(57)【要約】【課題】強誘電体記録媒体及びその記録方法を提供する。【解決手段】極性を反転させる所定の強制電圧を有する強誘電体層と、強誘電体層上に形成されるものであり、前記強制電圧より低い電圧である第１の電圧で抵抗が小さくなり、強制電圧より高い電圧である第２の電圧で抵抗が大きくなる不揮発性の異方性伝導層と、を備え、強誘電体層の分極状態と前記異方性伝導層の抵抗状態との組合せによって多重ビットの情報を保存することを特徴とする強誘電体記録媒体である。これにより、強誘電体記録媒体の一つのドメインでも多重ビットを実現できる。【選択図】図４
2006221784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極性を反転させる所定の強制電圧を有する強誘電体層と、
前記強誘電体層上に形成されるものであり、前記強制電圧より低い電圧である第１の電圧で抵抗が小さくなり、前記強制電圧より高い電圧である第２の電圧で抵抗が大きくなる不揮発性の異方性伝導層と、
を備え、
前記強誘電体層の分極状態と前記異方性伝導層の抵抗状態との組合せによって多重ビットの情報を保存すること
を特徴とする強誘電体記録媒体。
【請求項２】
前記強誘電体層の上向分極及び下向分極と、前記異方性伝導層の高抵抗及び低抵抗の組合せによって多重ビットの情報を保存すること
を特徴とする請求項１に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項３】
前記組合せによって、前記強誘電体層が下向分極を有し、前記異方性伝導層が低抵抗を有した第１の状態と、前記強誘電体層が下向分極を有し、前記異方性伝導層が高抵抗を有した第２の状態と、前記強誘電体層が上向分極を有し、前記異方性伝導層が低抵抗を有した第３の状態と、前記強誘電体層が上向分極を有し、前記異方性伝導層が高抵抗を有する第４の状態が表現されること
を特徴とする請求項２に記載の強誘電体記録媒体。
【請求項４】
極性を反転させる所定の強制電圧を有する強誘電体層と、前記強誘電体層上に形成されるものであり、前記強制電圧より低い電圧である第１の電圧で抵抗が小さくなり、前記強制電圧より高い電圧である第２の電圧で抵抗が大きくなる不揮発性の異方性伝導層とを備える強誘電体記録媒体の記録方法であって、
前記第１の電圧と、前記強制電圧と、前記第２の電圧のうちいずれか一つの電圧を前記強誘電体記録媒体に印加して、前記強誘電体層の分極状態及び/又は前記異方性伝導層の抵抗状態を変化させることによって、多重ビットの情報を保存すること
を特徴とする強誘電体記録媒体の記録方法。
【請求項５】
前記強誘電体記録媒体に前記強制電圧を印加して、前記強誘電体層に下向分極を有させ、前記異方性伝導層に低抵抗を有させることによって、第１の状態を表現すること
を特徴とする請求項４に記載の強誘電体記録媒体の記録方法。
【請求項６】
前記第１の状態を表現する段階前に、前記強誘電体記録媒体に前記第１の電圧を印加して、前記異方性伝導層の抵抗を小さくすること
を特徴とする請求項５に記載の強誘電体記録媒体の記録方法。
【請求項７】
前記強誘電体記録媒体に前記第２の電圧を印加して、前記強誘電体層に下向分極を有させ、前記異方性伝導層に高抵抗を有させることによって、第２の状態を表現すること
を特徴とする請求項４に記載の強誘電体記録媒体の記録方法。
【請求項８】
前記強誘電体記録媒体に前記強制電圧と同一な大きさを有して負極性を有する電圧を印加して、前記強誘電体層に上向分極を有させ、前記異方性伝導層に低抵抗を有させることによって、第３の状態を表現すること
を特徴とする請求項４に記載の強誘電体記録媒体の記録方法。
【請求項９】
前記第３の状態を表現する段階前に、前記強誘電体記録媒体に前記第１の電圧と同一な大きさをもって、負極性を有する電圧を印加して、前記異方性伝導層の抵抗を小さくすること
を特徴とする請求項８に記載の強誘電体記録媒体の記録方法。
【請求項１０】
前記強誘電体記録媒体に前記第２の電圧と同一な大きさを有して負極性を有する電圧を印加して、前記強誘電体層に上向分極を有させ、前記異方性伝導層に高抵抗を有させることによって、第４の状態を表現すること
