(57)【要約】【課題】  筒状壁部材に保持された基板ホルダにプラズマ電力を給電する際に、筒状壁部材の軸方向に沿ったプラズマ生成を抑制すると共にプラズマ電力給電用の導電部材と筒状壁部材との間を簡易かつ確実に真空シールすることを可能にした真空成膜装置を提供する。【解決手段】  真空成膜装置１００は、筒状壁部材１４の側壁部に形成された開口１４ａの周面と環状空間を隔てて、前記開口１４ａを貫通して配置される共に、第１の給電部材１９と第２の給電部材２５とを電気接続する導電性の棒状部材２２を備え、筒状壁部材１４に形成された開口１４ａの周方向に環状の真空シール部材４４、４５が配置され、かつ前記筒状壁部材１４と前記棒状部材２２とが絶縁されるものである。【選択図】  図２
2006037204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な内部空間を有して、前記内部空間に導電性の基板ホルダを配置した導電性の真空チャンバと、
前記基板ホルダを絶縁状態で保持して前記真空チャンバの壁部に気密的に配設されると共に、軸方向の一方を塞いで前記内部空間と連通する中空領域を、大気圧状態にある外部領域と区画して前記内部空間から前記真空チャンバの外部に延出する導電性の筒状壁部材と、
前記基板ホルダに導通することにより所定の電力を前記基板ホルダに給電するため、前記中空領域に配置された導電性の第１の給電部材および前記外部領域に配置された導電性の第２の給電部材と、
前記筒状壁部材の側壁部に形成された開口の周面と環状空間を隔てて、前記開口を貫通して配置される共に、前記第１の給電部材と前記第２の給電部材とを電気的に接続する導電性の棒状部材と、を備え、
前記開口の周方向に環状の真空シール部材が配置され、かつ前記筒状壁部材と前記棒状部材とが絶縁される真空成膜装置。
【請求項２】
前記第１の給電部材と前記棒状部材とが別体の部材により構成される請求項１記載の真空成膜装置。
【請求項３】
前記筒状壁部材が、前記真空チャンバの壁部に回転可能に配設され、前記基板ホルダを保持してこれを回転させる請求項１記載の真空成膜装置。
【請求項４】
前記真空チャンバと前記筒状壁部材とが電気的に接続される請求項３記載の真空成膜装置。
【請求項５】
前記環状空間を塞ぐように前記開口の周面および前記棒状部材の側面に密着して配置された筒状の絶縁部材を備え、前記真空シール部材が、前記棒状部材の側面と前記絶縁部材の内周面との間および前記絶縁部材の外周面と前記開口の周面との間に配置される請求項３記載の真空成膜装置。
【請求項６】
前記第２の給電部材が、前記筒状壁部材の側壁部に沿って配置され、前記筒状壁部材と共に回転する筒状の合金部材である請求項３記載の真空成膜装置。
【請求項７】
前記合金部材に対して前記電力を給電する導電ブラシを備えた請求項６記載の真空成膜装置。
【請求項８】
前記導電ブラシが、前記合金部材の回転運動により前記合金部材と摩擦接触する請求項７記載の真空成膜装置。
【請求項９】
前記合金部材が亜鉛を含んでいる請求項８記載の真空成膜装置。
【請求項１０】
前記合金部材が青銅鋳物である請求項９記載の真空成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空成膜装置に関し、特に高周波電力を印加して発生したプラズマにより基板の表面に所定の膜を形成する真空成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回転する基板（ガラス基板や樹脂基板）に高周波電力を印加することによりその表面に反射防止膜等の光学薄膜を均一に形成する真空成膜装置の例として、スパッタリング装置やイオンプレーティング装置がある。
【０００３】
例えば、真空槽の内部に高周波電力給電機構が配置され、高周波電源から出力された高周波電力を、高周波電力給電機構を介して基板を装着した基板ドームに印加すると共に、この高周波電力給電機構に保持された基板ドームを回転するように構成されたスパッタリング装置がある（従来例１としての特許文献１参照）。
【０００４】
また、真空チャンバの壁部を貫通してその内部から外部（大気）に延びる導電性の回転体を、この回転体の真空内部側の一端に配設された基板ホルダと共に回転可能に配置しかつ高周波電源から出力された高周波電力を回転体に伝送するための電気伝達構造を回転体の大気側の他端近傍に配設して構成されたイオンプレーティング装置がある（従来例２としての特許文献２）。
【特許文献１】特開２００１−７３１３６号公報（図２、図３）
