(57)【要約】【課題】基板外周端部の平滑化を簡単かつ確実に図ることができる磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、円板状サブストレート基板１をキャリア２０の円形キャリアホール２５にはめ込んで保持しつつ、サブストレート基板１の表面に研磨布１２を加圧状態でしゅう動させて基板表面を研磨するようにした磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法を対象とする。キャリアホール２５のサブストレート基板１に対する直径差を０．５〜１．０ｍｍに設定する。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状サブストレート基板をキャリアの円形キャリアホールにはめ込んで保持しつつ、サブストレート基板の表面に研磨布を加圧状態で摺（しゅう）動させて基板表面を研磨するようにした磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法であって、
前記キャリアホールのサブストレート基板に対する直径差を０．５〜１．０ｍｍに設定するようにしたことを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【請求項２】
前記研磨布のサブストレート基板への加圧力を５０〜１２０ｇｆ／ｃｍ2 （０．４９〜１．２Ｎ／ｃｍ2 （相対圧、以下同じ。））に設定するようにした請求項１に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【請求項３】
サブストレート基板として、直径（外径）が８４ｍｍ以下のものが用いられる請求項１又は２に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【請求項４】
前記キャリアに保持されたサブストレート基板を、前記研磨布を介して一対の定盤により挟み込んだ状態で、サブストレート基板に対し前記定盤をしゅう動させるようにした請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【請求項５】
円板状サブストレート基板に対し粗研磨処理及び仕上げ研磨処理を順次行ってサブストレート基板の表面を研磨するようにした磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法であって、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法を用いて、前記粗研磨処理を行うようにしたことを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【請求項６】
前記粗研磨処理後における前記仕上げ研磨処理前のサブストレート基板の表面外周端部に、隆起部が設けられる請求項５に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【請求項７】
サブストレート基板における前記隆起部の平坦部からの高さが１００ｎｍ以下に調整される請求項６に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法によって得られたことを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板。
【請求項９】
請求項８に記載のサブストレート基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする磁気ディスク。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気ディスクを備えることを特徴とするハードディスクドライブ装置。
【請求項１１】
キャリアの円形キャリアホールにはめ込んで保持した円板状サブストレート基板が、研磨布を介して一対の定盤により挟み込まれた状態で、サブストレート基板に対し前記定盤がしゅう動されることにより、基板表面が研磨されるようにした磁気ディスク用サブストレート基板の研磨装置であって、
前記キャリアにおけるキャリアホールのサブストレート基板に対する直径差が０．５〜１．０ｍｍに設定されることを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板の研磨装置。
