(57)【要約】【課題】気密構造体を有するデバイス及びその製造方法において、電圧極性を考慮する必要のない電気配線と気密漏れを発生させることのない気密構造体を実現する。【解決手段】デバイス１は、シリコン基板２とガラス構造体３とを用いて気密空間５を形成した気密構造体内に電子素子４を実装してなり、シリコン基板２は、その表面に形成された第１の絶縁膜２１と、第１の絶縁膜２１の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜２２と、導電膜２２の上部に形成された第２の絶縁膜２３と、第２の絶縁膜２３の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜２４と、を備えており、ガラス構造体３は、気密構造を取るようにシリコン基板２上方の平坦研磨されたポリシリコン膜２４に接合され、導電膜２２は、ガラス構造体３とポリシリコン膜２４の接合部３０の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板とガラス構造体とを用いて形成した気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスであって、
前記シリコン基板は、当該シリコン基板の表面に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜と、
前記導電膜の上部に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜と、を備え、
前記ガラス構造体は、気密構造を取るように前記シリコン基板上方の平坦研磨されたポリシリコン膜に接合され、
前記導電膜は、前記ガラス構造体とポリシリコン膜の接合部の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続していることを特徴とする気密構造体を有するデバイス。
【請求項２】
前記第１及び第２の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜であることを特徴とする請求項１に記載の気密構造体を有するデバイス。
【請求項３】
シリコン基板とガラス構造体とを用いて形成した気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスであって、
前記シリコン基板は、当該シリコン基板の表面に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜と、
前記導電膜の上部に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜と、
前記平坦研磨されたポリシリコン膜の上部に形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上部に形成されたアルミニューム膜と、を備え、
前記ガラス構造体は、気密構造を取るように前記シリコン基板上方のアルミニューム膜に接合され、
前記導電膜は、前記ガラス構造体とアルミニューム膜の接合部の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続していることを特徴とする気密構造体を有するデバイス。
【請求項４】
前記第１、第２、及び第３の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜であることを特徴とする請求項３に記載の気密構造体を有するデバイス。
【請求項５】
シリコン基板とガラス構造体による気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスの製造方法であって、
シリコン基板表面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上部に導電膜を形成し、
前記導電膜を所定の形状にパターニングし、
前記導電膜の上部に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の上部にポリシリコン膜を形成し、
前記ポリシリコン膜を平坦に研磨し、
前記シリコン基板上方の平坦に研磨されたポリシリコン膜に前記ガラス構造体を載置し、
前記ポリシリコン膜とガラス構造体とを加熱するとともに電界を印加して気密構造を取るように前記ポリシリコン膜とガラス構造体とを接合する工程を備えることを特徴とする気密構造体を有するデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜がシリコン熱酸化膜であり、前記第２の絶縁膜がＣＶＤシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜であることを特徴とする請求項５に記載の気密構造体を有するデバイスの製造方法。
【請求項７】
シリコン基板とガラス構造体による気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスの製造方法であって、
