(57)【要約】      （修正有）【課題】従来のフィルムパッケージの製造方法では、関連製造工程が非常に複雑でかつ時間がかかる上、製造費用が増加する問題があるので、改善された配線フィルムとそれを用いたフィルムパッケージを提供する。【解決手段】配線フィルム４９は、ベースフィルムと、ベースフィルムに形成された少なくとも一つの突出部４３と、前記ベースフィルム及び前記突出部４３上に形成された配線パターン４５とを備え、前記突出部４３及び前記配線パターン４５は少なくとも一つのフィルムバンプ４６を構成する。【選択図】図４
2006013496.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、
前記ベースフィルムにおける少なくとも一つの突出部と、
前記ベースフィルム及び前記突出部上の配線パターンと、
を備え、
前記突出部及び前記配線パターンは少なくとも一つのフィルムバンプを構成することを特徴とする配線フィルム。
【請求項２】
前記ベースフィルムは、前記突出部を規定するエッチング領域を有することを特徴とする請求項２に記載の配線フィルム。
【請求項３】
前記突出部での前記ベースフィルムの第１厚さは、前記エッチング領域以外の前記ベースフィルムの第２厚さと実質的に同一であることを特徴とする請求項２に記載の配線フィルム。
【請求項４】
前記ベースフィルムの第１厚さ及び第２厚さは、約３５μｍ乃至４０μｍであり、前記エッチング領域からの前記突出部の高さは、約３μｍ乃至２０μｍであることを特徴とする請求項３に記載の配線フィルム。
【請求項５】
前記配線パターンは、該配線パターン上に形成された金属被膜層を有することを特徴とする請求項１に記載の配線フィルム。
【請求項６】
前記配線パターンは、銅からなることを特徴とする請求項１に記載の配線フィルム。
【請求項７】
前記金属被膜層は、錫及びニッケル/金の少なくとも一つからなることを特徴とする請求項５に記載の配線フィルム。
【請求項８】
ベースフィルムをエッチングして少なくとも一つの突出部を形成する段階と、
前記ベースフィルム上及び前記突出部の一部に配線パターンを選択的に形成する段階と、
を含み、
前記突出部及び前記配線パターンは少なくとも一つのフィルムバンプを構成することを特徴とする配線フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記ベースフィルムをエッチングする段階は、レーザーを用いて行われることを特徴とする請求項８に記載の配線フィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記レーザーは、一回照射毎に、前記ベースフィルムを所定量ずつ除去することを特徴とする請求項９に記載の配線フィルムの製造方法。
【請求項１１】
前記レーザーは、約１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー及び約３００Ｈｚの周波数を有するエキシマ・レーザーであることを特徴とする請求項１０に記載の配線フィルムの製造方法。
【請求項１２】
前記配線パターンを選択的に形成する段階には、前記配線パターン上に金属被膜層を形成する段階が含まれていることを特徴とする請求項８に記載の配線フィルムの製造方法。
【請求項１３】
前記配線パターンを形成する段階は、電解メッキを用いて行なわれることを特徴とする請求項８に記載の配線フィルムの製造方法。
【請求項１４】
前記金属被膜層を形成する段階は、無電解メッキを用いて行なわれることを特徴とする請求項１２に記載の配線フィルムの製造方法。
【請求項１５】
ベースフィルムにおける少なくとも一つの突出部と、前記ベースフィルム及び前記突出部上の配線パターンと、前記突出部及び前記配線パターンによって構成される少なくとも一つのフィルムバンプとを有する配線フィルムと、
前記フィルムバンプと機械的に結合されるとともに電気的に接続する入出力パッドを有する集積回路チップと、
前記配線フィルムと前記集積回路チップとの間に設けられた密封樹脂と、
を備えることを特徴とするフィルムパッケージ。
【請求項１６】
前記ベースフィルムは、前記突出部を規定するエッチング領域を有することを特徴とする請求項１５に記載のフィルムパッケージ。
【請求項１７】
前記突出部での前記ベースフィルムの第１の厚さは、前記エッチング領域以外の前記ベースフィルムの第２厚さと実質的に同一であることを特徴とする請求項１６に記載のフィルムパッケージ。
