(57)【要約】【課題】チップサイズパッケージの半導体装置においては、半導体基板６０がスリット孔８０で分離される構造のために樹脂層７８で同一平面に支持固定される必要があるが、絶縁膜７４と接着しかつ均一の厚みであるので、まだ十分な強度を得られていない実用上の大きな問題点があった。【解決手段】本発明の半導体装置は、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を有する半導体基板と、第１の領域１２と第２の領域１３、１４を分離するダイシング溝３０と、ダイシング溝３０に隣接する半導体基板１０の第１の領域１２および第２の領域１３、１４表面に設け半導体基板１０を露出する段差部分３１と、段差部分３１を含み半導体基板の第１の領域１２および第２の領域１３、１４の表面に半導体基板１０を一体に支持する樹脂層３４とを備え、段差部分３１と樹脂層３４の密着度を向上させている。【選択図】  図１
2006278610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域および第２の領域を有する半導体基板と、
前記第１の領域に設けた回路素子および前記回路素子に接続された複数の電極と、
前記第２の領域に埋め込まれた金属の貫通電極を有する外部接続用電極と、
前記第１の領域と第２の領域を前記半導体基板を分離するダイシング溝と、
前記電極と前記外部接続用電極とを電気的に接続するための接続手段と、
前記ダイシング溝に隣接する前記半導体基板の前記第１の領域および第２の領域表面に設け前記半導体基板を露出する段差部分と、
前記段差部分を含み前記半導体基板の前記第１の領域および第２の領域の表面に前記半導体基板を一体に支持する樹脂層とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記貫通電極は前記第２の領域の裏面まで到達することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂層はポリイミド樹脂で形成され、前記段差部分から前記電極あるいは前記外部接続用電極までは階段状に形成され、前記ポリイミド樹脂の密着性を高めることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
回路素子を形成するための第１の領域と、前記第１の領域の周辺に、前記第１の領域と一定間隔離間して配置された複数の第２の領域とをその主面に有する半導体基板の上面に、エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第１の領域の前記エピタキシャル層上に回路素子を形成する工程と、
前記エピタキシャル層の少なくとも予定のダイシング溝を形成する領域に段差部分を形成する工程と、
前記半導体基板を裏面から加工して薄くし、前記第２の領域に裏面から表面に到達するビアホールを形成し、該ビアホールに金属よりなる貫通電極を形成する工程と、
その主面に、前記回路素子の電極と前記貫通電極とを電気的に接続するための接続手段を形成する工程と、
前記エピタキシャル層表面に前記第１の領域および第２の領域を一体に支持する樹脂層を形成し、前記段差部分との密着性を高める工程と、
前記半導体基板の裏面から前記貫通電極を基準に前記第１の領域と前記第２の領域との境界の前記半導体基板に前記樹脂層まで達するダイシング溝を形成して、前記第１の領域の前記半導体基板と前記第２の領域の前記半導体基板とを電気的に分離し、前記第２の領域の前記半導体基板からなる外部接続用電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記貫通電極は前記ビアホールに銅のメッキ処理により形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記段差部分は前記半導体基板の前記第１の領域と前記第２の領域をそれぞれ取り囲むように形成されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
回路素子を形成するための第１の領域と、前記第１の領域の周辺に、前記第１の領域と一定間隔離間して配置された複数の第２の領域とをその主面に有する半導体基板の上面に、エピタキシャル層を形成する工程と、
前記第１の領域の前記エピタキシャル層上に回路素子を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第２の領域に表面から前記半導体基板まで到達するビアホールを形成し、該ビアホールに金属よりなる貫通電極を形成する工程と、
前記エピタキシャル層の少なくとも予定のダイシング溝を形成する領域に段差部分を形成する工程と、
前記エピタキシャル層表面に、前記回路素子の電極と前記貫通電極とを電気的に接続するための接続手段を形成する工程と、
前記エピタキシャル層表面に前記第１の領域および第２の領域を一体に支持する樹脂層を形成し、前記段差部分との密着性を高める工程と、
前記半導体基板を裏面から研削して薄くし、前記第２の領域の裏面から前記貫通電極を露出する工程
前記半導体基板の裏面から前記貫通電極を基準に前記第１の領域と前記第２の領域との境界の前記半導体基板に前記樹脂層まで達するダイシング溝を形成して、前記第１の領域の前記半導体基板と前記第２の領域の前記半導体基板とを電気的に分離し、前記第２の領域の前記半導体基板からなる外部接続用電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記貫通電極は前記ビアホールに銅のメッキ処理により形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記段差部分は前記半導体基板の前記第１の領域と前記第２の領域をそれぞれ取り囲むように形成されることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関し、特に、ウエファーレベルチップサイズパッケージに係る半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にシリコン基板上にトランジスタ素子が形成された半導体装置は、図１７に示すような構成が用いられる。１はシリコン基板、２はシリコン基板１が実装される放熱板等のアイランド、３はリード端子、及び４は封止用の樹脂である。
