(57)【要約】【課題】半導体基板を保持して熱処理炉内に導入する熱処理ボートの適否の判定を短時間で的確に行うことができ、熱処理を施す半導体基板の生産性を高めることができる熱処理ボートの評価方法を提供する。【解決手段】半導体基板を保持して熱処理炉内に導入する熱処理ボートの適否を判定する熱処理ボートの評価方法において、前記熱処理ボートにより半導体基板を保持して熱処理炉内に導入して熱処理をした後に、前記半導体基板の前記熱処理ボートと接触する接触部において形成された転位の個数から、前記熱処理ボートの適否を判定することを特徴とする熱処理ボートの評価方法。【選択図】  図１
2006222266.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を保持して熱処理炉内に導入する熱処理ボートの適否を判定する熱処理ボートの評価方法において、前記熱処理ボートにより半導体基板を保持して熱処理炉内に導入して熱処理をした後に、前記半導体基板の前記熱処理ボートと接触する接触部において形成された転位の個数から、前記熱処理ボートの適否を判定することを特徴とする熱処理ボートの評価方法。
【請求項２】
前記熱処理を、６００℃以上かつ前記半導体基板の融点未満で行うことを特徴とする請求項１に記載の熱処理ボートの評価方法。
【請求項３】
前記熱処理ボートとして、少なくとも複数の半導体基板を水平かつ上下に間隔をおいて保持する縦型の熱処理ボートを用いることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱処理ボートの評価方法。
【請求項４】
前記半導体基板として、シリコン基板を用いることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の熱処理ボートの評価方法。
【請求項５】
前記熱処理ボートの適否の判定は、予めカウントした前記転位の個数と、半導体基板を前記熱処理温度よりも高温で熱処理をした場合における前記半導体基板の接触部におけるスリップの発生率との相関を求め、該相関を用いて前記スリップ発生率が所定値以下となる前記転位の個数を基準として、他の熱処理ボートの適否を判定することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の熱処理ボートの評価方法。
【請求項６】
前記他の熱処理ボートとして、前記転位の個数と前記スリップ発生率との相関を求めた熱処理ボートと同一形状、同一材質のものを評価することを特徴とする請求項５に記載の熱処理ボートの評価方法。
【請求項７】
前記熱処理温度よりも高温で行う熱処理を、１１００℃以上かつ前記半導体基板の融点未満で行うことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の熱処理ボートの評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばチョクラルスキー法（以下「ＣＺ」法という）等により製造され、熱処理を施すことで高品質な表層部を有する半導体基板を製造する際に用いられる熱処理ボートの評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶等の半導体インゴットから切り出したシリコン基板を用いてデバイスを作製する場合、シリコン基板の加工プロセスから素子の形成プロセスまで多数の工程が介在する。それらの工程の一つに熱処理工程がある。この熱処理工程は、シリコン基板の表層における無欠陥層の形成、ゲッタリング、結晶化、酸化膜形成、不純物拡散等を目的として行われる非常に重要なプロセスである。
【０００３】
例えば、ＣＺ法にて製造されるシリコン単結晶中には、点欠陥の凝集体や石英製坩堝から導入される酸素関連欠陥が存在する。一般的に、生産性の面から結晶成長速度が比較的大きめの空孔優勢なシリコン単結晶が広く用いられている。この場合、結晶成長中に空孔の凝集体（ボイド）が形成される。また、この結晶から加工された研磨シリコン基板表面にボイドが露出した場合はＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅ）と呼ばれ、パーティクルカウンター等で容易に検出される。特に、このＣＯＰやシリコン基板表面近傍のボイドは、半導体シリコンデバイスの絶縁破壊等の耐性特性を劣化させる。
