(57)【要約】【課題】  クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することを可能とする。【解決手段】  処理炉は、処理容器１５の領域Ａ〜Ｄに対応して分割された複数の分割ヒータ１０ａ〜１０ｄを備える。分割ヒータは、温度制御部１６によって独立に制御可能とする。処理工程で堆積した堆積膜を除去するためのクリーニング工程で、クリーニングガスを流す際、クリーニングガス供給側の領域Ａの温度を低く設定し、逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって、相対的に温度を高く設定する。これにより、クリーニングガス供給側の領域Ａでのエッチング反応を遅く、排気側の領域Ｂ、Ｃ、Ｄでのエッチング反応を順次速くする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室を複数の加熱手段により加熱して基板を処理する半導体装置の製造方法において、
前記処理室内を前記加熱手段により所望の処理温度とし、前記処理室内に処理ガスを供給しつつ排気して、前記基板に所望の処理をする処理工程と、
前記処理工程時に前記処理室内に付着する付着物の付着具合に応じて前記複数の加熱手段の設定温度を少なくとも１つは異なる温度に設定し、前記処理室内にクリーニングガスを供給しつつ排気して、前記付着物を除去するクリーニング工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理工程とクリーニング工程とを有する半導体装置の製造方法に係り、特にクリーニング工程を改善したものに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の製造方法は、成膜などの処理を行う処理工程と、処理工程時に処理室内に付着した付着物を除去するクリーニング工程とを有する（例えば、特許文献１参照）。図４に、このような処理工程とクリーニング工程とを有する半導体装置の製造方法を実施するための縦型ＣＶＤ装置を構成する処理炉の概念図を示す。
【０００３】
処理炉は、処理容器２０を備え、その一端部にガス供給系２１を他端部に排気系２２をそれぞれ有し、ＣＶＤ反応またはエッチング反応を促進させるためのヒータ２３を処理容器２０の周囲に配置した構造である。ヒータ２３は、処理容器２０の領域Ａ〜Ｄに対応した複数の分割ヒータ２３ａ〜２３ｄから構成されて、各々独立して温度制御される。
【０００４】
先ず、ウェハ７上に薄膜を形成する処理工程について簡単に説明する。
真空に保たれた処理容器２０において、予めボート６上に複数枚設置されたウェハ７を、処理容器２０の周囲に配置された複数の分割ヒータ２３ａ〜２３ｄにより所定の温度まで加熱する。加熱後、ガス供給系２１を構成する処理ガス供給口２１ａよりジクロルシラン（ＤＣＳ：ＳｉＨ2Ｃｌ2）、アンモニア（ＮＨ3）等の薄膜の原料となる処理ガスを導入しつつ排気系２２より排気しながら、ＣＶＤ反応によりウェハ７上に薄膜形成を行う。なお、このとき排気系２２に設けられた可変コンダクタンスバルブ２４により、処理容器２０内の圧力を一定に保つよう圧力調整する。所定の膜厚まで薄膜形成されたら、直ちに処理ガス供給口２１ａからの処理ガスの供給を止め、ウェハ７の温度を降温し、処理容器２０内よりウェハ７を取り出す。
【０００５】
次に、処理容器２０内に付着した堆積膜を除去するクリーニング工程について簡単に説明する。
先に説明した処理工程においては、ウェハ表面に対する薄膜形成が本来意図するものであるが、実際にはウェハ表面以外、例えば処理容器２０の内壁等に対しても薄膜が形成されてしまう。これらの堆積膜の付着は、ウェハ７上への薄膜形成工程の度に累積され、堆積膜が一定以上付着すると膜剥離が生じ、ウェハ７上での異物発生要因となってしまう。このため、クリーニングにより処理容器内に付着した堆積膜を除去する工程が必要となる。この工程を、クリーニングガスを用いて堆積膜を除去するドライクリーニング方法を例にとり説明する。
【０００６】
