(57)【要約】【課題】  半導体基板のセルアレイ領域内で選択されたセルブロック上に形成された誘電膜の漏洩電流特性を検査するための方法及び装置が開示される。【解決手段】  コロナチャージャー120は、前記選択されたセルブロック上にコロナイオン電荷を帯電し、複数の測定プローブから選択された測定プローブは、前記誘電膜の表面電圧の変化を測定する。プローブ制御部142は、前記セルブロックの大きさによって前記複数の測定プローブから一つを選択し、前記半導体基板のイメージデータを用いて前記選択された測定プローブを前記選択されたセルブロック上に整列させる。データ処理ユニット160は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムと既に設定された基準データを比較して前記誘電膜の漏洩電流特性を決定する。したがって、各セルブロックに対する誘電膜の漏洩電流特性を容易に検査することができる。【選択図】            図１
2006032942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニングされた構造物と前記構造物上に誘電膜が形成された複数のセルブロックを含むセルアレイ領域と周辺回路領域を有する基板において、
前記複数のセルブロックから選択されたセルブロック上にコロナイオン電荷を帯電する段階と、
前記コロナイオン電荷が帯電されたセルブロック上の誘電膜を通じた電気的な漏洩による表面電圧の変化を測定する段階と、
前記測定された表面電圧の変化と既に設定された基準データを比較して前記誘電膜の漏洩電流特性を決定する段階と、を含むことを特徴とする誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項２】
前記コロナイオン電荷を帯電する前に遂行され、前記基板からイメージデータを獲得する段階と、
前記イメージデータを用いて前記コロナイオン電荷を発生させるためのコロナチャージャーを前記選択されたセルブロック上に整列させる段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項３】
前記イメージデータを用いて前記表面電圧の変化を測定するための測定プローブを前記選択されたセルブロック上に整列させる段階を更に含むことを特徴とする請求項２記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項４】
前記表面電圧の変化を測定する段階は、
前記選択されたセルブロックの大きさと対応する大きさを有する測定プローブを準備する段階と、
前記測定プローブを前記選択されたセルブロック上に整列させる段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項５】
前記測定プローブは、互いに異なる大きさを有する複数の測定プローブから選択されることを特徴とする請求項４記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項６】
前記測定プローブは、互いに異なる形状を有する複数の測定プローブから選択されることを特徴とする請求項４記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項７】
前記コロナイオン電荷を帯電する前に遂行され、前記基板のフラットゾーン部位を基準として前記基板を予備整列する段階を更に含むことを特徴とする請求項１記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項８】
前記基準データは、互いに異なる基準誘電膜から獲得された基準表面電圧の変化を示す基準スペクトラムを含むことを特徴とする請求項１記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項９】
前記誘電膜の漏洩電流特性は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムと前記基準スペクトラムを比較することによって決定されることを特徴とする請求項８記載の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項１０】
前記基準データは、基準誘電膜から獲得された基準表面電圧の変化を示す基準スペクトラムを含むことを特徴とする請求項１記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項１１】
前記誘電膜の漏洩電流特性は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムから獲得された初期測定電圧の前記基準スペクトラムの初期基準電圧を比較することによって決定されることを特徴とする請求項１０記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項１２】
前記誘電膜の漏洩電流特性は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムから獲得された電圧降下割合と前記基準スペクトラムの電圧降下割合を比較することによって決定されることを特徴とする請求項１０記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項１３】
前記誘電膜の漏洩電流特性は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムから獲得された正常状態の電圧と前記基準スペクトラムの正常状態の電圧を比較することによって決定されることを特徴とする請求項１０記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法。
【請求項１４】
パターンニングされた構造物と前記構造物上に誘電膜が形成された複数のセルブロックを含むセルアレイ領域と周辺回路領域を有する基板において、
前記複数のセルブロックから選択されたセルブロック上にコロナイオン電荷を帯電するためのコロナチャージャーと、
前記コロナイオン電荷が帯電されたセルブロック上の誘電膜を通じる電気的漏洩による表面電圧の変化を測定するための測定プローブユニットと、
前記測定された表面電圧の変化と既に設定された基準データを比較して前記誘電膜の漏洩電流特性を決定するためのデータ処理ユニットと、を含むことを特徴とする誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項１５】
前記測定プローブユニットは、互いに異なる大きさを有する複数の測定プローブを含むことを特徴とする請求項１４記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項１６】
