(57)【要約】【課題】  より良好かつ安定した再生特性を得ることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  ウェハ１１Ａ上に、一定方向に固着された磁化方向Ｊ３３を有する磁化固着層３３と信号磁場に応じて磁化方向Ｊ３５が変化する磁化自由層３５とを有するＭＲ膜１４を形成したのち、ウェハ１１Ａからバー１１Ｂを切り出す。バー１１Ｂ上の各ＭＲ膜１４に対して超音波による振動エネルギーを加え、ＡＢＳ１１Ｓを形成するための機械研磨の際に磁化自由層３５に生じた内部応力を除去する。これにより、零磁場状態において磁化方向Ｊ３５のばらつきを低減し、磁化方向Ｊ３３と直交する方向に揃えることができるので、十分な再生出力を確保しつつ、再生出力波形の対称性および安定性を向上させることができる。【選択図】      図６
2006059411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、一定方向に固着された磁化方向を有する磁化固着層と、磁気記録媒体からの信号磁場に応じて磁化方向が変化する磁化自由層とを有する磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜の一端面を機械研磨することにより、前記磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面を形成する研磨工程と、
この研磨工程ののち、前記記録媒体対向面が形成された磁気抵抗効果膜に対して超音波による振動エネルギーを加えることにより、前記研磨工程において前記磁化自由層に生じた内部応力を緩和する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記磁気抵抗効果膜における再生出力のアシンメトリを所定の範囲に収めるのに要する時間に亘って前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記磁気抵抗効果膜を液体に浸漬したのち、その液体に前記超音波を照射することにより前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記磁気抵抗効果膜に対して、前記記録媒体対向面と直交する方向から前記超音波を照射することにより前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
基体上に、一定方向に固着された磁化方向を有する磁化固着層と、磁気記録媒体からの信号磁場に応じて磁化方向が変化する磁化自由層とをそれぞれ有する複数の磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記基体を切断し、少なくとも１つの前記磁気抵抗効果膜を含むバーを複数形成する切断工程と、
複数の前記バーにおける各磁気抵抗効果膜の一端面を機械研磨することにより、前記磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面を形成する研磨工程と、
この研磨工程ののち、前記記録媒体対向面が形成された磁気抵抗効果膜に対して超音波による振動エネルギーを加えることにより、前記研磨工程において前記磁化自由層に生じた内部応力を緩和する工程と
を含むことを特徴とする磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項６】
前記バーに形成された各々の磁気抵抗効果膜に対して、前記振動エネルギーを一括して加える
ことを特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項７】
前記磁気抵抗効果膜における再生出力のアシンメトリを所定の範囲に収めるのに要する時間に亘って前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項８】
前記磁気抵抗効果膜ごとに分割するように前記バーを切断することにより、前記磁気抵抗効果膜がそれぞれに形成された磁気ヘッドスライダを複数形成したのち、
複数の前記磁気ヘッドスライダに形成された各々の磁気抵抗効果膜に対して前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項５に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項９】
前記磁気抵抗効果膜における再生出力のアシンメトリを所定の範囲に収めるのに要する時間に亘って前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項１０】
前記所定の範囲から外れたアシンメトリを示す前記磁気抵抗効果膜が形成された前記磁気ヘッドスライダを選択する選択工程をさらに含み、
この選択工程において選択された前記磁気ヘッドスライダの磁気抵抗効果膜に対してのみ、前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項９に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項１１】
前記磁気抵抗効果膜を液体に浸漬したのち、その液体に前記超音波を照射することにより前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項５から請求項１０のいずれか１項に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【請求項１２】
前記バーに形成された各々の磁気抵抗効果膜および前記複数の磁気ヘッドスライダに形成された各々の磁気抵抗効果膜に対して、前記記録媒体対向面と直交する方向から前記超音波を照射することにより前記振動エネルギーを加える
