(57)【要約】    【課題】  感光性を有し、アルカリ現像ができ、さらに電気的絶縁性に優れた薄膜をえることを可能とするポリシラン系感光性樹脂組成物、及び該感光性組成物を用いた薄膜パターン形成方法を提供する。    【解決手段】  下記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の間のアルコキシシランポリマーとを含有し、ポリシラン１００重量部に対してアルコキシシランポリマーが２５〜３０００重量部の割合で配合されている感光性樹脂組成物。【化１】2006139083.tif 000010  なお、式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれが置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性基及び水素からなる群からそれぞれ独立して選択される基である。ｍ及びｎは整数。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の間のアルコキシシランポリマーとを含有し、ポリシラン１００重量部に対してアルコキシシランポリマーが２５〜３０００重量部の割合で配合されていることを特徴とする、感光性樹脂組成物。
【化１】
2006139083.tif 000007
なお、式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれが置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性基及び水素からなる群からそれぞれ独立して選択される基である。ｍ及びｎは整数。
【請求項２】
下記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の間のアルコキシシランポリマーと、粒子径が１００ｎｍ以下の透光性粒子とを含有し、ポリシラン１００重量部に対してアルコキシシランポリマー及び透光性粒子の合計が２５〜３０００重量部の割合とされていることを特徴とする、感光性樹脂組成物。
【化２】
2006139083.tif 000008
なお、式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれが置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性基及び水素からなる群からそれぞれ独立して選択される基である。ｍ及びｎは整数。
【請求項３】
下記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の間のアルコキシシランポリマーと、アルコキシシランとを含有し、ポリシラン１００重量部に対してアルコキシシランポリマー及びアルコキシシランの合計が２５〜３０００重量部の割合とされていることを特徴とする、感光性樹脂組成物。
【化３】
2006139083.tif 000009
なお、式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれが置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性基及び水素からなる群からそれぞれ独立して選択される基である。ｍ及びｎは整数。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層を基板上に形成する工程と、
上記感光性樹脂組成物層に形成するパターンに応じて選択的に露光してパターン状の潜像を形成する工程と、
上記潜像が形成された上記感光性樹脂組成物層をアルカリ水溶液で現像し、薄膜パターンを得る工程と、
上記アルカリ水溶液で現像した後に、上記薄膜パターンに光照射もしくは加熱処理する工程とを備える、薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を用いて形成された電子機器用絶縁膜。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を用いて形成された電子機器用絶縁膜を保護膜として備えることを特徴とする、液晶表示素子。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の感光性樹脂組成物を用いて形成された電子機器用絶縁膜を層間絶縁膜として備えることを特徴とする、半導体素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感光性を有し、アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物、これを用いた薄膜パターン形成方法及び電子機器用絶縁膜に関し、特に、ポリシラン及びアルコキシシランポリマーを含む感光性樹脂組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス、液晶表示装置またはプリント回路基板などの製造プロセスでは、素子の保護膜や層間絶縁膜をはじめとする様々な構成材料が、微細加工されたりあるいはパターニングされている。
【０００３】
ポリシランは、耐熱性、透明性に優れた性質を有することから、耐熱材料、絶縁材料、光デバイスなどへの利用が期待されている。ポリシランのケイ素−ケイ素結合は、光分解性を有する。よって、上述した保護膜や層間絶縁膜などの薄膜をポリシランで形成すれば、露光して現像することにより、様々な微細加工やパターン形成が可能である。
【０００４】
近年、大気汚染を防止するため、欧州を中心に有機溶剤の排出を抑制する動きが高まっている。また、日本では、火災防止のため、有機溶剤を使用する設備を防爆仕様にすることが消防法で定められている。このような背景から、パターンを形成する際の現像液としては、水酸化カリウム水溶液やテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液などのアルカリ水溶液が用いられている。
【０００５】
ポリシランの主鎖のケイ素−ケイ素結合は、光照射により切断されると、シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ基）を生成する。このシラノール基はアルカリ水溶液に可溶である。従って、アルカリ現像が可能な感光性樹脂組成物を構成する材料として、ポリシランが注目されている。
【０００６】
しかしながら、ポリシラン単独では感光性が低いため、様々な増感剤をポリシランに添加することにより、感光性の向上が図られている。
【０００７】
例えば、下記特許文献１には、光によってハロゲンラジカルを発生する光ラジカル発生剤をポリシランに添加してなる感光性樹脂組成物が開示されている。光の照射により光ラジカル発生剤より発生したハロゲンラジカルは、ポリシランの主鎖のケイ素−ケイ素結合を効率よく切断するため、ポリシランの感光性が向上するとされている。
【０００８】
また、下記特許文献２には、光ラジカル発生剤と光酸化剤とをポリシランに添加してなる感光性樹脂組成物が開示されている。光ラジカル発生剤とともに添加された光酸化剤は、光分解により酸素を発生する。発生した酸素がポリシランの主鎖のケイ素−ケイ素結合に容易に挿入されるため、ポリシランの感光性が向上するとされている。
