(57)【要約】【課題】  本発明は、基板処理が均一に行われる基板処理装置を提供する。【解決手段】  本発明は、基板処理装置と基板処理方法に関する。本発明による基板処理装置は基板（１００）の板面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板を移送する移送装置（３０）と、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向で交互的に傾けて移送するように前記移送装置を制御する制御部を含むことを特徴とする。【選択図】図２
2006032969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の板面に処理液を供給する処理液供給部と；
前記基板を移送する移送装置と；
前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に交互的に傾けて移送させるように前記移送装置を制御する制御部を含むことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
基板を傾けて移送する移送装置と；
前記移送装置上部に形成され、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する処理液供給部を含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
前記処理液供給部は複数のノズルを含んで、
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液供給部は、前記基板の移送方向と交差する方向に配置されている処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理液配管は、傾斜角度を調節することができるように形成されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理液配管は、前記基板と平行に配置され、
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、長さが長いことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液配管は、前記基板と平行に配置され、
前記ノズルの長さは、前記基板の傾斜面下部に近づくほど長くなることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液配管は、前記基板の傾斜面上部より前記基板の傾斜面下部に近く配置されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理液供給部は、
前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する第１ノズルと前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する第２ノズルを含むノズル装置と；
前記第１ノズルと連結されている第１処理液配管と、第２ノズルと連結されている第２処理液配管を有する処理液配管を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理液供給部は、
前記基板の移送方向と平行に配置されている複数の処理液配管と、前記処理液配管に連結されている複数のノズルを含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記基板の傾斜面上部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離は、前記基板の傾斜面下部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離より長いことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置されていることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
基板と処理液を準備する段階と；
前記基板に前記処理液を供給しながら、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に少なくとも１回交互的に傾けて移送する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１４】
前記移送する段階は、前記移送方向に関して前記基板を少なくとも１回往復移送することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１５】
前記基板の傾斜角は、３°乃至７°であることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記処理液は現像液、食刻液、そして洗浄液の中でいずれか１つであることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
【請求項１７】
第１処理ユニットで基板を移送方向と交差する方向に第１傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と；
第２処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第１傾斜角より小さい第２傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と；