シリコン基板表面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上部に導電膜を形成し、
前記導電膜を所定の形状にパターニングし、
前記導電膜の上部に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜の上部にポリシリコン膜を形成し、
前記ポリシリコン膜を平坦に研磨し、
前記平坦研磨されたポリシリコン膜の上部に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜の上部にアルミニューム膜を形成し、
前記シリコン基板上方のアルミニューム膜に前記ガラス構造体を載置し、
前記アルミニューム膜とガラス構造体とを加熱するとともに電界を印加して気密構造を取るように前記アルミニューム膜とガラス構造体とを接合する工程を備えることを特徴とする気密構造体を有するデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜がシリコン熱酸化膜であり、前記第２及び第３の絶縁膜がＣＶＤシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜であることを特徴とする請求項７に記載の気密構造体を有するデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気密構造体を有するデバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、立体的に微細加工を行うマイクロマシニング技術により形成されるＭＥＭＳセンサ（ＭＥＭＳ：  Ｍｉｃｒｏ  ＥｌｅｃｔｒｏＭｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの電子素子の開発が進展している。例えば、静電容量の変化を検出する圧力センサや赤外線センサがある。このような電子素子の性能を十分に引き出すため、気密構造体内に電子素子を実装することが行われる。気密構造体を形成する代表的な方法として、加工されたガラスやシリコンのそれぞれの平坦な面からなる接合部を陽極接合する方法がある。この接合部に配線などによる段差が存在すると陽極接合が不完全となり気密構造に気密漏れが発生する。そこで、電子素子を気密構造体内に封止して実装したデバイスの場合、気密漏れを発生させることなく内部の電子素子から電気配線を外部に取り出す必要がある。
【０００３】
上述のデバイスの例を、図７を参照して説明する。このデバイスは、例えば、Ｎ型のシリコン基板２の表面に電子素子４を形成し、シリコン基板２の表面に配置したガラス構造体３とシリコン基板２とを接合部３９において陽極接合して気密構造体を形成することにより、気密構造体内に電子素子４を実装した構造になっている。電子素子４からの電気配線４１は、Ｎ型シリコン基板２の内層に埋め込んで形成されたＰ型の高濃度拡散層２８と、これに接続するようにシリコン基板２の表面から形成されたＰ型の深い高濃度拡散層２９とを介して、外部の電気配線４４へと接続されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−７８５５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した図７や特許文献１示されるような高濃度拡散層を用いて電気接続するデバイスにおいては、気密漏れの発生は抑制されているが、ＰＮ接合の向きに依存して電圧の極性を考慮する必要があり、また、ＰＮ接合におけるリーク電流や、リーク電流の温度特性を考慮してデバイスを設計し、また、用いる必要がある。
【０００５】
本発明は、上記課題を解消するものであって、電圧極性を考慮する必要のない電気配線を備え、気密漏れを発生させることのない気密構造体を有するデバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を達成するために、請求項１の発明は、シリコン基板とガラス構造体とを用いて形成した気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスであって、前記シリコン基板は、当該シリコン基板の表面に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜と、前記導電膜の上部に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜と、を備え、前記ガラス構造体は、気密構造を取るように前記シリコン基板上方の平坦研磨されたポリシリコン膜に接合され、前記導電膜は、前記ガラス構造体とポリシリコン膜の接合部の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続していることを特徴とする気密構造体を有するデバイスである。
【０００７】
請求項２の発明は、請求項１に記載の気密構造体を有するデバイスにおいて、前記第１及び第２の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜のものである。
【０００８】
