(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板の接地導体の強化により高周波信号が放射するのを防ぐことが可能でかつ良好な伝送特性を有する半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体素子８の載置部１ａを有する基体１と、側部に貫通孔２ａが形成された枠体２と、外周導体３ｃおよび中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに貫通孔２ａに嵌着された同軸コネクタ３と、基体１の上面の枠体２の内側に接合され、上面に中心導体の端部が電気的に接続された線路導体６ａが形成されている回路基板とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、回路基板は、上面に溝が形成された金属基板４と、溝に嵌着されるとともに上面に溝に沿って線路導体６ａが形成された絶縁基板とから成り、中心導体と線路導体との接続部の両側に位置する溝の側面に切り欠き部を設けた。【選択図】図１
2006128323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上側主面の半導体素子の載置部を有する基体と、該基体の上側主面に前記載置部を取り囲むように接合され、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記貫通孔に嵌着された同軸コネクタと、前記基体の上面の前記枠体の内側に接合され、上面に前記中心導体の端部が電気的に接続された線路導体が形成されている回路基板とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記回路基板は、上面に溝が形成された金属基板と、該溝に嵌着されるとともに上面に前記溝に沿って前記線路導体が形成された絶縁基板とから成り、前記中心導体と前記線路導体との接続部の両側に位置する前記溝の側面に切り欠き部を設けたことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記切り欠き部が前記回路基板の前記同軸コネクタ側端部よりも内側に位置していることを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記切り欠き部の内面が平面視して円弧状であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置された半導体素子と、前記枠体の上面に前記半導体素子を覆うように取着された蓋体とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子収納用パッケージおよびそれを用いた半導体装置に関し、特に、高周波信号で作動する半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光通信や無線通信分野に用いられる高周波用の各種半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージの断面図を図６に、その平面図を図７に、同軸コネクタと線路導体との接続部周辺の要部拡大断面図を図８に、その平面図を図９に、同軸コネクタの要部拡大断面図を図10に示す。これらの図において、101は基体、102は金属製の枠体、110は蓋体、Ｓ’は回路基板である。
【０００３】
基体101は鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金や銅（Ｃｕ）−タングステン（Ｗ）等の金属から成る四角形状の板状体であり、その上側主面の載置部101ａには、ＩＣ，ＬＳＩ，半導体レーザ（ＬＤ），フォトダイオード（ＰＤ）等の半導体素子108を載置する酸化アルミニウム質焼結体（Ａｌ２Ｏ３）や窒化アルミニウム質焼結体（ＡｌＮ）などのセラミックスから成るサブマウント回路基板105が搭載固定されている。サブマウント回路基板105は載置部101ａにＡｇろう，Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材や半田、樹脂接着剤によって接着固定される。また半導体素子108は、サブマウント回路基板105に、Ａｇろう，Ａｇ―Ｃｕろう等のろう材や半田、樹脂接着剤によって接着固定される。
【０００４】
また、基体101の上側主面には回路基板Ｓ’が搭載されている。回路基板Ｓ’はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗ等の金属から成る金属基板104と絶縁基板106とから成る。金属基板104の上面には溝が形成されており、この溝に、上面に線路導体106ａが形成された絶縁基板106が嵌め込まれている。そして、絶縁基板106の下面に形成された接地導体106ｃおよび上面に形成された同一面接地導体106ｂが金属基板104と電気的に接続されることにより、金属基板104で接地電位をより安定化することができる。
【０００５】
