(57)【要約】【課題】アドレス期間中に走査電極に印加される電圧をサブフィールド、ＡＰＬまたはデータロードにより変化させることができるプラズマディスプレイ装置及び駆動方法を提供することにある。【解決手段】入力された映像信号から階調を算出するタイミングコントローラと、算出された階調に対するサブフィールドマッピングを行い、マッピングされたサブフィールドによる電圧制御信号を出力するサブフィールド検出部と、サブフィールド検出部から電圧制御信号を入力され、マッピングされたサブフィールドの変化により走査バイアス電圧を調節する電圧変換部と、アドレス期間において電圧変換部から出力された走査バイアス電圧をタイミングコントローラのタイミング制御により走査電極に供給する電極駆動部と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。【選択図】図４
2006139285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された映像信号から階調を算出するタイミングコントローラと、
前記タイミングコントローラにより算出された階調に対するサブフィールドマッピングを行い、前記マッピングされたサブフィールドによる電圧制御信号を出力するサブフィールド検出部と、
前記サブフィールド検出部から前記電圧制御信号を入力され、前記マッピングされたサブフィールドの変化により走査バイアス電圧を調節する電圧変換部と、
アドレス期間において前記電圧変換部から出力された走査バイアス電圧を前記タイミングコントローラのタイミング制御により前記走査電極に供給する電極駆動部と、
前記電圧変化部から出力された前記走査バイアス電圧を印加される走査電極を含むプラズマディスプレイパネルと、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記サブフィールドマッピング部は、前記マッピングされたサブフィールドに対する平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいすれか１つを算出して電圧制御信号を出力し、
前記電圧変換部は、前記サブフィールドの平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいずれか１つに応じて変化する走査バイアス電圧を出力することを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記電圧変換部は、ＤＣ／ＤＣコンバータを含むことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記電圧変換部は、前記電圧制御信号を入力されて前記マッピングされたサブフィールドのそれぞれから相異なる走査バイアス電圧を供給することを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記電圧変換部は、前記電圧制御信号を入力され、全体のサブフィールドのうち少なくともいずれか１つのサブフィールドにおける走査バイアス電圧を残りのサブフィールドにおける走査バイアス電圧と異ならせることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記電圧変換部は、サブフィールドのアドレスマージンが狭ければ狭いほど負の走査バイアス電圧の大きさが大きくなることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記電圧変換部は、サブフィールドのアドレスマージンが広ければ広いほど負の走査バイアス電圧の大きさが小さくなることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記電圧変換部は、アドレス期間に書き込み走査パルスを出力することを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
走査電極を備えるプラズマディスプレイ装置の駆動方法において、
入力された映像信号から階調を算出する段階と、
前記算出された階調に対するサブフィールドマッピングを行い、前記マッピングされたサブフィールドに応じる電圧制御信号を出力する段階と、
前記電圧制御信号を入力され、前記マッピングされたサブフィールドの変換により走査バイアス電圧を調節する段階と、
前記調節された走査バイアス電圧を前記走査電極に供給する段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記マッピングされたサブフィールドに対する平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいずれか１つを算出して前記電圧制御信号を出力し、前記サブフィールドの平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいずれか１つにより調節された前記走査バイアス電圧を出力することを特徴とする、請求項９記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１１】