請求項３の発明は、シリコン基板とガラス構造体とを用いて形成した気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスであって、前記シリコン基板は、当該シリコン基板の表面に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜と、前記導電膜の上部に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜と、前記平坦研磨されたポリシリコン膜の上部に形成された第３の絶縁膜と、前記第３の絶縁膜の上部に形成されたアルミニューム膜と、を備え、前記ガラス構造体は、気密構造を取るように前記シリコン基板上方のアルミニューム膜に接合され、前記導電膜は、前記ガラス構造体とアルミニューム膜の接合部の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続していることを特徴とする気密構造体を有するデバイスである。
【０００９】
請求項４の発明は、請求項３に記載の気密構造体を有するデバイスにおいて、前記第１、第２、及び第３の絶縁膜がシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜のものである。
【００１０】
請求項５の発明は、シリコン基板とガラス構造体による気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスの製造方法であって、シリコン基板表面に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜の上部に導電膜を形成し、前記導電膜を所定の形状にパターニングし、
前記導電膜の上部に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜の上部にポリシリコン膜を形成し、前記ポリシリコン膜を平坦に研磨し、前記シリコン基板上方の平坦に研磨されたポリシリコン膜に前記ガラス構造体を載置し、前記ポリシリコン膜とガラス構造体とを加熱するとともに電界を印加して気密構造を取るように前記ポリシリコン膜とガラス構造体とを接合する工程を備えることを特徴とする気密構造体を有するデバイスの製造方法である。
【００１１】
請求項６の発明は、請求項５に記載の気密構造体を有するデバイスの製造方法において、前記第１の絶縁膜がシリコン熱酸化膜であり、前記第２の絶縁膜がＣＶＤシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜のものである。
【００１２】
請求項７の発明は、シリコン基板とガラス構造体による気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスの製造方法であって、シリコン基板表面に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜の上部に導電膜を形成し、前記導電膜を所定の形状にパターニングし、前記導電膜の上部に第２の絶縁膜を形成し、前記第２の絶縁膜の上部にポリシリコン膜を形成し、前記ポリシリコン膜を平坦に研磨し、前記平坦研磨されたポリシリコン膜の上部に第３の絶縁膜を形成し、前記第３の絶縁膜の上部にアルミニューム膜を形成し、前記シリコン基板上方のアルミニューム膜に前記ガラス構造体を載置し、前記アルミニューム膜とガラス構造体とを加熱するとともに電界を印加して気密構造を取るように前記アルミニューム膜とガラス構造体とを接合する工程を備えることを特徴とする気密構造体を有するデバイスの製造方法である。
【００１３】
請求項８の発明は、請求項７に記載の気密構造体を有するデバイスの製造方法において、前記第１の絶縁膜がシリコン熱酸化膜であり、前記第２及び第３の絶縁膜がＣＶＤシリコン酸化膜であり、前記導電膜がＮ型又はＰ型のポリシリコン膜のものである。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１の発明によれば、平坦研磨されたポリシリコン膜の下層に、絶縁膜に挟まれて形成された導電膜を備え、この導電膜を気密構造体の外部と内部を接続する電気配線とするので、平坦化されたポリシリコンとガラス構造体とを気密漏れのないように陽極接合して気密構造体を形成でき、また、電気配線に用いる導電膜が絶縁膜に囲まれており、従来と異なって半導体のＰＮ接合を含まないので、電圧極性の考慮が不要で、ＰＮ接合に起因するリーク電流やリーク電流の温度特性を無視できる電気配線を実現できる。
【００１５】
請求項２の発明によれば、電気配線とする導電膜を囲む絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いるので、高い絶縁性を実現できる。また、導電膜としてのＮ型又はＰ型のポリシリコン膜を用いるので、充分高い導電性を容易に実現できる。
【００１６】
