(57)【要約】【課題】上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくする。【解決手段】本発明に係る成膜装置は、複数の半導体ウェハ１を上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材１０と、半導体ウェハ１をウェハ保持部材１０まで搬送して保持させる搬送部２０と、搬送部２０に設けられ、既にウェハ保持部材１０に保持されている半導体ウェハ１の位置を検出する位置検出センサ２４ａと、位置検出センサ２４ａの検出結果に基づいて搬送部２０を制御し、搬送中の半導体ウェハ１の水平面内における位置を、既にウェハ保持部材１０に保持されている半導体ウェハ１の水平面内における位置に合わせる制御部４０とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送し、前記ウェハ保持部材に保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部と、
を具備する成膜装置。
【請求項２】
前記搬送部は、半導体ウェハを下から順に前記ウェハ保持部材に保持させ、
前記位置検出センサは、前記搬送部の下面に設けられている請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記搬送部は、
略板状の第１のベース部材と、
前記第１のベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの下面を吸着する吸着部と、
前記半導体ウェハの縁に沿う形状の第２のベース部材と、
を具備し、前記位置検出センサは、前記第２のベース部材の下面に設けられている請求項１又は２に記載の成膜装置。
【請求項４】
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる搬送部と、
前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハそれぞれの、水平面内での位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する成膜装置。
【請求項５】
前記位置検出センサは、前記搬送部に設けられている請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記搬送部は、
略板状のベース部材と、
前記ベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面略中央部を吸着する吸着部と、
を具備し、前記位置検出センサは、前記搬送部の前記ベース部材の先端部近傍に設けられている請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記位置検出センサは、光反射型センサである請求項１〜６のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項８】
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、半導体ウェハを搬送して保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部と、
を具備する成膜装置。
【請求項９】
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、半導体ウェハを搬送して保持させる搬送部と、
前記カセットに保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記カセットに保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する成膜装置。
【請求項１０】
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
搬送部を用いて、半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送する工程と、
既に該ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの平面位置を、前記搬送部に設けられた位置検出センサを用いて検出しつつ、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせた後、前記ウェハ保持部材に半導体ウェハを保持させる工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
複数の半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる工程と、
位置検出センサを用いて、前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる成膜装置に関する。また、本発明は、成膜される膜の均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７は、従来の成膜装置の構成を説明する為の側面概略図である。本図に示す成膜装置は縦型ＣＶＤ装置であり、反応室（図示せず）の内部にボード１１０を有する。ボード１１０は、複数の支柱１１２を有している。支柱１１２それぞれの側面には、凹部１１２ａが上下に複数並んで設けられており、凹部１１２ａそれぞれにシリコンウェハ１０１を差し込むことにより、シリコンウェハ１０１を上下に離間して保持する。シリコンウェハ１０１は、搬送装置１２０によってカセット１３０の内部からボード１１０まで搬送される。
【０００３】
そして、原料ガスを反応室の内部に注入し、反応室の内部を所定の温度に維持する。これにより、複数のシリコンウェハ１０１それぞれには膜が成膜される。
【特許文献１】特開平１０−２４２２４５号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
