(57)【要約】【課題】  本発明は、微細な配線を備えた多層配線基板の製造方法に関し、微細な配線を精度良く形成することのできる多層配線基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  複数の配線６７が形成される配線形成領域Ｅを含むよう樹脂層６５に凹部６５Ａを形成し、凹部６５Ａに流動性を有した液状レジストを充填して、凹部６５Ａに薄く、かつ均一な厚さのレジスト層を形成し、配線６７の形状に対応する開口部をレジスト層に設けて、配線６７を形成する。【選択図】  図２６
2006128201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
該第１の配線を覆う樹脂層と、
該樹脂層に設けられたビアと、
前記樹脂層上に形成され、前記ビアを介して前記第１の配線と接続される第２の配線とを備えた多層配線基板の製造方法において、
複数の第２の配線が形成される配線形成領域を含む領域の前記樹脂層に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部に、前記ビアを配設するためのビア用開口部を形成するビア用開口部形成工程と、
前記凹部及びビア用開口部にシード層を形成するシード層形成工程と、
前記凹部及びビア用開口部に液状レジストを充填して、レジスト層を形成するレジスト層形成工程とを有したことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記シード層形成工程において、前記樹脂層の全面に前記シード層が形成された際、前記レジスト層は、前記シード層の全面を覆うよう設けることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記液状レジストは、粘度が１０ｃＰ〜３０００ｃＰであることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記凹部は、該凹部に対応する第１の凸部を有した金型によるプレス加工により形成すること特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１の凸部に、前記ビア用開口部に対応する第２の凸部を設け、
前記凹部形成工程とビア用開口部形成工程とを同時に行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記多層配線基板は、基材に形成されており、
前記基材は、前記多層配線基板が形成される基板形成領域を有し、
前記基材に複数の多層配線基板を形成する際、前記凹部は、少なくとも２つ以上の前記基板形成領域に対応することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板の製造方法に係り、微細な配線を備えた多層配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等が実装される多層配線基板は、基材の両面に樹脂層、ビア、及び配線からなる多層配線構造を有した構成とされている。このような多層配線基板に配設された配線を形成する際には、サブトラクティブ法やセミアデティブ法等が用いられる。
【０００３】
サブトラクティブ法は、基材の両面に銅箔を配設し、この銅箔上に開口部を有したドライフィルムレジスト（フィルム状のレジスト）を設け、ドライフィルムレジストをマスクとして、ウエットエッチングにより銅箔をエッチングして配線を形成する方法である。セミアデティブ法は、樹脂層上にシード層を形成し、配線が形成される領域のシード層を露出する開口部を有したドライフィルムレジスト（フィルム状のレジスト）を形成して、電解めっき法によりシード層を給電層として、めっき膜を成長させて配線を形成する方法である。
【０００４】
次に、図１乃至図６を参照して、サブトラクティブ法による配線形成方法について具体例を挙げて説明する。図１乃至図６は、サブトラクティブ法による配線形成工程を示した図である。
【０００５】
図１に示すように、基材１１の上面１１ａに銅箔１２を配設すると共に、基材１１の下面１１ｂに銅箔１３を配設する。次に、図２に示すように、レーザ等により基材１１及び銅箔１２，１３を貫通する貫通孔１４を形成する。続いて、図３に示すように、貫通孔１４に貫通ビアとなるめっき膜１５を形成する。次に、図４に示すように、基材１１の上面１１ａ側に形成されためっき膜１５に、開口部１７Ａを有したドライフィルムレジスト１７を形成する。続いて、基材１１の下面１１ｂ側に形成されためっき膜１５に、開口部１８Ａを有したドライフィルムレジスト１８を形成する。
【０００６】
次に、図５に示すように、ドライフィルムレジスト１７，１８をマスクとして、開口部１７Ａ，１８Ａを介して、銅箔１２，１３及びめっき膜１５をウエットエッチングして、基材１１を貫通する貫通ビア２３と、配線２１，２２とを形成する。その後、図６に示すように、ドライフィルムレジスト１７，１８は剥離処理により除去される。
【０００７】
