(57)【要約】【課題】  長期間にわたり安定して処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  プラズマ生成と試料へのイオンの入射エネルギ制御とを独立におこなうプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内のプラズマと接する部品の表面には耐プラズマ性を向上させるために皮膜が形成され、かつ前記皮膜の温度が所定の１６０℃以下に制御出来るように温度調節機能を有したことを特徴とするプラズマ処理装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマの生成および試料へのイオンの入射の各々の調節を独立におこなうプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内のプラズマと接する部品の表面には耐プラズマ性を向上させるために皮膜が形成され、かつ前記皮膜の温度が所定の１６０℃以下に制御出来るように温度調節機能を有したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造装置用内部部材において、皮膜を形成する基材はアルミ合金であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、前記皮膜を形成した部品の内部に流路を設け、さらに前記流路内に所定の温度に制御した熱交換媒体又はガスを循環することを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、前記皮膜を形成した部材は温度調節手段を有する別の部材を介して前記皮膜を形成した部材の温度の調節を行うことを特徴としたプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項４記載のプラズマ処理装置において、前記皮膜を形成した部材と温度調節手段を有する別の部材との間の空間に熱伝達用ガスを充填または供給したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし５記載のいずれかのプラズマ処理装置において、プラズマ処理装置内に配置された部品は、窒化アルミニウム等のセラミックスを介して第２の部材と接続していることを特徴とするプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を製造するプロセス等プラズマを用いるプラズマ処理装置およびその内側を構成する部材に係り、特に、処理室の内部部材であってプラズマに面する部材の表面を覆う膜を有する部材を備えた装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハなどの被加工板材（以下ウエハと記述）を加工して半導体デバイスを製造する半導体製造装置として、プラズマＣＶＤやプラズマエッチング装置などのプラズマを用いてウエハを加工するプラズマ処理装置が広く使用されている。近年、デバイスの高集積化に伴い回路パターンはより微細となり、これらのプラズマ処理装置が加工する寸法の精度には、より高い精度が求められている。
【０００３】
さらに、デバイスを構成する材料が多様化するに伴って、処理を行う条件が複雑となり長期間にわたり量産を安定して行えることも重要な課題となっている。例えば、プラズマ処理装置では、フッ化物や塩化物、さらには臭化物などの反応性ガスのプラズマを用いるために、処理室内の壁面が化学的及び物理的に侵食される。そのため、ウエハ処理枚数の増加に伴って、処理室内の化学組成や高周波伝播が徐々に変化して、長期的に安定した処理を行うことが困難になってしまうという問題が有った。また、処理室の内壁面を構成する部材とプラズマ中の活性なラジカルが化学反応を起こして形成された生成物が処理室の内壁表面に付着する。この内壁に付着した生成物は、処理室内においてプラズマを用いた処理を繰り返すことでその大きさや厚さが増大していき、亀裂を生じたり、遂には剥離してウエハ上に異物として付着して処理の歩留まりを損なってしまうという問題を生じていた。
【０００４】
このような課題に対して、処理室の内側を構成してプラズマに面する部材、内壁表面やステージなどの部材の表面に、化学反応に安定な陽極酸化処理（いわゆるアルマイト）を施す（一般的に１０〜５０μｍ）。また、プラズマ処理装置の処理室壁面に溶射等の耐プラズマ性の高い材料を被覆することも行われている。このようにして、プラズマに曝される表面でのプラズマとの相互作用を抑制する、あるいは相互作用が及ぼすウエハの処理への影響がより小さくなる手段が知られていた。
