(57)【要約】【課題】電界発光ディスプレイ装置及び該製造方法を提供する。【解決手段】ディスプレイ領域と、端子部とを備える基板と、基板と共に密封材を用いて、少なくともディスプレイ領域を密封する密封基板とを備える電界発光ディスプレイ装置において、基板の最外郭端部の少なくとも一部には、密封材が備わることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置及び該製造方法である。【選択図】図３Ｄ
2006156361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ領域と、端子部とを備える基板と、
前記基板と共に密封材を用いて、少なくとも前記ディスプレイ領域を密封する密封基板とを備える電界発光ディスプレイ装置において、
前記基板と前記密封基板の最外郭端部の少なくとも一部には、前記密封材が備わることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記密封材が備わる最外郭端部は、互いに対面することを特徴とする請求項１に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記基板及び密封基板のうち少なくとも１つの一面に、前記密封材が備わる最外郭端部には、段差が形成されることを特徴とする請求項１に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記段差は、前記密封材が備わった最外郭端部に沿って非連続的に形成されることを特徴とする請求項３に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記段差は、前記密封材が備わった最外郭端部に沿って連続的に形成されることを特徴とする請求項３に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記段差の側面は、前記密封基板及び基板のうち少なくともいずれか１つの一面に対して実際的に(substantially)垂直な側面であることを特徴とする請求項３に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記段差の側面は、前記基板の一面上に形成されたディスプレイ領域側に向かうほど開口が広くなる傾斜側面であることを特徴とする請求項３に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
原基板に一つ以上のディスプレイ領域を形成するステップと、
密封原基板の一面に、スクライビング領域の少なくとも一部を覆うように密封材を形成するステップと、
前記密封材を硬化させるステップと、
前記原基板と前記密封原基板とを密封するステップと、
前記スクライビング領域に沿い、前記原基板と前記密封原基板とを切り取る段階とを含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項９】
前記ディスプレイ領域の形成ステップ前に、前記原基板のスクライビング領域の少なくとも一部に段差を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記段差は、前記密封材が形成された領域に沿って前記原基板上に連続的に形成されることを特徴とする請求項９に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記段差は、前記密封材が形成された領域に沿って前記原基板上に不連続的に形成されることを特徴とする請求項９に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記段差の側面は、前記密封基板及び基板のうち少なくともいずれか１つの一面に対して実際的に(substantially)垂直な側面であることを特徴とする請求項９に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記段差の側面は、前記基板の一面上に形成されたディスプレイ領域側に向かうほど開口が広くなる傾斜側面であることを特徴とする請求項９に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記密封材形成ステップ前に、前記密封原基板のスクライビング領域の少なくとも一部に段差を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記段差は、前記密封材が形成された領域に沿って前記密封原基板上に連続的に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記段差は、前記密封材が形成された領域に沿って前記密封原基板上に不連続的に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記段差の側面は、前記密封基板及び基板のうち少なくともいずれか１つの一面に対して実際的に(substantially)垂直な側面であることを特徴とする請求項１４に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記段差の側面は、前記基板の一面上に形成されたディスプレイ領域側に向かうほど開口が広くなる傾斜側面であることを特徴とする請求項１４に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光ディスプレイ装置に係り、さらに詳細には密封領域をさらに拡大させ、ディスプレイ領域の透湿などによる劣化を低減ないし防止させる構造の電界発光ディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ素子や有機電界発光ディスプレイ素子、または無機電界発光ディスプレイ素子のような平板ディスプレイ装置は、その駆動方式によって、受動駆動方式のパッシブマトリックス（ＰＭ）型と、能動駆動方式のアクティブマトリックス（ＡＭ）型とに区分される。