(57)【要約】【課題】多数の内蔵型抵抗に均一な抵抗値を持たせ、単位面積当り内蔵型抵抗の数を増加させ、内蔵型抵抗の長さまたは断面積の調節を容易にした抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】回路パターンが形成された多数の回路層と、前記多数の回路層間にそれぞれ位置する多数の絶縁層と、閉曲線の断面を有し、前記閉曲線の断面が前記多数の回路層の一回路層からほかの回路層まで伸び、前記閉曲線断面の内部空間が抵抗物質で充填され、前記閉曲線断面の一側とこれと対向する前記閉曲線断面の他側に対応する内壁が導電性物質で鍍金されている内蔵型抵抗とを含んでなる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路パターンが形成された多数の回路層と、
前記多数の回路層間にそれぞれ位置する多数の絶縁層と、
閉曲線の断面を有し、前記閉曲線の断面が前記多数の回路層の一回路層からほかの回路層まで伸び、前記閉曲線断面の内部空間が抵抗物質で充填され、前記閉曲線断面の一側とこれと対向する前記閉曲線断面の他側に対応する内壁が導電性物質で鍍金されている内蔵型抵抗とを含んでなることを特徴とする抵抗内蔵型プリント基板。
【請求項２】
前記内蔵型抵抗の閉曲線が断面トラック形状であり、前記トラック形状において、対向する断面半円形の弧部に対応する前記内蔵型抵抗の内壁が導電性物質で鍍金されていることを特徴とする請求項１に記載の抵抗内蔵型プリント基板。
【請求項３】
前記内蔵型抵抗の閉曲線が断面亜鈴形状であり、前記亜鈴形状において、対向する断面円形の弧部に対応する前記内蔵型抵抗の内壁が導電性物質で鍍金されていることを特徴とする請求項１に記載の抵抗内蔵型プリント基板。
【請求項４】
前記内蔵型抵抗の閉曲線の断面が半円の突出した長方形であり、前記半円の直径は半円が突出した前記長方形の辺より小さく、前記半円が突出した長方形において、互いに反対側に位置する前記半円に対応する前記内蔵型抵抗の内壁が導電性物質で鍍金されていることを特徴とする請求項１に記載の抵抗内蔵型プリント基板。
【請求項５】
前記抵抗物質がカーボン系レジスタペーストであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の抵抗内蔵型プリント基板。
【請求項６】
前記導電性物質が銅（Ｃｕ）であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の抵抗内蔵型プリント基板。
【請求項７】
（Ａ）原板に多数のビアホールを形成し、前記原板の外層および前記ビアホールの内壁に銅鍍金層を形成する段階と、
（Ｂ）前記多数のビアホールのうち、少なくとも二つのビアホール間を除去して抵抗物質充填部を形成し、前記抵抗物質充填部に抵抗物質を充填する段階と、
（Ｃ）前記銅鍍金層の形成された原板の外層に所定の回路パターンを形成する段階とを含んでなることを特徴とする抵抗内蔵型プリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｂ）段階の後、（Ｄ）前記多数のビアホールにそれぞれ充填された前記抵抗物質が均一な抵抗値を有するように、前記原板の外層より突出した前記抵抗物質を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｂ）段階において、前記多数のビアホールの少なくとも二つのビアホール間を除去して抵抗物質充填部を形成する過程が、ＣＮＣドリル（Computer Numerical Control drill）方式、ルータドリル（router drill）方式および金型パンチング方式の少なくとも一つの方式を用いて、前記多数のビアホールの少なくとも二つのビアホール間を除去することで、抵抗物質充填部を形成することを特徴とする請求項７に記載の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｂ）段階において、前記抵抗物質に抵抗物質を充填する過程が、スクリーン印刷方式により前記抵抗物質充填部に抵抗物質を充填することを特徴とする請求項８に記載の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｄ）段階が、バフを用い、前記原板の外層より突出した前記抵抗物質を除去することを特徴とする請求項９に記載の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法。
【請求項１２】
前記抵抗物質がカーボン系レジスタペーストであることを特徴とする請求項７ないし１１のいずれか１項に記載の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法に係り、より詳しくはビアホールとビアホールを連結する一定の空間に抵抗物質を充填し、抵抗端子としてビアホールの内壁を用いる抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子産業の発達による電子製品の小型化および高機能化の要求に応えるため、電子産業の技術は、抵抗、キャパシタ、ＩＣなどを基板に挿入する方向に発展している。