【特許文献２】特開２００１−１８１８３１号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記従来例１に示した真空成膜装置では、回転する基板ドームと固定軸との間の回転接触面が、真空槽の内部に配置されるため（正確には高周波電力給電機構がこうした回転接触面を有し、この回転接触面を介して高周波電力が基板ドームに伝送される。）、基板ドームと固定軸との間の回転接触面における磨耗に起因した粉塵が真空槽の内部で発生して望ましくない。
【０００６】
一方、上記従来例２に示した真空成膜装置では、基板ホルダを保持しこれと共に回転する回転体と固定の電気伝達機構との間の回転接触面が、真空チャンバの外部（大気中）に配置され、これにより上記の磨耗粉塵によってもたらされる真空チャンバの内部汚染に対する解決が図られている。
【０００７】
しかし従来例２に記載の真空成膜装置は、プラズマ生成に関連する問題を内在しており、具体的には、高周波電源から出力された高周波電力が、基板ホルダの他に回転体にも印加されることにより、本来、基板ホルダの近傍にプラズマを閉じ込めるようにコントロールして所望の膜を形成したいにも拘らず、基板ホルダの上方の回転体に沿って高密度のプラズマが生成される可能性が高く、基板に均一かつ安定した膜を得ることが困難である。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、基板ホルダに所定の電力を給電する際に、この基板ホルダを保持する筒状壁部材の軸方向に沿ったプラズマ生成を抑制できると共に電力給電用の導電部材と筒状壁部材との間を簡易かつ確実に真空シールすることを可能にした真空成膜装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る真空成膜装置は、減圧可能な内部空間に導電性の基板ホルダを配置した導電性の真空チャンバと、前記基板ホルダを絶縁状態で保持して前記真空チャンバの壁部に気密的に配設されると共に、軸方向の一方を塞いで前記内部空間と連通する中空領域を、大気圧状態にある外部領域と区画して前記内部空間から前記真空チャンバの外部に延出する導電性の筒状壁部材と、前記基板ホルダに導通することにより所定の電力を前記基板ホルダに給電するため、前記中空領域に配置された導電性の第１の給電部材および前記外部領域に配置された導電性の第２の給電部材と、前記筒状壁部材の側壁部に形成された開口の周面と環状空間を隔てて、前記開口を貫通して配置される共に、前記第１の給電部材と前記第２の給電部材とを電気的に接続する導電性の棒状部材と、を備え、前記開口の周方向に環状の真空シール部材が配置され、かつ前記筒状壁部材と前記棒状部材とが絶縁されるものである。
【００１０】
これにより、基板ホルダに所定の電力を給電する際に、この基板ホルダを保持する筒状壁部材の軸方向に沿ったプラズマ生成を抑制できると共に、電力給電用の導電部材と筒状壁部材との間を簡易かつ確実に真空シールすることを可能にした真空成膜装置が得られる。
【００１１】
ここで、前記第１の給電部材と前記棒状部材とが別体の部材により構成されても良い。
【００１２】
また、前記筒状壁部材が、前記真空チャンバの壁部に回転可能に配設され、前記基板ホルダを保持してこれを回転できる。
【００１３】
また、前記真空チャンバと前記筒状壁部材とが電気的に接続されることにより、基板ホルダと真空チャンバの間に適切にプラズマ電力が印加され得る。
【００１４】
また、前記環状空間を塞ぐように前記開口の周面および前記棒状部材の側面に密着して配置された筒状の絶縁部材を備え、前記真空シール部材が、前記棒状部材の側面と前記絶縁部材の内周面との間および前記絶縁部材の外周面と前記開口の周面との間に配置されるように構成しても良い。
【００１５】
これにより、前記棒状部材の側面と前記絶縁部材の内周面の隙間および前記絶縁部材の外周面と前記開口の周面の隙間が適切に真空シールされ得る。
【００１６】
前記第２の給電部材の一例が、前記筒状壁部材の側壁部に沿って配置され、前記筒状壁部材と共に回転する筒状の合金部材である。そして、前記合金部材に対して前記電力を給電する導電ブラシが配置され、前記導電ブラシが、前記合金部材の回転運動により前記合金部材と摩擦接触するものである。
【００１７】
これにより、回転する基板ホルダに対して高周波電力を簡易かつ確実に給電することが可能になる。
【００１８】
