(57)【要約】【課題】通電に伴う温度変動に起因するストレスを低減し、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】下敷き膜３４、蒸着電極３５、メッキ電極３６の平面形状を八角形に形成した場合、リッジ部４１に垂直方向の直線部分ｗ１、ｗ２、ｗ３の長さが減少する。同様に、左側の下敷き膜３７の平面形状も八角形に形成した場合、リッジ部４１に垂直方向の直線部分の長さが減少する。こうした多角形の平面形状により、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスがリッジ部４１へ与える影響を低減できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの上面に、電気絶縁膜と、該電気絶縁膜を介して金属層とが設けられた半導体レーザ素子において、
電気絶縁膜の平面形状は、頂点が５個以上の多角形であって、各頂点の内角が１８０度未満であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
電気絶縁膜のエッジラインは、曲線を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
半導体チップの上面に、電気絶縁膜と、該電気絶縁膜を介して金属層とが設けられた半導体レーザ素子において、
金属層の平面形状が、頂点が５個以上の多角形であって、各頂点の内角が１８０度未満であることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項４】
金属層のエッジラインは、曲線を含むことを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
活性層、該活性層の上側に設けられた第１半導体層、および該活性層の下側に設けられた第２半導体層を備え、第１半導体層のエッチングによって互いに平行な２つの溝部が形成され、溝部間に光導波機能を行うリッジ部が設けられ、溝部の側方に台座部が設けられた半導体チップと、
リッジ部上面にチップコンタクト部、溝部に引出し部、および台座部上面にボンディングパッド部を有する金属電極とを備え、
チップコンタクト部のエッジラインと引出し部のエッジラインとが斜めに交差していることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項６】
引出し部のエッジラインは、曲線を含むことを特徴とする請求項５記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
活性層、該活性層の上側に設けられた第１半導体層、および該活性層の下側に設けられた第２半導体層を備え、第１半導体層のエッチングによって互いに平行な２つの溝部が形成され、溝部間に光導波機能を行うリッジ部が設けられ、溝部の側方に台座部が設けられた半導体チップと、
リッジ部上面にチップコンタクト部、溝部に引出し部、および台座部上面にボンディングパッド部を有する金属電極とを備え、
チップコンタクト部のエッジラインが、リッジ部の端面付近において曲線状に形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項８】
活性層、該活性層の上側に設けられた第１半導体層、および該活性層の下側に設けられた第２半導体層を備え、第１半導体層のエッチングによって互いに平行な２つの溝部が形成され、溝部間に光導波機能を行うリッジ部が設けられ、溝部の側方に台座部が設けられた半導体チップと、
台座部の上面に形成された電気絶縁層と、
リッジ部上面にチップコンタクト部、溝部に引出し部、および台座部上面にボンディングパッド部を有する金属電極とを備え、
リッジ部の長手方向に垂直で、かつ電気絶縁層のエッジと接する第１ラインと、リッジ部の長手方向に垂直で、かつ金属電極の引出し部のエッジと接する第２ラインとが同一直線上にないことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項９】
溝部左方の台座部上面には、第１電気絶縁層が設けられ、
溝部右方の台座部上面には、第２電気絶縁層が設けられ、
リッジ部の長手方向に垂直で、かつ第１電気絶縁層のエッジと接する第３ラインと、リッジ部の長手方向に垂直で、かつ第２電気絶縁層のエッジと接する第４ラインとが同一直線上にないことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
