(57)【要約】【課題】  高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが可能な照射装置を提供する。【解決手段】  複数のレーザ光源１１〜１７による複数のレーザ光を、それぞれ、光ファイバ束２を介して射出する。そしてシリンドリカルレンズアレイ対４が、これら複数のレーザ光をｘ軸方向に重ね合わせ、その輝度をｘ軸方向に均一化する。均一化してから照射対象物６に対して照射するようにすることで、照射対象物６における照射むらを防止することができる。また、このような均一化光学手段を、シリンドリカルレンズアレイ対４のみによって構成することができ、微細な光学素子デバイスを用いる必要がない。よって、構成を複雑化することなく、簡易な構成で照射装置を構成することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、
前記レーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第１の光学手段と、
前記第１の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された２次光源を生成する均一化光学手段と、
前記均一化光学手段により生成された２次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第２の光学手段と
を備えたことを特徴とする照射装置。
【請求項２】
前記レーザ光源は、複数の半導体レーザを第１の方向に沿ってアレイ状に配列したものである
ことを特徴とする請求項１に記載の照射装置。
【請求項３】
前記均一化光学手段は、前記第１の方向に沿ってそれぞれアレイ状に配列された一対のシリンドリカルレンズアレイを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の照射装置。
【請求項４】
前記第２の光学手段は、
前記２次光源からの光束における前記第１の方向の成分をそれぞれ重ね合わせて照射する第１のコンデンサ光学系と、
前記２次光源からの光束における前記第１の方向と直交する第２の方向の成分を集光して照射する第１の集光光学系とを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項３に記載の照射装置。
【請求項５】
前記第１の光学手段は、前記複数の射出レーザ光における前記第１の方向の成分を集光すると共に前記複数の射出レーザ光における前記第２の方向の成分を平行光束とする第２のコンデンサ光学系を含んで構成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の照射装置。
【請求項６】
前記第１の光学手段は、
前記複数の射出レーザ光における前記第１の方向の成分を平行光束とする第１のコリメータレンズと、
前記複数の射出レーザ光における前記第２の方向の成分を平行光束とする第２のコリメータレンズと、
前記第１のコリメータレンズにより平行光束とされた前記複数の射出レーザ光における前記第１の方向の成分を集光する第２の集光光学系とを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項４に記載の照射装置。
【請求項７】
前記第２の光学手段は、前記照射対象物に対する前記第１の方向の照射領域を調整する絞りを含んで構成されている
ことを特徴とする請求項６に記載の照射装置。
【請求項８】
前記レーザ光源は、複数の半導体レーザにそれぞれ結合された複数のマルチモード光ファイバを有し、
前記複数の射出レーザ光は、前記複数の半導体レーザ光がそれぞれ前記複数のマルチモード光ファイバを介して射出されたものである
ことを特徴とする請求項１に記載の照射装置。
【請求項９】
複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、
前記レーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第１の光学手段と、
前記第１の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された２次光源を生成する均一化光学手段と、
前記均一化光学手段により生成された２次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第２の光学手段と、
前記照射対象物を搭載するステージと、
前記ステージに搭載されている照射対象物を搭載面内で走査することにより、前記２次光源からの光束の照射位置をそれぞれ相対移動させる照射位置制御手段と
を備えたことを特徴とする照射装置。
【請求項１０】
