(57)【要約】【課題】  光ピックアップ装置の小型化を可能にする半導体レーザ装置およびその製造方法を提供し、小型化が可能な光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】  青紫色半導体レーザ素子１上にモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが接合される。青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１と赤外半導体レーザ素子３の赤外発光点３１との間隔は、赤色半導体レーザ素子２の赤色発光点２１と赤外発光点３１との間隔に比べて非常に小さい。青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１から出射される青紫色レーザ光、赤色レーザ光および赤外レーザ光は、偏光ＢＳ９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５、対物レンズ９０６、シリンダレンズ９０７および光軸補正素子９０８からなる光学系により、光ディスクＤＩに入射した後にともに光検出器９０９に導かれる。【選択図】        図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子を備え、
前記第１の半導体レーザ素子は、第１の基板上に第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備え、
前記第２の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備え、
前記第３の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を備え、
前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の半導体層に前記第２の半導体レーザ素子の前記第２の半導体層および前記第３の半導体レーザ素子の前記第３の半導体層が対向するように前記第１の半導体レーザ素子上に前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子が積層され、
前記第１の方向に直交する第１の面内において、前記第１の発光点と前記第３の発光点との間の距離が、前記第１の発光点と前記第２の発光点との間の距離よりも小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１および第３の発光点は、前記第１の基板の一面に略垂直な方向に沿って配置されたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１の半導体層は前記第１の方向と略平行な方向に延びる第１の共振器を含み、
前記第２の半導体層は前記第１の方向と略平行な方向に延びる第２の共振器を含み、
前記第３の半導体層は前記第１の方向と略平行な方向に延びる第３の共振器を含み、
前記第２の共振器の長さおよび第３の共振器の長さの少なくとも一方が前記第１の共振器の長さよりも長いことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１の半導体レーザ素子は、前記第１の半導体層上に形成される第１の電極をさらに備え、
前記第２の半導体レーザ素子は、前記第２の半導体層上に形成される第２の電極をさらに備え、
前記第３の半導体レーザ素子は、前記第３の半導体層上に形成される第３の電極をさらに備え、
前記第１の電極と前記第２の電極と前記第３の電極とが互いに絶縁されたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第２の半導体レーザ素子は第２の基板をさらに備え、前記第２の半導体層は前記第２の基板上に形成され、前記第３の半導体レーザ素子は第３の基板をさらに備え、前記第３の半導体層は前記第３の基板上に形成され、前記第２の基板および前記第３の基板の少なくとも一方は、前記第１の基板と異なる材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記第２および第３の基板は共通基板であり、
前記第２の半導体層は前記共通基板の第１の領域に形成され、前記第３の半導体層は前記共通基板の第２の領域に形成されたことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第１の基板の一面に略垂直な方向において、前記共通基板から前記第２の半導体層の表面までの厚さは、前記共通基板から前記第３の半導体層の表面までの厚さよりも大きいことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第１の基板の一面に略垂直な方向において、前記第２の半導体層の表面は、前記第３の半導体層の表面より前記第１の基板側に突出することを特徴とする請求項６または７記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記第１の半導体層は前記第１の方向に略平行に延びる第１の凸部を有し、
前記第３の半導体層は前記第１の方向に略平行に延びる第３の凸部を有し、
前記第１の方向に垂直でかつ第１の基板の一面に平行な第２の方向において、前記第３の凸部の幅が前記第１の凸部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記第２の半導体層は前記第１の方向に略平行に延びる第２の凸部を有し、
前記第２の方向において、前記第３の凸部の幅が前記第２の凸部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項９記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記第１の半導体レーザ素子、前記第２の半導体レーザ素子および前記第３の半導体レーザ素子を収容するとともに光の取り出し窓を有するパッケージをさらに備え、
前記第１の半導体レーザ素子の前記第１の発光点から出射される第１の波長の光が前記取り出し窓の略中心を通過するように前記第１の半導体レーザ素子が配置されたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記第１の波長の光は青紫色光であり、前記第２の波長の光は赤色光であり、前記第３の波長の光は赤外光であることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記第１の半導体層は窒化物系半導体からなることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
前記第２の半導体層はガリウムインジウムリン系半導体からなることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１５】
前記第３の半導体層はガリウムヒ素系半導体からなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
【請求項１６】
光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体から帰還する光を検出する光ピックアップ装置であって、
請求項１〜１５のいずれかに記載の半導体レーザ装置を備えることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項１７】
光検出器と、
前記半導体レーザ装置から出射される前記第１、第２または第３の波長の光を前記光学記録媒体に導くとともに、前記光学記録媒体から帰還する前記第１、第２または第３の波長の光を前記光検出器に導く光学系とをさらに備えることを特徴とする請求項１６記載の光ピックアップ装置。
【請求項１８】
前記光学系は、
前記第１、第２および第３の波長の光がそれぞれ前記光検出器に導かれるように前記第１、第２および第３の波長の光を透過する回折格子を含むことを特徴とする請求項１７記載の光ピックアップ装置。
【請求項１９】
第１の基板上に第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を形成する工程と、
第２の基板上に前記第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層および前記第１の方向と略平行な方向に前記第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を形成する工程と、
前記第１の方向に直交する第１の面内において、前記第１の発光点と前記第３の発光点との間の距離が、前記第１の発光点と前記第２の発光点との間の距離よりも小さくなるように前記第１の基板上の前記第１の半導体層の一面に前記第２の基板上の前記第２の半導体層の一面を貼り合わせる工程とを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の基板の一面に垂直な方向において前記第２の半導体層の厚さは前記第３の半導体層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１９に記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の基板の一面に略垂直な方向において、前記第２の半導体層の表面は、前記第３の半導体層の表面より前記第１の基板側に突出することを特徴とする請求項１９または２０記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は波長の異なる複数の光を出射可能な半導体レーザ装置、半導体レーザ装置の製造方法および光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＣＤ（コンパクトディスク）ドライブには、光源として波長７８０ｎｍ程度の赤外光を出射する半導体レーザ素子（赤外半導体レーザ素子）が用いられてきた。また、従来のＤＶＤ（デジタルバーサタイルディスク）ドライブには、光源として波長６５０ｎｍ程度の赤色光を出射する半導体レーザ素子（赤色半導体レーザ素子）が用いられてきた。
【０００３】
一方、近年、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を用いて記録および再生可能なＤＶＤの開発が進められている。このようなＤＶＤの記録および再生のために、波長４０５ｎｍ程度の青紫色光を出射する半導体レーザ素子（青紫色半導体レーザ素子）を用いたＤＶＤドライブも同時に開発が進められている。このＤＶＤドライブにおいては、従来のＣＤおよびＤＶＤに対する互換性が必要とされる。
【０００４】
この場合、ＤＶＤドライブに赤外光、赤色光および青紫色光をそれぞれ出射する複数の光ピックアップ装置を設ける方法、または１つの光ピックアップ装置内に赤外半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および青紫色半導体レーザ素子を設ける方法により、従来のＣＤ、従来のＤＶＤおよび新しいＤＶＤに対する互換性が実現される。しかしながら、これらの方法では部品点数の増加を招くため、ＤＶＤドライブの小型化、構成の簡単化および低コスト化が困難となる。
【０００５】
このような部品点数の増加を防止するために、赤外半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子とを１チップに集積化した半導体レーザ素子が実用化されている。
【０００６】
赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子はともにＧａＡｓ基板上に形成されるため１チップ化が可能であるが、青紫色半導体レーザ素子はＧａＡｓ基板上に形成されないため、青紫色半導体レーザ素子を赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子とともに１チップに集積化することは非常に困難である。
【０００７】
そこで、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子を同一チップに形成することによりモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子を作製するとともに、青紫色半導体レーザ素子を別個のチップに形成した後、青紫色半導体レーザ素子のチップとモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子のチップとを積み重ねた構造を有する発光装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００８】
この発光装置を光ピックアップ装置内に実装する場合、その光ピックアップ装置における青紫色半導体レーザ素子、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子の占有スペースが低減される。
【特許文献１】特開２００１−２３０５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上記のような発光装置において、それぞれの半導体レーザ素子の発光点は互いに離間している。したがって、複数の半導体レーザ素子を内蔵する光ピックアップ装置は、各半導体レーザ素子に対応する光学系および受光素子を設けることが好ましい。この場合、複数の半導体レーザ素子から出射される光を正確に光学記録媒体へ導くとともに、光学記録媒体からの反射光を正確に受光素子へ導くことができる。しかしながら、光ピックアップ装置に各半導体レーザ素子に対応する光学系および受光素子を設けると、光ピックアップ装置が大型化する。
【００１０】
特許文献１においては、青紫色半導体レーザ素子、赤外半導体レーザ素子および赤色半導体レーザ素子を備える発光装置を、３つの半導体レーザ素子に共通の光学系および共通の受光素子が設けられた光ディスク記録再生装置内に実装する例が示されている。
【００１１】
しかしながら、青紫色半導体レーザ素子、赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の光路は一致しない。そのため、正確な信号再生、トラッキング制御、フォーカス制御およびチルト制御を行うためには、実際には、光ディスク記録再生装置に３つのレーザ光に対応した３つの受光素子を設ける必要がある。したがって、上記の光ディスク記録再生装置は小型化が困難である。
【００１２】
本発明の目的は、光ピックアップ装置の小型化を可能にする半導体レーザ装置およびその製造方法を提供することである。
【００１３】
本発明の他の目的は、小型化が可能な光ピックアップ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
（１）
第１の発明に係る半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子を備え、第１の半導体レーザ素子は、第１の基板上に第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を備え、第２の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層を備え、第３の半導体レーザ素子は、第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を備え、第１の半導体レーザ素子の第１の半導体層に第２の半導体レーザ素子の第２の半導体層および第３の半導体レーザ素子の第３の半導体層が対向するように第１の半導体レーザ素子上に第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子が積層され、第１の方向に直交する第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離よりも小さいものである。
【００１５】
この半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光が出射され、第２の半導体レーザ素子の第２の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光が出射され、第３の半導体レーザ素子の第３の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光が出射される。
【００１６】
ここで、第１の半導体層に第２の半導体層および第３の半導体層が対向するように第１の半導体レーザ素子上に第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子が積層され、かつ第１の方向に直交する第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離よりも小さい。それにより、第１の基板の一面に垂直な方向において、第１の発光点と第３の発光点が近接する。
【００１７】
また、第３の波長は、第１の波長の略自然数倍であるので、第１の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、第３の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは略同一となる。
【００１８】
それにより、第１および第３の波長の光を回折格子に入射させることにより、第１および第３の波長の光を光検出器に導くことができる。
【００１９】
一方、第２の波長は、第１の波長の自然数倍と異なるので、第１の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、第２の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは異なる。それにより、第２の波長の光を回折格子に入射させることにより、第２の波長の光を光検出器に導くことができる。
【００２０】
したがって、１つの光検出器により、第１、第２および第３の波長の光を受光することが可能となる。
【００２１】
その結果、光ピックアップ装置における光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【００２２】
（２）
第１および第３の発光点は、第１の基板の一面に略垂直な方向に沿って配置されてもよい。これにより、第１の発光点と第３の発光点との距離が最小となる。
【００２３】
（３）
第１の半導体層は第１の方向と略平行な方向に延びる第１の共振器を含み、第２の半導体層は第１の方向と略平行な方向に延びる第２の共振器を含み、第３の半導体層は第１の方向と略平行な方向に延びる第３の共振器を含み、第２の共振器の長さおよび第３の共振器の長さの少なくとも一方が第１の共振器の長さよりも長くてもよい。
【００２４】
この場合、第２の共振器の長さおよび第３の共振器の長さの少なくとも一方が第１の共振器の長さよりも長いので、第２の共振器および第３の共振器の少なくとも一方の端面近傍に第１の半導体層に接合されない部分が生じる。それにより、第２および第３の共振器の少なくとも一方の端面での歪みが低減される。したがって、第２および第３の半導体レーザ素子の少なくとも一方の劣化が抑制され、信頼性が向上する。