前記電圧制御信号を入力され、前記マッピングされたサブフィールドのそれぞれから相異なる走査バイアス電圧を供給することを特徴とする、請求項９記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１２】
前記電圧制御信号を入力され、全体のサブフィールドのうち少なくともいずれか１つのサブフィールドにおける走査バイアス電圧を残りのサブフィールドにおける走査バイアス電圧と異ならせることを特徴とする、請求項９記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１３】
前記電圧制御信号を入力され、サブフィールドのアドレスマージンが狭ければ狭いほど負の走査バイアスの電圧の大きさが大きくなることを特徴とする、請求項９記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記電圧制御信号を入力され、サブフィールドのアドレスマージンが広ければ広いほど負の走査バイアスの電圧の大きさが小さくなることを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイ装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネルはソーダライム（Ｓｏｄａ−ｌｉｍｅ）ガラス製の前面基板と背面基板よりなる。前面基板と背面基板の間に形成された隔壁は放電セルを区画する。放電セル内に注入されたヘリウム−キセノン（Ｈｅ−Ｘｅ）、ヘリウム−ネオン（Ｈｅ−Ｎｅ）などのような不活性ガスは高周波電圧によって放電を起こす。放電が起こるときに真空紫外線(Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ)が発生し、該真空紫外線が隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより画像が具現される。
【０００３】
図１は、従来のプラズマディスプレイパネルの構造を概略的に示す斜視図である。図１に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルは前面パネル１０と背面パネル１１とよりなる。前面パネルは前面ガラス基板１００を含み、背面パネルは背面ガラス基板１１０を含む。前面パネル１０と背面パネル１１は所定のギャップを挟んで向かい合っている。
【０００４】
前面グラス基板１００上には相互放電によりセルの発光を維持するための維持電極対１０１，１０２が形成される。維持電極対１０１，１０２は走査電極１０１と維持電極１０２よりなる。走査電極１０１と維持電極１０２のそれぞれはインジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）よりなる透明電極１０１ａ，１０２ａと、金属よりなるバス電極１０１ｂ，１０２ｂとからなる。走査電極１０１はパネル走査のための走査信号と放電維持のための維持信号とを入力される。維持電極１０２は維持信号を主として入力される。誘電体層１０３は維持電極対１０１，１０２上に形成され、放電電流を制限し且つ電極対間を絶縁させる。保護層１０４は誘電体層１０３上に形成され、放電を容易に行うために酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる。
【０００５】
背面ガラス基板１１上にはアドレス電極１１２が維持電極対１０１，１０２と交互に配置される。誘電体層１１４はアドレス電極１１２上に形成され、アドレス電極１１２間を絶縁させる。隔壁１１１は誘電体層１１４上に形成され、放電セルを区画する。Ｒ、Ｇ、Ｂ蛍光層１１３は隔壁１１１と隔壁１１１との間に塗布され、画像を表示するための可視光を放出する。
【０００６】
前面グラス基板１００と背面ガラス基板１１０はシーリング材（ｓｅａｌｉｎｇ ｍａｔｅｒｉａｌ）によって接着される。ヘリウムＨｅ、ネオンＮｅ、キセノンＸｅなどのような不活性ガスは排気工程後にプラズマディスプレイパネル内に注入される。
【０００７】
このような構造を有するプラズマディスプレイパネルの階調を表現する方法は、図２の通りである。
【０００８】
図２は、従来のプラズマディスプレイパネルの画像階調を具現する方法を示す図である。図２に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルは、画像の階調(Gray Level)を具現するために、１フレームを発光回数の異なる複数のサブフィールドに分け、さらに各サブフィールドを全セルを初期化させるためのリセット期間と、放電セルを選択するためのアドレス期間と、放電回数によって階調を具現する維持期間とに分ける。
【０００９】