堆積膜が付着している処理容器２０において、処理容器の周囲に配置された複数の分割ヒータ２３ａ〜２３ｄにより処理容器２０を所定の温度まで加熱する。加熱後、ガス供給系２１を構成するクリーニング系のガス供給口２１ｂから、クリーニングガスとしてフッ素（Ｆ2）、窒素（Ｎ2）等のガスを導入しつつ排気系２２より排気しながら、エッチング反応により、堆積膜の除去を行う。なお、このとき、排気系２２に設けられた可変コンダクタンスバルブ２４により、処理容器２０内の圧力を一定に保つよう圧力調整する。また、排気系２２に設けられた排気ポンプ２５の下流側においては、希釈ガスＮ2導入口２６から大量の希釈ガスＮ2を導入し、Ｆ2ガス濃度を１％以下にまで低減させて排気している。処理容器内の堆積膜が除去されたら、ガス供給口２１ｂからのクリーニングガスの供給を止め、処理容器２０内のシーズニングを行い、処理容器２０を薄膜形成工程に移行できる状態に回復させる。
【０００７】
ところで、堆積膜の除去工程において、過去には、堆積膜が一定厚さ以上付着すると、縦型ＣＶＤ装置から処理容器２０を取り外し、ＨＦ水溶液の洗浄槽により堆積膜を除去するウェットクリーニングが主流であったが、近年は、上述したようなＦ2ガス等を用いたドライクリーニングが主流になりつつある。
【０００８】
ドライクリーニングによる堆積膜の除去は、ＣＶＤ装置から処理容器を取り外す必要がないことから、メンテナンス性がウェットクリーニングに比べて非常に優れているといえる。しかしながら、処理容器２０内におけるクリーニングガスのガス濃度分布の不均一やガス流れの偏り等に伴い、堆積膜に対するエッチング反応の進行状況が各部において異なり、その結果として部分的な堆積膜の膜残り（付着物残り）が発生するおそれがある。
【０００９】
一例として、図５に、分割ヒータ２３ａ〜２３ｄの温度設定を示す。全て３５０℃に設定されていることからもわかるように、一般には分割ヒータ２３ａ〜２３ｄの温度設定はほぼ同一値に設定される。
【００１０】
図６に、設定温度がほぼ同一値に設定されたときの領域別エッチング反応進行パターンの概念図を示す。一般的な処理容器内におけるエッチングは、クリーニングガスの供給側の領域Ａから排気側に向かって、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄへと反応が進行し、排気側の領域Ｄの付着物が最後まで残りやすい。また、処理容器内のガス流路から外れるガス淀み部や低温部等、部分的にエッチング反応が進行しにくい場合も、その部分で付着物が残りやすい。
【特許文献１】特開２００２−１７５９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
このような部分的な付着物に対し、オーバーエッチング、すなわちクリーニング時間を延長することにより残存膜を完全に除去することは可能ではある。しかし、オーバーエッチングを実施すると、クリーニングガスの使用量が増大する。また、オーバーエッチングを実施している間、既に堆積膜が除去されている部分においては、処理容器構成部材である石英や金属等が直接クリーニングガスに晒されるため、石英に対するエッチング反応や金属腐食が著しく進行する。したがって、オーバーエッチングによる付着物残りの対処は、単にクリーニングガスの使用量が増大するだけに留まらず、処理容器構成部材の劣化をも招く等、改善すべき問題がある。
【００１２】
本発明の課題は、上述した従来技術の問題点を解消して、クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
第１の発明は、処理室を複数の加熱手段により加熱して基板を処理する半導体装置の製造方法において、前記処理室内を前記加熱手段により所望の処理温度とし、前記処理室内に処理ガスを供給しつつ排気して、前記基板に所望の処理をする処理工程と、前記処理工程時に前記処理室内に付着する付着物の付着具合に応じて前記複数の加熱手段の設定温度を少なくとも１つは異なる温度に設定し、前記処理室内にクリーニングガスを供給しつつ排気して、前記付着物を除去するクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１４】
処理工程時に処理室内に付着する付着物の付着具合は処理室内で異なる。したがって、付着物の付着具合に応じて、複数の加熱手段の設定温度を少なくとも１つは異なる温度に設定すると、部分的な付着物の残りを生じさせずにクリーニングすることができる。その結果、クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することができる。
【００１５】
