(57)【要約】【課題】  幅の異なるパターンを組み合わせて、膜厚の均等な薄膜パターンを形成した表示装置用基板とこの表示装置用基板を用いた画像表示装置を提供する。【解決手段】  基板１上に薄膜形成材料インクで分割塗布された幅狭のパターン２と幅広のパターン３との分割部を橋絡させて塗布したインク５で接続部６を形成する。接続部６で幅狭のパターン２と幅広のパターン３とを一体化し、均一な膜厚の薄膜パターンを得る。【選択図】    図１
2006221059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜形成材料の塗布で形成した第１幅のパターンと第２幅のパターンを接続した接続部を有する薄膜パターンを有する表示装置用基板であって、
前記薄膜パターンの前記接続部が、前記第１幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第１塗布膜と、該第１塗布膜と不連続部を介して塗布された前記第２幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第２塗布膜と、前記第１塗布膜と前記第２塗布膜の間を橋絡して前記不連続部に塗布された第３塗布膜とから構成されていることを特徴とする表示装置用基板。
【請求項２】
前記第１幅のパターンの幅が前記第２幅のパターンの幅より幅狭であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置用基板。
【請求項３】
前記第１幅のパターンと前記第２幅のパターンの膜厚が略等しいことを特徴とする請求項２に記載の表示装置用基板。
【請求項４】
前記第１幅のパターンが配線部パターンであり、前記第２幅のパターンが端子部であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置用基板。
【請求項５】
一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数のゲート配線と該複数のゲート配線に交差して前記他方向に延在し前記一方向に並設された複数のデータ配線と前記複数のゲート配線と前記複数のデータ配線の各交差部に形成された薄膜トランジスタと画素電極を有する多数の画素をマトリクス状に配置した第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板に間隙を持って貼り合せた第２の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の前記貼り合せ間隙に封入した液晶層を有する液晶パネルを備えた表示装置であって、
前記第１の絶縁基板に有する前記ゲート配線と前記データ配線の一方又は双方が、薄膜形成材料の塗布で形成した第１幅のパターンと第２幅のパターンを接続した接続部を有する薄膜パターンで構成されており、
前記薄膜パターンの前記接続部が、前記第１幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第１塗布膜と、該第１塗布膜と不連続部を介して塗布された前記第２幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第２塗布膜と、前記第１塗布膜と前記第２塗布膜の間を橋絡して前記不連続部に塗布された第３塗布膜とから構成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
前記第１幅のパターンの幅が前記第２幅のパターンの幅より幅狭であることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記第１幅のパターンと前記第２幅のパターンの膜厚が略等しいことを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記第２の絶縁基板の内面に対向電極と複数色のカラーフィルタを有することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の前記貼り合せ内面の前記液晶層との界面に配向膜を有することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記第１の絶縁基板と前記第2の絶縁基板の各外面に偏光板を有することを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用基板およびこの表示装置用基板を用いた画像表示装置に係り、特に、基板上にインクジェット法を用いて配線等の所用パターンを形成した表示装置用基板に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、画素ごとに点灯を制御するアクティブ・マトリクス方式のフラットパネル型画像表示装置では、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子とこのスイッチング素子で駆動される画素電極を有する多数の画素を基板（ガラス等の絶縁基板）上に行および列方向にマトリクス状に配置して構成される。