(57)【要約】【課題】  有機ＥＬ装置の製造方法において、インクジェット法を用いて機能層を形成する場合に、当該機能層の表面を凹凸の少ない平坦面とすることができ、発光特性を低下させることもない手法を提供する。【解決手段】  本発明の製造方法は、基板２上に画素を区画する隔壁部１１２を形成する隔壁部形成工程と、隔壁部１１２の表面を撥液化する撥液化工程と、隔壁部１１２によって囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の少なくとも一部を構成する機能層１１０ｂの形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、塗布した液状組成物を乾燥させ、機能層１１０ｂを形成する乾燥工程と、を含み、塗布工程において、前記溶媒としてフッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含むものを用いたことを特徴とする。【選択図】    図３
2006278101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、
前記隔壁部によって囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、
塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、を含み、
前記塗布工程において、前記溶媒としてフッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含むものを用いたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記フッ素基含有溶媒は、前記溶媒全体の中に１０体積％〜５０体積％だけ含有されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に画素を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、
前記隔壁部によって囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、
塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、
形成した前記機能層を、フッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含む溶媒により溶解し、その後、再び乾燥を行う機能層平坦化工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記撥液化工程において、前記隔壁部の表面をフッ素化処理することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に所定領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、
前記隔壁部によって囲まれた領域に、当該デバイスの少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、
塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、を含み、
前記塗布工程において、前記溶媒としてフッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含むものを用いたことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項６】
基板上に所定領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、
前記隔壁部によって囲まれた領域に、当該デバイスの少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、
塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、
形成した前記機能層を、フッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含む溶媒により溶解し、その後、再び乾燥を行う機能層平坦化工程と、を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）の製造方法、及びカラーフィルタ等に代表されるデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機蛍光材料等の発光材料をインク化し、このインクを基体上に吐出するインクジェット法により、有機ＥＬ装置を製造する技術が開発されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２２９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１のようにインクジェット法を用いて有機ＥＬ装置を製造する場合には、画素の周囲にバンク（隔壁）を形成し、該バンクによって囲まれた領域にインクを吐出するものとしている。このようなバンクはフッ素処理することで撥液化させ、インクを打ち込んだ際に混色や白抜け、さらにはインクが漏れ出さないようにしている。フッ素化されたバンクは撥液性が非常に高く、それによりバンクとインクは反発関係にあるため、インクを乾燥させた後に得られる膜形状は、画素周辺（バンク付近）において裾垂れし、画素中心部で盛り上がった形状、若しくは画素周辺（バンク付近）において裾垂れし、その少し内側で盛り上がるとともに、画素中心で凹んだ形状のいずれかとなる場合がある。このような膜形状となると当該膜の平坦性が失われ、発光特性を低下させる一因となる場合がある。
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、インクジェット装置の製造方法において、インクジェット法を用いて機能層を形成する場合に、当該機能層の表面を凹凸の少ない平坦面とすることができ、発光特性を低下させることもない手法を提供することにある。また、本発明は、同様の手法によりカラーフィルタ等に代表されるデバイスを好適に製造する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、その第１の態様として、基板上に画素を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、前記隔壁部によって囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、を含み、前記塗布工程において、前記溶媒としてフッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含むものを用いたことを特徴とする。
【０００６】
このような製造方法によると、平坦度の高い機能層を形成することができ、ひいては発光むら等が生じ難い発光特性の良好な有機ＥＬ装置を提供することが可能となる。つまり、液状組成物が撥液化された隔壁部に対して極度の撥液性を示さないように、フッ素基含有溶媒を含む溶媒を用いて液状組成物を構成しているため、該液状組成物を塗布して、これを乾燥して形成される機能層は平坦度が高いものとなるのである。具体的には、上記フッ素基含有溶媒を含む液状組成物により形成される機能層は、隔壁部周辺で裾垂れし、画素中心部で盛り上がった形状や、隔壁部周辺において裾垂れし、その少し内側で盛り上がるとともに、画素中心部で凹んだ形状（図１１の比較例１参照）等になり難く、表面が平坦な機能層となる（図１１の実施例２参照）。なお、本発明における「液状組成物を塗布する」とは、あらゆる手法により液状組成物を基板上に形成することを意味しており、例えばスピンコート法により液状組成物を塗布すること、若しくはインクジェット法により液状組成物を塗布（吐出）すること等を全て含むものである。
