(57)【要約】      （修正有）【課題】      ディスクリネーション発生を抑制することが可能な二端子素子を用いたＩＰＳ方式の液晶装置等を提供する。【解決手段】  素子基板は、ＴＦＤ素子、画素電極等を有している。各電極の間には、画素電極の要素である第１乃至第３の透明電極部が形成されている。このため、データ線及び走査線に夫々データ信号及び走査信号を出力すると、素子基板と略平行な方向に横電界Ｅが生じて液晶分子の配向が制御される。本液晶表示装置では、ＴＦＤ素子近傍のコーナー部に補助電極部を形成する。そのため、第１透明電極部と当該補助電極部とが電気的に接続され、コーナー部を画素電極と同電位にすることができる。これにより、液晶の駆動時、コーナー部付近には斜め電界Ｅが発生しなくなり、ディスクリネーションが発生するのを軽減できる。よって、その付近で光漏れが生じるのを抑制できる。【選択図】    図７
2006194918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の電極と、
前記第１の電極に接続された二端子素子と、
前記二端子素子に接続された画素電極と、
前記複数の第１の電極と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の電極と、を有し、
前記二端子素子が配置された領域と対向する前記第２の電極上には、絶縁膜が形成されていると共に当該絶縁膜上には補助電極が形成されており、当該補助電極は前記画素電極に電気的に接続されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
複数の第１の電極と、
相隣接する前記第１の電極の間に配置された画素電極と、
前記複数の第１の電極と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との交差に対応して設けられ前記第１の電極及び前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、を有し、
前記スイッチング素子が配置された領域と対向する前記第２の電極上には、絶縁膜が形成されていると共に当該絶縁膜上には補助電極が形成されており、当該補助電極は前記画素電極に電気的に接続されてなることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記二端子素子又は前記スイッチング素子の近傍に位置にする前記第２の電極は平面的に見て略Ｌ字状に切り欠いてなるコーナー部を有し、少なくとも当該コーナー部上には絶縁膜が形成されていると共に当該絶縁膜上には補助電極が形成されており、当該補助電極は前記画素電極に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
少なくとも前記コーナー部はタンタル又はタンタルを主成分とする材料にて形成されていると共に、前記補助電極はクロム又はモリブデンを主成分とする材料にて形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記二端子素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上の一部及び少なくとも前記コーナー部に対応する位置に形成された第２金属膜とを有し、
前記補助電極は前記第２金属膜の一部であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２の電極は、前記第１の電極の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部と、前記複数の導電部と略直交する方向に延在する複数の他の導電部とを有すると共に、前記画素電極は、直線状の複数の透明導電部を有し、
前記透明導電部の各々は、複数の前記間隙内において前記導電部の各々と略平行に配置されていると共に、前記第１の電極と対向する前記複数の導電部の一端側及び当該一端側に対向する前記複数の導電部の他端側は、各々前記複数の他の導電部に電気的に接続されており、
前記複数の導電部の一端側と電気的に接続された前記他の導電部は前記コーナー部を含み、当該コーナー部を除く前記他の導電部上には絶縁膜が形成されていると共に、当該絶縁膜上には他の補助電極が形成されており、
前記他の補助電極は、対応する前記透明導電部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記コーナー部を含む前記他の導電部は、前記絶縁膜を介して前記補助電極及び前記他の補助電極の各々に対向していることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記複数の第１の電極、前記二端子素子又は前記スイッチング素子、前記画素電極並びに前記第２の電極が形成される基板と対向する基板は、前記画素領域に対応する位置に着色層と、少なくとも前記画素領域の各々を区画する位置に遮光層とを有し、
前記第２の電極の延在方向に相隣接する前記画素領域の間に位置する前記遮光層において、前記二端子素子又は前記スイッチング素子並びに前記コーナー部に対応する当該遮光層の幅は、当該コーナー部を除く前記他の導電部に対応する当該遮光層の幅より大きく設定されており、
少なくとも前記二端子素子又は前記スイッチング素子、前記コーナー部並びに前記複数の他の導電部付近は、前記遮光層により覆われていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＴＮ（Twisted Nematic）方式などの液晶装置は、一対の基板間に液晶を封入し、各基板に設けられた透明電極により基板に垂直な方向に電界を印加することにより、液晶分子の配向を制御する。これに対し、近年では、液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする方式が知られている。この方式は、横電界方式、ＩＰＳ（In−Plane Switching）方式などと呼ばれ、視角特性に優れていることから最近注目されている。
【０００３】
この種のＩＰＳ方式の液晶装置として、例えば、一対の基板のうち一方の基板には櫛歯状の画素電極と櫛歯状の共通電極とが互いに噛み合うように配置され、他方の対向基板には電極が形成されることなく、両基板間に液晶が封入されてなる液晶装置が知られている（例えば、特許文献１乃至５を参照）。また、これらの特許文献に示される液晶装置では、スイッチング素子として三端子素子、例えばＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用い、そのＴＦＴ素子はゲート線上に設けられている。
【０００４】
また、この種の液晶装置として、例えば画素電極と共通配線との間に発生する電界に対し、この電界をうち消す方向に電界を発生させて、画素電極と共通電極の間の領域においてディスクリネーションが発生するのを防止するように構成した液晶装置が知られている（例えば、特許文献６を参照）。また、この種の液晶装置として、例えば補助容量を設け、補助容量の上側の電極と下側の電極を異なる形状とすることにより、リバースツイストの発生を低減して応答速度を改善し開口率を向上させるようにした液晶装置が知られている（例えば、特許文献７を参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２３１７１号公報
【特許文献２】特開２００１−３３０８４９号公報
【特許文献３】特開２０００−２７５６６４号公報
【特許文献４】特開平１０−２２１７０５号公報
【特許文献５】特開平９−２６９４９７号公報
【特許文献６】特開２００２−１２２８４１号公報
【特許文献７】特開２０００−１９５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のＩＰＳ方式の液晶装置では、スイッチング素子として三端子素子を適用することとしているが、そのような液晶装置に対して、三端子素子の代わりにＴＦＤ（Thin Film Diode）素子などの二端子素子を適用することも可能である。その場合、二端子素子は、通常、画素領域の隅の位置近傍に配置されることになるので、その付近には共通配線に相当する配線等の一部を略Ｌ字状に切り欠いてなる領域（コーナー部）が形成される。このような切り欠き領域に起因して、液晶の駆動時、そのコーナー部付近では電界の方向が乱れ、液晶分子の配向を適切に制御することができなくなる可能性がある。そのため、そのコーナー部付近では、ディスクリネーション（液晶の配向異常）が生じて、光漏れが生じる虞がある。また、このようなＩＰＳ方式の液晶装置では、画素電極等が櫛歯状に形成され、その面積は極めて狭くなることから、保持容量を設ける必要もある。
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、二端子素子近傍のコーナー部付近においてディスクリネーションが発生するのを抑制し且つ効率よく保持容量を設けることが可能な二端子素子等を用いたＩＰＳ方式の液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、複数の第１の電極と、前記第１の電極に接続された二端子素子と、前記二端子素子に接続された画素電極と、前記複数の第１の電極と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の電極と、を有し、前記二端子素子が配置された領域と対向する前記第２の電極上には、絶縁膜が形成されていると共に当該絶縁膜上には補助電極が形成されており、当該補助電極は前記画素電極に電気的に接続されてなる。
【０００９】
