(57)【要約】      （修正有）【課題】より微細な回路を既存の設備で実現することができるうえ、層間剥離現象の発生しないパッケージ基板を製作することができる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。【解決手段】メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層５００を成長させるステップと、前記酸化層の間に導電層６００を形成して微細回路パターンを形成するステップと、前記微細回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に樹脂層７００を形成するステップと、前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行ってパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなる。【選択図】図２ｊ
2006066859.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、
前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、
前記メタルコアの一面上に形成された酸化層の間に導電層を形成して微細回路パターンを形成するステップと、
前記微細回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、
前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行うステップとを含んでなることを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項２】
前記メタルコアの一面上にオープン領域を形成するステップは、
前記メタルコアの一面上に、硬化処理されるドライフィルムを被覆させるステップと、
前記ドライフィルム上に、オープン領域を形成させるための回路パターンが形成されたアートワークフィルムを整合させるステップと、
前記アートワークフィルムを介してドライフィルムに対する紫外線照射を行い、前記ドライフィルムに対する硬化処理を行うステップと、
前記オープン領域に被覆された未硬化処理のドライフィルムに対するエッチングを行って、酸化層が成長するオープン領域を形成するステップとを含んでなることを特徴とする請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３】
前記メタルコアがアルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタニウム、亜鉛、タンタリウムのいずれか一つから構成されたことを特徴とする請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項４】
前記酸化層が、メタルコアの所定の深さまで浸透した溝状であることを特徴とする請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項５】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間に導電性金属を用いた電気メッキ方式によって形成されたことを特徴とする請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項６】
前記導電性金属が銅であることを特徴とする請求項５記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項７】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて形成されたことを特徴とする請求項１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項８】
メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、
前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、
前記メタルコアの一面上に形成された酸化層の間に導電層を形成して微細回路パターンを形成するステップと、
前記酸化層に対するマスキング工程を行い、酸化層に対する選択エッチングを行うステップと、
前記微細回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、
前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行ってパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなることを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項９】
前記メタルコアの一面上にオープン領域を形成するステップは、
前記メタルコアの一面上に、硬化処理されるドライフィルムを被覆させるステップと、
前記ドライフィルム上に、オープン領域を形成させるための回路パターンが形成されたアートワークフィルムを整合させるステップと、
前記アートワークフィルムを介してドライフィルムに対する紫外線照射を行って前記ドライフィルムに対する硬化処理を行うステップと、
前記オープン領域に被覆された未効果処理のドライフィルムに対するエッチングを行って、酸化層が成長するオープン領域を形成するステップとを含んでなることを特徴とする請求項８記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記メタルコアがアルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタニウム、亜鉛、タンタリウムのいずれか一つから構成されたことを特徴とする請求項８記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記酸化層が、メタルコアの所定の深さまで浸透した溝状であることを特徴とする請求項８記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間に導電性金属を用いた電気メッキ方式によって形成されたことを特徴とする請求項８記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１３】
前記導電性金属が銅であることを特徴とする請求項１２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて形成されたことを特徴とする請求項８記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１５】
メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、
前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、
