(57)【要約】【課題】  溶解性の異なる２つの膜を形成する際に、膜の抜け等の欠陥が生じ難い方法を提供する。【解決手段】  本発明のデバイスの製造方法は、第１膜１１０ａを形成する工程と、形成した第１膜１１０ａ上に第２膜１１０ｂを形成する工程とを有し、前記第２膜１１０ｂを形成する工程は、当該第２膜１１０ｂを構成する第２膜構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第１溶液を前記第１膜１１０ａ上に塗布する工程と、塗布した第１溶液を乾燥して仮塗膜を形成する工程と、前記仮塗膜上に、当該第２膜１１０ｂを構成する第２膜構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第２溶液を前記仮塗膜上に塗布する工程と、塗布した第２溶液を乾燥して本塗膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１膜を形成する工程と、
形成した第１膜上に第２膜を形成する工程とを有し、
前記第２膜を形成する工程は、当該第２膜を構成する第２膜構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第１溶液を前記第１膜上に塗布する工程と、塗布した第１溶液を乾燥して仮塗膜を形成する工程と、前記仮塗膜上に、当該第２膜を構成する第２膜構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第２溶液を前記仮塗膜上に塗布する工程と、塗布した第２溶液を乾燥して本塗膜を形成する工程と、を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１膜と前記第２膜は、一方が水溶性を示し、他方が油溶性を示すことを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１溶液と前記第２溶液は、同一の濃度であることを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１溶液は、前記第２膜の形成領域全面に塗布することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
正孔注入層を形成する工程と、
形成した正孔注入層上に発光層を形成する工程とを有し、
前記発光層を形成する工程は、当該発光層を構成する発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第１溶液を前記正孔注入層上に塗布する工程と、塗布した第１溶液を乾燥して仮塗膜を形成する工程と、前記仮塗膜上に、当該発光層を構成する発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第２溶液を前記仮塗膜上に塗布する工程と、塗布した第２溶液を乾燥して本塗膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記正孔注入層が水溶性を示し、前記発光層が油溶性を示すことを特徴とする請求項５に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１溶液と前記第２溶液は、同一の濃度であることを特徴とする請求項５又は６に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１溶液は、前記発光層の形成領域全面に塗布することを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記発光層は、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、それぞれ赤色画素、緑色画素、青色画素に形成されてなるものであって、
前記発光層を形成する工程において、前記仮塗膜を形成する工程では、前記第１溶液として青色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた青色発光層形成溶液を用いて、該青色発光層構成材料からなる仮塗膜を各色画素に対して形成した後、前記本塗膜を形成する工程では、前記第２溶液として、前記赤色画素に対しては赤色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた赤色発光層形成溶液を用いて、前記緑色画素に対しては緑色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた緑色発光層形成溶液を用いて、前記青色画素に対しては青色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた青色発光層形成溶液を用いて、各色発光層構成材料からなる本塗膜を各色画素に対して形成することを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１項に記載のＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項５ないし９のいずれか１項に記載の方法を用いて製造されたことを特徴とするＥＬ装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載のＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法、ＥＬ装置（エレクトロルミネッセンス装置）の製造方法、その製造方法により得られるＥＬ装置、及び該ＥＬ装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機又は無機のＥＬ材料（エレクトロルミネッセンス材料）をインク化し、このインクを基体上に吐出するインクジェット法により、ＥＬ装置を製造する技術が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このようなインクジェット法を用いて、マイクロオーダーの液滴を画素領域に配することにより、ＥＬ装置を製造することは、材料の利用効率を考えると、スピンコートなどの方法に比べて有効である。
【０００３】
一般的な有機ＥＬ素子の構造においては、ホール輸送層と電子輸送性発光層とが分けられて積層されている。ホール輸送層の形成は、水溶性のポリマー（ＰＥＤＯＴ）の水溶液を塗布して行い、その後、ホール輸送層上に有機溶媒溶解性（油溶性）の電子輸送性発光ポリマー溶液を塗布して、電子輸送性発光層を形成する。
【０００４】
しかしながら、水溶性のポリマーであるＰＥＤＯＴ層上に、有機溶媒溶解性の発光ポリマー溶液を塗布すると、発光ポリマー溶液の濡れ性が悪く、画素内部において濡れ広がらない箇所が発生し、点灯時において欠陥箇所となる（輝点／暗点）。
【０００５】
そのような問題を解決するために、例えば特許文献２では、発光ポリマー溶液の塗布前に溶液と同一の溶媒若しくは低濃度の発光ポリマー溶液を発光ポリマー溶液塗布前に、画素内全面に塗布し、それら液滴を呼び水とすることで、発光ポリマーを画素内に均一に塗布する方法が提案されている。また、特許文献３では、発光ポリマー溶液の塗布前に溶液と同一の溶媒をＰＥＤＯＴ上に塗布後乾燥し、ＰＥＤＯＴ膜表面の濡れ性を向上させる方法（膜表面の濡れ改質方法）が提案されている。
【特許文献１】特許第３３２８２９７号公報
