(57)【要約】【課題】  浸漬液を、隙間又はチャックの他の部分からウェハ上のフォトレジスト層の表面の上にもたらす可能性が高くない方法及び装置を提供すること。【解決手段】  ウェハを保持するための装置及び浸漬リソグラフィのための方法である。この装置は、中央の円形真空プラテン、外側領域、及び該真空プラテンに心合わせされた円形溝を有するウェハ・チャックを含み、該真空プラテンの上面は該外側領域の上面より下方に凹まされ、該溝の下面は該真空プラテンの上部より下方に凹まされており、１つ又はそれ以上の吸引ポートが該溝の下面内にあり、中空トロイド状の膨張・収縮可能ブラダが該溝内に配置されている。【選択図】      図１
2006148092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを保持するための装置であって、
中央の円形真空プラテン、外側領域、及び、前記真空プラテンに心合わせされた円形溝を有し、前記真空プラテンの上面が前記外側領域の上面より下方に凹まされ、前記溝の下面が該真空プラテンの前記上面より下方に凹まされているウェハ・チャックと、
前記溝の前記下面内にある１つ又はそれ以上の吸引ポートと、
前記溝内に配置された中空トロイド状の膨張・収縮可能なブラダと、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ブラダが前記真空プラテンとは反対側において前記溝の外壁上に配置されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
収縮状態の前記ブラダが、前記溝の前記下面から延びるが、前記ウェハ・チャックの前記外側領域の前記上面より上方には延びない、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
膨張状態の前記ブラダが、前記溝の前記下面から延びるが、前記ウェハ・チャックの前記外側領域の前記上面より上方には延びない、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記ブラダが膨張状態にあるときの該ブラダの最上点が、前記ウェハ・チャックの前記外側領域の前記上面とほぼ同一平面上にある、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記真空プラテンの前記上面と前記ウェハ・チャックの前記外側領域の前記上面との間の高さの差が、前記ウェハの厚さに等しい、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ブラダが収縮状態にあるときの該ブラダの正反対の外面間の距離が、前記ウェハの直径より大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ブラダが膨張状態にあるときに、該ブラダの外面は、前記真空プラテン上にあるウェハの縁部全体と直接接触する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記真空プラテンの前記上面に通じる１つ又はそれ以上の真空ポートをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記真空プラテンの前記上面内に形成された１つ又はそれ以上の真空溝をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ブラダに取り付けられた１つ又はそれ以上の膨張・収縮チューブをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記ブラダが、ポリテトラフルオロエチレン、ネオプレン、アクリロニトリル／ブタジエン、エチレン／プロピレン／ジエン、エチレン／プロピレン／シクロヘキサジエン、ポリウレタン、イソプレン、フルオロ・エラストマー、及びエラストマーからなる群から選択された材料から形成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ウェハ・チャックの前記外側領域の内縁部に沿った円形ノッチの中に凹状に形成された円形リングをさらに含み、前記リングは、前記溝を超える距離を延び、前記リングの上面が、該ウェハ・チャックの該外側領域の前記上面と同一平面上にある、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
