(57)【要約】【課題】  プリント基板等に対して面実装できるようにした構成したフォトインタラプタにおいて，その検出精度の向上を図る。【解決手段】  発光側メイン絶縁基板５の表面に，発光素子８を搭載するとともにサブ絶縁基板６を，これに穿設の貫通孔７内に前記発光素子を収容するように積層固着し，更に前記貫通孔に封止用透明樹脂９を充填して発光側モジュール２を構成する一方，受光側メイン絶縁基板１６の表面に，受光素子１９を搭載するとともにサブ絶縁基板１７をこれに穿設の貫通孔１８内に前記受光素子を収容するように積層固着し，更に前記貫通孔に封止用透明樹脂２０して受光側モジュール３を構成し，そして，前記発光側モジュール２と，前記受光側モジュール３とを，その発光素子及び受光素子が互いに向かい合わせるように配設して，その間に介挿したスペーサ体４に固着する。【選択図】                      図４
2006278902.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光側メイン絶縁基板の表面には，発光素子を搭載するとともに，このメイン絶縁基板と同じ材料によるサブ絶縁基板を，当該サブ絶縁基板に穿設した貫通孔内に前記発光素子を収容するように積層固着し，前記発光側メイン絶縁基板の裏面には，前記発光素子に対する一対の端子電極を形成し，更に前記貫通孔に前記発光素子に対する封止用透明樹脂を充填することにより発光側モジュールを構成し，
受光側メイン絶縁基板の表面には，受光素子を搭載するとともに，このメイン絶縁基板と同じ材料によるサブ絶縁基板を，当該サブ絶縁基板に穿設した貫通孔内に前記受光素子を収容するように積層固着し，前記受光側メイン絶縁基板の裏面には，前記受光素子に対する一対の端子電極を形成し，更に前記貫通孔に前記受光素子に対する封止用透明樹脂を充填することにより受光側モジュールを構成し，
前記発光側モジュールと，前記受光側モジュールとを，その間にギャップ溝を形成し且つ前記発光素子及び受光素子が互いに向かい合わせるように配設して，その間に介挿したスペーサ体に固着することを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
【請求項２】
前記請求項１の記載において，前記スペーサ体に，前記発光側モジュールにおける発光素子及び前記受光モジュールにおける受光素子のいずれか一方又は両方に対する遮光板を一体に設けて，この遮光板に光の通過スリットを設けることを特徴とする面実装型フォトインタラプタ。
【請求項３】
一つのフォトインタラプタを構成する発光側メイン絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る発光側メイン素材基板と，同じく一つのフォトインタラプタを構成する受光側メイン絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る受光側メイン素材基板との各々を製造する工程，
一つのフォトインタラプタを構成する発光側サブ絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る発光側サブ素材基板と，同じく一つのフォトインタラプタを構成する受光側サブ絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る受光側サブ素材基板との各々を，前記発光側メイン素材基板及び受光側メイン素材基板と同じ材料にて製造する工程，
前記発光側メイン素材基板の表面のうち前記各発光側メイン絶縁基板の個所に発光素子を，前記受光側メイン素材基板の表面のうち前記各受光側メイン絶縁基板の個所に受光素子を各々搭載する工程，
前記発光側メイン素材基板の裏面のうち前記各発光側メイン絶縁基板の個所に前記発光素子に対する一対の端子電極を，前記受光側メイン素材基板の裏面のうち前記各受光側メイン絶縁基板の個所に前記受光素子に対する一対の端子電極を各々形成する工程，
前記発光側メイン素材基板の表面に，前記発光側サブ素材基板を，当該発光側サブ素材基板のうち前記各発光側サブ絶縁基板の個所に発光素子を収容する貫通孔を備えた状態で積層固着する工程，
前記受光側メイン素材基板の表面に，前記受光側サブ素材基板を，当該受光側サブ素材基板のうち前記各受光側サブ絶縁基板の個所に受光素子を収容する貫通孔を備えた状態で積層固着する工程，
前記発光側メイン素材基板における各貫通孔内に，封止用の透明樹脂を充填して，発光側素材モジュールを構成する工程，
前記受光側メイン素材基板における各貫通孔内に，封止用の透明樹脂を充填して，受光側素材モジュールを構成する工程，
