(57)【要約】【課題】製造工程での静電気による弊害を防止して歩留まりおよび品質の向上が図れ、また、簡単にＥＭＣ対策を施すことができる電子デバイス用基板、電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の電子デバイス用基板を適用した有機ＥＬパネル２は、絶縁性の板状の基材と、基材の一方の面側に形成された電子回路と、基材の他方の面の一部に形成された導電性の導電膜２１とを備える。この有機ＥＬパネル２は、導電性を有しかつ接地されたローラー５を導電膜２１に当接させて有機ＥＬパネル２を支持した状態で有機ＥＬパネル２を移動させることにより、基材に帯電した電荷を除去しつつ有機ＥＬパネル２を移動させる除電移動工程を含む製造工程を経て得られたものである。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の板状の基材と、前記基材の一方の面側に形成された電子回路とを備えた電子デバイス用基板であって、
前記基材の他方の面の一部に形成された導電性の導電膜を備え、
導電性を有しかつ接地された基板支持部を前記導電膜に当接させて前記電子デバイス用基板を支持した状態で前記電子デバイス用基板を移動させることにより、前記基材に帯電した電荷を除去しつつ前記電子デバイス用基板を移動させる除電移動工程を含む製造工程を経て得られたものであることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項２】
前記電子回路のグランドと前記導電膜とが電気的に接続されている請求項１に記載の電子デバイス用基板。
【請求項３】
前記除電移動工程において前記電子デバイス用基板を移動させながら加工を施す工程を経て製造されたものである請求項１または２に記載の電子デバイス用基板。
【請求項４】
前記加工は、膜形成用の液状材料を液滴として吐出する液滴吐出ヘッドに対して前記電子デバイス用基板を移動させることにより、前記電子デバイス用基板の一方の面側に所定のパターンを描画する加工である請求項３に記載の電子デバイス用基板。
【請求項５】
前記導電膜は、前記基材の他方の面の周縁部の全周または一部に形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項６】
前記導電膜は、前記除電移動工程における前記電子デバイス用基板の移動方向に沿って帯状に形成された部分を有する請求項１ないし５のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項７】
前記除電移動工程の後、前記導電膜が形成された帯状の領域内に包含される切断線で複数枚に分割されてなる請求項１ないし６のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項８】
前記導電膜は、導電性粒子を含有した液状材料を液滴として吐出する液滴吐出ヘッドを用いて前記基材の他方の面に前記液状材料を付与し、該液状材料を固化または硬化させることによって形成されたものである請求項１ないし７のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項９】
前記導電膜は、前記電子デバイス用基板を収納するケーシングであってその内面に導電性の被膜が形成されたケーシング内に装着したときに、前記ケーシングの内面の前記被膜に接触するような位置に形成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の電子デバイス用基板。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の電子デバイス用基板と、
前記電子デバイス用基板を収納するケーシングであって、その内面に導電性の被膜が形成されたケーシングとを備え、
前記導電膜が前記ケーシングの内面の前記被膜に接触した状態で前記電子デバイス用基板が前記ケーシングに収納されていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
前記電子デバイス用基板の前記電子回路のグランドと、前記導電膜とが電気的に接続されており、これにより、前記電子回路のグランドと前記ケーシングの内面の前記被膜とが導通している請求項１０に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
絶縁性の板状の基材と該基材の一方の面側に形成された電子回路とを備えた電子デバイス用基板の前記基材の他方の面の一部に形成した導電性の導電膜に、導電性を有しかつ接地された基板支持部を当接させた状態で、前記電子デバイス用基板を前記基板支持部により支持しながら前記電子デバイス用基板を移動させることにより、前記基材に帯電した電荷を除去しつつ前記電子デバイス用基板を移動させる工程を含む製造工程によって前記電子デバイス用基板を完成させる工程と、