請求項３の発明によれば、平坦研磨されたポリシリコン膜の上面に絶縁膜、さらにその上面にアルミニューム膜を形成し、平坦研磨されたポリシリコン膜の下層に、絶縁膜に挟まれて形成された導電膜を備え、この導電膜を気密構造体の外部と内部を接続する電気配線とするので、平坦化されたポリシリコンの上層のアルミニューム膜とガラス構造体とを気密漏れのないように陽極接合して気密構造体を形成でき、また、電気配線に用いる導電膜が絶縁膜に囲まれており、従来と異なって半導体のＰＮ接合を含まないので、電圧極性の考慮が不要で、ＰＮ接合に起因するリーク電流やリーク電流の温度特性を無視できる電気配線を実現できる。
【００１７】
請求項４の発明によれば、絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いるので、高い絶縁性を実現できる。また、導電膜としてのＮ型又はＰ型のポリシリコン膜を用いるので、充分高い導電性を容易に実現できる。
【００１８】
請求項５の発明によれば、通常のシリコンプロセスと陽極接合プロセスとによって、気密性の高い構造体を製造することができる。陽極接合は、電子素子を実装した後に、平坦化されたポリシリコンとガラス構造体との間で成される。
【００１９】
請求項６の発明によれば、熱酸化膜はシリコンを熱酸化することで容易に作成することが可能であり、ＣＶＤシリコン酸化膜は一般的なＣＶＤ装置で成膜することが可能である。導電膜として形成されるＮ型又はＰ型ポリシリコン膜は、充分高い導電性を有するとともに、後工程におけるポリシリコン膜成膜工程の高温にも耐えることができる。デバイス製造に必要な成膜、パターニング、及び平坦化の工程は、通常のシリコンプロセスで作成することができる。
【００２０】
請求項７の発明によれば、通常のシリコンプロセスと陽極接合プロセスとによって、気密性の高い構造体を製造することができる。陽極接合は、電子素子を実装した後に、平坦化されたポリシリコン膜の上層のアルミニューム膜とガラス構造体との間で成される。
【００２１】
請求項８の発明によれば、熱酸化膜はシリコンを熱酸化することで容易に作成することが可能であり、ＣＶＤシリコン酸化膜は一般的なＣＶＤ装置で成膜することが可能である。導電膜として形成されるＮ型又はＰ型ポリシリコン膜は、充分高い導電性を有するとともに、後工程におけるポリシリコン膜成膜工程の高温にも耐えることができる。デバイス製造に必要な成膜、パターニング、及び平坦化の工程は、通常のシリコンプロセスで作成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態に係る気密構造体を有するデバイス及びその製造方法について、図面を参照して説明する。図１は、本発明に係る気密構造体を有するデバイス１を示す。このデバイス１は、シリコン基板２とガラス構造体３とを用いて気密空間５を形成した気密構造体内に電子素子４を実装したデバイスである。シリコン基板２は、その表面に形成された第１の絶縁膜２１と、第１の絶縁膜２１の上部に所定の形状にパターニングされて形成された導電膜２２と、導電膜２２の上部に形成された第２の絶縁膜２３と、第２の絶縁膜２３の上部に形成されるとともにその表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜２４と、を備えている。また、ガラス構造体３は、気密構造を取るようにシリコン基板２上方の平坦研磨されたポリシリコン膜２４に接合されている。そして、導電膜２２は、ガラス構造体３とポリシリコン膜２４の接合部３０の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続している。
【００２３】
上述の気密構造体内に形成された気密空間５は、実装する電子素子４の動作を保証して性能を十分に引き出すため真空状態とされるか、又は不活性ガス封入状態とされる。電子素子４が、例えば、赤外線センサの場合、センサ主要部を熱絶縁するため、気密空間５は真空とされる。
【００２４】
また、電子素子４は、上述のように、パターニングして形成した導電膜２２によって外部との電気接続が行われている。この電気接続の構造をさらに説明する。電子素子４に直接接続されている電気配線４１は、気密構造体内部においてポリシリコン膜２４と第２の絶縁膜２３とを貫通して形成されたビア４２によって導電膜２２の気密構造体内部側における端部に電気接続されている。また、気密構造体の外部側における導電膜２２の端部は、気密構造体外部においてポリシリコン膜２４と第２の絶縁膜２３とを貫通して形成されたビア４３によって気密構造体外部の電気配線４４に接続されている。
【００２５】
このように、平坦研磨されたポリシリコン膜２４の下層に、絶縁膜に挟まれて形成された導電膜２２を備え、この導電膜２２を気密構造体の内部と外部とを接続する電気配線とするので、表層の平坦化されたポリシリコンとガラス構造体とを気密漏れのないように陽極接合して気密構造体を形成できる。また、導電膜２２等から成る電気配線が、半導体であるシリコン基板２に接することないように絶縁膜に囲まれて形成されているので、従来の半導体内の埋込拡散層を用いて形成したようなＰＮ接合を有する電気配線とは異なり、基板２と電気配線との電圧極性や、温度に依存して変化するリーク電流などを考慮する必要がない。
【００２６】
