(57)【要約】【課題】  熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持することが可能なサーミスタが得られるサーミスタの製造方法を提供すること。【解決手段】  樹脂及び導電性粒子を含有する樹脂組成物層を、対向する１対の金属箔２ａ，２ｂの間に挟まれた状態で加熱して、１対の金属箔２ａ，２ｂ及びこれらの間に挟まれているサーミスタ素体３を有する積層体１０を得る工程と、積層体１０からサーミスタを切り出す工程と、を備え、１対の金属箔２ａ，２ｂのうち少なくとも一方の樹脂組成物層が挟まれる側の表面に溝２０が形成されている、サーミスタの製造方法。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂及び導電性粒子を含有する樹脂組成物層を、対向する１対の金属箔の間に挟まれた状態で加熱して、前記１対の金属箔及びこれらの間に挟まれているサーミスタ素体を有する積層体を得る工程と、
前記積層体からサーミスタを切り出す工程と、
を備え、
前記１対の金属箔のうち少なくとも一方の前記樹脂組成物層が挟まれる側の表面に溝が形成されている、サーミスタの製造方法。
【請求項２】
前記積層体のうち前記溝が形成されている部分以外の部分からサーミスタを切り出す、請求項１記載のサーミスタの製造方法。
【請求項３】
前記樹脂が、加熱により硬化する熱硬化性樹脂組成物である、請求項１又は２記載のサーミスタの製造方法。
【請求項４】
互いに平行に配列された複数の前記溝が形成されている、請求項１〜３の何れか一項に記載のサーミスタの製造方法。
【請求項５】
隣り合う前記溝同士の間隔が、サーミスタとして切り出される部分の前記溝に対して垂直な方向における最大幅の２．５倍以下である、請求項４記載のサーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーミスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリマー層及びこれに分散した導電性粒子で構成される材料をサーミスタ素体として用いたサーミスタは、一般に、有機質サーミスタ等と称されるものであり、特に、温度上昇とともに抵抗値が急激に増大するＰＴＣ（Ｐｏｓｉｔｉｖｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ：正の温度係数）特性を有するものは、有機質正特性サーミスタと称される場合がある。このようなサーミスタは、過電流・加熱保護素子、自己制御型発熱体、温度センサー等のデバイスに用いられる。
【０００３】
有機質サーミスタとしては、例えば、エポキシ樹脂等を含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化物に導電性粒子を分散させた材料をサーミスタ素体として用いたものが提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】国際公開第２００４／０８６４２１号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の製造方法で得られるサーミスタは、基板上に実装するためのリフロー工程の際等に受ける熱履歴によって、熱履歴を受ける前よりも室温抵抗値が大きく上昇してしまうという問題があった。室温抵抗値が高くなると、サーミスタとして機能させること自体が困難となる。特に、サーミスタ素体の前駆体としての樹脂組成物の粘度が高いときに、このような問題が顕在化する傾向にあった。
【０００５】
そこで、本発明は、熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持することが可能なサーミスタが得られるサーミスタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するべく詳細に検討を行った結果、溝が形成されていない金属箔を用いた従来のサーミスタの製造方法の場合、１対の金属箔及びこれらの間に挟まれているサーミスタ素体を有する積層体から複数のサーミスタを切り出したときに、特に、積層体の中央部から切り出されたものについて、熱履歴を受けた後の室温抵抗値が異常に上昇する現象が起こりやすい傾向にあることが明らかとなった。そして、本発明者らはこの知見を基に更なる検討を行った結果、本発明の完成に至った。
【０００７】
すなわち、本発明のサーミスタの製造方法は、樹脂及び導電性粒子を含有する樹脂組成物層を、対向する１対の金属箔の間に挟まれた状態で加熱して、１対の金属箔及びこれらの間に挟まれているサーミスタ素体を有する積層体を得る工程と、積層体からサーミスタを切り出す工程と、を備え、１対の金属箔のうち少なくとも一方の樹脂組成物層が挟まれる側の表面に溝が形成されているものである。
