(57)【要約】【課題】  信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部１４を有する配線パターン１２とベース基板２０とを含む配線基板１０の、半導体チップを搭載するための領域３１に、複数の電極３２を有する半導体チップ３０を搭載して、それぞれの電気的接続部１４といずれかの電極３２とを対向させて電気的に接続することを含む。ベース基板２０には、少なくとも一部が、領域３１の内側であって、すべての電気的接続部１４を囲む最も小さい矩形１５よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部２２が形成されてなる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電気的接続部を有する配線パターンとベース基板とを含む配線基板の、半導体チップを搭載するための領域に、複数の電極を有する半導体チップを搭載して、それぞれの前記電気的接続部といずれかの前記電極とを対向させて電気的に接続することを含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記矩形の内側に至るように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側のみに形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の外側に至るように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記矩形の内側の領域全体とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４を引用する請求項５記載の半導体層装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域全体とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１又はこれを引用する請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記矩形の外側のみに形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域のみに形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項９】
複数の電気的接続部を有する配線パターンとベース基板とを含む配線基板の、半導体チップを搭載するための領域に、複数の電極を有する半導体チップを搭載して、それぞれの前記電気的接続部といずれかの前記電極とを対向させて電気的に接続することを含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された穴が形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させて、前記矩形に囲まれた領域を、前記半導体チップが搭載される面側に突出させることをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させて、前記配線基板の前記半導体チップが搭載される面に、前記半導体チップを搭載するための領域の外周に沿って延びる溝状凹部を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載してから、前記配線基板を屈曲させる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０又は請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させてから、前記配線基板に前記半導体チップを搭載する半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させる工程の後に、前記基板と前記半導体チップとの間に設けられた樹脂を硬化させることをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のいずれかに記載の方法によって製造された半導体装置。
【請求項１６】
ベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の電気的接続部を含む配線パターンとを有する配線基板と、
複数の電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップと、
を含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップとオーバーラップする領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されてなる半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記矩形の内側に至るように形成されてなる半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側のみに形成されてなる半導体装置。
【請求項１９】
請求項１６又は請求項１７記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の外側に至るように形成されてなる半導体装置。
【請求項２０】
請求項１６から請求項１９のいずれかに記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記矩形の内側の領域全体とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置。
【請求項２１】
請求項１９を引用する請求項２０記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域全体とオーバーラップするように形成されてなる半導体装置。
