(57)【要約】【課題】  検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、接触痕跡を用いて電極に対する導線の位置を調整することができるプローブユニット、検査方法及びプローブユニットの製造方法を提供する。【解決手段】  プローブユニットは、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、基板と、前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、前記基板上に形成され、前記電極に前記接触部が接触している状態で前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部とを備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、
基板と、
前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、
前記基板上に形成され、前記電極に前記接触部が接触している状態で前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
前記痕跡形成部は、前記接触部より硬いことを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、
基板と、
前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、
前記基板上に形成され、前記接触部より硬く、前記電極に前記接触部が接触している状態で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項４】
前記痕跡形成部は、前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することを特徴とする請求項３に記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記痕跡形成部は、前記接触部より先鋭であることを特徴とする請求項１、２又は４に記載のプローブユニット。
【請求項６】
前記痕跡形成部は、前記接触部より粗い面であることを特徴とする請求項１、２又は４に記載のプローブユニット。
【請求項７】
前記接触部は、前記導線の前記基板の外側に突出した部位に形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項８】
前記基板は可撓性であって、
前記接触部は前記基板の真上に位置することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項９】
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、
前記電極に接触する接触部を有する導線を基板上にリソグラフィにより形成する導線形成段階と、
前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項１０】
前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より先鋭にすることを特徴とする請求項９に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１１】
前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より粗い面に形成することを特徴とする請求項９に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１２】
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、
前記電極に接触する接触部を有する導線を基板上にリソグラフィにより形成する導線形成段階と、
前記接触部より硬く、前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項１３】
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、
プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの痕跡形成部を前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、
前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、
前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、
を含むことを特徴とする検査方法。
【請求項１４】
電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、
プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの前記接触部より硬い痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、
前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、
前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、
を含むことを特徴とする検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブユニット、プローブユニットの製造方法及び検査方法に関し、特にプローブユニットと検体との位置合わせに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子デバイスを検査するためのプローブユニットが知られている。特許文献１には、電子デバイスの電極に接触する導線がリソグラフィにより形成され基板の端部から突出していないプローブユニットが開示されている。このプローブユニットを用いて検体としての電子デバイスを検査する場合は、検体の電極とプローブユニットの導線とを顕微鏡等で観察しながら位置合わせすることは困難である。なぜならば、基板の電子デバイス側の面に設けられた導線を基板の検体側から観察しようとすると、検体が載置されるテーブルが邪魔になり、また、その導線を検体と反対側から観察しようとすると基板が邪魔になるからである。このような場合、プローブユニットの導線を検体の電極に大きな接触圧で接触させ、プローブユニットの導線により形成される接触痕跡の位置を検査することによってプローブユニットと検体との位置合わせをすることが考えられる。