【００２５】
（４）
第１の半導体レーザ素子は、第１の半導体層上に形成される第１の電極をさらに備え、第２の半導体レーザ素子は、第２の半導体層上に形成される第２の電極をさらに備え、第３の半導体レーザ素子は、第３の半導体層上に形成される第３の電極をさらに備え、第１の電極と第２の電極と第３の電極とが互いに絶縁されてもよい。
【００２６】
それにより、第１、第２および第３の電極にそれぞれ任意の電圧を与えることができる。したがって、第１、第２および第３の半導体レーザ素子の駆動方式を任意に選択することが可能となる。
【００２７】
（５）
第２の半導体レーザ素子は第２の基板をさらに備え、第２の半導体層は第２の基板上に形成され、第３の半導体レーザ素子は第３の基板をさらに備え、第３の半導体層は第３の基板上に形成され、第２の基板および第３の基板の少なくとも一方は、第１の基板と異なる材料からなってもよい。
【００２８】
この場合、互いに材料の異なる基板を備える半導体レーザ装置が一体形成される。
【００２９】
（６）
第２および第３の基板は共通基板であり、第２の半導体層は共通基板の第１の領域に形成され、第３の半導体層は共通基板の第２の領域に形成されてもよい。
【００３０】
この場合、第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とが共通基板に一体化されているので、第１の発光点に対する第２および第３の発光点の位置決めが容易となる。
【００３１】
（７）
第１の基板の一面に略垂直な方向において、共通基板から第２の半導体層の表面までの厚さは、共通基板から第３の半導体層の表面までの厚さよりも大きくてもよい。
【００３２】
この場合、第１の基板と第２の基板とが略平行に積層される。それにより、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を安定に設けることができるとともに、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を確実に接合することができる。
【００３３】
（８）
第１の基板の一面に略垂直な方向において、第２の半導体層の表面は、第３の半導体層の表面より第１の基板側に突出してもよい。
【００３４】
この場合、第１の基板と第２の基板とが略平行に積層される。それにより、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を安定に設けることができるとともに、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を確実に接合することができる。
【００３５】
（９）
第１の半導体層は第１の方向に略平行に延びる第１の凸部を有し、第３の半導体層は第１の方向に略平行に延びる第３の凸部を有し、第１の方向に垂直でかつ第１の基板の一面に平行な第２の方向において、第３の凸部の幅が第１の凸部の幅よりも大きくてもよい。この場合、第３の凸部の幅が大きいので、第１の凸部上に第３の凸部を安定に配置することができる。また、第３の凸部が第１の凸部に局所的な応力を与えることが防止される。それにより、第１の半導体層の劣化が防止される。
【００３６】
（１０）
第２の半導体層は第１の方向に略平行に延びる第２の凸部を有し、第２の方向において、第３の凸部の幅が第２の凸部の幅よりも大きくてもよい。この場合、第３の凸部の幅が大きいので、第１の凸部上に第３の凸部を安定に配置することができる。また、第３の凸部が第１の凸部に局所的な応力を与えることが防止される。それにより、第１の半導体層の劣化が防止される。このとき、第２の凸部は第１の凸部に接触しないので、第２の凸部が第１の凸部に局所的な応力を与えることはない。
【００３７】
（１１）
第１の半導体レーザ素子、第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子を収容するとともに光の取り出し窓を有するパッケージをさらに備え、第１の半導体レーザ素子の第１の発光点から出射される第１の波長の光が取り出し窓の略中心を通過するように第１の半導体レーザ素子が配置されてもよい。
【００３８】
この場合、パッケージの中心軸に関して、パッケージを回転させても、第１の半導体レーザ素子から出射されるレーザ光の軸の変化を小さくすることができる。したがって、第１の波長の光の強度が第２および第３の波長の光の強度に比べて弱い場合でも、第１の半導体レーザ素子の光の取り出し効率を大きくしつつ、パッケージの中心軸に関して、レンズ等の光学系とパッケージの角度調整を用意に行うことができる。その結果、光学系の設計も容易となる。
【００３９】
（１２）
第１の波長の光は青紫色光であり、第２の波長の光は赤色光であり、第３の波長の光は赤外光であってもよい。この場合、１つの半導体レーザ装置から複数の色の光を出射することができる。
【００４０】
（１３）
第１の半導体層は窒化物系半導体からなってもよい。この場合、第１の半導体レーザ素子は青紫色光を出射することができる。
【００４１】
（１４）
第２の半導体層はガリウムインジウムリン系半導体からなってもよい。この場合、第２の半導体レーザ素子は赤色光を出射することができる。
【００４２】
（１５）
第３の半導体層はガリウムヒ素系半導体からなってもよい。この場合、第３の半導体レーザ素子は、赤外光を出射することができる。
【００４３】
（１６）
第２の発明に係る光ピックアップ装置は、光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体から帰還する光を検出する光ピックアップ装置であって、第１の発明に係る半導体レーザ装置を備えるものである。
【００４４】
その光ピックアップ装置においては、第１の発明に係る半導体レーザ装置から第１、第２または第３の波長の光が選択的に出射される。ここで、第１の発明に係る半導体レーザ装置によれば、第１、第２および第３の波長の光を１つの光検出器に導くことができる。したがって、光ピックアップ装置に複数の光検出器を設ける必要がない。その結果、光ピックアップ装置における光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【００４５】
（１７）
光検出器と、半導体レーザ装置から出射される第１、第２または第３の波長の光を光学記録媒体に導くとともに、光学記録媒体から帰還する第１、第２または第３の波長の光を光検出器に導く光学系とをさらに備えてもよい。
【００４６】
この場合、光学記録媒体から帰還する第１、第２および第３の波長の光が１つの光検出器に導かれる。それにより、光ピックアップ装置における光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【００４７】
（１８）
光学系は、第１、第２および第３の波長の光がそれぞれ光検出器に導かれるように第１、第２および第３の波長の光を透過する回折格子を含むものである。
【００４８】
この場合、半導体レーザ装置から出射された第１の波長の光は、光学系により光学記録媒体に導かれ、光学記録媒体から帰還して光検出器に導かれる。また、半導体レーザ装置から出射された第２の波長の光は、光学系により光学記録媒体に導かれ、光学記録媒体から帰還して光検出器に導かれる。さらに、半導体レーザ装置から出射された第３の波長の光は、光学系により光学記録媒体に導かれ、光学記録媒体から帰還して光検出器に導かれる。
【００４９】
ここで、半導体レーザ装置において、第１の半導体層に第２の半導体層および第３の半導体層が対向するように第１の半導体レーザ素子上に第２の半導体レーザ素子および第３の半導体レーザ素子が積層され、かつ第１の方向に直交する第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離よりも小さい。それにより、第１の基板の一面に垂直な方向において、第１の発光点と第３の発光点が近接する。
【００５０】
また、第３の波長は、第１の波長の略自然数倍であるので、第１の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用と、第３の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用とは略同一となる。
【００５１】
それにより、第１および第３の波長の光が回折格子を透過することにより、第１および第３の波長の光を光検出器に導くことができる。
【００５２】
一方、第２の波長は、第１の波長の自然数倍と異なるので、第１の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用と、第２の波長の光が回折格子を透過する際の回折作用とは異なる。それにより、第２の波長の光が回折格子を透過することにより、第２の波長の光を光検出器に導くことができる。
【００５３】
したがって、１つの光検出器により、第１、第２および第３の波長の光を受光することが可能となる。
【００５４】
その結果、光ピックアップ装置における光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【００５５】
（１９）
第３の発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第１の基板上に第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を形成する工程と、第２の基板上に第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層および第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を形成する工程と、第１の方向に直交する第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離よりも小さくなるように第１の基板上の第１の半導体層の一面に第２の基板上の第２の半導体層の一面を貼り合わせる工程とを備えたものである。
【００５６】
その製造方法により製造された半導体レーザ装置においては、第１の半導体レーザ素子の第１の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光が出射され、第２の半導体レーザ素子の第２の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光が出射され、第３の半導体レーザ素子の第３の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光が出射される。
【００５７】
ここで、第１の方向に直交する第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離よりも小さくなるように第１の基板上の第１の半導体層の一面に第２の基板上の第２の半導体層の一面を貼り合わせられている。それにより、第１の基板の一面に垂直な方向において、第１の発光点と第３の発光点が近接する。
【００５８】
また、第３の波長は、第１の波長の略自然数倍であるので、第１の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、第３の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは略同一となる。
【００５９】
それにより、第１および第３の波長の光を回折格子に入射させることにより、第１および第３の波長の光を光検出器に導くことができる。
【００６０】
一方、第２の波長は、第１の波長の自然数倍と異なるので、第１の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、第２の波長の光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは異なる。それにより、第２の波長の光を回折格子に入射させることにより、第２の波長の光を光検出器に導くことができる。
【００６１】
したがって、１つの光検出器により、第１、第２および第３の波長の光を受光することが可能となる。
【００６２】
その結果、光ピックアップ装置における光検出器の配置スペースが低減され、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【００６３】
また、第２の半導体レーザ素子と第３の半導体レーザ素子とが第２の基板により一体化されているので、第１の発光点に対する第２および第３の発光点の位置決めが容易となる。
【００６４】
（２０）
第１の基板の一面に垂直な方向において第２の半導体層の厚さは第３の半導体層の厚さよりも大きくてもよい。
【００６５】
この場合、第１の基板と第２の基板とが略平行に積層される。それにより、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を安定に設けることができるとともに、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を確実に接合することができる。
【００６６】
（２１）
第１の基板の一面に略垂直な方向において、第２の半導体層の表面は、第３の半導体層の表面より第１の基板側に突出してもよい。
【００６７】
この場合、第１の基板と第２の基板とが略平行に積層される。それにより、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を安定に設けることができるとともに、第１の半導体レーザ素子上に第２および第３の半導体レーザ素子を確実に接合することができる。
【発明の効果】
【００６８】
本発明に係る半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子の第１の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光が出射され、第２の半導体レーザ素子の第２の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光が出射され、第３の半導体レーザ素子の第３の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光が出射されるものである。この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、１つの光り検出器により、第１、第２および第３の波長の光を受光することが可能となるので、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【００６９】
また、本発明に係る光ピックアップ装置は、光学記録媒体に光を照射し、その光学記録媒体から帰還する光を検出する光ピックアップ装置であって、第１の発明に係る半導体レーザ装置を備えるものである。
【００７０】
この発明に係る光ピックアップ装置は、１つの光検出器により第１、第２および第３の３つの波長の光を受光することができるので、小型化が実現されている。
【００７１】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、第１の基板上に第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射する第１の発光点を有する第１の半導体層を形成する工程と、第２の基板上に第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射する第２の発光点を有する第２の半導体層および第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する第３の発光点を有する第３の半導体層を形成する工程と、第１の方向に直交する第１の面内において、第１の発光点と第３の発光点との間の距離が、第１の発光点と第２の発光点との間の距離よりも小さくなるように第１の基板上の第１の半導体層の一面に第２の基板上の第２の半導体層の一面を貼り合わせる工程とを備えたものである。
【００７２】
この製造方法により製造された半導体レーザ装置は、第１の半導体レーザ素子の第１の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の光を出射し、第２の半導体レーザ素子の第２の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の自然数倍と異なる第２の波長の光を出射し、第３の半導体レーザ素子の第３の発光点から第１の方向と略平行な方向に第１の波長の略自然数倍の第３の波長の光を出射する。
【００７３】
この半導体レーザ装置を光ピックアップ装置に用いる場合、１つの光り検出器により、第１、第２および第３の波長の光を受光することが可能となるので、光ピックアップ装置の小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７４】
以下、本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置およびそれを備える光ピックアップ装置について説明する。
【００７５】
（１）  第１の実施の形態
本発明の一実施の形態に係る半導体レーザ装置は、波長約４０５ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、青紫色半導体レーザ素子と呼ぶ。）、波長約６５０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤色半導体レーザ素子と呼ぶ。）および波長約７８０ｎｍのレーザ光を出射する半導体レーザ素子（以下、赤外半導体レーザ素子と呼ぶ。）を備える。
【００７６】
（ａ）  半導体レーザ装置の構造
図１および図２は、第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図１に第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図２に図１のＡ１−Ａ１線断面図が示されている。また、図３および図４は、図１，２の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
【００７７】
図１、図２、図３および図４においては、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とする。Ｘ方向およびＹ方向は、後述する青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に平行な方向である。Ｚ方向は青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のｐｎ接合面１０，２０，３０に垂直な方向である。
【００７８】
図１および図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の上面にはＸ方向に延びるストライプ状の凸部Ｔ１が形成されている。この凸部Ｔ１は、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の中心から偏った箇所に位置する。凸部Ｔ１の側面および凸部Ｔ１の両側には青紫色半導体レーザ素子１の上面を覆うように絶縁膜４ａが形成されている。凸部Ｔ１の上面にはｐ型オーミック電極６２１が形成されている。