【請求項２２】
請求項１６又はこれを引用する請求項１９記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記矩形の外側のみに形成されてなる半導体装置。
【請求項２３】
請求項１６記載の半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域内のみに形成されてなる半導体装置。
【請求項２４】
ベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の電気的接続部を含む配線パターンとを有する配線基板と、
複数の電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップと、
を含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップとオーバーラップする領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された穴が形成されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に半導体チップが搭載されたタイプの半導体装置が知られている。半導体装置の信頼性を高めるためには、半導体チップと配線基板（配線パターン）とのショートを防止することが重要である。特に、配線基板と半導体チップのエッジとの間隔を確保することができれば、半導体チップのエッジでのショートを防止することができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【特許文献１】特開２００４−２０７５５０号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部を有する配線パターンとベース基板とを含む配線基板の、半導体チップを搭載するための領域に、複数の電極を有する半導体チップを搭載して、それぞれの前記電気的接続部といずれかの前記電極とを対向させて電気的に接続することを含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されてなる。本発明によれば、凹部を起点にして、容易に配線基板を屈曲させることができる。すなわち、容易に、屈曲の起点を制御することが可能な半導体装置を製造することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記矩形の内側に至るように形成されていてもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側のみに形成されていてもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の外側に至るように形成されていてもよい。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記矩形の内側の領域全体とオーバーラップするように形成されていてもよい。
（６）この半導体層装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域全体とオーバーラップするように形成されていてもよい。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記矩形の外側のみに形成されていてもよい。
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域のみに形成されていてもよい。
（９）本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の電気的接続部を有する配線パターンとベース基板とを含む配線基板の、半導体チップを搭載するための領域に、複数の電極を有する半導体チップを搭載して、それぞれの前記電気的接続部といずれかの前記電極とを対向させて電気的に接続することを含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された穴が形成されてなる。本発明によれば、穴を起点にして、容易に配線基板を屈曲させることができる。すなわち、容易に、屈曲の起点を制御することが可能な半導体装置を製造することができる。
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させて、前記矩形に囲まれた領域を、前記半導体チップが搭載される面側に突出させることをさらに含んでもよい。これによると、半導体チップの端部領域と配線基板との間隔を広くすることができる。そのため、半導体チップと配線基板との間での電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させて、前記配線基板の前記半導体チップが搭載される面に、前記半導体チップを搭載するための領域の外周に沿って延びる溝状凹部を形成することをさらに含んでもよい。これによると、半導体チップの端部領域と配線基板との間隔を広くすることができる。そのため、半導体チップと配線基板との間での電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板に前記半導体チップを搭載してから、前記配線基板を屈曲させてもよい。
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させてから、前記配線基板に前記半導体チップを搭載してもよい。
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板を屈曲させる工程の後に、前記基板と前記半導体チップとの間に設けられた樹脂を硬化させることをさらに含んでもよい。
