(57)【要約】【課題】形状を良好にして記録マークを形成すると共に、高温保存による記録膜の再結晶化による記録マーク前端の変動を抑制するようにした光記録媒体への情報記録方法。【解決手段】相変化型の光記録媒体の記録層を照射するレーザビームの記録波長をλ、レーザビーム照射のための対物レンズの開口数をＮＡ、前記対物レンズと前記光記録媒体との相対速度をＬｖ、先頭ライトパルス直後に挿入されるクーリングパルスのパルス時間Ｔcool、先頭ライトパルス時間Ｔtopを、０．１６≦（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）≦０．３０、且つ、０．０６≦（Ｌｖ×Ｔtop）／（λ／ＮＡ）≦０．１４とする光記録媒体への情報記録方法。【選択図】図４
2006309855.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを、少なくとも記録パワーの先頭ライトパルス及びほぼ基底パワーの最後尾クーリングパルスを含むパルス列となるようにパルス変調して、相変化型の光記録媒体の記録層に照射することにより、記録データを、前記記録層のトラックに沿った記録マークの長さに変調し、且つ、記録マークの長さを、記録チャンネルクロック周期をＴとしたときに、前記記録データの時間長であるＴの整数倍ｎＴに対応させて記録する光記録媒体への情報記録方法であって、
前記先頭ライトパルスと最後尾クーリングパルスとの間に、ほぼ基底パワーのクーリングパルス及び記録パワーのライトパルスを１組として、少なくとも１組を挿入し、
前記レーザビームの記録波長をλ、前記レーザビーム照射のための対物レンズの開口数をＮＡ、前記対物レンズと前記光記録媒体との相対速度Ｌｖ、前記先頭ライトパルス直後に挿入されるクーリングパルスのパルス時間Ｔcool、先頭ライトパルス時間Ｔtopを、０．１６≦（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）≦０．３０、且つ、０．０６≦（Ｌｖ×Ｔtop）／（λ／ＮＡ）≦０．１４とすることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
【請求項２】
請求項１において、
記録チャンネルクロック周期をＴとしたときに、前記記録データの時間長が、（２ｎ＋１）Ｔ及び２ｎＴのいずれの場合でも、前記記録データの時間長が、２Ｔ分増加する毎に、前記クーリングパルス及びライトパルスのそれぞれ１つからなる１組を追加挿入することを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
【請求項３】
前記光記録媒体が、複数の記録層を有する多層光記録媒体であって、光入射面側から最も遠い記録層以外の記録層に記録する際に、前記請求項１又は２に記載の方法を用いることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、相変化型の光記録媒体への情報記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ（Ｄigital  Ｖersatile  Ｄisc）等の光記録媒体においては、記録データを記録層のトラックに沿った記録マークの長さに変調し、且つ、記録マークの長さは、記録チャンネルクロック周期をＴとしたときに、記録データの時間長（Ｔの整数倍ｎＴ）に対応させて記録するようにしている。例えば、ＣＤ−ＲＷ（Ｃompact  Ｄisc  Ｒewritable）においては、ＥＦＭ変調方式が用いられ、記録すべきデータを、３Ｔ〜１１Ｔのいずれかの長さの記録マークに変調して記録するようにしている。
【０００３】
上記のような光記録媒体においては、記録層として相変化膜が用いられることが多く、この場合、記録マークの部分は相変化膜がアモルファス状態とされ、各記録マーク間には、結晶状態のスペース部が作成される。
【０００４】
前記アモルファス状態の記録マーク部は、レーザビームで結晶部分を溶融した後、急冷することで作成され、結晶状態の部分は、相変化膜の結晶化温度以上で一定時間以上保持するようにレーザビームを照射することによって作成される。
【０００５】
