(57)【要約】    【課題】  光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができる光記録媒体を提供する。    【解決手段】  ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記相変化材料が、前記相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を、形成することを特徴とする光記録媒体。【選択図】  図３
2006027033.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記相変化材料が、前記相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を、形成することを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６９０以上、２．７１５以下であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記記録膜が、２ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができる光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。
【０００３】
光記録媒体のデータ記録方式としては、一般に、記録すべきデータを、光記録媒体に設けられたトラックに沿って形成される記録マークとして所定の長さに変調するという記録方式が用いられている。たとえば、ユーザによるデータの書き換えが可能な光記録媒体の一種であるＤＶＤ−ＲＷにおいては、３Ｔから１１Ｔおよび１４Ｔ（Ｔは１クロック周期）に対応する長さの記録マークが用いられ、光記録媒体に設けられたトラックに沿って、記録マークを、情報層に含まれた記録膜に形成することによって、データが記録されるように構成されている。
【０００４】
このようにして、データ書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録マークを形成して、データを記録する場合には、光記録媒体に設けられたトラックに沿って、情報層に含まれた記録膜にレーザビームが照射され、記録膜に含まれている結晶状態にある相変化材料がアモルファス化されて、所定の長さを有するアモルファス領域が、情報層に含まれた記録膜に形成され、こうして形成されたアモルファス領域が記録マークとして利用される。
【０００５】
すなわち、データ書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜にデータを記録する場合には、そのパワーが十分に高いレベルの記録パワーＰｗに設定されたレーザビームが、情報層に含まれた記録膜に照射され、レーザビームが照射された記録膜の領域が相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、溶融される。次いで、そのパワーが十分に低いレベルの基底パワーＰｂに設定されたレーザビームが、情報層に含まれた記録膜に照射され、溶融された記録膜の領域が急冷される。その結果、記録膜の領域に含まれている相変化材料が、結晶状態からアモルファス状態に変化し、情報層に含まれた記録膜に記録マークが形成され、データが記録される。
【０００６】
一方、データ書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に形成されている記録マークを消去して、この記録膜に記録されたデータを消去する場合には、そのパワーが、基底パワーＰｂを越えた消去パワーＰｅに設定されたレーザビームが、情報層に含まれた記録膜に照射され、記録膜の記録マークが形成された領域が相変化材料の結晶化温度以上の温度に加熱され、次いで、記録膜の加熱された領域が徐冷される。その結果、記録マークが形成されていた記録膜の領域に含まれている相変化材料が、アモルファス状態から結晶状態に変化し、記録マークが消去されて、データが消去される。
【０００７】
したがって、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に照射されるレーザビームのパワーを、記録パワーＰｗ、基底パワーＰｂおよび消去パワーＰｅに対応する複数のレベルに変調することによって、情報層に含まれた記録膜に記録マークを形成して、データを記録するだけでなく、記録膜に形成された記録マークを消去しつつ、新たな記録マークを形成して、記録膜に既に記録されたデータを、新たなデータによって、ダイレクトオーバーライトすることが可能になる。
【０００８】
このようにして、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に既に記録されたデータを、新たなデータによって、ダイレクトオーバーライトする場合には、記録マークを形成しているアモルファス状態の相変化材料を結晶化して、記録マークを消去するのに要する時間を短縮することが好ましく、一般的には、書き換え型光記録媒体の情報層に含まれた記録膜は、結晶化速度が大きい相変化材料によって形成されている。結晶化速度が大きい相変化材料として、たとえば、Ｓｂ７０Ｔｅ３０共晶組成を有する相変化材料が知られている（たとえば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−３２６４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体にデータを記録した後、この光記録媒体を、長期間にわたって、保存した場合には、アモルファス化した相変化材料が結晶化しにくくなることが知られており（たとえば、Ｔ．Ｋｉｋｕｋａｗａ，ｅｔ．ａｌ．，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ（４１）２００２．ｐｐ３０２０）、したがって、データを記録した光記録媒体を、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを、新たなデータによって、初めて、ダイレクトオーバーライトしたときに、記録膜に形成されている記録マークを所望のように消去することが困難になるから、新たなデータによって、ダイレクトオーバーライトした後の記録膜には、完全に消去されずに残っている記録マークと、新たに形成された記録マークとが混在し、その結果として、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときに、再生信号のジッタが悪化し、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることが困難になるという問題があった。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができる光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、本発明の前記目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、記録膜を形成する相変化材料を結晶化した場合に、生成した結晶の結晶格子の歪みの程度が、相変化材料の結晶化のしやすさと相関関係を有していることを見出し、さらに、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜を、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料を結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって、形成した場合には、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを、新たなデータによって、初めて、ダイレクトオーバーライトするときに、記録膜に形成された記録マークを、速やかに、かつ、確実に消去することができ、したがって、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを効果的に防止し得ることを見出した。