【特許文献１】特開昭６１−１８９５３３号公報
【特許文献２】特許３２７４９１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１，２に記載の感光性樹脂組成物を用い、薄膜パターンを形成すると、露光して現像した後に残った薄膜はポリシランからなる。このポリシランからなる薄膜は光によって徐々に分解するため、経時によりパターン形状が変化することがあった。特に、液晶表示装置などに用いられた場合、パターンが実使用中に光に曝されることが多いため、パターン形状の経時による崩れの抑制が強く求められている。また、従来のこの種のポリシランからなる薄膜では、電気的絶縁性が十分でないという問題もあった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、感光性を有し、アルカリ現像ができ、パターン形成時にパターン形状の崩れが生じ難く、かつ電気的絶縁性に優れた薄膜パターンを得ることを可能とする感光性樹脂組成物、該感光性樹脂組成物を用いた薄膜パターンの形成方法、該感光性樹脂組成物を用いることにより形成された電子機器用絶縁膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の第１の発明は、  下記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の間のアルコキシシランポリマーとを含有し、ポリシラン１００重量部に対してアルコキシシランポリマーが２５〜３０００重量部の割合で配合されていることを特徴とする感光性樹脂組成物である。
【００１２】
【化１】
2006139083.tif 000002
【００１３】
なお、式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、それぞれが置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、極性基及び水素からなる群からそれぞれ独立して選択される基である。ｍ及びｎは整数である。
【００１４】
本願の第２の発明は、上記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の間のアルコキシシランポリマーと、粒子径が１００ｎｍ以下の透光性粒子とを含有し、ポリシラン１００重量部に対してアルコキシシランポリマー及び透光性粒子の合計が２５〜３０００重量部の割合とされていることを特徴とする感光性樹脂組成物である。
【００１５】
本願の第３の発明は、上記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の間のアルコキシシランポリマーと、アルコキシシランとを含有し、ポリシラン１００重量部に対してアルコキシシランポリマー及びアルコキシシランの合計が２５〜３０００重量部の割合とされていることを特徴とする感光性樹脂組成物である。
【００１６】
すなわち、第１〜第３の発明（以下、本発明と総称することとする。）は、上記一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の範囲のアルコキシシランポリマーとを含むことにおいて共通している。そして、上記アルコキシシランポリマーが上記一般式（１）で示されるポリシラン及び増感剤に加えて含有されているため、後述するように、電気的絶縁性に優れた薄膜パターンを得ることが可能とされる。
【００１７】
本発明に係る薄膜パターン形成方法は、第１〜第３の発明の感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層を基板上に形成する工程と、上記感光性樹脂組成物層に形成するパターンに応じて選択的に露光してパターン状の潜像を形成する工程と、上記潜像が形成された上記感光性樹脂組成物層をアルカリ水溶液で現像し、薄膜パターンを得る工程と、上記アルカリ水溶液で現像した後に、上記薄膜パターンに光照射もしくは加熱処理する工程とを備えることを特徴とする。
【００１８】
本発明に係る電子機器用絶縁膜は、本発明に係る感光性樹脂組成物を用いて形成されるものである。この場合、形成方法は特に限定されず、例えば、上記薄膜パターン形成方法を用いることができる。
【００１９】
本発明に係る液晶表示素子は、本発明に従って構成された感光性樹脂組成物を用いて構成された電子機器用絶縁膜を保護膜として備えることを特徴とし、本発明に係る半導体素子は、本発明に従って構成された感光性樹脂組成物を用いて構成された感光性樹脂組成物を用いて形成された電子機器用絶縁膜を層間絶縁膜として備えることを特徴とする。
【００２０】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２１】
本願発明者らは、上述した課題を達成すべく鋭意検討した結果、特定のポリシランに、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００のアルコキシシランポリマーとを含有する感光性樹脂組成物を用いれば、上記特定のポリシランにより感光性が十分に発現され、かつ上記特定の重量平均分子量のアルコキシシランポリマーを用いることにより得られた薄膜パターンの電気的絶縁性を高め得ることか見出し、本発明をなすに至った。
【００２２】
上記ポリシランは、一般式（１）で表わされる構造を有する。
【００２３】
【化２】
2006139083.tif 000003
【００２４】
一般式（１）において、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4は、同一であってもよく、異なっていてもよく、それぞれが置換もしくは無置換である、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及び極性基からなる群から選択された基であり、ｍ及びｎは整数である。
【００２５】
上記置換もしくは無置換の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、フェニルメチル基、トリフルオロプロピル基、及びノナフルオロヘキシル基などが挙げられ、上記置換もしくは無置換の脂環式炭化水素基としては、シクロヘキシル基やメチルシクロヘキシル基などを挙げることができ、上記置換もしくは無置換の芳香族炭化水素基としては、ｐ−トリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ビフェニル基、及びフェニル基などを挙げることができ、上記置換もしくは無置換の極性基としては、水酸基含有基、カルボキシル基含有基及びフェノール性水酸基含有基などを挙げることができる。
【００２６】
前述したように、ポリシランは、本発明に係る感光性樹脂組成物において、感光性を発現させるための成分として用いられている。ポリシランの中でも、ポリフェニルアルキルシランが、感光性に特に優れているため、好適に用いられる。
【００２７】
上記ポリシランの数平均分子量は、好ましくは２０００〜５００００であり、より好ましくは、５０００〜２００００である。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、及びＲ4の種類、及びｍ及びｎの値は特に重要ではなく、このポリシランが有機溶剤に可溶であり、厚さ１０ｎｍ〜１０μｍの均一な薄膜に塗工可能であればよい。
