(57)【要約】【課題】微細な凹凸パターンのスタンパを効率良く高精度で製造できるスタンパの製造方法を提供する。【解決手段】所定の凹凸パターンの転写面１０Ａを有する原盤１０に、照射源３２から粒子を一方向に直線的に照射して膜を成膜する成膜法により、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対して少なくとも一時的に照射方向を相対的に傾斜させ、且つ、照射源３２に対して原盤１０の姿勢を相対的に変化させつつ導電性材料の粒子を照射し、転写面１０Ａの上に導電膜を成膜する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の凹凸パターンの転写面を有する原盤に、照射源から粒子を一方向に直線的に照射して膜を成膜する成膜法により、前記原盤の表面の法線に対して少なくとも一時的に照射方向を相対的に傾斜させ、且つ、前記照射源に対して前記原盤の姿勢を相対的に変化させつつ導電性材料の粒子を照射し、前記転写面の上に導電膜を成膜する導電膜成膜工程と、前記導電膜の上に電解メッキ法で電解メッキ層を形成する電解メッキ工程と、を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電膜成膜工程において、前記照射源に対して前記原盤を相対的に回転させつつ前記転写面の上に前記導電膜を成膜することを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記導電膜成膜工程における成膜法は、イオンビームデポジション法であることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記導電膜成膜工程において、前記原盤の表面の法線に対して少なくとも一時的に前記照射方向を相対的に４０〜５０°傾斜させることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記原盤として前記転写面に幅が１００ｎｍ以下の凹部を含む凹凸パターンが形成された原盤を用いることを特徴とするスタンパの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記電解メッキ工程を第１の電解メッキ工程として該第１の電解メッキ工程の後に、前記原盤から前記導電膜及び前記電解メッキ層を一体で剥離する剥離工程と、これら導電膜及び電解メッキ層をメタルマスタとして用い、該メタルマスタの上に電解メッキ法によりスタンパ及び他のメタルマスタのいずれかを形成する第２の電解メッキ工程と、が設けられたことを特徴とするスタンパの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体製品や情報記録媒体等の製造に利用可能なスタンパの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製品の製造工程において、被加工層の上に樹脂のレジスト層を成膜し、これを露光、現像して凹凸パターンに加工するリソグラフィと称される手法が用いられている。凹凸パターンのレジスト層をマスクとして被加工層をエッチングすることで、被加工層を所定の凹凸パターンに加工できる。近年、ピッチが数百ｎｍ以下の微細な凹凸パターンの加工が要求されるようになっているが、このような微細な凹凸パターンを形成する場合、露光に用いる光の波長の影響が無視できなくなるため、露光のために電子線が用いられることがある。しかしながら、電子線を用いて各半導体製品毎に露光（描画）を行う手法は生産性が低いという問題がある。
【０００３】
これに対し、樹脂層にスタンパを当接させて凹凸パターンを転写するインプリント法と称される手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。尚、ピッチが数百ｎｍ以下の微細な凹凸パターンを転写する場合、特にナノインプリント法と称されることがある。スタンパを当接させて凹凸パターンを転写しただけでは凹部底部に樹脂層が残存し、被加工層は露出しないが、凹部底部の樹脂層を除去する程度に樹脂層を一様にエッチングすることで凹部底部から被加工層を露出させることができ、転写された凹凸の段差の分だけ樹脂層をマスクとして用いることができる。
【０００４】
インプリント法によれば、各製品毎に電子線を用いたリソグラフィを行う場合に対し、生産性を大幅に高めることができ、以下のような事情により、ハードディスク等の磁気記録媒体の分野においても、このようなインプリント法による生産性の向上が期待されている。
【０００５】
磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。