活性層、該活性層の上側に設けられた第１半導体層、および該活性層の下側に設けられた第２半導体層を備え、第１半導体層のエッチングによって互いに平行な２つの溝部が形成され、溝部間に光導波機能を行うリッジ部が設けられ、溝部の側方に台座部が設けられた半導体チップと、
リッジ部上面にチップコンタクト部、溝部に引出し部、および台座部上面にボンディングパッド部を有する金属電極とを備え、
ボンディングパッド部は、リッジ部中央から光密度の低い端面寄りに配置されることを特徴とする半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子に関し、特に、半導体チップ上面に設けられる電気絶縁膜や金属層のパターン形状を工夫した半導体レーザ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバ通信用の半導体レーザとして、温度特性が良好で、かつ、高周波特性に優れるＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系レーザが注目されている。また、情報処理用半導体レーザとして、温度特性が良好で、かつ、高出力動作に優れるＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ系レーザが注目されている。これらの半導体レーザでは、製造工程数が少なく、コスト低減が図られるリッジ導波型構造を採用することが多い。
【０００３】
一方、リッジ導波型半導体レーザでは、通電による劣化原因の一つとして、チップ表面に形成された電気絶縁膜パターンや電極パターンに起因したストレスが考えられている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２８０６６２号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１０は、従来のＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系リッジ導波型半導体レーザ素子を上から見た平面図である。図１１は、図１０に示したリッジ導波型半導体レーザ素子の斜視図である。
【０００６】
レーザチップ１の上面には、エッチングによって２つの溝部１２が形成され、これらの溝部１２の間に細長いリッジ部１１が形成される。溝部１２の両側方には、２つの台座部１３，１４がそれぞれ形成される。
【０００７】
レーザチップの上面は、リッジ部１１の頂上付近を除いてＳｉＯ２等からなる電気絶縁膜３で被覆されており、リッジ部１１の頂上にはストライプ状の開口部が設けられる。台座部１３，１４の上面には、さらにＳｉＯ２等からなる下敷き膜４，７がそれぞれ形成される。台座部１３での下敷き膜４の上には蒸着電極５が形成され、さらに蒸着電極５の上にメッキ電極６が形成される。一方、台座部１４での下敷き膜７から溝部１２を経由してリッジ部１１の頂上に至るように蒸着電極８が形成され、さらに蒸着電極８の上にメッキ電極９が形成される。こうした蒸着電極８およびメッキ電極９は、リッジ部１１の上面でのチップコンタクト部９ａと、溝部での引出し部９ｂと、台座部１４の上面でのボンディングパッド部９ｃとを有する。
【０００８】
次に、従来のリッジ導波型半導体レーザ素子の問題点について説明する。半導体レーザ素子の通電を長時間に渡って継続すると、素子が徐々に劣化して、最終的にレーザ発振が停止する。素子の劣化要因を解析する一手法として、裏面ＥＬ評価法が知られている。裏面ＥＬ評価法とは、レーザ素子の発光の様子をチップ裏面から観察する手法で、通電等によってチップ内に結晶欠陥等が発生すると、暗点（ダークスポット）あるいは暗線（ダークライン）として観察されるので、導波路内の劣化箇所や劣化原因を調べるのに有効な手段である。
【０００９】
図１２（ａ）（ｂ）は、チップ表面パターン配置と裏面ＥＬパターンとの対応を示す説明図である。図１２（ｂ）に示す裏面ＥＬパターンは、例えば、８５℃で百数十ｍＡの電流を数百時間流し続けた後、劣化した素子の発光パターンをチップ裏面から拡大撮影した画像である。
【００１０】
この裏面ＥＬパターンを詳細に見ると、（１）メッキ電極９のチップコンタクト部９ａの前端部に対応する位置、（２）下敷き膜４，７の前端部に対応する位置、（３）蒸着電極８およびメッキ電極９の引出し部９ｂおよびボンディングパッド部９ｃの前端部に対応する位置において、典型的な暗部がそれぞれ発生している。これらの前端部と暗部の発生位置とは、リッジ部１１の長手方向に垂直な直線上にある点で共通している。
【００１１】
