(57)【要約】【課題】  処理槽内から処理槽底部の排液口を通って排出された処理液が排液管を通ってドレンボックス内へ流入したときに、ドレンボックス内から雰囲気ガスが排液管を通って空の状態の処理槽内へ逆流することを防止できる装置を提供する。【解決手段】  底部に排液口１４が設けられた処理槽１０、処理槽１０内で基板Ｗを保持するリフタ１８、処理槽１０内の下部に設けられた液体噴出ノズル１２から処理槽１０内へ処理液を供給する手段、処理槽１０の排液口１４に連通接続された排液管６４、密閉され底部にドレン排出口７４が設けられ排液管６４が挿入されるドレンボックス７２、および、排液管６４を通し処理液が排出されて空の状態となった処理槽１０内へドレンボックス７２内部の雰囲気ガスが排液管６４を通って逆流するのを防止する液溜めトラップ８０を備えた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、
底部に排液口が設けられ、処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内で基板を保持する基板保持手段と、
前記処理槽内の下部に供給口が設けられ、前記供給口から前記処理槽内へ処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理槽の排液口に連通するように接続され、前記排液口を通って前記処理槽内の処理液を排出する排液管と、
密閉されるとともに、前記排液管が挿入されて、前記処理槽内から前記排液管を通して排出される処理液が溜められるドレンボックスと、
前記排液管を通し処理液が排出されて空の状態となった前記処理槽内へ前記ドレンボックス内部の雰囲気ガスが前記排液管を通って逆流するのを防止するトラップ手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記トラップ手段は、前記ドレンボックス内に配設され、前記排液管の下端部が挿入されて、前記処理槽内から前記排液管を通して排出される処理液を一旦溜め上端部から溢れ出た処理液を前記ドレンボックスの内底部へ流出させる液溜めトラップである請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記トラップ手段は、前記排液管の一部を上下に蛇行するようにＳ字形に屈曲させた配管トラップである請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理槽の上部開口に対して開閉自在である蓋部材を備える請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
閉塞した状態の前記蓋部材の下方に排気口が設けられ、前記排気口を通って前記処理槽上部の雰囲気ガスを排気する排気手段を備える請求項４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、電子部品などの基板に対し処理液で洗浄等の所定の処理を行う基板処理装置、特に、処理槽内の処理液中へ基板を浸漬させて処理した後に処理槽内から処理槽底部の排液口を通って処理液を排出する排液手段を備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体装置の製造プロセスにおいて、基板、例えばシリコンウエハの表面に付着したシリコン酸化膜、パーティクルや有機物、重金属類やアルカリイオンなどの汚染物質をウエハ表面から除去する場合には、フッ酸、アンモニア水と過酸化水素水との混合溶液、塩酸と過酸化水素水との混合溶液などの各種薬液を使用してウエハを洗浄処理し、薬液によるウエハの洗浄が終わるごとに、ウエハの表面上に残存している薬液や分解生成物、反応生成物等の不要物を純水で洗浄して除去するようにしている。このような洗浄処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留してその処理液中に基板を浸漬させて処理する処理槽の底部には排液口が設けられ、その排液口に、開閉弁が介挿された排液管が接続されている。そして、処理槽内の処理液中に基板を浸漬させて処理した後に、処理槽内の使用済みの処理液を、処理槽底部の排液口から排液管を通して排出するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