【０００６】
しかしながら、ヘッドの加工限界、磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合う他のトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきている。そこで、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層を所定の凹凸パターンで形成してなるディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
記録層を凹凸パターンに加工する加工技術としては、イオンビームエッチング、反応性イオンエッチング等のドライエッチングの手法を用いることができ、インプリント法を利用して記録層を凹凸パターンに効率良く加工することが期待されている。より詳細に説明すると、まず連続記録層の上にマスク層を一層又は複数層形成し、マスク層の上に樹脂層を形成する。次に、樹脂層にスタンパを当接させて樹脂層に凹凸パターンを転写し、樹脂層をマスクとしてマスク層をエッチングし、マスク層を凹凸パターンに加工する。更に、マスク層の凹部底部の連続記録層をエッチングで除去することにより連続記録層を所定の凹凸パターンの記録層に加工できる。尚、記録層の材料やドライエッチングの種類によっては、連続記録層の上に直接樹脂層を成膜し、樹脂層をマスクとして連続記録層をエッチングし、所定の凹凸パターンの記録層に加工することも可能である。
【０００８】
ところで、インプリント法とは異なるが、光記録媒体の分野では基板にピット、グルーブ等の凹凸パターンを形成するためにスタンパが利用されている。具体的には、スタンパを型内に配設し、ポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形することでピット、グルーブ等の情報伝達のための凹凸パターンが形成された基板が得られる。
【０００９】
光記録媒体用のスタンパは製造方法が確立されており、その一例をここで簡単に説明しておく。まずガラス等の基板の上にレジスト材料を塗布し、レジスト材料をリソグラフィの手法で露光・現像して部分的に除去することにより凹凸パターンの転写面を有する原盤が得られる。次に、原盤の転写面に無電解メッキ法で導電膜を成膜する。無電解メッキ法は化学メッキ法とも称されるウェットプロセスであるが、スパッタリング法等のドライプロセスで導電膜を成膜することも可能である。次に、導電膜を電極として電解メッキ法によりＮｉ（ニッケル）等の電解メッキ層を形成し、これら導電膜及び電解メッキ層を原盤から一体で剥離することによりスタンパが得られる（例えば、特許文献３参照）。尚、生産性の向上等のため、原盤から一体で剥離した導電膜及び電解メッキ層をメタルマスタとして用い、メタルマスタに電解メッキ法でスタンパを形成することもある。更に、電解メッキ法を１回又は複数回繰り返し、メタルマスタから他のメタルマスタを形成することもある。
【００１０】
このような光記録媒体の分野で確立されたスタンパの製造方法は、半導体製品や磁気記録媒体用のスタンパの製造にも利用しうる。
【００１１】
【特許文献１】特開２００３−１００６０９号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４２号公報
【特許文献３】特開平５−２０５３２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、原盤に導電膜を成膜する際、ウェットプロセスである無電解メッキ法を用いた場合、洗浄等の多数の前処理工程が必要となり、生産性が低いという問題があった。又、前処理工程において原盤の凸部を構成するレジスト材料が変形したり、前処理工程において異物が混入することがあり、原盤の凹凸パターンがスタンパやメタルマスタに正確に転写されないことがあった。
【００１３】
一方、ドライプロセスであるスパッタリング法を用いて原盤に導電膜を成膜すればスタンパを効率良く生産しうるが、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアでは、転写面に幅が１００ｎｍ以下の凹部を含む微細な凹凸パターンが形成された原盤を用いる場合があり、転写面の一部に導電膜が成膜されなかったり、成膜された導電膜内に空隙が形成され、これにより原盤の凹凸パターンがスタンパやメタルマスタに正確に転写されないことがあった。
【００１４】
