(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、動作素子の機能層（例えば発光層）の膜厚の均一性を高めることにある。【解決手段】  複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備えている。第１電極は、駆動回路を構成する複数の配線層とオーバーラップするように形成されている。配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターン３０，４０は、第１電極の下方で、相互に平行に延びる部分を有し、平行に延びる部分は、オーバーラップしないように形成されてなる。【選択図】        図５
2006073520.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、複数の単位構成を有する電気光学装置であって、
前記複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、前記発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備え、
前記第１電極は、前記駆動回路を構成する複数の配線層とオーバーラップするように形成されており、
前記配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターンは、前記第１電極の下方で、相互に平行に延びる部分を有し、前記平行に延びる部分は、オーバーラップしないように形成されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンは、前記第１電極の下方で、等間隔で平行に延びる３つ以上の配線を有する電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置において、
前記配線層の第１の層に位置する第１の配線パターンの一部と、前記配線層の第２の層に位置する第２の配線パターンの一部とは、前記第１電極の下方で、格子を形成するように延在されてなる電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至３に記載の電気光学装置において、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンは、前記第１電極の下方で、電気的な接続から独立した配線を有する電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記配線層を覆うように形成され、上面が平坦化された有機樹脂層をさらに有し、
前記第１電極は、前記有機樹脂層上に形成され、前記有機樹脂層を貫通して前記配線層の少なくとも１つに電気的に接続されてなる電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の電気光学装置において、
前記配線層は、走査信号を前記単位構成に供給するための走査線、データ信号を前記単位構成に供給するためのデータ線、及び、電源を前記単位構成に供給するための電源線のうち、いずれか一の配線を含む電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。
【請求項８】
基板上に、複数の単位構成を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、前記発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備える発光装置の製造方法であって、
前記駆動回路を複数の配線層から形成すること、
前記配線層を覆うとともに、上面が平坦化されるように有機樹脂層を形成すること、及び、
前記配線層とオーバーラップするように、前記有機樹脂層上に前記第１電極を形成すること、
を含み、
前記配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターンを、前記第１電極の下方で、相互に平行に延びる部分を有するように形成し、前記平行に延びる部分を、オーバーラップしないように形成する電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンを、前記第１電極の下方で、等間隔で平行に延びる３つ以上の配線を有し、
前記配線層の第１の層に位置する第１の配線パターンの一部と、前記配線層の第２の層に位置する第２の配線パターンの一部とを、前記第１電極の下方で、格子を形成する方向に延びるように形成する電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の電気光学装置の製造方法において、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンを、前記第１電極の下方で、電気的な接続から独立した配線を有するように形成する電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法において、
前記有機樹脂層の形成プロセスは、有機樹脂前駆体の塗布を含む電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の電気光学装置の製造方法において、
