(57)【要約】【課題】  結露による絶縁破壊や性能劣化を防止し、耐環境性を向上させたチップデバイスを提供する。【解決手段】  内部空間を有するパッケージに収容され、基板４０上に例えば電気回路を構成する構造体を具備してなるチップデバイスにおいて、電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部５７を設ける。結露が生成されるような状況となった場合に、選択的・優先的に結露発生部５７に結露を生成させることができ、よって危険箇所での結露を防止することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を有するパッケージに収容され、基板上に電気回路を構成する構造体もしくは電気回路を構成する金属薄膜パターンの少なくとも一方を具備してなるチップデバイスであって、
上記電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部が設けられていることを特徴とするチップデバイス。
【請求項２】
内部空間を有するパッケージに収容され、基板上に空中伝搬光が入射または出射する端面を有する光学部品を具備してなるチップデバイスであって、
上記端面以外の部位であって、電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部が設けられていることを特徴とするチップデバイス。
【請求項３】
請求項１又は２記載のチップデバイスにおいて、
上記結露発生部は上記基板の板面に垂直な壁面を有する基体の表面に形成された金属薄膜よりなることを特徴とするチップデバイス。
【請求項４】
請求項１乃至３記載のいずれかのチップデバイスにおいて、
上記金属薄膜はＡｕよりなり、その金属薄膜以外の表面を構成する部分にはシリコンが用いられていることを特徴とするチップデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はパッケージの内部空間に収容されるチップデバイスに関し、特に結露による絶縁破壊や性能劣化を防止し、耐環境性を向上させたチップデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
微小な可動体とその制御回路等が集積化されてなる構造を有するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスと称されるチップデバイスがセンサやアクチュエータ等、各分野において使用される状況となってきている。ＭＥＭＳデバイスはＩＣ製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によって作製されるもので、近年、単結晶シリコン層上に絶縁層を介して単結晶シリコン層が配置されてなる三層構造のＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いることによって作製されることが多くなっている。
図７はこのようにＳＯＩ基板を用いて作製されるＭＥＭＳデバイスの従来構成の一例として特許文献１に記載されている光スイッチの構成を示したものであり、図８はその光スイッチの特許文献１に示されている作製方法（作製工程）を示したものである。まず、図７を参照して、この光スイッチの構成を簡単に説明する。
【０００３】
板状の基体１１上に４本のファイバ溝１２ａ〜１２ｄが十字状に形成され、その互いに直角なファイバ溝１２ａ，１２ｂ間の基体１１が駆動体形成部１１′とされる。駆動体形成部１１′にはファイバ溝１２ａ，１２ｂに対しそれぞれ４５°をなすスロット１３が形成され、このスロット１３に可動ロッド１４が配されている。
可動ロッド１４の一端にはミラー１５が設けられており、このミラー１５は十字状をなすファイバ溝１２ａ〜１２ｄの中心部１６に位置されている。可動ロッド１４の延伸方向中間部の両側には支持ビーム１７ａ，１７ｂの一端がそれぞれ連結され、これら支持ビーム１７ａ，１７ｂの他端は板ばねヒンジ１８ａ，１８ｂを介して固定支持部１９ａ，１９ｂに固定されている。同様に、可動ロッド１４の延伸方向他端の両側にも支持ビーム１７ｃ，１７ｄの一端がそれぞれ連結され、これら支持ビーム１７ｃ，１７ｄの他端が板ばねヒンジ１８ｃ，１８ｄを介して固定支持部１９ａ，１９ｂに固定され、これにより可動ロッド１４はその延伸方向に移動可能に支持されている。
【０００４】