【０００３】
トランジスタ素子が形成されたシリコン基板１は、図１７に示すように、銅ベースの放熱板等のアイランド２に半田等のろう材５を介して固着実装され、シリコン基板１の周辺に配置されたリード端子３にトランジスタ素子のベース電極、エミッタ電極がボンディングワイヤーで電気的に接続されている。コレクタ電極に接続されるリード端子はアイランドと一体に形成されており、シリコン基板をアイランド上に実装することで電気的に接続された後、エポキシ樹脂等の熱硬化型樹脂４によりトランスファーモールドされる。
【０００４】
樹脂モールドされた半導体装置は、通常、ガラスエポキシ基板等の実装基板に実装され、実装基板上に実装された他の半導体装置、回路素子と電気的に接続され所定の回路動作を行うための一部品として取り扱われる。
【０００５】
ところで、実際に機能を持つ半導体チップ面積と実装面積との比率を有効面積率として考慮すると、樹脂モールドされた半導体装置では有効面積率が極めて低いことが判る。有効面積率が低いことは、実装面積の殆どが機能を有する半導体チップとは直接関係のないデッドスペースとなり、実装基板３０の高密度小型化の妨げとなる。
【０００６】
特に、この問題はパッケージサイズが小さい半導体装置に顕著に現れる。例えば、ＥＩＡＪ規格であるＳＣ−７５Ａ外形に搭載される半導体チップの最大サイズは、図１８に示すように、０．４０ｍｍ×０．４０ｍｍが最大である。この半導体チップを樹脂モールドすると半導体装置の全体のサイズは、１．６ｍｍ×１．６ｍｍとなる。この半導体装置のチップ面積は０．１６ｍｍ2 で、半導体装置を実装する実装面積は半導体装置の面積とほぼ同様として考えて、２．５６ｍｍ2 であるため、この半導体装置の有効面積率は約６．２５％となり、実装面積の殆どが機能を持つ半導体チップ面積と直接関係のないデットスペースとなっている。
【０００７】
近年の電子機器、例えば、パーソナルコンピュータ、携帯情報処理装置、ビデオカメラ、携帯電話、デジタルカメラ、液晶テレビ等において用いられる実装基板は、電子機器本体の小型化に伴い、その内部に使用される実装基板も高密度小型化の傾向にある。
【０００８】
しかし、上記の半導体装置では、デットスペースが大きいため、小型化の妨げとなっていた。
【０００９】
ところで、本発明者は有効面積率を向上させる先行技術として特開平１０−１２６５１号公報を提案している。この先行技術は、図１９に示すように、半導体基板６０と、能動素子が形成される能動素子形成領域６１と、能動素子形成領域６１に形成された能動素子の一の電極であり、外部接続するための一の外部接続用電極６２と、能動素子形成領域６１と電気的に分離され基板６０の一部分を能動素子の他の電極の外部電極とする他の外部接続用電極６３、６４と、能動素子の他の電極と他の外部接続用電極６３、６４とを接続する接続手段６５とから構成されている。能動素子形成領域６１の表面にはＰ＋型のベース領域７１、Ｎ＋型のエミッタ領域７２、Ｎ＋型のガードリング拡散領域７３が設けられ、その表面を絶縁膜７４が覆い、ベース電極７５、エミッタ電極７６、接続用電極７７が設けられている。樹脂層７８は絶縁膜７４上に設けられ、能動素子形成領域６１と他の外部接続用電極６３、６４とを一体に支持している。
【特許文献１】特開平１０−１２６５１号公報（図１参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述したチップサイズパッケージの半導体装置においては、半導体基板６０がスリット孔８０で分離される構造のために樹脂層７８で同一平面に支持固定される必要があるが、絶縁膜７４と接着しかつ均一の厚みであるので、まだ十分な強度を得られていない実用上の大きな問題点があった。
【００１１】
また、スリット孔８０は半導体基板６０の裏面から形成されるので、基準となる目印がなくスリット孔形成時の位置合わせが難しい問題点も残っていた。
【００１２】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされ、実用化に最適のウエファーレベルチップサイズパッケージの半導体装置およびその製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の半導体装置は、第１の領域および第２の領域を有する半導体基板と、前記第１の領域に設けた回路素子および前記回路素子に接続された複数の電極と、前記第２の領域に埋め込まれた金属の貫通電極を有する外部接続用電極と、前記第１の領域と第２の領域を前記半導体基板を分離するダイシング溝と、前記電極と前記外部接続用電極とを電気的に接続するための接続手段と、前記ダイシング溝に隣接する前記半導体基板の前記第１の領域および第２の領域表面に設け前記半導体基板を露出する段差部分と、前記段差部分を含み前記半導体基板の前記第１の領域および第２の領域の表面に前記半導体基板を一体に支持する樹脂層とを具備することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置では、貫通電極は第２の領域の裏面まで到達することを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明の半導体装置では、樹脂層はポリイミド樹脂で形成され、前記段差部分から前記電極あるいは前記外部接続用電極までは階段状に形成され、前記ポリイミド樹脂の密着性を高めることを