(57)【要約】【課題】  半導体装置におけるモールド樹脂が凹部内部からパッケージ部材とアウターリード電極の界面より流出し、パッケージ部材外部まで漏れ出した。 【解決手段】  本発明に係る半導体装置は、発光素子と、該発光素子が配される凹部を有し、その発光素子と電気的に接続されるリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記発光素子を被覆するモールド樹脂とを有する半導体装置であって、前記アウターリード電極は、その延伸方向に、前記凹部内にて一部が露出される第一の部位と、前記パッケージ部材に被覆される第二の部位と、前記パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位とを順に有し、前記アウターリード電極の第二の部位は、そのアウターリード電極と前記パッケージ部材との界面から前記パッケージ部材の外壁面方向へ漏出するモールド部材の障壁となる溝部又は突起部を有することを特徴とする。【選択図】  図１
2006222382.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、該半導体素子が配される凹部を有し、その半導体素子と電気的に接続されるリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記半導体素子を被覆するモールド樹脂とを有する半導体装置において、
前記アウターリード電極は、その延伸方向に、前記凹部内にて一部が露出される第一の部位と、前記パッケージ部材に被覆される第二の部位と、前記パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位とを順に有し、
前記アウターリード電極の第二の部位は、そのアウターリード電極と前記パッケージ部材との界面から前記パッケージ部材の外壁面方向へ漏出するモールド部材の障壁となる溝部又は突起部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置は、発光面が実装面に垂直であるタイプである請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記発光素子が発光色の異なる複数の発光素子である請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記アウターリード電極はそれぞれ幅が異なり、該幅の大きいものにのみ溝部又は突起部を有する請求項１乃至３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記パッケージ部材がポリアミド系合成高分子である請求項１乃至４いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記アウターリード部材がCu合金であり、表面がAgメッキされてなる請求項１乃至５いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記モールド部材はシリコーンである請求項１乃至６いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記発光素子が同一面側からインナーリード電極であるワイヤーボンド電極を有した場合、ワイヤーの高さがp電極側とｎ電極側が異なる請求項１乃至７いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体素子と、該半導体素子が実装される凹部を有し、その半導体素子と電気的に接続されるアウターリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記半導体素子を被覆するモールド部材とを有する半導体装置の形成方法において、
金属平板に打ち抜き加工を施すリードフレームの一部に、溝部又は突起部を形成する第一の工程と、
少なくとも前記溝部あるいは突起部を被覆するように、樹脂材料にて、前記リードフレームに凹部を有するパッケージ部材を成形する第二の工程と、
前記凹部内に半導体素子を配して、該半導体素子と前記リードフレームとを電気的に接続させる第三の工程と、
前記溝部又は突起部を、前記リードフレームと前記パッケージ部材との界面に位置し、前記凹部内からパッケージ部材内から前記パッケージ部材の外壁方向へ漏出するモールド樹脂の障壁として、前記凹部にモールド材料を注入し、硬化させてモールド部材を形成する第四の工程とを有することを特徴とする半導体装置の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、高輝度、高出力な発光素子や、小型且つ好感度な半導体装置が開発され種々の分野に利用されている。このような半導体装置は、小型、低消費電力や軽量等の特徴を生かして、例えば、光プリンターヘッド光源、液晶バックライト光源、各種メータの光源、及び各種読みとりセンサー等に利用されている。
【０００３】
発光ダイオード（以下、ＬＥＤとも呼ぶ）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光が可能である。また、半導体素子であるため球切れがなく、初期駆動特性及び耐震性に優れ、さらにＯＮ／ＯＦＦ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。携帯電話用液晶バックライト光源やＰＤＡ用液晶バックライト光源は薄型化が進み、薄型化に伴う問題点が発生してきている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パッケージ部材は樹脂からなり、アウターリード電極は金属からなるため密着性・接着性が悪い。そのためパッケージ部材とアウターリード電極からなる界面は隙間が出来る場合がある。その隙間からモールド部材が漏れ出す結果となる。パッケージ部材に被覆される第二の部位の距離が短ければ、パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位へのモールド部材の漏れ出す確立が高くなる。漏れ出したアウターモールド部材はカット・フォーミング時のバリの発生、パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位へ付着によりはんだの実装性不良等の種々の問題を発生させる原因になる。
【０００６】
発光ダイオードの中でも、発光面が実装面に垂直であるタイプ（以下、サイドビュータイプとも言う）は薄型が求められ、パッケージ部材に被覆される第二の部位の距離が短くなる傾向にあり、上記問題が起こりやすい。中でも発光素子が複数有するようなタイプの場合、アウターリード電極の数も増加するためパッケージ部材に被覆される第二の部位の距離を大きく取る自由度が少なくなる。
