(57)【要約】【課題】噴霧供給された処理液によって、基板上に良好な塗布膜を形成することができる基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法を提供する。【解決手段】塗布部１０は、主として、いわゆる二流体ノズルによって構成されるスプレーノズル１２、１５と、ノズル移動部１１と、吸着ステージ２０と、ヒータ２１と、を備える。処理液の噴霧処理では、まず、ヒータ２１によって基板９を加熱しつつ、吸着ステージ２０を回転させた状態で基板９に塗布液を噴霧供給し、基板９に塗布膜を形成する。次に、塗布膜の上に消失液を供給する。これにより、塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、この球形パーティクル、および球形パーティクルの発生原因となる球形パーティクル前駆体を消失液によって消失させることができる。そのため、後工程での基板の処理不良を防止できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、
(a)  高分子材料を溶剤に溶解させた第１の処理液を基板に噴霧する第１の吐出部と、
(b)  前記溶剤を含む第２の処理液を基板に噴霧する第２の吐出部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、
(a)  高分子材料を含む第１の処理液を基板に噴霧する第１の吐出部と、
(b)  前記第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を基板に噴霧する第２の吐出部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
前記第２の吐出部から噴霧される前記第２の処理液は、前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に噴霧されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
(c)  基板を保持する保持部に対して、前記第１および前記第２の吐出部を相対的に移動させる移動手段、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記保持部は、基板を保持しつつ回転し、
前記移動手段は、前記保持部の回転中心の近傍を通る軌跡に沿って前記第１および前記第２の吐出部を移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記第１および第２の吐出部は、単一のアームに取り付けられており、
前記移動手段は、前記単一のアームを移動させることにより、前記第１および前記第２の吐出部を前記軌跡に沿って移動させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記第１および前記第２の処理液を基板に噴霧する際に、前記移動手段は、前記第１および第２の吐出部を前記基板面に沿って走査させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、
(d)  少なくとも前記第１の処理液が塗布される間、基板を加熱する加熱部、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記第１の吐出部は、第１の処理部に配設されており、
前記第２の吐出部は、前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、前記第２の処理液の噴霧を可能とする第２の処理部に配設されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記高分子材料は、感光性樹脂であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理装置において、
前記感光性樹脂は、フォトレジストであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の基板処理装置において、
前記感光性樹脂は、カラーレジストであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１３】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記高分子材料は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、
(a)  高分子材料を溶剤に溶解させた第１の処理液を基板に噴霧可能な第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、
(b)  前記溶剤を含む第２の処理液を基板に噴霧可能な第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、
(c)  前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、
を備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１５】
基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、
(a)  高分子材料を含む第１の処理液を基板に噴霧可能な第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、
(b)  前記第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を基板に噴霧可能な第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、
(c)  前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、
を備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項１６】
基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、
(a)  高分子材料を溶剤に溶解させた第１の処理液を基板に噴霧供給する工程と、
(b)  前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、前記溶剤を含む第２の処理液を噴霧供給する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１７】
基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、
(a)  高分子材料を含む第１の処理液を基板に噴霧供給する工程と、
