(57)【要約】      （修正有）【課題】波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能でかつ、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても感度が良好で、良好な記録特性を有する追記型光記録媒体を提供する。【解決手段】一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物。2006335662.tif 000044（式（Ｉ）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立にベンゼン環或はナフタレン環を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立にアルキル基を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは特定の化学式を有する。Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの内、必ず一つはニトロ基を含有する。）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物。
【化１】
2006335662.tif 000040
（式（Ｉ）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（II）、（III）、または（IV）を示す。但し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの内、必ず一つはニトロ基を含有する。）
【化２】
2006335662.tif 000041
（式（II）、（III）、（IV）、中、Ｒ３〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
【請求項２】
下記一般式（Ｖ）で示される請求項１記載のトリメチン二量体化合物。
【化３】
2006335662.tif 000042
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ１５〜Ｒ３４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。但し、Ｒ１５〜Ｒ３４の内、必ず１つはニトロ基である。）
【請求項３】
下記一般式（VI）で示される請求項１記載のトリメチン二量体化合物。
【化４】
2006335662.tif 000043
（式中、Ｒ３５、Ｒ３６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ３７〜Ｒ５６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。但し、Ｒ３７〜Ｒ５６の内、必ず１つはニトロ基である。）
【請求項４】
基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として請求項１〜３のいずれかに記載のトリメチン二量体化合物を少なくとも１種用いることを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トリメチン系化合物を用いた、従来に比較して高密度に記録および再生可能な光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像、映像、音声等のデータを記録再生することのできる媒体として、有機色素を記録材料として用いるＣＤ−Ｒが広く知られている。現在、扱われるデータ量の増大に伴い、ＣＤ−Ｒと比較して大容量な記録再生可能な光記録媒体の普及が望まれ、中でもＣＤ−Ｒ同様有機色素を記録材料とするＤＶＤ−Ｒが、次世代を担う媒体として開発され、商品化されるに至っている。
【０００３】
ＤＶＤ−Ｒの一般的な構造は図１に示す通りであり、ランド７及びグル−ブ６を有する透明樹脂基板１の上に、記録層２、反射層３及び保護層（または接着層）４が形成され、場合によってはこれらの上に基板５が更に設けられる。
【０００４】
ＤＶＤ−Ｒでは高密度記録を行うためにレーザー光の発信波長が６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ近傍とＣＤ−Ｒの場合よりも短波長化している。このような短波長用途の有機色素系光記録媒体の色素としては、トリメチン化合物、アゾ化合物、ポルフィリン系化合物他、インジゴ類、ジオキサジン化合物、クマリン化合物、ペリレン化合物、ナフトラクタム化合物、トリフェニルメタン化合物、サブフタロシアニン化合物、ジベンゾピラン化合物、ジピロメテン化合物等が提案されている。
【０００５】
中でも、トリメチン化合物を用いた光記録媒体は光学特性に優れ、高密度化に対応できることから検討されている。
【０００６】
一方、ＣＤ−Ｒにおける記録速度の高速化に見られるように、ＤＶＤ−Ｒにおいても標準の記録速度に比べ、８倍速や１２倍速、若しくはそれ以上の１６倍速に対応した光記録媒体が望まれている。また、標準の記録速度から高速の記録速度のいずれの速度で記録しても良好な記録を行うことのできる光記録媒体の実現が望まれている。
【０００７】
しかし、高速記録、特に１２倍速以上の速度での記録を行う際には、記録レーザーの出力限界に伴う感度不足の問題や、ピット形成時に発生する熱による記録ピット間の熱干渉が増大し、ジッターが悪化する等の問題が顕在化してきた。
【０００８】
特開平１１−５３７６１号公報、特開２０００−１０８５１０号公報、特開２０００−２８９３３５号公報等にはニトロ基を導入したトリメチン化合物が開示され、特開２００２−５２８２９号公報には、特定の位置にスピロ環が導入されたトリメチン化合物が開示され、いずれも記録レーザーに対する感度が良好であるとの記載がある。しかしながら、高速記録時の感度、熱干渉に起因するジッターの悪化に関する記載はない。
【０００９】
特開２００３−２３１３５９号公報、特開２００５−５４１５０号公報、特開２００５−５３８７５号公報には、特定の位置にベンジル基が導入されたトリメチン化合物が開示され、ベンジル基の導入により分解温度が低下し、高速記録に対応したとの記載があるものの、１２倍速記録以上での高速記録特性に関する記載はなく、未だ改善の余地がある。
【００１０】
一方、特許第３６２７８９２号公報には、シアニンの二量体に関する記載があるが、置換基が限定されており、また、高速記録に関する記載はない。
【特許文献１】特開平１１−５３７６１号公報
【特許文献２】特開２０００−１０８５１０号公報
【特許文献３】特開２０００−２８９３３５号公報
【特許文献４】特開２００２−５２８２９号公報
【特許文献５】特開２００３−２３１３５９号公報
【特許文献６】特開２００５−５４１５０号公報
【特許文献７】特開２００５−５３８７５号公報
【特許文献８】特許第３６２７８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明者の目的は、新規なトリメチン二量体化合物を用いた波長５２０〜６９０ｎｍの短波長レーザーでの記録および再生が可能で、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても感度が良好で、ピット形成時の熱干渉が小さく、良好な記録特性を有する高密度光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を進めた結果、従来とは全く異なる二量体構造のトリメチン化合物を用いることにより、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても感度が良好で、ピット形成時の熱干渉が小さく、良好な記録特性を有する高密度光記録媒体が得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、本発明は、
〔１〕下記一般式（Ｉ）で示される請求項１記載のトリメチン二量体化合物。
【００１４】
【化１】
2006335662.tif 000002
【００１５】
（式（Ｉ）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（II）、（III）、（IV）を示す。但し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの内、必ず一つはニトロ基を含有する。）
