(57)【要約】【課題】  特に、特にギャップ層の膜厚制御性等を向上させることが出来る磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  コンタクト層３６上に、少なくとも表面層がＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成されたコイル下地層４７を形成する。これにより前記コイル下地層４７の表面は大気暴露等によっても酸化せず、当然、前記コンタクト層３６が酸化されることもない。このように前記コンタクト層３６を前記コイル下地層４７によって適切に保護することで、従来のように、前記酸化層を除去するエッチング工程が必要ないから、ギャップ層が前記エッチングによって削られることなく、前記ギャップ層の膜厚制御等を従来よりも向上させることができる。【選択図】  図１３
2006221730.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体との対向面で、膜厚方向に、ギャップ層を介して対向する第１の磁性層と第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層に記録磁界を与えるためのコイル層と、を有し、
（ａ）  前記第１の磁性層上に前記ギャップ層を介して形成される導電性のコイル下地層を、前記第１の磁性層の周囲を埋める絶縁材料層上から露出する導電性のコンタクト層上にも形成し、このとき前記コイル下地層の少なくとも表面層をＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成する工程と、
（ｂ）  前記コイル下地層の所定域上にコイル層を形成する工程と、
（ｃ）  前記コイル層をコイル絶縁層で覆う工程と、
（ｄ）  前記コイル絶縁層よりも前記対向面側で露出している前記ギャップ層上から前記コイル絶縁層上にかけて導電性の下地層をスパッタ成膜し、前記下地層上に前記第２の磁性層をメッキ形成する工程と、
（ｅ）  前記コンタクト層上に残された前記コイル下地層上に導電層をメッキ形成する工程と、を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記（ｂ）工程時、前記コイル層を形成した後、前記コンタクト層上に形成された前記コイル下地層を保護した状態で、前記コイル層に覆われていない前記コイル下地層を除去する請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記（ａ）工程よりも前に、前記第１の磁性層の下側に、下側コイル層を形成する工程、前記下側コイル層の所定部位上に前記コンタクト層を形成する工程、及び前記コンタクト層を前記絶縁材料層上から露出させる工程を含み、
前記（ｂ）工程で形成される前記コイル層を、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられる上側コイル層として形成する請求項１または２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記（ｅ）工程での前記導電層を前記第２の磁性層と同じ材質で形成し、前記（ｄ）工程の第２の磁性層の形成と、前記（ｅ）工程の導電層の形成とを同時に行なう請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記（ａ）工程よりも前に、磁気検出素子とシールド層とを有する再生用ヘッド部を前記第１の磁性層よりも下側に形成する工程、前記磁気検出素子に電流を供給するための電極層上に前記コンタクト層を形成する工程、及び前記コンタクト層を前記絶縁材料層上から露出させる工程を含む請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にギャップ層の膜厚制御性等を向上させることが出来る磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
記録媒体に対し、磁気信号を記録するためのインダクティブヘッドは、記録媒体との対向面で、膜厚方向にギャップ層を介して対向する第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記対向面よりもハイト方向に離れた位置にて前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられるコイル層と、を有して構成される。
【０００３】
図１５は例えば垂直磁気記録ヘッドの製造の一工程を示している。図１５は前記垂直磁気記録ヘッドの部分縦断面図である。
【０００４】
図１５に示す符号１は、シールド層で、前記シールド層１の上にコイル絶縁層２を介してヘリカルコイルを構成する下側コイル片３が複数列を成して形成される。前記下側コイル片３の最も記録媒体との対向面Ｆ寄りに形成された下側コイル片３ａの一端部と、最もハイト寄り（図示Ｙ方向）に形成された下側コイル片３ｂの一端部は、他の下側コイル片３よりも延出形成されてコイルリード層４を構成する。図１５に示すように、前記コイルリード層４上には導電性のコンタクト層５が形成され、前記コンタクト層５の表面は、前記下側コイル片３上を覆うコイル絶縁層６の表面から露出している。
