(57)【要約】【課題】温度ヒューズ用の合金型ヒューズエレメントに対し、温度特性ががほぼ同一で、電気的抵抗率が充分に低い温度ヒューズ用ヒューズエレメントを提供する。【解決手段】２種以上の単体金属材が並列に複合され、該複合体の局部においてそれらの単体金属材が合金化されている。合金化箇所の共晶組織部分が固相線温度で融液化され、この融液に単体金属材が融解されていき、単体金属材全体の融解が終了し全体が液相化されるまでにヒューズエレメントが分断される。この分断温度を全体を合金化したヒューズエレメントの分断温度とほぼ同じにできる。そして、合金化が局所的であるから、全体に対する合金化部分が僅小であり、金属間化合物の生成による電気的抵抗率の増加が殆どない。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
２種以上の単体金属材が並列に複合され、該複合体の局部においてそれらの単体金属材が合金化されていることを特徴とする温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項２】
何れかの単体金属材が管状とされ、この管状体内に他の単体金属材が収容されていることを特徴とする請求項１記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項３】
管状単体金属材上にフラックスが塗布され、該管状単体金属材が他の単体金属材よりもフラックスに対し難反応性であることを特徴とする請求項２記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項４】
管状単体金属材内の単体金属材が線径１００μｍφ以下の素線の複数本からなることを特徴とする請求項２〜３何れか記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項５】
管状単体金属材内の単体金属材が粉末であることを特徴とする請求項２〜３何れか記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項６】
全ての単体金属材が線径１００μｍφ以下の素線の複数本からなることを特徴とする請求項１記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項７】
２種以上の単体金属材がＩｎ、Ｂｉ、Ｓｎの２種以上であることを特徴とする請求項１〜６何れか記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項８】
管状単体金属材がＳｎであることをを特徴とする請求項７記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項９】
２種以上の単体金属材の少なくとも一種の単体金属材がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの一種以上を５．０％以下含有していることを特徴とする請求項１〜８何れか記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【請求項１０】
２種以上の単体金属材の合金化が共晶合金線の占積により行われていることを特徴とする請求項１〜９何れか記載の温度ヒューズ用ヒューズエレメント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は低抵抗率の温度ヒューズ用ヒューズエレメントに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子・電気機器における異常発熱を感知し、この感知に基づくカットオフ動作で機器を電源から遮断して機器の過熱を防止し、火災等の事故を未然に防止するサーモプロテクタとして、合金型温度ヒューズが汎用されている。
この合金型温度ヒューズは、機器の許容温度で溶断動作する可溶合金をヒューズエレメントとし、機器に熱的に接触して取付けられ、機器の異常発熱でヒューズエレメントが溶断され、機器への通電が遮断されて以後の機器の昇温が防止される。
この合金型温度ヒューズが実質的に自己発熱を伴わない条件下で動作する外部温度（機器温度）がカット・オフ温度（動作温度）と定められ、合金型温度ヒューズの基本的な特性とされている。
合金型温度ヒューズにおいては、自己発熱がなければ、外部温度がカット・オフ温度に達すると、ヒューズエレメントが融点にまで昇温されて動作されることになる。従って、合金型温度ヒューズの自己発熱を防止するために、ヒューズエレメントの電気抵抗率を可及的に低くすることが要求される。