まず、（１）の主たる劣化原因について検討する。メッキ電極９の厚さは、典型的には約４μｍであるのに対し、蒸着電極８の厚さは典型的には約０．８μｍと薄いため、蒸着電極内のメッキ電極端部近傍の電流密度が高密度になる。このメッキ電極端近傍の電流集中のために局所的な温度上昇が起こり、メッキ電極端直下の活性層内に結晶欠陥が発生し、これが劣化の原因となる。
【００１２】
次に、（２）（３）の主たる劣化原因について検討する。図１０を参照して、チップ表面に形成された下敷き膜４，７、蒸着電極５，８、メッキ電極６，９は、何れもリッジ部１１に垂直方向の直線部分ｗ１、ｗ２、ｗ３、ｗ４、ｗ５を有している。リッジ部１１に電流を注入すると、電流が流れるリッジ部１１のみではなく、電流が流れていない部分も含めて、チップ全体の温度が上昇する。チップの温度が上昇すると、レーザチップを構成する結晶、下敷き膜の構成材料、電極の構成材料がそれぞれ異なる熱膨張係数を有するため、ストレスが発生する。この際、リッジ部１１に垂直方向の直線部分からリッジ部１１が受けるストレスが原因となって、リッジ部１１直下の活性層に結晶欠陥が発生し、図１２（ｂ）に示した裏面ＥＬパターンに示されたような暗部が発生する。特に、蒸着電極８およびメッキ電極９の引出し部９ｂは、リッジ部１１と近接しているため、大きなストレスの原因になり得る。
【００１３】
また、（１）の劣化原因については、上述したメッキ電極端近傍の電流集中の他に、メッキ電極端の直線部分ｗ６がリッジ部１１と垂直に交わっていることから、電極を構成する金属と結晶の熱膨張係数の差に起因したストレスが発生し、これが劣化の一因となっている可能性も考えられる。
【００１４】
このように、従来のリッジ導波型半導体レーザでは、チップ表面の電気絶縁膜、電極および結晶の間の熱膨張係数の差に起因したストレスが原因となって、通電した際に結晶欠陥が発生して、素子劣化を引き起こすと考えられる。
【００１５】
本発明の目的は、通電に伴う温度変動に起因するストレスを低減し、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明に係る半導体レーザ素子は、半導体チップの上面に、電気絶縁膜と、該電気絶縁膜を介して金属層とが設けられた半導体レーザ素子において、
電気絶縁膜または金属層の平面形状は、頂点が５個以上の多角形であって、各頂点の内角が１８０度未満であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明に係る半導体レーザ素子は、チップコンタクト部のエッジラインと引出し部のエッジラインとが斜めに交差していることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る半導体レーザ素子は、チップコンタクト部のエッジラインが、リッジ部の端面付近において曲線状に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明に係る半導体レーザ素子は、リッジ部の長手方向に垂直で、かつ電気絶縁層のエッジと接する第１ラインと、リッジ部の長手方向に垂直で、かつ金属電極の引出し部のエッジと接する第２ラインとが同一直線上にないことを特徴とする。
【００２０】
また、本発明に係る半導体レーザ素子は、ボンディングパッド部は、リッジ部中央から光密度の低い端面寄りに配置されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、チップ表面に設けられる電気絶縁膜や金属層の形状を工夫することによって、発光領域に加わるストレスを低減できるため、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
実施の形態１．
図１は本発明の第１実施形態を示す平面図であり、図２はその斜視図である。ここでは、リッジ導波型の半導体レーザ素子を例示しており、図２に示すように、ｎ−ＩｎＰからなる基板２２の上に、順次、ｎ−ＩｎＰなどからなるクラッド層（例えば、厚さ１μm）２３、ｎ−ＡｌＩｎＡｓなどからなるクラッド層（例えば、厚さ０．１μm）２４、ＡｌＧａＩｎＡｓなどからなるＭＱＷ（Multi-Quantum-Well：多重量子井戸）活性層２５、ｐ−ＡｌＩｎＡｓなどからなるクラッド層（例えば、厚さ０．１μm）２６、ｐ−ＩｎＰなどからなるクラッド層（例えば、厚さ１．７５μm）２７、ｐ−ＩｎＧａＡｓなどからなるコンタクト層（例えば、厚さ０．６μm）２８が、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）法等によりエピタキシャル成長して、レーザチップ２０が構成される。なお基板２２の裏面には、ｎ側電極２１が形成される。
