(57)【要約】【課題】電解めっき用のめっき引き出し線を用いながら信号用の導体配線パターンの信号伝搬の高速化に対応できる半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】略矩形状の樹脂基材１１にそれぞれが互いに電気的に断絶する複数の導体配線パターン１２を有し、これに電解めっきによるめっき被膜を有する半導体素子収納用パッケージ１０において、導体配線パターン１２のそれぞれにめっき被膜を形成するための導体配線パターン１２から延設されるめっき線１８と連結され、それぞれの導体配線パターン１２を短絡させるめっき線集合パターン１９を中央部に有し、これと連結するめっき引き出し線２０が外周側部に延設されて有し、それぞれの導体配線パターン１２にめっき引き出し線２０、めっき線集合パターン１９、及びめっき線１８を介してめっき被膜が形成された後に、めっき線集合パターン１９が穿設除去される切り欠き部２１を有する。【選択図】図１
2006128249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略矩形状の樹脂基材にそれぞれが互いに電気的に断絶する複数の導体配線パターンを有し、該導体配線パターンに電解めっきで形成されるめっき被膜を有する半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記導体配線パターンのそれぞれに前記めっき被膜を形成するための前記導体配線パターンのそれぞれから延設されるめっき線と連結され、それぞれの前記導体配線パターンを短絡させるめっき線集合パターンを中央部に有し、該めっき線集合パターンと連結するめっき引き出し線が外周側部に延設されて有し、それぞれの前記導体配線パターンに前記めっき引き出し線、前記めっき線集合パターン、及び前記めっき線を介して前記めっき被膜が形成された後に、前記めっき線集合パターンが穿設除去される切り欠き部を有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の半導体素子収納用パッケージにおいて、前記めっき引き出し線が前記導体配線パターンの中の電源用導体配線パターンに連結され、該電源用導体配線パターンから前記めっき線を介して前記めっき線集合パターンと連結されていることを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
大型の略矩形状のパネル状樹脂基材に複数の個片体がダミー部を介して配列する集合体からなり、それぞれの前記個片体にそれぞれが互いに電気的に断絶する複数の導体配線パターンが設けられ、それぞれの該導体配線パターンに前記ダミー部に設けるめっきタイバー線を介して電解めっきでめっき被膜を形成する半導体素子収納用パッケージの製造方法において、
前記個片体のそれぞれの前記導体配線パターンから延設するめっき線と連結して前記導体配線パターンのそれぞれを短絡させるためのめっき線集合パターンをそれぞれの前記個片体の中央部に設け、それぞれの前記めっき線集合パターンと連結するめっき引き出し線をそれぞれの前記個片体の外周側部を通過して前記めっきタイバー線まで延設して設ける工程と、
前記めっきタイバー線、それぞれの前記個片体の前記めっき引き出し線、前記めっき線集合パターン、及び前記めっき線を介して前記電解めっきでそれぞれの前記個片体の前記導体配線パターンに前記めっき被膜を形成する工程と、
前記個片体のそれぞれの前記めっき線集合パターンを穿設除去して切り欠き部を形成し、前記個片体の前記導体配線パターンのそれぞれを互いに電気的に断絶すると共に、前記集合体から前記個片体にするための切断線に沿って切断する工程を有することを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体素子収納用パッケージの製造方法において、前記めっきタイバー線まで延設する前記個片体のそれぞれの前記めっき引き出し線が前記個片体のそれぞれの前記導体配線パターンの中の電源用導体配線パターンに連結し、該電源用導体配線パターンから延設して前記個片体の前記めっき線集合パターンと連結する前記めっき線を設けることを特徴とする半導体素子収納用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