【００２８】
本発明に用いられる増感剤とは、ポリシランの感光性を向上させる化合物であり、そのような化合物であれば特に限定されず、例えば、光ラジカル発生剤、光酸化剤などのポリシランの感光性を高め得る公知の増感剤を用いることができる。
【００２９】
例えば、光ラジカル発生剤としては、２，４−ビス（トリハロメチル）−６−（ｐ−メトキシフェニルビニル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（トリハロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−アルキル−４，６−ビス（トリハロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−アリール−４，６−ビス（トリハロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−アルキル−４−アリール−６−トリハロメチル−１，３，５−トリアジン等のトリアジン化合物；トリブロモメチルフェニルスルホン；１，４−ジ（トリクロロメチル）ベンゼン；１，４−ジ（トリフルオロメチル）ベンゼン；アセトフェノン類；ベンゾフェノン類；ベンゾインエーテル類；ベンジルメチルケタール、チオキサンテン等のイオウ化合物；アントラキノン類；チオール化合物；アゾビスイソブチロニトリル；ハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンパーオキサイド等の有機過酸化物などが挙げられる。
【００３０】
光酸化剤としては、３，３′，４，４′−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、メチルエチルケトンペルオキシド、シクロヘキサノンペルオキシド、メチルシクロヘキサノンペルオキシド、メチルアセトアセテートペルオキシド、アセチルアセトンペルオキシド、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルペルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルペルオキシ）シクロヘキサン、１，１，−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ジ−ｔ−ブチルペルオキシ−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロドデカン、２，２−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）バレレート、２，２―ビス（４，４−ジ―ｔ−ブチルペルオキシシクロヘキシル）プロパン、ｐ−メンタンヒドロペルオキシド、ジイソプロピルベンゼンヒドロペルオキシド、１，１，３，３−テトラメチルブチルヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド、ｔ−ヘキシルヒドロペルオキシド、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド、α，α′−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン−３−イソブチルペルオキシド、３，３，５−トリメチルヘキサノイルペルオキシド、オクタノイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ステアロイルペルオキシド、コハク酸ペルオキシド、ｍ−トルオイルベンゾイルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、ジ−ｎ−プロピルペルオキシジカーボネート、ジイソプロピルペルオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）ペルオキシジカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシアセテート、ｔ−ブチルペルオキシマレイン酸、ｔ−ブチルペルオキシイソブチレート、ｔ−ヘキシルペルオキシベンゾエートなどが挙げられる。これらの化合物は、単独あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。上記増感剤は、ポリシラン１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜１００重量部、より好ましくは１〜７５重量部含まれる。増感剤の含有量が０．０５重量部よりも少ないと、ポリシランの分解反応速度が極めて遅くなるおそれがある。また、増感剤の含有量が１００重量部よりも多いと、感光性樹脂組成物由来の緻密な膜が得られないことがある。
【００３１】
本発明の感光性樹脂組成物には、上記増感剤と組み合わせて用いることにより、増感剤の能力を増大させ得る他の化合物をさらに添加することができる。
【００３２】
そのような他の化合物としては、例えば、トリエタノールアミン等の第三級アミン；クマリン、ケトクマリン及びその誘導体、チオピリリウム塩等の増感色素；プロピオン酸パラジウム、酢酸パラジウム、アセチルアセトナート白金、エチルアセトナート白金、パラジウム微粒子、白金微粒子等の酸化剤などを挙げることができる。
【００３３】
本発明において用いられる上記アルコキシシランポリマーは、本発明の感光性樹脂組成物を用いて薄膜パターンを形成した際の該薄膜パターンの電気的絶縁性を高めるために用いられている。このアルコキシシランポリマーを得るのに用いられるアルコキシシランは特に限定されず、例えば、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、グリシドキシプロピルジメトキシメチルシラン、グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルジエトキシエチルシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシランなどに加え、モノ置換トリアルコキシシランの縮合物、モノ置換トリアルコキシシランとメチルシリケートの縮合物、もしくはジ置換ジアルコキシキシシランとモノ置換トリアルコキシシランの縮合物等が挙げられる。
【００３４】
なかでも、ポリシランとの相溶性が良好であるため、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシランなどのポリマーが好ましく用いられる。
【００３５】
上記アルコキシシランポリマーは、アルコキシシランを適宜の方法で重合することにより得られ、重合方法は特に限定されない。重合の際には、触媒として酸またはアルカリが用いられ得る。酸としては、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、シュウ酸または蟻酸などが挙げられる。アルカリとしては、アンモニア、水酸化カリウムまたは水酸化ナトリウムなどが挙げられる。また、重合に際しての溶媒についても特に限定されない。
【００３６】
