(57)【要約】【課題】  半導体装置とマザー基板との対向領域内に形成される空きスペースを有効利用することにより、実装密度を高めることが可能な実装基板を提供する。【解決手段】  ランド電極２２が設けられたマザー基板２０と前記ランド電極２２に導通接続される外部接続電極３３ａを有する補助基板３３との間に所定の板厚からなる中継基板４０を介在させて両電極間を導通接続させるとともに前記マザー基板２０と前記補助基板３３とが対向する領域に空きスペース５０を形成する。前記空きスペース５０に、前記マザー基板２０と前記補助基板３３の少なくとも一方に設けられた電子チップ部品２６を配置させるようにすると、前記対向領域である空きスペース５０を有効的に利用することができ、実装密度を高めることが可能となる。【選択図】図３
2006278811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランド電極が設けられたマザー基板と、前記マザー基板に対向して配置されるとともに前記ランド電極に導通接続される外部接続電極を有する補助基板と、前記マザー基板のランド電極と前記補助基板の外部接続電極とを導通接続する中継基板とを有し、
前記外部接続電極が形成された電極形成領域を除く領域で、且つ前記マザー基板と前記補助基板とが対向する空きスペース内に、前記マザー基板と前記補助基板の少なくとも一方に設けられた電子部品が配置されていることを特徴とする実装基板。
【請求項２】
前記中継基板の一方の面に複数の第１の接点が設けられ、他方の面に複数の第２の接点が設けられており、前記第１の接点は前記マザー基板のランド電極に導通接続され、前記第２の接点は前記補助基板の外部接続電極にそれぞれ導通接続されていることを特徴する請求項１記載の実装基板。
【請求項３】
前記複数の第１の接点と前記複数の第２の接点とが、前記中継基板に形成された貫通孔と、この貫通孔内に設けられた導電部を介して導通接続されていることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項４】
前記複数の第１の接点と前記複数の第２の接点とが、前記中継基板の外面に配線された連結線を介して導通接続されていることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項５】
前記中継基板の一方の面と他方の面との間にベース基材が設けられており、このベース基材の板厚寸法を選択することにより、前記空きスペースの高さ寸法が調整可能とされていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項６】
前記第１の接点が弾性接点であり、前記第２の接点が弾性接点又は固定接点であることを特徴とする請求項２ないし４のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項７】
前記弾性接点が、スパイラル接触子であることを特徴とする請求項６記載の実装基板。
【請求項８】
前記補助基板に挿通孔が形成されており、前記貫通孔に前記電子部品が挿入されていることを特徴とする請求項１、２、４または５のいずれか一項に記載の実装基板。
【請求項９】
前記補助基板には、少なくとも１ヶ以上のベアチップが設けられることにより構築された半導体装置であることを特徴とする請求項１又は２記載の実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多数の電子部品が搭載される実装基板に係わり、特にマザー基板と各電子部品との対向領域内に形成される空きスペースを有効的に利用することにより、実装密度を高めることができるようにした実装基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明に関連する先行技術、すなわち積層状態にある一組の基板間に電子部品を設けることにより実装密度を高める技術としては、例えば以下の特許文献１などに記載された先行技術が存在する。
【０００３】
この特許文献１には、背の高い電子部品５と背の低い電子部品１０とが一方のメイン回路基板３と他方の拡張回路基板４にそれぞれ半田付け固定されており、一方の基板に設けられた雄コネクタ１が他方の基板に設けられた雌コネクタ２に差し込まれることにより、多数の電子部品を高密度実装することが可能な実装基板が記載されている。
