(57)【要約】【課題】  端子数を増加させることのできる小型の薄膜磁気ヘッド及び当該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置を提供する。【解決手段】  磁気応答素子と、複数の接続対象端子４０と、前記磁気応答素子と電気的に接続される複数のリード導体４１と、前記接続対象端子４０の各々と、前記複数のリード導体４１のうちの一つと、の間に形成され、当該接続対象端子４０の各々と、当該複数のリード導体４１のうちの一つと、を電気的に接続する複数の接続部４２と、を有し、前記複数のリード導体４１の全てが、前記磁気応答素子から前記複数の接続対象端子４０の各々の下層まで延設されている薄膜磁気ヘッド及び当該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置とする。【選択図】        図１
2006221761.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気応答素子と、
複数の接続対象端子と、
前記磁気応答素子と電気的に接続される複数のリード導体と、
前記接続対象端子の各々と、前記複数のリード導体のうちの一つと、の間に形成され、当該接続対象端子の各々と、当該複数のリード導体のうちの一つと、を電気的に接続する複数の接続部と、
を有し、
前記複数のリード導体の全てが、前記磁気応答素子から前記複数の接続対象端子の各々の下層まで延設されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドであって、
前記複数のリード導体は、互いに交差しない薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドであって、
前記複数のリード導体は、同一層に形成されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置。
【請求項５】
基板上に磁気応答素子を形成する工程と、
前記磁気応答素子と電気的に接続される複数のリード導体の各々を、当該磁気応答素子から所定の位置まで延設する工程と、
複数の接続対象端子の全てを前記複数のリード導体の各々の上層に形成する工程と、
前記複数の接続対象端子の各々と、前記複数のリード導体のうちの一つと、が対向する領域に、当該複数の接触対象端子の各々と、当該複数のリード導体のうちの一つと、を電気的に接続するための接続部を形成する工程と、
を含む薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁気ヘッドに関し、特に、薄膜磁気ヘッドの小型化に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ等の磁気ディスク装置においては、磁気ヘッドの先端に備えられたヘッドスライダを磁気ディスク上に浮上させ、当該ヘッドスライダの端面に形成された薄膜磁気ヘッドを用いて、当該磁気ディスクへの情報の書き込みや、当該磁気ディスクに書き込まれた情報の読み取りを行う。
【０００３】
この薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、書き込むべき情報に対応する電気信号を磁界に変換することにより当該情報を磁気ディスクに書き込むためのコイルと、磁気ディスクに書き込まれた情報によって発生する磁界を電気信号に変換することにより当該情報を読み取るＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子（磁気抵抗効果素子）と、を有するものがある。
【０００４】
このような薄膜磁気ヘッドは、例えば、図４に示すような工程を含む薄膜プロセスを用いて作製される。すなわち、まずヘッドスライダの端面２００に下部シールド層２１０を形成し（図４の工程Ａ）、当該下部シールド層２１０の上に絶縁膜を形成した後に、当該絶縁膜の上に、ＧＭＲ素子２１１と、当該ＧＭＲ素子２１１と電気的に接続される２つのリード電極２２０ａ,２２０ｂと、を形成する（図４の工程Ｂ）。
【０００５】
そして、この２つのリード電極２２０ａ,２２０ｂの各々の上に低抵抗化リード層２２１ａ,２２１ｂを形成し（図４の工程Ｃ）、当該２つの低抵抗化リード層２２１ａ,２２１ｂの各々の上に絶縁膜を形成する。
【０００６】
その際、この２つの低抵抗化リード層２２１ａ,２２１ｂの各々の一部に、絶縁膜を貫通する導通穴２２２ａ,２２２ｂをリフトオフプロセスにより形成し（図４の工程Ｄ）、当該２つの導通穴２２２ａ,２２２ｂの各々を覆う接続対象選択用パッド２２３ａ,２２３ｂを形成する（図４の工程Ｅ）。