可動ロッド１４は櫛歯型静電アクチュエータによって駆動されるものとなっており、支持ビーム１７ａ〜１７ｄにはそれぞれ可動櫛歯電極２１ａ〜２１ｄが配列固定され、これらと組み合わされる固定櫛歯電極２２ａ〜２２ｄがそれぞれ駆動体形成部１１′に固定配置されている。
可動櫛歯電極２１ａ，２１ｂと固定櫛歯電極２２ａ，２２ｂとの間に電圧を印加することにより静電吸引力が発生し、この静電吸引力により可動ロッド１４は中心部１６に近づく方向に移動する。一方、可動櫛歯電極２１ｃ，２１ｄと固定櫛歯電極２２ｃ，２２ｄとの間に電圧を印加すれば静電吸引力により可動ロッド１４は中心部１６から遠ざかる方向に移動する。従って、このような櫛歯型静電アクチュエータによって可動ロッド１４を駆動することにより、ミラー１５を中心部１６に対して挿抜できるものとなっている。
【０００５】
４本のファイバ溝１２ａ〜１２ｄには光ファイバ２３ａ〜２３ｄがそれぞれ配置され、ミラー１５が中心部１６に挿入されている状態では例えば光ファイバ２３ａから出射した光はミラー１５で反射されて光ファイバ２３ｄに入射し、また光ファイバ２３ｂから出射した光はミラー１５で反射されて光ファイバ２３ｃに入射する。一方、ミラー１５を中心部１６から抜き出した状態では光ファイバ２３ａから出射した光は光ファイバ２３ｃに入射し、光ファイバ２３ｂから出射した光は光ファイバ２３ｄに入射するものとなり、このようにして光路切り替えが行われるものとなっている。
【０００６】
この光スイッチは図８に示したような作製方法によって作製される。即ち、図８（１）に示したように単結晶シリコン層（以下、ハンドル層と言う。）３１上にシリコン酸化膜よりなる絶縁層３２を介して単結晶シリコン層（以下、デバイス層と言う。）３３が配置されてなるＳＯＩ基板３０を用意し、そのデバイス層３３上に所要のマスク３４をパターニングして形成する。そして、デバイス層３３のマスク３４から露出している部分を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングし、図８（２）に示したように絶縁層３２が露出するまでデバイス層３３を除去する。
【０００７】
図８（２）におけるデバイス層３３の幅狭部分３５は図７における可動ロッド１４、支持ビーム１７ａ〜１７ｄ、板ばねヒンジ１８ａ〜１８ｄなどの可動体に相当し、幅広部分３６は図７における固定支持部１９ａ，１９ｂなどの固定配置される構造体に相当する。この図８ではそれらを例示的に示している。
次に、図８（２）において、露出した絶縁層３２に対し、ウエットエッチングを施し、幅狭部分３５の下に位置する絶縁層３２がサイドエッチングにより除去されるまでエッチングを行う。これにより幅狭部分３５は図８（３）に示したように空隙を介してハンドル層３１上に位置するものとなり、つまりこのような絶縁層３２の除去によって幅狭部分３５で構成される可動体がハンドル層３１から離間されて移動自在とされる。なお、デバイス層３３のミラー１５をなす部分には、その壁面に反射膜が形成される。
【０００８】
このように図８に示した製造方法ではＳＯＩ基板３０の絶縁層３２を犠牲層として用いるものとなっており、デバイス層３３で構成された可動体の下に位置する絶縁層３２を、エッチング除去することによって可動体の移動を可能としている。また、絶縁層３２の存在により、デバイス層３３とハンドル層３１の絶縁が確保され、デバイス層３３で構成された各構造体に所要の電圧をそれぞれ印加できるものとなっている。
【特許文献１】米国特許第６３１５４６２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述したような光スイッチは例えば乾燥窒素を充填した金属製のパッケージに収容され、パッケージの光ファイバ導出部の孔を熱硬化型の接着剤等で封止して一般に使用されるが、完全な気密構造の実現は難しく、光ファイバ導出部の封止部分等から経時的に徐々に水蒸気が侵入するといった状況が生じ、よって例えば温度降下といった条件が加わると、チップデバイス表面に結露を生じる虞れがあるものとなっていた。
結露の発生は上述した光スイッチに限らず、この種のＳＯＩ基板を用いて作製されるＭＥＭＳデバイスにおいては重大な障害を引き起こすことにつながる。即ち、ＳＯＩ基板を用いるＭＥＭＳデバイスはＳＯＩ基板の中間の絶縁層を犠牲層としてデバイスから可動体を形成し、電気的に駆動するといった構成を採用している場合が多いが、ＳＯＩ基板の絶縁層の厚さは通常厚くても３μｍ程度であって、デバイス層よりなる可動体とハンドル層との間に構成される空隙は極めて狭いことから、電気的に駆動される可動体とハンドル層とが結露によって短絡してしまい、可動体の動作が不能になるといった状況が発生する。