【０００７】
上記第１の態様の製造方法において、フッ素基含有溶媒は、前記溶媒全体の中に１０体積％〜５０体積％だけ含有されているものが好ましい。フッ素基含有溶媒の体積含有率が１０体積％未満の場合、隔壁部に対する撥液性が高くなり過ぎて、形成される機能層の平坦性が低くなる場合がある。一方、体積含有率が５０体積％を超えると、隔壁部に対する親液性が高くなり過ぎて、形成される機能層が隔壁部に沿って垂れ上がり、画素中心部において凹状となり易く、結果的に平坦性が低くなる場合がある。
【０００８】
次に、上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、その第２の態様として、基板上に画素を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、前記隔壁部によって囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、形成した前記機能層を、フッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含む溶媒により溶解し、その後、再び乾燥を行う機能層平坦化工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
このような製造方法によると、平坦度の高い機能層を形成することができ、ひいては発光むら等が生じ難い発光特性の良好な有機ＥＬ装置を提供することが可能となる。つまり、塗布した液状組成物の乾燥により形成した機能層を、フッ素基含有溶媒を含む溶媒を用いて再溶解し、これを再乾燥することで、機能層の平坦度が向上するのである。具体的には、上記フッ素基含有溶媒を含む溶媒により再成膜される機能層は、隔壁部周辺で裾垂れし、画素中心部で盛り上がった形状や、隔壁部周辺において裾垂れし、その少し内側で盛り上がるとともに、画素中心部で凹んだ形状等になり難く、表面が平坦な機能層となる。なお、本発明における「液状組成物を塗布する」とは、あらゆる手法により液状組成物を基板上に形成することを意味しており、例えばスピンコート法により液状組成物を塗布すること、若しくはインクジェット法により液状組成物を塗布（吐出）すること等を全て含むものである。
【００１０】
上記製造方法のそれぞれの態様について、前記撥液化工程において、前記隔壁部の表面をフッ素化処理するものとすることができる。このようなフッ素化処理により隔壁部の表面を好適に撥液化することができ、しかもフッ素基含有溶媒を含む溶媒との親和性も良好なものとなり、機能層の平坦度向上効果が一層顕著なものとなる。
【００１１】
次に、上記課題を解決するために、本発明のデバイスの製造方法は、その第１の態様として、基板上に所定領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、前記隔壁部によって囲まれた領域に、当該デバイスの少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、を含み、前記塗布工程において、前記溶媒としてフッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含むものを用いたことを特徴とする。
【００１２】
このようなデバイスの製造方法によると、平坦度の高い機能層を形成することができ、ひいては所定領域内における所定のデバイス特性のむら等が生じ難いデバイスを提供することが可能となる。つまり、液状組成物が撥液化された隔壁部に対して極度の撥液性を示さないように、フッ素基含有溶媒を含む溶媒を用いて液状組成物を構成しているため、該液状組成物を塗布して、これを乾燥して形成される機能層は平坦度が高いものとなるのである。具体的には、上記フッ素基含有溶媒を含む液状組成物により形成される機能層は、隔壁部周辺で裾垂れし、画素中心部で盛り上がった形状や、隔壁部周辺において裾垂れし、その少し内側で盛り上がるとともに、画素中心部で凹んだ形状等になり難く、表面が平坦な機能層となる。なお、本発明における「液状組成物を塗布する」とは、あらゆる手法により液状組成物を基板上に形成することを意味しており、例えばスピンコート法により液状組成物を塗布すること、若しくはインクジェット法により液状組成物を塗布（吐出）すること等を全て含むものである。
【００１３】
また、本発明のデバイスの製造方法は、その第２の態様として、基板上に所定領域を区画する隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、前記隔壁部の表面を撥液化する撥液化工程と、前記隔壁部によって囲まれた領域に、当該デバイスの少なくとも一部を構成する機能層の形成材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を塗布する塗布工程と、塗布した前記液状組成物を乾燥させ、機能層を形成する乾燥工程と、形成した前記機能層を、フッ素基を含有するフッ素基含有溶媒を含む溶媒により溶解し、その後、再び乾燥を行う機能層平坦化工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
このようなデバイスの製造方法によると、平坦度の高い機能層を形成することができ、ひいては所定領域内における所定のデバイス特性のむら等が生じ難いデバイスを提供することが可能となる。つまり、塗布した液状組成物の乾燥により形成した機能層を、フッ素基含有溶媒を含む溶媒を用いて再溶解し、これを再乾燥することで、機能層の平坦度が向上するのである。具体的には、上記フッ素基含有溶媒を含む溶媒により再成膜される機能層は、隔壁部周辺で裾垂れし、画素中心部で盛り上がった形状や、隔壁部周辺において裾垂れし、その少し内側で盛り上がるとともに、画素中心部で凹んだ形状等になり難く、表面が平坦な機能層となる。なお、本発明における「液状組成物を塗布する」とは、あらゆる手法により液状組成物を基板上に形成することを意味しており、例えばスピンコート法により液状組成物を塗布すること、若しくはインクジェット法により液状組成物を塗布（吐出）すること等を全て含むものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施の形態では、本発明に係る製造方法により製造される有機ＥＬ装置の構成について説明した後、その製造方法を詳細に説明するものとする。また、本実施の形態では、各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００１６】
（有機ＥＬ装置）
図１は、本発明に係る製造方法により製造された有機ＥＬ装置について、その配線構造を示す説明図であって、図２は、該有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は、該有機ＥＬ装置の表示領域の断面模式図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に対して並列する方向に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ｐが設けられている。
【００１８】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、この画素電極１１１と対向電極（陰極）１２との間に挟み込まれた有機ＥＬ層１１０とが設けられている。画素電極１１１と対向電極１２と有機ＥＬ層１１０により、発光素子が構成されている。
