(57)【要約】 【課題】  露光処理の際の露光光の熱及び光等による液晶マスクの劣化を防止した露光装置、露光方法及び電気光学装置を提供する。【解決手段】  液晶マスク８を用いて被露光基板１上の感光材４２に所定パターンを転写する露光方法であって、光源５から出射された所定の波長帯域の露光光を、光分離手段７により、可視光領域の波長帯域を有する第１光４４と、可視光領域外の波長帯域を有する第２光４６とに分離し、第１光４４を液晶マスク８に向けて出射させることを特徴とする。【選択図】        図１
2006251443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶マスクを用いて被露光基板上の感光材に所定パターンを転写する露光方法であって、
前記光源から出射された所定の波長帯域の露光光を、光分離手段により、可視光領域の波長帯域を有する第１光と、可視光領域外の波長帯域を有する第２光とに分離し、前記第１光を前記液晶マスクに向けて出射させることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記第１光が、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光領域の波長を含み、
前記第２光が、４００ｎｍ未満の波長であることを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記光分離手段が、ビームスプリッタであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記光源が、ハロゲンランプ又はキセノンランプであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項５】
前記光分離手段と前記液晶マスクとの間にプリズムを備え、
前記プリズムが、前記光分離手段によって分離された前記第１光の複数の波長のうち、単一波長の光のみを分離させて、前記単一波長の光を前記液晶マスクに向けて出射させることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項６】
前記感光材に、アルファジケトン誘導体を用いることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光方法。
【請求項７】
液晶マスクを用いて被露光基板上の感光材に所定パターンを転写する露光装置であって、
露光光を出射する光源と、
前記光源から出射された所定の波長帯域の露光光を、可視光領域の波長帯域を有する第１光と、可視光領域外の波長帯域を有する第２光とに分離し、前記第１光を前記液晶マスクに向けて出射させる光分離手段と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
露光光を出射する光源を備え、液晶マスクを用いて被露光基板上の感光材に所定パターンを転写する露光装置であって、
前記光源が、可視光領域の波長の露光光でかつ単一波長の露光光を出射するレーザ光であることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の露光方法によって製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、露光方法及び電気光学装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、被露光基板に所定パターンを形成する場合には、所定パターンが描画されたレチクル又はフォトマスク（以下、レチクルと称する）を用いて、露光装置により被露光基板上にパターンを転写する方法が広く利用されている。このレチクルは、高い平坦度に研磨された低膨張係数ガラス、石英等の透明基板に、クロム（Ｃｒ）、ケイ素等の遮光膜を形成し、この遮光膜の上にフォトレジストを塗布した後、電子ビーム露光装置等を用いて露光を行い、現像した後、フォトレジストに覆われない遮光膜の不要部分をエッチングにより除去して形成する。そして、露光時には、このレチクルを用いて、等倍露光又は縮小投影露光により、レチクル上に描画されたパターンをフォトレジストが塗布された被露光基板に転写していた。
【０００３】
しかしながら、上記方法では、被露光基板に形成するパターンごとに、複雑な加工が必要なレチクルを形成しなければならなかった。また、特に複雑な集積回路を形成する場合には、２０枚を超えるレチクルを用意しなければならないため、レチクルの形成に時間を要するとともに、高コストとなるという問題があった。さらには、集積回路に僅かな設計変更が発生した場合でもレチクルを再度形成しなければならなかった。
【０００４】