ウェハ上面上のフォトレジスト層を光に露光させる浸漬露光システムであって、
光源と、１つ又はそれ以上の合焦レンズと、マスク・ホルダと、スリットと、浸漬ヘッドと、ＸＹステージとを含み、
前記光源、前記１つ又はそれ以上の合焦レンズ、前記マスク・ホルダ、前記スリット、及び前記浸漬ヘッドが光軸に位置合わせされ、前記ＸＹステージは、各々が前記光軸と直交する２つの異なる直交方向に移動可能であり、該マスク・ホルダ及び該スリットは、前記２つの異なる直交方向の一方に移動可能であり、該浸漬ヘッドは、上部と側壁と底部開口部とをもつチャンバを有し、前記上部は選択された光の波長を透過させ、
前記光軸に位置合わせされた前記浸漬ヘッドの前記チャンバを浸漬液で満たす手段と、
中央の円形真空プラテン、外側領域、及び、前記真空プラテンに心合わせされた円形溝を有する、前記ＸＹステージ上に取り付けられたウェハ・チャックと、
が設けられ、
前記真空プラテンの上面が前記外側領域の上面より下方に凹まされ、前記溝の下面が該真空プラテンの前記上面より下方に凹まされており、１つ又はそれ以上の吸引ポートが前記溝の前記下面内にあり、中空トロイド状の膨張・収縮可能なブラダが該溝内に配置されることを特徴とする装置。
【請求項１５】
前記真空プラテンの前記上面と前記ウェハ・チャックの前記外側領域の前記上面との間の高さの差が、該ウェハの厚さと等しいか、又は前記ウェハの前記厚さに前記フォトレジスト層の厚さを加えたものと等しい、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記ブラダが収縮状態にあるときの該ブラダの正反対の外面間の距離が、前記ウェハの直径より大きく、該ブラダが膨張状態にあるときに、該ブラダの外面が該ウェハの縁部全体と直接接触する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１７】
前記真空プラテンの前記上面に通じる１つ又はそれ以上の真空ポート、又は該真空プラテンの該上面内に形成された１つ又はそれ以上の真空溝をさらに含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
浸漬ヘッドを有する浸漬リソグラフィ・システムにおいて、ウェハ・チャックの上面にあるフォトレジスト層の上に、マスクを通して浸漬リソグラフィを行う方法であって、
（ａ）中央にある円形真空プラテンと、外側領域と、前記真空プラテンに心合わせされた円形溝とを有し、前記真空プラテンの上面が前記外側領域の上面より下方に凹まされ、前記溝の下面が該真空プラテンの前記上面より下方に凹まされているウェハ・チャックと、前記溝の前記下面内にある１つ又はそれ以上の吸引ポートと、該溝内に配置された中空トロイド状の膨張・収縮可能なブラダとを準備するステップと、
（ｂ）前記真空プラテンの上に前記ウェハを取り付け、真空を該真空プラテンに適用するステップと、
（ｃ）前記ウェハの縁部全体に接触する前記ブラダを膨張させるステップと、
（ｄ）前記ウェハ・チャックを前記浸漬リソグラフィ・システムの前記浸漬ヘッドの下に移動させ、前記マスクを通して前記フォトレジスト層を光に露光させるステップと、
（ｅ）前記ウェハ・チャックを前記浸漬ヘッドの下から取り出すステップと、
（ｆ）前記ブラダを膨張させるステップと、
（ｇ）真空がまだ前記吸引ポートに適用されていない場合、真空を、前記ウェハ・チャックの前記溝の前記下面内の前記吸引ポートに適用するステップと、
（ｈ）ステップ（ｂ）において前記真空プラテンに適用された前記真空を解除し、前記ウェハを該真空プラテンから除去するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記ウェハ・チャックの前記溝の前記下面にある前記吸引ポートに真空を適用するステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ウェハ・チャックの前記溝の前記下面にある前記吸引ポートに真空を適用するステップと、
前記ウェハ・チャックの前記溝の前記下面にある前記吸引ポートに適用された前記真空を解除するステップと、
をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記ステップ（ｃ）は、
前記ブラダが前記溝の前記下面から延びるが、前記ウェハ・チャックの前記外側領域の前記上面より上方には延びないようにするステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記ステップ（ｃ）は、
前記ウェハ・チャックの前記外側領域の前記上面及び前記フォトレジスト層の上面とほぼ同一平面上にある前記ブラダの最上点を延ばすステップをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造プロセスの分野に関し、より具体的には、本発明は、浸漬リソグラフィのための方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
浸漬リソグラフィは、通常の光リソグラフィ・ツールで現在印刷可能なものより小さい像サイズまで光学フォトリソグラフィを適用する技術として頭角を現しつつある。浸漬リソグラフィは、浸漬液を、露光されることになるフォトレジスト層と直接接触するように配置し、浸漬リソグラフィ・システムの最終結像レンズは、液体中に浸漬されるか又は浸漬液に極めて近接して配置されるかのいずれかである。浸漬液は、スネルの反射の法則の適用により、解像度についてのローリー基準の取り込み角度を増大させ（したがって解像度を高め）、よって、他の方法ではフォトレジスト層と最終結像レンズとの間に空気だけがあるリソグラフィ・システムにおいて可能となり得るものより小さな像を形成することができる。
【０００３】
しかしながら、浸漬リソグラフィに関する重大な問題は、浸漬リソグラフィ中に、処理されるウェハの縁部と該ウェハを保持するチャックとの間の隙間に浸漬液が入ることである。これにより、ウェハ上にあるフォトレジスト層の表面の上に浸漬液がはね、その後に残留物及び、又は泡が形成され、後のウェハ処理に欠陥をもたらす可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、浸漬液を、隙間又はチャックの他の部分からウェハ上にあるフォトレジスト層の表面の上にもたらす可能性が高くない方法及び装置に対する必要性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、浸漬リソグラフィ中にウェハを保持するウェハ・チャックの内縁部と該ウェハの周辺縁部との間に膨張・収縮可能なブラダを提供し、浸漬液が該ウェハ・チャックの内縁部と該ウェハとの間の隙間に入るのを防止する。
【０００６】
本発明の第１の態様は、中央の円形真空プラテン、外側領域、及び該真空プラテンに心合わせされた円形溝を有し、該真空プラテンの上面が該外側領域の上面より下方に凹まされ、該溝の下面が該真空プラテンの上部より下方に凹まされているウェハ・チャックと、該溝の下面内にある１つ又はそれ以上の吸引ポートと、該溝内に配置された中空トロイド状の膨張・収縮可能ブラダとを含む、ウェハを保持するための装置である。
【０００７】
本発明の第２の態様は、光源と、１つ又はそれ以上の合焦レンズと、マスク・ホルダと、スリットと、浸漬ヘッドと、ＸＹステージとを含み、該光源、該１つ又はそれ以上の合焦レンズ、該マスク・ホルダ、該スリット、及び該浸漬ヘッドが光軸に位置合わせされ、該ＸＹステージは、各々が該光軸と直交する２つの異なる直交方向に移動可能であり、該マスク・ホルダ及び該スリットは、該２つの異なる直交方向の一方に移動可能であり、該浸漬ヘッドは、上部と側壁と底部開口部とをもつチャンバを有し、該上部は選択された光の波長を透過させ、該光軸に位置合わせされた該浸漬ヘッドの該チャンバを浸漬液で満たすための手段と、中央の円形真空プラテン、外側領域、及び、該真空プラテンに心合わせされた円形溝を有する、該ＸＹステージ上に取り付けられたウェハ・チャックとが設けられ、該真空プラテンの上面が該外側領域の上面より下方に凹まされ、該溝の下面が該真空プラテンの該上面より下方に凹まされており、１つ又はそれ以上の吸引ポートが該溝の該下面内にあり、中空トロイド状の膨張・収縮可能なブラダが該溝内に配置される、ウェハの上面上のフォトレジスト層を光に露光させる浸漬露光システムである。
【０００８】