前記酸化層の形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、
前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行うステップと、
前記酸化層に対するマスキング工程を行って酸化層に対する選択エッチングを行うステップと、
前記選択エッチングされた酸化層内に導電層を形成し、微細回路パターンの形成されたパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなることを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項１６】
前記メタルコアの一面上にオープン領域を形成するステップは、
前記メタルコアの一面上に、硬化処理されるドライフィルムを被覆させるステップと、
前記ドライフィルム上に、オープン領域を形成させるための回路パターンが形成されたアートワークフィルムを整合させるステップと、
前記アートワークフィルムを介してドライフィルムに対する紫外線照射を行って前記ドライフィルムに対する硬化処理を行うステップと、
前記オープン領域に被覆された未硬化処理のドライフィルムに対するエッチングを行って、酸化層が成長するオープン領域を形成するステップとを含んでなることを特徴とする請求項１５記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記メタルコアがアルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタニウム、亜鉛、タンタリウムのいずれか一つから構成されたことを特徴とする請求項１５記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記酸化層が、メタルコアの所定の深さまで浸透した溝状であることを特徴とする請求項１５記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間に導電性金属を用いた電気メッキ方式によって形成されたことを特徴とする請求項１５記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記導電性金属が銅であることを特徴とする請求項１９記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２１】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて形成されたことを特徴とする請求項１５記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２２】
前記メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、
前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、
前記メタルコアの一面上に形成された酸化層の間に導電層を形成して微細回路パターンを形成するステップと、
前記回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に、層間の電気的接続を行うメッキポストを形成するステップと、
前記メッキポストの形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、
前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行ってパッケージ用ベース基板を製作するステップと、
前記パッケージ用ベース基板を積層および加圧して多層のパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなることを特徴とするパッケージ基板の製造方法。
【請求項２３】
前記メッキポストの形成後に前記酸化層に対するマスキング工程を行って酸化層に対する選択エッチングを行うステップをさらに含んでなることを特徴とする請求項２２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２４】
前記メタルコアの一面上にオープン領域を形成するステップは、
前記メタルコアの一面上に、硬化処理されるドライフィルムを被覆させるステップと、
前記ドライフィルム上に、オープン領域を形成させるための回路パターンが形成されたアートワークフィルムを整合させるステップと、
前記アートワークフィルムを介してドライフィルムに対する紫外線照射を行って前記ドライフィルムに対する硬化処理を行うステップと、
前記オープン領域に被覆された未硬化処理のドライフィルムに対するエッチングを行って、酸化層が成長するオープン領域を形成するステップとを含んでなることを特徴とする請求項２２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２５】
前記メタルコアがアルミニウム、ニッケル、マグネシウム、チタニウム、亜鉛、タンタリウムのいずれか一つから構成されたことを特徴とする請求項２２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２６】
前記酸化層が、メタルコアの所定の深さまで浸透した溝状であることを特徴とする請求項２２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２７】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間に導電性金属を用いた電気メッキ方式によって形成されたことを特徴とする請求項２２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２８】
前記導電性金属が銅であることを特徴とする請求項２７記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項２９】
前記微細回路パターンが、前記酸化層の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて形成されたことを特徴とする請求項２２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３０】
前記メタルコアの一面上に、層間の電気的接続を行うメッキポストを形成するステップは、
前記微細回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に、硬化処理されるドライフィルムを被覆させるステップと、
前記ドライフィルム上に、メッキポスト形成領域をオープンさせるための回路パターンが形成されたアートワークフィルムを整合させるステップと、
前記アートワークフィルムを介してドライフィルムに対する紫外線照射を行って前記ドライフィルムに対する硬化処理を行うステップと、
前記メッキポスト形成領域に被覆された未効果処理のドライフィルムに対するエッチングを行ってメッキポストオープン領域を形成するステップと、
