(57)【要約】【課題】基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる膜付き基板の製造方法、および、かかる製造方法を用いた電子機器の製造方法を提供すること。【解決手段】成膜材料を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴７０を基板４８上に付与する工程と、基板４８上に付与された第１の液滴７０内の成膜材料の一部を基板４８上に析出または凝集させて、固化部７１を形成する工程と、固化部７１を含まずに第１の液滴７０の一部に重なる（または第１の液滴７０の周縁に接する）ように、液体材料の第２の液滴７４を基板４８上に付与することにより、第１の液滴７０を幅狭にする工程と、第１の液滴７０および第２の液滴７４から溶媒または分散媒を除去することにより、基板４８上に膜を形成する工程とを有する。【選択図】図４
2006281137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜材料を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴を基板上に付与する工程と、
前記基板上に付与された前記第１の液滴内の成膜材料の一部を前記基板上に析出または凝集させて、固化部を形成する工程と、
前記固化部を含まずに前記第１の液滴の一部に重なるまたは前記第１の液滴の周縁に接するように、前記液体材料の第２の液滴を前記基板上に付与することにより、前記第１の液滴を幅狭にする工程と、
前記第１の液滴および前記第２の液滴から溶媒または分散媒を除去することにより、前記基板上に膜を形成する工程とを有することを特徴とする膜付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記固化部の形成は、前記第１の液滴の一部を局所的に加熱することにより行う請求項１に記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記加熱は、レーザ光の照射により行う請求項２に記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項４】
基板上に、成膜材料を主として構成された固化部を形成する工程と、
前記固化部を含むように、前記成膜材料を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴を基板上に付与する工程と、
前記固化部を含まずに前記第１の液滴の一部に重なるまたは前記第１の液滴の周縁に接するように、前記液体材料の第２の液滴を前記基板上に付与することにより、前記第１の液滴を幅狭にする工程と、
前記第１の液滴および前記第２の液滴から溶媒または分散媒を除去することにより、前記基板上に膜を形成する工程とを有することを特徴とする膜付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２の液滴を前記基板上に付与することにより、前記固化部を起点として前記第１の液滴を前記第２の液滴側に引き延ばすように変形させる請求項１に記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記固化部は、前記第１の液滴の周縁部に位置している請求項１ないし５のいずれかに記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２の液滴を、前記第１の液滴の中心に対し前記固化部と逆側で前記第１の液滴の一部に重なるまたは前記第１の液滴の周縁に接するようにして、前記基板上に付与する請求項１ないし６のいずれかに記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板に対する前記第１の液滴および前記第２の液滴のそれぞれの接触角は、４０〜６０°である請求項１ないし７のいずれかに記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１の液滴の中心と前記第２の液滴の中心との間の距離は、１〜８０μｍである請求項１ないし８のいずれかに記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の液滴および第２の液滴のそれぞれの直径は、３０〜８０μｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の膜付き基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の膜付き基板の製造方法を用いて膜付き基板を製造する工程を有し、該工程を経て電子機器を製造することを特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜付き基板の製造方法、および電子機器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、膜付き基板の製造方法、すなわち、基板上に膜をパターンニングする方法として、インクジェット法を用いたパターニング方法が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
特許文献１では、微粒子を分散させた液状体をインクジェット法にて基板に直接パターン塗布し、その後熱処理やレーザ照射を行うことにより導電膜パターンに変換する方法が提案されている。この方法によれば、フォトリソグラフィ技術を用いることなくパターン形成を行うことが可能になり、パターン形成プロセスを簡略化することができる。また、原材料の使用量も少なくて済むというメリットがある。
【０００３】