【請求項１２】
円板状サブストレート基板の表面に研磨布を加圧状態でしゅう動させて基板表面を研磨するに際して、サブストレート基板を保持するためのキャリアであって、
サブストレート基板をはめ込んで保持するためのキャリアホールが設けられ、
前記キャリアホールのサブストレート基板に対する直径差が０．５〜１．０ｍｍに設定されることを特徴とするサブストレート基板保持用キャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置用の記録媒体として好適に用いられる磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法及びその関連技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＨＤＤ装置の記憶容量の増加はめざましく、その増加に伴い、ＨＤＤ用磁気ディスクとして用いられるアルミニウム製やガラス製のサブストレート基板の品質に対する要求が日増しに厳しくなっている。
【０００３】
ＨＤＤ用磁気ディスクの記録密度を向上させるには、最小記憶単位としての１ビットサイズを小さくして、単位面積当たりのビット信号の記録量を増大させる必要があるが、ビットサイズを小さくすると、磁気信号が弱くなるため、磁気記録ヘッドをディスク表面（記録面）に近づけて、信号の送受を行うようにする必要がある。このためディスク表面の物理的な変位が大きいと、磁気記録ヘッドが不安定に浮上し、あるいは基板に接触してしまい、ＨＤＤとしての機能を損なうことになるので、磁気ディスク用としてのサブストレート基板表面の平滑化を図る必要がある。
【０００４】
一方、磁気ディスクの記録エリアを拡大するには、ディスク表面の平滑な領域を可能な限り広く確保する必要があり、磁気ディスク用のサブストレート基板においては、基板の内周部から外周端部までのほぼ全域を平滑な形状に仕上げることが強く求められる。
【０００５】
従来においては、研磨加工によってサブストレート基板の表面を平滑に仕上げるようにしているが、研磨条件によっては、基板外周端部に、サブストレート基板の表面に対して面が垂れ下がる面だれや、表面に対して面が盛り上がる隆起が生じ、この面だれ等が記録エリアの拡大に対して障害となってしまう。
【０００６】
このような技術背景の下、サブストレート基板の面だれ等による不具合を解消する技術として、下記特許文献１〜３に示すものが提案されている。
【０００７】
特許文献１は、サブストレート基板を研磨する際に、研磨圧力や、研磨時間等の研磨条件を所定の範囲内に特定し、面だれ等を小さく抑えるようにした技術を開示している。
【０００８】
特許文献２は、サブストレート板の研磨工程において、サブストレート板を一対の定盤（プレート）により挟み込んで定盤を基板に対ししゅう動させる際に、定盤のしゅう動速度等を所定値に設定し、面だれ等を小さく抑えるようにした技術を開示している。
【０００９】
特許文献３は、化学強化処理後のサブストレート基板における外周端部及び内周端部の高低差を所定の範囲内に特定するようにした技術を開示している。
【特許文献１】特開平５−８９４５９号（請求項１、２）
【特許文献２】特開平５−２７４７号（請求項１）
【特許文献３】特開２００４−２６５５８２号（請求項１、２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１、２に示す研磨方法では、サブストレート基板の表面状態や周囲の環境に応じて、研磨条件や、定盤のしゅう動速度を微妙に調整する必要があり、その微調整が煩雑で、面だれや隆起の発生を確実に抑制できず、基板外周端部の平滑化を図ることが困難であるという問題を抱えている。
【００１１】
また特許文献２の研磨方法では、化学処理によって基板外周端部厚みを制御するものであるため、その制御が煩雑で、上記と同様、面だれ等の発生を確実に抑制できず、基板外周端部の平滑化を図ることが困難であるという問題があった。
【００１２】