【００７９】
ｐ型オーミック電極６２１の上面および凸部Ｔ１周辺の絶縁膜４ａを覆うようにｐ側パッド電極１２が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１の下面にはｎ電極１５が形成されている。青紫色半導体レーザ素子１にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面１０が形成されている。
【００８０】
本実施の形態において、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３は一体的に形成されている。以下、一体的に形成された赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘと呼ぶ。
【００８１】
このモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘにおいては、赤色半導体レーザ素子２と赤外半導体レーザ素子３とが共通の基板上に作製されている。詳細は後述する。
【００８２】
赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の上面には、共通ｎ電極２３３が形成されている。赤色半導体レーザ素子２の下面側にはＸ方向に延びるストライプ状の凸部Ｔ２が形成されている。赤色半導体レーザ素子２の下面にはｐ側パッド電極２２が形成されている。赤色半導体レーザ素子２にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面２０が形成されている。
【００８３】
赤外半導体レーザ素子３の下面側にはＸ方向に延びるストライプ状の凸部Ｔ３が形成されている。赤外半導体レーザ素子３の下面にはｐ側パッド電極３２が形成されている。赤外半導体レーザ素子３にはｐ型半導体とｎ型半導体との接合面であるｐｎ接合面３０が形成されている。
【００８４】
なお、本実施の形態においては、赤色半導体レーザ素子２のＺ方向の長さは、赤外半導体レーザ素子３のＺ方向の長さより１μｍ長くなっている。また、赤外半導体レーザ素子３の凸部Ｔ３の下面側の半導体層の表面より、赤色半導体レーザ素子２の凸部Ｔ２の下面側の半導体層の表面は、Ｚ方向において青紫色半導体レーザ素子１側に１μｍ突出している。半導体層については後述する。また、図２には図示しないが凸部Ｔ２，Ｔ３にもｐ型オーミック電極が形成されている。
【００８５】
モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘは、Ｚ方向の略直線上で凸部Ｔ３と凸部Ｔ１とが対向するように、青紫色半導体レーザ素子１上に接合されている。
【００８６】
次に、青紫色半導体レーザ素子１とモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘとの接合部について説明する。
【００８７】
図３（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上には、上述のｐ側パッド電極１２およびｐ側パッド電極１３が形成されている。
【００８８】
ｐ側パッド電極１２は、青紫色半導体レーザ素子１の凸部Ｔ１に沿うようにＸ方向に延びるとともに、その一部がＹ方向に延びている。
【００８９】
ｐ側パッド電極１３は、ｐ側パッド電極１２に離間する位置でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と反対の方向に延びている。
【００９０】
なお、ｐ側パッド電極１２，１３の各々は、絶縁膜４ａ上で互いに離間するように形成されているので、ｐ側パッド電極１２，１３の各々は、互いに電気的に分離されている。
【００９１】
図３（ｂ）に示すように、絶縁膜４ａおよびｐ側パッド電極１２上に所定幅の絶縁膜４ｂが形成されている。絶縁膜４ｂは、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２の一端が露出するように形成されている。露出するｐ側パッド電極１２の一端には青紫色半導体レーザ素子１を駆動するためのワイヤがボンディングされる。なお、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２の一端の幅約１００μｍおよび長さ約１００μｍの領域が露出している。
【００９２】
図４（ｃ）に示すように、絶縁膜４ａおよび絶縁膜４ｂ上にｐ側パッド電極１４が形成される。ｐ側パッド電極１４は、絶縁膜４ａおよび絶縁膜４ｂ上でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１３と離間した位置でｐ側パッド電極１３と同様にＹ方向に延びている。したがって、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、互いに電気的に分離されている。
【００９３】
図４（ｄ）に示すように、絶縁膜４ａおよびｐ側パッド電極１３，１４上に所定のパターンで絶縁膜４ｃが形成されている。絶縁膜４ｃは、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の一端が露出するように形成されている。露出するｐ側パッド電極１３およびｐ側パッド電極１４の一端には赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を駆動するためのワイヤがそれぞれボンディングされる。
【００９４】
なお、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の一端の幅約１００μｍおよび長さ約１００μｍの領域が露出している。
【００９５】
また、絶縁膜４ｃは、ｐ側パッド電極１３の略中央部が露出するように形成されている。このｐ側パッド電極１３の露出部には、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。また、ｐ側パッド電極１４上の所定の領域にも、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。
【００９６】
図２の青紫色半導体レーザ素子１へのモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの接合は、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３に接合され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４に接合されるように行われる。
【００９７】
これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がｐ側パッド電極１３と電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がｐ側パッド電極１４と電気的に接続される。
【００９８】
また、上記では、パターニングされた絶縁膜４ｃ上にモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが接合されるので、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２とｐ側パッド電極１４との接触が防止されている。
【００９９】
青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２とｎ電極１５との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面１０における凸部Ｔ１の下方の領域（以下、青紫色発光点と呼ぶ。）１１から波長約４０５ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
【０１００】
赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２（青紫色半導体レーザ素子１上のｐ側パッド電極１３）と共通ｎ電極２３３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面２０における所定の領域（以下、赤色発光点と呼ぶ。）２１から波長約６５０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
【０１０１】
赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２（青紫色半導体レーザ素子１上のｐ側パッド電極１４）と共通ｎ電極２３３との間に電圧が印加されることにより、ｐｎ接合面３０における所定の領域（以下、赤外発光点と呼ぶ。）３１から波長約７８０ｎｍのレーザ光がＸ方向に出射される。
【０１０２】
本実施の形態においては、青紫色半導体レーザ素子１の凸部Ｔ１と赤外半導体レーザ素子３の凸部Ｔ３とが対向するようにモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが配置されている。そのため、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の距離が、青紫色発光点１１と赤色発光点２１との間の距離ならびに赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の距離のいずれよりも短くなる。
【０１０３】
本実施の形態において、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約１００μｍに調整される。
【０１０４】
Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の幅は、例えば約４００μｍである。Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの幅は、例えば約２００μｍである。
【０１０５】
また、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間隔は２０μｍ以下であることが好ましい。
【０１０６】
なお、図２の断面図はＺ方向に拡大されている。実際には、Ｚ方向における各発光点の間隔はＹ方向における各発光点の間隔と比べて非常に小さい。したがって、実際の半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、青紫色発光点１１および赤色発光点２１がＹ方向に平行な軸に沿って略直線上に位置している。
【０１０７】
（ｂ）  半導体レーザ装置の効果
図１に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の一端が、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上で、青紫色半導体レーザ素子１と赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３との間を通って、Ｙ方向における赤色半導体レーザ素子２の側面から突出し、露出している。これにより、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の露出部がＸ方向において略直線上に並ぶので、青紫色半導体レーザ素子１のＹ方向における幅を小さくすることができる。
【０１０８】
また、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３，１４の露出部がＸ方向において略直線上に並ぶことにより、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の配置スペースを大きくすることができる。したがって、Ｙ方向における赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の幅を大きくすることができる。
【０１０９】
また、ｐ側パッド電極１２，１３を同時に形成することができるので、製造工程を簡略化できる。
【０１１０】
また、上述したように、赤色半導体レーザ素子２のＺ方向の長さは、赤外半導体レーザ素子３のＺ方向の長さよりも長い。また、赤外半導体レーザ素子３の凸部Ｔ３の下面側の半導体層の表面より、赤色半導体レーザ素子２の凸部Ｔ２の下面側の半導体層の表面は、Ｚ方向において青紫色半導体レーザ素子１側に突出している。それにより、モノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを青紫色半導体レーザ素子１上に接合する際に、赤外半導体レーザ素子３と青紫色半導体レーザ素子１との接合面に大きな応力が発生することを防止することができる。その結果、凸部Ｔ１，Ｔ３の損傷を低減することができる。さらに、青紫色半導体レーザ素子１に対してモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを略平行に積層することができる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１上にモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを確実に接合することができる。
【０１１１】
また、赤色半導体レーザ素子２のＺ方向の長さを赤外半導体レーザ素子３のＺ方向の長さよりも長くすることによって、青紫色半導体レーザ素子１に対してモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを略平行に積層することができる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１上にモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを安定な状態で接合することができる。
【０１１２】
（ｃ）  レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図１，２の半導体レーザ装置１０００Ａは、レーザ用パッケージ内に実装される。図５は図１の半導体レーザ装置１０００Ａが実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージの外観斜視図である。
【０１１３】
図５において、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００は、導電性のパッケージ本体５０３、給電ピン５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０２および蓋体５０４を備える。
【０１１４】
パッケージ本体５０３には、図１，２の半導体レーザ装置１０００Ａが設けられ、蓋体５０４により封止されている。蓋体５０４には、取り出し窓５０４ａが設けられている。取り出し窓５０４ａは、レーザ光を透過する材料からなる。また、給電ピン５０２は、機械的および電気的にパッケージ本体５０３と接続されている。給電ピン５０２は接地端子として用いられる。
【０１１５】
パッケージ本体５０３の外部に延びる給電ピン５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃ，５０２の一端は、それぞれ図示しない駆動回路に接続される。
【０１１６】
レーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装される半導体レーザ装置１０００Ａのワイヤを用いた配線について説明する。以下、半導体レーザ素子からのレーザ光が出射される方向を正面として説明する。
【０１１７】
図６は図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図であり、図７は図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の蓋体５０４を外した状態を示す模式的上面図である。なお、図６では、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００に設けられる半導体レーザ装置１０００Ａが図１のＡ１−Ａ１線の断面により示されている。図６および図７においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
【０１１８】
図６に示すように、パッケージ本体５０３と一体化された導電性の支持部材５０５上に導電性のサブマウント５０５Ｓが設けられている。支持部材５０５およびサブマウント５０５Ｓは導電性および熱伝導性に優れた材料からなる。
【０１１９】
サブマウント５０５Ｓ上に融着層５０５Ｈを介して半導体レーザ装置１０００Ａが接合されている。サブマウント５０５Ｓ（融着層５０５Ｈ）への半導体レーザ装置１０００Ａの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、ＹＺ平面におけるレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の略中央部、すなわち蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図５参照）の中央部に位置するように行われる。
【０１２０】
図６および図７に示すように、給電ピン５０１ａ，５０１ｂ，５０１ｃは、それぞれ絶縁リング５０１ｚによりパッケージ本体５０３と電気的に絶縁されている。
【０１２１】
給電ピン５０１ａはワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ａのｐ側パッド電極１４の一端に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介して半導体レーザ装置１０００Ａのｐ側パッド電極１２の一端に接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ａのｐ側パッド電極１３の一端に接続されている。
【０１２２】
一方、支持部材５０５の露出した上面と半導体レーザ装置１０００Ａの共通ｎ電極２３３とがワイヤＷ４により電気的に接続されている。
【０１２３】
ここで、支持部材５０５はサブマウント５０５Ｓおよび融着層５０５Ｈを通じて電気的に接続されている。これにより、給電ピン５０２は青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５、ならびに赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通ｎ電極２３３と電気的に接続されている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のカソードコモンの結線が実現されている。
【０１２４】
給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
【０１２５】