を特徴とする請求項４に記載の強誘電体記録媒体の記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体記録媒体に係り、より詳しくは、多重ビットを実現できる強誘電体記録媒体及びその記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、強誘電体は、電場によって逆転される自発分極を有する。強誘電体記録媒体は、前記のような強誘電体の物性を用いて、情報を記録、修正、保管させる高容量の不揮発性記録媒体である。
【０００３】
特許文献１は、従来の強誘電体記録媒体の一つの例を開示する。従来の強誘電体記録媒体について図１と図２とを参照して説明する。
図１は、従来の強誘電体記録媒体の一つの例を概略的に示す図面であり、図２は従来の強誘電体記録媒体の他の例を概略的に示す図面である。
【０００４】
図１及び図２を共に参照すれば、従来の強誘電体記録媒体は、読み取り/書き取りヘッド1,11と連係して情報を記録/再生する強誘電体記録層2,12を備える。そして、前記強誘電体記録媒体は前記ヘッド1,11と前記強誘電体記録層2,12の直接的な接触による前記ヘッド1,11と前記強誘電体記録層2,12の損傷を防止するために別途の保護フィルム13を備えても良い。
【０００５】
ここで、前記強誘電体記録層2,12は、複数のドメイン3,14に区画されて、それぞれのドメイン3,14に情報が記録され、これに関する再生が成される。従来の強誘電体記録媒体の記録/再生方法について図３を通じて説明する。
【０００６】
図３は、従来の強誘電体記録媒体の記録/再生方法に関する図面である。
図３を参照すれば、従来の強誘電体記録媒体は複数のドメイン24,25,26,27に区画された強誘電体記録層22と、前記強誘電体記録層22を保護する保護フィルム23と、を備える。
前記強誘電体記録媒体の特定部分に読み取り/書き取りヘッドを通じて所定の電圧が加えられれば、当該ドメインで極性反転が発生し、さらに異なる電圧によって前記ドメインはスイッチングされる。
【０００７】
こうした過程を通じて、前記強誘電体記録層22の各ドメイン24,25,26,27には、上向分極（upward polarization）又は下向分極（downward polarization）が形成される。こうした上向分極又は下向分極によって、そのドメイン24,25,26,27の状態が規定される。
【０００８】
前記のように情報が記録された強誘電体記録層22の所定ドメイン上に読み取り/書き取りヘッドが設けられれば、そのドメインの分極に対応する誘導電流が前記読み取り/書き取りヘッドから発生する。図面上でV1,V2は分極量を、I1,I2は前記分極量にそれぞれ対応して発生する誘導電流を示す。
【０００９】
前記のように情報を記録/再生する従来の強誘電体記録媒体の記録/再生方法によれば、強誘電体記録媒体の一つのドメインで上向分極、下向分極の二つ状態のみが表現可能であって、そのドメインに一つのビットのみを保存できる。したがって、記録媒体の小型化、高集積化のため、これに関する改善が必要である。
【特許文献１】特開２００２−１７５６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の技術的課題は、多重ビットを実現できる強誘電体記録媒体及びその記録方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記技術的課題を達成するために本発明による強誘電体記録媒体は、極性を反転させる所定の強制電圧を有する強誘電体層と、前記強誘電体層上に形成されるものであり、前記強制電圧より低い電圧である第１の電圧で抵抗が小さくなり、前記強制電圧より高い電圧である第２の電圧で抵抗が大きくなる不揮発性の異方性伝導層と、を備え、前記強誘電体層の分極状態と前記異方性伝導層の抵抗状態との組合せによって多重ビットの情報を保存することを特徴とする。
【００１２】