【０００８】
本発明のサーミスタの製造方法は、溝が形成されている金属箔を用いたことによって、得られるサーミスタが熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持することが可能となった。
【０００９】
積層体の周縁部近傍においては、樹脂組成物層を加熱した際に、積層体周縁部からある程度はみ出すことによって、樹脂が比較的自由に流動できる。そして、本発明のように金属箔に溝が形成されている場合、樹脂組成物層を加熱した際に、溝によって確保されている空間に樹脂が流れ込むことができるため、積層体の周縁部近傍と同様に、積層体の中央部においても樹脂が比較的自由に流動できるようになると考えられる。樹脂の適度な流動により、樹脂組成物層において発生した気泡が抜けやすくなるとともに、サーミスタ素体における導電性粒子の分散状態が最適化されて、熱履歴を受けた後の室温抵抗値が異常に上昇するといった現象が起こりにくくなると推察される。
【００１０】
本発明のサーミスタの製造方法においては、積層体のうち上記溝が形成されている部分以外の部分からサーミスタを切り出すことが好ましい。切り出されたサーミスタの金属箔に上記溝が形成されている部分が含まれていると、更にその部分を切り落とす等の別の工程が必要となる場合があり、生産効率が低下する傾向にある。
【００１１】
樹脂組成物中の樹脂は、加熱により硬化する熱硬化性樹脂組成物であることが好ましい。これにより、得られるサーミスタの初期室温抵抗値のばらつきが低減されるとともに、初期室温抵抗値をさらに低下させることができる。
【００１２】
１対の金属箔のうち少なくとも一方の樹脂組成物層が挟まれる側の表面には、互いに平行に配列された複数の溝が形成されていることが好ましい。これにより、熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持できるという効果を、より一層顕著なものとすることができる。
【００１３】
また、この場合において、隣り合う溝同士の間隔が、サーミスタとして切り出される部分の溝に対して垂直な方向における最大幅の２．５倍以下であることが好ましい。これにより、熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持できるという効果を、更に一層顕著なものとすることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、得られるサーミスタが熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１６】
本発明の製造方法においては、樹脂及び導電性粒子を含有する樹脂組成物層を、対向する１対の金属箔の間に挟まれた状態で加熱して、１対の金属箔及びこれらの間に挟まれているサーミスタ素体を有する積層体を得る。
【００１７】
このときに用いる１対の金属箔のうち少なくとも一方は、上記樹脂組成物層が挟まれる側の表面において溝が形成されているものが用いられる。図１、２、３は、それぞれ、表面に溝が形成されている金属箔の一実施形態を示す平面図である。
【００１８】
図１に示す金属箔２ａの表面には、互いに平行に配列された２本の直線状の溝２０が形成されている。溝２０は、例えば、金属箔を機械的に切削加工することにより、形成される。金属２ａの表面は、この溝２０によって３つの領域に区分されており、それぞれの領域から、後の工程で３個のサーミスタが切り出される。矩形状の金属箔部分１１は、後の工程でサーミスタの一部として切り出される部分である。なお、サーミスタとして切り出される部分は必ずしも矩形状である必要はなく、楕円状等、適宜変更してもよい。
【００１９】
金属箔２ａは、サーミスタの電極として機能する金属材料で構成されている。電極箔２ａを構成する材料としては、ニッケル、銀、金、銅、アルミニウム等の金属、又はそれらの合金からなることが好ましい。更には、素子の低抵抗化と比較的低コストという点でＮｉが好ましい。また、その厚さは１〜１００μｍであることが好ましく、サーミスタの軽量化の点からは、１〜５０μｍであることがより好ましい。
【００２０】
また、金属箔２ａの表面は予め粗面化されていることが好ましい。これにより、導電性粒子と金属箔２ａとの密着性を十分に確保でき、初期室温抵抗値のばらつきをより低減することができる。
【００２１】
隣り合う溝２０同士の間隔Ａは、サーミスタとして切り出される矩形状の所定部分の幅、すなわち、溝２０と垂直な方向における金属箔部分１１の最大幅Ｂの２．５倍以下である。
【００２２】