【０００３】
しかし、電極に形成される接触痕跡は、検体の電極における配線不良の原因となる。したがって、接触痕跡による配線不良が生じないように、プローブユニットの導線に接触する検査用パッドが電極とは別に検体に必要になる。このような検査用パッドは電極毎に必要になるため、基板の大型化により検体の製造コストが増大する。
【０００４】
【特許文献１】韓国公開特許公報２００３−００２３６６２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述の問題に鑑みて創作されたものであって、検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、接触痕跡を用いて電極に対する導線の位置を調整することができるプローブユニット、検査方法及びプローブユニットの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）  上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットは、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、基板と、前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、前記基板上に形成され、前記電極に前記接触部が接触している状態で前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、を備える。
【０００７】
導線の接触部は相対的に広い面積で電極と接触し、痕跡形成部は相対的に狭い面積で位置確認用パッドに接触するため、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する単位面積当たりの圧力よりも、導線の接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を低くすることができる。したがって、本発明によると、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。
【０００８】
（２）  前記痕跡形成部は、前記接触部より硬くてもよい。
痕跡形成部が硬いほど位置確認用パッドに接触痕跡が形成されやすい。
（３）  上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットは、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットであって、基板と、前記基板上に形成され前記電極に接触する接触部を有する導線と、前記基板上に形成され、前記接触部より硬く、前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部と、を備える。
【０００９】
本発明によると、導線の接触部より痕跡形成部が硬いため、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。
【００１０】
（４）  前記痕跡形成部は、前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触してもよい。
痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する面積が狭いほど、位置確認用パッドに接触痕跡が形成されやすい。
【００１１】
（５）  前記痕跡形成部は、前記接触部より先鋭であってもよい。
接触部より先鋭な痕跡形成部は、接触部より狭い面積で位置確認用パッドに接触する。
（６）  前記痕跡形成部は、前記接触部より粗い面であってもよい。
接触部より粗い面である痕跡形成部は、接触部より狭い面積で位置確認用パッドに接触する。
【００１２】
（７）  前記接触部は、前記導線の前記基板の外側に突出した部位に形成されていてもよい。
導線の基板の外側に突出した部位に形成された接触部を検体の電極に接触させることにより、導線の基板の外側に突出した部位が撓むため、接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を抑制しつつ接触部と電極とを確実に接触させることができる。
【００１３】
（８）  前記基板は可撓性であってもよい。前記接触部が基板の真上に位置してもよい。
接触部が基板の真上に位置していても、可撓性の基板を用いることにより、接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を抑制しつつ接触部と電極とを確実に接触させることができる。
（９）  上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットの製造方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、前記電極に接触する接触部を有する導線をリソグラフィにより形成する導線形成段階と、前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、を含む。
【００１４】
導線をリソグラフィにより形成することにより導線の接触部の位置を微細に制御することができる。痕跡形成部をリソグラフィにより形成することにより、接触部に対する痕跡形成部の位置を微細に制御することができる。
【００１５】
（１０）  前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より先鋭にしてもよい。
痕跡形成部を先鋭にすることにより、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する面積を小さくすることができる。
【００１６】
（１１）  前記痕跡形成部形成段階において、前記痕跡形成部を前記接触部より粗い面に形成してもよい。
痕跡形成部を粗面化することにより、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する面積を小さくすることができる。