【００１６】
【化２】
2006335662.tif 000003
【００１７】
（式（II）、（III）、（IV）、中、Ｒ３〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
〔２〕下記一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物。
【００１８】
【化３】
2006335662.tif 000004
【００１９】
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ１５〜Ｒ３４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。但し、Ｒ１５〜Ｒ３４の内、必ず１つはニトロ基である。）
〔３〕下記一般式（VI）で示されるトリメチン二量体化合物。
【００２０】
【化４】
2006335662.tif 000005
【００２１】
（式中、Ｒ３５、Ｒ３６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ３７〜Ｒ５６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。但し、Ｒ３７〜Ｒ５６の内、必ず１つはニトロ基である。）
〔４〕基板上に少なくとも、有機色素を含有する記録層および反射層を有する光記録媒体であって、有機色素として前記〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のトリメチン二量体化合物を少なくとも１種用いることを特徴とする光記録媒体。
に関する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２３】
本発明のトリメチン二量体化合物とは、下記一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物、である。
以下、本発明におけるトリメチン二量体化合物として下記一般式(Ｉ)で表されるトリメチン二量体化合物についてより具体的に説明する。
【００２４】
【化５】
2006335662.tif 000006
【００２５】
（式（Ｉ）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（II）、（III）、または（IV）を示す。但し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの内、必ず一つはニトロ基を含有する。）
【００２６】
【化６】
2006335662.tif 000007
【００２７】
（式（II）、（III）、（IV）、中、Ｒ３〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
【００２８】
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表す。
【００２９】
上記における置換基としては、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良いアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良いアシル基、置換基を有しても良いアルケニル基、置換基を有しても良いヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良いアルキルアミノ基、置換基を有しても良いジアルキルアミノ基、置換基を有しても良いアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良いアルキルチオ基、置換基を有しても良いアルキルスルホニル基、置換基を有しても良いアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
【００３０】
より具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜８のアルコキシ基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアシル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルケニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、置換基を有しても良い炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有しても良い炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルチオ基、置換基を有しても良い炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、置換基を有しても良い炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
【００３１】
さらに具体的には、ハロゲン原子、ホルミル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜６のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基、炭素数１〜６のアルキルチオ基、炭素数１〜６のアルキルスルホニル基、炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基、置換基を有しても良いアリール基、置換基を有しても良いメタロセニル基等が挙げられる。
【００３２】
ここで、一般式（Ｉ）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの置換基の具体例としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；ホルミル基；ヒドロキシル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；
メチル基、トリフルオロメチル基、エチル基、ペンタフルオロエチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基等の炭素数１〜８のアルキル基；
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｉｓｏ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、n-オクチルオキシ基、メトキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、３−（ｉｓｏ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基等の炭素数１〜８のアルコキシ基；
アセチル基、プロピオル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、ヘプタノイル基等の炭素数２〜７のアシル基；
ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；
ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜６のヒドロキシアルキル基；
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基等の炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基；
メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数１〜６のアルキルアミノ基；
ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基等の炭素数２〜８のジアルキルアミノ基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基；
メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基等の炭素数１〜６のアルキルチオ基；
メチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ペンタフルオロエチルスルホニル基、ｎ−プロピルスルホニル基、イソプロピルスルホニル基、ｎ−ブチルスルホニル基、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル基、ｓｅｃ−ブチルスルホニル基、ｎ−ペンチルスルホニル基、ｎ−ヘキシルスルホニル基等の炭素数１〜６のアルキルスルホニル基；
メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ｎ−プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ｎ−ブチルカルボニルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルアミノ基、ｎ−ペンチルカルボニルアミノ基等の炭素数２〜６のアルキルカルボニルアミノ基；
フェニル基、４−メチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ビフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−クロロフェニル基、４−フロロフェニル基、ナフタレン−１−イル基、ナフタレン−２−イル基等のアリール基；
フェロセニル基、チタノセニル基、クロノセニル基、ルテノセニル基等のメタロセニル基が挙げられる。
但し、環Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの内、必ず１つはニトロ基を含有する。
【００３３】
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。
【００３４】
Ｒ１、Ｒ２の具体例としてはメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、３−エチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、ｃｙｃｌｏ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリエチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、ｎ−ノニル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−ジメチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラメチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−ｃｙｃｌｏ−ペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−ｃｙｃｌｏ−ヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の炭素数１〜２０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；
クロロメチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ヘプタフルオロ−ｎ−プロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ノナフルオロ−ｎ−ブチル基、ノナフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチル基、パーフルオロイソペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチル基、ヘプタフルオロ−ｓｅｃ−ペンチル基、パーフルロヘキシル基、パーフルオロイソヘキシル基、パーフルオロヘプチル基、パーフルオロオクチル基、パーフルオロシクロヘキシル基、4−トリフルオロメチルシクロヘキシル基等のハロゲノアルキル基；
メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｉｓｏ−プロピルオキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−メトキシブチル基等のアルコキシアルキル基；
２−ジメチルアミノエチル基、３−ジメチルアミノプロピル基、４−ジメチルアミノブチル基、２−ジエチルアミノエチル基、３−ジエチルアミノプロピル基、４−ジエチルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−プロピルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−プロピルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−プロピルアミノブチル基、２−ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、３−ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、４−ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基等の炭素数４〜１２のジアルキルアミノアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基、フェノキシカルボニル基等の炭素数３〜７のアルコキシカルボニルアルキル基等の置換基を有しても良いアルキル基が挙げられる。
【００３５】
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｙは下記一般式（II）、（III）、または（IV）を表す。
【００３６】
ここで、一般式（II）、(III)、(IV)において、Ｒ３〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表す。
【００３７】
式（II）〜（IV）中のＲ３〜Ｒ１２の具体例としては水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、
ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、
ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｉｓｏ−へキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｉｓｏ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｉｓｏ−オクチル基等のアルキル基が挙げられる。
【００３８】
一般式（II）、(III)、(IV)において、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表す。
【００３９】
Ｗの具体例としては硫黄原子、酸素原子、Ｎ−メチルイミン基、Ｎ−エチルイミン基、Ｎ−ｎ−プロピルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−プロピルイミン基、Ｎ−ｎ−ブチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ブチルイミン基、Ｎ−ｔｅｒｔ−ブチルイミン基、Ｎ−ｎ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｔｅｒｔ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｎｅｏ−ペンチルイミン基、Ｎ−ｎ−ヘキシルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ヘキシルイミン基、Ｎ−ｎ−ヘプチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−ヘプチルイミン基、Ｎ−ｎ−オクチルイミン基、Ｎ−ｉｓｏ−オクチルイミン基、フェニルイミン基、アセチルイミン基等のイミン残基、カルボニル基、チオカルボニル基等が挙げられる。
