(57)【要約】【課題】  膜材料を基板上に成膜する際に、該膜形状を任意にコントロールできるデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明のデバイスの製造方法は、機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を基板上に塗布する第１塗布工程と、塗布した液状組成物を乾燥して仮塗膜を形成する第１乾燥工程と、形成した仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解することが可能な溶媒を塗布する第２塗布工程と、塗布した溶媒を乾燥して機能膜１１０ｂを形成する第２乾燥工程と、を有してなることを特徴とする。【選択図】    図３
2006278127.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を基板上に塗布する第１塗布工程と、
塗布した液状組成物を乾燥して仮塗膜を形成する第１乾燥工程と、
形成した仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布する第２塗布工程と、
塗布した溶媒を乾燥して機能膜を形成する第２乾燥工程と、
を有してなることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１塗布工程と前記第２塗布工程とにおいて、それぞれ用いる溶媒が異なることを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１の機能を有する第１機能材料を含む第１液状組成物と、前記第１の機能とは異なる第２の機能を有する第２機能材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、
前記第２塗布工程においては、前記第１機能材料からなる第１仮塗膜と前記第２機能材料からなる第２仮塗膜とのいずれか一方の膜に対して、該膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布することを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１の機能を有する第１機能材料を含む第１液状組成物と、前記第１の機能とは異なる第２の機能を有する第２機能材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、
前記第２塗布工程においては、前記第１機能材料からなる第１仮塗膜と前記第２機能材料からなる第２仮塗膜とに対して、それぞれ異なる溶媒を塗布することを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
発光材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を基板上に塗布する第１塗布工程と、
塗布した液状組成物を乾燥して仮塗膜を形成する第１乾燥工程と、
形成した仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布する第２塗布工程と、
塗布した溶媒を乾燥して発光層を形成する第２乾燥工程と、
を有してなることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１塗布工程と前記第２塗布工程とにおいて、それぞれ用いる溶媒が異なることを特徴とする請求項５に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１発光材料を含む第１液状組成物と、前記第１発光材料とは異なる色の発光を呈する第２発光材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、
前記第２塗布工程においては、前記第１発光材料からなる第１仮塗膜と前記第２発光材料からなる第２仮塗膜とのいずれか一方の仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布することを特徴とする請求項５又は６に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１発光材料を含む第１液状組成物と、前記第１発光材料とは異なる色の発光を呈する第２発光材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、
前記第２塗布工程においては、前記第１発光材料からなる第１仮塗膜と前記第２発光材料からなる第２仮塗膜とに対して、それぞれ異なる溶媒を塗布することを特徴とする請求項５又は６に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、赤色発光材料を含む赤色液状組成物と、緑色発光材料を含む緑色液状組成物と、青色発光材料を含む青色液状組成物とを含むものであって、これら赤色、緑色、青色の各液状組成物をそれぞれ異なる領域に塗布する一方、
前記第２塗布工程においては、前記赤色発光材料からなる赤色仮塗膜と、前記緑色発光材料からなる緑色仮塗膜と、前記青色発光材料からなる青色仮塗膜とのうちいずれか一の仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解することが可能な溶媒を塗布することを特徴とする請求項５又は６に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、赤色発光材料を含む赤色液状組成物と、緑色発光材料を含む緑色液状組成物と、青色発光材料を含む青色液状組成物とを含むものであって、これら赤色、緑色、青色の各液状組成物をそれぞれ異なる領域に塗布する一方、
前記第２塗布工程においては、前記赤色発光材料からなる赤色仮塗膜と、前記緑色発光材料からなる緑色仮塗膜と、前記青色発光材料からなる青色仮塗膜とに対して、それぞれ異なる溶媒を塗布することを特徴とする請求項５又は６に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項５ないし１０のいずれか１項に記載の方法を用いて製造されたことを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法、ＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）の製造方法、その製造方法により得られるＥＬ装置、及び該ＥＬ装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機又は無機のＥＬ材料（エレクトロルミネッセンス材料）をインク化し、このインクを基体上に吐出するインクジェット法により、ＥＬ装置を製造する技術が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このようなインクジェット法を用いて、マイクロオーダーの液滴を画素領域に配することにより、ＥＬ装置を製造することは、材料の利用効率を考えると、スピンコートなどの方法に比べて有効である。
【特許文献１】特許第３３２８２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１のような手法を用いてＥＬ装置を作製する場合、例えば赤色発光、緑色発光、青色発光などの複数の発光色の材料を所定配列で形成することが一般的である。ここで、インクジェット法により配した液滴を乾燥するに際しては、各色の材料をインクジェット法により配した後、個別に乾燥する方法と、全ての色の材料をインクジェット法により配した後、一括で乾燥する方法とが考えられる。また、特に一括乾燥を採用する場合は、各色の発光材料に対する溶媒を共通化して、同様の乾燥条件で乾燥させることが好ましいと考えられる。
