(57)【要約】【課題】小型で信頼性の高いセンサーパッケージと、このようなセンサーパッケージを簡便に製造するための製造方法を提供する。【解決手段】センサーパッケージを、センサーと、このセンサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に固着された保護材と、を備えたものとし、センサーは、表面のアクティブ面の外側領域に複数の端子を有するとともに、裏面に複数の配線を有し、各配線は外部端子と、この外部端子に配設された外部端子凸部材を備えたものとし、保護材は、センサーのアクティブ面の外側領域に複数の引き出し配線を有し、各引き出し配線はバンプを介してセンサーの端子に接続されているとともに、ワイヤを介してセンサー裏面の配線に接続され、このワイヤ、およびワイヤと配線や引き出し配線との接続部位が封止部材で被覆されたものとする。【選択図】  図１
2006128431.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサーと、該センサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に固着された保護材と、を備え、
前記センサーは、表面の前記アクティブ面の外側領域に複数の端子を有するとともに、裏面に複数の配線を有し、各配線には外部端子が接続されており、該外部端子には外部端子凸部材が配設されており、
前記保護材は、前記センサーのアクティブ面の外側領域に複数の引き出し配線を有し、各引き出し配線はバンプを介して前記センサーの端子に接続されているとともに、ワイヤを介して前記センサー裏面の配線に接続され、
前記ワイヤ、および前記ワイヤと前記配線や引き出し配線との接続部位が封止部材により被覆されていることを特徴とするセンサーパッケージ。
【請求項２】
前記保護材は、赤外線カットフィルターであることを特徴とする請求項１に記載のセンサーパッケージ。
【請求項３】
前記外部端子と前記外部端子凸部材の間に、応力緩和導電層が介在することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のセンサーパッケージ。
【請求項４】
前記応力緩和導電層は、合成ゴム中に導電粒子を分散させたものであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセンサーパッケージ。
【請求項５】
ウエハを多面付けに区画し、各面付け毎にセンサーを作製する工程と、
前記センサーのアクティブ面が存在する面と反対側の面にウエハを被覆する絶縁層を形成する工程と、
各面付け毎に前記絶縁層上に複数の配線と該配線に接続した外部端子を形成する工程と、
各面付け毎に前記配線の所望箇所と前記外部端子とが露出するように絶縁パターンを形成する工程と、
多面付けの前記ウエハをダイシングしてセンサーチップを作製する工程と、
多面付けに区画された保護材の各面付け毎に複数の引き出し配線を形成し、アクティブ面が保護材と空隙部を介して対向するように各面付け毎に前記センサーチップを固着するとともに、前記引き出し配線にバンプを介して前記センサーチップの端子を接続する工程と、
各面付け毎に前記引き出し配線と前記センサーチップの配線とをワイヤで接続し、該ワイヤ、および該ワイヤと前記配線、前記引き出し配線との接続部位を封止部材で被覆する工程と、
多面付けの前記保護材をダイシングする工程と、
前記保護材をダイシングする工程の前後いずれかで、前記外部端子上に外部端子凸部材を形成する工程と、を有することを特徴とするセンサーパッケージの製造方法。
【請求項６】
前記外部端子上に応力緩和導電層を形成し、該応力緩和導電層上に前記外部端子凸部材を形成することを特徴とする請求項５に記載のセンサーパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーパッケージに係り、特にセンサーのアクティブ面側に保護材を備えたセンサーパッケージと、このセンサーパッケージを簡便に製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサー、加速度センサー等のセンサーが種々の用途に用いられている。例えば、イメージセンサーは、半導体チップの一方の面が、光電変換を行う受光素子が配設されたアクティブ面となっている。このようなセンサーは、配線基板等に実装され、センサーからの信号を信号処理系に出力するために、ワイヤボンディング等の接続手段を介して配線基板に接続され、さらに、アクティブ面に空隙部を設けるように保護材、例えば、赤外線カットフィルタが配設され封止されることにより、撮像素子等が構成されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開平８−８８３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の撮像素子は、センサーを個々に実装し、ワイヤボンディングする工程、その後の封止工程等の一連の製造工程においてセンサーのアクティブ面に汚染が生じ易く、歩留まりの向上に支障を来たしていた。
