(57)【要約】【課題】  ガラスセラミック配線基板の電極層と誘電体層との界面に剥離が発生して、電極層と誘電体層とからなるコンデンサ部の容量の低下や容量のバラツキが大きくなる。【解決手段】  電極層と誘電体層との界面における凹凸を算術平均粗さＲａの算出法を用いて算出した結果、算出値が０．５μｍ〜３μｍであることから、焼結助剤としてガラスを多量に添加しなくても電極層と誘電体層との接合が強固なアンカー効果によって得られることができる。このため、電極層や誘電体層に添加する焼結助剤としてのガラス成分の添加量を抑制することができ、誘電体層の比誘電率の低下を抑制することができる。その結果、内蔵したコンデンサの電気的な容量を低下させることなく、安定した容量のコンデンサを形成して、配線基板内に容量ばらつきが小さく高容量のコンデンサを形成したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板とすることができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミックスから成る複数の絶縁層を積層して成る積層体の内部に、誘電体層を挟む少なくとも２個の電極層を介在させて静電容量を形成するようにしたコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板において、前記電極層と前記誘電体層との界面における凹凸を算術平均粗さＲａの算出法を用いて算出した結果、算出値が０．５μｍ〜３μｍであることを特徴とするコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板。
【請求項２】
前記誘電体層は、平均粒径が０．３μｍ以下のチタン酸バリウム粉末１００質量部と焼結助剤としてのガラス粉末２〜１０質量部とを含む焼結体からなることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板。
【請求項３】
前記電極層は、積算５０％粒径が０．８〜１．２μｍで積算１０％粒径が０．５μｍ以上の球状Ｃｕ粉末または球状Ａｇ粉末を含む焼結体からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板。
【請求項４】
前記電極層は、厚みが１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスセラミックスから成る複数の絶縁層を積層して成る積層体の内部に容量素子（コンデンサ）を内蔵したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電子機器や携帯用情報端末等の分野では、半導体素子を実装した配線基板と共に、受動部品として抵抗体、コンデンサ、インダクタ等をプリント回路基板等の配線基板上に実装したモジュール基板が用いられてきた。
【０００３】
しかしながら、近年、このような携帯電子機器や携帯用情報端末等に用いられる部品の小型化、複合化、高性能化が強く求められており、半導体素子を実装する配線基板の内部に受動部品に相当する機能を有する電子回路素子を内蔵させて、半導体素子と受動部品とを高密度に実装するという集積化の流れが進んでいる。これらの受動部品を配線基板内部に取り込むことは、配線基板表面に受動部品の実装スペースを確保する必要をなくし、また設計の自由度も増すため、配線基板の小型化に寄与できる。
【０００４】
また、上記の配線基板として、誘電率が低いため高周波用絶縁基板として好適であり、かつ、高周波信号を高速で伝送するために必要な低抵抗金属を配線導体として使用できるガラスセラミック配線基板に、受動部品としてコンデンサを内蔵したものが検討されている。
【０００５】
このようなコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板（以下、配線基板ともいう）は、絶縁層となるガラスセラミックグリーンシート（以下、グリーンシートともいう）の上面にコンデンサの電極層となる金属ペーストを塗布形成しておき、その表面にコンデンサの誘電体層となる誘電体ペーストを塗布形成し、その後、コンデンサの電極となる金属ペーストを形成したグリーンシートを積層して、ガラスセラミック積層体と金属ペーストと誘電体ペーストとを同時焼成することで形成する方法が採用されている。
【０００６】
このような配線基板は、グリーンシートと金属ペーストと誘電体ペーストとを同時焼成によって焼結させて一体化させる。このとき、焼成後の絶縁層と電極層との界面は絶縁層となるグリーンシート中のガラス成分が、電極層と相互拡散して結合する。しかしながら、焼成後の誘電体層と電極層との界面には、これらの焼成時の焼結挙動の差によって、クラックや剥離を生じることがあり、その場合、配線基板内部に形成したコンデンサの容量値が低下したり、配線基板内の電気的導通が断線するという不具合が発生していた。
【０００７】
このため、上記従来のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板では、電極層や誘電体層を形成するための金属ペーストや誘電体ペーストに焼結助剤として、例えば、１０〜３０質量部の比較的多量のガラス粉末などを添加することが行なわれている。これによって、電極層と誘電体層との焼結助剤としてのガラス成分が相互拡散して結合し、電極層と誘電体層との界面に剥離が発生しなくなり、絶縁層の内部に誘電体層を一体化して焼結することができる。