このような金属基板104は基体101や枠体102と一体形状もしくは、基体101や枠体102に、銀（Ａｇ）ろう，Ａｇ−銅（Ｃｕ）ろう等のろう材や半田、樹脂接着剤によって接着固定される。また、絶縁基板106も金属基板104へ同様に接着固定される。
【０００６】
そして、半導体素子108の電極は、絶縁基板106に被着されている線路導体106ａおよびその両側の同一面接地導体106ｂにそれぞれボンディングワイヤ107を介して電気的に接続されている。
【０００７】
さらに、同一面接地導体106ｂは、絶縁基板106の裏面に被着されている接地導体106ｃと回路基板106内に形成されたスルーホール導体（図示せず）により電気的に接続されており、このように同一面接地導体106ｂをスルーホール導体（図示せず）を介して接地導体106ｃに接続することにより、回路基板Ｓ’は、高周波信号を伝送する線路導体106ａを接地用（グラウンド）導体となっている同一面接地導体106ｂ、接地導体106ｃが取り囲んだ形状のグラウンド付きコープレナー線路となっている。
【０００８】
このようなグラウンド付きコープレナー線路は高周波信号を伝送する線路導体106ａを接地導体が囲むような形状のため、高周波信号の放射が少なく、良好な伝送特性を示す。また半導体素子108に形成された配線構造も高周波信号を伝送する線路導体の両脇に同一面接地導体が形成されたグラウンド付きコープレナー線路であることが多いため、回路基板Ｓ’と半導体素子108の高周波伝播モードを同一のもの（グラウンド付きコープレナー線路）とすることで伝送損失を小さくしている。
【０００９】
基体101の上側主面の外周部には載置部101ａを囲むようにして枠体102が接合されており、枠体102の内側に半導体素子108を収容する空所を形成する。枠体102は、基体101と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体101と一体成形されるか、基体101にＡｇろう，Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材を介してろう付けされるか、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体101の上側主面の外周部に設けられる。
【００１０】
枠体102の側面には中心導体103ａ，誘電体103ｂ，外部導体103ｃが同心円状に配置された同軸構造の同軸コネクタ103が嵌着される貫通孔102ａが形成されており、貫通孔102ａ内に同軸コネクタ103を嵌め込むとともに半田等の封着材を貫通孔102ａ内の隙間に挿入し、しかる後、加熱して封着材を溶融させ、溶融した封着材を毛細管現象により同軸コネクタ103と貫通孔102ａの内壁との隙間に充填させることによって、同軸コネクタ103が貫通孔102ａ内に封着材を介して嵌着接合される。
【００１１】
同軸コネクタ103は、図10に示すように、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る外部導体103ｃ内にホウケイ酸ガラスなどから成る誘電体103ｂを介してＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る信号線路としての中心導体103ａが挿通され、誘電体103ｂを加熱し、溶融することにより中心導体103ａが外部導体103ｃに固定されている。
【００１２】
中心導体103ａの一端は、半田等から成る導電性接着材を介して高周波用の回路基板Ｓ’の線路導体106ａに電気的に接続される。そして、中心導体103ａの他端に、外部電気回路（図示せず）に接続された同軸ケーブル（図示せず）の中心導体が装着されることによって内部に収納された半導体素子108が同軸コネクタ103の中心導体103ａを介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００１３】
最後に、枠体102の内側の載置部101ａに半導体素子108をサブマウント回路基板105を介して載置し、枠体102の上面に蓋体110をろう付け法やシームウエルド法等の溶接法により接合し、半導体素子収納用パッケージ内を気密に封止することによって製品としての半導体装置となる。
【特許文献１】特開２００２−３１９６４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、従来の回路基板106を使用した半導体素子収納用パッケージにおいては、高周波用途になるにつれ、同一面接地導体106ｂと接地導体106ｃとを導通させているスルーホール導体同士の隙間から高周波信号が放射しやすくなり、良好な高周波特性を満たさず、半導体素子108が誤動作するという問題が生じてきた。
【００１５】
また、同軸コネクタ103の中心導体103ａと回路基板Ｓ’の線路導体106ａとの接続部における伝送損失が大きくなるという問題も生じてきた。
【００１６】
