパシタに基準電圧を供給し、
前記駆動トランジスタの前記第２端子と前記発光素子とを接続する
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項２１】
前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であり、前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする請求項２０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記トランスミッションゲートに前記プリチャージ電圧を印加した後、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとを接続することを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２３】
前記基準電圧の供給は前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとの接続を切り離し、前記発光素子の接続は前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第２端子の接続を切り離すことを特徴とする請求項２２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項２４】
電流を流すことにより発光する発光素子と、
この発光素子にドレイン端子が、駆動電圧にソース端子が接続され、制御端子を有する駆動トランジスタと、
キャパシタと、
前記キャパシタに前記駆動トランジスタのしきい値電圧及び輝度信号に依存した電圧をいったん蓄積し、その後所定の電圧を前記キャパシタに印加することにより、前記制御端子に前記駆動トランジスタのしきい値電圧に依存した信号を供給する回路とを有することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、アクティブマトリックス型フラットパネルディスプレイ（能動型平板表示装置）では、複数の画素が行列状に配列され、与えられた輝度情報によって各画素の光強度を制御することにより映像を表示する。このうち、有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて映像を表示する表示装置であって、自発光型であり、消費電力が小さく、視野角が広くて画素の応答速度が速いため、高画質の動映像を表示することが容易である。
【０００３】
有機発光表示装置は、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）と、これを駆動する薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）とを備える。この薄膜トランジスタは活性層（ａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒ）の種類によって、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ  ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタや、非晶質シリコン（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｓｉｌｉｃｏｎ）薄膜トランジスタなどに区分される。
【０００４】
非晶質シリコンは、低い温度で薄膜を形成することが可能であり、主に低い融点を有するガラスを基板として使用する表示装置のスイッチング素子の半導体層に多く使用されている。しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタは、低い電子移動度などによって表示素子の大面積化に難しさがある。また、非晶質シリコン薄膜トランジスタは、有機発光素子に持続的に電流を供給することによって、しきい電圧Ｖｔｈが遷移されて劣化し得る。これは有機発光表示装置の寿命を短縮させる大きな要因になる。
【０００５】
一方で、高い電子移動度を有し、高周波数における特性が良く、漏洩電流が低い多結晶シリコン薄膜トランジスタの利用が期待されている。特に低温多結晶シリコン（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｓｉｌｉｃｏｎ、ＬＴＰＳ）バックプレーン（ｂａｃｋｐｌａｎｅ）を利用すれば、寿命問題の相当部分が解決される。しかし、レーザー結晶化によるレーザーショットの跡は有機発光素子に電流を供給する駆動トランジスタのしきい電圧に偏差をもたらし、そのため画面均一度が低下する。
【０００６】
従って、しきい電圧の偏差を補償して均一な画面を実現するために、現在まで多くの画素回路が提案された。しかし、大部分の画素回路は、薄膜トランジスタ、キャパシタ及び配線を多数有するため、有機発光表示装置の高精細化が困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明が目的とする技術的課題は、しきい電圧の偏差を補償しながらも高精細化を達成できる有機発光表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような技術的課題を達成するための本発明の一実施形態においては、複数のデータ線と、前記データ線に接続され、トランスミッションゲート信号によってプリチャージ電圧及びデータ電圧を前記データ線に供給する複数のトランスミッションゲートと、前記データ線に接続された複数の画素とを有し、前記各画素は、発光素子と、キャパシタと、前記キャパシタの一端に接続された制御端子、入力端子及び出力端子を有し、前記発光素子が発光するように前記発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、走査信号によって前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを電気的に接続するとともに、前記キャパシタの他端を前記データ線に接続する第１スイッチング部と、前記走査信号によって基準電圧を前記キャパシタの前記他端に供給するとともに、前記駆動トランジスタを前記発光素子に接続する第２スイッチング部とを有し、前記第１スイッチング部を動作させて前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順に前記データ線に供給し、その後、前記第２スイッチング部を動作させて前記基準電圧を前記キャパシタに供給することを特徴とする表示装置を提供する。