本発明で用いられる上記アルコキシシランポリマーの重量平均分子量は、３００〜５００００の範囲であることが必要であり、好ましくは製膜時の塗布が容器となるので１０００〜５０００の範囲とされる。重量平均分子量が３００未満では、ポリマーとならず、モノマーとなる。また、重量平均分子量が５００００を超えると、アルコキシシランポリマーのポリシランとの相溶性が低下し、かつ溶剤に溶解し難くなり、薄膜パターンを形成することが事実上困難となる。
【００３７】
上記アルコキシシランポリマーは、第１の発明においては、上記ポリシラン１００重量部に対し、２５〜３０００重量部の範囲で、好ましくは、５０〜３００重量部の割合で配合される。２５重量部未満では、得られる薄膜パターンの電気的絶縁性を高める効果が十分に得られず、３０００重量部を超えると、感光性付与が困難となる。
【００３８】
なお、第２及び第３の発明においては、後述する透光性粒子またはアルコキシシランと、上記アルコキシシランポリマーとの合計の配合割合がポリシランに対して特定の範囲とされる。
【００３９】
第２の発明において、透光性粒子は、得られる薄膜パターンの耐光性及びパターン安定性をより一層高めるために配合されている。
【００４０】
上記透光性粒子は、ポリシランより耐光性に優れていれば特に限定されない。
【００４１】
上記透光性粒子は、ポリシランより耐光性に優れている限り、無機粒子であってもよく、有機粒子であってもよい。好ましくは、耐熱性に優れているため、有機粒子に比べて無機粒子が好適に用いられる。無機粒子としては、例えば、シリカ粒子、酸化亜鉛、チタニア、ジルコニア等を挙げるが、特にこれらに限定されるものではない。無機粒子を用いる場合、表面の少なくとも一部を疎水化処理してもよい。好ましくは、表面の一部が疎水化されている無機粒子が用いられ、このような無機粒子として表面の一部が疎水化されたシリカ粒子が好適に用いられる。また、有機粒子としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンなどを挙げることができる。
【００４２】
無機粒子及び有機粒子のいずれにおいても、透光性を有することが必要である。透光性を有しない場合には、本発明に係る感光性樹脂組成物において、フォトリソグラフィーによりパターンを形成することが困難となる。
【００４３】
上記のように、透光性粒子としては、パターンの安定性を効果的に維持し得るため、無機粒子を用いることが好ましく、中でもシリカ粒子が好ましく用いられる。
【００４４】
なお、上記透光性粒子は、第１の発明及び第３の発明においても任意成分として添加されてもよい。
【００４５】
上記透光性粒子の配合割合は、第２の発明においては、ポリシラン１００重量部に対し、透光性粒子及び前述したアルコキシシランポリマーの合計で２５〜３０００重量部の範囲とされ、より好ましくは、４０〜２０００重量部とされる。２５重量部未満では、得られた薄膜パターンの形状の安定性が損なわれ、かつ電気的絶縁性も低くなり、３０００重量部を超えると、アルカリ水溶液に対する溶解性が低下する。
【００４６】
また、上記透光性粒子の平均粒子径は、１００ｎｍ以下の範囲が好ましく、より好ましくは、３０ｎｍ以下の範囲とされる。１００ｎｍを超えると、薄膜が白濁したり、透明膜が形成できないといった問題が生じる。
【００４７】
第３の発明では、上記ポリシラン、増感剤及び上記アルコキシシランポリマーに加えて、アルコキシシランが含有される。このアルコキシシランの例としては、前述したアルコキシシランポリマーを得るのに用いられるアルコキシシランを例示することができる。第３の発明では、上記ポリシラン、増感剤及び上記アルコキシシランポリマーに加えて、アルコキシシランが含有されることにより、感光性樹脂組成物を用いて形成された薄膜の電気的絶縁性がさらに一層高められる。特に、後述の加熱処理を施した場合には、アルコキシシランポリマーを橋掛するように作用するためか、電気的絶縁性がより一層高められる。
【００４８】
上記アルコキシシランの含有割合は、ポリシラン１００重量部に対し、アルコキシシランポリマー及びアルコキシシランの合計として２５〜３０００重量部、好ましくは、５０〜３００重量部の範囲とされる。２５重量部未満では、薄膜パターン形状の安定性が損なわれ、かつ電気的絶縁性が劣化し、３０００重量部を超えると、アルカリ水溶液への溶解性が低下し、アルカリ現像できなくなるおそれがある。
【００４９】
また、本発明においては、好ましくは、上記ポリシランとして、ポリフェニルアルキルシランが感光性に優れているため、効果的に用いられるが、ポリフェニルアルキルシランを用いた場合には、アルコキシシランの内、フェニルアルコキシシランが好適に用いられる。すなわち、ポリフェニルアルキルシランと、フェニルアルコキシシランとを用いた感光性樹脂組成物では、ポリフェニルアルキルシランとフェニルアルコキシシランのそれぞれがベンゼン環を有し、それぞれのベンゼン環同士の相互作用により、相溶性が高い。そのため、得られた薄膜のアルカリ水溶液の溶解性が優れている。すなわち、アルカリ水溶液による現像を容易にかつ高精度に行うことができる。
【００５０】
上記フェニルアルコキシシランとしては、特に限定されないが、例えば、フェニルトリメトキシシランやフェニルトリエトキシシランなどを挙げることができる。
【００５１】
なお、本発明においては、上記第２の発明で添加される透光性粒子と、第３の発明で添加されるアルコキシシランとを併用してもよい。
【００５２】
本発明に係る感光性樹脂組成物を調製するに際しては、上記ポリシランに、上記増感剤及びアルコキシシランポリマー、並びに必要に応じて上記透光性粒子及び／またはアルコキシシランを添加し、混合すればよい。これらの成分を混合する場合、均一に混合することが好ましく、そのため、適宜の溶剤を用い、溶剤にこれらの成分を添加し、溶解して混合することが望ましい。各成分を添加する方法、混合方法及び混合時の温度もしくは圧力等については特に限定されないが、後述の露光工程及び現像工程に至るまで、増感剤の感光波長の光を浴びないように、暗所あるいは遮光条件下で作業することが好ましい。
【００５３】
上記溶剤としては、特に限定されないが、ベンゼン、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、スチレン、トリメチルベンゼン、ジエチルベンゼンなどの芳香族炭化水素化合物；シクロヘキサン、シクロヘキセン、ジペンテン、ｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−ノナン、イソノナン、ｎ−デカン、イソデカン、テトラヒドロナフタレン、スクワランなどの飽和または不飽和炭化水素化合物；ジエチルエーテル、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−イソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルプロピルエーテル、ジフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールジプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ｏ−メンタン、ｍ−メンタン；ジプロピルエーテル、ジブチルエーテルなどのエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、メチルアミルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノンなどのケトン類；酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルセロソルブ、酢酸エチルセロソルブ、酢酸ブチルセロソルブ、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、乳酸イソアミル、ステアリン酸ブチルなどのエステル類などが挙げられる。これらの溶剤は、単独あるいは２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００５４】