例えば、処理槽内へアンモニア水と過酸化水素水との混合溶液（以下、「ＡＰＭ液」という）を供給し、処理槽内に貯留されたＡＰＭ液中に基板を浸漬させて処理した後は、排液管に介挿された開閉弁を開いて、処理槽内から排液管を通してＡＰＭ液を急速に排出し、処理槽内に基板を保持したまま処理槽の内部を一旦空の状態にする。この後に、排液管に介挿された開閉弁を閉じ、基板が保持された処理槽内へ純水を供給して、処理槽内に貯留された純水により基板を水洗するようにしている。また、図３に模式図を示すように、処理槽底部の排液口に接続された排液管１は、密閉されたドレンボックス２の内部に挿入され、処理槽内から排液管１を通して排出されたＡＰＭ液３は、ドレンボックス２の内底部に溜められる。ドレンボックス２の底部にはドレン排出口４が設けられ、そのドレン排出口４に、開閉弁６が介挿されたドレン排出管５が接続されている。そして、ドレンボックス２の内底部に溜まったＡＰＭ液３は、開閉弁６が開かれることにより、ドレン排出口４からドレン排出管５を通って排出される。
【特許文献１】特開２００１−１７６８３３号公報（第３−４頁、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記したように、ＡＰＭ液による基板の浸漬処理後に、処理槽内から排液管を通ってＡＰＭ液を急速排出し、処理槽内から排出されたＡＰＭ液３を、排液管１を通してドレンボックス２内へ流入させたときに、密閉されたドレンボックス２の内部は、ドレンボックス２内へのＡＰＭ液３の流入によって一時的に加圧状態となる。そして、処理槽内からの排液が完全に終了して、処理槽内および排液管内が空の状態になると、ドレンボックス２内においてＡＰＭ液３から蒸発したアンモニアガスが、加圧状態のドレンボックス２の内部空間から排液管１を通って処理槽内へ逆流し、処理槽内に保持された基板の表面に対して悪影響を及ぼす、といった問題点がある。また、基板の乾燥処理のために、処理槽の上部空間を取り囲むように設けられたチャンバ内へＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給したときに、チャンバ内に存在するアンモニアとＩＰＡとが反応してパーティクルが発生する、といった問題点がある。
【０００５】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、処理槽内から処理槽底部の排液口を通って排出された処理液が排液管を通ってドレンボックス内へ流入したときに、ドレンボックス内から雰囲気ガスが排液管を通って空の状態の処理槽内へ逆流することを防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、処理液により基板に処理を行う基板処理装置において、底部に排液口が設けられ、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内で基板を保持する基板保持手段と、前記処理槽内の下部に供給口が設けられ、前記供給口から前記処理槽内へ処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽の排液口に連通するように接続され、前記排液口を通って前記処理槽内の処理液を排出する排液管と、密閉されるとともに、前記排液管が挿入されて、前記処理槽内から前記排液管を通して排出される処理液が溜められるドレンボックスと、前記排液管を通し処理液が排出されて空の状態となった前記処理槽内へ前記ドレンボックス内部の雰囲気ガスが前記排液管を通って逆流するのを防止するトラップ手段と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記トラップ手段が、前記ドレンボックス内に配設され、前記排液管の下端部が挿入されて、前記処理槽内から前記排液管を通して排出される処理液を一旦溜め上端部から溢れ出た処理液を前記ドレンボックスの内底部へ流出させる液溜めトラップであることを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、前記トラップ手段が、前記排液管の一部を上下に蛇行するようにＳ字形に屈曲させた配管トラップであることを特徴とする。
