(57)【要約】【課題】  十分な耐破壊性と良好な高周波特性とを両立させた高周波電力増幅器を提供する。【解決手段】  高周波信号ＲＦは、容量Ｃ１〜Ｃｎを介してトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースにそれぞれ入力され、増幅されてトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのコレクタから出力される。各トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのエミッタは、接地されている。バイアス回路Ｂｉａｓから与えられるバイアス電圧ＤＣは、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎを介してトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースにそれぞれ供給される。このバイアス電圧ＤＣの信号線は、ブリッジ抵抗Ｒを介して高周波信号ＲＦの入力線と直流的に接続されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波信号の電力増幅に用いられる高周波電力増幅器であって、
並列接続されたエミッタ接地の複数のトランジスタと、
一方端子に直流バイアス電圧が共通印加され、他方端子が前記複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の抵抗と、
一方電極に前記高周波信号が共通入力され、他方電極が前記複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の容量と、
前記複数の抵抗の一方端子と前記複数の容量の一方電極とを接続する少なくとも１つのブリッジ抵抗とを備える、高周波電力増幅器。
【請求項２】
高周波信号の電力増幅に用いられる高周波電力増幅器であって、
並列接続されたエミッタ接地の複数のトランジスタと、
一方端子に直流バイアス電圧が共通印加され、他方端子が前記複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の抵抗と、
一方電極に前記高周波信号が入力され、他方電極が前記複数のトランジスタのベースに接続される容量と、
前記複数の抵抗の一方端子と前記容量の一方電極とを接続する少なくとも１つのブリッジ抵抗とを備える、高周波電力増幅器。
【請求項３】
前記複数の抵抗の他方端子及び前記複数の容量の他方電極の接続点と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項４】
前記複数の抵抗の他方端子及び前記容量の他方電極の接続点と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項２に記載の高周波電力増幅器。
【請求項５】
前記複数の容量の他方電極と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項６】
前記容量の他方電極と前記複数のトランジスタのベースとの間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項２に記載の高周波電力増幅器。
【請求項７】
前記ブリッジ抵抗の前記高周波信号が入力される端子と前記複数の容量の一方電極との間にそれぞれ挿入される複数の第２抵抗をさらに備える、請求項１に記載の高周波電力増幅器。
【請求項８】
前記ブリッジ抵抗の前記高周波信号が入力される端子と前記容量の一方電極との間に挿入される第２抵抗をさらに備える、請求項２に記載の高周波電力増幅器。
【請求項９】
前記第２抵抗が、伝送線路で形成されることを特徴とする、請求項７又は８に記載の高周波電力増幅器。
【請求項１０】
前記ブリッジ抵抗が、前記複数の抵抗に対応して複数設けられることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の高周波電力増幅器。
【請求項１１】
前記直流バイアス電圧が、エミッタフォロアを出力構成に用いたバイアス回路から供給されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の高周波電力増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号の電力増幅に適した高周波電力増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の無線通信機器に用いられる増幅器には、通常２〜３個の高周波増幅用の化合物半導体トランジスタを多段接続した構成が用いられており、この化合物半導体トランジスタとして、近年は単一正電源動作等の観点からヘテロ接合バイポーラトランジスタが主に用いられている。出力電力が１〜３Ｗ程度の携帯電話用増幅器の最終段用の増幅器としては、高周波特性及び高出力を確保するため、複数のトランジスタを並列接続させて、各トランジスタの出力を合成させる構成が用いられる。図１０は、この構成による従来の高周波電力増幅器１００の構成例を示す図である（特許文献１及び特許文献２を参照）。
【０００３】