マトリクス配置された多数の薄膜トランジスタを行毎に選択する走査信号を供給する複数のゲート配線（選択線）と、選択されたゲート配線に接続したスイッチング素子に表示データを供給する複数のデータ配線（信号線）とは、上記行および列に対応してマトリクス状に交差配置される。そして、各配線（ゲート配線とデータ配線）の交差部のそれぞれに画素が配置されている。
【０００３】
上記のゲート配線やデータ配線は、ホトリソグラフィー（以下ホトリソと略記する）手法で形成するのが一般的であるが、近年、インクジェット法などの印刷技術を用いた配線形成方法が提案された。このインクジェットを用いた配線技術は、例えば「非特許文献１」に記載されている。また、「特許文献１」には、基板面にバンクで溝を形成し、この溝にインクジェット法で薄膜材料液を充填して薄膜パターンを形成する技術が開示されている。
【０００４】
図１５は、インクジェット法等の印刷技術で形成した幅の異なる薄膜パターンの説明図であり、図１５（a）は理想的な薄膜パターンの平面図、図１５（a'）は図１５（a）の側面図、図１５（b）は実際の薄膜パターンの平面図、図１５（b'）は図１５（b）の側面図を示す。図１５（a）に示したように、基板１上に幅の狭い第１幅Ｗ１のパターンを形成する第１のインク２と、第１幅のパターンよりも幅の広い第２幅Ｗ２のパターンを形成する第２のインク３を塗布して、両インクが流動性を有している状態で両者を連結する。これを乾燥あるいは焼成することで、図１５（a'）に示したように、第１のインク２と第２のインク３共に同じ膜厚（Ａ−Ａ断面での膜厚Ｔ１＝Ｂ−Ｂ断面での膜厚Ｔ２）を有する薄膜パターンを得る。
【０００５】
しかし、基板１上に幅の狭い第１幅のパターンを形成する第１のインク２と、第１幅のパターンよりも幅の広い第２幅のパターンを形成する第２のインク３を塗布して両インクが流動性を有している状態で両者を連結すると、図１５（b）の矢印Ｆで示したように、幅狭の第１幅のパターンに塗布されたインク２は幅広の第２幅のパターン側に流動して当該幅広の第２幅のパターンに塗布されたインク３側に集まる現象が起こる。そのため、インク２と３を乾燥あるいは焼成等で固体化すると、図１５（b'）に示したように、第１のインク２による第１幅のパターンの膜厚が薄くなり、第２のインク３による第２幅のパターンの膜厚が厚くなる（Ａ−Ａ断面での膜厚Ｔ１＜Ｂ−Ｂ断面での膜厚Ｔ２）。この薄膜パターンが配線パターンである場合には、第１幅のパターンと第２幅のパターンの抵抗値が異なってしまう。
【０００６】
図１６は、幅狭の第１幅のパターンに塗布されたインクが幅広の第２幅のパターン側に流動して当該幅広の第２幅のパターンに塗布されたインク側に集まる現象を説明する図である。図１６（a）は図１５（b）のＡ−Ａ断面図であり、図１６（b）は図１５（b）のＢ−Ｂ断面図を示す。一般に、液滴の曲率半径と内部圧力は反比例（ラプラス圧）する。同一平面（基板１）上に滴下されたインク２の接触角θＡとインク３の接触角θＢとは同等である（θＡ＝θＢ）から、幅狭の第１幅のパターンに塗布されたインク２の曲率半径＜幅広の第２幅のパターンに塗布されたインク３の曲率半径であり、幅狭の第１幅のパターンに塗布されたインク２の内部圧力＞幅広の第２幅のパターンに塗布されたインク３の内部圧力である。この圧力差によって図１５（b）,（b'）に示したように、幅広の第２幅のパターン部にインクが集まるように流動する。
【非特許文献１】「日経エレクトロニクス」（２００２．６．１７発行、６７頁から７８頁）
【特許文献１】特開２０００−３５３５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
