(57)【要約】【課題】標準的なダイシング方法を使用しても必要なチップ寸法精度が得られ、且つチップの欠け、クラックを抑えることが可能な発光ダイオードアレイの製造方法を提供すること。【解決手段】ウェハ上に多数形成された発光ダイオードアレイの各アレイ間に形成されたダイシングガイドに沿ってダイシングする発光ダイオードアレイの製造方法において、チップのＹ軸のダイシングに際し、予めウェハ裏面よりダイシングによるハーフカット７を行い、その後ウェハ表面からフルダイシング８を行うことを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に多数形成された発光ダイオードアレイの各アレイ間に形成されたダイシングガイドに沿ってダイシングする発光ダイオードアレイの製造方法において、
チップのＹ軸のダイシングに際し、
予めウェハ裏面よりダイシングによるハーフカットを行い、その後ウェハ表面からフルダイシングを行うことを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、
Ｙ軸のダイシングガイド幅に対し倍以上の厚さを有する厚いダイシングブレードを使用し、チップ表面より所定厚さを切り残すように、チップ裏面からハーフダイシングを行うことを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、
上記所定厚さとして、チップ表面より１００〜１５０μｍ切り残すことを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。
【請求項４】
請求項２又は３記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、
チップ表面より、Ｙ軸のダイシングガイド幅に合せた適正なダイシングブレードを使用し、上記の切り残し領域のフルダイシングを行うことを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、
Ｙ軸の裏面からのハーフカットに使用するダイシング用ブレードの厚さを１５０〜３００μｍとし、ハーフカットによる深さ方向の切り残し量を１００〜１５０μｍとすることを特徴とする発光ダイオードアレイの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオードアレイの製造方法、特にＬＥＤプリンタに好適な高密度発光ダイオードアレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３はＬＥＤプリンタのプリンタヘッド等に使用される一般的な発光ダイオードアレイのチップパターンを形成した半導体ウェハの一部を拡大したものであり、Ｙ軸ダイシングガイド３を境にして互いに隣り合う各発光ダイオードアレイチップ１を示している。
【０００３】
ＬＥＤプリンタに使用される発光ダイオードアレイチップ１のダイシングにおいてはチップのつき合わせ面となる発光ドット２の配列方向に対し垂直方向（以下、Ｙ軸という。）が重要であり、チップ寸法精度を向上させる為にチップ長を表面基準としなくてはならない。しかしながら通常のダイシングの断面プロファイルは完全な垂直形状ではなく、図４に示すような順テーパ形状となりチップ長はチップ表面より裏面の方が長くなり、チップ長を表面基準で管理することは不可能となり必要なチップ寸法精度は得られない。一例として厚さ３６０μｍのチップをダイシングを行うと図４に示すように順テーパ形状によりチップの片側でチップ裏面が表面に対して約６μｍ長くなる（寸法Ｂ）。
【０００４】
これではチップ端ドットとのギャップ量Ａを５μｍ以下にしなくてはならない。高密度発光ダイオードアレイである６００ＤＰＩについてはチップ１のダイシングは事実上不可能となる。
【０００５】
その為、従来はダイシングブレードをウェハの垂直方向に対し１〜２度角度を付け、逆テーパダイシングを行い、図５に示すように逆テーパ形状とし、チップ裏面長がチップ表面長以下になるようにしてきた。
【０００６】
一方、発光ドット２の配列方向に対し平行方向（以下、Ｘ軸という。）のダイシングについては、寸法許容範囲が大きいため標準的なダイシングで構わない。
【０００７】
しかしながら発光ダイオードアレイチップ１のダイシングにおいて最も重要なのは、図５に示すように、Ｙ軸のダイシング時に発光ドット２の特性を劣化させないために、欠け４、クラック５を抑えなくてはならないことであるが、図５に示すように逆テーパダイシングを行うと、通常の順テーパダイシングと比較して、明らかに欠け４、クラック５が増加するという欠点があった。
【０００８】
特に、寸法チップ端ドットとのギャップ量Ａを５μｍ以下にしなくてはならない高密度発光ダイオードアレイである６００ＤＰＩについては、欠け４、クラック５の影響が大となり、大幅に歩留りを下げる要因となった。