【特許文献２】特開２００２−１２２７２７号公報
【特許文献３】特開２００３−１９７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献２に開示された方法では、画素内に均一に発光ポリマー溶液を塗布することは可能であるが、発光ポリマー溶液を乾燥させる際に、溶液量が減少するに伴いＰＥＤＯＴ層と発光ポリマー溶液との間で撥液が生じ、最終的に発光ポリマー膜に変換した際に濡れ広がっていない箇所（膜が存在しない箇所）が発生してしまう。つまり、特許文献２の方法では、溶液の濡れ広がりを促進できるが、溶媒を揮発する過程において濡れ広がらない（膜が存在しない箇所）箇所が撥液により発生し、膜とする際の欠陥を防ぐことは困難である。また、この手法では、先行して発光ポリマー溶液溶媒若しくは低濃度発光ポリマー溶液を塗布するために、後から塗布する発光ポリマー溶液は高濃度の溶液となり、溶液として発光ポリマーが溶解しない若しくは高濃度（高粘度）であるがために吐出不良（ノズル詰まり、飛行曲がり、サテライト）を発光させ、製品に欠陥を発生させる。
【０００７】
さらに、上記特許文献３では、発光ポリマー溶液と同一の溶媒を塗布後乾燥させ、その後、発光ポリマー溶液を塗布した場合においても、ＰＥＤＯＴ膜上の発光ポリマー溶液の濡れ性は改善されず、画素内部において濡れ広がらない箇所が生じる。また、濡れ広がっても、乾燥時における溶液量が減少するに伴いＰＥＤＯＴ層と発光ポリマー溶液との間で撥液性が生じ、最終的に発光ポリマー膜に変換した際に濡れ広がっていない箇所（膜が発生していない箇所）が発生してしまう。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、ＥＬ装置に限らず電子デバイス全般において、溶解性の異なる２つの膜を形成する際に、膜の抜け等の欠陥が生じ難い方法を提供することを目的としている。同様に、溶解性の異なる２つの膜を好適に形成することができ、信頼性の高いＥＬ装置を製造することが可能なＥＬ装置の製造方法と、該製造方法により製造されたＥＬ装置と、さらには該ＥＬ装置を備えた電子機器とを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明のデバイスの製造方法は、第１膜を形成する工程と、形成した第１膜上に第２膜を形成する工程とを有し、前記第２膜を形成する工程は、当該第２膜を構成する第２膜構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第１溶液を前記第１膜上に塗布する工程と、塗布した第１溶液を乾燥して仮塗膜を形成する工程と、前記仮塗膜上に、当該第２膜を構成する第２膜構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第２溶液を前記仮塗膜上に塗布する工程と、塗布した第２溶液を乾燥して本塗膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
このような製造方法によると、膜形成時に塗布むらが生じ難く、膜厚むらや膜抜け（膜が部分的に形成されていないこと）等の欠陥が少ない第２膜を形成することができ、ひいては信頼性の高いデバイスを提供することが可能となる。特に第１膜と第２膜の物性が異なる場合、具体的には第１膜と第２膜の溶解性がそれぞれ異なる場合（例えば第１膜が水溶性で第２膜が油溶性）にも、第２膜形成時において塗布むらが生じ難く、膜厚むらや膜抜けの発生を防止ないし抑制できるものとなる。つまり、第１溶液により仮塗膜を形成した後、第２溶液により本塗膜を形成することで、仮塗膜により第１膜が覆われた状態（仮塗膜には膜厚むらや膜抜けがあっても良い）で第２溶液を用いて本塗膜を形成することとしているため、第２膜には欠陥が殆ど発生しないのである。具体的には、第２溶液の塗布工程では、仮塗膜の全面に対して当該第２溶液が好適に濡れ広がり、その後の乾燥工程では、第１膜上に仮塗膜が残っていることに起因して乾燥過程において膜厚むらや膜抜け等が発生し難いものとなる。なお、第２膜の形成工程は、仮塗膜と本塗膜の形成工程を含むが、これらは２段階で行うものに限ることなく、例えば仮塗膜を２段階ないし複数段階で形成するものとし、最後に本塗膜の形成を行うものとしても良い。
【００１１】
前記第１溶液は、前記第２膜の形成領域全面に塗布することが好ましい。このように第１溶液を第２膜の形成領域全面に塗布した場合、第２膜を形成する領域において第１膜の表面が漏れなく改質され、第２溶液の塗布工程時の濡れ広がり性、及び第２溶液の乾燥工程時の塗膜欠陥（膜厚むらや膜抜け等）の発生防止を確実に行うことができるようになる。
【００１２】
前記第１溶液と前記第２溶液は同一の濃度であることが好ましい。この場合、第１溶液と第２溶液とで同一の塗布装置により当該塗布工程を行うことができ、つまり塗布装置を複数台用意する必要がなくなり経済的となる。
【００１３】
なお、本発明に言うデバイスは、少なくとも第１膜と第２膜とを積層して有するもので、配線基板、半導体装置、液晶装置、ＥＬ装置等、その他の電子部品、電気光学装置全般を言うものである。
【００１４】
次に、上記課題を解決するために、本発明のＥＬ装置の製造方法は、正孔注入層を形成する工程と、形成した正孔注入層上に発光層を形成する工程とを有し、前記発光層を形成する工程は、当該発光層を構成する発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第１溶液を前記正孔注入層上に塗布する工程と、塗布した第１溶液を乾燥して仮塗膜を形成する工程と、前記仮塗膜上に、当該発光層を構成する発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた第２溶液を前記仮塗膜上に塗布する工程と、塗布した第２溶液を乾燥して本塗膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１５】
このような製造方法によると、膜形成時に塗布むらが生じ難く、膜厚むらや膜抜け（膜が部分的に形成されていないこと）等の欠陥が少ない発光層を形成することができ、ひいては発光むら等が生じ難い発光特性の良好なＥＬ装置を提供することが可能となる。特に正孔注入層と発光層の物性が異なる場合、具体的には正孔注入層と発光層の溶解性がそれぞれ異なる場合（例えば正孔注入層が水溶性で発光層が油溶性）にも、発光層形成時において塗布むらが生じ難く、膜厚むらや膜抜けの発生を防止ないし抑制できるものとなる。つまり、第１溶液により仮塗膜を形成した後、第２溶液により本塗膜を形成することで、仮塗膜により正孔注入層が覆われた状態（仮塗膜には膜厚むらや膜抜けがあっても良い）で第２溶液を用いて本塗膜を形成することとしているため、発光層には欠陥が殆ど発生しないのである。具体的には、第２溶液の塗布工程では、仮塗膜の全面に対して当該第２溶液が好適に濡れ広がり、その後の乾燥工程では、正孔注入層上に仮塗膜が残っていることに起因して乾燥過程において膜厚むらや膜抜け等が発生し難いものとなる。
【００１６】
前記第１溶液は、前記発光層の形成領域全面に塗布することが好ましい。このように第１溶液を発光層の形成領域全面に塗布した場合、発光層を形成する領域において正孔注入層の表面が漏れなく改質され、第２溶液の塗布工程時の濡れ広がり性、及び第２溶液の乾燥工程時の塗膜欠陥（膜厚むらや膜抜け等）の発生防止を確実に行うことができるようになる。
