(57)【要約】【課題】  簡素な構造で高画質の表示を得られ、また簡便な工程により製造可能な電気光学装置を提供する。【解決手段】  本発明の液晶装置（電気光学装置）では、基板上に、第１電極１１１と素子絶縁膜１１２を含むＴＦＤ素子（非線形素子）１６と、第１配線１３と、該第１配線１３上に形成された層間絶縁膜１１５と、該層間絶縁膜１１５上に形成された第２配線１４とが設けられており、前記層間絶縁膜１１５に設けられた素子部貫通孔（第１の開口部）１１５ｃ内に前記ＴＦＤ素子１６が設けられ、前記第２配線１４の一部が前記素子部貫通孔１１５ｃ内に延設されて第１電極１１１上の素子絶縁膜１１２と当接し、当該素子部貫通孔１１５ｃ内で前記ＴＦＤ素子１６の第２電極を形成している。【選択図】        図４
2006251277.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１電極と素子絶縁膜と第２電極とを積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置であって、
前記基板上に、第１配線と、該第１配線上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成された第２配線とが設けられ、
前記層間絶縁膜に設けられた第１の開口部内に前記非線形素子が設けられており、
前記第２配線の一部が前記第１の開口部内に延設されて前記素子絶縁膜と当接し、当該第１の開口部内で前記非線形素子の第２電極を形成していることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記非線形素子と電気的に接続された画素電極と、前記第１配線と電気的に接続された下部容量電極と、該下部容量電極上に形成された容量絶縁膜とを備え、
前記層間絶縁膜に設けられた第２の開口部内に前記下部容量電極が配置され、前記画素電極の一部が前記第２の開口部内に延設されて前記容量絶縁膜と当接し、当該第２の開口部内に保持容量を形成していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記層間絶縁膜上に形成されて前記非線形素子と電気的に接続された画素電極と、前記第１配線と電気的に接続された共通電極とを備え、
前記画素電極と前記共通電極とが、前記基板上に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記下部容量電極及び前記共通電極が、前記第１配線を延設してなる電極であることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記下部容量電極と前記共通電極とが一体に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記層間絶縁膜上に、前記非線形素子と電気的に接続された画素電極と、該画素電極と対向する共通電極とが前記基板上に形成されており、
前記共通電極の一部が、前記第１配線と平面的に重なって配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極が、前記非線形素子と電気的に接続された上部容量電極と、該上部容量電極と電気的に接続された透明電極とを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項９】
基板上に第１電極と素子絶縁膜と第２電極とを順に積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に第１配線と前記第１電極とを形成する工程と、
前記第１電極上に素子絶縁膜を形成する工程と、
前記第１配線及び第１電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に、該層間絶縁膜を貫通して前記第１電極上の素子絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、
前記開口部を経由して前記層間絶縁膜上に延在し、前記開口部にて前記素子絶縁膜と当接する第２配線を形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上に第１電極と素子絶縁膜と第２電極とを順に積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記第１電極と第１配線と下部容量電極とを含む金属膜パターンを形成する工程と、
前記金属膜パターンに陽極酸化処理を施して該金属膜パターン表面に素子絶縁膜を形成する工程と、
前記金属膜パターンをパターニングして前記第１電極と前記第１配線及び下部容量電極とを分離する工程と、
前記第１電極及び下部容量電極に陽極酸化処理を施して前記下部容量電極の表面に容量絶縁膜を形成する工程と、
前記第１電極、第１配線、及び下部容量電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に、該層間絶縁膜を貫通して前記第１電極上の素子絶縁膜に達する第１の開口部と、前記容量絶縁膜に達する第２の開口部とを形成する工程と、
前記第１の開口部を経由して前記層間絶縁膜上に延在し、前記第１の開口部にて前記素子絶縁膜と当接する第２配線と、前記第２の開口部を経由して前記層間絶縁膜上に延在し、前記第２の開口部にて前記容量絶縁膜と当接する画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、その製造方法、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一形態である液晶装置として、画素スイッチング素子にＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）素子を用いたアクティブマトリクス型のものが知られている。ＭＩＭ素子を備えた液晶装置では、画素の高精細化に際して液晶とＭＩＭ素子との容量比が小さくなると十分なコントラストが得られなくなるという問題があり、例えば特許文献１には、かかる問題とともに配線間の寄生容量による表示特性の低下を防止し得る構成とした液晶装置が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２５８３６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の液晶装置によれば、保持容量の付加により画素の保持特性を向上させることができ、また層間絶縁膜の形成により配線間の寄生容量を減少させることができる。