【請求項１８】
前記配線パターンは、該配線パターン上に形成された金属被膜層を有することを特徴とする請求項１５に記載のフィルムパッケージ。
【請求項１９】
前記各々の入出力パッドは、金属被膜層を有することを特徴とする請求項１５に記載のフィルムパッケージ。
【請求項２０】
前記各々の入出力パッドは、バンプを有することを特徴とする請求項１５に記載のフィルムパッケージ。
【請求項２１】
前記密封樹脂が、非導電性樹脂であることを特徴とする請求項１５に記載のフィルムパッケージ。
【請求項２２】
前記密封樹脂が、異方性導電樹脂であることを特徴とする請求項１５に記載のフィルムパッケージ。
【請求項２３】
前記異方性導電樹脂が、導電性粒子が含有された非導電性樹脂であることを特徴とする請求項２２に記載のフィルムパッケージ。
【請求項２４】
ベースフィルムを部分的にエッチングしてエッチング領域からの少なくとも一つの突出部を形成する段階と、前記ベースフィルム上及び突出部の一部に配線パターンを形成する段階と、前記突出部とその上の前記配線パターンにフィルムバンプを形成する段階とを有する配線フィルムを製造する段階と、
前記配線フィルム上に密封樹脂を設ける段階と、
前記フィルムバンプと機械的に結合されるともに電気的に接続するように回路フィルムに集積回路チップを取り付ける段階と、
を含むことを特徴とするフィルムパッケージの製造方法。
【請求項２５】
前記ベースフィルムを部分的にエッチングをする段階は、レーザーを用いて行なわれることを特徴とする請求項２４に記載のフィルムパッケージの製造方法。
【請求項２６】
前記配線パターンを選択的に形成する段階には、前記配線パターン上に金属被膜層を形成する段階が含まれていることを特徴とする請求項２４に記載のフィルムパッケージの製造方法。
【請求項２７】
前記集積回路チップを前記配線フィルムに取り付ける段階には、前記入出力パッドを前記フィルムバンプ上に載せる段階と、前記フィルムバンプ及び前記入出力パッドを固定するための前記密封樹脂を硬化させる段階とが含まれていることを特徴とする請求項２４に記載のフィルムパッケージの製造方法。
【請求項２８】
前記集積回路チップを前記配線フィルムに取り付ける段階は、前記密封樹脂中における多数の導電性微粒子を用いて行なわれることを特徴とするフィルムパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子パッケージ技術に関し、さらに詳細には配線フィルム(circuit film)を用いた半導体パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高集積化に伴って関連半導体素子の組立技術に対する重要性がますます高まり、半導体パッケージの小型化、薄形化、軽量化、多機能化の傾向が一層進んでいる。近年、個人携帯用通信製品、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）製品などの急速な市場拡大は、半導体パッケージ分野においても影響を及ぼしており、こうした傾向に対応するため配線フィルムを用いたパッケージ等が続々と開発されている。
【０００３】
図１Ａ乃至図１Ｃは、従来技術による配線フィルム１０及びその製造方法を示す断面図である。図１Ａ乃至図１Ｃを参照すれば、従来の配線フィルム１０として薄膜の柔軟な絶縁ベースフィルム１１が用いられている。ベースフィルム１１上に配線パターン１２を形成し、その上に金属被膜層１３を形成した後、さらに保護膜１４を塗布して製造される。このとき、保護膜１４が塗布されていない配線パターン１２の一端は集積回路チップと連結される。
【０００４】
図２は、従来技術によるフィルムパッケージ３０を示す断面図である。例示のフィルムパッケージ３０は、チップオンフィルム（ｃｈｉｐ ｏｎ ｆｉｌｍ；ＣＯＦ）パッケージとしてよく知られている。図２を参照すれば、配線パターン１２が、集積回路チップ２０のチップバンプ２３と連結されている。集積回路チップ２０の活性面２１には多数の入出力パッド２２を有し、入出力パッド２２上にチップバンプ２３が形成されている。このとき、配線フィルム１０と集積回路チップ２０との間には密封樹脂３１が設けられ、配線パターン１２とチップバンプ２２とを保護すると共に固定する。
【０００５】