【特許文献１】特開平６−１６４１５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、誘電体層にガラスを添加すると、比誘電率の低いガラス成分が増加してしまい、誘電体層の比誘電率が大幅に低下する。その結果、内蔵されたコンデンサの容量値が小さいものとなってしまい、高容量値のコンデンサを形成できないという問題点を有していた。また、絶縁層と誘電体層とを同時焼成した際の誘電体層のガラス成分の拡散量がばらつきやすく、所望とする容量値からのズレが大きくなるという問題点も有していた。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みて完成されたもので、その目的は、誘電体層の比誘電率を低下させることなく、コンデンサを形成する電極層と誘電体層との接合強度を向上させることにより、配線基板内に容量ばらつきが小さく高容量のコンデンサを形成したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は、ガラスセラミックスから成る複数の絶縁層を積層して成る積層体の内部に、誘電体層を挟む少なくとも２個の電極層を介在させて静電容量を形成するようにしたコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板において、前記電極層と前記誘電体層との界面における凹凸を算術平均粗さＲａの算出法を用いて算出した結果、算出値が０．５μｍ〜３μｍであることを特徴とする。
【００１１】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は好ましくは、前記誘電体層は、平均粒径が０．３μｍ以下のチタン酸バリウム粉末１００質量部と焼結助剤としてのガラス粉末２〜１０質量部とを含む焼結体からなることを特徴とする。
【００１２】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は好ましくは、前記電極層は、積算５０％粒径が０．８〜１．２μｍで積算１０％粒径が０．５μｍ以上の球状Ｃｕ粉末または球状Ａｇ粉末を含む焼結体からなることを特徴とする。
【００１３】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板は好ましくは、前記電極層は、厚みが１０μｍ以上であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板によれば、電極層と誘電体層との界面における凹凸を算術平均粗さＲａの算出法を用いて算出した結果の算出値が０．５μｍ〜３μｍとなるようにしたことから、焼結助剤としてガラスを多量に添加しなくても、電極層と誘電体層とを強固なアンカー効果によって接合することができる。このため、電極層や誘電体層に添加する焼結助剤としてのガラス成分の添加量を抑制することができ、誘電体層の比誘電率の低下を抑制することができる。これにより、内蔵したコンデンサの電気的な容量を低下させることなく、安定した容量のコンデンサを形成して、配線基板内に容量ばらつきが小さく高容量のコンデンサを形成したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板が得られるようになる。
【００１５】
また、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板によれば、上記構成において、誘電体層を、平均粒径が０．３μｍ以下のチタン酸バリウム粉末１００質量部と焼結助剤としてのガラス粉末２〜１０質量部とを含む焼結体から形成した場合、誘電体層の焼結温度がガラスセラミックグリーンシートの焼結温度に近くなり、緻密に焼結するため、焼成後に比誘電率の高い安定した誘電体層を形成することができる。その結果、内蔵したコンデンサの電気的な容量を低下させることなく、安定した容量のコンデンサを形成するとともに、電極層と誘電体層との界面の剥離やクラックの発生を抑制して、容量ばらつきがより小さく、より高容量のコンデンサを有したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板が得られるようになる。
【００１６】
また、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板によれば、上記構成において、電極層を積算５０％粒径が０．８〜１．２μｍで積算１０％粒径が０．５μｍ以上の球状Ｃｕ粉末または球状Ａｇ粉末を含む焼結体で形成することにより、電極層の焼結性が促進されて、誘電体層のガラス成分の相互拡散を抑制することができる。その結果、内蔵したコンデンサの電気的な容量を低下させることなく、安定した容量のコンデンサを形成するとともに、電極層と誘電体層との界面の剥離やクラックの発生を抑制して、容量ばらつきがさらに小さく、さらに高容量のコンデンサを有したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板が得られるようになる。
【００１７】
