(57)【要約】【課題】  ＩＣを有するデバイスの特性を簡易的にテストすることができるようにする。【解決手段】  デバイス１１内のＩＣに備えられている静電対策保護素子Ｑ０１に一定電流を流してその静電対策保護素子のダイオード電圧を測定する。それにより、一般に備えられている静電対策保護素子を利用しており、テスト用に新たな素子を追加する必要をなくすことができる。また、ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出する。それにより、出力電流波形を容易に調べることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣを有するデバイスの特性をテストするデバイスのテスト方法において、
上記ＩＣに備えられている静電対策保護素子に一定電流を流してその静電対策保護素子のダイオード電圧を測定することによってＩＣの温度を求めることを特徴とするデバイスのテスト方法。
【請求項２】
２つの電流値での上記ダイオード電圧を測定することによって上記ＩＣの温度を求めることを特徴とする請求項１に記載のデバイスのテスト方法。
【請求項３】
上記デバイスが発熱する条件で、上記ＩＣの発熱部位付近の上記静電対策保護素子のダイオード電圧測定から上記ＩＣの温度を算出することを特徴とする請求項１に記載のデバイスのテスト方法。
【請求項４】
上記温度測定を、上記デバイスのウェハテストにおいて行うことを特徴とする請求項１に記載のデバイスのテスト方法。
【請求項５】
上記温度測定を、高温ウェハテスト時および低温ウェハテスト時の少なくとも一方において行うことを特徴とする請求項４に記載のデバイスのテスト方法。
【請求項６】
さらに、上記ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、上記ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出することを特徴とする請求項１に記載のデバイスのテスト方法。
【請求項７】
上記ローパスフィルターは抵抗および容量から構成されていることを特徴とする請求項６に記載のデバイスのテスト方法。
【請求項８】
上記電流電圧変換は抵抗により行い、その抵抗値より上記ローパスフィルターの抵抗値のほうが大きいことを特徴とする請求項７に記載のデバイスのテスト方法。
【請求項９】
ＩＣを有するデバイスの特性をテストするデバイスのテスト方法において、
上記ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、上記ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出することを特徴とするデバイスのテスト方法。
【請求項１０】
ＩＣを有するデバイスを備えた電子機器において、
請求項１ないし９のいずれかに記載のデバイスのテスト方法を用いたデバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ駆動電流回路などを有するデバイスにおいて、発熱時等のＩＣ温度の測定方法および電流波形の簡易的測定方法等のような、デバイスのテスト方法およびそれを用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤとフォトダイオードとを内蔵し、赤外線を用いて無線で通信することを可能にするＩｒＤＡ（Infrared data association）等のデバイスにおいて、ＬＥＤ駆動電流波形を簡易的に測定し、またその時のＩＣ内部温度を測定することが要求されている。このようなことを行う技術としては、特許文献１が挙げられる。
【０００３】
図１０にＩｒＤＡ赤外線通信用赤外線通信装置１０１内のＩＣのブロック図を示す。同図に示す通り、ＩＣは、受信回路２１と、ＬＥＤ駆動電流発生部としての送信回路２２とを有している。このＬＥＤ駆動電流は通常ＤＣ（直流）的に流れされることはなく、ＡＣ（交流）、なかでも振幅とパルス幅を持った矩形波として流されるようになっている。
【０００４】
この電流がＩＣ内部に流れるとき、ＩＣ内部温度は上昇する。このＩＣ内部温度上昇によって、ＬＥＤ駆動電流波形が正常に発生しない不具合が発生する場合があり、ＩＣ内部温度が何度になった時にこの不具合が発生するのかを検出するためには、駆動電流が流れるタイミングで電流測定する必要がある。
【０００５】
このような測定を行うことが、製造時に一般に要求されている。このような測定は例えば特にウェハテストのときに行うことが考えられる。すなわち、例えばウェハテスト工程等において、ＩＣ内部温度を測定することや、ＬＥＤ駆動電流が正常に流れているか簡易的に測定することによって異常な電流波形を検出することが求められている。
