(57)【要約】      （修正有）【課題】金属配線をファインピッチで形成しても、金属配線とベース絶縁層との密着性を向上させることができ、電気信号の伝達不良や耐マイグレーション性の低下を防止して、信頼性の向上を図ることのできる、配線回路基板を提供する。【解決手段】ベース絶縁層１の上に、金属薄膜２を形成し、その金属薄膜２の上に、アディティブ法によって、金属薄膜２を形成する金属のイオン化傾向よりも、イオン化傾向の小さい金属からなる金属配線４を形成する。そして、ベース絶縁層１の上に、金属配線４が端子部１０として部分的に露出するように、金属配線４を被覆するカバー絶縁層９を形成するとともに、カバー絶縁層９から露出する端子部１０の周囲の側面に密着して隣接するように、保護絶縁層８を形成する。これによって、金属薄膜２の腐食を防止して、金属配線４とベース絶縁層１との密着性の向上を図ることができる。【選択図】図３
2006066451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース絶縁層と、
前記ベース絶縁層の上に形成され、金属からなる金属薄膜と、
前記金属薄膜の上に形成され、前記金属薄膜を形成する金属よりもイオン化傾向の小さい金属からなる金属配線と、
前記ベース絶縁層の上に、前記金属配線の側面に接触するように配置され、前記金属薄膜の厚みより厚く、かつ、前記金属薄膜の厚みと前記金属配線の厚みとの合計の厚みより薄く形成された保護絶縁層とを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記金属薄膜を形成する金属が、クロム、ニッケル、ニッケル−クロム合金およびニッケル−銅合金からなる群から選択される少なくとも１種であり、
前記金属配線を形成する金属が、銅であることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記ベース絶縁層の上に、前記金属配線を被覆するように形成されるカバー絶縁層をさらに備え、
前記カバー絶縁層は、前記金属配線が部分的に露出するように形成されており、
前記保護絶縁層が、前記カバー絶縁層から露出する前記金属配線の側面に隣接するように配置されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、フレキシブル配線回路基板として用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板では、ベース絶縁層の上に、銅線などの金属配線が配線回路パターンとして形成されている。近年、配線回路基板の軽薄・短小化の要求に従って、金属配線をよりファインピッチで形成することが望まれている。金属配線をファインピッチで形成するには、金属配線とベース絶縁層との密着性を向上させる必要がある。
【０００３】
金属配線とベース絶縁層との密着性を向上させるために、例えば、ベース絶縁層としての基材上に、アディティブ法またはサブトラクティブ法により金属配線パターンを形成した金属配線回路基板において、感光性絶縁樹脂溶液を、金属配線パターンが被覆されるとともにスペース部分が充填されるように塗布し、露光・現像して、金属配線パターンの必要箇所が露出するように、感光性絶縁樹脂を除去し、その後、残存する感光性絶縁樹脂を加熱閉環または加熱架橋して、金属配線間のスペース部分に感光性絶縁樹脂を充填することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００２−３６８３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の提案では、金属配線とベース絶縁層との密着性を、ある程度まで改善することはできる。しかし、アディティブ法のように、ベース絶縁層の上に金属薄膜を形成してから、その金属薄膜の上に金属配線を形成する場合において、例えば、金属薄膜がクロムからなり、金属配線が銅からなる場合、すなわち、金属薄膜を形成する金属のイオン化傾向が、金属配線を形成する金属のイオン化傾向よりも大きい場合には、端子部のめっき工程などの後工程において、配線回路基板が薬液に触れると、金属薄膜と金属配線との間の電位差に起因して、局部電池（ガルバニ電池）が形成され、局部電流の発生により金属薄膜が腐食（ガルバニック腐食）されるという不具合を生じる。
【０００５】
このような腐食が生じると、金属配線のベース絶縁層に対する密着性が低下するだけでなく、電気信号の伝達不良や耐マイグレーション性の低下を生じる。
本発明の目的は、金属配線をファインピッチで形成しても、金属配線とベース絶縁層との密着性を向上させることができ、電気信号の伝達不良や耐マイグレーション性の低下を防止して、信頼性の向上を図ることのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、ベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の上に形成され、金属からなる金属薄膜と、前記金属薄膜の上に形成され、前記金属薄膜を形成する金属よりもイオン化傾向の小さい金属からなる金属配線と、前記ベース絶縁層の上に、前記金属配線の側面に接触するように配置され、前記金属薄膜の厚みより厚く、かつ、前記金属薄膜の厚みと前記金属配線の厚みとの合計の厚みより薄く形成された保護絶縁層とを備えていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明においては、前記金属薄膜を形成する金属が、クロム、ニッケル、ニッケル−クロム合金およびニッケル−銅合金からなる群から選択される少なくとも１種であり、前記金属配線を形成する金属が、銅であることが好適である。