前記基板のイメージデータを獲得するためのイメージ獲得ユニットと、
前記基板を支持するためのステージと、
前記ステージを水平及び垂直方向に移動させるための駆動ユニットと、
前記基板のイメージデータを用いて前記選択されたセルブロックが前記測定プローブから選択された一つ又は前記コロナチャージャーの下部に整列されるように前記駆動ユニットの動作を制御するための駆動制御部と、を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項１７】
前記選択された測定プローブは、前記選択されたセルブロックの幅と対応する直径を有するピックアッププレート及び前記ピックアッププレートを振動させるための振動器具を含むことを特徴とする請求項１６記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項１８】
前記選択された測定プローブは、前記選択されたセルブロックの形状と対応する形状を有するピックアッププレート及び前記ピックアッププレートを振動させるための振動器具を含むことを特徴とする請求項１６記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項１９】
前記測定プローブユニットは、前記複数の測定プローブを支持するための円形ディスクを更に含むことを特徴とする請求項１５記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２０】
前記複数の測定プローブは、前記円形ディスクの中心に対して半径方向に配置されたことを特徴とする請求項１９記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２１】
前記測定プローブユニットは、前記支持部材と連結され、前記支持部材を回転させるための回転駆動部を更に含むことを特徴とする請求項１９記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２２】
前記複数の測定プローブから前記選択されたセルブロックの幅と対応する大きさを有する測定プローブを選択し、前記選択された測定プローブが前記選択されたセルブロックの表面電圧の変化を測定するように前記測定プローブユニットの動作を制御するためのプローブ制御部を更に含むことを特徴とする請求項２１記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２３】
前記基板のイメージデータを獲得するためのイメージ獲得ユニットと、
前記コロナチャージャー及び前記測定プローブユニットを移動させるための駆動ユニットと、
前記複数の測定プローブから前記選択されたセルブロックの幅と対応する大きさを有する測定プローブを選択し、前記基板のイメージデータを用いて前記選択された測定プローブ又は前記コロナチャージャーが前記選択された測定プローブ又は前記コロナチャージャーが前記選択されたセルブロック上に整列されるように、前記駆動ユニットの動作を制御するための駆動制御部と、を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２４】
前記基準データは、互いに異なる基準誘電膜から獲得された基準表面電圧の変化を示す基準スペクトラムを含むことを特徴とする請求項１４記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２５】
前記データ処理ユニットは、
前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムと前記基準スペクトラムとを比較するための比較部と、
前記比較部による比較結果によって前記誘電膜の漏洩電流特性値を算出するための演算部と、を含むことを特徴とする請求項２４記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２６】
前記基準データは、基準誘電膜から獲得された基準表面電圧の変化を示す基準スペクトラムを含むことを特徴とする請求項１４記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２７】
前記データ処理ユニットは、
前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムの初期測定電圧と基準スペクトラムの初期基準電圧を比較するための比較部と、
前記比較部による比較結果によって前記誘電膜の漏洩電流特性値を算出するための演算部と、を含むことを特徴とする請求項２６記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２８】
前記データ処理ユニットは、
前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムの電圧降下割合と前記基準スペクトラムの電圧降下割合を比較するための比較部と、
前記比較部による比較結果によって前記誘電膜の漏洩電流特性値を算出するための演算部と、を含むことを特徴とする請求項２６記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項２９】
前記データ処理ユニットは、
前記特定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラムの正常状態の電圧と前記基準スペクトラムの正常状態の電圧とを比較するための比較部と、
前記比較部による比較結果によって前記誘電膜の漏洩電流特性値を算出するための演算部と、を含むことを特徴とする請求項２６記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【請求項３０】
前記基板のフラットゾーン部位を基準として前記基板を予備整列するための予備整列ユニットを更に含むことを特徴とする請求項１４記載の誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法とこれを行うための装置に係わり、より詳細には、コロナイオン電荷を用いて半導体基板上に形成された誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法とこれを行うための装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体装置の高集積化及び高速化が要求されることによって、メモリセル領域の面積が非常に縮小している。前記メモリセル領域の面積の縮小によって半導体装置を構成するそれぞれのセルに含まれるトランジスタ及びキャパシタが形成される領域の面積が減少している。
【０００３】