本発明は上記問題点に鑑み完成されたものであり、その目的は、回路基板Ｓ’の接地導体の強化により高周波信号が放射するのを防ぐことが可能で、かつ良好な伝送特性を有する半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上側主面の半導体素子の載置部を有する基体と、該基体の上側主面に前記載置部を取り囲むように接合され、側部に貫通孔が形成された枠体と、筒状の外周導体およびその中心軸に設置された中心導体ならびにそれらの間に介在させた絶縁体から成るとともに前記貫通孔に嵌着された同軸コネクタと、前記基体の上面の前記枠体の内側に接合され、上面に前記中心導体の端部が電気的に接続された線路導体が形成されている回路基板とを具備した半導体素子収納用パッケージにおいて、前記回路基板は、上面に溝が形成された金属基板と、該溝に嵌着されるとともに上面に前記溝に沿って前記線路導体が形成された絶縁基板とから成り、前記中心導体と前記線路導体との接続部の両側に位置する前記溝の側面に切り欠き部を設けたことを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記切り欠き部が前記回路基板の前記同軸コネクタ側端部よりも内側に位置していることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージにおいて、好ましくは、前記切り欠き部の内面が平面視して円弧状であることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の半導体装置は、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記載置部に載置された半導体素子と、前記枠体の上面に前記半導体素子を覆うように取着された蓋体とを具備していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、回路基板は、上面に溝が形成された金属基板と、溝に嵌着されるとともに上面に溝に沿って線路導体が形成された絶縁基板とから成り、同軸コネクタの中心導体と線路導体との接続部の両側に位置する溝の側面に切り欠き部を設けたことから、従来のような一定間隔のスルーホール導体を用いた場合と異なり、線路導体の両側から下側にかけて連続するとともに厚い接地層（グラウンド）を形成することができ、接地層が強化され、高周波信号の放射を少なくすることができる結果、10ＧＨｚ以上の高周波においても回路基板における高周波信号の放射が少なく、良好な伝送特性が実現でき、半導体素子を正常に作動させることができる。
【００２２】
また、同軸コネクタの中心導体と線路導体との接続部の両側に位置する溝の側面に切り欠き部を設けることにより、中心導体と線路導体との接合部にて発生する容量成分を低減し、接合部における急激な特性インピーダンスの変化を少なくすることが可能となる。
【００２３】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、切り欠き部が回路基板の同軸コネクタ側端部よりも内側に位置していることから、中心導体と線路導体との接合部よりも同軸コネクタ側の回路基板の端部で金属基板の溝の開口縁を線路導体に近づけ、この端部付近の中心導体に対して金属基板によって接地電位の強化を行ない、線路導体と同じような電磁界雰囲気を形成することができる。よって、中心導体と線路導体との接合部において生じる、中心導体の同軸構造の伝播モードから線路導体のマイクロストリップ構造の伝播モードへの急激な変化、または線路導体の伝播モードから中心導体の伝播モードへの急激な変化をこの端部で緩和して、伝送損失が生じるのを有効に防止できる。
【００２４】
また、本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、切り欠き部の内面が平面視して円弧状であることから、中心導体の伝播モードと線路導体の伝播モード間の急激な伝播モードの変化をより緩やかにすることができ、伝送特性をより有効に向上できる。
【００２５】
また、本発明の半導体装置によれば、上記本発明の半導体素子収納用パッケージと、載置部に載置された半導体素子と、枠体の上面に半導体素子を覆うように取着された蓋体とを具備していることから、回路基板における高周波信号の放射が少なく、良好な電気特性を示す半導体装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明の半導体素子収納用パッケージについて以下に詳細に説明する。図１は本発明の半導体素子収納用パッケージの実施の形態の一例を示す断面図であり、図２はその平面図である。また、図３は図１，２の半導体素子収納用パッケージの同軸コネクタと線路導体との接続部周辺の要部拡大断面図であり、図４はその平面図である。さらに、図５は図１，２の半導体素子収納用パッケージの同軸コネクタの断面図である。これらの図において、１は基体、２は枠体、10は蓋体、Ｓは回路基板を示す。
【００２７】
そして、本発明の半導体素子収納用パッケージは、基体１の上側主面に載置部１ａを有し、この載置部１ａに直接あるいはサブマウント基板５を介して半導体素子８が載置される。また、基体１の上側主面には回路基板Ｓが載置されている。
【００２８】
