(57)【要約】【課題】  半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な、露光雰囲気汚染の影響を抑制する技術を提供すること。【解決手段】  パルス光を発光する光源１７と、この光源１７からの光を集光し、レチクル１２などの原版を照明する照明光学系１８と、前記原版からの光を被露光体であるウエハ２２に導く投影光学系１９と、前記被露光体を載置するウエハステージ２１と、光が通過する空間内に、少なくとも１枚の羽根５１を有する回転体５４と冷却手段４１を備え、回転体５４は、光源１７のパルスタイミングと同期して羽根５１を回転させる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを基板に露光する露光装置において、
露光光が通過する空間内に、羽根を有する回転体を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記回転体を内包する空間内に、冷却手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記冷却手段に接続された板を有することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記回転体と、前記冷却手段を内包し、前記光源からのパルス光を通過させる開口部及び排気部を有する容器とを備えることを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記容器は、前記開口部を遮蔽する開閉扉を有することを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記冷却手段により、前記羽根を輻射冷却することを特徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の露光装置。
【請求項７】
前記回転体は、前記光源のパルスタイミングと同期し、パルス光を遮ることなく前記羽根を回転させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記パターンを基板に露光するための照明光学系と投影光学系を有し、前記二つの光学系のうちの少なくともいずれかを内包する真空チャンバを温調する手段を有することを特徴とする請求項２乃至７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記回転体及び前記冷却手段のいずれかを内包する空間内に、多孔質を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
前記回転体を回転させるモーターは、ベアリングを有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】
前記パターンを有する原版を搭載した原版用ステージと前記基板を搭載した基板用ステージとを備え、前記回転体は前記原版用ステージと前記基板用ステージとの間に配置されることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の露光装置を用いて、前記基板に露光する工程と、露光した前記基板を現像する工程とを具備することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な、露光雰囲気汚染の影響を抑制する技術に関する。
【０００２】
本発明は、特に、ＥＵＶ光のような短波長（０．５〜５０ｎｍ）の光を用いて露光を行う露光装置、または、高真空雰囲気下において、ミラーやレンズ等の光学素子を用いて露光を行う露光装置に好適である。
【背景技術】
【０００３】
近年、半導体を製造するための光リソグラフィ技術においては、用いられる露光光は、短波長化が進められ、ｉ線、ｇ線からＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光へと進化して来た。露光光の短波長化が進めば、より微細なマスクパターンをウエハに転写することが可能となる。しかし、細い線幅のパターンを露光するためには、紫外光を用いたリソグラフィでは原理的限界にある。そこで紫外光より短波長である極端紫外光（ＥＵＶ光、１３〜２０ｎｍ）を用いたＥＵＶリソグラフィが注目を集めている。
【０００４】