【０００７】
そして、この２つの接続対象選択用パッド２２３ａ,２２３ｂの各々の上には、低抵抗化リード層２２１ａ,２２１ｂと導通する第一導体２６０ａと第二導体２６０ｂとを形成する（図４の工程Ｇ）。また、さらに第一導体２６０ａと第二導体２６０ｂとをアルミナで被覆し、その上面が露出するようにＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）加工を施す。
【０００８】
そして、一端が第一導体２６０ａと接続し、他端が第一読取用端子２３１ａ（図４の工程Ｊ参照）が形成される位置まで延びる第一読取用配線２７０ａと、一端が第二導体２６０ｂと接続し、他端が第二読取用端子２３１ｂ（図４の工程Ｊ参照）が形成される位置まで延びる第二読取用配線２７０ｂと、を形成する（図４の工程Ｈ）。これにより、第一読取用端子２３１ａと第一低抵抗化リード層２２１ａとが選択的に接続されるとともに、第二読取用端子２３１ｂと第二低抵抗化リード層２２１ｂとが選択的に接続されることとなる。
【０００９】
一方、ＧＭＲ端子２１１の上には、当該ＧＭＲ端子２１１を覆う上部シールド層２１２を形成し（図４の工程Ｅ）、当該上部シールド層２１２の上に下部磁極層２１３を形成する（図４の工程Ｆ）。
【００１０】
そして、下部磁極層２１３上には第一層コイル２１４を形成するとともに、当該第一層コイル２１４から第一書込用端子２４１ａ（図４の工程Ｊ参照）が形成される位置まで延びる第一書込用配線２５０ａを形成し（図４の工程Ｇ）、さらに第二層コイル２１５を形成して、当該第二層コイル２１５から第二書込用端子２４１ｂ（図４の工程Ｊ参照）が形成される位置まで延びる第二書込用配線２５０ｂを形成する（図４の工程Ｈ）
【００１１】
そして、第二層コイル２１５を覆う上部磁極層２１６を形成する（図４の工程Ｉ）とともに、２つの読取用配線２７０ａ，２７０ｂの一端を覆う第一読取用端子２３１ａ及び第二読取用端子２３１ｂと、２つの書込用配線２５０ａ，２５０ｂの一端を覆う第一書込用端子２４１ａ及び第二書込用端子２４１ｂとが、銅スタッド２３０ａ，２３０ｂ，２４０ａ，２４０ｂを介して形成される（図４の工程Ｊ）ことにより、薄膜磁気ヘッドが作製される。
【００１２】
このような工程により作製される薄膜磁気ヘッドにおいては、２つの接続対象選択用パッド２２３ａ,２２３ｂ上に形成する２つの導体２６０ａ，２６０ｂの形成位置や２つの読取用配線２７０ａ，２７０ｂの配置等を適宜設定することにより、２つの読取用端子２３１ａ,２３１ｂの各々を、２つの低抵抗化リード層２２１ａ,２２１ｂのうちのいずれかと選択的に接続している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３６７１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記従来の薄膜磁気ヘッドにおいては、読取用端子２３１ａ,２３１ｂと書込用端子２４１ａ,２４１ｂとを形成するための領域に加えて、接続対象選択用パッド２２３ａ,２２３ｂを形成するための専用の領域を確保する必要があった。
【００１４】
このため、例えば、近年の薄膜磁気ヘッドに対する多機能化の要求に伴い、ヒータ等を設ける場合には、図４の工程Ｊに示すヘッドスライダ端面２００に空き領域が少ない小型化された薄膜磁気ヘッドにおいては、当該ヒータに通電するための端子をさらに設けることは困難であった。
【００１５】
本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、端子数を増加させることのできる小型の薄膜磁気ヘッド及び当該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置を提供することをその目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するための本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、磁気応答素子と、複数の接続対象端子と、前記磁気応答素子と電気的に接続される複数のリード導体と、前記接続対象端子の各々と、前記複数のリード導体のうちの一つと、の間に形成され、当該接続対象端子の各々と、当該複数のリード導体のうちの一つと、を電気的に接続する複数の接続部と、
を有し、前記複数のリード導体の全てが、前記磁気応答素子から前記複数の接続対象端子の各々の下層まで延設されている。
【００１７】
