(57)【要約】【課題】  トリミング位置を簡単且つ正確に特定することが可能な多層電子部品の集合基板を提供する。【解決手段】  本発明による多層電子部品の集合基板は、切断により複数の多層電子部品を取り出すことが可能な多層電子部品の集合基板であって、複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されたトリミングパターン１２２ｂと、同じ絶縁層に形成され、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａとを備える。これにより、画像認識によりトリミング位置の特定を行う場合であっても、非常に簡単な処理でトリミング位置の特定を行うことが可能となる。しかも、認識用マークがトリミングパターンと同じ層に形成されていることから、層間のパターンずれなどが生じず、正確にトリミング位置を特定することが可能となる。【選択図】          図４
2006032817.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断により複数の多層電子部品を取り出すことが可能な多層電子部品の集合基板であって、複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されたトリミングパターンと、前記所定の絶縁層に形成され、前記トリミングパターンとの相対的な位置関係を示す認識用マークとを備えることを特徴とする多層電子部品の集合基板。
【請求項２】
前記認識用マークは、前記所定の絶縁層上に形成された導体によって構成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層電子部品の集合基板。
【請求項３】
前記所定の絶縁層は、両面が他の絶縁層に覆われた内部絶縁層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の多層電子部品の集合基板。
【請求項４】
前記複数の絶縁層のうち前記認識用マークを覆う絶縁層は、少なくとも前記認識用マークに対応する領域が露出していることを特徴とする請求項３に記載の多層電子部品の集合基板。
【請求項５】
前記認識用マークは、切断により前記複数の多層電子部品を取り出すための切りしろ領域に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層電子部品の集合基板。
【請求項６】
前記複数の多層電子部品は、電圧制御発振器であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層電子部品の集合基板。
【請求項７】
前記トリミングパターンは、トリミングによりインダクタンス又はキャパシタンスを変化させることが可能なパターンであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の多層電子部品の集合基板。
【請求項８】
複数の多層電子部品からなる集合基板を作製する集合基板作製工程と、前記複数の多層電子部品ごとに設けられたトリミングパターンをトリミングすることにより、前記複数の多層電子部品の特性を調整するトリミング工程と、前記集合基板を切断することにより前記複数の多層電子部品を取り出す切断工程とを備え、
前記トリミング工程では、前記トリミングパターンと同一平面上に形成された認識用マークを用いて、トリミング位置を特定することを特徴とする多層電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記集合基板作製工程は、所定の絶縁層上に前記トリミングパターン及び前記認識用マークを同一工程で形成する工程を含んでいることを特徴とする請求項８に記載の多層電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記集合基板作製工程は、前記トリミングパターン及び前記認識用マークを覆う他の絶縁層を形成する工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項９に記載の多層電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記集合基板作製工程は、前記他の絶縁層の表面のうち、少なくとも前記認識用マークに対応する領域が露出するよう、前記トリミングパターンに対応する領域の一部又は全部を覆う導体層を形成する工程をさらに含んでいることを特徴とする請求項１０に記載の多層電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記トリミング工程は、前記所定の絶縁層から見て前記他の絶縁層側からレーザビームを照射することによってトリミングを行うことを特徴とする請求項１０又は１１に記載の多層電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記切断工程は、前記認識用マークに沿って前記集合基板を切断することにより前記複数の多層電子部品を取り出すことを特徴とする請求項８乃至１２のいずれか１項に記載の多層電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層電子部品の集合基板及び多層電子部品の製造方法に関し、特に、トリミングによる特性の調整が必要な多層電子部品の集合基板及びこの種の多層電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層電子部品の中には、電圧制御発振器（ＶＣＯ）のように、集合基板を作製した後、トリミングによりインダクタンスやキャパシタンスを変化させ、これにより特性を調整する必要のあるものが存在する（特許文献１〜３参照）。トリミングは、通常、トリミングパターンにレーザビームを照射し、その一部を切断することによって行われるため、トリミング位置はできるかぎり正確に特定する必要がある。このため従来は、トリミングパターン自体を画像認識しながらトリミングを行ったり、認識用マークを参照しながらトリミングを行うことが一般的であった。
