(57)【要約】【課題】  チャンバを用いることなく、耐熱封止部材の劣化を抑制することが可能な光ファイバ線引炉及び光ファイバの線引方法を提供するものである。【解決手段】  本発明に係る光ファイバ線引炉１０は、炉心１３内を不活性ガスＧ１でパージしつつ、炉心１３内で加熱溶融させた光ファイバ母材Ｐを線引きするものであって、  光ファイバ母材Ｐが挿入される線引炉本体の上部開口端に設けられ、線引炉本体と光ファイバ母材Ｐの隙間を塞ぐ円環状の耐熱封止部材４１と、  その耐熱封止部材４１を取り囲んで、かつ、覆って設けられ、光ファイバ母材Ｐを通すための挿通穴３４ｃを有する上部隔壁３４と、  その上部隔壁３４の内部空間である小室３５内に酸化防止ガスＧ２を供給する酸化防止ガス供給手段と、を備えたものである。【選択図】  図１
2006248842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炉心内を不活性ガスでパージしつつ、炉心内で加熱溶融させた光ファイバ母材を線引きする光ファイバ線引炉において、
上記光ファイバ母材が挿入される線引炉本体の上部開口端に設けられ、線引炉本体と光ファイバ母材の隙間を塞ぐ円環状の耐熱封止部材と、
その耐熱封止部材を取り囲んで、かつ、覆って設けられ、光ファイバ母材を通すための挿通穴を有する上部隔壁と、
その上部隔壁の内部空間である小室内に酸化防止ガスを供給する酸化防止ガス供給手段と、
を備えたことを特徴とする光ファイバ線引炉。
【請求項２】
上記酸化防止ガス供給手段は、上記小室内の酸素濃度が200ppm以下となるように酸化防止ガスの供給量を制御する制御装置を備えた請求項１記載の光ファイバ線引炉。
【請求項３】
上記耐熱封止部材を、高純度カーボン製のフェルト材で構成した請求項１又は２記載の光ファイバ線引炉。
【請求項４】
炉心内を不活性ガスでパージしつつ、炉心内で加熱溶融させた光ファイバ母材を線引きする光ファイバの線引方法において、
線引炉本体の上部開口端から上記光ファイバ母材を挿入し、その光ファイバ母材を炉心内で加熱、溶融させて線引きする際、
上記不活性ガスが、線引炉本体と光ファイバ母材の隙間から漏れないように、その隙間を円環状の耐熱封止部材で塞ぎ、その耐熱封止部材を上部隔壁で取り囲むように覆い、その上部隔壁の内部空間である小室内に酸化防止ガスを供給すると共に、小室内の酸素濃度を200ppm以下に調整することを特徴とする光ファイバの線引方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ線引炉及び光ファイバの線引方法に係り、特に、大型で、長尺の光ファイバ母材を線引きする光ファイバ線引炉及び光ファイバの線引方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光ファイバは、図８に示すような製造装置を用いて製造される。この製造装置は、先ず、線引炉８０において、光ファイバ母材１１１を加熱、溶融させた後、垂直下方に線引きを行うことで、炉下出口９５から光ファイバ１１２が引き出される。線引炉８０は、主に、光ファイバ母材１１１が収容される炉心管９１と、光ファイバ母材１１１を加熱し、溶融させるヒータ９４と、引き出された光ファイバ１１２が通されるインナー炉心管９２とで構成される。炉心管９１の内部空間により炉心９３が形成される。
【０００３】
引き出された光ファイバ１１２は、外径測定器８３で外径の測定がなされた後、冷却管８４内で冷却ガスが吹き付けられて冷却される。その後、コーティング器８５において光ファイバ１１２の周りに樹脂（例えば、紫外線硬化樹脂）を被覆した後、その光ファイバ１１２を樹脂硬化炉８６内に通すことで、樹脂が硬化される。これによって、光ファイバ素線１１３が得られる。この冷却、樹脂被覆、及び樹脂硬化のステップは、適宜、繰り返し行われる。その後、光ファイバ素線１１３は、ターンプーリ８７により走行方向が転換され、引取キャプスタン８８を経て巻取器８９に巻き取られる。
【０００４】
線引炉８０は、石英ベースの光ファイバ母材１１１を2000℃程度に加熱する必要があることから、炉心管９１及びインナー炉心管９２の材質として、一般に、高純度カーボンやジルコニアなどのセラミックスが用いられる。
