(57)【要約】      （修正有）【課題】低コストで、大型基板の均一なプロセス処理が可能であるプリント基板製造装置を提供する。【解決手段】ワーク４に対してプラズマ３を発生して異方性処理を行うプリント基板製造装置１において、ワーク４を移動させる移動手段５と、該ワークの移動方向に垂直に延出するプラズマ発生源２と、前記ワークの移動方向に垂直に延出し、前記プラズマ発生源と前記ワークを挟んで対峙する高周波電力印加電極６とを具備することにある。ワークの移動方向に垂直（幅方向）に延出するようにプラズマ発生源及び高周波電力印加電極を設けたことによって、ワークの移動方向に対して均一な処理を行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークに対してプラズマを発生して異方性処理を行うプリント基板製造装置において、
ワークを移動させる移動手段と、
該ワークの移動方向に垂直に延出するプラズマ発生源と、
前記ワークの移動方向に垂直に延出し、前記プラズマ発生源と前記ワークを挟んで対峙する高周波電力印加電極とを具備することを特徴とするプリント基板製造装置。
【請求項２】
前記プラズマ発生源と前記ワークの間に、プラズマが通過する複数の孔が形成されたプラズマ制限板が配置されることを特徴とする請求項１記載のプリント基板製造装置。
【請求項３】
前記高周波電力印加電極は、前記ワークの移動方向に垂直に延出する円筒状に形成されることを特徴する請求項１記載のプリント基板製造装置。
【請求項４】
前記高周波電力印加電極に印加される高周波バイアス電圧の波長は、前記ワークの移動方向に垂直な幅の少なくとも２倍であることを特徴とする請求項１，２又は３記載のプリント基板製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマを使用したプリント基板製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、ワークが収納されるチャンバと、チャンバ内を真空吸引する真空吸引手段と、チャンバ内にプラズマ発生用ガスを供給するガス供給手段と、チャンバに設けられた電極に高周波電圧を印加することによりチャンバ内にプラズマを発生させる電源部とを備えたプラズマ発生装置を開示する。
【０００３】
特許文献２は、それぞれ絶縁層上に回路パターンを形成してなる回路基板を少なくとも３枚積層して多層かし、層間をバイア・ホールにより接続する多層プリント基板の製造方法において、第１の回路基板を用意し、この第１の回路基板に接着剤により第２の回路基板を固着し、この第２の回路基板におけるバイア・ホール周辺の回路パターンをエッチングにより除去してバイア・ホール形成領域を形成し、前記バイア・ホール形成領域に異方性処理手段により前記第１の回路基板までの前記第２の回路基板における絶縁層及び接着剤を除去して第１の穴を形成し、この第１の穴にスルーホール、メッキを施すものを開示する。
【０００４】
特許文献３は、層間絶縁層により隔てられた２層以上の配線層を有する回路基板の絶縁層に、任意の配線層間を接続して電気回路を形成するための層間又は貫通ビアホール用の孔をあけ、孔の内壁に大気圧下でのプラズマ処理法により金属膜を形成して配線層間を電気的に接続するビアホール形成方法を開示する。
【特許文献１】特開２００２−１８２７５号公報
【特許文献２】特開２００２−９４２４０号公報
【特許文献３】特開２００３−３４７７３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献から明らかなように、従来の半導体ウェハー製造では、ウェハー基板ホルダに高周波バイアスを印加することにより異方性エッチングを実現していた。また、この異方性エッチングを用いることにより、ウエットエッチング技術やアッシング技術での等方性処理とは異なり、微細な溝や穴を形成することが可能となる。さらに、プリント基板製造分野においても、微細加工の要求に伴い、異方性処理（エッチング処理）の必要性が高まってきた。
【０００６】
しかしながら、プリント基板のワークサイズは、半導体シリコンウェハーと比較すると、より大きく（面積比で、約４倍）、半導体装置の大面積処理への対応が必要となる。この場合、（１）均一なプロセス処理が困難なこと、（２）高い出力を有する高周波電源が必要となること（装置コストが高くなる）という問題点があった。
【０００７】
よって、この発明は、低コストで、大型基板の均一なプロセス処理が可能であるプリント基板製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
したがって、この発明は、ワークに対してプラズマを発生して異方性処理を行うプリント基板製造装置において、ワークを移動させる移動手段と、該ワークの移動方向に垂直に延出するプラズマ発生源と、前記ワークの移動方向に垂直に延出し、前記プラズマ発生源と前記ワークを挟んで対峙する高周波電力印加電極とを具備することにある。このように、ワークの移動方向に垂直（幅方向）に延出するようにプラズマ発生源及び高周波電力印加電極を設けたことによって、ワークの移動方向に対して均一な処理を行うことができるものである。また、プラズマ発生源及び高周波電力印加電極が、いわゆる線上であることから、高周波電源の出力を低くすることができるものである。
【０００９】
また、前記プラズマ発生源と前記ワークの間に、プラズマが通過する複数の孔が形成されたプラズマ制限板が配置されることが望ましい。これによって、処理ワーク表面でのプラズマのフラックス密度を均一にすることができる。
【００１０】
さらに、前記高周波電力印加電極は、前記ワークの移動方向に垂直に延出する円筒状に形成されるものであっても良い。これよって、さらにプラズマに曝される実効的な面積を小さくすることができるものである。