【０００９】
さらに、前記第１スイッチング部は、前記走査信号によって前記キャパシタの前記他端を前記データ線に接続する第１スイッチングトランジスタと、前記走査信号によって前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子とを接続する第２スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする。
【００１０】
さらに、前記第２スイッチング部は、前記走査信号によって前記キャパシタの前記他端を前記基準電圧に接続する第３スイッチングトランジスタと、前記走査信号によって前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子とを接続する第４スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする。
【００１１】
さらに、前記走査信号には、前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオンさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオフさせる低電圧と、前記第１及び第２スイッチングトランジスタをターンオフさせ、前記第３及び第４スイッチングトランジスタをターンオンさせる高電圧とが供給されることを特徴とする。
【００１２】
さらに、前記駆動トランジスタの前記入力端子は駆動電圧に接続されており、前記キャパシタに保持される充電電圧は前記駆動電圧から前記駆動トランジスタのしきい電圧の絶対値及び前記データ電圧を引いた電圧であることを特徴とする。
【００１３】
さらに、前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であることを特徴とする。
【００１４】
さらに、前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする。
【００１５】
さらに、前記第１乃至第４スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタは多結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする。
【００１６】
さらに、前記第１及び第２スイッチングトランジスタと前記駆動トランジスタはｐ型薄膜トランジスタであり、前記第３及び第４スイッチングトランジスタはｎ型薄膜トランジスタであることを特徴とする。
【００１７】
さらに、前記発光素子は有機発光層を有することを特徴とする。
【００１８】
さらに、複数のデータ駆動線と、前記データ駆動線に接続され、前記データ駆動線に前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を供給するデータ駆動部とをさらに有し、前記複数のデータ駆動線の各々は前記複数のトランスミッションゲートにそれぞれ接続されていることを特徴とする。
【００１９】
さらに、前記データ駆動部は前記データ駆動線の各々に前記プリチャージ電圧及び前記データ電圧を順次供給することを特徴とする。
【００２０】
さらに、前記トランスミッションゲートに前記トランスミッションゲート信号を伝達する第１乃至第３トランスミッションゲート信号線と、前記第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に前記トランスミッションゲート信号を供給するトランスミッションゲート駆動部とをさらに有し、前記トランスミッションゲートは、第１乃至第３トランスミッションゲート信号線に各々接続されている第１乃至第３トランスミッションゲート集合を含み、前記トランスミッションゲート駆動部は、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を同時に導通させた後、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合を順次に導通させることを特徴とする。
【００２１】
さらに、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が同時に導通した後、前記第１スイッチング部が導通することを特徴とする。
【００２２】
さらに、前記第１乃至第３トランスミッションゲート集合が順次に導通した後、前記第２スイッチング部が導通することを特徴とする。
【００２３】
本発明の他の実施形態においては、プリチャージ電圧及びデータ電圧を供給するトランスミッションゲートと、キャパシタと、発光素子と、駆動電圧に接続されている入力端子、前記キャパシタの一端に接続されている制御端子、及び出力端子を有する駆動トランジスタと、走査信号に応答して動作し、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタの他端との間に接続されている第１スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記出力端子との間に接続されている第２スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、基準電圧とキャパシタの他端との間に接続されている第３スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの前記出力端子と前記発光素子との間に接続されている第４スイッチング素子と、を有し、それぞれが時間区間であり、順次定義される第１乃至第３区間のうち、前記第１区間で前記プリチャージ電圧が前記キャパシタの前記他端に印加され、前記第２区間で前記データ電圧が前記キャパシタの前記他端に印加され、前記第３区間で前記基準電圧が前記キャパシタの前記他端に印加されることを特徴とする表示装置が提供される。
【００２４】