【０００４】
しかしながら、各色発光材料は溶媒に対する溶解性が異なるため、各色で溶媒を共通化した際には、一の色では粘度が高くなり、他の色では粘度が低くなってしまい、液滴の塗布性が低下する場合も生じ得ることとなる。また、溶媒の共通化により各色の溶液の粘度が異なるものとなり、これにより各色で乾燥後の画素内膜形状が異なるといった弊害も生じ得る。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであって、ＥＬ装置に限らず電子デバイス全般において、膜材料を基板上に成膜する際に、該膜形状を任意にコントロールできる製造方法を提供することを目的としている。特に、異なる膜材料をそれぞれ同一基板上にパターン成膜する際に、成膜される各材料の膜について全ての膜形状を任意にコントロールでき、ひいては各材料について平坦な膜を得ることが可能な手法を提供することを目的としている。
【０００６】
また、本発明は、特にＥＬ装置の製造方法について、発光材料を基板上に成膜する際に、該膜形状を任意にコントロールできる製造方法を提供することを目的としている。特に、異なる発光材料をそれぞれ同一基板上にパターン成膜する際に、成膜される各発光材料の膜について全ての膜形状を任意にコントロールでき、ひいては各発光材料について平坦な膜を得ることが可能な手法を提供することを目的とし、そのような方法の採用により、発光特性に優れたＥＬ装置を提供することを目的としている。さらに、本発明は、このようなＥＬ装置を備えた電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のデバイスの製造方法は、能材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を基板上に塗布する第１塗布工程と、塗布した液状組成物を乾燥して仮塗膜を形成する第１乾燥工程と、形成した仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布する第２塗布工程と、塗布した溶媒を乾燥して機能膜を形成する第２乾燥工程と、を有してなることを特徴とする。
【０００８】
このような製造方法によると、第２塗布工程の際に塗布する溶媒で仮塗膜の表面形状を調整することが可能となり、その結果、第２乾燥工程後に得られる機能膜の膜形状を任意にコントロールできるものとなる。特に、第２塗布工程で用いる溶媒の溶解性次第で膜形状は異なるものとなるため、該溶媒の種類によって膜形状をコントロールすることができ、ひいては所望特性のデバイスを製造することができるようになる。
また、第１塗布工程及び第１乾燥工程で形成する仮塗膜は、この段階では膜形状は凹凸があったり厚さが不均一であっても良い。第２塗布工程で塗布される溶媒により修復されるからである。このような背景により、第１塗布工程及び第１乾燥工程においては仮塗膜の形状について留意する必要がなく、当該工程を迅速且つ簡便に行うことができ、例えば第１塗布工程をインクジェット法を用いて行うような場合には、インクジェットヘッドから吐出し易いように液状組成物を採用することができ、当該液状組成物の設計の自由度が広がるとともに、吐出の安定性も確保することができるようになる。その結果、当該デバイスの製造効率が向上し、ひいては歩留り向上、コスト削減に寄与することが可能となる。
【０００９】
なお、前記第１塗布工程と前記第２塗布工程とにおいて、それぞれ用いる溶媒を異ならせることができる。つまり、機能材料を含んだ液状組成物を構成する溶媒と、機能材料を含まない膜形状コントロール用の溶媒とを異ならせることで、それぞれの塗布工程における扱いを容易化させることができる。具体的には、第１塗布工程では、液状組成物の塗布性を考慮して、当該液状組成物が低粘度となるように溶媒を選択することができ、第２塗布工程では、膜形状のコントロールの観点から機能材料に対する溶解性に応じて溶媒を選択することができる。ここで、それぞれ用いる溶媒が異なるというのは、溶媒の種類が異なる他、混合溶媒であれば溶媒の組成比が異なることを含む意味である。
【００１０】
上記デバイスの製造方法のうち、前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１の機能を有する第１機能材料を含む第１液状組成物と、前記第１の機能とは異なる第２の機能を有する第２機能材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、前記第２塗布工程においては、前記第１機能材料からなる第１仮塗膜と前記第２機能材料からなる第２仮塗膜とのいずれか一方の膜に対して、該膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布するものとすることができる。このように第１仮塗膜と第２仮塗膜とを含む場合は、全ての仮塗膜に対して第２の塗布を施す必要はなく、膜形状をコントロールしたい所望の仮塗膜に対してのみに施すものとすれば、製造効率の向上を図ることが可能となる。なお、この場合、溶媒が塗布されない仮塗膜は、実質的には第１乾燥工程後に形成される膜が機能膜として構成されることとなる。
【００１１】
また、上記デバイスの製造方法のうち、前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１の機能を有する第１機能材料を含む第１液状組成物と、前記第１の機能とは異なる第２の機能を有する第２機能材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、前記第２塗布工程においては、前記第１機能材料からなる第１仮塗膜と前記第２機能材料からなる第２仮塗膜とに対して、それぞれ異なる溶媒を塗布するものとすることができる。このように第１仮塗膜と第２仮塗膜の双方に第２の塗布を施す場合は、それぞれ異なる溶媒を用いるのが好ましい。異なる溶媒を用いることで、第１仮塗膜と第２仮塗膜の双方の膜形状を好適にコントロールすることができるようになる。
【００１２】
次に、上記課題を解決するために、本発明のＥＬ装置の製造方法は、発光材料を溶媒に溶解ないし分散させた液状組成物を基板上に塗布する第１塗布工程と、塗布した液状組成物を乾燥して仮塗膜を形成する第１乾燥工程と、形成した仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布する第２塗布工程と、塗布した溶媒を乾燥して発光層を形成する第２乾燥工程と、を有してなることを特徴とする。
【００１３】
このような製造方法によると、第２塗布工程の際に塗布する溶媒で仮塗膜の表面形状を調整することが可能となり、その結果、第２乾燥工程後に得られる発光層の層形状（膜形状）を任意にコントロールできるものとなる。特に、第２塗布工程で用いる溶媒の溶解性次第で層形状（膜形状）は異なるものとなるため、該溶媒の種類によって層形状をコントロールすることができ、その結果、発光むらの少ないＥＬ装置を、ひいては層形状により定まる所望の発光特性を具備したＥＬ装置を製造することができるようになる。
また、第１塗布工程及び第１乾燥工程で形成する仮塗膜は、この段階では膜形状は凹凸があったり厚さが不均一であっても良い。第２塗布工程で塗布される溶媒により修復されるからである。このような背景により、第１塗布工程及び第１乾燥工程においては仮塗膜の膜形状に留意する必要がなく、当該工程を迅速且つ簡便に行うことができ、例えば第１塗布工程をインクジェット法を用いて行うような場合には、インクジェットヘッドから吐出し易いように液状組成物を採用することができ、当該液状組成物の設計の自由度が広がるとともに、吐出の安定性も確保することができるようになる。その結果、当該ＥＬ装置の製造効率が向上し、ひいては歩留り向上、コスト削減に寄与することが可能となる。
