(57)【要約】【課題】使用時の劣化の問題を防ぎ、潤滑剤、界面活性剤、撥水撥油剤等の表面改処理等として有用に用いうる化合物を提供する。【解決手段】式［Ｗ−Ｑ１（Ｏ）e（ＣＨ２）f（ＣＦ２）gＯ（Ｑ２）h−］aＹ［−Ｏ（Ｑ２）qＲＦ］bで表され、式中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造が存在しない含フッ素エーテル。ただし、ａは２〜２０の整数、ｂは０〜１８の整数であり、かつ（ａ＋ｂ）は２〜２０の整数；Ｑ１は単結合等；Ｑ２は−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−；ｅは０または１、ｆは０〜４の整数、ｇは１〜６の整数、ｈは０〜２００の整数。ただし、ｅとｇが１である場合のｆは１〜４の整数；ｑは３〜２００の整数；ＲＦは１価のペルフルオロ化飽和炭化水素基またはエーテル性酸素原子を含む１価のペルフルオロ化飽和単価水素基；Ｙは（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基；Ｗは（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３−等の基。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（１）で表される含フッ素エーテル。
［Ｗ−Ｑ１（Ｏ）e（ＣＨ２）f（ＣＦ２）gＯ（Ｑ２）h−］aＹ［−Ｏ（Ｑ２）qＲＦ］b（１）
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
ａ、ｂ：ａは２〜２０の整数、ｂは０〜１８の整数であり、かつ（ａ＋ｂ）は２〜２０の整数。
Ｑ１：−（ＯＣＨ２ＣＨ２）c・（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）d−（ただし、ｃは０〜１００の整数。ｄは０〜１００の整数。Ｗは後述する基を示す。）を示す。
Ｑ２：−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−を示す。
ｅ〜ｆ：ｅは０または１、ｆは０〜４の整数、ｇは１〜６の整数、ｈは０〜２００の整数。ただし、ｅとｇが１である場合のｆは１〜４の整数。
ｑ：３〜２００の整数。
ＲＦ：１価のペルフルオロ化飽和炭化水素基またはエーテル性酸素原子を含む１価のペルフルオロ化飽和単価水素基であり、後者の基である場合には、式−Ｏ（Ｑ２）qＲＦで表される基中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。
Ｙ：（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。
Ｗ：下式（Ｗ１）〜（Ｗ６）で表される基から選ばれるいずれかの基を示し、ｅが１である場合のＷの一部は水素原子であってもよい。
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）ＣＯ−・・・（Ｗ１）
ＯＣＮ（ＣＨ２）ｉ−・・・（Ｗ２）
ＮＣ（ＣＨ２）ｊ−・・・（Ｗ３）
（Ｒ３）３−ｍ（Ｒ２）ｍＳｉ（ＣＨ２）ｋ−・・・（Ｗ４）
【化１】
2006045159.tif 000016
（ただし、Ｒ１は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、または炭素数１〜４のアルキル基。Ｒ２は水酸基、イソシアネート基、または加水分解される基。Ｒ３は水素原子または１価の炭化水素基。Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基。ｉ、ｊ、およびｐはそれぞれ独立に、０以上の整数。ｋは２以上の整数。ｍは１〜３の整数。）
【請求項２】
ａが３、ｂが０または１であり、（ａ＋ｂ）が３または４である請求項１に記載の含フッ素エーテル。
【請求項３】
式（１）で表わされる化合物が、下式（１−１）で表される化合物〜式（１−５）で表される化合物から選ばれるいずれかの化合物である請求項１に記載の含フッ素エーテル。
［Ｗ１Ｏ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−１）
［Ｗ２（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−２）
［Ｗ３ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−３）
［Ｗ４（Ｏ）ｅ（ＣＨ２）ｆＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−４）
［Ｗ５ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）h−］３Ｙ１・・・（１−５）
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
Ｑ２、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ：前記と同じ意味を示す。
Ｙ１：３価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、３価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。
Ｗ１：水素原子または前記式（Ｗ１）で表される基であり、３つのＷ１の少なくとも一つは式（Ｗ１）で表される基。
Ｗ２：前記式（Ｗ２）で表される基を示す。
Ｗ３：前記式（Ｗ３）で表される基を示す。
Ｗ４：前記式（Ｗ４）で表される基であり、ｅが１である場合のＷ４の１または２個は水素原子であってもよい。
Ｗ５：水素原子または前記式（Ｗ５）で表される基であり、３つのＷ５の少なくとも一つは式（Ｗ５）で表される基。
【請求項４】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定した分子量が５００〜１００万である請求項１〜３のいずれかに記載の含フッ素エーテル。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の式（１）で表される含フッ素エーテルの２分子以上を反応させてなる、または請求項１〜４に記載の式（１）で表される含フッ素エーテルの１分子以上と該式（１）で表される含フッ素エーテルと反応しうる他の化合物の１分子以上とを反応させてなる含フッ素エーテルの反応物。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の含フッ素エーテルおよび／または請求項５に記載の含フッ素エーテルの反応物、ならびに有機溶媒を含む溶液組成物。
【請求項７】
含フッ素エーテルおよび含フッ素エーテルの反応物の総量が、溶液組成物に対して０．００１〜５０質量％である請求項６に記載の溶液組成物。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれかに記載の含フッ素エーテルおよび／または請求項５に記載の含フッ素エーテルの反応物を必須成分とする表面処理剤。
【請求項９】
請求項８に記載の表面処理剤を部材表面に処理することによって、部材表面に被膜を形成させてなる処理部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、潤滑剤、撥水撥油剤、防汚剤等の表面処理剤として有用な新規な含フッ素エーテルおよび含フッ素エーテルの反応物に関する。
【背景技術】
【０００２】
含フッ素エーテルは、潤滑剤、撥水撥油剤等として広く使用される。たとえば、下式（Ａ）で表される化合物、下式（Ｂ）で表される化合物（ただし、式中のｒ１、ｒ２、およびｒ３は、それぞれ独立に１以上の整数を示す。）が挙げられる。
【０００３】
ＨＯ−ＣＨ２ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒ１−（ＣＦ２Ｏ）ｒ２−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（Ａ）
ＣＦ３ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒ３−ＣＦ２ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（Ｂ）。
【０００４】
磁気ディスク等のダイヤモンドライクカーボン膜（ＤＬＣ膜）が表面に形成された部材に、式（Ａ）で表される化合物または式（Ｂ）で表される化合物を塗布した場合、ＤＬＣ膜表面と化合物の末端の水酸基とが水素結合によって比較的強い結合を形成する。しかし、上記化合物が有する水酸基は１または２個であるため、化合物と部材表面との結合強度が不充分であり、物理的接触によって、表面の化合物が失われる問題があった。
【０００５】
また、下式（Ｃ）で表される化合物（ただし、式中のｒ４は０〜２０の整数、ｒ５はｒ５／ｒ４＝０．５〜２を満たす数、ＸａおよびＸｂはハロゲン原子、Ｔａは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基を示す。）も提案されている（特許文献１参照。）。
【０００６】
Ｔａ−Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒ４（ＣＦ２Ｏ）ｒ５ＣＸａＸｂＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ２
・・・（Ｃ）。
【０００７】
しかし、式（Ｃ）で表わされる化合物は−（ＯＣＦ２Ｏ）−で表される構造に起因する分解反応により、化合物が劣化する問題があった（たとえば、非特許文献１、非特許文献２、および非特許文献３参照。）。
【０００８】
−（ＯＣＦ２Ｏ）−で表される構造が存在しない化合物として、末端に−ＣＯＯＨ基を有する下式（Ｄ）で表される化合物（ただし、式中のｒ６は１以上の整数を示す。）が報告されている。
【０００９】
ＨＯＣＯ−ＣＨ２ＣＦ２Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｒ６−ＣＦ２ＣＨ２ＣＯＯＨ・・・（Ｄ）。
【００１０】
しかし、式（Ｄ）で表される化合物は、部材表面との高い密着性が得られない問題があった。また、該化合物は、高温条件下におかれると−ＣＯＯＨ基が脱炭酸して失われるため、部材表面との水素結合を形成できなくなる問題があった。さらに、該化合物は、−ＣＯＯＨ基に由来して酸性度が大きいため、部材の腐食原因となる問題もあった。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６１５６９３７号明細書
【非特許文献１】Ｗ．Ｆｏｎｇら、「ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ」、１９９９年３月、第３５巻、第２号、ｐ．９１１−９１２
【非特許文献２】Ｊ．Ｓｃｈｅｉｒｓ著、「Ｍｏｄｅｒｎ  Ｆｌｕｏｒｏｐｏｌｙｍｅｒｓ」、Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ  Ｌｔｄ．，１９９７年、ｐ．４６６−４６８
【非特許文献３】Ｐ．Ｈ．Ｋａｓａｉ、「Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｓ」、１９９２年、第２５巻、ｐ．６７９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記の問題を解決する目的でなされたものであり、使用時の劣化の問題がなく、撥水撥油性、防汚性等に優れ、潤滑油またはコーティング剤等として有用に用いうる新規な含フッ素エーテルおよび含フッ素エーテルの反応物の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は以下の発明を提供する。
＜１＞下式（１）で表される含フッ素エーテル。
［Ｗ−Ｑ１（Ｏ）e（ＣＨ２）f（ＣＦ２）gＯ（Ｑ２）h−］aＹ［−Ｏ（Ｑ２）qＲＦ］b（１）
