(57)【要約】【課題】  本発明は、素子分離膜の形成工程時にＦイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こすという問題点を解決することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。【解決手段】  半導体基板にトレンチを形成する段階と、前記形成されたトレンチに第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、前記第１ＨＤＰ酸化膜が形成された結果物の全面にＣ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いてエッチバック工程を行い、バーティカルな側壁を有する前記第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、前記エッチバック工程の完了した結果物の全面に第２ＨＤＰ酸化膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。【選択図】      図２
2006128587.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にトレンチを形成する段階と、
前記形成されたトレンチに第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、
前記第１ＨＤＰ酸化膜が形成された結果物の全面にＣ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いてエッチバック工程を行い、バーティカルな側壁を有する前記第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、
前記エッチバック工程の完了した結果物の全面に第２ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、  を含むことを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項２】
Ｃ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いて行われる前記エッチバック工程は、５０ｓｃｃｍ以上、且つ２００ｓｃｃｍ以下のＣ２Ｆ６ガス、２００ｓｃｃｍ以上、且つ５００ｓｃｃｍ以下のＯ２ガス、５００Ｗ以上、且つ１０００Ｗ以下のＨＦパワー、３０００Ｗ以上、且つ４０００Ｗ以下のＬＦパワーを有する工程条件で行われることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項３】
前記トレンチの形成後、前記トレンチの側壁に酸化工程によって側壁酸化膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項４】
前記第１ＨＤＰ酸化膜は、１０ｓｃｃｍ以上、且つ１００ｓｃｃｍ以下程度のＳｉＨ４ガス、１０ｓｃｃｍ以上、且つ１００ｓｃｃｍ以下程度のＯ２ガス、１００ｓｃｃｍ以上、且つ１０００ｓｃｃｍ以下程度のＨｅガス、５０ｓｃｃｍ以上、且つ１０００ｓｃｃｍ以下程度のＨ２ガス、１０００Ｗ以上、且つ１００００Ｗ以下程度のＬＦパワー及び５００Ｗ以上、且つ５０００Ｗ以下程度のＨＦパワーを有する工程条件で形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項５】
前記第２ＨＤＰ酸化膜は、前記第１ＨＤＰ酸化膜の工程条件と同一の工程条件で形成されることを特徴とする請求項１または請求項４記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項６】
前記第２ＨＤＰ酸化膜の形成後、前記半導体基板が露出するまで平坦化工程を行って前記トレンチの内部にのみ前記第１ＨＤＰ酸化膜及び第２ＨＤＰ酸化膜が埋め込まれるようにして、素子分離膜の形成を完了する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の素子分離膜形成方法。
【請求項７】
半導体基板にトレンチを形成する段階と、
前記トレンチの側壁に側壁酸化膜を形成する段階と、
前記側壁酸化膜が備えられたトレンチに第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、
前記第１ＨＤＰ酸化膜が形成された結果物の全面にＣ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いてエッチバック工程を行い、バーティカルな側壁を有する第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、