インクジェット法等の印刷技術を用いたガラス基板などの表示装置用基板に薄膜パターンの塗布では、求めるパターンに沿って薄膜パターン形成材料の溶液（インク）を塗布して描画し、これを乾燥あるいは焼成して所要の薄膜パターンを得る。この様なインクの塗布で幅の異なる配線等のパターンを組み合わせて薄膜パターンを形成する場合、幅の狭いパターン（幅狭の薄膜パターン、第１幅のパターン）と幅の広いパターン（幅広の薄膜パターン、第２幅のパターン）とを連結すると、前記した現象でインクは幅広の薄膜パターン側に集まる。例えば、金属微粒子を含むインクで配線パターンを形成する場合、幅の狭いパターンの膜厚が薄くなって高抵抗化するなど、所定の電気特性を満足することができず、表示装置用の基板における配線形成に適用した場合には高品質の画像を表示できる画像表示装置を得ることが困難である。
【０００８】
本発明の目的は、幅の異なるパターンを組み合わせて、膜厚の均等な薄膜パターンを形成した表示装置用基板とこの表示装置用基板を用いた画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するため、本発明の表示装置用基板は、基板上に複数種類の幅の異なるパターン毎にパターンを分割して分割されたそれぞれのパターンにインクを塗布して異なる幅のインク塗布膜を形成する。インクの流動性が低下した状態（粘度が上昇した状態）で幅の異なるインク塗布膜の間を橋絡させてインクを塗布することで形成される。
【００１０】
インクジェット法では、インクジェット装置のノズルから吐出するインクの粘度は極めて低い。しかし、ノズルから吐出後のインクは、その溶媒が急速に蒸発するため、短時間で粘度が上昇して流動性は低下する。したがって、分割された幅の異なるそれぞれのパターンにインクを塗布し、その後に幅の異なるインク塗布膜の間を橋絡させるインクの塗布時点では、当該橋絡させるインクが両パターンに接続しても前記したような幅狭のパターンから幅広のパターンへのインクの流動は起こらない。本発明の代表的な構成は次のとおりである。
【００１１】
本発明の表示装置用基板は、基板上に薄膜形成材料の塗布で形成した第１幅のパターンと第２幅のパターンを接続した接続部を有し、前記薄膜パターンの前記接続部を前記第１幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第１塗布膜と該第１塗布膜と不連続部を介して塗布された前記第２幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第２塗布膜と前記第１塗布膜と前記第２塗布膜の間を橋絡して前記不連続部に塗布された第３塗布膜とから構成する。
【００１２】
また、本発明の画像表示装置は、一方向に延在し該一方向と直交する他方向に並設された複数のゲート配線と該複数のゲート配線に交差して前記他方向に延在し前記一方向に並設された複数のデータ配線と前記複数のゲート配線と前記複数のデータ配線の各交差部に形成された薄膜トランジスタと画素電極を有する多数の画素をマトリクス状に配置した第1の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板に間隙を持って貼り合せた第２の絶縁基板と、前記第1の絶縁基板と前記第２の絶縁基板の前記貼り合せ間隙に封入した液晶層を有し、
前記第１の絶縁基板に有する前記ゲート配線と前記データ配線の一方又は双方が、薄膜形成材料の塗布で形成した第１幅のパターンと第２幅のパターンを接続した接続部を有する薄膜パターンで構成し、
前記薄膜パターンの前記接続部が、前記第１幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第１塗布膜と、該第１塗布膜と不連続部を介して塗布された前記第２幅のパターンを形成する薄膜形成材料インクの第２塗布膜と、前記第１塗布膜と前記第２塗布膜の間を橋絡して前記不連続部に塗布された第３塗布膜とから構成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の構成とすることで、幅の広いパターンへのインクの集中が抑制される。そのため、幅の狭い薄膜パターンでもインクの塗布量が少なくなる（膜厚が薄くなる）ことはなく、所要の膜厚を有する薄膜パターンが得られる。本発明によれば、表示装置用基板に金属微粒子を含むインクで薄膜の配線パターンを形成し、当該配線パターンの終端部分に端子パッドを形成する場合などでも、配線パターンと端子パッドとを同じような膜厚で形成することができる。そのため、抵抗や容量等の電気特性を満足することができる。