例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合、１／６０秒に該当するフレーム期間１６．６７ｍｓは、図２のように８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分けられ、さらに前記８つのサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ８のそれぞれは、リセット期間、アドレス期間及び維持期間に分けられる。 
【００１０】
各サブフィールドのリセット期間及びアドレス期間は各サブフィールド毎に同一である。放電セルを選択するためのアドレス放電は、アドレス電極と走査電極の透明電極との間の電圧差によって起こる。維持期間は各サブフィールドにおいて２ｎ（ｎ＝０,１,２,３,４,５,６,７）の割合で増加する。このように各サブフィールドにおける維持期間が変わるので、各サブフィールドの維持期間、すなわち維持放電の回数を調節することにより画像の階調を表現するようになる。
【００１１】
図３は、従来のプラズマディスプレイ装置の駆動波形を示す図である。従来のプラズマディスプレイ装置の駆動波形では、リセット期間にランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐ及びランプダウンパルスＲａｍｐ−ｄｏｗｎが走査電極Ｙに印加される。ランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐは維持電圧Ｖｓから所定の傾斜で増加する波形を有する。ランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐによって全画面のセル内には暗放電が起こる。この暗放電が原因でアドレス電極Ｘと維持電極Ｚ上には正極性壁電荷が蓄積され、走査電極Ｙ上には負極性の壁電荷が蓄積される。
【００１２】
走査電極ＹにランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐが印加された後、走査電極ＹにランプダウンパルスＲａｍｐ−ｄｏｗｎが印加される。ランプダウンパルスＲａｍｐ−ｄｏｗｎは維持電圧Ｖｓから所定の傾斜で減少する波形を有する。ランプダウンパルスＲａｍｐ−ｄｏｗｎによってセル内に形成された余剰壁電荷の一部を消去する。ランプダウンパルスＲａｍｐ−ｄｏｗｎによって安定したアドレス放電を行える程度の壁電荷がセル内に均一に残留する。
【００１３】
アドレス期間において、走査電極Ｙに書き込み走査電圧−Ｖｙｗが印加される同時にアドレス電極Xにデータパルスが印加されることでアドレス放電が起こる。また、書き込み走査電圧−Ｖｙｗが印加される走査電極以外の残りの走査電極に、走査電圧Ｖｓcが走査が行われる走査電極以外の走査電極に印加される。
【００１４】
このようにアドレス期間が終わると、維持パルスが走査電極Ｙ及び維持電極Ｚに交互に印加されて維持放電が発生する。
【００１５】
このような従来のプラズマディスプレイ装置の駆動波形では、アドレス期間中に走査電極Ｙに加えられる走査電圧Ｖｓｃはすべてのサブフィールドで同じであり、ＡＰＬ（Ａｖｅｒａｇｅ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｌｅｖｅｌ）またはデータロードの変化と関係なく同一である。このようにサブフィールドやデータロードの変化と関係なく走査電圧Ｖｓｃが同一であることから、アドレスマージン（ａｄｄｒｅｓｓ ｍａｒｇｉｎ）が変わり、書き込みエラー（ｍｉｓｗｒｉｔｉｎｇ）が発生したり、誤放電が起こるという不具合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、アドレス期間中に走査電極に印加される電圧をサブフィールド、ＡＰＬまたはデータロードにより変化させることができるプラズマディスプレイ装置及び駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、入力された映像信号から階調を算出するタイミングコントローラと、前記タイミングコントローラにより算出された階調に対するサブフィールドマッピングを行い、前記マッピングされたサブフィールドによる電圧制御信号を出力するサブフィールド検出部と、  前記サブフィールド検出部から前記電圧制御信号を入力され、前記マッピングされたサブフィールドの変化により走査バイアス電圧を調節する電圧変換部と、アドレス期間において前記電圧変換部から出力された走査バイアス電圧を前記タイミングコントローラのタイミング制御により前記走査電極に供給する電極駆動部と、前記電圧変化部から出力された前記走査バイアス電圧を印加される走査電極を含むプラズマディスプレイパネルと、を備える。  
【００１８】
前記サブフィールドマッピング部は、前記マッピングされたサブフィールドに対する平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいすれか１つを算出して電圧制御信号を出力し、前記電圧変換部は、前記サブフィールドの平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいずれか１つに応じて変化する走査バイアス電圧を出力する。