この発明は、上記従来技術の問題を解消し、基板外周端部の平滑化を簡単かつ確実に図ることができる磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法及びその関連技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記従来技術の問題を解消するために、本発明者は、磁気ディスク用サブストレート基板を研磨するに際し、研磨とサブストレート基板の外周端部形状との関係について、あらゆる角度から調査した。まずサブストレート基板の研磨は通常、粗研磨としてのメカニカルポリシング（第１研磨処理）と、仕上げ研磨としてのケミカルポリシング（第２研磨処理）とを順次行うようにしているが、粗研磨処理において基板外周端部を少しでも面だれが生じると、仕上げ研磨処理においてその面だれを修正できず却って、面だれが大きくなってしまい、平滑化を図ることができないということが判明した。更に綿密な調査を行ったところ、粗研磨処理において基板外周端部に隆起部を形成しておき、その隆起部を仕上げ研磨処理において研磨することによって、基板外周端部の平滑化を確実に図ることができるということを解明した。つまり粗研磨処理の段階で、基板外周端部に隆起部が残存できるように研磨することにより、基板外周端部の平滑化を図ることができるということを解明した。
【００１４】
これらの調査研究を基に、本発明者は更に実験研究を繰り返しうちに、研磨時にサブストレート基板をはめ込んで保持するキャリアのキャリアホールの大きさによって、基板外周端部の形状を制御し得ることを突き止めた。引き続き本発明者は綿密な実験研究を繰り返し行った結果、上記目的を達成可能な最適な構成を見出し、本発明をなすに至った。
【００１５】
すなわち本発明は、上記目的を達成するため、以下の構成を要旨とするものである。
【００１６】
［１］  円板状サブストレート基板をキャリアの円形キャリアホールにはめ込んで保持しつつ、サブストレート基板の表面に研磨布（ポリッシャ）を加圧状態でしゅう動させて基板表面を研磨するようにした磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法であって、
前記キャリアホールのサブストレート基板に対する直径差を０．５〜１．０ｍｍに設定するようにしたことを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【００１７】
［２］  前記研磨布のサブストレート基板への加圧力を５０〜１２０ｇｆ／ｃｍ2 （０．４９〜１．２Ｎ／ｃｍ2 ）に設定するようにした前項１に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【００１８】
［３］  サブストレート基板として、直径（外径）が８４ｍｍ以下のものが用いられる前項１又は２に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【００１９】
［４］  前記キャリアに保持されたサブストレート基板を、前記研磨布を介して一対の定盤（プレート）により挟み込んだ状態で、サブストレート基板に対し前記定盤をしゅう動させるようにした前項１〜３のいずれか１項に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【００２０】
［５］  円板状サブストレート基板に対し粗研磨処理及び仕上げ研磨処理を順次行ってサブストレート基板の表面を研磨するようにした磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法であって、
前項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法を用いて、前記粗研磨処理を行うようにしたことを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【００２１】
［６］  前記粗研磨処理後における前記仕上げ研磨処理前のサブストレート基板の表面外周端部に、隆起部が設けられる前項５に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【００２２】
［７］  サブストレート基板における前記隆起部の平坦部からの高さが１００ｎｍ以下に調整される前項６に記載の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法。
【００２３】
［８］  前項１〜７のいずれか１項に記載の製造方法によって得られたことを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板。
