(57)【要約】  【課題】  アノード電圧を高くすることなく高輝度化を図ることができると共に、蛍光体層からの励起光に起因する画素間クロストークの発生を抑えて高解像度化を図ることのできる電界放出型画像表示装置を提供する。 【解決手段】 電界放出型画像表示装置1を、真空容器内に配置された電界放出型電子源2と、電界放出型電子源2と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、電界放出型電子源2との対向面に複数の凹所11を有すると共に、凹所11内に蛍光体層12が形成された蛍光体スクリーン3とにより構成する。電界放出型電子源2から放出される電子の衝突によって蛍光体層12を発光させて、画像を表示する。凹所11の内壁面を、底面側から開口面側に向かってテーパー状に広げると共に、隣接する凹所11を、発光波長の光に対して光吸収機能を有する材料からなるリブ構造体13によって仕切る。凹所11の底面と内壁面のほぼ全面にわたって蛍光体層12を形成する。【選択図】  図１
2006128083.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内に配置された電界放出型電子源と、
前記電界放出型電子源と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、前記電界放出型電子源との対向面に複数の凹所を有すると共に、前記凹所内に蛍光体層が形成された蛍光体スクリーンとを備え、
前記電界放出型電子源から放出される電子の衝突によって前記蛍光体層を発光させて、画像を表示する電界放出型画像表示装置であって、
前記凹所の内壁面が前記凹所の底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていると共に、隣接する前記凹所が、発光波長の光に対して光吸収機能を有する材料からなるリブ構造体によって仕切られており、かつ、
前記凹所の前記底面と前記内壁面のほぼ全面にわたって前記蛍光体層が形成されていることを特徴とする電界放出型画像表示装置。
【請求項２】
前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側近傍に配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備えた請求項１に記載の電界放出型画像表示装置。
【請求項３】
前記電子ビーム遮蔽板の少なくとも一方の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成された請求項２に記載の電界放出型画像表示装置。
【請求項４】
前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側の面に当接して配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備えた請求項１に記載の電界放出型画像表示装置。
【請求項５】
前記電子ビーム遮蔽板の前記電界放出型電子源側の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成された請求項４に記載の電界放出型画像表示装置。
【請求項６】
複数の前記凹所がマトリックス状又はライン状に配置された請求項１に記載の電界放出型画像表示装置。
【請求項７】
真空容器内に配置された電界放出型電子源と、
前記電界放出型電子源と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、前記電界放出型電子源との対向面に複数の凹所を有すると共に、前記凹所内に蛍光体層が形成された蛍光体スクリーンとを備え、
前記電界放出型電子源から放出される電子の衝突によって前記蛍光体層を発光させて、画像を表示する電界放出型画像表示装置であって、
前記凹所の内壁面が前記凹所の底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていると共に、前記凹所の前記底面と前記内壁面のほぼ全面にわたって前記蛍光体層が形成されており、
前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側近傍に配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備え、かつ、前記電子ビーム遮蔽板の少なくとも一方の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成されていることを特徴とする電界放出型画像表示装置。
【請求項８】
真空容器内に配置された電界放出型電子源と、
前記電界放出型電子源と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、前記電界放出型電子源との対向面に複数の凹所を有すると共に、前記凹所内に蛍光体層が形成された蛍光体スクリーンとを備え、
前記電界放出型電子源から放出される電子の衝突によって前記蛍光体層を発光させて、画像を表示する電界放出型画像表示装置であって、
前記凹所の内壁面が前記凹所の底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていると共に、前記凹所の前記底面と前記内壁面のほぼ全面にわたって前記蛍光体層が形成されており、