【００１０】
また、可動体に限らず、固定配置される構造体もデバイス層によって一般に形成されるが、可動体下の絶縁層除去に伴い、構造体下の絶縁層もサイドエッチングされて構造体の周縁においてハンドル層との間に空隙が形成されるため、このような空隙に結露が捕獲されると、結露によってデバイス層とハンドル層とが短絡し、絶縁破壊を起こすといった状況が発生する。
さらに、このようなデバイス層とハンドル層間の絶縁破壊の発生に限らず、上述した光スイッチの櫛歯型静電アクチュエータのように極めて狭い間隙をもって配置される電気回路部分がデバイス層によって形成されている場合には、そのような電気回路部分も結露によって同様に絶縁破壊が発生する危険がある。
【００１１】
なお、このようなデバイス層よりなる構造体で構成される電気回路に限らず、ＭＥＭＳデバイスにおいて、あるいはＭＥＭＳデバイスに限定されない一般のチップデバイスにおいて、表面に形成される金属薄膜の回路パターンについても、パターン間隔の狭小な部分を有する場合には同様に結露による絶縁破壊の危険性を有することになる。
加えて、上述した光スイッチのような光学デバイスについて言えば、光学部品の光反射面等、光入出射端面を構成する部分に結露を生じると、結露によって光が散乱されて光損失が生じ、また光雑音の原因となる可能性もある。
【００１２】
この発明の目的はこのような状況に鑑み、結露による絶縁破壊や性能劣化を防止し、耐環境性を向上させたチップデバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明によれば、内部空間を有するパッケージに収容され、基板上に電気回路を構成する構造体もしくは電気回路を構成する金属薄膜パターンの少なくとも一方を具備してなるチップデバイスにおいて、上記電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部が設けられる。
また、この発明によれば、内部空間を有するパッケージに収容され、基板上に空中伝搬光が入射または出射する端面を有する光学部品を具備してなるチップデバイスにおいて、上記端面以外の部位であって、電気回路が設けられていない部位の表面に、金属薄膜よりなる結露発生部が設けられる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、金属薄膜よりなる結露発生部を具備することにより、結露が生成されるような状況となった場合に、選択的・優先的に結露発生部に結露を生成させることができ、よって結露による絶縁破壊の危険のある箇所での結露を防止することができる。また、結露による信号光散乱といったような性能劣化の危険のある箇所での結露を防止することができる。よって、このような点でチップデバイスの耐環境性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
この発明の実施形態を図面を参照して実施例により説明する。
図１はこの発明によるチップデバイスの一実施例として光スイッチの構成を示したものであり、この光スイッチは図７及び８に示した従来の光スイッチと同様、ＳＯＩ基板３０を用いて作製されるものとなっている。図１中、４０はＳＯＩ基板３０のハンドル層３１よりなる基板を示し、３３はデバイス層を示す。デバイス層３３には４本のファイバ溝４２ａ〜４２ｄが十字状に形成され、これらファイバ溝４２ａ〜４２ｄにより４分割された１つの領域が駆動体形成部４１とされる。以下、デバイス層３３よりなる駆動体形成部４１の構成を説明する。
【００１６】
駆動体形成部４１にはこれを２分するようにファイバ溝４２ａ〜４２ｄの中心部４３と連通したロッド溝４４が形成され、さらに凹部４５がこのロッド溝４４の他端と連通して形成されている。
ロッド溝４４には可動ロッド４６が配され、可動ロッド４６の中心部４３側の一端にはミラー４７が設けられている。可動ロッド４６の凹部４５内に位置する延伸方向中間部の両側には板ばねヒンジ４８ａ，４８ｂが連結され、さらに延伸方向他端の両側にも板ばねヒンジ４８ｃ，４８ｄが連結され、これら板ばねヒンジ４８ａ〜４８ｄにより、可動ロッド４６はその延伸方向に移動自在に支持されている。
【００１７】
板ばねヒンジ４８ａ，４８ｂと４８ｃ，４８ｄとの間において、櫛歯型静電アクチュエータが設けられ、その可動櫛歯電極４９が可動ロッド４６の両側に固定されている。可動櫛歯電極４９はその両側に、つまり可動ロッド４６の延伸方向両側に櫛歯を有するものとなっている。
