(57)【要約】【課題】ＵＨＦ入力端子に接続されるフィルタの誘導結合による妨害波を避けるために、フィルタ間に仕切り板を設けなければならず高周波装置が大型化する。【解決手段】ＵＨＦ放送波信号が入力されるＵＨＦ入力端子２７と、このＵＨＦ入力端子２７に接続されたＭＯＳＦＥＴ４１と、このＭＯＳＦＥＴ４１のドレインに接続されたＵＨＦ出力端子４２と、ＶＨＦ放送波信号が入力されるＶＨＦ入力端子３３と、このＶＨＦ入力端子３３に接続されたＭＯＳＦＥＴ４５と、このＭＯＳＦＥＴ４５のドレインに接続されたＶＨＦ出力端子４６とを備え、選択端子３２からの信号で、ＵＨＦ入力端子２７とグランドとの間を直接、開放或いは短絡するＭＯＳＦＥＴ４９を設けたものである。  これにより、ＵＨＦ入力端子２７を直接グランドに接続することができ、所期の目的を達成することができる。【選択図】図１
2006013668.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の高周波信号が入力される第１の入力端子と、この第１の入力端子が第１ゲートに接続された第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴと、この第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインが接続された第１の出力端子と、第２の高周波信号が入力される第２の入力端子と、この第２の入力端子が第１ゲートに接続された第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴと、この第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインが接続された第２の出力端子と、前記第１、第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの夫々のソース端子間が接続されて導出されたグランド端子と、前記第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインと第１ゲートとの間に接続された第１の抵抗と、前記第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第１ゲートとグランド端子間に接続された第２の抵抗と、前記第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第１ゲートとグランド端子間に接続された第３の抵抗と、前記第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲートと前記第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲート間に接続された第４の抵抗と、前記第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第２ゲートに接続された第３の入力端子とを備え、前記第１の入力端子にドレインが直接接続されるとともにソースが前記グランド端子に接続されたシングルゲートＭＯＳＦＥＴと、このシングルゲートＭＯＳＦＥＴのゲートと前記第２の入力端子との間に接続された第５の抵抗とが設けられた高周波装置用集積回路。
【請求項２】
第１の高周波信号が入力される第１の入力端子と、この第１の入力端子が第１ゲートに接続された第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴと、この第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインが接続された第１の出力端子と、第２の高周波信号が入力される第２の入力端子と、この第２の入力端子が第１ゲートに接続された第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴと、この第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴのドレインが接続された第２の出力端子と、前記第１、第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの夫々のソース端子間が接続されて導出されたグランド端子とを備え、前記第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第１ゲートにドレインが接続されるとともにソースが前記グランド端子に接続された第１のシングルゲートＭＯＳＦＥＴと、この第１のシングルゲートＭＯＳＦＥＴのゲートが第７の抵抗を介して接続された第１の選択端子と、前記第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴの第１ゲートにドレインが接続されるとともにソースが前記グランド端子に接続された第２のシングルゲートＭＯＳＦＥＴと、この第２のシングルゲートＭＯＳＦＥＴのゲートが第８の抵抗を介して第２の選択端子に接続された高周波装置用集積回路。
【請求項３】
第１の高周波信号と、この第１の高周波信号より高い周波数の第２の高周波信号が入力される第４の入力端子と、この第４の入力端子に接続された分配器と、この分配器の一方の出力に接続された第１のコンデンサと、この第１のコンデンサの出力に接続された第３の出力端子と、前記分配器の一方の出力とグランドとの間に接続されるとともに前記第２の高周波信号を通過させる第１のフィルタと、前記分配器の他方の出力に接続された第２のコンデンサと、この第２のコンデンサの出力に接続された第４の出力端子と、前記分配器の他方の出力とグランドとの間に接続されるとともに前記第１の高周波信号を通過させる第２のフィルタと、前記第４の出力端子に接続されるとともに第６の抵抗を介して接続された選択端子と、ＡＧＣ信号が入力される第５の入力端子と、この第５の入力端子に第９の抵抗を介して接続された第５の出力端子とを設け、前記第３の出力端子と前記第４の出力端子と前記第５の出力端子には請求項１に記載の高周波装置用集積回路の第１の入力端子と第２の入力端子と第３の入力端子とが夫々接続された高周波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビ放送の受信等に用いられる高周波装置用集積回路とこれを用いた高周波装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の高周波装置用集積回路とこれを用いた高周波装置について説明する。図３は、従来の高周波装置の回路図である。図３において、従来の高周波装置は、入力端子１に入力されたＶＨＦ、ＵＨＦ放送波信号（高周波信号の一例として用いた）を集積回路２のＶＨＦ出力端子３或いはＵＨＦ出力端子４から選択的に出力するものである。