【０００３】
現在まで大部分のプリント基板の表面に一般の個別チップ抵抗（discrete chip resistor）または一般の個別チップキャパシタ（discrete chip capacitor）を実装しているが、最近には抵抗またはキャパシタなどの受動素子を内蔵したプリント基板が開発されている。
【０００４】
すなわち、受動素子内蔵型プリント基板技術とは、新材料（物質）と工程を用いてプリント基板の外部または内部に受動素子を挿入して既存のチップ抵抗またはチップキャパシタの役割を代替する技術をいう。
【０００５】
このような受動素子内蔵型プリント基板において、プリント基板の外部または内部に抵抗が埋め込まれている形態であって、プリント基板の大きさにかかわらず、抵抗がプリント基板の一部として統合されていると、これを“内蔵型抵抗”といい、このような基板を“抵抗内蔵型プリント基板”という。
【０００６】
このような抵抗内蔵型プリント基板の最も重要な特徴は、抵抗がプリント基板の一部として既に備えられているため、別個のチップ抵抗をプリント基板の表面に実装する必要がないことである。
【０００７】
図１ａないし図１ｃは従来の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す図である。
【０００８】
図１ａに示すように、基板１１の表面に、互いに分離されている二つの銅端子１２、１２′を形成する。
【０００９】
図１ｂに示すように、カーボン系レジスタペースト１４を、前記銅端子間にスクィーズブレード１３などによりスクリーン印刷方式で印刷することで、厚膜レジスタ１５を形成する。
【００１０】
図１ｃに示すように、基板１１上に形成された厚膜レジスタ１５の上部にソルダマスク層１６を形成する。
【００１１】
図１ａないし図１ｃの方法で製造された従来の抵抗内蔵型プリント基板は、図１ｂの過程と図１ｃの過程間の工程遅延のため、銅端子１２、１２′が外部環境により易く酸化する問題点があった。
【００１２】
また、後続工程で、酸化した銅端子１２、１２′に液体状態のソルダマスク１６が塗布されると、銅端子１２、１２′の酸化が促進される問題点もあった。
【００１３】
さらに、銅端子１２、１２′の酸化により、厚膜レジスタ１５との境界面での接着力が低下し、抵抗値が上昇する問題点もあった。
【００１４】
そのほかに、プリント基板の製造に使用される一般的な５０ｃｍ×６０ｃｍのパネルにおいて、レジスタペーストを塗布する場合、それぞれの厚膜レジスタ１５の厚さが均一でないことにより、抵抗値が均一でないため、最終製品の信頼性を低下させる問題点もあった。
【００１５】
このような問題点を克服するため、本出願人は２００１年１２月４日付で出願した特許文献１につぎのような方法を開示した。
【００１６】
図２ａないし図２ｆは従来の抵抗内蔵型プリント基板のほかの製造方法の流れを示す図である。
【００１７】
図２ａに示すように、基板２１上に、互いに分離された一対のパターン化されたレジスタ金属パッド２２、２２′を形成する。
【００１８】
図２ｂに示すように、基板２１上にソルダマスク層２３を形成する。
【００１９】
図２ｃに示すように、ドライフィルム（図示せず）による露光および現像工程を行い、一対の金属パッド２２、２２′およびその間の基板を覆っているソルダマスク層２３を剥離することにより、ソルダマスク開放部を形成する。
【００２０】
図２ｄに示すように、ソルダマスク開放部を介して露出している一対のレジスタ金属パッド２２、２２′上に伝導性保護層２４、２４′としてニッケルおよび金を鍍金してレジスタ端子を形成する。
【００２１】
図２ｅに示すように、レジスタ端子が電気的に連結されるように、レジスタ端子間にカーボン系レジスタペーストをスクリーン印刷方式で印刷することにより、厚膜レジスタ２５を形成する。
【００２２】
図２ｆに示すように、前記のように形成されたレジスタの抵抗値を目標値と合わせるため、レーザトリミング工程で孔２６、２６′を形成する。
【００２３】
図２ａないし図２ｆに示すような方法により製造された従来の抵抗内蔵型プリント基板は、ニッケル／金鍍金層のような伝導性保護層２４、２４′を形成してレジスタ端子表面の酸化を防止する利点があり、レーザトリミング孔２６、２６′を形成して正確な抵抗値を具現することができる利点もある。
【００２４】
しかし、図２ａないし図２ｆに示す抵抗内蔵型プリント基板は、レジスタペーストをスクリーン印刷方式で塗布するため、レジスタペーストの厚さが均一でない問題点が依然として残っている。
【００２５】
また、内蔵型抵抗の抵抗値を合わせるため、レーザトリミング工程を内蔵型抵抗ごとに行わなければならないため、作業速度が遅くて生産性が大変低下する問題点もあった。
【００２６】
このような問題点を克服するため、特許文献２はつぎのような抵抗内蔵型プリント基板の製造方法を開示している。
【００２７】
図３ａないし図３ｆは従来の抵抗内蔵型プリント基板のさらにほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【００２８】
図３ａに示すように、エポキシ材質の絶縁層３１の両面に銅材質の薄膜３２、３２′が覆われている銅張積層板を準備する。