（１５）本発明に係る半導体装置は、上記方法によって製造されてなる。
（１６）本発明に係る半導体装置は、ベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の電気的接続部を含む配線パターンとを有する配線基板と、
複数の電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップと、
を含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップとオーバーラップする領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された凹部が形成されてなる。本発明によれば、容易に、屈曲の起点を制御することが可能な半導体装置を提供することができる。
（１７）この半導体装置において、
前記凹部は、前記矩形の内側に至るように形成されていてもよい。
（１８）この半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側のみに形成されていてもよい。
（１９）この半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の外側に至るように形成されていてもよい。
（２０）この半導体装置において、
前記凹部は、前記矩形の内側の領域全体とオーバーラップするように形成されていてもよい。
（２１）この半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域全体とオーバーラップするように形成されていてもよい。
（２２）この半導体装置において、
前記凹部は、前記矩形の外側のみに形成されていてもよい。
（２３）この半導体装置において、
前記凹部は、前記半導体チップを搭載するための領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域内のみに形成されていてもよい。
（２４）本発明に係る半導体装置は、ベース基板と、前記ベース基板に形成された複数の電気的接続部を含む配線パターンとを有する配線基板と、
複数の電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップと、
を含み、
前記ベース基板には、少なくとも一部が、前記半導体チップとオーバーラップする領域の内側であって、すべての前記電気的接続部を囲む最も小さい矩形よりも外側の領域とオーバーラップするように配置された穴が形成されてなる。本発明によれば、容易に、屈曲の起点を制御することが可能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の各実施の形態及び変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０を用意することを含んでいてもよい。以下、配線基板１０の構成について説明する。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、配線基板１０の構成について説明するための図である。図１（Ａ）は、配線基板１０の上視図であるが、説明のため、すべての電気的接続部１４を囲む最も小さい矩形１５を一点鎖線で、半導体チップを搭載するための領域３１を二点鎖線で、それぞれ示している。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図である。
【０００８】
配線基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、配線パターン１２を有する。配線パターン１２は、複数の電気的接続部１４を有する。電気的接続部１４は、後述する半導体チップ３０の電極３２との電気的な接続に利用される部分である。配線パターン１２の構造や材料は、特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、配線パターン１２は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。
【０００９】
配線基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ベース基板２０を有する。ベース基板２０の構造や材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板２０は、フレキシブル基板であってもよい。このとき、ベース基板２０は、テープ基板であってもよい。ベース基板２０は、積層型の基板であってもよく、単層の基板であってもよい。また、ベース基板２０の外形も特に限定されるものではない。
【００１０】
ベース基板２０には、凹部２２が形成されてなる。凹部２２は、少なくとも一部が、半導体チップを搭載するための領域３１の内側であって、すべての電気的接続部１４を囲む最も小さい矩形１５よりも外側の領域とオーバーラップするように配置されてなる。凹部２２は、領域３１の内側のみに形成されていてもよい。また、凹部２２は、矩形１５よりも外側の領域内のみに形成されていてもよい。そして、凹部２２は、図１（Ａ）に示すように、領域３１の内側であって、かつ、矩形１５よりも外側の領域内のみに形成されていてもよい。なお、矩形１５の各辺は、例えば、半導体チップを搭載するための領域３１の外形のいずれかの辺と平行に延びていてもよい。凹部２２は、図１（A）に示すように、領域３１の外周に沿って、矩形１５を囲むように形成されていてもよい。あるいは、凹部２２は、矩形１５の角部を避けて、矩形１５の各辺に沿って延びる形状をなしていてもよい。凹部２２は、図１（Ｂ）に示すように、ベース基板２０を貫通しない凹部であってもよい。このとき、凹部２２は、ベース基板２０の半導体チップ３０を搭載する面とは反対側から形成された凹部であってもよい。凹部２２は、ベース基板２０の厚さを薄くすることで形成されていてもよい。つまり、凹部２２は、凹部２２以外の領域の少なくとも一部のベース基板２０の厚さよりも、ベース基板２０の厚さが薄くなっている領域であってもよい。