また、本発明においては、前記ベース絶縁層の上に、前記金属配線を被覆するように形成されるカバー絶縁層をさらに備え、前記カバー絶縁層は、前記金属配線が部分的に露出するように形成されており、前記保護絶縁層が、前記カバー絶縁層から露出する前記金属配線の側面に隣接するように配置されていることが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線回路基板によれば、金属薄膜の上に形成された金属配線の側面には、金属薄膜の厚みより厚く形成された保護絶縁層が、接触するように配置されている。これによって、端子部のめっき工程などの後工程において、たとえ、配線回路基板が薬液に触れても、金属薄膜は、保護絶縁層によって薬液から保護される。そのため、金属薄膜と金属配線との間での局部電池の形成による局部電流の発生を防止することができる。その結果、金属薄膜の腐食を防止して、金属配線をファインピッチで形成しても、金属配線とベース絶縁層との密着性を向上させることができる。また、電気信号の伝達不良や耐マイグレーション性の低下をも防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１および図２は、本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図である。以下、図１および図２を参照して、このフレキシブル配線回路基板の製造方法を説明する。なお、図１および図２の各工程において、紙面左側には、フレキシブル配線回路基板の長手方向に沿う断面を、紙面右側には、フレキシブル配線回路基板の長手方向に直交する幅方向に沿う断面を、それぞれ示している。
【００１０】
この方法では、まず、図１（ａ）に示すように、ベース絶縁層１を用意する。ベース絶縁層１は、フレキシブル配線回路基板のベース絶縁層として用いられるものであれば、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂のフィルムが用いられる。好ましくは、ポリイミド樹脂フィルムが用いられる。ベース絶縁層１の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００１１】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層１の上に、アディティブ法の種膜として、金属薄膜２を形成する。金属薄膜２は、後述する金属配線４を形成する金属のイオン化傾向よりも、イオン化傾向の大きい金属から形成される。後述する金属配線４が銅から形成される場合には、金属薄膜２を形成する金属としては、例えば、クロム、ニッケル、ニッケル−クロム合金、ニッケル−銅合金などが用いられる。このような金属を用いることで、金属薄膜２と後述する金属配線４との間の密着性を向上させることができる。
【００１２】
金属薄膜２の形成は、無電解めっき、真空蒸着法などの公知の薄膜形成法が用いられる。好ましくは、真空蒸着法、より好ましくは、上記した金属をターゲットとするスパッタリング法が用いられる。金属薄膜２の厚みは、例えば、０．０１〜０．５μｍ、好ましくは、０．１〜０．３μｍである。０．０１μｍより薄いと、例えば、ベース絶縁層１を完全に被覆できず、ピンホールの発生により、フレキシブル配線回路基板の信頼性が低下する場合がある。また、０．５μｍより厚いと、例えば、金属薄膜２の不要部分のエッチング工程（図１（ｆ））において、その不要部分を効率的に除去できない場合がある。
【００１３】
また、金属薄膜２は、単層で形成してもよく、また、２層以上の多層で形成することもできる。なお、金属薄膜２を多層で形成する場合に、後述する金属配線４と直接接触する金属薄膜２の最上層を形成する金属と、後述する金属配線４を形成する金属とが、同一種類の金属（イオン化傾向が同じ。）である場合には、金属薄膜２の厚みは、その最上層を含む多層の厚みとして設定される。例えば、ベース絶縁層１の上に、金属薄膜２として、クロム薄膜および銅薄膜をスパッタリング法により連続して積層した後に、その銅薄膜の上に、金属配線４を電解銅めっきにより形成した場合には、銅薄膜の厚みは、金属薄膜２の厚みに属する。
【００１４】
次いで、この方法では、金属薄膜２の上に、金属配線４を形成する。金属配線４は、配線回路パターン５（図３参照）として形成される。金属配線４を形成するには、上記した金属薄膜２を種膜として電解めっきするアディティブ法が用いられる。アディティブ法によれば、金属配線４をファインピッチの配線回路パターン５として形成することができる。
【００１５】
すなわち、まず、図１（ｃ）に示すように、ベース絶縁層１の上に形成された金属薄膜２の上に、めっきレジスト３を配線回路パターン５の反転パターンで形成する。めっきレジスト３は、例えば、金属薄膜２の表面に、ドライフィルムレジストをラミネートして、露光および現像する公知の方法により、配線回路パターン５の反転パターンとして形成する。
【００１６】
次いで、図１（ｄ）に示すように、めっきレジスト３から露出する金属薄膜２の上に、金属配線４を形成する。金属配線４は、金属薄膜２を形成する金属のイオン化傾向よりも、イオン化傾向の小さい金属から形成される。好ましくは、銅から形成される。また、金属配線４の形成は、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
