(57)【要約】【課題】  動作電圧が高くなるのを防止するとともに所望のリッジ形状を得ることを可能にする。【解決手段】  基板と、前記基板上に設けられ、それぞれ化合物半導体の第１クラッド層、活性層、及び第２クラッド層の積層構造と、前記第２クラッド層上に開口を有して設けられた化合物半導体の電流狭窄層と、前記電流狭窄層の前記開口を覆うように設けられ前記第２クラッド層と電気的に接続する化合物半導体のリッジ部と、を備え、前記電流狭窄層の少なくとも前記開口に面する端部が前記リッジ部下に入り込んでいる。【選択図】  図１
2006128609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられ、それぞれ化合物半導体の第１クラッド層、活性層、及び第２クラッド層の積層構造と、前記第２クラッド層上に開口を有して設けられた化合物半導体の電流狭窄層と、前記電流狭窄層の前記開口を覆うように設けられ前記第２クラッド層と電気的に接続する化合物半導体のリッジ部と、を備え、
前記電流狭窄層の少なくとも前記開口に面する端部が前記リッジ部下に入り込んでいることを特徴とするリッジ導波型半導体レーザ。
【請求項２】
基板と、前記基板上に設けられた第１クラッド層、活性層、及び第２クラッド層の積層構造と、前記第２クラッド層上に開口を有して設けられた電流狭窄層と、前記電流狭窄層の前記開口を覆うように設けられ前記第２クラッド層と電気的に接続するリッジ部と、前記電流狭窄層上に前記リッジ部と所定の間隔を隔てて設けられたダミーリッジ部とを備え、
前記電流狭窄層の少なくとも前記開口に面する端部が前記リッジ部下に入り込んでいることを特徴とするリッジ導波型半導体レーザ。
【請求項３】
前記開口を有する電流狭窄層は、前記リッジ部下に選択的に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載のリッジ導波型半導体レーザ。
【請求項４】
前記電流狭窄層は、第１電流狭窄膜と、前記第２クラッド層と前記第１電流狭窄膜との間に設けられ前記第１電流狭窄膜よりも抵抗の高い材料からなる第２電流狭窄膜とを備えていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリッジ導波型半導体レーザ。
【請求項５】
基板上に第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を順次形成する工程と、
前記第２クラッド層上にエッチングストップ層を形成する工程と、
前記エッチングストップ層をパターニングして、前記エッチングストップ層に開口を形成する工程と、
前記エッチングストップ層および前記開口を覆うように第３クラッド層を形成する工程と、
前記第３クラッド層上にコンタクト層を形成する工程と、
前記エッチングストップ層の前記開口の直上における前記コンタクト層上にリッジ形成用のマスクを形成し、このマスクを用いて前記コンタクト層および前記第３クラッド層をエッチングし、リッジ部を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするリッジ導波型半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リッジ導波型半導体レーザおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リッジ導波型半導体レーザは、多くの屈折率導波構造にみられる、電流阻止層として機能する半導体埋め込み層を持たないため、埋め込み層での電流リークや逆接合ブレークダウンが生じないという利点、および埋め込み層接合に起因する寄生容量がなく、素子全体の寄生容量を小さくできる利点を有している。
【０００３】
このように、リッジ導波型半導体レーザは優れた長所を持つ反面、リッジ形状の形成に高い制御性が必要である。
【０００４】