これについて図１２を参照し、より詳細に説明する。原盤１００は、基板１０２の上にレジスト材料１０４が部分的に形成されており、レジスト材料１０４が転写面１００Ａの凹凸パターンの凸部を構成している。一般的なスパッタリング法では、Ａｒ等の希ガスのイオンがターゲットに様々な方向から衝突し、ターゲットの個々の粒子は様々な方向に飛散するため、ターゲットの粒子が被加工体に対して一方向に直線的に照射されることはない。このような一般的なスパッタリング法により導電膜を成膜すると、導電膜１０６は凸部を構成するレジスト材料１０４の上部近傍や凹部の底部近傍に堆積しやすい一方、凹部の側面には堆積しにくく、凹部の幅が狭い場合や凹部が深い場合には、凹部側面の一部に導電膜が成膜されないことがある。このような導電膜１０６を電極として電解メッキ層を成膜すると、凹部側面では電解メッキ層の成長が抑制されるため、所望の形状の凸部をスタンパに形成することができない。即ち原盤の転写面１００Ａの凹凸パターンをスタンパやメタルマスタに正確に転写できない。
【００１５】
これに対し、導電膜１０６を更に厚く成膜すれば、凹部側面を含む転写面１００Ａの全面に導電膜１０６を成膜しうるが、凹部の幅が狭い場合、図１３に示されるように、導電膜１０６が凹部側面に充分に堆積する前に、凸部の上部近傍に堆積した導電膜１０６と、これに隣り合う凸部の上部近傍に堆積した導電膜１０６とが結合して導電膜１０６の内部に空隙が形成されてしまうことがある。このような空隙を含む導電膜１０６を原盤から剥離すると、空隙の近傍の薄肉の部分が損壊することがあり、原盤の転写面１００Ａの凹凸パターンを転写して得られる本来の凹凸パターンに対して一部が崩れた形状の凹凸パターンがスタンパやメタルマスタに転写されてしまうこととなる。また、仮にスタンパやメタルマスタを損壊なく剥離できたとしても、スタンパやメタルマスタがその凸部の内部に空隙を含んでいると、スタンパやメタルマスタとしての耐久性が著しく低下するという問題がある。
【００１６】
即ち、スタンパを利用することで被加工体を所定の凹凸パターンに効率良く加工できるものの、幅が１００ｎｍ以下の凹部を含むような微細な凹凸パターンが転写面に形成された原盤からスタンパを製造する場合、スタンパ自体を効率良く、且つ、高精度で製造することが困難であった。
【００１７】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、微細な凹凸パターンのスタンパを効率良く高精度で製造できるスタンパの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、所定の凹凸パターンの転写面を有する原盤に、例えばイオンビームデポジション法のような照射源から粒子を一方向に直線的に照射して膜を成膜する成膜法により、原盤の表面の法線に対して少なくとも一時的に照射方向を相対的に傾斜させ、且つ、照射源に対して原盤の姿勢を相対的に変化させつつ（例えば照射源に対して原盤を回転させつつ）導電性材料の粒子を照射し、転写面の上に導電膜を成膜することにより上記目的を達成するものである。
【００１９】
イオンビームデポジション法のような照射源から粒子を一方向に直線的に照射して膜を成膜する成膜法を用い、原盤の表面の法線に対して照射方向を相対的に傾斜させることで、転写面の凹凸パターンの凸部の上面や凹部の底面だけでなく、凹部の側面にも導電膜を確実に成膜できる。この導電膜を電極として電解メッキ法で電解メッキ層を成膜することで、原盤の凹凸パターンが正確に転写されたスタンパやメタルマスタを製造できる。又、導電膜の成膜法としてイオンビームデポジション法のようなドライプロセスを用いれば、洗浄等の多数の前処理工程を行う必要がないのでそれだけスタンパの生産性を高めることができる。更に、前処理工程において原盤の凸部を構成するレジスト材料が変形したり、前処理工程において異物が混入することもないので、この点でも原盤の凹凸パターンをスタンパやメタルマスタに正確に転写できる。
【００２０】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成することができる。
【００２１】
（１）所定の凹凸パターンの転写面を有する原盤に、照射源から粒子を一方向に直線的に照射して膜を成膜する成膜法により、前記原盤の表面の法線に対して少なくとも一時的に照射方向を相対的に傾斜させ、且つ、前記照射源に対して前記原盤の姿勢を相対的に変化させつつ導電性材料の粒子を照射し、前記転写面の上に導電膜を成膜する導電膜成膜工程と、前記導電膜の上に電解メッキ法で電解メッキ層を形成する電解メッキ工程と、を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
【００２２】
（２）  （１）において、前記導電膜成膜工程において、前記照射源に対して前記原盤を相対的に回転させつつ前記転写面の上に前記導電膜を成膜することを特徴とするスタンパの製造方法。
