(57)【要約】【課題】絶縁端子板から露出したリード線を確実にプリント基板に実装し、Ｐｂフリー高融点半田の温度にも耐え、かつ振動による半田付け部の破壊やリード線破断が発生しない、耐熱性及び耐振動性に優れたチップ形アルミ電解コンデンサを提供することを目的とするものである。【解決手段】封口部材３がアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、金属ケース２を封止する際に設けられる円環状の絞り加工部２ａを覆う高さ以上に形成された壁部５ｃを設けた構成にすることにより、Ｐｂフリー高融点半田を用いたリフロー温度で半田付けを行っても金属ケース２の膨れや液漏れがなく、また、プリント基板に実装した状態で一対のリード線４の折り曲げ方向と交差する方向を含むあらゆる方向に強い振動が加わった場合でも、優れた耐振動性を発揮し、信頼性の高いチップ型アルミ電解コンデンサを提供することができる。【選択図】図１
2006156860.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部引き出し用の陽極リード線と陰極リード線が夫々接続された陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータを介在させて巻回することにより形成されたコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を駆動用電解液と共に収納した有底筒状の金属ケースと、上記一対のリード線が挿通される孔を備えて上記金属ケースの開放端を封止した封口部材と、この封口部材から導出された一対のリード線が挿通する孔ならびにこの孔に挿通した一対のリード線を直角に折り曲げて収納する溝部を外表面に備えて上記封口部材に当接するように装着された絶縁端子板からなるチップ型アルミ電解コンデンサにおいて、上記封口部材がアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、このブチルゴムに対して等量以上の補強剤を含み、国際ゴム強度（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが８０Ｈｗ以上からなり、上記絶縁端子板の４角に金属ケースに設けられた円環状の絞り加工部を覆う高さ以上に形成されて金属ケースの周面を内面で保持するように当接する壁部を設けたチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項２】
封口部材としてフェノール類及びその誘導体がいずれか１つ以上を含有したものを用いた請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項３】
封口部材として不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーのブチルゴムと、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂の架橋剤と、上記ブチルゴムに対して等量以上の補強剤とを含んだものを混練し、真空中で成型加工し、さらに真空中でアニール処理することにより、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さを８０Ｈｗ以上、かつ半田リフロー温度における弾性率を４Ｎ／ｍｍ2以上のものを用いた請求項1に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項４】
駆動用電解液としてエチレングリコール、γ−ブチロラクトン、水、スルホランの１つ以上から選ばれる溶媒を用い、これに有機酸または無機酸、もしくは有機酸または無機酸のアンモニウム塩または第１級〜第４級アンモニウム塩またはイミダゾリウム塩及びイミダゾリニウム塩のいずれか１つ以上から選ばれる電解質塩を加えたもので構成されたものを用いた請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項５】
コンデンサ素子に導電性高分子からなる導電性高分子層を形成したものである請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項６】
絶縁端子板として溝部の内面及びその周辺に金属電極を埋め込んだものを用いた請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【請求項７】
絶縁端子板の４角いずれか一方となる２つのコーナー部を切り欠いたものを用いた請求項１に記載のチップ型アルミ電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面実装型としてプリント基板などに実装して用いられ、特に耐熱性及び耐振動性を要求されるチップ型アルミ電解コンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図６はこの種の従来のチップ型アルミ電解コンデンサの構成を示した斜視図であり、同図において、１１は図示しない駆動用電解液を含浸させたコンデンサ素子を収納してその開放端を封口部材（図示せず）により封止した有底筒状の金属ケース、１２は上記封止の際に金属ケース１１に施される絞り加工部である。１３は上記封口部材に当接するように装着された絶縁端子板であり、この絶縁端子板１３には上記コンデンサ素子から導出された一対のリード線１４が挿通する孔（図示せず）と、この孔を挿通した一対のリード線１４を直角方向に折り曲げて収納するための溝部１５が外表面（図中の底面）に設けられており、これによってプリント基板に面実装可能とした構成になっている。