【００２３】
レーザチップ２０の上面は、ドライエッチング、ウェットエッチング等のエッチング法を用いて２つの溝部４２が形成される。これらの溝部４２の間には、例えば、約１．８μｍ幅のリッジ部４１が形成される。溝部４２の両側方には、２つの台座部４３，４４がそれぞれ形成される。
【００２４】
レーザチップ２０の上面は、リッジ部４１の頂上付近を除いてＳｉＯ２等からなる電気絶縁膜（例えば、厚さ０．２μｍ）３３で被覆されている。リッジ部４１の頂上にはストライプ状の開口部が設けられ、この開口部を通じてレーザチップ２０へ電流を供給することによって、活性層２５での発光領域における電流密度を高くすることができる。
【００２５】
台座部４３，４４の上面には、さらにＳｉＯ２等の電気絶縁材料からなる下敷き膜３４，３７がそれぞれ形成される。台座部４３での下敷き膜３４の上には蒸着電極３５が形成され、さらに蒸着電極３５の上にメッキ電極３６が形成される。
【００２６】
一方、台座部４４での下敷き膜３７から溝部４２を経由してリッジ部４１の頂上に至るように蒸着電極３８が形成され、さらに蒸着電極３８の上にはメッキ電極３９が形成される。こうした蒸着電極３８およびメッキ電極３９は、リッジ部４１の上面でのチップコンタクト部３９ａと、溝部での引出し部３９ｂと、台座部４４の上面でのボンディングパッド部３９ｃとを有する。
【００２７】
蒸着電極３５，３８は、蒸着法やスパッタ法などを用いてＴｉ／ＡｕやＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ等の金属多層膜で形成され、典型的には約０．８μｍの厚さを有する。
【００２８】
メッキ電極３６，３９は、電解メッキ法などを用いてＡｕ等の金属材料で形成され、典型的には約４μｍの厚さを有する。こうしたメッキ電極３６，３９は、１）レーザチップ２０の放熱性を改善し、２）ボンディングパッド部３９ｃにＡｕ線をワイヤボンディングする際の圧着性を改善する機能を有する。
【００２９】
下敷き膜３４，３７は、典型的には約０．４μｍの厚さを有し、レーザチップ２０と電極３８，３９との間の静電容量を低減化するために設けられる。
【００３０】
次に、レーザ動作について説明する。ｎ側電極２１をグランドラインに接続し、正の電圧をボンディングワイヤに印加すると、電流がボンディングパッド部３９ｃから引出し部３９ｂ、チップコンタクト部３９ａを通過して、リッジ部頂上の開口部を経由してリッジ部４１のコンタクト層２８に入り、クラッド層２７、クラッド層２６、活性層２５、クラッド層２４、クラッド層２３、基板２２の順に流れる。活性層２５において、リッジ部４１の直下付近で電子密度と正孔密度が高くなり、電流が閾値以上になると、誘導放出が始まり、レーザチップ２０の両端面間の光共振によってレーザ発振が生ずる。
【００３１】
なお、右側の台座部４３における下敷き膜３４、蒸着電極３５、メッキ電極３６は、レーザ素子の電気的動作には関与していないが、メッキ電極３６の高さを増加させて左側のメッキ電極３９の高さと一致させている。これによってチップのダイボンド工程においてチップ上面を真空チャックで吸引する際にチップが傾斜するのを防止している。
【００３２】
本実施形態では、右側の台座部４３における下敷き膜３４、蒸着電極３５、メッキ電極３６の平面形状を、頂点が５個以上で、各頂点の内角が１８０度未満である多角形に形成している。同様に、左側の台座部４４における下敷き膜３７の平面形状も、頂点が５個以上で、各頂点の内角が１８０度未満である多角形に形成している。
【００３３】
例えば、下敷き膜３４、蒸着電極３５、メッキ電極３６の平面形状を、図１に示すような八角形に形成した場合、図１０に示した従来の平面形状と比較して、リッジ部４１に垂直方向の直線部分ｗ１、ｗ２、ｗ３の長さが直線部分ｗ１’、ｗ２’、ｗ３’の長さに減少することになる。同様に、左側の下敷き膜３７の平面形状も、図１に示すような八角形に形成した場合、従来の矩形形状の場合と比較して、リッジ部４１に垂直方向の直線部分の長さが減少することになる。こうした多角形の平面形状に設定することによって、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスがリッジ部４１へ与える影響を低減できる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００３４】