【００２４】
［９］  前項８に記載のサブストレート基板の表面に磁性膜を有することを特徴とする磁気ディスク。
【００２５】
［１０］  前項９に記載の磁気ディスクを備えることを特徴とするハードディスクドライブ装置。
【００２６】
［１１］  キャリアの円形キャリアホールにはめ込んで保持した円板状サブストレート基板が、研磨布を介して一対の定盤により挟み込まれた状態で、サブストレート基板に対し前記定盤がしゅう動されることにより、基板表面が研磨されるようにした磁気ディスク用サブストレート基板の研磨装置であって、
前記キャリアにおけるキャリアホールのサブストレート基板に対する直径差が０．５〜１．０ｍｍに設定されることを特徴とする磁気ディスク用サブストレート基板の研磨装置。
【００２７】
［１２］  円板状サブストレート基板の表面に研磨布を加圧状態でしゅう動させて基板表面を研磨するに際して、サブストレート基板を保持するためのキャリアであって、
サブストレート基板をはめ込んで保持するためのキャリアホールが設けられ、
前記キャリアホールのサブストレート基板に対する直径差が０．５〜１．０ｍｍに設定されることを特徴とするサブストレート基板保持用キャリア。
【発明の効果】
【００２８】
発明［１］によれば、基板外周端部に面だれを形成させずに、サブストレート基板を研磨することができる。
【００２９】
発明［２］［３］によれば、上記の効果を確実に得ることができる。
【００３０】
発明［４］によれば、基板両面を同時に研磨することができる。
【００３１】
発明［５］によれば、サブストレート基板の外周端部まで平滑な領域を確保することができる。
【００３２】
発明［６］［７］によれば、上記の効果をより確実に得ることができる。
【００３３】
発明［８］によれば、上記と同様の効果を奏する磁気ディスク用サブストレート基板を提供できる。
【００３４】
発明［９］によれば、上記と同様の効果を奏する磁気ディスクを提供できる。
【００３５】
発明［１０］によれば、上記と同様の効果を奏するハードディスクドライブ装置を提供できる。
【００３６】
発明［１１］によれば、上記と同様の効果を奏する磁気ディスク用サブストレート基板の研磨装置を提供できる。
【００３７】
発明［１２］によれば、上記と同様の効果を奏するサブストレート基板保持用キャリアを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の磁気ディスク用サブストレート基板の製造方法の実施形態について説明する。
【００３９】
サブストレート基板（１）の研磨加工は、粗研磨処理（第１研磨処理）及び仕上げ研磨処理（第２研磨処理）の２つの研磨処理を順次行うものである。粗研磨処理は、硬質研磨布（ポリッシャ）を用いて機械的に研磨するメカニカルポリシングであり、仕上げ研磨処理は、軟質研磨布（ポリッシャ）を用いて化学的に研磨するケミカルポリシングである。本発明の製造方法は、主として粗研磨処理に関連するものである。
【００４０】
研磨されるサブストレート基板（１）は、例えばアルミニウム（アルミニウム合金を含む）製のものや、ガラス製のものが用いられる。大きさは特に限定されるものではないが、直径（外径）が８４ｍｍ以下のものを好適に用いることができる。
【００４１】
本実施形態において、サブストレート基板（１）は、図１及び図２に示す研磨装置を用いて研磨するものである。この研磨装置は、ステンレス、鋳鉄、アルミニウム等からなる上下一対の定盤（１１）（１１）を備え、この定盤（１１）（１１）によって基板（１）を保持するキャリア（２０）が上下から挟み込まれるように構成されている。
【００４２】
定盤（１１）（１１）には、基板（１）との対向面に研磨布（１２）（１２）が設けられている。なお本実施形態においては、この研磨布（１２）（１２）や研磨材を交換することにより、粗研磨処理及び仕上げ研磨処理を同一の研磨装置を用いて行うようにしている。
【００４３】
図３に示すようにキャリア（２０）は、外周にギア（２１）が設けられた円板形状を有し、基板（１）をはめ込んで保持するための円形のキャリアホール（２５）が、周方向に等間隔おきに複数形成されている。なお本実施形態においてキャリア（２０）は、特有の構成を備えるものであるが、その構成の詳細については後述するものとする。
【００４４】