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
ａ、ｂ：ａは２〜２０の整数、ｂは０〜１８の整数であり、かつ（ａ＋ｂ）は２〜２０の整数。
Ｑ１：−（ＯＣＨ２ＣＨ２）c・（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）d−（ただし、ｃは０〜１００の整数。ｄは０〜１００の整数。Ｗは後述する基を示す。）を示す。
Ｑ２：−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−を示す。
ｅ〜ｆ：ｅは０または１、ｆは０〜４の整数、ｇは１〜６の整数、ｈは０〜２００の整数。ただし、ｅとｇが１である場合のｆは１〜４の整数。
ｑ：３〜２００の整数。
ＲＦ：１価のペルフルオロ化飽和炭化水素基またはエーテル性酸素原子を含む１価のペルフルオロ化飽和単価水素基であり、後者の基である場合には、式−Ｏ（Ｑ２）qＲＦで表される基中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。
【００１４】
Ｙ：（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。
【００１５】
Ｗ：下式（Ｗ１）〜（Ｗ６）で表される基から選ばれるいずれかの基を示し、ｅが１である場合のＷの一部は水素原子であってもよい。
【００１６】
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）ＣＯ−・・・（Ｗ１）
ＯＣＮ（ＣＨ２）ｉ−・・・（Ｗ２）
ＮＣ（ＣＨ２）ｊ−・・・（Ｗ３）
（Ｒ３）３−ｍ（Ｒ２）ｍＳｉ（ＣＨ２）ｋ−・・・（Ｗ４）
【００１７】
【化１】
2006045159.tif 000002
【００１８】
（ただし、Ｒ１は水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、または炭素数１〜４のアルキル基。Ｒ２は水酸基、イソシアネート基、または加水分解される基。Ｒ３は水素原子または１価の炭化水素基。Ｒ４は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基。ｉ、ｊ、およびｐはそれぞれ独立に、０以上の整数。ｋは２以上の整数。ｍは１〜３の整数。）
＜２＞（ａ＋ｂ）が３または４である＜１＞に記載の含フッ素エーテル。
【００１９】
＜３＞式（１）で表わされる化合物が、下式（１−１）で表される化合物〜式（１−５）で表される化合物から選ばれるいずれかの化合物である＜１＞に記載の含フッ素エーテル。
［Ｗ１Ｏ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−１）
［Ｗ２（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−２）
［Ｗ３ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−３）
［Ｗ４（Ｏ）ｅ（ＣＨ２）ｆＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−４）
［Ｗ５ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）h−］３Ｙ１・・・（１−５）。
【００２０】
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
Ｑ２、ｅ、ｆ、ｇ、ｈ：前記と同じ意味を示す。
Ｙ１：３価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、３価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。
Ｗ１：水素原子または前記式（Ｗ１）で表される基であり、３つのＷ１の少なくとも一つは式（Ｗ１）で表される基。
Ｗ２：前記式（Ｗ２）で表される基を示す。
Ｗ３：前記式（Ｗ３）で表される基を示す。
Ｗ４：前記式（Ｗ４）で表される基であり、ｅが１である場合のＷ４の１または２個は水素原子であってもよい。
Ｗ５：水素原子または前記式（Ｗ５）で表される基であり、３つのＷ５の少なくとも一つは式（Ｗ５）で表される基。
【００２１】
＜４＞ゲルパーミエーションクロマトグラフィで測定した分子量が５００〜１００万である＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の含フッ素エーテル。
＜５＞＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の式（１）で表される含フッ素エーテルの２分子以上を反応させてなる、または＜１＞〜＜４＞に記載の式（１）で表される含フッ素エーテルの１分子以上と該式（１）で表される含フッ素エーテルと反応しうる他の化合物の１分子以上とを反応させてなる含フッ素エーテルの反応物。
＜６＞＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の含フッ素エーテルおよび／または＜５＞に記載の含フッ素エーテルの反応物、ならびに有機溶媒を含む溶液組成物。
【００２２】
＜７＞含フッ素エーテルおよび含フッ素エーテルの反応物の総量が、溶液組成物に対して０．００１〜５０質量％である＜６＞に記載の溶液組成物。
＜８＞＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の含フッ素エーテルおよび／または＜５＞に記載の含フッ素エーテルの反応物を必須成分とする表面処理剤。
＜９＞＜８＞に記載の表面処理剤を部材表面に処理することによって、部材表面に被膜を形成させてなる処理部材。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、使用時の劣化の問題がなく、撥水撥油剤、潤滑剤、防汚剤等の表面処理剤として有用な新規な含フッ素エーテルおよび含フッ素エーテルの反応物が提供される。また、本発明の含フッ素エーテルまたは含フッ素エーテルの反応物を用いることにより、部材表面と高い密着性を有する強固な被膜を形成できる。該被膜は耐久性に優れることから、部材表面に良好な撥水撥油性、潤滑性、防汚性等の機能を長期にわたり安定に付与できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本明細書においては、式（１）で表される含フッ素エーテルを化合物（１）とも記す。また、式（Ｘ）で表される基を基（Ｘ）とも記す。他の式で表される化合物および基についても同様に記す。
【００２５】
本発明は下記化合物（１）を提供する。また、本発明は下記化合物（１）の１分子以上を反応させてなる、または下記化合物（１）の１分子以上と該化合物（１）と反応しうる他の化合物（以下、他の化合物とも略記する。）の１分子以上とを反応させてなる化合物（以下、これらの化合物を総称して含フッ素エーテルの反応物とも記す。）を提供する。
【００２６】
化合物（１）は、基（Ｙ）に、ａ個の下式（Ｘ）で表される基、およびｂ個の下式（Ｚ）で表される基が結合した化合物である。
Ｗ−Ｑ１（Ｏ）e（ＣＨ２）f（ＣＦ２）gＯ（Ｑ２）h−・・・（Ｘ）
ＲＦ（Ｑ２）qＯ−・・・（Ｚ）。
【００２７】
ａは２〜２０の整数である。化合物（１）に存在する２以上の基（Ｘ）は、同一であっても異なっていてもよい。ａは２〜１０の整数が好ましく、２または３が特に好ましく、３がとりわけ好ましい。
【００２８】
ｂは０〜１８の整数であり、０または１が好ましく、特に後述するｈが１以上の整数である場合のｂは０が好ましい。ｂが２以上である場合には、式中の基（Ｚ）は同一であっても異なっていてもよい。
【００２９】
基（Ｘ）におけるＱ１は、式−（ＯＣＨ２ＣＨ２）c・（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）d−で表される２価の基を示す。ｃは−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−の数を示し、０〜１００の整数であり、０〜１０の整数が好ましい。ｄは−（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）−（ここで、Ｗは後述する意味を示す。）の数を示し、０〜１００の整数であり、０〜１０が好ましい。ｃとｄとは、ｃとｄとが０、ｃが０でありｄが１以上（ｄは１が好ましい。）、ｃが１以上（ｃは１が好ましい。）でありｄが０が好ましく、特にｃとｄが０（すなわち、基Ｑ１は存在しない。）であるのが好ましい。基（Ｑ１）等の基が存在しないとは、該基部分が単結合であることを意味する。
【００３０】
Ｑ１における「−（ＯＣＨ２ＣＨ２）c・（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）d−」部分は、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−および−（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）−がそれぞれ１単位以上存在する場合に、２つの単位の並び方が限定されないことを意味する。たとえば−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−および−（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）−が１単位以上存在する場合には、基（Ｘ）の末端基であるＷに結合する単位は、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−であっても−（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）−であってもよい。また、−（ＯＣＨ２ＣＨ２）−および−（ＯＣＨ２ＣＨ（ＯＷ）ＣＨ２）−がそれぞれ１単位以上存在し、かつ、一方または両方の単位が２単位以上存在する場合には、２つの単位の並び方はブロック状であってもランダム状であってもよい。このうち該並び方は、ブロック状であるのが好ましく、ブロック状であり、かつ−（ＯＣＨ２ＣＨ２）c−基が基（Ｗ）と結合するのが好ましい。
【００３１】
基（Ｘ）におけるｅは−Ｏ−の数を示し、０または１であり、合成が容易である点からは１が好ましく、化合物（１）の安定性の点からは０が好ましい。ｆは−（ＣＨ２）−の数を示し、０〜５の整数であり、０〜３の整数が好ましい。ｇは−（ＣＦ２）−の数を示し、１〜６の整数であり、１または２が好ましい。ただし、本発明の化合物の構造中には−ＯＣＦ２Ｏ−が存在しないことから、ｅとｇが１である場合のｆは１〜４の整数である。
【００３２】
基（Ｘ）におけるｈはＱ２の数、すなわち−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）−の数、を示し、０〜２００の整数であり、３〜２００の整数が好ましく、３〜１００の整数が特に好ましく、３〜７０の整数がとりわけ好ましく、５〜５０の整数がさらに好ましい。ｈが１〜２００である場合、Ｑ２は−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）−の酸素原子でＲＦと結合する。
基（Ｘ）におけるｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈがそれぞれ０である場合は、対応する該単位が存在しないことを意味する。
【００３３】
基（Ｘ）におけるＷは、下式（Ｗ１）〜（Ｗ６）で表される基から選ばれるいずれかの基を示し、ｅが１である場合のＷの一部は水素原子であってもよい。以下、式（Ｗ１）〜（Ｗ６）で表される基を総称して反応性の官能基ともいう。
【００３４】
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）ＣＯ−・・・（Ｗ１）
ＯＣＮ（ＣＨ２）ｉ−・・・（Ｗ２）
ＮＣ（ＣＨ２）ｊ−・・・（Ｗ３）
（Ｒ３）３−ｍ（Ｒ２）ｍＳｉ（ＣＨ２）ｋ−・・・（Ｗ４）
