(57)【要約】【課題】ＭＬＭ(Metal Layer Metal)工程の際に絶縁膜に発生するクラック(crack)の抑制に適した半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、前記（ｂ）段階の完了後、前記（ｃ）段階を行う前に熱処理工程により前記メタルラインの応力を緩和させる（ｅ）段階を行う。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、
（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、
（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、
（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、
前記（ｂ）段階の完了後、前記（ｃ）段階を行う前に、熱処理工程により前記メタルラインの応力を緩和させる（ｅ）段階を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記（ｅ）段階は、３００〜４５０℃の温度範囲のＮ２およびＡｒガス雰囲気中で２０〜６０分間炉(Furnace)で熱処理する段階であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記（ｅ）段階は、３００〜５５０℃の温度範囲のＮ２ガス雰囲気中で１０〜６０秒間急速熱処理（ＲＴＰ）を行う段階であることを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、
（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、
（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、
（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、
前記（ａ）段階で前記メタルラインに高融点金属成分を含ませてメタルラインの溶融点を高めることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記（ａ）段階で前記メタルラインに高融点物質を分散強化処理してメタルラインに高融点金属成分を含ませることを特徴とする請求項４記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
（ａ）段階で金属と高融点物質を同時スパッタリングする方法でメタルラインに高融点金属成分を含ませることを特徴とする請求項４記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、
（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、
（ｃ）前記メタルライン上に高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化膜を蒸着して第２絶縁膜を形成する段階と、
（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、
前記（ｃ）段階のＨＤＰ酸化膜の蒸着の際にバイアスパワーを３０００〜６０００Ｗａｔｔにすることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、
（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、
（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、
（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜を同種膜で形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜をＨＤＰ酸化膜で形成することを特徴とする請求項８記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜をＴＥＯＳ酸化膜で形成することを特徴とする請求項８記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）ＴＥＯＳ酸化膜からなる第１絶縁膜が形成された基板を準備する段階と、
（ｂ）前記基板上にメタルラインを形成する段階と、
（ｃ）前記メタルラインをパターニングする段階と、
（ｄ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、
（ｅ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、
