(57)【要約】【課題】  現像プロセス等に起因するパーティクル状の析出系欠陥の発生およびＣＤ変動ならびにＬＥＲの悪化を抑制し、かつ、パターン倒れを防止する現像処理方法を提供する。【解決手段】  レジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理されたウエハＷに、所定の界面活性剤を含有する第１リンス液を供給してリンス処理を行い、次いでレジストパターンを硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給し、ウエハＷの表面に所定の高エネルギー線を照射して、架橋剤と高エネルギー線の照射の相乗作用によってレジスト膜を硬化させる。その後、この薬液よりも比重が大きい不活性液体をウエハＷに供給し、レジスト膜がこの不活性液体に浸されるように、所定時間放置して不活性液体を沈降させ、その後にスピン乾燥を行う。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
その表面に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を前記基板上に供給する工程と、
前記基板に前記薬液が液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射し、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。
【請求項２】
前記レジスト膜の硬化処理を終えた基板を回転させて、前記薬液を前記基板から振り切る工程と、
前記基板に、その表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように所定の界面活性剤またはフッ素系薬剤が添加された第２のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記第２のリンス液を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の現像処理方法。
【請求項３】
前記レジスト膜の硬化処理を終えた基板に前記薬液が液盛りされている状態で、前記薬液よりも比重が大きく、かつ、前記薬液と混ざり合わない所定の不活性液体を供給し、前記レジスト膜が前記不活性液体に浸されるように、所定時間放置して前記不活性液体を沈降させる工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記薬液と前記不活性液体を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の現像処理方法。
【請求項４】
基板に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給する工程と、
前記薬液が前記基板上に液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射して、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記基板に所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。
【請求項５】
前記第１のリンス液が供給された基板を回転させて、前記第１のリンス液を前記基板から振り切る工程と、
前記基板に、その表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように所定の界面活性剤またはフッ素系薬剤が添加された第２のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記第２のリンス液を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の現像処理方法。
【請求項６】
前記基板に前記第１のリンス液が液盛りされている状態で、前記第１のリンス液よりも比重が大きく、かつ、前記第１のリンス液と混ざり合わない所定の不活性液体を供給し、前記レジスト膜が前記不活性液体に浸されるように、所定時間放置して前記不活性液体を沈降させる工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記第１のリンス液と前記不活性液体を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の現像処理方法。
【請求項７】
その表面に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板に、その表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように所定の界面活性剤またはフッ素系薬剤が添加された第２のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記第２のリンス液を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。
【請求項８】
その表面に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板に前記第１のリンス液が液盛りされている状態で、前記第１のリンス液よりも比重が大きく、かつ、前記第１のリンス液と混ざり合わない所定の不活性液体を供給し、前記レジスト膜が前記不活性液体に浸されるように、所定時間放置して前記不活性液体を沈降させる工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記第１のリンス液と前記不活性液体を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法。
【請求項９】
前記不活性液体は代替フロンであることを特徴とする請求項３または請求項６または請求項８のいずれか１項に記載の現像処理方法。
【請求項１０】
前記第１のリンス液が含有する界面活性剤は、エチレングリコール系、エーテル系またはアセチレングリコール系の界面活性剤であることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の現像処理方法。
【請求項１１】
前記第１のリンス液が含有する界面活性剤は、その分子量が１２８０以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が１４以上であることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の現像処理方法。
【請求項１２】