前記ＰＭ型は、単純にアノードとカソードとがそれぞれカラム（ｃｏｌｕｍｎ）とロー（ｒｏｗ）とに配列され、カソードには、ロー駆動回路からスキャニング信号が供給され、このとき、複数のローのうち１つのローだけ選択される。また、カラム駆動回路では、各画素にデータ信号が入力される。一方、前記ＡＭ型は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を利用し、各画素当たりの入力される信号を制御することにより非常の多くの量の信号を処理するのに適し、動映像を具現するためのディスプレイ装置として多用されている。
【０００３】
一方、前記平板ディスプレイ装置のうち、有機電界発光ディスプレイ装置は、アノード電極とカソード電極との間に、有機物からなる有機発光層を有する。この有機電界発光ディスプレイ装置は、それら電極にアノード及びカソード電圧がそれぞれ印加されることにより、アノード電極から注入された正孔が正孔輸送層を経由して有機発光層に移動し、電子は、カソード電極から電子輸送層を経由して有機発光層に注入され、この有機発光層で電子とホールとが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化することにより、有機発光層の蛍光性分子が発光することによって画像を形成する。フルカラー有機電界発光ディスプレイ装置の場合には、前記有機電界発光素子として、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色を発光する画素を備えることによりフルカラーを具現する。
【０００４】
一方、一般的な電界発光ディスプレイ装置を製造する過程にあたり、複数のディスプレイ領域を備える大きな原基板及び密封原基板を介し、全体的に統合されたディスプレイ領域を形成し、これをスクライビング過程を介して分割することにより、個別的なディスプレイ装置を製造する。
【０００５】
図１Ａには、従来技術による電界発光ディスプレイ装置の一例が図示されており、図１Ｂには、図１ＡのＩ−Ｉ線に沿って切り取った概略的な断面図が図示されている。基板１０の一面上には、ディスプレイ領域２０が備わり、密封材３０を介して基板１０は、密封基板４０と共にディスプレイ領域２０を密封する。
【０００６】
かような電界発光ディスプレイ装置は、原基板及び密封原基板のスクライビング過程を経て個々の装置に分割されて得られる。原基板及び密封原基板間に配置される密封材は、ｄと表示されたスクライビング領域（基板の最外郭）とディスプレイ領域との間に配置されるが、この場合、図１Ｂで幅がｗ１と表記された密封材の配置領域は、非常に制限されているだけではなく、以後に行われる密封材の硬化過程によって最終的に導出される密封材の配置位置は、非常に縮少されてしまう。また、制限された基板面積下に密封材を配置することにより、密封機能を向上されるために密封材の配置幅を広げようとする場合、密封材がディスプレイ領域に過流してしまうこともある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記の問題点を克服するためのものであり、さらに効果的な密封機能を行えるように、密封材の配置領域を拡大させられる構造の電界発光ディスプレイ装置及び該製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記のような目的を達成するために、本発明の一面によれば、ディスプレイ領域と、端子部とを備える基板と、前記基板と共に密封材を用いて、少なくとも前記ディスプレイ領域を密封する密封基板とを備える電界発光ディスプレイ装置において、前記基板と前記密封基板の最外郭端部の少なくとも一部には、前記密封材が備わることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置を提供する。
【０００９】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置によれば、前記密封材が備わる最外郭端部は、互いに対面することも可能である。
【００１０】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置によれば、前記基板及び密封基板のうち少なくとも１つの一面に、前記密封材が備わる最外郭端部には、段差が形成されることも可能である。
【００１１】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置によれば、前記段差は、前記密封材が備わった最外郭端部に沿って非連続的に形成されることも可能である。