さらに、前記第１及び第２区間で前記トランスミッションゲートと前記第１及び第２スイッチング素子がターンオンされ、前記第３区間で前記第３及び第４スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする。
【００２５】
さらに、前記第１区間で前記トランスミッションゲートがターンオンされた後、前記第１及び第２スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする。
【００２６】
さらに、前記トランスミッションゲートがターンオフされた後、前記第３及び第４スイッチング素子がターンオンされることを特徴とする。
【００２７】
本発明の他の実施形態においては、トランスミッションゲートと、キャパシタと、発光素子と、前記キャパシタに接続されている制御端子、駆動電圧に接続されている第１端子及び第２端子を有する駆動トランジスタとを備えた表示装置の駆動方法であって、前記トランスミッションゲートにプリチャージ電圧及びデータ電圧を順次に印加し、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとを接続し、前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第２端子とを接続し、前記キャパシタに基準電圧を供給し、前記駆動トランジスタの前記第２端子と前記発光素子とを接続することを特徴とする表示装置の駆動方法が提供される。
【００２８】
さらに、前記プリチャージ電圧は前記データ電圧の最大値以上の値であり、前記基準電圧は前記データ電圧の最小値以下の値であることを特徴とする。
【００２９】
さらに、前記トランスミッションゲートに前記プリチャージ電圧を印加した後、前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとを接続することを特徴とする。
【００３０】
さらに、前記基準電圧の供給は前記トランスミッションゲートと前記キャパシタとの接続を切り離し、前記発光素子の接続は前記駆動トランジスタの前記制御端子と前記第２端子の接続を切り離すことを特徴とする。
【００３１】
本発明の他の実施形態においては、電流を流すことにより発光する発光素子と、この発光素子にドレイン端子が、駆動電圧にソース端子が接続され、制御端子を有する駆動トランジスタと、キャパシタと、前記キャパシタに前記駆動トランジスタのしきい値電圧及び輝度信号に依存した電圧をいったん蓄積し、その後所定の電圧を前記キャパシタに印加することにより、前記制御端子に前記駆動トランジスタのしきい値電圧に依存した信号を供給する回路とを有することを特徴とする表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、４つのスイッチングトランジスタ、一つの駆動トランジスタ、有機発光素子及びキャパシタを備えて、このキャパシタにデータ電圧と駆動トランジスタのしきい電圧に依存する電圧を保存することにより、駆動トランジスタのしきい電圧に偏差があってもこれを補償して均一な映像を表示することができる。
【００３３】
また、３ＴＧ駆動方式を適用することにより、データ線の数よりデータ駆動線の数が少なくなり、データ駆動部との接触のためのパッド部の面積が減少するので、表示装置を高精細化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。
【００３５】
図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一の図面符号を付した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上に」ある場合、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。また、ある部分が他の部分と接続されているとする時、これは他の部分と「直接」接続されている場合だけでなく、他の部分を「介して」接続されている場合も含む。
【００３６】
次に、本発明の実施形態による表示装置及びその駆動方法について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００３７】
まず、図１乃至図６を参照して、本発明の一実施形態による有機発光表示装置について説明する。
【００３８】
図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。図３は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図であり、図４は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。
【００３９】
図１に示したように、本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、表示板３００、これに接続された走査駆動部４００、データ駆動部５００、及びＴＧ駆動部（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｇａｔｅ  ｄｒｉｖｅｒ）７００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を有する。
【００４０】
表示板３００は、等価回路的には、複数の信号線Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ、Ｓ１−Ｓｋ、ＬＲ、ＬＧ、ＬＢ、信号線Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍに接続されていて、ほぼ行列状に配列された複数の画素、及び信号線  Ｄ１−Ｄｍ、ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに接続されているトランスミッションゲート部３１０を有する。
【００４１】