一方、特許文献２では、基板上に設けられたバンクにより、基板上の液滴を位置決めして、パターン精度を向上させる方法が提案されている。バンクを形成すれば、基板上に吐出された液滴がバンクの外にはみ出ることがなく、例えば３０μｍ程度の膜パターンを１μｍ程度の位置精度で形成することができる。
近年のデバイスの微細化にともなって、より微細なパターンが求められるようになっている。
【０００４】
特許文献１にかかる方法では、形成される膜の幅がインクジェットでの液滴サイズに大きく依存するので、幅の小さい膜を得るには液滴サイズを小さくする必要がある。しかしながら、インクジェットノズル径の大きさの制約上、液滴サイズを小さくするには限界がある。そのため、１００μｍ程度のパターンを３０μｍ程度の位置精度で形成することが限界であった。
一方、特許文献２にかかる方法では、基板上のバンクをフォトリソグラフィ技術によって形成するため、高コストになるという問題があった。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５１３２２４８号明細書
【特許文献２】特開昭５９−７５２０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる膜付き基板の製造方法、および、かかる製造方法を用いた電子機器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の膜付き基板の製造方法は、成膜材料を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴を基板上に付与する工程と、
前記基板上に付与された前記第１の液滴内の成膜材料の一部を前記基板上に析出または凝集させて、固化部を形成する工程と、
前記固化部を含まずに前記第１の液滴の一部に重なるまたは前記第１の液滴の周縁に接するように、前記液体材料の第２の液滴を前記基板上に付与することにより、前記第１の液滴を幅狭にする工程と、
前記第１の液滴および前記第２の液滴から溶媒または分散媒を除去することにより、前記基板上に膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
【０００８】
これにより、基板上に付与される液滴の大きさを小さくしなくても、基板上に付与された直後の第１の液滴の幅よりも幅狭な膜を形成することができる。そのため、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
また、フォトレジスト等を用いることなく、高精細なパターンの膜を基板上に形成することができるので、膜付き基板の低コスト化を図ることができる。
【０００９】
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記固化部の形成は、前記第１の液滴の一部を局所的に加熱することにより行うことが好ましい。
これにより、固化部を比較的簡単に形成することができる。
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記加熱は、レーザ光の照射により行うことが好ましい。
これにより、微小な固化部を比較的簡単に形成することができる。その結果、より確実に、高精細なパターンの膜を基板上に形成することができる。
【００１０】
本発明の膜付き基板の製造方法は、基板上に、成膜材料を主として構成された固化部を形成する工程と、
前記固化部を含むように、前記成膜材料を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴を基板上に付与する工程と、
前記固化部を含まずに前記第１の液滴の一部に重なるまたは前記第１の液滴の周縁に接するように、前記液体材料の第２の液滴を前記基板上に付与することにより、前記第１の液滴を幅狭にする工程と、
前記第１の液滴および前記第２の液滴から溶媒または分散媒を除去することにより、前記基板上に膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
これにより、基板上に付与される液滴の大きさを小さくしなくても、基板上に付与された直後の第１の液滴の幅よりも幅狭な膜を形成することができる。そのため、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
また、フォトレジスト等を用いることなく、高精細なパターンの膜を基板上に形成することができるので、膜付き基板の低コスト化を図ることができる。
【００１２】
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記第２の液滴を前記基板上に付与することにより、前記固化部を起点として前記第１の液滴を前記第２の液滴側に引き延ばすように変形させることが好ましい。
これにより、より確実に、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
【００１３】
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記固化部は、前記第１の液滴の周縁部に位置していることが好ましい。
これにより、第１の液滴を固化部と第２の液滴との間で効果的に引き延ばすようにして、第１の液滴をより幅狭な状態とすることができる。その結果、より確実に、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
【００１４】
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記第２の液滴を、前記第１の液滴の中心に対し前記固化部と逆側で前記第１の液滴の一部に重なるまたは前記第１の液滴の周縁に接するようにして、前記基板上に付与することが好ましい。