前記（ａ）段階以後、前記（ｂ）段階を行う前に、前記第１絶縁膜に対するプラズマ処理を行って前記第１絶縁膜の界面を安定化させる（ｆ）段階を行うことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記（ｆ）段階のプラズマ処理は、Ａｒ、Ｏ２、Ｈｅの少なくとも一つを含む雰囲気中で２０００〜６０００Ｗａｔｔのバイアスパワーで１０〜１００秒間行うことを特徴とする請求項１１記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法に係り、特に、ＭＬＭ(MetalLayerMetal)工程の際に絶縁膜に発生するクラック(crack)の抑制に適した半導体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子のＭＬＭ(MetalLayerMetal)形成方法は、アルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）などのメタルライン(MetalLine)を形成した後、高密度プラズマ(HighDensityPlasma)のようなシリコン酸化膜を用いて金属配線間の絶縁を行う。
【０００３】
このようなメタル工程の完了後、リフレッシュ(refresh)特性の改善およびメタル抵抗の安定化のためのアニール(anneal)を行わなければならない。
【０００４】
一般に、金属の場合、絶縁膜に比べて熱膨張速度が数十倍以上なので、熱処理の際にメタルと酸化膜間の熱膨張度の差異による熱応力の発生は不可避であり、このような熱応力は絶縁膜の脆弱地点でクラック(crack)を誘発する。
【０００５】
図１は熱応力により絶縁膜に生じたクラックを撮影したＳＥＭ写真であって、熱応力により発生した１次絶縁膜のクラックと１次クラックによる陥没で形成された２次クラックとが示されている。
【０００６】
また、アニール(anneal)工程は、一般に４００〜４５０℃の温度で２０〜３０分間行うが、このようなアニール条件は、アルミニウム配線を使用する場合、アルミニウムの溶融温度が６００℃であって２／３Ｔｍ程度の高温なので、液体挙動を誘発する。したがって、アニール工程中に配線用アルミニウムが液体挙動を示す。
【０００７】
この際、熱応力によるクラックが存在する場合、毛細管現象およびＡｌ体積膨張により前記クラックにＡｌが浸透してメタルラインブリッジフェール(metallinebridgefail)が発生する。
【０００８】
図２はメタルラインブリッジフェールを撮影したＳＥＭ写真であって、クラックに金属（Ａｌ）が浸透してＡ部分でのように金属が下部導電層に連結される不良が発生することを示している。
【０００９】
メタルと絶縁膜が存在する場合、熱処理の際にメタルと絶縁膜間の熱膨張度の差異による熱応力の発生は不可避であり、この際、絶縁膜が受ける応力程度は−３．５Ｅ１１ｄｙｎ／ｃｍ２程度の圧縮応力が発生する。特に、メタルラインの角部地域では、応力集中が発生し、一般に取り扱う薄膜ストレスレベル(thinfilmstresslevel)である〜１Ｅ９ｄｙｎ／ｃｍ２の数百倍の応力が発生する。
【００１０】
メタルによって絶縁膜が受ける応力（σox）は次の数式１のとおりである。
【００１１】
【数１】
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【００１２】
ここで、σoxはメタルによって絶縁膜が受ける応力、ＥAIはＡｌの弾性係数（＝６Ｅ１１ｄｙｎ／ｃｍ２）、ＶAIはＡｌのポイソン比(poission'ｓ ratio)（＝０．３）、αAIはＡｌの熱膨張度（＝１０ｐｐｍ／ｋ）、ａoxは絶縁膜の熱膨張度（＝０．５５ｐｐｍ／ｋ）、ｄＴは常温と熱処理時の温度との差（＝４２５Ｋ）である。
【００１３】
図３（ａ）および図３（ｂ）はそれぞれ温度によるＡｌとＨＤＰ酸化膜の応力履歴曲線を示したグラフである。
【００１４】
図３（ａ）を参照すると、アルミニウムは、初期には引張応力を持つが、温度の増加に伴って熱膨張度が大きくなるため、圧縮応力に変化した後、冷却の際にさらに引張応力に変化することを確認することができる。
【００１５】
しかし、ＨＤＰ酸化膜の場合、初期状態では圧縮応力を持つが、温度の増加に伴って引張応力の方向に変化するが、依然として圧縮応力を示し、冷却の際にさらに圧縮応力が増加する。
【００１６】
図４（ａ）〜図４（ｃ）は図３（ａ）および図３（ｂ）の応力履歴曲線の結果に基づいて熱処理の際にＡｌとＨＤＰ酸化膜にそれぞれ発生する応力の状態を図式的に示した図である。
【００１７】
ここで、矢印方向は膜が変化したがる方向を示し、矢印の長さは応力の大きさを示す。
【００１８】
加熱前（図４（ａ））と冷却後(図４（ｃ）)の状態では、Ａｌは引張応力、ＨＤＰ酸化膜は圧縮応力により、応力方向が逆に作用して応力緩和効果をもたらす可能性がある。