これによって、金属配線４は、例えば、図３に示すように、このフレキシブル配線回路基板の長手方向に沿う複数（２つ）の配線回路パターン５として形成される。なお、複数の金属配線４は、フレキシブル配線回路基板の長手方向に直交する幅方向において、互いに所定間隔を隔てて並列配置され、各金属配線４の幅（図３（ａ）においてＷで示されている。）は、例えば、５〜１００μｍであり、各金属配線４の間隔（図３（ａ）において、Ｓで示されている。）は、例えば、５〜１００μｍである。また、各金属配線４の厚みは、金属薄膜２の厚みとの合計の厚みとして、例えば、５〜１５μｍ、好ましくは、１０〜１５μｍである。
【００１７】
その後、図１（ｅ）に示すように、めっきレジスト３を、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法または剥離によって除去した後、図１（ｆ）に示すように、金属薄膜２において、金属配線４から露出している部分（不要部分）を除去する。金属薄膜２の除去は、例えば、化学エッチング（ウェットエッチング）などの公知のエッチング法が用いられる。
【００１８】
次いで、この方法では、図２（ｇ）〜（ｉ）に示すように、保護絶縁層８およびカバー絶縁層９を同時に形成する。
保護絶縁層８およびカバー絶縁層９を同時に形成するには、まず、図２（ｇ）に示すように、感光性樹脂のワニス６を、金属配線４を含むベース絶縁層１の全面に塗布する。感光性樹脂は、上記した合成樹脂において、感光性であるものが用いられる。好ましくは、感光性ポリイミド樹脂が用いられる。感光性樹脂のワニスは、好ましくは、ポリアミック酸樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）のワニスが用いられる。
【００１９】
そして、この方法では、図２（ｈ）に示すように、ワニス６を、フォトマスク７を用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ワニス６からベース絶縁層１および金属配線４が露出するように（つまり、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部にカバー絶縁層９が形成されないように）、パターニングする。これによって、露出した金属配線４およびその金属配線４に対応する金属薄膜２からなる部分が、端子部１０となる。露光は、フォトマスク７を用いる公知の露光方法が用いられる。また、現像は、現像液を用いる浸漬法やスプレー法などの公知の現像方法が用いられる。
【００２０】
なお、図２（ｈ）および（ｉ）では、ネガ画像によるパターンニングが例示されているが、ネガ画像かポジ画像かは、ワニス６の種類による選択される。
また、この露光および現像においては、端子部１０の周囲の側面（幅方向両側面および長手方向一側面）に、硬化後の厚みが金属薄膜２より厚く、かつ、金属薄膜２の厚みと金属配線４の厚みとの合計の厚みよりも薄くなる厚さで、ワニス６が残存するように（つまり、端子部１０の周囲の側面に保護絶縁層８が接触して隣接されるように）、パターニングする。
【００２１】
このようにパターンニングするには、例えば、フォトマスク７において、ワニス６を残存させる部分に対応する部分の光の透過率を調整（例えば、階調露光マスクなどを用いて、全透過から全遮光までの間の半透過に調整する。）して、現像時にそのワニス６を厚さ方向途中で残存させる。または、例えば、ワニス６の塗布において、残存させる部分に対応する部分の膜厚を、その他の部分（金属配線４を被覆する部分）の膜厚より薄くする。
【００２２】
そして、図２（ｉ）に示すように、ワニス６を乾燥後、加熱により硬化させれば、ベース絶縁層１の上に、金属配線４を被覆するカバー絶縁層９と、そのカバー絶縁層９から露出する端子部１０の周囲の側面に隣接する保護絶縁層８とが、同時に形成される。カバー絶縁層９と保護絶縁層８とを同時に形成すれば、工程の簡略化を図ることができる。なお、カバー絶縁層９の厚みは、例えば、５〜２５μｍ、好ましくは、１０〜２０μｍである。
【００２３】
その後、図２（ｊ）に示すように、端子部１０における保護絶縁層８から露出する表面に、金属めっき層１１を形成して、フレキシブル配線回路基板を得る。金属めっき層１１は、例えば、金やニッケルなどからなり、例えば、電解めっきや無電解めっきなどのめっきにより形成する。好ましくは、無電解金めっきや無電解ニッケルめっきが用いられる。金属めっき層１１の厚みは、例えば、金めっき層である場合には、例えば、０．１〜１μｍ、ニッケルめっき層である場合には、例えば、０．５〜５μｍである。
【００２４】
このようにして得られるフレキシブル配線回路基板において、図３（ａ）に示すように、カバー絶縁層９は、ベース絶縁層１の上に、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端縁から、長手方向他端側に向かって所定間隔を隔てた位置において、長手方向他端側に向かって複数の金属配線４を被覆するように形成されている。そして、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端縁からカバー絶縁層９の長手方向一端縁までの間は、カバー絶縁層９が形成されておらず、ベース絶縁層１および金属配線４が露出されており、その露出されている金属配線４の部分（金属配線４およびその金属配線４に対応する金属薄膜２を含む部分）が、平面視略矩形状の端子部１０とされている。
【００２５】