溶剤の混合割合は、基板上に感光性樹脂組成物を塗工して感光性樹脂組成物層を形成する際に、均一に塗工されるよう、ポリシランの平均分子量、分子量分布、アルコキシシランの添加量などに応じて適宜選択される。従って、好ましくは、感光性樹脂組成物の濃度は、０．１〜５０重量％、より好ましくは０．５〜４０重量％である。
【００５５】
本発明による感光性樹脂組成物には、必要に応じて、充填剤、顔料、染料、レベリング剤、消泡剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、ｐＨ調整剤、分散剤、分散助剤、表面改質剤、可塑剤、乾燥促進剤、垂れ防止剤を加えてもよい。
【００５６】
本発明に係る薄膜パターンの形成方法は、例えば図１（ａ）に示すように、本発明に係る感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層１を形成する工程と、次に、感光性樹脂組成物層１をパターンに応じたフォトマスク３を用いて選択的に露光してパターン上の潜像１Ａを形成する工程（図１（ｂ））と、潜像が形成された感光層１Ｂをアルカリ水溶液にて現像する工程（図１（ｃ））と、上記のようにして形成された薄膜形成パターン１Ｃに光照射もしくは加熱処理する工程とを備える。ここで、現像とは、アルカリ水溶液に、潜像が形成された感光層１Ｂを浸漬する操作の他、該感光層１Ｂの表面をアルカリ水溶液で洗い流す操作、あるいはアルカリ水溶液を上記感光層１Ｂ表面に噴射する操作など、アルカリ水溶液で感光層１Ｂを処理する様々な操作を含むものとする。
【００５７】
上記感光性樹脂組成物層を形成する工程は、特に限定されないが、例えば本発明に係る感光性樹脂組成物を図１に示す基板２上に付与し、感光性樹脂組成物層１を形成する方法が挙げられる。この場合の具体的な方法としては、一般的な塗工方法を用いることができ、例えば、浸漬塗工、ロール塗工、バー塗工、刷毛塗工、スプレー塗工、スピン塗工、押出塗工、グラビア塗工などを使用することができる。感光性樹脂組成物が塗工される基板としては、シリコン基板、ガラス基板、金属板、プラスチックス板、各種フィルムなどが用途に応じて用いられる。感光性樹脂組成物層の厚さは、用途によって異なるが、１０ｎｍ〜１０μｍが目安となる。基板上に塗工された感光性樹脂組成物層は、感光性樹脂を溶解させるために溶剤を用いた場合、その溶剤を乾燥させるために加熱処理することが望ましい。加熱処理温度は、一般には４０℃〜２００℃であり、溶剤の沸点や蒸気圧に応じて適宜選択される。
【００５８】
感光性樹脂組成物層を基板上に形成し、必要に応じて加熱処理した後、該感光性樹脂組成物層をフォトマスクで被覆して光をパターン状に照射する。これにより、必要なパターン形状の潜像を形成することができる。
【００５９】
光源としては、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマレーザーなどを使用することができる。これらの光源は、増感剤の感光波長に応じて適宜選択される。光の照射エネルギーは、所望の薄膜の厚みや増感剤の種類にもよるが、一般に、５〜６０００ｍＪ／ｃｍ2が用いられる。５ｍＪ／ｃｍ2よりも小さいと、ポリシランが十分に感光しない。また、６０００ｍＪ／ｃｍ2より大きいと露光時間が長くなるおそれがあり、
薄膜パターンの時間あたりの製造効率が低下するおそれがある。
【００６０】
パターン形状に光照射された感光性樹脂組成物層の露光部分では、ポリシランの主鎖のケイ素−ケイ素結合が開裂し、シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が生成される。このシラノール基の生成を促進させるために、酸素、オゾンもしくは水や湿気を接触させてもよい。露光後の感光性樹脂組成物層を現像液を用いて現像することにより、感光性樹脂組成物層の露光部分が現像液に溶解して除去され、未露光部分が基板上に残る。その結果、パターンが形成される。このパターンは、露光部分が除去されることから、ポジ型パターンといわれるものである。未露光部分の感光性樹脂組成物層は、シラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）が生成されていないため、現像液にほとんど不溶である。そのため、本発明で得られる薄膜パターン形成方法では、良好な解像度を得ることができる。
【００６１】
現像液としては、アルカリ水溶液が用いられる。例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、珪酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液が挙げられる。現像に要する時間は、感光性樹脂組成物層の厚みや溶剤の種類にもよるが、一般には、１０秒〜５分である。現像後に用いられた薄膜パターンは、蒸留水で洗浄され、薄膜上に残留しているアルカリ水溶液を除去することが好ましい。
【００６２】
上記のようにして得られた薄膜パターンにポリシランよりも耐光性に優れた透光性粒子が含有されている場合には、薄膜パターンの経時による形状の変動がより一層生じ難く、形状安定性及び耐光性も高められる。例えばシリカ粒子などの透光性粒子が配合されている場合、該透光性粒子が存在する部分により機械的強度が高められ、かつ耐光性及び耐熱性も高められ、従って、例えば液晶表示装置などに用いられ、光に曝される場合であっても、形成されたパターンの形状安定性が高められる。
【００６３】
本発明に係る薄膜パターン形成方法では、アルカリ水溶液にて現像した後に、すなわち、薄膜パターンを形成した後に、光照射または熱処理が施される。
【００６４】
光照射により、上記薄膜パターンを形成しているポリシランを部分的に強制的に分解し、それ以上の劣化を抑制することができる。すなわち、光を照射することにより、形状の不安定なポリシランをあらかじめ強制的に劣化させておけば、実使用時の経時によるパターン形状の劣化や変動を抑制することができる。
【００６５】
上記薄膜パターン形成後の光の照射は、ポリシランを強制的に分解・劣化させ得る限り、適宜の波長の光を用いて行なわれるが、好ましくは、紫外線もしくは紫外線よりも波長の長い光が好適に用いられる。この光の照射に際しての照射量及びエネルギー強度については、ポリシランを強制的に劣化させ得る適宜の照射量及びエネルギー強度を選択すればよい。
【００６６】