前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側の面に当接して配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備え、かつ、前記電子ビーム遮蔽板の前記電界放出型電子源側の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成されていることを特徴とする電界放出型画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界放出型電子源を利用した電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ：Field Emission Display）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、カラーテレビやパソコン等のディスプレイ（画像表示装置）としては、陰極線管（ＣＲＴ：Cathode Ray Tube）が主流であったが、近年、画像表示装置に小型、軽量、薄型化が求められるようになり、それに応じて、様々な薄型の画像表示装置の開発、製品化が進められている。
【０００３】
以上のような状況下において、最近、様々な薄型の画像表示装置の研究開発がなされており、その中でも、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイの開発が盛んである。液晶ディスプレイは、携帯型パソコン、携帯型テレビ、ビデオカメラ及びカーナビゲーション等の様々な製品に応用されており、プラズマディスプレイは、２０インチないし４０インチ級の大型ディスプレイ等の製品に応用されている。しかし、液晶ディスプレイは、視野角が狭く、応答性能が遅いという問題点を抱えており、プラズマディスプレイは、高輝度を得にくく、消費電力が大きい等の問題点を抱えている。
【０００４】
そこで、これらの問題を解消する薄型の画像表示装置として、常温で真空中に電子が放出される電界放出（Field Emission）という現象を利用した画像表示装置（以下「電界放出型画像表示装置」という）が注目されている。この電界放出型画像表示装置は、自発光タイプであるため、広い視野角及び高輝度を得ることが可能であり、また、基本原理（電子ビームを用いて蛍光体を発光させること）は従来の陰極線管と同様であるため、自然で色再現性の高い画像を表示することができる。
【０００５】
従来、この種の電界放出型画像表示装置としては、以下のような構成のものが知られている（例えば、特許文献１参照）。図７に、従来技術における電界放出型画像表示装置の構成を模式的に示す。
【０００６】
図７に示すように、従来の電界放出型画像表示装置２００は、真空容器内に配置された電界放出型電子源２０１と、電界放出型電子源２０１と対向して前記真空容器内に配置された蛍光体スクリーン２０２とを備えている。電界放出型電子源２０１は、カソード基板１０１と、カソード基板１０１上に薄膜状に形成されたカソード電極１０２と、カソード電極１０２上に形成された円錐状のエミッタ１０５と、同じくカソード電極１０２上にエミッタ１０５を囲むように形成された第１の絶縁層１０３と、第１の絶縁層１０３上に形成されたゲート電極１０４とにより構成されている。一方、蛍光体スクリーン２０２は、アノード基板１０６と、アノード基板１０６上に薄膜状に形成されたアノード電極１０７と、アノード電極１０７上に第１の絶縁層１０３と対向して形成された第２の絶縁層１０８と、第２の絶縁層１０８上に形成された遮蔽電極１０９と、アノード電極１０７上の遮蔽電極１０９及び第２の絶縁層１０８の開口部（凹所）に形成された蛍光体層１１０とにより構成されている。尚、図７においては、簡単のために、１つの表示画素に対応する構成のみを示している。また、図７においては、エミッタの数が１個の場合の構成を示しているが、通常は１画素当たり数百個程度の複数のエミッタからなるエミッタアレイとして構成される。ここで、遮蔽電極１０９は、エミッタアレイから放出される電子の軌道の広がりを抑制する収束機能を有している。
【０００７】
以上のような構成を有する電界放出型画像表示装置２００においては、ゲート電極１０４、アノード電極１０７、遮蔽電極１０９に所定の電圧（ゲート電圧、アノード電圧、遮蔽電圧）を印加することにより、エミッタ１０５から一定の広がり角をもって放出された電子が、アノード基板１０６の方向へ加速されながら遮蔽電極１０９によって収束されて、蛍光体層１１０に衝突する。これにより、蛍光体層１１０が発光して、画像が表示される。
【０００８】
上記のような構成を有する電界放出型画像表示装置を、１×１０4 ｃｄ／ｍ2 以上の高輝度特性が要求されるような用途に用いる場合には、アノード電圧を５ｋＶ以上に設定する必要がある。
【０００９】
しかし、上記構成の電界放出型画像表示装置の場合、アノード電圧が１ｋＶ以下の領域では遮蔽電極の電位を最適に設定することができるが、アノード電圧が５ｋＶ以上の高電圧領域では、遮蔽電極とアノード電極との間の耐圧を安全に維持することができないために、遮蔽電極の電位を最適に設定することが困難となる。そして、遮蔽電極の電位が最適に設定されない場合には、遮蔽電極の収束性能が低下するために、本来の発光画素に隣接する画素までも発光させてしまう画素間クロストークが発生し、これが解像度の劣化要因となる。
