(57)【要約】【課題】  スループットを低下させることなく、良好な現像処理を実行することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  静止保持された基板に現像液吐出ノズルから供給される現像液を液盛りする（Ｓ１０１）。次に、現像液が液盛りされた状態で、所定時間、静止保持することにより、現像反応を進行させる（Ｓ１０２）。続いて、現像反応を停止させるために純水吐出ノズルから純水を供給するとともに（Ｓ１０３）、基板の表面に液盛りされた現像液の一部を残留させつつ基板を回転させる（Ｓ１０４）。これにより、溶解生成物を基板の表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進する。そして、リンス処理（Ｓ１０５）、および乾燥処理（Ｓ１０６）を実行して現像処理を終了する。【選択図】        図７
2006128248.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理装置であって、
(a)  前記基板を保持しつつ回転する回転保持部と、
(b)  前記回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する現像液供給部と、
(c)  前記回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する純水供給部と、
(d)  前記回転保持部、および前記純水供給部の動作を制御して、
(i)  供給された前記現像液による現像反応が進行する前記レジスト膜に前記純水を供給して前記レジスト膜の前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させ、
(ii)  続いて、前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行させることが可能な制御部と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記純水供給部は、
(c-1)  前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズルと、
(c-2)  前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルと、
を有し、
前記現像反応を停止させる際には、前記第１の純水ノズルを前記基板の表面と略平行に移動させつつ、前記第１の純水ノズルによって前記純水を供給し、
前記リンス処理を実行させる際には、前記第２の純水ノズルから前記純水を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理装置であって、
(a)  前記現像処理の前処理を施す第１のユニットと、
(b)  前記前処理に続いて実行され、前記現像処理の後処理を施す第２のユニットと、
(c)  前記第１および第２のユニットのそれぞれとの間で基板の受渡しを行う搬送ユニットと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記第１のユニットは、
(a-1)  前記基板を保持しつつ回転する第１の回転保持部と、
(a-2)  前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する現像液供給部と、
(a-3)  前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する第１の純水供給部と、
(a-4)  前記第１の回転保持部、および前記第１の純水供給部の動作を制御して、供給された前記現像液による現像反応が進行するレジスト膜に前記純水を供給して前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる第１の制御部と、
を有し、
前記第２のユニットは、
(b-1)  前記基板を保持しつつ回転する第２の回転保持部と、
(b-2)  前記第２の回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する第２の純水供給部と、
(b-3)  前記第２の回転保持部によって前記基板を回転させつつ前記第２の純水供給部から前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行させる第２の制御部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記第１の純水供給部は、
前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記第１の回転保持部に保持された基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズル、
を有し、
前記第２の純水供給部は、
前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルと、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記第１のユニットは、
(a-1)  前記基板を保持しつつ回転する第１の回転保持部と、
(a-2)  前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に第１の現像液を供給する第１の現像液供給部と、
(a-3)  前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する第１の純水供給部と、
(a-4)  前記第１の回転保持部、および前記第１の純水供給部の動作を制御して、
(i)  供給された前記第１の現像液による現像反応が進行する前記レジスト膜に前記純水を供給して現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記第１の現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる処理と、
(ii)  前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより前記基板をリンスする処理と、
を実行可能とする第１の制御部と、
を有し、
前記第２のユニットは、
(b-1)  前記基板を保持しつつ回転する第２の回転保持部と、
(b-2)  前記第２の回転保持部に保持された基板の表面に第２の現像液を供給する第２の現像液供給部と、
(b-3)  前記第２の回転保持部に保持された基板の表面に前記純水を供給する第２の純水供給部と、
(b-4)  前記第２の回転保持部、および前記第２の純水供給部の動作を制御して、
(i)  供給された前記第２の現像液による現像反応が進行する前記レジスト膜に前記純水を供給して前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記第２の現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる処理と、
(ii)  前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより前記基板をリンスする処理と、