次に、図７乃至図１４を参照して、図６に示した構造体の両面に配線を形成する場合を例に挙げて、セミアデティブ法による配線形成方法について説明する。図７乃至図１４は、セミアデティブ法による配線形成工程を示した図である。なお、図１０において、Ｍは配線４５が形成される領域（以下、「配線形成領域Ｍ」とする）、Ｎは配線４８が形成される領域（以下、「配線形成領域Ｎ」とする）をそれぞれ示している。
【０００８】
図７に示すように、図６に示した構造体の上面を覆うよう樹脂層２６を形成する。続いて、図６に示した構造体の下面を覆うよう樹脂層２７を形成する。次に、図８に示すように、樹脂層２６をレーザ加工して、樹脂層２６に配線２１を露出する開口部２９を形成する。続いて、樹脂層２７をレーザ加工して、樹脂層２７に配線２２を露出する開口部３１を形成する。その後、図９に示すように、樹脂層２６の面２６ａ及び開口部２９にシード層３２を形成する。続いて、樹脂層２７の面２７ａ及び開口部３１にシード層３３を形成する。
【０００９】
続いて、図１０に示すように、シード層３２上に開口部３５Ａを有したドライフィルムレジスト３５を形成する。開口部３５Ａは、配線４５（図１３参照）が形成される配線形成領域Ｍに対応しており、開口部３５Ａによりシード層３２が露出されている。続いて、シード層３３上に開口部３６Ａを有したドライフィルムレジスト３６を形成する。また、開口部３６Ａは、配線４８（図１３参照）が形成される配線形成領域Ｎに対応しており、開口部３６Ａによりシード層３３が露出されている。
【００１０】
次に、図１１に示すように、開口部３５Ａに露出されたシード層３２と、開口部３６Ａに露出されたシード層３３とを給電層として、電解めっき法により開口部２９，３５Ａにめっき膜３８と、開口部３１，３６Ａにめっき膜３９とを形成する。その後、図１２に示すように、ドライフィルムレジスト３５，３６は、レジスト剥離液により除去される。
【００１１】
次に、図１３に示すように、配線形成領域Ｍ，Ｎ以外のシード層３２，３３をエッチングにより除去することで、ビア４４，４７と、配線４５，４８とが形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−１２４６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、近年の半導体素子の微細化に伴い、多層配線基板に形成される配線の微細化の要求が高まっている。しかしながら、サブトラクティブ法では、配線２１，２２を形成する際、厚さが１５〜３０μｍ程度と厚い、銅箔１２，１３をエッチングしなければならないため、後述する理由から微細な配線を形成することは困難であった。
【００１３】
図１５は、サブトラクティブ法によるウエットエッチング後の配線の断面図である。なお、図１５に示したＷ１は、ドライフィルムレジスト１７の幅、つまり所望の配線２１の幅（以下、幅Ｗ１）を示している。さらに、サブトラクティブ法では、ドライフィルムレジスト１７，１８の開口部１７Ａ，１８Ａを介して、銅箔１３及びめっき膜１５をウエットエッチングして配線２１，２２を形成するため、図１５に示すように、配線２１の側面２１ａがオーバーエッチングされ（配線２２の側面もオーバーエッチングされる）、所望の幅Ｗ１に配線２１を加工できない（配線２１の側面２１ａを基材１１に対して垂直加工できない）という問題があった。
【００１４】
セミアデティブ法では、配線４５，４８を形成したい配線形成領域Ｍ，Ｎを露出する開口部３５Ａ，３６Ａを有したドライフィルムレジスト３５，３６を設け、シード層３２，３３を給電層として、開口部３５Ａ，３６Ａに露出されたシード層３２，３３にめっき膜３８，３９を成長させて、配線４５，４８を形成するため、基材１１に対して配線４５，４８の側面を垂直にすることができる。しかし、セミアデティブ法の場合、厚さが１５〜３０μｍ程度と厚い、ドライフィルムレジスト３５，３６を用いて配線４５，４８を形成するため、微細な配線４５，４８を形成することは困難であった。
【００１５】
レジスト層の厚さを薄くして、微細な配線加工に適用できるレジストとしては、半導体素子の製造工程に用いられる流動性を有した液状レジストがある。図１６は、図９に示した領域Ｌに対応するシード層上に液状レジストを塗布した状態を示した図である。
【００１６】
図１６に示すように、樹脂層２６は、配線２１上に形成されているため、樹脂層２６の表面２６ａは凹凸形状となる。そのため、流動性を有した液状レジストを樹脂層２６の表面２６ａに塗布してレジスト層３０を形成した際、樹脂層２６の凸部と樹脂層２６の凹部において、レジスト層３０の厚さが異なってしまう。  これにより、配線形成領域Ｍにおけるレジスト層３０の厚さにばらつきが生じ、露光・現像のばらつきとなり、微細な配線に対応するようレジスト層３０を精度良く加工することができず、微細な配線を形成することができないという問題があった。
【００１７】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、微細な配線を精度良く形成することのできる多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１９】
