(57)【要約】【課題】  導電膜の修正において、修正箇所周辺における導電膜の連続性を確保する。【解決手段】  下地層５の表面に形成された第１の導電膜６の端部を緩斜面状に整形する工程と、この緩斜面と下地層５の露出部とに渡って第２の導電膜１０を形成する工程とによって修正を行う。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層の表面に形成された第１の導電膜の端部を、緩斜面状に整形する工程と、
少なくとも、前記緩斜面と、該緩斜面に近接する前記下地層の露出部とに渡って、第２の導電膜を形成する工程とを有する
ことを特徴とする導電膜修正方法。
【請求項２】
前記整形を、レーザ加工によって行う
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜修正方法。
【請求項３】
前記レーザ加工を、０．３Ｊ／ｃｍ２以上３．０Ｊ／ｃｍ２以下のレーザエネルギーで行う
ことを特徴とする請求項２に記載の導電膜修正方法。
【請求項４】
前記第２の導電膜の形成を、大気圧以下かつ真空以上の圧力における低圧成膜技術によって行う
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜修正方法。
【請求項５】
前記下地層が、前記第１の導電膜に比して低い熱伝導率を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜修正方法。
【請求項６】
前記第１の導電膜が、少なくとも、最表面の第１層と、前記第１層と前記下地層との間に形成された第２層とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜修正方法。
【請求項７】
前記第２層が、前記第１層に比して低い抵抗を有する低抵抗層である
ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜修正方法。
【請求項８】
前記第２層が、前記第１層に比して低い熱伝導率を有する低熱伝導層である
ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜修正方法。
【請求項９】
前記第２層が、前記第１層に比して高い耐酸化性を有する難酸化層である
ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜修正方法。
【請求項１０】
前記第１層が、前記第２層を構成する材料の酸化により形成された酸化物を有する
ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜修正方法。
【請求項１１】
前記第１層が、前記第２層を構成する主たる元素に比して、高いイオン化傾向を有する元素を、主たる元素として有する
ことを特徴とする請求項６に記載の導電膜修正方法。
【請求項１２】
前記下地層の少なくとも表面の一部が、絶縁体または半導体よりなる
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜修正方法。
【請求項１３】
前記緩斜面により、前記第１の導電膜をテーパー状とする
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜修正方法。
【請求項１４】
予め、前記整形とは独立して、前記第１の導電膜及び／または前記露出部に接する異物の除去を行う
ことを特徴とする請求項１に記載の導電膜修正方法。
【請求項１５】
下地層の表面に形成された第１の導電膜の端部が、緩斜面状に整形され、
少なくとも、前記緩斜面と、該緩斜面に近接する前記下地層の露出部とに渡って、第２の導電膜が形成された
ことを特徴とする積層構造物。
【請求項１６】
基体または基体上に形成された高抵抗層の、表面に形成された第１の導電膜の端部が、緩斜面状に整形され、
少なくとも、前記緩斜面と、該緩斜面に近接する前記基体または前記高抵抗層の露出部とに渡って、第２の導電膜が形成された