しかしながら、かかる構成の液晶装置は複雑な構造を有しているためにその製造工程も複雑なものとなっていた。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、簡素な構造で高画質の表示を得られ、また簡便な工程により製造可能な電気光学装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に第１電極と素子絶縁膜と第２電極とを積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置であって、前記基板上に、第１配線と、該第１配線上に形成された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に形成された第２配線とが設けられ、前記層間絶縁膜に設けられた第１の開口部内に前記非線形素子が設けられており、前記第２配線の一部が前記第１の開口部内に延設されて前記素子絶縁膜と当接し、当該第１の開口部内で前記非線形素子の第２電極を形成していることを特徴とする電気光学装置を提供する。
この構成によれば、前記第１配線と第２配線とを基板厚さ方向で絶縁し離間する層間絶縁膜が設けられていることで、第１配線と第２配線との間に寄生容量が生じるのを防止でき、かかる寄生容量による表示特性の低下を効果的に防止することができる。また、前記層間絶縁膜に形成された第１の開口部内に非線形素子が形成され、さらに、層間絶縁膜上に延在する第２配線が、前記第１の開口部内にて非線形素子の第２電極を成している構成となっているので、第２配線を形成するのみで非線形素子の第２電極を形成できる。したがって本発明の電気光学装置は、簡素な構成で簡便な工程で製造可能な電気光学装置となっている。
【０００６】
本発明の電気光学装置では、前記非線形素子と電気的に接続された画素電極と、前記第１配線と電気的に接続された下部容量電極と、該下部容量電極上に形成された容量絶縁膜とを備え、前記層間絶縁膜に設けられた第２の開口部内に前記下部容量電極が配置され、前記画素電極の一部が前記第２の開口部内に延設されて前記容量絶縁膜と当接し、当該第２の開口部内に保持容量を形成している構成とすることができる。
この構成によれば、前記非線形素子を介して前記画素電極に書き込まれた電圧を保持するための保持容量が、前記画素電極の一部を一方の電極とし、前記第１配線と電気的に接続された下部容量電極を他方の電極とした構成となっているので、前記画素電極を形成するのみで、前記保持容量を容易に形成することができる。また前記画素電極は先の第２配線と同様に層間絶縁膜上に形成されるものであるから、同一の工程で同時に形成することができる。したがって本発明の電気光学装置は、保持容量の一方の電極と、非線形素子の第２電極とを同一の工程で同時に形成できるものとなっており、簡便な工程で効率よく製造可能な電気光学装置となっている。
【０００７】
本発明の電気光学装置では、前記層間絶縁膜上に形成されて前記非線形素子と電気的に接続された画素電極と、前記第１配線と電気的に接続された共通電極とを備え、前記画素電極と前記共通電極とが、前記基板上に形成されている構成とすることができる。
すなわち本発明の電気光学装置は、対向して配置された画素電極と共通電極との間に概略基板面方向の電界（横電界）を発生させ、かかる電界によって電気光学物質（例えば液晶）の電気光学作用を奏するものとすることができる。したがって本発明の電気光学装置によれば、簡素な構成で高品質の表示が得られるＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置を構成することができる。
【０００８】
本発明の電気光学装置では、前記下部容量電極及び前記共通電極が、前記第１配線を延設してなる電極である構成とすることもできる。この構成によれば、画素領域内の電極構成を簡素化でき、製造の容易性を高めるとともに、前記第１配線と下部容量電極、及び第１配線と共通電極との電気的接続に係る信頼性を高めることができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置では、前記下部容量電極と前記共通電極とが一体に形成されていてもよい。この構成によれば、さらに簡素な構成で電気光学装置を構成することができる。
【００１０】
本発明の電気光学装置では、前層間絶縁膜上に、前記非線形素子と電気的に接続された画素電極と、該画素電極と対向する共通電極とが前記基板上に形成されており、前記共通電極の一部が、前記第１配線と平面的に重なって配置されている構成とすることもできる。
この構成によれば、前記第１配線の近傍に生じる電界を前記共通電極の前記第１配線と平面的に重なって配置された部位によって遮蔽することができるので、素子や配線の近傍で生じる電界の影響を受けやすい液晶装置に用いて好適な構成を提供することができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置では、前記画素電極が、前記非線形素子と電気的に接続された上部容量電極と、該上部容量電極と電気的に接続された透明電極とを備えている構成とすることができる。この構成によれば、光透過性の画素電極を具備した電気光学装置が得られるので、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モードの液晶を具備した液晶装置に好適な構成が提供される。また、ＩＰＳ方式の液晶装置に適用すれば透過率が向上し好適である。
【００１２】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に第１電極と素子絶縁膜と第２電極とを順に積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に第１配線と前記第１電極とを形成する工程と、前記第１電極上に素子絶縁膜を形成する工程と、前記第１配線及び第１電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に、該層間絶縁膜を貫通して前記第１電極上の素子絶縁膜に達する開口部を形成する工程と、前記開口部を経由して前記層間絶縁膜上に延在し、前記開口部にて前記素子絶縁膜と当接する第２配線を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この製造方法によれば、前記層間絶縁膜上に第２配線を形成する工程で、第２配線の一部を前記開口部内に形成して前記非線形素子を形成することができるので、極めて効率よく電気光学装置を製造することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に第１電極と素子絶縁膜と第２電極とを順に積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、前記第１電極と第１配線と下部容量電極とを含む金属膜パターンを形成する工程と、前記金属膜パターンに陽極酸化処理を施して該金属膜パターン表面に素子絶縁膜を形成する工程と、前記金属膜パターンをパターニングして前記第１電極と前記第１配線及び下部容量電極とを分離する工程と、前記第１電極及び下部容量電極に陽極酸化処理を施して前記下部容量電極の表面に容量絶縁膜を形成する工程と、前記第１電極、第１配線、及び下部容量電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に、該層間絶縁膜を貫通して前記第１電極上の素子絶縁膜に達する第１の開口部と、前記容量絶縁膜に達する第２の開口部とを形成する工程と、前記第１の開口部を経由して前記層間絶縁膜上に延在し、前記第１の開口部にて前記素子絶縁膜と当接する第２配線と、前記第２の開口部を経由して前記層間絶縁膜上に延在し、前記第２の開口部にて前記容量絶縁膜と当接する画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この製造方法では、前記第２配線及び画素電極を形成する工程で、第２配線の一部を前記第１の開口部内の素子絶縁膜上に形成し、前記画素電極の一部を前記第２の開口部内の容量絶縁膜上に形成することで、前記非線形素子と前記保持容量とを形成するようになっている。したがって本製造方法によれば、保持容量を具備した電気光学装置を簡便な工程で容易に製造することができる。
また、１回目の陽極酸化処理で素子絶縁膜を形成した後、第１電極と下部容量電極とを切り離し、その後２回目の陽極酸化処理を行って容量絶縁膜を形成しているので、簡便な工程でありながら、容易に非線形素子の素子絶縁膜の膜厚の最適化と、保持容量の容量絶縁膜の膜厚の最適化を行うことができる製造方法となっている。
【００１４】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、簡素な構成で高画質の表示を得られ、また安価に提供可能な表示部を具備した電子機器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る電気光学装置の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。以下に説明する第１〜第３実施形態は、本発明に係る電気光学装置の一例であるアクティブマトリクス方式の液晶装置に関するものであり、より具体的には、画素スイッチング素子として二端子型非線形素子（ＴＦＤ(Thin Film Diode)素子）を用いたものである。
なお、各図において各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせて表示することがある。
【００１６】
（第１実施形態）
図１（ａ）は、第１実施形態に係る液晶装置（電気光学装置）をその対向基板側からみた平面構成図、図１（ｂ）は、同液晶装置の要部断面構成図である。図２は、同液晶装置の回路構成図である。図３は、同液晶装置の画像表示領域を構成する任意の一画素を示す平面構成図である。図４（ａ）は、図３のＡ−Ａ’線に沿う部分断面構成図、図４（ｂ）は図３のＢ−Ｂ’線に沿う部分断面構成図である。
また本実施形態の液晶装置は、基板面に略平行の電界を形成して液晶分子の配向状態を制御することで画像表示を行うＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶装置である。
【００１７】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施の形態の液晶装置１００は、対をなす素子基板（基板）１１０と対向基板１２０とが、紫外線硬化性の樹脂材料等からなるシール材５２を介して貼り合わされている。シール材５２によって区画された領域の内側に電気光学物質である液晶５０が封入、保持されている。シール材５２に囲まれた略矩形状の領域が本実施形態の液晶装置１００の画像表示領域である。
【００１８】
シール材５２は、基板面内において閉ざされた環状（枠状）に形成されており、液晶注入口を備えない構成となっている。つまり、液晶注入口を封止する封止材を備えておらず、環状全体が同一の材料にて連続的に構成されている。なお、液晶注入口を備え、これを封止材により封止した構成のシール材を用いることもできる。
【００１９】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１１０の内面側（液晶５０側）には複数の画素電極９がマトリクス状に配列形成されており、前記画素電極９上には配向膜１１９が形成されている。画素電極９には画素スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）素子が接続されている（図２及び図３参照）。また図示は省略しているが、素子基板１１０上には、前記各画素電極９と平面的に対向する共通電極１９（図３参照）が形成されており、前記画素電極９と当該共通電極１９との間に基板面方向の電界（横電界）を発生させ、液晶５０に対して横電界を印加するようになっている。一方、対向基板１２０の内面側（液晶５０側）には配向膜１２９のみが形成されている。
【００２０】
本実施形態の液晶装置では、対向基板１２０よりも素子基板１１０の外形寸法の方が大きく、対向基板１２０と素子基板１１０の３辺（図１における上辺、右辺、左辺）ではほぼ縁（基板の端面）が揃っているが、対向基板１２０の残りの１辺（図１における下辺）からは素子基板１１０の周縁部が張り出すように配置され、張出領域９０を形成している。
張出領域９０には、素子基板１１０上に形成された複数の信号配線に電気信号を入力するための第１駆動回路２０１と第２駆動回路２０２とが実装されている。なお、各駆動回路２０１，２０２は、素子基板１１０に設けられた図示略の外部接続端子と電気的に接続され、当該外部接続端子を介して外部機器から画像信号、電源等の供給を受けるようになっている。
【００２１】
第１駆動回路２０１及び第２駆動回路２０２は、ともに素子基板１１０上に配設され、しかも矩形状の素子基板１１０の同一の張出領域９０に形成されている。第１駆動回路２０１は、素子基板１１０上に形成された配線２０５を介して画像表示領域に形成された信号配線（第１配線）と電気的に接続され、第２駆動回路２０２は、素子基板１１０上に形成された配線２０７を介して画像表示領域に形成された他の信号配線（第２配線）と電気的に接続されている。