【００１１】
なお、先に説明した配線パターン１２は、ベース基板２０に設けられている（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）。配線パターン１２は、ベース基板２０の表面に設けられていてもよい。ベース基板２０が多層基板である場合、配線パターン１２は、ベース基板２０の層間に形成されていてもよい（図示せず）。また、電気的接続部１４は、ベース基板２０の表面に形成されていてもよい。このとき、電気的接続部１４は、ベース基板２０に接着されていてもよい。
【００１２】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、配線基板１０に、電極３２を有する半導体チップ３０を搭載して、配線パターン１２の電気的接続部１４と電極３２とを対向させて電気的に接続することを含む。本工程によって、半導体装置１を形成してもよい。なお、図２（Ａ）は、半導体装置１の上視図である。また、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のIIB−IIB線断面の一部拡大図である。配線基板１０に半導体チップ３０を搭載する方法は特に限定されない。例えば、ボンディングツールによって半導体チップ３０を保持して、電気的接続部１４と電極３２とが対向するように位置合わせをする。その後、配線基板１０と半導体チップ３０とを押圧して、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載してもよい。電気的接続部１４と電極３２とは、接触させて電気的に接続させてもよい。このとき、電気的接続部１４と電極３２とを、共晶合金接合させてもよい。半導体チップ３０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ３０は、集積回路３４を有していてもよい（図２（Ｂ）参照）。集積回路３４の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。このとき、電極３２は、集積回路３４に電気的に接続されていてもよい。電極３２の構成は特に限定されない。例えば、パッドと該パッドに設けられたバンプとを合わせて、電極３２と称してもよい。電極３２の配置は特に限定されるものではない。例えば、電極３２は、半導体チップ３０の各辺に沿って配列されていてもよい。あるいは、電極３２は、半導体チップ３０の対向する一組の対辺のそれぞれに沿って配置されていてもよい。あるいは、電極３２は、エリアアレイ状に配置されていてもよい。また、電極３２は、集積回路３４が形成された領域とオーバーラップする領域に配置されていてもよい。なお、半導体チップ３０の平面形状は特に限定されるものではない。例えば、半導体チップ３０は正方形をなしていてもよいが、長方形であってもよい。なお、半導体チップ３０は、配線基板１０の半導体チップを搭載するための領域３１に搭載する。領域３１は、半導体チップ３０の外形と同じ形状をなしていてもよい。すなわち、上述した領域３１と電気的接続部１４又は凹部２２との位置関係は、半導体チップ３０の外形と電気的接続部１４又は凹部２２との位置関係と一致していてもよい。
【００１３】
以上の工程によって、半導体装置１を形成してもよい。半導体装置１は、配線基板１０を含む。配線基板１０は、ベース基板２０と、ベース基板２０に形成された配線パターン１２とを含む。配線パターン１２は、複数の電気的接続部１４を有する。ベース基板２０には、凹部２２が形成されてなる。凹部２２は、ベース基板２０を貫通しないように形成されていてもよい。このとき、凹部２２は、半導体チップ３０が搭載される面とは反対側の面に形成されていてもよい。凹部２２は、少なくとも一部が、半導体チップを搭載するための領域３１の内側であって、すべての電気的接続部１４を囲む最も小さい矩形１５よりも外側の領域とオーバーラップするように配置されてなる。半導体装置１は、複数の電極３２を有する半導体チップ３０を含む。半導体チップ３０は、電極３２が配線パターン１２（電気的接続部１４）と対向するように配線基板１０に搭載されてなる。
【００１４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０を屈曲させることを含んでいてもよい。これにより、矩形１５に囲まれた領域を、半導体チップ３０が搭載される面側に突出させてもよい。本工程によって、配線基板１０を、半導体チップ３０の外周とオーバーラップする領域が、半導体チップ３０から遠ざかるように屈曲させてもよい。このとき、配線基板１０を、凹部２２とオーバーラップする領域（凹部２２の端部）を起点にして屈曲させてもよい。また、配線基板１０を、矩形１５の外周を起点にして屈曲させてもよい。配線基板１０を屈曲させる方法は特に限定されるものではない。例えば、配線基板１０の領域３１よりも外側の部分を固定して、領域３１内（矩形１５の内側の領域）を、半導体チップ３０を搭載する面とは反対側から押し上げることによって、配線基板１０を屈曲させてもよい。これにより、矩形１５に囲まれた領域を、半導体チップ３０が搭載された面側に突出させてもよい。そして、本工程によって、図３に示す半導体装置２を形成してもよい。
【００１５】