第３処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第１傾斜角と反対方向である第３傾斜角程度傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
前記第２処理ユニットで前記基板は、水平移送されることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
【請求項１９】
前記第１傾斜角と前記第３傾斜角は同じ大きさであることを特徴とする請求項１７又は１８に記載の基板処理方法。
【請求項２０】
基板を移送方向と交差する方向に傾けて移送する段階と；
前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する段階を含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置とこれを利用した基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄膜トランジスターが形成される薄膜トランジスター基板と、カラーフィルター層が形成されるカラーフィルター基板とを有し、そして基板の間に液晶層が形成される液晶パネルを含む。
【０００３】
液晶パネルは非発光素子であるため、薄膜トランジスター基板の後面には光を照射するバックライトユニットが形成される。バックライトユニットから照射された光は、液晶層の配列状態により透過量が調節される。
【０００４】
また、液晶パネルの各画素を駆動するため、駆動回路と、駆動回路から駆動信号を受けて、表示領域内のデータ線とゲート線に電圧を印加するデータドライバーとゲートドライバーが形成される。
【０００５】
カラーフィルター基板と薄膜トランジスター基板の製造過程の中では、処理液を基板に供給して基板を処理する工程がある。具体的には露光された感光膜から感光膜パターンを形成する現像工程、現像工程で形成された感光膜パターンを利用して金属層パターンまたは電極パターンなどを形成する食刻工程、現像工程や食刻工程を経た基板を洗浄する洗浄工程がある。各工程で使われる処理液は、各々現像液、食刻液、ＤＩ（Ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ：除イオン）ウォーターである。
【０００６】
基板処理は、通常基板を移送しながら、処理液を基板に噴射して行われる。この時、基板を処理した処理液が基板から容易に除去されるように、基板の一側が傾くように移送する。
【０００７】
この場合、基板の傾斜面下部は基板の傾斜面上部から流れてくる処理液により、基板の傾斜面上部に比べて、処理液の層が厚くなった状態となる。厚く存在する処理液により、基板表面が受ける処理液噴射圧は基板傾斜面下部より基板傾斜面上部の方が強くなる。
【０００８】
このような基板の位置により処理条件が変わると、処理が不均一になる問題が発生する。このような問題は基板の大きさが大きくなるほど一層大きくなる。基板を処理液に浸漬させるディッピング（ｄｉｐｐｉｎｇ）方法を使用する場合，このような問題は発生しないが、ディッピング方法は基板が一定の大きさ以上になると、基板を安定的に移送することができない問題がある。
【０００９】
最近基板の大きさが大きくなりつつ、配線の線間の幅及び食刻プロファイルの均一性が重要な問題になっている。基板全体を均一に処理するためには、処理作用の均一性を確保することが重要であるが、従来のように基板の部分により処理条件が変わる場合、処理の均一性を確保することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記の問題点を解決するため、本発明の目的は、基板処理が均一に行える基板処理装置を提供することである。
また、本発明の他の目的は、基板処理が均一に行える基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による基板処理装置は、基板の板面に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板を移送する移送装置と、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に交互的に傾けて移送させるため前記移送装置を制御する制御部を含む。
【００１２】
本発明による他の基板処理装置は、基板を傾けて移送する移送装置と、前記移送装置上部に位置して、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する処理液供給部を含む。
【００１３】
本発明の１つの例においては、前記処理液供給部は、複数のノズルを含んで、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて前記基板に近く配置される。
【００１４】
本発明の１つの例においては前記処理液供給部は、前記基板の移送方向と交差する方向に配置されている処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含む。
本発明の１つの例においては前記処理液配管は、傾斜角度を調節できるように形成される。また、前記基板と平行に配置され、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、長さが長くなるようにしても良い。
【００１５】
また、前記処理液配管を基板と平行に配置し、前記ノズルの長さを前記基板の傾斜面下部に近づくほど長くなるようにもできる。本発明の１つの例においては前記処理液配管は、前記基板の傾斜面上部より前記基板の傾斜面下部に近く配置される。
【００１６】