【特許文献１】特開平７−７２３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来のものでは、対向する二枚の基板間の対向距離は、両基板を導通接続する雄コネクタと雌コネクタとが嵌合したときの長さ寸法（高さ寸法）で一義的に定まるものであること、およびこのようなコネクタの外形寸法は規格化されているために容易に変更することができない等の理由により、前記対向距離を越える高さ寸法を有する電子部品は前記二枚の基板間に配置することができないという問題がある。
【０００５】
あるいは、前記対向距離間に配置される電子部品の高さ寸法が、前記対向距離に比較して、例えば１／２以下等極端に低い場合には、電子部品の頭部と対向する基板との間に形成される隙間余裕が大きくなり過ぎる。このため、薄型の実装基板にし難いという問題がある。
【０００６】
また上記従来の実装基板では、電子部品が基板上に半田付けされているために交換し難く、電子部品のみに不具合が発生していても基板全体を破棄しなければならないという問題がある。
【０００７】
さらにＣＰＵなどの半導体装置は下面に設けられた補助基板をマザー基板上に対向させた状態で固定されるが、ＣＰＵは専有面積が広いため、例えば小型の電子機器（携帯機器など）においてはマザー基板上にその他の電子部品を載置するスペースを確保し難いという問題、すなわち前記半導体装置とマザー基板とが対向する領域が有効的に利用されていないという問題がある。
【０００８】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、二枚の基板を対向配置したときの両基板が対向する領域に形成される空きスペースを有効的に利用できるようにした実装基板を提供することを目的としている。
【０００９】
また本発明は、半導体装置などを組み込んだ後であっても前記半導体装置を容易に交換することが可能な実装基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実装基板は、ランド電極が設けられたマザー基板と、前記マザー基板に対向して配置されるとともに前記ランド電極に導通接続される外部接続電極を有する補助基板と、前記マザー基板のランド電極と前記補助基板の外部接続電極とを導通接続する中継基板とを有し、
前記外部接続電極が形成された電極形成領域を除く領域で、且つ前記マザー基板と前記補助基板とが対向する空きスペース内に、前記マザー基板と前記補助基板の少なくとも一方に設けられた電子部品が配置されていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明ではマザー基板と半導体装置を構成する補助基板とを、所定の厚み寸法を有する中継基板を介して接続し、前記マザー基板と前記補助基板との対向領域に空きスペースを形成するようにしたことから、この空きスペース内に複数の電子部品が配置することができ、前記対向領域を有効利用することが可能となる。このため、マザー基板に搭載可能なチップ部品を含む電子部品の実装密度を高めることができる。
【００１２】
上記において、前記中継基板の一方の面に複数の第１の接点が設けられ、他方の面に複数の第２の接点が設けられており、前記第１の接点は前記マザー基板のランド電極に導通接続され、前記第２の接点は前記補助基板の外部接続電極にそれぞれ導通接続されているものとして構成できる。
【００１３】
この場合は、例えば前記複数の第１の接点と前記複数の第２の接点とが、前記中継基板に形成された貫通孔と、この貫通孔内に設けられた導電部を介して導通接続される構成とすることができる。
【００１４】
または、前記複数の第１の接点と前記複数の第２の接点とが、前記中継基板の外面に配線された連結線を介して導通接続される構成とすることもできる。
【００１５】
上記において、前記中継基板の一方の面と他方の面との間にベース基材が設けられており、このベース基材の板厚寸法を選択することにより、前記空きスペースの高さ寸法が調整可能とされているものが好ましい。
【００１６】
上記手段では、使用目的に適した板厚寸法を有する中継基板を選択することができる。
また前記第１の接点が弾性接点であり、前記第２の接点が弾性接点又は固定接点であることを特徴とする。
