(57)【要約】【課題】  基板の回転による遠心力で基板から飛び散る液体を種類毎に回収することができ、且つ、装置を小型化することができるようにすること。【解決手段】  第ｊレジスト液（ｊ＝１〜３）が半導体ウエハ８に滴下されたときには、第ｊ容器の収容開口部の高さに半導体ウエハ８を昇降させ、その昇降された高さで半導体ウエハ８を回転させるようにした。そのため、その回転による遠心力で半導体ウエハ８から半径方向に飛び散る第ｊレジスト液を、第ｊ容器内に収容させることができる。またその際、半導体ウエハ８をウエハ保持部９に受け渡す機構、つまり、この種の装置に一般的に備えられている機構で半導体ウエハ８を昇降させるようにしたため、例えば、第１〜第３容器１２〜１４を昇降させて半導体ウエハ８と第１〜第３容器１２〜１４との相対的な位置関係を制御する方法に比べ、装置を容易に小型化することができる。【選択図】    図２
2006013207.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の液体が付着している基板を回転させる基板回転装置であって、
それぞれが前記基板の側方と下方とを取り囲み、且つ、外側のものほど側部が高い複数の容器と、それら複数の容器内で前記基板を昇降可能な昇降部とを備えたことを特徴とする基板回転装置。
【請求項２】
前記基板昇降部で昇降された前記基板の高さに基づいて、前記基板の回転状態及び回転環境の少なくとも一方を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の基板回転装置。
【請求項３】
所定の液体が付着している基板を回転させる基板回転装置であって、
それぞれが前記基板の側方と下方とを取り囲み、且つ、外側のものほど側部が高い複数の容器と、それら複数の容器の側部を昇降可能な昇降部と、前記容器の側部の高さに基づいて、前記基板の回転状態及び回転環境の少なくとも一方を制御する制御部とを備えたことを特徴とする基板回転装置。
【請求項４】
前記複数の容器の内部に通じる開口部の入り口を個別に開閉可能な開閉部を備えたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の基板回転装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の液体が付着している基板を回転させる基板回転装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の基板回転装置としては、現像液が上面に滴下されたガラス基板を回転させ、その回転による遠心力でガラス基板の上面に現像液を拡散させるものがある。また、その現像液の洗い流しに用いられたリンス液を、前記回転による遠心力でガラス基板の上面から除去する（半径方向に飛び散らせる）ものもある（例えば、特許文献１参照。）。
また、この特許文献１には、ガラス基板の側方と下方とを取り囲み且つ外側のものほど側部が高い２つの容器（内容器及び外容器）と、それら内容器及び外容器の側部を昇降可能な昇降シリンダとを備えることが記載されている。そして、特許文献１では、現像液を滴下した後、内容器及び外容器の側部を昇降シリンダで上昇させ、内容器の側部をガラス基板よりも高くしてから、ガラス基板を回転させることで、その回転による遠心力でガラス基板から半径方向に飛び散る余分な現像液を、内容器の側部に衝突させて、内容器内に収容するようになっている。また、内容器及び外容器の側部を昇降シリンダで下降させ、内容器の側部をガラス基板より低くし、且つ、外容器の側部をガラス基板より高くしてから、リンス液を供給することで、前記回転による遠心力でガラス基板から半径方向に飛び散るリンス液を、外容器の側部に衝突させて、外容器に収容するようになっている。
【特許文献１】特開平８−４５８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の技術にあっては、回転による遠心力でガラス基板から飛び散る液体を種類毎に回収することができるものの、回収する液体の種類に応じて内容器及び外容器を昇降させるようになっているため、それらの容器を昇降させる機構（昇降シリンダ）を備える必要があり、その結果、装置が大型化してしまうという問題があった。
