(57)【要約】      （修正有）【課題】超微小かつ超高アスペクト比のコンタクトホールを形成する。【解決手段】層間絶縁膜１２上にレジストパターン１４を形成した後、フッ素化炭化水素ガスを用いたプラズマ照射によって、有機物をレジスト上に堆積し、その後、ｉｎ−Ｓｉｔｕで層間絶縁膜のコンタクトホールエッチングを行うか、あるいは、有機物をレジストパターン上に堆積する前に、熱処理を施してレジストをフローさせ、レジスト開口部１５を縮小することによって、微小コンタクトホールを短工程、低コストで形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光、現像処理行うことによってレジスト開口部を形成する工程と、
前記レジスト膜の上面に表面膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜をエッチングして絶縁膜開口部を形成する工程を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光、現像処理行うことによってレジスト開口部を形成する工程と、
前記レジスト膜に熱処理を施すことにより前記レジスト膜をフローさせて、前記レジスト開口部を縮小させる工程と、
前記レジスト膜の上面に表面膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜をエッチングして絶縁膜開口部を形成する工程を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜上に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上にレジスト膜を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記表面膜の形成工程において、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ３Ｉ、ＮＦ３、ＳＦ６の中の少なくとも１種類以上を用い、ガス圧力を１．３３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）〜６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）とすることによって表面膜を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記層間絶縁膜は、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン炭酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、もしくは有機シリコン膜の、単層膜もしくは２種類以上を用いた複層膜とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記反射防止膜は、シリコン膜、シリコン酸窒化膜、もしくは有機材料膜を用いた膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記レジスト膜の表面粗度は、Ｒａ＝１５．０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、超高アスペクト比及び超微細コンタクトホールを有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の高集積化、微細化が進展するにつれゲート電極は細線化、ゲート酸化膜は薄膜化され、それに伴い基板と配線層を接続するコンタクト形成工程においても微細加工限界に達しつつある。当該コンタクトホール形成工程においても微細化が進展し、所望のコンタクトホールの径は９０ｎｍ程度となる。また、微細化の進展に伴い接続孔部分が素子分離領域内に達することがあり、素子分離の機能が果たせずリーク電流発生につながる恐れもある。素子分離領域を保護するため、酸化膜のみの絶縁層の下部に窒化膜を形成し、素子分離部分の酸化膜を保護する工夫も行われている。更に、ＬｏｇｉｃとＤＲＡＭとの混載等でデバイスの高機能化も進展しており、ＵＬＳＩに代表される半導体微細加工技術は非常に困難を極めている。その中で、コンタクトホールの形成はトランジスタと配線を接続するために、ＬＳＩ製造工程にとっては極めて重要な工程である。しかし、微細化の進展に伴い露光装置の光源はＡｒＦとなりこれの解像度に適合するレジストも高解像度のものを使用することとなる。更に微細加工を行っていく手段として、露光時において液浸方式を用いる手段も提案されている。
【０００３】
しかしなから、液浸方式等の導入には多大なコストおよび新たな技術開発が必要である。一方で、ＡｒＦ光源対応のレジストはエッチング耐性に劣るので、プラズマダメージによる影響が懸念される。特に高アスペクト比となるとその影響が大きくなる。また、微細パターンの形成において、定在波の影響があるため層間絶縁膜上に反射防止膜を用いるプロセスが一般的である。このプロセスを用いた場合、レジストパターン形成後に前記反射防止膜をエッチングし、その後層間絶縁膜をエッチングする工程が必要となる。反射防止膜のエッチングにおいてレジスト表面が荒れると、コンタクトホール形成工程において、所望パターンより１／１０〜１／１００程度のスパイクと呼ばれる超微小コンタクトホールが層間絶縁膜上に発生し、絶縁不良などの欠陥を生起することがあった。
