(57)【要約】【課題】    基板とレジスト膜との剥離を促進させることにより、基板からのレジスト膜の除去をより確実なものとし、さらに、基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制するレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供する。【解決手段】  レジスト膜６に発生させたクラックを介して、密着界面に対して水蒸気を進入させ、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。また、同時に、密着界面から剥離し始めたレジスト膜６の剥離部を振動発生装置８によって振動させ、レジスト膜６を剥離させた。【選択図】      図１
2006156472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に付着したレジスト膜にクラックを生じさせ、前記クラックを介して液体を前記基板と前記レジスト膜の界面に進入させるとともに、前記レジスト膜に振動を与えて前記基板から前記レジスト膜を剥離させることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項２】
請求項１に記載したレジスト膜の除去方法において、
前記クラックは、前記レジスト膜を蒸気に曝して発生させることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項３】
請求項１に記載したレジスト膜の除去方法において、
前記クラックは、前記基板を加熱するとともに、前記レジスト膜を蒸気に曝して発生させることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項４】
基板に付着したレジスト膜の表面に液体を供給しつつ、前記基板を加熱するとともに、前記レジスト膜に振動を与えて前記基板から前記レジスト膜を剥離させることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項５】
請求項４に記載するレジスト膜の除去方法において、
前記加熱は、放射熱によることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項６】
請求項４に記載するレジスト膜の除去方法において、
前記液体は水またはアルコールであることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項７】
レジスト膜が付着している基板を配置するテーブルと、前記レジスト膜の表面に蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記レジスト膜に振動を与える振動発生手段とを有することを特徴とするレジスト膜除去装置。
【請求項８】
レジスト膜が付着している基板を配置するテーブルと、前記レジスト膜の表面に液体を供給する液体供給手段と、前記基板を加熱する加熱手段と、前記レジスト膜に振動を与える振動発生手段とを有することを特徴とするレジスト膜除去装置。
【請求項９】
請求項８に記載したレジスト膜除去装置において、
前記加熱手段は、前記テーブルに設けたヒータであることを特徴としたレジスト膜除去装置。
【請求項１０】
請求項８に記載したレジスト膜除去装置において、
前記加熱手段は、放射熱を発生させる放射加熱器であることを特徴としたレジスト膜除去装置。
【請求項１１】
請求項７〜１０のレジスト膜除去装置において、
前記液体は水またはアルコールであることを特徴とするレジスト膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜の除去方法および除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造においては、シリコンウエハなどの半導体基板にパターンを転写する一般的な方法としてフォトグラフィー法が用いられている。
このフォトグラフィー法で形成されるレジスト膜は、エッチングやイオン注入の工程が終了するたびに除去され、次の工程の際に新たなレジスト膜が形成される。また、レジスト膜は有機材料であるため、加熱されたり無機物などの粒子が注入されたりすると、容易に変質して硬化してしまう性質がある。
【０００３】
さて、このレジスト膜を除去する方法として、酸素プラズマによりレジスト膜を灰化除去する方法や、有機溶媒（フェノール系・ハロゲン系など）を用いてレジスト膜を加熱溶解させる方法、または濃硫酸・過酸化水素を用いる加熱溶解法が知られている。しかし、これらの方法は何れも、多くのエネルギーと時間、および化学材料が必要であり、リソグラフィー工程の負担となる。
【０００４】