その内面に導電性の被膜が形成されたケーシングに、前記導電膜が前記ケーシングの内面の前記被膜に接触するように前記電子デバイス用基板を前記ケーシング内に設置する工程とを備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載の電子デバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス用基板、電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば有機ＥＬ（electroluminescence）パネル、特に、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）をスイッチング素子として利用するアクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルなどのような電子デバイス用基板を製造する場合における歩留りや品質の向上を図るべく、電子デバイス用基板の製造装置の改善がなされている。
ここで、特に、製造工程中の電子デバイス用基板の帯電によって発生する静電気によって、ＴＦＴなどの素子を破壊したり、空気中の塵を吸着したりして、歩留まりや品質が低下することが問題となっている。特に、近年では、電子デバイス用基板の基材として用いられるガラス基板は、コストダウンや歩留まり向上のために大型化が進んでおり、これに伴い、絶縁体であるガラス基板の総帯電量も大きくなり、上記問題が深刻になって来ている。
【０００３】
製造工程のガラス基板の帯電を防止するため、ガラス基板を搬送する際、接地した導電性部材によってガラス基板を支持する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の技術では、近年の大型化したガラス基板の帯電を防止するには、不十分であった。
【０００４】
他方、現代の電子機器においては、電磁波や電界の干渉により他の電子機器の動作を阻害したり、逆に他の電子機器によって正常な動作を阻害されたりしないよう、十分なＥＭＣ（Electro-Magnetic Compatibility：電磁的両立性）対策を行うことが要求される。そのため、電子デバイスにおいては、ケーシングに電磁波や電界を遮蔽するシールドを設けることがあるが、このシールドは、電子デバイス用基板の電子回路のグランドに接続されなければならない。従来、電子デバイス用基板の電子回路のグランドをシールドに接続するための構成を設けるために、部品点数や製造工程が増え、製造コストが上昇するという問題があった。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１３３２２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、製造工程での静電気による弊害を防止して歩留まりおよび品質の向上が図れる電子デバイス用基板を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、簡単にＥＭＣ対策を施すことができる電子デバイス用基板、電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の電子デバイス用基板は、絶縁性の板状の基材と、前記基材の一方の面側に形成された電子回路とを備えた電子デバイス用基板であって、
前記基材の他方の面の一部に形成された導電性の導電膜を備え、
導電性を有しかつ接地された基板支持部を前記導電膜に当接させて前記電子デバイス用基板を支持した状態で前記電子デバイス用基板を移動させることにより、前記基材に帯電した電荷を除去しつつ前記電子デバイス用基板を移動させる除電移動工程を含む製造工程を経て得られたものであることを特徴とする。
【０００８】
これにより、電子デバイス用基板が製造過程において電荷を帯びたとしても、その電荷を導電膜および基板支持部を通して速やかに逃がすことができるので、電子デバイス用基板が帯電することを防止することができる。よって、静電気による弊害、例えば電子回路の薄膜トランジスタや薄膜ダイオード等を破壊したり、空気中の塵を吸着したりすることを防止することができるので、歩留まりが高く、かつ高品質な電子デバイス用基板を提供することができる。
特に、導電膜に基板支持部が接触して導電膜の全体が接地されることとなって、接地される領域の面積を広くとることができるので、帯電除去効果が高く、電子デバイス用基板の帯電を確実に防止することができ、いかなる製造条件下でも上記効果を確実に発揮することができる。
【０００９】
本発明の電子デバイス用基板では、前記電子回路のグランドと前記導電膜とが電気的に接続されていることが好ましい。