【００２３】
（３）  （１）又は（２）において、前記導電膜成膜工程における成膜法は、イオンビームデポジション法であることを特徴とするスタンパの製造方法。
【００２４】
（４）  （１）乃至（３）のいずれかにおいて、前記導電膜成膜工程において、前記原盤の表面の法線に対して少なくとも一時的に前記照射方向を相対的に４０〜５０°傾斜させることを特徴とするスタンパの製造方法。
【００２５】
（５）  （１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記原盤として前記転写面に幅が１００ｎｍ以下の凹部を含む凹凸パターンが形成された原盤を用いることを特徴とするスタンパの製造方法。
【００２６】
（６）  （１）乃至（５）のいずれかにおいて、前記電解メッキ工程を第１の電解メッキ工程として該第１の電解メッキ工程の後に、前記原盤から前記導電膜及び前記電解メッキ層を一体で剥離する剥離工程と、これら導電膜及び電解メッキ層をメタルマスタとして用い、該メタルマスタの上に電解メッキ法によりスタンパ及び他のメタルマスタのいずれかを形成する第２の電解メッキ工程と、が設けられたことを特徴とするスタンパの製造方法。
【００２７】
尚、本出願において「原盤の表面の法線」という用語は、転写面の凹凸パターンを無視しうる程度に原盤を巨視的に見た場合の原盤における転写面側の表面の法線という意義で用いることとする。
【００２８】
又、本出願において「粒子を一方向に直線的に照射する」とは、大多数の粒子を一方向にほぼ平行に直線的に照射するという意義であって、総ての粒子を一方向に完全に平行に照射するという意義に限定されない。
【００２９】
又、本出願において「イオンビームデポジション法」という用語は、イオンビームを利用して被加工体に対して粒子を一方向に直線的に照射する成膜手法の総称であって、膜の材料であるターゲットに所定の方向から希ガス等のイオンビームを直線的に衝突させてターゲットの粒子を被加工体に飛散させて照射するイオンビームスパッタリング法、膜の材料である粒子のイオンビームを被加工体に対して照射する質量分離方式又は質量非分離方式のイオンビーム法、膜の材料である粒子をクラスター化し、クラスターのイオンビームを被加工体に対して照射するクラスターイオンビーム法等を含む意義で用いることとする。尚、イオンビームスパッタリング法は、ターゲットに所定の方向から直線的にイオンビームを照射する（イオンを衝突させる）という点で、ターゲットに様々な方向からイオンが衝突する一般的なスパッタリング法と異なる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば微細な凹凸パターンのスタンパを効率良く高精度で製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】
本発明の第１実施形態は、図１に示されるような所定の凹凸パターンの転写面１０Ａを有する原盤１０からスタンパ１２を製造する方法に関する。原盤１０は、材料がシリコン、ガラス等である基板１４と、基板１４の上に部分的に形成されたレジスト材料１６と、を有し、レジスト材料１６が転写面１０Ａの凹凸パターンの凸部を構成している。転写面１０Ａの凹凸パターンは幅が１００ｎｍ以下の凹部を含んでいる。スタンパ１２は、導電膜１８と電解メッキ層２０とを有している。
【００３３】
このスタンパ１２の製造方法を図２に示されるフローチャートに沿って説明する。
【００３４】
まず、原盤１０を作製する（Ｓ１０２）。具体的には、基板１４を洗浄し、該基板１４の片面に密着材の薄膜（図示省略）を形成してからスピンコート法でレジスト材料１６を塗布する。次に、ベーキングによりレジスト材料１６中の溶剤を蒸発させて乾燥させ、レジスト材料１６の膜厚、欠陥を検査する。更に、転写面１０Ａの凹凸パターンに相当するパターンでレジスト材料１６にレーザー光線又は電子線を照射し、現像処理を施してレジスト材料１６の感光部又は非感光部を選択的に除去することにより原盤１０が得られる。
【００３５】
次に、イオンビームデポジション法（照射源から粒子を一方向に直線的に照射して膜を成膜する成膜法）により、原盤１０の転写面１０Ａの上に導電膜１８を成膜する（Ｓ１０４）。具体的には、図３に示されるようなイオンビームデポジション装置３０を用いて、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対して照射方向を相対的に傾斜させ、且つ、原盤１０を回転させつつ（照射源に対して原盤１０の姿勢を相対的に変化させつつ）、原盤１０にＮｉ（導電性材料）の粒子を照射し、転写面１０Ａの上に導電膜１８を成膜する。この際、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対してＮｉの粒子の照射方向を（４０〜５０°の範囲内の）４５°程度傾斜させることが好ましい。