そこで、上記問題を解決する技術としてレチクルに代替する液晶マスクを用いた露光装置により、被露光基板に所定パターンを形成する方法が開示されている。この液晶マスクを用いた露光方法によれば、液晶マスクの各画素に印加する電圧を制御することにより、自由にパターンを変更することが可能である。つまり、上記レチクルのように、パターンを変更するごとにレチクルを新たに形成する必要がないという利点がある。
【特許文献１】特開平１１−１１９４３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記露光装置の光源には、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光又はＦ２レーザ光等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が使用されている。これらの光源に使用されるレーザ光は、波長が短いためエネルギー密度が高い。従って、例えば、液晶マスクを構成する偏光板に上記光源から出射される露光光が照射されると、露光光のエネルギー密度が高いため、これにより熱、光による影響を受け、偏光板が劣化してしまうという問題があった。これにより、液晶マスクが熱膨張により変形したり、劣化により偏光板を透過する露光光の透過率が変化し、被露光基板に高精度なパターンを形成することができないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、露光処理の際の露光光の熱及び光等による液晶マスクの劣化を防止した露光装置、露光方法及び電気光学装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために、液晶マスクを用いて被露光基板上の感光材に所定パターンを転写する露光方法であって、前記光源から出射された所定の波長帯域の光を、光分離手段により、可視光領域の波長帯域を有する第１光と、可視光領域外の波長帯域を有する第２光とに分離し、前記第１光を前記液晶マスクに向けて出射させることを特徴とする。
【０００８】
この方法によれば、光分離手段により、可視光領域の波長帯域を有する第１光を分離させることができる。これにより、可視光領域の第１光のエネルギー密度は、例えば紫外光領域の第２光と比較して波長が長くなるため、紫外光の光よりもエネルギー密度が低くなる。従って、液晶マスクに照射される光のエネルギー密度を低下させることができ、熱エネルギーによる液晶マスクの熱膨張（撓み）又は光エネルギーによる液晶マスクの劣化等を回避することができる。
【０００９】
また本発明の露光方法は、前記第１光が、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光領域の波長を含み、前記第２光が、４００ｎｍ未満の波長であることも好ましい。
【００１０】
従来、光源から出射される露光光には、紫外光領域の波長（４００ｎｍ以下）が含まれていた。これに対し、本発明では、液晶マスクに照射される第１光は、４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光領域の波長であり、エネルギー密度が高い４００ｎｍ未満の第２光はカットされる。これにより、液晶マスクに照射される露光光のエネルギー密度を低下させることができ、熱エネルギーによる液晶マスクの熱膨張又は光エネルギーによる液晶マスクの劣化を回避することができる。
【００１１】
また本発明の露光方法は、前記光分離手段が、ビームスプリッタであることも好ましい。
この方法によれば、ビームスプリッタにより、光源から出射された露光光の複数の波長のうち、特定の波長帯域の露光光、例えば４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の可視光領域の波長のみを透過（分離）させることができる。これにより、特定の波長帯域の露光光のみを液晶マスクに照射させることができ、熱エネルギーによる液晶マスクの熱膨張又は光エネルギーによる液晶マスクの劣化等を回避することができる。
【００１２】
また本発明の露光方法は、前記光源が、ハロゲンランプ又はキセノンランプであることも好ましい。
この方法では、ハロゲンランプ又はキセノンランプから出射される露光光には、可視光領域の波長が含まれる。従って、上記光分離手段を用いることにより、可視光領域の波長のみを分離させることができる。これにより、液晶マスクに照射する露光光によるエネルギー密度を低下させることができ、熱エネルギーによる液晶マスクの熱膨張又は光エネルギーによる液晶マスクの劣化等を回避することができる。
【００１３】
また本発明の露光方法は、前記光分離手段と前記液晶マスクとの間にプリズムを備え、
前記プリズムが、前記光分離手段によって分離された前記第１光の複数の波長のうち、単一波長の光のみを分離させて、前記単一波長の光を前記液晶マスクに向けて出射させることも好ましい。
【００１４】