本発明の第３の態様は、（ａ）中央にある円形真空プラテンと、外側領域と、該真空プラテンに心合わせされた円形溝とを有し、該真空プラテンの上面は該外側領域の上面より下方に凹まされ、該溝の下面が該真空プラテンの該上面より下方に凹まされているウェハ・チャックと、該溝の該下面内の１つ又はそれ以上の吸引ポートと、該溝内に配置された中空トロイド状の膨張・収縮可能なブラダとを準備するステップと、（ｂ）真空プラテンの上にウェハを取り付け、真空を該真空プラテンに適用するステップと、ステップ（ｂ）の後、（ｃ）該ウェハの縁部全体に接触する該ブラダを膨張させるステップと、ステップ（ｃ）の後、（ｄ）該ウェハ・チャックを該浸漬リソグラフィ・システムの該浸漬ヘッドの下に移動させ、該マスクを通して該フォトレジスト層を光に露光させるステップと、ステップ（ｄ）の後、（ｅ）該ウェハ・チャックを該浸漬ヘッドの下から取り出すステップと、ステップ（ｅ）の後、（ｆ）該ブラダを膨張させるステップと、ステップ（ｆ）の後、（ｇ）真空がまだ該吸引ポートに適用されていない場合、真空を、該ウェハ・チャックの該溝の該下面内の該吸引ポートに適用するステップと、ステップ（ｇ）の後、（ｈ）ステップ（ｂ）において該真空プラテンに適用された該真空を解除し、該ウェハを該真空プラテンから除去するステップとを含む、浸漬ヘッドを有する浸漬リソグラフィ・システムにおいて、ウェハ・チャックの上面にあるフォトレジスト層の上に、マスクを通して浸漬リソグラフィを行う方法である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の特徴は、添付の特許請求の範囲に記載されている。しかしながら、本発明それ自体は、添付図面と併せて読まれるとき、例示となる実施形態についての以下の詳細な説明を参照することによって最もよく理解されるであろう。
【００１０】
本発明の目的上、ウェハという用語は、任意の半導体基板を示すのに用いられるものであり、その例には、この限りではないが、バルク・シリコン基板、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板、シリコン・ゲルマニウム基板、サファイア基板、及び集積回路の製造のために用いられる他の半導体基板が含まれる。
【００１１】
図１は、本発明による例示的な浸漬リソグラフィ・システムを実体図で示す。図１において、浸漬リソグラフィ・システム１００は、合焦ミラー１０５、光源１１０、第１の合焦レンズ（又はレンズの組）１１５、マスク１２０、露光スリット１２５、第２の合焦レンズ（又はレンズの組）１３０、最終合焦レンズ１３５、浸漬ヘッド１４０、及びＸＹステージ１５０上に取り付けられたウェハ・チャック１４５を含む。浸漬ヘッド１４０は、透明窓１５５、傾斜した円形側壁１６０、浸漬液入口１６５Ａ、及び浸漬液出口１６５Ｂを含む。ウェハ１７０は、ウェハ・チャック１４５内に取り外し可能に取り付けられている。フォトレジスト層１７５は、ウェハ１７０の上面１８０上に形成された。ウェハ・チャック１４５の上面１８５は、フォトレジスト層１７５の上面１９０とほぼ同一平面上にある。フォトレジスト層１７５の上面１９０、側壁１６０、及び窓１５５は、浸漬液２００で満たされたチャンバ１９５を定める。浸漬ヘッド１４０の下面２０５は、フォトレジスト層１７５の上面１９０及びウェハ・チャック１４５の上面１８５から、距離Ｄ１を保持する。距離Ｄ１は、浸漬ヘッド１４０の下縁部２０５の下にメニスカス２１０の形成を可能にするほど小さいものである。一例では、Ｄ１は、約３ミクロンから約１００ミクロンである。ほぼドーナッツ形を有する、膨張・収縮可能な中空の円形ブラダ２１５が、チャック１４５の内壁２２０とウェハ１７０の周辺縁部２２５との間に配置される。窓１５５は、フォトレジスト層１７５を露光するために、選択された光の波長を透過させる必要がある。一例では、窓１５５は、約１９０ｎｍ又はそれより短い波長を透過させる。
【００１２】
