(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体基板上に膜厚のバラツキを抑制して形成することができる半導体製造装置を提供する。【解決手段】半導体製造装置は、ウエハ１２に熱処理を施すためのボート１７を有する縦型炉と、熱処理前のウエハ１２を収納するカセット１４と、ウエハ１２をカセット１４から縦型炉に搬送するための搬送機１５と、ウエハ１２の位置の修正を行うアライメント装置１６とを有する。アライメント装置１６によって、カセット１４に載置された熱処理をする前のウエハ１２が正規の位置からずれていたとしても、ボート１７の正規の位置に載置されるようにウエハ１２の位置を修正するので、搬送機１５によってウエハ１２をカセット１４からボート１７に搬送して載置したとき、ウエハ１２をボート１７の正規の位置に近づけて載置することが可能となる。【選択図】図６
2006222338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を載置するためのカセットであって、前記カセット上の正規の位置に前記半導体基板が載置されるべき前記カセットと、
前記カセット上に載置されている前記半導体基板を移動する搬送機と、
前記カセット上に載置されている前記半導体基板を前記搬送機により移動して載置するためのボートであって、前記カセット上の前記正規の位置に載置されている前記半導体基板であるならば前記搬送機により前記ボート上の正規の位置に移動されて載置されるべき前記ボートと、
前記カセット上の前記正規の位置に載置されていない前記半導体基板を前記ボート上の前記正規の位置に載置すべく、前記半導体基板の位置を修正するアライメント装置と、
前記ボートを収容する縦型炉であって、前記ボート上の前記正規の位置にある前記半導体基板の表面に均一な厚みの膜を形成する前記縦型炉とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記搬送機は、前記半導体基板を載置するためのアームを有し、
前記アライメント装置は、前記アーム上に載置される前記半導体基板の位置を、前記搬送機により移動された後の前記半導体基板が前記ボート上での前記正規の位置に載置されるように修正することを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、カセットから縦型炉に半導体基板の搬送を行う搬送機を有する半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置では、例えば、特許文献１に記載のように、搬送機を用いて半導体基板としてのウエハを、前記ウエハが収納されたカセットから、ウエハに成膜するためのガスを用いて熱処理を行う縦型炉に搬送している。詳しくは、図８（ａ）に示すように、縦型炉１０１には、複数のウエハ１０２を載置可能なボート１０３と、インナチューブ１０６と、ボートカバー１０７とが備えられている。また、図７に示すように、搬送機１０４は、カセット１０５に載置されたウエハ１０２の位置がカセット１０５の正規の位置Ｈにあるとき、ボート１０３の正規の位置Ｆに受け渡すことが可能になっている。
【０００３】
ボート１０３の正規の位置Ｆにウエハ１０２が載置されていることにより、ボート１０３を縦型炉１０１の中に挿入したとき、ウエハ１０２の外周面１０２ａとボート１０３の側壁１０３ａ及びボートカバー１０７の側壁１０７ａ（図８（ｂ）参照）との隙間をウエハ１０２の全周に亘って均一になることから、熱処理のとき、縦型炉１０１の中に導入したガスをウエハ１０２の全周に亘って均一に入り込ませることができ、これにより、ウエハ１０２全体に亘って均一な厚みの膜を形成することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の半導体製造装置では、カセット１０５に載置されたウエハ１０２の位置が、図７に示すように、例えば振動などによりカセット１０５の中で正規の位置Ｈに存在しない（正規の位置からずれる）位置Ｈ１にある場合があり、これにより、搬送機１０４によってウエハ１０２をカセット１０５からボート１０３に受け渡した際に、ボート１０３の正規の位置Ｆでない位置Ｆ１にウエハ１０２を載置することがあった。