を備え，更に，
一つのフォトインタラプタにおけるギャップ溝を構成するスペーサ体の複数個を一体化して成る素材スペーサ体を製造する工程，
前記発光側素材モジュールと，前記受光側素材モジュールとを，その間にギャップ溝を形成し且つ前記発光素子と前記受光素子とが互いに向かい合わせに配設して，その間に介挿した前記素材スペーサ体に対して固着する工程，
この工程に次いで，前記発光側素材モジュール，前記受光側素材モジュール及び前記棒状スペーサ体を，縦方向の切断線に沿ってのダイシング加工及び横方向の切断線に沿ってのダイシング加工にて，前記一つのフォトインタラプタごとに分割する工程，
を備えていることを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
【請求項４】
前記請求項３の記載において，前記発光側メイン素材基板への前記発光素子の搭載を，前記発光側メイン素材基板に対して発光側サブ素材基板を積層固着した後において行い，更に，前記受光側メイン素材基板への前記受光素子の搭載を，前記受光側メイン素材基板に対して受光側サブ素材基板を積層固着した後において行うことを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
【請求項５】
前記請求項３又は４の記載において，前記素材スペーサ体を製造する工程が，当該素材スペーサ体に，前記発光側素材モジュールにおける各発光素子及び前記受光側素材モジュールにおける各受光素子のいずれか一方又は両方に対する遮光板を，これに光の通過スリットを穿設して一体に設ける工程であることを特徴とする面実装型フォトインタラプタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，発光部と受光部とを備え，その間における被検出物の有無を検出するようにしたフォトインタラプタのうち，プリント基板等に対して面実装できるようにした構成したフォトインタラプタと，その製造方法とに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来，この種のフォトインタラプタは，金属板製のリードフレームを使用した構成であったが，最近において，プリント基板等に対して面実装できるように面実装型に構成している。
【０００３】
従来，この面実装型のフォトインタラプタの一つに，例えば，特許文献１等に記載されているように，以下に述べるように構成したものがある。
【０００４】
すなわち，発光側絶縁基板の表面に発光素子を搭載し，この発光側絶縁基板を，不透明合成樹脂製の発光側スペーサ体に，当該発光側絶縁基板における発光素子が発光側スペーサ体に穿設した貫通孔内に嵌まるように固着し，且つ前記貫通孔に発光素子に対する封止する透明樹脂を充填し，この透明樹脂の表面に光が通過するスリットを備えた遮光板を貼着することによって，発光側モジュールを構成する。
【０００５】
一方，受光側絶縁基板の表面に受光素子を搭載し，この受光側絶縁基板を，不透明合成樹脂製の受光側スペーサ体に，当該受光側絶縁基板における受光素子が受光側スペーサ体に穿設した貫通孔内に嵌まるように固着し，且つ前記貫通孔に受光素子に対する封止する透明樹脂を充填し，この透明樹脂の表面に光が通過するスリットを備えた遮光板を貼着することによって，受光側モジュールを構成する。
【０００６】
そして，前記発光側モジュールと，前記受光側モジュールとを，被検出物が通過するギャップ溝を挟んで前記発光素子及び受光素子が互いに向かい合わせるように配設し，この状態で，発光側モジュールにおけるスペーサ体と受光側モジュールにおけるスペーサ体とを互いに結合し，更に，前記発光素子に対する封止用透明樹脂の表面，及び前記受光素子に対する封止用透明樹脂の表面の各々に，光が通過するスリット孔を穿設した遮光膜を設けるという構成にしている。
【特許文献１】特開平１１−１４５５０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし，前記した構成の面実装型フォトインタラプタにおいて，発光側モジュール及び受光側モジュールの両方は，発光素子又は受光素子を搭載した絶縁基板に対してスペーサ体を全面にたって固着した構成であることにより，これら両モジュールには，絶縁基板とスペーサ体との間における熱膨張差等により，歪み変形が発生するおそれが大きくて，耐久性が低いばかりか，前記した歪み変形によって，発光素子からの光軸方向と受光素子に対する光軸方向との両方が変化するから，ギャップ溝内における被検出物有無の検出精度が低いという問題があった。
【０００８】