前記アモルファス状態とする場合には、記録パワーのライトパルスとほぼ基底パワーのクーリングパルスからなるパルス列のレーザビームを照射し、相変化膜を溶融・急冷化する。又、結晶状態とするには、消去パワーレベルのレーザビームを照射する。光記録媒体への情報記録方法として、高密度化に対応できるマークエッジ記録方式が知られていて、このマークエッジ記録方式により相変化型光記録媒体に情報を記録する場合、記録チャンネルクロック周期Ｔに対して０．５Ｔのパルス幅を有するライトパルス及びクーリングパルスを用いている。
【０００６】
この場合、記録データの時間長が１Ｔ増加する毎に１組のライトパルスとクーリングパルスとを加えるようにしている。このようなマルチパルスの記録波形は、異なる時間長の記録データを、常に一定の加熱冷却条件で記録できるので、記録データの時間長に依存したエッジシフトが低減される。又、このような記録波形で高速記録を行なう場合、記録波形はそのままで、記録チャンネルクロックを２倍、４倍というように記録線速度と同倍率で高周波化している。
【０００７】
しかしながら、高速記録を行なう場合、記録波形はそのままで、記録チャンネルクロックを２倍、４倍というように高周波化すると、ライトパルス及びクーリングパルスの幅が非常に小さくなり、記録膜の相変化に必要な到達温度と冷却速度を得ることが困難となり、このため記録マークの形成が不十分となって、正確なマーク長の記録マークが得られないという問題点があった。
【０００８】
又、高速記録を行なう場合、半導体レーザ駆動回路の立上り時間、立下り時間が記録チャンネルクロックに対して大きくなると、例えば９Ｔの記録マークを記録するときに、記録波形になまりが生じるので、相変化型光記録媒体は十分な加熱及び冷却が困難となり、記録マークが短くなってしまうという問題点が生じる。
【０００９】
これに対して、特許文献１記載の発明では、記録レーザ光をマルチパルス光として記録マークを形成し、このマルチパルスは、少なくとも、先頭ライトパルスと最後尾クーリングパルスとを含み、記録データの時間長の増加に応じて先頭ライトパルスと最後尾クーリングパルスとの間にクーリングパルス及びライトパルスを挿入するものである。
【００１０】
前記挿入されるクーリングパルス及びライトパルスの組は、記録データの時間長ｎＴにおけるｎが奇数の場合と偶数の場合のそれぞれにおいて、記録データのデータ長が２Ｔ増える毎に、１組ずつ増やすようにしている。
【００１１】
ここで、光記録媒体の記録容量を増大する手段として、記録層を複数積層した多層光記録媒体とする方法がある。このような多層光記録媒体においては、光入射側の記録層は光を半透過させるために薄くする必要があるので、記録レーザ光照射時の、記録層に生じる熱を逃がすための放熱層を厚く設けることが困難となり、記録層の急熱、急冷が難しい徐冷構造の記録層となってしまう。
【００１２】
このような徐冷構造の記録層では、記録マーク形成時において、記録膜の溶融部界面から再結晶化が生じ易くなる。特に、高速記録に対応する記録膜では、高速で結晶化を生じる必要があり、従って再結晶化もし易い特性となっている。この再結晶化は、アモルファス状態の記録マークを縮小し、再生信号の振幅変調度を減少させてしまうものであり、又、記録マーク前端部に再結晶化が顕著に生じ、前端部の形状変化が再生信号のジッタ特性を大きく悪化させることが知られている。
【００１３】
記録マークの再結晶化対策として、特許文献２には、記録膜の蓄熱を減少させる記録パルスストラテジの改善案が開示されている。この改善案は、ｎＴの記録マークを、ｎよりも小さいｍ本のライトパルスで形成するものであり、パルス間の冷却時間を長く取ることにより、記録膜からの放熱を促進し、蓄熱低減を図っている。
【００１４】
又、前記特許文献１に開示されている記録ストラテジ（２Ｔストラテジ）は、ｎＴの記録マークをｎ／２本の記録パルスで形成するものであり、特許文献２で開示されている記録ストラテジに包含されるが、この２Ｔストラテジは、多層且つ高速記録の光記録媒体での情報の記録に有効なストラテジである。
【００１５】
一方、記録マークが形成された光記録媒体を高温保存した後に、保存前の記録マーク上に重ね書きをすると、再生時のジッタ特性が悪化することが知られている。これに対して、特許文献３記載の発明では、保存後の記録線速度を保存前の最適記録線速度より遅くすることで良好な重ね書きができるとして提案している。しかしながら、高速記録の場合、記録膜の最適記録速度そのものを上げる必要があり、アーカイブ特性とのバランスを考えると、保存後の記録線速度を遅くすることは困難となっている。
【００１６】