【００３５】
【化２】
2006045159.tif 000003
【００３６】
以下の説明において、基の定義は特に記載しない限り、前記と同じ意味を示し、好ましい態様も同じである。
【００３７】
基（Ｗ１）において、Ｒ１は、水素原子、フッ素原子、トリフルオロメチル基、または炭素数１〜４のアルキル基である。Ｒ１がアルキル基である例としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、およびｎ−ブチル基等が挙げられ、メチル基が好ましい。
【００３８】
基（Ｗ１）としては、ＣＨ２＝ＣＨＣＯ−、ＣＨ２＝ＣＦＣＯ−、ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯ−、またはＣＨ２＝Ｃ（ＣＦ３）ＣＯ−が挙げられる。基（Ｗ１）は反応性が良好である点から、Ｒ１が水素原子またはメチル基である基が好ましい。また化合物（１）または後述する化合物（１）の反応物が、近紫外領域または真空紫外領域光に曝露される環境下で使用される場合には、耐光性が向上することからＲ１はフッ素原子またはトリフルオロメチル基が好ましい。
【００３９】
基（Ｗ１）を有する基（Ｘ）においては、ｃおよびｄが０、ｅが１であるのが好ましく、下記基（Ｘ１０）が特に好ましい。ただし、ｆは１〜４の整数を示す。
ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）ＣＯＯ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−  ・・・（Ｘ１０）
基（Ｘ１０）としては以下の基が挙げられ、下記基（Ｘ１０−１）が好ましい。
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−・・・（Ｘ１０−１）、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−、
ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−、
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）ＣＯＯ−ＣＨ２ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−。
【００４０】
基（Ｗ２）において、ｉは０以上の整数であり、０または１が好ましく、耐光性が向上するため０が特に好ましい。基（Ｗ２）としては、ＯＣＮ−またはＯＣＮＣＨ２−が挙げられる。
【００４１】
基（Ｗ２）を有する基（Ｘ）においては、ｃおよびｄが０、ｅおよびｆが０であるのが好ましく、下記基（Ｘ２０）が特に好ましい。
ＯＣＮ（ＣＨ２）ｉ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−  ・・・（Ｘ２０）
基（Ｘ２０）としては、以下の基が挙げられる。
ＯＣＮ−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−、
ＯＣＮ−ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−。
【００４２】
基（Ｗ３）において、ｊは０または１が好ましく、耐光性の点から０が特に好ましい。基（Ｗ３）としては、ＮＣ−またはＮＣＣＨ２−が挙げられる。基（Ｗ３）を有する基（Ｘ）においては、ｃおよびｄが０、ｅおよびｆは０、ｇは１が好ましく、下記基（Ｘ３０）が特に好ましい。
【００４３】
ＮＣ（ＣＨ２）ｊＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−・・・（Ｘ３０）
基（Ｘ３０）としては、以下の基が挙げられ、下記基（Ｘ３０−１）が好ましい。
ＮＣ−ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−・・・（Ｘ３０−１）、
ＮＣ−ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−。
【００４４】
基（Ｗ４）におけるＲ２が加水分解される基である場合の該基とは、加水分解反応により水酸基に変換される基をいい、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基またはエトキシ基が好ましく、メトキシ基が特に好ましい。Ｒ２としては、水酸基またはアルコキシ基が好ましく、水酸基またはメトキシ基が特に好ましい。
【００４５】
Ｒ３が１価の炭化水素基である場合、アルキル基、１以上のアリール基で置換されたアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、およびアリール基が挙げられ、アルキル基またはアルケニル基が好ましい。Ｒ３がアルキル基である場合、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基またはエチル基が特に好ましい。Ｒ３がアルケニル基である場合、炭素数２〜４のアルケニル基が好ましく、ビニル基またはアリル基が特に好ましい。
【００４６】
ｍは１〜３の整数であり、ｍは３（すなわち、Ｒ３が存在しない）が好ましい。後述する含フッ素エーテルの反応物を得る反応において、ｍが３である場合、化合物（１）は反応性が良好であり、かつ反応速度を均一にできる。ｋは２以上の整数であり、２〜４の整数が好ましく、２または３が特に好ましい。
【００４７】
基（Ｗ４）としては、下記基（Ｗ４０）が好ましい。ただし、Ｒ２０は加水分解される基を示し、ｋは前記と同じ意味を示す。
（Ｒ２０）３Ｓｉ（ＣＨ２）ｋ−・・・（Ｗ４０）
基（Ｗ４）としては、以下の基が好ましく、下記基（Ｗ４０−３）が特に好ましい。
（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２−、
（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２−、
（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３−・・・（Ｗ４０−３）、
（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３−、
（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）４−、
（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）４−、
（ＣＨ３Ｏ）２（ＣＨ３）Ｓｉ（ＣＨ２）４−、
（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）２（ＣＨ３）Ｓｉ（ＣＨ２）４−。
【００４８】
基（Ｗ４）を有する基（Ｘ）においては、ｃおよびｄが０、ｇは１が好ましく、下記基（Ｘ４０）が特に好ましい。ｆは１〜４の整数を示す。
（Ｒ２０）３Ｓｉ（ＣＨ２）ｋ（Ｏ）ｅ（ＣＨ２）ｆＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−・・・（Ｘ４０）
基（Ｘ４０）としては、以下の基が挙げられ、下記基（Ｘ４０−１）が好ましい。
（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−、
（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３ＳｉＣＨ２ＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−、
（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−・・・（Ｘ４０−１）、
（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３−ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−。
【００４９】
基（Ｗ５）において、Ｒ４は水素原子が好ましい。ｐは０以上の整数であり、１または２が好ましい。基（Ｗ５）としては、下記基（Ｗ５−１）が好ましい。
【００５０】
【化３】
2006045159.tif 000004
【００５１】
基（Ｗ５）を有する基（Ｘ）においては、ｅとｆとｇがいずれも１である場合が好ましく、下記基（Ｘ５０）が特に好ましい。ただし、Ｗ５は前記基（Ｗ５）を示し、基（Ｗ５−１）が好ましい。
Ｗ５ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）h−・・・（Ｘ５０）。
【００５２】
基（Ｗ６）を有する基（Ｘ）としては、ｃおよびｄが０であり、ｅ、ｆ、ｇが１である下記基（Ｘ６０）が特に好ましい。ただし、Ｗ６は前記の基（Ｗ６）を示す。
Ｗ６ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）h−・・・（Ｘ６０）。
【００５３】
化合物（１）中に存在する基（Ｗ）の一部が水素原子である場合、基（Ｗ）の総数に対する反応性の官能基である基（Ｗ）の数は、目的とする用途に応じて適宜変更でき、通常の場合には７０％以上が好ましく、８０％以上が特に好ましく、化合物（１）の用途によっては９９％〜１００％であってもよい。また基（Ｗ）が反応性の官能基である場合には、基（Ｗ１）、基（Ｗ４）、または基（Ｗ５）が好ましく、特に基（Ｗ４）が好ましく、とりわけ前記基（Ｗ４０）が好ましい。
【００５４】
化合物（１）は、基（Ｙ）にｂ個の下式（Ｚ）で表される基が結合した化合物である。
−Ｏ（Ｑ２）qＲＦ・・・（Ｚ）
基（Ｚ）におけるＲＦは１価のペルフルオロ化飽和炭化水素基またはエーテル性酸素原子を含む１価のペルフルオロ化飽和炭化水素基であり、後者の基である場合には、基（Ｚ）中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。ＲＦとしては、直鎖構造、分岐構造、環構造、または部分的に環構造を有するペルフルオロアルキル基が好ましく、直鎖構造または分岐構造のペルフルオロアルキル基が特に好ましく、直鎖構造のペルフルオロアルキル基基がとりわけ好ましい。ＲＦの炭素数は１〜１６が好ましい。
【００５５】
ＲＦがエーテル性酸素原子を含む１価のペルフルオロ化飽和炭化水素基である場合、直鎖構造の基が好ましく、炭素数３〜２０のペルフルオロアルキル基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基が好ましい。エーテル性酸素原子の数は１〜７個が好ましく、１〜４個が特に好ましい。また、化合物（１）中には−ＯＣＦ２Ｏ−構造が存在しないことから、該ＲＦの結合末端部分には−ＣＦ２Ｏ−（ただし該基は、基の左側でＱ２と結合する。）は存在しない。またＲＦ基中にも−ＯＣＦ２Ｏ−構造は存在しない。また、ＲＦ−基とＱ２（−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−）とは区別して定義されることから、ＲＦ基のＱ２が結合する末端には−ＣＦ２ＣＦ２Ｏ−（ただし、該基は左側でＱ２と結合する。）は存在しない。該ＲＦが直鎖構造である場合、エーテル性酸素原子とエーテル性酸素原子との間に存在する炭素原子の数は２個以上であり、２〜６個が好ましい。
【００５６】
ＲＦとしては直鎖構造の炭素数１〜２０のペルフルオロアルキル基、すなわち式ＣＦ３（ＣＦ２）ｕ−（ｕは０〜１５の整数が好ましい。）で表される基、が好ましい。該基以外のＲＦとしては、ＣｙＦ−（ＣＦ２）ｖ−（ＣｙＦはペルフルオロシクロヘキシル基を示し、ｖは０〜１５の整数を示す。）等の基が挙げられる。
基（Ｚ）におけるｑはＱ２単位の数、すなわち−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）−の数、を示し、３〜２００の整数であり、５〜５０の整数がとりわけ好ましい。基（Ｚ）中のＱ２は、−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）−の酸素原子でＲＦと結合する。
