(57)【要約】【課題】ＣＡＶ記録が可能であり、１０万回程度の多数回書換えを行った際にも、再生信号が劣化しない情報記録媒体を提供する。【解決手段】基板と、相変化反応により情報の記録が行われる記録層と、記録層に接して設けられる第１界面層とを備えた情報記録媒体において、（１）Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有され、かつＧｅと窒素とが含有された第１界面層、または（２）Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有され、かつ遷移金属元素と窒素とが含有された第１界面層、または（３）Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有され、かつ遷移金属元素と酸素とが含有された第１界面層を備える。【選択図】図９
2006221811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
レーザービームの照射による、相変化反応により情報の記録が行われる、複数回書換え可能な記録層と、
（１）前記記録層に接して設けられ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有され、かつＧｅと窒素とが含有された第１界面層、または（２）前記記録層に接して設けられ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有され、かつ遷移金属元素と窒素とが含有された第１界面層、または（３）前記記録層に接して設けられ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有され、かつ遷移金属元素と酸素とが含有された第１界面層
とを有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記（２）または前記（３）の遷移金属は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれかであることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記（１）乃至（３）いずれかの第１界面層は、前記記録層に対し、前記レーザービームの入射側に設けられていることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層に対し、前記レーザービームの入射側とは反対側に、前記記録層に接する第２界面層が設けられ、前記第２界面層は、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂのうち少なくともいずれか一つの元素が含有され、前記第１界面層に含有されるＢｉ、Ｓｎ、Ｐｂの含有量の和が、前記第２界面層に含有されるＢｉ、Ｓｎ、Ｐｂの含有量の和よりも小さいことを特徴とする請求項３記載の情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギービームの照射により情報の記録が行われる情報記録媒体に係り、特に、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ等の相変化光ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ｖｉｄｅｏ等の再生専用型光ディスク市場が拡大している。また、４．７ＧＢ  ＤＶＤ−ＲＡＭや４．７ＧＢ  ＤＶＤ−ＲＷといった書き換え可能なＤＶＤが市場投入され、コンピュータ用バックアップ媒体、ＶＴＲに代わる映像記録媒体として、市場が急拡大しつつある。さらに、ここ数年、記録型ＤＶＤに対する転送レート、アクセススピード向上に対する市場の要求が増大してきている。
【０００３】
ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ等の記録消去可能な記録型ＤＶＤ媒体では、相変化記録方式が採用されている。相変化記録方式では、基本的に「０」と「１」の情報を結晶とアモルファスに対応させ記録を行っている。また、結晶とアモルファスの屈折率が異なるため、結晶に変化させた部分とアモルファスに変化させた部分の反射率の差が最大になるように、各層の屈折率、膜厚を設計している。この結晶化した部分とアモルファス化した部分にレーザービームを照射し、反射光を再生することにより記録された「０」と「１」を検出できる。
【０００４】
また、所定の位置をアモルファスにする（通常、この動作を「記録」と呼ぶ）ためには、比較的高パワーのレーザービームを照射することにより、記録層の温度が記録層材料の融点以上になるように加熱し、所定の位置を結晶にする（通常、この動作を「消去」と呼ぶ）ためには、比較的低パワーのレーザービームを照射することにより、記録層の温度が記録層材料の融点以下の結晶化温度付近になるように加熱する。こうする事により、アモルファス状態と結晶状態を可逆的に変化させることができる。
【０００５】
記録型ＤＶＤが転送レート向上に対する要求にこたえるためには、媒体の回転数を上げ、短時間で記録消去を行う方法が一般的である。この際、問題となるのは媒体に情報をオーバーライトする際の記録消去特性である。以下に詳細に以上の問題を説明する。
【０００６】
ある所定の位置をアモルファスから結晶に変化させることを考える。媒体の回転数を上げた場合、レーザービームと前記所定の位置を通過する時間が短くなり、同時に、所定の位置が結晶化温度に保持される時間も短くなる。結晶化温度に保持される時間が短かすぎると、十分に結晶成長することができないため、アモルファスが残ってしまうのである。これが、再生信号に反映され、再生信号品質が劣化するのである。
【０００７】
この問題を解決するための方法としては、１．記録膜組成を変更することにより結晶化速度を高速化する、２．記録膜に接した界面層、記録膜の結晶化を促進する材料を使用する、の２方式が考えられる。
【０００８】
たとえば、特開２００１−３２２３５７では、記録材料としてＧｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料に、Ａｇ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｎ等の金属を添加した材料を使用することにより、高密度記録が可能で、繰り返し書換え性能に優れ、結晶化感度の経時劣化が少ない情報記録媒体が得られるとしている。特開平２−１４２８９にも、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｎ−Ｔｅ系の記録膜材料の記述がある。
【０００９】
また、特開平５−３４２６２９には記録層に接して、Ｓｂ４０Ｔｅ１０Ｓｅ５０等の記録層の結晶化を促進させる界面層を導入することにより、短時間に記録層を結晶できるとしている。さらに、特開平９−１６１３１６には界面層（結晶化促進層）として、例えばＳｂ２Ｔｅ３等からなる層を設けることにより、極めて高速に、初期結晶化処理を行えるとしている。さらに、特開２００１−２７３６７３には界面層（結晶核生成層）として、ＳｎＴｅ，ＰｂＴｅ等からなる層を設けることにより、長期保存後においても、結晶化速度が低下しない情報記録媒体が得られるとしている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
相変化記録方式を採用した光ディスクに情報を記録する際には、通常、ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ｌｅｎｅａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ：一定線速度）方式により光ディスクの回転数を制御する。すなわち、レーザービームと光ディスクの相対速度が常に一定となるような制御方法である。これに対して、ＣＡＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ  Ａｎｇｕｌａｒ  Ｖｅｌｏｃｉｔｙ：一定角速度）方式では光ディスクを回転させる際の、角速度を一定にして回転を制御する方式がある。
【００１１】
ＣＬＶ方式の特徴は、１．記録再生時のデータ転送レートが常に一定のため、信号処理回路を極めて簡素化できる、２．レーザービームと光ディスクの相対速度を常に一定にできるため、記録消去時の記録層の温度履歴を一定にするため、媒体に対する負荷が小さい。３．レーザービームを光ディスクの半径方向に動かした場合、半径位置の応じて、モーターの回転数を制御しなおす必要がある。このため、アクセス速度が大幅に低下する。
【００１２】
ＣＡＶ方式の特徴は、１．記録再生時のデータ転送レートが半径位置により異なるため、信号処理回路が増大する、２．レーザービームと光ディスクの相対速度が、半径位置により異なるため、記録消去時の記録層の温度履歴が半径位置に大きく依存し、特別な構成の光ディスクが必要となる、３．レーザービームを光ディスクの半径方向に動かした場合、半径位置の応じて、モーターの回転数を制御しなおす必要がないため、高速アクセスが可能となる。
【００１３】
前記従来例で開示されている記録層材料、界面層材料を使用することにより、ディスク線速度が高速な場合においても、極めて良好な記録再生特性を実現できる。しかしながら、前記従来例では、ＣＡＶ記録を行う際の問題点を十分に考慮していないため、ＣＡＶ記録を行う場合に、情報記録媒体の内周部において、記録された情報から再生される再生信号品質が大幅に劣化するという問題が発生した。
【００１４】
また、従来例において示されているＳｂ４０Ｔｅ１０Ｓｅ５０、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ等からなる界面層が、１０万回程度の多数回書換えにより、記録膜中に溶け込み、再生信号を劣化させるという問題が発生した。
【００１５】
したがって、本発明の目的は、ＣＡＶ記録が可能であり、１０万回程度の多数回書換えを行った際にも、再生信号が劣化しない情報記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
ＣＡＶ記録が可能であり、１０万回程度の多数回書換えを行った際にも、再生信号が劣化しない情報記録媒体を得るための、前記従来例の問題点を整理する。
【００１７】
本発明が解決しようとしている課題は以下の２点である。
【００１８】
１）多数回書換え時の界面層材料の記録層への溶け込み抑制
２）ＣＡＶ記録時の内周部における再生信号劣化抑制
以下に、順次１）２）の原因を説明する。なお、ここでは図１の構造の情報記録媒体を前提として説明を進める。すなわち、基板上に第１保護層、第１界面層、記録層、第２界面層、第２保護層、吸収率制御層、熱拡散層、紫外線硬化性保護層が順次積層された構造である。また、本発明の効果は必ずしも図１の構造の情報記録媒体に限定されるものではない。
【００１９】
１）界面層材料の記録層への溶け込み原因
図２を用いて、この現象を説明する。図２は従来例において示したＳｂ４０Ｔｅ１０Ｓｅ５０、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ等の界面層材料を第１界面層、第２界面層として採用した場合の、情報記録媒体の記録層周辺部の断面図である。レンズによって絞り込まれたレーザービームは図のように記録膜に焦点を結ぶ。この際、レーザービームは主に記録層の第１界面層側の面において吸収される。その結果、記録層の第１界面層に接した面において、記録層が発熱する。このように、図のような構成とした場合、常に、記録層の第１界面層側の温度が、記録層の第２界面層側と比較して高くなる傾向がある。
【００２０】
