(57)【要約】【課題】  回折限界以下で、情報を再生できる情報再生方法及び情報記録媒体を提供する。【解決手段】  核形成促進材料からなる記録マーク４が形成された記録層と、再生層５を備え、再生ビームが照射されると、記録層の記録マーク４に基づいて、再生層の所定領域が前記記録マークよりも大きくなるように結晶化７して、情報再生する。【効果】  特別な情報再生装置を用いずに、回折限界以下の記録マークの情報を再生できる。【選択図】図１
2006059485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
核形成材料からなる記録マークが形成された記録層と、
再生層とを有し、
前記記録マークに読み出し用ビームが照射されることによって、前記記録マークに対応する前記再生層の領域が、前記記録マーク領域よりも大きい領域で結晶化することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記再生層の領域は、前記記録マークの核形成材料を発端に結晶化することを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記記録層と前記再生層は、接していることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記記録層は、前記基板と前記再生層との間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記再生層は、前記基板と前記記録層との間に設けられていることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記再生層はＴｅが１５原子％以上６０原子％以下含有され、前記記録層はＢｉ−Ｔｅ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ，Ｔａ−Ｎ，Ｔａ−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｏ，Ｓｎ−Ｏ，Ｔａ−Ｏ，Ｂｉの何れかであることを特徴とする請求項１記載の情報記録媒体。
【請求項７】
基板と、核形成材料からなる記録マークが形成された記録層と、再生層とを有する記録媒体に、読み出し用ビームを照射し、前記記録マークに対応する前記再生層の領域が、前記記録マークよりも大きくなるように平面方向に結晶化させて、情報を再生することを特徴とする情報再生方法。
【請求項８】
更に、前記読み出し用ビームの前又は後に、前記再生層の非晶質化を行う第２のスポットを照射することを特徴とする請求項７記載の情報再生方法。
【請求項９】
前記記録マークは、ＲＯＭ型またはＷＯ型の記録マークであることを特徴とする請求項７記載の情報再生方法。
【請求項１０】
基板と、
結晶材料からなる記録マークが形成された記録層と、
再生層を有し、
前記記録マークに読み出し用ビームが照射されることによって、前記再生層の前記記録マーク上の領域が、前記記録マーク領域よりも大きい領域で結晶化する再生層を有することを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１１】
基板と、結晶材料からなる記録マークが形成された記録層と、再生層とを有する記録媒体に、読み出し用ビームを照射し、前記記録マークに対応する前記再生層の領域が、前記記録マークよりも大きくなるように平面方向に結晶化させて、情報を再生することを特徴とする情報再生方法。
【請求項１２】
基板と、
吸収率が未記録部よりも大きい記録マークが形成された記録層と、
再生層とを有し、
前記記録マークに読み出し用ビームが照射されることによって、前記記録マークに対応する前記再生層の領域が溶融化し、溶融化する領域が前記記録マークより大きくなることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項１３】
前記記録層は、前記基板と前記再生層との間に設けられていることを特徴とする請求項１２記載の情報記録媒体。
【請求項１４】
前記再生層は、前記基板と前記記録層との間に設けられていることを特徴とする請求項１２記載の情報記録媒体。
【請求項１５】
更に、反射層が設けられていることを特徴とする請求項１２記載の情報記録媒体。
【請求項１６】
前記記録マークは、ＲＯＭ型、ＷＯ型、ＲＡＭ型の何れかであることを特徴とする請求項１２記載の情報記録媒体。
【請求項１７】
前記記録層と前記再生層との間には、中間層が設けられていることを特徴とする請求項１２記載の情報記録媒体。
【請求項１８】
基板と、吸収率が未記録部よりも大きい記録マークが形成された記録層と、再生層とを有する記録媒体に、読み出し用ビームを照射し、前記記録マークに対応する前記再生層の領域が、前記記録マークよりも大きくなるように平面方向に溶融化させて、情報を再生することを特徴とする情報再生方法。
【請求項１９】
前記記録マークに対応する前記再生層の領域は、前記記録マークからの熱が伝わることにより、溶融化されることを特徴とする請求項１８記載の情報再生方法。
【請求項２０】
前記読み出し用ビーム通過後、前記再生層は、結晶化されることを特徴とする請求項１８記載の情報再生方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに用いられる情報再生方法及び情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザ光を照射して薄膜（記録膜）に情報を記録する原理は種々知られているが、そのうちで膜材料の相変化（相転移、相変態とも呼ばれる）など、レーザ光の照射による原子配列変化を利用するものが用いられてきている。
【０００３】
通常、これら情報記録媒体は基板上に第１保護層、ＧｅＳｂＴｅ系等の記録膜、上部保護層、反射層という構成からなり、光照射により記録膜を非晶質化することによって記録、結晶化することによって消去を行う。最小マークサイズは、スポットの回折限界にてきまっている。
【０００４】
そこで、回折限界以下のマークを再生する方法としては、超解像や磁区拡大を利用した方法がこれまでに知られている。その例として、特開平１０−２６９６２７号公報（特許文献１）には、超解像再生層としてＧｅＳｂＴｅ膜などが使われており、レーザの熱によってスポット径より小さな光学開口を形成することにより、微小マークを再生することが記載されている。また、特開平６−２９５４７９号公報（特許文献２）、特開２００４−０８７０４１号公報（特許文献３）は、いわゆるＭＡＭＭＯＳ（Magnetic amplifying magneto-optical system）と呼ばれるもので、拡大再生層に磁気転写により記録磁区が形成され、上記記録磁区を再生光照射部から照射される再生光により、再生光の口径一杯まで拡大する方法が知られている。
【特許文献１】特開平１０−２６９６２７号公報
【特許文献２】特開平６−２９５４７９号公報
【特許文献３】特開２００４−０８７０４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記超解像や磁区拡大を利用した再生方法では、回折限界以下のマークが再生出来るがそれぞれ次のような課題がある。
【０００６】
超解像を利用した特許文献１のような方法では、光学開口がスポット径より小さくなるため、再生信号量が減り、再生信号のSNRが低くなるという問題がある。
【０００７】
特許文献２，３のような磁区拡大再生（ＭＡＭＭＯＳ）は、装置に磁石が必要であり装置が複雑であるとともに、ＲＯＭのように凹凸に基づく反射率変化から信号を読むものではないため、反射率信号と磁気信号の両方を再生するための装置が困難であるという問題点がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の問題点を解決するために、以下の構成とする。即ち、記録層と再生層を備え、記録層の記録マークに基づいて、再生層の所定領域が前記記録マークよりも大きくなるように拡大再生する原理を用いる。この拡大再生は、以下の３種類ある。
【０００９】
（１）記録層には、核形成促進材料からなる記録マークが形成されている。そして、再生層は、この記録マークに対応する領域で、光ビームが照射されることで非晶質から結晶へと結晶化し、拡大マークが形成される。拡大マークが形成されると反射率変化が生じ、これにより、情報再生が行われる。
【００１０】
この原理を、図１、図２を用いて説明する。図１は、(1)の情報再生の概念図を示す。まず、核生成促進材料による記録マーク４と記録マーク４に接した再生層５を形成する。記録マーク４のスポットの進行方向の大きさは、最短マークの長さが回折限界以下である。再生層は、結晶化温度に達すると非晶質から結晶へと結晶化し、拡大マーク７となる。図２に示されるように、再生層は核形成促進材料（記録マーク）に接した場合は、核形成促進材料（記録マーク）に接していない場合に比べて、低温から結晶化が生じるという特性を持つ。これにより、情報記録媒体の記録マーク４及び再生層５にスポット１がフォーカスされ、再生層５が拡大再生温度１１まで加熱されると、非晶質状態の再生層は、記録マークを中心に結晶化され、スポット内に拡大された結晶化領域（拡大マーク）７が形成され、回折限界以上の領域で反射率変化が生じる。この結晶化領域（拡大マーク）７における反射率変化が再生信号として検出されることにより、回折限界以下の記録マークの再生が可能となる。
【００１１】
（１）の方法のメリットは、拡大再生の温度が低いため、（２）、（３）の方法に比べて、拡大再生時のレーザパワーを低く出来る点である。拡大再生時のレーザパワーが低いと、再生装置には低出力用の安価なレーザを使用することが出来る。
【００１２】
（２）記録層には、結晶材料からなる記録マークが形成されている。そして、再生層は、この記録マークに対応する領域で、光ビームが照射されることで非晶質から結晶へと結晶化し、拡大マークが形成される。拡大マークが形成されると反射率変化が生じ、これにより、情報再生が行われる。
【００１３】
この原理を、図１１，１２を用いて説明する。図１１は、（２）の情報再生の概念図を示す。まず、結晶材料による記録マーク１０４と記録マーク１０４に接した再生層１０５を形成する。記録マーク１０４のスポットの進行方向の大きさは、最短マークの長さが回折限界以下である。再生層１０５は、結晶化温度に達すると非晶質から結晶へと結晶化し、拡大マーク１０７となる。図１２に示されるように、再生層は結晶（記録マーク）に接した場合は、結晶（記録マーク）に接していない場合に比べて、低温から結晶化が生じるという特性を持つ。これにより、情報記録媒体の記録マーク１０４及び再生層１０５にスポット１がフォーカスされ、再生層１０５が拡大再生温度１１１まで加熱されると、非晶質状態の再生層は、記録マークを中心に結晶化され、スポット内に拡大された結晶化領域（拡大マーク）１０７が形成され、回折限界以上の領域で反射率変化が生じる。この結晶化領域（拡大マーク）１０７における反射率変化が再生信号として検出されることにより、回折限界以下の記録マークの再生が可能となる。