【０００３】
また、上記チップ型アルミ電解コンデンサを電装用回路に用いる場合は、面実装したときの耐振動性が要求され、上記絶縁端子板１３の側面部を伸延させた側壁部を設けて有底筒状の金属ケース１１を保持する構成のものが用いられている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、以下の特許文献が知られている。
【特許文献１】特開平０４−０１２５１４号公報
【特許文献２】特開平０９−１６２０７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子部品の実装において地球環境対策からＰｂフリー化における高融点半田が使用されるようになり、そのリフロー温度が高温度になることから、上記従来のチップ型アルミ電解コンデンサをプリント基板に面実装すると、そのリフロー温度により金属ケースの膨れや液漏れの課題を有していた。
【０００６】
また、上記チップ型アルミ電解コンデンサを高温で寿命試験または高温高湿条件下での寿命試験を行うと、駆動用電解液が封口部材１３に悪影響を及ぼし、その結果、封口部材１３の気密性が低下して金属ケース１２の内部にコンデンサ素子１１と共に収納された駆動用電解液が揮散するという課題があった。
【０００７】
また、一対のリード線１４を引き出した方向に対して直角に強い振動ストレスを加えた場合、プリント基板との接合は一対のリード線１４の２箇所のみであるためにチップ型アルミ電解コンデンサが振り子状に揺動するように振動し、これによって一対のリード線１４とプリント基板との半田付け部や一対のリード線１４の付け根部分がダメージを受け、最悪の場合には、半田付け部の剥離や一対のリード線１４の破断に至るという課題があった。
【０００８】
上記振動ストレスに対して特許文献２は、絶縁端子板の周辺部分より起立して伸延する支持部を有し、この支持部は金属ケースの絞り加工溝部に入る突起を有する、あるいは支持部が多数の切り込みによって切り割りされている、あるいは支持部が円筒状をなし、絶縁端子板と一体に若干の伸縮性を持った樹脂物質で構成されているもの等の技術が開示されているが、これらの場合でも同様に支持部が環状に構成されているために装着しにくい、あるいは支持部がコンデンサの絞り加工溝部までしか形成されていないために、自動車等への装着を考慮した強い振動には十分な効果が得られないという問題があった。
【０００９】
また、反面、電装用部品のチップ化の進行に伴い、アルミ電解コンデンサにおいてもエンジンルーム内への装着用途を始め、耐熱性及び耐振動性に優れたチップ型アルミ電解コンデンサが市場から強く求められているものであった。
【００１０】
本発明はこのような従来の課題を解決し、絶縁端子板から露出した一対のリード線を強固にプリント基板に面実装し、Ｐｂフリー高融点半田の温度にも耐える耐熱性及び耐振動性に優れたチップ形アルミ電解コンデンサを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明は、外部引き出し用の一対のリード線が夫々接続された陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータを介在させて巻回することにより形成されたコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を駆動用電解液と共に収納した有底筒状の金属ケースと、上記一対のリード線が挿通される孔を備えて上記金属ケースの開放端を封止した封口部材と、この封口部材から導出された一対のリード線が挿通する孔ならびにこの孔に挿通した一対のリード線を直角に折り曲げて収納する溝部を外表面に備えて上記封口部材に当接するように装着された絶縁端子板からなるチップ型アルミ電解コンデンサにおいて、上記封口部材がアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、このブチルゴムに対して等量以上の補強剤を含み、国際ゴム強度（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが８０Ｈｗ以上からなり、上記絶縁端子板の４角に金属ケースに設けられた円環状の絞り加工部を覆う高さ以上に形成されて金属ケースの周面を内面で保持するように当接する壁部を設けた構成からなるものである。
【００１２】
この構成により、プリント基板に面実装するときに使われるＰｂフリー半田高融点の温度にも耐えることができ、またあらゆる方向からチップ型アルミ電解コンデンサ本体に強い振動が加わった場合でも耐えることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように本発明のチップ型アルミ電解コンデンサは、Ｐｂフリー高融点半田を用いたリフロー温度で半田付けを行なっても金属ケースの膨れや液漏れがなく、また高温で寿命試験または高温高湿条件下での寿命試験においても駆動用電解液が揮散するという問題もない。
【００１４】