本発明の実施形態によれば、前記強誘電体層の上向分極及び下向分極と、前記異方性伝導層の高抵抗及び低抵抗との組合せによって多重ビットの情報を保存できる。
前記組合せによって、前記強誘電体層に下向分極を有し、前記異方性伝導層に低抵抗を有した第１の状態と、前記強誘電体層に下向分極を有し、前記異方性伝導層に高抵抗を有した第２の状態と、前記強誘電体層に上向分極を有し、前記異方性伝導層に低抵抗を有した第３の状態と、前記強誘電体層に上向分極を有し、前記異方性伝導層に高抵抗を有する第４の状態が表現されうる。
【００１３】
本発明による強誘電体記録媒体の記録方法は、極性を反転させる所定の強制電圧を有する強誘電体層と、前記強誘電体層上に形成されるものであり、前記強制電圧より低い電圧である第１の電圧で抵抗が小さくなり、前記強制電圧より高い電圧である第２の電圧で抵抗が大きくなる不揮発性の異方性伝導層と、を備える強誘電体記録媒体の記録方法であって、前記第１の電圧と、前記強制電圧と、前記第２の電圧のうちいずれか一つの電圧を前記強誘電体記録媒体に印加して、前記強誘電体層の分極状態及び/又は前記異方性伝導層の抵抗状態を変化させることによって、多重ビットの情報を保存することを特徴とする。
【００１４】
前記強誘電体記録媒体の記録方法は、前記強誘電体記録媒体に前記強制電圧を印加して、前記強誘電体層に下向分極を有させ、前記異方性伝導層に低抵抗を有させることによって、第１の状態を表現できる。
【００１５】
ここで、前記第１の状態を表現する段階前に、前記強誘電体記録媒体に前記第１の電圧を印加して、前記異方性伝導層の抵抗を小さくすることが好ましい。
前記強誘電体記録媒体の記録方法は、前記強誘電体記録媒体に前記第２の電圧を印加して、前記強誘電体層に下向分極を有させ、前記異方性伝導層に高抵抗を有させることによって、第２の状態を表現できる。
【００１６】
前記強誘電体記録媒体の記録方法は、前記強誘電体記録媒体に前記強制電圧と同一な大きさを有し、負極性を有する電圧を印加して、前記強誘電体層に上向分極を有させ、前記異方性伝導層に低抵抗を有させることによって、第３の状態を表現できる。
ここで、前記第３の状態を表現する段階前に、前記強誘電体記録媒体に前記第１の電圧と同一な大きさをもって、負極性を有する電圧を印加して、前記異方性伝導層の抵抗を小さくすることが好ましい。
【００１７】
前記強誘電体記録媒体の記録方法は、前記強誘電体記録媒体に前記第２の電圧と同一な大きさをもって、負極性を有する電圧を印加して、前記強誘電体層に上向分極を有させ、前記異方性伝導層に高抵抗を有させることによって、第４の状態を表現できる。
本発明による強誘電体記録媒体及びその記録方法によれば、強誘電体層とそれに対応する電気的異方性伝導層の一つのドメイン対で四つ以上の状態を表現でき、その一つのドメイン対で2以上のビットを構成できる効果がある。
【発明の効果】
【００１８】
前記のように構成される本発明による強誘電体記録媒体及びその記録方法によれば、強誘電体層とそれに対応する電気的異方性伝導層の一つのドメイン対で四つ以上の状態を表現でき、その一つのドメイン対で2以上のビットを構成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面に基づき本発明の好適な実施形態による強誘電体記録媒体及びその記録方法を詳細に説明する。以下の図面で同一な参照符号は同一な構成要素を示すものとする。
【００２０】
ここで、図面上で印加される電圧がステップ形態で示されたが、これは例示的なものであり、印加される各電圧は連続的な形態を有することができることを明らかにしておく。
また、以下で強誘電体層の各ドメインと異方性伝導層の各ドメインは、別個に区画されているが、これは説明の便宜のためのものであり、前記ドメインの各状態は一つのドメインで全て実現できることを明らかにしておく。
【００２１】
図４は、本発明による強誘電体記録媒体の一部を示す図面である。