上記の液晶装置は、複数の第１の電極と、第１の電極に接続されたＴＦＤ素子などの二端子素子と、二端子素子に接続された画素電極と、複数の第１の電極と交差し、且つ画素電極に対向するように延びる第２の電極と、を有している。好適な例では、第１の電極はデータ線又は走査線とすることができる一方、それに対応して第２の電極は走査線又はデータ線とすることができる。また、第２の電極は画素電極との間で、横方向の電界（即ち、横電界）を発生させる機能を有し、これにより液晶の配向が制御される。つまり、これにより、二端子素子を適用した横電界方式或いはＩＰＳ方式の液晶装置を構成することができる。
【００１０】
また、この液晶装置において、二端子素子が配置された領域と対向する第２の電極は、当該第２の電極を平面視したときに、当該第２の電極において段差が形成された部分（以下、便宜上、「段差部分」とも呼ぶ）に対応している。このため、液晶の駆動時、段差部分の近傍では、その段差部分の形状に起因して横電界ではなく斜め電界が生じて、その付近で液晶の配向以上（ディスクリネーション）が発生し光漏れを生じる虞がある。
【００１１】
この点、この液晶装置では、そのようなディスクリネーションの発生を抑制するために、段差部分を次のような構成にしている。即ち、この液晶装置では、段差部分上、即ち、二端子素子が配置された領域と対向する第２の電極上に絶縁膜を形成していると共に当該絶縁膜上に補助電極を形成しており、さらに、当該補助電極を前記画素電極に電気的に接続している。このため、この液晶装置では、その駆動時、段差部分に位置する補助電極は画素電極と同電位になる。これにより、この液晶装置では、その駆動時、段差部分の付近には斜め電界が発生しなくなり、段差部分は液晶が駆動されない領域になる。よって、段差部分の付近においてディスクリネーションが発生するのを軽減でき、その付近で光漏れが生じるのを抑制できる。
【００１２】
また、この液晶装置では、段差部分と補助電極との間には絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成される。即ち、この液晶装置では、段差部分を利用して、その部分に効率よく保持容量を形成することができる点にも利点を有している。これにより、この液晶装置では、画素電極の容量に保持容量が付加されるので、その分、画素電極の容量を実質的に大きくすることができ、表示品位が低下するのを防止できる。
【００１３】
本発明の他の観点では、液晶装置は、複数の第１の電極と、相隣接する前記第１の電極の間に配置された画素電極と、前記複数の第１の電極と交差し、且つ前記画素電極に対向するように延び、前記画素電極との間で電界を発生させる第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との交差に対応して設けられ前記第１の電極及び前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、を有し、前記スイッチング素子が配置された領域と対向する前記第２の電極上には、絶縁膜が形成されていると共に当該絶縁膜上には補助電極が形成されており、当該補助電極は前記画素電極に電気的に接続されてなる。
【００１４】
上記の液晶装置は、複数の第１の電極と、相隣接する第１の電極の間に配置された画素電極と、複数の第１の電極と交差し、且つ画素電極に対向するように延びる第２の電極と、第１の電極と第２の電極との交差に対応して設けられ、第１の電極及び画素電極に接続されたスイッチング素子（例えば、ＴＦＴ素子などの三端子素子）と、を有している。好適な例では、第１の電極はデータ線又は走査線とすることができる一方、それに対応して第２の電極は走査線又はデータ線とすることができる。また、第２の電極は画素電極との間で、横方向の電界（即ち、横電界）を発生させる機能を有し、これにより液晶の配向が制御される。つまり、これにより、三端子素子を適用した横電界方式或いはＩＰＳ方式の液晶装置を構成することができる。
【００１５】
また、この液晶装置において、スイッチング素子が配置された領域と対向する第２の電極は、当該第２の電極を平面視したときに、当該第２の電極において段差が形成された部分（段差部分）に対応している。このため、液晶の駆動時、段差部分の近傍では、その段差部分の形状に起因して横電界ではなく斜め電界が生じて、その付近で液晶の配向以上（ディスクリネーション）が発生し光漏れを生じる虞がある。
【００１６】
この点、この液晶装置では、そのようなディスクリネーションの発生を抑制するために、段差部分を次のような構成にしている。即ち、この液晶装置では、段差部分上、即ち、スイッチング素子が配置された領域と対向する第２の電極上に絶縁膜を形成していると共に当該絶縁膜上に補助電極を形成しており、さらに、当該補助電極を前記画素電極に電気的に接続している。このため、この液晶装置では、その駆動時、段差部分に位置する補助電極は画素電極と同電位になる。これにより、この液晶装置では、その駆動時、段差部分の付近には斜め電界が発生しなくなり、段差部分は液晶が駆動されない領域になる。よって、段差部分の付近においてディスクリネーションが発生するのを軽減でき、その付近で光漏れが生じるのを抑制できる。
【００１７】
また、この液晶装置では、段差部分と補助電極との間には絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成される。即ち、この液晶装置では、段差部分を利用して、その部分に効率よく保持容量を形成することができる点にも利点を有している。これにより、この液晶装置では、画素電極の容量に保持容量が付加されるので、その分、画素電極の容量を実質的に大きくすることができ、表示品位が低下するのを防止できる。
【００１８】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記二端子素子又は前記スイッチング素子の近傍に位置にする前記第２の電極は平面的に見て略Ｌ字状に切り欠いてなるコーナー部を有し、少なくとも当該コーナー部上には絶縁膜が形成されていると共に当該絶縁膜上には補助電極が形成されており、当該補助電極は前記画素電極に電気的に接続されている。
【００１９】
この態様では、二端子素子又はスイッチング素子の近傍に位置にする第２の電極は平面的に見て略Ｌ字状に切り欠いてなるコーナー部を有している。また、当該コーナー部上には絶縁膜が形成されていると共に当該絶縁膜上には補助電極が形成されており、さらに、当該補助電極は画素電極と電気的に接続されている。このため、液晶の駆動時、コーナー部に位置する補助電極は画素電極と同電位になる。これにより、液晶の駆動時、コーナー部付近には斜め電界が発生しなくなり、コーナー部は液晶が駆動されない領域になる。よって、コーナー部付近においてディスクリネーションが発生するのを軽減でき、その付近で光漏れが生じるのを抑制できる。
【００２０】
また、この態様では、コーナー部と補助電極との間には絶縁膜を誘電体とする保持容量が形成される。即ち、この態様では、コーナー部を利用して、その部分に効率よく保持容量を形成することができる点にも利点を有している。これにより、この態様では、画素電極の容量に保持容量が付加されるので、その分、画素電極の容量を実質的に大きくすることができ、表示品位が低下するのを防止できる。
【００２１】
好適な例では、少なくともコーナー部は、タンタル又はタンタルを主成分とする材料、例えばＴａＷ（タンタルタングステン）などの材料にて形成することができる。また、補助電極は、クロム又はモリブデンを主成分とする材料、例えばＭｏＷ（モリブデンタングステン）などの材料にて形成することができる。特に、補助電極を、モリブデンを主成分とする材料にて形成することにより、環境に与える負荷を軽減することができる。
【００２２】
上記の液晶装置の他の態様では、前記二端子素子は、第１金属膜と、前記第１金属膜上に形成された絶縁膜と、当該絶縁膜上の一部及び少なくとも前記コーナー部に対応する位置に形成された第２金属膜とを有し、前記補助電極は前記第２金属膜の一部である。
【００２３】
この態様によれば、二端子素子は、例えばタンタルなどからなる第１金属膜と、その第１金属膜上に形成され、例えば酸化タンタルなどからなる絶縁膜と、その絶縁膜上の一部及び少なくともコーナー部に対応する位置に形成され、例えばクロムなどからなる第２金属膜とを有している。そして、補助電極は、第２金属膜の一部を用いて形成されている。これにより、第２金属膜の一部をなす補助電極とコーナー部との間に絶縁膜を誘電体とする保持容量を効率よく形成することができる。
【００２４】
上記の液晶装置の他の態様では、前記第２の電極は、前記第１の電極の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部と、前記複数の導電部と略直交する方向に延在する複数の他の導電部とを有すると共に、前記画素電極は、直線状の複数の透明導電部を有し、前記透明導電部の各々は、複数の前記間隙内において前記導電部の各々と略平行に配置されていると共に、前記第１の電極と対向する前記複数の導電部の一端側及び当該一端側に対向する前記複数の導電部の他端側は、各々前記複数の他の導電部に電気的に接続されており、前記複数の導電部の一端側と電気的に接続された前記他の導電部は前記コーナー部を含み、当該コーナー部を除く前記他の導電部上には絶縁膜が形成されていると共に、当該絶縁膜上には他の補助電極が形成されており、前記他の補助電極は、対応する前記透明導電部と電気的に接続されている。
【００２５】
この態様では、第２の電極は、第１の電極の延在する方向と略直交する方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて配置された直線状の複数の導電部と、その複数の導電部と略直交する方向に延在する複数の他の導電部とを有している。また、画素電極は、直線状の複数の透明導電部を有している。そして、透明導電部の各々は、複数の前記間隙内において、導電部の各々と略平行に配置されている。これにより、この液晶装置の駆動時、各導電部と、対応する各透明電極部の間で横電界が生じ液晶の配向を制御することができる。