【０００７】
さらにモールド部材に発光素子からの光を波長変換する蛍光物質が含有されている場合はモールド部材と共に蛍光物質も漏れ出すことになり、目的の色度からズレルことになる。
【０００８】
そこで本発明は、パッケージからモールド部材が漏れ出すことを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係る半導体装置は、発光素子と、該半導体素子が配される凹部を有し、その半導体素子と電気的に接続されるリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記半導体素子を被覆するモールド樹脂とを有する半導体装置において、前記アウターリード電極は、その延伸方向に、前記凹部内にて一部が露出される第一の部位と、前記パッケージ部材に被覆される第二の部位と、前記パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位とを順に有し、前記アウターリード電極の第二の部位は、そのアウターリード電極と前記パッケージ部材との界面から前記パッケージ部材の外壁面方向へ漏出するモールド部材の障壁となる溝部又は突起部を有することを特徴とする。この構成によって、パッケージ部材とアウターリード電極界面から漏れ出したモールド部材がアウターリード電極の延伸方向方向に対して垂直な少なくとも１以上の溝部又は突起部によって堰き止められパッケージ外部に漏れ出すことを防止することが可能となる。
【００１０】
溝部とは、筋状の凹部をいう。また突起部とは、筋状の凸部をいう。
【００１１】
また、本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１に記載の特徴に加えて、発光面が実装面に垂直であるタイプ、すなわちサイドビュータイプである。半導体装置は大別するとトップビュータイプとサイドビュータイプがあるが、両者を比較するとサイドビュータイプは本来薄型化のために開発されたものであり、更なる薄型化の要望があり、本発明の効果が大きい。すなわち、薄型化に伴い、パッケージの凹部を形成する壁が薄くなり、モールド部材の漏出経路であるアウターリード電極第二の部位が短くなるため本質的にサイドビュータイプの方がモールド部材の漏出の問題が顕著であることによる。
【００１２】
さらに、発光色が白色光である場合に関しては、発光色を白色化するには原則的に発光素子１つのみの構成では足りず、付加的構成が必要になる。構成が複雑であるほど、問題がクローズアップされ本発明の効果が大きい。
【００１３】
さらにまた、前記モールド部材に発光素子からの光を波長変換する蛍光物質が含有されている。任意の発光色を得るため蛍光物質の量を調整して含有させているのに対して、モールド部材が漏れ出すと、モールド部材共に蛍光物質も共に漏れ出すため色度ズレが生じるのであるが、本発明を用いることにより色度ズレの防止が可能になる。
【００１４】
また、本発明の請求項３に係る半導体装置は、請求項１又は２記載の特徴に加えて、発光色の異なる複数の発光素子である。発光色の異なる発光素子は必然的に動作電圧も異なるため、１チップの場合よりも余分にアウターリード電極が必要になる。そうなるとパッケージ部材に被覆される第二の部位の距離を長くするような構成が難しくなり、本発明の効果がより期待できる。
【００１５】
さらに、本発明の請求項４に係る半導体装置は、請求項１乃至３いずれか一項に記載の特徴に加えて、前記アウターリード電極はそれぞれ幅が異なり、該幅の大きいものにのみ溝部又は突起部を有する。放熱性や発光素子の実装性の観点より、アウターリード電極の幅を異ならせる場合がある。アウターリード電極の幅が広くなるほど当然にパッケージ部材とアウターリード電極との界面に出来る隙間は大きくなり、モールド部材が漏れやすくなる。よって幅が広いアウターリード電極にのみ溝部又は突起部を設けることにより、モールド部材の漏れ防止を実現可能となる。
【００１６】
さらにまた、本発明の請求項５に係る半導体装置は、請求項１乃至４いずれか一項に記載の特徴に加えて、パッケージ部材がポリアミド系合成高分子である。ポリアミド系合成高分子は成形性、耐久性等の観点からパッケージ部材として好適に用いられる一方、アウターリード電極との接着性・密着性が好ましくないため、アウターリード電極との界面に隙間が生じやすい。よって本発明を適用することにより大きな効果を期待できる。
【００１７】
さらにまた、本発明の請求項６に係る半導体装置は、請求項１乃至４いずれか一項に記載の特徴に加えて、アウターリード部材がCu合金であり、表面がAgメッキされてなる。導電性の観点からCuが優れており、Cu単体であれば強度が弱いので不純物を加え機械的強度を向上させ、表面をAgメッキすることにより光の反射を高めている。
【００１８】
さらにまた、本発明の請求項７に係る半導体装置は、請求項１乃至６いずれか一項に記載の特徴に加えて、モールド部材はシリコーンである。そもそも溝部に弾力性の少ない樹脂が溜まると硬化してアウターリードを折り曲げてフォーミング等するときに機械的強度が弱くなっている溝部が破壊される恐れがあるが、シリコーン樹脂であれば弾力性を有するため、本発明が有する弱点部分を発現させることなく実現できる。
【００１９】
さらにまた、本発明の請求項８に係る半導体装置は、請求項１乃至７いずれか一項に記載の特徴に加えて、発光素子が同一面側からインナーリード電極であるワイヤーボンド電極を有した場合、ワイヤーの高さがp電極側とｎ電極側が異なる。インナーリード電極のワイヤーの高さを異ならしめることにより、発光素子の実装ズレ等によるワイヤー同士の接触を防止することが可能となる。発光素子の数が増加すれば、ワイヤーの数も当然に増加することになり、ショートの可能性が増加するためにより効果的に問題が解決できる。
【００２０】
また、本発明の請求項９に係る半導体装置の形成方法は、半導体素子と、該半導体素子が実装される凹部を有し、その半導体素子と電気的に接続されるアウターリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記半導体素子を被覆するモールド部材とを有する半導体装置の形成方法において、金属平板に打ち抜き加工を施すリードフレームの一部に、溝部又は突起部を形成する第一の工程と、少なくとも前記溝部あるいは突起部を被覆するように、樹脂材料にて、前記リードフレームに凹部を有するパッケージ部材を成形する第二の工程と、前記凹部内に半導体素子を配して、該半導体素子と前記リードフレームとを電気的に接続させる第三の工程と、前記溝部又は突起部を、前記リードフレームと前記パッケージ部材との界面に位置し、前記凹部内からパッケージ部材内から前記パッケージ部材の外壁方向へ漏出するモールド樹脂の障壁として、前記凹部にモールド材料を注入し、硬化させてモールド部材を形成する第四の工程とを有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体装置を例示するものであって、本発明は半導体装置を以下に限定するものではない。また、各図面に示す部材の大きさや位置関係などは説明を明確にするために誇張しているところがある。
