(57)【要約】      （修正有）【課題】  立体的に曲がったプローブをめっきにより高精度に形成でき、プローブと基板の接合強度が高い、プローブユニットの製造方法を提供する。【解決手段】  基板の第一面の上に導電性の犠牲層を形成する段階と、スリットを有するマスクを前記基板の第一面の裏面に相当する第二面の上に形成する段階と、前記マスクを用いた前記基板の異方性エッチングにより前記スリットの直下に前記犠牲層に到る貫通溝を形成する段階と、前記貫通溝内の前記犠牲層の上にめっきによりプローブを形成する段階と、を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。【選択図】  図３
2006266896.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第一面の上に導電性の犠牲層を形成する段階と、
スリットを有するマスクを前記基板の第一面の裏面に相当する平坦な第二面の上に形成する段階と、
前記マスクを用いた前記基板の異方性エッチングにより前記スリットの直下に前記犠牲層に到る貫通溝を形成する段階と、
前記貫通溝内の前記犠牲層の上にめっきによりプローブを形成する段階と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項２】
前記プローブを形成する段階の後に、前記基板の部分エッチングにより前記基板の縁部から前記プローブを突出させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項３】
前記プローブを形成する段階の後に、前記基板の前記第二面のエッチングにより前記基板の前記第二面から前記プローブを突出させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項４】
前記基板は無機絶縁体からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項５】
前記犠牲層を形成する段階の前に、前記基板の前記第一面に曲面を形成する段階をさらに含み、
前記犠牲層を形成する段階では、前記曲面上に前記犠牲層を形成し、
前記貫通溝を形成する段階では、前記曲面に到る前記貫通溝を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項６】
前記曲面を形成する段階では、前記基板の前記第一面に凸形状の前記曲面を形成することを特徴とする請求項５に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項７】
前記曲面を形成する段階の前に、
前記基板の前記第一面の上に酸化膜を形成する段階と、
前記酸化膜の上に耐酸化マスクを形成する段階と、
選択酸化により前記耐酸化マスクの下部中央から外に向かって前記酸化膜の膜厚を増大させる段階と、
前記耐酸化マスクを除去する段階と、をさらに含み、
前記曲面を形成する段階では、前記酸化膜に対する前記基板の選択比が高いエッチングで前記基板及び前記酸化膜を除去することにより前記基板の前記第一面に凹部を形成することを特徴とする請求項５に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項８】
スリットを有する絶縁体又は半導体の無機材料からなる基板と、
前記スリット内に析出した複数のプローブと、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＳＩ、液晶パネル等の電子デバイスの検査に用いるプローブユニットの製造方法及びプローブユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＳＩ、液晶パネル等の電子デバイスの検査は検体の電極にプローブを接触させて実施される。電極の配列間隔の狭小化に伴って、リソグラフィなどを用いた薄膜製造プロセスによりプローブを微細化する技術が開発されている。プローブを基板に埋め込むことにより、プローブと基板との接合面が増大するため、基板からプローブが剥離しにくくなる。
【０００３】
特許文献１には、多数のプローブの間隙に樹脂を流し込んで硬化させることでプローブを樹脂基板に埋め込む製法が開示されている。しかし、基板を樹脂で構成する場合、プローブと電極との接触圧を高めにくく、温度または湿度の変化による基板の変形量が大きくなるという問題がある。
【０００４】
特許文献２には、銅薄膜の表面に開口部を有する鋳型としてのポリイミド薄膜を形成し、ポリイミド薄膜に形成された開口部にめっきによりプローブを形成する製法が開示されている。しかし、導体薄膜上にプローブの鋳型となる薄膜を形成し、その薄膜の表面に鋳型を形成するためのマスクを形成する場合、鋳型となる薄膜の表面が平坦でなければ、マスクの微細な開口部形状を制御することは困難である。したがってこの製法では、立体的に曲がった微細なプローブをめっきにより形成することは困難である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１３３４８４号公報
【特許文献２】特開２００３−５７２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の問題に鑑みて創作されたものであって、立体的に曲がったプローブをめっきにより高精度に形成でき、プローブと基板の接合強度が高い、プローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
また本発明は、プローブと基板の接合強度が高く、プローブと検体の電極との接触圧を高く設定できるプローブユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）上記目的を達成するためのプローブユニットの製造方法は、基板の第一面の上に導電性の犠牲層を形成する段階と、スリットを有するマスクを前記基板の第一面の裏面に相当する第二面の上に形成する段階と、前記マスクを用いた前記基板の異方性エッチングにより前記スリットの直下に前記犠牲層に到る貫通溝を形成する段階と、前記貫通溝内の前記犠牲層の上にめっきによりプローブを形成する段階と、を含む。
導電性の犠牲層を基板の第一面に形成し、第一面の裏面に相当する基板の平坦な第二面にマスクを形成すると、基板の第一面および犠牲層の表面形状に関わらず、高精度にマスクをパターニングすることができる。異方性エッチングを用いてマスクのスリットの直下で基板を貫通させ、基板に形成された貫通溝内にプローブを形成することにより、貫通溝の側面にプローブを接合することができるため、プローブと基板との接合強度を向上させることができる。また、導電性の犠牲層から貫通溝内にプローブを析出させることにより、ボイドの発生を防止でき、析出時間の制御によりプローブの膜厚を制御することができる。
【０００８】
（２）前記プローブユニットの製造方法は、前記プローブを形成する段階の後に、前記基板の部分エッチングにより前記基板の縁部から前記プローブを突出させる段階をさらに含んでもよい。
基板の縁部からプローブを突出させることにより、検査対象の電極とプローブとの接触圧が低いプローブユニットを製造することができる。