【００１４】
なお、前記第１塗布工程と前記第２塗布工程とにおいて、それぞれ用いる溶媒を異ならせることができる。つまり、発光材料を含んだ液状組成物を構成する溶媒と、発光材料を含まない層形状コントロール用の溶媒とを異ならせることで、それぞれの塗布工程における扱いを容易化させることができる。具体的には、第１塗布工程では、液状組成物の塗布性を考慮して、当該液状組成物が低粘度となるように溶媒を選択することができ、第２塗布工程では、層形状のコントロールの観点から発光材料に対する溶解性に応じて溶媒を選択することができる。ここで、それぞれ用いる溶媒が異なるというのは、溶媒の種類が異なる他、混合溶媒であれば溶媒の組成比が異なることを含む意味である。
【００１５】
前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１発光材料を含む第１液状組成物と、前記第１発光材料とは異なる色の発光を呈する第２発光材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、前記第２塗布工程においては、前記第１発光材料からなる第１仮塗膜と前記第２発光材料からなる第２仮塗膜とのいずれか一方の仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解ないし分散させることが可能な溶媒を塗布するものとすることができる。このように第１仮塗膜と第２仮塗膜とを含む場合は、全ての仮塗膜に対して第２の塗布を施す必要はなく、膜形状をコントロールしたい所望の仮塗膜に対してのみに施すものとすれば、製造効率の向上を図ることが可能となる。なお、この場合、溶媒が塗布されない仮塗膜は、実質的には第１乾燥工程後に形成される膜が発光層として構成されることとなる。
【００１６】
また、前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、第１発光材料を含む第１液状組成物と、前記第１発光材料とは異なる色の発光を呈する第２発光材料を含む第２液状組成物とを含むものであって、これら第１液状組成物と第２液状組成物とをそれぞれ異なる領域に塗布する一方、前記第２塗布工程においては、前記第１発光材料からなる第１仮塗膜と前記第２発光材料からなる第２仮塗膜とに対して、それぞれ異なる溶媒を塗布するものとすることができる。このように第１仮塗膜と第２仮塗膜の双方に第２の塗布を施す場合は、それぞれ異なる溶媒を用いるのが好ましい。異なる溶媒を用いることで、第１仮塗膜と第２仮塗膜の双方の膜形状を好適にコントロールすることができるようになる。
【００１７】
また、前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、赤色発光材料を含む赤色液状組成物と、緑色発光材料を含む緑色液状組成物と、青色発光材料を含む青色液状組成物とを含むものであって、これら赤色、緑色、青色の各液状組成物をそれぞれ異なる領域に塗布する一方、前記第２塗布工程においては、前記赤色発光材料からなる赤色仮塗膜と、前記緑色発光材料からなる緑色仮塗膜と、前記青色発光材料からなる青色仮塗膜とのうちいずれか一の仮塗膜に対して、該仮塗膜を溶解することが可能な溶媒を塗布するものとすることができる。このように赤色仮塗膜と緑色仮塗膜と青色仮塗膜とを含む場合は、全ての仮塗膜に対して第２の塗布を施す必要はなく、膜形状をコントロールしたい所望の仮塗膜に対してのみに施すものすれば、製造効率の向上を図ることが可能となる。なお、この場合、溶媒が塗布されない色の仮塗膜は、実質的には第１乾燥工程後に形成される膜が、その色の発光層として構成されることとなる。
【００１８】
さらに、前記第１塗布工程において、前記液状組成物は、赤色発光材料を含む赤色液状組成物と、緑色発光材料を含む緑色液状組成物と、青色発光材料を含む青色液状組成物とを含むものであって、これら赤色、緑色、青色の各液状組成物をそれぞれ異なる領域に塗布する一方、前記第２塗布工程においては、前記赤色発光材料からなる赤色仮塗膜と、前記緑色発光材料からなる緑色仮塗膜と、前記青色発光材料からなる青色仮塗膜とに対して、それぞれ異なる溶媒を塗布するものとすることができる。各色について異なる溶媒を用いることで、各色発光層の層形状を好適にコントロールすることができるようになる。
【００１９】
次に、上記課題を解決するために、本発明のＥＬ装置は、上記方法を用いて製造されたことを特徴とする。このようなＥＬ装置は、発光むら等が生じ難く、発光特性が優れたものとなる。また、本発明の電子機器は、上記ＥＬ装置を備えることを特徴とする。このようなＥＬ装置を例えば表示部に具備した電子機器は、表示特性に優れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施の形態では、本発明に係る製造方法により製造されるＥＬ装置の一例として有機ＥＬ装置の構成について説明した後、その製造方法を説明するものとする。また、本実施の形態では、各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２１】
（ＥＬ装置）
図１は、本発明に係る製造方法により製造された有機ＥＬ装置について、その配線構造を示す説明図であって、図２は、該有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は、該有機ＥＬ装置の表示領域の断面模式図である。
【００２２】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に対して並列する方向に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ｐが設けられている。
【００２３】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、この画素電極１１１と対向電極（陰極）１２との間に挟み込まれた有機ＥＬ層１１０とが設けられている。画素電極１１１と対向電極１２と有機ＥＬ層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２４】
走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に有機ＥＬ層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。有機ＥＬ層１１０では、流れる電流量に応じて発光が生じる。
【００２５】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図３に示すように、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。ここで、発光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成される。
基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、図２に示すように、基板２の中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｃとに区画されている。なお、表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり。