【特許文献１】特開平１１−１２７０３１号公報
【特許文献２】特開平１０−９３３４２号公報
【特許文献３】特開平１１−２４１９２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、トリミングパターン自体を画像認識しながらトリミングを行う方法では、トリミングパターンやその周辺のパターン形状が複雑であると画像の処理が複雑になるため、処理に時間がかかったり認識精度が低下するといった問題が生じる。また、認識用マークを参照する方法では、認識用マークがトリミングパターンとは異なる層に形成されている場合には、層間におけるパターンずれによりトリミング位置の特定が不正確となるおそれがあった。
【０００４】
したがって、本発明の目的は、トリミング位置を簡単且つ正確に特定することが可能な多層電子部品の集合基板及び多層電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による多層電子部品の集合基板は、切断により複数の多層電子部品を取り出すことが可能な多層電子部品の集合基板であって、複数の絶縁層と、前記複数の絶縁層のうち所定の絶縁層上に形成されたトリミングパターンと、前記所定の絶縁層に形成され、前記トリミングパターンとの相対的な位置関係を示す認識用マークとを備えることを特徴とする。
【０００６】
本発明によれば、トリミングパターンとの相対的な位置関係を示す認識用マークが設けられていることから、画像認識によりトリミング位置の特定を行う場合であっても、非常に簡単な処理でトリミング位置の特定を行うことが可能となる。しかも、認識用マークがトリミングパターンと同じ層に形成されていることから、層間のパターンずれなどが生じず、正確にトリミング位置を特定することが可能となる。これにより、電圧制御発振器に代表されるトリミングが必要な多層電子部品の特性の調整を簡単且つ正確に行うことが可能となる。トリミングパターンとしては、トリミングによりインダクタンス又はキャパシタンスを変化させることが可能なパターンを挙げることができる。
【０００７】
認識用マークは、前記所定の絶縁層上に形成された導体によって構成されていることが好ましい。これによれば、トリミングパターンと認識用マークを同一工程で同時に形成することができるため、原理的にパターンずれが生じず、極めて正確にトリミング位置を特定することが可能となる。
【０００８】
前記所定の絶縁層は、両面が他の絶縁層に覆われた内部絶縁層であることが好ましい。これによれば、トリミングパターンが多層電子部品の部品搭載面を占有することがないので、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。
【０００９】
複数の絶縁層のうち認識用マークを覆う絶縁層は、少なくとも認識用マークに対応する領域が露出していることが好ましい。これによれば、絶縁層を介して認識用マークをはっきりと視認することが可能となる。
【００１０】
認識用マークは、切断により複数の多層電子部品を取り出すための切りしろ領域に配置されていることが好ましい。これによれば、認識用マークによる有効エリアの占有が全くないことから、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。
【００１１】
また、本発明による多層電子部品の製造方法は、複数の多層電子部品からなる集合基板を作製する集合基板作製工程と、前記複数の多層電子部品ごとに設けられたトリミングパターンをトリミングすることにより、前記複数の多層電子部品の特性を調整するトリミング工程と、前記集合基板を切断することにより前記複数の多層電子部品を取り出す切断工程とを備え、前記トリミング工程では、前記トリミングパターンと同一平面上に形成された認識用マークを用いて、トリミング位置を特定することを特徴とする。
【００１２】
本発明においても、多層電子部品の特性の調整を簡単且つ正確に行うことが可能となる。また、認識用マークとトリミングパターンとの相対的な位置関係がほぼ固定的であることから、トリミング前に多層電子部品の特性を測定すれば、認識用マークを基準としてどの程度トリミングを行えば所望の特性が得られるか、予測することができる。この場合には、特性を測定しながらトリミングを行う必要がなく、計算値で求められた量のトリミングを行えば、所望の特性を得ることが可能となる。
【００１３】
集合基板作製工程は、所定の絶縁層上にトリミングパターン及び認識用マークを同一工程で形成する工程を含んでいることが好ましい。この場合も、原理的にパターンずれが生じないことから、極めて正確にトリミング位置を特定することが可能となる。
【００１４】