【０００５】
高純度カーボン製の炉心管９１及びインナー炉心管９２を備えた線引炉を用いて光ファイバの製造を行う場合、炉心９３内での炉心管９１及びインナー炉心管９２の酸化を防ぐために、炉心９３内に供給した不活性ガスにより、炉心９３内のパージがなされる。この時、不活性ガスの流れ方向により、線引炉は、図９に示すように、不活性ガスＧが上向きに流れるアップフロータイプと、図１０に示すように、不活性ガスＧが下向きに流れるダウンフロータイプに大別される。
【０００６】
アップフロータイプの場合、炉心管９１の上部に、光ファイバ母材１１１よりもやや大径の縮径部（フランジ付き円筒部材）９７が設けられる。不活性ガスＧは、線引炉の下方に設けたガス導入口９８から導入され、炉心９３内を上向きに流れた後、光ファイバ母材１１１と縮径部９７の隙間（以下、上部隙間という）から炉心９３外へ排気される。線引炉の上方には、炉心９３内における不活性ガスＧの圧力を調整するためのバルブ９９ａを備えた排気口９９が適宜設けられる。
【０００７】
一方、ダウンフロータイプの場合、線引炉本体の上部に、光ファイバ母材１１１とほぼ同径の穴を有する円環状の耐熱封止部材１０７が設けられる。不活性ガスＧは、線引炉の上方に設けたガス導入口１０８から導入され、炉心９３内を下向きに流れた後、光ファイバ１１２と炉下出口９５の隙間（以下、下部隙間という）から炉心９３外へ排気される。線引炉の下方には、炉心９３内における不活性ガスＧの圧力を調整するためのバルブ１０９ａを備えた排気口１０９が適宜設けられる。
【０００８】
一般に、線引炉の炉心９３内に光ファイバ母材１１１を出し入れする際、炉心９３内に外気が混入することがある。この外気が、光ファイバ母材１１１の加熱時に、炉心管９１の構成材であるカーボンと反応することで酸化、燃焼され、ダストが発生する。また、光ファイバ母材１１１の溶融時にも、石英が蒸発することでダストが発生する。
【０００９】
アップフロータイプにおいては、ダストは、上部隙間から不活性ガスＧと共に排気される。このため、光ファイバ母材１１１の表面にダストが付着するおそれがあった。また、上部隙間から多量の不活性ガスＧが排気されることから、炉心９３内を陽圧に保つために、多量の不活性ガスＧを必要とする。また、ダウンフロータイプにおいては、ダストは、下部隙間から不活性ガスＧと共に排気される。このため、光ファイバ１１２の表面にダストが付着し、光ファイバ１１２の強度低下が生じるおそれがあった。
【００１０】
上記のような問題に対し、アップフロータイプとダウンフロータイプを組み合わせた構造（以下、複合タイプという）の線引炉がある（例えば、特許文献１，２参照）。特許文献１記載の線引炉は、炉心管（外側炉心管）の内部に、上部インナー炉心管及び下部インナー炉心管を有する。この線引炉の下方から供給された不活性ガスは、下部インナー炉心管、上部インナー炉心管を経て線引炉上方から排気される。また、線引炉の上方から供給された不活性ガスは、外側炉心管と上部インナー炉心管の間の空間及び外側炉心管と下部インナー炉心管の間の空間を経て線引炉下方から排気される。
【００１１】
【特許文献１】特許第２７６０６９７号公報
【特許文献２】特開２００３−２０６１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、複合タイプの線引炉では、光ファイバ母材１１１へのダスト付着を防止する観点から、下向きに流れる不活性ガスＧの流量を十分に確保しなければならないため、線引炉本体の上部における確実なガスシールが問題となる。近年においては、光ファイバのコストダウンを図るべく、光ファイバ母材の大型化（大径化）、長尺化が進んでいる。これに伴って、炉心９３内における発熱量も増大する傾向にある。その結果、図１０に示した耐熱封止部材１０７は、構成材（金属やカーボン）に関わらず、熱劣化、酸化が著しくなってしまう。この熱劣化、酸化を防ぐために、線引炉上にチャンバ（真空チャンバ）を設けて耐熱封止部材１０７の周りを真空状態とし、酸素を遮断する方法が考えられる。光ファイバ母材の大型化、長尺化が進む現在、必然的に、チャンバも大型のものが必要となっている。しかしながら、チャンバの大型化は、線引炉の装置構造や設置スペースの制約上、自ずと限界があった。