【００５７】
基（Ｚ）としては、以下の例が挙げられる。
ＣＦ３−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ−・・・（３−１）、
ＣＦ３ＣＦ２−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ−・・・（３−２）、
ＣＦ３（ＣＦ２）２−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ−・・・（３−３）、
ＣＦ３（ＣＦ２）５−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｑ−・・・（３−４）。
【００５８】
基（Ｚ）としては、撥水撥油性、潤滑性が良好なことから前記基（３−１）または前記基（３−２）が好ましく、合成が容易であることから基（３−２）が特に好ましい。
基（Ｚ）の数であるｂの好ましい態様は、基（Ｘ）の構造により異なり、ｂは０または１であるのが好ましい。ｈが１以上である場合には、ｂが０である（すなわち、化合物（１）中に基（Ｚ）が存在しない）のが好ましい。
【００５９】
基（Ｙ）は（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基である。基（Ｙ）が後者の基である場合には、該基中には−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。基（Ｙ）、基（Ｘ）、および基（Ｚ）はそれぞれ異なる基として定義されることから、基（Ｙ）の基（Ｘ）側の末端部分には−（ＣＦ２）ｇ−Ｏ−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−（ただし、該基の右側で基（Ｘ）に結合する。）に該当する構造は存在せず、基（Ｙ）の基（Ｚ）に結合する末端部分に−（ＯＣＦ２ＣＦ２）−または−（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）−は存在しない。
【００６０】
基（Ｙ）は（ａ＋ｂ）価の基であり、ａおよびｂは、それぞれ基（Ｘ）の数であるａ、基（Ｚ）の数であるｂに対応する。ａおよびｂがそれぞれ２以上である場合の基（Ｘ）および基（Ｚ）はそれぞれ同一の基であっても異なる基であってもよく、基（Ｘ）は合成のしやすさから異なる基であることが好ましく、原料の入手のしやすさから異なる基であることが好ましい。
【００６１】
基（Ｙ）の価数である（ａ＋ｂ）は２〜２０の整数であり、３〜１０の整数が好ましく、３または４の整数が特に好ましく、とりわけａが３でありｂが０または１であることが好ましく、さらにはａが３でありｂが０であるのが好ましい。（ａ＋ｂ）は、化合物（１）の用途に応じて適宜調節できる。化合物（１）を潤滑剤等の表面処理剤として使用する場合の（ａ＋ｂ）は３〜１０の整数が好ましく、３または４が特に好ましく、３がとりわけ好ましい。
【００６２】
基（Ｙ）が（ａ＋ｂ）価のペルフルオロ化飽和炭化水素基である場合の該基とは、炭素原子とフッ素原子のみからなる飽和の基である。たとえば２価の基である場合は、ペルフルオロアルキレン基である。基（Ｙ）がエーテル性酸素原子を含む基である場合のエーテル性酸素原子の数は、１個以上であり、１〜３個が好ましい。基（Ｙ）の炭素数は１〜２０が好ましい。基（Ｙ）の具体例は、化合物（１）の例中に示される。
【００６３】
化合物（１）は、ａが３であり、ｂが０であり、基（Ｙ）が３価である下記化合物（１Ａ）が好ましい。
［ＸＡ］３Ｙ１  （１Ａ）
ただし、ＸＡは、前記基（Ｘ１０）〜基（Ｘ６０）から選ばれるいずれかの基である。ＸＡは、基（Ｘ１０）、基（Ｘ３０）、基（Ｘ４０）、および基（Ｘ５０）が特に好ましく、基（Ｘ４０）がとりわけ好ましい。
【００６４】
化合物（１Ａ）は、下式で示される化合物である。
［Ｗ１Ｏ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−１）
［Ｗ２（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−２）
［Ｗ３ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−３）
［Ｗ４（Ｏ）ｅ（ＣＨ２）ｆＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］３Ｙ１・・・（１−４）
［Ｗ５ＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）h−］３Ｙ１・・・（１−５）。
【００６５】
ただし、式中の記号のうち、ｆ、Ｙ１およびＷ１〜Ｗ５は以下の意味を示す。
ｆ：１〜５の整数。
Ｙ１：３価のペルフルオロ化飽和炭化水素基、または、３価のペルフルオロ化飽和炭化水素基の炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子が挿入された基であり、後者の基である場合には、該基中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造は存在しない。
Ｗ１：水素原子または前記式（Ｗ１）で表される基であり、３つのＷ１の少なくとも一つは式（Ｗ１）で表される基。
Ｗ２：前記式（Ｗ２）で表される基を示す。
Ｗ３：前記式（Ｗ３）で表される基を示す。
Ｗ４：前記式（Ｗ４）で表される基であり、ｅが１である場合のＷ４の１または２個は水素原子であってもよい。
Ｗ５：水素原子または前記式（Ｗ５）で表される基であり、３つのＷ５の少なくとも一つは式（Ｗ５）で表される基。
【００６６】
化合物（１）は、単一の化合物であっても、２種以上の化合物からなっていてもよく、後者であるのが好ましい。化合物（１）が２種以上の化合物からなる場合、化合物（１）中のｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、およびｈから選ばれるいずれかが異なる化合物（１）の２種以上からなるのが好ましい。化合物（１）が２種以上の化合物からなる場合、ｃの平均は０〜５の整数が好ましく、ｄの平均は０〜５の整数が好ましく、ｈの平均は１〜２０の整数が好ましい。また、基（Ｚ）におけるｑの平均は３〜１００の整数が好ましい。
【００６７】
本発明における化合物（１）の分子量は５００〜１００万が好ましく、１０００〜２万が特に好ましい。また化合物（１）が２種以上の化合物からなる場合、化合物（１）の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．０〜１．７が好ましく、１．０〜１．２５が特に好ましい。化合物（１）の分子量および分子量分布は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィにより測定できる。測定条件は、後述する実施例に記載した条件が採用できる。
【００６８】
本発明における化合物（１）としては、下記化合物が挙げられる。ただし、下式中のＸは基（Ｘ）を示し、Ｚは基（Ｚ）を示す。下式中のｓは１〜１０の整数を示し、同一分子中にｓが２個以上存在する場合は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
【００６９】
【化４】
2006045159.tif 000005
【００７０】
本発明の化合物（１）中には−（ＯＣＦ２Ｏ）−で表される構造は存在しない。−（ＯＣＦ２Ｏ）−で表される構造が存在しない、とは通常の分析手法（19ＦＮＭＲ等）では検出できないことを意味する。
【００７１】
本発明の化合物（１）は、表面処理剤等として有用な新規な化合物である。表面処理剤等として化合物（１）を用いる場合、化合物（１）をそのまま用いてもよい。また表面処理剤として、化合物（１）の１分子以上を反応させた化合物、または化合物（１）の１分子以上と化合物（１）と他の化合物を反応させた生成物（以下、両化合物を総称して「含フッ素エーテルの反応物」とも記載する。）を用いてもよい。
【００７２】
含フッ素エーテルの反応物を得る場合の他の化合物としては、化合物（１）中の基（Ｗ）と同一の基を有する化合物、化合物（１）中の基（Ｗ）とは異なる基を有する他の化合物のいずれであってもよい。他の化合物としては、フッ素原子を含まない化合物から選択するのが好ましく、アクリル酸エステル類、メタクリル酸エステル類、およびノルボルネン等であってフッ素原子を含まない化合物が挙げられる。他の化合物と反応させる場合、化合物（１）との量比は特に限定されない。化合物（１）の量が少量であったとしても、他の化合物と化合物（１）との反応で得られた含フッ素エーテルの反応物は、良好な潤滑性、撥水撥油性、および防汚性等の機能を発現する。
【００７３】
化合物（１）と他の化合物を反応させる方法は、基（Ｗ）の種類に応じて適宜変更されうる。たとえば、基（Ｗ１）である化合物（１）においては、光または熱による重合反応、基（Ｗ４）である化合物（１）においては縮合反応、基（Ｗ５）である化合物（１）においては開環重合反応が採用できる。該反応においては、全ての化合物や、全ての基（Ｗ）が反応する必要はなく、また生成物中には未反応の化合物（１）や他の化合物が含まれていてもよい。
【００７４】
化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物は、有機溶媒中に含ませて、溶液組成物として使用してもよい。溶液組成物は、溶液、懸濁液、または乳化液のいずれであってもよく、溶液であることが好ましい。
【００７５】
有機溶媒としては、ペルフルオロトリプロピルアミン、ペルフルオロトリブチルアミン等のペルフルオロアルキルアミン類、フロリナート（３Ｍ社製）、バートレル（デュポン社製）等のフルオロカーボン類が好ましい。また、前記の溶媒にフッ素原子を含まない有機溶媒（炭化水素類、アルコール類、ケトン類、エーテル類、エステル類、および塩素化化炭化水素類等）を添加して使用してもよい。フッ素原子を含まない有機溶媒の添加量は、有機溶媒全量に対して４０質量％以下であることが好ましい。有機溶媒は１種のみを使用してもよく、２種以上を混合した混合溶媒として使用してもよい。混合溶媒に共沸組成が存在する場合、該組成で使用することが好ましい。
【００７６】
化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物を溶液組成物として使用する場合、溶液組成物中の化合物（１）および含フッ素エーテルの反応物の総量は０．００１〜５０質量％が好ましい。このうち化合物（１）の濃度は０．０１〜５０質量％が好ましく、０．０１〜２０質量％が特に好ましい。含フッ素エーテルの反応物の量は０．００１〜５０質量％が好ましく、０．０１〜２０質量％が特に好ましい。
【００７７】
本発明は、化合物（１）および．／または含フッ素エーテルの反応物を含む表面処理剤を提供する。該表面処理剤中には、前記有機溶媒が含まれていてもよい。表面処理剤としては、潤滑剤、防汚剤、撥水撥油剤、指紋除去性能付与剤等が挙げられる。撥水撥油剤としては、紙、布等の防水剤、半導体用保護コート剤（防湿コート剤、半田這い上がり防止剤等）、撥インク剤（インクジェットプリンタ等の印刷機器用）、塗料への添加剤等が挙げられる。塗料への添加剤として用いる場合には、化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物の量は、塗料の全量に対して０．０１〜５質量％とするのが好ましい。
【００７８】
化合物（１）または含フッ素エーテルの反応物は、他の用途にも有用である。他の用途としては、半導体素子用接着剤（たとえば、リードオンチップテープ用接着剤等）、レジスト用反射防止膜等が挙げられる。また、ペリクル用材料に添加することによって、ペリクルに低反射機能を付与する例、ディスプレイ用反射防止膜用材料に添加することによって、該反射防止膜に指紋除去性を付与する例が挙げられる。さらに、含フッ素エーテルの反応物そのものを電線被覆材として使用する例が挙げられる。
【００７９】