【００１７】
前記第１の接点と第２の接点とがともに弾性接点である場合には、中継基板を容易に交換することができるため、中継基板の不具合に対しては迅速に対応することが可能となる。
【００１８】
例えば、前記弾性接点が、スパイラル接触子であるものとして構成することができる。
また、前記補助基板に挿通孔が形成されており、前記貫通孔に前記電子部品が挿入されている構成とすることができる。
【００１９】
上記手段では、高さ寸法の高い電子部品であっても前記空きスペース内に配置することができるようになる。
【００２０】
例えば、前記補助基板には、少なくとも１ヶ以上のベアチップが設けられることにより構築された半導体装置である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の実装基板では、半導体装置の補助基板とマザー基板とが、所定の厚み寸法を有する中継基板を介して接続させることにより、補助基板とマザー基板との間に空きスペースを形成することができる。このため、前記空きスペースに小型の電子部品（電子チップ部品）を複数配置させることが可能となり、実装密度を高めることができる。すなわち、通常は使用されることのない半導体装置とマザー基板との対向領域を有効利用することが可能となる。
また半導体装置や中継基板の交換を容易とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の実装基板を有する電子機器の構造を示す部分斜視図、図２は本発明の実装基板の実施の形態を示す平面図、図３は図１に示す電子機器の部分断面図、図４は中継基板に設けられた弾性接点の一実施形態としてのスパイラル接触子を示す断面図である。
【００２３】
図１は、例えば携帯電話やＰＤＡ等の電子機器１０の一部を構成する筐体内部の構造である。前記筐体１１は、下側筐体１２と、上側筐体１３とを有して構成され、前記下側筐体１２と上側筐体１３は図示しないひんじ部を介して開閉自在に取り付けられている。あるいは前記ひんじ部等が設けられず前記下側筐体１２と上側筐体１３が分離して設けられていてもよい。
【００２４】
図１に示すように、前記下側筐体１２および上側筐体１３はそれぞれ凹形状で形成されている。マザー基板２０は、前記下側筐体１２に形成された凹部１２ａ内に収納されている。図１に示すように、前記マザー基板２０上にはＬＥＤやコンデンサ等の複数のチップ部品（電子部品）２５、および４ヶの中継基板４０，４０，４０，４０などが実装されている。
【００２５】
さらに前記上側筐体２３の天井面２３ａには、例えば少なくとも１ヶ以上のベアチップを有してなるＣＰＵやＭＰＵなどの処理装置３１、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリあるいは抵抗、コンデンサなどのその他の電子部品３２を補助基板３３上に搭載したＭＣＭ（マルチチップモジュール）等の半導体装置３０が保持されている。すなわち、１つの半導体装置３０は、前記補助基板３３上に処理装置３１およびその他の電子部品３２を有することにより構築されている。
【００２６】
図１のように、前記上側筐体１３と前記下側筐体１２とを開いた状態にて、前記上側筐体１３の天井面１３ａに前記半導体装置３０を取り付け、蓋側に相当する前記上側筐体１３を前記下側筐体１２に近づく方向に閉じるとともに、図示しない掛止手段で前記上側筐体１３と前記下側筐体１２との間を掛止すると、前記マザー基板２０上に設けられた各中継基板４０の上面に設けられた上側弾性接点４２に前記補助基板３３の底面に設けられた複数の外部接続電極３３ａが当接し、各上側弾性接点４２と各外部接続電極３３ａとを導通接続する状態に設定することが可能である（図３参照）。
【００２７】
この実施の形態に示す半導体装置３０の中心には、前記補助基板３３を板厚方向に貫通する挿通孔３３Ａが形成されている。したがって、前記処理装置３１およびその他の電子部品３２は、前記挿通孔３３Ａを避けた位置に設けられている。
【００２８】
また、前記半導体装置３０を構成する補助基板３３の底面に形成された複数の外部接続電極３３ａは、例えば略マトリックス状に、すなわち前記挿通孔３３Ａを避けた状態で前記補助基板３３の縦横方向に沿って規則正しく複数の列で配列されている。なお、前記外部接続電極３３ａは、図示するような平面接触子（ＬＧＡ）であってもよいし、あるいは球状接触子（ＢＧＡ）、コーン状接触子（ＣＧＡ）またはピン状接触子（ＰＧＡ）などであってもよい。