【００１９】
走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に有機ＥＬ層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。有機ＥＬ層１１０では、流れる電流量に応じて発光が生じる。
【００２０】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図３に示すように、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。ここで、発光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成される。
基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、図２に示すように、基板２の中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｃとに区画されている。なお、表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり。
【００２１】
また、非表示領域２ｃには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。更に、走査側駆動回路１０５、１０５の両側には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。表示領域２ａの図示上側には製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行う検査回路１０６が配置されている。
【００２２】
図３の断面構成図には、３つの画素領域Ａが図示されている。本実施形態の有機ＥＬ装置では、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、有機ＥＬ層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次積層されて構成されており、有機ＥＬ層１１０から基板２側に発せられた光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機ＥＬ層１１０から基板２の反対側に発せられた光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。なお、上記陰極１２として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを挙げることができる。
【００２３】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度リンイオン打ち込みにより形成されている。前記リンイオンが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００２４】
また、前記下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００２５】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
【００２６】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０と、各画素電極１１１及び有機ＥＬ層１１０の間に備えられて各有機ＥＬ層１１０を区画するバンク部１１２とを主体として構成されている。有機ＥＬ層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、有機ＥＬ層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターン形成されている。この各画素電極１１１…を仕切る形にてバンク部１１２が備えられている。
【００２７】
バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する第１隔壁部としての無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する第２隔壁部としての有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層された構成を備えている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２等により形成され、有機物バンク層１１２ｂは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等により形成される。
【００２８】
無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗り上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが部分的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂの縁端よりも画素電極１１１の中央側に更に突出するように形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部（突出部）１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００２９】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより間口が広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜した形状となる。このようにして、バンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通された開口部１１２ｇが形成されている。
【００３０】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、テトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００３１】
有機ＥＬ層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、発光層１１０ｂに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入／輸送層１１０ａ内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が行われる。
【００３２】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ１と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１０ａの間（下部開口部１１０ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
【００３３】
また、発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１１上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３の３種類を有し、図２に示したように、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。
【００３４】