【００２９】
図３ｂに示すように、銅張積層板に所要直径の孔ａをドリルで形成する。
【００３０】
図３ｃに示すように、真空印刷機により、抵抗物質３３を銅張積層板の孔ａに充填した後、およそ８０℃でおよそ１時間の間抵抗物質を半硬化させる。
【００３１】
図３ｄに示すように、抵抗物質３３の突出部位を表面サンドペーパ研磨機で除去して平らにした後、およそ１５０℃でおよそ１時間の間抵抗物質３３を完全硬化させる。
【００３２】
図３ｅに示すように、銅張積層板の全面に銅鍍金層３４、３４′を形成する。
【００３３】
図３ｆに示すように、銅鍍金層３４、３４′に感光性エッチングレジスタを塗布し、露光および現像工程を行ってレジスタ端子（３２、３４、および３２′、３４′）を形成した後、感光性エッチングレジスタを除去する。
【００３４】
図３ａないし図３ｆに示す方法で製造された従来の抵抗内蔵型プリント基板は、レーザトリミング工程がないため、生産性が高い利点がある。
【００３５】
また、真空印刷機で抵抗物質３３を充填し、表面サンドペーパ研磨機で除去するので、それぞれの抵抗が比較的均一な抵抗値を有する利点もある。
【００３６】
しかし、図３ａないし図３ｆの抵抗内蔵型プリント基板は、抵抗がプリント基板に垂直な方向に形成されるため、高き抵抗値の抵抗を要求する場合、内蔵型抵抗の長さを増加させるかまたは孔ａの断面積を減少させることが難しい問題点があった。
【００３７】
また、このような内蔵型抵抗の抵抗値限界は、プリント基板の設計自由度を限定するため、最終電子製品の小型化および高機能化に対応し難い問題点もあった。
【００３８】
【特許文献１】大韓民国公開特許第２００３−４６５５２号明細書
【特許文献２】大韓民国公開特許第２００４−１５９４１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３９】
前記問題点を解決するための本発明の技術的課題は、多数の内蔵型抵抗が均一な抵抗値を有する抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【００４０】
本発明のほかの技術的課題は、単位面積当り内蔵型抵抗の数を増加させることのできる高密度の抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【００４１】
本発明のさらにほかの技術的課題は、内蔵型抵抗の長さまたは断面積の調節が容易な抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００４２】
前記のような技術的課題を解決するため、本発明は、回路パターンが形成された多数の回路層と、前記多数の回路層間にそれぞれ位置する多数の絶縁層と、閉曲線の断面を有し、前記閉曲線の断面が前記多数の回路層の一回路層からほかの回路層まで伸び、前記閉曲線断面の内部空間が抵抗物質で充填され、前記閉曲線断面の一側とこれと対向する前記閉曲線断面の他側に対応する内壁が導電性物質で鍍金されている内蔵型抵抗とを含んでなる抵抗内蔵型プリント基板を提供する。
【００４３】
前記内蔵型抵抗の閉曲線断面はトラック形状であり、前記トラック形状において、対向する断面半円形の弧部に対応する前記内蔵型抵抗の内壁が導電性物質で鍍金されていることが好ましい。
【００４４】
前記内蔵型抵抗の閉曲線断面は亜鈴形状であり、前記亜鈴形状において、対向する断面円形の弧部に対応する前記内蔵型抵抗の内壁が導電性物質で鍍金されていることが好ましい。
【００４５】
前記内蔵型抵抗の閉曲線断面は半円の突出した長方形であり、前記断面半円の直径は半円が突出した前記長方形の辺より小さく、前記断面半円が突出した長方形において、互いに反対側に位置する前記半円に対応する前記内蔵型抵抗の内壁が導電性物質で鍍金されていることが好ましい。
【００４６】
また、前記のような技術的課題を解決するため、本発明は、（Ａ）原板に多数のビアホールを形成し、前記原板の外層および前記ビアホールの内壁に銅鍍金層を形成する段階と、（Ｂ）前記多数のビアホールのうち、少なくとも二つのビアホール間を除去して抵抗物質充填部を形成し、前記抵抗物質充填部に抵抗物質を充填する段階と、（Ｃ）前記銅鍍金層の形成された原板の外層に所定の回路パターンを形成する段階とを含んでなる抵抗内蔵型プリント基板の製造方法を提供する。
【００４７】
前記（Ｂ）段階の後、（Ｄ）前記多数のビアホールにそれぞれ充填された前記抵抗物質が均一な抵抗値を有する、前記原板の外層より突出した前記抵抗物質を除去する段階をさらに含むことが好ましい。
【００４８】
前記（Ｂ）段階において、前記多数のビアホールの少なくとも二つのビアホール間を除去して抵抗物質充填部を形成する過程は、ＣＮＣドリル（Computer Numerical Control drill）方式、ルータドリル（router drill）方式および金型パンチング方式の少なくとも一つの方式を用いて、前記多数のビアホールの少なくとも二つのビアホール間を除去することで、抵抗物質充填部を形成することが好ましい。
【００４９】
前記（Ｂ）段階において、前記抵抗物質に抵抗物質を充填する過程は、スクリーン印刷方式により前記抵抗物質充填部に抵抗物質を充填することが好ましい。
【００５０】