また本実施形態では、蒸着電極３８およびメッキ電極３９の引出し部３９ｂにおいて、チップコンタクト部３９ａのエッジラインと引出し部３９ｂのエッジラインとが斜めに交差するような電極形状に形成している。例えば、図１に示すように、引出し部３９ｂのエッジラインがチップコンタクト部３９ａのエッジラインに対して約４５度で交差する場合、図１０に示した従来の形状と比較して、リッジ部４１に垂直方向の直線部分ｗ４、ｗ５の長さが直線部分ｗ４’、ｗ５’の長さに減少することになる。こうした形状に設定することによって、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスがリッジ部４１へ与える影響を低減できる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００３５】
実施の形態２．
図３は、本発明の第２実施形態を示す平面図である。本実施形態において、半導体レーザ素子の構成は、図２のものと同様であるが、右側の台座部４３における下敷き膜３４、蒸着電極３５、メッキ電極３６の平面形状、および左側の台座部４４における下敷き膜３７の平面形状を別の多角形に形成している。
【００３６】
即ち、図３に示すように、リッジ部４１に近接した平行な直線部分は従来と同程度にして、残りの輪郭を多数の直線で構成した八角形に形成している。こうした多角形の平面形状に設定することによって、リッジ部４１に垂直方向の直線部分が極力少なくなるため、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスがリッジ部４１へ与える影響を低減できる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００３７】
実施の形態３．
図４は、本発明の第３実施形態を示す平面図である。本実施形態において、半導体レーザ素子の構成は、図２のものと同様であるが、右側の台座部４３における下敷き膜３４、蒸着電極３５、メッキ電極３６の平面形状、および左側の台座部４４における下敷き膜３７の平面形状を、円形、長円形、小判形状など、曲線のエッジラインを含む形状に形成している。
【００３８】
さらに、蒸着電極３８およびメッキ電極３９の引出し部３９ｂにおいて、チップコンタクト部３９ａのエッジラインは、引出し部３９ｂのエッジラインと斜めに交差して、曲線のエッジラインを含む形状に形成している。
【００３９】
こうした曲線を含むエッジラインで形成することによって、リッジ部４１に垂直方向の直線部分がほぼ無くなるため、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスがリッジ部４１へ与える影響をより低減できる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００４０】
実施の形態４．
図５は、本発明の第４実施形態を示す部分平面図である。本実施形態において、半導体レーザ素子の構成は、図２のものと同様であるが、メッキ電極３９のチップコンタクト部３９ａのエッジラインを、リッジ部４１の前端面付近および後端面付近において曲線状に形成している。
【００４１】
例えば、図５に示すように、チップコンタクト部３９ａの平面形状を、２つの半円をリッジ部４１に平行な２本の直線で接続したような形状に形成している。こうした形状によって、リッジ部４１に垂直方向の直線部分がほぼ無くなるため、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスがリッジ部４１へ与える影響をより低減できる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００４２】
図６は、チップコンタクト部３９ａの他の端面形状を示す部分平面図である。メッキ電極３９は、リッジ部４１の前端面および後端面まで到達しているため、上述したようなメッキ端部の電流集中に起因した局所的な温度上昇を防止することができる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００４３】
実施の形態５．
図７は、本発明の第５実施形態を示す平面図である。本実施形態において、半導体レーザ素子の構成は、図２のものと同様であるが、リッジ部４１の長手方向に垂直で、メッキ電極３９のチップコンタクト部３９ａのエッジと接するラインＡ−Ａ’と、リッジ部４１の長手方向に垂直で、左右の下敷き膜３４，３７のエッジと接するラインＢ−Ｂ’と、リッジ部４１の長手方向に垂直で、右側の蒸着電極３５のエッジと接するラインＣ−Ｃ’と、リッジ部４１の長手方向に垂直で、右側のメッキ電極３６のエッジと接するラインＤ−Ｄ’とが互いに同一直線上に乗らないように、各平面形状を設定している。
【００４４】