図１０に示す従来の高周波電力増幅器１００において、バイアス回路Ｂｉａｓから与えられる直流のバイアス電圧ＤＣは、それぞれの抵抗Ｒａ１０１〜Ｒａ１０ｎを介して各トランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎのベース（Ｂ）に供給される。また、交流信号である高周波信号ＲＦは、それぞれの容量Ｃ１０１〜Ｃ１０ｎを介して各トランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎのベースに入力される。このように、バイアス電圧ＤＣと高周波信号ＲＦとを、別の経路でトランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎのベースに入力する構成にするのは、以下の理由によるものである。
【０００４】
トランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎは、高出力動作をするとき、交流電流の電流密度が高くなるため発熱する。この発熱は、トランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎ間の特性ばらつき等の要因により、全てのトランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎにおいて均一ではない。このため、温度が高い特定のトランジスタは、動作時の多大な発熱量で熱暴走し、ベース電流の増大による素子破壊を引き起こす恐れがある。そこで、この熱暴走を抑制するため、トランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎのベース電圧が上昇したら、バイアス回路Ｂｉａｓから供給されるベースバイアス電流が少なくなるように、抵抗Ｒａ１０１〜Ｒａ１０ｎの値を大きくすることが考えられる。
【特許文献１】米国特許第５３２１２７９号明細書
【特許文献２】米国特許第５６０８３５３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した従来の高周波電力増幅器１００では、抵抗Ｒａ１０１〜Ｒａ１０ｎの値を大きくすることによって、トランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎの熱暴走を抑え、かつ、均一動作を実現させている。
【０００６】
しかしながら、この抵抗Ｒａ１０１〜Ｒａ１０ｎの高抵抗化は、高周波信号にとって電力利得低下の原因となるため、あまり大きな値をとることができない。すなわち、抵抗Ｒａ１０１〜Ｒａ１０ｎの値を大きくすることで改善されるトランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎの均一動作の確保（耐破壊性の向上）と、抵抗Ｒａ１０１〜Ｒａ１０ｎの値を小さくすることで向上できるトランジスタＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎの高周波電力利得（高周波特性の向上）とは、トレードオフの関係があり、これらを両立させることは非常に困難であった。
【０００７】
それ故に、本発明の目的は、十分な耐破壊性と良好な高周波特性とを両立させた高周波電力増幅器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、高周波信号の電力増幅に用いられる高周波電力増幅器に向けられている。そして、上記目的を達成させるために、本発明の高周波電力増幅器は、並列接続されたエミッタ接地の複数のトランジスタ、一方端子に直流バイアス電圧が共通印加されかつ他方端子が複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の抵抗、一方電極に高周波信号が共通入力されかつ他方電極が複数のトランジスタのベースにそれぞれ接続される複数の容量、及び複数の抵抗の一方端子と複数の容量の一方電極とを接続する少なくとも１つのブリッジ抵抗とを備えている。
【０００９】
なお、容量は複数である必要はなく、１つの容量を介して高周波信号を複数のトランジスタのベースに入力してもよい。また、ブリッジ抵抗は、複数の抵抗に対応して複数設けてもよい。また、典型的には、直流バイアス電圧が、エミッタフォロアを出力構成に用いたバイアス回路から供給される。
【００１０】
好ましくは、複数の抵抗の他方端子及び１つ又は複数の容量の他方電極の接続点と複数のトランジスタのベースとの間に、複数の第２抵抗がそれぞれ挿入される。又は、１つ又は複数の容量の他方電極と複数のトランジスタのベースとの間に、複数の第２抵抗がそれぞれ挿入される。あるいは、ブリッジ抵抗の高周波信号が入力される端子と１つ又は複数の容量の一方電極との間に、１つ又は複数の第２抵抗がそれぞれ挿入される。この場合、第２抵抗を伝送線路で形成してもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数のトランジスタが並列接続された構成の高周波電力増幅器において、１つ又は複数のブリッジ抵抗を挿入することにより、十分な耐破壊性と良好な高周波特性とを両立させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１の回路構成を示す図である。図１において、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１は、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎと、容量Ｃ１〜Ｃｎと、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎと、ブリッジ抵抗Ｒとで構成される。但し、ｎは２以上の整数である。トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎには、化合物半導体（ＩｎＧａＰ）を用いたヘテロ接合バイポーラトランジスタに限らず、Ｓｉ又はＳｉＧｅを用いた他のトランジスタを使用することが可能である。