【０００５】
図１５に示すように前記コイル絶縁層６上には主磁極層７，補助ヨーク層８が形成される。前記補助ヨーク層８は図１５に示すように前記対向面Ｆよりもハイト側（図示Ｙ方向）に後退して形成され、前記対向面Ｆ側で露出する前記主磁極層７上から前記補助ヨーク層８上にかけて非磁性のギャップ層９が形成される。図１５に示すように、前記ギャップ層９上にはＧｄ決め層１０や絶縁下地層１１が形成され、前記絶縁下地層１１の上に、導電性のコイル下地層１２を介してヘリカルコイルを構成する上側コイル片１３が複数列を成して形成される。図１５に示すように前記上側コイル片１３上はレジストなどのコイル絶縁層１４によって覆われる。
【０００６】
図１５に示すように、図１６の工程に移る前に、前記コイル絶縁層６上から露出したコンタクト層５の表面をエッチングして、前記表面に形成された酸化層を除去する（クリーニング工程）。前記コンタクト層５はＣｕ等、導電性に優れる材質で形成されるが、酸化されやすい。また前記コイル下地層１２は最初、前記コンタクト層５上にも形成されており、その後、上側コイル片１３下以外の不要な前記コイル下地層１２はエッチング等にて除去されるが、このとき、前記コンタクト層５上にある前記コイル下地層１２はエッチングで除去せずに、前記コンタクト層５上に残しておいても良い。しかし、かかる場合でも前記コイル下地層１２は、ＣｕとＴｉとの積層構造等であり酸化層が形成されやすいことから、どうしても前記コンタクト表面の酸化層を除去するクリーニング工程が必要であった。クリーニング工程の必要性は、図１６に示すように前記コンタクト層５上に形成される導電性の持上げ層１７との間の導通性を適切に図るためであった。また、酸化層が形成される理由は、図１６に示す工程で、リターンヨーク層１５をメッキ形成する前に、前記対向面Ｆ側で露出するギャップ層９上から前記コイル絶縁層１４上にかけてリターンヨーク下地層１６をスパッタ成膜するため製造過程中の磁気ヘッドをスパッタ装置内に搬送等するときに、大気等の影響を受けるからであった。また加えて、コイル絶縁層１４を形成する際の露光現像等のパターニング工程や硬化させる熱工程等により酸化が進むという問題もあった。
【特許文献１】特開２０００−３２２７０９号公報
【特許文献２】特開２００３−２５７００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って上記したように、前記コンタクト表面の酸化層を除去するためにエッチングを行なうが、図１５に示すように、Ｇｄ決め層１０よりも前方の対向面Ｆ側ではギャップ層９が露出した状態であるため、前記ギャップ層９もエッチングの影響を受け、図１７に示すように前記ギャップ層９の膜厚Ｈ１が本来の膜厚Ｈ２よりも薄くなってしまう問題があった。このようにギャップ層９の膜厚にばらつきが生じてしまい従来の製造方法では前記ギャップ層９の膜厚制御を適切に行なうことが出来なかった。
【０００８】
また図１７に示すようにギャップ層９上に設けられたＧｄ決め層１０は、ギャップデプス（Ｇｄ）を規制するために設けられたものであるが、前記Ｇｄ決め層１０の表面１０ａが前記エッチングの影響を受けて、図１７に点線で示すように削られることで、前記ギャップデプス（Ｇｄ）が変動し、しかも前記表面１０ａが削られて現われたギャップ層９がさらにエッチングの影響を受けて削られてしまう。特に前記Ｇｄ決め層１０下のギャップ層９に対するエッチングの影響は、前記Ｇｄ決め層１０の表面１０ａの形状や、前記表面１０ａがどの程度エッチングの影響を受けるか等によって変るため、前記ギャップ層９の形状がばらつきやすいといった問題もあった。
【０００９】
上記した特許文献１や特許文献２には上記した本発明における問題点への言及はない。従って当然、上記問題点に対する対応策も提示していない。例えば特許文献１では特許文献１における図７の工程で、酸化層除去のためのイオンミーリングをしており（［００８３］欄）、ギャップ層２８ａが前記イオンミーリングの影響を受ける製造方法となっている。
【００１０】
そこで本発明は、上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、特にギャップ層の膜厚制御性等を向上させることが出来る磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明における磁気ヘッドの製造方法は、
記録媒体との対向面で、膜厚方向に、ギャップ層を介して対向する第１の磁性層と第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層に記録磁界を与えるためのコイル層と、を有し、