光分離手段により分離された第１光には、複数の波長帯域の露光光が含まれている。この光が例えば縮小レンズを介して、被露光基板の感光材に照射された場合には、各波長によって屈折率が異なるため、被露光基板上の結像位置も異なり、ボケ（収差）が発生する。従って、高精度なパターンを形成することができない。これに対し、本発明によれば、プリズムを用いることによって、ビームスプリッタにより分離された第１光は、単一波長の光のみに分離される。従って、単一波長のみからなる露光光により、被露光基板上の感光材に照射することができるため、収差を回避して、高精度のパターンを形成することができる。
【００１５】
また本発明の露光方法は、前記感光材に、アルファジケトン誘導体を用いることも好ましい。
この方法によれば、感光材がアルファジケトン誘導体であるため、ビームスプリッタにより分離した第１光が可視光領域の露光光である場合には、この露光光に対して感光する。従って、可視光領域の露光光を用いた場合でも、被露光基板の感光材上に所定のパターンを形成することができる。
【００１６】
本発明は、液晶マスクを用いて被露光基板上の感光材に所定パターンを転写する露光装置であって、光を出射する光源と、前記光源から出射された所定の波長帯域の光を、可視光領域の波長帯域を有する第１光と、可視光領域外の波長帯域を有する第２光とに分離し、前記第１光を前記液晶マスクに向けて出射させる光分離手段と、を備えることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、光分離手段により、可視光領域の波長帯域を有する第１光を分離させることができる。これにより、可視光領域の第１光のエネルギー密度は、例えば紫外光領域の第２光と比較して波長が長くなるため、紫外光の露光光よりもエネルギー密度が低くなる。従って、液晶マスクに照射される露光光のエネルギー密度を低下させることができ、熱エネルギーによる液晶マスクの熱膨張（撓み）又は光エネルギーによる液晶マスクの劣化等を回避することができる。
【００１８】
本発明の露光装置は、露光光を出射する光源を備え、液晶マスクを用いて被露光基板上の感光材に所定パターンを転写する露光装置であって、前記光源が、可視光領域の波長の露光光でかつ単一波長の露光光を出射するレーザ光であることを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、光源にレーザ光を用いることにより、上記光分離手段を介さずに直接可視光領域でかつ単一波長の露光光を液晶マスクに照射することができる。これにより、複数の波長によるボケ（収差）を回避して、被露光基板の感光材に高精度のパターンを形成することができる。
【００２０】
本発明の電気光学装置は、上記記載の露光方法によって製造されたことを特徴とする。
本発明の電気光学装置では、上記露光方法により電気光学装置を製造するため、高精度な電気光学装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２２】
（露光装置）
まず、本実施形態の露光装置について図面を参照して説明する。図１は、本実施形態の露光装置７０の概略構成を示す。
図１に示すように、露光装置７０は、光源５と、ミラーコリメータレンズ３と、ビームスプリッタ７（光分離手段）と、プリズム４０と、液晶マスク８と、ステージ２と、を備えている。
【００２３】
光源５は、放射状に光線を射出する光源ランプ１１と、光源ランプ１１から放射された光線を一方向（ミラー方向）に向けて射出するリフレクタ１２とを備えている。光源ランプ１１には、例えば４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長帯域の露光光を出射するハロゲンランプ又はキセノンランプが用いられる。つまり、本実施形態において光源ランプ１１には可視光領域の波長を含む光源ランプ１１が用いられる。
【００２４】
ミラーコリメータレンズ３は、入射した露光光を平行光にして出射するものであり、光源５から出射される露光光の光軸に対して略４５度に傾斜して配置されている。光源５から放射状に出射された露光光は、ミラーコリメータレンズ３に入射すると、露光光の光束の直径が一定となる平行光に変換され、ビームスプリッタ７側に出射される。
【００２５】
ビームスプリッタ７は、光源５から出射された露光光の波長のうち、特定の波長領域の露光光のみを透過させるものであり、ミラーコリメータレンズ３の出射側に配置されている。ビームスプリッタ７には、例えば可視広帯域ハイブリッドビームスプリッタを用いることができる。このビームスプリッタ７は、二等辺三角柱のプリズムが接合されたものであり、接合面には部分的に反射コーティング処理が施されている。