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法では、回路素子を形成するための第１の領域と、前記第１の領域の周辺に、前記第１の領域と一定間隔離間して配置された複数の第２の領域とをその主面に有する半導体基板の上面に、エピタキシャル層を形成する工程と、前記第１の領域の前記エピタキシャル層上に回路素子を形成する工程と、前記エピタキシャル層の少なくとも予定のダイシング溝を形成する領域にエッチングにより段差部分を形成する工程と、前記半導体基板を裏面から研削して薄くし、前記第２の領域に裏面から表面に到達するビアホールを形成し、該ビアホールに金属よりなる貫通電極を形成する工程と、その主面に、前記回路素子の電極と前記貫通電極とを電気的に接続するための接続手段を形成する工程と、前記エピタキシャル層表面に前記第１の領域および第２の領域を一体に支持する樹脂層を形成し、前記段差部分との密着性を高める工程と、前記半導体基板の裏面から前記貫通電極を基準に前記第１の領域と前記第２の領域との境界の前記半導体基板に前記樹脂層まで達するダイシング溝を形成して、前記第１の領域の前記半導体基板と前記第２の領域の前記半導体基板とを電気的に分離し、前記第２の領域の前記半導体基板からなる外部接続用電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の半導体装置の製造方法では、前記貫通電極は前記ビアホールに銅のメッキ処理により形成されることを特徴とする。
【００１８】
更に、本発明の半導体装置の製造方法では、前記段差部分は前記半導体基板の前記第１の領域と前記第２の領域をそれぞれ取り囲むように形成されることを特徴とする。
【００１９】
更に、本発明の他の半導体装置の製造方法では、回路素子を形成するための第１の領域と、前記第１の領域の周辺に、前記第１の領域と一定間隔離間して配置された複数の第２の領域とをその主面に有する半導体基板の上面に、エピタキシャル層を形成する工程と、前記第１の領域の前記エピタキシャル層上に回路素子を形成する工程と、前記半導体基板の前記第２の領域に表面から前記半導体基板まで到達するビアホールを形成し、該ビアホールに金属よりなる貫通電極を形成する工程と、前記エピタキシャル層の少なくとも予定のダイシング溝を形成する領域にエッチングにより段差部分を形成する工程と、前記エピタキシャル層表面に、前記回路素子の電極と前記貫通電極とを電気的に接続するための接続手段を形成する工程と、前記エピタキシャル層表面に前記第１の領域および第２の領域を一体に支持する樹脂層を形成し、前記段差部分との密着性を高める工程と、前記半導体基板を裏面から研削して薄くし、前記第２の領域の裏面から前記貫通電極を露出する工程と、前記半導体基板の裏面から前記貫通電極を基準に前記第１の領域と前記第２の領域との境界の前記半導体基板に前記樹脂層まで達するダイシング溝を形成して、前記第１の領域の前記半導体基板と前記第２の領域の前記半導体基板とを電気的に分離し、前記第２の領域の前記半導体基板からなる外部接続用電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の他の半導体装置の製造方法では、前記貫通電極は前記ビアホールに銅のメッキ処理により形成されることを特徴とする。
【００２１】
更に、本発明の他の半導体装置の製造方法では、前記段差部分は前記半導体基板の前記第１の領域と前記第２の領域をそれぞれ取り囲むように形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体装置によれば、ダイシング溝に隣接する半導体基板の第１の領域および第２の領域に段差部分を設けることで、半導体基板の第１の領域および第２の領域の表面が露出し、それと樹脂層が接するので樹脂層の接着強度を高められ、密着性が良くなる。
【００２３】
また、段差部分では半導体基板の第１の領域および第２の領域とも階段状の段差が形成され、ダイシング溝の領域で樹脂層を一番厚く形成される。このために樹脂層と半導体基板の第１の領域および第２の領域周辺の樹脂層との接着面積が大きくでき、樹脂層自体の強度も一番強くできる。加えて、段差部分では樹脂層と段差とのパスが長いので吸湿性も向上できる。
【００２４】
更に、貫通電極を金属で形成することにより接続抵抗値が下がる。
【００２５】
本発明の半導体装置の製造方法ではビアホールを半導体基板の裏面から形成できるので、ビアホールに形成される貫通電極は半導体基板の裏面に露出できる。これによりダイシング溝による半導体基板の第１の領域と第２の領域とが貫通電極を基準に認識できるので位置合わせが容易にできる。
【００２６】
また、その結果、ダイシング溝は確実に樹脂層の密着性および強度の強い段差部分に形成され、第１の領域と第２の領域を同一平面に支持固定ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下で、本発明の実施するための最良の形態について図面を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は本発明を実施するための最良の形態の半導体装置を説明する断面図である。図２〜図８は本発明を実施するための最良の形態の半導体装置の製造方法について説明する断面図であって、図９は、本発明を実施するための最良の形態の半導体装置の電極の配置関係を説明する平面図である。
【００２９】
図１に示すように、半導体基板１０は、Ｎ＋型の単結晶シリコン基板が用いられ、その基板１０上にエピタキシャル成長技術によりＮ−型のエピタキシャル層１１が形成される。半導体基板１０の中央の第１の領域１２はパワーＭＯＳ、トランジスタ等の能動回路素子が形成される能動素子形成領域となり、両側の第２の領域１３、１４は回路素子の電極が接続される外部接続用電極領域１５、１６となる。
【００３０】