また、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板によれば、上記構成において、好ましくは電極層の厚みを１０μｍ以上としたことから、絶縁層と誘電体層との間のガラス成分の相互拡散をより効果的に抑制することができる。その結果、内蔵したコンデンサの電気的な容量を低下させることなく、安定した容量のコンデンサを形成するとともに、電極層と誘電体層との界面の剥離やクラックの発生を抑制して、より一層、容量ばらつきが小さく、高容量のコンデンサを有したコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板が得られるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板について詳細に説明する。
【００１９】
本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板における絶縁層は、ガラスとセラミック粉末とから成る。このガラスとしては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は同一または異なってＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１Ｏ−Ｍ２Ｏ系（但し、Ｍ１およびＭ２は前記と同じである）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３はＬｉ，ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ３２Ｏ系（但し、Ｍ３は前記と同じである）、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等が挙げられる。
【００２０】
また、セラミック粉末としては、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、ＴｉＯ２とアルカリ土類金属酸化物との複合酸化物、Ａｌ２Ｏ３およびＳｉＯ２から選ばれる少なくとも１種を含む複合酸化物（例えばスピネル，ムライト，コージェライト）等が挙げられる。
【００２１】
この絶縁層の焼成前の生シートであるセラミックグリーンシートは、ガラス粉末およびセラミック粉末と、有機バインダ、有機溶剤、可塑剤等とを添加混合してスラリーとするとともに、そのスラリーにドクターブレード法やカレンダロール法を採用することによって成形する。
【００２２】
このガラス粉末およびセラミック粉末に添加混合される有機バインダとしては、従来からセラミックグリーンシートに使用されているものが使用可能であり、例えばアクリル系（アクリル酸，メタクリル酸またはそれらのエステルの単独重合体または共重合体、具体的にはアクリル酸エステル共重合体,メタクリル酸エステル共重合体,アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等）、ポリビニルブチラール系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロース系等の単独重合体または共重合体が挙げられる。
【００２３】
セラミックグリーンシートを成形するためのスラリーに用いられる有機溶剤としては、ガラス粉末とセラミック粉末、および有機バインダを分散させ、セラミックグリーンシート成形に適した粘度のスラリーが得られるように、例えば炭化水素類、エーテル類、エステル類、ケトン類、アルコール類等の有機溶剤が挙げられる。
【００２４】
以上のようにして作製したセラミックグリーンシートに、必要に応じて金型加工等により貫通孔を形成し、この貫通孔にＣｕ等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤を添加混合した貫通導体用ペーストをスクリーン印刷等により充填して、貫通導体を形成する。
【００２５】
次に、これらのセラミックグリーンシートの表面に、Ｃｕ等の金属粉末に適当な有機バインダ、溶剤を添加混合した電極層用ペーストをスクリーン印刷等により塗布し、電極層を形成する。
【００２６】
この電極層と誘電体層との界面における凹凸を算術平均粗さＲａの算出法を用いて算出した結果、算出値が０．５μｍ〜３μｍに形成される。算出値が０．５μｍ未満の場合には、電極層と誘電体層との接合強度が低下しやすく、剥離が発生しやすい傾向がある。他方、算出値が３μｍを超えると、誘電体層の膜厚がばらつきやすく、コンデンサの容量値がばらつきやすい傾向がある。
【００２７】
電極層と誘電体層との界面には、０．１〜２μｍの幅に、電極層の金属成分が拡散した拡散層が形成されている。この拡散層は、例えば、得られたコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板の断面を、ＳＥＭおよびＢＥＭ分析と蛍光Ｘ線分析で確認することができる。電極層と誘電体層との界面における凹凸の算出は、この拡散層の厚み方向の幅の中心線を、電極層と誘電体層との界面の粗さ曲線とし、算術平均粗さＲａとして算出することが出来る。
【００２８】
この電極層用ペーストに用いる金属粉末は、積算５０％粒径が０．８〜１．２μｍで積算１０％粒径が０．５μｍ以上の球状Ｃｕ粉末または球状Ａｇ粉末であることが好ましい。Ｃｕ粉末またはＡｇ粉末の積算５０％粒径が０．８μｍ未満の場合には、ペースト化するときに粉末の分散性が悪くなりやすく、スクリーン印刷性が悪くなりやすい傾向がある。他方、Ｃｕ粉末またはＡｇ粉末の積算５０％粒径が１．２μｍを超えると、電極層の焼結中に誘電体層の成分が相互拡散しやすく、誘電体層の焼結性が劣化しやすい傾向がある。