【００２２】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
【００２３】
図１は、表面実装型（ＳＭＤ型）発光ダイオードの概略図を示す。（ａ）は本発明と従来技術共通の正面図、（ｂ）は本発明に係る断面図、（ｃ）は（ｂ）のアウターリード電極のみを抜き出した図、（ｄ）は本発明の他の実施形態に係る断面図、（ｅ）は（ｄ）のアウターリード電極のみを抜き出した図、（ｆ）は従来技術に係る断面図、（ｇ）は（ｆ）のアウターリード電極のみを抜き出した図である。
【００２４】
本発明の特徴部分はパッケージ部材に覆われるため、パッケージ部材が不透明な材料である場合は外見上、従来技術と同一である。
【００２５】
半導体装置は少なくとも以下の構成を必要とする。少なくとも１つの発光素子、パッケージ部材、複数のアウターリード電極、モールド部材である。場合によっては、蛍光物質やインナーリード電極が必要になる。
【００２６】
以下に構成部材を簡単に説明する。
【００２７】
（アウターリード電極）
アウターリード電極１は、パッケージ部材の凹部内にて一部が露出されている第一の部位１'、パッケージ部材に被覆される第二の部位１''、パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位１'''の３部より構成されている。
【００２８】
パッケージ部材の凹部内にて一部が露出されている第一の部位とは、パッケージ部材が形成する凹部内に位置するアウターリード電極部を言う。
【００２９】
パッケージ部材に被覆される第二の部位とは、パッケージ部材に覆われているアウターリード電極部を言う。
【００３０】
パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位とは、パッケージ部材に覆われていないアウターリード電極部を言う。
【００３１】
パッケージ部材に被覆される第二の部位には本発明の特徴部分である溝部や突起部が形成されている。溝部及び突起部の形成方向は図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）からも分かるようにアウターリード電極の延伸方向に対して垂直方向に伸びている。
【００３２】
溝部を設ける場合は、凹部からアウターリード電極とパッケージ部材の界面から漏れ出したモールド部材を溝部に蓄えることが出来るために、パッケージ部材の外側にモールド部材が漏れ出すことを防止することが出来る。
【００３３】
突起部を設ける場合は、凹部からアウターリード電極とパッケージ部材の界面から漏れ出したモールド部材を突起部でせき止めることが出来るために、パッケージ部材の外側にモールド部材が漏れ出すことを防止することが出来る。
【００３４】
更にどちらの構造を採用してもアウターリード電極とパッケージ部材の接着面積が増加するため、接着強度が向上し、界面の隙間が減少する。界面の隙間が減少するとモールド部材の漏れ出しが起こりにくくなる。
【００３５】
これらの相乗効果でモールド部材の漏れ出しと言う問題を解決している。
【００３６】
溝部や突起部の形成方法は打ち抜き加工（プレス加工）やエッチングにより形成される。
【００３７】
材質としては、導電性を有するものであればよく、金属一般が使用可能であるが、導電性・放熱性・機械的強度・光の反射等の観点よりＣｕをベースとした合金で、表面をＡｇで処理したものが好適である。
【００３８】
（パッケージ部材）
射出成形で構成されるため、射出成形に使用される全ての樹脂が使用可能であるが、耐熱性・成形性等の観点より好適にはポリアミド系合成高分子が用いられる。パッケージ部材は発光素子を実装する凹部を形成する。
凹部とは、発光ダイオードが実装され、且つ、モールド部材が封止される凹部形状の部位を言う。
【００３９】
（モールド部材）
モールド部材に必要な性質は透光性であることである。光の取り出し効率を上げるためには発光素子よりも屈折率が小さい材料が好ましい。半導体装置からの発光が単一色でなく、混合色を発光させる場合は、混色性を高めるため光拡散剤を混入させる場合もある。光拡散剤はモールド部材と屈折率差を有して、かつ透光性であることが必要である。光拡散部材の素材としては、特に限定されないが、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム等、種々のものを用いることができる。モールド部材の素材としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ジフリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、低融点ガラス等が好適に用いられる。
【００４０】
（発光素子）
発光素子は、ＭＯＣＶＤ法などにより基板上にＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその結晶度によって発光波長を種々選択することができる。
【００４１】
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＮ等の材料が好適に用いられる。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態ではｎ型導電性を示す。よりｎ型化させるためには、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等のｎ型ドーパントを適宜導入する。一方、ｐ型窒化ガリウム半導体を形成する場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。
【００４２】
窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいため、アニール処理することでよりＰ型化する。
【００４３】
サファイア基板等の絶縁性基板を使用した場合は、エッチング処理等により同一面側にｎ型、ｐ型の異なる極性の層を露出され、電極を形成する。ＳｉＣ基板のような導電性基板を使用する場合は基板側と窒化ガリウム層成長面側にそれぞれ電極を形成することが可能である。
【００４４】
上記のようにして得られた半導体ウエハを機械的にチップ化することにより、発光素子が得られる。
【００４５】
（インナーリード電極）
発光素子をアウターリード電極に電気的に接続するために、インナーリード電極としてワイヤーボンド電極を用いる。ワイヤーの径はφ２５μｍ〜３５μｍが好ましい。材質としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ等が好適に用いられる。