その結果、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、縦型炉１０１の中においてウエハ１０２の外周面１０２ａとボート１０３の側壁１０３ａ及びボートカバー１０７の側壁１０７ａとの隙間にバラツキが生じ、隙間が広かったり狭かったりしていた。隙間の広い側（寸法Ａ）には、ガスが多く入り込むのでより厚い膜Ｃｏ（図８（ｃ）における寸法Ｃ）が形成され、隙間の狭い所（寸法Ｂ）には、ガスが入り込みにくくなるのでより薄い膜Ｄｏ（図８（ｃ）における寸法Ｄ）が形成される。これにより、ウエハ１０２に形成された膜厚のバラツキがウエハ１０２の面内で大きくなり、その結果、ウエハ１０２が不良となるという問題があった。
【０００６】
本発明は、このような従来の技術の有する未解決な課題に着目してなされたものであって、半導体基板上に膜厚のバラツキを抑制して形成することができる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題を解決するために、本発明に係る半導体製造装置は、半導体基板を載置するためのカセットであって、前記カセット上の正規の位置に前記半導体基板が載置されるべき前記カセットと、前記カセット上に載置されている前記半導体基板を移動する搬送機と、前記カセット上に載置されている前記半導体基板を前記搬送機により移動して載置するためのボートであって、前記カセット上の前記正規の位置に載置されている前記半導体基板であるならば前記搬送機により前記ボート上の正規の位置に移動されて載置されるべき前記ボートと、前記カセット上の前記正規の位置に載置されていない前記半導体基板を前記ボート上の前記正規の位置に載置すべく、前記半導体基板の位置を修正するアライメント装置と、前記ボートを収容する縦型炉であって、前記ボート上の前記正規の位置にある前記半導体基板の表面に均一な厚みの膜を形成する前記縦型炉とを備える。
【０００８】
この構成によれば、アライメント装置によって、カセットに載置された熱処理をする前の半導体基板が正規の位置からずれていたとしても、ボート上の正規の位置に載置されるように前記半導体基板の位置を修正するので、搬送機によって半導体基板をカセットからボートに搬送して載置したとき、前記半導体基板を正規の位置に近づけて載置することが可能となる。よって、ボートを縦型炉の中に収納したとき、ボートに載置された半導体基板の外周面と前記縦型炉の側面との隙間のバラツキを、半導体基板の全周に亘って抑制することができる。従って、例えば、縦型炉の中に導入した成膜ガスを前記半導体基板の全周に亘ってバラツキを抑えて入り込ませることができ、これにより、半導体基板の全体に亘って厚みのバラツキが抑制された膜を形成することができる。その結果、半導体基板が不良になることを抑制することができる。
【０００９】
本発明に係る半導体製造装置では、前記搬送機は、前記半導体基板を載置するためのアームを有し、前記アライメント装置は、前記アーム上に載置される前記半導体基板の位置を、前記搬送機により移動された後の前記半導体基板が前記ボート上での前記正規の位置に載置されるように修正することが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、アームによって半導体基板を搬送するので、カセットやボート上に載置された半導体基板と半導体基板との間に挿入させることが可能になり、前記カセットや前記ボートから半導体基板を取り出したり、受け渡したりすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係る半導体製造装置の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、半導体製造装置の構成を示す模式図である。