を実行可能とする第２の制御部と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記第１および第２の純水供給部は、それぞれ、
前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズルと、
前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルと、
を有し、
前記現像反応を停止させる際には、前記第１の純水ノズルを前記基板の表面と略平行に移動させつつ、前記第１の純水ノズルによって前記純水を供給し、
前記リンス処理を実行させる際には、前記第２の純水ノズルから前記純水を供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理方法であって、
(a)  回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する工程と、
(b)  前記現像液によって前記レジスト膜の現像反応を進行させる工程と、
(c)  前記工程(b)が完了した前記基板の表面に純水を供給して前記レジスト膜の前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる工程と、
(d)  前記工程(c)が完了した前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行する工程と、
(e)  前記基板を回転させることにより、前記基板を振り切り乾燥する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理方法において、
前記工程(c)による前記純水の供給は、前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズルによって行われ、
前記工程(d)による前記純水の供給は、前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルによって行われることを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
露光処理が完了した後に、第１および第２のユニットによって基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理方法であって、
(a)  第１のユニットの回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する工程と、
(b)  前記現像液によって前記レジスト膜の現像反応を進行させる工程と、
(c)  前記工程(b)が完了した前記基板の表面に純水を供給して前記レジスト膜の前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる工程と、
(d)  前記工程(c)が完了した前記基板を前記第１のユニットから前記第２のユニットに搬送する工程と、
(e)  前記第２のユニットの回転保持部に保持された前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行する工程と、
(f)  前記基板を回転させることにより、前記基板を振り切り乾燥する工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して現像処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関するもので、特に、現像処理手順の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、露光処理が完了した基板のレジスト膜に現像処理を施す現像処理装置が知られている（例えば、特許文献１）。この現像処理装置では、（１）基板に現像液を液盛りして所定時間経過させることによって現像反応を進行させ、続いて、（２）基板表面に付着する現像液を純水によって洗い流すリンス処理が実行され、そして、（３）基板に付着した純水を振り切って乾燥する処理が実行される。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−０２０５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、現像反応によって生ずるレジストの溶解生成物が基板から除去されず、このレジストの残りが現像欠陥となって後工程の基板処理の不良の原因となることが知られている。そこで、従来は、リンス処理時間を十分長くすることにより、この現像欠陥による処理不良を解決することが試みられていた。
【０００５】
しかしながら、リンス処理の時間を長く設定すると、装置全体のスループットが低下するという問題が生ずる。また、リンス時間を長く設定しても、レジストの溶解生成物を基板から除去できないという問題も生じている。
【０００６】
そこで、本発明では、スループットを低下させることなく、良好な現像処理を実行することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理装置であって、前記基板を保持しつつ回転する回転保持部と、前記回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する現像液供給部と、前記回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する純水供給部と、前記回転保持部、および前記純水供給部の動作を制御して供給された前記現像液による現像反応が進行する前記レジスト膜に前記純水を供給して前記レジスト膜の前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させ、続いて、前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行させることが可能な制御部と、を備える。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記純水供給部は、前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズルと、前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルと、を有し、前記現像反応を停止させる際には、前記第１の純水ノズルを前記基板の表面と略平行に移動させつつ、前記第１の純水ノズルによって前記純水を供給し、前記リンス処理を実行させる際には、前記第２の純水ノズルから前記純水を供給することを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３の発明は、  基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理装置であって、前記現像処理の前処理を施す第１のユニットと、前記前処理に続いて実行され、前記現像処理の後処理を施す第２のユニットと、前記第１および第２のユニットのそれぞれとの間で基板の受渡しを行う搬送ユニットと、を備える。