【００１４】
（２）の方法のメリットは、記録マークが結晶であるため、結晶と非晶質の状態変化を起こす相変化材料を記録膜に使用することにより、ＲＯＭやＷＯ（ライトワンス）だけでなく、ＲＡＭ（書換え可能型）の拡大再生に使用できることである。拡大再生時のレーザパワーは、（３）より低く出来、再生装置にはより低出力の安価なレーザを使用することが出来る。
【００１５】
（３）記録層には、吸収率が未記録部よりも大きい記録マークが形成されている。そして、再生層は、この記録マークに対応する領域で、光ビームが照射されることで結晶状態から溶融化（非晶質化）し、拡大マークが形成される。このとき、記録マークに対応する前記再生層の領域は、前記記録マークからの熱が伝わることにより、溶融化される。拡大マークが形成されると反射率変化が生じ、これにより、情報再生が行われる。
【００１６】
この原理を、図１８、図１９を用いて説明する。図１８は、(３)の情報再生の概念図を示す。まず、吸収率が大きい記録マーク１７４と再生層１７５を形成する。記録マーク１７４のスポットの進行方向の大きさは、最短マークの長さが回折限界以下である。再生層は、溶融温度に達すると結晶から溶融化つまり、非晶質化し、拡大マーク１７７となる。図１９に示されるように、再生層１７５は吸収率が大きい部分（記録マーク）では、吸収率が小さい部分（記録マーク以外）に比べて、温度が高くなり、再生パワーが低いところから非晶質化が生じるという特性を持つ。これにより、情報記録媒体の記録マーク１７４及び再生層１７５にスポット１がフォーカスされ、再生層１７５が拡大再生パワー１８１を照射すると、結晶状態の再生層は、記録マークを中心に非晶質化され、スポット内に拡大された非晶質化領域（拡大マーク）１７７が形成され、回折限界以上の領域で反射率変化が生じる。この非晶質化領域（拡大マーク）１７７における反射率変化が再生信号として検出されることにより、回折限界以下の記録マークの再生が可能となる。
【００１７】
（３）の方法のメリットは、２つある。１つは拡大再生パワーが高いため、環境温度に影響されにくいという点である。もう一つは、スポットが通過し、再生層に再生パワーが照射されなくなると、再生層は結晶化するため、次に拡大再生を行う前に再生準備（結晶化）する工程が不要になる点である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、簡単な装置で、回折限界以下の記録マークを有する媒体を再生できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施例によって詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
実施例1は、上記（１）の核形成材料からなるＲＯＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。
【００２１】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３は、この発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【００２２】
図４に媒体作製工程を示した。まず、工程１として、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ６Ｓｂ２Ｔｅ９よりなる再生層５を膜厚１０ｎｍ、Ｂｉ−Ｔｅ−ＮよりなるＲＯＭ記録マーク形成材料３１を膜厚２０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなるＲＯＭマーク形成用保護層３２を２０ｎｍを順次スパッタリングにより形成した。
【００２３】
その後、スピンコートにより紫外線硬化樹脂によるＲＯＭマーク形成用基板３３を厚さ約０．１μｍ形成した。
【００２４】
次に、工程２として、ＲＯＭ記録マーク形成材料３１に、レーザ光３４を有する情報記録装置にて、記録情報に対応した記録パルスによって、局所的に加熱処理を行った。情報記録装置の波長は４０５ｎｍであり、開口数は０．８５である。よって光のスポット径は（λ／ＮＡ）・０．８７より４１４ｎｍであるが、記録パワー及びパルスを制御し、スポット中央の熱の高い部分だけがＲＯＭ記録マーク形成材料３１に照射されるようにした。線速度は５ｍ／ｓで行った。ここでは、加熱処理部３５がスペース、未処理部３６がマークとなるように処理を行った。
【００２５】
マークサイズは、回折限界以上の１７０ｎｍから回折限界以下の４０ｎｍまで、サイズを変えながら、順次記録を行った。
【００２６】
その後、工程３、４に示されるように、上記情報記録媒体をＲＯＭ記録マーク形成材料３１とＲＯＭマーク形成用保護層３２の間で剥がし、アルカリ溶液からなるエッチング液に１時間浸し、エッチング処理を行った。この処理により、加熱処理部３５のみが、エッチングされ除かれる。このようにして、ＲＯＭ記録マーク２４が形成された。
【００２７】
この後、工程５に示されるように、ＺｎＳＳｉＯ２よりなる保護層３を３０ｎｍスパッタリングにより形成した。スペース２３は保護層３形成時に記録マーク２４の隙間に保護層材料が積層されて形成された。その後、スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍ形成した。
【００２８】
ここでは、工程２のＲＯＭ記録マーク形成に、波長は４０５ｎｍであり、開口数は０．８５のレーザを用いているが、更に波長の小さいレーザ光や開口数の大きなレーザ光を用いて記録したり、線速度を変えて加熱処理を行ってもよい。
【００２９】
ＲＯＭマーク形成用基板、ＲＯＭマーク形成用保護層を形成せず、ＲＯＭ記録マーク用形成材料を再表面にして加熱処理を行っても良い。この場合、レーザ照射以外に電子線照射による加熱や局所的な電流加熱などの方法を用いることも出来る。
【００３０】
また、ここでは加熱処理部３５がスペース、未処理部３６がマークとなるように加熱処理を行ったが、加熱処理部がマークになるように処理を行っても良い。この場合、エッチング液の濃度や種類を変えることにより、未処理部のみを除くことが出来るので、上記と同様にＲＯＭ記録マーク２４を形成することが出来る。
【００３１】
（拡大再生準備方法）
前記のようにして製作したディスクの再生層５に次のようにして初期非晶質化を行った。前記情報記録媒体ディスクを線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、５ｍＷの、ウインド幅の１／２以下のパルス光を再生層５に照射して、初期非晶質化を行った。このように初期非晶質化を行う外に、図７（ａ）〜（ｆ）に示したように拡大再生用スポット７１のスポット進行方向の前後いずれかに、拡大再生準備用スポット７２を設け、情報再生時の前または情報再生後にレーザ照射し、非晶質化して拡大再生に備えることも出来る。このように拡大再生用スポットの他に、拡大再生準備用スポット７２を設けることにより、再生とほぼ同時に非晶質化が行えるために、再生準備のために、別途レーザ照射を行う必要がなくなった。更に、図７（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｆ）のように両サイドのトラックにもレーザ照射が出来るスポットを備えると、両サイドのトラックも非晶質化することが出来、両サイドトラックからのクロストークを低減する効果があった。図７（ｃ）、（ｄ）のようにスポットの進行方向に長いスポットを使用すると、低パワーでも非晶質化が行えた。
【００３２】
（情報再生方法及び情報再生装置）
図６は情報再生装置のブロック図を示したものである。
ヘッド５２の一部であるレーザ光源５３（Blu-rayでは波長約４１０ｎｍ）から出射された光は、コリメートレンズ５４を通してほぼ平行な光ビーム５５へとコリメートされる。光ビーム５５は光情報記録媒体上に、対物レンズ５６を通して照射され、情報記録媒体上に、スポット５１を形成する、その後、ビームスプリッタ５７やホログラム素子５８などを通してサーボ用検出器５９や信号検出器６０へと導かれる。各検出器からの信号は加算・減算処理されトラッキング誤差信号やフォーカス誤差信号などのサーボ信号となりサーボ回路に入力される。サーボ回路は得られたトラッキング誤差信号やフォーカス誤差信号を元に、対物レンズ５６の駆動手段６１や光ヘッド５２全体の位置を制御し、光スポット５１の位置を目的の記録・再生領域に位置づける。検出器６０の加算信号は信号再生ブロック６２へ入力される。入力信号は信号処理回路によってフィルタ処理、周波数等化処理後、デジタル化処理される。デジタル化処理されたデジタル信号はアドレス検出回路および復調回路によって処理される。アドレス検出回路によって検出されたアドレス信号を元にマイクロプロセッサは光スポット５１の情報記録媒体上での位置を算出し、自動位置制御手段を制御することによって光ヘッド５２及び光スポット５１を目的の記録単位領域（セクタ）へと位置づける。
【００３３】
上位装置からの情報記録再生装置への指示が記録の場合には、マイクロプロセッサは上位装置から記録データを受け取りメモリへ格納するとともに、自動位置制御手段を制御して、光スポット５１を目的の記録領域の位置へ位置づける。マイクロプロセッサは信号再生ブロック６２からのアドレス信号によって、光スポット５１が正常に記録領域に位置づけられたことを確認した後、レーザドライバ等を制御して目的の記録領域にメモリ内のデータを記録する。
【００３４】
上記情報記録媒体に対して情報再生装置により、情報の記録及び再生を行った。以下に本情報再生装置の動作を説明する。なお、記録再生を行う際のモーター制御方法としては、記録再生を行うゾーン毎にディスクの回転数を変化させるＺＣＡＶ（Zoned Constant Linear Velocity）方式を採用している。ディスク線速度は約５ｍ／ｓである。
【００３５】
ディスクに情報を記録する際には、１−７PP変調方式を用い記録が行われた。
記録装置外部からの情報は８ビットを１単位として、変調器に伝送される。この変調方式では媒体上に、８ビットの情報に対応させた２Ｔ〜９Ｔの記録マーク長での情報の記録を行っている。なお、ここでＴとは情報記録時のクロックの周期を表しており、ここでは１７．１ｎｓとした。
【００３６】