また、前記複数のリード導体は、互いに交差しないこととしてもよく、また、前記複数のリード導体は、同一層に形成されていることとしてもよい。
【００１８】
また、上記課題を解決するための本発明の一実施の形態に係る磁気ディスク装置は、上記の薄膜磁気ヘッドを用いている。
【００１９】
また、上記課題を解決するための薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板上に磁気応答素子を形成する工程と、前記磁気応答素子と電気的に接続される複数のリード導体の各々を、当該磁気応答素子から所定の位置まで延設する工程と、複数の接続対象端子の全てを前記複数のリード導体の各々の上層に形成する工程と、前記複数の接続対象端子の各々と、前記複数のリード導体のうちの一つと、が対向する領域に、当該複数の接触対象端子の各々と、当該複数のリード導体のうちの一つと、を電気的に接続するための接続部を形成する工程と、を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド及び当該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置について、図面を参照しつつ説明する。図１に、本実施形態に係る薄膜磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッド１と呼ぶ。）の一例を示す。
【００２１】
磁気ヘッド１は、薄膜プロセスを用いてスライダヘッドの一つの端面１０に形成される。磁気ヘッド１は、磁気ディスクに書き込むべき情報に対応する電流を流すことにより磁界を発生するコイル２０を有し、当該発生した磁界によって当該磁気ディスクを磁化して、当該磁気ディスクに当該情報を書き込む。
【００２２】
すなわち、磁気ヘッド１は、コイル２０と、当該コイル２０に電流を流すための第一書込用端子３０ａ及び第二書込用端子３０ｂと、当該コイル２０と当該２つの書込用端子３０ａ，３０ｂとを電気的に接続するための第一書込用配線３１ａ及び第二書込用配線３０ｂと、を含む書込用磁気ヘッドを有している。
【００２３】
また、磁気ヘッド１は、磁気ディスクに書き込まれた情報により当該磁気ディスクに発生する磁界を電気信号に変換することのできる磁気応答素子として、当該磁気ディスクに発生する磁界に応じて電気抵抗を変化させるＧＭＲ素子（図示せず）をコイル２０の下層（より下の層）に有し、当該ＧＭＲ素子の電気抵抗の変化を電気信号として取得することにより当該書き込まれた情報を読み取る。
【００２４】
すなわち、磁気ヘッド１は、ＧＭＲ素子と、当該ＧＭＲ素子にセンス電流を流すための第一読取用端子４０ａ及び第二読取用端子４０ｂと、当該ＧＭＲ素子と当該２つの読取用端子４０ａ，４０ｂとを電気的に接続するための第一リード導体４１ａ及び第二リード導体４１ｂと、を含む読取用磁気ヘッドを有している。
【００２５】
また、磁気ヘッド１は、２つの書込用端子３０ａ，３０ｂと２つの読取用端子４０ａ，４０ｂとに加えて、例えば、ヒータに用いられる２つのヒータ用端子５０ａ，５０ｂを有している。すなわち、磁気ヘッド１は、直線的に配置された略同じ大きさの６つの端子を有している。
【００２６】
ここで、磁気ヘッド１に特徴的なことの一つは、２つのリード導体４１ａ，４１ｂの全てが、ＧＭＲ素子から２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々の下層まで延設されていることである。
【００２７】
具体的に、磁気ヘッド１は、ＧＭＲ素子から第一読取用端子４０ａの下層及び第二読取用端子４０ｂの下層まで延び出して形成される第一リード導体４１ａと第二リード導体４１ｂとを有している。
【００２８】
この２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々の下方に形成されている２本のリード導体４１ａ，４１ｂの各々の一部（以下、侵入部と呼ぶ。）は、２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々との間に２つの接続部４２ａ，４２ｂのうち一方を形成するために十分な面積をもって形成される。
【００２９】
具体的に、第一リード導体４１ａと第二リード導体４１ｂはともに、第一読取用端子４０ａとの間に第一接続部４２ａを形成することができ、且つ第二読取用端子４０ｂとの間にも第二接続部４２ｂを形成することができる大きさの侵入部を有して形成される。
【００３０】