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記第１のユニットは、前記基板を保持しつつ回転する第１の回転保持部と、前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する現像液供給部と、前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する第１の純水供給部と、前記第１の回転保持部、および前記第１の純水供給部の動作を制御して、供給された前記現像液による現像反応が進行するレジスト膜に前記純水を供給して前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる第１の制御部と、を有し、前記第２のユニットは、前記基板を保持しつつ回転する第２の回転保持部と、前記第２の回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する第２の純水供給部と、前記第２の回転保持部によって前記基板を回転させつつ前記第２の純水供給部から前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行させる第２の制御部と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記第１の純水供給部は、前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記第１の回転保持部に保持された基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズル、を有し、前記第２の純水供給部は、前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルと、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項３に記載の基板処理装置において、前記第１のユニットは、前記基板を保持しつつ回転する第１の回転保持部と、前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に第１の現像液を供給する第１の現像液供給部と、前記第１の回転保持部に保持された基板の表面に純水を供給する第１の純水供給部と、前記第１の回転保持部、および前記第１の純水供給部の動作を制御して、供給された前記第１の現像液による現像反応が進行する前記レジスト膜に前記純水を供給して現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記第１の現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる処理と、前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより前記基板をリンスする処理と、を実行可能とする第１の制御部と、を有し、前記第２のユニットは、前記基板を保持しつつ回転する第２の回転保持部と、前記第２の回転保持部に保持された基板の表面に第２の現像液を供給する第２の現像液供給部と、前記第２の回転保持部に保持された基板の表面に前記純水を供給する第２の純水供給部と、前記第２の回転保持部、および前記第２の純水供給部の動作を制御して、供給された前記第２の現像液による現像反応が進行する前記レジスト膜に前記純水を供給して前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記第２の現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる処理と、前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより前記基板をリンスする処理と、を実行可能とする第２の制御部と、を有することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項７の発明は、請求項６に記載の基板処理装置において、前記第１および第２の純水供給部は、それぞれ、前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズルと、前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルと、を有し、前記現像反応を停止させる際には、前記第１の純水ノズルを前記基板の表面と略平行に移動させつつ、前記第１の純水ノズルによって前記純水を供給し、前記リンス処理を実行させる際には、前記第２の純水ノズルから前記純水を供給することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項８の発明は、基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理方法であって、(a)  回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する工程と、(b)  前記現像液によって前記レジスト膜の現像反応を進行させる工程と、(c)  前記工程(b)が完了した前記基板の表面に純水を供給して前記レジスト膜の前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる工程と、(d)  前記工程(c)が完了した前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行する工程と、(e)  前記基板を回転させることにより、前記基板を振り切り乾燥する工程と、を備える。
【００１５】
また、請求項９の発明は、請求項８に記載の基板処理方法において、前記工程(c)による前記純水の供給は、前記基板の直径または幅と同等以上の吐出幅を有し、前記基板の上方を略平行に移動可能な第１の純水ノズルによって行われ、前記工程(d)による前記純水の供給は、前記基板の略中心付近に前記純水を供給可能とする第２の純水ノズルによって行われることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項１０の発明は、露光処理が完了した後に、第１および第２のユニットによって基板の表面に形成されたレジスト膜に対して現像処理を施す基板処理方法であって、(a)  第１のユニットの回転保持部に保持された基板の表面に現像液を供給する工程と、(b)  前記現像液によって前記レジスト膜の現像反応を進行させる工程と、(c)  前記工程(b)が完了した前記基板の表面に純水を供給して前記レジスト膜の前記現像反応を停止させるとともに、前記基板の表面に供給された前記現像液の一部を残留させつつ前記基板を回転させる工程と、(d)  前記工程(c)が完了した前記基板を前記第１のユニットから前記第２のユニットに搬送する工程と、(e)  前記第２のユニットの回転保持部に保持された前記基板を回転させつつ前記純水を供給することにより、前記基板に対してリンス処理を実行する工程と、(f)  前記基板を回転させることにより、前記基板を振り切り乾燥する工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１、請求項２、請求項８、および請求項９に記載の発明によれば、純水を供給することによって現像反応を停止させた際に、基板の表面に供給された現像液の一部を残留させつつ基板を回転させることによって基板に遠心力による運動エネルギーを付与することができる。これにより、レジストの溶解生成物を基板表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進させることができる。そのため、リンス処理において基板に付着したレジスト残り（現像欠陥）の除去を効率的に実行することができ、レジスト残りによる基板処理の不良を防止することができる。