【特許文献１】特開２０００−３４０６２３号公報（公開日平成１２年１２月８日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、デバイスの特性を簡易的にテストできるデバイスのテスト方法およびそれを用いた電子機器を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明に係るデバイスのテスト方法は、ＩＣを有するデバイスの特性をテストするデバイスのテスト方法において、上記ＩＣに備えられている静電対策保護素子に一定電流を流してその静電対策保護素子のダイオード電圧を測定することによってＩＣの温度を求めることを特徴としている。
【０００８】
上記の構成により、ＩＣに備えられている静電対策保護素子に一定電流を流してその静電対策保護素子のダイオード電圧を測定する。したがって、デバイスの特性をテストするにあたり、一般に備えられている静電対策保護素子を利用しており、テスト用に新たな素子を追加する必要をなくすことができる。それゆえ、デバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【０００９】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記の構成に加えて、２つの電流値での上記ダイオード電圧を測定することによって上記ＩＣの温度を求めることを特徴としている。
【００１０】
上記の構成により、２つの電流値での上記ダイオード電圧を測定することによって上記ＩＣの温度を求める。したがって、計算に必要な定数である飽和電流Ｉｓを求める過程を省略することができる。それゆえ、上記の構成による効果に加えて、デバイスの特性をいっそう簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００１１】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記の構成に加えて、上記デバイスが発熱する条件で、上記ＩＣの発熱部位付近の上記静電対策保護素子のダイオード電圧測定から上記ＩＣの温度を算出することを特徴としている。
【００１２】
上記の構成により、上記デバイスが発熱する条件で、上記ＩＣの発熱部位付近の上記静電対策保護素子のダイオード電圧測定から上記ＩＣの温度を算出する。したがって、上記の構成による効果に加えて、上記デバイスが発熱する条件でデバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００１３】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記の構成に加えて、上記温度測定を、上記デバイスのウェハテストにおいて行うことを特徴としている。
【００１４】
上記の構成により、上記温度測定を、上記デバイスのウェハテストにおいて行う。したがって、上記の構成による効果に加えて、デバイスのウェハテストにおいてデバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００１５】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記の構成に加えて、上記温度測定を、高温ウェハテスト時および低温ウェハテスト時の少なくとも一方において行うことを特徴としている。
【００１６】
上記の構成により、上記温度測定を、高温ウェハテスト時および低温ウェハテスト時の少なくとも一方において行う。したがって、上記の構成による効果に加えて、高温ウェハテスト時や低温ウェハテスト時においてデバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００１７】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記の構成に加えて、さらに、上記ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、上記ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出することを特徴としている。
【００１８】
上記の構成により、さらに、上記ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、上記ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出する。したがって、デバイスの特性をテストするにあたり、出力電流波形を容易に調べることができる。それゆえ、上記の構成による効果に加えて、デバイスの特性をいっそう簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００１９】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記の構成に加えて、上記ローパスフィルターは抵抗および容量から構成されていることを特徴としている。