請求項１記載の発明では、第１の配線と、該第１の配線を覆う樹脂層と、該樹脂層に設けられたビアと、前記樹脂層上に形成され、前記ビアを介して前記第１の配線と接続される第２の配線とを備えた多層配線基板の製造方法において、複数の第２の配線が形成される配線形成領域を含む領域の前記樹脂層に凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に、前記ビアを配設するためのビア用開口部を形成するビア用開口部形成工程と、前記凹部及びビア用開口部にシード層を形成するシード層形成工程と、前記凹部及びビア用開口部に液状レジストを充填して、レジスト層を形成するレジスト層形成工程とを有したことを特徴とする多層配線基板の製造方法により、解決できる。
【００２０】
上記発明によれば、複数の第２の配線が形成される配線形成領域を含むよう樹脂層に凹部を形成して、複数の第２の配線が形成される樹脂層の面を平坦にすると共に、凹部に流動性のある液状レジストを充填することで、凹部に薄く、かつ均一な厚さとなるようにレジスト層を形成することができる。これにより、レジスト層を微細な形状にパターニングすることが可能となり、微細な第２の配線を精度良く形成することができる。
【００２１】
請求項２記載の発明では、前記シード層形成工程において、前記樹脂層の全面に前記シード層が形成された際、前記レジスト層は、前記シード層の全面を覆うよう設けることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法により、解決できる。
【００２２】
上記発明によれば、樹脂層の全面にシード層が形成された際、シード層の全面を覆うようにレジスト層を設けることで、めっき膜が不必要な部分に成長することを防止できる。
【００２３】
請求項３記載の発明では、前記液状レジストは、粘度が１０ｃＰ〜３０００ｃＰであることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法により、解決できる。
【００２４】
上記発明によれば、粘度が１０ｃＰ〜３０００ｃＰである液状レジストを用いることで、十分な流動性を得ることができる。これにより、凹部に薄く、かつ均一な厚さとなるようにレジスト層を形成することができる。
【００２５】
請求項４記載の発明では、前記凹部は、該凹部に対応する第１の凸部を有した金型によるプレス加工により形成すること特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法により、解決できる。
【００２６】
上記発明によれば、凹部に対応する第１の凸部を有した金型によるプレス加工により凹部を形成することで、容易に凹部を形成することができる。
【００２７】
請求項５記載の発明では、前記第１の凸部に、前記ビア用開口部に対応する第２の凸部を設け、前記凹部形成工程とビア用開口部形成工程とを同時に行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法により、解決できる。
【００２８】
上記発明によれば、ビア用開口部に対応する第２の凸部を第１の凸部に設けたことにより、凹部形成工程とビア用開口部形成工程とを同時に行って、多層配線基板の製造工程を簡略化することができる。
【００２９】
請求項６記載の発明では、前記多層配線基板は、基材に形成されており、前記基材は、前記多層配線基板が形成される基板形成領域を有し、前記基材に複数の多層配線基板を形成する際、前記凹部は、少なくとも２つ以上の前記基板形成領域に対応することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法により、解決できる。
【００３０】
上記発明によれば、基材に複数の多層配線基板を形成する際、凹部は、少なくとも２つ以上の基板形成領域に対応するよう設けても良い。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は、微細な配線を精度良く形成することのできる多層配線基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
次に、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
【００３３】
（実施例）
始めに、図１７を参照して、本発明の実施例による多層配線基板６０の構成について説明する。図１７は、本発明の実施例による多層配線基板の断面図である。なお、図１７において、Ａは複数の第２の配線（配線６７，７３，８５，８９のいずれかの配線）が形成される配線形成領域（配線６７の場合は配線形成領域Ｅ、配線７３の場合は配線形成領域Ｇ、配線８５の場合は配線形成領域Ｆ、配線８９の場合は配線形成領域Ｈ）を含む領域（以下、「領域Ａ」とする）、Ｂはスクライブラインに対応する領域（以下、「領域Ｂ」とする）、Ｃは多層配線基板６０が形成される基材６１上の領域（以下、「基板形成領域Ｃ」とする）をそれぞれ示している。また、領域Ａには、上記第２の配線が形成されていない領域、例えば、第２の配線間の領域も含まれる。
