(57)【要約】  【課題】  低廉で信頼性の高い半導体装置を提供する。  【解決手段】  パワー素子である第１の半導体チップ１と、前記パワー素子を制御する制御回路が形成される第２の半導体チップ２とを備え、前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続される電極パッド１Ａを第１の半導体チップ１の表面中央部に設けている半導体装置。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー素子である第１の半導体チップと、前記パワー素子を制御する制御回路が形成される第２の半導体チップとを備え、
前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続される電極パッドを前記第１の半導体チップの表面中央部に設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続され前記第１の半導体チップの表面中央部に設られる電極パッドと、前記第２の半導体チップの表面に設けられる電極パッドとをワイヤーを介して接続し、前記ワイヤーの一端をダブルボンディングしている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダブルボンディングがステッチボンディングとボールボンディングからなる請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッド周辺部の半導体チップ表面に絶縁膜に設ける請求項２又は請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドの表面に凹凸を設ける請求項２〜４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
多層配線プロセスを用いて前記凹凸を形成する請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ワイヤーの他端がボンディングされる電極パッドが、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドよりも上方に位置する請求項２〜６のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ワイヤーがＰｄを含有する金合金線である請求項２〜７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置を製造する方法であって、
ワイヤボンディング時にワイヤボンディング動作が停止した場合、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップがダイボンドされているリードフレームのクランプを解除し、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップがダイボンドされているリードフレームをワイヤボンド装置のヒータ部から直ぐに強制搬出する制御を行うワイヤボンド装置を用いて、前記半導体装置のワイヤボンディングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置並びにその製造方法及びそれを用いた電子機器に関する。特に、パワー素子である第１の半導体チップと、前記パワー素子を制御する制御回路が形成される第２の半導体チップとを備える半導体装置並びにその製造方法及びそれを用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源用半導体装置では、１チップ構成で実現可能な限界以上の低損失性と電源用の半導体装置として求められる安定性とを両立させるために、２チップ構成（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）が提案され、製品化されている。
【０００３】
ここで、従来の２チップ構成の半導体装置の一構成例について説明する。パッケージ封止前における従来の２チップ構成の半導体装置の上面図を図８に示す。図８に示す構成にパッケージ封止を施したものが、従来の２チップ構成の半導体装置の最終形状となる。
【０００４】
図８に示す従来の２チップ構成の半導体装置は、パワー素子である第１の半導体チップ１と、前記パワー素子を制御する制御回路が形成される第２の半導体チップ２と、リードフレーム３と備えている。なお、ここでは前記パワー素子がＰＮＰ型トランジスタである場合について説明する。
【０００５】
前記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタに電気的に接続されている電極パッド（以下、エミッタパッドという）１Ａと、前記ＰＮＰ型トランジスタのベースに電気的に接続されている電極パッド（以下、ベースパッドという）１Ｂとが、第１の半導体チップ１の上面周縁部に設けられている。また、前記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタに電気的に接続されている電極（図示せず）が第１の半導体チップ１の下面に設けられている。また、複数の電極パッドが半導体チップ２の上面周縁部に設けられている。
【０００６】
エミッタパッド１Ａは、リードフレーム３のリードと第２半導体チップ２の電極パッドそれぞれにＡｕ線（金線）４によって電気的に接続される。また、ベースパッド１Ｂは、第２半導体チップ２の他の電極パッドにＡｕ線４によって電気的に接続される。
【０００７】