変調器により変換された２Ｔ〜９Ｔのデジタル信号は記録波形発生回路に転送される。上記記録波形発生回路内において、２Ｔ〜９Ｔの信号を時系列的に交互に「０」と「１」に対応させ、「０」の場合にはボトムパワーレベルのレーザパワーを照射し、「１」の場合には高パワーパルス、またはパルス列を照射するようにしている。
【００３７】
図５に記録パルスの一例を示した。高パワーパルスの幅を約２Ｔｗ／２〜Ｔｗ／２とし、３Ｔ以上の記録マークを形成する際は、複数の高パワーレベル（Pw）のパルスより成るパルス列を用い、上記パルス列とパルス列の間の記録マークを形成しない部分では中間パワーレベル（Pe）、更に低いパワーレベル（Pb）とした。これらの組合せから記録パルスが形成される。ここでは、高パワーレベルを５ｍＷ、中間パワーレベルを１ｍＷ、低パワーレベルを０．５ｍＷとした。ここに示した記録パルスは一例にすぎず、他の形、レベルの記録パルスでも良い。
【００３８】
これにより、光ディスク上の低パワーレベルレーザービームが照射された領域は変化が起こらず、高パワーレベルのパルス列を照射された領域は加熱処理される。
【００３９】
また、上記記録波形発生回路内は、マーク部を形成するための一連の高パワーパルス列を形成する際に、マーク部の前後のスペース部の長さに応じてマルチパルス波形の先頭パルス幅と最後尾のパルス幅を変化する方式（適応型記録波形制御）に対応したマルチパルス波形テーブルを有しており、これによりマーク間に発生するマーク間熱干渉の影響を極力排除できるマルチパルス記録波形を発生している。
【００４０】
本実施例では、本情報再生装置にて、記録も行ったが、情報再生装置に、記録機能がなくても拡大再生は可能である。また、情報の記録は、本情報再生装置以外の装置で行ってもよい。
【００４１】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr1）に再生パワーを上げて、再生層を結晶化させ、反射率変化を生じさせる。本実施例の再生層は、核形成促進物資に接していると１３０℃から結晶化し始めるが、核形成促進物質に接していない場合には、２００℃から結晶化し始めるという結晶化特性を持つため、拡大再生温度は１３０℃以上、２００℃未満である。
【００４２】
記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＯＭマークを再生した。Pfは０．３ｍＷとし、拡大再生パワー（Pr1）を変えながら、記録マークのCNRを調べたところ、図８に示すような再生結果が得られた。Pfと同じ、０．３ｍＷではマークからの信号は検出できず、Pfより高い１．２ｍＷでCNR４０ｄＢ、１．３ｍＷで４５ｄＢ、最大５１ｄＢが得られた。更にパワーを高くして拡大再生すると、３ｍＷで４５ｄＢ、３．２ｍＷで４１ｄＢになった。フォーカス・トラッキング用再生パワーは、０．２ｍＷから０．５ｍＷにて安定にトラッキングできる。
【００４３】
このように、良好な拡大再生特性が得られる、フォーカス・トラッキング用再生パワー（Pf）と拡大再生パワー（Pr1）の関係は、
２ｘPf≦Pr1
であることが分かった。
【００４４】
（従来例との比較）
次にマークサイズを変えながら、従来例と比較して拡大再生の効果を調べ、表１に示した。拡大再生の効果は、両再生結果の差を示した。
【００４５】
従来例には、再生層を持たず、凹凸でマークサイズを変えてあるＲＯＭディスクを用いた。この従来媒体の構造は図３７に示した。
【００４６】
【表１】
2006059485.tif 000003
以上より、拡大再生の効果はマークサイズが回折限界以下になる１００ｎｍ以下において、顕著であることが分かる。
【００４７】
また、記録マークが拡大した場合のサイズを調べたところ、スポット進行方向の拡大再生マークサイズは、スポット径よりは大きくならなかった。
【００４８】
（再生層５の組成）
実施例１のディスクについて、再生層５の材料を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、表２のようになった。ここで示したCNRは、拡大再生パワー内の最大値である。拡大再生パワーはCNRが４０ｄＢ以上となる範囲を示した。
【００４９】
【表２】
2006059485.tif 000004
【００５０】
これより、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎを再生層材料に用いると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。このうち、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，ＧｅＢｉＴｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅは４５ｄＢ以上とより良好である。
【００５１】
また、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏは再生パワーが低く、再生感度が良いことが分かった。更に、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅは拡大再生パワーの幅が３．１ｍＷ以上と大きく、拡大再生の安定性が良いことが分かった。
【００５２】
ここに記載していない相変化材料でも核形成し、結晶化するタイプの材料系では、上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【００５３】
なお、表２における“再生層なし”とは、再生層の効果を示すために、記録マークは形成されている情報記録ディスクを用いて測定を行っている場合であり、前記従来例とは異なる。
【００５４】
本実施例の再生層のいずれかの構成元素の含有量が上記の組成から３原子％以上ずれた場合、結晶化速度が速過ぎたり、遅すぎたりして拡大マーク形状が歪むなどの問題点が起こった．従って、不純物元素は３原子％未満であることが好ましい。より好ましくは１原子％未満である。
【００５５】
（核形成促進材料の組成）
実施例１のディスクについて、ＲＯＭ記録マーク形成材料（核形成促進材料材料）３１を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、次のようになった。
【００５６】
【表３】
2006059485.tif 000005
【００５７】
これより、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ，Ｔａ−Ｎ，Ｔａ−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｏ，Ｓｎ−Ｏ，Ｔａ−Ｏ，Ｂｉを核形成促進材料に用いて記録マークを形成すると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。
【００５８】
また、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｎ中のＴｅとＮの量（原子％）を変えながら、CNRを測定したところ、次のようになった。
【００５９】
【表４】
2006059485.tif 000006
【００６０】
これより、Ｔｅ−Ｎ入り材料の場合、ＴｅとＮの量が２０原子％以上、７１原子％以下のとき、CNRが４５ｄＢとより良好な信号が得られることが分かった。Ｎがない場合は、Ｔｅ量が１５原子％以上、６０原子％以下のとき、CNRが４５ｄＢとより良好な信号が得られることが分かった。
ここに記載していない核形成促進材料でも上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【００６１】
（ＲＯＭマーク形成用保護層３２の組成）
この他、前記ＲＯＭマーク形成用保護層３２中のＳｉＯ２をＡｌ２Ｏ３，ＭｇＯ，ＭｇＦ２、あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様に図４のプロセスが行うことが出来た。
【００６２】
（保護層８の組成）
この他、前記保護層８中のＣｒ２Ｏ３をＳｎＯ２，ＺｎＳ−ＳｉＯ２，Ｔａ−Ｏ系材料あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の結果が得られた。
ここに記載していない保護層材料でも上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【００６３】
保護層８を形成しなくても、拡大再生の効果を得ることは出来る。しかし、拡大再生可能回数が２桁低下する。
【００６４】
（反射層６の組成）
この他、前記反射層６中のＡｇＰｄＣｕをこのほかのＡｇ化合物、Ａｌ化合物、Ａｕ化合物、Ｃｒ化合物あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の結果が得られた。
ここに記載していない反射層材料でも上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【００６５】
反射層６を形成しなくても、拡大再生の効果を得ることは出来る。しかし、記録マークを形成する場合の加熱処理後の熱がこもりやすく、小さな記録マークを形成時の揺らぎが大きくなり、CNRが約５ｄＢ低下する。
【００６６】
（基板）
本実施例では、保護基板にトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト基板７を用いている。また、トラッキング用の溝を有する基板とは、基板表面全面または一部に、記録・再生波長をλとしたとき、λ／１２ｎ′（ｎ′は基板材料の屈折率）以上の深さの溝を持つ基板である。溝は一周で連続的に形成されていても、途中分割されていてもよい。溝深さが約λ／６ｎの時、クロストークが小さくなり好ましいことが分かった。また、その溝幅は場所により異なっていてもよい。溝部とランド部の両方に記録・再生が行えるフォーマットを有する基板でも、どちらか一方に記録を行うフォーマットの基板でも良い。また、保護基板には、ポリカーボネイト以外にガラスや、ポリオレフィン、紫外線効果樹脂、この他の光が透過しない材料を用いてもよい。
【００６７】
本実施例では、基板２やＲＯＭマーク形成用基板３３をスピンコートによって紫外線硬化樹脂を塗布する方法にて形成したが、ポリカーボネイトやポリオレフィンなどのシートを用いて接着することにより、基板形成を行ってもよい。この方法だと、形成に時間がかかるが、半径方向の基板厚ムラを小さくすることができた。
【実施例２】
【００６８】
実施例２は、上記（１）の核形成材料からなるＷＯ（write once）記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。