【００１９】
前記電圧変換部は、ＤＣ／ＤＣコンバータを備える。
【００２０】
前記電圧変換部は、前記電圧制御信号を入力されて前記マッピングされたサブフィールドのそれぞれから相異なる走査バイアス電圧を供給する。
【００２１】
前記電圧変換部は、前記電圧制御信号を入力され、全体のサブフィールドのうち少なくともいずれか１つのサブフィールドにおける走査バイアス電圧を残りのサブフィールドにおける走査バイアス電圧と異ならせる。
【００２２】
前記電圧変換部は、サブフィールドのアドレスマージンが狭ければ狭いほど負の走査バイアス電圧の大きさが大きくなる。
【００２３】
前記電圧変換部は、サブフィールドのアドレスマージンが広ければ広いほど負の走査バイアス電圧の大きさが小さくなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【００２４】
前記電圧変換部は、アドレス期間に書き込み走査パルスを出力することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【００２５】
本発明に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法は、入力された映像信号から階調を算出する段階と、前記算出された階調に対するサブフィールドマッピングを行い、前記マッピングされたサブフィールドに応じる電圧制御信号を出力する段階と、前記電圧制御信号を入力され、前記マッピングされたサブフィールドの変換により走査バイアス電圧を調節する段階と、前記調節済み走査バイアス電圧を前記走査電極に供給する段階と、を備える。
【００２６】
前記マッピングされたサブフィールドに対する平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいずれか１つを算出して前記電圧制御信号を出力し、前記サブフィールドの平均画像レベルまたはデータロードのうち少なくともいずれか１つにより調節された前記走査バイアス電圧を出力することを特徴とする請求項９記載のプラズマディスプレイ装置の駆動方法。
【００２７】
前記電圧制御信号を入力され、前記マッピングされたサブフィールドのそれぞれから相異なる走査バイアス電圧を供給する。
【００２８】
前記電圧制御信号を入力され、全体のサブフィールドのうち少なくともいずれか１つのサブフィールドにおける走査バイアス電圧を残りのサブフィールドにおける走査バイアス電圧と異ならせる。
【００２９】
前記電圧制御信号を入力され、サブフィールドのアドレスマージンが狭ければ狭いほど負の走査バイアスの電圧の大きさが大きくなる。
【００３０】
前記電圧制御信号を入力され、サブフィールドのアドレスマージンが広ければ広いほど負の走査バイアスの電圧の大きさが小さくなる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明のプラズマディスプレイ装置及び駆動方法は、サブフィールドやＡＰＬ及びデータロードにより走査バイアス電圧を変換させることにより、アドレスマージンを高め、安定した動作を行い、誤放電及び書き込みエラーを防止する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明に係る具体的な実施例を添付図を参照して説明する。
【００３３】
図４は、本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の構成図である。図４に示すように、本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルＣ、タイミングコントローラ５６、サブフィールド検出部５７、電圧変換部５８及び電極駆動部５００を備える。
【００３４】
＜プラズマディスプレイパネル＞
プラズマディスプレイパネルＣは、走査書き込み電圧（ｓｃａｎ ｗｒｉｔｉｎｇ ｖｏｌｔａｇｅ）−Ｖｙｗ及び走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓが印加される走査電極を含む。
【００３５】
＜タイミングコントローラ＞
タイミングコントローラ５６は、入力された映像信号から各セルに対応する階調を算出する。
【００３６】
＜サブフィールド検出部＞
サブフィールド検出部５７は、タイミングコントローラ５６により算出されたセルの階調に対するサブフィールドマッピング（ｓｕｂｆｉｅｌｄ ｍａｐｐｉｎｇ）を行い、マッピングされたサブフィールドに応じる電圧制御信号を出力する。また、サブフィールド検出部５７は、タイミングコントローラ５６により算出されたセルの階調に対するサブフィールドマッピング（ｓｕｂｆｉｅｌｄ ｍａｐｐｉｎｇ）を行い、それぞれのマッピングされたサブフィールドに対する平均画像レベル（ＡＰＬ： Ａｖｅｒａｇｅ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｌｅｖｅｌ）やデータロード（ｄａｔａ ｌｏａｄ）を算出して電圧制御信号を出力することもできる。