以下、半導体製造装置の構成を、図１を参照しながら説明する。図１に示すように、半導体製造装置１１は、半導体基板であるウエハ１２に熱処理を施すための縦型炉１３と、ウエハ１２を格納するためのカセット１４と、ウエハ１２をカセット１４から縦型炉１３に搬送するための搬送機１５と、搬送機１５によって搬送するウエハ１２の位置の修正を行うアライメント装置１６とを有する。
【００１３】
縦型炉１３は、ウエハ１２が載置されるボート１７と、熱処理が行われる反応室１８と、縦型炉１３内の雰囲気に熱を加えるためのヒータ１９とを有する。図１に示す縦型炉１３は、反応室１８からボート１７を搬出した状態を示している。縦型炉１３では、ボート１７が複数のウエハ１２を載置した状態で反応室１８内に搬入され、反応室１８内に設けられたボートカバー２５と合わさった状態で、ヒータ１９を加熱させることによりウエハ１２への熱処理が行われる。
カセット１４には、熱処理前のウエハ１２及び熱処理後のウエハ１２が格納される。
【００１４】
搬送機１５は、カセット１４からアライメント装置１６及び縦型炉１３への熱処理前のウエハ１２の搬送を行うとともに、縦型炉１３からカセット１４への熱処理後のウエハ１２の搬送を行う。搬送機１５は、事前にティーチング（搬送位置の記憶）を行うことにより、カセット１４の第１の位置である正規の位置Ｈ（図４（ａ）参照）から、ボート１７の第２の位置である正規の位置Ｆ（図３（ａ）参照）にウエハ１２を搬送することが可能となっている。しかしながら、カセット１４の中でウエハ１２が正規の位置Ｈからずれて載置されている場合（例えば、振動などによりずれてしまった場合）、ボート１７の正規の位置Ｆに載置されず、正規の位置Ｈからカセット１４の中でずれた分量だけずれてボート１７に載置される。
【００１５】
熱処理前又は熱処理後のウエハ１２は、搬送機１５に設けられたアーム（以下、「ツィーザ」という。）２０上に載置して搬送される。ツィーザ２０には、ウエハ１２を固定するために吸引を行う、図示しない吸着部を有する。搬送機１５は、例えば、カセット１４などに載置されているウエハ１２ｃとウエハ１２ｄとの間にツィーザ２０を滑り込ませ、吸着部によってウエハ１２の裏面１２ａを吸引し、ツィーザ２０を引き出すことによりウエハ１２をカセット１４から取り出してから搬送を行う。搬送機１５は、ウエハ１２を１枚ずつ搬送する。
【００１６】
アライメント装置１６は、ボート１７のウエハ１２が載るべき正規の位置Ｆにウエハ１２を載置するために、ツィーザ２０上に載置されたウエハ１２の位置の修正を行う。位置修正を行う手順は、以下の通りである。まず搬送機１５によってアライメント装置１６にウエハ１２を受け渡し、その後、アライメント装置１６によってウエハ１２の位置修正を行い、位置修正後のウエハ１２を搬送機１５によって縦型炉１３に搬送する。
【００１７】
図２は、縦型炉の構造を示す模式図である。図２（ａ）は、縦型炉の構造を示す模式断面図であり、図２（ｂ）は、縦型炉の一部を上方からみた模式平面図である。以下、縦型炉の構造を、図２を参照しながら説明する。
【００１８】
図２に示す縦型炉１３は、ボート１７を反応室１８内に挿入して熱処理を行う状態である。図２に示すように、縦型炉１３は、ウエハ１２上に膜を形成するために、反応室１８と、ヒータ１９と、ガス導入管２１と、ガス排気管２２と、インナチューブ２３と、ボート１７と、ボートカバー２５とを有する。ウエハ１２に形成する膜は、例えば、高熱酸化膜（ＨＴＯ膜）である。
【００１９】
反応室１８は、例えば、石英からなり、上側が閉塞された中空の筒形状に形成されている。反応室１８の下側には、反応室１８にボート１７を搬入したり反応室１８からボート１７を搬出したりするための、開閉可能なシャッタ２４が設けられている。