前記エッチバック工程の完了した結果物の全面に第２ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、
前記形成された結果物に前記半導体基板が露出するまで平坦化工程を行って前記トレンチの内部にのみ前記第１ＨＤＰ酸化膜及び第２ＨＤＰ酸化膜が埋め込まれるようにして、素子分離膜の形成を完了する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の素子分離膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に係り、さらに詳しくは、半導体素子の素子分離膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体素子の高集積化、高密度化に伴い、素子分離膜のギャップフィル（gap fill）特性を向上させることが可能な技術が重要視されている。
【０００３】
一般に、半導体素子の素子分離膜形成方法において、形成されたトレンチの内部に第１絶縁膜を形成した後、エッチバック工程を行い、第２絶縁膜を形成してトレンチの内部をギャップフィルする。
【０００４】
ところが、前記エッチバック工程の際に、Ｆイオンの含まれたＣ２Ｆ６ガスのような工程ガスを用いてエッチバック工程を行うと、前記第１ＨＤＰ（High Density Plasma）酸化膜上にはＦＳＧ（Fluorine doped Silicate Glass）膜が形成されるが、この膜は後続の熱工程などを経ながらＦイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こすという問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明の目的は、素子分離膜の形成工程時にＦイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こすという問題点を解決することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明は、半導体基板にトレンチを形成する段階と、前記形成されたトレンチに第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、前記第１ＨＤＰ酸化膜が形成された結果物の全面にＣ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いてエッチバック工程を行い、バーティカルな側壁を有する前記第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、前記エッチバック工程の完了した結果物の全面に第２ＨＤＰ酸化膜を形成する段階とを含む、半導体素子の素子分離膜形成方法が提供される。
【０００７】
Ｃ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いて行われる前記エッチバック工程は、５０ｓｃｃｍ以上、且つ２００ｓｃｃｍ以下のＣ２Ｆ６ガス、２００ｓｃｃｍ以上、且つ５００ｓｃｃｍ以下のＯ２ガス、５００Ｗ以上、且つ１０００Ｗ以下のＨＦ（High Frequency）パワー、３０００Ｗ以上、且つ４０００Ｗ以下のＬＦ（Low Frequency）パワーを有する工程条件で行われることが好ましい。また、前記トレンチの形成後、前記トレンチの側壁に酸化工程によって側壁酸化膜を形成する段階をさらに含むことが好ましい。
【０００８】
前記第１ＨＤＰ酸化膜は、１０ｓｃｃｍ以上、且つ１００ｓｃｃｍ以下程度のＳｉＨ４ガス、１０ｓｃｃｍ以上、且つ１００ｓｃｃｍ以下程度のＯ２ガス、１００ｓｃｃｍ以上、且つ１０００ｓｃｃｍ以下程度のＨｅガス、５０ｓｃｃｍ以上、且つ１０００ｓｃｃｍ以下程度のＨ２ガス、１０００Ｗ以上、且つ１００００Ｗ以下程度のＬＦパワー及び５００Ｗ以上、且つ５０００Ｗ以下程度のＨＦパワーを有する工程条件で形成されることが好ましく、前記第２ＤＰ酸化膜は、前記第１ＨＤＰ酸化膜の工程条件と同一の工程条件で形成されることが好ましい。
【０００９】
前記第２ＨＤＰ酸化膜の形成後、前記半導体基板が露出するまで平坦化工程を行って前記トレンチの内部にのみ前記第１ＨＤＰ酸化膜及び第２ＨＤＰ酸化膜が埋め込まれるようにして、素子分離膜の形成を完了する段階をさらに含むことが好ましい。
【００１０】