【００１２】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置によれば、前記段差は、前記密封材が備わった最外郭端部に沿って連続的に形成されることも可能である。
【００１３】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置によれば、前記段差の側面は、前記密封基板及び基板のうち少なくともいずれか１つの一面に対して実際的に(substantially)垂直な側面でもある。
【００１４】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置によれば、前記段差の側面は、前記基板の一面上に形成されたディスプレイ領域側に向かうほど開口が広くなる傾斜側面でもある。
【００１５】
本発明の他の一面によれば、原基板に一つ以上のディスプレイ領域を形成するステップと、密封原基板の一面に、スクライビング領域の少なくとも一部を覆うように密封材を形成するステップと、前記密封材を硬化させるステップと、前記原基板と前記密封原基板を密封するステップと、前記スクライビング領域に沿い、前記原基板と前記密封原基板とを切り取るステップとを含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法を提供する。
【００１６】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置によれば、前記ディスプレイ領域の形成ステップ前に、前記原基板のスクライビング領域の少なくとも一部に段差を形成するステップをさらに含むことも可能である。
【００１７】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によれば、前記密封材形成ステップ前に、前記密封原基板のスクライビング領域の少なくとも一部に段差を形成するステップをさらに含むことも可能である。
【００１８】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によれば、前記段差は、連続的に形成されることも可能である。
【００１９】
前記本発明の電界発光ディスプレイ装置の製造方法によれば、前記段差は、非連続的に形成されることも可能である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
【００２１】
第一に、基板の最外郭端部の少なくとも一部に密封材が備わることにより、密封材の配置領域をさらに拡大させることにより、密封空間への透湿及び酸素浸透をさらに低減ないし防止することも可能である。
【００２２】
第二に、基板及び密封基板のうち少なくともいずれか一つに段差を備えることにより、密封材の形成過程時にディスプレイ領域への密封材の過流を防止でき、スクライビング過程時に発生可能なクラックを低減ないし防止することも可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施形態についてさらに詳細に説明する。
【００２４】
図２Ａには、本発明の一実施形態による電界発光ディスプレイ装置の概略的な斜視図が図示されている。基板１１０の一面上部には、一つ以上の画素から構成されるディスプレイ領域２００が形成され、ディスプレイ領域２００の外郭周辺に、少なくとも一側には、一つ以上の端子から構成されるパッド部６００が配置される。ディスプレイ領域２００とパッド部６００との間には、密封材３１０が配置されるが、密封材３１０を介して基板１１０及び密封基板４００が密封されることにより、少なくともディスプレイ領域２００を密封する密封空間が形成され、本発明による密封材３１０は、図２Ａに図示されているように、基板の最外郭端部の少なくとも一部に備わる。
【００２５】
密封材３１０を介し、基板１１０と密封基板４００とが形成する密封空間内には、外部から侵入する湿気などによる有機電界発光部の損傷を防止するために、吸湿層４１０（図２Ｄ）が備わるが、吸湿層４１０は、バリウム、活性アルミナ、酸化カルシウムまたは酸化バリウムのようなアルカリ土類過酸化物を含むことができる。
【００２６】
一方、本発明による有機電界発光ディスプレイ領域２００に電気的信号を提供する電気素子、例えばディスプレイ領域２００を構成する画素にスキャン信号及び／またはデータ信号を伝達するスキャンドライバ／データドライバのような垂直／水平駆動回路部が、ディスプレイ領域２００と密封部との間の密封領域に配置されることが可能で、図２Ａに図示された水平駆動回路部５００のように密封領域外側に配置されることも可能である。従って、かかる垂直／水平駆動回路部は、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）の形態や、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｆｌａｔ Ｃａｂｌｅ）などを介した外部電気要素から構成されうるなど、多様な構成を取り得る。
【００２７】