ことを特徴とする請求項５から請求項１１のいずれか１項に記載の磁気ヘッドスライダの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果膜を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッドスライダの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、磁気情報（以下、単に情報という。）の記録および読出を行うものとしてハードディスクドライブ（ＨＤＤ；Hard Disc Drive）等の磁気ディスク装置が用いられている。磁気ディスク装置は、例えば筐体の内部に、情報が格納される磁気ディスクと、この磁気ディスクへの情報の記録および磁気ディスクに記録された情報の再生を行う薄膜磁気ヘッドとを備えたものである。薄膜磁気ヘッドは、一般的に、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant Magnetoresistive）効果を示す巨大磁気抵抗効果素子（GＭＲ素子）を備えた再生ヘッドと誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドとが積層された構造をなしており、磁気ディスクと対向する記録媒体対向面（ＡＢＳ；Air Bearing Surface）を有している。ＧＭＲ素子としては、特に、反強磁性材料からなるピンニング層と、このピンニング層によって一定方向に固着された磁化方向を示すピンド層と、非磁性導電材料からなるスペーサ層と、磁気ディスクからの信号磁場に応じて磁化方向が変化するフリー層とが順に積層された構造を有するスピンバルブ（ＳＶ；Spin-Valve）型のＧＭＲ素子（以下、ＳＶ−ＧＭＲ素子という。）がよく知られている。
【０００３】
再生ヘッドとしては、再生出力が大きく、かつ、バルクハウゼンノイズが小さいことが望まれる。これに加え、再生出力波形の対称性が高く、かつ、再生出力波形のばらつきが小さく安定していることも要求される。
【０００４】
バルクハウゼンノイズを低減すると共に、再生出力波形の対称性を向上させ、安定化させる手段としては、ＧＭＲ素子に対して長手方向（ＧＭＲ素子の積層面内においてＡＢＳと平行な方向）にバイアス磁場を印加する方法がある。このようなバイアス磁場の印加は、例えば、永久磁石や強磁性層と反強磁性層とを含む積層体からなるバイアス磁場印加層をＭＲ素子の両側に配置することにより行う（例えば、特許文献１参照。）。特に、特許文献１では、製造工程に起因するバルクハウゼンノイズの発生の抑制を目的として、複数のＭＲ素子を含むブロックを形成したのち、またはブロックからＭＲ素子を切り出したのち、所定方向の直流磁場を印加し、バイアス磁場印加層の着磁を行うようにしている。ここで、バイアス磁場印加層から発生されるバイアス磁場が大きいほどバルクハウゼンノイズが低減されると共に、再生出力波形の対称性および安定性が促進される。なお、一般的に、再生出力波形の対称性および安定性を十分に確保するには、実用上の支障がない程度までバルクハウゼンノイズを低減する場合と比べ、より大きなバイアス磁場を印加する必要がある。
【特許文献１】特開平９−１４７３２４号公報
【０００５】
再生ヘッドの再生特性の改善を目的とした関連技術としては、例えば特許文献２および３に開示されたものがある。特許文献２では、静電気放電によって磁化方向が反転してしまったピンド層に対し、特定方向に一定の静磁場を印加しつつパルス状の磁場を発生させ、それらの重畳作用によって上記ピンド層の磁化方向を正常な方向へ戻すことにより、再生ヘッドとしての特性回復を図るようにしている。さらに、特許文献３では、ＳＶ−ＧＭＲ素子に対して直流電流を通電することにより、所定方向の磁場と、ジュール熱とを発生させ、これらを利用してピンニング層およびピンド層における磁化処理および加熱処理を同時に行うようにしている。
【特許文献２】特開２００３−６８１６号公報
【特許文献３】特開平１０−２４１１２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、再生出力波形の対称性および安定性は、外部磁場が印加されていない零磁場状態でのフリー層の磁化方向にも影響される。通常、ＳＶ−ＧＭＲ素子は、零磁場状態において、フリー層の磁化方向とピンド層の磁化方向とが互いに直交するように設定されている。さらに、フリー層の磁化容易軸方向は、ピンド層の磁化方向と同一となっている。このように構成されたＳＶ−ＧＭＲ素子を、外部磁場の印加方向に対してピンド層の磁化方向が平行となるように配置することにより、フリー層の磁化方向における動作範囲の中心点を、零磁場状態とすることができる。すなわち、外部磁場が零の状態を、外部磁場変化によって変化し得る電気抵抗の振幅の中心とすることができる。これについて、図１５および図１６を参照してさらに説明する。
【０００７】
図１５は、一般的なハードディスクドライブにおいて、ＳＶ−ＧＭＲ素子を搭載した薄膜磁気ヘッドにより磁気ディスクの磁気情報を読み出す様子を表したものである。まず、図１５（Ａ）に示したように、ＳＶ−ＧＭＲ素子１２０は、ＡＢＳ１２０Ｓが磁気ディスクの記録面１１０と対向するように配置される。この際、ピンド層の磁化方向ＪＰは、記録面１１０と直交する＋Ｙ方向となっており、一方のフリー層の磁化方向ＪＦは、磁気ディスクのトラック幅方向に対応した＋Ｘ方向となっている。なお、この時点では、磁気ディスクからの信号磁場の影響がないものとする。ハードディスクドライブが駆動し、図１５（Ｂ）に示したように、磁気ディスクから例えば＋Ｙ方向の信号磁場Ｊ１１０が発生すると、磁化方向ＪＦは回転して＋Ｙ方向となり、磁化方向ＪＰと同じ向きとなる。したがって読出電流の抵抗値は減少する。一方、図１５（Ｃ）に示したように、磁気ディスクからの信号磁場Ｊ１１０が例えば−Ｙ方向である場合、磁化方向ＪＦは回転して−Ｙ方向となり、磁化方向ＪＰと反対向きとなる。したがって読出電流の抵抗値は増加する。このような抵抗変化を利用して、例えば図１５（Ｂ）の状態を「０」、図１５（Ｃ）の状態を「１」と対応づけることにより、信号磁場Ｊ１１０を２値情報として検出することができる。ここで、図１５（Ａ）〜図１５（Ｃ）から明らかなように、図１５（Ａ）の状態が磁化方向ＪＦの振幅の中心となっている。図１６（Ａ）は、＋Ｙ方向の外部磁場をＨ＞０とし、−Ｙ方向の外部磁界をＨ＜０として、外部磁場（信号磁場）Ｈを印加したときのＳＶ−ＧＭＲ素子１２０における電気抵抗Ｒ（以下、単に抵抗Ｒ）の変化を表したものである。外部磁場Ｈが零の状態を中心として、＋Ｙ方向の信号磁場強度が増加するに従い抵抗Ｒは低下し、やがて飽和する一方、−Ｙ方向の信号磁場強度が増加するに従い抵抗Ｒは上昇し、やがて飽和する。このとき、飽和時の抵抗Ｒの絶対値は互いに等しい。このように、外部磁場Ｈ＝０を対称点として点対称なＲ−Ｈ曲線となっており、ＳＶ−ＧＭＲ素子１２０は、＋Ｙ方向の外部磁場Ｈと、−Ｙ方向の外部磁場Ｈとの双方に対して同じ感度を示している。この場合には、図１６（Ｂ）に示したように、理想的な再生出力波形を発現することとなる。図１６（Ｂ）では、横軸が経過時間Ｔを示し、縦軸が再生出力Ｐを示している。ここでは、再生出力Ｐが、正方向のピーク高さと負方向のピーク高さとがほぼ等しくなっている（すなわち、アシンメトリがほぼ零である）。
【０００８】