【００６９】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図９は、この発明の第１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【００７０】
図１０に媒体作製工程を示した。まず、工程１として、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ６Ｓｂ２Ｔｅ９よりなる再生層５を膜厚１０ｎｍ、Ｓｉ−Ｔｅ−ＮとＴｉ−ＮよりなるＷＯ記録マーク形成材料９１を膜厚２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍを順次スパッタリングにより形成した。
【００７１】
その後、スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍ形成した。
【００７２】
次に、工程２として、ＷＯ記録マーク形成材料９１に、レーザ光３４を有する情報記録装置にて、記録情報に対応した記録パルスによって、局所的に加熱処理を行った。加熱処理部８２は、ＷＯ記録マーク形成材料９１内でとＳｉとＴｉが混ざりあい、再生層と接した側が核形成促進をしにくい状態となるが、未処理部８１は再生層と接した側が核形成促進をする状態のままである。このようにして、ＷＯ記録マーク８１が形成された。
【００７３】
ここでは、工程２のＷＯ記録マーク形成に、波長は４０５ｎｍであり、開口数は０．８５のレーザを用いているが、更に波長の小さいレーザ光や開口数の大きなレーザ光を用いて記録を行ったり、線速度を変えて加熱処理を行ってもよい。
【００７４】
基板、保護層を形成せず、ＷＯ記録マーク用形成材料を表面にして加熱処理を行った後に、基板や保護層を形成しても良い。この場合、レーザ照射以外に電子線照射による加熱や局所的な電流加熱などの方法を用いることも出来る。
【００７５】
また、ここでは加熱処理部８２がスペース、未処理部８１がマークとなるように加熱処理を行ったが、加熱処理部がマークになるように処理を行っても良い。この場合は、加熱処理によって核形成促進状態となるように、ＷＯ記録マーク形成材料の組合せまたは積層順を変える必要がある。
【００７６】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr1）に再生パワーを上げて、再生層を結晶化させ、反射率変化を生じさせる。本実施例の再生層は、核形成促進物資に接していると１３０℃から結晶化し始めるが、核形成促進物質に接していない場合には、２００℃から結晶化し始めるという結晶化特性を持つため、拡大再生温度は１３０℃以上、２００℃未満である。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＷＯマークを再生したところ、実施例１と同様の結果が得られた。
【００７７】
（従来例との比較）
次にマークサイズを変えながら、従来例と比較して拡大再生の効果を調べ、表５に示した。拡大再生の効果は、両再生結果の差を示した。従来例には、再生層を持たず、２層の反応により反射率変化を生じるＷＯディスクを用いた。この従来媒体の構造は図３８に示した。また、この媒体にマークサイズを変えて記録を行った後、再生した。
【００７８】
【表５】
2006059485.tif 000007
【００７９】
以上より、拡大再生の効果はマークサイズが回折限界以下になる１００ｎｍ以下において、顕著であることが分かる。
【００８０】
（核形成材料の組成）
実施例２のディスクについて、核形成促進材料を変えながら、最短マークサイズ８０ｎｍ（２Ｔ）の信号のCNRを測定したところ、次のようになった。
【００８１】
【表６】
2006059485.tif 000008
【００８２】
これより、上記核形成促進材料を用いマークとスペースを形成すると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。
【００８３】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法等については、実施例１と同様である。
【実施例３】
【００８４】
実施例３は、上記（２）の結晶材料からなるＲＯＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。
【００８５】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図１３は、この発明の第３実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１０５を膜厚１０ｎｍ、Ｓｂ−ＢｉよりなるＲＯＭ記録マーク形成材料１２２を膜厚２０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板２が約０．１μｍが形成されている。
【００８６】
媒体作製工程は、材料が異なる以外は、実施例１と同様である。記録マークは、加熱処理でＳｂ−Ｂｉを結晶化させたところを残し、マークとスペースを形成した。
【００８７】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr2）に再生パワーを上げて、再生層を結晶化させ、反射率変化を生じさせる。本実施例の再生層は、結晶に接していると１６５℃から結晶化し始めるが、結晶に接していない場合には、２２０℃から結晶化し始めるという結晶化特性を持つため、拡大再生温度は１６５℃以上、２２０℃未満である。
【００８８】
記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＯＭマークを再生した。Pfは０．３ｍＷとし、拡大再生パワー（Pr2）を変えながら、記録マークのCNRを調べたところ、図１７に示すような再生結果が得られた。
【００８９】
Pfと同じ、０．３ｍＷではマークからの信号は検出できず、Pfより高い２．２ｍＷでCNR４０ｄＢ、２．４ｍＷで４５ｄＢ、最大５０ｄＢが得られた。更にパワーを高くして拡大再生すると、３．６ｍＷで４５ｄＢ、３．７ｍＷで４０ｄＢになった。フォーカス・トラッキング用再生パワーは、０．２ｍＷから０．５ｍＷにて安定にトラッキングできる。
【００９０】
このように、良好な拡大再生特性が得られる、フォーカス・トラッキング用再生パワー（Pf）と拡大再生パワー（Pr2）の関係は、
４ｘPf≦Pr2
であることが分かった。
【００９１】
（結晶材料の組成）
実施例３のディスクについて、ＲＯＭ記録マーク形成材料（結晶材料）を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、次のようになった。
【００９２】
【表７】
2006059485.tif 000009
【００９３】
これより、Ｓｂ−Ｂｉ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ，Ｓｂ，Ｔａ−Ｎ，Ｔａ−Ｏ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ−Ｎ，Ｓｉ−Ｏ−Ｎ，Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ｗ−Ｏ，Ｔａ−Ｏ，Ｂｉを結晶材料に用いて記録マークを形成すると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。
ここに記載していない結晶材料でも上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【００９４】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１、２と同様である。
【実施例４】
【００９５】
実施例４は、上記（２）の結晶材料からなるＷＯ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。
【００９６】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図１４は、この発明の第４実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ，Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１０５を膜厚１０ｎｍ，Ａｌ−ＴｅよりなるＲＯＭ記録マーク形成材料１２２を膜厚２０ｎｍ，ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ，紫外線硬化樹脂よりなる基板２が約０．１μｍが形成されている。
【００９７】
媒体作製工程は、材料が異なる以外は、実施例１と同様である。記録マークは、加熱処理でＡｌ−Ｔｅを結晶化及び結晶化していないところから、マークとスペースを形成した。
媒体作製工程は、一部材料が異なる他は実施例２と同様である。
【００９８】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr2）に再生パワーを上げて、再生層を結晶化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＷＯマークを再生したところ、実施例３と同様の結果が得られた。
【００９９】
（結晶材料の組成）
実施例４のディスクについて、結晶材料を変えながら、マークサイズ８０ｎｍの信号のCNRを測定した。
【０１００】
【表８】
2006059485.tif 000010
【０１０１】
これより、Ａｌ−Ｔｅ，Ａｌ−Ｔｅ−Ｎ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｔｅ−Ｎを結晶材料に用いると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。
【０１０２】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜３と同様である。
【実施例５】
【０１０３】
実施例５は、上記（２）の結晶材料からなるＲＡＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。なお、ＲＡＭ記録マークとは、書換え可能な方式の記録マークを意味する。
【０１０４】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図１５は、この発明の第５実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この媒体は次のようにして製作された。
【０１０５】