【００１３】
交流信号である高周波信号ＲＦは、容量Ｃ１〜Ｃｎを介してトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベース（Ｂ）にそれぞれ入力され、増幅されてトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのコレクタ（Ｃ）から出力される。各トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのエミッタ（Ｅ）は、接地されている。バイアス回路Ｂｉａｓから与えられる直流のバイアス電圧ＤＣは、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎを介してトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースにそれぞれ供給される。このバイアス電圧ＤＣの信号線は、ブリッジ抵抗Ｒを介して高周波信号ＲＦの入力線と直流的に接続されている。なお、バイアス回路Ｂｉａｓは、バイアス電圧ＤＣを供給できる回路であればその構成は特に問わない。
【００１４】
例えば、好ましいバイアス回路Ｂｉａｓとして、図２に示すエミッタフォロア回路が考えられる。図２のバイアス回路Ｂｉａｓは、エミッタフォロアとなるトランジスタＴＲＢ３と、温度特性を補償するための抵抗ＲＢ１と、バイアス回路特性を補正するための抵抗ＲＢ２及びＲＢ３と、トランジスタＴＲＢ１及びＴＲＢ２とで構成される。トランジスタＴＲＢ１及びＴＲＢ２は、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎとトランジスタＴＲＢ３とのベース−エミッタ間電圧和を補償するために、ベース−コレクタ間をショートしてベース−エミッタ間ダイオードとして用いられている。なお、抵抗ＲＢ２及びＲＢ３は省略可能である。
【００１５】
次に、上記構成による第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１の動作を説明する。
ブリッジ抵抗Ｒの挿入によって、高周波信号ＲＦは、従来の容量Ｃ１〜Ｃｎを通過する経路に加えて、ブリッジ抵抗Ｒ及び抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎを通過する経路によっても、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースに入力される。このブリッジ抵抗Ｒ及び抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎを通過する経路によって、ブリッジ抵抗Ｒを介して、高周波信号ＲＦがバイアス回路Ｂｉａｓ側に入力されることになる。
【００１６】
バイアス回路Ｂｉａｓ側に入力される高周波信号ＲＦの電圧振幅は、トランジスタＴＲＢ３のベース−エミッタ間ダイオードの非線形性により、トランジスタＴＲＢ３のベース−エミッタ間ダイオードをオンするタイミング（負振幅）ではクリップされ、オフするタイミング（正振幅）ではクリップされない。このため、ブリッジ抵抗Ｒと抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎとの接続点Ｐに、正極性の直流オフセット電圧が発生する。この直流オフセット電圧発生の効果は、高周波信号ＲＦの入力電力が大きくなればなるほど顕著に現れる。
【００１７】
図３Ａ及び図３Ｂを参照して、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１と従来の高周波電力増幅器１００（図１０）との効果の違いを説明する。
図３Ａは、ブリッジ抵抗Ｒが２５Ω又は５０Ωである場合において、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎを可変した時の出力電力Ｐｏｕｔを示す図である。図３Ｂは、ブリッジ抵抗Ｒが２５Ω又は５０Ωである場合において、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎを可変した時の電力負荷効率ＰＡＥを示す図である。図からわかるように、従来の高周波電力増幅器１００では、抵抗値＝１０００Ωを超えたあたりから急激に特性が劣化しているのに対し、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１では、抵抗値＝２０００Ω付近においても殆ど特性劣化が見られない。２０００Ω付近では、出力電力Ｐｏｕｔで約１．５ｄＢ、電力負荷効率ＰＡＥで約１０％と、大幅な特性改善が可能であることが示されている。
【００１８】
このように大幅な特性改善が得られる理由は、ブリッジ抵抗Ｒと抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎとの接続点Ｐにおける電位上昇が、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎでの電圧降下を補償しているためである。また、さらに注目すべきは、接続点Ｐの電位上昇を、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎ動作の均一性を改善するための抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎの値を大きくすることに利用できている点である。