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａにおいては、上述のように、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々が、互いに電気的に分離されている。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のそれぞれのｐ側パッド電極１２，１３，１４に、任意の電圧を与えることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の駆動方式を任意に選択することが可能となっている。
【０１２６】
（ｄ）  半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
上述したように、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間の距離は、青紫色発光点１１と赤色発光点２１との間の距離ならびに赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の距離のいずれよりも短い。つまり、互いに近接した位置から青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光が出射される。
【０１２７】
また、赤外半導体レーザ素子３のレーザ光の波長（約７８０ｎｍ）は、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光の波長（約４０５ｎｍ）の略自然数倍（約２倍）である。この場合、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、赤外半導体レーザ素子３のレーザ光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは略同一になる。
【０１２８】
一方、赤色半導体レーザ素子２のレーザ光の波長（約６５０ｎｍ）は、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光の波長の自然数倍と異なるので、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光を回折格子に入射させた場合の回折作用と、赤色半導体レーザ素子２のレーザ光を回折格子に入射させた場合の回折作用とは異なる。
【０１２９】
したがって、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光、赤外半導体レーザ素子３のレーザ光および赤色半導体レーザ素子２のレーザ光を回折格子に入射させた場合、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光は回折格子により同じ角度で回折される。上記のように、青紫色半導体レーザ素子１と赤外半導体レーザ素子３との間隔は非常に小さいので、回折格子により回折された青紫色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光の光軸はほぼ一致する。
【０１３０】
一方、赤色半導体レーザ素子２のレーザ光の光軸を青紫色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光は回折格子により異なる角度で回折される。したがって、このような回折作用の違いを利用して、光検出器上で青紫色半導体レーザ素子１および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光による集光スポットの位置に赤色半導体レーザ素子２のレーザ光による集光スポットの位置を一致させることができる。
【０１３１】
その結果、１つの光検出器により、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光を受光することが可能になる。詳細は後述する。
【０１３２】
また、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光の強度は、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光の強度よりも弱い。本例では、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａの中央部に位置する。これにより、青紫色半導体レーザ素子１のレーザ光がレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中央から出射される。
【０１３３】
それにより、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中心軸に関して、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００を回転させても、青紫色半導体レーザ素子１から出射されるレーザ光の軸の位置の変化を小さくすることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子１の光の取り出し効率を大きくしつつ、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中心軸に関して、レンズ等の光学系とレーザ用略丸型キャンパッケージ５００の角度調整を容易に行うことができる。その結果、光学系の設計が容易になる。
【０１３４】
図６および図７に示すように、本例では、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極１３の露出部は、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４の露出部よりレーザ光の出射面から遠くに位置するように設けられている。このため、支持部材５０５の半導体レーザ装置設置面と対向する給電ピン５０１ｃに、ｐ側パッド電極１３を容易に接続することが可能となり、また、ワイヤＷ３の長さを短くすることができる。
【０１３５】
また、本例では、図７に示すように、給電ピン５０１ａは給電ピン５０１ｃよりレーザ光の出射面側に突出している。この場合、ｐ側パッド電極１３の露出部よりレーザ光の出射面側に近い位置に設けられているｐ側パッド電極１４の露出部と給電ピン５０１ａとを容易に接続することが可能となる。また、ワイヤＷ１の長さを短くすることができる。
【０１３６】
なお、本例においては、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４の露出部を、Ｘ方向における半導体レーザ装置１０００Ａのレーザ光の出射面側に配置しているが、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極１３の露出部を、Ｘ方向における半導体レーザ装置１０００Ａのレーザ光の出射面側に配置してもよい。この場合、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４と給電ピン５０１ｃとをワイヤにより接続する。また、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極１３と給電ピン５０１ａとをワイヤにより接続する。
【０１３７】
（ｅ）  半導体レーザ装置の製造方法
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａの製造方法について説明する。図８〜図１１は第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａの製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。図８〜図１１においても、図１のＸ，Ｙ，Ｚ方向が定義されている。
【０１３８】
なお、図８〜図１１に示される断面は、図１のＡ１−Ａ１線における断面に相当する。また、後述するｎ−ＧａＮ基板１ｓはｎ−ＧａＮウェハであり、ｎ−ＧａＡｓ基板５０はｎ−ＧａＡｓウェハである。これらｎ−ＧａＮウェハおよびｎ−ＧａＡｓウェハには、それぞれ複数の青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘが形成される。したがって、図８〜図１１では、これらｎ−ＧａＮウェハおよびｎ−ＧａＡｓウェハの一部が図示されている。
【０１３９】
図８（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１を作製するために、第１の成長基板であるｎ−ＧａＮ基板１ｓの一方の面上に積層構造を有する半導体層１ｔを形成し、半導体層１ｔにＸ方向に延びる断面凸状のリッジ部Ｒｉ１を形成する。その後、リッジ部Ｒｉ１の形成された半導体層１ｔの上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜４ａを形成する。さらに、リッジ部Ｒｉ１の上面における絶縁膜４ａを除去し、露出したリッジ部Ｒｉ１上にｐ型オーミック電極６２１を形成する。
【０１４０】
続いて、図８（ｂ）に示すように、ｐ型オーミック電極６２１の上面およびリッジ部Ｒｉ１の両側の絶縁膜４ａ上にｐ側パッド電極１２，１３をパターニングして形成する（図３（ａ）参照）。
【０１４１】
次に、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜４ａ上およびｐ側パッド電極１２上の所定の領域に絶縁膜４ｂをパターニングして形成する（図３（ｂ）参照）。
【０１４２】
次に、図９（ｄ）に示すように、絶縁膜４ａ上および絶縁膜４ｂ上の所定の領域にｐ側パッド電極１４をパターニングして形成する（図４（ｃ）参照）。
【０１４３】
次に、図９（ｅ）に示すように、絶縁膜４ａおよびｐ側パッド電極１３，１４上の所定の領域に絶縁膜４ｃをパターニングして形成する（図４（ｄ）参照）。そこで、露出したｐ側パッド電極１３の上面およびｐ側パッド電極１４の所定の領域にＡｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈを形成する。なお、青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５は後の工程で形成される。
【０１４４】
一方、図１０（ｆ）に示すように、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを作製するために、第２の成長基板であるｎ−ＧａＡｓ基板５０の一方の面上にＡｌＧａＡｓからなるエッチングストップ層５１を形成し、エッチングストップ層５１上にｎ−ＧａＡｓコンタクト層５を形成する。
【０１４５】
そして、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上にＡｌＧａＩｎＰ系の積層構造を有する半導体層２ｔおよびＡｌＧａＡｓ系の積層構造を有する半導体層３ｔを互いに離間するように形成する。さらに、半導体層２ｔ上にｐ側パッド電極２２を形成し、半導体層３ｔ上にｐ側パッド電極３２を形成する。図では省略しているが、半導体層２ｔとｐ側パッド電極２２との間および半導体層３ｔとｐ側パッド電極３２との間には、それぞれｐ型オーミック電極が形成される。なお、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの共通ｎ電極２３３は後の工程で形成される。
【０１４６】
次に、図１０（ｇ）に示すように、絶縁膜４ａ上に形成されたｐ側パッド電極１３と半導体層２ｔ上に形成されたｐ側パッド電極２２とをはんだ膜Ｈを介して接合するとともに、絶縁膜４ａおよび絶縁膜４ｂ上に形成されたｐ側パッド電極１４と半導体層３ｔ上に形成されたｐ側パッド電極３２とをはんだ膜Ｈを介して接合して積層基板を形成する。
【０１４７】
なお、このとき、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０はともに約３００〜５００μｍ程度の厚みを有する。これにより、ｎ−ＧａＮ基板１ｓおよびｎ−ＧａＡｓ基板５０の取り扱いが容易となり、ｐ側パッド電極１３，１４へのｐ側パッド電極２２，３２の接合が容易に行われる。
【０１４８】
また、青紫色半導体レーザ素子１のｎ−ＧａＮ基板１ｓは透明である。ｎ−ＧａＮ基板１ｓは、このｎ−ＧａＮ基板１ｓを通してモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを目視することができる透過率および厚みを有する。
【０１４９】
これにより、ｐ側パッド電極１３，１４へのｐ側パッド電極２２，３２の接合位置をｎ−ＧａＮ基板１ｓを通して目視により確認することができる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１上のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘ（赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３）の位置決めが容易となる。
【０１５０】
なお、本実施の形態において、青紫色半導体レーザ素子１の基板はｎ−ＧａＮ基板１ｓに限らず、他の透光性でかつ導電性の基板を用いてもよい。他の透光性基板として、例えば、ｎ−ＺｎＯ基板を用いることができる。この場合、上述のように、青紫色半導体レーザ素子１上のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの位置決めが容易となる。
【０１５１】
ここで、ｎ−ＧａＡｓ基板５０をエッチングまたは研磨等により所定の薄さに加工した後、エッチングストップ層５１までエッチングする。
【０１５２】
例えば、ｎ−ＧａＡｓ基板５０は、初めにｎ−ＧａＡｓ基板５０を所定の厚みとなるまで研磨し、その後、ＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching：反応性イオンエッチング）等のドライエッチングにより除去する。
【０１５３】
そして、エッチングストップ層５１をさらに除去する。例えば、エッチングストップ層５１は、フッ酸または塩酸からなるエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより除去する。
【０１５４】
その後、図１１（ｈ）に示すように、エッチングストップ層５１が除去された後、半導体層２ｔ，３ｔの上方におけるｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上の領域およびその間の所定の領域に共通ｎ電極２３３をパターニングにより形成する。
【０１５５】
図１１（ｉ）に示すように、共通ｎ電極２３３が形成されていない部分のｎ−ＧａＡｓコンタクト層５をドライエッチングにより除去する。これにより、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘ（赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３）が作製される。赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細は後述する。
【０１５６】
さらに、ｎ−ＧａＮ基板１ｓを研磨により薄くした後、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの下面側に、ｎ電極１５を形成する。これにより、青紫色半導体レーザ素子１が作製される。青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細は後述する。
【０１５７】
最後に、上記のように作製された青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘからなる積層基板を、Ｙ方向に平行な複数の線に沿ってへき開して、共振器端面を形成する。ここで、Ｙ方向に沿ったへき開は、例えば青紫色半導体レーザ素子１およびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘのそれぞれの共振器長（Ｘ方向）が約７００μｍとなるように行う。
【０１５８】
共振器端面に保護膜を形成した後、Ｘ方向に平行な複数の線に沿って裁断することにより複数の半導体レーザ装置１０００Ａのチップに分割する。Ｘ方向に沿った積層基板の裁断は、例えば図１１（ｉ）の一点鎖線ＣＴ１で行う。
【０１５９】
なお、予め青紫色半導体レーザ素子１のチップおよびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘのチップを個別に作製し、それらのチップを互いに貼り合わせることにより半導体レーザ装置１０００Ａを作製してもよい。
【０１６０】
（ｆ）  青紫色半導体レーザ素子の構造
図１２に基づいて青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細について作製方法とともに説明する。
【０１６１】
図１２は青紫色半導体レーザ素子１の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
【０１６２】
青紫色半導体レーザ素子１の製造時においては、上述のようにｎ−ＧａＮ基板１ｓ上に積層構造を有する半導体層１ｔが形成される。
【０１６３】
図１２（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓ上には、積層構造を有する半導体層１ｔとして、ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２、ｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３、多重量子井戸（ＭＱＷ）活性層１０４、アンドープＡｌＧａＮキャップ層１０５、アンドープＧａＮ光ガイド層１０６、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法により行われる。
【０１６４】
図１２（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層１０４は４つのアンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａと３つのアンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
【０１６５】
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｎ−ＧａＮ層１０１、ｎ−ＡｌＧａＮクラッド層１０２およびｎ−ＧａＮ光ガイド層１０３にはＳｉがドープされている。
【０１６６】
また、アンドープＧａＩｎＮ障壁層１０４ａのＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。アンドープＧａＩｎＮ井戸層１０４ｂのＧａ組成は０．９０であり、Ｉｎ組成は０．１０である。ｐ−ＡｌＧａＮキャップ層１０５のＡｌ組成は０．３０であり、Ｇａ組成は０．７０である。
【０１６７】