(b)  前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、前記第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を噴霧供給する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７に記載の基板処理方法において、
(c)  基板を加熱する工程、
をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１９】
請求項１６または請求項１７に記載の基板処理方法において、
前記工程(b)は、前記工程(a)が完了した後に実行させられることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の基板処理方法において、
前記工程(c)は、少なくとも、前記工程(a)が開始されて前記工程(b)が開始されるまでの間、基板を加熱することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２１】
請求項１６または請求項１７に記載の基板処理方法において、
前記工程(b)は、
(i)  霧状の前記第２の処理液と、
(ii)  前記工程(a)によって噴霧された霧状の前記第１の処理液と、
がほぼ混合しない状態となるように実行されることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布液を噴霧供給して、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に塗布膜を形成する基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、スプレーノズルから吐出される霧状のフォトレジスト液によって基板に塗布膜を形成する基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−０１９５６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、発明者は、特許文献１の基板処理装置において、次のような解決課題が存在することを発見した。すなわち、発明者は、（１）特許文献１の基板処理装置によってフォトレジスト液が基板に噴霧供給され、基板上にフォトレジスト膜が形成されると、図１３および図１４に示すように、レジスト膜上に球形パーティクルが発生する場合があること、（２）そして、この球形パーティクルの発生を原因として、露光不良が発生し、その結果、露光処理より後工程で基板の処理不良が発生すること、を発見した。
【０００５】
図１３は、表面に段差を有する基板９に形成されたレジスト膜８上で発生する球形パーティクル５を説明するための図である。図１４は、表面が平坦な基板９に形成されたレジスト膜８上で発生する球形パーティクル５を説明するための図である。ここでは、図１３および図１４を参照しつつ、球形パーティクルについて説明する。
【０００６】
球形パーティクル５は、フォトレジスト液と成分に違いは確認されず、フォトレジストに由来すると推測する異物である。図１３に示すように、球形パーティクル５は、上平坦部９ｂおよび下平坦部９ｃだけでなく、段差エッジ部９ａにも発生する。
【０００７】
また、図１３に示すように、球形パーティクルは、球形パーティクル５ａ〜５ｃのように略球形形状を有する場合もあるし、球形パーティクル５ｄのようにドーム形状や滑らかな曲面形状を有する場合があり、その内側は中実状となる。さらに、球形パーティクルは、段差エッジ部９ａを有する基板９のレジスト膜８上（図１３参照）だけでなく、表面が平坦なレジスト膜８上（図１４参照）にも発生する。
【０００８】
このような球形パーティクルは、以下のようなメカニズムによって形成されると推測する。すなわち、フォトレジスト液が基板に噴霧供給される際に、または、フォトレジスト液のミストが基板９に付着する際に、このミストの一部が特異的に乾燥するなどして球形パーティクルの元になる前駆体が生成される。この球形パーティクル前駆体は、基板に噴霧されたフォトレジスト液と同化しにくい性質を有すると推測する。
【０００９】
したがって、このような球形パーティクル前駆体が基板に噴霧されたフォトレジスト液の表面に付着していたり、フォトレジスト液中に存在していると、基板上のフォトレジスト液が固化した際に、前駆体そのものが、あるいは、前駆体を核として成長したものが、球形パーティクルとして、その存在が視認されたものと推測する。
【００１０】
なお、球形パーティクルの前駆体は噴霧された基板上のフォトレジスト液と外観上で見分けがつかず、前駆体を元として球形パーティクルが生成したのがいつであるか、必ずしも明らかでない。以下の説明において、基板上のレジスト膜のような塗布膜上に球形パーティクルの存在が確認されることを、球形パーティクルが「顕在化する」と呼ぶことにする。
【００１１】
このような球形パーティクルが顕在化すると、レジスト膜の膜厚にバラツキが生ずることになる。すなわち、球形パーティクルが発生した部分は、球形パーティクルが発生していない部分と比較してレジスト膜の膜厚が厚くなる。その結果、球形パーティクルが発生した部分では、露光処理後に実行される現像処理において現像ムラが発生し、後工程で基板の処理不良が発生する。
【００１２】
また、この球形パーティクルは、基板を回転させつつ基板中心の上方からフォトレジスト液を供給してレジスト膜を形成する装置（例えば、スピンコータ）においては発生せず、すなわち、球形パーティクルの発生に起因する基板の処理不良は、フォトレジスト液を噴霧塗布する装置に固有の解決課題である。
【００１３】
そして、この球形パーティクルの問題は、フォトレジスト液を噴霧供給する場合だけでなく、カラーフィルタの形成に使用されるカラーレジスト液や、例えば、ポリイミド樹脂を含み層間絶縁膜の形成に使用される処理液を基板に噴霧供給する場合にも同様に発生する。
【００１４】
そこで、本発明では、噴霧供給された処理液によって、基板上に良好な塗布膜を形成することができる基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、高分子材料を溶剤に溶解させた第１の処理液を基板に噴霧する第１の吐出部と、前記溶剤を含む第２の処理液を基板に噴霧する第２の吐出部と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項２の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理装置であって、高分子材料を含む第１の処理液を基板に噴霧する第１の吐出部と、前記第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を基板に噴霧する第２の吐出部と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、前記第２の吐出部から噴霧される前記第２の処理液は、前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に噴霧されることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、基板を保持する保持部に対して、前記第１および前記第２の吐出部を相対的に移動させる移動手段、をさらに備えることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記保持部は、基板を保持しつつ回転し、前記移動手段は、前記保持部の回転中心を通る軌跡に沿って前記第１および前記第２の吐出部を移動させることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項６の発明は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記第１および第２の吐出部は、単一のアームに取り付けられており、前記移動手段は、前記単一のアームを移動させることにより、前記第１および前記第２の吐出部を前記軌跡に沿って移動させることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項７の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記第１および前記第２の処理液を基板に噴霧する際に、前記移動手段は、前記第１および第２の吐出部を前記基板面に沿って走査させることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項８の発明は、請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、少なくとも前記第１の処理液が塗布される間、基板を加熱する加熱部、をさらに備えることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項９の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記第１の吐出部は、第１の処理部に配設されており、前記第２の吐出部は、前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、前記第２の処理液の噴霧を可能とする第２の処理部に配設されていることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項１０の発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、前記高分子材料は、感光性樹脂であることを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１１の発明は、請求項１０に記載の基板処理装置において、前記感光性樹脂は、フォトレジストであることを特徴とする。
【００２６】
また、請求項１２の発明は、請求項１０に記載の基板処理装置において、前記感光性樹脂は、カラーレジストであることを特徴とする。
【００２７】
また、請求項１３の発明は、請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の基板処理装置において、前記高分子材料は、ポリイミド樹脂であることを特徴とする。
【００２８】
また、請求項１４の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、高分子材料を溶剤に溶解させた第１の処理液を基板に噴霧可能な第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、前記溶剤を含む第２の処理液を基板に噴霧可能な第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、を備えることを特徴とする。
【００２９】
また、請求項１５の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理システムであって、高分子材料を含む第１の処理液を基板に噴霧可能な第１の吐出部を有する第１の基板処理装置と、前記第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を基板に噴霧可能な第２の吐出部を有する第２の基板処理装置と、前記第１および前記第２の基板処理装置の間で基板を搬送する搬送装置と、を備えることを特徴とする。
【００３０】
また、請求項１６の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、高分子材料を溶剤に溶解させた第１の処理液を基板に噴霧供給する工程と、前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、前記溶剤を含む第２の処理液を噴霧供給する工程と、を備えることを特徴とする。
【００３１】
また、請求項１７の発明は、基板に塗布膜を形成する基板処理方法であって、高分子材料を含む第１の処理液を基板に噴霧供給する工程と、前記第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、前記第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を噴霧供給する工程と、を備えることを特徴とする。
【００３２】
また、請求項１８の発明は、請求項１６または請求項１７に記載の基板処理方法において、基板を加熱する工程、をさらに備えることを特徴とする。
【００３３】
また、請求項１９の発明は、請求項１６または請求項１７に記載の基板処理方法において、前記工程(b)は、前記工程(a)が完了した後に実行させられることを特徴とする。
【００３４】
また、請求項２０の発明は、請求項１９に記載の基板処理方法において、前記工程(c)は、少なくとも、前記工程(a)が開始されて前記工程(b)が開始されるまでの間、基板を加熱することを特徴とする。
【００３５】
また、請求項２１の発明は、請求項１６または請求項１７に記載の基板処理方法において、前記工程(b)は、霧状の前記第２の処理液と、前記工程(a)によって噴霧された霧状の前記第１の処理液と、がほぼ混合しない状態となるように実行されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３６】
請求項１、請求項３ないし請求項１３、請求項１４、請求項１６、請求項１９、および請求項２１に記載の発明によれば、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、第１の処理液の溶剤を含む第２の処理液を噴霧して供給することができる。これにより、第１の処理液の塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、第２の処理液を噴霧することによって、この球形パーティクルを塗布膜上から消失させることができる。また球形パーティクルの発生原因となる球形パーティクル前駆体をも消失させることができる。そのため、塗布膜が形成された後の基板処理を良好に実行することができる。