前記有機樹脂前駆体の塗布を、スピンコートによって行う電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロルミネセンスパネルでは、複数のエレクトロルミネセンス素子が２次元的に並べられている。各エレクトロルミネセンス素子は、電極とその上に形成された発光層を有する（例えば、特許文献１を参照）。発光領域を広くするために、配線の上に画素電極を形成することが望ましいが、画素電極の下に配線を形成することで、当該電極に凹凸が形成されるため、発光層の膜厚を均一にすることが難しかった。このことは、エレクトロルミネセンス素子に限らず、配線上に電極を形成し、電極上に機能層（例えば発光層）を形成した構造を有する電気光学装置に該当することである。
【特許文献１】特開平１１−２４６０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、動作素子の機能層（例えば発光層）の膜厚の均一性を高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る電気光学装置は、
基板上に、複数の単位構成を有する電気光学装置であって、
前記複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、前記発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備え、
前記第１電極は、前記駆動回路を構成する複数の配線層とオーバーラップするように形成されており、
前記配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターンは、前記第１電極の下方で、相互に平行に延びる部分を有し、前記平行に延びる部分は、オーバーラップしないように形成されてなる。
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、
基板上に、複数の単位構成を有する電気光学装置の製造方法であって、
前記複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、前記発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備える発光装置の製造方法であって、
前記駆動回路を複数の配線層から形成すること、
前記配線層を覆うとともに、上面が平坦化されるように有機樹脂層を形成すること、及び、
前記配線層とオーバーラップするように、前記有機樹脂層上に前記第１電極を形成すること、
を含み、
前記配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターンを、前記第１電極の下方で、相互に平行に延びる部分を有するように形成し、前記平行に延びる部分を、オーバーラップしないように形成する。
（１）配線基板は、基板と、
前記基板上に形成された複数層からなる配線層と、
前記配線層とオーバーラップするように形成された複数の電極と、
を有し、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンは、前記複数の電極の各々の下方で、等間隔で平行に延びる３つ以上の配線を有する。３つ以上の配線が等間隔で平行に延びるので、電極に凹凸が形成されたとしても均一な凹凸である。なお、「等間隔」とは、少なくとも設計上等間隔であることを意味し、製造上の誤差を考慮した等間隔、すなわち実質的に等間隔である場合を含む。また、「平行に」とは、少なくとも設計上平行であることを意味し、製造上の誤差を考慮した平行、すなわち実質的に平行である場合を含む。
（２）配線基板は、基板と、
前記基板上に形成された複数層からなる配線層と、
前記配線層とオーバーラップするように形成された複数の電極と、
を有し、
前記配線層の第１の層に位置する第１の配線パターンの一部と、前記配線層の第２の層に位置する第２の配線パターンの一部とは、前記複数の電極の各々の下方で、格子を形成する方向に延びるように配置されてなる。第１及び第２の配線パターンの一部が格子を形成する方向に延びるように配置されるので、格子の内側において電極に凹が形成されにくくなっている。なお、「格子を形成する」とは、少なくとも設計上格子の形状を形成することを意味し、製造上の誤差を考慮した格子の形状、すなわち実質的に格子の形状を形成する場合を含む。
（３）配線基板は、基板と、
前記基板上に形成された複数層からなる配線層と、
前記配線層とオーバーラップするように形成された複数の電極と、
を有し、
前記配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターンは、前記複数の電極の各々の下方で、相互に平行に延びる部分を有し、前記平行に延びる部分は、オーバーラップしないように形成されてなる。第１及び第２の配線パターンの平行に延びる部分がオーバーラップしないので、電極に凹凸が形成されたとしてもその高低差が小さくなっている。なお、「平行に」とは、少なくとも設計上平行であることを意味し、製造上の誤差を考慮した平行、すなわち実質的に平行である場合を含む。
（４）配線基板は、基板と、
前記基板上に形成された複数層からなる配線層と、
前記配線層とオーバーラップするように形成された複数の電極と、
を有し、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンは、前記複数の電極の各々の下方で、電気的な接続から独立した配線を有する。電気的な接続から独立した配線が形成されているので、電極の凹凸を小さくすることができる。
（５）この配線基板において、
前記配線層を覆うように形成され、上面が平坦化された有機樹脂層をさらに有し、
前記複数の電極は、前記有機樹脂層上に形成され、前記有機樹脂層を貫通して前記配線層の少なくとも１つに電気的に接続されていてもよい。
（６）電気光学装置は、上記配線基板と、
前記複数の電極の各々の第１の領域に形成された、電気光学素子を構成するための機能層と、