そして、この表示装置用基板を用いることで、高い表示品質の画像表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の表示装置用の基板およびこの基板を用いた表示装置の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の原理を説明する模式図である。図１（ａ）は基板１上に薄膜形成材料インク（以下、単にインクと称する）で幅狭のパターン２と幅広のパターン３を分割塗布した状態を示す。この塗布はインクジェット装置で行うが、他の印刷法を用いてもよい。その後、図１（b）の如く幅狭のパターン２と幅広のパターン３との分割部を橋絡するように、インクジェット装置のノズル４でインク５を塗布する。これにより、図１（c）に示したように、接続部６で幅狭のパターン２と幅広のパターン３が一体化された薄膜パターンが得られ、配線パターンなどでは、これを焼成して固体化する。
【実施例１】
【００１６】
図２は、本発明の表示装置用基板の実施例１を説明する模式図である。また、図３は、実施例１の製造プロセスを説明する図２のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。図２において、基板１の薄膜パターン形成部分を親液領域とし、その他の部分を撥液領域とする。すなわち、図２に示した基板１の幅狭のパターンおよび幅広のパターンを形成する部分はそれぞれ親液領域７、その他の部分は撥液領域８としてある。幅狭のパターンと幅広のパターンはパターン分割点９で分離してある。パターン分割点９も撥液領域である。これを図３（a）に示す。
【００１７】
次に、図２に示したようにインクジェット装置のノズル４から幅狭のパターンと幅広のパターンにインク５を滴下し、幅狭のパターン２と幅広のパターン３を塗布する。塗布した状態を図３（b）に示した。インク５は撥液領域８であるパターン分割点９に付着しない。従って、幅狭のパターン２と幅広のパターン３とはパターン分割点９で分離されている。パターン２とパターン３に塗布されたインクは急速に粘度が上昇する。
【００１８】
幅狭のパターン２と幅広のパターン３にインクを塗布した後、パターン分割点９にインク５を滴下する（図３（c）参照）。このとき、インク５が幅狭のパターン２と幅広のパターン３を橋絡するのに十分な量とする。インク５をパターン分割点９に滴下する時点では、先に該幅狭のパターン２と幅広のパターン３とに塗布されたインクの粘度は上昇しており、前記したような流動は殆ど生じない。パターン分割点９に滴下されたインク５は、幅狭のパターン２（第1塗布膜）と幅広のパターン３（第２塗布膜）と接合した橋絡部６（第３塗布膜）となって幅狭のパターン２と幅広のパターン３とは一体のパターンとなる（図３（d）参照）。
【００１９】
実施例１では、第1塗布膜である幅狭のパターン２を配線部とし、第２塗布膜である幅広のパターン３を端子パッド部とすることができ、配線部と端子パッド部の膜厚は均一となり、特に配線部の膜厚の低減が抑制されるので、配線抵抗などの電気特性の劣化を防止できる。
【実施例２】
【００２０】
図４は、本発明の表示装置用基板の実施例２を説明する模式図である。また、図５は、実施例２の製造プロセスを説明する図４のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。実施例２では、基板１の表面に溝形成材料１０としてのフォトレジストの塗布、パターン露光、現像の各工程を含むホトリソグラフィ技法で幅狭のパターンの溝１１と幅広のパターンの溝１２を形成する。なお、溝形成材料にこれらの溝を形成する方法には他の既知のパターニング技法を採用可能である。
【００２１】
幅狭のパターンの溝１１と幅広のパターンの溝１２はパターン分割点９で分離してある。パターン分割点９は溝１１と溝１２との間にある溝形成材料１０である。これを図５（a）に示す。
【００２２】
次に、図４に示したようにインクジェット装置のノズル４から幅狭のパターンと幅広のパターンにインク５を滴下し、幅狭のパターン２と幅広のパターン３（図５）を塗布する。塗布した状態を図５（b）に示した。幅狭のパターン２と幅広のパターン３とはパターン分割点９で溝形成材料１０により分離されている。パターン２とパターン３に塗布されたインクは急速に粘度が上昇する。
【００２３】