【０００９】
一方、Ｘ軸については設計許容範囲が大きいため欠け、クラックの問題は設計により避けることができる。
【００１０】
上記Ｙ軸をダイシングする際の問題を解決する方法としては、従来、ウェハの表面にダイシング溝を形成し、裏面にエッチングにより切欠き部を形成し、次いでダイシング溝に対しダイシングブレードを切り込む方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２３１９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１のフォトリソ技術を用いて基板裏面にエッチング溝を設ける方法では、深い溝を形成することができない。基板裏面に深い溝を形成できないことから、基板表面からのダイシング量（深さ）が多くなり、結果としてダイシングの寸法精度が出ない、また工程数が多くプロセスが複雑となる、という問題がある。
【００１２】
従って、本発明の目的は、標準的なダイシング方法を使用しても必要なチップ寸法精度が得られ、且つチップの欠け、クラックを抑えることが可能な発光ダイオードアレイの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００１４】
請求項１の発明に係る発光ダイオードアレイの製造方法は、ウェハ上に多数形成された発光ダイオードアレイの各アレイ間に形成されたダイシングガイドに沿ってダイシングする発光ダイオードアレイの製造方法において、チップのＹ軸のダイシングに際し、予めウェハ裏面よりダイシングによるハーフカットを行い、その後ウェハ表面からフルダイシングを行うことを特徴とする。
【００１５】
請求項２の発明は、請求項１記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、Ｙ軸のダイシングガイド幅に対し倍以上の厚さを有する厚いダイシングブレードを使用し、チップ表面より所定厚さを切り残すように、チップ裏面からハーフダイシングを行うことを特徴とする。
【００１６】
請求項３の発明は、請求項２記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、上記所定厚さとして、チップ表面より１００〜１５０μｍ切り残すことを特徴とする。
【００１７】
請求項４の発明は、請求項２又は３記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、チップ表面より、Ｙ軸のダイシングガイド幅に合せた適正なダイシングブレードを使用し、上記の切り残し領域のフルダイシングを行うことを特徴とする。
【００１８】
請求項５の発明は、請求項１記載の発光ダイオードアレイの製造方法において、Ｙ軸の裏面からのハーフカットに使用するダイシング用ブレードの厚さを１５０〜３００μｍとし、ハーフカットによる深さ方向の切り残し量を１００〜１５０μｍとすることを特徴とする。
【００１９】
＜発明の要点＞
本発明では、上記目的を達成するため発光ダイオードアレイの１本のＹ軸ダイシングガイドに対し、まずチップ裏面からハーフダイシングを行った後にチップ表面からフルダイシングを行う。
【００２０】
ダイシングは、まずＹ軸のダイシングガイド幅に対し倍以上の厚さを有する厚いダイシングブレードを使用し、チップ表面より１００〜１５０μｍ切り残すように、チップ裏面からハーフダイシングを行う。
【００２１】
次に、チップ表面よりダイシングガイド幅に合せた適正なダイシングブレードを使用し、上記の切り残し領域のフルダイシングを行う。
【００２２】
これによりダイシング断面プロファイルは、チップ裏面より厚いブレードでダイシングを行うことにより、チップ裏面長は必ずチップ表面長未満となる。但し、チップ表面からダイシングした領域の１００〜１５０μｍについては、順テーパダイシングになるため、チップ表面長より極僅かに長くなるが、ダイシングの深さ長が小であるため、順テーパ角度の影響は小となり、必要なチップ寸法精度は得られる。
【００２３】
又、欠け、クラックを抑えなくてはならないチップ表面は、ダイシング深さが浅くなることより、欠け、クラックについても通常のダイシング法と比較しても大幅に抑えることが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
【００２５】
本発明によれば、重要となるチップのＹ軸のダイシングに際し、予めウェハ裏面よりダイシングによるハーフカットを行い、その後ウェハ表面からフルダイシングを行って切り離す。裏面もダイシングによりハーフカットを行うため、従来のエッチング溝を形成する場合に較べ、手数が掛からない。また、裏面からのダイシングにより深くハーフカットを行うことができるため、その後のウェハ表面からのフルダイシングする量（切断深さ）が少なくなり、Ｙ軸のダイシング全体としての精度を向上させることができる。