前述のように、従来のフィルムパッケージ３０は、配線フィルム１０と集積回路チップ２０とを物理的に結合させかつ電気的に接続するために、集積回路チップ２０の入出力パッド２２に形成されたチップバンプ２３を必要とした。一般に、チップバンプ２３は、金（Ａｕ）、はんだ（ｓｏｌｄｅｒ）又はその他の各種金属から製造され、かつ所望の高さを有する。
【０００６】
従来技術によるチップバンプ２３の製造方法が、図３Ａ乃至図３Ｃに示されている。図３Ａ乃至図３Ｃを参照すれば、まず、集積回路チップ２０の活性面２１上に下部金属膜２４（ＵＢＭ）を蒸着した後、ＵＢＭ２４上にフォトレジスト物質を塗布し、入出力パッド２２を露出させるフォトレジストパターン２５をパターニングする。次いで、フォトレジストパターン２５をマスクとして用いて入出力パッド２２上にバンプ物質をメッキして、チップバンプ２３を形成する。そして、フォトレジストパターン２５を除去し、チップバンプ２３をエッチングマスクとしてＵＢＭ２４をエッチングする。
【０００７】
従来のフィルムパッケージ３０は、このような製造方法により形成されたチップバンプ２３を用いていたため、関連製造工程が非常に複雑でかつ時間がかかる上、製造費用が増加する問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、改善された配線フィルムとそれを用いたフィルムパッケージ、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による配線フィルムは、ベースフィルムと上記ベースフィルムに少なくとも一つの突出部と上記ベースフィルム上及び突出部の表面に沿って形成された配線パターンとを備える。そして、配線フィルムにおいて、上記突出部及び上記その上の配線パターンはフィルムバンプを構成することを特徴とする。
【００１０】
本発明による配線フィルムにおいて、上記ベースフィルムは、突出部を規定するエッチング領域を有する。突出部に形成された上記ベースフィルムの第１厚さは、エッチング領域以外の上記ベースフィルムの第２厚さと実質的に同一である。ベースフィルムの第１及び第２厚さは、略３５μｍ乃至４０μｍで、エッチング領域からの突出部の高さは、略３μｍ乃至２０μｍであることが好ましい。
【００１１】
本発明による配線フィルムにおいて、上記配線パターンは、銅からなり、該配線パターン上に金属被膜層を有する。一方、上記金属被膜層は、錫又はニッケル/金からなる。
本発明による配線フィルムの製造方法は、エッチング領域を設けるためにベースフィルムをエッチングしてエッチング領域から相対的に突出した少なくとも一つの突出部を規定する段階と、上記ベースフィルム上及び一部の突出部の表面に沿って配線パターンを選択的に形成する段階とを含み、上記突出部及びその上の上記配線パターンは少なくとも一つのフィルムバンプを構成することを特徴とする。
【００１２】
本発明による配線フィルムの製造方法において、上記ベースフィルムの部分的にエッチングする段階は、レーザーを用いて行なわれることが好ましい。上記レーザーは、上記ベースフィルムを特定深さまで除去できるが、例えば、レーザを一回照射する度に、所定深さずつエッチングする。例示のレーザーは、約１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギー及び約３００Ｈｚの周波数を有するエキシマ・レーザーである。本発明による配線フィルムの製造方法において、上記配線パターンを部分的に形成する段階には、上記配線パターン上に金属被膜層を形成する段階が含まれる。上記配線パターンを形成する段階は電解メッキを用い、上記金属被膜層を形成する段階は無電解メッキを用いて行なわれる。
【００１３】
本実施形態によるフィルムパッケージは、配線フィルム、集積回路チップ及び密封樹脂を含む。配線フィルムは、ベースフィルムに形成された少なくとも一つの突出部と、ベースフィルム及び突出部上に形成された配線パターンとを備える。突出部及びその上の配線パターンはフィルムバンプを構成する。集積回路チップは、フィルムバンプと機械的に結合されるともに電気的に接続する入出力パッドを有する。上記密封樹脂は、配線フィルムと集積回路チップとの間を満たすとともにフィルムバンプと入出力パッドとを取り囲む。
【００１４】
本発明によるフィルムパッケージにおいて、ベースフィルムは、突出部とエッチング領域とを有する。上記突出部に位置するベースフィルムの第１の厚さは、エッチング領域以外のベースフィルムの第２厚さと実質的に同一であることが好ましい。上記配線パターンは、該配線パターンに形成された金属被膜層を有し、各々の入出力パッドは、該入出力パッドに形成された金属被膜層又はチップバンプを有する。上記密封樹脂は、非導電性樹脂であるか、非導電性の樹脂中に多数の導電性粒子を含んだ異方性導電樹脂であることが好ましい。
