(57)【要約】【課題】  １００ｎｍよりも小さなサイズの散乱体をプローブの尖った先端（尖端）に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供する。【解決手段】  プローブ尖端部１１を含むプローブ本体１２に金属薄膜１３を形成し、対向電極４１を配置し、金属微粒子１４および粒子固定化剤を含んだ泳動液体Ｌを、プローブ尖端部１１と対向電極４１との双方に接触し、プローブ本体１２の金属薄膜１３と対向電極４１との間に電圧を印加して、誘電泳動または／および電気泳動により金属微粒子１４をプローブ尖端部１１に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜１５で覆うことにより金属微粒子を固定する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造方法であって、
プローブ尖端部を含むプローブ本体に金属薄膜を形成し、
プローブ尖端部に対向する対向電極を配置し、
散乱体となる金属微粒子および粒子固定化剤を含んだ泳動液体を、プローブ尖端部と対向電極との双方に接触し、
プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加して、誘電泳動または／および電気泳動により金属微粒子をプローブ尖端部に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜で覆うことにより金属微粒子を固定することを特徴とする散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項２】
プローブ尖端部に金属微粒子を固定した後に、固定化膜の一部を剥離して金属微粒子の一部を露出することを特徴とする請求項１に記載の散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項３】
泳動液体に含める金属微粒子が球状、ロッド状、テトラポッド状のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項４】
プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブであって、
プローブ本体と、
プローブ尖端部を含むプローブ本体に形成される金属薄膜と、
散乱体となる金属微粒子および粒子固定化剤を含んだ泳動液体をプローブ尖端部とこれに対向する対向電極との双方に接触させ、電圧を印加して誘電泳動または／および電気泳動により金属微粒子をプローブ尖端部に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜で覆うことによりプローブ尖端に固定される金属微粒子とを備えたことを特徴とする散乱型近接場光プローブ。
【請求項５】
固定化膜の一部を剥離して金属微粒子の一部が露出させたことを特徴とする請求項４に記載の散乱型近接場光プローブ。
【請求項６】
プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造装置であって、
プローブ尖端を含むプローブ本体に金属薄膜を形成する金属薄膜形成部と、プローブ尖端に金属微粒子を固定する金属微粒子固定部とからなり、
前記金属微粒子固定部は、プローブ本体を支持するプローブ支持部と、プローブ尖端部に対向する対向電極と、散乱体となる金属微粒子および粒子固定化剤を含んだ泳動液体をプローブ尖端部と対向電極との双方に接触するようにして供給する泳動液体供給部と、プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加する電圧印加部とを備え、
泳動液体を供給した状態で、電圧印加部が電圧を印加することにより誘電泳動または／および電気泳動を発生して金属微粒子をプローブ尖端に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜で覆うことにより金属微粒子を固定することを特徴とする散乱型近接場光プローブの製造装置。
【請求項７】
固定化膜の一部を剥離して金属微粒子の一部を露出する剥離部をさらに備えたことを特徴とする請求項６に記載の散乱型近接場光プローブの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより、局所プラズモン共鳴による近接場光を発生する散乱型近接場光プローブおよびその製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、分子生物学や材料解析など広範な分野において、非破壊かつ高分解能な顕微鏡による測定の重要性が高まっている。
