(57)【要約】【課題】  平坦化膜に孔部を形成するに際し、遮光膜や絶縁膜のエッチングを防止し、微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、光学特性にすぐれた固体撮像素子を提供する。【解決手段】  本発明の固体撮像素子は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、入射した光を閉じ込め伝搬させて前記光電変換部に導く光導波路を有するものにおいて、前記光導波路は、前記固体撮像素子の表面を覆う平坦化膜の、前記光電変換部およびその周縁部上に相当する領域に形成された孔部に、所定の屈折率を有し、導光機能を有する透光性膜を形成してなり、  前記平坦化膜の下層側で、前記第１の透光性膜を囲むように、少なくとも前記光電変換部全体を覆うように形成された、第２の透光性膜を具備している。【選択図】  図１
2006222366.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、入射した光を閉じ込め伝搬させて前記光電変換部に導く光導波路を有する固体撮像素子であって、
前記光導波路は、
前記固体撮像素子の表面を覆う平坦化膜の、前記光電変換部およびその周縁部上に相当する領域に形成された孔部に形成され、
所定の屈折率を有し、導光機能を有する第１の透光性膜と、
前記平坦化膜の下層側で前記第１の透光性膜を囲むとともに、少なくとも前記光電変換部全体を覆うように形成された、第２の透光性膜とを具備した固体撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の固体撮像素子であって、
前記第２の透光性膜は前記第１の透光性膜よりも高屈折率の材料で構成された固体撮像素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の固体撮像素子であって、
前記第２の透光性膜は、窒化シリコン膜であり、前記第１の透光性膜は酸化シリコン膜である固体撮像素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像素子であって、
前記第２の透光性膜は前記光電変換部に開口する遮光膜の上層を覆うように形成されている固体撮像素子。
【請求項５】
半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを形成する工程と、
前記光電変換部の受光領域に相当する領域に開口する遮光膜を形成する工程と、
前記開口の形成された遮光膜上に、第２の透光性膜を形成する工程と、
平坦化膜を形成する工程と、
前記平坦化膜を、前記第２の透光性膜に対してエッチング選択性を持つようなエッチング条件でエッチングし、孔部を形成する工程と、
前記孔部に、第１の透光性膜を充填する工程とを含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第２の透光性膜は、窒化シリコン膜である固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第１の透光性膜は、酸化シリコン膜である固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化膜は、ＢＰＳＧ膜を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記平坦化膜は、ＮＳＧ膜とＢＰＳＧ膜とで構成される固体撮像素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項５乃至９のいずれかに記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記孔部を形成する工程は、前記第２の透光性膜に対するエッチング選択比が３０以上となるようにエッチングされる工程である固体撮像素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記孔部を形成する工程は、Ｃ４Ｆ６／Ａｒ／Ｏ２ガスを用いたドライエッチング工程を含む固体撮像素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記孔部を形成する工程は、Ｃ４Ｆ６／Ｏ２ガス比が１以上であって、圧力が２０ｍｍＴｏｒｒ以上となる条件で実施されるドライエッチング工程である固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法に係り、特に導波路微細構造をもつ固体撮像素子の信頼性の向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
