(57)【要約】      （修正有）【課題】  リソグラフィシステムの本来のスループットを低下させることなくロット内の各基板の重ね合わせ検査を行うことができ、かつ、露光工程の補正に使用可能な高い精度を維持することもできる重ね合わせ検査システムを提供する。【解決手段】  搬送容器１４から取り出された基板１０Ａが少なくとも露光工程と現像工程とを経て搬送容器に回収されるまでの経路に組み込まれ、現像工程を経た後の基板の重ね合わせ検査を所定の条件にしたがって行い、その結果を露光工程の補正用として出力する第１検査装置１１と、前記経路の外に配置され、第１検査装置を経て搬送容器に回収された後の基板が該搬送容器から改めて取り出されたときに、該基板の重ね合わせ検査を行う第２検査装置１２と、第１検査装置による検査結果と第２検査装置による検査結果とを比較し、第１検査装置による重ね合わせ検査の条件を補正する手段１２とを備える。【選択図】      図１
2006128187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送容器から取り出された基板が少なくとも露光工程と現像工程とを経て前記搬送容器に回収されるまでの経路に組み込まれ、前記現像工程を経た後の前記基板におけるレジストパターンと下地パターンとの重ね合わせ検査を所定の条件にしたがって行い、該重ね合わせ検査の結果を前記露光工程の補正用として出力する第１検査装置と、
前記経路の外に配置され、前記基板におけるレジストパターンと下地パターンとの重ね合わせ検査を行う第２検査装置と、
前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果と前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とを比較し、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の条件を補正する条件補正手段とを備えた
ことを特徴とする重ね合わせ検査システム。
【請求項２】
請求項１に記載の重ね合わせ検査システムにおいて、
前記第１検査装置は、当該第１検査装置起因の誤差成分を予め記憶する記憶部と、前記基板を所定方向に向けた状態で、該基板の測定点の画像を取り込む第１取込部と、前記画像に基づいて前記測定点での重ね合わせずれ量を算出する第１算出部と、該重ね合わせずれ量を前記記憶部に記憶されている前記誤差成分により補正する第１補正部とを含み、
前記第２検査装置は、前記基板を所定方向に向けた状態で、該基板の測定点の第１画像を取り込むと共に、前記基板を所定方向から１８０度回転させた状態で、前記測定点の第２画像を取り込む第２取込部と、前記第１画像と前記第２画像との双方に基づいて当該第２検査装置起因の誤差成分を算出する第２算出部と、前記第１画像または前記第２画像に基づいて前記測定点での重ね合わせずれ量を算出する第３算出部と、該重ね合わせずれ量を前記第２算出部により算出された前記誤差成分により補正する第２補正部とを含み、
前記条件補正手段は、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果と前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とを比較し、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の条件のうち、前記記憶部に記憶されている前記誤差成分を補正する
ことを特徴とする重ね合わせ検査システム。
【請求項３】
請求項２に記載の重ね合わせ検査システムにおいて、
前記第１検査装置と前記第２検査装置は、前記基板の１つ以上の同じ測定点で、それぞれ重ね合わせ検査を行い、
前記条件補正手段は、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果と前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とを比較する際、前記第１補正部で補正された前記重ね合わせずれ量を前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果とし、前記第２補正部で補正された前記重ね合わせずれ量を前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とし、前記同じ測定点における２つの前記補正された重ね合わせずれ量の差を求め、該差に基づいて前記記憶部に記憶されている前記誤差成分を補正する
ことを特徴とする重ね合わせ検査システム。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れか１項に記載の重ね合わせ検査システムにおいて、
前記第１検査装置は、前記露光工程の前にレジストを塗布して前記露光工程の後に前記レジストを現像する塗布/現像装置の中に組み込まれ、
前記第２検査装置は、前記塗布/現像装置の外に配置される
ことを特徴とする重ね合わせ検査システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の異なる層に形成された複数のパターンの重ね合わせ検査を行う重ね合わせ検査システムに関し、特に、半導体素子や液晶表示素子などの製造工程における重ね合わせ検査に好適な重ね合わせ検査システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶表示素子などの製造工程では、周知のリソグラフィ工程を経てレジスト層に回路パターンが転写され、このレジストパターンを介してエッチングなどの加工処理を行うことにより、所定の材料膜に回路パターンが転写される(パターン形成工程)。そして、このパターン形成工程を何回も繰り返し実行することにより、様々な材料膜の回路パターンが基板（半導体ウエハや液晶基板）の上に積層され、半導体素子や液晶表示素子の回路が形成される。
【０００３】
さらに、上記の製造工程では、様々な材料膜の回路パターンを精度よく重ね合わせるため（製品の歩留まり向上を図るため）、各々のパターン形成工程のうち、リソグラフィ工程の後でかつ加工工程の前に、基板上のレジストパターンの位置ずれ検出を行っている（例えば特許文献１を参照）。これは、１つ前のパターン形成工程で形成された下地層の回路パターン（以下「下地パターン」という）とレジストパターンとの重ね合わせ検査である。重ね合わせ検査の結果は、基板の良否判定などに用いられる。
【０００４】