【０００５】
たとえば、特許文献１では、処理室内に配設されている部材の表面にフッ化イットリウム（ＹＦ３）を形成、又は焼結したフッ化イットリウムを用いる方法が開示されている。特許文献２では、プラズマ処理装置の処理室内壁面の少なくとも表面が周期律表第２a属元素の単体又はその化合物からなる材料で被覆された構造を開示している。さらに、特許文献３では、処理室壁面にアルミナ皮膜を１００μｍ〜１０００μｍ施す技術が開示されている。さらに、特許文献４では、処理室の内壁面に気孔率が５〜１０％の酸化イットリウム皮膜を１００〜１０００μｍ施す技術が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２-２５２２０９号公報（従来技術１）
【特許文献２】特開平９−１８０６２７号公報（従来技術２）
【特許文献３】特開２００１−１４８３７２号公報（従来技術３）
【特許文献４】特開２００１−１６４３５４号公報（従来技術４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記従来技術では、プラズマによる腐食や相互反応に対する影響を抑制するという点からは有効であるが、部材の耐熱性、高寿命あるいは製作上の考慮が足らず、処理の安定性や信頼性を損なってしまうという問題点を有していた。
【０００８】
例えば、プラズマ処理装置において基材となる部材の表面に形成された膜（溶射による皮膜（以下、溶射膜）が一般的に用いられる）には、処理中において形成されるプラズマ中のイオンが入射して加熱される。そのため、基材と皮膜との線膨張係数の差に起因した熱応力により、溶射膜に亀裂や割れ（クラック）を発生してしまう。この膜に生じたクラックが発達して処理室内と溶射膜が形成された基材との間の距離が小さくなったり連通したりすると、基材と電位を有するプラズマとが短絡してプラズマによる処理の特性が変化してしまい、ウエハ表面の処理の進行に影響を与えて加工形状が所期のものが得られなくなるという問題が生じていた。
【０００９】
さらには、亀裂や割れを介して基材が反応性の高い処理用ガス或いはそのプラズマと反応して生じた生成物（例えばフッ化アルミニウム等）がプラズマ中に放出され、再びプラズマ処理室内に堆積して、処理が進行していくと処理室内に剥がれ落ちて異物となって処理の歩留まりを低下させてしまうという問題点が有った。さらには、基材と前記処理用ガス或いはそのプラズマと反応して腐食することにより、基材の表面の膜が剥離して異物となるという問題点が有った。ひいては、このために処理の歩留まりや効率を損なっていた。
【００１０】
本発明の目的は、長期間にわたり安定して処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的は、プラズマ生成と試料へのイオンの入射エネルギ制御とを独立におこなうプラズマ処理装置において、プラズマ処理室内のプラズマと接する部品の表面には耐プラズマ性を向上させるために皮膜が形成され、かつ前記皮膜の温度が所定の１６０℃以下に制御出来るように温度調節機能を有したことを特徴とするプラズマ処理装置により達成される。
【００１２】
さらに、皮膜を形成する基材はアルミ合金であることにより達成される。さらには、皮膜を形成した部品の内部に流路を設け、さらに前記流路内に所定の温度に制御した熱交換媒体又はガスを循環することにより達成される。
【００１３】
さらにまた、皮膜を形成した部材は温度調節手段を有する別の部材を介して前記皮膜を形成した部材の温度の調節を行うことにより達成される。さらには、皮膜を形成した部材と温度調節手段を有する別の部材との間の空間に熱伝達用ガスを充填または供給することにより達成される。
【００１４】
さらには、プラズマ処理装置内に配置された部品は、窒化アルミニウム等のセラミックスを介して第２の部材と接続していることにより達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置について、図面を用いて詳細に説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施例に係るプラズマ処理装置の構成の概略を示す断面図である。
【００１７】