そして、この端子部１０の周囲の側面、すなわち、幅方向両側面および長手方向一側面には、保護絶縁層８が形成されている。この保護絶縁層８は、ベース絶縁層１の上に、端子部１０を囲むように平面視略コ字状かつ断面矩形状に形成され、端子部１０の各側面に密着するように接触して隣接配置されている。この保護絶縁層８は、その幅（厚みに直交する方向の幅）が、例えば、１〜５μｍに設定され、その厚みは、図３（ｂ）に示すように、金属薄膜２の厚みより厚く、かつ、金属薄膜２と金属配線４との合計の厚みより薄く、より具体的には、例えば、１〜５μｍ、好ましくは、１〜３μｍに設定されている。金属薄膜２の厚みより薄いと、端子部１０において、金属薄膜２が保護絶縁層８から露出してしまい、保護絶縁層８により金属薄膜２の十分な保護を図ることができず、一方、金属薄膜２と金属配線４との合計の厚みより厚いと、保護絶縁層８によって、端子部１０の接続信頼性が阻害される。
【００２６】
なお、図３（ａ）において、一方の端子部１０を囲む保護絶縁層８のうち、他方の端子部１０を囲む保護絶縁層８と隣り合う保護絶縁層８と、他方の端子部１０を囲む保護絶縁層８のうち、一方の端子部１０を囲む保護絶縁層８と隣り合う保護絶縁層８との間は、例えば、１〜１０μｍに設定されている。
また、この保護絶縁層８の上には、図３（ｂ）に示すように、金属めっき層１１が、端子部１０の金属配線４を被覆して、金属配線４を跨ぐようにして形成されている。
【００２７】
そして、このフレキシブル配線回路基板では、カバー絶縁層９からの露出する端子部１０において、少なくとも金属薄膜２の周囲の側面には、保護絶縁層８が、各側面と密着してその周囲を囲むように、隣接して配置されている。これによって、端子部１０に金属めっき層１１を形成する工程などの後工程において、たとえ、フレキシブル配線回路基板が薬液に触れても、端子部１０の金属薄膜２は、その金属薄膜２を囲む保護絶縁層８によって薬液から保護される。そのため、端子部１０において金属薄膜２と金属配線４との間での局部電池の形成による局部電流の発生を防止することができる。その結果、金属薄膜２の腐食を防止して、金属配線４をファインピッチで形成しても、金属配線４とベース絶縁層１との密着性を向上させることができる。また、電気信号の伝達不良や耐マイグレーション性の低下をも防止することができる。
【００２８】
なお、上記の説明では、保護絶縁層８を、ベース絶縁層１の上に、端子部１０の周囲の側面のみに形成したが、例えば、図４に示すように、フレキシブル配線回路基板におけるカバー絶縁層９が形成されていない一端部において、端子部１０を囲むように、ベース絶縁層１の全面に形成することもできる。
このように形成するには、上記した図２（ｇ）の工程において、露光および現像により、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、端子部１０を除くベース絶縁層１の全面に、硬化後の厚みが金属薄膜２より厚く、かつ、金属薄膜２の厚みと金属配線４の厚みとの合計の厚みよりも薄くなる厚みで、ワニス６が残存するようにパターニングする。
【００２９】
また、上記の方法では、図２（ｇ）〜（ｉ）の工程において、保護絶縁層８およびカバー絶縁層９を同時に形成したが、例えば、図５（ｇ）〜（ｍ）の工程に示すように、保護絶縁層８を形成した後に、カバー絶縁層９を形成することもできる。
すなわち、この方法では、まず、図１（ａ）〜（ｆ）と同様の工程により、ベース絶縁層１の上に、金属配線４を形成した後、図５（ｇ）に示すように、硬化後の厚みが金属薄膜２より厚く、かつ、金属薄膜２の厚みと金属配線４の厚みとの合計の厚みよりも薄くなる厚みで、金属配線５を含むベース絶縁層１の全面に、上記と同様のワニス６を塗布する。
【００３０】
次いで、この方法では、図５（ｈ）に示すように、ワニス６を、フォトマスク７を用いて露光し、その後、現像することにより、金属配線４を除くベース絶縁層１の全面に、ワニス６が被覆されるように、パターニングする。
そして、図５（ｉ）に示すように、ワニス６を乾燥後、加熱により硬化させれば、金属配線４を除くベース絶縁層１の全面に、保護絶縁層８が形成される。なお、保護絶縁層８の厚みは、上記と同様である。
【００３１】
その後、この方法では、図５（ｊ）に示すように、金属配線５を含む保護絶縁層８の全面に、ワニス６を塗布し、次いで、図５（ｋ）に示すように、そのワニス６を、フォトマスク７を用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ワニス６から保護絶縁層８および金属配線４が露出するように（つまり、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部にカバー絶縁層９が形成されないように）、パターニングする。
【００３２】
そして、図５（ｌ）に示すように、ワニス６を乾燥後、加熱により硬化させれば、保護絶縁層８の上に、金属配線４を被覆するカバー絶縁層９が形成される。なお、カバー絶縁層９の厚みは、上記と同様である。
これによって、カバー絶縁層９から露出した金属配線４およびその金属配線４に対応する金属薄膜２からなる部分が、端子部１０となる。
【００３３】
その後、図５（ｍ）に示すように、端子部１０における保護絶縁層８から露出する表面に、上記と同様に、金属めっき層１１を形成して、フレキシブル配線回路基板を得る。金属めっき層１１の厚みは、上記と同様である。