本発明の１つの例においては前記処理液供給部は、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する第１ノズルと、前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する第２ノズルを含むノズル装置と、前記第１ノズルと連結される第１処理液配管と、第２ノズルと連結される第２処理液配管が形成されている処理液配管を含む。また、前記基板の移送方向と平行に配置される複数の処理液配管と、前記処理液配管に連結される複数のノズルを含むようにしてもよい。
【００１７】
本発明の１つの例においては前記基板の傾斜面上部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離は、前記基板の傾斜面下部とそれに隣接した前記処理液配管との間の距離より長くすることができる。
【００１８】
本発明の１つの例においては前記基板の傾斜面下部に処理液を噴射する前記ノズルは、前記基板の傾斜面上部に処理液を噴射する前記ノズルに比べて、前記基板に近く配置される。
【００１９】
本発明による基板処理方法は、基板と処理液を準備する段階と、前記基板に前記処理液を供給しながら、前記基板を前記基板の移送方向と交差する方向に少なくとも１回交互的に傾けて移送する段階を含む。
【００２０】
本発明の１つの例においては、前記移送する段階は、前記移送方向に関し前記基板を少なくとも１回往復移送することができる。
本発明の１つの例においては、前記基板の傾斜角は、３°乃至７°でとすることができる。
【００２１】
本発明の１つの例においては、前記処理液は、現像液、食刻液、そして洗浄液の中の、いずれか１つでありうる。
本発明による基板処理方法は、第１処理ユニットで基板を移送方向と交差する方向に第１傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と、第２処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第１傾斜角より小さい第２傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階と、第３処理ユニットで前記基板を移送方向と交差する方向に前記第１傾斜角と反対方向である第３傾斜角程度に傾けて移送しながら、処理液を板面に供給する段階を含む。
【００２２】
本発明の１つの例においては、前記第２処理ユニットで前記基板は水平に移送される。
本発明の１つの例においては、前記第１傾斜角と前記第３傾斜角は同じ大きさとすることができる。
【００２３】
本発明による基板処理方法は、基板を移送方向と交差する方向に傾けて移送する段階と、前記基板の傾斜面下部に加えられる処理液の噴射圧が前記基板の傾斜面上部に加えられる処理液の噴射圧より強くなるよう処理液を供給する段階を含む。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、基板の処理が均一に行われる基板処理装置が提供され、また、基板の処理が均一に行われる基板処理方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下添付図を参照してより詳細に説明する。
種々の実施例で繰り返される構成要素に対しては、同一番号を付与し、代表的に第１実施例のみで説明して他の実施例では省略する。
【００２６】
まず本発明の第１実施例による基板処理装置１を図１と図２を参照して説明する。
本発明の第１実施例による基板処理装置１は、類似する構成の多数の処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃで構成されている。
【００２７】
各処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、互いに隣接するように連結されている。各処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃの間には、お互いを連結する通路４０が形成され、基板１００を搬入／搬出できる。
【００２８】
各処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃの上部には、基板１００に処理液２３を供給する処理液供給部２０が形成されている。処理液供給部２０は、処理液２３をスプレーして、基板１００に供給し、基板１００全体に処理液２３が均一に供給されるように基板１００の移送経路に沿って複数個が設置されている。図示されていないが処理液供給部２０は処理液貯蔵タンクをさらに含む。
【００２９】
処理液２３は、各処理装置１の用途に合わせて、現像液、食刻液、洗浄液の中の、いずれか１つが選ばれる。他の処理目的の場合はそれに応じた対応する処理液が用いられる。
処理液２３が現像液の場合、メタル成分を含まない有機アルカリである溶液系列が使われて、洗浄過程を通し、アルカリ性である成分は完全除去される。
【００３０】
処理液２３が食刻液の場合、食刻対象によりその成分が変わる。アルミやモリブデンを食刻する場合、食刻液は燐酸、硝酸、酢酸を含む。タンタルを食刻する場合、食刻液はフッ酸と硝酸を含む。クロムを食刻する場合、食刻液は硝酸アンモニウムセシウムと硝酸を含む。またＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｎ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を食刻する場合、食刻液は塩酸、硝酸、塩化鉄を含む。
【００３１】