【００１９】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１によれば、ブリッジ抵抗Ｒを挿入することにより、十分な耐破壊性と良好な高周波特性とを両立させることができる。
【００２０】
なお、この第１の実施形態では、ブリッジ抵抗Ｒを１つ挿入する例を説明したが、図４に示すようにトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎ毎にブリッジ抵抗Ｒ１〜Ｒｎを挿入した構成の高周波電力増幅器１’でも、同様の効果を得ることができる。また、図５に示すように、複数の容量Ｃ１〜Ｃｎが１つの容量Ｃにまとめられた構成の高周波電力増幅器１''でも、同様の効果を得ることができる。
【００２１】
［第２の実施形態］
図６は、本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器２の回路構成を示す図である。図６において、第２の実施形態に係る高周波電力増幅器２は、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎと、容量Ｃ１〜Ｃｎと、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎと、抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂｎと、ブリッジ抵抗Ｒとで構成される。図６でわかるように、第２の実施形態に係る高周波電力増幅器２は、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１に抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂｎを加えた構成である。
【００２２】
各抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂｎは、微小な抵抗値をとり、容量Ｃ１〜Ｃｎと抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎとの接続点と、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースとの間に、それぞれ挿入される。よって、この抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂｎは、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースバラスト抵抗として機能する。
【００２３】
以上のように、本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器２によれば、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースに微小な抵抗Ｒｂ１〜Ｒｂｎを挿入することにより、上記第１の実施形態による効果に加えて、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎの安定化及び不要発振の抑制が実現可能となる。また、図４に示した複数のブリッジ抵抗Ｒ１〜Ｒｎを挿入する構成や図５に示した単一の容量Ｃを有する構成に、第２の実施形態を応用することも勿論可能である。
【００２４】
［第３の実施形態］
図７は、本発明の第３の実施形態に係る高周波電力増幅器３の回路構成を示す図である。図７において、第３の実施形態に係る高周波電力増幅器３は、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎと、容量Ｃ１〜Ｃｎと、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎと、抵抗Ｒｃ１〜Ｒｃｎと、ブリッジ抵抗Ｒとで構成される。図７でわかるように、第３の実施形態に係る高周波電力増幅器３は、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１に抵抗Ｒｃ１〜Ｒｃｎを加えた構成である。
【００２５】
各抵抗Ｒｃ１〜Ｒｃｎは、微小な抵抗値をとり、容量Ｃ１〜Ｃｎと、抵抗Ｒａ１〜ＲａｎとトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースとの接続点との間に、それぞれ挿入される。よって、この抵抗Ｒｃ１〜Ｒｃｎは、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースバラスト抵抗として機能する。
【００２６】
以上のように、本発明の第３の実施形態に係る高周波電力増幅器３によれば、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースに微小な抵抗Ｒｃ１〜Ｒｃｎを接続することにより、上記第１の実施形態による効果に加えて、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎの安定化及び不要発振の抑制が実現可能となる。また、図４に示した複数のブリッジ抵抗Ｒ１〜Ｒｎを挿入する構成や図５に示した単一の容量Ｃを有する構成に、第３の実施形態を応用することも勿論可能である。
【００２７】
［第４の実施形態］
