(57)【要約】【課題】  導電性のコア基板を含む回路基板に半導体チップが実装される構造の半導体装置において、コア基板の加工が容易である共に、コア基板の反りや樹脂層との密着性を改善できる半導体装置を提供する。【解決手段】  内部から外面にかけて複数の気孔１０ｘが設けられ、気孔１０ｘ内に埋込樹脂層１２ｃが形成されたポーラス金属層１０と，ポーラス金属層１０の両面にそれぞれ形成された樹脂層１５ａ，１５ｂとにより構成されるコア基板５と、樹脂層１５ａ、１５ｂ上に形成された配線層２４ａ、２４ｂと、配線層２４ａ、２４ｂに電気的に接続され、コア基板５上に実装された半導体チップ３０とを含む。コア基板５には、キャビティ２６が設けられ、キャビティ２６の底部のポーラス金属層１０に半導体チップ３０の背面側が電気的に接続されている。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部から外面にかけて複数の気孔が設けられ、該気孔内に埋込樹脂層が形成されたポーラス金属層と、該ポーラス金属層の両面にそれぞれ形成された樹脂層とにより構成されるコア基板と、
前記樹脂層上に形成された配線層と、
前記配線層に電気的に接続されて、前記コア基板上に実装された半導体チップとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記コア基板には、上面から前記ポーラス金属層に到達する深さのキャビティが設けられており、
前記キャビティの底部の前記ポーラス金属層に、前記半導体チップの背面側が電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記気孔内に形成された埋込樹脂層と前記ポーラス金属層の両面にそれぞれ形成された前記樹脂層とは、同一樹脂よりなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ポーラス金属層の気孔は、５０乃至９９％の気孔率（ポーラス金属層内に占める気孔の体積の割合）で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ポーラス金属層は、銅、ニッケル又はステンレスよりなることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記樹脂層は、プリプレグからなることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記コア基板には、該コア基板を貫通するスルーホールが設けられ、該スルーホール内に設けられたスルーホール金属層を介して相互接続される上側及び下側配線層が前記コア基板の両面に形成されており、
前記半導体チップは前記上側配線層にワイヤを介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記上側及び下側配線層は、信号ラインと、電源及びグランドラインとから構成され、
前記信号ラインを構成する前記上側及び下側配線層に繋がる前記スルーホール金属層は、前記スルーホールの側面に形成された側面樹脂層によって前記ポーラス金属層と電気的に絶縁され、
前記電源又はグランドラインを構成する前記上側及び下側配線層は、前記スルーホール金属層を介して前記ポーラス金属層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップ及び前記ワイヤは封止樹脂によって封止され、前記下側配線層には外部接続端子が設けられていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に係り、さらに詳しくは、導電性を有するコア基板に半導体チップが実装されたパッケージ構造に適用できる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、金属板をコア基板として使用する回路基板にキャビティが設けられ、そのキャビティ内の金属板上に半導体チップがフェイスアップで実装された構造の半導体装置がある。半導体チップは、回路基板のキャビティ内の金属板にその背面側が電気的に接続され、半導体チップの上面側の接続部が金属板上に樹脂層を介して形成された配線層にワイヤによって電気的に接続されている。さらに、半導体チップ及びワイヤが封止樹脂によって封止されている。金属板は、半導体チップから発生する熱を放散すると共に、半導体チップにその背面側から電位を供給する機能を併せもっている。