を搭載するための半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法に関し、より詳細には、半導体素子の信号伝搬の高速化に対応できる導体配線パターンを有する半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子を搭載するための樹脂基材からなる半導体素子収納用パッケージは、半導体素子の高密度化、高速化による多端子化、半導体素子の実装性、低コスト化、低インピーダンス化、装置の小型化のための外形寸法の小型化等の観点から、例えば、パッケージに形成する導体配線パターンの配設密度を高めることができるＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）タイプ等のものが多く用いられている。
【０００３】
図５に示すように、従来のＢＧＡタイプの半導体素子収納用パッケージ５０は、平面視して略矩形状の樹脂基材５１の一方の面に半導体素子５２とボンディングワイヤ５３で接続するための多数のボンディングパッド５４を有するＣｕ等からなる導体配線パターン５５を有している。また、半導体素子収納用パッケージ５０は、樹脂基材５１の他方の面に半田ボール等からなる外部接続端子５６を接続するための多数の外部接続端子パッド５７を備える導体配線パターン５５を有している。ボンディングパッド５４と外部接続端子パッド５７とは、導体配線パターン５５及びスルーホール導体５８を介して接続され、電気的に導通状態を形成している。ボンディングパッド５４及び外部接続端子パッド５７は、導体配線パターン５５を含む樹脂基材５１の両面に形成するソルダーレジスト膜５９の導体配線パターン５５の所定部分を開口部として露出させることで形成されている。ソルダーレジスト膜５９の開口部から露出するボンディングパッド５４及び外部接続端子パッド５７には、通常、ボンディングワイヤ５３の接合性を高めたり、表面の酸化を防止して半田ボールの溶着性を高めるためにめっき浴中で導通させて形成する電解めっきによる手法でＮｉめっき被膜及びＡｕめっき被膜（図示せず）が形成されている。そして、半導体素子収納用パッケージ５０に半導体素子５２が実装された後には、半導体素子５２が封止樹脂６０で気密に封止されるようになっている。
【０００４】
図６に示すように、半導体素子収納用パッケージ５０の製造方法は、通常、大型の略矩形状のパネル状樹脂基材５１ａに多数個の半導体素子収納用パッケージ５０の集合体として形成される。集合体の中の各半導体素子収納用パッケージ５０の周囲のダミー部６１から各半導体素子収納用パッケージ５０にかけては、めっき用タイバー線６２と、このめっき用タイバー線６２から個別の各半導体素子収納用パッケージ５０のそれぞれの導体配線パターン５５に延設されるめっき引き出し線６３が設けられている。Ｎｉめっき被膜及びＡｕめっき被膜は、このめっき用タイバー線６２からめっき引き出し線６３を介して各導体配線パターン５５に通電され、予め、めっきを不必要とする部分に被覆して形成されているソルダーレジスト膜５９の開口部から露出するボンディングパッド５４や、外部接続端子パッド５７等の導体配線パターン５５上に形成されている。そして、各半導体素子収納用パッケージ５０は、集合体から切断線６４に沿って切断されて形成されている。
【０００５】
半導体素子収納用パッケージには、めっき引き出し線を矩形平面状の絶縁基体の一端面に集中して導出させたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−３２６７４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述したような従来の半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法は、次のような問題がある。
