(57)【要約】【課題】画像記録媒体に所望の画像を高精度に記録することのできる画像記録方法及び装置を提供する。【解決手段】露光ヘッド２４ａ〜２４ｊから出力されるレーザビームＬの光量をフォトセンサ６８により検出し、光量ローカリティデータ算出部８８において、検出された光量のローカリティを補正する光量ローカリティ補正データを、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを構成するＤＭＤ３６の分割した領域毎に算出し、その光量ローカリティ補正データを用いて、ＤＭＤ３６の特定のマイクロミラー４０をオフ状態に制御するマスクデータを設定する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録素子を画像データに応じて制御し、画像記録媒体に画像を記録する画像記録方法において、
複数の前記記録素子を隣接する複数の前記記録素子からなる記録素子群に分割し、前記各記録素子群間の記録特性のローカリティを求めるステップと、
前記ローカリティに基づき、前記各記録素子群を構成する特定の前記記録素子をオフ状態に制御するマスクデータを求めるステップと、
オンオフ状態を決定する前記画像データと、オフ状態を決定する前記マスクデータとに基づいて前記各記録素子を制御し、前記画像記録媒体に画像を記録するステップと、
からなることを特徴とする画像記録方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記ローカリティは、前記画像記録媒体に沿って二次元状に配列される前記記録素子群の前記各ローカリティとして求めることを特徴とする画像記録方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
前記ローカリティを補正する補正データを求め、前記補正データに基づいて前記マスクデータを求めることを特徴とする画像記録方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、
前記記録素子は、光ビームを画像データに応じて変調し、前記画像記録媒体に画像を露光記録する空間光変調素子からなり、前記ローカリティは、前記各記録素子群による前記光ビームの光量及び／又はビーム径のローカリティであることを特徴とする画像記録方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、
前記補正データは、前記画像記録媒体の種類毎に設定することを特徴とする画像記録方法。
【請求項６】
複数の記録素子を画像データに応じて制御し、画像記録媒体に画像を記録する画像記録装置において、
隣接する複数の前記記録素子からなる記録素子群によるローカリティを測定するローカリティ測定手段と、
前記各記録素子群の前記ローカリティを補正すべく、前記各記録素子群を構成する特定の前記記録素子をオフ状態に制御するマスクデータを設定するマスクデータ設定手段と、
前記マスクデータを記憶するマスクデータ記憶手段と、
オンオフ状態を決定する前記画像データと、オフ状態を決定する前記マスクデータとに基づいて前記各記録素子を制御する記録素子制御手段と、
を備えることを特徴とする画像記録装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置において、
前記記録素子は、二次元状に配列される前記記録素子群を構成することを特徴とする画像記録装置。
【請求項８】
請求項６記載の装置において、
前記記録素子は、光ビームを画像データに応じて変調し、前記画像記録媒体に画像を露光記録する空間光変調素子を構成し、前記ローカリティは、前記各記録素子群による前記光ビームの光量及び／又はビーム径のローカリティであることを特徴とする画像記録装置。
【請求項９】
請求項８記載の装置において、
前記補正データは、前記画像記録媒体の種類毎に設定することを特徴とする画像記録装置。
【請求項１０】
請求項８記載の装置において、
前記空間光変調素子は、前記光ビームを反射する反射面の角度が前記画像データに従って変更可能な多数のマイクロミラーを二次元的に配列して構成されるマイクロミラーデバイスであることを特徴とする画像記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像記録媒体に沿って配列される多数の記録素子を画像データに応じて制御し、前記画像記録媒体に画像を記録する画像記録方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１４は、プリント配線基板の製造工程の説明図である。蒸着等により銅箔１が被着された基板２が準備され、この銅箔１上に感光材料からなるフォトレジスト３が加熱圧着（ラミネート）される。次いで、露光装置によりフォトレジスト３が配線パターンに応じて露光された後、現像液により現像処理され、露光されていないフォトレジスト３が除去される。フォトレジスト３が除去されることで露出した銅箔１は、エッチング液によってエッチング処理され、その後、残存するフォトレジスト３が剥離液によって剥離される。この結果、基板２上に所望の配線パターンからなる銅箔１が残存形成されたプリント配線基板が製造される。