【００１３】
以上の事情を考慮して創案された本発明の目的は、チャンバを用いることなく、耐熱封止部材の劣化を抑制することが可能な光ファイバ線引炉及び光ファイバの線引方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成すべく本発明に係る光ファイバ線引炉は、炉心内を不活性ガスでパージしつつ、炉心内で加熱溶融させた光ファイバ母材を線引きする光ファイバ線引炉において、
光ファイバ母材が挿入される線引炉本体の上部開口端に設けられ、線引炉本体と光ファイバ母材の隙間を塞ぐ円環状の耐熱封止部材と、
その耐熱封止部材を取り囲んで、かつ、覆って設けられ、光ファイバ母材を通すための挿通穴を有する上部隔壁と、
その上部隔壁の内部空間である小室内に酸化防止ガスを供給する酸化防止ガス供給手段と、
を備えたものである。
【００１５】
ここで、酸化防止ガス供給手段は、小室内の酸素濃度が200ppm以下となるように酸化防止ガスの供給量を制御する制御装置を備えていることが好ましい。また、耐熱封止部材は、高純度カーボン製のフェルト材で構成することが好ましい。
【００１６】
一方、本発明に係る光ファイバの線引方法は、炉心内を不活性ガスでパージしつつ、炉心内で加熱溶融させた光ファイバ母材を線引きする光ファイバの線引方法において、
線引炉本体の上部開口端から上記光ファイバ母材を挿入し、その光ファイバ母材を炉心内で加熱、溶融させて線引きする際、
上記不活性ガスが、線引炉本体と光ファイバ母材の隙間から漏れないように、その隙間を円環状の耐熱封止部材で塞ぎ、その耐熱封止部材を上部隔壁で取り囲むように覆い、その上部隔壁の内部空間である小室内に酸化防止ガスを供給すると共に、小室内の酸素濃度を200ppm以下に調整するものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、光ファイバを線引きする際、線引炉本体上部におけるガスシールを行う耐熱封止部材が劣化するおそれがないという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の好適一実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
【００１９】
本発明の好適一実施の形態に係る光ファイバ線引炉の構造概略図を図１に示す。
【００２０】
図１に示すように、本実施の形態に係る光ファイバ線引炉１０は、炉心１３内で加熱溶融させた光ファイバ母材Ｐを線引きして光ファイバＯＦを作製するものである。
【００２１】
炉心管１１は上下に開口端を有する管材で構成され、上部開口端に、ダミー棒Ｒに溶接された光ファイバ母材Ｐの長手方向の一部が収容される。炉心管１１の内部空間が炉心１３を形成する。ダミー棒Ｒは矢印Ａ１の方向（図１中では上下方向）に移動自在に設けられる。
【００２２】
この炉心管１１を取り囲むように炉殻１６が設けられる。この炉殻１６内には、光ファイバ母材Ｐを加熱し、溶融させるためのヒータ（加熱手段）１４が設けられる。このヒータ１４は、炉心管１１の長さ方向（図１中では上下方向）中央部付近を取り囲むように配置される。例えば、炉心管１１の上端は炉殻１６の上面壁１６ａと面一に、炉心管１１の下端は炉殻１６の下面壁１６ｂから突出させて設けられる。
【００２３】
光ファイバ線引炉１０の上部には不活性ガス供給手段３２が設けられる。より具体的には、炉殻１６の上面壁１６ａに当接させて、炉心管１１を取り囲むように円筒部材３３が設けられる。この円筒部材３３は、円筒部３３ａと、円筒部３３ａの非上面壁側端（図１中では上端）に形成されるフランジ部３３ｂで構成される。円筒部３３ａに形成した不活性ガス噴出穴３３ｃに、ガスタンクを備えた第１ガス供給ライン（図示せず）が接続され、この不活性ガス噴出穴３３ｃを介して円筒部３３ａ内に不活性ガスＧ１が噴出される。この時、円筒部３３ａの内周面全周から不活性ガスＧ１が噴出されるように、円筒部３３ａの内周面全周に開口する不活性ガス噴出穴３３ｃを形成してもよい。
【００２４】