前述のような、２Ｔストラテジを用いて、記録層が薄い、例えば、２層光記録媒体の光入射面側の記録層へ、前記２Ｔストラテジを用いて情報の記録再生を行なったところ、良好な記録マーク前端部のジッタ特性が得られないという問題点があり、又、同様に、２Ｔストラテジを用いて記録した光記録媒体を高温下で保存後に、記録再生を行なうと、記録マーク前端部のジッタ特性が更に悪化するという問題点があった。
【００１７】
【特許文献１】特開２００２−２８８８３７号公報
【特許文献２】特表２００４−５２０６７５号公報
【特許文献３】特開平１１−１６７７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
この発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、記録マークを形成した光記録媒体を高温下で保存後に、新たに記録再生を行なった際のジッタ特性の低下を抑制することができる光記録媒体への情報記録方法を提供することを課題とする。
【００１９】
又、多層光記録媒体における光入射面側から最も遠い記録層以外の記録層へ、２Ｔストラテジを用いて記録再生を行なったときの、記録マーク前端部のジッタ特性低下を抑制した光記録媒体への情報記録方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明者は、鋭意研究の結果、先頭ライトパルスと次のクーリングパルスとのレーザビームスポットの重なり度合及び先頭パルスの発光時と消光時のレーザビームスポットの重なり度合を一定範囲に制御することによって、良好な記録マークを形成できることが分かった。
【００２１】
即ち、以下の本発明により上記課題を解決することができる。
【００２２】
（１）レーザビームを、少なくとも記録パワーの先頭ライトパルス及びほぼ基底パワーの最後尾クーリングパルスを含むパルス列となるようにパルス変調して、相変化型の光記録媒体の記録層に照射することにより、記録データを、前記記録層のトラックに沿った記録マークの長さに変調し、且つ、記録マークの長さを、記録チャンネルクロック周期をＴとしたときに、前記記録データの時間長であるＴの整数倍ｎＴに対応させて記録する光記録媒体への情報記録方法であって、前記先頭ライトパルスと最後尾クーリングパルスとの間に、ほぼ基底パワーのクーリングパルス及び記録パワーのライトパルスを１組として、少なくとも１組を挿入し、前記レーザビームの記録波長をλ、前記レーザビーム照射のための対物レンズの開口数をＮＡ、前記対物レンズと前記光記録媒体との相対速度Ｌｖ、前記先頭ライトパルス直後に挿入されるクーリングパルスのパルス時間Ｔcool、先頭ライトパルス時間Ｔtopを、０．１６≦（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）≦０．３０、且つ、０．０６≦（Ｌｖ×Ｔtop）／（λ／ＮＡ）≦０．１４とすることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
【００２３】
（２）記録チャンネルクロック周期をＴとしたときに、前記記録データの時間長が、（２ｎ＋１）Ｔ及び２ｎＴのいずれの場合でも、前記記録データの時間長が、２Ｔ分増加する毎に、前記クーリングパルス及びライトパルスのそれぞれ１つからなる１組を追加挿入することを特徴とする（１）に記載の光記録媒体への情報記録方法。
【００２４】
（３）前記光記録媒体が、複数の記録層を有する多層光記録媒体であって、光入射面側から最も遠い記録層以外の記録層に記録する際に、前記（１）又は（２）に記載の方法を用いることを特徴とする光記録媒体への情報記録方法。
【発明の効果】
【００２５】
この発明においては、先頭ライトパルスと次のパルスとのビームスポットの重なりを最適にすることによって、先頭ライトパルスによって形成された記録マークの一部が消去されてしまったり、ビームスポットの重なりが小さすぎて崩れたマーク形状となって再生信号に乱れを生じたりすることを抑制し、更に、先頭ライトパルスの発光時と消光時のレーザビームスポットの重なりを制御して、記録マークを確実に、且つ、記録膜が徐冷されることなく、良好な形状の記録マークを形成することができる。又、光記録媒体の高温保存後の記録マーク形状を良好に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下本発明の実施形態の例について図１及び図２を参照して詳細に説明する。
【００２７】