【特許文献１】特開２００１−５３０６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、前記従来の高アスペクト比及び超微細コンタクトホールを形成する際の従来技術の問題点を解決するために成されたもので、層間絶縁膜の表面での荒れを防ぐとともに、スパイクの発生を阻止し、高アスペクト比及び超微細コンタクトホールを形成することができる半導体製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
第１の本発明は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光、現像処理行うことによってレジスト開口部を形成する工程と、
前記レジスト膜の上面に表面膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜をエッチングして絶縁膜開口部を形成する工程を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【０００６】
第２の本発明は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光、現像処理行うことによってレジスト開口部を形成する工程と、
前記レジスト膜に熱処理を施すことにより前記レジスト膜をフローさせて、前記レジスト開口部を縮小させる工程と、
前記レジスト膜の上面に表面膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜をエッチングして絶縁膜開口部を形成する工程を少なくとも備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【０００７】
前記第１及び第２の半導体装置の製造方法において、層間絶縁膜上に反射防止膜を形成し、この反射防止膜上にレジスト膜を形成することができる。また、前記表面膜の形成工程において、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ３Ｉ、ＮＦ３、ＳＦ６の中の少なくとも１種類以上を用い、ガス圧力を１．３３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）〜６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）とすることによって表面膜を形成することが好ましい。また、前記層間絶縁膜は、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン炭酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、もしくは有機シリコン膜の、単層膜もしくは２種類以上を用いた複層膜とすることが好ましい。また、前記反射防止膜は、シリコン膜、シリコン酸窒化膜、もしくは有機材料膜を用いた膜とすることが好ましい。さらに、前記レジスト膜の表面粗度は、Ｒａ＝１５．０ｎｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、レジスト表面の荒れを防止しスパイクの発生を阻止して、超高アスペクト比、超微細コンタクトホールを有する半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
［第１の実施の形態］
以下本発明の第１の実施の形態について、そのプロセスの概略図である図１を用いて説明する。
【００１０】
第１の工程は、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程である。
すなわち、図１（ａ）に示すように、シリコン基板もしくはシリコン基板表面に下地層を形成した半導体基板１１の表面に層間絶縁膜１２を形成する。この層間絶縁膜としては、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン炭酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、もしくは有機シリコン膜からなる材料を用い、塗布法、プラズマＣＶＤ法など公知の成膜方法によって膜を形成することができる。
また、必要に応じて、この工程に引き続き、層間絶縁膜１２表面に、無機材料もしくは有機材料で構成される反射防止膜１３を設けることもできる。この反射防止膜としては、シリコン膜、シリコン酸窒化膜、あるいは、有機材料膜等の公知の膜材料が好ましい。
【００１１】
次の工程は、図１（ｂ）に示すように、前記層間絶縁膜１２上、もしくは反射防止膜１３上に、レジスト膜１４を形成する工程である。本発明において、露光光としては、特に限定されるものではないが、微細パターンを形成するために、ＡｒＦ、もしくはＦ２エキシマレーザを用いることが好ましい。従って、本工程においては、これらのレーザにより感光するレジスト材料を採用する。
【００１２】
次の工程は、図１（ｃ）に示すように、前記レジスト膜１４に露光、現像処理行うことによってレジスト開口部１５を形成する工程である。