を有し、
前記複数の電極の各々と当該電極に電力を供給するいずれかの前記配線層とは当該電極の第２の領域で接続されている。機能層が配置されている第１の領域を除く第２の領域で電極と当該電極に電力を供給するための配線とが接続されているので、機能層が配置される第１の領域の凹凸を低減し、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。
（７）電子機器は、上記電気光学装置を有する。
（８）配線基板の製造方法は、基板上に複数層からなる配線層を形成すること、
前記配線層を覆うとともに、上面が平坦化されるように有機樹脂層を形成すること、及び、
前記配線層とオーバーラップするように、前記有機樹脂層上に複数の電極を形成すること、
を含み、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンを、前記複数の電極の各々の下方で、等間隔で平行に延びる３つ以上の配線を有するように形成する。３つ以上の配線が等間隔で平行に延びるので、上面が平坦化した有機樹脂層を形成しやすい。なお、「等間隔」とは、少なくとも設計上等間隔であることを意味し、製造上の誤差を考慮した等間隔、すなわち実質的に等間隔である場合を含む。また、「平行に」とは、少なくとも設計上平行であることを意味し、製造上の誤差を考慮した平行、すなわち実質的に平行である場合を含む。
（９）配線基板の製造方法は、基板上に複数層からなる配線層を形成すること、
前記配線層を覆うとともに、上面が平坦化されるように有機樹脂層を形成すること、及び、
前記配線層とオーバーラップするように、前記有機樹脂層上に複数の電極を形成すること、
を含み、
前記配線層の第１の層に位置する第１の配線パターンの一部と、前記配線層の第２の層に位置する第２の配線パターンの一部とを、前記複数の電極の各々の下方で、格子を形成する方向に延びるように形成する。第１及び第２の配線パターンの一部が格子を形成する方向に延びるように配置されるので、上面が平坦化した有機樹脂層を形成しやすい。なお、「格子を形成する」とは、少なくとも設計上格子の形状を形成することを意味し、製造上の誤差を考慮した格子の形状、すなわち実質的に格子の形状を形成する場合を含む。
（１０）配線基板の製造方法は、基板上に複数層からなる配線層を形成すること、
前記配線層を覆うとともに、上面が平坦化されるように有機樹脂層を形成すること、及び、
前記配線層とオーバーラップするように、前記有機樹脂層上に複数の電極を形成すること、
を含み、
前記配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターンを、前記複数の電極の各々の下方で、相互に平行に延びる部分を有するように形成し、前記平行に延びる部分を、オーバーラップしないように形成する。第１及び第２の配線パターンの平行に延びる部分がオーバーラップしないので、上面が平坦化した有機樹脂層を形成しやすい。なお、「平行に」とは、少なくとも設計上平行であることを意味し、製造上の誤差を考慮した平行、すなわち実質的に平行である場合を含む。
（１１）配線基板の製造方法は、基板上に複数層からなる配線層を形成すること、
前記配線層を覆うとともに、上面が平坦化されるように有機樹脂層を形成すること、及び、
前記配線層とオーバーラップするように、前記有機樹脂層上に複数の電極を形成すること、
を含み、
前記配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターンを、前記複数の電極の各々の下方で、電気的な接続から独立した配線を有するように形成する。電気的な接続から独立した配線が形成されているので、上面が平坦化した有機樹脂層を形成しやすい。
（１２）この配線基板の製造方法において、
前記有機樹脂層の形成プロセスは、有機樹脂前駆体の塗布を含んでもよい。
（１３）この配線基板の製造方法において、
前記有機樹脂前駆体の塗布を、スピンコートによって行ってもよい。
（１４）電気光学装置の製造方法は、上記方法によって配線基板を製造すること、及び、
前記複数の電極の各々の第１の領域に、電気光学素子を構成するための機能層を形成すること、
を含み、
前記複数の電極の各々と当該電極に電力を供給するいずれかの前記配線層とを、当該電極の第２の領域で接続する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図である。図２は、図１のII−II線断面図である。電気光学装置１は、表示装置（例えば表示パネル）などの電気光学装置や記憶装置であってもよい。図１に示す電気光学装置１は、有機ＥＬ（Electroluminescence）装置（例えば有機ＥＬパネル）である。電気光学装置１には、配線基板（例えばフレキシブル基板）２が取り付けられ、電気的に接続されている。その取り付け及び電気的接続には、異方性導電フィルムや異方性導電ペーストなどの異方性導電材料を使用してもよい。電気的に接続とは、接触することも含む。このことは以下の説明でも同じである。配線基板２には、図示しない配線パターン及び端子が形成されている。配線基板２には、集積回路チップ（あるいは半導体チップ）３が実装されている。集積回路チップ３は、電源回路や制御回路等を有していてもよい。その実装には、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）又はＣＯＦ(Chip On Film)を適用してもよく、そのパッケージ形態は、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）であってもよい。集積回路チップ３が実装された配線基板２を有する電気光学装置１を電子モジュール（例えば、液晶モジュールやＥＬモジュール等の表示モジュール）ということができる。