【００２０】
上記の構成により、上記ローパスフィルターは抵抗および容量から構成されている。したがって、上記の構成による効果に加えて、構成を簡素化することができるという効果を奏する。
【００２１】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記の構成に加えて、上記電流電圧変換は抵抗により行い、その抵抗値より上記ローパスフィルターの抵抗値のほうが大きいことを特徴としている。
【００２２】
上記の構成により、上記電流電圧変換は抵抗により行い、その抵抗値より上記ローパスフィルターの抵抗値のほうが大きい。したがって、ローパスフィルターへ流れる電流値を減らすことができる。それゆえ、上記の構成による効果に加えて、電流波形測定の精度を上げることができるという効果を奏する。
【００２３】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、ＩＣを有するデバイスの特性をテストするデバイスのテスト方法において、上記ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、上記ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出することを特徴としている。
【００２４】
上記の構成により、上記ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、上記ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出する。したがって、デバイスの特性をテストするにあたり、出力電流波形を容易に調べることができる。それゆえ、デバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００２５】
また、本発明に係る電子機器は、ＩＣを有するデバイスを備えた電子機器において、上記いずれかのデバイスのテスト方法を用いたデバイスを備えたことを特徴としている。
【００２６】
上記の構成により、電子機器は、上記いずれかのデバイスのテスト方法を用いたデバイスを備えている。したがって、デバイスの特性をテストするにあたり、一般に備えられている静電対策保護素子を利用しており、テスト用に新たな素子を追加する必要をなくすことができる。あるいは、出力電流波形を容易に調べることができる。それゆえ、デバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【発明の効果】
【００２７】
以上のように、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記ＩＣに備えられている静電対策保護素子に一定電流を流してその静電対策保護素子のダイオード電圧を測定することによってＩＣの温度を求める構成である。
【００２８】
これにより、デバイスの特性をテストするにあたり、一般に備えられている静電対策保護素子を利用しており、テスト用に新たな素子を追加する必要をなくすことができる。それゆえ、デバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００２９】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記ＩＣからの出力電流を電圧に変換し、ローパスフィルターを用いることによってその電圧を平均化し、その平均化された電圧を測定することで、上記ＩＣに大電流を流したときの出力電流波形の異常を検出する構成である。
【００３０】
これにより、デバイスの特性をテストするにあたり、出力電流波形を容易に調べることができる。それゆえ、デバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【００３１】
また、本発明に係る電子機器は、上記いずれかのデバイスのテスト方法を用いたデバイスを備えた構成である。
【００３２】