前記第１のリンス液が含有する界面活性剤は、その疎水基が二重結合および三重結合を有していないことを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載の現像処理方法。
【請求項１３】
基板に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、前記基板の表面が現像液で濡れた状態で、前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給する工程と、
前記薬液が前記基板上に液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射して、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記レジスト膜の硬化処理を終えた基板を回転させて、前記薬液を前記基板から振り切る工程と、
前記基板に、その表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように所定の界面活性剤またはフッ素系薬剤が添加されたリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記リンス液を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする現像処理方法。
【請求項１４】
基板に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、前記基板の表面が現像液で濡れた状態で、前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給する工程と、
前記薬液が前記基板上に液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射して、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記基板に前記薬液が液盛りされている状態で、前記薬液よりも比重が大きく、かつ、前記薬液と混ざり合わない所定の不活性液体を供給し、前記レジスト膜が前記不活性液体に浸されるように、所定時間放置して前記不活性液体を沈降させる工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記薬液と前記不活性液体を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする現像処理方法。
【請求項１５】
前記不活性液体は代替フロンであることを特徴とする請求項１４に記載の現像処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板に設けられたレジスト膜の現像処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜を所定パターンで露光処理し、こうしてレジスト膜に形成された露光パターンを現像するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術が用いられており、現像処理によって露光パターンに対応したレジストパターンが形成される。
【０００３】
このようなフォトリソグラフィー技術の各工程の中の現像処理においては、ウエハに現像液を供給して現像液パドルを形成し、所定時間自然対流により現像処理を進行させた後、現像液を振り切り、次いで、洗浄液として純水を供給してウエハ上に残存する現像液を洗い流し、その後、ウエハを高速で回転してウエハ上に残存する現像液および洗浄液を振り切りウエハを乾燥させている。
【０００４】
ところで、近時、露光技術等の進歩により半導体デバイスの微細化が一層進行しており、微細かつ高アスペクト比のレジストパターンが出現するに至り、上述のような現像工程における最終の振り切り乾燥において、リンス液がパターン間から抜け出る際に、リンス液の表面張力によりレジストパターンが引っ張られて倒れるという、いわゆる「パターン倒れ」が発生することが問題となっている。
【０００５】
このような問題を解決する技術として、特許文献１には、例えばリンス液中に界面活性剤溶液を混入してリンス液の表面張力を低下させる技術が提案されている。また、特許文献２には、現像処理後に基板のリンス処理を行う際に界面活性剤を供給するプロセスが開示されている。さらに特許文献３には、レジスト膜を現像処理し、リンス処理した後に、レジスト膜にリンス液が付着している状態でリンス液を固化させ、このリンス液固化物を昇華させる方法が開示されている。
【０００６】
従来より、レジストの現像プロセスにおいては、レジストと現像液の反応生成物や残渣物がパーティクルになってウエハを汚染する、つまり、析出系欠陥が生じて品質を低下させるという問題が生じている。また、レジスト起因もしくは露光コントラスト起因のＬＥＲ（Line Edge roughness）の悪化、ＣＤ（Critical Dimension）の変動の問題が発生しているが、界面活性剤等の化学物質で処理することで、さらにこれらが悪化するという問題がある。このため、界面活性剤等を用いたリンス処理において、これらの問題を考慮した最適なプロセスは未だ見出されていない。さらに、このような従来技術では、近時の細線化されたレジストパターンのパターン倒れを十分に防止することは困難である。
【特許文献１】特開平７−１４２３４９号公報
【特許文献２】特開２００１−５１９１号公報
【特許文献３】特開平７−２０６３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、現像処理におけるパーティクル状等の析出系欠陥の発生およびＣＤ変動ならびにＬＥＲの悪化を抑制し、かつ、パターン倒れを防止する現像処理方法を提供することを目的とする。また、本発明は、細線化されたレジストパターンのパターン倒れを防止することができる現像処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、その表面に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を前記基板上に供給する工程と、
前記基板に前記薬液が液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射し、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
【０００９】
この現像処理方法では、前段の処理、つまり第１のリンス液による処理によって析出系欠陥の発生が抑制され、ＬＥＲの悪化が防止され、さらにＣＤ変動が抑制される。そして、後段の処理、つまりレジスト膜を硬化させる処理によって、レジスト膜のパターン倒れを防止することができる。