無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ２が形成されているため、周縁部１１０ａ２が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ２から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ１のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ１から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ１との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００３５】
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層の第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、有機ＥＬ層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク層１１２ａ上で有機ＥＬ層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。
また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄの壁面が撥液性を示すので、有機ＥＬ層１１０と有機物バンク層１１２ｂとの密着性が低くなり、有機ＥＬ層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００３６】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００３７】
陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって有機ＥＬ層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。
【００３８】
また、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００３９】
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００４０】
図３に示す発光素子部１１上には、実際の有機ＥＬ装置では封止部が備えられる。この封止部は、例えば基板２の周囲に環状に封止樹脂を塗布し、さらに封止缶により封止することにより形成することができる。前記封止樹脂は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止部は、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する目的で設けられる。また、前記封止缶の内側には水、酸素等を吸収するゲッター剤を設け、封止缶の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００４１】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）バンク部形成工程、（２）バンク部表面処理工程（撥液化工程）、（３）正孔注入／輸送層形成工程、（４）発光層形成工程、（５）陰極形成工程及び（６）封止工程等を有する。
なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。また、（３）正孔注入／輸送層形成工程、（４）発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法（インクジェット法）を用いて行われる。
【００４２】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定位置に図４に示すようなバンク部１１２を形成する。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造を有している。
【００４３】
（１）−１  無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図４に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４４】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する形にて形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図４に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。なお、このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と一部重なるように形成され、これにより発光層１１０の平面的な発光領域が制御される。
【００４５】
（１）−２  有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
具体的には、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられる。
【００４６】
上部開口部１１２ｄは、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは断面形状がテーパー状をなすことが好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最底面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。
これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。なお、本実施の形態では、上記無機物バンク層１１２ａについて画素電極１１１の中央側に突き出した部分の突出量は、画素毎に異なる値とされており、具体的には各発光層１１０ｂ１，１１０ｂ２，１１０ｂ３毎に異なる突出量とされている。
【００４７】
また、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを超えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００４８】
（２）バンク部表面処理工程
さらに、形成されたバンク部１１２、及び画素電極１１１の表面は、プラズマ処理により適切な表面処理が施される。具体的には、バンク部１１２表面の撥液化処理、及び画素電極１１１の親液化処理を行う。
【００４９】
まず、画素電極１１１の表面処理は、酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、画素電極１１１表面を含む領域を親液化することができる。また、このＯ２プラズマ処理により画素電極１１１表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。
【００５０】
次いで、バンク部１１２の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、テトラフルオロメタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、バンク部１１２の上部開口部１１２ｄ及び上面１１２ｆを撥液化することができる。
【００５１】
（３）正孔注入／輸送層形成工程
次に、発光素子を形成するために、まず画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。本実施の形態の正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法を採用しているが、スピンコート法等、その他の液相による塗布法を採用することができる。
【００５２】