【００１５】
本発明によるフィルムパッケージの製造方法は、フィルムバンプを有する配線フィルムを製造する段階と、配線フィルム上に密封樹脂を設ける段階と、配線フィルムに集積回路チップを取り付ける段階とを含む。配線フィルムを製造する段階は、ベースフィルムを部分的にエッチングしてエッチング領域から相対的に突出した少なくとも一つの突出部を規定する段階と、ベースフィルムに配線パターンと、突出部の上に沿って部分的に配線パターンを形成する段階とを含み、突出部とその上の配線パターンは、フィルムバンプを構成することを特徴とする。配線フィルムに集積回路チップを取り付けることにより集積回路チップの入出力パッドとフィルムバンプが機械的に接合しかつ電気的に接続し、密封樹脂は、フィルムバンプと入出力パッドとを取り囲む。
【００１６】
本発明によるフィルムパッケージの製造方法において、ベースフィルムを部分的にエッチングする段階はレーザーを用いて行なわれ、配線パターンを部分的に形成する段階には、配線パターン上に金属被膜層を形成する段階が含まれる。配線フィルムに集積回路チップを取り付ける段階は、フィルムバンプ上に入出力パッドを載置する段階と、入出力パッドとフィルムパンプとを保持する密封樹脂が硬化する段階とが含まれる。一方、配線フィルムに集積回路チップを取り付ける段階は、密封樹脂中に含まれた多数の導電性微粒子を用いて行なわれる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、集積回路チップにチップバンプを形成する代わりに、配線フィルム上にフィルムバンプを形成する。フィルムバンプは、配線フィルムの製造工程において、ベースフィルムを部分的にエッチングして突出部を形成するだけで具現できる。従って、本発明は、従来のチップバンプ製造に比べてバンプ製造工程を大幅に単純化し、かつ製造コストを大幅に削減することができる。また、フィルムバンプが形成された配線フィルムを用いれば、フィルムパッケージの製造工程も単純化できるとともに全フィルムパッケージにおける製造コストを減らすことができる。
【００１８】
さらに、本発明は、ベースフィルムを陰刻方式でエッチングしてバンプ用突出部を形成しているため、バンプの高さが配線フィルムの厚さより高くなることがない。すなわち、バンプによる高さ増加が生じないので集積回路チップ及び配線フィルムを接合してフィルムパッケージを構成する際パッケージ全体の厚さを低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態をさらに詳細に説明する。
この実施形態例の説明において、本発明の属する技術分野における周知技術や、本発明と直接的に関連のない技術内容については、その説明を省略する。これは、不要な説明を省略させることで、本発明の要旨をより明確にするためである。同様に、添付図面における一部の構成要素は、誇張、省略又は概略的に図示するとともに、各構成要素の大きさは、実際の大きさを反映したものではない。また、図面において、同一構成部分には同一符号を付し、その共通部分の重複説明は省略する。
【００２０】
＜実施例＞
図４は、本発明の実施形態による配線フィルム４０及びこれを用いたフィルムパッケージ６０を示す断面図である。
図４を参照すれば、配線フィルム４０及び集積回路チップ５０は、配線フィルム４０に形成されたフィルムバンプ４６により互いに物理的に結合され、かつ電気的に接続されている。フィルムバンプ４６は、突出部４３と配線パターン４５とを有する。突出部４３は、配線フィルム４０のベースフィルム４１に形成され、配線パターン４５は突出部４３上に沿って形成されている。配線パターン４５は、配線フィルム４０上に形成されるため、フィルムバンプ４６は、ベースフィルム４１に突出部４３を形成するだけで具現できる。すなわち、配線フィルム４０の製造過程において、バンプ４６を容易に加えることができ、これにより、フィルムパッケージ６０全体の製造工程が非常に単純化しかつ製造コストを大幅に削減できる。
【００２１】
図５Ａと図５Ｂは、配線フィルム４０を製造する方法を示す図面である。配線フィルム４０の構造について下記に詳細に説明する。