（１）半導体素子収納用パッケージは、近年の半導体素子の高速化によって、信号用の導体配線パターンがこれに対応できるパッケージ仕様を求められている。しかしながら、従来の半導体素子収納用パッケージには、それぞれの導体配線パターンにめっき浴中で通電させて形成する電解めっきによる手法でめっき被膜を形成するためのめっき引き出し線を必要としているので、個片にした後のパッケージの中の導体配線パターンと連接するめっき引き出し線に発生する静電容量によって高速信号の伝搬が妨げられるという問題がある。また、半導体素子収納用パッケージは、導体配線パターンがパッケージの中心部寄りに形成される場合があるので、従来の半導体素子収納用パッケージでは外周から延設するめっき引き出し線を短くすることが困難であり、めっき引き出し線に発生する静電容量によって高速信号の伝搬の妨げとなっている。
（２）めっき引き出し線は、導体配線パターンのめっき被膜の形成を電解めっきで行うために必要となっているが、めっき引き出し線をなくす方法として、導体配線パターンに通電を行わない化学めっきの無電解めっきによる手法でめっき被膜を形成する方法が考えられる。しかしながら、無電解めっきによるめっき被膜は、充分な被膜厚さが確保できないので、導体配線パターンである、例えば、外部接続端子パッドに外部接続端子である半田ボールを接合する時の接着強度が低くなったり、ボンディングパッドにボンディングワイヤを接続する時の接続強度が低くなったりする。
（３）半導体素子収納用パッケージにめっき引き出し線を矩形平面状の絶縁基体の一端面に集中して導出させる場合には、めっき引き出し線が必要である上に、逆にめっき引出し線が長くなって、めっき引き出し線に発生する静電容量による高速信号の伝搬の妨げとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、電解めっきのためのめっき引き出し線を用いながら信号用の導体配線パターンの信号伝搬の高速化に対応できる半導体素子収納用パッケージ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージは、略矩形状の樹脂基材にそれぞれが互いに電気的に断絶する複数の導体配線パターンを有し、導体配線パターンに電解めっきで形成されるめっき被膜を有する半導体素子収納用パッケージにおいて、導体配線パターンのそれぞれにめっき被膜を形成するための導体配線パターンのそれぞれから延設されるめっき線と連結され、それぞれの導体配線パターンを短絡させるめっき線集合パターンを中央部に有し、めっき線集合パターンと連結するめっき引き出し線が外周側部に延設されて有し、それぞれの導体配線パターンにめっき引き出し線、めっき線集合パターン、及びめっき線を介してめっき被膜が形成された後に、めっき線集合パターンが穿設除去される切り欠き部を有する。
ここで、半導体素子収納用パッケージは、めっき引き出し線が導体配線パターンの中の電源用導体配線パターンに連結され、電源用導体配線パターンからめっき線を介してめっき線集合パターンと連結されているのがよい。
【０００９】
前記目的に沿う本発明に係る半導体素子収納用パッケージの製造方法は、大型の略矩形状のパネル状樹脂基材に複数の個片体がダミー部を介して配列する集合体からなり、それぞれの個片体にそれぞれが互いに電気的に断絶する複数の導体配線パターンが設けられ、それぞれの導体配線パターンにダミー部に設けるめっきタイバー線を介して電解めっきでめっき被膜を形成する半導体素子収納用パッケージの製造方法において、個片体のそれぞれの導体配線パターンから延設するめっき線と連結して導体配線パターンのそれぞれを短絡させるためのめっき線集合パターンをそれぞれの個片体の中央部に設け、それぞれのめっき線集合パターンと連結するめっき引き出し線をそれぞれの個片体の外周側部を通過してめっきタイバー線まで延設して設ける工程と、めっきタイバー線、それぞれの個片体のめっき引き出し線、めっき線集合パターン、及びめっき線を介して電解めっきでそれぞれの個片体の導体配線パターンにめっき被膜を形成する工程と、個片体のそれぞれのめっき線集合パターンを穿設除去して切り欠き部を形成し、個片体の導体配線パターンのそれぞれを互いに電気的に断絶すると共に、集合体から個片体にするための切断線に沿って切断する工程を有する。