【００１９】
ところが、加熱の際（図４（ｂ））にはＡｌの応力が圧縮応力に変わるので、ＡｌとＨＤＰ酸化膜の両方とも圧縮応力を示して非常に高い応力が発生する。
【００２０】
したがって、図４（ｂ）のＢ部分に示すように、メタルラインボタムコーナー(metallinebottomcorner)地域における応力集中をもたらす。
【００２１】
Ａｌボトムコーナー地域は、メタルライン形成の際にメタルラインブリッジの除去のために５０％程度のオーバーエッチ(overetch)を行うが、このときにオーバーエッチによる下部ＴＥＯＳ酸化膜の損失(loss)が発生する地域である。
【００２２】
図５はＡｌエッチングプロファイルを示す図である。図５より、オーバーエッチによってボトムコーナー地域のＴＥＯＳ酸化膜が損失したことを確認することができる。
【００２３】
このようなＡｌボトム地域は、応力集中とともに異種膜の界面（ＴＥＯＳ／ＨＤＰ）で形成されるので、亀裂に非常に脆弱な構造である。
【００２４】
図６はオーバーエッチ地域の亀裂と亀裂によるＡｌ浸透現象を示したＳＥＭ写真であって、Ａｌボトム地域が亀裂に脆弱であり、それによるＡｌ浸透の問題があることを示している。
【００２５】
さらに、ＴＥＯＳ酸化膜は、表面に水分および炭化水素(hydro-carbon)不純物などが多量含有された膜なので、その界面が非常に不安定であって問題の素子を常に内包している。
【００２６】
図７はＳＩＭＳを用いてＴＥＯＳ酸化膜の表面の不純物を測定した結果を示すグラフである。図７よりは、ＴＥＯＳ酸化膜の表面にＨ２、ＣｘＨｙ、Ｈ２Ｏ、ＣＯ、Ｏ２、ＣＯ２などの不純物が多量含有されていることを確認することができ、これによる界面不安定性を予測することができる。
【００２７】
図８はＴＥＯＳ／ＴＥＯＳ界面のアタック程度を示す図である。ＴＥＯＳ酸化膜の蒸着後、真空破壊(vaccumbreak)のみを行ってからさらに酸化膜を蒸着し、ウェットクリーニング(wetcleaning)のみを行っても、ＴＥＯＳ／ＴＥＯＳ界面におけるエッチング率が高くてアタック(attack)が発生する。よって、ＴＥＯＳ／ＨＤＰ界面結合力が非常に良くないものと推定することができる。
【００２８】
したがって、前述した原因により、メタルラインオーバーエッチ地域であるＴＥＯＳ／ＨＤＰ界面におけるクラックが始まってクラックによるＡｌブリッジフェールが発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
そこで、本発明の目的は、高温で膜の応力状態を変化させ、あるいはこのような応力が加わったときにクラック(crack)の発生が抑制されるようにメタルラインボトムコーナーのような亀裂脆弱部位の界面特性を改善させ、あるいはクラックの原因となる異種界面を除去することにより、半導体素子におけるクラック発生を防止することができ、ひいてはクラックによるメタルラインブリッジフェールを防止することができる、半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
上記の目的を達成するために、本発明の一特徴に係る半導体素子の製造方法は、（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、前記（ｂ）段階の完了後、前記（ｃ）段階を行う前に、熱処理工程により前記メタルラインの応力を緩和させる（ｅ）段階を行うことを特徴とする。
【００３１】
好ましくは、前記（ｅ）段階は、３００〜４５０℃の温度範囲のＮ２およびＡｒガス雰囲気中で２０〜６０分間炉(Furnace)で熱処理する段階であることを特徴とする。
【００３２】
好ましくは、前記（ｅ）段階は、３００〜５５０℃の温度範囲のＮ２ガス雰囲気中で１０〜６０秒間急速熱処理（RapidThermalProcess：ＲＴＰ）を行う段階であることを特徴とする。
【００３３】
また、本発明の他の特徴に係る半導体素子の製造方法は、（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、前記（ａ）段階で前記メタルラインに高融点金属成分を含ませてメタルラインの溶融点を高めることを特徴とする。
【００３４】
好ましくは、前記（ａ）段階で前記メタルラインに高融点物質を分散強化処理してメタルラインに高融点金属成分を含ませることを特徴とする。
【００３５】
好ましくは、（ａ）段階で金属と高融点物質を同時スパッタリング(co-sputtering)する方法でメタルラインに高融点金属成分を含ませることを特徴とする。
【００３６】