【００２６】
また、第１の電極と対向する複数の導電部の一端側及び当該一端側に対向する前記複数の導電部の他端側は、各々前記複数の他の導電部に電気的に接続されている。このため、この第１の電極は、複数の導電部（抵抗体）の各々を並列に接続した配線を形成している。その結果、例えば、１つの導電部の抵抗をＲ１とし、且つ、その複数の導電部の設定数をＮにした場合、この態様では、第１の電極の抵抗は、Ｒ１を（１／Ｎ）倍した大きさ、即ち（Ｒ１）／Ｎとなる。このため、第１の電極は、全体として、（Ｒ１）／Ｎの抵抗体を複数直列に接続した配線構成となる。よって、この態様では、タンタルなどによって第１の電極を形成したような場合でも、第１の電極の配線抵抗を低減することができる。これにより、いわゆる横クロストークが生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００２７】
また、複数の導電部の一端側と電気的に接続された他の導電部はコーナー部を含んで構成され、当該コーナー部を除く他の導電部上には絶縁膜が形成されていると共に、当該絶縁膜上には他の補助電極が形成されており、さらに、他の補助電極は、対応する透明導電部と電気的に接続されている。これにより、コーナー部を除く他の導電部と他の補助電極の間には、絶縁膜を誘電体とする他の保持容量が形成される。
好適な例では、コーナー部を含む他の導電部は、絶縁膜を介して補助電極及び他の補助電極の各々に対向している。これにより、コーナー部を含む他の導電部と、補助電極及び他の補助電極との間には、それぞれ絶縁膜を誘電体とする保持容量及び他の保持容量が形成される。よって、この液晶装置において、他の保持容量だけで十分に表示品質を保つことができる場合には、当該他の保持容量の大きさを維持しつつ、補助電極と他の補助電極との大きさ（面積）を相対的に変えることが可能となる。したがって、この場合、当該他の保持容量が形成される他の導電部、絶縁膜及び他の補助電極の一部を除去し、その除去した分だけコーナー部において補助電極の面積を増やすことで、当該他の保持容量の大きさを維持しつつ、開口率の向上を図ることができる。即ち、表示に寄与しない領域となる、他の導電部、絶縁膜及び他の補助電極の一部が除去されるので、その分だけ、開口率の向上を図ることができる。
【００２８】
上記の液晶装置の他の態様では、前記複数の第１の電極、前記二端子素子又は前記スイッチング素子、前記画素電極並びに前記第２の電極が形成される基板と対向する基板は、前記画素領域に対応する位置に着色層と、少なくとも前記画素領域の各々を区画する位置に遮光層とを有し、前記第２の電極の延在方向に相隣接する前記画素領域の間に位置する前記遮光層において、前記二端子素子又は前記スイッチング素子並びに前記コーナー部に対応する当該遮光層の幅は、当該コーナー部を除く前記他の導電部に対応する当該遮光層の幅より大きく設定されており、少なくとも前記二端子素子又は前記スイッチング素子、前記コーナー部並びに前記複数の他の導電部付近は、前記遮光層により覆われている。
【００２９】
この態様によれば、複数の第１の電極、二端子素子又はスイッチング素子、画素電極並びに第２の電極が形成される基板と対向する基板（以下、便宜上、「対向基板」とも呼ぶ）は、画素領域に対応する位置に着色層を有しているので、これによりカラー表示画像を得ることができる。また、対向基板は、少なくとも画素領域の各々を区画する位置に、例えば黒色樹脂などからなる遮光層を有している。また、第２の電極の延在方向に相隣接する画素領域の間に位置する遮光層において、二端子素子又はスイッチング素子並びにコーナー部に対応する当該遮光層の幅は、当該コーナー部を除く他の導電部に対応する当該遮光層の幅より大きく設定されており、少なくとも二端子素子又はスイッチング素子、コーナー部並びに複数の他の導電部付近は遮光層により覆われている。これにより、少なくとも二端子素子又はスイッチング素子、コーナー部並びに複数の他の導電部付近において光漏れが生じるのを防止できる。
【００３０】
また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。
【００３２】
[液晶表示装置の構成]
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置である。また、この液晶表示装置１００は、電極が形成された基板側において、当該基板面に略平行な方向に電界を発生させて液晶分子の配向を制御する、ＩＰＳ方式などのいわゆる横電界方式の液晶表示装置である。このため、この液晶表示装置１００では高い視野角を得ることが可能となっている。さらに、この液晶表示装置１００は、バックライトなどの照明装置を用いた透過型の液晶表示装置でもある。
【００３３】
図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなすデータ線３２の要素である電極部３２ｘを通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。
【００３４】
まず、図２を参照して、液晶表示装置１００の断面構成について説明する。そして、その後、素子基板９１の電極及び配線の構成について説明する。本実施形態では、素子基板９１が電極及び配線を有する基板を構成している。
【００３５】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、その内部に、例えばホモジニアス配列された液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。また、この液晶表示装置１００では、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２の間に図示しないスペーサが封入されており、このスペーサにより両基板が一定の間隔に規定されている。
【００３６】
下側基板１の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、データ線３２の要素である、第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄなどを含む１つの電極部３２ｘが形成されている。第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂ、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃ、及び第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄは、それぞれ一定の間隔をおいて下側基板１の内面上に配置されている。電極部３２ｘを含むデータ線３２はタンタル等にて形成されている。なお、データ線３２の表面上には絶縁膜が形成されているが、図２では、便宜上、その絶縁膜の図示は省略している。各サブ画素領域ＳＧの隅の位置付近に対応する下側基板１の内面上には、二端子素子の一例としてのＴＦＤ素子２１が形成されている。また、下側基板１の内面上において、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、及び第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には、それぞれ画素電極１０の要素である第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃが形成されている。第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃにより、１つの画素電極１０が構成される。また、下側基板１の内面上の左右周縁部には走査線３１（「配線」又は「引き回し配線」とも称される）が形成されている。走査線３１はクロムにて形成されている。下側基板１、データ線３２、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０及び走査線３１の内面上には、配向膜１７が形成されている。
【００３７】
一方、上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。そして、着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂは、それぞれサブ画素領域ＳＧ内の電極部３２ｘ及び画素電極１０に対向している。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素領域Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を特定する場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を特定する場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００３８】
また、各サブ画素領域ＳＧの間及びＴＦＤ素子２１に対応する上側基板２の内面上には、隣接するサブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素領域ＳＧから他方のサブ画素領域ＳＧへの光の混入を防止するため黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが好ましい。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。