本実施形態の、光記録媒体への情報記録方法により情報を記録するための光記録媒体１０は、基板１２上に、第１の記録層（Ｌ０層）１４、透明中間層１６、第２の記録層（以下記録層）１８（Ｌ１層）及び光透過層２０をこの順で積層して構成されている。
【００２８】
前記記録層１８は、図１において拡大して示されるように、前記透明中間層１６側から、下地膜１８Ａ、金属放熱膜１８Ｂ、第２保護膜１８Ｃ、相変化記録膜（Ｌ１記録膜）１８Ｄ、２層の誘電体膜及び放熱膜からなる第１保護膜１８Ｅ、をこの順で積層して構成されている。
【００２９】
前記放熱膜は、放熱と光干渉効果のために設けられ、材料として好ましくはＡｇ合金が用いられ、その膜厚は、記録波長における光透過率が３０％以上８０％以下となるようにされている。
【００３０】
ここで、前記記録層１８の光透過率が３０％未満であると第１の記録層１４への記録が困難となり、８０％を超えると記録層１８への記録が困難となる。
【００３１】
前記相変化記録膜（Ｌ１記録膜）１８Ｄは、アモルファスと結晶の相変化が可能な材料、例えばＳｂＴｅ共晶合金等から構成され、その膜厚は半透過構造とするために１０ｎｍ以下が好ましい。
【００３２】
上記のような構成の光記録媒体１０に対して、図２に示されるような情報記録・再生装置３０により、情報の記録及び再生を行なう。
【００３３】
この情報記録・再生装置３０は、前記光記録媒体１０を回転させるためのスピンドルモータ３２、レーザビームを前記光記録媒体１０に照射するためのヘッド３４、このヘッド３４及び前記スピンドルモータ３２を制御するためのコントローラ３６、前記ヘッド３４からのレーザビームを、パルス列に変調制御するためのレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路３８と、前記ヘッド３４にレンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路４０と、を備えて構成されている。
【００３４】
前記コントローラ３６には、フォーカスサーボ追従回路３６Ａ、トラッキングサーボ追従回路３６Ｂ、レーザコントロール回路３６Ｃ及び媒体相対速度制御回路３６Ｄが含まれている。
【００３５】
前記レーザコントロール回路３６Ｃは、レーザ駆動回路３８により供給されるレーザ駆動信号を生成する回路であり、データの記録時においては、対象となる光記録媒体に記録されている記録条件設定情報に基づいて適切なレーザ駆動信号の生成を行ない、データの再生時においては、対象となる光記録媒体の種類に応じ、レーザビームのパワーが予め定められたパワーとなるように、レーザ駆動信号の生成を行なうようにされている。なお、データの再生時における予め決められたパワーは、再生条件設定情報によって定められる。
【００３６】
又、前記媒体相対速度制御回路３６Ｄは、前記光記録媒体１０の、ヘッド３４に対する相対速度Ｌｖを制御できるようにされている。
【００３７】
前記記録条件設定情報とは、光記録媒体１０に対してデータを記録する場合に必要な各種条件を特定するために用いられる情報を言う。本実施形態においては、記録条件設定情報には、記録時におけるレーザビームのパワー及び以下に詳述する記録ストラテジを決定するために必要な情報が少なくとも含まれている。
【００３８】
前記記録条件設定情報としては、データの記録に必要な各条件を具体的に示すもののみならず、情報記録・再生装置内に予め格納されている各種条件のいずれかを指定することにより、記録条件の特定を行なうものも含まれる。
【００３９】
この実施形態の例において、具体的には、記録条件設定情報としての、記録時におけるレーザパワーは、相変化記録膜をアモルファス状態とするために溶融するライトパワー（ライトパルス時のパワー）Ｐｗ（図３参照）、これを冷却する基底パワー（クーリングパルス時のパワー）Ｐｂ、及び、相変化記録膜を結晶状態とする消去パワーＰｅからなり、これらは、Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂの関係となっている。
【００４０】
記録時のレーザビームは、前記各レーザパワーのライトパルス、クーリングパルス、消去パルスを含むパルス列となるようにパルス変調して記録層に照射され、このときの変調するパルス数、パルス幅、パルス間隔、パワー等の設定が記録ストラテジとなる。
【００４１】