【０００４】
そのため、ボイド低密度やボイドフリーのシリコン基板が最近強く要求されてきている。シリコン基板に高温の熱処理を施したシリコンアニールウェーハは、不活性雰囲気下の高温熱処理により表面及び表層のＣＯＰやボイドを消滅・減少させることができることから需要が最近急激に高まっている。
【０００５】
このようなシリコンアニールウエーハの熱処理工程に用いられる熱処理炉としては、シリコン基板の大口径化に伴い、図２に示すような多数のシリコン基板Ｗを所定の間隔をあけて水平に支持した状態で熱処理を行う縦型の熱処理炉９が主に用いられる。熱処理炉９内のシリコン基板Ｗは、反応室１０の周囲に設けられたヒータ１１により加熱することができる。熱処理中は、反応室１０にはガス導入管１２を介して不活性ガスが導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管１３から外部に排出される。
【０００６】
このような熱処理炉９を用いて半導体基板Ｗを熱処理する際には、多数の半導体基板Ｗを水平にセットするための縦型の熱処理ボート８が用いられる。これにより、１２００℃付近の極めて高い温度で熱処理をすることができ、表層のＣＯＰやボイドを消滅・減少させることができる。しかしながら、熱処理ボート８の半導体基板の支持点には、半導体基板の自重に相当する大きなモーメントが作用して支持点付近における応力が過大になる等の原因により、この高温熱処理中にスリップ等の結晶欠陥が新たに導入される問題が起きている。  
【０００７】
この問題を回避する為に、半導体基板を保持して熱処理炉内に導入する熱処理ボートにおいて、シリコン基板を支持する部分の形状や配置の改良がなされている（特許文献１、特許文献２）。
熱処理ボートは、例えば上下にそれぞれ対向して配置された円形の天板および底板の間に、例えば石英よりなる３本以上の支柱を設け、基板外周辺部をこの支柱に形成された溝部に挿入して保持する構造のラダー状のものが多用されるが、シリコン基板の周辺を支持するリング状のものも考案され、改良がなされている（特許文献１）。
【０００８】
しかし、何れのタイプの熱処理ボートについても、同一形状・同一材質の熱処理ボートを使用した場合であっても、個々のボートによってスリップ発生率は必ずしも一致せず、スリップ等の結晶品質は安定しない。これは、同一形状・同一材質を持つ熱処理ボートであっても、その個体間の差が大きいためであり、この個体間の差を縮め、シリコン基板の生産性を高めるのは未だ困難である。
【０００９】
また、高温熱処理に用いる炉・部材については１２００℃近傍の高温で長時間空焼き等を行った上、清浄度やスリップ発生率を調べることが一般的であり、該当の熱処理ボートにおけるスリップ発生率を把握するまでに少なくとも１週間程度時間を必要としていた。
そのため、１週間程度の時間を要しながらもスリップ発生率の高い熱処理ボートを立ち上げる場合もあり、シリコンアニールウェーハの生産性を著しく低くしていた。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−５９８５１号公報
【特許文献２】特開平９−２５１９６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、半導体基板を保持して熱処理炉内に導入する熱処理ボートの適否の判定を短時間で的確に行うことができ、熱処理を施す半導体基板の生産性を高めることができる熱処理ボートの評価方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明によれば、半導体基板を保持して熱処理炉内に導入する熱処理ボートの適否を判定する熱処理ボートの評価方法において、前記熱処理ボートにより半導体基板を保持して熱処理炉内に導入して熱処理をした後に、前記半導体基板の前記熱処理ボートと接触する接触部において形成された転位の個数から、前記熱処理ボートの適否を判定することを特徴とする熱処理ボートの評価方法が提供される（請求項１）。
【００１３】
このように、半導体基板を熱処理した後に、熱処理ボートとの接触部において形成された転位の個数から、熱処理ボートの適否の判定をすることにより、短時間で的確に熱処理ボートを評価することができて、熱処理の際に半導体基板の品質を悪化させない熱処理ボートを選択して使用することができるため、熱処理を施す半導体基板の生産性を高めることができる。