また、加熱処理は、一般に５０〜１０００℃、好ましくは１００〜５００℃の範囲で行えばよい。アルコキシシランもしくはアルコキシシランポリマーが含有されている場合には、この加熱処理により、アルコキシシランもしくはアルコキシシランポリマーが熱架橋し、それによって得られた薄膜パターンの形状安定性及び耐光性がより一層高められる。上記アルコキシシランもしくはアルコキシシランポリマーの加熱に際しての加熱時間及び加熱方法については、アルコキシシランもしくはアルコキシシランポリマーを熱架橋させ得る限り、特に限定されず、加熱時間は、通常、１０分〜５時間程度とされ、加熱装置としては、ホットプレート、適宜のヒーターなどを用いることができる。
【００６７】
上記加熱処理は、アルコキシシランもしくはアルコキシシランポリマーが含有されていない場合に施してもよく、その場合には、ポリシランを酸化分解し二酸化珪素化することができる。
【００６８】
なお、本発明においては、上記アルカリ水溶液現像後の加熱工程に加えて、上記光照射工程を併用してもよく、その場合いずれを先に実施してもよい。
【００６９】
なお、本発明に係る感光性樹脂組成物は、様々な装置において、薄膜パターンを形成するのに好適に用いられるが、好ましくは、電子機器用絶縁膜に上記薄膜パターンが効果的に用いられる。電子機器用絶縁膜として、本発明に係る感光性樹脂組成物を用いて構成された薄膜パターンを用いることにより、得られた絶縁膜の絶縁性を効果的に高めることができる。このような電子機器用絶縁膜の例としては、例えば、液晶表示素子において、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を保護するためのＴＦＴ保護膜や、カラーフィルタにおいてフィルタを保護する絶縁保護膜などが挙げられる。
【００７０】
図２は、本発明の電子機器用絶縁膜が用いられた液晶表示素子の略図的正面断面図であり、図３は、その要部を拡大して示す部分切欠正面断面図である。
【００７１】
図２に示すように、液晶表示素子１１は、ガラス基板１２上にＴＦＴ１３を形成した構造を有する。ＴＦＴ１３を被覆するように、ＴＦＴ保護膜１４が形成されている。液晶表示素子１１では、ＴＦＴ保護膜１４が、本発明の電子機器用絶縁膜により構成されている。
【００７２】
ＴＦＴ保護膜１４は、ＴＦＴ１３を被覆するように、さらに液晶表示素子１１において所望の平面形状を有するようにパターニングされているが、このパターン形状の安定性に優れている。
【００７３】
図２において、ＴＦＴ保護膜１４上には、ＩＴＯ電極１５が形成されている。また、ＩＴＯ電極１５を覆うように、配向膜１６が形成されており、配向膜１６が、上方に位置されている他方の配向膜１７と対向されている。配向膜１６，１７間の空間は、シール材１８によりシールされており、内部に液晶１９が充填されている。また、該空間の厚みを確保するためにスペーサー２０が配向膜１６，１７間に配置されている。
【００７４】
配向膜１７は、上方のガラス基板２１に支持されている。すなわち、ガラス基板２１の下面には、カラーフィルタ２２及びＩＴＯ電極２３が形成されており、ＩＴＯ電極２３を覆うように配向膜１７が形成されている。
【００７５】
また、図３に拡大して示すように上記ＴＦＴ１３が形成されている部分は、より具体的には、ガラス基板１２上に、ゲート電極１３ａが形成されており、該ゲート電極１３ａを覆うようにゲート絶縁膜１３ｂが形成されている。ゲート電極１３ａと対向するように、ゲート絶縁膜１３ｂ上に半導体層１３ｃが形成されている。そして、半導体層１３ｃに、ソース電極１３ｄ及びドレイン電極１３ｅが接続されている。
【００７６】
上記のようにして構成されているＴＦＴ１３を覆うように、前述したＴＦＴ保護膜１４が積層されている。
【００７７】
図４は、液晶表示素子やカラーフィルタにおいて、保護膜として本発明に係る電子機器用絶縁膜が用いられている構成の例を示す部分切欠断面図である。ここでは、カラーフィルタ３１は、赤色の画素を３２ａ、緑色の画素を３２ｂ及び青色の画素を３２ｃと、ブラックマトリクス部３３とを有する。これらを覆うように、絶縁保護膜３４が形成されており、該絶縁保護膜３４として、本発明に係る電子機器用絶縁膜が用いられている。従って、保護膜３４の電気的絶縁性が効果的に高められる。なお、保護膜３４上には、ＩＴＯ電極３５が形成されている。
【００７８】
なお、本発明に係る電子機器用絶縁膜は、電気的絶縁性に優れているので、上述した液晶表示素子やカラーフィルタに限らず、例えば、有機ＥＬ素子のＴＦＴ保護膜、パッシベーション膜、半導体の層間絶縁膜、プラズマディスプレイの絶縁隔壁などの様々な電子機器用絶縁膜として広く用いられる。
【発明の効果】
【００７９】
第１の発明に係る感光性樹脂組成物では、上述した一般式（１）で示されるポリシランと、増感剤と、重量平均分子量が３００〜５００００の範囲のアルコキシシランポリマーとを含有し、ポリシラン１００重量部に対し、上記アルコキシシランポリマーが２５〜３０００重量部の割合で配合されているため、上記ポリシラン及び増感剤により十分な感光性が発現され、かつアルカリ現像を行うことができる。また、上記アルコキシシランポリマーが上記特定の割合で配合されていることにより、形成された薄膜パターンの電気的絶縁性が高められる。従って、第１の発明の感光性樹脂組成物を用いて形成された薄膜パターンは、電子機器用絶縁膜として好適に用いられ、例えば液晶表示素子の保護膜や半導体素子の層間絶縁膜として好適に用いることができる。
【００８０】
第２の発明に係る感光性樹脂組成物では、上記ポリシランと、増感剤と、上記アルコキシシランポリマーと、上記特定の粒径の透光性粒子とを含有し、ポリシラン１００重量部に対し、アルコキシシラン及び透光性粒子の合計が２５〜３０００重量部の割合で配合されているため、ポリシラン及び増感剤により十分な感光性が得られ、かつアルカリ現像を行うことができる。しかも、上記アルコキシシランポリマーにより電気的絶縁性が高められ、さらに上記透光性粒子の配合により均一な薄膜を形成することが容易となり、かつ得られた薄膜の機械的強度を高めることができる。よって、薄膜パターンの形状安定性も効果的に高められる。
【００８１】
第３の発明に係る感光性樹脂組成物では、上記ポリシランと、増感剤と、上記特定の重量平均分子量のアルコキシシランポリマーと、アルコキシシランとを含有し、ポリシラン１００重量部に対し、上記アルコキシシランポリマー及びアルコキシシランが合計で２５〜３０００重量部の割合で配合されているため、ポリシラン及び増感剤により十分な感光性が得られ、かつアルカリ現像を行うことができるだけでなく、アルコキシシランポリマーにより得られた薄膜パターンの電気的絶縁性が高められる。さらにアルコキシシランの含有により光照射もしくは加熱処理により、架橋構造を導入することができる。従って、形成された薄膜パターンの電気的絶縁性をさらに高めることができる。また、パターンの形状の崩れをより一層抑制することが可能となり、パターン形状の安定な薄膜を容易に形成することが可能となる。
【００８２】
本発明に係る薄膜パターンの形成方法では、本発明に従って構成された感光性樹脂組成物からなる感光性樹脂組成物層を基板上に形成し、選択的に露光してパターン上の潜像を形成し、しかる後、潜像が形成された感光性樹脂組成物層をアルカリ水溶液にて現像する。従って、光によりポリシランのＳｉ−Ｓｉ結合が切断され、露光部分がアルカリ水溶液に対する良好な溶解性を発現するため、上記アルカリ水溶液にて現像することにより、所望とする形状の薄膜パターンを容易に形成することができる。