これにより、デバイスの特性をテストするにあたり、一般に備えられている静電対策保護素子を利用しており、テスト用に新たな素子を追加する必要をなくすことができる。あるいは、出力電流波形を容易に調べることができる。それゆえ、デバイスの特性を簡易的にテストすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本形態は、ＬＥＤ駆動電流回路などを有し大電流をＩＣ内部に流れることによってＩＣが発熱するデバイスにおいて、発熱時のＩＣ温度の測定および電流波形の簡易的測定を行うようになっている。上記デバイスは例えば赤外線通信装置などの電子機器である。これにより、ウェハテスト工程においてそのＩＣ内部温度の測定とＬＥＤ駆動電流波形の簡易的測定を行うことができるようになっている。また、大電流をＩＣ内部に流す機器の高温および低温ウェハテスト工程において、ＩＣ内部温度の測定と電流値の簡易的測定を行うことができるようになっている。
【００３４】
前述の図１０に示す通り、ＩＣは、受信回路２１と、ＬＥＤ駆動電流発生部としての送信回路２２とを有している。
【００３５】
図１に示すように、一般的に、ＩＣにおいては、各端子と電源端子間および各端子とＧＮＤ端子間に静電対策保護素子Ｑ０１ないしＱ０７が使用されている。各静電対策保護素子は、ＧＮＤ（受信ＧＮＤ端子、送信ＧＮＤ端子）から各素子に向かう方向が順方向となるダイオードである。
【００３６】
Ｑ０１、Ｑ０２は送信回路２２付近に設けられている。Ｑ０３、Ｑ０４、Ｑ０５、Ｑ０６は受信出力端子や送信入力端子の付近に設けられている。Ｑ０７は受信ＧＮＤ端子の付近に設けられている。送信回路２２は上記のようにＬＥＤ駆動電流発生部であり、前述の通りＩＣ内部温度が上昇しやすいので、Ｑ０１やＱ０２はＩＣ発熱部位の付近に設けられた静電対策保護素子である。
【００３７】
このとき、図２に示すように、以下の式が成り立つ。すなわち、
ＶＢＣ＝ＫＢ・Ｔａ／ｑ×ｌｎ（Ｉ／Ｉｓ）                        （１）
（Ｔａ：ＩＣ内部温度、ＶＢＣ：静電対策保護素子のベース・コレクタ間電圧、ｑ：電子の電荷、ＫＢ：ボルツマン定数、Ｉ：静電対策保護素子に流す定電流、Ｉｓ：飽和電流）
である。したがって、デバイスの特性を測定する際、静電対策保護素子に一定電流を流し、静電対策保護素子のダイオード電圧であるベース・コレクタ間電圧を測定することによって、上記式（１）によりＩＣの温度を求めることができる。
【００３８】
例えば、ＩＣがＬＥＤ駆動電流などにより発熱していなければ、ＩＣの温度はウェハテスタの設定温度と等しくなっていると考えられるので、例えば設定温度が２５℃であるならば、Ｔａ＝２５℃を代入してＩｓを求めることができる。
【００３９】
ここでは例えば、Ｑ０１におけるベース・コレクタ間電圧を測定する。Ｑ０１は、ＩＣが発熱する場合にＩＣ内の最も発熱している付近の静電対策保護素子であり、Ｑ０１を温度測定に用いることで、ＩＣ内の最高温度を測定することができる。
【００４０】
また、上記式（１）より、以下の式のように、２つの電流値Ｉ１およびＩ２のときの電圧値Ｖ１およびＶ２を測定することによって、以下の式（２）により、ＩＣの内部温度を測定することができる。すなわち、
ΔＶＢＣ＝Ｖ１−Ｖ２＝ＫＢ・Ｔａ／ｑ×ｌｎ（Ｉ１／Ｉ２）          （２）
である。この場合、Ｉｓを求める必要がない。
【００４１】
このように、デバイス内のＩＣが発熱する条件で、発熱する素子付近の静電対策保護素子のダイオード電圧測定からＩＣの温度を算出することができ、それにより、ＩＣ内部の発熱する回路部の温度を測定することができる。
【００４２】
また、デバイス内のＩＣが発熱する条件だけでなく、一般に、静電対策保護素子のダイオード電圧測定からＩＣの温度を算出することができ、それにより、ＩＣ内部の温度を測定することができる。
【００４３】
上記のテストは、例えばウェハテスト工程で行うことができる。高温ウェハテストの例を図４に示す。ヒートチャック４２からウェハ４１に熱が加えられてウェハ４１を高温にする構造になっている。ヒートチャック４２はウェハテスト用ウェハステージである。テスト用プローブカード４３を使ってウェハ表面（回路生成領域）４１ａにテスト用プローブ４４を当てることによって、ウェハ表面４１ａに形成された回路から上述のようにして電圧値を測定する。
【００４４】
なお、低温ウェハテストの場合も同様であり、ヒートチャック４２によってウェハ４１を冷却する。
【００４５】
このように、ウェハテスト、具体的には高温ウェハテストおよび低温ウェハテストの時のＩＣ内部温度を測定し、各ウェハテストの際に温度が設定どおりになっているか確認することができる。なお、上記の温度測定はウェハテスト工程以外でも実施できる。例えば、静電対策保護素子があるＩＣを内蔵した製品のテスト工程においても、実施することができる。ただし、製品のテスト工程で本テストを行うためには、設備およびテスト時間がウェハテストより多くかかってしまうので、ウェハテスト工程で行った場合のほうが、本テストを容易に行える。