【００１４】
このとき、前記熱処理を、６００℃以上かつ前記半導体基板の融点未満で行うことが好ましい（請求項２）。
前記熱処理を、６００℃以上かつ前記半導体基板の融点未満で行うことにより、前記熱処理ボートと接触する接触部において転位を発生させることができる。６００℃以上としたのは、シリコン基板に短時間で転位を発生させるためである。
【００１５】
また、前記熱処理ボートとして、少なくとも複数の半導体基板を水平かつ上下に間隔をおいて保持する縦型の熱処理ボートを用いることができる（請求項３）。
これにより、近年の大口径基板の熱処理において用いられている縦型の熱処理ボートにおいて、その複数の半導体基板を保持する溝（スロット）のそれぞれに関して半導体基板の接触部において形成された転位の個数から、前記縦型の熱処理ボートの適否を判定することにより、短時間で的確に、大口径基板用の熱処理ボートを評価することができる。
【００１６】
さらに、前記半導体基板として、シリコン基板を用いることが好ましい（請求項４）。
このように、本発明により、デバイス製造に大量に用いられている、たとえばＣＺ法により製造され、スライス、研磨加工等されたシリコン基板を熱処理する際に用いる熱処理ボートの評価を行うことができる。
【００１７】
また、前記熱処理ボートの適否の判定は、予めカウントした前記転位の個数と、半導体基板を前記熱処理温度よりも高温で熱処理をした場合における前記半導体基板の接触部におけるスリップの発生率との相関を求め、該相関を用いて前記スリップ発生率が所定値以下となる前記転位の個数を基準として、他の熱処理ボートの適否を判定することが好ましい（請求項５）。
このように、転位の個数とスリップ発生率との相関を求めて、該相関を用いて前記スリップ発生率が所定値以下となる前記転位の個数を基準として、他の熱処理ボートの適否を判定することにより、要求される半導体基板の品質水準や熱処理ボートの製造コスト等の実情に即した熱処理ボートの評価が可能となる。転位の個数とスリップ発生率との相関データを用いることにより、当該他の熱処理ボートを用いて熱処理した場合のスリップ発生率を予測することが可能であり、迅速に熱処理ボートの適否を判定することができる。
【００１８】
このとき、前記他の熱処理ボートとして、前記転位の個数と前記スリップ発生率との相関を求めた熱処理ボートと同一形状、同一材質のものを評価することが好ましい（請求項６）。
このように、前記他の熱処理ボートとして、前記転位の個数と前記スリップ発生率との相関を求めた熱処理ボートと同一形状・同一材質のものを用いることにより、評価の対象とする熱処理ボートに関して、転位の個数とスリップ発生率との相関をより高精度に把握することができるため、より実情に即した熱処理ボートの評価が可能となる。
【００１９】
また、前記熱処理温度よりも高温で行う熱処理を、１１００℃以上かつ前記半導体基板の融点未満で行うことが好ましい（請求項７）。
このように、前記熱処理温度よりも高温で行う熱処理を、１１００℃以上かつ前記半導体基板の融点未満で行うことにより、前記熱処理ボートと接触する接触部においてスリップが発生するようになる。１１００℃以上としたのは、シリコン基板に短時間で表面無欠陥層を形成させるためである。
【発明の効果】
【００２０】
このように、本発明により、熱処理ボートの適否の判定を短時間で的確に行うことができるため、結果として熱処理を施す半導体基板の生産性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
従来、製造した熱処理ボートをシリコン基板の熱処理に使用する際にシリコン基板に発生するスリップの程度を把握するには、熱処理炉において１２００℃近傍の高温で長時間空焼き等を行わなければならず、少なくとも１週間程度もの時間を必要としていた結果、スリップ発生率の高い熱処理ボートを立ち上げる場合も多く、シリコン基板を熱処理したシリコンアニールウエーハの生産性が妨げられていた。
【００２２】
そこで、本発明者は、高生産性を実現できる熱処理ボートを短時間で的確に判定する方法について鋭意研究を行い、本発明を完成させた。