第２の発明は、基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記処理室内にクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、前記処理室内を排気する排気手段と、前記処理室をガス流れに沿って複数の領域に分割して各領域を加熱する複数の加熱手段と、前記複数の加熱手段を独立に制御する温度制御手段とを備え、前記クリーニングガス供給手段から前記クリーニングガスを前記処理室内に流す際、前記温度制御手段は、前記クリーニングガス供給手段側に位置する領域の温度を、前記排気手段側に位置する領域の温度より低くなるように前記複数の加熱手段を制御することを特徴とする基板処理装置である。
【００１６】
クリーニングガス供給手段からクリーニングガスを処理室内に流す際、処理室内のいずれの領域の温度も同じであると、クリーニングガス供給手段側に位置する領域に付着した付着物の除去が速くなり、排気手段側に位置する領域に付着した付着物の除去が遅くなる。したがって、温度制御手段が、クリーニングガス供給手段側に位置する領域の温度を、排気手段側に位置する領域の温度より低くなるように複数の加熱手段を制御すると、クリーニングガス供給手段側に位置する領域に付着した付着物の除去が遅くなり、排気手段側に位置する領域に付着した付着物の除去が速くなる。その結果、処理室内の各領域における付着物除去の進行速度を合せることができ、処理室内を部分的な付着物の残りを生じさせずにクリーニングすることができ、クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することができる。
【００１７】
第３の発明は、処理室を複数の領域に分割し、各領域を複数の加熱手段により加熱して基板を処理する半導体装置の製造方法において、前記処理室内を前記複数の加熱手段により所望の処理温度とし、前記処理室内に処理ガスを供給しつつ排気して、前記基板に所望の処理をする処理工程と、前記複数の加熱手段の設定温度を、前記複数の領域の内、クリーニングガス供給側の領域を排気側の領域より温度が低くなるような温度に設定し、前記処理室内にクリーニングガスを供給しつつ排気して、前記処理工程時に前記処理室内に付着した付着物を除去するクリーニング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００１８】
クリーニングガス供給側からクリーニングガスを処理室内に流す際、処理室内の領域のいずれの温度も同じであると、クリーニングガス供給側の領域に付着した付着物の除去速度が、排気側の領域に付着した付着物の除去速度よりも相対的に速くなる。また、領域の温度が高いと付着物の除去速度が速く、領域温度が低いと付着物の除去速度が遅くなる。
したがって、複数の加熱手段の設定温度を、クリーニングガス供給側の領域の温度を、排気手段の領域の温度より低くなるように設定すると、クリーニングガス供給側の領域に付着した付着物の除去速度が遅くなり、排気手段側の領域に付着した付着物の除去速度が速くなる。その結果、処理室内の各領域における付着物除去の進行速度を合せることができ、処理室内を部分的な付着物を生じさせずにクリーニングすることができ、クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、クリーニング時間を延長することなく、処理室内の付着物を除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に本発明の実施の形態を説明する。図１に半導体装置の製造方法を実施するための縦型ＣＶＤ装置の処理炉の構成図を示す。なお、実施の形態の処理炉の構成は、基本的には、図４の従来例の構成と同じであり、したがって、図１では２系統のガス供給系を省略して１系統のガス供給ノズル８で示し、また排気系は排気管９だけを示して残りは省略した。また、実施の形態が従来例と異なる点は、クリーニング工程時に分割ヒータを独立して温度制御するようにした点である。
【００２１】
処理炉は、加熱手段としてのヒータ１０と処理室としての処理容器１５とを有する。
【００２２】
ヒータ１０は、ガス流れに沿って複数に分割された分割ヒータ１０ａ〜１０ｄから構成されて、各領域Ａ〜Ｄ内のウェハ７を所定の温度に加熱する。分割ヒータ１０ａ〜１０ｄは、例えば、上方から上部領域Ｄ、上方下部領域Ｃ、中央下部領域Ｂ、及び下部領域Ａの４つに分割した縦型の処理容器１５の各領域に各々配設される。分割ヒータ１０ａ〜１０ｄは、温度制御部１６によって、領域毎に各々独立に制御可能になっている。
