(57)【要約】【課題】めっき用引き出し配線が残らず、高周波信号への影響の少ない半導体装置用基板を製造する。【解決手段】絶縁基材１の表面に線状配線２とその端部に接続する実装端子３とが形成され、回路素子が形成された半導体チップを搭載する半導体装置用基板を製造する際に、絶縁シート６に、めっき対象の線状配線２と実装端子３とに対応する配置で貫通穴８を形成するとともに、実装端子３から絶縁基材端部へ向かう方向のめっき用引き出し配線４を前記貫通穴８内から表面にわたって形成し、前記めっき用引き出し配線４を有した絶縁シート６を、めっき用引き出し配線４が実装端子３に接続するように絶縁基材１上に剥離可能に接合し、めっき用引き出し配線４を通じて給電して金皮膜１１を形成するめっき処理の終了後に、めっき用引き出し配線４を絶縁シート６ごと除去する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基材の表面に線状配線とその端部に接続する実装端子とが形成され、回路素子が形成された半導体チップを搭載する半導体装置用基板の製造方法であって、絶縁シートに、めっき対象の線状配線と実装端子とに対応する配置で貫通穴を形成するとともに、実装端子から絶縁基材端部へ向かう方向のめっき用引き出し配線を前記貫通穴内から表面にわたって形成し、前記めっき用引き出し配線を有した絶縁シートを、めっき用引き出し配線が実装端子に接続するように前記絶縁基材上に剥離可能に接合し、めっき用引き出し配線を通じて給電するめっき処理の終了後に、前記めっき用引き出し配線を絶縁シートごと除去する半導体装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基材の表面に線状配線とその端部に接続する実装端子とが形成され、回路素子が形成された半導体チップを搭載する半導体装置用基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路素子が形成された半導体チップを、導体パターンを備えた基板に搭載した半導体装置は周知である。半導体チップの搭載には、電気的な接続と機械的な固定とを同時に実現できるはんだ付けが広く用いられている。しかし基板上の端子や配線などの接合対象部位がはんだ付けに適した材料で形成されているとは限らず、例えばタングステンやモリブデンなどの高融点金属で形成されている場合は、はんだ付けによる接合はできない。接合対象部位が酸化している場合も、はんだ付けによる安定した接合は得られない。
【０００３】
そこで半導体チップ搭載時の接合安定性のために、基板表面の導体パターンの露出部に金めっきを施している。高密度配線基板については、高密度配線の形成後にめっき用引き出し配線を形成することはできないので、無電解金めっきを実施するか、あるいは高密度配線と同時にめっき用引き出し配線を形成しておき、電解金めっきを実施している。一般に、無電解金めっきは、めっき液や皮膜の形成が不安定であるため電解金めっきに比べて皮膜の品質が悪く、またコストが高いことから、電解金めっきを実施することが多い。図５は電解金めっき前のパッケージ基板の平面図、図６は図５におけるｂ−ｂ´断面図である。図中、１は絶縁基材、２は線状配線、３は実装電極、４はめっき用引き出し配線、５は絶縁材料である。
【０００４】
しかし半導体装置の動作信号の高周波化が進むにつれ、めっき用引き出し配線が製品の電気特性に大きな影響を与える可能性が指摘されている。たとえば、めっき用引き出し配線が原因で、線状配線を通して入出力する信号に反射が生じたり、あるいはめっき用引き出し配線により不要に付加される静電容量が入出力信号に影響を与える可能性がある。そのため金めっき実施後にめっき用引き出し配線を除去する必要があり、その方法としてエッチングが用いられている（たとえば特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−１０１１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、高周波信号向け半導体装置の電気特性に大きな影響を与えるめっき用引き出し配線は、従来はエッチングによって除去しているのであるが、エッチングの最適条件を設定するのは困難であり、エッチングの結果がパッケージ基板の出来映えに大きな影響を与えることがある。めっき用引き出し配線を確実に除去しようとすると、その下の絶縁膜も削り取ることになり、パッケージ基板の平坦性が損なわれる。逆にめっき用引き出し配線の除去が不十分であると、エッチングしない場合と同様に、入力信号の反射など、半導体装置の電気的特性への影響が発生する。
【０００６】
本発明は上記問題を解決するもので、めっき用引き出し配線が残らず、高周波信号への影響の少ない半導体装置用基板を製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、絶縁基材の表面に線状配線とその端部に接続する実装端子とが形成され、回路素子が形成された半導体チップを搭載する半導体装置用基板の製造方法において、絶縁シートに、めっき対象の線状配線と実装端子とに対応する配置で貫通穴を形成するとともに、実装端子から絶縁基材端部へ向かう方向のめっき用引き出し配線を前記貫通穴内から表面にわたって形成し、前記めっき用引き出し配線を有した絶縁シートを、めっき用引き出し配線が実装端子に接続するように前記絶縁基材上に剥離可能に接合し、めっき用引き出し配線を通じて給電するめっき処理の終了後に、前記めっき用引き出し配線を絶縁シートごと除去することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の半導体装置用基板の製造方法は、線状配線と実装端子とが形成された絶縁基材の表面に、めっき用引き出し配線を形成した絶縁シートを接合し、めっき終了後に絶縁シートをめっき用引き出し配線ごと除去するものであり、めっき用引き出し配線の除去を容易かつ確実に行える。よって、高周波信号向け半導体装置の電気特性への影響の少ないパッケージ基板を歩留まりよく、ローコストで実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
