(57)【要約】【課題】インプリント技術を用いてディスクリートトラックメディアやパターンドメディアに微細な形状パターニングを行うプロセスにおいて、均一かつ信頼性に優れた形状パターンの形成を行うためには、モールドのパターン形成面と磁気記録媒体の被インプリント面とを全面に渡って均一に圧接することが必要である。【解決手段】基体上の被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して形状パターンを被インプリント面に形状転写する工程において、モールドを被インプリント面に圧接するに先立って、被インプリント面の少なくとも一部を粗面化する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上の被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して前記形状パターンを前記被インプリント面に形状転写する工程と前記被インプリント面に強磁性層を形成する工程とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、
前記被インプリント面に脱気手段を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
基体上の被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して前記形状パターンを前記被インプリント面に形状転写する工程と前記被インプリント面に強磁性層を形成する工程とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、
前記モールドを前記被インプリント面に圧接するに先立って、前記被インプリント面の少なくとも一部を粗面化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記被インプリント面の粗面化された部分を介して前記モールドとの間の空気を脱気することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記被インプリント面の粗面化された部分の基準長さ１．２５μｍにおける最大高さを、前記モールドの前記形状パターンが形成された面の基準長さ１．２５μｍにおける最大高さの１／１０以上、２倍以下とすることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記被インプリント面が、基体上に形成されたレジスト層の表面により構成されることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記レジスト層の表面の少なくとも一部を露光・現像することによって粗面化することを特徴とする請求項５記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記被インプリント面が、基体上に形成されたＳｉ層の表面により構成されることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記被インプリント面が、基体上に形成された高分子材料よりなる樹脂層の表面により構成されることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記被インプリント面が、基体上に形成されたガラス層の表面により構成されることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記被インプリント面が、Ｓｉ基板の表面であることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記被インプリント面が、高分子材料よりなる樹脂基板の表面であることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記被インプリント面が、ガラス基板の表面であることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記被インプリント面に前記モールドを圧接するに際して、前記インプリント面を加熱することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記モールドが加熱されて圧接されることにより、前記被インプリント面の加熱が行われることを特徴とする請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記モールドは少なくともその一部に透光部を有し、前記透光部を通して照射される光により、前記被インプリント面の加熱が行われることを特徴とする請求項１３記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記被インプリント面に微粒子を吹き付けることによって粗面化することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
前記被インプリント面を研磨テープで研磨することにより粗面化することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
前記被インプリント面を砥粒で研磨することにより粗面化することを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】