【００１７】
（１２）  上記目的を達成するための本発明によるプローブユニットの製造方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体を検査するためのプローブユニットの製造方法であって、前記電極に接触する接触部を有する導線を基板上にリソグラフィにより形成する導線形成段階と、前記接触部より硬く、前記位置確認用パッドに接触することにより前記位置確認用パッドに接触痕跡を形成する痕跡形成部を前記基板上にリソグラフィにより形成する痕跡形成部形成段階と、を含む。
【００１８】
導線をリソグラフィにより形成することにより導線の接触部の位置を微細に制御することができる。痕跡形成部をリソグラフィにより形成することにより、接触部に対する痕跡形成部の位置を微細に制御することができる。
【００１９】
（１３）  上記目的を達成するための検査方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの痕跡形成部を前記接触部より狭い面積で前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、を含む。
【００２０】
本発明によると、相対的に広い面積で導線の接触部を電極に接触させ、相対的に狭い面積で位置確認用パッドに痕跡形成部を接触させるため、痕跡形成部が位置確認用パッドに接触する単位面積当たりの圧力よりも、導線の接触部が電極に接触する単位面積当たりの圧力を低くすることができる。したがって、本発明によると、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。
【００２１】
（１４）  上記目的を達成するための検査方法は、電極と前記電極に対して位置決めされた位置確認用パッドとを備える検体の検査方法であって、プローブユニットの導線の接触部を前記電極に接触させ前記プローブユニットの前記接触部より硬い痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させることにより前記位置確認用パッドに形成された接触痕跡を検査する段階と、前記接触痕跡の検査結果に応じて前記検体に対する前記プローブユニットの位置を調整する段階と、前記接触部を前記電極に接触させ前記痕跡形成部を前記位置確認用パッドに接触させた状態で前記検体の導通を検査する段階と、を含む。
【００２２】
本発明によると、導線の接触部より硬い痕跡形成部を検体の位置確認用パッドに接触させるため、導線の接触部が電極に接触している状態で痕跡形成部を位置確認用パッドに接触させても、電極に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。したがって、本発明によると、プローブユニットの導線に接触するだけで実装時には配線されない検査用パッドが電極毎に検体に設けられていなくても、検査用パッド上の接触痕跡の有無や位置を検査した結果に応じて検体の電極に対するプローブユニットの導線の位置を調整することができる。その結果、本発明によると、配線用の電極にプローブユニットの導線を接触させて検体を検査できるため、小型化により検体の製造コストを低減できる。
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。
また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
（第一実施例）
図１は、本発明の第一実施例によるプローブユニットを示す図である。
図１に示すように、第一実施例によるプローブユニット１は、樹脂フィルムなどからなる可撓性の基板１０と、基板１０上に所定の間隔で配列されている複数の導線１４からなる導線群１２と、導線群１２の両側に位置するように基板１０上に導線１４とともに配列されている位置合わせ用導線１６とを備える。導線１４と位置合わせ用導線１６とは同じ材料で構成してもよいし、位置合わせ用導線１６を導線１４よりも硬い材料で構成してもよい。位置合わせ用導線１６を導線１４よりも硬くすることにより、検体の位置確認用パッドに接触痕跡が形成され易くなる。
【００２４】
各導線１４の先端部１８は、請求項に記載の接触部に相当する。
位置合わせ用導線１６の先端部２０は、請求項に記載の痕跡形成部に相当し、導線１４の先端部１８に比べて先鋭である。先端部２０は、例えば６０°で交わる２つ側面と頂面とで形成される。位置合わせ用導線１６の先端部２０が導線１４の先端部１８より先鋭であるため、検体の検査時、位置合わせ用導線１６の先端部２０は検体の位置確認用パッドと導線１４の先端部１８よりも狭い面積で接触する。導線１４及び位置合わせ用導線１６の先端部１８、２０はともに基板１０の真上に位置している。
【００２５】
図２及び図３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す図である。尚、図３では、弾性体、プローブベース及びフレキシブルプリント配線板の図示を省略し、図３（Ｂ）ではさらに基板１０の図示を省略している。後述する図５から図８も図３と同様にこれらの部材の図示を省略する。
図２に示すように、プローブユニット１を検体８の導通検査に使用する際、基板１０とプローブベース９２の間に弾性体９０が狭持される状態でプローブユニット１はプローブベース９２に固定される。以下、プローブユニット１、弾性体９０及びプローブベース９２で構成される検査装置のモジュールをプローブヘッド９という。プローブユニット１の各導線１４には、導通検査装置本体（図示せず）と接続されているフレキシブルプリント配線板７を接続する。プローブヘッド９は、導通検査時にプローブユニット１が検体８に対して所定の角度で接触する姿勢で、導通検査装置本体（図示せず）に取り付けられる。検体８はテーブル１２０に載置される。導通検査装置本体は、テーブル１２０又はプローブヘッド９をテーブル１２０の盤面１２２と平行な方向に移動させることにより、検体８の電極８０の位置とプローブユニット１の先端部１８の位置とを調整する。導通検査装置本体は、テーブル１２０又はプローブヘッド９をテーブル１２０の盤面１２２と垂直な方向に移動させることにより、検体８の電極８０にプローブユニット１の先端部１８を接触させる。
【００２６】