また、一般的に、重ね合わせ検査は、リソグラフィシステム(露光装置を含む)から独立した単体型の装置で実施される。このため、検査対象の基板は、リソグラフィ工程を経た後、カセットなどの搬送容器に収納された状態で（つまりロット単位で）、重ね合わせ検査装置に搬送されてくる。そして、重ね合わせ検査装置では、ロット内の一部の基板に対して抜き取りで重ね合わせ検査を行い、ロット単位で重ね合わせ検査の結果を出力する。その後、基板の良否判定がロット単位で行われ、良品の場合は次工程（加工工程など）、不良品の場合は再生工程または廃棄工程へ、ロット単位で搬送される。
【０００５】
さらに、あるロットＡにおける重ね合わせ検査の結果は、そのロットＡの良否判定に用いられる他、次のロットＢ（ロットＡと同じ製品名で同じ工程名）の良品率向上のために、リソグラフィ工程の中の露光工程にフィードバックされ、次のロットＢに対する露光工程の補正に用いられる。
露光工程の補正とは、マスク(レチクル)に形成された回路パターンの潜像をレジスト層に焼き付ける際、その潜像と下地パターンとの位置や大きさのずれ（以下「プロセスオフセット」という）が小さくなるように、露光装置の各部（アライメント系やＡＦ系など）を予め微調整する処理である。露光工程のプロセスオフセットは、露光装置の各部の経時変化に応じて少しずつ変動し、また、各基板の下地層の状態によっても変動する。このため、プロセスオフセットの増大を回避するには露光工程の補正が必要となる。
【０００６】
露光工程の補正を行うことにより、次のロットＢに対する露光工程では、プロセスオフセットの小さな潜像がレジスト層に焼き付けられる。そして、現像処理の後、その潜像に応じたレジストパターンが下地パターンの上に形成され、次のロットＢにおけるレジストパターンの重ね合わせ状態も良好となる。ロットＢにおける重ね合わせ検査の結果は、上記と同様、露光工程にフィードバックされ、その次のロットＣに対する露光工程の補正に用いられる。
【０００７】
このように、従来では、単体型の重ね合わせ検査装置からロット単位で出力される検査結果を露光工程にフィードバックし、あるロットの重ね合わせ検査の結果に基づいて次のロットに対する露光工程の補正を行うと共に、このような露光工程の補正をロット単位で繰り返す。したがって、同じ製品名で同じ工程名の複数のロットに対するリソグラフィ工程では、ロットが切り替わるごとに露光工程のプロセスオフセットを小さくすることができ、プロセスオフセットの増大を回避できる。
【特許文献１】特開平１１−３１２２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、単体型の重ね合わせ検査装置からロット単位で出力される検査結果を露光工程にフィードバックする場合、露光工程の補正を上記のようなロット単位で行っており、ロット内の各基板ごとに補正していない。今後、半導体素子などの高集積化に伴って回路パターンの微細化がさらに進むと、より高い重ね合わせ精度が要求されるため、露光工程の補正をきめ細かく、例えば基板ごとに行うことが必要になる。
【０００９】
露光工程の補正を基板ごとに行うためには、スループットを低下させないために、リソグラフィシステム(露光装置を含む)の中に重ね合わせ検査装置を組み込み、インライン化する必要がある。この場合、組み込み可能なスペースの制約から、単体型の装置をそのまま組み込むことは困難であり、検査ステージの駆動部や防振台などを小型化せざるを得ない。そして、各基板での測定点数を減らすことなく、基板１枚あたりの所要時間を短縮できるように工夫することが必要になる。
【００１０】
そこで、基板の各測定点での所要時間を短縮する（つまり測定項目を減らす）ことが考えられる。単体型の装置における測定点ごとの測定項目のうち、重ね合わせ検査そのものに関わる測定は省略できないが、重ね合わせ検査の条件（例えば装置起因の誤差成分(ＴＩＳ値)など）の設定に関わる測定は省略可能である。ところが、後者の測定を単に省略すると、重ね合わせ検査の精度の経時変化が問題となり、露光工程の補正に使用可能な高い精度を維持できなくなってしまう。
【００１１】
本発明の目的は、リソグラフィシステムの本来のスループットを低下させることなくロット内の各基板の重ね合わせ検査を行うことができ、かつ、露光工程の補正に使用可能な高い精度を維持することもできる重ね合わせ検査システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１に記載の重ね合わせ検査システムは、搬送容器から取り出された基板が少なくとも露光工程と現像工程とを経て前記搬送容器に回収されるまでの経路に組み込まれ、前記現像工程を経た後の前記基板におけるレジストパターンと下地パターンとの重ね合わせ検査を所定の条件にしたがって行い、該重ね合わせ検査の結果を前記露光工程の補正用として出力する第１検査装置と、前記経路の外に配置され、前記基板におけるレジストパターンと下地パターンとの重ね合わせ検査を行う第２検査装置と、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果と前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とを比較し、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の条件を補正する条件補正手段とを備えたものである。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の重ね合わせ検査システムにおいて、前記第１検査装置は、当該第１検査装置起因の誤差成分を予め記憶する記憶部と、前記基板を所定方向に向けた状態で、該基板の測定点の画像を取り込む第１取込部と、前記画像に基づいて前記測定点での重ね合わせずれ量を算出する第１算出部と、該重ね合わせずれ量を前記記憶部に記憶されている前記誤差成分により補正する第１補正部とを含み、前記第２検査装置は、前記基板を所定方向に向けた状態で、該基板の測定点の第１画像を取り込むと共に、前記基板を所定方向から１８０度回転させた状態で、前記測定点の第２画像を取り込む第２取込部と、前記第１画像と前記第２画像との双方に基づいて当該第２検査装置起因の誤差成分を算出する第２算出部と、前記第１画像または前記第２画像に基づいて前記測定点での重ね合わせずれ量を算出する第３算出部と、該重ね合わせずれ量を前記第２算出部により算出された前記誤差成分により補正する第２補正部とを含み、前記条件補正手段は、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果と前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とを比較し、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の条件のうち、前記記憶部に記憶されている前記誤差成分を補正するものである。