【０００３】
即ち、ＶＨＦ放送波信号を受信するときは、選択端子５をＬ（ロー）レベルにする。そうすると、Ｎチャンネルデュアルゲート電界効果トランジスタ（以下、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴという）６の第１ゲート６ａはＬレベルになるので、０Ｖバイアスとなり動作不可となる。即ち、ＵＨＦ用バンドパスフィルタ（以下、ＢＰＦという）７を通過したＵＨＦ放送波信号はＵＨＦ出力端子４から出力されない。
【０００４】
またこのとき、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ６の第１ゲート６ａはＬレベルとなっているので、この第１ゲート６ａに接続されているＮチャンネルシングルゲート電界効果トランジスタ（以下、シングルゲートＭＯＳＦＥＴという）８のゲート８ａはＬレベルとなり、ドレイン８ｂとソース８ｃ間は開放される。従って、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ９の第１ゲート９ａには所定のバイアスが加わり増幅動作が行われる。即ち、入力端子１に入力されたＶＨＦ放送波信号はＶＨＦ用ＢＰＦ１０を通過して、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ９で増幅される。そして、その出力はＶＨＦ出力端子３から出力される。
【０００５】
このように、選択端子５をＬレベルにすると、入力端子１に入力されたＶＨＦ放送波信号とＵＨＦ放送波信号の内、ＶＨＦ放送波信号はＶＨＦ出力端子３から増幅されて出力される。しかし、ＵＨＦ放送波信号はＵＨＦ出力端子４から出力されない。
【０００６】
逆に、選択端子５をＨ（ハイ）レベルにすると、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ６の第１ゲート６ａはＨレベルになり増幅動作を行う。このとき、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ８のゲート８ａもＨレベルになるので、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ８のドレイン８ｂとソース８ｃ間は短絡される。従って、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ９の第１ゲート９ａは抵抗１１を介してＬレベルになり０Ｖバイアスとなるので動作不能となる。即ち、入力端子１に入力されたＵＨＦ放送波信号はＵＨＦ用ＢＰＦ７を通過して、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ６で増幅される。そして、その出力はＵＨＦ出力端子４から出力される。
【０００７】
このように、選択端子５をＨレベルにすると、入力端子１に入力されたＶＨＦ放送波信号とＵＨＦ放送波信号の内、ＵＨＦ放送波信号はＵＨＦ出力端子４から増幅されて出力される。しかし、ＶＨＦ放送波信号はＶＨＦ出力端子３から出力されない。ここで、抵抗１１はシングルゲートＭＯＳＦＥＴ８が有する出力容量成分がデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ９の第１ゲート９ａに直接結合して高周波信号に対して影響を与えないために挿入されている。
【０００８】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００２−３６８６３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながらこのような従来の高周波装置用の集積回路２では、ＶＨＦ用ＢＰＦ１０とＵＨＦ用ＢＰＦ７のインダクタを互いに接近させると誘導結合を生じ、この誘導結合によって、例えばＶＨＦ放送波信号の受信時において、ＵＨＦ放送波信号による受信妨害が発生するという問題を有していた。
【００１０】
そこで、この誘導妨害を軽減する手段として、ＶＨＦ用ＢＰＦ１０とＵＨＦ用ＢＰＦ７の間に金属製の仕切り板１２を設け、この仕切り板１２により、ＶＨＦ用ＢＰＦ１０とＵＨＦ用ＢＰＦ７間の誘導結合を軽減していた。
【００１１】
しかしながら、このような仕切り板１２を設けると、この仕切り板１２によって、部品の実装が制限され、高周波装置全体として大型化してしまうという問題があった。
【００１２】
そこで本発明は、このような問題を解決したもので、高周波装置用集積回路を用いて小型化された高周波装置を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的を達成するために本発明の高周波装置用集積回路は、第１の入力端子にドレインが直接接続されるとともにソースがグランド端子に接続されたシングルゲートＭＯＳＦＥＴと、このシングルゲートＭＯＳＦＥＴのゲートと第２の入力端子との間に接続された第５の抵抗とが設けられたものである。
【００１４】