【００１２】
本発明は、かかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体であって、前記相変化材料が、前記相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成することを特徴とする光記録媒体によって、達成される。
【００１３】
ここに、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）は、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料によって形成された記録膜を、結晶化して、Ｘ線回折測定し、得られたＸ線回折図に現れる回折線について、六方晶格子としての指数付けをし、これらの回折線の位置に基づいて、その六方晶格子における、ｃ軸長（Å）およびａ軸長（Å）を、定法にしたがって、それぞれ、求め、求められたｃ軸長（Å）をａ軸長（Å）で除した値として、定義される。このとき、ａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）の算出に使用する回折線は、ｃ軸長（Å）およびａ軸長（Å）を求められるものであれば、とくに限定されるものではないが、高角度側に存在し、互いの距離が近い点で、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折において、Ｘ線回折図の入射角２θ＝３９°ないし４１°付近に現れる六方晶（１０４）面に由来する回折線と、Ｃｕ−Ｋα線を用いたＸ線回折において、Ｘ線回折図の入射角２θ＝４１°ないし４３°付近に現れる六方晶（１１０）面に由来する回折線を利用することが好ましい。
【００１４】
本発明によれば、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、データを、新たなデータによって、初めて、ダイレクトオーバーライトした場合に、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを効果的に防止することができ、その結果、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることが可能になる。
【００１５】
光記録媒体の情報層に含まれた記録膜が、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料を結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをしたときに、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって、形成された場合に、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを効果的に防止し得る理由は、必ずしも、明らかではないが、この相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体を、長期間にわたって、保存したときであっても、アモルファス化した相変化材料の結晶化を速やかに進行させることができ、記録膜に形成された記録マークを、速やかに、かつ、確実に消去することができるためと考えられる。
【００１６】
本発明において、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料が、この相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６９０以上、２．７１５以下である結晶を形成することが好ましい。光記録媒体の情報層に含まれた記録膜が、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料を結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをしたときに、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６９０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって、形成されている場合には、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、新たなデータによって、初めて、ダイレクトオーバーライトした場合に、既に記録されたデータをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを、より一層、確実に防止することが可能になる。
【００１７】
本発明において、記録膜が、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料を結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをしたときに、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって、形成されている場合には、記録膜の膜厚にかかわらず、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを効果的に防止することが可能になるが、記録膜の膜厚が２ｎｍないし１５ｎｍであるときには、とくに記録膜の膜厚が４ｎｍないし９ｎｍであるときには、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを、より一層、確実に防止することが可能になる。したがって、本発明において、記録膜は、２ｎｍ以上、１５ｎｍ以下の膜厚を有するように形成されていることが好ましく、４ｎｍ以上、９ｎｍ以下の膜厚を有するように形成されていることがより好ましい。
【００１８】
本発明において、情報層に含まれた記録膜を形成するための材料は、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料であって、結晶化されて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料であれば、とくに限定されるものではないが、たとえば、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素（Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、ＴｅおよびＰｏ）を含まない相変化材料が好ましく用いられる。ここに、ＳｂとＧｅとを主成分として含むとは、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜を形成する元素のうち、Ｓｂの含有率とＧｅの含有率を合計した含有率が最も大きいことを意味する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができる光記録媒体を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００２１】