集合基板作製工程は、トリミングパターン及び認識用マークを覆う他の絶縁層を形成する工程をさらに含んでいることが好ましい。この場合も、トリミングパターンが多層電子部品の部品搭載面を占有することがないので、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。この場合、トリミング工程は、前記所定の絶縁層から見て前記他の絶縁層側からレーザビームを照射することによってトリミングを行うことが好ましい。
【００１５】
集合基板作製工程は、前記他の絶縁層の表面のうち、少なくとも前記認識用マークに対応する領域が露出するよう、トリミングパターンに対応する領域の一部又は全部を覆う導体層を形成する工程をさらに含んでいることが好ましい。この場合も、絶縁層を介して認識用マークをはっきりと視認することが可能となる。
【００１６】
切断工程は、認識用マークに沿って集合基板を切断することにより複数の多層電子部品を取り出すことが好ましい。この場合も、認識用マークによる有効エリアの占有が全くないことから、多層電子部品の平面サイズを小型化することが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
このように、本発明によれば、トリミング位置を簡単且つ正確に特定することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の好ましい実施形態による多層電子部品の集合基板の構造を示す略斜視図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態による多層電子部品の集合基板１０は、マトリクス状に配置された複数の多層電子部品１００と、各多層電子部品１００の周囲に存在する切りしろ領域１０１と、マトリクス状の多層電子部品１００を取り囲む枠体１０２によって構成されている。図１に示す集合基板１０は、後述する集合基板作製工程によって作製され、その後、切りしろ領域１０１に沿って集合基板１０を切断することにより個々の多層電子部品１００を取り出すことができる。各多層電子部品１００は、トリミングによりインダクタンスやキャパシタンスを調整する必要のある多層電子部品であり、特に限定されるものではないが電圧制御発振器（ＶＣＯ）を好ましく挙げることができる。
【００２１】
図２は、一つの多層電子部品１００の構造を模式的に示す略断面図である。
【００２２】
図２に示すように、多層電子部品１００は、複数の絶縁層１１１〜１１３と、各絶縁層の表面に設けられた導体層１２１〜１２４と、プリント基板（図示せず）への実装面１００ａである最下層の導体層１２１を覆うメッキ層１３１及びレジスト層１４１と、部品搭載面１００ｂである最上層の導体層１２４を覆うメッキ層１３２及びレジスト層１４２と、部品搭載面１００ｂに搭載されたコンデンサやトランジスタなどのチップ部品１５０によって構成されている。特に限定されるものではないが、絶縁層１１１〜１１３の材料としては、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができ、その厚さとしては３０μｍ〜２００μｍ程度に設定すればよい。本実施形態では、絶縁層１１１〜１１３の材料として全て透明度の高い材料を使用しているが、少なくとも絶縁層１１１についてはできるだけ透明度の高い材料を用いることが好ましい。
【００２３】
また、導体層１２１〜１２４の材料としては銅（Ｃｕ）などの金属材料を用いることができ、その厚さとしては１０μｍ〜２０μｍ程度に設定すればよい。尚、特に限定されるものではないが、実装面１００ａである最下層の導体層１２１はグランドパターンであり、絶縁層１１１の大部分を覆っていることが通例である。
【００２４】
詳細については後述するが、トリミングパターンは導体層１２２に形成され、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングが行われる。つまり、本実施形態では、トリミングパターンが部品搭載面１００ｂ上（導体層１２４）ではなく、両面が他の絶縁層１１１，１１３に覆われた内部絶縁層１１２上の内部パターンがトリミングパターンを構成している。この種の多層電子部品では、部品搭載面にトリミングパターンが設けられることが一般的であるが（特許文献１，２参照）、上述の通り、部品搭載面１００ｂには各種チップ部品が搭載されるため、ここにトリミングパターンを設けると多層電子部品の平面サイズが大きくなってしまう。この点を考慮して、本実施形態による多層電子部品１００では、トリミングパターンを内部の導体層１２２に設けている。
【００２５】
図３は、図１に示した領域１０ａを実装面１００ａ側から拡大して示す略平面図である。
【００２６】
図３に示すように、本実施形態による集合基板１０には、一方向に延在する複数のスルーホール１６０ａと、これと直交する方向に延在する複数のスルーホール１６０ｂとが設けられており、図示しないがこれらスルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁には導体が形成されている。スルーホール１６０ａ，１６０ｂに沿った領域は、それぞれ切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂであり、切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って集合基板１０を切断すると、スルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁に形成されている導体の一部が表面に現れて外部電極となる。図３には、切断により一つの多層電子部品１００となる領域が破線で示されている。