これにより、高周波装置用集積回路を用いて小型化された高周波装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明の高周波装置用集積回路は、第１の入力端子にドレインが直接接続されるとともにソースがグランド端子に接続されたシングルゲートＭＯＳＦＥＴと、このシングルゲートＭＯＳＦＥＴのゲートと第２の入力端子との間に接続された第５の抵抗とが設けられているので、第２の入力端子にバイアス電圧を加えて第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴを動作状態にしたとき、シングルゲートＭＯＳＦＥＴはオンし、第１の入力端子は高周波的に短絡される。従って、第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴは０Ｖバイアスとなり動作が不能となる。
【００１６】
また、このとき第１の入力端子に第１のフィルタが接続されていたとしても、この第１のフィルタを形成するインダクタが高周波的にショートされるので、この近傍に配置された第２のフィルタを含む他の素子に誘導結合による影響を与えることは無い。従って、この第１のフィルタを高周波的に隔離する仕切り板等は不要となる。即ち、この第１のフィルタと他の部品とを近づけることができるので、高周波装置の小型化を図ることができる。
【００１７】
また、第１のフィルタをシールドして誘導結合を防止するための金属製の仕切り板等も不要となり、高周波装置の小型化に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１における高周波装置の回路図である。図１において、２１は入力端子（第４の入力端子）であり、この入力端子２１には分配器２２が接続されている。
【００１９】
この分配器２２の一方の出力にはＵＨＦ放送波信号（第２の高周波信号）が通過するＢＰＦ２３（第１のフィルタ）が接続されている。またこのＢＰＦ２３の出力にはコンデンサ２４（第１のコンデンサ）を介して出力端子２５が接続されている。そしてこの出力端子２５（第１の出力端子）は集積回路２６（高周波装置用集積回路）のＵＨＦ入力端子２７（第１の入力端子）に接続されている。
【００２０】
また、分配器２２の他方の出力は、ＶＨＦ放送波信号（第１の高周波信号）が通過するＢＰＦ２８（第２のフィルタ）に接続されている。またこのＢＰＦ２８の出力はコンデンサ２９（第２のコンデンサ）を介して出力端子３０（第４の出力端子）に接続されている。この出力端子３０には抵抗３１（第６の抵抗）を介して選択端子３２が接続されている。また、出力端子３０は集積回路２６のＶＨＦ入力端子３３（第２の入力端子）にも接続されている。
【００２１】
３４はＡＧＣ電圧の入力端子（第５の入力端子）であり、この入力端子３４は抵抗３５（第９の抵抗）とコンデンサ３６を介してグランドに接続されている。そして、この抵抗３５とコンデンサ３６の接続点は利得制御出力端子３７（第５の出力端子）に接続されており、この利得制御出力端子３７は集積回路２６の利得制御端子３８（第３の出力端子）に接続されている。
【００２２】
以下、集積回路２６について説明する。ＵＨＦ入力端子２７（第１の入力端子）はＮチャンネルデュアルゲート電界効果トランジスタ（以下、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴという）４１（第１のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ）の第１ゲート４１ａに接続されている。また、このデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１のドレイン４１ｂはＵＨＦ出力端子４２（第１の出力端子）に接続されている。また、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１のドレイン４１ｂは抵抗４３（第１の抵抗）を介して第１ゲート４１ａに接続されており、この第１ゲート４１ａは抵抗４４（第２の抵抗）を介してソース４１ｃに接続されている。
【００２３】
ＶＨＦ入力端子３３（第２の入力端子）は、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５（第２のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ）の第１ゲート４５ａに接続されている。また、このデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５のドレイン４５ｂはＶＨＦ出力端子４６（第２の出力端子）に接続されている。また、このデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５の第１ゲート４５ａは抵抗４７（第３の抵抗）を介してソース４５ｃに接続されている。
【００２４】
また、ＶＨＦ入力端子３３には、抵抗４８（第５の抵抗）を介してシングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９のゲート４９ａに接続されている。そして、このシングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９のドレイン４９ｂは直接ＵＨＦ入力端子２７に接続されている。また、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９のソース４９ｃとデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１のソース４１ｃとデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５のソース４５ｃとは接続されてグランド端子５０に接続されている。そして、このグランド端子５０は集積回路２６の外部でグランドに接続される。
【００２５】
利得制御端子３８は、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１の第２ゲート４１ｄに接続されており、このデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１の第２ゲート４１ｄは抵抗５１（第４の抵抗）を介してデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５の第２ゲート４５ｄに接続されている。