また、電力損失の低減のためにもヒューズエレメントの低抵抗率化が要請され、特に電池の異常発熱で動作させて電池を負荷から遮断するのに使用される電池保護用温度ヒューズでは、その要請が強い。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来、温度ヒューズ用ヒューズエレメントには所定融点の合金が使用されている。この合金が、一方の金属が他の金属に溶け込んだα固溶体やβ固溶体の混成体であれば、その電気的抵抗率は合金の元素配置を網目状に分割した二次元モデルから算出できる。
而るに、Ｐｂ−Ｓｎ合金の抵抗率は、図６の（イ）に示すように測定値と算出値とが一致するが、Ｉｎ−Ｓｎ合金の抵抗率では、図６の（ロ）に示すように測定値の方が算出値よりも相当に高い。
かかる相違は、Ｐｂ−Ｓｎ合金では金属間化合物の生成がない単純なα固溶体やβ固溶体の混成体であるのに対し、Ｉｎ−Ｓｎ合金ではＩｎとＳｎとの金属間化合物の生成があるためと推定できる。
【０００４】
単体金属材Ａと単体金属材Ｂとの所定配合比の合金を、金属Ａの元素と金属Ｂの元素との混合モデルで取り扱い、この混合モデルに対し金属Ａと金属Ｂとの割合が同じ並列接合モデルを考察すると、並列接合モデルでは金属ＡとＢとの接触面積を混合モデルでの金属ＡとＢとの接触面積に対し無視でき、Ａ−Ｂ金属間化合物の生成を実質的に排除できる。
【０００５】
特許文献１には「単体金属材Ａと単体金属材Ｂとの合金の融点よりも各単体金属材Ａ、Ｂの融点が高温である当該金属ＡとＢとの複合体を感温ヒューズ素子として用い、保護すべき機器の平常運転下、その機器発熱下での素子過熱温度で金属材Ａと金属材Ｂとの相互移行による合金化を進行させ、予定した寿命時間に達した機器の通電を、感温ヒューズ素子の前記素子過熱温度への融点低下による溶断で遮断させること」が開示されている。この特許文献１の第２図に、単体金属材Ａと単体金属材Ｂとを並列接合したヒューズ素子が示されているが、金属材Ａと金属材Ｂとの相互移行による合金化を進行させ、この合金化により所定の融点になったときに温度ヒューズを動作させるようにしており、ヒューズエレメントの低電気抵抗率の成果は完遂できない。
特許文献２には「Ｓｎ単体金属材の線状体または帯状体とＩｎ単体金属材、Ｃｄ単体金属材、Ｂｉ単体金属材の線状体または帯状体の少なくとも一種とを所定の割合で積層または集合し、この積層体または集合体を焼結することにより温度ヒューズ用ヒューズエレメントを得る」ことが記載されているが、焼結時に合金の生成があり、この合金化が複合体断面の相当に大きな部分を占めるために、金属間化合物の生成による電気抵抗率のアップは避けられない。
【０００６】
【特許文献１】特公平７−１０７８２２号公報
【特許文献２】特開平３−２０５７３１号公報
【０００７】
本発明者は、金属間化合物の生成によって電気抵抗率が高くなる合金、例えば前記のＩｎ−Ｓｎ合金のヒューズエレメントの問題を鋭意解決すべく、所定配合比のＳｎ−Ｉｎのヒューズエレメント（長さ５ｍｍ）の両端にリード導体を溶接したサンプルＡと同じ重量割合とするように体積を設定したＳｎ線とＩｎ線を並列に配設し、この並列片（長さ５ｍｍ）の両端にリード導体を溶接したサンプルＢについて、加熱溶融試験を行った。
【０００８】
サンプルＢの製作において、Ｓｎ線とＩｎ線との並列片端にリード導体を溶接する際、その溶接箇所がスポット的に合金化される。このサンプルＢのＳｎ線・Ｉｎ線並列片が外部から加熱されてＳｎ−Ｉｎ合金の固相線温度にまで昇温されたときに前記のスポット合金箇所の共晶組織が溶融され、この溶融により融液が生成され、この融液に接触している単体金属Ｉｎ及びＳｎが融解されて融液化が進行していく。
サンプルＡの合金型のヒューズエレメントでは、合金の共晶組織部分が固相線温度で溶融され、初めはこの融液中の固溶体粒の濃度が高いが昇温に伴いこの固溶体粒が融液に融解していき、この融解か進んで固溶体粒がなくなって融液化が完了する。
而して、サンプルＡとサンプルＢとでは、固相から液相への変態機構が異なるが、溶融開始温度は実質的に同じである。また、溶融終了温度についても、ほぼ同温度になることが後述の実施例と比較例との対比から確認された。
かかる試験結果から、電気的抵抗率が高い合金型の温度ヒューズ用ヒューズエレメントに対し、その合金母材である異なる単体金属材を並列に複合し、該複合体の局部を合金化することにより、温度特性を充分に維持して電気的抵抗率を低減できることを知った。