【０００９】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、前記処理槽の上部開口に対して開閉自在である蓋部材を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項５に係る発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、閉塞した状態の前記蓋部材の下方に排気口を設け、前記排気口を通って前記処理槽上部の雰囲気ガスを排気する排気手段を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に係る発明の基板処理装置においては、処理槽内から処理槽底部の排液口を通って処理液が排出され、処理槽内から排出された処理液は、排液管を通りトラップ手段を経由してドレンボックスの内底部に流れ込んで溜まる。このとき、密閉されたドレンボックスの内部がドレンボックス内への処理液の流入によって一時的に加圧状態となっても、トラップ手段により、ドレンボックス内部の雰囲気ガスが排液管を通って空の状態となった処理槽内へ逆流することが防止される。
したがって、請求項１に係る発明の基板処理装置を使用すると、ドレンボックス内から雰囲気ガスが排液管を通って処理槽内へ逆流することによって生じていた不都合を無くすことができる。
【００１２】
請求項２に係る発明の基板処理装置では、ドレンボックス内の液溜めトラップに溜められた処理液中に排液管の下端部が挿入されることにより、ドレンボックスの内部雰囲気と排液管とが液溜めトラップの処理液によってガス流路的に遮断される。これにより、ドレンボックス内から雰囲気ガスが排液管を通って処理槽内へ逆流することを確実に防止することができる。
【００１３】
請求項３に係る発明の基板処理装置では、排液管の一部である配管トラップのＳ字形屈曲部分に処理液が滞留することにより、ドレンボックスの内部雰囲気と処理槽の内部空間とが配管トラップの処理液によってガス流路的に遮断される。これにより、ドレンボックス内から雰囲気ガスが排液管を通って処理槽内へ逆流することを確実に防止することができる。
【００１４】
請求項４に係る発明の基板処理装置では、処理槽内の処理液中に基板を浸漬させて処理しているときに、蓋部材によって処理槽の上部開口を覆蓋することにより、処理液の蒸気やミストが、例えば処理槽の上部空間を取り囲むように設けられたチャンバ全体に拡散したり飛散したりすることを防止することができる。
【００１５】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、処理槽内の処理液中に基板を浸漬させて処理しているときに、蓋部材によって遮蔽された狭い処理槽上部の空間から排気手段の排気口を介して雰囲気ガスを効率良く排気することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、この発明の最良の実施形態について図１および図２を参照しながら説明する。
図１は、この発明の実施形態の１例を示し、基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【００１７】
この基板処理装置は、上部が開口し処理液が貯留される処理槽１０を備えている。処理槽１０の下部には液体噴出ノズル１２が設けられており、処理槽１０の底部に排液口１４が形設されている。処理槽１０の上部外周には、処理槽１０の上部から溢れ出た処理液が流れ込む溢流液槽１６が一体的に設けられている。また、この装置は、処理槽１０内で複数枚の基板Ｗを保持するリフタ１８を備えており、リフタ１８は、処理槽１０の内部位置と処理槽１０の外部上方位置との間を昇降自在に支持され、リフタ駆動装置（図示せず）によって昇降駆動される。
【００１８】
処理槽１０は、蓋（図示せず）を開閉させることにより基板Ｗの搬入および搬出を行うことができるとともに密閉することが可能である処理チャンバ２０内に収容されている。処理チャンバ２０の内部上方にはガス吹出しノズル２２が設けられており、ガス吹出しノズル２２に、ＩＰＡ蒸気供給源に流路接続された蒸気供給管２４が連通して接続されている。蒸気供給管２４には、開閉制御弁２６が介挿して設けられている。また、処理チャンバ２０内には、処理槽１０の上部開口および溢流液槽１６の上部開口面を覆蓋する一対の蓋部材２８が配設されている。蓋部材２８は、実線で示す閉塞位置と二点鎖線で示す開放位置との間で回動自在に支持されており、蓋部材駆動装置（図示せず）によって開閉駆動される。また、閉塞した状態の蓋部材２８の下方に排気口３０が設けられ、排気口３０には、真空ポンプ等の排気装置に流路接続された排気管３２が連通して接続されている。排気管３２の途中には、純水供給源に流路接続された純水供給管３４が合流するように連通接続されている。排気管３２には、純水供給管３４との合流位置の上流側および下流側に開閉制御弁３６、３８がそれぞれ介挿して設けられており、また、純水供給管３４にも開閉制御弁４０が介挿して設けられている。