信号線Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ、Ｓ１−Ｓｋ、ＬＲ、ＬＧ、ＬＢは、走査信号を伝達する複数の走査信号線Ｇ１−Ｇｎ、データ信号を伝達する複数のデータ線Ｄ１−Ｄｍとデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋ、及びトランスミッションゲート信号を伝達するトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢを有する。走査信号線Ｇ１−Ｇｎ及びトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢは、ほぼ行方向に延在し、互いにほぼ平行に配置されている。データ線Ｄ１−Ｄｍ及びデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋは、ほぼ列方向に延在し、互いにほぼ平行に配置されている。データ線Ｄ１−Ｄｍは、トランスミッションゲート部３１０を通じてデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋに接続されており、３つの線毎に一つに縛られてデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋに接続される。ここで、ｍ＝３×ｋである。
【００４２】
トランスミッションゲート部３１０は、複数組のトランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢ集合を含む。トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢの制御端子は各々トランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに接続されており、出力端子はデータ線Ｄ１−Ｄｍに接続されており、各トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢの入力端子は互いに接続されてデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋに接続されている。トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢは、ＴＧ駆動部７００からのトランスミッションゲート信号によって順次に導通して、データ駆動部５００からのデータ電圧をデータ線Ｄ１−Ｄｍ  に伝達する。
【００４３】
図２に示したように、各画素は、有機発光素子ＯＬＥＤ、駆動トランジスタＱＤ、キャパシタＣＳＴ及び４つのスイッチングトランジスタＱＳ１−ＱＳ４を有する。
【００４４】
駆動トランジスタＱＤは、ゲート端子ｎｇ、ドレイン端子ｎｄ及びソース端子ｎｓを有し、各々はキャパシタＣＳＴ、スイッチングトランジスタＱＳ４及び駆動電圧ＶＤＤに接続されている。キャパシタＣＳＴは、駆動トランジスタＱＤとスイッチングトランジスタＱＳ１、ＱＳ３の間に接続されており、有機発光素子ＯＬＥＤのアノードとカソードは、各々スイッチングトランジスタＱＳ４と共通電圧ＶＳＳに接続されている。
【００４５】
有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動トランジスタＱＤが供給する電流ＩＬＤの大きさによって強さを異にして発光することにより映像を表示し、この電流ＩＬＤの大きさは、駆動トランジスタＱＤのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間の電圧Ｖｇｓの大きさに依存する。
【００４６】
スイッチングトランジスタＱＳ１−ＱＳ４は走査信号に応答して動作する。
【００４７】
スイッチングトランジスタＱＳ１は、データ電圧ＶｄａｔａとキャパシタＣＳＴの間に接続されており、スイッチングトランジスタＱＳ２は、駆動トランジスタＱＤのゲート端子ｎｇとドレイン端子ｎｄの間に接続されている。スイッチングトランジスタＱＳ３は、基準電圧ＶｒｅｆとキャパシタＣＳＴの間に接続されており、スイッチングトランジスタＱＳ４は、駆動トランジスタＱＤのドレイン端子ｎｄと有機発光素子ＯＬＥＤの間に接続されている。
【００４８】
スイッチング及び駆動トランジスタＱＳ１、ＱＳ２、ＱＤは多結晶シリコンからなるｐ型薄膜トランジスタからなり、スイッチングトランジスタＱＳ３、ＱＳ４は多結晶シリコンからなるｎ型薄膜トランジスタからなる。しかし、これらは非晶質シリコンからなる薄膜トランジスタにて形成することもができ、チャネル型を変えてもよい。
【００４９】
以下、このような有機発光表示装置のスイッチングトランジスタＱＳ４と有機発光素子ＯＬＥＤの構造について説明する。
【００５０】
図３に示したように、透明な絶縁基板１１０上に酸化ケイ素（ＳｉＯ２）または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる遮断膜１１１が形成されている。遮断膜１１１は多層構造を有することができる。
【００５１】
遮断膜１１１上には多結晶シリコンなどからなる半導体１５１が形成されている。
【００５２】
半導体１５１は、導電性不純物を含有する不純物領域（ｅｘｔｒｉｎｓｉｃ  ｒｅｇｉｏｎ）と、導電性不純物をほとんど含有しない真性領域（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ  ｒｅｇｉｏｎ）を含み、不純物領域は、不純物濃度が高い高濃度領域（ｈｅａｖｉｌｙ  ｄｏｐｅｄ  ｒｅｇｉｏｎ）と、不純物濃度が低い低濃度領域（ｌｉｇｈｔｌｙ  ｄｏｐｅｄ  ｒｅｇｉｏｎ）を含む。
【００５３】
真性領域はチャネル領域１５４を含む。高濃度不純物領域はチャネル領域１５４を中心に互いに分離されているソース領域１５３及びドレイン領域１５５を含む。低濃度不純物領域１５２は、ソース及びドレイン領域１５３、１５５とチャネル領域１５４の間に位置し、その幅が他の領域より狭い。
【００５４】
ここで、導電性不純物としては、ホウ素（Ｂ）、ガリウム（Ｇａ）などのｐ型不純物と、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）などのｎ型不純物がある。低濃度不純物領域１５２は、薄膜トランジスタの漏洩電流やパンチスルー（ｐｕｎｃｈ  ｔｈｒｏｕｇｈ）現象が発生することを防止する。低濃度不純物領域１５２は、不純物が入っていないオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）領域で代替することができ、ｐ型の場合省略することができる。
【００５５】