【００１１】
さらにまた、前記高周波電力印加電極に印加される高周波バイアス電圧の波長は、前記ワークの移動方向に垂直な幅の少なくとも２倍であることが望ましい。また、印加する高周波の周波数は、ワークのインピーダンスを考慮して、数十ＫＨｚから数百ＭＨｚの範囲で最適化することが望ましい。
【発明の効果】
【００１２】
したがって、この発明によれば、ワークの移動方向に垂直（幅方向）に延出するようにプラズマ発生源及び高周波電力印加電極を設けたことによって、装置の大型化を抑えることができるため、装置の価格、製造コストを抑えることが可能となるものである。また、小型の装置で、大型のワークの処理を行うことができるものである。さらに、プラズマ制限プレートを設けたことによって移動方向に対して均一な処理を行うことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明の実施例について図面により説明する。
【実施例１】
【００１４】
本願発明の実施例１に係るプリント基板製造装置１は、例えば図１及び図２に示されるように、処理空間１０内に移動機構５によって移動可能に配された大型のワーク４に、プラズマ発生源２から放射されるプラズマ３によって異方性エッチング処理によりビアホールの形成及び回路パターンの除去等を行うものである。
【００１５】
このプリント基板製造装置１において、前記プラズマ発生源２は、前記ワーク４の移動方向Ｄに対して垂直（ワークの幅方向）にワークの幅に略等しく延出する線状のプラズマ発生源であり、直流放電、高周波放電及びマイクロ波放電のいずれであっても良く、また連続放電若しくはパルス放電であっても良い。
【００１６】
さらに、高周波電力印加電極６が、前記ワーク４を挟んで前記プラズマ発生源２と対峙する位置に設けられる。この高周波電力印加電極６も、前記プラズマ発生源２と同様に、前記ワーク４の移動方向Ｄに対して垂直（ワークの幅方向）にワークの幅に略等しく延出するものである。これによって、ワーク４を挟んでプラズマ発生源２と対峙する位置に配されることによって、プラズマ発生源２から発生されたプラズマ３がこの高周波電力印加電極６に向かって放射されるため、ワーク４上において均一な異方性エッチング処理を行うことができるものである。
【００１７】
尚、前記高周波電力印加電極６は、高周波電源７に接続されるもので、この高周波電源７によって供給される高周波は、ワーク４の幅方向の長さより２倍以上長い波長を設定することが、高周波バイアス電圧の均一性を向上させるために必要である。また、印加する高周波の周波数は、ワーク４のインピーダンスを考慮し、数十ＫＨｚ〜数百ＭＨｚの範囲内で最適化するものである。
【実施例２】
【００１８】
本願発明の実施例２に係るプリント基板製造装置１Ａは、図３に示すように、前述した実施例１と同様の構成において、前記プラズマ発生源２とワーク４との間に、例えば図４で示すような配置で、プラズマが通過するための複数の孔２１が形成されたプラズマ制限プレート２０を設けたことを特徴とするものである。このプラズマ制限プレート２０は、金属等の導電物質によって形成しても、合成樹脂等の絶縁物質によって形成しても良い。また、前記複数の孔２１の径及び配置は、プラズマの種類やワークの種類によって最適化されることが望ましい。これによって、前記複数の孔２１を通過するプラズマ３のフラックス密度を適宜制御して、均一化することができるため、均一なプロセス処理を行うことが可能となるものである。
【００１９】
また、図４に示す孔２１の配置は、中央部分での処理速度が速くなることから、中央付近の孔２１の数を周縁部分によりも少なくすることによって中央部分でのプラズマのフラックス密度を制限し、全体的に均一な処理ができるようにするものである。しかしながら、前記孔２１の配置については、プラズマの種類、ワークの種類、高周波電源の容量等を考慮して最適化されるもので、上記配置に特に限定されるものではない。
【実施例３】
【００２０】
本願発明の実施例３に係るプリント基板製造装置１Ｂは、例えば図５に示すように、上述した実施例１に構成において、前記高周波印加電極６の形状をワークの幅方向に延出する円筒形状にしたことを特徴とする。この円筒形状の高周波印加電極６Ａによると、ワーク４の移動方向におけるワーク４との接触面積を狭くすることができるので、電極をより線状にすることができる。このため、ワーク４の移動方向においてワーク４へプラズマを集中させることができるので、プラズマの作業性を向上させることができ、高周波電源７の容量を小さくすることが可能となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本願発明の実施例１に係るプリント基板製造装置の概略構成図である。
【図２】本願発明の実施例１に係るプラズマ発生源、ワーク及び高周波印加電極の配置を示した説明図である。
【図３】本願発明の実施例２に係るプリント基板製造装置の概略構成図である。
【図４】本願発明の実施例２のプラズマ制限プレートの構成を示した説明図である。
【図５】本願発明の実施例３に係るプリント基板製造装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【００２２】
１，１Ａ，１Ｂ  プリント基板製造装置
２  プラズマ発生源
３  プラズマ
４  ワーク
５  移動機構
６，６Ａ  高周波印加電極
７  高周波電源
１０  処理空間
２０  プラズマ制限プレート
２１  孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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