【００３９】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有している。
【００４０】
下側基板１の外面上には、偏光板１４が配置されている一方、上側基板２の外面上には、偏光板１２が配置されている。また、偏光板１４の下側には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００４１】
さて、本実施形態の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図２に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４２】
（素子基板の電極及び配線構成）
次に、図１及び図３を参照して、本実施形態の素子基板９１の電極及び配線の構成について説明する。図３は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。また、図３において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００４３】
図１において、紙面縦方向に適宜の間隔をおいて相隣接する走査線３１ｂの間の領域と、紙面縦方向に延在するデータ線３２とが交差する付近の領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図３において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００４４】
素子基板９１は、ＴＦＤ素子２１、複数の画素電極１０、複数の走査線３１、複数のデータ線３２、ＹドライバＩＣ３３、ＸドライバＩＣ３４、及び複数の外部接続用端子３５などを備えている。
【００４５】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図３において、素子基板９１の張り出し領域３６側の辺９１ａから反対側の辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、辺９１ｄから辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００４６】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００４７】
ＹドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線３１に接続されている。ＹドライバＩＣ３３は、複数の走査線３１の駆動を担う。すなわち、ＹドライバＩＣ３３によって、１垂直走査期間において走査線３１が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された走査線３１には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の走査線３１には、非選択電圧の走査信号が供給される。
【００４８】
ＸドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に接続されている。ＸドライバＩＣ３４は、複数のデータ線３２の駆動を担う。すなわち、ＸドライバＩＣ３４は、ＹドライバＩＣ３３により選択された走査線３１に対応する画素電極１０に対し、表示内容に応じたデータ信号を、それぞれ対応するデータ線３２を介して供給するものである。
【００４９】
複数のデータ線３２は、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に形成されていると共に、各データ線３２は一定の間隔をおいて形成されている。各データ線３２は、サブ画素領域ＳＧ毎に１つの電極部３２ｘを有している。
【００５０】
複数の走査線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に形成されている。一方、各折れ曲がり部分３１ｂは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に額縁領域３８から有効表示領域Ｖ内にかけて形成されている。また、各折れ曲がり部分３１ｂは、適宜の間隔をおいて、対応する各ＴＦＤ素子２１に電気的に接続されており、各ＴＦＤ素子２１は、対応する各画素電極１０に電気的に接続されている。そして、以上に述べた素子基板９１と、カラーフィルタ基板９２とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。
【００５１】
かかる液晶表示装置１００では、ＹドライバＩＣ３３から複数の走査線３１に走査信号が、ＸドライバＩＣ３４から複数のデータ線３２にデータ信号が夫々出力されると、図２に示すように、当該データ線３２の電極部３２ｘと画素電極１０の間で、素子基板９１の基板面に略平行な方向に横電界Ｅが生じて、液晶分子の配向が制御され表示状態が制御される。
【００５２】
（素子基板の構成）
次に、図４乃至図６を参照して、本発明の特徴をなすデータ線３２を含む素子基板９１の構成について説明する。図４（ａ）は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときの１画素分に対応する複数の電極部３２ｘ等を拡大して示す部分平面図である。図４（ａ）において、データ線３２等の表面上には絶縁膜３２３が形成されているが、便宜上、その図示は省略している。また、図４（ａ）において、一点鎖線にて囲まれる領域は、１つのサブ画素領域ＳＧを示している。図４（ｂ）は、１つの電極部３２ｘ等に対応する等価回路を示している。なお、本発明の液晶表示装置１００は高精細パネルであるため、図４（ｂ）の等価回路では、電極部３２ｘの要素である本線部３２ｙ並びに第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆの抵抗は無視し、同じく電極部３２ｘの要素である第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの抵抗は等しいものとしている（後述の図７も略同様）。図５は、図４（ａ）における切断線Ｂ−Ｂ’に沿った部分断面図である。図６（ａ）は、図４（ａ）における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図であり、特にＴＦＤ素子２１付近の部分断面図である。図６（ｂ）は、図４（ａ）における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った部分断面図であり、特に画素電極１０と補助電極部３３６ａとが電気的に接続されている様子等を示している。
【００５３】
下側基板１上には、複数のデータ線３２、複数の走査線３１、複数のＴＦＤ素子２１、複数の画素電極１０、及び複数の補助電極部３３６ａが形成されている。なお、補助電極部３３６ａは、ＴＦＤ素子２１の要素である第２金属膜３３６の一部分（破線領域に囲まれる部分に相当）を用いて構成される。なお、以下では、上記において説明した要素及び構成等は省略又は簡略化して説明する。
【００５４】
各データ線３２は、図４（ａ）に示すように、Ｙ方向に延在している。各データ線３２上には、図示しない絶縁膜３２３が形成されている（なお、図５では、各電極部３２ｘ上にこの絶縁膜３２３が形成されている様子が示されている）。この絶縁膜３２３は、約１５００Å〜２０００Å程度の厚さに形成されている。各データ線３２は、図４（ａ）に示すように、サブ画素領域ＳＧ内に１つの電極部３２ｘと、Ｙ方向に相隣接する電極部３２ｘ同士を接続する、直線状の本線部３２ｙとを備えている。即ち、各データ線３２は、Ｙ方向に相隣接する複数の電極部３２ｘを本線部３２ｙによって接続した構造を有している。各電極部３２ｘは、Ｙ方向に延在する略ストライプ状の第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄと、Ｘ方向に延在する第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆとを更に備えている。ここで、第６導電部３２ｆの形成領域は、破線にて囲まれる領域である。第５導電部３２ｅの形成領域は、Ｌ字状の実線部分にて囲まれる領域と、矩形状の破線部分にて囲まれる領域とを合わせた領域である。換言すれば、第５導電部３２ｅは、Ｌ字状の形状をなす第１部分３２ｅａ（Ｌ字状の実線部分）と、直線状の形状をなす第２部分３２ｅｂ（矩形状の破線部分）とを結合した形状を有している。第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には、夫々間隙４０が形成されている。
【００５５】
ここで、図４（ａ）に示す１つの電極部３２ｘｘに着目した場合、当該電極部３２ｘｘの下側に位置する本線部３２ｙの一端側は、当該電極部３２ｘｘの紙面下側に位置する他の電極部３２ｘの第６導電部３２ｆに繋がっていると共に、当該本線部３２ｙの他端側は当該電極部３２ｘｘの第５導電部３２ｅの一端側に繋がっている。当該第５導電部３２ｅの他端側は、第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの一端側に繋がっていると共に、その各第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの他端側は、第６導電部３２ｆの一端側に繋がっている。当該第６導電部３２ｆの他端側は、当該電極部３２ｘｘの上側に位置する本線部３２ｙの一端側に繋がっていると共に、当該本線部３２ｙの他端側は、電極部３２ｘｘの紙面上側に位置する他の電極部３２ｘの第５導電部３２ｅの一端側に繋がっている。
【００５６】