しかも，前記した構成の面実装型フォトインタラプタにおいては，発光側絶縁基板及び受光側絶縁基板の両方の各々にスペーサ体を固着して，発光側モジュール及び受光側モジュールを構成し，この二つのモジュールを，その各々におけるスペーサ体を互いに固着するという構成であることにより，二つのスペーサ体を必要とすることに加えて，前記両モジュール体の各々に，光が通過するスリットを備えた遮光板を必要として，部品点数が多くなるから，この製造コストがアップするという問題もあった。
【０００９】
本発明は，これらの問題を解消した面実装型のフォトインタラプタと，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この技術的課題を達成するため本発明における面実装型フォトインタラプタは，請求項１に記載したように，
「発光側メイン絶縁基板の表面には，発光素子を搭載するとともに，このメイン絶縁基板と同じ材料によるサブ絶縁基板を，当該サブ絶縁基板に穿設した貫通孔内に前記発光素子を収容するように積層固着し，前記発光側メイン絶縁基板の裏面には，前記発光素子に対する一対の端子電極を形成し，更に前記貫通孔に前記発光素子に対する封止用透明樹脂を充填することにより発光側モジュールを構成し，
受光側メイン絶縁基板の表面には，受光素子を搭載するとともに，このメイン絶縁基板と同じ材料によるサブ絶縁基板を，当該サブ絶縁基板に穿設した貫通孔内に前記受光素子を収容するように積層固着し，前記受光側メイン絶縁基板の裏面には，前記受光素子に対する一対の端子電極を形成し，更に前記貫通孔に前記受光素子に対する封止用透明樹脂を充填することにより受光側モジュールを構成し，
前記発光側モジュールと，前記受光側モジュールとを，その間にギャップ溝を形成し且つ前記発光素子及び受光素子が互いに向かい合わせるように配設して，その間に介挿したスペーサ体に固着する。」
ことを特徴としている。
【００１１】
また，本発明における面実装型フォトインタラプタは，請求項２に記載したように，
「前記請求項１の記載において，前記スペーサ体に，前記発光側モジュールにおける発光素子及び前記受光モジュールにおける受光素子のいずれか一方又は両方に対する遮光板を一体に設けて，この遮光板に光の通過スリットを設ける。」
ことを特徴としている。
【００１２】
次に，本発明における製造方法は，請求項３に記載したように，
「一つのフォトインタラプタを構成する発光側メイン絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る発光側メイン素材基板と，同じく一つのフォトインタラプタを構成する受光側メイン絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る受光側メイン素材基板との各々を製造する工程，
一つのフォトインタラプタを構成する発光側サブ絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る発光側サブ素材基板と，同じく一つのフォトインタラプタを構成する受光側サブ絶縁基板の複数個を縦横に並べて一体化して成る受光側サブ素材基板との各々を，前記発光側メイン素材基板及び受光側メイン素材基板と同じ材料にて製造する工程，
前記発光側メイン素材基板の表面のうち前記各発光側メイン絶縁基板の個所に発光素子を，前記受光側メイン素材基板の表面のうち前記各受光側メイン絶縁基板の個所に受光素子を各々搭載する工程，
前記発光側メイン素材基板の裏面のうち前記各発光側メイン絶縁基板の個所に前記発光素子に対する一対の端子電極を，前記受光側メイン素材基板の裏面のうち前記各受光側メイン絶縁基板の個所に前記受光素子に対する一対の端子電極を各々形成する工程，
前記発光側メイン素材基板の表面に，前記発光側サブ素材基板を，当該発光側サブ素材基板のうち前記各発光側サブ絶縁基板の個所に発光素子を収容する貫通孔を備えた状態で積層固着する工程，
前記受光側メイン素材基板の表面に，前記受光側サブ素材基板を，当該受光側サブ素材基板のうち前記各受光側サブ絶縁基板の個所に受光素子を収容する貫通孔を備えた状態で積層固着する工程，
前記発光側メイン素材基板における各貫通孔内に，封止用の透明樹脂を充填して，発光側素材モジュールを構成する工程，
前記受光側メイン素材基板における各貫通孔内に，封止用の透明樹脂を充填して，受光側素材モジュールを構成する工程，
を備え，更に，
一つのフォトインタラプタにおけるギャップ溝を構成するスペーサ体の複数個を一体化して成る素材スペーサ体を製造する工程，