図１６に媒体作製工程を示した。まず、工程１として、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ１５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１０５を膜厚１０ｎｍ、Ｇｅ−ＴｅよりなるＲＡＭ記録マーク形成材料１５１を膜厚２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍを順次スパッタリングにより形成した。その後、スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍ形成した。
【０１０６】
次に、工程２として、ＲＡＭ記録マーク形成材料１５１に、レーザ光３４を有する情報記録装置にて、記録情報に対応した記録パルスによって、局所的に加熱処理を行った。加熱処理により、高温加熱処理部１５２は、ＲＡＭ記録マーク形成材料１０５が非晶質化、低温加熱処理部１５１は結晶化した。このようにして、ＲＡＭ記録マーク１５１が形成された。
【０１０７】
ここでは、工程２のＲＡＭ記録マーク形成に、波長は４０５ｎｍであり、開口数は０．８５のレーザを用いているが、更に波長の小さいレーザ光や開口数の大きなレーザ光を用いて記録を行ったり、線速度を変えて加熱処理を行ってもよい。
【０１０８】
基板、保護層を形成せず、RAM記録マーク用形成材料を表面にして加熱処理を行った後に、基板や保護層を形成しても良い。この場合、レーザ照射以外に電子線照射による加熱や局所的な電流加熱などの方法を用いることも出来る。
【０１０９】
また、ここでは高温加熱処理部１５２がスペース、低温加熱処理部１５１がマークとなるように加熱処理を行ったが、高温加熱処理部がマークになるように処理を行っても良い。
【０１１０】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr2）に再生パワーを上げて、再生層を結晶化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例３と同様の結果が得られた。
【０１１１】
（再生層１０５の組成）
実施例５のディスクについて、再生層５の材料を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、表９のようになった。ここで示したCNRは、拡大再生パワー内の最大値である。拡大再生パワーはCNRが４０ｄＢ以上となる範囲を示した。
【０１１２】
【表９】
2006059485.tif 000011
【０１１３】
基板、保護層を形成せず、ＲＡＭ記録マーク用形成材料を表面にして加熱処理を行った後に、基板や保護層を形成しても良い。この場合、レーザ照射以外に電子線照射による加熱や局所的な電流加熱などの方法を用いることも出来る。
【０１１４】
また、ここでは高温加熱処理部１５２がスペース、低温加熱処理部１５１がマークとなるように加熱処理を行ったが、高温加熱処理部がマークになるように処理を行っても良い。
【０１１５】
本実施例の再生層のいずれかの構成元素の含有量が上記の組成から３原子％以上ずれた場合、結晶化速度が速過ぎたり、遅すぎたりして拡大マーク形状が歪むなどの問題点が起こった．従って、不純物元素は３原子％未満であることが好ましい。より好ましくは１原子％未満である。
【０１１６】
（結晶材料の組成）
実施例５のディスクについて、ＲＡＭ記録マーク形成材料１５１（結晶材料）を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、次のようになった。
【０１１７】
【表１０】
2006059485.tif 000012
【０１１８】
これより、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｓｉ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂを結晶材料に用いて記録マークを形成すると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。
ここに記載していない結晶材料でも拡大再生効果うち、上記結果に近いCNRが見られた。
【０１１９】
書換え可能回数を調べると、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｎが１００回を越え、良好であることが分かった。
【０１２０】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜４と同様である。
【実施例６】
【０１２１】
実施例６は、上記（３）の吸収率が大きいＷＯ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。
【０１２２】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図２０は、この発明の第６実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、ＡｇとＺｎＳよりなるＷＯ記録マーク形成材料１９１を膜厚２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を３０ｎｍ、スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍに形成されている。
【０１２３】
媒体作製工程は、工程１において、再生層とＷＯ記録マーク形成材料の間に中間層を形成する点以外は、実施例２と同様である。記録マークとスペースは、工程２で加熱処理によりＡｇとＺｎＳをＡｇＳに反応させることで、吸収率を変化させ、形成した。このようにしてＡｇとＺｎＳからなるＷＯ記録マーク１９１とＡｇＳを有するスペース１９２からなるスペース１９２が形成された。
【０１２４】
また、ここでは加熱処理部１９２がスペース、未処理部１９１がマークとなるように加熱処理を行ったが、加熱処理部がマークになるように処理を行っても良い。この場合は、加熱処理によって吸収率が大きくなるように、ＷＯ記録マーク形成材料と反応または拡散する層の材料を変える必要がある。
【０１２５】
（拡大再生準備方法）
前記のようにして製作したディスクの再生層５に次のようにして初期結晶化を行った。前記情報記録媒体ディスクを線速度が５ｍ／ｓであるように回転させ、３ｍＷの、ウインド幅（Ｔｗ）の１／２以下のパルス光を再生層５に照射して、初期結晶化を行った。長円形のビームで結晶化させてもよい。実施例１〜５、１５〜１９と異なり、本実施例の拡大再生方法では、拡大再生後にスポットが通り過ぎると再生層が冷却する過程で結晶化するため、拡大再生のたびに再生準備を行う必要がなかった。
【０１２６】
（情報再生方法及び情報再生装置）
情報再生装置は、記録時のパルスには、高パワーレベルは１０ｍＷ、中間パワーレベルは３ｍＷ、低パワーレベルは０．５ｍＷを使用した点以外は、実施例１と同様である。
【０１２７】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr3）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。溶融温度に達すると溶融化（非晶質化）する。溶融化温度は約５４０℃以上であるが、吸収率が大きい部分（記録マーク）では、吸収率が小さい部分（記録マーク以外）に比べて、温度が高くなり、再生パワーが低いところから非晶質化が生じる。このように、記録マーク部とその周辺の温度が上昇するため、記録マークより大きな範囲が非晶質化する。
【０１２８】
記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＯＭマークを再生した。Pfは０．３ｍＷとし、拡大再生パワー（Pr3）を変えながら、記録マークのCNRを調べたところ、図２１に示すような再生結果が得られた。Pfと同じ、０．３ｍＷではマークからの信号は検出できず、Pfより高い３．６ｍＷでCNR４０ｄＢ、３．８ｍＷで４５ｄＢ、最大５１ｄＢが得られた。更にパワーを高くして拡大再生すると、５．６ｍＷで４５ｄＢ、５．８ｍＷで４０ｄＢになった。フォーカス・トラッキング用再生パワーは、０．２ｍＷから０．５ｍＷにて安定にトラッキングできる。
【０１２９】
このように、良好な拡大再生特性が得られる、フォーカス・トラッキング用再生パワー（Pf）と拡大再生パワー（Pr3）の関係は、
７ｘPf≦Pr3
であることが分かった。
【０１３０】
（従来例との比較）
次にマークサイズを変えながら、従来例と比較して拡大再生の効果を調べ、表１１に示した。拡大再生の効果は、両再生結果の差を示した。
従来例には、再生層を持たず、２層の反応により反射率変化を生じるＷＯディスクを用いた。この従来媒体の構造は図３８に示した。また、この媒体にマークサイズを変えて記録を行った後、再生した。
【０１３１】
【表１１】
2006059485.tif 000013
【０１３２】
以上より、拡大再生の効果はマークサイズが回折限界以下になる１００ｎｍ以下において、顕著であることが分かる。
【０１３３】
また、記録マークが拡大した場合のサイズを調べたところ、スポット進行方向の拡大再生マークサイズは、スポット径よりは大きくならなかった。
【０１３４】
（再生層１７５の組成）
実施例６のディスクについて、再生層１７５の材料を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、表１２のようになった。ここで示したCNRは、拡大再生パワー内の最大値である。拡大再生パワーはCNRが４０ｄＢ以上となる範囲を示した。
【０１３５】
【表１２】
2006059485.tif 000014
【０１３６】
これより、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎを再生層材料に用いると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。このうち、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，ＧｅＢｉＴｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅは４５ｄＢ以上とより良好である。
【０１３７】
また、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｏ、は再生パワーが低く、再生感度が良いことが分かった。更に、Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｓｂ−Ｔｅは拡大再生パワーの幅が２．７ｍＷと大きく、拡大再生の安定性が良いことが分かった。