【００２２】
このような構成を有する液晶装置１００の画像表示領域には、図２に示すように、画素１５が平面視マトリクス状に配列形成されている。また、液晶装置１００は第１駆動回路２０１及び第２駆動回路２０２を含んでおり、複数の第１配線１３と、該第１配線１３と交差する複数の第２配線１４とが設けられている。第１配線１３は第１駆動回路２０１からの信号を、第２配線１４は第２駆動回路２０２からの信号を各画素１５に供給する。そして、各画素１５において、第２配線１４に対してＴＦＤ素子１６と画素電極９とが直列に接続されており、第１配線１３と電気的に接続された共通電極１９と、画素電極９との間に、液晶表示要素（液晶容量）１８が形成されている。また、画素１５内で、第１配線１３と画素電極９との間に保持容量２２が付与されている。
【００２３】
以上のような回路構成により、ＴＦＤ素子１６のスイッチング特性に基づいて液晶表示要素１８が駆動制御されるとともに、その液晶表示要素１８の駆動に基づいて画素１５毎に明暗表示がなされ、液晶装置１００の表示領域において画像表示が行われるものとされている。
【００２４】
図３は、液晶装置１００の画素１５における素子基板１１０の平面構成を示す図である。図３に示すように、素子基板１１０上には、互いに交差する方向に延びる第１配線１３と第２配線１４とが形成されている。図示Ｙ軸方向に延在する第１配線１３は、例えばタンタルからなる金属配線であり、Ｘ軸方向に延在する第２配線１４は、例えばクロムやアルミニウムからなる金属配線である。第１配線１３と第２配線１４との交差点の近傍にＴＦＤ素子１６が設けられており、ＴＦＤ素子１６は、画素１５内に設けられた平面視略井桁状の画素電極９と電気的に接続されている。また画素１５内には、前記第１配線１３から延出して形成され、画素電極９と一部平面的に重なって配置された共通電極１９が設けられている。
【００２５】
画素電極９は、Ｘ軸方向に延びる２本の容量電極部９ａ、９ｂと、容量電極部９ａ、９ｂ間を接続してＹ軸方向に延在する２本の画素電極部９ｃ、９ｃと、容量電極部９ａのＸ軸方向中央部からＴＦＤ素子１６側に延出された平面視略Ｌ形の画素配線部９ｄとからなるものである。一方、共通電極１９は、第１配線１３から＋Ｘ側に延出されてＸ軸方向に延び、上記容量電極部９ａ、９ｂとそれぞれ平面的に重なって配置された下部容量電極部（第３電極）１９ａ、１９ｂと、これら下部容量電極部１９ａ、１９ｂ間を接続するようにＹ軸方向に延在する２本の共通電極部１９ｃ、１９ｃとからなる。
【００２６】
そして、上記容量電極部９ａと下部容量電極部１９ａとが平面的に重なった領域に第１保持容量２２ａが形成され、容量電極部９ｂと下部容量電極部１９ｂとが平面的に重なった領域に第２保持容量２２ｂが形成されている。また、画素電極部９ｃ、９ｃと、共通電極部１９ｃ、１９ｃとは、画素１５内においてＸ軸方向に交互に配置されており、隣接する電極部同士がＸ軸方向に関し対向するように配置されている。
【００２７】
ＴＦＤ素子１６は、第１素子部１６１と第２素子部１６２とを有して構成されている。すなわち、第１配線１３に沿って延びる平面視矩形状の第１電極１１１と、第２配線１４との交差部に形成されたダイオード素子である第１素子部１６１と、前記第１電極１１１と画素配線部９ｄ（画素電極９）との交差部に形成されたダイオード素子である第２素子部１６２とが、背中合わせに（電気的に逆向きに）接続された、いわゆるＢａｃｋ−ｔｏ−Ｂａｃｋ構造のＴＦＤ素子である。ＴＦＤ素子１６を構成する第１電極１１１は、例えばタンタルからなる金属膜である。
【００２８】
次に、図４（ａ）に示す部分断面構造をみると、素子基板１１０と対向基板１２０との間に液晶５０が挟持されており、素子基板１１０の内面側（＋Ｚ側）には、第１配線１３と、第１電極１１１とが形成されている。第１配線１３を覆って配線絶縁膜１３ｂが形成されており、第１電極１１１を覆って素子絶縁膜１１２が形成されている。第１配線１３を覆って層間絶縁膜１１５が形成されており、層間絶縁膜１１５には、第１電極１１１の形成領域に対応して素子部貫通孔（第１の開口部）１１５ｃが設けられている。そして、層間絶縁膜１１５上に形成された第２配線１４が、素子部貫通孔１１５ｃ内まで延設され、この延設部１４ａが素子部貫通孔１１５ｃの底部で第１電極１１１上の素子絶縁膜１１２と当接している。つまり、本実施形態の液晶装置１００では、素子絶縁膜１１２を介して第１電極１１１と対向する前記第２配線１４の延設部１４ａが、第１素子部１６１（ＴＦＤ素子１６）の第２電極となっている。
【００２９】
上記素子絶縁膜１１２は、第１電極１１１がタンタル薄膜からなるものである場合には、第１電極１１１の表面を陽極酸化して形成したタンタル酸化膜とすることができる。第１配線１３を覆う配線絶縁膜１３ｂも、第１配線１３がタンタル薄膜からなるものである場合には、当該第１配線１３の表面を陽極酸化して形成したタンタル酸化膜とすることができる。本実施形態の場合、素子絶縁膜１１２は配線絶縁膜１３ｂより薄く形成されている。
【００３０】
また図示は省略するが、第１電極１１１と画素配線部９ｄとの交差部に形成された第２素子部１６２も、図４（ａ）に示した第１素子部１６１と略同様の断面構成となっている。すなわち、層間絶縁膜１１５上に形成されている画素配線部９ｄの一部が、素子部貫通孔１１５ｃ内に配されている第１電極１１１上まで延設されることで第２素子部１６２が形成されており、前記画素配線部９ｄのうち、前記第１電極１１１と素子絶縁膜１１２を介して対向する部位が、第２素子部１６２（ＴＦＤ素子１６）の第２電極を構成している。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に示す部分断面構造をみると、素子基板１１０上に、前記第１配線１３から延出されて形成された下部容量電極部１９ｂと、層間絶縁膜１１５とが形成されており、下部容量電極部１９ｂは層間絶縁膜１１５を貫通して形成された容量部貫通孔（第２の開口部）１１５ｂ内に配置されている。下部容量電極部１９ｂを覆って容量絶縁膜１３ｃが形成されており、容量絶縁膜１３ｃ上に容量電極部９ｂが形成されている。すなわち、下部容量電極部１９ｂと容量電極部９ｂとが容量絶縁膜１３ｃを介してＺ軸方向に関し対向配置されることで、第２保持容量２２ｂが形成されている。なお、本実施形態の場合、下部容量電極部１９ｂは第１配線１３から延出形成されたものであるから、下部容量電極部１９ｂを覆う容量絶縁膜１３ｃは図４（ａ）に示した配線絶縁膜１３ｂと一体に形成されたものである。
【００３２】