【００１０】
そこで、かかる問題点に鑑み、アノード電圧を高くすることなく高輝度化を図ることのできる電界放出型画像表示装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。図８に、この電界放出型画像表示装置の蛍光体スクリーン側の構成を模式的に示す。
【００１１】
図８に示すように、この電界放出型画像表示装置の蛍光体スクリーン２１９は、透明基板２２０と、透明基板２２０の一方の面に形成され、複数の開口部２２６を備えるブラックマトリックス層２２１と、少なくともブラックマトリックス層２２１の開口部２２６内に形成された蛍光体層２２７Ｒ、２２７Ｇ、２２７Ｂと、ブラックマトリックス層２２１上の所定の位置に形成され、無機導電性材料からなる複数の障壁２２５と、障壁２２５とブラックマトリックス層２２１との間に設けられ、無機導電性材料からなる中間層２２４とにより構成されている。そして、障壁２２５の壁面は、透明基板２２０の面に対して４５度〜８０度のテーパー角を有するテーパー状に形成されている。尚、中間層２２４は、下引き層２２２と導電層２２３とからなっている。
【００１２】
図８に示す電界放出型画像表示装置の構成によれば、障壁２２５の壁面がテーパー状に形成されていることにより、蛍光体スクリーン２１９の各画素に対応する蛍光体層２２７Ｒ、２２７Ｇ、２２７Ｂの有効表面積を大幅に増加させることができるので、発光輝度を向上させることができる。その結果、アノード電圧を高くすることなく高輝度化を図ることのできる電界放出型画像表示装置を実現することが可能となる。
【特許文献１】特開２００１−１１０３４３号公報
【特許文献２】特開２００４−４７１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、電界放出型電子源から放出された電子が蛍光体層に衝突する際、当該電子は十分な励起エネルギーを有しているために、蛍光体層から可視帯域波長の光が励起され、この励起光が隣接する画素へ到達すると、迷光成分となって、画素間クロストークを発生させる要因となる。
【００１４】
しかし、図８に示す構成の電界放出型画像表示装置の場合には、光吸収作用を有するブラックマトリックス層２２１が平面的な構造であるために、主に透明基板２２０から進入してくる外光に対しての光吸収作用しか発揮できず、蛍光体層２２７Ｒ、２２７Ｇ、２２７Ｂからの励起光に起因して発生する画素間クロストークを防止するには至っていない。
【００１５】
本発明は、従来技術における前記課題を解決するためになされたものであり、アノード電圧を高くすることなく高輝度化を図ることができると共に、蛍光体層からの励起光に起因する画素間クロストークの発生を抑えて高解像度化を図ることのできる電界放出型画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するため、本発明に係る電界放出型画像表示装置の第１の構成は、真空容器内に配置された電界放出型電子源と、前記電界放出型電子源と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、前記電界放出型電子源との対向面に複数の凹所を有すると共に、前記凹所内に蛍光体層が形成された蛍光体スクリーンとを備え、前記電界放出型電子源から放出される電子の衝突によって前記蛍光体層を発光させて、画像を表示する電界放出型画像表示装置であって、前記凹所の内壁面が前記凹所の底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていると共に、隣接する前記凹所が、発光波長の光に対して光吸収機能（ブラック効果）を有する材料からなるリブ構造体によって仕切られており、かつ、前記凹所の前記底面と前記内壁面のほぼ全面にわたって前記蛍光体層が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
前記本発明の電界放出型画像表示装置の第１の構成においては、前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側近傍に配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備えているのが好ましい。この好ましい例によれば、電子ビーム遮蔽板に、引き出し電圧（ゲート電圧）とアノード電圧の中間の（正）電圧を印加することにより、電界放出型電子源から放出された電子はレンズ作用を受けることなく直進し、当該電子ビーム遮蔽板の空間フィルタ作用によって機械的に周辺電子のみが遮蔽（ブロック）される。その結果、隣接画素への電子ビームの入射を防止することができるので、画素間クロストークの発生を抑えて高解像度化を図ることができる。また、この場合には、前記電子ビーム遮蔽板の少なくとも一方の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成されているのが好ましい。この好ましい例によれば、蛍光体層への電子の衝突などによって生成されるガス放出成分を効率良く吸収することができるので、電界放出型画像表示装置内の真空度を良好に維持することができる。その結果、電界放出型電子源を構成するエミッタが放電破壊によって動作不能の状態に陥ってしまうことを防止することができるので、当該電界放出型電子源の長寿命化、ひいては電界放出型画像表示装置の長寿命化を図ることができる。