一般的な光学顕微鏡は被測定物に対して、非破壊で試料の形状・構造・成分などを比較的短時間で分析することができるという面では優れているが、光の波動性による回折限界のため光の波長以下のサイズでの測定ができず、空間分解能に限界があった。
この問題を解決する手法として、近接場光を用いて回折限界による分解能よりも高い分解能を得ることができる近接場光プローブを利用した近接場光学顕微鏡が開発され、その応用が期待されている。
【０００３】
近接場光学顕微鏡の基本原理は、被測定物の表面に近接場光プローブの尖端部分を近づけ、レーザー光を照射し、プローブ尖端近傍に局在する近接場光を検出するものであり、これによって光の波長以下のサイズでの高分解能な測定を可能としている。
近接場光学顕微鏡に用いる近接場光プローブには、いくつかの種類があるが、高分解能を得ることができる近接場光プローブとして、プローブ尖端部に散乱体を固定した散乱型近接場光プローブが注目されており、その製造方法が検討されている。
【０００４】
特許文献１（特開２００２−１４８１７４号公報）には、ＳｉＮ製カンチレバーに散乱体形成薄膜を成膜し、カンチレバー先端にレーザー光を集光することにより、集光した部分で化学的に金属を凝集させて、散乱体を形成する散乱型近接場プローブの製造方法が開示されている
また、特許文献２（特開２００１−８３０６９号公報）には、プローブにＴｉＯ２薄膜を蒸着し、プローブ先端に塩化金酸を含んだ溶液を満たし、下部にプリズムを配置してプローブ先端近傍に近接場光を発生させ、その近接場光とＴｉＯ２の光触媒効果とにより塩化金酸を還元してプローブ先端に金属微粒子を析出する方法が開示されている。この方法によれば、レーザー照射強度、レーザー照射時間、エバネッセント光が浸み出したプリズムとＴｉＯ２薄膜を形成されたプローブ本体までの距離、プローブ先端の先鋭度、プリズムへのレーザー入射角、プリズムの屈折率などを制御することにより、析出される金属（金）微粒子の大きさをナノメートルオーダーとすることができる。具体的には１００ｎｍから３００ｎｍサイズの散乱体が作製できるものと考えられる（Journal of Microscopy,  Volume202 Issue 1 Page 100 -April 2001，Photocatalytic deposition of a gold nanoparticle onto the top of a SiN cantilever tip, T.Okamoto & I.Yamaguchi）。
【特許文献１】特開２００２−１４８１７４号公報
【特許文献２】特開２００１−８３０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１に開示された近接場光プローブでは、レーザー光を集光した部分に金属の散乱体が形成されるため、散乱体のサイズは光の回折限界を下限とした程度の集光径と同等の大きさになる。そのため、ナノメーターサイズの散乱体の作製は困難である。
また、プローブ先端近傍に近接場光学顕微鏡の検出光を集光すると、検出光が散乱体形成薄膜にも照射されることで散乱体が再成長してサイズが大きくなり、散乱体のサイズ維持が困難である。
【０００６】
一方、上述した特許文献２に開示された近接場光プローブでは、散乱体の深さ方向に指数関数的に減衰する近接場光を照射して散乱体を成長させるため、散乱体の深さ方向には制御性があるが、深さ方向と垂直に交わる横方向の散乱体サイズはプローブ先端径に依存し、制御が困難である。
また、深さ方向に波長の半分程度まで近接場光が浸透するため、ナノメートルオーダーの金属微粒子が作製できるというものの１００ｎｍより微小な散乱体形成が困難であると考えられる。
また、プローブ先端付近で近接場光を利用してプローブに直接、金属を析出させることにより散乱体を形成するものであるために、析出条件についての設定可能な範囲が狭く、特異な散乱体形状を形成することが困難である。
【０００７】
そこで、本発明は１００ｎｍよりも小さなサイズの散乱体をプローブの尖った先端（尖端）に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供することを目的とする。
また、プローブ尖端に形成される金属微粒子が再成長することなく安定したサイズの散乱体とすることができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供することを目的とする。