【００１８】
特に、請求項２に記載の発明によれば、第１の純水ノズルによって純水を供給することにより、現像反応を基板全体で略同時に停止させることができる。そのため、基板全体で略均一に現像処理を実行することができる。
【００１９】
また、請求項２に記載の発明によれば、基板を回転させつつ、第２の純水ノズルによって基板の略中心付近に純水を供給することにより、基板の略中心付近から基板の周縁部に向かう遠心力が付与された純水によって基板のリンス処理を実行することができる。そのため、基板に付着したレジスト残りをさらに効率的に除去することができる。
【００２０】
また、請求項３ないし請求項７および請求項１０に記載の発明によれば、現像の前処理を第１のユニットで、現像の後処理を第２のユニットで、それぞれ実行することができる。すなわち、この前処理と後処理とを並行して実行できる。そのため、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００２１】
特に、請求項４に記載の発明によれば、第１のユニットでは、レジストの溶解生成物を基板表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進する前処理を実行することができる。そのため、前処理の完了した基板を第２のユニットに搬送し、第２のユニットでリンス処理を施すことによって基板に付着したレジスト残りを効率的に除去しつつ、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００２２】
特に、請求項５に記載の発明によれば、第１の純水供給部の第１のノズルによって純水を基板に供給することにより、現像反応を基板全体で略同時に停止させることができる。また、第２の純水供給部の第２のノズルによって基板の略中心付近に純水を供給することにより、基板に付着したレジスト残りをさらに効率的に除去することができる。
【００２３】
特に、請求項６に記載の発明によれば、第１のユニットおよび第２のユニットのいずれか一方において、レジストの溶解生成物を基板表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進させる処理を実行でき、他方のユニットにおいてリンス処理を実行できる。そのため、現像処理のスループットを向上させつつ、基板に付着したレジスト残りを効率的に除去することができる。
【００２４】
また、請求項６に記載の発明によれば、第１のユニットでは第１の現像液によって、第２のユニットでは第２の現像液によって、それぞれ現像処理を実行することができる。すなわち、１つのユニットに現像液供給部を追加することなく、基板処理装置で使用できる現像液の種類を増加させることができる。そのため、第１および第２のユニットのサイズを大型化させることなく、また、現像液の供給系のハードウェア構成を複雑にすることなく、複数種の現像液に対応させることができる。
【００２５】
特に、請求項７に記載の発明によれば、第１および第２のユニットのそれぞれは、第１の純水ノズルによって純水を供給することにより、現像反応を基板全体で略同時に停止させることができる。そのため、基板全体で略均一に現像処理を実行することができる。また、第１および第２のユニットのそれぞれは、第２の純水ノズルによって基板の略中心付近に純水を供給することができる。そのため、基板に付着したレジスト残りをさらに効率的に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２７】
＜１．第１の実施の形態＞
＜１．１．基板処理装置の構成＞
図１および図２は、それぞれ本実施の形態と、第２および第３の実施の形態における基板処理装置の平面図および正面図である。基板処理装置１は、円形基板にレジストを塗布する処理、基板処理装置１の外部装置として構成される露光装置（図示省略）によって露光された基板を現像する処理、および熱処理等を施す、いわゆる枚葉式の装置である。なお、図１および以降の各図には、それらの方向関係を明確にすべく必要に応じて適宜、Ｚ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。
【００２８】
図１に示すように、基板処理装置１は、主として、未処理基板を基板処理装置１の内部に搬入とともに、処理済基板を基板処理装置１の外部に搬出するインデクサＩＤと、複数の処理ユニットおよび搬送ロボットを有するユニット配置部ＭＰと、露光装置（図示省略）との間で基板の搬出入を行うインターフェイスＩＦとを備える。
【００２９】
ユニット配置部ＭＰでは、基板に対して純水や薬液（以下、「処理液」とも呼ぶ）による液処理や熱処理が施される。図１および図２に示すように、ユニット配置部ＭＰは、主として、塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２と、現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２と、搬送ロボットＴＲ１と、洗浄処理ユニットＳＳと、多段熱処理部２０と、を備える。
【００３０】
図１に示すように、ユニット配置部ＭＰの最下部には、薬剤を貯留するタンクや配管等を収納するケミカルキャビネット１１が配置される。また、ケミカルキャビネット１１の上側であってユニット配置部ＭＰの４隅には、塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、および現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２が配置される。
【００３１】
塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２のそれぞれでは、基板を回転させつつ基板表面にレジストを塗布する処理が実行される。これにより、基板表面にはレジスト膜が形成される。現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２では露光処理が完了した基板に対してスリット状吐出口６５（後述する図５参照）から吐出される現像液を液盛りすることにより、基板表面に形成されたレジスト膜の現像処理が実行される。
【００３２】
なお、本実施の形態の塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２では、レジスト剤として化学増幅型レジストが使用される。また、現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２のハードウェア構成については後述する。