前記発光側素材モジュールと，前記受光側素材モジュールとを，その間にギャップ溝を形成し且つ前記発光素子と前記受光素子とが互いに向かい合わせに配設して，その間に介挿した前記素材スペーサ体に対して固着する工程，
この工程に次いで，前記発光側素材モジュール，前記受光側素材モジュール及び前記棒状スペーサ体を，縦方向の切断線に沿ってのダイシング加工及び横方向の切断線に沿ってのダイシング加工にて，前記一つのフォトインタラプタごとに分割する工程，
を備えている。」
ことを特徴としている。
【００１３】
また，本発明における製造方法は，請求項４に記載したように，
「前記請求項３の記載において，前記発光側メイン素材基板への前記発光素子の搭載を，前記発光側メイン素材基板に対して発光側サブ素材基板を積層固着した後において行い，更に，前記受光側メイン素材基板への前記受光素子の搭載を，前記受光側メイン素材基板に対して受光側サブ素材基板を積層固着した後において行う。」
ことを特徴としている。
【００１４】
更にまた，本発明における製造方法は，請求項５に記載したように，
「前記請求項３又は４の記載において，前記素材スペーサ体を製造する工程が，当該素材スペーサ体に，前記発光側素材モジュールにおける各発光素子及び前記受光側素材モジュールにおける各受光素子のいずれか一方又は両方に対する遮光板を，これに光の通過スリットを穿設して一体に設ける工程である。」
ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
前記請求項１に記載した構成にすることにより，発光側モジュール及び受光側モジュールの両方は，メイン絶縁基板の表面に，これと同じ材料によるサブ絶縁基板を積層固着して二枚重ねの積層体に構成されることになるから，これら両モジュールに，熱膨張差等による歪み変形が発生することを，前記した従来の場合よりも確実に低減できるから，耐久性を向上できるばかりか，発光素子からの光軸方向及び受光素子に対する光軸方向の変化が少なくて，ギャップ溝内における被検出物有無の検出精度を大幅に向上できる。
【００１６】
また，請求項２に記載した構成によると，遮光板であることにより，モジュールに熱膨張差による歪み変形の発生を抑制した状態のもとで，受光素子に向かう光を，この遮光板に設けたスリットに集中させることができるから，検出精度の向上をより助長でき，しかも，前記遮光板は，被検出物が通過するギャップ溝を形成するためのスペーサ体と一体であることにより，従来のように遮光板を別体に構成した場合に比べて，部品点数を少なくできるとともに，製造コストを低減できる。
【００１７】
請求項３に記載した製造方法によると，前記請求項１に記載した構成のフォトインタラプタの複数個を同時に，低コストにて製造できる。
【００１８】
この製造方法においては，請求項４に記載したように，発光側メイン素材基板に対する発光素子の搭載，及び，受光側メイン素材基板に対する受光素子の搭載を，前記発光側メイン素材基板に発光側サブ素材基板を積層固着した状態，及び，前記受光側メイン素材基板に受光側サブ素材基板を積層固着した状態で行うことにより，前記発光素子及び受光素子の搭載に際してのチップのダイボンディング及びワイヤボンディングを，発光側メイン素材基板及び受光側メイン素材基板における歪み変形が小さい状態で，容易に的確に行うことができる利点がある。
【００１９】
また，前記した製造方法においては，請求項５に記載したようにすることにより，前記請求項２に記載した構成のフォトインタラプタの複数個を同時に，低コストにて製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００２１】
図１〜図６は，本発明の実施の形態による面実装型フォトインタラプタ１を示す。
【００２２】
この面実装型フォトインタラプタ１は，発光側モジュール２と，受光側モジュール３と，その間に介挿した不透明合成樹脂製のスペーサ体４とによって構成されている。
【００２３】
前記発光側モジュール２は，以下のように構成されている。
【００２４】
すなわち，例えばガラスエポキシ等の絶縁体製の発光側メイン絶縁基板５と，この発光側メイン絶縁基板５と同じ絶縁材料，つまり，ガラスエポキシ等による発光側サブ絶縁基板６とを備え，前記メイン絶縁基板５の表面に，前記サブ絶縁基板６が重ねて積層固着されている。
【００２５】
前記サブ絶縁基板６には，長溝孔に構成した貫通孔７が穿設されている。
【００２６】
前記メイン絶縁基板５における表面のうち前記貫通孔７内の個所には，一対の電極パターン８ａ，８ｂと，この両電極パターン８ａ，８ｂのうち一方の電極パターン８ａにダイボンディングした発光ダイオードチップ８ｃと，この発光ダイオードチップ８ｃと他方の電極パターン８ｂとの間をワイヤボンディングした金属線８ｄとによって構成して成る発光素子８が設けられ，前記貫通孔７内には，封止用の透明樹脂９が充填されている。