【００８３】
しかも、上記アルコキシシランポリマーが感光性樹脂組成物に含有されているため、得られた薄膜パターンの電気的絶縁性が効果的に高められる。
【００８４】
さらに、アルカリ水溶液にて現像した後に、薄膜パターンに光照射を行う場合には、光の照射により薄膜パターンを構成しているポリシランがあらかじめ強制的に劣化される。従って、最終的に得られた薄膜パターンを使用した場合に光に曝されたとしても、それ以上の光によるポリシランの分解が生じ難く、薄膜パターンの経時による崩れを効果的に抑制することができる。
【００８５】
また、アルカリ水溶液にて現像して薄膜パターンを形成した後に加熱処理を施した場合には、アルコキシシラン等が熱架橋し、それによって薄膜パターンの形状安定性が効果的に高められる。よって、薄膜パターンの経時による崩れを効果的に抑制することができる。
【００８６】
本発明に係る電子機器用絶縁膜は、本発明に従って構成された感光性樹脂組成物を用いて形成されているため、電気的絶縁性に優れており、従って本発明に係る感光性樹脂組成物を用いて形成された上記電子機器用絶縁膜は、例えば液晶表示素子の保護膜や半導体素子の層間絶縁膜として好適に用いられ、液晶表示素子や半導体素子における保護や層間絶縁性を効果的に高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８７】
以下、本発明に係る感光性樹脂組成物を用いた具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明をより詳細に説明する。
【００８８】
（ポリメチルフェニルシランの調製）
冷却管を取り付けている５００ｍＬのセパラブルカバーとセパラブルフラスコとを窒素気流下で加熱し、水分を十分除去した。水分が除去されたセパラブルフラスコ中に無水テトラヒドロフラン１６０ｍＬを加え、さらにナトリウム８．８４ｇを加えた。乾燥窒素気流下のもと、ステンレス製のネットが付いた半円形型のメカニカルスターラーを用い、ナトリウムを分散させ、オイルバスで８０℃に加熱した。次いで、セパラブルフラスコ中にメチルフェニルジクロロシラン２５ｍＬを添加し、８０℃のまま２時間攪拌した。反応終了後、セパラブルフラスコを室温になるまで冷却した。冷却後、セパラブルフラスコ中に無水トルエン８０ｍＬを加え、沈殿生成物を濾別した。さらに、得られた濾液をエバポレーターを用いて濃縮し、４００ｍＬのイソプロパノールを加えて、沈殿生成物を得た。
【００８９】
得られた沈殿生成物を吸引濾過で濾別し、蒸留水とメタノールで十分洗浄した。洗浄後、約５００ｍＬのトルエンに溶解させ、分液漏斗を用い、蒸留水で中性になるまで洗浄した。洗浄後、硫酸マグネシウムで十分乾燥した後、エバポレーターで濃縮した。濃縮後、イソプロパノールとトルエンとが２対１の溶液７５０ｍＬを用いて再沈殿させて精製し、粗製のポリメチルフェニルシランを得た。得られた粗製のポリメチルフェニルシランは、トルエン１００ｍＬに溶解させた。溶解後のトルエン溶液を、イソプロパノールとトルエンとが１対１の溶液４００ｍＬ中に投入することにより、再沈殿させ精製した。この再沈殿による精製は、合計３回実施した。精製後、減圧させたデシケーター中で１５時間乾燥させ、数平均分子量７０００のポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を得た。
【００９０】
（フェニルトリエトキシシランポリマー〔以下、Ｐｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーと略す〕の調製）
アルコキシシランポリマーとして、以下の要領でＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーを調製した。
【００９１】
冷却管が取り付けられた５００ｍＬのセパラブルカバーとセパラブルフラスコとを窒素気流下で加熱し、水分を十分に除去した。水分が除去されたセパラブルフラスコ中にフェニルトリエトキシシラン１０ｇと、触媒としてのシュウ酸０．２ｇと、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）２０ｇと、水２ｇとを投入し、オイルバスで７０℃に加熱し、２時間反応させ、しかる後１３０℃まで昇温し、さらに２時間反応させ、ポリマー溶液を得た。このようにして得られたポリマー容器を真空脱気乾燥し、ポリマー（液状）を得た。得られたＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーの重量平均分子量を測定したところ、１０００であった。
【００９２】
１３０℃における反応時間を１２時間及び２４時間に変更したことを除いては上記と同様にして、ポリマー溶液を得、かつ真空脱気乾燥した。その結果、重量平均分子量が５００００及び１０００００の固体のＰｈ−ＳｉＯ−ポリマーが得られた。
【００９３】
以下の実施例、比較例に用いたポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）及びＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーは、上記調製方法に従って得たものである。
【００９４】
（実施例１）
ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）１００重量部と、３，３′，４，４′−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン１０重量部と、Ｐｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマー（Ｍｗ＝１０００）５００重量部と、テトラヒドロフラン８００重量部とを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート８００重量部の溶剤に溶解し、感光性樹脂組成物を調製した。この感光性樹脂組成物を、厚さ０．７５ｍｍのシリコンウエハー上に、回転数２０００ｒｐｍでスピン塗工した。塗工後、８０℃の熱風オーブンで乾燥させ、膜厚０．２５μｍの塗膜を形成した。次に、所定のパターンを有するフォトマスクを介して、紫外線照射装置（ウシオ電機社製、スポットキュアＳＰ−５）を用い、塗膜に３６５ｎｍの波長の紫外線を、照射エネルギーが１０００ｍＪ／ｃｍ2となるように１００ｍＷ／ｃｍ2の紫外線照度で１０秒間照射した。照射後、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２．３８％水溶液に、塗膜を２分間浸漬した。
【００９５】
その結果、紫外線が照射された部分では塗膜が溶解し、フォトマスクに由来するＬ／Ｓ５μｍのパターンが形成された。この形成された薄膜パターンに、さらに該紫外線照射装置により紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ2照射した。さらに、３００℃に加熱したホット