【００２９】
図３に示すように、前記上側筐体１３の天井面１３ａには、図示下方向に向けて略Ｌ字状に曲がる保持部１４が前記上側筐体１３と一体に設けられている。前記保持部１４は、下方向（図示Ｚ２方向）に延びる垂直延出部１４ａと、水平方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）に延びる水平延出部１４ｂとを有して構成される。前記水平延出部１４ｂは互いに向かい合う方向（内方向）に向けて延びている。前記水平延出部１４ｂの上面１４ｂ１は、前記補助基板３３を設置するための設置面であり、前記水平延出部１４ｂの上面１４ｂ１と前記天井面１３ａとの間には、所定の間隔Ｈが空いている。前記間隔Ｈは、前記半導体装置３０の厚み寸法（補助基板３３に最も高さ寸法が高い部品（処理装置３１又はその他の電子部品３２など）を加えた厚み寸法）よりも大きな寸法で形成されている。このため、前記半導体装置３０を前記保持部１４内に保持させると、前記半導体装置３０と前記天井面１３ａとの間に隙間ｄが形成されるようになっている。よって、前記半導体装置３０は、前記保持部１４内で前記隙間ｄに相当する高さ寸法だけ図示Ｚ方向に移動することが可能とされている。このため、前記半導体装置３０と前記天井面１３ａとの間に隙間ｄとの間に、例えば薄くスライスしたスペーサ２９を積層するなどして介在させるようにし、常に前記保持部１４を形成する前記水平延出部１４ｂの上面１４ｂ１に前記半導体装置３０を押し付けるようにする構成が好ましい。
【００３０】
なお、前記保持部１４は前記上側筐体１３と別個に設けられていても良い。また前記保持部１４は、前記補助基板３３の四辺の端部をそれぞれ保持できるように設けられていても良いが、前記補助基板３３の二辺あるいは三辺の端部を保持できるように前記保持部１４を設けておいてもよい。この場合、前記半導体装置３０を前記保持部１４が形成されていない側から前記天井面１３ａに沿って移動させることで、前記前記半導体装置３０を前記保持部１４，１４間に容易に保持させることができ、前記半導体装置３０を組み込みや易くすることが可能となる。
【００３１】
図３に示すように前記上側筐体１３の天井面１３ａに保持部１４が設けられ、この保持部１４により前記半導体装置３０の補助基板３３を前記上側筐体２３下へ保持する構造であると、特に前記半導体装置３０を前記上側筐体１３の天井面１３ａに接着剤等によって接着固定しなくてもよく、前記半導体装置３０を交換したいときに容易に前記半導体装置３０を前記上側筐体１３の天井面１３ａから取り外し、新しい前記半導体装置３０に交換することが出来る。
【００３２】
前記下側筐体１２の凹部１２ａ内に収納されたマザー基板２０は、多数のプリント配線板（ＰＷＢ）を重ねることにより構成された積層基板であり、前記マザー基板２０の上面２１には、複数のランド電極２２が露出形成されている。
【００３３】
次に、前記マザー基板２０上に設けられる中継基板４０の一実施形態について図４を用いて説明する。なお、図４に示す中継基板を中継基板４０Ａとする。
【００３４】
図４に示すように、中継基板４０Ａは、ベース基材４１と、前記ベース基材４１の上下に設けられた上側弾性接点（第１の接点）４２と下側接点（第２の接点）４３と、シート部材４４，４４とを有して構成される。
【００３５】
前記ベース基材４１の上側（Ｚ１側）に設けられた上側弾性接点４２は、例えば弾性変形部がスパイラル形状で形成されたスパイラル接触子であり、以下、上側弾性接点４２のことを上側スパイラル接触子４２と呼ぶ。図３に示す前記上側スパイラル接触子４２は、前記補助基板３３の外部接続電極３３ａからの押圧力を受けて弾性変形した収縮状態になっているが、前記スパイラル接触子４２に前記押圧力が作用していないとき、すなわち自然長にあるときの前記上側スパイラル接触子４２は、図４に示すようにベース基材４１の上下表面からＺ１およびＺ２方向方向にそれぞれ突出する形状となっている。
【００３６】