図４では第２保持容量２２ｂのみを示して説明したが、画素１５には、画素電極９の−Ｙ側の端部に第１保持容量２２ａが設けられており、この第１保持容量２２ａのＹ軸方向に沿う断面構造は、図４（ｂ）に示した第２保持容量２２ｂの断面構造と同様である。すなわち、第１保持容量２２ａは、図３に示すように、層間絶縁膜１１５を貫通して設けられた容量部貫通孔（第２の開口部）１１５ａ内に形成されており、容量部貫通孔１１５ａ内に設けられた下部容量電極部１９ａと、容量電極部９ａとが、下部容量電極部１９ａを覆って形成された容量絶縁膜（１３ｃ）を介して対向配置された構成を備えている。このような構成のもと、第１保持容量２２ａと第２保持容量２２ｂとが、当該画素１５の保持容量２２を形成している。
【００３３】
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置１００は、第１駆動回路２０１から第１配線１３に入力する電気信号（データ信号）と、第２駆動回路２０２から第２配線１４に入力する電気信号（走査信号）とに基づき各画素１５を駆動することで画像表示を行うようになっている。例えば、第２駆動回路２０２に接続された複数の第２配線１４は、その配列順に順次所定の選択期間ずつ選択されて走査信号を入力される。また、前記第２配線１４の選択動作に同期して第１駆動回路２０１から複数の第１配線１３に対してデータ信号が入力される。これにより、第２配線１４に接続されているＴＦＤ素子１６に前記走査信号の電圧と前記データ信号の電圧との差分に相当する電圧が印加されてオン状態となり、各画素電極９に対して表示データに応じた電圧が書き込まれる。その後選択状態が解除されると上記ＴＦＤ素子１６はオフ状態となり、各画素電極９に書き込まれた電圧は、オフ状態のＴＦＤ素子１６と、液晶容量１８に並列に付与されている保持容量２２とによって次の選択期間まで保持される。
【００３４】
上記第１駆動回路２０１及び第２駆動回路２０２からの信号入力により画素電極９に電圧が書き込まれたとき、画素電極９の画素電極部９ｃと対向する共通電極部１９ｃは、第１配線１３と同電圧に保持されており、これら画素電極部９ｃと共通電極部１９ｃとの間に、両者の電圧の差に応じた基板面方向（ＸＹ面内のＸ軸方向）の横電界が生じ、かかる横電界によって液晶５０が駆動されるようになっている。図３において、Ｙ軸方向に延びる２本の画素電極部９ｃ、９ｃと、２本の共通電極部１９ｃ、１９ｃとの間には、Ｘ軸方向の電界が生じるが、それとともに、図示左側（−Ｘ側）に配置された画素電極部９ｃと、第１配線１３の一部（符号１３ａを付して示す部分）との間にも、上記と同様のＸ軸方向の電界が生じる。したがって本実施形態の液晶装置１００では、第１配線１３と、図示右側（＋Ｘ側）に配置された共通電極部１９ｃとに挟まれた領域内で液晶５０が駆動されるようになっており、当該領域が画素１５の表示領域となっている。
【００３５】
本実施形態の液晶装置１００では、第１配線１３を覆って形成した層間絶縁膜１１５に素子部貫通孔１１５ｃを設け、この素子部貫通孔１１５ｃ内に配置されている第１電極１１１上に前記第２配線１４の一部を延設することで、素子部貫通孔１１５ｃ内に第１素子部１６１（ＴＦＤ素子１６）を形成している。また、第１素子部１６１とともにＴＦＤ素子１６を構成する第２素子部１６２も、その第２電極（第１電極１１１と対向配置される電極）が、層間絶縁膜１１５上に形成した画素電極９の一部を素子部貫通孔１１５ｃ内の第１電極１１１上まで延設してなるものとなっている。また、図４（ａ）に示したように、素子基板１１０上に形成された第１配線１３と第２配線１４とが、その交差部において層間絶縁膜１１５（及び配線絶縁膜１３ｂ）を介して離間されているので、第１配線１３と第２配線１４との交差部で寄生容量が発生するの抑えることができるようになっている。
この構成によれば、素子部貫通孔１１５ｃが形成された層間絶縁膜１１５上に第２配線１４及び画素電極９をパターン形成するのみで、素子部貫通孔１１５ｃ内にＴＦＤ素子１６（第１素子部１６１及び第２素子部１６２）を形成することが可能であり、簡便な工程で製造可能な簡素な構成の液晶装置となる。しかも、配線１３，１４間の寄生容量の抑制により表示特性の向上を実現することができる。
【００３６】
また、本実施形態の液晶装置１００では、層間絶縁膜１１５を貫通して設けられた容量部貫通孔１１５ａ、１１５ｂ内に第１配線１３から延出された下部容量電極部１９ａ、１９ｂをそれぞれ配置し、これらの容量部貫通孔１１５ａ、１１５ｂ内に画素電極９の一部（容量電極部９ａ、９ｂ）を延設することで、容量電極部９ａと下部容量電極部１９ａとを電極とする第１保持容量２２ａと、容量電極部９ｂと下部容量電極部１９ｂとを電極とする第２保持容量２２ｂとを形成している。この構成によれば、容量部貫通孔１１５ａ、１１５ｂが形成された層間絶縁膜１１５上に画素電極９をパターン形成するのみで、容量部貫通孔１１５ａ、１１５ｂ内に容易に第１保持容量２２ａ、第２保持容量２２ｂを形成できるので、簡便な工程で製造可能な液晶装置となる。しかも、第１保持容量２２ａ及び第２保持容量２２ｂにより画素電極９に書き込まれた電圧を良好に保持できるので、画素の高精細化により液晶容量が小さくなった場合にも表示品質の低下がなく、高画質の高精細表示を得ることができる。
【００３７】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法について、図５及び図６を参照して説明する。図５及び図６は、液晶装置１００の製造工程を示す説明図であって、画素１５のＴＦＤ素子１６を形成する工程を示す図である。図５及び図６には、第１配線１３と第２配線１４との交差部及びＴＦＤ素子１６の形成領域を示している。
【００３８】
また、図５及び図６において、符号（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）を付して示す図は素子基板上の平面構成を示す図であり、符号（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）を付して示す図は、それぞれ（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）に示すＦ−Ｆ’線に沿う部分断面構造を示す図である。
【００３９】
まず、図５（ａ１）に示すように、ガラス基板等の透明基板１１を用意する。次いで、透明基板１１上にタンタル膜をスパッタ法等により成膜した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、（ａ１）に示す金属膜パターン１５０を形成する。金属膜パターン１５０は、図示上下方向に延びる第１配線１３と、第１配線１３に並行して延びる第１電極１１１と、第１配線１３と第１電極１１１とを接続する接続部１１１ａと、共通電極１９とを含んでいる。なお図５では、共通電極１９のうち下部容量電極部１９ａと共通電極部１９ｃの一部のみが示されている。