プレート上で、薄膜パターンを１時間加熱し、ポリメチルフェニルシランを縮合させ、薄膜パターンを得た。
【００９６】
（実施例２）
Ｍｗ＝１０００のＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーの配合割合を２５重量部としたことを除いては実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを形成した。
【００９７】
（実施例３）
Ｍｗ＝１０００のＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーの配合割合を３０００重量部としたことを除いては実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを形成した。
【００９８】
（実施例４）
Ｐｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーとして、Ｍｗ＝１０００のものに代えて、Ｍｗ＝５００００のＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーを５００重量部配合したことを除いては、実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを得た。
【００９９】
（実施例５）
Ｐｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーを添加せず、代わりにＰｈ−Ｐｏｓｓ（ヘプターシクロヘニルシルセスシオキサン、１，３，５，７，９，１１，１４−Ｈｅｐｔａｃｙｃｌｏｐｅｎｔｙｌｔｒｉｃｙｃｌｏ〔７．３．３．１5,11〕Ｈｅｐｔａｓｉｌｏｘａｎｅ−ｅｎｄｏ−３，７，１４−ｔｒｉｏｌ）を５００重量部配合したことを除いては、実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを形成した。
【０１００】
なお、上記Ｐｈ−Ｐｏｓｓの構造を下記の式（２）に示す。
【０１０１】
【化３】
2006139083.tif 000004
【０１０２】
（実施例６）
感光性樹脂組成物の調製に際し、透光性粒子としてＰＧＭＥＡに分散したＳｉＯ2粒子（扶桑化学社製、商品名：ＰＬ−２Ｌ−ＰＧＭＥＡ、一次粒子径１５ｎｍ）２００重量部を配合したことを除いては、実施例１と同様にして、感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを形成した。
【０１０３】
（実施例７）
アルコキシシランとして、フェニルトリエトキシシラン（ＰＴＥＳ）１００重量部をさらに配合したことを除いては、実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを得た。
【０１０４】
（実施例８）
実施例６で用いた透光性粒子２００重量部及び実施例７で用いたＰＴＥＳ１００重量部をさらに配合したことを除いては実施例１と同様にして、感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを得た。
【０１０５】
（比較例１）
Ｐｈ−ＳｉＯ−ポリマーを用いなかったことを除いては、実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、薄膜パターンの形成を試みた。
【０１０６】
（比較例２）
Ｐｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマー（Ｍｗ＝１０００）の配合割合を１５重量部に変更したことを除いては実施例１と同様にして、感光性樹脂組成物を調製し、薄膜パターンの形成を試みた。
【０１０７】
（比較例３）
Ｐｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマー（Ｍｗ＝１０００）の配合割合を４０００重量部に変更したことを除いては実施例１と同様にして、感光性樹脂組成物を調製し、薄膜パターンの形成を試みた。
【０１０８】
（比較例４）
使用したＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーとして、Ｍｗ＝１０００００のＰｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーを用いたことを除いては、実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製したが、Ｐｈ−Ｓｉ−Ｏ−ポリマーが溶解せず、薄膜パターンを形成することはできなかった。
【０１０９】
（比較例５）
アルコキシシランポリマーを用いなかったこと、ＰＴＥＳ（フェニルトリエトキシシラン）５００重量部を用いたことを除いては、実施例１と同様にして感光性樹脂組成物を調製し、かつ薄膜パターンを得た。
【０１１０】
（評価）
上記実施例１〜８及び比較例１〜５の感光性樹脂組成物の組成を下記の表１にまとめて示す。また、実施例１〜８及び比較例１〜５において、最終的に得られた薄膜パターンの形状を観察した結果及び薄膜パターンの体積抵抗を以下の容量で評価した。結果を下記の表２に示す。
【０１１１】
表２における評価記号の意味内容は以下の通りである。
【０１１２】
◎：パターン形成状態が非常に良好である。
【０１１３】
〇：パターン形成状態が良好である。
【０１１４】
△：パターンの崩れが若干生じている。
【０１１５】
×：パターン形成状態が不良である（パターンの崩れが生じている）。
【０１１６】
体積抵抗の測定………ＪＩＳ  Ｋ６９１１に準じた方法により得られた薄膜パターンの体積抵抗を測定した。
【０１１７】
【表１】
2006139083.tif 000005
【０１１８】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【０１１９】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る薄膜パターン形成方法を説明するための各工程の断面図。
【図２】本発明に係る電子機器用絶縁保護膜が用いられている液晶表示素子を示す正面断面図。
【図３】図２に示した液晶表示素子の要部を説明するための部分切欠正面断面図。
【図４】本発明の電子機器用絶縁保護膜が用いられているカラーフィルタを示す部分切欠正面断面図。
【符号の説明】
【０１２０】
１…感光性樹脂組成物層
１Ａ…潜像
１Ｂ…感光層
１Ｃ…薄膜パターン
２…基板
３…フォトマスク
１１…液晶表示素子
１２…ガラス基板
１３…ＴＦＴ
１３ａ…ゲート電極
１３ｂ…ゲート絶縁膜
１３ｃ…半導体層
１３ｄ…ソース電極
１３ｅ…ドレイン電極
１４…ＴＦＴ保護膜（電子機器用絶縁保護膜）
１５…ＩＴＯ
１６…配向膜
１７…配向膜
１８…シール材
１９…液晶
２０…スペーサー
２１…ガラス基板
２２…カラーフィルタ
２３…ＩＴＯ
３１…カラーフィルタ
３２ａ〜３２ｃ…画素
３３…ブラックマトリクス部
３４…保護膜（電子機器用絶縁保護膜）
３５…ＩＴＯ電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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