【００４０】
一般式（II）、(III)、(IV)において、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表す。
【００４１】
一般式（II）、(III)、(IV)において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。
【００４２】
環Ｅの具体例としてはベンゼン環、ナフタレン環が挙げられる。
【００４３】
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
【００４４】
Ｚａ−で表されるアニオンの具体例としてはヨウ素、臭素、塩素、フッ素等のハロゲンアニオン；過塩素酸アニオン、塩素酸アニオン、チオシアン酸アニオン、六フッ化リンアニオン、六フッ化アンチモンアニオン、四フッ化ホウ素アニオン等の無機系アニオン；ベンゼンスルホン酸アニオン、トルエン−１，４−ジスルホン酸アニオン、トルエンスルホン酸アニオン、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン、ナフタレン−２−スルホン酸アニオン、ナフタレン−１，４−ジスルホン酸アニオン、ナフタレン−１，５−ジスルホン酸アニオン、ナフタレン−１，８−ジスルホン酸アニオン等の有機スルホ酸アニオン；フェロセンスルホン酸、フェロセンカルボン酸等のメタロセン化合物アニオン；アゾ化合物金属キレートアニオン、ベンゼンジチオール金属錯体アニオン等のクエンチャーアニオンが挙げられる。
【００４５】
本発明の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物として、好ましい化合物としては、一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物が挙げられる。
【００４６】
【化７】
2006335662.tif 000008
【００４７】
（式中、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ１５〜Ｒ３４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。但し、Ｒ１５〜Ｒ３４の内、必ず１つはニトロ基である。）
【００４８】
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１３、Ｒ１４はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。
【００４９】
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＲ１、Ｒ２の具体例と同様である。
【００５０】
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ１５〜Ｒ３４はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表す。但し、Ｒ１５〜Ｒ３４の内、必ず１つはニトロ基である。
【００５１】
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様である。
【００５２】
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。
【００５３】
一般式（Ｖ）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
【００５４】
ここで、上記のＺａ−で表されるアニオンの具体例としては、前述の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＺａ−で表されるアニオンの具体例と同様である。
【００５５】
本発明の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物として、好ましい化合物としては、一般式（VI）で示されるトリメチン二量体化合物が挙げられる。
【００５６】
【化８】
2006335662.tif 000009
【００５７】
（式中、Ｒ３５、Ｒ３６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表し、Ｒ３７〜Ｒ５６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。但し、Ｒ３７〜Ｒ５６の内、必ず１つはニトロ基である。）
【００５８】
一般式（VI）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ３５、Ｒ３６はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。
【００５９】
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＲ１、Ｒ２の具体例と同様である。
【００６０】
一般式（VI）で示されるトリメチン二量体化合物において、Ｒ３７〜Ｒ５６はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基を表す。但し、Ｒ３７〜Ｒ５６の内、必ず１つはニトロ基である。
【００６１】
ここで、上記の具体例としては、前述の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄにおいて、置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環の置換基について挙げられた具体例と同様である。
【００６２】
一般式（VI）で示されるトリメチン二量体化合物において、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。
【００６３】
一般式（VI）で示されるトリメチン二量体化合物において、ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。
【００６４】
ここで、上記のＺａ−で表されるアニオンの具体例としては、前述の一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物におけるＺａ−で表されるアニオンの具体例と同様である。
【００６５】
本発明の一般式（Ｉ）のトリメチン二量体化合物の好ましい具体例を表１に示すが、その化合物の範囲はこれらに限定されるものではない。
【００６６】
【表１−１】
2006335662.tif 000010
【００６７】
【表１−２】
2006335662.tif 000011
【００６８】
【表１−３】
2006335662.tif 000012
【００６９】
【表１−４】
2006335662.tif 000013
【００７０】
【表１−５】
2006335662.tif 000014
【００７１】
【表１−６】
2006335662.tif 000015
【００７２】
【表１−７】
2006335662.tif 000016
【００７３】
【表１−８】
2006335662.tif 000017
【００７４】
本発明の下記一般式（Ｉ）で表されるトリメチン二量体化合物の製造法は、特に限定されないが、例えば、一般式（VII）で表されるインドレン二量体化合物と下記一般式(VIII)で表される化合物を脂肪酸塩の存在下、脱水性有機酸を用いて縮合させることによりのトリメチン二量体化合物が得られる。
【００７５】
【化９】
2006335662.tif 000018
【００７６】
（式（Ｉ）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ独立に置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に置換基を有しても良いアルキル基を表す。ｂ(Ｚａ−)としてＺ−はアニオンを表し、ａ、ｂは１〜２の整数を表す。但しａ×ｂ＝２である。Ｙは下記一般式（II）、（III）、または（IV）を示す。但し、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄの内、必ず一つはニトロ基を含有する。）
【００７７】
【化１０】
2006335662.tif 000019