前記メモリセル領域の面積の減少によって、前記半導体装置で用いられる誘電膜の特性、例えば、絶縁破壊電圧の特性（ｂｒｅａｋｄｗｏｎ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）、漏洩電流特性（ｌｅａｋａｇｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ）などが非常に重要になりつつある。
【０００４】
特に、前記誘電膜の漏洩電流特性は、誘電膜又は誘電膜と半導体基板との間の界面部位に存在する汚染物質によって低下することがある。また、前記誘電膜の漏洩電流特性は、半導体基板上に形成されたパターニングされた構造物によるステップカバレッジの特性によって変化することがある。
【０００５】
このため、前記誘電膜の漏洩電流特性を検査するための多様な方法が提示されている。前記方法の例として、特許文献１（ｉｓｓｕｅｄ  ｔｏ  Ｖｅｒｋｕｉｌ）には、コロナチャージャー（ｃｏｒｏｎａ  ｃｈａｒｇｅｒ）とケルビンプローブ（Ｋｅｌｖｉｎ  ｐｒｏｂｅ）を用いたＰＮ接合漏洩特性を測定する方法が開示されており、特許文献２（ｉｓｓｕｅｄ  ｔｏ  Ｃｈａｎｏｎ  ｅｔ．ａｌ．）には、ケルビンプローブを用いて表面電圧を測定することによって基板／誘電体界面を有する半導体ウエハーに不純物が存在するかを判断する非接触方法が開示されている。また、特許文献３（ｉｓｓｕｅｄ  ｔｏ  Ｌａｇｏｗｓｋｉ  ｅｔ  ａｌ．）には、コロナ放電（ｃｏｒｏｎａ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）を用いてＳＩＬＣ（ｓｔｒｅｓｓ  ｉｎｄｕｃｅｄ  ｌｅａｋａｇｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ）とＧＯＩ（ｇａｔｅ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｉｎｔｅｇｒｉｔｙ）を測定する方法が開示されている。
【０００６】
前述したような従来技術の場合、既に準備されたモニタリングウエハー上に誘電膜を形成した後、前記誘電膜の漏洩電流特性を検査するため、前記モニタリングウエハー上に形成された誘電膜の漏洩電流特性に基づいてパターニングされたウエハー上に形成された誘電膜の漏洩電流特性を決定することはできない。即ち、パターニングされた構造物上に形成された誘電膜のステップカバレッジ特性による漏洩電流特性の変化を測定し難いという短所を有する。また、前述したような従来技術の場合、測定領域が広いので、誘電膜に対するより精密な特性管理が難しいという短所がある。例えば、半導体基板上のダイ（ｄｉｅｓ）に対して漏洩電流の測定が行われるので、前記各ダイ内の多様な領域に対する細部的な検査技術が要求される。
【特許文献１】米国特許第６、１０４、２０６号明細書
【特許文献２】米国特許第６、２５５、１２８号明細書
【特許文献３】米国特許第６、５３８、４６２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記のような問題点を解決するための本発明の第１の目的は、パターニングされた構造物を有するそれぞれのセルブロック上に形成された誘電膜の漏洩電流特性を検査するための方法を提供することにある。
【０００８】
本発明の第２の目的は、前述したような誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法を遂行するのに適合した装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記第１の目的を達成するための本発明の一側面によると、パターニングされた構造物と前記構造物上に誘電膜が形成された複数のセルブロックを含むセルアレイ領域と周辺回路領域を有する基板において、前記複数のセルブロックから選択されたセルブロック上にコロナイオン電荷を帯電する。前記コロナイオン電荷が帯電されたセルブロック上の誘電膜を通じた電気的な漏洩による表面電圧の変化を測定した後、前記測定された表面電圧と既に設定された基準データとを比較して前記誘電膜の漏洩電流特性を決定する。
【００１０】
本発明の一実施形態によると、前記表面電圧の変化を測定するための測定プローブは、前記選択されたセルブロックの大きさと対応する大きさを有し、前記基板から獲得されたイメージを用いて前記選択されたセルブロック上に整列される。また、前記測定プローブは、互いに異なる大きさを有する複数の測定プローブから選択することができる。
【００１１】
前記第２の目的を達成するための本発明の他の側面によると、誘電膜の漏洩電流特性検査装置は、パターニングされた前記構造物上に誘電膜が形成された複数のセルブロックを含むセルアレイ領域と周辺回路領域を有する基板において、前記複数のセルブロックから選択されたセルブロック上にコロナイオン電荷を帯電するためのコロチャージャー（ｃｏｒｏｎａ  ｃｈａｒｇｅｒ）と、前記コロナイオン電荷が帯電されたセルブロック上の誘電膜を通じた電気的な漏洩による表面電圧の変化を測定するための測定プローブユニットと、前記測定された表面電圧の変化と既に設定された基準データとを比較して前記誘電膜の漏洩特性を決定するためのデータ処理ユニットを含む。
【００１２】
本発明の他の実施形態によると、前記測定プローブユニットは、互いに異なる大きさを有する複数の測定プローブを含み、プローブ制御部は、前記選択されたセルブロックの大きさによって前記複数の測定プローブから一つを選択し、選択された測定プローブを前記基板から獲得されたイメージデータを用いて前記選択されたセルブロック上に整列させる。
【００１３】
前記基準データは、互いに異なる漏洩電流特性を有する複数の基準誘電膜から準備された複数の基準スペクトラムを含むことができる。前記データ処理ユニットは、前記測定された表面電圧の変化をプロットして測定スペクトラムを獲得し、前記測定スペクトラムと前記複数の基準スペクトラムとを比較することによって、前記選択されたセルブロック上の誘電膜の漏洩電流特性を決定する。
【００１４】