そこで、従来より、こうしたレジスト膜を除去する方法として、リソグラフィー工程の負担を軽減し、低エネルギーで容易にレジスト膜を除去できる方法が種々提案されている（例えば、特許文献1）。特許文献１によれば、半導体の基板（以下、単に基板という。
）に付着したレジスト膜に対してクラックを生じさせ、そのクラックを介してレジスト膜に洗浄液を浸透させる。つまり、レジスト膜に浸透した洗浄液は、時間の経過とともに基板とレジスト膜との密着界面に進入し、レジスト膜を基板から浮かび上がらせる。これにより、レジスト膜は流水などによって基板から洗い流される。したがって、レジスト膜を低エネルギーで容易に基板から除去することができる。
【特許文献１】特開２００1−９３８０６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載されるレジスト膜の除去方法では、レジスト膜を剥離させる要因として、クラックを介して密着界面に侵入する洗浄液に限られてしまう。従って、発生するクラックの数が少ないと洗浄液が密着界面の全体に進入できない。その結果、レジスト膜を基板から完全に浮かび上がらせることができず、全てのレジスト膜を除去することができなかった。さらに、一度、レジスト膜が基板から浮き上がって剥離しても、基板とレジスト膜との離間距離が短いために、再度、分子間力により密着してしまい、レジスト膜の除去が困難となる問題も生じていた。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板とレジスト膜との剥離を促進させることにより、基板からのレジスト膜の除去をより確実なものとし、さらに、基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制するレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のレジスト膜の除去方法は、基板に付着したレジスト膜にクラックを生じさせ、前記クラックを介して液体を前記基板と前記レジスト膜の界面に進入させるとともに、前記レジスト膜に振動を与えて前記基板から前記レジスト膜を剥離させる。
【０００８】
本発明のレジスト膜の除去方法によれば、クラックを介して基板とレジスト膜との界面に液体を進入させることができるとともに、レジスト膜に振動を与えて、レジスト膜を基板から剥離させることができる。これにより、レジスト膜は、基板との界面に進入する液体に加えて、振動によっても基板から剥離する。したがって、レジスト膜の除去をより確実なものとすることができる。また、剥離したレジスト膜には振動が与えられるので、剥離したレジスト膜と基板との離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を抑制することができる。
【０００９】
このレジスト膜の除去方法は、前記クラックは、前記レジスト膜を蒸気に曝して発生させる。この有機物の除去方法によれば、レジスト膜を蒸気に曝すことでクラックを容易に生じさせることができる。したがって、基板からレジスト膜を剥離させて、レジスト膜の除去をすることができる。
【００１０】
このレジスト膜の除去方法は、前記クラックは、前記基板を加熱するとともに、前記レジスト膜を蒸気に曝して発生させる。この有機物の除去方法によれば、レジスト膜を蒸気に曝しつつ、基板を加熱する。これにより、レジスト膜に作用する熱応力と膨潤の相乗効果によって、クラックは一層発生し易くなる。したがって、一段と容易にレジスト膜の除去をすることができる。
【００１１】
本発明のレジスト膜の除去方法は、基板に付着したレジスト膜の表面に液体を供給しつつ、前記基板を加熱するとともに、前記レジスト膜に振動を与えて前記基板から前記レジスト膜を剥離させる。
【００１２】
本発明のレジスト膜の除去装置によれば、レジスト膜に液体を供給しつつ、基板を加熱する。これによれば、基板とレジスト膜との界面には液体が進入する。これより、この界面に進入した液体が基板を加熱する熱によって気化するため、レジスト膜は基板から浮き上がる。また、レジスト膜には振動が与えられるため、レジスト膜の剥離が促進される。したがって、レジスト膜の除去をより確実なものとすることができる。また、剥離したレジスト膜には振動が与えられるので、剥離したレジスト膜と基板との離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を抑制することができる。
【００１３】
このレジスト膜の除去方法は、前記加熱は、放射熱による。このレジスト膜の除去方法によれば、放射熱によって基板が加熱される。これにより、局部的に加熱を行うことができるため、クラックを容易に発生させることができる。したがって、レジスト膜をより容易に除去することができる。
【００１４】