エリアセンサ等の撮像デバイスであるＣＣＤを用いた固体撮像素子は、基本構造として、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部からの電荷読み出し部と、読み出し電荷を転送するための電荷転送電極を備えた電荷転送部とを有する。この電荷転送電極は、半導体基板表面に形成された電荷転送チャネル上に複数個隣接して配置され、クロック信号で順次に駆動される。
【０００３】
近年、固体撮像素子においては、撮像画素数の増加により、画素の微細化が進んでいる。それに伴い光電変換部の微細化も進み高感度を維持することが、困難になっている。
【０００４】
そこで、開口部周辺に到達した光を効率よく光電変換部に集光するための種々の方法が提案されている。
【０００５】
例えば、受光部の直上位置の平坦化膜に孔部を形成し、その後、高屈折率材料を孔部に埋め込むことにより、光導波路を形成し、光導波路となる高屈折率膜と平坦化膜との界面で光を全反射させて、受光部に取り込む技術が開示されている。また特許文献１では、基板に形成された受光部と、前記基板上に形成された層間膜内に、入射した光を閉じ込め伝搬させて前記受光部へ導く光導波路を有するように構成された固体撮像装置において、光導波路と前記層間膜の間に、間隙を形成し、導光機能をさらに向上するようにした構造が提案されている（例えば特許文献１）
【０００６】
例えば、導波路構造の固体撮像装置の一例として図６に示す構造があるが、この構造では、表面にｐウェル（図示せず）、およびｎ型半導体層（図示せず）が形成されたシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される複数の電荷転送電極３（３ａ、３ｂ）が、ゲート酸化膜２上に所定の間隔で形成された電極間絶縁膜４によって複数の電荷転送電極に分離形成されるとともに、光電変換部としてのフォトダイオード３０の受光領域に開口を有する遮光膜７で被覆した固体撮像素子であって、光電変換部は、平坦化膜８にうめこまれた酸化シリコン膜などからなる柱状構造の高屈折率膜からなる第１の透光性膜１０で覆われており、この酸化シリコン膜が導波路を構成している。
【０００７】
この第１の透光性膜１０は、平坦化膜８に形成された孔部に充填される。すなわち、開口Ｏをもつようにパターニングされた遮光膜７の上層に形成されており、この上層にＮＳＧ膜とＢＰＳＧ膜との２層膜からなる平坦化膜８が形成されて、導波路を形成するための孔部がこの平坦化膜のエッチングにより形成され、この孔部に埋め込まれるかたちで、第１の透光性膜が形成される。
【０００８】
この第１の透光性膜１０の上層は、窒化シリコン膜からなり、表面が凸形状のレンズ２１を構成し、その周辺は透光性の有機膜からなる平坦化膜２２で被覆されている。
【０００９】
なお平面図は省略するが、４０は電荷転送部であり、シリコン基板１表面にゲート酸化膜２を介して、第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａからなる第１の電極、第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂからなる第２の電極が酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４を介して並置され、単層電極構造を構成している。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−６０１７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、この導波路構造を形成するにあたって、平坦化膜形成後、導波路形成のために孔部を形成するが、このとき、この孔部に露呈する遮光膜や絶縁膜がエッチングされ、これにより、光電変換効率の劣化を生じたり、あるいは撮像画面の劣化が生じたりするという問題があった。
【００１２】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、平坦化膜に孔部を形成するに際し、遮光膜や絶縁膜のエッチングを防止し、微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、光学特性にすぐれた固体撮像素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで本発明の固体撮像素子は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、入射した光を閉じ込め伝搬させて前記光電変換部に導く光導波路を有するものにおいて、前記光導波路は、前記光導波路は、前記固体撮像素子の表面を覆う平坦化膜の、前記光電変換部およびその周縁部上に相当する領域に形成された孔部に形成され、所定の屈折率を有し、導光機能を有する第１の透光性膜と、前記平坦化膜の下層側で前記第１の透光性膜を囲むとともに、少なくとも前記光電変換部全体を覆うように形成された、第２の透光性膜とを具備している。