本発明は、上記従来の技術の未解決の問題を解決することを目的とするものであって、基板の回転による遠心力で基板から飛び散る液体を種類毎に回収することができ、且つ、装置を小型化することができる基板回転装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するため、第１の発明である基板回転装置は、所定の液体が付着している基板を回転させる基板回転装置であって、それぞれが前記基板の側方と下方とを取り囲み、且つ、外側のものほど側部が高い複数の容器と、それら複数の容器内で前記基板を昇降可能な昇降部とを備えたことを特徴とする。なお、基板としては、半導体ウエハやガラス基板（ＬＣＤ(Liquid Crystal Display)基板）等を挙げることができる。また、基板として半導体ウエハを用いる場合には、所定の液体としてレジスト液を挙げることができ、また、ガラス基板を用いる場合には、現像液やリンス液を挙げることができる。
【０００５】
この第１の発明によれば、例えば、外側から数えて第ｉ番目（ｉ＝１〜ｎ、ｎは容器の総数）の容器に収容させる第ｉ液体が基板に付着しているときには、第ｉ番目の容器の側部よりも低く、且つ、第ｉ＋１番目の容器の側部よりも高い位置に基板を昇降させることができる。そのため、その昇降された基板を回転させることで、その回転による遠心力で基板から半径方向に飛び散る第ｉ液体を、第ｉ番目の容器の側部に衝突させ、第ｉ番目の容器内に収容させることができる（回転による遠心力で基板から飛び散る複数の液体を種類毎に回収することができる）。またその際、基板を回転させる手段に基板を受け渡す機構、つまり、この種の装置に一般的に備えられている機構で基板を昇降させることで、例えば、複数の容器を昇降させて基板と容器との相対的な位置関係を制御する方法に比べ、容器を昇降させる機構を備える必要がなく、装置を容易に小型化することができる。
【０００６】
また、第２の発明である基板回転装置にあっては、前記基板昇降部で昇降された前記基板の高さに基づいて、前記基板の回転状態及び回転環境の少なくとも一方を制御する制御部を備えたことを特徴とする。なお、基板の回転状態としては、基板の回転速度や回転加速度等を挙げることができる。また、回転環境としては、回転時の温度や湿度、基板の上面に吹きあたるダウンフローの風量等を挙げることができる。
【０００７】
この第２の発明によれば、例えば、基板の上面にダウンフローが吹きあたっているときに、基板が上昇され、基板の位置が高くなったときには、ダウンフローの風量を大きくすることで、基板の上面に吹きあたるダウンフローが弱くなってしまうことを防止できる。
さらに、第３の発明である基板回転装置にあっては、所定の液体が付着している基板を回転させる基板回転装置であって、それぞれが前記基板の側方と下方とを取り囲み、且つ、外側のものほど側部が高い複数の容器と、それら複数の容器の側部を昇降可能な昇降部と、前記容器の側部の高さ（基板と容器との相対的な位置関係）に基づいて、前記基板の回転状態及び回転環境の少なくとも一方を制御する制御部とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
この第３の発明によれば、例えば、基板の上面にダウンフローが吹きあたっているときに、容器の側部が上昇され、基板と容器との相対的な位置関係が変化したときには、それらの変化によるダウンフローの乱れが抑制されるように回転状態や回転環境を制御することで、基板の上面に吹きあたるダウンフローの流れの変化を抑制することができる。
また、第４の発明である基板回転装置にあっては、前記複数の容器の内部に通じる開口部の入り口を個別に開閉可能な開閉部を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この第４の発明によれば、基板に付着している液体に対応する容器、つまり、回転による遠心力で基板から飛び散る当該液体を収容するための容器の入り口のみを開放状態とし、その他の容器の入り口を全て閉鎖状態とすることができる。そのため、例えば、前記その他の容器内に収容されている液体が気化しても、その気化した液体が容器外に流出してしまい、前記基板に付着している液体に影響を及ぼすことを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の基板回転装置の一実施形態を、図面に基づいて説明する。