被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して前記形状パターンを前記被インプリント面に形状転写するインプリント方法であって、
前記被インプリント面に脱気手段を備えることを特徴とするインプリント方法。
【請求項２０】
被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して前記形状パターンを前記被インプリント面に形状転写するインプリント方法であって、
前記モールドを前記被インプリント面に圧接するに先立って、前記被インプリント面の少なくとも一部を粗面化することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２１】
前記被インプリント面の粗面化された部分を介して前記モールドとの間の空気を脱気することを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項２２】
前記被インプリント面の粗面化された部分の基準長さ１．２５μｍにおける最大高さを、前記モールドの前記形状パターンが形成された面の基準長さ１．２５μｍにおける最大高さの１／１０以上、２倍以下とすることを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項２３】
前記被インプリント面が、基体上に形成されたレジスト層の表面により構成されることを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項２４】
前記レジスト層の表面の少なくとも一部を露光・現像することによって粗面化することを特徴とする請求項２３記載のインプリント方法。
【請求項２５】
前記被インプリント面が、基体上に形成されたＳｉ層の表面により構成されることを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項２６】
前記被インプリント面が、基体上に形成された高分子材料よりなる樹脂層の表面により構成されることを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項２７】
前記被インプリント面が、基体上に形成されたガラス層の表面により構成されることを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項２８】
前記被インプリント面が、Ｓｉ基板の表面であることを特徴とする請求項２０記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２９】
前記被インプリント面が、高分子材料よりなる樹脂基板の表面であることを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項３０】
前記被インプリント面が、ガラス基板の表面であることを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項３１】
前記被インプリント面に前記モールドを圧接するに際して、前記インプリント面を加熱することを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項３２】
前記モールドが加熱されて圧接されることにより、前記被インプリント面の加熱が行われることを特徴とする請求項３１記載のインプリント方法。
【請求項３３】
前記モールドは少なくともその一部に透光部を有し、前記透光部を通して照射される光により、前記被インプリント面の加熱が行われることを特徴とする請求項３１記載のインプリント方法。
【請求項３４】
前記被インプリント面に微粒子を吹き付けることによって粗面化することを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項３５】
前記被インプリント面を研磨テープで研磨することにより粗面化することを特徴とする請求項２０記載のインプリント方法。
【請求項３６】
前記被インプリント面を砥粒で研磨することにより粗面化することを特徴とする請求項２０のインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、信号記録のためのトラックを予め所定の形状情報で備えたディスクリートトラックメディアや信号記録のためのビットを予め所定の形状情報で備えたパターンドメディアといった磁気記録媒体の製造方法とその製造方法に用いることのできるインプリント方法に関わる。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録再生装置は、小型でかつ大容量を実現するために、高記録密度化の傾向にある。代表的な磁気記憶装置であるハードディスクドライブの分野においては、すでに面記録密度６０Ｇｂｉｔ／ｉｎ２（９３Ｍｂｉｔ／ｍｍ２）を超える装置が商品化されており、まもなく、面記録密度が１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２（１５５Ｍｂｉｔ／ｍｍ２）の実用化が議論されるほどの急激な技術進歩が認められる。
【０００３】