すなわち、本発明者は、少なくとも、半導体基板を保持して熱処理炉内に導入する熱処理ボートの適否を判定する熱処理ボートの評価方法において、前記熱処理ボートにより半導体基板を保持して熱処理炉内に導入して熱処理をした後に、前記半導体基板の前記熱処理ボートと接触する接触部において形成された転位の個数から、前記熱処理ボートの適否を判定することにより、熱処理ボートの適否の判定を短時間で的確に行うことができ、熱処理を施す半導体基板の生産性を高めることができることを見出した。
【００２３】
特に、１０００℃以下といった低温熱処理で接触部に発生した転位の個数と、その後１１００℃以上といった高温熱処理を行った場合に発生するスリップの発生率との相関関係を予め求めておけば、同一形状・同一材質の他の熱処理ボートを低温熱処理を一度行って接触部における基板に発生した転位を計測するだけで、高温熱処理時に基板に発生するスリップの発生率を予測することが可能であり、熱処理ボートの迅速な評価が可能である。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は、本発明の評価対象である縦型の熱処理ボートの概略図の一例であり、図２は、半導体基板を保持して縦型熱処理ボートを導入した縦型の熱処理炉の概略断面図の一例である。
【００２５】
まず、縦型の熱処理ボート８に、複数のシリコン基板Ｗを水平に間隔をおいて保持して熱処理炉９内に導入して、６００℃以上かつシリコンの融点未満で熱処理をした後に、シリコン基板Ｗの熱処理ボート８と接触する接触部（シリコン基板の裏面）において形成された図３に示すような転位の個数を、シリコン基板Ｗのそれぞれについて光学顕微鏡にて観察してカウントする。
次に、同一のボートを用いてシリコン基板Ｗを１１００℃以上かつ融点未満の温度で、上記と同様に熱処理をしてシリコン基板Ｗの接触部におけるスリップの発生の有無を調べ、カウントした転位の個数とスリップ発生率との相関を図４に示すように求める。この相関を用いてスリップ発生率が所定値以下となる転位の個数を基準として（例えば、図４では１０個未満とすれば、スリップの発生率はほぼ０とできることになる。）、他の同一形状・同一材質の、熱処理ボートに６００℃以上の熱処理を施した場合に基板に発生した転位の個数を光学顕微鏡にてカウントし、当該ボートの適否を判定する。
【００２６】
これにより、要求されるシリコン基板の品質水準や熱処理ボートの製造コスト等の実情に即した熱処理ボートの評価が可能となり、熱処理ボートの適否の判定を短時間で的確に行うことができ、熱処理を施すシリコン基板の生産性を高めることができる。
【００２７】
まず、本発明において評価の対象となる熱処理ボートは、少なくとも半導体基板を保持して熱処理炉内に導入するものであればいずれにも適用できるが、多数の大口径の半導体基板に対応できるように、図１のように少なくとも半導体基板を水平かつ上下に間隔をおいて保持する縦型の熱処理ボートが好ましい。自重の重い大口径基板に用いられる熱処理ボートでスリップは特に問題となり、本発明の評価方法により迅速に判定することが強く望まれるからである。
【００２８】
ここで、縦型の熱処理ボートは、図１のように上下にそれぞれ対向して配置された円形の天板１および底板２の間に、３本以上の支柱３を設け、この支柱３において半導体基板Ｗの周辺部を保持する保持面４を有する溝５が多数形成されたラダー状の熱処理ボート８がより好ましいが、支柱に平らな保持面を備えたリング状の保持部材を配置し、この保持部材に半導体基板を載置するようにしたリング状のものであってもよい。また、熱処理ボートは、１枚のみを保持するものであってもよく、必ずしも縦型のものに限らず、複数の半導体基板を垂直に立てて保持するいわゆる横型のものであってもよい。また、材質としては、例えば、石英、炭化ケイ素，単結晶シリコン、多結晶シリコンなどがあげられる。
【００２９】
このような熱処理ボートにより半導体基板を保持して導入する熱処理炉は、本発明において評価の対象である熱処理ボートを導入することができ、熱処理を行うことができるものであれば特に限定されないが、例えば図２のような、多数の半導体基板Ｗを所定の間隔をあけて水平に支持した状態で熱処理を行う縦型の熱処理炉９を用いることが好ましい。この熱処理炉９内の基板Ｗは、反応室１０の周囲に設けられたヒータ１１により加熱することができる。熱処理中は、反応室１０にはガス導入管１２を介して雰囲気となる不活性ガス等が導入され、上方から下方に向かって流れてガス排気管１３から外部に排出される。なお、使用するガスは熱処理の目的によって異なるが、主としてＨ２、Ｎ２、Ｏ２、Ａｒ等が用いられる。不純物拡散の場合には、これらのガスを不純物化合物ガスのキャリアガスとしても使用する。