通常、以上の示したような、記録層の結晶化を促進する界面層材料は融点が一般的に界面層として使用されるＧｅ３Ｎ４、Ｃｒ２Ｏ３等と比較して低いため、１０万回程度の多数回書換えを繰り返すと、第１界面層側から選択的に界面層材料が記録層に溶け込むのである。また、発明者らは記録層の結晶化を促進する層としてＢｉ２Ｔｅ３も、極めて良好な性能を示すことを明らかにした。しかし、Ｂｉ２Ｔｅ３の融点も６００℃程度と低いため、前記従来材料と同様の問題が発生した。また、発明者らは、前記従来例のように、Ｓｂ４０Ｔｅ１０Ｓｅ５０、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅといった化合物を界面層として使用しなくても、単にＳｎ、Ｐｂ、Ｂｉ等の元素を界面層材料に添加するだけで、記録層の結晶化促進効果を得られる。これは、記録層中に含有されているＴｅと前記Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の元素が結合し、それぞれ、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３等の、結晶性の化合物を生成するからである。これによって、界面層表面に前記結晶性化合物を結晶核として、記録層の結晶化が促進されるのである。たとえば、界面層材料としてＳｎＯ２，ＰｂＯ２，Ｂｉ２Ｏ３等の前記元素の酸化物化合物、あるいはＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３等の前記元素の硫化物、あるいはＳｎＳｅ２、ＰｂＳｅ、Ｂｉ２Ｓｅ３等の前記元素のセレン化物を使用しても、遊離した前記元素が記録層中のＴｅと結合し、結晶性の化合物を生成するため、記録層の結晶化を促進する効果が得られる。しかしながら、前記酸化物、硫化物、セレン化物も熱的に不安定であるため、記録層中に前記元素が溶け込み、再生信号を劣化させるという問題が発生する。
【００２１】
一方、第１界面層のみに、Ｃｒ２Ｏ３、Ｇｅ３Ｎ４等の高融点で熱的に安定であるが、記録層の結晶化を促進する効果のない界面層材料を使用し、第２界面層に前記従来例で示したＳｂ４０Ｔｅ１０Ｓｅ５０、Ｓｂ２Ｔｅ３、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ等の界面層材料を使用した場合、このような問題は発生しない。このことは、前記界面層材料が第１界面層側から選択的に記録層に溶け込んでいることを示している。以上のように、界面層材料の記録層への溶け込みの原因は、記録層の第１界面層側の部分が高温化するため、第１界面層から界面層材料が記録層へ溶け込むことである。なお、前記したように第１界面層に記録膜の結晶化を促進する効果がない界面層材料を使用した場合、高速記録時に十分に結晶化が行われないという問題が発生する。
【００２２】
２）ＣＡＶ記録時の内周部における再生信号劣化の原因
はじめに、再生信号が劣化していない外周部におけるアモルファスマーク周辺部の結晶状態を説明する（図３）。図３（ａ）は結晶の上にアモルファスマークを記録した場合のアモルファスマークと、アモルファスマーク周辺部の結晶状態を示す図である。特徴的なことは溶融領域が、そのままアモルファスマークとなっていることである。また、図２（ｂ）に示したように、図３（ａ）の上に、新たなアモルファスマークをオーバーライトした際においても、図３（ａ）のアモルファスマークは完全に結晶化されている。
【００２３】
次に、内周部における再生信号劣化の原因を、図４を用いて説明する。図４（ａ）は従来の情報記録媒体の内周部に、アモルファスマークを記録した際の、アモルファスマーク周辺部の結晶状態を模式的に示した図である。特徴的な点は、アモルファスマークが溶融領域よりも大幅に小さくなっていることある。これは、アモルファスマーク記録時に、レーザービームにより溶融された溶融領域の外縁から結晶が成長し、記録マークがシュリンクする現象（再結晶化）が発生するためである。この理由を以下に説明する。ＣＡＶ記録では内周部のディスク線速度が遅くなる。このため、通過したレーザービームによる熱の影響で、溶融領域の冷却速度が遅くなり、この結果、アモルファス領域が再結晶化するのである。
【００２４】
このため、最終的に生成されるアモルファスマークの大きさが、溶融領域と比較して小さくなり、再生信号振幅が低下するのである（問題１）。また、シュリンクを引き起こした再結晶化領域の結晶粒径は、正常結晶化領域と比較して大きい。また、図３（ｂ）に示したように、図３（ａ）の上に、新たに情報をオーバーライトした場合、アモルファスマークの間に、結晶粒径が異なる結晶が残留する。結晶粒径が異なると反射率も異なるため、この結晶粒径の分散が反射率の分散を引き起こし、結果として再生信号のノイズを上昇させることになる（問題２）。また、結晶粒径の分散は、熱伝導率、融点、結晶成長速度の分散を引き起こす。この結果、アモルファスマーク形状が結晶粒径の分散の影響を受け、再生信号が劣化するのである（問題３）。以上のように、内周部の再生信号劣化の主因は、再結晶化により引き起こされる問題１〜３である。
【００２５】
次に、前記１）２）の課題の具体的な解決策を示す。
【００２６】
１）多数回書換え時の界面層材料の記録層への溶け込み抑制
前記課題を解決するためには、第１界面層と第２界面層に、前記した記録層の結晶化を促進する効果のあるＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の元素を含有させ、さらに、前記低融点の元素が記録層に溶け込むことを抑制するため、第１界面層に含有させる前記Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の含有量の和を、第２界面層と比較して少なくすれば良い。
【００２７】
あるいは、Ｔｅも低融点であるため、第１界面層あるいは第２界面層として、ＳｎＴｅ，ＰｂＴｅ，Ｂｉ２Ｔｅ３等のＴｅ化合物を使用する際にも、第１界面層に含有させる前記Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐｂ、Ｔｅ等の含有量の和を、第２界面層と比較して少なくすれば良い。
【００２８】
ここで、界面層に含有させる前記Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐｂ、Ｔｅ等の含有量を減少させる方法としては、界面層に熱的化学的に安定なＧｅ−Ｎ系の材料を添加する方法が良い。ＧｅはＳｎ，Ｐｂと同族であり、Ｂｉ，Ｔｅとも化合物を形成しやすいからである。また、Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅは窒素と結合しにくいため、Ｇｅ−Ｎ添加による、記録層の結晶化促進効果の低下を避けることができる。
【００２９】
前記界面層の製造方法としては、以下の方法がスパッタリングターゲットの価格を下げることが可能であり、基板に対する熱的ダメージが小さく、スパッタ装置価格も下げることが可能なＤＣスパッタを使用でき、さらに均一にＧｅ−Ｎを添加できるため優れている。すなわち、ＴｅとＧｅが含有され、さらに、Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐｂのうち、いずれか一つの元素が含有されているスパッタリングターゲットと、窒素が含有されたスパッタリングガスを用いスパッタリングを行うことにより、前記の界面層を製膜する方法である。
【００３０】
また、Ｇｅ−Ｎ系材料の添加以外にも、遷移金属酸化物、あるいは遷移金属窒化物を添加しても良い。遷移金属は価数を容易に変化させるため、たとえＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の元素が遊離しても、前記遷移金属が価数を変え、遷移金属とＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂの間で結合が起こり、熱的に安定な化合物を生成するからである。特に、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗは融点が高く、容易に価数を変えやすく、前記金属との間で、熱的に安定な化合物を生成しやすいため優れた材料である。
【００３１】
また、光学的要請から、あるいは記録膜の結晶化を制御するために、第１界面層を３ｎｍ以下と薄くしなければならない場合、第１界面層が層状とはならず、斑に形成されることがある。この場合においても、記録層の結晶化を促進する効果は失われないが、第１保護層に使用されるＺｎＳ−ＳｉＯ２中の硫黄が、第１界面層を通過し記録層に溶け込む場合がある。このような場合は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の変わりに、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりも熱的に安定で、しかも記録層の結晶化を促進するＳｎを含有するＳｎＯ２等を含有する材料を使用すればよい。
【００３２】
また、情報記録時の第２界面層への熱的な負荷は、第１界面層と比較して小さいが、光学的要請から、あるいは記録膜の結晶化を制御するために、第２界面層を１ｎｍ以下と薄くしなければならない場合、第２界面層が層状とはならず、斑に形成されることがある。この場合においても、記録層の結晶化を促進する効果は失われないが、第２保護層に使用されるＺｎＳ−ＳｉＯ２中の硫黄が、第２界面層を通過し記録層に溶け込む場合がある。このような場合にも、ＺｎＳ−ＳｉＯ２の変わりに、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりも熱的に安定で、しかも記録層の結晶化を促進するＳｎを含有するＳｎＯ２等の材料を使用すればよい。
【００３３】
２）ＣＡＶ記録時の内周部における再生信号劣化抑制
つぎに、ＣＡＶ記録時の内周部における再生信号劣化を抑制するための具体的な方策を示す。先に示したように、ＣＡＶ記録時の内周部における再生信号劣化の原因は、アモルファスマーク記録時に、レーザービームにより溶融された溶融領域の外縁から結晶が成長し、記録マークがシュリンクする現象（再結晶化）が発生するためである。したがって、前記問題を解決するためには再結晶化を抑制すればよい。再結晶化を抑制するためには結晶成長しにくい、つまり、結晶成長速度が遅い材料を記録層材料として使用すればよい。しかし、このような材料を使用した場合、外周部において、ディスク線速度が速くなった場合に、レーザービームによる加熱時間が不十分となり、記録層が結晶化温度に保持される時間が不十分となるので、結晶化すべきアモルファスマークが十分に結晶化されないという問題が発生する。
【００３４】
そこで、発明者らは、どのようにすれば、この問題を解決できるか鋭意研究を行い、本質的な問題の解決方法を考案するに至った。図５〜８を用いて、前記解決方法を詳細に説明する。
【００３５】
図５は従来媒体の再結晶化が発生する機構を説明するための図である。一般的に、記録層の結晶化は２種類の現象によって成り立っていると説明できる。すなわち、核形成と結晶成長である。核形成と結晶成長の速度は図５に示したような温度の関数となる。つまり、結晶成長速度は記録層材料の融点直下で最大となり、核形成速度は結晶速度が最大になる温度よりも低温側で最大となる。
【００３６】
ところで、先に説明したように、相変化記録では記録層材料を融点以下の結晶成長温度付近まで加熱することにより、アモルファスマークを結晶化する。この際、昇温時に核形成速度が最大となる温度を通過するため、記録層中に結晶核が生成される。また、さらに温度が上昇すると結晶成長速度が速くなるため、低温側で生成された結晶核を中心として、結晶が成長しアモルファスマーク全体を結晶化することが可能となる。
【００３７】
一方、アモルファスマークを記録する際には、記録層の温度を記録層材料の融点以上に加熱する。この際、アモルファスマークの中心部では、冷却と共に記録層がアモルファス化される。ところが、溶融された領域の外縁部では、外縁部の温度が融点直下の結晶成長速度が最大となる温度範囲まで冷却された時点で、外縁部の結晶から溶融領域の中心部に向かって結晶が成長するため、最終的に記録されるアモルファスマークの大きさが小さくなってしまうのである（図６）。これが、再結晶化が発生するメカニズムである。
【００３８】
前記再結晶化の問題を解決するためには、図７に示したように結晶成長速度の最大値を低下させ、結晶成長速度の最大値を上昇させることである。このようにすることにより、アモルファスマーク記録時に、溶融領域外縁部から結晶成長を抑制できる（図８）。また、アモルファスマークを結晶化させる際には、図５の場合と比較して、結晶核が多数形成されるため、たとえ、結晶成長速度が低下したとしても、アモルファスマーク全体を結晶化することが可能となる。
【００３９】
発明者らは、図７に示したように、核形成速度を上昇させ、結晶成長速度を低下させるためには、二つの方法があることを明らかにした。すなわち、以下の方法である。
【００４０】
方法Ａ：記録層材料に核形成速度、結晶成長速度ともに遅い材料を使用し、界面に核形成速度を速めるような材料を使用する。
【００４１】