図２及び図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本実施例で検査される検体８は、基板８４上に所定の間隔で線状の電極８０が配列されている液晶パネル、ＬＳＩチップ等の電子デバイスである。検体８は、基板８４上の複数の電極８０の両側にそれぞれ位置確認用パッド８２を備える。位置確認用パッド８２は、電極８０と同時にリソグラフィで形成する方法等により、電極８０に対して位置決めされている。尚、位置確認用パッド８２に接触痕跡を形成しやすくするため、位置確認用パッド８２を電極８０よりも軟らかい材質にしてもよい。
【００２７】
検体８の検査は、一次接触段階と、位置合わせ段階と、二次接触段階と、信号入力段階とを含む。
一次接触段階では、テーブル１２０又はプローブヘッド９を移動させることによりプローブユニット１を検体８に接触させる。位置合わせ用導線１６の先端部２０が検体８の位置確認用パッド８２に接触すると、図３（Ｃ）に示すように、位置確認用パッド８２には接触痕跡８６が形成される。
【００２８】
位置合わせ段階では、位置確認用パッド８２の表面を観察し、接触痕跡８６の位置を計測する。次に接触痕跡８６の位置に応じて、テーブル１２０又はプローブヘッド９を移動させることにより検体８の電極８０の位置と導線１４の先端部１８の位置とを一致させる。
【００２９】
二次接触段階では、テーブル１２０又はプローブヘッド９を移動させることにより電極８０と導線１４の先端部１８とを接触させる。
信号入力段階では、フレキシブルプリント配線板７を介して検査信号をプローブユニット１に入力し、検体８の導通検査を行う。具体的には例えば、検査信号に応じて発光する液晶パネルの画素のパターンを検査する。
【００３０】
ところで、導線によって形成される接触痕跡を検査することでプローブユニットと検体とを位置合わせする場合、導線の接触部によって形成される接触痕跡によって電極に配線不良が生じないようにするため、図４（Ａ）に示すように、電極毎の検査用パッド１０４が検体１００に必要である。検査用パッド１０４は、検体１００の電極１０２の導通検査を目的として導線の接触部と接触し検査信号が入力される検査用のパッドである。検体１００には、検査用パッド１０４が電極１０２とは別に設けられているため、プローブユニットと検体１００との位置合わせを目的として検査用パッド１０４に接触痕跡１０６を形成することができる。また検査用パッド１０４は検査時のみに必要なものであるため、検査終了後、検体１００の検査用パッド１０４近傍の部位１００ａは不要であり、分離されて除去される。以上説明したように、プローブユニットによる検査信号の入力のために検査用パッド１０４を検体１００に形成する必要があるため、検体１００が大型化され、検体１００の製造コストが増大する。さらに検体１００の検査終了後、検査用パッド１００の近傍の不要な部位１００ａを除去する必要があることにより、検体１００の製造コストが増大する。
【００３１】
これに対し本実施例によれば、位置合わせ用導線１６の先端部２０を導線１４の先端部１８に比べて先鋭に形成することにより、位置合わせ用導線１６の先端部２０と検体８の位置確認用パッド８２とを導線１４の先端部１８が電極８０に接触する面積より狭い面積で接触させる。この結果、位置合わせ用導線１６の先端部２０と位置確認用パッドとの接触圧よりも、導線１４の先端部１８と電極との接触圧が小さくなる。このため、導線１４の先端部１８が電極８０に接触した状態で位置合わせ用導線１６の先端部２０を検体８の位置確認用パッド８２に接触させても、電極８０に接触痕跡を形成することなく、位置確認用パッド８２に接触痕跡８６を形成することができる。したがって本実施例によると、図４（Ｂ）に示すように、検体８に導通検査のための検査用パッドを電極毎に設ける必要がなく、小数の位置決め用パッド８２を検体８に設ければよいだけなので、検体８を小型化できる。また本実施例によると、検査終了後に検体８の一部を除去する必要がない。したがって本実施例によると、検体８の製造コストを低減できる。
【００３２】
また本実施例によると、位置確認用パッド８２に接触痕跡８６を形成するときに検体８の電極８０に接触痕跡を形成しないことにより、電極８０の接触痕跡による配線不良を防止することができ、検体８の品質を向上させることができる。
尚、図５（Ａ）に示すように、導線１４の先端部１８及び位置合わせ用導線１６の先端部２０とを基板１０から突出させてもよい。導線１４の先端部１８及び位置合わせ用導線１６の先端部２０が基板１０から突出している場合、導線１４と位置合わせ用導線１６とは互いに独立に撓むことができる。したがってこの場合、導線１４の先端部１８と電極８０との接触圧と、位置合わせ用導線１６の先端部２０と位置確認用パッド８２との接触圧との差を大きくすることができる。
【００３３】
また検体８は、上述した液晶パネルに限らず、どんなものであってもよい。例えば図６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、電極８０がブロック状であってもよい。
また図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、位置合わせ導線１６及び検体８の位置確認用パッド８２はそれぞれ１つだけでもよい。
また図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、位置合わせ導線１６が基板１０上で導線群１２の配列方向の中央付近に設けられていてもよい。
【００３４】
図９及び図１０は、本発明の第一実施例によるプローブユニット１を製造する方法を示す図である。
はじめに図９（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、基板１０上に導体膜下地層３０をスパッタ、蒸着などにより成長させる。基板１０には例えば部分安定化ジルコニアからなる厚さ１．２ｍｍの基板を用いる。導体膜下地層３０は例えば、厚さ２００ÅのＴｉ層と厚さ１５００ÅのＮｉ層とからなる複層で構成する。Ｎｉ層の代わりに、ＮｉＷ層、ＮｉＦｅ層、ＮｉＭｏ層などを用いてもよい。
【００３５】
次に図９（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、導線群１２を形成する部位に第一開口部３４を有し位置合わせ用導線１６を形成する部位に第二開口部３６を有するレジスト膜３２を形成する。具体的には導体膜下地層３０上にレジストを塗布し、導線群１２及び位置合わせ用導線１６のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、第一開口部３４及び第二開口部３６を有するレジスト膜３２を形成する。