一方、図２Ｂには、図２Ａの図面符号“Ａ”部分についての一画素が概略的に拡大図示されている。ここでは、２つのトップゲート型薄膜トランジスタと１つのキャパシタとを備える構造の一画素が図示されているが、これは、本発明の説明のための一例であるだけであり、本発明がこれに限定されるものではない。
【００２８】
画素の選択いかんを決定する第１ＴＦＴ ＴＦＴ１のゲート電極５５は、スキャン信号を印加するスキャンラインから延びる。スキャンラインにスキャン信号のような電気的信号が印加される場合、データラインを介して入力されるデータ信号が第１ＴＦＴ ＴＦＴ１のソース電極５７ａから、第１ＴＦＴ ＴＦＴ１の半導体活性層５３を介して第１ＴＦＴ ＴＦＴ１のドレーン電極５７ｂに伝えられる。
【００２９】
第１ＴＦＴ ＴＦＴ１のドレーン電極５７ｂの延長部５７ｃは、キャパシタの第１電極５８ａと連結され、キャパシタ第１電極の他端は、駆動ＴＦＴとしての第２ＴＦＴ ＴＦＴ２のゲート電極１５０を形成し、キャパシタの第２電極５８ｂは、駆動電源供給ライン（図示せず）と疎通される駆動ライン３１と電気的に連結される。
【００３０】
一方、図２Ｃは、図２ＢのＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った部分断面図である。ＩＩ−ＩＩ線のａからｅと表示された部分は、駆動ＴＦＴとしての第２ＴＦＴ ＴＦＴ２が配置された部分の断面を図示し、ｅ，ｆの部分は、画素開口部１９４を図示し、ｇ，ｈの部分は、駆動ラインの断面を図示する。第２ＴＦＴ ＴＦＴ２の場合、基板１１０の一面上に形成されたバッファ層１２０の上部には、第２ＴＦＴ ＴＦＴ２の半導体活性層１３０が形成される。半導体活性層１３０は、非晶質シリコン層から構成されるか、または多結晶シリコン層から構成されることも可能である。図面で詳細に図示されていないが、半導体活性層１３０は、Ｎ＋型またはＰ＋型のドーパントでドーピングされるソース及びドレーン領域と、チャンネル領域とから構成される。また、半導体活性層１３０は、有機半導体からなりうるなど、多様な構成が可能である。
【００３１】
半導体活性層１３０の上部には、第２ＴＦＴのゲート電極１５０が配置されるが、ゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性そして加工性などを考慮し、例えばＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕのような物質から形成されることが望ましいが、これに限定されるものではない。
【００３２】
ゲート電極１５０と半導体活性層１３０との間には、それらを絶縁させるためのゲート絶縁層１４０が位置する。ゲート電極１５０及びゲート絶縁層１４０の上部には、絶縁層としての中間層１６０が単一層及び／または複数層に形成され、その上部には、第２ＴＦＴ ＴＦＴ２のソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂが形成されるが、ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂは、ＭｏＷのような金属から形成可能であり、半導体活性層１３０とのさらに円滑なオーミックコンタクトをなすために、追って熱処理が可能である。
【００３３】
ソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂの上部には、保護及び／または平坦化させるためのパッシベーション層及び／または平坦化層から構成される保護層１８０が形成され、その上部には、第１電極層１９０が形成されるが、第１電極層１９０は、保護層１８０に形成されたビアホール１８１を介してソース／ドレーン電極１７０ａ，１７０ｂと電気的疎通をなす。第１電極層１９０は、背面発光型の場合、インジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）のような透明電極から構成され、前面発光型の場合、Ａｌ／Ｃａの反射電極やＩＴＯのような透明電極から形成されうるなど、多様な変形例を備えられる。ここで、本発明の説明を明確にするために、第１電極層１９０がアノード電極として作用する場合について記述するが、本発明は、これに限定されず、第１電極層がカソード電極として構成されうるなど、多様な構成が可能である。
【００３４】
一方、本発明の一実施形態による保護層１８０は、多様な形態から構成されうるが、無機物または有機物から形成されることもあり、単層で形成されるか、または下部にＳｉＮｘ層を備え、上部には、例えばベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）またはアクリルのような有機物層を備える二重層から構成されうるなど、多様な構成が可能である。
【００３５】
保護層１８０の上部には、第１電極層１９０に対応する領域である画素開口部１９４を除き、画素を定義するための画素定義層１９１が形成される。画素開口部１９４で、第１電極層１９０の一面上には、発光層を含む有機電界発光部１９２が配置される。
【００３６】
有機電界発光部１９２は、低分子または高分子有機膜から構成されうるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、有機発光層（ＥＭＬ：ＥＭｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして多様な材料が適用可能である。それら低分子有機膜は、真空蒸着法で形成される。