【０００９】
本発明の目的は、温度ヒューズ用の合金型ヒューズエレメントに対し、温度特性ががほぼ同一で、電気的抵抗率が充分に低い温度ヒューズ用ヒューズエレメントを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、２種以上の単体金属材が並列に複合され、該複合体の局部においてそれらの単体金属材が合金化されていることを特徴とする。
請求項２に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項１の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、何れかの単体金属材が管状とされ、この管状体内に他の単体金属材が収容されていることを特徴とする。
請求項３に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項２の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、管状単体金属材上にフラックスが塗布され、該管状単体金属材が他の単体金属材よりもフラックスに対し難反応性であることを特徴とする。
請求項４に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項２〜３の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、管状単体金属材内の単体金属材が線径１００μｍφ以下の素線の複数本からなることを特徴とする。
請求項５に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項２〜３の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、管状単体金属材内の単体金属材が粉末であることを特徴とする。
請求項６に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項１の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、全ての単体金属材が線径１００μｍφ以下の素線の複数本からなることを特徴とする。
請求項７に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項１〜６の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、２種以上の単体金属材がＩｎ、Ｂｉ、Ｓｎの２種以上であることを特徴とする
請求項８に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項７の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、管状単体金属材がＳｎであることをを特徴とする。
請求項９に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項１〜８の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、２種以上の単体金属材の少なくとも一種の単体金属材がＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの一種以上を５．０％以下含有していることを特徴とする。
請求項１０に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、請求項１〜９の温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいて、２種以上の単体金属材の合金化が共晶合金線の占積により行われていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおいては、合金化箇所の共晶組織部分が固相線温度で融液化され、この融液に単体金属材が融解されていき、単体金属材全体の融解が終了し全体が液相化されるまでにヒューズエレメントが分断される。この分断温度を全体を合金化したヒューズエレメントの分断温度とほぼ同じにできる。
そして、合金化が局所的であるから、全体に対する合金化部分が僅小であり、金属間化合物の生成による電気的抵抗率の増加が殆どない。