【００１０】
この第１の観点に係る現像処理方法では、前記レジスト膜の硬化処理を終えた基板を回転させて前記薬液を前記基板から振り切る工程と、前記基板にその表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように所定の界面活性剤またはフッ素系薬剤が添加された第２のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、前記基板を所定の回転数で回転させて前記第２のリンス液を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、をさらに加えることが好ましい。これにより、レジスト膜のパターン倒れをさらに起こり難くすることができる。
【００１１】
第１の観点に係る現像処理方法において、レジスト膜のパターン倒れをさらに起こり難くする別の方法としては、前記レジスト膜の硬化処理を終えた基板に前記薬液が液盛りされている状態で、前記薬液よりも比重が大きく、かつ、前記薬液と混ざり合わない所定の不活性液体を供給し、前記レジスト膜が前記不活性液体に浸されるように、所定時間放置して前記不活性液体を沈降させる工程と、前記基板を所定の回転数で回転させて前記薬液と前記不活性液体を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、をさらに有する現像処理が挙げられる。ここで、前記不活性液体としては代替フロンが好適に用いられる。
【００１２】
本発明の第２の観点では、基板に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給する工程と、
前記薬液が前記基板上に液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射して、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記基板に所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
【００１３】
この第２の観点に係る現像処理方法は、第１の観点に係る現像処理方法における前段の処理と後段の処理の順番を入れ替えたものであり、このような処理方法でも、第１の観点に係る現像処理方法と同様に、析出系欠陥の発生が抑制され、ＬＥＲの悪化が防止され、さらにＣＤ変動が抑制され、レジスト膜のパターン倒れを防止することができる。また、前記第１の観点に係る現像処理方法に追加した不活性液体を用いる処理は、第２の観点に係る現像処理方法にも追加適用することができ、これにより、レジスト膜のパターン倒れをさらに起こり難くすることができる。
【００１４】
本発明の第３の観点では、その表面に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板に、その表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように所定の界面活性剤またはフッ素系薬剤が添加された第２のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記第２のリンス液を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
【００１５】
本発明の第４の観点では、その表面に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、所定の界面活性剤を臨界ミセル濃度以下で含有する第１のリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板に前記第１のリンス液が液盛りされている状態で、前記第１のリンス液よりも比重が大きく、かつ、前記第１のリンス液と混ざり合わない所定の不活性液体を供給し、前記レジスト膜が前記不活性液体に浸されるように、所定時間放置して前記不活性液体を沈降させる工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記第１のリンス液と前記不活性液体を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
を有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
【００１６】
この第４の観点に係る現像処理方法において、不活性液体としては代替フロンが好適に用いられる。
【００１７】
このような第１〜第４の観点に係る現像処理方法では、第１のリンス液が含有する界面活性剤は、エチレングリコール系、エーテル系またはアセチレングリコール系の界面活性剤であることが好ましい。さらに、この第１のリンス液が含有する界面活性剤は、その分子量が１２８０以上であり、かつ、その疎水基の炭素数が１４以上であることが好ましく、その疎水基が二重結合および三重結合を有していないことが好ましい。これにより、析出系欠陥の発生抑制とＬＥＲの悪化防止とＣＤ変動の抑制の各種効果を、さらに高めることができる。
【００１８】
本発明の第５の観点では、基板に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、前記基板の表面が現像液で濡れた状態で、前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給する工程と、
前記薬液が前記基板上に液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射して、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記レジスト膜の硬化処理を終えた基板を回転させて、前記薬液を前記基板から振り切る工程と、
前記基板に、その表面張力が５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下となるように所定の界面活性剤またはフッ素系薬剤が添加されたリンス液を供給し、リンス処理する工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記リンス液を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
【００１９】
本発明の第６の観点では、基板に設けられたレジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理された基板に、前記基板の表面が現像液で濡れた状態で、前記基板上のレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給する工程と、