【００３４】
多層配線基板６０は、ビルドアップ基板であり、大略すると基材６１（コア基板）と、貫通ビア６２と、上部ビルドアップ層７０と、下部ビルドアップ層８０とを有した構成とされている。
【００３５】
基材６１には、例えば、樹脂基材を用いることができる。貫通ビア６２は、基材６１を貫通するように設けられている。上部ビルドアップ層７０は、基材６１の上面６１ａに設けられており、大略すると上部配線６３と、樹脂層６５，７１と、ビア６６，７２と、配線６７，７３と、ソルダーレジスト７６と、拡散防止膜７８とを有した構成とされている。上部配線６３は、貫通ビア６２と接続されるよう基材６１の上面６１ａに設けられている。上部配線６３は、配線６７を形成する際（配線６７を第２の配線とした場合）、第１の配線となるものである。
【００３６】
樹脂層６５は、上部配線６３を覆うよう基材６１上に設けられている。樹脂層６５には、複数の配線６７が形成される配線形成領域Ｅを含む領域Ａに対応する凹部６５Ａが形成されている。また、上部配線６３と対向する凹部６５Ａの面は、平坦な面とされている。ビア６６は、上部配線６３と接続されるよう樹脂層６５に設けられている。配線６７は、樹脂層６５の凹部６５Ａに複数形成されている。配線６７は、ビア６６と一体的に形成されており、ビア６６を介して上部配線６３と接続されている。配線６７及びビア６６には、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。樹脂層７１は、配線６７及び樹脂層６５を覆うように形成されている。樹脂層７１には、複数の配線７３が形成される配線形成領域Ｇを含む領域Ａに対応する凹部７１Ａが形成されている。また、配線６７と対向する凹部７１Ａの面は、平坦な面とされている。
【００３７】
ビア７２は、配線６７と接続されるよう樹脂層７１に設けられている。配線７３は、樹脂層７１の凹部７１Ａに複数形成されている。配線７３は、半導体素子が接続される接続部７５を有した構成とされている。配線７３は、ビア７２と一体的に形成されており、ビア７２を介して配線６７と接続されている。配線７３及びビア７２には、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。なお、配線７３を形成する際（配線７３が第２の配線である場合）、第１の配線は配線６７となる。つまり、多層配線基板６０の製造工程において、形成中の配線が第２の配線であり、その直下の樹脂層に形成された配線が第１の配線となる。
【００３８】
ソルダーレジスト７６は、接続部７５を露出すると共に、配線７３と樹脂層７１とを覆うように設けられている。接続部７５は、ソルダーレジスト７６に形成された開口部７７により露出されている。拡散防止膜７８は、接続部７５上に形成されている。拡散防止膜７８は、配線７３に含まれるＣｕが接続部７５に拡散して、接続部７５が劣化することを防止すると共に、半導体素子に設けられたはんだボール（図示せず）やワイヤーボンド金属との密着性を向上させるためのものである。拡散防止膜７８には、例えば、Ｎｉ／Ａｕ層を用いることができる。
【００３９】
下部ビルドアップ層８０は、基材６１の下面６１ｂに設けられており、大略すると下部配線８１と、樹脂層８２，８６と、ビア８３，８８と、配線８５，８９と、ソルダーレジスト９３と、拡散防止膜９６と、はんだボール９７とを有した構成とされている。下部配線８１は、貫通ビア６２と接続されるよう基材６１の下面６１ｂに設けられている。下部配線８１は、配線８５を形成する際（配線８５を第２の配線とした場合）、第１の配線となるものである。
【００４０】
樹脂層８２は、下部配線８１を覆うよう基材６１に設けられている。樹脂層８２には、複数の配線８５が形成される配線形成領域Ｆを含む領域Ａに対応する凹部８２Ａが形成されている。また、下部配線８１と対向する凹部８２Ａの面は、平坦な面とされている。ビア８３は、下部配線８１と接続されるよう樹脂層８２に設けられている。配線８５は、樹脂層８２の凹部８２Ａに複数形成されている。配線８５は、ビア８３と一体的に形成されており、ビア８３を介して下部配線８１と接続されている。配線８５及びビア８３には、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。
【００４１】
樹脂層８６は、配線８５及び樹脂層８２を覆うように形成されている。樹脂層８６には、複数の配線８９が形成される配線形成領域Ｈを含む領域Ａに対応する凹部８６Ａが形成されている。また、配線８５と対向する凹部８６Ａの面は、平坦な面とされている。ビア８８は、配線８５と接続されるよう樹脂層８６に設けられている。配線８９は、樹脂層８６の凹部８６Ａに複数形成されている。配線８９は、はんだボール９７が接続される接続部９１を有した構成とされている。  配線８９は、ビア８８と一体的に形成されており、ビア８８を介して配線８５と接続されている。配線８９及びビア８８には、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。なお、配線８９を形成する際（配線８９が第２の配線である場合）、第１の配線は配線８５となる。