さらに、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のＡｌ組成は０．１５であり、Ｇａ組成は０．８５である。ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７にはＭｇがドープされている。アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８のＧａ組成は０．９５であり、Ｉｎ組成は０．０５である。
【０１６８】
上記の半導体層１ｔのうち、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７には、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉ１が形成される。
【０１６９】
アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８は、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のリッジ部Ｒｉ１の上面に形成される。それにより、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７のリッジ部Ｒｉ１およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８からなる凸部Ｔ１が形成される。凸部Ｔ１の上部の幅Ｌ１は約１．５μｍであり、リッジ部Ｒｉ１の高さＨ１は約０．３μｍである。
【０１７０】
ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層１０７およびアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８の上面に、ＳｉＯ2 からなる絶縁膜４ａが形成され、アンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８上に形成された絶縁膜４ａがエッチングにより除去される。そして、外部に露出したアンドープＧａＩｎＮコンタクト層１０８上にＰｄ／Ｐｔ／Ａｕからなるｐ型オーミック電極６２１が形成される。さらに、ｐ型オーミック電極６２１および絶縁膜４ａの上面を覆うように、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ側パッド電極１２が形成される。なお、ここでは図１のｐ側パッド電極１３，１４の説明については省略している。
【０１７１】
このように、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの一面側に積層構造を有する半導体層１ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＮ基板１ｓの他面側にはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ電極１５が形成される。
【０１７２】
この青紫色半導体レーザ素子１では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層１０４の位置に青紫色発光点１１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層１０４が図１のｐｎ接合面１０に相当する。
【０１７３】
（ｇ）  赤色半導体レーザ素子の構造
図１３に基づいて赤色半導体レーザ素子２の構造の詳細について作製方法とともに説明する。
【０１７４】
図１３はモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの赤色半導体レーザ素子２の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。また、本実施の形態では、赤色半導体レーザ素子２はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上に半導体層２ｔを形成することにより作製するとしているが、以下の説明では、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５に代えてｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上に半導体層２ｔを形成する。このｎ−ＧａＡｓ基板５ＸにはＳｉがドープされている。
【０１７５】
図１３（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上には、積層構造を有する半導体層２ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層２０１、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３、ＭＱＷ活性層２０４、アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０６およびｐ−コンタクト層２０７が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により行われる。
【０１７６】
図１３（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層２０４は２つのアンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａと３つのアンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
【０１７７】
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｎ−ＧａＡｓ層２０１およびｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０２にはＳｉがドープされている。
【０１７８】
アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０３のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
【０１７９】
また、アンドープＡｌＧａＩｎＰ障壁層２０４ａのＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。アンドープＩｎＧａＰ井戸層２０４ｂのＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。アンドープＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０５のＡｌ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。
【０１８０】
さらに、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０６のＡｌ組成は０．７０であり、Ｇａ組成は０．３０であり、Ｉｎ組成は０．５０であり、Ｐ組成は０．５０である。ｐ−ＩｎＧａＰエッチングストップ層２０７のＩｎ組成は０．５０であり、Ｇａ組成は０．５０である。
【０１８１】
ｐ−コンタクト層２０７は、ｐ−ＧａＩｎＰ層とｐ−ＧａＡｓ層との積層構造を有する。このｐ−ＧａＩｎＰのＧａ組成は０．５であり、Ｉｎ組成は０．５である。
【０１８２】
なお、上記したＡｌＧａＩｎＰ系材料の組成は、一般式（Ａｌa Ｇａb ）0.5 Ｉｎc Ｐd で表した時のａがＡｌ組成であり、ｂがＧａ組成であり、ｃがＩｎ組成であり、ｄがＰ組成である。
【０１８３】
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０６およびｐ−コンタクト層２０７のｐ−ＧａＩｎＰおよびｐ−ＧａＡｓにはＺｎがドープされている。
【０１８４】
上記において、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０６には、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉ２が形成される。ｐ−コンタクト層２０７は、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０６のリッジ部Ｒｉ２の上面に形成される。
【０１８５】
ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０６の上面、リッジ部Ｒｉ２の側面およびｐ−コンタクト層２０７の側面を覆うように電流狭窄層２０８が形成される。電流狭窄層２０８は、ＳｉがドープされたＡｌＧａＡｓからなる。
【０１８６】
ｐ−コンタクト層２０７および電流狭窄層２０８上に、コンタクト層２０９が形成される。それにより、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２０６のリッジ部Ｒｉ２、ｐ−コンタクト層２０７、電流狭窄層２０８およびコンタクト層２０９からなる凸部Ｔ２が形成される。コンタクト層２０９は、ＺｎがドープされたＧａＡｓからなる。凸部Ｔ２の上部の幅Ｌ２は約１０μｍであり、リッジ部Ｒｉ２の高さＨ２は約１μｍである。
【０１８７】
そして、コンタクト層２０９上に、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ側パッド電極２２が形成される。
【０１８８】
このように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの一面側に積層構造を有する半導体層２ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの他面側にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極２３（共通ｎ電極２３３）が形成される。
【０１８９】
この赤色半導体レーザ素子２では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層２０４の位置に赤色発光点２１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層２０４が図１のｐｎ接合面２０に相当する。
【０１９０】
（ｈ）  赤外半導体レーザ素子の構造
図１４に基づいて赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細について作製方法とともに説明する。
【０１９１】
図１４はモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘの赤外半導体レーザ素子３の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。以下の説明においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。また、本実施の形態では、赤外半導体レーザ素子３はｎ−ＧａＡｓコンタクト層５上に半導体層３ｔを形成することにより作製するとしているが、以下の説明では、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層５に代えてｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上に半導体層３ｔを形成する。このｎ−ＧａＡｓ基板５ＸにはＳｉがドープされている。
【０１９２】
図１４（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘ上には、積層構造を有する半導体層３ｔとして、ｎ−ＧａＡｓ層３０１、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３、ＭＱＷ活性層３０４、アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０６およびｐ−コンタクト層３０７が順に形成される。これら各層の形成は、例えば、ＭＯＣＶＤ法により行われる。
【０１９３】
図１４（ｂ）に示すように、ＭＱＷ活性層３０４は２つのアンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａと３つのアンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂとが、交互に積層された構造を有する。
【０１９４】
ここで、例えば、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。ｎ−ＧａＡｓ層３０１およびｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０２にはＳｉがドープされている。
【０１９５】
アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０３のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。また、アンドープＡｌＧａＡｓ障壁層３０４ａのＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。アンドープＡｌＧａＡｓ井戸層３０４ｂのＡｌ組成は０．１０であり、Ｇａ組成は０．９０である。アンドープＡｌＧａＡｓ光ガイド層３０５のＡｌ組成は０．３５であり、Ｇａ組成は０．６５である。
【０１９６】
さらに、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０６のＡｌ組成は０．４５であり、Ｇａ組成は０．５５である。
【０１９７】
ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０６およびｐ−コンタクト層３０７にはＺｎがドープされている。
【０１９８】
上記において、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０６には、Ｘ方向に延びるストライプ状のリッジ部Ｒｉ３が形成される。ｐ−コンタクト層３０７は、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０６のリッジ部Ｒｉ３の上面に形成される。
【０１９９】
ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０６の上面、リッジ部Ｒｉ２の側面およびｐ−コンタクト層３０７の側面の所定の領域を覆うように電流狭窄層３０８が形成される。電流狭窄層３０８は、ＳｉがドープされたＡｌＧａＡｓからなる。
【０２００】
電流狭窄層３０８上およびｐ−コンタクト層３０７の露出した側面を覆うように、キャップ層３０９が形成される。それにより、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３０６のリッジ部Ｒｉ３、ｐ−コンタクト層３０７、電流狭窄層３０８およびキャップ層３０９からなる凸部Ｔ３が形成される。キャップ層３０９は、アンドープＧａＡｓからなる。凸部Ｔ３の幅Ｌ３は約１５μｍであり、リッジ部Ｒｉ３の高さはＨ３は１μｍである。
【０２０１】
ｐ−コンタクト層３０７上およびキャップ層３０９上の所定の領域に、スパッタ法、真空蒸着法または電子ビーム蒸着法によりｐ側パッド電極３２が形成される。
【０２０２】
このように、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの一面側に積層構造を有する半導体層３ｔが形成される。さらに、ｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘの他面側にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ電極３３（共通ｎ電極２３３）が形成される。
【０２０３】
この赤外半導体レーザ素子３では、リッジ部Ｒｉの下方におけるＭＱＷ活性層３０４の位置に赤外発光点３１が形成される。なお、本例では、ＭＱＷ活性層３０４が図１のｐｎ接合面３０に相当する。
【０２０４】
ここで、本実施の形態においては、上述したように凸部Ｔ３の上部のＹ方向の幅が凸部Ｔ１（図１２参照）の上部のＹ方向の幅に比べて大きい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１と赤外半導体レーザ素子３とを接合する際に、凸部Ｔ１上に凸部Ｔ３を安定に配置することができる。また、凸部Ｔ３が凸部Ｔ１に局所的な応力を与えることが防止される。それにより、青紫色半導体レーザ素子１の劣化が防止される。
【０２０５】
また、本実施の形態では、上述したように凸部Ｔ３の上部のＹ方向の幅が凸部Ｔ２の上部のＹ方向の幅に比べて大きい。この場合、凸部Ｔ１上に凸部Ｔ３をより安定に配置することができる。また、凸部Ｔ３が凸部Ｔ１に局所的な応力を与えることが確実に防止される。それにより、青紫色半導体レーザ素子１の劣化が確実に防止される。
【０２０６】
（ｉ）  半導体レーザ装置が内蔵された光ピックアップ装置の構成
以下、本実施の形態に係る半導体レーザ装置が内蔵された光ピックアップ装置の複数の例についてそれぞれ説明する。
【０２０７】
（ｉ−１ａ）  光ピックアップ装置の第１の例
図１５は、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成を示す図である。以下の説明においては、半導体レーザ装置１０００Ａの青紫色発光点１１から出射される波長約４０５ｎｍのレーザ光を青紫色レーザ光と呼び、赤色発光点２１から出射される波長約６５０ｎｍのレーザ光を赤色レーザ光と呼び、赤外発光点３１から出射される波長約７８０ｎｍのレーザ光を赤外レーザ光と呼ぶ。図１５では、青紫色レーザ光および赤外レーザ光が実線で示され、赤色レーザ光が点線で示されている。
【０２０８】
図１５に示すように、光ピックアップ装置９００ａは、半導体レーザ装置１０００Ａが実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージ５００、偏光ビームスプリッタ（以下、偏光ＢＳと略記する。）９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５、対物レンズ９０６、シリンダレンズ９０７、光軸補正素子９０８および光検出器９０９を備える。
【０２０９】
図１５においては、矢印Ｘ，Ｙ，Ｚで示すように互いに直交する３方向をＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向とする。
【０２１０】
上記Ｘ方向は再生対象となる光学記録媒体（以下、光ディスクと呼ぶ。）ＤＩに直交する方向である。また、Ｙ方向およびＺ方向は、光ディスクＤＩの一面に平行でかつ互いに直交する方向である。
【０２１１】
半導体レーザ装置１０００Ａが実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージ５００は、半導体レーザ装置１０００Ａの青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１が、Ｙ方向に沿って略直線上に並ぶように配置されている。また、上述したように、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間隔は、青紫色発光点１１と赤色発光点２１との間隔および赤外発光点３１と赤色発光点２１との間隔に比べて非常に小さい。青紫色発光点１１、赤色発光点２１および赤外発光点３１から出射されるレーザ光の偏光面は互いに平行となっている。