なお、図１に示す例において、２本のリード導体４１ａ，４１ｂの各々は、互いに隣接する２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの下層において、当該２つの読取用端子４０ａ，４０ｂが形成される領域にまたがるように、互いに並行に形成されている侵入部を有している。
【００３１】
また、磁気ヘッド１は、２つの読取用端子４０ａ，４０bの各々と、当該２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々の下層に形成される２本のリード導体４１ａ，４１ｂのうちの一つと、の間に形成され、当該２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々と、当該２本のリード導体４１ａ，４１ｂのうちの一つと、を電気的に接続する２つの接続部４２ａ，４２ｂを有する。
【００３２】
具体的に、磁気ヘッド１は、第一読取用端子４０ａと、当該第一読取用端子４０ａの下層に形成される第一リード導体４１ａ及び第二リード導体４１ｂのうち第一リード導体４１ａと、の間に形成され、当該第一読取用端子４０ａと当該第一リード導体４１ａとを選択的に導通させるための第一接続部４２ａを有するとともに、第二読取用端子４０ｂと、当該第二読取用端子４０ｂの下層に形成される第一リード導体４１ａ及び第二リード導体４１ｂのうち第二リード導体４１ｂと、の間に形成され、当該第二読取用端子４０ｂと当該第二リード導体４１ｂとを選択的に導通させるための第二接続部４２ｂを有している。
【００３３】
ここで、この２つの接続部４２ａ，４２ｂは、例えば、２本のリード導体４１ａ，４１ｂの上方の面、すなわち２つの読取用端子４０ａ，４０ｂに対向する側の面に被覆された絶縁膜を貫通する導通穴を有して形成される。
【００３４】
すなわち、磁気ヘッド１は、２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々と、互いに異なる２本のリード導体４１ａ，４１ｂのうちの一つと、を選択的に接続する２つの接続部４２ａ，４２ｂを、当該２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々の下層に有している。
【００３５】
このように、磁気ヘッド１は、ＧＭＲ素子から引き出される２本のリード導体４１ａ，４１ｂのうちから、当該ＧＭＲ素子の接続対象となる２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々と接続すべきリード導体を選択するための２つの接続部４２ａ，４２ｂと、当該２つの接続部４２ａ，４２ｂが形成されている２本のリード導体４１ａ，４１ｂの一部と、を含む接続対象選択部を、当該２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々の下層に有している。
【００３６】
この接続対象選択部は、図１の例においては、第一読取用端子４０ａと第一リード導体４１ａとを選択的に接続し、第二読取用端子４０ｂと第二リード導体４１ｂとを選択的に接続するものとして形成されているが、例えば、第一読取用端子４０ａと第二リード導体４１ｂとを選択的に接続し、第二読取用端子４０ｂと第一リード導体４１ａとを選択的に接続する場合には、図１に示すものとは異なる位置に形成された２つの接続部４２ａ，４２ｂを有して形成されることとなる。
【００３７】
すなわち、この場合、磁気ヘッド１は、第一読取用端子４０ａと第二リード導体４１ｂとの間に形成され、当該第一読取用端子４０ａと当該第二リード導体４１ｂとを選択的に導通させるための導通穴が形成された第一接続部４２ａと、第二読取用端子４０ｂと第一リード導体４１ａとの間に形成され、当該第二読取用端子４０ｂと当該第一リード導体４１ａとを選択的に導通させるための導通穴が形成された第二接続部４２ｂと、を含む接続対象選択部を有することとなる。
【００３８】
このように、磁気ヘッド１は、ＧＭＲ素子から引き出された２本のリード導体４１ａ，４１ｂのうちから、当該ＧＭＲ素子の接続対象である２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々と接続すべきリード導体を選択するための接続対象選択部を、当該２つの読取用端子４０ａ，４０ｂの各々の下層に有しているため、例えば、図４に示す薄膜磁気ヘッドが有する接続対象選択用パッド２２３ａ,２２３ｂを省略することができる。
【００３９】
すなわち、磁気ヘッド１によれば、例えば、図１に示すように、２つの読取用端子４０ａ，４０ｂと２つの書込用端子３０ａ，３０ｂとに加えて、さらに２つのヒータ用端子５０ａ，５０ｂを有する小型の薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００４０】