第１の半導体チップ１は、高融点はんだ５によってリードフレーム３のアイランドにダイボンドされている。したがって、第１の半導体チップ１の下面とリードフレーム３のアイランドとは電気的に接続されている。また、第２の半導体チップ２は、絶縁性ペースト（例えばエポキシ樹脂）６によってリードフレーム３のアイランドにダイボンドされている。したがって、第２の半導体チップ２の下面とリードフレーム３のアイランドとは絶縁されている。
【特許文献１】特開平３−２１８０５９号公報
【特許文献２】特開平１０−２５６４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
電源用半導体装置に対する市場要望として、外装はんだメッキの鉛フリー化に対応するための耐熱性の向上、耐熱温度の高温対応、又は車載対応等の高い信頼性が求められている。しかし、その反面、電源用半導体装置に対しては低価格が強く要望されており、価格を上昇させることなく、高い信頼性を確保する必要がある。価格の上昇を抑えるためにはパワー素子である半導体チップのチップサイズを小さくしなければならないが、パワー素子である半導体チップのチップサイズを小さく設計すると、上述した図８に示す従来の２チップ構成の半導体装置においてはパワー素子である半導体チップに流すことのできる電流の限界値（半導体チップが破壊するまでの電流の限界値）が小さくなり、高い信頼性を確保することができなかった。
【０００９】
また、電源用半導体装置においては、発熱に対する考慮が必要であり、熱対策が重要となっている。そして、電源用半導体装置内で発生する熱は、電源用半導体装置のワイヤーと半導体チップとのボンディング部分の信頼性に大きく影響する。
【００１０】
半導体チップの電極パッドの材質は通常Ａｌ（アルミニウム）であり、ワイヤーには通常Ａｕ線が用いられるので、ワイヤボンダ装置を使用して半導体チップの電極パッドとワイヤーとを超音波熱圧着によってボンディングした場合、ボンディング部分にＡｌとＡｕの合金層が形成される。そして、半導体チップの電極パッドとワイヤーとの接触面積が小さいほど、このＡｌとＡｕの合金層（金属間化合物）が熱により劣化して信頼性への影響が出るまでにかかる時間が短くなる。
【００１１】
本発明は、上記の問題点に鑑み、低廉で信頼性の高い半導体装置並びにその製造方法及びそれを用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明に係る半導体装置は、パワー素子である第１の半導体チップと、前記パワー素子を制御する制御回路が形成される第２の半導体チップとを備え、前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続される電極パッドを前記第１の半導体チップの表面中央部に設ける構成としている。
【００１３】
このような構成によると、前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続される電極パッドを前記第１の半導体チップの表面中央部に設けているので、前記第１の半導体チップ内に流れる電流の分布が均一化される。これにより、低コスト化を図るために前記第１の半導体チップのチップサイズを小さく設計しても、前記第１の半導体チップに流すことのできる電流の限界値（前記第１の半導体チップが破壊するまでの電流の限界値）の低減を最小限にすることができ、高い信頼性を確保することができる。
【００１４】
また、上記構成において、前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続され前記第１の半導体チップの表面中央部に設られる電極パッドと、前記第２の半導体チップの表面に設けられる電極パッドとをワイヤーを介して接続し、前記ワイヤーの一端をダブルボンディングしてもよい。なお、前記ダブルボンディングの一例としては、ステッチボンディングとボールボンディングからなるダブルボンディングが挙げられる。
【００１５】
このような構成によると、前記パワー素子が有する駆動端子の一つに電気的に接続され前記第１の半導体チップの表面中央部に設られる電極パッドに前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる場合には前記第１の半導体チップの価格を上昇させずに、又、前記第２の半導体チップの表面に設けられる電極パッドに前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる場合には前記第２の半導体チップの価格を上昇させずに、前記ワイヤーの一端と前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドとの接触面積を大きくすることができる。これにより、前記ワイヤーの一端と前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドとの接触部分に形成される金属間化合物が熱により劣化して信頼性への影響が出るまでにかかる時間を長くすることができる。
【００１６】
また、上記ダブルボンディングがなされた構成において、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッド周辺部の半導体チップ表面に絶縁膜に設けてもよい。
【００１７】
このような構成によると、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッド周辺部の半導体チップ表面に絶縁膜に設けているので、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされることにより電極パッドからはみ出しても不具合が生じない。