図４を参照すれば、本発明による強誘電体記録媒体100は、電極101と、その上に設けられる強誘電体記録層110と、前記強誘電体記録層110を覆う異方性伝導層120と、を備える。図面上に表示された説明されていない符号は、それぞれ前記強誘電体記録層110のドメイン111,112,113,114と、前記ドメイン111,112,113,114にそれぞれ対応する前記異方性伝導層120のドメイン121,122,123,124とである。
【００２２】
前記強誘電体記録層110は、移動可能な読み取り/書き取りヘッド102と連係して読み取り/書き取り作業を遂行する。図面上に表示された各ドメイン111,112,113,114が前記ヘッド102と連係してそれぞれ独立的に情報を保存できる。こうした強誘電体記録層110には、その加えられる電圧の大きさ及び極性によって異なる情報が記録でき、それについては後述する。
【００２３】
前記異方性伝導層120は、前記強誘電体記録層110を覆っていて、前記ヘッド102と前記強誘電体記録層110とが直接的に接触しない。したがって、前記異方性伝導層120は、前記強誘電体記録層110がひっかかれないようにしてデータの損傷を防止し、前記ヘッド102が損傷/破損されないようにして読み取り/書き取り性能が低下されることを防止する。
【００２４】
そして、前記異方性伝導層120は、臨界電圧以上で導体に転移されて電極の役割を果たすため、前記ヘッド102と前記強誘電体記録層と110に低電圧が掛かっても前記強誘電体記録層110の自発分極が逆転される。したがって、低電圧の印加のみでも前記強誘電体記録層110に情報を記録できる。
【００２５】
また、前記異方性伝導層120は、前記強誘電体記録層110と連係して情報保存の機能を遂行でき、それについては後述する。
図５は、本発明による強誘電体記録媒体に設けられる不揮発性の異方性伝導層が転移されるグラフを示す図面である。
【００２６】
図５を参照すれば、本発明による強誘電体記録媒体100に設けられる異方性伝導層120は、不揮発性を有し、ヘッド102と前記電極101との間に印加される電圧に応じて電気抵抗が変わる。図面上で説明の便宜のために、Vth1を第１の電圧に、Vth2を第２の電圧に規定する。
【００２７】
前記異方性伝導層120は、印加電圧が第１の電圧であるVth1に至るまで不導体状態にある。その後、前記印加電圧がVth1と同じか、或いはそれより大きくなれば、前記異方性伝導層120の電気抵抗が減少して前記異方性伝導層120が導体に転移され、前記のような状態は前記印加電圧が除去されても維持される。もし印加電圧が第２の電圧であるVth2と同じか、或いはそれより大きくなれば、前記異方性伝導層120の電気抵抗は増加して前記異方性伝導層120が不導体状態に転移される。
【００２８】
図６は、本発明による強誘電体記録媒体の記録方法を示す図面である。
図６を参照すれば、本発明による強誘電体記録媒体100の記録方法は第１の電圧と、強制電圧と、第２の電圧のうちいずれか一つの電圧を前記強誘電体記録媒体100に印加して、強誘電体層110の分極及び/又は異方性伝導層120の抵抗を変化させる。そうすれば、一つのドメインで四つの状態が表現可能であって、一つのドメインに二つのビットが保存できる。以下でこれを詳細に説明する。
【００２９】
本実施形態によれば、一つのドメインで四つの状態が表現可能であるが、これは例示的なものである。すなわち、一つのドメインに異なる強誘電体層、異方性伝導層及び/又は別途の層をさらに付加して、表現可能な状態の数を増加させることができる。したがって、要求されるビット数によって、強誘電体層、異方性伝導層及び/又は別途の層を所定層数に積層させ、そのビットに対応する状態数を表現できる。
【００３０】
ここで、Vcは、外部電圧が加えられて前記強誘電体層110のドメイン111,112,113,114が極性反転されるときの電圧に、これを強制電圧に規定する。そして、Vth1は外部電圧が加えられて前記異方性伝導層120のドメイン121,122,123,124の電気抵抗が小さくなるときの電圧であり、これを第１の電圧に規定し、Vth2はそのドメイン121,122,123,124の電気抵抗が大きくなるときの電圧であり、これを第２の電圧に規定する。また、Vsは各層間の界面電位を示す。
【００３１】