【００１３】
次の工程は、図１（ｄ）に示すように、前記レジスト膜１４の上面及びレジスト開口部１５の側面に表面膜１６を形成する工程である。本実施の形態において、この表面膜１６は、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、ＨＢｒ、Ｃｌ２、Ｃ２Ｆ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ４Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ６、ＣＦ３Ｉ、ＮＦ３、ＳＦ６の中の少なくとも１種類以上の材料を用いて、例えばＲＩＥ装置を用いて、成膜することができる。この際の反応室内のガス圧力は、１．３３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）〜６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）とすることが好ましい。これによって、膜厚３〜２０ｎｍの表面膜を形成する。表面膜の膜厚がこれより薄いと、スパイク防止に十分な効果を発揮せず、一方厚い表面膜を形成するためには、より長時間の成膜工程を必要とし、実用的ではない。また、前記ガス圧が、１．３３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）を下回った場合、必要膜厚の表面膜１６を形成するのに長時間を必要とし、実用的ではない。一方、ガス圧が、６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）を上回った場合、生成する表面膜１６の膜厚が不均一となり、コンタクトホールの形状が変形する。
【００１４】
次の工程は、図１（ｅ）に示すように、前記層間絶縁膜１２をエッチングして、層間絶縁膜１２に絶縁膜開口部１５を形成する工程である。この工程においては、前工程である表面膜形成工程で用いた装置を引き続き使用し、前記表面膜形成用の原料ガスに代えて、ドライエッチングガスを装置に供給することにより、効率的にエッチングを行うことができる。
【００１５】
引き続き、図１（ｆ）に示すように、公知のアッシャー装置を用いて、表面膜１６、レジスト膜１４、及び反射防止膜１３をアッシング処理して除去することによって、超高アスペクト比、超微細コンタクトホール１７を有する層間絶縁膜１２を備えた半導体装置を製造することができる。
【００１６】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態は、前記第１の実施の形態において、図１（ｃ）工程であるレジスト膜１４にレジスト膜開口部１５を形成した後、図１（ｄ）の表面膜１６の形成前に、レジスト材料１４を加熱処理し、レジストにフローを起こさせることにより開口部をシュリンクさせて、レジスト膜開口部の径を小径化するものである。
本工程において、加熱処理の温度及び加熱時間条件は、用いるレジスト材料、コンタクトホール径、シュリンク量によって異なるが、概ね１００〜１８０℃、１０〜１２０秒の範囲で行うことができる。
【００１７】
本実施の形態は、第１の実施の形態のプロセスに、この工程を付加することによって、より短波長の光を用いたリソグラフィ工程を採用することなく、超微小径の絶縁膜開口部（コンタクトホール）を形成することができる。
【００１８】
［第３の実施の形態］
本実施の形態は、前記第１の実施の形態においては、層間絶縁膜として、単層膜を用いていたが、本実施の形態においては、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン炭酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、もしくは有機シリコン膜からなる材料を２種類以上用いて複層膜とするものである。
【００１９】
以下、本発明の第３の実施の形態について、その概略工程図である図２を用いて説明する。尚、第１の実施の形態と同等の構成については、その詳細な説明は省略する。
【００２０】
第１の工程は、図２（ａ）に示すように、半導体基板２１上に第１の層間絶縁膜２２を形成する工程である。この層間絶縁膜として、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン炭酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、もしくは有機シリコン膜からなる材料を用いて、塗布法やプラズマＣＶＤ法などの公知の薄膜形成方法を採用することができる。
【００２１】
次の工程は、図２（ｂ）に示すように、前記第１の層間絶縁膜２２表面に、第２の層間絶縁膜２３を形成する工程である。この第２の層間絶縁膜材料としては、前記第１の層間絶縁膜材料と同様に、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜、シリコン炭窒化膜、シリコン炭酸化膜、シリコン酸窒化膜、ＳｉＯ２、ＳｉＯＦ、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、もしくは有機シリコン膜などの材料を用いることができる。