図５Ａは、フィルムバンプ４６のために突出部４３を形成するためにベースフィルム４１を部分的にエッチングする段階を示す平面図である。図５Ｂは、図５ＡのＶＢ−ＶＢ線に沿って切断した断面図である。
【００２２】
図５Ａと図５Ｂを参照すれば、まず、ベースフィルム４１の一面を部分的にエッチングして所定のエッチング領域４２を形成する。具体的には、ベースフィルム４１を陰刻方式でエッチングすることにより、非エッチング部位、即ち、内部にエッチング領域４２に比べて相対的に突出した部位の突出部４３が形成される。突出部４３に形成されたベースフィルム４１の第１厚さ（ｔｌ）は、エッチング領域４２以外のベースフィルム４１の第２厚さ（ｔ２）と実質的に同一である。これにより、フィルムバンプ（図４の４６）の形成により、配線フィルム４０の高さを上げずに済む。ベースフィルム４１は、柔軟で、電気的に絶縁性であり、透明な材質のポリイミドフィルム等が用いられる。特に、ベースフィルム４１の厚さは、略３５μｍ乃至４０μｍ、好ましくは、約３８μｍである。
【００２３】
ベースフィルム４１の部分的エッチング工程は、レーザーを用いた微細加工方法が用いられる。この方法は、ベースフィルム４１のエッチングしようとする部分に、レーザービームを集中照射してベースフィルム４１を部分的に除去する方法であり、所望の部位に所望の形態の突出部４３を形成することができる。ここで用いるレーザーは、例えば、約１０００ｍＪ／ｃｍ２のエネルギーに約３００Ｈｚの周波数を有するエキシマ・レーザー(ｅｘｉｍｅｒ ｌａｓｅｒ)が挙げられる。この場合、レーザービームを一回照射する度に、約０．４５μｍずつベースフィルム４１を除去する。ベースフィルム４１の部分的エッチング工程において用いるレーザーは、ここに例示したレーザーに限定されず、その他に多種のレーザーを用いることができる。
【００２４】
ベースフィルム４１のエッチングの深さは、突出部４３の高さ、すなわちフィルムバンプ４６の高さを決定する。ベースフィルム４１のエッチングの深さは略３μｍ乃至２０μｍ程度が好ましい。従って、突出部４３の高さもやはりそれと同様である。図４に示すように、フィルムバンプ４６が入出力パッド５２に対応するために、突出部４３の位置は入出力パッド５２の位置によって決まる。その上、突出部４３は、図５Ａに示すように、入出力パッドの列に対応して連続的な形態を有するか、図６に示すように、各々の入出力パッドに対応して不連続的な形態を有することができる。
【００２５】
突出部４３は、少なくとも一つの樹脂排出口４４を有するが、樹脂排出口４４により、突出部４３で取り囲まれた内側エッチング領域４２ａ及び外側のエッチング領域４２ｂが互いに通じるように形成されることが好ましい。樹脂排出口４４は、後工程において、集積回路チップを接合する際に密封樹脂(図４の６１)の流れを容易にしてくれる通路として使われる。
【００２６】
突出部４３が形成されたら、配線パターンを形成する。図７Ａは、配線フィルム４０に配線パターン４５を形成する段階を示す平面図である。図７Ｂは、図７ＡのVIIＢ−VIIＢ線に沿って切断した断面図である。
【００２７】
図７Ａと図７Ｂを参照すれば、突出部４３が形成されたベースフィルム４１の表面に配線パターン４５が形成されている。配線パターン４５は、例えば、銅（Ｃｕ）等の電気導電性に優れた物質から形成される。例えば、電解メッキ方法において、ベースフィルム４１に、銅メッキ層を被覆した後、フォトリソグラフィ(photolithography)により所望の形状に製造することができる。または、銅メッキ層を被覆する前に、まず、ベースフィルム４１上に薄いシード（ｓｅｅｄ）金属膜(図示せず)を蒸着することが好ましい。配線パターン４５の厚さは、略５μｍ乃至１５μｍ、好ましくは、約８μｍ乃至１２μｍであり、シード金属膜は、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属から形成されるとともに、厚さは１μｍ以下である。
【００２８】
配線パターン４５は、突出部４３の上に形成され、配線パターン４５の一部は突出部４３を越えるように延出している。従って、突出部４３及びその上の配線パターン４５は、フィルムバンプ４６を構成する。このように、フィルムバンプ４６は、ベースフィルム４１に、突出部４３を形成することにより容易に具現することができる。従って、従来のチップバンプの製造に比べてバンプ製造工程を単純化し、かつ製造コストを削減することができる。
【００２９】