ミラーコリメータレンズ３によって平行光に変換された露光光は、ビームスプリッタ７に入射する。そして、図１に示すように、ビームスプリッタ７に入射した露光光のうち可視光領域の波長帯域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）を含む光４４（第１光）は、ビームスプリッタ７を透過し、液晶マスク８が配置された方向に出射される。一方、ビームスプリッタ７に入射した露光光のうち可視光領域以外の波長帯域（４００ｎｍ未満）の光４６（第２光）は、ビームスプリッタ７により液晶マスク８が配置された方向とは異なる方向に反射される。つまり、光源５から出射された露光光の複数の波長のうち４００ｎｍ未満の波長帯域の光４６は、ビームスプリッタ７により液晶マスク８に照射される露光光から分離（カット）される。
【００２６】
プリズム４０は、プリズム４０に入射した複数の波長の露光光を各波長ごとのスペクトルに分離するものであり、ビームスプリッタ７の露光光の透過側に配置されている。ビームスプリッタ７によって可視光領域の波長に分離された光４４は、プリズム４０に入射する。プリズム４０に入射した光４４は、可視光領域の波長ごとに異なる屈折率を有するため、各波長ごとに分離されてプリズム４０から出射される。これにより、可視光領域の複数の波長の露光光のうち、特定の単一波長の露光光のみを取り出して、液晶マスク８方向に出射させることができる。なお、プリズム４０の出射方向に特定の単一波長のみを透過させるフィルムを配置することにより、単一波長の露光光を取り出すことも可能である。
【００２７】
液晶マスク８は、液晶マスク８に照射された露光光を所定パターンの露光光に変換して被露光基板１に照射するものである。つまり、可視光領域の単一波長からなる露光光を、所定パターンに変換して被露光基板１の感光材４２に照射する。なお、液晶マスク８の構成については後述において詳細に説明する。
【００２８】
ステージ２は、駆動モータ（図示省略）に接続され、制御装置６によって駆動モータが制御されることにより所定方向に移動及び回転可能となっている。また、ステージ２上には、パターンを露光するための被露光基板１が載置され、ステージ２に設けられた真空吸着（又は静電吸着）によりステージ２に固定されている。
プリズム４０によって単一波長に変換された可視光領域の露光光は、液晶マスク８を透過してステージ２上に載置された被露光基板１の感光材４２に照射される。これにより、被露光基板１の感光材４２に所定パターンを転写することができる。ここで、被露光基板１上に塗布される感光材４２としては、可視光領域の波長の露光光に対して感度を有するアルファジケトン誘導体が好適に用いられる。
【００２９】
次に、本実施形態で用いる液晶マスクについて図面を参照して説明する。
図２は液晶マスク８の概略構成を示した斜視図であり、図３は図２の液晶マスク８のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。なお、本実施形態の液晶マスク８は、画素の駆動方式としてパッシブマトリクス方式を採用している。なお、図２において、配向膜は発明の理解を容易とするため省略している。
【００３０】
図２及び図３に示すように、液晶マスク８は、第１基板１０と、この第１基板１０に対向配置される第２基板１６と、第１基板１０と第２基板１６とに挟持される液晶層２６とを備えている。なお、本実施形態において、液晶層２６が配置された側の第１基板１０及び第２基板１６面を内面と呼び、これと反対側の第１基板１０及び第２基板１６の面を外面と呼ぶ。また、光源５は、第２基板１６の外面側の上方に設置されているものとし、光源５から出射された露光光は、第２基板１６の外面側から入射することとする。
【００３１】
第１基板１０は、ガラス、石英、又はプラスティック等の光透過性を有する透明材料から形成され、液晶層２６を通過した露光光を透過させて第２基板１６の外面側に出射されることができるようになっている。なお、第１基板１０を半透明材料からなる材料により形成することもできる。また、第１基板１０の外面側には、第１偏光板２０が設けられている。なお、第１偏光板１０は、第１基板１０に接触又は固定させても良いし、一定の距離をあけて配置しても良い。
【００３２】
複数の第１電極１２は、図２に示すように、第１基板１０の内面側のＸ軸方向に延在してストライプ状に形成されている。第１電極１２は、例えば透明材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を材料として蒸着法等により形成される。
【００３３】
配向膜１４は、図３に示すように、上記複数の第１電極１２の全面を覆うようにして、第１基板１０の内面側に形成されている。この配向膜１４はポリイミド等の有機薄膜から形成され、配向膜１４表面には電圧が印加されていないときの液晶層２６の配向方向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００３４】