図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図であり、図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【００２２】
図１に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。
【００２３】
本実施態様の光記録媒体１０は、書き換え型の光記録媒体として構成され、図２に示されるように、支持基板１１と、支持基板１１の表面上に形成された第四の誘電体膜１２と、第四の誘電体膜１２の表面上に形成された反射膜１３と、反射膜１３の表面上に形成された第三の誘電体膜１４と、第三の誘電体膜１４の表面上に形成された記録膜１５と、記録膜１５の表面上に形成された第二の誘電体膜１６と、第二の誘電体膜１６の表面上に形成された第一の誘電体膜１７と、第一の誘電体膜１７の表面上に形成された放熱膜１８と、放熱膜１８の表面上に形成された光透過層１９とを備えている。
【００２４】
本実施態様においては、第四の誘電体膜１２、反射膜１３、第三の誘電体膜１４、記録膜１５、第二の誘電体膜１６、第一の誘電体膜１７および放熱膜１８によって、情報層２０が形成されている。
【００２５】
本実施態様にかかる光記録媒体１０は、図２において、矢印で示される方向から、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長λを有するレーザビームＬが、λ／ＮＡ≦６４０を満たす開口数ＮＡを有する対物レンズ（図示せず）を介して、光透過層１９に照射され、光記録媒体１０の情報層２０に含まれた記録膜１５にデータが記録され、光記録媒体１０の情報層２０に含まれた記録膜１５から、データが再生されるように構成されており、光透過層１９の表面によって、光入射面１９ａが構成されている。
【００２６】
本実施態様にかかる光記録媒体１０の記録膜１５は、記録マークを形成するための膜であり、相変化材料によって形成され、単一の膜によって構成されている。相変化材料は、結晶状態である場合の反射率とアモルファス状態である場合の反射率とが異なるため、これを利用して、データが記録され、記録されたデータが再生される。
【００２７】
本実施態様において、記録膜１５は、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料であって、この相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって、形成されている。このような相変化材料によって記録膜１５が形成されている場合には、光記録媒体１０の情報層２０に含まれた記録膜１５に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、新たなデータによって、初めて、ダイレクトオーバーライトした場合に、記録膜１５に形成された記録マークを、速やかに、かつ、確実に消去することができるから、既に記録されたデータをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを効果的に防止することができ、その結果、光記録媒体の情報層２０に含まれた記録膜１５に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることが可能になる。
【００２８】
本実施態様において、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料が、この相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６９０以上、２．７１５以下である結晶を形成することが好ましい。この場合には、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した後に、新たなデータによって、初めて、ダイレクトオーバーライトした場合に、既に記録されたデータをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを、より一層、確実に防止することが可能になる。
【００２９】
記録膜１５を形成するための材料は、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料であれば、とくに限定されるものではないが、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料が、記録膜１５を形成するために好ましく用いられ、８１原子％ないし９０原子％のＳｂと、１０原子％ないし１９原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料が、記録膜１５を形成するために、とくに好ましく用いられる。この相変化材料によって記録膜１５を形成した場合には、記録膜１５の記録マークを形成しているアモルファス領域５０が、高い熱的安定性を有し、光記録媒体１０の保存時に、アモルファス領域５０が結晶化することを防止することもでき、したがって、光記録媒体の情報層に含まれた記録膜に記録されたデータを、長期間にわたって、高温下で保存した場合にも、データを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることが可能になるとともに、光記録媒体１０の保存信頼性を向上させることが可能になる。
【００３０】
記録膜１５を形成するための相変化材料には、さらに、Ｓｂ、Ｇｅおよび周期表の第１６族元素以外の元素が添加されていてもよい。
【００３１】
したがって、本実施態様において、記録膜１５は、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まず、かつ、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって、形成されている。
【００３２】
本実施態様において、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって、記録膜１５が形成されている場合には、記録膜１５の膜厚にかかわらず、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを効果的に防止することが可能になるが、記録膜１５の膜厚が２ｎｍないし１５ｎｍであるときには、とくに記録膜１５の膜厚が４ｎｍないし９ｎｍであるときには、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを、より一層、確実に防止することが可能になる。したがって、本実施態様においては、記録膜１５は、２ｎｍ以上、１５ｎｍ以下の膜厚を有するように形成されている。
【００３３】
記録膜１５は、たとえば、記録膜１５の構成元素を含む化学種を用いた気相成長法によって、第三の誘電体膜１４の表面上に形成することができる。気相成長法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などが挙げられるが、スパッタリング法によって、記録膜１５を形成することが好ましい。
【００３４】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる機械的強度を確保するための支持体として、機能する。支持基板１１を形成するための材料は、光記録媒体１０の支持体として機能することができれば、とくに限定されるものではいが、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板１１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。