本実施形態で前記電圧は、Vs<Vth1<Vc<Vth2の関係を有する。
前記強誘電体層110のドメイン111,112,113,114と前記異方性伝導層120のドメイン121,122,123,124は、複数が形成されることが好ましい。また、前記強誘電体層110のドメイン111,112,113,114と前記異方性伝導層120のドメイン121,122,123,124は、それぞれ対応される位置に配置されることが好ましい。
【００３２】
図６に示したように、前記強誘電体層110のドメイン111と前記異方性伝導層120のドメイン121は、第１の状態を表現している。これを詳細に説明する。
前記強誘電体層110のドメイン111と前記異方性伝導層120のドメイン121とに前記強制電圧と同じか、或いはそれより大きく、前記第２の電圧より小さい大きさを有し、正極性を有する外部電圧を加える。それにより、前記強誘電体層110のドメイン111は、下向分極を有するようになり、前記異方性伝導層120のドメイン121は、低抵抗を有するようになって前記異方性伝導層120のドメイン121が導体状態になる。こうした状態で、前記異方性伝導層120のドメイン121の電気抵抗は、微小なので、前記強誘電体層110のドメイン111に存在する下向分極によって、前記異方性伝導層120のドメイン121と前記強誘電体層110のドメイン111の状態が決定される。
【００３３】
この際、前記ドメイン111,121の状態を第１の状態と規定する。第１の状態の前記ドメイン111,121は、二つのビットを構成できる。例えば、前記強誘電体層110のドメイン111で0、前記異方性伝導層120のドメイン121で0の二つのビットを構成できる。
ここで、前記のように第１の状態を表現する前に、前記強誘電体層110のドメイン111と前記異方性伝導層120のドメイン121とに前記第１の電圧と同じか、或いはそれより大きく、前記強制電圧より小さい大きさを有する外部電圧を加える。それにより、前記異方性伝導層120のドメイン121の電気抵抗が減少するので、前記強誘電体層110のドメイン111についての情報保存が容易に成されうる。
【００３４】
図６に示したように、前記強誘電体層110のドメイン112と前記異方性伝導層120のドメイン122は、第２の状態を表現している。これを詳細に説明する。
前記強誘電体層110のドメイン112と前記異方性伝導層120のドメイン122とに前記第２の電圧と同じか、或いは前記強制電圧及び前記第２の電圧より大きい外部電圧を加える。それにより、前記強誘電体層110のドメイン112は下向分極を有するようになり、前記異方性伝導層120のドメイン122は、高抵抗を有するようになって、前記異方性伝導層120のドメイン122が不導体状態になる。こうした状態で、前記異方性伝導層120のドメイン122の電気抵抗は大きい値を有するので、前記電気抵抗と前記強誘電体層110のドメイン112の下向分極とによって、前記異方性伝導層120のドメイン122と前記強誘電体層110のドメイン112の状態が決定される。
【００３５】
この際、前記ドメイン112,122の状態を第２の状態と規定する。第２の状態の前記ドメイン112,122は二つのビットを構成できる。例えば、前記強誘電体層110のドメイン112で0、前記異方性伝導層120のドメイン122で1、となる二つのビットを構成できる。
【００３６】
図６に示したように、前記強誘電体層110のドメイン113と前記異方性伝導層120のドメイン123は、第３の状態を表現している。これを詳細に説明する。
前記強誘電体層110のドメイン113と前記異方性伝導層120のドメイン123とに、前記強制電圧と同じか、或いはそれより大きく、前記第２の電圧より小さい大きさを有し、負極性を有する外部電圧を加える。それにより、前記強誘電体層110のドメイン113は、上向分極を有するようになり、前記異方性伝導層120のドメイン123は、低抵抗を有するようになって、前記異方性伝導層120のドメイン123が導体状態になる。こうした状態で、前記異方性伝導層120のドメイン123の電気抵抗は、微小なので、前記強誘電体層110のドメイン113に存在する上向分極によって前記異方性伝導層120のドメイン123と前記強誘電体層110のドメイン113の状態が決定される。