これにより、電子デバイス用基板が製品として用いられる際、導電膜をＥＭＣ対策に有効に利用することができ、低コストでＥＭＣ対策を行うことができる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記除電移動工程において前記電子デバイス用基板を移動させながら加工を施す工程を経て製造されたものであることが好ましい。
これにより、電子デバイス用基板が帯電し易い加工の際においても、静電気による弊害が発生するのを確実に防止することができるので、歩留まりや品質をさらに向上することができる。
【００１０】
本発明の電子デバイス用基板では、前記加工は、膜形成用の液状材料を液滴として吐出する液滴吐出ヘッドに対して前記電子デバイス用基板を移動させることにより、前記電子デバイス用基板の一方の面側に所定のパターンを描画する加工であることが好ましい。
これにより、インクジェット法によるパターニングを行う際、静電気による弊害が発生するのを確実に防止することができるので、歩留まりや品質をさらに向上することができる。
【００１１】
本発明の電子デバイス用基板では、前記導電膜は、前記基材の他方の面の周縁部の全周または一部に形成されていることが好ましい。
これにより、電子デバイス用基板において導電膜が目立たず、導電膜による弊害を生じにくくすることができる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記導電膜は、前記除電移動工程における前記電子デバイス用基板の移動方向に沿って帯状に形成された部分を有することが好ましい。
これにより、除電移動工程において、電子デバイス用基板が移動しても、導電膜と基板支持部との接触状態を確実に維持することができるので、より高い帯電除去効果を発揮することができる。
【００１２】
本発明の電子デバイス用基板では、前記除電移動工程の後、前記導電膜が形成された帯状の領域内に包含される切断線で複数枚に分割されてなることが好ましい。
これにより、分割された電子デバイス用基板において、そのエッジ部分に導電膜が位置するので、導電膜が目立たず、導電膜による弊害を生じにくくすることができる。
本発明の電子デバイス用基板では、前記導電膜は、導電性粒子を含有した液状材料を液滴として吐出する液滴吐出ヘッドを用いて前記基材の他方の面に前記液状材料を付与し、該液状材料を固化または硬化させることによって形成されたものであることが好ましい。
これにより、導電膜を所望のパターンで正確かつ容易に形成することができる。また、材料の無駄も少なく、低コストで導電膜を形成することができる。
【００１３】
本発明の電子デバイス用基板では、前記導電膜は、前記電子デバイス用基板を収納するケーシングであってその内面に導電性の被膜が形成されたケーシング内に装着したときに、前記ケーシングの内面の前記被膜に接触するような位置に形成されていることが好ましい。
これにより、ケーシング内面の被膜が、電磁波や電界を遮蔽するシールドとして機能するので、ＥＭＣ対策に寄与することができる。
【００１４】
本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用基板と、
前記電子デバイス用基板を収納するケーシングであって、その内面に導電性の被膜が形成されたケーシングとを備え、
前記導電膜が前記ケーシングの内面の前記被膜に接触した状態で前記電子デバイス用基板が前記ケーシングに収納されていることを特徴とする。
これにより、ケーシング内面の被膜が、電磁波や電界を遮蔽するシールドとして機能するので、ＥＭＣ対策に寄与することができる。
【００１５】
本発明の電子デバイスでは、前記電子デバイス用基板の前記電子回路のグランドと、前記導電膜とが電気的に接続されており、これにより、前記電子回路のグランドと前記ケーシングの内面の前記被膜とが導通していることが好ましい。
これにより、ケーシング内面の被膜が、導電膜を介して、電子回路のグランドと導通するので、ケーシング内面の被膜のシールド性能が向上し、より効果的なＥＭＣ対策に寄与する。
【００１６】
本発明の電子デバイスの製造方法は、絶縁性の板状の基材と該基材の一方の面側に形成された電子回路とを備えた電子デバイス用基板の前記基材の他方の面の一部に形成した導電性の導電膜に、導電性を有しかつ接地された基板支持部を当接させた状態で、前記電子デバイス用基板を前記基板支持部により支持しながら前記電子デバイス用基板を移動させることにより、前記基材に帯電した電荷を除去しつつ前記電子デバイス用基板を移動させる工程を含む製造工程によって前記電子デバイス用基板を完成させる工程と、
その内面に導電性の被膜が形成されたケーシングに、前記導電膜が前記ケーシングの内面の前記被膜に接触するように前記電子デバイス用基板を前記ケーシング内に設置する工程とを備えることを特徴とする。
【００１７】
