(57)【要約】【課題】成形金型による樹脂成形時に、インナーリードの先端部がばたつくことなく安定して成形を行うことができるようにするための手段を提供すること。【解決手段】リードフレーム１のリード下面側両端部に、基板実装面となるリード露出面２ａを残すよう当該リード下面側をハーフエッチングして形成されるインナーリード２と、このインナーリード２に施されたエッチング部分２ｂとともに一体的に樹脂成形され、中空部５ｃを形成するよう断面略凹状に成形されるパッケージ本体５とを有する半導体用パッケージにおいて、インナーリード２の先端部２ｃの下面側を非エッチング部分２ｄとして残した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームのリード下面側両端部に、基板実装面となるリード露出面を残すよう当該リード下面側をハーフエッチングして形成されるインナーリードと、このインナーリードに施されたエッチング部分とともに一体的に樹脂成形され、中空部を形成するよう断面略凹状に成形されるパッケージ本体とを有する半導体用パッケージにおいて、前記インナーリードの先端部の下面側を非エッチング部分として残したことを特徴とする半導体用パッケージ。
【請求項２】
リードフレームのリード下面側両端部に、基板実装面となるリード露出面を残すよう当該リード下面側をハーフエッチングしてインナーリードを形成するリード形成過程と、このリード形成過程にてインナーリードに施されたエッチング部分とともに一体的に樹脂成形して、中空部を形成するよう断面略凹状のパッケージ本体を成形する成形過程とを有する半導体用パッケージの製造方法において、前記リード形成過程では、前記インナーリードの先端部の下面側を非エッチング部分として残すことを特徴とする半導体用パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを気密封止する中空構造の半導体用パッケージとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、受光素子や撮像素子などの半導体チップを搭載する中空構造の半導体用パッケージでは、低コスト化のために、パッケージベースに樹脂を採用したものが知られている。
【０００３】
この半導体チップ収納用の樹脂製半導体用パッケージとしては、従来からのＤＩＰ型に代わって、近年、表面実装型で、かつ、小型で薄型のパッケージが要求されているのに応じて、表面実装型ＳＯＰ型の樹脂製中空パッケージやＳＯＮ型あるいはＱＦＮ型のようなリードレス化された樹脂製中空パッケージが使用され始めている。
【０００４】
しかしながら、ＳＯＮ型、ＱＦＮ型の半導体用パッケージでは、リードレス化するためにリードフレーム状態のリード端子（内部電極と外部電極）に段差を付ける曲げ加工を施す必要があり、曲げ精度がばらつくとパッケージ本体のチップマウント面（中空部の底面部）とインナーリード面（内部電極部）とが不揃いとなって両者の面均一性を確保し得なくなる。また、面均一性を保つべく曲げ精度の向上を図れば、製造コスト高を招致してしまうという相反した問題が生じている。
【０００５】
この問題を解決する半導体用パッケージとして、特許文献１に、リード露出面（外部電極部）を残すようにハーフエッチング処理を施してインナーリードを形成し、リードフレーム状態での曲げ加工やアウターリードの曲げ加工を不要とした半導体用パッケージが提案されている。
【０００６】
この特許文献１の半導体用パッケージの基本構造は、図３に示す断面に示されており、リードフレーム１を製作する工程において、リードフレーム１のリード下面側両端部にリード露出面２ａを残すように当該リード下面側をハーフエッチングしてインナーリード２を形成したものである。
【０００７】
このリード露出面２ａを残してハーフエッチング処理されたリードフレーム１は、図４に図示する状態で成形金型の上下金型３、４内に固定保持され、この状態で樹脂モールドされる。これにより、図３に示すように、エッチング部２ｂにパッケージ樹脂が回り込み、リードフレーム１と、中空部５ｃを形成する断面略凹状のパッケージ本体５とが一体成形される。この後、それぞれのパッケージ本体５が切り離し線６に沿って個片にカットされる。
【０００８】
次に、パッケージ本体５の底面部５ｂのチップマウント面にダイボンド剤７を用いて半導体チップ８を固着した後、この半導体チップ８の電極パッドとインナーリード２の先端部２ｃ（内部電極部）とを金線等のワイヤ９にてボンディングする。そして、シール剤１０を介してパッケージ本体５の囲繞部５ａの上端部とシールガラス１１とを接合し中空部５ｃを気密状態とする。これにより図３に図示した半導体用パッケージが得られる。
【特許文献１】特開２００１−７７２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上記特許文献１に開示された半導体用パッケージでは、内部電極部となるインナーリードの先端部がエッチング処理により薄肉となっている。したがって、インナーリードの先端部では強度が低下しており、さらに、このインナーリードの先端部は、樹脂成型時には図４に示したように上下金型内で片持状態で支持されていることから、樹脂注入時にばたつく可能性が高い。
【００１０】
このばたつきは、上金型とインナーリードの先端部との当接面間に樹脂が浸入して内部電極部（インナーリード先端部の露出面）に樹脂バリ（モールドフラッシュ）を発生させる要因ともなり、後工程処理が必要となり、製造コスト高を招致することが懸念される。
【００１１】
本発明が解決しようとする課題は、成形金型による樹脂成形時に、インナーリードの先端部がばたつくことなく安定して成形を行うことができるようにするための手段を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、リードフレームのリード下面側両端部に、基板実装面となるリード露出面を残すよう当該リード下面側をハーフエッチングして形成されるインナーリードと、このインナーリードに施されたエッチング部分とともに一体的に樹脂成形され、中空部を形成するよう断面略凹状に成形されるパッケージ本体部とを有する半導体用パッケージにおいて、前記インナーリードの先端部の下面側を非エッチング部分として残したことによってその課題を解決した。