また、本発明のチップ型アルミ電解コンデンサをプリント基板に面実装した状態でリード線の折り曲げ方向と交差する方向を含むあらゆる方向に強い振動が加わった場合でも、絶縁端子板の４角に金属ケースに設けられた円環状の絞り加工部を覆う高さ以上に形成されて金属ケースの周面を内面で保持するように当接する壁部が金属ケースの周面に弾接して保持するために優れた耐振動性を発揮し、信頼性の高いチップ型アルミ電解コンデンサを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明においては、外部引き出し用の陽極リード線と陰極リード線が夫々接続された陽極箔と陰極箔とをその間にセパレータを介在させて巻回することにより形成されたコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を駆動用電解液と共に収納した有底筒状の金属ケースと、上記一対のリード線が挿通される孔を備えて上記金属ケースの開放端を封止した封口部材と、この封口部材から導出された一対のリード線が挿通する孔ならびにこの孔に挿通した一対のリード線を直角に折り曲げて収納する溝部を外表面に備えて上記封口部材に当接するように装着された絶縁端子板からなるチップ型アルミ電解コンデンサにおいて、上記封口部材がアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とし、このブチルゴムに対して等量以上の補強剤を含み、国際ゴム強度（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが８０Ｈｗ以上からなり、上記絶縁端子板の４角に金属ケースに設けられた円環状の絞り加工部を覆う高さ以上に形成されて金属ケースの周面を内面で保持するように当接する壁部を設けたチップ型アルミ電解コンデンサを特徴とする。これによりプリント基板に面実装するときに使われるＰｂフリー高融点半田を用いても温度にも耐えることができ、また、あらるゆ方向から振動が加わっても耐えることができる。
【００１６】
本発明においては、封口部材としてフェノール類及びその誘導体がいずれか１つ以上を含有したものを用いてもよい。この場合も、プリント基板に面実装するときに使われるＰｂフリー高融点半田を用いても温度にも耐えることができる。
【００１７】
本発明においては、封口部材として不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーのブチルゴムと、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂の架橋剤と、上記ブチルゴムに対して等量以上の補強剤とを含んだものを混練し、真空中で成型加工し、さらに真空中でアニール処理することにより、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さを８０Ｈｗ以上、かつ半田リフロー温度における弾性率を４Ｎ／ｍｍ2以上のものを用いたものを特徴としている。この場合も、プリント基板に面実装するときに使われるＰｂフリー高融点半田を用いても温度にも耐えることができる。
【００１８】
本発明においては、駆動用電解液としてエチレングリコール、γ−ブチロラクトン、水、スルホランの１つ以上から選ばれる溶媒を用い、これに有機酸または無機酸、もしくは有機酸または無機酸のアンモニウム塩または第１級〜第４級アンモニウム塩またはイミダゾリウム塩及びイミダゾリニウム塩のいずれか１つ以上から選ばれる電解質塩を加えたもので構成されたものを用いたことを特徴としている。この場合も、プリント基板に面実装するときに使われるＰｂフリー高融点半田を用いても温度にも耐えることができ、また、電導度が高くなることにより低損失のチップ型アルミ電解コンデンサを提供することができる。
【００１９】
本発明においては、コンデンサ素子に導電性高分子からなる導電性高分子層を形成したものであってもよい。この場合も、プリント基板に面実装するときに使われるＰｂフリー高融点半田を用いても温度にも耐えることができ、また、低ＥＳＲを図ることができる。
【００２０】
本発明においては、絶縁端子板として溝部の内面及びその周辺に金属電極を埋め込んだものを用いたことを特徴としている。このことにより、プリント基板に面実装した時に端子として半田付けされるものであり、強い振動が加わった場合でも十分な耐えることができる。
【００２１】
本発明においては、絶縁端子板の４角いずれか一方となる２つのコーナー部を切り欠いたものを用いたことを特徴としている。このことにより、組み立てを終えたチップ型アルミ電解コンデンサの外観から陽極と陰極を容易に見極めができる。
【実施例】
【００２２】
以下、本発明の実施例について図面を用いて説明する。
【００２３】
図１は本発明の実施例によるチップ型アルミ電解コンデンサの構成を示した一部切欠正面図であり、図２はチップ型アルミ電解コンデンサを示した底面図であり、図３はチップ型アルミ電解コンデンサを示した側面図であり、図４はチップ型アルミ電解コンデンサの絶縁端子板の構成を示した斜視図である。
【００２４】
図１〜４において、１はコンデンサ素子であり、このコンデンサ素子１は、表面を粗面化した後に化成処理により誘電体酸化皮膜が形成されたアルミニウム電極箔を陽極箔とし、この陽極箔と陰極箔をその間にセパレータを介在させて巻回することにより構成されている。２は前記コンデンサ素子１を図示しない駆動用電解液と共に収納する有底筒状の金属ケース、４は前記コンデンサ素子１の陽極箔及び陰極箔から夫々引き出された一対のリード線、３は前記金属ケース２の開口部を封止する弾性を有する封口部材であり、前記封口部材３には一対のリード４線が貫通する貫通孔が設けてある。２ａは上記封口部材３を金属ケース２に挿入した後、金属ケース２の周面を絞った絞り加工部、５は封口部材３に当接するように装着された絶縁端子板であり、この絶縁端子板５にコンデンサ素子１から導出された一対のリード線４が挿通する孔５ａと、この孔５ａに挿通した一対のリード線４が夫々直角に折り曲げて収納するための溝部５ｂが外表面に設けられ、さらに、この溝部５ｂの内面及びこの内面に繋がる底面の一部及び側面の一部には金属電極６が配設されている。前記金属電極６は、プリント基板に面実装される時に端子として半田付けされるものである。