本発明のまた他の実施形態によると、前記基準データは、基準誘電膜から準備された基準スペクトラムを含むことができる。前記データ処理ユニットは、前記測定スペクトラムと前記基準スペクトラムとを比較することによって、前記選択されたセルブロック上の誘電膜の漏洩電流特性を決定する。例えば、前記データ処理ユニットは、前記測定スペクトラムと初期測定電圧と前記基準スペクトラムの初期基準電圧を比較することができ、前記測定スペクトラムの電圧降下割合（ｖｏｌｔａｇｅ  ｄｒｏｐ  ｒａｔｅ）と前記基準スペクトラムの電圧降下割合を比較することができる。また、前記データ処理ユニットは、前記測定スペクトラムの正常状態の電圧（ｓｔｅａｄｙ−ｓｔａｔｅ  ｖｏｌｔａｇｅ）と前記基準スペクトラムの正常状態の電圧を比較することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、前記セルアレイ領域内の各セルブロックに対する誘電膜の漏洩電流特性の検査を行うことができるので、従来のモニタリングウエハーを用いる方法と比較して誘電膜特性に対する実質的で細密な管理を行うことができ、基準データと測定データとの比較例によって誘電膜特性検査工程の信頼度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態による誘電膜の漏洩電流特性検査装置を説明するための正面図であり、図２は、図１に示したコロナチャージャーと測定プローブユニットを説明するための拡大正面図であり、図３は、図１に示した誘電膜の漏洩電流特性検査装置を説明するための平面図である。図４は、図２に示した半導体基板のセルブロックを説明するための拡大平面図であり、図５は、図４に示したセルブロック上に形成された誘電膜を示す断面図である。
【００１８】
図１乃至図３を参照すると、前記装置１００は誘電膜の漏洩電流特性検査を行うための検査チャンバー１０２と、シリコンウエハーのような半導体基板１０を支持するためのステージ１１０と、ステージを移動させるための駆動ユニット１１２と、コロナイオン電荷を半導体基板１０上に帯電するために前記コロナイオン電荷を発生させるためのコロナチャージャー１２０と、前記半導体基板１０上に形成された誘電膜２０の漏洩電流特性を検査するための測定プローブユニット１３０と、半導体基板１０のイメージデータを獲得するためのイメージ獲得ユニット１５０と、誘電膜の漏洩電流特性を決定するためのデータ処理ユニット１６０と、前記半導体基板１０を予備整列（ｐｒｅ−ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）するための予備整列ユニット１７０と、前記半導体基板１０を移動させるための移送ロボット１８０を含む。
【００１９】
前記検査チャンバー１０２は、複数の半導体基板１０が収納された容器５０を支持するために検査チャンバー１０２の側壁から延びたサポートプレート１０４と、前記半導体基板１０を搬入／搬出するためのドア１０６と、検査チャンバー１０２の内部から水平方向に配置されたベースプレート１０８を有する。
【００２０】
前記ベースプレート１０８上には、ステージ１１０を水平及び垂直方向に移動させるために、ステージ１１０の下部に連結された駆動ユニット１１２が配置される。前記駆動ユニット１１２は、ステージ１１０を水平方向に移動させるための第１駆動部１１４とステージ１１０を垂直方向に移動させるための第２駆動部１１６を含む。また、駆動ユニット１１２は、信号ラインを通じて駆動制御部１１８と連結され、駆動ユニットの動作は駆動制御部１１８によって制御される。前記第１駆動部１１４としては直交座標ロボットを用いることができ、第２駆動部１１６としては空圧又は油圧シリンダーを用いることができる。
【００２１】
前記ステージ１１０は、真空圧を用いて半導体基板１０を把持し、グラウンド電位（ｇｏｕｒｎｄ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）と連結されている。したがって、ステージ１１０上に把持された半導体基板１０は、ステージ１１０を通じて前記グラウンド電位と電気的に連結される。
【００２２】
図４及び図５を参照すると、半導体基板１０上には、それぞれ半導体装置として形成されるための複数のダイ１２が形成されており、各ダイ１２は複数のセルアレイ領域１４と周辺領域１６を含む。前記セルアレイ領域１４は、複数の行と例に沿って配列されたセルブロック１８を含む。
【００２３】
各セルブロック１８上には、パターニングされた構造物２０が形成されており、前記パターニングされた構造物２０上に誘電膜が形成されている。前記パターニングされた構造物２０は、突出したフィールド絶縁パターン２２とアクティブパターン２４を含み、前記フィールド絶縁パターン２２とアクティブパターン２４上に前記誘電膜３０が形成されている。図示したことによると、前記フィールド絶縁パターン２２は、前記アクティブパターン２４の表面から上方に突出しているが、フィールド絶縁パターン２２の上部面とアクティブパターン２４の上部面は平坦に形成することもできる。
【００２４】
再び図１乃至図３を参照すると、前記ステージ１１０の上部には、コロナチャージャー１２０、測定プローブユニット１３０及びイメージ獲得ユニット１５０を支持するための支持部材１９０が配置され、前記支持部材１９０はベースプレート１０２上に配置された垂直アーム１０９と、垂直アーム１９２の上部から水平方向に延びられた水平アーム１９４を含むことによって支持される。
【００２５】
前記コロナチャージャー１２０は、高電圧を印加するための電源供給器１２２（ｐｏｗｅｒ  ｓｕｐｐｌｙ）と連結されたコロナ発散部１２４（ｃｏｒｏｎａ  ｅｍｉｔｔｅｒ）と、前記コロナ発散部１２４を収容するハウジング１２６と、コロナイオン半導体基板１０上に帯電される領域を限定するために、前記ハウジング１２６に付着されたコロナ限定リング１２８（ｃｏｒｏｎａ−ｃｏｎｆｉｎｉｎｇ  ｒｉｎｇ）を含む。前記コロナ発散部１２４としては、タングステンカーバイドニードルを用いることができ、コロナ限定リング１２８としては金属リングを用いることができる。前記コロナ発散部１２４には、電源供給器１２２から約±８０００Ｖ程度の高電圧が印加され、コロナ限定リング１２８は、グラウンド電位に電気的に連結され、数百μｍ乃至数ｍｍ程度の内径を有する。前記コロナ限定リング１２８は、測定領域の大きさ、例えば、各セルブロック１８の大きさによって多様に変更することができる。
【００２６】
前記コロナ発散部１２４によって発生された正又は負のコロナイオン電荷は、コロナ限定リング１２８を通じてコロナチャージャー１２０の下方に整列された半導体基板１０のセルブロック１８上に帯電される。ここで、前記駆動ユニット１１２は、前記セルブロック１８から選択されたセルブロック１８が前記コロナチャージャー１２０の下方に整列されるように前記ステージ１１０を移動させる。前記コロナイオン電荷をセルブロック１８上の誘電膜３０上に帯電する期間、前記コロナ限定リング１２８は、誘電膜３０の表面から約１０ｍｉｌｓ程度に離隔して前記誘電膜３０の上部に配置され、前記コロナチャージャー１２０の動作及び電源供給器１２２は、コロナ制御部１２９によって制御される。
【００２７】
前記測定プローブユニット１３０は、半導体基板１０のバルクシリコン（ｂｕｌｋ  ｓｉｌｉｃｏｎ）と誘電膜３０の上部面との電圧変化を測定するために、半導体基板１０の上部に配置される。前記測定プローブユニット１３０は、互いに異なる大きさを有する複数の測定プローブ１３２と、前記測定プローブ３１２を支持するための円形ディスク１３４と、前記円刑ディスク１３４を回転させるための回転駆動部１３６を含む。前記円形ディスク１３４は、支持部材１９０の下部に配置され、回転駆動部１３６は、支持部材１９０上に配置される。回転駆動軸１３８は、支持部材１９０を通じて円形ディスク１３４と回転駆動部１３６を連結する。