【００１９】
液体噴出ノズル１２には、開閉制御弁４４が介挿された液体供給管４２が連通して接続されている。液体供給管４２は、ミキシングブロック４６の出口側に連通して接続されており、ミキシングブロック４６の入口側には、純水供給源に流路接続された純水供給管４８が連通して接続されている。純水供給管４８には、開閉制御弁５０が介挿して設けられており、そのほか、図示していないがレギュレータ（流量調整弁）、流量計、フィルタなどが設けられている。また、ミキシングブロック４６には、フッ酸供給装置に流路接続された第１薬液供給管５２、ＡＰＭ液供給装置に流路接続された第２薬液供給管５４、および、塩酸と過酸化水素水との混合溶液（以下、「ＨＰＭ液」という）の供給装置に流路接続された第３薬液供給管５６がそれぞれ連通して接続されている。第１薬液供給管５２、第２薬液供給管５４および第３薬液供給管５６には、開閉制御弁５８、６０、６２がそれぞれ介挿して設けられている。
【００２０】
処理槽１０の底部の排液口１４には、急速排液弁（開閉制御弁）６６が介挿された排液管６４が連通して接続されている。排液口１４の径および排液管６４の内径は、処理槽１０内から処理液を急速に排出することができる程度に大きくされている。また、溢流液槽１６の底部には溢流液排出管６８が連通しており、溢流液排出管６８は、排液管６４の途中の、急速排液弁６６の下流側に合流するように連通接続されている。溢流液排出管６８には、開閉制御弁７０が介挿して設けられている。排液管６４は、密閉構造を有するドレンボックス７２内へ挿入されている。ドレンボックス７２には、底部にドレン排出口７４が形設されており、ドレン排出口７４に、ドレン排出弁７８が介挿されたドレン排出管７６が連通して接続されている。このドレンボックス７２は、処理槽１０内から排出される処理液を一時的に貯留することにより処理槽１０内からの急速排液を可能とするために設けられており、ドレンボックス７２内に溜まった処理液は、ドレン排出口７４からドレン排出管７６を通して徐々に排出される。
【００２１】
また、ドレンボックス７２の内部には、排液管６４の下端部が挿入された液溜めトラップ８０が配設されている。液溜めトラップ８０は、処理槽１０内から排液管６４を通して排出される処理液８２を一旦溜めるものであって、液溜めトラップ８０の上端部から溢れ出た処理液８２は、ドレンボックス７２の内底部に流出して溜まる。そして、液溜めトラップ８０に溜められた処理液８２中に排液管６４の下端部が挿入されることにより、ドレンボックス７２の内部雰囲気と排液管６４とが液溜めトラップ８０の処理液８２によってガス流路的に遮断される。この液溜めトラップ８０により、ドレンボックス７２内部の雰囲気ガスが排液管６４を通って空の状態の処理槽１０内へ逆流することが防止される。
【００２２】
なお、ドレンボックス７２内部の雰囲気ガスが排液管６４を通って空の状態の処理槽１０内へ逆流することを防止するトラップ手段は、図１に示した構成のものに限定されない。例えば、図２に模式図を示すように、排液管８４の一部を上下に蛇行するようにＳ字形に屈曲させた配管トラップ８６であってもよい。このような配管トラップ８６を排液管８４の一部に形設することにより、Ｓ字形屈曲部分に処理液８２が常に滞留して、ドレンボックス７２の内部雰囲気と処理槽１０の内部空間とが配管トラップ８６の処理液８２によってガス流路的に遮断される。なお、配管トラップ８６を設ける位置は、ドレンボックス７２の内部でなくても構わない。
【００２３】
次に、図１に示した構成を備えた基板処理装置を用いて行われる基板の洗浄処理操作の１例について説明する。
図示しない基板搬送ロボットにより複数枚の基板Ｗが処理チャンバ２０内へ搬入されて、基板搬送ロボットから複数枚の基板Ｗがリフタ１８へ受け渡されると、リフタ１８が下降して、基板Ｗが処理槽１０内へ挿入される。この際、蓋部材２８は、二点鎖線で示すように開放されている。また、処理槽１０内にはフッ酸が貯留されており、基板Ｗは、図１に示したように処理槽１０内に保持されてフッ酸中に浸漬させられる。基板Ｗが処理槽１０内に保持されると、蓋部材２８が実線で示すように閉塞されて、処理槽１０の上部開口および溢流液槽１６の上部開口面が蓋部材２８によって閉塞される。蓋部材２８が閉塞されると、閉じられていた開閉制御弁３６、３８が開かれ、蓋部材２８と処理槽１０および溢流液槽１６とで囲まれた空間の雰囲気ガスが、排気口３０および排気管３２を通して排気される。この状態で、基板Ｗは、処理槽１０内のフッ酸中に所定時間だけ浸漬されて処理される。
