(57)【要約】【課題】パッケージの外部接続電極を回路基板に取り付けた場合に、パッケージと回路基板の結合強度が増加し、パッケージを回路基板に強固に固定することができるマイクロマシン素子のパッケージ構造とその製造方法を提供する。【解決手段】マイクロマシン素子２０を有する第１のガラス基板２及びマイクロマシン素子２０を覆う第２のガラス基板３を接合したパッケージ本体１ａと、第１のガラス基板２の外部に取り付けられ外側に向かって開口した開口部１０ａ，１１ａを有する外部接続電極１０，１１と、マイクロマシン素子２０及び外部接続電極１０，１１を電気的に接続し外部接続電極１０ａ，１０ｂの開口部１０ａ，１１ａと重なり合う開口部を有するスルーホール３０，３１とを備えた。また、開口部１０ａ，１１ａを対向する２辺のほぼ中央にコ字状に開口して設けた。さらに、開口部１０ａ，１１ａを対向する２辺のそれぞれのコーナに設けた。また、開口部１０ａ，１１ａを半田１０２接合時の電極とした。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロマシン素子を有する第１のガラス基板及び前記マイクロマシン素子を覆う第２のガラス基板を接合したパッケージ本体と、前記第１のガラス基板の外部に取り付けられ外側に向かって開口した開口部を有する外部接続電極と、前記マイクロマシン素子及び外部接続電極を電気的に接続し前記外部接続電極の開口部と重なり合う開口部を有するスルーホールとを備えたことを特徴とするマイクロマシン素子のパッケージ構造。
【請求項２】
前記開口部を対向する２辺のほぼ中央にコ字状に開口して設けたことを特徴とする請求項１記載のマイクロマシン素子のパッケージ構造。
【請求項３】
前記開口部を対向する２辺のそれぞれのコーナに設けたことを特徴とする請求項１記載のマイクロマシン素子のパッケージ構造。
【請求項４】
前記開口部を半田接合時の電極とすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロマシン素子のパッケージ構造。
【請求項５】
マイクロマシン素子を有する第１のガラス基板及び前記マイクロマシン素子を覆う第２のガラス基板を接合したパッケージ本体と、前記第１のガラス基板の外部に取り付けられ外側に向かって開口した開口部を有する外部接続電極と、前記マイクロマシン素子及び外部接続電極を電気的に接続し前記外部接続電極の開口部と重なり合う開口部を有するスルーホールとを備えたマイクロマシン素子のパッケージの製造方法であって、前記第１のガラス基板及び第２のガラス基板を接合したのち、前記マイクロマシン素子及び外部接続電極を電気的に接続する貫通孔を切断して、前記スルーホールを有するパッケージを製造することを特徴とするマイクロマシン素子のパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロマシン素子のパッケージ構造とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上下のガラス基板を接合して製造されるマイクロマシンのパッケージ構造では、その内部に形成された機能素子の変化量を電気信号としてパッケージ外に取り出す必要があり、パッケージに電気信号の取り出しのための外部接続電極が形成されている。この外部接続電極は、素子形成されたガラス基板の裏面に、スパッタリング、蒸着あるいは無電解めっきによって下地膜を形成し、その後、電界めっきにより厚膜化して電極を形成していた。あるいは、半田バンプを付けるなどによって電極形成する方法も行われていた。こうして、ガラス基板の裏面に外部接続電極が形成され、機構デバイスの素子電極に接続されていた（例えば、特許文献１参照）。  
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−４３４６３号公報（第３頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来のマイクロマシン素子のパッケージは、ガラス基板に取り付けられた外部接続電極は金属によって構成されており、ガラス基板との接着力が弱いため、外部接続電極を回路基板に取り付けた場合に、パッケージを構成する外部接続電極の下地金属膜とガラス基板との接着強度が十分でなく、このためガラス基板が外部接続電極から剥離してしまうおそれがあり、この場合はパッケージを回路基板に維持することができなかった。