【００３６】
イオンビームデポジション装置３０は、具体的にはイオンビームデポジション法のうちイオンビームスパッタリング法と称される手法で薄膜を形成する装置であり、Ｎｉからなるターゲットを備える照射源３２と、照射源３２に対してＡｒのイオンビームを照射するためのイオンビーム発生源３４と、原盤１０を所定の姿勢で保持するための保持機構３６と、照射源３２及び保持機構３６を収容する真空チャンバ３８と、を備えている。
【００３７】
照射源３２は、イオンビーム発生源３４から照射されるＡｒのイオンビームに対しＮｉからなるターゲットの表面が傾斜するように設置されており、Ａｒのイオンビームの衝突により生じるＮｉの粒子をＡｒのイオンビームの入射方向に対して対称的な方向に放出するようになっている。
【００３８】
保持機構３６は、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対し、照射源３２から照射されるＮｉの粒子の照射方向が傾斜するように原盤１０を保持可能である治具３６Ａと、治具３６Ａと共に原盤１０を回転させるための回転駆動機構３６Ｂと、を備えている。回転駆動機構３６Ｂは、原盤１０を、その中心軸廻りに回転させるように構成されている。保持機構３６は、照射源３２から照射されるＮｉの粒子の照射方向に対して原盤１０を保持する角度を調節可能とされている。
【００３９】
イオンビームデポジション法は、照射する粒子の指向性に優れており、更に、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対してＮｉの粒子の照射方向が相対的に傾斜しているので、Ｎｉの粒子は、図４に示されるように、転写面１０Ａの凹凸パターンの凸部の上面や凹部の底面だけでなく、凹部の側面にも確実に堆積する。Ｎｉの粒子が完全に直線的な挙動だけを示す場合、凹部の底部近傍にはＮｉの粒子が到達しないことも考えられるが、実際には凹部の底部近傍にもＮｉの粒子が堆積する。これは、凹部の側面に衝突したＮｉの粒子の一部が凹部の底部近傍にも回り込むためと考えられる。尚、凹部の一対の側面のうち、Ｎｉの粒子が照射される側面と反対側の側面や、その底部近傍の凹部の底面には一時的にＮｉの粒子が到達しないこともあるが、原盤１０が回転することで、このような部分にもＮｉの粒子を堆積させることができ、図５に示されるように原盤１０の転写面１０Ａの全面に導電膜１８が確実に成膜される。
【００４０】
次に、電解メッキ法により導電膜１８の上に、図６に示されるように電解メッキ層２０を成膜する（Ｓ１０６）。具体的には、転写面１０Ａに導電膜１８が成膜された原盤１０をスルファミン酸ニッケル溶液中に浸漬し、導電膜１８を電極として通電することによりニッケルの膜を成長させて、電解メッキ層２０を成膜する。原盤１０の転写面１０Ａの全面に導電膜１８が成膜されているので、電解メッキ層２０も原盤１０の転写面１０Ａの全面に確実に成膜される。
【００４１】
次に、導電膜１８及び電解メッキ層２０を一体で原盤１０から剥離する（Ｓ１０８）。剥離した導電膜１８及び電解メッキ層２０には、レジスト材料１６が付着していることがあるので有機溶剤でレジスト材料１６を除去し、必要に応じて導電膜１８及び電解メッキ層２０の外周等を打抜いて形状を整え、電解メッキ層２０における導電膜１８と反対側の面を研磨してから超純水で超音波洗浄する。これにより、前記図１に示されるスタンパ１２が完成する。尚、スタンパ１２の凹凸パターンは、原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンと凹凸の向きが反対である。
【００４２】
このように、導電膜１８の成膜法として、照射する粒子の指向性に優れるイオンビームデポジション法を用い、且つ、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対して照射方向を相対的に傾斜させることで、原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンは幅が１００ｎｍ以下の狭い凹部を含んでいるにも拘わらず、転写面１０Ａの凹凸パターンの凸部の上面や凹部の底面だけでなく、転写面１０Ａの凹部の側面にも導電膜１８を確実に成膜できる。この導電膜１８を電極として電解メッキ法で電解メッキ層２０を成膜することで、原盤１０の凹凸パターンが正確に転写されたスタンパ１２を製造できる。
【００４３】