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の重ね合わせ検査システムにおいて、前記第１検査装置と前記第２検査装置は、前記基板の１つ以上の同じ測定点で、それぞれ重ね合わせ検査を行い、前記条件補正手段は、前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果と前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とを比較する際、前記第１補正部で補正された前記重ね合わせずれ量を前記第１検査装置による重ね合わせ検査の結果とし、前記第２補正部で補正された前記重ね合わせずれ量を前記第２検査装置による重ね合わせ検査の結果とし、前記同じ測定点における２つの前記補正された重ね合わせずれ量の差を求め、該差に基づいて前記記憶部に記憶されている前記誤差成分を補正するものである。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３の何れか１項に記載の重ね合わせ検査システムにおいて、前記第１検査装置は、前記露光工程の前にレジストを塗布して前記露光工程の後に前記レジストを現像する塗布/現像装置の中に組み込まれ、前記第２検査装置は、前記塗布/現像装置の外に配置されるものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の重ね合わせ検査システムによれば、リソグラフィシステムの本来のスループットを低下させることなくロット内の各基板の重ね合わせ検査を行うことができ、かつ、露光工程の補正に使用可能な高い精度を維持することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
本実施形態の重ね合わせ検査システム１０は、図１に示す通り、リソグラフィシステム２０の中に組み込まれた重ね合わせ検査装置１１と、リソグラフィシステム２０から独立した単体型の重ね合わせ検査装置１２と、データベース１３とで構成される。この重ね合わせ検査システム１０は、半導体素子や液晶表示素子などの製造工程において、基板１０Ａ（半導体ウエハや液晶基板など）の異なる層に形成された複数のパターンの重ね合わせ検査を行うものである。
【００１８】
ここで、基板１０Ａは、カセットなどの搬送容器１４に収納された状態で（つまりロット単位で）リソグラフィシステム２０に搬送され、そこでのリソグラフィ工程（後述）を経た後、再び搬送容器１４に収納された状態で単体型の重ね合わせ検査装置１２に搬送される。このような搬送容器１４の移動は、自動搬送装置(不図示)またはオペレータが行う。搬送容器１４は、複数枚（例えば２５枚）の基板１０Ａを収納可能であり、キャリアと呼ばれることもある。
【００１９】
本実施形態の重ね合わせ検査システム１０について具体的に説明する前に、リソグラフィシステム２０の説明を行う。
リソグラフィシステム２０では、露光装置２１とコータ/デベロッパ２２とが隣接して設置され、また、その間に基板１０Ａの搬送機構(不図示)が設置される。コータ/デベロッパ２２には、搬入/搬出部３１とコータ３２とデベロッパ３３とが搭載され、さらに、本実施形態の重ね合わせ検査システム１０のうち組込型の重ね合わせ検査装置１１が搭載され、基板１０Ａの搬送機構(不図示)も設置される。このように、リソグラフィシステム２０の内部では、不図示の搬送機構により、各装置(１１,２１,３１〜３３)が互いにインライン化されている。
【００２０】
リソグラフィシステム２０において、搬入/搬出部３１は、基板１０Ａが収納された搬送容器１４の搬入と搬出とを行うための装置である。コータ３２は、搬送容器１４内（つまりロット内）の各基板１０Ａに対し、露光装置２１における露光工程の前にレジストを塗布する装置である。デベロッパ３３は、露光工程の後に各基板１０Ａのレジストを現像する装置である。組込型の重ね合わせ検査装置１１は、現像工程の後に各基板１０Ａの重ね合わせ検査（詳細は後述）を行う装置である。また、露光装置２１は、マスク(レチクル)に形成された回路パターンの潜像を各基板１０Ａのレジスト層に焼き付ける装置である。
【００２１】
上記構成のリソグラフィシステム２０において、搬入/搬出部３１に搬送容器１４が搬入されると、この搬送容器１４から取り出された各基板１０Ａは、コータ３２におけるレジスト塗布工程を経て露光装置２１に搬送され、露光装置２１における露光工程とデベロッパ３３における現像工程とを経て組込型の重ね合わせ検査装置１１に搬送され、重ね合わせ検査装置１１における検査工程を経た後、搬送容器１４に回収される。
【００２２】
組込型の重ね合わせ検査装置１１は、露光工程の補正を枚葉で行うために、リソグラフィシステム２０の中に組み込まれたものである。リソグラフィシステム２０の中に組み込むことで、搬送容器１４から取り出された基板１０Ａがリソグラフィ工程（レジスト塗布工程と露光工程と現像工程など）を経て搬送容器１４に回収されるまでの間に、その基板１０Ａの重ね合わせ検査を行うことが可能になり、その結果を露光工程にフィードバックすることができる。
【００２３】
露光工程の補正とは、回路パターンの潜像をレジスト層に焼き付ける際、その潜像と下地パターンとのプロセスオフセットが小さくなるように、露光装置２１の各部（アライメント系やＡＦ系など）を予め微調整する処理である。露光工程のプロセスオフセットは、露光装置２１の各部の経時変化に応じて少しずつ変動し、また、各基板１０Ａの下地層の状態によっても変動する。ちなみに、基板１０Ａの下地層の状態は、成膜装置やＣＭＰ装置の経時変化などの影響を受け、基板１０Ａごとに異なることが多い。このため、半導体素子などの高集積化に伴って回路パターンの微細化がさらに進むと、露光工程の補正を枚葉で行うことが必要になる。
【００２４】
なお、露光装置２１とコータ/デベロッパ２２の上位には、マシンコントローラ２３が接続されている。マシンコントローラ２３は、工場ホスト２４からの指示に基づいて、露光装置２１とコータ/デベロッパ２２とを制御し、各装置(１１,２１,３１〜３３)での処理内容や基板１０Ａの搬入/搬出のタイミングや露光工程の補正などを指示する。工場ホスト２４は、工場全体（リソグラフィシステム２０や本実施形態の重ね合わせ検査システム１０を含む）の工程管理を行っている。
【００２５】
次に、本実施形態の重ね合わせ検査システム１０について具体的に説明する。