【０００５】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、パッケージの外部接続電極を回路基板に取り付けた場合に、パッケージと回路基板の結合強度が増加し、パッケージを回路基板に強固に固定することができるマイクロマシン素子のパッケージ構造とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るマイクロマシン素子のパッケージ構造は、マイクロマシン素子を有する第１のガラス基板及び前記マイクロマシン素子を覆う第２のガラス基板を接合したパッケージ本体と、前記第１のガラス基板の外部に取り付けられ外側に向かって開口した開口部を有する外部接続電極と、前記マイクロマシン素子及び外部接続電極を電気的に接続し前記外部接続電極の開口部と重なり合う開口部を有するスルーホールとを備えたものである。
【０００７】
また、本発明に係るマイクロマシン素子のパッケージ構造は、前記開口部を対向する２辺のほぼ中央にコ字状に開口して設けたものである。
【０００８】
さらに、本発明に係るマイクロマシン素子のパッケージ構造は、前記開口部を対向する２辺のそれぞれのコーナに設けたものである。
【０００９】
また、本発明に係るマイクロマシン素子のパッケージ構造は、前記開口部を半田接合時の電極としたものである。
【００１０】
本発明に係るマイクロマシン素子のパッケージの製造方法は、マイクロマシン素子を有する第１のガラス基板及び前記マイクロマシン素子を覆う第２のガラス基板を接合したパッケージ本体と、前記第１のガラス基板の外部に取り付けられ外側に向かって開口した開口部を有する外部接続電極と、前記マイクロマシン素子及び外部接続電極を電気的に接続し前記外部接続電極の開口部と重なり合う開口部を有するスルーホールとを備えたマイクロマシン素子のパッケージの製造方法であって、前記第１のガラス基板及び第２のガラス基板を接合したのち、前記マイクロマシン素子及び外部接続電極を電気的に接続する貫通孔を切断して、前記スルーホールを有するパッケージを製造するようにしたものである。
【発明の効果】
【００１１】
開口部を有する外部接続電極と、該外部接続電極の開口部と重なり合う開口部を有するスルーホールとによってパッケージに窪みを形成したので、パッケージを回路基板に半田などで接続した際に、この窪みによってアンカーホール効果を付加することができ、窪み部分に半田が食い込んでパッケージを回路基板に強固に固定して接合強度を大幅に増加することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
［実施の形態１］
図１は本発明の実施の形態１に係るマイクロマシン素子のパッケージ構造の斜視図、図２は図１の縦断面図、図３は図１の背面図、図４は図１の要部の斜視図、図５は図１のマイクロマシン素子のパッケージを回路基板に取り付けた状態を示す斜視図である。図１〜４に示すように、マイクロマシン素子であるスイッチ素子２０のパッケージ１は、スイッチ素子２０を搭載した素子形成基板２、及び素子形成基板２のスイッチ素子２０の上面を保護するための素子保護基板３を含むパッケージ本体１ａと、パッケージ本体１ａの底面に取り付けられた第１、第２の外部接続電極１０，１１とからなり、第１、第２の外部接続電極１０，１１を図５に示す回路基板１００の回路基板配線１０１に半田１０２によって取り付けている。こうして、パッケージ１内に形成されたスイッチ素子２０の変化量を、第１、第２のスルーホール３０，３１から第１、第２の外部接続電極１０，１１を通って、電気信号として取り出すようにしてある。
【００１３】
スイッチ素子２０のパッケージ構造の詳細は、以下の通りである。素子形成基板２はガラス部材によって構成され、その表面には金属膜が貼り付けられている。素子形成基板２の対向する２辺のほぼ中央には、外側に向かってコ字状に開口する第１、第２のスルーホール３０、３１が設けられて、金属膜が貼り付けられている。第１、第２のスルーホール３０，３１の開口部に合わせて、素子形成基板２の背面にはコ字状に開口した第１、第２の開口部１０ａ，１０ｂを有する第１、第２の外部接続電極１０，１１が設けられ、これらによって第１、第２の凹部４０，４１が形成されている。なお、第１、第２の凹部４０，４１に金メッキを施せば、この凹部４０，４１を外部に接続する電極として利用することができる。
【００１４】