【００２６】
換言すれば、本発明に従い、発光ダイオードアレイのダイシングに重要なＹ軸のダイシングにおいて予めウェハ裏面より深くハーフダイシングを行い、ウェハ表面からのダイシング量を必要最小限に留めることにより、標準的な順テーパ形状となるダイシングでも、６００ＤＰＩのような高密度発光ダイオードアレイについても、必要なチップ寸法精度が得られ、且つチップ表面のダイシングにより発生する欠け、クラックについても大幅に低減ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の発光ダイオードアレイの製造方法についての実施例を図１（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００２８】
図１（ａ）は６００ＤＰＩの発光ダイオードアレイのチップパターンを形成した厚さ３６０μｍ（Ｄ１）の半導体ウェハの１本のＹ軸ダイシングガイド３を拡大した断面図である。Ｙ軸ダイシングガイド３を境にして互いに隣り合う各発光ダイオードアレイチップ１が示されている。尚、Ｙ軸ダイシングガイド３幅は８０μｍで設計している。
【００２９】
このウェハからダイシングによってチップを切断する際、まず図１（ｂ）に示すようにウェハを厚さ２００μｍのブレードで、Ｙ軸ダイシングガイド３の直下より約２４０μｍの深さ（Ｄ２）迄ダイシング（ハーフカット７）を行い、チップ表面領域を約１２０μｍ切り残す（Ｄ３）。
【００３０】
尚、チップ表面のＹ軸ダイシングガイド３とチップ裏面のダイシング位置との位置合せは、ウェハのオリフラ位置（角形ウェハの場合はウェハのヘリ）を基準とし、チップの面付けピッチでダイシングテーブルを移動させることにより位置決めを行う。この位置合せ精度により裏面ダイシングに使用するブレードの厚さが決まるが、確実にＹ軸ダイシングガイド３の直下をダイシングすることを考慮した場合、本発明で使用したブレードのような厚いブレードが望ましい。
【００３１】
次に、上記ハーフダイシングを行ったウェハを、ダイシングシートに貼り付けた後ダイシングテーブルにセットし、厚さ７０μｍのダイシングブレード６でフルダイシング８（図２参照）を行う（図１（ｃ））。
【００３２】
尚、裏面ダイシングの際の切り残し量Ｄ３は、ダイシングシートに貼り付けの際にウェハにクラックが入らない為に最小限必要な切り残し量であり、本発明での検討結果ではウェハサイズがφ３”（３インチ）の場合約１２０μｍであった。又、ウェハ表面のダイシングの際のオーバーダイシング量（Ｄ４）は、厚さ１２０μｍに対し＋１００μｍと大きく設定し、ダイシング形状にダイシングブレードの先端形状の影響が出ない設定とした。
【００３３】
Ｘ軸のダイシングについては、Ｙ軸のダイシングが完了後、標準的なフルダイシングを行った。
【００３４】
以上の本発明によるダイシングプロセスのダイシング断面形状を図２に示す。図２に示すように、チップ裏面長は表面長未満であり、且つチップ長として最も長くなるチップ表面より深さ約１２０μｍ領域のチップ表面に対する寸法差は約１μｍとなり、チップ長をチップ表面長管理としても充分なチップ寸法精度が得られた。又、チップの欠け、クラック不良についても従来の角度付きダイシングと比較して発生数を約１／４に低減することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の発光ダイオードアレイの製造方法を示したもので、（ａ）はＹ軸ダイシングガイドが形成された状態を、（ｂ）は裏面よりハーフカットを行った状態を、（ｃ）はウェハ表面からフルダイシングを行った状態を示す断面図である。
【図２】本発明の発光ダイオードアレイの製造方法により製造したチップの断面図である。
【図３】従来の発光ダイオードアレイの製造方法を示すウェハの断面図である。
【図４】従来の発光ダイオードアレイの製造方法を示すチップの断面図である。
【図５】従来の発光ダイオードアレイの製造方法を示すチップの断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１  発光ダイオードアレイチップ
２  発光ドット
３  Ｙ軸ダイシングガイド
４  （チップの）欠け
５  （チップの）クラック
６  ダイシングブレード
７  ハーフカット
８  フルダイシング
Ａ  ギャップ量（端の発光ドットとチップ切断面との）
Ｂ  寸法差（チップ表面とチップ下面との片側の寸法差）
Ｄ１  ウェハの厚さ
Ｄ２  ハーフカット量
Ｄ３  ハーフカット時の切り残し量
Ｄ４  ウェハ表面ダイシング時のオーバーダイシング量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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