【００２０】
ヒータ１９は、反応室１８内の複数のウエハ１２を加熱させるために、反応室１８の外側全周に亘って設けられている。前記ヒータ１９の加熱により反応室１８内の温度に差が生じないものとする。例えば、反応室１８内にあるウエハ１２の温度は、反応室１８の上側と下側とで差がないものとする。
【００２１】
ガス導入管２１は、反応室１８内に成膜ガスを導入するために、反応室１８の下側に設けられている。ガス導入管２１は、図示しないガス源に接続されており、反応室１８内に備えられたインナチューブ２３の内側に成膜ガスが導入されるようになっている。成膜ガスは、熱処理を行っているとき、反応室１８内に導入され続けている。成膜ガスは、例えば、ＳｉＨ4（モノシラン）及びＮ2Ｏ（過酸化窒素）などである。
【００２２】
ガス排気管２２は、図示しない真空ポンプに接続されており、反応室１８内の処理済みのガスを外部に排気するために反応室１８の下側に設けられている。
【００２３】
インナチューブ２３は、例えば、中空の円筒形状に形成されており、反応室１８と略同心円上に配置されている。インナチューブ２３と反応室１８とが成す空間は、下側がシャッタ２４により閉塞されており、上側が開放された状態になっている。
【００２４】
ボートカバー２５は、インナチューブ２３の内側に配置されている。ボートカバー２５には、ボート１７が反応室１８に搬入されたとき、ウエハ１２の外周面１２ｂとの隙間を所定の隙間Ｖにするための側壁２５ａが設けられている。ボートカバー２５の上部には、成膜ガスが反応室１８の上側に移動可能な孔（図示せず）が形成されている。
【００２５】
ボート１７は、複数のウエハ１２を載置して反応室１８内に搬入するために用いられる。ボート１７は、図示しないボート昇降機によって昇降可能に設けられており、反応室１８内に搬入されたり、反応室１８内から搬出されたりする。ボート１７には、ウエハ１２の外周面１２ｂとの隙間を所定の隙間Ｗにするための側壁１７ａが設けられている。ボート１７が反応室１８の中に搬入されてボートカバー２５と合わさることにより、ウエハ１２の外周方向全体が側壁１７ａ、２５ａによって覆われる。カセット１４の中において正規の位置Ｈ（図４（ａ）参照）に載置されているウエハ１２をボート１７に載置したとき、ボート１７に載置されたウエハ１２の外周面１２ｂとボート１７の側壁１７ａ及びボートカバー２５の側壁２５ａとの隙間が、ウエハ１２の全周に亘って均一になるようになっている。必要とされる隙間のバラツキ範囲は、例えば、０．５ｍｍ以内である。
【００２６】
インナチューブ２３の下側から導入された成膜ガスは、ボート１７の側壁１７ａの内側及びボートカバー２５の側壁２５ａの内側とともに、インナチューブ２３の内側を通って反応室１８の上側に移動する。このとき、ウエハ１２の外周面１２ｂとボート１７の側壁１７ａ及びボートカバー２５の側壁２５ａとの隙間が均一になっている場合、ウエハ１２の全周に亘って均一に成膜ガスを入り込ませることができる。これにより、ウエハ１２全体に成膜ガスを行き届かせることが可能となり、熱反応によってウエハ１２に均一な厚みの膜を形成することができる。
【００２７】
ウエハ１２の外周面１２ｂとボート１７の側壁１７ａ及びボートカバー２５の側壁２５ａとの隙間が均一でない場合、成膜ガスがウエハ１２の外周面１２ｂに対して偏って入り込む。隙間が大きい場所には成膜ガスが多く入り込み、これにより、ウエハ１２上に膜が厚く形成される。隙間が小さい場所には成膜ガスが入り込みにくくなり、これにより、ウエハ１２と成膜ガスとの接触が少なくなり、ウエハ１２上に膜が薄く形成される。その結果、ウエハ１２の面内において膜厚のバラツキが発生する。
反応室１８の上側に移動した処理済みのガスは、反応室１８の上部で跳ね返ったあと反応室１８の内周面１８ａに沿って移動し、反応室１８の下側に配置されたガス排気管２２から排出される。
【００２８】