また、前記合金部材が亜鉛を含むため、前記合金部材が耐摩耗性を有し、前記合金部材の摩擦磨耗が抑制される。なお、前記亜鉛を含んだ合金部材の一例が青銅鋳物である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、基板ホルダに所定の電力を給電する際に、この基板ホルダを保持する筒状壁部材の軸方向に沿ったプラズマ生成を抑制できると共に電力給電用の導電部材と筒状壁部材との間を簡易かつ確実に真空シールすることを可能にした真空成膜装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して発明を実施するための最良の形態について説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態に係る真空成膜装置の全体構成を示した図である。
【００２２】
図２は、図１に示した真空成膜装置のうちの基板ホルダを保持する回転筒体の周辺構成を拡大して示した図である。図３は、図２に示したIII−IIIラインに沿った部分における導
入ピンの周辺構成を拡大した断面図である。
【００２３】
ここでは真空成膜装置の例として、イオンプレーティング装置が例示されている。
【００２４】
最初に、図１及び図２を参照してイオンプレーティング装置の全体構成について概説する。
【００２５】
図１に示すように、イオンプレーティング装置１００は導電性の真空チャンバ１を有し、その内部空間１ｅの下部には成膜材料蒸発用の蒸発源２が配設される一方、その内部空間１ｅの上部にはこの蒸発源２に対向して複数の基板（図示せず）を保持する導電性の基材ホルダ５が配設されている。
【００２６】
ここで蒸発源２には、成膜材料を入れるボート２ａの外周に、コイル給電用電源４に接続された成膜材料加熱用のコイル３が配設されている。
【００２７】
また、図１および図２に示すように、基材ホルダ５の背面には、回転可能な導電性の筒状壁部材１４を主体としてなる回転筒体６が基板ホルダ５を保持して配置されている。そして、回転筒体６（筒状壁部材１４）は、真空チャンバ１の壁部１ａに形成した開口１ｂに対して気密的かつ回転可能に貫通して、その内部空間１ｅから真空チャンバ１の外部（大気）に延出するように配設されている（回転筒体６の構成は、後ほど詳しく説明する。）。こうして、筒状壁部材１４の側壁部で囲まれた中空領域が、その軸方向の下方において真空チャンバ１の内部空間１ｅと連通する。なお、筒状壁部材１４の軸方向の上方は、後ほど説明するように蓋により塞がれている。
【００２８】
また、回転筒体６のうちの壁部１ａから大気側の先端に至る部分（以下、突出部という）の軸方向の途中には、回転駆動装置７が回転筒体６を回転駆動可能にして配設されている。
【００２９】
即ち、図２に示すように、回転駆動装置７は、回転筒体６に対し回転駆動力を発生するモータ７ａと、このモータ７ａに連結してこれを固定するためのＬ字形状のモータ固定ブラケット７ｃと、モータ固定ブラケット７ｃをモータ固定ボルト７ｅにより真空チャンバ１の壁部１ａに取り付けるため、この壁部１ａに固定して置かれたモータ架台７ｄと、モータ７ａの回転軸の先端に配置された円盤状の歯車７ｂと、によって構成されている。
【００３０】
そして、筒状壁部材１４の軸方向の途中に固定された環状の歯車２９の歯と、モータ７ａの回転軸に固定された歯車７ｂの歯とが噛み合うことにより、モータ７ａの回転駆動力が、その回転軸とこれらの歯車７ｂ、２９を介して筒状壁部材１４に伝達され、これにより回転筒体６を回転することが可能になる。
【００３１】
また、図２に示すように、回転筒体６の突出部に設けられ、電力伝達部材としてのカーボンブラシ８ａ（導電ブラシ）が、回転筒体６と共に回転する筒状電極リング２５に対して摩擦接触するように配設されている。なお、このカーボンブラシ８ａは、カーボンブラシ固定部材８を介してカーボンブラシ固定台４６に固定して設置され、このカーボンブラシ固定台４６は、適宜の固定手段によりカーボンブラシブラケット４７、４８を介してハウジング部材９に取り付けられている。
【００３２】
そして、カーボンブラシ８ａは、ケーブル１０を介して直流ブロッキングコンデンサＣｏおよび高周波ブロッキング用チョークコイルＬｏに接続されている。直流ブロッキングコンデンサＣｏは、マッチング回路１１を介して高周波電源１２の一方の端子に接続されている。高周波ブロッキング用チョークコイルＬｏは、直流電源１３の負極側端子に接続されている。また、高周波電源１２の他方の端子、直流電源１３の正極側端子は、各々接地されている。
【００３３】
次に、図２および図３を参照して回転筒体６の構成およびその周辺の構成を詳しく説明する。
【００３４】