また、金属微粒子のサイズが制御可能で、特にサイズのみでなく、その形状をも選択することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するためになされた本発明の散乱型近接場光プローブ製造方法は、プローブ尖端部を含むプローブ本体に金属薄膜を形成し、プローブ尖端部に対向する対向電極を配置し、散乱体となる金属微粒子および粒子固定化剤を含んだ泳動液体を、プローブ尖端部と対向電極との双方に接触し、プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加して、誘電泳動または／および電気泳動により金属微粒子をプローブ尖端部に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜で覆うことにより金属微粒子を固定するようにしている。
【０００９】
この発明の製造方法によれば、プローブ本体に金属薄膜を形成する。この金属薄膜は、プローブ尖端部を含むように形成してあり、これによりプローブ尖端を電極にすることができる。プローブ尖端に対向する位置には対向電極を配置する。プローブ尖端と対向電極との間は、泳動液体で満たすようにして、双方の電極に泳動液体を接触する。泳動液体には、散乱体として用いる金属微粒子を含めておく。この金属微粒子は、予め、種々の方法、条件で任意のサイズ、形状のものを作製した上で泳動液体に混合することができるので、金属微粒子として所望のサイズ、形状のものを泳動液体に含めることができる。泳動液体には、さらに粒子固定化剤を含めておく。そして、金属薄膜と対向電極との間に、電圧を印加すると、プローブ尖端に電気力線が集中する電界分布が発生し、誘電泳動現象（交流電圧の場合）あるいは電気泳動現象（直流電圧の場合）により、あるいはこれら２つの現象により、プローブ尖端に泳動液体中の金属微粒子が引き寄せられる。さらに金属微粒子が引き寄せられた状態で粒子固定化剤による固定化膜が形成されることにより、プローブ尖端に金属微粒子が固定される。このようにして、所望のサイズの金属微粒子、特に１００ｎｍより小さい金属微粒子をプローブ尖端に固定する。
【００１０】
ここで、プローブ本体には、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）用プローブ、ＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）用プローブを利用することができる。例えば、ＳｉＮ製のＡＦＭ用プローブが好適である。
金属薄膜の材料には、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどが好ましい。下地にＴｉ層、その上にＡｕ、Ｐｔ層を形成するように２層構造としてもよい。対向電極は、特にＰｔ電極、Ａｕ電極が好ましい。金属薄膜の形成は、蒸着、スパッタリングなどの一般的な薄膜形成技術により形成することができる。
泳動液体に含まれる金属微粒子は、例えば、塩化金酸と界面活性剤ＣＴＡＢ（Cetyl trimethyl ammonium bromide）等を液中で合成することにより形成することができる(Y.niidome et al., Chem. Commun., (2003)2376-2377) また、合成条件を選択することで球状、ロッド状、テトラポッド状等の微粒子を形成することができる（Encai Hao, et al. NANO LETTER, Vol.4, No.2, pp.327-330(2004)。  金属微粒子材料としては、金（Ａｕ）の他にＡｇ，Ｐｔ等が好適である。
泳動液体に含まれる粒子固定化剤には、例えばＡＰＳ（aminopropyl trimethoxy silane）やＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）等のシランカップリング剤を用いることができる。これらは金属微粒子を覆うようにＳｉＯ２膜を形成して金属微粒子を固定化することができる。
泳動液としては、金属微粒子と粒子固定化剤を含有できるものであれば特に限定されないが、例えば、水、アルコールなどを用いることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、１００ｎｍよりも小さなナノサイズの金属微粒子をプローブ尖端に固定することができる。また、金属微粒子を固定化膜で固定することにより、金属微粒子の再成長を防ぐことができる。
【００１２】
（その他の課題を解決するための手段および効果）
上記製造方法の発明において、プローブ尖端部に金属微粒子を固定した後に、固定化膜の一部を剥離して金属微粒子の一部を露出するようにしてもよい。
これによれば、固定化膜の一部を剥離して金属微粒子の表面側の一部を露出することにより、入射光が直接金属微粒子に照射できるので効率的に近接場光を散乱させることができる。
ここで剥離部は、ドライエッチング、ウェットエッチングのいずれであってもよい。ドライエッチングとしては、イオンビームエッチング、スパッタリングなど、また、ウェットエッチングでは、バッファフッ酸溶液への浸漬など種々の方法を用いることができる。