前記（Ｄ）段階は、バフを用い、前記原板の外層より突出した前記抵抗物質を除去することが好ましい。
【発明の効果】
【００５１】
以上のような本発明によると、ビアホールとビアホールを連結する一定の空間に抵抗物質を充填し、ビアホールの内壁を抵抗端子として用いることにより、内蔵型抵抗の長さおよび大きさが均一である抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法を提供する。
【００５２】
したがって、本発明による抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法は、内蔵型抵抗の長さおよび大きさが均一であって抵抗値に関する公差が非常に小さいので、内蔵型抵抗ごとに一定の抵抗値を提供する効果がある。
【００５３】
また、本発明による抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法は、抵抗値を調整するためのレーザトリミング工程が不要であるので、作業速度および生産性が向上する効果もある。
【００５４】
また、本発明による抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法は、ビアホールの大きさおよびビアホール間の距離などを調節して微細な内蔵型抵抗を製造することができるので、単位面積当り内蔵型抵抗の数を増加させる効果もある。
【００５５】
また、本発明による抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法は、プリント基板の水平方向に内蔵型抵抗が形成されるので、内蔵型抵抗の長さおよび断面積の調節が容易な効果もある。
【００５６】
また、本発明による抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法は、内蔵型抵抗の長さおよび断面積の調節が容易であるので、多様な抵抗値の内蔵型抵抗を設計することができる効果もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下、添付図面に基づき、本発明による抵抗内蔵型プリント基板およびその製造方法を詳細に説明する。
【００５８】
図４ａないし図４ｈは本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図であり、図５は図４ａないし図４ｈの方法で製造された内蔵型抵抗の斜視図である。
【００５９】
図４ａに示すように、絶縁樹脂層１１１に銅箔層１１２、１１２′が被覆された銅張積層板である原板１１０に二つのビアホールＡ１を形成する。
【００６０】
ここで、原板１１０として使用された銅張積層板の種類には、その用途に応じて、ガラス／エポキシ銅張積層板、耐熱樹脂銅張積層板、紙／フェノール銅張積層板、高周波用銅張積層板、フレキシブル銅張積層板、複合銅張積層板などがある。しかし、プリント基板の製造には、主に使用される絶縁樹脂層１１１に銅箔層１１２、１１２′が被覆されたガラス／エポキシ銅張積層板を使用することが好ましい。
【００６１】
また、原板１１０に形成されたビアホールＡ１が銅箔層１１２とほかの銅箔層１１２′を連結する通孔であるので、ＣＮＣドリル（Computer Numerical Control drill）などの機械的ドリルを使用して、前もって設定された位置にビアホールＡ１を形成することが好ましい。
【００６２】
このようなＣＮＣドリルでビアホールＡ１を形成した後、ドリリング時に発生する銅箔層１１２、１１２′のバー（burr）、ビアホールＡ１の内壁の埃、銅箔層１１２、１１２′の表面の埃などを除去するデバリング（deburring）工程を行うことが好ましい。この場合、銅箔層の表面に粗さが付与されるので、後続の銅鍍金工程において、銅との密着力が向上する利点がある。
【００６３】
また、ＣＮＣドリルでビアホールＡ１を形成した後、形成時に発生する熱により絶縁樹脂層１１１が溶けてビアホールＡ１の内壁で生じるスミア（smear）を除去するデスミア（desmear）工程を行うことが好ましい。
【００６４】
図４ｂに示すように、形成されたビアホールＡ１の電気的連結のため、原板１１０の上下銅箔層１１２、１１２′およびビアホールＡ１の内壁に銅鍍金層１４０、１４０′を形成する。
【００６５】
ここで、原板１１０のビアホールＡ１の内壁が絶縁樹脂層１１１であるので、ビアホールＡ１の形成直後に電解銅鍍金を行うことができない。
【００６６】
したがって、形成されたビアホールＡ１の電気的連結および電解銅鍍金のため、無電解銅鍍金を施す。無電解銅鍍金は絶縁体に対する鍍金であるので、電気を呈するイオンによる反応は期待することができない。このような無電解銅鍍金は析出反応によりなされ、析出反応は触媒により促進される。鍍金液から銅を析出させるためには、鍍金しようとする材料の表面に触媒を付着しなければならない。これは、無電解銅鍍金が多くの前処理を必要とすることを示す。
【００６７】
一例として、無電解銅鍍金工程は、脱脂（cleanet）過程、ソフト腐食（soft etching）過程、予備触媒処理（pre-catalyst）過程、触媒処理過程、活性化過程、無電解銅鍍金過程、および酸化防止処理過程を含む。