配線パターン４５上には、金属被膜層４７をさらに形成することができる。金属被膜層４７は、フィルムバンプ４６と入出力パッド(図４の５２)との間の安定した接合を強化するためのものである。金属被膜層４７は、錫（Ｓｎ）又はニッケル/金（Ｎｉ／Ａｕ）を数μｍ以下の厚さにメッキした後にパターニングされる。金属被膜層４７のメッキ方法において無電解メッキが用いられる。
【００３０】
配線パターン４５が形成されたら、保護膜を形成する。図８Ａは、配線フィルム４０に保護膜４８を形成する段階を示す平面図である。図８Ｂは、図８ＡのVIIIＢ−VIIIＢ線に沿って切断した断面図である。
【００３１】
図８Ａと図８Ｂを参照すれば、保護膜４８が、集積回路チップを収容する領域以外の、配線パターン４５が形成されるベースフィルム面４１上に形成される。保護膜４８は、半田レジスト（ｓｏｌｄｅｒ ｒｅｓｉｓｔ）物質からできている。
【００３２】
以上、説明した方法に従って、フィルムバンプ４６が形成された配線フィルム４０を製造し、該配線フィルム４０は、フィルムパッケージの製造に使われる。続けて、図９Ａ乃至図１０Ｂを参照して本発明の実施形態によるフィルムパッケージ６０の製造方法を説明する。該説明により、製造方法に関するフィルムパッケージ６０の構造もまた明確になるはずである。
【００３３】
図９Ａは、配線フィルム４０上に密封樹脂６１を塗布する段階を示す平面図である。図９Ｂは、図９ＡのIXＢーIXＢ線に沿って切断した断面図である。
図９Ａと図９Ｂを参照すれば、配線フィルム４０の保護層４８に囲まれたチップ実装領域に密封樹脂６１が設けられる。密封樹脂６１は、エポキシ樹脂とアクリレート樹脂のような非導電性樹脂であり、ペースト形態またはフィルム形態を有する。ペースト形態の密封樹脂はディスペンシング(dispensing)方法で、フィルム形態の密封樹脂はアタッチング(attaching)方法により設けられる。また、密封樹脂６１は、配線フィルム４０及び集積回路チップ５０の接続部を保護して固定する役割を果たす。
【００３４】
密封樹脂６１が設けられたら、配線フィルム４０上に集積回路チップ５０を取り付ける。図１０Ａは、配線フィルム４０に集積回路チップ５０を取り付ける段階を示す平面図である。図１０Ｂは、図１０ＡのＸＢ−ＸＢ線に沿って切断した断面図である。
【００３５】
図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すれば、配線フィルム４０と集積回路チップ５０は、フィルムバンプ４６及び入出力パッド５２を介して接続されている。例示の集積回路チップ５０は、ＬＣＤパネルを駆動する駆動素子である。ただし、集積回路チップ５０は必ずしもこれに限定されない。上記集積回路チップ５０は、活性面に配置された多数の入出力パッド５２を有する。例示の入出力パッド５２は、通常、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）からなる。
【００３６】
集積回路チップ５０を取り付ける工程において、活性面が、配線フィルム４０に面するようにした後、集積回路チップ５０を配線フィルム４０に位置合わせして入出力パッド５２とフィルムバンプ４６とが一致するようにする。そして、入出力パッド５２を載置して、一定の温度と圧力を加えて入出力パッド５２をフィルムバンプ４６と結合させる。さらに、密封樹脂６１で、配線フィルム４０と集積回路チップ５０との間の空間を満たして、フィルムバンプ４６と入出力パッド５２とを取り囲む。そして、密封樹脂６１の硬化により、入出力パッド５２及びフィルムバンプ４６を固定して支持するとともに電気的に相互に接続する。
【００３７】
本実施形態において、配線フィルム４０に集積回路チップ５０を取り付ける際に用いる密封樹脂は他の種類でも使用可能である。図１１は、本発明の他の実施形態によるフィルムパッケージ６０の構造を示す断面図で、前述の実施形態と他の密封樹脂６２を用いた場合である。
【００３８】
図１１を参照すれば、本実施形態に用いる密封樹脂６２は、異方性導電樹脂で、非導電性の樹脂６２ａ中に導電性を帯びる微粒子６２ｂが多数含まれている。
集積回路チップ５０を配線基板４０上に取り付けるとき、フィルムバンプ４６と入出力パッド５２との間に入り込んだ異方性導電樹脂６２の微粒子６２ｂが電気的な経路を提供する。異方性導電樹脂６２もまたペーストやフィルムの形態を有することができる。
【００３９】
