(57)【要約】【課題】バッファタンクを液体原料供給機構に取り付けた場合に、液体原料の再液化を防止できる基板処理装置を提供する。【解決手段】少なくとも一つ以上の原料を処理室１に供給する原料供給機構４２、１２と、少なくとも一つ以上の原料のうち、少なくとも一つの原料が常温常圧で液体または固体であって、常温常圧で液体または固体である原料を気体に気化または昇華する気体化機構４０と、気体化機構４０と処理室１との間の原料供給機構４２の途中に設けられ、気体化された原料を一時的に溜めておくバッファタンク１０と、バッファタンクを加熱する加熱機構５０とを備える。【選択図】        図１
2006222265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室と、
少なくとも１枚の基板を前記処理室内に搬入出する搬入出機構と、
少なくとも一つ以上の原料を前記処理室に供給する原料供給機構と、
前記少なくとも一つ以上の原料のうち、少なくとも一つの原料が常温常圧で液体または固体であって、前記常温常圧で液体または固体である原料を気体に気化または昇華する気体化機構と、
前記気体化機構と前記処理室との間の前記原料供給機構の途中に設けられ、前記気体化された原料を一時的に溜めておくバッファタンクと、
前記バッファタンクを加熱する加熱機構と、を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板処理装置に関し、特に半導体基板上に成膜する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板に成膜する方法としてＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）という方式がある。これは、ある成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種（またはそれ以上）の原料ガスを交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【０００３】
気相反応物の交互表面反応に基板を曝すことによって基板上に膜を成長させる場合、各原料の基板表面への吸着が速いほど成膜にかかる時間が少なくて済み、生産性が向上する。一般的に吸着量は圧力×時間に比例している。圧力×時間に当たる量をＬとすると、圧力が高ければ時間が短くても、Ｌが等しければ同じ量吸着させることが可能である。すなわち、反応炉内の圧力を急速に上げれば、原料を短時間で吸着させることが可能になる。反応炉内の圧力を上げる方法として、原料を急速に供給することが考えられる。
【０００４】
原料を急速に供給するために、処理室に原料を供給する供給配管の途中にバッファタンクを取り付け、処理室に供給する前に原料をバッファタンクに充填し、いっきに反応室の供給する方法が提案されている（特開２００４−６８０１号公報参照）。
【特許文献１】特開２００４−６８０１号公報参照
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
２種の原料Ａ、Ｂを用い、一方のガスの供給配管の途中にバッファタンクを用いたＡＬＤ法による成膜についての一例を説明する。
【０００６】
ガスＡを処理室に供給する為のガスＡ供給配管の途中にバッファタンクを設け、バッファタンクの前後には開閉バルブをそれぞれ設ける。ガスＢ供給配管の途中にも開閉バルブを設ける。ＡＬＤ成膜の手順例を以下に示す。
１）ガスＢの供給
ガスＢ供給配管の途中の開閉バルブを開けてガスＢを処理室に供給する。その間、バッファタンクの上流側の開閉バルブを開けてバッファタンクにガスＡを充填する。
２）処理室の真空引き
ガスＢ供給配管の途中の開閉バルブを閉めて処理室内をポンプで真空引きにする。また、バッファタンクの上流側の開閉バルブを閉める。
３）ガスＡの供給
バッファタンクの下流側の開閉バルブを開けて処理室にガスＡを供給する。
４）処理室の真空引き
バッファタンクの下流側の開閉バルブを閉めて処理室内をポンプで真空引きする。
【０００７】
ＡＬＤ法では、上記１）〜４）までを必要な回数繰り返して、基板上に膜を形成する。バッファタンクを設けることで、バッファタンクに充填されたガスＡは一気に反応室に供給され、ガスＡの供給時間を短く出来、ひいては総処理時間の短縮を図ることができる。
【０００８】
一方、昨今の半導体デバイスの原料としては、常温で液体である液体原料が良く使われている。たとえば、Ｈｉ−Ｋ（高誘電率ゲート絶縁膜）として有望なＨｆＯ（酸化ハフニウム）膜原料の一つに、ＴＥＭＡＨ［Ｈｆ（Ｎ（ＣＨ３）（Ｃ２Ｈ５）｝４：テトラキス・ジメチルアミノ・アフニウム］がある。他にもＡｌＯ（酸化アルミニウム）膜の原料にはＴＭＡ［Ａｌ（ＣＨ３）３：トリメチルアルミニウム］がよく用いられる。
【０００９】
例えば、上記ＴＥＭＡＨの蒸気圧は常温２５℃で０．５Ｐａ程度であり、液体を気化させて必要量の濃度を得るには、例えばバブラーの様な加熱機構を設けて液体を加熱して気化させる等の手段を採る必要がある。