各走査線３１の要素である各折れ曲がり部分３１ｂは、図４（ａ）に示すように、Ｙ方向に適宜の間隔をおいて、Ｘ方向に延在してなる。そして、相隣接する折れ曲がり部分３１ｂの間には、上記した電極部３２ｘがサブ画素領域ＳＧ毎に形成されている。
【００５７】
各画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧ毎に、第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃを有している。第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃは、各々Ｙ方向に延在してなるストライプ状の電極である。
【００５８】
具体的には、第１透明電極部１０ａは、下側基板１の内面上において、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間の間隙４０内の略中央に、且つ、第６導電部３２ｆの一辺側から第２金属膜３３６上にかけて形成されている。上記したように電極部３２ｘ（電極部３２ｘｘも同様）の要素たる、第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆの表面上には絶縁膜３２３が形成されているため、第１透明電極部１０ａと第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。このため、第１透明電極部１０ａは、第２金属膜３３６の一部分である補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。第２透明電極部１０ｂは、下側基板１の内面上において、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間の間隙４０内の略中央に、且つ、第６導電部３２ｆの一辺側から第２金属膜３３６上にかけて形成されている。このため、第２透明電極部１０ｂは、第２金属膜３３６の一部分である補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。なお、第２透明電極部１０ｂと第６導電部３２ｆとの間には絶縁膜３２３が介在しているため、第２透明電極部１０ｂと第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。第３透明電極部１０ｃは、下側基板１の内面上において、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間の間隙４０内の略中央に、且つ、第６導電部３２ｆの一辺側から第２金属膜３３６上にかけて形成されている。このため、第３透明電極部１０ｃは、第２金属膜３３６の一部分である補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。なお、第３透明電極部１０ｃと第６導電部３２ｆとの間には絶縁膜３２３が介在しているため、第３透明電極部１０ｃと第６導電部３２ｆとは電気的に接続されていない。
【００５９】
各ＴＦＤ素子２１は、図４（ａ）に示すように、各サブ画素領域ＳＧの隅の位置近傍に、且つ、その付近に位置する各走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ上に形成されている。換言すれば、各ＴＦＤ素子２１は、データ線３２と折れ曲がり部分３１ｂとの交差する位置近傍に形成されている。
【００６０】
ＴＦＤ素子２１は、図６（ａ）に示すように、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂにより構成される。第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂは、Ｔａ（タンタル）などからなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成されたＴａ２Ｏ５等からなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６は、走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂが用いられる。一方、後者の第２金属膜３３６の一部分は、補助電極部３３６ａとしても用いられる。この補助電極部３３６ａの形成領域は、図４（ａ）に示すように破線にて囲まれる領域である。補助電極部３３６ａは平面視すると略Ｚ状の形状をなしており、図示しない絶縁膜３２３を介して第５導電膜３２ｅ上、具体的にはＬ字状の第１部分３２ｅａ上、及び、直線状の第２部分３２ｅｂ上に形成されている。
【００６１】
ここで、ＴＦＤ素子２１のうち、第１のＴＦＤ素子２１ａは、走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ側からみると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第２のＴＦＤ素子２１ｂは、走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、第１のＴＦＤ素子２１ａとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２１ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２１ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１は、２つのＴＦＤを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００６２】
また、図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、補助電極部３３６ａとデータ線３２の第５導電部３２ｅとは絶縁膜３２３を介して対向している。このため、補助電極部３３６ａと第５導電部３２ｅの間には絶縁膜３２３を誘電体とする保持容量Ｃ１が形成される。即ち、保持容量Ｃ１が形成される保持容量部７０は、タンタルなどからなる第５導電部３２ｅと、その上に形成された絶縁膜３２３と、その上に形成されたクロムなどからなる補助電極部３３６ａとにより構成される。また、第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃの各一辺側は補助電極部３３６ａ上に形成されており、上記したように、第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃは補助電極部３３６ａと電気的に接続されている。
【００６３】
以上の構成を有する素子基板９１では、ＹドライバＩＣ３３から出力された走査信号は、図１及び図３に示すように、本線部分３１ａ、折れ曲がり部分３１ｂ、ＴＦＤ素子２１、及び画素電極１０の順に出力されると共に、ＸドライバＩＣ３４から出力されたデータ信号は、図１、図３及び図４等に示すように、本線部３２ｙ、電極部３２ｘ、本線部３２ｙの順に出力される。これにより、図５に示すように、素子基板９１等の基板面と略平行な方向に横電界Ｅが生じ、液晶層４の液晶分子の配向が制御される。
【００６４】
次に、図７を参照して、比較例と比較した本発明の液晶表示装置１００の特有の作用効果について説明する。図７（ａ）は、図４（ａ）における破線領域Ｅ１０の部分を拡大した拡大平面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に対応する、比較例に係る拡大平面図である。なお、図７において、Ｘ方向に延在する直線Ｌ１は、本発明の第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一辺（下辺）、及び、比較例に係る第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一辺（下辺）を夫々通るので、本発明と比較例との相対的な位置関係は一致している。
【００６５】
比較例と本発明とを比較すると、両者は補助電極部３３６ａの構成が主に異なっており、その他の要素は共通している。即ち、前者の補助電極部３３６ａ（破線領域の部分）は、図７（ｂ）に示すように、第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一部分上に直線状に形成されている（換言すれば、第２部分３２ｅｂの一部分は露出している）のに対し、後者の補助電極部３３６ａは、図７（ａ）に示すように、略Ｚ状に形成されている。これにより、比較例では、液晶の駆動時、第１導電部３２ａと第１透明電極部１０ａと第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａとの間、並びに、第１透明電極部１０ａと第２導電部３２ｂと第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａとの間、並びに、第２部分３２ｅｂを含む第５導電部３２ｅと第２透明電極部１０ｂとの間においてディスクリネーション（液晶の配向異常）が生じ、当該付近にて光漏れが生じる虞がある。以下、この発生原因等について述べる。
【００６６】