実施形態の記録ストラテジにおいて、図３に示されるように、ライトパルスＴｗとクーリングパルスＴｃが交互に照射される。ここで、前記Ｔｗ及びＴｃは、それぞれパルス幅（又は時間）を示すものであるが、説明の便宜上、パルスを示すものとしている。又、記録すべきデータは、記録層のトラックに沿った記録マークの長さに変調し、且つ、記録マークの長さを、１クロック周期をＴとしたときに、Ｔの整数倍に対応させて記録するようにされている。
【００４２】
図３は、この実施の形態の例の記録ストラテジを示すものであり、図３においては、１．７ＲＬＬ変調方式による２Ｔ記録マーク〜８Ｔ記録マークをそれぞれ記録する信号のチャンネルクロックを上段に、記録ストラテジを下段にそれぞれ示している。
【００４３】
この記録ストラテジは、前記ｎを１、２、３、４・・・とし、２ｎＴ及び（２ｎ＋１）Ｔに対応する２ｎＴ及び（２ｎ＋１）Ｔ記録マークを、各々ｎ本のライトパルス及びクーリングパルスにより記録するようにされている。又、レーザビームの記録波長λ、上記ヘッド３４における記録光学系の対物レンズ（図示省略）の開口数をＮＡ、前記ヘッド３４と光記録媒体１０との相対速度をＬｖ、先頭のライトパルスＴｗ１直後に挿入されるクーリングパルスＴｃ１のパルス時間をＴcool、先頭ライトパルス時間をＴtopとしたときに、０．１６≦（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）≦０．３０、且つ、０．０６≦（Ｌｖ×Ｔtop）／（λ／ＮＡ）≦０．１４となるように設定されている。
【００４４】
具体的には、前記相対速度Ｌｖが、媒体相対速度制御回路３６Ｄにより決定される数値であり、これに基づいて、コントローラ３６において、前記２つの式を充足するようにＴcool及びＴtopが算出され、レーザ駆動回路４０に信号が出力されるようになっている。
【００４５】
前記λ／ＮＡは、レーザビーム焦点位置の記録膜におけるレーザビームのスポット径に対応し、Ｌｖ×Ｔcoolは、先頭ライトパルスＴｗ１と次のライトパルスＴｗ２の間の距離、Ｌｖ×Ｔtopは、先頭記録パルスＴｗ１の発光加熱距離にそれぞれ対応する。
【００４６】
又、（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）は、レーザビームスポット径に対する先頭ライトパルスＴｗ１と次のライトパルスＴｗ２間の距離の割合、即ち、先頭ライトパルスＴｗ１と次の記録パルスＴｗ２のレーザビームスポットの重なり度合を示している。
【００４７】
図４（Ａ）、（Ｂ）は、先頭ライトパルスＴｗ１と次のライトパルスＴｗ２とのビームの重なり具合を模式的に示すものであり、符号Ｂ１Dは先頭ライトパルスＴｗ１の立ち下げ時のレーザビームのスポット径位置を示し、符号Ｂ２Uは次のライトパルスＴｗ２の立ち上げ時のレーザビームのスポット径の位置を示す。図４（Ａ）は、（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）＝０．１５の場合、図４（Ｂ）は０．３の場合を示す。前記（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）が０の場合は、前記レーザビームＢ１DとビームＢ２Uとは完全に重なり、１より大きい場合は完全に離れ、０．５のとき半分重なっていることを意味する。
【００４８】
この実施の形態の例では、前記２つのレーザビームＢ１DとＢ２Uとの重なり度合が０．１６〜０．３０となるように、Ｌｖ×Ｔcoolを制御するようにされている。
【００４９】
又、図５（Ａ）、（Ｂ）は、先頭ライトパルスＴｗ１の発光時のレーザビームスポットをＢ１U、消光時のレーザビームスポットをＢ１Dとしてそれぞれ示すものであり、図５（Ａ）は、（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）＝０．０５の場合、図５（Ｂ）は同０．１５の場合をそれぞれ示す。
【００５０】
又、図６（Ａ）及び図７（Ａ）に、上記実施の形態の例のストラテジによって６Ｔマーク及び７Ｔマークを前記第２の記録層１８に記録した場合の、該６Ｔマーク及び７Ｔマークの結晶化分布のシミュレーション結果を示す。ここで、図中の１は完全結晶、０は完全アモルファスを示す。
【００５１】
このシミュレーション条件を、Ｌ１層及びこのＬ１層と同様の膜構成としたものについて、表１に示す。Ｌ１層の膜構成は、基板側から光入射側に表１の左端欄で下から上に示される材料の膜を順次積層して構成している。ここで、表１において８０：２０はＺｎＳ、ＳｉＯ2のモル比を示す。又、各膜の膜厚をｄ、屈折率をｎ１、消衰係数をｋ、比熱をＣ、熱伝導率をＫとしてそれぞれ示している。