このように、隣り合う溝同士の間隔を狭くすることによって、サーミスタとして切り出される部分から金属箔２ａ周縁部又は溝２０までの距離を短くできる。これにより、得られるサーミスタが熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持することが可能となるという効果を、より一層顕著なものとすることができる。
【００２３】
溝２０の断面形状は、三角形状、半円状等、特に制限されるものではない。また、溝２０の深さ（最深部の深さ）の金属箔２ａの厚さに対する比率は、１％〜９９％であることが好ましく、５％〜９０％であることが好ましい。この比率が５％未満であるか又は９０％を超えると、上記効果の程度が低下する傾向にある。
【００２４】
溝２０は、図２に示す金属箔２ａのように格子状に形成されていてもよい。また、生産性向上の点等からは複数の溝２０が形成されていることが好ましいが、図３に示すように、１本の溝２０が形成されていてもよい。溝の形状、配列状態等は、生産効率等を考慮すると図１、２、３に示されるような実施形態が好ましいが、本発明による上記効果が著しく損なわれない限り、これらに限定されないことは言うまでも無い。例えば、金属箔の周縁部に接していない溝が形成されていてもよいし、曲線状の溝が形成されていてもよい。
【００２５】
あるいは、溝が形成された金属箔を用いるのに代えて、例えば、１対の金属箔のうち少なくとも一方の金属箔として、一の辺の長さが、サーミスタとして切り出される部分の当該一の辺の方向における最大幅の２．５倍以下の矩形状であるものを用いてサーミスタを製造した場合にも、熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持できるという効果が得られる。
【００２６】
図４、５、６、７は、本発明によるサーミスタの製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
【００２７】
図４は、図１に示す金属箔２ａのＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。金属箔２ａは、金属箔表面を切削加工して準備される。そして、この金属箔２ａの溝２０が形成されている面上に、樹脂及び導電性粒子を含有する樹脂組成物からなる樹脂組成物層を形成させる。
【００２８】
この樹脂組成物において、樹脂は、加熱により架橋構造を形成して硬化する熱硬化性樹脂組成物であることが好ましい。
【００２９】
熱硬化性樹脂組成物は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂等の架橋性官能基を有する架橋性樹脂を含有するものであり、必要に応じて更にこれらの硬化剤を含有する。なお、硬化剤は、架橋性樹脂等と反応して硬化物中の架橋構造の一部を構成するものであってもよいし、硬化反応の触媒として作用するものであってもよい。あるいは、触媒として作用するとともに架橋構造の一部を構成するものであってもよい。
【００３０】
特に、熱硬化性樹脂組成物は、硬化前の樹脂の取り扱いが良好であることだけでなく、硬化後に耐熱性に優れるサーミスタ素体が得られるという理由から、特に、エポキシ樹脂及びこれの硬化剤を含有することが好ましい。
【００３１】
本発明においては、エポキシ樹脂は、複数のエポキシ基を有する単一又は複数種のポリエポキシ化合物からなる樹脂のことを意味する。このポリエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＤ、カテコール、レゾルシノール及びテトラメチルビフェニル等の多価フェノールのポリグリシジルエーテル、ビスフェノール化合物のアルキレンオキシド付加物、グリセリン及びポリアルキレングリコール等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル、フタル酸及びテレフタル酸等のポリカルボン酸のポリグリシジルエステルが挙げられる。
【００３２】
エポキシ樹脂と組み合わせて用いる硬化剤としては、酸無水物、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、ポリフェノール、ポリメルカプタン、第三アミン及びルイス酸錯体等が挙げられる。これらの中でも、酸無水物が好ましい。酸無水物を用いると、脂肪族ポリアミン等のアミン系の硬化剤を用いる場合よりも、サーミスタの初期の室温抵抗値を低くしたり、抵抗変化率を大きくしたりすることができる傾向にある。
【００３３】
酸無水物としては、ドデセニル無水コハク酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ポリ（エチルオクタデカン二酸）無水物、ポリ（フェニルヘキサデカン二酸）無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテート等が好ましい。