これにより、第１の液滴を固化部と第２の液滴との間で効果的に引き延ばすようにして、第１の液滴をより幅狭な状態とすることができる。その結果、より確実に、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
【００１５】
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記基板に対する前記第１の液滴および前記第２の液滴のそれぞれの接触角は、４０〜６０°であることが好ましい。
これにより、より確実に、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記第１の液滴の中心と前記第２の液滴の中心との間の距離は、１〜８０μｍであることが好ましい。
これにより、より確実に、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
【００１６】
本発明の膜付き基板の製造方法では、前記第１の液滴および第２の液滴のそれぞれの直径は、３０〜８０μｍであることが好ましい。
これにより、より確実に、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
本発明の電子機器の製造方法は、本発明の膜付き基板の製造方法を用いて膜付き基板を製造する工程を有し、該工程を経て電子機器を製造することを特徴とする。
これにより、優れた特性を有する電子機器を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の膜付き基板の製造方法、および、かかる製造方法を用いた電子機器の製造方法を説明する。
＜膜付き基板＞
まず、本発明の膜付き基板の製造方法の説明に先立ち、かかる製造方法により製造される膜付き基板を説明する。本発明の膜付き基板の製造方法は、高精細なパターンの膜を基板上に形成するものであって、電気配線や電極などに利用可能な膜を基板上に形成することができるものである。なお、以下では、膜付き基板の一例として電子デバイス用基板を説明する。そして、膜付き基板上の膜を走査線として用いる場合を例に説明する。
【００１８】
図１は、本実施形態にかかる電子デバイス用基板（膜付き基板）の構成を示すブロック図であり、図２は、本実施形態の電子デバイス用基板が備える薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）である。なお、以下の説明では、図２中上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図１に示す電子デバイス用基板（アクティブマトリクス装置）１００は、基板４８と、いずれも基板４８上に設けられ、互いに交差する複数のデータ線１０１および複数の走査線１０２と、これらのデータ線１０１と走査線１０２との各交点付近に設けられた薄膜トランジスタ１および画素電極１０３とを有している。
【００１９】
図２に示すように、本実施形態の薄膜トランジスタ１は、トップゲート型の薄膜トランジスタであり、基板４８上に、互いに分離して設けられたソース電極７２およびドレイン電極７３と、ソース電極７２およびドレイン電極７３に接触して設けられた半導体層７８と、ソース電極７２、ドレイン電極７３および半導体層７８を覆うように設けられたゲート絶縁膜７９と、半導体層７８に対応するゲート絶縁膜７９上に設けられたゲート電極８０とを有している。
このような薄膜トランジスタ１では、ゲート電極８０が走査線１０２に、ソース電極７２がデータ線１０１に、ドレイン電極７３が画素電極（個別電極）１０３に、それぞれ接続されている。
このような電子デバイス用基板１００は、次のようにして製造することができる。
【００２０】
＜半導体装置の製造方法＞
以下、本発明の半導体装置の製造方法の一例として電子デバイス用基板１００の製造方法を説明する。
以下では、薄膜トランジスタ１の製造方法を中心に説明する。
本実施形態における薄膜トランジスタ１の製造方法は、基板４８上にソース電極７２およびドレイン電極７３を形成する工程（以下、ソース電極およびドレイン電極形成工程という）と、半導体層７８を形成する工程（以下、半導体層形成工程という）と、ゲート絶縁膜７９を形成する工程（以下、ゲート絶縁膜形成工程という）と、ゲート電極８０を形成する工程（以下、ゲート絶縁膜形成工程という）と、走査線１０２を形成する工程（以下、走査線形成工程という）とを有する。
以下、図３ないし図７を参照しつつ、各工程について順次説明する。
【００２１】
図３は、本実施形態の電子デバイス用基板１００（膜付き基板）の製造方法におけるソース電極およびドレイン電極形成工程、半導体層形成工程、ゲート絶縁膜形成工程、およびゲート電極形成工程を説明するための図、図４および図５は、本実施形態の電子デバイス用基板１００（膜付き基板）の製造方法における走査線形成工程を説明するための図（平面図および断面図）、図６は、走査線形成工程に用いる液滴吐出装置の概略構成を示す図、図７は、図６に示す液滴吐出装置のヘッド部の概略構成を示す図である。なお、以下の説明に用いる各図面では、説明の便宜上、各部の縮尺を適宜変更している。
【００２２】
［Ａ１］  ソース電極およびドレイン電極形成工程
まず、図３（ａ）に示すように、基板４８上に、ソース電極７２およびドレイン電極７３を形成する。
具体的に説明すると、まず、基板４８を用意する。
基板４８には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタに可撓性を付与する場合には、基板４８には、樹脂基板が選択される。
【００２３】