【００２８】
各測定プローブ１３２としては、ケルビンプローブ（Ｋｅｌｖｉｎ  ｐｒｏｂｅ）を用いることができ、それぞれの測定プローブ１３２は、半導体基板１０の表面の電気的電位（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）をセンシングするために、振動器具１３８に連結された静電容量型ピックアッププレート１４０（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｐｉｃｋ−ｕｐ  ｐｌａｔｅ）を含む。測定プローブ１３２とそれぞれ連結された振動器具１３８は、円形ディスク１３４の下部面上に円形ディスク１３４の中心に対して半径方向に装着される。
【００２９】
具体的に、前記ピックアッププレート１４０は、互いに異なる大きさを有する。例えば、前記測定プローブユニット１３２は、大型測定プローブ１３２ａ、中方測定プローブ１３２ｂ、小型測定プローブ１３２ｃを含むことができ、特に前記小型測定プローブ１３２ｃはセルアレイ領域１４内のそれぞれのセルブロック１８上に形成された誘電膜３０の漏洩電流特性を測定することができるように１０μｍ〜１００μｍ程度の直径を有するピックアッププレート１４０ｃを含む。ここで、前記測定プローブ１３２の大きさはそれぞれのセルブロック１８の幅によって変化する。特に、前記小型測定プローブ１３２ｃは、前記セルブロック１８の幅と対応する直径を有するピックアッププレート１４０ｃを含むことが望ましい。一方、前記大型測定プローブ１３２ａ及び中型測定プローブ１３２ｂの大きさは、測定しようとするセルブロック１８の数量によって多様に変化する。例えば、前記大型測定プローブ１３２ａ及び中型測定プローブ１３２ｂは、それぞれ約２ｍｍ及び約１ｍｍ程度の直径を有するピックアッププレートを含むことができる。
【００３０】
具体的に、各セルブロック１８上に形成された誘電膜３０の漏洩電流特性を検査する場合、小型測定プローブ１３２ｃを選択することができ、測定しようとする範囲又はセルブロック１８の数によって大型測定プローブ１３２ａ又は中型測定プローブ１３２ｂを選択することもできる。即ち、半導体基板１０上に形成されたセルブロック１８の大きさは、半導体装置の種類、例えば、２５６メガＤＲＡＭ、５１２メガＤＲＡＭ、１ギガＤＲＡＭ、又はフラッシュメモリなどによって変化するので、それぞれの測定プローブ１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃの大きさは各半導体装置が有するセルブロック１８の大きさによって変化する。例えば、大型、中型、及び小型測定プローブは、それぞれ２５６メガＤＲＡＭのセルブロック、５１２ＭのＤＲＡＭのセルブロック、及び１ギガＤＲＡＭのセルブロックの大きさに対応する大きさを有する。
【００３１】
これとは違って、前記それぞれの測定プローブ１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃは、それぞれのセルブロック１８の形状又は互いに隣接する複数のセルブロック１８の形状と対応する形状を有するピックアッププレート（図示せず）を含むことができる。例えば、前記小型測定プローブ１３２ｃは、各セルブロック１８の形状及び大きさと対応する四角ピックアッププレート（図示せず）を含むことができ、前記中型測定プローブ１３２ｂは互いに隣接する四つのセルブロック１８の大きさ及び形状に対応する四角ピックアッププレート（図示せず）を含むことができ、前記大型測定プローブ１３２ａは、互いに隣接する九つのセルブロック１８の大きさ及び形状に対応する四角ピックアッププレート（図示せず）を含むことができる。
【００３２】
前記測定プローブ１３２から選択された測定プローブ３１２ｃを用いてセルブロック１８上の誘電膜３０を通じた漏洩電流による表面電圧の変化を測定する期間、前記選択された測定プローブ１３２ｃは誘電膜３０の表面から約５ｍｉｌｓ程度のエアーギャップを有するように配置される。前記誘電膜３０の表面に対するピックアッププレート１４０ｃの振動は、ピックアッププレート１４０ｃの表面上で時変電流を誘導する。前記振動周波数での時変電流は、ピックアッププレート１４０ｃと誘電膜との電位差（ｐｏｔｅｎｔｉａｌ  ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅ）と比例する。前記時変電流は、半導体基板１０に対する誘電膜３０の表面上の表面電圧電位（ｓｕｒｆａｃｅ  ｖｏｌｔａｇｅ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）に近い電圧に帰着する。
【００３３】
前記選択された測定プローブ１３２ｃと振動器具１３８ｃ、及び回転駆動部１３６は、プローブ制御部１４２と信号ラインを通じて連結され、プローブ制御部１４２は、前記選択されたセルブロック１８の大きさによって前記測定プローブ１３２から一つを選択し、選択された測定プローブ１３２ｃが前記コロナチャージャー１２０と隣接して位置するように回転駆動部１３６の動作を制御し、前記選択された測定プローブ１３２ｃの振動周波数を調節する。前記時変電流は、誘電膜３０を通じた漏洩電流によって変化し、プローブ制御部１４２は、時変電流の変化による表面電圧の変化を測定する。ここで、前記測定された誘電膜３０の表面電圧は時間の経過によって誘電膜３０を通じた漏洩電流によって次第に減少する。
【００３４】
イメージ獲得ユニット１５０は、支持部材１９０によって支持され、ステージ１１０上に把持された半導体基板１０のイメージデータを獲得する。前記イメージ獲得ユニット１５０は、半導体基板１０から基板イメージを獲得するためのイメージ獲得部１５２は、前記基板イメージを処理してイメージデータを生成するためのイメージ処理部１５４を含む。前記イメージ獲得部１５２としては、光学顕微鏡又はＣＣＤカメラを用いることができる。
【００３５】
前記駆動ユニット１１２は、前記獲得されたイメージデータを用いて前記選択されたセルブロック１８がコロナチャージャー１２０又は選択された測定プローブ１３２ｃ下方に整列されるように前記ステージ１１０を移動させる。
【００３６】
図示したように、前記装置１００は、支持部材１９０に支持された一つのコロナチャージャー１２０を有しているが、測定プローブユニット１３０と類似な構成を有するコロナチャージングユニット（図示せず）を有する。具体的に、前記コロナチャージングユニットは、第２円形ディスクと、前記第２円形ディスクを回転させるための第２回転駆動部と、前記第２円形ディスクの下部面に半径方向に装着された複数のコロナチャージャーを含むことができる。前記複数のコロナチャージャーは、互いに異なる内径を有するコロナ限定リングをそれぞれ含み、各セルブロックの大きさによって選択的に用いることができる。
