(57)【要約】      （修正有）【課題】  高密度の実装においても配線上にバンプを形成することもできるフレキシブルプリント配線板の製造方法及び高密度の実装を高信頼性で行うことができるフレキシブルプリント配線板を提供する。【解決手段】  絶縁層１２と、この絶縁層１２の少なくとも一方面に積層された導体層１１をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板の製造方法において、第１のレジストパターン４２により、前記導体層１１を厚さ方向に貫通するまでエッチングして第１の配線パターン２１を得る第１のエッチング工程と、前記第１のレジストパターン４２を第２のマスク４３を介して露光し、現像して前記第１のレジストパターンの一部のみを残した第２のレジストパターン４４により、導体層の厚さ方向の途中までハーフエッチングして薄肉部分として第２の配線パターン３１ａを得る第２のエッチング工程とを有する。【選択図】          図３
2006278837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、この絶縁層の少なくとも一方面に積層された導体層をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板の製造方法において、
前記導体層上にフォトレジストを塗布すると共に第１のマスクを介して露光し、現像して第１のレジストパターンを形成し、その後、前記導体層を厚さ方向に貫通するまでエッチングして第１の配線パターンを得る第１のエッチング工程と、前記第１のレジストパターンを第２のマスクを介して露光し、現像して前記第１のレジストパターンの一部のみを残した第２のレジストパターンを形成し、その後、前記第１の配線パターンのうちの前記第２のレジストパターンで覆われた一部を導体層の厚さが厚い厚肉部分として残し、他の部分を導体層の厚さ方向の途中までハーフエッチングして前記厚肉部分より厚さが相対的に薄い薄肉部分として第２の配線パターンを得る第２のエッチング工程とを有することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記厚肉部分が、配線上に形成されたバンプであることを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記バンプ上に、瘤又は針状のノジュールを形成する工程をさらに具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法。
【請求項４】
絶縁層と、この絶縁層の少なくとも一方面に積層された導体層をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板であって、前記配線パターンの前記半導体チップが実装されるインナーリード及びアウターリードの少なくとも一方の配線上には、当該半導体チップのリード電極と接続されるバンプが当該配線パターンと一体的に形成されており、前記配線の幅と前記バンプの幅方向両側の側面と当該バンプが形成された配線の幅方向両側の側面とが同一面となっていることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
【請求項５】
請求項４において、前記バンプが、前記配線をハーフエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
【請求項６】
請求項４又は５において、前記導体層が銅層であり、少なくとも前記バンプの上端面には、スズメッキ層、又はニッケルめっき下地及び金メッキ層が設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
【請求項７】
請求項４〜６の何れかにおいて、前記バンプ上には、瘤又は針状のノジュールを具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するＣＯＦ用キャリアテープ、ＣＯＦ用フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などに用いて好適なフレキシブルプリント配線板の製造方法及びフレキシブルプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス産業の発達に伴い、ＩＣ（集積回路）、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の電子部品を実装するプリント配線板の需要が急激に増加しているが、電子機器の小型化、軽量化、高機能化が要望され、これら電子部品の実装方法として、最近ではＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープ、Ｔ−ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＡＳＩＣ用ＴＡＢテープ等の電子部品実装用フィルムキャリアテープ、及びＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）を用いた実装方式が採用されている。