【００２６】
ここで、分配器２２は入力端子２１から入力された高周波信号を一方と他方の端子に分配するものである。また、ＢＰＦ２３はインダクタ２３ａとキャパシタ２３ｂとが並列接続されており、ＵＨＦ帯域の高周波信号を通過させるものである。同様に、ＢＰＦ２８はインダクタ２８ａとキャパシタ２８ｂとが並列接続されており、ＶＨＦ帯域の高周波信号を通過させるものである。
【００２７】
コンデンサ２４は、１００ｐＦ程度の静電容量であり、コンデンサ２９は５００ｐＦ程度の静電容量である。また、コンデンサ３６は０．１μＦ程度の静電容量のものを用いている。
【００２８】
抵抗３１，３５，４３，４４，４７，４８，５１は数十キロオームから数百キロオームの抵抗の中から適宜選んでいる。
【００２９】
次に以上のように構成された高周波装置について、以下にその動作を説明する。本実施の形態における高周波装置は入力端子２１から入力されるテレビ放送波信号の内、ＵＨＦ放送波信号とＶＨＦ放送波信号を分離してＵＨＦ出力端子４２或いはＶＨＦ出力端子４６から出力するものである。
【００３０】
そのために、先ず選択端子３２にＬレベルを加える。するとＵＨＦ出力端子４２からＵＨＦ放送波信号が出力される。即ち、選択端子３２をＬレベルにするとデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５の第１ゲート４５ａは０Ｖバイアスになり、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５は動作不可になる。従って、ＶＨＦ出力端子４６からＶＨＦ放送波信号は出力されない。
【００３１】
このとき、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９のゲート４９ａはＬレベルになるので、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９のドレイン４９ｂとソース４９ｃとの間は開放される。従って、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１の第１ゲート４１ａには抵抗４３と４４から所定のバイアス電圧がかかり、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１の増幅動作は可能となる。即ち、入力端子２１から入力されたＵＨＦ放送波信号は、ＢＰＦ２３を通過して、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１で増幅されてＵＨＦ出力端子４２から出力される。
【００３２】
次に、選択端子３２にＨレベルを加えるとＶＨＦ出力端子４６からＶＨＦ放送波信号が出力される。即ち、選択端子３２をＨレベルにするとデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５の第１ゲート４５ａは抵抗３１と４７から所定のバイアス電圧が加わり、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５の増幅動作が可能となる。即ち、入力端子２１から入力されたＶＨＦ信号は、ＢＰＦ２８を通過して、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５で増幅されてＶＨＦ出力端子４６から出力される。
【００３３】
このとき、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９のゲート４９ａはＨレベルになるので、ドレイン４９ｂとソース４９ｃとの間は短絡される。従って、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１の第１ゲート４１ａは０Ｖバイアスとなり、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１は動作不可となる。従って、ＵＨＦ出力端子４２からＵＨＦ放送波信号は出力されない。
【００３４】
またこのとき、ＵＨＦ入力端子２７は、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９により直接グランドに接続される。従って、ＢＰＦ２３の両端は高周波的に短絡される。このことによりＢＰＦ２３を形成するインダクタ２３ａからＵＨＦ信号がＢＰＦ２８のインダクタ２８ａと誘導結合することはなく妨害を与えることはない。
【００３５】
従って、従来のようにＢＰＦ２３とＢＰＦ２８との間を高周波的に分離する金属製の仕切り板１２等は不要となる。また、２つのインダクタ２３ａ，２８ａは誘導結合しないので、ＢＰＦ２３とＢＰＦ２８とを近づけることができ、小型化が実現できる。更に仕切り板が不要となるので、この位置に他の部品を実装することもできる。従って、高周波装置の小型化に貢献することができる。
【００３６】
また、ＶＨＦ、ＵＨＦ放送波信号選択のための選択端子を集積回路２６に別に設けることなく、ＶＨＦ入力端子３３と共用化している。従って、集積回路２６の端子数を削減することができるとともに小型化が実現できる。
【００３７】
なお、ＡＧＣ電圧はＡＧＣ電圧の入力端子３４に入力され、利得制御端子３８を介して、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１，４５の増幅度を制御している。
【００３８】
（実施の形態２）
実施の形態２は、２つのデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１，４５の第１ゲートにシングルゲートＭＯＳＦＥＴを２個接続して夫々のデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１，４５の第１ゲート４１ａ，４５ａを独立して直接グランドと接続するものである。なお、実施の形態１と同じものについては、同符号を付して説明を簡略化している。
【００３９】