【００１０】
このような液体材料の供給配管の途中にバッファタンクを設けた場合には、バッファタンク内の液体材料の分圧がその平衡蒸気圧より高くなった場合、バッファタンク内に再液化する可能性がある。
【００１１】
液体材料が再液化した場合、まず、パーティクル源となる可能性がある。液体原料の多くは水分と加水分解反応を起こし、固化する物が多い。バッファタンク内に液化した原料が大気中の水分等と反応する可能性があり、基板上のパーティクルの原因となる。
【００１２】
また、再液化は流量の不安定性を増加させる。平衡蒸気圧より分圧が高くなることでバッファタンク内に液化したものは、例えばバッファタンクと反応室との間のバルブを開けた時は、バッファタンク内の圧力が下がるため、再気化する。そのため、毎回の原料供給量が一定にならず、膜厚の変動の原因となる。液体の再液化は半導体デバイスの作成において、歩留まりの低下となる。
【００１３】
このように、従来のようにバッファタンクを設けるだけでは、液体原料を使用する場合には問題が生じる可能性があり、対策が必要である。
【００１４】
従って、本発明の主な目的は、バッファタンクを液体原料供給機構に取り付けた場合に、液体原料の再液化を防止できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明によれば、
処理室と、
少なくとも１枚の基板を前記処理室内に搬入出する搬入出機構と、
少なくとも一つ以上の原料を前記処理室に供給する原料供給機構と、
前記少なくとも一つ以上の原料のうち、少なくとも一つの原料が常温常圧で液体または固体であって、前記常温常圧で液体または固体である原料を気体に気化または昇華する気体化機構と、
前記気体化機構と前記処理室との間の前記原料供給機構の途中に設けられ、前記気体化された原料を一時的に溜めておくバッファタンクと、
前記バッファタンクを加熱する加熱機構と、を有することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、バッファタンクを液体原料供給機構に取り付けた場合に、液体原料の再液化を防止できる基板処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の好ましい実施例では、バッファタンクに常温以上に加熱できる加熱機構を取り付けることで、バッファタンクを液体原料の再液化温度よりも高くすることができる。そのため、バッファタンク内で液体原料が再液化しないので、半導体デバイスの生産性を損なうことがない。
【００１８】
次に、図面を参照して本発明の好ましい実施例をさらに詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明の実施例１の基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。液体材料と気体の２種類の原料を用いて、ＡＬＤ法で成膜を行う半導体デバイスの製造装置の例である。本例では、液体材料の加熱にはバブリング方式を用いているが、気化器や恒温槽を用いた方法でも差異はない。
【００２０】
液体原料４１は、液体原料タンク４０に入れられ、図示しないタンク加熱機構によって、十分蒸気圧が高くなるまで加熱される。通常は蒸気圧が１Ｔｏｒｒ程度以上となる温度まで加熱される。加熱することにより、液体原料はガスとして供給される。
【００２１】
液体原料タンク４０から処理室１までの原料供給配管４２は、原料が再度液化して配管内に付着しないように配管加熱ヒータ３０により加熱される。
【００２２】
原料供給配管４２の途中にバッファタンク１０を設け、バッファタンク１０の前後には開閉バルブ２１、２２を設ける。ガスＢ供給配管１２の途中にも開閉バルブ２３を設ける。
【００２３】
バッファタンク１０にはバッファタンク加熱機構５０が取り付けられている。バッファタンク加熱機構５０の設定温度は、通常は液体原料の蒸気圧が１Ｔｏｒｒ程度以上となる温度であって液体原料タンク４０の温度よりも高い温度とする。
【００２４】
手順例を以下に示す。
１）ガスＢの供給
開閉バルブ２３を開けてガスＢを処理室１に供給する。その間、開閉バルブ２５、２４、２１を開けてバッファタンク１０に原料を充填する。
２）処理室１の真空引き
開閉バルブ２３を閉めて処理室１内をポンプ２で真空引きする。また、開閉バルブ２１、２４、２５を閉める。
３）原料Ａの供給
開閉バルブ２２を開けて処理室１に原料Ａを供給する。
４）処理室１の真空引き
開閉バルブ２２を閉めて処理室１内をポンプ２で真空引きする。
【００２５】
本実施例のように、常温以上に加熱できるバッファタンク加熱機構５０を設けることで、バッファタンク１０を液体原料の再液化温度よりも高くすることができる。そのため、バッファタンク１０内に液体原料が再液化しないようにすることができ、液体原料でもバッファタンクを原料配管に設置することができるようになった。それにより、成膜時間の短縮、総処理時間の短縮を図ることができ、生産性を上げることができる。