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下地層の表面に形成された導電膜を所定の形状に修正する導電膜修正方法と、この修正方法によって得ることのできる積層構造物及び薄膜トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や、液晶又は有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro Luminescence）ディスプレイ等の製造においては、その製造の過程で薄膜を完全に所定形状に形成することが難しい。特に導電膜については、変形によって抵抗が増加するとか、長期信頼性が低下するのみならず、短絡や断線などが生じるおそれがあり、その変形を修正する方法が求められている。
【０００３】
例えば、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor）いわゆるＴＦＴ基板上の配線部において、に示すように、配線の途中に異物などが介在することによって、断線するなどの問題があった。
これらの異物は、製造装置などを構成する金属微粒子や、製造が行われるクリーンルーム内に存在する微細な粉塵などが、例えば製造中の搬送過程において配線の形成部に付着することによって生成する。
【０００４】
レーザＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法等の薄膜形成技術によって配線を形成する場合、異物の形状や性質によって、段差による配線の断線や、配線への各種の悪影響を生じる恐れが高い。そのため、異物をレーザ照射により除去した後、除去個所、すなわち配線を構成する導電膜の端部からこの導電膜が形成される下地層例えば基板の露出部たとえば断線部にかけて、レーザＣＶＤ法等によってリペア用配線すなわち結線膜を形成して結線を行うのが望ましい。しかしながら、異物の除去を行った場合、この影響により配線端部が急傾斜すなわち略垂直になってしまうため、ＣＶＤ成膜時に段切れや過剰な薄膜化が生じてしまう問題があった。
【０００５】
これに対し、配線工程の次の層間絶縁膜工程後、配線上にコンタクトホールを設け、結線させる方法が提案されている。
【特許文献１】特開2003-280021号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この方法の場合、コンタクトホール形成箇所等の結線膜が層間絶縁膜で覆われていないため、長期信頼性に問題があり、また、結線長が長くなるため、配線抵抗の増加につながる等の問題がある。
更に、この層間絶縁膜の上に平坦化膜を形成する場合には、コンタクトホールの凹形状によって平坦化膜の上面平坦性に影響が生じるおそれもある。
したがって、層間絶縁膜を形成した後でコンタクトホールを設ける方法は、最適とは言い難い。
【０００７】
本発明は、上述の諸問題を鑑み、配線部に異物が介在することによって生じた断線部や変形部などの欠陥部の修正において、配線端部に急傾斜が形成されていた場合にも、安定して行うことのできる導電膜修正方法と、この導電膜修正方法によって得ることのできる、薄膜トランジスタをはじめとする積層構造物を供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る導電膜修正方法は、下地層の表面に形成された第１の導電膜の端部を、緩斜面状に整形する工程と、少なくとも、前記緩斜面と、該緩斜面に近接する前記下地層の露出部とに渡って、第２の導電膜を形成する工程とを有することを特徴とする。
第２の導電膜の形成に先立って、第１の導電膜の端部を、少なくとも垂直とは異なる屈曲角を下地層の露出部との間に形成する緩斜面状に整形することにより、第１の導電膜と下地層との段差による、第２の導電膜の段切れや不安定化を抑制することができる。
【０００９】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、前記整形を、レーザ加工によって行うことを特徴とする。
整形をレーザ加工によって行うことにより、導電膜が微細なパターンを構成する場合にも、所望の箇所に対してのみ選択的にエネルギーを加えることができる。
【００１０】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、前記レーザ加工を、０．３Ｊ／ｃｍ２以上３．０Ｊ／ｃｍ２以下のレーザエネルギーで行うことを特徴とする。
このレーザエネルギー範囲でレーザ加工を行うことにより、第１の導電膜における、加工時の熱拡散と加工後の形状を、選定することができる。