合焦ミラー１０５、光源１１０、第１の合焦レンズ１１５、マスク１２０、露光スリット１２５、第２の合焦レンズ１３０、最終合焦レンズ１３５、及び浸漬ヘッド１４０は全て、Ｚ方向をさらに規定する光軸２３０に沿って位置合わせされる。Ｘ方向は、Ｚ方向に直交と直交し、且つ図面の平面内にある方向と定義される。Ｙ方向は、Ｘ方向及びＺ方向の両方と直交する方向と定義される。露光プロセス中に、ウェハ・チャック１４５をＸ方向及びＹ方向に移動させて、フォトレジスト層１７５において露光されたフォトレジスト領域と露光されていないフォトレジスト領域とが形成されるようにすることができる。ＸＹステージ１５０が移動するときに、フォトレジスト層１７５の新しい部分が、浸漬液２００と接触させられ、該フォトレジスト層の既に浸漬された部分は、浸漬液との接触から除外される。マスク１２０及びスリット１２５をＹ方向に移動させて、フォトレジスト層１７５上へのマスク１２０における像（図示せず）を走査することができる。一例では、マスク１２０における像は、印刷されることになる像の１Ｘから１０Ｘまでの倍率形態となり、１つ又は複数の集積回路チップの像を含む。
【００１３】
露光が完了するときに、浸漬流体２００をこぼすことなく、ウェハ１７０が、浸漬ヘッド１４０の下から取り出される。このために、カバープレート（図示せず）が、最初にウェハ・チャック１４５と当接するように移動させられ、次に、ウェハ・チャックと共に移動し、ウェハ・チャックを浸漬ヘッド１４０の下の位置から外に移動させて、カバープレートがウェハ・チャックに取って代わって浸漬ヘッド１４０の下の位置となる。浸漬ヘッド１４０は動かず、光軸２３０と位置合わせされたままである。図１においては、フォトレジスト層１７５の外側領域の露光中に、浸漬ヘッド１４０が、ブラダ２１５の上に示される。ブラダ２１５は、浸漬流体が、ウェハ１７０の周辺縁部２２５とチャック１４５の内壁２２０との間の隙間にこぼれるのを防止するものである。
【００１４】
図２は、本発明の第１の実施形態による、図１のウェハ・チャック１４５の平面図であり、図３は、その線２Ｂ−２Ｂを通る断面図である。図２及び図３において、ウェハ・チャック１４５は、様々な真空ポート２４０がプラテンの表面に沿って分散された円形の真空プラテン２３５を含み、円形の内壁２２０及び外縁部２５０を有する正方形（又は矩形）の外側領域２４５を含む。代替的に、真空ポート２４０は、真空プラテンの上部内の一連の浅い同心円の溝に通じていてもよい。真空プラテン２３５及び外側領域２４５は、様々な吸引ポート２６０が溝の底部に沿って均一に分散された円形の同心円の溝２５５により分離される。真空プラテン２３５は、外側領域２４５より下方に凹まされ、溝２５５は、真空プラテン及び外側領域より下方に凹まされている。ブラダ２１５が、外側領域２４５の内壁上に配置される。ブラダ２１５は、該ブラダの周辺部に沿って均一に分散され、外側領域２４５の外縁部２５０まで延びている様々な膨張・収縮チューブ２６５を含む。
【００１５】
外側領域２４５は、半導体ウェハ上に形成されることが多い配向ノッチと嵌合するように適合された任意の拡張部分２６７を含むことができる。次に、拡張部分２６７に合致するように、ブラダ２１５を適合させることができる。
【００１６】
前述のように、露光が完了するとき、浸漬流体２００をこぼすことなく、ウェハ１７０を浸漬ヘッド１４０（図１を参照されたい）の下から取り出さなければならない。外側領域２４５の目的は、ウェハ・チャック１４５が浸漬ヘッド１４０（図１を参照されたい）の下から通過するときに、浸漬流体２００を失うのを防止することである。ウェハを真空プラテン２３５の上に取り付けたり、ウェハを該真空プラテンから取り出したりするときに間隙を設けるために、溝２５５が必要である。ブラダ２１５がない場合には、浸漬流体は、溝２５５により形成された、外側領域２４５と真空プラテン２３５との間の隙間の中にこぼれる。
【００１７】
図４乃至図９は、本発明によるウェハ・チャックの作動を示す部分断面図である。図４乃至図９は、起こった順番のものである。
【００１８】
図４において、真空プラテン２３５は、外側領域２４５の上面２７０より下に距離Ｄ２だけ引っ込んでいる。ブラダ２１５の上面２７５は、図示されるように該ブラダが収縮されたときに、外側領域２４５の上面２７０から距離Ｄ３だけ引っ込んでいる。溝２５５の底部２８０は、真空プラテン２３５の上面２８５より下に距離Ｄ４だけ引っ込んでいる。ウェハ・チャック１４５の外側領域１４５の上面２７０からの溝２５５の深さは、Ｄ２＋Ｄ４である。ブラダ２１５の下面２９０は、溝２５５の底部２８０に接触している。吸引マニホルド２９５が、吸引ポート２６０に嵌合され、弁３００が、吸引ポートと吸引装置又は真空源（図示せず）との間に嵌合される。膨張・収縮チューブ２６５が、弁システム（図示せず）に嵌合され、ブラダ２１５を膨張させるための膨張ガスと該ブラダを収縮させるための真空源との間の切り換えを可能にする。代替的に、膨張・収縮チューブ２６５を油圧シリンダに嵌合させ、流体をブラダ２１５内に押し込んで該ブラダを膨張させたり、該ブラダから引き抜いて該ブラダを収縮させたりすることができる。