【０２１２】
上述のように、半導体レーザ装置１０００Ａの青紫色発光点１１は、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００のＹＺ平面における略中央部に位置する。
【０２１３】
本例では、偏光ＢＳ９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５および対物レンズ９０６からなる光学系が、青紫色発光点１１（レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の中央部）からＸ方向に出射される青紫色レーザ光の光軸に沿って順に配置されている。すなわち、偏光ＢＳ９０２から対物レンズ９０６までの光学系の光軸は青紫色レーザ光の光軸に位置合わせされている。
【０２１４】
偏光ＢＳ９０２は、半導体レーザ装置１０００Ａから出射される各レーザ光を全透過するとともに、光ディスクＤＩから帰還するレーザ光を全反射する。
【０２１５】
コリメータレンズ９０３は、偏光ＢＳ９０２を透過した半導体レーザ装置１０００Ａからの青紫色レーザ光、赤色レーザ光または赤外レーザ光を平行光に変換する。
【０２１６】
ビームエキスパンダ９０４は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。
【０２１７】
このアクチュエータは、図示しないサーボ回路からのサーボ信号に応じて凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させる。これにより、半導体レーザ装置１０００Ａから出射された各レーザ光の波面状態が補正される。
【０２１８】
λ／４板９０５は、コリメータレンズ９０３によって平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板９０５は、光ディスクＤＩから帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏向方向は、半導体レーザ装置１０００Ａから出射されるレーザ光の直線偏光の偏光方向に直交する。それにより、光ディスクＤＩから帰還するレーザ光は、偏光ＢＳ９０２によってほぼ全反射される。
【０２１９】
対物レンズ９０６は、λ／４板９０５を透過したレーザ光を光ディスクＤＩの表面（記録層）上に収束させる。
【０２２０】
なお、対物レンズ９０６は、サーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて図示しない対物レンズアクチュエータにより、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能である。
【０２２１】
偏光ＢＳ９０２により全反射されるレーザ光の光軸に沿うようにシリンダレンズ９０７、光軸補正素子９０８および光検出器９０９が配置されている。
【０２２２】
シリンダレンズ９０７は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子９０８は、回折格子により形成されている。
【０２２３】
この光軸補正素子９０８は、シリンダレンズ９０７を透過した青紫色レーザ光（０次回折光）および赤外レーザ光（０次回折光）を光検出器９０９へ導く。
【０２２４】
また、光軸補正素子９０８は、シリンダレンズ９０７を透過した赤色レーザ光を回折し、回折された赤色レーザ光（１次回折光）を光検出器９０９へ導く。
【０２２５】
この場合、青紫色レーザ光および赤外レーザ光により光検出器９０９の受光面に形成される集光スポットの位置と、赤色レーザ光により光検出器９０９の受光面に形成される集光スポットの位置とが、一致するように光軸補正素子９０８が位置決めされている。
【０２２６】
光検出器９０９は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出器９０９は、再生信号とともにフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ９０４のアクチュエータおよび対物レンズアクチュエータがフィードバック制御される。
【０２２７】
（ｉ−１ｂ）  第１の例の光ピックアップ装置の効果
図１５に示すように、光ピックアップ装置９００ａにおいて、回折格子により形成された光軸補正素子９０８には、青紫色レーザ光、赤外レーザ光または赤色レーザ光が入射する。
【０２２８】
一般的に、回折格子において、ある波長の光とその波長のｎ倍（ｎは自然数）の波長の光に対する回折作用は同一である。すなわち、回折格子にある波長の光が入射した場合の回折作用と、その波長のｎ倍の波長の光が入射した場合の回折作用は同一である。
【０２２９】
赤色レーザ光の波長（約６５０ｎｍ）は、青紫色レーザ光の波長（約４０５ｎｍ）および赤外レーザ光の波長（約７８０ｎｍ）のｎ倍（ｎは自然数）ではない。したがって、光軸補正素子９０８は、赤色レーザ光について、青紫色レーザ光および赤外レーザ光と異なる回折作用を与えることができる。
【０２３０】
なお、Ｚ方向における青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間隔は非常に短いものとなっている。したがって、本例においては、青紫色レーザ光の光軸および赤外レーザ光の光軸は実質的に同一であるとみなすことができる。
【０２３１】
以上により、光軸補正素子９０８は、赤色レーザ光による集光スポットの位置を容易に青紫色レーザ光および赤外レーザ光による集光スポットの位置に一致させることができる。それにより、青紫色レーザ光および赤外レーザ光と、赤色レーザ光とを共通の光検出器９０９により受光することができる。
【０２３２】
このように、本実施の形態に係る光ピックアップ装置９００ａにおいては、青紫色レーザ光、赤外レーザ光および赤色レーザ光に共通の光検出器９０９が用いられている。これにより、青紫色レーザ光、赤外レーザ光および赤色レーザ光のそれぞれに対応して３つの光検出器を設ける必要がないので、光ピックアップ装置９００ａの小型化が実現されている。
【０２３３】
また、半導体レーザ装置１０００Ａにおいて、青紫色発光点１１と赤外発光点３１との間隔が非常に小さくかつ赤外発光点３１と赤色発光点２１とがＹ方向に平行する直線上に位置するので、青紫色発光点１１、赤外発光点３１および赤色発光点２１は、Ｙ方向に沿って略直線上に位置する。これにより、半導体レーザ装置１０００Ａを光ピックアップ装置９００ａに用いる場合に光ピックアップ装置９００ａの設計が容易となっている。
【０２３４】
（ｉ−２ａ）  光ピックアップ装置の第２の例
図１６は、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成の他の例を示す図である。
【０２３５】
図１６に示すように、第２の例の光ピックアップ装置９００ｂの構成が第１の例の光ピックアップ装置９００ａの構成と異なる点は、以下に示す点である。
【０２３６】
すなわち、光軸補正素子９０８がシリンダレンズ９０７と光検出器９０９との間に設けられる代わりに、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００と偏光ＢＳ９０２との間において、青紫色発光点１１からＸ方向に出射される青紫色レーザ光の光軸に沿って配置されている。
【０２３７】
（ｉ−２ｂ）  第２の例の光ピックアップ装置の効果
上記の構成により、赤色発光点２１から出射された赤色レーザ光の光軸は、光軸補正素子９０８によって、青紫色発光点１１から出射された青紫色レーザ光および赤外発光点３１から出射された赤外レーザ光の光軸に整合される。
【０２３８】
このように、赤色レーザ光が赤色発光点２１から出射された後、上記のように構成された光学系の最初の段階で光軸補正素子９０８により赤色レーザ光の光軸が補正されることにより、光学系の途中の段階で赤色レーザ光の光軸がずれることが防止される。
【０２３９】
一方、光ピックアップ装置９００ｂにおいては、光ピックアップ装置９００ａに比べ、光軸補正素子９０８による赤色レーザ光の強度の減衰が生じるが、対物レンズ９０６に対する赤色レーザ光の光軸のずれを抑制することができる。それにより、光ディスクＤＩ上における赤色レーザ光の光学特性の劣化を抑制することが可能となる。
【０２４０】
（ｉ−３）  光ピックアップ装置の第３の例およびこれによる効果
図１７は、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成のさらに他の例を示す図である。
【０２４１】
図１７に示すように、第３の例の光ピックアップ装置９００ｃの構成が第１の例の光ピックアップ装置９００ａの構成と異なる点は、以下に示す点である。
【０２４２】
すなわち、平行平板９１１が偏光ＢＳ９０２とシリンダレンズ９０７との間にさらに設けられている。
【０２４３】
この平行平板９１１を設けることにより、上記光ピックアップ装置９００ａで説明したように、青紫色レーザ光の光軸および赤外レーザ光の光軸は同一であるとみなす必要はなく、赤外レーザ光の光軸を青紫色レーザ光の光軸に整合させることが可能となる。
【０２４４】
これにより、本例では、赤色レーザ光の光軸および赤外レーザ光の光軸を共に青紫色レーザ光の光軸に整合させることが可能となる。
【０２４５】
また、本例では、回折格子等の光学装置を用いずに平行平板９１１を用いることにより、光学系の複雑化を回避することができるとともに、低コスト化を図ることができる。
【０２４６】
さらに、本例では、補正により整合された赤外レーザ光が光検出器９０９に入射されることにより、赤外レーザ光の信号特性が向上される。
【０２４７】
ここで、上記平行平板９１１による光軸の補正作用について説明する。
【０２４８】
図１８は、図１７の光ピックアップ装置９００ｃにおける平行平板９１１の光軸の補正作用を説明するための説明図である。
【０２４９】
図１８に示すように、平行平板９１１の厚さをｔとし、光軸に垂直な面と、平行平板９１１の厚さ方向と逆の面とがなす角度（以下、傾き角と呼ぶ）をａとし、平行平板９１１の屈折率をｎとした場合に、補正後の光軸（以下、基準光軸と呼ぶ）を基準とした場合の平行平板９１１による光軸の移動量（シフト量）ｈは下記式（１）により表される。
【０２５０】
ｈ＝ｔ／Ｃｏｓ（ＡｒｃＳｉｎ（Ｓｉｎ（ａ）／ｎ））・Ｓｉｎ（ａ）  …（１）
ここで、表１に示すように、例えば平行平板９１１の形成材料としてアッベ数ｖｄが３４．６であり、基準屈折率ｎｄが１．６４であるガラス材料ＳＦ７に基づいて得られる屈折率ｎを用い、平行平板９１１の厚さｔを１ｍｍとし、傾き角ａを４５°としたときに、青紫色レーザ光および赤外レーザ光の基準光軸に対するシフト量ｈ１，ｈ２を上式（１）に基づいて算出すると、それぞれ表２に示すようになる。
【０２５１】
【表１】
2006278576.tif 000003
【０２５２】
【表２】
2006278576.tif 000004
【０２５３】
上記から、青紫色レーザ光のシフト量ｈ１に対する赤外レーザ光のシフト量ｈ２の差により表される補正すべき量（以下、補正量と呼ぶ）ｒは約５μｍとなる。したがって、平行平板９１１により補正量としての上記約５μｍを補正することによって、赤外レーザ光の光軸を青紫色レーザ光の光軸に整合させることができる。
【０２５４】
なお、平行平板９１１の傾き角ａは６０°以下であることが好ましい。この理由について以下に説明する。
【０２５５】
図１９は、平行平板９１１の好ましい傾き角ａを説明するための説明図である。
【０２５６】
平行平板９１１の厚さｔは、光学系の設計上の関係から、約２ｍｍ以下であることが現実的である。また、図１９に示すように、レーザ光の有効径ｘ１は約４ｍｍ以下であることが通常である。
【０２５７】
図１９において、平行平板９１１の傾き角ａを６０°とした場合、レーザ光の光軸方向において平行平板９１１が占める空間寸法ｘ２は１０．９７ｍｍとなる。また、コリメータレンズ９０３の一般的な焦点距離は、１０ｍｍ〜２０ｍｍとされている。
【０２５８】
これらにより、平行平板９１１の傾き角ａを６０°よりも大きくすると、コリメータレンズ９０３と光検出器９０９との間に他の光学装置または光学部品を設けることが困難となる場合がある。したがって、平行平板９１１の傾き角ａは６０°以下であることが好ましく、平行平板９１１の厚さｔは約２ｍｍ以下であることが好ましい。なお、この場合における上記補正量は約２１．１μｍとなり、また、平行平板９１１の傾き角ａが４５°でありかつ平行平板９１１の厚さｔが２ｍｍである場合の上記補正量は約１０μｍとなる。
【０２５９】
（ｉ−４）  光ピックアップ装置の第４の例およびこれによる効果
図２０は、本実施の形態に係る光ピックアップ装置の構成のさらに他の例を示す図である。
【０２６０】
図２０に示すように、第４の例の光ピックアップ装置９００ｄの構成が第２の例の光ピックアップ装置９００ｂの構成と異なる点は、以下に示す点である。
【０２６１】
すなわち、光ピックアップ装置９００ｄにおいては、コリメータレンズ９０３が、偏光ＢＳ９０２とビームエキスパンダ９０４との間に設けられる代わりに、光軸補正素子９０８と偏光ＢＳ９０２との間に設けられている。
【０２６２】
また、光軸補正素子９０８と偏光ＢＳ９０２との間に設けられたコリメータレンズ９０３と、偏光ＢＳ９０２との間に平行平板９１１が設けられている。
【０２６３】
本例では、光軸補正素子９０８により青紫色レーザ光の光軸に赤色レーザ光の光軸が整合され、平行平板９１１により青紫色レーザ光の光軸に赤外レーザ光の光軸が整合される。それにより、上述の第２の例における光ピックアップ装置９００ｂの場合と異なり、補正により整合された赤外レーザ光が対物レンズ９０６に入射される。これにより、光ピックアップ装置９００ｂに比べ、光ディスクＤＩ上における赤外レーザ光の光学特性が向上される。
【０２６４】
また、本例では、補正により整合された赤外レーザ光が光検出器９０９に入射されることにより、赤外レーザ光の信号特性が向上される。
【０２６５】
さらに、本例では、コリメータレンズ９０３を偏光ＢＳ９０２とビームエキスパンダ９０４との間に設けることにより、平行平板９１１に拡散光または収束光が入射された際における収差（非点収差）を防止することができる。
【０２６６】
（ｊ）  光ピックアップ装置の他の構成例
光軸補正素子９０８および平行平板９１１は、偏光ＢＳ９０２から対物レンズ９０６までの光学系に設けられてもよい。
【０２６７】
なお、上記光ピックアップ装置９００ａ〜９００ｄにおいて、フォーカスエラー信号の生成は、非点収差法を用いて行われる。また、トラッキングエラー信号の生成は、例えばＤＰＤ（Differential Phase Detection）法を用いて行われる。
【０２６８】
（２）  第２の実施の形態
第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、以下の点を除き第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと同様の構造を有する。
【０２６９】
図２１は、第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式的上面図である。
【０２７０】
図２１に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｂは、青紫色半導体レーザ素子１上およびモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを備える。
【０２７１】
モノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘは、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３を備え、青紫色半導体レーザ素子１上に接合されている。
【０２７２】
モノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３ＸのＸ方向の長さは、青紫色半導体レーザ素子１のＸ方向の長さに比べて長い。
【０２７３】
本実施の形態では、例えば、Ｘ方向に延びる青紫色半導体レーザ素子１の共振器長は６００μｍであり、Ｘ方向に延びる赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共振器長は１２００μｍである。
【０２７４】
ここで、本実施の形態においては、図２１に示すように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光の出射面は略一致している。この場合、モノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘのレーザ光の出射面と反対側には、青紫色半導体レーザ素子１に接合されない部分が生じる。それにより、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のレーザ光の出射面と反対側の端面での歪みが低減される。したがって、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の劣化が抑制される。
【０２７５】
このように、各半導体レーザ素子の共振器長を個別に調整することにより、各半導体レーザ素子の信頼性を向上させることができる。
【０２７６】
（３）  第３の実施の形態
（ａ）  半導体レーザ装置の構造および効果
第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置は、以下の点を除き第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ａと同様の構造を有する。
【０２７７】
図２２は、第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図である。また、図２３および図２４は、図２２の半導体レーザ装置１０００Ｃにおける青紫色半導体レーザ素子１とモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘとの接合面の模式図である。なお、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃは、図１，２と同様の青紫色半導体レーザ素子１およびモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘを有する。また、図２２のＡ２−Ａ２線断面図は、図１のＡ１−Ａ１線断面図（図２参照）と同一である。
【０２７８】
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃにおいては、図２３（ａ）に示すように、青紫色半導体レーザ素子１の絶縁膜４ａ上には、ｐ側パッド電極１２およびｐ側パッド電極１３が形成されている。
【０２７９】