【００３７】
一方、前記ベースプレート１０８上には、半導体基板１０を予備整列するための予備整列ユニット１７０が配置される。前記予備整列ユニット１７０は、移送ロボット１８０によって移送された半導体基板１０のフラットゾーン又はノッチ部位を基準として半導体基板１０を予備整列する。前記予備整列ユニット１７０は、半導体基板を把持し回転させるための回転チャック１７２と、前記フラットゾーン又はノッチ部位をセンシングするためのエッジセンサー１７４と、前記エッジセンサー１７４からの信号によって回転チャック１７２の動作を制御するための整列制御部（図示せず）などを含むことができる。
【００３８】
前記半導体基板１０を移送するための移送ロボット１８０は、ベースプレート１０８を通じて配置され、前記収納容器５０から半導体基板１０を予備整列ユニット１７０に移送し、予備整列された半導体基板１０をステージ１１０上に移送する。また、誘電膜特性検査が行われた半導体基板１０を再び収納容器５０に移送する。
【００３９】
前記データ処理ユニット１６０は、駆動制御部１１８、コロナ制御部１２９、プローブ制御部１４２、及びイメージ制御部１５４と連結されており、前記基準データと前記測定された表面電圧の変化を比較して前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定する。また、前記データ処理ユニット１６０は、データ入力部１６２、データ出力部１６４、及びデータ保存部１６６と連結されている。
【００４０】
データ入力部１６２は、前記セルブロック１８上に帯電されるコロナイオン電荷量、測定しようとするセルブロック１８の位置、各セルブロック１８の大きさなどのようなデータをデータ処理ユニット１６０に入力する。データ出力部１６４は、前記基準データ、測定された表面電圧の変化、決定された誘電膜３０の漏洩電流特性値などを出力する。データ出力部１６４としては、モニタ、プリンター、プロッターなどを用いることができる。データ保存部１６６は、前記基準データ、測定された表面電圧の変化、決定された誘電膜３０の漏洩電流特性値などを保存する。
【００４１】
図６は、基準スペクトラムの一例を説明するためのグラフであり、図７は、測定スペクトラムの一例を説明するためのグラフである。
【００４２】
図６及び図７を参照すると、前記基準データは、互いに異なる複数の基準誘電膜から既に獲得された基準表面電圧の変化を示す複数の基準スペクトラム６０を用いることができる。前記データ処理ユニット１６０は、前記測定された表面電圧の変化をプロットして測定スペクトラム７０を獲得し、前記測定スペクトラム７０と前記基準スペクトラム６０を比較することによって、前記選択されたセルブロック１８上に形成された誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することができる。即ち、前記基準スペクトラム６０のうち、前記測定スペクトラム７０と最も類似な基準スペクトラムから前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することができる。
【００４３】
前記基準スペクトラム６０は、実験的に獲得することができる。例えば、互いに異なる不純物濃度及びステップカバレッジ特性を有する基準誘電膜を形成し、これらから基準表面電圧の変化から測定することによって、前記基準スペクトラム６０を獲得することができる。
【００４４】
これとは違って、前記基準スペクトラム６０は、理論的に獲得することもできる。理論的な基準誘電膜の表面電圧の変化は、セルブロック１８上に形成されたパターニングされた構造物の面積によって変化する。例えば、セルブロック１８上に形成された誘電膜３０の表面電圧の変化は、フィールド絶縁パターン２２上に形成された誘電膜部分よりは、主にアクティブパターン２４上に形成された誘電膜部分を通じる漏洩電流に起因する。また、誘電膜３０の表面電圧は、汚染物濃度、基準誘電膜の厚さ、ステップカバレッジ特性、基準誘電膜が有する誘電常数のような固有の特性から知られる理論的な漏洩電流特性などによって変化する。したがって、前記セルブロック１８上に形成された誘電膜３０の表面電圧の変化は、前記のような変数を含む時間的な関数として示すことができ、前記時間関数を用いて前記複数の基準スペクトラム６０を理論的に獲得することができる。
【００４５】
本発明の他の実施形態によると、前記基準データは、基準誘電膜から既に獲得された基準表面電圧の変化を示す基準スペクトラム８０を用いることができる。
【００４６】
図８は、基準スペクロラムと測定スペクトラムの一例を説明するためのグラフである。
【００４７】
図８を参照すると、前記データ処理ユニット１６０は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラム９０と前記基準スペクトラム８０を比較することで、前記選択されたセルブロック１８上に形成された誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することができる。
【００４８】
基準基板のセルブロック上に正常な特性値、例えば、汚染物の濃度、厚さ、ステップカバレッジ特性などを有する基準誘電膜を形成し、前記基準誘電膜から基準表面電圧の変化を示す前記基準スペクトラム８０を獲得する。
【００４９】
前記データ処理ユニット１６０は、前記測定スペクトラム９０から獲得された初期測定電圧９２と、前記基準スペクトラム８０から知られる初期基準電圧８２を比較することで前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することができる。
【００５０】
また、データ処理ユニット１６０は、前記測定スペクトラム９０から獲得された測定電圧降下割合９４と前記基準スペクトラム８０から知られる基準電圧降下割合８４を比較することで、前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することもできる。
【００５１】
他にも、前記データ処理ユニット１６０は、前記測定スペクトラム９０から獲得された測定正常状態電圧９６と前記基準スペクトラム８０から知られる基準正常状態電圧８６を比較することで、前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することもできる。
【００５２】
図９は、本発明の他の実施形態による誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置を説明するための概略的な構成図である。
【００５３】