【００２２】
以下、前記第１の実施の形態と同様にして、第２の層間絶縁膜２３表面に、必要に応じて反射防止膜２４を形成し、次いで、反射防止膜２４の表面にレジスト膜２５を形成する（図２（ｃ））。その後、レジスト膜２５に公知のリソグラフィ法により、レジスト膜開口部２６を形成する（図２（ｄ））。次いで、開口部を有するレジスト膜２５表面、及びレジスト膜開口部２６内面に、前記第１の実施の形態と同様の手段により表面膜２７を形成する（図２（ｅ））。次いで、前記レジスト膜開口部２６を備えたレジスト膜２５をマスクとして、第２の層間絶縁膜２３をエッチングして開口部を形成し（図２（ｆ））、引き続き、前記第１の層間絶縁膜２２をエッチングして開口部を形成する（図２（ｇ））。その後、表面膜２７、レジスト膜２５、反射防止膜２４をアッシング除去することにより、半導体基板上の第１の層間絶縁膜２２及び第２の層間絶縁膜２３に絶縁膜開口部２８を形成することができる（図２（ｈ））。
【実施例】
【００２３】
［実施例１］
図１に示したように、Ｓｉ基板１１上にＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）ガスを用い、プラズマＣＶＤにて形成した６００ｎｍの層間絶縁膜１２上に、８０ｎｍの反射防止膜１３と４００ｎｍのレジスト膜１４を形成し、ＡｒＦ露光機を用いて露光する公知のリソグラフィ法により、マスクパターンを転写して、レジスト膜１４にレジスト開口部１５（コンタクトホール）を形成した。なお、レジスト膜の開口部は、１６０℃で６０ｓ熱処理して、レジストマスクの開口部をシュリンク処理した。その結果得られたレジストの開口部寸法は９０ｎｍであった。
【００２４】
次いで、ＩＣＰ型反応性イオンエッチング装置を用いて、ＣＨ３Ｆ：５０ｓｃｃｍ、Ａｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて、６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）の条件にて、表面膜１６を形成した。
【００２５】
引き続き、ＣＦ４：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５０ｓｃｃｍおよびＡｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて、１．９９９５Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）にて、反射防止膜をエッチングし、同一装置にて残留のエッチング生成物を除去後に、連続してＣ４Ｆ６：５０ｓｃｃｍ、ＣＯ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５０ｓｃｃｍおよびＡｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて、６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）にて層間絶縁膜（ＳｉＯ２）のエッチングを行い、コンタクトホール１７を形成した。この時、レジストの残膜厚はウェハ中央部で３００ｎｍ、外周部で２８５ｎｍであった。
【００２６】
更にレジスト膜を除去するため酸素プラズマによるアッシングを行った。この際得られたコンタクトホール径は表面部分でウェハの中央部、外周部ともに９０ｎｍ程度であった。なおこの際に表面膜の形成工程として使用ガスをＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＦ４を単独で、もしくは２種類以上混合した場合でも同様の効果が見られた。
【００２７】
前述のように、反射防止膜のエッチング前に表面にＣＨＦ系ガスにて膜を形成することで、レジストのエッチング耐性の向上が見られた。また、コンタクトホール上部に膜を形成することにより、コンタクトホールの拡大を防ぐことが出来た。更にホール径の面内分布も均一であった。
【００２８】
［実施例２］
図２に示したように、半導体基板２１上に第１の層間絶縁膜２２としてＨＣＤ（Hexa-Chloro-Disilane）ガスを用い、ＬＰ−ＣＶＤにて形成したシリコン窒化膜、を堆積し、更に第２の層間絶縁膜２３としてＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）ガスを用い、プラズマＣＶＤにて形成した４５０ｎｍシリコン酸化膜を堆積したものに、８０ｎｍの反射防止膜２４と４００ｎｍのレジスト膜２５を形成した。次いで、このレジスト膜を、ＡｒＦ露光機を用いて露光する公知のリソグラフィ法により、マスクパターンの転写を行い、レジスト膜２５にレジスト膜開口部２６を形成した。
【００２９】
次いで、レジスト膜開口部２６を有するレジスト膜２５を、１６０℃で６０ｓ熱処理することによって、レジスト膜開口部２６をシュリンクさせた。その結果得られたレジストの開口部寸法は９０ｎｍであった。
【００３０】