特に、パーソナルコンピュータ、携帯電話等のように、高精細化、薄型化、液晶画面の額縁面積の狭小化が要望されている液晶表示素子（ＬＣＤ）を使用する電子産業において、その重要性が高まっている。
【０００３】
また、より小さいスペースで、より高密度の実装を行う実装方法として、裸のＩＣチップをフレキシブルプリント配線板上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）が実用化されている。
【０００４】
このＣＯＦに用いられるフレキシブルプリント配線板は一般的にはデバイスホールを具備しないので、導体層と絶縁層とが予め積層された積層フィルムが用いられ、ＩＣチップの配線パターン上への直接搭載の際には、例えば、絶縁層を透過して視認されるインナーリードや位置決めマークを介して位置決めを行い、その状態で加熱ツールによりＩＣチップのリード電極に設けられた金バンプと、配線パターン、すなわちインナーリードとの接合が、例えば、Ａｕ−Ｓｎ共晶を利用した熱圧着により行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
一方、ＩＣチップに金バンプを設ける代わりに、インナーリードにバンプを設ける技術は公知である。例えば、バンプをハーフエッチで形成した後、バンプを含む配線パターンを形成する方法が開示されている（特許文献２参照）。しかしながら、この方法ではレジストの塗布及びフォトリソグラフ工程を２回繰り返さなければならず、プロセスが煩雑であるという問題がある。
【０００６】
また、同じレジストパターンを２回露光・現像して異なるエッチングパターンとして使用して２回エッチングを行う方法が提案されている（特許文献３参照）。しかしながら、この方法でバンプ付きパターンを形成しようとすると、２回目のエッチングで配線間の溝を２回のエッチングで形成する必要があり、微細パターンに対応するのは困難であるという問題がある。
【０００７】
さらに、配線上に貼付したレジストフィルムを現像露光してフィルムに開口部を形成し、この開口部に銅メッキを施してバンプを形成する方法が提案されている（特許文献４参照）。
【０００８】
しかしながら、この方法では、高密度、例えば、３０μｍピッチになると配線のボトム幅１５μｍでトップの幅が１２μｍ程度となり、この上に直径１０μｍの開口部を形成して銅メッキを施すことになり、メッキに空洞が生じたり、バンプの高さがばらついたりして、ＩＣチップとの接続時に接触不良が生じるという問題がある。また、フィルムの現像後の断面形状の関係でバンプが逆円錐台形となる傾向となり、接合時にプリント配線板に応力が集中してパターンが沈んでしまうという問題がある。また、銅メッキの際に配線の側面にも銅が付着する可能性があり、隣接する配線とショートするという問題がある。さらに、この方法でも、レジストを設ける工程、露光・現像工程を２回行わなければならないという問題がある。
【０００９】
【特許文献１】特許３３５０３５２号公報（特許請求の範囲、段落［０００５］等）
【特許文献２】特開平１１−３１２８５７号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献３】特開２００３−２１８００９号公報（特許請求の範囲、発明の実施の形態等）
【特許文献４】特開２００４−３２８００１号公報（特許請求の範囲、発明の実施の形態等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑み、高密度の実装においても配線上にバンプを形成することもできるフレキシブルプリント配線板の製造方法及び高密度の実装を高信頼性で行うことができるフレキシブルプリント配線板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決する本発明の第１の態様は、絶縁層と、この絶縁層の少なくとも一方面に積層された導体層をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