【００１８】
また、上記ダブルボンディングがなされた構成において、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドの表面に凹凸を設けてもよい。なお、前記凹凸の形成方法の一例としては、多層配線プロセスを用いた形成方法が挙げられる。
【００１９】
このような構成によると、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドの表面に凹凸を設けているので、前記ワイヤーの一端と前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドとの接触面積をより一層大きくすることができる。
【００２０】
また、上記ダブルボンディングがなされた構成において、前記ワイヤーの他端がボンディングされる電極パッドが、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドよりも上方に位置するようにしてもよい。
【００２１】
このような構成によると、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドと前記ワイヤーのなす角が大きくなるので、前記ワイヤーの一端がダブルボンディングされる電極パッドから前記ワイヤーの一端がはみ出す可能性を低減することができる。なお、ここでは、電極パッドのチップ接触面からワイヤー接触面へ向かう方向を上向きとし、電極パッドのワイヤー接触面からチップ接触面へ向かう方向を下向きとして、上下を定義している。
【００２２】
また、上記ダブルボンディングがなされた構成において、前記ワイヤーとしてＰｄを含有する金合金線を用いてもよい。
【００２３】
このような構成によると、前記ワイヤーと電極パッドとの接触部分に形成される金属間化合物の熱による劣化を低減することができる。
【００２４】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ワイヤボンディング時にワイヤボンディング動作が停止した場合、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップがダイボンドされているリードフレームのクランプを解除し、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップがダイボンドされているリードフレームをワイヤボンド装置のヒータ部から直ぐに強制搬出する制御を行うワイヤボンド装置を用いて、前記半導体装置のワイヤボンディングを行うようにしている。
【００２５】
このような製造方法によると、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップがダイボンドされているリードフレームが高温状態に長時間さらされるおそれがなくなり、温度に対する信頼性を向上させることができる。
【００２６】
また、本発明に係る電子機器は、上記いずれかの構成の本発明に係る半導体装置を備えている。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によると、低廉で信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の一実施形態について図面を参照して以下に説明する。エポキシ樹脂等によるパッケージ封止前における本発明に係る半導体装置の上面図を図１に示す。図１に示す構成にエポキシ樹脂等によるパッケージ封止を施したものが、本発明に係る半導体装置の最終形状となる。なお、図１において図８と同一の部分には同一の符号を付す。
【００２９】
図１に示す本発明に係る半導体装置は、パワー素子である第１の半導体チップ１と、前記パワー素子を制御する制御回路が形成される第２の半導体チップ２と、リードフレーム３と備えている。なお、本実施形態では前記パワー素子がＰＮＰ型トランジスタである場合について説明する。
【００３０】
エミッタパッド（上記ＰＮＰ型トランジスタのエミッタに電気的に接続されている電極パッド）１Ａが第１の半導体チップ１の上面中央部に設けられ、ベースパッド（上記ＰＮＰ型トランジスタのベースに電気的に接続されている電極パッド）１Ｂが第１の半導体チップ１の上面周縁部に設けられている。また、上記ＰＮＰ型トランジスタのコレクタに電気的に接続されている電極（図示せず）が第１の半導体チップ１の下面に設けられている。また、複数の電極パッドが第２の半導体チップ２の上面周縁部に設けられている。
【００３１】
エミッタパッド１Ａは、リードフレーム３のリードと第２の半導体チップ２の電極パッドそれぞれにＡｕ線４によって電気的に接続される。また、ベースパッド１Ｂは、第２の半導体チップ２の他の電極パッドにＡｕ線４によって電気的に接続される。
【００３２】
第１の半導体チップ１は、高融点はんだ５によってリードフレーム３のアイランドにダイボンドされている。したがって、第１の半導体チップ１の下面とリードフレーム３のアイランドとは電気的に接続されている。また、第２の半導体チップ２は、絶縁性ペースト（例えばエポキシ樹脂）６によってリードフレーム３のアイランドにダイボンドされている。したがって、第２の半導体チップ２の下面とリードフレーム３のアイランドとは絶縁されている。
【００３３】
