(57)【要約】【課題】  有機電界発光素子の駆動寿命を向上させるとともに駆動電圧上昇を抑制させる。【解決手段】    電荷輸送材料として、酸化電位が＋０．８Ｖ以上であり、下記式で表される基の存在割合が０〜７０ｐｐｍであるものを用いる。2006013469.tif 000065  ただし、該基は少なくとも１つのアリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基と直接結合する。また、該基の炭素原子は芳香環を構成する炭素原子ではない。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化電位が＋０．８Ｖ以上である、１種又は２種以上の化合物よりなる電荷輸送材料であって、
電荷輸送材料中の下記式（１）で表される基の存在割合が、０〜７０ｐｐｍである
ことを特徴とする、電荷輸送材料。
【化１】
2006013469.tif 000063
｛但し、式（１）で表わされる基の炭素原子は、少なくとも１つの、アリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基と直接結合する。また、式（１）における炭素原子は、芳香環を構成する炭素原子ではない。｝
【請求項２】
酸化電位が＋０．８Ｖ以上である、１種又は２種以上の化合物よりなる電荷輸送材料であって、
電荷輸送材料中の下記式（１）で表される基の存在割合が、０〜７０ｐｐｍである
ことを特徴とする、電荷輸送材料。
【化２】
2006013469.tif 000064
｛但し、式（１）で表わされる基の炭素原子は、少なくとも１つの、アリール基またはヘテロアリール基と直接結合する。また、式（１）における炭素原子は、芳香環を構成する炭素原子ではない。｝
【請求項３】
該化合物のうちの少なくとも１つが、カルバゾール系化合物である
ことを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の電荷輸送材料。
【請求項４】
該化合物のうちの少なくとも１つが、２，４，６−位に置換基としてアリール基を有するピリジン系化合物である
ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電荷輸送材料。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料のみから形成された層を少なくとも有する
ことを特徴とする、積層体。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料と、ドーパントとから形成された有機発光層を少なくとも有する
ことを特徴とする、積層体。
【請求項７】
基板上に、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に設けられた有機発光層とを有し、
更に、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料のみから形成された層を少なくとも１層有する
ことを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項８】
基板上に、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極との間に設けられ、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電荷輸送材料及びドーパントから形成された有機発光層とを有する
ことを特徴とする、有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電荷輸送材料並びにそれを用いた積層体及び有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子（以下適宜、「ＥＬ素子」という）としては、電荷輸送材料などに無機材料を使用したものに代わり、有機材料を用いた有機ＥＬ素子の開発が行われるようになっている。また、有機ＥＬ素子の発光効率を上げる試みとして、蛍光（一重項励起子による発光）ではなく燐光（三重項励起子による発光）を用いることが検討されている。燐光を用いると、蛍光を用いたＥＬ素子と比べて、３倍程度に発光効率が向上すると考えられており、例えば、ユーロピウム錯体、白金錯体等を使用することが報告されている。
【０００３】
これまでに開発された燐光分子を用いた有機ＥＬ素子の多くは、発光層のホスト材料として、カルバゾリル基を含む材料を用いている。そのような技術の例を挙げれば、例えば、非特許文献１が挙げられる。非特許文献１では、発光層のホスト材料として、以下の構造式で表わされるビフェニル誘導体（Ｈ−１）を用いている。
【化１】
2006013469.tif 000002
【０００４】
ビフェニル誘導体（Ｈ−１）は、連結基を介して一分子中に２つのカルバゾール環を有し、かつＮ原子同士が共役しているため、正孔輸送能と電子輸送能とがともに優れている。このため、ビフェニル誘導体（Ｈ−１）は、耐熱性、非晶質性には課題を有するものの、ホスト材料として優れて理想的な材料と考えられていた。
【０００５】
しかしながら、ビフェニル誘導体（Ｈ−１）をホスト材料に用いた有機ＥＬ素子をはじめ、従来の有機ＥＬ素子は、フラットパネル・ディスプレイ等の表示素子に応用するためには駆動寿命を向上する必要があり、いまだ実用の域に達していない。
そこで、これまで、駆動寿命を向上させるための技術の研究がなされてきた。例えば、特許文献１では、有機ＥＬ素子を構成するいずれかの層において、その層を構成する電荷輸送材料中の不純物であるハロゲン化合物の含有量を低減させることにより、有機ＥＬ素子の駆動寿命を向上させると共に、駆動電圧を低下させることが記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特許第３２９０４３２号公報
【非特許文献１】Ｊｐｎ.  Ｊ．  Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．，  ３８巻，Ｌ１５０２頁，１９９９年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
有機ＥＬ素子では、その使用に伴って、駆動に要する電圧が上昇する。有機ＥＬ素子を実用化するには、駆動寿命を向上させる他、この駆動電圧上昇を抑制する必要がある。しかし、特許文献１などの従来の技術では、駆動電圧上昇を抑制することができなかった。
本発明は上記の課題に鑑みて創案されたもので、有機ＥＬ素子の駆動寿命を向上させるとともに、駆動電圧上昇を抑制することができる電荷輸送材料、並びに、それを用いた積層体及び有機電界発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の発明者らは、上記課題を解決するべく、電荷輸送材料中に使用される化合物及び混入している副成分に関して鋭意検討した結果、電荷輸送材料に含まれる特定の基の濃度を所定値以下とすることにより、駆動寿命が長く、且つ、駆動電圧上昇を抑制することができる有機電界発光素子を得られることを見出し、本発明を完成させた。
【０００９】
即ち、本発明の要旨は、酸化電位が＋０．８Ｖ以上である、１種又は２種以上の化合物よりなる電荷輸送材料であって、電荷輸送材料中の下記式（１）で表される基の存在割合が、０〜７０ｐｐｍであることを特徴とする、電荷輸送材料に存する。
【化２】
2006013469.tif 000003
｛但し、上記式（１）で表わされる基の炭素原子は、少なくとも１つの、アリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基と直接結合する。また、上記式（１）における炭素原子は、芳香環を構成する炭素原子ではない。｝
【００１０】
また、本発明の別の要旨は、酸化電位が＋０．８Ｖ以上である、１種又は２種以上の化合物よりなる電荷輸送材料であって、電荷輸送材料中の下記式（１）で表される基の存在割合が、０〜７０ｐｐｍであることを特徴とする、電荷輸送材料に存する（請求項２）。
【化３】
2006013469.tif 000004
｛但し、上記式（１）で表わされる基の炭素原子は、少なくとも１つの、アリール基またはヘテロアリール基と直接結合する。また、上記式（１）における炭素原子は、芳香環を構成する炭素原子ではない。｝
【００１１】
このとき、該化合物のうちの少なくとも１つは、カルバゾール系化合物であることが好ましい（請求項３）。
さらに、該化合物のうちの少なくとも１つは、２，４，６−位に置換基としてアリール基を有するピリジン系化合物であっても好ましい（請求項４）。
【００１２】
また、本発明の別の要旨は、上記の電荷輸送材料のみから形成された層を少なくとも有することを特徴とする、積層体に存する（請求項５）。
さらに、本発明の更に別の要旨は、上記の電荷輸送材料と、ドーパントとから形成された有機発光層を少なくとも有することを特徴とする、積層体に存する（請求項６）。
【００１３】
また、本発明の更に別の要旨は、基板上に、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極の間に設けられた有機発光層とを有し、更に、上記の電荷輸送材料のみから形成された層を少なくとも１層有することを特徴とする、有機電界発光素子に存する（請求項７）。
さらに、本発明の更に別の要旨は、基板上に、陽極と、陰極と、該陽極及び該陰極との間に設けられ、上記の電荷輸送材料及びドーパントから形成された有機発光層とを有することを特徴とする、有機電界発光素子に存する（請求項８）。
【００１４】
ここで、式（１）で表わされる基が少ないことが好ましい理由について説明する。
本発明の発明者らが推察するところ、有機ＥＬ素子の駆動電圧が上昇する要因は、有機ＥＬ素子を構成する化合物が、使用に伴い、本来の分子構造から変化するためと考えられる。また、この分子構造の変化は、有機ＥＬ素子の電荷輸送材料等の有機化合物が、電気的酸化や還元を受ける際の、酸化状態や還元状態の安定性に関係すると考えられる。
【００１５】
上記のような酸化状態や還元状態の安定性の低下は、本来耐久性に優れている電荷輸送材料中に、酸化状態や還元状態の安定性に劣る副成分が混在することにより誘起されると考えられる。
【００１６】
上記の見解に基づき検討した結果、前記の式（１）で表わされる基を有する化合物を有する場合に、駆動電圧上昇及び駆動寿命に課題が生じることが分かった。この課題は、式（１）で表わされる基を有する化合物を、主成分として大量に有する場合はもちろん、副成分として少量有する場合であっても生じる。
【００１７】
例えば、一般に入手可能なカルバゾールには、比較的高い濃度でメチル置換カルバゾールが混入している。具体例を挙げると、市販のカルバゾールは、通常、純度９５〜９８％であり、その中に、置換位置の異なる少なくとも２種類のメチル置換カルバゾール｛下記式（２）｝を０．１〜１．０重量％程度含有している。
【化４】
2006013469.tif 000005
【００１８】
よって、市販のカルバゾールを用いて合成されたカルバゾール系化合物には、完全に除去することが困難な不純物として、式（２）のメチル置換カルバゾールに起因するメチル置換体が含まれている。したがって、このようにして合成されたカルバゾール系化合物を電荷輸送材料として有機ＥＬ素子を製造した場合、この不純物であるメチル置換体が、駆動電圧上昇及び駆動寿命の課題の原因となっていた。
【００１９】
以上のように、式（１）で表わされる基は、駆動電圧上昇及び駆動寿命の課題の原因となっている。したがって、これを少なくする、あるいは無くすことにより、分子構造の変化を生じない安定な電荷輸送材料を得ることができる。これにより、駆動寿命が長く、且つ、駆動電圧上昇を抑制できる有機電界発光素子が得られるようになるのである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電荷輸送材料や積層体を用いることにより、駆動寿命が向上し、且つ、駆動電圧上昇を抑制することが可能な、有機電界発光素子を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明について説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において任意に変形して実施することができる。
［Ｉ．電荷輸送材料］
本発明の電荷輸送材料は、酸化電位が＋０．８Ｖ以上の１種又は２種以上の化合物よりなり、且つ、本発明の電荷輸送材料中の下記式（１）で表わされる基（以下適宜、ＣＨ基という）の存在割合が、０〜７０ｐｐｍである。ただし、本明細書において「ｐｐｍ」は、重量を基準とした割合を表わす。また、本発明の電荷輸送材料に含まれる化合物は有機化合物であるが、有機ＥＬ素子の材料として使用する場合には、適宜、任意の無機化合物と混合して用いることもできる。また、ＣＨ基の炭素原子は、少なくとも１つの、アリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基と直接結合するか、或いは、少なくとも１つの、アリール基またはヘテロアリール基と直接結合する。特に、ＣＨ基の炭素原子が少なくとも１つのアリール基またはヘテロアリール基と直接結合している場合にＣＨ基は駆動電圧上昇や駆動寿命低下をより招きやすいため、少なくとも１つのアリール基またはヘテロアリール基と直接結合する炭素原子を有するＣＨ基の存在割合を上記のように小さくすることがより好ましい。さらに、式（１）における炭素原子は、芳香環を構成する炭素原子ではない。なお、以下適宜、ＣＨ基の炭素原子がアリール基、ヘテロアリール基又はカルボニル基に直接結合することを、それぞれ、ＣＨ基がアリール基、ヘテロアリール基又はカルボニル基に直接結合するという。
【化５】
2006013469.tif 000006
【００２２】
＜１．電荷輸送材料に用いることができる化合物＞
電荷輸送材料とは、与えられた電荷（即ち、電子や正孔）を移動させることができる材料であり、上記の条件を満たしていれば他に制限はなく、任意の材料を用いることができる。また、電荷輸送材料は、１種の化合物を単独で用いてもよく、２種以上の化合物を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【００２３】
ただし、電荷輸送材料は、通常、以下の機能を有するものが好ましい。
（ｉ）注入機能：電界印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができる機能、及び／又は、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能。
（ii）輸送機能：注入した電荷を電界の力で移動させる機能。
（iii）発光機能：電子と正孔との再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能。
（iv）阻止機能：電荷をバランスよく移動、再結合させるため、移動調整する機能。
なお、正孔の注入されやすさと電子の注入されやすさには違いがあってよく、正孔と電子の移動度で表される輸送性能に大小があってもよいが、どちらか一方の電荷を移動することが好ましい。
【００２４】
上記の観点から、電荷輸送材料として用いる化合物は、特に、下記式（３）で表される有機化合物が好ましい。
【化６】
2006013469.tif 000007
ただし、式（３）中、Ａは、それぞれ独立に、アリール基又はヘテロアリール基を表わす。また、ｎは、１以上１０以下の整数を表わす。さらに、Ｚは、ｎ＝１の場合は水素原子又は置換基を表わし、ｎが２以上の場合は直接結合又はｎ価の連結基を表わす。なお、Ａ及びＺはそれぞれ、さらに置換基を有していてもよい。
【００２５】
以下、上記式（３）で表わされる化合物について詳細に説明する。
式（３）において、ｎは、通常１以上、好ましくは２以上、また、通常１０以下、好ましくは６以下の整数を表わす。この範囲を超えると各種精製によってＣＨ基の存在割合を十分に低下させることが困難になるために好ましくなく、この範囲を下回ると電荷注入・輸送性が著しく低下することがあるために好ましくない。
【００２６】
また、式（３）において、ｎが１の場合、Ｚは、水素原子又は任意の置換基である。ここで、Ｚが置換基である場合の具体例は、アミノ基類、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、ヘテロ環オキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルファモイル基類、カルバモイル基類、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルホニル基類、スルフェニル基類、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシル基、メルカプト基、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、シリル基類、ボリル基類、ホスフィノ基、アリール基、ヘテロアリール基、下記式（４）で表わされる基、下記式（５）で表わされる基などが挙げられる。
【００２７】
【化７】