組込型の重ね合わせ検査装置１１は、上記の通り、コータ/デベロッパ２２の中に配置され、搬送容器１４から取り出された基板１０Ａがリソグラフィ工程を経て搬送容器１４に回収されるまでの経路に組み込まれている。また、単体型の重ね合わせ検査装置１２は、コータ/デベロッパ２２の外（つまり上記経路の外）に配置されている。さらに、組込型の重ね合わせ検査装置１１は不図示の通信手段を介してデータベース１３と接続され、単体型の重ね合わせ検査装置１２も不図示の通信手段を介してデータベース１３と接続され、全体としてネットワークを形成している。
【００２６】
組込型の重ね合わせ検査装置１１による検査対象の基板１０Ａも、単体型の重ね合わせ検査装置１２による検査対象の基板１０Ａも、同様の現像後の状態であり、その表面にはレジストパターンが形成されている。そして、基板１０Ａにおけるレジストパターンと下地パターンとの重ね合わせ検査が、組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２により、リソグラフィシステム２０の中と外の各々で行われる。
【００２７】
また、基板１０Ａには、重ね合わせ検査のために多数の測定点が用意されている。測定点の位置は、基板１０Ａの各ショット領域の四隅などである。各測定点には、レジストパターンの基準位置を示すレジストマークと下地パターンの基準位置を示す下地マークとが形成されている。本実施形態の重ね合わせ検査システム１０では、基板１０Ａの多数の測定点のうち、図２に示す２０箇所の測定点１０Ｂで、各々、レジストマークと下地マークとの相対的なずれ量（重ね合わせずれ量）が求められ、重ね合わせ検査が行われる。つまり、組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２とは、基板１０Ａでの測定点数が同じであり、基板１０Ａの１つ以上（例えば２０箇所）の同じ測定点１０Ｂでそれぞれ重ね合わせ検査を行う。
【００２８】
さらに、組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２には、各々、図３に示す検査ステージ４１と光学系４２とカメラ４３と画像処理部４４とが設けられる。検査ステージ４１は、基板１０Ａを支持する。光学系４２は、基板１０Ａの局所領域（測定点１０Ｂ）の光像を形成する。カメラ４３は、不図示の撮像素子により基板１０Ａの光像を撮像し、撮像信号を画像処理部４４に出力する。画像処理部４４は、カメラ４３から撮像信号を取り込むと、これをディジタル画像に変換し、この画像に対して所定の信号処理を施し、測定点１０Ｂでの重ね合わせずれ量を算出する。
【００２９】
このように、組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２の基本的な構成は同様である。しかし、組込型の重ね合わせ検査装置１１では、リソグラフィシステム２０における組み込み可能なスペースの制約から、単体型の重ね合わせ検査装置１２と比較して、検査ステージ４１の駆動部や防振台などが小型化されている。このため、組込型の重ね合わせ検査装置１１の処理能力は、単体型の重ね合わせ検査装置１２と比較して低くなっている。
【００３０】
さらに、組込型の重ね合わせ検査装置１１では、基板１０Ａの各測定点１０Ｂでの所要時間を短縮するために、各測定点１０Ｂでの測定項目を単体型の重ね合わせ検査装置１２より少なくしてある。つまり、組込型の重ね合わせ検査装置１１では、基板１０Ａを正方向(０度方向)に向けた状態のみで各測定点１０Ｂの測定を行うのに対して、単体型の重ね合わせ検査装置１２では、基板１０Ａを正方向(０度方向)と反方向(１８０度方向)に向けた状態との双方で各測定点１０Ｂの測定を行う。組込型の重ね合わせ検査装置１１で省略する反方向の測定とは、装置起因の誤差成分（ＴＩＳ値：Tool Induced Shift）の設定に関わる測定である。
【００３１】
また、上記構成の組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２とに接続されたデータベース１３には、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピと、単体型の重ね合わせ検査装置１２用のレシピとが、予め記憶されている。各レシピは、基板１０Ａの各測定点１０Ｂ(図２)の位置情報や、各測定点１０Ｂでの測定項目などを登録したファイルである。組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピと、単体型の重ね合わせ検査装置１２用のレシピとで、各測定点１０Ｂの位置情報は同じである。また、各測定点１０Ｂでの測定項目は、組込型の重ね合わせ検査装置１１の方が単体型の重ね合わせ検査装置１２より少ない。
【００３２】
さらに、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピには、上記の位置情報や測定項目の他、重ね合わせ検査装置１１のＴＩＳ値（Ｔ１ij）も登録されている。添字ｉは基板１０Ａの各ショット領域の番号、添字ｊはショット領域での各測定点１０Ｂの番号を表す。つまり、本実施形態では、基板１０Ａの測定点１０ＢごとにＴＩＳ値（Ｔ１ij）を登録可能となっている。なお、このようなＴＩＳ値の登録は、単体型の重ね合わせ検査装置１２用のレシピでは行われていない。
【００３３】
また、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピ（各測定点１０Ｂの位置情報,各測定点１０Ｂでの測定項目,各測定点１０ＢごとのＴＩＳ値（Ｔ１ij））と、単体型の重ね合わせ検査装置１２用のレシピ（各測定点１０Ｂの位置情報,各測定点１０Ｂでの測定項目）とは、それぞれ、ロットの種類（製品名および工程名の組み合わせ）と対応付けて記憶されている。さらに、重ね合わせ検査の結果（各測定点１０Ｂでの重ね合わせずれ量）も、製品名と工程名とロット番号と対応付けてデータベース１３に保存される。
【００３４】
次に、リソグラフィシステム２０における基板１０Ａの処理手順と、本実施形態の重ね合わせ検査システム１０における基板１０Ａの検査手順とについて説明する。
コータ/デベロッパ２２の搬入/搬出部３１に搬送容器１４がセットされると、そのことがマシンコントローラ２３を介して工場ホスト２４に通知される。工場ホスト２４は、セットされた搬送容器１４の製品名と工程名などを参照して、その搬送容器１４内の基板１０Ａに適したレジスト塗布条件,露光条件,現像条件,検査条件などをマシンコントローラ２３に指示する。このとき、工場ホスト２４からマシンコントローラ２３には、各種の条件と一緒に、製品名と工程名とロット番号が出力される。
【００３５】