前記照射対象物に対して前記２次光源からの光束を照射することにより前記照射対象物のアニール処理を行うレーザアニール装置として構成されている
ことを特徴とする請求項９に記載の照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体レーザを光源として照射対象物に対して光照射を行う照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば液晶表示装置や有機ＥＬ（ElectroLuminescence）表示装置の製造工程において、回路素子などを多結晶シリコンにより形成するため、連続発振するレーザを用いてシリコン薄膜をアニールする方法が知られている。このようにレーザ光によりアニールする方法は、シリコン薄膜を部分的に照射するため、基板全体が高温となってしまうのを回避することができ、基板としてガラス基板を用いることができるという利点がある。
【０００３】
例えば、特許文献１には、レーザ光源として、エキシマレーザやＹＡＧレーザを用いたレーザアニール方法についての技術が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、レーザ光源として、半導体レーザを用いたレーザアニール方法についての技術が開示されている。
【０００５】
さらに、特許文献３には、レーザ光源として、複数の光ファイバに結合されてバンドル化された複数の半導体レーザを用い、さらにマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ；Digital Micromirror Device）を用いるようにしたレーザアニール方法についての技術が開示されている。具体的には、例えば図７に示したように、このバンドル化された半導体レーザ光源１０１から射出されたレーザ光は、レンズ系１０３によってＤＭＤ１０４に照射される。そしてこのＤＭＤ１０４における像は、レンズ系１０５Ａ，１０５Ｂによって、ステージ１０７上に搭載された照射対象物１０６に結像され、照射されるようになっている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１６８６４６号公報
【特許文献２】特開２００４−８７６６７号公報
【特許文献３】特開２００４−６４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、特許文献１では、上記のようにレーザ光源としてエキシマレーザやＹＡＧレーザを用いているが、これらのレーザは、光源として利用する際の安定性に欠いたり、装置の構成が大型化してしまうという問題があった。したがって、これらの点を考慮すると、レーザ光源としては、半導体レーザを用いることが望ましい。
【０００８】
特許文献２では、上記のようにレーザ光源として半導体レーザを用いている。しかしながら、この半導体レーザは、エキシマレーザを用いたパルスレーザアニール装置などと比べるとレーザの利用効率が劣るため、半導体レーザを用いた場合には、レーザの出力が不足してしまうという問題点があった。
【０００９】
特許文献３では、上記のようにバンドル化された半導体レーザ光源１０１を用いたことで、レーザの出力が増強し、照射強度が向上している。また、ＤＭＤ１０４を用いたことで、このＤＭＤ１０４の画素数と同精度の高精度なレーザアニールが可能となる利点もある。
【００１０】
しかしながら、複数の半導体レーザをバンドル化する際の配置誤差や、各光ファイバの射出特性の個体差などに起因して、ＤＭＤ１０４への照射むらが生じ、この照射むらが最終的に、照射対象物１０６における照射対象面での結晶化むらを引き起こしてしまうという問題があった。
【００１１】
ここで、特許文献３では、このＤＭＤ１０４の代わりに、照射光の輝度を制御可能なＧＬＶ（Grating Light Value）を用いた構成についても記載されている。しかしながら、このようなＤＭＤやＧＬＶなどの微細な光学素子デバイスを用いると、例えばそのような高精度でのレーザアニールが不要な場合（例えば、画素ピッチがそれほど微細ではない大型の液晶表示装置に対する場合など）などには、装置全体の構成が複雑化してしまうこととなる。
【００１２】
このように、従来の技術では、高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが困難であった。