【０００９】
（３）前記プローブユニットの製造方法は、前記プローブを形成する段階の後に、前記基板の第二面のエッチングにより前記基板の第二面から前記プローブを突出させる段階をさらに含んでもよい。
基板の表面からプローブを突出させることにより、基板の縁部からプローブが突出しているプローブユニットに比べて検査対象の電極とプローブとの接触圧が高いプローブユニットを製造することができる。
【００１０】
（４）前記基板は無機材からなってもよい。
基板を無機絶縁体で製造することにより、有機材からなる基板にプローブが支持されたプローブユニットに比べて検査対象の電極とプローブとの接触圧が高いプローブユニットを製造することができる。
【００１１】
（５）前記プローブユニットの製造方法は、前記犠牲層を形成する段階の前に、前記基板の前記第一面に曲面を形成する段階をさらに含んでもよい。前記犠牲層を形成する段階では、前記曲面上に犠牲層を形成してもよい。前記貫通溝を形成する段階では、前記曲面に到る前記貫通溝を形成してもよい。
平坦な基板の第二面の上には、寸法精度が高いマスクを形成することができる。そのマスクを用いて犠牲層の曲面上にプローブを形成することにより、基板の垂線方向に曲がったプローブを高い寸法精度で形成することができる。
【００１２】
（６）前記曲面を形成する段階では、前記基板の前記第一面に凸形状の前記曲面を形成してもよい。
【００１３】
（７）前記プローブユニットの製造方法は、前記曲面を形成する段階の前に、前記基板の前記第一面の上に酸化膜を形成する段階と、前記酸化膜の上に耐酸化マスクを形成する段階と、選択酸化により前記耐酸化マスクの下部中央から外に向かって前記酸化膜の膜厚を増大させる段階と、前記マスクを除去する段階と、をさらに含んでもよい。前記曲面を形成する段階では、前記酸化膜に対する前記基板の選択比が高いエッチングで前記基板及び前記酸化膜を除去することにより前記基板の前記第一面に凹部を形成してもよい。
選択酸化により、耐酸化マスク下部の中央から外に向かって膜厚が増大する酸化膜を形成することができる。酸化膜に対して基板の選択比が高いエッチングを酸化膜に施すと、酸化膜の薄い部位の下では基板が深く除去され、酸化膜の厚い部位の下では基板が浅く除去される。このとき、基板の除去深さの偏差は酸化膜の膜厚の偏差が増幅された値になる。したがって、基板のエッチングにより得られる凹部を深く形成することができる。また選択酸化の結果として得られる酸化膜の膜厚分布は緩やかに変化するため、基板のエッチングにより得られる凹部の表面も屈曲部位のない湾曲面になる。屈曲部位がなく高低差が大きい湾曲面上にプローブを形成すると、屈曲部位なく大きく湾曲したプローブを形成することができる。
【００１４】
（８）上記目的を達成するためのプローブユニットは、スリットを有する絶縁体又は半導体の無機材料からなる基板と、前記スリット内に析出した複数のプローブと、を備える。
基板を無機材料で構成すると、樹脂材料からなる基板に比べて熱膨張係数が小さく、湿度による寸法変化が小さく、しかも基板の剛性を向上させることができるため、プローブと検体の電極との接触圧を高く設定することができる。基板のスリットにプローブを析出させることにより、基板とプローブとの接合高度を向上させることができる。絶縁体又は半導体からなる基板にプローブを接合することにより、互いに絶縁された複数のプローブを基板に接合することができる。
【００１５】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、複数の実施例に基づいて本発明の実施の形態を説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
（第一実施例）
図１から図３は、本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
本実施例の製造方法では、はじめに図１（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、平坦な第一基板１０の第一面１０ａの上に所定のパターンを有するレジスト膜３０をリソグラフィで形成する。具体的には例えば第一基板１０として厚さ２ｍｍのガラス基板を用い、そのガラス基板の第一面上にポジレジストを６０μｍの厚さで塗布してプリベークする。その後、ポジレジストをマスクを用いてアライナ又はステッパ等で露光してから、現像することにより、ポジレジストを所定のパターンにパターニングする。第一基板１０には石英、ＳｉＮｘ、サイアロン、アルミナ、ＡｌＮｘ、サファイヤ、結晶化ガラス、樹脂等の絶縁物や、Ｓｉ等の半導体や、ＳＵＳ、Ａｌ等の金属を用いてもよい。
【００１７】
次に図１（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、レジスト膜３０をベークしてリフローさせることにより、レジスト膜３０の膜厚を中央から外に向かって漸次減少させる。具体的には例えばレジスト膜３０を１３０℃で３０分ベークする。尚、後のエッチング工程でのレジスト膜３０の変質を防止するために、レジスト膜３０に対して２２０℃で３０分ハードベークを行ってもよいし、ＤｅｅｐＵＶＣｕｒｅを行ってもよい。ＤｅｅｐＵＶＣｕｒｅとは、レジストを加熱しつつ、短波長の光を含んだ紫外光を照射するキュア方法である。
【００１８】
次に図１（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、反応性イオンエッチングで第一基板１０の第一面１０ａをエッチングすることにより、第一基板１０の第一面１０ａに凸形状の曲面１１を形成する。具体的には例えばＣＦ4及びＯ2を用いた反応性イオンエッチングを行う。この場合、Ｏ2流量を制御することによりレジスト膜３０に対して選択比約１で第一基板１０をエッチングすると、レジスト膜３０の表面形状と略同じ曲面１１を得ることができる。尚、図１（Ａ１）、（Ｂ１）から図１（Ａ３）、（Ｂ３）に示す工程に代えて、切削加工、サンドブラスト等の機械加工で第一基板１０の第一面１０ａに凸形状の曲面１１を形成してもよい。第一基板１０として厚さ２ｍｍのガラス基板を用いた場合、ガラス基板の第一面に高さ５０μｍ以上１００μｍ以下程度の凸形状の曲面を機械加工で形成することができる。
【００１９】
次に図１（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、第一基板１０の第一面１０ａ上に犠牲膜下地層３２をスパッタ、蒸着、ＣＶＤ等で形成する。犠牲膜下地層３２は複層とする。例えば、第一基板１０とその上に形成される犠牲膜の下地膜とを密着させるための膜厚０．０２μｍのＣｒ層と、犠牲膜の下地膜としての膜厚０．１μｍのＣｕ層との複層とすることができる。これにより、犠牲膜形成に必要な下地膜を、第一基板１０と確実に密着させることができる。なお、第一基板１０の材質によっては、この第一基板１０と下地膜とを密着させるための層は省略してもよい。
【００２０】
次に図１（Ａ５）、（Ｂ５）に示すように、犠牲膜下地層３２上に犠牲膜３４をめっきで形成する。犠牲膜３４には例えばＣｕや、Ｓｎ、はんだ等の低融点金属や、導電性樹脂を用いる。また電解めっき、無電解めっき、スパッタ等で犠牲膜３４を形成する。本実施例では、犠牲膜下地層３２及び犠牲膜３４が請求項に記載の犠牲層に相当する。