【００４６】
このように、高温・低温ウェハテストのときのＩＣの温度確認方法として、上述のように静電対策保護素子に一定電流を流してダイオード電圧を測定するようなやり方を採用することによって、新たな温度測定用トランジスタおよびテストパッド、配線を追加することがないので、ＩＣ面積を拡大せずに測定することが可能になる。
【００４７】
また、上述の通り、ＩＣ自体の発熱を、このようなウェハテスト工程でテストできる。ＩＣ自体が発熱する場合は、ヒートチャック４２および周囲大気によって放熱されるが、ＩＣの温度はＩＣの発熱によりヒートチャックの設定温度よりわずかに上昇する。
【００４８】
次に、ＬＥＤ駆動電流などの大電流をＩＣ内部に流す際の電流波形の測定について説明する。
【００４９】
図４に示すように、送信回路２２の出力部とＬＥＤとの間には電流電圧変換の抵抗としての抵抗Ｒ１１があり、Ｒ１１と上記出力部との間のＡ点に、ローパスフィルター５１の入力部が接続されている。より具体的には、図５に示すように、ローパスフィルター５１は、抵抗Ｒ２１と容量Ｃ２１とから構成されている。Ｂ点は、Ｒ２１とＣ２１との間の点であり、出力端子である。
【００５０】
ＡＣ的な電流波形をこのローパスフィルター５１に通すことによって、平均化されたＤＣ電圧値を得ることができる。この電圧値を測定することによって、簡易に電流波形を調べることができる。
【００５１】
上記測定方法は、例えば、ＩＣに大電流を流すとき等の電流波形測定の仕方として採用可能である。
【００５２】
ローパスフィルター５１は抵抗および容量から構成されているので、より簡易的な電流波形測定ができる。
【００５３】
電流電圧変換の抵抗Ｒ１１の抵抗値よりローパスフィルターのＲ２１の抵抗値を大きくしておけば、出力電流のうち、ローパスフィルター５１へ流れる電流値を減らせるので、電流波形測定の精度を上げることができる。
【００５４】
図６は、送信入力信号Ｓ１と、正常時のＡ点の電流Ｉａの波形とを示している。図７は、送信入力信号Ｓ１と、ＩＣ温度上昇などの原因による異常時のＡ点の電流Ｉａの波形とを示している。Ｓ１は、通常はロー（第１期間）であり、間隔をおいて、ハイとローとを繰り返す期間（第２期間）を有する矩形波である。なお、図６、図７中では、便宜上、第２期間は常にハイのように描いているが、実際には、以下の図８や図９のように、ハイとローとを繰り返している。図８および図９はそれぞれ、図６、図７の時間軸を伸ばしたもの、すなわち、図６、図７のＳ１およびＩａについて、第２期間のみを示したものであり、併せて、異常時のＢ点の電圧Ｖｂの波形も示している。ΔＶは、第１期間から第２期間になったときに起こるＶｂの電圧降下の量である。
【００５５】
このテスト方法により、電流波形が異常な波形になってＢ点の電圧値が上昇した場合、この異常な波形を検出することができる。
【００５６】
すなわち、図７（異常時）は、図６（正常時）と異なり、Ｉａは、一旦大きく下がった後、緩やかに上昇するのがわかる。この上昇後の電流値についてみると、異常時のほうが正常時より大きい。そして、Ｖｂは、Ｉａを電圧に変換してローパスフィルター５１で平均化したものであるので、一定時間後、すなわちＩａの緩やかな上昇が落ち着いた（完了した）後、言い換えればＶｂの電圧降下が落ち着いた後に、平均化された後のＶｂを測定することで、この電圧Ｖｂが所定の電圧以上であれば異常と判断できる。この所定の電圧はあらかじめ、図示しないウェハテスタ（ウェハテストを行う装置）に設定しておけばよい。この所定の電圧としては、図８に示す、正常時の上記一定時間後のＶｂを採用できる。
【００５７】
また、図８と図９との比較からわかるように、正常時と比べ、異常時には、Ｖｂはあまり下がらず、よってΔＶは正常時より異常時のほうが小さくなっている。したがって、正常時の上記一定時間後のΔＶをウェハテスタに設定しておき、測定によって得られたΔＶをそれと比較してもよい。
【００５８】
また、前述の温度測定法を併せて用いることによって、ＩＣ内部温度が何度になるとこの異常波形が発生するのかを知ることができる。例えば、ＩＣに大電流を流すことによってＩＣ内部温度が上昇するデバイスのウェハテスト工程において、そのＩＣ温度測定と大電流波形とを簡易にテストすることができる。すなわち、ＬＥＤ駆動電流波形の異常を検知し、異常時のＩＣの温度を求める。言い換えれば、ＩＣの温度とＬＥＤ駆動電流波形とを測定しながら、テスト用のＬＥＤ駆動電流を増加させることでＩＣの温度を上げていき、何度のときにＬＥＤ駆動電流波形が異常になるかを調べることができる。
【００５９】