【０００７】
電気光学装置１は、基板１０を有する。基板１０は、リジッド基板（例えばガラス基板、シリコン基板）であってもよいし、フレキシブル基板（例えばフィルム基板）であってもよい。基板１０は、光透過性を有していてもよいし、遮光性を有していてもよい。例えば、ボトムエミッション（又はバックエミッション）型の表示装置（例えば有機ＥＬパネル）では、光透過性の基板１０を使用し、基板１０の側から光を取り出してもよい。トップエミッション型の有機ＥＬパネルでは、遮光性の基板１０を使用してもよい。なお、基板１０は、プレート形状のものに限定されるものではなく、それ以外の形状であっても、他の部材を支持できるものを含む。
【０００８】
基板１０は、動作領域（例えば表示領域）１２を含む。動作領域１２には、複数の（例えば、ｍ行ｎ列（例えばマトリクス状）の）画素が形成されていてもよい。カラー表示装置では、１つのカラー表示用画素が、複数のサブ画素（Ｒ，Ｇ，Ｂ）から構成されていてもよい。
【０００９】
基板１０には、１つ又は複数の駆動回路（例えば走査線駆動回路）１４が設けられてもよい。駆動回路１４は、動作領域１２での動作（例えば表示動作）を駆動する。一対の駆動回路１４が動作領域１２の両隣に配置されていてもよい。基板１０には、補助回路１６が設けられてもよい。補助回路１６は、動作領域１２での動作（例えば表示動作）が正常になされるかどうかを検査するための検査回路であってもよいし、動作領域１２での動作速度（表示速度）を速めるためのプリチャージ回路であってもよい。駆動回路１４及び補助回路１６の少なくとも一方は、基板１０上にポリシリコン膜などを使用して形成されたものであってもよいし、基板１０上に実装された集積回路チップであってもよい。なお、基板１０の外部にある集積回路チップ３が、動作領域１２での動作駆動を制御するようになっていてもよい。
【００１０】
基板１０には、半導体膜２０が形成されていてもよい。図３は、それぞれの画素（例えばサブ画素）内の半導体膜を示す図である。半導体膜２０は、半導体材料（例えばシリコン）で形成してもよい。半導体膜２０は、単結晶、多結晶又は非晶質のいずれの構造を有していてもよい。半導体膜２０は、公知の低温（例えば６００℃以下）プロセスで形成された、いわゆる低温ポリシリコン膜であってもよい。半導体膜２０は、ベース膜２２を有する。ベース膜２２には、Ｎ形又はＰ形の不純物が拡散されていてもよい。半導体膜２０は、不純物拡散膜２４を有する。不純物拡散膜２４は、ベース膜２２よりも高濃度の不純物が注入されていてもよい。不純物拡散膜２４は、ベース膜２２の領域内に形成されている。不純物拡散膜２４は、ベース膜２２となる部分及び不純物拡散膜２４となる部分を含む前駆膜に不純物を注入して形成してもよい。不純物拡散膜２４の少なくとも一部は、ＭＯＳ ＦＥＴのソース又はドレインとなってもよいし、キャパシタなどの電子部品の電極となってもよい。
【００１１】
基板１０には、複数層からなる配線層が形成されている。図４は、複数層からなる配線層の１つの層に位置する配線パターンを説明する図である。配線パターン３０は、絶縁層（例えば、ＳｉＯ２等の酸化膜）２６（図２参照）を介して、半導体膜２０上に形成されていてもよい。配線パターン３０は、等間隔で平行に延びる３つ以上の配線３１，３２，３３を有する。なお、「等間隔」とは、少なくとも設計上等間隔であることを意味し、製造上の誤差を考慮した等間隔、すなわち実質的に等間隔である場合を含む（以下の説明でも同様）。また、「平行に」とは、少なくとも設計上平行であることを意味し、製造上の誤差を考慮した平行、すなわち実質的に平行である場合を含む（以下の説明でも同様）。配線３１，３２は、それぞれ、その一部がＭＯＳ ＦＥＴのゲート電極となる。本実施の形態によれば、３つ以上の配線３１，３２，３３が等間隔で平行に延びるので、その上の電極５０（図２参照）に凹凸が形成されたとしても均一な凹凸であるため、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。
【００１２】
配線パターン３０は、配線３１に電気的に接続された複数の配線３４を有し、それぞれの配線３４の一部はＭＯＳ ＦＥＴのゲート電極となる。配線３４は、複数のゲート電極を有するＭＯＳ ＦＥＴ、すなわち、マルチゲートトランジスタのゲート電極であり、マルチゲートトランジスタのゲート電極のぞれぞれの複数のゲート電極が等間隔に形成されていてもよい。配線３４は、配線３１，３２と平行に延びている。さらに、配線パターン３０は、配線３１，３２，３４と交差する（例えば直交する）方向に延びる配線３５を有する。配線３５の一部もＭＯＳ ＦＥＴのゲート電極となる。配線３１，３２，３４，３５は、一対の不純物拡散膜２４の間であってベース膜２２の一部上を通るようになっている。例えば、配線３１，３２，３４，３５をマスクとして、前駆膜に不純物を注入して不純物拡散膜２４を形成してもよい。
【００１３】
配線３３は、電気的な接続から独立した配線（ダミー配線）である。配線パターン３０は、配線３３とは交差する（例えば直交する）方向に延びる配線３６を有する。配線３６も、電気的な接続から独立した配線（ダミー配線）である。本実施の形態によれば、電気的な接続から独立した配線３３，３６が形成されているので、その上の電極５０（図２参照）の凹凸を小さくすることができ、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。
【００１４】