【００３６】
次に図９（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、第一開口部３４及び第二開口部３６内にめっきによって導体膜３８を成長させる。導体膜３８は例えば厚さ２０μｍのＮｉ膜で構成する。
次に図１０（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、レジスト膜３２を除去する。
次に図１０（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、露出している導体膜下地層３０をミリングによって除去する。
【００３７】
次に図１０（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、基板１０をダイシングによって切断し不要な部位を除去すると、プローブユニット１が得られる。プローブユニット１の導線群１２及び位置合わせ用導線１６は導体膜下地層３０及び導体膜３８からなる。
本実施例によると、導線群１２及び位置合わせ用導線１６を構成する導体膜３８をリソグラフィによって形成することにより、導線１４の接触部としての先端部１８の位置を微細に制御することができ、位置合わせ用導線１６の痕跡形成部としての先端部２０の位置を導線１４の先端部１８に対して微細に制御することができる。
【００３８】
尚、基板１０を研磨で薄くする工程を追加してもよい。例えば基板１０を約０．２ｍｍにしてもよい。基板１０を薄くすると、基板１０の可撓性を増すことができるため、導線１４の先端部１８と検体の電極とを低い接触圧で確実に接触させることができる。特に、検体の電極表面に凹凸がある場合でも導線１４の先端部１８と電極とを確実に接触させることができる。
【００３９】
また、導線群１２及び位置合わせ用導線１６を別工程で形成してもよい。その場合、導線群１２を構成する膜の成長時間と位置合わせ導線１６を構成する膜の成長時間とを個別に調整したり、成膜後に膜を研磨したりすることにより、導線１４の先端部１８の高さと位置合わせ用導線１６の先端部２０の高さとを調整する。
【００４０】
（第二実施例）
図１１は、本発明の第二実施例によるプローブユニットを示す図である。
図１１に示すように、第二実施例によるプローブユニット２では、基板１０の一側の部位１１が他の部位に比べて薄く形成されている。導線群１２及び位置合わせ用導線１６はともに基部側が基板１０上に直に形成され、先端部１８、２０側が基板１０の薄い部位１１の表面から離れ、先端部１８、２０が基板１０の薄い部位１１の真上に位置している。このため、導線１４と位置合わせ用導線１６とは、基板１０に接触するまで互いに独立に撓むことができる。したがって第二実施例によると、導線１４の先端部１８と電極との接触圧と、位置合わせ用導線１６の先端部２０と位置確認用パッド８２との接触圧との差を、第一実施例に比べて大きくすることができる。
【００４１】
図１２から図１４は、本発明の第二実施例によるプローブユニット２の製造する方法を示す図である。
はじめに図１２（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、基板１０に樋状の凹部４０を形成した後、基板１０上に犠牲膜下地層４２を成長させる。具体的には例えばガラスセラミックからなる基板１０に深さ１５０μｍの凹部４０を形成した後、Ｃｕ層などの犠牲膜下地層４２をスパッタによって厚さ３０００Åに成長させる。Ｃｕ層を成長させる前に密着層を成膜してもよい。密着層には例えば厚さ３００ÅのＣｒ層、Ｔｉ層などを用いる。
【００４２】
次に図１２（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、犠牲膜下地層４２上に犠牲膜４４を凹部４０が犠牲膜４４で充填されるように形成する。犠牲膜４４には例えばＣｕを用いる。めっきにより犠牲膜４４を形成してもよいし、ペーストを塗布することにより犠牲膜４４を形成してもよい。
次に図１２（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、基板１０が露出するまで犠牲膜４４を研磨し、基板１０、犠牲膜下地層４２及び犠牲膜４４で構成される平坦な研磨面４６を形成する。
【００４３】
次に図１３（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、研磨面４６上に導体膜下地層３０を成長させる。具体的には図９（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じる。
次に図９（Ａ２）、（Ｂ２）から図１０（Ａ２）、（Ｂ２）に示す工程に準じて、導体膜３８を形成した後、露出した導体膜下地層３０を除去する。
次に図１３（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、犠牲膜４４を除去する。
【００４４】
次に図１３（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、犠牲膜下地層４２を除去する。犠牲膜下地層４２がＣｒからなる場合、硝酸第二セリウムアンモニウムで除去する。
次に図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、基板１０をダイシングによって切断し不要な部位を除去すると、プローブユニット２が得られる。
【００４５】
（第三実施例）
図１５は、本発明によるプローブユニットの第三実施例を示す図である。
図１５に示すように、第三実施例によるプローブユニット３では、位置合わせ用導線１６の先端部２０が導線群１２の先端位置よりも基板１０から突出している。このため第三実施例によると、導線１４の先端部１８と電極との接触圧と、位置合わせ用導線１６の先端部２０と位置確認用パッド８２との接触圧との差を、第二実施例に比べて大きくすることができる。
【００４６】
（第四実施例）
図１６は、本発明の第四実施例によるプローブユニットを示す図である。
図１６に示すように、第四実施例によるプローブユニット４では、基板１０は外側ほど薄くなるように形成された外縁部１３を有する。導線群１２の先端及び位置合わせ用導線１６の先端が基板１０の外側に突出している。