ｐ側パッド電極１２は、青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉ１に沿うようにＸ方向に延びるとともに、その一部がＹ方向に延びている。
【０２８０】
ｐ側パッド電極１３は、ｐ側パッド電極１２に離間する位置でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と反対の方向に延びている。Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３の一端には赤色半導体レーザ素子２を駆動するためのワイヤがボンディングされる。なお、ｐ側パッド電極１３は、Ｙ方向に、幅約１００μｍで長さ約１００μｍ延びている。
【０２８１】
なお、ｐ側パッド電極１２，１３の各々は、絶縁膜４ａ上で互いに離間するように形成されている。これにより、ｐ側パッド電極１２，１３の各々は、互いに電気的に分離されている。
【０２８２】
図２３（ｂ）に示すように、絶縁膜４ａおよびｐ側パッド電極１２上に所定幅の絶縁膜４ｂが形成されている。絶縁膜４ｂは、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２の一端部が露出するように形成されている。露出するｐ側パッド電極１２の一端には青紫色半導体レーザ素子１を駆動するためのワイヤがボンディングされる。なお、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２の一端の幅約１００μｍおよび長さ１００μｍの領域が露出している。
【０２８３】
図２４（ｃ）に示すように、絶縁膜４ａおよび絶縁膜４ｂ上でｐ側パッド電極１３から離間した位置にｐ側パッド電極１４が形成されている。ｐ側パッド電極１４は、絶縁膜４ａおよび絶縁膜４ｂ上でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と同様にＹ方向に延びている。ここで、ｐ側パッド電極１２のＹ方向に延びる部分とｐ側パッド電極１４のＹ方向に延びる部分とは互いに離間しているので、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、互いに電気的に分離されている。なお、ｐ側パッド電極１４は、Ｙ方向に幅約１００μｍで長さ約１００μｍ延びている。
【０２８４】
Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１４の一端には赤外半導体レーザ素子３を駆動するためのワイヤがボンディングされる。
【０２８５】
また、ｐ側パッド電極１３およびｐ側パッド電極１４上には、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。
【０２８６】
青紫色半導体レーザ素子１へのモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘ（図２参照）の接合は、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３に接合され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４に接合されるように行われる。
【０２８７】
これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がｐ側パッド電極１３と電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がｐ側パッド電極１４と電気的に接続される。
【０２８８】
以上のように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃにおいては、ｐ側パッド電極１２，１４の一端はＹ方向における赤外半導体レーザ素子３の側面から突出し、露出している。これにより、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２，１４の露出部がＸ方向において略直線上に並ぶので、Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１上の赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の配置スペースを大きくすることができる。したがって、Ｙ方向における赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の幅を大きくすることができる。
【０２８９】
また、ｐ側パッド電極１２，１３を同時に形成することができるので、製造工程を簡略化できる。
【０２９０】
また、第１の実施の形態と異なり、ｐ側パッド電極１３上にｐ側パッド電極１４を形成しないため、ｐ側パッド電極１３上にはんだ膜Ｈを形成する必要がないので、製造工程を簡略化できる。
【０２９１】
（ｂ）  レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図２５は図２２の半導体レーザ装置１０００Ｃを図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図であり、図２６は図２２の半導体レーザ装置１０００Ｃを図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的上面図である。図２５および図２６においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向が定義されている。
【０２９２】
図２５および図２６に示すように、給電ピン５０１ａは、ワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ｃのｐ側パッド電極１３の一端に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介して半導体レーザ装置１０００Ｃのｐ側パッド電極１４の一端に接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ｃのｐ側パッド電極１２の一端に接続されている。
【０２９３】
一方、支持部材５０５の露出した上面と半導体レーザ装置１０００Ｃの共通ｎ電極２３３とがワイヤＷ４により電気的に接続されている。
【０２９４】
ここで、支持部材５０５はサブマウント５０５Ｓおよび融着層５０５Ｈを通じて電気的に接続されている。これにより、給電ピン５０２は青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５、ならびに赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通ｎ電極２３３と電気的に接続されている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のカソードコモンの結線が実現されている。
【０２９５】
給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
【０２９６】
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｃにおいては、上述のように、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々が、互いに電気的に分離されている。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のそれぞれのｐ側パッド電極１２，１３，１４に、任意の電圧を与えることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の駆動方式を任意に選択することが可能となっている。
【０２９７】
（ｃ）  半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
本実施の形態においても、サブマウント５０５Ｓへの半導体レーザ装置１０００Ｃの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図５参照）の中央部に位置するように行われる。また、青紫色発光点１１と赤外発光点３１とは近接する位置に設けられている。したがって、本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０２９８】
図２５および図２６に示すように、本例では、青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２の露出部は、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４の露出部よりレーザ光の出射面から遠くに位置するように設けられている。このため、支持部材５０５の半導体レーザ装置設置面と対向する給電ピン５０１ｃに、ｐ側パッド電極１２を容易に接続することが可能となり、また、ワイヤＷ３の長さを短くすることができる。
【０２９９】
本例においては、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４の露出部を、Ｘ方向における半導体レーザ装置１０００Ｃのレーザ光の出射面側に配置しているが、青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２を半導体レーザ装置１０００Ｃのレーザ光の出射面側に配置してもよい。この場合、青紫色半導体レーザ素子１のｐ側パッド電極１２と給電ピン５０１ｂとをワイヤにより接続する。また、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４と給電ピン５０１ｃとをワイヤにより接続する。
【０３００】
（４）  第４の実施の形態
（ａ）  半導体レーザ装置の構造
図２７および図２８は、第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図２７に第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図２８に図２７のＡ３−Ａ３線断面図が示されている。また、図２９および図３０は、図２７，２８の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子１と赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３との接合面の模式図である。
【０３０１】
図２７〜図３０においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
【０３０２】
図２７および図２８に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄにおいては、青紫色半導体レーザ素子１上に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が一体的に形成されたモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙが接合されている。
【０３０３】
ここで、図２７，２８のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙは、図１，２のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘと構造が異なる。図２７，２８のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙにおいては、赤色半導体レーザ素子２と赤外半導体レーザ素子３との間に孔部ＱＨが形成されている。この孔部ＱＨを通じて、後述するｐ側パッド電極１４の一端が外部に露出する。
【０３０４】
なお、本実施の形態においても、図１，２の半導体レーザ装置１０００Ａと同様に、Ｚ方向の略直線上で青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉ１と赤外半導体レーザ素子３のリッジ部Ｒｉ３とが対向するように、青紫色半導体レーザ素子１上に赤外半導体レーザ素子３が接合されている。すなわち、青紫色発光点１１と赤外発光点３１とが近接する位置に設けられている。
【０３０５】
以下、青紫色半導体レーザ素子１とモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙとの接合部について説明する。
【０３０６】
図２９（ａ）に示すように、ｐ側パッド電極１２は青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉ１に沿うようにＸ方向に延びるとともに、その一部がＹ方向に延びている。
【０３０７】
ｐ側パッド電極１３は、ｐ側パッド電極１２に離間する位置でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２と反対の方向に延びている。Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１３の一端には赤色半導体レーザ素子２を駆動するためのワイヤがボンディングされる。なお、ｐ側パッド電極１２は、Ｙ方向に、幅約１００μｍで長さ約１００μｍ延びている。
【０３０８】
また、ｐ側パッド電極１２，１３の各々は、絶縁膜４ａ上で互いに離間するように形成されているので、ｐ側パッド電極１２，１３の各々は、互いに電気的に分離されている。
【０３０９】
図２９（ｂ）に示すように、絶縁膜およびｐ側パッド電極１２上に所定幅の絶縁膜４ｂが形成されている。絶縁膜４ｂは、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２の一端部が露出するように形成されている。露出するｐ側パッド電極電極１２の一端には青紫色半導体レーザ素子１を駆動するためのワイヤがボンディングされる。なお、Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１２の一端の幅約１００μｍおよび長さ１００μｍの領域が露出している。
【０３１０】
図３０（ｃ）に示すように、絶縁膜４ａおよび絶縁膜４ｂ上でｐ側パッド電極１３から離間した位置にｐ側パッド電極１４が形成されている。ｐ側パッド電極１４は、絶縁膜４ａおよび絶縁膜４ｂ上でＸ方向に延びるとともに、その一部がｐ側パッド電極１２のＹ方向に延びる部分と略直線上で反対方向に延びている。なお、ｐ側パッド電極１２は、Ｙ方向に、幅約１００μｍで長さ約１００μｍ延びている。また、ｐ側パッド電極１４のＹ方向に延びる部分は、ｐ側パッド電極１３から離間している。したがって、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々は、互いに電気的に分離されている。
【０３１１】
Ｙ方向に延びるｐ側パッド電極１４の一端には、孔部ＱＨを介して赤外半導体レーザ素子３を駆動するためのワイヤがボンディングされる。
【０３１２】
また、ｐ側パッド電極１３およびｐ側パッド電極１４上には、Ａｕ−Ｓｎからなるはんだ膜Ｈが形成されている。
【０３１３】
青紫色半導体レーザ素子１へのモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙの接合は、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１３に接合され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がはんだ膜Ｈを介してｐ側パッド電極１４に接合されるように行われる。
【０３１４】
これにより、赤色半導体レーザ素子２のｐ側パッド電極２２がｐ側パッド電極１３と電気的に接続され、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極３２がｐ側パッド電極１４と電気的に接続される。
【０３１５】
以上のように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄにおいては、ｐ側パッド電極１２，１３を同時に形成することができるので、製造工程を簡略化できる。
【０３１６】
また、ｐ側パッド電極１３上にはんだ膜Ｈを形成する必要がないので、製造工程を簡略化できる。
【０３１７】
本実施の形態において、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約２００μｍに調整される。
【０３１８】
Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の幅は、例えば約８００μｍである。Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙの幅は、例えば約４００μｍである。
【０３１９】
また、青紫色発光点１１および赤外発光点３１の直径は２０μｍ以下であることが好ましい。
【０３２０】
（ｂ）  レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図３１は図２７，２８の半導体レーザ装置１０００Ｄを図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図である。なお、図３１では、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００に設けられる半導体レーザ装置１０００Ｄが図２７のＡ３−Ａ３線の断面により示されている。図３１においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向が定義されている。
【０３２１】
図３１に示すように、給電ピン５０１ａは、ワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ｄのｐ側パッド電極１３の一端に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介して半導体レーザ装置１０００Ｄのｐ側パッド電極１２の一端に接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ｄのｐ側パッド電極１４の一端に接続されている。
【０３２２】
一方、支持部材５０５の露出した上面と半導体レーザ装置１０００Ｄの共通ｎ電極２３３とがワイヤＷ４により電気的に接続されている。
【０３２３】
ここで、支持部材５０５はサブマウント５０５Ｓおよび融着層５０５Ｈを通じて電気的に接続されている。これにより、給電ピン５０２は青紫色半導体レーザ素子１のｎ電極１５、ならびに赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の共通ｎ電極２３３と電気的に接続されている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のカソードコモンの結線が実現されている。
【０３２４】
給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
【０３２５】