方法Ｂ：記録層材料に核形成速度が速く、結晶成長速度が遅い材料を使用する。
【００４２】
方法Ａ、Ｂを以下に詳細に説明する。
【００４３】
方法Ａの場合、界面層材料として、前記Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の元素を含有させれば良い。なお、この界面層は、第１、第２のいずれか、または両方に、上記の元素を含有させれば良い。この場合、界面層材料としてＳｎＯ２，ＰｂＯ２，Ｂｉ２Ｏ３等の前記元素の酸化物化合物、あるいはＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３等の前記元素の硫化物、あるいはＳｎＳｅ２、ＰｂＳｅ、Ｂｉ２Ｓｅ３等の前記元素のセレン化物、ＳｎＴｅ，ＰｂＴｅ，Ｂｉ２Ｔｅ３等のテルル化物等のＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉのカルコゲナイド化合物を使用すればよい。重要なことは記録層中のＴｅとＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉが結合することにより、界面層の表面にＳｎＴｅ，ＰｂＴｅ，Ｂｉ２Ｔｅ３等の結晶化温度が極めて低く（結晶化温度が室温以下）、記録膜が結晶化する際に、記録膜の結晶核生成を促進する化合物が生成することである。もちろん、界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉのテルル化物が含有されている場合、記録膜の結晶核を生成させる効果は最大となるが、Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉの酸化物、硫化物、セレン化物の方が、融点が高いため、記録膜中にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉが溶け込む現象を抑制する効果が高い。また、Ｓｎ、Ｐｂ，Ｂｉのテルル化物と比較して、Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉの酸化物、硫化物、セレン化物の方が、吸収率が低いため光学設計の自由度が拡がるため都合がよい。理想的には、先に示したように、Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉのテルル化物と、Ｇｅ３Ｎ４，Ｃｒ２Ｏ３などの高融点化合物を混合させた材料を界面層として使用することにより、多数回書換えにより前記元素が記録層中に溶け込むことを抑制でき、しかも、界面層の吸収率を低減できるため、光学設計の自由度が拡大するため好ましい。
【００４４】
また、記録層材料としては、従来知られているＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を適当な割合で混合させたＧｅＳｂＴｅ系記録層材料に、Ｓｂを過剰に添加した組成比の記録層材料を使用すれば良い。具体的には以下の組成式で示された範囲の記録層材料が優れている。（以下原子％）
ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ
２０＜Ｘ＜４５，０．５＜Ｙ＜５
また、Ｓｂ量を過剰に添加する以外にも、核形成速度、結晶成長速度を低下させるような元素を添加しても良い。具体的には以下の組成式で示された範囲の記録層材料が優れている。
【００４５】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−ＺＭＺ
２０＜Ｘ＜４５，０．５＜Ｙ＜５，０．５＜Ｚ＜５
ただし、ＭはＡｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｎから選ばれる元素である。
【００４６】
また、記録層材料の結晶成長速度はできうる限り遅いほうが良いが、遅くしすぎると情報記録媒体の外周部において、アモルファスマークが十分に結晶化されないという問題が発生する。この問題を避けるためには、第１界面層と第２界面層の両方に記録層材料の結晶化を促進する材料をできうる限り多く添加すれば良い。しかしながら、第１界面層に多くのＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の元素を添加すると、多数回書換え時に記録層中にこれらの元素が溶け込むという問題が発生するため、第１界面層に含有される前記元素は、第２界面層と比較して少ないほうが良い。
【００４７】
次に、方法Ｂを詳細に説明する。
【００４８】
発明者らは、従来知られているＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を適当な割合で混合させたＧｅＳｂＴｅ系記録層材料にＢｉ２Ｔｅ３を添加することにより、核形成速度を向上させＣＡＶ記録時においても、情報記録媒体の内周から外周まで良好な記録再生特性が得られることを明らかにした。先に示した従来例に示されているＧｅＳｎＳｂＴｅ系材料も核形成速度がきわめて良好な材料であるが、発明者らの実験によるとＢｉ２Ｔｅ３を添加した方が、結晶成長速度を上昇させる効果が大きく、しかも、アモルファスと結晶の屈折率差が大きいため、再生信号振幅を向上させることができる。具体的には、Ｂｉ含有量が１〜９％であればよい。さらには、以下の組成式で示された範囲の記録層材料が優れている。
【００４９】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−Ｚ（Ｂｉ２Ｔｅ３）Ｚ
２０＜Ｘ＜４５，−２＜Ｙ＜２，２．５＜Ｚ＜２５
なお、前記４元素の関係が前記組成式であらわされる範囲であれば、たとえ、不純物が混入していたとしても、不純物の原子％が１％以内であれば、本発明の効果は失われない。
【００５０】
また、本発明では前記情報記録媒体を相変化光ディスク、あるいは単に光ディスクと表現することがあるが、本発明はエネルギービームの照射により熱が発生し、この熱により原子配列の変化が起こり、これにより情報の記録が行われる情報記録媒体であれば適用可能であるので、特に情報記録媒体の形状によらず、光カード等の円盤状情報記録媒体以外の情報記録媒体にも適用できる。
【００５１】
また、本明細書中では前記したエネルギービームをレーザービーム、または単にレーザー光あるいは光と表現することがあるが、前記したように本発明は情報記録媒体上に熱を発生させることが可能なエネルギービームであれば効果が得られるので、電子ビーム等のエネルギービームを使用した場合にも、本発明の効果は失われない。また、本発明は赤色レーザー（波長６４５〜６６０ｎｍ）用情報記録媒体のために発明させたものであるが、特にレーザーの波長によるものではなく、青色レーザー、紫外線レーザー等の比較的短波長のレーザーにより記録が行われる情報記録媒体に対しても効果を発揮する。
【００５２】
また、本発明では記録層の光入射側に基板が配置されるような構成を前提としているが、記録層の光入射側とは反対側に基板を配置し、光入射側には、基板よりも薄い保護シート等の保護材を配置するような場合においても、本発明の効果は失われない。
【発明の効果】
【００５３】
第１界面層と第２界面層に、記録層の結晶化を促進する効果のあるＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の元素を含有させ、さらに、前記低融点の元素が記録層に溶け込むことを抑制するため、第１界面層に含有させる前記Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の含有量の和を、第２界面層と比較して少なくすることにより、記録層の核形成速度を向上させると同時に、界面層材料の記録層への溶け込みによる、多数回書換え時の再生信号劣化を抑制することができる。
【００５４】
また、記録層材料としては、従来知られているＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を適当な割合で混合させたＧｅＳｂＴｅ系記録層材料に、Ｓｂを過剰に添加した組成比の記録層材料を使用すれば良い。こうすることにより、ＣＡＶ方式の記録を行ったとしても内周部での再結晶化により発生する問題を抑制することができる。
【００５５】
また、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を適当な割合で混合させたＧｅＳｂＴｅ系記録層材料にＢｉ２Ｔｅ３を添加することにより、核形成速度を向上させＣＡＶ記録時においても、情報記録媒体の内周から外周まで良好な記録再生特性が得られる。Ｂｉ２Ｔｅ３を添加した記録膜は、アモルファスと結晶の屈折率差が大きいため、再生信号振幅を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５６】
以下に各種の実験例を示し、本発明の実施例を明らかにする。なお、各実験例で示した情報記録媒体の諸性能を測定する際には、後述する情報記録装置（図１３）と評価条件で、内周部ジッター（内周部においてランダム信号を１０回記録後のジッター）、外周部ジッター（外周部においてランダム信号を１０回記録後のジッター）を測定した。また、界面層材料の記録層への溶け込みの影響を調べるため、内周部における１０回記録後の１１Ｔ振幅と１万回記録後の１１Ｔ振幅の差（以下、「振幅劣化」と呼ぶ）を測定した。なお、本情報記録媒体ではランド−グルーブ記録を採用している。このため、ここではランドとグルーブに情報を記録した際の平均値を示した。なお、各性能の目標値は以下の通りである。
【００５７】
内周部ジッター：９％以下
外周部ジッター：９％以下
振幅劣化：２ｄＢ以下
なお、図９，１０において各実験例の評価結果を◎、〇、×で表記するが、判定基準は以下の通りである。
【００５８】
◎：内周部ジッター、外周部ジッターが８％以下、あるいは振幅劣化が１ｄＢ以下。
【００５９】
〇：内周部ジッター、外周部ジッターが９％以下、あるいは振幅劣化が２ｄＢ以下。
【００６０】
×：内周部ジッター、外周部ジッターが９％より高い、あるいは振幅劣化が２ｄＢより大きい。
【００６１】
図１は実験例に係る情報記録媒体の基本構成である。すなわち、基板上に第１保護層、第１界面層、記録層、第２界面層、第２保護層、吸収率制御層、熱拡散層、紫外線硬化性保護層が順次積層された構造である。ここで、基板にはポリカーボネート製の厚さ０．６ｍｍの基板を使用しており、基板にはあらかじめ４．７ＧＢＤＶＤ−ＲＡＭと同じフォーマットの溝形状、および、プリピット形状が形成されている。前記各層の形成は、図１１に示すスパッタ装置を用いて、図１２に示す条件で行った。
【００６２】
＜実験例１＞
はじめに、比較として、従来構造の情報記録媒体の試作を行い、評価した結果を示す。まず、スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、第１界面層としてＣｒ２Ｏ３を３ｎｍ、記録層としてＧｅ３３．３Ｓｂ１３．３Ｔｅ５３．４を８ｎｍ、第２界面層としてＣｒ２Ｏ３を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【００６３】
前記情報記録媒体を評価した結果、図９の番号１に示したように、内周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、外周部ジッターが目標未達であった。
【００６４】
次に、第１界面層、第２界面層をＳｂ２Ｔｅ３とした場合、図９の番号２に示したように、すべての項目が目標未達であった。
【００６５】
次に、第１界面層、第２界面層をＳｎＴｅとした場合、図９の番号３に示したように、外周部ジッターは目標を満足していたが、内周部ジッター、振幅劣化が目標未達であった。
【００６６】
次に、第１界面層、第２界面層をＰｂＴｅとした場合、図９の番号４に示したように、外周部ジッターは目標を満足していたが、内周部ジッター、振幅劣化が目標未達であった。
【００６７】
次に、第１界面層、第２界面層をＢｉ２Ｔｅ３とした場合、図９の番号５に示したように、外周部ジッターは目標を満足していたが、内周部ジッター、振幅劣化が目標未達であった。
【００６８】
以上のように、図９の番号１〜５の構成ではＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができなかった。これらの各構成は、第１及び第２の界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないか、含有してもＧｅと窒素、又は遷移金属元素と窒素、若しくは遷移金属元素と酸素を含有していないので、本発明の従来例に相当する。