このようにして得られるフレキシブル配線回路基板では、図６（ａ）に示すように、カバー絶縁層９は、ベース絶縁層１の上に、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端縁から、長手方向他端側に向かって所定間隔を隔てた位置において、長手方向他端側に向かって複数の金属配線４を被覆するように形成されている。また、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端縁からカバー絶縁層９の長手方向一端縁までの間は、カバー絶縁層９が形成されておらず、保護絶縁層８および金属配線４が露出されており、その露出されている金属配線４の部分（金属配線４およびその金属配線４に対応する金属薄膜２を含む部分）が、平面視略矩形状の端子部１０とされている。
【００３４】
すなわち、カバー絶縁層９が形成されていないフレキシブル配線回路基板の長手方向一端部では、ベース絶縁層１における端子部１０が形成されている部分を除いて、その全面に保護絶縁層８が形成されている。
また、この保護絶縁層８の上には、図６（ｂ）に示すように、金属めっき層１１が、端子部１０の金属配線４を被覆して、金属配線４を跨ぐようにして形成されている。
【００３５】
そして、このフレキシブル配線回路基板においても、カバー絶縁層９から露出する端子部１０において、少なくとも金属薄膜２の周囲の側面には、保護絶縁層８が、各側面と密着してその周囲を囲むように、隣接して配置されている。そのため、金属配線４とベース絶縁層１との密着性を向上させることができる。また、電気信号の伝達不良や耐マイグレーション性の低下をも防止することができる。
【００３６】
なお、図５および図６では、保護絶縁層８を、金属配線４を囲むようにベース絶縁層１の全面に形成したが、例えば、図２に示す保護絶縁層８と同様に、金属配線４の周囲の側面のみに形成することもできる。
また、図５および図６においては、保護絶縁層８を形成する材料（ワニス）と、カバー絶縁層９を形成する材料（ワニス）とが、同一である場合、異なる場合のいずれでもよく、適宜選択することができる。また、カバー絶縁層９は、上記した感光性樹脂のワニスに限らず、例えば、ソルダレジストなどからも形成することができる。さらには、その形成方法についても、露光および現像する写真法に限らず、例えば、スクリーン印刷法などを用いることもできる。
【００３７】
また、上記した方法以外にも、例えば、図７（ｇ）〜（ｍ）の工程に示すように、カバー絶縁層９を形成した後に、保護絶縁層８を形成することもできる。
すなわち、この方法では、まず、図１（ａ）〜（ｆ）と同様の工程により、ベース絶縁層１の上に、金属配線４を形成した後、図７（ｇ）に示すように、上記したワニス６を、金属配線４を含むベース絶縁層１の全面に塗布した後、図７（ｈ）に示すように、ワニス６を、上記と同様に、フォトマスク７を用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ワニス６からベース絶縁層１および金属配線４が露出するように（つまり、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部にカバー絶縁層９が形成されないように）、パターニングする。
【００３８】
そして、図７（ｉ）に示すように、ワニス６を乾燥後、加熱により硬化させれば、ベース絶縁層１の上に、金属配線４を被覆するカバー絶縁層９が形成される。なお、カバー絶縁層９の厚みは、上記と同様である。
また、カバー絶縁層９は、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部に形成されておらず、ベース絶縁層１および金属配線４が露出されており、その露出した金属配線４およびその金属配線４に対応する金属薄膜２からなる部分が、端子部１０となる。
【００３９】
その後、図７（ｊ）に示すように、硬化後の厚みが金属薄膜２より厚く、かつ、金属薄膜２と金属配線４との合計の厚みよりも薄くなる厚みで、端子部１０を含むベース絶縁層１の全面、および、カバー絶縁層９の上に、上記と同様のワニス６を塗布する。
次いで、この方法では、図７（ｋ）に示すように、ワニス６を、フォトマスク７を用いて露光し、その後、現像することにより、カバー絶縁層９が形成されていないフレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、端子部１０を除くベース絶縁層１の全面にワニス６が被覆されるように、パターニングする。
【００４０】
そして、図７（ｌ）に示すように、ワニス６を乾燥後、加熱により硬化させれば、カバー絶縁層９が形成されていないフレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、端子部１０を除くベース絶縁層１の全面に、保護絶縁層８が形成される。なお、保護絶縁層８の厚みは、上記と同様である。
その後、図７（ｍ）に示すように、端子部１０における保護絶縁層８から露出する表面に、上記と同様に、金属めっき層１１を形成して、フレキシブル配線回路基板を得る。金属めっき層１１の厚みは、上記と同様である。
【００４１】
このようにして得られるフレキシブル配線回路基板では、図８（ａ）に示すように、カバー絶縁層９は、ベース絶縁層１の上に、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端縁から、長手方向他端側に向かって所定間隔を隔てた位置において、長手方向他端側に向かって複数の金属配線４を被覆するように形成されている。また、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端縁からカバー絶縁層９の長手方向一端縁までの間は、カバー絶縁層９が形成されておらず、保護絶縁層８および金属配線４が露出されており、その露出されている金属配線４の部分（金属配線４およびその金属配線４に対応する金属薄膜２を含む部分）が、平面視略矩形状の端子部１０とされている。