こうした平面形状によって、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスが分散するようになるため、リッジ部４１の同一箇所へ与える影響を低減できる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００４５】
実施の形態６．
図８は、本発明の第６実施形態を示す平面図である。本実施形態において、半導体レーザ素子の構成は、図２のものと同様であるが、リッジ部４１の長手方向に垂直で、メッキ電極３９のチップコンタクト部３９ａのエッジと接するラインＡ−Ａ’と、リッジ部４１の長手方向に垂直で、左側の台座部４４における下敷き膜３７のエッジと接するラインＢ−Ｂ’と、右側の台座部４３における下敷き膜３４のエッジと接するラインＢ”−Ｂ”’と、リッジ部４１の長手方向に垂直で、右側の蒸着電極３５のエッジと接するラインＣ−Ｃ’と、リッジ部４１の長手方向に垂直で、右側のメッキ電極３６のエッジと接するラインＤ−Ｄ’とが互いに同一直線上に乗らないように、各平面形状を設定している。
【００４６】
即ち、図７のもの比べて、左右の下敷き膜３４，３７のエッジと接する垂直ラインも同一直線上とならないように、下敷き膜３４，３７の平面形状を設定している。こうした平面形状によって、チップ温度上昇に伴う熱膨張に起因したストレスがより分散するようになるため、リッジ部４１の同一箇所へ与える影響を低減できる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００４７】
実施の形態７．
図９は、本発明の第７実施形態を示す平面図である。本実施形態において、半導体レーザ素子の構成は、図２のものと同様であるが、蒸着電極３８およびメッキ電極３９のボンディングパッド部３９ｃを、リッジ部４１の中央から光密度の低い後端面寄りに配置している。
【００４８】
リッジ部４１の前端面および後端面には、一般に、光共振器ミラーを構成する反射コートがそれぞれ施され、レーザ光を取り出す前端面での光反射率を低くし、後端面での光反射率を高く設定している。そのため、レーザチップ内部の光密度は、前端面付近で高く、後端面付近で低くなる。
【００４９】
従って、リッジ部４１にストレスを与える原因となるボンディングパッド部３９ｃを光密度の低い後端面寄りに配置することによって、ボンディングパッド部３９ｃからのストレスに起因した暗部の発生を抑制することができる。その結果、長寿命で信頼性の高い半導体レーザ素子を実現できる。
【００５０】
なお、以上の各実施形態において、ＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰの半導体材料を用いた例を示したが、ＡｌＧａＩｎＰ／ＧａＡｓなど、他の半導体材料を用いた半導体レーザ素子にも、本発明は同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態を示す斜視図である。
【図３】本発明の第２実施形態を示す平面図である。
【図４】本発明の第３実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明の第４実施形態を示す部分平面図である。
【図６】チップコンタクト部３９ａの他の端面形状を示す部分平面図である。
【図７】本発明の第５実施形態を示す平面図である。
【図８】本発明の第６実施形態を示す平面図である。
【図９】本発明の第７実施形態を示す平面図である。
【図１０】従来のＡｌＧａＩｎＡｓ／ＩｎＰ系リッジ導波型半導体レーザ素子を上から見た平面図である。
【図１１】図１０に示したリッジ導波型半導体レーザ素子の斜視図である。
【図１２】チップ表面パターン配置と裏面ＥＬパターンとの対応を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５２】
２０  レーザチップ、  ２１  ｎ側電極、  ２２  基板、  ２３，２４  クラッド層、  ２５  ＭＱＷ活性層、  ２６，２７  クラッド層、  ２８  コンタクト層、  ３３  電気絶縁膜、  ３４，３７  下敷き膜、  ３５，３８  蒸着電極、  ３６，３９  メッキ電極、３９ａ  チップコンタクト部、  ３９ｂ  引出し部、  ３９ｃ  ボンディングパッド部、  ４１  リッジ部、  ４２  溝部、  ４３，４４  台座部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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