このレジスト膜の除去方法は、前記液体は水またはアルコールである。この有機物の除去方法によれば、水またはアルコールを使用することができる。したがって、水やアルコールはレジスト膜と反応しないため、安価で、危険性の少ない液体として容易に取り扱うことができる。
【００１５】
本発明のレジスト膜除去装置は、レジスト膜が付着している基板を配置するテーブルと、前記レジスト膜の表面に蒸気を供給する蒸気供給手段と、前記レジスト膜に振動を与える振動発生手段とを有する。
【００１６】
本発明のレジスト膜除去装置によれば、基板とレジスト膜との界面には蒸気が進入する。これより、レジスト膜は基板から浮き上がる。また、レジスト膜には振動発生手段によって振動が与えられるため、レジスト膜の剥離が促進される。したがって、レジスト膜の除去をより確実なものとすることができる。また、剥離したレジスト膜には振動が与えら
れるので、剥離したレジスト膜と基板との離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を抑制することができる。
【００１７】
本発明のレジスト膜の除去装置は、レジスト膜が付着している基板を配置するテーブルと、前記レジスト膜の表面に液体を供給する液体供給手段と、前記基盤を加熱する加熱手段と、前記レジスト膜に振動を与える振動発生手段とを有する。
【００１８】
本発明のレジスト膜除去装置によれば、液体供給手段によりレジスト膜に液体を供給しつつ、加熱手段により基板を加熱する。これによれば、基板とレジスト膜との界面には液体が進入する。これより、この界面に進入した液体が基板を加熱する熱によって気化するため、レジスト膜は基板から浮き上がる。また、レジスト膜には振動発生手段により振動が与えられるため、レジスト膜の剥離が促進される。したがって、レジスト膜の除去をより確実なものとすることができる。また、剥離したレジスト膜には、振動発生手段による振動が与えられるので、剥離したレジスト膜と基板との離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を抑制することができる。
【００１９】
このレジスト膜の除去装置は、前記加熱手段は、前記テーブルに設けたヒータである。このレジスト膜の除去装置によれば、ヒータによって基板が加熱される。これにより、構造が簡素で取り扱いも容易に基板を加熱することができる。
【００２０】
このレジスト膜の除去装置は、前記加熱手段は、放射熱を発生させる放射加熱器である。このレジスト膜の除去装置によれば、放射熱によって基板が加熱される。これにより、局部的に加熱を行うことができる。したがって、クラックを容易に発生させることができ、レジスト膜を除去することができる。
【００２１】
このレジスト膜の除去装置は、前記液体は水またはアルコールである。本発明のレジスト膜の除去装置によれば、水またはアルコールを使用することができる。したがって、レジスト膜と反応をすることなく、安価で、危険性の少ない液体として容易に取り扱うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下、本発明に係るレジスト膜除去装置の第１実施形態を図１及び図２に従って詳細に説明する。
【００２３】
図１はレジスト膜除去装置の説明図である。チャンバ１は、略直方体の形状をした箱体であり、その内部空間２にはテーブルとしてのステージ４が設けられている。ステージ４は、チャンバ１の底部３に配置されて、図示しない搬送手段によってチャンバ１の内外へ搬入搬出可能になっている。ステージ４は上面４ａが平滑な板状の形状をしており、その上面４ａに基板としての半導体ウェハ５を載置固定するようになっている。本実施例では、ステージ４はアルミニウムにより形成しているが、素材はそれに限定されるものではなく、スチールなどの金属や樹脂により形成されていてもよい。
【００２４】
ステージ４の上には、半導体ウェハ５が配置されている。半導体ウェハ５は上方から見て略円形状の形状をしており、シリコンにより形成されている。この半導体ウェハ５は、上面５ａにレジスト膜６が形成されている。レジスト膜６は、イオン注入工程においてマスクとして使用されており、無機物であるイオンが打ち込まれ、さらにイオン注入の際に高温に曝されているために表面は硬化している。
【００２５】
また、ステージ４の一側面４ｂには、振動発生手段としての振動発生装置８がステージ４に密着するように取着されている。振動発生装置８は、例えば電磁バイブレータや圧電素子等からなる加振器であり、図示しない外部電源により起動される。
【００２６】
さらに、チャンバ１の一側面１ａの上方には、蒸気供給手段としての導入管９の一端が接続され、その導入管９の他端は蒸気発生装置１０に接続されている。本実施例の蒸気発生装置は、水（純水または水道水）を加熱させて蒸気としての水蒸気１１を生成させている。そして、蒸気発生装置１０は、導入管９を介して、蒸気発生装置１０で生成した水蒸気１１を内部空間２に導入するようになっている。導入管９には導入バルブ１２が設けられ、その導入バルブ１２によって内部空間２に導入する水蒸気１１の流量を調整する。