【００１３】
また、上記製造方法の発明において、泳動液体に含める金属微粒子が球状、ロッド状、テトラポッド状のいずれかにしてもよい。
これによれば、プローブ尖端に散乱体を安定して固定することができ、また、励起光に応じて高強度の近接場光を発生するプローブ尖端形状にすることができる。
【００１４】
また、別の観点からなされた本発明の散乱型近接場光プローブは、プローブ本体と、プローブ尖端部を含むプローブ本体に形成される金属薄膜と、散乱体となる金属微粒子および粒子固定化剤を含んだ泳動液体をプローブ尖端部とこれに対向する対向電極との双方に接触させ、電圧を印加して誘電泳動または／および電気泳動により金属微粒子をプローブ尖端部に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜で覆うことによりプローブ尖端に固定される金属微粒子とを備えるようにしている。
これによれば、任意のサイズおよび形状、特に１００ｎｍよりも小さなサイズの金属微粒子を、プローブ尖端に固定したプローブとすることができ、また、金属微粒子を固定化膜で固定することにより、金属微粒子の再成長を防ぐようにした散乱型近接場光プローブとすることができるので、これを近接場光学顕微鏡などに利用することで、高分解能の測定装置を作製することができるようになる。
【００１５】
上記の散乱型近接場光プローブにおいて、さらに、固定化膜の一部を剥離して金属微粒子の一部を露出させてもよい。
この発明によれば、入射光を直接金属微粒子に照射できるので効率的に近接場光を散乱させることができる散乱型近接場光プローブとすることができる。
【００１６】
また、別の観点からなされた本発明の散乱型近接場光プローブ製造装置は、プローブ尖端を含むプローブ本体に金属薄膜を形成する金属薄膜形成部と、プローブ尖端に金属微粒子を固定する金属微粒子固定部とからなり、前記金属微粒子固定部は、プローブ本体を支持するプローブ支持部と、プローブ尖端に対向する対向電極と、散乱体となる金属微粒子および粒子固定化剤を含んだ泳動液体をプローブ尖端部と対向電極との双方に接触するようにして供給する泳動液体供給部と、プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加する電圧印加部とを備え、泳動液体を供給した状態で、電圧印加部が電圧を印加することにより誘電泳動または／および電気泳動を発生して金属微粒子をプローブ尖端に引き寄せるとともに、粒子固定化剤により形成される固定化膜で覆うようにしている。
この発明によれば、金属薄膜形成部にて、尖端を含むプローブ本体に、電極として機能する金属薄膜を形成する。続いて金属微粒子固定部によりプローブ尖端に金属微粒子を形成する。金属微粒子固定部では、プローブ支持部に支持されたプローブ本体と対向電極との間に泳動液体供給部から金属微粒子と粒子固定化剤とを含んだ泳動液体を供給し、電圧印加部によりプローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加して誘電泳動または電気泳動または誘電泳動と電気泳動とを同時に引き起こして、金属微粒子をプローブ尖端に引き寄せ、さらに粒子固定化剤により固定化膜を形成することにより、金属微粒子を固定する。
これにより、任意のサイズおよび形状、特に１００ｎｍよりも小さなナノサイズの金属微粒子を、プローブ尖端に固定したプローブを形成することができる。また、金属微粒子を固定化膜で固定することにより、金属微粒子の再成長を防ぐようにした散乱型近接場光プローブを形成することができる。
【００１７】
上記の散乱型近接場光プローブ製造装置において、固定化膜の一部を剥離して金属微粒子の一部を露出する剥離部を備えるようにしてもよい。
これによれば、剥離部にて、金属微粒子の表面を覆う固定化膜の一部を剥離することにより、金属微粒子が固定化膜にて固定された状態を維持しつつ金属微粒子の一部を露出することができるので、近接場光の散乱効率の高いプローブを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれることはいうまでもない。
【００１９】
（実施形態１）
図１は、本発明の一実施形態である散乱型の近接場光プローブの構成を示す図である。近接場光プローブ１０は、先鋭なプローブ尖端部１１を有するＳｉＮ製のＡＦＭ用カンチレバーをプローブ本体１２として用いている。
プローブ尖端部１１を含むプローブ本体１２の表面には、金（Ａｕ）の薄膜１３が形成してある。この薄膜１３は、本発明のプローブを作製する際にプローブ尖端部１１を電極として機能させるために形成されるものである。