【００２６】
また、非表示領域２ｃには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。更に、走査側駆動回路１０５、１０５の両側には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。表示領域２ａの図示上側には製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行う検査回路１０６が配置されている。
【００２７】
図３の断面構成図には、３つの画素領域Ａが図示されている。本実施形態の有機ＥＬ装置では、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、有機ＥＬ層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次積層されて構成されており、有機ＥＬ層１１０から基板２側に発せられた光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機ＥＬ層１１０から基板２の反対側に発せられた光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。なお、上記陰極１２として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを挙げることができる。
【００２８】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度リンイオン打ち込みにより形成されている。前記リンイオンが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００２９】
また、前記下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００３０】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
【００３１】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０と、各画素電極１１１及び有機ＥＬ層１１０の間に備えられて各有機ＥＬ層１１０を区画するバンク（隔壁）部１１２とを主体として構成されている。有機ＥＬ層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、有機ＥＬ層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターン形成されている。この各画素電極１１１…を仕切る形にてバンク部１１２が備えられている。
【００３２】
バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する第１隔壁部としての無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する第２隔壁部としての有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層された構成を備えている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２等により形成され、有機物バンク層１１２ｂは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等により形成される。
【００３３】
無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗り上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが部分的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂの縁端よりも画素電極１１１の中央側に更に突出するように形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部（突出部）１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００３４】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより間口が広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜した形状となる。このようにして、バンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通された開口部１１２ｇが形成されている。
【００３５】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面であり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、テトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００３６】
有機ＥＬ層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、発光層１１０ｂに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入／輸送層１１０ａ内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が再結合し、発光が行われる。
【００３７】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極１１１上に形成されている。また、発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に形成されており、その厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３の３種類を有し、図２に示したように、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。そして、図３に示すように、赤色発光層１１０ｂ１は赤色画素ＡＲを、緑色発光層１１０ｂ２は緑色画素ＡＧを、青色発光層１１０ｂ３は青色画素ＡＢを構成している。
【００３８】
なお、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂを形成する材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。このような材料の採用により、正孔注入／輸送層１１０ａは水溶性（親水性）を示す一方、発光層１１０ｂは油溶性（疎水性）を示すこととなる。
【００３９】
陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって有機ＥＬ層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。
【００４０】
また、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００４１】
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００４２】