ＥＵＶ光で用いられる代表的な波長は１３．５ｎｍであるため、これまでの光リソグラフィを遥かに上回る解像度を実現することが可能であるが、その反面物質に吸収されやすいという性質を持つ。このため、従来のような紫外光を光源としたリソグラフィの様に、屈折光学系を用いた縮小露光を行うと、硝材によってＥＵＶ光が吸収されてしまい、ウエハ等の被露光体に到達する光量が極端に少なくなってしまう。そのため、ＥＵＶ光を用いて露光を行う際には、反射光学系を用いた縮小露光を構成する必要がある。
【０００５】
図９に、従来のＥＵＶ光を用いた縮小投影露光装置の概略図（特許文献１参照）を示す。ＥＵＶ露光装置２００は、ＥＵＶ光源２１０、照明光学系２２０、レチクル（マスク）２３０、アライメント光学系２４０、レチクルステージ２５０、ウエハステージ２６０、ウエハ２７０、真空容器２８０、反射型縮小投影光学系１００、第１のミラー１１０、第２のミラー１２０、第３のミラー１３０、第４のミラー１４０、第５のミラー１５０、及び第６のミラー１６０を有しており、真空容器２８０内のガスを排気する不図示の排気系なども備えている。
【０００６】
ＥＵＶ光源はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源は、ターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【０００７】
ＥＵＶ露光装置はＥＵＶ光の物質による吸収を避けるため、ＥＵＶ光を照射する空間を真空に保つ必要がある。そのため露光装置には真空ポンプなどの排気系が複数台取り付けられている。
【特許文献１】特開２００３−４５７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＥＵＶ露光装置に使用されるＥＵＶ光は装置内の雰囲気によって吸収されてしまう。特に酸素や水分はＥＵＶ光を強く吸収する。そのため、ＥＵＶ光の透過率を高く保つには真空ポンプなどを利用してチャンバ内を真空状態にする必要がある。ＥＵＶ光が通過するチャンバ内は、圧力が１０−３Ｐａ以下、且つ酸素及び水分の分圧が限りなく低いことが望ましい。しかし、水分などはウエハの搬送に伴って、ウエハに付着してきたものがチャンバ内で拡散する。さらに水分はチャンバ内壁に付着しやすく、排気しにくい。水分が光学素子に付着すると光学素子を酸化させ、光学素子の反射率を低下させる原因の一つとなる。
【０００９】
また、チャンバ内が真空状態になると、ステージなどの機構部から炭化水素が発生する。さらに露光中、露光光とレジストが反応することでも炭化水素が発生し、これらの炭化水素が、光学素子表面において露光光に照射されると、光学素子表面に炭素として付着する。光学素子に付着した炭素は、ＥＵＶ光を吸収し、光学素子の反射率を低下させてしまう。光学素子の反射率が低下するとスループットの低下へとつながる。
【００１０】
以上のことより、ＥＵＶ露光装置内の光学素子が設置された空間内においては特に、水分と炭化水素の分圧は、低く保つ必要がある。
【００１１】
露光装置内における水分や炭化水素などの分圧を下げるには、真空ポンプなど排気系の能力を高める措置も有効である。しかし、搬送されたウエハに付着した水分、レジストやステージの機構部から発生した炭化水素は拡散により、光学素子が設置されている空間に漂うことは免れないため、スループットの向上は難しい。
【００１２】
また、ＥＵＶ露光装置では、レチクルやウエハが装置チャンバに搬送されるまでに、ロボットハンドやゲートバルブの動作等、摺動や、摩擦によりパーティクルが発生し、これがレチクルやウエハに付着する可能性がある。さらに、ステージなどの可動部から発生するパーティクルが、露光時にレチクルやウエハの表面に付着する可能性がある。
【００１３】
このようにレチクルやウエハの表面にパーティクルが付着すると、デバイス製造の歩留まりやデバイスの信頼性が低下するという問題があった。特に、レチクルの回路パターン面にパーティクルが付着すると、実際の露光では、ショット毎に全く同じ位置にパーティクルが転写されることになる。このためデバイス製造の歩留まりやデバイスの信頼性が大幅に低下するという問題がある。
【００１４】
本発明は、上述の従来例における少なくとも１つの問題を解決または抑制することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述の目的を達成するための本発明は、以下の（１）乃至（１２）のいずれであってもよい。