【００２４】
フッ酸による基板Ｗの処理が終了すると、処理槽１０内に基板Ｗが保持されたまま、開閉制御弁５８〜６２が閉じられた状態で開閉制御弁４４、５０が開いて、純水供給管４８、ミキシングブロック４６および液体供給管４２を通して液体噴出ノズル１２へ純水のみが供給され、液体噴出ノズル１２から純水が処理槽１０内へ噴出される。処理槽１０内へ純水が継続して噴出されることにより、処理槽１０の上部からフッ酸が押し出されて、処理槽１０の内部が純水で置換される。そして、処理槽１０の内部が純水で満たされ、処理槽１０の上部から純水が溢れ出る状態で、処理槽１０内の純水中に基板Ｗが浸漬させられて、基板Ｗが水洗される。このとき、溢流液排出管６８に介挿された開閉制御弁６８は開いた状態であり（排液管６４に介挿された急速排液弁６６は閉じている）、処理槽１０の上部から溢れ出て溢流液槽１６内へ流れ込んだフッ酸や純水は、溢流液排出管６８を通ってドレンボックス７２内へ流下する。
【００２５】
処理槽１０内の純水中に基板Ｗが浸漬されて所定時間、水洗処理が行われると、処理槽１０内に基板Ｗが保持されたまま、液体供給管４２に介挿された開閉制御弁４４が閉じられて、処理槽１０内への純水の供給が停止するとともに、急速排液弁６６が開かれて、処理槽１０内から排液管６４を通して純水が排出される。処理槽１０内から排液管６４を通って排出された純水は、ドレンボックス７２内へ流下してドレンボックス７２の内底部に溜まり、ドレンボックス７２内からドレン排出管７６を通って排出される。
【００２６】
処理槽１０内からの排水が終わると、急速排液弁６６が閉じられ、液体供給管４２に介挿された開閉制御弁４４が開かれるとともに開閉制御弁５０、６０が開かれて、所定濃度に調製されたＡＰＭ液が液体供給管４２を通して液体噴出ノズル１２へ供給され、液体噴出ノズル１２からＡＰＭ液が処理槽１０内へ噴出する。そして、処理槽１０内がＡＰＭ液で満たされ、処理槽１０内のＡＰＭ液中に基板Ｗが浸漬させられて、基板ＷがＡＰＭ液で所定時間だけ処理される。
【００２７】
ＡＰＭ液による基板Ｗの処理が終了すると、処理槽１０内に基板Ｗが保持されたまま、開閉制御弁４４、５０、５８〜６２が閉じられた状態にして、急速排液弁６６が開かれ、処理槽１０内から排液管６４を通してＡＰＭ液が急速に排出される。処理槽１０内から排液管６４を通って排出されたＡＰＭ液は、ドレンボックス７２内へ流下して、液溜めトラップ８０に流入し、液溜めトラップ８０から溢れ出てドレンボックス７２の内底部に溜まる。このとき、密閉されたドレンボックス７２の内部は、ドレンボックス７２内へのＡＰＭ液の流入によって一時的に加圧状態となるが、液溜めトラップ８０に溜まったＡＰＭ液中に排液管６４の下端部が挿入されていることにより、ドレンボックス７２の内部雰囲気と排液管６４とがガス流路的に遮断される。このため、ドレンボックス７２内においてＡＰＭ液から蒸発したアンモニアガスが、排液管６４を通って空の状態となった処理槽１０内へ逆流することが防止される。
【００２８】
処理槽１０内からのＡＰＭ液の排出が終わると、急速排液弁６６が閉じられ、開閉制御弁４４、５０が開かれて、液体噴出ノズル１２へ純水のみが供給され、液体噴出ノズル１２から純水が処理槽１０内へ噴出する。そして、処理槽１０内が純水で満たされ、処理槽１０の上部から純水を溢れ出させながら、処理槽１０内の純水中に基板Ｗが浸漬させられて、基板Ｗが水洗される。そして、所定時間、基板Ｗが水洗処理された後に、処理槽１０内に基板Ｗが保持されたまま、液体供給管４２に介挿された開閉制御弁４４が閉じられて、処理槽１０内への純水の供給が停止し、急速排液弁６６が開かれて、処理槽１０内から排液管６４を通して純水が排出される。
【００２９】
処理槽１０内からの排水が終わると、急速排液弁６６が閉じられ、液体供給管４２に介挿された開閉制御弁４４が開かれるとともに開閉制御弁５０、６２が開かれて、所定濃度に調製されたＨＰＭ液が液体供給管４２を通して液体噴出ノズル１２へ供給され、液体噴出ノズル１２からＨＰＭ液が処理槽１０内へ噴出する。そして、処理槽１０内がＨＰＭ液で満たされ、処理槽１０内のＨＰＭ液中に基板Ｗが浸漬させられて、基板ＷがＨＰＭ液で所定時間だけ処理される。
【００３０】