言い換えれば、本第１実施形態のスタンパの製造方法は、幅が１００ｎｍ以下の狭い凹部を含む凹凸パターンが転写面に形成された原盤からスタンパを製造する場合に、特に好適である。
【００４４】
又、導電膜１８の成膜法としてドライプロセスであるイオンビームデポジション法を用いており、洗浄等の多数の前処理工程を行う必要がないので生産性が良い。更に、前処理工程において原盤の凸部を構成するレジスト材料が変形したり、前処理工程において異物が混入することもないので、この点でも原盤１０の凹凸パターンが正確に転写されたスタンパ１２を製造できる。
【００４５】
又、転写面１０Ａの凹部の側面にも導電膜１８を確実に成膜し、この導電膜１８を電極として電解メッキ法で電解メッキ層２０を成膜しており、スタンパ１２の凸部の内部に空隙が形成されることがないので、スタンパ１２は耐久性に優れている。
【００４６】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００４７】
前記第１実施形態では導電膜１８及び電解メッキ層２０がスタンパ１２であるのに対し、本第２実施形態では、導電膜１８及び電解メッキ層２０をメタルマスタとして用い、メタルマスタの上に電解メッキ法によりスタンパを形成することを特徴としている。
【００４８】
具体的には、図７のフローチャートに示されるように、前記電解メッキ工程（Ｓ１０６）を第１の電解メッキ工程として該第１の電解メッキ工程の後に、メタルマスタの上に電解メッキ法によりスタンパを形成する第２の電解メッキ工程（Ｓ２０２）が設けられたことを特徴としている。尚、他の工程については前記第１実施形態と同様であるので、前記第１実施形態と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。
【００４９】
まず、前記第１実施形態と同様の要領で、原盤１０を作製し（Ｓ１０２）、原盤１０の上に導電膜１８を成膜し（Ｓ１０４）、更に導電膜１８の上に電解メッキ層２０を成膜して（Ｓ１０６）、これら導電膜１８及び電解メッキ層２０を一体で原盤１０から剥離する（Ｓ１０８）。これにより、前記スタンパ１２と同様の構成の図８に示されるようなメタルマスタ５０が得られる。尚、有機溶剤でレジスト材料１６を除去し、必要に応じて導電膜１８及び電解メッキ層２０の外周等を打抜いて形状を整え、電解メッキ層２０における導電膜１８と反対側の面を研磨してから超純水で超音波洗浄する。
【００５０】
次に、必要に応じてメタルマスタ５０の表面酸化処理を行った後、電解メッキ法により、図９に示されるように、メタルマスタ５０の上にニッケルの膜を成長させてスタンパ５２を形成する（Ｓ２０２）。メタルマスタ５０には原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンが正確に転写されているので、スタンパ５２にも原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンが正確に転写される。尚、スタンパ５２の凹凸パターンは、原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンと凹凸の向きが一致する。
【００５１】
又、メタルマスタ５０の凸部の内部に空隙が形成されていると、スタンパ５２の剥離時において空隙の近傍の薄肉の部分が損壊しうるが、メタルマスタ５０は、上記のようにその凸部の内部における空隙の形成を防止するように製造されているので、メタルマスタ５０は耐久性に優れている。
【００５２】
又、メタルマスタ５０の上に電解メッキ法によりスタンパ５２を形成することで、スタンパ５２の量産が容易となり、生産性の一層の向上に寄与する。
【００５３】
尚、本第２実施形態において、導電膜１８及び電解メッキ層２０をメタルマスタ５０として用い、メタルマスタ５０の上に電解メッキ法によりスタンパ５２を形成しているが、メタルマスタ５０の上に電解メッキ法により他のメタルマスタを形成し、このメタルマスタの上に電解メッキ法によりスタンパを形成してもよい。このようにすることで、前記第１実施形態と同様に、原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンと凹凸の向きが反対のスタンパが得られる。又、更に電解メッキ法を繰り返してメタルマスタ、スタンパを作製してもよい。
【００５４】
又、前記第１及び第２実施形態の導電膜成膜工程（Ｓ１０４）において、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対してＮｉの粒子の照射方向を（４０〜５０°の範囲内の）４５°程度傾斜させる例を示しているが、凹凸パターンの転写面１０Ａの全面に導電膜１８を確実に成膜できれば、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対する導電性材料の粒子の照射方向の角度は、他の範囲の角度としてもよい。