この基板回転装置１は、レジスト液が滴下された半導体ウエハ８を回転させ、その回転による遠心力で半導体ウエハ８にレジスト液を拡散させたときに、その回転による遠心力で半導体ウエハ８から飛び散る余分なレジスト液を種類毎に回収可能な装置である。
【００１１】
＜基板回転装置の構成＞
図１は、本実施形態の基板回転装置の内部構成を示すブロック図である。この図１に示すように、基板回転装置１は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)２、ＲＡＭ(Random Access Memory)３、ＲＯＭ(Read Only Memory)４、Ｉ／Ｆ(InterFace)５及びレジスト液塗布装置６を含んで構成される。そして、基板回転装置１は、各部２〜６がバス７によって互いにデータ授受可能に接続されている。
【００１２】
これらのうち、ＣＰＵ２は、Ｉ／Ｆ５から塗布開始指令（後述）が出力されると、ＲＯＭ４に格納された各種プログラム及びデータを読み込み、それら各種プログラムをＲＡＭ３内に設けられるワークエリアに展開し、処理対象である半導体ウエハ８に、レジスト液が均一に塗布されるように各部を制御する後述するレジスト液塗布処理を実行する。
また、ＲＡＭ３は、ＣＰＵ２で実行される各種プログラムを展開するためのワークエリアを形成すると共に、それら各種プログラムに係るデータを格納するためのメモリ領域を形成する。そして、ＲＡＭ３は、ＣＰＵ２から読み出し要求があると、その読み出し要求に応じて、格納されているデータをＣＰＵ２に読み出させる。
【００１３】
さらに、ＲＯＭ４は、ＣＰＵ２で実行される各種プログラム及びデータを格納する。そして、ＲＯＭ４は、ＣＰＵ２から読み出し要求があると、その読み出し要求に応じて、格納されている各種プログラムやデータをＣＰＵ２に読み出させる。ここで、ＲＯＭ４に格納されているデータとしては、半導体ウエハ８にレジスト液を均一に塗布するための情報が当該レジスト液の種類毎にまとめられた複数のレシピ（例えば、「レジスト液の種類（第１〜第３レジスト液のいずれのレジスト液であるかを示す情報）」、「半導体ウエハの回転数、回転加速度及び回転時間（半導体ウエハの表面に滴下された第１〜第３レジスト液を、半導体ウエハの表面に均一に拡散させるために必要な回転数、回転加速度及び回転時間の情報）」、「レジスト液を収容する容器」、「ダウンフローの風量（半導体ウエハの上面に吹きあたるダウンフローの強さを、半導体ウエハの高さに関わらず一定のものとするために必要な風量の情報。例えば、半導体ウエハが上方にある場合には風量を大きくし、下方にある場合には風量を小さくする）」等を含む情報群）を挙げることができる。
【００１４】
また、Ｉ／Ｆ５は、半導体ウエハ８へのレジスト液の塗布を開始させる指令（以下、「塗布開始指令」とも呼ぶ。）を出力するコンピュータ（不図示）と接続されている。そして、Ｉ／Ｆ５は、コンピュータ（不図示）から出力される塗布開始指令をＣＰＵ２に出力する。なお、塗布開始指令は、塗布するレジスト液の種類を示す情報を含むものとする。
さらに、レジスト液塗布装置６は、図２に側面を縦方向に破断して示すように、ウエハ保持部９、保持部支持軸１０、レジスト液滴下ノズル１１、第１〜第４容器１２〜１５、ウエハ回転装置１６、第１〜第３シャッタ１７〜１９及び第１〜第３ウエハ検出センサ２０〜２２を含んで構成される。
【００１５】
これらのうち、ウエハ保持部９は、上面に吸い込み口（不図示）が設けられた円盤状に形成されている。そして、ウエハ保持部９は、ＣＰＵ２からウエハ保持指令（後述）が出力されると、半導体ウエハ８を吸い込み口（不図示）で吸着して上面に保持する。また、ウエハ保持部９は、ＣＰＵ２からウエハ解放指令（後述）が出力されると、吸い込み口（不図示）による吸着を停止し、その吸着で保持していた半導体ウエハ８を解放する。
【００１６】