また、ガラス、金属、樹脂等の部材表面に、本発明の化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物を必須成分とする表面処理剤を適用することによって、部材表面に種々の機能を付与できる。たとえば、潤滑剤として光学記録用ヘッドに塗布し、ディスクとの摩擦を軽減する例、ガラス等の光学材料表面に塗布して防汚性を付与する例が挙げられる。
【００８０】
部材表面への処理方法としては、化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物を必須成分とする表面処理剤を部材表面に下記処理方法１〜２のいずれかの処理方法によって処理して、部材表面に被膜を形成させる方法によるのが好ましい。この表面処理剤には、有機溶媒が含まれていてもよい。
【００８１】
具体的な処理方法としては、表面処理剤を部材表面に塗布する処理方法１、表面処理剤を部材表面に塗布した後、部材表面において化学反応をさせる処理方法２が挙げられる。このうち、処理方法２が部材との密着性が高く強固な被膜を形成できる点から好ましい。さらに処理方法２における表面処理剤は、化合物（１）と他の化合物と有機溶媒を含む組成物であるのが好ましい。
【００８２】
塗布方法としては、ロールコート法、キャスト法、ディップコート法、スピンコート法、水上キャスト法、ダイコート法、ラングミュア−プロジェット法、および真空蒸着法等が挙げられ、均一な被膜を形成できる点からスピンコート法、ディップコート法、または真空蒸着法が好ましい。
【００８３】
表面処理剤が有機溶媒を含む溶液組成物である場合には、有機溶媒として、塗布方法に適した沸点を有する有機溶媒を選択することが好ましい。また溶液組成物中の化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物の濃度は、被膜の厚さによって調整することが好ましく、たとえば厚さ２５０ｎｍの被膜を形成する場合の溶液組成物中の該化合物の総濃度は１．５〜３．０質量％が好ましい。
【００８４】
化合物（１）、含フッ素エーテルの反応物、またはこれらの溶液組成物には添加剤を加えてもよい。たとえば、被膜を形成させる場合には、被膜の耐久性、機能の持続性を高める目的で添加する添加剤が挙げられる。該添加剤としては、テトラアルコキシシランおよびその部分加水分解生成物等のシリコン化合物；シリカゾル；酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム等の超微粒子金属酸化物；エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の各種樹脂が挙げられる。また、被膜形成の作業性を高める添加剤としては、界面活性剤が挙げられる。これらの添加剤は１種を使用しても、２種以上を使用してもよい。添加剤としてのシリコン化合物の量は、化合物（１）および含フッ素エーテルの反応物の総量に対して、１０〜４０質量％が好ましく、シリカゲルおよび超微粒金属酸化物はそれぞれ５〜２０質量％が好ましく、樹脂は０．５〜５質量％が好ましい。
【００８５】
上記処理方法１〜２の塗布に際しては、必要に応じて部材表面の前処理を行ってもよい。前処理方法としては、フッ酸、塩酸等による酸処理；水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等によるアルカリ処理；フッ化セリウム等による研磨処理等が挙げられる。
【００８６】
化合物（１）または含フッ素エーテルの反応物は、部材の種類および機能に応じて選択するのが好ましい。たとえば、樹脂部材に対しては、基（Ｗ１）、基（Ｗ２）、もしくは基（Ｗ５）を有する化合物（１）、または該化合物（１）から得た含フッ素エーテルの反応物を使用して被膜を形成することが好ましい。なかでも基（Ｗ１）を有する化合物（１）は、該化合物（１）を部材表面に塗布した後に紫外線照射を行う簡便な操作によって含フッ素エーテルの反応物の被膜を形成できるので好ましい。さらに、樹脂に放射線を照射することによって樹脂の構造中にラジカルを発生させる技術が知られており、該技術を応用すれば化合物（１）と樹脂部材とが化学結合にて結合した強固な被膜を形成できる。
【００８７】
処理方法２にしたがって、ガラスもしくは石材等の無機部材、または、ＰＶＡ、ＰＶＢ、およびＥＶＡ等の水酸基を有する樹脂部材に対して塗布を行う場合には、基（Ｗ４）を有する化合物（１）を選択し、部材表面に塗布した後、大気中、５０〜１５０℃で保持する方法によるのが好ましい。特に、ガラスまたは水酸基を有する樹脂部材は、部材表面の水酸基と基（Ｗ４）とがシロキサン結合を形成し、かつ基（Ｗ４）を有する化合物（１）間での反応や、該化合物（１）と他の化合物との反応も起こりうるため、部材との密着性が高く強固な被膜を形成することができる。基（Ｗ４）を有する化合物（１）としては、トリシラノール末端（−Ｓｉ（ＯＨ）３）を有する化合物を選択するのが好ましい。
【００８８】
本発明の化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物を用いて形成した被膜は、強固な被膜であり、部材との高い密着性を有する。さらに、該被膜は透明性に優れ、屈折率が低く、耐熱性および耐薬品性に優れる。被膜の膜厚は、通常０．００１〜５０μｍが好ましい。
【００８９】
本発明の化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物の被膜が形成された部材としては、光ディスク、光ファイバ等の光学部材、鏡、太陽電池、タッチパネル、感光ドラム、定着ドラム、フィルムコンデンサ、ガラス窓用反射防止フィルム等の各種フィルム等が挙げられる。
【００９０】
本発明の化合物（１）および／および含フッ素エーテルの反応物中には、−（ＯＣＦ２Ｏ）−構造が存在しないことから、使用条件下で劣化が少なく、長期にわたり安定した性能を維持できる。さらに、本発明の化合物（１）および／または含フッ素エーテルの反応物を用いて部材表面に形成された被膜は、部材表面と高い密着性を有する強固な被膜であることから耐久性に優れる。
【００９１】
本発明の化合物（１）は、市販または公知の方法により製造した多価ポリオキシアルキレンに公知の手法を適用することによって入手できる。多価ポリオキシアルキレンとしてポリオキシエチレントリオールが特に好ましい。
【００９２】
化合物（１）の製造方法としては、多価ポリオキシアルキレンから公知の反応により製造できる下記化合物（Ｅ）を出発物質とする方法が挙げられる。該化合物（Ｅ）の製造方法は後述する。ただし、式中のＹ、Ｑ２、ａ、ｂ、ｈは前記と同じ意味を示し、Ｚは基（Ｚ）を示す。
［ＦＣＯＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｅ）。
【００９３】
本発明の化合物（１）は、化合物（Ｅ）を出発物質として製造できる中間体に対して基（Ｗ１）〜基（Ｗ５）を導入する方法により製造できる。化合物（１）の製造中間体である化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）は以下の製造方法により製造するのが好ましい。ただし、下記製造方法の説明中、式中の記号は特に記載しないかぎり前記と同じ意味を示す。
【００９４】
＜化合物（Ｈ１）の製造方法（その１）＞
下記化合物（Ｅ）に下記化合物（Ｆ）（ただし、Ｒｃはアルキル基を示す。）を反応させて下記化合物（Ｇ１）を得て、該化合物（Ｇ１）を還元的することにより化合物（Ｈ１）を得る方法。
［ＦＣＯＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｅ）＋ＲｃＯＨ  （Ｆ）
→［ＲｃＯＣＯＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｇ１）
→［ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｈ１）。
【００９５】
＜化合物（Ｈ１）の製造方法（その２）＞
下記化合物（Ｄ）と前記化合物（Ｆ）とを反応させることによって下記化合物（Ｇ１）を得て、該化合物（Ｇ１）を還元的に分解することにより化合物（Ｈ１）を得る方法。
［ＲｂＦＣＯＯＣＦ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｄ）＋  ＲｃＯＨ  （Ｆ）
→（Ｇ１）→（Ｈ１）
【００９６】
＜化合物（Ｈ１）の製造方法（その３）＞
下記化合物（Ｅ）を加水分解して下記化合物（Ｇ２）を得て、つぎに化合物（Ｇ２）を還元して化合物（Ｈ１）を得る方法。
［ＦＣＯＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｅ）
→［ＨＯＣＯＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｇ２）
→［ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｈ１）。
【００９７】
＜化合物（Ｈ２）の製造方法＞
下記化合物（Ｅ）にＩ２またはＬｉＩ等を反応させることにより、末端−ＣＯＦ基をヨウ素原子に変換して下記化合物（Ｊ１）を得る。該化合物（Ｊ１）に任意のモル数のエチレンおよび／またはテトラフルオロエチレンを付加反応させて下記化合物（Ｊ２）とし、該化合物（Ｊ２）の末端のヨウ素原子を発煙硫酸またはベタインによって水酸基に変換して下記化合物（Ｈ２）を得る方法。
［ＦＣＯＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｅ）
→［ＩＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ      （Ｊ１）
→［Ｉ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｊ２）
→［ＨＯ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｈ２）。
【００９８】
＜化合物（Ｈ３）の製造方法＞
前記方法によって得た化合物（Ｈ１）にエチレンカーボネ−トおよび／またはエチレンオキシドを付加することにより化合物（Ｈ３）を得る方法。
［ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｈ１）
→［Ｈ（ＯＣＨ２ＣＨ２）cＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｈ３）。
【００９９】
＜化合物（Ｈ４）の製造方法＞
前記方法によって得た化合物（Ｈ２）にエチレンカーボネ−トおよび／またはエチレンオキシドを付加することに化合物（Ｈ４）を得る方法。
［ＨＯ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｈ２）
［Ｈ（ＯＣＨ２ＣＨ２）ｃＯ（ＣＨ２）ｆ（ＣＦ２）ｇＯ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｈ４）。
【０１００】
＜化合物（Ｈ５）の製造方法＞
前記の方法で得た化合物（Ｈ１）〜（Ｈ２）に、エチレンカーボネ−ト、エチレンオキシド、およびグリシジルアルコールから選ばれる１種以上をブロック状またはまたはランダム状に付加して化合物（Ｈ５）（ただし、ｃまたはｄのいずれか一方は１以上の整数である。）を得る方法。または、前記の方法で得た化合物（Ｈ１）〜（Ｈ２）にグリシジルアルコールを付加させて化合物（Ｈ５）（ただし、ｄは１以上の整数である。）を得る方法。
［H-（OCH2CH2）c・（OCH2CH（OH）CH2）d−O（CH2）f（CF2）gO（Q2）h−］aY［−Z］b                                                                  （Ｈ５）。
【０１０１】
本発明の化合物（１）は、前記方法で得た化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）、化合物（Ｊ１）〜（Ｊ２）、および化合物（Ｅ）に、それぞれ基（Ｗ）を導入する反応を行うことにより製造できる。ただし下式中のＴはハロゲン原子を示し、フッ素原子または塩素原子が好ましい。