前記メッキポストオープン領域に、層間の電気的接続を行う導電層を形成するステップとを含んでなることを特徴とする請求項２２記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３１】
前記メッキポストオープン領域に形成され、層間の電気的接続を行う導電層は、導電性金属を用いた電気メッキ方式によって形成されたことを特徴とする請求項３０記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３２】
前記導電性金属が銅であることを特徴とする請求項３１記載のパッケージ基板の製造方法。
【請求項３３】
前記メッキポストオープン領域に形成され、層間の電気的接続を行う導電層は、スクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて形成されたことを特徴とする請求項３０記載のパッケージ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法に関し、より具体的には、メタルコア（Metal Core）に対するマスキング工程によって設けられたオープン領域に陽極酸化を介して酸化層を形成し、前記酸化層の間に前記銅メッキおよびペースト充填を行って微細回路パターンを実現させたパッケージ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント回路基板（Printed Circuit Board：ＰＣＢ）は、フェノール樹脂絶縁板やエポキシ樹脂絶縁板などの一面に銅などの薄板を付着させた後、回路の配線パターンに従ってエッチング（線上の回路のみを残して腐食させて製造する）して必要な回路を構成し、部品を付着搭載させるためのホールを穿孔して製造する。
【０００３】
すなわち、前記プリント回路基板は、配線パターンを介して実装部品を相互電気的に連結し、電源などを供給し且つ部品を機械的に固定させる役割を行う。
【０００４】
最近、プリント回路基板の技術分野において、移動通信機器とデジタル家電市場を中心として産業用機器、事務用機器、通信機器、放送機器、携帯型コンピュータなどいろいろの分野に小型化および薄型化が急激に拡散するにつれて、マイクロＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）、ＣＳＰ（Chip Size Package）などのパッケージ技術が発展してきた。このようなパッケージ技術の発展に伴い、チップが実装されるパッケージ基板に対する製造方法が注目を浴びている。
【０００５】
以下、図１ａ〜図１ｋを参照して従来のビルドアップ方式によって形成されるパッケージ基板の製造工程を詳細に説明する。
【０００６】
ここで、ビルドアップ方式とは、回路パターンが形成される内層を形成し、その上に追加的に外層を１層ずつ積み上げる方式の製造方法をいう。
【０００７】
まず、絶縁層１１を介して両面に薄膜の銅箔層１２が形成された銅張積層板（Copper Clad Laminate：ＣＣＬ）１０を提供する（図１ａ参照）。
【０００８】
ここで、銅張積層板１０は、一般的にプリント回路基板が製造される原板であって、絶縁層１１に銅を薄く張った構造を有するもので、主にガラス／エポキシ銅張積層板が用いられる。
【０００９】
その後、前記銅張積層板１０に対するドリリング加工により、層間の電気的接続を行うビアホール１３を形成し（図１ｂ参照）、前記銅張積層板を構成する銅箔層１２およびビアホール１３に対する無電解銅メッキおよび電解銅メッキを行って銅メッキ層１４を形成する（図１ｃ参照）。
【００１０】
上述したように無電解および電解銅メッキを行った後、前記ビアホール１３の内壁に形成された無電解および電解銅メッキ層１４を保護するためにビアホールの内部領域にペースト２０を充填する（図１ｄ参照）。
【００１１】
ここで、ペースト２０は、絶縁性のインク材質を使用することが一般的であるが、プリント回路基板の使用目的に応じて導電性ペーストも使用できる。
【００１２】
上述したようにビアホールの内部領域をペーストで充填させた後、銅張積層板１０の銅メッキ層１４上に内層回路パターンを形成するためにエッチングレジストパターン３０を形成する（図１ｅ参照）。
【００１３】
ここで、エッチングレジストパターン３０を形成するためには、アークワークフィルムにプリントされた回路パターンを基板上に転写しなければならない。転写方法にはいろいろの方法があるが、最も多く用いられる方法は、紫外線によって、アートワークフィルムにプリントされた回路パターンをドライフィルムに転写する方式である。
【００１４】
この際、回路パターンが転写されたドライフィルムはエッチングレジストとしての役割を行う。よって、エッチング処理を行う場合、エッチングレジストパターン非形成領域の銅メッキ層１４が除去されて所定の内層回路パターン１５が形成されたベース基板を製作する（図１ｆ参照）。
【００１５】
その後、前記内層回路パターン１５の形成されたベース基板上に所定のビルドアップ層を実現するために、層間絶縁を行う樹脂層４０を積層させた後（図１ｇ参照）、前記ベース基板に形成された内層回路パターン１５と後述の外層回路パターンとの電気的接続を行うブラインドビアホール５０を樹脂層４０に形成する（図１ｈ参照）。
【００１６】
この際、前記ブラインドビアホール５０の加工は、機械的ドリリングを使用することもできるが、貫通孔の加工時よりも精密な加工を要するので、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザまたはＣＯ2レーザを用いることが好ましい。
【００１７】
上述したようにブラインドビアホール５０を加工した後、前記加工されたブラインドビアホール５０に対する銅メッキを行うと同時に、所定の外層回路パターンの形成されるメッキ層６０を形成する（図１ｉ参照）。
【００１８】
その後、前記メッキ層に対する所定のマスキング工程を行って外層回路パターン６１を形成し（図１ｊ参照）、前記メッキ層６０に形成された外層回路パターン６１を保護し且つはんだ付け工程で外層回路パターン６１の間に半田ブリッジ現象を防止するためにＰＳＲインク（Photo Imageable Solder Resist Mask Ink）７０を塗布させて最終的なパッケージ基板を完成した（図１ｋ参照）。
【００１９】
上述した銅張積層板１０をコア層として用いて上・下層にビルドアップ（build-up）層を形成するセミアディティブ（Semi-additive）方式を用いたパッケージ基板の製造方法では、銅張積層板１０の使用によって必然的にパッケージ基板の厚さが厚くなり、これにより高速化、高密度、小型化の対応が不可能であるうえ、システムの集積化（system in packaging）を実現することが難しい。
【００２０】
また、上述したように、特許文献１に開示されている従来のパッケージ基板の製造方法は、無電解メッキによるシード層（seed-layer）として電解銅を積み上げた後、ドライフィルムを用いて微細回路を実現するため、一般に５０μｍ以下の微細回路パターンを実現することができないうえ、微細回路パターンに行くほどドライフィルムの層間剥離（delamination）現象が著しくなって不良が発生するという問題点があった。