ところで、上述のデバイス１において、第１及び第２の絶縁膜２１，２３をシリコン酸化膜で形成し、導電膜２２をＮ型又はＰ型のポリシリコン膜で形成することができる。このようなデバイス１は、電気配線とする導電膜２２を囲む絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いるので、高い絶縁性を有する電気配線を実現できる。また、導電膜２２としてのＮ型又はＰ型のポリシリコン膜を用いることにより、充分高い導電性を有する電気配線を容易に実現できる。
【００２７】
次に、図２を参照して本発明に係る気密構造体を有するデバイスの他の例を説明する。このデバイス１は、上述のデバイス１と同様に、シリコン基板２とガラス構造体３とを用いて形成した気密構造体内に電子素子４を実装したデバイスである。また、このデバイス１は、上述のデバイス１と同様に、シリコン基板２の表面に順番に第１の絶縁膜２１と、パターニングされて形成された導電膜２２と、第２の絶縁膜２３と、表面段差が無くなるように平坦研磨されたポリシリコン膜２４と、を備えている。そして、このデバイス１は、上述のデバイス１とは異なり、平坦研磨されたポリシリコン膜２４の上部に形成された第３の絶縁膜２５と、第３の絶縁膜２５の上部に形成されたアルミニューム膜２６と、をさらに備えており、ガラス構造体３は、気密構造を取るようにシリコン基板２上方のアルミニューム膜２６に接合されている。また、導電膜２２は、ガラス構造体３とアルミニューム膜２６の接合部３１の下方を通して気密構造体内部と外部を電気的接続している。
【００２８】
また、電子素子４からの電気配線４１を導電膜２２の端部に電気接続するビア４２，４３は、それぞれ、第３の絶縁膜２５、ポリシリコン膜２４、及び第２の絶縁膜２３を貫通して形成されている。その他の構造は、図１に示したデバイス１と同様である。
【００２９】
このようなデバイス１は、前述同様に、平坦化されたポリシリコンの上層のアルミニューム膜２６とガラス構造体３とを気密漏れのないように陽極接合して気密構造体を形成でき、また、電気配線についても前述同様の作用と効果を発揮する。
【００３０】
ところで、図２に示したデバイス１において、第１、第２、及び第３の絶縁膜２１，２３，２５をシリコン酸化膜で形成し、導電膜２２をＮ型又はＰ型のポリシリコン膜で形成することができる。このようなデバイス１は、絶縁膜としてシリコン酸化膜を用いるので、高い絶縁性を有する電気配線を実現できる。また、導電膜２２としてのＮ型又はＰ型のポリシリコン膜を用いることにより、充分高い導電性を有する電気配線を容易に実現できる。
【００３１】
次に、図３、図４（ａ）〜（ｆ）を参照して、本発明に係る気密構造体を有するデバイスの製造方法を説明する。この製造方法は、シリコン基板とガラス構造体による気密構造体内に電子素子を実装してなるデバイスの製造方法であり、前出の図１に示したデバイス１が、ここで説明する製造方法により製造されるデバイスの一例となっている。そこで、図１を適宜参照する。この製造方法を図３に示す各製造工程の順番に沿って説明する。
【００３２】
まず、図４（ａ）に示すように、第１の絶縁膜形成工程（Ｓ１）において、シリコン基板２表面に第１の絶縁膜２１を形成する。次に、図４（ｂ）に示すように、導電膜形成工程（Ｓ２）において、第１の絶縁膜２１の上部に導電膜２２を形成して導電膜２２を所定の形状にパターニングする。次に、図４（ｃ）に示すように、第２の絶縁膜形成工程（Ｓ３）において、導電膜２２の上部に第２の絶縁膜２３を形成する。次に、図４（ｄ）に示すように、ポリシリコン膜形成工程（Ｓ４）において、第２の絶縁膜２３の上部にポリシリコン膜２４を形成する。次に、図４（ｅ）に示すように、ポリシリコン膜平坦化工程（Ｓ５）において、ポリシリコン膜２４を平坦に研磨する。
【００３３】
上述のポリシリコン膜平坦化工程に続いて、図４（ｆ）に示すように、ガラス構造体接合工程（Ｓ６）において、シリコン基板２上方の平坦に研磨されたポリシリコン膜２４に前記ガラス構造体３を載置し、ポリシリコン膜２４とガラス構造体３とを加熱するとともに電界を印加して気密構造を取るようにポリシリコン膜２４とガラス構造体３とを接合する。なお、図１に示される、ビア４２，４３の形成、電気配線４１，４４の形成、及び電気素子４の実装は、ガラス構造体接合工程（Ｓ６）の前に行われる。
【００３４】
上述のような製造方法によれば、通常のシリコンプロセスと陽極接合プロセスとによって、気密性の高い空間５を有する構造体を製造することができる。陽極接合は、電子素子を実装した後に、平坦化されたポリシリコンとガラス構造体との間で成される。この陽極接合は、可動イオンを含むガラスとシリコンウエハや金属等を密着接合する方法である。ポリシリコンとガラス構造体と重ね合わせた状態で加熱して、ガラス側を軟化させ、同時にポリシリコン側を陽極として両者の間に高電圧を付加することにより、その接合面に電気的二重層を発生させて静電引力により接合することができる。このような陽極接合は、固相で行われるので、高精度の接合が達成される。接合面の平坦度を上げておくことにより、大きな接合強度と密封性能を得ることができる。
【００３５】