【０１３８】
ここに記載していない相変化材料でも非晶質化、反射率変化するタイプの材料系では、上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【０１３９】
本実施例の再生層のいずれかの構成元素の含有量が上記の組成から３原子％以上ずれた場合、結晶化速度が速過ぎたり、遅すぎたりして拡大マーク形状が歪むなどの問題点が起こった．従って、不純物元素は３原子％未満であることが好ましい。より好ましくは１原子％未満である。
【０１４０】
（吸収率変化材料の組成）
実施例６のディスクについて、吸収率変化材料１７４の組合せを変えながら、マークサイズ８０ｎｍの信号のCNRを測定したところ、次のようになった。
【０１４１】
【表１３】
2006059485.tif 000015
【０１４２】
これより、上記に記載したような材料を吸収率変化材料に用いると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。また、加熱後の状態について調べたところ、上記のようになった。
【０１４３】
このように加熱により、吸収率が変化する方法は、酸化、化合、還元のような化学反応、拡散、合金化、などがあるが、吸収率が変化すれば、どの方法を用いてもよいことが分かった。
【０１４４】
このなかで、変化する温度が高いＷＯ３，ＴａＯｘ等を用いた酸化・還元反応等は、安定で拡大再生の可能回数が大きいことが分かった。一方、変化する温度が高すぎると、記録時のパワーが高くなりすぎ、保護層材料の拡散、反応や基板変形など、記録によってノイズ増加が生じてしまうことも分かった。再生パワーは７ｍＷ以下であればノイズ増加が５ｄＢ以下で好ましく、６ｍＷ以下であると３ｄＢ以下となり、より好ましかった。
【０１４５】
（中間層）
この他、前記中間層１９３中のＣｒ２Ｏ３をＳｎＯ２，ＺｎＳ−ＳｉＯ２，Ｔａ−Ｏ系材料あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の結果が得られた。
ここに記載していない保護層材料でも上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【０１４６】
保護層１９３を形成しなくても、拡大再生の効果を得ることは出来る。しかし、拡大再生可能回数が１桁低下する。
【０１４７】
（保護層）
この他、前記保護層８中のＣｒ２Ｏ３をＳｎＯ２，ＺｎＳ−ＳｉＯ２，Ｔａ−Ｏ系材料あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の結果が得られた。
ここに記載していない保護層材料でも上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【０１４８】
保護層８を形成しなくても、拡大再生の効果を得ることは出来る。しかし、拡大再生可能回数が２桁低下する。
【０１４９】
また、上記吸収率変化材料のうち１層と保護層を兼ねることも出来る。例えば、保護層がＺｎＳで吸収率変化材料がＡｇとＺｎＳの場合、保護層がＴａ−Ｏで、吸収率変化材料がＴａ−ＯとＷＯ３などの場合である。この場合、吸収率変化材料の一部と保護層を連続的に形成することで、製膜工程が短くなり、低コスト化できる。
【０１５０】
（反射層６の組成）
この他、前記反射層６中のＡｇＰｄＣｕをこのほかのＡｇ化合物、Ａｌ化合物、Ａｕ化合物、Ｃｒ化合物あるいは上記材料の混合物のいずれかで置き換えても、同様の結果が得られた。
ここに記載していない反射層材料でも上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【０１５１】
反射層６を形成しなくても、拡大再生の効果を得ることは出来る。しかし、記録マークを形成する場合の加熱処理後の熱がこもりやすく、小さな記録マークを形成時の揺らぎが大きくなり、CNRが５ｄＢ低下する。
【０１５２】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、保護層、反射層の材料、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、評価方法等については、実施例１〜５と同様である。
【実施例７】
【０１５３】
実施例７は、上記（３）の吸収率が大きいＲＯＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。
【０１５４】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図２２は、この発明の第７実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層５を膜厚１０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、Ｂｉ−Ｔｅ−ＮよりなるＲＯＭ記録マーク形成材料２１１を膜厚２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を３０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板２約０．１μｍが形成されている。媒体作製工程は、材料、中間層が追加された以外は、実施例１と同様である。
【０１５５】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr3）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＯＭマークを再生したところ、実施例６と同様の結果が得られた。
【０１５６】
（保護層と吸収率が異なる材料の組成）
実施例７のディスクについて、ＲＯＭ記録マーク形成材料（保護層と吸収率が異なる材料）を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、次のようになった。
【０１５７】
【表１４】
2006059485.tif 000016
【０１５８】
これより、Ｂｉ−Ｔｅ−Ｎ，Ｓｎ−Ｔｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｎ，Ｇｅ−Ｃｒ−Ｎ，Ｔａ−Ｎ，Ｔａ，Ｓｎ−Ｔｅ−Ｎ，Ｓｉ，Ｓｎ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｔｅ，Ｂｉ−Ｓｂ，Ｃｒ−Ｎ，Ｓｎ−Ｎ，Ｔａを保護層と吸収率が異なる材料に用いて記録マークを形成すると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。
【０１５９】
ここに記載していない吸収率変化材料でも、ＲＯＭの場合は加熱で吸収率が変化する必要はなく、保護層と吸収率が異なれば、上記結果に近い拡大再生効果は見られた。
【０１６０】
また、ここでは高温加熱処理部１５２がスペース、低温加熱処理部１５１がマークとなるように加熱処理を行ったが、高温加熱処理部がマークになるように処理を行っても良い。
【実施例８】
【０１６１】
実施例８は、上記（３）の吸収率が大きいＲＡＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例を説明する。
【０１６２】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図２３は、この発明の第８実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ１５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、ＳｉＴｅよりなるＲＡＭ記録マーク形成材料を膜厚２０ｎｍ，ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を３０ｎｍ、スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍが形成されている。媒体作製工程は、材料が異なるほかは実施例５と同様である。
【０１６３】
次に、工程２として、ＲＡＭ記録マーク形成材料に、レーザ光３４を有する情報記録装置にて、記録情報に対応した記録パルスによって、局所的に加熱処理を行った。加熱処理により、高温加熱処理部は、ＲＡＭ記録マーク形成材料が非晶質化、低温加熱処理部は結晶化した。このようにして、ＲＡＭ記録マーク２２１とスペース２２２が形成された。
【０１６４】
また、ここでは高温加熱処理部がスペース２２２、低温加熱処理部がマーク２２１となるように加熱処理を行ったが、高温加熱処理部がマークになるように処理を行っても良い。
【０１６５】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr3）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例６と同様の結果が得られた。
【０１６６】
（ＲＡＭ記録マーク形成材料）
実施例８のディスクについて、ＲＡＭ記録マーク形成材料（吸収率変化材料）を変えながら、マークサイズを８０ｎｍとしたときの信号のCNRを測定したところ、次のようになった。
【０１６７】
【表１５】
2006059485.tif 000017
【０１６８】
これより、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｓｉ−Ｔｅ，Ｃｕ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｔｅ，Ａｇ−Ｓｂを結晶材料に用いて記録マークを形成すると、記録マークが拡大されCNRが４０ｄＢ以上と良好な信号が得られることが分かった。ここに記載していない結晶材料でも拡大再生効果うち、上記結果に近いCNRが見られた。
【０１６９】
書換え可能回数を調べると、Ｇｅ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｔｅ−Ｎが１００回を越え、良好であることが分かった。
【０１７０】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜７と同様である。
【実施例９】
【０１７１】
実施例９は、上記（３）の吸収率が大きいＷＯ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例６と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０１７２】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図２５は、この発明の第９実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｂｉ−Ｔｅ−ＮよりなるＷＯ記録マーク形成材料を膜厚２０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ，紫外線硬化樹脂よりなる基板２を約０．１μｍの膜厚に形成されている。媒体作製工程は、材料、層構成順が異なる以外は、実施例１とほぼ同様である。