このような高記録密度化を可能とした技術的背景としては、従来の誘導型磁気ヘッドに比べてはるかに再生出力性能に優れた巨大磁気抵抗効果型ヘッド（ＧＭＲヘッド）の実用化によるトラック密度の向上、さらに媒体性能、ヘッド・ディスクインターフェース性能の向上やパーシャルレスポンス等の新規な信号処理方式の出現による線記録密度の向上が挙げられる。上記のような技術進歩によって、現在、ハードディスクドライブに記録される記録信号ビットのサイズは、トラック幅が数百nm、線記録方向の磁化反転長が数十nmにまで小さくなっている。
【０００４】
しかしながら一方で、現状を超える高記録密度化を阻害する要因も次第に明らかになりつつあり、今後解決すべき課題として認識されている。
【０００５】
トラック密度の向上を阻害する要因のひとつに、隣接トラック間のイレーズノイズおよび隣接トラックからのクロストークノイズがある。トラック密度の向上に伴って隣接トラック間の距離が小さくなるため、信号の記録後、隣接トラック間には複雑に磁化干渉したイレーズバンドが形成され、信号再生時にノイズの原因となる。また隣接トラック間の距離が小さくなるため、特定のトラックを信号再生しようとする磁気ヘッドは、隣接トラックに記録された信号をもノイズとして検出してしまう。上記はいずれも、再生信号Ｓ／Ｎを低下させる要因となる。
【０００６】
また線記録密度の向上を阻害する要因のひとつに、記録磁化の熱揺らぎによる減磁がある。線記録方向の磁化反転長すなわちビット長が小さくなるに従って、磁気記録媒体磁性層は超常磁性的な挙動を示し、常温においても磁化の熱擾乱によって時間の経過とともに記録情報を消失していくのである。
【０００７】
前者のイレーズノイズおよびクロストークノイズを解決する手段として、例えば特許文献１および特許文献２には、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
【０００８】
また後者の熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、例えば特許文献３には、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。従来の連続磁性薄膜からなる磁気記録媒体において記録分解能を向上し、必要な信号Ｓ／Ｎを得るためには、磁性薄膜の膜厚をより薄くかつ磁気モーメントをより小さくするとともに、磁性薄膜を構成する磁性粒子をより微粒子化することが必要であった。これらの要求は、熱揺らぎに対する耐性向上に対しては相反する要求である。一方、パターンドメディアでは、個々のビット間に非磁性領域を設けて磁気的に分離することにより、より厚く磁気モーメントの大きな磁性材料を用いた場合においても十分な記録分解能と信号Ｓ／Ｎを得ることが出来る。さらに個々のビット内は微粒子化することなく、単磁区粒子で構成することができるので、高密度記録時において良好な信号Ｓ／Ｎと熱揺らぎ耐性とを両立可能な構造として注目されている。
【０００９】
上記のようなディスクリートトラックメディアやパターンドメディアを製造する際には、磁気記録媒体の表面を所定の形状に一枚一枚パターニングすることが必要である。しかしながら、既述のように、現在のハードディスクにおけるトラック幅は数百nm、ビット長は数十nm程度となっており、ハードディスク全面をこのような微細形状に加工することは容易ではない。このような微細加工に必要な解像度は、電子ビームリソグラフィといった高度なリソグラフィ技術を用いれば可能であるが、電子ビームリソグラフィは基本的に小径ビームを用いて一筆書きしていく要領でパターン露光を行うため、露光に多くの時間を要するので、生産性およびコスト性能に劣り、磁気記録媒体の大量生産には不向きである。
【００１０】
そこでディスクリートトラックメディアやパターンドメディアの生産性を向上する手段として、例えば特許文献４、特許文献５、特許文献６には、インプリント技術を用いて形状パターニングを行う方法が開示されている。同特許文献によれば、所定の形状パターンを備えたモールドを磁気記録媒体表面に圧接することにより、媒体表面に一括して形状転写することが可能である。すなわち、電子ビームリソグラフィを用いて一度原版であるモールドに形状パターンを形成してしまえば、磁気記録媒体一枚一枚の形状パターニングは、あたかも樹脂成形を行うように比較的短時間かつ容易に行うことが出来るのである。
【００１１】
ところで、このようなインプリント技術による形状パターニングを適切に行うためには、モールドのパターン形成面と磁気記録媒体の被インプリント面とを全面に渡って均一に圧接することが必要である。とりわけ磁気記録媒体の表面形状は一般にある程度のうねりを有しているので、このうねりによる凹部とモールド表面との間に生じる可能性のある空隙を如何に効率的に除去して、被インプリント面を全面均一にモールド面に圧接するかが重要である。上記を実現するための一手段としては、例えば特許文献７、特許文献８、特許文献９には、モールドを多孔質物質で構成する、あるいはモールドに吸引孔を設けることによって、被インプリント面との間をモールド側から脱気する技術が開示されている。
【特許文献１】特開昭５６−１１９９３４号公報
【特許文献２】特開平２−２０１７３０号公報
【特許文献３】特開平３−２２２１１号公報
【特許文献４】特開２００３−１６６２１号公報
【特許文献５】特開２００３−１６６２３号公報
【特許文献６】米国特許出願公開第２００４／００４６２８８号明細書
【特許文献７】特開平１−２５９９１４号公報
【特許文献８】特開平２−６９３２７号公報