なお、基板４８上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板４８表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極７２およびドレイン電極７３と基板４８との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、ポリイミド、ポリアミド、あるいは架橋されて不溶化された高分子等が好適に用いられる。
【００２４】
次に、基板４８上に導電性膜を形成する。これは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法、ＭＯＤ法、金属箔の接合等により形成することができる。
【００２５】
導電性膜の構成材料（すなわちソース電極７２またはドレイン電極７３の構成材料）としては、導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の導電性材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。これらの中でも、導電性膜の構成材料としては、それぞれ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇまたはこれらを含む合金を主とするものが好適に用いられる。
【００２６】
この導電性膜上に、レジスト材料を塗布した後に硬化させ、ソース電極７２およびドレイン電極７３の形状に対応する形状のレジスト層を形成する。このレジスト層をマスクとして用いて、導電性膜の不要部分を除去する。この導電性膜の除去には、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
その後、レジスト層を除去することにより、ソース電極７２およびドレイン電極７３が得られる。
なお、ソース電極７２およびドレイン電極７３は、例えば、導電性粒子を含む導電性材料を基板４８上に供給して液状被膜を形成した後、必要に応じて、この液状被膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することもできる。
【００２８】
なお、導電性材料を供給する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、このとき、データ線１０１および画素電極１０３も形成する。
【００２９】
［Ａ２］半導体層形成工程
次に、図３（ｂ）に示すようなソース電極７２とドレイン電極７３との間の間隙を埋めるように、半導体層７８を形成する。この半導体層７８のうち、ソース電極７２とドレイン電極７３との間の領域がチャネル領域となる。
半導体層７８の形成方法としては、特に限定されず、前述したソース電極７２およびドレイン電極７３の形成方法と同様のものを用いることができる。
半導体層７８の構成材料としては、特に限定されず、各種有機半導体材料および各種無機半導体材料を用いることができる。
【００３０】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。このような高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。
【００３１】
また、これらの中でも、有機半導体材料は、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレンとビチオフェンとを含む共重合体、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミンを含む重合体またはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものがより好ましく、ポリアリールアミン、フルオレン−ビチオフェン共重合体またはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。このような有機半導体材料で構成される半導体層７８は、一時的に高温多湿な環境下に晒されても、耐水性および耐酸化性が高いことから、品質劣化が防止され、特に化学的に安定なものとすることができる。
【００３２】
無機半導体材料としては、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。後述する液滴吐出装置１０を用いて半導体層７８を形成する場合には、例えば、シクロペンタシランを含む液体シリコンを液滴吐出装置１０によりソース電極７２とドレイン電極７３との間の間隙に供給し、これを乾燥・焼成することにより、半導体層７８を形成することができる。
【００３３】
［Ａ３］ゲート絶縁膜形成工程
次に、図３（ｃ）に示すように、ソース電極７２、半導体層７８、ドレイン電極７３を覆うように基板４８上にゲート絶縁膜７９を形成する。その際、必要に応じて、ゲート絶縁膜７９を研磨等することにより平坦性の高い面を得る。
ゲート絶縁膜７９の形成方法としては、特に限定されず、前述したソース電極７２およびドレイン電極７３の形成方法と同様のものを用いることができる。
【００３４】
ゲート絶縁膜７９の構成材料は、有機材料（特に有機高分子材料）であるのが好ましい。有機高分子材料を主材料としてゲート絶縁膜７９を形成すると、ゲート絶縁膜７９の形成が容易であるとともに、半導体層７８が有機半導体材料で構成されている場合には、ゲート絶縁膜７９と半導体層７８との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３５】
また、ゲート絶縁膜７９の構成材料には、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料を用いることもできる。この場合、ゲート絶縁膜７９は、ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾル・ゲル法として知られる）ことができる。