前記薬液が前記基板上に液盛りされた状態で、前記基板の表面に所定の高エネルギー線を照射して、前記架橋剤と前記高エネルギー線の照射の相乗作用によって前記レジスト膜を硬化させる工程と、
前記基板に前記薬液が液盛りされている状態で、前記薬液よりも比重が大きく、かつ、前記薬液と混ざり合わない所定の不活性液体を供給し、前記レジスト膜が前記不活性液体に浸されるように、所定時間放置して前記不活性液体を沈降させる工程と、
前記基板を所定の回転数で回転させて前記薬液と前記不活性液体を前記基板から振り切り、前記基板を乾燥させる工程と、
をさらに有することを特徴とする現像処理方法、を提供する。
【００２０】
この第６の観点に係る現像処理方法においては、前記不活性液体として代替フロンが好適に用いられる。これら第５および第６の観点に係る現像処理方法は、析出系欠陥が品質上の問題とならず、パターン倒れを防止することが重要である場合に用いられる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、パーティクル状等の析出系欠陥の発生が抑制され、ＬＥＲの悪化の抑制され、ＣＤ変動が抑えられ、さらにパターン倒れの発生が抑制される。これにより、精密なレジストパターンを得ることができる。また、パターン倒れの発生防止効果をより高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は本発明の現像処理方法が実施される現像処理装置の一例を示す平面図であり、また図２はその断面図であり、これらの図においては、水平面の直交する２方向をＸ方向、Ｙ方向とし、垂直方向をＺ方向としている。
【００２３】
図１および図２に示すように、この現像処理装置（ＤＥＶ）は筐体１を有し、筐体１の天井には筐体内に清浄空気のダウンフローを形成するためのファン・フィルタユニットＦが設けられている。また、筐体１内の中央部には環状のカップＣＰが配置され、カップＣＰの内側にはスピンチャック２が配置されている。スピンチャック２は真空吸着によってウエハＷを固定保持する。スピンチャック２の下方には駆動モータ３が配置されており、スピンチャック２は駆動モータ３によって回転駆動される。駆動モータ３は床板４に取り付けられている。
【００２４】
カップＣＰの中には、ウエハＷを受け渡しする際の昇降ピン５がエアシリンダ等の駆動機構６により昇降可能に設けられている。また、カップＣＰ内には、廃液用のドレイン口７が設けられている。このドレイン口７に廃液管８（図１参照）が接続され、この廃液管８は、図１に示すように、底板４と筐体１との間の空間Ｎを通って、下方の図示しない廃液口へ接続されている。
【００２５】
筐体１の側壁には、ウエハ搬送装置の搬送アームＴが侵入するための開口１ａが形成されており、この開口１ａはシャッタ９により開閉可能となっている。そしてウエハＷの搬入出に際してはシャッタ９が開けられ、搬送アームＴが筐体１内に侵入する。搬送アームＴとスピンチャック２との間のウエハＷの受け渡しは、上記昇降ピン５が上昇した状態で行われる。
【００２６】
筐体１内には、ウエハＷの表面に現像液を供給するための現像液ノズル１１と、現像後のウエハＷの表面にレジスト膜を硬化させるための架橋剤を含有する薬液（以下「硬化用薬液」という）を供給するための薬液ノズル１２ａと、現像後のウエハＷに所定の界面活性剤を含有する第１リンス液を供給する第１リンス液ノズル１３と、現像後のウエハＷに所定の界面活性剤を含有する第２リンス液を供給する第２リンス液ノズル１４が設けられている。なお、後に詳細に説明するように、第１リンス液ノズル１３からは純水（ＤＩＷ）を吐出させることができ、第２リンス液ノズル１４からは純水よりも密度の高い不活性液体を吐出させることができるようになっている。
【００２７】
現像液ノズル１１は長尺状をなし、その長手方向がＸ方向となるように水平に配置されている。現像液ノズル１１の下面には図示しない複数の吐出口が設けられており、各吐出口から吐出された現像液は全体として帯状となるようになっている。この現像液ノズル１１は、第１ノズルスキャンアーム１６の先端部に保持部材４１ａによって着脱可能に取り付けられており、この第１ノズルスキャンアーム１６は、底板４の上にＹ方向に沿って敷設された第１ガイドレール２６上から垂直方向（Ｚ方向）に延びた第１垂直支持部材３６の上端部に取り付けられている。現像液ノズル１１は、第１垂直支持部材３６とともにＹ軸駆動機構４６によってＹ方向に沿って水平移動自在であり、ウエハＷ上の供給位置とウエハＷの外方の待機位置との間で移動可能に設けられている。また、第１垂直支持部材３６はＺ軸駆動機構５６によって昇降可能となっており、これにより現像液ノズル１１は第１垂直支持部材３６の昇降によってウエハＷに近接した吐出可能位置とその上方の非吐出位置との間で移動自在である。
【００２８】
ウエハＷに現像液を塗布する際には、現像液ノズル１１はウエハＷの上方に位置され、その現像液ノズル１１から現像液を帯状に吐出させながら、ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させることにより、現像液がウエハＷ全面に塗布され、現像液パドルが形成される。なお、現像液吐出の際には、ウエハＷを回転させずに現像液ノズル１１を第１ガイドレール２６に沿ってスキャンさせてもよい。現像液ノズル１１としては現像液の吐出口がスリット状のものを用いることもできる。
【００２９】
薬液ノズル１２ａは現像液ノズル１１と同じ構造を有している。薬液ノズル１２ａのＹ方向側面には、紫外線ランプ４２を備えた紫外線照射ユニット１２ｂが取り付けられている。この薬液ノズル１２ａは、第２ノズルスキャンアーム１７の先端部に保持部材４１ｂによって着脱可能に取り付けられており、この第２ノズルスキャンアーム１７は、底板４の上にＹ方向に沿って敷設された第２ガイドレール２７上から垂直方向（Ｚ方向）に延びた第２垂直支持部材３７の上端部に取り付けられている。
【００３０】
薬液ノズル１２ａと紫外線照射ユニット１２ｂは一体的に第２垂直支持部材３７とともにＹ軸駆動機構４７によってＹ方向に沿って水平移動自在であり、ウエハＷ上の薬液供給位置および紫外線照射位置とウエハＷの外方の待機位置との間で移動可能に設けられている。また、第２垂直支持部材３７はＺ軸駆動機構５７によって昇降可能となっており、これにより薬液ノズル１２ａおよび紫外線照射ユニット１２ｂは、第２垂直支持部材３７の昇降によってウエハＷに近接した吐出可能位置とその上方の非吐出位置との間で一体的に移動自在である。
【００３１】