【００６８】
脱脂過程において、上下銅箔層１１２、１１２′の表面に存在する酸化物または異物、特に油脂分などを酸またはアルカリ界面活性剤の含まれた薬品で除去した後、界面活性剤を完全に水洗する。
【００６９】
ソフト腐食過程において、上下銅箔層１１２、１１２′の表面に微細な粗さ（例えば、およそ１〜２μｍ）を与えて、鍍金段階で銅粒子が均一に密着するようにし、脱脂過程で処理されていない汚染物を除去する。
【００７０】
予備触媒過程において、低濃度の触媒薬品に原板１１０を浸漬することにより、触媒処理段階で使用される薬品が汚染するかまたは濃度が変化することを防止する。さらに、同種成分の薬品槽に原板１１０を浸漬するので、触媒処理がより活性化される効果がある。このような予備触媒処理過程には、１〜３％に希釈された触媒薬品を使用することが好ましい。
【００７１】
触媒処理過程において、原板１１０の銅箔層１１２、１１２′および絶縁樹脂層１１１の面（すなわち、ビアホールＡ１の内壁）に触媒粒子を被せる。触媒粒子はＰｄ−Ｓｎ化合物を使用することが好ましく、このＰｄ−Ｓｎ化合物は鍍金される粒子のＣｕ2+とＰｄ2-が結合して鍍金を促進する役割をする。
【００７２】
無電解銅鍍金過程において、鍍金液は、ＣｕＳＯ4、ＨＣＨＯ、ＮａＯＨおよびそのほかの安定剤からなることが好ましい。鍍金反応を持続させるためには、化学反応が均衡をとらなければならなく、このため、鍍金液の組成を制御することが重要である。組成を維持するためには、不足した成分の適切な供給、機械撹拌、鍍金液の純化システムをよく運営しなければならない。このような反応の結果として発生する副産物のための濾過装置が必要であり、これを活用することにより鍍金液の使用時間を延長することができる。
【００７３】
酸化防止処理過程において、無電解銅鍍金後に残存するアルカリ成分により鍍金膜が酸化することを防止するため、酸化防止膜を全面にコートする。
【００７４】
しかし、前述した無電解銅鍍金工程は、一般に電解銅鍍金に比べて物理的特性に劣るので、薄く形成する。
【００７５】
無電解銅鍍金が完了した後、原板１１０を銅鍍金作業槽に浸漬した後、直流整流器により電解銅鍍金を行う。このような電解銅鍍金は、鍍金しようとする面積を計算し、直流整流器に適した電流で銅を析出する方式を用いることが好ましい。
【００７６】
電解銅鍍金は、無電解銅鍍金層より銅鍍金層の物理的特性に優れており、厚い銅鍍金層を形成し易い利点がある。
【００７７】
図４ｃに示すように、抵抗物質を充填するため、二つのビアホールＡ１間の部分を加工して、トラック形状の断面を有する抵抗物質充填部Ｂ１を形成する。この抵抗物質充填部Ｂ１において、トラックの対向する半円状の弧部に相当する領域は加工されないので、内壁に銅鍍金層１４０、１４０′が残っており、トラックの対向する直線辺部に相当する領域は加工されるので、内壁に絶縁樹脂層１１１が露出される。したがって、抵抗端子の役割をする弧部に相当する領域は電気的に分離されている。
【００７８】
ここで、二つのビアホールＡ１間の部分を加工する工程は、ＣＮＣドリル、ルータドリル（router drill）および金型パンチングなどを用いて行うことが好ましい。
【００７９】
図４ｄに示すように、原板１１０に形成された抵抗物質充填部Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３に、スクリーン印刷方式を用いて抵抗物質１５０（例えば、カーボン系レジスタペースト）を充填する。
【００８０】
図４ｅに示すように、原板１１０の表面上に突出した抵抗物質１５０をバフ（buff）などで平坦に除去する。
【００８１】
図４ｆに示すように、原板１１０の上下銅鍍金層１４０、１４０′および抵抗物質１５０にドライフィルム１６０、１６０′をそれぞれ塗布した後、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルム(図示せず)でドライフィルム１６０、１６０′を露光および現像することにより、ドライフィルム１６０、１６０′に所定のパターンを形成する。ここで、所定のパターンは、一般的な回路パターン（図示せず）、抵抗物質充填部Ｂ１、内蔵型抵抗の端子、前記内蔵型抵抗の端子に連結された回路パターンなどを含む。
【００８２】
前記ドライフィルム１６０、１６０′は、カバーフィルム、フォトレジストフィルムおよびマイラーフィルム（Mylar film）の３層からなり、実質的にレジストの役割をする層はフォトレジストフィルムである。
【００８３】
ドライフィルム１６０、１６０′の露光および現像工程において、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルムをドライフィルム１６０、１６０′上に密着させた後、紫外線を照射する。この際、アートワークフィルムのパターンが印刷された黒い部分は紫外線が透過し得なく、印刷されていない部分は紫外線が透過するので、アートワークフィルム下側のドライフィルム１６０、１６０′を硬化させる。このようにドライフィルム１６０、１６０′が硬化した原板１１０を現像液に浸漬すると、硬化していないドライフィルム１６０、１６０′部分が現像液により除去され、硬化したドライフィルム１６０、１６０′部分のみ残ってエッチングレジストパターンを形成する。ここで、現像液としては、炭酸ナトリウム（Ｎａ2ＣＯ3）または炭酸カリウム（Ｋ2ＣＯ3）の水溶液などを使用する。