上述した通り、正孔注入／輸送層形成工程ではインクジェット法により、つまり液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、ここで、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともあり、つまり画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
【００５３】
インクジェットによる製造方法は、以下の通りである。
すなわち、図５に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成物を充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドと基板２とを相対的に移動させることによっても組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００５４】
インクジェットヘッドによる吐出は、以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成された吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向させて配置し、ノズルＨ２から液状組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には下部開口部１１２ｃを区画するバンク１１２が形成されており、この下部開口部１１２ｃ内に位置する画素電極面１１１ａにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された液状組成物の液滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出する。
【００５５】
本工程で用いる液状組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００５６】
より具体的な組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。なお、上記液状組成物の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、特に４ｍＰａ・ｓ〜１５ｍＰａ・ｓ程度が良い。
【００５７】
吐出された組成物の液滴１１０ｃは、図５に示すように、親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、弾かれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００５８】
電極面１１１ａ上に吐出する組成物の量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、液状組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、液状組成物の液滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物を変えても良い。更に電極面１１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１ａ内の異なる箇所に前記液状組成物を吐出しても良い。
【００５９】
次に、図６に示すような乾燥工程を行う。つまり、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、液状組成物に含まれる溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図６に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
【００６０】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ１が形成される。電極面１１１ａ上では溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａ１が形成される。このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ１からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される態様であっても構わない。
【００６１】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６２】
上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐出された組成物の液滴１１０ｃが、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂで液状組成物がはじかれて下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。これにより、吐出した組成物の液滴１１０ｃを必ず下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することができ、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
【００６３】
（３）発光層形成工程
発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程及び乾燥工程とからなる。
ここでは、発光層形成材料吐出工程に先立って、上述したバンク部表面処理工程と同様に、図６に示すように形成された正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１表面を酸素プラズマ処理により親液化する一方、周縁部１１０ａ２及びバンク部１１２表面についてはＣＦ４プラズマ処理により撥液化するものとしている。そして、表面処理工程後、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【００６４】
図７に、インクジェット法による発光層形成用材料を含む液状組成物の吐出工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する液状組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら液状組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（液状組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この液状組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００６５】
本実施形態では、上記液状組成物滴１１０ｅの配置に続けて、他の発光層用の液状組成物の吐出を行う。つまり、図８に示すように、基板２上に滴下された液状組成物滴１１０ｅを乾燥させることなく、液状組成物滴１１０ｆ及び１１０ｇの吐出配置を行うようになっている。このように各色の発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３を形成するための液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇの滴下を行うに際しては、各色用の液状組成物をそれぞれ充填した複数の吐出ヘッドを、それぞれ独立に走査して基板２上への液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇの配置を行ってもよく、前記複数の吐出ヘッドを一体的に走査することにより、ほぼ同時に液状組成物１１０ｅ〜１１０ｆの配置を行えるようにしてもよい。