【００７８】
（式（II）、（III）、（IV）、中、Ｒ３〜Ｒ１２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基を表し、Ｗは硫黄原子、酸素原子、置換基を有しても良いイミン残基、カルボニル残基、チオカルボニル残基を表し、ｃは１〜８の整数、ｄ〜ｅは０〜４の整数、ｆ〜ｇは１〜４の整数、ｈは１〜２の整数を表し、環Ｅはベンゼン環或いはナフタレン環を表す。）
【００７９】
【化１１】
2006335662.tif 000020
【００８０】
（式中、Ｇは置換基を有しても良いベンゼン環、置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｙは前記一般式（Ｉ）と同じ意味を表す。）
【００８１】
【化１２】
2006335662.tif 000021
【００８２】
（式中、Ｆは置換基を有しても良いベンゼン環或いは置換基を有しても良いナフタレン環を表し、Ｒ５１は置換基を有しても良いアルキル基を表す。）
【００８３】
但し、式（VII）及び（VIII）中のＧ及びＦのいずれか一方は必ず１つ以上のニトロ基を有する。
【００８４】
上記縮合反応において、脂肪酸塩としては、例えば、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸カリウム、プロピオン酸ナトリウム、プロピオン酸カリウム等が挙げられる。
かかる脂肪酸塩は一般式（VII）で表される化合物1モル当たり通常０．１〜５モル程度、好ましくは０．５〜２モル程度使用する。
【００８５】
脱水性有機酸としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水酪酸、γ−ブチルラクトン等が挙げられる。
かかる脱水性有機酸は、一般式（VIII）で表される化合物1モル当たり通常１０〜１００モル程度、好ましくは２０〜５０モル程度使用する。
【００８６】
一般式（VII）で表される化合物と一般式（VIII）で表される化合物との使用割合は、通常前者1モルに対し後者を１〜１．５モル程度、好ましくは１〜１．１モル程度使用する。
【００８７】
上記反応は通常１０〜１５０℃程度、好ましくは室温〜１２０℃で好適に進行し、一般に数分〜３時間程度で完結する。
【００８８】
反応後、例えば、水やメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール等の貧溶媒を注入したり、或いは水やメタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール等の貧溶媒へ排出することにより反応混合物から目的物を容易に単離することができる。
【００８９】
本発明における光記録媒体に関し、その具体的な構成について以下に説明する。
【００９０】
光記録媒体とは予め情報を記録されている再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生することのできる光記録媒体の両方を示すものである。但し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生のできる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層を有する光記録媒体に関して説明する。本発明の光記録媒体は図１に示すような貼り合わせ構造を有している。すなわち、ランド７及びグル−ブ６を有する透明樹脂基板１の上に、記録層２、反射層３及び保護層（または接着層）４が形成され、場合によってはこれらの上に基板５が更に設けられる。ただし、記録層２の下または上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても良い。ここでは、既存のＤＶＤとの互換性のため、板厚が０．６ｍｍ、外径１２０ｍｍΦ、内径１５ｍｍφの円盤状基板が２枚貼り合わされた構造である。
【００９１】
次に、本発明の記録媒体の構成各層の必要特性及びその構成材料について説明する。
【００９２】
１）基板
基板の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形される。基板表面には記録位置を表すプリグルーブやプリピット、一部再生専用情報等のためのプリピットを有していてもよい。これらのプリグルーブやプリピットは、射出成形法等により基板作製時にスタンパー原盤から転写付与する方法が通常とられる。また、レーザーカッティング法（プリライト）や２Ｐ（Ｐｈｏｔｏ Ｐｏｌｙｍｅｒ）法により作製してもよい。
【００９３】
基板の溝ピッチは０．７μｍ〜１．０μｍであり、溝深さは１００ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは１４０ｎｍ〜１８５ｎｍである。溝幅は、０．２５μｍ〜０．４０μｍ、好ましくは０．３０μｍ〜０．３５μｍである。溝深さが１００ｎｍ未満の場合、トラッキングのためのプッシュプル信号振幅を得ることが困難になる傾向があり、２００ｎｍを越える場合は、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。また、溝幅が０．２５μｍ未満の場合、クロストークが悪化する傾向があり、０．４μｍを越える場合、射出成形時の転写プロセスが生産上実用的ではない。これら溝形状は、Ｈｅ−Ｃｄレーザーの照射による回折光解析またはＡＦＭ等のプロファイルから求められる。
【００９４】
２）記録層
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、λmaxが４５０ｎｍ〜６３０ｎｍ付近に存在する一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物を含有する。中でも、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍより選択される記録および再生レーザー波長に対して適度な光学定数（光学定数は複素屈折率（ｎ＋ｋｉ）で表現される。式中のｎ、ｋは、実数部ｎと虚数部ｋとに相当する係数である。ここでは、ｎを屈折率、ｋを消衰係数とする。）を有する必要がある。
【００９５】
一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率nと消衰係数kが大きく変化する特徴がある。ｎが１．８より小さい値になると正確な信号読み取りに必要な反射率と信号変調度は得られず、ｋが０．４０を越えても反射率が低下して良好な再生信号が得られないだけでなく、再生光により信号が変化しやすく実用に適さない。この特徴を考慮して、目的とするレーザー波長において好ましい光学定数を有する有機色素を選択し記録層を成膜することで、高い反射率を有し、かつ、感度の良い媒体とすることができる。
【００９６】
本発明で使用する一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物は、通常の有機色素に比べ、吸光係数が高く、また置換基の選択により吸収波長域を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において記録層に必要な光学定数（ｎが１．８以上、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは、ｎが２．０以上、且つ、ｋが０．０４〜０．２０）を満足する。
【００９７】
また、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物は、特定の構造を有する二つのトリメチン化合物をインドレニン環の窒素原子同士で連結する２量体構造とすることにより、記録レーザー照射時に発生する熱による分解が適度に促進される。これにより、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても記録感度に優れ、また熱干渉によるジッターの悪化が十分低く抑制される良好な記録特性を有する光記録媒体を得ることができる。
【００９８】
本発明の記録層においては、好ましくは、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物１種を記録層として用いるが、記録特性などの改善のために、２種以上を混合したり、本発明のトリメチン二量体化合物以外の色素と混合して用いてもよい。