半導体１５１上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる数十ｎｍ厚さのゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００５６】
ゲート絶縁膜１４０上には、半導体１５１のチャネル領域１５４と重畳するゲート電極１２４が形成されている。ゲート電極１２４は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などからなることができる。しかし、ゲート電極１２４は物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多層膜構造を有してもよい。
【００５７】
ゲート電極１２４の側面は、上部の薄膜がスムースに接続されるように、基板１１０の表面に対して傾斜している。
【００５８】
ゲート電極１２４及びゲート絶縁膜１４０上には、有機物質、プラズマ化学気相成長（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）によって形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質、または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０を構成する物質は、平坦化特性または感光性を有してもよい。
【００５９】
層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０には、ソース及びドレイン領域１５３、１５５を各々露出するコンタクトホール（接触孔）１６３、１６５が形成されている。
【００６０】
層間絶縁膜１６０上には、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５が形成されている。
【００６１】
ソース電極１７３とドレイン電極１７５は互いに分離されていて、ゲート電極１２４を基準に両側に位置する。ソース電極１７３はコンタクトホール１６３を通じてソース領域１５３と接続されており、ドレイン電極１７５はコンタクトホール１６５を通じてドレイン領域１５５と接続されている。
【００６２】
ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、半導体１５１と共にスイッチングトランジスタＱＳ４を構成する。
【００６３】
ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル、チタニウムなどの耐火性金属またはこれらの合金からなることが好ましい。しかし、これらもまたゲート電極１２４のように抵抗が低い導電膜と接触特性が良い導電膜を含む多層膜構造を有してもよい。
【００６４】
ソース電極１７３及びドレイン電極１７５の側面も基板１１０面に対して傾斜したほうが望ましい。
【００６５】
ソース電極１７３、ドレイン電極１７５及び層間絶縁膜１６０上には、層間絶縁膜１６０と同一物質からなる層間絶縁膜１８０が形成されている。層間絶縁膜１８０には、ドレイン電極１７５を露出するコンタクトホール１８５が形成されている。
【００６６】
層間絶縁膜１８０上には、コンタクトホール１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されている画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）など透明な導電物質やアルミニウムまたは銀合金等の反射性に優れた物質で形成してもよい。
【００６７】
層間絶縁膜１８０上部には、有機絶縁物質または無機絶縁物質からなって、有機発光セルを分離させるための隔壁３６０が形成されている。隔壁３６０は画素電極１９０周縁を囲んで有機発光層７０が満たされる領域を限定している。
【００６８】
隔壁３６０で囲まれた画素電極１９０上の領域には有機発光層７０が形成されている。
【００６９】
有機発光層７０は、図４に示したように、発光層（ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＭＬ）以外に、電子と正孔の均衡を良くして発光効率を向上させるために、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒ  ｔｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）を含む多層構造からなり、また、別途の電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）と正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）を含むことができる。
【００７０】
隔壁３６０及び有機発光層７０上にはバッファー層３８０が形成されている。バッファー層３８０は必要に応じて省略することができる。
【００７１】
バッファー層３８０上には共通電圧ＶＳＳが印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなっている。もし、画素電極１９０が透明な場合には、共通電極２７０はカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを含む金属から構成されてもよい。
【００７２】
不透明な画素電極１９０と透明な共通電極２７０は、表示板３００の上部方向に映像を表示する前面発光（ｔｏｐ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９０と不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下方向に映像を表示する背面発光（ｂｏｔｔｏｍ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の有機発光表示装置に適用する。
【００７３】
画素電極１９０、有機発光層７０及び共通電極２７０は、図２に示した有機発光素子ＯＬＥＤをなし、画素電極１９０はアノード、共通電極２７０はカソード、または、画素電極１９０はカソード、共通電極２７０はアノードとなる。有機発光素子ＯＬＥＤは発光層ＥＭＬを形成する有機物質によって三原色、例えば、赤色、緑色、青色のうちの一つを固有に表示して、これら三原色の空間的合計によって所望の色相を表示する。ここで、赤色、緑色、青色を各々表示する有機発光素子ＯＬＥＤを含む画素をＲ、Ｇ、Ｂ画素と言い、これらは各々データ線Ｄ１、Ｄ４、．．．、Ｄｍ−２、データ線Ｄ２、Ｄ５、．．．、Ｄｍ−１及びデータ線Ｄ３、Ｄ６、．．．、Ｄｍに接続されている。