図３は、ボートの構造を示す模式図であり、図３（ａ）は、ボートの一部を上方からみた模式図であり、図３（ｂ）は、ボートの構造を示す模式断面図である。以下、ボートの構造を、図３を参照しながら説明する。
【００２９】
図３に示すように、ボート１７は、全体に中空の円筒形状に形成されており、中央に孔（図示せず）を有する円形の天板３１と、天板３１と平行に配置される中央に孔（図示せず）を有する円形の底板３２と、天板３１及び底板３２とを連結する４本の支柱３３と、４本の支柱３３の間に設けられた側壁１７ａとを有する。ボート１７は、例えば、石英からなり、複数枚のウエハ１２を上下方向に多段状に整列して収納することが可能となっている。
【００３０】
４本の支柱３３は、ボート１７にウエハ１２を載置したり、ボート１７からウエハ１２を取り出したりするために、天板３１及び底板３２の半周の中に、例えば６０°間隔で配列されている。つまり、４本の支柱３３が配置された側と反対側が、ウエハ１２の挿入及び取り出し方向（矢印Ｅ）となる。
【００３１】
支柱３３には、天板３１及び底板３２と平行にウエハ１２を載置するための溝３４が、支柱３３の長さ方向に沿って等間隔で形成されている。この溝３４にウエハ１２を載置することにより、ウエハ１２を水平姿勢で支持することが可能となっている。ボート１７には、例えば、１００枚のウエハ１２が載置される。これにより、１００枚のウエハ１２を同時に熱処理することが可能となっている。
側壁１７ａは、支柱３３の間に設けられ、ウエハ１２の外周面１２ｂとの隙間を所定の隙間Ｗにするために設けられている。
【００３２】
ボート１７の正規の位置Ｆにウエハ１２が載置されているとき、ウエハ１２の外周面１２ｂとボート１７の側壁１７ａ及びボートカバー２５の側壁２５ａとの隙間Ｗ、Ｖが、ウエハ１２の全周に亘って均一になるようになっている。
【００３３】
図４は、カセットの構造を示す模式図である。図４（ａ）は、カセットの一部を上方からみた模式図であり、図４（ｂ）は、カセットの構造を示す模式断面図である。以下、カセットの構造を、図４を参照しながら説明する。
【００３４】
図４に示すように、カセット１４は、例えば、ポリプロピレンなどを使用した鋳型成形品であり、上板４１と、上板４１と平行に配置される下板４２と、上板４１と下板４２とを連結する第１側壁４３及び第２側壁４４とを有する。カセット１４は、全体に中空の空間に形成され、複数のウエハ１２を上下方向に多段状に整列して収納することが可能となっている。カセット１４には、熱処理前のウエハ１２や処理済みのウエハ１２が収納される。
【００３５】
第１及び第２側壁４３，４４には、ウエハ１２の外周面１２ｂと当接可能なテーパ面４５が形成されている。また、第１及び第２側壁４３，４４のテーパ面４５と反対側には、カセット１４に熱処理を行うウエハ１２を挿入したり、カセット１４から処理済みのウエハ１２を取り出したりするために、開口エリア４６を有する。この開口エリア４６側が、ウエハ１２の挿入及び取り出し方向となる。
【００３６】
第１及び第２側壁４３，４４の内側４３ａ，４４ａには、上板４１及び下板４２と平行にウエハ１２を載置するための溝４７が、第１及び第２側壁４３，４４の長さ方向に沿って等間隔で形成されている。この溝４７にウエハ１２を載置することにより、ウエハ１２を水平姿勢で支持することが可能となっている。ウエハ１２は、例えば振動などによって水平方向（例えば、開口エリア４６側）に移動可能な状態で載置されている。カセット１４には、例えば、２５枚のウエハ１２が載置される。ボート１７に１００枚のウエハ１２を載置するためには、同様のカセット１４が４台必要になる。
【００３７】
カセット１４の正規の位置Ｈ（例えば、ウエハ１２の外周面１２ｂがテーパ面４５に当接すべく位置）にウエハ１２が載置されているとき、搬送機１５によって、例えば、ボート１７の中心位置Ｆ０（図３（ａ）参照）とウエハ１２の中心位置とが合う位置に搬送することが可能となっている。
【００３８】