この構成により、平坦化膜の下層側で、前記第１の透光性膜を囲むように、少なくとも前記光電変換部全体を覆うように形成された、第２の透光性膜を具備しているため、平坦化膜のエッチング等により孔部を形成するに際し、下地は第２の透光性膜で覆われているため、光電変換部がダメージを受けることなく、良好に維持され、光電変換効率の劣化、撮像画面の劣化が防止され、信頼性の向上をはかることができる。
【００１４】
また本発明の固体撮像素子は、前記第２の透光性膜が前記第１の透光性膜よりも高屈折率の材料で構成されたものを含む。
この構成により、より集光率を高めることができる。
【００１５】
また本発明の固体撮像素子は、前記第２の透光性膜が、窒化シリコン膜であり、前記第１の透光性膜が酸化シリコン膜であるものを含む。
この構成により、第１の透光性膜としての酸化シリコン膜が、高屈折率材料である窒化シリコンで覆われており、集光率を高めることができる。
【００１６】
また本発明の固体撮像素子は、前記第２の透光性膜が前記光電変換部に開口する遮光膜の上層を覆うように形成されているものを含む。
この構成により、遮光膜はこの第１の透光性膜により良好に保護される。
【００１７】
また本発明の固体撮像素子は、前記第１の透光性膜が、上面が凸レンズ形状をなすように形状加工されているものを含む。
この構成により、チップオンレンズが不要となり、さらなる小型化、薄型をはかることができ、より集光性の高い固体撮像素子を形成することができる。
【００１８】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、半導体基板に、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを形成する工程と、前記光電変換部の受光領域に相当する領域に開口する遮光膜を形成する工程と、前記開口の形成された遮光膜上に、第２の透光性膜を形成する工程と、平坦化膜を形成する工程と、前記平坦化膜を、前記第２の透光性膜に対してエッチング選択性を持つようなエッチング条件でエッチングし、孔部を形成する工程と、前記孔部に、第１の透光性膜を充填する工程とを含む。
この構成により、平坦化膜を、前記第２の透光性膜に対してエッチング選択性を持つようなエッチング条件でエッチングし、孔部を形成するようにしているため、平坦化膜のエッチングに際し、第２の透光性膜によって下地が保護されることになり、光電変換効率の劣化、撮像画面の劣化を防止することができる。
【００１９】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記第２の透光性膜が、窒化シリコン膜であるものを含む。
この構成により、窒化シリコンは平坦化膜に用いられるＢＰＳＧ膜などに対するエッチング選択性が高く、高屈折率材料である上、緻密でタングステンなどの遮光膜との密着性も良好である。
【００２０】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記第１の透光性膜は、酸化シリコン膜であるものを含む。
この構成により、第２の透光性膜に対する屈折率差からより集光性を高めることができる。
【００２１】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記平坦化膜が、ＢＰＳＧ膜を含むものを含む。
この構成により、平坦化膜がＢＰＳＧで構成されることにより、窒化シリコンはＢＰＳＧ膜に対するエッチング選択性が高いため、より保護効果が高く、信頼性の向上を図ることができる。
【００２２】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記平坦化膜は、ＮＳＧ膜とＢＰＳＧ膜とで構成されるものを含む。
この構成により、ＮＳＧ膜がＢＰＳＧ膜からのボロンの拡散防止膜として作用するため、第２の透光性膜（窒化シリコン膜など）の劣化が防止され、より信頼性が向上する。
【００２３】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記孔部を形成する工程が、前記第２の透光性膜に対するエッチング選択比が３０以上となるようにエッチングされる工程であるものを含む。
この構成により、下地の保護効果が確実となる。
【００２４】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記孔部を形成する工程が、Ｃ４Ｆ６／Ａｒ／Ｏ２ガスを用いたドライエッチング工程を含む。
この構成により、高精度のパターニングが可能となる上、ＢＰＳＧの窒化シリコンに対するエッチング選択比を十分に大きくとることができる。
【００２５】