一方、本発明の他の実施形態によれば、入出力パッド５２の表面にも配線パターン４５の金属被膜層４７が形成され得る。また、場合によっては、入出力パッド５２に金又ははんだからなる約５μｍ以下のチップバンプ(図示せず)を更に形成してもよい。
【００４０】
以上、説明した方法に従ってフィルムパッケージ６０を製造することができ、該フィルムパッケージ６０は、例えば、ＬＣＤモジュールに実装され使われる。図１２は、本発明によるフィルムパッケージの適用例を示す斜視図で、ＬＣＤモジュールに実装した例である。本発明によるフィルムパッケージは、例示のＬＣＤモジュール他にも、多様な製品に多様に適用され得ることは自明である。ＬＣＤモジュールの構成については既によく知られており、かつ本発明を理解する上必ずしも必要なものではないためその詳細な図示及び説明を省略する。
【００４１】
図１２を参照すれば、フィルムパッケージ６０は、ＬＣＤパネル７１と印刷回路基板７２との間に実装されている。ＬＣＤパネル７１は、二つの基板、例えば、ＴＦＴ基板７３とカラーフィルター基板７４で構成される。配線フィルム４０に形成された配線パターン４５は、パッケージ６０の外部接続端子として機能し、ＴＦＴ基板７３と印刷回路基板７２とに各々連結する。すなわち、配線パターン４５の出力端子は、ＴＦＴ基板７３の入力パッドに連結され、配線パターン４５の入力端子は、印刷回路基板７２の出力パッドに連結される。
【００４２】
なお、本明細書と図面に開示された本発明の実施形態は理解を助けるための特定例を提示したに過ぎず、本発明の範囲を限定するものではない。ここに開示された実施形態の他にも本発明の技術的思想に基づき他の変形例が実施可能であることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】従来技術の配線フィルム及びその製造方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】従来技術の配線フィルム及びその製造方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】従来技術の配線フィルム及びその製造方法を示す断面図である。
【図２】従来技術のフィルムパッケージを示す断面図である。
【図３Ａ】従来技術のチップバンプ製造方法を示す断面図である。
【図３Ｂ】従来技術のチップバンプ製造方法を示す断面図である。
【図３Ｃ】従来技術のチップバンプ製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施形態における配線フィルム及びこれを用いたフィルムパッケージを示す断面図である。
【図５Ａ】配線フィルムにバンプを形成するためにベースフィルムを部分的にエッチングして突出部を規定する段階を示す平面図である。
【図５Ｂ】配線フィルムにバンプを形成するためにベースフィルムを部分的にエッチングして突出部を規定する段階を示す断面図である。
【図６】突出部の変更例を示す平面図である。
【図７Ａ】配線フィルムに配線パターンを形成する段階を示す平面図である。
【図７Ｂ】配線フィルムに配線パターンを形成する段階を示す断面図である。
【図８Ａ】配線フィルムに保護膜を形成する段階を示す平面図である
【図８Ｂ】配線フィルムに保護膜を形成する段階を示す断面図である
【図９Ａ】配線フィルム上に密封樹脂を塗布する段階を示す平面図である。
【図９Ｂ】配線フィルム上に密封樹脂を塗布する段階を示す断面図である。
【図１０Ａ】配線フィルムに集積回路チップを取り付ける段階を示す平面図である。
【図１０Ｂ】配線フィルムに集積回路チップを取り付ける段階を示す断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態によるフィルムパッケージの構造を示す断面図である。
【図１２】本発明によるフィルムパッケージの適用例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
４０  配線フィルム
４１  ベースフィルム
４２  エッチング領域
４３  突出部
４４  樹脂排出口
４５  配線パターン
４６  フィルムバンプ
４７  金属被膜層
４８  保護膜
５０  集積回路チップ
５１  活性面
５２  入出力パッド
６０  フィルムパッケージ
６１  密封樹脂
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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