【００３７】
＜電圧変換部＞
電圧変換部５８は、走査電極が走査されるときに書き込み走査電圧−Ｖｙｗを供給し、サブフィールド検出部５７から電圧制御信号を入力され、サブフィールドの変化、各サブフィールドの平均画像レベル及び各サブフィールドのデータロードのうちいずれか１つに応じて変化する走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓを出力する。電圧変換部５８はＤＣ／ＤＣコンバータ(converter)を含み、電圧制御信号を入力されてデューティ比（ｄｕｔｙ ｒａｔｉｏ）を変え、これにより変化した走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓを出力する。
【００３８】
＜電極駆動部＞
電極駆動部５００は、タイミングコントローラ５６のタイミング制御により電圧変換部５８から出力された書き込み走査電圧−Ｖｙｗを、走査が行われる走査電極に印加する。また、電極駆動部５００は、アドレス期間において電圧変換部５８から出力された走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓをタイミングコントローラ５６のタイミング制御により走査が行われる走査電極以外の残りの走査電極に供給する。
【００３９】
次に、図４と図５を参照して本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の動作を説明する。図５は、本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を示す図である。
【００４０】
図４のリセット期間中にセットアップスィッチＱ５と第７のスィッチＱ７がターンオンされる。このとき、サステナー（ｓｕｓｔａｉｎｅｒ）５０から維持電圧Ｖｓが印加される。維持電圧Ｖｓは、第６のスィッチＱ６のボディーダイオード（ｂｏｄｙ ｄｉｏｄｅ）、第７のスィッチＱ７及びドライブ集積回路５４を経て走査電極Ｙに供給される。
【００４１】
このとき、第２のキャパシタＣの負極性端子に維持電圧Ｖｓが印加されるため、第２のキャパシタＣ２の負極性端子の電位は維持電圧Ｖｓとなり、第２のキャパシタＣ２の正極性端子の電位は維持電圧Ｖｓとセットアップ電圧Ｖｓtとの和(Ｖｓ＋Ｖｓｔ)となる。
【００４２】
ランプアップパルス供給部５１のセットアップスィッチＱ５は、アクティブ領域（ａｃｔｉｖｅ ｒｅｇｉｏｎ）で作動して、維持電圧Ｖｓから維持電圧Ｖｓとセットアップ電圧Ｖｓtとの和(Ｖｓ＋Ｖｓｔ)まで上昇するランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐを第１のノードｎ１に供給する。このとき、第１の可変抵抗ＶＲ１はランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐの傾斜を決定する。第１のノードｎ１に供給されたランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐは、第７のスィッチＱ７及び各走査電極に接続されたドライブ集積回路５４を介して走査電極Ｙに印加され、これにより図５に示すランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐの波形が形成される。
【００４３】
走査電極ＹにランプアップパルスＲａｍｐ−ｕｐが印加された後、セットアップスィッチＱ５はターンオフされる。セットアップスィッチＱ５がターンオフされると、サステナー５０から供給される維持電圧Ｖｓのみが第１のノードｎ１に印加され、これにより図５に示すように走査電極Ｙの電圧は維持電圧Ｖｓに急降する。
【００４４】
その後、第７のスィッチＱ７がターンオフされると共に、ランプダウンパルス供給部５２のセットダウンスィッチＱ１０がターンオンされる。セットダウンスィッチＱ１０はアクティブ領域で作動して、第２のノードｎ２の電圧を維持電圧Ｖｓから書き込み走査電圧−Ｖｙｗまで所定の傾斜に沿って降下させる。このような第２のノードｎ２の電圧はドライブ集積回路５４を介して走査電極Ｙに印加され、これにより図５に示すランプダウンパルスＲａｍｐ−ｄｏｗｎの波形が形成される。第２の可変抵抗ＶＲ２はランプダウンパルスＲａｍｐ−ｄｏｗｎの傾斜を決定する。
【００４５】