【００３０】
半導体基板は、熱処理ボートに保持されて熱処理炉内に導入されて、例えば、１１００℃以上半導体基板の融点未満の高温で熱処理されて、基板表面の欠陥を消去する。もちろん、熱処理条件はこれに限定されるものではない。また、半導体基板として、ＣＺ法により製造され、スライス、研磨加工等されたシリコン基板を用いることが好ましいが、これに限定されず、他の半導体基板であってもよい。このような高温熱処理をする時に熱処理ボートとの接触部から半導体基板にスリップが発生する問題があるが、本発明では、予め熱処理ボートに半導体基板を保持して、６００℃以上半導体基板の融点未満の熱処理を加えて、熱処理ボートとの接触部に形成される転位の個数から熱処理ボートの適否を判定する。
【００３１】
この熱処理は、６００℃以上でかつ半導体基板の融点未満の温度で、検出可能な転位を発生させるために必要な熱処理時間その他の熱処理コストを考慮して条件設定して行う。６００℃以上とするのは、後述する実施例に記載した実験により、シリコン基板に検出できる転位を発生させるために必要な温度と考えられるためである。一方、接触部に転位を発生させることができれば、必要以上に高温にすることもないので、１０００℃以下とするのが好ましい。
【００３２】
半導体基板の熱処理ボートと接触する接触部には、半導体基板を支持する支持点があり、支持点付近においては、半導体基板の自重に相当する大きなモーメントが作用して応力が過大になる。このような原因により、実際のシリコン基板の製造プロセスにおいて要求される高温熱処理を行った場合、新たな結晶欠陥であるスリップの発生が起こりやすくなる。同一形状・同一材質を持つ熱処理ボートであっても、熱処理ボートと接触する接触部は、その個体間の差が大きいと考えられ、スリップの発生率が異なるものとなる。
【００３３】
そこで、本発明者は、実験により、図３に示すように、６００℃〜７００℃の温度条件による熱処理によって、半導体基板の熱処理ボートと接触する接触部において、スリップの発生と同様の原因によると考えられる転位の発生が観察できることを明らかにして、図４に示すように、この転位の個数とスリップ発生率とは相関があることを確かめた。
すなわち、この転位の個数が多いほど、スリップが発生しやすいということであり、転位の個数を調べることにより、短時間でスリップの発生率を把握することができる。
【００３４】
熱処理ボートの適否を判定するにあたり、基準とする転位の個数は、調べたサンプルの転位の個数分布を求め、その分布から適宜基準値を選択する方法でもよいが、同一形状・同一材質の熱処理ボートに関して、予備低温熱処理を行って求めた転位の個数とスリップ発生率との相関を用い、スリップ発生率が所定値以下となる数を基準値として適宜選択する方法が好ましい。なお、スリップを発生させるための熱処理は、転位を発生させる温度よりも高温で行うべきであるが、１１００℃以上かつ半導体基板の融点未満で行うのが好ましい。
【００３５】
これにより、要求される熱処理後の半導体基板の品質水準や熱処理ボートの製造コスト等の実情に即した熱処理ボートの評価が可能であり、熱処理ボートの適否の判定を短時間で的確に行うことができ、熱処理を施す半導体基板の生産性を高めることができる。
【００３６】
特に、縦型の熱処理ボートについては、半導体基板を保持する溝５のそれぞれに関して、溝５の適否を判定することができるので、熱処理ボート全体の適否の判定により使用する熱処理ボートを決定する場合のみならず、熱処理ボートの製造後において使用する溝５の選択を行う場合や、熱処理ボートの製造過程において溝５を調整する際にも、本発明の熱処理ボートの評価方法の結果は高い利用価値がある。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