（１）パターンを基板に露光する露光装置において、露光光が通過する空間内に、羽根を有する回転体を備えることを特徴とする露光装置。
（２）前記回転体を内包する空間内に、冷却手段を備えることを特徴とする上記（１）に記載の露光装置。
（３）前記冷却手段に接続された板を有することを特徴とする上記（２）に記載の露光装置。
（４）前記回転体と、前記冷却手段を内包し、前記光源からのパルス光を通過させる開口部及び排気部を有する容器とを備えることを特徴とする上記（２）または（３）に記載の露光装置。
（５）前記容器は、前記開口部を遮蔽する開閉扉を有することを特徴とする上記（４）に記載の露光装置。
（６）前記冷却手段により、前記羽根を輻射冷却することを特徴とする上記（２）乃至（５）のいずれかに記載の露光装置。
（７）前記回転体は、前記光源のパルスタイミングと同期し、パルス光を遮ることなく前記羽根を回転させることを特徴とする上記（１）乃至（６）のいずれかに記載の露光装置。
（８）前記パターンを基板に露光するための照明光学系と投影光学系を有し、前記二つの光学系のうちの少なくともいずれかを内包する真空チャンバを温調する手段を有することを特徴とする上記（２）乃至（７）のいずれかに記載の露光装置。
（９）前記回転体及び前記冷却手段のいずれかを内包する空間内に、多孔質を有することを特徴とする上記（１）乃至（８）のいずれかに記載の露光装置。
（１０）前記回転体を回転させるモーターは、ベアリングを有することを特徴とする上記（１）乃至（９）のいずれかに記載の露光装置。
（１１）前記パターンを有する原版を搭載した原版用ステージと前記基板を搭載した基板用ステージとを備え、前記回転体は前記原版用ステージと前記基板用ステージとの間に配置されることを特徴とする上記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の露光装置。
（１２）上記（１）乃至（１１）のいずれかに記載の露光装置を用いて、前記基板を露光する工程と、露光した前記基板を現像する工程とを具備することを特徴とするデバイス製造方法。
また、本発明は、例えば、パルス光を発光する光源と、前記光源からの光を集光し、原版を照明する照明光学系と、前記原版からの光を被露光体に導く投影光学系と、前記被露光体を載置するステージと、光が通過する空間内に、少なくとも１枚の羽根を有する回転体と冷却手段を備え、前記回転体は、前記光源のパルスタイミングと同期して前記羽根を回転させる露光装置である。
【００１６】
また、他の発明の特徴ならびにそれに対応した目的および優位性は、添付図面を参照してなされた後述の説明で明らかにされている。尚、当該図面において、同一または類似の符号は複数の図面を通して同一または類似の構成要素を表す。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、半導体デバイス等の微細なパターンを有するデバイスの製造等に用いて好適な、露光雰囲気汚染の影響を抑制する技術、特に、ＥＵＶ露光装置、または高真空雰囲気下で光学素子を用いて露光を行う露光装置に好適な当該技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明に係る露光装置の好ましい形態として、原版がレチクルであり、基板がウエハの場合の実施例について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００１９】
図１、及び図２に本発明のＥＵＶ光（ここでは、０．１〜３０ｎｍ、より好ましくは１０〜１５ｎｍの波長の光）を用いた露光装置の実施例１を示す。
この露光装置は、光源１７、照明光学系１８、投影光学系１９、レチクル照明ミラー１、レチクル１２を保持するレチクル保持部１５、レチクル保持部１５を搭載するレチクルステージ１１、ウエハ２２を保持するウエハ保持部２４、ウエハ保持部２４を搭載するウエハステージ２１、レチクルアライメント光学系１６、ウエハアライメント光学系２５、及びフォーカス位置検出機構２６とを有する。
光源１７から発せられたＥＵＶ光８は、照明光学系１８、レチクル照明ミラー１を介してレチクル１２に照射され、反射される。反射されたＥＵＶ光は、投影光学系１９を介してウエハ２２に照射される。