【００３４】
酸無水物の好適な他の具体例としては、上記の他、２，４−ジエチルグルタル酸無水物、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、無水コハク酸、無水トリメット酸、無水ピロメリット酸、無水メチルナジック酸、無水マレイン酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物アルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体、エチレングリコールビストリメリテート、クロレンド酸無水物及びテトラブロム無水フタル酸等が挙げられる。
【００３５】
以上のような酸無水物を、単独で又は複数組み合わせて、硬化剤として用いることができる。
【００３６】
硬化剤の含有割合は、架橋性樹脂や硬化剤の種類等に応じて適宜決定すればよい。例えば、エポキシ樹脂に硬化剤として酸無水物を組み合わせる場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対して当量比で、０．５〜１．５、より好ましくは０．８〜１．２となるような含有割合で硬化剤を含有させることがより好ましい。硬化剤の当量比がエポキシ基に対して０．５未満、あるいは１．５を超えると、未反応のエポキシ基及び酸無水物基が増加することにより、サーミスタ素体の機械的強度が低下したり、サーミスタの抵抗変化率が低下したりする傾向にある。
【００３７】
熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂及びこれの硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物である場合、エポキシ樹脂及び硬化剤の全体の平均分子量は３００〜１０００であることが好ましく、３００〜６５０であることがより好ましい。これにより、硬化物が適度な可とう性を有するものとなって、熱履歴に対する耐久性がさらに改善される。
【００３８】
熱硬化性樹脂組成物中には、反応性希釈剤、可塑剤等の添加剤を含有させてもよい。反応性希釈剤としては、特にエポキシ樹脂と組み合わせる場合、モノエポキシ化合物が好ましい。モノエポキシ化合物としては、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓｅｃ−ブチルフェニルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、３級カルボン酸グリシジルエステル等が挙げられる。また、可塑剤としては、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール等の多価アルコールが好ましい。
【００３９】
熱硬化性樹脂組成物には、更に他の成分、例えば、熱可塑性樹脂や、ワックス、油脂、脂肪酸、高級アルコール等の低分子有機化合物等を、必要に応じてさらに加えてもよい。熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂組成物中に溶解させてもよいし、粒子状の状態で分散させてもよい。
【００４０】
導電性粒子は、電気伝導性を有する粒子であれば特に限定されず、例えば、カーボンブラック、グラファイト、金属粒子若しくはセラミック系導電性粒子を用いることができる。金属粒子の金属材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、銀、亜鉛、コバルト、及び銅紛にニッケルめっきを施したもの等が挙げられる。セラミック系導電性粒子の材料としては、ＴｉＣ及びＷＣ等が挙げられる。これら導電性粒子は、１種類を単独で又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
導電性粒子としては、特に、金属粒子が好ましい。導電性粒子として金属粒子を用いると、サーミスタの抵抗変化率を十分に大きく維持しつつ、室温抵抗値をより低下させることができ、例えば、本発明のサーミスタを過電流保護素子として用いる場合に好適である。さらに、金属粒子の中でも、酸化され難い等、化学的安定性の観点から、ニッケル粒子が特に好ましい。
【００４２】
導電性粒子の形状は特に限定されず、球状、フレーク状、繊維状及び棒状等が挙げられる。導電性粒子の表面には、スパイク状の突起が形成されていることが好ましい。スパイク状の突起が形成されている導電性粒子を用いることにより、隣接する粒子間におけるトンネル電流が流れやすくなるため、サーミスタの抵抗変化率を十分に確保したまま、室温抵抗値をより低くすることができる。また、真球状の粒子に比べて、粒子同士の中心間距離を大きくすることができるため、さらに大きな抵抗変化率を得ることができる。さらに、繊維状の粒子を用いた場合に比べて、サーミスタの室温抵抗値のばらつきを低減することができる。