また、上記目的を達成するための本発明は、半導体基板にトレンチを形成する段階と、前記トレンチの側壁に側壁酸化膜を形成する段階と、前記側壁酸化膜が備えられたトレンチに第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、前記第１ＨＤＰ酸化膜が形成された結果物の全面にＣ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いてエッチバック工程を行い、バーティカルな側壁を有する第１ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、前記エッチバック工程の完了した結果物の全面に第２ＨＤＰ酸化膜を形成する段階と、前記形成された結果物に前記半導体基板が露出するまで平坦化工程を行って前記トレンチの内部にのみ前記第１ＨＤＰ酸化膜及び第２ＨＤＰ酸化膜が埋め込まれるようにして、素子分離膜の形成を完了する段階とを含む、半導体素子の素子分離膜形成方法が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、Ｏ２を用いた物理的なエッチバック（physical etchback）工程とＦを用いた化学的なエッチバック（chemical etchback）工程とを組み合わせたケミコ−フィジカルエッチバック（chemico-physical etchback）工程を行うことにより、前記第１ＨＤＰ酸化膜上に形成されるＦＳＧ（Fluorine doped Silicate Glass）膜のＦイオンに対する拡散を最小化して素子の特性を向上させるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して本発明に係る実施例を詳細に説明する。ところが、これらの実施例は様々な形に変形できるが、本発明の範囲を限定するものではない。これらの実施例は本発明の開示を完全にし、当該技術分野で通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。また、ある膜が他の膜又は半導体基板の「上」にあると記載される場合、前記ある膜は前記他の膜又は半導体基板に直接接触して存在することもあり、或いはその間に第３の膜が介在されることもある。
【００１３】
図１（ａ）及び図１（ｂ）は従来の技術によって形成された素子分離膜におけるフッ素（Ｆ）イオン濃度のＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry；二次イオン質量分析法 ）プロファイルを示す図、図２は本発明に係る半導体素子の素子分離膜形成方法を説明するための断面図、図３（ａ）及び図３（ｂ）は本発明によって形成された素子分離膜におけるＦイオン濃度のＳＩＭＳプロファイルを示す図である。
【００１４】
図２（ａ）を参照すると、半導体基板２０上にパッド窒化膜２２およびパッド酸化膜２４を順次形成する。前記パッド酸化膜２４の所定の領域上に、素子分離領域を定義するフォトレジストパターン（図示せず）を形成し、前記フォトレジストパターン（図示せず）をエッチングマスクとして前記パッド酸化膜２４、パッド窒化膜２２および半導体基板２０の所定の深さにエッチング工程を行ってトレンチＴを定義する。前記形成されたトレンチＴの側壁に酸化工程を行って側壁酸化膜２６を形成する。
【００１５】
図２（ｂ）を参照すると、前記側壁酸化膜２６の備えられた結果物の全面に第１ＨＤＰ（high density plasma）酸化膜２８ａを形成する。
【００１６】
前記第１ＨＤＰ酸化膜２８ａの形成は、１０ｓｃｃｍ以上、且つ１００ｓｃｃｍ以下程度のＳｉＨ４ガス、１０ｓｃｃｍ以上、且つ１００ｓｃｃｍ以下程度のＯ２ガス、１００ｓｃｃｍ以上、且つ１０００ｓｃｃｍ以下程度のＨｅガス、５０ｓｃｃｍ以上、且つ１０００ｓｃｃｍ以下程度のＨ２ガス、１０００Ｗ以上、且つ１００００Ｗ以下程度のＬＦパワー及び５００Ｗ以上、且つ５０００Ｗ以下程度のＨＦパワーを有する工程条件で行われる。
【００１７】
前記第１ＨＤＰ酸化膜２８ａを形成した後、前記結果物の全面にエッチバック工程を行う。図２（ｂ）に示すように、エッチバック工程の行われた第１ＨＤＰ酸化膜２８ａは、オーバーハング（overhang）が発生してトレンチの入り口を塞いで形成されるボイドが防止されるように、バーティカルな側壁を有するように形成する。
【００１８】
前記エッチバック工程はＣ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いて行われる。前記エッチバック工程は、５０ｓｃｃｍ以上、且つ２００ｓｃｃｍ以下程度のＣ２Ｆ６ガス、２００ｓｃｃｍ以上、且つ５００ｓｃｃｍ以下程度のＯ２ガス、５００Ｗ以上、且つ１０００Ｗ以下程度のＨＦ（High Frequency）パワー、３０００Ｗ以上、且つ４０００Ｗ以下程度のＬＦ（Low Frequency）パワーを有する工程条件で行われる。
【００１９】