【００３７】
この際、前記ドメイン113,123の状態を第３の状態と規定する。第３の状態の前記ドメイン113,123は、二つのビットを構成できる。例えば、前記強誘電体層110のドメイン113で1、前記異方性伝導層120のドメイン123で0、となる二つのビットを構成できる。
ここで、前記のように第３の状態を表現する前に、前記強誘電体層110のドメイン113と前記異方性伝導層120のドメイン123に前記第１の電圧と同じか、或いはそれより大きく、前記強制電圧より小さい大きさを有し、負極性を有する外部電圧を加える。それにより、前記異方性伝導層120のドメイン123の電気抵抗が減少するので、前記強誘電体層110のドメイン113についての情報保存が容易に成されうる。
【００３８】
図６に示したように、前記強誘電体層110のドメイン114と前記異方性伝導層120のドメイン124は、第４の状態を表現している。これを詳細に説明する。
前記強誘電体層110のドメイン114と前記異方性伝導層120のドメイン124とに前記第２の電圧と同じか、或いは前記強制電圧及び前記第２の電圧より大きい大きさを有し、負極性を有する外部電圧を加える。それにより、前記強誘電体層110のドメイン114は上向分極を有するようになり、前記異方性伝導層120のドメイン124は、高抵抗を有するようになって前記異方性伝導層120のドメイン124が不導体状態になる。こうした状態で、前記異方性伝導層120のドメイン124の電気抵抗は、大きい値を有するので、前記電気抵抗と前記強誘電体層110のドメイン114の上向分極とによって、前記異方性伝導層120のドメイン124と前記強誘電体層110のドメイン114の状態が決定される。
【００３９】
この際、前記ドメイン114,124の状態を第４の状態と規定する。第４の状態の前記ドメイン114,124は、二つのビットを構成できる。例えば、前記強誘電体層110のドメイン114で1、前記異方性伝導層120のドメイン124で1の二つのビットを構成できる。
前記のように、本発明による強誘電体記録媒体100によれば、前記強誘電体層110と前記異方性伝導層120との一つのドメイン対で四つの状態を表現でき、その一つのドメイン対で2ビットを構成できる。
【００４０】
図７は、本発明による強誘電体記録媒体の再生方法を示す図面である。
図７を参照すれば、本発明による強誘電体記録媒体100の再生方法は、印加された外部電圧の大きさによってそれぞれ異なる情報が保存された強誘電体層110のドメイン111,112,113,114と電気的異方性伝導層120のドメイン121,122,123,124とについて、前記強誘電体層110のドメイン111,112,113,114の分極と前記異方性伝導層120のドメイン121,122,123,124の電気抵抗とによって、再生部である読み取り/書き取りヘッド102を通じてそれぞれそれに対応する情報を再生する。以下でこれを詳細に説明する。
【００４１】
ここで、V1,V2,V3,V4は、それぞれ前記強誘電体層110のドメイン111,112,113,114とそれに対応する前記異方性伝導層120のドメイン121,122,123,124とで前記ヘッド102に印加される電圧であり、I1,I2,I3,I4は、それぞれ前記V1,V2,V3,V4に対応して前記ヘッド102から発生する誘導電流である。
【００４２】
図面上で前記強誘電体層110のドメイン111と前記異方性伝導層120のドメイン121とには、第１の状態が表現されている。これと同様に、前記強誘電体層110のドメイン112と前記異方性伝導層120のドメイン122とには第２の状態が、前記強誘電体層110のドメイン113と前記異方性伝導層120のドメイン123とには第３の状態が、前記強誘電体層110のドメイン114と前記異方性伝導層120のドメイン124とには第４の状態が表現されている。
【００４３】