【００２１】
次に図２（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、犠牲膜３４の表面を研磨及び研削することにより平坦化する。
次に図２（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、第一基板１０の第一面１０ａの裏面に相当する第二面１０ｂの上にレジスト３５を塗布し、ベークしてレジスト３５中の溶剤を蒸発させる。レジスト３５は例えば膜厚１００μｍで塗布する。
【００２２】
次に図２（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、レジスト３５を露光及び現像してパターニングすることにより、第一基板１０の曲面１１の真上に少なくとも一部が位置するスリット３８を有するレジスト膜３６を形成する。具体的には、レジスト３５を所定のパターンを有するマスクを用いてステッパー又はアライナーで露光した後、現像及びリンスを行うことにより、パターニングする。例えば、幅２５μｍの線状のレジストが幅２５μｍのスリット３８を間に置いて複数配列されているパターンを有するレジスト膜３６を形成する。尚、レジスト３５と第一基板１０との間に有機反射防止膜や、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、アモルファスＳｉ等の無機反射防止膜を形成してもよい。その場合、レジスト３５の現像後に反応性イオンエッチングで反射防止膜を除去する。また、レジスト３５の露光は、マスクを用いずに電子ビーム露光装置やレーザー直接描画装置で行ってもよい。電子ビーム露光装置やレーザー直接描画装置による露光方法は、高価なマスクを用いないため、製造コストを低減することができる。
【００２３】
次に図２（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、レジスト膜３６をマスクとして第一基板１０をＤｅｅｐＲＩＥ等で異方的にエッチングすることにより、第一基板１０のスリット３８の直下に犠牲膜下地層３２を露出させる貫通溝１２を形成する。スリット３８の少なくとも一部が第一基板１０の曲面１１の真上に位置しているため、スリット３８の直下に形成された貫通溝１２は曲面１１に到り、犠牲膜下地層３２の曲面１１の直下にある凹形状の曲面３３を露出させる。
【００２４】
次に図２（Ａ５）、（Ｂ５）に示すように、レジスト膜３６を除去し、貫通溝１２内の犠牲膜下地層３２上に電解めっきでプローブ２０を形成する。プローブ２０は犠牲膜下地層３２から析出するため、プローブ２０の膜厚は析出時間により制御することができる。したがって、めっき処理後の研削加工によりプローブ２０の膜厚を調節する処理が不要である。また、貫通溝１２の側面から析出させる場合、プローブ２０にボイドが発生しやすいが、犠牲膜下地層３２から析出するプローブ２０にはボイドが発生することはない。レジスト膜３６の除去にはＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）やアセトン等を用いてもよいし、Ｏ2プラズマやアミン系有機剥離液を用いてもよい。プローブ２０には例えばＮｉを用い、Ｎｉを膜厚２０μｍでめっきする。
【００２５】
次に図３（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、第一基板１０を除去する。例えばＤｅｅｐＲＩＥを用いることができる。または、ウェットエッチングもしくは等方的プラズマエッチングを用いて、選択的エッチングをしてもよい。
次に図３（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、犠牲膜下地層３２の平坦面上に形成されたプローブ２０の一端の表面を第二基板１４を貫通する電極１６に接合する。具体的には接合材１９を用いて加熱及び加圧によって接合する。尚、第二基板１４のプローブ２０と反対側の表面の上には電極１６と接続される引き出し配線１８を予め形成しておく。電極１６と引き出し配線１８とを一体的に形成してもよい。
次に図３（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、プローブ２０を犠牲膜下地層３２から剥離させる。犠牲膜下地層３２の密着層がＣｒであるときは、Ｎｉめっきからなるプローブ２０との密着性が悪いため、プローブ２０を犠牲膜下地層３２から容易に剥離することができる。
以上がプローブユニットの製造方法である。
【００２６】
次に、上述の製造方法で製造されるプローブユニットについて説明する。
図３（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、本実施例によるプローブユニット１では、湾曲部２２を有するプローブ２０が第二基板１４の電極１６に接合されている。第一基板１０の凸形状の曲面１１上に犠牲膜下地層３２を形成し、犠牲膜下地層３２の曲面１１に対応した凹形状の曲面３３の上にプローブ２０を形成するため、プローブ２０の湾曲部２２は曲面３３の凹形状に対応して湾曲している。また、犠牲膜下地層３２の曲面３３の外側に形成されたプローブ２０の一端の表面に第二基板１４を接合するため、プローブ２０の曲面３３の上に形成された湾曲部２２は第二基板１４から離間し、検査対象である電子デバイスの電極に接触することができる。またプローブ２０は、第二基板１４を貫通する電極１６を介して、第二基板１４のプローブ２０と反対側の表面上に形成された引き出し配線１８と接続される。引き出し配線１８は電子デバイスを検査するための信号を入出力するための外部電極（図示せず）に接続される。
【００２７】
本実施例によると、プローブ２０の湾曲部２２を形成するための曲面が形成される第一基板の第一面の裏面に相当する平坦な第二面上にレジスト膜３６を形成することにより、湾曲部２２の鋳型（貫通溝）を形成するための、位置精度及び寸法精度の高いレジスト膜３６を形成することができる。そのレジスト膜３６をマスクとして用いて第一基板の曲面に到る貫通溝１２を形成し、犠牲膜下地層の曲面の上にプローブを形成することができるため、湾曲部を有するプローブを高い位置精度及び寸法精度で形成することができる。
【００２８】
さらに、貫通溝１２の形成に異方性及び選択性に優れたＤｅｅｐＲＩＥを用いることにより、高い寸法精度で形成されたレジスト膜３６のスリットの直下に正確に貫通溝１２を形成することができる。その貫通溝内にプローブを形成すると、より高い寸法精度でプローブを形成することができる。また、貫通溝内にプローブを析出させることにより、プローブ２０と第一基板１０との接合強度を高めることができる。
【００２９】
また本実施例によると、犠牲膜下地層の曲面の外側に形成されたプローブの一端を第二基板に接合することにより、プローブの湾曲部が第二基板から離間しているプローブユニットを製造することができる。また、第一基板３２の曲面１１の高低差を大きくすることにより、プローブの湾曲部を電子デバイスの電極に接触させてからプローブと電極とを導通させるまでのプローブユニットの変位量（オーバードライブ量）を大きくすることができる。