【００５５】
又、前記第１及び第２実施形態の導電膜成膜工程（Ｓ１０４）において、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対する導電性材料の粒子の照射方向の傾斜角を一定に保持して導電膜１８を成膜しているが、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対する導電性材料の粒子の照射方向を変化させつつ、導電膜１８を成膜してもよい。更に、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対し、一時的に導電性材料の粒子の照射方向を平行にしてもよい。
【００５６】
例えば、原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンの凹部の幅が狭い場合や凹部が深い場合、凹部の底面には導電膜が成膜されにくい一方、凸部の上面に導電膜が成膜しやすく、この凸部の上面に成膜される導電膜のために、粒子が凹部に到達しにくくなると推定される。このような場合、まず、原盤１０の表面の法線Ｌｎに対して導電性材料の粒子の照射方向を近い角度又は、原盤１０の表面の法線Ｌｎと平行に設定し、凹部の底部に導電膜を成膜してから導電性材料の粒子の照射方向を原盤１０の表面の法線Ｌｎから離れる方向に傾斜させることで凹凸パターンの全面に一層確実に導電膜を成膜できると期待される。
【００５７】
又、前記第１及び第２実施形態の導電膜成膜工程（Ｓ１０４）において、イオンビームスパッタリング法を用いて導電膜１８を成膜しているが、例えば、膜の材料である粒子のイオンビームを被加工体に対して照射する質量分離方式又は質量非分離方式のイオンビーム法、膜の材料である粒子をクラスター化し、クラスターのイオンビームを被加工体に対して照射するクラスターイオンビーム法等の他のイオンビームデポジション法を用いて導電膜を成膜してもよい。更に、照射する粒子の指向性に優れた成膜法であれば、イオンビームデポジション法以外の成膜法で導電膜１８を成膜してもよい。
【００５８】
又、前記第１及び第２実施形態の導電膜成膜工程（Ｓ１０４）において、原盤１０をその中心軸廻りに回転させつつ導電膜１８を成膜しているが、原盤１０の転写面１０Ａの全面に確実に導電膜１８を成膜できれば、中心軸以外の軸廻りに原盤１０を回転させつつ導電膜１８を成膜してもよい。
【００５９】
又、前記第１及び第２実施形態の導電膜成膜工程（Ｓ１０４）において、原盤１０を回転させつつ導電膜１８を成膜しているが、例えば原盤１０の廻りに照射源３２を公転させるように、原盤１０に対して照射源３２を回転させつつ導電膜１８を成膜してもよい。又、原盤１０の転写面１０Ａの全面に確実に導電膜を成膜できれば、原盤１０の姿勢を照射源３２に対し回転以外の他の挙動で相対的に変化させつつ、導電膜１８を成膜してもよい。
【００６０】
又、前記第１及び第２実施形態において、導電膜１８の材料はＮｉであるが、導電膜の材料として、例えばＡｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の他の導電性の材料を用いてもよい。
【００６１】
又、前記第１及び第２実施形態において、電解メッキ層２０、スタンパ５２の材料もＮｉであるが、スタンパやメタルマスタとして適切な硬度及び延性を有する材料であれば、電解メッキ層、スタンパの材料として、例えばＮｉ−Ｃｏ（コバルト）合金等の他の材料を用いてもよい。
【００６２】
又、前記第１及び第２実施形態において、導電膜１８を、原盤１０の転写面１０Ａの凹凸パターンに倣って成膜し、凹部を導電膜１８で充填していないが、転写面１０Ａの凹凸パターンの凹部を導電膜１８で完全に充填してから電解メッキ層２０を成膜してもよい。
【００６３】
又、前記第１及び第２実施形態において、原盤１０は、材料がシリコン、ガラス等である基板１４と、基板１４の上に部分的に形成されたレジスト材料１６と、を有し、レジスト材料１６が転写面１０Ａの凹凸パターンの凸部を構成しているが、原盤の構成は特に限定されず、例えば、シリコン、ガラス等の基板自体にエッチング等で凹凸パターンの転写面を形成した構成の原盤を用いてもよい。
【実施例】
【００６４】
上記第１実施形態のとおり、スタンパ１２を作製した。具体的には、まずシリコンの基板１４の上にスピンコート法により電子線レジストであるレジスト材料１６を約１００ｎｍの厚さで成膜し、電子線描画装置により露光・現像して、転写面１０Ａに凸部幅（ライン幅）が約４０ｎｍ、凹部幅（スペース幅）が約５０ｎｍの凹凸パターンを形成し、原盤１０を作製した。尚、原盤１０は２枚作製した。