【００１７】
前記第１溶液と前記第２溶液は同一の濃度であることが好ましい。この場合、第１溶液と第２溶液とで同一の塗布装置により当該塗布工程を行うことができ、つまり塗布装置を複数台用意する必要がなくなり経済的となる。
【００１８】
また、前記発光層は、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層が、それぞれ赤色画素、緑色画素、青色画素に形成されてなるものであって、前記発光層を形成する工程において、前記仮塗膜を形成する工程では、前記第１溶液として青色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた青色発光層形成溶液を用いて、該青色発光層構成材料からなる仮塗膜を各色画素に対して形成した後、前記本塗膜を形成する工程では、前記第２溶液として、前記赤色画素に対しては赤色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた赤色発光層形成溶液を用いて、前記緑色画素に対しては緑色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた緑色発光層形成溶液を用いて、前記青色画素に対しては青色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた青色発光層形成溶液を用いて、各色発光層からなる本塗膜を各色画素に対して形成することができる。
【００１９】
このような方法によると、青色発光層が仮塗膜として各色画素に形成されるが、該青色発光層は、より高波長の色である赤色、緑色の画素においては当該色に吸収されるため、青色の仮塗膜の影響で赤色画素や緑色画素において混色を生じることがない。その上、青色発光層の仮塗膜が、上述した通り各色の本塗膜の形成時に濡れ広がり性向上や塗膜欠陥防止に寄与することとなり、ひいては発光特性に優れたＥＬ装置を好適に製造することが可能となる。
【００２０】
次に、上記課題を解決するために、本発明のＥＬ装置は、上記方法を用いて製造されたことを特徴とする。このようなＥＬ装置は、発光むら等が生じ難く、発光特性が優れたものとなる。また、本発明の電子機器は、上記ＥＬ装置を備えることを特徴とする。このようなＥＬ装置を例えば表示部に具備した電子機器は、表示特性に優れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、本実施の形態では、本発明に係る製造方法により製造されるＥＬ装置の一例として有機ＥＬ装置の構成について説明した後、その製造方法を説明するものとする。また、本実施の形態では、各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２２】
（ＥＬ装置）
図１は、本発明に係る製造方法により製造された有機ＥＬ装置について、その配線構造を示す説明図であって、図２は、該有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は、該有機ＥＬ装置の表示領域の断面模式図である。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に対して並列する方向に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素領域Ｐが設けられている。
【００２４】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（陽極）１１１と、この画素電極１１１と対向電極（陰極）１２との間に挟み込まれた有機ＥＬ層１１０とが設けられている。画素電極１１１と対向電極１２と有機ＥＬ層１１０により、発光素子が構成されている。
【００２５】
走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に有機ＥＬ層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。有機ＥＬ層１１０では、流れる電流量に応じて発光が生じる。
【００２６】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図３に示すように、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。ここで、発光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成される。
基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、図２に示すように、基板２の中央に位置する表示領域２ａと、基板２の周縁に位置して表示領域２ａを囲む非表示領域２ｃとに区画されている。なお、表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域であり。
【００２７】
また、非表示領域２ｃには、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。更に、走査側駆動回路１０５、１０５の両側には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。表示領域２ａの図示上側には製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行う検査回路１０６が配置されている。
【００２８】
図３の断面構成図には、３つの画素領域Ａが図示されている。本実施形態の有機ＥＬ装置では、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、有機ＥＬ層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次積層されて構成されており、有機ＥＬ層１１０から基板２側に発せられた光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機ＥＬ層１１０から基板２の反対側に発せられた光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。なお、上記陰極１２として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを挙げることができる。
【００２９】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度リンイオン打ち込みにより形成されている。前記リンイオンが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００３０】
また、前記下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００３１】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