（ａ）  前記第１の磁性層上に前記ギャップ層を介して形成される導電性のコイル下地層を、前記第１の磁性層の周囲を埋める絶縁材料層上から露出する導電性のコンタクト層上にも形成し、このとき前記コイル下地層の少なくとも表面層をＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成する工程と、
（ｂ）  前記コイル下地層の所定域上にコイル層を形成する工程と、
（ｃ）  前記コイル層をコイル絶縁層で覆う工程と、
（ｄ）  前記コイル絶縁層よりも前記対向面側で露出している前記ギャップ層上から前記コイル絶縁層上にかけて導電性の下地層をスパッタ成膜し、前記下地層上に前記第２の磁性層をメッキ形成する工程と、
（ｅ）  前記コンタクト層上に残された前記コイル下地層上に導電層をメッキ形成する工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１２】
上記のように本発明では、前記コンタクト層上に、コイル下地層を形成するが、前記コイル下地層の表面層を少なくともＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成する。これにより前記コイル下地層の表面は大気暴露等によっても酸化せず、当然、前記コンタクト層が酸化されることもない。このように前記コンタクト層は前記コイル下地層によって適切に保護されている。従って従来のように、（ｄ）工程に移る前に、前記酸化層を除去するエッチング工程が必要ないから、前記ギャップ層が前記エッチングによって削られることなく、前記ギャップ層の膜厚制御、形状制御を従来よりも向上させることができ、またギャップデプスを所定寸法にて適切に規制できる。特にこのような効果を、従来に比べて工程数が増えることなく得ることが出来、むしろ従来に比べてエッチング工程が無いので工程数を少なく出来る。それは、コイル下地層に、コイル層形成のときの下地としての役割と、コンタクト層表面が酸化されるのを防止する保護膜としての役割の双方を同時に持たせたからである。
【００１３】
本発明では、前記（ｂ）工程時、前記コイル層を形成した後、前記コンタクト層上に形成された前記コイル下地層を保護した状態で、前記コイル層に覆われていない前記コイル下地層を除去することが好ましい。これによって前記コンタクト層上に適切に前記コイル下地層を残すことが出来る。また不要な前記コイル下地層の除去作業によって、コイル層下に残されたコイル下地層と、コンタクト層上に残されたコイル下地層とが確実に電気的に分断される。
【００１４】
本発明では、前記（ａ）工程よりも前に、前記第１の磁性層の下側に、下側コイル層を形成する工程、前記下側コイル層の所定部位上に前記コンタクト層を形成する工程、及び前記コンタクト層を前記絶縁材料層上から露出させる工程を含み、
前記（ｂ）工程で形成される前記コイル層を、前記第１の磁性層と第２の磁性層との間に設けられる上側コイル層として形成することが好ましい。
【００１５】
また本発明では、前記（ｅ）工程での前記導電層を前記第２の磁性層と同じ材質で形成し、前記（ｄ）工程の第２の磁性層の形成と、前記（ｅ）工程の導電層の形成とを同時に行なうことが好ましい。これにより製造工程の簡略化を図ることが出来る。
【００１６】
また本発明では、前記（ａ）工程よりも前に、磁気検出素子とシールド層とを有する再生用ヘッド部を前記第１の磁性層よりも下側に形成する工程、前記磁気検出素子に電流を供給するための電極層上に前記コンタクト層を形成する工程、及び前記コンタクト層を前記絶縁材料層上から露出させる工程を含んでもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明では、コンタクト層上に、少なくとも表面層がＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成されたコイル下地層を形成する。これにより前記コイル下地層の表面は大気暴露等によっても酸化せず、当然、前記コンタクト層が酸化されることもない。このように前記コンタクト層は前記コイル下地層によって適切に保護されている。従って従来のように、前記酸化層を除去するエッチング工程が必要ないから、前記ギャップ層が前記エッチングによって削られることなく、前記ギャップ層の膜厚制御、形状制御を従来よりも向上させることができ、またギャップデプスを所定寸法にて適切に規制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１ないし図１２は本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図であり、各図は、製造工程中の磁気ヘッドの部分縦断面図である。
【００１９】
以下では図示Ｘ方向をトラック幅方向と呼ぶ。トラック幅方向とは膜厚方向及びハイト方向｛素子高さ方向。記録媒体との対向面Ｆ（Ｘ−Ｚ平面と平行な面）から直交して離れる方向｝のそれぞれにおいて直交する方向である。図示Ｙ方向は前記ハイト方向であり、図示Ｚ方向は膜厚方向である。
【００２０】