また、本発明の別の特徴による半導体素子の製造方法は、（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、（ｃ）前記メタルライン上に高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化膜を蒸着して第２絶縁膜を形成する段階と、（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、前記（ｃ）段階のＨＤＰ酸化膜の蒸着の際にバイアスパワーを３０００〜６０００Ｗａｔｔにすることを特徴とする。
【００３７】
また、本発明の別の特徴による半導体素子の製造方法は、（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、前記第１絶縁膜と第２絶縁膜を同種膜で形成することを特徴とする。
【００３８】
好ましくは、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜をＨＤＰ酸化膜で形成することを特徴とする。
【００３９】
好ましくは、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜をＴＥＯＳ酸化膜で形成することを特徴とする。
【００４０】
また、本発明の別の特徴による半導体素子の製造方法は、（ａ）ＴＥＯＳ酸化膜からなる第１絶縁膜が形成された基板を準備する段階と、（ｂ）前記基板上にメタルラインを形成する段階と、（ｃ）前記メタルラインをパターニングする段階と、（ｄ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、（ｅ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、前記（ａ）段階以後、前記（ｂ）段階を行う前に、前記第１絶縁膜に対するプラズマ処理を行うことにより、第１絶縁膜の界面を安定化させる（ｆ）段階とを含んでなることを特徴とする。
【００４１】
好ましくは、前記（ｆ）段階のプラズマ処理は、Ａｒ、Ｏ２、Ｈｅの少なくとも一つを含む雰囲気中で２０００〜６０００Ｗａｔｔのバイアスパワーで１０〜１００秒間行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００４２】
本発明は、メタルラインまたはＨＤＰ酸化膜の圧縮応力を減少させることができるので、後続のメタルライン熱処理工程の際に圧縮応力を減らすことができる。したがって、圧縮応力に起因するクラックの発生を減らすことができる。また、クラックの原因となる異種界面を除去することにより、半導体素子におけるクラック発生を防止することができる。さらに、不安定であったＴＥＯＳ酸化膜の界面を安定化させることにより、半導体素子のクラック発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
次に、本発明を説明するに先立ち、本発明と関連した一般的な半導体素子の製造工程を説明する。
【００４４】
図９（ａ）〜図９（ｄ）は本発明と関連した一般的な半導体素子の製造工程を示す断面図である。
【００４５】
まず、図９（ａ）に示すように、第１絶縁膜１０１の形成された基板上に金属膜１０２を形成する。前記金属膜１０２はアルミニウム（Ａｌ）を蒸着して形成する。
【００４６】
その後、図９（ｂ）に示すように、前記金属膜１０２をパターニングしてメタルライン１０２ａを形成する。この際、前記メタルライン１０２ａのボトムコーナー(bottomcorner)地域は、メタルライン間のブリッジを防止するために５０％程度のオーバーエッチを行うが、オーバーエッチによって下部の第１絶縁膜１０１が一部損失する。
【００４７】
次いで、図９（ｃ）に示すように、全面に第２絶縁膜１０３を形成する。その後、リフレッシュ特性およびメタル抵抗の安定化のために、図９（ｄ）に示すように４５０℃の温度で熱処理する。この際、前記第２絶縁膜１０３とメタルライン１０２ａが全て圧縮応力を示し、メタルラインボトムコーナーにおける応力集中をもたらしている。
【００４８】
（第１実施例）
本発明の第１実施例は、前記メタルライン１０２ａを形成した後、第２絶縁膜１０３を蒸着する前に熱処理工程を行ってメタルライン１０２ａの圧縮応力を減少させようとする。
【００４９】
前記熱処理工程は、炉(Furnace)で３００〜４５０℃の温度範囲のＮ２およびＡｒガス雰囲気中で２０〜６０分間行う方法、あるいは３００〜５５０℃の温度範囲のＮ２ガス雰囲気中で１０〜６０秒間急速熱処理（ＲＴＰ）を行う方法を使用する。
【００５０】
前述した熱処理工程によって前記メタルライン１０２ａの圧縮応力を減少させることができ、これによりメタルライン１０２ａのリフレッシュ特性およびメタル抵抗安定化のための後続の熱処理工程（図９（ｄ））における応力集中現象を減らすことができる。
【００５１】
（第２実施例）
本発明の第２実施例は、メタルライン１０２ａの溶融を抑制させてメタルライン１０２ａの応力を変更させようとするもので、前記メタルライン１０２ａを高融点金属成分が含まれるように構成する。
【００５２】