【０１７３】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr2）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＷＯマークを再生したところ、実施例６と同様の結果が得られた。
【０１７４】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜８と同様である。
【実施例１０】
【０１７５】
実施例１０は、上記（３）の吸収率が大きいＲＯＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例７と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０１７６】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図２６は、この発明の第１０実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｂｉ−Ｔｅ−ＮよりなるＲＯＭ記録マーク形成材料２１１を膜厚２０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板約０．１μｍが形成されている。媒体作製工程は、材料、層構成順が異なる以外は、実施例２と同様である。
【０１７７】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr1）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＯＭマークを再生したところ、実施例７と同様の結果が得られた。
【０１７８】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜９と同様である。
【実施例１１】
【０１７９】
実施例９は、上記（３）の吸収率が大きいＲＡＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例８と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０１８０】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図２７は、この発明の第１１実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ１５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、ＳｉＴｅよりなるＲＡＭ記録マーク形成材料２２１を膜厚２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を３０ｎｍ，スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍが形成されている。媒体作製工程は、材料が異なるほかは実施例５と同様である。
【０１８１】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr3）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例８と同様の結果が得られた。
【０１８２】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜９と同様である。
【実施例１２】
【０１８３】
実施例１２は、上記（３）の吸収率が大きいＷＯ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例６、９と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０１８４】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図２９は、この発明の第１２実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｂｉ−Ｔｅ−ＮよりなるＷＯ記録マーク形成材料１９１を膜厚２０ｎｍ，Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板約０．１μｍが形成されている。
媒体作製工程は、材料、構成順、反射層の有無が異なる以外は、実施例１と同様である。
【０１８５】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr2）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例６と同様の結果が得られた。
【０１８６】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜８と同様である。
【実施例１３】
【０１８７】
実施例１３は、上記（３）の吸収率が大きいＲＯＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例７、１０と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０１８８】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３０は、この発明の第１３実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｂｉ−Ｔｅ−ＮよりなるＲＯＭ記録マーク形成材料２１１を膜厚２０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ，紫外線硬化樹脂よりなる基板約０．１μｍが形成されている。
【０１８９】
媒体作製工程は、材料、層構成順が異なる以外は、実施例１と同様である。
工程は、材料、構成順、反射層の有無が異なるのみで実施例２とほぼ同様である。
【０１９０】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr1）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例６と同様の結果が得られた。
【０１９１】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜１３と同様である。
【実施例１４】
【０１９２】
実施例１４は、上記（３）の吸収率が大きいＲＡＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例８、１１と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０１９３】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３１は、この発明の第１４実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、ＳｉＴｅよりなるＲＡＭ記録マーク形成材料を膜厚２０ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる中間層１９３を２ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ１５よりなる再生層１７５を膜厚１０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を３０ｎｍ、スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍが形成されている。
媒体作製工程は、材料、構成順、反射層の有無が異なるほかは実施例５と同様である。
【０１９４】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr3）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例８と同様の結果が得られた。
【０１９５】
本実施例に記載されていない、例えば保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１〜１４と同様である。
【実施例１５】
【０１９６】
実施例１５は、上記（１）の核形成材料からなるＲＯＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例１と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０１９７】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３２は、この発明の第１５実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｂｉ−Ｔｅ−ＮよりなるＲＯＭ記録マーク３１４を膜厚２０ｎｍ、Ｇｅ８Ｓｂ２Ｔｅ１１よりなる再生層５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板約０．１μｍが形成されている。
媒体作製工程は、材料、層構成順が異なる以外は、実施例１と同様である。
【０１９８】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr1）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例１と同様の結果が得られた。
【０１９９】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、核形成促進材料、保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１と同様である。
【実施例１６】
【０２００】