【００４２】
すなわち、カバー絶縁層９が形成されていないフレキシブル配線回路基板の長手方向一端部では、ベース絶縁層１における端子部１０が形成されている部分を除いて、その全面に保護絶縁層８が形成されている。
また、この保護絶縁層８の上には、図８（ｂ）に示すように、金属めっき層１１が、端子部１０の金属配線４を被覆して、金属配線４を跨ぐようにして形成されている。
【００４３】
そして、このフレキシブル配線回路基板においても、カバー絶縁層９からの露出する端子部１０において、少なくとも金属薄膜２の周囲の側面には、保護絶縁層８が、各側面と密着してその周囲を囲むように、隣接して配置されている。そのため、金属配線４とベース絶縁層１との密着性を向上させることができる。また、電気信号の伝達不良や耐マイグレーション性の低下をも防止することができる。
【００４４】
なお、図７および図８では、保護絶縁層８を、端子部１０を囲むようにベース絶縁層１の全面に形成したが、例えば、図２に示す保護絶縁層８と同様に、端子部１０の周囲の側面のみに形成することもできる。
また、図７および図８においては、保護絶縁層８を形成する材料（ワニス）と、カバー絶縁層９を形成する材料（ワニス）とが、同一である場合、異なる場合のいずれでもよく、適宜選択することができる。また、カバー絶縁層９は、上記した感光性樹脂のワニスに限らず、例えば、ソルダレジストなどからも形成することができる。さらには、その形成方法についても、露光および現像する写真法に限らず、例えば、スクリーン印刷法などを用いることもできる。
【００４５】
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、片面フレキシブル配線回路基板として説明したが、本発明の配線回路基板は、両面フレキシブル配線回路基板に適用することができ、さらには、リジッド−フレキシブル配線回路基板やリジッド配線回路基板に適用することもできる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
厚み２５μｍのポリイミド樹脂フィルムからなるベース絶縁層を用意して（図１（ａ）参照）、そのベース絶縁層の上に、金属薄膜として、厚み０．０１μｍのニッケル−クロム薄膜と、厚み０．１５μｍの銅薄膜とを、スパッタリング法により連続して形成した（図１（ｂ）参照）。
【００４７】
次いで、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成した後（図１（ｃ）参照）、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの金属配線を、各金属配線の幅２０μｍ、各金属配線の間隔２０μｍの配線回路パターンとして形成した（図１（ｄ）参照）。その後、めっきレジストを剥離し（図１（ｅ）参照）、さらに、金属配線から露出している金属薄膜をウェットエッチングにより除去した（図１（ｆ）参照）。
【００４８】
次いで、ポリアミック酸樹脂のワニスを、金属配線を含むベース絶縁層の全面に塗布し（図２（ｇ）参照）、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ワニスからベース絶縁層および金属配線が露出し、かつ、その露出された金属配線からなる端子部の周囲の側面にワニスが残存するようにパターニングした（図２（ｈ）参照）。その後、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、金属配線を被覆する厚み１０μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層と、そのカバー絶縁層から露出する端子部の周囲の側面に密着するように隣接する厚み２μｍのポリイミド樹脂からなる保護絶縁層とを、同時に形成した（図２（ｉ）参照）。
【００４９】
その後、端子部における保護絶縁層から露出する表面に、厚み０．５μｍの金めっき層を無電解めっきにより形成して、フレキシブル配線回路基板を得た（図２（ｊ）参照）。
実施例２
厚み２５μｍのポリイミド樹脂フィルムからなるベース絶縁層を用意して（図１（ａ）参照）、そのベース絶縁層の上に、金属薄膜として、厚み０．０３μｍのニッケル−銅薄膜と、厚み０．１５μｍの銅薄膜とを、スパッタリング法により連続して形成した（図１（ｂ）参照）。
【００５０】
次いで、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成した後（図１（ｃ）参照）、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの金属配線を、各金属配線の幅２０μｍ、各金属配線の間隔２０μｍの配線回路パターンとして形成した（図１（ｄ）参照）。その後、めっきレジストを剥離し（図１（ｅ）参照）、さらに、金属配線から露出している金属薄膜をウェットエッチングにより除去した（図１（ｆ）参照）。
【００５１】
次いで、ポリアミック酸樹脂のワニスを、金属配線を含むベース絶縁層の全面に塗布し（図５（ｇ）参照）、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像することにより、ベース絶縁層の上に、金属配線の周囲の側面のみにワニスが残存するように、つまり、金属配線の間にはベース絶縁層が露出するように、パターニングした（図５（ｈ）参照）。その後、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させることにより、金属配線の周囲の側面に密着するように隣接する厚み２μｍの保護絶縁層を形成した（図５（ｉ）参照）。