次に、磁気ヘッド１の作製方法について説明する。図２に、めっき、蒸着、スパッタリング等を用いた薄膜プロセスによる磁気ヘッド１の主な作製工程を示す。図２に示す磁気ヘッド１の作製工程は、ＧＭＲ素子を用いた読取用磁気ヘッドを形成する工程と、当該形成された読取用磁気ヘッドの上に、さらにコイルを用いた書込用磁気ヘッドを積層して形成する工程と、の２つを含む。
【００４１】
まず、読取用磁気ヘッド作製工程（図２の工程Ａ〜図２の工程Ｅ参照）について説明する。この読取用磁気ヘッド作製工程においては、まず、ヘッドスライダの一つの端面１１０となるセラミクス等からなる基板上に、ＮｉＦｅ等からなる下部シールド層１２０を形成し（図２の工程Ａ）、さらに当該下部シールド層１２０の上にアルミナ等からなる絶縁膜を形成する。そして、この絶縁膜の上にＧＭＲ素子１２１を形成する（図２の工程Ｂ）。
【００４２】
また、このＧＭＲ素子１２１の両端には、当該ＧＭＲ素子１２１と電気的に接続されるＴａＷ等からなる第一電極リード層１３０ａと第二電極リード層１３０ｂとを形成する（図２の工程Ｂ）。そして、この第一電極リード層１３０ａと第二電極リード層１３０ｂとの上に、Ａｕ等からなる低抵抗化リード層として、第一リード導体１３１ａと第二リード導体１３１ｂとをそれぞれ形成する。
【００４３】
この２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂの各々は、ＧＭＲ素子１２１から、当該ＧＭＲ素子１２１の接続対象である第一読取用端子１５０ａと第二読取用端子１５０ｂと（図２の工程Ｅ参照）が形成される予定の領域まで引き出されて形成される（図２の工程Ｃ）。
【００４４】
具体的に、この２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂはともに、ＧＭＲ素子１２１の接続対象となる２つの読取用端子１５０ａ，１５０ｂからなる接続対象端子群が形成される領域（すなわち、第一読取用端子１５０ａが形成される領域、第二読取用端子１５０ｂが形成される領域、及び当該第一読取用端子１５０ａと当該第二読取用端子１５０ｂとの間の領域を含む領域）にまたがって形成される。
【００４５】
すなわち、この接続対象端子群が形成される領域に配置される２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂの各々の一部は、第一読取用端子１５０ａと第二読取用端子１５０ｂと（図２の工程Ｅ参照）の下方に位置することとなる侵入部として形成される。
【００４６】
このように、この２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂは、互いに交差しないように並列して、同一の層に形成される。
【００４７】
次に、この２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂの各々の上にアルミナ等からなる絶縁層を形成する際、当該２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂの各々の侵入部上であって、当該２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂの各々と接続される、２つの読取用端子１５０ａ，１５０ｂのうちの一つが形成される予定の位置に、当該２本のリード導体１３１ａ，１３１ｂの各々と当該２つの読取用端子１５０ａ，１５０ｂのうちの一つとを電気的に接続するための２つの接続部１４０ａ，１４０ｂを形成する（図２の工程Ｄ）。
【００４８】
具体的に、第一リード導体１３１ａの侵入部の一部であって、当該第一リード導体１３１ａと選択的に接続されるべき第一読取用端子１５０ａ（図２の工程Ｅ参照）が形成される予定の位置に、当該第一リード導体１３１ａを覆う絶縁膜を貫通する導通穴を有する第一接続部１４０ａを形成する（図２の工程Ｄ）。
【００４９】
また、同様にして、第二リード導体１３１ｂの侵入部の一部であって、当該第二リード導体１３１ｂと選択的に接続されるべき第二読取用端子１５０ｂ（図２の工程Ｅ参照）が形成される予定の位置に、当該第二リード導体１３１ｂを覆う絶縁膜を貫通する導通穴を有する第二接続部１４０ｂを形成する（図２の工程Ｄ）。
【００５０】
さらに、この２つの接続部１４０ａ，１４０ｂの各々の上に、当該２つの接続部１４０ａ，１４０ｂが有する２つの導通穴の各々を覆い、互いに隣接するＮｉＦｅ等からなる２つの読取用端子下地１５０ａ，１５０ｂを形成する（図２の工程Ｅ）。