2006013469.tif 000008
【化８】
2006013469.tif 000009
【００２８】
ただし、式（４）において、Ｒaは任意の置換基を表わす。また、Ｒaの炭素数は、通常１以上、また、通常１０以下、好ましくは６以下である。さらに、Ｒaの具体例を挙げると、アルキル基、アラルキル基、アリール基などが挙げられる。
また、式（４）及び式（５）において、Ｒb，Ｒc，Ｒdはそれぞれ独立に、水素原子又は任意の置換基を表わす。また、Ｒb，Ｒc，Ｒdが任意の置換基である場合には、その炭素数及び具体例としては、それぞれ独立に、Ｒaと同様の炭素数及び具体例が挙げられる。
【００２９】
Ｚがアミノ基類である場合、アミノ基類にはアミノ基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常０以上、また、通常３６以下、好ましくは２０以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジベンジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ジピリジルアミノ基等が挙げられる。
【００３０】
Ｚがアルコキシカルボニルアミノ基である場合、その炭素数は、通常２以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、メトキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００３１】
Ｚがアリールオキシカルボニルアミノ基である場合、その炭素数は、通常７以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、フェノキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３２】
Ｚがヘテロ環オキシカルボニルアミノ基である場合、その炭素数は、通常２以上、好ましくは５以上、また、通常２１以下、好ましくは１５以下、より好ましくは１１以下である。その具体例としては、チエニルオキシカルボニルアミノ基等が挙げられる。
【００３３】
Ｚがスルホニルアミノ基である場合、その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、メタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基、チオフェンスルホニルアミノ基等が挙げられる。
【００３４】
Ｚがアルコキシ基である場合、その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１２以下、より好ましくは８以下である。その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００３５】
Ｚがアリールオキシ基である場合、その炭素数は、通常６以上、また、通常１０以下、好ましくは８以下、より好ましくは炭素数６である。その具体例としては、フェノキシ基等が挙げられる。
【００３６】
Ｚがヘテロ環オキシ基である場合、その炭素数は、通常１以上、好ましくは２以上、より好ましくは４以上、また、通常１０以下、好ましくは８以下、より好ましくは５以下である。その具体例としては、チエニルオキシ基、ピリジルオキシ基等が挙げられる。
【００３７】
Ｚがアシル基である場合、その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、アセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基、テノイル基、ニコチノイル基等が挙げられる。
【００３８】
Ｚがアルコキシカルボニル基である場合、その炭素数は、通常２以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３９】
Ｚがアリールオキシカルボニル基である場合、その炭素数は、通常７以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは７である。その具体例としては、フェノキシカルボニル基などが挙げられる。
【００４０】
Ｚがヘテロ環オキシカルボニル基である場合、その炭素数は、通常２以上、好ましくは５以上、また、通常２０以下、好ましくは１２以下、より好ましくは６以下である。その具体例としては、チエニルオキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４１】
Ｚがアシルオキシ基である場合、その炭素数は、通常２以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例は、アセトキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ピバロイルオキシ基、テノイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基等が挙げられる。
【００４２】
Ｚがスルファモイル基類である場合、スルファモイル基類にはスルファモイル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常０以上、また、通常２０以下、好ましくは１２以下である。その具体例は、スルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基、チエニルスルファモイル基等が挙げられる。
【００４３】
Ｚがカルバモイル基類である場合、カルバモイル基類にはカルバモイル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例は、カルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等が挙げられる。
【００４４】
Ｚがアルキルチオ基である場合、その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例は、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−ブチルチオ基等が挙げられる。
【００４５】
Ｚがアリールチオ基である場合、その炭素数は、通常６以上、また、通常２６以下、好ましくは２０以下、より好ましくは１２以下である。その具体例は、フェニルチオ等が挙げられる。
【００４６】
Ｚがヘテロ環チオ基である場合、その炭素数は、通常１以上、好ましくは２以上、より好ましくは５以上、また、通常２５以下、好ましくは１９以下、より好ましくは１１以下である。その具体例は、チエニルチオ基、ピリジルチオ基等が挙げられる。
【００４７】
Ｚがスルホニル基類である場合、スルホニル基類にはスルホニル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、トシル基、メシル基などが挙げられる。
【００４８】
Ｚがスルフェニル基類である場合、スルフェニル基類にはスルフェニル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、メチルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基等が挙げられる。
【００４９】
Ｚがウレイド基類である場合、ウレイド基類にはウレイド基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、ウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基等が挙げられる。
【００５０】
Ｚがリン酸アミド基類である場合、リン酸アミド基類にはリン酸アミド基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常２０以下、好ましくは１６以下、より好ましくは１２以下である。その具体例としては、ジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基等が挙げられる。
【００５１】
Ｚがシリル基類である場合、シリル基類にはシリル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常１０以下、好ましくは６以下である。その具体例としては、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
【００５２】
Ｚがボリル基類である場合、ボリル基類にはボリル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常１０以下、好ましくは６以下である。その具体例としては、ジメシチルボリル基等が挙げられる。
【００５３】
Ｚがホスフィノ基類である場合、ホスフィノ基類にはホスフィノ基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常１以上、また、通常１０以下、好ましくは６以下である。その具体例としては、ジフェニルホスフィノ基等が挙げられる。
【００５４】
Ｚがアリール基である場合、その炭素数は、通常６以上、また、通常２０以下、好ましくは１４以下である。その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等由来の６員環の単環或いは２〜５縮合環由来の基などが挙げられる。
【００５５】
Ｚがヘテロアリール基である場合、そのヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。また、このとき、Ｚの炭素数は、通常１以上、好ましくは３以上、また、通常１９以下、好ましくは１３以下である。その具体例を挙げると、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環等の５員環又は６員環の単環或いは２〜４縮合環由来の基が挙げられる。
【００５６】
一方、ｎが２以上の場合、Ｚは直接結合又はｎ価の連結基を表わす。
Ｚがｎ価の連結基である場合、その具体例としては、下記式で表わされる基が挙げられる。
【化９】
2006013469.tif 000010
さらに、この他、Ｚが置換基である場合の具体例として前述した基から水素原子をｎ−１個除去した基なども、Ｚがｎ価の連結基である場合の具体例として挙げられる。
また、Ｚがアルキニル基である場合、その炭素数は、通常２以上、また、通常８以下、好ましくは４以下である。その具体例としてはエチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。
【００５７】
これらの中でも、Ｚは、電気的酸化還元耐久性を向上させる観点、及び、耐熱性を向上させる観点から、アリール基またはヘテロアリール基であることが好ましい。
なお、Ｚは、さらに置換基を有していても良く、他の基と縮合していてもよい。また、Ｚが有する置換基が２個以上ある場合には、それらは同一でもよく、異なっていてもよい。さらに、可能な場合には連結して環を形成してもよい。
【００５８】
Ｚが有する置換基は任意であるが、例えば、アリール基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、ヘテロアリール基などが挙げられる。この中でも、アリール基、ヘテロアリール基が好ましく、アリール基がより好ましい。なお、ここで例示した置換基の具体例としては、Ｚが置換基である場合について具体例として例示したものと同様のものが挙げられる。
【００５９】
また、Ｚの分子量は任意であるが、Ｚが置換基又は連結基である場合、通常１０００以下、好ましくは５００以下である。Ｚの分子量をこの範囲とすることにより、蒸着法を用いた成膜の際、電荷輸送材料の気化温度が極度に高温となることを防止できる。また、湿式法を用いた成膜の際、電荷輸送材料の溶媒に対する溶解性を損なうことを防止できる。これにより、本発明の電荷輸送材料を用いて良好な特性の有機ＥＬ素子を得ることができる。
【００６０】
式（３）において、Ａは、任意のアリール基又はヘテロアリール基を表す。
Ａがアリール基である場合、その炭素数は、通常６以上、また、通常３０以下、好ましくは２０以下である。その具体例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環等の６員環の単環或いは２〜５縮合環由来の基などが挙げられる。
【００６１】
また、Ａがヘテロアリール基である場合、その炭素数は、通常１以上、好ましくは３以上、また、通常２９以下、好ましくは１９以下である。その具体例としては、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、オキサゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環、テトラゾール環、イミダゾピリジン環等の５員環又は６員環の単環或いは２〜４縮合環由来の基などが挙げられる。
【００６２】
例示したものの中でも、Ａとしては、電気的酸化還元耐久性の点、及び、広いＨＯＭＯ−ＬＵＭＯのバンドギャップの点から、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、チアゾール環、オキサゾール環、イミダゾール環、インドール環、ベンゾイミダゾール環、イミダゾピリジン環、カルバゾール環由来の基が好ましい。
【００６３】
この中でも、ベンゼン環、ナフタレン環、ピリジン環、トリアジン環、オキサゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾイミダゾール環、イミダゾピリジン環、カルバゾール環由来の基がより好ましい。また、ベンゼン環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、ベンゾイミダゾール環、イミダゾピリジン環、カルバゾール環由来の基がより好ましい。
【００６４】
さらに、Ａは、ピリジン環又はカルバゾール環由来の基が、特に好ましい。
ピリジン環由来の基の中でも、ピリジン環の２，４，６−位に置換基を有するものは、電気的酸化還元安定性に優れるため、好ましい。また、このピリジン環に結合する置換基は任意であるが、アリール基又はヘテロアリール基であることが好ましい。
また、カルバゾール環由来の基の中でも、アルキル基、アミノ基、アルコキシ基等の電子供与性基を置換基として有さないものが、電気的還元耐久性を低下させないため、好ましい。
【００６５】
さらに、式（３）において、Ａは置換基を有していてもよい。Ａが有していてもよい置換基は任意であるが、その具体例としては、Ｚが有し得る置換基として前述したものと同様のものが挙げられる。
【００６６】
また、Ａの分子量は、その置換基も含めて、通常１０００以下、好ましくは５００以下である。Ａの分子量をこの範囲とすることにより、蒸着法を用いた成膜の際、電荷輸送材料の気化温度が極度に高温となることを防止できる。また、湿式法を用いた成膜の際、電荷輸送材料の溶媒に対する溶解性を損なうことを防止できる。これにより、本発明の電荷輸送材料を用いて良好な特性の有機ＥＬ素子を得ることができる。
【００６７】
以下、Ａ，Ｚについて、それぞれ具体例を例示する。
まず、Ａ、及び、ｎ＝１の場合のＺの具体例としては、以下の基Ｒ−１〜Ｒ−８８が挙げられる。ただし、以下の具体例において、Ｌ1及びＬ2はそれぞれ独立に、水素原子又は任意の置換基を表わす。また、ここで例示した基は、Ｌ1及びＬ2以外にも置換基を有していてもよい。なお、Ｐｈはフェニル基を表わす。
【００６８】
【化１０】
2006013469.tif 000011
【００６９】
【化１１】
2006013469.tif 000012
【００７０】
【化１２】
2006013469.tif 000013
【００７１】
また、ｎが２以上の場合のＺの具体例としては、以下の結合及び基が挙げられる。なお、Ｚ−１で表わしたものは直接結合を表わし、Ｚ−２〜Ｚ−１８４で表わしたものは基を表わす。
【化１３】
2006013469.tif 000014
【００７２】
【化１４】
2006013469.tif 000015
【００７３】
【化１５】
2006013469.tif 000016
【００７４】
【化１６】
2006013469.tif 000017
【００７５】
また、式（３）で表わされる化合物の具体例としては、以下のようなものが挙げられる。
カルバゾール系化合物（トリアリールアミン系化合物を含む）としては、特開昭６３−２３５９４６号公報、特開平２−２８５３５７号公報、特開平２−２６１８８９号公報、特開平３−２３０５８４号公報、特開平３−２３２８５６号公報、特開平５−２６３０７３号公報、特開平６−３１２９７９号公報、特開平７−０５３９５０号公報、特開平８−００３５４７号公報、特開平９−１５７６４３号公報、特開平９−２６８２８３号公報、特開平９−１６５５７３号公報、特開平９−２４９８７６号公報、特開平９−３１００６６号公報、特開平１０−０４１０６９号公報、特開平１０−１６８４４７号公報、欧州特許第８４７２２８号明細書、特開平１０−２０８８８０号公報、特開平１０−２２６７８５号公報、特開平１０−３１２０７３号公報、特開平１０−３１６６５８号公報、特開平１０−３３０３６１号公報、特開平１１−１４４８６６号公報、特開平１１−１４４８６７号公報、特開平１１−１４４８７３号公報、特開平１１−１４９９８７号公報、特開平１１−１６７９９０号公報、特開平１１−２３３２６０号公報、特開平１１−２４１０６２号公報、ＷＯ−００／７０６５５号公報、米国特許第６５６２９８２号明細書、特開２００３−０４０８４４号公報、特開２００１−３１３１７９号公報、特開２００１−２５７０７６号公報、特願２００３−２０２９２５号明細書、特願２００３−２０４９４０号明細書、特願２００３−２９９５１２号明細書等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００７６】
