(57)【要約】【課題】特許文献１に記載のニッケル−亜鉛系フェライト材料の場合には、ニッケル−亜鉛系フェライト材料の基本組成（Ｆｅ２Ｏ３４３〜５０モル％、ＮｉＯ１０〜３５モル％、ＺｎＯ１０〜３５モル％、ＣｕＯ３〜１５モル％）に対するＩｎ２Ｏ３の添加量が０．０１〜０．２重量％と少ないため、電荷バランスが崩れ、温度特性改善効果を示す温度領域が狭く、しかも温度特性改善効果もせいぜい１．５ｐｐｍ程度の改善が限界であった【解決手段】本発明のフェライト材料は、４３〜５０．５モル％のＦｅ２Ｏ３、１０〜４８モル％のＮｉＯ、０〜３４モル％のＺｎＯ、及び０〜１７モル％のＣｕＯを基本組成とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料であって、０．１〜７．０モル％のＩｎ２Ｏ３を含有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
４３〜５０．５モル％のＦｅ２Ｏ３、１０〜４８モル％のＮｉＯ、０〜３４モル％のＺｎＯ、及び０〜１７モル％のＣｕＯを基本組成とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料であって、０．１〜７．０モル％のＩｎ２Ｏ３を含有することを特徴とするフェライト材料。
【請求項２】
請求項１に記載のフェライト材料からなる磁性体を備えたことを特徴とするインダクタ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フェライト材料及びインダクタ素子に関し、更に詳しくは、温度特性に優れたフェライト材料及びインダクタ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料は、その磁気特性から磁芯の材料として、あるいは積層チップインダクタ等のインダクタ素子の材料として用いられている。これらの磁芯やインダクタ素子は、種々の環境下で使用されるため、温度変化に対する初透磁率μｉの変化が少ない材料、即ち温度特性に優れた材料によって形成されていることが望ましい。
【０００３】
特許文献１にはニッケル−亜鉛系フェライト材料の初透磁率の温度特性を改善した発明について開示されている。この発明は、Ｆｅ２Ｏ３４３〜５０モル％、ＮｉＯ１０〜３５モル％、ＺｎＯ１０〜３５モル％、ＣｕＯ３〜１５モル％である基本組成のニッケル−亜鉛系フェライト材料に対して、Ｉｎ２Ｏ３を０．０１〜０．２重量％添加して焼成を行うことを特徴とするニッケル−亜鉛系フェライト材料の製造方法である。この発明によれば、ニッケル−亜鉛系フェライト材料の基本組成に対してＩｎ２Ｏ３を添加することによって、初透磁率を低下させることなく、初透磁率の温度特性を改善することができ、また、インダクタ用酸化物磁性材料として用いることによって、温度特性の良好なチップコンデンサ等と組み合わせが容易になる。
【０００４】
【特許文献１】特開平０４−３３８１６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のニッケル−亜鉛系フェライト材料の場合には、ニッケル−亜鉛系フェライト材料の基本組成（Ｆｅ２Ｏ３４３〜５０モル％、ＮｉＯ１０〜３５モル％、ＺｎＯ１０〜３５モル％、ＣｕＯ３〜１５モル％）に対するＩｎ２Ｏ３の添加量が０．０１〜０．２重量％と少ないため、電荷バランスが崩れ、温度特性改善効果を示す温度領域が狭く、しかも温度特性改善効果もせいぜい１．５ｐｐｍ程度の改善が限界であった。
【０００６】
一方、フェライト材料の初透磁率μｉの温度特性は、下記の（１）式で表されるように、飽和磁化Ｍｓ及び磁気異方性定数κそれぞれの温度変化に左右される。そして、飽和磁化Ｍｓ及び磁気異方性定数κは、温度上昇によって共に減少し、しかも磁気異方性定数κは、飽和磁化Ｍｓの減少量より急激に減少量が大きくなる温度領域があり、そのような温度領域では、下記（１）式からも明らかなように、初透磁率μｉが大きく跳ね上がる、いわゆるホプキンソン効果が発現し、初透磁率μｉが温度変化によって大きく変動して不安定になる。但し、下記式において、ａ、ｂはそれぞれ定数、λは磁歪定数、σは応力を示す。
μｉ∝Ｍｓ２／（ａκ＋ｂσλ）・・・（１）
ところが、特許文献１に記載の発明では、磁気異方性定数κが緩やかに変化する狭い温度領域において、温度特性の改善は認められるものの、磁気異方性定数κが飽和磁化Ｍｓの減少量を大きく上回り、ホプキンソン効果によって初透磁率μｉが跳ね上がる広い温度領域には対応できないという課題があった。