ところが実際には図１５に示した理想状態とは異なり、図１７（Ａ），図１８（Ａ）に示したように、零磁場状態において、フリー層の磁化方向ＪＦが磁化方向ＪＰと直交する方向から傾きを生じていることが多い。その場合には図１７（Ｂ），図１８（Ｂ）に示したように、Ｒ−Ｈ曲線に偏りが生じ、結果的に図１７（Ｃ），図１８（Ｃ）に示したように、非対称な再生出力波形となってしまう。このような非対称性を発生させる磁化方向ＪＦの傾きの原因としては、研磨加工によるＡＢＳ１２０Ｓの形成が影響しているものと考えられる。すなわち、最終的にＳＶ−ＧＭＲ素子１２０となる積層膜を形成する段階において、その積層膜に対して様々な方向の応力が印加された状態となり、上記積層膜を研磨加工してＡＢＳ１２０Ｓを形成することによって、ＡＢＳ１２０Ｓと直交する方向（ＭＲハイト方向）へＳＶ−ＧＭＲ素子１２０を延伸するような応力が発現するものと推測されるのである。ここで、フリー層が正の磁歪定数を有しているとＭＲハイト方向へ磁化され、その磁化方向ＪＦが図１７（Ａ），図１８（Ａ）に示したような傾きを生ずると考えられる。この場合、磁化方向ＪＦの傾き角度にはばらつきがあり、一定ではない。
【０００９】
このような再生出力波形の非対称性を改善するためには、バイアス磁場印加層から発生されるバイアス磁場をさらに強くすればよい。
【００１０】
しかしながら、バルクハウゼンノイズの低減に要する最低限度の強度を超えて極端にバイアス磁場を増大させてしまうと、磁気ディスクからの信号磁場に対する再生ヘッドの感度が低下し、再生出力の低下を招くこととなる。また、上記の各特許文献に記載の技術は、バイアス磁場印加層またはピンド層に起因する再生特性の劣化を抑制するものであり、上記のような、フリー層に起因する再生特性の劣化を抑制するものではない。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、より良好かつ安定した再生特性を得ることのできる薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッドスライダの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の各工程を含むようにしたものである。
（Ａ）基体上に、一定方向に固着された磁化方向を有する磁化固着層と、磁気記録媒体からの信号磁場に応じて磁化方向が変化する磁化自由層とを有する磁気抵抗効果膜を形成する工程
（Ｂ）磁気抵抗効果膜の一端面を機械研磨することにより、磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面を形成する研磨工程
（Ｃ）研磨工程ののち、記録媒体対向面が形成された磁気抵抗効果膜に対して超音波による振動エネルギーを加えることにより、研磨工程において磁化自由層に生じた内部応力を緩和する工程。
【００１３】
本発明の磁気ヘッドスライダの製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）の各工程を含むようにしたものである。
（Ａ）基体上に、一定方向に固着された磁化方向を有する磁化固着層と、磁気記録媒体からの信号磁場に応じて磁化方向が変化する磁化自由層とをそれぞれ有する複数の磁気抵抗効果膜を形成する工程
（Ｂ）基体を切断し、少なくとも１つの磁気抵抗効果膜を含むバーを複数形成する切断工程
（Ｃ）複数のバーにおける各磁気抵抗効果膜の一端面を機械研磨することにより、磁気記録媒体と対向する記録媒体対向面を形成する研磨工程
（Ｄ）研磨工程ののち、記録媒体対向面が形成された磁気抵抗効果膜に対して超音波による振動エネルギーを加えることにより、研磨工程において磁化自由層に生じた内部応力を緩和する工程
【００１４】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法および磁気ヘッドスライダの製造方法では、超音波を利用し、磁気抵抗効果膜に対して振動エネルギーを加えることにより、研磨工程において磁化自由層に生じた記録媒体対向面と直交する方向の内部応力を緩和するようにしたので、零磁場状態において、磁化自由層の磁化方向が磁化固着層の磁化方向に対し、より正確に直交することとなる。
【００１５】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁気抵抗効果膜における再生出力のアシンメトリを所定の範囲に収めるのに要する時間に亘って振動エネルギーを加えることが望ましい。ここで、再生出力のアシンメトリとは、磁化固着層の磁化方向と反対の方向へ信号磁場が印加された際の最大の再生出力Ａ（絶対値）と、磁化固着層の磁化方向と同じ方向へ信号磁場が印加された際の最大の再生出力Ｂ（絶対値）とを用いた以下の式（１）で定義される。
アシンメトリ［％］＝｛（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）｝×１００  ……（１）
【００１６】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁気抵抗効果膜を液体に浸漬したのち、その液体に超音波を照射することにより振動エネルギーを加えるようにすることができる。さらに、振動エネルギーを加えるにあたっては、磁気抵抗効果膜に対して、特に記録媒体対向面と直交する方向から超音波を照射することが望ましい。
【００１７】
本発明の磁気ヘッドスライダの製造方法では、バーに形成された各々の磁気抵抗効果膜に対して、振動エネルギーを一括して加えるようにしてもよい。あるいは、磁気抵抗効果膜ごとに分割するようにバーを切断することにより、磁気抵抗効果膜がそれぞれに形成された磁気ヘッドスライダを複数形成したのち、複数の磁気ヘッドスライダに形成された各々の磁気抵抗効果膜に対して振動エネルギーを加えるようにしてもよい。いずれの場合も磁気抵抗効果膜における再生出力のアシンメトリを所定の範囲に収めるのに要する時間に亘って振動エネルギーを加えることが望ましい。加えて、所定の範囲から外れたアシンメトリを示す磁気抵抗効果膜が形成された磁気ヘッドスライダを選択する選択工程を含み、この選択工程において選択された磁気ヘッドスライダの磁気抵抗効果膜に対してのみ、振動エネルギーを加えるようにすることが望ましい。
【００１８】
本発明の磁気ヘッドスライダの製造方法では、磁気抵抗効果膜を液体に浸漬したのち、その液体に超音波を照射することにより振動エネルギーを加えるようにすることができる。また、バーに形成された各々の磁気抵抗効果膜および複数の磁気ヘッドスライダに形成された各々の磁気抵抗効果膜に対して、特に、記録媒体対向面と直交する方向から超音波を照射することが望ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法または磁気ヘッドスライダの製造方法によれば、上記の各工程を含むようにしたので、零磁場状態において、磁化自由層の磁化方向と磁化固着層の磁化方向とが互いに、より正確に直交することとなる。このため、十分な再生出力を確保しつつ、再生出力波形の対称性および安定性を向上させることができ、良好かつ安定した再生特性を得ることができる。特に、磁気抵抗効果膜に対して、その記録媒体対向面と直交する方向から超音波を照射することにより振動エネルギーを加えるようにすると、より効果的に再生特性の安定化を図ることができる。