また、個々のセンサーを配線基板に実装する際にワイヤボンディングが行われるため、面方向の広がりが必要であり、小型化に限界があり、また、製造の効率化にも限界があった。
本発明は、上記のような実情に鑑みてなされたものであり、小型で信頼性の高いセンサーパッケージと、このようなセンサーパッケージを簡便に製造するための製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
このような目的を達成するために、本発明のセンサーパッケージは、センサーと、該センサーの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するようにセンサー表面に固着された保護材と、を備え、前記センサーは、表面の前記アクティブ面の外側領域に複数の端子を有するとともに、裏面に複数の配線を有し、各配線には外部端子が接続されており、該外部端子には外部端子凸部材が配設されており、前記保護材は、前記センサーのアクティブ面の外側領域に複数の引き出し配線を有し、各引き出し配線はバンプを介して前記センサーの端子に接続されているとともに、ワイヤを介して前記センサー裏面の配線に接続され、前記ワイヤ、および前記ワイヤと前記配線や引き出し配線との接続部位が封止部材により被覆されているような構成とした。
【０００５】
本発明の他の態様として、前記保護材は、赤外線カットフィルターであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記外部端子と前記外部端子凸部材の間に、応力緩和導電層が介在するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記応力緩和導電層は、合成ゴム中に導電粒子を分散させたものであるような構成とした。
【０００６】
本発明のセンサーパッケージの製造方法は、ウエハを多面付けに区画し、各面付け毎にセンサーを作製する工程と、前記センサーのアクティブ面が存在する面と反対側の面にウエハを被覆する絶縁層を形成する工程と、各面付け毎に前記絶縁層上に複数の配線と該配線に接続した外部端子を形成する工程と、各面付け毎に前記配線の所望箇所と前記外部端子とが露出するように絶縁パターンを形成する工程と、多面付けの前記ウエハをダイシングしてセンサーチップを作製する工程と、多面付けに区画された保護材の各面付け毎に複数の引き出し配線を形成し、アクティブ面が保護材と空隙部を介して対向するように各面付け毎に前記センサーチップを固着するとともに、前記引き出し配線にバンプを介して前記センサーチップの端子を接続する工程と、各面付け毎に前記引き出し配線と前記センサーチップの配線とをワイヤで接続し、該ワイヤ、および該ワイヤと前記配線、前記引き出し配線との接続部位を封止部材で被覆する工程と、多面付けの前記保護材をダイシングする工程と、前記保護材をダイシングする工程の前後いずれかで、前記外部端子上に外部端子凸部材を形成する工程と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記外部端子上に応力緩和導電層を形成し、該応力緩和導電層上に前記外部端子凸部材を形成するような構成とした。
【発明の効果】
【０００７】
このような本発明のセンサーパッケージは、外部端子凸部材を備えているので、配線基板上への実装が容易であるとともに、実装時のワイヤボンディングが不要であり、面方向の広がりが抑制され、装置の小型化が可能であり、また製造の高効率化も可能である。また、センサーのアクティブ面の汚染が保護材により防止され、実装工程中等においてセンサーパッケージが汚染された場合には、保護材面を清浄化するだけで良好な状態のセンサーパッケージが得られ、製造歩留まりが向上する。
本発明のセンサーパッケージの製造方法では、ウエハレベルでのセンサーの作製と、多面付けでの保護材とセンサーとの固着を行う一括アッセンブリーが可能であり、その後、ダイシングしてセンサーパッケージを得るので、センサーパッケージ個々のレベルでの組み付けが不要であり、工程管理が容易で製造コストの低減が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
［センサーパッケージ］
図１は本発明のセンサーパッケージの一実施形態を示す正面図であり、図２は背面図であり、図３は図１および図２に示されるＡ−Ａ線での概略断面図である。図１〜図３において、本発明のセンサーパッケージ１は、センサー１１と、このセンサー１１の表面１１ａに封止用リブ１９により固着された保護材２１とを備えている。尚、図１は、図３に示される保護材２１を取り去った状態を示し、後述するセンサー１１のアクティブ面１２には斜線を付している。
【０００９】