【００２５】
また、絶縁端子板５は略正方形に形成され、各コーナー部には金属ケース２の周面を内面で保持するように当接する壁部５ｃが一体で設けられると共に、この壁部５ｃは必要最小限の肉厚を残して外周面を切り欠いた形状に構成され、かつ、上記一対のリード線４が収納されるいずれか一方の溝部５ｂの終端が接する辺の両端となる２つのコーナー部を切り欠いて切り欠き部５ｄを設け、この切り欠き部５ｄによって極性を表示する構成にしている。上記壁部５ｃの高さは、絞り加工部２ａを十分に覆う高さ以上であり、また内面間の寸法が金属ケース２の外形よりも若干小さくなるようにして絶縁樹脂材料で形成されている。
【００２６】
また、絶縁端子板５の切り欠き部５ｄ側に配設する一対のリード線４の極性を決めておくことにより、組み立てを終えたチップ型アルミ電解コンデンサの外観から陽極と陰極を極めて見極めることができるようにしている。
【００２７】
また、絶縁端子板５の壁部５ｃの肉厚を厚くすることにより、より強度を高めることができるものであるが、必要以上に肉厚を厚くすると金属ケース２を装着する際に壁部５ｃの弾圧が低下し、組み立て性に支障が発生する。
【００２８】
上記封口部材３は、不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムを主成分とするものであり、不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーをアルキルフェノールアルデヒド樹脂で架橋することにより、架橋反応を早めて架橋性を高めることができるので、補強剤をブチルゴムの等量以上含有してもブチルゴムとして無数の網目構造を保持しつつ、硬度を国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロイォーレス硬さを８０Ｈｗ以上、かつ半田リフロー温度における弾性率を４Ｎ／ｍｍ２↑以上にすることができ、その結果半田リフロー温度に耐えることができる。
【００２９】
なお、半田リフロー温度における弾性率はリフロー温度のピーク値での値であり、そのリフロー温度のピーク値は２６０℃とした。また弾性率の測定はＪＩＳ  Ｋ  ６２５４に準じた。
【００３０】
前記封口部材３はブチルゴムに架橋剤、架橋助剤、補強剤または充填剤、劣化防止剤等を添加して混練し、その後真空中で成形加工し、さらに真空中で二次架橋させるアニール処理して得ることができる。
【００３１】
また、前記封口部材３にフェノール類及びその誘導体のいずれか１つ以上を含有することにより、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制することができるので、引っ張り強度、硬さ等の機械的性質を向上させることができる。
【００３２】
なお、前記フェノール類とは、フェノールのｏ，ｍ，ｐ位にアルキル基、水酸基、スルフヒドル基を有するもので、その誘導体とは上記フェノール類が炭素または硫黄またはアルキル基等により２量化、３量化したもので、例えば、２，６−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−アミルヒドロキノン、２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノン、４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール等である。
【００３３】
また、ブチルゴムの特性を損なわない程度にブタジエンゴム（ＢＲ）、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレンープロピレンの共重合体ゴム（ＥＰＭ）、エチレンープロピレンージエンの三元共重合体ゴム（ＥＰＤＭ）、ウレタンゴム（Ｕ）、シリコーンゴム（Ｑ）、クロロスルホン化ポリエチレンゴム（ＣＳＭ）を併用しても構わない。
【００３４】
前記駆動用電解液としては、エチレングリコール、γ−ブチロラクトン、プロピレンカーボネート、スルホラン、水の1種以上から選ばれる溶液を用い、これに有機酸または無機酸、もしくは有機酸または無機酸のアンモニウム塩または第１級〜第４級アンモニウム塩またはイミダゾリウム塩およびイミダゾリニウム塩及びこれらの誘導体のいずれか１種以上から選ばれる電解質塩を含むものを用いることができる。
【００３５】
前記有機酸または無機酸として、キ酸、酢酸、プロピオン酸、マレイン酸、シトラコン酸、フタル酸、アジピン酸、アゼライン酸、安息香酸、ブチルオクタニン酸、蟻酸、デカンジカルボン酸などの有機酸、ホウ酸、リン酸などの無機酸が挙げられ、また、これらの第１級〜第４級アンモニウム塩を用いることができる。
【００３６】