従って、このようなフェライト材料を例えばアンテナに使用すると、ＬＣ共振周波数が温度変化によって変動し、アンテナとしての送受信が不可能になる。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、磁気異方性定数自体を低減して磁気異方性定数の初透磁率に対する影響を抑制して初透磁率の温度特性を大幅に改善することができるフェライト材料及びインダクタ素子を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載のフェライト材料は、４３〜５０．５モル％のＦｅ２Ｏ３、１０〜４８モル％のＮｉＯ、０〜３４モル％のＺｎＯ、及び０〜１７モル％のＣｕＯを基本組成とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料であって、０．１〜７．０モル％のＩｎ２Ｏ３を含有することを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明の請求項２に記載のインダクタ素子は、請求項１に記載のフェライト材料からなる磁性体を備えたことを特徴とするものである。
【００１０】
而して、本発明のフェライト材料は、４３〜５０．５モル％のＦｅ２Ｏ３、１０〜４８モル％のＮｉＯ、０〜３４モル％のＺｎＯ、及び０〜１７モル％のＣｕＯを基本組成とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料で、この基本組成を有することによってフェライト材料として確実に焼結することができる。
【００１１】
従って、Ｆｅ２Ｏ３の含有量が４３モル％未満になっても５０．５モル％を超えても、所定の焼成温度で異相を析出して焼結しないため好ましくない。
【００１２】
また、ＮｉＯの含有量が１０％未満になっても４８モル％を超えても、所定の焼成温度で異相を析出して焼結しないため好ましくない。
【００１３】
ＺｎＯは初透磁率を制御する成分で、ＺｎＯの含有量の増加に対応してＮｉＯの含有量を相対的に減少させることによって、初透磁率を増加させることができる。従って、ＺｎＯを添加しなくても良いが、この場合には、初透磁率の増加効果がなく初透磁率が小さくなる。ＺｎＯの含有量が３４モル％を超えると、所定の焼成温度で異相を析出して焼結しないため好ましくない。
【００１４】
ＣｕＯは焼結性を向上させる成分で、焼成温度を１０００℃以下に低下させることができ、延いては、積層インダクタ等の積層型電子部品のように、内部電極を共焼成することができる。ＣｕＯの含有量が１７モル％を超えると、異相を析出して焼結しないため好ましくない。
【００１５】
本発明のフェライト材料は、０．１〜７．０モル％のＩｎ２Ｏ３を含有している。この含有量は重量換算すると０．２３〜１５．５重量％である。フェライト材料に対して０．１〜７．０モル％のＩｎ２Ｏ３を含有させることによって、フェライト材料の基本成分であるＦｅ２Ｏ３のＦｅ３＋イオンの一部をＩｎ３＋イオンで積極的に置換することができる。この置換によって、フェライト材料の磁気異方性定数κを低減することができ、ホプキンソン効果による飽和磁化Ｍｓの減少量に対する磁気異方性定数κの減少量の影響を抑制することができ、延いては、前記（１）式の関係からも明らかなように、初透磁率μｉに対する温度変化の影響を抑制し、フェライト材料の温度特性を向上させ、広い温度領域で安定した初透磁率μｉを得ることができる。
【００１６】
Ｉｎ２Ｏ３の含有量が０．１モル％未満になると、Ｆｅ３＋イオンをＩｎ３＋イオンで置換できず、添加効果が認められず初透磁率μｉの温度特性を安定化させることができないため好ましくない。また、Ｉｎ２Ｏ３の含有量が７．０モル％を超えると、キュリー温度Ｔｃが低下して透磁率が得られなくなる虞があるため好ましくない。
【００１７】
本発明のフェライト材料は、例えば、初透磁率の−２５℃〜１００℃の温度領域で、相対温度係数及び温度変化率が共に小さく、温度特性に優れたものであるため、狭偏差インダクタ材や、ミリ波若しくはマイクロ波アイソレータの低損失材として使用することができる。
【００１８】