ウエハＷに硬化用薬液を塗布する際には、薬液ノズル１２ａはウエハＷの上方に位置され、薬液ノズル１２ａから現像液を帯状に吐出させながら、ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させることにより、硬化用薬液がウエハＷ全面に塗布され、硬化用薬液パドルが形成される。紫外線照射ユニット１２ｂはスリット照射型構造となっており、紫外線はＸ方向に長い帯状となって紫外線照射ユニット１２ｂからその下方に向けて照射されるようになっている。このため、ウエハＷの表面に紫外線を照射する際には、ウエハＷを回転させずに紫外線照射ユニット１２ｂを第２ガイドレール２７に沿ってＹ方向でスキャンさせる。なお、硬化用薬液吐出の際には、ウエハＷを回転させずに薬液ノズル１２ａを第２ガイドレール２７に沿ってスキャンさせてもよい。
【００３２】
第１リンス液ノズル１３はストレートノズルであり、所定の界面活性剤を含有した第１リンス液を円柱状で吐出する。第１リンス液ノズル１３は、現像後にウエハＷ上に移動されて、ウエハＷ上の現像パターンが形成されたレジスト膜に第１リンス液を供給する。この第１リンス液ノズル１３は、第３ノズルスキャンアーム１８の先端部に着脱可能に取り付けられている。底板４の上には第３ガイドレール２８が敷設されており、第３ノズルスキャンアーム１８は、この第３ガイドレール２８上から垂直方向に延びた第３垂直支持部材３８の上端部にＸ軸駆動機構４４を介して取り付けられている。第１リンス液ノズル１３は、第３垂直支持部材３８とともにＹ軸駆動機構４８によってＹ方向に沿って水平移動自在である。また第３垂直支持部材３８はＺ軸駆動機構５８によって昇降可能であり、第１リンス液ノズル１３は、第３垂直支持部材３８の昇降によってウエハＷに近接した吐出可能位置とその上方の非吐出位置との間で移動自在である。また、第３ノズルスキャンアーム１８は、Ｘ軸駆動機構４４によりＸ方向に沿って移動可能となっている。
【００３３】
第１リンス液ノズル１３からウエハＷの表面への第１リンス液の供給方法としては、第１リンス液ノズル１３をウエハＷの中心上へ配置し、ウエハＷを回転させながらリンス液を吐出する方法、その際にさらに第１リンス液ノズル１３をＹ方向でスキャンさせる方法が挙げられる。なお、第１リンス液ノズル１３の形状は特に限定されず、現像液ノズル１１と同じ構造のものや吐出口がスリット状のものであってもよい。
【００３４】
第２リンス液ノズル１４の構成は第１リンス液ノズル１３と同じである。この第２リンス液ノズル１４は、第４ノズルスキャンアーム１９の先端部に着脱可能に取り付けられている。底板４の上には第４ガイドレール２９が敷設されており、第４ノズルスキャンアーム１９は、この第４ガイドレール２９上から垂直方向に延びた第４垂直支持部材３９の上端部にＸ軸駆動機構４５を介して取り付けられている。第２リンス液ノズル１４は、第４垂直支持部材３９とともにＹ軸駆動機構４９によってＹ方向に沿って水平移動自在である。また第４垂直支持部材３９はＺ軸駆動機構５９によって昇降可能であり、第２リンス液ノズル１４は、第４垂直支持部材３９の昇降によってウエハＷに近接した吐出可能位置とその上方の非吐出位置との間で移動自在である。また、第４ノズルスキャンアーム１９は、Ｘ軸駆動機構４５によりＸ方向に沿って移動可能となっている。
【００３５】
第２リンス液ノズル１４からウエハＷの表面への第２リンス液の供給方法は、第１リンス液ノズル１３の場合と同じである。なお、第２リンス液ノズル１４についても、その形状は特に限定されず、現像液ノズル１１と同じ構造のものを用いてもよい。
【００３６】
Ｙ軸駆動機構４６・４７・４８・４９、Ｚ軸駆動機構５６・５７・５８・５９、Ｘ軸駆動機構４４・４５および駆動モータ３は、駆動制御部４０により制御されるようになっている。
【００３７】
図２に示すように、カップＣＰの右側には、現像液ノズル１１が待機する現像液ノズル待機部３１が設けられており、この現像液ノズル待機部３１には現像液ノズル１１を洗浄する洗浄機構（図示せず）が設けられている。また、現像液ノズル待機部３１とカップＣＰとの間には、薬液ノズル１２ａが待機する薬液ノズル待機部３２が設けられており、この薬液ノズル待機部３２には薬液ノズル１２ａを洗浄する洗浄機構（図示せず）が設けられている。さらにカップＣＰの左側には、第１リンス液ノズル１３および第２リンス液ノズル１４がそれぞれ待機する第１リンス液ノズル待機部３３および第２リンス液ノズル待機部３４が設けられており、これらにはそれぞれ第１リンス液ノズル１３および第２リンス液ノズル１４を洗浄する洗浄機構（図示せず）が設けられている。
【００３８】
図３は現像処理装置（ＤＥＶ）の液供給系を示す概略図である。図３に示すように、現像液ノズル１１には、現像液を貯留した現像液タンク７１から現像液を供給する現像液供給管７２が接続されている。現像液供給管７２には、現像液を供給するためのポンプ７３およびオン・オフバルブ７４が介装されている。
【００３９】
薬液ノズル１２ａには、架橋剤を含有する薬液が貯留された薬液タンク７５から硬化用薬液を供給する薬液供給管７６が接続されている。この薬液供給管７６には、硬化用薬液を供給するためのポンプ７７およびオン・オフバルブ７８が介装されている。
【００４０】
第１リンス液ノズル１３には、第１リンス液が貯留された第１リンス液タンク８１から第１リンス液を供給する第１リンス液供給管８２が接続されている。第１リンス液供給管８２には、第１リンス液を供給するためのポンプ８３およびオン・オフバルブ８４が介装されている。また、第１リンス液供給管８２には、純水タンク８５から純水を供給する純水供給管８６が接続されており、この純水供給管８６には、純水を供給するためのポンプ８７およびオン・オフバルブ８８が介装されている。
【００４１】
このような構成により、例えば、オン・オフバルブ８４を開いてポンプ８３を動作させ、オン・オフバルブ８８を閉じた状態とすることで、第１リンス液ノズル１３から第１リンス液のみを吐出させることができる。一方、オン・オフバルブ８８を開いてポンプ８７を動作させ、オン・オフバルブ８４を閉じることで、第１リンス液ノズル１３から純水のみを吐出させることができる。さらに、オン・オフバルブ８４とオン・オフバルブ８８の開閉量を制御して、ポンプ８３およびポンプ８７を同時駆動することにより、第１リンス液の濃度を変化（希釈）させたリンス液を第１リンス液ノズル１３から吐出させることができる。
【００４２】
第１リンス液に溶解される界面活性剤としては、エチレングリコール系、エーテル系またはアセチレングリコール系の界面活性剤を用いることが好ましい。具体的には、ポリエチレングリコールソルビタン脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール直鎖アルキルエーテル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、直鎖アルキル付加型のポリエチレングリコールフェニルエーテル、分岐鎖アルキル付加型のポリエチレングリコールフェニルエーテルを挙げることができる。またアセチレングリコール系の界面活性剤としては、ＥＯ付加型のアセチレングリコールが挙げられる。