【００２７】
さらに、チャンバ１の他側面１ｂの下方には、排出管１３の一端が接続され、その排出管１３の他端は図示しない回収室に接続されている。そして、チャンバ１の内部空間２の水蒸気１１は、排出管１３を介して外部に排出されるようになっている。そして、排出管１３には、排気バルブ１４が設けられ、その排気バルブ１４によって内部空間２から排出する水蒸気１１の流量を調整する。従って、導入バルブ１２による水蒸気１１の供給量と排気バルブ１４による水蒸気１１の排出量とを調整することによって、内部空間２の蒸気量が制御される。
【００２８】
次に、本実施形態によるレジスト膜除去装置によって、半導体ウェハ５に形成されたレジスト膜６を除去する方法を説明する。
硬化したレジスト膜６を除去する場合、先ずステージ４の上に半導体ウェハ５を配置固定する。次に導入バルブ１２を開放した導入管９を介して、蒸気発生装置１０から水蒸気１１を内部空間２に導入する。本実施例では蒸気発生装置１０において、水（純水または水道水）を加熱させて生成されているため、内部空間２には高温の水蒸気１１が導入される。
【００２９】
このとき、排気バルブ１４を閉じて、水蒸気１１を内部空間２に充満させる。そして、本実施例においては内部空間２を常圧（１気圧）に設定し、その設定圧力に達した後に導入バルブ１２が閉じられる。
【００３０】
これにより水蒸気１１は半導体ウェハ５を加熱するとともに、その上面５ａにあるレジスト膜６に接触をしてこれを加熱する。さらに、その水蒸気１１の一部は、レジスト膜６に付着して浸透する。このとき、レジスト膜６には、水蒸気１１によって加熱されて膨張する際に、半導体ウェハ５との熱膨張率の差異により大きな熱応力が作用する。加えて、浸透した水蒸気１１によって膨潤する作用との相乗効果によってクラックが発生する。これにより、硬化したことによって生じていたレジスト膜６の内部応力が開放される。さらに、水蒸気１１は、時間の経過とともにレジスト膜６に生じたクラックを介してレジスト膜６に深く浸透し、半導体ウェハ５とレジスト膜６との密着界面に進入する。これにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。
【００３１】
一方、振動発生装置８は、内部空間２が設定圧力に達して導入バルブ１２が閉じられると、駆動が開始される。振動発生装置８は、自らの振動によってステージ４を共振させ、同時にステージ４の上面４ａに配置された半導体ウェハ５とレジスト膜６とを振動させる。このとき、図２に示すように、水蒸気１１によって密着界面から浮かび上がり始めたレジスト膜６の剥離部６ａにおいても振動が発生する。したがって、剥離部６ａでは振動によって剥離方向への応力が加わることになり、半導体ウェハ５からのレジスト膜６の剥離が促進される。
【００３２】
また、一度剥離したレジスト膜６は、剥離した後も振動が与えられているために、半導
体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を抑制することができる。
【００３３】
そして、レジスト膜６が半導体ウェハ５から充分に剥離したならば、振動発生装置８を停止して、図示しない搬送手段により、チャンバ１の外へステージ４を搬送する。そして、ステージ４の上面に配置された半導体ウェハ５に流水（または温水）をかけ、レジスト膜６を洗い流す。
【００３４】
次に、上記実施形態の効果を記載する。
（１）本実施形態によれば、レジスト膜６に発生させたクラックを介して、密着界面に水蒸気１１を進入させ、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせた。また、同時に、密着界面から剥離し始めたレジスト膜６の剥離部６ａを振動発生装置８によって振動させ、レジスト膜６を剥離させた。
【００３５】
これにより、レジスト膜６を剥離させる要因が、クラックを介して密着界面に進入する水蒸気１１に限定されることなく、振動発生装置による振動によっても、レジスト膜６が剥離される。したがって、半導体ウェハ５からのレジスト膜６の剥離が促進されることになり、レジスト膜６の除去をより確実なものとすることができる。
【００３６】
（２）本実施形態によれば、半導体ウェハ５から剥離したレジスト膜６は、振動発生装置８によって振動が与えられる。これにより、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を抑制することができる。