図１及び図２に示すように研磨装置には、定盤（１１）の外側に、内周にギアを有する外側ギア部材（１３）が設けられるとともに、定盤（１１）の内側に外周にギアを有する内側ギア部材（１４）が設けられている。この両ギア部材（１３）（１４）のギアにキャリア（２０）の外周ギア（２１）を噛み合わせるようにして、両ギア部材（１３）（１４）間にキャリア（２０）が周方向に沿って複数配置される。その状態で一方側の定盤（１１）及び両ギア部材（１３）（１４）が時計回りに回転し、他方側の定盤（１１）が反時計回りに回転することにより、キャリア（２０）が回転しながら周方向に沿って時計回りに移動する。これによりキャリア（２０）に保持されたサブストレート基板（１）の上下両面に対し定盤（１１）（１１）の研磨布（１２）（１２）がしゅう動して、基板両面が研磨されるよう構成されている。
【００４５】
この研磨装置を用いてサブストレート基板（１）を研磨する場合、まず始めに、基板（１）を装置に設置する。基板（１）を設置する場合、手動式のものでは、上側定盤（１１）をレバー操作等によって上方に開放して、基板（１）を１枚ずつ手又は治具によりキャリアホール（２５）内にセットする。
【００４６】
自動式のものでは、上側定盤（１１）が自動的に開放されて、ハンドリング装置によって所定の箇所から基板（１）がキャリアホール（２５）内に順次自動的にセットされる。
【００４７】
なお基板（１）をキャリアホール（２５）内にはめ込む際には、キャリア（２０）をシェイク（振動）させて、はめ込み操作をスムーズに行うようにしても良い。
【００４８】
こうして研磨装置内に基板（１）がセットされて粗研磨処理が開始される。この粗研磨処理において、研磨布（１２）としては、例えば発泡ポリウレタンからなるもの（例えば富士紡績株式会社製Ni-P基板用研磨布等）が用いられ、研磨材としては粒径０．４〜１．７μｍのアルミナが用いられる。更に研磨布（１２）の基板（１）への荷重（圧力）は５０〜１２０ｇｆ／ｃｍ2 （０．４９〜１．２Ｎ／ｃｍ2 ）、研磨時間は１２０〜３６０分、除去量は１〜２μｍに調整される。
【００４９】
この粗研磨処理においては、図４（ａ）に示すように基板（１）の外周端部（２）に、平坦部（３）よりも盛り上がった隆起部（５）を残存形成するものである。
【００５０】
こうして粗研磨処理を行った後、上側定盤（１１）を開いて基板（１）を順次取り出す。このとき手動式のものでは、レバー操作等によって上側定盤（１１）を開放して、キャリア（２０）から基板（１）を手又は治具により取り出す。また自動式のものでは、上側定盤（１１）が開放されて、ハンドリング装置によって、キャリア（２０）から基板（１）が自動的に順次取り出される。
【００５１】
こうして粗研磨処理が完了した後、仕上げ研磨処理が施される。仕上げ研磨処理においては、上記と同様に研磨装置に基板（１）がセットされて同様に研磨される。このとき研磨布（１２）としては、例えば発泡ポリウレタン繊維からなるもの（例えば富士紡績株式会社製Ni-P基板用研磨布等）が用いられ、研磨材としては粒径７〜５０μｍのコロイダルシリカが用いられる。更に研磨布（１２）の基板（１）への荷重（圧力）は５０〜１２０ｇｆ／ｃｍ2 （０．４９〜１．２Ｎ／ｃｍ2 ）、研磨時間は１２０〜３６０分、除去量は０．１５〜０．５μｍに調整される。
【００５２】
この仕上げ研磨処理においては、基板外周端部（２）が他の領域よりも促進して研磨される。従って粗研磨処理によって外周端部（２）に残存する隆起部（５）が消失するように研磨されて、図４（ｂ）に示すように、外周端部（２）の隅まで平坦部（３）が広がるように研磨される。
【００５３】
こうして仕上げ研磨が終了した後、基板（１）が取り出されて次工程に送り出されて、順次加工されて、最終的には表面に磁性膜を含む膜が積層されて磁気ディスクが製作されるものである。
【００５４】
ここで本実施形態の粗研磨処理で用いられるキャリア（２０）の構成について説明する。
【００５５】
本実施形態のキャリア（２０）は、そのキャリアホール（２５）の直径と、キャリアホール（２５）にはめ込まれるサブストレート基板（１）の直径（外径）との差（直径差）が、０．５〜１．０ｍｍに設定され、好ましくは０．５５〜０．９５ｍｍ、より好ましくは０．６〜０．９ｍｍに設定されている。
【００５６】