【特許文献９】特開平８−２２６０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら特許文献７、特許文献８、特許文献９に開示された方法では、モールドの物性や加工性の面から構成材料に制限を受けるとともに、モールド側に形成された孔形状までもが不要な形状パターンとして被インプリント面に形成されてしまうという課題がある。
【００１３】
例えばディスクリートトラックメディアやパターンドメディアにインプリントを行う際には、被インプリント面を適切な温度に加熱することが求められる場合がある。特許文献６の方法では、このような加熱を光の照射で行うために、モールドは透明な材料で構成される。特許文献７や特許文献８に開示された多孔質材料よりなるモールドは、例えばこのような加熱手段に際して必要な耐熱性や透光性といった必要物性を兼ね備えるもので無ければならない。このような観点から、特許文献７や特許文献８に開示された方法は、モールド材料の選択の余地を大幅に制限してしまう。
【００１４】
さらに既述したように、ディスクリートトラックメディアやパターンドメディアにインプリントされる形状パターンは、トラック幅で数百nm、ビット長で数十nmもの微小サイズである。特許文献７、特許文献８、特許文献９に開示された構成では、このような微小な形状情報に混じって、脱気用に設けられたモールドの孔形状が被インプリント面に一緒に形状転写されてしまう。このことは、ディスクリートトラックメディア、パターンドメディアといった磁気記録媒体としての構成上、到底好ましいことではない。
【００１５】
本発明は、前記のような従来の問題を解決するものであり、インプリント技術を用いてディスクリートトラックメディアあるいはパターンドメディアの記録面全面において高品質な形状パターンを形成することが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するために、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基体上の被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して形状パターンを被インプリント面に形状転写する工程と被インプリント面に強磁性層を形成する工程とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、被インプリント面に脱気手段を備えることを特徴とする。さらに本発明の磁気記録媒体の製造方法は、基体上の被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して形状パターンを被インプリント面に形状転写する工程と被インプリント面に強磁性層を形成する工程とを備えた磁気記録媒体の製造方法であって、モールドを被インプリント面に圧接するに先立って、被インプリント面の少なくとも一部を粗面化することを特徴とする。
【００１７】
また本発明の構成は、磁気記録媒体の製造方法に限らず、様々な微細加工部品の製造に用いられるインプリント技術に応用することも可能である。上記を実現するために、本発明のインプリント方法は、被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して形状パターンを被インプリント面に形状転写するインプリント方法であって、被インプリント面に脱気手段を備えることを特徴とする。さらに本発明のインプリント方法は、被インプリント面に特定の形状パターンを有するモールドを圧接して形状パターンを被インプリント面に形状転写するインプリント方法であって、モールドを被インプリント面に圧接するに先立って、被インプリント面の少なくとも一部を粗面化することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、モールドのパターン形成面と被インプリント面とを全面に渡って均一に圧接することが可能であり、またモールド側に形成された孔形状が不要な形状パターンとして被インプリント面に形成されてしまうといった不具合を生じることも無く、インプリント技術による高品質な形状パターニングを適切に行うことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２０】
（実施の形態１）
まず、本発明の実施の形態１に係る磁気記録媒体の製造方法について説明する。図１に、本実施の形態に係るインプリントを実施するためのプロセス概略図を示している。図１において、モールド１の表面には、インプリントにより被インプリント面２に転写される微細な凹凸形状パターンが形成されている。例えばディスクリートトラックメディアを製造するためのモールドでは、このような凹凸形状パターンは、信号の記録トラック形状に対応した同心円状もしくはスパイラル上の形状パターンである。一方、パターンドメディアを製造するためのモールドでは、このような凹凸形状パターンは、個々の記録ビット形状に対応した矩形もしくは円形、長円形の配列により構成される形状パターンである。またディスクリートトラックメディア、パターンドメディア、いずれの場合においても、サーボトラッキング信号に対応する形状パターンを同時に備えることも可能である。
【００２１】