【００３２】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０と、各画素電極１１１及び有機ＥＬ層１１０の間に備えられて各有機ＥＬ層１１０を区画するバンク（隔壁）部１１２とを主体として構成されている。有機ＥＬ層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、有機ＥＬ層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターン形成されている。この各画素電極１１１…を仕切る形にてバンク部１１２が備えられている。
【００３３】
バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する第１隔壁部としての無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する第２隔壁部としての有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層された構成を備えている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２等により形成され、有機物バンク層１１２ｂは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等により形成される。
【００３４】
無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗り上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが部分的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂの縁端よりも画素電極１１１の中央側に更に突出するように形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部（突出部）１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００３５】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより間口が広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜した形状となる。このようにして、バンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通された開口部１１２ｇが形成されている。
【００３６】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面であり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、テトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００３７】
有機ＥＬ層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層（第１膜、若しくは正孔注入層）１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層（第２膜）１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、発光層１１０ｂに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入／輸送層１１０ａ内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が再結合し、発光が行われる。
【００３８】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極１１１上に形成されている。また、発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に形成されており、その厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３の３種類を有し、図２に示したように、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。そして、図３に示すように、赤色発光層１１０ｂ１は赤色画素ＡＲを、緑色発光層１１０ｂ２は緑色画素ＡＧを、青色発光層１１０ｂ３は青色画素ＡＢを構成している。
【００３９】
なお、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂを形成する材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。このような材料の採用により、正孔注入／輸送層１１０ａは水溶性（親水性）を示す一方、発光層１１０ｂは油溶性（疎水性）を示すこととなる。
【００４０】
陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって有機ＥＬ層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。
【００４１】
また、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００４２】
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００４３】
図３に示す発光素子部１１上には、実際の有機ＥＬ装置では封止部が備えられる。この封止部は、例えば基板２の周囲に環状に封止樹脂を塗布し、さらに封止缶により封止することにより形成することができる。前記封止樹脂は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止部は、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する目的で設けられる。また、前記封止缶の内側には水、酸素等を吸収するゲッター剤を設け、封止缶の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００４４】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）バンク部形成工程、（２）バンク部表面処理工程（撥液化工程）、（３）正孔注入／輸送層形成工程、（４）発光層形成工程、（５）陰極形成工程及び（６）封止工程等を有する。
なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。また、（３）正孔注入／輸送層形成工程、（４）発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法（インクジェット法）を用いて行われる。
【００４５】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定位置に図４に示すようなバンク部１１２を形成する。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造を有している。なお、基板２には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１２３及びこれに接続された画素電極１１１を予め形成しておくものとする。
【００４６】