ここで、回転筒体６の主要構成部材として、基板ホルダ５を保持してこれを回転させると共に、減圧可能な真空チャンバ１の内部空間１ｅと連通する中空領域を大気圧状態にある外部領域と区画して真空チャンバ１の内部空間１ｅに延びる導電性の略円筒状の筒状壁部材１４がある。
【００３５】
なお、この筒状壁部材１４と共に回転可能な部材が、回転筒体６を構成するものであるが、基板ホルダ５および基板ホルダ５に装着される基板は、ここでは便宜上、この回転筒体６と別部材として捉えている。
【００３６】
回転筒体６の周辺の構成は主として、筒状壁部材１４の外周を覆いかつ上記の回転駆動装置７を収納する空間を有する略円筒状のハウジング部材９と、筒状壁部材１４およびハウジング部材９の軸方向の上端に当接する鍔部を有して筒状壁部材１４の内部に挿入される円筒状の内蓋４２と、この内蓋４２の鍔部に密着すると共に、筒状壁部材１４（真空チャンバ１の外部に延出した部分）の軸方向上方の開口部分を塞ぐように配置される円盤状の外蓋４１と、ハウジング部材９の側壁内面に固定され、筒状壁部材１４を回転自在に支持する２つの環状の上部および下部軸受２８ａ、２８ｂと、によって構成されている。
【００３７】
なおここで、ハウジング部材９は、その下端部が真空チャンバ１の壁部１ａの開口１ｂに嵌挿され、図示されない固定具によって壁部１ａに固定されている。また、内蓋４２の鍔部と外蓋４１との接触面における外蓋４１の表面には、環状の溝（図示せず）が形成され、ここにＯリングを配置して適宜の固定手段により両者が固定され、これによりこの接触部分が適切に真空シールされている。
【００３８】
また、筒状壁部材１４と内蓋４２の筒部との間に環状にオイルシール４０が配置され、筒状壁部材１４とハウジング部材９との間に環状にオイルシール３０が配置され、これにより筒状壁部材１４と内蓋４２の筒部との間および筒状壁部材１４とハウジング部材９との間が適切に真空シールされている。
【００３９】
そして、筒状壁部材１４の中空領域（減圧領域）には、図２および図３から理解されるとおり、筒状壁部材１４の軸方向上端近傍からその下端にまで延び、高周波電力を基板ホルダ５に給電する導電性の略矩形の電極プレート１９（第１の給電部材）と、導入ピン２２（後ほど説明）との接触部分を除いてこの電極プレート１９の全面を覆う一対の平板絶縁カバー２０（例えば、フッ素樹脂）と、これらの平板絶縁カバー２０を囲んで電極プレート１９を伝送する所定の電力（高周波電力）を適切に電界シールドする金属カバー２１とが、筒状壁部材１４の側壁の近傍に配置されている。
【００４０】
また、筒状壁部材１４の軸方向下端の周辺には、図２から理解されるとおり、導電性の基板ホルダ５を基板ホルダ固定ボルト５ａによって導通可能に保持する導電性の導電支柱１８と、導電支柱１８の上に載った環状の下部導電板１７と、筒状壁部材１４の下端を支持する環状の上部導電板１５と、これらの上部および下部導電板１５、１７との間に配置された絶縁性の絶縁支柱１６とが、真空チャンバ１の内部空間１ｅに配置されている。
【００４１】
そして導電支柱１８は、所定の固定手段（図示せず）によって、下部導電板１７に導通可能に固定されている。また、下部導電板１７は、絶縁支柱１６を介して所定の固定手段（図示せず）によって上部導電板１５に絶縁して固定されている。加えて、この上部導電板１５は、筒状壁部材１４の下端に、所定の固定手段（図示せず）によって導通可能に固定されている。よって、導電支柱１８（基板ホルダ５および基板を含めて）と、下部および上部導電板１５、１７と、絶縁支柱１６とが、筒状壁部材１４と共に回転し得る。
【００４２】
ここで、電極プレート１９は、上部および下部導電板１５、１７を貫通して更に下部導電板１７の下方に延び、平板絶縁カバー２０は下部導電板１７の位置まで延び、金属カバー２１は上部導電板１５の位置まで延びている。このため、電極プレート１９の先端が、下端固定ボルト１９ａによって下部導電板１７の突部１７ａと導通して固定可能になる。また、電極プレート１９は平板絶縁カバー２０により上部および下部導電板１５、１７との間の絶縁を保つ一方、金属カバー２１は上部導電板１５と導通することになる。
【００４３】
要するに、電極プレート１９と、下部導電板１７と、導電支柱１８と、基板ホルダ５とが互いに導通状態にあり、これらの部材１９、１７、１８、５に対して、高周波電源１２から出力された高周波電力および直流電圧が給電されることになる。
【００４４】