【００６９】
＜実験例２＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、後述する第１界面層を３ｎｍ、記録層としてＧｅ３３．３Ｓｂ１３．３Ｔｅ５３．４を８ｎｍ、後述する第２界面層を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【００７０】
ここで、第１界面層を（ＳｎＴｅ）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０、第２界面層をＳｎＴｅとした場合、図９の番号６に示したように、内周部ジッターは目標未達であったが、外周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していた。
【００７１】
次に、第１界面層を（ＰｂＴｅ）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０、第２界面層をＰｂＴｅとした場合、図９の番号７に示したように、内周部ジッターは目標未達であったが、外周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していた。
【００７２】
次に、第１界面層を（Ｂｉ２Ｔｅ３）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０、第２界面層をＢｉ２Ｔｅ３とした場合、図９の番号８に示したように、内周部ジッターは目標未達であったが、外周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していた。
【００７３】
以上のように、第１界面層に含有させるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉの含有量を第２界面層よりも小さくさせることにより、界面層材料が記録層に溶け込むことによる振幅劣化を抑制することができる。しかしながら、図９の番号６〜８の構成ではＣＡＶ記録時の内周部ジッターを十分に低減することができなかった。これらの各構成は、第１界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれか及びＧｅと窒素を含有するが、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【００７４】
＜実験例３＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、後述する第１界面層を３ｎｍ、記録層としてＧｅ３３．３Ｓｂ１３．３Ｔｅ５３．４を８ｎｍ、後述する第２界面層を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【００７５】
ここで、第１界面層をＳｎＴｅ、第２界面層を（ＳｎＴｅ）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０とした場合、図９の番号９に示したように、外周部ジッターは目標を満足していたが、内周部ジッター、振幅劣化は目標未達であった。
【００７６】
次に、第１界面層をＰｂＴｅ、第２界面層を（ＰｂＴｅ）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０とした場合、図９の番号１０に示したように、外周部ジッターは目標を満足していたが、内周部ジッター、振幅劣化は目標未達であった。
【００７７】
次に、第１界面層をＢｉ２Ｔｅ３、第２界面層を（Ｂｉ２Ｔｅ３）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０とした場合、図９の番号１１に示したように、外周部ジッターは目標を満足していたが、内周部ジッター、振幅劣化は目標未達であった。
【００７８】
以上のように、第１界面層に含有させるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉの含有量を第２界面層よりも大きくした場合、界面層材料が記録層に溶け込むことによる振幅劣化が顕著になる。また、図９の番号９〜１１の構成ではＣＡＶ記録時の内周部ジッターを十分に低減することができなかった。これらの各構成は、第１界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉのいずれかを含有するが、Ｇｅと窒素、又は遷移金属元素と窒素、若しくは遷移金属元素と酸素を含有しておらず、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【００７９】
＜実験例４＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、後述する第１界面層を３ｎｍ、記録層としてＧｅ３０．３Ｓｂ１９．３Ｔｅ５０．４を８ｎｍ、後述する第２界面層を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【００８０】
ここで、第１界面層を（ＳｎＴｅ）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０、第２界面層をＳｎＴｅとした場合、図９の番号１２に示したように、すべての性能が目標を満足していた。
【００８１】
次に、第１界面層を（ＰｂＴｅ）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０、第２界面層をＰｂＴｅとした場合、図９の番号１３に示したように、すべての性能が目標を満足していた。
【００８２】
次に、第１界面層を（Ｂｉ２Ｔｅ３）５０（Ｇｅ３Ｎ４）５０、第２界面層をＢｉ２Ｔｅ３とした場合、図９の番号１４に示したように、すべての性能が目標を満足していた。
【００８３】
次に、第１界面層を（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）６０（Ｇｅ３Ｎ４）４０、第２界面層をＳｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８とした場合、図９の番号１５に示したように、すべての性能が目標を満足していた。また、特に内周部ジッター、外周部ジッターの性能が優れていた。
【００８４】
次に、第１界面層を（Ｐｂ４Ｂｉ２Ｔｅ７）４０（Ｇｅ３Ｎ４）６０、第２界面層をＰｂ４Ｂｉ２Ｔｅ７とした場合、図９の番号１６に示したように、すべての性能が目標を満足していた。また、特に内周部ジッター、外周部ジッターの性能が優れていた。
【００８５】
次に、第１界面層を（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）２０（Ｇｅ３Ｎ４）８０、第２界面層を（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）８０（Ｇｅ３Ｎ４）２０とした場合、図９の番号１７に示したように、すべての性能が目標を満足していた。また、内周部ジッター、外周部ジッター、振幅劣化の性能がすべて良好であった。
【００８６】
次に、第１界面層を（Ｐｂ４Ｂｉ２Ｔｅ７）４０（Ｇｅ３Ｎ４）６０、第２界面層を（Ｐｂ４Ｂｉ２Ｔｅ７）８０（Ｇｅ３Ｎ４）２０とした場合、図９の番号１８に示したように、すべての性能が目標を満足していた。また、内周部ジッター、外周部ジッター、振幅劣化の性能がすべて良好であった。
【００８７】
以上のように、第１界面層に含有させるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉの含有量を第２界面層よりも小さくさせることにより、界面層材料が記録層に溶け込むことによる振幅劣化を抑制することができる。また、記録層中に過剰のＳｂを添加することにより、記録層材料が再結晶化することを抑制できるためＣＡＶ記録時の内周部ジッターを十分に低減することができた。さらに、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ系材料、あるいはＰｂ−Ｂｉ−Ｔｅ系材料を界面層に使用することにより、ＳｎＴｅ、ＰｂＴｅ、Ｂｉ２Ｔｅ３を第２界面層として単独に使用する場合と比較して、内周部ジッター、外周部ジッターを低減することができる。このことは、記録膜の結晶構造と界面層材料の結晶構造の類似性が高まったためと考えられる。すなわち、ここで使用しているＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料はＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合比を適当な割合で混合し、さらにＳｂ等を過剰に添加しているものである。ここで、ＳｎＴｅ、ＰｎＴｅの結晶系はＧｅＴｅと同系であり、Ｂｉ２Ｔｅ３の結晶系はＳｂ２Ｔｅ３と同系である。これはＧｅとＳｎとＰｂ、およびＳｂとＢｉが同族元素であるからである。したがって、Ｓｎ−Ｂｉ−Ｔｅ系材料、あるいはＰｂ−Ｂｉ−Ｔｅ系材料はＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料との間で結晶構造の類似性が極めて高く、しかも、結晶性が高い材料なのである。図９の番号１２〜１８の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるので、本発明の実施例に相当する。
【００８８】
また、以上の結果から、第２界面層にもＧｅ３Ｎ４等の高融点誘電体を添加した方が、振幅劣化を抑制する効果が高いことが判明した。
【００８９】
また、図９の番号１７と第１界面層の厚さ以外は同じ情報記録媒体を作成した。この情報記録媒体の第１界面層の厚さは０．５ｎｍであったが、この場合、振幅劣化が大幅に悪化した。そこで、第１保護層として、（ＳｎＯ２）８０（Ｃｒ２Ｏ３）２０を使用したところ、振幅劣化が大幅に改善し、目標以下に抑えられた。
【００９０】
さらに、図９の番号１７と第２界面層の厚さ以外は同じ情報記録媒体を作成した。この情報記録媒体の第２界面層の厚さは０．５ｎｍであったが、この場合、振幅劣化が大幅に悪化した。そこで、第１保護層として、（ＳｎＯ２）９０（ＺｎＳ）１０を使用したところ、振幅劣化が大幅に改善し、目標以下に抑えられた。
【００９１】
＜実験例５＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、後述する第１界面層を３ｎｍ、記録層としてＧｅ３２．２Ｓｂ１５．５Ｔｅ５２．３を８ｎｍ、後述する第２界面層を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【００９２】
ここで、第１界面層をＣｒ２Ｏ３、第２界面層をＳｎＴｅとした場合、図９の番号１９に示したように、内周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、外周部ジッターは目標未達であった。
【００９３】
次に、第１界面層をＣｒ２Ｏ３、第２界面層をＰｂＴｅとした場合、図９の番号２０に示したように、内周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、外周部ジッターは目標未達であった。
【００９４】
次に、第１界面層をＣｒ２Ｏ３、第２界面層をＢｉ２Ｔｅ３とした場合、図９の番号２１に示したように、内周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、外周部ジッターは目標未達であった。
【００９５】
以上のように、第１界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の記録膜の結晶化を促進するような元素が含有されていない場合、外周部ジッターが目標未達となった。図９の番号１９〜２１の構成は、第１界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉを含有しないので、本発明の従来例に相当する。
【００９６】
つぎに、第１界面層を（ＳｎＴｅ）３０（Ｃｒ２Ｏ３）７０、第２界面層をＳｎＴｅとした場合、図９の番号２２に示したように、すべての項目が目標を満足した。
【００９７】
次に、第１界面層を（ＳｎＴｅ）３０（Ｃｒ２Ｏ３）７０、第２界面層をＰｂＴｅとした場合、図９の番号２３に示したように、すべての項目が目標を満足した。