【００１１】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、前記第２の導電膜の形成を、大気圧以下かつ真空以上の圧力における低圧成膜技術によって行うことを特徴とする。
第２の導電膜の形成を低圧成膜技術によって行うことにより、成膜時の雰囲気の組成や状態を選定することができる。
【００１２】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、前記下地層が、前記第１の導電膜に比して低い熱伝導率を有することを特徴とする。
下地層の熱伝導率を第１の導電膜に比して小とすることにより、第１の導電膜の整形時における、下地層の、少なくとも熱による変質や変形を抑制することができる。
【００１３】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、前記第１の導電膜が、少なくとも、最表面の第１層と、前記第１層と前記下地層との間に形成された第２層とを有することを特徴とする。
本発明に係る導電膜の修正方法は、第１の導電膜が単層である場合のみならず、多層構造である場合や、或いは単層で一部が酸化などした場合にも、各層を構成する主たる材料の性質、例えば抵抗、熱伝導率、耐酸化性、イオン化傾向などの差に応じて、各層に対して異なる整形を施すことができる。
【００１４】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、前記下地層の少なくとも表面の一部が、絶縁体または半導体よりなることを特徴とする。
本発明に係る導電膜の修正方法によれば、下地層を構成する基体などが絶縁体や半導体で構成された場合に、導電膜のみを選択的に形状修正することができる。
【００１５】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、前記緩斜面により、前記第１の導電膜をテーパー状とすることを特徴とする。
前述の第１の導電膜の緩斜面を、下地層上に生じた複数の端部に形成することや、異物を挟んで対向する２つ以上の第１の導電膜の端部に対して、或いは１つの第１の導電膜の両端部に対して、各々同程度の傾斜を有する緩斜面を形成することにより、第１導電膜の形状を良好な対称性を有するテーパー形状とすることができる。
【００１６】
また、本発明は、前記導電膜修正方法において、予め、前記整形とは独立して、前記第１の導電膜及び／または前記露出部に接する異物の除去を行うことを特徴とする。
前述の第１の導電膜の整形とは独立して、例えば前もって異物の除去を行うことにより、第２の導電膜の形状安定性を確保できる。
【００１７】
本発明に係る積層構造物は、下地層の表面に形成された第１の導電膜の端部が、緩斜面状に整形され、少なくとも、前記緩斜面と、該緩斜面に近接する前記下地層の露出部とに渡って、第２の導電膜が形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、第２の導電膜と第１の導電膜との密着性が向上し、更に下地層と第１の導電膜との間の段差を低減して第２の導電膜を形成することができる。
【００１８】
本発明に係る薄膜トランジスタは、基体または基体上に形成された高抵抗層の、表面に形成された第１の導電膜の端部が、緩斜面状に整形され、少なくとも、前記緩斜面と、該緩斜面に近接する前記基体または前記高抵抗層の露出部とに渡って、第２の導電膜が形成されたことを特徴とする。
この構成によれば、下地層と第１の導電膜との間の段差を低減すると共に、下地層上の第２の導電膜と、第１の導電膜上の第２の導電膜との間の連続性を確保することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る導電膜の修正方法によれば、下地層の表面に形成された第１の導電膜の端部を緩斜面状に整形する工程と、前記緩斜面と下地層の露出部とに渡って第２の導電膜を形成する工程とを有することから、修正箇所周辺における導電膜の連続性を確保する修正を行うことができる。
【００２０】
すなわち、例えば異物等が介在する配線の修正において、配線端部の急傾斜を防ぎ低角度のテーパー状等にすることにより、信頼性を確保できる安定したレーザＣＶＤ結線が可能となり、例えばいわゆる白欠陥と呼ばれる、断線している配線の欠陥に対し、新たな断線や局所的な薄膜化が生じない安定した配線修正を行うことが可能となる。
【００２１】