【０００３】
ここで、フォトレジスト３に配線パターンを露光する露光装置として、例えば、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）等の空間光変調素子を利用した装置を適用することができる（特許文献１参照）。ＤＭＤは、ＳＲＡＭセル（メモリセル）の上に格子状に配列された多数のマイクロミラーを揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラーの表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。ＳＲＡＭセルに画像データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号に応じて各マイクロミラーが所定方向に傾斜し、その傾斜状態に従って光ビームがオンオフ制御されてフォトレジスト３に導かれ、配線パターンが露光記録される。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５１３２７２３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、各マイクロミラーによって反射されフォトレジスト３に導かれる光ビームは、強度、ビーム径、ビーム形状等が場所によって異なることがある。また、配線パターンが形成される基板２側では、加熱温度や圧力の不均一により、フォトレジスト３のラミネート状態が場所によって異なっていたり、現像処理、エッチング処理等の化学処理工程における化学反応速度が不均一となる場合がある。これらの理由により、所望の線幅からなる配線パターンを基板２に形成できないことがある。
【０００６】
本発明は、画像記録媒体に所望の画像を高精度に記録することのできる画像記録方法及び装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明は、画像記録媒体の位置による画像むらを無くすことのできる画像記録方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の画像記録方法は、複数の記録素子を画像データに応じて制御し、画像記録媒体に画像を記録する画像記録方法において、
複数の前記記録素子を隣接する複数の前記記録素子からなる記録素子群に分割し、前記各記録素子群間の記録特性のローカリティを求めるステップと、
前記ローカリティに基づき、前記各記録素子群を構成する特定の前記記録素子をオフ状態に制御するマスクデータを求めるステップと、
オンオフ状態を決定する前記画像データと、オフ状態を決定する前記マスクデータとに基づいて前記各記録素子を制御し、前記画像記録媒体に画像を記録するステップと、
からなることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の画像記録装置は、複数の記録素子を画像データに応じて制御し、画像記録媒体に画像を記録する画像記録装置において、
隣接する複数の前記記録素子からなる記録素子群によるローカリティを測定するローカリティ測定手段と、
前記各記録素子群の前記ローカリティを補正すべく、前記各記録素子群を構成する特定の前記記録素子をオフ状態に制御するマスクデータを設定するマスクデータ設定手段と、
前記マスクデータを記憶するマスクデータ記憶手段と、
オンオフ状態を決定する前記画像データと、オフ状態を決定する前記マスクデータとに基づいて前記各記録素子を制御する記録素子制御手段と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の画像記録方法及び装置では、画像記録媒体の位置による画像むらを補正するためのマスクデータを設定し、画像記録媒体に画像を記録する多数の記録素子のうち、特定の記録素子を前記マスクデータを用いてオフ状態に制御することにより、画像のむらを無くし、所望の画像を高精度に記録することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は、本発明の画像記録方法及び装置が適用される実施形態であるプリント配線基板等の露光処理を行う露光装置１０を示す。露光装置１０は、複数の脚部１２によって支持された変形の極めて小さい定盤１４を備え、この定盤１４上には、２本のガイドレール１６を介して露光ステージ１８が矢印方向に往復移動可能に設置される。露光ステージ１８には、感光材料が塗布された矩形状の基板Ｆ（画像記録媒体）が吸着保持される。
【００１２】