【００９８】
次に、第１界面層を（Ｂｉ２Ｔｅ３）３０（Ｃｒ２Ｏ３）７０、第２界面層をＢｉ２Ｔｅ３とした場合、図９の番号２４に示したように、すべての項目が目標を満足した。
【００９９】
以上のように、第１界面層に含有させるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉの含有量を第２界面層よりも小さくさせることにより、界面層材料が記録層に溶け込むことによる振幅劣化を抑制することができる。また、記録層中に過剰のＳｂを添加することにより、記録層材料が再結晶化することを抑制できるためＣＡＶ記録時の内周部ジッターを十分に低減することができる。また、第１界面層に含有されるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の元素を減少させる手段として、Ｃｒ２Ｏ３等の遷移金属酸化物を添加することが有効であることが判明した。図９の番号２２〜２４の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるので、本発明の実施例に相当する。
【０１００】
次に、第１界面層をＳｎＴｅ、第２界面層を（ＳｎＴｅ）３０（Ｃｒ２Ｏ３）７０とした場合、図９の番号２５に示したように、内周部ジッター、外周部ジッターは目標を満足したが、振幅劣化が目標未達であった。
【０１０１】
次に、第１界面層をＰｂＴｅ、第２界面層を（ＳｎＴｅ）３０（Ｃｒ２Ｏ３）７０とした場合、図９の番号２６に示したように、内周部ジッター、外周部ジッターは目標を満足したが、振幅劣化が目標未達であった。
【０１０２】
次に、第１界面層をＢｉ２Ｔｅ３、第２界面層を（Ｂｉ２Ｔｅ３）３０（Ｃｒ２Ｏ３）７０とした場合、図９の番号２７に示したように、内周部ジッター、外周部ジッターは目標を満足したが、振幅劣化が目標未達であった。
【０１０３】
以上のように、第１界面層に含有させるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉの含有量を第２界面層よりも多くすると、第１界面層材料が記録層に溶け込むことによる振幅劣化が発生するが、記録層中に過剰のＳｂを添加することにより、記録層材料が再結晶化することを抑制できるためＣＡＶ記録時の内周部ジッターを十分に低減することができる。図９の番号２５〜２７の各構成は、第１界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉを含有するが、Ｇｅと窒素、又は遷移金属元素と窒素、若しくは遷移金属元素と酸素を含有しておらず、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【０１０４】
次に、第１界面層を（ＳｎＴｅ）３０（ＣｒＮ）７０、第２界面層をＳｎＴｅとした場合、図９の番号２８に示したように、すべての項目が目標を満足した。
【０１０５】
次に、第１界面層を（ＳｎＴｅ）３０（ＣｒＮ）７０、第２界面層をＰｂＴｅとした場合、図９の番号２９に示したように、すべての項目が目標を満足した。
【０１０６】
次に、第１界面層を（Ｂｉ２Ｔｅ３）３０（ＣｒＮ）７０、第２界面層をＢｉ２Ｔｅ３とした場合、図９の番号３０に示したように、すべての項目が目標を満足した。
【０１０７】
以上のように、第１界面層に含有させるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉの含有量を第２界面層よりも小さくさせることにより、界面層材料が記録層に溶け込むことによる振幅劣化を抑制することができる。また、記録層中に過剰のＳｂを添加することにより、記録層材料が再結晶化することを抑制できるためＣＡＶ記録時の内周部ジッターを十分に低減することができる。また、第１界面層に含有されるＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の元素を減少させる手段として、ＣｒＮ等の遷移金属窒化物を添加することが有効であることが判明した。図９の番号２８〜３０の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるので、本発明の実施例に相当する。
【０１０８】
＜実験例６＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、第１界面層として（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）２０（Ｇｅ３Ｎ４）８０を３ｎｍ、後述する記録層を８ｎｍ、第２界面層として（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）８０（Ｇｅ３Ｎ４）２０を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【０１０９】
ここで、記録層をＧｅ３３．３Ｓｂ１３．３Ｔｅ５３．４とした場合、図１０の番号３１に示したように、外周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、内周部ジッターは目標未達であった。図１０の番号３１の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【０１１０】
次に、記録層をＧｅ３２．７Ｓｂ１４．５Ｔｅ５２．８とした場合、図１０の番号３２に示したように、すべての項目で目標を満足していた。
【０１１１】
次に、記録層をＧｅ３０．３Ｓｂ１９．３Ｔｅ５０．４とした場合、図１０の番号３３に示したように、すべての項目で目標を満足していた。また、内周部ジッター、外周部ジッター共に目標を１％以上、下回って良好な値を示した。
【０１１２】
次に、記録層をＧｅ２８．８Ｓｂ２２．４Ｔｅ４８．８とした場合、図１０の番号３４に示したように、すべての項目で目標を満足していた。図１０の番号３２〜３４の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるので、本発明の実施例に相当する。
【０１１３】
次に、記録層をＧｅ２７．８Ｓｂ２４．４Ｔｅ４７．８とした場合、図１０の番号３５に示したように、内周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、外周部ジッターは目標未達であった。図１０の番号３５の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【０１１４】
以上のように、記録層にＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合組成に対して過剰にＳｂを含有させていない場合、内周部ジッターを十分低減できない。しかし、Ｓｂ量を添加しすぎると外周部ジッターの上昇を引き起こす。したがって、以下の組成式において、Ｙは０．５〜５程度が良い。
【０１１５】
ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ（２０＜Ｘ＜４５，０．５＜Ｙ＜５）
＜実験例７＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、第１界面層として（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）２０（Ｇｅ３Ｎ４）８０を３ｎｍ、後述する記録層を８ｎｍ、第２界面層として（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）８０（Ｇｅ３Ｎ４）２０を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【０１１６】
ここで、記録層をＧｅ４８Ｓｂ２．８Ｔｅ４９．２とした場合、図１０の番号３６に示したように、外周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、内周部ジッターは目標未達であった。図１０の番号３６の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【０１１７】
次に、記録層をＧｅ４３Ｓｂ６．８Ｔｅ５０．２とした場合、図１０の番号３７に示したように、すべての項目で目標を満足していた。
【０１１８】
次に、記録層をＧｅ２０Ｓｂ２５．２Ｔｅ５４．８とした場合、図１０の番号３８に示したように、すべての項目で目標を満足していた。図１０の番号３７〜３８の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるので、本発明の実施例に相当する。
【０１１９】
次に、記録層をＧｅ１８．５Ｓｂ２６．４Ｔｅ５５．１とした場合、図１０の番号３９に示したように、振幅劣化は目標を満足していたが、内周部ジッターおよび外周部ジッターは目標未達であった。図１０の番号３９の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【０１２０】
以上のように、記録層にＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を混合する組成比としては以下の組成式でＸが２０〜４５の間が良いことが判明した。
【０１２１】
ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ（２０＜Ｘ＜４５，０．５＜Ｙ＜５）
これはＧｅＴｅの量が多すぎると、結晶成長速度が大きくなり再結晶化を引き起こし、ＧｅＴｅの量が少なすぎると、結晶とアモルファスの間の屈折率差が小さくなるため、再生信号振幅を十分に大きくできなくなることが原因である。
【０１２２】
＜実験例８＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、第１界面層として（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）２０（Ｇｅ３Ｎ４）８０を３ｎｍ、後述する記録層を８ｎｍ、第２界面層として（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）８０（Ｇｅ３Ｎ４）２０を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【０１２３】
ここで、記録層をＡｇ１Ｇｅ３１．３Ｓｂ１５．４Ｔｅ５２．３とした場合、図１０の番号４０に示したように、すべての項目で目標を満足していた。
【０１２４】
次に、記録層をＡｇ４Ｇｅ３１Ｓｂ１４．７Ｔｅ５０．２とした場合、図１０の番号４１に示したように、すべての項目で目標を満足していた。このように、図１０の番号４０〜４１の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができ、本発明の実施例に相当する。
【０１２５】
次に、記録層をＡｇ５．５Ｇｅ３０．５Ｓｂ１４．５Ｔｅ４９．５とした場合、図１０の番号４２に示したように、内周部ジッターと振幅劣化は目標を満足していたが、外周部ジッターが目標未達であった。図１０の番号４２の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができないので、本発明の比較例に相当する。
【０１２６】
以上のように、記録層にＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合組成系を使用し、Ａｇ等の金属を１〜５％程度添加しても、良好な性能が得られる。ＡｇのほかにもＣｒ，Ｓｉ，Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，ＮはＡｇと同様に良好な性能を示す。以上のように、以下の組成式でＺが０．５〜５％程度の間が良いことが判明した。
【０１２７】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−ＺＭＺ（２０＜Ｘ＜４５，０．５＜Ｙ＜５，０．５＜Ｚ＜５）
（ただしＭはＡｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｎ）
＜実験例９＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、第１界面層としてＧｅ３Ｎ４を３ｎｍ、後述する記録層を８ｎｍ、第２界面層としてＧｅ３Ｎ４を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【０１２８】