【０１０２】
＜基（Ｗ１）を有する化合物（１）の製造方法＞
化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）と式ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）ＣＯＴで表される化合物とのエステル化反応による方法。または化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）と式ＣＨ２＝Ｃ（Ｒ１）ＣＯＯＨで表される化合物とを脱水縮合反応させる方法。
【０１０３】
＜基（Ｗ２）を有する化合物（１）の製造方法＞
化合物（Ｅ）にアンモニアを反応させて下記化合物（Ｋ１）を得て、該化合物（Ｋ１）にホスゲンを反応させて基（Ｗ２）を有する化合物を製造する方法。
［Ｈ２ＮＣＯＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｋ１）
ＯＣＮＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ。
【０１０４】
＜基（Ｗ３）を有する化合物（１）の製造方法＞
化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）と、シアン化塩素（ＮＣＣｌ）を反応させる方法。または前記化合物（Ｋ１）の脱水による方法。
【０１０５】
＜基（Ｗ４）を有する化合物（１）の製造方法（その１）＞
化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）と、式Ｔ（ＣＨ２）ｋＳｉ（Ｒ２）ｍ（Ｒ３）（３−ｍ）で表される化合物とを置換反応させる方法。
【０１０６】
＜基（Ｗ４）を有する化合物（１）の製造方法（その２）＞
下記化合物（Ｊ１）と式ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＯＣ（Ｏ）ＣＨ３で表される化合物を反応させて下記化合物（Ｊ３）とし、該化合物（Ｊ３）の脱離反応により下記化合物（Ｊ４）を得て、さらに該化合物（Ｊ４）と式ＨＳｉ（Ｒ２）ｍ（Ｒ３）（３−ｍ）で表される化合物とをヒドロシリル化反応させて化合物（１−４０）を得る方法。または化合物（Ｊ１）を前記の方法で得た化合物（Ｊ２）に変更して同様の反応を行う方法。
［ＩＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｊ１）
［ＣＨ３ＣＯＯＣＨ２ＣＨＩＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｊ３）
［ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｊ４）
［（Ｒ３）３−ｍ（Ｒ２）ｍＳｉ（ＣＨ２）３ＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ（１−４０）。
【０１０７】
＜基（Ｗ４）を有する化合物（１）の製造方法（その３）＞
下記化合物（Ｊ１）と式ＣＨ２＝ＣＨ（ＣＨ２）ｋ−２Ｓｉ（Ｒ２）ｍ（Ｒ３）（３−ｍ）で表される化合物とを付加反応させて化合物（Ｊ５）を得て、該化合物（Ｊ５）を還元する方法。または化合物（Ｊ１）を化合物（Ｊ２）に変更して同様の反応を行う方法（ただし、ｋは０以上の整数を示し、０〜４の整数が好ましく、０または１が特に好ましい。）。
［ＩＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ  （Ｊ１）
[（R3）（3-m）（R2）mSi（CH2）kCHICH2CF2O（Q2）h-]aY[-Z]b  （Ｊ５）
［（Ｒ３）（３−ｍ）（Ｒ２）ｍＳｉ（ＣＨ２）ｋＣＦ２Ｏ（Ｑ２）ｈ−］ａＹ［−Ｚ］ｂ。
【０１０８】
＜基（Ｗ５）を有する化合物（１）の製造方法＞
化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）に下式（ｗ５）で表される化合物を反応させる方法。
【０１０９】
【化５】
2006045159.tif 000006
【０１１０】
＜基（Ｗ６）を有する化合物（１）の製造方法＞
化合物（Ｈ１）〜（Ｈ５）と、下記化合物（ｗ６）との置換反応によって得る方法。
【０１１１】
【化６】
2006045159.tif 000007
【０１１２】
上記において行う化合物（Ｅ）の変換反応、基（Ｗ）の導入反応は、公知の方法（たとえばＣ．Ｔｏｎｅｌｌｉら、「Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｆｌｕｏｒｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ」、１９９９年、第９５巻、ｐ．５１−７０に記載の方法）にしたがって実施できる。
【０１１３】
また化合物（Ｈ３）〜（Ｈ５）の製造において、化合物（Ｈ１）または化合物（Ｈ２）のフッ素含有量が高い場合には、エチレンカーボネ−トおよび／またはエチレンオキシドとの相溶性が低いため、付加反応の反応系が２相分離することがある。相分離が起こると、反応時間が長くなり効率的ではないため、相溶性を高めるためにヒドロフルオロカーボン類（ＨＦＣ類）等の相溶化溶媒を反応系中に添加して反応を行うのが好ましい。
【０１１４】
上記の製造方法の出発物質となる化合物（Ｅ）は、つぎの方法により調製できる。すなわち、下記化合物（Ａ）を下記化合物（Ｂ）と反応させて下記化合物（Ｃ）を得て、該化合物（Ｃ）をペルフルオロ化して下記化合物（Ｄ）を得て、該化合物（Ｄ）においてエステル結合の分解反応を行うことによって化合物（Ｅ）を合成できる。
【０１１５】
【化７】
2006045159.tif 000008
【０１１６】
ただし、ＹＨはＹと同一の基、または、Ｙのフッ素原子の１部または全部が水素原子に置換された基を示す。ＲはＲＦと同一の基、またはＲＦのフッ素原子の１部または全部が水素原子に置換された基を示し、ＲＦと同一の基が好ましい。Ｒｂは、１価の含フッ素有機基を示し、ＲｂＦはＲｂがフッ素化された基またはＲｂと同一の基であり、ＲｂとＲｂＦは、ペルフルオロアルキル基またはエーテル性酸素原子を含有するペルフルオロアルキル基が好ましい。Ｔ１は塩素原子またはフッ素原子を示す。
【０１１７】
化合物（Ｅ）の合成におけるエステル化反応、フッ素化反応、エステル結合の分解反応は、公知の反応の手法および条件（たとえばＷＯ０２／４３９７号等に記載される方法）にしたがって実施できる。
【０１１８】
前記の製造方法の出発物質である化合物（Ａ）は、通常の場合、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）−単位の数が異なる２種以上の混合物であるものが入手しやすい。混合物である化合物（Ａ）を用いて前記製造方法を実施した場合には、生成する化合物（１）もまた混合物として得られる。
【０１１９】
前記製造方法で得た化合物（１）を含む生成物は、通常の場合、目的に応じた精製処理を行って高純度の化合物（１）を得た後に目的とする用途に用いるのが好ましい。
【実施例】
【０１２０】
以下に実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されない。以下において、テトラメチルシランをＴＭＳ、ＣＣｌ２ＦＣＣｌＦ２をＲ−１１３、ジクロロペンタフルオロプロパンをＲ−２２５、ＣＣｌＦ２ＣＦ２ＣＣｌ２ＣＦ２ＣＦ３をＲ−４１９、リットルをＬと記す。Ｍｎは数平均分子量を示し、Ｍｗは重量平均分子量を示す。なお、Ｒｆは−ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３である。
【０１２１】
また、平均分子量は数平均分子量（Ｍｎ）で表し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（以下、ＧＰＣと記す。）によって測定した。
ＧＰＣの測定方法は、特開２００１−２０８７３６に記載する方法にしたがった。具体的には、Ｒ−２２５（旭硝子社製、商品名：アサヒクリンＡＫ−２２５ＳＥＣグレード１）およびヘキサフルオロイソプロピルアルコール（ＨＦＩＰ）の（９９：１、容量比）混合溶媒を移動相として用い、ＰＬｇｅｌ  ＭＩＸＥＤ−Ｅカラム（ポリマーラボラトリーズ社製）を２本直列に連結して分析カラムとした。分子量測定用標準試料として、Ｍｗ／Ｍｎで表される分子量分布が１．１未満である分子量が２０００〜１００００のペルフルオロポリエーテル４種および分子量分布が１．１以上である分子量が１３００のペルフルオロポリエーテル１種を用いて分析した。移動相流速を１．０ｍＬ／分、カラム温度を３７℃とし、検出器としては蒸発光散乱検出器を用いた。
【０１２２】
［例１］化合物（Ｈ１−１）の合成例
［例１−１］エステル化反応による化合物（Ｃ１）の合成例
【０１２３】
【化８】
2006045159.tif 000009
【０１２４】
ポリオキシエチレングリセロールエーテル（日本油脂製、商品名：ユニオックスＧ−１２００）（２５ｇ）、Ｒ−２２５（５０ｇ）、およびＮａＦ（２．８８ｇ）をフラスコに入れ、内温を２５℃に保ち、激しく撹拌しながら窒素をバブリングした。つぎに、内温を１０℃以下に保ちながら、ＦＣＯＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）Ｏ（ＣＦ２）３Ｆ（３４．３ｇ）を１．０時間かけて滴下した。滴下終了後、室温で２４時間撹拌して、粗液を回収した。粗液を減圧ろ過し、回収液を真空乾燥機（１００℃、６６６．５Ｐａ（絶対圧））で１２時間乾燥して粗油を得た。得られた粗油をＲ−２２５（１００ｍＬ）に溶解し、飽和重曹水（１０００ｍＬ）で３回洗浄した後、有機層を回収した。つぎに、回収した有機層に硫酸マグネシウム（１．０ｇ）を加え、１２時間撹拌した。撹拌終了後、加圧ろ過を行って硫酸マグネシウムを除去し、エバポレータでＲ−２２５を留去し、室温で液体の化合物（Ｃ１）（５２．８ｇ）を得た。化合物（Ｃ１）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法により決定した。ただし、（ｗ＋ｘ＋ｙ）の平均値は２７．０であり、化合物（Ｃ１）のＭｎは２６００であった。
【０１２５】
化合物（Ｃ１）のＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：ＣＤＣｌ３，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：３．４〜３．８，４．５。
19ＦＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ，溶媒：ＣＤＣｌ３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７６．０〜−８１．０，−８１．０〜−８２．０，−８２．０〜−８２．５，−８２．５〜−８５．０，−１２８．０〜−１２９．２，−１３１．１，−１４４．７。
【０１２６】
［例１−２ａ］フッ素化反応による化合物（Ｄ１）の合成例（その１）
【０１２７】
【化９】
2006045159.tif 000010
【０１２８】
内容積５００ｍＬのハステロイ製オートクレーブに、Ｒ−１１３（３１２ｇ）を加えて撹拌し、２５℃に保った。オートクレーブガス出口には、２０℃に保持した冷却器、ＮａＦペレット充填層、および−２０℃に保持した冷却器を直列に設置した。なお、−２０℃に保持した冷却器からは、凝集した液をオートクレーブに戻すための液体返送ラインを設置した。窒素ガスを１．０時間吹き込んだ後、窒素ガスで２０％に希釈したフッ素ガス（以下、２０％フッ素ガスと記す。）を、流速１６．９７Ｌ／ｈで１時間吹き込んだ。
【０１２９】
つぎに、２０％フッ素ガスを同じ流速で吹き込みながら、例１で得た化合物（Ｃ１）（１５ｇ）をＲ−１１３（２００ｇ）に溶解した溶液を１１時間かけて注入した。続けて、２０％フッ素ガスを同じ流速で吹き込みながら、ベンゼン（０．５ｇ）をＲ−１１３（５０ｍＬ）に溶解した溶液（６ｍＬ）を注入した。さらに、窒素ガスを１．０時間吹き込んだ。