基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属やＣｕ−Ｗの焼結材等の金属から成り、四角板状体のものである。基体１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等やＣｕ−Ｗの焼結材等のインゴットに圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工法、または切削加工等を施すことによって、所定の形状に製作される。
【００２９】
基体１の上側主面のほぼ中央部の載置部１ａには、半導体素子８を搭載したサブマウント回路基板５が、例えばＡｇろう，Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材やＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田、樹脂系接着剤を介して接着固定される。あるいは、載置部１ａに半導体素子８が、例えばＡｇろう，Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材やＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田、樹脂系接着剤を介して直接接着固定される。
【００３０】
さらに、基体１の上側主面には回路基板Ｓが例えばＡｇろう，Ａｇ−Ｃｕろう等のろう材やＡｕ−Ｓｎ半田，Ｐｂ−Ｓｎ半田等の半田、樹脂系接着剤を介して接着固定されている。回路基板Ｓは金属基板４と絶縁基板６とから成る。金属基板４は上面に溝が形成されており、この溝に、上面に線路導体６ａが形成された絶縁基板６が嵌め込まれている。そして、絶縁基板６の下面に形成された接地導体６ｃが金属基板４と電気的に接続されることにより、金属基板４で接地電位をより安定化することができる。
【００３１】
半導体素子８の電極は、絶縁基板６の上面に被着形成されている線路導体６ａおよび金属基板４にそれぞれボンディングワイヤ７を介して電気的に接続される。
【００３２】
サブマウント回路基板５や絶縁基板６は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）質セラミックスや窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質セラミックスから成り、アルミナ質セラミックスから成る場合、以下のようにして作製される。
【００３３】
まず、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３），酸化珪素（ＳｉＯ２），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化マグネシウム（ＭｇＯ）等の原料粉末に適当な有機バインダや可塑剤，分散剤，溶剤等を添加混合して泥漿状となす。これを従来周知のドクターブレード法等でシート状となすことによってセラミックグリーンシートを得、これを切断加工したものを積層するか、または、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＣａＯ，ＭｇＯ等の原料粉末に適当な可塑剤や分散剤，溶剤等を添加混合して金型に充填し、プレス成型することによって、所定形状のセラミック成形体を得る。しかる後、このセラミック成形体に適当な打ち抜き加工を施して得た四角平板状等の板体の上面に線路導体６ａ、および下面に接地導体６ｃとなる金属ペーストを印刷塗布し、還元雰囲気中で約1600℃の温度で焼成することによって製作される。
【００３４】
このような線路導体６ａ，接地導体６ｃとなる金属ペーストはタングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）等の高融点金属粉末に適当な有機バインダや添加剤，溶剤等を添加混合してペースト状となしたものから成る。
【００３５】
なお、線路導体６ａ，接地導体６ｃは薄膜形成法によって形成されていても良く、その場合、線路導体６ａ，接地導体６ｃは、窒化タンタル（Ｔａ２Ｎ），ニクロム（Ｎｉ−Ｃｒ）合金，チタン（Ｔｉ），パラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ），金（Ａｕ）等から形成され、セラミックグリーンシートを焼成した後に従来周知の真空蒸着成膜法等によって形成される。
【００３６】
また、基体１の上側主面の外周部には載置部１ａを囲むようにして枠体２が接合されており、枠体２は、その内側に半導体素子８を収容する空所を形成する。この枠体２は、基体１と同様にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＣｕ−Ｗの焼結材等から成り、基体１と一体成形されるか、または基体１にＡｇろう等のろう材を介してろう付けされるか、またはシーム溶接法等の溶接法により接合されることによって、基体１の上側主面の外周部に設けられる。
【００３７】
なお、枠体２は上記のような金属の他にセラミックス等の誘電体材料から成っていてもよく、その表面や内部にメタライズ層等の導体層が形成されていてもよい。