図２は、本発明の実施の形態２における高周波装置の回路図である。図２において、集積回路６０は実施の形態１における集積回路２６と以下の接続において異なる。
【００４０】
実施の形態２においては、実施の形態１におけるシングルゲートＭＯＳＦＥＴ４９の代わりに以下のように、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ６３，７３を２個用いている。
【００４１】
即ち、第１の選択端子６１からは抵抗６２（第７の抵抗）を介してシングルゲートＭＯＳＦＥＴ６３のゲート６３ａに接続されている。またこのシングルゲートＭＯＳＦＥＴ６３のドレイン６３ｂは直接ＵＨＦ入力端子２７に接続されている。また、ソース６３ｃはグランド端子５０に接続されるとともに、このグランド端子５０から抵抗６４を介してゲート６３ａに接続されている。
【００４２】
シングルゲートＭＯＳＦＥＴ６３のゲート６３ａは抵抗６５を介して電源端子６６に接続されており、この電源端子６６からは抵抗６７を介してデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１の第１ゲート４１ａにも接続されている。
【００４３】
同様に、第２の選択端子７１からは抵抗７２（第８の抵抗）を介してシングルゲートＭＯＳＦＥＴ７３のゲート７３ａに接続されている。またこのシングルゲートＭＯＳＦＥＴ７３のドレイン７３ｂは直接ＶＨＦ入力端子３３に接続されている。また、ソース７３ｃはグランド端子５０に接続されるとともに、このグランド端子５０から抵抗７４を介してゲート７３ａに接続されている。
【００４４】
シングルゲートＭＯＳＦＥＴ７３のゲート７３ａは抵抗７６を介して電源端子６６に接続されており、この電源端子６６からは抵抗７７を介してデュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５の第１ゲート４５ａにも接続されている。
【００４５】
ここで、抵抗６２，６４，６５，６７，７２，７４，７６，７７は、数十キロオームから数百キロオームの抵抗の中から適宜選んでいる。
【００４６】
以上のように本実施の形態では、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１の第１ゲート４１ａをシングルゲートＭＯＳＦＥＴ６３で直接グランドに落したり、グランドとの間を開放したりすることができる。
【００４７】
従って、第１の選択端子６１をＨレベルにすることにより、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１を０Ｖバイアスにして、動作不可にすることができる。即ち、入力端子２１に入力されたＵＨＦ放送波信号はＵＨＦ出力端子４２から出力されない。また、ＵＨＦ入力端子２７は直接グランドに接続されるので、このＵＨＦ入力端子２７に接続される部品（フィルタ等）から誘導結合によって他の部品に妨害波を与えることはない。
【００４８】
また、第１の選択端子６１をＬレベルにすれば、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ６３のドレイン６３ｂとソース６３ｃ間は開放されるので、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４１は抵抗６７と４４で適正なバイアス電圧が与えられ、増幅動作が可能になる。
【００４９】
即ち、入力端子２１から入力されたＵＨＦ放送波信号は、ＵＨＦ出力端子４２から増幅されて出力される。このように、第１の選択端子６１をＬレベル或いはＨレベルにすることにより、入力端子２１から入力されたＵＨＦ放送波信号をＵＨＦ出力端子４２から出力するか否かを独立して制御することができる。
【００５０】
同様に、第２の選択端子７１をＨレベルにすることにより、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５を０Ｖバイアスにして、動作不可にすることができる。即ち、入力端子２１に入力されたＶＨＦ放送波信号はＶＨＦ出力端子４６から出力されない。また、ＶＨＦ入力端子３３は直接グランドに接続されるので、このＶＨＦ入力端子３３に接続される部品（フィルタ等）から誘導結合によって他の部品に妨害波を与えることはない。
【００５１】
また、第２の選択端子７１をＬレベルにすれば、シングルゲートＭＯＳＦＥＴ７３のドレイン７３ｂとソース７３ｃ間は開放されるので、デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ４５は抵抗７７と４７で適正なバイアス電圧が与えられ、増幅動作が可能になる。
【００５２】
即ち、入力端子２１から入力されたＶＨＦ放送波信号は、ＶＨＦ出力端子４６から増幅されて出力される。このように、第２の選択端子７１をＬレベル或いはＨレベルにすることにより、入力端子２１から入力されたＶＨＦ放送波信号をＶＨＦ出力端子４６から出力するか否かを独立して制御することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明にかかる高周波装置は、小型化が実現できるので、特に携帯機器等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態１における高周波装置の回路図
【図２】同、実施の形態２における高周波装置の回路図
【図３】従来の高周波装置の回路図
【符号の説明】
【００５５】
２７  ＵＨＦ入力端子
３３  ＶＨＦ入力端子
４１  デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ
４２  ＵＨＦ出力端子
４３  抵抗
４４  抵抗
４５  デュアルゲートＭＯＳＦＥＴ
４６  ＶＨＦ出力端子
４７  抵抗
４８  抵抗
４９  シングルゲートＭＯＳＦＥＴ
５０  グランド端子
５１  抵抗
【図１】
2006013668.tif 000003
【図２】
2006013668.tif 000004
【図３】
2006013668.tif 000005