【００８４】
図４ｇに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム１６０、１６０′をエッチングレジストとして使用し、原板１１０にエッチング液を噴霧することにより、ドライフィルム１６０、１６０′の所定のパターンに対応する部分を除く残り部分の上下銅箔層１１２、１１２′および銅鍍金層１４０、１４０′をエッチングして除去する。
【００８５】
図４ｈに示すように、原板１１０の上下両面に塗布されたドライフィルム１６０、１６０′を、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液を使用して除去すると、本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板１００が製造される。
【００８６】
図４ｆないし図４ｈに示す過程において、エッチングレジストとしては、液体状態の感光材をエッチングレジストとして使用することができる。
【００８７】
この場合、紫外線に感光される液体状態の感光材を原板１１０の銅鍍金層１４０、１４０′および抵抗物質１５０に塗布した後、乾燥させる。ついで、所定のパターンが形成されたアートワークフィルムを使用して感光材を露光および現像することにより、感光材に所定のパターンを形成する。その後、所定のパターンが形成された感光材をエッチングレジスタとして使用し、原板１１０にエッチング液を噴霧することにより、感光材の所定パターンに対応する部分を除く残り部分の上下銅箔層１１２、１１２′および銅鍍金層１４０、１４０′をエッチングして除去する。ついで、感光材を除去する。ここで、液体状態の感光材をコートする方式としては、ディップコーティング方式、ロールコーティング方式、電気蒸着方式などがある。
【００８８】
このような液体状態の感光材を使用する方式は、ドライフィルム１６０、１６０′より薄く塗布することができるので、より微細な回路パターンを形成することができる利点がある。また、原板１１０の表面に凹凸がある場合、これをならして均一な表面を形成することができる利点もある。
【００８９】
図５に示すように、本発明の第１実施例による内蔵型抵抗は、銅鍍金されたビアホールＡ１の内壁を抵抗端子として用い、ビアホールＡ１とビアホールＡ１間の加工部分を抵抗物質１５０で充填するので、それぞれの抵抗物質充填部Ｂ１の大きさおよび長さが一定になって、均一な抵抗値を有する抵抗を製造することができる。したがって、レーザトリミングのような別途の抵抗値調節工程が不要な利点がある。
【００９０】
また、本発明による内蔵型抵抗は、ビアホールＡ１とビアホールＡ１間の通路幅を調節して抵抗値を調節することができ、ビアホールＡ１とビアホールＡ１間の距離を調節して抵抗値を調節することができる。したがって、プリント基板の厚さに比べ、非常に大きなプリント基板の平面上に内蔵型抵抗を製造することができるので、大変大きな抵抗値の抵抗を製造することができる利点がある。これは、内蔵型抵抗の製作上の設計自由度の向上をもたらす。
【００９１】
図６ａないし図６ｍは本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図であり、図７は図６ａないし図６ｍに示す方法で製造された内蔵型抵抗の斜視図である。
【００９２】
図６ａに示すように、絶縁樹脂層２１１に銅箔層２１２、２１２′が被せられた銅張積層板の原板２１０を準備する。
【００９３】
図６ｂに示すように、原板２１０の両面にドライフィルム２６０ａ、２６０ａ′をそれぞれ塗布した後、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルム（図示せず）を使用してドライフィルム２６０ａ、２６０ａ′を露光および現像することにより、ドライフィルム２６０ａ、２６０ａ′に所定のパターンを形成する。ここで、所定のパターンは、一般的な回路パターン（図示せず）、ビアホールが加工されるランド（図６ｂのドライフィルム２６０ａ、２６０ａ′の長方形部分）および前記ランドに連結された回路パターンなどを含む。
【００９４】
ここで、ビアホールが加工されるランドは、後に加工されるビアホールの内壁がランドの範囲を外れなければ、長方形でないほかの形態のランド（例えば、円形）にも形成することができる。
【００９５】
図６ｃに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム２６０、２６０ａ′をエッチングレジストとして使用し、原板２１０にエッチング液を噴霧することにより、ドライフィルム２６０ａ、２６０ａ′の所定パターンに対応する部分を除く残り部分の上下銅箔層２１２、２１２′をエッチングして除去する。
【００９６】
図６ｄに示すように、原板２１０の上下両面に塗布されたドライフィルム２６０ａ、２６０ａ′を、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液で除去する。