幅狭のパターン２と幅広のパターン３にインクを塗布した後、パターン分割点９にインク５を滴下する（図５（c）参照）。このとき、インク５が幅狭のパターン２と幅広のパターン３を橋絡すると共にパターン分割点９の溝形成材料の上での膜厚を確保するのに十分な量とする。インク５をパターン分割点９に滴下する時点では、先に該幅狭のパターン２と幅広のパターン３とに塗布されたインクの粘度は上昇しており、前記したような流動は殆ど生じない。パターン分割点９に滴下されたインク５は、幅狭のパターン２（第1塗布膜）と幅広のパターン３（第２塗布膜）と接合した橋絡部６（第３塗布膜）となって幅狭のパターン２と幅広のパターン３とは一体のパターンとなる（図５（d）参照）。
【００２４】
実施例２でも、第1塗布膜である幅狭のパターン２を配線部とし、第２塗布膜である幅広のパターン３を端子パッド部とすることができ、配線部と端子パッド部の膜厚は均一となり、特に配線部の膜厚の低減が抑制されるので、配線抵抗などの電気特性の劣化を防止できる。
【実施例３】
【００２５】
図６は、本発明の表示装置用基板の実施例３を説明する模式図である。また、図７は、実施例３の製造プロセスを説明する図６のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。実施例３では、実施例２と同様に基板１の表面に溝形成材料１０としてのフォトレジストの塗布、パターン露光、現像の各工程を含むホトリソグラフィ技法で幅狭のパターンの溝１１と幅広のパターンの溝１２を形成する。なお、溝形成材料にこれらの溝を形成する方法には他の既知のパターニング技法を採用可能である。
【００２６】
幅狭のパターンの溝１１と幅広のパターンの溝１２はパターン分割点９で分離してある。パターン分割点９は溝１１と溝１２との間にある溝形成材料１０の整形部１３であり、その高さ（厚み）を溝形成材料１０の他の部分よりも低く（薄く）してある。これを図５（a）に示す。
【００２７】
次に、図６に示したようにインクジェット装置のノズル４から幅狭のパターンと幅広のパターンにインク５を滴下し、幅狭のパターン２と幅広のパターン３（図７）を塗布する。塗布した状態を図７（b）に示した。幅狭のパターン２と幅広のパターン３とはパターン分割点９で溝形成材料１０の整形部１３により分離されている。パターン２とパターン３に塗布されたインクは急速に粘度が上昇する。
【００２８】
幅狭のパターン２と幅広のパターン３にインクを塗布した後、パターン分割点９の溝形成材料１０の整形部１３にインク５を滴下する（図７（c）参照）。このとき、インク５が幅狭のパターン２と幅広のパターン３を橋絡すると共にパターン分割点９の溝形成材料の整形部１３上での膜厚を確保するのに十分な量とする。インク５をパターン分割点９に滴下する時点では、先に該幅狭のパターン２と幅広のパターン３とに塗布されたインクの粘度は上昇しており、前記したような流動は殆ど生じない。パターン分割点９に滴下されたインク５は、幅狭のパターン２（第1塗布膜）と幅広のパターン３（第２塗布膜）と接合した橋絡部６（第３塗布膜）となって幅狭のパターン２と幅広のパターン３とは一体のパターンとなる（図７（d）参照）。
【００２９】
実施例３では、第1塗布膜である幅狭のパターン２を配線部とし、第２塗布膜である幅広のパターン３を端子パッド部とすることができ、配線部と端子パッド部の膜厚は均一となり、特に配線部の膜厚の低減が抑制されるので、配線抵抗などの電気特性の劣化を防止できる。また、パターン分割点９の溝形成材料１０の高さを実施例２よりも低くしてあるため、橋絡部６の厚みが実施例２のように突出することがない。
【実施例４】
【００３０】
図８は、本発明の表示装置用基板の実施例４を説明する模式図である。また、図９は、実施例４の製造プロセスを説明する図８のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。実施例４では、基板１の表面に溝形成材料１０としてのフォトレジストの塗布、パターン露光、現像の各工程を含むホトリソグラフィ技法で幅狭のパターンと幅広のパターンとの間にパターン分割点９として溝１４を形成する。なお、溝形成材料にこれらの溝を形成する方法には他の既知のパターニング技法を採用可能である。
【００３１】
そして、実施例４では、幅狭のパターンを形成する部分と幅広のパターンを形成する部分を親液領域７とし、その他の部分は撥液領域８としてある。幅狭のパターンを形成する部分と幅広のパターンを形成する部分はパターン分割点９を構成する溝１４で分離してある。これを図９（a）に示す。
【００３２】