【００９９】
一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物２種以上を混合して用いる場合のトリメチン二量体化合物の混合割合については特に制限はされないが、前記の理由で、光学定数ｎが１．８以上、好ましくは２．０以上で、且つ、ｋが０．０４から０．４０であり、好ましくは０．０４〜０．２０になるように混合するのが好ましい。
【０１００】
また、混合して用いてもよい本発明のトリメチン二量体化合物以外の色素としては、波長４５０ｎｍ〜６３０ｎｍに吸収極大を有し、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍでの屈折率が大きい色素が挙げられる。具体的には、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。
【０１０１】
更に、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物の、５２０ｎｍ〜６９０ｎｍから選択される記録及び再生レーザー波長に対してのｋが小さい場合には、記録特性などの改善のために、波長６００ｎｍ〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合物と混合しても良い。具体的には、アゾ色素、スクアリリウム系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、アザポルフィリン系色素、テトラピラポルフィラジン系色素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素等があり、複数の色素の混合であっても良い。これらの色素の混合割合は、０．１〜３０％程度である。
【０１０２】
記録層を製膜する際に、必要に応じてクエンチャー、色素分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱分解化合物などを混合するか、あるいは、そのような効果を有する化合物を一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物の置換基として導入することも可能である。
【０１０３】
クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系化合物、ビスジチオ−α−ジケトン系化合物やビスフェニルジチオール系化合物などのビスジチオール系化合物、チオカテコール系化合物、サリチルアルデヒドオキシム系化合物、チオビスフェノレート系化合物などの金属錯体が好ましい。また、アミン化合物も好適である。
【０１０４】
熱分解促進剤としては、例えば、金属系アンチノッキング剤、メタロセン化合物、アセチルアセトナート系金属錯体などの金属化合物が挙げられる。
【０１０５】
さらに、必要に応じて、バインダー、レベリング剤、消泡剤などを併用することもできる。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィンなどが挙げられる。
【０１０６】
記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度などを向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０１０７】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、浸漬法などの塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【０１０８】
スピンコート法等の塗布法を用いる場合には、一般式（Ｉ）で示されるトリメチン二量体化合物を１〜４０重量％、好ましくは３〜３０重量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。具体的には、アルコール系（ケトアルコール系、エチレングリコールモノアルキルエーテル系等のアルコキシアルコール系を含む。）、ケトン系、エステル系、エーテル系、芳香族系、ハロゲン化アルキル系等が挙げられる。
【０１０９】
このなかで、アルコール系が特に好ましい。アルコール系のなかでは、アルコキシアルコール系、ケトアルコール系などが好ましい。アルコキシアルコール系は、アルコキシ部分の炭素原子数が１〜４であることが好ましく、かつアルコール部分の炭素原子数が１〜５、さらには２〜５であることが好ましく、総炭素原子数が３〜７であることが好ましい。具体的には、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）やエチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ、エトキシエタノールともいう）やブチルセロソルブ、２−イソプロポキシ−１−エタノール等のエチレングリコールモノアルキルエーテル（セロソルブ）系や１−メトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、４−メトキシ−１−ブタノール、１−エトキシ−２−プロパノール等が挙げられる。ケトアルコール系としてはジアセトンアルコール等が挙げられる。さらには２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素化アルコールも用いることができる。
【０１１０】
また、塗布液には適宜バインダー、分散剤、安定剤などを含有させてもよい。
【０１１１】
なお、必要に応じて、記録層の色素を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもできる。
【０１１２】
また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有効である。
【０１１３】
色素層の膜厚は、特に限定するものではないが、基板の案内溝（グルーブ）上の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲が好ましく、基板の案内溝間（ランド）の膜厚は、１０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲が好ましい。グルーブの膜厚が１５０ｎｍを越すと、最短ピットが潰れ、好ましくない。また、３０ｎｍよりも薄い場合、良好な記録感度、記録変調度が得られない。ランド上の膜厚は極力薄いことが特に好ましい。これらの記録層の膜厚制御は、上記の有機溶媒を複数混合して用いることで可能である。
【０１１４】
３）反射層
記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴａおよびＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属および半金属を挙げることができる。また、Ａｕを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成分というのは含有率が５０％以上のものをいう。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０１１５】
反射層を形成する方法としては、例えば、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法などが挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上などのために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０１１６】
反射率は、信号が再生できれば特に限定されないが、好ましくは３０％以上６５％未満であり、更に好ましくは、４５％以上６０％未満である。
【０１１７】
４）保護層