フランジ部３３ｂの上部には、光ファイバ母材Ｐよりも小径（光ファイバ母材Ｐとほぼ同径）の穴４２を有する円環状の耐熱封止部材４１が設けられる。この耐熱封止部材４１によって、光ファイバ母材Ｐと線引炉本体のガスシールがなされる。図４に示すように、耐熱封止部材４１は、伸縮性を有する高純度カーボン製のフェルト材の円板材４１で構成される。このため、穴４２は、光ファイバ母材Ｐの外径変動に追従可能である。
【００２５】
また、フランジ部３３ｂの上部には、耐熱封止部材４１を取り囲むように、かつ、覆うように、上部隔壁３４が設けられる。この上部隔壁３４は、フランジ部側の大径部３４ａとダミー棒側の小径部３４ｃで構成され、大径部３４ａと小径部３４ｃは縮径部（段差部）３４ｂを介して一体に設けられる。この小径部３４ｃが線引炉本体の上部開口となり、この部分に光ファイバ母材Ｐが挿通される。
【００２６】
上部隔壁３４には、その内部空間である小室３５内に酸化防止ガスＧ２を供給する酸化防止ガス供給手段（図示せず）が接続される。この酸化防止ガス供給手段は、小室３５内の酸素濃度が200ppm以下、好ましくは150ppm以下となるように酸化防止ガスＧ２の供給量を制御する制御装置を備えている。
【００２７】
耐熱封止部材４１の構成材としては、光ファイバ母材Ｐの外径変動に追従して穴４２が伸縮可能で、かつ、光ファイバ母材Ｐの表面を傷付けるおそれがないものであればよく、高純度カーボン製フェルト材に限定するものではない。例えば、各種セラミック製の円板材であってもよい。
【００２８】
また、耐熱封止部材４１の構造は、図４に示したように、円板材４１ａの中央部に穴４２を形成したものに限定するものではない。例えば、図５に示すように、円板材５１ａの穴５２の周りにスリット（図５中では円板材の中心部から放射状に延びる４本のスリット）５３を有する耐熱封止部材５１であってもよい。また、図６に示すように、図４に示した耐熱封止部材４１を複数枚（図６中では４枚の場合を図示）重ねてなる積層構造の耐熱封止部材６１であってもよい。また、図７に示すように、中央部に穴７２を形成した円板材を多分割（図７中では３分割の場合を図示）してなるもの、つまり、円弧状の分割片７１ａ，７１ｂ，７１ｃ，…（図７中では分割片７１ａ，７１ｂ，７１ｃを図示）で構成される耐熱封止部材７１であってもよい。
【００２９】
炉心管１１の構成材としては、高純度カーボンやジルコニアなどのセラミックスが挙げられる。
【００３０】
不活性ガスＧ１及び酸化防止ガスＧ２としては、拡散係数が大きいＨｅガスが好ましいが、特にこれに限定するものではなく、ＡｒガスやＮ2ガスであってもよい。また、両ガスＧ１，Ｇ２は、同種又は異種のいずれであってもよい。
【００３１】
次に、本実施の形態に係る光ファイバ線引炉を用いた光ファイバの線引方法について説明する。
【００３２】
図１に示した光ファイバ線引炉１０の炉心１３を、ヒータ１４で加熱する。一方、光ファイバ線引炉１０の上方からは、第１不活性ガス供給手段３２を介して不活性ガスＧ１を供給する。また、上部隔壁３４内には酸化防止ガスＧ２を供給する。
【００３３】
この時、酸化防止ガスＧ２の供給量は、酸化防止ガス供給手段の制御装置によって制御されていることから、小室３５内の酸素濃度は常に200ppm以下に保たれる。ここで、小室３５内の酸素濃度が200ppm超の場合、雰囲気ガス中に含まれる過剰の酸素によって耐熱封止部材４１が熱劣化、酸化してしまう。その結果、最悪の場合、耐熱封止部材４１と光ファイバ母材Ｐの間に隙間が生じ、シール効果が損なわれてしまう。しかしながら、小室３５内の酸素濃度を常に200ppm以下に制御しておくことで、耐熱封止部材４１が熱劣化、酸化するおそれはなく、耐熱封止部材４１が長期間に亘ってシール効果を持続させることができる。
【００３４】
その後、光ファイバ母材Ｐが溶融され、光ファイバＯＦが線引きされる。ここで、光ファイバ線引炉１０の上方においては、線引炉本体と光ファイバ母材Ｐの間隙が耐熱封止部材４１でほぼ完全にガスシールされている。よって、不活性ガスＧ１のほぼ全量が、炉心管１１と光ファイバ母材Ｐの間隙を通じて下側に向かって流れ、炉心１３内部へと導かれる。
【００３５】