本発明のセンサーパッケージ１を構成するセンサー１１は、表面１１ａにアクティブ面１２を有していおり、このアクティブ面１２の外側の領域には複数の端子１３を備えている。センサー１１には特に制限はなく、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等のイメージセンサーや、加速度センサー、圧力センサー、ジャイロセンサー等の各種ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）センサー等であってよい。尚、上記のアクティブ面１２は、例えば、光電変換を行う受光素子が複数の画素をなすように配列された領域等、センサーの所望の検知機能を発現する領域を意味する。
【００１０】
また、センサー１１は、裏面１１ｂに絶縁層１４を介して複数の配線１５を備え、各配線１５には外部端子１６が接続されている。また、後述するワイヤ２５と接続するための配線１５の所望の部位と、外部端子１６とを露出するようにして、各配線１５と外部端子１６に跨るように（図２に示される例では、回廊形状）絶縁層２０が配設されている。そして、各外部端子１６には、応力緩和導電層１８ａ、導電層１８ｂ、バリア金属層１８ｃ、１８ｄを介して外部端子凸部材１７が配設されている。
【００１１】
本発明のセンサーパッケージ１を構成する保護材２１は、センサー１１と対向する面２１ａのうち、アクティブ面１２の外側領域と対向する領域に複数の引き出し配線２２を備え、各引き出し配線２２はバンプ２３を介してセンサー１１の端子１３に接続されている。また、各引き出し配線２２の外側の部位は、ワイヤ２５を介してセンサー１１の各配線１５に接続されている。そして、上記のワイヤ２５と、配線１５、引き出し配線２２が封止部材２７により被覆されている。また、センサー１１のアクティブ面１２は、空隙部５を介して保護材２１と対向するとともに、この空隙部５は、図１に回廊形状で示される封止用リブ１９によって密封されている。
【００１２】
センサー１１の裏面１１ｂを被覆するように配設されている絶縁層１４、および、各配線１５と外部端子１６に跨るように配設されている絶縁層２０は、例えば、二酸化珪素、窒化珪素、窒化チタンの無機材料、あるいは、ポリベンズオキサゾール樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料等とすることができる。
また、センサー１１の裏面１１ｂに配設されている配線層１５、外部端子１６の材質は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ等の導電材料とすることができ、図示例のように、Ｃｕ層１５ａ、Ｎｉ層１５ｂ、Ａｕ層１５ｃの３層構造としてもよい。このような積層構造の場合の各層の材質、積層数は適宜設定することができる。
【００１３】
外部端子１６に配設された外部端子凸部材１７は、センサーパッケージ１を配線基板等に実装するためのものであり、はんだ、Ａｕ、Ａｇ等の材質であってよい。尚、外部端子凸部材１７の形状、寸法は特に制限されないが、例えば、高さは７０〜１５０μｍの範囲で設定することができる。
外部端子１６と外部端子凸部材１７の間に介在する応力緩和導電層１８ａは、配線基板等に実装されたセンサーパッケージ１と、配線基板等の熱収縮性の相違による応力が外部端子凸部材１７に集中して破損するのを防止するためのものである。このような応力緩和導電層１８ａは、例えば、合成ゴム、樹脂等に導電粒子を分散させたものとすることができる。具体的には、シリコーンＡｇペースト、エポキシＡｇペースト、ウレタンＡｇペースト等を用いて形成することができる。応力緩和導電層１８ａの厚みは、使用する材料、面積等に応じて適宜設定することができ、例えば、１０〜５０μｍの範囲で設定することができる。
【００１４】
外部端子１６と外部端子凸部材１７の間に介在する導電層１８ｂは、例えば、Ｃｕを用いることができる。また、バリア金属層１８ｃ、１８ｄは、例えば、Ｎｉ層とＡｕ層の組み合わせ、Ｎｉ層とＰｄ層とＡｕ層との組み合わせ等とすることができる。尚、本発明では、バリア金属層を介在させなくてもよい。
【００１５】
上述の保護材２１は、例えば、ガラス、ポリイミド、ポリカーボネート等の材質を使用することができ、また、赤外線吸収機能を有する材質を用いて赤外線カットフィルタを兼ねるものであってもよい。この保護材２１の厚みは、材質、光透過性等を考慮して、例えば、３００〜１０００μｍの範囲で設定することができる。また、保護材２１と、センサー１１のアクティブ面１２との間に存在する空隙部５の厚みは、例えば、１〜２０μｍの範囲で設定することができる。
【００１６】
上記のような保護材２１を、センサー１１の表面１１ａに所定の空隙部５を介して固着するための封止用リブ１９、および封止部材２７は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。