【特許文献１】特開平８−２３６９４０号公報
【特許文献２】特開平６−２８３８３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来技術では、金属板に凹部を形成してキャビティを得る際に、金属板をルータでスキャンしながら切削する必要があるので、時間がかかりコスト高となってしまう問題がある。
【０００４】
また、金属板とその上に形成される樹脂層との熱膨張係数の差に基づく熱応力によって半導体装置に反りが発生しやすい問題もある。さらには、金属板とその上に形成される樹脂層との密着性が問題になる場合がある。
【０００５】
なお、多層配線基板の熱膨張率を低減する方法としては、特許文献１には、絶縁基板をコア基板として用いた多層配線基板の導電層として、銅板に銅よりも熱膨張率の低いメッシュ状金属板（コバール）を圧着させたものを使用することが記載されている。
【０００６】
また、電子部品が実装される基板の熱放散性を向上させる方法としては、特許文献２には、金属基板上に形成される絶縁皮膜層として、三次元網状の窒化アルミニウムの空隙に絶縁樹脂を充填したものを使用することが記載されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１及び２では、半導体チップが実装されるコア基板（金属板）に関する上記した課題に関して何ら考慮されていない。
【０００８】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、導電性を有するコア基板に半導体チップが実装される構造の半導体装置において、コア基板の加工が容易である共に、コア基板の反りや樹脂層との密着性を改善できる半導体装置を提供することを目的にとする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明は半導体装置に係り、内部から外面にかけて複数の気孔が設けられ、該気孔内に埋込樹脂層が形成されたポーラス金属層と、該ポーラス金属層の両面にそれぞれ形成された樹脂層とにより構成されるコア基板と、前記樹脂層上に形成された配線層と、前記配線層に電気的に接続されて、前記コア基板上に実装された半導体チップとを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の一つの好適な態様では、コア基板には、上面から前記ポーラス金属層に到達する深さのキャビティが設けられており、キャビティの底部の前記ポーラス金属層に、半導体チップの背面側が電気的に接続されている。
【００１１】
本発明の半導体装置のコア基板は、ベース部として複数の気孔が設けられたポーラス金属層が使用され、その気孔内に埋込樹脂層が形成され、さらにポーラス金属層の上面及び下面に樹脂層がそれぞれ形成されて構成されている。
【００１２】
コア基板のポーラス金属層には例えば５０〜９０％の割合で樹脂が含まれるため、コア基板にキャビティを形成する場合、ルータを使用する必要はなく、プレス加工やレーザ加工により容易にポーラス金属層まで到達する深さのキャビティが形成される。しかも、コア基板のポーラス金属層は、全体にわたって金属（Ｃｕなど）からなる骨組み構造となっているので、キャビティ内に実装される半導体チップから発生する熱を放散できると共に、ポーラス金属層を介して半導体チップの背面に電位を供給できるようになっている。
【００１３】
また、ポーラス金属層の両面には埋込樹脂層に繋がる樹脂層がそれぞれ形成されているため、全体にわたって金属からなる金属板上に樹脂層を形成する場合よりもポーラス金属層上に樹脂層が密着性よく形成されるようになる。
【００１４】