【００４３】
第１リンス液の界面活性剤濃度は、臨界ミセル濃度以下とすることが好ましい。これは、臨界ミセル濃度を超えると第１リンス液内にミセルが発生し、このミセルがウエハＷ上に残留するとパーティクルとなるので、それを防止するためである。但し、界面活性剤濃度が低すぎると、第１リンス液の表面張力が低下しないために、第１リンス液をウエハＷから除去する際にレジストパターンのパターン倒れが起こり易くなる。このため第１リンス液の界面活性剤濃度は、臨界ミセル濃度以下であって、その近傍とすることが好ましい。また発明者らは、界面活性剤として、分子量が大きく、しかも疎水基の炭素数が多いもの、さらに疎水基が単結合のみからなるものを用いると、ＣＤ均一性が高められ、ＬＥＲも良好となることを確認している。したがって、このような条件をさらに満足する界面活性剤を用いることが好ましい。
【００４４】
第２リンス液ノズル１４には、第２リンス液が貯留された第２リンス液タンク９１から第２リンス液を供給する第２リンス液供給管９２が接続されている。第２リンス液供給管９２には、第２リンス液を供給するためのポンプ９３およびオン・オフバルブ９４が介装されている。また、第２リンス液供給管９２には、純水よりも比重が大きく、しかも表面張力が小さい不活性液体（具体的には、代替フロン）が貯留された不活性液体タンク９５から不活性液体を供給する不活性液体供給管９６が接続されており、この不活性液体供給管９６には、不活性液体を供給するためのポンプ９７およびオン・オフバルブ９８が介装されている。
【００４５】
このような構成により、例えば、オン・オフバルブ９４を開いてポンプ９３を動作させ、オン・オフバルブ９８を閉じた状態とすることで、第２リンス液ノズル１４から第２リンス液のみを吐出させることができる。一方、オン・オフバルブ９８を開いてポンプ９７を動作させ、オン・オフバルブ９４を閉じることで、不活性液体のみを第２リンス液ノズル１４から吐出させることができる。
【００４６】
第２リンス液はウエハＷの乾燥前に供給される。つまり、第２リンス液がウエハＷ上に供給された後に、ウエハＷを回転させて第２リンス液を振り切ることによりウエハＷの乾燥処理が行われるために、第２リンス液としては、レジストパターンのパターン倒れが起こり難くなるように、その表面張力を低下させたものが好適に用いられる。具体的には、表面張力を５０ｄｙｎｅ／ｃｍ以下に低下させたものが好適に用いられる。
【００４７】
不活性液体は第２リンス液の代わりに用いられる。つまり、代替フロン等の不活性液は、レジストパターンを溶解することなく、しかも表面張力が１０〜２０ｄｙｎｅ／ｃｍと、水系のリンス液に比べると極めて小さいことから、ウエハＷの乾燥処理前にレジストパターンが不活性液体に浸された状態とし、その後にスピン乾燥を行うことで、パターン倒れの発生をより効果的に防止することができる。第２リンス液と不活性液体のいずれを用いるかは、例えば、レジストパターンの線幅を考慮して決定することができる。
【００４８】
ポンプ７３・７７・８３・８７・９３・９７およびオン・オフバルブ７４・７８・８４・８８・９４・９８は制御部６０により制御されるようになっている。
【００４９】
次に、現像処理装置（ＤＥＶ）を用いた現像処理工程について説明する。図４は、第１〜第１０の現像処理方法を簡略的に示す図である。第１の現像処理方法は、現像液による現像処理、第１リンス液によるリンス処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、スピン乾燥の順序で行われる。第２の現像処理方法は、現像液による現像処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、第１リンス液によるリンス処理、スピン乾燥の順序で行われる。第１の現像処理方法では第１リンス液の供給により、第２の現像処理方法では硬化用薬液の供給により、それぞれ現像反応が停止する。
【００５０】
第１の現像処理方法では第１リンス液によるリンス処理によって、析出系欠陥の発生やＬＥＲの悪化およびＣＤ変動を抑制しながら、レジスト残渣（現像欠陥）を除去することができ、清浄な硬化用薬液を使用することで、レジストパターンの硬化処理における析出系欠陥の発生を回避することができる。第２の現像処理方法では、レジストパターンの硬化処理によってウエハＷ上に析出系欠陥が発生しても、その後の第１リンス液によるリンス処理でこのような欠陥を除去することができる。レジストパターンを硬化させることで、パターン倒れの発生を抑制することができることは、第１・第２の現像処理方法に共通である。
【００５１】
なお、第１の現像処理方法では、レジストパターンの硬化処理後に純水によるリンス処理を行い、その後にスピン乾燥を行ってもよく、第２の現像処理方法では第１リンス液によるリンス処理後に純水によるリンス処理を行い、その後にスピン乾燥を行ってもよい。これは、レジストパターンを硬化させているので、純水によるリンス処理後にスピン乾燥を行っても、パターン倒れが起こり難いからである。
【００５２】
第３の現像処理方法は、現像液による現像処理、第１リンス液によるリンス処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、第２リンス液によるリンス処理、スピン乾燥の順序で行われる。この第３の現像処理方法は、第２リンス液の表面張力が硬化用薬液よりも小さく、しかも清浄度が高い場合に限って用いられる。第４の現像処理方法は、現像液による現像処理、第１リンス液によるリンス処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、不活性液体によるレジストパターンの被覆、スピン乾燥の順序で行われる。
【００５３】
第５の現像処理方法は、現像液による現像処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、第１リンス液によるリンス処理、第２リンス液によるリンス処理、スピン乾燥の順序で行われる。この第５の現像処理方法は、第２リンス液の表面張力が第１リンス液の表面張力よりも小さく、しかも清浄度が高い場合に限って用いられる。第６の現像処理方法は、現像液による現像処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、第１リンス液によるリンス処理、不活性液体によるレジストパターンの被覆、スピン乾燥の順序で行われる。
【００５４】