また、フェニルアントラセン誘導体としては、特開２０００−３４４６９１号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
さらに、縮環アリーレンのスターバースト型化合物としては、特開２００１−１９２６５１号公報、特開２００２−３２４６７７号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００７７】
また、縮環型イミダゾール系化合物としては、「Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，  ７８巻，  １６２２項、２００１」、特開２００１−３３５７７６号公報、特開２００２−３３８５７９号公報、特開２００２−３１９４９１号公報、特開２００２−３６７７８５号公報、特開２００２−３６７７８６号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００７８】
さらに、アゼピン系化合物としては、特開２００２−２３５０７５号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
また、縮環型トリアゾール系化合物としては、特開２００２−３５６４８９号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
さらに、プロペラ型アリーレン系化合物としては、特開２００３−０２７０４８号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００７９】
また、モノトリアリールアミン型化合物としては、特開２００２−１７５８８３号公報、特開２００２−２４９７６５号公報、特開２００２−３２４６７６号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
さらに、アリールベンジジン系化合物としては、特開２００２−３２９５７７号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００８０】
また、トリアリール硼素化合物としては、特開２００３−０３１３６７号公報、特開２００３−０３１３６８号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
さらに、インドール系化合物としては、特開２００２−３０５０８４号公報、特開２００３−００８８６６号公報、特開２００２−０１５８７１号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００８１】
また、インドリジン系化合物としては、特開２０００−３１１７８７号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
さらに、ピレン系化合物としては、特開２００１−１１８６８２号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
また、ジベンゾオキサゾール（又はジベンゾチアゾール）系化合物としては、特開２００２−２３１４５３号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００８２】
さらに、ビピリジル系化合物としては、特開２００３−１２３９８３号公報等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
また、ピリジン系化合物としては、特願２００３−３４７３０７号明細書、特願２００３−３７４４３０号明細書等に電荷輸送材料として記載の化合物などが挙げられる。
【００８３】
これらの中でも、有機ＥＬ素子としての優れた発光特性の点から、カルバゾール系化合物（トリアリールアミン系化合物を含む）、縮環アリーレンのスターバースト型化合物、縮環型イミダゾール系化合物、プロペラ型アリーレン系化合物、モノトリアリールアミン型化合物、インドール系化合物、インドリジン系化合物、ビピリジル系化合物、ピリジン系化合物等が好ましい。
更に、有機ＥＬ素子としての駆動寿命の点から、カルバゾール系化合物及びピリジン系化合物がより好ましい。
電荷輸送材料として、とりわけ好ましい化合物の具体例を以下に示す。
【００８４】
【化１７】
2006013469.tif 000018
【００８５】
【化１８】
2006013469.tif 000019
【００８６】
【化１９】
2006013469.tif 000020
【００８７】
また、電荷輸送材料として用いる化合物は、そのバンドギャップが、通常３．０Ｖ以上、好ましくは３．２Ｖ以上、より好ましくは３．５Ｖ以上のものが望ましい。燐光発光性色素、とりわけ緑〜青色発光性色素は、バンドギャップが大きく、この燐光発光性色素を用いて有機ＥＬ素子を作製する場合には、燐光発光性色素をとりまく電荷輸送材料は、通常、この燐光発光色素のバンドギャップ以上のバンドギャップを有していることが、有機ＥＬ素子としての発光効率や寿命の点で好ましいのためである。なお、バンドギャップはサイクリックボルタンメトリーにより測定することができる。
【００８８】
さらに、電荷輸送材料として用いる化合物は、そのガラス転移点が、通常７０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１３０℃以上、さらに好ましくは１５０℃以上であることが望ましい。ガラス転移点が低すぎると、有機ＥＬ素子としての耐熱性が低下する虞があるほか、駆動寿命が短くなる可能性があるためである。
【００８９】
また、電荷輸送材料として用いる化合物は、その気化温度が、常圧条件下で、通常３００℃以上、好ましくは３５０℃以上、より好ましくは４００℃以上、また、通常７００℃以下、好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは５５０℃以下である。本発明の電荷輸送材料を蒸着法により成膜する場合や昇華法を用いて精製する場合に、高温による劣化を招く虞があるためである。
【００９０】
さらに、本発明の電荷輸送材料に用いる化合物の分子量は、通常４０００以下、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下、また、通常３００以上、好ましくは４００以上、より好ましくは５００以上である。分子量が大きすぎると昇華性が低下し、例えば蒸着による薄膜形成が困難になる傾向がある。また、その合成の過程において、有機ＥＬ素子としての駆動寿命を損ない得る、除去が困難な不純物（即ち、ＣＨ基を有する化合物）が生成しがちであるため、後述するように有機ＥＬ素子を構成する層に使用する電荷輸送材料として適さなくなる虞がある。一方、分子量が小さすぎると、例えば、昇華温度が低くなりすぎるため蒸着による薄膜形成が困難になったり、融点やガラス転移点が低下して耐熱性が低下したり、あるいは、容易に結晶化が起こって成膜性（アモルファス性）が低下したりする虞がある。
【００９１】
＜２．酸化電位＞
本発明の電荷輸送材料の酸化電位は通常＋０．８Ｖ以上であり、好ましくは＋１．０Ｖ以上、より好ましくは＋１．２Ｖ以上である。従来、前述のように、本発明の電荷輸送材料を有機ＥＬ素子に用いた場合に、ＣＨ基の酸化によりＣ−Ｈ結合解裂が生じ、それにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧上昇及び駆動寿命低下が発生するという課題があった。これに対し、本発明の電荷輸送材料を用いれば、この駆動電圧上昇及び駆動寿命低下の発生を抑制することができるが、酸化電位が＋０．８Ｖ未満であると、分子内の他の部位が主として酸化を受け、ＣＨ基が酸化される確率が低下するため、ＣＨ基に由来する駆動電圧上昇や駆動寿命低下が発生する確率が著しく低下する。このため、酸化電位が＋０．８Ｖ以上の電荷輸送材料において本発明を適用することが望まれるのである。
【００９２】
また、本発明における酸化電位は、以下に述べるような電気化学測定（サイクリックボルタンメトリー）によって測定することができる。なお、測定に用いられる支持電解質、溶媒および電極については、以下に示す例示物に限定されるわけではなく、同程度の測定が可能なものであれば任意のものを用いることができる。
【００９３】
支持電解質として、例えば過塩素酸テトラブチルアンモニウムやヘキサフルオロリン酸テトラブチルアンモニウム等を０．１ｍｏｌ／Ｌ程度含有させた有機溶媒に、測定対象材料（本発明の電荷輸送材料）を０．１〜２ｍＭ程度溶解させる。こうして得られた溶液を、作用電極として例えばグラッシーカーボン電極を用い、対電極として例えば白金電極を用い、掃引速度１００ｍＶ／ｓｅｃにて電解酸化（又は還元）する。電解酸化（又は還元）時の電位を、例えばフェロセン等の基準物質の酸化還元電位と比較することにより、測定対象材料の酸化電位を得る。こうして得られた酸化電位を、更に飽和甘コウ電極（ＳＣＥ）を基準電極として換算した値が、本発明における酸化電位である。
なお、用いられる有機溶媒としてはアセトニトリル、塩化メチレン、およびテトラヒドロフランなど、本発明の電荷輸送材料を良く溶解させ、且つ、それ自身が電解酸化（又は還元）されにくい、したがって、電位窓を広くとることができるものが用いられる。
【００９４】
＜３．ＣＨ基＞
本発明の電荷輸送材料は、ＣＨ基の存在割合が、重量比（即ち、「ＣＨ重量」／「電荷輸送材料の総重量」）で、通常０〜７０ｐｐｍの範囲である。即ち、上記存在割合は、通常７０ｐｐｍ以下であり、５０ｐｐｍ以下が好ましく、３０ｐｐｍ以下がより好ましい。とりわけ、本発明の電荷輸送材料を、大きい酸化電位（具体的には、酸化電位が＋１．５Ｖ以上）を有する正孔阻止材料に用いる場合には、上記存在割合は１０ｐｐｍ以下であるのが特に好ましい。
【００９５】
前述のように、有機化合物中において、ＣＨ基は、電気的酸化を受けた場合にＣ−Ｈ結合解裂を起こし、分解劣化しやすい部位であることを本発明者らは見出した。したがって、こうした劣化中心となりうる部位を７０ｐｐｍ以下に抑えることにより、電荷輸送材料のＣ−Ｈ結合解裂を抑制し、それを用いた有機ＥＬ素子の駆動電圧上昇及び駆動寿命低下を抑制することが可能となる。なお、ＣＨ基の存在割合が７０ｐｐｍを越えると、有機ＥＬ素子の駆動電圧上昇が、定電圧制御型デバイスとしては不適となるレベルにまで増大する上、定電流制御型デバイスとした場合の有機ＥＬ素子の輝度低下速度も、実用可能な範囲から逸脱してしまう虞がある。
【００９６】
ただし、ＣＨ基は、芳香環の骨格に含まれない部分であり、したがって、ＣＨ基の炭素原子は芳香環を構成する炭素原子ではない。
また、ＣＨ基は、少なくとも１つのアリール基またはヘテロアリール基と単結合によって直接結合している基である。このように、アリール基またはヘテロアリール基と直接結合している場合に、ＣＨ基は分解劣化しやすい部位となる。したがって、アリール基またはヘテロアリール基と直接結合しているＣＨ基は、存在割合を上記範囲のように小さくすることが望ましい。
さらに、ＣＨ基は、少なくとも１つのカルボニル基と単結合によって直接結合している場合にも、上記のように分解劣化しやすい部位となることがある。したがって、カルボニル基と直接結合しているＣＨ基も、存在割合を上記範囲のように小さくすることが望ましい。
【００９７】
よって、ＣＨ基は、少なくとも１つの、アリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基と直接結合するか、或いは、少なくとも１つの、アリール基またはヘテロアリール基と直接結合する基であり、このようなＣＨ基が少ないことにより、有機ＥＬ素子の駆動電圧上昇及び駆動寿命低下を抑制することが可能となる。ただし、ＣＨ基がアリール基またはヘテロアリール基と直接結合している場合に、このＣＨ基は特に分解劣化しやすい部位となることから、少なくとも１つのアリール基またはヘテロアリール基と直接結合するＣＨ基の存在割合を上記のように小さくすることがより好ましい。
ここで、ＣＨ基が直接結合するアリール基及びヘテロアリール基に制限はなく、任意のアリール基及びヘテロアリール基が当てはまるが、詳しくは、式（３）におけるＡと同様である。
【００９８】
さらに、ＣＨ基が有する３本の結合手の内の少なくとも１本にアリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基が直接結合した際、残りの結合手に直接結合する基は任意である。即ち、ＣＨ基がアリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基と１本の結合手で結合した場合には、残りの２本の結合手に任意の基が直接結合することができ、アリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基が２つの結合手で結合した場合には、残りの１本の結合手に任意の基が直接結合することができる。また、残りの結合手には、水素原子が直接結合していても良い。さらに、アリール基、ヘテロアリール基またはカルボニル基がＣＨ基に３つ直接結合している場合も含まれることは言うまでもない。
【００９９】
ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する、アリール基、ヘテロアリール基及びカルボニル基以外の基の具体例としては、アルケニル基、アルキニル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、ヘテロアリールアミノ基、アシルアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アルキルカルボニルオキシ基、カルボキシル基、シアノ基、水酸基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基類、シリル基類、ボリル基類、ホスフィノ基類などが挙げられる。なお、これらは置換基を有していてもよい。
【０１００】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアルケニル基である場合、その炭素数は通常２以上９以下である。その具体例としては、ビニル基、アリル基、１−ブテニル基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアルキニル基である場合、その炭素数は通常２以上９以下である。その具体例としては、エチニル基、プロパルギル基等が挙げられる。
【０１０１】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアルキルアミノ基である場合、その炭素数は通常１以上８以下である。その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアリールアミノ基である場合、その炭素数は通常６以上１４以下である。その具体例としては、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基等が挙げられる。
【０１０２】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基が５又は６員環のヘテロアリール環を有するヘテロアリールアミノ基である場合、その炭素数は通常６以上１４以下である。その具体例としては、ピリジルアミノ基、チエニルアミノ基、ジチエニルアミノ基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアシルアミノ基である場合、その炭素数は通常２以上１０以下である。その具体例としては、アセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基等が挙げられる。
【０１０３】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアルコキシ基である場合、その炭素数は通常１以上８以下である。その具体例は、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアリールオキシ基である場合、その炭素数は通常６以上１２以下である。その具体例としては、フェニルオキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【０１０４】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基が５又は６員環のヘテロアリール環を有するヘテロアリールオキシ基である場合、その炭素数は通常６以上１４以下である。その具体例としては、ピリジルオキシ基、チエニルオキシ基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアシル基である場合、その炭素数は通常２以上１０以下である。その具体例としては、ホルミル基、アセチル基等が挙げられる。