【００３０】
また本実施例によると、プローブの一端を第二基板を貫通する電極に接合し、その電極を第二基板のプローブと反対側の表面上に形成された引き出し配線に接続する。従って、引き出し配線と第二基板を貫通する電極とを通じてプローブと外部電極との接続が容易なプローブユニットを製造することができる。
【００３１】
（第二実施例）
図４は、本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
本実施例の製造方法では、はじめに図１（Ａ１）、（Ｂ１）から図１（Ａ３）、（Ｂ３）に示す工程を行う。具体的には例えば第一基板１０として厚さ２ｍｍのガラス基板を用い、切削加工、サンドブラスト、フッ酸によるエッチング等でガラス基板の第一面に高さ１００μｍの凸形状の曲面を形成する。
【００３２】
次に図４（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、第一基板１０の第一面１０ａ上にプローブ下地層４０を形成した後、図１（Ａ５）、（Ｂ５）及び図２（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じてプローブ下地層４０上に表面が平坦化された犠牲膜３４を形成する。プローブ下地層４０はスパッタで形成された複層とする。例えば、第一基板１０と犠牲膜３４の下地膜とを密着させるための膜厚０．０２μｍのＴｉ層と、犠牲膜の下地膜としての膜厚０．１μｍのＮｉ層との複層とすることができる。これにより、犠牲膜形成に必要な下地膜を、第一基板１０と確実に密着させることができる。なお、第一基板１０の材質によっては、この第一基板１０と下地膜とを密着させるための層は省略してもよい。なお、プローブ下地層４０にはＮｉ、Ｎｉ合金、Ｃｒ等の金属を用いてもよい。
【００３３】
次に図４（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、図２（Ａ２）、（Ｂ２）から図２（Ａ５）、（Ｂ５）に示す工程に準じて、第一基板１０に貫通溝１２を形成してから貫通溝１２内のプローブ下地層４０の上にプローブ本体２０を形成する。プローブ本体２０にはＮｉ、Ｎｉ合金等を用いる。
次に図４（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、図３（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じて、第一基板１０を異方性エッチング等で除去する。例えばＤｅｅｐＲＩＥを用いることができる。または、ウェットエッチングもしくは等方的プラズマエッチングを用いて、選択的エッチングをしてもよい。
【００３４】
次に図４（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、プローブ下地層４０の露出部位を除去する。具体的には例えばＡｒイオンを用いたイオンミリング、ウェットエッチング等で除去する。
次に図４（Ａ５）、（Ｂ５）に示すように、図３（Ａ２）、（Ｂ２）に示す工程に準じて、プローブ本体２０を第二基板１４の電極１６に接合する。
次に図４（Ａ６）、（Ｂ６）に示すように、犠牲膜３４を選択的に除去すると、プローブユニット２が完成する。プローブユニット２のプローブ２４はプローブ本体２０及びプローブ下地層４０からなる。
【００３５】
（第三実施例）
図５から図７は、本発明の第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す図である。
本実施例の製造方法では、はじめに図５（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、平坦な基板５０の第一面５０ａ上に犠牲膜下地層５４を形成する。基板５０には例えばガラス、セラミックス等の無機材からなる厚い基板を用いる。犠牲膜下地層５４には複層を用いてもよい。例えば基板５０とその上に形成される犠牲膜とを密着させるための膜厚０．０２μｍのＣｒ層と、犠牲膜の下地としての膜厚０．１μｍのＣｕ層とからなる複層で犠牲膜下地層５４を形成する。またスパッタ、蒸着、ＣＶＤ等で犠牲膜下地層５４を形成する。
【００３６】
次に図５（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、犠牲膜下地層５４上に犠牲膜５６をめっきで形成する。犠牲膜５６には例えばＣｕや、Ｓｎ、はんだ等の低融点金属や、導電性樹脂を用いる。また電解めっき、無電解めっき、スパッタ等で犠牲膜５６を形成する。本実施例では、犠牲膜下地層５４及び犠牲膜５６が請求項に記載の犠牲層に相当する。
【００３７】
次に図５（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、基板５０の第一面５０ａの裏面に相当する第二面５０ｂ上に所定の部位にスリット６０を有するレジスト膜５８をリソグラフィで形成する。具体的にはまず、基板５０の第二面５０ｂ上にレジストを塗布し、ベークによってレジスト中の溶剤を蒸発させる。レジストは例えば膜厚１００μｍで塗布する。次に、所定のパターンを有するマスクを用いてレジストをステッパー又はアライナーで露光した後、現像及びリンスを行うことにより、レジストをパターニングする。例えば、幅２５μｍの線状のレジストが幅２５μｍのスリット６０を間に置いて複数配列されているレジスト膜５８を形成する。尚、レジストの露光は、マスクを用いずに電子ビーム露光装置やレーザー直接描画装置で行ってもよい。
【００３８】
次に図５（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、レジスト膜５８をマスクとして基板５０を異方的にエッチングすることにより、基板５０に犠牲膜下地層５４を露出させる貫通溝５２を形成する。その後、レジスト膜５８を除去する。レジスト膜５８の除去にはＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）やアセトン等を用いてもよいし、Ｏ2プラズマやアミン系有機剥離液を用いてもよい。
【００３９】
次に図５（Ａ５）、（Ｂ５）に示すように、貫通溝５２内の犠牲膜下地層５４の上に電解めっきでプローブ６２を形成する。プローブ６２には例えばＮｉを用い、Ｎｉを膜厚２０μｍでめっきする。
次に図６（Ａ１）〜（Ｃ１）に示すように、プローブ６２の一側とその周辺の基板５０とを覆うレジスト膜６４をリソグラフィで形成する。具体的には例えば基板５０上にレジストを膜厚５０μｍ以上２００μｍ以下で塗布してから、マスクを用いてステッパー又はアライナーで露光し、現像及びリンスを行うことにより、レジストをパターニングする。
【００４０】
次に図６（Ａ２）〜（Ｃ２）に示すように、レジスト膜６４をマスクとして基板５０を異方的にエッチングすることにより、基板の完成形５１を形成し、プローブ６２のレジスト膜６４で覆われていない部位を基板の完成形５１の縁部５３から突出させる。
次に図７に示すように、レジスト膜６４、犠牲膜下地層５４及び犠牲膜５６を選択的にエッチングで除去する。
以上がプローブユニットの製造方法である。
【００４１】