一方、線引の進行に伴って、ある一定量、ダミー棒Ｒを下方に移動させると、耐熱封止部材４１によるシール対象が、光ファイバ母材Ｐからダミー棒Ｒへと移行する。ここで、ダミー棒Ｒの外径は、光ファイバ母材Ｐの外径と同じであるため、この場合においても、線引炉本体とダミー棒Ｒの間隙が耐熱封止部材４１でほぼ完全にガスシールされる。特に、光ファイバ母材Ｐとダミー棒Ｒの溶接部（ジョイント部）が、耐熱封止部材４１の部分に位置している場合、この溶接部は高温になっているため、耐熱封止部材４１における熱負荷は非常に大きなものとなる。しかし、この場合においても、小室３５内の酸素濃度を常に200ppm以下に制御しておくことで、耐熱封止部材４１が熱劣化、酸化するおそれはない。
【００３６】
以上より、本実施の形態に係る光ファイバ線引炉１０を用いて光ファイバＯＦの線引を行うことで、線引中、耐熱封止部材４１に長時間に亘って高温の熱負荷が作用しても、耐熱封止部材４１が熱劣化、酸化するおそれはない。これは、炉心１３内の発熱量がより多くなる大型、長尺の光ファイバ母材Ｐを用いる場合でも同様である。よって、線引中、線引炉本体上部のガスシールを確実に行うことができることから、不活性ガス供給手段３２から供給する不活性ガスＧ１の流量をそれ程多くしなくても、十分に炉心１３内のパージを行うことができる。その結果、高価な不活性ガスＧ１の使用量を低減することができることから、安価に、長尺の光ファイバＯＦの線引を行うことができる。
【００３７】
また、本実施の形態に係る光ファイバ線引炉１０によれば、耐熱封止部材４１の劣化を防ぐための主な装置部材は、上部隔壁３４と酸化防止ガス供給手段だけであり、線引炉本体上に大掛かりで、高価な真空チャンバを設ける必要がない。よって、本実施の形態に係る光ファイバ線引炉１０は、今まで装置構造や設置スペースの制約上、チャンバを設置できなかった既設の光ファイバ線引炉にも適用可能である。
【００３８】
次に、本実施の形態の変形例について、添付図面に基づいて説明する。
【００３９】
図１の光ファイバ線引炉の一変形例を図２、図３に示す。尚、図１と同様の部材には同じ符号を付しており、これらの部材については説明を省略する。
【００４０】
本実施の形態においては、図１に示したように、ダミー棒Ｒの外径と光ファイバ母材Ｐの外径が等しい場合を例に挙げて説明を行ったが、これに限定するものではない。
【００４１】
例えば、図２に示すように、ダミー棒Ｒの外径が光ファイバ母材Ｐの外径より小さくてもよい。この場合、ダミー棒Ｒと光ファイバ母材Ｐの溶接部近傍にダミー管２１が設けられる。ダミー管２１は、円板部２１ａと円筒部２１ｂで構成される。円板部２１ａは、上部隔壁３４における小径部３４ｃの内径よりも大きな外径を有し、かつ、中央部に穴２２を有する。この穴２２の内径は、ダミー棒Ｒの外径よりもやや大径（ダミー棒Ｒとほぼ同径）とされ、この穴２２がダミー棒Ｒを通すための挿通穴となる。また、円筒部２１ｂは、光ファイバ母材Ｐの外径と同径（又はほぼ同径）の外径を有する。円板部２１ａの少なくとも穴２２の周縁部、好ましくは円板部２１ａの全体を、耐熱封止部材４１と同じ材料で形成してもよい。
【００４２】
このダミー管２１を備えたダミー棒Ｒ及び光ファイバ母材Ｐを用いて、光ファイバ線引炉１０による線引を行うと、線引工程の前半段階では、線引炉本体と光ファイバ母材Ｐの間隙が耐熱封止部材４１でガスシールされる。
【００４３】
その後、線引の進行に伴って、ダミー棒Ｒを下降させていくと、図３に示すように、ある段階で、ダミー管２１の円板部２１ａが上部隔壁３４の小径部３４ｃに着座される。この時、円板部２１ａによって上部隔壁３４の開放部（小径部３４ｃ）が閉じられ、小室３５が完全に密閉される。この着座後は、さらにダミー棒Ｒを下降させても、円板部２１ａが小径部３４ｃにつかえて動かないことから、ダミー管２１はダミー棒Ｒに追従して下降することはない。また、この着座後、線引炉本体上部のガスシールを行う部材は、光ファイバ母材Ｐに密着する耐熱封止部材４１から、ダミー棒Ｒに密着する円板部２１ａへと変わる。よって、線引工程のある段階以降においても、円板部２１ａによって炉心１３及び小室３５の密閉が維持されることから、耐熱封止部材４１が熱劣化、酸化するおそれはない。
【００４４】
以上、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、他にも種々のものが想定されることは言うまでもない。