【００４６】
（蛍光物質）
蛍光物質は発光素子からの光をより長波長に変換させるものが発光効率として良い。発光素子と蛍光物質により波長変換された混色光は白色であることが好ましい。
【００４７】
上記蛍光物質の粒径は、中心粒径が６μｍ〜５０μｍの範囲が好ましく、より好ましくは１５μｍ〜３０μｍであり、このような粒径を有する蛍光物質は光の吸収率及び変換効率が高く、且つ、励起波長幅が広い。６μｍより小さい蛍光物質は、比較的凝集体を形成しやすく、液状樹脂中において密になって沈降されるため、光の透過率を減少させてしまう他、光の吸収率を及び変換効率が悪く励起波長の幅も狭い。
【００４８】
（イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質）
本実施の形態で用いられる蛍光物質は、窒化物系半導体を発光層とする発光素子から発光された光により励起されて発光し、セリウム（Ｃｅ）あるいはプラセオジウム（Ｐｒ）で付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベースとした蛍光体（ＹＡＧ系蛍光体）とすることができる。具体的なイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質としては、ＹＡｌＯ３：Ｃｅ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）やＹ４Ａｌ２Ｏ９：Ｃｅ、更にはこれらの混合物等が挙げられる。イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質にＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種類が含有されていても良い。また、Ｓｉを含有させることによって、結晶の成長の反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃えることができる。更に詳しくは、一般式（ＹｚＧｄ１−ｚ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０＜Ｚ≦１）で示されるフォトルミネッセンス蛍光体や一般式（Ｒｅ１−ａＳｍａ）３Ｒｅ'５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０≦ａ＜１、０≦ｂ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｓｃから選択される少なくとも一種類、Ｒｅ'は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択される少なくとも一種類である。）で示されるフォトルミネッセンス蛍光体である。また所望に応じてＣｅに加えＴｂ，Ｃｕ、Ａｇ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｄ、Ｄｙ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｅｕらを含有させることもできる。
【００４９】
本発明における発光ダイオードパッケージにおいて、このようなフォトルミネッセンス蛍光体は、２種類以上のセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体や他の蛍光物質を混合させてもよい。ＹからＧｄへの置換量が異なる２種類のイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を混合することにより、容易に所望とする色調の光を容易に実現することができる。
【００５０】
（実施例１）
本発明の実施例１における半導体装置の外形寸法は、ｘ方向：４．７ｍｍ、ｙ方向：１．２ｍｍ、ｚ方向１．５ｍｍのサイズであり、形状としては図１に図示するサイドビュータイプのものである。実装されている発光素子は３つで発光色もそれぞれ異なり、光の３原色であるＢｌｕｅ、Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎを使用した。ＢｌｕｅとＧｒｅｅｎに関しては窒化ガリウム系化合物半導体を用い、Ｒｅｄに関してはＡｌＩｎＧａＰ系化合物半導体を用いた。明るさはＢｌｕｅが２００ｍｃｄ、Ｇｒｅｅｎが９００ｍｃｄ、Ｒｅｄが２９０ｍｃｄとして全てを同時点としたときに白色光になるように調整した。
【００５１】
アウターリード電極には、Cu合金で表面をＡｇで処理したものを使用し、厚さ０．１２５ｍｍに対して０．０２５ｍｍの溝を形成した。
【００５２】
パッケージ部材としてはポリアミド系高分子を用い、モールド樹脂としてはシリコーン樹脂を用い、インナーリード電極のワイヤーボンド電極剤としてはＡｕを使用した。上記構成によって得られた半導体装置はモールド樹脂が一切発生しなかった。
【００５３】
（実施例２）
図１に図示する発光素子を全てＢｌｕｅの窒化ガリウム系化合物半導体を用い、蛍光物質としてＹＡＧを用い混色光として白色を得た。アウターリードには０．０２５ｍｍの突起部を形成する以外は全て実施例１と同様の構成にした。上記構成によって得られた半導体装置はモールド樹脂が一切発生しなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、薄型・軽量化の要請が著しい液晶用バックライトに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１（ａ）は本発明及び従来技術に係る実施形態の半導体装置の正面図である。図１（ｂ）は本発明に係る実施形態の半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｃ）は図１（ｂ）のアウターリードにのみ抜き出した図である。図１（ｄ）は本発明に係る他の実施形態における半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｅ）は図１（ｄ）のアウターリードにのみ抜き出した図である。図１（ｆ）は従来技術に係る実施形態の半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｇ）は図１（ｆ）のアウターリードにのみ抜き出した図である。
【図２】本発明及び従来技術に係る実施形態の半導体装置の斜視図である。
【図３】本発明及び従来技術に係る実施形態の半導体装置の図２とは異なる角度からの斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・アウターリード電極
１'・・・凹部内にて一部が露出されている第一の部位
１''・・・パッケージ部材に被覆される第二の部位