第１、第２のスルーホール３０，３１の間には、第１の素子電極２１、第２の素子電極２２及び梁２３が設けられ、これらによってスイッチ素子２０が形成されている。第１、第２の素子電極２１，２２と梁２３は、例えば金（Ａｕ）などの金属メッキによって形成されており、梁２３の内部（あるいはその上部）にはニッケル（Ｎｉ）などよりなる第１の磁性体２４が取り付けられている。そして、梁２３は、第１の素子電極２１と金（Ａｕ）などの金属メッキによって接続されている。また、第２の素子電極２２には、その内部にニッケル（Ｎｉ）などよりなる第２の磁性体２５が取り付けられている。そして、これらの磁性体２４，２５を内部に備えた梁２３と第２の素子電極２２は、一定の空隙を保って配置され、スイッチ素子２０に外部磁界５０をかけると、第１、第２の磁性体２４、２５が磁化し、梁２３が第２の素子電極２２の側に動いて第２の素子電極２２と接触する。
【００１５】
第１の素子電極２１と第１のスルーホール３０、及び第２の素子電極２２と第２のスルーホール３１は、それぞれ金属でメッキされた部材２６，２７によって接続されており、第１、第２のスルーホール３０，３１は、素子形成基板２の背面に取り付けた第１、第２の外部接続電極１０，１１と金属メッキによって接続され、スイッチ素子２０の第１、第２の素子電極２１，２２がパッケージ１の外部に取り出された形になっている。なお、第１、第２の外部接続電極１０，１１は、素子形成基板２の背面に電界めっき等により電極形成したもので、その厚さは例えば数μｍ〜数十μｍである。
【００１６】
素子保護基板３はガラス部材よりなり、凹状のザグリ部３ａを有して素子形成基板２に形成されたスイッチ素子２０を覆い、これを外部環境から保護している。なお、素子保護基板３と素子形成基板２とを含むパッケージ本体１ａは、これらが接触する格子状の平面箇所に絶縁性接着剤６０を塗布して、両基板３、２を張り合わせることによって形成している。
【００１７】
スイッチ素子２０のパッケージ１は、図５に示すように、パッケージ１の下部を回路基板１００に半田１０２によって固定している。すなわち、第１、第２の外部接続電極１０，１１と素子形成基板２の下部よりなる部分（第１、第２の凹部４０，４１の下部を含む）を回路基板１００の回路基板配線１０１に半田１０２付けすることによって接合している。このため、ガラス部材よりなる素子形成基板２の背面と外部接続電極２の金属膜との密着が弱い場合でも、パッケージ１を回路基板１００に十分に固定することができる。
【００１８】
次に、スイッチ素子２０のパッケージ１の製造方法を説明する。図６（ａ）に示すように、素子形成用基板２の両側に、のちに第１、第２のスルーホール３０，３１となる長方形状の第１、第２の貫通孔１３０，１３１ｂを形成する。次に、素子形成基板２の表面にフォトリソグラフィによってレジストパターンを形成し、これらの部分にメッキ処理あるいはエッチング処理を施す。これを繰り返すことによって、図６（ｂ）に示すように、複数の金属メッキを積層し、第１の素子電極２１、第２の素子電極２２及び梁２３を形成し、スイッチ素子２０を形成する。スイッチ素子２０を形成する際に、第１の素子電極２１と第１の貫通孔１３０、また第２の素子電極２２と第２の貫通孔１３１をそれぞれ金属でメッキされた部材２６，２７によって接続し、さらに第１の貫通孔１３０は第１の外部接続電極１０と、第２の貫通孔１３１は第２の外部接続電極１１と金属メッキによって接続する。なお、第１、第２の外部接続電極１０，１１は、スパッタリング、蒸着あるいは無電界めっきといった手段により、素子保護基板２の底面に下地膜を形成し、電界めっきにより厚膜化して電極形成する（あるいは半田バンプを付けるなどで電極形成する）。
【００１９】
こうして、第１の素子電極２及び第２の素子電極３を、第１の貫通孔１３０及び第２の貫通孔１３１を介して、第１の外部接続電極１０及び第２の外部接続電極１１と金属メッキによって接続し、第１の素子電極２１及び第２の素子電極２２を外部に取り出す。
【００２０】
次に、図６（ｃ）に示すように（素子保護基板３は背面を示す）素子保護基板２のザグリ部３ａを除く平面箇所に、絶縁性接着剤６０を数十μｍから数百μｍの厚さで塗布し、素子形成基板２と素子保護基板３を貼り合わせ、図６（ｄ）に示すように、素子形成基板２上に形成されたスイッチ素子２０を素子保護基板３のザグリ部３ａによって覆う。
【００２１】
こうして形成されたパッケージ１を、その後、図６（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１、第２の貫通孔１３０、１３１の中心部を通る線イ、及びこれに直交する線ロにより切断し、スクライブ処理して分割する。