図１に示す本発明に係る半導体装置では、エミッタパッド１Ａを第１の半導体チップ１の上面中央部に設けているので、第１の半導体チップ１内に流れる電流の分布が均一化されるとともに、第１の半導体チップ１内に電流が流れることに伴って発生する熱の分布が第１の半導体チップ１内で均一化される。そして、第１の半導体チップ１内で発生した熱は、第１の半導体チップ１の下面からリードフレーム３に放熱される。これにより、低コスト化を図るために第１の半導体チップ１のチップサイズを小さく設計しても、第１の半導体チップ１に流すことのできる電流の限界値（第１の半導体チップ１が破壊するまでの電流の限界値）の低減を最小限にすることができ、高い信頼性を確保することができる。
【００３４】
通常、図８や図１に示す２チップ構成の半導体装置では、Ａｕ線４の一端が超音波圧着により第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａにステッチボンディングされ、Ａｕ線４の他端が超音波圧着により第２の半導体チップ２の電極パッド２ＡにＡｕボールを用いてボールボンディングされる。図１に示す本発明に係る半導体装置においてこのようなワイヤボンディングが行われた場合、図１に示す本発明に係る半導体装置の概略要部側面図は図２に示すようになる。
【００３５】
図３は、図２の部分拡大図である。Ａｕ線４と材質がＡｌ（アルミニウム）であるエミッタパッド１Ａとの接触部分に、ＡｌとＡｕの合金層（金属間化合物）７が形成される。
また、図３には示していないが、Ａｕ線４と材質がＡｌ（アルミニウム）である電極パッド２Ａとの接触部分にも、ＡｌとＡｕの合金層（金属間化合物）が形成される。
【００３６】
Ａｕ線４の他端と第２の半導体チップ２の電極パッド２Ａとはボールボンディングされ、Ａｕ線４と電極パッド２Ａとの接触面積が大きいので、Ａｕ線４と電極パッド２Ａとの接触部分に形成される金属間化合物が熱により劣化して信頼性への影響が出るまでにかかる時間が長くなる。これに対して、Ａｕ線４の一端と第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａとはステッチボンディングされ、Ａｕ線４とエミッタパッド１Ａとの接触面積が小さいので、Ａｕ線４とエミッタパッド１Ａとの接触部分に形成される金属間化合物７が熱により劣化して信頼性への影響が出るまでにかかる時間が短くなる。
【００３７】
金属間化合物７が熱により劣化して信頼性への影響が出るまでにかかる時間を長くするためには、Ａｕ線４の線径とエミッタパッド１Ａとを大きくしてＡｕ線４とエミッタパッド１Ａとの接触面積を大きくする方法があるが、かかる方法を採用すると第１の半導体チップ１のサイズが大きくなり、第１の半導体チップ１の価格が上昇するという問題がある。
【００３８】
第１の半導体チップ１の価格を上昇させずに、Ａｕ線４の一端とエミッタパッド１Ａとの接触部分に形成される金属間化合物７が熱により劣化して信頼性への影響が出るまでにかかる時間を長くするために、Ａｕ線４の一端を超音波圧着により第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａにダブルボンディングするとよい。ダブルボンディングの一例としては、ステッチボンディングを行った後にＡｕボールを用いてボールボンディングを行う方法が挙げられる。これに対して、Ａｕ線４の他端は超音波圧着により第２の半導体チップ２の電極パッド２ＡにＡｕボールを用いてボールボンディングされる。
【００３９】
図１に示す本発明に係る半導体装置においてこのようなワイヤボンディングが行われた場合、図１に示す本発明に係る半導体装置の概略要部側面図は図４（ａ）に示すようになり、Ａｕ線４の一端の上面図は図４（ｂ）に示すようになる。Ａｕ線４の一端には、ステッチボンディングによりステッチボンド部８が形成され、その後ボールボンディングによりボールボンド部９が形成される。
【００４０】
また、Ａｕ線４の一端がエミッタパッド１Ａにダブルボンディングされるので、Ａｕ線４の一端がエミッタパッド１Ａからはみ出す可能性がある。したがって、図４（ａ）に示すようにエミッタパッド１Ａ周辺部の第１の半導体チップ１上面に絶縁膜１Ｃを設けることが望ましい。
【００４１】
また、Ａｕ線４の一端とエミッタパッド１Ａとの接触面積をより一層大きくする観点から、Ａｕ線４の一端を超音波圧着により第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａにダブルボンディングすることに加えて、エミッタパッド１Ａ表面に凹凸を設けることが望ましい。このようにエミッタパッド１Ａ表面に凹凸を設けた場合、図１に示す本発明に係る半導体装置の概略要部側面図は図５に示すようになる。エミッタパッド１Ａ表面に凹凸を設ける方法の例としては、多層配線プロセスを用いて第１のアルミニウム層１０と第２のアルミニウム層１１を形成し、第１のアルミニウム層１０と第２のアルミニウム層１１によってエミッタパッド１Ａを構成する方法が挙げられる。なお、ダブルボンディングによりＡｕ線４の一端の一部がエミッタパッド１Ａ表面の凹部に進入するが、エミッタパッド１Ａ表面の凹凸構造を分かりやすくするために図５においてはこれを省略している。
【００４２】
また、Ａｕ線４の一端がエミッタパッド１Ａからはみ出す可能性を低減する観点から、第２の半導体チップ２の電極パッド２Ａを第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａより上方に位置させることが望ましい。なお、ここでは、電極パッドのチップ接触面からＡｕ線接触面へ向かう方向を上向きとし、電極パッドのＡｕ線接触面からチップ接触面へ向かう方向を下向きとして、上下を定義している。
【００４３】