【００５２】
【表１】
2006309855.tif 000003
【００５３】
このシミュレーション条件でのシミュレーションの結果、本実施の形態の例の記録ストラテジによる記録マークは、良好なマーク形状の記録マークを得ることができたが、（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）が０．１６未満のときは、ビームスポットの重なりが大きすぎて図６（Ｂ）及び図７（Ｂ）に示されるように、先頭ライトパルスＴｗ１で形成した記録マークの先端部分が消されてしまい、又、０．３０よりも大きいときは、ビームスポットの重なりが小さすぎて、形成される記録マークが均一にならず、図６（Ｃ）及び図７（Ｃ）に示されるようにくびれたマーク形状となり再生信号に乱れが生じてしまう。
【００５４】
又、前記（Ｌｖ×Ｔtop）／（λ／ＮＡ）が０．０６よりも小さいときは発光時間が短すぎて良好なマークが形成されず、０．１４よりも大きいときは、先頭ライトパルスＴｗ１発光時に形成したアモルファスマークが消去時までのレーザビームスポットがずれることで徐冷され、記録マーク前端の再結晶化が生じ易くなり、図７（Ｂ）に示されるように記録マーク前端の形状が崩れ、再生信号が悪化することになる。
【実施例１】
【００５５】
まず、次のようにして、光記録媒体のサンプル１を作成した。
【００５６】
基板は、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍのポリカーボネイト製とした。
【００５７】
次に、この基板の前記グルーブが形成されている表面上に、Ａｇを主成分とする１００ｎｍの厚さの反射膜と、厚さ２０ｎｍの誘電体膜と、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｇｅを含む相変化材料を主成分として有する１０ｎｍの厚さのＬ０記録膜と、ＺｎＳ、ＳｉＯ2の混合物を主成分として含む４０ｎｍの厚さの誘電体膜と、窒化アルミニウムを主成分として含む３０ｎｍの厚さの放熱膜と、を順次スパッタリング法により形成してＬ０層を形成した。
【００５８】
次に、前記Ｌ０層上に、厚さ２５μｍの紫外線硬化性アクリル樹脂組成物からなる透明中間層を形成した。このとき、透明中間層にはスタンパによってグルーブが形成される。
【００５９】
次いで、前記透明中間層の表面上に、酸化ジルコニウムを主成分として含み、５ｎｍの厚さの下地膜と、Ａｇを主成分とする１０ｎｍの厚さの金属放熱膜と、酸化ジルコニウムを主成分として含む４ｎｍの厚さの第２保護膜と、Ｓｂ、Ｇｅ及びＭｇを主成分とするＳｂ合金からなる相変化材料を含む７ｎｍの厚さのＬ１記録膜と、酸化ジルコニウムを主成分として含む５ｎｍの厚さの誘電体膜、ＺｎＳとＳｉＯ2の混合物を主成分として含む１０ｎｍの厚さの誘電体膜、窒化アルミニウムを主成分とする４７ｎｍの厚さの放熱膜を含む第１保護膜とを、順次スパッタリング法により形成して、Ｌ１層を構成した。
【００６０】
次に、前記Ｌ１層の放熱膜の表面上に、紫外線硬化性アクリル樹脂組成物からなる７５μｍの厚さを有する光透過層を形成した。
【００６１】
次いで、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザを用いて、出力５００ｍＷで、光記録媒体に初期化処理を施し、Ｌ０層に含まれたＬ０記録膜及びＬ１層に含まれたＬ１記録膜を結晶化させて、光記録媒体サンプル１を完成させた。
【００６２】
上記のような完成した光記録媒体サンプル１に対して、次のように、記録マークを形成し、且つその再生信号のクロックジッタを測定した。
【００６３】
記録及びその評価のために、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置（商品名ＤＤＵ１０００）を用いた。
【００６４】
前記装置に、前記光記録媒体サンプル１をセットし、Ｌｖ＝９．８ｍ／secの線速度で回転させながら、チャンネルクロック周波数１３２ＭＨｚ、チャンネルビット長０．１１７５μｍ／bitで、４０５ｎｍの波長を有し、そのパワーが、ライトパワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、所定のパターンに従って変調されたレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、光透過層を介してＬ１記録膜に照射し、１．７ＲＬＬ変調方式における２Ｔ乃至８Ｔの時間長を有する記録マークを、ランダムに組合せてランダム信号を１乃至１０回記録した。