（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図３に従って説明する。なお、第１実施形態ではレジスト膜６に対して水蒸気１１を曝してクラックを発生させた。これに対して、第２実施形態では半導体ウェハ５を加熱しつつ、レジスト膜６に対して液体を供給してクラックを発生させる点が相違する。従って、説明の便宜上その相違する点のみを図３に従って説明する。
【００３７】
チャンバ１の上面１ｃ、すなわち、レジスト膜６と相対向する位置には液体供給手段である給水管２２が配設されている。これによって、レジスト膜６の表面に液体としての水２１が供給される。また、給水管２２には給水バルブ２３が設けられており、この開閉によって、レジスト膜６に供給される水２１の量が調整される。
【００３８】
チャンバ１の底部３には、排水管２４が接続されている。この排水管２４によって、レジスト膜６に給水された水２１が内部空間２外へ排出される。さらにステージ４の内部には加熱手段としてのヒータ２５が内蔵されており、ステージ４がこのヒータ２５によって加熱されることで、その上面に配置される半導体ウェハ５が加熱される。ヒータ２５は、例えばセラミックヒータなどの加熱器であり、図示しない外部の電源により起動することができる。
【００３９】
次に、本実施形態によるレジスト膜除去装置によって、レジスト膜６を除去する方法を説明する。
レジスト膜６を除去する場合、先ず給水バルブ２３を開放した給水管２２を介して、水２１をレジスト膜６の表面に滴下する。本実施例では水２１には純水を使用している。次にヒータ２５を発熱させてステージ４を加熱させる。これより、ステージ４の上面に配置された半導体ウェハ５も加熱される。
【００４０】
半導体ウェハ５が加熱されると、レジスト膜６の表面に滴下された水２１の一部が気化し、水蒸気となる。この水蒸気の一部は、レジスト膜６に付着して浸透する。レジスト膜６は、水蒸気となって浸透した水２１によって膨潤する作用と、加熱された半導体ウェハ５との熱膨張率の差異による熱応力の作用と、水２１の一部が気化する際の膨張による圧力との相乗効果によってクラックが生じる。
【００４１】
さらに、水２１は、このクラックを介してレジスト膜６に深く浸透し、半導体ウェハ５とレジスト膜６との密着界面に進入する。このとき、水２１はヒータ２５からの加熱により沸騰気化して、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。
【００４２】
一方、振動発生装置８は、給水管２２から水２１が内部空間２に導入されると、駆動が開始される。振動発生装置８は、レジスト膜６の表面に水２１が滴下されると同時に図示しない外部電源によって起動する。これによって、ステージ４を通じて半導体ウェハ５とレジスト膜６が振動する。このとき、水２１の気化によって密着界面から浮かび上がり始めたレジスト膜６の剥離部６ａ（図２参照）においても振動が発生する。したがって、この剥離部６ａでは、振動による剥離方向への応力が加わることになり、半導体ウェハ５からのレジスト膜６の剥離が促進される。
【００４３】
また、一度剥離したレジスト膜６は、剥離した後も振動が与えられているために、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。
そして、レジスト膜６が半導体ウェハ５から充分に剥離したならば、給水バルブ２３を閉めて水２１の供給を終了させ、図示しない搬送手段により、チャンバ１の外へステージ４を搬送する。さらに、ステージ４の上面に配置された半導体ウェハ５に流水（または温水）をかけ、レジスト膜６を洗い流す。
【００４４】
次に、上記実施形態の効果を記載する。
（１）本実施形態によれば、密着界面に水２１を進入させ、その水２１をヒータ２５の加熱によって沸騰気化させることにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせた。また、同時に、密着界面から剥離し始めたレジスト膜６の剥離部６ａを振動発生装置８によって振動させ、レジスト膜６を剥離させた。これによれば、レジスト膜６は、密着界面に進入する水２１に加えて、振動によっても半導体ウェハ５から剥離する。したがって、半導体ウェハ５からのレジスト膜６の剥離が促進されることになり、レジスト膜６の除去をより確実なものとすることができる。
【００４５】
（２）本実施形態によれば、半導体ウェハ５から剥離したレジスト膜６は、振動発生装置８によって振動が与えられる。これによれば、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を抑制することができる。
【００４６】
（３）本実施形態によれば、給水管２２を介してレジスト膜６に水２１を供給しつつ、半導体ウェハ５をヒータ２５によって加熱した。これによれば、密着界面に進入した水２１がヒータ２５の加熱によって沸騰気化することにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせることができる。したがって、レジスト膜６を容易に浮かび上がらすことができるため、レジスト膜６を除去する時間を短縮することができる。