以上の工程によって、第１、第２のスルーホール３０，３１を含む第１、第２の凹部４０，４１を備えたパッケージ１が完成する。
【００２２】
上記のようにして形成したパッケージ１のスイッチ素子２０の動作について説明する。図２に示すように、スイッチ素子２０に外部磁界５０をかけると、第１、第２の磁性体２４，２５が磁化する。このとき、梁２３に設けた第１の磁性体２４の先端がＳ極に、第２の素子電極２２に設けた第２の磁性体２５の先端がＮ極となるように外部磁界５０を加えると、両磁性体２４，２５間に磁気吸引力が働き、梁２３が第２の素子電極２２に向かって動き、梁２３と第２の素子電極２２が接触し、スイッチ素子２０が電気的に導通する。第１、第２の外部接続電極１０，１１に電圧が印加されている場合、この２つの外部接続電極１０，１１間に電流が流れる。
【００２３】
外部磁界５０を除去すると、梁２３に設けた第１の磁性体２４、及び第２の素子電極２２に設けた第２の磁性体２５が消磁されるので、両磁性体２４，２５間に作用していた磁気吸引力もなくなる。この結果、梁２３が復元力により元の位置に戻り、スイッチ素子２０が電気的にＯＦＦされた状態となり、２つの外部接続電極１０，１１間に電流が流れなくなる。
以上のように、外部磁界５０によって、スイッチ素子２０はＯＮ、ＯＦＦ動作を行う。
【００２４】
上記の説明では、第１、第２の基板２、３はガラス基板であったが、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラエポ基板、セラミック基板のような、電子部品の製造において用いられる一般的部材を用いることができ、これらの部材を使用することによって、回路基板１００への半田１０２実装においてパッケージ１の固定強度が強固になる（以下、同様）。
【００２５】
実施の形態１によれば、第１、第２の素子電極２１，２２、及び第１、第２の外部端子電極１０，１１を接続する第１、第２のスルーホール３０，３１と、第１、第２の外部接続電極１０，１１の第１、第２の開口部１０ａ，１１ａとが、パッケージ１に一対の凹部４０，４１を形成する。このため、第１、第２の外部接続電極１０，１１及び素子形成基板２の下部を半田１０２によって回路基板１００に取り付けた際に、凹部４０，４１がアンカーホール効果を付加し、凹部４０，４１の部分に半田が食い込んで、パッケージ１を回路基板１００に強固に固定することができる。
【００２６】
［実施の形態２］
図７は本発明の実施の形態２に係るマイクロマシン素子のパッケージの斜視図、図８は図７の縦断面図、図９は図７の背面図、図１０は図７の要部の斜視図である。図７〜１０に示すように、マイクロマシン素子であるスイッチ素子のパッケージ１は、スイッチ素子２０を搭載した素子形成基板２、素子形成基板２の裏面に取り付けた第１、第２の外部接続電極１０，１１、及び素子形成基板２のスイッチ素子２０の上面を保護するための素子保護用基板３を含むパッケージ本体１ａと、パッケージ本体１ａの底面に取り付けられた第１、第２の外部接続電極１０，１１とからなり、第１、第２の外部接続電極１０，１１を、実施の形態１で示した図５の回路基板１００の回路基板配線１０１に半田１０２によって取り付けている。こうして、パッケージ１内に形成されたスイッチ素子２０の機能素子の変化量を、第１、第２のスルーホール３０（３０ａ，３０ｂ）、３１（３１ａ，３１ｂ）から、第１、第２の外部接続電極１０，１１を通って、電気信号として取り出すようにしてある。
【００２７】
スイッチ素子２０のパッケージ構造の詳細は、以下の通りである。素子形成基板２はガラス部材によって構成され、その表面には金属膜が貼り付けられている。素子形成基板２の対向する２辺のそれぞれのコーナには、外側に向かってＬ字状に切断されて開口した第１のスルーホール３０（３０ａ，３０ｂ）及び第２のスルーホール３１（３１ａ，３１ｂ）が設けられて、金属膜が貼り付けられている。第１、第２のスルーホール３０，３１の開口部に合わせて、素子形成基板２の背面にはＬ字状に切断されて開口した第１の開口部１１０（１１０ａ，１１０ｂ）及び第２の開口部１１１（１１１ａ，１１１ｂ）を有する第１、第２の外部接続電極１０，１１が設けられ、これらによって第１、第２の凹部４０（４０ａ，４０ｂ）、４１（４１ａ，４１ｂ）が形成されている。なお、第１、第２の凹部４０，４１に金メッキを施せば、この凹部４０，４１を外部接続電極として利用することもできる。
【００２８】