【００２１】
【特許文献１】大韓民国出願公開第２００３−７３９１９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
本発明は、かかる問題点を解決するためのもので、その目的は、陽極酸化によってメタルコア（Metal Core）のオープン領域に酸化層を形成し、前記酸化層の間に電気銅メッキおよびペースト充填を行って微細回路パターンを実現させたパッケージ基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するために、本発明は、メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、前記酸化層の間に導電層を形成して微細回路パターンを形成するステップと、前記微細回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行ってパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。
【００２４】
また、本発明は、メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、前記酸化層の間に導電層を形成して微細回路パターンを形成するステップと、前記酸化層に対するマスキング工程を行って酸化層に対する選択エッチングを行うステップと、前記微細回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行ってパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。
【００２５】
また、本発明は、メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、前記酸化層の形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行うステップと、前記選択エッチングされた酸化層内に導電層を形成し、微細回路パターンの形成されたパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。
【００２６】
また、本発明は、メタルコアの一面に対するマスキング工程を行ってオープン領域を形成するステップと、前記メタルコアに対する陽極酸化を行い、オープン領域を介して酸化層を成長させるステップと、前記酸化層の間に導電層を形成して微細回路パターンを形成するステップと、前記回路パターンの形成されたメタルコアの一面上に、層間の電気的接続を行うメッキポストを形成するステップと、前記メッキポストの形成されたメタルコアの一面上に樹脂層を形成するステップと、前記メタルコアの他面に対する選択エッチングを行ってパッケージ用ベース基板を製作するステップと、前記パッケージ用ベース基板を積層および加圧して多層のパッケージ用ベース基板を製作するステップとを含んでなる、陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法を提供する。
【００２７】
ここで、本発明は、前記層間の電気的接続を行うメッキポストを形成した後、前記酸化層に対するマスキング工程を行い、酸化層に対する選択エッチングを行うステップをさらに含んで構成することもできる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法によれば、メタルコアのオープン領域に対する陽極酸化を行って酸化層を形成し、前記酸化層の間に電気銅メッキおよびペースト充填を行って微細回路パターンを実現することにより、より微細な回路を既存の設備で実現することができるうえ、層間剥離現象の発生しないパッケージ基板を製作することができるという効果を奏する。
【００２９】
また、本発明は、コアレス（coreless）パッケージ基板を実現することにより、パッケージ基板の軽薄短小化、多機能化およびシステムの集積度を向上させてシステムインパッケージング（system in packaging）を実現することができるという効果も奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、添付図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
【００３１】
図２ａ〜図２ｋを参照して、本発明の第１実施例に係る陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法について説明する。
【００３２】
まず、コアレスパッケージ基板の中心コアとしての役割を行うメタルコア１００を提供する（図２ａ参照）。
【００３３】
ここで、前記メタルコア１００は、厚さ０.２ｍｍ〜１.０ｍｍのアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタニウム（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタリウム（Ｔａ）などの金属から構成されている。
【００３４】
上述したようにメタルコア１００を提供した後、前記メタルコアに対するマスキング工程を行い、陽極酸化による酸化層が成長するオープン領域を形成する。
【００３５】
これをより具体的に説明すると、前記メタルコア１００上に、硬化処理されるドライフィルム（Ｄ／Ｆ）２００を被覆させ、所定形状の回路パターンを有するアートワークフィルム３００を整合させる（図２ｂ）。
【００３６】
その後、前記アートワークフィルム３００を介してドライフィルム２００に対する紫外線照射を行って、前記オープン領域形成部分を除いた残りの領域に形成されたドライフィルムに対する硬化処理を行い（図２ｃ参照）、前記オープン領域に形成された未硬化処理のドライフィルム２００に対するエッチングを行って、酸化層が成長するオープン領域４００を形成する（図２ｄ参照）。
【００３７】
上述したようにメタルコア１００に酸化層の成長するオープン領域４００を形成した後、前記メタルコアに対する陽極酸化（Anodizing）を行って前記オープン領域に回路パターン間絶縁のための酸化層５００を成長させる。
【００３８】
これをより具体的に説明すると、メタルコア１００を硼酸、リン酸、硫酸、クロム酸などの電解液に浸漬した後、メタルコア１００に陽極を印加し電解液に陰極を印加することにより、前記メタルコア１００の一面に形成されたオープン領域４００を介して回路パターン間の電気的絶縁を行う酸化皮膜層（Ａｌ2Ｏ3）を成長させる（すなわち、アルミニウム（Ａｌ）のコアに対する酸化処理を行って成長させる（図２ｅ参照））。
【００３９】
この際、前記成長した酸化層５００は、硬度および硬質皮膜の特性を考慮して最大１００ミクロン程度の厚さに成長させることが好ましい。
【００４０】