【０１０５】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアルコキシカルボニル基である場合、その炭素数は通常２以上１０以下である。その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアリールオキシカルボニル基である場合、その炭素数は通常７以上１３以下である。その具体例としては、フェノキシカルボニル基等が挙げられる。
【０１０６】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアルキルカルボニルオキシ基である場合、その炭素数は通常２以上１０以下である。その具体例としては、アセトキシ基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアルキルチオ基である場合、その炭素数は通常１以上８以下である。その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基等が挙げられる。
【０１０７】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がアリールチオ基である場合、その炭素数は通常６以上１２以下である。その具体例としてはフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がスルホニル基類である場合、スルホニル基類にはスルホニル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は通常１以上１０以下である。その具体例としては、トシル基、メシル基などが挙げられる。
【０１０８】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がシリル基類である場合、シリル基類にはシリル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は、通常３以上３０以下である。その具体例としては、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基等が挙げられる。
さらに、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がボリル基類である場合、ボリル基類にはボリル基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は通常８以上２８以下である。その具体例としては、ジメシチルボリル基等が挙げられる。
【０１０９】
また、ＣＨ基の残りの結合手に直接結合する基がホスフィノ基類である場合、ホスフィノ基類にはホスフィノ基にアルキル基やアリール基等の炭化水素基が置換したものも含む。その炭素数は通常８以上２８以下である。その具体例としては、ジフェニルホスフィノ基等が挙げられる。
ただし、好ましくないＣＨ基の順序としては、置換基を３つ有する３級炭素型ＣＨ基が最も素子寿命低下及び駆動電圧上昇を助長するために最も好ましくなく、次には置換基を２つ有する２級炭素型が好ましくなく、その次には置換基を１つ有する１級炭素型が好ましくない。
【０１１０】
また、本発明の電荷輸送材料は、アリール基と直接結合しているＣＨ基、又は、ヘテロアリール基と直接結合しているＣＨ基と、カルボニル基と直接結合しているＣＨ基とが、一分子内に両方とも存在する化合物を含有しないことが好ましい。
【０１１１】
＜４．ＣＨ基の存在割合の算出＞
ここで、電荷輸送材料中におけるＣＨ基の存在割合を算出する方法を説明する。
ＣＨ基の存在割合を算出する第１の算出方法としては、次のような方法がある。即ち、後述する分析方法を用いて、電荷輸送材料中に存在する化合物の分子構造が同定できた場合、高速液体クロマトグラフ、ガスクロマトグラフ等を用い、電荷輸送材料中で、ＣＨ基を有する化合物が存在する割合（重量比；以下、ＰMと表記する）を導出し、ＣＨ基を有する化合物中で、ＣＨ基が占める割合（重量比；以下、ＲCHと表記する）を求める。これにより、電荷輸送材料全体に占めるＣＨ基の割合（重量比；以下、ＰCHと表記する）を得ることができる。
【０１１２】
即ち、ＣＨ基を有する単一または複数の化合物の総重量をＷMとし、ＣＨ基を有さない単一または複数の化合物の総重量をＷAとすると、下記式（６）が成立する。
ＰM＝ＷM／（ＷA＋ＷM）  ・・・式（６）
ここで、ＣＨ基のモル重量（＝１３．０１９）をＭCHとし、ＣＨ基を有する単一または複数の化合物の分子量の平均値をＭMとすると、下記式（７）が成立する。
ＲCH＝ＭCH／ＭM  ・・・式（７）
【０１１３】
したがって、ＰCHは下記式（８）により算出される。
ＰCH＝ＲCH×ＰM  ・・・式（８）
これを用いて、例えば、高速液体クロマトグラフのＵＶ吸収ピーク面積からＰMを算出し、それとＣＨ基を有する化合物の分子量とから、ＰCHを得ることができる。また、ここでのＵＶ吸収ピーク面積の測定には波長２５４ｎｍのＵＶ光を使用することができる。
【０１１４】
なお、第１の算出方法によりＣＨ基の存在割合を算出する場合、電荷輸送材料中に存在する化合物の分子構造を同定する分析方法としては、後述する分析方法の中でも特に、質量分析（高速液体クロマトグラフと組合せた、所謂ＬＣ−ＭＳを含む）、各種ＮＭＲ測定、元素分析、高速液体クロマトグラフ、薄層クロマトグラフ等を利用した標品との比較に基づく不純物の同定などを用いることが好ましい。
【０１１５】
また、ＣＨ基の存在割合を算出する第２の算出方法としては、次のような方法がある。即ち、後述する分析方法を用いることにより、電荷輸送材料全体を構成する元素比率や置換基構成、分子部分構造などを明らかにし、次いで、1Ｈ−ＮＭＲスペクトル（２次元ＮＭＲスペクトルを含む）から、ＣＨ基の存在割合を上記スペクトルの積分比から導き出す。
【０１１６】
なお、第２の算出方法によりＣＨ基の存在割合を算出する場合、電荷輸送材料中に存在する化合物の分子構造を同定する分析方法としては、後述する分析方法の中でも特に、元素分析、質量分析、ＮＭＲスペクトル、原子吸光分析、蛍光Ｘ線分析（ファンダメンタルパラメーター法を含む）、ＩＣＰ（＝誘導結合プラズマ）発光分析、Ｘ線光電子分光法などを用いることが好ましい。
【０１１７】
電荷輸送材料中に存在する化合物の分子構造を同定する分析方法としては、公知の分析方法を任意に用いることができる。分析方法の例としては、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、高速アミノ酸分析計（ＡＡＡ）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）質量分析（ＭＳ、ＬＣ−ＭＳ，ＧＣ−ＭＳ，ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置｛ＮＭＲ（1Ｈ−ＮＭＲ，13Ｃ−ＮＭＲ）｝、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光光度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）、電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析｛イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）、原子吸光分析（ＡＡＳ）、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）｝、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ，ＧＦ−ＡＡＳ，ＧＤ−ＭＳ）等が挙げられる。
【０１１８】
さらに具体的に分析方法の一例を挙げて説明する。
有機化合物を構成材料とする電荷輸送材料は有機溶剤に可溶であるため、まずＨＰＬＣを用いて構成成分を検出する。次にＨＰＬＣにて検出された成分についてＬＣ−ＭＳによる分子量測定を行なう。一方、ＨＰＬＣにより得られた成分を分取ＨＰＬＣにより各成分分取を実施し、分取された各成分を1Ｈ−ＮＭＲにて構造確認を実施することにより推定構造が得られる。より確実にするために13Ｃ−ＮＭＲを測定するとなおよい。ＨＰＬＣの代わりにＧＰＣを用いて各分子量ごとに分取し、同様に1Ｈ−ＮＭＲを用いて構造確認する方法でもよい。さらにＦＴ−ＩＲ、元素分析等を実施することにより、構成元素、構成置換基がより明確に推定可能となる。
【０１１９】
以上の分析結果より、電荷輸送材料構成成分の構造を推定することができる。特にＮＭＲでＣＨ基存在の有無はほぼ明確に確認できるため、完全な構造一致が困難な場合でも、ＣＨ基を有するか否かは判断でき得る。
またＣＨ基の含有量は、上記構造決定に用いたＨＰＬＣ等により、ＣＨ基を有する構成材料の電荷輸送材料に対する成分比を求め、例えば第１の算出方法により算出することにより得ることができる。
【０１２０】
＜５．ＣＨ基の排除＞
次に、電荷輸送材料中のＣＨ基を排除して、本発明の電荷輸送材料を製造する方法を説明する。
本発明の電荷輸送材料の製造方法に制限はなく、任意の方法を用いることができるが、例えば、
（ａ）ＣＨ基を含まない原料のみを使用して電荷輸送材料を製造する方法
（ｂ）原料、中間体、最終合成物の何れかの段階で、各種精製方法を用いて、ＣＨ基を有する化合物（不純物）を、排除する方法
などが挙げられる。
【０１２１】
上記の方法（ｂ）における精製方法としては、公知の方法を任意に用いることができるが、例えば、「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイ  ピー  シー発光）、あるいは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法などを用いることができる。
【０１２２】
具体例としては、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶媒からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー等。移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体等。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー等。）などが挙げられる。
【０１２３】
＜６．電荷輸送材料の用途＞
本発明の電荷輸送材料は任意の用途に用いることができるが、有機ＥＬ素子に用いて好適である。例えば、有機ＥＬ素子の正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、正孔注入層の材料として好ましく用いることができる。
【０１２４】
中でも、本発明の電荷輸送材料を正孔輸送層の材料（正孔輸送材料）として用いる場合には、本発明の電荷輸送材料は、正孔の注入がされやすく、また、正孔の輸送能が大きいものが好ましい。
上記観点から、本発明の電荷輸送材料を正孔輸送材料として用いる場合、本発明の電荷輸送材料の酸化電位は、＋１．４Ｖ以下が好ましく、＋１．３５Ｖ以下がより好ましく、＋１．３Ｖ以下が特に好ましい。
【０１２５】
さらに、本発明の電荷輸送材料を正孔輸送材料として用いる場合、本発明の電荷輸送材料の正孔移動度は、１×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上が好ましく、５×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上がより好ましく、１×１０-4ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上が特に好ましい。なお、正孔移動度は、ガラス基盤／ＩＴＯ膜／本発明の電荷輸送材料の膜（２〜１０μm）／アルミニウム膜をこの順に積層し、ＴＯＦ移動度測定法により測定することができる。
【０１２６】
また、本発明の電荷輸送材料を正孔阻止層の材料（正孔阻止材料）として用いる場合には、本発明の電荷輸送材料は、電子の注入がされやすく、また、電子の輸送性能が正孔の輸送性能に比べて大きく、さらに、正孔注入機能が低いものが好ましい。
上記観点から、本発明の電荷輸送材料を正孔阻止材料として用いる場合、本発明の電荷輸送材料の酸化電位は、＋１．５Ｖ以上が好ましく、＋１．６Ｖ以上がより好ましく、＋１．７Ｖ以上が特に好ましい。
【０１２７】
さらに、本発明の電荷輸送材料を正孔阻止材料として用いる場合、本発明の電荷輸送材料の電子移動度は、１×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上が好ましく、５×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上がより好ましく、１×１０-4ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以上が特に好ましい。なお、電子移動度は、上記のＴＯＦ移動度測定法により測定することができる。
また、本発明の電荷輸送材料を正孔阻止材料として用いる場合、本発明の電荷輸送材料の正孔移動度は、１×１０-5ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以下が好ましく、１×１０-7ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以下がより好ましく、１×１０-9ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ以下が特に好ましい。
【０１２８】
［II．有機電界発光素子］
以下、本発明の有機ＥＬ素子について、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明に用いられる一般的な有機ＥＬ素子の構造例を模式的に示す断面図であり、１は基板、２は陽極、４は正孔輸送層、５は発光層（有機発光層）、６は正孔阻止層、８は陰極を各々表わす。さらに、本発明の一実施形態であるこの有機ＥＬ素子においては、正孔輸送層４、正孔阻止層６、並びに、後述する電子輸送層７及び正孔注入層３のうち少なくともいずれかが、本発明の電荷輸送材料のみにより形成され、且つ／又は、発光層５が、本発明の電荷輸送材料とドーパントとから形成されることが望ましい。
以下、詳細に説明する。
【０１２９】
＜１．基板＞
基板１は有機ＥＬ素子の支持体となるものである。その材質や形状は任意であるが、例えば、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板１のガスバリア性が小さすぎると、基板１を通過した外気により有機ＥＬ素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１３０】
＜２．陽極＞
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものである。この陽極の材質は任意であるが、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウム及び／またはスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、あるいは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。
【０１３１】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などの粉末材料を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に粉末材料を分散し、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。
さらに、導電性高分子を用いて陽極２を形成する場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０１３２】
また、陽極２は、異なる物質で積層して形成することも可能である。
陽極２の厚みは任意であるが、通常、必要とする透明性により設定することが望ましい。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合、陽極２の厚みは、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１３３】
＜３．正孔輸送層＞
陽極２上（又は、後述する正孔注入層３上）には、正孔輸送層４が設けられている。この正孔輸送層４は、正孔を効率よく発光層５に注入するために、陽極２と発光層５との間に設けられる。よって、正孔輸送層４の材料（以下適宜「正孔輸送材料」という）に要求される条件としては、陽極２からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層５に接するために発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。