処理液２３が洗浄液の場合、処理液２３は通常     ＤＩウォーターである。また、この場合処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃは迅速な洗浄のために、処理液供給部２０の他にノズルが基板１００移送方向と交差する方向に形成されるアクアナイフ（水薄膜ナイフ）をさらに含む。
【００３２】
基板１００は移送装置３０に安着され、移送方向に関し処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃの中で往復運動させられあるいは、または処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃの間で移送される。基板１００は、処理液供給部２０からスプレーされる処理液２３の供給を受けるために、処理液供給部２０の下部に位置し、処理液２３で処理される部分を露出している。処理が現像の場合には、露光処理された感光膜が露出している。処理が食刻の場合には、食刻される金属層、透明電極層、絶縁層などが露出しており、食刻されない部分は感光膜で覆われている。処理が洗浄の場合、現像液または食刻液そして現像されて分離した感光層、食刻によって分離された金属層などが洗浄液に対し露出されている。
【００３３】
移送装置３０はコンベアタイプになっており、処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃの間で基板１００を移送したり、１つの処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃの中で基板１００を往復運動させたりする。コンベアとしてベルトタイプを利用することも可能である。また、移送装置３０は、正回転、または逆回転することができて、１列に配列された多数のローラ３１と、ローラ３１と結合されて基板１００の背面と直接接触する支持部３２、そして基板１００の運動により、回転しつつ基板１００の側面と接触して支持し、基板１００が移送装置３０から離脱するのを防止するサイドローラ３３を含む。サイドローラ３３は、基板１００の両側面に沿って形成される。移送装置３０は、処理液２３により変質しない材質になっており、この中で、支持部３２は基板１００に衝撃を与えることを防ぐため、プラスチック材質で製造されることが望ましい。移送装置３０はこれ以外にローラ３１の回転・停止や回転方向を制御する制御部（図示せず）をさらに含む。
【００３４】
制御部は基板１００が移送方向と交差する方向に交互的に傾いて移送されるように移送装置３０を制御する。第１処理ユニット１０ａでは例えば、移送装置３０は基板１００の一側辺が上部に位置されるように、また基板１００移送方向と交差する方向に前記基板１００を傾けて移送させることができる。図２で互いに反対方向である第１傾斜角（θ１）と第２傾斜角（θ２）は３°乃至７°の間でありうる。傾斜角が３°より小さい場合は、処理液２３の除去速度が遅く、逆に７°より大きい場合は、処理液２３が基板１００に留まる時間が短くなり過ぎる。また前記両傾斜角（θ１、θ２）の大きさは同一としてもよい。
【００３５】
また図示されていないが、本発明の移送装置３０は、基板１００を基板１００と交差する方向に傾ける度合いを変化させるように傾斜調節部材をさらに含むことが望ましい。傾斜調節部材はピストン装置などで構成可能である。
【００３６】
本発明の実施例による処理装置１は、様々な変形が可能であり、例えば、処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃは４ケ以上で形成されることもできる。
以下では、本発明の第１実施例を利用した基板処理方法を、図３を参照して説明する。基板１００上にゲート配線を形成する工程を例とする。
【００３７】
基板素材上にゲート金属層を蒸着し、感光液を塗布する。その後ソフトベイク過程を経て、感光液内のソルベントを除去して、感光膜を形成する。ソルベントが除去された感光膜に一定パターンのマスクを利用して、露光を実施する。その後次のような現像工程を経る。
【００３８】
まず第１処理ユニット１０ａに移送装置３０に安着されるよう基板１００が搬入される（Ｓ１００）。処理液供給部２０でスプレーされた処理液２３、即ち現像液は、基板１００が通常第１処理ユニット１０ａに搬入されてから基板１００に供給されて、感光膜を現像する（Ｓ２００）。基板１００の感光膜は、感光膜がネガティブの場合には、露光されていない領域が処理液２３と反応して溶解して、感光膜がポジティブの場合には、露光された領域が処理液２３と反応して溶解する。この時基板１００の移送方向は、第１処理ユニット１０ａから第２処理ユニット１０ｂに向かう第１移送方向である。また移送装置３０は、基板１００を第１傾斜方向に傾けた状態で移送する。ここで第１傾斜方向は基板１００の移送方向に対し交差する方向になる。図示の例では直交する方向である。この過程で基板１００が一方向に傾いて、基板１００の下部に位置した部分では処理液２３と接触する時間が上部に位置した部分に比べて長くなる。
【００３９】
第１移送方向に所定時間の間移送した後、移送装置３０は基板１００を第１移送方向と反対方向である第２移送方向に移送する（Ｓ３００）。これと共に、移送装置３０は基板１００を第２傾斜方向に傾けて移送する。第２傾斜方向は、第１傾斜方向と傾斜角は同一であるが、その方向は反対である。即ち、第１傾斜方向で下部に位置した基板１００部分が上部に移動して、反対に第１傾斜方向で上部に位置した基板１００部分が下部に移動する。これによって、先の移送（Ｓ２００）で処理液２３と相対的に多く接触した部分は、少なく接触するようになって、反対に処理液２３と相対的に少なく接触した部分は多く接触するようになる。
【００４０】