【００２７】
また，前記メイン絶縁基板５における裏面には，前記発光素子８における一方の電極パターン８ａにスルーホール１０内の導体１１を介して電気的に導通する端子電極１２と，前記発光素子８における他方の電極パターン８ｂにスルーホール１３内の導体１４を介して電気的に導通する端子電極１５とが各々形成されている。
【００２８】
一方，前記受光側モジュール３は，以下のように構成されている。
【００２９】
すなわち，例えばガラスエポキシ等の絶縁体製の受光側メイン絶縁基板１６と，この受光側メイン絶縁基板１６と同じ絶縁材料，つまり，ガラスエポキシ等による受光側サブ絶縁基板１７とを備え，前記メイン絶縁基板１６の表面に，前記サブ絶縁基板１７が重ねて積層固着されている。
【００３０】
前記サブ絶縁基板１７には，長溝孔に構成した貫通孔１８が穿設されている。
【００３１】
前記メイン絶縁基板１６における表面のうち前記貫通孔１８内の個所には，一対の電極パターン１９ａ，１９ｂと，この両電極パターン１９ａ，１９ｂのうち一方の電極パターン１９ａにダイボンディングした受光チップ１９ｃと，この受光チップ１９ｃと他方の電極パターン１９ｂとの間をワイヤボンディングした金属線１９ｄとによって構成して成る受光素子１９が設けられ，前記貫通孔１８内には，封止用の透明樹脂２０が充填されている。
【００３２】
また，前記メイン絶縁基板１６における裏面には，前記受光素子１９における一方の電極パターン１９ａにスルーホール２１内の導体２２を介して電気的に導通する端子電極２３と，前記受光素子１９における他方の電極パターン１９ｂにスルーホール２４内の導体２５を介して電気的に導通する端子電極２６とが各々形成されている。
【００３３】
そして，前記のように構成した発光側モジュール２と，同じく前記のように構成した受光側モジュール３とを，その各々における発光素子８と受光素子１９とが互いに向かい合わせにして配設して，その間に挿入したスペーサ体４に対して固着することにより，その間に，ギャップ溝２７を形成するように構成したものである。
【００３４】
更にまた，前記スペーサ体４には，前記受光側モジュール３における封止用透明樹脂２０の表面を覆う厚さの薄い遮光板２８が一体に設けられ，この遮光板２８に，前記受光素子１９に光を通過するようにしたスリット２９が穿設されている。
【００３５】
この構成のフォトインタラプタ１は，各種電気機器におけるプリント基板に対して，その発光側モジュール２における端子電極１２，１５，及び，受光側モジュール３における端子電極２３，２６を半田付けすることによって実装される。
【００３６】
前記ギャップ溝２７内に，被検出物３０が存在しないときには，前記発光側モジュール２の発光素子８における光は，前記ギャップ溝２７を横切り，スリット２９を通過して前記受光側モジュール３における受光素子１９に到達することになるが，前記ギャップ溝２７内に被検出物３０が存在するときには，前記受光素子１９への光の到達が，前記被検出物３０にて遮られることになるから，これによって，前記ギャップ溝２７内における被検出物３０の有無を検出することができる。
【００３７】
次に，前記した構成による面実装型フォトインタラプタ１の製造方法について説明する。
【００３８】
先ず，図７，図８及び図９に示すように，前記発光側メイン絶縁基板５の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る発光側メイン素材基板Ａ１と，同じく，前記発光側サブ絶縁基板６の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る発光側サブ素材基板Ｂ１とを製作する。
【００３９】
なお，これらメイン素材基板Ａ１及びサブ素材基板Ｂ１は，詳しくは後述するように，縦方向の切断線Ｃ１及び横方向の切断線Ｃ２に沿ってのダイシング加工によって，各メイン絶縁基板２及びサブ絶縁基板３ごとに分割される。
【００４０】
前記発光側メイン素材基板Ａ１のうち前記各メイン絶縁基板５の個所ごとに，表面における電極パターン８ａ，８ｂの形成，及び，裏面における端子電極１２，１５の形成，及び，スルーホールとその内部の導体の形成を行う。
【００４１】
一方，前記発光側サブ素材基板Ｂ１には，その各サブ絶縁基板６の個所ごとに貫通孔７を穿設する。
【００４２】
次いで，図１０及び図１１に示すように，前記発光側メイン素材基板Ａ１の表面に，前記発光側サブ素材基板Ｂ１を重ねて，積層固着する。
【００４３】