次に、上述の製造方法で製造されるプローブユニットについて説明する。
図７に示すように、本実施例によるプローブユニット３では、櫛歯状の基板５１の複数のスリット５２ａに複数のプローブ６２が一対一に嵌合している。スリット５２ａは、基板５０に形成される貫通溝５２の一部に相当する（図５（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。スリット５２ａが基板５１を貫通しているため、スリット５２ａに嵌合しているプローブ６２は基板５１の両面に露出している。また、基板５０の第一面５０ａ上に犠牲膜下地層５４を形成した後、基板５０の貫通溝５２内の犠牲膜下地層５４の上にプローブ６２を形成するため（図５参照）、プローブ６２はスリット５２ａの内壁に密着している。また、プローブ６２の一側とその周辺の基板５０とを覆うレジスト膜６４をマスクとして基板５０をエッチングすることで基板の完成形５１を得るため（図６（Ａ２）〜（Ｃ２）参照）、プローブ６２の一側がスリット５２ａに嵌合し、もう一側が基板（の完成形）５１の縁部５３から突出している。
【００４２】
本実施例によると、基板のスリットの内壁にプローブを密着させることができるため、プローブを基板から剥がれにくくすることができる。またプローブを基板のスリット内に形成することにより、プローブを基板で保護することができる。従って、プローブユニットの耐久性を向上させることができる。
また本実施例によると、基板の両面にプローブが露出するため、検査対象である電子デバイスの電極とプローブとの位置合わせや、プローブと外部電極との接続が容易なプローブユニットを製造することができる。
【００４３】
また本実施例によると、基板の縁部からプローブを突出させることにより、基板の縁部からプローブが突出していないプローブユニットに比べて電子デバイスの電極とプローブとの接触圧が低いプローブユニットを製造することができる。
また本実施例によると、ガラス、セラミックス等の無機材からなる厚い基板を用いることができるため、有機材からなる基板を有するプローブユニットに比べて熱膨張係数が小さく、湿度による寸法変化が小さく、しかも剛性の高いプローブユニットを製造することができる。このプローブユニットによれば、電子デバイスの電極とプローブとを高い接触圧で正確に接触させることができる。
【００４４】
（第四実施例）
図８は、本発明の第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す図である。
本実施例の製造方法では、はじめに図５（Ａ１）、（Ｂ１）から図５（Ａ４）、（Ｂ４）に示す工程を行う。
次に図８（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、基板５０の貫通溝５２内の犠牲膜下地層５４の上にプローブ６６を電解めっきで形成する。プローブ６６には例えばＮｉ−Ｆｅ合金を用い、Ｎｉ−Ｆｅ合金を膜厚８０μｍでめっきする。
【００４５】
次に図８（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、基板５０の第二面５０ｂを異方的にエッチングすることにより基板５０を薄くし、プローブ６６を基板５０の第二面５０ｂから突出させる。
次に図８（Ａ３）〜（Ｃ３）に示すように、犠牲膜下地層５４及び犠牲膜５６を選択的にエッチングで除去する。
以上がプローブユニットの製造方法である。
【００４６】
次に、上述の製造方法で製造されるプローブユニットについて説明する。
図８（Ａ３）〜（Ｃ３）に示すように、本実施例によるプローブユニット４では、プローブ６６が基板５０の第二面５０ｂから突出するように基板５０のスリット５２に嵌合している。本実施例でスリット５２は基板５０の貫通溝に相当する。貫通溝５２内の犠牲膜下地層５４の上にプローブ６６を形成した後、基板５０の第二面５０ｂをエッチングすることにより（図８（Ａ１）、（Ｂ１）、（Ａ２）、（Ｂ２）参照）、プローブ６６を基板５０の第二面５０ｂから突出させることができる。
【００４７】
本実施例によると、プローブを基板の第二面から突出させることにより、基板の縁部からプローブが突出しているプローブユニットに比べて検査対象である電子デバイスの電極とプローブとの接触圧が高いプローブユニットを製造することができる。
【００４８】
（第五実施例）
図９から図１３は、本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す図である。
本実施例の製造方法では、はじめに図１（Ａ１）、（Ｂ１）から図２（Ａ５）、（Ｂ５）に示す工程を行う。
次に図９（Ａ１）〜（Ｃ１）に示すように、基板１０及びプローブ２０の犠牲膜下地層３２の曲面３３の真上に位置する部位を覆うレジスト膜４２をリソグラフィで形成する。具体的には例えば基板１０上にレジストを膜厚５０μｍ以上２００μｍ以下で塗布してから、マスクを用いてステッパー又はアライナーで露光し、現像及びリンスを行うことにより、レジストをパターニングする。
【００４９】
次に図９（Ａ２）〜（Ｃ２）に示すように、基板１０の貫通溝１２の内壁とレジスト膜４２の側壁とで形成される開口部４４の内部のプローブ２０の上に電極２６を形成する。電極２６には例えばＮｉを用い、Ｎｉを電解めっきで膜厚１００μｍ程度にめっきする。開口部４４から溢れるまで電極２６をめっきしてもよいし、開口部４４を一部埋める程度に電極２６をめっきしてもよい。
【００５０】
次に図１０（Ａ１）〜（Ｃ１）に示すように、基板１０の第二面１０ｂ側からワークの表面を研磨及び研削することにより平坦化する。
次に図１０（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、レジスト膜４２を除去する。レジスト膜４２は、ＮＭＰやアセトン等で除去してもよいし、Ｏ2プラズマやアミン系有機剥離液で除去してもよい。
【００５１】
次に図１１（Ａ１）〜（Ｃ１）に示すように、基板１０の外縁部と電極２６の一部とを覆うレジスト膜４６を基板１０の第二面１０ｂ上にリソグラフィで形成する。具体的には例えば基板１０上にレジストを塗布してから、マスクを用いてステッパー又はアライナーで露光し、現像及びリンスすることにより、レジストをパターニングする。
【００５２】
次に図１１（Ａ２）〜（Ｃ２）に示すように、レジスト膜４６をマスクとして基板１０を異方的にエッチングすることにより、基板の内周縁１３を形成し、プローブ２０の湾曲部２２側の部位と電極２６の一部とを基板の内周縁１３から突出させる。
次に図１２（Ａ１）〜（Ｃ１）に示すように、レジスト膜４６を除去する。レジスト膜４６は、ＮＭＰやアセトン等で除去してもよいし、Ｏ2プラズマやアミン系有機剥離液で除去してもよい。
【００５３】
次に図１２（Ａ２）〜（Ｃ２）に示すように、基板１０、犠牲膜下地層３２及び犠牲膜３４を切断して基板１０の不要な外縁部を除去することにより、所定の大きさ及び形状の基板の完成形１５を形成する。具体的には例えばダイサー、レーザー、ルーター等を用いて切断を行う。尚、リソグラフィ及びエッチングで基板１０の不要な外縁部を除去することにより、基板の完成形１５を形成してもよい。
次に図１３に示すように、犠牲膜下地層３２及び犠牲膜３４を選択的にエッチングで除去する。