【００１８】
前記本発明の電界放出型画像表示装置の第１の構成においては、前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側の面に当接して配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備えているのが好ましい。また、この場合には、前記電子ビーム遮蔽板の前記電界放出型電子源側の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成されているのが好ましい。
【００１９】
前記本発明の電界放出型画像表示装置の第１の構成においては、複数の前記凹所がマトリックス状又はライン状に配置されているのが好ましい。
【００２０】
また、本発明に係る電界放出型画像表示装置の第２の構成は、真空容器内に配置された電界放出型電子源と、前記電界放出型電子源と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、前記電界放出型電子源との対向面に複数の凹所を有すると共に、前記凹所内に蛍光体層が形成された蛍光体スクリーンとを備え、前記電界放出型電子源から放出される電子の衝突によって前記蛍光体層を発光させて、画像を表示する電界放出型画像表示装置であって、前記凹所の内壁面が前記凹所の底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていると共に、前記凹所の前記底面と前記内壁面のほぼ全面にわたって前記蛍光体層が形成されており、前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側近傍に配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備え、かつ、前記電子ビーム遮蔽板の少なくとも一方の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成されていることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明に係る電界放出型画像表示装置の第３の構成は、真空容器内に配置された電界放出型電子源と、前記電界放出型電子源と対向して前記真空容器内に配置され、かつ、前記電界放出型電子源との対向面に複数の凹所を有すると共に、前記凹所内に蛍光体層が形成された蛍光体スクリーンとを備え、前記電界放出型電子源から放出される電子の衝突によって前記蛍光体層を発光させて、画像を表示する電界放出型画像表示装置であって、前記凹所の内壁面が前記凹所の底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていると共に、前記凹所の前記底面と前記内壁面のほぼ全面にわたって前記蛍光体層が形成されており、前記蛍光体スクリーンの前記電界放出型電子源側の面に当接して配置され、前記凹所の開口サイズに対応した開口を有する電子ビーム遮蔽板をさらに備え、かつ、前記電子ビーム遮蔽板の前記電界放出型電子源側の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、蛍光体スクリーンの各画素に対応する蛍光体層の有効表面積を大幅に増加させることができるので、発光輝度を向上させることができる。その結果、アノード電圧を高くすることなく高輝度化を図ることのできる電界放出型画像表示装置を実現することが可能となる。また、蛍光体層が形成される凹所の内壁面が前記凹所の底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていることにより、凹所内の内壁面上の蛍光体層に入射して反射した電子ビーム（反射成分）を、同一の凹所内の蛍光体層に再入射させることができるので、これによっても発光輝度の向上を図ることができる。さらに、隣接する凹所が、発光波長の光に対して光吸収機能（ブラック効果）を有する材料からなるリブ構造体によって仕切られていることにより、蛍光体層からの励起光に起因する画素間クロストークの発生を抑えて高解像度化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、実施の形態を用いて本発明をさらに具体的に説明する。
【００２４】
図１は本発明の一実施の形態における電界放出型画像表示装置の構成を模式的に示す断面図、図２は当該電界放出型画像表示装置の、蛍光体層を形成する凹所の形状を示す斜視図、図３は当該凹所の形状を示す正面図である。
【００２５】
図１に示すように、本実施の形態の電界放出型画像表示装置１は、真空容器（図示せず）内に配置された電界放出型電子源２と、電界放出型電子源２と対向して前記真空容器内に配置された蛍光体スクリーン３とを備えている。
【００２６】