次いで，図１２に示すように，前記発光側サブ素材基板Ｂ１における各貫通孔７内の各々に，発光ダイオードチップ８ｃのダイボンディングと，金属線８ｄによるワイヤボンディングとを行う。つまり，発光素子８の搭載を行う。
【００４４】
次いで，図１３，図１４及び図１５に示すように，前記発光側サブ素材基板Ｂ１における各貫通孔７内の各々に，透明なエポシキ樹脂等を液体の状態で充填して乾燥又は硬化して，封止用透明樹脂９を形成することにより，全体として，発光側素材モジュールＥ１を得る。
【００４５】
なお，この発光ダイオードチップ８ｃのダイボンディングと，金属線８ｄによるワイヤボンディングとは，前記メイン素材基板Ａ１に対してサブ素材基板Ｂ１を積層固着する前の段階において行うようにしても良いが，前記したように，前記サブ素材基板Ｂ１を積層固着した後の段階で行うようにした場合には，これらを，素材基板Ａ１，Ｂ１における歪み変形を小さくした状態で行うことができる。
【００４６】
一方，図１６，図１７及び図１８に示すように，前記受光側メイン絶縁基板１６の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る受光側メイン素材基板Ａ２と，同じく，前記受光側サブ絶縁基板１７の複数個を縦及び横に並べて一体化して成る発光側サブ素材基板Ｂ２とを製作する。
【００４７】
なお，これらメイン素材基板Ａ２及びサブ素材基板Ｂ２も，前記と同様に，縦方向の切断線Ｃ１及び横方向の切断線Ｃ２に沿ってのダイシング加工によって，各メイン絶縁基板１６及びサブ絶縁基板１７ごとに分割される。
【００４８】
前記受光側メイン素材基板Ａ１のうち前記各メイン絶縁基板１６の個所ごとに，表面における電極パターン１９ａ，１９ｂの形成，及び，裏面における端子電極２３，２６の形成，及び，スルーホールとその内部の導体の形成を行う。
【００４９】
一方，前記受光側サブ素材基板Ｂ２には，その各サブ絶縁基板１７の個所ごとに貫通孔１８を穿設する。
【００５０】
次いで，図１９及び図２０に示すように，前記受光側メイン素材基板Ａ１の上面に，前記受光側サブ素材基板Ｂ２を重ねて，積層固着する。
【００５１】
次いで，図２１に示すように，前記受光側サブ素材基板Ｂ２における各貫通孔１８内の各々に，発光ダイオードチップ１９ｃのダイボンディングと，金属線１９ｄによるワイヤボンディングとを行う。つまり，受光素子１９の搭載を行う。
【００５２】
次いで，図２２，図２３及び図２４に示すように，前記受光側サブ素材基板Ｂ２における各貫通孔１８内の各々に，透明なエポシキ樹脂等を液体の状態で充填して乾燥又は硬化して，封止用透明樹脂２０を形成することにより，全体として，受光側素材モジュールＥ２を得る。
【００５３】
なお，この発光ダイオードチップ１９ｃのダイボンディングと，金属線１９ｄによるワイヤボンディングとは，前記メイン素材基板Ａ２に対してサブ素材基板Ｂ２を積層固着する前の段階において行うようにしても良いが，前記したように，前記サブ素材基板Ｂ２を積層固着した後の段階で行うようにした場合には，これらを，素材基板Ａ２，Ｂ２における歪み変形を小さくした状態で行うことができる。
【００５４】
そして，前記発光側素材モジュールＥ１と，前記受光側素材モジュールＥ２とを，図２５に示すように，その発光素子８と受光素子１９とが互いに向かい合わせにする。
【００５５】
一方，面実装型フォトインタラプタ１における遮光板２８付きスペーサ体４の複数個を一体化して成る素材スペーサ体Ｄを，当該素材スペーサ体Ｄにスリット２９を穿設した遮光板２８を一体的に設けて，不透明合成樹脂にて成形する。
【００５６】
この素材スペーサ体Ｄを，前記発光側素材モジュールＥ１と前記受光側素材モジュールＥ２との間に介挿する。
【００５７】
次いで，前記発光側素材モジュールＥ１及び前記受光側素材モジュールＥ２の両方を，図２６，図２７及び図２８に示すように，前記素材スペーサ体Ｄに対して固着する。
【００５８】
次いで，前記した三者，つまり，前記発光側素材モジュールＥ１，前記受光側素材モジュールＥ２及び前記素材スペーサ体Ｄとからなる積層物を，図２９及び図３０に示すように，前記縦方向の切断線Ｃ１に沿ってのダイシング加工にて切断するとともに，前記横方向の切断線Ｃ２に沿ってのダイシング加工にて切断することにより，前記図１〜図６に示す構成通りの面実装型フォトインタラプタ１を得ることができる。
【００５９】
また，別の製造方法においては，前記素材スペーサ体Ｄを，図３１に示すように，スリット２９を穿設した遮光板２８を一体的に設けて成る複数本の棒状素材スペーサ体Ｄ′に構成しても良い。
【００６０】