【００４７】
（４）本実施形態によれば、給水管２２を介してレジスト膜６に水２１を供給しつつ、半導体ウェハ５をヒータ２５によって加熱した。これによれば、密着界面に進入した水２１がヒータ２５の加熱によって沸騰気化することにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。すなわち、水２１が気化した圧力により半導体ウェハ５からレジスト膜６を剥離させる。これより、水２１が密着界面に進入してレジスト膜６を浮かび上
がらせるのに比較して、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との離間距離は大きくなる。したがって、分子間力によって、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６とが再密着するのをし難くすることができる。
【００４８】
なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記第１実施形態では、レジスト膜６に水蒸気１１を曝すことによってクラックを生じさせた。これに代えて、半導体ウェハ５を加熱してレジスト膜６との熱膨張率の差異による熱応力によってクラックを発生させてから、そのクラックを介して密着界面に水等の液体を進入させてもよい。
【００４９】
・上記第１実施形態では、レジスト膜６を水蒸気１１に曝すことによりクラックを生じさせた。これに代えて、半導体ウェハ５を加熱するとともに、レジスト膜６を水蒸気１１に曝してクラックを発生させてもよい。これにより、半導体ウェハ５とレジスト膜６との熱膨張率の差異による熱応力と、水蒸気１１によるレジスト膜６の膨潤する作用との相乗効果によって、クラックがより生じ易くなる。したがって、レジスト膜の除去を一段と容易にすることができる。
【００５０】
・上記第１実施形態では、水蒸気１１を蒸気発生装置１０により発生させ、導入管９を介して内部空間２に導入した。これに代えて、水蒸気１１は、内部空間２に予め一定量の水を入れておき、チャンバ１自体を加熱または内部空間２を加圧することによって発生させてもよい。
【００５１】
・上記第１実施形態では、内部空間２の圧力を常圧（１気圧）に設定し、レジスト膜６に水蒸気１１を曝した。これに代えて、内部空間２の圧力を大気圧よりも高い圧力（例えば２気圧）の状態で、レジスト膜６に水蒸気１１を曝してもよい。これにより、レジスト膜６に対する水蒸気１１の浸透が促進される。したがって、レジスト膜６を除去する時間を短縮することができる。
【００５２】
・上記第１実施形態では、水を使用して水蒸気１１を発生させた。これに代えて、アルコールを使用してもよい。これにより、レジスト膜６に対する液体の浸透性が向上し、レジスト膜６の除去をより容易にすることができる。
【００５３】
・上記第１実施形態では、水を使用して水蒸気１１を発生させた。これに代えて、界面活性剤を添加した水を使用して水蒸気１１を発生させてもよい。これにより、レジスト膜６に浸透した水蒸気１１が密着界面に進入し易くなり、レジスト膜６の除去を容易にすることができる。また、一度剥離したレジスト膜６と半導体ウェハ５との離間距離を界面活性剤の膜によって保つため、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を一段と抑制することができる。
【００５４】
・上記第１実施形態では、水を使用して水蒸気１１を発生させた。これに代えて、半導体ウェハ５に吸着する吸着物質を添加した水を使用して水蒸気１１を発生させてもよい。これにより、密着界面に進入した水蒸気１１においては、この吸着物質が半導体ウェハ５の表面に吸着するため、半導体ウェハ５とレジスト膜６との間に吸着物質の層が形成される。したがって、レジスト膜６の除去をより容易にすることができる。さらに、吸着物質の層が形成されることで、一度剥離したレジスト膜６の再密着が確実に抑制される。なお、吸着物質としてはＫＯＨ、ＫＩ、ＫＳＣＮ、ＮａＣｌ、ＮａＯＨ、ＮａＢｒなどが一例として挙げられる。
【００５５】
・上記第２実施形態では、レジスト膜６の表面に水２１を供給した。これに代えて、アルコールを使用してもよい。これにより、レジスト膜６に対する液体の浸透性が向上し、
レジスト膜６の除去をより容易にすることができる。
【００５６】
・上記第２実施形態では、レジスト膜６の表面に水２１を供給した。これに代えて、界面活性剤を添加した水２１を使用してもよい。これにより、レジスト膜６に浸透した水２１が密着界面に進入し易くなり、レジスト膜６の除去を容易にすることができる。また、一度剥離したレジスト膜６と半導体ウェハ５との離間距離を界面活性剤の膜によって保つため、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を一段と抑制することができる。