配線パターン３０は、不純物拡散膜２４と対向する電極３７を有する。不純物拡散膜２４及び電極３７と、両者間の絶縁層２６によってキャパシタ８８（図７参照）を構成してもよい。電極３７は、配線３５と電気的に接続されている。
【００１５】
図５は、複数層からなる配線層の他の層に位置する配線パターンを説明する図である。上述した配線パターン３０の上に、絶縁層３８（図２参照）を介して、配線パターン４０が形成されていてもよい。配線パターン４０は、その一部として配線４１，４２を有する。配線４１，４２は、配線パターン３０の配線３１，３２と交差する（例えば直交する）方向に延びる。配線パターン（第１の配線パターン）３０の配線３１，３２と、配線パターン（第２の配線パターン）４０の配線４１，４２と、は格子を形成する方向に延びるように配置されていてもよい。配線３１，３２の少なくとも一部と、配線４１，４２の少なくとも一部によって格子が形成されてもよい。なお、「格子を形成する」とは、少なくとも設計上格子の形状を形成することを意味し、製造上の誤差を考慮した格子の形状、すなわち実質的に格子の形状を形成する場合を含む（以下の説明でも同様）。本実施の形態によれば、第１及び第２の配線パターン３０，４０の一部が格子を形成する方向に延びるように配置されるので、格子の内側において、その上の電極５０（図２参照）に凹が形成されにくくなっており、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。配線パターン４０は、電極５０（図６参照）の外側に配置される配線４６を有する。
【００１６】
配線パターン４０は、その一部として配線４３，４４，４５を有する。配線パターン（第１の配線パターン）３０の配線３１，３２，３３，３４と、配線パターン（第２の配線パターン）４０の配線４３，４４，４５と、は相互に平行に延びる。また、配線３１，３２，３３，３４と、配線４３，４４，４５とは、オーバーラップしないように形成されてなる。本実施の形態によれば、第１及び第２の配線パターン３０，４０の平行に延びる部分がオーバーラップしないので、その上の電極５０（図２参照）に凹凸が形成されたとしてもその高低差が小さくなっており、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。
【００１７】
配線層からなる配線層（例えば配線パターン４０）を覆うように、有機樹脂層５２が形成されている。有機樹脂層５２は、上面が平坦化されている。
【００１８】
電気光学装置１は、複数の電極を有する。図６は、それぞれの電極を説明する図である。電極（例えば第１の電極）５０は、上述した配線層（例えば配線パターン３０，４０を含む。）とオーバーラップするように形成されている。電極５０は、有機樹脂層５２上に形成されている。電極５０は、配線層のうち最上層の配線パターン４０（例えばその配線４５）と電気的に接続されていてもよい。その電気的接続は、有機樹脂層５２を貫通して図られていてもよい。
【００１９】
例えば、電極５０の第１の領域（電気光学素子を構成するための機能層（発光層６２等）が形成される領域）を除いた第２の領域（例えばコンタクト領域）で、電極５０と電極５０に電力を供給する配線４５とを電気的に接続する。こうすることで、機能層（発光層６２等）が配置される第１の領域（例えば発光領域）の凹凸を低減し、機能層（発光層６２等）の膜厚の均一性を高めることができる。第２の領域は、容量部上に形成しても良い。また、第２の領域はバンク６８内に形成しても良く、そうすることによって第２の領域の腐食防止にもなるし、陰極（第２の電極７０）との寄生容量も低減できる。また、第２の領域（コンタクト領域）分の開口率を上げることができる。この段落の内容は、他の実施の形態にも適用することができる。
【００２０】
電極５０の下方で、配線３１，３２，３３，３４は、等間隔で平行に延びる。電極５０の下方に、配線（ダミー配線）３３，３６が形成されている。電極５０の下方で、配線３１，３２の少なくとも一部と、配線４１，４２の少なくとも一部によって格子が形成されている。電極５０の下方で、配線３１，３２，３３，３４と、配線４３，４４，４５とは、オーバーラップしないように形成されてなる。
【００２１】
基板１０には、複数の動作素子６０が設けられている。複数の動作素子６０が設けられた領域が動作領域１２である。１つの画素（例えばサブ画素）に１つの動作素子６０が設けられている。図２に示すように、複数の動作素子６０は、複数の発光色（例えば赤、緑、青）の複数の発光層６２を有する。それぞれの動作素子６０は、いずれか１つの発光色の発光層６２を有する。発光層６２を構成する材料は、ポリマー系材料又は低分子系材料あるいは両者を複合的に用いた材料のいずれであってもよい。発光層６２は、電流が流れることで発光する。発光層６２は、発光色に応じて、発光効率が異なっていてもよい。
【００２２】
動作素子６０は、第１及び第２のバッファ層６４，６６の少なくとも一方を有していてもよい。第１のバッファ層６４は、発光層６２への正孔注入を安定化させる正孔注入層であってもよいし、正孔注入層を有していてもよい。第１のバッファ層６４は、正孔輸送層を有していてもよい。正孔輸送層は、発光層６２と正孔注入層との間に設けられてもよい。第２のバッファ層６６は、発光層６２への電子注入を安定化させる電子注入層であってもよいし、電子注入層を有していてもよい。第２のバッファ層６６は、電子輸送層を有していてもよい。電子輸送層は、発光層６２と電子注入層との間に設けられてもよい。隣同士の動作素子６０は、バンク６８によって区画（電気的に絶縁）されている。
【００２３】
上述した電極（第１の電極）５０は、いずれかの動作素子６０に電気エネルギーを供給するためのものである。電極５０は、動作素子６０（例えば第１のバッファ層６４（例えば正孔注入層））に接触していてもよい。