（１）−１  無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図４に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４７】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部（下部開口部１１２ｃ）を有する形にて形成される。なお、このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と一部重なるように形成され、これにより有機ＥＬ層１１０の平面的な発光領域が制御される。
【００４８】
（１）−２  有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
具体的には、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。
【００４９】
上部開口部１１２ｄは、図４に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは断面形状がテーパー状をなすことが好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最底面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００５０】
また、有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂの合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを超えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５１】
（２）バンク部表面処理工程
さらに、形成されたバンク部１１２、及び画素電極１１１の表面は、プラズマ処理により適切な表面処理が施される。具体的には、バンク部１１２表面の撥液化処理、及び画素電極１１１の親液化処理を行う。
【００５２】
まず、画素電極１１１の表面処理は、酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、画素電極１１１表面を含む領域を親液化することができる。また、このＯ２プラズマ処理により画素電極１１１表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。
【００５３】
次いで、バンク部１１２の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、テトラフルオロメタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、バンク部１１２の上部開口部１１２ｄ及び上面１１２ｆを撥液化することができる。
【００５４】
（３）正孔注入／輸送層形成工程
次に、発光素子を形成するために、まず画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。本実施の形態の正孔注入／輸送層形成工程では、インクジェット法を採用しているが、スピンコート法等、その他の液相による塗布法を採用することができる。
【００５５】
上述した通り、正孔注入／輸送層形成工程ではインクジェット法により、つまり液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を画素電極１１１上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。本工程で用いる液状組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００５６】
より具体的な組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。なお、上記液状組成物の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、特に４ｍＰａ・ｓ〜１５ｍＰａ・ｓ程度が良い。
【００５７】
吐出された組成物の液滴１１０ｃは、図５に示すように、親液処理された画素電極１１１上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、弾かれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００５８】
画素電極１１１上に吐出する組成物の量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、液状組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、液状組成物の液滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の画素電極１１１上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物を変えても良い。更に電極１１１の同一箇所のみならず、各回毎に電極１１１内の異なる箇所に前記液状組成物を吐出しても良い。
【００５９】
次に、図６に示すような乾燥工程を行う。つまり、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、液状組成物に含まれる溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図６に示すように、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。
【００６０】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度にして行う。圧力が低すぎると組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中で２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６１】
上記の正孔注入／輸送層形成工程では、吐出された組成物の液滴１１０ｃが、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる一方で、撥液処理された有機物バンク層１１２ｂで液状組成物がはじかれて下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。これにより、吐出した組成物の液滴１１０ｃを必ず下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填することができ、電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成することができる。
【００６２】
（４）発光層形成工程
発光層形成工程は、発光層形成材料塗布工程及び乾燥工程とからなる。
ここでは、発光層形成材料塗布工程に先立って、上述したバンク部表面処理工程と同様に、図６に示すように形成された正孔注入／輸送層１１０ａの表面を酸素プラズマ処理により親液化する一方、周縁部１１０ａ２及びバンク部１１２表面についてはＣＦ４プラズマ処理により撥液化するものとしている。そして、表面処理工程後、前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【００６３】