反射層の上の保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂などを挙げることができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２などが挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶媒に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【０１１８】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法などの方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【０１１９】
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは５μｍ〜２０μｍである。
【０１２０】
保護層の上にさらにレーベルなどの印刷を行うこともできる。また、反射層面に保護シートまたは基板を張り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせるなどの手段を用いても良い。また、基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を製膜しても良い。
【０１２１】
本発明でいう波長５２０ｎｍ〜６９０ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、例えば、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、波長６８０、６５０、６３５ｎｍ付近の高出力半導体レーザー、波長５３２ｎｍの高調波変換ＹＡＧレーザーなどが挙げられる。本発明では、これらから選択される１波長または複数波長において高密度記録および再生が可能となる。
【０１２２】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。
【実施例１】
【０１２３】
トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（７））の製造
【０１２４】
【化１３】
2006335662.tif 000022
具体例化合物（７）
【０１２５】
窒素雰囲気下、無水酢酸５０ｍｌに下記構造式〔１〕で示されるインドレニン二量体５．２ｇ、下記構造式〔２〕で示される化合物６．５ｇを加え、室温にて１０分間攪拌後、メタンスルホン酸２ｇを添加して８３〜８６℃で２．０時間攪拌した。冷却してメタノール１００ｍｌを滴下、還流下１時間攪拌した。冷却後、減圧にてメタノールを濃縮して残渣にメタノール１５０ｍｌを加え、７０％過塩素酸水溶液３．１６ｇを滴下して室温にて１時間攪拌した。析出物を濾取、メタノールにて洗浄、乾燥して表１の具体例化合物（７）１２．８ｇ（収率９５．８％）を赤紫色結晶として得た。
【０１２６】
【化１４】
2006335662.tif 000023
【０１２７】
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λmax）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
【０１２８】
元素分析値(Ｃ６４Ｈ６０Ｂｒ２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２)：ＭＷ＝１３３５．９１
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）５７．５４    ４．５３    ６．２９
実測値（％）５７．５１    ４．４９    ６．３４
λmax：５８０．０ｎｍ
εｇ：１．２８×１０５ｍｌ／ｇ・ｃｍ
【実施例２】
【０１２９】
トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（８））の合成
【０１３０】
【化１５】
2006335662.tif 000024
具体例化合物（８）
【０１３１】
実施例１において、構造式〔２〕で示される化合物６．５ｇの代わりに下記構造式〔３〕で示される化合物６．５ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（８）１２．４ｇ（収率９２．８％）を赤紫色結晶として得た。
【０１３２】
【化１６】
2006335662.tif 000025
【０１３３】
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λmax）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
【０１３４】
元素分析値(Ｃ６４Ｈ６０Ｂｒ２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２)：ＭＷ＝１３３５．９１
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）５７．５４    ４．５３    ６．２９
実測値（％）５７．４９    ４．５１    ６．３２
λmax：５８１．０ｎｍ
εｇ：１．０３×１０５ｍｌ／ｇ・ｃｍ
【実施例３】
【０１３５】
トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（９））の合成
【０１３６】
【化１７】
2006335662.tif 000026
具体例化合物（９）
【０１３７】
実施例１において、構造式〔２〕で示される化合物６．５ｇの代わりに下記構造式〔４〕で示される化合物６．５ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（９）１１．９ｇ（収率８９．１％）を赤紫色結晶として得た。
【０１３８】
【化１８】
2006335662.tif 000027
【０１３９】
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λmax）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
【０１４０】
元素分析値(Ｃ６４Ｈ６０Ｂｒ２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２)：ＭＷ＝１３３５．９１
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）５７．５４    ４．５３    ６．２９
実測値（％）５７．５６    ４．５７    ６．２７
λmax：５７４．０ｎｍ
εｇ：１．１９×１０５ｍｌ／ｇ・ｃｍ
【実施例４】
【０１４１】
トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（１５））の合成
【０１４２】
【化１９】
2006335662.tif 000028
具体例化合物（１５）
【０１４３】
実施例１において、構造式〔２〕で示される化合物６．５ｇの代わりに下記構造式〔５〕で示される化合物６．３ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（１５）１２．０ｇ（収率９１．２％）を赤紫色結晶として得た。
【０１４４】
【化２０】
2006335662.tif 000029
【０１４５】
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λmax）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
【０１４６】
元素分析値(Ｃ６４Ｈ５８Ｃｌ６Ｎ６Ｏ１２)：ＭＷ＝１３１５．８９
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）５８．４２    ４．４４    ６．３９
実測値（％）５８．４８    ４．４７    ６．３７
λmax：５６９．５ｎｍ
εｇ：１．００×１０５ｍｌ／ｇ・ｃｍ
【実施例５】
【０１４７】
トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（１６））の合成
【０１４８】
【化２１】
2006335662.tif 000030
具体例化合物（１６）
【０１４９】
実施例１において、構造式〔１〕で示されるインドレニン二量体５．２ｇの代わりに下記構造式〔６〕で示されるインドレニン二量体１１．４ｇを使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（１６）１２．２ｇ（収率８８．０％）を赤紫色結晶として得た。