【０１３０】
反応終了後、粗液を回収し、溶媒を真空乾燥（６０℃、６．０ｈ、１ｋＰａ）にて留去して、室温で液体の化合物（Ｄ１）（２１．４ｇ）を得た。化合物（Ｄ１）の構造は19ＦＮＭＲ法により決定し、化合物（Ｄ１）は化合物（Ｃ１）中の水素原子の９９．９モル％がフッ素原子に置換された化合物であること、および、化合物（Ｄ１）中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。なお、ＧＰＣから求まるＭｎは４６００であった。式（Ｄ１）中の（ｗ＋ｘ＋ｙ）は、本実施例の条件で測定するＭｎが４６００となりうる値である。
【０１３１】
化合物（Ｄ１）のＮＭＲスペクトル；
19ＦＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７７．５〜−８６．０，−８９．５，−９０．０〜−９２．０，−１２０．０〜−１３９．０，−１４２．０〜−１４６．０。
【０１３２】
［例１−２ｂ］フッ素化反応による化合物（Ｄ１）の合成例（その２）
Ｒ−１１３をＲ−４１９に変更する以外は、例１−２ａと同様に反応および後処理を行った。得られた生成物の19ＦＮＭＲスペクトル解析の結果、化合物（Ｄ１）の生成を確認し、該化合物中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。化合物（Ｄ１）の収率は例１−２ａと同等であった。
【０１３３】
［例１−２ｃ］フッ素化反応による化合物（Ｄ１）の合成例（その３）
Ｒ−１１３をＦＣＯＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ（ＣＦ３）ＯＣＦ２ＣＦ２ＣＦ３に変更する以外は、例１−２ａと同様に反応および後処理を行った。得られた生成物の19ＦＮＭＲスペクトル解析の結果、化合物（Ｄ１）の生成を確認し、該化合物中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。化合物（Ｄ１）の収率は例１−２ａと同等であった。
【０１３４】
［例１−３］熱分解反応による化合物（Ｅ１）の合成例
【０１３５】
【化１０】
2006045159.tif 000011
【０１３６】
５０ｍＬの丸底フラスコにスターラーチップを投入し、内部を充分に窒素置換した。丸底フラスコ出口には、２０℃に保持した冷却器、および、ドライアイス−エタノール冷却管を直列に設置し、冷却管の出口を窒素でシールした。丸底フラスコに１，１，３，４−テトラクロロヘキサフルオロブタン（２５ｇ）、フッ化カリウム（０．２０ｇ）、および例１−２ａで得た化合物（Ｄ１）（２０ｇ）を加え、内温を１２０℃に保ちながら激しく撹拌した。８時間後、加熱を停止し室温まで冷却した。続いて冷却管に真空ポンプを設置し、１，１，３，４−テトラクロロヘキサフルオロブタンおよび副生成物であるＲｆＣＯＦを減圧留去し、室温で液体の化合物（Ｅ１）（１３．３ｇ）を得た。化合物（Ｅ１）の構造は19ＦＮＭＲ法により決定し、化合物（Ｅ１）は化合物（Ｄ１）中の−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＯＲｆ構造の９９モル％以上が−ＣＦ２ＣＯＦ構造に置換され、該化合物中には−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。
【０１３７】
化合物（Ｅ１）のＮＭＲスペクトル；
19ＦＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：１２．７，−７８．１，−８９．５，−９０．０〜−９２．０，−１３５．０〜−１３９．０。
【０１３８】
［例１−４ａ］エステル化反応による化合物（Ｇ１−１）の合成例
【０１３９】
【化１１】
2006045159.tif 000012
【０１４０】
丸底フラスコに例１−３で得た化合物（Ｅ１）（２０ｇ）を仕込み、ＫＦ（０．９ｇ）、Ｒ−１１３（５．０ｇ）を加え、内温を２５℃に保ちながら激しく撹拌した。さらに、メタノール（０．５ｇ）を、内温を１０℃以下に保ちながらゆっくりと滴下した。８時間後、撹拌を停止し、粗液を加圧ろ過器にてろ過してＫＦを除去した。続いて、エバポレータでＲ−１１３および過剰のメタノールを除去して、室温で液状の化合物（Ｇ１−１）（１３．５ｇ）を得た。化合物（Ｇ１−１）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法により決定し、化合物（Ｇ１−１）は化合物（Ｅ１）中に存在する−ＣＯＦ基の９９モル％以上が−ＣＯ２ＣＨ３基に変換された化合物であること、および、該化合物中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。ＧＰＣから求まる化合物（Ｇ１−１）のＭｎは３２００であった。
【０１４１】
化合物（Ｇ１−１）のＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：３．９５，５．９〜６．４。
19ＦＮＭＲ（２８２．７ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７８．３，−８９．５，−９０．０〜−９２．０，−１３５．０〜−１３９．０。
【０１４２】
［例１−４ｂ］化合物（Ｄ１）とメタノールとの反応による化合物（Ｇ１−１）の合成例
５０ｍＬの丸底フラスコにスターラーチップを投入し、内部を充分に窒素置換した。丸底フラスコ出口には、２０℃に保持した冷却器、および、ドライアイス−エタノール冷却管を直列に設置し、冷却管の出口を窒素でシールした。フラスコに例１−２ａと同様の方法で得た化合物（Ｄ１）（２０．０ｇ）およびメタノール（１．０ｇ）を仕込み、窒素をバブリングさせながら、室温で激しく撹拌した。８時間後、冷却管に真空ポンプを設置し、過剰のメタノールおよび副生成物であるＲｆＣＯＦを減圧留去し、室温で液体の化合物（Ｇ１−１）（１３．６ｇ）を得た。化合物（Ｇ１−１）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法によって決定し、化合物（Ｄ１）中の−ＣＦ２ＣＦ２ＯＣＯＲｆ構造の９９．９モル％が−ＣＦ２ＣＯ２ＣＨ３構造に変換された化合物であること、および、該化合物中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。ＧＰＣから求まる化合物（Ｇ１−１）のＭｎは３２００であった。
【０１４３】
［例１−５］還元反応による化合物（Ｈ１−１）の合成例
【０１４４】
【化１２】
2006045159.tif 000013
【０１４５】
２０００ｍＬのフラスコに、例１−４ａで得た化合物（Ｇ１−１）（１３．０ｇ）、Ｒ−２２５（２４０ｍＬ）およびテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を仕込み溶解した。窒素気流下でボラン・テトラヒドロフラン錯体（４．０ｇ）を加え、室温で一夜撹拌した。テトラヒドロフランおよびＲ−２２５を留去して得られた残さに２ｍｏｌ／Ｌの塩酸を加えた後に、Ｒ−２２５で抽出した。Ｒ−２２５を濃縮して粗生成物（１１．９５ｇ）を得た。粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィ（溶離液：Ｒ−２２５／ヘキサフルオロイソプロピルアルコール、９９／１、容量比）で精製し、化合物（Ｈ１−１）（１０ｇ）を得た。
【０１４６】
化合物（Ｈ１−１）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法により決定し、化合物（Ｈ１−１）中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が存在しない化合物であることを確認した。なお、ＧＰＣから求まる化合物（Ｈ１−１）のＭｎは３０００であった。
【０１４７】
化合物（Ｈ１−１）のＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：３．９４。
19ＦＮＭＲ（２８２．６５ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−８０．１，−８８．２。
【０１４８】
［例２］基（Ｗ１）を有する化合物（１−１Ａ）の合成例
滴下ロートを備えた２５０ｍＬの丸底フラスコに、窒素雰囲気下で、例１−５と同様の方法で得た化合物（Ｈ１−１）（１０ｇ）、Ｒ−２２５（２５．０ｇ）、トリエチルアミン（１．０ｇ）、およびハイドロキノン（０．０３ｇ）を投入し、均一な溶液になるまで撹拌した。丸底フラスコ出口には２０℃に冷却した還流装置を設置し、装置出口を窒素でシールした状態に保った。つぎに、滴下ロートからアクリル酸クロリド（１．３４ｇ）を滴下し、室温にて１２時間撹拌した。撹拌終了後、Ｒ−２２５および未反応のアクリル酸クロリドを減圧留去し、得られた残さにＲ−２２５（１００ｍＬ）を加えて溶解させ、加圧ろ過を行った。回収したろ液を飽和重曹水（５００ｍＬ）に滴下して中和し、有機層を回収した。有機層を蒸留水（５００ｍＬ）で２回洗浄し、さらに硫酸マグネシウムによって乾燥した後、エバポレータでＲ−２２５を留去して、２５℃で液体の化合物（１−１Ａ）（１１．０８ｇ）を得た。
【０１４９】
化合物（１−１Ａ）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法により決定した。化合物（Ｈ１−１）中の−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ構造の９９．１モル％が−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２構造に変換され、−（ＯＣＦ２Ｏ）−が存在しない化合物であることを確認した。なお、ＧＰＣ分析の結果から化合物（１−１Ａ）のＭｎは３１００であった。
【０１５０】
化合物（１−１Ａ）のＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：４．３６、５．７９，６．０５，６．４０。
19ＦＮＭＲ（２８２．６５ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７７．１，−８８．２。
【０１５１】
［例３］基（Ｗ４）を有する化合物（１−４Ａ）の合成例
２５０ｍＬの丸底フラスコに、窒素雰囲気下でナトリウムハイドライド（０．３６ｇ）を仕込み、ヘキサン（２５ｍＬ）で洗浄し、ヘキサンを回収した。この操作をさらに２回繰り返したのち、残留するヘキサンを減圧留去した。つぎに、Ｒ−４１９（２５．０ｇ）を仕込み、内温を５℃以下に保持した。そこに例１−５と同様の方法で得た化合物（Ｈ１−１）（１０ｇ）をＲ−４１９（２５．０ｇ）に溶解した溶液を１時間かけて穏やかに滴下し、約１０時間撹拌した。さらにＣｌ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３（０．８５ｇ）を滴下して室温で２時間撹拌した後、７２時間加熱還流を行った。還流終了後、室温まで冷却し、未反応の水素化ナトリウムおよび副生した塩化ナトリウムを加圧ろ過し、Ｒ−４１９および過剰のＣｌ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３を減圧留去し、室温で液体の化合物（１−４Ａ）（１０．７０ｇ）を得た。
【０１５２】
化合物（１−４Ａ）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法により決定した。化合物（Ｈ１−１）中の−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ構造の９８．５モル％が−ＣＦ２ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３構造に変換され、−（ＯＣＦ２Ｏ）−が存在しない化合物であることを確認した。なお、ＧＰＣの分析結果から、化合物（１−４Ａ）のＭｎは３１００であった。