【００２７】
各多層電子部品１００の実装面１００ａは、図３に示すように、その大部分がレジスト層１４１によって覆われているが、切りしろ領域１０１ａと切りしろ領域１０１ｂの交差する領域１４１ａは、レジスト層１４１に覆われておらず、また図２に示した導体層１２１やメッキ層１３１にも覆われていないため、絶縁層１１１が露出した状態となっている。絶縁層１１１は光透過性を有することから、本実施形態では、絶縁層１１１を介して導体層１２２を視認することができる。導体層１２２のうち、領域１４１ａに対応する部分には十字形の認識用マーク１２２ａが設けられており、図３に示すように、領域１４１ａを介して十字形の視認用マーク１２２ａを視認することができる。この認識用マーク１２２ａは、同じく導体層１２２に形成されたトリミングパターンとの相対的な位置関係を示し、これによりトリミングパターンの位置を特定するために用いられる。
【００２８】
図４は、導体層１２２の主要なパターン形状を拡大して示す略平面図である。
【００２９】
図４に示すように、導体層１２２は認識用マーク１２２ａ及びトリミングパターン１２２ｂを有しており、さらに、スルーホール１６０ａ，１６０ｂを形成すべき領域には、それぞれ電極パターン１２２ｃ，１２２ｄが設けられている。このように、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂは同一の導体層（１２２）によって構成されているため、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂは同一工程によって同時に形成することができる。導体層１２２の形成方法については特に限定されないが、サブトラクティブ法、アディティブ法、セミアディティブ法、スクリーン印刷法などを用いることができ、いずれの方法を用いた場合も、これらは同時に形成されることから、両者の相対的な位置関係にずれが生じることはほとんどない。
【００３０】
本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂはトリミングによりインダクタンスを調整可能なパターンを構成しており、トリミングパターン１２２ｂを図４に示すＡ点からＢ点に向かって所定の長さに切断し、これにより線路長を変化させることによってインダクタンスを変化させることができる。
【００３１】
以上が本実施形態による多層電子部品の集合基板１０の構造である。次に、本発明の好ましい実施形態による多層電子部品の製造方法について説明する。
【００３２】
図５は、本発明の好ましい実施形態による多層電子部品１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００３３】
まず、集合基板作製工程により、上述した多層電子部品の集合基板１０を作製する（ステップＳ１０）。集合基板作製工程は、絶縁層１１１〜１１３の表面に導体層１２１〜１２４を形成し、これを積層する積層工程（ステップＳ１１）と、最下層の導体層１２１を覆うメッキ層１３１及びレジスト層１４１を形成するとともに、最上層の導体層１２４を覆うメッキ層１３２及びレジスト層１４２を形成するメッキ・レジスト形成工程（ステップＳ１２）と、スルーホール１６０ａ，１６０ｂを形成するスルーホール形成工程（ステップＳ１３）と、スルーホール１６０ａ，１６０ｂの内壁に導体を形成するスルーホール電極形成工程（ステップＳ１４）と、部品搭載面１００ｂにチップ部品１５０を搭載するチップ部品搭載工程（ステップＳ１５）とを含んでいる。
【００３４】
特に限定されるものではないが、積層工程（ステップＳ１１）は、コア基板となる絶縁層１１２の表面に導体層１２２，１２３を形成した後、未硬化又は半硬化の樹脂からなるプリプレグによってこれを挟み込み、熱プレスによってプリプレグを硬化させることにより絶縁層１１１，１１３を形成する工程を含むことが好ましい。この場合、コア基板である絶縁層１１２の表面には、図４に示したパターンを形成する工程が含まれることになるが、上述の通り、認識用マーク１２２ａ及びトリミングパターン１２２ｂは同一工程で同時に形成することができるため、両者の相対的な位置関係にずれが生じることはほとんどない。
【００３５】
上述の通り、絶縁層１１１の表面に形成する導体層１２１は、通常グランドパターンである。このため、導体層１２１は絶縁層１１１の大部分を覆うように形成されることから、トリミングパターン１２２ｂに対応する領域の一部又は全部が導体層１２１によって覆われることになる。この場合、トリミングパターン１２２ｂの一部又は全部は実装面１００ａ側から視認できなくなるが、導体層１２１は、少なくとも認識用マーク１２２ａに対応する領域を避けて形成され、これにより、認識用マーク１２２ａについては実装面１００ａ側から視認可能とされる。メッキ・レジスト形成工程（ステップＳ１２）においても、絶縁層１１１の表面のうち、認識用マーク１２２ａに対応する領域が露出するよう、レジスト層１４１が形成される。
【００３６】