１'''・・・パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位
３・・・発光素子
５・・・凹部
７・・・パッケージ部材
９・・・モールド部材
１１・・・溝部
１３・・・突起部
１７・・・インナーリード電極
１００・・・半導体装置
【図１】
2006222382.tif 000003
【図２】
2006222382.tif 000004
【図３】
2006222382.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、該発光素子が配される凹部を有し、その発光素子と電気的に接続されるアウターリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記発光素子を被覆するモールド樹脂とを有する半導体装置において、
前記アウターリード電極は、その延伸方向に、前記凹部内にて一部が露出される第一の部位と、前記パッケージ部材に被覆される第二の部位と、前記パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位とを順に有し、
前記アウターリード電極の第二の部位は、そのアウターリード電極と前記パッケージ部材との界面から前記パッケージ部材の外壁面方向へ漏出するモールド部材の障壁となる溝部又は突起部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体装置は、発光面が実装面に垂直であるタイプである請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記発光素子が発光色の異なる複数の発光素子である請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記アウターリード電極はそれぞれ幅が異なり、該幅の大きいものにのみ溝部又は突起部を有する請求項１乃至３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記パッケージ部材がポリアミド系合成高分子である請求項１乃至４いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記アウターリード部材がCu合金であり、表面がAgメッキされてなる請求項１乃至５いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記モールド部材はシリコーンである請求項１乃至６いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記発光素子が同一面側からインナーリード電極であるワイヤーボンド電極を有した場合、ワイヤーの高さがp電極側とｎ電極側が異なる請求項１乃至７いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
発光素子と、該発光素子が実装される凹部を有し、その発光素子と電気的に接続されるアウターリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記発光素子を被覆するモールド部材とを有する半導体装置の形成方法において、
金属平板に打ち抜き加工を施すリードフレームの一部に、溝部又は突起部を形成する第一の工程と、
少なくとも前記溝部あるいは突起部を被覆するように、樹脂材料にて、前記リードフレームに凹部を有するパッケージ部材を成形する第二の工程と、
前記凹部内に発光素子を配して、該発光素子と前記リードフレームとを電気的に接続させる第三の工程と、
前記溝部又は突起部を、前記リードフレームと前記パッケージ部材との界面に位置し、前記凹部内からパッケージ部材内から前記パッケージ部材の外壁方向へ漏出するモールド樹脂の障壁として、前記凹部にモールド材料を注入し、硬化させてモールド部材を形成する第四の工程とを有することを特徴とする半導体装置の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、高輝度、高出力な発光素子や、小型且つ好感度な半導体装置が開発され種々の分野に利用されている。このような半導体装置は、小型、低消費電力や軽量等の特徴を生かして、例えば、光プリンターヘッド光源、液晶バックライト光源、各種メータの光源、及び各種読みとりセンサー等に利用されている。
【０００３】
発光ダイオード（以下、ＬＥＤとも呼ぶ）は、小型で効率が良く鮮やかな色の発光が可能である。また、半導体であるため球切れがなく、初期駆動特性及び耐震性に優れ、さらにＯＮ／ＯＦＦ点灯の繰り返しに強いという特徴を有する。携帯電話用液晶バックライト光源やＰＤＡ用液晶バックライト光源は薄型化が進み、薄型化に伴う問題点が発生してきている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−５７６２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
パッケージ部材は樹脂からなり、アウターリード電極は金属からなるため密着性・接着性が悪い。そのためパッケージ部材とアウターリード電極からなる界面は隙間が出来る場合がある。その隙間からモールド部材が漏れ出す結果となる。パッケージ部材に被覆される第二の部位の距離が短ければ、パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位へのモールド部材の漏れ出す確率が高くなる。漏れ出したアウターモールド部材はカット・フォーミング時のバリの発生、パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位へ付着によりはんだの実装性不良等の種々の問題を発生させる原因になる。
【０００６】
発光ダイオードの中でも、発光面が実装面に垂直であるタイプ（以下、サイドビュータイプとも言う）は薄型が求められ、パッケージ部材に被覆される第二の部位の距離が短くなる傾向にあり、上記問題が起こりやすい。中でも発光素子が複数有するようなタイプの場合、アウターリード電極の数も増加するためパッケージ部材に被覆される第二の部位の距離を大きく取る自由度が少なくなる。
【０００７】
さらにモールド部材に発光素子からの光を波長変換する蛍光物質が含有されている場合はモールド部材と共に蛍光物質も漏れ出すことになり、目的の色度からズレルことになる。
【０００８】