【００３３】
洗浄処理ユニットＳＳは、図２に示すように、両現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２の間に配置される。洗浄処理ユニットＳＳでは、基板を回転させつつ基板表面に処理液を供給することによって、リンス処理が実行される。なお、洗浄処理ユニットＳＳのハードウェア構成については後述する。
【００３４】
図３は、基板処理装置を構成する処理ユニットの配置を説明するである。図２および図３に示すように、多段熱処理部２０は、塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、および現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２のそれぞれの上側に配置されており、基板に熱処理を施す。図３に示すように、各多段熱処理部２０は、ユニットを６段積層して配置することができる。
【００３５】
塗布処理ユニットＳＣ１の上方において、最下段より数えて１段目から３段目の位置には、基板に冷却処理を施すクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３が配置される。また、４段目には、基板に対して密着強化処理を行う密着強化部ＡＨが、５段目および６段目の位置には、基板の加熱処理を行うホットプレートＨＰ１、ＨＰ２が、それぞれ配置される。
【００３６】
また、塗布処理ユニットＳＣ２の上方において、最下段より１段目から３段目の位置には、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ６が配置される。また、４段目から６段目の位置には、ホットプレートＨＰ３〜ＨＰ５が配置される。
【００３７】
また、現像処理ユニットＳＤ１の上方において、最下段より１段目および２段目の位置には、クールプレートＣＰ７、ＣＰ８が配置される。また、３段目および４段目の位置には、ホットプレートＨＰ６、ＨＰ７が配置される。なお、最上段側の２段は、本実施形態の装置では空の状態となっているが、用途および目的に応じてホットプレート、クールプレート、その他の熱処理ユニットを組み込んでもよい。
【００３８】
さらに、現像処理ユニットＳＤ２の上方において、最下段より１段目の位置にはクールプレートＣＰ４が、２段目の位置には基板に対して露光後のベーキング処理を行う露光後ベークユニットＰＥＢが、それぞれ配置される。なお、最上段側の４段は、空状態となっているが、必要に応じて熱処理ユニットを組み込んでもよい。
【００３９】
図２に示すように、塗布処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、洗浄処理ユニットＳＳ、および現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２に囲まれたユニット配置部ＭＰの中央部には、周囲の全処理ユニットとの間で基板の受渡し動作が可能な搬送ロボットＴＲ１が配置される。例えば、搬送ロボットＴＲ１は、現像処理ユニットＳＤ１にて処理が完了した基板を受け取って、洗浄処理ユニットＳＳに受け渡すことができる。また、搬送ロボットＴＲ１は、多段熱処理部２０の各ユニットと現像処理ユニットＳＤ１との間でも基板の受渡しをすることができる。
【００４０】
また、図２に示すように、ユニット配置部ＭＰの最上部、および多段熱処理部２０の直下には、フィルタファンユニットＦＦＵが設置される。これにより、ユニット配置部ＭＰ内部にクリーンエアのダウンフローを形成することができる。
【００４１】
＜１．２．現像処理ユニットおよび洗浄処理ユニットの構成＞
ここでは、ユニット配置部ＭＰに配置される現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２および洗浄処理ユニットＳＳのハードウェア構成について説明する。
【００４２】
図４は、現像処理ユニットＳＤ１の平面図である。また、図５は、図４の現像処理ユニットＳＤ１のＶ−Ｖ線断面図である。ここで、本実施の形態において、現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２のそれぞれは、略同一のハードウェア構成を有する。そこで、以下では、現像処理ユニットＳＤ１についてのみ説明する。
【００４３】
現像処理ユニットＳＤ１は、図４および図５に示すように、主として、基板保持部５１と、現像液吐出ノズル６１と、純水吐出ノズル６２、６７と、制御部９０と、を備える。
【００４４】
基板保持部５１は、基板Ｗを略水平姿勢にて吸引保持する。基板保持部５１は、回転軸５３を介してモータ５２と連動接続される。したがって、基板保持部５１は、基板Ｗを吸着保持しつつモータ５２を駆動させることによって、基板Ｗを回転保持することができる。
【００４５】
内側カップ５４は、基板保持部５１に保持された基板Ｗを取り囲むように配置される。また、内側カップ５４の周囲には、正方形の外側カップ５５が設けられる。
【００４６】
外側カップ５５の両側には、現像液吐出ノズル６１の待機部として使用される待機ポット５６ａ、５６ｂが配置される。また、待機ポット５６ａを挟んで外側カップ５５の逆側には待機ポット５７ａが、待機ポット５６ｂを挟んで外側カップ５５の逆側には待機ポット５７ｂが、それぞれ配置される。これら待機ポット５７ａ、５７ｂは、純水吐出ノズル６７の待機部として使用される。
【００４７】
現像液吐出ノズル６１は、図５に示すように、Ｙ軸方向に延伸する直線形状を有し、ノズルアーム５９の下端部に略水平姿勢にて取りつけられる。また、ノズルアーム５９は、図４および図５に示すように、アーム駆動部６０に支持されており、アーム駆動部６０は、外側カップ５５のＸ軸方向に延伸するガイドレール５８に沿ってノズルアーム５９を平行移動させることができる。これにより、現像液吐出ノズル６１は、待機ポット５６ａから基板保持部５１の上方を経由して待機ポット５６ｂまでを往復移動することができる。
【００４８】
また、現像液吐出ノズル６１は、Ｙ軸方向に延伸するスリット状の吐出口６５を有し、スリット状吐出口６５から吐出される現像液の吐出幅は、基板Ｗの直径と同等以上に設定される。さらに、現像液吐出ノズル６１は、図４に示すように、配管７１およびバルブ７２にを介して現像液供給源７０に連通接続される。
【００４９】
したがって、現像液吐出ノズル６１をガイドレール５８に沿って略平行に移動させるとともに、バルブ７２の開閉タイミングおよび現像液の供給量を制御することにより、基板に対して現像液を吐出幅で供給して均一に液盛りすることができる。すなわち、本実施の形態において、現像液吐出ノズル６１は現像液供給部として使用することができる。
【００５０】
純水吐出ノズル６７は、現像液吐出ノズル６１と同様に、Ｙ軸方向に延伸する直線形状を有し、ノズルアーム６８の下端部に略水平姿勢にて取り付けられる（図５参照）。また、ノズルアーム６８は、アーム駆動部６６に支持されており、アーム駆動部６６は、ガイドレール５８に沿ってノズルアーム６８を平行移動させることができる。これにより、純水吐出ノズル６７は、待機ポット５７ａから基板保持部５１の上方を経由して待機ポット５７ｂまで往復移動することができる。