【００４０】
次に、図５（ｂ１）、（ｂ２）に示すように、透明基板１１上の金属膜パターン１５０を陽極酸化処理することにより、金属膜パターン１５０の表面を覆う素子絶縁膜１１２を形成する。素子絶縁膜１１２の膜厚は例えば２０〜３０ｎｍであり、陽極酸化処理の電圧条件は１０〜１２Ｖ程度である。
【００４１】
次に、図５（ｃ１）、（ｃ２）に示すように、素子絶縁膜１１２が形成された金属膜パターン１５０を再度パターニングして、第１配線１３と第１電極１１１とを接続している接続部１１１を除去し、第１電極１１１を第１配線１３、共通電極１９から分離する。
【００４２】
次に、図６（ａ１）、（ａ２）に示すように、第１配線１３及び共通電極１９からなる金属膜パターン１５１を陽極酸化処理することで、金属膜パターン１５１上の陽極酸化膜をさらに厚膜化し、第１配線１３及び共通電極１９の表面を覆う１００〜２５０ｎｍ程度の膜厚の陽極酸化膜を形成する。陽極酸化処理の電圧条件は５０Ｖ〜２５０Ｖ程度である。この工程により、第１配線１３を覆う配線絶縁膜１３ｂと、共通電極１９の下部容量電極部１９ａを覆う容量絶縁膜１３ｃとが形成される。
なお、図６（ａ１）、（ａ２）に示す工程では、第１電極１１１は金属膜パターン１５１から切り離されているので、第１電極１１１上の素子絶縁膜１１２の膜厚に変化は生じない。
【００４３】
次に、図６（ｂ１）、（ｂ２）に示すように、透明基板１１上にアクリル樹脂等を用いて層間絶縁膜１１５を形成し、その後フォトリソグラフィ技術により層間絶縁膜１１５を一部除去することで、素子部貫通孔（第１の開口部）１１５ｃと、容量部貫通孔（第２の開口部）１１５ａとを形成する。これにより、素子部貫通孔１１５ｃの底部に第１電極１１１（及びその表面の素子絶縁膜１１２）が露出され、容量部貫通孔１１５ａの底部には下部容量電極部１９ａ（及びその表面の容量絶縁膜１３ｃ）が露出される。
なお、図面には表れていないが、図３に示した容量部貫通孔（第２の開口部）１１５ｂも本工程で同時に形成され、容量部貫通孔１１５ｂ内には、下部容量電極部１９ｂとその表面に形成された容量絶縁膜１３ｃとが露出される。
【００４４】
次に、図６（ｃ１）、（ｃ２）に示すように、貫通孔１１５ａ〜１１５ｃを含む層間絶縁膜１１５上の領域に、第２配線１４と、画素電極９とをパターン形成する。これら第２配線１４及び画素電極９は、透明基板１１上に例えば厚さ２００ｎｍのクロム膜を形成した後、公知のフォトリソグラフィ技術を用いてクロム膜をパターニングすることで形成できる。このとき、図６（ａ１）に示すように第２配線１４は素子部貫通孔１１５ｃ内の第１電極１１１上を横切るようにして形成され、（ｂ１）に示すように素子部貫通孔１１５ｃ内で第１電極１１１表面の素子絶縁膜１１２と当接して配置される。また、画素電極９の画素配線部９ｄもその先端部が素子部貫通孔１１５ｃ内の第１電極１１１上に形成され、素子絶縁膜１１２と当接して配置される。その結果、第１電極１１１と第２配線１４とが素子絶縁膜１１２を介して対向する位置に第１素子部１６１が形成され、第１電極１１１と画素配線部９ｄとが素子絶縁膜１１２を介して対向する位置に第２素子部１６２が形成されて、ＴＦＤ素子１６が得られる。
【００４５】
さらに、画素電極９の容量電極部９ａは、容量部貫通孔１１５ａ内の下部容量電極部１９ａ上に形成され、容量絶縁膜１３ｃと当接して配置される。これにより、容量電極部９ａと下部容量電極部１９ａとが容量絶縁膜１３ｃを介して対向する領域に、第１保持容量２２ａが形成される。また図示は省略しているが、かかる第１保持容量２２ａと同様に、もう１つの容量部貫通孔１１５ｂ内に、容量電極部９ｂと下部容量電極部１９ｂとが容量絶縁膜１３ｃを介して対向配置された構成の第２保持容量２２ｂが形成される。
【００４６】
以後、画素電極９を含む層間絶縁膜１１５上の領域に配向膜を形成することで、先の実施形態の素子基板１１０を製造することができる。また、対向基板１２０は、素子基板１１０と同様の透明基板を用意し、かかる透明基板の一面側に配向膜を形成することで作製でき、カラー液晶装置を構成する場合には、この対向基板１２０の配向膜と透明基板との間に、画素１５に対応するカラーフィルタをマトリクス状に配列してなるカラーフィルタ層を形成すればよい。
そして、上記工程で得られた素子基板１１０と対向基板１２０とを、それらの間に液晶５０を配置した後、シール材５２により接合すれば、第１実施形態に係る液晶装置１００が得られる。
【００４７】
本実施形態の製造方法によれば、第１電極１１１上に形成した層間絶縁膜１１５に素子部貫通孔１１５ｃを開口し、その後素子部貫通孔１１５ｃ内で第１電極１１１上の素子絶縁膜１１２と当接する第２配線１４及び画素配線部９ｄを形成することで第１素子部１６１及び第２素子部１６２を形成するようになっているので、効率よくＴＦＤ素子１６を形成することができ、工程の簡略化を実現することができる。
また、前記ＴＦＤ素子１６の形成工程で同時に第１保持容量２２ａ及び第２保持容量２２ｂを形成するようになっているので、画素内に保持容量を具備した液晶装置を簡便な工程で製造することができる。なお、画素電極部９ｃと共通電極部１９ｃの一部をＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる透明電極膜としてもよい。この構成にすれば透過率が向上し、特に携帯端末用の液晶装置として好適である。
【００４８】
（第２実施形態）
次に、図７を参照して本発明に係る電気光学装置の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態と同様、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス方式の液晶装置の例であるが、その構成としてＴＮ（Twisted Nematic）モード又はＶＡＮ(Vartical Aligned Nematic)モードに好適な構成を備えている。
【００４９】
図７は、本実施形態の液晶装置の１画素領域を示す平面構成図であって、第１実施形態における図３に相当する図面である。図８（ａ）は、図７のＤ−Ｄ’線に沿う素子基板の部分断面構成図であり、図８（ｂ）は、図７のＥ−Ｅ’線に沿う部分断面構成図である。