【００７４】
一方、共通電極２７０の伝導性を補完するために、抵抗が低い金属からなる補助電極（図示せず）を共通電極２７０とバッファー層３８０の間、または共通電極２７０上に形成してもよい。
【００７５】
再び図１を参照すれば、走査駆動部４００は、表示板３００の走査信号線Ｇ１−Ｇｎに接続され、高電圧Ｖｈと低電圧Ｖｌの組み合わせからなる走査信号Ｖｇ１−Ｖｇｎを走査信号線Ｇ１−Ｇｎに各々印加し、複数の集積回路から構成してもよい。高電圧Ｖｈは、スイッチングトランジスタＱＳ１、ＱＳ２をターンオフさせるが、スイッチングトランジスタＱＳ３、ＱＳ４をターンオンさせ、低電圧Ｖｌは、スイッチングトランジスタＱＳ１、ＱＳ２をターンオンさせるが、スイッチングトランジスタＱＳ３、ＱＳ４をターンオフさせる。
【００７６】
ＴＧ駆動部７００は、表示板３００のトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに接続され、トランスミッションゲート部３１０のトランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを各々導通または遮断するトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢをトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに各々印加する。トランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢは、トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを導通させる高電圧Ｖｈと、遮断する低電圧Ｖｌの組み合わせからなる。
【００７７】
データ駆動部５００は、表示板３００のデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋに接続され、映像信号を示すデータ電圧Ｖｄａｔａをトランスミッションゲート部３１０に印加し、複数の集積回路からなることができる。このとき、データ線Ｄ１−Ｄｍの数よりデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋの数が少ないので、データ駆動部５００との接触のためのパッド部（図示せず）の面積が減少して表示板３００を高精細化することができる。
【００７８】
信号制御部６００は、走査駆動部４００、データ駆動部５００及びＴＧ駆動部７００などの動作を制御する。
【００７９】
走査駆動部４００またはデータ駆動部５００は、複数の駆動集積回路チップの形態で表示板３００上に搭載され、フレキシブルプリント基板（可撓性印刷回路膜（図示せず））上に搭載されて、ＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）の形態で表示板３００に結合されてもよい。これらとは異なって、走査駆動部４００またはデータ駆動部５００は表示板３００に集積してもよい。ＴＧ駆動部７００は表示板３００に集積されることが好ましい。一方、データ駆動部５００と信号制御部６００などは、一つの（ワンチップ（ｏｎｅ−ｃｈｉｐ））ＩＣ内に集積されて実現されてもよい。このとき、走査駆動部４００及びＴＧ駆動部７００は、このようなＩＣ内に集積されてもよい。
【００８０】
次に、このような有機発光表示装置の表示動作について、図５乃至図６Ｂを図１と共に参照して詳細に説明する。
【００８１】
図５は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例であり、図６Ａ及び図６Ｂは各々充電区間と発光区間における一つの画素に対する等価回路図である。
【００８２】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどの供給を受ける。信号制御部６００は、入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを表示板３００の動作条件に合うように適切に処理し、走査制御信号ＣＯＮＴ１、データ制御信号ＣＯＮＴ２及びトランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３などを生成した後、走査制御信号ＣＯＮＴ１を走査駆動部４００に送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴはデータ駆動部５００に送出し、トランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３はＴＧ駆動部７００に送出する。
【００８３】
走査制御信号ＣＯＮＴ１は、走査信号Ｖｇ１−Ｖｇｎの走査開始を指示する垂直同期開始信号ＳＴＶと、高電圧Ｖｈ及び低電圧Ｖｌの出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。
【００８４】
データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨと、データ駆動線Ｓ１−Ｓｋに該当データ電圧の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ及びデータクロック信号ＨＣＬＫなどを含む。
【００８５】
トランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３は、垂直同期開始信号ＳＴＶと、高電圧Ｖｈ及び低電圧Ｖｌの出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。
【００８６】
まず、データ駆動部５００は、信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によって一つの行、例えば、ｉ番目行の画素に対する映像データＤＡＴを順次に受信してシフトさせ、プリチャージ電圧Ｖｍａｘ及び各映像データＤＡＴに対応するＲ、Ｇ、Ｂデータ電圧Ｖｄａｔａを各データ駆動線Ｓ１−Ｓｋに順次に印加する。
【００８７】