図１に示すプラズマ処理装置１００は、被処理体が内部に載置されて処理される空間である処理室１２０を内側に含む真空容器１１０と、その上方に配置され電磁波を放射するアンテナ１０１と、下方に配置され半導体ウエハＷなどの被処理体を載置する保持ステージ１１２とを備えている。真空容器１１０は側壁が円筒形状の導電性を有する材料で構成された容器であり、側壁によりその周囲が囲まれる内部の処理室１２０も略円筒形状を有している。保持ステージ１１２は、その上部に半導体ウエハＷが載置される載置面を構成する誘電体製の膜を有し、この膜内に直流電圧が印加される膜状の金属体が配置され静電気力により半導体ウエハを吸着する、いわゆる、静電吸着電極を備えている。処理室１２０上方に配置されたアンテナ１０１は、真空容器１１０の一部としてのハウジング１０５に保持され、アンテナ１０１と保持ステージ１１２あるいはその半導体ウエハＷの載置面とは平行して対向する形で設置されている。
【００１８】
処理室１２０の周囲には、たとえば電磁コイルとヨークよりなる磁場形成手段１０２が設置されている。処理室１２０は、その内部が真空排気系１０３により排気されて減圧され、１００００分の１Ｐａの圧力の真空となる真空容器１１０の内側に配置されている。処理室１２０内に載置された被処理体である半導体ウエハＷに対してエッチング、成膜等の処理を行なうために供給される処理ガスは、図示しないガス供給手段から所定の流量と混合比をもって処理室１２０内に導入されされ、処理室１２０内のガスを排気する真空排気系１０３と排気調整手段１０４の働きにより略円筒形状の保持ステージ１１２の外周と真空容器１１０との間の処理室１２０の空間を通って排出されつつ、処理室１２０内の圧力が調節される。プラズマ処理装置では、エッチング中の処理圧力を０．１Ｐａから１０Ｐａ以下の範囲に調整して使用することが一般的である。
【００１９】
アンテナ１０１には、マッチング回路１２２を介してアンテナ電源１２１が接続される。アンテナ電源１２１は、３００ＭＨｚから１ＧＨｚのＵＨＦ帯周波数の電力を供給するもので、本実施例ではアンテナ電源１２１の周波数を４５０ＭＨｚとしている。保持ステージ１１２は、被処理体である半導体ウエハＷをその載置面上において静電気力により吸着して保持するための電圧が印加される静電吸着電極１１４をその内側に有する誘電体膜と、これが上部に形成された基材１１３と、半導体ウエハＷの載置面の外側で保持ステージ１１２の外周側を覆う絶縁体製のリング１１５とを備えている。静電吸着電極１１４には高電圧電源１０６が接続される。
【００２０】
また、導電体製の基材１１３には、たとえば２００ｋＨｚから１３．５６ＭＨｚの範囲のバイアス電力を供給するバイアス電源１０７がマッチング回路１０８を介して、それぞれ接続される。また、基材１１３内部には、保持ステージ１１４とその上方に載置される半導体ウエハＷの温度を適切に調節するための熱交換媒体が通流する通路が配置されており、この通路を流れる熱交換媒体は通路に接続された温度制御用の温調ユニット１０９により温度が調節される。なお、本実施例では、バイアス電源１０７の周波数を２ＭＨｚとしている。
【００２１】
さらに、保持ステージ１１２内には、その上方に載置される半導体ウエハＷの裏面と載置面との間に半導体ウエハＷと保持ステージ１１２との間の熱伝導を向上するために供給されるヘリウム等の熱伝達用ガスを通流させる通路１１６が配置されている。この通路１１６は、その経路上に配置されたバルブ１１７を介してガス溜り１１８に接続されており、ガス溜り１１８からのガスがバルブ１１７によってその通流を調節されて保持ステージ１１２上の載置面の略中央部の開口から半導体ウエハＷの裏面に導入されて半導体ウエハＷの外周端部から処理室１２０内に流入する。
【００２２】
このようなエッチング処理装置１００では、高周波の電界と磁場コイルの磁界との相互作用によって、処理室１２０内に導入されたエッチングガスが効率良くプラズマ化される。また、エッチング処理に当たっては、ウエハＷに入射するプラズマ中のイオンの入射エネルギーが静電吸着電極１１４に印加した高周波バイアスによって制御され、所望のエッチング形状が得られる。
【００２３】
次に処理室１２０の構成について説明する。図２に、図１に示すプラズマ処理装置の真空容器１１０の側壁部の構成の概略を示す拡大図である。処理室１２０はアルミニウム製の内径６００ｍｍのチャンバー側壁１と、チャンバー側壁１とボルト２で締結されたアルミ合金等の導電性の高い材料から構成されたアースカバー３、厚さ２５ｍｍの石英製の石英板４ａおよび石英板４ａ直下に位置するシャワープレート４ｂから構成される。アースカバー３の表面には、プラズマと接する面に厚さ０．０１ｍｍの純度９９．９パーセントのＹＢ２Ｏ３が溶射され、その他の部分には、アルマイトが施されている。皮膜としては、これらに限られたものではなく、ＹＦ３やアルマイト等求められる処理の仕様に応じて必要な耐プラズマ性を有する材料を選定すれば良い。