このようにして多層電子部品の集合基板１０の作製が完了すると、次に、トリミング工程によって各多層電子部品１００の特性調整を行う（ステップＳ２０）。トリミング工程は、図２に示したように、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングが行われる。トリミングは、レーザビームの照射によりトリミングパターン１２２ｂを切断することによって行うが、上述の通り、導体層１２２は基板内部の層であることから、レーザビームの照射方向には他の導体層１１１や、メッキ層１３１及びレジスト層１４１が存在する。このため、目視や画像認識によりトリミングパターン１２２ｂを直接認識することはできないが、導体層１２２には、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａが含まれており、これが実装面１００ａ側から認識可能であることから、この認識用マーク１２２ａを基準としてトリミング位置を特定することができる。
【００３７】
つまり、図６に示すように、実際には実装面１００ａ側からトリミングパターン１２２ｂを見ることはできないが（図６では、見えないパターンを破線で表示）、認識用マーク１２２ａとトリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係をあらかじめ把握しておけば、領域１４１ａを介して見える認識用マーク１２２ａを目視又は画像認識によって参照することにより、トリミングすべき位置を特定することができる。これにより、図３に示したスルーホール１６０ａ，１６０ｂ内の導体にプローブを当てて実際に多層電子部品１００を動作させた状態で、Ａ点を始点としてレーザビームＬを照射し、照射位置を徐々にＢ点方向へずらせば、インダクタンスが徐々に変化することから、多層電子部品１００の特性（多層電子部品１００がＶＣＯであれば、制御電圧と発振周波数との関係など）も徐々に変化する。そして、所望の特性が得られた時点でトリミングを終了すれば、多層電子部品１００の調整が完了する。
【００３８】
また、特性を測定しながらトリミングを行うのではなく、トリミング量と特性の変化量との関係をあらかじめ測定し、数式化又はテーブル化しておけば、トリミング前に多層電子部品１００の特性を測定するだけで、どの程度トリミングを行うべきか簡単に判断することが可能となる。この場合には、特性を測定しながらトリミングを行う必要がなく、計算値で求められた量のトリミングを行うことによって、所望の特性を得ることが可能となる。この場合も、トリミング量を認識用マーク１２２ａを基準として設定することができるので、正確な量のトリミングを行うことが可能となる。
【００３９】
そして、このようなトリミングを個々の多層電子部品１００に対して行った後、切断工程により切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って集合基板１０を切断すれば（ステップＳ３０）、特性調整の完了した多層電子部品１００を取り出すことが可能となる。
【００４０】
このように、本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を示す認識用マーク１２２ａが集合基板１０に設けられていることから、画像認識によりトリミング位置の特定を行う場合であっても、非常に簡単な処理でトリミング位置の特定を行うことが可能となる。しかも、認識用マーク１２２ａがトリミングパターン１２２ｂと同じ層に形成された導体層であることから、これらを同一工程によって同時に形成することができる。このため、両者間には原理的にパターンずれが生じず、極めて正確にトリミング位置を特定することが可能となる。
【００４１】
また、本実施形態では、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設けていることから、トリミングパターンが部品搭載面１００ｂを占有することがなく、このため、多層電子部品１００の平面サイズを小型化することが可能となる。しかも、本実施形態では認識用マーク１２２ａを切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂに沿って配置していることから、認識用マーク１２２ａによって集合基板上の有効エリアが占有されることは全くない。
【００４２】
また、トリミングパターンを実装面１００ａに形成した場合には、トリミング時にトリミングパターンを構成する導体が周囲に飛散し、ショート不良を引き起こす可能性があるが、本実施形態のように、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設けていることから、このような問題が生じることもない。
【００４３】
さらに、本実施形態のように、トリミングパターン１２２ｂを内部の導体層１２２に設ければ、トリミングパターン１２２ｂの両面が絶縁層１１１と絶縁層１１２によって覆われることから、トリミングパターンを実装面１００ａに形成した場合と比べ、より安定した電気特性を得ることも可能となる。
【００４４】
このように、本実施形態では、トリミング位置を簡単且つ正確に特定することが可能となるばかりでなく、完成品である多層電子部品１００を小型化することも可能となる。
【００４５】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４６】