【００１９】
図５において、ウェハ１７０が真空プラテン２３５上に配置され、真空が真空ポート２４０に適用されて、該ウェハを該真空プラテンに一時的に固定し、膨張／収縮チューブ２６５を介して、流体（例えば、アルゴン、窒素、水、又は他の適切な流体）を押し込んでブラダ２１５を膨張させるので、流体が、ウェハ１７０の周辺縁部３０５に接触するようになる。ウェハ１７０は、厚さＴ１を有する。距離Ｄ２（図４を参照されたい）は、ほぼ厚さＴ１に等しいので、ウェハ１７０の上面３１０は、外側領域２４５の上面２７０とほぼ同一平面上になる。一般的に、ウェハ１７０の上面３１０にあるフォトレジスト層１７５の厚さは、大体、該ウェハの厚さのばらつきより小さいオーダーの大きさなので、外側領域２４５の上面２７０に対する共平面性に関して、フォトレジスト層の厚さを無視することができる。一例では、フォトレジスト層１７５は、約０．５ミクロンから約２．０ミクロンまでの厚さであり、厚さＴ１は、約６００ミクロンから約１０００ミクロンまでの厚さである。一例では、ブラダ２１５の上面２７５上の最上点３１５は、外側領域２４５の上面２７０とほぼ同一平面上にあるか、又はこれより下にわずかに陥凹している。図５において、弁３００が閉じられていることに留意されたい。
【００２０】
代替的に、最上点３１５は、フォトレジスト層１７５の上面１９０と浸漬ヘッド１４０（図１を参照されたい）の下面２０５との間の距離より短い量の距離だけ、上面２７０より上に延びる。一例では、ブラダ２１５の上面２７５における最上点３１５は、フォトレジスト層１７５の上面１９０（図１を参照されたい）より上に約３ミクロンから約１００ミクロンまで延びる。
【００２１】
ブラダ２１５は、様々な材料から製造することができる。一例では、ブラダ２１５は、ポリテトラフルオロエチレン、ネオプレン、アクリロニトリル／ブタジエン（ＮＢＲ）、エチレン／プロピレン／ジエン（ＥＰＤＭ）、エチレン／プロピレン／シクロヘキサジエン、ポリウレタン、イソプレン、フルオロ・エラストマー、及びエラストマーからなる群から選択された材料から構成される。
【００２２】
図６において、弁３００は、ブラダ２１５において開いており、真空負圧によりブラダが膨張され、該ブラダ内に隆起部３２０が形成され、ウェハ１７０の周辺縁部３０５の下で該ブラダがさらに拡張される。図６に示される作動は、任意のものである。
【００２３】
図７において、わずかな量の浸漬液２００が、ブラダ２１５の最上点３１５とウェハ１７０との間、及び該最上点と外側領域２４５との間のブラダ２１５の上部に集まる。
【００２４】
図８において、ウェハ・チャック１４５が、浸漬ヘッド１４０（図１を参照されたい）の下から移動させられ、弁３００が閉じられ、ブラダ２１５が収縮され、浸漬液２００が溝２５５の底部に落下することが可能になる。図８はまた、ウェハ１７０がウェハ・チャック１４５の外側領域２４５の内壁２２０から距離Ｄ５となることを示す。一例では、Ｄ５は、約０．２ｍｍから約３ｍｍであり、収縮したブラダ２１５は、ほぼＤ５を２で割ったものに等しい距離だけ内壁２２０から延びる。
【００２５】
図９は、弁３００が開けられ、溝２５５（図８を参照されたい）内に蓄積された浸漬流体２００が除去されている。次に、弁３００が閉じられ、真空が真空ポート２４０から除去され、ウェハ・チャック１７０が真空プラテン２３５から除去される。
【００２６】
図１０は、図２及び図３のウェハ・チャックの第２の実施形態の部分断面図である。図１０において、ウェハ・チャック１４５Ａは、リング３２５が外側領域の中に引っ込んでいる以外は、図３のウェハ・チャック１４５に類似しており、これと全く同じように作動する。リング３２５の上面は、ウェハ・チャック１４５Ａの外側領域２４５の上面２７０と同一平面上にある。ブラダ２１５が収縮されるとき、リング３２５は、ブラダ２１５の上面２７５の長さの周りを溝２５５の上に延びる。リング３２５の下面３３５は、ブラダ２１５の上面２７５に接触している。