【００９７】
前述した図４ｆないし図４ｇの過程と同様に、図６ｂないし図６ｄの過程においても、液体状態の感光材をエッチングレジストとして使用して、一般的な回路パターン、ビアホールが加工されるランドおよび前記ランドに連結された回路パターンなどを形成することができる。
【００９８】
図６ｅに示すように、原板２１０の両面にそれぞれ絶縁層２２０、２２０′（例えば、プレプレッグ）と銅箔２３０、２３０′を積層した後、所定の温度および圧力（例えば、およそ１５０℃〜２００℃および３０ｋｇ／ｃｍ2〜４０ｋｇ／ｃｍ2）で加温および加圧して外層を形成する。ここで、外層を形成するため、絶縁層２２０、２２０′および銅箔２３０、２３０′の代わりに、原板２１０の両面にＲＣＣ（Resin Coated Copper）をそれぞれ積層することもできる。
【００９９】
図６ｆに示すように、原板２１０の銅箔層２１２ 、２１２′に形成されたランドを貫通するように、一面の銅箔２３０から他面の銅箔２３０′まで二つのビアホールＡ２を形成する。
【０１００】
ここで、形成されたビアホールＡ２が銅箔２３０からほかの銅箔２３０′に連結される通孔であるので、ＣＮＣドリルなどの機械的ドリルを使用して、前もって設定された位置にビアホールＡ２を形成することが好ましい。
【０１０１】
また、ＣＮＣドリルを使用してビアホールＡ２を形成した後、デバリング工程およびデスミア工程を行うことが好ましい。
【０１０２】
図６ｇに示すように、形成されたビアホールＡ２の電気的連結のため、上下銅箔２３０、２３０′およびビアホールＡ２の内壁に銅鍍金層２４０、２４０′を形成する。
【０１０３】
ここで、銅鍍金層２４０、２４０′を形成する工程は、ビアホールＡ２の内壁が絶縁体であるので、無電解銅鍍金を先に行った後、物性に優れた電解銅鍍金を行うことで実施することが好ましい。
【０１０４】
図６ｈに示すように、抵抗物質を充填するため、二つのビアホールＡ２間の部分を加工することで、トラック形状の断面を有する抵抗物質充填部Ｂ２を形成する。この際、抵抗物質充填部Ｂ２において、トラックの対向する半円状の弧部に相当する領域は加工されないので、内壁に銅鍍金層２４０、２４０′が残っており、トラックの対向する直線辺部に相当する領域は加工されるので、内壁に絶縁樹脂層２１１および絶縁層２２０、２２０′が露出される。
【０１０５】
ここで、二つのビアホールＡ２間の部分を加工する工程は、ＣＮＣドリル、ルータドリルおよび金型パンチングなどを用いて行う。
【０１０６】
図６ｉに示すように、抵抗物質充填部Ｂ２に、スクリーン印刷方式で抵抗物質２５０（例えば、カーボン系レジスタペースト）を充填する。
【０１０７】
図６ｊに示すように、上下銅鍍金層２４０、２４０′の表面上に突出した抵抗物質２５０をバフなどで平坦に除去する。
【０１０８】
図６ｋに示すように、上下銅鍍金層２４０、２４０′および抵抗物質２５０にドライフィルム２６０ｂ、２６０ｂ′をそれぞれ塗布した後、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルム（図示せず）を介してドライフィルム２６０ｂ、２６０ｂ′を露光および現像させることにより、ドライフィルム２６０ｂ、２６０ｂ′に所定のパターンを形成する。ここで、所定のパターンとしては、一般的な回路パターン（図示せず）、抵抗物質充填部Ｂ２およびビアホールＡ２のランドなどが含まれる。
【０１０９】
図６ｌに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム２６０ｂ、２６０ｂ′をエッチングレジストとして使用し、エッチング液を噴霧させることにより、ドライフィルム２６０ｂ、２６０ｂ′の所定パターンに対応する部分を除く残り部分の上下銅箔２３０、２３０′および銅鍍金層２４０、２４０′をエッチングして除去する。
【０１１０】
図６ｍに示すように、ドライフィルム２６０ｂ、２６０ｂ′を、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液で除去すると、本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板２００が製造される。
【０１１１】
前述した図６ｂないし図６ｄの過程と同様に、図６ｋないし図６ｍの過程においても、液体状態の感光材をエッチングレジストとして使用することで、一般的な回路パターン、抵抗物質充填部Ｂ２およびビアホールＡ２のランドなどを形成することができる。
【０１１２】
図７に示すように、本発明の第２実施例による内蔵型抵抗は、銅鍍金されたビアホールＡ２の内壁を抵抗端子として用い、ビアホールＡ２とビアホールＡ２間の加工部分を抵抗物質２５０で充填するので、それぞれの抵抗物質充填部Ｂ２の大きさおよび長さが一定であり、均一な抵抗値を有する抵抗を製造することができる。
【０１１３】
図５の内蔵型抵抗と図７の内蔵型抵抗を比較すると、図５の内蔵型抵抗は２層間に形成されたビアホールＡ１を用いるに対し、図７の内蔵型抵抗は４層間に形成されたビアホールＡ２を用いることに相違点がある。
【０１１４】
また、図５の内蔵型抵抗は、抵抗端子に連結される回路が外部に露出しているに対し、図７の内蔵型抵抗は、抵抗端子に連結される回路がビアホールＡ２の内壁に連結されるので、外部に露出しない相違点もある。