【０１３４】
上記の一般的要求以外に、車載表示用等への応用を考えた場合、有機ＥＬ素子にはさらに耐熱性が要求される。したがって、正孔輸送層４の材料としては、ガラス転移温度Ｔｇとして８５℃以上の値を有する材料が望ましい。また、これは、正孔注入層３、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７、などの正孔輸送層４以外の層の材料についても同様である。
【０１３５】
前述のように、正孔輸送層４の材料である正孔輸送材料として、本発明の電荷輸送材料を用いることができる。この際、正孔輸送材料として本発明の電荷輸送材料に無機材料からなる電荷輸送材料を混合して用いても良いが、通常は、本発明の電荷輸送材料のみを用い、正孔輸送層４を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが望ましい。これにより、有機ＥＬ素子の駆動寿命を向上させるとともに、駆動電圧上昇を抑制することができる。また、この場合、正孔輸送材料として用いることができる化合物の具体例としては、下記式で表されるものなどが挙げられる。
【０１３６】
【化２０】
2006013469.tif 000021
【０１３７】
また、正孔輸送材料として本発明の電荷輸送材料以外の材料を用いる場合、このような正孔輸送材料としては、例えば、４，４′−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４′，４″−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２巻−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２′，７，７′−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９′−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）等が挙げられる。
【０１３８】
また、上記の化合物のほか、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等の高分子材料を用いることも可能である。
なお、これら正孔輸送材料として用いられる化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１３９】
正孔輸送層４の形成方法は任意であるが、通常は、塗布法又は真空蒸着法により形成することができる。
塗布法の場合は、正孔輸送材料と、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤とを混合し、溶媒又は分散媒に溶解又は分散して塗布液を調製する。その後、調製した塗布液をスピンコート法などの方法により陽極２上に塗布し、溶媒又は分散媒を乾燥、除去して正孔輸送層４を形成する。
【０１４０】
溶媒及び分散媒は、正孔輸送材料等の種類に応じて、任意のものを用いればよい。
また、バインダー樹脂は任意であるが、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等を用いることが出来る。ただし、バインダー樹脂がＣＨ基を有していると、そこから前述した分解劣化が生じる虞があるため、塗布法に用いるバインダー樹脂としては、ＣＨ基の含有割合が小さいか、又はＣＨ基を有さないバインダー樹脂を用いることが好ましい。このようなバインダー樹脂の具体例としては、ポリアセチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンスルフィド、下記化合物（Ｐ−１），（Ｐ−３）などが挙げられる。なお、下記式においてｍはそれぞれ独立に正の数を表わす。
【化２１】
2006013469.tif 000022
【０１４１】
さらに、バインダー樹脂は、その使用量が多いと正孔移動度を低下させる虞があるので、使用量は少ない方が望ましく、通常、５０重量％以下が好ましい。
なお、バインダー樹脂や添加剤の酸化電位が＋０．８Ｖ以上である場合、正孔輸送層４に含まれるＣＨ基の存在割合を７０ｐｐｍ以下とすることができるのであれば、正孔輸送材料、バインダー樹脂、添加剤などをまとめて、本発明の電荷輸送材料とみなすこともできる。これにより、バインダー樹脂や添加剤などの正孔輸送材料以外の材料を用いた場合でも、正孔輸送層４を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが可能となる。
【０１４２】
一方、真空蒸着法の場合には、陽極２上に正孔輸送材料を蒸着させて、正孔輸送層４を形成する。具体的操作の一例を挙げると、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０-4Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向き合って置かれた、陽極２が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成させる。
また、正孔輸送層４の膜厚は任意であるが、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。このように薄い層を一様に形成するためには、一般に、真空蒸着法がよく用いられる。
【０１４３】
＜４．発光層＞
正孔輸送層４の上には発光層５が設けられている。発光層５は、発光材料を含有し、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入されて正孔輸送層４を移動する正孔と、陰極８から注入されて正孔阻止層６を移動する電子との再結合により励起されて、強い発光を示す。
なお発光層５は、本発明の性能を損なわない範囲で、発光材料以外の材料を含んでいてもよい。
【０１４４】
発光層５に用いられる発光材料は任意である。ただし、一般に、発光材料は、安定な薄膜形状を有し、固体状態で高い発光（蛍光または燐光）量子収率を示し、正孔及び／又は電子を効率よく輸送することができる化合物であることが望ましい。さらに電気化学的かつ化学的に安定であり、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【０１４５】
このような条件を満たし、蛍光を発する有機発光層を形成する材料としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平８−３１５９８３号公報）、シロール誘導体、等が挙げられる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔輸送層上に積層される。また、前述の正孔輸送層材料のうち、発光性を有する芳香族アミン系化合物も発光層材料として用いることが出来る。
【０１４６】
また、発光材料は、ドーパントとホスト材料とから形成されることがある。この場合、ホスト材料には本発明の電荷輸送材料を用い、発光層５を、前述のように、本発明の電荷輸送材料及びドーパントから形成された層とすることが望ましい。さらに、発光層５は、本発明の電荷輸送材料及びドーパントのみで形成された層とすることがより望ましい。これにより、有機ＥＬ素子の駆動寿命を向上させるとともに、駆動電圧上昇を抑制することができる。また、ドーパントもＣＨ基を有していない方が好ましい。
【０１４７】
また、このような場合、燐光発光を示す発光層は、ドーパントとして燐光性ドーパントを含んで形成される。燐光性ドーパントに制限はなく任意のものを用いることができるが、例えば、周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられ、該金属錯体のＴ１（最低励起三重項準位）より高いＴ１を有する電荷輸送性有機化合物をホスト材料として使用することが好ましい。
【０１４８】
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式（９）または式（１０）で表される化合物が挙げられる。
【０１４９】
ＭＬ(q-j)Ｌ′j    ・・・式（９）
｛式（９）中、Ｍは金属を表わし、ｑは上記金属の価数を表わす。また、Ｌ及びＬ′は二座配位子を表わす。さらに、ｊは０、１又は２を表わす。｝
【化２２】
2006013469.tif 000023
｛式（１０）中、Ｍ7は金属を表わし、Ｔは炭素又は窒素を表わす。Ｒ92〜Ｒ95は、それぞれ独立に置換基を表わす。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ94及びＲ95は無い。｝
【０１５０】
以下、まず、式（９）で表わされる化合物について説明する。
式（９）中、Ｍは任意の金属を表わし、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、式（９）中の二座配位子Ｌ及びＬ′は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【化２３】
2006013469.tif 000024
【０１５１】
上記Ｌ，Ｌ′の部分構造において、環Ａ１″及び環Ａ１′は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わし、これらは置換基を有していてもよい。また、環Ａ２及び環Ａ２′は、それぞれ独立に、含窒素芳香族複素環基を表わし、これらは置換基を有していてもよい。さらに、Ｒ′、Ｒ″およびＲ″′は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシカルボニル基、メトキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基、アシル基、ハロアルキル基又はシアノ基を表す。
【０１５２】
式（９）で表される化合物として、さらに好ましくは、下記式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【化２４】
2006013469.tif 000025
｛式（９ａ）中、Ｍ4はＭと同様の金属を表わし、ｗは上記金属の価数を表わす。また、環Ａ１″は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わし、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。）
【０１５３】
【化２５】
2006013469.tif 000026
｛式（９ｂ）中、Ｍ5はＭと同様の金属を表わし、ｗは上記金属の価数を表わす。また、環Ａ１″は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。）
【０１５４】
【化２６】
2006013469.tif 000027
ただし、式（９ｃ）中、Ｍ6はＭと同様の金属を表わし、ｗは上記金属の価数を表わす。また、ｊは０、１又は２を表わす。さらに、環Ａ１″及び環Ａ１′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。また、環Ａ２および環Ａ２′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。
【０１５５】
上記式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）において、環Ａ１″および環Ａ１′としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
【０１５６】
また、環Ａ２、環Ａ２′としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
【０１５７】
更に、式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【０１５８】
また、置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。
【０１５９】
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成しても良い。具体例としては、環Ａ１″が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、または、環Ａ１′が有する置換基と環Ａ２′が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ａ１″、環Ａ１′、環Ａ２及び環Ａ２′の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
【０１６０】
また、式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）におけるＭ4，Ｍ5として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。
上記式（９）、（９ａ）、（９ｂ）又は（９ｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示す。ただし、ドーパントは下記の化合物に限定されるものではない。
【０１６１】
【化２７】
2006013469.tif 000028
【０１６２】
【化２８】
2006013469.tif 000029
【０１６３】
さらに、上記式（９）、（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ′として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
【０１６４】
次に、式（１０）で表わされる化合物について説明する。
式（１０）中、Ｍ7は金属を表わし、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【０１６５】
また、式（１０）において、Ｒ92及びＲ93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。
【０１６６】
さらに、Ｔが炭素の場合、Ｒ94及びＲ95は、それぞれ独立に、Ｒ92及びＲ93と同様の例示物で表わされる置換基を表わす。また、Ｔが窒素の場合はＲ94及びＲ95は無い。
また、Ｒ92〜Ｒ95はさらに置換基を有していてもよい。さらに有していてもよい置換基に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、Ｒ92〜Ｒ95は互いに連結して環を形成してもよい。
【０１６７】
式（１０）で表わされる有機金属錯体の具体例（Ｔ−１，Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示す。ただし、ドーパントは、下記の例示物に限定されるものではない。また、Ｍｅはメチル基を表わし、Ｅｔはエチル基を表わす。
【０１６８】
【化２９】
2006013469.tif 000030
【０１６９】
また、前述したように、感光層に使用されるホスト材料としては、本発明の電荷輸送材料を用いることが好ましい。
【０１７０】
さらに、ホスト材料としては、適宜、本発明の電荷輸送材料以外の材料を用いてもよい。本発明の電荷輸送材料以外のホスト材料としては、燐光性ドーパントに対するホスト材料として、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（米国特許第６３０３０２３８号明細書）、２，２′，２″−（１，３，５−ベンゼントリル）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール]（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７８巻，１６２２項，２００１）、ポリビニルカルバゾール（特開２００１−２５７０７６号公報）等が挙げられる。
【０１７１】
なお、発光材料は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。したがって、発光材料としてドーパント及びホスト材料を用いる場合には、ドーパント及びホスト材料は、それぞれ独立に、１種を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
【０１７２】
また、本発明の有機ＥＬ素子における発光層は、ホスト材料及びドーパント以外の添加物を含有していてもよい。例えば、燐光発光を示す発光層において、任意の蛍光色素を含有していてもよい。
さらに、発光層中にドーパントとして含有される有機金属錯体の量は、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、また、通常３０重量％以下、好ましくは１０重量％以下が望ましい。下限値を下回ると有機ＥＬ素子の発光効率向上に寄与できない場合があり、上限値を上回ると有機金属錯体同士が２量体を形成する等の理由で濃度消光が生じ、発光効率の低下に至る可能性がある。
【０１７３】