本発明のインダクタ素子は、本発明のフェライト材料によって形成された磁性体を備え、広い温度領域で温度特性に優れたインダクタ素子である。本発明のインダクタ素子は、例えば携帯電話等の移動体機器に用いられる積層インダクタや巻線型インダクタがある。例えば積層インダクタの場合には、本発明のフェライト材料によって磁性体を形成する際に、Ａｇ、Ｃｕ及びこれらを主成分とする合金等の融点の低い導電性金属を１０００℃以下の共焼成することによって、内部コイルを形成することができる。そして、本発明のインダクタ素子は、コンデンサと組み合わせて使用することにより、広い温度範囲で共振周波数が安定し、共振周波数の安定したＬＣ共振回路を構成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の請求項１及び請求項２に記載の発明によれば、磁気異方性定数自体を低減して磁気異方性定数の初透磁率に対する影響を抑制して初透磁率の温度特性を大幅に改善することができるフェライト材料及びインダクタ素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
まず、本発明のフェライト材料を具体的に説明する。
【００２１】
（１）フェライト材料の調製
まず、出発原料として、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３及びＩｎ２Ｏ３の各粉末をそれぞれ用意した。その後、これらの出発原料の各粉末を、表１の試料Ｎｏ.１〜２８に示す含有量になるように、秤量して配合した後、それぞれの配合物を、部分安定化ジルコニアボールを玉石として、ポットミルによって２４時間湿式混合を行った。次いで、これらの配合物を乾燥させた後、所定の焼成温度（例えば、６５０〜７５０℃）で仮焼した後、これらの仮焼粉を、比表面積が５ｍ２／ｇ程度になるように、ポットミルによって８時間程度粉砕を行うことにより、フェライト原料粉を得た。尚、表１において、＊印を付した試料は本発明の範囲外のものである。
【００２２】
（２）フェライト焼結体の作製
上述の各フェライト原料粉に、酢酸ビニル系バインダ溶液を混合してスラリーを得た後、これらのスラリーを乾燥させた。次いで、これらの乾燥粉を、乾式プレス成形機を用いて、ブロック状の圧粉成形体を作製し、これらの圧粉成形体を、大気中で所定の焼成温度（例えば、９００〜１０００℃）で１〜２時間程度の本焼成を行い、トロイダルコア状のフェライト焼結体を得た。尚、出発原料に起因する不純物として、Ｍｎ、Ｃｌ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｂｉ等が約０．４０重量％未満で混入したり、混合粉砕時の不純物として、ＺｎやＳｉが０．８重量％未満で混入することがあるが、フェライト材料を特性的にみて特に問題はない。
【００２３】
（３）フェライト焼結体の評価
次いで、上記各トロイダルコア状のフェライト焼結体に軟銅線を、それぞれ４０ターン巻き、それぞれのインダクタンスを、インピーダンスアナライザを用いて周波数１００ｋＨｚの条件で測定した。この際、トロイダルコアを恒温槽内に設置し、表１に示すように、測定温度を−２５〜１００℃の範囲で変え、インダクタンスの温度変化を測定することによって、フェライト焼結体の初透磁率μｉの相対温度係数αμｒを下記の(２)式に基づいて算出して、各試料の評価を行い、その結果を表１に示した。下記式において、μ１００℃、μ−２５℃、μ２５℃は、それぞれ１００℃、−２５℃、２５℃における初透磁率を示す。
αμｒ（ｐｐｍ/℃）＝〔（μ１００℃−μ−２５℃）/（μ２５℃２×１２５）〕×１０６
・・・（２）
【００２４】
また、２５℃から１００℃における初透磁率μｉの温度変化率Δμ/μを、下記の(３)式に基づいて算出して、各試料の評価を行い、それぞれの結果を表１に示した。
Δμ/μ（％）＝〔（μ１００℃−μ２５℃）/μ２５℃〕×１００・・・（３）
【００２５】
【表１】
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【００２６】
表１に示す結果によれば、本発明の範囲内の試料Ｎｏ.２〜４、Ｎｏ.６〜８、Ｎｏ.１１〜１３、Ｎｏ.１５〜１８、Ｎｏ.２２〜２８の場合には、いずれも本発明の基本組成を有し、Ｉｎ２Ｏ３の含有量が０．１〜７．０モル％であるため、基本組成であるＦｅ２Ｏ３のＦｅ３＋イオンの一部をＩｎ３＋イオンで積極的に置換してトロイダルコアの磁気異方性定数κを低減することができ、−２５℃〜１００℃の温度範囲における初透磁率μｉの相対温度係数αμｒが±１．００ｐｐｍ／℃以内の範囲で小さく、また、初透磁率μｉの温度変化率も２５℃を基準にして１４％以下の変化率であり、温度安定性に優れていることが判った。
【００２７】