図３に示す発光素子部１１上には、実際の有機ＥＬ装置では封止部が備えられる。この封止部は、例えば基板２の周囲に環状に封止樹脂を塗布し、さらに封止缶により封止することにより形成することができる。前記封止樹脂は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止部は、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する目的で設けられる。また、前記封止缶の内側には水、酸素等を吸収するゲッター剤を設け、封止缶の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００４３】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）バンク部形成工程、（２）バンク部表面処理工程（撥液化工程）、（３）正孔注入／輸送層形成工程、（４）発光層形成工程、（５）陰極形成工程及び（６）封止工程等を有する。
なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。また、（３）正孔注入／輸送層形成工程、（４）発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法（インクジェット法）を用いて行われる。
【００４４】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定位置に図４に示すようなバンク部１１２を形成する。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造を有している。なお、基板２には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２３及びこれに接続された画素電極１１１を予め形成しておくものとする。
【００４５】
（１）−１  無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図４に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４６】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部（下部開口部１１２ｃ）を有する形にて形成される。なお、このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と一部重なるように形成され、これにより有機ＥＬ層１１０の平面的な発光領域が制御される。
【００４７】
（１）−２  有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
具体的には、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。
【００４８】
上部開口部１１２ｄは、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは断面形状がテーパー状をなすことが好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最底面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００４９】
また、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂの合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを超えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５０】
（２）バンク部表面処理工程
さらに、形成されたバンク部１１２、及び画素電極１１１の表面は、プラズマ処理により適切な表面処理が施される。具体的には、バンク部１１２表面の撥液化処理、及び画素電極１１１の親液化処理を行う。
【００５１】
まず、画素電極１１１の表面処理は、酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、画素電極１１１表面を含む領域を親液化することができる。また、このＯ２プラズマ処理により画素電極１１１表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。
【００５２】
次いで、バンク部１１２の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、テトラフルオロメタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、バンク部１１２の上部開口部１１２ｄ及び上面１１２ｆを撥液化することができる。
【００５３】
（３）正孔注入／輸送層形成工程
次に、発光素子を形成するために、まず画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。本実施の形態の正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法を採用しているが、スピンコート法等、その他の液相による塗布法を採用することができる。
【００５４】
上述した通り、正孔注入／輸送層形成工程ではインクジェット法により、つまり液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を画素電極１１１上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。本工程で用いる液状組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００５５】
より具体的な組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。なお、上記液状組成物の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、特に４ｍＰａ・ｓ〜１５ｍＰａ・ｓ程度が良い。
【００５６】
吐出された組成物の液滴１１０ｃは、図５に示すように、親液処理された画素電極１１１上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、弾かれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００５７】
画素電極１１１上に吐出する組成物の量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、液状組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、液状組成物の液滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の画素電極１１１上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物を変えても良い。更に電極１１１の同一箇所のみならず、各回毎に電極１１１内の異なる箇所に前記液状組成物を吐出しても良い。
【００５８】
次に、図６に示すような乾燥工程を行う。つまり、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、液状組成物に含まれる溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図６に示すように、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。
【００５９】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６０】