定盤１４の中央部には、ガイドレール１６を跨ぐようにして門型のコラム２０が設置される。このコラム２０の一方の側部には、露光ステージ１８に対する基板Ｆの装着位置を検出するＣＣＤカメラ２２ａ及び２２ｂが固定され、コラム２０の他方の側部には、基板Ｆに対して画像を露光記録する複数の露光ヘッド２４ａ〜２４ｊが位置決め保持されたスキャナ２６が固定される。露光ヘッド２４ａ〜２４ｊは、基板Ｆの走査方向（露光ステージ１８の移動方向）と直交する方向に２列で千鳥状に配列される。ＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂには、ロッドレンズ６２ａ、６２ｂを介してストロボ６４ａ、６４ｂが装着される。ストロボ６４ａ、６４ｂは、基板Ｆを感光することのない赤外光からなる照明光をＣＣＤカメラ２２ａ、２２ｂの撮像域に照射する。
【００１３】
また、定盤１４の端部には、露光ステージ１８の移動方向と直交する方向に延在するガイドテーブル６６が装着されており、このガイドテーブル６６には、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊから出力されたレーザビームＬの光量を検出するフォトセンサ６８（ローカリティ測定手段）が矢印ｘ方向に移動可能に配設される。
【００１４】
図２は、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの構成を示す。露光ヘッド２４ａ〜２４ｊには、例えば、光源ユニット２８を構成する複数の半導体レーザから出力されたレーザビームＬが合波され光ファイバ３０を介して導入される。レーザビームＬが導入された光ファイバ３０の出射端には、ロッドレンズ３２、反射ミラー３４及びデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）３６が順に配列される。
【００１５】
ＤＭＤ３６は、図３に示すように、ＳＲＡＭセル（メモリセル）３８の上に格子状に配列された多数のマイクロミラー４０（記録素子）を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラー４０の表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。ＳＲＡＭセルにＤＭＤコントローラ４２から描画データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号に応じて各マイクロミラー４０が所定方向に傾斜し、その傾斜状態に従ってレーザビームＬのオンオフ状態が実現される。
【００１６】
オンオフ状態が制御されたＤＭＤ３６によって反射されたレーザビームＬの射出方向には、拡大光学系である第１結像光学レンズ４４、４６、ＤＭＤ３６の各マイクロミラー４０に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー４８、ズーム光学系である第２結像光学レンズ５０、５２が順に配列される。なお、マイクロレンズアレー４８の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビームＬを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレー５４、５６が配設される。
【００１７】
露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを構成するＤＭＤ３６は、図４及び図５に示すように、高い解像度を実現すべく、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの移動方向に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、ＤＭＤ３６を基板Ｆの走査方向（矢印ｙ方向）に対して傾斜させることで、ＤＭＤ３６を構成するマイクロミラー４０の配列方向に対する間隔ｍよりも基板Ｆの走査方向と直交する方向（矢印ｘ方向）の間隔Δｘを狭くし、解像度を高く設定することができる。
【００１８】
なお、図５では、走査方向（矢印ｙ方向）の同一の走査線５７上に複数のマイクロミラー４０が配置されており、基板Ｆには、これらの複数のマイクロミラー４０によって略同一位置に導かれたレーザビームＬにより画像が多重露光される。これにより、マイクロミラー４０間の光量のむらが平均化される。また、各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊによる露光エリア５８ａ〜５８ｊは、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊ間の継ぎ目が生じることのないよう、矢印ｘ方向に重畳するように設定される。
【００１９】