【００４２】
ソルダーレジスト９３は、接続部９１を露出すると共に、配線８９と樹脂層８６とを覆うように設けられている。接続部９１は、ソルダーレジスト９３に形成された開口部９４により露出されている。拡散防止膜９６は、接続部９１に形成されている。拡散防止膜９６は、配線８９に含まれるＣｕが拡散することを防止すると共に、接続部９１とはんだボール９７との間の密着性を向上させるためのものである。拡散防止膜９６には、例えば、Ｎｉ／Ａｕ層を用いることができる。はんだボール９７は、拡散防止膜９６を介して、接続部９１と接続されている。はんだボール９７は、マザーボード等の基板と接続するための外部接続端子である。
【００４３】
次に、図１８乃至図３１を参照して、上記構成とされた多層配線基板６０の製造方法について説明する。図１８は、金型の平面図であり、図１９乃至図３１は、本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図である。なお、図１８では、第１の凸部１０１と基板形成領域Ｃとの位置関係が分かるように基板形成領域Ｃを図示する。また、図１９乃至図３１において、図１７に示した多層配線基板６０と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００４４】
始めに、図１９に示すように、複数の基板形成領域Ｃを有した基材６１に、貫通ビア６２と、上部配線６３と、下部配線８１とを形成する。続いて、基材６１の上面６１ａ及び上部配線６３を覆う樹脂層６５と、基材６１の下面６１ｂ及び下部配線８１を覆う樹脂層８２とを形成する。その後、第１の凸部１０１を有した金型１００によるプレス加工により樹脂層６５に凹部６５Ａを形成し、第１の凸部１０６を有した金型１０５によるプレス加工により樹脂層８２に凹部８２Ａを形成する（凹部形成工程）。
【００４５】
金型１００に設けられた第１の凸部１０１は、凹部６５Ａに対応する形状とされており、金型１０５に設けられた第１の凸部１０６は、凹部８２Ａに対応する形状とされている。第１の凸部１０１の高さＪ１は、配線６７の厚さよりも大きくなるように設定されており、第２の凸部１０６の高さＪ２は、配線８５の厚さよりも大きくなるように設定されている。第１の凸部１０１，１０６の高さＪ１，Ｊ２は、例えば、１０〜２０μｍとすることができる。また、樹脂層６５と対向する第１の凸部１０１の面１０１ａ、及び樹脂層８２と対向する第１の凸部１０６の面１０６ａは、平坦な面とされている。第１の凸部１０１，１０６は、樹脂層６５，８２に凹部６５Ａ，８２Ａを形成するためのものであり、図１８に示すように、第１の凸部１０１は、基板形成領域Ｃ毎に対応するよう構成されている。なお、図示していないが、第１の凸部１０６も基板形成領域Ｃ毎に対応するよう構成されている。
【００４６】
樹脂層６５の凹部６５Ａは、後述する流動性を有した液状レジストが充填され、配線６７を形成する際に必要なレジスト層が形成される領域である。また、樹脂層８２の凹部８２Ａは、後述する流動性を有した液状レジストが充填され、配線８５を形成する際に必要なレジスト層が形成される領域である。
【００４７】
樹脂層６５，８２には、例えば、熱硬化型樹脂や熱可塑性型樹脂等を用いることができる。樹脂層６５，８２として熱硬化型樹脂を用いた場合には、樹脂層６５，８２の形成と略同時に金型１００，１０５を樹脂層６５，８２に押し当てることで、凹部６５Ａ，８２Ａを形成することができる。また、樹脂層６５，８２として熱可塑性型樹脂を用いた場合には、樹脂層６５，８２の形成後、金型１００，１０５を加熱すると共に、樹脂層６５，８２に押圧することで、凹部６５Ａ，８２Ａを形成することができる。
【００４８】
このように、平坦な面１０１ａを有した第１の凸部１０１を備えた金型１００により、樹脂層６５に凹部６５Ａを形成することで、複数の配線６７の配線形成領域Ｅを含む領域Ａの樹脂層６５の表面（凹部６５Ａの面６５ａ）を平坦化することができる。また、平坦な面１０６ａを有した第１の凸部１０６を備えた金型１０５により、樹脂層８２に凹部８２Ａを形成することで、複数の配線８１の配線形成領域Ｆを含む領域Ａの樹脂層８２の表面（凹部８２Ａの面８２ａ）を平坦化することができる。
【００４９】
次に、図２０に示すように、樹脂層６５に上部配線６３を露出するビア用開口部１１１と、樹脂層８２に下部配線８１を露出するビア用開口部１１２とを形成する（ビア用開口部形成工程）。ビア用開口部１１１は、ビア６６を配設するための開口部であり、ビア用開口部１１２は、ビア８３を配設するための開口部である。ビア用開口部１１１，１１２は、例えば、レーザ加工により形成することができる。
【００５０】