また本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記孔部を形成する工程が、Ｃ４Ｆ６／Ｏ２ガス比が１以上であって、圧力が２０ｍｍＴｏｒｒ以上となる条件で実施されるドライエッチング工程であるものを含む。
この構成により、より高精度のパターニングが可能となる上、ＢＰＳＧの窒化シリコンに対するエッチング選択比を十分に大きくとることができる。
【００２６】
また第１の透光性膜上にカラーフィルタおよびマイクロレンズを形成することにより、効率よく光学系を積層することができる。
【００２７】
また第２の透光性膜として、プラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコン膜を用いることにより、屈折率１．９以上の高屈折率膜を得ることができる。
【００２８】
また遮光膜としてはタングステン膜を用いるのが望ましく、この構成により周辺回路部の局所配線パターンを兼ねることもでき、遮光性が高く低抵抗の配線パターンを同一工程で形成することができる。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように本発明では、平坦化膜の下層を覆う第２の透光性膜が介在しているため、平坦化膜のエッチングにより、光導波路となる第１の透光性膜を充填するための孔部を形成するに際し、下地を確実に保護することができ、良好に導波路内に導かれた入射光の大半をフォトダイオード上に集光することができる。したがって感度および撮像画像の劣化を防止することができ、信頼性の向上をはかることが可能となる。また形状も簡単であり、小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
次に本発明の実施の形態を図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００３１】
（実施の形態１）
この固体撮像素子は、図１に、断面図を示すように、表面にｐウェル（図示せず）、およびｎ型半導体層（図示せず）が形成されたシリコン基板１表面に、ゲート酸化膜２を介して配列形成される複数の電荷転送電極３（３ａ、３ｂ）が、ゲート酸化膜２上に所定の間隔で形成された電極間絶縁膜４によって複数の電荷転送電極に分離形成されるとともに、光電変換部としてのフォトダイオード３０の受光領域に開口を有する遮光膜７で被覆した固体撮像素子であって、前記開口部全体を覆うように全面に形成された、窒化シリコンからなる第２の透光性膜９と、この上層に形成された酸化シリコン膜からなる柱状構造の高屈折率膜からなる第１の透光性膜１０で覆われており、この第１の透光性膜１０の周りは、平坦化膜の下層側で、前記第１の透光性膜１０よりも屈折率が低い、窒化シリコン膜からなる第２の透光性膜９で被覆されていることを特徴とする。
【００３２】
この窒化シリコン膜からなる第２の透光性膜９は、開口Ｏをもつようにパターニングされた遮光膜７の上層に形成されており、この上層にＮＳＧ膜とＢＰＳＧ膜との２層膜からなる平坦化膜８が形成されて、導波路を形成するための孔部がこの平坦化膜のエッチングにより形成される際に、保護膜として作用するようにし、下地を保護している。
他の領域については、通例の固体撮像素子と同様に形成される。
【００３３】
この第１の透光性膜１０の上層は、プラズマＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜からなり、表面が凸形状のレンズ２１を構成しており、その周辺は透光性の有機膜からなる平坦化膜２２で被覆されている。
【００３４】
なお平面図は省略するが、シリコン基板１には、複数のフォトダイオード１３からなるフォトダイオード部３０が形成され、フォトダイオードで検出した信号電荷を転送するための電荷転送部４０が、フォトダイオード部３０の間に蛇行形状を呈するように形成される。電荷転送部４０によって転送される信号電荷が移動する電荷転送チャネルは、図示していないが、電荷転送部４０が延在する方向と交差する方向に、やはり蛇行形状を呈するように形成される。
【００３５】
なお、ｐウェルの形成されたシリコン基板１内には、ｐｎ接合を備えたフォトダイオード３０、電荷転送チャネル１５、チャネルストップ領域１６、電荷読み出し領域１４が形成され、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成される。ゲート酸化膜２表面には、酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜３と電荷転送電極３（電荷転送部４０）が形成される。ここでゲート酸化膜２は熱酸化によって形成された酸化シリコン膜と減圧ＣＶＤ法によって形成された窒化シリコン膜と、熱酸化法によって形成されたＨＴＯ膜との３層膜で構成される。