【００５２】
次いで、金属配線およびその周囲の保護絶縁層を含むベース絶縁層の全面に、熱硬化性のソルダレジスト（インキ）を塗布し（図５（ｊ）参照）、そのソルダレジストを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ソルダレジストから、ベース絶縁層、金属配線およびその周囲の保護絶縁層が露出するようにパターニングした（図５（ｋ）参照）。その後、ソルダレジストを乾燥後、加熱により硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、金属配線およびその周囲の保護絶縁層を被覆する厚み１５μｍのソルダレジストからなるカバー絶縁層を形成した（図５（ｌ）参照）。
【００５３】
その後、カバー絶縁層から露出する金属配線からなる端子部において、保護絶縁層から露出する表面に、厚み０．５μｍの金めっき層を無電解めっきにより形成して、フレキシブル配線回路基板を得た（図５（ｍ）参照）。
比較例１
厚み２５μｍのポリイミド樹脂フィルムからなるベース絶縁層を用意して（図１（ａ）参照）、そのベース絶縁層の上に、金属薄膜として、厚み０．０３μｍのクロム薄膜と、厚み０．１５μｍの銅薄膜とを、スパッタリング法により連続して形成した（図１（ｂ）参照）。
【００５４】
次いで、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成した後（図１（ｃ）参照）、電解銅めっきにより、厚み１０μｍの金属配線を、各金属配線の幅２０μｍ、各金属配線の間隔２０μｍの配線回路パターンとして形成した（図１（ｄ）参照）。その後、めっきレジストを剥離し（図１（ｅ）参照）、さらに、金属配線から露出している金属薄膜をウェットエッチングにより除去した（図１（ｆ）参照）。
【００５５】
次いで、金属配線を含むベース絶縁層の全面に、熱硬化性のソルダレジスト（インキ）を塗布し、そのソルダレジストを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ソルダレジストから、ベース絶縁層、金属配線が露出するようにパターニングした。その後、ソルダレジストを乾燥後、加熱により硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、金属配線を被覆する厚み１５μｍのソルダレジストからなるカバー絶縁層を形成した。
【００５６】
その後、カバー絶縁層から露出する金属配線からなる端子部に、厚み０．５μｍの金めっき層を無電解めっきにより形成して、フレキシブル配線回路基板を得た。
比較例２
厚み２５μｍのポリイミド樹脂フィルムからなるベース絶縁層を用意して（図１（ａ）参照）、そのベース絶縁層の上に、金属薄膜として、厚み０．１５μｍの銅薄膜を、スパッタリング法により形成した（図１（ｂ）参照）。
【００５７】
次いで、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成した後（図１（ｃ）参照）、電解ニッケルめっきにより、厚み１０μｍの金属配線を、各金属配線の幅２０μｍ、各金属配線の間隔２０μｍの配線回路パターンとして形成した（図１（ｄ）参照）。その後、めっきレジストを剥離し（図１（ｅ）参照）、さらに、金属配線から露出している金属薄膜をウェットエッチングにより除去した（図１（ｆ）参照）。
【００５８】
次いで、金属配線を含むベース絶縁層の全面に、熱硬化性のソルダレジスト（インキ）を塗布し、そのソルダレジストを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ソルダレジストから、ベース絶縁層、金属配線が露出するようにパターニングした。その後、ソルダレジストを乾燥後、加熱により硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、金属配線を被覆する厚み１５μｍのソルダレジストからなるカバー絶縁層を形成した。
【００５９】
その後、カバー絶縁層から露出する金属配線からなる端子部に、厚み０．５μｍの金めっき層を無電解めっきにより形成して、フレキシブル配線回路基板を得た。
評価
上記により得られた各実施例および各比較例のフレキシブル配線回路基板に、１０重量％塩酸水溶液を付着させた後、各フレキシブル配線回路基板を、温度６０℃、湿度９０％ＲＨの環境下に２４０時間放置して、状態変化を観察した。
【００６０】
その結果、端子部の周囲の側面に保護絶縁層が形成されている実施例１および２のフレキシブル配線回路基板は、２４０時間経過後も状態変化は観察されなかった。
また、金属薄膜を形成する金属が銅であり、金属配線を形成する金属がニッケル（つまり、金属薄膜を形成する金属のイオン化傾向が、金属配線を形成する金属のイオン化傾向より小さい）である比較例２も、２４０時間経過後も状態変化は観察されなかった。
【００６１】
一方、金属薄膜を形成する金属が、ニッケル／銅であり、金属配線を形成する金属が銅であり（つまり、金属薄膜を形成する金属のイオン化傾向が、金属配線を形成する金属のイオン化傾向より大きくなっており）、かつ、端子部の周囲の側面に保護絶縁層が形成されていない比較例１では、２４時間後に、金属配線がベース絶縁層から剥離していることが観察された。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の配線回路基板の製造方法の一実施形態として、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の上に金属薄膜を形成する工程、（ｃ）は、金属薄膜の上に、めっきレジストを配線回路パターンの反転パターンで形成する工程、（ｄ）は、めっきレジストから露出する金属薄膜の上に、金属配線を形成する工程、（ｅ）は、めっきレジストを除去する工程、（ｆ）は、金属薄膜において、金属配線から露出している部分を除去する工程を示す。