マシンコントローラ２３は、工場ホスト２４からの指示に基づいて、露光装置２１とコータ/デベロッパ２２にそれぞれ指示を出し、不図示の搬送機構にも指示を出す。このため、工場ホスト２４からの指示の通りに、搬入/搬出部３１の搬送容器１４から基板１０Ａが取り出され、コータ３２で基板１０Ａにレジストが塗布され、露光装置２１でレジスト層に回路パターンの潜像が形成され、デベロッパ３３でレジスト層が現像され、組込型の重ね合わせ検査装置１１で重ね合わせ検査（詳細は次に説明）が行われ、搬送容器１４に回収される。
【００３６】
組込型の重ね合わせ検査装置１１では、工場ホスト２４の指示に基づいて、現在のロットの製品名と工程名に対応付けられた重ね合わせ検査装置１１用のレシピ（各測定点１０Ｂの位置情報,各測定点１０Ｂでの測定項目,各測定点１０ＢごとのＴＩＳ値（Ｔ１ij））をデータベース１３から読み込む。
そして、現像工程を経た後の基板１０Ａが検査ステージ４１に載置されると、レシピに登録された位置情報にしたがって、各測定点１０Ｂ（図２）を装置の視野内に順に位置決めする。また、各測定点１０Ｂごとに、レシピに登録された測定項目にしたがって重ね合わせ検査を行う。さらに、組込型の重ね合わせ検査装置１１では、レシピに登録されたＴＩＳ値（Ｔ１ij）を重ね合わせ検査の条件として設定し、この条件にしたがって重ね合わせ検査を行う。
【００３７】
つまり、組込型の重ね合わせ検査装置１１は、基板１０Ａを正方向(０度方向)に向けた状態で、測定点１０Ｂの画像を取り込み（第１取込部）、その画像に対して所定の信号処理を施すことにより、測定点１０Ｂでの重ね合わせずれ量を算出する（第１算出部）。このとき算出した各測定点１０Ｂでの重ね合わせずれ量をＳ１nijとする。添字ｎは基板１０Ａの番号、添字ｉは基板１０Ａの各ショット領域の番号、添字ｊはショット領域での各測定点１０Ｂの番号を表す。
【００３８】
さらに、組込型の重ね合わせ検査装置１１は、次の式(１)にしたがって、各測定点１０Ｂでの重ね合わせずれ量（Ｓ１nij）を、レシピに登録されたＴＩＳ値（Ｔ１ij）により、各測定点１０Ｂごとに補正する（第１補正部）。ＴＩＳ値（Ｔ１ij）による補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）が、組込型の重ね合わせ検査装置１１による重ね合わせ検査の結果となる。組込型の重ね合わせ検査装置１１は、補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）を露光工程の補正用としてマシンコントローラ２３に出力する。
【００３９】
Ｒ１nij＝Ｓ１nij−Ｔ１ij  …(１)
また、補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）は、組込型の重ね合わせ検査装置１１からデータベース１３にも出力され、基板１０Ａの番号ｎとショット領域の番号ｉと測定点１０Ｂの番号ｊと対応付けて保存される。この場合、補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）と一緒に、製品名と工程名とロット番号も保存され、この結果を参照する際のインデックスとして利用される。
【００４０】
組込型の重ね合わせ検査装置１１の検査ステージ４１には、現像工程を経た後の基板１０Ａが順に載置され、搬送容器１４内の全て（例えば２５枚）の基板１０Ａに対して、上記と同様の重ね合わせ検査が繰り返し行われる（全数検査）。このとき、１つの搬送容器１４内の基板１０Ａには、共通のＴＩＳ値（Ｔ１ij）が用いられる。そして、各基板１０Ａの補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）が、露光工程の補正用としてマシンコントローラ２３に出力され、また、データベース１３にも出力される（ｎ＝１〜２５）。
【００４１】
ここで、組込型の重ね合わせ検査装置１１からマシンコントローラ２３に出力される各基板１０Ａの重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）は、現在のロットの良品率向上のために、ロット内の基板１０Ａごとに枚葉で露光工程にフィードバックされ、次の基板１０Ａ（これから露光装置２１に搬送される基板１０Ａ）に対する露光工程の補正に用いられる。ちなみに、マシンコントローラ２３は、各基板１０Ａの重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）に基づいて、露光装置２１の補正用データ（オフセット成分,スケーリング成分,ローテーション成分など）を生成し、露光工程のプロセスオフセットが小さくなるように露光工程を補正する。
【００４２】
そして、搬送容器１４内の全て（例えば２５枚）の基板１０Ａに対するリソグラフィ工程（レジスト塗布工程,露光工程,現像工程など）と、組込型の重ね合わせ検査装置１１による検査工程とが終了すると、露光装置２１とコータ/デベロッパ２２は、マシンコントローラ２３を介して、その旨を工場ホスト２４に通知する。また、搬送容器１４に全ての基板１０Ａが回収されると、工場ホスト２４から外部の自動搬送装置(不図示)またはオペレータに対し、その搬送容器１４を搬入/搬出部３１から搬出するように指示が出される。
【００４３】
上記のように、組込型の重ね合わせ検査装置１１では、各基板１０Ａの各測定点１０Ｂごとに、基板１０Ａを正方向(０度方向)に向けた状態でのみ、測定点１０Ｂの画像を取り込んで重ね合わせずれ量Ｓ１nijを算出し、重ね合わせ検査そのものに関わる測定のみ実行する。つまり、各測定点１０Ｂごとに、反方向(１８０度方向)の測定（ＴＩＳ値の設定に関わる測定）を省略する。このため、各測定点１０Ｂでの所要時間を短縮できる。したがって、各基板１０Ａでの測定点数を減らさなくても、リソグラフィシステム２０の本来のスループットを低下させることなくロット内の各基板１０Ａの重ね合わせ検査を行うことができる。さらに、各基板１０Ａでの測定点数を減らさないので、露光工程の補正に使用可能な高い精度で重ね合わせ検査を行える。
【００４４】
その後、リソグラフィシステム２０の搬入/搬出部３１から搬出された搬送容器１４が単体型の重ね合わせ検査装置１２にセットされると、そのことが工場ホスト２４に通知される。工場ホスト２４は、セットされた搬送容器１４の製品名と工程名などを参照して、その搬送容器１４内の基板１０Ａに適した検査条件などを指示する。このとき、工場ホスト２４から単体型の重ね合わせ検査装置１２には、ロットの製品名と工程名とロット番号が出力される。
【００４５】