続いて、図２１に示すように、図２０に示した構造体の上面を覆うシード層１１４と、図２０に示した構造体の下面を覆うシード層１１５とを形成する（シード層形成工程）。これにより、凹部６５Ａ及びビア用開口部１１１にシード層１１４が形成され、凹部８２Ａ及びビア用開口部１１２にシード層１１５が形成される。シード層１１４，１１５には、例えば、無電解めっき法又はＣＶＤ法により形成されたＣｕ膜を用いることができる。また、シード層１１４，１１５の厚さは、例えば、１〜２μｍとすることができる。
【００５１】
次に、図２２に示すように、凹部６５Ａ及びビア用開口部１１１を充填すると共に、図２１に示した構造体の上面を覆うように流動性を有した液状レジストを塗布して、ドライフィルムレジストよりも厚さの薄いレジスト層１１７を形成する（レジスト層形成工程）。液状レジストとしては、例えば、ノボラック系感光性液状レジストやフェノール系感光性液状レジスト等を用いることができる。また、液状レジストを塗布する際には、例えば、印刷法、カーテンコート法、ロールコート法等を用いることができる。
【００５２】
このように、流動性を有した液状レジストを凹部６５Ａ及びビア用開口部１１１を充填するよう塗布することで、レジスト層１１７の面１１７ａが凹部６５Ａの平坦な面６５ａと略平行となるため、凹部６５Ａに、薄く、かつ均一な厚さＤ１のレジスト層１１７を形成することができる。なお、厚さＤ１は、樹脂層６５の面６５ａを基準とした際のレジスト層１１７の厚さである。また、液状レジストの粘度は、１０ｃＰ〜３０００ｃＰであることが好ましい。このような粘度の液状レジストを用いることで、十分な流動性を得ることができる。
【００５３】
続いて、凹部８２Ａ及びビア用開口部１１２を充填すると共に、図２０に示した構造体の下面を覆うように流動性のある液状レジストを塗布して、ドライフィルムレジストよりも厚さの薄いレジスト層１１８を形成する（レジスト層形成工程）。液状レジストとしては、例えば、ノボラック系感光性液状レジストやフェノール系感光性液状レジスト等を用いることができる。また、液状レジストを塗布する際には、例えば、印刷法、カーテンコート法、ロールコート法等を用いることができる。
【００５４】
このように、流動性を有した液状レジストを凹部８２Ａ及びビア用開口部１１２を充填するよう塗布することで、レジスト層１１８の面１１８ａが凹部８２Ａの平坦な面８２ａと略平行となるため、凹部８２Ａに、薄く、かつ均一な厚さＤ２のレジスト層１１８を形成することができる。なお、厚さＤ２は、樹脂層８２の面８２ａを基準とした際のレジスト層１１８の厚さである。また、液状レジストの粘度は、１０ｃＰ〜３０００ｃＰであることが好ましい。このような粘度の液状レジストを用いることで、十分な流動性を得ることができる。さらに、配線６７，８５の形成されない領域Ｂ（スクライブライン）のシード層１１４，１１５を覆うようレジスト層１１７，１１８を設けることで、シード層１１４，１１５を給電層として電解めっきを行った際、不要なめっき膜が領域Ｂに成長することを防止できる。
【００５５】
次に、図２３に示すように、レジスト層１１７に、複数の配線６７（この場合は、第２の配線）が形成される配線形成領域Ｅに対応したシード層１１４を露出する開口部１１９を形成する。続いて、複数の配線８５（この場合は、第２の配線）が形成される配線形成領域Ｆに対応したシード層１１５を露出する開口部１２１をレジスト層１１８に形成する。
【００５６】
次に、図２４に示すように、シード層１１４，１１５を給電層として、電解めっき法により、配線形成領域Ｅに対応したシード層１１４にめっき膜１２２を成長させると共に、配線形成領域Ｆに対応したシード層１１５にめっき膜１２３を成長させる。これにより、ビア用開口部１１１にシード層１１４とめっき膜１２２とよりなるビア６６が形成され、ビア用開口部１１２にシード層１１５とめっき膜１２３とよりなるビア８３が形成される。めっき膜１２２，１２３には、例えば、Ｃｕ膜を用いることができる。続いて、図２５に示すように、レジスト層１１７，１１８をレジスト剥離液により除去する。
【００５７】
次に、図２６に示すように、配線形成領域Ｅ以外に設けられたシード層１１４をエッチングして、不要なシード層１１４を除去する。続いて、配線形成領域Ｆ以外に設けられたシード層１１５をエッチングして、不要なシード層１１５を除去する。これにより、シード層１１４とめっき膜１２２とよりなる配線６７が配線形成領域Ｅに形成され、シード層１１５とめっき膜１２３とよりなる配線８５が配線領域Ｆに形成される。
【００５８】
その後、図２７に示すように、図１９乃至図２６に示した製造工程と同様な手法により、図２６に示した構造体の上面に樹脂層７１を設け、複数の配線７３（第２の配線）が形成される配線形成領域Ｇを含む領域Ａに対応する樹脂層７１に凹部７１Ａを形成し、樹脂層７１に配線６７（この場合、第１の配線）と接続されるビア７２と、配線形成領域Ｇにビア７２と接続される配線７３（接続部７５を含む）とを一体的に形成すると共に、図２６に示した構造体の下面に樹脂層８６を設け、配線８９（第２の配線）が形成される配線形成領域Ｈを含む領域Ａに対応する樹脂層８６に凹部８６Ａを形成し、樹脂層８６に配線８５（この場合、第１の配線）と接続されるビア８８と、配線形成領域Ｈにビア８８と接続される配線８９（接続部９１を含む）とを一体的に形成する。なお、図２７に示した面７１ａは配線６７と対向する凹部７１の面、面８６ａは配線８５と対向する凹部８６の面をそれぞれ示しており、面７１ａ，８６ａは平坦な面とされている。