例えば、上記実施形態では、認識用マーク１２２ａとして十字形のパターンを用いたが、トリミングパターン１２２ｂとの相対的な位置関係を表示可能である限り、これに限定されるものではない。したがって、図７（ａ）に示すようにＬ字型のパターンであっても構わないし、図７（ｂ）に示すように円形のパターンであっても構わないし、図７（ｃ）に示すように四角形のパターンであっても構わないし、図７（ｄ）に示すように外径が四角形であり、内部が十字形にくり抜かれたパターンであっても構わない。
【００４７】
また、上記実施形態では、実装面１００ａ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行っているが、図８に示すように、部品搭載面１００ｂ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行っても構わない。図８に示す例においてトリミングパターンを内蔵させるためには、部品搭載面１００ｂからみて２層目の導体層１２３にトリミングパターンを設ければよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、トリミングパターン１２２ｂがインダクタンスを変化させることが可能なパターンであるが、多層電子部品の特性を調整可能なパターンである限り、例えばキャパシタンスを変化させることが可能なパターンなどであっても構わない。
【００４９】
また、上記実施形態では、領域１４１ａは導体層１２１、メッキ層１３１及びレジスト層１４１に覆われておらず、絶縁層１１１が露出した状態となっているが、必ずしも絶縁層１１１が領域１４１ａにおいて露出している必要はなく、認識用マーク１２２ａが視認可能である限り、領域１４１ａが何らかの層で覆われていても構わない。
【００５０】
さらに、上記実施形態では、認識用マーク１２２ａを切りしろ領域１０１ａ，１０１ｂの交点部分に配置しているが、トリミングパターンと同一平面に形成されている限り、認識用マークの位置については特に限定されない。但し、切りしろ領域１０１ａ及び切りしろ領域１０１ｂの少なくとも一方に沿って認識用マークを配置すれば、認識用マークによる有効エリアの占有を防ぐことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の好ましい実施形態による多層電子部品の集合基板１０の構造を示す略斜視図である。
【図２】多層電子部品１００の構造を模式的に示す略断面図である。
【図３】図１に示した領域１０ａを実装面１００ａ側から拡大して示す略平面図である。
【図４】導体層１２２の主要なパターン形状を拡大して示す略平面図である。
【図５】本発明の好ましい実施形態による多層電子部品１００の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】トリミングすべき位置の特定方法を説明するための図である。
【図７】認識用マーク１２２ａとして用いることができる種々のパターン形状を示す略平面図であり、（ａ）はＬ字型のパターン、（ｂ）は円形のパターン、（ｃ）は四角形のパターン、（ｄ）は外径が四角形であり内部が十字形にくり抜かれたパターンをそれぞれ示している。
【図８】部品搭載面１００ｂ側からレーザビームＬを照射することによってトリミングを行う例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０        集合基板
１００      多層電子部品
１００ａ    実装面
１００ｂ    部品搭載面
１０１ａ，１０１ｂ    切りしろ領域
１０２      枠体
１１１〜１１３    絶縁層
１２１〜１２４    導体層
１２２ａ    認識用マーク
１２２ｂ    トリミングパターン
１２２ｃ，１２２ｄ    電極パターン
１３１，１３２    メッキ層
１４１，１４２    レジスト層
１４１ａ    認識用マークに対応する領域
１５０      チップ部品
１６０ａ，１６０ｂ    スルーホール
Ｌ          レーザビーム
【図１】
2006032817.tif 000003
【図２】
2006032817.tif 000004
【図３】
2006032817.tif 000005
【図４】
2006032817.tif 000006
【図５】
2006032817.tif 000007
【図６】
2006032817.tif 000008
【図７】
2006032817.tif 000009
【図８】
2006032817.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
多層電子部品の中には、電圧制御発振器（ＶＣＯ）のように、集合基板を作製した後、トリミングによりインダクタンスやキャパシタンスを変化させ、これにより特性を調整する必要のあるものが存在する（特許文献１〜３参照）。トリミングは、通常、トリミングパターンにレーザビームを照射し、その一部を切断することによって行われるため、トリミング位置はできるかぎり正確に特定する必要がある。このため従来は、トリミングパターン自体を画像認識しながらトリミングを行ったり、認識用マークを参照しながらトリミングを行うことが一般的であった。
【特許文献１】特開平１１−１２７０３１号公報
【特許文献２】特開平１０−９３３４２号公報
【特許文献３】特開平１１−２１４９２５号公報