【００２９】
また、この電極層用ペーストに用いる金属粉末の粒径が大きくなると、電極層の誘電体層との界面における表面粗さがばらつきやすい傾向がある。
【００３０】
また、この電極層の厚みは１０μｍ以上であることが好ましい。電極層の厚みが１０μｍ未満の場合には、絶縁層のガラス成分が過剰に誘電体層側に拡散しやすく、誘電体層の比誘電率が低下しやすい傾向がある。
【００３１】
この電極層の表面に、表面粗さがＲａ０．５〜３μｍのステンレス板などの金属板やアクリル板などを配置して、０．５〜２ＭＰａの圧力で押圧して、表面形状を転写する。
【００３２】
次に、電極層を形成したセラミックグリーンシートの表面に、チタン酸バリウムなどの誘電体粉末と焼結助剤とに有機バインダ、溶剤を添加した誘電体層用ペーストをスクリーン印刷等により塗布し、誘電体層形成する。
【００３３】
この誘電体層ペーストに用いる誘電体粉末は、平均粒径が０．３μｍ以下のチタン酸バリウム粉末であることが好ましい。チタン酸バリウム粉末の粒径が０．３μｍを超えると、誘電体層の焼結性が劣化しやすい傾向がある。
【００３４】
また、焼結助剤としては、例えばＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−ＭＯ系（但し、ＭはＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＢａまたはＺｎを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｍ１２Ｏ系（但し、Ｍ１はＬｉ，ＮａまたはＫを示す）、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ａｌ２Ｏ３−Ｍ１２Ｏ系（但し、Ｍ１は前記と同じである）、Ｐｂ系ガラス、Ｂｉ系ガラス等を用いることができる。
【００３５】
また、このガラス添加量は、誘電体粉末に対し２〜１０質量部添加することが好ましい。ガラス添加量が２質量部未満では誘電体粉末が焼結しにくい傾向がる。他方、ガラス添加量が１０質量部を超えると、誘電体層の比誘電率が劣化しやすい傾向がある。
【００３６】
この誘電体層の表面に、表面粗さがＲａ０．５〜３μｍのステンレス板などの金属板やアクリル板などを配置して、０．５〜３ＭＰａの圧力で押圧して、表面形状を転写する。
【００３７】
次に、この誘電体層を形成したセラミックグリーンシートに、対向配置するように電極層を塗布して形成する。この対極配置する電極層の塗布にも、先に使用した電極層用ペーストをスクリーン印刷等により使用することができる。
【００３８】
次に、これらのセラミックグリーンシートを複数枚積み重ねて、３〜２０ＭＰａの圧力および３０〜８０℃の温度で加熱圧着することにより積層体を作製する。この積層体中における誘電体層の位置や数や大きさには特に制限はなく、所望の内蔵容量素子を有する配線基板の構成となるように配設して積層すればよい。
【００３９】
その後、加湿窒素雰囲気中で有機分を除去して、次いで８００〜１０００℃の温度で積層体を焼成することにより、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板が得られる。
【００４０】
また、積層体を焼成する際に、セラミックグリーンシートや誘電体層が焼結する温度では実質的に焼結収縮しない無機成分、例えばアルミナから成る拘束グリーンシートを積層体の両面に積層して焼成すると、この拘束グリーンシートによって積層体の主面方向の焼成時の収縮が拘束されて抑制されるために配線基板の寸法精度が向上し、コンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板に内蔵させる容量素子の容量値のばらつきを小さくすることが可能となる。また、このような方法で焼成した場合は、厚み方向の焼成収縮が通常の方法で焼成した場合に比較して大きくなるので、誘電体層の厚みをより薄くすることが可能となり、内蔵容量素子の高容量化も容易となる。
【００４１】
なお、本発明は上述の実施するための最良の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。
【００４２】
例えば、上述の実施するための最良の形態の例では、誘電体層は誘電体層用ペーストをセラミックグリーンシートに塗布することにより形成したが、あらかじめグリーンシート状に成型した誘電体層を打ち抜き加工等によりセラミックグリーンシートに転写して形成してもよい。また、薬液などの表面処理を施して、表面粗さを調整したＣｕ箔などの金属箔を、セラミックグリーンシートに転写することによって、電極層を形成してもよい。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板を具体例によって詳細に説明する。
【００４４】
ガラスセラミック成分として、ＳｉＯ２−ＣａＯ−ＭｇＯ系ガラス粉末５０質量部と、Ａｌ２Ｏ３粉末５０質量部とを混合し、この無機粉末１００質量部に有機バインダとしてアクリル系樹脂１２質量部、フタル酸系可塑剤６質量部および溶剤としてトルエン３０質量部を加え、ボールミル法により混合しスラリーとした。
【００４５】