また、保持部支持軸１０は、上端がウエハ保持部９の下面に接続され、下端が保持部支持軸１０を昇降可能な駆動源（不図示）に接続され、ウエハ保持部９を下方から支持している。そして、駆動源（不図示）は、ＣＰＵ２から保持部上昇指令（後述）が出力されると、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を最上方（後述するロボットアーム（不図示）がウエハ保持部９の上方で半導体ウエハ８を保持しているときには、その半導体ウエハ８の下面にウエハ保持部９の上面が接する位置）に上昇させる。また、駆動源（不図示）は、ＣＰＵ２から保持部降下指令（後述）が出力されると、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を少しずつ降下させる。さらに、駆動源（不図示）は、ＣＰＵ２から降下停止指令（後述）が出力されると、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）の降下を停止させる。
【００１７】
さらに、レジスト液滴下ノズル１１は、ウエハ保持部９の中央部の上方に設けられている。そして、レジスト液滴下ノズル１１は、ＣＰＵ２からレジスト液滴下指令が出力されると、その出力されたレジスト液滴下指令（後述）が示す種類（第１〜第３レジスト液のいずれか）のレジスト液を下方（ウエハ保持部９の上面の中央部）に少量だけ滴下する。
また、第１〜第４容器１２〜１５は、ウエハ保持部９の側方（ウエハ保持部９に保持された半導体ウエハ８の側方と下方と）をそれぞれが取り囲み、且つ、外側のものほど側部が高く形成されている。なお、本実施形態では、外側から数えてｉ番目（ｉ＝１〜４）の容器を第ｉ容器と呼び、第ｉ容器には、第ｉレジスト液を収容させるものとする。さらに、第１〜第４容器１２〜１５の側部の上端側は、上端に近づくほど狭くなるテーパ面がそれぞれ設けられている。また、第１〜第４容器１２〜１５の上端には、半導体ウエハ８の外形よりもやや大きく、半導体ウエハ８が通過可能な同一形状の開口部がそれぞれ形成されている。そして、ウエハ保持部９（ウエハ保持部９で保持された半導体ウエハ８）の側面と対向する円筒状の面内の各高さに、各容器１２〜１５の内部に通じる開口部（以下、「収容開口部」とも呼ぶ。）がそれぞれ当該円筒を一周するように形成されている。
【００１８】
また、第１〜第３容器１２〜１４の最下部には、各容器１２〜１４に収容させたレジスト液（第１〜第３レジスト液）をそれぞれ対応する外部タンク（不図示）に排出するための第１〜第３排出口２３〜２５が設けられている。また、第４容器１５の最下部には、第４容器１５内の空気を吸い込んで第４容器１５外に排出し、第４容器１５内に半導体ウエハ８の上面に吹きあたるダウンフローを発生させる排気ダクト２６が設けられている。そして、排気ダクト２６は、ＣＰＵ２から風量制御指令（後述）が出力されると、その風量制御指令（後述）が示す風量でダウンフローが発生されるように前記空気を排出する。
【００１９】
さらに、ウエハ回転装置１６は、保持部支持軸１０を取り囲むように第４容器１５の最下部に設けられ、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を回転駆動可能に構成されている。そして、ウエハ回転装置１６は、ＣＰＵ２から回転開始指令（後述）が出力されると、その出力された回転開始指令に応じた回転速度及び回転加速度で保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を回転させる。また、ウエハ回転装置１６は、ＣＰＵ２から回転停止指令（後述）が出力されると、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）の回転を停止させる。
【００２０】
また、第１〜第３シャッタ１７〜１９は、第１〜第３容器１２〜１４の収容開口部の入り口それぞれに設けられ、それらの入り口を開閉可能に構成されている。なお、本実施形態では、外側から数えてｊ番目の容器に設けられているシャッタを第ｊシャッタと呼ぶものとする。そして、第１〜第３シャッタ１７〜１９は、ＣＰＵ２から開放指令（後述）が出力されると、その出力された開放指令（後述）が示す収容開口部の入り口を開放状態とする。また、第１〜第３シャッタ１７〜１９は、ＣＰＵ２から閉鎖指令（後述）が出力されると、その出力された閉鎖指令（後述）が示す収容開口部の入り口を閉鎖状態とする。
【００２１】