可動櫛歯電極４９に対し、板ばねヒンジ４８ｃ，４８ｄ側と４８ａ，４８ｂ側にはそれぞれ可動櫛歯電極４９と組み合わされる第１固定櫛歯電極５１ａ，５１ｂと第２固定櫛歯電極５２ａ，５２ｂとが配置されている。これら第１固定櫛歯電極５１ａ，５１ｂ及び第２固定櫛歯電極５２ａ，５２ｂにはそれぞれ導電路５３が連結形成されており、各導電路５３の両側にはそれぞれ溝が設けられている。各導電路５３の他端にはそれぞれ端子部５４が設けられており、さらに板ばねヒンジ４８ｃ，４８ｄを支持している部分にも端子部５４が設けられ、これら５つの端子部５４は図１に示したように整列配置されている。
【００１８】
このように、ハンドル層３１よりなる基板４０上に、その基板板面と平行に変位する可動ロッド４６、ミラー４７、板ばねヒンジ４８ａ〜４８ｄ、可動櫛歯電極４９といった可動体がデバイス層３３によって構成され、またこれら可動体以外の、第１、第２固定櫛歯電極５１ａ，５１ｂ，５２ａ，５２ｂ、導電路５３、端子部５４、さらにはファイバ溝４２ａ〜４２ｄ、ヒンジ溝４４、凹部４５を規定する構造体が可動体と同様、デバイス層３３によって構成されている。これら構造体は絶縁層３２を介して基板４０上に固定配置されている。
【００１９】
４本のファイバ溝４２ａ〜４２ｄにはそれぞれ光ファイバ２３ａ〜２３ｄが配置され、図１のミラー４７が中心部４３に位置している初期状態（第１安定状態）では、例えば光ファイバ２３ａから出射された光はミラー４７によって反射されて光ファイバ２３ｄに入射し、光ファイバ２３ｂから出射された光は同様にミラー４７によって反射されて光ファイバ２３ｃに入射する。
可動櫛歯電極４９及び第２固定櫛歯電極５２ａ，５２ｂをそれぞれアースとした状態で第１固定櫛歯電極５１ａ，５１ｂに電圧を印加すれば、第１固定櫛歯電極５１ａ，５１ｂと可動櫛歯電極４９との間に静電吸引力が働き、その力が第１安定状態の保持力よりも大きい場合、板ばねヒンジ４８ａ〜４８ｄは反転して第２安定状態となり、その電圧の印加を絶ってもその状態で自己保持される。この時、ミラー４７は中心部４３から退避した状態となり、光ファイバ２３ａ，２３ｂからの各出射光は直進して光ファイバ２３ｃ，２３ｄにそれぞれ入射される。
【００２０】
上記における第１安定状態及び第２安定状態は板ばねヒンジ４８ａ〜４８ｄの形状をその延伸方向に適切なＳ字形状とすることで得ることができる。なお、可動櫛歯電極４９及び第１固定櫛歯電極５１ａ，５１ｂをアースとした状態で第２固定櫛歯電極５２ａ，５２ｂに電圧を印加すれば、第２固定櫛歯電極５２ａ，５２ｂと可動櫛歯電極４９との間に静電吸引力が働き、その力が第２安定状態の保持力よりも大きい場合には再び第１安定状態へと戻る。
なお、電圧の印加は５つの端子部５４より行われ、これら端子部５４には金属薄膜よりなる電極パッド５５が形成されている。電極パッド５５はＡｕのスパッタ膜により形成されている。
【００２１】
ところで、デバイス層３３のファイバ溝４２ａ〜４２ｄにより４分割された領域のうち、駆動体形成部４１を除く３つの領域には何も形成されておらず、つまり可動体や電気回路を構成する構造体は何も存在せず、これら３つの領域５６の表面に、この例では選択的・優先的に結露を生成させるための結露発生部５７が形成されている。結露発生部５７は金属薄膜パターンよりなり、この例では図１に示したように大きな楕円形をなすものとされる。
この結露発生部５７は電極パッド５５と同様、Ａｕのスパッタ膜によって形成されており、このような結露発生部５７を具備することにより、この例では駆動体形成部４１の絶縁破壊や性能劣化の危険のある箇所での結露を防止できるものとなっている。なお、この点については実験データと共に後で詳述する。
【００２２】
図２−１及び２−２は上記のような構成を有する光スイッチの作製方法を工程順に示したものであり、以下各工程（１）〜（８）について説明する。なお、図２−１及び２−２においては平面図、断面図共、簡略化し、模式的に示しており、また平面図には断面図と対応させてハッチング等を付している。
（１）ハンドル層（単結晶シリコン層）３１、シリコン酸化膜よりなる絶縁層３２、デバイス層（単結晶シリコン層）３３の三層構造よりなるＳＯＩ基板３０を用意する。
（２）デバイス層３３の上面にシリコン酸化膜６１を形成し、さらにその上にレジスト６２を塗布する。
【００２３】