【００２７】
図１１は、本発明による、浸漬リソグラフィを実行するステップのフローチャートである。ステップ３４０において、ブラダを収縮させ、吸引ポート及びプラテンの真空を解除する。ステップ３４５において、ウェハをウェハ・チャックの上に取り付け、プラテンの真空を発生させて、該ウェハを該真空プラテンに保持する。ステップ３５０において、ブラダを加圧し、これにより該ブラダが膨張され、該ブラダは、ウェハの縁部と接触するようになる。ステップ３５５において、吸引ポートの真空を任意に発生させ、ブラダをウェハの縁部の下にさらに膨張させる。ステップ３６０において、ウェハ・チャックが浸漬ヘッドの下に配置される。ステップ３６５において、パターン・マスクを通して投射された光にフォトレジスト層を露光させることによって、ウェハの上部にあるフォトレジスト層をパターン形成することができる。次に、露光が完了するとき、ステップ３７０において、ウェハ・チャックを浸漬ヘッドから取り出す。ステップ３７５において、吸引ポートの真空を解除し（ステップ３５５において、吸引ポートの真空が発生した場合）、次に、ブラダを収縮させる。ステップ３８０において、吸引ポートの真空を発生させ、プラテンと収縮されたブラダとの間の空間におけるいずれの浸漬液も除去する。代替的に、ブラダが収縮されたとき、吸引ポートの真空を発生したままにする（ステップ３５５において、真空が発生した場合）。ステップ３８５において、吸引ポートの真空を解除する。ステップ３９０において、真空プラテンの真空を解除し、ウェハをウェハ・チャックから取り出す。ステップ３４５乃至ステップ３９０は、露光されることになる各ウェハについて繰り返される。
【００２８】
このように、本発明は、チャックの隙間又は他の部分からウェハ上のフォトレジスト層の表面の上に浸漬層を移動させる可能性が少ない方法及び装置を提供するものである。
【００２９】
発明の実施形態の説明は、本発明の理解のために上記において提供されている。本発明は、ここで説明された特定の実施形態に限定されるものではないが、本発明の範囲から逸脱することなく、当業者には明らかとなる種々の修正、再配置、及び置換が可能であることを理解するであろう。したがって、添付の特許請求の範囲は、本発明の真の精神及び範囲内にあるものとして、このような修正及び変更の全てを網羅することが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明による例示的な浸漬リソグラフィ・システムを実態図で示す。
【図２】本発明の第１の実施形態による図１のウェハ・チャックの平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態による図１のウェハ・チャックの、線２Ｂ−２Ｂを通る断面図である。
【図４】本発明による図１のウェハ・チャックの作動を示す部分断面図である。
【図５】本発明による図１のウェハ・チャックの作動を示す部分断面図である。
【図６】本発明による図１のウェハ・チャックの作動を示す部分断面図である。
【図７】本発明による図１のウェハ・チャックの作動を示す部分断面図である。
【図８】本発明による図１のウェハ・チャックの作動を示す部分断面図である。
【図９】本発明による図１のウェハ・チャックの作動を示す部分断面図である。
【図１０】図１のウェハ・チャックの第２の実施形態の部分断面図である。
【図１１】本発明による浸漬リソグラフィを行うステップのフローチャートである。
【符号の説明】
【００３１】
１００：浸漬リソグラフィ・システム
１０５：合焦ミラー
１１０：光源
１１５、１３０、１３５：合焦レンズ
１２０：マスク
１２５：露光スリット
１４０：浸漬ヘッド
１４５：ウェハ・チャック
１５０：ＸＹステージ
１７０：ウェハ
１７５：フォトレジスト層
２１５：ブラダ
２３０：光軸
２３５、２５５：真空プラテン
２６５：チューブ
３００：弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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