板の製造方法において、前記導体層上にフォトレジストを塗布すると共に第１のマスクを介して露光し、現像して第１のレジストパターンを形成し、その後、前記導体層を厚さ方向に貫通するまでエッチングして第１の配線パターンを得る第１のエッチング工程と、前記第１のレジストパターンを第２のマスクを介して露光し、現像して前記第１のレジストパターンの一部のみを残した第２のレジストパターンを形成し、その後、前記第１の配線パターンのうちの前記第２のレジストパターンで覆われた一部を導体層の厚さが厚い厚肉部分として残し、他の部分を導体層の厚さ方向の途中までハーフエッチングして前記厚肉部分より厚さが相対的に薄い薄肉部分として第２の配線パターンを得る第２のエッチング工程とを有することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
【００１２】
かかる第１の態様では、第１のエッチングで導体層を厚さ方向に全てエッチングして配線パターンを形成した後、第１のエッチング用いたレジストパターンを再度、露光・現像して、配線パターンの配線をハーフエッチングして配線上の厚肉部分を形成するので、非常に高密度な配線パターンに対応することができる。
【００１３】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記厚肉部分が、配線上に形成されたバンプであることを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
【００１４】
かかる第２の態様では、高密度の配線上にバンプが高精度に形成することができる。
【００１５】
本発明の第３の態様は、第２の態様において、前記バンプ上に、瘤又は針状のノジュールを形成する工程をさらに具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線板の製造方法にある。
【００１６】
かかる第３の態様では、バンプのトップ部に柔軟性を有するノジュールが形成されるので、ＡＣＦを用いることなく接続可能であり、低接続抵抗での接続が可能である。
【００１７】
本発明の第４の態様は、絶縁層と、この絶縁層の少なくとも一方面に積層された導体層をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板であって、前記配線パターンの前記半導体チップが実装されるインナーリード及びアウターリードの少なくとも一方の配線上には、当該半導体チップのリード電極と接続されるバンプが当該配線パターンと一体的に形成されており、前記配線の幅と前記バンプの幅方向両側の側面と当該バンプが形成された配線の幅方向両側の側面とが同一面となっていることを特徴とするフレキシブルプリント配線板にある。
【００１８】
かかる第４の態様では、配線上に配線の幅と同一なバンプを有するので、高密度な配線であっても高精度にＩＣチップや基板面との接合が可能なものである。
【００１９】
本発明の第５の態様では、第４の態様において、前記バンプが、前記配線をハーフエッチングすることにより形成されたものであることを特徴とするフレキシブルプリント配線板にある。
【００２０】
かかる第５の態様では、パターニングされた配線をハーフエッチングすることにより、バンプが形成されているので、配線との位置ずれがなく、高密度配線に対応することができる。
【００２１】
本発明の第６の態様では、第４又は５の態様において、前記導体層が銅層であり、少なくとも前記バンプの上端面には、スズメッキ層、又はニッケルめっき下地金メッキ層が設けられていることを特徴とするフレキシブルプリント配線板にある。
【００２２】
かかる第６の態様では、Ｓｎメッキ層の場合には、バンプはＩＣチップのＡｌ蒸着部上にＡｕ層が形成された電極とインナーリードボンディングされてＳｎ−Ａｕ共晶により接合可能であり、ニッケルめっき下地金めっきの場合には、バンプはＩＣチップのＡｌ蒸着部の電極と直接インナーリードボンディングされてＡｌ−Ａｕ共晶により接合可能となる。
【００２３】
本発明の第７の態様は、第４〜６の何れかの態様において、前記バンプ上には、瘤又は針状のノジュールを具備することを特徴とするフレキシブルプリント配線板にある。
【００２４】
かかる第７の態様では、バンプのトップ部に柔軟性を有するノジュールを具備するので、ＡＣＦを用いることなく接続可能であり、低接続抵抗での接続が可能である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のフレキシブルプリント配線板の製造方法によれば、比較的簡単なエッチングプロセスで高密度な配線上に厚肉部を高精度に形成することができ、これにより、配線上に高精度に形成されたバンプ付きフレキシブルプリント配線板を得ることができる。