【００３７】
また、請求項２ないし請求項１３、請求項１５、および請求項１７ないし請求項２１に記載の発明によれば、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に、第１の処理液と親和性を有する第２の処理液を噴霧して供給することができる。これにより、第１の処理液の塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、第２の処理液を噴霧することによって、この球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を塗布膜上から消失させることができる。そのため、塗布膜を形成した後の基板処理を良好に実行することができる。
【００３８】
特に、請求項６に記載の発明によれば、第１および第２の吐出部は単一のアームに取り付けられており、基板処理装置の部品点数を減少させることができる。そのため、基板処理装置の製造コストを低減しつつ装置のフットプリントを低減することができる。
【００３９】
特に、請求項７に記載の発明によれば、第１および第２の吐出部を静止させたまま基板の全面に第１および第２の処理液を供給することができ、第１および第２の処理液の噴霧状況をさらに安定させることができる。そのため、基板に対して良好に第１および第２の処理液を噴霧供給することができる。
【００４０】
特に、請求項８および請求項１８に記載の発明によれば、基板を加熱しつつ第１の処理液を塗布することができる。これにより、基板に塗布された第１の処理液の流動性を抑制しつつ、基板上に第１の処理液を塗布することができる。そのため、基板上の段差部分にも良好に塗布膜を形成することができる。
【００４１】
特に、請求項９に記載の発明によれば、第１の処理液によって基板に塗布膜を形成する処理、および、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に第２の処理液を供給する処理を、それぞれ第１および第２の処理部にて実行できる。すなわち、２つの処理を別個の処理部において実行できる。そのため、この塗布膜の形成処理と第２の処理液の供給処理とを効率的に実行でき、基板処理装置全体のスループットを向上させることができる。
【００４２】
特に、請求項１４および請求項１５に記載の発明によれば、第１の処理液によって基板に塗布膜を形成する処理、および、第１の処理液によって形成された塗布膜の上に第２の処理液を供給する処理を、それぞれ第１および第２の基板処理装置にて実行できる。すなわち、２つの処理を別個の基板処理装置において実行できる。そのため、第１の処理液の塗布処理と第２の処理液の供給処理とを効率的に実行でき、基板処理システム全体のスループットを向上させることができる。
【００４３】
特に、請求項２０に記載の発明によれば、少なくとも、工程(a)によって第１の処理液が塗布が開始される時点から、工程(b)が開始される時点まで、基板を加熱することができる。そのため、基板に塗布された第１の処理液の流動性をさらに抑制することができる。その結果、基板が段差部分にも、良好に塗布膜の形成することができる。
【００４４】
特に、請求項２１に記載の発明によれば、第１の処理液の塗布して塗布膜を形成する処理と、第２の処理液の供給処理とを並列的に実行することができる。そのため、基板処理のスループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００４６】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１は、本実施の形態における基板処理装置１の構成の一例を示す図である。図２および図３は、塗布部１０の概略平面図および概略側面図である。また、図４は、本実施の形態における配管構成の一例を示す図である。
【００４７】
ここで、基板処理装置１は、基板に純水やフォトレジスト液等の薬液（以下、これらを総称して「処理液」とも呼ぶ）を基板に向けて噴霧供給することが可能な装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、主として、複数（本実施の形態では２つ）の塗布部１０と、ローダ部５０と、アンローダ部５５と、搬送ロボット６０と、を備える。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするため、必要に応じてＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００４８】
搬送ロボット６０は、ローダ部５０に載置されるカセットＣから基板９を１枚ずつ取り出すとともに、取り出した基板９を複数の塗布部１０に搬送する。また、搬送ロボット６０は、塗布部１０にて処理が完了した基板９を、塗布部１０から取り出すとともにアンローダ部５５に載置されたカセットＣに搬送する。このように、搬送ロボット６０は、基板の搬送部として使用される。
【００４９】
ここで、本実施の形態のローダ部５０およびアンローダ部５５の使用方法はこれに限定されない。例えば、ローダ部５０のカセットＣから取り出されて所定の処理が完了した基板９を再びローダ部５０に載置されたカセットＣに搬送してもよい。また、アンローダ部５５のカセットＣから取り出されて所定の処理が完了した基板９を再びアンローダ部５５に載置されたカセットＣに搬送してもよい。さらに、アンローダ部５５のカセットＣから取り出されて所定の処理が完了した基板９をローダ部５０に載置されたカセットＣに搬送してもよい。
【００５０】
塗布部１０は、基板９に向けて塗布液を噴霧供給することにより、基板９に塗布膜を形成するユニットである。図２ないし図４に示すように、塗布部１０は、主として、スプレーノズル１２、１５と、ノズル移動部１１と、吸着ステージ２０と、ヒータ２１と、を備える。
【００５１】
スプレーノズル１２は、基板９に向けて塗布液（本実施の形態ではフォトレジスト液）を供給する吐出部である。また、スプレーノズル１５は、基板９に塗布された塗布膜（本実施の形態ではレジスト膜）上に発生した球形パーティクル、および球形パーティクルの発生原因となる球形パーティクル前駆体を消失させる消失液（本実施の形態では、ＰＧＭＥＡ（propyleneglycol monomethyl ether acetate））を供給する吐出部である。スプレーノズル１２、１５のそれぞれは、いわゆる二流体ノズルによって構成されており、処理液と加圧された気体とを混合し、霧状とした処理液ミストを基板９に向けて噴霧供給する。
【００５２】
ここで、上述のように、球形パーティクルは、塗布液として基板に供給されたフォトレジスト液によって形成される。また本実施の形態で使用されるフォトレジスト液は、高分子材料であり感光性樹脂であるレジストを、溶剤（溶媒）として使用されるＰＧＭＥＡに溶解させたものである。
【００５３】
そこで、本実施の形態では、スプレーノズル１２からの塗布液によって形成された塗布膜の上に、塗布液の溶剤を主成分とする処理液（消失液）を供給する。すなわち、塗布膜の上に供給される消失液と塗布液とはＰＧＭＥＡを含む点で共通しており、両処理液は親和性を有する。