下部領域Ａは、クリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段側に位置する領域、ないしクリーニングガス供給側の領域を構成する。上部領域Ｄは、処理容器１５の上端部から空間１４を介して内部の雰囲気が排出される排気手段側に位置する領域、ないし排気側の領域を構成する。
なお、図１に示す処理容器１５と図４に示す処理容器２０とは、ガス流れの上流側と下流側とが逆転しているので、領域符号Ａ〜Ｄの付け方も逆転している。
【００２３】
処理容器１５は、ヒータ１０の内側に設けられて、外部反応管１と内部反応管２とから構成される。内部反応管２は、外部反応管１の内部に同心状に配設され、上端部と下端部が開放された処理室を構成する。外部反応管１、内部反応管２は炉口フランジ３上に立設され、外部反応管１と炉口フランジ３の上端との間は図示しないＯリングによりシールされている。炉口フランジ３の下端はシールキャップ５により気密に閉塞され、シールキャップ５にボート６が立設されて内部反応管２内に挿入される。ボート６にはウェハ載置領域には処理されるウェハ７が水平姿勢で多段に装填される。また、ボート６の下方の領域には、所要枚数の断熱板４が水平姿勢で多段に装填される。 
炉口フランジ３に、処理ガスまたはクリーニングガスを供給するガス供給ノズル８が設けられ、炉口フランジ３上に立設された内部反応管２とその下端部で連通している。このガス供給ノズル８が、処理ガス供給手段またはクリーニングガス供給手段を構成する。また、炉口フランジ３に排気管９が設けられ、外部反応管１と内部反応管２との間に形成される円筒状の空間１４と連通している。この排気管９が排気手段の一部を構成する。
【００２４】
このように処理炉は、炉の下端部から処理ガスまたはクリーニングガスが供給され、炉の上端部から空間１４を介して内部の雰囲気が排出されうるような２重構造の処理容器１５を用いている。
【００２５】
上述した処理炉を構成する部材の内、反応管１、２、ボート６は石英製部材で構成され、炉口フランジ３などの炉口部材は金属製部材で構成される。ここで炉口部材とは、内部反応管２内にボート６を挿入したとき、炉口部を構成することとなる反応管側の部材とボート側部材の双方をいう。
【００２６】
図１の処理炉下部構造を説明すると、外部反応管１、内部反応管２、ボート６の柱６ａ等は石英製部材で構成される。また、炉口部であってクリーニングガスに晒される炉口フランジ３はＳＵＳ３０４などの金属製部材で、そして炉口をシールするシールキャップ５、及びボート６を保持するキャップ受け１１等は、ハステロイＣ２２などの金属製部材でそれぞれ構成されている。
【００２７】
次に上記のような構成の縦型ＣＶＤ装置において、シリコンウェハ上にＳｉ3Ｎ4膜を形成する半導体装置の製造方法について説明する。
【００２８】
処理工程では、予めボート６上に複数枚設置されたウェハ７を、複数の分割ヒータ１０ａ〜１０ｄにより、領域毎に別々に設定した成膜温度まで加熱する。その後、ガス供給系を構成するガス供給ノズル８から、ＤＣＳ、ＮＨ3の処理ガスを供給しつつ排気し、内部反応管２内を所定の成膜温度に加熱維持して、ウェハ７表面にＣＶＤ反応によりＳｉ3Ｎ4膜を形成する。このとき、処理容器１５内の圧力を一定に保つよう圧力調整する。所定の膜厚まで薄膜形成されたら、直ちにガス供給ノズル８からの処理ガスの供給を止め、代りに不活性ガスを処理容器１５内に供給し、反応管１、２内を不活性ガスに置換して常圧に復帰させ、ウェハ７の温度を降温し、ボート６を下降させ、ボート６から成膜完了後のウェハ７を払い出す。 
【００２９】
上述したＳｉ3Ｎ4膜の成膜条件を例示すれば次の通りである。
成膜温度：Ａ領域〜Ｄ領域  ６５０℃〜７８０℃
成膜圧力：２５Ｐａ〜５０Ｐａ
成膜用ガス：ＤＣＳ（５０ｓｃｃｍ〜３００ｓｃｃｍ）
ＮＨ3（１５０ｓｃｃｍ〜１２００ｓｃｃｍ）
【００３０】
上記成膜工程を１回または複数回繰り返すと処理容器１５にＳｉ3Ｎ4膜からなる堆積膜が付着する。クリーニング工程でこの堆積膜を除去する。
【００３１】
クリーニング工程では、複数の分割ヒータ１０ａ〜１０ｄにより堆積膜が付着している処理容器１５内を、領域Ａ〜Ｄ毎に別々に設定した温度まで加熱する。加熱後、ガス供給系を構成するクリーニング系のガス供給ノズル８から、クリーニングガスとしてＦ2、Ｎ2を混合したクリーニングガスを導入しつつ排気管９より排気しながら、エッチング反応により、反応管１、２内の石英製部材または金属製部材に付着したＳｉ3Ｎ4膜を除去する。