ここで、記録層をＢｉ０．８Ｇｅ３２．６Ｓｂ１３．１Ｔｅ５３．５とした場合、図１０の番号４３に示したように、内周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、外周部ジッターは目標未達であった。図１０の番号４３の構成は、第１界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の従来例に相当する。
【０１２９】
次に、記録層をＢｉ１．２Ｇｅ３２．３Ｓｂ１３Ｔｅ５３．５とした場合、図１０の番号４４に示したように、すべての項目で目標を満足した。
【０１３０】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ２９．１Ｓｂ１１．７Ｔｅ５４．２とした場合、図１０の番号４５に示したように、すべての項目で目標を満足した。
【０１３１】
次に、記録層をＢｉ８．８Ｇｅ２６Ｓｂ１０．４Ｔｅ５４．８とした場合、図１０の番号４６に示したように、すべての項目で目標を満足した。このように、図１０の番号４４〜４６の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるが、第１界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれもが含有されていないので、本発明の参考例に相当する。
【０１３２】
次に、記録層をＢｉ９．８Ｇｅ２５．１Ｓｂ１０．１Ｔｅ５５とした場合、図１０の番号４７に示したように、外周部ジッター、振幅劣化は目標を満足していたが、内周部ジッターは目標未達であった。図１０の番号４７の構成は、第１界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の従来例に相当する。
【０１３３】
以上のように、記録層にＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合組成系にＢｉ２Ｔｅ３を添加すると、たとえ、第１界面層、第２界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の記録層の結晶化を促進するような材料を添加しなくても、極めて良好なＣＡＶ記録性能が得られる。以上の結果から、以下の組成式でＺが２．５〜２５％程度の間が良いことが判明した。
【０１３４】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−Ｚ（Ｂｉ２Ｔｅ３）Ｚ（２０＜Ｘ＜４５，−２＜Ｙ＜２，２．５＜Ｚ＜２５）
＜実験例１０＞
スパッタリングプロセスにより、前記基板上に、第１保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を１２０ｎｍ、第１界面層としてＣｒ２Ｏ３を３ｎｍ、後述する記録層を８ｎｍ、第２界面層としてＣｒ２Ｏ３を１．５ｎｍ、第２保護層として（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０を３０ｎｍ、吸収率制御層としてＣｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０を３５ｎｍ、熱拡散層としてＡｌ９９Ｔｉ１を６０ｎｍ製膜した。
【０１３５】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ１６．６Ｓｂ２１．７Ｔｅ５６．７とした場合、図１０の番号４８に示したように、内周ジッター、外周ジッター共に目標未達であった。図１０の番号４８の構成は、第１及び第２の界面層がＣｒ２Ｏ３からなり、Ｂｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の従来例に相当する。
【０１３６】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ１８．４Ｓｂ２０．３Ｔｅ５６．３とした場合、図１０の番号４９に示したように、すべての項目で目標を満足した。
【０１３７】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ３８．５Ｓｂ４．２Ｔｅ５２．３とした場合、図１０の番号５０に示したように、すべての項目で目標を満足した。このように、図１０の番号４９〜５０の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるが、第１及び第２の界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の参考例に相当する。
【０１３８】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ４０．２Ｓｂ２．８Ｔｅ５２とした場合、図１０の番号５１に示したように、外周ジッターは目標を満足していたが、内周ジッターは目標未達であった。図１０の番号５１の構成は、第１及び第２の界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の従来例に相当する。
以上のように、記録層にＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合組成系にＢｉ２Ｔｅ３を添加すると、たとえ、第１界面層、第２界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の記録層の結晶化を促進するような材料を添加しなくても、極めて良好なＣＡＶ記録性能が得られる。また、この場合のＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の組成比の範囲は、以上の結果から、以下の組成式でＸが２０〜４５程度の間が良いことが判明した。
【０１３９】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−Ｚ（Ｂｉ２Ｔｅ３）Ｚ（２０＜Ｘ＜４５，−２＜Ｙ＜２，２．５＜Ｚ＜２５）
さらに、記録層をＢｉ５Ｇｅ２７Ｓｂ１６Ｔｅ５２とした場合、図１０の番号５２に示したように、内周ジッターは目標を満足していたが、外周ジッターは目標未達であった。図１０の番号５２の構成は、第１及び第２の界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の従来例に相当する。
【０１４０】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ２７．７Ｓｂ１４．５Ｔｅ５２．８とした場合、図１０の番号５３に示したように、すべての項目で目標を満足した。
【０１４１】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ３０．５Ｓｂ９．１Ｔｅ５５．５とした場合、図１０の番号５４に示したように、すべての項目で目標を満足した。このように、図１０の番号５３〜５４の構成は、ＣＡＶ記録時の再生信号品質と多数回書換え時の振幅劣化を両立させることができるが、第１及び第２の界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の参考例に相当する。
【０１４２】
次に、記録層をＢｉ５Ｇｅ３１．３Ｓｂ７．３Ｔｅ５６．４とした場合、図１０の番号５５に示したように、内周ジッターは目標を満足していたが、外周ジッター目標未達であった。図１０の番号５５の構成は、第１及び第２の界面層にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂのいずれをも含有しないので、本発明の従来例に相当する。
【０１４３】
以上のように、記録層にＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の混合組成系にＢｉ２Ｔｅ３を添加すると、たとえ、第１界面層、第２界面層にＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の記録層の結晶化を促進するような材料を添加しなくても、極めて良好なＣＡＶ記録性能が得られる。また、この場合のＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３の組成比の範囲は、以上の結果から、以下の組成式でＹが−２〜２程度の間が良いことが判明した。
【０１４４】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−Ｚ（Ｂｉ２Ｔｅ３）Ｚ（２０＜Ｘ＜４５，−２＜Ｙ＜２，２．５＜Ｚ＜２５）
（スパッタ装置）
本発明の情報記録媒体を生産するためのスパッタ装置としては、複数のチャンバーを有し、各チャンバーには一つのスパッタターゲットが設けられ、情報記録媒体用の基板が、順次、各チャンバー間を搬送される、いわゆる、枚葉式のスパッタ装置が適している。
【０１４５】
ここで、本発明の情報記録媒体の製造に使用するスパッタ装置の構造を、図１１を用いて説明する。本スパッタ装置には合計９室のチャンバーが備えられている。このうち、製膜のためのプロセスに使用するプロセスチャンバーは第１チャンバーから第８チャンバーの８室が備えられている。また、スパッタ装置に基板を搬送するとともに、製膜後の情報記録媒体をスパッタ装置から搬出するためのロードロックチャンバーが１室備えられている。また、本スパッタ装置には、チャンバー数と同じ数のキャリアが設けられており、キャリア中心を軸としてキャリアが矢印の方向に回転することにより、基板を各チャンバーに搬送する役割を果たす。
【０１４６】
また、各プロセスチャンバーにはそれぞれの層を形成するのに適したスパッタ電源、複数のスパッタガス配管、スパッタガス流量を制御するためのマスフローコントローラー等が備えられている。各基板がそれぞれのチャンバーにセットされると、各チャンバーにそれぞれ適したスパッタガスが導入され、その後、各チャンバーにおいてスパッタリングが行なわれる。各基板を搬送するためのキャリアには基板回転用の小型の真空モーターが備え付けられている。このモーターの電源には電源ケーブルが使用できないため、各キャリアが各チャンバーにセットされると同時に、各チャンバーとの接触部から電源が供給されるよう配慮がなされている。この基板回転を行うことにより、基板上に製膜される各層の組成均一性、膜厚均一性が大幅に向上する。また、本スパッタ装置にはスパッタ中の基板の過加熱を防止するため、基板とキャリアの間に基板冷却のためのＨｅガスが導入される構造となっているため、通常は基板の過加熱による基板変形を防止できるよう工夫されている。
【０１４７】
（情報記録媒体の製造例）
トラックピッチ０．６１５μｍ、溝深さ６５ｎｍであり、ランドとグルーブの両方に情報を記録するためのアドレス情報が各セクタの先頭部に設けられた厚さ０．６ｍｍのランドグルーブ記録用ポリカーボネート製の基板上に、各薄膜（第１保護層：（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（１２４ｎｍ）、第１界面層：（Ｇｅ３Ｎ４）８０（ＳｎＴｅ）２０（３ｎｍ）、記録層：Ｇｅ３２．２Ｓｂ１５．５Ｔｅ５２．３（９ｎｍ）、第２界面層：（ＳｎＴｅ）８０（Ｇｅ３Ｎ４）２０（１．５ｎｍ）、第２保護層：（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（３０ｎｍ）、吸収率制御層：Ｃｒ９０（Ｃｒ２Ｏ３）１０（３５ｎｍ）、熱拡散層：Ａｌ９９Ｔｉ１（６０ｎｍ）を製膜した。この際に使用したスパッタ装置は先に説明したプロセスチャンバーが８室ある量産用スパッタ装置である。また、この際使用したスパッタ条件を図１２にまとめた。特徴的な点は第１界面層、第２界面層の製膜の際に、それぞれ、Ｇｅ８０（ＳｎＴｅ）２０，Ｇｅ２０（Ｓｎ５Ｂｉ２Ｔｅ８）８０のスパッタターゲットを使用し、窒素ガスとの反応性スパッタにより、前記第１界面層（Ｇｅ３Ｎ４）８０（ＳｎＴｅ）２０、第２界面層（ＳｎＴｅ）８０（Ｇｅ３Ｎ４）２０を製膜している点である。このようにすることにより、Ｓｎ，Ｐｂ，Ｂｉ等の低融点元素とＧｅ３Ｎ４を容易に混合することができ、界面層中の窒素量を容易に制御できる。
【０１４８】