【００２６】
また、本発明のフレキシブルプリント配線板は、配線上に同一幅のバンプが高精度に設けられているので、高密度配線パターンにも対応でき、ＩＣチップ等との高精度な接合が実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施形態に係るフレキシブルプリント配線板の製造方法を本発明のフレキシブルプリント配線板の製造を一例によって説明する。勿論、本発明はこれに限定されるものでないことはいうまでもない。
【００２８】
（実施形態１）
図１には実施形態１に係るフレキシブルプリント配線板の概略平面図及び断面図を示す。なお、図示したものは一製品分のフレキシブルプリント配線板であり、フレキシブルプリント配線板は、長尺のテープ状の状態で連続的に製造され、また、一般的には、テープ状の状態で配送されながらＩＣチップなどの電子部品を実装後、一製品毎に切断されるが、切断後実装される場合もある。以下、テープ状のフレキシブルプリント配線板として説明する。
【００２９】
以下で説明する一実施形態ではＣＯＦ用キャリアテープを実施例に基づいて説明する。なお、以下の実施形態ではＣＯＦ用キャリアテープを例にとって説明するが、ＣＯＦ用ＦＰＣについても同様に実施できることはいうまでもない。
【００３０】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態のＣＯＦ用キャリアテープ２０は、銅層からなる導体層１１とポリイミドフィルムからなる絶縁層１２とからなるＣＯＦ用積層フィルムを用いて製造されたものであり、導体層１１をパターニングした配線パターン２１と、配線パターン２１の幅方向両側に設けられたスプロケットホール２２とを有する。また、配線パターン２１は、絶縁層１２の表面に連続的に設けられている。
【００３１】
ここで、配線パターン２１は、ＩＣチップ等を実装するインナーリード３１と、基板等と接合されるアウターリード３２とを具備し、インナーリード３１及びアウターリード３２の各配線３１ａ、３２ａの端部近傍には、バンプ３１ｂ、３２ｂが配線３１ａ、３２ａと一体的に形成されている。
【００３２】
バンプ３１ｂ、３２ｂは、図２に示すように、配線３１ａ、３２ａの幅と同一幅を有し、配線３１ａ、３２ａの幅方向の側面とバンプ３１ｂ、３２ｂの幅方向の側面とが面一になっている。これは後述する本発明のエッチングプロセスにより形成されたものであり、このエッチングプロセスを採用することにより、配線３１ａ、３２ａのピッチが高密度になっても配線３１ａ、３２ａの幅と同一のバンプ３１ｂ、３２ｂを比較的容易に形成することができる。これにより、インナーリード３１に関しては、ＩＣチップとの接合が安定し且つ高信頼性を保持した状態で行うことができる。また、アウターリード３２に関しては、バンプ３２ｂがない状態であれば、通常は異方性導電材料を用いた異方性導電フィルム（ＡＣＦ）と用いてＬＣＤパネル等と高い圧力で接合する必要があるが、バンプ３２ｂを設けることにより、低い圧力で接合可能である。
【００３３】
さらに、配線パターン２１上には、ソルダーレジストインキをスクリーン印刷法にて塗布して形成した、あるいはフィルムを添付した絶縁保護層２３を有する。また、絶縁層１２の裏面側の少なくともＩＣチップ等の電極とインナーリードとをボンディングする際にボンディングツールの当たる領域には、離型剤を塗布、あるいは転写用離型層を転写することで、離型層１３が設けられている。なお、離型層１３は絶縁層１２の裏面全体に設けられていてもよい。また、配線パターンは、絶縁層１２の両面に形成されていてもよく（２−ｍｅｔａｌ  ＣＯＦ用キャリアテープ）、この場合には、加熱ツールが接触する領域のみに離型剤を塗布、あるいは転写用離型層を転写することで、離型層１３を形成すればよい。勿論、離型層１３は必ずしも設けられている必要はない。
【００３４】
ここで、導体層１１としては、銅の他、アルミニウム、金、銀などを使用することもできるが、銅層が一般的である。また、銅層としては、蒸着やメッキで形成した銅層、電解銅箔、圧延銅箔など何れも使用することができる。導体層１１の厚さは、一般的には、１〜７０μｍであり、好ましくは、５〜３５μｍである。
【００３５】