以上がプローブユニットの製造方法である。
【００５４】
次に、上述の製造方法で製造されるプローブユニットについて説明する。
図１３に示すように、本実施例によるプローブユニット５では、輪状の基板１５の内周縁部に複数のスリット１２ａが形成され、プローブ２０の一端と電極２６とがスリット１２ａに嵌合し、プローブ２０のもう一端が基板の内周縁１３から内側に突出している。スリット１２ａは、基板１０に形成される貫通溝１２の一部に相当する（図２（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。また上述の製造方法では、基板１０の第一面１０ａの凸形状の曲面１１上に犠牲膜下地層３２を形成した後、犠牲膜下地層３２の凹形状の曲面３３の上にプローブ２０を形成する（図１（Ａ４）、（Ｂ４）から図２（Ａ５）、（Ｂ５）参照）。そのため、プローブ２０の曲面３３上に形成された湾曲部２２は基板（の完成形）１５から離間している。さらに上述の製造方法では、プローブ２０の湾曲部２２と反対側の一端の上に基板１０の第二面１０ｂに到る電極２６を形成した後、電極２６を横切るように基板の内周縁１３を形成する（図９から図１１参照）。そのため、プローブ２０及び電極２６で埋められたスリット１２ａが基板１５に形成され、プローブ２０の湾曲部２２側が基板の内周縁１３から内側に突出する。
【００５５】
尚、上述の製造方法で、図２（Ａ３）、（Ｂ３）に示す工程と、図９（Ａ１）〜（Ｃ１）に示す工程とでそれぞれ用いられるマスクのパターンを変更することにより、プローブ及び電極のパターンを変更してもよい。例えば図１４に示すように、一つおきにプローブ２０の長さを変え、電極２６をプローブ２０の配列方向に対して並列しないように千鳥状に配置してもよい。プローブ２０及び電極２６の形成後、図１２（Ａ２）〜（Ｃ２）及び図１３に示す工程に準じて、基板の完成形１５を形成し犠牲膜下地層３２及び犠牲膜３４を除去すると、図１５に示すように、電極２６が千鳥状に配置されたプローブユニット５ａが完成する。
【００５６】
本実施例によると、プローブ及び電極で埋められたスリットを基板に形成することができるため、スリットの内壁全体にプローブ及び電極を一体的に密着させることができる。従って、プローブをより剥がれにくくすることができ、プローブユニットの耐久性をさらに向上させることができる。
また本実施例によると、基板の第二面に露出する電極をプローブ上に直に形成するため、電極を介してプローブと外部電極との接続が容易なプローブユニットを製造することができる。
【００５７】
（第六実施例）
図１６から図２０は、本発明の第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す図である。
本実施例の製造方法では、はじめに図１６（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、基板７０の第一面７０ａ上に酸化膜７２を成長させ、酸化膜７２上に耐酸化マスク８０を成長させる。具体的には例えば基板７０として厚さ０．６２５ｍｍのＳｉ基板を用い、Ｓｉ基板上に酸化膜７２としてＳｉＯx膜を熱酸化により３００Å成長させる。さらにＳｉＯx膜上に耐酸化マスク８０としてＳｉＮx膜を減圧ＣＶＤ法で１４００Å成長させる。
【００５８】
次に図１６（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、耐酸化マスク８０上にレジストを塗布して露光及び現像を行うことにより、所定のパターンを有するレジスト膜８２を耐酸化マスク８０上に形成する。具体的には例えば耐酸化マスク８０上にポジレジストを塗布してプリベークしてから、ポジレジストをマスクを用いてステッパ、アライナ等で露光した後、現像する。
【００５９】
次に図１６（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、レジスト膜８２をマスクとして耐酸化マスク８０をエッチングした後、酸素プラズマを用いたアッシング、またはレジスト剥離液によりレジスト膜８２を除去する。耐酸化マスク８０がＳｉＮx膜からなる場合、例えばＣＨＦ3ガス、ＣＯ2ガス及びＡｒガスを用いた反応性イオンエッチングを行う。
【００６０】
次に図１６（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、耐酸化マスク８０が形成された基板７０を選択的に酸化することにより、耐酸化マスク８０下部の中央から外側に向かって酸化膜７２の膜厚を緩やかに増大させる。基板７０がＳｉ基板である場合、ＬＯＣＯＳ（LOCal Oxidation of Silicon）プロセスを用いる。即ち耐酸化マスク８０をマスクとしてＳｉ基板を加湿酸化により１μｍ程度選択酸化する。加湿酸化は、炉内温度８５０℃の縦型拡散炉でＨ2ガス０．０３ｍ3／ｍｉｎ及びＯ2ガス０．０２ｍ3／ｍｉｎを供給して行う。
【００６１】
次に図１６（Ａ５）、（Ｂ５）に示すように、耐酸化マスク８０を除去する。耐酸化マスク８０がＳｉＮx膜である場合、例えば１５０℃の燐酸でＳｉＮx膜をエッチングする。
次に図１６（Ａ６）、（Ｂ６）に示すように、酸化膜７２の最も薄い部位が完全に除去される程度に酸化膜７２の表面を薄く除去する。酸化膜７２がＳｉＯx膜である場合、例えば緩衝フッ酸でＳｉＯx膜を等方的に５００Å程度エッチングする。尚、本工程は省略してもよい。
【００６２】
次に図１６（Ａ７）、（Ｂ７）に示すように、酸化膜７２をマスクとして、酸化膜７２に対する選択比が高い異方性エッチングで基板７０をエッチングすることにより、基板７０の第一面７０ａの一部と、酸化膜７２のエッチング表面とで構成される凹部７４を形成する。
【００６３】
本工程では、膜厚に偏りがある酸化膜７２が表面上に形成された基板７０をエッチングするため、基板７０は酸化膜７２の薄い部位下で深くエッチングされ、酸化膜７２の厚い部位下で浅くエッチングされる。このとき、基板７０の酸化膜７２に対する選択比が高いため、基板７０のエッチング量の偏差は酸化膜７２の膜厚の偏差を増幅させた値となり、高低差が大きい凹部７４を形成することができる。また選択酸化により酸化膜７２の膜厚分布は緩やかに変化するため、基板７０のエッチング量分布も緩やかとなり、凹部７４の表面３２は屈曲部位がない緩やかな湾曲面となる。凹部７４の湾曲面７６は、図示したように凹部７４の底側に凹面を有し凹部７４の縁側に凸面を有する波面形状であってもよいし、他の形状であってもよい。
【００６４】
次に図１７（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、凹部７４上と、凹部７４の外側の酸化膜７２上とに犠牲膜下地層８４を成長させる。犠牲膜下地層８４には例えばＮｉを用い、Ｎｉをスパッタ、蒸着、ＣＶＤ等により膜厚０．１μｍに成長させる。
次に図１７（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、犠牲膜下地層８４上に犠牲膜８６を電解めっき等で形成した後、犠牲膜８６の表面を研磨及び研削することにより平坦化する。犠牲膜８６には例えばＣｕを用いる。
【００６５】