【００３８】
また、外部より半導体素子８に駆動信号等を入力させる入出力端子としての同軸コネクタ３が設けられる。このような同軸コネクタ３は、中心導体３ａ，誘電体３ｂ，外部導体３ｃが同心円状に配置された同軸構造から成り、この同軸コネクタ３を枠体２に形成された貫通孔２ａに嵌め込むとともにＡｕ−Ｓｎ半田やＰｂ−Ｓｎ半田等の封着材を貫通孔２ａとの隙間に挿入し、しかる後、封着材を加熱して溶融させ、溶融した封着材を毛細管現象により同軸コネクタ３と貫通孔２ａの内壁との隙間に充填することによって、同軸コネクタ３が貫通孔２ａ内に半田等の封着材を介して嵌着接合される。
【００３９】
同軸コネクタ３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る円筒形等の筒状の外周導体３ｃの内側にガラス等の絶縁体３ｂが充填され、さらに、中心軸にＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等の金属から成る中心導体３ａが固定される。そして、この中心導体３ａは、その先端部が半田等から成る導電性接着材９を介して回路基板Ｓの線路導体６ａに電気的に接続される。この中心導体３ａおよび筒状の外周導体３ｃに同軸ケーブルが装着されることによって、半導体素子収納用パッケージの内部に収納された半導体素子８が中心導体３ａを介して外部電気回路に電気的に接続されることとなる。
【００４０】
そして、本発明の半導体素子収納用パッケージにおける金属基板４においては、線路導体６ａと同軸コネクタ３の中心導体３ａとが接続される箇所の側面に切り欠き部４ａを設けている。これにより、従来のような一定間隔のスルーホール導体を用いた場合と異なり、線路導体６ａの両側から下側にかけて連続するとともに厚い接地層（グラウンド）を形成することができ、接地層が強化され、高周波信号の放射を少なくすることができる結果、10ＧＨｚ以上の高周波においても回路基板Ｓにおける高周波信号の放射が少なく、良好な伝送特性が実現でき、半導体素子８を正常に作動させることができる。
【００４１】
また、同軸コネクタ３の中心導体３ａと線路導体６ａとの接続部の両側に位置する溝の側面に切り欠き部４ａを設けることにより、中心導体３ａと線路導体６ａとの接合部にて発生する容量成分を低減し、接合部における急激な特性インピーダンスの変化を少なくすることが可能となる。
【００４２】
なお、絶縁基板６の上面が位置している平面内において、線路導体６ａと切り欠き部４ａの内面との間隔は、同一平面内における切り欠き部４ａ以外の部位での線路導体６ａと金属基板４の溝の側面との間隔の1.7〜10倍であるのがよい。1.7倍未満であると、中心導体３ａと線路導体６ａとの接続部での急激な特性インピーダンスの変化を少なくする効果が小さくなりやすい。また、10倍を超えると、中心導体３ａと線路導体６ａとの接続部での接地電位の強化ができず、伝送特性が低下しやすくなる。
【００４３】
また、切り欠き部４ａは金属基板４の溝の上端から下端にかけて形成されていてもよく、上面から溝の中央部まででもよい。さらに切り欠き部４ａの深さ（溝の側面に直交する方向の深さ）は下側に行くにともなって浅くなっていてもよい。
【００４４】
好ましくは、切り欠き部４ａが回路基板Ｓの同軸コネクタ３側の端部よりも内側に位置しているのがよい。これにより、中心導体３ａと線路導体６ａとの接合部よりも同軸コネクタ３側の回路基板Ｓの端部で金属基板４の溝の開口縁を線路導体６ａに近づけ、この端部付近の中心導体３ａに対して金属基板４によって接地電位の強化を行ない、線路導体６ａと同じような電磁界雰囲気を形成することができる。よって、中心導体３ａと線路導体６ａとの接合部において生じる、中心導体３ａの同軸構造の伝播モードから線路導体６ａのマイクロストリップ構造の伝播モードへの急激な変化、または線路導体６ａの伝播モードから中心導体３ａの伝播モードへの急激な変化をこの端部で緩和して、伝送損失が生じるのを有効に防止できる。
【００４５】
このように切り欠き部４ａが回路基板Ｓの同軸コネクタ３側の端部よりも内側に位置している場合、切り欠き部４ａと回路基板Ｓの同軸コネクタ３側の端部との距離は0.4〜４ｍｍであるのがよい。0.4ｍｍ未満であると、回路基板Ｓの同軸コネクタ３側の端部付近の中心導体３ａに対して金属基板４によって接地電位の強化を行ない、線路導体６ａと同じような電磁界雰囲気を形成しにくくなる。また、４ｍｍを超えると中心導体３ａの露出部が長くなり、この露出部から放射損失が生じやすくなる。
【００４６】
また、好ましくは、切り欠き部４ａの内面が平面視して円弧状であるのがよい。これにより、中心導体３ａの伝播モードと線路導体６ａの伝播モード間の急激な伝播モードの変化をより緩やかにすることができ、伝送特性をより有効に向上できる。
【００４７】
そして、上記本発明の半導体素子収納用パッケージの載置部１ａに半導体素子８を載置し、枠体２の上面に半導体素子８を覆うように蓋体10を取着して、半導体素子８を気密に封止することにより本発明の半導体装置となる。これにより、伝送特性に優れる上記本発明の半導体素子収納用パッケージを用いたことから、回路基板Ｓにおける高周波信号の放射が少なく、良好な電気特性を示す半導体装置となる。