保護材２１が備える引き出し配線２２の材質は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ等の導電材料とすることができる。
【００１７】
また、各引き出し配線２２とセンサー１１の端子１３を接続するバンプ２３の材質も、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ等の導電材料とすることができる。
尚、上述のセンサーパッケージ１における端子１３、配線１５、外部端子１６、外部端子凸部材１７、引き出し配線２２の数、位置等は、図示例に制約されることなく任意に設定することができる。
【００１８】
上述のような本発明のセンサーパッケージ１は、外部端子凸部材１７を備えているので、配線基板上への実装が容易であるとともに、実装時のワイヤボンディングが不要であり、面方向の広がりが抑制され、装置の小型化が可能であり、また、製造の高効率化も可能である。また、センサー１１のアクティブ面１２の汚染が保護材２１により防止され、実装工程中等においてセンサーパッケージ１が汚染された場合には、保護材２１を清浄化するだけで良好な状態のセンサーパッケージ１が得られ、製造歩留まりが向上する。
【００１９】
本発明のセンサーパッケージは、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、外部端子１６の中央に切欠き部を設け、応力緩和導電層１８ａが外部端子１６とともに絶縁層１４にも固着するような構成であってもよい。このような構成とすることにより、応力緩和導電層１８ａの密着性をより高いものとすることができる。
また、応力緩和導電層１８ａや導電層１８ｂを介在させずに、バリア金属層１８ｃ、１８ｄのみを介在させて外部電極凸部材１７を配設してもよい。
また、応力緩和導電層１８ａ、導電層１８ｂおよびバリア金属層１８ｃ、１８ｄを介在させず、代わりにＴｉ薄膜層、Ｎｉ薄膜層、Ａｕ薄膜層等のように、外部端子１６と外部電極凸部材１７との密着性を向上させることができる材質を介して外部電極凸部材１７を配設してもよい。さらに、チタン薄膜層等と外部電極凸部材１７との間に、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ等の導電層を介在させてもよい。
【００２０】
［センサーパッケージの製造方法］
次に、本発明のセンサーパッケージの製造方法について説明する。
図４〜図６は、本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を、上述の図１〜図３に示すセンサーパッケージ１を例として示す工程図である。
まず、シリコンウエハ３１を多面付けに区画し、各面付け３１Ａ毎にセンサー１１を作製する（図４（Ａ））。センサー１１は、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electromechanical System）手法等を用いて作製する。作製したセンサー１１は、表面にアクティブ面１２を有し、このアクティブ面１２の外側の領域に複数の端子１３を有するものである。
【００２１】
次いで、シリコンウエハ３１の裏面に絶縁層１４を形成し（図４（Ｂ））、その後、各面付け３１Ａ毎に、絶縁層１４上に所望の複数の配線１５と、この配線１５に接続された外部端子１６を形成する（図４（Ｃ））。
絶縁層１４は、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法、珪素酸化物の前駆体溶液等を用いた塗布方法等により形成した二酸化珪素膜、窒化珪素膜、窒化チタン膜等とすることができる。また、例えば、光硬化性のポリベンズオキサゾール樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂等をシリコンウエハ３１の裏面に塗布し、その後、硬化処理を施すことにより絶縁層１４を形成することができる。
【００２２】
また、配線１５と外部端子１６の形成方法は特に制限はなく、例えば、プラズマＣＶＤ法等の真空成膜法、あるいは無電解めっきによりＣｕ薄膜、Ｔｉ薄膜等の下地導電薄膜を形成し、この下地導電薄膜上に、所望の配線形状の開口を有するレジストパターンを形成した後、下地導電薄膜を給電層として電解めっきにより導電材料を析出させて配線パターンを形成し、その後、レジストパターンと、露出している下地導電薄膜とを除去して配線１５、外部端子１６を形成することができる。
次に、ワイヤ２５と接続するための配線１５の所望の部位と、外部端子１６とを露出するようにして、各配線１５と外部端子１６に跨るように絶縁層２０を形成する（図４（Ｄ））。絶縁層２０は、感光性のポリベンズオキサゾール樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、カルド樹脂、ポリイミド樹脂等を、配線１５および外部端子１６を覆うように塗布、またはラミネートし、所望のフォトマスクを介して露光し、現像することにより形成することができる。