【００６６】
図８に示すように、吐出された各液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇで濡れることがなく、液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００６７】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する液状組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、液状組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。また、液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に液状組成物を吐出配置しても良い。
【００６８】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。そして、これら発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒は、各色発光層毎に同じ種類のもの、具体的にはトリメチルベンゼンとフルオロベンゼン（フッ素基含有溶媒）との混合溶媒（トリメチルベンゼン：フルオロベンゼン＝３：７（体積比））を用いた。
【００６９】
ここで、発光層（機能層）１１０ｂを形成するための液状組成物について、発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒として、上記フッ素基含有溶媒を含んだ混合溶媒を用いているため、乾燥後に形成される発光層１１０ｂは平坦度が非常に高いものとなる。つまり、上記混合溶媒を用いた液状組成物によると、撥液化処理されたバンク部１１２表面に対して適度の撥液性を示すため、バンク部１１２内に液滴が配置される一方、ある程度は、バンク部１１２の表面に対して親液性を示すため、発光層１１０ｂとバンク部１１２との間の表面張力に起因してバンク部１１２の周辺で当該発光層１１０ｂが沈み込む（バンク部１１２周辺で発光層１１０ｂが裾垂れする）ことが防止ないし抑制されるものとなり、その結果、発光層１１０ｂの平坦度が非常に高いものとなるのである。
【００７０】
なお、フッ素基含有溶媒としては、フルオロベンゼンの他、該フルオロベンゼンよりもフッ素の価数が多いベンゾトリフルオリドや、フルオロトルエン、ビス（４−フルオロフェニル）エーテル、フルオロキシレン、４−フルオロ−α−メチルスチレン、１−（４−フルオロ−１−メチルフェニル）−３，３，５−５−テトラメチル−シクロヘキサン、フルオロアニリン、フルオロアニソール等を用いることができる。
【００７１】
また、フッ素基含有溶媒は、混合溶媒全体の中に１０体積％〜５０体積％だけ含有されているものが好ましい。フッ素基含有溶媒の体積含有率が１０体積％未満の場合、バンク部１１２に対する撥液性が高くなり過ぎて、形成される発光層１１０ｂの平坦性が低くなる場合がある。一方、体積含有率が５０体積％を超えると、バンク部１１２に対する親液性が高くなり過ぎて、形成される発光層１１０ｂがバンク部１１２に沿って垂れ上がり、画素中心部において凹状となり易く、結果的に平坦性が低くなる場合がある。
【００７２】
次に、上記各色用の液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇを所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇに含まれる溶媒が蒸発し、図９に示すような赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図９においては赤、緑、青に発光する発光層が１つずつ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（各色に対応）が形成されている。
【００７３】
また、発光層の液状組成物の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体的例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると液状組成物が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
【００７４】
次いで、上記真空乾燥が終了したならば、ホットプレート等の加熱手段を用いて発光層１１０ｂのアニール処理を行うことが好ましい。このアニール処理は、各有機ＥＬ層の発光特性を最大限に引き出せる共通の温度と時間で行う。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００７５】
（５）陰極形成工程
次に、図１０に示すように、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂを含む基板２上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００７６】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００７７】
（６）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子が形成された基板２と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００７８】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置が完成する。
【００７９】
以上のような製造方法によると、用いる液状組成物を構成する溶媒がフッ素基含有溶媒を含んでなるため、上述した通り、バンク部１１２に対する極度の撥液性を示さないものとなる。その結果、形成される発光層１１０ｂの表面の平坦度が非常に高くなり、ひいては当該有機ＥＬ装置の発光特性が非常に優れたものとなる。
【００８０】
なお、本実施の形態では、液状組成物にフッ素基含有溶媒を含む混合溶媒を用いるものとしたが、発光層１１０ｂの平坦化を実現するためには、異なる手法を採用することも可能である。つまり、発光層形成工程においてフッ素基含有溶媒を液状組成物に含ませず、発光層を形成した後、形成された発光層を再びフッ素基含有溶媒を含む溶媒（混合溶媒）で再溶解させ、これを再乾燥することで、表面の平坦度が高い発光層１１０ｂを形成することもできる。
【００８１】
具体的には、上記と同様の（１）バンク部形成工程、（２）バンク部表面処理工程、（３）正孔注入／輸送層形成工程をそれぞれ行った後、（４）発光層形成工程において、フッ素基含有溶媒を含まない溶媒、つまりトリメチルベンゼンを液状組成物の溶媒として用いて、インクジェット法により吐出、続いて乾燥形成する。そして、形成した発光層をフルオロベンゼン及び／又はベンゾトリフルオリドとトリメチルベンゼンとの混合溶媒により再溶解させ、これを乾燥することで、上記と同様の作用により平坦度の高い発光層１１０ｂを形成することができる。
【００８２】
また、本実施の形態では、発光層１１０ｂを形成する際にフッ素基含有溶媒を用いるものとしているが、例えば正孔注入／輸送層１１０ａを形成する際にも該フッ素基含有溶媒を用いることもでき、平坦度の高い正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
【００８３】
以上、有機ＥＬ装置の製造方法について説明したが、上記のような方法は、複数色の色材層が隔壁部（バンク部）毎に配列形成されたカラーフィルタや、配線パターンを隔壁部（バンク部）毎にパターン形成する場合等、その他のデバイスの製造にも適用することができ、これらのデバイスにおいても、形成する色材層や配線の平坦性を向上させる効果を得ることができる。以下、デバイスの製造方法の一例として、カラーフィルタの製造方法について説明する。