プリチャージ電圧Ｖｍａｘが印加されることによって、充電区間ＴＣまたは１水平周期（または“１Ｈ”）［水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、データイネーブル信号ＤＥの一周期］区間が始まる。充電区間ＴＣは順次に続いた第１乃至第４充電区間Ｔ１−Ｔ４に分け、データ駆動部５００は第１充電区間Ｔ１でプリチャージ電圧Ｖｍａｘを印加し、第２乃至第４充電区間Ｔ２−Ｔ４で各々該当Ｒ、Ｇ、Ｂデータ電圧Ｖｄａｔａを印加する。ここで、プリチャージ電圧Ｖｍａｘは、データ電圧Ｖｄａｔａの最大値またはその以上の値となる。
【００８８】
ＴＧ駆動部７００は、第１充電区間Ｔ１が始まってから所定時間Δｔ１が経過すれば、信号制御部６００からのトランスミッションゲート制御信号ＣＯＮＴ３によってトランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに各々印加されるトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢの電圧値を全て高電圧Ｖｈにし、トランスミッションゲート線ＬＲ、ＬＧ、ＬＢに各々接続されたトランスミッションゲート部３１０のトランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを導通させる。そのため全データ線Ｄ１−Ｄｍにはプリチャージ電圧Ｖｍａｘが印加される。
【００８９】
走査駆動部４００は、第１充電区間Ｔ１でトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢが高電圧Ｖｈになった後、所定時間Δｔ２が経過すれば、信号制御部６００からの走査制御信号ＣＯＮＴ１によって走査信号線Ｇｉに印加される走査信号Ｖｇｉの電圧値を低電圧Ｖｌに作って、走査信号線Ｇｉに接続されたスイッチングトランジスタＱＳ１、ＱＳ２をターンオンさせ、スイッチングトランジスタＱＳ３、ＱＳ４をターンオフさせる。走査駆動部４００は、充電区間ＴＣで走査信号Ｖｇｉの電圧値を低電圧Ｖｌに維持する。
【００９０】
このような状態の画素の等価回路が図６Ａに示されている。図６Ａに示したように、プリチャージ電圧Ｖｍａｘがキャパシタに印加される。また、駆動トランジスタＱＤはダイオード接続され、駆動トランジスタＱＤのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間の電圧Ｖｇｓが駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈと同一になる。従って、駆動トランジスタＱＤのゲート端子電圧ＶｎｇとキャパシタＣＳＴに充電される充電電圧ＶＣは、次の通りである。
【００９１】
Ｖｎｇ＝ＶＤＤ−｜Ｖｔｈ｜  ・・・・（数式１）
【００９２】
ＶＣ＝ＶＤＤ−｜Ｖｔｈ｜−Ｖｍａｘ  ・・・・（数式２）
【００９３】
ＴＧ駆動部７００がトランスミッションゲート信号ＶＲ、ＶＧ、ＶＢの電圧値を全て低電圧Ｖｌにし、所定時間Δｔ３が経過した後、データ駆動部５００がＲデータ電圧Ｖｄａｔａを各データ駆動線Ｓ１−Ｓｋに印加することによって、第２充電区間Ｔ２が開始する。再び所定時間Δｔ１が経過すれば、ＴＧ駆動部７００はトランスミッションゲート信号ＶＲの電圧値を高電圧Ｖｈにし、データ駆動線Ｓ１−Ｓｋに印加されているＲデータ電圧Ｖｄａｔａが該当データ線Ｄ１、Ｄ４、．．．、Ｄｍ−２に印加されるようにする。走査信号Ｖｇｉはこの区間Ｔ２でも低電圧Ｖｌを維持し続けるので、スイッチングトランジスタＱＳ１、ＱＳ２はオンの状態を維持し、スイッチングトランジスタＱＳ３、ＱＳ４はオフの状態を維持する。
【００９４】
このような状態のＲ画素は、図６Ａに示した画素と同一の等価回路を有する。Ｒデータ電圧ＶｄａｔａがキャパシタＣＳＴに印加されると、Ｒデータ電圧Ｖｄａｔａがプリチャージ電圧Ｖｍａｘより小さいので、ゲート端子電圧Ｖｎｇは［数式１］における電圧値より小さい値に変化する。しかし、そのため駆動トランジスタＱＤがターンオンされて、駆動トランジスタＱＤのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間には駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈがかかるようになり、結局、ゲート端子電圧Ｖｎｇは［数式１］における電圧値を再び有するようになる。この時、キャパシタＣＳＴは、次のような電圧ＶＣで再充電される。これから、キャパシタＣＳＴがデータ電圧Ｖｄａｔａと駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈに依存する電圧を保存することが分かる。
【００９５】
ＶＣ＝ＶＤＤ−｜Ｖｔｈ｜−Ｖｄａｔａ・・・・（数式３）
【００９６】
ＴＧ駆動部７００は、トランスミッションゲート信号ＶＲの電圧値を低電圧ＶｌにしてトランスミッションゲートＴＧＲを遮断する。そうすると、キャパシタＣＳＴはフローティング状態になり、この充電電圧ＶＣは次のフレームの充電区間ＴＣが開始するまで維持される。
【００９７】
データ駆動部５００及びＴＧ駆動部７００は、第２充電区間Ｔ２と同様に第３及び第４充電区間Ｔ３、Ｔ４で一つの行のＧ、Ｂ画素に対して同一の動作を行う。そうすると、Ｇ、Ｂ画素のゲート端子電圧Ｖｎｇと充電電圧ＶＣも［数式１］と［数式３］に該当する電圧値となる。
【００９８】
このように、充電区間ＴＧで一つの画素行の全データ電圧Ｖｄａｔａが該当画素に充電されれば、走査駆動部４００は走査信号Ｖｇｉの電圧値を高電圧Ｖｈにして、走査信号線Ｇｉに接続されたスイッチングトランジスタＱＳ１、ＱＳ２をターンオフさせ、スイッチングトランジスタＱＳ３、ＱＳ４をターンオンさせる。
【００９９】
これによって、発光区間ＴＥが開始し、このような状態の画素の等価回路を図６Ｂに示す。
【０１００】
図６Ｂに示したように、発光区間ＴＥでは基準電圧ＶｒｅｆがキャパシタＣＳＴに印加され、有機発光素子ＯＬＥＤが駆動トランジスタＱＤに接続される。
【０１０１】
フローティング状態にあったキャパシタＣＳＴに基準電圧Ｖｒｅｆが印加され、駆動トランジスタＱＤのゲート端子ｎｇには電流の流れが実質的にないので、ゲート端子電圧Ｖｎｇは次のように変化し、発光区間ＴＥでこの電圧が維持される。
【０１０２】
Ｖｎｇ  ＝ＶＣ＋Ｖｒｅｆ