ここで、ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０を介して基板Ｆに導かれるレーザビームＬの光量は、例えば、図６に示すように、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの配列方向である矢印ｘ方向に各ＤＭＤ３６の反射率、光学系等の記録特性に起因するローカリティを有している。このような記録特性のローカリティがある状態において、図７に示すように、複数のマイクロミラー４０により反射された合成光量の少ないレーザビームＬを用いて基板Ｆに画像を露光記録した場合と、合成光量の多いレーザビームＬを用いて基板Ｆに画像を露光記録した場合とでは、感光材料である基板Ｆが所定の状態に感光する閾値をｔｈとすると、画像の矢印ｘ方向の幅Ｗ１、Ｗ２が異なる不具合が生じてしまう。また、図１４に示すように、露光された基板Ｆに対して、さらに、現像処理、エッチング処理、剥離処理の各処理を行う場合、レーザビームＬの光量のローカリティの影響に加えて、レジストのラミネートむら、現像処理むら、エッチング処理むら、剥離処理むら等の記録特性に起因する画像の幅の変動が発生する。
【００２０】
そこで、本実施形態では、上記の各変動要因の中、レーザビームＬの光量のローカリティを考慮して、基板Ｆに１画素を形成するために用いるマイクロミラー４０の枚数をマスクデータを用いて設定制御することにより、図８に示すように、基板Ｆに形成される画像の矢印ｘ方向の幅Ｗ１を位置によらず一定となるように制御する。
【００２１】
図９は、このような制御を行うための機能を有した露光装置１０の制御回路ブロック図である。
【００２２】
露光装置１０は、基板Ｆに露光記録される画像データを入力する画像データ入力部７０と、入力された二次元の画像データを記憶するフレームメモリ７２と、フレームメモリ７２に記憶された画像データを露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを構成するＤＭＤ３６のマイクロミラー４０のサイズ及び配置に応じた高解像度に変換する解像度変換部７４と、解像度の変換された画像データを各マイクロミラー４０に割り当てて出力データとする出力データ演算部７６と、出力データをマスクデータに従って補正する出力データ補正部７８と、補正された出力データに従ってＤＭＤ３６を制御するＤＭＤコントローラ４２（記録素子制御手段）と、ＤＭＤコントローラ４２によって制御されたＤＭＤ３６を用いて、基板Ｆに所望の画像を露光記録する露光ヘッド２４ａ〜２４ｊとを備える。
【００２３】
出力データ補正部７８には、マスクデータを記憶するマスクデータメモリ８２（マスクデータ記憶手段）が接続される。マスクデータは、常時オフ状態とするマイクロミラー４０を指定するデータであり、マスクデータ設定部８６において設定される。また、露光装置１０は、フォトセンサ６８によって検出したレーザビームＬの光量に基づき、光量ローカリティデータを算出する光量ローカリティデータ算出部８８を有する。光量ローカリティデータ算出部８８によって算出された光量ローカリティデータは、マスクデータ設定部８６（マスクデータ設定手段）に供給される。
【００２４】
本実施形態の露光装置１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次に、図１０に示すフローチャートに基づき、マスクデータの設定手順を説明する。
【００２５】
露光ステージ１８を移動させて露光ヘッド２４ａ〜２４ｊの下部にフォトセンサ６８を配置した後、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊを駆動する（ステップＳ１）。この場合、ＤＭＤコントローラ４２は、ＤＭＤ３６を構成する全てのマイクロミラー４０がレーザビームＬを反射するオン状態に設定する。
【００２６】
次いで、露光ステージ１８を図１に示す矢印ｙ方向に移動させる一方、フォトセンサ６８を矢印ｘ方向に移動させ、露光ヘッド２４ａ〜２４ｊから出力されたレーザビームＬの光量をフォトセンサ６８により測定する（ステップＳ２）。この場合、ＤＭＤ３６は、図１１に示すように、隣接する複数のマイクロミラー４０の素子群からなる領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）に分割され、各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）を構成するマイクロミラー４０から得られるレーザビームＬの光量Ｐｉ（ｉ＝１、２、…）がフォトセンサ６８によってそれぞれ測定される。
【００２７】
測定された各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）の光量Ｐｉ（ｉ＝１、２、…）は、光量ローカリティデータ算出部８８に供給され、その光量Ｐｉ（ｉ＝１、２、…）から、各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）での光量ローカリティデータＳｉ（ｉ＝１、２、…）が算出される（ステップＳ３）。
【００２８】