また、第１〜第３ウエハ検出センサ２０〜２２は、第１〜第３容器１２〜１４の収容開口部それぞれに設けられている。そして、第１〜第３ウエハ検出センサ２０〜２２は、その設けられた収容開口部の上端と下端との真ん中の高さに、ウエハ保持部９で保持された半導体ウエハ８があることを検出し、それらの検出結果をそれぞれＣＰＵ２に出力する。
【００２２】
＜レジスト液塗布処理の内容＞
次に、ＣＰＵ２で実行されるレジスト液塗布処理を、図３のフローチャートに従って説明する。このレジスト液塗布処理は、Ｉ／Ｆ５から塗布開始指令が出力されると実行される処理であって、まずそのステップＳ１０１では、ウエハカセット（不図示）から半導体ウエハ８を取り出させ、その半導体ウエハ８をウエハ保持部９の上方に移動させる指令（以下、「ウエハ取り出し指令」とも呼ぶ。）をロボットアーム（不図示）に出力する。
【００２３】
次にステップＳ１０２に移行して、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を最上方に上昇させる指令（以下、「保持部上昇指令」とも呼ぶ。）を保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力する。また、処理対象である半導体ウエハ８、つまり、前記ステップＳ１０１でロボットアーム（不図示）に移動させた半導体ウエハ８を受け取らせて保持させる指令（以下、「ウエハ保持指令」とも呼ぶ。）をウエハ保持部９に出力する。
【００２４】
次にステップＳ１０３に移行して、Ｉ／Ｆ５から出力された塗布開始指令に含まれる「レジスト液の種類」を示す情報に基づき、その情報が示すレジスト液を半導体ウエハ８に塗布するためのレシピをＲＯＭ４から読み出す。また、その読み出されたレシピに含まれている「ダウンフローの風量」を示す情報に基づき、その情報が示す風量でダウンフローを発生させる指令（以下、「風量制御指令」とも呼ぶ。）を排気ダクト２６に出力する。
【００２５】
次にステップＳ１０４に移行して、前記ステップＳ１０３で読み出されたレシピに含まれている「レジスト液を収容する容器」を示す情報に基づき、その情報が示す容器１２〜１５の収容開口部の入り口のみを開放状態とする（その他の容器を閉鎖状態とする）指令（以下、「開放指令」とも呼ぶ。）を第１〜第３シャッタ１７〜１９に出力する。
次にステップＳ１０５に移行して、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を少しずつ降下させる指令（以下、「保持部降下指令」とも呼ぶ。）を保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力する。また、前記ステップＳ１０３で読み出されたレシピに含まれている「レジスト液を収容する容器」を示す情報に基づき、その情報が示す容器１２〜１５に設けられているウエハ検出センサ２０〜２２で当該容器１２〜１５の収容開口部の上下端の真ん中の高さに半導体ウエハ８が検出されたか否かを判定する。そして、半導体ウエハ８が検出された場合には、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）の降下を停止させる指令（以下、「降下停止指令」とも呼ぶ。）を保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力する。
【００２６】
次にステップＳ１０６に移行して、前記ステップＳ１０３で読み出されたレシピに含まれている「レジスト液の種類」を示す情報に基づき、その情報が示す種類のレジスト液を半導体ウエハ８の上面に滴下させる指令（以下、「レジスト液滴下指令」とも呼ぶ。）をレジスト液滴下ノズル１１に出力する。また、前記ステップＳ１０３で読み出されたレシピに含まれている「半導体ウエハの回転速度及び回転加速度」を示す情報に基づき、その情報が示す回転速度及び回転加速度で保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を回転させる指令（以下、「回転開始指令」とも呼ぶ。）をウエハ回転装置１６に出力する。
【００２７】
次にステップＳ１０７に移行して、前記ステップＳ１０３で読み出されたレシピに含まれている「半導体ウエハの回転時間」を示す情報に基づき、その情報が示す回転時間が経過したか否かを判定する。そして、その回転時間が経過した場合には（Ｙｅｓ）ステップＳ１０８に移行し、経過していない場合には（Ｎｏ）この判定を繰り返し実行する。