なお、ゲート絶縁膜７９の構成材料としては、上記以外の材料、例えば樹脂、セラミックス等で構成されてもよいことは、言うまでもない。
【００３６】
そして、形成したゲート絶縁膜７９を研磨し、膜厚を減少させることにより平坦性の高い面を得る。この膜厚を減少させる方法としては、例えばＣＭＰ法（化学的機械的研磨法）を採用することができ、具体的な条件としては、例えば軟質ポリウレタン製のパッドと、アンモニア系又はアミン系のアルカリ溶液にシリカ粒子を分散させた研磨剤（スラリー）を組み合わせて用い、圧力３００００Ｐａ、回転数５０回転／分、研磨剤の流量を２００ｓｃｃｍ、といった条件を採用することができる。
【００３７】
なお、酸化シリコン膜を形成する方法としては、上述した方法のほか、例えば基板４８上に液体材料として感光性ポリシラザンを適量滴下した後に、スピンコート法（例えば、１０００ｒｐｍ、２０秒間）で塗布し、１００℃程度で焼成することによって酸化シリコン膜を得るようにしても良い。
また、液体材料を用いて酸化シリコン膜を形成する代わりに、例えばＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜を形成しても良い。ＣＶＤ法を用いる場合には、特にプラズマ励起ＣＶＤ法（ＰＥＣＶＤ法）が好適であり、以下のような成膜条件を適用可能である。例えば、原料ガスとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）および酸素（Ｏ２）を用い、それぞれの流量を２００ｓｃｃｍ、５ｓｌｍとし、雰囲気温度を３５０℃、ＲＦパワーを１．３ｋＷ、圧力を２００Ｐａという条件にすることにより、約３００ｎｍ／ｍｉｎという高速な成膜速度で酸化シリコン膜を成膜することが可能である。また、原料ガスとしてモノシラン（ＳｉＨ４）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）およびアルゴン（Ａｒ）を用い、それぞれの流量を１６０ｓｃｃｍ、３ｓｌｍ、５ｓｌｍとし、雰囲気温度を４００℃、ＲＦパワーを８００Ｗ、圧力を１７０Ｐａという条件にすることによっても、約３００ｎｍ／ｍｉｎという高速な成膜速度で酸化シリコン膜を成膜することが可能である。
【００３８】
［Ａ４］ゲート電極形成工程
次に、図３（ｄ）に示すように、ソース電極７２とドレイン電極７３との間の領域に対応してゲート絶縁膜７９上にゲート電極８０を形成する。
ゲート電極８０は、特に限定されず、前述したソース電極７２およびドレイン電極７３の形成方法と同様のものを用いることができる。
【００３９】
また、ゲート電極８０の構成材料としては、ソース電極７２とドレイン電極７３と同様のものを用いることができる。
また、このとき、走査線１０２を形成する。
なお、本実施形態では、走査線１０２は、ゲート電極８０とは別途形成されるが、隣接する薄膜トランジスタ１のゲート電極８０を連続して形成することにより走査線１０２としてもよい。
以上説明したような各工程を経ることにより、半導体層７８、ゲート絶縁膜７９、ゲート電極８０等を積層した電界効果型の薄膜トランジスタ１が得られる。
【００４０】
［Ａ５］走査線形成工程
ここで、走査線１０２の形成を図４ないし図７に基づいて詳細に説明する。
本実施形態にかかる走査線１０２の形成工程は、走査線１０２の構成材料（成膜材料）を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴を基板４８上に付与する工程（以下、第１の液滴付与工程という）と、基板４８上に付与された第１の液滴内の成膜材料の一部を基板４８上に析出または凝集させて、固化部を形成する工程（以下、固化部形成工程という）と、固化部を含まずに第１の液滴の一部に重なるように、液体材料の第２の液滴を基板４８上に付与する工程（以下、第２の液滴付与工程という）と、第１の液滴および第２の液滴から溶媒または分散媒を除去することにより、第１の液滴の幅よりも小さい幅の膜として走査線１０２を基板４８上に形成する工程（以下、膜形成工程という）とを有する。
【００４１】
＜第１の液滴付与工程＞
まず、図４（ａ）に示すように、成膜材料、すなわち走査線１０２の構成材料を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴７０を基板４８上に付与する。
基板４８に対する第１の液滴７０の付与方法としては、インクジェット方式を採用する液滴吐出装置を用いることができる。なお、液滴吐出装置については、後に詳述する。
成膜材料、すなわち走査線の構成材料としては、前述したソース電極７２およびドレイン電極７３の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００４２】
溶媒または分散媒としては、前述した成膜材料を溶解または分散できるものであれば、特に限定されず、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
【００４３】
＜固化部形成工程＞
次に、図４（ｂ）に示すように、基板４８上に付与された第１の液滴７０内の成膜材料の一部を基板４８上に析出または凝集させて、固化部７１を形成する。
固化部７１の形成方法としては、第１の液滴７０内の成膜材料の一部を基板４８上に析出または凝集させることができれば、特に限定されないが、第１の液滴７０の一部を局所的に加熱することにより行うのが好ましい。これにより、固化部７１を比較的簡単に形成することができる。
【００４４】
この場合、前記加熱は、レーザ光の照射により行うのが好ましい。これにより、微小な固化部７１を比較的簡単に形成することができる。その結果、後述する工程にて、より確実に、高精細なパターンの膜、走査線１０２を基板４８上に形成することができる。