（３）フォトリソグラフィによりレジスト６２をパターニングし、レジストパターンをマスクとしてシリコン酸化膜６１をドライエッチングする。
（４）レジスト６２を除去する。これによりシリコン酸化膜６１よりなる可動体用及びハンドル層３１上に固定配置される構造体用のマスクが完成する。
（５）デバイス層３３の、シリコン酸化膜６１よりなるマスクから露出している部分を絶縁層３２が露出するまでドライエッチングする。このエッチングにはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）装置を用いる。
【００２４】
（６）絶縁層３２の露出した部分をドライエッチングにより除去する。
（７）さらに、ウエットエッチングにより絶縁層３２をエッチングし、可動体下の絶縁層３２を、つまり犠牲層をエッチング除去する。これにより、可動体とハンドル層３１との間には空隙が設けられ、また可動体以外の構造体は絶縁層３２を介してハンドル層３１上に固定された構造が完成する。
（８）最後に、メカマスクを使用してＡｕをスパッタし、電極パッド５５、結露発生部５７を形成し、同時にミラー４７の表面にＡｕよりなる反射膜を形成する。
上記のような作製方法によれば、結露発生部５７は電極パッド５５の形成時に、同時に成膜形成されるため、工数は増加せず、つまり結露発生部５７を光スイッチ作製時に同時に作り込むことができる。
【００２５】
次に、このようにして形成された結露発生部５７の効果を確認実験した結果について説明する。
〈１〉実験方法
Ａｕスパッタ面積の異なる２種類のチップにて実験を行う。２種類のチップは図１に示した構成を有するチップ（発明チップ）と、この図１のチップから結露発生部５７を削除した構成のチップ（従来チップ）とした。サンプルチップ７１と湿度センサ７２を図３に示したように同一気密パッケージ７３内に搭載し、パッケージ７３内部湿度とサンプルチップ７１の絶縁抵抗（Ω，４０Ｖ）との関係を調べる。図３中、７４はベース、７５はリッド、７６はリードピンを示す。
絶縁抵抗の測定は図４に示したように電極パッド５５とハンドル層３１との間で行った。結果を効果的に確認するために、恒温恒湿試験槽（８５℃，８５％ＲＨ）にパッケージ７３を投入し、パッケージ７３内への水蒸気の侵入を加速した。
【００２６】
〈２〉実験サンプル
１）チップ詳細
・寸法      ５．８５ｍｍ×５．８５ｍｍ×０．４５３ｍｍ
・Ａｕスパッタ膜面積（二次元的なスパッタ面積）
発明チップ ： 約７．０ｍｍ２
従来チップ ： 約３．５ｍｍ２
２）パッケージ
・内部容積（チップ，センサ容積を除く容積） ： 約１６０ｍｍ３
【００２７】
〈３〉結果
図５Ａ，Ｂにそれぞれのサンプルの恒温恒湿試験槽投入後の経過時間とパッケージ内部湿度、絶縁抵抗の関係をグラフ化して示す。
これらグラフより、従来チップは湿度の上昇と共に絶縁抵抗が低くなる傾向を示しているが、発明チップは実験の範囲（内部湿度約７５％ＲＨ）までは、絶縁抵抗の低下は見られなかった。なお、従来チップと発明チップのほぼ等しい内部湿度での絶縁抵抗の値を下記に示す。
湿度（％ＲＨ）      絶縁抵抗（Ω）
・従来チップ       ６９．１９        ９．１４×１０４
・発明チップ       ７１．７５        １．００×１０10
（注）１．００×１０10Ωは使用装置の測定限界
上記実験結果からも明らかなように結露発生部５７を設けることによって絶縁抵抗の低下は発生しないものとなり、つまり絶縁破壊を防止することができる。
【００２８】
なお、本願発明は上述したように収容パッケージ内の限定された水分量の結露に対処するものであって、一定の容量限度でチップデバイスの危険箇所への結露を回避できる手段を設ければ、そのチップデバイスの耐環境性を飛躍的に向上させられるようなパッケージデバイスを発明の利用対象としており、結露による絶縁破壊の危険のある箇所を有するチップデバイスや結露による信号光散乱の危険のある箇所を有するチップデバイスに適用されて、そのような危険な箇所での結露を防止するものである。
なお、パッケージされたチップデバイスの表面に結露を生じる場合、金属薄膜のパターン上及びその辺縁の境界において、デバイス表面のシリコンやシリコン酸化物などでなる他の部分よりも選択的・優先的に結露を生成することが、上記実験からも確認されているが、金属薄膜表面で結露が優先的に誘起される現象の作用原理は明確には解っていない。
【００２９】