【００２６】
図２は、比較のための基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
この比較例は、バッファタンク加熱機構５０が取り付けられていな点で図１に示した実施例１と異なるが、他の点は同じである。成膜手順もバッファタンク加熱機構５０でバッファタンク１０を加熱しない点を除いて同じである。
【００２７】
この比較例では、液体材料は、バッファタンク１０内の液体材料の分圧が液体材料の平衡蒸気圧より高くなった場合、バッファタンク１０内に再液化する可能性がある。
【００２８】
液体材料が再液化した場合、まず、パーティクル源となる可能性がある。液体原料の多くは水分と加水分解反応を起こし、固化する物が多い。バッファタンク１０内に液化した原料が大気中の水分等と反応する可能性があり、基板上のパーティクルの原因となる。
【００２９】
また、再液化は流量の不安定性を増加させる。平衡蒸気圧より分圧が高くなることでバッファタンク１０内に液化したものは、例えばバッファタンク１０と反応室１との間のバルブ２２を開けた時は、バッファタンク１０内の圧力が下がるため、再気化する。そのため、毎回の原料供給量が一定にならず、膜圧の変動の原因となる。液体の再液化は半導体デバイスの作成において、歩留まりの低下となる。
【実施例２】
【００３０】
図３は、本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を縦断面で示し、図４は本実施例にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示す。図５は、本実施例の基板処理装置における縦型基板処理炉のノズル２３３を説明するための図であり、図５Ａは概略図であり、図５Ｂは図３ＡのＡ部の部分拡大図である。
【００３１】
加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する反応容器として反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端には、例えばステンレス等よりなるマニホールド２０９が係合され、さらにその下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、このヒータ２０７、反応管２０３、マニホールド２０９、及びシールキャップ２１９により処理炉２０２を形成し、少なくとも、反応管２０３、マニホールド２０９、及びシールキャップ２１９により処理室２０１を形成している。マニホールド２０９は保持手段（以下ヒータベース２５１）に固定される。
【００３２】
反応管２０３の下端部およびマニホールド２０９の上部開口端部には、それぞれ環状のフランジが設けられ、これらのフランジ間には気密部材（以下Ｏリング２２０）が配置され、両者の間は気密にシールされている。
【００３３】
シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１７が立設され、石英キャップ２１８はボート２１７を保持する保持体となっている。そして、ボート２１７は処理炉２０２に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。ヒータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
【００３４】
処理炉２０２へは複数種類、ここでは２種類のガスを供給する供給管としての２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが設けられている。ガス供給管２３２ａ、２３２ｂは、マニホールド２０９の下部を貫通して設けられており、ガス供給管２３２ｂは、処理炉２０２内でガス供給管２３２ａと合流して、２本のガス供給管２３２ａ、２３２ｂが一本の多孔ノズル２３３に連通している。ノズル２３３は、処理炉２０２内に設けられており、ガス供給管２３２ｂから供給されるＴＭＡの分解温度以上の領域にその上部が延在している。しかし、ガス供給管２３２ｂが、処理炉２０２内でガス供給管２３２ａと合流している箇所は、ＴＭＡの分解温度未満の領域であり、ウエハ２００およびウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域である。
【００３５】
液体原料２６１であるＴＭＡは、液体原料タンクであるＴＭＡ容器４０に入れられ、十分蒸気圧が高くなるまで加熱される。通常はＴＭＡの蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ程度以上となる２０℃まで加熱される。加熱することにより、ＴＭＡはガスとして供給される。
【００３６】
ＴＭＡ容器２６０から処理室２０１までのガス供給管２３２ｂは、ＴＭＡ原料が再度液化して配管内に付着しないようにヒータ３００により５０〜６０℃に加熱される。