また、本発明に係る積層構造物によれば、下地層の表面に形成された第１の導電膜の端部が緩斜面状に整形され、少なくとも緩斜面とこの緩斜面に近接する前記下地層の露出部とに渡って、第２の導電膜が形成されたことから、第２の導電膜の連続性の確保によって、膜の安定性ならびに歩留まりの向上が図られる。
【００２２】
また、本発明に係る薄膜トランジスタによれば、基体または基体上に形成された高抵抗層の表面に形成された第１の導電膜の端部が緩斜面状に整形され、少なくとも緩斜面とこの緩斜面に近接する基体または高抵抗層の露出部とに渡って、第２の導電膜が形成されたことから、第２の導電膜の変形や断裂の抑制、ならびに導電膜による配線や電極における抵抗増大化の回避や歩留まりの向上が可能とされるなど、本発明によれば、重要かつ多くの効果を挙げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本実施の形態に係る導電膜の修正方法は、レーザ加工による薄膜除去とレーザＣＶＤ法による結線機能を備えたレーザリペア装置を用いて、修正対象となる部材の、異物などが介在した変形部や断線部、或いは配線欠陥部に対して、その欠陥部に照射されるレーザ光の被照射部を含む局所排気部を、真空状態または窒素以外のガスによる雰囲気とし、加工用レーザを用いて、異物を除去した後、配線端部を低角度の緩斜面状或いは緩斜面が対向して形成されるテーパー状に加工することによって、配線端部が急傾斜になることを防ぎ、その後のレーザＣＶＤ法で結線を行い、結線部に断線や薄膜化が生じない安定した配線修正を行う手法である。
【００２４】
図１Ａ及び図１Ｂは、本実施形態に係る導電膜の修正方法により最終的に薄膜トランジスタなどの積層構造物とされる、レーザ加工物となる部材７の上面図、及び断面構造を表す。この部材７としては、例えば液晶あるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレイなどのディスプレイパネルとして用いられるものを挙げることができる。
本実施形態では、予め形成されたゲート配線上の絶縁性下地層５を介して、その上に積層形成されるソース配線すなわち第１の導電膜６の断線部８を修正する場合を例として、本発明に係る導電膜の修正方法の一例を説明する。また、本実施形態では、図１Ａにａで示す第１導電膜６の幅を１０μｍ、ｂで示す第１導電膜６間の幅を５μｍとする。
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は、この実施の形態に限られるものでない。
【００２６】
図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、本実施の形態に係る導電膜の修正方法を実施するのに好適な加工装置の一例の構成を示す概略構成図と、この加工装置を構成する局所排気装置の概略底面図である。
【００２７】
この加工装置は、所謂レーザリペア装置であり、例えば、液晶あるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造において、レーザ加工物すなわち部材７の配線パターン６の欠陥部分８にレーザＣＶＤ法により例えばタングステン（Ｗ）膜を形成し、または、配線短絡部などを除去することによって、欠陥を修正するために用いられるものである。このため、レーザ光源として、レーザCVD用のCWレーザと加工用の短パルス幅レーザを備えている。
【００２８】
本実施形態において、レーザ加工装置１は、図２Ａに示すように、レーザ照射及びＣＶＤを行うことが可能な加工装置であって、少なくとも、レーザ光源２と、局所排気装置３と、レーザ光源２からのレーザ光の照射対象物（後述する部材７）を支持する支持台４とを有する。少なくとも局所排気装置３及び支持台４は、例えば共通のチャンバー（図示せず）内に配置される。
【００２９】
この構成によるレーザ加工装置１は、下地層上に導電性薄膜が形成された部材に対して例えばパルスレーザ光を照射することにより薄膜を除去する機能と、例えばタングステンカルボニルなどの材料ガスを流した状態にて、ＣＷ（Continuous Wave；連続発振）レーザを照射するレーザＣＶＤ法により、例えばタングステンなどの金属膜を成膜する機能を併せ持つ。そして、基板上におけるレーザ光の照射位置である局所排気部を真空排気、またはアルゴン等の不活性ガスを供給するようにしたものである。