【００１３】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが可能な照射装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の第１の照射装置は、複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、このレーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第１の光学手段と、この第１の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された２次光源を生成する均一化光学手段と、この均一化光学手段により生成された２次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第２の光学手段とを備えたものである。
【００１５】
本発明の第２の照射装置は、複数の半導体レーザ光を射出するレーザ光源と、このレーザ光源から射出された複数の射出レーザ光を集光する第１の光学手段と、この第１の光学手段により集光された複数の集光レーザ光に基づいて均一化された２次光源を生成する均一化光学手段と、この均一化光学手段により生成された２次光源からの光束を照射対象物に対してそれぞれ照射する第２の光学手段と、照射対象物を搭載するステージと、このステージに搭載されている照射対象物を搭載面内で走査することにより、２次光源からの光束の照射位置をそれぞれ相対移動させる照射位置制御手段とを備えたものである。
【００１６】
本発明の照射装置では、複数の半導体レーザからなるレーザ光源によって複数のレーザ光が射出され、第１の光学手段によって集光される。この集光された複数の集光レーザ光に基づいて、均一化光学手段によって、均一化された２次光源が生成される。そして均一化された２次光源からの光束が、第２の光学手段によって照射対象物に照射される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の照射装置によれば、光源を複数の半導体レーザにより構成すると共にこのレーザ光源から射出された複数のレーザ光を重ね合わせ、輝度を均一化してから照射対象物に対して照射するようにしたので、高精度化が不要な光照射を行う際に、高い照射強度で構成を複雑化することなく、照射むらを防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
［第１の実施の形態］
図１および図２は、本発明の第１の実施の形態に係る照射装置の構成を表すものであり、図１はｙ軸方向からの上面図を、図２は図１におけるＡ−Ａ部分の矢視断面図を、それぞれ表している。この照射装置は、ステージ７上に搭載された照射対象物６の照射対象面６１に対して、複数の半導体レーザ１１〜１７から射出されたレーザ光に基づく光（ｘ軸方向を長軸方向とする線状ビーム）を照射するものであり、複数の半導体レーザ１１〜１７と、これら半導体レーザ１１〜１７にそれぞれ結合されたマルチモード光ファイバ２１〜２７からなる光ファイバ束２と、コンデンサレンズ３１と、シリンドリカルレンズアレイ対４と、コンデンサレンズ５１と、集光レンズ５２と、ステージ７と、照射位置制御部８とを備えている。
【００２０】
半導体レーザ１１〜１７は、いずれも連続発振する半導体レーザにより構成され、ｘ軸方向に沿って１次元にアレイ状に配列されている。これら半導体レーザ１１〜１７としては、射出されるレーザ光の波長が６００〜１７００ｎｍのものを用いることが可能であるが、例えば、高出力の半導体レーザである波長が８００ｎｍ近傍のもの、または波長が９４０ｎｍ近傍のものを用いることが好ましい。また、これら半導体レーザ１１〜１７は、それぞれ、上記のように光ファイバ束２におけるマルチモード光ファイバ２１〜２７に結合されており、半導体レーザ１１〜１７によるレーザ光は、この光ファイバ束２を介して射出される。したがって、この光ファイバ束２の射出端面も、半導体レーザ１１〜１７と同様に、ｘ軸方向に沿って１次元にアレイ化されている。照射装置の光源をこのようにして構成したことで、照射強度の一様性が向上し、さらに光源が小型化するようになっている。なお、これら半導体レーザ１１〜１７および光ファイバ束２は、本発明における「レーザ光源」の一具体例に対応する。
【００２１】
コンデンサレンズ３１は、正のパワーを有するレンズであり、光束のｘ軸方向成分を集光する（図１参照）と共に、ｙ軸方向成分を平行光束とする（図２参照）ものである。また、このコンデンサレンズ３１の配置および焦点距離は、光ファイバ束２の射出端面から射出された複数のレーザ光が、それぞれ、下記のシリンドリカルレンズアレイ４１に応じて選択されるようになっている。なお、このコンデンサレンズ３１は、本発明における「第１の光学手段」および「第２のコンデンサ光学系」の一具体例に対応する。
【００２２】