次に図１７（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、基板７０の第一面７０ａの裏面に相当する第二面７０ｂ上に、凹部７４の真上に少なくとも一部が位置するスリット９０を有するレジスト膜８８をリソグラフィで形成する。具体的にはまず基板７０の第二面７０ｂ上にレジストを塗布してから、所定のパターンを有するマスクを用いてステッパー又はアライナーで露光し、現像及びリンスを行うことにより、レジストをパターニングする。レジストは例えば膜厚１００μｍで塗布する。また例えば、幅２５μｍの線状のレジストが幅２５μｍのスリット９０を間に置いて複数配列されているパターンを有するレジスト膜８０を形成する。尚、レジストの露光は、マスクを用いずに電子ビーム露光装置やレーザー直接描画装置で行ってもよい。
【００６６】
次に図１７（Ａ４）、（Ｂ４）に示すように、レジスト膜８８をマスクとして基板７０及び酸化膜７２を異方的にエッチングすることにより、基板７０及び酸化膜７２のスリット９０の直下に、犠牲膜下地層８４を露出させる貫通溝７８を形成する。スリット９０の少なくとも一部が凹部７４の真上に位置しているため、スリット９０の直下に形成された貫通溝７８は凹部７４の湾曲面７６に到り、犠牲膜下地層８４の湾曲面７６の直下にある凸形状の曲面８５を露出させる。
【００６７】
次に図１７（Ａ５）、（Ｂ５）に示すように、貫通溝７８内の犠牲膜下地層８４の上に電解めっきでプローブ９２を形成する。プローブ９２には例えばＮｉを用い、Ｎｉを膜厚２０μｍでめっきする。Ｎｉ以外に、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｗ等のＮｉ合金を用いてもよい。
【００６８】
次に図１８（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、犠牲膜下地層８４の曲面８５の頂部の真上にレジスト膜８８とともに開口部９６を形成するレジスト膜９４を形成する。具体的には基板７０上にレジストを膜厚１００μｍ以上２００μｍ以下程度に塗布してから、マスクを用いてステッパー又はアライナーで露光し、現像及びリンスを行うことにより、レジストをパターニングする。
【００６９】
次に図１８（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、レジスト膜８８、９４で形成された開口部９６内のプローブ９２の上に電解めっきで突出部９３を形成する。このとき、突出部９３の表面が基板７０の第二面７０ｂより高くなるようにめっき厚を調整する。突出部９３には例えばＮｉを用い、Ｎｉを膜厚５０μｍ以上１００μｍ以下程度にめっきする。Ｎｉ以外に、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｍｎ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｗ等のＮｉ合金を用いてもよい。
【００７０】
次に図１８（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、レジスト膜８８、９４を除去する。レジスト膜８８、９４の除去にはＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）やアセトン等を用いてもよいし、Ｏ2プラズマやアミン系有機剥離液を用いてもよい。
次に図１９（Ａ１）〜（Ｃ１）に示すように、基板７０の外縁部と、プローブ９２の突出部９３と反対側の一端とを覆うレジスト膜９８をリソグラフィで形成する。具体的には基板９８上にレジストを塗布してから、マスクを用いてステッパー又はアライナーで露光し、現像及びリンスすることにより、レジストをパターニングする。
【００７１】
次に図１９（Ａ２）〜（Ｃ２）に示すように、レジスト膜９８をマスクとして基板７０を異方的にエッチングすることにより、基板の完成形７１を形成し、プローブ９２のレジスト膜９８で覆われていない部位を基板の完成形の内周縁７３から突出させる。基板の完成形７１は基板７０及び酸化膜７２で構成される。
次に図２０に示すように、レジスト膜９８を除去した後、犠牲膜下地層８４及び犠牲膜８６を選択的にエッチングで除去する。
以上がプローブユニットの製造方法である。
【００７２】
次に、上述の製造方法で製造されるプローブユニットについて説明する。
図２０に示すように、本実施例によるプローブユニット６では、基板の完成形７１の内周縁部に形成されたスリット７８ａにプローブ９２の一端が嵌合し、基板の完成形の内周縁７３から内側にプローブ９２が突出し、プローブ９２の突出している先端に突出部９３が形成されている。また、凹部７４の凹面と凸面とが連続的に形成された湾曲面７６上に犠牲膜下地層８４を形成し、犠牲膜下地層８４の湾曲面７６の凹凸に対応した曲面８５の上にプローブ９２を形成するため（図１７参照）、プローブ９２は屈曲部位のない緩やかな波形状に湾曲している。さらに犠牲膜下地層８４の曲面８５が凸形状であるため（図１７参照）、プローブ９２は基板７０の第一面７０ａ側から第二面７０ｂ側に向かって湾曲している。突出部９３は、基板の完成形の内周縁７３から突出しているプローブ９２の一端の基板７０の第二面７０ｂ側に形成され、基板７０の第二面７０ｂから突出している。
【００７３】
図２１に示すように、プローブユニット６は、電子デバイス９の検査信号を入出力するためのプリント配線板７とインターポーザ８を介して接続される。プローブ９２の突出部９３と反対側の一端とインターポーザ８の電極１００とが接続される。また、プローブ９２の突出部９３が形成された面と反対側の裏面にインターポーザ８の電極１００が接続される。
【００７４】
電子デバイス９の導通検査を行うとき、はじめに突出部９３と電子デバイス９の電極１０２とを一対一に対応するように接触させ、さらに突出部９３を電極１０２に押し付けるようにプローブユニット６を電子デバイス９に近付け、突出部９３と電子デバイス９の電極１０２とを高い圧力で接触させる。その後、インターポーザ８を介してプリント配線板７からプローブユニット６に検査信号を入力する。入力された信号は、インターポーザ８の電極１００からプローブ９２に伝送され、プローブ９２に形成された突出部９３から電子デバイス９の電極１０２に入力される。
【００７５】
本実施例によると、選択酸化によって酸化膜の膜厚をマスクの下部中央から外側に向かって増大させた後、基板の第一面を酸化膜に対して高い選択比でエッチングすることにより、基板の第一面と酸化膜のエッチング表面とで形成される凹部を形成する。このとき、基板の第一面のエッチングに異方性及び選択性に優れたＤｅｅｐＲＩＥを用いると、基板のエッチング量の偏差を制御しながら増大できるため、目標形状に合致する深い凹部を形成することができる。深い凹部上に犠牲膜下地層を形成することにより、犠牲膜下地層に高い凸形状の曲面を形成することができる。その犠牲膜下地層の曲面の上にプローブを形成することにより、プローブの先端が基板の第一面から第二面側に大きく湾曲しているプローブユニットを製造することができる。このプローブの先端が基板の第二面から突出していなくても、基板の第二面から大きく突出する突出部をプローブの先端に形成することにより、突出部を電子デバイスの電極に接触させてからプローブと電極とを導通させるまでのプローブユニットの変位量（オーバードライブ量）を大きくすることができる。