【００３０】
局所排気装置３は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、例えばその中心部にレーザ光Ｌの透過孔３９を有し、これを中心にその周囲に、圧縮した窒素を支持台４に向けて噴射することによって局所排気装置３を静圧浮上させる圧縮ガス供給手段３１と、支持台４に向けて噴射された圧縮ガスを外気とともにリング状吸引溝３６から排気する排気手段３２と、後述するパルスレーザ光の被照射部に近接する局所排気部３７にパージガスを供給するパージガス供給手段３３と、局所排気部３７におけるレーザＣＶＤの原料ガスとなる材料ガスの供給手段３４と、圧縮ガス供給手段３１からの圧縮ガスの供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路３１ａ及びその開口部に配置された多孔質通気手段３５とを有し、所謂静圧浮上パッドとして構成される。
【００３１】
局所排気装置３の、レーザ光Ｌの光路を形成する透過孔３９には、所要の深さ位置に、気密的に封止されてレーザ光Ｌを透過させるための透明窓３８が配置される。
この構成によって、吸引溝３６によって囲まれた領域内で透明窓３８と部材７の配置部との間の空間部に局所排気部３７が形成される。局所排気部３７には主に、材料ガス供給手段３４による原料ガスのほか、パージガス３３によるパージガスが導入され、このパージガスを導入する圧力、速度、位置、角度等を選定することにより、透明窓３８の表面における付着物の発生を抑制することなどが可能となる。
【００３２】
また、局所排気装置３は、支持台４上の部材７に対して相対的に変位可能とされ、材料ガス供給手段３４と、パージガス供給手段３３と、排気手段３２とによって、浮上剛性の向上が図られる。
なお、ここで浮上剛性とは、局所排気装置３と部材７を構成する例えば基体５との間の吸着力であり、この浮上剛性が十分でない場合には、局所排気装置３の基体５に対する高さつまりギャップの安定性が不十分となるとか、局所排気装置３の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、浮上剛性を十分に確保しておくことが望ましい。
【００３３】
一方、支持台４の上面には、局所排気装置３に対向して、基体となる下地層５及び配線等を構成する第１の導電膜６を有する部材７が配置される。本実施形態においては、部材７はＴＦＴ基板であり、第１の導電膜６は下地層５に比して高い熱伝導率を有する材料で構成される。また、下地層５は絶縁体または半導体で構成される。
下地層５を形成する材料としては、例えばＳｉＯ２によるガラスなどが挙げられる。一方、第１の導電膜６を形成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などの金属のうち、少なくともいずれか１つを有することが好ましく、その構成としては、上述の単体金属のほか、この金属を少なくとも１つ含む合金や多層膜等が挙げられる。
【００３４】
本実施形態に係る導電膜の修正方法を説明する。
まず、支持台４上に、短パルス幅レーザ光Ｌの照射対象となる部材７を載置した後、局所排気装置３の下へと移動させる。このとき、予め圧縮ガス供給手段３１によって、例えば０．２ＭＰａの圧縮窒素を圧縮ガス供給路３１ａ及び多孔質通気手段３５を経て噴射するとともに、排気手段３２からの排気を開始して、局所排気装置３を十分安定して静圧浮上させることによって、移動してきた部材７との衝突回避を図ることが好ましい。
【００３５】
次に、パージガス供給手段３３からアルゴンガスを５０ｃｃｍ導入するとともに、排気手段３２と局所排気部３７の主たる圧力調整手段となる局所排気手段（図示せず）によって、最終的に行うレーザ光Ｌの照射における被照射部となる部材７の所定位置の雰囲気、すなわち局所排気部３７を十分減圧するとともに、局所排気部３７以外すなわち周辺部の圧力の調整を行って、局所排気装置３と部材７との間の高さ及び剛性を確保する。高さは、例えば部材７または基体５の表面から１０μｍの距離とすることができる。
なお、本実施形態において、部材７の所定位置の雰囲気すなわち局所排気部３７は、局所排気装置３内の透明窓３８から支持台４上に載置された部材７までの高さを有し、かつ吸引溝３６が形成する同心環に比して内側に、略円筒状空間として形成されると考えられる。
【００３６】