図４に戻り、電極部３２ｘｘに着目した場合、ＴＦＤ素子２１は、サブ画素領域ＳＧの隅の位置近傍、換言すればデータ線３２の本線部３２ｙと走査線３１ｂとの交差する位置近傍に配置されている。このため、ＴＦＤ素子２１の紙面上側に位置する、第１導電部３２ａ及び第２導電部３２ｂの長さは、他の導電部、即ち第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの長さより短く形成されている。また、ＴＦＤ素子２１の上側に位置する、第１透明電極部１０ａの長さは、他の透明電極部、即ち第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃの長さより短く形成されている。これにより、ＴＦＤ素子２１の周辺に位置する第５導電部３２ｅの部分は、ＴＦＤ素子２１を迂回するように且つ略Ｌ字状に切り欠くように形成されている。かかる部分は、第５導電部３２ｅの要素であるＬ字状の第１部分３２ｅａに対応している。なお、以下では、Ｌ字状の第１部分３２ｅａに対応する領域を「コーナー部」とも称する。すなわち、サブ画素領域ＳＧ内において、画素電極１０及び電極部３２ｘの全体を平面的に概観した場合、ＴＦＤ素子２１付近の電極部３２ｘ等は、その一部を略Ｌ字状に切り欠くように形成されている。
【００６７】
このような切り欠き領域を有することに起因して、比較例では、図７（ｂ）に示すように、液晶の駆動時、コーナー部付近には横電界Ｅが発生せずに、斜め電界Ｅが発生する。これにより、比較例では、コーナー部付近、具体的には、第１導電部３２ａと第１透明電極部１０ａと第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａとの間、並びに、第１透明電極部１０ａと第２導電部３２ｂと第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａとの間、並びに、第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａ及び第２部分３２ｅｂと第２透明電極部１０ｂとの間においてディスクリネーションが発生し、その付近で光漏れが生じる虞がある。
【００６８】
この点、本発明では、そのような不具合が生じるのをできる限り抑制するために、図７（ａ）に示すように、補助電極部３３６ａを、第５導電部３２ｅの全体、具体的には第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂ、並びに、ＴＦＤ素子２１が配置された領域と対向する第５導電部３２ｅ（第５導電部３２ｅにおいて第１部分３２ｅａと第２部分３２ｅｂとで段差が形成された部分であり、一点鎖線で囲まれる矩形状の領域Ｅ５５に相当）を含む、切り欠き領域となるコーナー部、即ち略Ｌ字状の第１部分３２ｅａに対応する位置にも形成して、当該補助電極部３３６ａと第１透明電極部１０ａとを電気的に接続するようにしている。なお、補助電極部３３６ａと第５導電部３２ｅの間には、上記したように、図示しない絶縁膜３２３が形成されている。かかる構成により、この液晶表示装置１００の駆動時には、当該コーナー部に対応する位置に形成された補助電極部３３６ａと画素電極１０とが同電位になる。これにより、液晶の駆動時、コーナー部付近には斜め電界Ｅが発生しなくなり、コーナー部は液晶が駆動されない領域になる。なお、このとき、第５導電部３２ｅと第２透明電極部１０ｂとの間の領域Ｅ５６では横電界Ｅが生じない。このため、当該領域Ｅ５６は表示に寄与しない領域となっている。よって、コーナー部付近、具体的には、第１導電部３２ａと第１透明電極部１０ａと第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａとの間、並びに、第１透明電極部１０ａと第２導電部３２ｂと第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａとの間、並びに、第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａ及び第２部分３２ｅｂと第２透明電極部１０ｂとの間においてディスクリネーションが発生するのを軽減でき、その付近で光漏れが生じるのを抑制できる。また、第５導電部３２ｅは補助電極部３３６ａにより完全に覆われているので、液晶の駆動時、両者の重なり合った領域では、データ線３２の電位と補助電極部３３６ａの電位とが互いに打ち消し合う。このため、かかる領域付近では、ディスクリネーションが発生するのを軽減でき、その領域付近で光漏れが生じるのを抑制できる。
【００６９】
なお、本発明及び比較例では、図４（ａ）の破線領域Ｅ１１付近においてもディスクリネーションが若干生じる。しかし、その部分はコーナー部に比べて切り欠きが小さいので、その部分では表示に影響を与える程のディスクリネーションは生じない。
【００７０】
また、本発明では、上記の構成により、保持容量を効率よく形成することが可能となっている。この点について詳述する。保持容量の大きさは、一般的な静電容量の式より、補助電極部３３６ａの面積の大きさなどに比例する。したがって、補助電極部３３６ａの一部を除去した場合には、その面積が小さくなるので、その分だけ保持容量は小さくなる。この点、本発明では、図７（ｂ）の比較例において、直線Ｌ２と直線Ｌ３の間に位置する補助電極部３３６ａを除去して、その除去した分だけコーナー部に略Ｌ字状の補助電極部３３６ａを効率よく形成するようにしている（図７（ａ）を参照）。つまり、本発明に係る補助電極部３３６ａの総面積は、比較例に係る補助電極部３３６ａの総面積と同一になっている。これにより、コーナー部において絶縁膜３２３を誘電体とする新たな保持容量が形成される。
【００７１】
また、本発明では、図７（ａ）及び（ｂ）を比較して理解されるように、上記の構成にすることで、直線Ｌ２と直線Ｌ４の間に位置する第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂ及びその上に形成された絶縁膜３２３をも除去して、開口率の向上を図るようにしている。即ち、本発明では、直線Ｌ２と直線Ｌ４の間に位置する当該第２部分３２ｅａ等を除去することで、第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一辺（上辺）は直線Ｌ２上に位置することになる。比較例では、第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一辺（上辺）は直線Ｌ４上に位置している。よって、本発明では、比較例のように直線Ｌ２と直線Ｌ４の間に位置する第５導電部３２ｅ等が存在しない分、その部分において第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃの領域を増加することができる。よって、開口率の向上を図ることができる。
【００７２】
また、本発明の液晶表示装置１００は、上記した作用効果に加え、以下に示す作用効果をも有している。
【００７３】
まず、比較例として、ＴＦＴ素子を有するＩＰＳ方式の液晶表示装置の一例では、例えば、素子基板上に、ゲート電極とデータ線が略直交するように形成され、これらの交差部にマトリクス状にＴＦＴ素子が配置され、各サブ画素領域内において櫛歯状の画素電極と櫛歯状の共通電極（共通配線）とが互いに噛み合うように配置されている。即ち、かかる液晶表示装置では、ＴＦＴ素子を適用することとしているため、少なくともゲート線、データ線及び共通電極（共通配線）の３つの配線を設ける必要がある。
【００７４】
これに対し、本発明は、二端子素子の一例としてのＴＦＤ素子２１を、ＩＰＳ方式の液晶表示装置１００に適用しており、さらに、データ線３２が、当該データ線３２と画素電極１０の間で横電界Ｅを生じさせる上記櫛歯状の共通電極に相当する機能と、信号線としての機能とを兼ね備えている。このため、本発明の液晶表示装置１００では、上記比較例に係るゲート線に相当する配線が不要であり、データ線３２と走査線３１の２つの配線だけで上記のＩＰＳ方式を実現できる。よって、比較例に比べて、配線数を少なく構成できる分、画素電極１０の面積を大きくすることができ、開口率の向上を図ることができる。
【００７５】
また、本発明の液晶表示装置１００では、上記の構成により画素電極１０の面積を大きくすることができるが、当該画素電極１０は櫛歯状に類似する形状を有しており、その画素電極１０の面積は、それでもサブ画素領域ＳＧの面積と比較すると小さい。ここで、ＴＦＤ素子２１を有する液晶表示装置では、一般に画素電極の容量が小さくなると、それに起因して表示品位が低下する虞がある。この点、本発明では、ＴＦＤ素子２１の要素である第２金属膜３３６の一部分を補助電極部３３６ａとして機能させ、図６に示すように、保持容量部７０、即ち当該補助電極部３３６ａとデータ線３２の第５導電部３２ｅの間において、絶縁膜３２３を誘電体とする保持容量Ｃ１を形成することとしている。よって、本発明では、画素電極１０の容量に保持容量Ｃ１が付加されるので、その分、画素電極１０の容量を実質的に大きくすることができ、表示品位が低下するのを防止できる。
【００７６】
また、本発明では、各データ線３２をタンタルにて形成している。ここで、タンタルは、一般にクロムに比べて約２０〜３０倍程度のシート抵抗を有し、タンタルの抵抗値は極めて高い。このため、各データ線３２の配線抵抗は高くなっている。その上、本発明では、タンタルにて形成した各データ線３２の表面上をさらに高抵抗化材料である、厚い絶縁膜３２３を形成することにしているので、各データ線３２の配線抵抗はさらに高くなっている。ここで、各データ線３２の配線抵抗が高くなると、当該各データ線３２と液晶層４による時定数（コンデンサＣと抵抗Ｒの積）が高くなり、いわゆる横クロストークが生じて表示品位が低下する虞がある。なお、横クロストークとは、画素レベルが特定の階調に集中したラインと、そうでないラインとにおいて、同一階調を表示しているにも拘わらず、表示画像上では表示レベルが異なってしまうことをいう。
【００７７】
したがって、このような表示欠陥が生じるのを防止するためには、上記の時定数ＣＲを小さくする必要があり、そのためには各データ線３２の配線抵抗を小さくする必要がある。その方法として、例えば、サブ画素領域ＳＧ毎に形成される電極部３２ｘの構造を工夫して、各データ線３２の配線抵抗を小さくする方法が考えられる。
【００７８】