ここで、本実施の形態では、発光層１１０ｂを形成するために２段階の成膜工程を施すものとしている。つまり、第１段階として正孔注入／輸送層１１０ａ上に仮塗膜を形成した後、第２段階として当該仮塗膜上に液状組成物を塗布して本塗膜を形成する手法を採用している。以下、各段階の工程について説明する。なお、本実施の形態では、仮塗膜の形成と本塗膜の形成の２段階を行うが、例えば仮塗膜を２段階ないし複数段階で形成するものとし、最後に本塗膜の形成を行うものとして、当該発光層１１０ｂを３段階以上の工程により形成するものとしても良い。
【００６４】
（４）−１  仮塗膜形成工程
図７に、仮塗膜形成工程におけるインクジェット法による発光層形成用材料を含む液状組成物（仮塗膜形成用液状組成物）の塗布工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する液状組成物（仮塗膜形成用液状組成物）が吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら仮塗膜形成用液状組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液が吐出ノズルから吐出され、仮塗膜形成用液状組成物の液滴を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００６５】
本実施形態では、上記青色画素ＡＢに対して青色発光層形成材料を含む仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１を配置した後、他の発光層用の仮塗膜形成用液状組成物１１０ｆ１，１１０ｇ１の吐出を行う。
つまり、図８に示すように、基板２上に滴下された青色画素ＡＢ用の仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１を乾燥させることなく、緑色画素ＡＧ用の液状組成物１１０ｆ１及び赤色画素ＡＲ用の液状組成物１１０ｇ１の吐出配置を行うようになっている。このように各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに対して仮塗膜を形成するための液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の滴下を行うに際しては、各色用の液状組成物をそれぞれ充填した複数の吐出ヘッドを、それぞれ独立に走査して基板２上への液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の配置を行ってもよく、前記複数の吐出ヘッドを一体的に走査することにより、ほぼ同時に液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の配置を行うようにしてもよい。
【００６６】
図８に示すように、吐出された各液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１は、正孔注入／輸送層１１０ａ上の全面に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１が所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１で濡れることがなく、液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００６７】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する液状組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、液状組成物中の発光層材料の濃度、仮塗膜形成時と本塗膜形成時との間の発光層材料の振り分け比率等により決定される。また、液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１は１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に液状組成物を吐出配置しても良い。
【００６８】
発光層形成材料としては、ポリフルオレン系高分子誘導体や、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、あるいは上記高分子に有機ＥＬ材料をドープして用いる事ができる。例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープすることにより用いることができる。そして、これら発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒は、各色毎に同じ種類のもの、具体的にはトリメチルベンゼンとフルオロベンゼン（フッ素基含有溶媒）との混合溶媒（トリメチルベンゼン：フルオロベンゼン＝３：７（体積比））を用いた。
【００６９】
次に、上記各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢの仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１を所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３が正孔注入／輸送層１１０ａ上の全面に形成される。すなわち、乾燥により液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１に含まれる溶媒が蒸発し、図９に示すような赤色（Ｒ）仮塗膜１１０ｄ１、緑色（Ｇ）仮塗膜１１０ｄ２、青色（Ｂ）仮塗膜１１０ｄ３が形成される。
【００７０】
また、各仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、仮塗膜形成材料（すなわち発光層形成材料）が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
【００７１】
（４）−２  本塗膜形成工程
次に、形成した仮塗膜１１０ｄ上に本塗膜形成用液状組成物を塗布した後、これを乾燥することで本塗膜を形成し、最終的に発光層を得る。図１０に、本塗膜形成工程におけるインクジェット法による発光層形成用材料を含む液状組成物（本塗膜形成用液状組成物）の塗布工程を示す。図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する液状組成物（本塗膜形成用液状組成物）が吐出される。吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する仮塗膜１１０ｄに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら本塗膜形成用液状組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液が吐出ノズルから吐出され、本塗膜形成用液状組成物の液滴を仮塗膜１１０ｄ上に吐出する。なお、ここでは本塗膜形成用液状組成物と仮塗膜形成用液状組成物とは、同一組成物が同一濃度からなるもので、色毎に同じ吐出ノズルから吐出されるものである。
【００７２】
本実施形態では、上記青色画素ＡＢに対して青色発光層形成材料を含む本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１を配置した後、他の発光層用の本塗膜形成用液状組成物１１０ｆ１，１１０ｇ１の吐出を順次行うものとしている。