液晶層２６は、図３に示すように、第１基板１０とこの第１基板１０に対向配置される第２基板１６との間に挟持されて配置されている。液晶層２６は、例えばＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、ＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）モード等の動作モードの種々の液晶を採用することが可能である。
【００３５】
第２基板１６は、第１基板１０と同様に、ガラス、石英、又はプラスティック等の光透過性を有する透明材料から形成され、光源５から出射された露光光が透過されるようになっている。また、第２基板１６の外面側には、第２偏光板２１が設けられている。なお、第２偏光板２１は、第２基板１６に接触又は固定させても良いし、一定の距離をあけて配置しても良い。
【００３６】
複数の第２電極１８は、図２に示すように、第２基板１６の内面側のＹ軸方向に延在してストライプ状に形成されている。つまり、複数の第２電極１８のそれぞれは、第１基板１０の内面側に形成される第１電極１２のそれぞれと互いに交差するように配置されている。また、第２電極１８は、例えば透明材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）を材料として蒸着法等により形成される。
【００３７】
配向膜２２は、図３に示すように、上記複数の第２電極１８の全面を覆うようにして、第２基板１６の内面側に形成されている。この配向膜２２はポリイミド等の有機薄膜から形成され、配向膜２２表面には電圧が印加されていないときの液晶層２６の配向方向を規定するためのラビング処理が施されている。
【００３８】
本実施形態によれば、光源５に可視光領域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の波長を含むハロゲンランプ等を用いることにより、紫外光と比較して波長が長くなるため、従来から用いられている紫外光の露光光よりもエネルギー密度を低くなる。従って、液晶マスク８に照射する露光光によるエネルギー密度を低下させることができ、熱エネルギーよる液晶マスク８の熱膨張による撓み又は光エネルギーによる液晶マスク８の劣化を回避することができる。
また、本実施形態では、ビームスプリッタ７によって可視光領域の波長に変換された露光光はプリズム４０によって単一波長の露光光に変換されるため、被露光基板１上の結像位置のずれ（収差）を防止することができ、高精度のパターンを形成することができる。
【００３９】
［第２の実施の形態］
以下の本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態では、露光装置の光源にハロゲンランプ又はキセノンランプを用いていた。これに対し、本実施形態では、可視光領域でかつ単一波長の露光光を出射することができるレーザ光を用いる点において異なる。なお、その他の露光装置の基本構成は、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４０】
図４は、本実施形態の露光装置７０の概略構成を示した平面図である。
図４に示すように、露光装置７０は、光源５と、液晶マスク８と、ステージ２と、を備えている。
本実施形態において光源５には、発振波長が可視光領域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）でかつ単一波長である可視光レーザが用いられる。可視光レーザとしては、例えば、Ａｒレーザ（４８８ｎｍ），Ｋｒレーザ（５６８ｎｍ），ＨｅＮｅレーザ（５４３ｎｍ）又はＨｅＮｅレーザ（６３３ｎｍ）を用いることができる。
【００４１】
光源５に可視光レーザを用いた場合には、ビームスプリッタ７及びプリズム４０等を介さずに可視光領域でかつ単一波長の露光光を直接生成することができる。そのため、本実施形態では、上記第１実施形態と異なり、光源５と液晶マスク８との間に、ミラーコリメータレンズ３、ビームスプリッタ７及びプリズム４０を配置する必要がない。つまり、光源５から出射された可視光領域でかつ単一波長の露光光を、液晶マスク８を介して被露光基板１上の感光材４２に直接照射することができる。
【００４２】
本実施形態によれば、光源５に可視光レーザ光を用いることにより、ビームスプリッタ７等を介さずに直接可視光領域かつ単一波長の露光光を出射することができる。これにより、単一波長のみからなる露光光によって、被露光基板１上の感光材４２に照射することができるため、被露光基板１上の結像位置のずれ（収差）を防止することができ、高精度のパターンを形成することができる。
【００４３】
（電気光学装置）