【００４７】
導線１４の突出部位と位置合わせ用導線１６の突出部位とは実質的に同一の形状である。各導線１４の先端近傍に第一バンプ２２が形成されている。第一バンプ２２は請求項に記載の接触部に相当する。第一バンプ２２は、断面が台形であって、導線１４の長手方向軸線と垂直な方向に突出した四角錐台形状である。
位置合わせ用導線１６の先端近傍に第二バンプ２４が形成されている。第二バンプ２４は請求項に記載の痕跡形成部に相当する。第二バンプ２４は、断面が三角形であって、位置合わせ用導線１６の長手方向軸線と垂直な方向に突出している。第二バンプ２４が第一バンプ２２よりも先鋭であるため、第二バンプ２４は第一バンプ２２よりも狭い面積で検体の位置確認用パッドに接触する。尚、第一バンプ２２の導線１４からの高さと第二バンプ２４の位置合わせ用導線１６からの高さにばらつきがあっても、導線１４及び位置合わせ用導線１６が撓むことで、第一バンプ２２を検体の電極に接触させ、第二バンプ２４を検体の位置確認パッドに接触させることができる。
【００４８】
また、導線群１２及び位置合わせ用導線１６を基板１０の外側に突出させないように基板１０上に直に形成し、導線１４の第一バンプ２２と位置合わせ用導線１６の第二バンプ２４とを基板１０の真上に配置してもよい。また、基板１０上に位置合わせ用導線１６を形成せず、第二バンプ２４を基板１０上に直に形成してもよい。
図１７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の第四実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す図である。図１７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第一バンプ２２が導線１４上に形成され第二バンプ２４が位置合わせ用導線１６上に形成されているプローブユニット４を用いることにより、プローブユニット４と検体８とをプローブユニット４の基板１０と検体８の基板８４とが平行な状態で接触させることができる。第二バンプ２４が第一バンプ２２よりも先鋭であるため、電極８０に接触痕跡を形成せずに位置確認用パッド８２に接触痕跡８６（図１７（Ｃ）参照）を形成することができる。
【００４９】
図１８及び図１９は、本発明の第四実施例によるプローブユニット４を製造する方法を示す図である。
はじめに図１２（Ａ１）、（Ｂ１）から図１３（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じて、犠牲膜下地層４２、犠牲膜４４及び基板１０で構成される研磨面４６上に導体膜下地層３０を形成する。その後、図９（Ａ２）、（Ｂ２）から図１０（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じて、導体膜下地層３０上に第一導体膜３８を形成する。
【００５０】
次に図１８（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、導線１４の第一バンプ２２を形成する部位に第一開口部５０を有し位置合わせ用導線１６の第二バンプ２４を形成する部位に第二開口部５２を有するレジスト膜４８を導体膜下地層３０及び第一導体膜３８上に形成した後、第一開口部５０及び第二開口部５２内に第二導体膜５４をめっきで成長させる。
具体的には導体膜下地層３０及び第一導体膜３８上にレジストを塗布し、第一バンプ２２および第二バンプ２４のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、第一開口部５０及び第二開口部５２を有するレジスト膜４８を形成する。第二導体膜５４にはＮｉや、ＮｉＦｅなどを用いる。
【００５１】
尚本工程は、第一導体膜３８を形成するためのリソグラフィで形成されたレジスト膜３２を除去してから行ってもよいし、除去せずに行ってもよい。
次に図１８（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、第二導体膜５４の表面近傍部位が露出するまでレジスト膜４８を除去する。具体的には例えばＯ2ガスを用いた反応性イオンエッチングによってレジスト膜４８を除去する。
【００５２】
次に図１８（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、第二導体膜５４の露出部位を一部除去することにより第二導体膜５４を先鋭化する。具体的にはＡｒイオンを用いたイオンミリングで第二導体膜５４を先鋭化する。
次に図１９（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、レジスト膜４８をアセトンやＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）を用いて除去した後、露出した導体膜下地層３０を除去する。さらに、基板１０の凹部４０の反対側から犠牲膜４４中に至るまでダイサーで切削し切れ込み５６を入れることで、基板１０を必要な部位１０ａと不要な部位１０ｂとに分割する。
【００５３】
次に図１９（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、犠牲膜４４をエッチング液などで除去することにより、基板１０の不要な部位１０ｂを分離し除去する。
次に図１９（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように、犠牲膜下地層４２を除去すると、プローブユニット４が得られる。犠牲膜下地層４２がＣｒからなる場合、硝酸第二セリウムアンモニウムで除去する。本実施例では、導線１４の第一バンプ２２と位置合わせ用導線１６の第二バンプ２４とはともに第二導体膜５４から構成される。
【００５４】
本実施例によると、導線群１２を構成する第一導体膜３８をリソグラフィで形成し、接触部としての第一バンプ２２を構成する第二導体膜５４をリソグラフィで形成することにより、導線群１２及び第一バンプ２２の位置を微細に制御することができる。また位置合わせ用導線１６を構成する第一導体膜３８をリソグラフィで形成し、痕跡形成部としての第二バンプ２４を構成する第二導体膜５４をリソグラフィで形成することにより、導線群１２に対する位置合わせ用導線１６の位置を微細に制御することができ、第一バンプ２２に対する第二バンプ２４の位置を微細に制御することができる。