回路素子はトランジスタの場合、エピタキシャル層１１がコレクタ領域となり、エピタキシャル層１１表面にＰ型のベース領域１７、Ｎ＋型のエミッタ領域１８、Ｎ＋型のガードリング領域１９から構成される。回路素子の表面は酸化膜２０で被覆され、各コンタクト孔を介してベース電極２１、エミッタ電極２２、ガードリング２３がアルミニウムのスパッタにより形成されている。
【００３１】
第２の領域１３、１４表面にも回路素子との接続を行う接続用電極２５、２６が同様に形成され、第２の領域１３、１４を表面から裏面まで到達する貫通電極２７、２８が形成される。この貫通電極２７，２８は銅などの金属で形成され、第２の領域１３、１４の裏面で露出される。従って、外部接続用電極は実質的に第２の領域１３の表面の接続用電極２５，２６と貫通電極２７、２８とで形成され、すべてが金属製のために取り出し抵抗値を低くできる。
【００３２】
ダイシング溝３０は第１の領域１２と第２の領域１３、１４とを電気的にも、機械的にも分離するものであり、半導体基板１０を切断して形成される。
【００３３】
本発明のポイントはこのダイシング溝３０に対応して段差部分３１を設けることにある。段差部分３１は第１の領域１２の周囲および第２の領域の周囲の半導体基板１０のエピタキシャル層１１をエッチングして露出させるものであり、ダイシング溝に隣接して段差部分３１を設ける。更に第２の領域１３，１４の外周にも同様に段差部分３１を設ける。いずれも樹脂層との接着性を向上させるのが目的である。
【００３４】
回路素子の電極、すなわちベース電極２１およびエミッタ電極２２は金属細線３２，３３のボンディングにより外部接続用電極の接続用電極２５、２６と接続される。接続手段としてはこれ以外に配線を予め形成したガラスエポキシ基板、フレキシブル基板またはシリコン基板等を用いてもよい。
【００３５】
半導体基板１０表面は樹脂層３４で一体に被覆され、ダイシング溝３０で分離された半導体基板１０の第１の領域１２と第２の領域１３，１４とを同一平面を保持するように一体支持する。また、樹脂層３４は金属細線３２，３３も保護している。
【００３６】
本発明ではこの樹脂層３４にも特徴があり、段差部分３１で半導体基板１０のエピタキシャル層１１と直接接触して密着性を向上している。樹脂層３４としてはポリイミド樹脂が最適であるが、シリコン系樹脂やエポキシ樹脂との組み合わせでもよい。
【００３７】
本発明の構造では、段差部分３１、エピタキシャル層１１表面、酸化膜２０および各電極により階段状の段差が形成されて樹脂層３４との接着面積を増加でき、樹脂層３４との密着性を増すことができる。特に、ダイシング溝３０を形成する部分が一番樹脂層３４が厚く形成でき、ダイシング溝３０形成時に加わる応力にも十分に耐えられる。またダイシング溝３０から進入する吸湿に対しても段差での樹脂層とのパスが長いので、吸湿性も向上できる。更に、第２の領域１３、１４の外周に設けた段差部分３１も同様に吸湿性の向上をもたらす。
【００３８】
（本発明の第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法）
本発明の半導体装置の製造方法について図２〜図９を参照して説明する。
【００３９】
図２に示すように、回路素子を形成するための第１の領域１２と、第１の領域１２の周辺に、第１の領域１２と一定間隔離間して配置された複数の第２の領域１３，１４とをその主面に有する半導体基板１０の上面に、エピタキシャル層１１を形成する工程にある。
【００４０】
まず、図２に示すように、Ｎ+ 型の単結晶シリコンからなる半導体基板１０上に、エピタキシャル成長技術によりＮ−型のエピタキシャル層１１を形成する。半導体基板１０の一部の領域にはパワーＭＯＳＦＥＴやトランジスタ等の能動回路素子が形成される第１の領域１２と、外部接続用電極が形成される第２の領域１３，１４とに区分されている。
【００４１】
次に、図３に示すように、第１の領域１２のエピタキシャル層１１上に回路素子を形成し、回路素子の接続に用いるための電極を第１の領域１２のエピタキシャル層１１の表面に形成する工程にある。
【００４２】
半導体基板１０のＮ−型のエピタキシャル層１１に熱酸化膜やＣＶＤで形成されたＳｉ酸化膜等の絶縁膜２０を形成した後に、この絶縁膜２０の一部に開口を形成してＮ−型のエピタキシャル層１１を露出する。この露出された領域のＮ− 型のエピタキシャル層１１にボロン（Ｂ）等のＰ型の不純物を選択的に注入した後に、熱拡散することにより島状のベース領域１７を第１の領域１２のＮ−型のエピタキシャル層１１上に形成する。
【００４３】
ベース領域１７を形成した後、第１の領域１２上に再度絶縁膜２０を形成する。ベース領域１７の一部の絶縁膜２０に開口を形成してベース領域１７の一部を露出し、露出したベース領域１７内にリン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）等のＮ型の不純物を選択的に注入したのちに熱拡散することにより、トランジスタのエミッタ領域１８を形成する。本実施形態では、このエミッタ領域１８を形成すると同時に、ベース領域１７を囲むリング状のＮ+型のガードリング領域１９を形成している。
【００４４】
半導体基板１０の表面に、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜等の絶縁膜２０を形成し、ベース領域１７の表面を露出するベースコンタクト孔及びエミッタ領域１８表面を露出するエミッタコンタクト孔をエッチングで形成する。本実施形態ではガードリング領域１９を形成しているので、同時にガードリング領域１９表面を露出するためのガードリングコンタクト孔も形成する。また、この絶縁膜２０は、外部接続用電極となる第２の領域１３，１４上にも形成されるが、予定の貫通電極表面を露出する外部接続用コンタクト孔を上記のエッチング工程で同時に形成する。
【００４５】