なお、図７及び図８において、図３と共通の構成要素には同一の符号を付し、以下ではそれらの詳細な説明は省略する。また液晶装置の全体構成についても第１実施形態と共通であるからその説明は省略する。
【００５０】
図７に示すように、画素２５には、互いに交差する第１配線１３と第２配線１４とが延在しており、これら第１配線１３と第２配線１４との交差点に対応してＴＦＤ素子１６が設けられている。ＴＦＤ素子１６は画素電極２９と電気的に接続されている。
画素電極２９は、平面視で大略Ｔ形の上部容量電極２９ａと、上部容量電極２９ａと電気的に接続された平面視矩形状の透明電極２９ｔとからなる。上部容量電極２９ａは、Ｘ軸方向に長手の平面視略矩形状を成す容量電極部２９ｂと、容量電極部２９ｂの−Ｙ側の辺端部略中央から延出されてＴＦＤ素子１６側へ延びる平面視略Ｌ形の画素配線部２９ｃとを有している。透明電極２９ｔは、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる透明導電膜であり、その−Ｙ側の辺端部にて上記容量電極部２９ｂ上に形成されて上部容量電極２９ａと電気的に接続されている。
【００５１】
ＴＦＤ素子１６は、第１電極１１１と第２配線１４との交差部に形成された第１素子部１６１と、第１電極１１１と画素配線部２９ｃとの交差部に形成された第２素子部１６２とからなるback to back構造のＴＦＤ素子である。
画素２５にはまた、第１配線１３から分岐されて＋Ｘ側に延びる下部容量電極部３９が形成されており、この下部容量電極部３９と前記容量電極部２９ｂとが平面的に重なる領域に当該画素２５の保持容量２２が形成されている。
【００５２】
図８（ａ）に示す断面構造をみると、図４（ａ）に示した断面構造と同様に、第１電極１１１は第１配線１３（及びその表面に形成された配線絶縁膜１３ｂ）を覆って形成された層間絶縁膜１１５の素子部貫通孔（第１の開口部）１１５ｃ内に配置されており、第１電極１１１の表面には素子絶縁膜１１２が形成されている。そして、層間絶縁膜１１５上に延在する第２配線１４の一部が素子部貫通孔１１５ｃ内に延設されて素子絶縁膜１１２と当接するように配置されていることで、第１電極１１１と第２配線１４とが素子絶縁膜１１２を介して対向する領域にＴＦＤ素子１６の第１素子部１６１が形成されている。
また、対向基板１２０の内面側（液晶５０側）には、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる平面ベタ状の対向電極１２８が形成されており、対向電極１２８上には図示略の配向膜が形成されている。
【００５３】
次に、図８（ｂ）に示す断面構造をみると、層間絶縁膜１１５に形成された容量部貫通孔（第２の開口部）１１５ａ内に下部容量電極部３９が配置されており、下部容量電極部３９の表面を覆って容量絶縁膜１３ｃが形成されている。そして、容量部貫通孔１１５ａ内に延設された容量電極部２９ｂが容量絶縁膜１３ｃの上面と接して形成され、容量電極部２９ｂに乗り上げるようにして透明電極２９ｔが形成されている。
【００５４】
以上の構成を具備した本実施形態の液晶装置では、第１配線１３及び第２配線１４を介して入力される駆動信号に基づき画素電極２９を表示データに応じた電圧に保持し、対向基板１２０上の対向電極１２８との間に発生させた電界によって液晶５０を駆動し、表示を行うようになっている。また、画素電極９に書き込まれた電圧は、保持容量２２によって所定期間保持されるようになっている。
【００５５】
上記構成を備えた本実施形態の液晶装置も、先の第１実施形態の液晶装置と同様、層間絶縁膜１１５の素子部貫通孔１１５ｃ内に配置された第１電極１１１上に第２配線１４及び画素配線部２９ｃを形成することでＴＦＤ素子１６を形成しているので、簡素な構成で容易に製造可能な液晶装置となっている。
また、層間絶縁膜１１５に形成した容量部貫通孔１１５ａ内に配置した下部容量電極部３９上に画素電極２９の一部を配置することで保持容量２２を形成しているので、上記ＴＦＤ素子１６の形成工程で同時に保持容量２２の一方の電極（容量電極部２９ｂ）を形成でき、保持容量２２についても効率よく形成できる液晶装置となっている。
さらに、第１配線１３を覆って層間絶縁膜１１５が形成され、かかる層間絶縁膜１１５上に第２配線１４が形成されているので、第１配線１３と第２配線１４との交差部における寄生容量の発生を抑えることができ、上記寄生容量による表示特性の低下を効果的に防止することができる。
【００５６】
（第３実施形態）
次に、図９を参照して本発明に係る電気光学装置の第３実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態と同様、ＩＰＳ方式のアクティブマトリクス型液晶装置の例である。
図９は、本実施形態の液晶装置の一画素領域を示す平面構成図であり、第１実施形態における図３、第２実施形態における図７に相当する図面である。図９において図３又は図７と共通の構成要素には同一の符号を付し、以下ではそれらの詳細な説明は省略する。なお、本実施形態の液晶装置の全体構成は第１実施形態の液晶装置１００と同様である。
【００５７】
図９に示すように、画素５５には、互いに交差する第１配線１３と第２配線１４とが延在しており、これら第１配線１３と第２配線１４との交差点に対応してＴＦＤ素子１６が設けられている。ＴＦＤ素子１６は画素電極５９と電気的に接続されている。
画素電極５９は、画素５５の略中央部にてＸ軸方向に延びる平面視略矩形状の容量電極部５９ａと、容量電極部５９ａの＋Ｙ側辺端の２箇所から＋Ｙ方向に延びる２本の画素電極部５９ｃ、５９ｃと、容量電極部５９ａの−Ｙ側の辺端中央部から平面視略Ｌ形を成してＴＦＤ素子１６側へ延出された画素配線部５９ｄとを有している。
【００５８】
画素５５には、画素電極５９と平面的に対向する共通電極４９が形成されている。この共通電極４９は、クロム等の金属材料を用いて画素電極５９と同層に形成された電極であり、Ｘ軸方向に延びる本線部４９ａと、本線部４９ａの−Ｙ側の辺端部からＹ軸方向に延びる２本の第１共通電極部４９ｂと、１本の第２共通電極部４９ｃとを有している。前記２本の第１共通電極部４９ｂは、画素電極５９の２本の画素電極部５９ｃ、５９ｃをＸ軸方向外側から挟み込むように配置されており、第２共通電極部４９ｃは、２本の画素電極部５９ｃ、５９ｃの間に延在している。また、第１共通電極部５９ｂは、第１配線１３と平面的に重なる位置に設けられており、本実施形態の場合、第１配線１３より大きい幅を有して形成されている。
【００５９】
上記共通電極４９の本線部４９ａは、そのＸ軸方向の延長上にて図２に示した第２駆動回路２０２に電気的に接続されている。あるいは、当該共通電極４９に電気信号を入力するために別途駆動回路を設け、その駆動回路に電気的に接続するようにしてもよい。