次いで、ＩＣＰ型反応性イオンエッチング装置を用いて、ＣＨ３Ｆ：５０ｓｃｃｍ、Ａｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて、６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）の条件にて、表面膜２７を形成した。引き続き、ＣＦ４：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５０ｓｃｃｍおよびＡｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて、１．９９９５Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）にて反射防止膜２４をエッチングした。引き続き、同一装置にて残留のエッチング生成物を除去後に、連続して、Ｃ４Ｆ６：５０ｓｃｃｍ、ＣＯ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５０ｓｃｃｍおよびＡｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）にて、第２の層間絶縁膜２３（シリコン酸化膜）をエッチングし、次いでＣＨ２Ｆ２：４０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５０ｓｃｃｍおよびＡｒ：４００ｓｃｃｍで第１の層間絶縁膜２２（シリコン窒化膜）のエッチングを行って、コンタクトホール２８を形成した。この時、レジストの残膜厚はウェハ中央部で２２５ｎｍ、外周部で２００ｎｍであった。更にレジストを除去するため酸素プラズマによるアッシングを行った。この際得られたコンタクトホール径は表面部分でウェハの中央部、外周部ともに１０５ｎｍ程度であった。なおこの際に表面膜の形成工程として使用ガスをＣＨ２Ｆ２、ＣＨＦ３、ＣＦ４を単独で、もしくは２種類以上混合した場合でも同様の効果が見られた。
【００３１】
反射防止膜のエッチング前に表面にＣＨＦ系ガスにて膜を形成することで、レジストのエッチング耐性の向上が見られ、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜のエッチングを連続して行っても、レジスト残膜が２００ｎｍ以上あり、充分なエッチング耐性があるが明らかとなった。更に実施例１同様にコンタクトホール径の縮小も見られた。更にホール径の面内分布も均一であった。
【００３２】
［比較例］
図３に示したように、Ｓｉ基板３１上に層間絶縁膜３２としてＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）ガスを用い、プラズマＣＶＤにて形成した６００ｎｍの層間絶縁膜３２上に、４００ｎｍのレジスト膜３４を形成し、マスクパターンを転写して、レジスト膜開口部３５を形成した。次いで、レジスト膜開口部３５を、マスクとしてエッチングを行い、コンタクトホール３６を形成した。なお、レジストマスクはＡｒＦ露光機を用いて１２０ｎｍ径に露光した。エッチングとしてはＩＣＰ型反応性イオンエッチング装置を用いて、反射防止膜のエッチングとしてＣＦ４：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５０ｓｃｃｍおよびＡｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて１．９９９５Ｐａ（１５ｍＴｏｒｒ）にてエッチングし、同一装置にて残留のエッチング生成物を除去後に、連続して層間絶縁膜（ＳｉＯ２）のエッチングとしてＣ４Ｆ６：５０ｓｃｃｍ、ＣＯ：５０ｓｃｃｍ、Ｏ２：５０ｓｃｃｍおよびＡｒ：２００ｓｃｃｍの混合ガスを用いて６．６６５Ｐａ（５０ｍＴｏｒｒ）にてエッチングを行った。この時、レジストの残膜厚はウェハ中央部で２５０ｎｍ、外周部で２４０ｎｍであった。更にレジストを除去するため酸素プラズマによるアッシングを行った。この際得られたコンタクトホール径は表面部分でウェハの中央部、外周部ともに１２０ｎｍ程度であった。また、層間絶縁膜３２には、スパイク３７の発生が認められた。
【００３３】
前記本発明の実施例及び比較例の結果から、本発明によれば、小径のコンタクトホールが得られることが明かとなった。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施形態を説明するための工程断面図
【図２】本発明の第３の実施形態を説明するための工程断面図
【図３】従来の半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図
【符号の説明】
【００３５】
１１・・・半導体基板
１２・・・層間絶縁膜
１３・・・反射防止膜
１４・・・レジスト膜
１５・・・レジスト開口部
１６・・・表面膜
１７・・・絶縁膜開口部（コンタクトホール）
２１・・・半導体基板
２２・・・第１の層間絶縁膜
２３・・・第２の層間絶縁膜
２４・・・反射防止膜
２５・・・レジスト膜
２６・・・レジスト開口部
２７・・・表面膜
２８・・・絶縁膜開口部（コンタクトホール）
３１・・・半導体基板
３２・・・層間絶縁膜
３３・・・反射防止膜
３４・・・レジスト膜
３５・・・レジスト膜開口部
３６・・・絶縁膜開口部（コンタクトホール）
３７・・・スパイク
【図１】
2006156591.tif 000003
【図２】
2006156591.tif 000004
【図３】
2006156591.tif 000005