発明者らの実験によるとスパッタガス中の窒素量を増やすと、記録膜中へのＳｎ，Ｐｂ，Ｂｉの記録層中への溶け込みが抑えられるばかりではなく、界面層の透明性を向上することができる。しかし、記録層の結晶化を促進する効果は小さくなる。この場合、たとえば、第１界面層を製膜する第３チャンバーではスパッタガス中の窒素濃度を高くし、第２界面層を製膜する第５チャンバーではスパッタガス中の窒素濃度を低くする等の方策をとれば良い。このように、窒素添加量を容易に制御できるため、記録層中への界面層元素の溶け込みを制御する際、あるいは記録層の結晶化促進効果を制御する際に、極めて迅速に対応することができる。
【０１４９】
以下に本発明の情報記録媒体の情報記録、再生、及び装置の動作を、図１３を使用して説明する。なお、記録再生を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーンに関わらずディスクの回転速度を一定にさせるＣＡＶ方式を採用している。ディスク線速度は最内周（半径２４ｍｍ）で８．２ｍ／秒、最外周（半径５８．５ｍｍ）で２０ｍ／秒である。なお、本発明では、基本的に「内周部」とは約半径２４ｍｍ、外周部とは約半径５８．５ｍｍを指している。
【０１５０】
次に、記録再生の過程を以下に示す。まず、記録装置外部からの情報は８ビットを１単位として、８−１６変調器１３−８に伝送される。情報記録媒体（以下、光ディスクと呼ぶ）１３−１上に情報を記録する際には、情報８ビットを１６ビットに変換する変調方式、いわゆる８−１６変調方式を用い記録が行う。この変調方式では媒体上に、８ビットの情報に対応させた３Ｔ〜１４Ｔのマーク長の情報の記録を行っている。図中の８−１６変調器１３−８はこの変調を行っている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表しており、ここでは最内周で１７．１ｎｓ、最外周で７ｎｓとした。
【０１５１】
８−１６変調器１３−８により変換された３Ｔ〜１４Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路１３−６に転送され、高パワーパルスの幅を約Ｔ／２とし、高パワーレベルのレーザー照射間に幅が約Ｔ／２の低パワーレベルのレーザー照射を行い、前記一連の高パワーパルス間に中間パワーレベルのレーザー照射が行われるマルチパルス記録波形が生成される。この際、記録マークを形成するための、高パワーレベルと、記録マークの結晶化が可能な中間パワーレベルを、測定する媒体、および半径位置ごとに最適な値に調整した。また、前記記録波形発生回路１３−６内において、３Ｔ〜１４Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と「１」に対応させ、「０」の場合には中間パワーレベルのレーザーパワーを照射し、「１」の場合には高パワーレベルのパルスを含む一連の高パワーパルス列を照射するようにしている。この際、光ディスク１３−１上の中間パワーレベルのレーザービームが照射された部位は結晶となり、高パワーレベルのパルスを含む一連の高パワーパルス列のレーザービームが照射された部位はアモルファス（マーク部）に変化する。また、前記記録波形発生回路１３−６内は、マーク部を形成するための高パワーレベルを含む一連の高パワーパルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース長に応じて、高パワーパルス列の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化させる方式（適応型記録波形制御）に対応したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形を発生している。
【０１５２】
記録波形発生回路１３−６により生成された記録波形は、レーザー駆動回路１３−７に転送され、レーザー駆動回路１３−７はこの記録波形をもとに、光ヘッド１３−３内の半導体レーザーを発光させる。本記録装置に搭載された光ヘッド１３−３には、情報記録用のレーザービームとして光波長６５５ｎｍの半導体レーザーが使用されている。また、このレーザー光をレンズＮＡ０．６の対物レンズにより前記光ディスク１３−１の記録層上に絞り込み、前記記録波形に対応したレーザーのレーザービームを照射することにより、情報の記録を行った。
【０１５３】
一般的に、レーザー波長λのレーザー光をレンズ開口数ＮＡのレンズにより集光した場合、レーザービームのスポット径はおよそ０．９×λ／ＮＡとなる。したがって、前記条件の場合、レーザービームのスポット径は約０．９８ミクロンである。この時、レーザービームの偏光を円偏光とした。
【０１５４】
また、本記録装置はグルーブとランド（グルーブ間の領域）の両方に情報を記録する方式（いわゆるランドグルーブ記録方式）に対応している。本記録装置ではＬ／Ｇサーボ回路１３−９により、ランドとグルーブに対するトラッキングを任意に選択することができる。記録された情報の再生も前記光ヘッド１３−３を用いて行った。レーザービームを記録されたマーク上に照射し、マークとマーク以外の部分からの反射光を検出することにより、再生信号を得る。この再生信号の振幅をプリアンプ回路１３−４により増大させ、８−１６復調器１３−１０に転送する。８−１６復調器１３−１０では１６ビット毎に８ビットの情報に変換する。以上の動作により、記録されたマークの再生が完了する。以上の条件で前記光ディスク１３−１に記録を行った場合、最短マークである３Ｔマークのマーク長はおよそ０．４２μｍ、最長マークである１４Ｔマークのマーク長は約１．９６μｍとなる。
【０１５５】
なお、内周部ジッター、外周部ジッターを行う際には前記３Ｔ〜１４Ｔを含むランダムパターンの信号の記録再生を行い、再生信号に波形等価、２値化、ＰＬＬ（Ｐｈａｓｅ  Ｌｏｃｋｅｄ  Ｌｏｏｐ）処理を行い、ジッターを測定した。また、振幅劣化の測定には１１Ｔ信号を記録し、１０回記録後の振幅と１万回記録後の振幅の差を測定した。
【０１５６】
本発明の情報記録媒体に使用される、各層の最適組成、および最適膜厚について説明する。
【０１５７】
（第１保護層）
第１保護層の光入射側に存在する物質はポリカーボネート等のプラスチック基板、あるいは、紫外線硬化樹脂等の有機物である。また、これらの屈折率は１．４から１．６程度である。前記有機物と第１保護層の間で反射を効果的に起こすためには第１保護層の屈折率は２．０以上であることが望ましい。第１保護層は光学的には屈折率が光入射側に存在する物質（本実施例では基板に相当する）以上であり、光の吸収が発生しない範囲において屈折率が大きいほうが良い。具体的には屈折率ｎが２．０〜３．０の間であり、光を吸収しない材料であり、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物を含有することが望ましい。また、熱伝導率が少なくとも２Ｗ／ｍｋ以下である事が望ましい。特にＺｎＳ−ＳｉＯ２系の化合物は熱伝導率が低く第１保護層として最適である。さらに、ＳｎＯ２、あるいはＳｎＯ２にＺｎＳ，ＣｄＳ、ＳｎＳ、ＧｅＳ，ＰｂＳ等の硫化物を添加した材料、あるいはＳｎＯ２にＣｒ２Ｏ３、Ｍｏ３Ｏ４等の遷移金属酸化物を添加した材料は、熱伝導率が低く、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系材料よりも、熱的に安定であるため、第１界面層の膜厚が２ｎｍ以下となった場合においても、記録膜への溶け込みが発生しないため、特に第１保護層として優れた特性を示す。また、基板と記録層との間の光学干渉を有効に利用するためには、レーザーの波長が６５０ｎｍ程度の場合、第１保護層の最適膜厚は１１０ｎｍ〜１３５ｎｍである。
【０１５８】
（第１界面層）
前記実施例において詳細に述べたように第１界面層にはＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の記録層の結晶化を促進する材料が含有されていることが望ましい。特に、Ｂｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物、あるいはＢｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物と窒化ゲルマニウムとの混合物、あるいはＢｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物と遷移金属酸化物、遷移金属窒化物との混合物が望ましい。遷移金属は価数を容易に変化させるため、たとえＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ等の元素が遊離しても、前記遷移金属が価数を変え、遷移金属とＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅの間で結合が起こり、熱的に安定な化合物を生成するからである。特に、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗは融点が高く、容易に価数を変えやすく、前記金属との間で、熱的に安定な化合物を生成しやすいため優れた材料である。第１界面層中の前記Ｂｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物の含有量は、記録層の結晶化を促進するためには可能な限り多いほうが、第１界面層は第２界面層と比較して、レーザービーム照射により、高温になりやすく記録膜に界面層材料が溶け込む等の問題が発生するため、少なくともＢｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物の含有量を７０％以下に抑える必要がある。
【０１５９】
第１界面層の膜厚は０．５ｎｍ以上であればその効果を発揮する。しかしながら、その膜厚が２ｎｍ以下の場合、第１保護層材料が第１界面層通過し、記録層に溶け込み多数回書換え後の再生信号品質を劣化させる場合がある。したがって、２ｎｍ以上であることが望ましい。また、第１界面層の膜厚が１０ｎｍ以上と厚い場合、光学的に悪影響を与えるため、反射率低下、信号振幅低下等の弊害がある。したがって、第１界面層の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下が良い。
【０１６０】
（記録層）
前記実施例において詳細に述べたように、第１界面層、第２界面層の両方にＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の記録層の結晶化を促進する材料が添加されている場合、記録層材料としては、従来知られているＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を適当な割合で混合させたＧｅＳｂＴｅ系記録層材料に、Ｓｂを過剰に添加した組成比の記録層材料を使用すれば良い。具体的には以下の組成式で示された範囲の記録層材料が優れている。（以下原子％）
ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ
２０＜Ｘ＜４５，０．５＜Ｙ＜５
また、Ｓｂ量を過剰に添加する以外にも、核形成速度、結晶成長速度を低下させるような元素を添加しても良い。具体的には以下の組成式で示された範囲の記録層材料が優れている。
【０１６１】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−ＺＭＺ
２０＜Ｘ＜４５，０．５＜Ｙ＜５，０．５＜Ｚ＜５
ただし、ＭはＡｇ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ，Ｎから選ばれる元素である。
【０１６２】
また、ＧｅＴｅとＳｂ２Ｔｅ３を適当な割合で混合させたＧｅＳｂＴｅ系記録層材料にＢｉ２Ｔｅ３を添加することにより、核形成速度を向上させＣＡＶ記録時においても、情報記録媒体の内周から外周まで良好な記録再生特性が得られる。Ｂｉ２Ｔｅ３の添加により結晶成長速度を上昇し、しかも、アモルファスと結晶の屈折率差が大きいため、再生信号振幅を向上させることができる。具体的には、Ｂｉ含有量が１〜９％であり、以下の組成式で示された範囲の記録層材料が優れている。
【０１６３】
（ＧｅＸ−ＹＳｂ４０−０．８Ｘ＋２ＹＴｅ６０−０．２Ｘ−Ｙ）１００−Ｚ（Ｂｉ２Ｔｅ３）Ｚ
２０＜Ｘ＜４５，−２＜Ｙ＜２，２．５＜Ｚ＜２５
なお、前記４元素の関係が前記組成式であらわされる範囲であれば、たとえ、不純物が混入していたとしても、不純物の原子％が１％以内であれば、本発明の効果は失われない。
【０１６４】