【００５１】
また、第一読取用端子下地１５０ａに隣接する位置にはＮｉＦｅ等からなる第一ヒータ用端子下地１７０ａを形成し、第二読取用端子下地１５０ｂに隣接する位置には、互いに隣接するＮｉＦｅ等からなる第一書込用端子下地１６０ａと第二書込用端子下地１６０ｂを形成する（図２の工程Ｅ）。また、第二書込用端子下地１６０ｂに隣接する位置にＮｉＦｅ等からなる第二ヒータ用端子下地１７０ｂを形成する（図２の工程Ｅ）。
【００５２】
また、ＧＭＲ素子１２１の上にはＮｉＦｅ等からなる上部シールド層１２２を形成する（図２の工程Ｅ）。なお、この上部シールド層１２２は、読取用端子下地１５０ａ，１５０ｂと同一層で形成される。以上の読取用磁気ヘッド作製工程により、磁気ヘッド１の読取用磁気ヘッドが形成される。
【００５３】
次に、書込用磁気ヘッド作製工程（図２の工程Ｆ〜図２の工程Ｉ参照）について説明する。この書込用磁気ヘッド作製工程においては、まず、上部シールド層１２２の上にＮｉＦｅ合金等からなる下部磁極層１２３を形成する（図４の工程Ｆ）。
【００５４】
そして、この下部磁極層１２３の上にＣｕ等からなる第一層コイル１２４を形成し（図２の工程Ｇ）、さらに当該第一層コイル１２４と第一書込用端子下地１６０ａとを電気的に接続するための第一配線１８０ａを形成する（図２の工程Ｇ）。
【００５５】
また、第一層コイル１２４の上にＣｕ等からなる第二層コイル１２５を形成し、さらに当該第二層コイル１２５と第二書込用端子下地１６０ｂとを電気的に接続するための第二配線１８０ｂを形成する（図２の工程Ｈ）。
【００５６】
そして、この第二層コイル１２５の上にＮｉＦｅ合金等からなる上部磁極層１２６を形成する（図２の工程Ｉ）。以上の書込用磁気ヘッド作製工程により、磁気ヘッド１の書込用磁気ヘッドが読取用磁気ヘッドに積層して形成される。
【００５７】
最後に、２つの読取用端子下地１５０ａ，１５０ｂと、２つの書込用端子下地１６０ａ，１６０ｂと、２つのヒータ用端子下地１７０ａ，１７０ｂと、の各々の上に、銅スタッド１９０ａ，１９０ｂ，１９０ｃ，１９０ｄ，１９０ｅ，１９０ｆを介して、金等からなる薄膜を形成する。この結果、図２の工程Ｊに示すような、２つの読取用端子１５１ａ，１５１ｂと、２つの書込用端子１６１ａ，１６１ｂと、２つのヒータ用端子１７１ａ，１７１ｂと、を有する磁気ヘッド１が形成される。
【００５８】
磁気ヘッド１において特徴的なことの一つは、図２に示すような複数の工程を含む薄膜プロセスにおいて、比較的早期の（上流の）工程において、２つの読取用端子１５１ａ，１５１ｂの位置で磁気ヘッド１に形成されるＧＭＲ素子１２１の特性の評価を行うことができることである。
【００５９】
すなわち、ＧＭＲ素子１２１を用いる磁気ヘッド１の作製工程においては、形成されたＧＭＲ素子１２１の特性（電気抵抗等）が、磁気ディスクに書き込まれた情報を読み取ることができる程度に十分なものであるかどうかを評価する必要がある。この結果、性能が基準に満たないＧＭＲ素子１２１が形成されている製品は不良製品として廃棄される。
【００６０】
この点、例えば、図４に示す従来の薄膜磁気ヘッドの作製工程においては、図４の工程Ｊに至るまでＧＭＲ素子２１１の特性を評価することができなかった。このため、薄膜磁気ヘッドの作製工程のうち下流の工程に至るまで、ＧＭＲ素子２１１の特性を評価することができず、不良製品について不必要に多くの工程を経る処理が行われることとなっていた。
【００６１】
これに対し、図２に示す磁気ヘッド１の作製工程においては、例えば、図２の工程Ｅに示す読取用磁気ヘッド作製工程において、ＧＭＲ端子１２１と、当該ＧＭＲ端子１２１の接続対象である２つの読取用端子下地１５０ａ，１５０ｂとの接続が形成される。このため、磁気ヘッド１の作製工程のうち早期の工程において、ＧＭＲ素子１２１の特性を評価できる。したがって、磁気ヘッド１の作製工程においては、性能が基準に満たないＧＭＲ素子１２１が形成された不良製品を上流の工程において早期に排除し、当該不良製品についてその後の不必要な工程を省略し、製品の生産効率を向上できる。
【００６２】
次に、磁気ヘッド１を用いた磁気ディスク装置（以下、本装置２と呼ぶ。）の一例について説明する。本装置２は、回転可能に保持される磁気ディスク（図示せず）と、磁気ヘッド１が形成されたヘッドスライダを備えた磁気ヘッド組立体と、を有する。
【００６３】
図３に、本装置２が有する磁気ヘッド組立体３の一例を示す。図３に示すように、この磁気ヘッド組立体３は、回動軸に回動可能に保持されるアーム部４と、当該アーム部４に固定されるスプリング部５と、当該スプリング部５に固定され、磁気ヘッド１が形成されたヘッドスライダ６を先端に有するフレクシャ７と、を有する。