【００２０】
本発明の磁気ヘッドスライダの製造方法によれば、磁気抵抗効果膜ごとに分割するようにバーを切断して磁気抵抗効果膜がそれぞれに形成された磁気ヘッドスライダを複数形成したのち、所定の範囲から外れたアシンメトリを示す磁気抵抗効果膜が形成された磁気ヘッドスライダを選択し、選択された磁気ヘッドスライダの磁気抵抗効果膜に対してのみ振動エネルギーを加えるようにすると、製造工程の効率化に有利となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２２】
［第１の実施の形態］
最初に、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法が適用される磁気ヘッドスライダ４Ａを備えた磁気ディスク装置の構成について説明する。図１は、磁気ディスク装置の内部構成を表す斜視図である。この磁気ディスク装置は、駆動方式としてＣＳＳ（Contact-Start-Stop）動作方式を採用したものであり、例えば筐体１の内部に、情報が記録されることとなる磁気ディスク２と、この磁気ディスク２への情報の記録およびその情報の再生を行うためのヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ；Head Arm Assembly）３とを備えるようにしたものである。ＨＡＡ３は、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ；Head Gimbals Assembly）４と、このＨＧＡ４の基部を支持するアーム５と、このアーム５を回動させる動力源としての駆動部６を備えている。ＨＧＡ４は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１０（後出）が一側面に設けられた磁気ヘッドスライダ（以下、単に「スライダ」という。）４Ａと、このスライダ４Ａが一端に取り付けられたサスペンション４Ｂとを有するものである。このサスペンション４Ｂの他端（スライダ４Ａとは反対側の端部）は、アーム５によって支持されている。アーム５は、筐体１に固定された固定軸７を中心軸としてベアリング８を介して回動可能なように構成されている。駆動部６は、例えばボイスコイルモータなどからなる。なお、磁気ディスク装置は、複数（図１では４枚）の磁気ディスク２を備えており、各磁気ディスク２の記録面（表面および裏面）のそれぞれ対応してスライダ４Ａが配設されるようになっている。各スライダ４Ａは、各磁気ディスク２の記録面と平行な面内において、記録トラックを横切る方向（Ｘ方向）に移動することができる。一方、磁気ディスク２は、筐体１に固定されたスピンドルモータ９を中心とし、Ｘ方向に対してほぼ直交する方向に回転するようになっている。磁気ディスク２の回転およびスライダ４Ａの移動により磁気ディスク２に情報が記録され、または記録された情報が読み出されるようになっている。
【００２３】
図２は、図１に示したスライダ４Ａの構成を表している。このスライダ４Ａは、例えば、アルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）よりなるブロック状の基体１１を有している。この基体１１は、例えば、ほぼ六面体状に形成されており、そのうちの一面が磁気ディスク２の記録面に近接して対向配置されたエアベアリング面（ＡＢＳ；Air Bearing Surface）１１Ｓである。磁気ディスク装置が駆動していないとき、すなわち、スピンドルモータ９が停止し、磁気ディスク２が回転していないときには、ＡＢＳ１１Ｓと磁気ディスク２の記録面とが接触した状態となっている。スピンドルモータ９により磁気ディスク２が高速回転を始めると記録面とＡＢＳ１１Ｓとの間に空気流が起こり、これに起因する揚力によりスライダ４Ａが記録面と直交する方向（Ｙ方向）に沿って浮上し、ＡＢＳ１１Ｓと磁気ディスク２との間に一定の間隙（マグネティックスペーシング）が生じるようになっている。また、ＡＢＳ１１Ｓと直交する一側面には薄膜磁気ヘッド１０が設けられている。
【００２４】
次に、図３から図５を参照して、薄膜磁気ヘッド１０についてより詳細に説明する。図３は、薄膜磁気ヘッド１０の構成を表す分解斜視図である。図４は、図３に示したIV−IV線に沿った矢視方向の構造を表す断面図である。さらに、図５は図４に示したV−V線に沿った矢視方向の構造を表す断面図である。したがって、図４および図５は互いに直交する断面を表している。
【００２５】
図３および図４に示したように、薄膜磁気ヘッド１０は、スライダ４Ａの基体１１の一側面上に、再生ヘッド部１０Ａと絶縁層２２と記録ヘッド部１０Ｂとが順に積層されて一体に構成されたものである。再生ヘッド部１０Ａは、ＭＲ膜１４を有し、磁気ディスク２の記録面に記録された磁気情報を再生するためのものである。一方の記録ヘッド部１０Ｂは、磁気ディスク２の記録面に磁気情報を記録するためのものである。絶縁層２２は、再生ヘッド部１０Ａと記録ヘッド部１０Ｂとを電気的に絶縁するものである。
【００２６】
再生ヘッド部１０Ａは、センス電流がＭＲ膜１４の内部を積層面内方向に流れるように構成されたＣＩＰ（Current In Plane）−ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）構造をなしている。具体的には、再生ヘッド部１０Ａは、ＡＢＳ１１Ｓに露出する側において、基体１１の上に下部シールド層１２、下部ギャップ層１３、ＭＲ膜１４、上部ギャップ層２０および上部シールド層２１が順に積層されたものである。ここで、ＭＲ膜１４のトラック幅方向（図中Ｘ方向）における両端面とそれぞれ隣接して延在するように、一対の磁区制御層１５（１５Ｌ，１５Ｒ）と一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）とが下部ギャップ層１３上に順に積層されて配置されている（図３）。また、上部ギャップ層２０は、ＭＲ膜１４の後方をも取り囲むように設けられている。
【００２７】