実施例１６は、上記（１）の核形成材料からなるＷＯ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例２と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０２０１】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３３は、この発明の第１６実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｓｉ−Ｔｅ−ＮとＴｉ−ＮよりなるＲＯＭ記録マークおよびスペースを膜厚２０ｎｍ、Ｇｅ８Ｓｂ２Ｔｅ１１よりなる再生層５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板約０．１μｍが形成されている。
媒体作製工程は、材料、層構成順が異なる以外は、実施例２と同様である。
【０２０２】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr1）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例２と同様の結果が得られた。
【０２０３】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、核形成促進材料、保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１、２、１５と同様である。
【実施例１７】
【０２０４】
実施例１７は、上記（２）の結晶材料からなるＲＯＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例３と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０２０５】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３４は、この発明の第１７実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｓｂ−ＢｉよりなるＲＯＭ記録マーク形成材料を膜厚２０ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１０５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板２が約０．１μｍが形成されている。
媒体作製工程は、材料、構成順が異なるのみで実施例１とほぼ同様である。
【０２０６】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr2）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例２と同様の結果が得られた。
【０２０７】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、核形成促進材料、保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例１、２、１５と同様である。
【実施例１８】
【０２０８】
実施例１８は、上記（２）の結晶材料からなるＷＯ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例４と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０２０９】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３５は、この発明の第１８実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ａｌ−ＴｅよりなるＷＯ記録マーク３４２およびスペースを膜厚２０ｎｍ、Ｇｅ５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１０５を膜厚１０ｎｍ、ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、紫外線硬化樹脂よりなる基板２が約０．１μｍが形成されている。
【０２１０】
媒体作製工程は、材料が異なる以外は、実施例２と同様である。
記録マークは、加熱処理でＡｌ−Ｔｅを結晶化及び結晶化していないところから、マークとスペースを形成した。
媒体作製工程は、一部材料、積層順が異なる他は実施例２と同様である。
【０２１１】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr2）に再生パワーを上げて、再生層を非晶質化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例２と同様の結果が得られた。
【０２１２】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、核形成促進材料、保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例３〜５、１７と同様である。
【実施例１９】
【０２１３】
実施例１９は、上記（２）の結晶材料からなるＲＡＭ記録マークに基づいて、再生層に拡大マークが形成される例で、実施例５と情報記録媒体の構成が異なる例を説明する。
【０２１４】
（本発明の情報記録媒体の構成、製法）
図３６は、この発明の第１９実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。
この媒体は次のようにして製作された。
【０２１５】
図１６に媒体作製工程を示した。まず、工程１として、直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍで表面にトラックピッチが０．２μｍでランド・グルーブ記録のトラッキング用の溝を有するポリカーボネイト保護基板７上に、Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１よりなる反射層６を２００ｎｍ、Ｃｒ２Ｏ３よりなる保護層８を２０ｎｍ、Ｇｅ１５Ｓｂ７０Ｔｅ２５よりなる再生層１０５を膜厚１０ｎｍ、Ｇｅ−ＴｅよりなるＲＡＭ記録マーク形成材料１５１を膜厚２０ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２よりなる保護層３を２０ｎｍ、を順次スパッタリングにより形成した。
その後、スピンコートにより紫外線硬化樹脂による基板２を厚さ約０．１μｍ形成した。
【０２１６】
（本発明の情報再生方法）
拡大再生を行う際は、フォーカス・トラッキングを行う再生光（Pf）から拡大再生パワー（Pr3）に再生パワーを上げて、再生層を結晶化させ、反射率変化を生じさせる。記録マークサイズが回折限界以下となる８０ｎｍのＲＡＭマークを再生したところ、実施例３と同様の結果が得られた。
【０２１７】
本実施例に記載されていない、例えば再生層、核形成促進材料、保護層、反射層、基板、情報再生方法及び情報再生装置、拡大再生準備方法、拡大再生結果等については、実施例３〜５、１６〜１８と同様である。
【０２１８】
なお、本明細書では、結晶−非晶質間の相変化ばかりでなく、結晶−融解間、融解（液相への変化）と再結晶化の相変化も含むものとして「相変化」という用語を使用する。
【図面の簡単な説明】
【０２１９】
【図１】本発明による第１の実施例の概念図。
【図２】本発明による第１の実施例の再生層の結晶化特性。
【図３】本発明による第１の実施例の媒体の断面図。
【図４】本発明による第１の実施例の媒体作製工程。
【図５】記録波形の概略図。
【図６】本発明による情報再生装置の概略図。
【図７】本発明による情報再生装置のスポット配置図。
【図８】本発明による第１の実施例の再生特性。
【図９】本発明による第２の実施例の媒体の断面図。
【図１０】本発明による第２の実施例の媒体作製工程。
【図１１】本発明による第３の実施例の概念図。
【図１２】本発明による第３の実施例の再生層の結晶化特性。
【図１３】本発明による第３の実施例の媒体の断面図。
【図１４】本発明による第４の実施例の媒体の断面図。
【図１５】本発明による第５の実施例の媒体の断面図。
【図１６】本発明による第５の実施例の媒体作製工程。
【図１７】本発明による第３の実施例の再生特性。
【図１８】本発明による第６の実施例の概念図。
【図１９】本発明による第６実施例の再生層の反射率特性。
【図２０】本発明による第６の実施例の媒体の断面図。
【図２１】本発明による第６の実施例の再生特性。
【図２２】本発明による第７の実施例の媒体の断面図。
【図２３】本発明による第８の実施例の媒体の断面図。
【図２４】本発明による第９の実施例の概念図。
【図２５】本発明による第９の実施例の媒体の断面図。
【図２６】本発明による第１０の実施例の媒体の断面図。
【図２７】本発明による第１１の実施例の媒体の断面図。
【図２８】本発明による第１２の実施例の概念図。
【図２９】本発明による第１２の実施例の媒体の断面図。
【図３０】本発明による第１３の実施例の媒体の断面図。
【図３１】本発明による第１４の実施例の媒体の断面図。
【図３２】本発明による第１５の実施例の媒体の断面図。
【図３３】本発明による第１６の実施例の媒体の断面図。
【図３４】本発明による第１７の実施例の媒体の断面図。
【図３５】本発明による第１８の実施例の媒体の断面図。
【図３６】本発明による第１９の実施例の媒体の断面図。
【図３７】従来例による情報記録媒体の一例の断面図。
【図３８】従来例による情報記録媒体の一例の断面図。
【符号の説明】
【０２２０】
５１…スポット
５２…ヘッド
５３…レーザ光源
５４…コリメートレンズ
５５…光ビーム
５６…対物レンズ
５７…ビームスプリッタ
５８…ホログラム素子
５９…サーボ用検出器
６０…信号検出器
６１…駆動手段
６２…信号再生ブロック
Tw…ウインド幅
Pw…高パワーレベル
Pe…中間パワーレベル
Pb…低パワーレベル
【図１】
2006059485.tif 000018
【図２】
2006059485.tif 000019
【図３】
2006059485.tif 000020
【図４】
2006059485.tif 000021
【図５】
2006059485.tif 000022
【図６】
2006059485.tif 000023
【図７】
2006059485.tif 000024
【図８】
2006059485.tif 000025
【図９】
2006059485.tif 000026
【図１０】
2006059485.tif 000027
【図１１】
2006059485.tif 000028
【図１２】
2006059485.tif 000029
【図１３】
2006059485.tif 000030
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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