複数の半導体ウェハそれぞれに成膜される膜は、半導体ウェハ相互間でのばらつきが小さいのが望ましい。従来は、温度、圧力、原料ガス流量などの成膜条件を調整すること、及び、半導体ウェハを保持するウェハ保持部材（例えばボード）の形状を工夫することにより、複数の半導体ウェハそれぞれの全面に、均一に原料ガスが供給されるようにしていた。これにより、ある程度、半導体ウェハ相互間での膜のばらつきが抑制される。しかし、近年は、さらに膜の均一性を向上させることが望まれている。
【０００５】
半導体ウェハ相互間での膜のばらつきをさらに抑制するには、半導体ウェハの水平面内における位置のばらつきを小さくすることが有効である。しかし、ウェハ保持部材のウェハ保持部分（例えばボードの凹部）にはマージンがあり、また、搬送装置の移動位置再現性にも多少のばらつきがある。このため、半導体ウェハの水平面内での位置は、多少ばらついていた。
【０００６】
また、カセット内部において半導体ウェハの位置がばらついている場合、カセットから半導体ウェハを取り出す際に、搬送装置に対する半導体ウェハの位置がばらつくため、搬送先のウェハ保持部材における半導体ウェハの位置もばらついてしまう。
【０００７】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、上下に離間している複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる成膜装置を提供することにある。また、本発明の他の目的は、複数の半導体ウェハに同時に成膜処理をする場合に、半導体ウェハ相互間における膜の均一性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明に係る成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送し、前記ウェハ保持部材に保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部とを具備する。
【０００９】
この成膜装置によれば、搬送部は、半導体ウェハをウェハ保持部材に保持させるとき、この半導体ウェハの水平面内における位置を、既に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる。従って、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
【００１０】
前記搬送部が、半導体ウェハを下から順に前記ウェハ保持部材に保持させる場合、前記位置検出センサは、前記搬送部の下面に設けられているのが好ましい。この場合、搬送部が、略板状の第１のベース部材と、第１のベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面を吸着する吸着部と、前記半導体ウェハの縁に沿う形状の第２のベース部材とを具備し、前記位置検出センサは、前記第２のベース部材の下面に設けられていてもよい。
【００１１】
本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材と、
複数の半導体ウェハそれぞれを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる搬送部と、
前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハそれぞれの、水平面内での位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部と、
を具備する。
【００１２】
この成膜装置によれば、複数の半導体ウェハの水平面内における位置は、位置検出センサによる半導体ウェハの位置検出結果に基づいて修正される。従って、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
【００１３】
位置検出センサは、前記搬送部に設けられているのが好ましい。このようにすると、位置検出センサを移動させる機構を新たに設ける必要がない。なお、搬送部が、略板状のベース部材と、前記ベース部材に設けられ、前記半導体ウェハの半導体ウェハの下面略中央部を吸着する吸着部とを具備している場合、前記位置検出センサは、前記搬送部の前記ベース部材の先端部近傍に設けられているのが好ましい。このようにすると、位置検出センサを半導体ウェハに近づけやすくなるため、位置検出センサの測定誤差を小さくすることができる。
位置検出センサは、例えば光反射型センサである。
【００１４】
本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、半導体ウェハを搬送して保持させる搬送部と、
前記搬送部に設けられ、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、既に前記カセットに保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせる制御部とを具備する。
【００１５】
この成膜装置によれば、カセット内部において、複数の半導体ウェハ相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。このため、次の工程で、従来型の搬送装置を用いて半導体ウェハをカセットからボード等に搬送する場合、搬送先における、半導体ウェハの水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
【００１６】
本発明に係る他の成膜装置は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するカセットに、複数の半導体ウェハそれぞれを搬送して保持させる搬送部と、
前記カセットに保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出する位置検出センサと、