更にまた，前記スリット２９を穿設して成る薄板の遮光板２８は，図示したように，受光側モジュール３における封止用透明樹脂２０のみを覆うように構成することに限らず，受光側モジュール３における封止用透明樹脂２０を覆うことに代えて，発光側モジュール２における封止用透明樹脂９を覆うように構成したり，前記受光側モジュール３における封止用透明樹脂２０及び発光側モジュール２における封止用透明樹脂９の両方を覆うように構成しても良いのである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施形態の面実装型フォトインタラプタを示す正面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図１の左側面図である。
【図４】図２のIV−IV視断面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ視断面図である。
【図６】図４のVI−VI視断面図である。
【図７】発光側のメイン素材基板及びサブ素材基板を示す斜視図である。
【図８】図７のVIII−VIII視拡大断面図である。
【図９】図７のXI−XI視拡大断面図である。
【図１０】第１の工程を示す斜視図である。
【図１１】図１０のXI−XI視拡大断面図である。
【図１２】第２の工程を示す断面図である。
【図１３】第３の工程を示す斜視図である。
【図１４】図１３のXIV −XIV 視拡大断面図である。
【図１５】図１３のXV−XV視拡大断面図である。
【図１６】受光側のメイン素材基板及びサブ素材基板を示す斜視図である。
【図１７】図１６のXVII−XVII視拡大断面図である。
【図１８】図１６のXVIII −XVIII 視拡大断面図である。
【図１９】第４の工程を示す斜視図である。
【図２０】図１９のXX−XX視拡大断面図である。
【図２１】第５の工程を示す断面図である。
【図２２】第６の工程を示す斜視図である。
【図２３】図２２のXXIII −XXIII 視拡大断面図である。
【図２４】図２２のXXIV−XXIV視拡大断面図である。
【図２５】第７の工程を示す斜視図である。
【図２６】第８の工程を示す斜視図である。
【図２７】図２６のXXVII −XXVII 視拡大断面図である。
【図２８】図２６のXXVIII−XXVIII視拡大断面図である。
【図２９】第９の工程を示す断面図である。
【図３０】第１０の工程を示す断面図である。
【図３１】別の工程を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６２】
１                              フォトインタラプタ
２                              発光側モジュール
３                              受光側モジュール
４                              スペーサ体
５，１６                        メイン絶縁基板
６，１７                        サブ絶縁基板
７，１８                        貫通孔
８                              発光素子
１９                            受光素子
９，２０                        透明樹脂
１２，１５，２３，２６          端子電極
２７                            ギャップ溝
２８                            遮光板
２９                            光の通過スリット
Ａ１                            発光側メイン素材基板
Ｂ１                            発光側サブ素材基板
Ｃ１，Ｃ２                      切断線
Ｄ，Ｄ′                        素材スペーサ体
Ｅ１                            発光側素材モジュール
Ａ２                            受光側メイン素材基板
Ｂ２                            受光側サブ素材基板
Ｅ２                            受光側素材モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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