【００４５】
次に、本発明を実施例に基づいて説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００４６】
（実施例１）
図１に示した構造の光ファイバ線引炉を用い、光ファイバの線引きを行った。光ファイバ母材としては、外径が110〜120ｍｍの大径のものを用いた。また、耐熱封止部材としては、図６に示した構造のものを用い、高純度カーボン製フェルト材で構成される４層構造、円板材の穴内径は105ｍｍとした。さらに、上部隔壁における小径部の内径は130ｍｍとした。また、上部隔壁の小室内に供給する酸化防止ガスとしては窒素ガスを用い、流量を70L/分に制御して小室内の酸素濃度を120ppmに調整した。
【００４７】
（実施例２）
図２に示した構造の光ファイバ線引炉を用いる以外は、実施例１と同様にして光ファイバの線引きを行った。
【００４８】
（比較例１）
小室内の酸素濃度を400ppmに調整する以外は、実施例１と同様にして光ファイバの線引きを行った。
【００４９】
（比較例２）
小室内の酸素濃度を1000ppmに調整する以外は、実施例１と同様にして光ファイバの線引きを行った。
【００５０】
線引開始前から線引終了までの間の、実施例１，２及び比較例１，２の各光ファイバ線引炉における耐熱封止部材を観察した。
【００５１】
その結果、実施例１，２の各光ファイバ線引炉における耐熱封止部材は、全く劣化していなかった。
【００５２】
これに対して、比較例１の光ファイバ線引炉においては、線引中、光ファイバ母材とダミー棒の溶接部が耐熱封止部材の位置に達した段階で、耐熱封止部材の劣化が一気に進行し、炉心の内圧を保つことができなくなった。この段階で線引を中止し、耐熱封止部材を観察したところ、円板材の穴周縁部が消失しており、穴内径が105ｍｍから123ｍｍに拡大していた。
【００５３】
また、比較例２の光ファイバ線引炉においては、線引開始前の予熱段階で耐熱封止部材の劣化が進行し、炉心の内圧を所定の圧力に昇圧することができなくなった。この段階で予熱を中止し、耐熱封止部材を観察したところ、円板材の穴周縁部が消失しており、穴内径が105ｍｍから110ｍｍに拡大していた。
【００５４】
以上より、本発明に係る光ファイバ線引炉を用いて光ファイバの線引きを行う場合、上部殻体における小室内の酸素濃度を200ppm以下に制御することで、線引後においても耐熱封止部材の劣化が全く生じないことが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の好適一実施の形態に係る光ファイバ線引炉の構造概略図である。
【図２】図１の光ファイバ線引炉の一変形例を示す図である。
【図３】図２において線引がさらに進行した場合の図である。
【図４】図１における耐熱封止部材の拡大斜視図である。
【図５】図４の耐熱封止部材の一変形例である。
【図６】図４の耐熱封止部材の他の変形例である。
【図７】図４の耐熱封止部材のさらに別の変形例である。
【図８】光ファイバ製造装置の全体模式図である。
【図９】従来の光ファイバ線引炉の一例を示す構造概略図である。
【図１０】従来の光ファイバ線引炉の他の例を示す構造概略図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  光ファイバ線引炉
１１  炉心管
１３  炉心
３４  上部隔壁
３４ｃ  小径部（挿通穴）
３５  小室
４１  耐熱封止部材
Ｐ  光ファイバ母材
ＯＦ  光ファイバ
Ｇ１  不活性ガス
Ｇ２  酸化防止ガス
【図１】
2006248842.tif 000003
【図２】
2006248842.tif 000004
【図３】
2006248842.tif 000005
【図４】
2006248842.tif 000006
【図５】
2006248842.tif 000007
【図６】
2006248842.tif 000008
【図７】
2006248842.tif 000009
【図８】
2006248842.tif 000010
【図９】
2006248842.tif 000011
【図１０】
2006248842.tif 000012