また、燐光発光を示す発光層における燐光性ドーパントの量は、蛍光（１重項）を用いた有機ＥＬ素子において、発光層に含有されるドーパント（蛍光色素）の量より、若干多い方が好ましい傾向がある。また、燐光性ドーパントと共に蛍光色素が発光層中に含有される場合、蛍光色素の量は、０．０５重量％以上が好ましく、０．１重量％以上がより好ましい。また１０重量％以下が好ましく、３重量％以下がより好ましい。
【０１７４】
発光層５の形成方法は任意であり、例えば、正孔輸送層４と同様の方法で形成することができる。
塗布法により発光層５を形成する場合は、ホスト材料及びドーパントなどの発光材料と、さらに必要に応じて、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂と、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤とを混合し、溶媒又は分散媒に溶解又は分散した塗布液を調整する。その後、調製した塗布液をスピンコート法などの方法により正孔輸送層４上に塗布し、溶媒又は分散媒を乾燥、除去して発光層５を形成する。
【０１７５】
溶媒及び分散媒は、正孔輸送層４と同様、発光材料等の種類に応じて、任意のものを用いればよい。
また、バインダー樹脂の種類や使用量、添加剤などについても、正孔輸送層４の場合と同様である。さらに、発光材料としてドーパント及びホスト材料を用い、更に、バインダー樹脂や添加剤を用いる場合、バインダー樹脂や添加剤の酸化電位が＋０．８Ｖ以上であるときには、ドーパントを除き発光層５に含まれるＣＨ基の存在割合を７０ｐｐｍ以下とすることができるのであれば、ホスト材料、バインダー樹脂、添加剤などをまとめて、本発明の電荷輸送材料とみなすこともできる。これにより、バインダー樹脂や添加剤などのホスト材料以外の材料を用いた場合でも、発光層５を、本発明の電荷輸送材料及びドーパントからなる層として形成することが可能となる。
【０１７６】
一方、真空蒸着法の場合には、正孔輸送層４上に発光材料を蒸着させて、発光層５を形成する。具体的操作の一例として、発光材料としてホスト材料とドーパントとを用いた場合について説明すると、ホスト材料を真空容器内に設置されたるつぼに入れ、また、ドーパントを別のるつぼに入れて、真空容器内を適当な真空ポンプで１．０×１０-4Ｔｏｒｒ程度にまで排気する。その後、各々のるつぼを同時に加熱してホスト材料及びドーパントを蒸発させて、るつぼと向かい合って置かれた基板１の正孔輸送層４上に発光層５を形成する。また、他の操作の例として、発光材料としてホスト材料とドーパントとを予め所定比で混合したものを用意し、その発光材料を同一のるつぼを用いて蒸発させてもよい。
【０１７７】
ところで、ドーパントを発光層５にドープした場合、通常は発光層５の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正孔輸送層４との界面近傍にのみドーパントをドープしたり、逆に、正孔阻止層６界面近傍にのみドーパントをドープしてもよい。
さらに、発光層５の膜厚は任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。また、発光層５も正孔輸送層４と同様、通常は真空蒸着法により形成される。
【０１７８】
＜５．正孔阻止層＞
発光層５の上には、正孔阻止層６が設けられている。この正孔阻止層６は、正孔輸送層４から移動してくる正孔が陰極８に到達するのを阻止し、陰極８から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送するために設けられる。よって、正孔阻止層６の材料（以下適宜「正孔阻止材料」という）に要求される条件としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いことが必要である。これにより、正孔阻止層６は正孔と電子とを発光層５内に閉じ込めて、有機ＥＬ素子の発光効率を向上させることができるようになる。
【０１７９】
上記の観点から、正孔阻止材料のイオン化ポテンシャルは、発光層５の発光材料のイオン化ポテンシャル（発光層５がホスト材料とドーパントとを含んでいる場合には、ドーパントのイオン化ポテンシャル）よりも通常０．１ｅＶ以上、好ましくは０．５ｅＶ以上大きいことが好ましい。さらに、この場合、ドーパントのイオン化ポテンシャルは、ホスト材料のイオン化ポテンシャルよりも、通常０．１ｅＶ以上、好ましくは０．３ｅＶ以上小さいことがより好ましい。
【０１８０】
イオン化ポテンシャルは、物質のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義される。イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接定義されるが、電気化学的に測定した酸化電位を基準電極に対して補正しても求められる。後者の方法の場合、例えば飽和甘コウ電極（ＳＣＥ）を基準電極として用いたとき、下記式（１１）で定義される（“Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ”，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ，１９８５年、９８頁）。
イオン化ポテンシャル＝酸化電位（ｖｓ．ＳＣＥ）＋４．３ｅＶ    ・・・式（１１）
【０１８１】
さらに、正孔阻止材料の電子親和力（ＥＡ）は、発光層５の電子親和力（発光層５がホスト材料とドーパントとを含んでいる場合には、ホスト材料の電子親和力）と比較して同等以上であることが好ましい。電子親和力も、イオン化ポテンシャルと同様に、真空準位を基準として、真空準位にある電子が物質のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）レベルに落ちて安定化するエネルギーで定義される。電子親和力は、前述のイオン化ポテンシャルから光学的バンドギャップを差し引いて求められるが、電気化学的な還元電位から下記式（１２）を用いても求められる。
電子親和力＝還元電位（ｖｓ．ＳＣＥ）＋４．３ｅＶ    ・・・式（１２）
【０１８２】
したがって、正孔阻止材料の酸化電位及び還元電位は、下記式（１３），（１４）のように表わすこともできる。
（正孔阻止材料の酸化電位）−（発光材料の酸化電位）≧０．１Ｖ  ・・・式（１３）
（正孔阻止材料の還元電位）≧（発光材料の還元電位）    ・・・式（１４）
【０１８３】
さらに、後述の電子輸送層７を有する有機ＥＬ素子においては、正孔阻止材料の電子親和力は、電子輸送層７の材料（以下適宜「電子輸送材料」という）の電子親和力と比較して、下記式（１５）で表わすように、同等以下であることが好ましい。
（電子輸送材料の還元電位）≧（正孔阻止材料の還元電位）≧（発光材料の還元電位）  
・・・式（１５）
【０１８４】
前述のように、正孔阻止層７の材料である正孔阻止材料として、本発明の電荷輸送材料を用いることができる。この際、正孔阻止材料として本発明の電荷輸送材料に無機材料からなる電荷輸送材料を混合して用いても良いが、通常は、本発明の電荷輸送材料のみを用い、正孔阻止層７を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが望ましい。これにより、有機ＥＬ素子の駆動寿命を向上させるとともに、駆動電圧上昇を抑制することができる。また、この場合、正孔阻止材料として用いることができる化合物の具体例としては、電荷輸送材料として好ましい化合物の具体例として例示したものと同様のものが挙げられる。
【０１８５】
また、本発明の電荷輸送材料以外に正孔阻止材料として用いることができるものとしては、例えば、下記式（１６）で表わされる混合配位子錯体が挙げられる。
【化３０】
2006013469.tif 000031
［上記式（１６）中、Ｒ16〜Ｒ21は、それぞれ独立に、水素原子又は任意の置換基を表わす。また、Ｍ8はアルミニウム、ガリウム、インジウムから選ばれる金属原子を表わす。さらに、Ｌ3は、以下に示す式（１７ａ）、（１７ｂ）、（１７ｃ）のいずれかで表される配位子を表わす。
【０１８６】
【化３１】
2006013469.tif 000032
｛上記式（１７ａ），（１７ｂ），（１７ｃ）中、Ａｒ11〜Ａｒ15は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。また、Ａｒ11〜Ａｒ15はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい。さらに、Ｚ3はシリコンまたはゲルマニウムを表わす。｝］
【０１８７】
前記式（１６）において、Ｒ16〜Ｒ21はそれぞれ独立して水素原子又は任意の置換基を表わす。ただし、好ましくは、水素原子；塩素、臭素等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ベンジル基等のアラルキル基；ビニル基等のアルケニル基；シアノ基；アミノ基；アシル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；カルボキシル基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；トリフルオロメチル基等のα−ハロアルキル基；水酸基；置換基を有していても良い、フェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基；置換基を有していても良い、チエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表わす。
【０１８８】
なお、Ｒ16〜Ｒ21がアルキル基の場合、その炭素数は通常１以上６以下である。さらに、Ｒ16〜Ｒ21がアラルキル基の場合、その炭素数は通常７以上１２以下である。また、Ｒ16〜Ｒ21がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。さらに、Ｒ16〜Ｒ21がアシル基の場合、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、Ｒ16〜Ｒ21がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。さらに、Ｒ16〜Ｒ21がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、Ｒ16〜Ｒ21ががアリールオキシ基の場合、その炭素数は通常６以上１４以下である。さらに、Ｒ16〜Ｒ21がジアルキルアミノ基の場合、その炭素数は通常２以上１６以下である。また、Ｒ16〜Ｒ21がジアラルキルアミノ基の場合、その炭素数は通常１４以上２４以下である。さらに、Ｒ16〜Ｒ21がα−ハロアルキル基の場合、その炭素数は通常１以上８以下である。また、Ｒ16〜Ｒ21が芳香族炭化水素基の場合、その炭素数は通常６以上１８以下である。さらに、Ｒ16〜Ｒ21が芳香族複素環基の場合、その炭素数は通常２以上１７以下である。
【０１８９】
また、Ｒ16〜Ｒ21が芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である場合、その芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有しうる置換基としては、上記の式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基として例示したものと同様の置換基が挙げられる。即ち、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【０１９０】
また、Ｒ16〜Ｒ21が芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である場合に、その芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有しうる置換基の炭素数も、上記の式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される化合物が有する置換基の説明において述べた置換基の炭素数と、ジアルキルアミノ基及びハロアルキル基を除いて同様である。即ち、置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上１６以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上８以下である。
【０１９１】
ただし、Ｒ16〜Ｒ21としてより好ましくは、水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、シアノ基等が挙げられる。また特に、Ｒ19としては、シアノ基がさらに好ましい。
また、上記式（１７ａ），（１７ｂ），（１７ｃ）中、Ａｒ11〜Ａｒ15として、具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基、又は、チエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表わす。なお、これらＡｒ11〜Ａｒ15はさらに置換基を有していてもよい。その置換基は、Ｒ16〜Ｒ21が芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基である場合、その芳香族炭化水素基及び芳香族複素環基が有しうる置換基として示したものと同様のものが挙げられる。
【０１９２】
上記式（１６）で表わされる化合物の好ましい具体例（ＨＢ−１〜ＨＢ−２０）を以下に示す。ただし、正孔阻止材料となりうる化合物は、下記の化合物に限定されるものではない。
【化３２】
2006013469.tif 000033
【０１９３】
【化３３】
2006013469.tif 000034
【０１９４】
さらに、正孔阻止材料としては、上記式（１６）で表わされる混合配位子錯体の他に、以下の式（１８）で示される１，２，４−トリアゾール環残基を、少なくとも１個有する化合物を用いることができる。
【化３４】
2006013469.tif 000035
【０１９５】
上記式（１８）で表わされる１，２，４−トリアゾール環残基を、少なくとも１個有する化合物の具体例を以下に示す。ただし、１，２，４−トリアゾール環残基を少なくとも１個有する化合物は、下記の例示物に限定されるものではない。なお、ｔ−Ｂｕはｔ−ブチル基を表わす。
【０１９６】
【化３５】
2006013469.tif 000036
【０１９７】
また、更に別の正孔阻止材料として、下記式（１９）で示されるフェナントロリン環を少なくとも１個有する化合物が挙げられる。
【化３６】
2006013469.tif 000037
【０１９８】
上記式（１９）で表わされるフェナントロリン環を少なくとも１個有する化合物の具体例を以下に示す。ただし、フェナントロリン環を少なくとも１個有する化合物は、下記の例示物に限定されるものではない。
【０１９９】
【化３７】
2006013469.tif 000038
【０２００】
なお、正孔阻止材料は、１種の化合物を単独で用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせ及び比率で併用してもよい。
正孔阻止層６の形成方法は任意であるが、通常は、正孔輸送層４と同様、塗布法又は真空蒸着法により形成することができる。
塗布法により正孔阻止層６を形成する場合は、正孔輸送材料に代えて正孔阻止材料を用いるほかは、正孔輸送層４の形成と同様にして層形成を行なうことができる。また、バインダー樹脂や添加剤として適当なものを用いることで、正孔阻止層６を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが可能となることも同様である。
【０２０１】
一方、真空蒸着法により正孔阻止層６を形成する場合も、正孔輸送材料に代えて正孔阻止材料を用い、陽極２上に代えて発光層５上に蒸着を行なう他は、正孔輸送層４の形成と同様にして層形成を行なうことができる。
また、正孔阻止層６の膜厚は任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。さらに、正孔阻止層６も正孔輸送層４と同様、通常は真空蒸着法で形成される。
【０２０２】
＜６．陰極＞
正孔阻止層６上（又は、後述する電子輸送層７上）には、陰極８が設けられる。陰極８は、正孔阻止層６を介して発光層５に電子を注入する役割を果たすものである。
この陰極８の材質は任意であるが、通常、陽極２に使用される材料を用いることが可能である。ただし、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましい。この観点から、通常は、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属、又はそれらの合金が用いられる。合金の具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金が挙げられる。
【０２０３】
さらに、陰極８と正孔阻止層６（又は、後述する電子輸送層７上）との界面にＬｉＦ、ＭｇＦ2、Ｌｉ2Ｏ等の極薄絶縁膜（０．１ｎｍ〜５ｎｍ）を挿入することも、有機ＥＬ素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。