従って、全体が合金化されている従来の温度ヒューズ用ヒューズエレメントに対し、温度特性をほぼ同じに維持して電気的抵抗率を大きく低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントは、二種以上の単体金属材から成るが、説明上、二種の単体金属材Ａ，Ｂから成るものについて説明する。
図１−１の（イ）及び（ロ）〔図１−１の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントの一実施例を示し、管状単体金属材Ａ（Ｂ）内に線状単体金属材Ｂ（Ａ）を間隙を残すことなく収容し、両端部を合金化してある。
図１−２の（イ）及び（ロ）〔図１−２の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントの別実施例を示し、線状単体金属材Ａ、Ｂを並列に接触させ、両端ｅ、ｅを合金化してある。並列化線状単体金属材Ａ、Ｂを撚り合せることもできる。
合金化ｅはヒューズエレメントをリード導体や電極にスポット抵抗溶接、超音波溶接、レーザ溶接等で接合する際に生じるものであってもよい。
更に、複数個の電極にまたがってヒューズエレメントを取り付ける場合、少なくとも一個の電極とヒューズエレメントとの間の連結をスポット抵抗溶接、超音波溶接、レーザ溶接等で行う際に生じる合金化を利用することもできる。
【００１３】
図２は金属Ａ、Ｂの共晶系状態図を示し、Ｓα、Ｓβは固溶体を、Ｌは融液を、Ｅは共晶点を、Ａ’Ｅ及びＢ’Ｅは液相線を、ＥＡＥＥＢは固相線をそれぞれ指している。
上記温度ヒューズ用ヒューズエレメントにおける合金化部分ｅの組成が図２において点ａ１であるとすると、固相線温度ＴＥで合金部の共晶組織部分〔温度ＴＥで合金部分中に占める共晶組織部分の割合は距離ａ２−ＥＡ／距離（ＥＡ−Ｅ）〕が溶融して溶け始め、更なる昇温によって融液中の固溶体粒〔温度ＴＥで合金部分中に占める固溶体部分の割合は距離ａ２−Ｅ／距離（ＥＡ−Ｅ）〕が融解すると共に融液に接する単体金属材Ａ、Ｂが融解していく。
この溶融過程を数式的に把握すれば次の通りである。
【００１４】
固相線温度ＴＥを越えたときから、単体金属材の融解が始まるから、ｄｔ時間に表面積Ｈの表面から流入する熱量ｄｑは、熱伝達係数をλとして、ｄｑ＝λＨ（Ｔ−ＴＥ）ｄｔで与えられ、熱量ｄｑで融解される単体金属材の融解量ｄｖは、融解熱量をβ、密度をρとして、ｄｖ＝ｄｑ／βρで与えられる。体積変化ｄｖと半径変化ｄｒとの間には、ｄｒ／ｄｖ＝Ｈの関係があるから、ｄｒ／ｄｔ＝−λ（Ｔ−ＴＥ）／βρが成立する。
Ｔ−ＴＥは、合金化部分の溶解開始後の温度ヒューズ用ヒューズエレメントの昇温温度であり、加熱速度をｐとすると、Ｔ−ＴＥ＝ｐｔで表すことができるから、ｄｒ＝−λ／βρ・ｐｔｄｔが成立し、ｔ＝０での半径をｒ０とすると、時間ｔでの半径ｒは、ｒ＝ｒ０−ｐ〔ｔ２／２βρ〕で与えられる。
ヒューズエレメントの溶融終結に要する時間ｔ０は
ｔ０＝（２βρｒ０／λｐ）１／２
で与えられ、その時の加熱温度Ｔ０は
Ｔ０＝ＴＥ＋（２βｐρｒ０／λ）１／２
で与えられる。
従って、溶融終結時間（動作時間）ｔ０の短縮や溶融終結温度（動作温度）Ｔ０の溶融開始温度（固相線温度）ＴＥへの接近を促すために、単体金属材の線径ｒ０を可及的に細くすることが有利であり、図における線状単体金属材には１００μｍφ以下の素線の単素線〜複数素線を用いることが好ましい。
【００１５】
従来の合金型ヒューズエレメントの溶融過程は、合金組成を図２のａ１とすると、合金中の共晶組織分の割合が固相線温度ＴＥで距離ａ２−ＥＡ／（ＥＡ−Ｅ）となり、共晶組織分が固相線温度ＴＥで融解され、この際の融液中の固溶体粒濃度が距離ａ２−Ｅ／（ＥＡ−Ｅ）となり、その後の昇温に伴って固溶体粒の融解が進行していき、温度ＴＥ’において固溶体粒の融解が終了して全体の融液化が完結する。
従って、本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントと従来の合金型ヒューズエレメントとでは、前記した通り、溶融開始温度において一致するも、溶融過程を異にする。  しかしながら、図４に示すＤＳＣ測定（示差走査熱量測定）結果から確認できる通り、両者間に、溶融開始温度と溶融終結温度との間での熱エネルギー吸収状態に相違があっても、溶融開始温度が実質上一致するだけではなく、溶融終結温度もほぼ等しい。従って、ほぼ等しい温度特性を保証できる。