高融点金属成分含有のメタルライン１０２ａを形成する方法としては、金属膜１０２の形成の際に金属膜１０２に高融点物質を分散強化処理する方法や、金属膜１０２の形成の際に金属と高融点物質を同時スパッタリング法を用いて２相を同時に蒸着する方法がある。
【００５３】
例えば、Ａｌ金属の内部にＡｌ２Ｏ３およびＷなどを分散強化処理し、あるいはＡｌと同時にＡｌ２Ｏ３およびＷなどの高融点物質を同時スパッタリング法を用いて同時に蒸着する。
【００５４】
このように、メタルライン１０２ａを高融点金属成分が含まれるように形成すると、メタルライン１０２ａの溶融を抑制させることができ、これによりメタルライン１０２ａのリフレッシュ特性およびメタル抵抗安定化のための後続の熱処理工程（図９（ｄ））で応力集中現象を減らすことができる。
【００５５】
（第３実施例）
本発明の第３実施例では、第２絶縁膜１０３の蒸着の際にバイアスパワーを３０００〜６０００Ｗａｔｔにして第２絶縁膜１０３の圧縮応力を減少させようとする。
【００５６】
絶縁膜の蒸着の際にバイアスパワーが増加すると、絶縁膜の圧縮応力は減少するものと知られている。本発明の第２絶縁膜１０３の蒸着の際にバイアスパワーを十分高く設定して第２絶縁膜１０３の圧縮応力を減らそうとする。
【００５７】
したがって、第２絶縁膜１０３の圧縮応力を減少させることができ、これによりメタルライン１０２ａのリフレッシュ特性およびメタル抵抗安定化のための後続の熱処理工程（図９（ｄ））における応力集中現象を減らすことができる。
【００５８】
（第４実施例）
従来の技術で説明したように、第１絶縁膜１０１と第２絶縁膜１０３がお互い異なる二種膜の場合、すなわち第１絶縁膜１０１をＴＥＯＳ酸化膜、第２絶縁膜１０３をＨＤＰ酸化膜から構成する場合、２膜の界面における界面結合力(adhesive)が悪くてクラックが発生する。
【００５９】
本発明の第４実施例では、前記第１、第２絶縁膜１０１、１０３を同種の物質で形成する。
【００６０】
例えば、前記第１、第２絶縁膜１０１、１０３を全てＴＥＯＳ酸化膜から構成し、あるいは前記第１、第２絶縁膜１０１、１０３を全てＨＤＰ酸化膜から構成する。
【００６１】
したがって、本発明の第４実施例によれば、第１、第２絶縁膜１０１、１０３間の界面結合力が強化されるので、クラックの発生を減らすことができる。
【００６２】
（第５実施例）
従来の技術で説明したように、第１絶縁膜１０１としてＴＥＯＳ酸化膜を使用する場合、ＴＥＯＳ酸化膜の表面にＨ２、ＣｘＨｙ、Ｈ２Ｏ、ＣＯ、Ｏ２、ＣＯ２などの不純物が多量含有されてその界面が非常に不安定である。
【００６３】
本発明の第５実施例では、第１絶縁膜１０１をＴＥＯＳ酸化膜で形成した場合、第１絶縁膜１０１の界面安定化のためにＴＥＯＳ酸化膜で第１絶縁膜１０１を形成した後、第１絶縁膜に対すてプラズマ処理する工程を行う。
【００６４】
前記プラズマ処理は、Ａｒ、Ｏ２、Ｈｅの少なくとも一つを含む雰囲気中で２０００〜６０００Ｗａｔｔのバイアスパワーで１０〜１００秒（ｓｅｃ）間行う。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】熱応力により絶縁膜に生じたクラックを撮影したＳＥＭ写真である。
【図２】メタルラインブリッジフェールを撮影したＳＥＭ写真である。
【図３】それぞれ温度によるＡｌとＨＤＰ酸化膜の応力履歴曲線(stresshysteresis)を示したグラフである。
【図４】図３（ａ）および図３（ｂ）の応力履歴曲線の結果に基づいて熱処理の際にＡｌとＨＤＰ酸化膜にそれぞれ発生する応力の状態を図式的に示した図である。
【図５】Ａｌエッチングプロファイルを示す図である。
【図６】オーバーエッチ地域の亀裂と亀裂によるＡｌ浸透現象を示したＳＥＭ写真である。
【図７】ＳＩＭＳを用いてＴＥＯＳ酸化膜の表面の不純物を測定した結果を示したグラフである。
【図８】ＴＥＯＳ／ＴＥＯＳ界面のアタック(attack)程度を示す図である。
【図９】本発明と関連した一般的な半導体素子の製造工程断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０１    第１絶縁膜
１０２    金属膜
１０２ａ  メタルライン
１０３    第２絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006148046.tif 000008
【図６】
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【図７】
2006148046.tif 000010
【図８】
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【図９】
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