【００３６】
また、電荷転送電部４０においては、シリコン基板１表面には、ゲート酸化膜２が形成され、このゲート酸化膜２表面に、電荷転送電極を構成する第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａからなる第１の電極、第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂからなる第２の電極が酸化シリコン膜からなる電極間絶縁膜４を介して並置され、単層電極構造を構成している。
【００３７】
そしてこの第２の電極の上層に酸化シリコン膜５を介して膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜６が形成され、この上層に膜厚５０ｎｍのＨＴＯ膜６Ｓが形成されている。このＨＴＯ薄膜６Ｓはシンター時にフォトダイオード（部）１３に水素を供給する経路を形成するための膜である。そしてこの上層はスパッタリング法により形成された膜厚５０ｎｍのチタンナイトライド層（図示せず）を介して遮光層として、膜厚２００ｎｍのタングステン薄膜７が形成されている。
【００３８】
このように固体撮像素子の上方には、フォトダイオード１３に相当する領域に開口Ｏを形成した遮光膜７が設けられており、窒化シリコン膜からなる第２の透光性膜９を介して、フォトダイオード領域には高屈折率膜である第１の透光性膜１０が柱状に形成されている。そして上層は、平坦化膜２１を介してカラーフィルタ２２、マイクロレンズ２３が設けられる。これらについては通例のものと同様であるので説明を省略する。
【００３９】
なおここで第１の透光性膜は酸化シリコン膜で構成したが、窒化シリコンとＢＰＳＧ膜の２層膜で構成し、エッチバック工程あるいはＣＭＰ工程によって平坦化してもよい。
【００４０】
次にこの固体撮像素子の製造工程について説明する。
まず、通常の方法で単層電極構造の電荷転送電極を形成する。すなわち不純物濃度１．０×１０１６ｃｍ−３程度のｎ型のシリコン基板１表面に、膜厚２５ｎｍの酸化シリコン膜と、膜厚５０ｎｍの窒化シリコン膜と、膜厚１０ｎｍの酸化シリコン膜を形成し、３層構造のゲート酸化膜２を形成する。
【００４１】
続いて、このゲート酸化膜２上に、ＰＨ３とＮ２とＳｉＨ４を用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．２５μｍのリンドープの第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａを形成する。このときの基板温度は５００〜６００℃とする。
【００４２】
この後、フォトリソグラフィにより第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａをパターニングし、第１の電極を形成し、この第１の電極表面を熱酸化することにより膜厚８０〜９０ｎｍの酸化シリコン膜４を形成する。このパターニングに際してはＨＢｒとＯ２との混合ガスを用いた反応性イオンエッチングを行い、第１の電極および周辺回路の配線を形成する。ここではＥＣＲ (電子サイクロトロン共鳴：Electron Cycrotoron Resonance)方式あるいはＩＣＰ（誘導結合Inductively Coupled Plasma）方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。
【００４３】
そしてこの上層に同様にしてＰＨ３とＮ２とＳｉＨ４を用いた減圧ＣＶＤ法により、膜厚０．６μｍのリンドープの第２層ドープトアモルファスシリコン膜３ｂを形成し、ＣＭＰ（化学的機械研磨）法を用いて平坦化を行い、ゲート酸化膜２上に第１および第２の電極が並置された第２の電極を形成する。そして、更にこの上層に熱酸化後膜厚８０〜９０ｎｍの酸化シリコン膜５を形成する（図２（ａ））。このとき、第１層ドープトアモルファスシリコン膜３ａ上が過度に酸化されないように窒化シリコン膜で被覆しておくようにするのが望ましい。
【００４４】
そして、フォトダイオード上の窒化シリコン膜を除去した後、この上層にＨＴＯ薄膜１０ｎｍを減圧ＣＶＤ法により成膜し、さらにＣＶＤ法により膜厚３０ｎｍの窒化シリコン膜からなる反射防止膜６を形成する（図２（ｂ））。
【００４５】
続いて、密着性層（７Ｓ）としてのチタンナイトライド層、遮光層７としてのタングステン膜を形成する（図２（ｃ））。
【００４６】
そして図３（ａ）に示すように、ポジレジストＲ１を厚さ０．５〜１．４μｍとなるように塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて露光し、現像、水洗を行い、レジストパターンＲ１を形成する。
【００４７】
この後、このレジストパターンＲ１をマスクとして遮光膜７および密着性層７Ｓのパターニングを行う。