これにより、電子デバイス用基板の製造過程においては、電子デバイス用基板が電荷を帯びたとしても、その電荷を導電膜および基板支持部を通して速やかに逃がすことができるので、電子デバイス用基板が帯電することを防止することができる。よって、静電気による弊害、例えば電子回路の薄膜トランジスタや薄膜ダイオード等を破壊したり、空気中の塵を吸着したりすることを防止することができるので、歩留まりが高く、かつ高品質な電子デバイス用基板を提供することができる。
また、電子デバイス用基板がケーシングに組み込まれ、製品としての電子デバイスになった状態では、ケーシング内面の被膜が、電磁波や電界を遮蔽するシールドとして機能するので、ＥＭＣ対策に寄与することができる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えたことを特徴とする。
これにより、歩留まりが高く、かつ高品質で製造することができるとともに、低コストでＥＭＣ対策を施すことができる電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１ないし図３は、本発明の電子デバイス用基板を有機ＥＬパネルに適用した場合の実施形態を示す図であり、図１は、回路図、図２および図３は、発光膜の形成工程を示す断面図である。なお、以下の説明では、図３（ｅ）の完成状態（半完成状態）の有機ＥＬパネル２も、図２（ａ）〜図３（ｄ）の製造途中の有機ＥＬパネル２も、共に有機ＥＬパネル２と呼ぶ。
【００１９】
これらの図に示す有機ＥＬパネル２は、板状の基材６２１と、この基材６２１の一方の面側に形成された図１に示す電子回路６００とを有している。基材６２１は、例えばガラス、プラスチック等の絶縁材料で構成された絶縁性の板状部材である。
図１に示すように、有機ＥＬパネル２には、複数の走査線６３１と、これら走査線６３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線６３２と、これら信号線６３２に並列に延びる複数の共通給電線６３３とが設けられている。また、走査線６３１及び信号線６３２の各交点毎に、画素領域６０３が設けられている。
【００２０】
信号線６３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、アナログスイッチを備えるデータ側駆動回路６０１が設けられている。また、走査線６３１に対しては、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える走査側駆動回路６０２が設けられている。
画素領域６０３の各々には、走査線６３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング薄膜トランジスタ６４３と、このスイッチング薄膜トランジスタ６４３を介して信号線６３２から供給される画像信号を保持する保持容量６５１と、該保持容量６５１によって保持された画像信号がゲート電極に供給されるカレント薄膜トランジスタ６４４と、このカレント薄膜トランジスタ６４４を介して共通給電線６３３に電気的に接続したときに共通給電線６３３から駆動電流が流れ込む画素電極６４２と、この画素電極６４２と反射電極６５２との間に挟み込まれた発光膜（発光層）６４１とが設けられている。
【００２１】
このような有機ＥＬパネル２では、走査線６３１が駆動されてスイッチング薄膜トランジスタ６４３がオンとなると、その時の信号線６３２の電位が保持容量６５１に保持され、該保持容量６５１の状態に応じて、カレント薄膜トランジスタ６４４のオン・オフ状態が決まる。そして、カレント薄膜トランジスタ６４４のチャネルを介して、共通給電線６３３から画素電極６４２に電流が流れ、さらに発光膜６４１を通じて反射電極６５２に電流が流れるから、発光膜６４１は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２２】
図３（ｅ）に示すように、有機ＥＬパネル２には、さらに、ゲート絶縁膜７２０と、
層間絶縁膜７３０と、中継電極７３３、７３４と、層間絶縁膜７４０とがさらに設けられている。
本実施形態の有機ＥＬパネル２では、信号線６３２や共通配線６３３等の配線を利用して、画素領域６０３（発光膜６４１）を囲むバンク６１１が形成されているが、このような構成に限らず、バンク６１１は、信号線６３２や共通配線６３３等の配線を利用しないで形成されたものでもよい。
このような有機ＥＬパネル２の発光膜６４１は、インクジェット法によって形成されたものである。以下、図２および図３に基づき、発光膜６４１の形成工程について説明する。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）３を用いて、この液滴吐出ヘッド３のノズル３１から液状材料６１２Ａの液滴を吐出し、バンク６１１で囲まれた各画素領域６０３に液状材料６１２Ａを付与する。この液状材料６１２Ａは、発光膜６４１の下層部分に当たる正孔注入層６４１Ａを形成するため材料を溶媒（または分散媒）に溶解（または分散）させてなるものである。