【００６４】
磁気ヘッド１は、ヘッドスライダ６の端面１０に形成されている。磁気ヘッド１は、図１に示すように、２つの書込用端子３０ａ，３０ｂと、２つの読取用端子４０ａ，４０ｂと、２つのヒータ用端子５０ａ，５０ｂと、を有し、これらの端子はそれぞれフレクシャ７に形成された６本の配線パターン（図示せず）に半田付け等により電気的に接続されている。この配線パターンは、アーム部４に固定されている中継接続部８を介して、磁気ヘッド１による磁気ディスクへの情報の書き込み又は読み取りを制御する制御回路（図示せず）と電気的に接続されている。すなわち、磁気ヘッド１の各端子は、配線パターンを介して制御回路と電気的に接続されている。
【００６５】
本装置２においては、回転する磁気ディスク上に磁気ヘッド組立体３のヘッドスライダ６を浮上させ、配線パターンを介して制御回路から磁気ディスクに書き込むべき情報に対応する電流をコイル２０に流し、当該コイル２０の上部磁極層と下部磁極層と（図２の工程Ｆ，Ｉ参照）の間に発生させた磁界により当該磁気ディスクを磁化して、当該情報を当該磁気ディスクに書き込む。
【００６６】
また、本装置２においては、回転する磁気ディスク上に磁気ヘッド組立体３のヘッドスライダ６を浮上させ、配線パターンを介して制御回路からＧＭＲ素子にセンス電流を出力し、情報が書き込まれた磁気ディスクに発生している磁界に応じた当該ＧＭＲ素子の電気抵抗の変化を検出することにより、当該磁気ディスクに書き込まれた情報を読み取る。
【００６７】
また、本装置２は、配線パターンを介して制御回路から２つのヒータ用端子５０ａ，５０ｂにヒータを加熱するための電流を流す。
【００６８】
なお、本発明に係る薄膜磁気ヘッド及び当該薄膜磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置は、本実施形態のものに限られない。
【００６９】
例えば、本実施形態においては、磁気応答素子としてＣＩＰ（Current In Plane1）型のＧＭＲ素子を用いる場合を例として説明したが、この磁気応答素子は、磁気ディスクに書き込まれた情報により当該磁気ディスクに発生する磁界を電気信号に変換することのできるものであれば特に限られず、例えば、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）型のＧＭＲ素子やＣＩＰ型又はＣＰＰ型のＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）素子等を用いることもできる。
【００７０】
また、本実施形態においては、磁気ヘッド１が、２本のリード導体４１ａ，４１ｂと２つの読取用端子４０ａ，４０ｂとの間で接続対象を選択する接続対象選択部を有する場合について説明したが、これに限られず、３つ以上の導体と３つ以上の端子との間において接続対象を選択することのできる接続対象選択部を有することとしてもよい。この場合、例えば、磁気ヘッド１は、各端子の下層に形成される３つ以上の導体を有するとともに、当該端子の各々と、当該３つ以上の導体のうちの一つと、を選択的に接続する接続対象選択部を有する。
【００７１】
また、本実施形態においては、磁気ヘッド１は、書込用端子と読取用端子とに加えて、ヒータ用端子が形成される例について説明したが、これに限られず、他の用途の端子を用いることとしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドについての説明図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの主な作製工程についての説明図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る磁気ディスク装置が有する磁気ヘッド組立体についての説明図である。
【図４】従来の薄膜磁気ディスクの主な作製工程ついて一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  薄膜磁気ヘッド、３  磁気ヘッド組立体、２０  コイル、３０ａ，３０ｂ  書込用端子、４０ａ，４０ｂ  読取用端子、４１ａ，４１ｂ  リード導体、４２ａ，４２ｂ  接続部、５０ａ，５０ｂ  ヒータ用端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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