【００２４】
アースカバー３とチャンバー１は、Ｏリング５ａ，５ｂでシールされ、その間隙には熱伝導性のガスであるヘリウムガス６が約１ＫＰａの圧力となるように供給されて、この間隙の空間がヘリウムガス６により充填されている。チャンバー１の外周面にはヒータ７が設置され、かつチャンバー１の下部には冷媒が循環する流路８が形成されている。ヘリウムガス６は、これらヒータ７或いは冷媒とアースカバー３との間で熱伝導が向上するようにこれらの間の空間に供給されるものである。なお、ボルト２で締結されたチャンバー１とアースカバー３間に熱伝導性に優れた部材（たとえば、窒化アルミニウム）を挟み込んでも良い。このような形状の処理室では、アースカバー３がチャンバー１と別部材となっているので、アースカバー３を簡単に交換できクリーニングが容易にできる。
【００２５】
本実施例のプラズマ処理装置１００では、電磁コイルとヨークよりなる磁場形成手段１０２により、図２中に示すような磁力線１３０が処理室１２０内に形成される。そのため、アンテナ１０１により印加された高周波と磁力線１３０とにより、シャワープレート４ｂの直下には密度の高いプラズマ１３１が生成される。さらに、生成されたプラズマ１３１は磁力線１３０によって拘束されるので、磁力線１３０の延長上にあるアースカバー３の表面のプラズマの密度も高くなる。このとき、プラズマ処理装置１００では、バイアス電力を供給するバイアス電源１０７、静電吸着電極１１４、プラズマ、アースカバー３表面との間で電気回路が形成される。この回路では、プラズマ密度の高いアースカバー３の表面が接地面になる。接地面であるアースカバー３の表面にはプラズマ中の電子が拘束で移動するので、取り残されたイオンにより電場、すなわち、イオンシースが安定して生じる。
【００２６】
したがって、アースカバー３では、イオンシース（電場）によりプラズマ中のイオンが入射するので加熱されて温度が上昇し易い。また、温度を調節するために上記の通りヒータ７或いは冷媒が供給されている一方で、半導体ウエハＷの各々を処理が終了する毎にプラズマを停止して処理済の半導体ウエハＷと処理前の半導体ウエハＷとを搬送する必要が有り、この間はプラズマからの加熱は行われずアースカバー３は冷却されて温度が低下し易い。このようにプラズマによる加熱または温度の変動或いはその繰り返しにより、アースカバー３の表面に形成した皮膜にはクラックが発生し易い。クラックの発生については、後述する。
【００２７】
ところで、プラズマ処理では、エッチング特性を安定するために処理室内の壁面の温度変化を小さくすることが重要である。図３は、ウエハ処理枚数と、エッチング形状の寸法及びアースカバー表面の温度の関係を示すグラフである。同図に示すエッチング形状とはエッチング部の溝間隔の寸法を示したものである。同図より、エッチング処理枚数の増加に伴って寸法が安定することがわかる。一方、アースカバー表面の温度は処理枚数の増加に伴って高くなることがわかる。このようにエッチング形状の寸法が変化する理由は、主にアースカバーの表面から放出するアウトガス（水分等）やアースカバー表面でのラジカル等の反応が、アースカバーの温度により異なるたためである。このようにプラズマ処理装置ではアースカバー壁面の温度を一定に保つことが処理性能を向上する上で重要である。発明者らのこれまでの検討によれば、水分等の放出などを考慮して、アースカバー表面の温度は１００℃以上にすることが好ましい結果が得られている。
【００２８】
アースカバー３の温度の調節について説明する。図２に示したプラズマ処理装置では、エッチング処理前に、ヒータ７を用いてチャンバー側壁１を介してアースカバー３を予熱（例えば、１００℃）する。エッチング処理が始まるとプラズマからの入熱で、アースカバー３が加熱される。一般的にアースカバー３への入熱量は数百ワットである（アンテナ電源：１０００Ｗ程度、バイアス電源５００Ｗ程度）。この時のプラズマからの入熱経路を図４に示す。図４は、図２に示す真空容器１１０の側壁部の熱伝導の状態を示す模式図である。
【００２９】