前記ステップＳ１０８では、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）の回転を停止させる指令（以下、「回転停止指令」とも呼ぶ。）をウエハ回転装置１６に出力する。
【００２８】
次にステップＳ１０９に移行して、前記ステップＳ１０４で開放状態とした容器１２〜１５の収容開口部の入り口を閉鎖状態とする指令（以下、「閉鎖指令」とも呼ぶ。）を第１〜第３シャッタ１７〜１９に出力する。また、保持部支持軸１０（ウエハ保持部９）を最上方に上昇させる保持部上昇指令を保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力する。
次にステップＳ１１０に移行して、前記ステップＳ１０２でウエハ保持部９に保持させた半導体ウエハ８を解放させる指令（以下、「ウエハ解放指令」とも呼ぶ。）をウエハ保持部９に出力する。また、その解放された半導体ウエハ８を受け取らせて保持させる指令（以下、「ウエハ保持指令」とも呼ぶ。）をロボットアーム（不図示）に出力する。
【００２９】
次にステップＳ１１１に移行して、保持部支持軸１０を最下方に降下させる保持部降下指令を保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力してから、この演算処理を終了する。
【００３０】
＜レジスト液塗布処理装置の動作＞
次に、本実施形態の基板回転装置の動作を、具体的状態に基づいて詳細に説明する。
まず、コンピュータ（不図示）から塗布開始指令が出力され、Ｉ／Ｆ５によって、その塗布開始指令がＣＰＵ２に転送されたとする。すると、ＣＰＵ２によって、レジスト液塗布処理が実行され、図３に示すように、まずそのステップＳ１０１で、ウエハ取り出し指令がロボットアーム（不図示）に出力される。そして、ロボットアーム（不図示）によって、ウエハカセット（不図示）から半導体ウエハ８が取り出され、その取り出された半導体ウエハ８が保持部支持軸１０の上方、つまり、ウエハ保持部９の上方に移動される。
【００３１】
また、ステップＳ１０２で、保持部上昇指令が保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力され、また、ウエハ保持指令がウエハ保持部９に出力される。そして、保持部支持軸１０の駆動源（不図示）によって、ロボットアーム（不図示）に移動させた半導体ウエハ８の下面にウエハ保持部９の上面が接する位置（最上方）に上昇され、ウエハ保持部９によって、その半導体ウエハ８がロボットアーム（不図示）から受け取られ保持される。
【００３２】
さらに、Ｉ／Ｆ５から出力された塗布開始指令に「レジスト液の種類」が第１レジスト液であることを示す情報が含まれていたとする。すると、ステップＳ１０３で、その情報が示す第１レジスト液を半導体ウエハ８に塗布するためのレシピがＲＯＭ４から読み出される。また、その読み出されたレシピに含まれている「ダウンフローの風量」を示す情報に基づいて風量制御指令が排気ダクト２６に出力される。そして、排気ダクト２６によって、その風量制御指令が示す風量で半導体ウエハ８の上面にダウンフローが吹きあてられる。また、ステップＳ１０４で、その読み出されたレシピに含まれている「レジスト液を収容する容器」、つまり、第１容器１２を示す情報に基づいて開放指令が第１シャッタ１７に出力される。そして、第１シャッタ１７によって、その開放指令が示す第１容器１２の収容開口部の入り口のみが開放状態とされ、他の入り口は閉鎖状態が維持される。
【００３３】
また、ステップＳ１０５で、保持部降下指令が保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力される。そして、その駆動源（不図示）によって、保持部支持軸１０が少しずつ降下され、ウエハ保持部９で保持されている半導体ウエハ８が下方に移動される。また、その降下された半導体ウエハ８の高さが第１容器１２の収容開口部の上端と下端との真ん中の高さとなり、第１ウエハ検出センサ２０で半導体ウエハ８が検出されると、降下停止指令が保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力される。そして、その駆動源（不図示）によって、保持部支持軸１０の降下が停止され、半導体ウエハ８の降下が停止される。