これに対して、Ｉｎ２Ｏ３の含有量が０．１モル％未満の試料Ｎｏ.２０、２１の場合には、初透磁率μｉの相対温度係数αμｒが１．３８ｐｐｍ／℃、あるいは１．１９ｐｐｍ／℃と大きく、−２５℃〜１００℃の範囲で初透磁率μｉが９８０〜１２５０まで、あるいは９８０〜１１９０まで変化し、温度変化率Δμ／μが１９％以上、あるいは１３％以上で温度安定性に劣っていることが判った。また、Ｉｎ２Ｏ３の含有量が7．０モル％を超える試料Ｎｏ.２９の場合には、キュリー温度Ｔｃが低下し、透磁率μが得られないことが判った。
【００２８】
また、フェライト材料の基本組成であるＦｅ２Ｏ３の含有量が４３モル％未満の試料Ｎｏ.１及びその含有量が５０．５モル％を超える試料Ｎｏ.５のいずれの場合にも異相が析出しフェライト材料として焼結しないことが判った。
【００２９】
基本組成であるＣｕＯの含有量が１７モル％を超える試料Ｎｏ.９の場合にも異相が析出しフェライト材料として焼結しないことが判った。
【００３０】
基本組成であるＮｉＯの含有量が１０モル％未満の試料Ｎｏ.１０及びその含有量が４８モル％を超える試料Ｎｏ.１４のいずれの場合にも異相が析出しフェライト材料として焼結しないことが判った。
【００３１】
基本組成であるＺｎＯの含有量が３４モル％を超える試料Ｎｏ.１９の場合にも異相が析出しフェライト材料として焼結しないことが判った。
【００３２】
次に、本発明のフェライト材料を磁性体として用いた本実施形態の積層インダクタについて、図１を参照しながら説明する。
本実施形態の積層インダクタ１０は、例えば図１に示すように、本発明のフェライト材料からなる磁性体１１と、この磁性体１１内に形成されたコイル１２と、このコイル１２の上下の電極部１２Ａ、１２Ｂに接続され且つ焼結体１１の両端面を被覆する左右一対の外部電極１３Ａ、１３Ｂとを備え、温度特性に優れたインダクタ素子である。コイル１２は、水平方向に上下複数段に渡って形成されたコイル導体１２１と、上下のコイル導体１２１を電気的に接続するビアホール導体１２２とからなり、上下方向に延びる矩形の螺旋状として形成されている。
【００３３】
本実施形態の積層インダクタを作製する場合には、例えば以下に示すような製造方法を用いている。まず、本発明のフェライト原料を含むスラリーをドクターブレード法によってシート成形し、複数のセラミックグリーンシートを作製する。次いで、適宜のセラミックグリーンシートの所定位置に、ビアホールを形成した後、セラミックグリーンシートの上面に、Ｃｕ等の導電性金属粉を含む導電性ペーストを、スクリーン印刷法等を用いて印刷し、所定のコイルパターンを形成した。所定のコイルパターンが形成されたセラミックグリーンシートを、必要枚数積層すると共に、その上下の両面にコイルパターンが形成されていないセラミックグリーンシートを積層した後、これを例えば９８ＭＰａの圧力で圧着して圧着ブロックを形成した。これにより、各層のコイルパターンがビアホールによって接続されて積層型のコイルを形成する。そして、この圧着ブロックを所定サイズにカットして積層体を得た。次いで、この積層体を脱脂処理した後、脱脂後の積層体を９００℃で焼成してフェライト焼結体（磁性体）を得た。そして、この磁性体の端面処理を行った後、その両端面に導電ペーストを塗布し、７００℃で焼き付けて、外部電極をそれぞれ形成した。これにより、磁性体内にコイルを内蔵する積層インダクタを得た。
【００３４】
尚、本発明は、上記実施形態に何等制限されるものではなく、要は、４３〜５０．５モル％のＦｅ２Ｏ３、１０〜４８モル％のＮｉＯ、０〜３４モル％のＺｎＯ、及び０〜１７モル％のＣｕＯを基本組成とするＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系のフェライト材料であって、０．１〜７．０モル％のＩｎ２Ｏ３を含有するフェライト材料及びこのフェライト材料を磁性体とするインダクタ素子であれば、全て本発明に包含される。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明は、例えば、携帯電話等の移動体機器のインダクタ素子等として好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明のインダクタ素子の一実施形態を透視して示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０    積層インダクタ（インダクタ素子）
１１    磁性体
【図１】
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