図１に示す構成例においては、平滑な基体４上に被インプリント層３が形成されており、モールド１の凹凸形状パターンは、この被インプリント層３に転写される。被インプリント層は、インプリントの際に可塑化され、モールドの凹凸形状パターンを転写可能な材質のものであれば用いることが出来る。インプリントプロセスにおいて被インプリント層として最も一般的に用いられるのは、感光性あるいは電子ビーム露光、Ｘ線露光用のレジスト層である。他に好ましい例として、熱可塑性の高分子樹脂層、比較的低融点を有する硝材よりなるガラス層などを用いることができる。またＳｉ膜も、被インプリント層３を構成する材料として適している。特にスパッタ法、ＣＶＤ法、蒸着法などの気相堆積法を用いて形成することができるアモルファスＳｉ膜や多結晶Ｓｉ膜は、レーザなど光照射による加熱によって比較的容易に可塑化し、モールドの微細形状を良好に転写することが可能である。
【００２２】
被インプリント層３の層厚は、インプリントにより転写される形状パターン、サイズおよび被インプリント層の材質にもよるが、多くの場合には、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲が好ましい。例えば、被インプリント層３としてレジスト層を用いてディスクリートトラックメディアを製造する場合、レジスト層厚は形成されるトラックの幅程度が好ましく、５０ｎｍから５００ｎｍ程度の範囲において最適化すれば良い。一方、パターンドメディアを製造する場合、被インプリント層の層厚は形成されるビットサイズ程度が好ましいので、ディスクリートトラックメディアを製造する場合よりは小さく、１０ｎｍから１００ｎｍ程度の範囲において最適化すれば良い。
【００２３】
被インプリント面２、すなわち被インプリント層３の表面には、少なくともその一部分において、比較的表面粗さの大きな部分が形成されている。インプリントの際、モールド１と被インプリント面２との間に存在する空気は、この粗面化された部分を通じて脱気される。これにより、モールド１が基体４に圧接された状態では、両者間に空隙を生じることなく、全面均一に密着させることが可能となる。
【００２４】
モールド１を基体４に一定時間、特定の圧力で圧接した後、両者を離間することによってインプリントプロセスは完了する。インプリントを完了して両者を離間した時には、被インプリント層３の表面２に当初形成されていた粗面化部分の大きな表面粗さは残留することなく消失し、代わりにモールド１表面の微細な凹凸形状パターンに対応する形状パターンが転写されて形成される。
【００２５】
以上のようなプロセスにより、本願発明の構成においては、形状パターン欠陥を生じること無く、信頼性の高いインプリントを行うことが可能となる。
【００２６】
上記のような本願構成の効果を十分に得るためには、インプリント装置には図２に示す構成を備えることが好ましい。図２（１）において、被インプリント層２（図示せず）が形成された基体４、ステージ５は、微細形状パターン（図示せず）を有するモールド１とともにチャンバー６内に格納される。最初、チャンバー６内は大気圧近傍に維持され、基体４はステージ５上に吸引チャックされている。ステージ５表面には、その中心近傍を凸とするクラウン形状が形成されており、ステージ５上にチャックされた基体４もまた、中心近傍を凸とする反りを生じる。この状態でモールド１をステージ５に圧接していくことにより、基体４は中心近傍から順次、モールド１表面に接触していく。次にモールド１をステージ５に十分圧接した状態で、チャンバー６内を減圧するとともに、基体４の吸引チャックを解除してステージ５からリリースする。これにより、図２（２）に示すように、基体４は全面がモールド１表面に密着する。この際、基体４は、その中心近傍から外側に向かってモールド１密着していくので、中心近傍の空気が外側に脱気されやすく、両者を全面にわたってより均一に密着しやすくなる。
【００２７】
図２の構成において、実施の形態によっては、減圧化のチャンバー６内でモールド１と基体４を吸引密着することにより、被インプリント層への形状転写を良好に完了できる場合もある。上記の吸引密着だけでは被インプリント層への形状転写が不十分である場合には、別途の加圧手段を採用して、モールド１と基体４とを全面圧接すればよい。加圧の際の圧力は、多くの場合、０．１ＭＰａから１００ＭＰａの範囲が好ましい。加圧圧力が０．１ＭＰａよりも小さい場合には、インプリントによって被インプリント層に十分な形状転写がなされない場合がある。一方、加圧圧力が１００ＭＰａよりも大きい場合には、早期にモールドの形状パターンに劣化を生じるといったモールドの寿命低下を生じたり、基体４の損傷を生じたりする場合がある。
【００２８】
インプリント前の被インプリント面２の粗面化部分の表面粗さは、モールド１表面に形成された形状パターンの凹凸と同程度の大きさとするのが良い。仮に、粗面化部分の表面粗さがインプリントにより転写されるべき形状パターンの凹凸よりも大きくなったとしても、一向に差し支えはない。なぜならば、インプリントを完了してモールド１と被インプリント面２を離間した時には、被インプリント面２の粗面化部分の大きな表面粗さは残留することなく消失し、代わりにモールド１表面の微細な凹凸形状パターンに対応する形状パターンが転写されて形成されるからである。好ましくは、インプリント前の被インプリント面２の粗面化部分の表面粗さは、基準長さ１．２５μｍにおける最大高さＲｍａｘ（ＪＩＳ表面粗さ：Ｂ０６０１準拠）の値において、モールド１表面に形成された凹凸形状パターンの基準長さ１．２５μｍにおける最大高さＲｍａｘ（同じくＪＩＳ表面粗さ：Ｂ０６０１準拠）の値の１／１０以上、２倍以下とする。典型的な構成例を図３に示した。図３に示す構成例では、インプリント前の粗面化部分のＲｍａｘをモールド表面のＲｍａｘの１．７倍程度としている。