液滴吐出ヘッド３は、公知のインクジェットヘッドを用いることができ、駆動素子が圧電アクチュエータのもの、静電アクチュエータのもの、電気熱変換素子のもの、のいずれでもよい。
【００２４】
画素領域６０３に液状材料６１２Ａを付与した後、有機ＥＬパネル２に対し加熱あるいは光照射を行うことにより、画素領域６０３内の液状材料６１２Ａ中の溶媒または分散媒を蒸発させて液状材料６１２Ａを固化または硬化させる。これにより、図２（ｂ）に示すように、画素電極６４２上に、正孔注入層６４１Ａが形成される。なお、図２（ａ）および（ｂ）の工程を必要に応じて繰り返し実行することにより、所望の厚さの正孔注入層６４１Ａを形成することができる。
【００２５】
正孔注入層６４１Ａの形成後、図３（ｃ）に示すように、前記と同様の別の液滴吐出ヘッド３を用い、この液滴吐出へッド３のノズル３１から液状材料６１２Ｂの液滴を吐出し、バンク６１１で囲まれた各画素領域６０３に液状材料６１２Ｂを付与する。この液状材料６１２Ｂは、発光膜６４１の上層部分に当たる有機半導体膜６４１Ｂを形成するため有機蛍光材料を溶媒（または分散媒）に溶解（または分散）させてなるものである。
【００２６】
画素領域６０３に液状材料６１２Ｂを付与した後、有機ＥＬパネル２に対し加熱あるいは光照射を行うことにより、画素領域６０３内の液状材料６１２Ｂ中の溶媒または分散媒を蒸発させて液状材料６１２Ｂを固化または硬化させる。これにより、図３（ｄ）に示すように、画素電極６４２上に、有機半導体膜６４１Ｂが形成される。なお、図３（ｃ）および（ｄ）の工程を必要に応じて繰り返し実行することにより、所望の厚さの有機半導体膜６４１Ｂを形成することができる。
【００２７】
以上のようにして発光膜６４１を形成した後、表面の全体に、若しくは表面にストライプ状に、反射電極６５２を形成することにより、有機ＥＬパネル２が完成（半完成）する。
なお、発光膜６４１としては、発光効率（正孔注入率）がやや低下するものの、正孔注入層６４１Ａを省略してもよい。また、正孔注入層６４１Ａに代えて電子注入層を有機半導体膜６４１Ｂと反射電極６５２との間に形成してもよいし、あるいは、正孔注入層および電子注入層の双方を形成してもよい。
【００２８】
図４は、有機ＥＬパネル２を裏面から見た図である。
本実施形態の有機ＥＬパネル２は、大画面テレビの表示装置として用いられるものである。この有機ＥＬパネル２は、１枚の基材６２１から、２枚製造される。すなわち、基材６２１に電子回路６００や発光膜６４１等を形成した後、図４中の一点鎖線でしめす切断線２００の位置で２枚に分割し、それぞれが有機ＥＬパネル２となる。
【００２９】
図４に示すように、基材６２１の裏面、すなわち電子回路６００の形成面側と反対側の面には、導電性を有する導電膜２１が形成されている。なお、図４および図５中では、見易くするため、導電膜２１の形成領域にハッチングを付して示す。すなわち、図４および図５中のハッチングは、断面を示すものではない。
導電膜２１の構成材料は、導電性を有するものであればいかなるものでもよいが、例えばＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）等の透明なものであるのが好ましい。これにより、有機ＥＬパネル２が製品として使用される際に導電膜２１が弊害を生じるのを確実に防止することができる。
導電膜２１の形成位置は、特に限定されないが、図４に示すように、本実施形態では、切断される前の基材６２１の周縁部と、切断線２００に沿った位置とに、帯状に形成されている。あるいは、図５に示す有機ＥＬパネル２’のように、また、切断線２００に沿った位置と、この切断線に平行な辺の縁部とにのみ導電膜２１を形成してもよい。
【００３０】
図６は、インクジェット法により有機ＥＬパネル２の基材６２１の裏面に導電膜２１を形成する方法を説明するための側面図である。以下、同図を参照して、導電膜２１を形成する方法の一例を説明する。
ＩＴＯ等の導電性材料からなる導電性粒子を分散媒に分散させた液状材料（分散液）を用意し、前記と同様の公知の液滴吐出ヘッド３のノズル３１からこの液状材料の液滴１０を吐出しつつ、有機ＥＬパネル２と液滴吐出ヘッド３とを相対的に移動させることにより、有機ＥＬパネル２（基材６２１）の裏面に液状材料で描画する。その後、乾燥させて描画された液状材料中の分散媒を蒸発させることにより、液状材料が固化または硬化して、有機ＥＬパネル２（基材６２１）の裏面に導電膜２１が形成される。
【００３１】
上記のようなインクジェット法によって導電膜２１を形成した場合には、導電膜２１を所望のパターンで正確かつ容易に形成することができる。また、材料の無駄も少なく、低コストで導電膜２１を形成することができる。
なお、導電膜２１の形成方法は、インクジェット法に限定されず、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等によって形成してもよい。
【００３２】