さらには、ポーラス金属層の気孔内の埋込樹脂層とその両面に形成される樹脂層とを同一樹脂から構成することができるので、ポーラス金属層の熱膨張係数を樹脂層に近づけることができ、コア基板の反りの発生が防止される。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、導電性を有するコア基板に半導体チップが実装される構造の半導体装置において、本発明のような構造とすることにより、コア基板に容易にキャビティが形成されると共に、コア基板の反りや樹脂層との密着性を改善することができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１７】
図１〜図５は本発明の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（図１（ａ）の下図は平面図）である。図１（ａ）に示すように、まず、内部から外面まで複数の気孔１０ｘが形成された構造を有するポーラス（多孔質）金属層１０を用意する。ポーラス金属層１０は複数の気孔１０ｘ（中空）をもった骨組み構造となっており、各気孔１０ｘはポーラス金属層１０の中でお互いに連通している。なお、図１（ａ）の断面図では、便宜上、ポーラス金属層１０の外面に気孔１０ｘが露出していないが、気孔１０ｘは、図１（ａ）の平面図のように、ポーラス金属層１０の外面まで連通して形成されている。
【００１８】
ポーラス金属層１０の材料としては、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又は各種金属合金（ステンレスなど）などが好適に使用される。また、ポーラス金属層１０の好適な一例としては、金属粉末にバインダと発泡剤を混ぜて焼結した発泡金属と呼ばれるものが使用される。ポーラス金属層１０の厚みは例えば０．０５〜２ｍｍであり、気孔１０ｘの孔径は例えば５０〜６００μｍである。ポーラス金属層１０の気孔率（ポーラス金属層１０内に占める気孔１０ｘの体積の割合）は好適には５０〜９０％に設定される。
【００１９】
本実施形態ではこのような構造のポーラス金属層１０をコア基板のベース部として使用する。
【００２０】
その後に、図１（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂を形成するための液体に上記したポーラス金属層１０をディップし、引き上げた後に熱処理する。これにより、ポーラス金属層１０の気孔１０ｘ内に埋込樹脂層１２ｃが充填されると同時に、ポーラス金属層１０の上面及び下面に埋込樹脂層１２ｃに繋がる上側第１樹脂層１２ａ及び下側第１樹脂層１２ｂ（膜厚例：１０μｍ）がそれぞれ形成される。熱硬化性樹脂としてはエポキシやポリイミドなどの各種の樹脂を使用することができる。
【００２１】
樹脂層１２ａ，１２ｂ、１２ｃの他の形成方法としては、電着法によってポリイミド層を形成してもよいし、上記したような樹脂を形成するための液体を霧状に塗布してもよい。つまり、ポーラス金属層１０の気孔１０ｘ内に埋込樹脂層１２ｃが充填される方法であれば採用することができる。
【００２２】
なお、上記した図１（ｂ）の樹脂層１２ａ、１２ｂ、１２ｃを形成する工程を省略し、後の工程で樹脂層が形成されるようにしてもよい。その場合の製造方法については後に説明する。
【００２３】
次いで、図１（ｃ）に示すように、上側第１樹脂層１２ａ、気孔１０ｘに埋込樹脂層１２ｃが充填されたポーラス金属層１０、及び下側第１樹脂層１２ｂの所要部をドリルやレーザで加工することにより、それらを貫通する貫通孔１０ｙを形成する。
【００２４】
続いて、図２（ａ）に示すように、樹脂シート１４上に銅箔１６が貼着された構造の第１銅箔シート１８ａと、それと同じ構造の第２銅箔シート１８ｂを用意する。樹脂シート１４としてはとしては、例えば、エポキシやポリイミドなどの熱硬化性樹脂シート、あるいは、ガラスクロスやアラミド繊維などにエポキシ樹脂を含侵させたプリプレグ（prepreg）からなる半硬化樹脂シートが使用される。樹脂シート１４の厚みは例えば３０〜１００μｍである。
【００２５】