ここで、半導体素子収納用パッケージの製造方法は、めっきタイバー線まで延設する個片体のそれぞれのめっき引き出し線が個片体のそれぞれの導体配線パターンの中の電源用導体配線パターンに連結し、電源用導体配線パターンから延設して個片体のめっき線集合パターンと連結するめっき線を設けるのがよい。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１又はこれに従属する請求項２記載の半導体素子収納用パッケージは、導体配線パターンのそれぞれにめっき被膜を形成するための導体配線パターンのそれぞれから延設されるめっき線と連結され、それぞれの導体配線パターンを短絡させるめっき線集合パターンを中央部に有し、めっき線集合パターンと連結するめっき引き出し線が外周側部に延設されて有し、それぞれの導体配線パターンにめっき引き出し線、めっき線集合パターン、及びめっき線を介してめっき被膜が形成された後に、めっき線集合パターンが穿設除去される切り欠き部を有するので、それぞれの導体配線パターンと連結するめっき引き出し線を必要としないで電解めっきでめっき被膜厚さを適正にできると共に、それぞれの導体配線パターンと連結するめっき線を短い長さにすることができ、信号用の導体配線パターンの信号伝搬の高速化に対応することができる。
特に、請求項２記載の半導体素子収納用パッケージは、めっき引き出し線が導体配線パターンの中の電源用導体配線パターンに連結され、電源用導体配線パターンからめっき線を介してめっき線集合パターンと連結されているので、めっき引き出し線には、静電容量の影響を受けない電源用導体配線パターンに連結してめっき線集合パターンと連結させることで、めっき引き出し線を他の導体配線パターンとの間の狭い部分に配置するのを回避でき、他の導体配線パターンとの短絡を防止して容易に配置させることができる。
【００１１】
請求項３又はこれに従属する請求項４記載の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、個片体のそれぞれの導体配線パターンから延設するめっき線と連結して導体配線パターンのそれぞれを短絡させるためのめっき線集合パターンをそれぞれの個片体の中央部に設け、それぞれのめっき線集合パターンと連結するめっき引き出し線をそれぞれの個片体の外周側部を通過してめっきタイバー線まで延設して設ける工程と、めっきタイバー線、それぞれの個片体のめっき引き出し線、めっき線集合パターン、及びめっき線を介して電解めっきでそれぞれの個片体の導体配線パターンにめっき被膜を形成する工程と、個片体のそれぞれのめっき線集合パターンを穿設除去して切り欠き部を形成し、個片体の導体配線パターンのそれぞれを互いに電気的に断絶すると共に、集合体から個片体にするための切断線に沿って切断する工程を有するので、それぞれの導体配線パターンと連結するめっき引き出し線を用いないで電解めっきでめっき被膜が形成でき、信号用の導体配線パターンの信号伝搬の高速化に対応できる半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供できる。
特に、請求項４記載の半導体素子収納用パッケージの製造方法は、めっきタイバー線まで延設する個片体のそれぞれのめっき引き出し線が個片体のそれぞれの導体配線パターンの中の電源用導体配線パターンに連結し、電源用導体配線パターンから延設して個片体のめっき線集合パターンと連結するめっき線を設けるので、静電容量の影響を受けない電源用導体配線パターンに連結してめっき線集合パターンと連結するめっき引き出し線を他の導体配線パターンと短絡させないで配置できる半導体素子収納用パッケージの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施するための最良の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの説明図、図２は同半導体素子収納用パッケージの変形例の説明図、図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための上面側の部分拡大平面図、図４（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分拡大縦断面図である。
【００１３】