また、前記イミダゾリウム塩及びイミダゾリニウム塩及びこれらの誘導体としては、炭素数１〜１１のアルキル基またはアリールアルキル基で４級化されたイミダゾリン化合物、イミダゾール化合物、ベンゾイミダゾール化合物、脂環式ピリミジン化合物が挙げられ、具体的には、電導度が高く、低損失のチップ型アルミ電解コンデンサを提供することができる１−メチル−１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７、１−メチル−１，５−ジアザビシクロ［４，３，０］ノネン−５、１，２，３−トリメチルイミダゾリニウム、１，２，３，４−テトラメチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−エチル−イミダゾリニウム、１，３，４−トリメチル−２−エチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−ヘプチルイミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−（−３’ヘプチル）イミダゾリニウム、１，３−ジメチル−２−ドデシルイミダゾリニウム、１，２，３−トリメチル−１，４，５，６−テトラヒドロピリミジウム、１，３−ジメチルイミダゾリウム、１，３−ジメチルベンゾイミダゾリウムが好ましい。
【００３７】
また、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子を電解重合または化学重合により導電性高分子層を形成させ、前記駆動用電解液とともに用いることにより、低ＥＳＲで、半田リフロー温度に対しても安定したチップ型アルミ電解コンデンサを得ることができる。
【００３８】
前記チップ型アルミ電解コンデンサにおいては、コンデンサ素子１を図示しない駆動用電解液を含浸させた後金属ケース２に収納し、一対のリード線４を貫通させた封口部材体３を金属ケース２の開口部に挿入する。その後、金属ケース２の開口部をカーリング加工し、周面を絞り加工を施し、封口部材３から導出した一対のリード線４に偏平加工を施した後、絶縁端子板５に挿通する。絶縁端子板５の外表面に導出した一対のリード線４を直角に折り曲げて溝部５ｂに収納した構造としている。
【００３９】
以上のことにより、Ｐｂフリー高融点半田を使用することによりリフロー温度が上昇してもしても、金属ケース２が膨れや液漏れを抑制することができ、また、チップ型アルミ電解コンデンサをプリント基板に面実装した状態で強い振動が加わった場合でも、十分に耐えることができるため優れた耐振動性を発揮し、信頼性の高いチップ形アルミ電解コンデンサが得られるものである。
【００４０】
以下、具体的な実施例について説明する。
【００４１】
（実施例１）
陽極リードを接続した陽極箔と陰極リードを接続した陰極箔との間にマニラ繊維のセパレータを介在させて巻回することにより構成した巻回形のコンデンサ素子に、駆動用電解液としてγ−ブチロラクトンを溶媒とし、モノ（トリエチルアミン）−フタル酸塩、ｐ−ニトロ安息香酸、モノブチル燐酸エステルとから構成したものを含浸させた。そして、このコンデンサ素子を封口部材とともに有底筒状のアルミ製の金属ケース内に封入した後、金属ケースの開口部をカーリング及び周面を絞り処理により封止し、封口部材から導出した一対のリード線を絶縁端子板に挿入し溝部に沿って直角に折り曲げることにより、定格電圧３５Ｖ、静電容量２２００μＦのチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４２】
前記絶縁端子板の４角に金属ケースの絞り加工を施してある部分以上の高さを持つ壁部を設け、また溝部の内面及びこの内面に繋がる底面の一部とその側面の一部には金属電極が配設してあるものを用いた。
【００４３】
前記封口部材は、不飽和度１．２ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマー１００重量部に対して、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー６０重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノンを２重量部、架橋剤としてアルキルフェノール樹脂を配合して混練し、成型工程での酸化劣化を極力低減するために真空中で成型加工し、さらに真空中（温度１７０℃、２時間）でアニール処理して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが８５Ｈｗ、２６０℃における弾性率は４．０Ｎ／ｍｍ2のものを用いた。
【００４４】
（実施例２）
前記実施例１において、封口部材の国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さは９１Ｈｗ、２６０℃における弾性率が４．２Ｎ／ｍｍ2にしたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４５】
（実施例３）
前記実施例１において、封口部材で用いたイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの不飽和度を２．０ｍｏｌ％にしたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４６】
なお、封口部材の国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さは９３Ｈｗ、２６０℃における弾性率は４．３Ｎ／ｍｍ2であった。
【００４７】
（実施例４）