【００３２】
この際、排気系に設けられた可変コンダクタンスバルブにより、処理容器１５内の圧力を一定に保つよう圧力調整する。また、排気系に設けられた排気ポンプの下流側においては、希釈ガスＮ2導入口から大量の希釈ガスＮ2を導入し、Ｆ2ガス濃度を１％以下にまで低減させて排出している。処理容器内の堆積膜が除去されたら、ガス供給ノズル８からのクリーニングガスの供給を止め、処理容器１５内のシーズニングを行い、処理容器１５を薄膜形成工程に移行できる状態に回復させる。
【００３３】
ここで行うシーズニングについて説明する。例えば、処理容器１５内をクリーニング時での設定温度のままとし、クリーニングガスであるＦ2の供給を止めた後、ガス供給ノズル８からＮ2を供給する。Ｎ2によるパージをした後、可変コンダクタンスバルブを閉め、Ｎ2の供給により処理容器１５内の圧力を上昇させる。所定の時間経過後、Ｎ2を供給し続けている最中に、可変コンダクタンスバルブを全開にして処理容器１５内が真空になるまで減圧する。真空に到達したら、再び、可変コンダクタンスバルブを閉め、Ｎ2の供給により処理容器１５内の圧力を上昇させる。この処理容器１５内の昇圧と減圧を何回か繰り返すサイクルパージを実行することにより、処理容器１５内及び排気管、ガス供給管、ガス供給ノズルに残留したＦ2ガスを排気除去する。処理容器１５内の昇圧と減圧を何回か繰り返した後、処理容器１５内が真空状態の時にＮ2の供給を止める。可変コンダクタンスバルブにて処理容器１５内の圧力を調整しつつ、ガス供給ノズル８からＮＨ3（アンモニア）を所定時間供給し続ける。このＮＨ3によるパージにより、残留したＦ2をＮＨ3と反応させてＮＨ4Ｆ（フッ化アンモニウム）とする。このＮＨ4Ｆを排気除去することにより、残留したＦ2を有効に排気除去する。ＮＨ3を所定の時間供給している最中に、ヒータの温度を次回の成膜を行う温度に上昇させ、次回の成膜に備える。これにより、次回の成膜温度に上昇させる時間をＮＨ3によるパージ時間と兼ねることができ、スループットが向上する。
【００３４】
なお、このクリーニング工程において、炉口部を金属製のシャッタで塞いだり、ウェハを払い出した空のボート６を反応管２内に挿入したりして、ボート６を構成している石英製部材または金属製部材を一緒にクリーニングしてもよい。
【００３５】
上述したＳｉ3Ｎ4膜の成膜後のクリーニング条件を例示すれば次の通りである。
クリーニング温度：３００℃〜４００℃（詳細は後述）
クリーニング圧力：１３３３０Ｐａ〜５３３２０Ｐａ
クリーニングガス：Ｆ2（１ＳＬＭ〜５ＳＬＭ）
Ｎ2（１ＳＬＭ〜１０ＳＬＭ）
【００３６】
実施の形態では、上述したクリーニング工程において、複数に分割された分割ヒータ１０ａ〜１０ｄの温度設定を一定にするのではなく、処理容器内の部分的な堆積膜の膜残りの発生をなくすために、互いに異なる温度に設定している。
【００３７】
ここでの設定方法は、ガス供給ノズル８側に位置するＡ領域の温度を、排気管９側に位置するＤ領域の温度より低くなるようにしている。
図２に、そのような温度設定の一例を示す。本例では、温度制御部１６により、ガス供給側のＡ領域から排気側のＤ領域に向けて段階的に温度が高くなるように、分割ヒータ１０ａ〜１０ｄの温度を設定してある。すなわち、Ｂ領域の温度設定を従来例（図５参照）と同じ３５０℃とし、この温度設定を基準にして、Ａ領域の温度を２５℃低い３２５℃に設定し、Ｃ領域の温度を逆に２５℃高い３７５℃に設定し、そしてＤ領域の温度を５０℃高い４００℃に設定してある。
【００３８】
図３に、本例による領域別のエッチング反応の進行パターンの理想的な概念図を示す。クリーニング開始初期よりエッチング反応が進行しやすく、早い段階で堆積膜が除去されるクリーニングガスの供給側の領域Ａにおいて、本例では、相対的に温度を低く設定することにより、エッチング反応を遅くさせる。逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって相対的に温度を高く設定していくことにより、エッチング反応を速くさせる。結果として処理容器内全域における堆積膜が除去される終点（クリーニング終点）が同時期となり、部分的な膜残りがなく、クリーニングが終了される。