次に、図８に示したようにインクジェット装置のノズル４から親液領域である幅狭のパターン形成部分と幅広のパターン形成部分にインク５を滴下し、幅狭のパターン２と幅広のパターン３（図９）を塗布する。塗布した状態を図９（b）に示した。幅狭のパターン２と幅広のパターン３とはパターン分割点９で溝１４により分離されている。パターン２とパターン３に塗布されたインクは急速に粘度が上昇する。
【００３３】
幅狭のパターン２と幅広のパターン３にインクを塗布した後、パターン分割点９の溝１４にインク５を滴下する（図９（c）参照）。このとき、インク５が幅狭のパターン２と幅広のパターン３を橋絡すると共にパターン分割点９の溝１４内での膜厚を確保するのに十分な量とする。インク５をパターン分割点９に滴下する時点では、先に該幅狭のパターン２と幅広のパターン３とに塗布されたインクの粘度は上昇しており、前記したような流動は殆ど生じない。パターン分割点９に滴下されたインク５は、幅狭のパターン２（第1塗布膜）と幅広のパターン３（第２塗布膜）と接合した橋絡部６（第３塗布膜）となって幅狭のパターン２と幅広のパターン３とは一体のパターンとなる（図９（d）参照）。
【００３４】
実施例４でも、第1塗布膜である幅狭のパターン２を配線部とし、第２塗布膜である幅広のパターン３を端子パッド部とすることができ、配線部と端子パッド部の膜厚は均一となり、特に配線部の膜厚の低減が抑制されるので、配線抵抗などの電気特性の劣化を防止できる。また、パターン分割点９の溝１４は配線部と端子パッド部に滴下されたインクを相互に侵入するのを遮断し、配線部のインクが端子パッド部に流動することがない。
【実施例５】
【００３５】
図１０は、本発明の表示装置用基板の実施例５を説明する模式図である。また、図１１は、実施例５の製造プロセスを説明する図１０のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。実施例５では、基板１の表面に溝形成材料１０としてのフォトレジストの塗布、パターン露光、現像の各工程を含むホトリソグラフィ技法で幅狭のパターンと幅広のパターンとの間にパターン分割点９として溝１５を形成する。なお、溝形成材料にこれらの溝を形成する方法には他の既知のパターニング技法を採用可能である。
【００３６】
そして、実施例５では、基板１の全面を撥液領域８としてある。幅狭のパターンを形成する部分と幅広のパターンを形成する部分はパターン分割点９を構成する溝１５で分離してある。これを図１１（a）に示す。
【００３７】
次に、図１０に示したようにインクジェット装置のノズル４から幅狭のパターン形成部分と幅広のパターン形成部分をインク５の滴下で描画し、幅狭のパターン２と幅広のパターン３（図１１）を塗布する。塗布した状態を図１１（b）に示した。描画した幅狭のパターン２と幅広のパターン３とはパターン分割点９で溝１５により分離されている。パターン２とパターン３に塗布されたインクは急速に粘度が上昇する。
【００３８】
幅狭のパターン２と幅広のパターン３にインクの描画で塗布した後、パターン分割点９の溝１５にインク５を滴下する（図１１（c）参照）。このとき、インク５が幅狭のパターン２と幅広のパターン３を橋絡すると共にパターン分割点９の溝１５内での膜厚を確保するのに十分な量とする。インク５をパターン分割点９に滴下する時点では、先に該幅狭のパターン２と幅広のパターン３とに描画で塗布されたインクの粘度は上昇しており、前記したような流動は殆ど生じない。パターン分割点９の溝１５に滴下されたインク５は、幅狭のパターン２（第1塗布膜）と幅広のパターン３（第２塗布膜）と接合した橋絡部６（第３塗布膜）となって幅狭のパターン２と幅広のパターン３とは一体のパターンとなる（図９（d）参照）。
【００３９】
実施例５でも、第1塗布膜である幅狭のパターン２を配線部とし、第２塗布膜である幅広のパターン３を端子パッド部とすることができ、配線部と端子パッド部の膜厚は均一となり、特に配線部の膜厚の低減が抑制されるので、配線抵抗などの電気特性の劣化を防止できる。また、パターン分割点９の溝１４は配線部と端子パッド部に滴下されたインクを相互に侵入するのを遮断し、配線部のインクが端子パッド部に流動することがない。
【実施例６】
【００４０】
以下、本発明による表示装置用基板とこの表示装置用基板を用いた画像表示装置の実施例を実施例６として説明する。図１２は、本発明による表示装置用の実施例を説明する液晶パネルの一方の基板（第1の絶縁基板、薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板とも言う。一般的にはガラス基板の上にＴＦＴ回路等を形成したもの））の1画素付近の平面図である。図１２には、画素の構成要素の中のゲート配線１８０、データ配線１１０、透明画素電極１４０、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１２、半導体層１２１、ソース電極１１０b、ドレイン電極１１０a、ゲート電極１８０a、データ配線の端子パッド１３０、ゲート配線の端子パッド１４０を示してある。