その後、ベースコンタクト孔、エミッタコンタクト孔、外部接続用コンタクト孔及びガードリングコンタクト孔によって露出されたベース領域１７、エミッタ領域１８、予定の貫通電極２７、２８及びガードリング領域１９上に、選択的にアルミニウム等の金属材料を蒸着して、ベース電極２１、エミッタ電極２２、接続用電極２５、２６およびガードリング２３を選択的に形成する。
【００４６】
次いで、第１の領域１２及び第２の領域１３、１４は、半導体基板１０の任意の領域に形成することができるが、この実施形態では、図９に示すように、基板１０の中央部分に第１の領域１２を形成し、その領域１２とトライアングル状の配置に成るように外部接続用電極となる第２の領域１３、１４を配置している。
【００４７】
以上の工程を経て、図３に示すようにＮＰＮ型のトランジスタが搭載された半導体基板１０が形成される。なお、これらの電極形成工程は次工程の後に行ってもよい。
【００４８】
更に、図４に示すように、エピタキシャル層１１の少なくとも予定のダイシング溝３０を形成する領域にエッチングにより段差部分３１を形成する工程にある。
【００４９】
本工程は本実施の形態で特徴とする工程であり、第１の領域１２と第２の領域１３、１４の境界にある領域のエピタキシャル層１１上の絶縁膜２０を除去し、エピタキシャル層１１表面をエッチングして段差部分３１を形成する。このときに第２の領域１３，１４の周辺部分のエピタキシャル層１１にも同時に段差部分３１を形成すると良い。段差部分３１を形成することで第１の領域１２の周囲と第２の領域１３、１４の周囲とが絶縁膜２０から露出され、更に、段差部分３１、エピタキシャル層１１表面、酸化膜２０および各電極により階段状の段差が形成されて樹脂層３４との接着面積を増加でき、樹脂層３４との接着面積を拡大できる特徴がある。
【００５０】
更に、図５および図６に示すように、半導体基板１０を裏面から研削して薄くし、第２の領域１３、１４に裏面から表面に到達するビアホール３５を形成し、ビアホール３５に金属よりなる貫通電極２７，２８を形成する工程にある。
【００５１】
本工程も本発明の特徴的な工程である。半導体基板１０の表面をウエファーサポートにワックス等で貼り付け、半導体基板１０の裏面からバックグラインドして半導体基板１０の不要部分を削り、約４００μｍから約１００μｍ程度まで薄くする。続いて、エッチング装置に移送して第２の領域１３，１４にビアホール３５を形成する。
【００５２】
レジストをマスクとして、半導体基板１０を裏面からドライエッチングすることにより、太さが７０μｍ程度で長さが１００μｍ程度のビアホール３５を形成する。ドライエッチングで用いるエッチングガスとしては、少なくともＳＦ７、Ｏ２またはＣ４Ｆ８を含むガスが用いられる。ビアホール３５は裏面から接続用電極２５、２６まで形成され、接続用電極２５，２６により終点検出をしている。ビアホール３５の具体的な形状は、円筒状でも良いし、角柱状でも良い。更に、ビアホール３５の形成は、ウエットエッチングやレーザーを用いても行うことができる。
【００５３】
次に、ビアホール３５の内部および半導体基板１０の裏面が被覆されるように、貫通電極２５、２６を形成する。貫通電極２５、２６の形成は、メッキ処理やスパッタにより行うことができる。
【００５４】
メッキ処理により貫通電極２７、２８を形成する場合は、先ず、厚みが数百ｎｍ程度のＣｕから成るシード層（図示せず）をビアホール３５の内壁および半導体基板１０の裏面の全域に形成する。次に、このシード層を電極として用いる電解メッキを行うことにより、ビアホール３５の内壁および半導体基板１０の裏面に、厚みが数μｍ程度のＣｕから成る貫通電極２７、２８を形成する。このことにより、ビアホール３５を介して接続用電極２５、２６と電気的に接続された貫通電極２７、２８が形成される。
【００５５】
ここでは、ビアホール３５の内部が、メッキ処理により形成されるＣｕにより完全に埋め込まれているが、この埋め込みは不完全でも良い。即ち、ビアホール３５の内部に空洞が設けられても良い。
【００５６】
更に、図７に示すように、その主面に電極と外部接続用電極とを電気的に接続するための接続手段を形成し、エピタキシャル層１１表面に第１の領域１２および第２の領域１３、１４を一体に支持する樹脂層３４を形成し、段差部分３１との密着性を高めることにある。
【００５７】
貫通電極２７、２８を形成した半導体基板１０はウエファーサポートから取り外し、半導体基板１０の表面を露出してウエファーサポートに貼り直す。その後、ベース電極２１およびエミッタ電極２２と対応する接続用電極２５、２６とを金属細線３２、３３のボンディングにより接続手段を形成する。なお、金属細線３２、３３の代わりにガラスエポキシ基板、セラミックス基板、絶縁処理された金属基板、フェノール基板、シリコン基板等の基板に配線を形成した配線基板を用いることもできる。ここで、段差部分３１が形成されているため、金属細線３２、３３が垂れて、第１の領域１２または第２の領域１３、１４の角部に接触する事を防止する事ができる。
【００５８】
この樹脂層３４は、上記したようにトランジスタのベース電極１７、エミッタ電極１８と接続用電極２５、２６とを接続する接続手段を基板１０から絶縁するとともに、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を機械的に分離した際に、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を一体に支持するように形成されたものである。樹脂層３４としては、接着性と絶縁性とを備えていれば良く、例えば、ポリイミド系の樹脂が最適である。
【００５９】
基板１０表面に、例えばスピンナーにより、２μ〜５０μ膜厚のポリイミド樹脂をコートし、所定時間焼成した後、その表面が研磨処理され平坦化された樹脂層３４が形成される。
【００６０】