図４に示すように、前記上側スパイラル接触子４２は固定部４２ａと前記固定部４２ａから延出形成された弾性変形部４２ｂとを有して構成されている。前記固定部４２ａを真上からみると例えばリング形状で形成されており、前記固定部４２ａの所定部位から前記固定部４２ａの内方向に向けてスパイラル形状に弾性変形部４２ｂが延出形成されている。同時に前記弾性変形部４２ｂは、立体フォーミングにより上方に向けて突出成形されている。前記固定部４２ａは、前記シート部材４４によって固定保持されている。すなわち、前記シート部材４４には貫通孔４４ａが設けられており、前記固定部４２ａの上面が前記貫通孔４４ａの下面側の縁周部に接着剤で固定されている。前記上側スパイラル接触子４２の弾性変形部４２ｂは前記貫通孔４４ａを通って図示上方向に向けて突出されている。なお、前記シート部材４４は絶縁材料で形成されることが好ましく、例えばポリイミド樹脂で形成される。
【００３７】
前記上側スパイラル接触子４２は、電鋳形成、あるいは箔体表面にメッキ層が形成されて構成されている。一つの例を言えばスパイラル接触子形状の銅箔の周囲に無電解メッキ法にてＮｉやＮｉＰがメッキ形成された構成である。
【００３８】
前記シート部材４４にはこのような上側スパイラル接触子４２が多数固定保持されている。そして、多数の上側スパイラル接触子４２を有する前記シート部材４４が前記ベース基材４１の上側に設けられている。
【００３９】
図４に示すように前記ベース基材４１には前記上側スパイラル接触子４２の弾性変形部４２ｂと膜厚方向にて対向する位置に貫通孔４０ａが形成されている。前記貫通孔４０ａの内周面には導電部４５がスパッタ等で形成されている。前記導電部４５は前記ベース基材４１の上面の一部及び下面の一部にも延出して形成される。図４に示すように、前記ベース基材４１の上面側に、前記上側スパイラル接触子４２が固定保持された前記シート部材４４が図示しない異方性導電接着剤などにより貼り付けられる。このとき前記上側スパイラル接触子４２の固定部４２ａと前記導電部４５との間は前記異方性導電接着剤を介して導通した状態になっている。
【００４０】
この実施の形態では、前記ベース基材４１の下側に設けられた下側接点４３も上側スパイラル接触子４２と同様のスパイラル接触子（以下、「下側スパイラル接触子４３」という）で形成されている。前記下側スパイラル接触子４３のスパイラル形状に形成された弾性変形部４３ｂは図４に示すように下方向に突出するように立体フォーミングされている。前記下側スパイラル接触子４３の固定部４３ａは、前記導電部４５に異方性導電接着剤等を介して導通接続しており、この結果、膜厚方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）にて対向する上側スパイラル接触子４２と前記下側スパイラル接触子４３は前記導通部４５を介して導通した状態になっている。また上側スパイラル接触子４２と前記下側スパイラル接触子４３は前記導通部４５の上下の位置で図示Ｚ方向に弾性変形可能な状態にある。
【００４１】
なお、前記上側弾性接点４２と下側接点４３とは上記のようなスパイラル接触子に限られるものではなく、例えば金属膜の裏面にゴムやエラストマーなどからなる弾性体を張り付けた弾性コンタクト、接点となる先端部が略Ｕ字形状に湾曲形成されるとともに全体が弾性的に変形することが可能なスプリングピン（コンタクトピン）、ストレスドメタル、コンタクトプローブ（特開２００２−３５７６２２参照）、あるいは竹の子バネなどで構成することも可能である。
【００４２】
また前記下側接点４２は上記スパイラル接触子などからなる弾性接点に限られるものではない。例えば凸形状をした固定接点（スタッドバンプ）であり、前記固定接点の先端部と前記ランド電極２２との間が半田付け又は導電性接着剤などで固定されている態様であってもよい。
【００４３】
次に、前記中継基板の他の実施形態について図５，図６を用いて説明する。図５は他の実施形態として示す中継基板を一方向から見たときの斜視図、図６は前記一方向と異なる他方向から見たときの斜視図である。なお、図５，図６に示す中継基板を中継基板４０Ｂとする。
【００４４】
図５，図６に示すように、中継基板４０Ｂは図示Ｙ１およびＹ２の長手方向に向かって直線的に延びるバー形状をしている。中継基板４０Ｂは基台として機能するベース基材４１と、このベース基材４１の表面に貼り付けられたシート部材４４とを有している。
【００４５】