【００３７】
ガス供給管２３２ｂの途中にバッファタンク３１０を設け、バッファタンク３１０の前後にはバルブ２５５、２５６を設ける。
【００３８】
バッファタンク３１０にはバッファタンク加熱機構３０１が取り付けられている。バッファタンク加熱機構３０１の設定温度は、通常はＴＭＡの蒸気圧が１０Ｔｏｒｒ程度以上となる温度である２０℃以上とする。
【００３９】
ガス供給管２３２ａからは、流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１ａ及び開閉弁であるバルブ２４３ａを介し、更に後述する処理炉２０２内に設置された多孔ノズル２３３を通して、処理炉２０２に反応ガス（Ｏ３）が供給される。
【００４０】
ガス供給管２３２ｂからは、流量制御手段であるマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁であるバルブ２５２、ＴＭＡ容器２６０、開閉弁であるバルブ２５５、バッファタンク３１０、開閉弁であるバルブ２５６を介し、先に述べた多孔ノズル２３３をさらに介して処理炉２０２に反応ガス（ＴＭＡ）が供給される。
【００４１】
ガス供給管２３２ｂには、不活性ガスのライン２３２ｃが開閉バルブ２５３を介してバッファタンク３１０とバルブ２５５との間に接続されている。また、ガス供給管２３２ａには、不活性ガスのライン２３２ｄが開閉バルブ２５４を介してバルブ２４３ａの下流側に接続されている。
【００４２】
処理炉２０２はガスを排気する排気管であるガス排気管２３１によりバルブ２４３ｄを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。尚、このバルブ２４３ｄは弁を開閉して処理炉２０２の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
【００４３】
ノズル２３３が、反応管２０３の下部より上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。そしてノズル２３３には複数のガスを供給する供給孔であるガス供給孔２４８ｂが設けられている。
【００４４】
反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７は図中省略のボートエレベータ機構により反応管２０３に出入りできるようになっている。また処理の均一性を向上する為にボート２１７を回転するための回転手段であるボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。
【００４５】
制御手段であるコントローラ３２１は、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂ、バルブ２４３ａ、２５２、２５０、２４３ｄ、２５３、２５４、２５５、２５６、ヒータ２０７、ヒータ３００、バッファタンク加熱機構３０１、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、図中省略のボート昇降機構に接続されており、マスフローコントローラ２４１ａ、２４１ｂの流量調整、バルブ２４３ａ、２５２、２５０、２５３、２５４、２５５、２５６の開閉動作、バルブ２４３ｄの開閉及び圧力調整動作、ヒータ２０７、ヒータ３００、バッファタンク加熱機構３０１の温度調節、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御が行われる。
【００４６】
次にＡＬＤ法による成膜例として、ＴＭＡ及びＯ３ガスを用いてＡｌ２Ｏ３膜を成膜する場合を説明する。
【００４７】
まず成膜しようとする半導体シリコンウエハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に搬入する。搬入後、次の３つのステップを順次実行する。
【００４８】
［ステップ１］
ステップ１では、Ｏ３ガスを流す。まずガス供給管２３２ａに設けたバルブ２４３ａ、及びガス排気管２３１に設けたバルブ２４３ｄを共に開けて、ガス供給管２３２ａからマスフローコントローラ２４３ａにより流量調整されたＯ３ガスをノズル２３３のガス供給孔２４８ｂから処理炉２０２に供給しつつガス排気管２３１から排気する。Ｏ３ガスを流すときは、バルブ２４３ｄを適正に調節して処理炉２０２内圧力を１０〜１００Ｐａとする。マスフローコントローラ２４１ａで制御するＯ３の供給流量は１０００〜１００００ｓｃｃｍである。Ｏ３にウエハ２００を晒す時間は２〜１２０秒間である。このときのヒータ２０７温度はウエハの温度が２５０〜４５０℃になるよう設定してある。
【００４９】
また、このステップでは、Ｏ３ガスを処理炉２０２に供給している間に、バルブ２５２、２５５を開けてＴＭＡガスをバッファタンク１０に充填する。