また、本発明の媒体構造では記録層の膜厚は、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下が光学的に最適である。特に７ｎｍ以上１１ｎｍ以下の場合、多数回書換え時の記録膜流動による再生信号劣化を抑え、しかも光学的に変調度を最適にすることができるため、都合が良い。
【０１６５】
（第２界面層）
前記実施例において詳細に述べたように第２界面層にはＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の記録層の結晶化を促進する材料が含有されていることが望ましい。特に、Ｂｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物、あるいはＢｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物と窒化ゲルマニウムとの混合物、あるいはＢｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物と遷移金属酸化物、遷移金属窒化物との混合物が望ましい。遷移金属は価数を容易に変化させるため、たとえＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅ等の元素が遊離しても、前記遷移金属が価数を変え、遷移金属とＢｉ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｔｅの間で結合が起こり、熱的に安定な化合物を生成するからである。特に、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗは融点が高く、容易に価数を変えやすく、前記金属との間で、熱的に安定な化合物を生成しやすいため優れた材料である。第２界面層中の前記Ｂｉ，Ｓｎ，ＰｂのＴｅ化物、酸化物の含有量は、熱的、化学的に可能な限り多いほうが、記録層の結晶化速度、特に核形成速度を向上する効果がある。
【０１６６】
第２界面層の膜厚は０．５ｎｍ以上であればその効果を発揮する。しかしながら、その膜厚が１ｎｍ以下の場合、第２保護層材料が第２界面層通過し、記録層に溶け込み多数回書換え後の再生信号品質を劣化させる場合がある。したがって、１ｎｍ以上であることが望ましい。また、第２界面層の膜厚が３ｎｍ以上と厚い場合、光学的に悪影響を与えるため、反射率低下、信号振幅低下等の弊害がある。したがって、第２界面層の膜厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下が良い。
【０１６７】
（第２保護層）
第２保護層は光を吸収しない材料であり、特に金属の酸化物、炭化物、窒化物、硫化物、セレン化物を含有することが望ましい。また、熱伝導率が少なくとも２Ｗ／ｍｋ以下である事が望ましい。特にＺｎＳ−ＳｉＯ２系の化合物は熱伝導率が低く第２保護層として最適である。さらに、ＳｎＯ２、あるいはＳｎＯ２にＺｎＳ，ＣｄＳ、ＳｎＳ、ＧｅＳ，ＰｂＳ等の硫化物を添加した材料、あるいはＳｎＯ２にＣｒ２Ｏ３、Ｍｏ３Ｏ４等の遷移金属酸化物を添加した材料は、熱伝導率が低く、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系材料よりも、熱的に安定であるため、第２界面層の膜厚が１ｎｍ以下となった場合においても、記録膜への溶け込みが発生しないため、特に第２保護層として優れた特性を示す。また、記録層と吸収率制御層との間の光学干渉を有効に利用するためには、レーザーの波長が６５０ｎｍ程度の場合、第２保護層の最適膜厚は２５ｎｍ〜４５ｎｍである。
【０１６８】
（吸収率制御層）
吸収率制御層は複素屈折率ｎ、ｋが１．４＜ｎ＜４．５、−３．５＜ｋ＜−０．５の範囲が良く、特に２＜ｎ＜４、−３．０＜ｋ＜−０．５の材料が望ましい。吸収率制御層では光を吸収するため、熱的に安定な材料が好ましく、望ましくは融点が１０００℃以上であることが要求される。また、保護層に硫化物を添加した場合、特に大きなクロスイレーズ低減効果があったが、吸収率制御層の場合、  ＺｎＳ等の硫化物の含有量が少なくとも保護層に添加される前記硫化物の含有量よりも少ないことが望ましい。融点低下、熱伝導率低下、吸収率低下等の悪影響が現れる場合があるからである。前記吸収率制御層の組成として、金属と金属酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属炭化物との混合物であることが望ましく、ＣｒとＣｒ２Ｏ３の混合物が特に良好なオーバーライト特性向上効果を示した。特にＣｒが６０〜９５原子％の場合、本発明に適した熱伝導率、光学定数の材料を得ることができる。具体的には前記金属としてはＡｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ、およびその混合物が望ましく、金属酸化物、金属硫化物、金属窒化物、金属炭化物としてはＳｉＯ２，ＳｉＯ，ＴｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，ＣｅＯ，Ｌａ２Ｏ３，Ｉｎ２Ｏ３，ＧｅＯ，ＧｅＯ２，ＰｂＯ，ＳｎＯ，ＳｎＯ２，Ｂｉ２Ｏ３，ＴｅＯ２，ＭＯ２，ＷＯ２，ＷＯ３，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＺｒＯ２が好ましい。この他にＳｉ−Ｏ−Ｎ系材料，Ｓｉ−Ａｌ−Ｏ−Ｎ系材料、Ｃｒ２Ｏ３，などのＣｒ−Ｏ系材料、Ｃｏ２Ｏ３，ＣｏＯなどのＣｏ−Ｏ系材料などの酸化物、ＴａＮ，ＡｌＮ，Ｓｉ３Ｎ４などのＳｉ−Ｎ系材料、Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ系材料（例えばＡｌＳｉＮ２）、Ｇｅ−Ｎ系材料などの窒化物、ＺｎＳ，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳ，Ｉｎ２Ｓ３，Ｇａ２Ｓ３，ＧｅＳ，ＳｎＳ２，ＰｂＳ，Ｂｉ２Ｓ３，などの硫化物、ＳｎＳｅ３，Ｓｂ２Ｓ３，ＣｄＳｅ，ＺｎＳｅ，Ｉｎ２Ｓｅ３，Ｇａ２Ｓｅ３，ＧｅＳｅ，ＧｅＳｅ２，ＳｎＳｅ，ＰｂＳｅ，Ｂｉ２Ｓｅ３などのセレン化物，あるいは、ＣｅＦ３，ＭｇＦ２，ＣａＦ２などの弗化物、または、前記の材料に近い組成のものを用いた吸収率制御層を用いてもよい。
【０１６９】
また、吸収率制御層の膜厚としては１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下が望ましく、２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の場合、特に良好なオーバーライト特性向上効果が現れる。また、保護層、吸収率制御層の膜厚の和が溝深さ以上である場合、クロスイレーズ低減効果が顕著に現れる。先に説明したように吸収率制御層は光を吸収する性質を有している。このため、記録層が光を吸収して発熱するように吸収率制御層も光を吸収して発熱する。また、吸収率制御層における吸収率は記録層が非晶質状態の場合に、記録層が結晶状態の場合よりも大きくすることが重要である。このように、光学設計することにより、記録層が非晶質状態における記録層での吸収率Ａａを、記録層が結晶状態における記録層での吸収率Ａｃよりも小さくする効果が発現する。この効果によりオーバーライト特性を大幅に向上することができる。以上の特性を得るためには吸収率制御層での吸収率を３０〜４０％程度に高める必要がある。また、吸収率制御層における発熱量は、記録層の状態が結晶状態であるか、非晶質状態であるかにより異なる。この結果、記録層から熱拡散層への熱の流れが、記録層の状態により変化することになり、この現象によりオーバーライトによるジッター上昇を抑制することができる。
【０１７０】
以上の効果は、吸収率制御層における温度が上昇することにより、記録層から熱拡散層への熱の流れを遮断する効果により発現する。この効果を有効に生かすためには、保護層と吸収率制御層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差（基板上の溝深さ、レーザー波長の１／７〜１／５程度）以上である方がよい。保護層と吸収率制御層の膜厚の和がランドグルーブ間の段差以下の場合、記録層に記録した際に発生する熱が熱拡散層を伝熱し、隣接トラックに記録されている記録マークが消去されやすくなる。
【０１７１】
（熱拡散層）
熱拡散層としては高反射率、高熱伝導率の金属あるいは合金が良く、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄの総含有量が９０原子％以上であることが望ましい。また、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等の高融点で硬度が大きい材料、および、これらの材料の合金も多数回書換え時の記録層材料の流動による劣化を防止することができ好ましい。特にＡｌを９５原子％以上含有する熱拡散層とした場合、廉価であり、高ＣＮＲ、高記録感度、多数回書換え耐性に優れ、しかもクロスイレーズ低減効果が極めて大きい情報記録媒体を得ることができる。特に、前記熱拡散層の組成がＡｌを９５原子％以上含有する場合、廉価でしかも耐食性に優れた情報記録媒体を実現することができる。Ａｌに対する添加元素としてはＣｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｂ、ＢおよびＣが耐食性の点において優れているが、添加元素がＣｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｆｅの場合、特に耐食性向上に大きな効果がある。また、前記熱拡散層の膜厚は、３０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが良い。熱拡散層の膜厚が３０ｎｍより薄い場合、記録層において発生した熱が拡散しにくくなるため、特に１０万回程度書換えた際に、記録層が劣化しやすくなり、また、クロスイレーズが発生しやすくなる場合がある。また、光を透過してしまうため熱拡散層として使用することが困難になり再生信号振幅が低下する場合がある。また、吸収率制御層に含まれる金属元素と熱拡散層に含まれる金属元素が同じ場合、生産上は大きな利点がある。すなわち、同一ターゲットを用いて吸収率制御層と熱拡散層の２層の層を製膜することができるからである。つまり、吸収率制御層製膜時にはＡｒ−Ｏ２混合ガス、Ａｒ−Ｎ２混合ガス等の混合ガスによりスパッタリングして、スパッタリング中に金属元素と酸素、あるいは窒素を反応させることにより適当な屈折率の吸収率制御層を作成し、熱拡散層の製膜時にはＡｒガスによりスパッタリングし熱伝導率が高い金属の熱拡散層を作成するのである。
【０１７２】
熱拡散層の膜厚は２００ｎｍ以上の場合、生産性が悪く、熱拡散層の内部応力により、基板のそり等が発生し、情報の記録再生を正確に行うことができなくなる場合がある。また、熱拡散層の膜厚は、３０ｎｍ以上９０ｎｍ以下であれば、耐食性、生産性の点で優れており、さらに望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１７３】
【図１】本発明の情報記録媒体の構造を説明するための図である。
【図２】本発明の原理を説明するための図である。
【図３】従来の問題点を説明するための図である。
【図４】従来の問題点を説明するための図である。
【図５】従来の問題点を説明するための図である。
【図６】従来の問題点を説明するための図である。
【図７】本発明の原理を説明するための図である。
【図８】本発明の原理を説明するための図である。
【図９】実験例に係る情報記録媒体の構成と記録特性とを示す図である。
【図１０】実験例に係る情報記録媒体の構成と記録特性とを示す図である。
【図１１】本発明の一実施例に使用したスパッタ装置の説明図である。
【図１２】本発明に係る情報記録媒体の製造に適用されるスパッタプロセスの条件を示す図である。
【図１３】本発明に係る情報記録媒体を評価するための情報記録再生装置を示す図である。
【符号の説明】
【０１７４】
１３−１：光ディスク
１３−２：モーター
１３−３：光ヘッド
１３−４：プリアンプ回路
１３−６：記録波形発生回路
１３−７：レーザー駆動回路
１３−８：８−１６変調器
１３−９：Ｌ／Ｇサーボ回路
１３−１０：８−１６復調器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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