【００２３】
次いで、露出している外部端子１６上に応力緩和性を備えた導電性ペースト（シリコーンＡｇペースト、エポキシＡｇペースト、ウレタンＡｇペースト等）をスクリーン印刷法等により塗布して応力緩和導電層１８ａを形成し、この応力緩和導電層１８ａ上に、電解めっきにより導電層１８ｂを形成し、この導電層１８ｂを被覆するようにバリア金属層１８ｃ、１８ｄを形成する。バリア金属層１８ｃ、１８ｄの形成は、電解めっき法、真空成膜法等により行うことができる。また、各面付け３１Ａ毎に、アクティブ面１２の外側を囲むように封止用リブ１９を設け、センサー１１の端子１３に接続用のバンプ２３を配設する（図５（Ａ））。封止用リブ１９は、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いてスクリーン印刷にて形成することができる。
【００２４】
次に、多面付けのシリコンウエハ３１をダイシングすることにより、センサーチップ１１′を作製し、得られた各センサーチップ１１′を保護材４１上に固着する。保護材４１は、多面付けに区画され、各面付け４１Ａ毎に引き出し配線２２を形成したものであり、センサーチップ１１′が封止用リブ１９を介して保護材４１に固着され、同時に、バンプ２３が引き出し配線２２に接続される（図５（Ｂ））。そして、センサーチップ１１′の配線１５と、保護材４１の引き出し配線２２とを、ワイヤ２５で電気的に接続する（図５（Ｃ））。
【００２５】
次いで、各センサーチップ１１′間に封止用材料を流し込み等により充填して、ワイヤ２５と、配線１５および引き出し配線２２を被覆する封止部材２７を形成する（図６（Ａ））。封止用材料としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等を用いることができる。この封止部材２７の形成時において、封止用リブ１９により、封止用材料がアクティブ面１２と保護材４１とが対向する空隙部５内に入り込むことが防止される。ただし、封止用材料の流し込み量を調整して、外部端子１６が露出している絶縁層２０を封止用材料が乗り越えないようにする。
【００２６】
次に、外部端子１６に設けた応力緩和導電層１８ａ、導電層１８ｂ、バリア金属層１８ｃ、１８ｄを介して外部端子凸部材１７を形成する（図６（Ｂ））。外部端子凸部材１７は、例えば、ペースト印刷、ボール搭載、電解もしくは無電解めっきを行った後にリフローを行う方法等により形成することができる。
次いで、多面付けの保護材４１をダイシングすることにより、センサーパッケージ１が得られる（図６（Ｃ））。
【００２７】
上述のような本発明のセンサーパッケージの製造方法は、ウエハレベルでセンサーの作製と、多面付けでの保護材への固着を行う一括アッセンブリーが可能であり、その後、ダイシングしてセンサーパッケージを得るので、センサーパッケージ個々のレベルでの組み付けが不要であり、工程管理が容易で製造コストの低減が可能である。
尚、上述の本発明のセンサーパッケージの製造方法は例示であり、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、外部端子凸部材１７の形成は、封止部材２７の形成前に行ってもよく、また、保護材４１のダイシング後に行ってもよい。
【実施例】
【００２８】
次に、具体的実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明する。
まず、厚み６２５μｍのシリコンウエハを準備し、一辺５ｍｍである正方形で多面付けに区画した。上記のシリコンウエハのＸＹ方向（シリコンウエハの表面に平行な平面）の熱膨張係数は３ｐｐｍであった。
次に、このシリコンウエハの各面付け毎に、従来の手法によりセンサー（アクティブ面寸法：４０００μｍ×４０００μｍ）を作製し、その後、シリコンウエハの裏面からバックグラインドを行って厚みを２００μｍとした。各センサーは、アクティブ面の周囲に２０個（１辺５個）の端子を備えるものであった。
【００２９】
次いで、センサーのアクティブ面の反対側の面に、ポリベンズオキサゾール樹脂を含有する感光性ソルダーレジスト（住友ベークライト（株）製  ＣＲＣ−８６００）を塗布し、露光して硬化させることにより、絶縁層（厚み８μｍ）を形成した。
次に、上記の絶縁層上に無電解めっきによりＣｕ薄膜（厚み０．４μｍ）からなる下地導電薄膜を形成した。次いで、この下地導電薄膜上にドライフィルムレジスト（旭化成（株）製ＡＰＲ）をラミネートした。次いで、配線・外部端子形成用のフォトマスクを介し露光、現像してレジストパターン（厚み２０μｍ）を形成した。このレジストパターンをマスクとし、上記の下地導電薄膜を給電層として、電解Ｃｕめっき、電解Ｎｉめっき、電解Ａｕめっきを順次を行って、Ｃｕ層（厚み１０μｍ）、Ｎｉ層（厚み２μｍ）、Ａｕ層（厚み０．２μｍ）を積層して、複数の配線および外部端子（直径５００μｍ）を形成した。これらの配線・外部端子は、各面付けの１辺に５個形成された。