【０１５３】
化合物（１−４Ａ）のＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：０．７６，１．７９，３．３６，３．８，５．６。
19ＦＮＭＲ（２８２．６５ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−８０．８，−８８．２。
【０１５４】
［例４］基（Ｗ５）を有する化合物（１−５Ａ）の合成例
還流管を備えた２５０ｍＬの丸底フラスコに、窒素雰囲気下で、水素化ナトリウム（０．６ｇ）を仕込み、ヘキサン（２５ｍＬ）を加えて洗浄し、ヘキサンを回収した。この操作をさらに２回行った後、残留するヘキサンを減圧留去（４０℃、１ｋＰａ）し、Ｒ−２２５（２５．０ｇ）および１，２−ジメトキシエタン（５０．０ｇ）を加え、１時間加熱還流した。そこに例１−５と同様の方法で得た化合物（Ｈ１−１）（１０ｇ）をＲ−２２５（２５．０ｇ）に溶解した溶液を１時間かけて穏やかに滴下し、約５時間撹拌した。さらに１−ブロモ−２,３−エポキシプロパン（１．５ｇ）を１，２−ジメトキシエタン（５．０ｇ）に溶解した溶液を０．５時間かけて滴下し、２４時間加熱還流を行った。加熱還流終了後、反応粗液を加圧ろ過し、回収したろ液を減圧濃縮して粗生成物を得た。粗生成物を蒸留水（１００ｍＬ×３回）で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムをろ過によって除去し、室温で液体の化合物（１−５Ａ）（１０．６１ｇ）を得た。
【０１５５】
化合物（１−５Ａ）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法によって決定した。化合物（Ｈ１−１）中の−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ構造の８６．３モル％が下記基（Ｗ５−２）に変換され、−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれない化合物であることを確認した。なお、ＧＰＣから求まる化合物（１−５Ａ）のＭｎは３１５０であった。
【０１５６】
【化１３】
2006045159.tif 000014
【０１５７】
化合物（１−５Ａ）のＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：２．５，２．９，３．５，５．６。
19ＦＮＭＲ（２８２．６５ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−８０．７，−８８．２。
【０１５８】
［例５］基（Ｗ３）を有する化合物（１−３Ａ）の合成例
［例５−１］末端に基−ＣＦ２ＣＯＮＨ２を有する化合物（Ｋ１−１）の製造例
ガス導入管を備えた２５０ｍＬのＰＦＡ製丸底フラスコに、窒素雰囲気下で、例１−４と同様の方法で得た化合物（Ｇ１−１）（１０ｇ）およびＲ−２２５（２０．０ｇ）を投入し、均一混合するまで撹拌し、氷冷して内温を５℃に保持した。丸底フラスコ出口には２０℃に冷却した還流装置を設置し、装置出口を窒素ガスでシールした状態に保った。
【０１５９】
つぎにガス導入管よりアンモニア（０．２ｇ）を吹き込み、室温で１２時間撹拌した。撹拌終了後、Ｒ−２２５および未反応のアンモニアを減圧留去した。得られた反応粗生成物をＲ−２２５（５０ｍＬ）で希釈したのち加圧ろ過を行った。回収したろ液をエバポレータで濃縮して、２５℃で液体の下記化合物（Ｋ−１）（９．５６ｇ）を得た。
【０１６０】
ＫＢｒ法によって化合物（Ｋ−１）の赤外吸収スペクトルを測定した結果、エステル結合に由来する吸収が消失し、１７４５ｃｍ−１に−ＣＯＮＨ２構造に由来する強い吸収が観測された。また、1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法によって化合物（Ｇ１−１）中の−ＣＦ２ＣＯＯＣＨ３構造の９９．１モル％が−ＣＦ２ＣＯＮＨ２構造に変換されていることを確認した。
【０１６１】
［例５−２］末端に基（Ｗ３）を有する化合物（１−３Ａ）の製造例
つぎに、２５０ｍＬの丸底フラスコに窒素雰囲気下で、化合物（Ｋ−１）（９ｇ）およびＲ−２２５（５０ｇ）を仕込み溶解させた。ピリジン（１５ｇ）および無水トリフルオロ酢酸（２０ｇ）を滴下して６時間加熱還流を行った。室温まで冷却後、反応粗液を氷水に注ぎ、Ｒ−２２５（１５０ｍＬ）で抽出した。Ｒ−２２５層を分離し、エバポレータでＲ−２２５を留去し、さらに減圧乾燥を行うことによって化合物（１−３Ａ）を得た。
【０１６２】
ＫＢｒ法によって化合物（１−３Ａ）の赤外吸収スペクトルを測定した結果、−ＣＯＮＨ２構造に由来する吸収が消失し、２２５５ｃｍ−１に−ＣＮ基に由来する強い吸収が観測された。また、19ＦＮＭＲ法に、化合物（Ｋ−１）中の−ＣＦ２ＣＯＮＨ２構造のうち、９１．０モル％が−ＣＦ２ＣＮ構造に変換されていること、および、該化合物中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。なお、ＧＰＣから求まる化合物（１−３Ａ）のＭｎは３０００であった。
【０１６３】
化合物（１−３Ａ）のＮＭＲスペクトル；
19ＦＮＭＲ（２８２．６５ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−５９．０，−８８．２。
【０１６４】
［例６］エチレンカーボネート付加反応による化合物（Ｈ３−１）の合成例
【０１６５】
【化１４】
2006045159.tif 000015
【０１６６】
５０ｍＬの丸底フラスコに、例１−５で得た化合物（Ｈ１−１）（１０．０ｇ）、Ｒ−４１９（１０ｍＬ）、およびエチレンカーボネ−ト（１．０ｇ）を投入して撹拌した。フラスコ上部には２０℃に冷却した還流装置を設置し、装置出口を窒素でシールした状態に保った。つぎに窒素雰囲気下でフッ化カリウム（０．９ｇ）を加え、１５０℃で加熱撹拌しながら、３６時間反応させて反応粗液を得た。反応粗液をフィルター（孔径０．１μｍ、ＰＴＦＥ製）を用いて加圧ろ過し、得られたろ液をエバポレータで減圧濃縮することによって、２５℃で液体の化合物（Ｈ３−１）（１０．８０ｇ）を得た。
【０１６７】
化合物（Ｈ３−１）の構造は1ＨＮＭＲ法および19ＦＮＭＲ法によって決定し、化合物（Ｈ３−１）は化合物（Ｈ１−１）中の−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ構造の９７．３モル％にエチレンカーボネートの付加反応が起こった化合物であること、および、化合物（Ｈ３−１）中に−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれていないことを確認した。化合物（Ｈ３−１）は、式中のｙ１、ｘ１、およびｗ１がそれぞれ異なる２種以上の化合物からなり、式（Ｈ３−１）中の（ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｗ１＋ｘ１＋ｙ１）は、本実施例の条件で測定するＭｎが３０５０となりうる値である。
【０１６８】
化合物（Ｈ３−１）のＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（３００．４ＭＨｚ、溶媒：Ｒ−１１３、基準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：４．３１、３．９，３．７６。
19ＦＮＭＲ（２８２．６５ＭＨｚ，溶媒：Ｒ−１１３，基準：ＣＦＣｌ３）δ（ｐｐｍ）：−７７．０，−８８．２。
【０１６９】
［例７］基（Ｗ１）を有する化合物（１−１Ｂ）の合成例
化合物（Ｈ１−１）を化合物（Ｈ３−１）に変更する以外は例２と同様の操作を行い、化合物（Ｈ３−１）中の−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ構造の９９モル％以上が−ＣＦ２ＣＨ２ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ２構造に変換され、−（ＯＣＦ２Ｏ）−が存在しない化合物（１−１Ｂ）を得る。収率は例２と同等である。
【０１７０】
［例８］基（Ｗ４）を有する化合物（１−４Ｂ）の合成例
化合物（Ｈ１−１）を化合物（Ｈ３−１）に変更する以外は例３と同様の操作を行い、化合物（Ｈ３−１）中の−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ構造の９８モル％以上が−ＣＦ２ＣＨ２Ｏ（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＣＨ３）３構造に変換され、−（ＯＣＦ２Ｏ）−が存在しない化合物（１−１Ｂ）を得る。収率は例３と同等である。
【０１７１】
［例９］基（Ｗ５）を有する化合物（１−５Ｂ）の合成例
化合物（Ｈ１−１）を化合物（Ｈ３−１）に変更する以外は例４と同様の操作を行い、化合物（Ｈ３−１）中の−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ構造の８６モル％以上が前記基（Ｗ５−２）に変換され、−（ＯＣＦ２Ｏ）−が含まれない化合物（１−１Ｂ）を得る。収率は例４と同等である。
【０１７２】
［例１０］化合物（１−４Ａ）の評価例
［例１０−１ａ］撥水撥油性の評価例（その１）
例３で得た化合物（１−４Ａ）（０．１ｇ）、および１，３−ビストリフルオロメチルベンゼン（２ｇ）を混合し、コーティング溶液ａを調製した。フッ化セリウムで洗浄した５０ｍｍ四方のガラス板表面にスピンコートにてコーティング溶液を塗布した。スピン回転速度は１５００ｒｐｍであった。塗布後のガラス板を１００℃の恒温槽に入れて１２時間保持し、試験片ａを作製した。
【０１７３】
つぎに、２０℃および湿度６５％の乾燥状態に試験片ａをおいた。試験片ａのコーティングされた表面に直径１．０ｍｍの蒸留水およびオレイン酸の液滴を形成させ、それらの接触角および転落角を接触角計を用いて測定した。蒸留水接触角は１１１度、オレイン酸接触角は８８度、蒸留水転落角は１３度であり、化合物（１−４Ａ）をコーティングすることによって、ガラス表面には撥水撥油性が付与されていた。
【０１７４】
［例１０−１ｂ］撥水撥油性の評価例（その２）
例３で得た化合物（１−４Ａ）（０．１ｇ）、１，３−ビストリフルオロメチルベンゼン（２ｇ）、イソプロピルアルコール（０．５ｇ）を混合する。これに１質量％のＨＣｌ水溶液（１．０ｇ）を徐々に滴下する。滴下終了後、２５℃に保温し７日間放置してコーティング溶液ｂを調製する。コーティング溶液ｂを用いて、例７−１ａと同様に試験片ｂを作製し、評価を行うと、ガラス表面に撥水撥油性が付与される。
【０１７５】
［例１０−２］油性汚れの拭き取り性試験例
油性ペン（寺西化学工業（株）製、商品名：マジックインキ細書き用Ｎｏ．５００）を用いて、例７−１ａで作製した試験片のコーティングされた表面に長さ１ｃｍの直線を書いた。油性ペンの付着状態について目視判定を行ったところ、コーティングされた表面で油性ペンが球状にはじかれていた。試験片表面に付着した油性ペンを、セルロース製不織布（旭化成（株）社製、商品名：ベンコットＭ−３）で拭き取ったところ、油性ペンを完全に拭き取ることができた。
【０１７６】
［例１０−３］指紋除去性の評価例
オレイン酸スタンプによる模擬試験によって指紋除去性の評価を行った。例１３で作製した試験片のコーティングされた表面にオレイン酸スタンプを押しつけ、オレイン酸を付着させた。スタンプ痕をセルロース製不織布にて拭取り、ヘーズ値の変化を観察したところ、７回の拭取りでスタンプ痕を完全に除去できた。
【産業上の利用可能性】
【０１７７】
本発明は、使用時の劣化が少なく、潤滑剤、防汚剤、または撥水撥油剤等の表面改質剤として有用な含フッ素エーテルおよび含フッ素エーテルの反応物を提供する。また、本発明の含フッ素エーテルおよび含フッ素エーテルの反応物を用いて部材表面に形成された被膜は、部材との高い密着性を有することから、部材表面に撥水撥油性、潤滑性、防汚性等の機能を有効に付与しうる。