更に、図８に示すように、半導体基板１０の裏面から貫通電極２７，２８を基準にして、第１の領域１２と第２の領域１３、１４との境界の半導体基板１０に樹脂層３４まで達するダイシング溝３０を形成して、第１の領域１２の半導体基板１０と第２の領域１３、１４の半導体基板１０とを機械的に分離し、第２の領域１３、１４の半導体基板１０からなる外部接続用電極を形成することにある。
【００６１】
ダイシング溝３０は、半導体基板１０の裏面側から樹脂層３４まで達するように形成し、ダイシング装置を用いた機械的方法により形成する。
【００６２】
ダイシング装置を用いてダイシング溝３０を形成する理由は、エッチングと異なり短時間で実現できること、またダイシングの幅及び深さを精度良く制御することができること、既存の設備であり新たに購入する必要がないことである。ダイシング幅はダイシングブレードの幅によって設定され、ダイシングの深さはダイシング装置メーカーによって異なるが、現状の技術では約２μ〜５μ程度の精度誤差であり、配線手段を切断することなく、確実に第１の領域１２と第２の領域１３、１４を電気的にも機械的にも分離することができる。
【００６３】
本工程は本発明のポイントであるが、ダイシングをする際に貫通電極２７、２８が第２の領域１３、１４の裏面に露出しているので、ダイシングラインの設定がこの貫通電極２７、２８を目印として行える点にある。従って、ダイシング溝３０は確実に段差部分３１に当てることが可能になる。その結果、ダイシング溝３０は樹脂層３４の一番密着性の高い部分でのダイシングを可能にし、樹脂層３４による一体支持にも好結果をもたらす。
【００６４】
この工程では、図９に示すように、基板１０上に形成した回路素子を有する第１の領域１２と、外部接続用電極になる貫通電極２７、２８をほぼ中央に埋め込んだ第２の領域１３、１４とを機械的かつ電気的に分離する工程が行われる（一点鎖線領域）。この工程でのダイシング幅は、分離後の隣接する領域１２、１３、１４との絶縁性を保つ必要性から、例えば、約０．１ｍｍ幅で行う。また、ダイシングの深さは、上記したように、確実に第１の領域１２、第２の領域１３、１４を電気的に分離するために、樹脂層３４内に約２μ〜５μｍ程度入るように行う。第１の領域１２は０．５ｍｍ×０．５ｍｍに形成し、第２の領域１３、１４は０．３ｍｍ×０．２ｍｍに設定している。
【００６５】
最後に、基板１０に形成された第１の領域１２、第２の領域１３、１４とからなるトランジスタセルＸを個々に分割することによって半導体装置が完成する。
【００６６】
かかる分離工程は、図９に示すように、トランジスタセルＸの外周部分（斜線領域）をダイシング装置のダイシングブレードで切断して個別に分離する。なお、エッチングによる分離を行ってもよいが、ダイシングシートに半導体ウエファを貼り付けてダイシング溝とトランジスタセルへの分離を行うことが効率的である。
【００６７】
本発明によれば、半導体基板１０の第１の領域１２の裏面にコレクタ電極用の外部接続用電極３６を設け、半導体基板１０の第２の領域１３、１４の裏面にベース電極用の外部接続用電極３７、エミッタ電極用の外部接続用電極３８を設けれている(図８参照)。各外部接続用電極３６、３７、３８はダイシング溝３０および周辺で面取りのエッチングをされ、半田付け良好な金属をメッキして形成し、各外部接続用電極３６、３７、３８は半田付け時のショートを防止するためにトライアングル状に配置されているが、直線状にしても良い。図９からも明らかなように、トライアングルでは、無駄になる部分が３領域あるが、直線状に配置すれば無くす事ができる。
【００６８】
（本発明の第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法）
本発明の他の半導体装置の製造方法を図１０〜図１６を参照して説明する。
【００６９】
まず、図１０に示すように、回路素子を形成するための第１の領域１２と、第１の領域１２の周辺に、第１の領域１２と一定間隔離間して配置された複数の第２の領域１３，１４とをその主面に有する半導体基板１０の上面に、エピタキシャル層１１を形成する工程にある。
【００７０】
まず、図１０に示すように、Ｎ+ 型の単結晶シリコンからなる半導体基板１０上に、エピタキシャル成長技術によりＮ−型のエピタキシャル層１１を形成する。半導体基板１０の一部の領域にはパワーＭＯＳＦＥＴやトランジスタ等の能動回路素子が形成される第１の領域１２と、外部接続用電極が形成される第２の領域１３，１４とに区分されている。
【００７１】
次に、図１１に示すように、第１の領域１２のエピタキシャル層１１上に回路素子を形成し、回路素子の接続に用いるための電極を第１の領域１２のエピタキシャル層１１の表面に形成する工程にある。
【００７２】
半導体基板１０のＮ−型のエピタキシャル層１１に熱酸化膜やＣＶＤで形成されたＳｉ酸化膜等の絶縁膜２０を形成した後に、この絶縁膜２０の一部に開口を形成してＮ−型のエピタキシャル層１１を露出する。この露出された領域のＮ− 型のエピタキシャル層１１にボロン（Ｂ）等のＰ型の不純物を選択的に注入した後に、熱拡散することにより島状のベース領域１７を第１の領域１２のＮ−型のエピタキシャル層１１上に形成する。
【００７３】
ベース領域１７を形成した後、第１の領域１２上に再度絶縁膜２０を形成する。ベース領域１７の一部の絶縁膜２０に開口を形成してベース領域１７の一部を露出し、露出したベース領域１７内にリン（Ｐ）、アンチモン（Ｓｂ）等のＮ型の不純物を選択的に注入した後に熱拡散することにより、トランジスタのエミッタ領域１８を形成する。本実施形態では、このエミッタ領域１８を形成すると同時に、ベース領域１７を囲むリング状のＮ+型のガードリング領域１９を形成している。
【００７４】
半導体基板１０の表面に、シリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜等の絶縁膜２０を形成する。
【００７５】