図１は回路素子が形成された半導体チップを搭載する半導体装置用基板（以下、パッケージ基板という）のめっき処理前の状態を示す平面図、図２は同パッケージ基板の図１におけるａ−ａ′断面を示す断面図、図３は同パッケージ基板のめっき処理後の状態を示す平面図である。
【００１０】
図１および図２に示すパッケージ基板において、絶縁基材１の中央部が半導体チップの搭載領域であり、搭載される半導体チップに接続する線状配線２と各線状配線２の端部に接続する実装電極３とが絶縁基材１の表面に所定のパターン、レイアウトで形成されている。電気的に接続されていない線状配線２と実装電極３との間は絶縁材料５で埋められている。
【００１１】
さらに、各実装電極３からそれに近い絶縁基材端辺まで伸びるめっき用引き出し配線４が、互いに間隔をおいて形成されている。
詳細には、線状配線２と実装電極３と絶縁材料５からなる表層の上に、絶縁基材１とは異なる絶縁材料で形成された絶縁シート６が接着層７を介して接合されている。絶縁シート６および接着層７は、めっき対象の線状配線２および実装電極３の少なくとも一部が露出するように貫通穴８を設けて形成されていて、この貫通穴８内で露出している実装電極３から絶縁シート６上にわたって、めっき用引き出し配線４が線状に形成されている。
【００１２】
上記したパッケージ基板の製造方法を、図４を参照しながら説明する。
図４（ａ）に示すように、矩形の絶縁基材１の上に導体９を積層する。絶縁基材１はエポキシ系樹脂、導体９は、銅を主成分とした金属材料が一般に用いられる。
【００１３】
この導体９にパターニング処理を施して、図４（ｂ）に示すように、複数の線状配線２および実装電極３を、所定の線状配線２と実装電極３とが電気的に接続するように形成する。そして、図４（ｃ）に示すように、電気的に接続していない線状配線２と実装電極３との間を絶縁材料５で埋める。
【００１４】
一方で、図４（ｄ）に示すように、接着層７を裏面に形成した薄い絶縁シート６の表面に導体１０を積層する。絶縁シート６および接着層７は、絶縁基材１と同等の矩形に成形し、実装電極３に対応する間隔で貫通穴８を形成しておき、貫通穴８内にも導体１０を充填する。絶縁シート６は、例えば１００μｍ程度の厚みのポリオレフィン系樹脂を用いる。接着層７は、ＵＶ光や熱などによって剛性もしくは接着力が低下する、例えばアクリル系の粘着材料を用いる。導体１０は、上記した導体９と同様、銅を主成分とした金属材料を用いる。
【００１５】
そして、図４（ｅ）に示すように、絶縁シート６上の導体１０にパターニング処理を施して、上記した形状のめっき用引き出し配線４を形成する。
次に、図４（ｆ）に示すように、線状配線２と実装電極３と絶縁材料７とを備えた絶縁基材１上に、めっき用引き出し配線４を備えた絶縁シート６を接着層７を介して接合させる。
【００１６】
次に、図４（ｇ）に示すように、絶縁シート６および接着層７にめっき対象の線状配線２および実装電極３が露出する貫通穴８を形成する。この状態が図１および図２に対応する。
【００１７】
その後にめっき用引き出し配線４から給電してめっき処理を実施することにより、図４（ｈ）に示すように、線状配線２および実装電極３に金皮膜１１を形成する。
めっき終了後に、図４（ｉ）に示すように、絶縁シート６をめっき用引き出し配線４ごと除去する。その際には、熱などによって接着層７の剛性もしくは接着力を低下させた上で機械的な力を負荷することで、絶縁シート６を剥離する。これにより線状配線２と実装電極３が残る。この状態が図３に対応する。
【００１８】
以上のようにすることで、めっき用引き出し配線４を容易かつ確実に除去して、高周波の信号への影響の少ない最小の線状配線２（および実装電極３）のみ残すことができる。エッチングによってめっき用引き出し配線４を除去する従来法のような絶縁膜の削り取りはなく、パッケージ基板の平坦性が損なわれることがない。
【００１９】
ここでは一層の線状配線２のみ示して説明したが、多層配線構造であっても、表層の配線に対して同様にめっき用引き出し配線４を設け、めっきを実施して、同様の効果を得ることができる。
【００２０】
またここでは、回路素子が形成された半導体チップを搭載するパッケージ基板、つまり半導体パッケージ（パッケージ半導体装置）の構成部品である基板について説明したが、
半導体チップを内蔵した半導体装置を搭載する実装基板に上記した方法を適用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明の半導体装置用基板の製造方法は、高周波信号の入出力がある半導体装置のパッケージ基板および実装基板に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明方法により製造されるパッケージ基板のめっき処理前の状態を示す平面図
【図２】図１のパッケージ基板のａ−ａ′断面を示す断面図
【図３】図１のパッケージ基板のめっき処理後の状態を示す平面図
【図４】図１のパッケージ基板を製造する工程断面図
【図５】従来法で製造されるパッケージ基板のめっき処理前の状態を示す平面図
【図６】図５のパッケージ基板のｂ−ｂ′断面を示す断面図
【符号の説明】
【００２３】
１  絶縁基材
２  線状配線
３  実装電極
４  めっき用引き出し配線
５  絶縁材料
６  絶縁シート
７  接着層
11  金皮膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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