第２の半導体チップ２の電極パッド２Ａを第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａより上方に位置させると、エミッタパッド１ＡとＡｕ線４のなす角θ（図６、図７参照）が大きくなるので、Ａｕ線４の一端がエミッタパッド１Ａからはみ出す可能性を低減することができる。
【００４４】
第２の半導体チップ２の電極パッド２Ａを第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａより上方に位置させる方法の例としては、第２の半導体チップ２の厚さを第１の半導体チップ１の厚さよりも厚くする第１の方法や第１の半導体チップ１をダイボンドする箇所のリードフレーム３の厚さを第２の半導体チップ２をダイボンドする箇所のリードフレーム３の厚さよりも薄くする第２の方法が挙げられる。
【００４５】
上記第１の方法を採用した場合、図１に示す本発明に係る半導体装置の概略要部側面図は図６に示すようになる。また、上記第２の方法を採用した場合、図１に示す本発明に係る半導体装置のリードフレームに変形を施すことになり、その場合の概略要部側面図は図７に示すようになる。
【００４６】
また、ワイヤーと電極パッドの接触部分に形成される金属間化合物の熱による劣化を低減する観点から、Ａｕ線４の代わりにＰｄを含有するＡｕ合金線を用いることが望ましい。上記Ａｕ合金線のＰｄ含有量は約１重量％程度が最適である。
【００４７】
上述した本発明に係る半導体装置の製造においては、リードフレーム３に第１の半導体チップ１及び第２の半導体チップ２をダイボンディングするダイボンド工程の後、チップ同士をワイヤーでボンディングし、各チップとリードをワイヤーでボンディングするワイヤボンド工程が行われる。そして、ワイヤボンド工程では、超音波熱圧着方式によりボンディングを行うワイヤボンド装置が使用される。
【００４８】
なお、ワイヤボンディング時に認識エラー等でワイヤボンディング動作が停止した場合、第１の半導体チップ１及び第２の半導体チップ２がダイボンドされているリードフレーム３のクランプを解除し、第１の半導体チップ１及び第２の半導体チップ２がダイボンドされているリードフレーム３をワイヤボンド装置のヒータ部から直ぐに強制搬出する制御を行うワイヤボンド装置を用いることが望ましい。
【００４９】
上記ワイヤボンド装置を用いると、第１の半導体チップ１及び第２の半導体チップ２がダイボンドされているリードフレーム３が高温状態に長時間さらされるおそれがなくなり、温度に対する信頼性を向上させることができる。ワイヤボンド時のヒータ温度は約２８０℃前後であり、信頼性への影響が現れる温度は２００℃以上であり、２７０℃以上になると顕著に悪くなる傾向が見られるので、上記ワイヤボンド装置を用いることは温度に対する信頼性の向上に有用である。
【００５０】
本発明に係る半導体装置は、ＴＶ、ＶＴＲ、ＤＶＤプレーヤ、ＤＶＤレコーダー、パーソナルコンピュータ、及びパーソナルコンピュータ周辺機器等の各種電子機器に搭載され、当該電子機器を安定して動作させるために用いられる。この場合、本発明に係る半導体装置が具備するパワー素子は、例えばスイッチングレギュレータのスイッチング素子として用いられる。
【００５１】
なお、本実施形態では、図４〜図７を参照して、Ａｕ線４の一端が超音波圧着により第１の半導体チップ１のエミッタパッド１Ａにダブルボンディングされ、Ａｕ線４の他端が超音波圧着により第２の半導体チップ２の電極パッド２ＡにＡｕボールを用いてボールボンディングされた半導体装置について説明したが、本発明に係る半導体装置は、Ａｕ線４の一端が超音波圧着により第１の半導体チップ１のエミッタパッド１ＡにＡｕボールを用いてボールボンディングされＡｕ線４の他端が超音波圧着により第２の半導体チップ２の電極パッド２Ａにダブルボンディングされる構成であっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】は、パッケージ封止前における本発明に係る半導体装置の上面図である。
【図２】は、図１に示す本発明に係る半導体装置の概略要部側面図である。
【図３】は、図２の部分拡大図である。
【図４】は、図１に示す本発明に係る半導体装置の他の概略要部側面図及び部分拡大上面図である。
【図５】は、図１に示す本発明に係る半導体装置の更に他の概略要部側面図である。
【図６】は、図１に示す本発明に係る半導体装置の更に他の概略要部側面図である。
【図７】は、図１に示す本発明に係る半導体装置のリードフレームに変形を施した場合の概略要部側面図である。
【図８】は、パッケージ封止前における従来の２チップ構成の半導体装置の上面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１  第１の半導体チップ
１Ａ  エミッタパッド
１Ｂ  ベースパッド
１Ｃ  絶縁膜
２  第２の半導体チップ
２Ａ  電極パッド
３  リードフレーム
４  Ａｕ線
５  高融点はんだ
６  絶縁性ペースト
７  金属間化合物
８  ステッチボンド部
９  ボールボンド部
１０  第１のアルミニウム層
１１  第２のアルミニウム層
【図１】
2006073826.tif 000003
【図２】
2006073826.tif 000004
【図３】
2006073826.tif 000005
【図４】
2006073826.tif 000006
【図５】
2006073826.tif 000007
【図６】
2006073826.tif 000008
【図７】
2006073826.tif 000009
【図８】
2006073826.tif 000010