この直径差を上記特定の範囲内に設定されたキャリア（２０）を用いて粗研磨処理を行うことにより、上記したように外周端部（２）に隆起部（５）が残存形成されるような所望の形状に基板（１）を研磨することができ、次の仕上げ研磨処理によって、基板外周端部（２）の隅まで平坦部（３）に仕上げることができて、記憶エリアを十分に拡大することができる。
【００５７】
換言すれば上記直径差が大き過ぎる場合には、例えば従来のキャリアのようにキャリアホールの直径が、基板の直径よりも１．５〜２．０ｍｍ程度大きく設定される場合には、図５（ａ）に示すように外周端部（２）が下方に垂れ下がるように研磨されて面だれ（６）が形成される。このように粗研磨処理の段階で外周端部（２）に面だれ（６）が形成されると、その後の仕上げ研磨処理において、基板外周端部（２）の研磨が促進されて、図５（ｂ）に示すように、大きな面だれ（６）が形成されてしまい、平坦部（３）を外周端部（２）まで形成することができず、記憶エリアを十分に拡大することが困難になってしまう。
【００５８】
また上記直径差が０．５ｍｍに未満で小さ過ぎる場合には、キャリアホール（２５）と基板（１）との間の余裕がなくなるため、基板（１）をキャリア（２０）にセットする際に、シェイク等を施したとしても、基板（１）をスムーズにキャリアホール（２５）内にはめ込むことができず、作業性が悪化して生産効率が低下する恐れがある。
【００５９】
なお本実施形態において、粗研磨処理直後における基板外周端部（２）の隆起部（５）の平坦部（３）からの高さは、１００ｎｍ以下、好ましくは４０〜８０ｎｍ、より好ましくは４８〜７８ｎｍに調整するのが良い。すなわちこの範囲内の高さに隆起部（５）の高さを制御することにより、次の仕上げ研磨処理によって、基板外周端部（２）の隅まで平坦部（３）を形成できて、記憶エリアを十分に拡大することができる。
【００６０】
以上のように本実施形態の磁気ディスク用サブストレート基板（１）の製造方法によれば、粗研磨処理において特有のキャリア（２０）を用いるものであるため、この粗研磨処理と次の仕上げ研磨処理によって、基板（１）を外周端部（２）の隅まで平坦に研磨することができ、記憶エリアを十分に拡大することができる。
【００６１】
更に本実施形態においては、研磨条件や、定盤の回転速度等を調整するものではなく、キャリア（２０）を取り替えるだけで簡単に、所望の研磨加工を行うことができる。
【００６２】
なお本発明においては、仕上げ研磨処理に用いられるキャリアとしては、上記粗研磨処理で用いたキャリアをそのまま利用しても良いし、従来より使用される基板とキャリアホールとの直径差が１．５〜２．０ｍｍ程度のキャリアを用いるようにしても良い。
【実施例】
【００６３】
以下、本発明の優位性を客観的に示す実験例について説明する。
【００６４】
研磨するサブストレート基板として、直径（外径）６５ｍｍ、厚さ１．２７ｍｍのアルミニウム製基板を準備した。そしてこの基板を上記と同様な研磨装置によって粗研磨処理を行うに際し、表１に示すように６種類（実施例１〜６）のキャリアを準備した。
【００６５】
【表１】
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【００６６】
＜実験例１＞
キャリアとして、厚みが１．００ｍｍ（基板厚みとの差０．２７ｍｍ）、ホール直径が６５．５ｍｍ（基板外径との差０．５ｍｍ）のものを準備した。
【００６７】
このキャリアを用いて上記実施形態と同様に粗研磨処理を行った。この研磨処理においては、研磨布として富士紡績株式会社製Ni-P基板用研磨布を用い、研磨材として平均粒子径０．６μｍ（ミクロン）のアルミナ研磨材を用い、研磨布の基板への荷重（圧力）を１００ｇｆ／ｃｍ2 （０．９８Ｎ／ｃｍ2 ）に設定した。
【００６８】
こうして研磨した基板を、ＺＹＧＯ社製  ＮＥＷ  ＶＩＥＷ２００を用いて外周端部の面だれ値（Ｌ）を測定した。この面だれ値（Ｌ）は、図４（ａ）及び図５（ａ）に示すように、基板（１）の平坦部（３）からの垂直距離に相当するものであり、図４（ａ）に示すように盛り上がっている場合には「−（マイナス）」値で表示され、図５（ａ）に示すように垂れ下がって場合には「＋（プラス）」値で表示される。
【００６９】
この実験例１では、面だれ値が−方向に４８ｎｍであった。つまり外周端部に面だれが形成されるのを防止でき、逆に４８ｎｍの高さの隆起部を残存形成することができた。
【００７０】
＜実験例２＞