第１、第２のスルーホール３０，３１の間には、第１の素子電極２１、第２の素子電極２２及び梁２３が設けられ、これらによってスイッチ素子２０が形成されている。第１、第２の素子電極２１，２２と梁２３は、例えば金（Ａｕ）などの金属メッキで形成されており、梁２３の内部（あるいはその上部）にはニッケル（Ｎｉ）などよりなる第１の磁性体２４が設けられている。そして、梁２３は、第１の素子電極２１と金（Ａｕ）などの金属メッキによって接続されている。また、第２の素子電極２２には、その内部に例えばニッケル（Ｎｉ）などよりなる第２の磁性体２５が取り付けられている。そして、これらの磁性体２４，２５をそれぞれの内部に備えた梁２３と第２の素子電極２２は、一定の空隙を保って配置され、スイッチ素子２０に外部磁界５０をかけると、第１、第２の磁性体２４，２５が磁化し、梁２３が第２の素子電極２２の側に動いて第２の素子電極２２と接触する。
【００２９】
第１の素子電極２１と第１のスルーホール３０（３０ａ，３０ｂ）は、金属でメッキされた部材２６及び左右のスルホール３０ａ，３０ｂを結ぶスルーホール接合部材２８によって接続され、第２の素子電極２２と第２のスルーホール３１（３１ａ，３１ｂ）は、金属でメッキされた部材２７及び左右のスルホール３１ａ，３１ｂを結ぶスルーホール接合部材２９によって接続されている。そして、第１、第２のスルーホール３０，３１は、素子形成基板２の背面に取り付けた第１、第２の外部接続電極１０，１１と金属メッキによって接続され、スイッチ素子２０の第１、第２の素子電極２１，２２がパッケージ１の外部に取り出された形になっている。なお、第１、第２の外部接続電極１０，１１は、素子形成基板２の背面に電界めっき等により電極形成したもので、その厚さは例えば数μｍ〜数十μｍである。
【００３０】
素子保護基板３はガラス部材よりなり、凹状のザグリ部３ａを有して素子形成基板２に形成されたスイッチ素子２０を覆い、これを外部環境から保護している。なお、素子保護基板３と素子形成基板２とを含むパッケージ本体１ａは、これらが接触する格子状の平面箇所に絶縁性接着剤６０を塗布して、両基板３，２を張り合わせることによって形成している。
【００３１】
スイッチ素子のパッケージ１は、図５に示したのと同様に、パッケージ１の下部を回路基板１００に半田１０２付けして固定している。すなわち、第１、第２の外部接続電極１０，１１と素子形成基板２の下部よりなる部分を回路基板１００の回路基板配線１０１に半田１０２付けすることによって接合している。このため、ガラス部材よりなる素子形成基板２の背面と外部接続電極２の金属膜との密着が弱い場合でも、パッケージ１を回路基板１００に十分に固定することができる。
【００３２】
次に、スイッチ素子２０のパッケージ１の製造方法を説明する。図１１（ａ）に示すように、素子形成用基板２のコーナに、のちに第１、第２のスルーホール３０，３１となる長方形状の第１、第２の貫通孔１３０（１３０ａ，１３０ｂ）、１３１（１３１ａ，１３１ｂ）を形成する。次に、素子形成基板２の表面にフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、これらの部分にメッキ処理あるいはエッチング処理を施す。これを繰り返すこによって、図１１（ｂ）に示すように、複数の金属メッキを積層し、第１の素子電極２１、第２の素子電極２２及び梁２３を形成し、スイッチ素子２０を形成する。スイッチ素子２０を形成する際に、第１の素子電極２１と第１の貫通孔１３０（１３０ａ，１３０ｂ）を、金属でメッキされた部材２６及びスルーホール接合部材２８によって接続し、第２の素子電極２２と第２の貫通孔１３１（１３１ａ，１３１ｂ）を、金属でメッキされた部材２７及びスルーホール接合部材２９によって接続し、さらに第１の貫通孔１３０（１３０ａ，１３０ｂ）は第１の外部接続電極１０と、第２の貫通孔１３１（１３１ａ，１３１ｂ）は第２の外部接続電極１１と金属メッキによって接続する。なお、第１、第２の外部接続電極１０，１１は、スパッタリング、蒸着、あるいは無電界めっきといった手段により、素子保護基板２の底面に下地膜を形成し、電界めっきにより厚膜化して電極形成する。
【００３３】
こうして、第１の素子電極２１及び第２の素子電極２２は、第１の貫通孔１３０及び第２の貫通孔１３１を介して、第１の外部接続電極１０及び第２の外部接続電極１１と金属メッキによって接続し、第１の素子電極２１及び第２の素子電極２２は外部に取り出される。
【００３４】