前記第１の状態〜第４の状態は、その強誘電体層110のドメインに存在する上向分極又は下向分極と、その異方性伝導層120のドメインの電気抵抗によって、前記ヘッド102にV1,V2,V3,V4の電圧を印加する。それにより、前記ヘッド102では、前記V1,V2,V3,V4に対応してそれぞれ誘導電流I1,I2,I3,I4が発生する。
【００４４】
本発明によれば、前記ヘッド102から発生する誘導電流は四つの値を有することができ、それぞれの誘導電流に該当する情報が再生できる。これを詳細に説明すれば次の通りである。
【００４５】
前記I1に該当する情報は、記録過程で強制電圧と同じか、或いはそれより大きく、第２の電圧より小さい大きさを有し、正極性を有した外部電圧が前記強誘電体層110のドメイン111と前記異方性伝導層120のドメイン121とに加えられ、そのドメイン対111,121に保存されたものである。例えば、その情報は00になることができる。
【００４６】
前記I2に該当する情報は、記録過程で前記第２の電圧と同じか、或いは前記強制電圧と前記第２の電圧より大きい大きさを有し、正極性を有した外部電圧が前記強誘電体層110のドメイン112と前記異方性伝導層120のドメイン122とに加えられて、そのドメイン対112,122に保存されたものである。例えば、その情報は01になることができる。
【００４７】
前記I3に該当する情報は、記録過程で前記強制電圧と同じか、或いはそれより大きく、前記第２の電圧より小さい大きさを有し、負極性を有した外部電圧が前記強誘電体層110のドメイン113と前記異方性伝導層120のドメイン123とに加えられて、そのドメイン対113,123に保存されたものである。例えば、その情報は10になることができる。
【００４８】
前記I4に該当する情報は、記録過程で前記第２の電圧と同じか、或いは前記強制電圧及び前記第２の電圧より大きい大きさを有し、負極性を有した外部電圧が前記強誘電体層110のドメイン114と前記異方性伝導層120のドメイン124とに加えられ、そのドメイン対114,124に保存されたものである。例えば、その情報は11になることができる。
【００４９】
前記のように、本発明による強誘電体記録媒体100によれば、前記強誘電体層110と前記異方性伝導層120との一つのドメイン対に表現された四つの状態と、それによるその一つのドメイン対に構成された2ビットとを再生できる。
【００５０】
本発明は、図面に示された実施形態を参考に説明したが、これは例示的なものであり、限定的なものではなく、当業者であれば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決められるものである。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明は、データ記録媒体関連の技術分野に用いられうる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来の強誘電体記録媒体の一つの例を概略的に示す図面である。
【図２】従来の強誘電体記録媒体の他の例を概略的に示す図面である。
【図３】従来の強誘電体記録媒体の記録/再生方法に関する図面である。
【図４】本発明による強誘電体記録媒体の一部を示す図面である。
【図５】本発明による強誘電体記録媒体に設けられる不揮発性の異方性伝導層が転移されるグラフを示す図面である。
【図６】本発明による強誘電体記録媒体の記録方法を示す図面である。
【図７】本発明による強誘電体記録媒体の再生方法を示す図面である。
【符号の説明】
【００５３】
１００    強誘電体記録媒体
１０１    電極
１０２    読み取り/書き取りヘッド
１１０    強誘電体記録層
１１１，１１２，１１３，１１４    強誘電体記録層のドメイン
１２０    異方性伝導層
１２１，１２２，１２３，１２４    異方性伝導層のドメイン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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