図４は本発明に係るＩｎ−４７．５％Ｓｎ温度ヒューズ用ヒューズエレメント（管状Ｓｎ内に線状Ｉｎを収容したもの）とＩｎ−４７．５％Ｓｎの合金型ヒューズエレメントとの加熱速度５℃／分でのＤＳＣ測定結果を示し、両者とも、ほぼ１２０℃までは熱エネルギーの吸収が無く状態変化を生じていないが、ほぼ１２０℃で熱エネルギが吸収され始めて溶融が開始されており、ほぼ１４０℃において熱エネルギーの吸収が無くなり状態変化が終って溶融が終結している。
【００１６】
本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントでは、同じ金属材重量比の合金型ヒューズエレメントに較べて電気的抵抗率が一段と低くできる。これは合金化部分が僅少であるためであるが、合金部分が全重量の５％以下程度でも、前記合金型ヒューズエレメントの温度特性にほぼ等しい温度特性を得ることができる。
【００１７】
本発明において、単体金属材には環境衛生上生体に悪影響を及ぼすＰｂやＣｄを排除し、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｂｉを用いることが望ましい。
【００１８】
単体金属材の製造には、るつぼの側面に引出孔を設け、溶融金属液面をこの引出孔より上方に位置させ、この孔から溶融金属を液面酸化膜を巻き込みなく引出し、かつ引出線を強制的に冷却して結晶粗大化を防止する方法を使用することができる。
この製造方法によれば、Ｂｉでも、１０００μｍφ〜１５０μｍφの線材をスムーズに得ることができる。
【００１９】
本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントの表面には、ロジンを主成分とするフラックスやロジンにモノ乃至はジカルボンサン等の有機酸を添加したフラックスを塗布することが好ましい。
前記したＩｎは反応性に富み、フラックス中の有機酸と反応しフラックスの活性が低下され易いので、図１−１に示した構成において、管状単体金属材をＳｎとし、Ｉｎ単体金属材はこの管状単体金属材内に収容し、管状単体金属材にフラックスを塗布することが好ましい。
【００２０】
上記二種以上の単体金属材の少なくとも一種の単体金属材に、単体金属材の電気的抵抗率を低下させたり、引っ張り強度を向上させるために、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｂ、Ｚｎ、Ｐ、Ｇａ、Ｇｅの一種以上を総量５％以内で添加することもできる。
【００２１】
合金型温度ヒューズにおいては、ヒューズエレメントの固相線温度と液相線温度の間の温度、即ち溶融開始温度と溶融終結温度との間の温度で動作することが経験的に確立されている。
本発明に係るヒューズエレメントと従来の全合金型ヒューズエレメントとは溶融途中での熱エネルギー吸収状態が異なり、後述の実施例と比較例との対比から確認できる通り、本発明に係るヒューズエレメントは従来の全合金型ヒューズエレメントに較べ溶融終結温度がやや高くなる。しかしながら、溶融終結温度の近傍±４℃の範囲内で溶断し、ＤＳＣピーク温度±４℃を狙っている従来の全合金型ヒューズエレメントと動作制度の差はない。
本発明に係るヒューズエレメントを用いた温度ヒューズにおいては、ヒューズエレメントを加熱するための抵抗体を付設し、機器の異常を検出回路で検出して抵抗体を通電発熱させ、この通電発熱でヒューズエレメントを溶断させることも可能である。
【実施例１】
【００２２】
管状Ｓｎ内に線状Ｉｎを収容したＩｎ：Ｓｎの重量比が５２．５：４７．５、外径１２００μｍφ、長さ５０００μｍの同軸体を製作し、その両端の各１００μｍの長さ箇所を電気こてにより合金化した。
〔比較例１〕
Ｉｎ／Ｓｎ重量比、全重量、外径を実質的に実施例１に等しくしてＩｎ−Ｓｎ合金ヒューズエレメントを製作した。
これらの実施例及び比較例は図３に示すＩｎ−Ｓｎ状態図の矢印ａを狙って製作したものである。
これらの実施例品と比較例品について、ＤＳＣ測定を加熱速度５℃／分で行って溶融開始温度及び溶融終了温度を測定したところ表１の通りであり、差は殆ど認められなかった。
図４そのＤＳＣ測定結果を示している。
【表１】
2006185652.tif 000002
また、これらの実施例品と比較例品の電気的抵抗率を測定したところ（ｎ＝１０の平均値）表１の通りであり、本発明品の方が一段と低い抵抗率であった。
【実施例２】
【００２３】
管状Ｓｎ内に線状Ｉｎを収容したＩｎ：Ｓｎの重量比が１２．０：８８．０、外径１２００μｍφ、長さ５０００μｍの同軸体を製作し、その両端の各１００μｍの長さ箇所を電気こてにより合金化した。
〔比較例１〕