これら第３〜第６の現像処理方法では、前記第１・第２の現像処理方法と比較すると、スピン乾燥前に表面張力の小さい液体がウエハＷ上に供給されているために、パターン倒れの発生の防止効果が前記第１・第２の現像処理方法よりもさらに高められる。
【００５５】
第７の現像処理方法は、現像液による現像処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、第２リンス液によるリンス処理、スピン乾燥の順序で行われる。第８の現像処理方法は、現像液による現像処理、硬化用薬液塗布および紫外線照射処理によるレジストパターンの硬化処理、不活性液体によるレジストパターンの被覆、スピン乾燥の順序で行われる。これら第７・第８の現像処理方法は、現像欠陥が問題とならない場合において、パターン倒れを防止することを目的とする場合に用いられる。
【００５６】
第９の現像処理方法は、現像液による現像処理、第１リンス液によるリンス処理、第２リンス液によるリンス処理、スピン乾燥の順序で行われる。この第９の現像処理方法は、第２リンス液の表面張力が第１リンス液の表面張力よりも小さく、しかも清浄度が高い場合に限って用いられる。第１０の現像処理方法は、現像液による現像処理、第１リンス液によるリンス処理、不活性液体によるレジストパターンの被覆、スピン乾燥の順序で行われる。これら第９・第１０の現像処理方法では、ＣＤ変動等を抑制しながら現像欠陥を除去することができ、表面張力の小さい液体をウエハＷから振り切ってスピン乾燥させるために、パターン倒れを防止することができる。パターン倒れの発生防止効果は、第９・第１０の現像処理方法よりも、前記第３〜８の現像処理方法の方が高い。
【００５７】
本発明では、上記第１〜第１０の現像処理方法の中から、レジストパターンの線幅や目標とされる特性（析出系欠陥数、ＣＤ値、ＬＥＲ値等）を考慮して、適切なものが選ばれる。ウエハＷの品質をトータルで高める観点からは、上記第３〜第６の現像処理方法を用いることが好ましい。その他の方法では、特定の品質を維持しながら、短いタクトタイムで処理することができるメリットがある。第１リンス液による処理を有する現像処理方法では、レジスト残渣を９９％以上除去することができる。また、レジストパターンの硬化処理または表面張力の小さい液体をウエハＷに供給した後にスピン乾燥処理を行うことで、レジストパターンのアスペクト比が３．６以上のパターンを形成する（またはアスペクト比をレジストパターンのピッチ（単位：μｍ）を除した値で２０／μｍ以上とする）ことができる。つまり、細い線幅のレジストパターンのパターン倒れを防止することができる。
【００５８】
次に、前記第３および第６の現像処理方法を例に挙げて、そのプロセスをより詳細に説明する。図５に第３の現像処理方法のフローチャートを示し、図６に第６の現像処理方法のフローチャートを示す。
【００５９】
第３の現像処理方法では、最初に、所定のパターンで露光され、ポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハＷが、ウエハ搬送装置の搬送アームＴによってカップＣＰの真上まで搬送され、昇降ピン５に受け渡され、スピンチャック２に載置され、真空吸着される（ＳＴＥＰ１）。
【００６０】
次いで、現像液ノズル１１をウエハＷの中心の上方に移動させ、現像液ノズル１１から現像液を帯状に吐出させながら、ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させることにより、現像液をウエハＷ全面に塗布し、現像液パドルを形成する（ＳＴＥＰ２）。なお、現像液ノズル１１をＹ方向でスキャンさせながら現像液を吐出させてもよい。
【００６１】
このようにして現像液をウエハＷ上に塗布した状態で適宜の時間、例えば６０秒間静止させることにより現像を進行させる（ＳＴＥＰ３）。この際に、現像液ノズル１１をカップＣＰ外に待避させ、第１リンス液ノズル１３をウエハＷの中心の上方に位置させる（ＳＴＥＰ４）。
【００６２】
現像反応が終了したら、ウエハＷをスピンチャック２により回転させ、現像液を振り切る（ＳＴＥＰ５）。この現像液の振り切りを開始すると同時に、第１リンス液ノズル１３から第１リンス液を吐出させ、第１リンス液によるリンス処理を行う（ＳＴＥＰ６）。このＳＴＥＰ６におけるウエハＷの回転数は、例えば、５００〜２０００ｒｐｍとすることができる。
【００６３】
なお、第１リンス液の供給前には、待避位置において第１リンス液ノズル１３のダミーディスペンスを行って、第１リンス液ノズル１３に付着した界面活性剤の残渣等がウエハＷに供給されないようにすることが望ましい。これによりリンス液に起因するパーティクルの発生をより確実に抑えることができる。また、この第１リンス液によるリンス処理は、ウエハＷを回転させながら、第１リンス液ノズル１３をＹ方向でスキャンさせることによって行ってもよい。
【００６４】
第１リンス液を所定時間供給した後に、ウエハＷの表面を第１リンス液で濡れた状態に維持して、第１リンス液ノズル１３をカップＣＰ外に待避させ、薬液ノズル１２ａをウエハＷの中心の上方に移動させる（ＳＴＥＰ７）。次いで、薬液ノズル１２ａから硬化用薬液を帯状に吐出させながら、ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させる。これにより硬化用薬液がウエハＷ全面に塗布され、硬化用薬液パドルが形成される（ＳＴＥＰ８）。
【００６５】
続いて、紫外線照射ユニット１２ｂがウエハＷの外側に位置するように、第２ノズルスキャンアーム１７をＹ方向にスライドさせた後、紫外線ランプ４２を点灯させて紫外線照射ユニット１２ｂをウエハＷのＹ方向端間で、所定回数、スキャンさせる（ＳＴＥＰ９）。これにより、架橋剤がレジスト膜の表面でレジスト膜と結合し、レジスト膜を硬化させる。
【００６６】
レジストパターンの硬化処理が終了したら、薬液ノズル１２ａおよび紫外線照射ユニット１２ｂをカップＣＰ外に待避させ、また、第２リンス液ノズル１４をウエハＷの中心に位置させる（ＳＴＥＰ１０）。ウエハＷを所定の回転数で回転させて硬化用薬液をウエハＷから振り切り、これと実質的に同時にウエハＷに第２リンス液を供給して、ウエハＷを第２リンス液でリンス処理する（ＳＴＥＰ１１）。このとき、第２リンス液ノズル１４をＹ方向でスキャンさせてもよい。
【００６７】
第２リンス液によるリンス処理を所定時間行った後、ウエハＷを回転させてリンス液を拡げるとともにリンス液を振り切って、ウエハＷを乾燥させる（ＳＴＥＰ１２）。このスピン乾燥工程は、最初にウエハＷの回転数を３００ｒｐｍ超１０００ｒｐｍ未満、例えば５００ｒｐｍとし、５〜１５秒、例えば１０秒間行い、引き続き、ウエハＷの回転数を１０００〜４０００ｒｐｍ、例えば２０００ｒｐｍとし、１０〜２０秒間、例えば１５秒間が行うことが好ましい。このようにしてリンス液をウエハＷから振り切ってウエハＷをスピン乾燥することによって、パターン倒れの発生を効果的に抑制することができる。