【００２４】
電気光学装置１は、複数又は１つの第２の電極７０が設けられている。第２の電極７０は、動作素子６０に電気エネルギーを供給するためのものである。第２の電極７０は、動作素子６０（例えば第２のバッファ層６６（例えば電子注入層））に接触していてもよい。第２の電極７０は、電極５０に対向する部分を有する。第２の電極７０は、電極５０の上方に配置されてもよい。
【００２５】
電気光学装置１は、動作素子６０の封止部材７２を有する。動作素子６０の少なくとも一部が水分や酸素等によって劣化しやすい場合には、封止部材７２によって動作素子６０を保護することができる。
【００２６】
次に、電子光学装置１の製造方法を説明する。本実施の形態では、基板１０上に複数層からなる配線層（例えば、配線パターン３０，４０）を形成する。そして、配線層（例えば、最上層の配線パターン４０）を覆うとともに、上面が平坦化されるように有機樹脂層５２を形成する。有機樹脂層５２の形成プロセスは、有機樹脂前駆体の塗布（例えばスピンコート）を含んでもよい。これにより、有機樹脂前駆体をその上面が平坦になるように設けることができ、これを乾燥・キュア（硬化）させる際に、均一に温度を印加することができる。このことは、有機樹脂層５２の上面の平坦化に寄与している。
【００２７】
本実施の形態では、配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターン３０を、複数の電極の各々の下方となる領域で、等間隔で平行に延びる３つ以上の配線３１，３２，３３を有するように形成する。あるいは、配線層の第１の層に位置する第１の配線パターン３０の一部（例えば配線３１，３２）と、配線層の第２の層に位置する第２の配線パターン４０の一部（例えば配線４１，４２）とを、複数の電極の各々の下方となる領域で、格子を形成する方向に延びるように形成する。あるいは、配線層の第１及び第２の層にそれぞれ位置する第１及び第２の配線パターン３０，４０を、複数の電極の各々の下方となる領域で、相互に平行に延びる部分（配線３１〜３４，４３〜４５）を有するように形成し、平行に延びる部分を、オーバーラップしないように形成する。あるいは、配線層のいずれか１つの層に位置する配線パターン３０を、複数の電極の各々の下方となる領域で、電気的な接続から独立した配線３３を有するように形成する。これらのことにより、有機樹脂前駆体を、画素領域（動作領域、表示領域）に均一に行き渡らせることができるので、有機樹脂層５２の上面を平坦化することができる。その平坦性は、従来の島状に配線が配された場合と比べて極めて優れたものになっている。
【００２８】
そして、配線層（例えば、配線パターン３０，４０）とオーバーラップするように、有機樹脂層５２上に複数の電極５０を形成する。有機樹脂層５２が平坦化されているので、電極５０を、その上面が平坦になるように形成することができる。
【００２９】
電子光学装置１の製造方法は、上述した配線基板の製造方法に加えて、複数の電極５０の各々の第１の領域（電気光学素子を構成するための機能層（発光層６２等）が形成される領域）に、電気光学素子を構成するための機能層（発光層６２等）を形成することを含んでもよい。なお、複数の電極５０の各々と当該電極５０に電力を供給するいずれかの配線層（例えば配線パターン４０）とを、当該電極５０の第２の領域（例えばコンタクト領域）で接続する。電子光学装置１の製造方法についてのその他の詳細は、上述した構成から導くことができる内容を含んでもよい。
【００３０】
図７は、本実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。電気光学装置１は、図７に示す回路に対応する素子を有する。素子は、動作素子６０ごとに設けられる。回路構成（素子の接続状態）は、図７に示す通りであり説明を省略する。本実施の形態では、配線４２に電源電圧Ｖddが供給される。配線４６には、信号電圧Ｖdataが供給されるようになっている。信号電圧Ｖdataは、動作素子６０に供給する電流に応じた信号である。配線（走査線）３１，３２には、相互に反対の選択信号が入力される。選択信号は、高電位のＨ信号又は低電位のＬ信号である。
【００３１】
プログラミング期間では、配線３１にＨ信号が入力され、配線３２にＬ信号が入力される。そして、スイッチング素子８０がＯＮになり、配線４２，４６間の電位差に応じて、スイッチング素子８０，８６を通って電流が流れる。その電流に応じたスイッチング素子８６の制御電圧（スイッチング素子８６がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）が、キャパシタ８８に蓄えられる。
【００３２】
動作期間（例えば発光期間）では、配線３１にＬ信号が入力され、配線３２にＨ信号が入力される。そして、スイッチング素子８０，８４はＯＦＦになり、スイッチング素子８２がＯＮになる。その結果、プログラミング期間でキャパシタ８８に蓄えられた電荷に応じた制御電圧（スイッチング素子８６がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）によってスイッチング素子８６が制御（例えばＯＮ）され、制御電圧に応じた電流が、配線４２からスイッチング素子８６，８２を通って、動作素子６０を流れるようになっている。
【００３３】
（第２の実施の形態）
図８〜１１は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図である。本実施の形態では、半導体膜及び配線層において、第１の実施の形態と異なる。以下に述べる内容以外の点については、第１の実施の形態で説明した内容を本実施の形態に適用してもよい。