【００６５】
次に、（イオンビームデポジション法の一つである）イオンビームスパッタリング法により、以下のような条件でこれらの原盤１０の転写面１０ＡにＮｉの粒子を照射し、導電膜１８を成膜した。
【００６６】
ターゲットに照射されるイオンビームのガス：Ａｒ
（イオンビームの加速のための）第１のグリッド電圧：１２００Ｖ
（イオンビームの加速のための）第２のグリッド電圧：３２５Ｖ
ビーム電流：３２４ｍＡ
原盤１０の表面の法線Ｌｎに対するＮｉの粒子の照射方向の傾斜角：４５°
原盤１０の回転数：１０ｒｐｍ
【００６７】
２枚のサンプルのうち、一方のサンプルの断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察したところ、図１０に示されるように、凹凸パターンの転写面１０Ａの全面に導電膜１８が成膜されていた。
【００６８】
次に、他方のサンプルの導電膜１８の上に電解メッキ法により電解メッキ層２０を約３００μｍの厚さで成膜した。
【００６９】
これら電解メッキ層２０及び導電膜１８を一体で原盤１０から剥離し、レジスト１６を除去してスタンパ１２を作製した。
【００７０】
このスタンパ１２の断面をＳＥＭにて観察したところ、スタンパ１２内に空隙が形成されていないことが確認された。
【００７１】
更に、前記第２実施形態と同様に、このスタンパ１２をメタルマスタ５０として用いてメタルマスタ５０の上に電解メッキ法によりスタンパ５２を形成し、スタンパ５２の断面をＳＥＭにて観察したところ、スタンパ５２内にも空隙が形成されていないことが確認された。
【００７２】
［比較例］
上記実施例に対し、原盤１０の転写面１０Ａの上にスパッタリング法で導電膜１８を成膜した。断面をＳＥＭで観察したところ、図１１に示されるように、凹凸パターンの転写面１０Ａの凸部の上部近傍及び凹部の底部近傍に導電膜１８が成膜されていたが、凹部の側面のうち底部に近い部分には導電膜１８が殆ど成膜されていなかった。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、例えば、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディア等の凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体、半導体製品、光記録媒体等を製造するためのスタンパの製造に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る原盤及びスタンパの構造を模式的に示す側断面図
【図２】同スタンパの製造方法の概略を示すフローチャート
【図３】前記原盤に導電膜を成膜するためのイオンビームデポジション装置の構造を模式的に示す側面図
【図４】同導電膜が成膜される過程を模式的に示す側断面図
【図５】同導電膜が転写面の全面に成膜された原盤を模式的に示す側断面図
【図６】同導電膜の上に電解メッキ層が成膜された原盤を模式的に示す側断面図
【図７】本発明の第２実施形態に係るスタンパの製造方法の概略を示すフローチャート
【図８】同スタンパの製造に用いられるメタルマスタの構造を模式的に示す側断面図
【図９】同メタルマスタの上に形成されたスタンパを模式的に示す側断面図
【図１０】本発明の実施例における導電膜の形状を示す側断面の顕微鏡写真
【図１１】比較例における導電膜の形状を示す側断面の顕微鏡写真
【図１２】スパッタリング法により成膜された従来の導電膜の形状の一例を模式的に示す側断面図
【図１３】スパッタリング法により成膜された従来の導電膜の形状の他の一例を模式的に示す側断面図
【符号の説明】
【００７５】
１０、１００…原盤
１０Ａ、１００Ａ…転写面
１２、５２…スタンパ
１４、１０２…基板
１６、１０４…レジスト材料
１８、１０６…導電膜
２０…電解メッキ層
３０…イオンビームデポジション装置
３２…照射源
３４…イオンビーム発生源
３６…保持機構
３８…真空チャンバ
５０…メタルマスタ
Ｌｎ…原盤の表面の法線
Ｓ１０２…原盤作製工程
Ｓ１０４…導電膜成膜工程
Ｓ１０６…（第１の）電解メッキ工程
Ｓ１０８…剥離工程
Ｓ２０２…第２の電解メッキ工程
Ｓ２０４…剥離工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１０】
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【図１１】
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