【００４１】
図１３は、図１２のＧ−Ｇ’に沿って切断した断面を他方の基板であるカラーフィルタ基板と共に示す断面図である。図１２と図１３において、液晶パネルは、ＴＦＴ基板（第１の絶縁基板）２４２とカラーフィルタ基板（第２の絶縁基板、以下ＣＦ基板と略記する）２４３を有する。ＴＦＴ基板２４２は、ガラス基板１００の内面に形成したゲート配線１８０（ゲート配線１８０から延びるゲート電極１８０a）、ゲート絶縁膜２２０、真性半導体１２１ｂとＮ型半導体１２１aからなる半導体層１２１、データ配線１１０（データ配線１１０から延びるドレイン電極１１０a）、保護膜２３０、ＩＴＯを好適とする透明画素電極１４０、ＴＦＴ基板側配向膜２２４を有する。薄膜トランジスタ１１２はゲート配線１８０から延びるゲート電極１８０a、半導体層１２１、データ配線１１０から延びるドレイン電極１１０aおよびソース電極１１０bで構成される。なお、ドレイン電極１１０aとソース電極１１０bとは表示動作中に入れ替わるが、ここでは混乱をさけるため、上記のように固定した表記で説明する。透明画素電極１４０は保護膜２３０に設けたスルーホールを通してソース電極１１０bと接続している。
【００４２】
ＣＦ基板２４３は、ガラス基板２５０の内面にブラックマトリクス２２７で区画したカラーフィルタ２２６を有し、その上層に保護膜２２８、透明共通画素電極２４１、ＣＦ基板側配向膜２２９を有する。そして、このＣＦ基板２４３をＴＦＴ基板２４２に貼り合せ、その貼り合せ間隙に液晶層３００を挟持し、ＴＦＴ基板２４２の外面に偏光板２３１を積層し、ＣＦ基板２４３の外面に偏光板２３２を積層して構成される。
【００４３】
ＴＦＴ基板２４２のガラス基板１００には、図１２に示したように、互いに平行な複数のゲート配線１８０（走査信号線または水平信号線とも称する）とゲート配線と交差して形成された互いに平行なデータ配線１１０（映像信号線または垂直信号線とも称する）が形成されている。隣接する２本のゲート配線１８０、１８０と隣接する２本のデータ配線１１０、１１０で囲まれた領域が一画素領域である。
【００４４】
ＴＦＴ基板２４２に形成する各種の配線などに前記実施例１〜実施例５で説明した構成が適用される。例えば、図１２に（１）で示したデータ配線１１０とその端子パッド１３０の部分、（２）で示したゲート配線１８０とその端子パッド１４０の部分、（３）で示したゲート配線１８０とゲート電極１８０aの部分、データ配線１１０とドレイン電極１１０aの部分などに適用できる。
【００４５】
なお、本実施例で採用できる配線パターン形成用のインクとしては、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕやこれらの合金等を含有するもので良く、インクの形態も金属微粒子を溶媒に分散させたものや金属錯体としたもの、またそれらを組み合わせたものでも良い。また、プラズマ耐性の向上やマイグレーションの抑制のためにＮｉやＣｏ等の配線材料インクを前述のＡｇやＣｕ配線のキャップメタルとして積層してゲート配線８を形成しても良い。
【００４６】
対向基板であるＣＦ基板２４３は、基板２５０上にスパッタ法によりＣｒ膜を形成後、ホトリソ工程、エッチング工程を経てブラックマトリクス２２７を形成する。続いて赤の色料を分散したレジストをスピンコートで塗布し、ホトリソグラフィ工程によりカラーフィルタ２２６の赤を形成する。緑、青も同様の工程を繰り返すことで赤、緑、青３色のカラーフィルタ２２６を形成する。
【００４７】
カラーフィルタ２２６を覆って、アクリル樹脂による保護膜２２８を形成後、ＩＴＯ膜をスパッタ成膜することで共通透明電極２４１が形成される。こうして、対向基板が作製される。ブラックマトリクス２２７をＣｒ膜に代えて黒色顔料スラリーを用いたホトリソグラフィ工程で形成することもできる。また、カラーフィルタの赤、緑、青はホト工程によらず、インクジェット法や各種印刷法で形成しても良い。
【００４８】