【００５５】
図２０は、本発明の第四実施例によるプローブユニット４とフレキシブルプリント配線板との接続方法を説明するための図である。
図２０に示すように、フレキシブルプリント配線板７はその高い柔軟性により折り曲げ可能であって、ポリイミドからなる絶縁基板７０上にＣｕ配線７２が形成され、特定部位がフォトソルダーレジストなどの絶縁膜７４で覆われ、さらに補強基板７６が設けられている。また、Ｃｕ配線７２の電極７８表面はＡｕめっき層７１で覆われている。プローブユニット４にフレキシブルプリント配線板７を接続するには、プローブユニット４の導線１２の第一バンプ２２と反対側の一端上に設けられた電極５８と、フレキシブルプリント配線板７のＣｕ配線７２の電極７８とを異方性導電フィルム７３によって接続する。位置合わせ用導線１６は、検体とプローブユニット４との位置合わせを目的として形成され検体の導通検査には使用されないため、フレキシブルプリント配線板７のＣｕ配線７２と接続しなくともよい。
【００５６】
（第五及び第六実施例）
図２１は、本発明の第五実施例によるプローブユニットを示す図である。図２２は、本発明の第六実施例によるプローブユニットを示す図である。
第五実施例によるプローブユニット５では、位置合わせ用導線１６の第二バンプ２４は導線１４の第一バンプ２２よりも硬い。図２１（Ａ）では第二バンプ２４に相当する部位にハッチングを付している。第一バンプ２２、第二バンプ２４は、図２１に示すように同一の形状であってもよいし、第二バンプ２４を第一バンプ２２より先鋭にしてもよい。つまり、第二バンプ２４が第一バンプ２２と等しい面積で検体の位置確認用パッドと接触するようにしてもよいし、又は第二バンプ２４が第一バンプ２２よりも狭い面積で位置確認用パッドと接触するようにしてもよい。
【００５７】
第六実施例によるプローブユニット６では、位置合わせ用導線１６の硬い第二バンプ２４の先端面２８が導線１４の第一バンプ２２の先端面２６よりも粗い面であるため、第二バンプ２４は第一バンプ２２よりも狭い面積で検体の位置確認パッドと接触する。このため本実施例によると、検体の電極に接触痕跡を形成することなく検体の位置確認用パッドに接触痕跡を形成することができる。
【００５８】
図２３（Ａ）、（Ｂ）は、本発明による第五実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す図である。図２３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本実施例によると、第一バンプ２２を検体８の電極８０に接触させた状態で、第一バンプ２２よりも硬い第二バンプ２４と検体８の位置確認用パッド８２とを接触させることにより、検体８の電極８０に接触痕跡を形成させずに位置確認用パッド８２に接触痕跡８６（図２３（Ｃ）参照）を形成することができる。また、第二バンプ２４を第一バンプ２２よりも狭い面積で検体８の位置確認用パッド８２に接触させれば、第二バンプ２４と位置確認用パッド８２との接触圧をさらに大きくすることができるため、位置確認用パッド８２に接触痕跡を形成し易い。
【００５９】
図２４は、本発明の第五及び第六実施例によるプローブユニット５、６を製造する方法を示す図である。
第五実施例によるプローブユニット５の製造方法では、はじめに図１２（Ａ１）、（Ｂ１）から図１３（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じて、犠牲膜下地層４２、犠牲膜４４及び基板１０で構成される研磨面４６上に導体膜下地層３０を形成する。その後、図９（Ａ２）、（Ｂ２）から図１０（Ａ１）、（Ｂ１）に示す工程に準じて、導体膜下地層３０上に第一導体膜３８を形成する。
【００６０】
次に図２４（Ａ１）、（Ｂ１）に示すように、導線１４の第一バンプ２２を形成する部位に開口部５０を有するレジスト膜６０を導体膜下地層３０及び第一導体膜３８上に形成した後、開口部５０内に第二導体膜５４をめっきで成長させる。具体的には、導体膜下地層３０及び第一導体膜３８上にレジストを塗布し、第一バンプ２２のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、開口部５０を有するレジスト膜６０を形成する。第二導体膜５４にはＮｉや、ＮｉＦｅなどを用いる。
【００６１】
尚本工程は、第一導体膜３８を形成するためのリソグラフィで形成されたレジスト膜３２を除去してから行ってもよいし、除去せずに行ってもよい。
次に図２４（Ａ２）、（Ｂ２）に示すように、レジスト膜６０を除去した後、位置合わせ用導線１６の第二バンプ２４を形成する部位に開口部５２を有するレジスト膜６２を導体膜下地層３０、第一導体膜３８及び第二導体膜５４上に形成し、開口部５２内に高硬度膜６４をめっきで成長させる。具体的には、導体膜下地層３０、第一導体膜３８及び第二導体膜５４上にレジストを塗布し、第二バンプ２４のパターンに対応するマスクを用いて露光した後現像し、開口部５２を有するレジスト膜６２を形成する。高硬度膜６４は、第二導体膜５４よりも硬い膜であり、例えばＲｈからなる。Ｒｈの代わりに、ＮｉＷ、ＮｉＦｅ、ＮｉＢ、ＮｉＭｎ、ＮｉＰなどを用いてもよい。
【００６２】
次に図１８（Ａ２）、（Ｂ２）から図１９（Ａ３）、（Ｂ３）に示す工程に準じて、第二導体膜５４及び高硬度膜６４を先鋭化し、基板１０を必要な部位と不要な部位とに分割してから犠牲膜４４及び犠牲膜下地層４２を除去すると、プローブユニット５が得られる。本実施例によれば、第一バンプ２２が第二導体膜５４で構成され、第二バンプ２４が高硬度膜６４で構成される。
【００６３】
第六実施例によるプローブユニット６の製造方法では、図２４（Ａ２）、（Ｂ２）に示す工程を行った後、図２４（Ａ３）、（Ｂ３）に示すように高硬度膜６４を塩化第二鉄でエッチングし、その表面を粗面化する。それ以降の工程は第五実施例によるプローブユニット５の製造方法と同様である。
第五及び第六実施例によると、導線群１２を構成する第一導体膜３８をリソグラフィで形成し、第一バンプ２２を構成する第二導体膜５４をリソグラフィで形成することにより、導線群１２及び第一バンプ２２の位置を微細に制御することができる。また位置合わせ用導線１６を構成する第一導体膜３８をリソグラフィで形成し、第二バンプ２２を構成する高硬度膜６４をリソグラフィで形成することにより、導線群１２に対する位置合わせ用導線１６の位置を微細に制御することができ、第一バンプ２２に対する第二バンプ２４の位置を微細に制御することができる。