次に、局所排気装置３の透明窓３８を通してレーザ照射部を観察しながら、支持台４を移動させて、部材７の下地層５表面に形成され、第１の導電膜６を断線ないし変形させている異物８が最終的に短パルス幅レーザ光Ｌの被照射部９となるよう、所望の位置に移動させる。その後、局所排気手段による局所排気部３７に対する局所排気を継続しながら、レーザ光源２から短パルス幅レーザ光Ｌを出射する。この短パルスレーザ光Ｌを、ミラー２１によって光路を選定し、レンズ２２によって集光して、局所排気装置３の透明窓３８を経て異物８に照射して異物８の除去を行い、その後、レーザパワーを再調整して第１導電膜５の端部にレーザ光照射を行うことにより、第１の導電膜６の端部を緩斜面状に整形する。
【００３７】
次に、レーザＣＶＤ用の材料ガスである気体状態のタングステンカルボニルを、材料供給源５１に、アルゴン（Ａｒ）ガス５０ｓｃｃｍと共に、例えば７×１０−３ｓｃｃｍ導入することにより、少なくとも、第１の導電膜６の端部に形成された緩斜面と、下地層５の露出部とに渡って、図２Ｃに示すように、例えばレーザＣＶＤなどの低圧成膜技術を用いることによって第２の導電膜１０を形成する。
【００３８】
なお、上述したレーザ光による第１導電膜６の整形においては、一般的に、異物８を除去するレーザエネルギーよりも高いレーザエネルギーが求められる。これは、異物を除去する際には低いエネルギーでも複数回照射することにより除去を行うことができるのに対し、緩斜面形成のために導電膜を溶融させる際には一度により多くのエネルギーが必要となるためである。
また、緩斜面形成による第１導電膜６の整形におけるレーザエネルギーの具体的な値としては、０．３Ｊ／ｃｍ２以上３．０Ｊ／ｃｍ２以下に選定することが望ましい。３．０Ｊ／ｃｍ２以下の場合には、レーザ照射による反応が熱プロセスとならず所謂非格子吸収プロセスとなってしまい、熱拡散による溶融の進行が生じることなく導電膜が気化してしまうおそれがあるためであり、０．３Ｊ／ｃｍ２以上の場合には、加工精度が低下するほか、レーザ照射部周辺に盛り上がりが生じるなどして形状に問題が生じるおそれがあるためである。なお、レーザ照射による溶融を安定的に行うため、下地層５は、第１導電膜６に比して低い熱伝導率を有することが望ましい。
【００３９】
更に、第１導電膜６が多層膜である場合には、最表面の第１層（図示せず）と、この第１層と下地層５との間に形成された第２層（図示せず）との関係を選定することにより、より好ましい緩斜面形成、例えば断線部を挟んで互いに対向するテーパー形状の形成を行うことができる。
例えば、第２層が第１層に比して低い抵抗を有する低抵抗層である場合には、レーザ照射による整形の際に、高抵抗の第１層を流動させて排除し、表面の抵抗をより低くして、特に配線の表面を流れる傾向の強い高周波信号に対する抵抗を低減することができる。これは、例えば第２層を第１層に比して低い熱伝導率を有する低熱伝導層として構成することで、より円滑に行うことができる。
【００４０】
また、第１層が第２層の酸化物を少なくとも有して形成された場合などには、既に酸化された第１層は、第２層に比して高い耐酸化性を有することになる。一方、第１層が、第２層を構成する主たる元素に比して、高いイオン化傾向を有する元素を、主たる元素として有する構成とすることもできる。これらの場合にも、例えば予め酸化されたことなどによって高抵抗とされた第１層を流動・排除し、配線６の表面側の抵抗をより低くすることによって、特に配線の表面を流れる傾向の強い高周波信号に対する抵抗を低減することができる。
このような多層膜は、通常、本来の導電層である第２層の劣化すなわち酸化などを防ぐ目的で構成されるが、本実施形態における導電膜修正方法によれば、第１層の露出を、例えば低圧成膜後の平坦化膜形成までのごく短時間に限定することができることから、多層膜の本来の目的を損なうことを回避して積層構造物１１の製造を行うことが可能となる。
【００４１】
ここで、パルスレーザ光においては、そのパルス幅が小さいほど短い時間にエネルギーが集中されることから、１パルスあたりのエネルギーの最大値が向上する。
したがって、より小さなパルス幅のレーザ光によって照射を行う場合には、従来に比して小さいエネルギー密度でも、短時間のうちに加工を行うことが可能とされる。また、この加工方法によれば、１パルスあたりのレーザ照射時間が短いことから、１パルスあたりのレーザ光照射時間が短縮されるため、レーザ光によって被照射部に発生する熱の、周辺部への拡散の抑制も図られる。