【００２９】
もしインプリント前の粗面化部分のＲｍａｘがモールド表面のＲｍａｘの１／１０よりも小さくなった場合には、モールド表面と被インプリント面の間の脱気効果が不十分となり、両者を全面均一に密着させることが出来ない場合がある。一方、インプリント前の粗面化部分のＲｍａｘがモールド表面のＲｍａｘの２倍よりも大きくなった場合には、インプリントの際にモールド表面と被インプリント面の間に気泡が残留し、転写された形状パターンに欠陥を生じる場合がある。
【００３０】
インプリントによって微細な形状パターンが転写された基体４には、その後、インプリント形成された形状パターンに対応した強磁性薄膜の形状パターンが形成される。このプロセスの構成例を図４に示した。図４（１）は、インプリントによって形状が転写された被インプリント層３を有する基体４である。この状態で、図４（２）に示すように、基体４表面に対してドライエッチングもしくはウェットエッチングを行うことにより、基体４上には被インプリント層の形状パターンに対応した孔形状加工がなされる。次に、図４（３）に示すように、エッチングにより形成された基体のエッチング孔７に埋め込むように強磁性薄膜８を形成する。強磁性薄膜８の形成には、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法などの気相堆積法のほか、めっき法などが適している。最後に、図４（４）に示すように、被インプリント層およびその上に堆積した不要な強磁性薄膜を除去して、磁気記録媒体表面のプレーナ処理を行う。被インプリント層およびその上に堆積した不要な強磁性薄膜の除去は、例えば被インプリント層がレジスト層の場合には、溶剤でレジスト層を溶かして不要な強磁性薄膜とともに除去するリフトオフ法を用いることができる。被インプリント層が溶剤によって容易に除去することが出来ない材質のものである場合などには、テープや砥粒による研磨、あるいはＣＭＰなどの研磨方法を用いることができる。
【００３１】
図５には、インプリント前の被インプリント面２に形成された粗面化部分の構成例を示す。図５（１）〜（３）はいずれも、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて測定された被インプリント面２の粗面化部分の像を示している。
【００３２】
図５（１）は、被インプリント面２を等方的なドット形状に粗面化した構成例を示している。このような構成を有する粗面化部を形成するには、例えば、微粒子を吹き付けることによって表面を粗面化するブラスティングの手法を用いることができる。
【００３３】
また、被インプリント面がレジスト層の表面である場合には、レジスト層を未飽和露光することによっても粗面化を行うことが出来る。図６は、一例として、ｉ線レジストをＵＶ光で露光・現像した後のレジスト残膜厚および表面の最大高さＲｍａｘと露光量の関係を示している。図６に示す例では、当初４５０ｎｍあったレジスト膜厚は、Ｅ０以上の露光量で露光量の増加とともに減少し、露光量Ｅｓで０となる。本明細書では、この時の露光量Ｅｓを飽和露光量と定義する。通常のフォトリソグラフィプロセスでは、レジスト残渣が確実に残らないよう、かつ過露光によるレジストパターン形状の劣化を生じない程度に飽和露光量Ｅｓよりも若干大きな露光量（図６では例えばＥ２）を採用している場合が多い。これに対して、Ｅ０から飽和露光量Ｅｓの間の露光量で露光、すなわち未飽和露光した後、現像することにより、一定膜厚のレジスト層を残したまま、その表面粗さを大きくすることが出来る。例えば、図６に示した露光量Ｅ１で露光・現像した場合には、レジスト膜厚はほとんど減少させること無く、レジスト層表面の粗面化を行うことが可能である。
【００３４】
一方、図５（２）は、被インプリント面２を溝状の異方性を有するテクスチャ形状に粗面化した構成例を示している。このような構成を有する粗面化部を形成するには、例えば、研磨テープや砥粒による研磨が適している。
【００３５】
さらに、図５（３）は、被インプリント面２をバンプ形状に粗面化した構成例を示している。このような構成を有する粗面化部を形成するには、例えば、レーザ加熱によるテクスチャリング手法を用いることができる。しかしながら、このようなレーザテクスチャリングでは、バンプ一つ一つをレーザ過熱により形成するので、一般的には、図５（１）や（２）に示した構成の方が、生産性に優れている。
【００３６】
さてモールドが被インプリント層に圧接される際には、被インプリント層３がモールドの表面に形成された微細な凹凸形状に従って形状変化するよう、ある程度の可塑性を有していることが必要である。このような要件を容易に実現するためには、例えば、被インプリント層として熱可塑性を有する材料を採用し、モールドが被インプリント層に圧接される際もしくはこれに先立って、被インプリント層を加熱する構成を採用することが可能である。被インプリント層の加熱は、例えば、モールドの圧接前に被インプリント層３の周囲の雰囲気を直接加熱するなどの方法で行うことができる。または、ヒータ、光照射、電磁誘導などの方法で加熱されたモールドを圧接することにより、モールドを介して加熱する方法を採用してもよい。
【００３７】
あるいは、図７に示すように、少なくとも一部が透光性を有するモールドを採用し、このモールドの透光部を通して被インプリント層２にレーザ光などの光照射を行うことにより、被インプリント層３を加熱する構成としても良い。前述したように、被インプリント層がＳｉ膜よりなる構成においては、このような光照射によってＳｉ膜が比較的容易に可塑化するので、特に有効であることが確認されている。