そこで本発明は、パッケージからモールド部材が漏れ出すことを防止できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１に係る半導体装置は、発光素子と、該発光素子が配される凹部を有し、その発光素子と電気的に接続されるアウターリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記発光素子を被覆するモールド樹脂とを有する半導体装置において、前記アウターリード電極は、その延伸方向に、前記凹部内にて一部が露出される第一の部位と、前記パッケージ部材に被覆される第二の部位と、前記パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位とを順に有し、前記アウターリード電極の第二の部位は、そのアウターリード電極と前記パッケージ部材との界面から前記パッケージ部材の外壁面方向へ漏出するモールド部材の障壁となる溝部又は突起部を有することを特徴とする。この構成によって、パッケージ部材とアウターリード電極界面から漏れ出したモールド部材がアウターリード電極の延伸方向方向に対して垂直な少なくとも１以上の溝部又は突起部によって堰き止められパッケージ外部に漏れ出すことを防止することが可能となる。
【００１０】
溝部とは、筋状の凹部をいう。また突起部とは、筋状の凸部をいう。
【００１１】
また、本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１に記載の特徴に加えて、発光面が実装面に垂直であるタイプ、すなわちサイドビュータイプである。半導体装置は大別するとトップビュータイプとサイドビュータイプがあるが、両者を比較するとサイドビュータイプは本来薄型化のために開発されたものであり、更なる薄型化の要望があり、本発明の効果が大きい。すなわち、薄型化に伴い、パッケージの凹部を形成する壁が薄くなり、モールド部材の漏出経路であるアウターリード電極第二の部位が短くなるため本質的にサイドビュータイプの方がモールド部材の漏出の問題が顕著であることによる。
【００１２】
さらに、発光色が白色光である場合に関しては、発光色を白色化するには原則的に発光素子１つのみの構成では足りず、付加的構成が必要になる。構成が複雑であるほど、問題がクローズアップされ本発明の効果が大きい。
【００１３】
さらにまた、前記モールド部材に発光素子からの光を波長変換する蛍光物質が含有されている。任意の発光色を得るため蛍光物質の量を調整して含有させているのに対して、モールド部材が漏れ出すと、モールド部材共に蛍光物質も共に漏れ出すため色度ズレが生じるのであるが、本発明を用いることにより色度ズレの防止が可能になる。
【００１４】
また、本発明の請求項３に係る半導体装置は、請求項１又は２記載の特徴に加えて、発光色の異なる複数の発光素子である。発光色の異なる発光素子は必然的に動作電圧も異なるため、１チップの場合よりも余分にアウターリード電極が必要になる。そうなるとパッケージ部材に被覆される第二の部位の距離を長くするような構成が難しくなり、本発明の効果がより期待できる。
【００１５】
さらに、本発明の請求項４に係る半導体装置は、請求項１乃至３いずれか一項に記載の特徴に加えて、前記アウターリード電極はそれぞれ幅が異なり、該幅の大きいものにのみ溝部又は突起部を有する。放熱性や発光素子の実装性の観点より、アウターリード電極の幅を異ならせる場合がある。アウターリード電極の幅が広くなるほど当然にパッケージ部材とアウターリード電極との界面に出来る隙間は大きくなり、モールド部材が漏れやすくなる。よって幅が広いアウターリード電極にのみ溝部又は突起部を設けることにより、モールド部材の漏れ防止を実現可能となる。
【００１６】
さらにまた、本発明の請求項５に係る半導体装置は、請求項１乃至４いずれか一項に記載の特徴に加えて、パッケージ部材がポリアミド系合成高分子である。ポリアミド系合成高分子は成形性、耐久性等の観点からパッケージ部材として好適に用いられる一方、アウターリード電極との接着性・密着性が好ましくないため、アウターリード電極との界面に隙間が生じやすい。よって本発明を適用することにより大きな効果を期待できる。
【００１７】
さらにまた、本発明の請求項６に係る半導体装置は、請求項１乃至５いずれか一項に記載の特徴に加えて、アウターリード部材がCu合金であり、表面がAgメッキされてなる。導電性の観点からCuが優れており、Cu単体であれば強度が弱いので不純物を加え機械的強度を向上させ、表面をAgメッキすることにより光の反射を高めている。
【００１８】
さらにまた、本発明の請求項７に係る半導体装置は、請求項１乃至６いずれか一項に記載の特徴に加えて、モールド部材はシリコーンである。そもそも溝部に弾力性の少ない樹脂が溜まると硬化してアウターリードを折り曲げてフォーミング等するときに機械的強度が弱くなっている溝部が破壊される恐れがあるが、シリコーン樹脂であれば弾力性を有するため、本発明が有する弱点部分を発現させることなく実現できる。
【００１９】
さらにまた、本発明の請求項８に係る半導体装置は、請求項１乃至７いずれか一項に記載の特徴に加えて、発光素子が同一面側からインナーリード電極であるワイヤーボンド電極を有した場合、ワイヤーの高さがp電極側とｎ電極側が異なる。インナーリード電極のワイヤーの高さを異ならしめることにより、発光素子の実装ズレ等によるワイヤー同士の接触を防止することが可能となる。発光素子の数が増加すれば、ワイヤーの数も当然に増加することになり、ショートの可能性が増加するためにより効果的に問題が解決できる。
【００２０】
また、本発明の請求項９に係る半導体装置の形成方法は、発光素子と、該発光素子が実装される凹部を有し、その発光素子と電気的に接続されるアウターリード電極が挿入されたパッケージ部材と、前記凹部内にて前記発光素子を被覆するモールド部材とを有する半導体装置の形成方法において、金属平板に打ち抜き加工を施すリードフレームの一部に、溝部又は突起部を形成する第一の工程と、少なくとも前記溝部あるいは突起部を被覆するように、樹脂材料にて、前記リードフレームに凹部を有するパッケージ部材を成形する第二の工程と、前記凹部内に発光素子を配して、該発光素子と前記リードフレームとを電気的に接続させる第三の工程と、前記溝部又は突起部を、前記リードフレームと前記パッケージ部材との界面に位置し、前記凹部内からパッケージ部材内から前記パッケージ部材の外壁方向へ漏出するモールド樹脂の障壁として、前記凹部にモールド材料を注入し、硬化させてモールド部材を形成する第四の工程とを有することを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明を実施するための最良の形態を、以下に図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本発明の技術思想を具体化するための半導体装置を例示するものであって、本発明は半導体装置を以下に限定するものではない。また、各図面に示す部材の大きさや位置関係などは説明を明確にするために誇張しているところがある。
【００２２】
以下、図面を参照しながら本発明に係る実施の形態について説明する。
【００２３】