なお、図３における領域Ｂの反応の進行パターンと図６における領域Ｂの進行パターンとは、温度設定が同じであることから、本来、同一パターンで描かれるべきであるが、同じになってはいない。これは、図３に示す反応の進行パターンに理想的なパターンを想定しているからである。
【００３９】
上述したように実施の形態によれば、薄膜を形成する処理工程の後に、Ｆ2等を用いて行うクリーニング工程において、クリーニングガスの供給側の領域Ａにおいて相対的に温度を低く設定してエッチング反応を遅くさせ、逆に、順次領域Ｂ、領域Ｃ、領域Ｄでは、排気側に向かって相対的に温度を高く設定していくことにより、エッチング反応を速くさせている。これにより、処理容器内全域における堆積膜が除去される終点を同時期にそろえ、部分的な膜残りが生じないようにして、クリーニングを終了させるようにしている。
したがって、オーバーエッチングすることなく、短時間で効率良く処理容器内に付着した堆積膜を除去することができる。また、クリーニング時間が短時間で済むので、クリーニングガスの使用量を削減できる。また、オーバーエッチングすることがないので、処理容器構成部材である石英や金属等が直接クリーニングガスに晒されることを抑制できる。その結果、石英やＳＵＳ、あるいはハステロイからなる反応室構成部材の劣化を低減でき、装置部品の寿命を著しく向上させることができる。また、ＳＵＳあるいはハステロイからなるボート側の金属部材側の温度を反応管側の部材より比較的低温とすることができるので、金属部材の腐食を抑制することができる。
【００４０】
なお、実施の形態では、分割ヒータの温度設定を各々異ならせることによって、堆積膜が除去される処理容器内全域のクリーニング終点を同時期に合せるという、理想的な場合について説明したが、さらに現実的な例として、例えば実際のクリーニングプロセスにおいて、ガス濃度分布の不均一やガス流れの偏り、あるいはガス流路から外れるガス淀み部や低温部等に伴い、最後まで堆積膜の膜残りがある部分に対して、当該部分のみの分割ヒータの温度を他の部分よりも高く設定し、当該部分のエッチング反応の進行を促進させることもできる。これにより、部分的にエッチング反応が進行しにくい場合でも、付着物を部分的に残すことなく有効に除去できる。
【００４１】
また、実施の形態では、処理工程でＤＣＳ、ＮＨ3を用いてＳｉ3Ｎ4膜を成膜し、クリーニング工程でこれをＦ2ガスで除去する場合について説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば、ＳｉＨ4を用いてポリシリコン膜を成膜し、これをＣｌＦ3で除去する場合等、他のプロセスの場合についても適用可能である。また、成膜方法として、複数の原料ガスを同時に供給し、気相反応と表面反応を利用して成膜を行うＣＶＤ法を用いた場合について説明したが、複数の原料ガスを１種類ずつ交互に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応のみを利用して成膜を行うＡＬＤ法を用いて成膜した後のクリーニング工程にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態による半導体装置の製造方法を実施するための縦型ＣＶＤ装置を構成する処理炉の構造を示す断面図である。
【図２】実施の形態によるヒータの温度設定を示す図である。
【図３】実施の形態によるエッチング反応の進行の様子を示す説明図ある。
【図４】従来例による処理炉の概略構成図である。
【図５】従来例によるヒータの温度設定を示す図である。
【図６】従来例によるエッチング反応の進行の様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４３】
７    ウェハ（基板）
８    ガス供給ノズル
９    排気管
１０    ヒータ（加熱手段）
１０ａ〜１０ｄ    分割ヒータ（複数の加熱手段）
１５    処理容器（処理室）
１６    温度制御部
Ａ〜Ｄ  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006059921.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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