下部シールド層１２および上部シールド層２１は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などの軟磁性金属材料によりそれぞれ構成され、下部ギャップ層１３および上部ギャップ層２０を介してＭＲ膜１４を積層方向（Ｚ方向）に挟むことにより、不要な磁界の影響がＭＲ膜１４に及ばないように機能するものである。下部ギャップ層１３は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）またはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などの絶縁性材料からなり、下部シールド層１２とＭＲ膜１４との電気的な絶縁をおこなう。上部ギャップ層２０は、下部ギャップ層１３と同様の絶縁性材料からなり、上部シールド層２０とＭＲ膜１４との電気的な絶縁をおこなう。
【００２８】
ＭＲ膜１４は、磁気ディスク２からの信号磁場の変化を検知するセンサ部分として機能し、例えば下部ギャップ層１３の側から下地層３１、固定作用層（ピンニング層）３２、磁化固着層（ピンド層）３３、非磁性層３４、磁化自由層（フリー層）３５および保護層３６が順に積層されたスピンバルブ構造をなすものである。
【００２９】
下地層（バッファ層ともいう。）３１は、例えばニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）からなり、固定作用層３２と磁化固着層３３との交換結合が安定化するように機能するものである。固定作用層３２は、例えばイリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）などの反強磁性を示す金属材料により構成されており、一定方向（＋Ｙ方向）のスピン磁気モーメントと、これと反対方向（−Ｙ方向）のスピン磁気モーメントとが完全に打ち消し合った状態にあり、磁化固着層３３の磁化方向を＋Ｙ方向または−Ｙ方向へ固定する、いわゆるピンニング層として機能するものである。
【００３０】
磁化固着層３３は、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）等により構成され、一定方向（＋Ｙ方向）に固着された磁化方向Ｊ３３を有するものである。なお、磁化固着層３３は単層構造に限らず、非磁性中間層を２つの強磁性層で挟むようにした３層構造（いわゆるシンセティック構造）をなすようにしてもよい。
【００３１】
非磁性層３４は、例えば銅や金などの高い電気伝導率を有する（電気抵抗の小さな）非磁性金属材料からなり、磁化自由層３５と磁化固着層３３との磁気的な結合を切り離すように機能するものである。後述するように、読出動作時に流れるセンス電流Ｉｓは一方の導電リード層１６Ｒから主に非磁性層３４を通過して他方の導電リード層１６Ｌへ向けて流れるように構成されている。このとき、上述した電気抵抗の小さな材料により非磁性層３４を構成することにより、そのセンス電流Ｉｓの受ける散乱を最小限に抑えることができる。
【００３２】
磁化自由層３５は、磁化方向Ｊ３５が磁気ディスクからの信号磁場に応じて変化するように構成されたものである。信号磁場が零の状態では、磁化方向Ｊ３５は磁化固着層３３の磁化方向Ｊ３３と直交する方向（＋Ｘ方向）を示すように構成されている。磁化自由層２５は、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）やニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などの強磁性材料からなる単層構造であってもよいし、例えばＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなる一対の強磁性層の間に銅やルテニウムなどからなる非磁性層が形成された３層構造であってもよい。保護層３６は、例えば銅やタンタルなどの非磁性金属材料により構成され、製造過程において、成膜後のＭＲ素子１４を保護するように機能するものである。
【００３３】
一対の磁区制御層１５（１５Ｌ，１５Ｒ）は、磁気バイアスを印加することにより磁化自由層３５における磁区の向きを揃え、単磁区化を促進し、バルクハウゼンノイズの発生を抑制するように機能する。一対の磁区制御層１５（１５Ｌ，１５Ｒ）は、例えばコバルト白金合金（ＣｏＰｔ）などの硬磁性材料により構成されている。一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）は、ＭＲ膜１４に対して積層面内方向（ここでは＋Ｘ方向）へセンス電流Ｉｓを流すための電流経路となるものであり、それぞれ一対の電極１６ＬＰ，１６ＲＰに接続されている。一対の電極１６ＬＰ，１６ＲＰは電流供給手段としての定電流回路（図示せず）と接続されており、一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）を介してＭＲ膜１４にセンス電流Ｉｓが流れるようになっている。
【００３４】
このような構成の再生ヘッド部１０Ａでは、磁化自由層３５の磁化方向Ｊ３５が、磁気ディスク２からの信号磁場に応じて変化する。このため、磁化固着層３３の磁化方向Ｊ３３との相対的な変化を生じることとなる。ここで一対の導電リード層１６を介してＭＲ素子１４へセンス電流Ｉｓを流すと、上記のような磁化方向Ｊ３３と磁化方向Ｊ３５との相対的変化が電気抵抗の変化として現れるので、これを利用することにより信号磁場を検知し磁気情報を読み出すことができる。
【００３５】
一方、記録ヘッド部１０Ｂは、下部磁極４０、記録ギャップ層４１、ポールチップ４２（図４のみ示す）、コイル４３、絶縁層４４（図４のみ示す）、連結部４５（図４のみ示す）および上部磁極４６を有している。
【００３６】
絶縁層２２の上に形成された下部磁極４０は、例えばＮｉＦｅなどの高飽和磁束密度を有する軟磁性材料により構成されている。記録ギャップ層４１は、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料によって形成され、コイル４３のＸＹ平面における中心部に対応する位置に、磁路形成のための開口部４１Ａを有してる。銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）などにより構成されたコイル４３は、開口部４１Ａを中心として渦を巻くように記録ギャップ層４１上に設けられており、フォトレジストなどからなる絶縁層４４によって覆われている。コイル４３の両端末はそれぞれ電極４３Ｓ，４３Ｅに接続されている。上部磁極４６は、記録ギャップ層４１、開口部４１Ａおよび絶縁層４４を覆うように形成されている。この上部磁極４６は、下部磁極４０と同様に、例えばＮｉＦｅなどの高飽和磁束密度を有する軟磁性材料よりなり、連結部４５を介して開口部４１Ａにおいて上部シールド層２１と接続しており、互いに磁気的に連結している。
【００３７】