電界放出型電子源２は、ガラス等からなるカソード基板４と、カソード基板４上に薄膜状に形成された金属膜等からなるカソード電極５と、カソード電極５上に形成された複数の陰極部６と、同じくカソード電極５上に陰極部６を囲むように形成された酸化シリコン等の絶縁膜からなる絶縁層７と、絶縁層７上に形成されたＮｂ金属やポリシリコン膜等からなるゲート電極８とにより構成されている。ここで、陰極部６はマトリックス状に配置されており、各陰極部６は、１画素当たり数百個程度の、モリブデン等の高融点金属やシリコン等の半導体からなる複数の円錐状のエミッタからなるエミッタアレイとして構成されている。また、ゲート電極８は、各エミッタの先端から電子が放出されるように各エミッタに電圧を印加するための引き出し電極として機能する。
【００２７】
蛍光体スクリーン３は、ガラス等からなるアノード基板９と、アノード基板９上に薄膜状に形成された金属膜等からなるアノード電極１０と、アノード電極１０上に各陰極部６と対向して形成された複数の凹所１１と、凹所１１内に形成された蛍光体層１２とにより構成されている。すなわち、蛍光体層１２が形成された各凹所１１は１つの表示画素に対応しており、凹所１１は、陰極部６と同様にマトリックス状に配置されている（図２、図３参照）。尚、隣接する凹所１１は、リブ構造体（個々の凹所１１の内壁面を形成する）１３によって仕切られている。
【００２８】
上記のような構成を有する電界放出型画像表示装置１においては、ゲート電極８、アノード電極１０に所定の電圧（ゲート電圧、アノード電圧）を印加することにより、電界放出型電子源２の各陰極部６から放出された電子が蛍光体スクリーン３の方向へ加速されて対応する蛍光体層１２に衝突し、これにより、蛍光体層１２が発光して画像が表示される。
【００２９】
図１〜図３に示すように、蛍光体層１２が形成される凹所１１は、対をなす陰極部６と凹所１１のそれぞれの中心を結ぶ直線に垂直な断面が矩形状で、かつ、その内壁面が底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がった、いわゆる四角錐台状に形成されている。そして、凹所１１の底面と内壁面のほぼ全面にわたって蛍光体層１２が形成されている。蛍光体層１２の形成領域をこのような構成とすることにより、蛍光体スクリーン３の各画素に対応する蛍光体層１２の有効表面積を３０〜４０％程度と大幅に増加させることができるので、従来に比して発光輝度を向上させることができる。その結果、アノード電極１０に印加されるアノード電圧を高くすることなく高輝度化を図ることのできる電界放出型画像表示装置１を実現することが可能となる。また、このように、蛍光体層１２が形成される凹所１１の内壁面が底面側から開口面側に向かってテーパー状に広がっていることにより、凹所１１内の内壁面上の蛍光体層１２に入射して反射した電子ビーム（反射成分）を、同一の凹所１１内の蛍光体層１２に再入射させることができるので、これによっても発光輝度の向上を図ることができる。
【００３０】
凹所１１の内壁面のテーパー角αは、６０度＜α＜９０度の範囲にあるのが望ましい。蛍光体層１２は、凹所１１の底面とテーパー状の内壁面に形成されるので、蛍光体スクリーン３の各画素に対応する蛍光体層１２の有効表面積を大きくするためには、テーパー角αを大きくするのが望ましい。一方、テーパー角αを大きくすると、形成プロセスの技術的困難さが増すという問題が発生する。プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）のリブ形成に用いられるサンドブラスト加工法を用いれば、テーパー角αが６０度以上の加工が可能である。
【００３１】
ところで、電界放出型電子源２の陰極部６から放出された電子が蛍光体層１２に衝突する際、当該電子は十分な励起エネルギーを有しているために、蛍光体層１２から可視帯域波長の光が励起される。そして、この励起光が隣接する画素へ到達すると、迷光成分となって、画素間クロストークを発生させる要因となる。このクロストークの発生を防止するために、隣接する凹所１１を仕切るリブ構造体１３は、可視帯域波長（発光波長）の光に対して光吸収機能（ブラック効果）を有する材料によって構成されている。光吸収機能（ブラック効果）を有する材料としては、例えば、ＣＲＴの蛍光体スクリーンで一般に用いられる、ブラックマトリックスレジスト等が適している。このように、個々の凹所１１の内壁面を形成するリブ構造体１３を、可視帯域波長（発光波長）の光に対して光吸収機能を有する材料を用いて構成することにより、蛍光体層１２からの励起光に起因する画素間クロストークの発生を抑えて高解像度化を図ることができる。
【００３２】
蛍光体スクリーン３の電界放出型電子源２側近傍には、凹所１１の開口面の大きさ（開口サイズ）に対応した開口１４ａを有する電子ビーム遮蔽板１４を配置するのが望ましい。この望ましい構成によれば、電子ビーム遮蔽板１４に、引き出し電圧（ゲート電圧）とアノード電圧の中間の（正）電圧を印加することにより、電界放出型電子源２から放出された電子はレンズ作用を受けることなく直進し、当該電子ビーム遮蔽板１４の空間フィルタ作用によって機械的に周辺電子のみが遮蔽（ブロック）される。その結果、隣接画素への電子ビームの入射を防止することができるので、画素間クロストークの発生を抑えてさらなる高解像度化を図ることができる。
【００３３】