以上述べたすべての測定（温度測定、電圧測定）は、動作があらかじめプログラムされたウェハテスタにて自動的に行える。すなわち、送信入力端子に入力する電流を変化させることで、テスト用のＬＥＤ駆動電流を増加させながら流す。また、定電流Ｉ（またはＩ１とＩ２）を流してＶＢＣを測定する。また、ＬＥＤ駆動電流の検知は、上述のようにローパスフィルター５１を用いてＤＣ的平均値として測定する。また、ウェハテスト用ウェハステージであるヒートチャック４２の温度を変化させることで、ＩＣの温度を変化（上昇・下降）させる。
【００６０】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【００６１】
なお、本発明に係るデバイスのテスト方法は、デバイスの特性をテストによって測定する際、静電対策保護素子に一定電流を流しダイオード電圧を測定することによって、ＩＣの温度を測定するように構成してもよい。
【００６２】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記構成において、２点の電流値でのダイオード電圧測定を行うことによってＩＣの温度を算出するように構成してもよい。
【００６３】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記構成において、ウェハテストで行うように構成してもよい。
【００６４】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記構成において、デバイスが発熱する条件で、発熱する素子付近の静電対策保護素子のダイオード電圧測定からＩＣの温度を算出するように構成してもよい。
【００６５】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記構成において、温度測定を高温ウェハテスト時および低温ウェハテスト時の温度の確認用に用いるように構成してもよい。
【００６６】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、ＩＣに大電流を流すときの電流波形測定の仕方として、ローパスフィルターを用いることによって平均値として測定するように構成してもよい。
【００６７】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記構成において、ローパスフィルターは抵抗および容量から構成するように構成してもよい。
【００６８】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記構成において、電流電圧変換の抵抗値よりローパスフィルターの抵抗値を大きくするように構成してもよい。
【００６９】
また、本発明に係るデバイスのテスト方法は、上記各構成を組み合わせるように構成してもよい。
【００７０】
また、本発明に係る赤外線通信装置および他の電子機器は、上記デバイスのテスト方法を用いたように構成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
ＬＥＤ駆動電流回路などを有する赤外線通信装置などの電子機器のような用途にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明に係るデバイスのテスト方法およびそれを用いた電子機器を行うための構成例を示すブロック図である。
【図２】ベース・コレクタ間電圧と静電対策保護素子に流す定電流との関係を示すグラフである。
【図３】温度測定の様子を示す図である。
【図４】Ａ点の電流を測定するための構成例を示すブロック図である。
【図５】Ａ点の電流を測定するための構成例を示すブロック図である。
【図６】正常時の各電流波形を示す図である。
【図７】異常時の各電流波形を示す図である。
【図８】正常時の各電流・電圧波形を示す図である。
【図９】異常時の各電流・電圧波形を示す図である。
【図１０】光送受信装置の構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００７３】
１１    赤外線通信装置（電子機器）
２１    受信回路
２２    送信回路
４１    ウェハ
４１ａ  ウェハ表面
４２    ヒートチャック
４３    テスト用プローブカード
４４    テスト用プローブ
５１    ローパスフィルター
Ｑ０１、Ｑ０２、Ｑ０３、Ｑ０４、Ｑ０５、Ｑ０６、Ｑ０７    静電対策保護素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006266749.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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