従来の技術では、Ｆイオンの含まれたＣ２Ｆ６ガスなどの工程ガスを用いてエッチバック工程を行うと、前記第１ＨＤＰ酸化膜上にはＦＳＧ（Fluorine doped Silicate Glass）膜が形成されるが、この膜は後続の熱工程などを経ながらＦイオンが素子分離膜及び素子間の界面に拡散して素子の特性劣化を引き起こした。
【００２０】
本発明では、Ｃ２Ｆ６ガス及びＯ２ガスの混合ガスを用いてエッチバック工程を行うと、前記Ｏ２を用いた物理的なエッチバック（physical etchback）工程とＦを用いた化学的なエッチバック（chemical etchback）工程を組み合わせたケミコ−フィジカルエッチバック（chemico-physical etchback）工程が行われ、前記第１ＨＤＰ酸化膜上に形成されるＦＳＧ膜のＦイオンに対する拡散が最小化される。
【００２１】
次世代ナノ半導体素子で素子を分離させる素子分離膜の形成時に蒸着−エッチバック−蒸着工程によって素子分離膜内のギャップフィルが可能であるが、この際、提起されるＦイオンの拡散によるドーピングの問題を装備の追加なく既存の装備を用いて解決可能である。特に、素子動作のために高電圧が適用されるフラッシュ素子の場合、Ｆイオンの拡散によるドーピングの問題が激しい素子特性の劣化を引き起こす可能性があるので、本発明を用いて、Ｆイオンの拡散によるドーピングの問題を解決すると、次世代フラッシュ素子の素子信頼性の向上に大きく役に立つ。
【００２２】
図２（ｃ）を参照すると、前記エッチバック工程が完了してバーティカルな側壁を有する第１ＨＤＰ酸化膜２８ａが備えられた結果物の全面に第２ＨＤＰ酸化膜２８ｂを形成し、トレンチの内部を完全にギャップフィルするようにする。
【００２３】
図示してはいないが、前記第２ＨＤＰ酸化膜２８ｂが形成された結果物に、前記半導体基板２０が露出するまで平坦化工程を行い、前記トレンチの内部にのみ前記第１ＨＤＰ酸化膜２８ａおよび第２ＨＤＰ酸化膜２８ｂが埋め込まれるようにして、素子分離膜の形成を完了する。
【００２４】
前記第２ＨＤＰ酸化膜２８ｂは、前記第１ＨＤＰ酸化膜２８ａの形成時の工程条件と同一の工程条件で行われる。
【００２５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）には、Ｆ（フッ素）を用いた化学的なエッチバック工程を行った後のＳＩＭＳ（Secondary Ion Mass Spectrometry；二次イオン質量分析法 ） プロファイルと後続工程の熱処理工程を行った後のＳＩＭＳプロファイルが示されている。
【００２６】
図３（ａ）及び図３（ｂ）には、Ｏ２を用いた物理的なエッチバック工程と、Ｆを用いた化学的なエッチバック工程とを組み合わせたケミカル−フィジカルエッチバック工程を行った後のＳＩＭＳプロファイルと後続工程の熱処理工程を行った後のＳＩＭＳプロファイルが示されている。
【００２７】
図１（ａ）と図１（ｂ）より従来技術では、Ｆイオンの拡散度合いが大きいことが分かるが、図３（ａ）と図３（ｂ）より本発明では、Ｆイオンの拡散度合いが図１（ａ）及び図１（ｂ）のそれよりも少ないことが分かる。
【００２８】
本発明によれば、Ｏ２を用いた物理的なエッチバック工程と、Ｆを用いた化学的なエッチバック工程とを組み合わせたケミコ−フィジカルエッチバック工程を行うことにより、前記第１ＨＤＰ酸化膜上に形成されるＦＳＧ膜のＦイオンに対する拡散を最小化して素子の特性を向上させるという効果がある。
【００２９】
本発明は、具体的な実施例について詳細に説明したが、本発明の技術的思想の範囲内で変形または変更できるのは当該分野で通常の知識を有する者には明らかであり、そのような変形または変更も本発明の特許請求の範囲に属するといえる。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明の活用例として、半導体素子の製造方法に適用することが出来、さらに詳しくは、半導体素子の素子分離膜形成方法に適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】従来の技術によって形成された素子分離膜におけるＦイオン濃度のＳＩＭＳプロファイルを示す図である。
【図２】本発明に係る半導体素子の素子分離膜形成方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明によって形成された素子分離膜におけるＦイオン濃度のＳＩＭＳプロファイルを示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
２０…半導体基板
２２…パッド窒化膜
２４…パッド酸化膜
２６…側壁酸化膜
２８ａ…第１ＨＤＰ酸化膜
２８ｂ…第２ＨＤＰ酸化膜
【図１】
2006128587.tif 000003
【図２】
2006128587.tif 000004
【図３】
2006128587.tif 000005