【００２０】
光源１７は、いくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源はターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【００２１】
照明光学系１８は、複数枚の多層膜ミラーとオプティカルインテグレータなどから構成されている。照明光学系１８の役割は、光源から放射された光を効率よく集光すること、そして露光領域の照度を均一にすることなどが挙げられる。また、オプティカルインテグレータはマスクを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【００２２】
投影光学系１９は、ミラー２〜７を有する。各ミラー２〜７は、Ｍｏと、Ｓｉが交互にコーティングされた多層膜ミラーである。この多層膜はＥＵＶ光の直入反射率が６７％程度であるため、多層膜ミラーに吸収されたエネルギーの大部分は熱に変わる。そのためミラーの基盤材料には低熱膨張ガラスなどが用いられる。
【００２３】
レチクルステージ１１及びウエハステージ２１は、真空環境下で駆動する機構を持ち、縮小倍率に比例した速度比により同期して走査する。また、レチクルステージ１１及びウエハステージ２１の位置や姿勢は、不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。レチクルステージ１１及びウエハステージ２１は、それぞれ微動機構を持ち、レチクル１２またはウエハ２２の位置決めが可能である。
【００２４】
アライメント検出機構は、レチクルアライメント光学系１６、及びウエハアライメント光学系２５を備え、これらの光学系１６、及び光学系１７が、それぞれ、レチクル１２の位置と投影光学系１９の光軸との位置関係、及びウエハ２２と投影光学系１９の光軸との位置関係を計測する。その結果に基づき、レチクル１２の投映像がウエハ２２上における所定の位置に一致するように、レチクルステージ１１及びウエハステージ２１の位置と、角度が調整される。
【００２５】
また、フォーカス位置検出機構２６は、投影光学系１９の結像位置をウエハ面上に保つためにウエハ面上における垂直方向のフォーカス位置を検出する。
一回の露光が終わるとウエハステージ２１は、Ｘ，Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再び露光を行う。
【００２６】
ＥＵＶ露光装置は、前述したように照射されたＥＵＶ光がウエハ表面に塗布されたレジストと反応することで有機ガスが発生し、その有機ガスが投影光学系のミラーの表面で再びＥＵＶ光と反応すると、ミラーの表面にカーボンとして付着してしまう問題を抱えている。
【００２７】
本実施例ではレジストから発生する有機ガスがミラーの表面に付着することを極力防ぎ、露光性能及びスループットの低下を防ぐ露光装置を提供する。
本実施例では、羽根を有する回転体５４をミラー６とミラー７の間、且つ、羽根５１がステージ空間開口部９１の直上を通過するように配置される。本実施例で説明する回転体５４の羽根５１は４枚構成であるが、羽根枚数や羽根形状はこの限りではない。
【００２８】
ここで、ミラー６とミラー７の間の空間で、ＥＵＶ光の光軸が通過する空間を不図示のＥＵＶ光通過空間と称する。この羽根５１を有する回転体５４は、光源のパルスタイミングと同期を計り、ＥＵＶ光８が照射されている場合には羽根５１がＥＵＶ光通過空間を横切らず、ＥＵＶ光８が照射されていない場合にはＥＵＶ光通過空間を横切るようにセンサR1と回転制御器２７によりモーター５５が制御される。
【００２９】
例えば、ＥＵＶ光８はパルス状に照射と、非照射を繰り返すため、４枚の羽根５１を有する回転体５４の場合、羽根５１は非照射時に最低１／４回転することでＥＵＶ光８を遮ることなく回転することが可能である。
【００３０】
前述したアウトガス分子は、真空環境であるためステージ空間開口部９１を通過し、投影光学系空間１０へ進入する。図６に示すように、進入したアウトガス分子は、回転体５４の羽根５１によりその軌道が強制的に変化させられ、クライオパネル４５の方向へ向かう。クライオパネル４５は冷凍機４２により約１００Ｋ以下に冷却されているため、パネル表面に衝突したアウトガス分子はパネル表面で凝着する。このように、ステージ空間開口部９１を通過し投影光学系空間１０に進入するアウトガス分子の大部分は、羽根５１とクライオパネル４５によって捕獲されるため、アウトガス分子のミラー表面への付着を低減することが可能である。