【００５７】
・上記第２実施形態では、レジスト膜６の表面に水２１を供給した。これに代えて、半導体ウェハ５に吸着する吸着物質を添加した水２１を使用してもよい。これにより、密着界面に進入した水２１においては、この吸着物質が半導体ウェハ５の表面に吸着するため、半導体ウェハ５とレジスト膜６との間に吸着物質の層が形成される。したがって、レジスト膜６の除去をより容易にすることができる。さらに、吸着物質の層が形成されることで、一度剥離したレジスト膜６の再密着が確実に抑制される。なお、吸着物質としてはＫＯＨ、ＫＩ、ＫＳＣＮ、ＮａＣｌ、ＮａＯＨ、ＮａＢｒなどが一例として挙げられる。
【００５８】
・上記第２実施形態では、ヒータ２５によって半導体ウェハ５を加熱した。これに代えて、レーザ光や赤外線などの放射熱を発生する放射加熱器によって、半導体ウェハ５を加熱してもよい。これにより、特にレーザ光は局部的に加熱をすることができるため、レジスト膜６に大きな熱応力を生じさせる。したがって、容易にクラックを発生させることができ、レジスト膜６の剥離をより確実にすることができる。
【００５９】
・上記第２実施形態では、ヒータ２５によって半導体ウェハ５を加熱した。これに代えて、高周波による誘導加熱器によって、半導体ウェハ５を加熱してもよい。これにより、例えば、アルミニウムにより形成されるステージ４を誘導加熱器の高周波によって加熱し、このステージ４を通じて、半導体ウェハ５を加熱することができる。
【００６０】
・上記第２実施形態では、レジスト膜６が半導体ウェハ５から剥離したのち、ステージ４をチャンバ１の外へ搬送して、半導体ウェハ５に流水をかけてレジスト膜６を洗い流した。これに代えて、給水管２２から半導体ウェハ５に水２１をかけて、剥離したレジスト膜６を洗い流してもよい。これにより、チャンバ１内において、レジスト膜６の剥離と洗浄を同時に行うことができる。したがって、製造工程の合理化をすることができ、コストや時間などの負担を軽減することができる。
【００６１】
・上記実施形態では、ステージ４の一側面４ｂに振動発生装置８を当接させてステージ４を振動させた。これに代えて、振動発生装置８をステージ４の内部に埋め込んでもよい。これにより、レジスト膜６を洗い流すまでステージ４を振動させることができ、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との離間距離を一定間隔以上に保つことができる。したがって、半導体ウェハ５とレジスト膜６との再密着をより確実に抑制することができる。
【００６２】
・上記実施形態においては、密着界面から剥離し始めたレジスト膜６の剥離部６ａを振動発生装置８によって振動させ、レジスト膜６を剥離させた。これに代わって、気体または液体を噴射装置により間欠的に噴射させ、レジスト膜６を振動させて剥離させてもよい。例えば、噴射装置を使用して、レジスト膜６に水蒸気１１の風圧を間欠的に与えてもよい。これにより、レジスト膜６の剥離部６ａには剥離方向に向かって間欠的に強い応力が加わる。したがって、半導体ウェハ５からのレジスト膜６の剥離が促進されることになり、レジスト膜の除去をより確実にすることができる。
【００６３】
・上記実施形態においては、基板として半導体ウェハ５を使用したが、基板はこれに限
定されない。例えば、半導体ウェハ５の上に配置された金属配線膜やシリコン酸化膜等を基板として、その基板上に形成されたレジスト膜６を剥離してもよい。つまり、特許請求の範囲に記載された基板は、金属配線膜やシリコン酸化膜等の各種の膜が形成された基板も含むものとする。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るレジスト膜の除去方法の説明図。
【図２】本発明の第２実施形態に係るレジスト膜の除去方法の説明図。
【図３】本発明の第１および第２実施形態に係る半導体ウェハとレジスト膜の密着界面の説明図。
【符号の説明】
【００６５】
１…チャンバ、２…内部空間、３…底部、４…テーブルとしてのステージ、５…基板としての半導体ウェハ、６…レジスト膜、６ａ…レジスト膜の剥離部、８…振動発生手段としての振動発生装置、９…蒸気供給手段としての導入管、１０…蒸気発生装置、１１…蒸気としての水蒸気、１２…導入バルブ、１３…排出管、１４…排気バルブ、２１…液体としての水、２２…液体供給手段としての給水管、２３…給水バルブ、２４…排水管、２５…加熱手段としてのヒータ。
【図１】
2006156472.tif 000003
【図２】
2006156472.tif 000004
【図３】
2006156472.tif 000005