【００４２】
したがって、短パルス幅レーザ光Ｌのパルス幅は、上述の部材７を構成する基体５及び第１の導電膜６の少なくとも一方に材料に熱が発生することが１０ピコ秒以下で回避できることから、１０ピコ秒以下に選定することが好ましい。
また、レーザ光源２とミラー２１及びレンズ２２などの消耗及すなわち短寿命化を抑制することが必要な場合などには、１パルスあたりのエネルギーの最大値を適度に抑制するために、レーザ光Ｌのパルス幅Ｌを極端に小さくすることなく、例えば２ピコ秒以上に選定することが好ましい。
【００４３】
なお、上述したレーザ加工装置によって部材７に対するレーザ加工を行う場合、短パルスレーザ光の照射前のみならず、照射中にパージガス供給手段３３からのパージガス供給を行うこともできるが、本発明による導電膜修正方法によるレーザ加工においては、必ずしも短パルスレーザ光の照射中におけるパージガス供給を行わなくとも良い。
【００４４】
すなわち、従来は、透明窓３８の局所排気部３７側の面において、レーザ照射中に発生する気化ダストの付着などによる汚れが発生しやすいことから、汚れが発生するたびに煩雑な清浄化作業すなわちメンテナンスにかかる労力を軽減するために、気化ダストが発生するレーザ光照射時すなわち異物除去時に、図１Ａに矢印で示すように例えば透明窓３８に向けてパージガスの供給を行うことによって、発生した気化ダストが透明窓３８の表面に到達し難い状態を形成して気化ダストの付着の低減を図る必要があったが、本発明による導電膜修正方法による場合には、特に異物除去時のレーザ光のパルス幅を１０ピコ秒以下に選定することや、１パルスあたりのエネルギーを０．１Ｊ／ｃｍ２以下に選定することによって、照射中のパージガスの供給によらなくとも透明窓３８の表面における気化ダストの付着を抑制することが可能となることから、レーザ光照射中におけるパージガス供給を行わなくとも、メンテナンスにかかる労力及び負担の低減が図られる。
【００４５】
＜実施例＞
続いて、本発明に係る導電膜の修正方法の実施例を説明する。
【００４６】
まず、局所排気装置３の透明窓３９を通して観察しながら、支持台４上を操作し、図３Ａに示すように異物８が付着した部材７の所望の欠陥修正位置、すなわち異物８が存在する異物部に、レーザ照射位置を移動させる。
次に、ミラー２１とレンズ２２の間に設けられるスリットのサイズを異物８のサイズに合わせて、波長３９０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒のレーザ光の加工パワーすなわちレーザパワーを０．１Ｊ／ｃｍ２以上になるようにアッテネーターを設定し、所定の条件で複数回レーザーパルスを照射し、図３Ｂに示すように、例えば最終的に薄膜トランジスタとなる部材７を構成する、下地層５と導電膜６によるソース配線パターン上に付着した異物８を除去する。
次に、同レーザにて、スリットサイズを配線端部に合わせ、加工パワーを０．３Ｊ／ｃｍ２以上３．０Ｊ／ｃｍ２以下に設定し、異物８を介して対向する両側の配線６の端部にそれぞれ複数回レーザ光を照射することにより、図３Ｃに示すように、緩斜面（この場合は低角度のテーパー）を形成する。
【００４７】
この手法にて低角度のテーパーが形成できる理由は、配線端部に０．５Ｊ／ｃｍ２以上の高エネルギーのレーザを照射することにより、配線端部の金属が溶融する。このとき、ガラスは熱伝導率が小さいため、温度が上昇するため溶融した金属は移動できない。しかしながら、配線側は、熱伝導率がおおきく配線温度が低いため、溶融した金属が移動できる。
【００４８】
次に、波長３５５ｎｍのＣＷレーザ光を用いて、２００００Ｈｚ、０．１Ｗの条件で、スリットサイズを１０μｍ２、スキャン速度を１０μｍ／ｓとしてレーザＣＶＤ法による結線を行うことにより、図３Ｄに示すように、第２導電膜１０を形成する。
配線端部のテーパー角度を低角度に形成したことから、レーザＣＶＤ結線膜としての第２導電膜の断線や局所的な薄膜化がなくなったため、長期的に信頼性のあるレーザＣＶＤ結線膜の成膜が可能となる。なお、緩斜面は、下地層の表面に対して所定の角度に形成することができ、例えば１０°以上８０°以下の緩斜面とすることができる。
【００４９】
＜比較例＞
本発明修正方法に対する比較例について説明する。