図１に示す符号２０は、スライダであり、前記スライダ２０はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されている。図１に示すように、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁材料層２１を前記スライダ２０の表面に形成し、さらに前記絶縁材料層２１上に磁性材料製の下部シールド層２２を形成する。前記下部シールド層２２の周囲にＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料層２３を形成し、ＣＭＰ技術等により前記下部シールド層２２と前記絶縁材料層２３の表面を平坦化処理する。
【００２１】
図１に示すように前記下部シールド層２２上及び絶縁材料層２３上に絶縁材料製の下部ギャップ層２４を形成し、前記下部ギャップ層２４上にスピンバルブ型薄膜素子等の磁気抵抗効果素子２５を形成する。前記磁気抵抗効果素子２５には、導電性材料で形成された電極層２６を接続形成する。この電極層２６を介して前記磁気抵抗効果素子２５に電流を供給する。
【００２２】
図１に示すように前記電極層２６上に、導電性材料で形成された第１持上げ層２８を形成する。前記電極層２６は前記磁気抵抗効果素子２５を中心においてトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側にそれぞれ設けられ、各電極層２６上に前記第１持上げ層２８が形成されるが図１には、一つの前記第１持上げ層２８のみが図示されている。
【００２３】
図１に示すように、前記磁気抵抗効果素子２５及び電極層２６上に、絶縁材料製の上部ギャップ層２７を形成し、前記上部ギャップ層２７の上面と、第１持上げ層２８の上面とをＣＭＰ技術等により平坦化処理し前記上部ギャップ層２７の上面から前記第１持上げ層２８の上面を露出させる。図１に示すように磁性材料製の上部シールド層２９を形成し、このとき、前記上部シールド層２９の形成とともに、前記上部シールド層２９と同じ材質にて前記第１持上げ層２８の上に第２持上げ層３０を形成する。前記上部シールド層２９と前記第２持上げ層３０が形成されていない前記上部ギャップ層２７上に絶縁材料層３１を形成し、前記上部シールド層２９の上面、第２持上げ層３０の上面及び絶縁材料層３１の上面をＣＭＰ技術等によって平坦化処理する。
【００２４】
図１に示すように、前記上部シールド層２９の上にＡｌ２Ｏ３等により絶縁下地層３２を形成し、さらに導電性材料による下側コイル片下地層（図示しない）をスパッタ等で形成した後、フォトリソグラフィ技術等を用いて、前記下側コイル片下地層の上に下側コイル片３３をメッキ形成する。図１に示すように下側コイル片３３を複数個、列を成すように形成する。これら下側コイル片（下側コイル層）３３は後述する上側コイル片（上側コイル層）と導通接続されて、主磁極層を軸として巻回されるヘリカルコイルを構成する。前記下側コイル片３３形成時、前記下側コイル片３３の最も対向面Ｆ寄りに形成された下側コイル片３３ａの図示Ｘ方向における一方の端部と、前記下側コイル片３３の最もハイト寄りに形成された下側コイル片３３ｂの図示Ｘ方向における一方の端部に、それぞれ、引き出し部３４を一体形成する。前記引き出し部３４を介して前記ヘリカルコイルに電流を供給する。また、前記下側コイル片３３形成と同時に、前記第２持上げ層３０の上に、前記下側コイル片３３と同じ材質から成る第３持上げ層３５をメッキ形成する。図１には一つの引き出し部３４のみが図示されている。
【００２５】
次に図１に示すように、前記引き出し部３４及び前記第３持上げ層３５の上にそれぞれ導電性材料の記録側コンタクト層３６と再生側コンタクト層３７をメッキ形成する。記録側コンタクト層３６と再生側コンタクト層３７を例えばＣｕ等でメッキ形成する。前記記録側コンタクト層３６と再生側コンタクト層３７のメッキ形成はフォトリソグラフィ技術を用いて行なう。さらに図１に示すように、前記下側コイル片３３間をレジスト等の有機絶縁層６４で埋める。
【００２６】
次に図２に示す工程では、前記下側コイル片３３上，記録側コンタクト層３６上及び再生側コンタクト層３７上をＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる絶縁材料層３８で埋める。例えば前記絶縁材料層３８をスパッタ成膜する。その後、図２に示すＡ−Ａ線まで、前記絶縁材料層３８を削り込み、前記絶縁材料層３８の上面３８ａを平坦化面にするとともに、前記上面３８ａから記録側コンタクト層３６の上面３６ａ及び再生側コンタクト層３７の上面３７ａを露出させる。
【００２７】