第２移送方向への移送（Ｓ３００）が終了すると、移送装置３０は基板１００をまた第１移送方向に移送させる（Ｓ４００）。この時、基板１００の傾斜方向はまた第１傾斜方向に転換される。傾斜方向を上記の通りに交互的に転換しても、サイドローラ３３が基板１００の両側面に設置されているため、基板１００が移送装置３０から離脱することはない。
【００４１】
２回目の第１移送方向への移送（Ｓ４００）により、基板１００が通路４０に到達すると、移送装置３０は基板１００を隣接した処理ユニット１０ｂに搬出する（Ｓ５００）。基板１００を搬入した第２処理ユニット１０ｂでは、前記のような過程を繰り返した後、基板１００を第３処理ユニット１０ｃに搬出する。
【００４２】
一方、第１処理ユニット１０ａにはまた他の基板１００が搬入されて、前記過程を繰り返す。
こういう過程を経て、第３処理ユニット１０ｃから搬出された基板１００は、感光膜の現像が完了した状態となる。現像過程で基板１００は交互的に傾いて移送されたため、特定の部分が現像液と多く接する問題が減少する。
【００４３】
以後基板１００は洗浄過程、食刻過程、また他の洗浄過程を経るが、この過程の具体的な内容は前記の現像過程と類似する。
基板１００全体が処理液２３との接触程度が均一であったために、完成されたゲート配線の不均一性は減少する。
【００４４】
以下では、本発明の第１実施例による基板処理装置を利用した他の基板処理方法を図４及び図５を参照して説明する。
基板１００は、１つの処理ユニット１０ａ、１０ｂ、１０ｃでは同じ傾斜角を維持する。現像過程を例として説明する。
【００４５】
第１処理ユニット１０ａに移送装置３０に装着されて基板１００が搬入される（Ｓ１１０）。処理液供給部２０でスプレーされた処理液２３、即ち現像液は基板１００が通常第１処理ユニット１０ａに搬入された後、基板１００に供給されて感光膜を現像する（Ｓ２１０）。基板１００の移送方向は、第１処理ユニット１０ａから第２処理ユニット１０ｂに向かう第１移送方向である。また移送装置３０は、基板１００を基板１００の移送方向に対し交差する方向に第１傾斜角（θ３）程度傾けて移送する。基板１００の下部に位置した部分では処理液２３と接触する時間が上部に位置した部分に比べて長くなる。
【００４６】
場合によって、移送装置３０は、基板１００を第１移送方向の反対である第２移送方向に移送させて、基板１００を往復運動させることができる。
その後基板１００は、第２処理ユニット１０ｂに搬入される（Ｓ３１０）。これと共に移送装置３０は、基板１００を水平に移送して、基板１００を現像処理する（Ｓ４１０）。即ち、第２処理ユニット１０ｂの第２傾斜角（θ４）は０°となる。これにより、基板１００の全体部分で処理液２３と接触する時間が一定になる。第１処理ユニット１０ａのように、移送装置３０は基板１００を第１移送方向の反対である第２移送方向に移送させて、基板１００を往復運動させることができる。
【００４７】
以後基板は第３処理ユニット１０ｃに搬入される（Ｓ５１０）。
これと共に移送装置３０は、基板１００を第３傾斜角（θ５）程度傾けて移送する（Ｓ６１０）。
【００４８】
第３傾斜角（θ５）は、第１傾斜角（θ３）と大きさは同一であるが、その方向は反対である。即ち、第１処理ユニット１０ａで下部に位置した基板１００部分が上部に位置し、逆に上部に位置した基板１００部分が下部に位置する。これによって最初の移送段階（Ｓ２１０）で処理液２３と相対的に多く接触した部分は少なく接触するようになり、逆に処理液２３と相対的に少なく接触した部分は多く接触するようになる。場合によって、移送装置３０は基板１００を第１移送方向の反対である第２移送方向に移送させて、基板１００を往復運動させることができる。
【００４９】
一方、第１処理ユニット１０ａには、また他の基板１００が搬入されて、前記過程を繰り返す。
以下、本発明の第２実施例による基板処理装置を図６および図７を参照して説明する。
【００５０】
処理液供給部２０は、基板１００移送方向の垂直方向に伸張され、互いに平行の複数の処理液配管２１と、各処理液配管２１に連結される複数のノズル２２を含む。処理液２３は図示されていない処理液タンクと処理液ポンプを通し、処理液配管２１に供給される。      
【００５１】
処理液配管２１に供給された処理液２３はノズル２２を通して、基板１００表面に噴射される。
図６のように、基板１００の移送方向が基板１００の長辺と平行な場合、処理液配管２１は基板１００の短辺と平行に配置される。処理液配管２１の間隔は、これに限定はされないが一定である。ノズル２２の間隔も、これに限定はされないが一定である。
【００５２】
基板１００に加えられる処理液２３の噴射圧に対して述べる。
図７のように、移送装置３０に安着されて移送される基板１００は、所定角度（θ６）に傾いている。これは処理液２３を基板１００から迅速に除去するためである。ここで基板１００の傾斜角（θ６）は３°乃至７°の間でありうる。
【００５３】
基板１００の上部に位置した処理液配管２１も傾斜配置されていて、その傾斜角（θ７）は基板１００の傾斜角（θ６）より大きい。処理液配管２１は、傾斜角（θ７）を変更可能なように形成されることもできる。傾斜角の差により、基板１００傾斜面上部Ａとノズル２２との距離（ｄ１）は基板１００傾斜面下部Ｂとノズル２２との距離(ｄ２)より大きい。各ノズル２２から同じ噴射圧で処理液２３を噴射する場合、傾斜面下部Ｂは傾斜面上部Ａに比べて、強い噴射圧を受ける。
【００５４】
第２実施例による基板処理装置１を利用した基板処理過程は次のようである。