前記ベース基材４１がバー形状で形成されており、幅（Ｘ）方向の一方の側面には円弧状の湾曲面４１Ａを有している。前記ベース基材４１は、例えば絶縁性の硬質基板(ガラスエポキシ)などで形成することが可能である。
【００４６】
前記シート部材４４は、上記同様にポリイミドシートなど絶縁性および可撓性を有する薄手のものが好ましく、前記シート部材４４の表面には規則正しく並ぶ複数の接点が設けられている。図５に示す前記中継基板４０Ｂの一方の面には、Ｙ方向に向かって２列に並ぶ複数の上側弾性接点（第１の接点）４２Ａ，４２Ｂが設けられている。
【００４７】
図５に示すように、上側弾性接点４２Ａは、前記シート部材４４の表面で且つ幅方向（Ｘ方向）の外側（Ｘ１側）に位置する仮想線Ｙａに沿って図示Ｙ方向に所定の間隔Ｌで形成されている。また上側弾性接点４２Ｂは、前記シート部材４４の表面で且つ幅方向（Ｘ方向）の内側（Ｘ２側）に位置する仮想線Ｙｂに沿って図示Ｙ方向に所定の間隔Ｌで形成されている。なお、前記上側弾性接点４２Ａ，４２Ｂが形成されている領域が弾性接点形成領域Ａである。
【００４８】
また図６に示す前記中継基板４０Ｂの他方の面には、Ｙ方向に向かって２列に並ぶ複数の下側接点（第２の接点）４３Ａ，４３Ｂが設けられている。この実施の形態に示す複数の下側接点４３Ａ，４３Ｂは、弾性接点以外の通常の接点（先端が凸状に突出した固定接点（スタッドバンプ））であり、前記シート部材４４上の前記上側弾性接点４２Ａ，４２Ｂが形成されている面と同じ表面上に形成されている。図６に示すように、一方の下側接点４３Ａは、前記シート部材４４の幅方向（Ｘ方向）の外側（Ｘ１側）に位置する仮想線Ｙｃに沿って図示Ｙ方向に前記間隔Ｌで並設されており、他方の下側接点４３Ｂは内側（Ｘ２側）に位置する仮想線Ｙｄに沿って前記間隔Ｌで形成されている。なお、前記下側接点４３Ａ，４３Ｂが形成されている領域が接点形成領域Ｂである。そして、前記弾性接点形成領域Ａと前記接点形成領域Ｂとの間が、略Ｕ字形状に折り返された折り返し領域Ｃである。
【００４９】
前記弾性接点形成領域Ａの外側に位置する上側弾性接点４２Ａと前記接点形成領域Ｂの外側に位置する下側接点４３Ａとは、例えば金、銀または銅などの導電性材料で形成された薄膜状の連結線４６ａで連結されており、同様に前記弾性接点形成領域Ａの内側に位置する上側弾性接点４２Ｂと前記接点形成領域Ｂの内側に位置する下側接点４３Ｂとが薄膜状の連結線４６ｂで連結されている。
【００５０】
前記弾性接点形成領域Ａ、前記接点形成領域Ｂおよび折り返し領域Ｃとからなるシート部材４４は、前記折り返し領域Ｃをベース基材４１の湾曲面４１Ａに沿って折り返すとともに、その裏面側の全面を前記ベース基材４１の外面に接着剤を介して貼り付けることにより形成されている。このため、図５に示すように前記ベース基材４１の一方の面（Ｚ１側の上面）に上側弾性接点４２Ａ，４２Ｂを有する弾性接点形成領域Ａが形成され、図６に示すように前記ベース基材４１の他方の面（Ｚ２側の下面）に下側接点４３Ａ，４３Ｂを有する接点形成領域Ｂが形成されている。
【００５１】
なお、中継基板４０Ｂにおいても、前記上側弾性接点４２Ａ，４２Ｂは、例えば上記中継基板４０Ａと同様の立体フォーミングされたスパイラル接触子を用いることが可能である。ただし、上側弾性接点４２Ａ，４２Ｂはスパイラル接触子に限られるものではなく、上記同様に金属膜の裏面にゴムやエラストマーなどからなる弾性体を張り付けた弾性コンタクト、接点となる先端部が略Ｕ字形状に湾曲形成されるとともに全体が弾性的に変形することが可能なスプリングピン（コンタクトピン）、ストレスドメタル、コンタクトプローブ、あるいは竹の子バネなどを用いることによっても構成することが可能である。
【００５２】
また図５，図６に示す実施の形態のおいては、前記下側接点４３Ａ，４３Ｂが固定接点とした場合として説明したが、下側接点４３Ａ，４３Ｂはこれに限られるものではなく、上記同様の弾性接点（スパイラル接触子等）で構成したものであってもよい。
【００５３】
また上記中継基板４０に関する実施の形態では、上側弾性接点と下側接点の列数が２列の場合について説明したが、本発明はこれに限られるものではなく３列、４列・・・と多数列を有する構成であってもよい。この場合にも各上側弾性接点とこれに対応する下側接点とは貫通孔４０ａの内周面に設けられた導電部４５または連結線４６ａ，４６ｂ等を用いることにより両者の間を導通接続させることが可能である。