プローブ尖端部１１の最先端部分には、金（Ａｕ）の微粒子１４が固定化膜１５により固定してある。金の微粒子１４は、用途に応じてサイズや形状を選択することができるが、好ましくは最大径が１０〜９０ｎｍ程度のナノサイズの微粒子とするのが、近接場光プローブとして好ましい。
金の微粒子１４を固定する固定化膜１５には、ＳｉＯ２膜を用いている。固定化膜１５はシランカップリング剤であるＡＰＳまたはＴＥＯＳから形成する。
【００２０】
次に、近接場光プローブ１０の製造方法について説明する。図２はこの近接場光プローブ１０の製造工程を説明する図である。図３は製造工程を実施するために好適である製造装置の構成を示す図である。
まず、図３の製造装置について説明する。製造装置２０は、薄膜形成室２１（金属薄膜形成部）と、散乱体形成室２２（金属微粒子固定部）とからなる。
薄膜形成室２１と散乱体形成室２２との間は、開閉可能な仕切壁３１で仕切られており、仕切壁３１が開いた状態のときに、プローブ本体１２を支持した状態で、両室間を移動することができる搬送機構３２が取り付けてある。薄膜形成室２１には、バルブ３３を介して高真空ポンプ３４が接続してあり、仕切壁３１を閉じてバルブ３３を開くことにより、室内を真空状態に維持することができる。薄膜形成室２１には蒸着物質である金３５をセットした蒸着装置３６が設けてあり、室内を真空状態にすることにより、プローブ本体１２に金薄膜を蒸着することができるようにしてある。
【００２１】
散乱体形成室２２は、プローブ本体１２の表面に金薄膜１３が形成された後に、プローブ本体１２を支持した搬送機構３２が移動してくるようにしてある。そして搬送機構３２が定位置に停止したときに、対向電極４１がプローブ本体１２の尖端部１１と対向する位置にくるように取り付けてある。また、散乱体形成室２２には金薄膜１３と対向電極４１との間に電圧を印加する信号発生器４２（電圧源）が設けられている。信号発生器４２は交流電圧値０〜１ＫＶ、周波数幅０〜１００ＭＨｚ、直流バイアス電圧−１０Ｖ〜＋１０Ｖの電圧信号を印加することができるようにしてある。対向電極４１の上には、プローブ尖端部１１と対向電極４１との間の空間（間隙は約１ｍｍ程度）に泳動液体Ｌを供給する泳動液体供給管４３が設けてあり、ここから泳動液体Ｌが供給されると、プローブ尖端部１１を覆う金薄膜１３と対向電極４１との双方に泳動液体Ｌが接触するようにしてある。この泳動液体Ｌには所望のサイズ、形状の金微粒子とともに、金微粒子を固定するＳｉＯ２膜を形成するための粒子固定化剤であるＡＰＳが含まれている。本実施例では、金微粒子として長径が６０〜８０ｎｍ、短径が１０〜２０ｎｍのロッド状の微粒子を用いている。
【００２２】
次に、近接場光プローブ１０の製造工程を図２および図３を用いて説明する。
まず、プローブ本体１２として用いるＡＦＭ用カンチレバーを用意する（図２（ａ））。
続いて、これを薄膜形成室２１に入れて、金薄膜１３を蒸着する（図２（ｂ））。このとき、プローブ尖端部１１を覆うようにする。なお、プローブ尖端部１１への電圧印加を容易にするために、プローブ本体１２の尖端部１１から離れたプローブ根元側まで金薄膜１３を蒸着し（プローブ本体１２の全面に蒸着してもよい）、プローブ根元側で電圧供給ラインと電気的に接続できるようにしてある。
【００２３】
続いて、金薄膜１３が蒸着されたプローブ本体１２を、散乱体形成室２２に移動し、金電極１３と対向電極４１との間の空間を満たすように泳動液体供給部４３から泳動液体Ｌを供給する（図２（ｃ））。
続いて、信号発生器４２（電圧源）から金薄膜１３と対向電極４１との間に交流電圧を印加して、誘電泳動により泳動液体Ｌ中の金微粒子を引き寄せる。また、交流電圧に加えて直流バイアス電圧により、極性分子であるＡＰＳを引き寄せ、金微粒子を固定するＳｉＯ２膜を形成する（図２（ｄ））。ＳｉＯ２膜は、金微粒子の表面も覆うことになるので、膜厚を過度に厚くしすぎると強い近接場光を得ることができなくなるので、膜厚は金微粒子が固定できる範囲でできるだけ薄くするのが好ましい。
以上の工程により、図１に示した散乱型近接場光プローブ１０を形成することができる。
【００２４】
（実施形態２）
図４は本発明の他の一実施形態である散乱型の近接場光プローブの構成を示す図である。図において、図１と同じものは同符号を付すことにより、説明を省略する。
近接場光プローブ５０は、近接場光プローブ１０を形成後に、金微粒子１４を覆う固定化膜１５（ＳｉＯ２膜）の一部を除去して、その膜厚を薄くした固定化膜１５ａとし、金微粒子の一部を露出させたものである。
このような形状の近接場光プローブ５０では、（ＳｉＯ２膜を介することなく）金微粒子１４に直接励起光を照射することができるので、近接場光を効率的に発生させることができる。
【００２５】