例えば、各データ線３２の電極部３２ｘを、図８（ａ）に示すように、櫛歯状の形状に形成した場合、その配線抵抗の大きさがどうなるか以下に検討する。図８（ａ）は、１つのサブ画素領域ＳＧ内における、櫛歯状の電極部３２ｘ付近を拡大して示す部分平面図である。なお、図８（ａ）では、本発明と同様の要素については同一の符号を付し、その説明は省略すると共に、データ線３２以外の要素についての図示は省略する。図８（ｂ）は、その電極部３２ｘを含む等価回路を示している。
【００７９】
すなわち、この例では、端子Ｚ１から端子Ｚ２までの電極部３２ｘの抵抗は、第２導電部３２ｂの抵抗Ｒ１と等しくなる。よって、１つのデータ線３２に着目した場合、当該データ線３２はサブ画素領域ＳＧ毎に１つの第２導電部３２ｂ（抵抗Ｒ１）を有することになる。このため、この例における当該データ線３２は、全体として、第２導電部３２ｂ（抵抗Ｒ１）を複数直列に接続した配線構成となり、その配線抵抗は極めて高くなることが理解される。
【００８０】
そこで、本発明では、そのような結果を踏まえて、各データ線３２の配線抵抗を低減するために、電極部３２ｘを次のような構成にしている。即ち、本発明の電極部３２ｘは、図４（ａ）に示すように、Ｙ方向に延在する第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの一端側をＸ方向に延在する第５導電部３２ｅに各々接続すると共に、その第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄの他端側（一端側と逆側）をＸ方向に延在する第６導電部３２ｆに各々接続するようにしている。このため、本発明の電極部３２ｘは、第１導電部３２ａ（抵抗Ｒ１）、第２導電部３２ｂ（抵抗Ｒ１）、第３導電部３２ｃ（抵抗Ｒ１）及び第４導電部３２ｄ（抵抗Ｒ１）を夫々並列に接続した配線構成になっている。
【００８１】
その結果、本発明では、端子Ｚ１から端子Ｚ２までの電極部３２ｘの抵抗は、Ｒ１を（１／４）倍した大きさ、即ち（Ｒ１）／４となる。よって、１つのデータ線３２に着目した場合、当該データ線３２はサブ画素領域ＳＧ毎に（Ｒ１）／４の抵抗体を有することになる。このため、当該データ線３２は、全体として、（Ｒ１）／４の抵抗体を複数直列に接続した配線構成となる。よって、本発明では、タンタルによってデータ線３２を形成したような場合でも、さらにその表面上に厚い絶縁膜３２３を形成したような場合でも、各データ線３２の配線抵抗を低減することができる。よって、本発明では、いわゆる横クロストークが生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００８２】
また、本発明では、各ＴＦＤ素子２１を、各サブ画素領域ＳＧの隅の位置近傍に、且つ、その付近の各走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂ上に形成することとしている。これにより、ＴＦＤ素子２１の領域を狭くすることができ、その分、開口率の向上を図ることができる。
【００８３】
[液晶表示装置の製造方法]
次に、図９乃至図１２等を参照して、本発明の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。なお、以下では、必要に応じて、上記した適当な図面を参照されたい。図９は、液晶表示装置１００の製造方法のフローチャートを示す。
【００８４】
先ず、図２及び図５に示されるカラーフィルタ基板９２を既知の方法にて作製する（工程Ｓ１）。
【００８５】
次に、素子基板９１を作製する（工程Ｓ２）。図１０は、図９における工程Ｓ２に対応する素子基板の製造方法を示すフローチャートである。図１１及び図１２は、図９における工程Ｐ１〜Ｐ１３に夫々対応する部分平面図である。尚、図１１及び図１２において、一点鎖線にて囲まれる領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示している。
【００８６】
素子基板９１の製造方法について説明する。
【００８７】
まず、図１１（ａ）に示すように、ガラスやプラスチック等の材料からなる下側基板１上に、タンタル膜を成膜し（工程Ｐ１）、当該タンタル膜をフォトリソグラフィー技術によってエッチングすることにより図示の形状にパターニングする（工程Ｐ２）。これにより、所定形状にパターニングされたタンタル膜３５０が形成される。また、これにより、本線部３２ｙ及び電極部３２ｘ等が形成される。ここで、電極部３２ｘの要素である第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ、第４導電部３２ｄ、第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆは、１つのサブ画素領域ＳＧ内に形成される。また、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間には夫々間隙４０が形成される。また、本線部３２ｙはＹ方向に相隣接する電極部３２ｘの間に形成される。
【００８８】
次に、第１回目の陽極酸化を実行する(工程Ｐ３)。具体的には、図１１（ａ）において、陽極酸化法にて、所定形状にパターニングされたタンタル膜３５０上に、Ｔａ２Ｏ５膜よりなる絶縁膜（図示略）を薄膜状に形成する。
【００８９】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第１回目のタンタル膜３５０の分離パターニングを実行する（工程Ｐ４）。具体的には、ＴＦＤ素子２１の要素である第１金属膜３２２が形成される予定の領域に存在するタンタル膜３５０を島状に形成する。これにより、表面に絶縁膜が形成された島状の第１金属膜３２２が形成される。
【００９０】
次に、第２回目の陽極酸化を実行する（工程Ｐ５）。具体的には、図１１（ｂ）において、陽極酸化法にて、表面に絶縁膜が形成されたタンタル膜３５０上に、さらに、Ｔａ２Ｏ５膜よりなる絶縁膜を所定の厚さにて形成する。なお、この工程Ｐ５では、表面に絶縁膜が形成された島状の第１金属膜３２２上には、絶縁膜を形成することはしない。これにより、タンタル膜３５０上に絶縁膜３２３が形成される。好適な例では、絶縁膜３２３の厚さは約１５００Å〜２０００Åとすることができる。
【００９１】
次に、図１１（ｂ）において、タンタル膜３５０を被覆している絶縁膜３２３等に対してアニ−ル処理Ａを実行する（工程Ｐ６）。これにより、絶縁膜３２３を緻密な膜にすることができる。
【００９２】
次に、図１１（ｂ）において、第２回目のタンタル膜３５０の分離パターニングを実行する（工程Ｐ７）。これにより、陽極酸化するために使用していた余分なタンタル膜３５０が除去され、表面に絶縁膜３２３（図示略、図５を参照）が形成されたデータ線３２が形成される。
【００９３】
次に、図１２（ａ）に示すように、下側基板１上、並びに、表面に絶縁膜が形成された第１金属膜３２２及びデータ線３２の上に図示しないクロム膜を成膜し（工程Ｐ８）、続いて、そのクロム膜をパターニングする（工程Ｐ９）。これにより、本線部分３１ａ（図示略、図１及び図３を参照）、及び折れ曲がり部分３１ｂを有する走査線３１が形成される。また、これにより、その走査線３１の一部をなす第２金属膜３１６、及び、第２金属膜３３６の一部分に相当する補助電極部３３６ａが夫々形成され、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂを含むＴＦＤ素子２１が形成される。このとき、補助電極部３３６ａは、図示しない絶縁膜３２３を介して、第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一部分、及び第１部分３２ｅａの夫々に対応する位置に形成される。このため、その部分には、第５導電部３２ｅ、絶縁膜３２３及び補助電極部３３６ａを構成要素とする保持容量部７０が形成される。
【００９４】
次に、画素電極１０を形成する（工程Ｐ１０）。具体的には、図１２（ｂ）に示すように、第１導電部３２ａと第２導電部３２ｂの間の間隙４０の略中央に対応する下側基板１上及び第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａに対応する補助電極部３３６ａ上にストライプ状に第１透明電極部１０ａを形成する。これにより、第１透明電極部１０ａと第２金属膜３３６とが電気的に接続される。また、第２導電部３２ｂと第３導電部３２ｃの間の間隙４０の略中央に対応する下側基板１上及び第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂに対応する補助電極部３３６ａ上にストライプ状に第２透明電極部１０ｂを形成する。これにより、第２透明電極部１０ｂと第２金属膜３３６とが電気的に接続される。また、第３導電部３２ｃと第４導電部３２ｄの間の間隙４０の略中央に対応する下側基板１上及び第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂに対応する補助電極部３３６ａ上にストライプ状に第３透明電極部１０ｃを形成する。これにより、第３透明電極部１０ｃと第２金属膜３３６とが電気的に接続される。
【００９５】
次に、図１２（ｂ）において、アニ−ル処理Ｂを実行する（工程Ｐ１１）。アニ−ル処理Ｂ（熱処理Ｂ）は、ＴＦＤ素子２１の特性を仕様で決められた一定の特性にするために行われるものである。次に、図１２（ｂ）において、下側基板１、表面に絶縁膜３２３が形成されたデータ線３２、ＴＦＤ素子２１、走査線３１、及び画素電極１０の上に配向膜１７を形成する（工程Ｐ１２）。次に、図１２（ｂ）において、その他の構成要素、具体的には、図示しない偏光板１４及びバックライト１５等を取り付ける（工程Ｐ１３）。こうして、図１乃至図３等に示される素子基板９１が製造される。