【００４３】
スパイク状の突起が形成されている導電性粒子は、一次粒子が個別に分散した粉体であってもよいが、１０〜１０００個程度の一次粒子が鎖状に連なりフィラメント状の二次粒子を形成しているものが好ましい。また、その材質は金属が好ましく、ニッケルを主成分とするものがより好ましい。さらに、導電性粒子は、比表面積が０．３〜３．０ｍ２／ｇであって、見かけ密度が３．０ｇ／ｃｍ３以下であることが好ましい。ここで、「比表面積」とは、ＢＥＴ一点法に基づく窒素ガス吸着法により求められる比表面積のことを意味する。
【００４４】
また、導電性粒子の一次粒子の平均粒径は、０．１〜７．０μｍであることが好ましく、０．５〜５．０μｍであることがより好ましい。ここで、一次粒子の平均粒径はフィッシャー・サブシーブ法で測定される値とする。
【００４５】
商業的に入手可能なスパイク状の突起を有する導電性粒子としては、例えば、「ＩＮＣＯ  Ｔｙｐｅ２１０」、「ＩＮＣＯ  Ｔｙｐｅ２５５」、「ＩＮＣＯ  Ｔｙｐｅ２７０」、「ＩＮＣＯ  Ｔｙｐｅ２８７」(いずれもＩＮＣＯ社製、商品名)等が挙げられる。
【００４６】
樹脂組成物層における導電性粒子の含有割合は、樹脂組成物層全体量を基準として５〜９０質量％であることが好ましく、６０〜８０質量％であることがより好ましい。導電性粒子の含有割合が５０質量％未満であると、低い室温抵抗値が得られ難くなる傾向にあり、９０質量％を超えると、大きな抵抗変化率を得ることが困難になる傾向にある。
【００４７】
上記樹脂組成物は、各種撹拌機、分散機、ミル等の装置を用いて、上述した構成成分、即ち樹脂及び導電性粒子を混合することにより、得られる。このとき、低粘度化のために、樹脂組成物に対し、アルコールやアセトンに代表されるような各種有機溶剤や、反応性希釈剤等の溶媒を加えてもよい。混合時間は、特に限定されないが、通常、１０〜３０分間混合することで、各成分を均一に溶解又は分散させることができる。また、混合温度は、特に限定されないが、例えば２５〜８０℃とすればよい。混合後の樹脂組成物は、混合中に混入した気泡を除去するため、真空下で脱泡することが好ましい。
【００４８】
この樹脂組成物をそれぞれ金属箔２ａ上に塗布し、溶媒を加えた場合には必要によりこれを除去して、金属箔２ａ上に樹脂組成物層３０が形成される（図５）。
【００４９】
そして、金属箔２ａと同様に溝２０が形成されている金属箔２ｂを、溝２０が形成されている面が樹脂組成物層３０と隣接するような向きで載置した後、樹脂組成物層３０を、１対の金属箔２ａ，２ｂの間に挟まれた状態で加熱する。樹脂組成物層３０中の樹脂が熱硬化性樹脂組成物である場合には、この加熱により、熱硬化性樹脂組成物が硬化してその硬化物が生成し、硬化物及びこれに分散している導電性粒子からなるサーミスタ素体３が形成される（図６）。すなわち、１対の金属箔２ａ，２ｂ及びこれらの間に挟まれているサーミスタ素体３を有する積層体１０を得る。
【００５０】
熱硬化性樹脂組成物を用いている場合、上記の加熱の条件は、硬化剤の種類等に応じて、硬化が十分に進行するように適宜設定すればよい。例えば、硬化剤としての酸無水物をエポキシ樹脂と組み合わせて用いる場合、８０〜２００℃で、３０〜６００分加熱することにより、通常、硬化を十分進行させることができる。また、加熱と同時に全体を加圧しもよい。
【００５１】
サーミスタ素体３の厚さは、０．２〜１．０ｍｍであることが好ましい。サーミスタ素体３の厚さが１．０ｍｍを超えると、厚さが上記範囲内にある場合に比べて初期室温抵抗値のばらつきが大きくなる傾向にある。また、サーミスタ素体１の厚さが０．２ｍｍ未満であると、厚さが上記範囲内にある場合に比べてショートが発生して正常な室温抵抗値が得られなくなる傾向にある。
【００５２】
続いて、積層体１０のうち溝２０以外の部分から所定部分を切り出して、複数のサーミスタ１を得る（図７）。切り出しは、例えば、ネコプレスを用いた打ち抜き等、サーミスタを得るために通常用いられる方法で行うことができる。
【００５３】
サーミスタ１は、必要に応じて、電極としての金属箔２ａ及び金属箔２ｂの表面にリードを接合して、リードを有するサーミスタとして用いられる。
【００５４】
以上のような製造方法により得られるサーミスタ１は、熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持することが可能であり、例えば、過電流・加熱保護素子、自己制御型発熱体、温度センサ等として好適に用いることができる。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５６】
（実施例１）