【００５４】
これにより、塗布膜上に顕在化した球形パーティクルは、消失液によって柔らかくされたり、溶かされたり、または、球形パーティクルの表面張力が低下させられることにより、塗布膜の上から消失させられる。すなわち、塗布膜の上に消失液を噴霧供給することにより、塗布膜上の球形パーティクルが塗布膜と同化する。また、塗布膜上の球形パーティクル前駆体も塗布膜と同化する。そのため、後工程での基板の処理不良を防止できる。
【００５５】
図４に戻って、スプレーノズル１２は分岐配管７３ａ、バルブ８３ａ、および配管７２を介して、スプレーノズル１５は分岐配管７３ｂ、８３ｂおよび配管７２を介して、それぞれプロセスガス供給源７６に連通接続される。
【００５６】
また、スプレーノズル１２は、配管７１およびバルブ８１を介して塗布液供給源７５に連通接続される。さらに、スプレーノズル１５は、配管７４およびバルブ８４を介して消失液供給源７７に連通接続される。
【００５７】
したがって、バルブ８１、８３ａが開放されて、バルブ８３ｂ、８４が閉鎖されると、スプレーノズル１２からは霧状の塗布液が吐出され、基板９に塗布液が噴霧供給される。一方、バルブ８３ｂ、８４が開放されて、バルブ８１、８３ａが閉鎖されると、スプレーノズル１５からは霧状の消失液が吐出され、基板９に塗布液が噴霧供給される。
【００５８】
なお、本実施の形態において、プロセスガス供給源７６からは、窒素ガスが供給されるが、これに限定されるものでない。塗布液や消失液に対して化学的に安定したガスであればよく、例えば、ヘリウムガスやアルゴンガス等の希ガスであってもよいし、清浄な空気であってもよい。また、塗布液供給源７５、プロセスガス供給源７６、および消失液供給源７７のそれぞれは、可能な場合、半導体工場内の共通設備として設けられる塗布液、プロセスガス、および消失液供給源を利用してもよい。
【００５９】
ノズル移動部１１は、吸着ステージ２０に保持された基板９に対してスプレーノズル１２、１５を移動させる移動手段である。図２に示すように、ノズル支持アーム１１ａの一方端部（基部）は、駆動部１３の回転軸１３ａに連結されている。したがって、駆動部１３を動作させることにより、ノズル支持アーム１１ａは回転軸１３ａまわりに回動する。
【００６０】
また、ノズル支持アーム１１ａの他方端部（先端部）１６には、複数（本実施の形態では２つ）のスプレーノズル１２、１５が取り付けられている。すなわち、スプレーノズル１２、１５は、単一のノズル支持アーム１１ａに取り付けられており、スプレーノズル１２、１５のために複数のノズル支持アームは必要とされない。そのため、塗布部１０の部品点数が減少し、基板処理装置１の製造コストを低減しつつフットプリントを低減することができる。
【００６１】
なお、本実施の形態において、スプレーノズル１２、１５の取り付け位置は、駆動部１３によるスプレーノズル１２、１５の吐出口の軌跡が、基板９の上方であって吸着ステージ２０の回転軸２２の回転中心ＣＰの近傍を通過する軌跡Ｌとなるように調整されている。
【００６２】
また、スプレーノズル１２、１５は、それぞれの吐出口から基板９までの距離が１５０ｍｍ以下となるように取り付けられている。これにより、塗布液および消失液を良好に噴霧供給することができる。
【００６３】
膜厚測定器１４は、基板９に形成された塗布膜の膜厚を光学的に測定する測定部である。膜厚測定器１４は、必要に応じて基板９の上方適所に配置される（図３参照）また、膜厚測定器１４は、膜厚の測定結果を制御部４０に出力することができる。これにより、制御部４０は、膜厚の測定結果に基づいて塗布液の供給量を調整するとができ、塗布膜の膜厚を調整することができる。
【００６４】
吸着ステージ２０は、真空吸着することにより基板９を吸着保持する保持部である。また、吸着ステージ２０は、回転軸２２を介してモータ２５と連動接続される。これにより、モータ２５が駆動させられることによって、吸着ステージ２０は基板９を保持しつつ回転させることができる。
【００６５】
したがって、基板９が回転させられるとともに、塗布液が噴霧させられた状態でスプレーノズル１２が軌跡Ｌに沿って移動させられると、基板９の表面全体には塗布膜が形成される。また、消失液が噴霧させられた状態でスプレーノズル１５が軌跡Ｌに沿って移動させられると、基板９の表面全体には消失液が供給される。
【００６６】
また、図３に示すように、吸着ステージ２０の内部には、吸着ステージ２０に保持された基板９を加熱可能とするヒータ２１が配設される。ここで、吸着ステージ２０上に保持されている基板９は、８０℃〜９０℃程度の温度に加熱された状態となっている。
【００６７】
この加熱された基板表面に対してミスト状の塗布液が付着すると、比較的早い段階でミスト状塗布液が乾燥・定着する。すなわち、この加熱処理により、基板９に塗布された塗布液の流動性が抑制される。そのため、基板９が段差エッジ部９ａ（例えば、図６参照）を有する場合であっても、段差エッジ部９ａに良好に塗布膜が形成される。
【００６８】
複数のリフトピン２４は、基板を支持する支持機構である。また、リフトピン２４は、昇降駆動部２３と接続される。そのため、昇降駆動部２３が動作すると、リフトピン２４に支持された基板９は、吸着位置（図３の実線位置）と、搬送ロボット６０との間で基板の受け渡しを行う受け渡し位置（図３の２点鎖線位置）と、の間で昇降させられる。
【００６９】
吸着ステージ２０の周囲には、カップ部３０が設けられている。図３に示すように、カップ部３０は、主として、外壁部３１と内壁部３２と気液分離チャンバ３３とを備える。基板９の表面に付着しなかった塗布液は気液分離チャンバ３３の排気による気流に沿って外壁部３１及び内壁部３２の間の空間を下方側に移動し、気液分離チャンバ３３に導かれる。また、外壁部３１及び内壁部３２に付着した塗布液もこれら壁面に沿って流下して外壁部３１及び内壁部３２の下部に設けられた気液分離チャンバ３３に導かれる。気液分離チャンバ３３では気液分離が行われ、カップ内部の排液及び排気が行われる。このように基板９の外側に散ったミスト状塗布液は気液分離チャンバ３３によって排液されるように構成されているので、カップ洗浄の頻度は低くなる。
【００７０】
図１に戻って、制御部４０は、主として、プログラムや変数等を格納するメモリ４１と、メモリ４１に格納されるプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ４２と、を備える。ＣＰＵ４２は、メモリ４１に格納されるプログラムに従って、例えば、搬送ロボット６０の動作制御や、塗布部１０における駆動部１３、昇降駆動部２３、およびモータ２５の駆動制御、バルブ８１、８３ａ、８３ｂ、８４の開閉制御等を所定のタイミングで実行する。
【００７１】
＜１．２．処理液の噴霧手順＞