図９を参照すると、前記装置２００は、多様な構成要素を含み、前記構成要素のうち、半導体基板１０を支持するためのステージ２１０と、コロナチャージャー２２０、測定プローブユニット２３０、及びイメージ獲得ユニット２５０を移動させるための駆動ユニット２１２を除いた残りの構成要素は、図１乃至図３を参照して説明された本発明の一実施形態による検査装置の構造要素と同じであるので、これに対する詳細な説明は省略する。
【００５４】
前記ステージ２１０は、検査チャンバーのベースプレート２０８上に形成され、真空圧を用いて半導体基板１０を把持する。
【００５５】
支持部材２９０は、コロナチャージャー２２０、測定プローブユニット２３０、及びイメージ獲得ユニット２５０を支持し、駆動ユニット２１２の水平アーム２１４に装着される。前記駆動ユニット２１２は、駆動制御部によって制御され、コロナチャージャー２２０と測定プローブユニット２３０が複数のセルブロックから選択されたセルブロック上に整列されるように前記支持部材２９０を水平及び垂直方向に移動させる。前記駆動ユニット２１２としては、水平アーム２１４及び垂直アーム２１６を有する３軸直交座標ロボットを用いることができる。
【００５６】
以下、添付した図面を参照して、半導体基板上に形成された誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法を説明すると下記のようである。
【００５７】
図１０は、図１乃至図３に示した検査装置を用いて誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法を説明するための流れ図である。
【００５８】
図１０を参照すると、まず、収納容器５０から半導体基板１０を予備整列ユニット１７０に移送して半導体基板１０のフラットゾーン部位を基準として半導体基板１０を予備整列する（段階Ｓ１０）。前記半導体基板１０は、移送ロボット１８０によって予備整列ユニット１７０の回転チャック１７２上に移動され、エッジセンサー１７４による信号によって予備整列される。
【００５９】
予備整列された半導体基板１０をステージ１１０上にローディングする（段階Ｓ２０）。ステージ１１０上にローディングされた半導体基板１０は、真空圧によってステージ１１０の上部面上に吸着されることによって、グラウンド電位と電気的に連結される。
【００６０】
ステージ１１０上に把持された半導体基板１０のイメージデータを獲得する（段階Ｓ３０）。駆動制御部１１８は、ステージ１０上に把持された半導体基板１０が、イメージ獲得ユニット１５０の下方に位置するように駆動ユニット１１２の動作を制御する。イメージ獲得部１５２は、半導体基板１０のイメージを獲得し、前記イメージ処理部１５４は、前記イメージを処理してイメージデータを生成し、生成されたイメージデータをデータ処理ユニット１６０に伝送する。
【００６１】
データ入力部１６２を通じて検査レシピ（ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ  ｒｅｃｉｐｅ）をデータ処理ユニット１６０に入力する（段階Ｓ４０）。前記検査レシピは、セルブロック１８上に帯電されるコロナイオン電荷量、測定しようとするセルブロック１８の位置、それぞれのセルブロック１８の大きさなどのようなデータを含む。
【００６２】
選択されたセルブロック１８をコロナチャージャー１２０の下部に整列させる（段階Ｓ５０）。駆動ユニット１１２は、コロナチャージャー１２０が前記選択されたセルブロック１８上に整列されるようにステージ１１０を移動させる。データ処理ユニット１６０は、検査レシピによって半導体基板１０のセルアレイ領域１４内に位置する複数のセルブロック１８から一つ選択し、選択されたセルブロック１８に対するデータとイメージデータを駆動制御部１１８に伝送する。駆動制御部１１８は、データ処理ユニット１６０から提供されたセルブロック１８に対するデータ及びイメージデータによって前記選択されたセルブロック１８をコロナチャージャー１２０の下方に整列させ、コロナチャージャー１２０の下方に整列させ、コロナチャージャー１２０と前記選択されたセルブロック１８とのギャップを調節する。
【００６３】
これとは違って、データ処理ユニット１６０は、検査レシピによって互いに隣接する複数のセルブロック１８を選択することもできる。例えば、互いに隣接する四つのセルブロック１８を選択することができる。また、前記コロナチャージングユニットを用いる場合、選択されたセルブロックの大きさによって複数のコロナチャージャーから一つを選択的に用いることができる。
【００６４】
選択されたセルブロック１８上にコロナイオン電荷を帯電する（段階Ｓ６０）。コロナ制御部１２９は、データ処理ユニット１６０から提供された検査レシピによって前記選択されたセルブロック１８上にコロナイオン電荷が帯電されるようにコロナチャージャー１２０の動作を制御する。具体的に、コロナ制御部１２９は、コロナ発散部１２４と連結された電源供給器１２２の動作を制御することで、前記選択されたセルブロック１８上に帯電されるコロナイオン電荷量を調節する。
【００６５】
選択されたセルブロック１８を選択された測定プローブ１３２ｃ下部に整列させる（段階Ｓ７０）。プローブ制御部１４２は、前記選択されたセルブロック１８の大きさによって複数の測定プローブ１３２から一つを選択し、選択された測定プローブ１３２ｃがコロナチャージャー１２０と隣接に位置するように回転駆動部１３６を動作させる。駆動制御部１１８は、データ処理ユニット１６０から提供された前記イメージデータを用いて前記選択された測定プローブ１３２ｃが前記選択されたセルブロック１８上に整列されるように駆動ユニット１１２の動作を制御する。
【００６６】
既に設定された時間のうちに選択されたセルブロック１８上の誘電膜３０の表面電圧の変化を測定する（段階Ｓ８０）。前記選択されたセルブロック１８上に形成された誘電膜３０を通じた漏洩電流による表面電圧の変化は、前記選択された測定プローブ１３２ｃと連結されたプローブ制御部１４２によって測定される。具体的に、前記プローブ制御部１４２は、前記選択された測定プローブ１３２ｃの振動周波数を調節し、前記測定プローブ１３２ｃによって測定された時変電流を表面電圧に変換させることによって、前記誘電膜３０の表面電圧の変化を獲得する。前記測定された表面電圧の変化は、データ処理ユニット１６０に伝送される。
【００６７】
前記測定された表面電圧の変化を分析して誘電膜３０の漏洩電流特性を決定する（段階Ｓ９０）。データ処理ユニット１６０は、プローブ制御部１４２から提供された前記測定された表面電圧の変化から測定スペクトラムを算出し、前記測定スペクトラムをデータ保存部１６６から提供された基準データと比較することで、前記選択されたセルブロック１８上に形成された誘電膜３０の漏洩電流特性を決定する。
【００６８】