次に、近接場光プローブ５０の製造方法について説明する。図５は近接場光プローブ５０の製造工程を説明する図である。図６は、図５の製造工程を実施するために好適である製造装置の構成を示す図である。
図６の製造装置について説明する。製造装置６０は、薄膜形成室２１（金属薄膜形成部）と、散乱体形成室２２（金属微粒子固定部）と、イオンビームエッチング室６３（剥離部）とからなる。このうち薄膜形成室２１（金属薄膜形成部）と、散乱体形成室２２（金属微粒子固定部）とについては、図２と同一であるので同符号を付すことにより説明を省略する。
【００２６】
製造装置６０の散乱体形成室２２とイオンビームエッチング室６３との間は、開閉可能な仕切壁６１で仕切られており、仕切壁６１が開いた状態のときに両室間を移動する搬送機構３２が取り付けてある。この搬送機構３２はプローブ本体１２を支持した状態で、散乱体形成室２２とイオンビームエッチング室６３との間を移動する。イオンビームエッチング室６３は、薄膜形成室２１と同様に、バルブ６５を介して高真空ポンプ６６が接続してあり、仕切壁６１を閉じてバルブ６５を開くことにより、室内を高真空状態に維持することができる。イオンビームエッチング室６３には、イオンビーム発生装置６７が設けてある。イオンビーム発生装置６７は、室内を真空状態にして作動することにより、Ａｒ、ＣＨＦ３などのイオンビームを生成し、プローブ本体１２に向けて照射する。イオンビームが照射されることにより、ＳｉＯ２膜が除去されることになる。なお、エッチング時間、イオンビームの加速電圧などのエッチングパラメータを調整することにより、ＳｉＯ２膜のエッチング量を制御することができる。
【００２７】
次に、製造工程について図５を説明する。図５（ａ）から図５（ｄ）までは、それぞれ実施形態１での図２（ａ）から図２（ｄ）までの工程と同じであるので、同符号を付すことにより、説明を省略する。
薄膜形成室２１および散乱体形成室２２にて、図５（ａ）から図５（ｄ）までの工程を実施することにより、プローブ本体１２に、金薄膜１３、金微粒子１４、ＳｉＯ２膜が形成された図１の近接場光プローブ１０と同様の近接場光プローブを作製する。
【００２８】
続いて、これをイオンエッチング室６３に移動し、仕切壁６１を閉じるとともにバルブ６５を開き、室内を真空状態にした上で、イオンビーム発生装置６７により先端部１１に向けてイオンビームを照射し、ＳｉＯ２膜のエッチングを行う（図５（ｅ））。このとき、エッチング時間、イオンビームの加速電圧などのエッチングパラメータを調整して、ＳｉＯ２膜のエッチング量を制御する。これにより、金微粒子１４の一部が露出し、一部がＳｉＯ２膜に固定された状態を形成する。
以上の工程に図４に示した散乱型近接場光プローブ５０を形成することができる。
【００２９】
なお、上述した実施形態２では、ＳｉＯ２膜１５の除去にドライエッチング技術であるイオンビームエッチングを用いたが、これに限られるものではない。例えば、バッファフッ酸などのエッチング液を利用したウェットエッチング技術を利用してもよい。この場合の工程を図７に示す。図７（ａ）から図７（ｄ）までの工程は、図５（ａ）から図５（ｄ）までの工程と同一であり、その後、プローブ尖端部１１をバッファフッ酸槽に浸漬すればよい。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、１００ｎｍよりも小さなナノサイズの散乱体をプローブの尖った先端部（尖端）に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態である近接場光プローブの構成を示す図。
【図２】図１の近接場光プローブの製造工程を説明する図。
【図３】図１の近接場光プローブを製造するための製造装置の構成を示す図。
【図４】本発明の他の一実施形態である近接場光プローブの構成を示す図。
【図５】図４の近接場光プローブの製造工程を説明する図。
【図６】図４の近接場光プローブを製造するための製造装置の構成を示す図。
【図７】図４の近接場光プローブの製造工程の他の例を説明する図。
【符号の説明】
【００３２】
１０：  近接場光プローブ
１１：  近接場光プローブ尖端部
１２：  ＡＦＭ用プローブ（プローブ本体）
１３：  金薄膜（金属薄膜）
１４：  金微粒子（金属微粒子）
１５、１５ａ：  ＳｉＯ２膜（固定化膜）
２１：  薄膜形成室（金属薄膜形成部）
２２：  散乱体形成室（金属微粒子固定部）
３２：  搬送機構（プローブ支持部）
４１：  対向電極
４２：  信号発生器（電圧印加部）
４３：  泳動液体供給管
６３：  イオンビームエッチング室（剥離部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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