【００３４】
さらに、ステップＳ１０６で、前記レシピに含まれている「レジスト液の種類」を示す情報に基づいて、レジスト液滴下指令がレジスト液滴下ノズル１１に出力される。そして、レジスト液滴下ノズル１１によって、そのレジスト液滴下指令が示す種類のレジスト液、つまり、第１レジスト液が半導体ウエハ８の上面の中央部に少量だけ滴下される。
また、前記レシピに含まれている「半導体ウエハの回転速度及び回転加速度」を示す情報に基づいて回転開始指令が出力される。そして、ウエハ回転装置１６によって、その回転開始指令が示す回転速度及び回転加速度で保持部支持軸１０が回転され、ウエハ保持部９に保持されている半導体ウエハ８が回転される。すると、その回転による遠心力で半導体ウエハ８の上面に第１レジスト液が拡散され、その拡散によって半導体ウエハ８の上面に第１レジスト液の均一な塗膜が形成される。また、余分な第１レジスト液が半導体ウエハ８から半径方向に飛び散り、その飛び散った第１レジスト液が半導体ウエハ８の側方を囲む第１容器１２の収容開口部に飛び込んで側部（テーパ面）に衝突し、第１容器１２のテーパ面と第２容器１３のテーパ面とを伝わって第１容器１５の最下部に誘導され、その誘導された第１レジスト液が第１排出口２３から外部タンク（不図示）に排出される。
【００３５】
ここで、第１レジスト液を半導体ウエハ８の表面に拡散させるために必要な回転時間が経過し、半導体ウエハ８の上面に第１レジスト液の塗膜が形成されたとする。すると、ステップＳ１０７の判定が「Ｙｅｓ」となり、ステップＳ１０８で、回転停止指令がウエハ回転装置１６に出力される。そして、ウエハ回転装置１６によって、保持部支持軸１０の回転が停止され、ウエハ保持部９に保持されている半導体ウエハ８の回転が停止される。
【００３６】
さらに、ステップＳ１０９で、閉鎖指令が第１シャッタ１７に出力され、また、保持部上昇指令が保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力される。そして、第１シャッタ１７によって、第１容器１２の収容開口部の入り口が閉鎖状態とされ、全ての入り口が閉鎖状態とされる。また、保持部支持軸１０の駆動源（不図示）によって、保持部支持軸１０が上昇され、ウエハ保持部９に保持されている半導体ウエハ８が最上方に移動される。
【００３７】
また、ステップＳ１１０で、ウエハ解放指令がウエハ保持部９に出力され、また、ウエハ保持指令がロボットアーム（不図示）に出力される。そして、ウエハ保持部９によって、保持されていた半導体ウエハ８が解放される。また、ロボットアーム（不図示）によって、その解放された半導体ウエハ８が受け取られて保持される。さらに、ステップＳ１１１で、保持部降下指令が保持部支持軸１０の駆動源（不図示）に出力され、駆動源（不図示）によって、保持部支持軸１０が降下され、ウエハ保持部９が最下方に移動される。
【００３８】
このように、本実施形態の基板回転装置１にあっては、第ｊレジスト液（ｊ＝１〜３）が半導体ウエハ８に滴下されたときには、第ｊ容器の収容開口部の高さに半導体ウエハ８を昇降させ、その昇降された高さで半導体ウエハ８を回転させるようにした。そのため、その回転による遠心力で半導体ウエハ８から半径方向に飛び散る第ｊレジスト液を、第ｊ容器の側部に衝突させ、第ｊ容器内に収容させることができる。またその際、半導体ウエハ８をロボットアーム（不図示）からウエハ保持部９に受け渡す機構（保持部支持軸１０）、つまり、この種の装置に一般的に備えられている機構で半導体ウエハ８を昇降させるようにしたため、例えば、第１〜第３容器１２〜１４を昇降させて半導体ウエハ８と第１〜第３容器１２〜１４との相対的な位置関係を制御する方法に比べ、第１〜第３容器１２〜１４を昇降させる機構を備える必要がなく、装置を容易に小型化することができる。
【００３９】