図１（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージを説明する。ここで、図１（Ａ）は同半導体素子収納用パッケージの上面視した一部拡大平面図、図１（Ｂ）は同半導体素子収納用パッケージの上面側から下面を透視したパターン形態で下面視した一部拡大平面図である。図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０は、複数の個片体の集合体から切断して個片体とされるものである。半導体素子収納用パッケージ１０は、略矩形状の樹脂基材１１にそれぞれが互いに電気的に短絡していない断絶状態で、個々には樹脂基材１１の両面にわたって形成されるパターンが電気的に導通状態となる複数の導体配線パターン１２を有している。半導体素子収納用パッケージ１０は、通常、この導体配線パターン１２として、樹脂基材１１の上面側に、半導体素子とパッケージを電気的に導通状態とするためのボンディングワイヤ接続用の複数のボンディングパッド１３を有している。また、この半導体素子収納用パッケージ１０は、導体配線パターン１２として、樹脂基材１１の下面側にボード等に接続して外部と電気的に導通状態とするための外部接続端子接合用の複数の外部接続端子パッド１４を有している。そして、更に、この半導体素子収納用パッケージ１０は、それぞれの導体配線パターン１２として、ボンディングパッド１３と外部接続端子パッド１４間を電気的に導通状態とするために回路配線１５や、樹脂基材１１を貫通して形成するスルーホール導体１６を有している。この導体配線パターン１２には、めっき浴中で通電する電解めっきの手法を用いて、樹脂基材１１の両面に形成されるソルダーレジスト膜１７の開口部から露出する導体配線パターン１２の所望の部分、例えば、ボンディングパッド１３や、外部接続端子パッド１４にめっき被膜が形成されている。
【００１４】
半導体素子収納用パッケージ１０は、複数の導体配線パターン１２のそれぞれにめっき被膜を形成するために、複数の導体配線パターン１２の上面側のボンディングパッド１３のそれぞれから延設されるめっき線１８が途中で隣接するめっき線１８どうしで短絡することなく連結され、連結された後に複数の導体配線パターン１２の全てを短絡させることができるめっき線集合パターン１９を樹脂基材１１の上面側中央部に有している。更に、樹脂基材１１の上面側には、めっき線集合パターン１９に一方の端部を連結し、他方の端部を樹脂基材１１の外周側部に延設するめっき引き出し線２０を有している。複数のそれぞれの導体配線パターン１２には、上記のめっき引き出し線２０、めっき線集合パターン１９、及びめっき線１８を介して電解めっきが行われ、樹脂基材１１の両面に形成されるソルダーレジスト膜１７の開口部から露出するボンディングパッド１３や、外部接続端子パッド１４等の導体配線パターン１２上にめっき被膜が形成されている。そして、半導体素子収納用パッケージ１０は、このめっき被膜が形成された後にめっき線集合パターン１９が樹脂基材１１ごと穿設除去されることで樹脂基材１１の中央部に切り欠き部２１を有している。
【００１５】
図２を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０の変形例の半導体素子収納用パッケージを説明する。ここで、図２は同半導体素子収納用パッケージ１０の変形例の半導体素子収納用パッケージを上面視した一部拡大平面図である。図２に示すように、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０の変形例の半導体素子収納用パッケージ１０ａは、半導体素子収納用パッケージ１０と同様に、複数の個片体の集合体から切断して個片体とされるものである。この半導体素子収納用パッケージ１０ａは、略矩形状の樹脂基材１１にそれぞれが互いに電気的に短絡していない断絶状態で、個々には樹脂基材１１の一方の面に形成されるパターンが電気的に導通状態となる複数の導体配線パターン１２ａを有している。半導体素子収納用パッケージ１０ａは、通常、この導体配線パターン１２ａとして、樹脂基材１１の一方の面側に、半導体素子とパッケージを電気的に導通状態とするためのボンディングワイヤ接続用の複数のボンディングパッド１３と、ボード等に接続して外部と電気的に導通状態とするための外部接続端子接合用の複数の外部接続端子パッド１４を有している。そして、更に、この半導体素子収納用パッケージ１０ａは、それぞれの導体配線パターン１２ａとして、ボンディングパッド１３と外部接続端子パッド１４間を電気的に導通状態とするために回路配線１５ａを有している。この導体配線パターン１２ａには、めっき浴中で通電する電解めっきの手法を用いて、樹脂基材１１の一方の面に形成されるソルダーレジスト膜１７の開口部から露出する導体配線パターン１２ａの所望の部分、例えば、ボンディングパッド１３や、外部接続端子パッド１４にめっき被膜が形成されている。