次いで、第１、第２銅箔シート１８ａ、１８ｂを、その樹脂シート１４の露出面がポーラス金属層１０の両面の上側第１樹脂層１２ａ及び下側第１樹脂層１２ｂの面にそれぞれ対向するようにしてそれぞれ配置し、熱処理した状態でプレス（加圧）することにより第１、第２銅箔シート１８ａ，１８ｂを貼着する。
【００２６】
これにより、図２（ｂ）に示すように、第１、第２銅箔シート１８ａ，１８ｂのそれぞれの樹脂シート１４から貫通孔１０ｙに貫通樹脂層１３が埋め込まれると同時に、上側第１樹脂層１２ａ上に上側第２樹脂層１４ａ及び上側銅箔１６ａが形成され、下側第１樹脂層１２ｂ上に下側第２樹脂層１４ｂ及び下側銅箔１６ｂが形成される。そして、上側第１樹脂層１２ａと上側第２樹脂層１４とにより上側樹脂層１５ａが構成され、下側第１樹脂層１２ｂと下側第２樹脂層１４ｂとにより下側樹脂層１５ｂが構成される。
【００２７】
本実施形態では、このようにして、気孔１０ｘに埋込樹脂層１２ｃが充填されたポーラス金属層１０と、その両面にそれぞれ形成された上側樹脂層１５ａ及び下側樹脂層１５ｂとによってコア基板５が構成される。
【００２８】
なお、上記した図２（ａ）の例では、図１（ｃ）の構造体の両面に第１、第２銅箔シート１８ａ、１８ｂを貼着したが、銅箔１６を備えていない樹脂シート１４のみをそれぞれ貼着するようにしてもよい。
【００２９】
また、前述したように、図１（ｂ）におけるポーラス金属層１０の両面及び気孔１０ｘに上側第１樹脂層１２ａ、下側第１樹脂層１２ｂ及び埋込樹脂層１２ｃを形成する工程を省略することができる。その場合は、上記した図２（ａ）の工程で第１、第２銅箔シート１８ａ，１８ｂを貼着する際に樹脂シート１４によってポーラス金属層１０の気孔１０ｘ内に埋込樹脂層１２ｃを充填できると共に、その両面に上側樹脂層１５ａ及び下側樹脂層１５ｂを形成することができる。この場合も、第１、第２銅箔シート１８ａ，１８ｂの代わりに、樹脂シート１４のみを使用してもよい。
【００３０】
次いで、図２（ｃ）に示すように、貫通孔１０ｙの内側部に対応する上側銅箔１６ａ、上側樹脂層１５ａ、埋込樹脂層１３、下側樹脂層１５ｂ及び下側銅箔１６ｂの部分をドリルやレーザで加工することにより、それらを貫通する第１スルーホール１１ａを形成する。このとき、貫通孔１０ｙの側面（ポーラス金属層１０の側面）に側面樹脂層１４ｃが残される。側面樹脂層１４ｃは、ポーラス金属層１０と後に第１スルーホール１１ａに形成される配線層とを電気的に絶縁するために設けられる。
【００３１】
さらに、同じく図２（ｃ）に示すように、コア基板５及びその両面側の上側、下側銅箔１６ａ，１６ｂの所要部をドリルやレーザで加工することにより、それらを貫通する第２スルーホール１１ｂを形成する。
【００３２】
次いで、図２（ｃ）の構造体の上面、下面及び第１、第２スルーホール１１ａ，１１ｂの側面にＣｕなどからなるシード金属層（不図示）を無電解めっきにより形成した後に、そのシード層をめっき給電層に利用する電解めっきによりＣｕなどからなる金属層を形成する。これにより、図３（ａ）に示すように、第１、第２スルーホール１１ａ，１１ｂ内に第１、第２スルーホール金属層２０ａ，２０ｂがそれぞれ充填されると同時に、コア基板５の両面側の上側、下側銅箔１６ａ、１６ｂ上に第１、第２スルーホール金属層２０ａ，２０ｂにそれぞれ繋がる上側、下側金属層２２ａ，２２ｂが形成される。
【００３３】
次いで、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングにより、コア基板５の両面側の上側金属層２２ａ、上側銅箔１６ａ、及び下側金属層２２ｂ、下側銅箔１６ｂをそれぞれパターニングする。これにより、第１、第２スルーホール金属層２０ａ，２０ｂを介してそれぞれ相互接続される上側配線層２４ａ及び下側配線層２４ｂがコア基板５の両面に形成される。第１スルーホール金属層２０ａを介して相互接続される上側、下側配線層２４ａ，２４ｂは側面樹脂層１４ｃによってポーラス金属層１０と電気的に絶縁される。一方、第２スルーホール金属層２０ｂを介して相互接続される上側、下側配線層２４ａ，２４ｂはポーラス金属層１０に電気的に接続される。
【００３４】