一例として、前記基準データは、互いに異なる漏洩電流特性を有する基準誘電膜から既に獲得された基準スペクトラム６０を含み、前記データユニット１６０は、前記測定スペクトラム７０と前記基準スペクトラム６０を比較して前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定する。具体的に、前記データ処理ユニット１６０は、前記基準スペクトラム６０から前記測定スペクトラム７０と最も類似な基準スペクトラムを選択し、前記選択された基準スペクトラムが有する漏洩電流特性から前記選択されたセルブロック１８上に形成された誘電膜３０に対する漏洩電流特性を決定する。
【００６９】
他の例として、前記基準データは、基準誘電膜から既に獲得された基準表面電圧の変化を示す基準スペクトラム８０を用いることができる。前記データ処理ユニット１６０は、前記測定された表面電圧の変化を示す測定スペクトラム９０と前記基準スペクトラム８０を比較することで、前記選択されたセルブトック１８上に形成された誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することができる。前記基準スプクトラム８０は、基準基板上に形成された基準誘電膜から獲得することができる。
【００７０】
具体的に、前記データ処理ユニット１６０は、前記測定スペクトラム９０から獲得された初期測定電圧９２と、前記基準スペクトラム８０から知られる初期基準電圧８２を比較することによって、前記誘電膜の漏洩電流特性を決定することができる。
【００７１】
また、データ処理ユニット１６０は、前記測定スペクトラム９０から獲得された測定電圧降下割合９４と前記基準スペクトラム８０から知られる基準電圧降下割合８４を比較することで、前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することもできる。
【００７２】
他にも、前記データ処理ユニット１６０は、前記測定スペクトラム９０から獲得された測定正常状態電圧９６と前記基準スペクトラム８０から知られる基準正常状態電圧８６を比較することで、前記誘電膜３０の漏洩電流特性を決定することもできる。
【００７３】
その後、決定された誘電膜３０の漏洩電流特性を出力する（段階Ｓ１００）。前記決定された誘電膜３０の漏洩電流特性は、データ出力部１６４を通じて出力される。また、前記測定スペクトラム７０、９０、及び基準スペクトラム６０、８０も共に出力することもできる。例えば、前記誘電膜３０の漏洩電流特性と前記スペクトラム６０、７０、８０、９０は、モニタを通じて表示することができ、プリンター又はプロッターなどを通じて出力することもできる。一方、前記誘電膜３０の漏洩電流特性、前記測定された表面電圧の変化及び測定スペクトラム７０、９０は、データ保存部１６６に保存される。
【００７４】
その後、前記セルアレイ領域１４上の他のセルブロック１８に対する誘電膜３０の漏洩電流特性検査を反復的に遂行した後、半導体基板１０をステージ１１０からアンロードする。
【００７５】
一方、図５に示した誘電膜３０は、フラッシュメモリトンネル酸化膜として用いることができる。しかし、本発明の一実施形態による誘電膜の漏洩電流特性の検査方法及び装置は、トランジスタのゲート酸化膜、キャパシタの誘電膜、フラッシュメモリ装置の誘電膜などのような多様な誘電膜に適用することができる。したがって、誘電膜の種類が本発明の範囲を限定することはない。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
前記のような本発明によると、半導体基板のセルアレイ領域に位置する各セルブロック又は互いに隣接するセルブロック上の誘電膜に対する漏洩電流特性を個別に獲得することができる。したがって、従来のモニタリングウエハーを用いる方法と比較して各セルブロック又は互いに隣接するセルブロックに対する誘電膜の漏洩電流特性を実質的で細密に管理することができる。
【００７７】
また、基準データと測定データとの比較によって誘電膜漏洩電流特性の検査工程の信頼度を向上させることができ、半導体装置の製造工程でパターニングされた構造物を有する半導体基板に対して誘電膜の特性検査工程を行うので、より具体的で実質的である誘電膜特性データを得ることができる。
【００７８】
以上、本発明の実施形態によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の一実施形態による誘電膜の漏洩電流特性検査装置を説明するための正面図である。
【図２】図１に示したコロナチャージャーと測定プローブユニットを説明するための拡大正面図である。
【図３】図１に示した誘電膜の漏洩電流特性検査装置を説明するための平面図である。
【図４】図２に示した半導体基板のセルブロックを説明するための拡大平面図である。
【図５】図４に示したセルブロック上に形成された誘電膜を示す断面図である。
【図６】基準スペクトラムの一例を説明するためのグラフである。
【図７】測定スペクトラムの一例を説明するためのグラフである。
【図８】基準スペクトラムと測定スペクトラムの一例を説明するためのグラフである。
【図９】本発明の他の実施形態による誘電膜の漏洩電流特性を検査する装置を説明するための概略的な構成図である。
【図１０】図１乃至図３に示した誘電膜の漏洩電流特性検査装置を用いて誘電膜の漏洩電流特性を検査する方法を説明するための流れ図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０    半導体基板
１８    セルブロック
３０    誘電膜
６０、８０    基準スペクトラム
７０、９０    測定スペクトラム
１００    誘電膜漏洩電流特性検査装置
１１０    ステージ
１１２    駆動ユニット
１１８    駆動制御部
１２０    コロナチャージャー
１２２    電源供給器
１２９    コロナ制御部
１３０    測定プローブユニット
１３２    測定プローブ
１３４    円形ディスク
１３６    回転駆動部
１４０    ピックアッププレート
１４２    プローブ制御部
１５０    イメージ獲得ユニット
１６０    データ処理ユニット
１６２    データ入力部
１６４    データ出力部
１６６    データ保存部
【図１】
2006032942.tif 000003
【図２】
2006032942.tif 000004
【図３】
2006032942.tif 000005
【図４】
2006032942.tif 000006
【図５】
2006032942.tif 000007
【図６】
2006032942.tif 000008
【図７】
2006032942.tif 000009
【図８】
2006032942.tif 000010
【図９】
2006032942.tif 000011
【図１０】
2006032942.tif 000012