図５は、本実施の形態の基板処理装置１の各塗布部１０による塗布液および消失液の噴霧手順を示すフローチャートである。なお、説明の都合上、本手順が開始される前の時点において、（１）吸着ステージ２０には搬送ロボット６０から受け渡された基板９が保持されており、（２）基板９はヒータ２１によって８０℃〜９０℃程度に温調されており、（３）ノズル支持アーム１１ａの先端部１６は、位置Ｐ１に移動させられており、（４）各バルブ８１、８３ａ、８３ｂ、８４（図４参照）は閉鎖されているものとする。
【００７２】
処理液の噴霧手順では、まず、バルブ８１、８３ａが開放されて、霧状の塗布液の噴霧が開始させられる（Ｓ１０１）。なお、塗布液の噴霧状況が安定するまでに一定時間が必要な場合、位置Ｐ１にてノズル移動部１１が静止させられたまま、塗布液が噴霧される。また、先端部１６が位置Ｐ１に位置する場合、基板９には塗布液は供給されないものとする。
【００７３】
スプレーノズル１２からの塗布液の噴霧状況が安定すると、基板９の表面に塗布膜を形成する処理が実行される（Ｓ１０２）。具体的には、基板９が回転させられるとともに、スプレーノズル１２が位置Ｐ１から位置Ｐ３へ軌跡Ｌに沿って移動させられる。これにより、基板９の表面には塗布液の膜が形成される。
【００７４】
この塗布膜の形成処理が実行される際、基板９は、ヒータ２１によって温調し続けられている。すなわち、本実施の形態において、少なくとも塗布液が基板９に塗布される間、基板９はヒータ２１によって加熱され続ける。そのため、塗布液の流動性を抑制することができ、基板９の段差部にも良好に塗布膜が形成される。
【００７５】
ここで、スプレーノズル１２の移動速度は、基板周縁部と比較して吸着ステージ２０の回転軸２２の回転中心ＣＰの近傍位置（この回転中心ＣＰが基板９の中心付近と交わる場合、基板中心近傍位置）の方が高速になるように制御してもよい。
【００７６】
そして、ノズル支持アーム１１ａの先端部１６が、基板９の端部から抜け出して位置Ｐ３に到達した時点において、バルブ８１、８３ａが閉鎖されて塗布液の噴霧が停止させられるとともに、バルブ８３ｂ、８４が開放されて霧状の消失液の噴霧が開始させられる（Ｓ１０３）。
【００７７】
なお、消失液の噴霧状況が安定するまでに一定時間が必要な場合、位置Ｐ３にてノズル移動部１１を静止させたまま、消失液を噴霧する。また、先端部１６が位置Ｐ３に位置する場合、基板９には消失液が供給されないものとする。
【００７８】
また、消失液の噴霧状況が安定するまでの間、基板９は、ヒータ２１によって温調し続けられている。すなわち、少なくとも、基板９に塗布液の塗布が開始されてから、基板９に消失液の噴霧供給が開始されるまでの間、基板９は加熱され続ける。そのため、塗布液の流動性をさらに抑制することができる。
【００７９】
塗布液の噴霧処理が完了した後、先端部１６からの消失液の噴霧状況が安定すると、基板９の表面に消失液を供給する処理が実行される（Ｓ１０４）。すなわち、基板９が回転させられるとともに、スプレーノズル１６が位置Ｐ３から位置Ｐ１へ軌跡Ｌに沿って移動させられる。これにより、基板９の表面に形成された塗布膜には消失液が供給される。そのため、塗布膜上に球形パーティクルが顕在化している場合であっても、この球形パーティクルを消失させることができる（図６参照）。また、球形パーティクルまで成長していないが塗布膜上に存在する球形パーティクル前駆体をも消失させることができる。その結果、後工程での基板の処理不良を防止できる。
【００８０】
そして、ノズル支持アーム１１ａの先端部１６が位置Ｐ１に到達した時点において、バルブ８３ｂ、８４が閉鎖されて塗布液の噴霧が停止させられることにより、処理液の噴霧処理が終了する。
【００８１】
なお、本実施の形態において、基板９に噴霧供給される消失液の供給量は、塗布液の供給量と同等かそれ以下となるようにされている。これにより、基板９に形成された塗布膜にほとんど影響を与えることなく塗布膜上の球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を消失させることができる。
【００８２】
＜１．３．第１の実施の形態の基板処理装置１の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１は、基板９に形成された塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、消失液によって球形パーティクルを塗布膜上から消失させることができる。また、球形パーティクル前駆体も消失させることができる。そのため、後工程での基板の処理不良を防止することができる。
【００８３】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。この第２の実施の形態における基板処理装置１００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と比較して、
（１）塗布部１１０のハードウェア構成が相違する点と、
（２）処理液の噴霧手順が相違する点と、
を除いては、第１の実施の形態と同じである。そこで、以下ではこの相違点を中心に説明する。
【００８４】
なお、以下の説明において、第１の実施の形態の基板処理装置１における構成要素と同様な構成要素については同一符号を付している。これら同一符号の構成要素は、第１の実施の形態において説明済みであるため、本実施形態では説明を省略する。
【００８５】
＜２．１．基板処理装置の構成＞
図７は、本実施の形態の塗布部１１０の概略平面図である。塗布部１１０は、第１の実施の形態の塗布部１０と同様に、塗布液を基板９に向けて噴霧供給することにより、基板９に塗布膜を形成するユニットである。図７に示すように、塗布部１１０は、主として、スプレーノズル１２、１５と、ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂと、吸着ステージ１２０と、を備える。
【００８６】
ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂは、それぞれ塗布部１１０の所定の場所に固定される支持部材である。図７に示すように、ノズル支持アーム１１１ａの先端部１１６ａには塗布液を噴霧するスプレーノズル１２が、ノズル支持アーム１１１ｂの先端部１１６ｂには消失液を噴霧するスプレーノズル１５が、それぞれ取り付けられている。ここで、ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂは、スプレーノズル１２、１５から同時に塗布液と消失液とを噴霧した場合に、塗布膜の形成に悪影響を及ぼさない程度に、距離Ｄ１だけ離間して設けられる。
【００８７】
なお、  ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂに取り付けられたスプレーノズル１２、１５は、それぞれの吐出口から基板９までの距離が１５０ｍｍ以下となるように取り付けられている。これにより、塗布液および消失液を良好に噴霧供給することができる。
【００８８】
吸着ステージ１２０は、真空吸着することにより基板９を吸着保持する保持部である。また、吸着ステージ１２０は、駆動部（図示省略）によって方向Ａ（Ｙ軸と略平行な方向）および方向Ｂ（Ｘ軸と略平行な方向）に沿って移動可能に設けられている。