単体型の重ね合わせ検査装置１２では、工場ホスト２４の指示に基づいて、現在のロットの製品名と工程名に対応付けられた重ね合わせ検査装置１２用のレシピ（各測定点１０Ｂの位置情報,各測定点１０Ｂでの測定項目）をデータベース１３から読み込む。そして、搬送容器１４から改めて取り出された基板１０Ａが検査ステージ４１に載置されると、レシピに登録された位置情報にしたがって、各測定点１０Ｂ（図２）を装置の視野内に順に位置決めする。また、各測定点１０Ｂごとに、レシピに登録された測定項目にしたがって重ね合わせ検査を行う。
【００４６】
つまり、単体型の重ね合わせ検査装置１２は、基板１０Ａを正方向(０度方向)に向けた状態で、測定点１０Ｂの第１画像を取り込むと共に、この基板１０Ａを正方向から１８０度回転させた状態（つまり反方向(１８０度方向)に向けた状態）で、測定点１０Ｂの第２画像を取り込む（第２取込部）。
そして、第１画像に対して所定の信号処理を施すことにより、測定点１０Ｂでの重ね合わせずれ量を算出する（第３算出部）。また、第２画像に対して同様の信号処理を施すことにより、測定点１０Ｂでの重ね合わせずれ量を算出する。このとき第１画像から算出した正方向の重ね合わせずれ量をＳ２nijとし、第２画像から算出した反方向の重ね合わせずれ量をＨ２nijとする。添字ｎは基板１０Ａの番号、添字ｉは各ショット領域の番号、添字ｊはショット領域での各測定点１０Ｂの番号を表す。
【００４７】
さらに、単体型の重ね合わせ検査装置１２は、次の式(２)にしたがい、正方向の重ね合わせずれ量（Ｓ２nij）と反方向の重ね合わせずれ量（Ｈ２nij）との双方に基づいて、重ね合わせ検査装置１２のＴＩＳ値（Ｔ２ij）を各測定点１０Ｂごとに算出する（第２算出部）。添字ｉは基板１０Ａの各ショット領域の番号、添字ｊはショット領域での各測定点１０Ｂの番号を表す。
【００４８】
Ｔ２ij＝（Ｓ２nij＋Ｈ２nij）／２  …(２)
また、単体型の重ね合わせ検査装置１２は、上記の算出結果であるＴＩＳ値（Ｔ２ij）を重ね合わせ検査の条件として設定し、この条件にしたがって重ね合わせ検査を続ける。つまり、次の式(３)にしたがって、各測定点１０Ｂでの正方向の重ね合わせずれ量（Ｓ２nij）を、上記のＴＩＳ値（Ｔ２ij）により、各測定点１０Ｂごとに補正する（第２補正部）。ＴＩＳ値（Ｔ２ij）による補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ２nij）が、単体型の重ね合わせ検査装置１２による重ね合わせ検査の結果となる。
【００４９】
Ｒ２nij＝Ｓ２nij−Ｔ２ij  …(３)
［ ＝（Ｓ２nij−Ｈ２nij）／２  ］
単体型の重ね合わせ検査装置１２は、補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ２nij）をデータベース１３に出力し、基板１０Ａの番号ｎとショット領域の番号ｉと測定点１０Ｂの番号ｊと対応付けて保存する。この場合にも、補正後の重ね合わせずれ量（Ｒ２nij）と一緒に、製品名と工程名とロット番号が保存され、この結果を参照する際のインデックスとして利用される。
【００５０】
本実施形態において、単体型の重ね合わせ検査装置１２による上記の重ね合わせ検査は、搬送容器１４内の１枚の基板１０Ａ（例えばｎ＝３）に対して抜き取りで行われる。予め指定された基板１０Ａに対する上記の重ね合わせ検査が終了すると、単体型の重ね合わせ検査装置１２は、その旨を工場ホスト２４に通知する。その後、工場ホスト２４は、自動搬送装置(不図示)またはオペレータに対して、搬送容器１４を搬出するように指示を出す。なお、単体型の重ね合わせ検査装置１２における検査の結果、良品の場合は次工程（加工工程など）、不良品の場合は再生工程または廃棄工程へ、ロット単位で搬送される。
【００５１】
一方、単体型の重ね合わせ検査装置１２は、上記のような抜き取り検査が終了すると、データベース１３に保存されている検査結果を参照し、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピに登録されているデータベース１３内のＴＩＳ値（Ｔ１ij）を補正する。この補正処理について次に説明する。
参照される検査結果は、組込型の重ね合わせ検査装置１１による検査結果と単体型の重ね合わせ検査装置１２による検査結果のうち、製品名と工程名とロット番号が同じで、基板１０Ａの番号ｎが同じものである。補正されるＴＩＳ値（Ｔ１ij）は、参照される検査結果と同じ製品名で同じ工程名のレシピに登録されたものである。
【００５２】
以下の説明では、例えばｎ＝３の同じ基板１０Ａに対する２種類の検査結果、つまり、組込型の重ね合わせ検査装置１１による検査結果（Ｒ１3ij）と、単体型の重ね合わせ検査装置１２による検査結果（Ｒ２3ij）とを参照して、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピに登録されているデータベース１３内のＴＩＳ値（Ｔ１ij）の補正処理を行うことにする。
【００５３】
単体型の重ね合わせ検査装置１２は、上記した２種類の検査結果を参照し、同じ測定点１０Ｂにおける重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）と重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）とを比較する。つまり、基板１０Ａのショット領域の番号ｉと測定点１０Ｂの番号ｊとが同じものどうしで重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）と重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）とを比較する。上記の通り、組込型による重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）は、予めレシピに登録されたＴＩＳ値（Ｔ１ij）による補正後の値である。単体型による重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）は、実際に測定したＴＩＳ値（Ｔ２ij）による補正後の値である。
【００５４】
同じ測定点１０Ｂであれば、使用する装置が異なっても２種類の検査結果は同じ値になるはずである。しかし、実際には、２種類の検査結果が少し異なってしまうこともある。これは、組込型の重ね合わせ検査装置１１が予めレシピに登録されたデータベース１３内のＴＩＳ値（Ｔ１ij）を用いて重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）を算出するためである。組込型の重ね合わせ検査装置１１の実際のＴＩＳ値が、装置の各部（光学系４２など）の経時変化や基板１０Ａの各測定点１０Ｂにおけるマークの断面形状に応じて変化し、予めレシピに登録されたＴＩＳ値（Ｔ１ij）と一致しなくなると、２種類の検査結果の間にずれが生じることになる。