配線基板に半導体チップが搭載されたタイプの半導体装置の電気的な信頼性を高めるためには、半導体チップと配線基板の配線との間でショートが発生することを防止することが重要である。特に、半導体チップのエッジにはダイシングの際に配線バリが発生することがあり、半導体装置の信頼性を高めるためには、半導体チップの配線バリと配線基板（配線）との接触を防止する必要がある。そして、半導体チップの配線バリと配線基板の配線とのショートを防止するためには、半導体チップのエッジと配線基板との間隔を確保することが重要である。ここで、配線基板を、半導体チップの内側の領域を起点に屈曲させることができれば、半導体チップのエッジと配線基板との間隔を広くすることができる。ところが、ベース基板に配線が密着しているタイプの配線基板は、精度よく屈曲させることが難しかった。すなわち、配線基板１０を、屈曲の起点が半導体チップ３０の内側に配置されるように屈曲させることは困難であった。
【００１６】
ところで、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、半導体装置１（配線基板１０）はベース基板２０を有する。そして、ベース基板２０には、凹部２２が形成されてなる。すなわち、配線基板１０（ベース基板２０）は、凹部２２を起点に屈曲させやすくなっている。そして、凹部２２は、少なくとも一部が、矩形１５（電気的接続部１４）と半導体チップ３０の外周との間に配置されてなる。そのため、配線基板１０によると、容易に、半導体チップを搭載するための領域３１の内側の領域（矩形１５）を起点に屈曲させることができる。そのため、半導体チップ３０の端部と配線基板１０との間隔を、確実に広げることができる。このことから、半導体装置１（配線基板１０）を利用すると、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することが可能になる。
【００１７】
なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、配線基板１０と半導体チップ３０との間に樹脂４０を配置すること、及び、樹脂４０を硬化させることをさらに含んでいてもよい。樹脂４０を硬化させて、樹脂部４２を形成してもよい。すなわち、本工程によって、配線基板１０と半導体チップ３０との間に樹脂部４２を形成し、半導体装置３を形成してもよい（図４（Ｂ）参照）。半導体装置３によると、樹脂部４２によって配線基板１０の屈曲形状を保持することが可能になる。そのため、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、樹脂４０は、配線基板１０を屈曲させる工程の後に設けてもよい。配線基板１０を屈曲させることにより、配線基板１０と半導体チップ３０との間が広くなっていることから、両者の間に、効率よく樹脂４０を注入することができる。そのため、効率よく半導体装置を製造することができる。ただし、配線基板１０と半導体チップ３０との間に樹脂４０を設ける工程は、配線基板１０を屈曲させる工程の前に行ってもよい。また、樹脂４０を硬化させる工程は、配線基板１０を屈曲させる工程の後に行ってもよい。このとき、樹脂４０の硬化収縮を利用して、配線基板１０をさらに屈曲させてもよい。これにより、半導体チップ３０のエッジと配線基板１０との間隔をさらに広げることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１８】
また、ここまで、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載した後に（半導体装置１を製造した後に）、配線基板１０を屈曲させて半導体装置２を製造する方法を説明してきたが、半導体装置２の製造方法はこれに限定されるものではない。すなわち、予め屈曲させてある配線基板１０に半導体チップ３０を搭載して、半導体装置２を製造してもよい。言い換えると、配線基板１０を屈曲させる工程の後に、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載する工程を行って、半導体装置２を製造してもよい。例えば、配線基板１０を支持する支持台を突出させて配線基板１０を屈曲させた後に、該支持台を利用して、配線基板１０に半導体チップ３０を搭載してもよい。このとき、配線基板１０の自重を利用して、配線基板１０を屈曲させてもよい。先に説明したとおり、配線基板１０は屈曲させやすい形状をなすため、本方法を採用しても、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
【００１９】
（変形例）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の変形例でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００２０】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図５（Ａ）に示すように、配線基板１０を屈曲させて、半導体チップ３０が搭載される面に、溝状凹部３６を形成することを含んでいてもよい。溝状凹部３６は、半導体チップ３０を搭載するための領域３１の外周に沿って延びるように形成してもよい。このとき、半導体チップ３０を搭載する面とは反対側の面に、半導体チップ３０の外周（溝状凹部３６）に沿って延びる凸部が形成されるように配線基板１０を屈曲させてもよい。すなわち、屈曲工程の前後で配線基板１０（ベース基板２０）の厚みが変わらないように、配線基板１０を屈曲させてもよい。溝状凹部３６は、例えば、半導体チップ３０を搭載するための領域３１の外周に沿って、領域３１（矩形１５）を囲むように形成してもよい。あるいは、溝状凹部３６は、領域３１の角部を避けて、領域３１のそれぞれの辺に沿って形成してもよい。溝状凹部３６は、また、凹部２２とオーバーラップするように形成してもよい。溝状凹部３６を形成する方法も、特に限定されるものではない。例えば、半導体チップ３０を搭載する面とは反対側から配線基板１０を吸引することによって、溝状凹部３６を形成してもよい。先に説明したように、半導体装置１によると、配線基板１０は、半導体チップ３０の内側の領域を起点に屈曲させやすくなっている。そのため、上記いずれの方法によっても、配線基板１０の半導体チップ３０の外周とオーバーラップする領域を、半導体チップ３０から遠ざかるように屈曲させることができる。すなわち、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