上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐出された組成物の液滴１１０ｃが、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂで液状組成物がはじかれて下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。これにより、吐出した組成物の液滴１１０ｃを必ず下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することができ、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
【００６１】
（４）発光層形成工程
発光層形成工程は、発光層形成材料塗布工程及び乾燥工程とからなる。
ここでは、発光層形成材料塗布工程に先立って、上述したバンク部表面処理工程と同様に、図６に示すように形成された正孔注入／輸送層１１０ａの表面を酸素プラズマ処理により親液化する一方、周縁部１１０ａ２及びバンク部１１２表面についてはＣＦ４プラズマ処理により撥液化するものとしている。
【００６２】
そして、表面処理工程後、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する（第１塗布工程）。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理（及び熱処理）して仮塗膜１１０ｄ（図９参照）を形成する（第１乾燥工程）一方、該仮塗膜１１０ｄに対して溶媒を塗布（第２塗布工程）してリペア処理を行い、乾燥後（第２乾燥工程）、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成するものとしている。そこで、以下、仮塗膜形成工程及びリペア処理工程について説明する。なお、本実施の形態では、仮塗膜１１０ｄの形成とリペア処理の２段階で発光層１１０ｂを形成するものとしているが、例えば仮塗膜１１０ｄの形成後、リペア処理を２回以上行うものとしても良い。
【００６３】
（４）−１  仮塗膜形成工程（第１塗布工程及び第１乾燥工程）
図７に、仮塗膜形成工程におけるインクジェット法による発光層形成用材料を含む液状組成物（仮塗膜形成用液状組成物）の塗布工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料（発光材料）を含有する液状組成物（仮塗膜形成用液状組成物）が吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら仮塗膜形成用液状組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液が吐出ノズルから吐出され、仮塗膜形成用液状組成物の液滴を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００６４】
本実施形態では、上記青色画素ＡＢに対して青色発光層形成材料を含む仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１を配置した後、他の発光層用の仮塗膜形成用液状組成物１１０ｆ１，１１０ｇ１の吐出を行う。
つまり、図８に示すように、基板２上に滴下された青色画素ＡＢ用の仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１を乾燥させることなく、緑色画素ＡＧ用の液状組成物１１０ｆ１及び赤色画素ＡＲ用の液状組成物１１０ｇ１の吐出配置を行うようになっている。このように各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに対して仮塗膜を形成するための液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の滴下を行うに際しては、各色用の液状組成物をそれぞれ充填した複数の吐出ヘッドを、それぞれ独立に走査して基板２上への液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の配置を行ってもよく、前記複数の吐出ヘッドを一体的に走査することにより、ほぼ同時に液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の配置を行うようにしてもよい。
【００６５】
図８に示すように、吐出された各液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１は、正孔注入／輸送層１１０ａ上の全面に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１が所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１で濡れることがなく、液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００６６】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する液状組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、液状組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。なお、ここでは、発光層を形成するのに必要十分な量の液状組成物を吐出するものとしており、つまり仮塗膜を形成する発光層形成材料（発光材料）のみで発光層１１０ｂが形成されるものとなる。また、液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１は１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に液状組成物を吐出配置しても良い。
【００６７】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。そして、これら発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒は、各色毎に同じ種類のもの、具体的にはトリメチルベンゼンとキシレンとの混合溶媒（トリメチルベンゼン：キシレン＝５：５（体積比））を用いた。
【００６８】
次に、上記各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢの仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１を所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３が正孔注入／輸送層１１０ａ上の全面に形成される。すなわち、乾燥により液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１に含まれる溶媒が蒸発し、図９に示すような赤色（Ｒ）仮塗膜１１０ｄ１、緑色（Ｇ）仮塗膜１１０ｄ２、青色（Ｂ）仮塗膜１１０ｄ３が形成される。
【００６９】
また、各仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、仮塗膜形成材料（すなわち発光層形成材料）が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
【００７０】