更に、図１２に示すように、半導体基板１０の第２の領域１３、１４に表面から半導体基板１０まで到達するビアホール３５を形成し、ビアホール３５に金属よりなる貫通電極２７、２８を形成する工程にある。
【００７６】
本工程は本発明の特徴的な工程である。レジストをマスクとして、エピタキシャル層１１を表面からドライエッチングすることにより、太さが７０μｍ程度で長さが８０μｍ程度のビアホール３５を形成する。ドライエッチングで用いるエッチングガスとしては、少なくともＳＦ７、Ｏ２またはＣ４Ｆ８を含むガスが用いられる。ビアホール３５は表面から半導体基板１０まで到達するように形成される。ビアホール３５の具体的な形状は、円筒状でも良いし、角柱状でも良い。更に、ビアホール３５の形成は、ウエットエッチングやレーザーを用いても行うことができる。
【００７７】
次に、ビアホール３５の内部に貫通電極２７、２８を形成する。貫通電極２７、２８の形成は、メッキ処理やスパッタにより行うことができる。
【００７８】
メッキ処理により貫通電極２７、２８を形成する場合は、先ず、厚みが数百ｎｍ程度のＣｕから成るシード層（図示せず）をビアホール３５の内壁およびエピタキシャル層１１の酸化膜２０の表面の全域に形成する。次に、このシード層を電極として用いる電解メッキを行うことにより、ビアホール３５の内壁にＣｕから成る貫通電極２７、２８を形成する。
【００７９】
ここでは、ビアホール３５の内部が、メッキ処理により形成されるＣｕにより完全に埋め込まれているが、この埋め込みは不完全でも良い。即ち、ビアホール３５の内部に空洞が設けられても良い。
【００８０】
続いて、回路素子の電極の形成を行う。酸化膜２０上のＣｕを除去して、ベース領域１７の表面を露出するベースコンタクト孔及びエミッタ領域１８表面を露出するエミッタコンタクト孔をエッチングで形成する。本実施形態ではガードリング領域１９を形成しているので、同時にガードリング領域１９表面を露出するためのガードリングコンタクト孔も形成する。
【００８１】
その後、ベースコンタクト孔、エミッタコンタクト孔、外部接続用コンタクト孔及びガードリングコンタクト孔によって露出されたベース領域１７、エミッタ領域１８、貫通電極２７、２８及びガードリング領域１９上に、選択的にアルミニウム等の金属材料を蒸着またはスパッタリングして、ベース電極２１、エミッタ電極２２、接続用電極２５、２６およびガードリング２３を選択的に形成する。貫通電極２７、２８と接続用電極２５、２６間にはＴｉまたは下層がＴｉ上層がＴｉＮのバリアメタルを設けてもよい。
【００８２】
更に、図１３に示すように、エピタキシャル層１１の少なくとも予定のダイシング溝３０を形成する領域にエッチングにより段差部分３１を形成する工程にある。
【００８３】
本工程は本実施の形態で特徴とする工程であり、第１の領域１２と第２の領域１３、１４の境界にある領域のエピタキシャル層１１上の絶縁膜２０を除去し、エピタキシャル層１１表面をエッチングして段差部分３１を形成する。このときに第２の領域１３，１４の周辺部分のエピタキシャル層１１にも同時に段差部分３１を形成すると良い。段差部分３１を形成することで第１の領域１２の周囲と第２の領域１３、１４の周囲とが絶縁膜２０から露出され、更に、段差部分３１、エピタキシャル層１１表面、酸化膜２０および各電極により階段状の段差が形成されて樹脂層３４との接着面積を増加でき、樹脂層３４との接着面積を拡大できる特徴がある。
【００８４】
更に、図１４に示すように、その主面に電極と外部接続用電極とを電気的に接続するための接続手段を形成し、エピタキシャル層１１表面に第１の領域１２および第２の領域１３、１４を一体に支持する樹脂層３４を形成し、段差部分３１との密着性を高めることにある。
【００８５】
ベース電極２１およびエミッタ電極２２と対応する接続用電極２５、２６とを金属細線３２、３３のボンディングにより接続手段を形成する。なお、金属細線３２、３３の代わりにガラスエポキシ基板、セラミックス基板、絶縁処理された金属基板、フェノール基板、シリコン基板等の基板に配線を形成した配線基板を用いることもできる。
【００８６】
この樹脂層３４は、上記したようにトランジスタのベース電極１７、エミッタ電極１８と接続用電極２５、２６とを接続する接続手段を基板１０から絶縁するとともに、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を機械的に分離した際に、第１の領域１２および第２の領域１３、１４を一体に支持するように形成されたものである。樹脂層３４としては、接着性と絶縁性とを備えていれば良く、例えば、ポリイミド系の樹脂が最適である。
【００８７】
基板１０表面に、例えばスピンナーにより、２μ〜５０μ膜厚のポリイミド樹脂をコートし、所定時間焼成した後、その表面が研磨処理され平坦化された樹脂層３４が形成される。ここでこの金属細線の接続は、前実施の形態と異なり、ウェハ厚が厚い状態でここまで使用できるので、ウェハ自体の強度があり、ボンデイング等の外力に対してウェハへのクラック等を抑止する事ができる。
【００８８】
更に、図１５に示すように、半導体基板１０を裏面から研削して薄くし、第２の領域１３、１４の裏面から貫通電極２７、２８を露出する工程にある。
【００８９】
本工程も本発明の特徴的な工程である。半導体基板１０の表面をウエファーサポートにワックス等で貼り付け、半導体基板１０の裏面からバックグラインドして半導体基板１０の不要部分を削り、約４００μｍから約１００μｍ程度まで薄くする。この際に、貫通電極２７、２８が半導体基板１０の裏面から露出するので、貫通電極２７、２８は次工程でのダイシング溝形成のときの位置合わせの基準となる。また、貫通電極２７、２８はエピタキシャル層１１表面から半導体基板１０の裏面まで到達するので、電極の取り出し抵抗を大幅に低減できる。ここでは、バックグラインドで実施しているが、この後に若干のエッチング処理を施し、歪や傷をとっても良い。またＣＭＰでも実施できる。更には、プラズマエッチングやウェットエッチングで実施しても良い。