図７は、有機ＥＬパネル２の発光膜６４２を形成するためのインクジェット描画装置を示す側面図、図８は、図７に示すインクジェット描画装置における基板移動装置を示す正面図である。
前述した図２（ａ）および図３（ｃ）の、発光膜６４１形成用の液状材料６１２Ａ、６１２Ｂによる描画（パターニング）は、図７に示すインクジェット描画装置１００を用いて行われる。
【００３３】
図７に示すように、インクジェット描画装置１００は、１個または複数個の液滴吐出ヘッド３を搭載したヘッドキャリッジ３０と、有機ＥＬパネル２を移動させる基板移動装置１とを有している。インクジェット描画装置１００では、基板移動装置１の作動により、このヘッドキャリッジ３０の下で、２枚に分割される前の有機ＥＬパネル２を面内方向に移動させながら液滴吐出ヘッド３のノズル３１より液状材料６１２Ａ、６１２Ｂの液滴を吐出することにより、描画（パターニング）を行う。
なお、図２（ａ）の工程と、図３（ｃ）の工程とは、別々のインクジェット描画装置１００で行ってもよいし、液状材料６１２Ａを吐出する液滴吐出ヘッド３と、液状材料６１２Ｂを吐出する液滴吐出ヘッド３とをヘッドキャリッジ３０に両方搭載することにより、共通のインクジェット描画装置１００で両工程を行ってもよい。
【００３４】
このインクジェット描画装置１００が備える基板移動装置１は、本体４と、この本体４上に設置された多数のローラー５とを有している。各ローラー５は、ローラー支持部６により回転可能に支持されている。有機ＥＬパネル２は、これらのローラー５の上に載置される。すなわち、この基板移動装置１における基板支持部は、ローラー５で構成される。ローラー５は、図示しないモータによって駆動されて転動し、これにより、有機ＥＬパネル２が図７中で左右方向に移動する。
【００３５】
図８は、基板移動装置１を、有機ＥＬパネル２の移動方向に平行な方向から見た図である。図８に示すように、ローラー５は、３列に並んで配置されており、各列のローラー５は、それぞれ、２枚に分割される前の有機ＥＬパネル２の導電膜２１の形成領域を支持している。
本体４、ローラー５およびローラー支持部６は、少なくともそれらの表面付近が導電性材料（金属、金属粉末、金属化合物、カーボンブラック等）で構成されている。また、本体４とローラー支持部６との間、および、ローラー支持部６とローラー５との間も、導電可能になっている。そして、本体４は、接地（アース）されている。このような構成により、ローラー５は、ローラー支持部６および本体４を介して接地されている。
【００３６】
一般に、有機ＥＬパネル２のような電子デバイス用基板に対してインクジェット法による描画（パターニング加工）を行うと、電子デバイス用基板が帯電し易い。これは、液滴吐出ヘッド３のノズル３１から吐出される液滴がノズル３１から千切れて離脱する際に帯電するので、電子デバイス用基板に膨大な数の液滴が着弾していくにつれ、電子デバイス用基板に電荷が溜まっていくからである。
【００３７】
これに対し、本発明では、上記のような基板移動装置１によって有機ＥＬパネル２を移動させつつ描画を行うことにより、有機ＥＬパネル２の基材６２１が電荷を帯びたとしても、その電荷を導電膜２１およびローラー５を通して速やかに逃がすことができるので、基材６２１が帯電することを防止することができる。よって、静電気による弊害、例えば電子回路６００中の薄膜トランジスタや薄膜ダイオードを破壊したり、空気中の塵を吸着したりすることを防止することができ、有機ＥＬパネル２を製造するに際して、歩留まりおよび品質を向上することができる。
【００３８】
特に、本発明では、導電膜２１にローラー５が接触して導電膜２１の全体が接地されることとなって、接地される領域の面積を広くとることができるので、帯電除去効果が高く、基材６２１の帯電を確実に防止することができ、いかなる条件下でも上記効果を確実に発揮することができる。
また、本実施形態の導電膜２１は、基板移動装置１における有機ＥＬパネル２の移動方向に沿って帯状に形成された部分を有し、この部分がローラー５に接触することにより、有機ＥＬパネル２が基板移動装置１上を移動しても、導電膜２１とローラー５との接触状態を確実に維持することができるので、より高い帯電除去効果を発揮することができる。
【００３９】
また、本実施形態では、前述したように、２枚の有機ＥＬパネル２に分割される際の切断線２００を包含する領域に導電膜２１を形成しているので、２枚の有機ＥＬパネル２に分割された後は、その分割された有機ＥＬパネル２のエッジ部分に導電膜２１が位置するので、導電膜２１が目立たず、導電膜２１による弊害を生じにくくすることができる。
なお、図４および図５に示す例では、有機ＥＬパネル２の移動方向に平行に形成された帯状の導電膜２１の本数は３本であるが、この本数はこれに限定されるものではない。例えば携帯電話機用の有機ＥＬパネルを製造する場合のように、多数枚に分割される場合には、その切断線も多数あるので、導電膜２１の本数を増やすことができる。
【００４０】