次に、上述した露光装置及び露光方法により形成された配線、電極等を備える液晶装置（電気光学装置）について図面を参照して説明する。図５（ａ）は液晶装置１００を各構成要素とともに対向基板側からみた平面構成図、図５（ｂ）は液晶装置１００のＢ−Ｂ’線に沿った側断面構成図である。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００４４】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、画素電極３２及びＴＦＴ等が形成されたＴＦＴアレイ基板３４と、対向基板３６とが、平面視略矩形枠状のシール材５２を介して貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内に液晶層５０が封入された構成を具備した液晶パネル１１０と、その背面側（（ｂ）図下側）に配設されたバックライト１２０とを備えて構成されている。
【００４５】
液晶パネル１１０には、シール材５２の内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り５３が形成され、この周辺見切りの内側の領域には表示領域（画素部）が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板３４の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路２０４，２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板３４の残る１辺（図示上辺）には、表示領域３８の両側の走査線駆動回路２０４，２０４間を接続する複数の配線２０５が設けられている。
【００４６】
また、対向基板３６の各角部にはＴＦＴアレイ基板３４と対向基板３６との間の電気的導通をとるための基板間導通材１０６，２０６が配設されている。本実施形態の液晶表示装置１００は、半透過反射型の液晶表示装置として構成され、透過表示モードでは、背面側に配設されたバックライト１２０からの照明光を液晶パネル１１０にて変調して対向基板３６側から表示光として射出し、反射表示モードでは、液晶パネル１１０に設けられた反射層（図示略）により対向基板３６側から入射した光を反射させるとともに液晶層５０にて変調し、表示光として射出するようになっている。
【００４７】
なお、液晶装置１００においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、垂直配向モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００４８】
なお、本願発明は、上述した例に限定されるものではなく、本願発明の要旨を逸脱しな
い範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。また、本願発明の要旨を逸脱しな
い範囲において上述した各例を組み合わせても良い。
例えば、上記実施形態では、光源から出射された露光光から特定の波長を分離させる手段としてビームスプリッタを用いたが、これに限定されることはない。ビームスプリッタの代わりにダイクロイックミラーを用いることにより、光源から出射された露光光から特定の波長を分離させることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】パッシブマトリクス方式の液晶マスクの概略構成を示す斜視図である。
【図３】図２に示す液晶マスクのＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図４】第２実施形態に係る露光装置の概略構成を示す平面図である。
【図５】（ａ）は電気光学装置の概略構成を示す平面図、（ｂ）は（ａ）に示す電気光学装置のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…被露光基板、  ２…ステージ、  ３…ミラーコリメータレンズ、  ５…光源、  ６…制御装置、  ７…ビームスプリッタ（光分離手段）、  ８…液晶マスク、  １０…第１基板、  １１…光源ランプ、  １２…リフレクタ、  １４…配向膜、  １６…第２基板、  １８…第２電極、  ２０…第１偏光板、  ２１…第２偏光板、  ２２…配向膜、  ２６…液晶層、  ３２…画素電極、  ３４…ＴＦＴアレイ基板、  ３６…対向基板、  ４０…プリズム、  ４２…感光材、  ４４…光（第１光）、  ４６…光（第２光）、  ５０…液晶層、  ５２…シール材、  ５３…周辺見切り、  ７０…露光装置、  １００…液晶装置（電気光学装置）、  １０６，２０６…基板間導通材、  １１０…液晶パネル、  １２０…バックライト、  ２０１…データ線駆動回路、  ２０２…外部回路実装端子、  ２０４…走査線駆動回路、  ２０５…配線
【図１】
2006251443.tif 000003
【図２】
2006251443.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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