【００３７】
高分子有機膜の場合には、おおむねホール輸送層（ＨＴＬ）及び有機発光層（ＥＭＬ）に備わった構造を有し、このとき、前記ホール輸送層としてポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を使用し、発光層としてポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）系及びポリフルオレン系など、高分子有機物質を使用し、これをスクリーン印刷やインクジェット印刷法で形成することができるなど、多様な構成が可能である。
【００３８】
有機電界発光部１９２の一面上部には、カソード電極としての第２電極層２１０が全面蒸着されるが、第２電極層２１０は、かかる全面蒸着形態に限定されるのではなく、また発光類型によってＡｌ／Ｃａ、ＩＴＯ、Ｍｇ−Ａｇのような材料で形成されることも可能であり、単一層でない複数の層で形成されることもあり、ＬｉＦのようなアルカリまたはアルカリ土金属フルオライド層がさらに備わりうるなど、多様な類型から構成可能である。
【００３９】
図２Ｄには、図２ＡのＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った概略的な断面図が図示されている。本発明の一実施形態による有機電界発光ディスプレイ装置の場合、密封材３１０が配置される領域の幅ｗ２がさらに広げられることが分かる。
【００４０】
図３Ａないし図３Ｄには、図２Ａに図示されたような本発明の一実施形態による電界発光ディスプレイ装置の製造過程が図示されている。まず、図３Ａに図示されているように、原基板１１０’の一面上には、一つ以上のディスプレイ領域２００が形成される。その後、図３Ｂに図示されているように、密封原基板４００’の一面上には、吸湿層４１０と密封材３１０’とが配置されるが、密封原基板４００’の一面上に形成される密封材３１０’は、スクライビング領域の少なくとも一部を覆うように形成される。
【００４１】
その後、図３Ｃに図示されているように、スクライビング領域の少なくとも一部を覆うように、密封材３１０’が形成された後、紫外線（ＵＶ）照射ないし熱照射のようなエネルギー照射を介し、密封材３１０’は、一定の硬化過程を経た密封材３１０”に変化する。
【００４２】
その後、図３Ｄに図示されているように、スクライビング領域に沿って一定のスクライビングステップが実施され、原基板１１０’及び密封原基板４００’によって形成されたそれぞれの部分は、基板１１０及び密封基板４００によって形成される複数の有機電界発光ディスプレイ装置に分割される。
【００４３】
一方、本発明の他の一実施形態によれば、基板及び密封基板のうち少なくとも１つの一面に、密封材が備わる最外郭端部には、段差が形成されることも可能である。これは、本発明による有機電界発光ディスプレイ装置の円滑な製造過程のための構造であるが、図４Ａには、密封材の備わる最外郭端部に段差を備える有機電界発光ディスプレイ装置を製造する過程のうちの一断面図が図示されている。
【００４４】
原基板１１０’と密封原基板４００’は、互いに対面し、硬化過程を経る前の密封材３００を介して密封されているが、原基板１１０’の一面上には、一つ以上のディスプレイ領域２００が形成されており、密封原基板４００’の一面上には、一層以上の吸湿層４１０が形成されている。図４Ａに図示されているように、密封材３１０’が配置される位置に密封基板の一面には、段差４２０が形成されている。段差４２０の存在により、硬化される前の密封材３１０’が過流されて近隣ディスプレイ領域２００に入り込むことを防止し、スクライビング過程で密封原基板４００’に加えられる応力は、段差４２０に集中させることにより、密封原基板４００’の所望しないクラックなどによる密封基板の損傷を防止することも可能である。
【００４５】
かような密封原基板４００’に備わる段差４２０の形状は、図４Ａに図示されているような四角形タイプに形成される。このように、段差４２０の側面が追ってスクライビング過程を経て分割される密封基板の一面に対して垂直形状を有する場合、段差の加工が容易であるという長所を有する。しかし、本発明の段差は、これに限定されず、ディスプレイ領域２００側に向かうほど開口が広くなるように、側面が密封基板の一面に対して傾斜した形状を備えることも可能であるが、この場合、スクライビング過程でスクライビング領域としての段差に外力が加えられる場合、密封原基板に加えられる応力を一地点にさらに集中させることができ、加工性がさらに優秀になるという長所を有する。
【００４６】
また、スクライビング領域、すなわちスクライビング過程を介して分割されたディスプレイ装置の最外郭端部に配置される段差は、基板に形成されることも可能である。すなわち、図４Ｂに図示されているように、密封原基板４００’に形成された密封原基板の段差４２０に対応する位置の原基板１１０’の一面上には、原基板段差１１０ａ’がさらに形成され、スクライビングステップでの加工性をさらに向上させることも可能である。
【００４７】