リッジ部の形成にＲＩＥ(Reactive Ion Etching)を用いる製造方法が知られている。この製造方法は、まずｎ型のＧａＡｓからなる基板上に、第１クラッド層と、活性層と、第２クラッド層と、エッチングストップ層と、第３クラッド層と、コンタクト層とを順次積層する。なお、エッチングストップ層は第３クラッド層とはエッチング選択比が異なる材料から形成される。続いて、上記コンタクト層上にリッジを形成する際にマスクとなるシリコン酸化膜およびレジストパターンを形成し、ＲＩＥを用いてレジストパターンをシリコン酸化膜に転写しシリコン酸化膜パターンを形成する。レジストパターンを除去した後、シリコン酸化膜パターンをマスクとしてＲＩＥを用いてコンタクト層、第３クラッド層をエッチングする。なお、このＲＩＥによるエッチングはエッチングストップ層が露出する手前で停止する。これにより、第３クラッド層は、リッジ部となるシリコン酸化膜パターン直下の膜厚の厚い部分と、エッチングストップ層上に残置された膜厚の薄い部分に分かれる。次に、ウェットエッチングを用いて、エッチングストップ層上に残置した膜厚の薄い第３クラッド層をエッチングし、エッチングストップ層を露出する。続いて、マスクとしてのシリコン酸化膜パターンおよび露出しているエッチングストップ層を除去することにより、活性層上に形成された第２クラッド層上に、エッチングストップ層と、第３クラッド層と、コンタクト層とからなるリッジ部が形成される。なお、エッチングストップ層は、リッジ部の高さを高精度に制御するために用いられる。
【０００５】
この製造方法によって形成されるリッジ導波型半導体レーザにおいては、リッジ部の底面にエッチングストップ層が形成され、このエッチングストップ層は、第３クラッド層よりも一般的に抵抗が高いため、リッジ導波型半導体レーザの動作電圧が高くなるという問題がある。
【０００６】
また、リッジ部の形成に選択エピタキシャル成長を用いる技術が知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。この技術は、まず基板上に、第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を順次形成する。そして第２クラッド層上に、エピタキシャル成長しにくい例えばシリコン酸化膜などの絶縁膜や保護膜（誘電体膜）を形成し、この膜をパターニングすることによってリッジ部が形成される領域のみに開口を有するマスクを形成する。その後、マスクを用いて、開口部の底の第２クラッド層を選択エピタキシャル成長させることによってリッジ部を形成する。この技術では、抵抗の高いエッチングストップ層を形成する必要は無いものの、選択エピタキシャル成長によってリッジ部を形成する。リッジの成長方向に結晶方位依存性があるために、ＲＩＥを用いたリッジ形成と比較して形状制御性が低く所望のリッジ形状を得ることが困難である。
【特許文献１】特開平８−９７５１０号公報
【特許文献２】特開２０００−２９４８７号公報
【特許文献３】特開２０００−３１２０５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、動作電圧が高くなるのを防止できるとともに所望のリッジ形状を有するリッジ導波型半導体レーザおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によるリッジ導波型半導体レーザは、基板と、前記基板上に設けられ、それぞれ化合物半導体の第１クラッド層、活性層、及び第２クラッド層の積層構造と、前記第２クラッド層上に開口を有して設けられた化合物半導体の電流狭窄層と、前記電流狭窄層の前記開口を覆うように設けられ前記第２クラッド層と電気的に接続する化合物半導体のリッジ部と、を備え、
前記電流狭窄層の少なくとも前記開口に面する端部が前記リッジ部下に入り込んでいることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の第２の態様によるリッジ導波型半導体レーザは、基板と、前記基板上に設けられた第１クラッド層、活性層、及び第２クラッド層の積層構造と、前記第２クラッド層上に開口を有して設けられた電流狭窄層と、前記電流狭窄層の前記開口を覆うように設けられ前記第２クラッド層と電気的に接続するリッジ部と、前記電流狭窄層上に前記リッジ部と所定の間隔を隔てて設けられたダミーリッジ部とを備え、前記電流狭窄層の少なくとも前記開口に面する端部が前記リッジ部下に入り込んでいることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の第３の態様によるリッジ導波型半導体レーザの製