すなわち、本比較例は、異物除去のためのレーザ照射と第２導電膜形成のためのＣＶＤについて、条件を上述の実施例と同様として、第２導電膜の形成前に第１導電膜の端部を緩斜面に整形することのない従来の方法で修正を試みた例である。
【００５０】
まず、図４Ａに示すような、異物１０８が付着して、下地層１０５上の第１導電膜１０６に断線が生じた部材１０７に対し、上述の実施例におけるのと同様の手順で異物１０８の除去を行い、図４Ｂに示すように互いに対向する第１導電膜１０６の端部の間の下地層１０５を露出させる。
次に、上述の実施例におけるのと同様の条件でＣＶＤにより、第２導電膜の形成による結線を試みたが、第１導電膜１０６端部の急傾斜により、第２導電膜が、第１導電膜１０６上の第２導電膜１１０ｂと下地層１０５の露出部上の第２導電膜１１０ａとに分裂してしまい、極端に厚く第２導電膜を形成しない限り、結線は困難であることが確認された。
【００５１】
以上、本発明に係る導電膜修正方法の実施の形態を説明したが、本発明に係る導電膜の修正方法は、この実施の形態に限られるものではない。
【００５２】
例えば、上述の実施の形態では、第１及び第２の導電膜は配線とし、配線を修正する場合を例として説明をしたが、種々の目的に応じて、導電膜例えば金属の形状の修正に適用することができる。
また、低圧成膜技術としては、レーザＣＶＤ法のほか、他の化学気相成長法、物理気相成長法、金属膜成膜、真空成膜など、種々の方法を挙げることができ、成膜時の圧力も、減圧条件下のみならず、大気圧近傍の圧力、例えば８０〜１２０ｋＰａ程度にまで適宜選定し得る。
【００５３】
タングステンカルボニル系化合物としては、W(CO6)、[W(C5H5)(CO3)]2、[W(C5H5)-X(CO)3]、[W(CRR’)(CO)5]などがあげられるが、カルボニル基を有するものであれば、例えばモリブデン（Ｍｏ）系化合物などを用いることもできる。
また、上述したイオン化傾向に関する第１層と第２層の特性は、酸化についてのみに限られず、例えば塩を形成する反応や、一般的に腐食と呼称される反応など、種々の反応の進みやすさに関して、本発明に係る導電膜修正方法を支持する特性として挙げることができる。
【００５４】
また、下地層となる高抵抗層は、半導体又は絶縁体のいずれによっても構成することができるし、導電膜は導電性を有していれば良く、例えば下地層を絶縁層とした場合には、導電膜を半導体薄膜として本発明修正方法を適用することもできる。
また、緩斜面及びテーパーは、導電膜例えば配線の長さ方向のみならず、幅方向について形成することができるなど、本発明は、種々の変形及び変更をなされうる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る導電膜の修正方法により最終的に薄膜トランジスタなどの積層構造物とされる、レーザ加工物となる部材７の一例の概略上面図及び概略断面図である。
【図２】Ａ，Ｂ  それぞれ、本発明に係る導電膜の修正方法を実施するのに好適な加工装置の一例の構成を示す概略構成図と、この加工装置を構成する局所排気装置の概略底面図である。
【図３】Ａ〜Ｄ  それぞれ、本発明に係る導電膜修正方法の一例の説明に供する工程図である。
【図４】Ａ〜Ｃ  それぞれ、本発明修正方法に対する比較例としての修正方法の説明に供する工程図である。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・レーザ加工装置、２・・・レーザ光源、３・・・局所排気装置、４・・・支持台、５・・・下地層（基体）、６・・・第１の導電膜（配線）、７・・・部材（ＴＦＴ基板）、８・・・異物、９・・・被照射部、１０・・・第２の導電膜、１１・・・積層構造物、２１・・・ミラー、２２・・・レンズ、３１・・・圧縮ガス供給手段、３１ａ・・・圧縮ガス供給路、３２・・・排気手段、３３・・・パージガス供給手段、３４・・・材料ガス供給手段、３５・・・多孔質通気手段、３６・・・吸引溝、３７・・・局所排気部、３８・・・透明窓、３９・・・透過孔、１０５・・・下地層、１０６・・・第１の導電膜、１０７・・・部材、１０８・・・異物、１１０ａ，１１０ｂ・・・第２の導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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