前記位置検出センサの検出結果に基づいて前記搬送部を制御し、前記カセットに保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する制御部とを具備する。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
搬送部を用いて、半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送する工程と、
既に該ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの平面位置を、前記搬送部に設けられた位置検出センサを用いて検出しつつ、搬送中の半導体ウェハの水平面内における位置を、前記ウェハ保持部材に保持されている半導体ウェハの水平面内における位置に合わせた後、前記ウェハ保持部材に半導体ウェハを保持させる工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程とを具備する。
【００１８】
この半導体装置の製造方法によれば、ウェハ保持部材において、複数の半導体ウェハ相互間における水平面方向の位置ずれが小さくなる。従って、複数の半導体ウェハ相互間において、成膜される膜の均一性を向上させることができる。
【００１９】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、複数の半導体ウェハを上下に離間した状態で保持するウェハ保持部材を準備する工程と、
複数の半導体ウェハを前記ウェハ保持部材まで搬送して保持させる工程と、
位置検出センサを用いて、前記ウェハ保持部材に保持された複数の半導体ウェハの水平面内における位置を検出し、前記位置検出センサの検出結果に基づいて、前記ウェハ保持部材に保持された前記複数の半導体ウェハの水平面内における位置を修正する工程と、
前記ウェハ保持部材に保持されている複数の半導体ウェハに成膜処理を行う工程とを具備する。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する為の側面概略図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の上面図である。本図に示す成膜装置は、縦型ＣＶＤ装置であり、例えばトランジスタのゲートサイドウォールとなる酸化シリコン膜を、シリコンウェハ１に成膜するときに用いられる。この縦型ＣＶＤ装置は、複数のシリコンウェハ１に対して、成膜処理を同時に行うものである。
【００２１】
複数のシリコンウェハ１は、反応室（図示せず）の内部において、ボード１０に、上下に離間して保持される。ボード１０は、複数の支柱１２（例えば４本）を、シリコンウェハ１の片側半分の縁に沿うように配置したものである。支柱１２それぞれの側面には、複数の凹部１２ａが上下に渡って設けられている。シリコンウェハ１は、凹部１２ａに差し込まれることでボード１０に保持される。
【００２２】
複数のシリコンウェハ１は、カセット３０の内部に上下に離間して保持された状態で、反応室の内部に搬入される。カセット３０に保持されたシリコンウェハ１は、搬送装置２０によってカセット３０から取り出され、下から順に、ボード１０の凹部１２ａに差し込まれる。搬送装置２０は、制御部４０によって制御されている。
【００２３】
図２は、搬送装置２０の平面図である。本図及び図１（Ｂ）に示すように、搬送装置２０は、細長い板状の第１のベース部材２２を有している。シリコンウェハ１を保持するとき、第１のベース部材２２は、シリコンウェハ１の下方に差し込まれ、その後上方に移動することにより、シリコンウェハ１の下面に接する。第１のベース部材２２の上面の先端部近傍には、シリコンウェハ１の下面を吸着する吸着部２２ａが設けられている。吸着部２２ａがシリコンウェハ１の下面の中央部分を吸着することにより、搬送装置２０はシリコンウェハ１を保持し、かつ移動させることができる。
【００２４】
第１のベース部材２２の先端には、位置検出センサ２２ｂが取り付けられている。位置検出センサ２２ｂは、例えば光反射型のセンサであり、ボード１０に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置を測定するセンサである。
【００２５】
搬送装置２０は、板状の第２のベース部材２４を有している。第２のベース部材２４は、シリコンウェハ１の縁に略沿う形状をしており、吸着部２２ａが吸着しているシリコンウェハ１の縁を下方から支持する。
【００２６】
第２のベース部材２４の下面には、複数の位置検出センサ２４ａが取り付けられている。複数の位置検出センサ２４ａは、例えば光反射型のセンサであり、保持しているシリコンウェハ１をボード１０に差し込むときに、既にボード１０に差し込まれているシリコンウェハ１の位置を検出するために設けられている。
【００２７】
なお、第２のベース部材２４は、例えばシリコンウェハ１の片側半分の縁に沿う形状をしている。位置検出センサ２４ａは、２つ以上設けられていればよいが、第１のベース部材２２と重なる部分、及び第２のベース部材２４の両端それぞれに設けられるのが望ましい。
【００２８】
図３は、図１及び図２に示した成膜装置の動作を説明するためのフローチャートである。本図に示すフローは、半導体装置の製造工程の一部分であり、シリコンウェハ１に所定の膜を成膜するときのものである。
【００２９】
まず、複数のシリコンウェハ１をカセット３０から取り出し、ボード１０に保持させる（Ｓ２０）。次いで、シリコンウェハ１の水平面内における位置のばらつきが許容範囲内であるか否かを確認し、位置がずれているシリコンウェハ１の位置を修正する（Ｓ４０）。次いで、成膜処理を行った（Ｓ６０）後、シリコンウェハ１をカセット３０に戻す（Ｓ８０）。
【００３０】
図４は、図３のＳ２０における成膜装置の動作を説明するフローチャートである。まず、成膜装置の搬送装置２０は、一枚目のシリコンウェハ１をカセット３０から取り出し、ボード１０の最下部に位置する凹部１２ａに差込む。これにより、一枚目のシリコンウェハ１がボード１０に保持される（Ｓ２２）。