【００９６】
図９に戻り、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを、図示しないスペーサ及びシール部材３を介して貼り合せ、その両基板間に形成された開口（図示略）より、その内部に液晶を注入して当該開口の封止処理をする（工程Ｓ３）。次に、その他の構成要素を実装することにより（工程Ｓ４）、図１及び図２に示される本発明の液晶表示装置１００が製造される。こうして製造された液晶表示装置１００は、上記した本発明の作用効果を得ることができる。
【００９７】
［変形例］
上記の実施形態では、カラーフィルタ基板９２側において、少なくとも各サブ画素領域ＳＧの間及びＴＦＤ素子２１に対応する位置に黒色遮光層ＢＭを形成して、その位置付近において光漏れが生じるのを防止するようにした。本発明では、設計仕様に応じて、図１３に示すように、その黒色遮光層ＢＭを団子状の部分を有するように形成しても構わない。この点について、図１３を参照して説明する。図１３は、図４（ａ）に対応する平面図であり、上側基板２及び黒色遮光層ＢＭをも図示している。図１３において、黒色遮光層ＢＭは太い実線で示す部分に対応している。なお、以下では、図１２におけるＹ方向を黒色遮光層ＢＭの幅方向として説明する。
【００９８】
ＴＦＤ素子２１周辺はその構成上最も光漏れが生じやすいので、本発明では、その付近に対応する黒色遮光層ＢＭの幅を最大幅Ｄ４に設定し、他の部分、即ち第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂ及びその近傍に位置し且つその第２部分３２ｅｂに対向する第６導電部３２ｆ付近の黒色遮光層ＢＭの幅を最小幅Ｄ５に設定することも可能である。即ち、この例では、ＴＦＤ素子２１周辺を黒色遮光層ＢＭで完全に覆うために、第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａの一辺（上辺）から紙面上側にマージンＤ３をとり、且つ、当該電極部３２ｘに紙面下側に隣接する他の電極部３２ｘの第６導電部３２ｆの一辺（下辺）から紙面下側にマージンＤ３をとることにより、最大幅Ｄ４を設定する。また、第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一辺（上辺）から紙面上側に所定のマージンをとり、且つ、当該電極部３２ｘに紙面下側に隣接する他の電極部３２ｘの第６導電部３２ｆの一辺（下辺）から紙面下側に所定のマージンをとることにより、最小幅Ｄ５を設定する。
【００９９】
設計値の一例として、第５導電部３２ｅの第２部分３２ｅｂの一辺（上辺）から当該第５導電部３２ｅの第１部分３２ｅａの一辺（上辺）までの距離Ｄ１を約７〜８μｍに設定し、且つ、当該第２部分３２ｅｂの紙面下側に位置する第６導電部３２ｆの一辺（上辺）から当該第１部分３２ｅａの紙面下側に位置する当該第６導電部３２ｆの一辺（上辺）までの距離Ｄ２を約２〜３μｍに設定した場合には、黒色遮光層ＢＭの最大幅Ｄ４を約３０μｍ程度に、また、黒色遮光層ＢＭの最小幅Ｄ５を約２０μｍ程度に夫々設定することができる。これにより、コーナー部、ＴＦＤ素子２１、第５導電部３２ｅ及び第６導電部３２ｆ付近において光漏れが生じるのを確実に防止できる。
【０１００】
上記の実施形態では、サブ画素領域ＳＧ毎に、画素電極１０と略平行をなす導電部、即ち第１導電部３２ａ、第２導電部３２ｂ、第３導電部３２ｃ及び第４導電部３２ｄを設け、且つ、３つの画素電極、即ち第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃを設けた。これらに限らず、本発明では、それらの設定数は設計仕様等に応じて適宜変更することが可能である。
【０１０１】
また、上記の実施形態では、画素電極１０を複数の透明電極部、即ち第１透明電極部１０ａ、第２透明電極部１０ｂ及び第３透明電極部１０ｃにより構成した。これに限らず、本発明では、画素電極１０を櫛歯状の形状に形成して、当該１つの櫛歯状の画素電極をサブ画素領域ＳＧ毎に形成するように構成しても構わない。
【０１０２】
また、上記の実施形態では、データ線３２をタンタルにて形成するようにしたが、これに限らず、本発明では、データ線３２を、タンタルを主成分とする材料、例えばＴａＷ（タンタルタングステン）などの材料にて形成するようにしてもよい。また、上記の実施形態では、補助電極部３３６ａを含む、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６をクロムにて形成するようにした。ここで、クロムは、近年環境に負荷を与える材料として世間一般に認知されるようになってきている。そこで、本発明では、これに代えて、少なくとも補助電極部３３６ａを含むＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６を、環境負荷の低減を図ることが可能な材料、例えばＭｏＷ(モリブデンタングステン)にて形成するようにしてもよい。これらにより、図５において、保持容量部７０を、例えばＴａＷからなる第５導電部３２ｅと、その上に形成される絶縁膜３２３と、その上に形成されＭｏＷからなる補助電極部３３６ａとにより構成することもできる。
【０１０３】
また、上記の実施形態では、透過型の液晶表示装置に本発明を適用することとしたが、これに限らず、反射型若しくは半透過反射型の液晶表示装置に本発明を適用することも可能である。
【０１０４】
また、上記の実施形態では、ＴＦＤ素子２１などの二端子素子を本発明に適用したが、これに限らず、ＴＦＴ素子などの三端子素子を本発明に適用しても構わない。
【０１０５】
［電子機器］
次に、本発明による液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【０１０６】
図１４は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【０１０７】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【０１０８】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１０９】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図１５を参照して説明する。
【０１１０】
まず、本発明に係る液晶表示装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１５（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１１１】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１５（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１１２】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図１５（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１５（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の液晶表示装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】図１の切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置の断面図。
【図３】本発明の素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図４】素子基板における１画素分の画素電極等のレイアウトを示す部分平面図及びデータ線の電極部を含む等価回路を示すブロック図。
【図５】図４の切断線Ｂ−Ｂ’に沿った素子基板の部分断面図。
【図６】図４の切断線Ｘ１−Ｘ２に沿ったＴＦＤ素子等の構成を示す拡大断面図
【図７】図４の領域Ｅ１０を拡大した部分平面図及びそれに対応する比較例に係る部分平面図。
【図８】比較例に係るデータ線の電極部等に対応する部分平面図及び当該電極部を含む等価回路を示すブロック図。
【図９】本発明の液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１０】本発明の素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１１】図１０における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１２】図１０における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１３】黒色遮光層ＢＭの他の形態例等を示す平面図。
【図１４】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１５】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１１４】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ６  着色層、  １０  画素電極、  １７  配向膜、  １８  オーバーコート層、  ２１  ＴＦＤ素子、  ３２  データ線、  ３２ｘ  電極部、  ３２ｙ  本線部、  ３１  走査線、  ７０  保持容量部、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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