このような構成を有する記録ヘッド部１０Ｂは、コイル４３に流れる書込電流により、主に下部磁極としての上部シールド層２１と上部磁極４６とを含むように構成される磁路内部に磁束が発生する。これにより記録ギャップ層４１の近傍に信号磁場が生じるので、その信号磁場によって磁気ディスクの記録面上における所定の領域部分を磁化し、情報を記録するようになっている。
【００３８】
次に、図６から図１０を参照して、本実施の形態のスライダ４Ａの製造方法について説明する。ここでは、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１０の製造方法についても併せて説明する。図６は、全体の工程の流れを表すものである。図７は、スライダ４Ａを製造方法するにあたって使用する超音波照射装置の概略構成を表す断面図である。本実施の形態では、図７に示した超音波照射装置を用いてＭＲ膜１４に対して超音波を照射し、振動エネルギーを与えるようにしている。図８〜図１０は、それぞれ、スライダ４Ａの製造方法における一工程を説明するための斜視図である。
【００３９】
まず、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）からなるウェハ１１Ａを準備する（ステップＳ１０１）。このウェハ１１Ａは、最終的に複数の基体１１となるものである。
【００４０】
次いで、図８に示したように、ウェハ１１Ａの上に複数の再生ヘッド部１０Ａをアレイ状に形成する（ステップＳ１０２）。具体的には、まず、ウェハ１１Ａ上に、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁層（図示せず）を形成したのち、薄膜磁気ヘッド１０を形成することとなる所望の領域にスパッタリング法やめっき法により下部シールド層１１を選択的に形成する。次いで、下部シールド層１２の上に、例えばスパッタリング法によりＡｌ2Ｏ3膜を形成したのち、これを加熱することにより、下部ギャップ層１３を形成する。続いて、下部ギャップ層１２の上に、例えばスパッタリング法によりＭＲ膜１４を形成するための多層膜を形成したのち、その多層膜上に選択的にフォトレジストパターンを形成する。そののち、このフォトレジストパターンをマスクとして用い、イオンミリング等により上記の多層膜をエッチングし、所定の平面形状およびサイズを有するＭＲ膜１４を形成する。ＭＲ膜１４を形成したのち、多層膜のエッチングによりＭＲ膜１４の両隣に表出した下部ギャップ層１３の上に、一対の磁区制御層１５（１５Ｌ，１５Ｒ）と一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）とを順に形成する。
【００４１】
さらに、ＭＲ膜１４および一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）を覆うように、下部ギャップ層１２と同様にして上部ギャップ層２０を形成したのち、この上部ギャップ層２０の上に、スパッタリング法などにより上部シールド層２１を選択的に形成する。以上により、再生ヘッド部１０Ａの形成が一旦終了する。
【００４２】
再生ヘッド部１０Ａを形成したのち、その上に記録ヘッド部１０Ｂを形成する（ステップＳ１０３）。具体的には、まず、スパッタリング法などにより上部シールド層２１および上部ギャップ層２０を覆うように絶縁層２２を形成し、さらに、絶縁層２２の上に下部磁極４０を選択的に形成する。次いで、下部磁極４０の上に、スパッタリング法などにより記録ギャップ層４１を形成したのち、これを部分的にエッチングすることで開口部４１Ａを形成する。
【００４３】
記録ギャップ層４１を形成したのち、フレームめっき法によりポールチップ４２、コイル４３および連結部４５を形成する。さらに、コイル４３を覆うように絶縁層４４を形成したのち、全体を覆うようにフレームめっき法などにより上部磁極４６を形成する。最後に、上部磁極４６を含む全てを覆うように、スパッタリング等により保護膜を形成し、ＣＭＰなどにより平坦化処理をおこなう。以上により記録ヘッド部１０Ｂが形成される。これにより、再生ヘッド部１０Ａと記録ヘッド部１０Ｂとを有する薄膜磁気ヘッド１０がアレイ状に多数形成される（図８）。
【００４４】
こののち、図９に示したように、ウェハ１１Ａを切断し、複数のバー１１Ｂを形成する（ステップＳ１０４）。バー１１Ｂには、それぞれＭＲ膜１４を含む薄膜磁気ヘッド１０が複数形成されている。さらに、バー１１Ｂにおける各々のＭＲ膜１４の一端面を機械研磨したのち、フォトリソグラフィ法などにより選択的にエッチングするなどしてＡＢＳ１１Ｓを形成する（ステップＳ１０５）。
【００４５】
ＡＢＳ１１Ｓを形成したのち、バー１１Ｂを蒸留水の中に浸漬させ、その蒸留水を介して薄膜磁気ヘッド１０に超音波を照射し、振動エネルギーを与える（ステップＳ１０６）。具体的には、図７に示したように、蒸留水５１の入った水槽５２の内部にバー１１Ｂを載置したのち、自らの対向面５４Ｓが蒸留水５１と接触し、かつ、その対向面５４Ｓが、距離Ｄを隔ててバー１１ＢのＡＢＳ１１Ｓと対向するように直方体状のホーン５４を配置する。ホーン５４は、例えば非磁性金属材料からなり、接続部材等を介してオシレータ５３と連結されている。ホーン５４をバー１１Ｂと対向配置させたのち、オシレータ５３によって発生させた超音波を、ホーン５４を介してバー１１Ｂに形成された薄膜磁気ヘッド１０に照射する。ここでは、ＭＲ膜１４における再生出力のアシンメトリを所定の範囲（例えば±１０％以内）に収めるのに十分な時間に亘って（例えば２０分以上に亘って）超音波を照射することが望ましい。但し、必要以上に長時間に亘って超音波の照射を行うと再生出力の低下を招く場合もあるので、照射時間を６０分以下とすることが望ましい。こうすることにより、薄膜磁気ヘッド１０の洗浄を行うことができると共に、零磁場状態において磁化方向Ｊ３５を、磁化方向Ｊ３３と直交する方向に揃えることができる。
【００４６】
続いて、図１０に示したように、バー１１Ｂを薄膜磁気ヘッド１０ごと（ＭＲ膜１４ごと）に切断し、所定形状（例えば直方体状）となるように加工する（ステップＳ１０７）。これにより、再生ヘッド部１０Ａと記録ヘッド部１０Ｂとを有する薄膜磁気ヘッド１０が基体１の一側面に設けられたスライダ４Ａの形成が完了する。
【００４７】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ウェハ１１Ａから切り出されたバー１１Ｂ上の各ＭＲ膜１４に対して超音波による振動エネルギーを加え、機械研磨の際に磁化自由層３５に生じたＡＢＳ１１Ｓと直交する方向の内部応力を除去するようにしたので、零磁場状態において磁化方向Ｊ３５のばらつきを低減し、磁化方向Ｊ３３と直交する方向に揃えることができる。このため、十分な再生出力を確保しつつ、再生出力波形の対称性および安定性を向上させることができ、より良好かつ安定した再生特性を得ることができる。特に、ＭＲ膜１４に対して、ＡＢＳ１１Ｓと直交する方向（ＭＲハイト方向）から超音波を照射するようにしたので、より効果的に再生特性の安定化を図ることができる。加えて、製造工程においてアシンメトリの規格を満足する薄膜磁気ヘッド１０が増加し、歩留りが向上するという効果も得られる。