つまり、図１１に示すように、仮塗膜１１０ｄ３上に滴下された青色画素ＡＢ用の本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２を乾燥させることなく、緑色画素ＡＧ用の液状組成物１１０ｆ２及び赤色画素ＡＲ用の液状組成物１１０ｇ２の吐出配置を行うようになっている。このように各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに対して本塗膜を形成するための液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２の滴下を行うに際しては、各色用の液状組成物をそれぞれ充填した複数の吐出ヘッドを、それぞれ独立に走査して基板２上への液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２の配置を行ってもよく、前記複数の吐出ヘッドを一体的に走査することにより、ほぼ同時に液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２の配置を行うようにしてもよい。
【００７３】
図１１に示すように、吐出された各液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２は、仮塗膜１１０ｄ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２が所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても、上面１１２ｆが液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２で濡れることがなく、液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２が下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。
【００７４】
各仮塗膜１１０ｄ上に吐出する液状組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、液状組成物中の発光層材料の濃度、仮塗膜形成時と本塗膜形成時との間の発光層形成材料の振り分け比率等により決定される。ただし、本実施形態では、仮塗膜と本塗膜とで、その液状組成物を同一組成及び同一濃度で構成するものとしているため、その液量は形成する仮塗膜及び本塗膜の膜厚で決定される。
【００７５】
次に、上記各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢの本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２を所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより、図１２に示すように発光層１１０ｂが形成される。すなわち、乾燥により液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２に含まれる溶媒が蒸発し、図１２に示すような各色発光層１１０ｂ１，１１０ｂ２，１１０ｂ３が形成される。
【００７６】
なお、各本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２の乾燥は、真空乾燥により行うことが好ましく、具体例を挙げるならば、窒素雰囲気中、室温で圧力を１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度とした条件により行うことができる。圧力が低すぎると液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２が突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、本塗膜形成材料（すなわち発光層形成材料）が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。
【００７７】
次いで、上記真空乾燥が終了したならば、ホットプレート等の加熱手段を用いて発光層１１０ｂのアニール処理を行うことが好ましい。このアニール処理は、各有機ＥＬ層の発光特性を最大限に引き出せる共通の温度と時間で行う。このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００７８】
ここで、本実施形態の発光層形成工程では、当該発光層１１０ｂを構成する発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた仮塗膜形成用の液状組成物（第１溶液）１１０ｅ１〜１１０ｇ１を正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布し、該塗布した液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１を乾燥することで仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３を形成した後、該仮塗膜１１０ｄ１〜１１０ｄ３上に、当該発光層１１０ｂを構成する発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた本塗膜形成用の液状組成物（第２溶液）１１０ｅ２〜１１０ｇ２を仮塗膜１１０ｄ（１１０ｄ３〜１１０ｄ１）上に塗布し、これを乾燥して本塗膜（すなわち発光層１１０ｂ）を形成するものとしている。このような方法の採用により、発光層１１０ｂにおいて膜厚むらが生じたり、膜が部分的に形成されない等の欠陥が生じ難くなり、ひいては発光むら等が生じ難い発光特性の良好な有機ＥＬ装置を提供することが可能となる。
【００７９】
特に本実施形態では正孔注入／輸送層１１０ａが水溶性で、発光層１１０ｂが油溶性を示すものであるにも拘らず、本塗膜形成用液状組成物の塗布時において塗布むらが生じ難く、最終的に膜厚むらや膜抜けの発生を防止ないし抑制できるものとなる。つまり、仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１により仮塗膜１１０ｄを形成した後、本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２により本塗膜（発光層）１１０ｂを形成することで、仮塗膜１１１０ｄにより正孔注入／輸送層１１０ａが覆われた状態（仮塗膜１１０ｄには膜厚むらや膜抜けがあっても良い）で本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２を用いて本塗膜（発光層）１１０ｂを形成することとしているため、当該発光層１１０ｂには欠陥が殆ど発生しないのである。具体的には、本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２の塗布工程では、仮塗膜１１０ｄ上全面に対して当該本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２が好適に濡れ広がり、その後の乾燥工程では、正孔注入／輸送層１１０ａ上に仮塗膜１１０ｄが残っていることに起因して乾燥過程において膜厚むらや膜抜け等が発生し難いものとなる。