また、固化部７１は、第１の液滴７０の周縁部に位置しているのが好ましい。これにより、後述する工程で、第１の液滴７０を固化部７１と第２の液滴７４との間で効果的に引き延ばすようにして、第１の液滴７０をより幅狭な状態とすることができる。その結果、後述する工程で、より確実に、基板４８上に高精細なパターンの走査線１０２を簡単かつ安価に形成することができる。
【００４５】
また、第２の液滴７４を、第１の液滴７０の中心に対し固化部７１と逆側で第１の液滴７０の一部に重なるようにして、基板４８上に付与するのが好ましい。これにより、後述する工程で、第１の液滴７０を固化部７１と第２の液滴７４との間で効果的に引き延ばすようにして、第１の液滴７０をより幅狭な状態とすることができる。その結果、後述する工程で、より確実に、基板４８上に高精細なパターンの走査線１０２を簡単かつ安価に形成することができる。
【００４６】
なお、このような固化部７１は、前述したように第１の液滴７０を基板４８上に付与した後に、形成する場合に限らず、基板４８上に予め形成されていても良い。すなわち、基板４８上に、成膜材料を主として構成された固化部７１を形成し、その後、固化部７１を含むように、成膜材料を溶媒に溶解または分散媒に分散した液体材料の第１の液滴７０を基板４８上に付与してもよい。
【００４７】
＜第２の液滴付与工程＞
次に、図４（ｃ）に示すように、固化部７１を含まずに第１の液滴７０の一部に重なるように、前述した液体材料の第２の液滴７４を基板４８上に付与することにより、図４（ｄ）に示すように、第１の液滴７０を幅狭にする。すなわち、液滴７５を得る。なお、固化部７１を含まずに第１の液滴７０の周縁に接するように、第２の液滴７４を基板４８上に付与してもよい。
本工程では、図４（ｃ）に示すように、第２の液滴７４を基板４８上に付与することにより、固化部７１を起点として（固化部７１で第１の液滴７０をピニングさせて）第１の液滴７０を第２の液滴７４側に引き延ばすように変形させるのが好ましい。これにより、後述する工程で、より確実に、基板４８上に高精細なパターンの走査線１０２を簡単かつ安価に形成することができる。
【００４８】
なお、本明細書では、「ピニング」とは、液滴７０の周縁部に析出または凝集した固形分によって、乾燥に伴う液滴７０の収縮が抑制される現象をいう。
また、基板４８に対する第１の液滴７０および第２の液滴７４のそれぞれの接触角は、４０〜６０°であるのが好ましく、４５〜５５°であるのがより好ましい。これにより、より確実に、基板４８上に高精細なパターンの走査線１０２を簡単かつ安価に形成することができる。
【００４９】
このような接触角を得るために、第１の液滴７０および第２の液滴７４の付与に先立ち、基板４８に対し表面処理を行っても良い。
このような表面処理としては、例えば、基板４８上に自己組織化膜（自己組織化単分子膜：ＳＡＭ（Self Assembled Monolayer））を形成する方法が挙げられる。自己組織化膜とは、基板の表層原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は単分子を配向させて形成されているので、膜厚が極めて薄く、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性を付与することができる。
【００５０】
高い配向性を有する化合物としては、フルオロアルキルシラン（ＦＡＳ）が挙げられる。このような化合物を用いると、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。このような自己組織化膜を形成する化合物であるＦＡＳとしては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組み合わせて使用してもよい。
【００５１】
ＦＡＳは、一般に構造式Ｒｎ−Ｓｉ−Ｘ（４−ｎ）で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）yの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造をもち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板Ｐの下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板Ｐと結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ３）等のフルオロ基を有するため、基板Ｐの下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い、撥液性が高い）表面に改質する。
【００５２】
また、第１の液滴７０の中心と第２の液滴７４の中心との間の距離は、１〜８０μｍであるのが好ましく、３５〜５５μｍであるのがより好ましい。これにより、より確実に、基板上に高精細なパターンの膜を簡単かつ安価に形成することができる。
また、第１の液滴７０および第２の液滴７４のそれぞれの直径は、３０〜８０μｍであるのが好ましく、４０〜６０μｍであるのがより好ましい。これにより、より確実に、基板４８上に高精細なパターンの走査線１０２を簡単かつ安価に形成することができる。
【００５３】
このようにして形成された液滴７５に対しさらに、前述した第２の液滴７４の付与と同様の要領で、図５（ａ）に示すように、液滴７６を基板４８上に付与する。このとき、液滴７５は第１の液滴７０と同様、液滴７６は第２の液滴７４と同様の挙動を示し、液滴７５はさらに幅狭となる。このような液滴の付与を繰り返すことにより、図５（ｂ）に示すように、線状の液滴７７を形成する。
【００５４】
＜膜形成工程＞