【００５９】
次に、図２８に示すように、接続部７５を露出すると共に、図２７に示した構造体の上面を覆うようソルダーレジスト７６を形成する。ソルダーレジスト７６には、開口部７７が形成されており、この開口部７７により接続部７５が露出されている。続いて、接続部９１を露出すると共に、図２７に示した構造体の下面を覆うようソルダーレジスト９３を形成する。ソルダーレジスト９３には、開口部９４が形成されており、この開口部９４により接続部９１が露出されている。次に、図２９に示すように、接続部７５に拡散防止膜７８を形成し、続いて、接続部９１に拡散防止膜９６を形成する。拡散防止膜７８，９６には、例えば、Ｎｉ／Ａｕ層を用いることができる。
【００６０】
その後、図３０に示すように、拡散防止膜９６にはんだボール９７を配設し、ダイシングによりスクライブライン（領域Ｂの部分）を切断することで、複数の多層配線基板６０が製造される。
【００６１】
以上説明したように、複数の第２の配線（配線６７，７３，８５，８９のいずれかの配線）が形成される配線形成領域（配線６７の場合は配線形成領域Ｅ、配線７３の場合は配線形成領域Ｇ、配線８５の場合は配線形成領域Ｆ、配線８９の場合は配線形成領域Ｈ）を含むよう樹脂層６５，７１，８２，８６に凹部６５Ａ，７１Ａ，８２Ａ，８６Ａを形成して、第２の配線の直下の層に形成された第１の配線と対向する凹部６５Ａ，７１Ａ，８２Ａ，８６Ａの面６５ａ，７１ａ，８２ａ，８６ａを平坦化すると共に、凹部６５Ａ，７１Ａ，８２Ａ，８６Ａに流動性のある液状レジストを充填することで、第２の配線が形成される凹部６５Ａ，７１Ａ，８２Ａ，８６Ａに、薄く、かつ均一な厚さとなるようにレジスト層を形成することができる。これにより、微細な第２の配線の形状に対応するようレジスト層に開口部を形成して、微細な第２の配線を精度良く形成することができる。
【００６２】
図３１は、第２の凸部を備えた金型を用いた多層配線基板の製造工程を示した図である。なお、図３１において、図１９に示した構成と同一構成部分には同一の符号を付す。本実施例では、第１の凸部１０１を設けた金型１００により、樹脂層６５に凹部６５Ａを形成し、第１の凸部１０６を設けた金型１０５により、と樹脂層８２に凹部８２Ａを形成したが、図３１に示すように、第１の凸部１０１にビア用開口部１１１形成用の第２の凸部１３２を有した金型１３１により、樹脂層６５に凹部６５Ａとビア用開口部１１１とを同時に形成し、第１の凸部１０６にビア用開口部１１２形成用の第２の凸部１３４を有した金型１３３により、樹脂層８２に凹部８２Ａとビア用開口部１１２とを同時に形成しても良い。このように、凹部形成工程とビア用開口部形成工程とを同時に行うことにより、多層配線基板６０の製造工程を簡略化することができる。
【００６３】
図３２及び図３３は、他の金型の平面図である。図３２に示した金型１４０には、２つの基板形成領域Ｃに対応する第１の凸部１４１が設けられており、図３３に示した金型１４５には、４つの基板形成領域Ｃに対応する第１の凸部１４６が設けられている。本実施例の金型１００，１０５は、１つの基板形成領域Ｃに対して１つの第１の凸部１０１，１０６が対応するよう構成されていたが、図３２及び図３３に示すように、複数の基板形成領域Ｃに対応する第１の凸部１４１，１４６を金型１４０，１４５に設けて、第２の配線が形成される凹部を樹脂層に形成しても良い。
【００６４】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、本実施例では、金型を用いて樹脂層に凹部を形成したが、凹部の形成方法は上記金型を用いた方法に限定されない。また、図１９乃至図２６に示した製造工程と同様な手法を用いて、多層配線基板６０に樹脂層、ビア及び配線をさらに積層させても良い。さらに、複数の第２の配線（配線６７，７３，８５，８９のいずれかの配線）が形成される配線形成領域を含む領域Ａは、配線６７，７３，８５，８９毎に異ならせても良い。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、微細な配線を精度良く形成することのできる多層配線基板の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】サブトラクティブ法による配線形成工程を示した図（その１）である。
【図２】サブトラクティブ法による配線形成工程を示した図（その２）である。
【図３】サブトラクティブ法による配線形成工程を示した図（その３）である。
【図４】サブトラクティブ法による配線形成工程を示した図（その４）である。
【図５】サブトラクティブ法による配線形成工程を示した図（その５）である。
【図６】サブトラクティブ法による配線形成工程を示した図（その６）である。