【００１３】
インナーリードの先端部下面側に非エッチング部分が存在することで、半導体用パッケージの製造において、その樹脂成形時に上金型と下金型によって、インナーリードを確実にクランプすることができる構造となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、樹脂成形時にインナーリードが上金型と下金型によって確実にクランプされるので、樹脂注入時に樹脂粘度等に伴うインナーリードのばたつきの発生を防止することができる。これにより、インナーリードの樹脂バリ（モールドフラッシュ）発生を防ぐことが可能となり、樹脂バリを除去するための後工程処理が不要となることで、製造コストの大幅低減が可能となる。
【００１５】
また、インナーリードの先端部は半導体チップとの配線の接合箇所になるので、エッチングを施さないことによりボンディング時の熱がインナーリードより直接伝わり、ボンディング強度も向上する。
【００１６】
さらに、配線の接合箇所となるインナーリードの先端部の下面側がエッチング処理により除去され樹脂部となっている場合、緩衝効果でボンディング強度が低下する可能性が高いが、エッチング処理を施さないことで下面までがメタル部（リードフレームの素材）となり、ボンディング時の荷重がパッケージの支持基盤に直接伝わるので、ボンディング強度の低下を招くおそれはない。
【００１７】
またさらに、エッチング処理しない箇所を設けることで、樹脂とインナーリードのロック効果も期待され、剥離防止、ひいては剥離部からの水分浸入に伴う耐湿性低下を防ぐことも可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の一形態について説明する。
【００１９】
図１は、本発明の実施の一形態による半導体用パッケージの構造を示す断面図である。図２は半導体用パッケージ製造時に上金型と下金型とによって挟持されたインナーリードの状態を示す断面図である。
【００２０】
図１に示す半導体用パッケージは、リードフレームを製作する工程において、フレーム形状加工後、加工されたリード部に周知のハーフエッチング処理を行う際、リードフレーム１のリード下面側両端部に、基板実装面となるリード露出面２ａを残すとともに、インナーリード２の先端部２ｃの下面側を非エッチング部分２ｄとして残すようにハーフエッチング処理を施してインナーリード２を形成したものである。残されたリード露出面２ａは外部電極部となり、インナーリード２の先端部２ｃは、その上面が内部電極部になる。なお、外部電極の形状・サイズから、図の切り離し線６直下のエッチング部２ｂについてはハーフエッチング処理を施さなくても良い場合がある。また、半導体チップの耐湿性および放熱特性の向上を図るために、アイランド（ダイパッド）を形成しても良い。
【００２１】
インナーリード２の両側面は、パッケージ本体５からの脱落を防止するために、リード露出面２ａ側から上方へ広がるテーパ状に形成し、アイランド（ダイパッド）の側面は、チップマウント面から下方へ広がるテーパ状に形成することが好ましい。
【００２２】
ハーフエッチング処理されたリードフレーム１は、次の樹脂成形工程へ送られ、図２に示すように、上金型３と下金型４との間に挟持される。このとき、リードフレーム１は、リード露出面２ａとインナーリード先端部下面側の非エッチング部分２ｄの下端面とによる２点間でブリッジ状に確実に固定保持されており、この状態で樹脂モールドする。これにより、各キャビティ部１２にパッケージ樹脂が回り込み、リードフレーム１と、中空部５ｃを形成する断面略凹状のパッケージ本体５とが一体的に樹脂成形される。
【００２３】
この後、従来例と同様に、それぞれのパッケージ本体５が切り離し線６に沿って個片にカットされる。次に、パッケージ本体５の底面部５ｂのチップマウント面にダイボンド剤７を用いて半導体チップ８を固着した後、この半導体チップ８の電極パッドとインナーリード２の先端部２ｃ（内部電極部）とを金線等のワイヤ９にてボンディングする。そして、シール剤１０を介してパッケージ本体５の囲繞部５ａの上端部とシールガラス１１とを接合し中空部５ｃを気密状態とする。これにより図１に図示した半導体用パッケージが得られる。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明は、各種の半導体チップを収納するための半導体用パッケージとして利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の一形態による半導体用パッケージの構造を示す断面図である。
【図２】半導体用パッケージ製造時に上金型と下金型とによって挟持されたインナーリードの状態を示す断面図である。
【図３】従来の半導体用パッケージの構造を示す断面図である。
【図４】図３に示す従来の半導体用パッケージの製造時に上金型と下金型とによって挟持されたインナーリードの状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１：リードフレーム
２：インナーリード
２ａ：リード露出面
２ｂ：エッチング部
２ｃ：先端部
２ｄ：非エッチング部分
３：上金型
４：下金型
５：パッケージ本体
５ａ：囲繞部
５ｂ：底面部
５ｃ：中空部
６：切り離し線
７：ダイボンド剤
８：半導体チップ
９：ワイヤ
１０：シール剤
１１：シールガラス
１２：キャビティ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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