(57)【要約】【課題】  信頼性が高く、かつ、効率よく製造することが可能な構造をなす半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置は、第１及び第２のグループのパッド２１，２２を有する半導体チップ１０と、第１及び第２のグループのリード４１，４２を有する配線基板３０とを有する。パッド２１は第１の直線１１０に沿って配列されてなり、パッド２２は第１の直線１１０と平行に延びる第２の直線１２０に沿って配列されてなる。リード４１，４２は、それぞれ、接合部４４，４５と、屈曲部４６，４７と、基端部４８，４９とを有する。パッド２１は接合部４４と、パッド２２は接合部４５と、それぞれ対向する。接合部４４は第１の点２１０を通る直線３１０に、接合部４５は第２の点２２０を通る直線３２０に、それぞれ沿って延びる形状をなす。リード４１，４２は、半導体チップ１０の辺１２から引き出されてなる。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２のグループのパッドを有する半導体チップと、
第１及び第２のグループのリードを有する配線基板と、
を有し、
前記第１のグループのパッドは、前記半導体チップの１つの辺に沿って延びる第１の直線に沿って配列されてなり、
前記第２のグループのパッドは、前記第１の直線よりも前記半導体チップの内側に配置されて前記第１の直線と平行に延びる第２の直線に沿って配列されてなり、
前記第１及び第２のグループのリードは、それぞれ、接合部と前記接合部に延設された屈曲部と前記屈曲部に延設された基端部とを有し、
前記半導体チップは、前記第１のグループのパッドが前記第１のグループのリードの前記接合部と対向し、前記第２のグループのパッドが前記第２のグループのリードの前記接合部と対向するように、前記配線基板に搭載されてなり、
前記第１のグループのリードの前記接合部は、第１の点を通る複数の直線のいずれかに沿って延びる形状をなし、
前記第２のグループのリードの前記接合部は、第２の点を通る複数の直線のいずれかに沿って延びる形状をなし、
前記第１及び第２のグループのリードは、前記半導体チップの前記辺から引き出されてなる半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の点は、前記第１及び第２の直線と直交する方向にずれて配置されてなり、
前記第１の点と前記第１の直線との距離は、前記第２の点と前記第２の直線との距離に等しい半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の点は、オーバーラップしてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２のグループのリードは、前記基端部が前記第１のグループのパッドの間を通るように設けられてなる半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２のグループのリードの前記基端部は、前記半導体チップとオーバーラップする領域内で、前記第１及び第２の直線と直交する方向に延びる形状をなす半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２のグループのリードの前記基端部は、前記半導体チップとオーバーラップする領域内で、平行に延びてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを配線基板に搭載して、半導体チップのパッドと配線基板のリードとを対向させて電気的に接続させる構造を有する半導体装置が知られている。現在、パッド数の増加及びリードのピッチの微細化が進んでいるが、半導体装置の信頼性を高めるためには、パッドとリードとを確実に対向させることが重要である。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性が高く、かつ、効率よく製造することが可能な構造をなす半導体装置を提供することにある。
【特許文献１】特開２００３−４６２１２号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、第１及び第２のグループのパッドを有する半導体チップと、
第１及び第２のグループのリードを有する配線基板と、
を有し、
前記第１のグループのパッドは、前記半導体チップの１つの辺に沿って延びる第１の直線に沿って配列されてなり、
前記第２のグループのパッドは、前記第１の直線よりも前記半導体チップの内側に配置されて前記第１の直線と平行に延びる第２の直線に沿って配列されてなり、
前記第１及び第２のグループのリードは、それぞれ、接合部と前記接合部に延設された屈曲部と前記屈曲部に延設された基端部とを有し、
前記半導体チップは、前記第１のグループのパッドが前記第１のグループのリードの前記接合部と対向し、前記第２のグループのパッドが前記第２のグループのリードの前記接合部と対向するように、前記配線基板に搭載されてなり、