【００２１】
そして、配線基板１０と半導体チップ３０との間に配置された樹脂を硬化させて樹脂部４３を形成することによって、図５（Ｂ）に示す、半導体装置４を形成してもよい。
【００２２】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図６〜図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００２３】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図６に示す、配線基板１１を用意することを含んでいてもよい。なお、図６は、配線基板１１の断面図である。配線基板１１は、ベース基板２４を有する。ベース基板２４には、凹部２５が形成されてなる。凹部２５は、矩形１５の内側に至るように形成されていてもよい。このとき、凹部２５は、矩形１５の内側の領域の全体とオーバーラップするように形成されていてもよい。すなわち、凹部２５は、すべての電気的接続部１４とオーバーラップするように形成されていてもよい。また、凹部２５は、半導体チップを搭載するための領域よりも内側の領域のみに形成されていてもよい（図８（B）参照）。なお、ベース基板２４における領域３１の外側の領域の厚みは、凹部２５とオーバーラップする領域よりも厚くてもよい。そして、凹部２５は、ベース基板２４の半導体チップ３０を搭載する面とは反対側から形成された凹部であってもよい。凹部２５は、ベース基板２４の厚さを薄くすることで形成されていてもよい。つまり、凹部２５は凹部２５以外の領域の少なくとも一部のベース基板２４の厚さよりも、ベース基板２４の厚さが薄くなっている領域であってもよい。
【００２４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７に示すように、配線基板１１を屈曲させることを含んでいてもよい。配線基板１１を屈曲させて、図７に示すように、矩形１５に囲まれた領域を、半導体チップ３０を搭載する面側に突出させてもよい。あるいは、半導体チップを搭載するための領域３１の外周に沿って延びる溝状凹部を形成してもよい（図５（Ａ）参照）。配線基板１１を利用した場合でも、半導体チップを搭載するための領域３１と矩形１５との間に凹部２５が配置されることから、半導体チップ３０を搭載するための領域の内側の領域で、容易に、配線基板１１を屈曲させることができる。すなわち、容易に、屈曲の起点を制御することができる。そのため、半導体チップ３０を搭載する工程の前に屈曲工程を行った場合でも、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載することを含む。半導体チップ３０を搭載して、電気的接続部１４と電極３２とを対向させて電気的に接続させる。以下、本工程について説明する。はじめに、配線基板１１及び半導体チップ３０の少なくとも一方に、樹脂４０を設けてもよい。例えば、配線基板１１のみに、樹脂４０を設けてもよい（図８（Ａ）参照）。そして、図８（Ａ）に示すように、配線基板１１の上方に半導体チップ３０を配置して、電気的接続部１４と電極３２とを対向させる。その後、半導体チップ３０を配線基板１１に向かって押圧して、樹脂４０を押し広げながら、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載してもよい（図８（Ｂ）参照）。電気的接続部１４と電極３２とは、図８（Ｂ）に示すように、接触させて電気的に接続してもよい。このとき、樹脂４０として、ＮＣＰあるいはＮＣＦを利用してもよい。あるいは、電気的接続部１４と電極３２とは、図示しない導電粒子を介在させることによって電気的に接続してもよい。このとき、樹脂４０として、ＡＣＰあるいはＡＣＦを利用してもよい。
【００２６】
なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、配線基板１１に樹脂４０を設けた後に、配線基板１１を屈曲させる工程を行ってもよい（図示せず）。そして、その後、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載する工程を行ってもよい（図８（Ａ）及び図８（Ｂ）参照）。
【００２７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図９に示すように、樹脂４０を硬化させることを含んでいてもよい。樹脂４０を硬化させて、樹脂部４４を形成してもよい。これにより、半導体装置５を製造してもよい。
【００２８】
ただし、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、配線基板１１に半導体チップ３０を搭載する工程の後に、配線基板１１を屈曲させる工程を行ってもよい。これによっても、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２９】
（第３の実施の形態）
以下、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００３０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１０（Ａ）に示すように、配線基板５０に半導体チップ３０を搭載することを含んでいてもよい。配線基板５０は、ベース基板５１を有する。そして、ベース基板５１には、凹部５２が形成されてなる。凹部５２は、半導体チップを搭載するための領域３１（半導体チップ３０）よりも外側に至るように形成されていてもよい。すなわち、凹部５２は、半導体チップ３０の外周とオーバーラップするように形成されていてもよい。なお、凹部５２は、矩形１５の内側の領域を避けて形成されていてもよい。凹部５２は、ベース基板５１の厚さを薄くすることで形成されていてもよい。つまり、凹部５２は、凹部５２以外の領域の少なくとも一部のベース基板５１の厚さよりも、ベース基板５１の厚さが薄くなっている領域であってもよい。