【００３１】
次いで、搬送装置２０は、次のシリコンウェハ１をカセット３０から取り出し（Ｓ２４）、シリコンウェハ１を下から２段目の凹部１２ａに差し込む。このとき、制御部４０は、複数の位置検出センサ２４ａを用いて、既にボード１０に保持されているシリコンウェハ１の位置を検出する。そして、制御部４０は、搬送装置２０を用いて、差し込んだシリコンウェハ１の位置を調整し、このシリコンウェハ１の水平面内における位置が、既にボード１０に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置と重なるようにする（Ｓ２６）。
【００３２】
なお、位置検出センサ２４ａが、第１のベース部材２２と重なる部分、及び第２のベース部材２４の両端それぞれに設けられている場合、前者の位置に設けられた位置検出センサ２４ａは、シリコンウェハ１の奥行き方向の位置（図１（Ｂ）のＸ方向）を検出し、後者の位置に設けられた位置検出センサ２４ａは、シリコンウェハ１の幅方向の位置（図１（Ｂ）のＹ方向）を検出する。
【００３３】
すべてのシリコンウェハ１をボード１０に搬送するまで、Ｓ２４及びＳ２６に示した動作を繰り返す（Ｓ２８）。
【００３４】
このように、搬送装置２０は、既に保持されているシリコンウェハ１の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ１をボード１０に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ１の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ１相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
【００３５】
図５は、図３のＳ４０における処理を説明するためのフローチャートである。まず、制御部４０は、搬送装置２０を、ボード１０の最下部に保持されているシリコンウェハ１の前に移動させる（Ｓ４２）。次いで、位置検出センサ２２ｂを用いて、第１のベース部材２２の先端から、最下部に位置するシリコンウェハ１の先端までの距離を測定する（Ｓ４４）。
【００３６】
位置検出センサ２２ｂが第１のベース部材２２の先端に取り付けられているため、位置検出センサ２２ｂを移動させるための機構を新たに設ける必要がない。また、位置検出センサ２２ｂをシリコンウェハ１に近づけることができる。このため、位置検出センサの測定誤差を小さくすることができる。
【００３７】
次いで、上方に別のシリコンウェハ１がある場合（Ｓ４６：Ｎｏ）、制御部４０は、搬送装置２０をそのまま上方かつ垂直に移動し、下から２枚目のシリコンウェハ１の横に位置させる（Ｓ４８）。そして、第１のベース部材２２の先端から、下から２枚目のシリコンウェハ１の先端までの距離を測定する（Ｓ４４）。これらの動作を繰り返すことにより、ボード１０の保持されている複数のシリコンウェハ１それぞれの先端から、第１のベース部材２２までの距離を、下から順に測定する（Ｓ４２〜Ｓ４６）。
【００３８】
次いで、制御部４０は、第１のベース部材２２までの距離が、基準範囲外にあるシリコンウェハ１を認識する。この距離が基準範囲外にある場合、シリコンウェハ１の水平面内における位置は、基準範囲から外れている。制御部４０は、搬送装置２０を用いて、認識したシリコンウェハ１の位置を修正する（Ｓ４８）。これにより、シリコンウェハ１の水平面内における位置が修正され、全てのシリコンウェハ１の水平面内における位置が、基準範囲内に収まる。なお、ここでの基準範囲は、例えば最下部に保持されているシリコンウェハ１に対する測定結果に、許容誤差を加えることにより設定される。
【００３９】
なお、ボード１０が回転機構（図示せず）を有している場合、ボード１０を９０°又は１８０°ほど回転させた後、再び図５に示す処理を行ってもよい。
【００４０】
図６は、図３のＳ８０における処理を説明するためのフローチャートである。まず、成膜装置の搬送装置２０は、一枚目のシリコンウェハ１をボード１０から取り出し（Ｓ８２）、カセット３０の最下段に差し込む。これにより、一枚目のシリコンウェハ１がカセット３０に収納される（Ｓ８４）。
【００４１】
次いで、搬送装置２０は、次のシリコンウェハ１をボード１０から取り出し（Ｓ８６）、シリコンウェハ１をカセット３０の下から２段目の部分に差し込む。このとき、複数の位置検出センサ２４ａを用いて、既にカセット３０に保持されているシリコンウェハ１の位置を検出する。そして、差し込んだシリコンウェハ１の位置を調整し、このシリコンウェハ１の水平面内における位置が、既にカセット３０に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置と重なるようにする。このようにして、次のシリコンウェハ１がカセット３０に収納される（Ｓ８８）。
【００４２】
すべてのシリコンウェハ１をカセット３０に搬送するまで、Ｓ８６及びＳ８８に示した動作を繰り返す（Ｓ９０）。
【００４３】
このように、搬送装置２０は、既に保持されているシリコンウェハ１の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ１をカセット３０に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ１の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、カセット３０内において、複数のシリコンウェハ１相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
【００４４】