【００６４】
さらに第五及び第六実施例によると、位置合わせ用導線１６の第二バンプ２４を構成する高硬度膜６４を先鋭化することにより、第二バンプ２４と検体の位置確認用パッドとの接触面積を小さくすることができる。
また第六実施例によると、位置合わせ用導線１６の第二バンプ２４を構成する高硬度膜６４の表面を粗面化することにより、第二バンプ２４と検体の位置確認用パッドとの接触面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図２】本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す断面図である。
【図３】（Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図であり、（Ｃ）は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。
【図４】（Ａ）は比較例による検査方法で検査される検体を示す平面図であり、（Ｂ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で検査される検体を示す平面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図であり、（Ｃ）は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。
【図６】（Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図であり、（Ｃ）は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。
【図７】（Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図であり、（Ｃ）は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。
【図８】（Ａ）は本発明の第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図であり、（Ｃ）は第一実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。
【図９】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図１０】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図１１】（Ａ）は本発明の第二実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図１２】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図１３】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図１４】（Ａ）は本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図１５】（Ａ）は本発明の第三実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図１６】（Ａ）は本発明の第四実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図１７】（Ａ）は本発明の第四実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図であり、（Ｃ）は第四実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。
【図１８】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明の第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図１９】（Ａ１）から（Ａ３）は本発明の第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）から（Ｂ３）はその断面図である。
【図２０】（Ａ）は本発明の第四実施例によるプローブユニットとフレキシブルプリント配線板との接続方法を説明するための平面図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図２１】（Ａ）は本発明の第五実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図２２】（Ａ）は本発明の第六実施例によるプローブユニットを示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図である。
【図２３】（Ａ）は本発明の第五実施例によるプローブユニットを用いた検査方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のａ−ａ線断面図であり、（Ｃ）は第五実施例によるプローブユニットを用いた検査方法で形成される接触痕跡を示す模式図である。
【図２４】（Ａ１）及び（Ａ２）は本発明の第五実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ１）及び（Ｂ２）はその断面図である。（Ａ３）は本発明の第六実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ３）はその断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１〜６  プローブユニット、８  検体、１０  基板、１４  導線、１８  先端部（接触部）、２０  先端部（痕跡形成部）、２２  第一バンプ（接触部）、２４  第二バンプ（痕跡形成部）、８０  電極、８２  位置確認用パッド、８６  接触痕跡
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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