【００１６】
半導体素子収納用パッケージ１０ａは、複数の導体配線パターン１２ａのそれぞれにめっき被膜を形成するために、複数の導体配線パターン１２ａの一方の面側のボンディングパッド１３のそれぞれから延設されるめっき線１８が途中で隣接するめっき線１８どうしで短絡することなく連結され、連結された後に複数の導体配線パターン１２ａの全てを短絡させることができるめっき線集合パターン１９を有している。更に、樹脂基材１１の同一面側には、めっき線集合パターン１９に一方の端部を連結し、他方の端部を樹脂基材１１の外周側部に延設するめっき引き出し線２０を有している。複数のそれぞれの導体配線パターン１２ａには、上記のめっき引き出し線２０、めっき線集合パターン１９、及びめっき線１８を介して電解めっきが行われ、樹脂基材１１の同一面に形成されるソルダーレジスト膜１７の開口部から露出するボンディングパッド１３や、外部接続端子パッド１４等の導体配線パターン１２ａ上にめっき被膜が形成されている。そして、半導体素子収納用パッケージ１０ａは、このめっき被膜が形成された後にめっき線集合パターン１９が樹脂基材１１ごと穿設除去されることで樹脂基材１１の中央部に切り欠き部２１を有している。
【００１７】
半導体素子収納用パッケージ１０、１０ａは、めっき引き出し線２０が導体配線パターン１２、１２ａの中の電源用導体配線パターンに連結され、この電源用導体配線パターンからめっき線１８を介してめっき線集合パターン１９と連結されているのがよい。電源用導体配線パターンは、信号用導体配線パターンのように静電容量の影響を受けないので、電源用導体配線パターンをめっき引き出し線２０の延長線として利用することができる。めっき引き出し線２０は、隣合う導体配線パターン１２、１２ａとの狭い間隔からなる間に配置するのを回避でき、導体配線パターン１２、１２ａとの短絡を防止してを容易に配置させることができる。
【００１８】
次いで、図３（Ａ）、（Ｂ）を参照しながら、半導体素子収納用パッケージ１０、１０ａ（以下、代表して半導体素子収納用パッケージ１０で用いた符号で表示する）の製造方法を説明する。なお、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す図は半導体素子収納用パッケージ１０の図の形態で示し、上面側の部分拡大平面図であると共に下面側の外部接続端子パッド１４も透視した状態で併せて図示している。
図３（Ａ）に示すように、半導体素子収納用パッケージ１０は、それぞれが個片体の半導体素子収納用パッケージ１０に作製される前には、大型の略矩形状のパネル状樹脂基材２２に複数個がそれぞれの周囲に設けるダミー部２３を介して配列する複数の個片体のパッケージの集合体からなっている。集合体のそれぞれの個片体には、それぞれが互いに電気的に断絶する複数の導体配線パターン１２を設け、このそれぞれの導体配線パターン１２に上述のダミー部２３に設けるめっきタイバー線２４を介して電解めっきでめっき被膜が施されるようになっている。このめっき被膜を形成するためには、先ず、個片体の中のそれぞれの導体配線パターン１２から延設するめっき線１８と連結して導体配線パターン１２のそれぞれを短絡させるためのめっき線集合パターン１９を個片体の中央部に設けている。更に、めっき線集合パターン１９からは、これと連結するめっき引き出し線２０を個片体の外周側部を通過してめっきタイバー線２４まで延設して設けている。そして、それぞれの個片体の表面には、ボンディングパッド１３や外部接続端子パッド１４を開口部から露出させるようにしてソルダーレジスト膜１７を設けている。なお、ソルダーレジスト膜１７は、めっき線集合パターン１９上や、めっきタイバー線２４上にも設けてもよい。
【００１９】
次に、パネル状樹脂基材２２は、それそれの個片体の周囲のダミー部２３にそれぞれの個片体を取り巻くように設けられためっきタイバー線２４の電極端子部分に電解めっき用治具の電極端子を接続し、めっき浴中に浸漬している。そして、電極端子から印加された電流は、めっきタイバー線２４、それぞれの個片体のめっき引き出し線２０、めっき線集合パターン１９、及びめっき線１８を介してそれぞれの個片体の導電配線パターン１２に通電している。このめっき浴中での通電は、ソルダーレジスト膜１７の開口部から露出する導電配線パターン１２の所望の部分、例えば、ボンディングパッド１３や外部接続端子パッド１４に電解めっきによるめっき被膜を形成している。