ＴＦＴ基板２４２およびＣＦ基板２４３には、さらに、配向膜２２４、配向膜２２９を塗布し、ラビング等による配向制御能付与、スペーサビーズの分散後、ＴＦＴ基板２４２とＣＦ基板２４３を貼り合わせ、液晶層３００を封入する。そして、偏光板２３１、２３２の貼り付ける工程を経て液晶パネルが完成する。この液晶パネルに周辺回路等を接続し、バックライトの設置、ケースによる一体化を行って液晶表示装置が組み立てられる。
【００４９】
この液晶パネルに用いられたゲート配線８は、幅が狭く膜厚が厚く形成されている。そのため、画素領域の高開口率化、ゲート配線８の低抵抗化、低容量化が実現でき、高開口率で低消費電力の液晶表示装置を提供できる。
【００５０】
図１４は、ＴＦＴ基板の配線と周辺回路を接続した液晶表示装置の構成例を説明するブロック図である。なお、図１４にはバックライトの図示は省略してある。ＴＦＴ基板２４２には、ゲート配線１８０、データ配線１１０がマトリクス状に設けられ、表示領域ＡＲを構成している。なお、図１４には、カラーフィルタ基板（ＣＦ基板）側に形成する共通透明電極（対向電極）２７０も示してある。ゲート配線１８０はゲート配線駆動回路（走査信号線駆動回路）２５０で駆動される。また、データ配線１１０はデータ配線駆動回路（映像信号線駆動回路）２６０で駆動される。
【００５１】
ゲート配線駆動回路２５０とデータ配線駆動回路２６０には、表示制御回路２８０からのタイミング信号、表示データ信号が供給されるとともに、電源回路２７０から所要の電圧が印加される。表示制御回路２８０は外部信号源２９０から表示信号を受けて上記のタイミング信号、表示データ信号を生成する。ＣＦ基板に有する共通透明電極７には、ＴＦＴ基板２４２に設けた接続端子Ｖｃｏｍを介して共通電極電圧が供給される。
【００５２】
以上説明した表示装置用基板は、液晶パネル用のＴＦＴ基板の配線形成のみに適用されるものではなく、有機ＥＬ、その他の同様な表示装置のパネルや他の電子装置の配線形成にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の原理を説明する模式図である。
【図２】本発明の表示装置用基板の実施例１を説明する模式図である。
【図３】本発明の実施例１の製造プロセスを説明する図２のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。
【図４】本発明の表示装置用基板の実施例２を説明する模式図である。
【図５】本発明の実施例２の製造プロセスを説明する図４のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。
【図６】本発明の表示装置用基板の実施例３を説明する模式図である。
【図７】本発明の実施例３の製造プロセスを説明する図６のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。
【図８】本発明の表示装置用基板の実施例４を説明する模式図である。
【図９】本発明の実施例４の製造プロセスを説明する図８のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。
【図１０】本発明の表示装置用基板の実施例５を説明する模式図である。
【図１１】本発明の実施例５の製造プロセスを説明する図１０のＡ−Ａ線に沿う断面で示す工程図である。
【図１２】本発明による表示装置用の実施例を説明する液晶パネルの一方の基板の1画素付近の平面図である。
【図１３】図１２のＧ−Ｇ’に沿って切断した断面を他方の基板であるカラーフィルタ基板と共に示す断面図である。
【図１４】ＴＦＴ基板の配線と周辺回路を接続した液晶表示装置の構成例を説明するブロック図である。
【図１５】インクジェット法等の印刷技術で形成した幅の異なる薄膜パターンの説明図である。
【図１６】幅狭の第１幅のパターンに塗布されたインクが幅広の第２幅のパターン側に流動して当該幅広の第２幅のパターンに塗布されたインク側に集まる現象を説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・・（ガラス）基板（薄膜トランジスタ基板側）、２・・・・幅狭パターン、３・・・・幅広パターン、４・・・・ノズル、５・・・インク、６・・・接続部、７・・・親液領域、８・・・撥液領域、９・・・パターン分割点、１０・・・溝形成材料、１１・・・幅狭のパターンの溝、１２・・・幅広のパターンの溝、１３・・・溝形成材料の整形部、１４,１５・・・溝。
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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