【００５５】
また、２種類の検査結果が異なる場合でも、単体型による重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）は、実際に測定したＴＩＳ値（Ｔ２ij）による補正後の値であり、正しいと考えられる。２種類の検査結果が異なる場合、不正確と考えられるのは、組込型による重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）の方である。このため、単体型による重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）を基準にして、組込型による重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）が単体型による重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）と一致するように、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピに登録されているデータベース１３内のＴＩＳ値（Ｔ１ij）を補正すればよい。
【００５６】
具体的には、次の式(４)にしたがって、同じ基板１０Ａ（例えばｎ＝３）の同じ測定点１０Ｂにおける組込型の重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）と単体型の重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）との差ΔＴijを求め、次の式(５)にしたがって、差ΔＴijをデータベース１３内のＴＩＳ値（旧Ｔ１ij）に加算することで、補正処理を行う。そして、得られたＴＩＳ値（新Ｔ１ij）によってデータベース１３内の組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピを書き換える。このような補正処理は、基板１０Ａの測定点１０Ｂごとに（図２の例では２０箇所で）行われる。
【００５７】
ΔＴij＝Ｒ１3ij−Ｒ２3ij  …(４)
新Ｔ１ij＝旧Ｔ１ij＋ΔＴij  …(５)
上記のように、本実施形態の重ね合わせ検査システム１０では、装置の各部（光学系４２など）の経時変化や基板１０Ａの各測定点１０Ｂにおけるマークの断面形状に応じて変化し得る組込型の重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）を、単体型の重ね合わせ検査装置１２による検査後、単体型の正しい重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）と比較して、両者が一致するように組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピのＴＩＳ値（Ｔ１ij）を補正している。このため、組込型の重ね合わせ検査装置１１における実際のＴＩＳ値の経時変化を、同じ製品名で同じ工程名の次のロットに反映させることができ、レシピのＴＩＳ値（Ｔ１ij）と実際のＴＩＳ値とのずれを安定した範囲内に収めることができる。その結果、組込型の重ね合わせ検査装置１１における検査条件が安定化し、検査精度の低下を回避できる。
【００５８】
つまり、組込型の重ね合わせ検査装置１１において、ＴＩＳ値の設定に関わる測定（反方向(１８０度方向)の測定）を省略し、レシピに登録されたＴＩＳ値（Ｔ１ij）を用いて重ね合わせずれ量Ｓ１nijを算出する場合でも、単体型の重ね合わせ検査装置１２との連携によりレシピのＴＩＳ値（Ｔ１ij）をロット単位で補正するため、組込型の重ね合わせ検査装置１１における検査精度の経時変化が問題となる事態は発生せず、露光工程の補正に使用可能な高いを維持することができる。
【００５９】
したがって、組込型の重ね合わせ検査装置１１では、その処理能力を最大限に活用し、リソグラフィシステム２０の本来のスループットを低下させることなく、露光工程の補正に使用可能な高い精度で、ロット内の各基板１０Ａの重ね合わせ検査を実行し続けることができる。このため、リソグラフィシステム２０では、各基板１０Ａの重ね合わせ検査の結果を枚葉で速く露光装置２１にフィードバックすることができ、半導体素子などのデバイス製造をより安定して行うことができる。
【００６０】
また、本実施形態の重ね合わせ検査システム１０では、組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２とが各基板１０Ａの１つ以上の同じ測定点１０Ｂで重ね合わせ検査を行い、同じ測定点１０Ｂにおける組込型の重ね合わせずれ量（Ｒ１3ij）と単体型の重ね合わせずれ量（Ｒ２3ij）との差ΔＴijに基づいてＴＩＳ値（Ｔ１ij）を補正するため、その補正処理を簡単に行うことができる。
（変形例）
なお、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２とで、各基板１０Ａの測定点１０Ｂが同じである例（図２）を説明したが、本発明はこれに限定されない。組込型での全ての測定点１０Ｂを含むように、単体型での測定点１０Ｂを組込型より多く設定する場合にも、本発明を適用できる。例えば、組込型での測定点１０Ｂを図２に示す○印のポイントとする場合、単体型での測定点１０Ｂを図３に示す○印のポイントに設定することが考えられる。図３では、円形の点線枠で囲った部分が新しく追加された測定点１０Ｂとなる。
【００６１】
また、上記した実施形態では、単体型の重ね合わせ検査装置１２が搬送容器１４から１枚の基板１０Ａを選択的に取り出して重ね合わせ検査を行う例で説明したが、本発明はこれに限定されない。単体型の重ね合わせ検査装置１２での測定枚数を２枚以上とする場合にも本発明を適用できる。この場合、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピのＴＩＳ値（Ｔ１ij）を補正する際に、同じ基板１０Ａの同じ測定点１０Ｂどうしで２種類の検査結果（Ｒ１nijとＲ２nij）の差（ΔＴnij）を求め、このような差（ΔＴnij）の算出を２枚以上の各基板１０Ａごとに行い、得られた差（ΔＴnij）を異なる基板１０Ａの同じ番号ｉｊの測定点１０Ｂどうしで平均化し、その結果を上記の差ΔＴij（式(５)参照）として用いればよい。
【００６２】