【００３５】
本実施態様においては、支持基板１１は、約１．１ｍｍの厚さを有している。
【００３６】
本実施態様においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光透過層１９を介して、情報層２０に照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必ずしも必要ではない。
【００３７】
支持基板１１の表面には、グルーブ１１ａが形成されている。支持基板１１の表面に形成されたグルーブ１１ａは、情報層２０に含まれた記録膜１５に、データを記録する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして機能する。
【００３８】
表面に、グルーブ１１ａ有する支持基体１１は、たとえば、スタンパを用いた射出成形法などによって作製される。
【００３９】
第四の誘電体膜１２は、後述する反射膜１３とともに、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。第四の誘電体膜１２を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｃｅ、Ｚｎよりなる群から選ばれる少なくとも一種の金属を含む酸化物、窒化物、硫化物、炭化物、フッ化物、あるいは、これらの複合物などが用いられる。本実施態様においては、第四の誘電体膜１２は、結晶粒径が２０ｎｍ以下の酸化ジルコニウムを主成分として含み、立方晶系の結晶質構造を有している。第四の誘電体膜１２が、結晶粒径が２０ｎｍ以下の酸化ジルコニウムを主成分として含み、立方晶系の結晶質構造を有している場合には、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生成された熱を速やかに放熱させることができる。
【００４０】
第四の誘電体膜１２は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第四の誘電体膜１２の厚さが、３ｎｍ未満の場合には、放熱効果が低下し、１５ｎｍを越えている場合には、第四の誘電体膜１２を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第四の誘電体膜１２にクラックが生じやすくなる。
【００４１】
第四の誘電体膜１２は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００４２】
反射膜１３は、光透過層１９を介して、記録膜１５に照射されるレーザビームＬを反射し、再び、光透過層１９から出射させる役割を果たすとともに、レーザビームＬが照射されることによって、記録膜１５に生じた熱を効果的に放熱させる役割を果たす。反射膜１３を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｎｄ、Ａｕなどが用いられ、これらのうちでも、高い反射率を有しているＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、または、ＡｇとＣｕとの合金など、これらの金属の少なくとも１つを含む合金などの金属材料が、反射膜１３を形成するために、好ましく用いられる。とくに、反射膜１３が、Ａｇを含んでいる場合には、表面平滑性に優れた反射膜１３を形成することができ、再生信号のノイズレベルを低減することが可能になり、好ましい。
【００４３】
反射膜１３の厚さは、とくに限定されるものではないが、５ｎｍないし２５ｎｍであることが好ましく、７ｎｍないし１８ｎｍであることが、とくに好ましい。
【００４４】
反射膜１３は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００４５】
第三の誘電体膜１４は、第二の誘電体膜１６とともに、記録膜１５を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生じた熱を、反射膜１３側に放熱させる機能を有している。第三の誘電体膜１４を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第四の誘電体膜１２を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第三の誘電体膜１４は、第四の誘電体膜１２と同様に、結晶粒径が２０ｎｍ以下の酸化ジルコニウムを主成分として含み、立方晶系の結晶質構造を有しており、この場合には、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生成された熱を速やかに放熱させることができる。
【００４６】
第三の誘電体膜１４は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第三の誘電体膜１４の厚さが、３ｎｍ未満の場合には、第三の誘電体膜１４を連続膜として形成することが困難となり、１５ｎｍを越えている場合には、第三の誘電体膜１４を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第三の誘電体膜１４にクラックが生じやすくなる。
【００４７】
第三の誘電体膜１４は、たとえば、スパッタリング法などによって、形成される。
【００４８】
第二の誘電体膜１６は、第三の誘電体膜１４とともに、記録膜１５を物理的および化学的に保護する役割を果たすとともに、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生じた熱を、後述する放熱膜１８側に放熱させる機能を有している。第二の誘電体膜１６を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、第四の誘電体膜１２および第三の誘電体膜１４を形成するための材料と同様の材料が用いられる。本実施態様において、第二の誘電体膜１６は、第四の誘電体膜１２および第三の誘電体膜１４と同様に、結晶粒径が２０ｎｍ以下の酸化ジルコニウムを主成分として含み、立方晶系の結晶質構造を有しており、この場合には、レーザビームＬの照射によって、記録膜１５に生成された熱を速やかに放熱させることができる。
【００４９】
第二の誘電体膜１６は、３ｎｍないし１５ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第二の誘電体膜１６の厚さが、３ｎｍ未満である場合には、放熱効果が低下し、１５ｎｍを越えている場合には、第二の誘電体膜１６を成膜するときに生じる内部応力が大きくなり、第二の誘電体膜１６にクラックが生じやすくなる。
【００５０】
第二の誘電体膜１６は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００５１】
第一の誘電体膜１７は、第二の誘電体膜１６と放熱膜１８との密着性を高める機能を有している。第一の誘電体膜１７を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、第二の誘電体膜１６および放熱膜１８との密着性が高い材料であれば、とくに限定されるものではないが、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物によって、第一の誘電体膜１７を形成することが好ましい。第一の誘電体膜１７が、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物によって形成されている場合には、ＺｎＳとＳｉＯ２のモル比は、６０：４０ないし９５：５であることが好ましい。ＺｎＳのモル比が、６０％未満の場合には、第一の誘電体膜１７の屈折率が低下して、記録マークが形成された記録膜１５の領域と、記録マークが形成されていない記録膜１５の領域との反射率の差が低下するおそれがある。一方、ＺｎＳのモル比が、９５％を越えている場合には、第一の誘電体膜１７を完全な透明膜として形成することが困難であり、信号出力が低下するなどの悪影響がでてくる。