【００５１】
また、純水吐出ノズル６７は、Ｙ軸方向に延伸するスリット状の吐出口６９を有し、スリット状吐出口６９から吐出される現像液の吐出幅は、スリット状吐出口６５と同様に、基板Ｗの直径と同等以上に設定される。さらに、純水吐出ノズル６７は、図４に示すように、共通配管７６、分岐配管７７ａ、およびバルブ７７ｂを介して純水供給源７５と連通接続される。
【００５２】
したがって、純水吐出ノズル６７をガイドレール５８に沿って略平行に移動させるとともに、バルブ７７ｂの開閉タイミングおよび純水の供給量を制御することにより、基板に対して純水を吐出幅で供給することができる。すなわち、本実施の形態において、純水吐出ノズル６７は純水供給部として使用することができる。
【００５３】
純水吐出ノズル６２は、図４に示すように、外側カップ５５の側部側に設けられており、矢印Ｒの方向に回動可能とされる。また、純水吐出ノズル６２は、共通配管７６、分岐配管７８ａ、およびバルブ７８ｂを介して純水供給源７５と連通接続される。
【００５４】
したがって、純水吐出ノズル６２のノズル先端部を基板Ｗの上方に移動させるとともに、バルブ７８ｂの開閉タイミングおよび純水の供給量を制御することにより、基板Ｗの略中心付近に純水を供給することができる。すなわち、本実施の形態において、純水吐出ノズル６２は純水供給部として使用することができる。
【００５５】
制御部９０は、図４に示すように、プログラムや変数等を格納するメモリ９１と、メモリ９１に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９２とを備える。したがって、ＣＰＵ９２は、メモリ９１に格納されたプログラムに従って、バルブ７２、７７ｂ、７８ｂの開閉制御、モータ５２、およびアーム駆動部６０、６６の駆動制御等を所定のタイミングで実行することができる。
【００５６】
次に、洗浄処理ユニットＳＳについて説明する。図６は、洗浄処理ユニットＳＳの正面図である。図６に示すように、洗浄処理ユニットＳＳは、主として、基板保持部８５と、純水吐出ノズル８３と、制御部９５と、を備える。
【００５７】
基板保持部８５は、基板Ｗを略水平姿勢にて吸引保持する。また、基板保持部８５は、回転軸８６を介してモータ８７と連動接続される。したがって、基板保持部８５は、基板Ｗを吸着保持しつつモータ８７を駆動させることによって、基板Ｗを回転保持することができる。
【００５８】
カップ８４は、基板保持部８５に保持された基板Ｗを取り囲むように配置される。したがって、カップ８４は、基板Ｗを回転させつつ純水を供給する場合に、回転の遠心力によって飛散する純水を受けとめて回収することができる。
【００５９】
純水吐出ノズル８３は、基板保持部８５の上方に配設される。また、純水吐出ノズル８３は、ノズル回動モータ８２に支持されており、ノズル回動モータ８２を駆動させることによって回転軸８１を中心に回動することができる。さらに、純水吐出ノズル８３は、ノズル昇降部８０を動作させることによって上下方向（Ｚ軸方向）に昇降させられる。また、純水吐出ノズル８３は、図６に示すように、共通配管７６、分岐配管７９ａ、およびバルブ７９ｂを介して純水供給源７５と連通接続される。
【００６０】
したがって、純水吐出ノズル８３の吐出口８３ａを基板Ｗの上方に移動させるとともに、バルブ７９ｂの開閉タイミングおよび純水の供給量を制御することにより、基板Ｗの略中心付近に純水を供給することができる。すなわち、本実施の形態において、純水吐出ノズル８３は純水供給部として使用することができる。
【００６１】
制御部９５は、図６に示すように、プログラムや変数等を格納するメモリ９６と、メモリ９６に格納されたプログラムに従った制御を実行するＣＰＵ９７とを備える。したがって、ＣＰＵ９７は、メモリ９６に格納されたプログラムに従って、バルブ７９ｂの開閉制御、モータ８７およびノズル回動モータ８２の駆動制御等を所定のタイミングで実行することができる。
【００６２】
＜１．３．現像処理の手順＞
図７は、本実施の形態における現像処理の手順を説明するためのフローチャートである。なお、現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２では、同様な現像処理を実行することができるため、ここでは、現像処理ユニットＳＤ１による現像処理のみ説明する。
【００６３】
露光処理が施された後に露光後ベークユニットＰＥＢ（図３参照）において熱処理が完了した基板Ｗが、搬送ロボットＴＲ１によって現像処理ユニットＳＤ１に搬入されると、基板保持部５１に吸着保持される。続いて、ガイドレール５８に沿って現像液吐出ノズル６１を移動させるとともに、所定のタイミングでバルブ７２を開放することによって、静止状態で保持された基板Ｗの表面に現像液が供給されて液盛りされる（Ｓ１０１）。
【００６４】
続いて、現像液が液盛りされた状態で所定期間、基板Ｗが静止保持されて、レジスト膜の現像反応が進行させられる（Ｓ１０２）。
【００６５】
図８ないし図１１は、レジスト膜の現像処理を説明するための図である。図８に示すように、基板Ｗには、反射防止膜が形成され、その上にポジ型の化学増幅レジストの薄膜が形成されている（図８参照）。この基板Ｗに露光処理が施されると、露光処理によって光が照射された部分に酸触媒が生成され、レジスト膜中に３次元分布を有するパターンが潜像した状態で形成される。そのため、熱処理が施された後に基板Ｗにアルカリ水溶液である現像液が供給されると、光が照射された部分の酸触媒が現像液によって中和される。その結果、中和部分が溶解生成物２２（図９参照）となりが可溶化する。すなわち、この中和反応が進行することにより、現像反応が進行する。
【００６６】
そして、従来の現像処理では、現像液によって所定時間中和反応を実行した後に、基板Ｗを回転させつつ純水を供給することにより、現像反応を停止させつつ溶解生成物２２を除去する処理を実行していた。
【００６７】
しかし、現像液によって可溶化された溶解生成物２２は、基板Ｗが静止された状態では、レジスト膜から除去されない。また、現像反応を停止させた後にリンス処理を実行しただけでは除去されきらず、（１）パターン２３間に溶解生成物２４ａが残留したり、（２）一旦レジスト膜から除去された後に、反射防止膜に溶解生成物２４ｂが再付着する場合もある（図１０参照）。そして、このようなレジスト残りとして溶解生成物２４ａ、２４ｂが基板Ｗに残留すると、このレジスト残りが現像欠陥となり、後工程の基板処理不良の原因となるという問題が発生していた。
【００６８】
そこで、本実施の形態では、リンス処理を実行する前に、ステップＳ１０３、Ｓ１０４を並行して行うことにより、この問題を解決している。すなわち、純水吐出ノズル６７をガイドレール５８に沿って移動させるとともに、所定のタイミングでバルブ７７ｂを開放することによって、基板保持部５１に保持された基板全体に、少なくとも現像反応を停止させるために必要な量の純水を供給する（Ｓ１０３）。また、基板Ｗの表面に液盛りされた現像液の一部を残留させることをできる回転速度で、所定期間、基板Ｗを回転させる（Ｓ１０４）。
【００６９】