【００５４】
前記中継基板４０（４０Ａ，４０Ｂ）では、上側弾性接点と下側接点との間に設けられる前記ベース基材４１は、その板厚寸法を自由に選択することが可能である。このため、使用の目的に合わせて薄手の中継基板４０とすること及び厚手の中継基板４０とすることが可能である。
【００５５】
図３に示す上蓋（上側筐体１３）を閉じた状態では、前記中継基板４０の前記下側スパイラル接触子４３は前記マザー基板２０上のランド電極２２と当接し導通した状態となっている。前記中継基板４０自体は前記マザー基板２０上に接着剤により接着固定されていてもよいが、そのような形態に限定されない。接着剤を用いる場合は、異方性導電ペーストを前記中継基板４０の下面全体に塗布し、前記異方性導電ペーストを介して前記中継基板４０とマザー基板２０とを接着固定するか、あるいは非導電性ペーストや非導電性フィルムを用いて、前記中継基板４０とマザー基板２０とを接着固定することも出来る。前記非導電性ペーストや非導電性フィルムを用いる場合は、前記下側スパイラル接触子４３と前記マザー基板２０のランド電極２２間の良好な導通性を図るべく、前記非導電性ペースト及び非導電性フィルムは、前記下側スパイラル接触子４３及びランド電極２２が形成されていない前記中継基板４０とマザー基板２０間に介在させることが好ましい。
【００５６】
前記中継基板４０とマザー基板２０間を接着固定しない場合は、例えば両面粘着テープ等の粘着材を用い、前記中継基板４０とマザー基板２０間を接合する。かかる場合、前記中継基板４０はマザー基板２０上から着脱可能であり、例えば前記中継基板４０の交換も容易に出来る。両面粘着テープは、ポリ塩化ビニルフィルムの上下面に例えばゴム系エラストマーやアクリル樹脂のような粘着剤を塗布したものである。また特に、前記中継基板４０とマザー基板２０間に前記接着剤や粘着剤等を介在させなくても前記中継基板４０を前記マザー基板２０の所定位置上に正確に保持することも出来る。前記上側筐体１３を前記下側筐体１２に掛止させたとき前記中継基板４０には前記上側筐体１３から前記補助基板３３を介して下方向（図示Ｚ２方向）への押圧力が作用するので、前記押圧力によって前記中継基板４０を前記マザー基板２０の所定位置上に正確に保持することが出来る。また前記マザー基板２０上に位置決め部材を設けておき、前記位置決め部材によって前記中継基板４０を前記マザー基板２０上に設置させるようにすれば、前記中継基板４０を前記マザー基板２０上の所定位置に、より正確に設置させることが可能となる。
【００５７】
図１および図２に示すものでは、４つの中継基板４０が半導体装置３０の補助基板３３の４つの辺に対向する位置に設けられている。このため、前記半導体装置３０とマザー基板２０とが対向する領域で且つ４つの中継基板４０で囲まれた領域には空きスペース５０が形成される。そして、マザー基板２０上の、前記空きスペース５０内には例えば抵抗、コンデンサ、あるいはコイルなどからなる複数の電子チップ部品（電子部品）２６（個別に符号２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄを付して示す）が設けている。
【００５８】
すなわち、本願発明では通常利用させることがない半導体装置３０を構成する補助基板３３とマザー基板２０との対向領域に空きスペース５０を積極的の形成し、前記空きスペース５０の有効的に利用を図ること、つまりより多くの電子チップ部品２６を搭載するようにしたことから、高密度実装が可能なマザー基板２０とすることが可能となる。
【００５９】
また例えば、高さ寸法が高い電子チップ部品２６を前記空きスペース５０に配置する必要がある場合には、ベース基材４１の板厚寸法が厚い中継基板４０を選択するとともに前記スペーサ２９の枚数を減らすようにすると、前記半導体装置３０を上側筐体２３の天井面２３ａに近づく図示上方（Ｚ１方向）に移動させることができ、前記空きスペース５０の対向距離Ｌ１を高さ方向に広げる方向に調整することが可能となる。このため、高さ寸法の高い電子チップ部品２６であっても、前記空きスペース５０に配置することが可能である。
【００６０】