【００５２】
第一の誘電体膜１７は、５ｎｍないし５０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。第一の誘電体膜１７の厚さが、５ｎｍ未満の場合には、放熱膜１８にクラックが生じやすくなり、５０ｎｍを越える場合には、放熱効果が低下するおそれがある。
【００５３】
第一の誘電体膜１７は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００５４】
放熱膜１８は、第一の誘電体膜１７を介して、記録膜１５から伝達された熱を放熱する役割を果たす。放熱膜１８を形成するための材料は、レーザビームＬに対して高い光透過性を有し、かつ、記録膜１５に生じた熱を放熱することができれば、とくに限定されるものではないが、第一の誘電体膜１７の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料が、具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＮ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＳｉＯ２などが好ましく用いられる。
【００５５】
放熱膜１８は、２０ｎｍないし７０ｎｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。放熱膜１８の厚さが、２０ｎｍ未満の場合には、充分な放熱効果を得られないおそれがあり、一方、７０ｎｍを越える場合には、放熱膜１８の成膜に長い時間を要するため、生産性が低下するおそれがある。
【００５６】
放熱膜１８は、たとえば、スパッタリング法などによって形成される。
【００５７】
図２に示されるように、放熱膜１８の表面上には、光透過層１９が形成されている。
【００５８】
光透過層１９を形成するための材料は、光学的に透明で、レーザビームＬの波長領域である３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長での光学吸収や反射が少なく、複屈折率が小さいことが要求されるが、これらの条件を満足する材料であれば、とくに限定されるものではなく、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂などを含有する樹脂組成物が好ましく使用され、紫外線硬化型アクリル樹脂を含有する樹脂組成物が、より好ましく使用される。
【００５９】
光透過層１９は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００６０】
光透過層１９は、樹脂組成物の溶液を、スピンコーティング法によって、放熱層１６の表面上に塗布して、形成されることが好ましいが、光透過性樹脂によって形成されたシートを、接着剤を用いて、放熱層１８の表面に接着して、光透過層１９を形成することもできる。
【００６１】
以上のように構成された本実施態様にかかる光記録媒体１０の情報層２０に含まれた記録膜１５に、データを記録し、記録膜１５に記録されたデータに、新たなデータをダイレクトオーバーライトする場合には、記録パワーＰｗ、消去パワーＰｅおよび基底パワーＰｂとの間で、そのパワーが変調されたレーザビームＬが、光透過層１９を介して、記録膜１５にフォーカスされる。
【００６２】
高い記録密度で、光記録媒体１０の記録膜１５にデータを記録するためには、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームＬを、開口数ＮＡが０．７以上の対物レンズを用いて、光記録媒体１０の記録膜１５にフォーカスさせることが好ましく、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍであることがより好ましい。
【００６３】
本実施態様においては、４０５ｎｍの波長を有するレーザビームＬが、開口数が０．８５の対物レンズ（図示せず）を用いて、光記録媒体１０の記録膜１５にフォーカスされるように構成されている。
【００６４】
光記録媒体１０の記録膜１５に、記録マークを形成して、データを記録するにあたっては、光記録媒体１０を回転させながら、そのパワーが記録パワーＰｗに設定されたレーザビームＬが、光透過層１９を介して、記録膜１５に照射され、レーザビームＬが照射された記録膜１５の領域が、相変化材料の融点以上の温度に加熱されて、溶融される。次いで、そのパワーが基底パワーＰｂに設定されたレーザビームＬが、光透過層１９を介して、記録膜１５に照射され、溶融した記録膜１５の領域が急冷されて、相変化材料が、結晶状態から、アモルファス状態に変化する。
【００６５】
こうして、記録膜１５に記録マークが形成され、データが記録される。
【００６６】
一方、記録膜１５に形成された記録マークを消去する場合には、そのパワーが消去パワーＰｅに設定されたレーザビームＬが、光透過層１９を介して、記録膜１５の記録マークが形成された領域に照射され、レーザビームＬが照射された記録膜１５の領域が、相変化材料の結晶化温度以上の温度に加熱される。次いで、レーザビームＬが、加熱された記録膜１５の領域から遠ざけられ、相変化材料の結晶化温度以上の温度に加熱された記録膜１５の領域が徐冷される。
【００６７】
その結果、相変化材料が結晶化し、レーザビームＬが照射された記録膜１５の領域に形成されていた記録マークが消去される。
【００６８】
本実施態様においては、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料として、７９原子％ないし９５原子％のＳｂと、５原子％ないし２１原子％のＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まない相変化材料を用いており、かかる相変化材料は、この相変化材料を、結晶化させて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成するから、記録膜１５がかかる相変化材料によって形成されている場合には、データを記録した光記録媒体１０を、長期間にわたって、高温下で保存した後に、このデータを、新たなデータによって、初めて、ダイレクトオーバーライトするときにも、記録膜１５に形成された記録マークを、速やかに、かつ、確実に消去することができ、したがって、データをダイレクトオーバーライトして、記録した新たなデータを再生したときの再生信号のジッタが悪化することを効果的に防止することが可能になるとともに、光記録媒体１０の保存信頼性を向上させることが可能になる。
【００６９】
これに対して、光記録媒体１０の記録膜１５に記録されたデータを再生するにあたっては、光記録媒体１０を回転させながら、そのパワーが再生パワーＰｒに設定されたレーザビームＬが、光透過層１９を介して、光記録媒体１０の記録膜１５にフォーカスされる。
【００７０】
こうして、光記録媒体１０の記録膜１５にフォーカスされたレーザビームＬは、記録膜１５および反射膜１３によって反射され、記録膜１５および反射膜１３によって反射されたレーザビームＬの光量が検出される。