同図に示すように、プラズマからの入熱Ｑはアースカバー３とチャンバー１との締結部を介してチャンバー１に移動する経路と、伝熱用のヘリウムガスを介してチャンバー１に移動する経路がある。このように本実施例では、エッチング処理中は、チャンバー１の外周面のヒータ７をオフし、チャンバー１の下部に設けた流路８内を所定の温度に制御した冷媒を循環することで、アースカバー３を所定の温度に調整することができるように構成されている。これら温度の調節のための冷媒の循環、温度の設定やヒータの稼働は求められる処理の仕様に応じて適宜選択される。本実施例では、冷媒の温度を５０℃とした時、アースカバーの温度は１２０℃となっている。すなわち、エッチング処理中のアースカバー３の温度は、プラズマからの入熱量と冷媒までの熱抵抗及び冷媒の温度で規定される。つまり、本実施例のプラズマ処理装置では、プラズマからの入熱があるので、アースカバーを所定の温度に保つためにはヒータ等の温媒のみならず冷却するための熱交換媒体も用いられている。
【００３０】
以上のように、本実施例のプラズマ処理装置では、エッチング処理前のアースカバー３は、ヒータ７により所定の温度に制御され、エッチング中はプラズマからの入熱と冷媒によって所定の温度に制御される。
【００３１】
プラズマ処理装置１００の処理室１２０の外周を構成する部材はアルミニウム合金で構成され、そのプラズマ面と接する表面には陽極酸化処理（アルマイト）によって形成された皮膜が配置されている。また、より一層のプラズマに対する耐久性、耐腐食性や高い熱可塑性が要求される場合は、アルマイトのみならず、より耐プラズマ性に優れたセラミクス溶射膜を形成してもよい。溶射による皮膜は、溶射により半溶融の粒子が高速で被成膜面上に付着・積層されて層状となる。さらに、これらの粒子同士の間の境界（空洞）に水分が吸着しないように、空洞を埋める処理を施す。プラズマ処理装置では、このような皮膜にクラックが生じるとプラズマ特性が変化し、エッチングの加工により得られる形状が変動してしまう。また、エッチング特性のみでなく、クラックにより処理室内と基材との間が連通してしまい基材（アルミニウム）がプラズマ中のラジカルと反応して形成されて処理室内の部材表面に付着して異物の発生源となってしまう。したがって、プラズマ処理装置ではこのような皮膜のクラック発生を抑制することが重要である。
【００３２】
この課題を解決するために本実施例では上記の温度調節手段を備え、皮膜の温度を所定の温度より低くなるように調整してクラックの発生や異物の発生を抑制している。この温度を調節するための手段は、上記の構成に限られたものではなく、たとえば、図５に示すように、アースカバー内に熱交換用媒体の流路を設けて、媒体を流入し所定の温度となるように調節しても良い。例えば、発明者らは、図１に示すプラズマ処理装置１００の構成において、アンテナ電源１０００Ｗ程度、バイアス電源５００Ｗの時、冷媒の温度を８０℃程度に設定すると、アースカバーの温度は１２０℃程度で保つことができることを確認している。また、ガス（たとえば、空気や窒素）を流入する場合は、エージング処理でアースカバーを所定の温度まで昇温し、所定の温度になった後、ガスを流入すれば良い。
【００３３】
本図において、アースカバー３はそのプラズマに面する側の表面にセラミクス材を溶射して形成した溶射膜５１が配置されている。本実施例では、プラズマに面する側で溶射膜５１が形成されているのは、アースカバー３の図上右側の側面および下面、アースカバー３の下端部の外周側である。一方、プラズマに曝されない部分の表面にはアルマイト膜５２が形成されている。本実施例では、アースカバー３の図上左側の側面および左側に延在しているフランジ部の表面である。アルマイト膜５２は溶射膜５１と比べ基材表面との接着力が大きいため、この部分で他の部材との接触、接合を行うのに適している。なお、溶射膜５１とアルマイト膜５２とが接する境界部分では、アルマイト膜５２の表面を溶射膜５１が覆うように配置されアルマイト膜５２の端面での腐食を抑制している。また、本実施例では、アースカバー３の角部の溶射膜５１の厚さが他の部分での厚さと比べて大きくされており、電界の集中による局所的な相互反応の偏りに対して耐久性や寿命を高くするように構成されている。
【００３４】
本実施例では、一般的な厚さ１０〜３０μｍの数種類（Ａ〜Ｅ）のアルマイト（硫酸、蓚酸）と、溶射法で形成した厚さ１００〜３００μｍのＡｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｙｂ２Ｏ３の耐熱温度について評価した。実験は、角２０ｍｍのアルミニウムの表面に前記皮膜を施し、その後高精度ホットプレート上で加熱しながらクラックの発生を、顕微鏡を用いて調べた。その結果を図６に示す。同図に示すように、クラックが発生する最低温度は１６０℃であることがわかった。この結果は、材質の変化によっては大きく影響を受けていないと判断される。ここで示しているクラックは、アルミニウムと皮膜との線膨張係数に起因した熱応力によって生じるものである。