造方法は、基板上に第１クラッド層、活性層、第２クラッド層を順次形成する工程と、前記第２クラッド層上にエッチングストップ層を形成する工程と、前記エッチングストップ層をパターニングして、前記エッチングストップ層に開口を形成する工程と、前記エッチングストップ層および前記開口を覆うように第３クラッド層を形成する工程と、前記第３クラッド層上にコンタクト層を形成する工程と、前記エッチングストップ層の前記開口の直上における前記コンタクト層上にリッジ形成用のマスクを形成し、このマスクを用いて前記コンタクト層および前記第３クラッド層をエッチングし、リッジ部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
反発明によれば、動作電圧が高くなるのを防止できるとともに所望のリッジ形状を得ることができるリッジ導波型半導体レーザおよびその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの構成を説明するための断面図である。この実施形態によるリッジ導波型半導体レーザは、例えばｎ型のＧａＡｓからなる基板２上に設けられ、例えばｎ型のＩｎＧａＡｌＰからなる第１クラッド層４、例えばＩｎＧａＡｌＰ系多重量子井戸構造の活性層６、および例えばｐ型のＩｎＧａＡｌＰからなる第２クラッド層８からなるダブルヘテロ接合を有する積層構造と、この積層構造の第２クラッド層８上に設けられ開口１１を有する化合物半導体からなる電流狭窄層１０と、電流狭窄層１０の開口１１を覆うように設けられ電流狭窄層１０の開口１１を介して第２クラッド層８と電気的に接続し、例えばｐ型のＩｎＧａＡｌＰからなる第３クラッド層１２および第３クラッド層１２の上面に設けられたコンタクト層１４が積層されたリッジ部１３とを備えている。本実施形態においては、開口１１側の電流狭窄層１０の端部はリッジ部１３下に入り込んだ構成となっている。
【００１４】
次に、この実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの製造方法を図２（ａ）乃至図３（ｄ）を参照して説明する。図２（ａ）乃至図３（ｄ）は本実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの製造工程断面図である。
【００１５】
まず、ｎ型のＧａＡｓ基板２上に、ｎ型のＩｎＧａＡｌＰからなる第１クラッド層４と、ＩｎＧａＡｌＰ系多重量子井戸構造の活性層６と、ｐ型のＩｎＧａＡｌＰからなる第２クラッド層８と、例えば、ｐ型のＩｎＧａＰからなる層１０を順次、エピタキシャル成長により形成する（図２（ａ）参照）。続いて、ｐ型のＩｎＧａＰからなる層１０をパターニングすることにより開口１１を形成する。（図２（ｂ）参照）。このとき、開口１１の底面には第２クラッド層８が露出している。このように開口１１を設けることにより電流が開口１１を通して集中的に流れることが可能となって、層１０が電流狭窄の働きをし電流狭窄層となる。
【００１６】
次に、ｐ型のＩｎＧａＡｌＰからなる第３クラッド層１２をエピタキシャル成長させ、その後第３クラッド層１２上に例えばｐ型のＧａＡｓからなるコンタクト層１４を形成する（図２（ｃ）参照）。これにより、第３クラッド層１２は開口１１の底面に露出している第２クラッド層８上ばかりでなく電流狭窄層１０上にも形成される。なお、本実施形態においては、従来の選択エピタキシャル成長を利用した技術と異なり、電流狭窄層１０が化合物半導体（本実施形態ではｐ型ＩｎＧａＰ）からなっているので、開口１１の底面上は勿論電流狭窄層１０上でも結晶性の良好な化合物半導体（本実施形態ではｐ型ＩｎＧａＡｌＰ）が成長する。その結果、開口１１の底面から絶縁膜や誘電体膜からなる電流狭窄層の端部上まで化合物半導体層を選択エピタキシャル成長させたときに発生するおそれのある、第３クラッド層における結晶欠陥がここでは問題とはなり難く、リーク電流の発生を可及的に防止することができる。
【００１７】
次に、電流狭窄層１０の開口１１の直上におけるコンタクト層１４上に、シリコン酸化膜パターン１５を形成する。具体的にはコンタクト層１４上にシリコン酸化膜を形成し、このシリコン酸化膜上にフォトレジストからなるレジストパターンを形成した後、ＲＩＥを用いてレジストパターンをシリコン酸化膜に転写してシリコン酸化膜パターン１５を形成したうえで、レジストパターンは除去する（図２（ｄ）参照）。本実施形態においては、シリコン酸化膜パターン１５のサイズは電流狭窄層１０の開口１１のサイズよりも大きくなるように形成されている。