また、本発明の他の一実施形態によれば、前記段差は、密封材が備わる最外郭端部に沿って連続的にまたは非連続的に形成可能である。連続的に形成される段差の場合、加工性にさらにすぐれるという長所があり、非連続的に形成される段差の場合、大型原基板ないし大型密封原基板の場合、自重が段差に集中することによる原基板ないし密封原基板の損傷を防止できるという点で望ましい。
【００４８】
前記の実施形態は、本発明を説明するための一例であり、本発明は、それらに限定されるものではない。前記の実施形態は、ＡＭ駆動型有機電界発光ディスプレイ装置について記述されたが、無機電界発光ディスプレイ装置及びＰＭ駆動型にも適用可能であるなど、多様な変形例を導出することができる。
【００４９】
本発明は、添付された図面に図示された一実施形態を参考に説明されたが、それは、例示的なものに過ぎず、当技術分野で当業者ならば、それから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点が理解できるであろう。よって、本発明の真の保護範囲は、特許請求の範囲によってのみ決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明の電界発光ディスプレイ装置及び該製造方法は、密封材を基板の最外郭端部の少なくとも一部分に形成して密封効果を向上させられ、例えば有機電界発光表示装置や液晶表示素子のような平板表示装置に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１Ａ】従来技術による有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な斜視図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＩ−Ｉ線に沿って切り取った概略的な断面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態による有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な斜視図である。
【図２Ｂ】図２Ａの符号“Ａ”に対する概略的な平面図である
【図２Ｃ】図２ＢのＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った概略的な断面図である。
【図２Ｄ】図２ＡのＩＩ−ＩＩ線に沿って切り取った概略的な断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による密封層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を図示する断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による密封層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を図示する断面図である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態による密封層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を図示する断面図である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態による密封層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を図示する断面図である。
【図４Ａ】本発明の他の実施形態による密封層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を図示する断面図である。
【図４Ｂ】本発明の他の実施形態による密封層を備える有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を図示する断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
３１  駆動ライン
１１０  基板
１２０  バッファ層
１３０  半導体活性層
１４０  ゲート絶縁層
１５０  ゲート電極
１６０  中間層
１７０ａ，１７０ｂ  ソース／ドレイン電極
１８０  保護層
１８１  ビアホール
１９０  第１電極層
１９１  画素定義層
１９２  有機電界発光部
１９４  画素開口部
２００  ディルプレイ領域
２１０  第２電極層
３１０  密封材
４００  密封基板
５００  水平駆動回路部
６００  パッド部
【図１Ａ】
2006156361.tif 000003
【図１Ｂ】
2006156361.tif 000004
【図２Ａ】
2006156361.tif 000005
【図２Ｂ】
2006156361.tif 000006
【図２Ｃ】
2006156361.tif 000007
【図２Ｄ】
2006156361.tif 000008
【図３Ａ】
2006156361.tif 000009
【図３Ｂ】
2006156361.tif 000010
【図３Ｃ】
2006156361.tif 000011
【図３Ｄ】
2006156361.tif 000012
【図４Ａ】
2006156361.tif 000013
【図４Ｂ】
2006156361.tif 000014