ＨＰＭ液による基板Ｗの処理が終了すると、処理槽１０内に基板Ｗが保持されたまま、開閉制御弁４４、５０、５８〜６２が閉じられた状態にして、急速排液弁６６が開かれ、処理槽１０内から排液管６４を通してＨＰＭ液が急速に排出される。処理槽１０内から排液管６４を通って排出されたＨＰＭ液は、ドレンボックス７２内へ流下して、液溜めトラップ８０に流入し、液溜めトラップ８０から溢れ出てドレンボックス７２の内底部に溜まる。このとき、密閉されたドレンボックス７２の内部は、ドレンボックス７２内へのＨＰＭ液の流入によって一時的に加圧状態となるが、上記したＡＰＭ液の排出時と同様に、ドレンボックス７２の内部雰囲気と排液管６４とがガス流路的に遮断されるため、ドレンボックス７２内においてＨＰＭ液から蒸発した塩化水素が、排液管６４を通って空の状態となった処理槽１０内へ逆流することが防止される。
【００３１】
処理槽１０内からのＨＰＭ液の排出が終わると、急速排液弁６６を閉じ、開閉制御弁４４、５０を開いて、液体噴出ノズル１２へ純水のみを供給し、液体噴出ノズル１２から純水を処理槽１０内へ噴出させる。そして、処理槽１０内を純水で満たし、処理槽１０の上部から純水を溢れ出させながら、処理槽１０内の純水中に基板Ｗが浸漬させられて、基板Ｗが水洗される。そして、所定時間、基板Ｗが水洗処理された後に、処理槽１０内に基板Ｗが保持されたまま、液体供給管４２に介挿された開閉制御弁４４が閉じられて、処理槽１０内への純水の供給が停止し、急速排液弁６６が開かれて、処理槽１０内から排液管６４を通して純水が排出される。
【００３２】
処理槽１０内からの排水が終わると、排気管３２に介挿された開閉制御弁３８が閉じられて、蓋部材２８と処理槽１０および溢流液槽１６とで囲まれた空間からの排気が停止する。続いて、蓋部材２８が図１中の二点鎖線で示すように開放された後、開閉制御弁２６が開かれ、蒸気供給管２４を通してＩＰＡ蒸気がガス吹出しノズル２２へ供給され、ガス吹出しノズル２２から処理チャンバ２０内へＩＰＡ蒸気が吐出する。そして、ＩＰＡ蒸気の吐出を継続しつつ、リフタ１８が上昇して基板Ｗが処理槽１０の内部から処理槽１０の外部上方へ移動する。この間に、基板Ｗの表面上でＩＰＡ蒸気が凝縮して、基板Ｗに付着した純水がＩＰＡに置換されていく。そして、ガス吹出しノズル２２からのＩＰＡ蒸気の吐出が停止した後、例えば、窒素ガスだけがガス吹出しノズル２２へ供給され、ガス吹出しノズル４６から窒素ガスが処理チャンバ２０内へ噴出して処理チャンバ２０内が窒素ガスでパージされ、その後に、排気口３０および排気管３２を通して処理チャンバ２０の内部が真空排気され、処理チャンバ２０内に保持された基板Ｗが速やかに減圧乾燥させられる。これにより、基板Ｗの表面からＩＰＡが完全に蒸発して除去され、基板Ｗの乾燥が終了する。
【００３３】
基板Ｗの乾燥が終了すると、リフタ１８から図示しない基板搬送ロボットへ基板Ｗが受け渡されて、基板搬送ロボットにより基板Ｗが処理チャンバ２０内から搬出される。基板Ｗが処理チャンバ２０内から搬出されると、次に処理すべき基板Ｗが処理チャンバ２０内へ搬入されてくるまでの間に、開閉制御弁３６、４０が開かれて（開閉制御弁３８は閉じている）、純水供給管３４を通して排気管３２内へ純水が供給され、排気管３２の内部が純水で洗浄される。
【００３４】
なお、上記した基板の洗浄処理操作は１例であり、この発明に係る基板処理装置を使用した基板処理は、種々の形態で実施し得る。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】この発明の実施形態の１例を示し、基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】図１に示した基板処理装置の構成要素であるトラップ手段とは異なるトラップ手段の構成例を示す模式図である。
【図３】従来の基板処理装置における問題点を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０  処理槽
１２  液体噴出ノズル
１４  排液口
１６  溢流液槽
１８  リフタ
２０  処理チャンバ
２２  ガス吹出しノズル
２４  蒸気供給管
２６、３６、３８、４０、４４、５０、５８、６０、６２、７０  開閉制御弁
２８  蓋部材
３０  排気口
３２  排気管
３４  純水供給管
４２  液体供給管
４６  ミキシングブロック
４８  純水供給管
５２、５４、５６  薬液供給管
６４、８４  排液管
６６  急速排液弁（開閉制御弁）
６８  溢流液排出管
７２  ドレンボックス
７４  ドレン排出口
７６  ドレン排出管
７８  ドレン排出弁
８０  液溜めトラップ
８２  処理液
８６  配管トラップ
Ｗ  基板
【図１】
2006156672.tif 000003
【図２】
2006156672.tif 000004
【図３】
2006156672.tif 000005