しかし、電子チップ部品２６の高さ寸法ｈが、前記半導体装置３０が最もＺ１方向に移動したときの最大の対向距離Ｌ１よりも大きい場合（ただし、前記上側筐体１３の天井面１３ａとマザー基板２０との間の対向距離Ｌ２以下）には、前記空きスペース５０内に配置することができない。
【００６１】
そこで、高さ寸法ｈが前記最大の対向距離Ｌ１を越えるような場合、すなわち図３に示すような電子チップ部品２６ｃを前記空きスペース５０内に配置する必要がある場合には、前記補助基板３３に形成された挿通孔３３Ａ内に電子チップ部品２６ｃの頭部などを挿通させるようにすると、前記電子チップ部品２６ｃを前記上側筐体１３の天井面１３ａとマザー基板２０との間の対向距離Ｌ２内に配置させることが可能となる。
【００６２】
上記実施の形態では、半導体装置３０を構成する補助基板３３とマザー基板２０との間に、上側弾性接点４２及び下側接点４３を有する中継基板４０を配置するようにしたことから、半導体装置３０さらには中継基板４０自体を自在に交換することができる。このため半導体装置３０のバージョンアップの際や、中継基板４０の不具合の際には、迅速且つ容易に新品の半導体装置３０又は中継基板４０に交換することができる。
【００６３】
しかも、前記補助基板３３とマザー基板２０との間の対向距離Ｌ１に対応する板厚寸法を有する中継基板４０を選択することにより、前記空きスペース５０内に複数の電子チップ部品２６を配置した状態で前記半導体装置３０の外部接続電極３３ａとマザー基板２０のランド電極２２との間の導通接続を確保することができる。
【００６４】
上記実施の形態では、バー形状の中継基板４０を複数（４ヶ）用いた場合について説明したが、前記中継基板４０の形状は前記バー形状に限られるものではない。例えば半導体装置３０の前記補助基板３３に合わせた正方形状のベース基材、あるいは補助基板３３の中央（その他の位置でも可）に開口が形成された口型形状のベース基材、さらにはその他の形状からなるベース基材の表裏両面に、上記同様の上側弾性接点および下側接点が略マトリックス状に配置された構成であってもよい。
【００６５】
また上記実施の形態では、マザー基板上に設けられた電子チップ部品２６が空きスペースに配置されるものとして説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、半導体装置３０の補助基板３３の下面に固定された電子チップ部品２６が前記空きスペースに配置される構成であってもよいし、前記マザー基板２０と補助基板３３の双方に設けられた電子チップ部品２６が前記空きスペースに配置される構成であってもよい。
また本発明における電子機器１０は携帯機器に限るものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実装基板を有する電子機器の構造を示す部分斜視図、
【図２】本発明の実装基板の実施の形態を示す平面図、
【図３】図１に示す電子機器の部分断面図、
【図４】中継基板に設けられた弾性接点の一実施形態としてのスパイラル接触子を示す断面図、
【図５】他の実施形態として示す中継基板を一方向から見たときの斜視図、
【図６】他の実施形態として示す中継基板を前記一方向とは異なる他方向から見たときの斜視図、
【符号の説明】
【００６７】
１０  電子機器
１１  筐体
１２  下側筐体
１３  上側筐体
１３ａ  天井面
１４  保持部
２０  マザー基板
２２  ランド電極
２６  電子チップ部品（電子部品）
２９  スペーサ
３０  半導体装置
３３  補助基板
３３ａ  外部接続電極
３３Ａ  挿通孔
４０，４０Ａ，４０Ｂ  中継基板
４１  ベース基材
４２，４２Ａ，４２Ｂ  上側弾性接点（上側スパイラル接触子；第１の接点）
４２ａ  固定部
４２ｂ，４３ｂ  弾性変形部
４３  下側接点（下側スパイラル接触子；第２の接点）
４３Ａ，４３Ｂ  下側接点（固定接点；第２の接点）
４４ａ  貫通孔
４５  導電部
４６ａ，４６ｂ  連結線
５０  空きスペース
【図１】
2006278811.tif 000003
【図２】
2006278811.tif 000004
【図３】
2006278811.tif 000005
【図４】
2006278811.tif 000006
【図５】
2006278811.tif 000007
【図６】
2006278811.tif 000008