【００２０】
次に、図３（Ｂ）に示すように、パネル状樹脂基材２２には、それぞれの個片体のめっき線集合パターン１９を打ち抜きプレス金型や、ルーター加工機等を用いて穿設除去して、それぞれの個片体の中央部に切り欠き部２１を形成している。この切り欠き部２１によって、それぞれの個片体の導体配線パターン１２は、それぞれを互いに電気的に断絶状態としている。集合体中のそれぞれの個片体は、この切り欠き部２１の作製によるそれぞれの導体配線パターン１２の電気的な断絶と共に、集合体から個片体にするための切断線２５（図３（Ａ）参照）に沿ってダイシングソーや、ルーター加工機等で切断している。集合体のこの切断によって、個片体からなる半導体素子収納用パッケージ１０を作製している。
【００２１】
半導体素子収納用パッケージ１０、１０ａを作製するためには、めっきタイバー線２４まで延設する個片体のそれぞれのめっき引き出し線２０が個片体のそれぞれの導電配線パターン１２の中の電源として用いられる電源用導体配線パターンに連結するのがよい。そして、更に、半導体素子収納用パッケージ１０、１０ａを作製するためには、電源用導体配線パターンからめっき線１８が延設して個片体のめっき線集合パターン１９に連結するのがよい。
【００２２】
ここで、図４（Ａ）〜（Ｄ）を参照しながら、本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージ１０、１０ａ（以下、代表して半導体素子収納用パッケージ１０の形態で説明する）を作製するためのパネル状樹脂基材２２に導体配線パターン１２を形成する方法について説明する。
図４（Ａ）に示すように、パネル状樹脂基材２２には、例えば、ＢＴ樹脂（ビスマレイミドトリアジンを主成分にした樹脂）やエポキシ樹脂等の高耐熱性、誘電特性、絶縁特性、加工性に優れた樹脂が用いられ、パネル状樹脂基材２２の両面には、Ｃｕ箔２６が貼られている。この両面にＣｕ箔２６が貼られているパネル状樹脂基材２２には、スルーホール導体１６（図４（Ｂ）参照）形成用の貫通孔２７を形成している。
【００２３】
次に、図４（Ｂ）に示すように、パネル状樹脂基材２２のＣｕ箔２６面、及び貫通孔２７の壁面には、無電解Ｃｕめっき、及び電解Ｃｕめっきを施してＣｕ箔２６の表面にＣｕめっき被膜２８を形成すると共に、貫通孔２７の壁面にＣｕめっき被膜２８からなるスルーホール導体１６を形成している。なお、樹脂の表面に直接無電解Ｃｕめっきでめっきを行う方法は、樹脂表面にパラジウム等の触媒を付与後、ホルマリンを還元剤とする強アルカリ浴中で化学的に行うことができる。また、電解Ｃｕめっきは、例えば、硫酸銅、ピロリン酸等のＣｕめっき浴中で無電解Ｃｕめっき被膜の表面に通電して電解Ｃｕめっき被膜を形成している。
【００２４】
次に、図４（Ｃ）に示すように、Ｃｕめっき被膜２８が形成されたパネル状樹脂基材２２の両面には、感光性のドライフィルムを展着し、パターンマスクを当接して露光し、現像するフォトリソグラフィ法で所望するパターンと逆パターンを開口部とするエッチングレジスト膜を形成する。更に、エッチングレジスト膜の開口部から露出するＣｕめっき被膜２８には、例えば、塩化第２鉄溶液や、塩化第２銅溶液等のエッチング液を用いてエッチングが施され、Ｃｕめっき被膜２８及びＣｕ箔２６を除去している。そして、ドライフィルムを剥離して除去したパネル状樹脂基材２２の上面側には、例えば、導体配線パターン１２の中のボンディングパッド１３（図４（Ｄ）参照）や、回路配線１５（図４（Ｄ）参照）等を形成している。また、パネル状樹脂基材２２の下面側には、例えば、上面側の回路配線１５と接続するスルーホール導体１６を介して接続する導体配線パターン１２の中の回路配線１５（図４（Ｄ）参照）や、外部接続端子パッド１４（図４（Ｄ）参照）等を形成している。更に、パネル状樹脂基材２２の上面側には、導体配線パターン１２に電解めっきによるめっき被膜を形成するためのめっき線１８（図示せず）、めっき線集合パターン１９（図示せず）、及びめっき引き出し線２０（図示せず）設けている。
【００２５】