これにより、純水吐出ノズル６７の吐出幅で純水を供給することができ、基板Ｗ全体に均一に純水を供給することができる。そのため、レジスト膜上で進行する現像反応を均一に停止することができる。また、基板Ｗに遠心力による運動エネルギーを付与することができ、溶解生成物２２にも、この運動エネルギーを付与することができる。そのため、溶解生成物２２を基板Ｗの表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進することができる。
【００７０】
なお、ステップＳ１０３およびステップＳ１０４で実行される処理は、現像反応を停止させる処理を実行した後に、基板Ｗを回転させる処理を実行してもよい。すなわち、ステップＳ１０３、Ｓ１０４は、図７に示すように並列的であってもよいし、シーケンシャルであってもよい。
【００７１】
ステップＳ１０３、Ｓ１０４が完了すると、基板Ｗの回転速度が増加させられるとともに、純水吐出ノズル６２によって基板Ｗの略中心付近に純水が供給される（Ｓ１０５）。これにより、供給された純水は、遠心力によって基板Ｗの略中心付近から周縁部に向けて流れ、レジスト膜の溶解生成物２２を容易に除去することができ、現像欠陥を防止することができる。すなわち、図１１に示すように、パターン２３間や反射防止膜２５上には、溶解生成物が残存せず、良好な現像処理が可能となる。
【００７２】
続いて、リンス処理が完了すると、基板Ｗの回転速度がさらに増加させられ、基板Ｗの表面に付着する純水が振り切られて、基板Ｗの乾燥処理が実行される（Ｓ１０６）。そして、基板Ｗの乾燥が完了すると、現像処理が終了する。
【００７３】
＜１．４．第１の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第１の実施の形態の基板処理装置１では、ステップＳ１０５のリンス処理を実行する前に、基板Ｗの表面に現像液の一部を残留させつつ基板Ｗに遠心力による運動エネルギーを付与することができる。これにより、レジストの溶解生成物２２を基板Ｗの表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進させることができる。そのため、リンス処理において基板に付着した溶解生成物（レジスト残り）の除去を効率的に実行することができる。
【００７４】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。この第２の実施の形態における基板処理装置は、第１の実施の形態の基板処理装置と比較して、制御部９０で実行される現像処理の手順が異なる点を除いては、第１の実施の形態と同様である。すなわち、第２の実施の形態の基板処理装置は、ハードウェア構成においては第１の実施の形態の基板処理装置１と同様であるが、制御部９０で実行されるプログラムが相違する。そこで、以下では、この相違点を中心に説明する。
【００７５】
＜２．１．現像処理の手順＞
図１２は、本実施の形態および第３の実施の形態における現像処理の手順を説明するためのフローチャートである。本実施の形態の現像処理において、図１２に示すように、ステップＳ２０１〜Ｓ２０４が現像処理の前処理として現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２のいずれか一方にて実行される。また、ステップＳ２０６、Ｓ２０７が現像処理の後処理として洗浄処理ユニットＳＳにて実行される。なお、現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２は同様なハードウェア構成を有するため、以下の説明では、現像処理ユニットＳＤ１を使用した場合についてのみ説明する。
【００７６】
ステップＳ２０１では、ステップＳ１０１と同様に、露光処理と露光後ベークユニットＰＥＢによる熱処理が完了した基板Ｗが、搬送ロボットＴＲ１によって現像処理ユニットＳＤ１に搬入されると、この搬入された基板Ｗに対して現像液が供給される。続いて、現像液が液盛りされた状態で、所定時間、基板Ｗが静止保持されて、レジスト膜の現像反応が進行させられる（Ｓ２０２）。
【００７７】
続いて、ステップＳ２０３、Ｓ２０４では、ステップＳ１０３、Ｓ１０４と同様に、純水吐出ノズル６７によって基板Ｗに純水を供給して現像反応が停止させられるとともに、基板Ｗの表面に液盛りされた現像液の一部を残留させつつ基板Ｗを回転させることによって基板Ｗに運動エネルギーが付与される。これにより、溶解生成物２２（図９参照）を基板Ｗの表面に残留する現像液に拡散しやすい状態にしてレジストの溶解を促進することができる。
【００７８】
続いて、搬送ロボットＴＲ１によって、ステップＳ２０１〜Ｓ２０４の前処理が完了した基板Ｗは、現像処理ユニットＳＤ１から搬出されて洗浄処理ユニットＳＳに搬入され、基板保持部８５（図６参照）に吸着保持される（Ｓ２０５）。
【００７９】
続いて、洗浄処理ユニットＳＳに搬入された基板Ｗは基板保持部８５によって回転させられるとともに、当該基板Ｗの略中心付近に純水が供給されてリンス処理が実行される（Ｓ２０６）。これにより、供給された純水は、遠心力によって基板Ｗの略中心付近から周縁部に向けて流れ、レジスト膜の溶解生成物２２を容易に除去することができる。そのため、第１の実施の形態と同様に、パターン２３間や反射防止膜２５上には、溶解生成物が残存せず、良好な現像処理が可能となる。
【００８０】
続いて、リンス処理が完了すると、基板Ｗの回転速度が増加させられて、基板Ｗの表面に付着する純水を振り切る振り切り乾燥が実行される（Ｓ２０７）。そして、基板Ｗの乾燥処理が完了すると、現像処理が完了する。
【００８１】
＜２．２．第２の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第２の実施の形態の基板処理装置１では、現像処理の前処理を現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２のいずれかで、また、後処理を洗浄処理ユニットＳＳで、それぞれ実行することができる。すなわち、１台のユニットで現像処理をシーケンシャルに実行するのではなく、２台のユニットで前処理と後処理とを並行して実行することができる。そのため、現像処理のスループットを向上させることができる。
【００８２】
また、第１の実施の形態と同様に、ステップＳ２０６で行われるリンス処理に先だって、ステップＳ２０３、Ｓ２０４を実行することができる。そのため、第１の実施の形態と同様に、リンス処理において基板に付着した溶解生成物（レジスト残り）の除去を効率的に実行することができる。
【００８３】
＜３．第３の実施の形態＞
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。この第３の実施の形態における基板処理装置は、第２の実施の形態の基板処理装置と比較して、現像処理ユニットＳＤ１において基板Ｗに対して供給できる現像液と、現像処理ユニットＳＤ２において供給できる現像液とが異なるを除いては、第２の実施の形態とである。
【００８４】
すなわち、第２および第３の実施の形態の現像処理の手順を比較すると、
（１）現像処理の前処理が現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２のいずれかにおいて実行される点では共通するが、