次に図３に示す工程では、前記絶縁材料層３８上に主磁極層３９をメッキ形成する。前記主磁極層（第１の磁性層）３９は、フォトリソグラフィ技術を用いて形成する。まず前記絶縁材料層３８上の全面に、Ａｕ，ＮｉＦｅ等の導電性材料からなる主磁極下地層をスパッタ等で形成し、前記主磁極下地層上にレジスト層を塗布し、前記レジスト層に露光現像により前記主磁極層と同形状の抜きパターンを形成する。そして前記抜きパターン内に主磁極層３９をメッキ形成する。さらに前記主磁極層３９上から前記絶縁材料層３８上にかけて、Ａｌ２Ｏ３等からなる絶縁材料層４０をスパッタ等で形成し、さらにＣＭＰ技術を用いて前記絶縁材料層４０の上面と主磁極層３９の上面とが同一平面となるまで平坦化処理する。図３から図１２にかけて説明するインダクティブヘッド（記録用ヘッド）の構造は、垂直記録磁気ヘッドと呼ばれるものである。前記垂直記録磁気ヘッドの構造は、前記対向面Ｆにて前記主磁極層３９と、あとで説明するリターンヨーク層５２とが膜厚方向（図示Ｚ方向）に所定間隔を有して対向している。
【００２８】
次に図４に示す工程では、前記主磁極層３９上に補助ヨーク層４１をメッキまたはスパッタにて形成する。図４に示すように、前記補助ヨーク層４１の前端面４１ａを前記対向面Ｆよりもハイト側（図示Ｙ方向）に後退させて形成し、前記前端面４１ａを前記対向面Ｆから露出させない。図４に示すように、前記補助ヨーク層４１の前方に露出する前記主磁極層３９上から前記補助ヨーク層４１上さらには前記絶縁材料層４０上にかけて非磁性材料製のギャップ層４２をスパッタ等で形成する。次に前記ギャップ層４２上であって前記対向面Ｆよりもハイト方向（図示Ｙ方向）に後退した位置にＧｄ決め層４３を形成する。前記Ｇｄ決め層４３を例えばレジストで形成し、その後、前記Ｇｄ決め層４３を熱処理にて硬化させる。前記対向面ＦからＧｄ決め層４３までの長さでギャップデプス（Ｇｄ）が規制される。
【００２９】
次に図５に示す工程では、前記主磁極層３９上及び補助ヨーク層４１上に設けられたギャップ層４２上及びＧｄ決め層４３上に、保護レジスト層４４を形成する。この保護レジスト層４４に覆われていないギャップ層４２、さらには、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７上を覆う絶縁材料層３８をエッチングにて削り込む。そして、前記絶縁材料層３８の上面３８ａから、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７のそれぞれの上面３６ａ、３７ａを露出させる。前記保護レジスト層４４に覆われている、前記主磁極層３９、補助ヨーク層４１、及びその上に形成されたギャップ層４２及びＧｄ決め層４３は前記エッチングの影響を受けない。なお図５に示すように、前記補助ヨーク層４１の後端部４１ｂ上には前記保護レジスト層４４を設けず、前記エッチング処理にて前記補助ヨーク層４１の後端部４１ｂ上のギャップ層４２を削り取り前記後端部４１ｂを露出させることが好ましい。前記後端部４１ｂは後工程で設けられるリターンヨーク層５２との接続部となる部位である。前記補助ヨーク層４１の後端部４１ｂ上のギャップ層４２を削り取る工程は図５工程でなく後工程で行なってもよいが、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７のそれぞれの上面３６ａ、３７ａを露出させる図５工程のときに、同時に、前記後端部４１ｂ上のギャップ層４２を削り取ることで工程の簡略化を図ることが出来る。
【００３０】
次に図６に示す工程では前記保護レジスト層４４を除去する。次に前記ギャップ層４２上に、レジスト等で形成された絶縁下地層４５を形成する。この絶縁下地層４５は次工程で説明する上側コイル片を形成する際の絶縁下地であるから、前記絶縁下地層４５を前記上側コイル片を形成する領域上に形成する。前記絶縁下地層４５をレジストで形成した場合、形成後、熱処理を施して硬化させる。次に、前記Ｇｄ決め層４３よりも対向面Ｆ側の前方に露出するギャップ層４２上を保護レジスト層４６で覆い、その後、エッチングによるクリーニング処理にて前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７のそれぞれの上面３６ａ、３７ａに形成された酸化層を除去する。前記保護レジスト層４６で覆われた、前記前記Ｇｄ決め層４３よりも対向面Ｆ側の前方に露出するギャップ層４２上は、前記エッチングによる影響を受けない。
【００３１】
次に図７に示す工程では、前記絶縁下地層４５上，絶縁材料層３８上，記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７のそれぞれの上面３６ａ、３７ａ等の全面に上側コイル片下地層４７をスパッタや蒸着により形成する。このとき、少なくとも前記上側コイル片下地層４７の表面層を、Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成する。前記上側コイル片下地層４７は単層で形成されても多層構造で形成されてもよい。単層の場合、前記上側コイル片下地層４７の全体を、Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成する。多層構造の場合、少なくとも最表面層を、Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成する。
【００３２】