前記実施例１において、封口部材で用いたイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの不飽和度を２．５ｍｏｌ％にしたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００４８】
なお、封口部材の国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さは９７Ｈｗ、２６０℃における弾性率は４．５Ｎ／ｍｍ2であった。
【００４９】
（実施例５）
前記実施例１において、封口部材として不飽和度１．０ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの１００重量部に対して、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー１２０重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，６−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを２重量部、架橋剤としてアルキルフェノール樹脂を配合して混練し、成型工程での酸化劣化を極力低減するために真空中で成型加工し、さらに真空中（温度１７０℃、２時間）でアニール処理して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが８０Ｈｗで、２６０℃における弾性率が３．６Ｎ／ｍｍ2のものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００５０】
（実施例６）
前記実施例１において、封口部材として不飽和度１．２ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマーの１００重量部に対して、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー１２０重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，６−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを２重量部、架橋剤としてアルキルフェノール樹脂を配合して混練し、成型工程での酸化劣化を極力低減するために真空中で成型加工し、さらに真空中（温度１７０℃、２時間）でアニール処理して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９９Ｈｗで、２６０℃における弾性率が５Ｎ／ｍｍ2のものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００５１】
（実施例７）
前記実施例１において、駆動用電解液としてエチレングリコールを溶媒とし、アゼライン酸アンモニウム、硼酸アンモニウムの溶質、添加剤としてリン酸アンモニウムから構成されたものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００５２】
（実施例８）
前記実施例１において、コンデンサ素子をピロール（濃度０．５重量％）と過硫酸アンモニウム（濃度３重量％）と有機酸化合物である１−ナフタレンスルホン酸（濃度５重量％）を含有する水溶液に浸漬して引き上げることにより、その表面に過硫酸アンモニウムの酸化作用を利用した化学酸化重合によるポリピロールの導電性高分子層を形成したものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００５３】
（実施例９）
前記実施例１において、封口部材として不飽和度１．２ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマー８０重量部、エチレン−プロピレン−ジエンの三元共重合体ゴム２０重量部、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー１２０重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，６−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノールを２重量部、架橋剤としてアルキルフェノール樹脂を配合して混練し、成型工程での酸化劣化を極力低減するために真空中で成型加工し、さらに真空中（温度１７０℃、２時間）でアニール処理して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが９２Ｈｗで、２６０℃における弾性率が４．３Ｎ／ｍｍ2のものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００５４】
（比較例１）
前記実施例１において、封口部材として不飽和度０．７ｍｏｌ％のイソブチレン・イソプレンゴムポリマー１００重量部に対して、補強剤としてカーボンブラック４０重量部、焼成クレー４０重量部、架橋剤として酸化亜鉛３重量部、ステアリン酸１重量部、半田リフロー温度による熱劣化の影響を抑制するための老化防止剤として２，５−Ｄｉ−ｔｅｒｔ−ブチルヒドロキノンを２重量部配合して混練し、常圧化で成型加工して、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが７８Ｈｗで、２６０℃における弾性率が２．５Ｎ／ｍｍ2のものを用い、絶縁端子板は一対のリード線が収納する溝部が設けてあるものを用いた以外は前記実施例１と同様にしてチップ型アルミ電解コンデンサを作製した。