【００７１】
記録膜１５に含まれている相変化材料は、結晶状態の反射率とアモルファス状態の反射率とが異なるため、反射率の差を利用して、記録膜１５に記録されたデータを再生することができる。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例を掲げる。
【００７３】
実施例１
以下のようにして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【００７４】
まず、射出成型法により、厚さが１．１ｍｍ、直径が１２０ｍｍで、表面に、グルーブが、０．３２μｍのグルーブピッチで形成されたポリカーボネート基板を作製した。
【００７５】
次いで、ポリカーボネート基板を、スパッタリング装置にセットし、グルーブが形成された表面上に、酸化ジルコニウムを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金を含み、１０ｎｍの厚さを有する反射膜、酸化ジルコニウムを主成分として含み、４ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜、８４原子％のＳｂと１６原子％のＧｅからなる相変化材料を含み、７ｎｍの厚さを有する記録膜、酸化ジルコニウムを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分として含み、１０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜、ならびに、窒化アルミニウムを主成分として含み、５０ｎｍの厚さを有する放熱膜を、順次、スパッタリング法により形成した。
【００７６】
ここに、第二の誘電体膜、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、ＺｒＯ２ターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。
【００７７】
このようにして形成された第二の誘電体膜、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜が、それぞれ有する結晶質構造およびその結晶粒径を、理学電気株式会社製のＸ線回析装置「ＡＴＸ−Ｇ」（商品名）を用いて、解析し、測定したところ、第二の誘電体膜、第三の誘電体膜および第四の誘電体膜は、いずれも、結晶粒径が２０ｎｍ以下の酸化ジルコニウムを主成分として含み、立方晶系の結晶質構造を有していた。
【００７８】
また、反射膜は、アルゴンガス雰囲気中で、９８原子％のＡｇ、１原子％のＰｄおよび１原子％のＣｕからなる合金ターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。
【００７９】
記録膜は、アルゴンガス雰囲気中で、ＳｂＧｅ合金ターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。
【００８０】
第一の誘電体膜は、アルゴンガス雰囲気中で、モル比が８０：２０のＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を主成分とするターゲットを用いたスパッタリング法によって形成した。
【００８１】
放熱膜は、アルゴンガスおよび窒素ガス雰囲気中で、Ａｌターゲットを用いた反応性スパッタリング法によって形成した。
【００８２】
次いで、ＡｌＮ放熱膜の表面上に、紫外線硬化性アクリル樹脂の溶液を、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、紫外線硬化性アクリル樹脂を硬化させ、１００μｍの厚さを有する光透過層を形成した。
【００８３】
その後、８１０ｎｍの波長を有する半導体レーザーを用いて、出力５００ｍＷで、光記録媒体に初期化処理を施し、記録膜を結晶化させた。
【００８４】
こうして、光記録媒体サンプル＃１を作製した。
【００８５】
次いで、８９．５原子％のＳｂと１０．５原子％のＧｅからなる相変化材料を含み、７ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体サンプル＃２を作製した。
【００８６】
さらに、０．８原子％のＩｎと、７１．１原子％のＳｂと、１６．４原子％のＴｅと、５．５原子％のＧｅと、６．２原子％のＭｎとからなる相変化材料を含み、７ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃１を作製した。
【００８７】
次いで、７７．８原子％のＳｂと２２．２原子％のＧｅからなる相変化材料を含み、７ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃２を作製した。
【００８８】
さらに、１００原子％のＳｂからなる相変化材料を含み、７ｎｍの厚さを有する記録膜を形成した点を除き、光記録媒体サンプル＃１と同様にして、光記録媒体比較サンプル＃３を作製した。
【００８９】
こうして得られた光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３の記録膜の表面が露出するように、各サンプルから、第三誘電体膜と記録膜の界面または第二誘電体膜と記録膜の界面で剥離させて、それぞれ、株式会社リガク製の薄膜評価用Ｘ線回折装置「ＡＴＸ−Ｇ」にセットし、記録膜に、Ｃｕ−Ｋα線を照射して、Ｘ線回折測定した。
【００９０】
こうして得られたＸ線回折図が、図３に示されている。
【００９１】
こうして得られたＸ線回折図に現れた回折線に対し、六方晶格子としての指数付けをし、Ｘ線回折図の入射角２θ＝３９°ないし４１°付近に現れる六方晶（１０４）面に由来する回折線および、Ｘ線回折図の入射角２θ＝４１°ないし４３°付近に現れる六方晶（１１０）面に由来する回折線用いて、ａ軸長およびｃ軸長を求め、軸比（ｃ／ａ）を算出した。
【００９２】
算出結果は、表１に示されている。
【００９３】
【表１】
2006027033.tif 000003
【００９４】
図３に示されるＸ線回折図において、光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３のいずれにおいても、入射角２θ＝２８°ないし２９°付近の回折線、入射角２θ＝３９°ないし４１°付近の回折線および入射角２θ＝４１°ないし４３°の回折線は、それぞれ、菱面体構造を持つＳｂ相に由来する特徴的な回折線であるＳｂ（０１２）面、Ｓｂ（１０４）面、および、Ｓｂ（１１０）面と一致し、また、Ｇｅ相またはＳｂＧｅ相に由来する特徴的な回折線は検出されなかった。したがって、光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３の記録膜を形成している相変化材料を結晶化させた場合には、結晶構造はＳｂ単一相からなり、生成する結晶は一種類であることが確認された。
【００９５】
実施例２
実施例１と同様にして、光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１ないし＃３を作製し、それぞれ、パルステック工業株式会社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、１０．５ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、チャンネルクロック周波数１３２ＭＨｚ、チャンネルビット長０．１２μｍ／ｂｉｔで、４０５ｎｍの波長を有し、そのパワーが、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、所定のパターンにしたがって、変調されたレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、光透過層を介して、記録膜に照射し、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔないし８Ｔの長さを有する記録マークを、ランダムに組み合わせて、ランダム信号を記録した。