【図２】図１に続いて、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図の一実施形態（保護絶縁層とカバー絶縁層とを同時に形成する態様）であって、（ｇ）は、ワニスを、金属配線を含むベース絶縁層の全面に塗布する工程、（ｈ）は、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像する工程、（ｉ）は、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させて、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層と保護絶縁層とを同時に形成する工程、（ｊ）は、端子部における保護絶縁層から露出する表面に、金属めっき層を形成する工程を示す。
【図３】図２の方法により得られたフレキシブル配線回路基板の一実施形態（保護絶縁層が端子部の周囲の側面のみに形成されている態様）であって、（ａ）は、要部平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ´線断面図である。
【図４】図２の方法により得られたフレキシブル配線回路基板の他の実施形態（保護絶縁層が端子部を囲むようにベース絶縁層の全面に形成されている態様）であって、（ａ）は、要部平面図、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ´線断面図である。
【図５】図１に続いて、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図の他の実施形態（保護絶縁層の形成後に、カバー絶縁層を形成する態様）であって、（ｇ）は、金属配線を含むベース絶縁層の全面にワニスを塗布する工程、（ｈ）は、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像する工程、（ｉ）は、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させて、金属配線を除くベース絶縁層の全面に、保護絶縁層を形成する工程、（ｊ）は、金属配線を含む保護絶縁層の全面に、ワニスを塗布する工程、（ｋ）は、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像する工程、（ｌ）は、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させて、保護絶縁層の上に、金属配線を被覆するカバー絶縁層を形成する工程、（ｍ）は、端子部における保護絶縁層から露出する表面に、金属めっき層を形成する工程を示す。
【図６】図５の方法により得られたフレキシブル配線回路基板であって、（ａ）は、要部平面図、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ´線断面図である。
【図７】図１に続いて、フレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図の他の実施形態（カバー絶縁層の形成後に、保護絶縁層を形成する態様）であって、（ｇ）は、ワニスを、金属配線を含むベース絶縁層の全面に塗布する工程、（ｈ）は、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像する工程、（ｉ）は、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させて、ベース絶縁層の上に、金属配線を被覆するカバー絶縁層を形成する工程、（ｊ）は、端子部を含むベース絶縁層の全面、および、カバー絶縁層の上に、ワニスを塗布する工程、（ｋ）は、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像する工程、（ｌ）は、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させて、端子部を除くベース絶縁層の全面に、保護絶縁層を形成する工程、（ｍ）は、端子部における保護絶縁層から露出する表面に、金属めっき層を形成する工程を示す。
【図８】図７の方法により得られたフレキシブル配線回路基板であって、（ａ）は、要部平面図、（ｂ）は、（ａ）のＤ−Ｄ´線断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１      ベース絶縁層
２      金属薄膜
４      金属配線
８      保護絶縁層
９      カバー絶縁層
【図１】
2006066451.tif 000003
【図２】
2006066451.tif 000004
【図３】
2006066451.tif 000005
【図４】
2006066451.tif 000006
【図５】
2006066451.tif 000007
【図６】
2006066451.tif 000008
【図７】
2006066451.tif 000009
【図８】
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