【００７６】
また本実施例によると、屈曲部位のない緩やかな曲面上に表面処理プロセスでプローブを形成するため、屈曲部位のない湾曲したプローブを一体的に形成することができる。従って、プローブの上に形成された突出部を検査対象である電子デバイスの電極に押し付けた時に、プローブの特定の部位に応力が集中することを防止できるため、プローブの耐久性を向上させることができる。
【００７７】
また本実施例によると、基板の第一面側から第二面側に向かって湾曲しているプローブを形成するため、プローブの基板の内周縁から突出している部位を基板で取り囲み、基板で保護することができる。従って、プローブユニットの耐久性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図２】本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図３】本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図４】本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図５】本発明の第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図６】（Ａ１）、（Ａ２）は本発明の第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ１）、（Ｂ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｂ−ｂ線断面図、（Ｃ１）、（Ｃ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｃ−ｃ線断面図。
【図７】（Ａ）は本発明の第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のｃ−ｃ線断面図。
【図８】（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）は本発明の第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図、（Ａ３）はその平面図、（Ｂ３）は（Ａ３）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ３）は（Ａ３）のｃ−ｃ線断面図。
【図９】（Ａ１）、（Ａ２）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ１）、（Ｂ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｂ−ｂ線断面図、（Ｃ１）、（Ｃ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｃ−ｃ線断面図。
【図１０】（Ａ１）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ１）は（Ａ１）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ１）は（Ａ１）のｃ−ｃ線断面図、（Ａ２）、（Ｂ２）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図１１】（Ａ１）、（Ａ２）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ１）、（Ｂ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｂ−ｂ線断面図、（Ｃ１）、（Ｃ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｃ−ｃ線断面図。
【図１２】（Ａ１）、（Ａ２）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ１）、（Ｂ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｂ−ｂ線断面図、（Ｃ１）、（Ｃ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｃ−ｃ線断面図。
【図１３】（Ａ）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のｃ−ｃ線断面図。
【図１４】（Ａ）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のｃ−ｃ線断面図、（Ｄ）は（Ａ）のｄ−ｄ線断面図。
【図１５】（Ａ）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のｃ−ｃ線断面図、（Ｄ）は（Ａ）のｄ−ｄ線断面図。
【図１６】本発明の第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図１７】本発明の第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図１８】本発明の第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図。
【図１９】（Ａ１）、（Ａ２）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ１）、（Ｂ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｂ−ｂ線断面図、（Ｃ１）、（Ｃ２）は（Ａ１）、（Ａ２）の各ｃ−ｃ線断面図。
【図２０】（Ａ）は本発明の第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図、（Ｂ）は（Ａ）のｂ−ｂ線断面図、（Ｃ）は（Ａ）のｃ−ｃ線断面図、（Ｄ）は本発明の第六実施例によるプローブユニットの斜視図。
【図２１】本発明の第六実施例によるプローブユニットの使用状態を示す断面図。
【符号の説明】
【００７９】
１、２、３、４、５、５ａ、６  プローブユニット、１０  （第一）基板、１０ａ、５０ａ、７０ａ  第一面、１０ｂ、５０ｂ、７０ｂ  第二面、１１  曲面、１２、５２、７８  貫通溝、１２ａ、５２ａ、７８ａ  スリット、１３  基板の内周縁、１４  第二基板、１５、５１  基板（の完成形）、２０、２４、６２、６６、９２  プローブ、３２、５４、８４  犠牲膜下地層、３４、５６、８６  犠牲膜、３６、５８、８８  レジスト膜、３８、６０、９０  スリット、５０、７０  基板、５３  縁部、７１  基板の完成形、７２  酸化膜、７３  基板の完成形の内周縁、７４  凹部、８０  耐酸化マスク
【図１】
2006266896.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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