次に、図１１（ｃ）に示すように、素子保護基板２のザグリ部３ａを除く平面箇所に、絶縁性接着剤６０を数十μｍから数百μｍの厚さで塗布し、素子形成基板２と素子保護基板３を貼り合わせ、図６（ｄ）に示すように、素子形成基板２上に形成されたスイッチ素子２０を素子保護基板３のザグリ部３ａによって覆う。
【００３５】
こうして形成されたパッケージ１を、その後、図１１（ｃ）、（ｄ）に示すように、第１、第２の貫通孔１３０（１３０ａ，１３０ｂ）、１３１（１３１ａ，１３１ｂ）の中心部を通る線イ、及びこれに直交する線ロにより切断し、スクライブ処理して分割する。
【００３６】
以上のようにして形成したパッケージ１のスイッチ素子２０の動作について説明する。図８に示すように、スイッチ素子２０に外部磁界５０をかけると、第１、第２の磁性体２４，２５が磁化する。このとき、梁２３に設けた第１の磁性体２４の先端がＳ極に、第２の素子電極２２に設けた第２の磁性体２５の先端がＮ極となるように外部磁界５０を加えると、両磁性体２４，２５間に磁気吸引力が働き、梁２３が第２の素子電極２２に向かって動き、梁２３と第２の素子電極２２が接触し、スイッチ素子２０が電気的に導通する。第１、第２の外部接続電極１０，１１に電圧が印加されている場合、この２つの外部接続電極１０、１１間に電流が流れる。
【００３７】
外部磁界５０を除去すると、梁２３に設けた第１の磁性体２４、及び第２の素子電極２２に設けた第２の磁性体２５が消磁されるので、両磁性体２４，２５間に作用していた磁気吸引力もなくなる。この結果、梁２３が復元力により元の位置に戻り、スイッチ素子２０が電気的にＯＦＦされた状態となり、２つの外部接続電極１０，１１間に電流が流れなくなる。
以上のように、外部磁界５０によって、スイッチ素子２０はＯＮ、ＯＦＦ動作を行う。
【００３８】
実施の形態２によれば、第１、第２の素子電極２１，２２、及び第１、第２の外部接続電極１０，１１を接続する第１、第２のスルーホール３０，３１と、第１、第２の外部接続電極１０，１１の第１、第２の開口部１１０，１１１とが、パッケージ１に４つの凹部４０，４１を形成する。このため、第１、第２の外部接続電極１０，１１及び素子形成基板２の下部を半田によって回路基板１００に取り付けた際に、凹部４０，４１がアンカーホール効果を付加し、第１、第２の凹部４０，４１の部分に半田１０２が食い込み、パッケージ１を回路基板１００に強固に固定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態１に係るマイクロマシン素子のパッケージの斜視図である。
【図２】図１の縦断面図である。
【図３】図１の裏面図である。
【図４】図１の要部の斜視図である。
【図５】図１のパッケージを回路基板に取り付けた状態を示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係るスイッチ素子のパッケージの製造工程を示す作用説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係るマイクロマシン素子のパッケージの斜視図である。
【図８】図７の縦断面図である。
【図９】図７の裏面図である。
【図１０】図７の要部の斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係るマイクロマシン素子のパッケージの製造工程を示す作用説明図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  パッケージ、１ａ  パッケージ本体、２  素子形成基板（第１のガラス基板）、３  素子保護基板（第２のガラス基板）、１０  第１の外部接続電極、１０ａ，１１０  第１の開口部、１１  第２の外部接続電極、１１ａ，１１１  第２の開口部、２０  スイッチ素子（マイクロマシン素子）、２１  第１の素子電極、２２  第２の素子電極、２３  梁、３０  第１のスルーホール、３１  第２のスルーホール、４０  第１の凹部、４１  第２の凹部、１００  回路基板、１０１  回路基板配線、１０２  半田、１３０  第１の貫通孔、１３１  第２の貫通孔。
【図１】
2006278410.tif 000003
【図２】
2006278410.tif 000004
【図３】
2006278410.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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