図１は、表面実装型（ＳＭＤ型）発光ダイオードの概略図を示す。（ａ）は本発明と従来技術共通の正面図、（ｂ）は本発明に係る断面図、（ｃ）は（ｂ）のアウターリード電極のみを抜き出した図、（ｄ）は本発明の他の実施形態に係る断面図、（ｅ）は（ｄ）のアウターリード電極のみを抜き出した図、（ｆ）は従来技術に係る断面図、（ｇ）は（ｆ）のアウターリード電極のみを抜き出した図である。
【００２４】
本発明の特徴部分はパッケージ部材に覆われるため、パッケージ部材が不透明な材料である場合は外見上、従来技術と同一である。
【００２５】
半導体装置は少なくとも以下の構成を必要とする。少なくとも１つの発光素子、パッケージ部材、複数のアウターリード電極、モールド部材である。場合によっては、蛍光物質やインナーリード電極が必要になる。
【００２６】
以下に構成部材を簡単に説明する。
【００２７】
（アウターリード電極）
アウターリード電極１は、パッケージ部材の凹部内にて一部が露出されている第一の部位１'、パッケージ部材に被覆される第二の部位１''、パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位１'''の３部より構成されている。
【００２８】
パッケージ部材の凹部内にて一部が露出されている第一の部位とは、パッケージ部材が形成する凹部内に位置するアウターリード電極部を言う。
【００２９】
パッケージ部材に被覆される第二の部位とは、パッケージ部材に覆われているアウターリード電極部を言う。
【００３０】
パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位とは、パッケージ部材に覆われていないアウターリード電極部を言う。
【００３１】
パッケージ部材に被覆される第二の部位には本発明の特徴部分である溝部や突起部が形成されている。溝部及び突起部の形成方向は図１（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）からも分かるようにアウターリード電極の延伸方向に対して垂直方向に伸びている。
【００３２】
溝部を設ける場合は、凹部からアウターリード電極とパッケージ部材の界面から漏れ出したモールド部材を溝部に蓄えることが出来るために、パッケージ部材の外側にモールド部材が漏れ出すことを防止することが出来る。
【００３３】
突起部を設ける場合は、凹部からアウターリード電極とパッケージ部材の界面から漏れ出したモールド部材を突起部でせき止めることが出来るために、パッケージ部材の外側にモールド部材が漏れ出すことを防止することが出来る。
【００３４】
更にどちらの構造を採用してもアウターリード電極とパッケージ部材の接着面積が増加するため、接着強度が向上し、界面の隙間が減少する。界面の隙間が減少するとモールド部材の漏れ出しが起こりにくくなる。
【００３５】
これらの相乗効果でモールド部材の漏れ出しと言う問題を解決している。
【００３６】
溝部や突起部の形成方法は打ち抜き加工（プレス加工）やエッチングにより形成される。
【００３７】
材質としては、導電性を有するものであればよく、金属一般が使用可能であるが、導電性・放熱性・機械的強度・光の反射等の観点よりＣｕをベースとした合金で、表面をＡｇで処理したものが好適である。
【００３８】
（パッケージ部材）
射出成形で構成されるため、射出成形に使用される全ての樹脂が使用可能であるが、耐熱性・成形性等の観点より好適にはポリアミド系合成高分子が用いられる。パッケージ部材は発光素子を実装する凹部を形成する。
凹部とは、発光ダイオードが実装され、且つ、モールド部材が封止される凹部形状の部位を言う。
【００３９】
（モールド部材）
モールド部材に必要な性質は透光性であることである。光の取り出し効率を上げるためには発光素子よりも屈折率が小さい材料が好ましい。半導体装置からの発光が単一色でなく、混合色を発光させる場合は、混色性を高めるため光拡散剤を混入させる場合もある。光拡散剤はモールド部材と屈折率差を有して、かつ透光性であることが必要である。光拡散部材の素材としては、特に限定されないが、チタン酸バリウム、硫酸バリウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化珪素、軽質炭酸カルシウム、重質炭酸カルシウム等、種々のものを用いることができる。モールド部材の素材としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ジフリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、低融点ガラス等が好適に用いられる。
【００４０】
（発光素子）
発光素子は、ＭＯＣＶＤ法などにより基板上にＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＩｎＧａＰ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＧａＮ等の半導体を発光層として形成させる。半導体の構造としては、ＭＩＳ接合、ＰＩＮ接合やＰＮ接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその結晶度によって発光波長を種々選択することができる。
【００４１】
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体基板にはサファイア、スピネル、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＮ等の材料が好適に用いられる。窒化ガリウム系化合物半導体は、不純物をドープしない状態ではｎ型導電性を示す。よりｎ型化させるためには、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｃ等のｎ型ドーパントを適宜導入する。一方、ｐ型窒化ガリウム半導体を形成する場合は、ｐ型ドーパントであるＺｎ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ等をドープさせる。
【００４２】
窒化ガリウム系化合物半導体は、ｐ型ドーパントをドープしただけではｐ型化しにくいため、アニール処理することでよりＰ型化する。
【００４３】
サファイア基板等の絶縁性基板を使用した場合は、エッチング処理等により同一面側にｎ型、ｐ型の異なる極性の層を露出され、電極を形成する。ＳｉＣ基板のような導電性基板を使用する場合は基板側と窒化ガリウム層成長面側にそれぞれ電極を形成することが可能である。
【００４４】
上記のようにして得られた半導体ウエハを機械的にチップ化することにより、発光素子が得られる。
【００４５】
（インナーリード電極）