次に、図５（ｂ）に示すような線状の液滴（すなわち、第１の液滴および第２の液滴）から溶媒または分散媒を除去することにより、基板４８上に幅狭な膜として走査線１０２を形成する。
以上説明したように、基板４８上に付与される液滴の大きさを小さくしなくても、基板４８上に付与された直後の液滴（第１の液滴）の幅よりも幅狭な膜として走査線１０２を形成することができる。そのため、基板４８上に高精細なパターンの走査線１０２を簡単かつ安価に形成することができる。
また、フォトレジスト等を用いることなく、高精細なパターンの走査線１０２を基板４８上に形成することができるので、電子デバイス用基板１００の低コスト化を図ることができる。
【００５５】
（液滴吐出装置）
ここで、図６、図７に基づいて、前述した液滴の形成に用いる液滴吐出装置を説明する。
図６に示す液滴吐出装置１０は、ベース１２、第１移動手段１４、第２移動手段１６、重量測定手段である電子天秤（不図示）、ヘッド２０、キャッピングユニット２２、およびクリーニングユニット２４を備えている。第１移動手段１４および第２移動手段１６を含む液滴吐出装置１０の動作は、制御装置２３により制御されるようになっている。なお図６において、Ｘ方向はベース１２の左右方向であり、Ｙ方向は前後方向であり、Ｚ方向は上下方向である。
【００５６】
第１移動手段１４は、ベース１２の上面に設置されＹ方向に延びる１対のガイドレール４０、４０と、ガイドレール４０、４０に沿って移動可能なスライダ４２とを有している。このスライダ４２をガイドレール４０、４０に沿って移動させるための駆動手段として、例えばリニアモータを採用することができる。これにより、スライダ４２をＹ方向に沿って移動可能とするとともに、スライダ４２をＹ方向での任意の位置で位置決めすることができる。
【００５７】
スライダ４２の上面には、モータ４４が固定され、このモータ４４のロータには、テーブル４６が固定されている。このテーブル４６は、基板４８を保持しつつ位置決めするものである。すなわち、図示しない吸着保持手段により、テーブル４６の穴４６Ａを負圧とすることによりテーブル４６上に基板４８を吸着して、基板４８をテーブル４６上に保持することができる。また、モータ４４は、例えばダイレクトドライブモータである。このモータ４４に通電することにより、モータ４４のロータの回転に伴ってテーブル４６がθｚ方向に回転して、テーブル４６をインデックス（回転割り出し）することができるようになっている。また、テーブル４６には、ヘッド２０が液状材料を捨打ち、あるいは試し打ち（予備吐出）するための予備吐出エリアが設けられている。
【００５８】
また、ベース１２上には、キャッピングユニット２２およびクリーニングユニット２４が設けられている。キャッピングユニット２２は、ヘッド２０におけるインク吐出面２０Ｐの乾燥を防止するため、液滴吐出装置１０の待機時にインク吐出面２０Ｐをキャッピングするものである。また、クリーニングユニット２４は、ヘッド２０におけるノズルの目詰まりを取り除くため、ノズルの内部を吸引するものである。なお、クリーニングユニット２４は、ヘッド２０におけるインク吐出面２０Ｐの汚れを取り除くため、インク吐出面２０Ｐのワイピングを行うことも可能である。
【００５９】
また、ベース１２上の後方側部分には、支柱１６Ａ、１６Ａが立設され、その支柱１６Ａ、１６Ａの上端部にコラム１６Ｂが架設されている。そして、そのコラム１６Ｂの前面に第２移動手段１６が設けられている。この第２移動手段１６は、Ｘ方向に沿って配置された１対のガイドレール６２Ａ、６２Ａと、またガイドレール６２Ａ、６２Ａに沿って移動可能なスライダ６０とを有している。このスライダ６０をガイドレール６２Ａ、６２Ａに沿って移動させるための駆動手段として、例えばリニアモータを採用することができる。これにより、スライダ６０をＸ方向に沿って移動可能とするとともに、スライダ６０をＸ方向での任意の位置で位置決めすることができる。
【００６０】
スライダ６０には、ヘッド２０が設けられている。ヘッド２０には、モータ６２、６４、６６、６８が接続されている。モータ６２は、ヘッド２０をＺ方向に移動可能とし、またヘッド２０を任意の位置で位置決め可能とするものである。モータ６４は、ヘッド２０をＹ方向に平行な軸線まわりのβ方向に揺動可能とし、またヘッド２０を任意の位置で位置決め可能とするものである。モータ６６は、ヘッド２０をＸ方向に平行な軸線まわりのγ方向に揺動可能とし、またヘッド２０を任意の位置で位置決め可能とするものである。モータ６８は、ヘッド２０をＺ方向に平行な軸線まわりのα方向に揺動可能とし、またヘッド２０を任意の位置で位置決め可能とするものである。
【００６１】
以上のように、基板４８は、Ｙ方向に移動および位置決め可能で、かつ、θｚ方向に揺動および位置決め可能となっている。また、ヘッド２０は、Ｘ、Ｚ方向に移動および位置決め可能で、かつ、α、β、γ方向に揺動および位置決め可能となっている。したがって、本実施形態の液滴吐出装置１０は、ヘッド２０の吐出面２０Ｐと、テーブル４６上の基板４８との相対的な位置および姿勢を、正確にコントロールすることができるようになっている。
【００６２】
図７に示すように、ヘッド２０は、液状材料２をノズル９１から吐出するものである。このヘッド２０は、液体の吐出方式として、ピエゾ素子を用いたピエゾ方式を採用している。このピエゾ方式は、液体に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないという利点を有する。なお、液体の吐出方式として、液体を加熱して発生した泡（バブル）により液体を吐出させる方式など、公知の種々の技術を適用することもできる。
【００６３】