図７に示すように、前記上側コイル片下地層４７は前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７のそれぞれの上面３６ａ、３７ａを覆っている。
【００３３】
次に前記上側コイル片下地層４７上に、図示しないレジスト層を塗布し、上側コイル片４８と同形状の抜きパターンを前記レジスト層に対し露光現像によって形成し、前記抜きパターン内に上側コイル片４８をメッキ形成する。そして前記レジスト層を除去する。前記上側コイル片４８は下側コイル片３３と端部どうしで導通接続されヘリカルコイルを構成する。
【００３４】
次に図８に示すように、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７と膜厚方向（図示Ｚ方向）にて対向する前記上側コイル片下地層４７上に、保護レジスト層４９を形成する。
【００３５】
次に図９に示す工程では、前記上側コイル片４８及び保護レジスト層４９に覆われていない前記上側コイル片下地層４７をエッチングにより除去する。これにより前記上側コイル片下地層４７は、前記保護レジスト層４９の下側と前記上側コイル片４８の下側にのみ残される。
【００３６】
次に図１０に示す工程では、前記Ｇｄ決め層４３よりも対向面Ｆ側の前方に露出するギャップ層４２上を覆う保護レジスト層４６及び、前記記録側コンタクト層３６上と再生側コンタクト層３７上を覆う保護レジスト層４９を、それぞれ除去する。次に、前記上側コイル片４８上をコイル絶縁層５０で覆い、前記コイル絶縁層５０を例えばレジストで形成した場合は、形成後、熱処理を施し前記コイル絶縁層５０を硬化させる。
【００３７】
次に図１１に示す工程では、リターンヨーク層（第２の磁性層）５２をメッキ形成する。前記リターンヨーク層５２のメッキ形成には今までの工程に出てきたメッキ層と同じようにまず、導電性の下地層をスパッタ等で成膜した後、前記下地層上にメッキ層を形成する。このため図１０工程から図１１工程に移行させるときに、製造工程中の磁気ヘッドをスパッタ装置内に移動させる。このとき、本発明では図１０に示すように記録側コンタクト層３６上と再生側コンタクト層３７上は、表面層がＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成された耐食性に優れる上側コイル片下地層４７で覆われているから、大気暴露等によっても、前記上側コイル片下地層４７の表面に酸化層は形成されず、当然、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７にも酸化層は形成されない。従来、前記上側コイル片下地層は例えばＣｕで形成されていたから、前記上側コイル片下地層は大気暴露等によって酸化され、たとえ、記録側コンタクト層３６上及び再生側コンタクト層３７上がＣｕで形成された上側コイル片下地層で覆われていても、記録側コンタクト層３６の表面及び再生側コンタクト層３７の表面が酸化されやすくなっていたため、図１０工程から図１１工程へ移行するときに、まず前記酸化層を除去するクリーニング工程が必要とされた。このとき図１０に示すように、Ｇｄ決め層４３よりも対向面Ｆ側の前方にギャップ層４２が露出しているから、この露出しているギャップ層４２表面やＧｄ決め層４３表面もクリーニング工程の影響を受けて削られるといった問題があったが、本発明では上記したクリーニング工程を必要としないから、当然、ギャップ層４２表面やＧｄ決め層４３表面が削られるといった従来問題は生じ得ない。
【００３８】
図１１に示す工程では、まず、Ｇｄ決め層４３よりも対向面Ｆ側の前方に露出するギャップ層４２上からＧｄ決め層４３上、コイル絶縁層５０上、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７上を覆う上側コイル片下地層４７上、及び絶縁材料層３８上等の全面にかけて、導電性のリターンヨーク下地層５１をスパッタ成膜する。次に前記リターンヨーク下地層５１上にレジスト層（図示しない）を塗布し、前記レジスト層に露光現像によりリターンヨーク層と同形状の抜きパターンを形成する。このとき、前記記録側コンタクト層３６上及び再生側コンタクト層３７上にあるリターンヨーク下地層５１上にも、第４持上げ層（導電層）５３及び第５持上げ層（導電層）５４の形成のための抜きパターンを形成する。そして前記抜きパターン内にリターンヨーク層５２及び第４持上げ層５３，第５持上げ層５４をメッキ形成する。そして、前記レジスト層を除去し、さらに前記リターンヨーク層５２及び第４持上げ層５３，第５持上げ層５４に覆われていない前記リターンヨーク下地層５１をエッチング等により除去する。
【００３９】
図１２に示す工程では、前記第４持上げ層５３及び第５持上げ層５４上にフォトリソグラフィ技術を用いてバンプ５５，５６をメッキ形成する。さらに前記リターンヨーク層５２上にＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料よりなる保護層５９を形成し、ＣＭＰ技術等にて前記保護層５９の表面を平坦化処理するとともに、前記保護層５９の表面から前記バンプ５５，５６の表面を露出させ、さらに前記バンプ５５，５６上に導電性材料からなるパッド部５７，５８をメッキ形成する。