溝数１１０溝のラダー状の炭化ケイ素製熱処理ボートを用いて、その第７１溝にテスト用シリコン基板(直径２００ｍｍ、Ｐ型ＣＺ（１００）)を、その他の溝にダミー用シリコン基板（直径２００ｍｍ、Ｐ型ＣＺ（１００））を保持して、熱処理炉に導入して、アルゴン雰囲気下に置いた。
導入温度は４００℃、５００℃、６００℃、７００℃で、それぞれの温度で３０分間保持した後、各温度で炉外に取り出した。なお、所要時間は長くても２時間程度であり、導入速度は一律１００ｍｍ／分であった。
これらテスト用シリコン基板の熱処理ボートと接触する接触部に形成された転位を光学顕微鏡（ニコン社製ＯＰＴＩＰＨＯＴ２００）にて観察した。
【００３８】
その結果、図３に示すように、６００℃以上の温度で熱処理炉に導入されたテスト用シリコン基板上で転位が観察された。
次に、同一の熱処理ボート・同一の溝である第７１溝において１２００℃／１ｈで熱処理してシリコン基板に導入されるスリップを観察したところ、図３に示したような６００℃、７００℃で発生した転位の発生箇所（の一部）と、スリップの起点位置とが良く一致することを確認した。この時の導入温度は７００℃であった。
【００３９】
このような実験結果を踏まえて、同一形状の炭化ケイ素製熱処理ボート２台と、これらを使用する２台の縦型熱処理炉を用いて実験を行った。図１のような上記とは異なる溝数１４１溝のラダー状の熱処理ボートの第４１溝から第５０溝にテスト用シリコン基板（直径２００ｍｍ、Ｐ型ＣＺ（１００））を、その他の溝にダミー用シリコン基板（直径２００ｍｍ、Ｐ型ＣＺ（１００））を仕込み、アルゴン雰囲気下の炉に導入した。
【００４０】
７００℃で熱処理炉内に導入して７００℃で３０分間保持した後、シリコン基板を熱処理炉外に取り出して、シリコン基板の熱処理ボートと接触する接触部において形成された転位の個数を光学顕微鏡（同上）で観察し、カウントした。
【００４１】
次に、第４１溝から第５０溝に別のテスト用シリコン基板（直径２００ｍｍ、Ｐ型ＣＺ（１００））を仕込み、それぞれの熱処理炉で１２００℃／１ｈの熱処理をテスト用シリコン基板をかえて２バッチずつ行い、同じ熱処理ボートの同じ溝に仕込まれた２枚のテスト用シリコン基板に導入されたスリップ発生率（＝０，５０，１００％）を調べて、縦軸とし、前記同じボートの同じ溝における転位の個数を横軸として図４にプロットした。
なお、ここでも導入温度は７００℃で、上記溝以外にはダミー基板（直径２００ｍｍ、（１００））を保持した。また、転位は、光学顕微鏡倍率２００倍で観察されるものであり、１２００℃／１ｈ熱処理でのスリップは、テスト用シリコン基板表面において光学顕微鏡倍率５０倍で観察されるものである。
【００４２】
その結果、図４から、熱処理炉への導入温度を７００℃としたシリコン基板上で転位が１０個未満であればスリップ発生率が０％であることが分かる。
そこで、他の同一形状・同一材質の熱処理ボートにおいて炉への導入温度を例えば７００℃として、そのシリコン基板上に形成する転位の個数が５個以下であることを基準に、熱処理ボートの適否を判定する熱処理ボートの評価を行って、転位の個数が５個以下となる溝を有する熱処理ボートを選択して、これらの溝を使用してシリコン基板の熱処理を行うことにより、スリップの発生をほとんどゼロに抑制することができ、熱処理を施す半導体基板の生産性を高めることができた。
【００４３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の評価対象である縦型の熱処理ボートの概略図の一例である。
【図２】半導体基板を保持して縦型熱処理ボートを導入した縦型の熱処理炉の概略断面図の一例である。
【図３】半導体基板の熱処理後、熱処理ボートと接触する接触部における転位の観察図の一例である。
【図４】半導体基板の熱処理ボートと接触する接触部における転位の個数とスリップ発生率の相関を表す図の一例である。
【符号の説明】
【００４５】
１…天板、  ２…底板、  ３…支柱、  ４…保持面、  ５…溝、  
８…熱処理用ボート、  ９…熱処理炉、１０…反応室、  １１…ヒータ、  
１２…ガス導入管、  １３…ガス排気管、  Ｗ…半導体基板。
【図１】
2006222266.tif 000003
【図２】
2006222266.tif 000004
【図３】
2006222266.tif 000005
【図４】
2006222266.tif 000006