なお、前述したように図２（ａ）の工程で銅箔１６を備えていない樹脂シート１４のみをそれぞれ貼着する場合は、上側金属層２２ａ及び下側金属層２２ｂがそれぞれ上側配線層２４ａ及び下側配線層２４ｂとなる。
【００３５】
続いて、同じく図３（ｂ）に示すように、コア基板５の両面側にソルダレジスト膜３４を形成する。ソルダレジスト膜３４は、コア基板５の上面側では半導体チップが実装される領域（Ａで示される領域）と上側配線層２４ａの接続部に開口部３４ｘが設けられ、コア基板５の下面側では下側配線層２４ｂの外部接続端子が接続される部分に開口部３４ｘが設けられて形成される。
【００３６】
次いで、金型を使用するプレス加工により、図３（ｂ）のＡで示されるコア基板５の部分（上側樹脂層１５ａ及びポーラス金属層１０の一部）を加工してキャビティ（凹部）２６を形成する。プレス加工の代わりに、レーザによってキャビティ２６を形成してもよい。本実施形態では、コア基板５が埋込樹脂層１２ｃを含むポーラス金属層１０とその両面の上側、下側樹脂層１５ａ，１５ｂとによって構成されているので、ルータを使用することなくプレス加工やレーザ加工によって容易にキャビティ２６を形成することができる。
【００３７】
さらに、図４（ａ）に示すように、コア基板５に設けられたキャビティ２６の底部に半導体チップ３０の背面を導電性ペーストなどを介して固着して実装する。これにより、半導体チップ３０の背面とコア基板５のポーラス金属層１０とが電気的に接続される。
【００３８】
次いで、図４（ｂ）に示すように、半導体チップ３０の接続部とコア基板５の上面側の上側配線層２４ａの接続部とをワイヤ２８で結線して接続する。その後に、半導体チップ３０、ワイヤ２８及び上側配線層２４ａを封止樹脂３２によって封止する。
【００３９】
さらに、図５に示すように、コア基板５の下面側のソルダレジスト膜３４の開口部３４ｘ内の下側配線層２４ｂの接続部にはんだホールを搭載するなどして外部接続端３６を形成する。
【００４０】
以上により、本実施形態の半導体装置１が完成する。
【００４１】
図５に示すように、本実施形態の半導体装置１では、コア基板５のベース部として複数の気孔１０ｘが設けられたポーラス金属層１０が使用されており、その気孔１０ｘ内には埋込樹脂層１２ｃが充填されている。さらに、ポーラス金属層１０の両面には埋込樹脂層１２ｃに繋がる上側樹脂層１５ａ及び下側樹脂層１５ｂがそれぞれ形成されている。
【００４２】
このように、コア基板５は、気孔１０ｘに埋込樹脂層１２ｃが充填されたポーラス金属層１０と、その両面にそれぞれ形成された上側、下側樹脂層１５ａ，１５ｂとにより構成されている。
【００４３】
また、コア基板５には、第１、第２スルーホール１１ａ，１１ｂが形成されており、第１スルーホール１１ａの側面には側面樹脂層１４ｃが設けられている。さらに、コア基板５の上面及び下面には第１、第２スルーホール１１ａ，１１ｂ内の第１、第２スルーホール金属層２０ａ，２０ｂを介してそれぞれ相互接続される上側配線層２４ａ及び下側配線層２４ｂが形成されている。
【００４４】
第１スルーホール金属層２０ａ及びそれに繋がる上側配線層２４ａ及び下側配線層２４ｂは、側面樹脂層１４ｃによってポーラス金属層１０と電気的に絶縁されており、信号ラインを構成している。
【００４５】
また、第２スルーホール金属層２０ｂ及びそれに繋がる上側配線層２４ａ及び下側配線層２４ｂは、ポーラス金属層１０と電気的に接続されており、電源ライン又はグランドラインを構成している。
【００４６】
また、上側配線層２４ａの開口部の下側の上側樹脂層１５ａの部分が開口され、さらにその下のポーラス金属層１０の一部に凹部が形成されることでキャビティ２６が設けられている。
【００４７】
コア基板５のキャビティ２６の底面（ポーラス金属層１０の上面）に半導体チップ３０の背面が電気的に接続された状態で固着されている。半導体チップ３０の上面側の接続部はワイヤ２８を介してコア基板５上の上側配線層２４ａに電気的に接続されている。
【００４８】