（２）現像処理の後処理が、第２の実施の形態では洗浄処理ユニットＳＳで実行されるのに対して、本実施の形態では、前処理が実行された現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２以外の現像処理ユニットによって実行される点で相違する。
【００８５】
そこで、以下では、この相違点を中心に、図１２を参照しつつ説明する。なお、以下の説明では、現像処理の前処理を現像処理ユニットＳＤ１によって、後処理を現像処理ユニットＳＤ２によって、それぞれ実行されるものとして説明しているが、前処理が現像処理ユニットＳＤ２によって、後処理が現像処理ユニットＳＤ１によって、それぞれ実行されてもよい。
【００８６】
＜３．１．現像処理の手順＞
露光処理と露光後ベーク処理の完了した基板Ｗが搬送ロボットＴＲ１によって現像処理ユニットＳＤ１に搬入されると、この搬入された基板Ｗに対して現像液が供給されるとともに（Ｓ２０１）、現像液が液盛りされた状態で基板Ｗが静止保持されることにより、レジスト膜の現像反応が進行する（Ｓ２０２）。すなわち、基板Ｗには、現像処理ユニットＳＤ１の現像液吐出ノズル６１から供給可能な現像液が液盛りされて、現像反応が実行させられる。
【００８７】
続いて、ステップＳ２０３、Ｓ２０４において、レジスト膜の現像反応が停止させられるとともに、基板保持部５１による回転運動によって基板Ｗに遠心力による運動エネルギーが付与される。
【００８８】
続いて、前処理（ステップＳ２０１〜Ｓ２０４）が完了した基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ１によって現像処理ユニットＳＤ１から現像処理ユニットＳＤ２に搬送される（Ｓ２０５）。
【００８９】
続いて、現像処理ユニットＳＤ２に搬入させられた基板Ｗは、現像処理ユニットＳＤ２の基板保持部５１によって回転させられるとともに、純水吐出ノズル６２によって当該基板Ｗの略中心付近に純水が供給されることにより、リンス処理が実行される（Ｓ２０６）。続いて、リンス処理が完了した基板Ｗには、振り切り乾燥による乾燥処理が実行される（Ｓ２０７）。そして、基板Ｗの乾燥処理が完了すると、現像処理が終了する。
【００９０】
ところで、通常、現像処理を実行する場合、基板Ｗの表面に形成されたレジスト膜の種類に応じて現像液を選択する必要がある。本実施の形態の現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２は、それぞれ種類の異なる現像液を供給することができる。これにより、本実施の形態の現像処理では、このレジスト膜の種類に応じて現像処理ユニットを選択して前処理を実行することができる。
【００９１】
そのため、現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２のそれぞれに現像液吐出ノズルを増加させることなく、基板処理装置１全体として供給可能な現像液の種類を増加させることができる。その結果、基板処理装置１を大型化させることなく、また、現像液供給系のハードウェア構成を複雑化させることなく、複数のレジスト種に対応した現像処理を実行することができる。
【００９２】
＜３．２．第３の実施の形態の基板処理装置の利点＞
以上のように、第３の実施の形態の基板処理装置１では、現像処理の前処理と後処理おを別個の現像処理ユニットによって実行することができる。これにより、レジスト膜の種類に応じて現像反応を実行する現像処理ユニットを選択することができる。そのため、現像液の供給系のハードウェア構成を複雑化することなく、また、基板処理装置１の大型化を招くことなく、簡易な構成によって複数種類の現像液による現像処理が可能となる。
【００９３】
また、本実施の形態の基板処理装置１では、現像処理の前処理と後処理とを、別個のユニット（現像処理ユニットＳＤ１、ＳＤ２）によって実行することができる。そのため、第２の実施の形態と同様に、この前処理と後処理とを並行して実行することができ、現像処理のスループットを向上させることができる。さらに、第１および第２の実施の形態と同様に、リンス処理において基板に付着した溶解生成物の除去を効率的に実行することができる。
【００９４】
＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
【００９５】
（１）第１ないし第３の実施の形態において、円形基板を処理対象として現像処理の説明を行ったが、処理対象となる基板はこれに限定されるものでなく、例えば、液晶基板のような角型基板であってもよい。この場合、スリット状吐出口６５の吐出幅は、角型基板の幅と同等以上に設定する必要がある。
【００９６】
（２）また、第１ないし第３の実施の形態において、基板処理装置１は現像処理ユニットを２台有するものとして説明しているが、これに限定されるもんでなく、現像処理ユニットの数は３台以上であってもよい。さらに、第１および第２の実施の形態においては、
現像処理ユニットの数は１台であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１ないし第３の実施の形態における基板処理装置の平面図である。
【図２】本発明の第１ないし第３の実施の形態における基板処理装置の正面図である。
【図３】基板処理装置を構成する処理ユニットの配置を説明する図である。
【図４】現像処理ユニットの平面図である。
【図５】図４の現像処理ユニットのＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】洗浄処理ユニットの正面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態における現像処理手順を示すフローチャートである。
【図８】基板表面に形成されたレジスト膜を現像する処理を説明するための図である。
【図９】基板表面に形成されたレジスト膜を現像する処理を説明するための図である。
【図１０】基板表面に形成されたレジスト膜を現像する処理を説明するための図である。
【図１１】基板表面に形成されたレジスト膜を現像する処理を説明するための図である。
【図１２】本発明の第２および第３の実施の形態における現像処理手順を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９８】
１  基板処理装置
５１、８５  基板保持部
５２、８７  モータ
５３、８６  回転軸
６０  アーム駆動部
６１  現像液吐出ノズル
６２、６７、８３  純水吐出ノズル
７０  現像液供給源
７５  純水供給源
９０  制御部
ＳＤ１、ＳＤ２  現像処理ユニット
ＳＳ  洗浄処理ユニット
ＴＲ１  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
2006128248.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006128248.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006128248.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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