一方、絶縁層１２としては、ポリイミドの他、ポリエステル、ポリアミド、ポリエーテルサルホン、液晶ポリマーなどを用いることができるが、ピロメリット酸２無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルの重合によって得られる全芳香族ポリイミド（例えば、商品名：カプトンＥＮ；東レ・デュポン社製）や、ビフェニルテトラテトラカルボン酸−２無水物とパラフェニレンジアミン（ＰＰＤ）との重合物（例えば、商品名：ユーピレックスＳ；宇部興産社製）を用いるのが好ましい。なお、絶縁層１２の厚さは、一般的には、１２．５〜１２５μｍであり、好ましくは、１２．５〜７５μｍ、さらに好ましくは１２．５〜５０μｍである。
【００３６】
ここで、ＣＯＦ用積層フィルムは、例えば、銅箔からなる導体層１１上に、ポリイミド前駆体やワニスを含むポリイミド前駆体樹脂組成物を塗布して塗布層を形成し、溶剤を乾燥させて巻き取り、次いで、酸素をパージしたキュア炉内で熱処理し、イミド化して絶縁層１２とすることにより形成されるが、勿論、これに限定されるものではない。
【００３７】
一方、離型層１３は、シラザン化合物を含有するシリコーン系離型剤やシリカゾルを含有する離型剤を用いて形成することができる。離型層１３は、離型剤を塗布等により設けた後、加熱処理して絶縁層１２と強固に接合するのが好ましい。なお、離型層１３の厚さは、波長分散型蛍光Ｘ線分析装置で検出されるＳｉ強度が０．１５〜２．５ｋｃｐｓ、好ましくは０．３〜１．０ｋｃｐｓ、さらに好ましくは０．５±０．１ｋｃｐｓ程度となるような膜厚となるようにする。
【００３８】
このような本発明のＣＯＦ用キャリアテープは、例えば、搬送されながら半導体チップの実装やプリント基板などへの電子部品の実装工程に用いられ、ＣＯＦ実装されるが、この際、絶縁層１２及び離型層１３の積層領域の光透過性が波長６００ｎｍで測定した場合に５０％以上あるので、絶縁層１２側から配線パターン２１（例えば、インナーリード３１）をＣＣＤ等で画像認識することができ、さらに、実装する半導体チップやプリント基板の配線パターンを認識することができ、画像処理により相互の位置合わせを良好に行うことができ、高精度に電子部品を実装することができる。
【００３９】
次に、上述したＣＯＦ用キャリアテープの一製造方法を図３を参照しながら説明する。
【００４０】
図３（ａ）に示すように、ＣＯＦ用積層フィルム１０を用意し、図示しないが、パンチング等によって、導体層１１及び絶縁層１２を貫通して、上述したスプロケットホール２２を形成する。このスプロケットホール２２は、絶縁層１２の表面上から形成してもよく、また、絶縁層１２の裏面から形成してもよい。次に、図３（ｂ）に示すように、一般的なフォトリソグラフィー法を用いて、導体層１１上の配線パターン２１が形成される領域に亘って、例えば、ポジ型フォトレジスト材料塗布溶液を塗布してフォトレジスト材料塗布層４０を形成する。勿論、ネガ型フォトレジスト材料を用いてもよい。さらに、スプロケットホール２２内に位置決めピンを挿入して絶縁層１２の位置決めを行った後、フォトマスク４１を介して露光・現像することで、フォトレジスト材料塗布層４０をパターニングして、図３（ｃ）に示すような配線パターン用レジストパターン４２を形成する。次に、配線パターン用レジストパターン４２をマスクパターンとして導体層１１を厚さ方向に貫通するようにエッチング液で溶解して除去することにより、図３（ｄ）に示すように配線パターン２１を形成する。図３（ｄ）の右側には、左側の図と９０°交差した配線パターン２１の配線３１ａの断面を示す。
【００４１】
次いで、図３（ｅ）に示すように、配線パターン用レジストパターン４２をそのまま使用して、上述したバンプ３１ｂの形成領域のみを覆うマスクパターンを有するフォトマスク４３を介して再度露光し、現像して、図３（ｆ）に示すように、バンプ３１ｂの形成領域にバンプ用レジストパターン４４を残す。そして、この状態で、配線３１ａを厚さ方向にハーフエッチングし、バンプ３１ｂを一体的に有する配線３１ａを形成する。
【００４２】
この際、バンプ３１ｂの側面とその下の配線３１ａの側面とは、最初のエッチングにより一体的に形成されているので、同一面となっており、バンプ３１ｂの幅は配線３１ａの幅と略同一となる。なお、バンプ３２ｂも同時に同様に形成することができる。
【００４３】
続いて、必要に応じて配線パターン２１にスズメッキなどのメッキ処理を行った後、塗布法により離型層１３を絶縁層１２の配線パターン２１側の面とは反対の面上に、少なくともＩＣチップ等の電極とインナーリードとをボンディングする領域を含むように形成する。この離型層１３は、塗布して乾燥するだけでもよいが、加熱ツールと熱融着しないという離型効果を向上させるためには、加熱処理を行うのが好ましい。ここで、加熱条件としては、例えば、加熱温度を５０〜２００℃、好ましくは、１００〜２００℃とし、加熱時間を１分〜１２０分、好ましくは、３０分〜１２０分とするのがよい。この加熱処理はソルダーレジストのキュアと同時に行ってもよい。