【００６５】
次に、前記記録したランダム信号を再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。ここで、１Ｔは７．５８nsに相当する。なお、レーザビームの記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅ、再生パワーＰｒ及び基底パワーＰｂをそれぞれ記録特性が最適になるように設定した。
【００６６】
ここで、クロックジッタは、タイムインターバルアナライザによって、再生信号の揺らぎσを求め、σ／Ｔ（Ｔ：クロックの１周期）によって算出した。
【００６７】
再生信号のクロックジッタは小さいほど好ましい。又、データを記録しエラー無しに再生できるクロックジッタは、ドライブ依存性もあり、一義的には決まらないが、９．０％未満、好ましくは８．５％以下である。
【００６８】
上記記録の際の記録ストラテジは、図３に示される２Ｔ記録ストラテジを用いた。又、２Ｔ、３Ｔ信号のＴtopは、それぞれＴtop２Ｔ＝７／１６・Ｔ、Ｔtop３Ｔ＝９／１６・Ｔに固定した。
【００６９】
又、先頭ライトパルス以外のライトパルスは、中間パルスＴｍｐ＝１／２・Ｔ、最後部パルスＴｌｐ＝７／１６・Ｔ{２ｎＴ信号}、９／１６・Ｔ{（２ｎ＋１）Ｔ信号}と設定した。ここで、２ｎは偶数、（２ｎ＋１）は奇数をそれぞれ示す。４Ｔ以上の記録信号に対応したＴtop、Ｔcoolに対する再生ジッタ値を表２に示す。
【００７０】
【表２】
2006309855.tif 000004
【００７１】
この表２からは、２ｎＴ信号及び（２ｎ＋１）Ｔ信号共に、０．１６≦（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）≦０．３０、且つ、０．０６≦（Ｌｖ×Ｔtop）／（λ／ＮＡ）≦０．１４を満足するときに良好な記録特性が得られることが分かる。
【００７２】
前記実施例１における記録後の光記録媒体サンプル１を、８０℃ドライの環境下で２４時間保存後、１回上書きし、その再生信号のジッタを測定した。
【００７３】
このときの４Ｔ以上の記録信号のＴtop、Ｔcoolに対する再生ジッタ値を表１の右端欄に示す。これからは、２ｎＴ信号、（２ｎ＋１）Ｔ信号共に、０．１６≦（Ｌｖ×Ｔcool）／（λ／ＮＡ）≦０．３０、且つ、０．０６≦（Ｌｖ×Ｔtop）／（λ／ＮＡ）≦０．１４を満足するときに良好な記録特性が得られることが分かる。
【００７４】
なお、上記実施の形態の例において、本発明による情報記録方法は、２層光記録媒体のＬ１層に実施したものであるが、本発明はこれに限定されるものでなく、記録層が薄い単層光記録媒体、あるいは、３層以上の多層光記録媒体における、光入射側から最も遠い記録層（Ｌ０層）以外の半透過記録層に記録する場合に適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施例の方法により情報を記録する光記録媒体を模式的に示す断面図
【図２】本発明の方法を実施するための情報記録・再生装置を示すブロック図
【図３】同実施形態における記録ストラテジを示す線図
【図４】トップライトパルスの立ち下げ時及び次のライトパルスの立ち上げ時のレーザビームスポットの相対的位置関係を、これらの重なり度合（ズレ）が０．１５の場合と０．３の場合を示す模式図
【図５】先頭ライトパルスの発光時と消光時のレーザビームスポットの重なり度合（ズレ）が０．０５の場合と０．１５の場合を示す模式図
【図６】本発明の実施形態の例に係る方法により情報を記録ストラテジ及びこれにより記録した光記録媒体のＬ１層における６Ｔ記録マークの反射率分布を比較例の方法による記録マークと比較して示す模式図
【図７】７Ｔ記録マークの反射率分布を比較例の記録マークの場合と比較して示す図６と同様の模式図
【符号の説明】
【００７６】
１０…光記録媒体
１２…基板
１４…第１の記録層（Ｌ０層）
１６…透明中間層
１８…第２の記録層（Ｌ１層）
１８Ｂ…金属放熱膜
１８Ｄ…相変化記録膜
２０…光透過層
３０…情報記録・再生装置
３６…コントローラ
３６Ｄ…媒体相対速度制御回路
３８…レーザ駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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