【０２０４】
陰極８の形成は、陽極２と同様、通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより行われることが多い。さらに、粉末材料や導電性高分子を用いて陰極８を形成する場合には、陽極２と同様、塗布により形成することもできる。
また、陽極２と同様に、陰極８を異なる物質で積層して形成することも可能である。
【０２０５】
陰極８の膜厚は通常、陽極２と同様である。低仕事関数金属から成る陰極を保護する目的で、この上にさらに、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増大させる。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【０２０６】
＜７．電子輸送層＞
有機ＥＬ素子の発光効率をさらに向上させることを目的として、正孔阻止層６と陰極８との間には、図２のように、電子輸送層７を設けることがある。電子輸送層７は、電界を与えられた電極２，８間において、陰極８から注入された電子を効率よく正孔阻止層６の方向に輸送し、陰極８から発光層５に電子を効率よく注入して、発光層５内における正孔と電子との再結合を容易にするために設けられるものである。よって、電子輸送層７の電子輸送材料としては、陰極８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し、さらに、注入された電子を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。
【０２０７】
前述のように、電子輸送層７の材料である電子輸送材料として、本発明の電荷輸送材料を用いることができる。この際、電子輸送材料として本発明の電荷輸送材料に無機材料からなる電荷輸送材料を混合して用いても良いが、通常は、本発明の電荷輸送材料のみを用い、電子輸送層７を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが望ましい。これにより、有機ＥＬ素子の駆動寿命を向上させるとともに、駆動電圧上昇を抑制することができる。また、この場合、電子輸送材料として用いることができる化合物の具体例としては、電荷輸送材料や正孔阻止材料として好ましい化合物の具体例として例示したものと同様のものなどが挙げられる。
【０２０８】
また、電子輸送材料として本発明の電荷輸送材料以外の材料を用いる場合、上記の条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−又は５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ′−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２０９】
また、正孔阻止層６にフェナントロリン誘導体や金属錯体やアルカリ金属をドープしたり、オキサジアゾール誘導体、キノキサリン化合物、フェナントロリン誘導体等の電子輸送性が高く分子量の小さい有機物をドープする等して、正孔阻止層６の電子輸送能を高めることにより、電子輸送層７を形成することもできる。
【０２１０】
電子輸送層７の形成方法は任意であるが、通常は、正孔輸送層４と同様、塗布法又は真空蒸着法により形成することができる。
塗布法により電子輸送層７を形成する場合は、正孔輸送材料に代えて電子輸送材料を用いるほかは、正孔輸送層４の形成と同様にして層形成を行なうことができる。また、バインダー樹脂や添加剤として適当なものを用いることで、電子輸送層７を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが可能となることも同様である。
【０２１１】
一方、真空蒸着法により電子輸送層７を形成する場合も、正孔輸送材料に代えて電子輸送材料を用い、陽極２上に代えて正孔阻止層６上に蒸着を行なう他は、正孔輸送層４の形成と同様にして層形成を行なうことができる。
また、電子輸送層７の膜厚は任意であるが、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。さらに、電子輸送層７も正孔輸送層４と同様、通常は真空蒸着法で形成される。
【０２１２】
＜８．正孔注入層＞
正孔注入の効率をさらに向上させ、かつ、有機層全体の陽極２への付着力を改善させる目的で、正孔輸送層４と陽極２との間には、図３のように、正孔注入層３を設けることがある。正孔注入層３は、使用初期の有機ＥＬ素子の駆動電圧を低下させると共に、有機ＥＬ素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇を抑制するために設けられるものである。よって、正孔注入層３に用いられる材料（以下適宜「正孔注入材料」という）には、陽極２とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定、即ち、融点及びガラス転移温度が高いことが要求される。通常要求される具体的な融点及びガラス転移温度は、融点が３００℃以上、ガラス転移温度が１００℃以上である。さらに、正孔注入材料には、イオン化ポテンシャルが低く陽極２からの正孔注入が容易なこと、及び、正孔移動度が大きいことも要求される。
【０２１３】
前述のように、正孔注入層３の材料である正孔注入材料として、本発明の電荷輸送材料を用いることができる。この際、正孔注入材料として本発明の電荷輸送材料に無機材料からなる電荷輸送材料を混合して用いても良いが、通常は、本発明の電荷輸送材料のみを用い、正孔注入層３を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが望ましい。これにより、有機ＥＬ素子の駆動寿命を向上させるとともに、駆動電圧上昇を抑制することができる。
【０２１４】
また、正孔注入材料として本発明の電荷輸送材料以外の材料を用いる場合、上記の条件を満たす材料としては、銅フタロシアニン等のフタロシアニン化合物（特開昭６３−２９５６９５号公報）、ポリアニリン（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６４巻、１２４５頁，１９９４年）、ポリチオフェン（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，９巻、１２５頁、１９９８年）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，９１巻、７３頁、１９９７年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（Ｊ．Ｐｈｙｓ．Ｄ，２９巻、２７５０頁、１９９６年）などが挙げられる。
また、芳香族ジアミン含有ポリエーテルにＤＤＱ（2,3-dicyano-5,6-dichloro-p-benzoquinone）等の電子受容性基をドーピングする等して正孔注入を容易にすることもできる。
【０２１５】
正孔注入層３の形成方法は任意であるが、通常は、正孔輸送層４と同様、塗布法又は真空蒸着法により形成することができる。また、正孔注入層３の場合、正孔注入材料が無機物の場合には、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。
塗布法により正孔注入層３を形成する場合は、正孔輸送材料に代えて正孔注入材料を用いるほかは、正孔輸送層４の形成と同様にして層形成を行なうことができる。また、バインダー樹脂や添加剤として適当なものを用いることで、正孔注入層３を、本発明の電荷輸送材料のみからなる層として形成することが可能となることも同様である。
【０２１６】
一方、真空蒸着法により正孔注入層３を形成する場合も、正孔輸送材料に代えて正孔注入材料を用いる他は、正孔輸送層４の形成と同様にして層形成を行なうことができる。
また、正孔注入層３の膜厚は任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。さらに、正孔注入層３も正孔輸送層４と同様、通常は真空蒸着法で形成される。
【０２１７】
＜９．その他＞
なお、ここで示した有機ＥＬ素子の構成はあくまで一実施形態であり、本発明の有機ＥＬ素子は、上記の構成から任意に変形して実施することができる。
例えば、上記の有機ＥＬ素子は、上述した層のほかに、別の層を含んで構成されていてもよい。
【０２１８】
また、例えば、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極８、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能である。さらに、同様に、図２および図３に示した前記各層構成とは逆の構造に積層することも可能である。
また、例えば、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板１の間に本発明の有機ＥＬ素子を設けることも可能である。
【０２１９】
ところで、前述のように、有機ＥＬ素子は、通常、積層構造となっている。
したがって、その製造途中においては、有機ＥＬ素子は、本発明の電荷輸送材料のみから形成された層（例えば、正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６、電子輸送層７のいずれか）を少なくとも有する積層体となっている場合がある。具体例を挙げれば、基板１上に、陽極２と、正孔輸送材料として本発明の電荷輸送材料のみを用い、その正孔輸送材料のみにより形成された正孔輸送層４とが積層された積層体となっている場合がある。
【０２２０】
また、有機ＥＬ素子は、例えば、本発明の電荷輸送材料と、ドーパントとから形成された有機発光層５を有する積層体となっている場合がある。具体例を挙げれば、基板１上に、陽極２と、正孔輸送層４と、ホスト材料として本発明の電荷輸送材料を用い、発光材料としてこのホスト材料及びドーパントのみを用いた発光層５とを積層された積層体となっている場合がある。
これらのような積層体をはじめ、本発明の電荷輸送材料のみから形成された層、及び、本発明の電荷輸送材料とドーパントとから形成された有機発光層の少なくともいずれかを有する積層体も、本発明の範囲に含むものとする。
【０２２１】
＜１０．有機ＥＬ素子の用途＞
前述した有機ＥＬ素子の構成は、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極とがＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造を有する素子のいずれにおいても適用することができる。
【実施例】
【０２２２】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を逸脱しない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２２３】
＜電荷輸送材料について＞
（実施例１）
サンプル１〜４として、４，４′−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（同仁堂社製；ＤＣＢＰ，Ｓｕｂｌｉｍｅｄ）のＬｏｔ  Ｎｏ．ＮＬ−８５１及びＬｏｔ  Ｎｏ．ＰＹ−７４８、並びに、これらを昇華法で再精製したものを使用した。具体的には、表１に示すとおりのサンプルを用いた。
【表１】
2006013469.tif 000039
【０２２４】
なお、上記サンプル２，４の昇華法による再精製は、表２に示す条件により行なった。
【表２】
2006013469.tif 000040
【０２２５】
上記のサンプル１〜４それぞれについて、ＬＣ−ＭＳ法を用い、各ＬＣピークのＭＳチャート、ＵＶ吸収スペクトル、及び滞留時間を標品と比較することなどから、各サンプル１〜４に含まれる不純物の構造を同定した。なお、ここで行なったＬＣ−ＭＳ法の測定条件は、表３に示すとおりである。
【表３】
2006013469.tif 000041
【０２２６】
各サンプル１〜４について分析した結果、サンプル１〜４には、それぞれ下記（ｉ）〜（vii）に示す分子構造を有する化合物が不純物として含まれていることが分かった。また、これらの不純物（ｉ）〜（vii）のうち、不純物（ｖ）及び不純物（vi）が、ＣＨ基を有している。
【０２２７】
【化３８】
2006013469.tif 000042
【０２２８】
測定結果から、上記の式（６）〜（８）を用いて、ＣＨ基の存在割合ＰCHを計算した。計算に用いたＰM、ＲCH、ＷA、ＷM、ＭCH及びＭMの値を表４に示す。
【表４】
2006013469.tif 000043
【０２２９】
さらに、各サンプル１〜４中における、これらの不純物（ｉ）〜（vii）の存在割合、及び、各サンプル１〜４中のＣＨ基の存在割合ＰCHを、下記表５に示す。なお、表５には、参考のため、各不純物（ｉ）〜（vii）の存在割合も示してある。また、表５において、存在割合ＰCHは、カルボニル基に直接結合するものを含まない場合のＣＨ基の存在割合を表わす。表５から、サンプル２はＣＨ基の存在割合ＰCHが７０ｐｐｍ以下であることが確認された。
【０２３０】
【表５】
2006013469.tif 000044
【０２３１】
次に、酸化電位の測定方法として上述した方法により、サンプル１〜４の酸化電位及び還元電位を測定した。作用電極にはＧＣ（グラッシーカーボン）を用い、参照電極にはＡｇ線を用い、対極にはＰｔを用いた。また、溶媒には、酸化電位測定時及び還元電位測定時とも、アセトニトリル及びテトラヒドロフランの体積比１：１混合溶媒に、０．１ＭのＴＢＡＰ（Ｔｅｔｒａｂｕｔｙｌａｍｍｏｎｉｕｍ  ｐｅｒｃｈｌｏｒａｔｅ）を含有させたものを用いた。さらに、測定対象であるサンプル１〜４の濃度は１×１０-3Ｍとし、掃引速度は０．１Ｖ／ｓｅｃとした。また、内部標準にはＦｃ（フェロセン）を使用し、Ｆｃの酸化電位を＋０．４１Ｖｖｓ．ＳＣＥとして換算し、電位測定を行なった。
その結果、サンプル１〜４の酸化電位はいずれも＋１．２７Ｖ、還元電位は−２．４Ｖであり、酸化電位が＋０．８Ｖ以上であることが確認された。
以上から、サンプル２は、本発明の電荷輸送材料としての条件を満たすことが分かる。
【０２３２】
（実施例２）
下記構造を有する化合物（Ｍ−１）を合成し、熱懸洗、再結晶、及び昇華法で精製することによりＣＨ基を排除し、サンプル５とした。このサンプル５を、ＨＰＬＣにより分析した。なお、ＨＰＬＣの測定条件は、表６に示すとおりである。
【０２３３】
【化３９】
2006013469.tif 000045
【０２３４】
【表６】
2006013469.tif 000046
【０２３５】
分析の結果、本実施例のサンプル５には、化合物（Ｍ−１）が９９．９５重量％、ＣＨ基を有する化合物（下記化合物（viii））が０．０５０重量％確認された。これから、実施例１と同様にしてサンプル５中のＣＨ基の存在割合ＰCHを算出した。結果を表７に示す。なお、表７において、ＰCH※の欄の値はカルボニル基に直接結合するものを含まない場合のＣＨ基の存在割合を表わし、ＰCH※※の欄の値はカルボニル基に直接結合するものを含む場合のＣＨ基の存在割合を表わす。この結果、サンプル５はＣＨ基の存在割合ＰCHが７０ｐｐｍ以下であることが確認された。
【化４０】
2006013469.tif 000047
【表７】
2006013469.tif 000048
【０２３６】
次に、酸化電位測定時の溶媒に、ジクロロメタンに０．１ＭのＴＢＡＰを含有させたものを用い、還元電位測定時の溶媒に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに０．１ＭのＴＢＡＰを含有させたものを用いた他は実施例１と同様にして、サイクリックボルタンメトリーで、サンプル５の酸化電位及び還元電位を測定した。
その結果、サンプル５の酸化電位は＋１．９４Ｖ、還元電位は−２．０６Ｖであり、酸化電位が＋０．８Ｖ以上であることが確認された。
以上から、サンプル５は、本発明の電荷輸送材料としての条件を満たすことが分かる。
【０２３７】
（実施例３）
実施例２と同様の操作により、サンプル６を調製した。さらに、サンプル６を、実施例２と同様に分析した。分析の結果、サンプル６に含まれる化合物（Ｍ−１）は９９．７７重量％、ＣＨ基を有する化合物（上記化合物（viii））は０．０９３重量％であることが確認された。これから、実施例２と同様に、サンプル６のＣＨ基の存在割合ＰCHを算出した。結果を表８に示す。なお、表８において、ＰCH※の欄の値はカルボニル基に直接結合するものを含まない場合のＣＨ基の存在割合を表わし、ＰCH※※の欄の値はカルボニル基に直接結合するものを含む場合のＣＨ基の存在割合を表わす。この結果、サンプル６はＣＨ基の存在割合ＰCHが７０ｐｐｍ以下であることが確認された。
【表８】
2006013469.tif 000049
【０２３８】
次に、実施例２と同様にして、サイクリックボルタンメトリーで、サンプル６の酸化電位及び還元電位を測定した。
その結果、サンプル６の酸化電位は＋１．９４Ｖ、還元電位は−２．０６Ｖであり、酸化電位が＋０．８Ｖ以上であることが確認された。
以上から、サンプル６は、本発明の電荷輸送材料としての条件を満たすことが分かる。