キャリアとして、厚みが１．００ｍｍ（基板厚みとの差０．２７ｍｍ）、ホール直径が６６ｍｍ（基板外径との差１．０ｍｍ）のものを準備した。
【００７１】
このキャリアを用いて上記実験例１と同様に粗研磨処理を行った後、その基板における外周端部の面だれ値（ｎｍ）を測定した。その結果、面だれ値は−方向に５６ｎｍであった。つまり外周端部に面だれが形成されるのを防止でき、逆に５６ｎｍの高さの隆起部を残存形成することができた。
【００７２】
＜実験例３＞
キャリアとして、厚みが１．２０ｍｍ（基板厚みとの差０．０７ｍｍ）、ホール直径が６６ｍｍ（基板外径との差１．０ｍｍ）のものを準備した。
【００７３】
このキャリアを用いて上記実験例１と同様に粗研磨処理を行った後、その基板における外周端部の面だれ値（ｎｍ）を測定した。その結果、面だれ値は−方向に７８ｎｍであった。つまり外周端部に面だれが形成されるのを防止でき、逆に７８ｎｍの高さの隆起部を残存形成することができた。
【００７４】
＜実験例４＞
キャリアとして、厚みが１．００ｍｍ（基板厚みとの差０．２７ｍｍ）、ホール直径が６６．５ｍｍ（基板外径との差１．５ｍｍ）のものを準備した。
【００７５】
このキャリアを用いて上記実験例１と同様に粗研磨処理を行った後、その基板における外周端部の面だれ値（ｎｍ）を測定した。その結果、面だれ値は＋方向に８０ｎｍであった。つまり外周端部に８０ｎｍの面だれが形成された。
【００７６】
＜実験例５＞
キャリアとして、厚みが１．００ｍｍ（基板厚みとの差０．２７ｍｍ）、ホール直径が６７ｍｍ（基板外径との差２．０ｍｍ）のものを準備した。
【００７７】
このキャリアを用いて上記実験例１と同様に粗研磨処理を行った後、その基板における外周端部の面だれ値（ｎｍ）を測定した。その結果、面だれ値は＋方向に１０７ｎｍであった。つまり外周端部に１０７ｎｍの面だれが形成された。
【００７８】
＜実験例６＞
キャリアとして、厚みが１．２０ｍｍ（基板厚みとの差０．０７ｍｍ）、ホール直径が６７ｍｍ（基板外径との差２．０ｍｍ）のものを準備した。
【００７９】
このキャリアを用いて上記実験例１と同様に粗研磨処理を行った後、その基板における外周端部の面だれ値（ｎｍ）を測定した。その結果、面だれ値は＋方向に２０ｎｍであった。つまり外周端部に２０ｎｍの面だれが形成された。
【００８０】
＜評価＞
本発明に関連した実験例１〜３では、基板外周端部に面だれが形成されず、隆起部が形成されている。従って次の仕上げ研磨処理を行った場合に、隆起部が消失されるように研磨されて、基板の外周端部を含むほぼ全域を平坦面に形成でき、記憶エリアを十分に拡大できるものである。
【００８１】
なお実験例３は、キャリアの基板に対する厚み差が小さいため、研磨処理に多少時間を要するため、生産性の面で若干不利であると思われる。
【００８２】
これに対し本発明の要旨を逸脱する実験例４〜６では、基板外周端部に面だれが形成されるため、次の仕上げ研磨処理を行った場合に、外周端部に更に大きな面だれが形成されてしまい、基板の平坦面を十分に形成できず、記憶エリアを拡大できないものである。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】この発明の実施形態の製造方法に用いられた研磨装置を示す側面断面図である。
【図２】実施形態の研磨装置を示す平面図である。
【図３】実施形態の研磨装置に適用されたキャリアを示す平面図である。
【図４】実施形態の製造方法によって研磨された基板外周端部を模式化して示す側面断面図であって、同図（ａ）は粗研磨直後の状態での断面図、同図（ｂ）は仕上げ研磨後の状態での断面図である。
【図５】従来の製造方法によって研磨された基板外周端部を模式化して示す側面断面図であって、同図（ａ）は粗研磨直後の状態での断面図、同図（ｂ）は仕上げ研磨後の状態での断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…サブストレート基板
２…外周端部
３…平坦部
５…隆起部
６…面だれ
１１…定盤
１２…研磨布
１３、１４…ギア部材
２０…キャリア
２１…ギア
２５…キャリアホール
【図１】
2006198751.tif 000004
【図２】
2006198751.tif 000005
【図３】
2006198751.tif 000006
【図４】
2006198751.tif 000007
【図５】
2006198751.tif 000008