その後、前記メタルコア１００のオープン領域４００を除いた残りのメタルコア１００領域を被覆しているドライフィルム２００を剥がすことにより、メタルコア１００上に形成される回路パターン間の電気的絶縁を行う酸化層５００を最終的に形成する（図２ｆ参照）。
【００４１】
ここで、前記酸化層５００は、メタルコア１００に対して所定の深さ浸透した溝状に形成され、これにより層間剥離現象の発生を防止することができる。
【００４２】
また、前記酸化層５００は、最終的に製造されたパッケージ基板から生成される熱を外部に発生させるヒートシンクとしての役割も行う。
【００４３】
上述したようにメタルコア１００のオープン領域４００を介して酸化層５００を形成した後、前記酸化層５００の間に導電層を形成して所定形状の微細回路パターン６００を形成する。
【００４４】
すなわち、前記メタルコア１００の一面に成長した酸化層５００の間に銅などの導電性金属を電気メッキさせて導電層を形成させることにより、電気的信号を伝達する所定形状の微細回路パターンを実現させることができる（図２ｇ参照）。
【００４５】
この際、前記微細回路パターン６００は、酸化層５００の間にスクリーンを用いて導電性ペーストを充填および乾燥させて導電層を形成して実現することができるという点に留意すべきである（図２ｈ参照）。
【００４６】
上述したようにメタルコア１００の一面上に微細回路パターン６００を形成した後、前記メタルコア１００の一面上に形成された微細回路パターン６００を被覆して外部環境から微細回路パターンを保護する樹脂層７００を形成する（図２ｉ参照）。
【００４７】
この際、前記樹脂層７００は、一般にエポキシ基の重合によって生じた熱硬化性樹脂のエポキシ樹脂が主に用いられるが、前記エポキシ樹脂は、１.２３０〜１.１８９範囲の比重、曲げ強度、硬度など機械的性質に優れるうえ、硬化時に揮発性物質の発生および体積の収縮が発生しない。
【００４８】
上述したようにメタルコア１００の一面上に形成される微細回路パターン６００を被覆する樹脂層７００を形成した後、前記メタルコア１００の他面に対する選択エッチングを行うことにより、最終的なパッケージ用ベース基板を完成する（図２ｊおよび図２ｋ参照）。
【００４９】
ここで、図２ｊは酸化層５００の間に銅などの導電性金属を用いた電気銅メッキによって微細回路パターン６００を実現したパッケージ基板の断面図、図２ｋは酸化層５００の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて微細回路パターン６００を実現したパッケージ基板の断面図である。
【００５０】
次に、図３ａ〜図３ｌを参照して、本発明の第２実施例に係る陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法について説明する。
【００５１】
まず、コアレスパッケージ基板の中心コアとしての役割を行い、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタニウム（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタリウム（Ｔａ）などの金属から構成されるメタルコア１００を提供する（図３ａ参照）。
【００５２】
上述したようにメタルコア１００を提供した後、前記メタルコア１００に対するマスキング工程を行い、陽極酸化による酸化層が成長されるオープン領域を形成する。
【００５３】
これをより具体的に説明すると、前記メタルコア１００上に、硬化処理されるドライフィルム（Ｄ／Ｆ）２００を被覆させ、所定形状の回路パターンが形成されたアートワークフィルム３００を整合させる（図３ｂ）。
【００５４】
その後、前記アークワークフィルム３００を介してドライフィルムに対する紫外線照射を行って、前記オープン領域形成部分を除いた残りの領域に形成されたドライフィルム２００に対する硬化処理を行い（図３ｃ参照）、前記オープン領域に形成された未硬化処理のドライフィルム２００に対するエッチングを行って、酸化層が成長するオープン領域４００を形成する（図３ｄ参照）。
【００５５】
上述したようにメタルコア１００に、酸化層の成長するオープン領域４００を形成した後、前記メタルコア１００に対する陽極酸化を行って前記オープン領域４００を介して酸化層を成長させた後（図３ｅ参照）、前記オープン領域４００を除いた残りのメタルコア１００を被覆しているドライフィルム２００を剥がすことにより、回路パターン間の電気的絶縁を行う酸化層５００を最終的に形成する（図３ｆ参照）。
【００５６】
この際、前記オープン領域を介して成長する酸化層は、硬度および硬質皮膜の特性を考慮して２０〜１００ミクロン程度の厚さに成長させることが好ましい。
【００５７】
上述したようにメタルコア１００のオープン領域４００を介して酸化層５００を形成した後、前記酸化層５００の間に導電層を形成して所定形状の微細回路パターンを形成する。
【００５８】
すなわち、前記メタルコア１００の一面に成長した酸化層５００の間に銅などの導電性金属を電気メッキさせて導電層を形成することにより、電気的信号を伝達する所定形状の微細回路パターンを実現することができる（図３ｇ参照）。
【００５９】
この際、前記微細回路パターン６００は、酸化層５００の間にスクリーンを用いて導電性ペーストを充填および乾燥させて導電層を形成することにより実現することもできるという点に留意すべきである（図３ｈ参照）。
【００６０】
上述したようにメタルコアの一面上に微細回路パターン６００を形成した後、前記酸化層に対するマスキング工程によって酸化層を選択エッチングして除去し（図３ｉ参照）、前記メタルコア１００の一面上に形成された微細回路パターン６００を保護する役割をする樹脂層７００を形成する（図３ｊ参照）。
【００６１】
その後、前記メタルコア１００の他面に対する選択エッチングを行うことにより、最終的なパッケージ用ベース基板を完成させる（図３ｋおよび図３ｌ参照）。
【００６２】
ここで、図３ｋは酸化層５００の間に銅などの導電性金属を用いた電気銅メッキによって微細回路パターン６００を実現したパッケージ基板の断面図、図３ｌは酸化層５００の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて微細回路パターン６００を実現したパッケージ基板の断面図である。
【００６３】
以下、図４に基づいて、本発明の第３実施例に係る陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法について説明する。
【００６４】
まず、コアレスパッケージ基板の中心コアとしての役割を果たし、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタニウム（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタリウム（Ｔａ）などの金属から構成されるメタルコア１００を設ける（図４ａ参照）。
【００６５】
上述したようにメタルコア１００を設けた後、前記メタルコア１００に対するマスキングを行い、陽極酸化による酸化層が成長するオープン領域を形成する。