【００９６】
ここに、光記録媒体サンプル＃１に記録マークを形成する場合には、レーザビームの記録パワーＰｗを１０．２ｍＷに設定するとともに、消去パワーＰｅを３．８ｍＷに設定し、光記録媒体サンプル＃２に記録マークを形成する場合には、レーザビームの記録パワーＰｗを１０．２ｍＷに設定するとともに、消去パワーＰｅを３．４ｍＷに設定し、光記録媒体比較サンプル＃１に記録マークを形成する場合には、レーザビームの記録パワーＰｗを１０．５ｍＷに設定するとともに、消去パワーＰｅを３．８ｍＷに設定し、光記録媒体比較サンプル＃２に記録マークを形成する場合には、レーザビームの記録パワーＰｗを９．５ｍＷに設定するとともに、消去パワーＰｅを６．０ｍＷに設定し、光記録媒体比較サンプル＃３に記録マークを形成する場合には、レーザビームの記録パワーＰｗを１０．０ｍＷに設定するとともに、消去パワーＰｅを３．４ｍＷに設定した。また、いずれの場合においても、基底パワーＰｂは０．３ｍＷに設定し、再生パワーＰｒは０．７ｍＷに設定した。
【００９７】
しかしながら、光記録媒体比較サンプル＃３においては、相変化材料の結晶化速度が速すぎて、溶融後すぐに再結晶化してしまい、記録膜にアモルファス領域を形成して、記録マークを形成することができなかった。
【００９８】
次いで、そのパワーが、記録パワーＰｗと基底パワーＰｂとの間で、以下に示す消去パワーに設定され、所定のパターンにしたがって、変調されたレーザビームを用いた点を除いて、このランダム信号を記録した時と同様にして、このランダム信号に、新たなランダム信号を、ダイレクトオーバーライトした。
【００９９】
ここに、光記録媒体サンプル＃１に新たなランダム信号をダイレクトオーバーライトする場合には、レーザビームの消去パワーＰｅを２．６ｍＷに設定し、光記録媒体サンプル＃２に新たなランダム信号をダイレクトオーバーライトする場合には、レーザビームの消去パワーＰｅを２．２ｍＷに設定し、光記録媒体比較サンプル＃１に新たなランダム信号をダイレクトオーバーライトする場合には、レーザビームの消去パワーＰｅを３．０ｍＷに設定した。光記録媒体比較サンプル＃２においては、レーザビームの消去パワーＰｅをいかなる値に設定しても、記録されたランダム信号をダイレクトオーバーライトすることができなかった。
【０１００】
次いで、光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１を、それぞれ、上述の光記録媒体評価装置にセットし、ランダム信号を記録した場合と同様の条件で、データをダイレクトオーバーライトして、記録したランダム信号を再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定して、初期ダイレクトオーバーライト特性を評価した。
【０１０１】
ここに、クロックジッタは、タイムインターバルアナライザによって、再生信号のゆらぎσを求め、σ／Ｔｗ（Ｔｗ：クロックの１周期）によって、算出した。
【０１０２】
光記録媒体サンプル＃１についての測定結果は、図４の曲線Ａ０によって示され、光記録媒体サンプル＃２についての測定結果は、図５の曲線Ｂ０によって、光記録媒体比較サンプル＃１についての測定結果は、図６の曲線Ｃ０によって、それぞれ、示されている。
【０１０３】
さらに、消去パワーＰｅを、０．４ｍＷずつ、５．０ｍＷまで、順次、変化させた点を除き、同様にして、光記録媒体サンプル＃１に既に記録されていたランダム信号を、新たなランダム信号によって、ダイレクトオーバーライトして、新たに記録したランダム信号を再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。測定結果は、図４の曲線Ａ０によって、示されている。
【０１０４】
次いで、消去パワーＰｅを、０．４ｍＷずつ、４．６ｍＷまで、順次、変化させた点を除き、同様にして、光記録媒体サンプル＃２に既に記録されていたランダム信号を、新たなランダム信号によって、ダイレクトオーバーライトして、新たに記録したランダム信号を再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。測定結果は、図５の曲線Ｂ０によって、示されている。
【０１０５】
さらに、消去パワーＰｅを、０．４ｍＷずつ、４．６ｍＷまで、順次、変化させた点を除き、同様にして、光記録媒体比較サンプル＃１に既に記録されていたランダム信号を、新たなランダム信号によって、ダイレクトオーバーライトして、新たに記録したランダム信号を再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定した。測定結果は、図６の曲線Ｃ０によって、示されている。
【０１０６】
実施例３
実施例２と同様にして、１，７ＲＬＬ変調方式における２Ｔないし８Ｔの長さを有する記録マークを、ランダムに組み合わせて、ランダム信号を記録した光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１を作製し、各サンプルを、それぞれ、８０℃、１０％ＲＨの環境下で、２４時間にわたって、保存し、高温保存試験を行った。
【０１０７】
次いで、高温保存試験後の各サンプルを、それぞれ、上述の光記録媒体評価装置にセットし、実施例２と同様にして、各サンプルに既に記録されていたランダム信号を再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定したところ、いずれのサンプルにおいても、高温保存試験前に測定されたクロックジッタの測定値とほぼ同じ測定値が得られ、保存信頼性が高いことが判明した。
【０１０８】
次いで、高温保存試験後の各サンプルを、実施例２と同様にして、高温保存試験前に記録されたランダム信号を、新たなランダム信号によって、１回、および、１０回にわたって繰り返して、ダイレクトオーバーライトし、新たに記録したランダム信号を、それぞれ、再生し、再生信号のクロックジッタ（％）を測定して、それぞれ、高温保存試験後に、初めて、ダイレクトオーバーライトしたときの初期ダイレクトオーバーライト特性、および、高温保存試験後に、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときの繰り返しダイレクトオーバーライト特性を評価した。
【０１０９】
光記録媒体サンプル＃１について、高温保存試験後に、初めて、ダイレクトオーバーライトしたときの初期ダイレクトオーバーライト特性の測定結果は図４の曲線Ａ１によって、高温保存試験後に、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときの繰り返しダイレクトオーバーライト特性の測定結果は図４の曲線Ａ１０によって示され、光記録媒体サンプル＃２について、高温保存試験後に、初めて、ダイレクトオーバーライトしたときの初期ダイレクトオーバーライト特性の測定結果は図５の曲線Ｂ１によって、高温保存試験後に、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときの繰り返しダイレクトオーバーライト特性の測定結果は図５の曲線Ｂ１０によって示され、光記録媒体比較サンプル＃１について、高温保存試験後に、初めて、ダイレクトオーバーライトしたときの初期ダイレクトオーバーライト特性の測定結果は図６の曲線Ｃ１によって、高温保存試験後に、繰り返し、ダイレクトオーバーライトしたときの繰り返しダイレクトオーバーライト特性の測定結果は図６の曲線Ｃ１０によって示されている。