【００１８】
次に、シリコン酸化膜パターン１５をマスクとして、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching)を用いて、コンタクト層１４および第３クラッド層１２をエッチングし、リッジ部１３を形成する（図３（ａ）参照）。ＲＩＥを用いたこのエッチングは、図３（ａ）に示すように、電流狭窄層１０が露出する手前で停止し、電流狭窄層１０上に薄いｐ型のＩｎＧａＡｌＰ層１２を残す。
【００１９】
次に、例えばリン酸を用いたウェットエッチングによって、電流狭窄層１０上に残置した薄いｐ型のＩｎＧａＡｌＰ層１２を除去し、電流狭窄層１０を露出させる（図３（ｂ）参照）。このとき、電流狭窄層１０は、ｐ型のＩｎＧａＰからなっているため、ＩｎＧａＡｌＰ層１２はｐ型のＩｎＧａＰからなる層１０に対してエッチング選択比が高く、電流狭窄層１０はほとんどエッチングされない。すなわち、電流狭窄層１０は、ウェットエッチングの際のエッチングストップ層となる。またこのとき、リッジ部１３の側面は面方位性が異なるため、ほとんどエッチングされず、電流狭窄層１０の開口１１以上の底面積を有するリッジ部１３を最終的に形成することができるが、さらにリッジ部１３の形状制御性を高めるためにウェットエッチングの前にシリコン酸化膜などからなるサイドウオールをリッジ部１３の側面に形成する工程を付加してもよい。なお、電流狭窄層１０はエッチングストップの機能を有し、第３クラッド層１２を高いエッチング選択比でパターニングすることが可能となる材料を用いる。第３クラッド層１２がＩｎＧａＡｌＰからなっている場合は、電流狭窄層１０の材料に上述のｐ型のＩｎＧａＰや、アンドープＩｎＧａＰまたはｎ型のＩｎＧａＰを用いることができる。また、ウェットエッチングにリン酸を用いる場合は、リン酸にほとんどエッチングされないアンドープＧａＡｓやｎ型のＧａＡｓを電流狭窄層１０に用いることもできる。
【００２０】
次に、リッジ部１３、および電流狭窄層１０上を覆うように例えばシリコン酸化膜からなる電流ブロック層１６を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００２１】
次に、電流ブロック層１６を覆うように図示しないポリイミドを全面に形成し、酸素ガスを用いてポリイミドをエッチバックして、コンタクト層１４上の電流ブロック層１６を露出させる。その後、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクト層１４の上面の電流ブロック層１６およびマスクとしてのシリコン酸化膜パターン１５を除去し、コンタクト層１４を露出させる。続いて、コンタクト層１４に接続する上部電極１８と、基板２の第１クラッド層４と反対側の面に接続する下部電極２０とを形成する（図３（ｄ）参照）。その後、上記ポリイミドを除去し、リッジ導波型半導体レーザを完成する。
【００２２】
このように構成された本実施形態のリッジ導波型半導体レーザにおいて、上部電極１８と下部電極２０との間に電流を流すと活性層６から発生された光は図３（ｄ）の紙面に垂直な方向に出力される。
【００２３】
以上説明したように、本実施形態によれば、従来の場合と異なり、リッジ部１３の底面全体にエッチングストップ層が形成されていないため、半導体レーザの動作電圧が高くなるのを防止することができる。
【００２４】
また、リッジ部１３のその大部分がドライエッチングを用いて形成されるため、所望の形状を得ることが可能となる。
【００２５】
また、電流狭窄層１０の開口１１に面している端部がリッジ部１３下に入り込んだ構成となっているので電流をリッジ部１３の中心に集中させることができること、および電流狭窄層１０の端部上でも第３クラッド層１２に結晶欠陥が発生し難くリーク電流の発生を可及的に防止できることにより高出力化が可能となる。
【００２６】
また、本実施形態において、電流狭窄層１０としてｎ型のＩｎＧａＰやｎ型のＧａＡｓを用いた場合は、ｐ型のＩｎＧａＡｌＰからなる第２クラッド層８に対して逆バイアスとなり、より高抵抗となって、リッジ部１３の端部へ流れる電流を更に抑制することができ、さらに高出力化が可能となる。