また、真空チャンバ１は接地されているため、筒状壁部材１４と、上部導電板１５と、金属カバー２１とが、上記の部材１９、１７、１８、５と絶縁して、かつ上部および下部軸受２８ａ、２８ｂおよびハウジング部材９並びに真空チャンバ１を介して互いに電気的に接続され接地されている。このため、これらの部材１４、１５、２１によって、筒状壁部材６の中空領域における電極プレート１９を伝送する高周波電力によってもたらされる電界を適切にシールドできる。
【００４５】
次に、図２および図３を参照して、筒状壁部材１４の側壁部により区画される外部領域からその内部領域にある電極プレート１９に対して高周波電力を給電する構成を詳細に説明する。
【００４６】
筒状壁部材１４の外部領域（大気圧領域）には、図２から理解されるとおり、環状溝２４ｂが形成された鍔部２４ａを有し、この鍔部２４ａが筒状壁部材１４の段差部に当接して配置された筒状絶縁リング２４と、この鍔部２４ａにより軸方向に位置決めさせ、高周波電力を基板ホルダ５に給電する導電性の筒状電極リング２５（第２の給電部材）とが、この筒状壁部材１４の側壁部の周囲に沿って配置されている。なお、図示は省略しているが、筒状絶縁リング２４と、筒状電極リング２５とは、適宜の滑り止め部材により筒状壁部材１４と共に回転可能に構成されている。
【００４７】
そして、図３に示しように、導電性の導入ピン２２（棒状部材）が、筒状壁部材１４の側壁部に形成された開口１４ａの周面１４ｂおよび筒状絶縁リング２４の開口２４ａの周面２４ｂと所定の環状空間を隔てて、これらの開口１４ａ、２４ａを貫通して配置されることにより、筒状壁部材１４と絶縁される。このため、筒状壁部材１４に高周波電力が印加されることを回避でき、ひいては筒状壁部材１４の軸方向に沿ったプラズマ生成が抑制され得る。
【００４８】
また、導入ピン２２の基部を筒状電極リング２５に当接させた状態において、この導入ピン２２の先端を電極プレート１９に押し当てて上端固定ボルト１９ｂで両者を締結させたことにより、導入ピン２２は、筒状電極リング２５と電極プレート１９とを電気的に接続（連結）し得る。
【００４９】
更に、図３に示すように、筒状の絶縁封止体４３（フッ素樹脂等の絶縁部材）が、この環状空間を塞ぐように筒状壁部材１４の開口１４ａの周面１４ｂおよび導入ピン２２の側面に密着して配置される。
【００５０】
こうして環状の真空シール部材（例えば、Ｏリング）４４が、導入ピン２２の側面と絶縁封止体４３の内周面との間に配置され、かつ環状の真空シール部材（例えば、Ｏリング）４５が、絶縁封止体４３の外周面と開口１４ａの周面１４ｂとの間に配置される。即ち、筒状壁部材１４の開口１４ａに対して高周波電力を伝送する導入ピン２２を貫通させた状態で、この開口１４ａの周方向に真空シール部材４４、４５が配置され、これにより、導入ピン２２の側面と絶縁封止体４３の内周面の隙間および絶縁封止体４３の外周面と開口１４ａの周面１４ｂの隙間が確実に真空シールされ、筒状壁部材１４によって区画された中空領域が適切に減圧状態に維持され得る。
【００５１】
またここで、カーボンブラシ８ａは、筒状電極リング２５の回転運動によりこの筒状電極リング２５と摩擦接触するように構成されるため、カーボンブラシ８ａに対して摺動する筒状電極リング２５としては、耐摩耗性に優れた合金を使用することが望ましい。このような耐摩耗性合金の例として、亜鉛を含んだ合金、より詳しくは、青銅鋳物がある。特に青銅鋳物６種（ＢＣ６；砲金）を用いることが好適である。
【００５２】
また、仮に蒸気圧の高い亜鉛を含む合金が真空に曝されると、そこから亜鉛原子が放出して、これにより真空チャンバを汚損することが懸念されるが、これに対する対応も適切に図られている。即ち、筒状壁部材１４の開口１４ａ（図３参照）に貫通する導入ピン２２によってもたらされる導入ピン２２と開口１４ａとの間の環状空間は、真空シール部材４４、４５により適切に真空シールされ、これにより筒状電極リング２５が真空に曝されることが確実に防止されている。
【００５３】
次に、こうして構成されたイオンプレーティング装置の膜形成の動作を図１および図２を参照して概説する。
【００５４】
このイオンプレーティング装置１００を使用して真空成膜が行われる際には、最初に、ガラス基板等の複数の基板（図示せず）が基板ホルダ５に装着される。続いて、真空チャンバ１の内部空間１ｅは、適宜の排気装置（図示せず）により所定の真空度まで減圧される。
【００５５】
この状態で、回転駆動装置７を動かしてモータ７ａが回転すると、このモータ７ａの回転力が歯車７ｂ、２９を介して回転筒体６（筒状壁部材１４）に伝達され、回転筒体６が回転中心Ｃを中心にして基板ホルダ５と共に回転する。これにより、基板ホルダ５に装着された複数の基板に均一な膜が成膜され得る。