以上のように、本実施の形態の構成によれば、高輝度化と高解像度化とを同時に図ることのできる電界放出型画像表示装置１を実現することが可能となる。
【００３４】
また、電界放出型電子源２の陰極部６から放出された電子が蛍光体層１２に衝突すると、電界放出型画像表示装置１の内部にガス成分が放出されて真空度が低下し、最悪の場合には、陰極部６を構成するエミッタが放電破壊によって動作不能の状態に陥ってしまう。この真空度の低下を防止するためには、蛍光体スクリーン３の近傍に配置された電子ビーム遮蔽板１４の少なくとも一方の表面に、ガス吸着作用を有するゲッタ膜１７を形成するのが望ましい。ゲッタ膜１７のゲッタ効果は、ガス成分によって大きく異なるため、ゲッタ膜１７の材料としては最適な材料を選択することが重要である。ゲッタ膜１７の材料としては、例えば、Ｂａ化合物材料、Ｔｉ化合物材料等を用いることができる。このように、蛍光体スクリーン３の近傍に配置された電子ビーム遮蔽板１４の表面にガス吸着作用を有するゲッタ膜１７を形成することにより、蛍光体層１２への電子の衝突などによって生成されるガス放出成分を効率良く吸収することができるので、電界放出型画像表示装置１内の真空度を良好に維持することができる。その結果、電界放出型電子源２の陰極部６を構成するエミッタが放電破壊によって動作不能の状態に陥ってしまうことを防止することができるので、当該電界放出型電子源２の長寿命化、ひいては電界放出型画像表示装置１の長寿命化を図ることができる。
【００３５】
ここで、蛍光体スクリーン３の製造方法について、図４を参照しながら説明する。
【００３６】
まず、図４（ａ）に示すように、ガラスからなるアノード基板９上に、透明性導電膜として、例えば、ＩＴＯ薄膜を蒸着法等によって成膜し、選択的にエッチング除去を行って、アノード電極１０を形成する。
【００３７】
次に、図４（ｂ）に示すように、アノード電極１０が形成されたアノード基板９上に、可視帯域波長（発光波長）の光に対して光吸収機能を有する材料を含有するシート状の誘電体材料１５を、貼り合わせるプロセスによって所望の膜厚（１００μｍ）で成膜する。次に、厚膜レジストを用いたフォトリソグラフィにより、次工程のエッチングマスクとなるマスクパターン１６を形成する。
【００３８】
次に、図４（ｃ）に示すように、サンドブラスト法を用いて、最適なプロセス条件により、エッチング加工を行った後、マスクパターン１６を除去する。これにより、テーパー状の内壁面を有する凹所１１が形成される。
【００３９】
最後に、図４（ｄ）に示すように、スクリーン印刷法を用いて、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）に発光する三種類の蛍光体を順次凹所１１の底面と内壁面のほぼ全面にわたって印刷することにより、蛍光体層１２を形成する。
【００４０】
尚、本実施の形態においては、凹所１１を四角錐台状に形成しているが、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、例えば、円錐台状、多角錐台状等であってもよい。
【００４１】
また、本実施の形態においては、各画素に対応させて、蛍光体層１２が形成される凹所１１をマトリックス状に配置しているが、必ずしもこの構成に限定されるものではなく、図５に示すように、ライン状に配置したものであってもよい。
【００４２】
また、本実施の形態においては、電子ビーム遮蔽板１４を蛍光体スクリーン３から離間させて配置しているが、図６に示すように、電子ビーム遮蔽板１４は蛍光体スクリーン３に当接させた状態で配置してもよい。そして、この場合には、電子ビーム遮蔽板１４の電界放出型電子源２側の表面にガス吸着作用を有するゲッタ膜１７が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態における電界放出型画像表示装置の構成を模式的に示す断面図
【図２】本発明の一実施の形態における電界放出型画像表示装置の、蛍光体層を形成する凹所の形状を示す斜視図
【図３】本発明の一実施の形態における電界放出型画像表示装置の、蛍光体層を形成する凹所の形状を示す正面図
【図４】本発明の一実施の形態における電界放出型画像表示装置の、蛍光体スクリーンの製造方法を示す工程図
【図５】本発明の一実施の形態における電界放出型画像表示装置の、蛍光体層を形成する凹所の形状の他の例を示す斜視図
【図６】本発明の一実施の形態における電界放出型画像表示装置の他の構成を模式的に示す断面図
【図７】従来技術における電界放出型画像表示装置の構成を模式的に示す断面図
【図８】従来技術における電界放出型画像表示装置の他の構成を模式的に示す断面図
【符号の説明】
【００４４】
１  電界放出型画像表示装置（ＦＥＤ）
２  電界放出型電子源
３  蛍光体スクリーン
４  カソード基板
５  カソード電極
６  陰極部
７  絶縁層
８  ゲート電極
９  アノード基板
１０  アノード電極
１１  凹所
１２  蛍光体層
１３  リブ構造体
１４  電子ビーム遮蔽板
１４ａ  開口
１７  ゲッタ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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