基板１００が移送装置３０により処理液供給部２０下部に移送されると、ノズル２２を通して、処理液２３が基板１００全体に均一に噴射される。傾斜面上部Ａに噴射される処理液２３は、傾斜面上部Ａを処理した後、基板１００の傾斜面下部Ｂに流される。また傾斜面上部Ａと傾斜面下部Ｂの間に噴射される処理液２３も、基板１００を処理した後、傾斜面下部Ｂに流される。これにより、傾斜面下部Ｂには処理液２３の層が厚く存在する結果となって、処理液２３に沈んだような（ディッピング）状態になる。したがって、傾斜面上部Ａは処理液２３の噴射による処理が行われる反面、傾斜面下部Ｂは処理液２３のディッピングが主となったような処理が行われて、基板１００処理が不均一になる。
【００５５】
第２実施例のように、傾斜面下部Ｂとノズル２２間の距離（ｄ２）を減少させて、基板１００に加えられる処理液２３噴射圧を増加させると、傾斜面下部Ｂも噴射による処理が行われる。また処理液２３の強い噴射圧により傾斜面下部Ｂ上に層を成している処理液２３も基板１００から迅速に除去される。このように基板１００全体が処理液２３の噴射により処理されて、基板１００の処理が均一に行われる。
【００５６】
このように基板１００全体に対する処理が完了すると、基板１００は次の工程に移送される。処理が現像工程の場合には洗浄または食刻工程に、処理が食刻工程の場合には洗浄工程に、処理が洗浄工程の場合には乾燥工程に移送される場合が多い。
【００５７】
本発明の第３実施例による基板処理装置を、図８を参照して説明する。
基板１００の傾斜角（θ６）と処理液配管２１の傾斜角（θ８）は同一である。反面ノズル２２の長さは傾斜面下部Ｂに近くなるほど長くなるように形成されている。このような構成により、傾斜面上部Ａとノズル２２との距離（ｄ３）は傾斜面下部Ｂとノズル２２との距離（ｄ４）より長い。各ノズル２２で同じ噴射圧で処理液２３を噴射する場合、傾斜面下部Ｂは傾斜面上部Ａに比べて、強い噴射圧を受けて基板１００の処理は均一になる。
【００５８】
本発明の第４実施例による基板処理装置を、図９を参照して説明する。
基板１００の傾斜角（θ６）と処理液配管２１の傾斜角（θ９）は同一である。処理液配管２１は、傾斜面上部Ａに処理液２３を供給する第１処理液配管２１ａと、傾斜面下部Ｂに処理液２３を供給する第２処理液配管２１ｂを含む。ノズル２２は第１処理液配管２１ａに連結されている第１ノズル２２ａと、第２処理液配管２１ｂに連結されている第２ノズル２２ｂを含む。図示されていないが、第１処理液配管２１ａと第２処理液配管２２ｂは、処理液供給圧力が異なるそれぞれの処理液ポンプに連結されている。第４実施例では、第２処理液配管２１ｂに連結されている第２ノズル２２ｂから噴射される処理液２３の噴射圧力が、第１処理液配管２１ａに連結されている第１ノズル２２ａから噴射される処理液２３の噴射圧力より強い。従って、傾斜面下部Ｂは傾斜面上部Ａに比べて、強い処理液２３の噴射圧を受けて、基板１００の処理が均一に行われる。
【００５９】
本発明の第５実施例による基板処理装置を図１０及び図１１を参照して説明する。
処理液配管２１は、基板１００の移送方向と平行になるように、配置されている。処理液配管２１の間隔は、これに限定はされないが互いに一定である。ノズル２２の間隔も、これに限定はされないが互いに一定である。
【００６０】
処理液配管２１は、傾斜面下部Ｂに近くなるほど基板１００との間隔が小さく配置されている。即ち、傾斜面上部Ａとノズル２２間の距離（ｄ５）は傾斜面下部Ｂとノズル２２間の距離（ｄ６）より大きい。これに伴い傾斜面下部Ｂは傾斜面上部Ａに比べて、強い処理液２３の噴射圧を受けて基板１００処理が均一になる。
【００６１】
以上の実施例は多様に変形される。例えば、基板と処理液配管の傾斜角が互いに異なり、同時にノズルの長さも変わりうる。基板傾斜を交互的に変化させることと処理液噴射圧の調節は同時に適用され得る。
【００６２】
実施例では液晶表示装置用基板に対して説明したが、本発明での基板は有機電気発光装置のような平板表示装置に使われる基板等の全ての基板や半導体ウェハーも含む。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１実施例による基板処理装置の断面図である。
【図２】本発明の第１実施例による基板処理装置の作動を説明する斜視図である。
【図３】本発明の第１実施例による基板処理装置を利用した基板処理方法を示した図である。
【図４】本発明の第１実施例による基板処理装置の他の作動を説明する斜視図である。
【図５】本発明の第１実施例による基板処理装置を利用した他の基板処理方法を示した図である。
【図６】本発明の第２実施例による基板処理装置の要部斜視図である。
【図７】本発明の第２実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図８】本発明の第３実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図９】本発明の第４実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【図１０】本発明の第５実施例による基板処理装置の要部斜視図である。
【図１１】本発明の第５実施例による基板処理装置の要部側面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ    処理ユニット
２０          処理液供給部
２３          処理液
３０          移送装置
３１          ローラ
３２          支持部
３３          サイドローラ
４０          通路
１００        基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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