【０１５０】
【化２２】
2006335662.tif 000031
【０１５１】
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λmax）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
【０１５２】
元素分析値(Ｃ６８Ｈ６２Ｂｒ２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２)：ＭＷ＝１３８５．９７
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）５８．９３    ４．５１    ６．０６
実測値（％）５８．８９    ４．４６    ６．０９
λmax：５８０．０ｎｍ
εｇ：０．８３×１０５ｍｌ／ｇ・ｃｍ
【実施例６】
【０１５３】
トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（３１））の合成
【０１５４】
【化２３】
2006335662.tif 000032
具体例化合物（３１）
【０１５５】
実施例１において、構造式〔１〕で示されるインドレニン二量体体５．２ｇの代わりに下記構造式〔７〕で示されるインドレニン二量体５．１ｇ使用し、構造式〔２〕で示される化合物６．５ｇの代わりに下記構造式〔８〕で示される化合物５．０ｇを使用する以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（３１）１０．２ｇ（収率８６．６％）を赤紫色結晶として得た。
【０１５６】
【化２４】
2006335662.tif 000033
【０１５７】
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λmax）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
【０１５８】
元素分析値(Ｃ６４Ｈ６２Ｃｌ２Ｎ６Ｏ１２)：ＭＷ＝１１７８．１２
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）６５．２５    ５．３０    ７．１３
実測値（％）６５．２１    ５．２７    ７．１６
λmax：５３８．５ｎｍ
εｇ：１．２２×１０５ｍｌ／ｇ・ｃｍ
【実施例７】
【０１５９】
トリメチン二量体化合物（表１の具体例化合物（６１））の合成
【０１６０】
【化２５】
2006335662.tif 000034
具体例化合物（６１）
【０１６１】
実施例１において、構造式〔２〕で示される化合物６．５ｇの代わりに下記構造式〔９〕で示される化合物６．８ｇ使用した以外は実施例１と同様な操作を行って、表１の具体例化合物（６１）９．２ｇ（収率６３．５％）を赤紫色結晶として得た。
【０１６２】
【化２６】
2006335662.tif 000035
【０１６３】
この化合物の元素分析値、アセトン溶液中の吸収極大波長（λmax）及びグラム吸光係数（εｇ）は以下の通りであった。
【０１６４】
元素分析値(Ｃ７２Ｈ６４Ｆ１２Ｎ８Ｏ８Ｐ２)：ＭＷ＝１４５９．２６
Ｃ          Ｈ          Ｎ
計算値（％）５９．８２    ４．４３  １２．３１
実測値（％）５９．７９    ４．４１  １２．３５
λmax：５８４．０ｎｍ
εｇ：１．１５×１０５ｍｌ／ｇ・ｃｍ
【実施例８】
【０１６５】
厚さ０．６ｍｍ，直径１２０ｍｍΦのスパイラルグルーブ（ピッチ＝０．７４ｕｍ，深さ＝１６５ｎｍ，幅＝０．３３ｕｍ）を有する射出成形ポリカーボネート基板に表１に記載したトリメチン二量体化合物（３）を、テトラフルオロプロパノールに溶解し（２０ｇ／ｌ），スピンコーティング法にてほぼ溝上膜厚８０ｎｍ，溝間膜厚２０ｎｍとなるように調整し成膜した。８０℃、２時間乾燥処理した後、ＡｇＰｄＣｕ反射膜をバルザース製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用い膜厚８０ｎｍで形成し、更にこの反射層上にはＵＶ硬化樹脂：ＳＤ１７（大日本インク製）を塗布しＵＶ硬化した後、この上に前記と同様０．６ｍｍ厚のポリカーボネート基板を貼り合わせＪＳＲ製ＫＺ８６８１ラジカル重合接着剤によりＵＶ光で貼り合わせた光記録媒体を作製した。
【０１６６】
得られた光記録媒体をパルステック工業社製ディスクテスターＤＤＵ１０００：波長＝６６１ｎｍ、ＮＡ＝０．６０にて、線速度＝４２ｍ／ｓ（ＤＶＤ−Ｒ基準記録速度の１２倍速スピード）で回転させ、アシンメトリーがゼロとなるレーザーパワーで記録した際のレーザーパワー及び熱干渉度合いの指標となる３Ｔピットのにじみ量を測定した。記録レーザーパワーは２１ｍＷで、３Ｔピットのにじみ量は、１５％であり、１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
【０１６７】
以下に、各信号評価パラメーターについて説明する。
【０１６８】
・アシンメトリー；信号アイパターン図（図２）において、以下のように定義され、長ピット、長ランドに由来する信号振幅（Ｉ１４）の中心位置に対する、短ピット、短ランドに由来する信号振幅（Ｉ３）の中心位置を規定したパラメーターである。ＤＶＤ−Ｒ規格値は、−０．０５以上０．１５以下である。
（数１）  式１
［(Ｉ１４Ｈ＋Ｉ１４Ｌ)／２−(Ｉ３Ｈ＋Ｉ３Ｌ)／２］／Ｉ１４
【０１６９】
・３Ｔピットのにじみ量；信号アイパターン図（図２）において、以下のように定義される。熱干渉は、信号アイパターン上で、最短ピット（３Ｔピット）のにじみとして最も顕在化するため、熱干渉の程度を表す指標として、本パラメーターを設定した。
（数２）  式２
（Ｉ３Ｌ上−Ｉ３Ｌ下）／Ｉ３  ×  １００  （％）
【０１７０】
［実施例９〜２２］
表２に記載したトリメチン二量体化合物を適宜使用する以外は、実施例８と同様にして光記録媒体を作製した。
【０１７１】
これら光記録媒体を実施例８と同様にして評価を行ったところ、いずれも１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
【０１７２】
［比較例１］
下記トリメチン化合物（構造式（Ｎ））を用いて実施例８と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施したが、記録感度が不足し、１２倍速での記録ができなかった。
【０１７３】
［比較例２〜３］
下記トリメチン化合物（構造式（Ｏ）、構造式（Ｐ））を用いて実施例８と同様にして光記録媒体を作製し、同様の評価を実施した。１２倍速での記録は確認できたものの、記録感度に劣り、熱干渉も大きく、良好な信号波形が得られなかった。
【０１７４】
【化２７】
2006335662.tif 000036
構造式（Ｎ）
【０１７５】
【化２８】
2006335662.tif 000037
構造式（Ｏ）
【０１７６】
【化２９】
2006335662.tif 000038
構造式（Ｐ）
【０１７７】
表−２には実施例８〜２２、及び比較例１〜３において、１２倍速記録で、アシンメトリーがゼロとなるレーザーパワーで記録した際のレーザーパワー及び熱干渉度合いの指標となる３Ｔピットのにじみ量の測定結果を示した。当該実施例に示すＤＶＤ−Ｒ媒体では、１２倍速の高速記録感度に優れ、熱干渉の抑制された良好な信号波形が確認できた。
表２
【０１７８】
【表２】
2006335662.tif 000039
【産業上の利用可能性】
【０１７９】
本発明のトリメチン二量体化合物を記録層として用いることにより、５２０〜６９０ｎｍのレーザーで記録再生が可能で、標準の記録速度のみならず１２倍速以上の高速度の記録においても感度が良好で、良好な記録特性を有する追記型光記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１８０】
【図１】従来の光記録媒体および本発明の層構成を示す断面構造図である。
【図２】信号アイパターンを示す図である。
【符号の説明】
【０１８１】
１  基板
２  記録層
３  反射層
４  接着層
５  基板
【図１】
2006335662.tif 000045
【図２】
2006335662.tif 000046