【００６０】
ＴＦＤ素子１６は、第１電極１１１と第２配線１４との交差部に形成された第１素子部１６１と、第１電極１１１と画素配線部５９ｄとの交差部に形成された第２素子部１６２とからなるback to back構造のＴＦＤ素子である。画素５５にはまた、第１配線１３から分岐されて＋Ｘ側に延びる下部容量電極部３９が形成されており、この下部容量電極部３９と前記容量電極部５９ａとが平面的に重なる領域に当該画素５５の保持容量２２が形成されている。
【００６１】
本実施形態の液晶装置の断面構造は、先の第１実施形態の液晶装置と概略同様であり、図９に示すＧ−Ｇ’線に沿う断面構造は、第１実施形態で図４（ａ）に示したＡ−Ａ’断面図と同一である。また、図９に示すＨ−Ｈ’線に沿う断面構造は、第１実施形態で図４（ｂ）に示したＢ−Ｂ’断面図とほぼ同様であり、本実施形態の場合、基板上に形成された下部容量電極部３９を覆って容量絶縁膜１３ｃが形成され、かかる容量絶縁膜１３ｃ上に容量電極部５９ａが形成されて保持容量２２が形成されたものとなっている。
また、対向基板１２０の構成も第１実施形態と同様であり、基板である透明基板の内面側（液晶５０側）に配向膜が形成された構成である。
【００６２】
上記構成を具備した本実施形態の液晶装置は、画素電極５９と、該画素電極５９に平面的に対向する共通電極４９との間に生じさせた横電界によって画素５５内の液晶を駆動し、表示を行うようになっている。また、画素電極５９に書き込まれた電圧は、保持容量２２により所定期間保持されるようになっている。
そして、本実施形態の液晶装置においても、先の第１実施形態の液晶装置と同様、層間絶縁膜１１５の素子部貫通孔（第１の開口部）１１５ｃ内に配置された第１電極１１１上に第２配線１４及び画素配線部５９ｄを形成することでＴＦＤ素子１６（第１素子部１６１、第２素子部１６２）を形成しているので、簡素な構成で容易に製造可能な液晶装置となっている。
また、層間絶縁膜１１５に形成した容量部貫通孔（第２の開口部）１１５ａ内に配置した下部容量電極部３９上に画素電極５９の一部（容量電極部５９ａ）を配置することで保持容量２２を形成しているので、上記ＴＦＤ素子１６を形成する工程で同時に保持容量２２の一方の電極を形成でき、保持容量２２についても効率よく形成できる液晶装置となっている。
さらに、第１配線１３を覆って層間絶縁膜１１５が形成され、かかる層間絶縁膜１１５上に第２配線１４が形成されているので、第１配線１３と第２配線１４との交差部における寄生容量の発生を抑えることができ、上記寄生容量による表示特性の低下を効果的に防止することができる。また、画素電極部５９ｃと共通電極部４９ｃの一部をＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等からなる透明電極膜としてもよい。この構成にすれば透過率が向上し、特に携帯端末用の液晶装置として好適である。
【００６３】
なお、本実施形態では、画素５５内でＸ軸方向に延在する２本の配線（第２配線１４、共通電極４９）が設けられている場合について説明したが、前記共通電極４９は、図９に示す第２配線１４の前段の第２配線（＋Ｙ側に隣接する他の画素５５の第２配線）を兼ねていてもよい。その場合は、共通電極４９と第１電極１１１とが交差して配置され、当該交差部に前記第１素子部１６１が形成されることとなる。
【００６４】
（電子機器）
次に、上記各実施形態の液晶装置を具備した電子機器の具体例について説明する。
図１０は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１０において、符号１３００は携帯電話本体を示し、符号１３０１は上記液晶装置を用いた表示部を示している。符号１３０２は操作部、１３０３、１３０４はそれぞれ受話部及び送話部である。このような電子機器は、上記各実施形態の液晶装置を用いた表示部を備えているので、視認性に優れた高画質の表示が得られ、また安価に提供可能な電子機器となる。
また、上記の電子機器は、携帯電話に限らず、プロジェクタ、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、視認性に優れる表示を実現でき、また安価に提供可能な電子機器となる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１実施形態の液晶装置の全体構成を示す図。
【図２】同、液晶装置の回路構成図。
【図３】同、液晶装置の画素の平面構成図。
【図４】図３に示す画素の部分断面構成図。
【図５】第１実施形態の液晶装置の製造工程を示す説明図。
【図６】第１実施形態の液晶装置の製造工程を示す説明図。
【図７】第２実施形態の液晶装置における画素の平面構成図。
【図８】図７に示す画素の部分断面構成図。
【図９】第３実施形態の液晶装置における画素の平面構成図。
【図１０】実施形態に係る電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００６６】
１００  液晶装置、１１０  素子基板、１２０  対向基板、１１  透明基板、１３  第１配線、１３ｂ  配線絶縁膜、１３ｃ  容量絶縁膜、１４  第２配線、１５，２５，５５  画素、１６  ＴＦＤ素子、非線形素子、１８  液晶容量、１９，４９  共通電極、１９ａ，１９ｂ，３９  下部容量電極部、２２  保持容量、２２ａ  第１保持容量、２２ｂ  第２保持容量、９，２９，５９  画素電極、９ａ，９ｂ，２９ｂ，５９ａ  容量電極部、９ｃ，５９ｃ  画素電極部、９ｄ，２９ｃ，５９ｄ  画素配線部、１９ｃ  共通電極部、４９ｂ  第１共通電極部、４９ｃ  第２共通電極部、２９ｔ  透明電極、５０  液晶、１１２  素子絶縁膜、１１５  層間絶縁膜、１１５ａ，１１５ｂ  容量部貫通孔（第２の開口部）、１１５ｃ  素子部貫通孔（第１の開口部）、１２８  対向電極、１５０，１５１  金属膜パターン、１６１  第１素子部、１６２  第２素子部
【図１】
2006251277.tif 000003
【図２】
2006251277.tif 000004
【図３】
2006251277.tif 000005
【図４】
2006251277.tif 000006
【図５】
2006251277.tif 000007
【図６】
2006251277.tif 000008
【図７】
2006251277.tif 000009
【図８】
2006251277.tif 000010
【図９】
2006251277.tif 000011
【図１０】
2006251277.tif 000012