シリンドリカルレンズアレイ対４は、一対のシリンドリカルレンズアレイ４１，４２により構成され、これらシリンドリカルレンズアレイ４１，４２は、それぞれｘ軸方向に沿ってアレイ状に配列されている。このような構成によりシリンドリカルレンズアレイ対４は、複数の光束を重ね合わせることでそれぞれの輝度をｘ軸方向で均一化する（図１参照）と共に、シリンドリカルレンズアレイ４２上に２次光源を形成するようになっている。なお、このシリンドリカルレンズアレイ対４は、本発明における「均一化光学手段」の一具体例に対応する。
【００２３】
コンデンサレンズ５１は、正のパワーを有するレンズであり、複数の光束のｘ軸方向成分をそれぞれ重ね合わせて照射対象物６へ照射する（図１参照）ものである。また、集光レンズ５２も、正のパワーを有するレンズであり、複数の光束のｙ軸方向成分を集光して照射対象物６へ照射する（図２参照）ものである。なお、これらコンデンサレンズ５１および集光レンズ５２は、本発明における「第２の光学手段」の一具体例に対応する。また、コンデンサレンズ５１は本発明における「第１のコンデンサ光学系」の一具体例に対応し、集光レンズ５２は本発明における「第１の集光光学系」の一具体例に対応する。
【００２４】
照射対象物６は、照射対象面６１に照射光（上記したように、ｘ軸方向を長軸方向とする線状ビーム）が照射されるものであり、具体的には例えば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ（Thin Film Transistor）パネルなどが挙げられる。また、ステージ７は、前述のように照射対象物６を搭載するものである。照射位置制御部８は、このステージ７のＹ方向の動作制御を行うものであり、照射対象物６を搭載面で走査することによって、照射光の照射位置をｙ軸方向に相対移動させるようになっている。なお、この照射位置制御部８は、本発明における「照射位置制御手段」の一具体例に対応する。
【００２５】
次に、このような構成からなる照射装置の作用を、ｘ軸方向（図１）とｙ軸方向（図２）とに分けて説明する。
【００２６】
まず、ｘ軸方向については、光ファイバ束２の射出端面から射出された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ３１によって集光され、シリンドリカルレンズアレイ対４に入射する。ここで、前述のように、これら集光された複数のレーザ光は、それぞれシリンドリカルレンズアレイ４１を照射するようになっていることから、このシリンドリカルレンズアレイ４１上でこれら複数のレーザ光が重ね合わされ、その輝度が均一化する。
【００２７】
このようにして均一化された複数のレーザ光は、シリンドリカルレンズアレイ４２上に２次光源を形成する。そしてこの２次光源から射出された光束は、コンデンサレンズ５１によって、照射対象物６の照射対象面６１に、重ね合わされた状態で照射される。
【００２８】
一方、ｙ軸方向については、光ファイバ束２の射出端面から射出された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ３１によって平行光束となり、集光レンズ５２によって、照射対象物６の照射対象面６１に、集光された状態で照射される。
【００２９】
このようにして照射対象物６では、ｘ軸方向が長軸方向でｙ軸方向が短軸方向となり、その輝度が均一化された複数のレーザ光が、それぞれ照射される。また、このような状態のもと、照射対象物８を搭載したステージ７が、照射位置制御部８によってＹ方向に移動することにより、照射対象物６が、その搭載面内で２次元的に照射される。
【００３０】
以上のように、本実施の形態によれば、光ファイバ束２を介してレーザ光源１１〜１７からそれぞれ射出された複数のレーザ光を、シリンドリカルレンズアレイ対４においてｘ軸方向に重ね合わせ、その輝度をｘ軸方向に均一化してから照射対象物６に対して照射するようにしたので、照射対象物６における照射むらを防止することが可能となる。
【００３１】
また、このような均一化光学手段を、シリンドリカルレンズアレイ対４のみによって構成することが可能であり、例えばＤＭＤやＧＬＶなどの微細な光学素子デバイスを用いる必要がないので、高精度化が不要な光照射を行う際に、構成を複雑化することなく、簡易な構成で照射装置を構成することが可能となる。
【００３２】
さらに、複数の半導体レーザ１１〜１７を光ファイバ束２によって結合し、ｘ軸方向にアレイ化したものを光源とするように構成したので、照射するレーザ光の照射強度を向上させると共に照射領域を拡大することができることから、照射装置の照射処理能力を向上させることが可能となる。よって、レーザアニールに適した照射装置を構成することが可能となる。なお、この場合、ｘ軸方向にはレーザ光を均一化でき、複数の半導体レーザ１１〜１７のアレイ化配置の精度を考慮する必要がないことから、これらのアレイ化配置に関しては、ｙ軸方向の精度のみを考慮すればよいこととなる。