【００３４】
本実施の形態では、第１の実施の形態で説明した基板１０に、半導体膜１２０が形成されている。図８は、それぞれの画素（例えばサブ画素）内の半導体膜を示す図である。半導体膜１２０は、半導体材料（例えばシリコン）で形成してもよい。半導体膜１２０は、単結晶、多結晶又は非晶質のいずれの構造を有していてもよい。半導体膜１２０は、公知の低温（例えば６００℃以下）プロセスで形成された、いわゆる低温ポリシリコン膜であってもよい。半導体膜１２０は、ベース膜１２２を有する。ベース膜１２２には、Ｎ形又はＰ形の不純物が拡散されていてもよい。半導体膜１２０は、不純物拡散膜１２４を有する。不純物拡散膜１２４は、ベース膜１２２よりも高濃度の不純物が注入されていてもよい。不純物拡散膜１２４は、ベース膜１２２の領域内に形成されている。不純物拡散膜１２４は、ベース膜１２２となる部分及び不純物拡散膜１２４となる部分を含む前駆膜に不純物を注入して形成してもよい。不純物拡散膜１２４の少なくとも一部は、ＭＯＳ ＦＥＴのソース又はドレインとなってもよいし、キャパシタなどの電子部品の電極となってもよい。
【００３５】
基板１０には、複数層からなる配線層が形成されている。図９は、複数層からなる配線層の１つの層に位置する配線パターンを説明する図である。配線パターン１３０は、絶縁層（例えば、ＳｉＯ２等の酸化膜）を介して、半導体膜１２０上に形成されていてもよい。配線パターン１３０は、等間隔で平行に延びる３つ以上の配線１３１，１３２，１３３を有する。配線１３２，１３３は、それぞれ、その一部がＭＯＳ ＦＥＴのゲート電極となる。本実施の形態によれば、３つ以上の配線１３１，１３２，１３３が等間隔で平行に延びるので、その上の電極１５０（図１１参照）に凹凸が形成されたとしても均一な凹凸であるため、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。
【００３６】
配線１３１は、電気的な接続から独立した配線（ダミー配線）である。配線パターン１３０は、配線１３１とは交差する（例えば直交する）方向に延びる配線１３６を有する。配線１３６も、電気的な接続から独立した配線（ダミー配線）である。本実施の形態によれば、電気的な接続から独立した配線１３１，１３６が形成されているので、その上の電極１５０（図１１参照）の凹凸を小さくすることができ、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。
【００３７】
配線パターン１３０は、不純物拡散膜１２４と対向する電極１３７を有する。不純物拡散膜１２４及び電極１３７と、両者間の絶縁層によってキャパシタ１８８（図１２参照）を構成してもよい。
【００３８】
図１０は、複数層からなる配線層の他の層に位置する配線パターンを説明する図である。上述した配線パターン１３０の上に、絶縁層を介して、配線パターン１４０が形成されていてもよい。
【００３９】
配線パターン１４０は、その一部として配線１４３，１４４，１４５，１４６，１４８を有する。配線パターン（第１の配線パターン）１３０の配線１３６と、配線パターン（第２の配線パターン）１４０の配線１４３，１４４，１４５，１４６，１４８と、は相互に平行に延びる。また、配線１３６と、配線１４３，１４４，１４５，１４６，１４８とは、オーバーラップしないように形成されてなる。本実施の形態によれば、第１及び第２の配線パターン１３０，１４０の平行に延びる部分がオーバーラップしないので、その上の電極１５０（図１１参照）に凹凸が形成されたとしてもその高低差が小さくなっており、機能層の膜厚の均一性を高めることができる。配線パターン１４０は、電極１５０（図１１参照）の外側に配置される配線１４９を有する。
【００４０】
電気光学装置は、複数の電極を有する。図１１は、それぞれの電極を説明する図である。電極１５０は、上述した配線層（例えば配線パターン１３０，１４０を含む。）とオーバーラップするように形成されている。電極１５０は、配線層のうち最上層の配線パターン１４０（例えばその配線１４６）と電気的に接続されていてもよい。電極１５０の下方で、配線１３１，１３２，１３３は、等間隔で平行に延びる。電極１５０の下方に、配線（ダミー配線）１３６が形成されている。電極１５０の下方で、配線１３６と、配線１４３，１４４，１４５，１４６，１４８とは、オーバーラップしないように形成されてなる。
【００４１】
本実施の形態に係る電気光学装置の製造方法には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００４２】
図１２は、本実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。電気光学装置は、図１２に示す回路に対応する素子を有する。素子は、動作素子６０ごとに設けられる。回路構成（素子の接続状態）は、図１２に示す通りであり説明を省略する。本実施の形態では、配線１４８に電源電圧Ｖddが供給される。配線１４９には、信号電圧Ｖdataが供給されるようになっている。信号電圧Ｖdataは、動作素子６０に供給する電流に応じた信号である。動作素子６０の一方の電極はＧＮＤ電位に電気的に接続されている。配線（走査線）１３２には、選択信号が入力される。選択信号は、高電位のＨ信号又は低電位のＬ信号である。
【００４３】
プログラミング期間では、配線１３２にＨ信号が入力され、スイッチング素子１８０がＯＮになり、電源電圧Ｖddと信号電圧Ｖdataの電位差に応じて、キャパシタ１８８に電荷が蓄積される。このとき、電源電圧ＶddがＧＮＤ電位よりも高ければ、配線１４８からスイッチング素子１８２及び動作素子６０を通って電流が流れる。
【００４４】