ところで、上述デバイスの製造方法において、第１の絶縁膜２１をシリコン熱酸化膜で形成し、第２の絶縁膜２３をＣＶＤシリコン酸化膜で形成し、導電膜２２をＮ型又はＰ型のポリシリコン膜で形成することができる。このような製造方法においては、熱酸化膜はシリコン基板２を熱酸化することで容易に作成することが可能であり、ＣＶＤシリコン酸化膜は一般的なＣＶＤ装置を用いて成膜することが可能である。また、導電膜２２として形成されるＮ型又はＰ型ポリシリコン膜は、後工程におけるポリシリコン膜２４の成膜工程の高温にも耐えることができる。また、このデバイスの製造方法において必要な成膜、パターニング、及び平坦化の工程、電子素子実装工程、及びその他の必要な工程は、それぞれ通常のシリコンプロセスで作成することができる。
【００３６】
次に、図５、図６（ａ）〜（ｄ）を参照して、本発明に係る気密構造体を有するデバイスの他の製造方法を説明する。この製造方法は、シリコン基板とガラス構造体による気密構造体内に電子素子４を実装してなるデバイスの製造方法であり、前出の図２に示したデバイス１が、ここで説明する製造方法により製造されるデバイスの一例となっている。そこで、図２を適宜参照する。また、図５に示すフローチャートにおける第１の絶縁膜形成工程（＃１）からポリシリコン膜平坦化工程（＃５）までの工程は、前述の図３に示す第１の絶縁膜形成工程（Ｓ１）からポリシリコン膜平坦化工程（Ｓ５）までの工程と同様であり、説明を省略する。この製造方法を、図５に示すポリシリコン膜平坦化工程（＃５）以降の各製造工程について、順番に説明する。
【００３７】
まず、図６（ａ）に示すように、ポリシリコン膜平坦化工程（＃５）において、ポリシリコン膜２４を平坦に研磨する。次に、図６（ｂ）に示すように、第３の絶縁膜形成工程（＃６）において、平坦研磨されたポリシリコン膜２４の上部に第３の絶縁膜２５を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、アルミニューム膜形成工程（＃７）において、第３の絶縁膜２５の上部にアルミニューム膜２６を形成する。次に、図６（ｄ）に示すように、ガラス構造体接合工程（＃８）において、シリコン基板２上方のアルミニューム膜２６にガラス構造体３を載置し、アルミニューム膜２６とガラス構造体３とを加熱するとともに電界を印加して気密構造を取るようにアルミニューム膜２６とガラス構造体３とを接合する。なお、図２に示される、ビア４２，４３の形成、電気配線４１，４４の形成、及び電気素子４の実装は、ガラス構造体接合工程（＃８）の前に行われる。
【００３８】
上述のような製造方法によれば、通常のシリコンプロセスと陽極接合プロセスとによって、気密性の高い空間５を有する構造体を製造することができる。陽極接合は、電子素子を実装した後に、平坦化されたポリシリコン膜の上層のアルミニューム膜とガラス構造体との間で成される。
【００３９】
ところで、上述デバイスの製造方法において、第１の絶縁膜２１をシリコン熱酸化膜で形成し、第２及び第３の絶縁膜２３，２５をＣＶＤシリコン酸化膜で形成し、導電膜２２をＮ型又はＰ型のポリシリコン膜で形成することができる。このような製造方法においては、熱酸化膜はシリコン基板２を熱酸化することで容易に作成することが可能であり、ＣＶＤシリコン酸化膜は一般的なＣＶＤ装置で成膜することが可能である。また、導電膜２２として形成されるＮ型又はＰ型ポリシリコン膜は、後工程におけるポリシリコン膜成膜工程の高温にも耐えることができる。また、このデバイスの製造方法において必要な成膜、パターニング、及び平坦化の工程、電子素子実装工程、及びその他の必要な工程は、それぞれ通常のシリコンプロセスで作成することができる。なお、本発明は、上記構成に限られることなく種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明に係る気密構造体を有するデバイスの側面断面図。
【図２】本発明に係る気密構造体を有するデバイスの他の例を示す側面断面図。
【図３】本発明に係る気密構造体を有するデバイスの製造方法のフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は同上製造方法における製造工程を時系列的に示したデバイスの側面断面図。
【図５】本発明に係る気密構造体を有するデバイスの製造方法の他の例を示すフローチャート。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は同上製造方法における製造工程を時系列的に示したデバイスの側面断面図。
【図７】従来の気密構造体を有するデバイスの側面断面図。
【符号の説明】
【００４１】
１    デバイス
２    シリコン基板
３    ガラス構造体
４    電子素子
２１    第１の絶縁膜
２２    導電膜
２３    第２の絶縁膜
２４    ポリシリコン膜
２５    第３の絶縁膜
２６    アルミニューム膜
３０，３１    接合部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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