【００３３】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。本実施の形態の照射装置の構成は、基本的には第１の実施の形態と同様である。第１の実施の形態と異なるのは、本発明における第１の光学手段の構成、すなわち第１の実施の形態におけるコンデンサレンズ３１の部分の構成である。
【００３４】
図３および図４は、本実施の形態に係る照射装置の構成を表すものであり、図３はｙ軸方向からの上面図を、図４は図３におけるＢ−Ｂ部分の矢視断面図を、それぞれ表している。すなわち、図３，図４はそれぞれ、第１の実施の形態における図１，図２に対応するものである。なお、これらの図において、第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００３５】
本実施の形態の照射装置は、第１の実施の形態におけるコンデンサレンズ３１の代わりに、フィールドレンズ３２、コリメータレンズ３３およびコンデンサレンズ３４を備えたものである。ここで、これらフィールドレンズ３２、コリメータレンズ３３およびコンデンサレンズ３４は、本発明における「第１の光学手段」の一具体例に対応する。
【００３６】
フィールドレンズ３２は、正のパワーを有するレンズであり、複数の光束をそれぞれ、ｘ軸方向にやや集光させる（図３参照）ものである。一方、コリメータレンズ３３は、複数の光束をそれぞれ、ｙ軸方向の平行光束とする（図４参照）ものである。また、コンデンサレンズ３４は、フィールドレンズ３２によってやや集光された複数の光束をそれぞれ、ｘ軸方向において集光する（図３参照）ものである。なお、フィールドレンズ３２は本発明における「第１のコリメータレンズ」の一具体例に対応し、コリメータレンズ３３は本発明における「第２のコリメータレンズ」の一具体例に対応し、コンデンサレンズ３４は本発明における「第２の集光光学系」の一具体例に対応する。
【００３７】
このような構成により本実施の形態の照射装置では、光ファイバ束２の射出端面から射出された複数のレーザ光はそれぞれ、フィールドレンズ３２およびコリメータレンズ３３によって、ｘ軸方向とｙ軸方向とで、別々にその方向が制御され、照射対象物６へ照射されることとなる。
【００３８】
以上のように、本実施の形態によれば、光ファイバ束２の射出端面から射出された複数のレーザ光をそれぞれ、フィールドレンズ３２およびコリメータレンズ３３によって、ｘ軸方向とｙ軸方向とで別々に制御するようにしたので、第１の実施の形態における効果に加え、設計の自由度を向上させ、照射装置を構成する際の光路の構成などを容易に調整することが可能となる。
【００３９】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について説明する。本実施の形態の照射装置の構成は、基本的には第２の実施の形態と同様である。第２の実施の形態と異なるのは、本発明における第２の光学手段の構成、すなわち第２の実施の形態におけるコンデンサレンズ５１および集光レンズ５２の部分の構成である。
【００４０】
図５および図６は、本実施の形態に係る照射装置の構成を表すものであり、図５はｙ軸方向からの上面図を、図６は図５におけるＣ−Ｃ部分の矢視断面図を、それぞれ表している。すなわち、図５，図６はそれぞれ、第１の実施の形態における図１，図２、ならびに第２の実施の形態における図３，図４に対応するものである。なお、これらの図において、第１および第２の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４１】
本実施の形態の照射装置は、第２の実施の形態の照射装置において、絞り５３およびリレーレンズ対５４をさらに追加した構成である。すなわち、本発明における「第２の光学手段」を、第２の実施の形態におけるコンデンサレンズ５１および集光レンズ５２に加えて、これら絞り５３およびリレーレンズ対５４により構成したものである。
【００４２】
絞り５３は、ｘ軸方向において、照射対象面６１のリレーレンズ対５４に対する共役位置に配置されており、その開口を制御することにより、照射対象物６に対する複数の光束におけるｘ軸方向の照射領域を調整することが可能（図５参照）なものである。また、リレーレンズ対５４は、一対のリレーレンズ５４Ａ，５４Ｂにより構成され、これらはそれぞれｘ軸方向のみにパワーを有するようになっている。
【００４３】
このような構成により本実施の形態の照射装置では、以下のように作用する。
【００４４】