【００５６】
また、高周波電源１２および直流電源１３が作動すると、高周波電力および直流電圧がケーブル１０を介してカーボンブラシ８ａに伝送され、カーボンブラシ８ａに摩擦接触する筒状電極リング２５に給電される。そして、この筒状電極リング２５に給電された高周波電力および直流電圧は、導電ピン２２、電極プレート１９、下部導電板１７および導電支柱１８および基板ホルダ５の順番に伝送される。こうして、高周波電力を印加した基板ホルダ５と接地状態にある真空チャンバ１との間に高周波電力が印加されることにより、基板ホルダ５の近傍に適切に高密度のプラズマが形成される。
【００５７】
一方、コイル給電用電源４の作動によりコイル３に昇温用の高周波電圧が給電される。このため、蒸発源２のボート２ａの内部に入れた成膜材料がコイル３によって加熱溶解され、真空チャンバ１の内部空間に向けて蒸発を開始する。そうすると、蒸発した成膜粒子（成膜材料）が、先ほど述べた高周波電力により生成したプラズマによって励起され、この励起された成膜粒子が、直流電圧によって生じた電界とプラズマによるセルフバイアスとにより加速され、基板の表面に対して所定の衝突エネルギーを与えて付着し、その結果、基板の表面に緻密な薄膜が形成される。
【００５８】
なおここまで、棒状部材２２と矩形状の電極プレート１９とが、別体の部材により構成される例を説明したが、これに限らず、例えば、この電極プレート１９を棒状の部材に置き換えて、棒状部材２２と電極プレートとを一体に形成することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明によれば、基板を保持する基板ホルダに適切に所定の電力を給電することが可能であり、例えば、基板近傍にプラズマを生成して薄膜を形成する真空成膜装置の用途に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態に係る真空成膜装置の全体構成を示した図である。
【図２】図１に示した真空成膜装置のうちの基板ホルダを保持する回転筒体の周辺構成を拡大して示した図である。
【図３】図２に示したIII−IIIラインに沿った部分における導入ピンの周辺構成を拡大した断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１          真空チャンバ
１ａ        壁部
２          蒸発源
２ａ        ボート
３          コイル
４          コイル給電用電源
５          基材ホルダ
５ａ        基板ホルダ固定ボルト
６          回転筒体
７          回転駆動装置
７ａ        モータ
７ｂ、２９  歯車
７ｃ        モータ固定部材
７ｄ        モータ架台
７ｅ        モータ固定ボルト
８          カーボンブラシ固定部材
８ａ        カーボンブラシ
９          ハウジング部材
１０        ケーブル
１１        マッチング回路
１２        高周波電源
１３        直流電源
１４        筒状壁部材
１５        上部導電板
１６        絶縁支柱
１７        下部導電板
１７ａ      突部
１８        導電支柱
１９        電極プレート
１９ａ      下端固定ボルト
１９ｂ      上端固定ボルト
２０        電極プレートカバー
２１        金属板カバー
２２        導入ピン
２４        筒状絶縁リング
２４ａ      鍔部
２４ｂ      環状溝
２５        筒状電極リング
２８ａ      上部軸受
２８ｂ      下部軸受
３０、４０  オイルシール
４１        外蓋
４２        内蓋
４３        絶縁封止体
４４、４５  真空シール部材
４６        カーボンブラシ固定台
４７、４８  カーボンブラシブラケット
１００      イオンプレーティング装置
ｃ          回転中心
【図１】
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【図２】
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【図３】
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