ウエハ１２には、例えば、方向を特定するためのカット部５１（以下、「オリエンテーションフラット」という。）が形成されている（図５参照）。カセット１４に載置されたウエハ１２は、オリエンテーションフラット５１の位置が略同じ方向（例えば、開口エリア４６側）に揃えられている。
【００３９】
図５は、アライメント装置の構造を示す模式図である。図５（ａ）は、アライメント装置を上方からみた模式平面図であり、図５（ｂ）は、アライメント装置の構造を示す模式断面図である。以下、アライメント装置の構造を、図５を参照しながら説明する。
【００４０】
図５（ａ）に示すように、アライメント装置１６は、公知の方法である、例えばウエハ１２の外周面１２ｂにピン５２を矢印方向に押し当てて、ウエハ１２を移動させることによりウエハ１２の位置修正を行う。ウエハ１２の位置を修正することにより、ウエハ１２をボート１７の正規の位置Ｆに近づけて載置することが可能となる。アライメント装置１６は、載置台５３と、第１〜第５のピン５２ａ〜５２ｅと、基台５４とを有する。
【００４１】
載置台５３は、ウエハ１２を載置するために用いられ、基台５４の略中心部に設けられている。更に、載置台５３は、ウエハ１２を水平姿勢で支持することが可能となっている。熱処理前のウエハ１２は、搬送機１５によって載置台５３に受け渡され、ウエハ１２の位置を修正した後に搬送機１５によって載置台５３から取り出される。
【００４２】
第１〜第５のピン５２ａ〜５２ｅは、ウエハ１２の位置を修正するために用いられる。第１及び第２のピン５２ａ，５２ｂは、Ｘ軸に平行に配置されており、ウエハ１２に形成されたオリエンテーションフラット５１の向きを決めている。第３〜第５のピン５２ｃ〜５２ｅは、ウエハ１２の中心位置が予め決められた基準中心位置Ｊ０になるように修正を行う。第３〜第５のピン５２ｃ〜５２ｅは、基準中心位置Ｊ０を基準に常に同心円上を移動可能に配置されている。これにより、ウエハ１２の中心位置を常にアライメント装置１６の基準中心位置Ｊ０に合うように移動させることが可能となっている。
【００４３】
次に、第１〜第５のピン５２ａ〜５２ｅの動作について説明する。第１〜第５のピン５２ａ〜５２ｅは、例えば、図示しない駆動機構によって移動することが可能となっている。第１及び第２のピン５２ａ，５２ｂは、案内溝５５に沿って移動することにより、Ｙ軸方向にスライド可能に設けられている。第３〜第５のピン５２ｃ〜５２ｅは、第１及び第２のピン５２ａ，５２ｂと同様に、案内溝５５に沿って移動することにより、基準中心位置Ｊ０を中心にしてスライド可能に設けられている。アライメント装置１６によるウエハ１２の位置修正時間は、例えば、１０〜１５秒程度で行われる。
【００４４】
図６は、搬送機によってウエハをカセットから縦型炉に搬送する手順を示す模式図である。以下、ウエハの搬送手順を、図６を参照しながら説明する。
【００４５】
図６に示すように、まずステップ１では、複数のウエハ１２を収納したカセット１４を、カセット１４の所定位置に配置する。このとき、例えば、振動などにより、ウエハ１２の位置がカセット１４の正規の位置Ｈからずれた位置Ｈ１にあるとする。
【００４６】
ステップ２では、搬送機１５によってカセット１４からウエハ１２を取り出す。まず、搬送機１５のツィーザ２０を、カセット１４の中の所望のウエハ１２の下方へ挿入することが可能な高さに上昇させる。次に、ツィーザ２０を所望のウエハ１２の下方に挿入する。そのあと、ツィーザ２０に設けられた図示しない吸着部によって、ウエハ１２の裏面１２ａを真空吸着して支持する。ウエハ１２を支持したあと、ウエハ１２を持ち上げながらツィーザ２０を戻すことにより、ウエハ１２をカセット１４から取り出す。
【００４７】