【０１１０】
図４、図５および図６に示されるように、光記録媒体サンプル＃１および＃２ならびに光記録媒体比較サンプル＃１のいずれにあっても、高温保存試験後の繰り返しダイレクトオーバーライト特性を評価したときの再生信号のジッタは、初期ダイレクトオーバーライト特性を評価したときの再生信号のジッタと大きな差がないことがわかった。
【０１１１】
しかしながら、光記録媒体サンプル＃１および＃２にあっては、高温保存試験後の初期ダイレクトオーバーライト特性を評価したときの再生信号のジッタに、顕著な悪化は認められなかったのに対し、光記録媒体比較サンプル＃１にあっては、著しく悪化していることが認められた。
【０１１２】
実施例１ないし実施例３から、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まず、かつ、結晶化されて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成する相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体サンプル＃１および＃２にあっては、各サンプルを、長期間にわたって、高温下で保存した後においても、各サンプルに記録されたデータを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができるのに対し、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が２．６５３である結晶を形成する相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体比較サンプル＃１にあっては、サンプルを、長期間にわたって、高温下で保存した場合には、サンプルに記録されたデータを、新たなデータによって、所望のように、ダイレクトオーバーライトすることができないことが判明した。
【０１１３】
また、ＳｂとＧｅとを主成分として含み、周期表の第１６族元素を含まず、結晶化されて、生成した結晶に対して、六方晶格子としての指数付けをした場合に、六方晶格子におけるａ軸長に対するｃ軸長の軸比（ｃ／ａ）が、２．６７０以上、２．７１５以下である結晶を形成しない相変化材料によって形成された記録膜を含む情報層を備えた光記録媒体比較サンプル＃２および＃３にあっては、記録されたランダム信号をダイレクトオーバーライトすることができず、または、記録マークを形成することすらできないことが判明した。
【０１１４】
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０１１５】
たとえば、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、光透過層１９を備え、レーザビームＬが、光透過層１９を介して、記録膜１５に照射されるように構成されているが、本発明は、かかる構成の光記録媒体に限定されるものではなく、光記録媒体が、光透過性材料によって形成された基板を備え、レーザビームＬが、基板を介して、記録膜１５に照射されるように構成されていてもよい。
【０１１６】
また、前記実施態様においては、光記録媒体１０の情報層２０に含まれる第二の誘電体膜１６、第三の誘電体膜１４および第四の誘電体膜１２が、いずれも、酸化ジルコニウムを主成分として含んでいるが、第二の誘電体膜１６、第三の誘電体膜１４および第四の誘電体膜１２が、いずれも、酸化ジルコニウムを主成分として含んでいることは必ずしも必要でなく、第二の誘電体膜１６、第三の誘電体膜１４および第四の誘電体膜１２の少なくとも一つが、酸化ジルコニウムを主成分として含んでいればよい。
【０１１７】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０の情報層２０に含まれる第三の誘電体膜１４および第四の誘電体膜１２が、いずれも、反射膜１３に隣接して形成されているが、光記録媒体１０の情報層に含まれる第三の誘電体膜１４および第四の誘電体膜１２が、いずれも、反射膜１３に隣接して形成されていることは必ずしも必要でなく、情報層の放熱性に、大きな悪影響を与えない範囲で、第三の誘電体膜１４と反射膜１３の間、および、第四の誘電体膜１２と反射膜１３の間の両方、または、いずれか一方に、他の膜が介在していてもよい。
【０１１８】
また、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第四の誘電体膜１２、反射膜１３、第三の誘電体膜１４、記録膜１５、第二の誘電体膜１６、第一の誘電体膜１７および放熱膜１８によって構成された情報層２０を備えているが、情報層２０が、第四の誘電体膜１２、反射膜１３、第三の誘電体膜１４、記録膜１５、第二の誘電体膜１６、第一の誘電体膜１７および放熱膜１８によって構成されていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体が、反射膜、第二の誘電体膜、記録膜、第一誘電体膜および放熱膜によって構成された情報層を備えていてもよい。
【０１１９】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、第四の誘電体膜１２、反射膜１３、第三の誘電体膜１４、記録膜１５、第二の誘電体膜１６、第一の誘電体膜１７および放熱膜１８によって構成された一層の情報層２０を備えているが、光記録媒体１０が、一層の情報層２０を備えていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体が二層以上の情報層を備えていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体を示す一部切り欠き略斜視図である。
【図２】図２は、図１のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【図３】図３は、各サンプルの記録膜を構成する相変化材料の結晶相を示すＸ線回折図である。
【図４】図４は、光記録媒体サンプル＃１の初期ダイレクトオーバーライト特性、高温保存試験後の初期ダイレクトオーバーライト特性および高温保存試験後の繰り返しダイレクトオーバーライト特性を示すグラフである。
【図５】図５は、光記録媒体サンプル＃２の初期ダイレクトオーバーライト特性、高温保存試験後の初期ダイレクトオーバーライト特性および高温保存試験後の繰り返しダイレクトオーバーライト特性を示すグラフである
【図６】図６は、光記録媒体比較サンプル＃１の初期ダイレクトオーバーライト特性、高温保存試験後の初期ダイレクトオーバーライト特性および高温保存試験後の繰り返しダイレクトオーバーライト特性を示すグラフである
【符号の説明】
【０１２１】
１０  光記録媒体
１１  支持基板
１２  第四の誘電体膜
１３  反射膜
１４  第三の誘電体膜
１５  記録膜
１６  第二の誘電体膜
１７  第一の誘電体膜
１８  放熱膜
１９  光透過層
【図１】
2006027033.tif 000004
【図２】
2006027033.tif 000005
【図３】
2006027033.tif 000006
【図４】
2006027033.tif 000007
【図５】
2006027033.tif 000008
【図６】
2006027033.tif 000009