このスラリーを用いてドクターブレード法により厚さ２００μｍのセラミックグリーンシートを成型した。
【００４６】
このセラミックグリーンシートに電極層用ペーストをスクリーン印刷にて２０μｍの厚みに塗布し、７０℃で３０分乾燥して電極層パターンを形成した。また、パターンの形状は３ｍｍ□のパターンとした。
【００４７】
電極層用ペーストは、Ｃｕ粉末１００質量部にアクリル樹脂１２質量部と有機溶剤としてα−テルピネオールとを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００４８】
次に、この電極層パターンの表面に、サンドブラスト加工を施して、表面粗さがＲａ２μｍのステンレス板を載置して、１ＭＰａの圧力で加圧することにより、表面形状を転写して電極層パターンの表面粗さをＲａ２μｍに調整した。
【００４９】
次に、誘電体層用ペーストをスクリーン印刷にて２０μｍの厚みに塗布し、７０℃で３０分乾燥して誘電体層パターンを形成した。また、パターンの形状は３ｍｍ□のパターンとした。
【００５０】
ここで、誘電体層用ペーストはチタン酸バリウム粉末１００質量部に対して５質量部のＢ２Ｏ３,ＳｉＯ２，ＣａＯ,ＢａＯ,ＺｎＯを含むガラス粉末の混合物に、アクリル樹脂１２質量部と有機溶剤としてα−テルピネオールとを加え、攪拌脱泡機により十分に混合した後３本ロールにて十分に混練したものを用いた。
【００５１】
次に、この誘電体層パターンの表面に、サンドブラスト加工を施して、表面粗さがＲａ２μｍのステンレス板を載置して、１ＭＰａの圧力で加圧することにより、表面形状を転写して誘電体層パターンの表面粗さをＲａ２μｍに調整した。
【００５２】
次に、誘電体層パターンの上部に対向配置するように、同様の電極層用ペーストを２０μｍの厚みに積み重ねて塗布して、一対の電極層をチタン酸バリウムからなる誘電体層を挟んで対向配置した容量素子部を形成した。
【００５３】
次に、容量素子部を形成したセラミックグリーンシートと、形成していないセラミックグリーンシートとを積み重ねて、５ＭＰａの圧力と５０℃の温度で加熱圧着してセラミックグリーンシート積層体を作製した。
【００５４】
この、一対の対向配置した電極層は、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工で形成した貫通孔にＣｕペーストを充填して形成した貫通導体によって、セラミックグリーンシート積層体の表面に電気的に引き出した。
【００５５】
次にセラミックグリーンシート積層体を、加湿窒素雰囲気５００℃で３時間焼成して有機分を除去して、窒素雰囲気９００℃で１時間焼成することにより、緻密なガラスセラミック焼結体から成る絶縁層の内部に同時焼成により形成された誘電体層を配設して成るサンプル４のコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板を得た。
【００５６】
また、表面形状を転写するステンレス板の表面粗さを調整して、電極層パターンおよび誘電体層パターンの表面粗さＲａを、表1に示すように加工し、それ以外の構成は上記と同様にしてそれぞれサンプル１、２、３、５、６、７の配線基板を作製した。
【００５７】
このようにして得られたコンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板に対して、その容量素子の容量を２０ヵ所測定した。
【００５８】
容量は、測定周波数１ＭＨｚ、測定温度２５℃の条件で、アジレント・テクノロジー株式会社製インピーダンス測定器（型式：４２９４Ａプレシジョン・インピーダンス・アナライザ、測定精度：±０．０８％）を用いて測定した。
【００５９】
次に、コンデンサ素子の電極層面積、誘電体層の厚みを測定した。電極層面積は、コンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板の上面から平面研磨により電極層を露出させて光学顕微鏡（倍率は１０倍）により測定した。誘電体層の厚みは、コンデンサ内蔵ガラスセラミック配線基板の断面を鏡面研磨仕上げした後、金属顕微鏡（倍率は１００倍）により測定した。
【００６０】
そして、測定によって得られた容量、電極層面積、および誘電体層の厚みに基づいて比誘電率を算出した。誘電体層の材料の比誘電率は平行平板コンデンサの場合、
Ｃ＝ε０・εｒ・Ｓ／ｄ
（Ｃ：容量素子の容量、ε０：空気中の誘電率、εr：誘電体層の材料の比誘電率、Ｓ：電極層面積、ｄ：電極層間距離）
の関係から算出した。比誘電率は、２０ヵ所の測定値の平均値とばらつき（標準偏差）を算出した。
【００６１】
また、電極層と誘電体層との界面の接合状態を金属顕微鏡（倍率は１００倍）により、剥離の発生を確認した。剥離の発生していないサンプルを○、剥離の発生しているサンプルを×で表示した。
【００６２】
これらの測定結果を表１に示す。
【表１】
2006128362.tif 000002
【００６３】
表１の結果より、実施例のサンプル２、３、４、５は、電極層と誘電体層との界面が良好に焼結して剥離の発生がない、高い比誘電率の誘電体層を形成していることがわかる。これに対して、表面粗さをＲａ０．２μｍとした比較例のサンプル１は、電極層と誘電体層との界面で剥離が発生していた。表面粗さをＲａ４μｍと６μｍにした比較例のサンプル６、７は、比誘電率のばらつきが５６％、８７％と非常に大きなものとなっていることがわかった。