【００３１】
また、クライオパネル４５は、その性能を維持するために、定期的にパネル表面に凝着させたガス分子を放出する再生行程が必要である。その場合、クライオパネル４５が設置されている空間と投影光学系空間１０を空間的に分離する開閉扉７１を閉めることで、パネル表面から放出されるガス分子が投影光学系空間１０内に浮遊することを防ぐ。この放出されたガス分子はターボ分子ポンプ３６により外部へ排気される。
【００３２】
また、クライオパネル４５は、クライオパネル４５周辺の本体チャンバ９及び投影系ミラー６を輻射冷却してしまうため、それぞれを一定温度に保つ構成が必要である。本体チャンバ９に対してはヒーター６５と温調器２８により一定温度に保つ構成とし、またクライオパネル４５と本体チャンバ９との間に輻射冷却の影響を緩和する不図示の輻射シールドを設けても構わない。ミラー６と、ミラー７に対しては、ＥＵＶ光８の照射面を遮らないようにミラーを輻射シールド６６，６７で覆い、これらにヒーター６３，６４を設ける構成とする。
【００３３】
さらに羽根５１を囲むように配置されたクライオパネル４６により、羽根５１を輻射冷却し、羽根自身５１をクライオパネルとして機能させ、より確実にアウトガス分子の捕獲することが可能となる。
【００３４】
また、クライオパネル４６は、冷凍機４１により冷却されて本体チャンバ９も同時に輻射冷却してしまうため、ヒーター６１，６２及び温調器２８により本体チャンバ９の温調を行う。
【００３５】
また、モーター５５の回転部には磁気ベアリング備えることが好ましい。磁気ベアリングとすることで、軸受部から発生するパーティクルを低減することが可能である。
【実施例２】
【００３６】
本発明の実施例２に係る露光装置、回転体及びこれを内包する容器を図３〜図５に示す。上記実施例１では羽根５１を有する回転体５４を、ミラー６とミラー７の間に１箇所配置した例であるが、本実施例ではミラー６の表面近傍、ミラー７の表面近傍、及びウエハ２２の表面近傍の３個所に配置した例を図３に示す。
【００３７】
図４、及び図５に羽根５１を有する回転体５４の詳細図を示す。羽根５１及び回転体５４は羽根カバー９２内に内包され、羽根カバー９２と羽根５１の間に一部クライオパネル４５が配置される。羽根カバー９２は、ＥＵＶ光８を遮らない最小の開口部８１，８２が設けられ、またその開口部８１，８２には開閉扉７１，７２を備え、羽根カバー９２内の空間を外部から分離することが可能である。ここで羽根カバー９２の開口部８１，８２の開口サイズは、それぞれ配置される位置により異なる。また、羽根カバー９２は、ヒーター６１とターボ分子ポンプ３４を備える。回転体５４はモーター５５と制御器２７により駆動され、駆動方法は先の発明と同様である。
【００３８】
まず、ウエハ２２上に配置した羽根５１を有する回転体５４は、レジストより発生したアウトガス分子が羽根カバー９２の開口部８２を通過して投影光学系空間１０へ向かう軌道を羽根５１との衝突により、羽根５１近傍に備えられたクライオパネル４５の方向へ強制的に変化させる。クライオパネル４５に衝突したアウトガス分子はパネル表面で凝着される。
【００３９】
また、羽根カバー９２内に設置したクライオパネル４５により、羽根５１を輻射冷却し、羽根５１自身はクライオパネルとして機能させても構わない。羽根５１がクライオパネルとして機能すると、羽根５１に衝突するアウトガス分子を直接凝着するため、アウトガス分子の回収効率を高めることが可能である。
【００４０】
また、羽根カバー９２内側及び羽根５１に粉末状の活性炭等の多孔質をコーティングしても構わない。投影光学系空間１０内に浮遊する水素分子等を回収し空間内の真空度を高める場合、クライオパネル４５では水素分子等の回収が困難であるが、浮遊する水素分子等は多孔質による吸着作用を利用することで回収可能となる。
【００４１】
また、クライオパネル４５により羽根カバー９２が輻射冷却される場合には、ヒーター６１と温調器２８により一定温度に保つことが可能である。さらにモーター５５に不図示の冷却装置を配置し、モーター５５の発熱を抑える構成が好ましい。
【００４２】