しかしながら、結露は例えばパッケージ内に高温高湿の気体が存在する状態で、ヒートシンクとして作用する外部に熱伝導するパッケージやチップが優先的に冷却される温度降下環境で生じるので、相対的に高温の基板上の空気と相対的に低温のチップのバルク深層部との温度勾配において、同一の温度勾配下でもより熱伝導率の高い金属薄膜層を介する部位の方がより大きな熱流束を生じて、その部位上の空気がより冷やされる作用が、少なくとも一因としてきいていると考えられる。
上述した例ではデバイス層３３の可動体や電気回路が形成されない領域５６の表面に楕円形の金属薄膜パターンよりなる結露発生部５７を設けたものとなっているが、結露発生部５７はこのような平面パターンに限らず、立体的としてもよく、つまりデバイス層３３により所望の基体を形成し、その上面や壁面（側壁面）等にわたって金属薄膜を形成することにより、結露発生部を形成するようにしてもよい。
【００３０】
図６−１及び６−２はこのような結露発生部を楕円形の結露発生部５７に替えて具備するようにした図１の光スイッチと同様の光スイッチの作製方法を工程順に模式的に示したものであり、この例では工程（７），（８）に示しているように、デバイス層３３の３つの領域５６に「王」字型をなす基体８１が形成され、この基体８１の表面に形成された金属薄膜によって結露発生部８２が形成されているものとされる。以下、各工程（１）〜（８）について説明する。
【００３１】
（１）ハンドル層３１、絶縁層３２、デバイス層３３の三層構造よりなるＳＯＩ基板３０を用意する。
（２）デバイス層３３の上面にシリコン酸化膜６１を形成し、さらにその上にレジスト６２を塗布する。
（３）フォトリソグラフィによりレジスト６２をパターニングし、レジストパターンをマスクとしてシリコン酸化膜６１をドライエッチングする。
（４）レジスト６２を除去する。これによりシリコン酸化膜６１よりなる可動体用、ハンドル層３１上に固定配置される構造体用及び領域５６に形成する基体８１用さらには基体８１の回りを囲む三角形の枠体８３用のマスクが完成する。
【００３２】
（５）デバイス層３３の、シリコン酸化膜６１よりなるマスクから露出している部分を絶縁層３２が露出するまでドライエッチングする。このエッチングにはＩＣＰ装置を用いる。
（６）絶縁層３２の露出した部分をドライエッチングにより除去する。
（７）さらに、ウエットエッチングにより絶縁層３２をエッチングし、可動体下の絶縁層（犠牲層）３２をエッチング除去する。これにより、可動体とハンドル層３１との間には空隙が設けられ、また可動体以外の構造体（基体８１、枠体８３を含む）は絶縁層３２を介してハンドル層３１上に固定された構造が完成する。
（８）最後に、メカマスクを使用してＡｕをスパッタし、電極パッド５５、結露発生部８２及びミラー４７表面の反射膜を形成する。
【００３３】
なお、この例では枠体８３で囲まれる内側にＡｕがスパッタされるようにメカマスクの形状を選定するのが好ましく、これにより「王」字型をなす基体８１の上面、ハンドル層３１に略垂直な壁面のみならず、枠体８３の内側の凹部の底面、さらには枠体８３の内側の壁面にもＡｕの薄膜が形成され、つまり極めて広い表面積を有する結露発生部８２を形成できるものとなる。
なお、この例においても基体８１、枠体８３及び結露発生部８２は可動体や構造体の形成及び電極パッド５５の形成とそれぞれ同時に形成することができ、よって工数は増加しない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明によるチップデバイスの一実施例を示す平面図。
【図２−１】図１に示したチップデバイスの作製方法を示す工程図。
【図２−２】図２−１の続き。
【図３】実験サンプルの概略を示す図、Ａは斜視図、Ｂは内部を示す平面図。
【図４】絶縁抵抗の測定箇所を示す図。
【図５】実験結果を示すグラフ、Ａは従来チップ、Ｂは発明チップにおけるパッケージ内部湿度と絶縁抵抗の変化をそれぞれ示す。
【図６−１】この発明によるチップデバイスの他の実施例の作製方法を示す工程図。
【図６−２】図６−１の続き。
【図７】チップデバイスの従来構成例を示す平面図。
【図８】図７に示したチップデバイスの作製方法を示す工程図。
【図１】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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【図８】
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