【００６６】
これをより具体的に説明すると、前記メタルコア１００上に、硬化処理されるドライフィルム（Ｄ／Ｆ）２００を被覆させ、所定形状の回路パターンを有するアートワークフィルム３００を整合させる（図４ｂ）。
【００６７】
その後、前記アークワークフィルム３００を介してドライフィルム２００に対する紫外線照射を行って、前記オープン領域形成部分を除いた残りの領域に形成されたドライフィルムに対する硬化処理を行い（図４ｃ参照）、前記オープン領域に形成された未効果処理のドライフィルム２００に対するエッチングを行って、酸化層が成長するオープン領域４００を形成する（図４ｄ参照）。
【００６８】
上述したようにメタルコア１００に、酸化層の成長するオープン領域４００を形成した後、前記メタルコア１００に対する陽極酸化を行って前記オープン領域４００を介して酸化層を成長させた後（図４ｅ参照）、前記オープン領域４００を除いた残りのメタルコア１００を被覆しているドライフィルム２００を剥がすことにより、回路パターン間の電気的絶縁を行う酸化層５００を最終的に形成する（図４ｆ参照）。
【００６９】
この際、前記オープン領域を介して成長する酸化層は、硬度および硬質皮膜の特性を考慮して２０〜１００ミクロン程度の厚さに成長させることが好ましい。
【００７０】
上述したようにメタルコア１００のオープン領域４００を介して酸化層５００を形成した後、前記メタルコア１００の一面上に形成される微細回路パターン６００を外部環境から保護する役割をする樹脂層７００を形成する（図４ｇ参照）。
【００７１】
以後、前記メタルコア１００の他面に対する選択エッチングを行ってメタルコア１００を除去する（図４ｈ参照）。
【００７２】
上述したようにメタルコアに対する選択エッチングを行った後、前記酸化層５００に対するマスキング工程を行うことにより、酸化層５００を選択エッチングして除去する（図４ｉ参照）。
【００７３】
その後、前記酸化層５００の間に導電層を形成し、所定形状の微細回路パターン６００が形成されたパッケージ基板を製作する。
【００７４】
この際、前記微細回路パターン６００は、選択エッチングされた酸化層５００の間に銅などの導電性金属を電気メッキさせて導電層を形成することにより実現する（図４ｊ参照）。
【００７５】
また、前記微細回路パターン６００は、酸化層５００の間にスクリーンを用いて導電性ペーストを充填および乾燥させて導電層を形成することにより実現することもできる（図４ｋ参照）。
【００７６】
ここで、図４ｊは選択エッチングされた酸化層５００の間に銅などの導電性金属を用いた電気銅メッキによって微細回路パターン６００を実現したパッケージ基板の断面図、図４ｋは酸化層５００の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて微細回路パターン６００を実現したパッケージ基板の断面図である。
【００７７】
次に、図５に基づいて、本発明の第４実施例に係る陽極酸化による微細回路パターン付きパッケージ基板の製造方法について説明する。
【００７８】
まず、コアレスパッケージ基板の中心コアとしての役割を果たし、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタニウム（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、タンタリウム（Ｔａ）などの金属から構成されるメタルコア１００を設ける（図５ａ参照）。
【００７９】
上述したようにメタルコア１００を提供した後、前記メタルコア１００に対するマスキングを行い、陽極酸化による酸化層の成長するオープン領域を形成する。
【００８０】
これをより具体的に説明すると、前記メタルコア１００上に、硬化処理されるドライフィルム（Ｄ／Ｆ）２００を被覆させ、所定形状の回路パターンが形成されたアートワークフィルム３００を整合させる（図５ｂ）。
【００８１】
その後、前記アークワークフィルムを介してドライフィルムに対する紫外線照射を行って、前記オープン領域形成部分を除いた残りの領域に形成されたドライフィルムに対する硬化処理を行い（図５ｃ参照）、前記オープン領域に形成された未効果処理のドライフィルム２００に対するエッチングを行って、酸化層の成長するオープン領域４００を形成する（図５ｄ参照）。
【００８２】
上述したようにメタルコア１００に、酸化層の成長するオープン領域４００を形成した後、前記メタルコア１００に対する陽極酸化を行って前記オープン領域４００を介して酸化層を成長させた後（図５ｅ参照）、前記オープン領域４００を除いた残りのメタルコア１００を被覆しているドライフィルム２００を剥がすことにより、回路パターン間の電気的絶縁を行う酸化層５００を最終的に形成する（図５ｆ参照）。
【００８３】
この際、前記オープン領域４００を介して成長する酸化層５００は、硬度および硬質皮膜の特性を考慮して２０〜１００ミクロン程度の厚さに成長させることが好ましい。
【００８４】
上述したようにメタルコア１００のオープン領域４００を介して酸化層５００を形成した後、前記酸化層５００の間に導電層を形成して所定形状の微細回路パターンを形成する。
【００８５】
すなわち、前記メタルコア１００の一面上に成長した酸化層５００の間に銅などの導電性金属を電気メッキさせて導電層を形成することにより、電気的信号を伝達する所定形状の微細回路パターンを実現することができる（図５ｇ参照）。
【００８６】
この際、前記微細回路パターン６００は、酸化層５００の間にスクリーンを用いて導電性ペーストを充填および乾燥させて導電層を形成することにより実現することもできるという点に留意すべきである（図５ｈ参照）。
【００８７】
上述したようにメタルコア１００の一面上に微細回路パターン６００を形成した後、前記微細回路パターン６００の形成されたメタルコア１００の一面上に層間の電気的接続のためのメッキポストを施す。
【００８８】
以下、説明の便宜上、電気メッキによって微細回路パターン付きパッケージ基板の工程を参照してプテーリングポストの形成過程を説明する。
【００８９】
まず、微細回路パターン６００が形成されたメタルコア１００の一面上に、硬化処理されるドライフィルム（Ｄ／Ｆ）２００′を被覆させ（図５ｉ参照）、アートワークフィルムを介してドライフィルムに対する紫外線照射による硬化処理を行うことにより、メッキポストの形成されるオープン領域４００′を形成する（図５ｊ参照）。
【００９０】
その後、前記メッキポストオープン領域４００′に対する電気銅メッキを行って導電層を形成し、前記メッキポスト形成領域を除いた残りの領域に被覆されたドライフィルム２００′を剥がすことにより、層間の電気的信号を伝達するメッキポスト８００を形成する（図５ｋ参照）。
【００９１】
ここで、前記メッキポスト８００は、オープン領域４００′の間にスクリーンを用いた導電性ペーストを充填および乾燥させて実現することもできる。
【００９２】
この際、微細回路パターン６００間の電気的絶縁を行う前記酸化層５００に対するマスキング工程による選択エッチングを行って酸化層５００を除去する工程をさらに含むこともできる（図５ｌ参照）。