クライオパネル４５の再生工程時は、羽根カバー９２の開口部８１，８２の開閉扉７１，７２を閉じることでパネル表面から開放されるガス分子が投影光学系空間１０へ流出することを防ぎ、羽根カバー９２に備えられたターボ分子ポンプ３４により放出ガスを外部へ排気する。また、投影光学系空間１０内に不図示のガス供給口から不活性ガスを供給し、投影光学系空間１０内の圧力を羽根カバー９２内の圧力より陽圧に維持し、羽根カバー９２に備えられたターボ分子ポンプ３４により放出ガス及び不活性ガスを外部へ排気しても構わない。この場合、羽根カバー９２の開口部８１，８２の開閉扉７１，７２が不要となり、羽根カバー９２の構造を単純化することが可能となる。
【００４３】
ミラー６の表面に設置された羽根５２を有する回転体５８は、投影光学系空間１０内に進入したアウトガス分子がミラー６の表面に衝突することを防ぎ、ミラー７の表面に設置された羽根５３を有する回転体５９は、投影光学系空間１０内に進入したアウトガス分子がミラー７の表面に衝突することを防ぐ役割を持つ。
【００４４】
本実施例では回転体５４，５８，５９の羽根枚数が４枚であるが、羽根枚数及び羽根形状はこの限りではない。また、他のミラー２〜５の表面及びレチクル１２の表面にも同様に羽根５１を有する回転体５４を設置しても構わない。その他のミラーやレチクル１２に羽根５１を有する回転体５４を設置することで、それらのミラーの表面及びレチクルの表面にアウトガス分子が付着することを防ぎ、露光装置の性能を維持することが可能となる。
【実施例３】
【００４５】
次に、本発明の実施例３として、上記実施例１または２に係る露光装置を利用した半導体デバイスの製造プロセスを説明する。図７は半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。
【００４６】
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用してウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００４７】
上記ステップ４のウエハプロセスは以下のステップを有する（図８）。ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップ、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに転写する露光ステップ、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップ。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施例1の構成を概略的に示す図である。
【図２】本発明の実施例1の構成の１部を示す図である。
【図３】本発明の実施例２の構成を概略的に示す図である。
【図４】本発明の実施例２の羽根を有する回転体を内包する容器の断面図である。
【図５】本発明の実施例２の羽根を有する回転体を内包する容器の上面図である。
【図６】本発明の実施例１の羽根が分子軌道を変化させる図である。
【図７】本発明の実施例３に係る半導体製造プロセスを表す図である。
【図８】ウエハプロセスを表す図である。
【図９】従来のＥＵＶ露光装置の概略図である。
【符号の説明】
【００４９】
１：レチクル照明ミラー、２〜７：投影系第１〜６ミラー、８：ＥＵＶ光、９：本体チャンバ、１０：投影光学系空間、１１：レチクルステージ、１２：レチクル、１３：レチクル交換扉、１４：レチクル部品、１５：レチクル保持部、１６：レチクルアライメント光学系、１７：光源、１８：照明光学系、１９：投影光学系、２１：ウエハステージ、２２：ウエハ、２３：ウエハ交換扉、２４：ウエハ保持部、２５：ウエハアライメント光学系、２６：フォーカス位置検出機構、２７：制御器、２６：温度制御器、３１〜３７：ターボ分子ポンプ、４１，４２：冷凍機、４５〜４７：クライオパネル、５１〜５３：羽根、５４，５８，５９：回転体、５５〜５７：モータ、６１〜６５：ヒーター、６６，６７：輻射シールド、７１，７２：開閉扉、８１，８２：開口部、９１：ステージ空間開口部、９２：羽根カバー、Ｓ１〜Ｓ４：圧力センサ、Ｒ１：回転センサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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