【００８４】
（デバイスの製造方法）
図１５に示すようなカラーフィルタＣＦ、つまりバンク部１１２毎に複数色の色材層Ｒ，Ｇ，Ｂが配列形成されたカラーフィルタＣＦの製造工程においても、上述したようなフッ素基含有溶媒を用いたインクジェット法により色材層Ｒ，Ｇ，Ｂを形成することができる。
【００８５】
具体的には、基板２０上に、上記有機ＥＬ装置の製造工程と同様の方法によりバンク部１１２を形成した後、同じく同様の表面処理を行う。そして、フッ素基含有溶媒を含む混合溶媒、つまりフルオロベンゼンを含むトリメチルベンゼンにより、色材層Ｒを形成する材料（Ｒ形成材料）を溶解ないし分散させて液状組成物を作成し、この液状組成物をインクジェット法によりバンク部１１２で囲まれた所定領域（Ｒ形成領域）に選択吐出する。続いて、色材層Ｇ及び色材層Ｂについても、それぞれＧ形成材料及びＢ形成材料を上記混合溶媒により溶解ないし分散させて液状組成物を作成し、これをインクジェット法により残りの所定領域（Ｇ形成領域、Ｂ形成領域）に選択吐出する。その後、溶媒を一括乾燥させることで、各色材層Ｒ，Ｇ，Ｂが形成され、当該カラーフィルタＣＦが作製される。
【００８６】
なお、このようなカラーフィルタの製造時においても、色材層を形成した後、フッ素基含有溶媒を含む溶媒により再溶解させ、これを再乾燥する手法を採用することも可能である。いずれの方法によっても、色材層Ｒ，Ｇ，Ｂの平坦度が高く、色むらの少ないカラーフィルタを製造することが可能となる。
【００８７】
（電子機器）
図１６は、本発明の方法により製造された有機ＥＬ装置を用いた電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した方法により製造された図１に示す有機ＥＬ装置を表示手段として備えている。ここでは、携帯電話の一例を斜視図で示しており、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このように有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器では、良好な表示特性を得ることができる。
【実施例】
【００８８】
以下、本発明の効果を確認するために、以下の実施例及び比較例について検討した。つまり、上記実施の形態で示した発光層形成工程において、用いる溶媒を種々異ならせて各実施例及び比較例の有機ＥＬ装置を作製した。具体的には、図１１に示すように、フルオロベンゼンとトリメチルベンゼンの組成比（体積比）が異なる溶媒を用いて作製された比較例１、実施例１〜４の各有機ＥＬ装置を作製した。
【００８９】
作製した各有機ＥＬ装置について、図１１に示すように、発光層１１０ｂの膜形状を顕微鏡観察するとともに、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示したような膜の最大高さｙと膜の最小高さｘについて算出した。なお、図１２（ａ）は、発光層１１０ｂの膜表面が、画素周辺（バンク付近）において裾垂れし、その少し内側で盛り上がるとともに、画素中心で凹んだ形状である。また、図１２（ｂ）は、発光層１１０ｂの膜表面が、画素周辺（バンク付近）において裾垂れしていない形状である。
【００９０】
実施例１〜４の発光層１１０ｂは、比較例１の発光層１１０ｂに比して平坦度が非常に高いものとなった。つまり、比較例１ではバンク部１１２周辺で裾垂れを生じてｘ、ｙともに高い値を示しているが、実施例１〜４の発光層１１０ｂは裾垂れを生じていない又は殆ど生じていないため、ｘ、ｙともに低い値となった。
【００９１】
一方、図１３に示すように、ベンゾトリフルオリドとトリメチルベンゼンの組成比（体積比）が異なる溶媒を用いて作製された比較例２、実施例５，６の各有機ＥＬ装置を作製した。作製した各有機ＥＬ装置について、図１３に示すように、発光層１１０ｂの膜形状を顕微鏡観察するとともに、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示したような膜の最大高さｙと膜の最小高さｘについて算出した。
【００９２】
実施例５，６の発光層１１０ｂは、比較例２の発光層１１０ｂに比して平坦度が非常に高いものとなった。つまり、比較例２ではバンク部１１２周辺で裾垂れを生じてｘ、ｙともに高い値を示しているが、実施例５，６の発光層１１０ｂは裾垂れを生じていない又は殆ど生じていないため、ｘ、ｙともに低い値となった。
【００９３】
さらに、フッ素基含有溶媒を含まない溶媒、つまりトリメチルベンゼンを用いて発光層を形成した後、これをフッ素基含有溶媒で再溶解し、再乾燥により発光層１１０ｂを形成した有機ＥＬ装置（実施例７）と、再溶解及び再乾燥を行わない有機ＥＬ装置（比較例１）とを作製した。これら実施例７及び比較例３の有機ＥＬ装置について、図１４に示すように、発光層１１０ｂの膜形状を顕微鏡観察するとともに、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示したような膜の最大高さｙと膜の最小高さｘについて算出した。
【００９４】
実施例７の発光層１１０ｂは、比較例３の発光層１１０ｂに比して平坦度が非常に高いものとなった。つまり、比較例３ではバンク部１１２周辺で裾垂れを生じてｘ、ｙともに高い値を示しているが、実施例７の発光層１１０ｂは裾垂れを生じていない又は殆ど生じていないため、ｘ、ｙともに低い値となった。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明に係る方法により製造された有機ＥＬ装置の回路図。
【図２】同、平面構成図。
【図３】同、表示領域の断面構成図。
【図４】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図５】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図６】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図７】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図８】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図９】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１０】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１１】実施例１〜４及び比較例１に係る各有機ＥＬ装置の発光層の膜形状等を示す説明図。
【図１２】図１１に示した膜の最大高さｙと、最小高さｘについて定義する説明図。
【図１３】実施例５，６及び比較例１に係る各有機ＥＬ装置の発光層の膜形状等を示す説明図。
【図１４】実施例７及び比較例１に係る各有機ＥＬ装置の発光層の膜形状等を示す説明図。
【図１５】本発明に係る方法により製造されたカラーフィルタの断面模式図。
【図１６】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００９６】
２…基板、１１０…有機ＥＬ層（電気光学層）、１１０ａ…正孔注入／輸送層（機能層）、１１０ｂ…発光層（機能層）、１１１…画素電極、１１２…バンク部（隔壁部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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