ヘッド２０のヘッド本体９０には、リザーバ９５およびリザーバ９５から分岐された複数のインク室９３が形成されている。リザーバ９５は、各インク室９３に液状材料２を供給するための流路になっている。また、ヘッド本体９０の下端面には、吐出面２０Ｐを構成するノズルプレート２０Ａが装着されている。このノズルプレート２０Ａには、液状材料２を吐出するための複数のノズル９１が、各インク室９３に対応して開口形成されている。そして、各インク室９３から対応するノズル９１に向かって、インク流路が形成されている。
【００６４】
また、ヘッド本体９０の上端面には、振動板９４が装着されている。なお、振動板９４は各インク室９３の壁面を構成している。その振動板９４の外側には、各インク室９３に対応して、ピエゾ素子９２が設けられている。ピエゾ素子９２は、水晶等の圧電材料を一対の電極（不図示）で挟持したものである。その一対の電極は、駆動回路９９に接続されている。
【００６５】
そして、駆動回路９９からピエゾ素子９２に電圧を印加すると、ピエゾ素子９２が膨張変形または収縮変形する。ピエゾ素子９２が収縮変形すると、インク室９３の圧力が低下して、リザーバ９５からインク室９３に液状材料２が流入する。一方、ピエゾ素子９２が膨張変形すると、インク室９３の圧力が増加して、ノズル９１から液状材料２が吐出される。なお、ピエゾ素子９２への印加電圧を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形量を制御することができる。また、ピエゾ素子９２への印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子９２の変形速度を制御することができる。すなわち、ピエゾ素子９２への印加電圧を制御することにより、液状材料２の吐出条件を制御しうるようになっている。
【００６６】
［電子機器］
次に、本発明を用いて製造された電子機器を、図８に基づいて説明する。
図８は、本発明を用いて製造された電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４、送話口１２０６、表示部１０００を備えている。表示部１０００は、前述した電子デバイス用基板１００を備えるものである。このような電子機器は、本発明の膜付き基板の製造方法を用いて形成されているので、優れた特性を有する。
【００６７】
また、電子機器は前述のアクティブマトリクス装置を含むものであれば例えば表示部１０００を構成するパネル等の商取引で譲渡されうる形態を備えた半製品でもよく、例えば液晶表示装置、有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置などが含まれる。
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
例えば、前述した実施形態では、基板上に形成された膜を走査線として用いる場合を説明したが、基板上に形成された膜は、他の電気配線や電極等にも用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施形態にかかる膜付き基板の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施形態の膜付き基板が備える薄膜トランジスタの構成を示す図（縦断面図および平面図）である。
【図３】本発明の実施形態にかかる膜付き基板の製造方法を説明するための図（断面図）である。
【図４】本発明の実施形態にかかる膜付き基板の製造方法を説明するための図（平面図）である。
【図５】本発明の実施形態にかかる膜付き基板の製造方法を説明するための図（平面図）である。
【図６】本発明の実施形態にかかる膜付き基板の製造方法における第１の液滴付与工程および第２の液滴付与工程に用いる液滴吐出装置の概略構成を示す図である。
【図７】図６に示す液滴吐出装置のヘッド部の概略構成を示す図である。
【図８】本発明を用いて製造された電子機器の一例である携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
１……薄膜トランジスタ  １０……液滴吐出装置  １２……ベース  １４……第１移動手段  １６……第２移動手段  １６Ａ……支柱  １６Ｂ……コラム  ２……液滴材料  ２０……ヘッド  ２０Ａ……ノズルプレート  ２０Ｐ……インク吐出面  ２２……キャッピングユニット  ２３……制御装置  ２４……クリーニングユニット  ４０……ガイドレール  ４２……スライダ  ４４……モータ  ４６……テーブル  ４６Ａ……穴  ４８……基板  ６０……スライダ  ６２……モータ  ６２Ａ……ガイドレール  ６４、６６、６８……モータ  ７０……液滴  ７１……固化部  ７２……ソース電極  ７３……ドレイン電極  ７４……第２の液滴  ７５，７６，７７……液滴  ７６……第２の膜  ７８……半導体層  ７９……ゲート絶縁膜  ８０……ゲート電極  ９０……ヘッド本体  ９１……ノズル  ９２……ピエゾ素子  ９３……インク室  ９４……振動板  ９５……リザーバ  ９９……駆動回路  １００……電子デバイス用基板（膜付き基板）  １０１……データ線  １０２……走査線  １０３……画素電極  １０００……表示部  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  ２００１……ＭＯＳトランジスタ
【図１】
2006281137.tif 000003
【図２】
2006281137.tif 000004
【図３】
2006281137.tif 000005
【図４】
2006281137.tif 000006
【図５】
2006281137.tif 000007
【図６】
2006281137.tif 000008
【図７】
2006281137.tif 000009
【図８】
2006281137.tif 000010