なお、この仮塗膜形成工程では、塗布性向上を図るために、各色仮塗膜毎に同じ種類の溶媒（共通溶媒）を用いて仮塗膜を形成しており、その結果、図９に示すように各色の仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３はそれぞれ異なる膜形状を備えることとなる。つまり、各色の発光層形成材料について、上記共通溶媒に対する溶解性が異なるため、形成される仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３において膜形状の違いが生じるものとなっている。具体的には、図９に示す通り、赤色の仮塗膜１１０ｄ１は凹形状、緑色の仮塗膜１１０ｄ２は平坦形状、青色の仮塗膜１１０ｄ３は凸形状に形成されている。
【００７１】
（４）−２  リペア処理工程（第２塗布工程及び第２乾燥工程）
次に、形成した仮塗膜１１０ｄ上に溶媒を塗布することでリペア処理を行う。図１０に、リペア処理工程におけるインクジェット法による溶媒の塗布工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色毎に溶媒（例えば図１０では青色画素ＡＢに対してトリメチルベンゼンとキシレンの混合溶媒１１０ｅ２）が吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する仮塗膜１１０ｄに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら溶媒１１０ｅ２が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液が吐出ノズルから仮塗膜１１０ｄ上に吐出される。
【００７２】
青色画素ＡＢに対して溶媒１１０ｅ２を吐出した後、他の色に対しても吐出を順次行うものとしている。つまり、図１１に示すように、仮塗膜１１０ｄ３上に滴下された青色画素ＡＢ用の溶媒１１０ｅ２を乾燥させることなく、緑色画素ＡＧ用の溶媒１１０ｆ２及び赤色画素ＡＲ用の溶媒１１０ｇ２の吐出配置を行うようになっている。
【００７３】
ここで、本実施形態では、各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢ毎に吐出する溶媒を異ならせている。具体的には、図１１に示すように、青色画素ＡＢに対して吐出する青色用溶媒１１０ｅ２は、トリメチルベンゼンとキシレンが体積比７：３で含有されたもの、緑色画素ＡＧに対して吐出する緑色用溶媒１１０ｆ２は、トリメチルベンゼンとキシレンが体積比５：５で含有されたもの、赤色画素ＡＲに対して吐出する赤色用溶媒１１０ｇ２は、トリメチルベンゼンとキシレンが体積比３：７で含有されたものを用いている。なお、緑色画素ＡＧに対しては必ずしも溶媒を塗布する必要はないが、飽和した溶媒雰囲気により再溶解の影響が考えられるので、当該緑色画素ＡＧに対しても溶媒を吐出しておくことが好ましい。
【００７４】
このように各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに対してリペア処理用の溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２の滴下を行うに際しては、各色用の溶媒をそれぞれ充填した複数の吐出ヘッドを、それぞれ独立に走査して基板２上への溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２の配置を行ってもよく、前記複数の吐出ヘッドを一体的に走査することにより、ほぼ同時に溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２の配置を行うようにしてもよい。
【００７５】
図１１に示すように、吐出された各溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２は、仮塗膜１１０ｄ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２が所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２で濡れることがなく、溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。なお、各仮塗膜１１０ｄ上に吐出する溶媒量及び溶媒比率は、形成しようとする発光層１１０ｂの形状により決定される。
【００７６】
次に、上記各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢの溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２を所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより、図１２に示すように発光層１１０ｂが形成される。すなわち、乾燥により溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２が蒸発し、図１２に示すような各色発光層１１０ｂ１，１１０ｂ２，１１０ｂ３が形成される。この場合、リペア処理により仮塗膜１１０ｄで生じていた凹凸形状が修復され、当該発光層１１０ｂ１，１１０ｂ２，１１０ｂ３においては、その表面は平坦になっており、発光むらが生じ難い構成となっている。
【００７７】
なお、各溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２が突沸してしまうので好ましくない。
【００７８】
次いで、上記真空乾燥が終了したならば、ホットプレート等の加熱手段を用いて発光層１１０ｂのアニール処理を行うことが好ましい。このアニール処理は、各有機ＥＬ層の発光特性を最大限に引き出せる共通の温度と時間で行う。このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００７９】
ここで、本実施形態の発光層形成工程では、当該発光層１１０ｂを構成する発光層構成材料（機能材料、発光材料）を溶媒に溶解ないし分散させた仮塗膜形成用の液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１を正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布し、該塗布した液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１を乾燥することで仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３を形成した後、該仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３上に、当該発光層１１０ｂを溶解ないし分散させることが可能な溶媒（リペア処理用溶媒）１１０ｅ２〜１１０ｇ２を仮塗膜１１０ｄ（１１０ｄ３〜１１０ｄ１）上に塗布し、これを乾燥して発光層１１０ｂを形成するものとしている。このような方法の採用により、発光層１１０ｂにおいて膜厚むらが生じたり、膜が部分的に形成されない等の欠陥が生じ難くなり、ひいては発光むら等が生じ難い発光特性の良好な有機ＥＬ装置を提供することが可能となる。
【００８０】
特に本実施形態では、色毎に異なるリペア処理用溶媒を用いているため、各色に最適なリペア処理を施すことができるものとなっている。
また、本実施形態の方法の採用により、仮塗膜形成工程においては、形成する膜形状に拘らずインクジェットヘッドから吐出し易いように溶媒を選択することができ、用いる液状組成物の設計の自由度が広がるとともに、吐出の安定性も確保することができるようになる。その結果、当該ＥＬ装置の製造効率を向上させることができ、ひいては歩留り向上、コスト削減に寄与することが可能となった。