Ｉｎ／Ｓｎ重量比、全重量、外径を実質的に実施例２に等しくしてＩｎ−Ｓｎ合金ヒューズエレメントを製作した。
これらの実施例及び比較例は図３示すＩｎ−Ｓｎ状態図の矢印ｂを狙って製作したものである。
これらの実施例品と比較例品について、ＤＳＣ測定を加熱速度５℃／分で行って溶融開始温度及び溶融終了温度を測定したところ表２の通りであり、差は殆ど認められなかった。
【表２】
2006185652.tif 000003
また、これらの実施例品と比較例品の電気的抵抗率を測定したところ（ｎ＝１０の平均値）表２の通りであり、本発明品の方が一段と低い抵抗率であった。
【実施例３】
【００２４】
管状Ｓｎ内に線状Ｉｎを収容したＩｎ：Ｓｎの重量比が６９．０：３１．０、外径１２００μｍφ、長さ５０００μｍの同軸体を製作し、その両端の各１００μｍの長さ箇所を電気こてにより合金化した。
〔比較例３〕
Ｉｎ／Ｓｎ重量比、全重量、外径を実質的に実施例３に等しくしてＩｎ−Ｓｎ合金ヒューズエレメントを製作した。
これらの実施例及び比較例は図３に示すＩｎ−Ｓｎ状態図の矢印ｃを狙って製作したものである。
これらの実施例品と比較例品について、ＤＳＣ測定を加熱速度５℃／分で行って溶融開始温度及び溶融終了温度を測定したところ表３の通りであり、差は殆ど認められなかった。
【表３】
2006185652.tif 000004
また、これらの実施例品と比較例品の電気的抵抗率を測定したところ（ｎ＝１０の平均値）表３の通りであり、本発明品の方が一段と低い抵抗率であった。
【実施例４】
【００２５】
管状Ｓｎ内に２００メッシュのＢｉ粉末を収容したＢｉ：Ｓｎの重量比が１６．１：８３．９、外径１２００μｍφ、長さ５０００μｍの同軸体を製作し、その両端の各１００μｍの長さ箇所を電気こてにより合金化した。
〔比較例４〕
Ｂｉ／Ｓｎ重量比、全重量、外径を実質的に実施例４に等しくしてＢｉ−Ｓｎ合金ヒューズエレメントを製作した。
これらの実施例及び比較例は図５に示すＢｉ−Ｓｎ状態図の矢印ａを狙って製作したものである。
これらの実施例品と比較例品について、ＤＳＣ測定を加熱速度５℃／分で行って溶融開始温度及び溶融終了温度を測定したところ表４の通りであり、差は殆ど認められなかった。
【表４】
2006185652.tif 000005
また、これらの実施例品と比較例品の電気的抵抗率を測定したところ（ｎ＝１０の平均値）表３の通りであり、本発明品の方が低い抵抗率であった。
【実施例５】
【００２６】
管状Ｓｎ内に２００メッシュのＢｉ粉末を収容したＢｉ：Ｓｎの重量比が３０．３：６９．７、外径１２００μｍφ、長さ５０００μｍの同軸体を製作し、その両端の各１００μｍの長さ箇所を電気こてにより合金化した。
〔比較例５〕
Ｂｉ／Ｓｎ重量比、全重量、外径を実質的に実施例５に等しくしてＢｉ−Ｓｎ合金ヒューズエレメントを製作した。
これらの実施例及び比較例は図５に示すＢｉ−Ｓｎ状態図の矢印ｂを狙って製作したものである。
これらの実施例品と比較例品について、ＤＳＣ測定を加熱速度５℃／分で行って溶融開始温度及び溶融終了温度を測定したところ表５の通りであり、差は殆ど認められなかった。
【表５】
2006185652.tif 000006
また、これらの実施例品と比較例品の電気的抵抗率を測定したところ（ｎ＝１０の平均値）表５の通りであり、本発明品の方が低い抵抗率であった。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１−１】本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントの一実施例を示す図面である。
【図１−２】本発明に係る温度ヒューズ用ヒューズエレメントの別実施例を示す図面である。
【図２】共晶系状態図である。
【図３】Ｉｎ−Ｓｎ状態図である。
【図４】実施例品と比較例品とのＤＳＣ測定結果である。
【図５】Ｂｉ−Ｓｎ状態図である。
【図６】金属間化合物が合金の電気抵抗率に及ぼす影響を示す図面である。
【符号の説明】
【００２８】
Ａ      単体金属材
Ｂ      単体金属材
ｅ      合金化部分
【図１−１】
2006185652.tif 000007
【図１−２】
2006185652.tif 000008
【図２】
2006185652.tif 000009
【図３】
2006185652.tif 000010
【図４】
2006185652.tif 000011
【図５】
2006185652.tif 000012
【図６】
2006185652.tif 000013