【００８９】
これにより、吸着ステージ１２０は、基板９の上方において、スプレーノズル１２、１５を基板９面に沿って走査させることができる。すなわち、吸着ステージ１２０は、スプレーノズル１２、１５を移動させることなく、スプレーノズル１２、１５の吐出口を、基板９の上方の軌跡Ｍに沿って相対的に移動させることができる。そのため、塗布液および消失液の噴霧状況を安定させることができ、塗布膜の形成処理および消失液の供給処理を良好に実行できる。このように、吸着ステージ１２０は、基板９を保持する保持部としてだけでなく、スプレーノズル１２、１５を相対的に移動させる移動手段としても使用される。
【００９０】
＜２．２．処理液の噴霧手順＞
図８は、本実施の形態の基板処理装置１００の各塗布部１１０による塗布液および消失液の噴霧手順を示すフローチャートである。図９および図１０は、噴霧手順を説明するための図である。ここでは、図７ないし図１０を参照しつつ、処理液の噴霧手順を説明する。
【００９１】
なお、説明の都合上、本手順が開始される前の時点において、（１）吸着ステージ１２０には搬送ロボット６０から受け渡された基板９が保持されており、（２）基板９はヒータ２１によって８０℃〜９０℃程度に温調されており、（３）吸着ステージ１２０は、位置Ｐ１１に移動させられており、（４）各バルブ８１、８３ａ、８３ｂ、８４（図４参照）は閉鎖されているものとする。
【００９２】
処理液の噴霧手順では、まず、バルブ８１、８３ａが開放されて、霧状の塗布液の噴霧が開始させられる（Ｓ２０１）。なお、塗布液の噴霧状況が安定するまでに一定時間が必要な場合、位置Ｐ１１にて吸着ステージ１２０が静止させられたまま、塗布液が噴霧される。また、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１１に位置する場合、基板９には塗布液は供給されないものとする。
【００９３】
スプレーノズル１２からの塗布液の噴霧状況が安定すると、基板９の表面に塗布膜を形成する処理が実行される（Ｓ２０２）。すなわち、吸着ステージ１２０の移動が開始されて、スプレーノズル１２の吐出口が基板９上方を軌跡Ｍに沿って相対的に移動させられる。これにより、基板９に塗布液の噴霧が開始され、その基板９の表面に塗布膜が形成される。
【００９４】
この塗布膜の形成処理が実行される際、基板９は、ヒータ２１によって温調し続けられている。すなわち、本実施の形態において、少なくとも塗布液が基板９に塗布される間、基板９はヒータ２１によって加熱され続ける。そのため、塗布液の流動性を抑制することができ、基板９の段差部にも良好に塗布膜が形成される。
【００９５】
さらに吸着ステージ１２０が移動させられて、その位置が所定の位置Ｐ１２（図９参照）に到達した時点において（Ｓ２０３）、バルブ８１、８３ａに加えてバルブ８３ｂ、８４が開放される。これにより、霧状の消失液の噴霧がさらに開始させられ（Ｓ２０４）、塗布液および消失液の噴霧処理が並行して実行される。
【００９６】
なお、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１２に到達した時点においても塗布膜の形成処理が実行されているため、吸着ステージ１２０は移動し続ける。また、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１２に到達した時点から消失液の噴霧状況が安定するまでの間、基板９がスプレーノズル１５の下方に到達して基板９に消失液が供給されないように、位置Ｐ１２が決められる。
【００９７】
吸着ステージ１２０がさらに移動させられると、吸着ステージ１２０が位置Ｐ１３（図１０参照）に到達し、基板９の表面に形成された塗布膜の上には消失液の供給が開始される。ここで、上述のように、ノズル支持アーム１１１ａ、１１１ｂは距離Ｄ１だけ離間して設けられており、スプレーノズル１２からの霧状の塗布液と、スプレーノズル１５からの霧状の消失液とは、ほとんど混合しない。これにより、塗布液と消失液とを同時に噴霧しても、塗布膜の形成処理を良好に実行できる。すなわち、塗布膜の形成処理と、消失液の供給処理と、を略同時に実行できる。そのため、処理液の噴霧処理のスループットを向上させ、ひいては基板処理装置１００のスループットを向上させることができる。
【００９８】
吸着ステージ１２０がさらに移動させられ、スプレーノズル１２が基板９の端部から抜け出すと、基板９に塗布液が供給されなくなり、塗布膜の形成処理が終了する（Ｓ２０５）、そして、形成処理が終了すると、バルブ８１、８３ａが閉鎖されて塗布液の噴霧が停止させられる（Ｓ２０６）。このとき、バルブ８３ｂ、８４は開放されてままであり、基板９に消失液を供給する処理は引き続き実行される。
【００９９】
吸着ステージ１２０がさらに移動させられ、スプレーノズル１５が基板９の端部から抜け出すと、基板９に消失液が供給されなくなり、消失液の供給処理が終了する（Ｓ２０７）。そして、バルブ８３ｂ、８４が閉鎖され、消失液の噴霧が停止させられることにより（Ｓ２０８）、処理液の噴霧処理が終了する。
【０１００】
なお、本実施の形態において、基板９に噴霧供給される消失液の供給量は、第１の実施の形態と同様に、塗布液の供給量と同等かそれ以下となるようにされている。これにより、基板９に形成された塗布膜にほとんど影響を与えることなく塗布膜上の球形パーティクルを消失させることができる。また、球形パーティクル前駆体も消失させることができる。
【０１０１】
＜２．３．第２の実施の形態の基板処理システムの利点＞
以上のように、第２の実施の形態の基板処理装置１００は、第１の実施の形態の基板処理装置１と同様に、基板９に形成された塗布膜上に球形パーティクルが顕在化した場合であっても、消失液によって球形パーティクルおよび球形パーティクル前駆体を塗布膜上から消失させることができる。そのため、後工程での基板の処理不良を防止することができる。
【０１０２】
また、第２の実施の形態の塗布部１１０は、塗布膜の形成処理と、消失液の供給処理とを、並列的に実行することができる。そのため、塗布部１１０における処理液の噴霧処理、ひいては基板処理装置１００のスループットを向上させることができる。
【０１０３】
＜３．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１０４】
（１）第１および第２の実施の形態において、消失液はフォトレジスト液の溶剤として使用されるＰＧＭＥＡであるものとして説明したが、消失液はこれに限定されるものでない。例えば、消失液としてＰＧＭＥＡ以外の処理液であってフォトレジスト液と親和性を有するものであればよい。
【０１０５】