前記第１のグループのリードの前記接合部は、第１の点を通る複数の直線のいずれかに沿って延びる形状をなし、
前記第２のグループのリードの前記接合部は、第２の点を通る複数の直線のいずれかに沿って延びる形状をなし、
前記第１及び第２のグループのリードは、前記半導体チップの前記辺から引き出されてなる。本発明によれば、第１のグループのリードの接合部は第１の点を通る複数の直線のいずれかに沿って延びる形状をなし、第２のグループのリードの接合部は第２の点を通る複数の直線のいずれかに沿って延びる形状をなす。そのため、配線基板が膨張あるいは収縮した場合でも、リードの接合部と半導体チップのパッドとを対向させることができる。そして、第１及び第２のグループのリードは、屈曲して半導体チップから引き出されてなる。そのため、接合部が複数行に形成されていても、リード同士の接触を防止することができる。そのため、信頼性が高く、かつ、効率よく製造することが可能な構造をなす半導体装置を提供することができる。
（２）この半導体装置において、
前記第１及び第２の点は、前記第１及び第２の直線と直交する方向にずれて配置されてなり、
前記第１の点と前記第１の直線との距離は、前記第２の点と前記第２の直線との距離に等しくてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記第１及び第２の点は、オーバーラップしていてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記第２のグループのリードは、前記基端部が前記第１のグループのパッドの間を通るように設けられていてもよい。
（５）この半導体装置において、
前記第２のグループのリードの前記基端部は、前記半導体チップとオーバーラップする領域内で、前記第１及び第２の直線と直交する方向に延びる形状をなしてもよい。
（６）この半導体装置において、
前記第１及び第２のグループのリードの前記基端部は、前記半導体チップとオーバーラップする領域内で、平行に延びていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００６】
図１〜図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。図１に、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１の概略図を示す。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体チップ１０を有する（図１参照）。半導体チップ１０には、集積回路１１が形成されていてもよい（図５参照）。集積回路１１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。図２に示すように、半導体チップ１０は、パッド２０を有する。なお、図２は、半導体チップ１０のパッド２０の配列を説明するための図である。パッド２０は、集積回路１１と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１１と電気的に接続されていないパッドを含めてパッド２０と称してもよい。パッド２０は、第１及び第２のグループのパッド２１，２２を含む。第１のグループのパッド２１は、半導体チップ１０の１つの辺１２に沿って延びる第１の直線１１０に沿って配列されてなる。このとき、第１の直線１１０は、辺１２に平行に延びる直線であってもよい。また、第２のグループのパッド２２は、第１の直線１１０と平行に延びる第２の直線１２０に沿って配列されてなる。なお、第２の直線１２０は、第１の直線１１０よりも半導体チップ１０の内側に配置されてなる。図２に示すように、パッド２０は、千鳥状に配置されていてもよい。ただし、これとは別に、第１及び第２のグループのパッドは、第１及び第２の直線１１０，１２０と直交する方向にずれて配置されていてもよい（図示せず）。
【０００８】
本実施の形態に係る半導体装置は、配線基板３０を有する（図１参照）。配線基板３０の材料は特に限定されるものではなく、有機系（例えばエポキシ基板）、無機系（例えばセラミック基板、ガラス基板）、又は、それらの複合構造（例えばガラスエポキシ基板）からなるものであってもよい。配線基板３０は、リジッド基板であってもよい。あるいは、配線基板３０は、ポリエステル基板やポリイミド基板などのフレキシブル基板であってもよい。配線基板３０は、COF（Chip On Film）用の基板であってもよい。また、配線基板３０は、単一の層からなる単層基板であってもよく、積層された複数の層を有する積層基板であってもよい。そして、配線基板３０の形状や厚みについても、特に限定されるものではない。
【０００９】