【００３１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１０（Ｂ）に示すように、配線基板５０を屈曲させることを含んでいてもよい。配線基板５０を屈曲させて、半導体装置６を形成してもよい。配線基板５０を屈曲させて、図１０（Ｂ）に示すように、半導体チップ３０の外形に沿って延びる溝を形成してもよい。あるいは、配線基板５０を屈曲させて、矩形１５に囲まれた領域を突出させてもよい（図示せず）。配線基板５０を利用した場合であっても、精度よく配線基板を屈曲させることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００３２】
（第４の実施の形態）
以下、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００３３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１１（Ａ）に示すように、配線基板５３に半導体チップ３０を搭載することを含んでいてもよい。配線基板５３は、ベース基板５４を有する。そして、ベース基板５４には、凹部５５が形成されてなる。凹部５５は、半導体チップを搭載するための領域３１（半導体チップ３０）よりも外側に至るように形成されていてもよい。また、凹部５５は、矩形１５の内側に至るように形成されていてもよい。このとき、凹部５５は、半導体チップを搭載するための領域３１（半導体チップ３０）の内側の領域全体とオーバーラップするように形成されていてもよい。なお、凹部５５は、ベース基板５４の半導体チップ３０を搭載する面とは反対側から形成された凹部であってもよい。凹部５５は、ベース基板５４の厚さを薄くすることで形成されていてもよい。つまり、凹部５５は、凹部５５以外の領域の少なくとも一部のベース基板５４の厚さよりも、ベース基板５４の厚さが薄くなっている領域であってもよい。
【００３４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１１（Ｂ）に示すように、配線基板５３を屈曲させることを含んでいてもよい。配線基板５３を屈曲させて、半導体装置７を形成してもよい。配線基板５３を屈曲させて、図１１（Ｂ）に示すように、半導体チップ３０の外形に沿って延びる溝を形成してもよい。あるいは、配線基板５３を屈曲させて、矩形１５に囲まれた領域を突出させてもよい（図示せず）。配線基板５３を利用した場合であっても、精度よく配線基板を屈曲させることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００３５】
（第５の実施の形態）
以下、本発明を適用した第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００３６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１２（Ａ）に示すように、配線基板５６に半導体チップ３０を搭載することを含んでいてもよい。配線基板５６は、ベース基板５７を有する。そして、ベース基板５７には、穴５８が形成されてなる。穴５８は、ベース基板５７を貫通する貫通穴である。穴５８は、矩形１５の内側の領域を避けて形成されていてもよい。すなわち、穴５８は、配線パターン１２の電気的接続部１４を避けて形成されていてもよい。
【００３７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１２（Ｂ）に示すように、配線基板５６を屈曲させることを含んでいてもよい。配線基板５６を屈曲させて、半導体装置８を形成してもよい。配線基板５６を屈曲させて、図１２（Ｂ）に示すように、矩形１５に囲まれた領域を突出させてもよい（図示せず）。配線基板５６を利用した場合であっても、精度よく配線基板を屈曲させることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００３８】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１０】図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図１２】図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【符号の説明】
【００４０】
１…半導体装置、  ２…半導体装置、  ３…半導体装置、  ３…半導体装置、  ４…半導体装置、  ５…半導体装置、  ６…半導体装置、  ７…半導体装置、  ８…半導体装置、  １０…配線基板、  １１…配線基板、  １２…配線パターン、  １４…電気的接続部、  １５…矩形、  ２０…ベース基板、  ２２…凹部、  ２４…ベース基板、  ２５…凹部、  ３０…半導体チップ、  ３１…領域、  ３２…電極、  ３４…集積回路、  ３６…溝状凹部、  ４０…樹脂、  ４２…樹脂部、  ４３…樹脂部、  ４４…樹脂部、  ５０…配線基板、  ５１…ベース基板、  ５２…凹部、  ５３…配線基板、  ５４…ベース基板、  ５５…凹部、  ５６…配線基板、  ５７…ベース基板、  ５８…穴
【図１】
2006278725.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006278725.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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