【００４８】
［第２の実施の形態］
続いて、主に図１１を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法について説明する。図１１は、本実施の形態の製造方法における全体の工程の流れを表すものである。なお、本実施の形態の製造方法が適用される磁気ヘッドスライダは、上記第１の実施の形態において説明したもの（図１〜図５に示したもの）と同様の構造をなしているので、ここでは説明を省略する。
【００４９】
上記第１の実施の形態では、バーに形成された各々のＭＲ膜に対して一括して超音波による振動エネルギーを加えるようにしたが、本実施の形態は、バーを切断して磁気ヘッドスライダを形成したのちに選択的に超音波を加えるようにしたものである。すなわち、図１１に示した、ステップＳ２０１〜ステップＳ２０５の各工程は、それぞれ、図６におけるステップＳ１０１〜ステップＳ１０５の各工程と全く同一であり、それに続くステップＳ２０６以降の工程が異なっている。
【００５０】
具体的には、まず、第１の実施の形態と同様にして、ＭＲ膜１４を含む薄膜磁気ヘッド１０が複数設けられたバー１１Ｂをウェハ１１Ａから切り出し、機械研磨等を行うことによりＡＢＳ１１Ｓを形成する。次いで、図１０に示したように、バー１１Ｂを薄膜磁気ヘッド１０ごとに切断し、所定形状となるように加工する（ステップＳ２０６）。これにより、薄膜磁気ヘッド１０が１つずつ形成されたスライダ４Ａが一応形成される。こののち、各薄膜磁気ヘッド１０（ＭＲ膜１４）について再生出力波形を測定（ステップＳ２０７）し、アシンメトリが所定の範囲（規格範囲）に収まっているかどうかの判断を行う（ステップＳ２０８）。その結果、規格範囲に収まった場合には、スライダ４Ａの形成がそのまま完了となる。一方、規格範囲を外れたスライダ４Ａの薄膜磁気ヘッド１０については、水槽５２の内部の蒸留水５１に浸漬させ、所定強度の超音波を照射し、振動エネルギーを加える（ステップＳ２０９）。こうすることにより、磁化自由層３５に生じた内部応力を緩和することができる。そののち、再度、再生出力波形を測定（ステップＳ２０７）し、規格範囲に収まった場合には、スライダ４Ａの形成が完了となる。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態によれば、バー１１Ｂから切り出されたスライダ４Ａ上のＭＲ膜１４に対して超音波による振動エネルギーを加え、機械研磨の際に磁化自由層３５に生じたＡＢＳ１１Ｓと直交する方向の内部応力を緩和するようにしたので、零磁場状態において磁化方向Ｊ３５のばらつきを低減し、磁化方向Ｊ３３と直交する方向に揃えることができる。このため、上記第１の実施の形態と同様の効果が得られる。加えて、本実施の形態では、バー１１Ｂからスライダ４Ａを切り出したのちＭＲ膜１４の再生出力波形を測定し、その結果に応じて選択的に超音波の照射を行うようにしたので、内部応力の緩和が必要なＭＲ膜１４に対してのみ超音波を照射し、再生特性の改善を図る一方で、当初より、実用上問題とならない程度の内部応力を有するＭＲ膜１４に対しては超音波を照射するという付加的な工程を省略することができるので、より効率的にスライダ４Ａの形成を行うことができ、かつ、再生出力の低下を回避することもできる。
【実施例】
【００５２】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００５３】
以下に述べる本発明の実施例は、上記第１の実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッド１０を有するバー１１Ｂのサンプルを作製し、各薄膜磁気ヘッド１０のＭＲ膜１４に対して所定方向へセンス電流Ｉｓを流した場合の再生出力波形について調査したものである。但し、図６に示したステップＳ１０５においてバー１１Ｂを形成したところで再生出力波形を測定し、その結果、アシンメトリの規格（−１０％以上＋１０％以下）を外れたサンプルについてのみステップＳ１０６において超音波を照射するようにした。アシンメトリ［％］は、磁化固着層の磁化方向と反対の方向へ信号磁場が印加された際の最大の再生出力Ａ（絶対値）と、磁化固着層の磁化方向と同じ方向へ信号磁場が印加された際の最大の再生出力Ｂ（絶対値）とを用いた以下の式（１）で定義される。
アシンメトリ［％］＝｛（Ａ−Ｂ）／（Ａ＋Ｂ）｝×１００  ……（１）
ここでは、周波数が１９．５ｋＨｚであり、振幅が２０μｍ（パワーが１９８Ｗ）である超音波を照射するようにした。また、ホーン５４における対向面５４Ｓの寸法は７２ｍｍ×２０ｍｍであり、対向面５４Ｓからバー１１Ｂまでの距離Ｄは３０ｍｍとした。超音波を照射したのち、再度、各薄膜磁気ヘッド１０について再生出力波形を測定した。なお、対向面５４ＳとＡＢＳ１１Ｓとが対向するように配置したもの（配置状態Ａ）、対向面５４Ｓとバー１１Ｂにおける薄膜磁気ヘッド１０が形成された面とが対向するように配置したもの（配置状態Ｂ）、対向面５４Ｓとバー１１Ｂにおける薄膜磁気ヘッド１０の形成面と反対側の面とが対向するように配置したもの（配置状態Ｃ）との３つの配置状態についてそれぞれ超音波の照射をおこなった。
【００５４】
図１２は、超音波を照射する前（初期状態）の各薄膜磁気ヘッド１０における抵抗［Ω］とアシンメトリ［％］との関係を表す散布図である。図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）は、それぞれ配置状態Ａ、配置状態Ｂおよび配置状態Ｃに対応するものであり、サンプル数ｎは、それぞれ４０，２４および２９である。但し、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）では、いずれも規格外のデータのみを示しており、規格内（−１０％以上＋１０％以下）のデータは図示を省略している。図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）に示したデータのアシンメトリの標準偏差σは、順に、１８．８％、１８．１％および１８．３％であった。
【００５５】