本実施形態では、インクジェット描画装置１００の基板移動装置１によって有機ＥＬパネル２を移動させる工程が、除電移動工程に相当する。
本発明では、除電移動工程は、インクジェット法による描画の際の移動に限らず、電子デバイス用基板の製造過程におけるいかなる移動に適用してもよい。例えば、他の方式による薄膜形成加工、パターニング加工、表面処理加工、機械加工等のようないかなる加工における電子デバイス用基板の移動に適用してもよく、また、加工の際の移動に限らず、インクジェット描画装置１００から乾燥装置（図示せず）へ電子デバイス用基板を搬送する場合のように、複数の製造装置間で電子デバイス用基板を搬送する場合に除電移動工程を適用してもよい。
【００４１】
また、除電移動工程を行う際の基板移動装置の構成も、いかなるものでもよく、例えば、図９および図１０に示すような構成でもよい。
図９に示す基板移動装置１Ａは、図７および図８基板移動装置１における３列のローラー５の列のうち、中央の列以外の２列がガイドレール７ａ、７ｂに置き換わったものに相当する。この基板移動装置１Ａでは、ガイドレール７ａ、７ｂも基板支持部として機能する。中央の列のローラー５の転動によって有機ＥＬパネル２が搬送される際、有機ＥＬパネル２の左右の両端は、ガイドレール７ａ、７ｂに対し摺動する。これにより、有機ＥＬパネル２は、移動方向へ直進するように案内される。
【００４２】
ガイドレール７ａ、７ｂは、少なくともそれらの表面付近が導電性材料（金属、金属粉末、金属化合物、カーボンブラック等）で構成されている。また、本体４とガイドレール７ａ、７ｂとの間も、導電可能になっている。そして、本体４は、接地（アース）されている。このような構成により、ガイドレール７ａ、７ｂは、本体４を介して接地されている。
このような基板移動装置１Ａによれば、搬送中の有機ＥＬパネル２の基材６２１が電荷を帯びたとしても、その電荷を導電膜２１およびガイドレール７ａ、７ｂを通して速やかに逃がすことができるので、前記と同様の効果が得られる。
【００４３】
図１０に示す基板移動装置１Ｂは、本体４と、本体４上に複数設置された吸着部８と、本体４を移動させる移動機構９とを有している。この基板移動装置１Ｂでは、吸着部８が基板支持部として機能する。
吸着部８は、本体４の上面から突出するように設けられており、その上端面には、吸引口８１が形成されている。本体４内部には、各吸引口８１に連通する吸引流路（図示せず）が形成されており、この吸引流路は、図示しない真空ポンプに接続されている。この真空ポンプを作動することにより、吸着部８上に載置された有機ＥＬパネル２を真空吸着して、本体４に固定することができる。
【００４４】
移動機構９は、送りねじ９１と、この送りねじ９１を回転させるモータ９２と、本体４に固定され、送りねじ９１に螺合する螺合部９３とを有している。モータ９２の駆動によって送りねじ９１が回転することにより、本体４が図中の左右に移動する。これにより、有機ＥＬパネル２を搬送することができる。
吸着部８は、少なくともそれらの表面付近が導電性材料（金属、金属粉末、金属化合物、カーボンブラック等）で構成されている。また、本体４と吸着部８との間も、導電可能になっている。そして、本体４は、接地（アース）されている。このような構成により、吸着部８は、本体４を介して接地されている。
このような基板移動装置１Ｂによれば、搬送中の有機ＥＬパネル２の基材６２１が電荷を帯びたとしても、その電荷を導電膜２１および吸着部８を通して速やかに逃がすことができるので、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００４５】
図１１は、有機ＥＬパネル２と、この有機ＥＬパネル２を収納するケーシング１１とを備えた有機ＥＬ表示装置の分解斜視図である。
図１１に示すように、プラスチック材料で構成された浅い凹状のケーシング１１内に有機ＥＬパネル２を装着することにより、有機ＥＬ表示装置１２が構成される。ケーシング１１の内面には、導電性の被膜１１１が形成されている。図１１中では、見易くするため、導電膜２１や被膜１１１の形成領域にハッチングを付して示す。ケーシング１１の内面に被膜１１１を形成する方法は、特に限定されず、例えば、Ａｇペーストの塗布により容易に形成することができる。
【００４６】
有機ＥＬパネル２をケーシング１１内に装着した状態では、ケーシング１１内面の被膜１１１と有機ＥＬパネル２の裏面の導電膜２１とが接触する。図１に示すように、有機ＥＬパネル２では、電子回路６００のグランド６０４と導電膜２１とが電気的に接続され、導通している。よって、有機ＥＬ表示装置１２においては、ケーシング１１内面の被膜１１１は、導電膜２１を介して、電子回路６００のグランド６０４と導通している。これにより、ケーシング１１内面の被膜１１１は、電磁波や電界を遮蔽するシールドとして有効に機能するので、ＥＭＣ対策に寄与することができる。
【００４７】