【００４４】
次に、例えば、スクリーン印刷法を用いて、絶縁保護層２３を形成する。そして、絶縁保護層２３で覆われていないインナーリード３１及びアウターリード３２に必要に応じて金属メッキ層を施す。金属メッキ層は特に限定されず、用途に応じて適宜設ければよく、スズメッキ、スズ合金メッキ、ニッケルメッキ及び金メッキ、金合金メッキ、Ｓｎ−Ｂｉ等のＰｂフリー半田めっきなどを施す。
【００４５】
上述した実施形態では、配線パターン２１やスプロケットホール２２等からなるキャリアパターンを１列設けたＣＯＦ用キャリアテープ２０を例示して説明したが、これに限定されず、例えば、キャリアパターンを複数列並設した多条の電子部品実装用フィルムキャリアテープであってもよい。
【００４６】
また、上述した実施形態では、ＣＯＦ用キャリアテープである電子部品実装用フィルムキャリアテープを例示したが、その他の電子部品実装用フィルムキャリアテープ、例えば、ＴＡＢ、ＣＳＰ、ＢＧＡ、μ−ＢＧＡ、ＦＰＣ、ＡＳＩＣテープタイプ等であってもよく、その構成等も限定されるものではない。
【００４７】
（実施例１）
１２μｍの厚さの銅箔を厚さ４０μｍのポリイミドフィルムにラミネートした積層フィルム（エスパネックスＭ：新日鐵化学（株）社製）の銅箔側に、ポジ型液体フォトレジストＦＲ２００（ロームアンドハース社製）を粘度３０ｃｐｓで４〜５μｍの厚さで全面にロールコータ塗布し、乾燥後、所定の配線回路パターン（この例では５０μｍピッチで７２０本並んだ３５μｍ幅の直線配線をアウターリードとして含む）を形成したガラス製フォトマスクを介して紫外線（３２０ｍＪ／ｃｍ２）照射して露光した。
【００４８】
次いで、現像することによりフォトレジストパターンを形成し、塩化第２銅＋塩酸＋過酸化水素の溶液をスプレーにより１．２ｋｇ／ｃｍ２で連続エッチングした。エッチング後、塩酸で酸洗いし、次いで水洗いし、アウターリードを含む配線パターンを得た。このとき、配線パターン上にレジストパターンを残した状態としておく。
【００４９】
次に、アウターリードに形成するバンプ部を連続して覆うストライプを有するマスクパターンを用いて、再度露光した。このときの露光量は４５０ｍＪ／ｃｍ２とした。その後、レジストパターンを現像し、上述したエッチングと同様なエッチング液でハーフエッチングして４μｍの厚さとし、配線パターンのレジストパターンが残存していない部分が薄肉となり、バンプ部が８μｍの厚さの厚肉部となって突出しているアウターリードを形成した。なお、バンプ部の上面は２１μｍ×３０μｍであった。
【００５０】
このように形成したバンプは配線と略同一幅に仕上がっており、バンプの側面と配線の側面とは傾斜しているが同一面となっており、幅方向の位置ずれはなく、膨らみもなかった。
【００５１】
このバンプの上面に無電解スズメッキを施し、アウターリードにバンプを有するフレキシブルプリント配線板とした。このフレキシブルプリント配線板は、アウターリードにバンプを有するので、ＬＣＤ基板等とＡＣＦ等を用いて行う接続を比較的低い圧力で行うことができる。
【００５２】
（実施例２）
本実施例では、バンプ上に瘤あるいは針状のノジュールを形成してＬＣＤ基板等との接合性を高めた例を示す。
【００５３】
本実施例は、１５μｍの厚さの銅箔を厚さ４０μｍのポリイミドフィルムにラミネートした積層フィルム（エスパネックスＭ：新日鐵化学（株）社製）を用い、実施例１と同様にエッチング工程を実施してバンプを形成したが、バンプをエッチングにより形成するまでは実施例１と同様であるので、説明は省略する。
【００５４】
エッチング工程が終了した後、ソルダーレジストインクをアウターリード及びインナーリード以外の部分に印刷した。
【００５５】
次いで、硫酸銅溶液（Ｃｕ：８ｇｒ／Ｌ、硫酸：１００ｇｒ／Ｌ）にβ−ナフトキノリンを５０ｐｐｍ添加したメッキ浴で３０℃の条件下でＤｋ＝３Ａ／ｄｍ２で１５秒間メッキし、１Ａ／ｄｍ２で通常の析出状態にさせてＣｕかぶせメッキし、ノジュールをアウターリード及びインナーリードの導体表面に固着させた。その後、その上に０．３５μｍのニッケル（Ｎｉ）メッキをし、さらに０．３５μｍの厚さに金メッキをして、Ｃｕ導体上に十分に強く付着した１０μｍ高さのノジュールを形成した。なお、Ｎｉメッキはスルファミン酸Ｎｉ溶液を用いて５５℃で１．３Ａ／ｄｍ２×８０秒のメッキ条件で、Ａｕメッキはシアン化金カリウム溶液を用いて６５℃で０．４Ａ／ｄｍ２×９０秒のメッキ条件で、それぞれ実施した。