【００４０】
図１３は、記録側コンタクト層３６を含む部分の積層構造を拡大した部分拡大断面図である。図１３に示すように、記録側コンタクト層３６上には、前記上側コイル片下地層４７，リターンヨーク下地層５１，第４持上げ層５３が積層されている。図１３に示すように前記上側コイル片下地層４７は、例えば３層構造で下からＴｉ層６０，Ｃｕ層６１，Ａｕ層６２の順に積層されている。上記したように、前記上側コイル片下地層４７は、単層構造であってもよく、かかる場合は、前記上側コイル片下地層４７全体が、Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成される。図１３に示す積層構造は、再生側コンタクト層３７を含む側の積層構造にも同じ構造で現われる。また前記積層構造は一例であり、例えば図４工程の補助ヨーク層４１の形成のときに、前記記録側コンタクト層３６上及び再生側コンタクト層３７上に、前記補助ヨーク層４１と同じ材質からなる持上げ層（導電層）６５をメッキ形成してもよい。あるいは前記主磁極層３９の形成のとき、前記記録側コンタクト層３６上及び再生側コンタクト層３７上に、前記主磁極層３９と同じ材質からなる持上げ層（導電層）をメッキ形成し、その上に、補助ヨーク層４１形成のとき、前記補助ヨーク層４１と同じ材質からなる持上げ層（導電層）６５をメッキ形成することも可能である。図１４では、記録側コンタクト層３６上に、持上げ層６５，前記上側コイル片下地層４７，リターンヨーク下地層５１，第４持上げ層５３が積層されている。図１４に示す積層構造は、再生側コンタクト層３７を含む側の積層構造にも同じ構造で現われる。
【００４１】
本発明における磁気ヘッドの製造方法での特徴的部分は、図７工程において、前記絶縁下地層４５上，絶縁材料層３８上，記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７のそれぞれの上面３６ａ、３７ａ等の全面に上側コイル片下地層４７をスパッタや蒸着により形成し、このとき、前記上側コイル片下地層４７の表面層を、少なくともＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成する点、図８工程で、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７と膜厚方向（図示Ｚ方向）にて対向する前記上側コイル片下地層４７上に、保護レジスト層４９を形成し、図９工程にて、不要な前記上側コイル片下地層４７を除去するときに、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７上に前記上側コイル片下地層４７を残す点、にある。
【００４２】
上記のように、前記上側コイル片下地層４７の表面層は、Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成されているから、大気暴露等によっても酸化されることなく、このような耐食性に優れた下地層を、前記上側コイル片４８のメッキ形成のための下地とともに、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７を酸化から守るための保護層として設ける。それぞれの機能を有する層は、前記上側コイル片下地層４７をＡｕ等で形成することで一層で足り、別々に形成する必要がない。従来では図１０工程から図１１工程へ移行するときに、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７の表面に形成された酸化層を除去するエッチング工程が必要になり、Ｇｄ決め層４３の前方に露出したギャップ層４２等が、前記エッチングの影響を受けて削られるといった問題があったが本発明では、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７上に、表面層がＡｕ，Ｒｕ，Ｒｈから選ばれる一種または二種以上の合金で形成された上側コイル片下地層４７が設けられ、大気暴露等によっても、前記上側コイル片下地層４７は酸化されず、当然、前記記録側コンタクト層３６及び再生側コンタクト層３７も酸化されることは無い。従って本発明では上記したエッチング工程が不要であり、製造工程の簡略化とともに、ギャップ層４２やＧｄ決め層４３が削られる従来課題を解消でき、ギャップ層４２の膜厚制御、形状制御，Ｇｄ決め層４３の前端面の位置精度（すなわちギャップデプスを所定寸法にて適切に規制できる）を従来よりも適切に向上させることができる。なお、前記上側コイル片下地層４７の表面層は最も不活性な金属であるＡｕで形成されることがより好ましい。
【００４３】