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｄにおいては、上述のように、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の各々が、互いに電気的に分離されている。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のそれぞれのｐ側パッド電極１２，１３，１４に、任意の電圧を与えることができる。したがって、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の駆動方式を任意に選択することが可能となっている。
【０３２６】
（ｃ）  半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
本実施の形態においても、サブマウント５０５Ｓへの半導体レーザ装置１０００Ｄの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図５参照）の中央部に位置するように行われる。また、青紫色発光点１１と赤外発光点３１とは近接する位置に設けられている。したがって、本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０３２７】
また、赤外半導体レーザ素子３のｐ側パッド電極１４が孔部ＱＨを介して外部に露出している。それにより、孔部ＱＨを介してｐ側パッド電極１４にワイヤボンディングを行うことができる。その結果、配線の自由度が向上する。
【０３２８】
また、ｐ側パッド電極１２，１３，１４の全てを光の出射面側と反対側に設けることができる。それにより、ｐ側パッド電極１２，１３，１４を給電ピン５０１ｂ，５０１ａ，５０１ｃにそれぞれ接続する際に、ワイヤの長さを短くすることができる。それにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３の応答特性を向上させることができる。
【０３２９】
（５）  第５の実施の形態
（ａ）  半導体レーザ装置の構造
図３２および図３３は、第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式図である。図３２に第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図が示され、図３３に図３２のＡ４−Ａ４線断面図が示されている。図３２，３３においても、図１と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を定義する。
【０３３０】
なお、本実施の形態においても、図１，２の半導体レーザ装置１０００Ａと同様に、Ｚ方向の略直線上で青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉ１と赤外半導体レーザ素子３のリッジ部Ｒｉ３とが対向するように、青紫色半導体レーザ素子１上に赤外半導体レーザ素子３が接合されている。すなわち、青紫色発光点１１と赤外発光点３１とが近接する位置に設けられている。
【０３３１】
図３２および図３３に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１０００Ｅの青紫色半導体レーザ素子１においては、ｐ型オーミック電極６２１および絶縁膜４ａの上面全体を覆うように、ｐ側パッド電極１２が形成されている。そして、ｐ側パッド電極１２上の所定の領域にはんだ膜Ｈが形成されている。さらに、はんだ膜Ｈ上に赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３が一体的に形成されたモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚが接合されている。
【０３３２】
ここで、図３２，３３のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚは、図１，２のモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｘと構造が異なる。本実施の形態に係るモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚにおいては、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔ（図１３参照）と、赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔ（図１４参照）とが連結部ＢＲにより連結されている。
【０３３３】
連結部ＢＲは、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔまたは赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔの一部を含んでいてもよい。例えば、連結部ＢＲは赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３において電流の流れを制限する電流狭窄層であってもよいし、ｐ型のコンタクト層であってもよい。
【０３３４】
これにより、赤色半導体レーザ素子２の半導体層２ｔ、赤外半導体レーザ素子３の半導体層３ｔおよび連結部ＢＲは互いに連続する平面を有する。そこで、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚにおいては、その連続する平面に共通ｐ側パッド電極２３２が形成されている。
【０３３５】
青紫色半導体レーザ素子１上のはんだ膜Ｈに、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚの共通ｐ側パッド電極２３２が接合される。ここで、青紫色半導体レーザ素子１とモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚとの接合は、図１，２の半導体レーザ装置１０００Ａと同様に、Ｚ方向の略直線上で青紫色半導体レーザ素子１のリッジ部Ｒｉ１と赤外半導体レーザ素子３のリッジ部Ｒｉ３とが対向するように行われる。
【０３３６】
モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚの赤色半導体レーザ素子２において、共通ｐ側パッド電極２３２と反対側の面にはｎ電極２３が形成されている。また、赤外半導体レーザ素子３において、共通ｐ側パッド電極２３２と反対側の面にはｎ電極３３が形成されている。
【０３３７】
本実施の形態において、Ｙ方向における赤色発光点２１と赤外発光点３１との間の間隔は、例えば約４０μｍに調整される。
【０３３８】
Ｙ方向における青紫色半導体レーザ素子１の幅は、例えば約４００μｍである。Ｙ方向におけるモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙの幅は、例えば約２００μｍである。
【０３３９】
（ｂ）  レーザ用パッケージへの半導体レーザ装置の実装状態
図３４は図３２，３３の半導体レーザ装置１０００Ｅを図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ５００内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的正面図である。なお、図３４では、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００に設けられる半導体レーザ装置１０００Ｅが図３２のＡ４−Ａ４線の断面により示されている。図３４においても、図１，２と同様にＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向が定義されている。
【０３４０】
本実施の形態において、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００の支持部材５０５上には絶縁性のサブマウント５０５Ｚが形成されている。
【０３４１】
図３４に示すように、絶縁性のサブマウント５０５Ｚ上に融着層５０５Ｈを介して半導体レーザ装置１０００Ｅが接着されている。
【０３４２】
給電ピン５０１ａはワイヤＷ１を介して半導体レーザ装置１０００Ｅのｎ電極２３（赤色半導体レーザ素子２のｎ電極２３）に接続されている。給電ピン５０１ｂはワイヤＷ２を介してサブマウント５０５Ｚ上で露出する融着層５０５Ｈに接続されている。給電ピン５０１ｃはワイヤＷ３を介して半導体レーザ装置１０００Ｅのｎ電極３３（赤外半導体レーザ素子３のｎ電極３３）に接続されている。
【０３４３】
一方、青紫色半導体レーザ素子１上で露出するｐ側パッド電極１２と支持部材５０５とがワイヤＷ４により電気的に接続されている。
【０３４４】
ここで、青紫色半導体レーザ素子１上のｐ側パッド電極１２は、モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｚの共通ｐ側パッド電極２３２と電気的に接続されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３のアノードコモンの結線が実現されている。
【０３４５】
給電ピン５０１ａと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤色半導体レーザ素子２を駆動することができる。給電ピン５０１ｂと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより青紫色半導体レーザ素子１を駆動することができる。給電ピン５０１ｃと給電ピン５０２との間に電圧を印加することにより赤外半導体レーザ素子３を駆動することができる。このように、青紫色半導体レーザ素子１、赤色半導体レーザ素子２および赤外半導体レーザ素子３をそれぞれ独立に駆動することができる。
【０３４６】
（ｃ）  半導体レーザ装置のレーザ用パッケージへの実装状態での効果
本実施の形態においても、サブマウント５０５Ｚへの半導体レーザ装置１０００Ｅの接着は、青紫色半導体レーザ素子１の青紫色発光点１１が、蓋体５０４の取り出し窓５０４ａ（図３参照）の中央部に位置するように行われる。また、青紫色発光点１１と赤外発光点３１とは近接する位置に設けられている。したがって、本実施の形態においても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０３４７】
本実施の形態では、半導体レーザ装置１０００Ｅのレーザ用略丸型キャンパッケージ５００への実装時に、給電ピン５０１ａ〜５０１ｃがワイヤＷ１〜Ｗ３により半導体レーザ装置１０００Ｅの上部で露出するｎ電極２３，３３および露出する融着層５０５Ｈに接続されている。これにより、半導体レーザ装置１０００ＥについてのワイヤＷ１〜Ｗ３の接続が容易となっている。
【０３４８】
本実施の形態においては、予め青紫色半導体レーザ素子１のチップおよびモノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子２３Ｙのチップを個別に作製し、それらのチップを互いに貼り合わせることにより半導体レーザ装置１０００Ｅを作製してもよい。
【０３４９】
（６）  特許請求の範囲との対応関係
上記実施の形態においては、Ｘ方向が第１の方向に相当し、波長約４０５ｎｍのレーザ光および青紫色レーザ光が第１の波長の光に相当し、青紫色発光点１１が第１の発光点に相当し、青紫色半導体レーザ素子１が第１の半導体レーザ素子に相当し、波長約６５０ｎｍのレーザ光および赤色レーザ光が第２の波長の光に相当し、赤色発光点２１が第２の発光点に相当し、赤色半導体レーザ素子２が第２の半導体レーザ素子に相当し、波長約７８０ｎｍのレーザ光および赤外レーザ光が第３の波長の光に相当し、赤外発光点３１が第３の発光点に相当し、赤外半導体レーザ素子３が第３の半導体レーザ素子に相当し、ＹＺ平面が第１の方向に直交する第１の面に相当する。
【０３５０】
また、半導体層１ｔが第１の半導体層に相当し、ｐ側パッド電極１２が第１の電極に相当し、半導体層２ｔが第２の半導体層に相当し、ｐ側パッド電極２２が第２の電極に相当し、半導体層３ｔが第３の半導体層に相当し、ｐ側パッド電極３２が第３の電極に相当し、ｎ−ＧａＮ基板１ｓが第１の基板に相当し、ｎ−ＧａＡｓ基板５０およびｎ−ＧａＡｓ基板５Ｘが第２または第３の基板に相当し、凸部Ｔ１が第１の凸部に相当し、凸部Ｔ２が第２の凸部に相当し、凸部Ｔ３が第３の凸部に相当し、Ｙ方向が第２の方向に相当し、レーザ用略丸型キャンパッケージ５００がパッケージに相当する。
【０３５１】
さらに、光ディスクＤＩが光学記録媒体に相当し、偏光ＢＳ９０２、コリメータレンズ９０３、ビームエキスパンダ９０４、λ／４板９０５、対物レンズ９０６、シリンダレンズ９０７および光軸補正素子９０８が光学系に相当し、光軸補正素子９０８が回折格子に相当する。
【０３５２】
（７）  他の実施の形態
上記第１〜第５の実施の形態においては、レーザ用略丸型キャンパッケージへ半導体レーザ装置を実装する例を示したが、本発明はこれに限らず、フレーム型のレーザ用パッケージなどの他のパッケージへ半導体レーザ装置を実装する場合にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０３５３】
本発明は、複数種類の光学記録媒体の記録および再生を行うことが可能な光学記録媒体駆動装置およびその製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０３５４】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図である。
【図２】図１のＡ１−Ａ１線断面図である。
【図３】半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
【図４】半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
【図５】図１の半導体レーザ装置が実装されたレーザ用略丸型キャンパッケージの外観斜視図である。
【図６】図５のレーザ用略丸型キャンパッケージの蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。
【図７】図５のレーザ用略丸型キャンパッケージの蓋体を外した状態を示す模式的上面図である。
【図８】第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図９】第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図１０】第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図１１】第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す模式的工程断面図である。
【図１２】青紫色半導体レーザ素子の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。
【図１３】モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子の赤色半導体レーザ素子の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。
【図１４】モノリシック赤色／赤外半導体レーザ素子の赤外半導体レーザ素子の構造の詳細を説明するための模式的断面図である。
【図１５】光ピックアップ装置の構成を示す図である。
【図１６】光ピックアップ装置の構成の他の例を示す図である。
【図１７】光ピックアップ装置の構成のさらに他の例を示す図である。
【図１８】図１７の光ピックアップ装置における平行平板の光軸の補正作用を説明するための説明図である。
【図１９】平行平板の好ましい傾き角ａを説明するための説明図である。
【図２０】光ピックアップ装置の構成のさらに他の例を示す図である。
【図２１】第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構造を説明するための模式的上面図である。
【図２２】第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図である。
【図２３】図２２の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子とモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
【図２４】図２２の半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子とモノシリック赤色／赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
【図２５】図２２の半導体レーザ装置を図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。
【図２６】図２２の半導体レーザ装置を図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体５０４を外した状態を示す模式的上面図である。
【図２７】第４の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図である。
【図２８】図２７のＡ３−Ａ３線断面図である。
【図２９】半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
【図３０】半導体レーザ装置における青紫色半導体レーザ素子と赤色半導体レーザ素子および赤外半導体レーザ素子との接合面の模式図である。
【図３１】図２７，２８の半導体レーザ装置を図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。
【図３２】第５の実施の形態に係る半導体レーザ装置の一例を示す上面図である。
【図３３】図３２のＡ４−Ａ４線断面図である。
【図３４】図３２，３３の半導体レーザ装置を図５のレーザ用略丸型キャンパッケージ内に実装して蓋体を外した状態を示す模式的正面図である。
【符号の説明】
【０３５５】
１  青紫色半導体レーザ素子
１ｓ  ｎ−ＧａＮ基板
１ｔ  半導体層
２  赤色半導体レーザ素子
２ｔ  半導体層
３  赤外半導体レーザ素子
３ｔ  半導体層
４ａ  絶縁膜
１１  青紫色発光点
１２  ｐ側パッド電極
２１  赤色発光点
２２  ｐ側パッド電極
３１  赤外発光点
３２  ｐ側パッド電極
５０５Ｓ，５０５Ｚ  サブマウント
９００  光ピックアップ装置
９０９  光検出器
９０２  偏光ＢＳ
９０３  コリメータレンズ
９０４  ビームエキスパンダ
９０５  λ／４板
９０６  対物レンズ
９０７  シリンダレンズ
９０８  光軸補正素子
１０００Ａ〜１０００Ｅ  半導体レーザ装置
ＢＲ  連結部
ＤＩ  光ディスク
Ｔ１〜Ｔ３  凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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