図８は、本発明の第４の実施形態に係る高周波電力増幅器４の回路構成を示す図である。図８において、第４の実施形態に係る高周波電力増幅器４は、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎと、容量Ｃ１〜Ｃｎと、抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎと、伝送線路ＴＬ１〜ＴＬｎと、ブリッジ抵抗Ｒとで構成される。図８でわかるように、第４の実施形態に係る高周波電力増幅器４は、第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１に伝送線路ＴＬ１〜ＴＬｎを加えた構成である。
【００２８】
各伝送線路ＴＬ１〜ＴＬｎは、高周波信号ＲＦの入力端子と、容量Ｃ１〜Ｃｎとの間に、それぞれ挿入される。この伝送線路ＴＬ１〜ＴＬｎは、高周波電力増幅器の回路を半導体チップ上に実際にレイアウトした場合に、素子間の配線によって発生する抵抗成分である。この伝送線路ＴＬ１〜ＴＬｎによって、容量Ｃ１〜Ｃｎとの自己共振を生じさせ、高周波信号ＲＦの入力端子とトランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのベースとの間のインピーダンスが小さくなる。よって、高周波信号ＲＦが通り易くなるので、電力利得等の高周波特性の改善が可能になる。なお、伝送線路ＴＬ１〜ＴＬｎに代えて一般的な抵抗を用いても構わない。
【００２９】
以上のように、本発明の第４の実施形態に係る高周波電力増幅器４によれば、伝送線路ＴＬ１〜ＴＬｎを有効に活用することにより、高周波特性のさらなる改善が可能である。また、同一の高周波特性で良ければ、容量Ｃ１〜Ｃｎの面積を小さくすることができ、チップサイズの小型化に貢献できる。また、図４に示した複数のブリッジ抵抗Ｒ１〜Ｒｎを挿入する構成や図５に示した単一の容量Ｃを有する構成に、第４の実施形態を応用することも勿論可能である。
【００３０】
［第５の実施形態］
図９は、本発明の第５の実施形態に係る高周波電力増幅器５の回路構成を示す図である。図９において、第５の実施形態に係る高周波電力増幅器５は、増幅器５０〜５２、複数のコレクタバイアス回路５３、複数のバイアス回路５５、入力整合回路５６、第１の段間整合回路５７、第２の段間整合回路５８及び出力整合回路５９を備える。
【００３１】
増幅器５０〜５２には、上述した第１〜第３の実施形態に係る高周波電力増幅器１〜３のいずれかの構成が用いられる。増幅器５０〜５２に接続される複数のバイアス回路５５は、例えば上記第１の実施形態で説明したバイアス回路Ｂｉａｓである。コレクタバイアス回路５３は、伝送線路（例えばλ／４線路）やインダクタやキャパシタからなり、トランジスタＴＲ１〜ＴＲｎのコレクタにバイアスを供給する。入力整合回路５６、第１の段間整合回路５７、第２の段間整合回路５８及び出力整合回路５９は、インピーダンスの異なるトランジスタをインピーダンス整合させ、かつ、高周波特性を引き出すための回路であり、伝送線路、インダクタ又はキャパシタから構成される。
【００３２】
このような複数段構成の高周波電力増幅器５においても、本発明の高周波電力増幅器１〜３を適用させることで、十分な耐破壊性と良好な高周波特性とを両立させることができる。特に、各増幅段での特性誤差を最小にさせることができるので、入力電力とバイアス電圧との関係を適切に調整することにより、増幅器の線形性を改善した低歪増幅器への適用も可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明の高周波電力増幅器は、携帯電話等の無線通信機器に用いられる増幅器として利用可能であり、特に十分な耐破壊性と良好な高周波特性とを両立させたい場合等に適している。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波電力増幅器１の回路構成を示す図
【図２】バイアス回路Ｂｉａｓの一例を示す図
【図３Ａ】抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎと出力電力Ｐｏｕｔとの関係を説明する図
【図３Ｂ】抵抗Ｒａ１〜Ｒａｎと電力負荷効率ＰＡＥとの関係を説明する図
【図４】第１の実施形態に係る他の高周波電力増幅器１’の回路構成を示す図
【図５】第１の実施形態に係る他の高周波電力増幅器１''の回路構成を示す図
【図６】本発明の第２の実施形態に係る高周波電力増幅器２の回路構成を示す図
【図７】本発明の第３の実施形態に係る高周波電力増幅器３の回路構成を示す図
【図８】本発明の第４の実施形態に係る高周波電力増幅器４の回路構成を示す図
【図９】本発明の第５の実施形態に係る高周波電力増幅器５の回路構成を示す図
【図１０】従来の高周波電力増幅器１００の回路構成を示す図
【符号の説明】
【００３５】
１〜５、１’、１''、１００  高周波電力増幅器
５０〜５２  増幅器
５３  コレクタバイアス回路
５５、Ｂｉａｓ  バイアス回路
５６〜５９  整合回路
Ｃ、Ｃ１〜Ｃｎ、Ｃ１０１〜Ｃ１０ｎ  容量
Ｒ、Ｒ１〜Ｒｎ、Ｒａ１〜Ｒａｎ、Ｒｂ１〜Ｒｂｎ、Ｒｃ１〜Ｒｃｎ、ＲＢ１〜ＲＢ３、Ｒａ１０１〜Ｒａ１０ｎ  抵抗
ＴＬ１〜ＴＬｎ  伝送線路
ＴＲ１〜ＴＲｎ、ＴＲＢ１〜ＴＲＢ３、ＴＲ１０１〜ＴＲ１０ｎ  トランジスタ
Ｖｄｄ  電源
【図１】
2006325096.tif 000003
【図２】
2006325096.tif 000004
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006325096.tif 000009
【図７】
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【図８】
2006325096.tif 000011
【図９】
2006325096.tif 000012
【図１０】
2006325096.tif 000013