配線基板３０は、図３に示す、リード４０を有する。リード４０は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。また、配線基板３０としてガラス基板を利用する場合、リード４０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｃｒ、Ａｌなどの金属膜、金属化合物膜又はそれらの複合膜によって形成されていてもよい。リード４０の形成方法は特に限定されない。例えば、スパッタリング等によってリード４０を形成してもよいし、無電解メッキでリード４０を形成するアディティブ法を適用してもよい。また、リード４０は、ハンダ、スズ、金、ニッケル等でメッキされていてもよい。図３に示すように、リード４０は、第１及び第２のグループのリード４１，４２を含む。第１のグループのリード４１は、接合部４４と、接合部４４に延設された屈曲部４６と、屈曲部４６に延設された基端部４８とを有する。また、第２のグループのリード４２は、接合部４５と、接合部４５に延設された屈曲部４７と、屈曲部４７に延設された基端部４９とを有する。まとめると、図３に示すように、第１及び第２のグループのリード４１，４２は、それぞれ、接合部４４，４５と、接合部４４，４５に延設された屈曲部４６，４７と、屈曲部４６，４７に延設された基端部４８，４９とを有する。
【００１０】
本実施の形態に係る半導体装置では、図１に示すように、半導体チップ１０は配線基板３０に搭載されてなる。このとき、図４に示すように、第１及び第２のリード４１，４２は、半導体チップ１０の辺１２から引き出されてなる。そして、図４に示すように、第１のグループのパッド２１が第１のグループのリード４１の接合部４４と対向してなる。このとき、パッド２１と接合部４４とは電気的に接続されていてもよい。また、図４に示すように、第２のグループのパッド２２が第２のグループのリード４２の接合部４５と対向してなる。このとき、パッド２２と接合部４５とは電気的に接続されていてもよい。パッド２１，２２と接合部４４，４５との電気的な接続は、例えば、両者を接触させることで実現してもよい（図５参照）。なお、図５は、図４のＶ−Ｖ線断面の拡大図である。あるいは、パッド２０と接続部４４，４５との間に導電部材を介在させて、両者を電気的に接続してもよい（図示せず）。
【００１１】
本実施の形態に係る半導体装置では、図４に示すように、第１のグループのリード４１の接合部４４は、第１の点２１０を通る複数の直線３１０のいずれかに沿って延びる形状をなす。また、第２のグループのリード４２の接合部４５は、第２の点２２０を通る複数の直線３２０のいずれかに沿って延びる形状をなす。そのため、配線基板３０が縦横同倍率に膨張・収縮する場合、第１のグループのリード４１の接合部４４は、直線３１０に沿って移動する。また、第２のグループのリード４２の接合部４５は、直線３２０に沿って移動する。まとめると、半導体チップ１０を搭載する前に配線基板３０が膨張・収縮した場合、接合部４４，４５は、直線３１０，３２０に沿って移動する。そして、接合部４４とパッド２１とが対向することから、パッド２１は直線３１０上に配置されるように設計されてなる。また、接合部４５とパッド２２とが対向することから、パッド２２は直線３２０上に配置されるように設計されてなる。まとめると、パッド２１，２２は、直線３１０，３２０上に配置されるように設計されている。すなわち、配線基板３０の膨張・収縮によって接合部４４，４５は直線３１０，３２０に沿って移動し、パッド２１，２２は直線３１０，３２０上に配置されてなる。そのため、半導体チップ１０を搭載する前に配線基板３０が膨張・収縮した場合でも、パッド２１，２２と接合部４４，４５とを対向させることが可能になる。言い換えると、半導体チップ１０の搭載位置を調整することで、配線基板３０の膨張・収縮の影響を緩和することができる。そのため、配線基板３０が膨張・収縮した場合でも、電気的な接続信頼性の高い半導体装置を製造することができる。このことから、本実施の形態によれば、信頼性が高く、かつ、効率よく製造することが可能な構造をなす半導体装置を提供することができる。なお、第１及び第２の点２１０，２２０は、第１及び第２の直線１１０，１２０に直交する方向にずれて配置されていてもよい。また、第１の点２１０と第１の直線１１０との距離は、第２の点２２０と第２の直線１２０との距離に等しくてもよい。これによれば、配線基板３０が膨張・収縮したときに、リード４１の接合部４４とリード４２の接合部４５とは、同じ割合で膨張・収縮する。そのため、配線基板３０の膨張・収縮の影響をさらに緩和することが可能な構造をなす半導体装置を提供することができる。
【００１２】