まず、ｘ軸方向（図５）では、シリンドリカルレンズアレイ対４によって均一化された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ５１によって集光され、絞り５３の位置に照射される。また、この絞り５３の位置に生じる空間像は、上記のようにｘ軸方向のみにパワーを有する一対のリレーレンズ５４Ａ，５４Ｂによって、照射対象面６１に結像される。この際、上記のように絞り５３の開口を制御することで、照射対象物６に対する複数の光束における、ｘ軸方向の照射領域が調整される。
【００４５】
一方、ｙ軸方向（図６）では、シリンドリカルレンズアレイ対４によって均一化された複数のレーザ光は、それぞれ、コンデンサレンズ５１およびリレーレンズ対５４を透過し、集光レンズ５２によって、照射対象物６の照射対象面６１に、集光された状態で照射される。
【００４６】
以上のように、本実施の形態によれば、第２の実施の形態における構成において、絞り５３およびリレーレンズ対５４をさらに設けるようにしたので、第２の実施の形態における効果に加え、長軸方向（ｘ軸方向）の照射領域を制御し、必要な領域のみを照射することが可能となる。よって、例えば照射対象物６が前述のようにＴＦＴパネルなどの場合、その画素ピッチに応じて照射領域を制御することが可能となり、特に利点が大きい。
【００４７】
なお、本実施の形態では、図５，図６に示したように、一対のリレーレンズ対５４Ａ，５４Ｂを、それぞれ正のパワーを有する両側テンセントリック系となるように構成しているが、リレーレンズの構成はこれには限定されず、例えば単レンズを用いてリレーするように構成してもよい。
【００４８】
また、このリレーレンズは、拡大系のもの、あるいは縮小系のもののどちらによって構成することも可能であるが、縮小系のものにより構成するのが好ましい。縮小系のものにより構成した場合、拡大系のものにより構成した場合と比べ、より高精度に照射領域を制御することができるからである。
【００４９】
以上、第１〜第３の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００５０】
例えば、上記実施の形態では、複数の半導体レーザ１１〜１７および光ファイバ束２を、いずれもｘ軸方向への１次元アレイ状に配置した場合の例について説明してきたが、本発明のレーザ光源は１次元アレイ状には限定されず、２次元アレイ状に配置するように構成してもよい。
【００５１】
また、上記実施の形態では、複数の半導体レーザ１１〜１７を光ファイバ束２によって結合することにより、レーザ光源を構成するようにした場合の例ついて説明してきたが、光ファイバ束２以外のものによって、これら半導体レーザ１１〜１７を結合するように構成してもよい。
【００５２】
また、上記実施の形態では、照射装置を、複数の半導体レーザ１１〜１７および光ファイバ束２からなるレーザ光源と、複数のレンズ光学系と、ステージ７と、照射位置制御部８とにより構成した場合の例について説明してきたが、本発明の照射装置を、ステージ７および照射位置制御部８を除いた、レーザ光源と複数のレンズ光学系とにより構成するようにしてもよい。
【００５３】
さらに、上記実施の形態では、照射装置における各レンズ光学系の構成を具体的に挙げて説明したが、各レンズ系の構成はこれらの場合には限定されず、これらのレンズに加えて（あるいはこれらのレンズに代えて）、他のレンズ等を配置するように構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る照射装置の構成を表す上面図である。
【図２】図１に示した照射装置の構成を表す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る照射装置の構成を表す上面図である。
【図４】図３に示した照射装置の構成を表す断面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る照射装置の構成を表す上面図である。
【図６】図５に示した照射装置の構成を表す断面図である。
【図７】従来の照射装置の構成の一例を表す上面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１１〜１７…半導体レーザ、２…光ファイバ束、２１〜２７…マルチモード光ファイバ、３１…コンデンサレンズ、３２…フィールドレンズ、３３…コリメータレンズ、３４…コンデンサレンズ、４…シリンドリカルレンズアレイ対、４１，４２…シリンドリカルレンズアレイ、５１…コンデンサレンズ、５２…集光レンズ、５３…絞り、５４…リレーレンズ対、５４Ａ，５４Ｂ…リレーレンズ、６…照射対象物、６１…照射対象面、７…ステージ、８…照射位置制御部、ｘ…ｘ軸、ｙ…ｙ軸、Ｙ…ステージの走査方向。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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