ＴＭＡは常温で液体であり、処理炉２０２に供給するには、加熱して気化させてから供給する方法、キャリアガスと呼ばれる窒素や希ガスなどの不活性ガスをＴＭＡ容器２６０の中に通し、気化している分をそのキャリアガスと共に処理炉へと供給する方法などがあるが、例として後者のケースで説明する。まずキャリアガス供給管２３２ｂに設けたバルブ２５２、ＴＭＡ容器２６０と処理炉２０２の間に設けられたバルブ２５２を共に開けて、キャリアガス供給管２３２ｂからマスフローコントローラ２４１ｂにより流量調節されたキャリアガスがＴＭＡ容器２６０の中を通り、ＴＭＡとキャリアガスの混合ガスとして、バッファタンク１０に充填される。
【００５０】
このとき、処理炉２０２に内に流しているガスは、Ｏ３とＮ２、Ａｒ等の不活性ガスのみであり、ＴＭＡは存在しない。したがって、Ｏ３は気相反応を起こすことはなく、ウエハ２００上の下地膜と表面反応する。
【００５１】
［ステップ２］
ステップ２では、ガス供給管２３２ａのバルブ２４３ａを閉めて、Ｏ３の供給を止める。また、ガス排気管２３１のバルブ２４３ｄは開いたままにし真空ポンプ２４６により、処理炉２０２を２０Ｐａ以下に排気し、残留Ｏ３を処理炉２０２から排除する。またバルブ２５２、２５５を閉める。なお、この時には、Ｎ２等の不活性ガスを、Ｏ３供給ラインであるガス供給管２３２ａから処理炉２０２に供給すると、残留Ｏ３を排除する効果が更に高まる。
【００５２】
［ステップ３］
ステップ３では、ガス供給管２３２ｂに設けたバルブ２５６を開けてＴＭＡガスを一気に処理炉２０２内に供給する。このときのウエハ温度はＯ３の供給時と同じく、２５０〜４５０℃である。ＴＭＡの供給により、下地膜上のＯ３とＴＭＡとが表面反応して、ウエハ２００上にＡｌ２Ｏ３膜が成膜される。
【００５３】
成膜後、バルブ２４３ｄを開けて処理炉２０２を真空排気し、残留するＴＭＡの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時にはＮ２等の不活性ガスを、Ｏ３供給ラインであるガス供給管２３２ａおよびＴＭＡ供給ラインであるガス供給管２３２ｂからそれぞれ処理炉２０２に供給すると、さらに残留するＴＭＡの成膜に寄与した後のガスを処理炉２０２から排除する効果が高まる。
【００５４】
上記ステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウエハ２００上に所定膜厚のＡｌ２Ｏ３膜を成膜する。
【００５５】
本実施例のように、常温以上に加熱できるバッファタンク加熱機構３０１を設けることで、バッファタンク３１０を液体原料であるＴＭＡの再液化温度よりも高くすることができる。そのため、バッファタンク３１０内にＴＭＡが再液化しないようにすることができ、液体原料であるＴＭＡを使用する場合でもバッファタンクを原料配管に設置することができるようになった。それにより、成膜時間の短縮、総処理時間の短縮を図ることができ、生産性を上げることができる。
【００５６】
また、処理炉２０２内を排気してＯ３ガスを除去しているからＴＭＡを流すので、両者はウエハ２００に向かう途中で反応しない。供給されたＴＭＡは、ウエハ２００に吸着しているＯ３とのみ有効に反応させることができる。
【００５７】
また、Ｏ３供給ラインであるガス供給管２３２ａおよびＴＭＡ供給ラインであるガス供給管２３２ｂを処理炉２０２内で合流させることにより、ＴＭＡとＯ３をノズル２３３内でも交互に吸着、反応させて堆積膜をＡｌ２Ｏ３とすることができ、ＴＭＡとＯ３を別々のノズルで供給する場合にＴＭＡノズル内で異物発生源になる可能性があるＡｌ膜が生成するという問題をなくすることができる。Ａｌ２Ｏ３膜は、Ａｌ膜よりも密着性が良く、剥がれにくいので、異物発生源になりにくい。
【００５８】
次に、図６を参照して、本発明が好適に適用される基板処理装置の一例である半導体製造装置についての概略を説明する。
【００５９】
筐体１０１内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取り付けられている。また、カセットエレベータ１１５の後側には、カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共にカセットステージ１０５の上方にも予備カセット棚１１０が設けられている。予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられクリーンエアを筐体１０１の内部を流通させるように構成されている。
【００６０】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、ボートエレベータ１２１に取りつけられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取りつけられボート２１７を垂直に支持している。ボートエレベータ１２１とカセット棚１０９との間には昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、移載エレベータ１１３には搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取りつけられている。又、ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ１１６が設けられている。