【００３５】
一方、プラズマ処理装置１００の真空容器１１０の内側や処理室１２０内部に配置されプラズマに面してこれに曝される部材は、より低い温度に調節されることが望ましいものがある。例えば、アース部材３はＯリングによりその外周側の真空容器１１０のチャンバ側壁１に面する面においてシールされているので、できるだけ低い温度、すくなくともＯリングのシール性能が損なわれたり破損したりする温度よりは低い温度に設定することが望ましい。また、装置の安全性やセンサー等の耐熱温度の観点からも、同様に低い温度になるように設定することが望ましい。
【００３６】
また、図１に示す保持ステージ１１２の外周側のリング１１５は、処理室１２０内でプラズマに面して曝される部材であって、下方の基材１１３に印加されるバイアス電力とプラズマとの作用により保持ステージ１１２側に誘引される荷電粒子がその表面に衝突する部材である。このため、プラズマを用いた処理中は温度が上昇しやすい部材であるとともに、被処理体である半導体ウエハＷにも近いので、その表面の温度の変動が半導体ウエハＷの表面での処理に与える影響が大きな部分である。本実施例ではリング１１５表面にも上記アルマイトやセラミクスにより構成された皮膜を溶射等の手段により形成し、この温度を調節することで皮膜のクラックや割れ、剥離等の発生を抑制することができる。
【００３７】
この際の皮膜は、保持ステージ１１２上方に向かってシャワープレート４ｂに対抗する部分は、プラズマ中からの荷電粒子の入射が多く、その表面での反応を用いて半導体ウエハＷの処理の調節を行うことができる。例えば、この表面にはＳｉやＳｉＣ等の材料からなる部材、膜を設け、保持ステージ１１２の外周に向いた面には、上記アルマイトやセラミクスにより構成された溶射皮膜を設けてもよい。さらに、このリング１１５と下方の部材である基材１１３との間にヘリウムのような熱伝導ガスを供給して、所定の温度、例えば１６０℃以下となるようにヘリウムの供給量や圧力を調節してもよい。このような熱伝導ガスは通路１１６から分岐させてリング１１５の下面（裏面）に供給してもよいし、通路１１６とは別のガス源と通路を介して供給してもよい。
【００３８】
以上の通り、本実施例のプラズマ処理装置１００では、その上に溶射して形成された皮膜を有する処理室１２０内の部材において部材あるいは表面の温度をクラックが発生しない最小温度である１６０℃とすることで、エネルギ効率に優れ、長期間にわたって安定性の高い処理を行うことができる。
【００３９】
つまり、プラズマ処理室内のプラズマと接する部品の表面に形成された皮膜のクラック発生温度以下になるように温度制御を行っているのでクラックが発生が抑制され、長期安定性に優れたプラズマ処理装置を提供することができる。また、プラズマからの入熱にかかわらず、プラズマと接する部品の温度の変化が抑制され、エッチング形状の変動が小さく、安定した性能を維持でき、長期にわたり良好な性能を有することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施例に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】本発明の一実施例に係るプラズマ処理装置内の処理室１００の断面図である。
【図３】ウエハ処理枚数とエッチング形状の寸法、アースカバーの温度との関係を説明した図である。
【図４】プラズマ処理中のプラズマからの入熱を模式的に説明した図である。
【図５】本発明の一実施例に係るアースカバーの断面図である。
【図６】アルマイト及びセラミック溶射膜のクラック発生温度の評価結果を説明する図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…チャンバー側壁、２…ボルト、３…アースカバー、４ａ…石英板、４ｂ…シャワープレート、５ａ、５ｂ…Ｏリング、６…ヘリウムガス、７…ヒータ、８…流路、１０１…アンテナ、１０５…ハウジング、１０２…磁場形成手段、Ｗ…半導体ウエハ、１０３…真空排気系、１０４…排気調整手段、１０６…高電圧電源、１０７…バイアス電源、１０８…マッチング回路、１０９…温調ユニット、１１４…静電吸着電極、１２０…処理室、１２１…アンテナ電源、１２２…マッチング回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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