【図７】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その１）である。
【図８】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その２）である。
【図９】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その３）である。
【図１０】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その４）である。
【図１１】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その５）である。
【図１２】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その６）である。
【図１３】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その７）である。
【図１４】セミアデティブ法による配線形成工程を示した図（その８）である。
【図１５】サブトラクティブ法によるウエットエッチング後の配線の断面図である。
【図１６】図９に示した領域Ｌに対応するシード層上に液状レジストを塗布した状態を示した図である。
【図１７】本発明の実施例による多層配線基板の断面図である。
【図１８】金型の平面図である。
【図１９】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その１）である。
【図２０】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その２）である。
【図２１】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その３）である。
【図２２】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その４）である。
【図２３】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その５）である。
【図２４】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その６）である。
【図２５】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その７）である。
【図２６】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その８）である。
【図２７】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その９）である。
【図２８】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その１０）である。
【図２９】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その１１）である。
【図３０】本実施例の多層配線基板の製造工程を示した図（その１２）である。
【図３１】第２の凸部を備えた金型を用いた多層配線基板の製造工程を示した図である。
【図３２】他の金型の平面図（その１）である。
【図３３】他の金型の平面図（その２）である。
【符号の説明】
【００６７】
１１，６１  基材
１１ａ，６１ａ  上面
１１ｂ，６１ｂ  下面
１２，１３  銅箔
１４  貫通孔
１５，３８，３９，１２２，１２３  めっき膜
１７，１８，３５，３６  ドライフィルムレジスト
１７Ａ，１８Ａ，２９，３１，３５Ａ，３６Ａ，７７，９４，１１９，１２１  開口部
２１，２２，４５，４８，６７，７３，８５，８９  配線
２１ａ  側面
２３，６２  貫通ビア
２６，２７，６５，７１，８２，８６  樹脂層
２６ａ，２７ａ  表面
３０，１１７，１１８  レジスト層
３２，３３  シード層
４４，４７，６６，７２，８３，８８  ビア
６３  上部配線
６５Ａ，７１Ａ，８２Ａ，８６Ａ  凹部
６５ａ，７１ａ，８２ａ，８６ａ，１０１ａ，１０６ａ，１１７ａ，１１８ａ  面
７０  上部ビルドアップ層
７５，９１  接続部
７６，９３  ソルダーレジスト
７８，９６  拡散防止膜
８０  下部ビルドアップ層
８１  下部配線
９７  はんだボール
１００，１０５，１３１，１３３，１４０，１４５  金型
１０１，１０６  第１の凸部
１１１，１１２  ビア用開口部
１１４，１１５  シード層
１３２，１３４  第２の凸部
Ａ，Ｂ，Ｌ  領域
Ｃ  基板形成領域
Ｄ１，Ｄ２  厚さ
Ｅ〜Ｈ，Ｍ  配線形成領域
Ｊ１，Ｊ２  高さ
Ｗ１  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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