＝ＶＤＤ−｜Ｖｔｈ｜−Ｖｄａｔａ＋Ｖｒｅｆ・・・・（数式４）
【０１０３】
駆動トランジスタＱＤは、駆動トランジスタＱＤのゲート端子ｎｇとソース端子ｎｓの間の電圧Ｖｇｓによって制御される出力電流ＩＬＤをドレイン端子ｎｄを通じて有機発光素子ＯＬＥＤに供給する。これにより、有機発光素子ＯＬＥＤは出力電流ＩＬＤの大きさによって強さを異にして発光することで、該当映像を表示する。出力電流ＩＬＤは次の通りである。
【０１０４】
ＩＬＤ  ＝０．５×ｋ×（｜Ｖｇｓ｜−｜Ｖｔｈ｜）２
＝０．５×ｋ×（ＶＤＤ−Ｖｎｇ−｜Ｖｔｈ｜）２
＝０．５×ｋ×［ＶＤＤ−（ＶＤＤ−｜Ｖｔｈ｜−Ｖｄａｔａ＋Ｖｒｅｆ）−｜Ｖｔｈ｜］２
＝０．５×ｋ×（Ｖｄａｔａ−Ｖｒｅｆ）２  ・・・・（数式５）
【０１０５】
ここで、ｋは薄膜トランジスタの特性による定数であり、ｋ＝μ・ＣＳｉＮｘ・Ｗ／Ｌであり、μは電界効果移動度、ＣＳｉＮｘは絶縁層の容量、Ｗは薄膜トランジスタのチャネル幅、Ｌは薄膜トランジスタのチャネル長を示す。
【０１０６】
［数式５］によれば、発光区間ＴＥでの出力電流ＩＬＤはデータ電圧Ｖｄａｔａと基準電圧Ｖｒｅｆによってのみ決定される。従って、出力電流ＩＬＤは駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈに影響を受けないので、各駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈに偏差があっても均一な映像を表示することができる。ここで、基準電圧Ｖｒｅｆはデータ電圧Ｖｄａｔａの最小値Ｖｍｉｎ以下に設定する。
【０１０７】
発光区間ＴＥは、次のフレームでｉ番目行の画素に対する充電区間ＴＣが再び開始するまで持続され、（ｉ＋１）番目行の画素に対しても前述した充電区間ＴＣ及び発光区間ＴＥでの動作を同一に繰り返す。この時、（ｉ＋１）番目行の充電区間ＴＣは、ｉ番目行の充電区間ＴＣが終了しながら開始する。このような方式によって、全画素行に対して順次に区間Ｔ１−Ｔ４、ＴＥの制御を行い、全画素に該当映像を表示する。
【０１０８】
各区間Ｔ１−Ｔ４、ＴＥの長さ及び所定時間Δｔ１−Δｔ３は必要に応じて調整することができる。しかし、データ駆動部５００からデータ駆動線Ｓ１−Ｓｋに印加されたプリチャージ電圧Ｖｍａｘ及びデータ電圧Ｖｄａｔａが安定化された後、トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを導通させ、トランスミッションゲートＴＧＲ、ＴＧＧ、ＴＧＢを遮断した後、データ電圧Ｖｄａｔａを変動させることが好ましい。
【０１０９】
次に、本発明の一実施形態による有機発光表示装置における駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈの偏差によるシミュレーション結果について、図７を参照して説明する。
【０１１０】
図７は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号及び駆動トランジスタのしきい電圧によるゲート端子電圧と出力電流を示す波形図である。
【０１１１】
図７に示した波形図は、駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈが−１．５Ｖ、−２．０Ｖ、−２．５Ｖ及び−３．０Ｖである場合のゲート端子電圧Ｖｎｇと出力電流ＩＬＤを示す。シミュレーションはＳＰＩＣＥ（ｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ  ｐｒｏｇｒａｍ  ｗｉｔｈ  ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｅｍｐｈａｓｉｓ）を利用して行った。シミュレーション条件として、高電圧Ｖｈは８Ｖ、低電圧Ｖｌは−５Ｖ、プリチャージ電圧Ｖｍａｘは４Ｖ、データ電圧Ｖｄａｔａは１．５Ｖとした。このような実験条件下で、各場合にゲート端子ｎｇにはほぼ０．５Ｖずつ異なる電圧が印加され、そのため有機発光素子ＯＬＥＤに流れる出力電流ＩＬＤは実質的に一定であることが確認できる。
【０１１２】
このようなシミュレーション結果は、本発明の実施形態による有機発光表示装置によれば、駆動トランジスタＱＤのしきい電圧Ｖｔｈに偏差があってもこれを補償することができるということを示している。
【０１１３】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１４】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。
【図５】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図の一例である。
【図６Ａ】充電区間における一つの画素に対する等価回路図である。
【図６Ｂ】発光区間における一つの画素に対する等価回路図である。
【図７】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の駆動信号及び駆動トランジスタのしきい電圧によるゲート電圧と出力電流を示す波形図である。
【符号の説明】
【０１１５】
７０  有機発光層
１１０  絶縁基板、
１１１  遮断膜
１２４  ゲート電極
１４０  絶縁膜
１５１、１５２−１５５  半導体
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極、
１８０  保護膜
１６３、１６５、１８５  コンタクトホール
１９０  画素電極
２３０  カラーフィルタ、
２７０  共通電極
３００  表示板、
３１０  トランスミッションゲート部
４００  ゲート駆動部
５００  データ駆動部、
６００  信号制御部
７００  ＴＧ駆動部、
１６０、１８０  層間絶縁膜
３６０  隔壁
３８０  バッファー層
【図１】
2006221172.tif 000003
【図２】
2006221172.tif 000004
【図３】
2006221172.tif 000005
【図４】
2006221172.tif 000006
【図５】
2006221172.tif 000007
【図６Ａ】
2006221172.tif 000008
【図６Ｂ】
2006221172.tif 000009
【図７】
2006221172.tif 000010