【実施例】
【００４８】
本発明の半導体素子収納用パッケージの回路基板Ｓを以下のように構成し、高周波３次元構造シミュレータ（アンソフト社製HFSS（High Frequency Structure Simulator））を用いて１ＧＨｚ〜15ＧＨｚの反射係数Ｓ11をシミュレーションにより評価した。
【００４９】
まず、絶縁基板６は、比誘電率が9.6のアルミナセラミックスからなる縦２ｍｍ×横0.98ｍｍ×厚さ0.5ｍｍの基板とし、その上側主面中央部に、幅0.38ｍｍ×長さ２ｍｍ×厚さ0.002ｍｍの線路導体６aを、絶縁基板６の裏面には絶縁基板６と同一の面積である縦２ｍｍ×横0.98ｍｍ×厚さ0.002ｍｍの接地導体６ｃを配置した。
【００５０】
次に上面に絶縁基板６嵌め込むための絶縁基板６と同じ大きさの溝を形成した、縦3.7ｍｍ×横５ｍｍ×厚さ５ｍｍの金属基板４を用意した。そして、この溝の端から切り欠き部４ａの半径と同じ長さ分、離れた部位を中心として、溝の上端から下端にかけて０ｍｍから２ｍｍの範囲の種々の半径の半円形の切り欠き部４ａを溝の両側面に形成した（試料１〜６とした）。
【００５１】
次に、比較用の回路基板Ｓ’を以下のようにして作製した。まず、絶縁基板106は比誘電率が9.6のアルミナセラミックスからなる縦２ｍｍ×横1.98ｍｍ×厚さ0.5ｍｍの基板を用い、その上側主面中央部に、幅0.38ｍｍ×長さ２ｍｍ×厚さ0.002ｍｍの線路導体106ａを配置するとともに、絶縁基板106の上側主面の線路導体106ａの両側に、絶縁基板106の上側主面の側部に沿ってそれぞれ縦２ｍｍ×横0.5ｍｍ×厚さ0.002ｍｍの同一面接地導体106ｂを設置し、絶縁基板106の裏面には絶縁基板106と同一の面積である縦２ｍｍ×横1.98ｍｍ×厚さ0.002ｍｍの接地導体106ｃを配置した。さらに線路導体106ａの両側に同一面接地導体106ｂと接地導体106ｃとを導通する直径が0.20ｍｍスルーホール導体を複数、互いの間隔が（スルーホール導体同士の隙間）が0.4ｍｍとなるように線路導体106ａに沿って形成した（試料７とした）。
【００５２】
各試料における上記周波数範囲のうちで、最も悪い反射係数Ｓ11の値を表１に示す。
【表１】
2006128323.tif 000003
【００５３】
表１より、切り欠き部４ａの直径が０の比較用の試料No.１は反射係数Ｓ11が−10ｄＢ以上となったものの、本発明の半導体素子収納用パッケージである試料No.２，３，４，５,６については、反射係数Ｓ11が実際に半導体装置が正常に動作する−15ｄＢ以下と良好な特性が得られることが分かった。
【００５４】
また、表１より、比較例の半導体素子収納用パッケージである試料７については反射係数Ｓ11が−10ｄＢ以上となり、半導体装置が正常に動作する−15ｄＢ以下と満たすことができないことが分かった。
【００５５】
なお、本発明は、上述の実施の形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】図１の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の平面図である。
【図３】図１の半導体素子収納用パッケージにおける同軸コネクタと線路導体との接続部周辺の要部拡大断面図である。
【図４】図１の半導体素子収納用パッケージにおける同軸コネクタと線路導体との接続部周辺の要部拡大平面図である。
【図５】図１の半導体素子収納用パッケージにおける同軸コネクタの拡大断面図である。
【図６】従来の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の断面図である。
【図７】図６の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の平面図である。
【図８】図６の半導体素子収納用パッケージにおける同軸コネクタと線路導体との接続部周辺の要部拡大断面図である。
【図９】図６の半導体素子収納用パッケージにおける同軸コネクタと線路導体との接続部周辺の要部拡大平面図である。
【図１０】図６の半導体素子収納用パッケージにおける同軸コネクタの拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・・・・・基体
１ａ・・・・・・載置部
２・・・・・・・枠体
２ａ・・・・・・貫通孔
３・・・・・・・同軸コネクタ
３ａ・・・・・・中心導体
３ｂ・・・・・・絶縁体
３ｃ・・・・・・外周導体
４・・・・・・・金属基板
４ａ・・・・・・切り欠き部
６・・・・・・・絶縁基板
６ａ・・・・・・線路導体
８・・・・・・・半導体素子
10・・・・・・・蓋体
Ｓ・・・・・・・回路基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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