図１３は、超音波を６０分間照射した後の各薄膜磁気ヘッド１０における抵抗［Ω］とアシンメトリ［％］との関係を表す散布図である。図１３（Ａ）、図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）は、それぞれ図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）に示したデータに対応するものであり、いくつかのサンプルは規格内に収まるように改善された。また、図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）におけるアシンメトリの標準偏差σは、順に、１１．８％、１２．９％および１１．９％となり、全体的にアシンメトリのばらつきが低減されたことが確認できた。
【００５６】
このように、初期状態においてアシンメトリの規格を満たさないサンプルであっても、超音波を照射することにより規格内に収まるように改善されることがわかった。
【００５７】
続いて、再生出力特性と、超音波の照射時間との関係について調査した結果を図１４に示す。図１４（Ａ）が再生出力の平均値の変化に関するものであり、図１４（Ｂ）がアシンメトリの標準偏差の変化に関するものである。
【００５８】
より具体的には、図１４（Ａ）では、横軸が超音波の照射時間［分］を示し、縦軸が超音波を照射する前（初期状態）での再生出力の平均値を１００％として規格化した規格化再生出力の平均値ＰAVEを示す。配置状態Ａ〜Ｃはいずれもほぼ同様の変化を示し、２０分以上経過すると徐々に規格化再生出力の平均値ＰAVEは低下する傾向にあった。
【００５９】
一方、図１４（Ｂ）では、横軸が超音波の照射時間［分］を示し、縦軸が超音波を照射する前（初期状態）でのアシンメトリの標準偏差Ｐσを基準とし、それとの差分ΔＰσを示している。配置状態Ａ〜Ｃは、いずれも６０分経過するまで徐々に差分ΔＰσは低下し、それ以降は横ばいとなる傾向がみられた。ここで、差分ΔＰσが低下するということは、初期状態と比べて再生出力波形の対称性が向上しつつある状況を表している。特に配置状態Ａの場合において比較的早期に標準偏差の差分ΔＰσが改善され、最も効果的であることがわかった。一方、配置状態Ｂにおいては、比較的小さな変化しか得られなかった。以上の図１４（Ａ）および図１４（Ｂ）の結果から、配置状態Ａにおいて、２０分から６０分に亘って超音波を照射することにより、再生出力の低下を最小限度に抑えつつ最も効果的に再生出力波形の対称性および安定性の改善を図ることができることがわかった。
【００６０】
このように本実施例によれば、バー１１Ｂ上の各ＭＲ膜１４に対して超音波による振動エネルギーを加えることにより、零磁場状態において磁化方向Ｊ３５のばらつきを低減し、十分な再生出力を確保しつつ、再生出力波形の対称性および安定性を向上させることができ、より良好かつ安定した再生特性を得ることができることが確認できた。その場合、特に、ＭＲ膜１４に対してＡＢＳ１１Ｓと直交する方向から超音波を照射することがより効果的であることがわかった。
【００６１】
なお、第２の実施の形態に対応して、バー１１Ｂから個々のスライダ４Ａを切り出したのち、各スライダ４ＡのＭＲ膜１４に対して同様の調査を行った結果、第１の実施の形態に対応した上記の実施例と同様の結果が得られた。
【００６２】
以上、いくつかの実施の形態および実施例（以下、実施の形態等）を挙げて本発明を説明したが、本発明は、これらの実施の形態等に限定されず、種々変形可能である。例えば、本実施の形態等では、超音波の周波数を１９．５ｋＨｚとしたが、これに限定されるものではなく、他の周波数であってもよい。また、ＣＩＰ−ＧＭＲ構造を有する薄膜磁気ヘッドについて説明するようにしたが、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）−ＧＭＲ構造を有する薄膜磁気ヘッドを製造する場合についても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法が適用される磁気ヘッドスライダを備えた磁気ディスク装置を表す斜視図である。
【図２】図１に示した磁気ディスク装置に搭載された磁気ヘッドスライダの構成を表す斜視図である。
【図３】図２に示した磁気ヘッドスライダに形成された薄膜磁気ヘッドの構成を表す分解斜視図である。
【図４】図３に示した薄膜磁気ヘッドのIV−IV線に沿った矢視方向の構造を表す断面図である。
【図５】図４に示した薄膜磁気ヘッドのV−V線に沿った矢視方向の要部構成を表す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法を表す流れ図である。
【図７】図６に示した磁気ヘッドスライダの製造方法において用いる超音波照射装置の概略構成を表す断面図である。
【図８】図６に示した磁気ヘッドスライダの製造方法における一工程を表す斜視図である。
【図９】図８に続く一工程を表す斜視図である。
【図１０】図９に続く一工程を表す斜視図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドスライダの製造方法を表す流れ図である。
【図１２】実施例としての薄膜磁気ヘッドにおける、超音波を照射する前の抵抗と非対称性との関係を表す散布図である。
【図１３】実施例としての薄膜磁気ヘッドにおける、超音波を照射した後の抵抗と非対称性との関係を表す散布図である。
【図１４】実施例としての薄膜磁気ヘッドにおける再生出力の超音波照射時間の依存性を表す特性図である。
【図１５】従来のＳＶ−ＧＭＲ素子を搭載した薄膜磁気ヘッドにおける再生動作を説明するための説明図である。
【図１６】図１５に示した薄膜磁気ヘッドの再生特性を表す特性図である。
【図１７】従来のＳＶ−ＧＭＲ素子を搭載した他の薄膜磁気ヘッドの再生動作を説明するための説明図および再生特性を表す特性図である。
【図１８】従来のＳＶ−ＧＭＲ素子を搭載した別の他の薄膜磁気ヘッドの再生動作を説明するための説明図および再生特性を表す特性図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…筐体、２…磁気ディスク、４…ＨＧＡ、４Ａ…スライダ、４Ｂ…サスペンション、１０…薄膜磁気ヘッド、１０Ａ…再生ヘッド部、１０Ｂ…記録ヘッド部、１１…基体、１１Ａ…ウェハ、１１Ｂ…バー、１１Ｓ…記録媒体対向面（ＡＢＳ）、１２…下部シールド層、１３…下部ギャップ層、１４…ＭＲ膜、１５（１５Ｌ，１５Ｒ）…磁区制御層、１６（１６Ｌ，１６Ｒ）…導電リード層、２０…上部ギャップ層、２１…上部シールド層、３２…固定作用層、３３…磁化固着層、３４…非磁性層、３５…磁化自由層、５１…蒸留水、５３…オシレータ、５４…ホーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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