【００８１】
（５）陰極形成工程
次に、図１３に示すように、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂを含む基板２上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００８２】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００８３】
（６）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子が形成された基板２と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００８４】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置が完成する。
【００８５】
以上のような製造方法によると、形成される発光層１１０ｂにおいて膜厚むらが少なく、膜の一部が抜ける等の不具合が少ない有機ＥＬ装置を提供でき、ひいては当該有機ＥＬ装置の発光特性を高めることが可能となる。
【００８６】
なお、溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２の選択は、形成された仮塗膜１１０ｄの形状によって適宜決定される。例えば図１５（ａ）に示すように、仮塗膜１１０ｄが深い凹形状となっている場合には、キシレンとトリメチルベンゼンとを７；３で混合した溶媒を採用することができる。そして、図１５（ｂ）に示すように、仮塗膜１１０ｄの凹形状が図１５（ａ）の場合よりも若干浅いような場合には、キシレンとトリメチルベンゼンとを６；４で混合した溶媒を採用することができる。
【００８７】
一方、例えば図１５（ｅ）に示すように、仮塗膜１１０ｄが高い凸形状となっている場合には、キシレンとトリメチルベンゼンとを３；７で混合した溶媒を採用することができる。そして、図１５（ｄ）に示すように、仮塗膜１１０ｄの凸形状が図１５（ｅ）の場合よりも若干低いような場合には、キシレンとトリメチルベンゼンとを４；６で混合した溶媒を採用することができる。そして、図１５（ｃ）のような平坦な仮塗膜１１０ｄに対しては、リペア処理を行わないか、仮塗膜形成工程で用いた溶媒（キシレンとトリメチルベンゼンとを５；５で混合した溶媒）を用いて処理することができる。
【００８８】
なお、リペア処理で用いる溶媒としては、キシレンとトリメチルベンゼンの混合溶媒の他、アニソールとキシレンの混合溶媒等を採用することもでき、このような混合溶媒においてもリペア処理につき各色毎に溶媒の体積比を異ならせて用いることで、各色毎に好適なリペア処理を施すことができる。
【００８９】
また、本実施形態では、仮塗膜形成工程とリペア処理工程において同種の溶媒を塗布するものとしているが、各工程において溶媒を異ならせることができるのは言うまでもない。具体的には、仮塗膜形成工程では、液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の塗布性を考慮して、当該液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１が低粘度となるように溶媒を選択する一方、リペア処理工程では、膜形状のコントロールの観点から発光層形成材料に対する溶解性に応じて溶媒１１０ｅ２〜１１０ｇ２を選択することができる。
【００９０】
また、本実施形態では、全ての色の画素に対して体積比は異なるものの種類の同じ２溶媒からなる混合溶媒によりリペア処理を行っているが、色毎に溶媒種を異ならせることもできる。さらに、本実施形態では、全ての色の画素に対してリペア処理を行うものとしているが、例えば膜形状に欠陥が生じた色の画素、或いは欠陥が生じ易い色の画素に対して選択的にリペア処理を行うものとしても良い。さらに、本実施形態では、発光層形成工程においてリペア処理を行うものとしているが、このようなリペア処理は例えば正孔注入／輸送層形成工程において施すことも可能である。
【００９１】
また、図１４に示すように、正孔注入／輸送層１１０ａ上に電子ブロック層１１３を形成した場合にも、上記同様の本発明に係る方法を採用することができる。このような方法の採用により、電子ブロック層１１３上に形成される発光層１１０ｂの膜厚が均一となるとともに、当該発光層１１ｂにおける膜の欠陥が殆ど生じないものとなる。
【００９２】
さらに、本実施形態では有機ＥＬ装置を例に説明したが、上述の製造方法を無機ＥＬ装置の製造時に採用できることは言うまでもない。或いは、基板上に配線等を有する半導体装置、その他の機能膜を有するデバイスにおいて、当該配線等の機能膜を形成する際、簡易的に仮塗膜を形成した後、リペア処理するものとすれば、該機能膜の膜厚均一化、膜表面の平坦化を実現することが可能となる。
【００９３】
（電子機器）
図１６は、本発明の方法により製造された有機ＥＬ装置を具備した電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した方法により製造された有機ＥＬ装置を表示手段として備えている。ここでは、携帯電話の一例を斜視図で示しており、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。このように有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器では、良好な表示特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明に係る方法により製造された有機ＥＬ装置の回路図。
【図２】同、平面構成図。
【図３】同、表示領域の断面構成図。
【図４】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図５】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図６】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図７】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図８】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図９】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１０】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１１】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１２】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１３】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１４】有機ＥＬ装置の一変形例を模式的に示す断面構成図。
【図１５】異なる形状の仮塗膜を幾つか示す断面模式図。
【図１６】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００９５】
２…基板、１１０…有機ＥＬ層、１１０ａ…正孔注入／輸送層、１１０ｂ…発光層（機能膜）、１１１…画素電極、１１２…バンク部（隔壁部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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