すなわち、光量ローカリティデータ算出部８８は、各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）の光量Ｐｉ（ｉ＝１、２、…）の最大値Ｐｍａｘを算出し、この最大値Ｐｍａｘにより、
Ｓｉ＝Ｐｉ／Ｐｍａｘ
として規格化した光量ローカリティデータＳｉ（ｉ＝１、２、…）を算出し、マスクデータ設定部８６に供給する（ステップＳ３）。図１２は、光量ローカリティデータ算出部８８において算出された光量ローカリティデータＳｉ（ｉ＝１、２、…）の一例を示す。
【００２９】
マスクデータ設定部８６は、供給された光量ローカリティデータＳｉ（ｉ＝１、２、…）の最小値Ｓｍｉｎを算出し、各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）における光量補正データΔＳｉ（ｉ＝１、２、…）を、
ΔＳｉ＝Ｓｉ−Ｓｍｉｎ
として算出する（ステップＳ４）。そして、この光量補正データΔＳｉ（ｉ＝１、２、…）に基づき、各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）でのレーザビームＬの光量Ｐｉ（ｉ＝１、２、…）を一定にするマスクデータを作成し、マスクデータメモリ８２に記憶させる（ステップＳ５）。この場合、マスクデータは、各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）を構成するマイクロミラー４０の総数をＮｉ（ｉ＝１、２、…）とし、その中のオフ状態に制御するマイクロミラー４０の枚数をｎｉ（ｉ＝１、２、…）とすると、
ΔＳｉ＝ｎｉ／Ｎｉ
の関係となるよう、特定のマイクロミラー４０を常時オフ状態とするデータとして設定される。なお、図５は、マスクデータによってオフ状態に設定されたマイクロミラー４０を黒丸で例示したものである。
【００３０】
以上のようにしてマスクデータを設定した後、基板Ｆに対する所望の配線パターンの露光記録処理を行う。
【００３１】
そこで、画像データ入力部７０から所望の配線パターンに係る画像データが入力される。入力された画像データは、フレームメモリ７２に記憶された後、解像度変換部７４に供給され、ＤＭＤ３６の解像度に応じた解像度に変換され、出力データ演算部７６に供給される。出力データ演算部７６は、解像度の変換された画像データからＤＭＤ３６を構成するマイクロミラー４０のオンオフ信号である出力データを演算し、この出力データを出力データ補正部７８に供給する。
【００３２】
出力データ補正部７８は、マスクデータメモリ８２からマスクデータを読み出し、出力データとして設定されている各マイクロミラー４０のオンオフ状態をマスクデータによって補正し、補正された出力データをＤＭＤコントローラ４２に供給する。
【００３３】
ＤＭＤコントローラ４２は、補正された出力データに基づいてＤＭＤ３６を駆動し、各マイクロミラー４０をオンオフ制御する。光源ユニット２８から出力され、光ファイバ３０を介して各露光ヘッド２４ａ〜２４ｊに導入されたレーザビームＬは、ロッドレンズ３２から反射ミラー３４を介してＤＭＤ３６に入射する。ＤＭＤ３６を構成する各マイクロミラー４０により所望の方向に選択的に反射されたレーザビームＬは、第１結像光学レンズ４４、４６によって拡大された後、マイクロアパーチャアレー５４、マイクロレンズアレー４８及びマイクロアパーチャアレー５６を介して所定の径に調整され、次いで、第２結像光学レンズ５０、５２により所定の倍率に調整されて基板Ｆに導かれる。露光ステージ１８は、定盤１４に沿って移動し、基板Ｆには、露光ステージ１８の移動方向と直交する方向に配列される複数の露光ヘッド２４ａ〜２４ｊにより所望の配線パターンが露光記録される。
【００３４】
配線パターンが露光記録された基板Ｆは、露光装置１０から取り外された後、現像処理、エッチング処理、剥離処理が施される。この場合、基板Ｆに照射されるレーザビームＬの光量のローカリティは、マスクデータに基づいて調整されているため、所望の線幅を有する高精度な配線パターンを得ることができる。
【００３５】
なお、上述した実施形態では、フォトセンサ６８によってレーザビームＬの光量を検出し、そのローカリティを補正しているが、ローカリティとしてレーザビームＬのビーム径を考慮してもよい。この場合、ビーム径は、例えば、フォトセンサ６８の入射面にスリットを配設し、スリットを通過してフォトセンサ６８にレーザビームＬが入射している時間と、フォトセンサ６８が固定された露光ステージ１８の移動速度とから算出することができる。
【００３６】
ビーム径が大きくなると、露光結果として得られるパターンの線幅が太くなる傾向があるため、ビーム径の小さい場合よりもマスクデータによりオフ状態に設定するマイクロミラー４０の数を多く設定することが好ましい。なお、レーザビームＬの光量によるローカリティの補正と、ビーム径によるローカリティの補正とを同時に行ってもよく、あるいは、別々に行ってもよい。
【００３７】