発光素子をアウターリード電極に電気的に接続するために、インナーリード電極としてワイヤーボンド電極を用いる。ワイヤーの径はφ２５μｍ〜３５μｍが好ましい。材質としては、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ａｕ等が好適に用いられる。
【００４６】
（蛍光物質）
蛍光物質は発光素子からの光をより長波長に変換させるものが発光効率として良い。発光素子と蛍光物質により波長変換された混色光は白色であることが好ましい。
【００４７】
上記蛍光物質の粒径は、中心粒径が６μｍ〜５０μｍの範囲が好ましく、より好ましくは１５μｍ〜３０μｍであり、このような粒径を有する蛍光物質は光の吸収率及び変換効率が高く、且つ、励起波長幅が広い。６μｍより小さい蛍光物質は、比較的凝集体を形成しやすく、液状樹脂中において密になって沈降されるため、光の透過率を減少させてしまう他、光の吸収率を及び変換効率が悪く励起波長の幅も狭い。
【００４８】
（イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質）
本実施の形態で用いられる蛍光物質は、窒化物系半導体を発光層とする発光素子から発光された光により励起されて発光し、セリウム（Ｃｅ）あるいはプラセオジウム（Ｐｒ）で付活されたイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質をベースとした蛍光体（ＹＡＧ系蛍光体）とすることができる。具体的なイットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質としては、ＹＡｌＯ３：Ｃｅ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ：Ｃｅ）やＹ４Ａｌ２Ｏ９：Ｃｅ、更にはこれらの混合物等が挙げられる。イットリウム・アルミニウム酸化物系蛍光物質にＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｚｎの少なくとも一種類が含有されていても良い。また、Ｓｉを含有させることによって、結晶の成長の反応を抑制し蛍光物質の粒子を揃えることができる。更に詳しくは、一般式（ＹｚＧｄ１−ｚ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０＜Ｚ≦１）で示されるフォトルミネッセンス蛍光体や一般式（Ｒｅ１−ａＳｍａ）３Ｒｅ'５Ｏ１２：Ｃｅ（但し、０≦ａ＜１、０≦ｂ≦１、Ｒｅは、Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ、Ｓｃから選択される少なくとも一種類、Ｒｅ'は、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎから選択される少なくとも一種類である。）で示されるフォトルミネッセンス蛍光体である。また所望に応じてＣｅに加えＴｂ，Ｃｕ、Ａｇ，Ａｕ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｄ、Ｄｙ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｅｕらを含有させることもできる。
【００４９】
本発明における発光ダイオードパッケージにおいて、このようなフォトルミネッセンス蛍光体は、２種類以上のセリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体や他の蛍光物質を混合させてもよい。ＹからＧｄへの置換量が異なる２種類のイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体を混合することにより、容易に所望とする色調の光を容易に実現することができる。
【００５０】
（実施例１）
本発明の実施例１における半導体装置の外形寸法は、ｘ方向：４．７ｍｍ、ｙ方向：１．２ｍｍ、ｚ方向１．５ｍｍのサイズであり、形状としては図１に図示するサイドビュータイプのものである。実装されている発光素子は３つで発光色もそれぞれ異なり、光の３原色であるＢｌｕｅ、Ｒｅｄ、Ｇｒｅｅｎを使用した。ＢｌｕｅとＧｒｅｅｎに関しては窒化ガリウム系化合物半導体を用い、Ｒｅｄに関してはＡｌＩｎＧａＰ系化合物半導体を用いた。明るさはＢｌｕｅが２００ｍｃｄ、Ｇｒｅｅｎが９００ｍｃｄ、Ｒｅｄが２９０ｍｃｄとして全てを同時点としたときに白色光になるように調整した。
【００５１】
アウターリード電極には、Cu合金で表面をＡｇで処理したものを使用し、厚さ０．１２５ｍｍに対して０．０２５ｍｍの溝を形成した。
【００５２】
パッケージ部材としてはポリアミド系高分子を用い、モールド樹脂としてはシリコーン樹脂を用い、インナーリード電極のワイヤーボンド電極材としてはＡｕを使用した。上記構成によって得られた半導体装置はモールド樹脂が一切発生しなかった。
【００５３】
（実施例２）
図１に図示する発光素子を全てＢｌｕｅの窒化ガリウム系化合物半導体を用い、蛍光物質としてＹＡＧを用い混色光として白色を得た。アウターリードには０．０２５ｍｍの突起部を形成する以外は全て実施例１と同様の構成にした。上記構成によって得られた半導体装置はモールド樹脂が一切発生しなかった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、薄型・軽量化の要請が著しい液晶用バックライトに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１（ａ）は本発明及び従来技術に係る実施形態の半導体装置の正面図である。図１（ｂ）は本発明に係る実施形態の半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｃ）は図１（ｂ）のアウターリードにのみ抜き出した図である。図１（ｄ）は本発明に係る他の実施形態における半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｅ）は図１（ｄ）のアウターリードにのみ抜き出した図である。図１（ｆ）は従来技術に係る実施形態の半導体装置のＡ−Ａ線断面図である。図１（ｇ）は図１（ｆ）のアウターリードにのみ抜き出した図である。
【図２】本発明及び従来技術に係る実施形態の半導体装置の斜視図である。
【図３】本発明及び従来技術に係る実施形態の半導体装置の図２とは異なる角度からの斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・アウターリード電極
１'・・・凹部内にて一部が露出されている第一の部位
１''・・・パッケージ部材に被覆される第二の部位
１'''・・・パッケージ部材の外壁面から突出される第三の部位
３・・・発光素子
５・・・凹部
７・・・パッケージ部材
９・・・モールド部材
１１・・・溝部
１３・・・突起部
１７・・・インナーリード電極
１００・・・半導体装置