スパチュラの先端で切削することにより、１ｃｍの間隔をおいて互いに平行に配列されるように、Ｎｉ箔の表面に複数の溝を形成させた。同様に溝を形成させたＮｉ箔を複数枚準備した。
【００５７】
また、ポリエポキシ化合物の混合物からなる熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂（商品名「アデカレジンＥＰ４００５」、旭電化工業（株）製）６５重量部と、硬化剤である酸無水物（商品名「Ｂ５７０」、大日本インキ化学工業社製）３４重量部と、硬化促進剤（商品名「ＰＮ−４０Ｊ」、味の素社製）１重量部とを混合し、これに導電性粒子であるフィラメント状ニッケルパウダ（商品名「Ｔｙｐｅ２５５ニッケルパウダ」、ＩＮＣＯ社製、平均粒径２．２〜２．８μｍ、見かけ密度０．５〜０．６５ｇ／ｃｍ３、比表面積０．６８ｍ２／ｇ）を、樹脂組成物全体量に対して８０質量％となる量加え、ホモジナイザー（セルマスター）を用いて十分に混練して、樹脂中に導電性粒子が分散した樹脂組成物を調製した。
【００５８】
得られた樹脂組成物を減圧下で脱泡した後、上記Ｎｉ箔の溝が形成されている面上に塗布して、樹脂組成物層を形成させた。そして、溝が形成されている面が樹脂組成物層の側となるような向きで、樹脂組成物層上にＮｉ箔を貼り合わせた。
続いて、樹脂組成物層が２枚のＮｉ箔の間に挟まれている積層体を、加圧しながら１３０℃で１０時間加熱することにより、樹脂組成物層中の樹脂を硬化して、１対のＮｉ箔及びこれらの間に挟まれているサーミスタ素体を有する積層体を得た。
こうして得られた加熱後の積層体から、ネコプレスによって４．５×３．２ｍｍの長方形状に打ち抜くことにより、サーミスタを切り出した。
【００５９】
（比較例１）
Ｎｉ箔として溝が形成されていないものを用いた他は、実施例１と同様にして、サーミスタを作製した。
【００６０】
（比較例２）
Ｎｉ箔として溝が形成されていないものを用い、導電性粒子の比率を樹脂組成物全体に対する比率を７０質量％とした他は、実施例１と同様にして、サーミスタを作製した。
【００６１】
（サーミスタの評価）
上記のようにして、実施例１及び比較例１、２のサーミスタをそれぞれ２５個作製し、これらのサーミスタに対して、２６０℃、１分間の加熱により、リフロー工程に相当する熱履歴を加える熱処理を施した。この熱処理後のサーミスタについて、４端子法で抵抗値を測定することにより、サーミスタの２５℃における抵抗値（室温抵抗値）を測定した。そして、２５個のサーミスタの測定値における、室温抵抗値の最小値、最大値、最大値と最小値との差、平均値、及びばらつき率を算出した。結果を表１に示す。なおばらつき率は、平均値を、最大値と最小値との差で除した値である。
【００６２】
【表１】
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【００６３】
表１に示されるように、溝が形成されていないＮｉ箔を用いた比較例１、２のサーミスタの場合、熱処理後の室温抵抗値やそのばらつき率が大きく、特に、導電性粒子含有率が高いために樹脂組成物の粘度が高かった比較例１においてその傾向が顕著であった。これに対して、溝が形成されたＮｉ箔を用いた実施例１のサーミスタは、導電性粒子含有率が比較例１と同様に高いにも関わらず、熱履歴後の室温抵抗値が大きく低減されるとともに、そのばらつき率も大きく低減された。すなわち、本発明によれば、得られるサーミスタが熱履歴を受けた後も十分に低い室温抵抗値を維持することが可能であるとともに、得られるサーミスタ間の室温抵抗値のばらつきが十分に低減されることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】金属箔の一実施形態を示す平面図である。
【図２】金属箔の一実施形態を示す平面図である。
【図３】金属箔の一実施形態を示す平面図である。
【図４】本発明によるサーミスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明によるサーミスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明によるサーミスタの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明によるサーミスタの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１…サーミスタ、２ａ，２ｂ…金属箔、３…サーミスタ素体、１０…積層体、２０…溝、３０…樹脂組成物層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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