ステップ３では、ウエハ１２をカセット１４からアライメント装置１６に搬送する。まず、搬送機１５をアライメント装置１６近傍の所定の場所まで移動する。次に、ツィーザ２０によって、ウエハ１２を載置台５３（図５参照）の上方に搬送する。ウエハ１２の裏面１２ａと載置台５３とが接触した時点で、真空吸着を解除して載置台５３にウエハ１２を受け渡す。このとき、ウエハ１２の中心位置は、カセット１４に載置されたウエハ１２の位置に起因して、アライメント装置１６の正規の位置Ｊからずれた位置Ｊ１にある。その後、ツィーザ２０を後退させる。
【００４８】
ステップ４では、載置台５３上のウエハ１２の位置を修正する。まず、第１及び第２のピン５２ａ，５２ｂをスライドさせてオリエンテーションフラット５１の方向を決めるとともに、第３〜第５のピン５２ｃ〜５２ｅをスライドさせてウエハ１２を移動し、アライメント装置１６の基準中心位置Ｊ０にウエハ１２の中心位置を合わせる。その後、ツィーザ２０によって、修正後のウエハ１２の裏面１２ａを吸着したあと、アライメント装置１６からウエハ１２を取り出す。
ステップ５では、搬送機１５によって、ウエハ１２をアライメント装置１６からボート１７に搬送する。
【００４９】
ステップ６では、ウエハ１２をボート１７に載置する。まず、ツィーザ２０をボート１７に形成された所定の溝３４（図３参照）に挿入する。次に、ツィーザ２０の真空吸着を解除して、ウエハ１２を所定の溝３４に載置して受け渡す。このとき、ウエハ１２の位置は、アライメント装置１６によってずれたウエハ１２の位置を基準中心位置Ｊ０に修正しているので、ボート１７の正規の位置Ｆに載置される。ウエハ１２をボート１７に受け渡したあと、ツィーザ２０を引き戻す。
その後、必要なウエハ１２の枚数だけ、ステップ２からステップ６を繰り返し行い、処理前のウエハ１２をカセット１４からボート１７に搬送する。
【００５０】
ステップ７では、ボート１７を縦型炉１３内に搬入する。まず、ウエハ１２の移載が完了したボート１７を、ボート昇降機によって上昇させて反応室１８内に搬入する。次に、シャッタ２４（図２参照）を閉じて、反応室１８内を遮断された空間にする。このとき、ウエハ１２の外周面１２ｂとボート１７の側壁１７ａ及びボートカバー２５の側壁２５ａとの隙間は、アライメント装置１６によってウエハ１２の位置を修正したことから、ウエハ１２の全周に亘ってバラツキが抑制された状態になっている。
【００５１】
ステップ８では、縦型炉１３によって熱処理を行い、ウエハ１２上に膜を形成する。まず、反応室１８内にガス導入管２１（図２参照）より成膜ガスを導入するとともに、ガス排気管２２により成膜ガスを排気して、反応室１８内を所定のガス雰囲気にする。次に、ヒータ１９を所定の温度に上昇させて、ウエハ１２を加熱させる。このとき、ウエハ１２の外周面１２ｂとボート１７の側壁１７ａ及びボートカバー２５の側壁２５ａとの隙間（図２参照）が略均一になっているので、成膜ガスがウエハ１２の全周に亘って均一に入り込んでいる。これにより、ウエハ１２上全体に厚みのバラツキが抑制された膜を形成することができる。
【００５２】
ステップ９では、ウエハ１２上に膜を形成したあと、ガス導入管２１からのガスの導入を停止するとともに、ヒータ１９の温度を所定の温度に降温する。そして、反応室１８内のガスを排気して、反応室１８内を大気圧の状態に戻す。その後、処理済みのウエハ１２をボート１７とともに反応室１８から搬出する。搬出後、処理済みのウエハ１２は、搬送機１５によってカセット１４に戻される。
【００５３】
以上詳述したように、本実施形態の半導体製造装置によれば、以下に示す効果が得られる。
（１）本実施形態によれば、アライメント装置１６によって、カセット１４に載置された熱処理をする前のウエハ１２が正規の位置Ｈからずれていたとしても、ボート１７の正規の位置Ｆに載置されるように前記ウエハ１２の位置を修正するので、搬送機１５によってウエハ１２をカセット１４からボート１７に搬送して載置したとき、前記ウエハ１２を正規の位置Ｆに近づけて載置することが可能となる。よって、ボート１７を反応室１８の中に収納したとき、ボート１７に載置されたウエハ１２の外周面１２ｂとボート１７の側壁１７ａ及びボートカバー２５の側壁２５ａとの隙間のバラツキを、ウエハ１２の全周に亘って抑制することができる。従って、反応室１８の中に導入した成膜ガスを前記ウエハ１２の全周に亘ってバラツキを少なくして入り込ませることができ、これにより、ウエハ１２の全体に亘って厚みのバラツキが抑制された膜を形成することができる。その結果、ウエハ１２が不良になることを抑制することができる。