【００９３】
上述したように層間の電気的接続を行うメッキポスト８００を形成した後、前記メタルコア１００の一面に形成された微細回路パターン６００を被覆し、外部環境から保護する役割を行う樹脂層７００を形成する（図５ｍ参照）。
【００９４】
その後、前記メタルコア１００の他面に対する選択エッチングを行って、メタルコア１００の除去されたパッケージ用ベース基板を製作した後（図５ｎ参照）、前記パッケージ用ベース基板に、層間の電気的接続を行うメッキポスト８００を整合させた状態で積層および加圧して多層のパッケージ用ベース基板を製作する（図５ｏ〜図５ｒ参照）。
【００９５】
ここで、図５ｏは本発明に係る電気メッキによって微細回路パターン６００およびメッキポスト８００が形成されたベース基板を積層して形成された多層のパッケージ基板の断面図、図５ｐは本発明に係るスクリーン印刷によって微細回路パターン６００およびメッキポスト８００が形成されたベース基板を積層して形成された多層のパッケージ基板の断面図である。
【００９６】
また、図５ｑは本発明に係る選択エッチングによって除去された酸化層５００の間に電気メッキによる微細回路パターン６００およびメッキポスト８００が形成されたベース基板を積層して形成された多層のパッケージ基板の断面図、図５ｒは本発明に係る選択エッチングによって除去された酸化層５００の間にスクリーン印刷による微細回路パターン６００およびメッキポスト８００が形成されたベース基板を積層して形成された多層のパッケージ基板の断面図である。
【００９７】
ここで、上述した本明細書では好適な実施例を挙げて説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲によって定義された本発明の思想および領域から逸脱することなく、本発明を様々に修正および変更することが可能であることを理解できよう。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１ａ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｂ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｃ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｄ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｅ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｆ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｇ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｈ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｉ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｊ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図１ｋ】従来のビルドアップ方式によるパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ａ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｂ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｃ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｄ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｅ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｆ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｇ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｈ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｉ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｊ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図２ｋ】本発明の第１実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ａ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｂ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｃ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｄ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｅ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｆ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｇ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｈ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｉ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｊ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｋ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図３ｌ】本発明の第２実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ａ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｂ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｃ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｄ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｅ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｆ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｇ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｈ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｉ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｊ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図４ｋ】本発明の第３実施例に係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ａ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｂ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｃ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｄ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｅ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｆ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｇ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｈ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｉ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｊ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｋ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｌ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｍ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｎ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｏ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｐ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｑ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【図５ｒ】本発明の第４実施例係る陽極酸化を用いた微細回路パターン付きパッケージ基板の製造工程を示す工程図である。
【符号の説明】
【００９９】
１００    メタルコア
２００、２００′  ドライフィルム
３００    アートワークフィルム
４００、４００′  オープン領域
５００    酸化層
６００    微細回路パターン
７００、７００′  樹脂層
８００    メッキポスト
【図１ａ】
2006066859.tif 000003
【図１ｂ】
2006066859.tif 000004
【図１ｃ】
2006066859.tif 000005
【図１ｄ】
2006066859.tif 000006
【図１ｅ】
2006066859.tif 000007
【図１ｆ】
2006066859.tif 000008
【図１ｇ】
2006066859.tif 000009
【図１ｈ】
2006066859.tif 000010
【図１ｉ】
2006066859.tif 000011
【図１ｊ】
2006066859.tif 000012
【図１ｋ】
2006066859.tif 000013
【図２ａ】
2006066859.tif 000014
【図２ｂ】
2006066859.tif 000015
【図２ｃ】
2006066859.tif 000016
【図２ｄ】
2006066859.tif 000017
【図２ｅ】
2006066859.tif 000018
【図２ｆ】
2006066859.tif 000019
【図２ｇ】
2006066859.tif 000020
【図２ｈ】
2006066859.tif 000021
【図２ｉ】
2006066859.tif 000022
【図２ｊ】
2006066859.tif 000023
【図２ｋ】
2006066859.tif 000024
【図３ａ】
2006066859.tif 000025
【図３ｂ】
2006066859.tif 000026
【図３ｃ】
2006066859.tif 000027
【図３ｄ】
2006066859.tif 000028
【図３ｅ】
2006066859.tif 000029
【図３ｆ】
2006066859.tif 000030
【図３ｇ】
2006066859.tif 000031
【図３ｈ】
2006066859.tif 000032
【図３ｉ】
2006066859.tif 000033
【図３ｊ】
2006066859.tif 000034
【図３ｋ】
2006066859.tif 000035
【図３ｌ】
2006066859.tif 000036
【図４ａ】
2006066859.tif 000037
【図４ｂ】
2006066859.tif 000038
【図４ｃ】
2006066859.tif 000039
【図４ｄ】
2006066859.tif 000040
【図４ｅ】
2006066859.tif 000041
【図４ｆ】
2006066859.tif 000042
【図４ｇ】
2006066859.tif 000043
【図４ｈ】
2006066859.tif 000044
【図４ｉ】
2006066859.tif 000045
【図４ｊ】
2006066859.tif 000046
【図４ｋ】
2006066859.tif 000047
【図５ａ】
2006066859.tif 000048
【図５ｂ】
2006066859.tif 000049
【図５ｃ】
2006066859.tif 000050
【図５ｄ】
2006066859.tif 000051
【図５ｅ】
2006066859.tif 000052
【図５ｆ】
2006066859.tif 000053
【図５ｇ】
2006066859.tif 000054
【図５ｈ】
2006066859.tif 000055
【図５ｉ】
2006066859.tif 000056
【図５ｊ】
2006066859.tif 000057
【図５ｋ】
2006066859.tif 000058
【図５ｌ】
2006066859.tif 000059
【図５ｍ】
2006066859.tif 000060
【図５ｎ】
2006066859.tif 000061
【図５ｏ】
2006066859.tif 000062
【図５ｐ】
2006066859.tif 000063
【図５ｑ】
2006066859.tif 000064
【図５ｒ】
2006066859.tif 000065