また、コア基板５の両面側にはソルダレジスト膜３４がそれぞれ形成されている。ソルダレジスト膜３４は、コア基板５の上面側では半導体チップ３０及びワイヤ２８を露出させる開口部３４ｘが設けられ、コア基板５の下面側では下側配線層２４ｂの接続部に開口部３４ｘが設けられて形成されている。また、半導体チップ３０及びワイヤ２８は封止樹脂３２によって封止されている。さらに、コア基板５の下面側のソルダレジスト膜３４の開口部３４ｘ内の下側配線層２４ｂの接続部に外部接続端子３６が設けられている。そして、半導体装置１の外部接続端子３６が配線基板（マザーボードなど）に接続される。
【００４９】
ポーラス金属層１０と電気的に絶縁された第１スルーホール金属層２０ａに繋がる上側、下側配線層２４ａ，２４ｂは、ワイヤを介して配線基板（実装基板）から供給される信号を半導体チップ３０に供給する。また、ポーラス金属層１０は電源及びグランドラインの一部を兼ねており、配線基板（実装基板）から供給される電源及びグランドの電位が、下側配線層２４ｂ、第２スルーホール金属層２０ｂ、及びポーラス金属層１０を介して半導体チップ３０の背面側に供給される。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態の半導体装置１では、コア基板５のベース部を成すポーラス金属層１０には例えば５０〜９０％の割合で樹脂が含まれる。このため、コア基板５にキャビティ２６を形成する際に、従来技術と違ってルータを使用する必要はなく、プレス加工やレーザ加工のような簡易な方法によりポーラス金属層１０に凹部を形成してキャビティ２６を容易に得ることができる。
【００５１】
しかも、コア基板５のポーラス金属層１０は、気孔１０ｘ以外の部分は金属（Ｃｕなど）からなる骨組み構造となって内部から外面まで金属体で繋がっているので、半導体チップ３０から発生する熱をポーラス金属層１０で放散できると共に、半導体チップ３０にその背面側から電位を供給できるようになっている。
【００５２】
また、本実施形態のコア基板５では、ポーラス金属層１０の両面に埋込樹脂層１２ｃに繋がる上側、下側樹脂層１５ａ、１５ｂがそれぞれ形成された構造となっているので、全体にわたって金属からなる金属板上に樹脂層を形成する場合よりもポーラス金属層１０に樹脂層が密着性よく形成されるようになる。
【００５３】
さらには、ポーラス金属層１０の気孔１０ｘ内に充填される埋込樹脂層１２ｃは、ポーラス金属層１０の両面側の上側、下側樹脂層１５ａ，１５ｂと同一樹脂（例えばプリプレグ樹脂）から構成することができる。このため、ポーラス金属層１０の熱膨張係数をその両面側の上側、下側樹脂層１５ａ，１５ｂの熱膨張係数に近づけることができるので、コア基板５の反りの発生が防止され、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（図１（ａ）の下図は平面図）（その１）である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図５】図５は本発明の実施形態の半導体装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…半導体装置、５…コア基板、１０…ポーラス金属層、１０ｘ…気孔、１０ｙ…貫通穴、１１ａ…第１スルーホール、１１ｂ…第２スルーホール、１２ａ…上側第１樹脂層、１２ｂ…下側第１樹脂層、１２ｃ…埋込樹脂層、１４ａ…上側第２樹脂層、１４ｂ…下側第２樹脂層、１４ｃ…側面樹脂層、１５ａ…上側樹脂層、１５ｂ…下側樹脂層、１６ａ…上側銅箔、１６ｂ…下側銅箔、１８ａ…第１銅箔シート、１８ｂ…第２銅箔シート、２０ａ…第１スルーホール金属層、２０ｂ…第２スルーホール金属層、２２ａ…上側金属層、２２ｂ…下側金属層、２４ａ…上側配線層、２４ｂ…下側配線層、２６…キャビティ、２８…ワイヤ、３０…半導体チップ、３２…封止樹脂、３４…ソルダレジスト膜、３４ｘ…開口部、３６…外部接続端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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