【００９０】
更に、図１６に示すように、半導体基板１０の裏面から貫通電極２７、２８を基準に第１の領域１２と第２の領域１３、１４との境界の半導体基板１０に樹脂層３４まで達するダイシング溝３０を形成して、第１の領域１２の半導体基板１０と第２の領域１３、１４の半導体基板１０とを電気的に分離し、第２の領域１３、１４の半導体基板１０からなる外部接続用電極を形成する工程にある。
【００９１】
ダイシング溝３０は、半導体基板１０の裏面側から樹脂層３４まで達するように形成し、ダイシング装置を用いた機械的方法により形成する。
【００９２】
ダイシング装置を用いてダイシング溝３０を形成する理由は、ダイシングの幅及び深さを精度良く制御することができること、既存の設備であり新たに購入する必要がないことである。ダイシング幅はダイシングブレードの幅によって設定され、ダイシングの深さはダイシング装置メーカーによって異なるが、現状の技術では約２μ〜５μ程度の精度誤差であり、配線手段を切断することなく、確実に第１の領域１２と第２の領域１３、１４を電気的にも機械的にも分離することができる。
【００９３】
本工程は本発明のポイントであるが、ダイシングをする際に貫通電極２７、２８が第２の領域１３、１４の裏面に露出しているので、ダイシングラインの設定がこの貫通電極２７、２８を目印として行える点にある。従って、ダイシング溝３０は確実に段差部分３１に当てることが可能になる。その結果、ダイシング溝３０は樹脂層３４の一番密着性の高い部分でのダイシングを可能にし、樹脂層３４による一体支持にも好結果をもたらす。
【００９４】
この工程で行われるダイシングは、図９に示すように、基板１０上に形成した回路素子を有する第１の領域１２と、外部接続用電極になる貫通電極２７、２８をほぼ中央に埋め込んだ第２の領域１３、１４とを機械的かつ電気的に分離する工程が行われる（一点鎖線領域）。この工程でのダイシング幅は、分離後の隣接する領域１２、１３、１４との絶縁性を保つ必要性から、例えば、約０．１ｍｍ幅で行う。また、ダイシングの深さは、上記したように、確実に第１の領域１２、第２の領域１３、１４を電気的に分離するために、樹脂層３４内に約２μ〜５μｍ程度入るように行う。第１の領域１２は０．５ｍｍ×０．５ｍｍに形成し、第２の領域１３、１４は０．３ｍｍ×０．２ｍｍに設定している。
【００９５】
最後に、基板１０に形成された第１の領域１２、第２の領域１３、１４とからなるトランジスタセルＸを個々に分割することによって半導体装置が完成する。
【００９６】
かかる分離工程は、図９に示すように、トランジスタセルＸの外周部分（斜線領域）をダイシング装置のダイシングブレードで切断して個別に分離する。なお、エッチングによる分離を行ってもよいが、ダイシングシートに半導体ウエファを貼り付けてダイシング溝とトランジスタセルへの分離を行うことが効率的である。
【００９７】
本発明によれば、半導体基板１０の第１の領域１２の裏面にコレクタ電極用の外部接続用電極３６を設け、半導体基板１０の第２の領域１３、１４の裏面にベース電極用の外部接続用電極３７、エミッタ電極用の外部接続用電極３８を設けれている(図１６参照)。各外部接続用電極３６、３７、３８はダイシング溝３０および周辺で面取りのエッチングをされ、半田付け良好な金属をメッキして形成し、各外部接続用電極３６、３７、３８は半田付け時のショートを防止するためにトライアングル状に配置されているが、直線状にしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体装置を説明する断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する平面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１３】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】従来の半導体装置の構造を説明する断面図である。
【図１８】従来の半導体装置の構造を説明する平面図である。
【図１９】従来の半導体装置の構造を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１０              半導体基板
１１              エピタキシャル層
１２              第１の領域
１３、１４        第２の領域
２７、２８        貫通電極
３０              ダイシング溝
３１              段差部分
３２、３３        金属細線
３４              樹脂層
３５              ビアホール
３６、３７、３８  外部接続用電極
【図１】
2006278610.tif 000003
【図２】
2006278610.tif 000004
【図３】
2006278610.tif 000005
【図４】
2006278610.tif 000006
【図５】
2006278610.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006278610.tif 000009
【図８】
2006278610.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2006278610.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2006278610.tif 000017
【図１６】
2006278610.tif 000018
【図１７】
2006278610.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2006278610.tif 000021