【００５５】
以上の実施例１〜８と比較例１のチップ型アルミ電解コンデンサについての実装試験並びに振動試験を行った結果を（表１）に示す。なお、実装確認試験はチップ型アルミコンデンサをプリント基板に装着し、そのプリント基板を２６０℃で半田フリーした結果である。
【００５６】
また、振動試験はチップ型アルミ電解コンデンサをプリント基板に実装し、振幅７．５ｍｍ、振動加速度３０Ｇ、周波数５〜１０００Ｈｚ、周期８ｍｉｎを各１５周期（１２０ｍｉｎ）の振動条件によるリード線破断の結果である。なお、試験方向（Ｘ，Ｙ，Ｚ）は図５に示す。
【００５７】
また試料数は夫々ｎ＝２０個で行った。
【００５８】
【表１】
2006156860.tif 000003
【００５９】
（表１）から明かになように、半田リフロー試験の結果は、実施例１〜４のチップ型アルミ電解コンデンサは、不飽和度１．２〜２．５ｍｏｌ％のポリマーのブチルゴムをアルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋性を高め、補強剤をブチルゴムの等量以上含有させたことにより、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが８０Ｈｗ以上で、かつ２６０℃における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上にした封口部材を用いたチップ型アルミ電解コンデンサも、実施例６〜９のように封口部材の補強剤を増加したもの、駆動用電解液の組成が違うもの、コンデンサ素子に導電性高分子層を形成し、国際ゴム硬さ（ＩＲＨＤ）によるマイクロウォーレス硬さが８０Ｈｗ以上で、かつ２６０℃における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2以上にした封口部材を用いたチップ型アルミ電解コンデンサも、金属ケースの膨れや液漏れ、また駆動用電解液の揮散がなく、半田リフロー温度に耐えることができる。
【００６０】
これに対して実施例５のチップ型アルミ電解コンデンサは、ポリマーの不飽和度が１．２ｍｏｌ％未満であり、２６０℃における弾性率が４Ｎ／ｍｍ2未満であり、、半田リフロー試験で不良が３個発生した。
【００６１】
また、比較例１のチップ型アルミ電解コンデンサは、半田リフロー試験で不良が１７個発生した。
【００６２】
次に振動試験の結果は、比較例１以外はいずれもリード線の破断が見られない安定した耐振動性を示した。また、１Ｇ振動試験におけるピーク加速度測定値についても、実施例１〜９は比較例１に比べて１／２以下の値となり、絶縁端子板の４角に金属ケースの絞り加工部以上の壁部を設け、また溝部の内面及びこの内面に繋がる底面の一部とその側面の一部には金属電極が配設してあるものを用いることにより、半田付け部の剥離や破断もなく、あらゆる方向からの振動にも耐えることができる。
【００６３】
このように本実施の形態によるチップ型アルミ電解コンデンサは、アルキルフェノールホルムアルデヒド樹脂で架橋したブチルゴムは無数の網目構造を有し、補強剤を増量してもブチルゴムとしての特性を保持しつつ、硬度を高くすることができ、また、補強剤をブチルゴムの等量以上含有することによりＰｂフリー高融点半田の温度にも耐えることができる。また絶縁座板の４角に金属ケースに設けられた円環状の絞り加工部を覆う高さ以上に形成され、金属ケースの周面を内面で保持するように当接する壁部用いたチップ型アルミ電解コンデンサは、あらゆる方向に強い振動が加わった場合でも、絶縁端子板の壁部が金属ケースの周面に弾接して保持するので信頼性の高い、実装性に優れたチップ型アルミ電解コンデンサを実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明によるチップ型アルミ電解コンデンサは、プリン基板への実装時にＰｂフリー高融点半田を用いても金属ケースの膨れや液漏れがなく、かつ、強い振動がコンデンサ本体に加わった場合でもリード線の破断や半田付け部の剥離がなく、プリント基板に強固面実装されていることから、優れた耐熱性及び耐振動性を発揮し、電装用部品として使用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施の形態１におけるチップ形アルミ電解コンデンサの構成を示す一部切欠正面図
【図２】同チップ型アルミ電解コンデンサを示した底面図
【図３】同チップ型アルミ電解コンデンサを示した側面図
【図４】同チップ型アルミ電解コンデンサの絶縁端子板の構成を示した斜視図
【図５】チップ型アルミ電解コンデンサの振動試験に加える振動方向を示す斜視図
【図６】従来のチップ形アルミ電解コンデンサの構成を示す斜視図
【符号の説明】
【００６６】
１    コンデンサ素子
２    金属ケース
２ａ    絞り加工部
３    封口部材
４    一対のリード線
５    絶縁端子板
５ａ    孔
５ｂ    溝部
５ｃ    壁部
６    金属電極
【図１】
2006156860.tif 000004
【図２】
2006156860.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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