さらに、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピのＴＩＳ値（Ｔ１ij）が各基板１０Ａごとに共通である例を説明したが、本発明はこれに限定されない。基板１０Ａごとに異なるＴＩＳ値（Ｔ１nij）を用意してもよい。この場合、単体型の重ね合わせ検査装置１２でも、組込型の重ね合わせ検査装置１１と同様の全数検査が必要となる。ただし、組込型の重ね合わせ検査装置１１が抜き取り検査を行う（例えば１枚おきに基板１０Ａの重ね合わせ検査を行う）場合にも本発明を適用でき、その場合には、組込型の重ね合わせ検査装置１１で検査対象となった基板１０Ａの重ね合わせ検査を単体型の重ね合わせ検査装置１２で行えばよい。
【００６３】
また、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピのＴＩＳ値（Ｔ１ij）が各測定点１０Ｂごとに異なる例を説明したが、本発明はこれに限定されない。組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピのモードに応じて、基板１０Ａの各測定点１０Ｂごとに共通のＴＩＳ値（Ｔ１）を用意してもよい。この場合には、基板１０Ａの同じ測定点１０Ｂごとに２種類の検査結果（Ｒ１nijとＲ２nij）の差（ΔＴij）を求め、このような差（ΔＴij）の基板１０Ａ内での平均値（ΔＴave）を求め、この平均値により組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピのＴＩＳ値を補正すればよい（新Ｔ１＝旧Ｔ１＋ΔＴave）。このような変形例では、組込型での測定点１０Ｂのうち少なくとも１つを単体型での測定点１０Ｂとすればよく、単体型での測定点１０Ｂの数が組込型より少ないこともあり得る。
【００６４】
さらに、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピのＴＩＳ値（Ｔ１ij）を補正する際に、同じロット番号の２種類の検査結果を比較したが、本発明はこれに限定されない。単体型の重ね合わせ検査装置１２における過去の複数ロットの検査結果から測定点１０Ｂごとの平均値を求め、これを組込型の検査結果と比較してもよい。また、過去の複数ロットの検査結果からロット間の変動を推定し、次のロットの検査結果の推定値を求め、これを組込型の検査結果と比較してもよい。平均値や推定値を用いることによって、変動の特異点のデータの影響を低減でき、より安定したＴＩＳ値の補正が可能となる。
【００６５】
また、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１が算出した重ね合わせずれ量（Ｓ１nij）と、単体型の重ね合わせ検査装置１２が算出した重ね合わせずれ量（Ｓ２nij）との比較により、ＴＩＳ値の補正を行う例を説明したが、本発明はこれに限定されない。組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２との各々で、露光装置２１の補正用データ（オフセット成分,スケーリング成分,ローテーション成分など）を生成し、これらの比較によりＴＩＳ値を補正してもよい。
【００６６】
さらに、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１から出力される重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）に基づいて、マシンコントローラ２３が露光装置２１の補正用データ（オフセット成分,スケーリング成分,ローテーション成分など）を生成する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。組込型の重ね合わせ検査装置１１が重ね合わせずれ量（Ｒ１nij）に基づいて露光装置２１の補正用データを生成し、これをマシンコントローラ２３に重ね合わせ検査の結果として出力する場合にも、本発明を適用できる。
【００６７】
また、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１用のレシピに登録されたＴＩＳ値を単体型の重ね合わせ検査装置１２による検査結果との比較により補正したが、本発明はこれに限定されない。ＴＩＳ値に限らず、フォーカスオフセットなどを、単体型の重ね合わせ検査装置１２の検査結果との比較により補正する場合にも、本発明を適用できる。本件では、これらのＴＩＳ値やフォーカスオフセットなどが、総じて「重ね合わせ検査の条件」に対応する。
【００６８】
さらに、上記した実施形態では、単体型の重ね合わせ検査装置１２がデータベース１３内の２種類の検査結果を比較してＴＩＳ値を補正する例で説明したが、本発明はこれに限定されない。データベース１３に接続された他の演算装置がデータベース１３内の２種類の検査結果を比較してＴＩＳ値を補正する場合にも、本発明を適用できる。
また、上記した実施形態では、データベース１３をリソグラフィシステム２０と重ね合わせ検査システム１０の外部に設置したが、本発明はこれに限定されない。組込型の重ね合わせ検査装置１１や単体型の重ね合わせ検査装置１２の内部に設置された記憶装置の少なくとも１つを用い、その記憶装置にデータ（検査結果）を記憶させ、他の測定検査装置からデータの読み書きが可能な構成としてもよい。２つの検査装置（１１,１２）が直接通信し、２種類の検査結果を比較してもよい。
【００６９】
さらに、上記した実施形態では、組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２とを１台ずつ設けたが、２つの検査装置（１１,１２）のうち少なくとも一方を複数台にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本実施形態の重ね合わせ検査システム１０の構成を示すブロック図である。
【図２】基板１０Ａの測定点１０Ｂについて説明する図である。
【図３】組込型の重ね合わせ検査装置１１と単体型の重ね合わせ検査装置１２の概略構成を示す図である。
【図４】単体型の重ね合わせ検査装置１２における測定点１０Ｂの変形例について説明する図である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  重ね合わせ検査システム１０
１０Ａ  基板
１０Ｂ  測定点
１１  組込型の重ね合わせ検査装置
１２  単体型の重ね合わせ検査装置
１３  データベース１３
１４  搬送容器
２１  露光装置
２２  コータ/デベロッパ
２３  マシンコントローラ
２４  工場ホスト
４１  検査ステージ
４２  光学系
４３  カメラ
４４  画像処理部
【図１】
2006128187.tif 000003
【図２】
2006128187.tif 000004
【図３】
2006128187.tif 000005
【図４】
2006128187.tif 000006