【００８０】
（５）陰極形成工程
次に、図１３に示すように、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂを含む基板２上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００８１】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００８２】
（６）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子が形成された基板２と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００８３】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置が完成する。
【００８４】
以上のような製造方法によると、形成される発光層１１０ｂにおいて膜厚むらが少なく、膜の一部が抜ける等の不具合が少ない有機ＥＬ装置を提供でき、ひいては当該有機ＥＬ装置の発光特性を高めることが可能となる。
【００８５】
なお、本実施形態では、赤色画素ＡＲ、緑色画素ＡＧ、青色画素ＡＢに対して、それぞれ赤色仮塗膜１１０ｄ１、緑色仮塗膜１１０ｄ２、青色仮塗膜１１０ｄ３を形成するものとしたが、全画素に対して共通の仮塗膜１１０ｄを形成するものとしても良い。具体的には、各画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに対して青色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた仮塗膜形成用液状組成物を用いて、該青色発光層形成材料からなる仮塗膜１１０ｄを各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに対して形成する。そして、その後、赤色画素ＡＲに対しては赤色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた本塗膜形成用液状組成物を用いて、緑色画素ＡＧに対しては緑色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた本塗膜形成用液状組成物を用いて、青色画素ＡＢに対しては青色発光層構成材料を溶媒に溶解ないし分散させた本塗膜形成用液状組成物を用いて、各色発光層構成材料からなる本塗膜（発光層）１１０ｂを各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに対して形成することができる。
【００８６】
このような方法によると、青色発光層が仮塗膜１１０ｄとして各色画素ＡＲ，ＡＧ，ＡＢに形成されるが、該青色発光層は、より高波長の色である赤色、緑色の画素ＡＲ，ＡＧにおいては当該色に吸収されるため、青色の仮塗膜１１０ｄの影響で赤色画素ＡＲや緑色画素ＡＧにおいて混色を生じることはない。その上、全画素共通に青色発光層の仮塗膜１１０ｄを形成することで、製造効率が格段に向上するとともに、上述した通り各色の本塗膜（発光層）１１０ｂの形成時に濡れ広がり性向上や塗膜欠陥防止に寄与することができ、ひいては発光特性に優れた有機ＥＬ装置を好適に製造することが可能となる。
【００８７】
また、図１４に示すように、正孔注入／輸送層１１０ａ上に電子ブロック層１１３を形成した場合にも、上記同様の本発明に係る方法を採用することができる。このような方法の採用により、電子ブロック層１１３上に形成される発光層１１０ｂの膜厚が均一となるとともに、当該発光層１１ｂにおける膜の抜けが殆ど生じないものとなる。
【００８８】
また、本実施形態では、仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の濃度を本塗膜形成用液状組成物１１０ｅ２〜１１０ｇ２の濃度と同一のものとしたが、これらを異ならせ、例えば仮塗膜形成用液状組成物１１０ｅ１〜１１０ｇ１の濃度を相対的に小さくすることができる。
【００８９】
さらに、本実施形態では有機ＥＬ装置を例に説明したが、上述の製造方法を無機ＥＬ装置の製造時に採用できることは言うまでもない。或いは、第１の膜と第２の膜とを積層してなる構造を有する半導体装置、その他のデバイスにおいて、第２の膜を２段階以上に分けて形成することで、該第２の膜の膜厚均一化、膜の抜け等の不良発生防止を実現することが可能となる。
【００９０】
（電子機器）
図１５は、本発明の方法により製造された有機ＥＬ装置を具備した電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した方法により製造された有機ＥＬ装置を表示手段として備えている。ここでは、携帯電話の一例を斜視図で示しており、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置を用いた表示部を示している。このように有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器では、良好な表示特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明に係る方法により製造された有機ＥＬ装置の回路図。
【図２】同、平面構成図。
【図３】同、表示領域の断面構成図。
【図４】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図５】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図６】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図７】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図８】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図９】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１０】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１１】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１２】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１３】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１４】有機ＥＬ装置の一変形例を模式的に示す断面構成図。
【図１５】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００９２】
２…基板、１１０…有機ＥＬ層、１１０ａ…正孔注入／輸送層（正孔注入層，第１膜）、１１０ｂ…発光層（第２膜）、１１１…画素電極、１１２…バンク部（隔壁部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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