（２）また、第１および第２の実施の形態において、塗布液はフォトレジスト液であり、消失液はフォトレジスト液の溶剤として使用されるＰＧＭＥＡであるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、塗布液としては、液晶ディスプレイのカラーフィルターの形成に用いられるカラーレジスト液（高分子材料であり感光性樹脂であるカラーレジストを溶剤に溶解させたもの）を使用してよく、また、その消失液としては、カラーレジスト液の溶剤、または、カラーレジスト液と親和性を有するものであればよい。また同様に、塗布液としては、層間絶縁膜の形成に用いられる絶縁膜用処理液（高分子材料の一例であるポリイミド樹脂を溶剤に溶解させたもの）を使用してよく、また、その消失液としては、絶縁膜用処理液の溶剤、または、絶縁膜用処理液と親和性を有するものであればよい。
【０１０６】
（３）第１の実施の形態において、塗布液の噴霧は、ノズル支持アーム１１ａの先端部１６が位置Ｐ１から位置Ｐ３に移動するまでの期間内に実行されるがこれに限定されるものでない。基板９に形成される塗布膜の膜厚に応じて、軌跡Ｌに沿ったノズル支持アーム１１ａの移動回数（往復回数）を調整してもよい。さらに、塗布膜の膜厚に応じて、ノズル支持アーム１１ａの移動速度、および吸着ステージ２０の回転数を調整してもよい。同様に、消失液の供給量に応じて、軌跡Ｌに沿ったノズル支持アーム１１ａの移動回数（往復回数）、ノズル支持アーム１１ａの移動速度、および吸着ステージ２０の回転数を調整してもよい。
【０１０７】
（４）また、第１および第２の実施の形態において、各塗布部１０、１１０は、それぞれ同様な処理液の噴霧処理を実行するものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、複数の塗布部１０、１１０の一方において塗布膜の形成処理を実行し、塗布膜の形成処理が完了した基板９を搬送ロボット６０によって他方の塗布部１０、１１０に搬送し、この他方の塗布部１０、１１０において消失液の供給処理を実行してもよい。すなわち、塗布膜の形成処理と消失液の供給処理とを、それぞれ別個の塗布部１０、１１０によって実行してもよい。これにより、両処理を効率的に実行することが可能となり、基板処理装置１、１００全体のスループットを向上させることができる場合がある。
【０１０８】
（５）また、第１の実施の形態において、スプレーノズル１２、１５は単一のノズル支持アーム１１ａに取り付けられているがこれに限定されるものでない。例えば、基板処理装置２００の塗布部２１０（図１、図１１参照）のように、ノズル支持アーム１１ａにはスプレーノズル１２のみが取り付けられ、新たに設けられたノズル支持アーム２１１ｂ（駆動部２１３によって回転軸２１３ａまわりに回動する）にスプレーノズル１５が取り付けられたものによって塗布液および消失液の噴霧処理を実行してもよい。
【０１０９】
（６）また、第１および第２の実施の形態の基板処理装置１、１００、および上述の基板処理装置２００では、塗布液および消失液の噴霧処理は１台の基板処理装置において実行されるものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、図１２に示すように、複数（図１２では２台）の基板処理装置１（１００、２００）と、各基板処理装置１（１００、２００）の間で基板９を搬送する搬送装置５１０と、を備え、複数の基板処理装置１（１００、２００）の一方において塗布膜の形成処理を実行し、塗布膜の形成された基板９の収納されたカセットＣを搬送装置５１０によって他方の基板処理装置１（１００、２００）に搬送し、この他方の基板処理装置１（１００、２００）において消失液の供給処理を実行してもよい。これにより、塗布膜の形成処理および消失液の供給処理を効率的に実行することが可能となり、基板処理システム５００全体のスループットを向上させることができる場合がある。
【０１１０】
（７）また、 第１および第２の実施の形態において、吸着ステージ２０、１２０上に保持される基板９は、８０℃〜９０℃程度に温調されているものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、この範囲より高い温度に温調されてもよいし、この範囲より低い（例えば、室温程度）温度に温調されてもよい。
【０１１１】
（８）さらに、第１および第２の実施の形態において、基板９は略円形形状を有するものとして説明したが、これに限定されるものでない。例えば、液晶表示装置用ガラス基板のように角型基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】本発明の第１ないし第３の実施の形態における基板処理装置の構成の一例を示す図である。
【図２】第１の実施の形態の塗布部の概略平面図である。
【図３】第１の実施の形態の塗布部の概略側面図である。
【図４】第１ないし第３の実施の形態における配管構成の一例を示す図である。
【図５】第１および第３の実施の形態における処理液の噴霧手順を示すフローチャートである。
【図６】基板表面の示す図である。
【図７】第２の実施の形態の塗布部の概略平面図である。
【図８】第２の実施の形態における処理液の噴霧手順を示すフローチャートである。
【図９】第２の実施の形態における処理液の噴霧手順を説明するための図である。
【図１０】第２の実施の形態における処理液の噴霧手順を説明するための図である。
【図１１】本発明の変形例である塗布部の概略平面図である。
【図１２】本発明の変形例である基板処理システムの構成の一例を示す図である。
【図１３】球形パーティクルを説明するための図である。
【図１４】球形パーティクルを説明するための図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１、１００、２００  基板処理装置
５（５ａ〜５ｄ）  球形パーティクル
８  塗布膜
９  基板
９ａ  段差エッジ部
１０、１１０、２１０  塗布部
１１、２１１  ノズル移動部
１１ａ、１１１ａ、１１１ｂ、２１１ｂ  ノズル支持アーム
１２、１５、１１２、１１５  スプレーノズル
２０、１２０  吸着ステージ
２１  ヒータ
５０  ローダ部
５５  アンローダ部
６０  搬送ロボット
７５  塗布液供給源
７６  プロセスガス供給源
７７  消失液供給源
５００  基板処理システム
５１０  搬送装置
Ｃ  カセット
Ｌ  軌跡
Ｄ１  距離
【図１】
2006278856.tif 000003
【図２】
2006278856.tif 000004
【図３】
2006278856.tif 000005
【図４】
2006278856.tif 000006
【図５】
2006278856.tif 000007
【図６】
2006278856.tif 000008
【図７】
2006278856.tif 000009
【図８】
2006278856.tif 000010
【図９】
2006278856.tif 000011
【図１０】
2006278856.tif 000012
【図１１】
2006278856.tif 000013
【図１２】
2006278856.tif 000014
【図１３】
2006278856.tif 000015
【図１４】
2006278856.tif 000016