次に、図４（Ｄ）に示すように、パネル状樹脂基材２２の両面には、導体配線パターン１２の必要部分を開口部から露出させるためと同時に、スルーホール導体１６内を充填させるために、スクリーン印刷やフォトリソグラフィ法等でソルダーレジスト膜１７を形成する。ソルダーレジスト膜１７の開口部から露出する導体配線パターン１２の必要部分には、パネル状樹脂基材２２の上面側にボンディングパッド１３、下面側に外部接続端子パッド１４がある。そして、パネル状樹脂基材２２は、例えば、ワット浴や、スルファミン酸浴等のＮｉめっき浴中に浸漬し、めっきタイバー線２４を介するめっき引き出し線２０、めっき線集合パターン１９、及びめっき線１８から通電する電解めっきによって、ソルダーレジスト膜１７の開口部から露出するボンディングパッド１３や、外部接続端子パッド１４上にＮｉめっき被膜（図示せず）を施す。更に、パネル状樹脂基材２２は、Ａｕめっき浴や、Ａｕ合金めっき浴等のめっき浴中に浸漬し、めっきタイバー線２４を介するめっき引き出し線２４、めっき線集合パターン１９、及びめっき線１８から通電する電解めっきによって、ソルダーレジスト膜１７の開口部から露出するボンディングパッド１３や、外部接続端子パッド１４上のＮｉめっき被膜の表面にＡｕめっき被膜（図示せず）を施す。なお、Ｎｉめっき被膜は、Ｃｏ等を含有させたＮｉ合金めっき被膜であってもよい。そして、導体配線パターン１２の全てを短絡させているめっき線集合パターン１９は、打ち抜きプレス金型や、ルーター加工機等を用いて穿設除去して切り欠き部２１を形成している。この切り欠き部２１によって、それぞれの導体配線パターン１２は、互いに電気的に断絶状態となっている。
【００２６】
ここで、図示しないが、半導体素子収納用パッケージに半導体素子を実装する場合の実装形態の一例を説明する。半導体素子収納用パッケージの切り欠き部には、切り欠き部のいずれか一方側に熱伝導率の高い金属板からなる放熱板を切り欠き部のいずれか一方側を塞ぐようにして接合させ、半導体素子を切り欠き部の中に収納するようにして放熱板上に搭載させる形態のものがある。また、半導体素子収納用パッケージの切り欠き部には、半導体素子を切り欠き部のいずれか一方側の周辺部にブリッジ状に、しかも、切り欠き部のいずれか一方側を塞ぐようにして搭載させる形態のものがある。いずれもボンディングワイヤでボンディングパッドと半導体素子間を電気的に導通状態とした後に、封止樹脂等で半導体素子を気密に封止している。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明では、信号高速化の半導体素子を搭載させる半導体素子収納用パッケージが信号用の導体配線パターンの信号伝搬の高速化ができるので、半導体素子の信号高速化が要求される電子機器、例えば、携帯電話や、パソコン等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【図２】同半導体素子収納用パッケージの変形例の説明図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための上面側の部分拡大平面図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｄ）はそれぞれ同半導体素子収納用パッケージの製造方法を説明するための部分拡大縦断面図である。
【図５】従来の半導体素子収納用パッケージの説明図である。
【図６】同半導体素子収納用パッケージの製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０、１０ａ：半導体素子収納用パッケージ、１１：樹脂基材、１２、１２ａ：導体配線パターン、１３：ボンディングパッド、１４：外部接続端子パッド、１５、１５ａ：回路配線、１６：スルーホール導体、１７：ソルダーレジスト膜、１８：めっき線、１９：めっき線集合パターン、２０：めっき引き出し線、２１：切り欠き部、２２：パネル状樹脂基材、２３：ダミー部、２４：めっきタイバー線、２５：切断線、２６：Ｃｕ箔、２７：貫通孔、２８：Ｃｕめっき被膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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