【００３０】
次に、レジストパターンと下地導電薄膜を除去し、その後、配線と外部端子を被覆するようにソルダーレジストドライフィルム（太陽インキ製造（株）製  ＰＦＲ８００ＡＵＳ４０２）をラミネートし、所望のマスクを介して露光、現像することにより、外部端子と配線の所望部位（面付けの境界に跨る部位であって、後工程でワイヤが接続される部位）のみが露出した絶縁層を形成した。
次に、絶縁層の開口部（直径２５０μｍ）に露出している外部端子上に、シリコーンＡｇペースト（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製  ＡＧＸ）をスクリーン印刷で塗布し、硬化させて、厚み５０μｍの応力緩和導電層を形成した。
次いで、電解Ｃｕめっきにより、応力緩和導電層上に厚み１０μｍの導電層を形成し、この導電層上に、電解めっきによりＮｉ層（厚み３μｍ）、Ａｕ層（厚み０．２μｍ）を形成してバリア金属層とした。
【００３１】
一方、各面付け毎に、センサーの端子に、Ａｕワイヤを用いてスタッドバンプ法により接続用のＡｕバンプを形成した。また、センサーのアクティブ面と端子が配設されている領域との中間の領域に、樹脂組成物（協立化学産業（株）製  ワールドロック）をスクリーン印刷により塗布し、半硬化させて、封止用リブ（幅６０μｍ、高さ２０μｍ）を形成した。
次に、多面付けのシリコンウエハをダイシングして、５ｍｍ×５ｍｍのセンサーチップを得た。
【００３２】
また、厚み５００μｍのガラス基板を保護材として準備し、多面付けに区画（１辺７ｍｍである正方形）した。次に、このガラス基板の全面にポジ型フォトレジスト（東京応化工業（株）製  ＯＦＰＲ−８００）を塗布し、引き出し配線用フォトマスクを介して露光、現像することによりレジストパターンを形成した。次いで、レジストパターンをマスクとし、プラズマＣＶＤ法およびめっき法によりＴｉ／Ｃｕ／Ｎｉ／Ａｕ積層薄膜（Ａｕ層が最表面）を形成し、その後、レジストパターンを剥離した。これにより、各面付けの１辺毎に５個の引き出し配線を形成した。
次に、ガラス基板の各面付け毎に、センサーチップを、封止用リブがガラス基板面に当接し、バンプが引き出し配線に接続されるように位置合せして固着した。
【００３３】
次に、センサー裏面の配線と、ガラス基板上の引き出し配線をＡｕ線により結線した。
次いで、封止用材料（住友ベークライト（株）製  ＣＲＰ）を各面付けの境界部位に流し込み、硬化させて、Ａｕ線とセンサー裏面の配線が被覆されるように封止部材を形成した。ただし、外部端子（バリア金属層）が露出している絶縁層を乗り越えないように、封止用材料の流し込み量を調整した。
次に、バリア金属層上に、ボール搭載法により、直径３００μｍのはんだボールを搭載して、外部端子凸部材とした。
次に、多面付けのガラス基板を封止部材とともにダイシングして、本発明のセンサーパッケージを得た。このセンサーパッケージは、７ｍｍ×７ｍｍ、高さが約０．９１ｍｍ（はんだボールを含む）であった。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
小型で高信頼性のセンサーが要求される種々の分野において適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明のセンサーパッケージの一実施形態を示す正面図である。
【図２】本発明のセンサーパッケージの一実施形態を示す背面図である。
【図３】図１および図２に示されるセンサーパッケージのＡ−Ａ線での概略断面図である。
【図４】本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図５】本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図６】本発明のセンサーパッケージの製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…センサーパッケージ
１１…センサー
１１′…センサーチップ
１２…アクティブ面
１３…端子
１５…配線
１６…外部端子
１７…外部端子凸部材
１４，２０…絶縁層
１８ａ…応力緩和導電層
１８ｂ…導電層
１８ｃ、１８ｄ…バリア金属層
１９…封止用リブ
２１…保護材
２２…引き出し配線
２３…バンプ
２５…ワイヤ
２７…封止部材
３１…シリコンウエハ
４１…保護材
【図１】
2006128431.tif 000003
【図２】
2006128431.tif 000004
【図３】
2006128431.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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