【００５４】
なお、本実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
（変形例１）上記では、カセット１４の正規の位置Ｈからずれたウエハ１２の位置Ｈ１を、アライメント装置１６に設けられたピン５２をウエハ１２の外周側から押し当てることで正規の位置Ｊに修正を行っている。これを、例えば、アライメント装置１６上で、レーザを用いてウエハ１２の位置を検出し、ずれている分だけウエハ１２を移動させることでウエハ１２の位置を修正するようにしてもよい。また、これに限定されず、ウエハ１２の位置が修正できる装置であればよい。
【００５５】
（変形例２）上記では、搬送機１５によってウエハ１２を１枚づつ搬送していた。これを、複数枚のウエハ１２を支持することが可能な搬送機１５を用いて、複数枚のウエハ１２を同時に搬送するようにしてもよい。このとき、アライメント装置１６による位置修正は、複数枚のウエハ１２を同時に行えるものが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】一実施形態における、半導体製造装置の構成を示す模式図。
【図２】縦型炉の構造を示す模式断面図であり、図２（ａ）は縦型炉の構造を示す模式断面図、図２（ｂ）は縦型炉の一部を上方からみた模式平面図。
【図３】ボートの構造を示す模式図であり、図３（ａ）はボートの一部を上方からみた模式図、図３（ｂ）はボートの構造を示す模式断面図。
【図４】カセットの構造を示す模式図であり、図４（ａ）はカセットの一部を上方からみた模式図、図４（ｂ）は、カセットの構造を示す模式断面図。
【図５】アライメント装置の構造を示す模式図であり、図５（ａ）はアライメント装置を上方からみた模式平面図、図５（ｂ）はアライメント装置の構造を示す模式断面図。
【図６】搬送機によってウエハをカセットから縦型炉に搬送する手順を示す模式図。
【図７】従来の半導体製造装置を示す模式図。
【図８】従来の半導体製造装置を示す模式図であり、図８（ａ）は縦型炉の構造を示す模式断面図、図８（ｂ）は縦型炉の一部を上方からみた模式平面図、図８（ｃ）は、半導体基板を示す模式断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１１…半導体製造装置、１２…半導体基板としてのウエハ、１２ａ…裏面、１２ｂ…外周面、１３…縦型炉、１４…カセット、１５…搬送機、１６…アライメント装置、１７…縦型炉を構成するボート、１８…縦型炉を構成する反応室、１８ａ…反応室を構成する内周面、１９…縦型炉を構成するヒータ、２０…搬送機を構成するツィーザ、２１…縦型炉を構成するガス導入管、２２…縦型炉を構成するガス排気管、２３…縦型炉を構成するインナチューブ、２４…縦型炉を構成するシャッタ、２５…ボートカバー、３１…ボートを構成する天板、３２…ボートを構成する底板、３３…支柱、３３ａ…側壁、３４…溝、４１…カセットを構成する上板、４２…カセットを構成する下板、４３…第１側壁、４４…第２側壁、４５…テーパ面、４６…開口エリア、４７…溝、５１…オリエンテーションフラット、５２ａ〜５２ｅ…アライメント装置を構成する第１〜第５のピン、５３…アライメント装置を構成する載置台、５４…アライメント装置を構成する基台、５５…アライメント装置を構成する案内溝。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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