図１２は、図１１に示す有機ＥＬ表示装置１２を備えた薄型テレビ１３を示す斜視図である。同図に示すように、図１１の有機ＥＬ表示装置１２は、薄型テレビ１３などに適用することができる。
上述したように、導電膜２１は、有機ＥＬパネル２の製造過程においては、静電気による弊害を防止し、歩留まりおよび品質の向上に寄与する。さらに、有機ＥＬ表示装置１２や薄型テレビ１３のような製品になった後は、導電膜２１は、有機ＥＬパネル２の電子回路６００のグランド６０４をケーシング１１内面の被膜１１１に導通させる機能を発揮するので、被膜１１１をシールドとして有効に機能させることができ、ＥＭＣ対策に寄与する。
【００４８】
以上、本発明の電子デバイス用基板、電子デバイス、電子デバイスの製造方法および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
上述した実施形態では、本発明の電子デバイス用基板を有機ＥＬパネルに適用した場合について説明したが、これに限らず、液晶パネル、電気泳動表示パネル、プラズマディスプレイパネル、電子回路基板等の各種の電子デバイス用基板に適用することができる。
【００４９】
また、本発明の電子デバイスも、有機ＥＬ表示装置に限らず、液晶表示装置、電気泳動表示装置、ＰＤＰ表示装置等の各種の電子デバイスに適用することができる。
また、本発明の電子機器は、薄型テレビに限らず、ノート型あるいはデスクトップ型のパーソナルコンピュータ、携帯電話機、デジタルカメラ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。。
【００５０】
また、本発明における除電移動工程を行う際には、従来より公知の他の帯電除去方法と併用してもよい。その場合、併用する他の帯電除去方法としては、例えば、特開平５−２４３１８７号公報に開示されたイオン化ガスを吹き付ける方法、特開平７−７３３９９１号公報および特開平７−１３０４８８号公報に開示された湿度の高いガスを吹き付ける方法、特開２００１−７１８７号公報に開示された複数の通孔から除電ガスを供給する方法、特開２００１−３４３６３２号公報に開示された研磨液シャワーで除電する方法、特開２００４−３１１０４８号公報に開示された軟Ｘ線を使用する方法などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の電子デバイス用基板を有機ＥＬパネルに適用した場合の実施形態を示す回路図。
【図２】本発明の電子デバイス用基板を有機ＥＬパネルに適用した場合の実施形態の発光膜の形成工程を示す断面図。
【図３】本発明の電子デバイス用基板を有機ＥＬパネルに適用した場合の実施形態の発光膜の形成工程を示す断面図。
【図４】有機ＥＬパネルを裏面から見た図。
【図５】有機ＥＬパネルを裏面から見た図。
【図６】インクジェット法により有機ＥＬパネルの基材の裏面に導電膜を形成する方法を説明するための側面図。
【図７】有機ＥＬパネルの発光膜を形成するためのインクジェット描画装置を示す側面図。
【図８】図７に示すインクジェット描画装置における基板移動装置を示す正面図。
【図９】基板移動装置の他の構成例を示す正面図。
【図１０】基板移動装置のさらに他の構成例を示す斜視図。
【図１１】有機ＥＬパネルと、この有機ＥＬパネルを収納するケーシングとを備えた有機ＥＬ表示装置の分解斜視図。
【図１２】図１１に示す有機ＥＬ表示装置を備えた薄型テレビを示す斜視図。
【符号の説明】
【００５２】
１、１Ａ、１Ｂ……基板移動装置  １００……インクジェット描画装置  ２……有機ＥＬパネル  ２１……導電膜  ２００……切断線  ３……液滴吐出ヘッド  ３０……ヘッドキャリッジ  ３１……ノズル  ４……本体  ５……ローラー  ６……ローラー支持部  ７ａ、７ｂ……ガイドレール  ８……吸着部  ８１……吸引口  ９……移動機構  ９１……送りねじ  ９２……モータ  ９３……螺合部  １０……液滴  １１……ケーシング  １１１……被膜  １２……有機ＥＬ表示装置  １３……薄型テレビ  ６００……電子回路  ６０１……データ側駆動回路  ６０２……走査側駆動回路  ６０３……画素領域  ６０４……グランド  ６１１……バンク  ６１２Ａ、６１２Ｂ……液状材料  ６２１……基材  ６３１……走査線  ６３２……信号線  ６３３……共通給電線  ６４１……発光膜  ６４１Ａ……正孔注入層  ６４１Ｂ……有機半導体膜  ６４２……画素電極  ６４３……スイッチング薄膜トランジスタ  ６４４……カレント薄膜トランジスタ  ６５１……保持容量  ６５２……反射電極  ７２０……ゲート絶縁膜  ７３０……層間絶縁膜  ７３３、７３４……中継電極  ７４０……層間絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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