そしてレジストパターンＲ１を酸素プラズマを用いてアッシングする（図３（ｂ））。
【００４８】
この後、図４（ａ）に示すように、遮光膜の常圧ＣＶＤ法によりボロンの拡散防止層として膜厚１００ｎｍのＮＳＧ膜（酸化シリコン膜）８ａを形成する。ここではＮＳＧ膜に代えてＳｉＨ４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法により、膜厚１００ｎｍの酸化シリコン膜を形成してもよい。
さらに、図４（ｂ）に示すように、常圧熱ＣＶＤ法により、膜厚３００ｎｍのＢＰＳＧ膜８ｂを形成し、炉アニールにより８００〜８５０℃に加熱し、表面を平坦化する。
【００４９】
この後、図５（ａ）に示すように、フォトリソグラフィによりこの平坦化膜としてのＢＰＳＧ膜８ｂを、エッジが電荷転送電極上に位置するようにパターニングしたのち、さらにＮＳＧ膜８ａなどをエッチングする。このとき、フォトダイオード表面では第２の透光性膜９が保護膜として作用し、遮光膜７は保護される。このときエッチングはＣ４Ｆ６／Ａｒ／Ｏ２を用いた高密度プラズマによりエッチングを行なう。ここでは、Ｃ４Ｆ６／Ｏ２ガス比が１以上であって、圧力が２０ｍｍＴｏｒｒ以上となる条件で実施される。
【００５０】
そして、図５（ｂ）に示すように、プラズマＣＶＤ法により酸化シリコン膜からなる第１の透光性膜１０を成膜後エッチバックあるいはＣＭＰにより平坦化し、フォトダイオード上の開口部に充填する。また、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコンを形成した後塗布膜を形成してもよい。
【００５１】
このようにして、固体撮像素子を形成した後、カラーフィルタ、マイクロレンズなどを形成して、固体撮像素子が完成する。
【００５２】
この方法によれば、平坦化膜のパターニングに際し、下地表面が第２の透光性膜で被覆されているため、遮光膜７がエッチングされるなどのダメージを受けることなく、導波路を構成する第１の透光性膜の形成される孔部が形成される。そしてこの第２の透光性膜は第１の透光性膜よりも屈折率が小さい透光性膜で構成されているため、良好に集光を行い高感度の固体撮像素子を形成することが可能となる。
【００５３】
このようにして高屈折率膜が受光部に形成され、集光効率の高い固体撮像素子を提供することが可能となる。
また表面が平坦で、配線の形成も容易であり、製造が容易で信頼性の高いものとなっている。
また、一連の製造工程が効率化され製造コストの低減が容易になる。
【００５４】
また前記実施の形態では、電極を形成する導電性膜としてドープトアモルファスシリコン層をアニールすることによって形成したドープトポリシリコン膜を用いたが、ノンドープのアモルファスシリコン層を成膜し、成膜後ドーピングを行なうようにしてもよい。
【００５５】
なお、第２の透光性膜の形成は、常圧ＣＶＤ、プラズマＣＶＤに限定されることなく、スパッタリング法を用いて酸窒化シリコン膜を形成するなどの方法をとるようにしてもよい。また窒化シリコン膜、酸窒化シリコン膜以外にも、酸化アルミニウムなどを用いるようにしてもよい。
【００５６】
なお、本発明は、前記実施の形態に限定されることなく、本発明の技術思想の範囲内において、適宜可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
以上、説明したように本発明の固体撮像素子は、微細化に際しても集光効率を高めることができ、高感度で撮像画像の劣化を防止しつつ、小型化が可能でかつ、製造が容易であることから、デジタルカメラ、携帯電話などに用いられる小型の撮像素子として極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の断面概要図である。
【図２】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１を説明する固体撮像素子の製造工程の断面図である。
【図６】従来例を説明する固体撮像素子の断面概要図である。
【符号の説明】
【００５９】
１    シリコン基板
２    ゲート酸化膜
３    電荷転送電極
３ａ  第１層アモルファスシリコン膜
３ｂ  第２層アモルファスシリコン膜
４    電極間絶縁膜
５    絶縁膜
６    反射防止膜
７    遮光膜
９    第２の透光性膜
１０  第１の透光性膜（高屈折率膜）
Ｒ１  レジストパターン
１３  フォトダイオード
３０  フォトダイオード部
４０  電荷転送部
２１  平坦化層
２２  カラーフィルタ
２３  マイクロレンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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