一方、タイミングコントローラ５６は、入力された映像信号から各セルに対応する階調を算出する。サブフィールド検出部５７は、タイミングコントローラ５６により算出されたセルの階調に対するサブフィールドマッピング（ｓｕｂｆｉｅｌｄ ｍａｐｐｉｎｇ）を行い、それぞれのマッピングされたサブフィールドに対する平均画像レベル（ＡＰＬ：Ａｖｅｒａｇｅ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｌｅｖｅｌ）やデータロード（ｄａｔａ ｌｏａｄ）を算出することにより、電圧制御信号を出力する。電圧変換部５８は、サブフィールド検出部５７から電圧制御信号を入力され、サブフィールドによって調節された走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓを供給する。また、電圧変換部５８は、いずれか１つの走査電極が走査されるときに書き込み走査電圧−Ｖｙｗを供給する。
【００４６】
すなわち、電圧変換部５８は、特定の走査電極の走査時にターンオンされた第１０のスィッチＱ１０を介して書き込み走査電圧−Ｖｙｗを特定の走査電極に印加する。また、電圧変換部５８は、特定の走査電極以外の走査電極にターンオンされた第１１のスィッチＱ１１を介して前記特定の走査電極以外の走査電極に走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓを印加する。このとき、前記特定の走査電極以外の走査電極に最終的に印加される電圧は、第８のスィッチＱ８のターンオンによって印加される走査電圧Ｖｓcと、電圧変換部５８によって印加される走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓとの和となる。
【００４７】
このとき、電圧変換部５８は、全体サブフィールドのうち各サブフィールドで印加される走査バイアス電圧をそれぞれ別々に供給することができ、全体サブフィールドのうち少なくともいずれか１つのサブフィールドで印加される走査バイアス電圧をそれぞれ別々に供給することもできる。また、電圧変換部５８は、走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓの変化量と同じ分だけ書き込み走査電圧−Ｖｙｗを変化させることも可能である。
【００４８】
上記の過程により、図５に示すように、電圧変化部５８は、サブフィールドＡ（ＳＦＡ）、サブフィールドＢ（ＳＦＢ）、サブフィールドＣ（ＳＦＣ）及びサブフィールドＤ（ＳＦＤ）ごとにバイアス走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓをそれぞれ別々に供給することができる。すなわち、電圧変化部５８がサブフィールドＡ（ＳＦＡ）でＶｂｉａｓ１を供給する場合、サブフィールドＢ（ＳＦＢ）、サブフィールドＣ（ＳＦＣ）及びサブフィールドＤ（ＳＦＤ）でそれぞれＶｂｉａｓ２（＝Ｖｂｉａｓ１−ΔＶ１）、Ｖｂｉａｓ３（＝Ｖｂｉａｓ１−ΔＶ２）及びＶｂｉａｓ４（＝Ｖｂｉａｓ１−ΔＶ３）を供給する。
【００４９】
すなわちＡＰＬやデータロードのためにアドレスマージンが不足したり壁電荷が不足するサブフィールドの場合、図６のサブフィールドＤ（ＳＦＤ）のような波形が適切である。リセットパルスが加えられた後、負の走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓ４が大きいほどアドレスマージンが増加するからである。一方、ＡＰＬやデータロードのためにアドレスマージンに対する恐れがないとか壁電荷が十分である場合、図６のサブフィールドＡ（ＳＦＡ）のような波形が適切である。リセットパルスが加えられた後、小さな負の走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓ１をそのまま利用することにより、一層安定したプラズマ表示パネルの駆動が可能である。
【００５０】
その結果、相異なるアドレスマージンによる書き込みエラーや誤放電を防止することができる。
【００５１】
さらに、電圧変化部５８は、走査バイアス電圧Ｖｂｉａｓの変化量と同じ分だけ書き込み走査電圧−Ｖｙｗを変えてサブフィールドＡ（ＳＦＡ）で−Ｖｙｗ１を供給する場合、サブフィールドＢ（ＳＦＢ）、サブフィールドＣ（ＳＦＣ）及びサブフィールドＤ（ＳＦＤ）でそれぞれ−Ｖｙｗ２（＝−Ｖｙｗ１−ΔＶ１）、−Ｖｙｗ３（＝−Ｖｙｗ１―ΔＶ２）及び−Ｖｙｗ４（＝−Ｖｙｗ１−ΔＶ３）を供給することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示す図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルの画像階調を表現する方法を示す図である。
【図３】従来のプラズマディスプレイパネルの駆動波形を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の構成図である。
【図５】本発明の実施例に係るプラズマディスプレイ装置の駆動方法を示す図である。
【図１】
2006139285.tif 000003
【図２】
2006139285.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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