本実施の形態に係る半導体装置では、先に述べたように、第１及び第２のグループのリード４１，４２は、接合部４４，４５に延設された屈曲部４６，４７を有する。さらに、第１及び第２のグループのリード４１，４２は、屈曲部４６，４７に延設された基端部４８，４９を有する。そのため、複数列にパッドが設けられている場合でも、第１及び第２のグループのリード４１，４２が接触することを防止することが可能となる。なお、第２のグループのリード４２は、第１のグループのパッド２１の間を通るように設けられていてもよい（図４参照）。このとき、第２のグループのリード４２は、基端部４９が第１のグループのパッド２１の間を通るように設けられていてもよい（図４参照）。言い換えると、屈曲部４７は、第１のグループのパッド２１よりも、半導体チップ１０の内側の領域に配置されていてもよい。また、第２のグループのリード４２の基端部４９は、半導体チップ１０とオーバーラップする領域内で、第１及び第２の直線１１０，１２０と直交する方向に延びる形状をなしていてもよい（図４参照）。これらの構造をなす場合、第１及び第２のグループのリード４１，４２の接触、あるいは、第２のグループのリード４２と第１のグループのパッド２１との接触を防止することができる。
【００１３】
本実施の形態に係る半導体装置は、樹脂部５０を有してもよい（図５参照）。樹脂部５０は、半導体チップ１０と配線基板３０との間に配置されてなる。樹脂部５０によって、半導体チップ１０と配線基板３０とを固着されるため、両者の剥離が発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。このとき、第１及び第２のグループのリード４１，４２の基端部４８，４９は、半導体チップ１０とオーバーラップする領域内で平行に延びていてもよい（図４参照）。これによれば、半導体チップ１０と配線基板３０との間での樹脂材料の流動性が高まるため、半導体チップ１０と配線基板３０との間に効率よく樹脂を充填することができる。すなわち、効率よく製造することが可能な構造をなす半導体装置を提供することができる。
【００１４】
なお、本実施の形態では、二列に配置されたパッドを有する半導体装置について説明してきたが、変形例として、三列以上に配置されたパッドを有する半導体装置について適用してもよい（図示せず）。そして、図６には、半導体装置１を有する電子モジュール１０００を示す。なお、電子モジュール１０００は、表示デバイスであってもよい。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。さらに、半導体装置１を有する電子機器として、図７にノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図８に携帯電話３０００を、それぞれ示す。
【００１５】
（変形例）
図９は、本発明を適用した実施の形態の変形例について説明するための図である。なお、本変形例でも、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
【００１６】
本変形例に係る半導体装置では、図９に示すように、第１のグループのリードの接合部６４は、第１の点４１０を通る複数の直線５１０のいずれかに沿って延びる形状をなす。また、第２のグループのリードの接合部６５は、第２の点４２０を通る複数の直線５２０のいずれかに沿って延びる形状をなす。そして、図９に示すように、第１及び第２の点４１０，４２０はオーバーラップしてなる。言い換えると、接合部６４及び接合部６５は、１つの点を通る複数の直線のいずれかに沿って延びる形状をなしていてもよい。本構造によっても、配線基板の膨張・収縮の影響を緩和することが可能となる。そのため、信頼性が高く、かつ、効率よく製造することが可能な構造をなす半導体装置を提供することができる。
【００１７】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図３】図３は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図４】図４は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子モジュールを示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図９】図９は、本発明を適用した実施の形態の変形例に係る半導体装置について説明するための図である。
【符号の説明】
【００１９】
１０…半導体チップ、  １２…辺、  ２０…パッド、  ２１…第１のグループのパッド、  ２２…第２のグループのパッド、  ３０…配線基板、  ４０…リード、  ４１…第１のグループのリード、  ４２…第２のグループのパッド、  ４４…接合部、  ４５…接合部、  ４６…屈曲部、  ４７…屈曲部、  ４８…基端部、  ４９…基端部、  ５０…樹脂部、  １１０…第１の直線、  １２０…第２の直線、  ２１０…第１の点、  ２２０…第２の点、  ３１０…直線、  ３２０…直線
【図１】
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【図２】
2006073925.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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