【００２７】
なお、本実施形態においては、電流狭窄層１０は、リッジ部１３の側部の第２クラッド層８上にも設けられていたが、図４に示すように、エッチングにより電流狭窄層１０を除去することにより、電流狭窄層１０ａがリッジ部１３の側部の第２クラッド層８上に設けられることなく、リッジ部１３下に選択的に設けられるように構成しても、同様に半導体レーザの動作電圧が高くなるのを防止することができるとともに高出力化が可能となる。
【００２８】
また、本実施形態において、リッジ部１３を形成する際に用いられたシリコン酸化膜パターンのサイズを適切に選び、例えば電流狭窄層１０の開口１１と実質的に同じサイズとすることにより、図５に示すように、リッジ部１３の底面積が電流狭窄層１０の開口１１と同等となるようにリッジ部１３を形成して、電流狭窄層１０の開口１１に面する端部がリッジ部１３下に入り込まないようにすることができる。この場合も半導体レーザの動作電圧が高くなるのを防止することができる。
【００２９】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態によるリッジ導波型半導体レーザを図６を参照して説明する。図６は、本実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの構成を示す断面図である。
【００３０】
第１の実施形態においては、電流狭窄層１０としてＩｎＧａＰからなる層を単独で用いていたが、本実施形態によるリッジ導波型半導体レーザにおいては、電流狭窄層として、ＩｎＧａＰからなる層１０と、ＩｎＧａＰよりも高抵抗のＩｎＡｌＰからなる層９との積層膜を用いた構成となっている。なお、ＩｎＡｌＰからなる層９は、ＩｎＧａＰからなる層１０に比べて第３クラッド層１２との高いエッチング選択比が得られ難いので第２クラッド層８側に設けられる。また、ＩｎＧａＰ層１０およびＩｎＡｌＰ層９は共通の開口１１を有している。
【００３１】
本実施形態のリッジ導波型半導体レーザの製造は、まず、図７（ａ）に示すように、基板２上に、第１クラッド層４、活性層６、第２クラッド層８、ＩｎＡｌＰ層９、ＩｎＧａＰ層１０を順次、エピタキシャル成長により形成し、その後、図７（ｂ）に示すようにＩｎＧａＰ層１０およびＩｎＡｌＰ層９をパターニングして共通の開口１１を形成する。そして、それ以降の工程は第１実施形態の図２（ｃ）に示す工程以降の工程と同様にして形成すればよい。
【００３２】
なお、第１実施形態の場合と同様に、第３クラッド層１２がＩｎＧａＡｌＰからなる場合は、電流狭窄層１０の材料にアンドープＩｎＧａＰや、ｐ型ＩｎＧａＰまたはｎ型のＩｎＧａＰを用いることができる。また、ウェットエッチングにリン酸を用いる場合は、リン酸にほとんどエッチングされないアンドープＧａＡｓやｎ型のＧａＡｓを電流狭窄層１０に用いることもできる。
【００３３】
この実施形態は、電流狭窄層として、ＩｎＧａＰからなる層１０と、ＩｎＧａＰよりも高抵抗のＩｎＡｌＰからなる層９との積層膜を用いているので、第１実施形態に比べて電流がリッジ部１３の端部に流れるのを更に抑制することが可能となり、さらに高出力化をはかることができる。
【００３４】
なお、第１実施形態と同様に、半導体レーザの動作電圧が高くなるのを防止することができるとともに所望のリッジ形状を得ることができること、第３クラッド層１２に結晶欠陥が発生し難くリーク電流の発生を可及的に防止できることは云うまでもない。
【００３５】
また、本実施形態においては、電流狭窄層となるＩｎＧａＰ層１０およびＩｎＡｌＰ層９は、リッジ部１３の側部の第２クラッド層８上にも設けられていたが、図８に示すように、リッジ部１３の側部の第２クラッド層８上に設けられることなく、ＩｎＧａＰ層１０およびＩｎＡｌＰ層９がリッジ部１３下に選択的に設けられるように構成しても、同様に半導体レーザの動作電圧が高くなるのを防止することができるとともに高出力化が可能となる。さらに、第２実施形態ではＩｎＡlＰ層９の抵抗が十分に高い場合、図６および図８に示される電流ブロック層１６の形成を省略することもできる。