【００６１】
ウエハ２００が装填されたカセット１００は、図示しない外部搬送装置からカセットステージ１０５にウエハ２００が上向き姿勢で搬入され、ウエハ２００が水平姿勢となるようカセットステージ１０５で９０℃回転させられる。更に、カセット１００は、カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及びカセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働によりカセットステージ１０５からカセット棚１０９又は予備カセット棚１１０に搬送される。
【００６２】
カセット棚１０９にはウエハ移載機１１２の搬送対象となるカセット１００が収納される移載棚１２３があり、ウエハ２００が移載に供されるカセット１００はカセットエレベータ１１５、カセット移載機１１４により移載棚１２３に移載される。
【００６３】
カセット１００が移載棚１２３に移載されると、ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により移載棚１２３から降下状態のボート２１７にウエハ２００を移載する。
【００６４】
ボート２１７に所定枚数のウエハ２００が移載されるとボートエレベータ１２１によりボート２１７が処理炉２０２に挿入され、シールキャップ２１９により処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２０２内ではウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが処理炉２０２内に供給され、ウエハ２００に処理がなされる。
【００６５】
ウエハ２００への処理が完了すると、ウエハ２００は上記した作動の逆の手順により、ボート２１７から移載棚１２３のカセット１００に移載され、カセット１００はカセット移載機１１４により移載棚１２３からカセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により筐体１０１の外部に搬出される。尚、炉口シャッタ１１６は、ボート２１７が降下状態の際に処理炉２０２の下面を塞ぎ、外気が処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
前記カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施例１の基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
【図２】比較のための基板処理装置を説明するための概略縦断面図である。
【図３】本発明の実施例２の基板処理装置における縦型基板処理炉の概略縦断面図である。
【図４】本発明の実施例２の基板処理装置における縦型基板処理炉の概略横断面図である。
【図５】本発明の実施例２の基板処理装置における縦型基板処理炉のノズル２３３を説明するための図であり、図５Ａは概略図であり、図５Ｂは図３ＡのＡ部の部分拡大図である。
【図６】本発明の実施例２の基板処理装置を説明するための概略斜示図である。
【符号の説明】
【００６７】
１…処理室
２…ポンプ
１０…バッファタンク
１２…ガスＢ供給配管
１３…排気配管
１４…バブリング・ガス供給配管
２１、２２、２３、２４、２５…開閉バルブ
３０…配管加熱ヒータ
４０…液体原料タンク
４１…液体原料
４２…原料供給配管
５０…バッファタンク加熱機構
２００…ウエハ
２０１…処理室
２０２…処理炉
２０３…反応管
２０７…ヒータ
２０９…マニホールド
２１７…ボート
２１８…石英キャップ
２１９…シールキャップ
２２０…Ｏリング
２３１…ガス排気管
２３２ａ…ガス供給管
２３２ｂ…ガス供給管
２３２ｃ…不活性ガスライン
２３２ｄ…不活性ガスライン
２３３…ノズル
２４１ａ…マスフローコントローラ
２４１ｂ…マスフローコントローラ
２４３ａ…バルブ
２４３ｄ…バルブ
２４６…真空ポンプ
２４８ｂ…ガス供給孔
２５１…ヒータベース
２５２…バルブ
２５３…バルブ
２５４…バルブ
２５５…バルブ
２５６…バルブ
２６０…ＴＭＡ容器
２６１…液体原料（ＴＭＡ）
２６７…ボート回転機構
３００…ヒータ
３０１…バッファタンク加熱機構
３１０…バッファタンク
３２１…コントローラ
【図１】
2006222265.tif 000003
【図２】
2006222265.tif 000004
【図３】
2006222265.tif 000005
【図４】
2006222265.tif 000006
【図５】
2006222265.tif 000007
【図６】
2006222265.tif 000008