【００３８】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２に係る磁気記録媒体の製造方法について説明する。図８に、本実施の形態に係るインプリントを実施するためのプロセス概略図を示している。実施の形態１の場合と同様に、モールド１の表面には、インプリントにより被インプリント面２に転写される微細な凹凸形状パターンが形成されている。例えばディスクリートトラックメディアを製造するためのモールドでは、このような凹凸形状パターンは、信号の記録トラック形状に対応した同心円状もしくはスパイラル上の形状パターンである。一方、パターンドメディアを製造するためのモールドでは、このような凹凸形状パターンは、個々の記録ビット形状に対応した矩形もしくは円形、長円形の配列により構成される形状パターンである。またディスクリートトラックメディア、パターンドメディア、いずれの場合においても、サーボトラッキング信号に対応する形状パターンを同時に備えることも可能である。
【００３９】
図１に示した実施の形態１の構成例においては、平滑な基体４上に被インプリント層３が形成されており、モールド１の凹凸形状パターンは、この被インプリント層３に転写される。これに対して図８に示した本実施の形態２の構成例においては、基体４上に別途設けられた被インプリント層はなく、モールド１の凹凸形状パターンは、基体４の表面に直接転写される。
【００４０】
基体４には、インプリントの際に可塑化され、モールドの凹凸形状パターンを転写可能な材質のものであれば用いることが出来る。好ましい例として、熱可塑性の高分子樹脂基板、比較的低融点を有するガラス基板などを用いることができる。またＳｉ基板も、被インプリント層３を構成する材料として適している。Ｓｉ基板の表面は、レーザなど光照射による加熱によって比較的容易に可塑化し、モールドの微細形状を良好に転写することが可能である。
【００４１】
基体４の被インプリント面２には、少なくともその一部分において、比較的表面粗さの大きな部分が形成されている。実施の形態１と同様に、インプリントの際、モールド１と被インプリント面２との間に存在する空気は、この粗面化された部分を通じて脱気される。これにより、モールド１が基体４に圧接された状態では、両者間に空隙を生じることなく、全面均一に密着させることが可能となる。
【００４２】
モールド１を基体４に一定時間、特定の圧力で圧接した後、両者を離間することによってインプリントプロセスは完了する。インプリントを完了して両者を離間した時には、被インプリント面２に当初形成されていた粗面化部分の大きな表面粗さは残留することなく消失し、代わりにモールド１表面の微細な凹凸形状パターンに対応する形状パターンが転写されて形成される。
【００４３】
以上のようなプロセスにより、本願発明の構成においては、形状パターン欠陥を生じること無く、信頼性の高いインプリントを行うことが可能となる。
【００４４】
実施の形態１と同様、本実施の形態２においても、上記のような本願構成の効果を十分に得るためには、インプリント装置には図２に示す構成を備えることが好ましい。図２に示す構成に関する説明は、実施の形態１に対して行ったものと同様であるので、ここでは割愛する。
【００４５】
実施の形態１と同様、インプリント前の被インプリント面２の粗面化部分の表面粗さは、モールド１表面に形成された形状パターンの凹凸と同程度の大きさとするのが良い。仮に、粗面化部分の表面粗さがインプリントにより転写されるべき形状パターンの凹凸よりも大きくなったとしても、一向に差し支えはない。なぜならば、インプリントを完了してモールド１と被インプリント面２を離間した時には、被インプリント面２の粗面化部分の大きな表面粗さは残留することなく消失し、代わりにモールド１表面の微細な凹凸形状パターンに対応する形状パターンが転写されて形成されるからである。好ましくは、インプリント前の被インプリント面２の粗面化部分の表面粗さは、基準長さ１．２５μｍにおける最大高さＲｍａｘ（ＪＩＳ表面粗さ：Ｂ０６０１準拠）の値において、モールド１表面に形成された凹凸形状パターンの基準長さ１．２５μｍにおける最大高さＲｍａｘ（同じくＪＩＳ表面粗さ：Ｂ０６０１準拠）の値の１／１０以上、２倍以下とする。インプリント前の粗面化部分のＲｍａｘがモールド表面のＲｍａｘの１／１０よりも小さくなった場合には、モールド表面と被インプリント面の間の脱気効果が不十分となり、両者を全面均一に密着させることが出来ない場合がある。一方、インプリント前の粗面化部分のＲｍａｘがモールド表面のＲｍａｘの２倍よりも大きくなった場合には、インプリントの際にモールド表面と被インプリント面の間に気泡が残留し、転写された形状パターンに欠陥を生じる場合がある。
【００４６】
インプリントによって微細な形状パターンが転写された基体４には、その後、インプリント形成された形状パターンに対応した強磁性薄膜の形状パターンが形成される。このプロセスの構成例を図９に示した。図９（１）は、インプリントによって形状が転写された被インプリント面２を有する基体４である。この状態で、図９（２）に示すように、インプリントにより形成された基体の孔形状に埋め込むように強磁性薄膜８を形成する。強磁性薄膜８の形成には、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法などの気相堆積法のほか、めっき法などが適している。最後に、図９（３）に示すように、突出した基体部分およびその上に堆積した不要な強磁性薄膜を除去するよう、磁気記録媒体表面のプレーナ処理を行う。プレーナ処理には、テープや砥粒による研磨、あるいはＣＭＰなどの研磨方法を用いることができる。