また、レーザビームＬの光量又はビーム径の変化に対するパターン線幅の変化の割合は、露光される感光材料の種類により異なるため、光量又はビーム径によるローカリティの補正は、感光材料の種類毎に行うことが望ましい。例えば、図１３に示すように、基板Ｆに照射されるレーザビームＬのビーム径変化量とパターンの線幅変化量との関係は、感光材料Ａ、Ｂの種類によって異なる場合がある。これらの相違は、感光材料Ａ、Ｂの階調特性の違いによって生じるものである。そこで、このような感光材料Ａ、Ｂ毎の階調特性の違いを考慮してローカリティの補正量を決定することが好ましい。なお、光量のローカリティは、光量に基づいて補正し、ビーム径のローカリティは、ビーム径と感光材料の種類とに基づいて補正するようにしてもよい。また、ビーム径と線幅との関係を記録したテーブルを用意し、このテーブルをビーム径に基づいて参照することでローカリティの補正量を求めるようにしてもよい。
【００３８】
ローカリティは、ＣＣＤ等のエリアセンサを用いて各領域Ｋｉ（ｉ＝１、２、…）のローカリティを一度に測定することも可能である。
【００３９】
上述した露光装置１０は、例えば、多層プリント配線基板（ＰＷＢ：Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｗｉｒｉｎｇ  Ｂｏａｒｄ）の製造工程におけるドライ・フィルム・レジスト（ＤＦＲ：Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｒｅｓｉｓｔ）又は液状レジストの露光、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程におけるカラーフィルタや、ブラックマトリクスの形成、ＴＦＴの製造工程におけるＤＦＲの露光、プラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）の製造工程におけるＤＦＲの露光等の用途に好適に用いることができる。また、本発明は、インクジェット記録ヘッドを備えた描画装置にも同様して適用することが可能である。さらに、印刷分野、写真分野での露光装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本実施形態の露光装置の外観斜視図である。
【図２】本実施形態の露光装置における露光ヘッドの概略構成図である。
【図３】図２に示す露光ヘッドを構成するＤＭＤの説明図である。
【図４】図２に示す露光ヘッドによる露光記録状態の説明図である。
【図５】図２に示す露光ヘッドを構成するＤＭＤ及びそれに設定されるマスクデータの説明図である。
【図６】本実施形態の露光装置における記録位置と光量ローカリティとの関係説明図である。
【図７】図６に示す光量ローカリティを補正しない場合において記録された線幅の説明図である。
【図８】図６に示す光量ローカリティを補正した場合において記録された線幅の説明図である。
【図９】本実施形態の露光装置における制御回路ブロック図である。
【図１０】本実施形態の露光装置におけるマスクデータを作成する処理のフローチャートである。
【図１１】本実施形態の露光装置を構成するＤＭＤを分割した領域の説明図である。
【図１２】図１１に示す各領域に対して算出された光量ローカリティデータの説明図である。
【図１３】種類の異なる感光材料におけるビーム径変化量と線幅変化量との関係説明図である。
【図１４】プリント配線基板の製造工程の説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０…露光装置                      １４…定盤
１８…露光ステージ                  ２２ａ、２２ｂ…ＣＣＤカメラ
２４ａ〜２４ｊ…露光ヘッド          ２６…スキャナ
２８…光源ユニット                  ３６…ＤＭＤ
４２…ＤＭＤコントローラ            ６８…フォトセンサ
７８…出力データ補正部              ８２…マスクデータメモリ
８６…マスクデータ設定部            ８８…光量ローカリティデータ算出部
Ｆ…基板                            Ｌ…レーザビーム
【図１】
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【図２】
2006309194.tif 000004
【図３】
2006309194.tif 000005
【図４】
2006309194.tif 000006
【図５】
2006309194.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006309194.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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