【０２３９】
（比較例１）
下記構造を有する化合物（Ｍ−２）を合成し、熱懸洗、再結晶、及び昇華法で精製したものをサンプル７とした。このサンプル７を、実施例２と同様に分析した。分析の結果、サンプル７はＣＨ基を有する化合物の含有率が１００．００重量%であることが確認された。これから、実施例２と同様に、サンプル７のＣＨ基の存在割合ＰCHを算出した。結果を表９に示す。なお、表９において、存在割合ＰCHは、カルボニル基に直接結合するものを含まない場合のＣＨ基の存在割合を表わす。表９のように、サンプル７のＣＨ基の存在割合ＰCHは１６１２６ｐｐｍであった。
【表９】
2006013469.tif 000050
【０２４０】
【化４１】
2006013469.tif 000051
【０２４１】
次に、還元電位測定時のサンプル７の濃度を１．０×１０-3Ｍ以下としたこと以外は実施例２と同様にして、サイクリックボルタンメトリーで、サンプル７の酸化電位及び還元電位を測定した。
その結果、サンプル７の酸化電位は＋１．９Ｖ、還元電位は−２．１１Ｖであり、酸化電位が＋０．８Ｖ以上であることが確認された。
以上から、サンプル７は酸化電位が、本発明の電荷輸送材料としての条件を満たすものの、ＣＨ基の存在割合が本発明の電荷輸送材料としての条件を満たさないことが分かる。
【０２４２】
（実施例４）
下記構造を有する化合物（Ｍ−３）を合成し、熱懸洗、再結晶、及び昇華法で精製することによりＣＨ基を排除し、サンプル８とした。このサンプル８を、実施例２と同様に分析した。分析の結果、サンプル８は、化合物（Ｍ−３）の含有率が９９．９９９重量％以上、ＣＨ基を有する化合物の含有率が０．００１重量%未満であることが確認された。これから、実施例２と同様に、サンプル８のＣＨ基の存在割合ＰCHを算出した。結果を表１０に示す。なお、表１０において、存在割合ＰCHは、カルボニル基に直接結合するものを含まない場合のＣＨ基の存在割合を表わす。表１０のように、サンプル８のＣＨ基の存在割合ＰCHは０．２２ｐｐｍであった。この結果、サンプル８はＣＨ基の存在割合ＰCHが７０ｐｐｍ以下であることが確認された。
【表１０】
2006013469.tif 000052
【０２４３】
【化４２】
2006013469.tif 000053
【０２４４】
次に、実施例１と同様にして、サイクリックボルタンメトリーで、サンプル８の酸化電位及び還元電位を測定した。
その結果、サンプル８の酸化電位は＋１．６６Ｖ、還元電位は−２．０７Ｖであり、酸化電位が＋０．８Ｖ以上であることが確認された。
以上から、サンプル８は、本発明の電荷輸送材料としての条件を満たすことが分かる。
【０２４５】
（比較例２）
下記構造を有する化合物（Ｍ−４）を合成し、熱懸洗、再結晶、及び昇華法で精製して、サンプル９とした。このサンプル９を、実施例２と同様に分析した。分析の結果、サンプル９は、ＣＨ基を有する化合物の含有率が１００．００重量％であることが確認された。これから、実施例２と同様に、サンプル９のＣＨ基の存在割合ＰCHを算出した。結果を表１１に示す。なお、表１１において、存在割合ＰCHは、カルボニル基に直接結合するものを含まない場合のＣＨ基の存在割合を表わす。表１１のように、サンプル９のＣＨ基の存在割合ＰCHは１６１１５ｐｐｍであった。
【表１１】
2006013469.tif 000054
【０２４６】
【化４３】
2006013469.tif 000055
【０２４７】
次に、実施例２と同様にして、サイクリックボルタンメトリーで、サンプル９の酸化電位及び還元電位を測定した。
その結果、サンプル９の酸化電位は＋１．７３Ｖ、還元電位は−２．０１Ｖであり、酸化電位が＋０．８Ｖ以上であることが確認された。
以上から、サンプル９は酸化電位が本発明の電荷輸送材料としての条件を満たすものの、ＣＨ基の存在割合が本発明の電荷輸送材料としての条件を満たさないことが分かる。
【０２４８】
＜有機ＥＬ素子＞
（素子実施例１）
図３に示す構造を有する有機ＥＬ素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板１の上に、陽極としてインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜２を１５０ｎｍ堆積したもの（スパッター成膜品；シート抵抗１５Ω）を、通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングとを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングしてＩＴＯ基板を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行なった。
【０２４９】
次に、陽極２上に、以下のようにして正孔注入層３を形成した。
芳香族ジアミン含有ポリエーテルである上述した化合物（Ｐ−１）（重量平均分子量２５３００；ガラス転移温度１７１℃）、及び、下記構造の化合物（Ｐ−２）を、化合物（Ｐ−１）に対し化合物（Ｐ−２）の割合が１０重量％となるようにして、下記表１２に示す条件で、上記ＩＴＯ基板の陽極２上にスピンコートした。このスピンコートにより、膜厚３０ｎｍの均一な薄膜（正孔注入層３）が形成された。
【０２５０】
【化４４】
2006013469.tif 000056
【０２５１】
【表１２】
2006013469.tif 000057
【０２５２】
次に、正孔注入層３上に、以下のようにして、正孔輸送層４を形成した。
まず、正孔注入層３を塗布成膜したＩＴＯ基板を真空蒸着装置内に設置した。この装置の粗排気を油回転ポンプにより行なった後、装置内の真空度が８×１０-5Ｐａ以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。
上記装置内に配置されたセラミックるつぼに、正孔輸送材料として、下記構造式（ＨＴ−１）で表わされる４，４′−ビス［Ｎ−（１−フェナンチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルを入れ、るつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行なった。この時のるつぼの温度は、３１９℃〜３３１℃の範囲で制御した。これにより、蒸着時の真空度８×１０-5Ｐａ、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、膜厚６０ｎｍの正孔輸送層４を得た。
【０２５３】
【化４５】
2006013469.tif 000058
【０２５４】
引続き、以下の方法により、正孔輸送層４上に発光層５を形成した。
ホスト材料としてサンプル２を用い、また、ドーパントとして上記化合物（Ｔ−１）を用いて、これらホスト材料とドーパントとをそれぞれ別々のセラミックるつぼに設置し、２元同時蒸着法により成膜を行なった。なお、実施例１で確認されたように、サンプル２は本発明の電荷輸送材料の１種である。
【０２５５】
蒸着の際、ホスト材料のるつぼ温度は２９８℃に、蒸着速度は０．０７ｎｍ／秒に制御した。一方、ドーパントのるつぼ温度は２４８℃、蒸着速度は０．００４ｎｍ／秒に制御した。この蒸着により、膜厚が３０ｎｍ、ドーパントである化合物（Ｔ−１）がホスト材料であるサンプル２に５重量％含有された発光材料からなる発光層（有機発光層）５が積層された。なお、蒸着時の真空度は９×１０-5Ｐａであった。
【０２５６】
さらに、以下の方法により、発光層５上に正孔阻止層６を形成した。
正孔阻止材料として、以下に示す化合物（Ｐｙ−１）を用い、この化合物（Ｐｙ−１）をるつぼに設置し、正孔阻止材料の蒸着により成膜を行なった。蒸着の際、るつぼ温度は２７５℃、蒸着速度は０．１ｎｍ／秒として、１０ｎｍの膜厚で正孔阻止層６を積層した。蒸着時の真空度は７×１０-5Ｐａであった。
【０２５７】
【化４６】
2006013469.tif 000059
【０２５８】
さらに、以下の方法により、正孔阻止層６上に電子輸送層７を形成した。
電子輸送材料として、以下に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体である化合物（ＥＴ−１）｛組成式Ａｌ（Ｃ9Ｈ6ＮＯ）3｝を用い、この化合物（ＥＴ−１）をるつぼに設置し、電子輸送材料の蒸着により成膜を行なった。蒸着の際、るつぼ温度は２５０℃、蒸着速度は０．２ｎｍ／秒として、３５ｎｍの膜厚で電子輸送層７を積層した。また、蒸着時の真空度は７×１０-5Ｐａであった。
【０２５９】
【化４７】
2006013469.tif 000060
【０２６０】
なお、上記の正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６及び電子輸送層７を真空蒸着する時の基板１の温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行なった積層体を、一度、上記真空蒸着装置内より大気中に取り出し、２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陰極蒸着用のマスクとして、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように積層体に密着させた。
【０２６１】
次いで、この積層体を別の真空蒸着装置内に設置し、正孔輸送層４などの有機層の場合と同様にして、装置内の真空度が５×１０-4Ｐａ以下になるまで排気した。
これに、以下の方法により、電子輸送層７上に陰極８を形成した。
先ず、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０１ｎｍ／秒、真空度５×１０-4Ｐａで、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．５ｎｍ／秒、真空度１×１０-3Ｐａで、８０ｎｍの膜厚でフッ化リチウム層の上に成膜した。これにより、フッ化リチウム層及びアルミニウム層からなる２層型陰極８を形成した。なお、蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０２６２】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機ＥＬ素子が得られた。
得られた有機ＥＬ素子を、室温下、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇（＝輝度半減時駆動電圧−初期駆動電圧）を測定した。この測定結果を表１３に示す。
また、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させた場合についても、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定した。この測定結果は、後述する素子実施例２〜４及び素子比較例２，３の測定結果の基準値として用いることとし、表１４に基準値１．０として示す。
【０２６３】
（素子比較例１−１）
素子実施例１において、サンプル２に代えてサンプル４を用いた以外は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定した。この測定結果を表１３に示す。
【０２６４】
（素子比較例１−２）
素子実施例１において、サンプル２に代えてサンプル１を用い、正孔阻止材料として化合物（Ｐｙ−１）に代えて上記化合物（ＨＢ−１２）を用いた以外は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度５０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定した。この測定結果を表１３に示す。
【０２６５】
（素子実施例２）
素子実施例１において、正孔阻止材料として化合物（Ｐｙ−１）の代わりに実施例２のサンプル５を用いた以外は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定した。この測定結果を、素子実施例１の測定結果を基準値「１．０」として規格化した。具体的には、本素子実施例の測定結果を素子実施例１の測定結果で割った値を算出した。規格化された輝度半減時間、及び、規格化された駆動電圧上昇を表１４に示す。
【０２６６】
（素子実施例３）
素子実施例１において、正孔阻止材料として化合物（Ｐｙ−１）の代わりに実施例３のサンプル６を用いた以外は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定し、素子実施例２と同様に測定結果を規格化した。規格化された輝度半減時間、及び、規格化された駆動電圧上昇を表１４に示す。
【０２６７】
（素子実施例４）
素子実施例１において、正孔阻止材料として化合物（Ｐｙ−１）の代わりに実施例４のサンプル８を用いた以外は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定し、素子実施例２と同様に測定結果を規格化した。規格化された輝度半減時間、及び、規格化された駆動電圧上昇を表１４に示す。
【０２６８】
（素子比較例２）
素子実施例１において、正孔阻止材料として化合物（Ｐｙ−１）の代わりに比較例１のサンプル７を用いた以外は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定し、素子実施例２と同様に測定結果を規格化した。規格化された輝度半減時間、及び、規格化された駆動電圧上昇を表１４に示す。
【０２６９】
（素子比較例３）
素子実施例１において、正孔阻止材料として化合物（Ｐｙ−１）の代わりに比較例２のサンプル９を用いた以外は、同様にして有機ＥＬ素子を作製した。得られた有機ＥＬ素子を室温下、初期輝度１０００ｃｄ／ｍ2として一定電流で連続駆動させ、輝度半減時間及び駆動電圧上昇を測定し、素子実施例２と同様に測定結果を規格化した。規格化された輝度半減時間、及び、規格化された駆動電圧上昇を表１４に示す。
【０２７０】
【表１３】
2006013469.tif 000061
【０２７１】
【表１４】
2006013469.tif 000062
【０２７２】
表１３から、ホスト材料として、本発明の電荷輸送材料であるサンプル２を用いた素子実施例１の有機ＥＬ素子は、従来のホスト材料を用いた素子比較例１−１，１−２の有機ＥＬ素子に比べて、輝度半減時間が長いことが分かる。また、その駆動電圧上昇も、従来良好な正孔阻止材料として知られた化合物（ＨＢ−１２）を使用した場合と同程度であることが分かる。したがって、発光層５を、本発明の電荷輸送材料とドーパントとで形成した素子実施例１の有機ＥＬ素子によれば、輝度半減時間の向上と駆動電圧上昇の抑制とをともに行なうことができること確認された。
【０２７３】
また、表１４から、正孔阻止材料として本発明の電荷輸送材料であるサンプル５，６，８を用いた素子実施例２，３，４の有機ＥＬ素子は、従来の正孔阻止材料を用いた素子比較例２，３の有機ＥＬ素子に比べて、輝度半減時間が長く、駆動電圧上昇が小さいことが分かる。したがって、正孔阻止層６を、本発明の電荷輸送材料のみから形成した素子実施例２，３，４の有機ＥＬ素子によれば、輝度半減時間の向上と駆動電圧上昇の抑制とをともに行なうことができること確認された。
【産業上の利用可能性】
【０２７４】
本発明の電荷輸送材料は、電荷輸送材料が用いられる任意の分野において用いることができ、特に、有機電界発光素子の材料として用いて好適である。さらに、本発明の電荷輸送材料は、本発明の電荷輸送材料が有する高い性能に加えて、非晶質性、溶解性、耐熱性、耐久性に優れている。したがって、本発明の電荷輸送材料は、電荷輸送材料用としてだけでなく、発光材料用、太陽電池材料用、バッテリー材料（電解液、電極、分離膜、安定剤など）用、医療用、塗料材料用、コーティング材料用、有機半導体材料用、トイレタリー材料用、帯電防止材料用、熱電素子材料用などにおいても有用である。
【０２７５】
また、本発明の有機電界発光素子は、駆動寿命が長く、駆動電圧上昇が抑制されているという利点を有する。よって、従来の有機電界発光素子が用いられる各種の分野、即ち、フラットパネル・ディスプレイ（例えば、ＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を活かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯などの分野で好適に利用することができ、産業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【０２７６】
【図１】有機ＥＬ素子の一例を示した模式断面図である。
【図２】有機ＥＬ素子の別の例を示した模式断面図である。
【図３】有機ＥＬ素子の別の例を示した模式断面図である。
【符号の説明】
【０２７７】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層（有機発光層）
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  陰極
【図１】
2006013469.tif 000066
【図２】
2006013469.tif 000067
【図３】
2006013469.tif 000068