【００４７】
インプリント前の被インプリント面２に形成された粗面化部分の構成例としては、本実施の形態２においても実施の形態１と同様に、図５（１）〜（３）に示す構成を採用することが出来る。
【００４８】
図５（１）に示すように、被インプリント面２を等方的なドット形状に粗面化した構成例は、例えば、微粒子を吹き付けることによって表面を粗面化するブラスティングの手法を用いて実現することができる。
【００４９】
一方、図５（２）に示したように、被インプリント面２を溝状の異方性を有するテクスチャ形状に粗面化した構成例も採用することが出来る。本実施の形態２においても、このような構成を有する粗面化部を形成するには、例えば、研磨テープや砥粒による研磨が適している。
【００５０】
さらに、図５（３）に示したように、被インプリント面２をバンプ形状に粗面化した構成例を採用することも出来る。本実施の形態２においても、このような構成を有する粗面化部を形成するには、例えば、レーザ加熱によるテクスチャリング手法を用いることができる。
【００５１】
モールドが被インプリント層に圧接される際には、被インプリント面２がモールドの表面に形成された微細な凹凸形状に従って形状変化するよう、ある程度の可塑性を有していることが必要である。このような要件を容易に実現するためには、基体４として熱可塑性を有する材料を採用し、モールドが被インプリント層に圧接される際もしくはこれに先立って、基体表面、すなわち被インプリント面を加熱する構成を採用することが可能である。被インプリント面の加熱は、例えば、モールドの圧接前に基体４の周囲の雰囲気を直接加熱するなどの方法で行うことができる。または、ヒータ、光照射、電磁誘導などの方法で加熱されたモールドを圧接することにより、モールドを介して加熱する方法を採用してもよい。
【００５２】
あるいは、実施の形態１において図７を参照して説明した構成と同様に、少なくとも一部が透光性を有するモールドを採用し、このモールドの透光部を通して被インプリント面２にレーザ光などの光照射を行うことにより、被インプリント層２を加熱する構成としても良い。前述したように、基体４がＳｉ基板により構成される場合においては、このような光照射によってＳｉ基板表面が比較的容易に可塑化するので、特に有効であることが確認されている。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明によれば、インプリント技術によって比較的大面積に均一かつ信頼性の高い微細形状パターン形成が可能であるので、ディスクリートトラックメディアあるいはパターンドメディアといった次世代の高密度磁気記録媒体の製造方法に応用することが出来る。なお本願明細書においては、特にハードディスクメディアに対する応用例を中心に説明を行ったが、本願発明の構成はハードディスクドライブに限らず、大容量フロッピー（登録商標）ディスクドライブ等、他の磁気ディスクドライブ用途にも応用可能である。
【００５４】
また本願明細書における実施の形態例においては、磁気記録媒体の製造方法に関する構成例を中心に説明を行ったが、本願発明の構成は、これらに限られたものではなく、様々な微細加工部品の製造に用いられるインプリント方法に応用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態１の磁気記録媒体の製造方法におけるインプリントプロセスの構成例を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１および２におけるインプリント装置の好ましい構成例を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるモールドおよび被インプリント面の表面粗さを示す断面図
【図４】本発明の実施の形態１の磁気記録媒体の製造方法におけるエッチング、成膜および平坦化プロセスの構成例を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１および２においてインプリント前の被インプリント面に形成される粗面化部分の構成例を示す斜視図
【図６】本発明の実施の形態１においてレジスト層の被インプリント面をドット形状に粗面化する際のレジスト残膜厚および表面の最大高さと露光量との関係を示す図
【図７】本発明の実施の形態１の磁気記録媒体の製造方法におけるインプリントプロセスの別の構成例を示す断面図
【図８】本発明の実施の形態２の磁気記録媒体の製造方法におけるインプリントプロセスの構成例を示す断面図
【図９】本発明の実施の形態２の磁気記録媒体の製造方法における成膜および平坦化プロセスの構成例を示す断面図
【符号の説明】
【００５６】
１    モールド
２    被インプリント面
３    被インプリント層
４    基体
５    ステージ
６    チャンバー
７    エッチング孔
８    強磁性薄膜
９    光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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