【００６８】
こうして乾燥処理されたウエハＷは、昇降ピン５によってスピンチャック２の上に持ち上げられ、ウエハ搬送装置の搬送アームＴによって現像処理装置（ＤＥＶ）から搬出され（ＳＴＥＰ１３）、ポストベーク処理が施される。
【００６９】
次に、第６の現像処理方法について説明する。第６の現像処理方法では、最初に、所定のパターンで露光され、ポストエクスポージャーベーク処理および冷却処理されたウエハＷが、ウエハ搬送装置の搬送アームＴによってカップＣＰの真上まで搬送され、昇降ピン５に受け渡され、スピンチャック２に載置され、真空吸着される（ＳＴＥＰ１０１）。
【００７０】
次いで、現像液ノズル１１をウエハＷの中心の上方に移動させ、現像液ノズル１１から現像液を帯状に吐出させながら、ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させることにより、現像液をウエハＷ全面に塗布し、現像液パドルを形成する（ＳＴＥＰ１０２）。なお、現像液ノズル１１をＹ方向でスキャンさせながら現像液を吐出させてもよい。
【００７１】
このようにして現像液をウエハＷ上に塗布した状態で適宜の時間、例えば６０秒間静止させることにより現像を進行させる（ＳＴＥＰ１０３）。このときに現像液ノズル１１をカップＣＰ外に待避させ、薬液ノズル１２ａをウエハＷの中心の上方に移動させる（ＳＴＥＰ１０４）。
【００７２】
現像反応が終了したら、ウエハＷをスピンチャック２により回転させ、現像液を振り切る（ＳＴＥＰ１０５）。この現像液の振り切りは、ウエハＷの表面に現像液の薄膜が残るように行う。そして、薬液ノズル１２ａから硬化用薬液を帯状に吐出させながら、ウエハＷを１／２回転以上、例えば１回転させる。これにより硬化用薬液がウエハＷ全面に塗布され、硬化用薬液パドルが形成される（ＳＴＥＰ１０６）。
【００７３】
続いて、紫外線照射ユニット１２ｂがウエハＷの外側に位置するように、第２ノズルスキャンアーム１７をＹ方向にスライドさせた後、紫外線ランプ４２を点灯させて紫外線照射ユニット１２ｂをウエハＷのＹ方向端間で、所定回数、スキャンさせる（ＳＴＥＰ１０７）。これにより、架橋剤がレジスト膜の表面でレジスト膜と結合し、レジスト膜を硬化させる。
【００７４】
レジストパターンの硬化処理が終了したら、薬液ノズル１２ａおよび紫外線照射ユニット１２ｂをカップＣＰ外に待避させ、第１リンス液ノズル１３をウエハＷの中心の上方に位置させる（ＳＴＥＰ１０８）。ウエハＷを所定の回転数で回転させて硬化用薬液をウエハＷから振り切り、これと実質的に同時に、第１リンス液ノズル１３から第１リンス液を吐出させ、第１リンス液によるリンス処理を行う（ＳＴＥＰ１０９）。
【００７５】
所定時間、第１リンス液による処理を所定時間行った後に、ウエハＷの表面を第１リンス液で濡れた状態（第１リンス液のパドルが形成されている状態、または第１リンス液の薄膜が形成されている状態）に維持して、第１リンス液ノズル１３をカップＣＰ外に待避させ、第２リンス液ノズル１４をウエハＷの中心に位置させる（ＳＴＥＰ１１０）。そして、ウエハＷに不活性液体を供給する（ＳＴＥＰ１１１）。不活性液体は、第１リンス液よりも比重が大きいために、第１リンス液の下側に沈降して第１リンス液と置換され、レジストパターンは不活性液体に浸される。このとき第１リンス液薬液はウエハＷから押し出される。
【００７６】
不活性液体の供給を停止し、レジストパターンが不活性液体に浸された状態となった後に、ウエハＷを所定の回転数で回転させて、不活性液体を拡げるとともに振り切って、ウエハＷを乾燥させる（ＳＴＥＰ１１２）。こうして乾燥処理されたウエハＷは、昇降ピン５によってスピンチャック２の上に持ち上げられ、ウエハ搬送装置の搬送アームＴによって現像処理装置（ＤＥＶ）から搬出され（ＳＴＥＰ１１３）、ポストベーク処理が施される。
【００７７】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこのような実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。上記説明においては、リンス液に界面活性剤を添加した場合について説明したが、界面活性剤に代えてフッ素系薬剤を用いてもよい。
【００７８】
また、第６の現像処理方法においては、ウエハＷから現像液を振り切りながらウエハＷに硬化用薬液を供給したが、ウエハＷを回転させることなく、現像液パドルが形成されている状態で、薬液ノズル１２ａから硬化用薬液を吐出させながらウエハＷのＹ方向端間で薬液ノズル１２ａをスキャンさせることにより、現像液を硬化用薬液で置換して、硬化用薬液パドルを形成してもよい。
【００７９】
また、スピン乾燥前に純水（ＤＩＷ）がウエハＷに供給されていなければ、それ以前の工程で純水によるリンス処理を加えてもよい。例えば、現像液パドルの形成、純水によるリンス処理、硬化用薬液による硬化処理、純水によるリンス処理、第１リンス液によるリンス処理、スピン乾燥という順序でウエハＷを処理してもよい。
【００８０】
また、上記実施の形態では本発明を半導体ウエハの現像処理に適用した場合について説明したが、これに限らず、微細なレジストパターンが形成される基板であれば、液晶表示装置（ＬＣＤ）用基板等、他の基板の現像処理にも適用することができる。さらに、本発明の範囲を逸脱しない限り、上記実施の形態の構成要素を適宜組み合わせたもの、あるいは上記実施の形態の構成要素を一部取り除いたものも本発明の範囲内である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の一実施形態に係る方法が実施される現像処理装置を示す平面図。
【図２】本発明の一実施形態に係る方法が実施される現像処理装置を示す断面図。
【図３】図１および図２の現像処理装置の液供給系の概略構成を示す図。
【図４】第１〜第１０の現像処理方法を簡略的に示す図。
【図５】第３の現像処理方法を示すフローチャート。
【図６】第６の現像処理方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００８２】
１；筐体
２；スピンチャック
１１；現像液ノズル
１２ａ；（硬化用）薬液ノズル
１２ｂ；紫外線照射ユニット
１３；第１リンス液ノズル
１４；第２リンス液ノズル
４２；紫外線ランプ
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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