なお、前記上側コイル片下地層４７を、最初から上側コイル片４８の形成領域下と、前記記録側コンタクト層３６上及び再生側コンタクト層３７上にのみ形成してもよい。ただし図７ないし図９の工程に示すように、前記上側コイル片下地層４７を全面にスパッタ成膜し、その後、不要な前記上側コイル片下地層４７を除去するほうが、確実に必要な部分に上側コイル片下地層４７を設けることが出来るとともに、上側コイル片４８下に残された上側コイル片下地層４７と、前記記録側コンタクト層３６上及び再生側コンタクト層３７上に残された上側コイル片下地層４７とを電気的に確実に分断させることが可能である。
【００４４】
上記した製造方法によって形成された磁気ヘッドの形態は、再生ヘッドと、垂直記録磁気ヘッドとの複合型ヘッドであったが、垂直磁気ヘッドのみの形態であってもよい。かかる場合、再生用ヘッドの電極層２６へ繋がる再生側コンタクト層３７の形成は無いので、第１の磁性層に相当する主磁極層３９の周囲に露出するコンタクト層は前記記録側コンタクト層３６のみであり、図９，図１０工程では、前記記録側コンタクト層３６上を前記上側コイル片下地層４７で覆う。また記録用ヘッド（インダクティブヘッド）は垂直記録磁気ヘッド以外の構造であってもよい。さらに上記のように複合型ヘッドの場合でも、第１の磁性層に相当する主磁極層３９の周囲に露出するコンタクト層は、記録側コンタクト層３６と再生側コンタクト層３７の双方である必要は無く、一方のみであってもよい。特に複合型ヘッドの場合、通常、下側（スライダ２０側）に再生用ヘッドを形成し、その上に記録用のインダクティブヘッドを積層するので、インダクティブヘッドの構造によっては、第１の磁性層の周囲に露出するのは再生側コンタクト層３７のみという形態もありえるが本発明はこのような形態も含まれる。
【００４５】
また上記で説明した前記コイル層の構造は、ヘリカルコイルであったが、前記ヘリカルコイルの構造に限るものではなく、前記主磁極層３９の下側に、スパイラル状の下側コイル層が設けられ、前記主磁極層３９とリターンヨーク層５２との間に、スパイラル状の上側コイル層が設けられ、前記下側コイル層と上側コイル層とが膜厚方向（図示Ｚ方向）に延びる接続部を介してそれぞれ導通接続された２層コイル構造であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図であり、製造工程中の磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図２】図１の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図３】図２の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図４】図３の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図５】図４の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図６】図５の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図７】図６の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図８】図７の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図９】図８の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図１０】図９の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図１１】図１０の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図１２】図１１の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図１３】記録側コンタクト層を含む部分の積層構造を拡大した部分拡大断面図、
【図１４】図１３とは異なる積層構造であり、記録側コンタクト層を含む部分の積層構造を拡大した部分拡大断面図、
【図１５】従来における垂直磁気記録ヘッドの製造の一工程図（前記垂直磁気記録ヘッドの部分縦断面図）、
【図１６】図１５の次に行なわれる一工程図（部分縦断面図）、
【図１７】従来の磁気ヘッドの製造方法を問題点を説明するための製造工程中における磁気ヘッドの部分拡大断面図、
【符号の説明】
【００４７】
３３  下側コイル片
３６  記録側コンタクト層
３７  再生側コンタクト層
３９  主磁極層
４１  補助ヨーク層
４２  ギャップ層
４３  Ｇｄ決め層
４４、４６、４９  保護レジスト層
４５  絶縁下地層
４７  上側コイル片下地層
４８  上側コイル片
５０  コイル絶縁層
５１  リターンヨーク下地層
５２  リターンヨーク層
５３  第４持上げ層（導電層）
５４  第５持上げ層（導電層）
５５、５６  バンプ
５７、５８  パッド部
５９  保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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