また、半導体ウエハ８の高さに基づいて、半導体ウエハ８の上面に吹きあたるダウンフローを制御するようにした。そのため、半導体ウエハ８が上方に移動され、半導体ウエハ８の位置が高くなったときには、ダウンフローの風量を大きくすることで、半導体ウエハ８の上面に吹きあたるダウンフローが弱くなってしまうことを防止することができる。    さらに、半導体ウエハ８に滴下されたレジスト液に対応する容器、つまり、回転による遠心力で基板から飛び散る当該レジスト液（第１レジスト液）を収容するための容器（第１容器１２）の入り口のみを開放状態とし、その他の容器（第２〜第３容器１３〜１４）の入り口を全て閉鎖状態とするようにした。そのため、例えば、前記その他の容器（第２〜第３容器１３〜１４）内に収容されているレジスト液（第１及び第２レジスト液）が気化しても、その気化したレジスト液が容器外に流出してしまい、半導体ウエハ８に滴下されたレジスト液（第１レジスト液）に影響を及ぼすことを防止することができる。また、前記その他の容器（第２〜第３容器１３〜１４）内にダウンフロー、つまり、第４容器１５内の空気が流入することが防止される。そのため、例えば、前記その他の容器の入り口を開放状態とする方法に比べ、前記その他の容器内に収容されているレジスト液（第１及び第２レジスト液）が空気に触れ難く、収容されているレジスト液の酸化が抑制される。
【００４０】
以上、図２の第１〜第４容器１２〜１５が特許請求の範囲に記載の容器を構成し、以下同様に、図２の保持部支持軸１０が昇降部を構成し、図１のＣＰＵ２及び図３のステップＳ１０３が制御部を構成し、図２の第１〜第３シャッタ１７〜１９が開閉部を構成する。
なお、本発明の基板回転装置は、上記実施の形態の内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【００４１】
例えば、上記実施形態では、半導体ウエハ８を昇降させることで、半導体ウエハ８と第１〜第３容器１２〜１４との相対的な位置関係を制御するときに、ダウンフローの風量を制御する例を示したが、これに限られるものではない。例えば、第１〜第３容器１２〜１４を昇降させることで、半導体ウエハ８と第１〜第３容器１２〜１４との相対的な位置関係を制御するときに、ダウンフローの風量や半導体ウエハ８の回転速度及び回転加速度を制御するようにしてもよい。そのようにすれば、第１〜第３容器１２〜１４の側部が上昇され、半導体ウエハ８〜１４と第１〜第３容器１２〜１４との相対的な位置関係が変化したときには、第１〜第３容器１２〜１４の側部の高さに基づいて、それらの変化によるダウンフローの乱れが抑制されるようにダウンフローの風量等を制御することで、半導体ウエハ８の上面に吹きあたるダウンフローの流れの変化を抑制することができる。
【００４２】
また、第４容器１５の最下部から空気を排出し、その空気の流れで半導体ウエハ８の上面に吹きあたるダウンフローを発生させる例を示したが、これに限られるものではない。例えば、半導体ウエハ８の上方に窒素ガス等の不活性ガスを吹き出し、その不活性ガスで前記ダウンフローを発生させるようにしてもよい。そのようにすれば、例えば、半導体ウエハ８の上面に吹きあたるダウンフローが容器内に流入しても、その流入したダウンフローが容器内のレジスト液に影響を及ぼすことはなく、例えば、空気の流れで前記ダウンフローを発生させる方法に比べ、レジスト液の酸化を適切に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の基板回転装置の内部構成を示すブロック図である。
【図２】図１のレジスト液塗布装置の外観を示す側面図である。
【図３】レジスト液塗布処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４４】
１は基板回転装置、２はＣＰＵ、３はＲＡＭ、４はＲＯＭ、５はＩ／Ｆ、６はレジスト液塗布装置、７はバス、８は半導体ウエハ、９はウエハ保持部、１０は保持部支持軸、１１はウエハ検出センサ、１１はレジスト液滴下ノズル、１２は第１容器、１３は第２容器、１４は第３容器、１５は第４容器、１６はウエハ回転装置、１７は第１シャッタ、１８は第２シャッタ、１９は第３シャッタ、２０は第１ウエハ検出センサ、２１は第２ウエハ検出センサ、２２は第３ウエハ検出センサ、２３は第１排出口、２４は第２排出口、２５は第３排出口、２６は排気ダクト
【図１】
2006013207.tif 000003
【図２】
2006013207.tif 000004
【図３】
2006013207.tif 000005