【００３６】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態によるリッジ導波型半導体レーザを図９を参照して説明する。図９は、本実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの構成を示す断面図である。
【００３７】
本実施形態のリッジ導波型半導体レーザは、図３（ｄ）に示す第１実施形態のリッジ導波型半導体レーザにおいて、電流ブロック層１６を削除するとともに、リッジ部１３と所定の間隔で隔てられたダミーリッジ部２１を設けた構成となっている。ダミーリッジ部２１は、化合物半導体からなる電流狭窄層１０上にエピタキシャル成長によって形成されたｐ型のＩｎＧａＡｌＰ層１２ａと、このＩｎＧａＡｌＰ層１２ａ上に設けられた例えばｐ型のＧａＡｓからなるコンタクト層１４とを備えている。ｐ型のＩｎＧａＡｌＰ層１２ａはリッジ部１３の第３クラッド層１２と同時に形成される。
【００３８】
本実施形態のようにダミーリッジ部２１を設けることにより、リッジ部１３を形成した後、上部電極１８を形成し、実装部材上に素子を実装するまでの間、第１実施形態のように素子表面にリッジ部１３のみが突出した場合に比べてリッジ部１３への衝撃やダメージを軽減することができる。
【００３９】
また、ダミーリッジ部２１を設けたことにより、高出力の際のリッジ導波型半導体レーザの放熱性が良くなり、素子特性の劣化を防止することができる。
【００４０】
しかも、本実施形態においては、化合物半導体からなる電流狭窄層１０はリッジ部１３のみに開口を有する構造となっているため、電流狭窄層１０を抵抗の高い材料から形成することにより、リッジ部１３の側部およびダミーリッジ部２１上において図３（ｄ）に示されるような電流ブロック層１６を不要化することが可能となる。具体的には、本実施形態における電流狭窄層１０として、第２実施形態で示したようなＩｎＡｌＰからなる層９とＩｎＧａＰからなる層１０との積層膜や、第２クラッド層８に対し逆バイアスとなるｎ型のＩｎＧａＰ、ｎ型のＧａＡｓなどを用いればよい。
【００４１】
なお、第３実施形態も第１実施形態と同様に、半導体レーザの動作電圧が高くなるのを防止することができるとともに所望のリッジ形状を得ることができること、第３クラッド層１２に結晶欠陥が発生し難くリーク電流の発生を可及的に防止できることは云うまでもない。
【００４２】
本発明の各実施形態によれば、動作電圧が高くなるのを防止できるとともに所望のリッジ形状を得ることができるリッジ導波型半導体レーザおよびその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの構成を説明するための断面図。
【図２】第１実施形態のリッジ導波型半導体レーザの製造工程を示す断面図。
【図３】第１実施形態のリッジ導波型半導体レーザの製造工程を示す断面図。
【図４】第１実施形態の第１変形例によるリッジ導波型半導体レーザの構成を示す断面図。
【図５】第１実施形態の第２変形例によるリッジ導波型半導体レーザの構成を示す断面図。
【図６】本発明の第２実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの構成を示す断面図。
【図７】第２実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの製造工程を説明する断面図。
【図８】第２実施形態の変形例によるリッジ導波型半導体レーザの構成を示す断面図。
【図９】本発明の第３実施形態によるリッジ導波型半導体レーザの構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００４４】
２  基板
４  第１クラッド層
６  活性層
８  第２クラッド層
１０  電流狭窄層
１１  開口
１２  第３クラッド層
１３  リッジ部
１４  コンタクト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006128609.tif 000009
【図８】
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【図９】
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