【００５６】
このようにして得たＣＯＦは幅４８ｍｍであり、アウターリードのピッチは１２０μｍで、線幅は４４μｍであり、ノジュール部を除いたバンプの高さは８μｍ、バンプのトップ部の寸法は２８μｍ×４２μｍであった。
【００５７】
このように形成されたＣＯＦは、バンプ上にノジュールを有するので、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）を用いなくても、非導電性ペースト（ＮＣＰ）や非導電性フィルム（ＮＣＦ）を介して、例えば、ＬＣＤのパネルと高精度に接続可能となる。すなわち、バンプのみでは接触するトップ部が硬いので、ＮＣＰやＮＣＦ接続するには温度サイクルなどの信頼性が不十分であるが、柔軟性があるノジュールや瘤をバンプトップ部に設けることにより、従来のようなＡＣＦを用いることなく、ＮＣＰやＮＣＦを用いて接続が可能であり、低接触抵抗で接続可能である。
【００５８】
（その他の実施例）
上述した実施例のバンプは配線に１個設けたが、上述したようにＬＣＤ基板等と接続する配線板のアウターリードのバンプは、配線の長さ方向に複数個設けてもよく、この場合には、接続の信頼性の向上につながる。
【００５９】
このようなバンプを複数個設けた例を図４に示し、ＬＣＤなどの基板５１と接続された状態を示す。この場合、配線３２ａには、長さ方向に３つのバンプ３２ｂが設けられている。なお、バンプ３２ｂの間に充填された状態で図示されているのが、ＮＣＰやＮＣＦなどの接続材料５２である。勿論、この場合に、異方性導電材料（ＡＣＦ）を用いて接続してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント配線板（ＣＯＦ用テープ）を示す概略平面図及び断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント配線板のバンプの外観を示す斜視図である。
【図３】本発明の実施形態１に係るフレキシブルプリント配線板の製造工程の様子を示す概略図である。
【図４】フレキシブルプリント配線板の基板との接続状態を示す概略図である。
【符号の説明】
【００６１】
１０  ＣＯＦ用積層フィルム
１１  導体層
１２  絶縁層
１３  離型層
２０  ＣＯＦ用キャリアテープ
２１  配線パターン
２２  スプロケットホール
２３  絶縁保護層
３１  インナーリード
３１ａ  配線
３１ｂ  バンプ
３２  アウターリード
３２ａ  配線
３２ｂ  バンプ
４０  フォトレジスト材料塗布層
４２  レジストパターン
４３  フォトマスク
４４  バンプ用レジストパターン
５１  ＬＣＤパネル
５２  接続材料（ＮＣＰ、ＮＣＦ、ＡＣＦなど）
【図１】
2006278837.tif 000003
【図２】
2006278837.tif 000004
【図３】
2006278837.tif 000005
【図４】
2006278837.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成18年3月23日(2006.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
絶縁層と、この絶縁層の少なくとも一方面に積層された導体層をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板であって、前記配線パターンの前記半導体チップが実装されるインナーリード及びアウターリードの少なくとも一方の配線上には、当該半導体チップのリード電極と接続されるバンプが当該配線パターンと一体的に形成されており、前記バンプの配線の幅方向両側の側面と当該バンプが形成された配線の幅方向両側の側面とが同一面となっていることを特徴とするフレキシブルプリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第４の態様は、絶縁層と、この絶縁層の少なくとも一方面に積層された導体層をパターニングして形成されると共に半導体チップが実装される配線パターンを具備するフレキシブルプリント配線板であって、前記配線パターンの前記半導体チップが実装されるインナーリード及びアウターリードの少なくとも一方の配線上には、当該半導体チップのリード電極と接続されるバンプが当該配線パターンと一体的に形成されており、前記バンプの配線の幅方向両側の側面と当該バンプが形成された配線の幅方向両側の側面とが同一面となっていることを特徴とするフレキシブルプリント配線板にある。