その後、搬送装置２０は、第１のベース部材２２の先端に取り付けられている位置検出センサ２２ｂを用いて、カセット３０に保持されている複数のシリコンウェハ１それぞれの先端から、第１のベース部材２２の先端までの距離を、下から順に測定する。次いで、第１のベース部材２２の先端までの距離が、基準範囲外にあるシリコンウェハ１を認識し、認識したシリコンウェハ１の位置を修正する。これにより、シリコンウェハ１の水平面内における位置が修正され、全てのシリコンウェハ１の水平面内における位置が、基準範囲内に収まる。
【００４５】
これらの動作により、次の工程で、従来型の搬送装置を用いてシリコンウェハ１をカセット３０からボード等に搬送する場合、搬送装置は、全てのシリコンウェハ１を、略同じ位置で吸着することができる。従って、搬送先において、シリコンウェハ１の水平面方向の位置ずれは小さくなる。
【００４６】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、搬送装置２０は、既に保持されているシリコンウェハ１の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ１をボード１０に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ１の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ１相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
【００４７】
その後、搬送装置２０は、ボード１０に保持されている複数のシリコンウェハ１それぞれにおける水平面内での位置を測定し、基準位置からずれているシリコンウェハ１を、基準位置に位置するように移動させる。このため、複数のシリコンウェハ１相互間における、水平面方向の位置ずれを、さらに小さくすることができる。
【００４８】
このため、複数のシリコンウェハ１相互間において、成膜された膜のばらつきは少なくなり、均一性が高くなる。
【００４９】
また、成膜後のシリコンウェハ１をボード１０からカセット３０に移動させる場合、既に保持されているシリコンウェハ１の位置を検出しながら、次のシリコンウェハ１をカセット３０に差し込む。そして、差し込んだシリコンウェハ１の水平面内における位置を、既に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置と重なるように調整する。従って、複数のシリコンウェハ１相互間における、水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
【００５０】
このため、次の工程で、従来型の搬送装置を用いてシリコンウェハ１をカセット３０からボード等に搬送する場合、搬送先における、シリコンウェハ１の水平面方向の位置ずれを小さくすることができる。
また、上記した動作の制御を制御部４０が行うため、作業者の能力によらず、上記した効果を得ることができる。
【００５１】
図７は、本発明の第２の実施形態に係る成膜装置の構成を説明するための側面概略図である。本図に示す成膜装置の構成及び動作は、搬送装置２０が、同時に複数のシリコンウェハ１を搬送する点を除いて、第１の実施形態と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００５２】
本実施形態において、搬送装置２０は、複数の第１のベース部材２２を、上下に離間した状態で有している。これにより、搬送装置２０は、複数のシリコンウェハ１を同時にカセット３０から取り出し、ボード１０に差し込むことができる。また、成膜後は、複数のシリコンウェハ１を同時にボード１０から取り出し、カセット３０に差し込むことができる。
【００５３】
位置検出センサ２２ｂは、最下部に位置する第１のベース部材２２に取り付けられている。また、第２のベース部材２４及び位置検出センサ２４ａは、最下部に位置する第１のベース部材２２に取り付けられている。
【００５４】
本実施形態の搬送装置２０は、第１の実施形態と同様の動作を行うことにより、搬送しているシリコンウェハ１の水平面内における位置を、既にボード１０又はカセット３０に保持されているシリコンウェハ１の水平面内における位置と、重なるようにする。
本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００５５】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記した実施形態では、シリコンウェハ１をボード１０又はカセット３０に、下から順に保持させていたが、上から順に保持させるようにしてもよい。この場合、第２のベース部材２４の形状及び位置検出センサ２４ａの配置を変更し、上方に位置するシリコンウェハ１の位置を検出できるようにする。これにより、新たなシリコンウェハ１を、既にボード１０又はカセット３０に保持されているシリコンウェハ１の水平面内での位置に合わせながら、ボード１０又はカセット３０に差し込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する為の側面概略図、（Ｂ）は（Ａ）の上面図。
【図２】搬送装置２０の平面図。
【図３】図１及び図２に示した成膜装置の動作を説明するためのフローチャート。
【図４】図３のＳ２０における処理を説明するためのフローチャート
【図５】図３のＳ４０における処理を説明するためのフローチャート
【図６】図３のＳ８０における処理を説明するためのフローチャート。
【図７】第２の実施形態に係る成膜装置の構成を説明する為の側面概略図。
【図８】従来の成膜装置の構成を説明する為の側面概略図。
【符号の説明】
【００５７】
１，１０１…シリコンウェハ、１０，１１０…ボード、１２，１１２…支柱、１２ａ，１１２ａ…凹部、２０，１２０…搬送装置、２２…第１のベース部材、２２ａ…吸着部、２２ｂ，２４ａ…位置検出センサ、２４…第２のベース部材、３０，１３０…カセット、４０…制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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