動作期間（例えば発光期間）では、配線１３２にＬ信号が入力され、スイッチング素子１８０はＯＦＦになる。そして、プログラミング期間でキャパシタ１８８に蓄えられた電荷に応じた制御電圧（スイッチング素子１８２がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）によってスイッチング素子１８２が制御（例えばＯＮ）され、制御電圧に応じた電流が、配線１４８からスイッチング素子１８２を通って、動作素子６０を流れるようになっている。
【００４５】
図１３は、本実施の形態の変形例に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。この変形例では、動作素子６０の一方の電極が配線１９０に電気的に接続され、配線１９０には、基準電圧Ｖssが供給される。基準電圧Ｖssは、電源電圧Ｖddと同じ電圧又は電源電圧Ｖddよりも低い電圧（例えばＧＮＤ電位）のいずれかに切り換えられる。これ以外の回路構成は、図１２に示す回路と同じである。
【００４６】
プログラミング期間では、配線１３２にＨ信号が入力され、基準電圧Ｖssは、電源電圧Ｖddと同じ電圧になる。そして、スイッチング素子１８０がＯＮになり、電源電圧Ｖddと信号電圧Ｖdataの電位差に応じて、キャパシタ１８８に電荷が蓄積される。なお、基準電圧Ｖssが電源電圧Ｖddと同じ電圧であるから、動作素子６０には電流が流れない。
【００４７】
動作期間（例えば発光期間）では、配線１３２にＬ信号が入力され、スイッチング素子１８０はＯＦＦになる。基準電圧Ｖssは、電源電圧Ｖddよりも低い電圧（例えばＧＮＤ電位）になる。そして、プログラミング期間でキャパシタ１８８に蓄えられた電荷に応じた制御電圧（スイッチング素子１８２がＭＯＳトランジスタである場合はゲート電圧）によってスイッチング素子１８８が制御（例えばＯＮ）され、制御電圧に応じた電流（基準電圧Ｖssと電源電圧Ｖddの電位差に応じた電流）が、配線１４８からスイッチング素子１８２を通って、動作素子６０を流れるようになっている。
【００４８】
本発明の実施の形態に係る電気光学装置を有する電子機器として、図１４にはノート型パーソナルコンピュータ１０００が示され、図１５には携帯電話２０００が示されている。
【００４９】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置を説明する図である。
【図２】図２は、図１のII−II線断面図である。
【図３】図３は、それぞれの画素内の半導体膜を示す図である。
【図４】図４は、複数層からなる配線層の１つの層に位置する配線パターンを説明する図である。
【図５】図５は、複数層からなる配線層の他の層に位置する配線パターンを説明する図である。
【図６】図６は、配線層上の電極を説明する図である。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の動作を説明する回路図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置のそれぞれの画素内の半導体膜を示す図である。
【図９】図９は、複数層からなる配線層の１つの層に位置する配線パターンを説明する図である。
【図１０】図１０は、複数層からなる配線層の他の層に位置する配線パターンを説明する図である。
【図１１】図１１は、配線層上の電極を説明する図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施の形態に係る電気光学装置の回路図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る電気光学装置の回路図である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  電気光学装置、  ２  配線基板、  ３  集積回路チップ、  １０  基板、
１２  動作領域、  １４  駆動回路、  １６  補助回路、  ２０  半導体膜、
２２  ベース膜、  ２４  不純物拡散膜、  ２６  絶縁層、  ３０  配線パターン、
３１  配線、  ３２  配線、  ３３  配線、  ３４  配線、  ３５  配線、
３６  配線、  ３７  電極、  ４０  配線パターン、  ４２  配線、  ４６  配線、
５０  電極、  ６０  動作素子、  ６２  発光層、  ６４  第１のバッファ層、
６６  第２のバッファ層、  ６８  バンク、  ７０  第２の電極、  ７２  封止部材、
８０  スイッチング素子、  ８２  スイッチング素子、
８６  スイッチング素子、  ８８  キャパシタ、  １１０  基板、  １２０  半導体膜、１２２  ベース膜、  １２４  不純物拡散膜、  １３０  配線パターン、１３１  配線、１３２  配線、  １３６  配線、  １３７  電極、
１４０  配線パターン、  １４８  配線、  １４９  配線、  １５０  電極、
１８０  スイッチング素子、  １８２  スイッチング素子、  １８８  キャパシタ、
１９０  配線
【図１】
2006073520.tif 000003
【図２】
2006073520.tif 000004
【図３】
2006073520.tif 000005
【図４】
2006073520.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2006073520.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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