(57)【要約】【課題】  セラミック基板の接続信頼性を維持し、鉛の使用量を削減することが可能な混成集積回路装置及びその製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】  セラミックからなる絶縁基板２と、この絶縁基板２上に設けられる導体３と、この導体３と電気的に接続する電子部品４とリード５とを備え、電子部品４とリード５とを導体３に鉛を含んだ半田で接続し、絶縁基板２、導体３、電子部品４及びリード５の一部をエポキシ樹脂で覆った混成集積回路装置１において、リード５の露出部分を鉛フリー半田で覆ったものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックからなる絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられる導体と、この導体と電気的に接続する電子部品とリードとを備え、前記電子部品とリードとを前記導体に鉛を含んだ半田で接続し、前記絶縁基板、導体、電子部品及び前記リードの一部を樹脂で覆った混成集積回路装置において、前記リードの露出部分を鉛フリー半田で覆ったことを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項２】
セラミックからなる絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられる導体と、この導体と電気的に接続する電子部品とリードとを備え、前記電子部品とリードとを前記導体に鉛を含んだ半田で接続し、前記絶縁基板、導体、電子部品及び前記リードの一部を樹脂で覆った混成集積回路装置の製造方法において、前記絶縁基板の導体に前記電子部品とリードとを鉛を含んだ半田で接続する工程と、前記絶縁基板、導体、電子部品及び前記リードの一部を樹脂で覆う工程と、前記リードの露出部分を鉛フリー半田に浸漬して前記露出部分の鉛を含む半田を除去し、鉛フリー半田で覆う工程とからなることを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、鉛を含む半田の使用量を抑えた混成集積回路およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の混成集積回路装置は、セラミックなどの絶縁部材からなる回路基板の表面に所定のパターンで形成された導体に、チップコンデンサなどのチップ部品などや外部引き出し用のリードピンなどが接続されて、通常、混成集積回路装置は、エポキシ樹脂によって覆われている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】実開平３−４１１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年では、鉛（Ｐｂ）による環境への影響を考えて、鉛を含んだ半田から鉛を含まない半田（以下、鉛フリー半田という）を使用するようになってきている。鉛フリー半田は、鉛を含んだ従来の半田に比べて硬く、半田自身で応力を吸収しにくく、回路基板のランドに力が加わり易い。特に、絶縁基板にセラミックを用いたものは、ガラスエポキシ樹脂などに比べて、ランド（導体）と絶縁基板との接合度合いが小さく、さらに、接合度合いが小さい上に、エポキシ樹脂で混成集積回路装置を覆うために、エポキシ樹脂内で生じる応力の影響を受けてるため、断線などの問題が発生しやすくなるという問題があった。しかし、鉛の使用量を削減することは近年望まれているので、鉛を含む半田の使用量は削減しなければならないという問題点があった。
【０００４】
そこで本発明は、前述した問題点に着目してなされたものであり、セラミック基板の接続信頼性を維持し、鉛の使用量を削減することが可能な混成集積回路装置及びその製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、前述した課題を解決するため、セラミックからなる絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられる導体と、この導体と電気的に接続する電子部品とリードとを備え、前記電子部品とリードとを前記導体に鉛を含んだ半田で接続し、前記絶縁基板、導体、電子部品及び前記リードの一部を樹脂で覆った混成集積回路装置において、前記リードの露出部分を鉛フリー半田で覆ったものである。
【０００６】
また、本発明の混成集積回路装置の製造方法は、セラミックからなる絶縁基板と、この絶縁基板上に設けられる導体と、この導体と電気的に接続する電子部品とリードとを備え、前記電子部品とリードとを前記導体に鉛を含んだ半田で接続し、前記絶縁基板、導体、電子部品及び前記リードの一部を樹脂で覆った混成集積回路装置の製造方法において、前記絶縁基板の導体に前記電子部品とリードとを鉛を含んだ半田で接続する工程と、前記絶縁基板、導体、電子部品及び前記リードの一部を樹脂で覆う工程と、前記リードの露出部分を鉛フリー半田に浸漬して前記露出部分の鉛を含む半田を除去し、鉛フリー半田で覆う工程とからなるものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、初期の目的を達成することができ、セラミック基板の接続信頼性を維持し、鉛の使用量を削減することが可能な混成集積回路装置及びその製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、添付図面に基づいて本発明の実施形態を説明する。
【０００９】
本発明の混成集積回路装置１は、セラミックからなる絶縁基板２と、この絶縁基板２上に設けられる導体３と、この導体３と電気的に接続する電子部品４とリード５とを備え、さらに、この絶縁基板２、導体３、電子部品４及びリード５の露出部分を除いてエポキシ樹脂６で覆ったものである。そして、エポキシ樹脂で覆われていないリード５の露出部分は、鉛を含まない鉛フリー半田で、その表面が覆われている。
【００１０】
絶縁基板２のセラミックとしては、アルミナなどが好適である。また、導体３は、銀（Ａｇ）とパラジウム（Ｐｄ）及びガラス成分を含んだペーストをスクリーン印刷によって所望のパターンに形成後、乾燥工程を経て形成される。また、導体３は、配線部３１とリード５が接続するランド部３２とを備えている。電子部品４は、チップ型の部品であり、導体３に鉛を含む半田によって接続されている。また、リード５は、構成集積回路装置１を外部の回路と接続するものであり、リード５は絶縁基板２を挟むことが可能なように、二股形状である。本実施例では、リード５の材質は燐青銅で、その表面を鉛を含んだ半田が覆っている。リード５は、鉛を含んだ半田で覆われた状態で、ランド部３２に鉛を含んだ半田で接続される。
【００１１】
次に、本実施形態の混成集積回路装置の製造方法について説明する。絶縁基板２の導体３及びランド部３２に電子部品４とリード５とを鉛を含んだ半田で接続する第１の工程と、絶縁基板２、導体３、電子部品４及びリード５の一部（ランド部３２との接続部分を含む）をエポキシ樹脂で覆う第２の工程と、リード５の露出部分を鉛フリー半田を満たした槽内に浸漬して露出部分を覆っていた鉛を含む半田を洗い落とし、鉛フリー半田で覆う第３の工程を経ることによって製造される。この第３の工程によって、鉛を含んだ半田が槽内の鉛を含まない半田によって洗い落として除去されるとともに、リード５の露出部分を鉛を含まない半田で覆われることによって、リード５の露出部分の鉛の含有量を無くすことはできないが、十分に低く抑えることができる。
【００１２】
以上のように構成したことによって、混成集積回路装置１のリード５のエポキシ樹脂で覆われていない露出部分は、鉛を含まない鉛フリー半田で覆われ、セラミックからなる絶縁基板２の接続信頼性を維持しつつ、鉛の使用量を削減することが可能な混成集積回路装置及びその製造方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態の要部断面図。
【符号の説明】
【００１４】
１      混成集積回路
２      絶縁基板
３      導体
４      電子部品
５      リード
６      エポキシ樹脂
３１      配線部
３２      ランド部
【図１】
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