【０１１５】
実施例によっては、内蔵型抵抗端子に連結される回路は、原板２１０の一つの銅箔層１１２または１１２′に、二つの抵抗端子に連結される回路を形成することができ、上下銅箔２３０、２３０′および銅鍍金層２４０、２４０′（つまり、外層）に、抵抗端子に連結される回路を形成することもできる。
【０１１６】
また、実施例によっては、４層間に形成されたビアホールＡ２でなく、６層または８層などの多層プリント基板の外層と外層を導通するビアホールを用いて内蔵型抵抗を製造することもできる。
【０１１７】
図８ａないし図８ｎは本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図であり、図９は図８ａないし図８ｎに示す方法で製造された内蔵型抵抗の斜視図である。
【０１１８】
図８ａに示すように、絶縁樹脂層３１１に銅箔層３１２、３１２′が被せられた銅張積層板の原板３１０を準備する。
【０１１９】
図８ｂに示すように、原板３１０の両面にドライフィルム３６０ａ、３６０ａ′をそれぞれ塗布した後、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルム（図示せず）を使用してドライフィルム３６０ａ、３６０ａ′を露光および現像することにより、ドライフィルム３６０ａ、３６０ａ′に所定のパターンを形成する。ここで、所定のパターンは、一般的な回路パターン（図示せず）、ビアホールが加工されるランド（図８ｂのドライフィルム３６０ａ、３６０ａ′の長方形部分）および前記ランドに連結された回路パターンなどを含む。
【０１２０】
ここで、ビアホールが加工されるランドは、後に加工されるビアホールの大きさがランドの範囲を外れなければ、長方形でないほかの形態のランド（例えば、円形）にも形成することができる。
【０１２１】
図８ｃに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム３６０、３６０ａ′をエッチングレジストとして使用し、原板３１０にエッチング液を噴霧することにより、ドライフィルム３６０ａ、３６０ａ′の所定パターンに対応する部分を除く残り部分の上下銅箔層３１２、３１２′をエッチングして除去する。
【０１２２】
図８ｄに示すように、原板３１０の上下両面に塗布されたドライフィルム３６０ａ、３６０ａ′を、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液で除去する。
【０１２３】
前述した図４ｆないし図４ｇの過程と同様に、図８ｂないし図８ｄの過程においても、液体状態の感光材をエッチングレジストとして使用して、一般的な回路パターン、ビアホールが加工されるランドおよび前記ランドに連結された回路パターンなどを形成することができる。
【０１２４】
図８ｅに示すように、原板３１０の両面にそれぞれ絶縁層３２０、３２０′（例えば、プレプレッグ）と銅箔３３０、３３０′を積層した後、所定の温度および圧力（例えば、およそ１５０℃〜２００℃および３０ｋｇ／ｃｍ2〜４０ｋｇ／ｃｍ2）で加温および加圧して外層を形成する。ここで、外層を形成するため、絶縁層３２０、３２０′および銅箔３３０、３３０′の代わりに、原板３１０の両面にＲＣＣをそれぞれ積層することもできる。
【０１２５】
図８ｆに示すように、上下銅箔３３０、３３０′に、ドライフィルム３６０ｂ、３６０ｂ′による露光、現像およびエッチング工程によりビアホールを形成するためのウィンドウＣ、Ｃ′を形成する。
【０１２６】
図８ｇに示すように、上下銅箔３３０、３３０′に形成されたウィンドウＣ、Ｃ′を用いて、銅箔３３０、３３０′から原板３１０の銅箔層３１２、３１２′に形成されたランドまでビアホールＡ３を形成する。
【０１２７】
ここで、ビアホールＡ３を形成する工程は、ビアホールＡ３が一端の閉塞したブラインドビアホールであるので、レーザドリルで絶縁層３２０、３２０′を加工してビアホールＡ３を形成することが好ましい。この際、レーザドリルとしては、二酸化炭素レーザドリルを使用することが好ましい。仮に、銅箔３３０、３３０′まで加工可能なＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）レーザドリルを使用してビアホールＡ３を加工する場合、図８ｆの銅箔３３０、３３０′にウィンドウＣ、Ｃ′を形成する工程を行わず、ビアホールＡ３を加工することができる。
【０１２８】
図８ｈに示すように、形成されたビアホールＡ３の電気的連結のため、上下銅箔３３０、３３０′およびビアホールＡ３の内壁に銅鍍金層３４０、３４０′を形成する。
【０１２９】
ここで、銅鍍金層３４０、３４０′を形成する工程は、ビアホールＡ３の内壁が絶縁体であるので、無電解銅鍍金を先に行った後、物性に優れた電解銅鍍金を行うことで実施することが好ましい。
【０１３０】
図８ｉに示すように、抵抗物質を充填するため、二つのビアホールＡ３間の部分を加工することで、トラック形状の断面を有する抵抗物質充填部Ｂ３を形成する。この際、抵抗物質充填部Ｂ３において、トラックの対向する半円状の弧部に相当する領域は加工されないので、内壁に銅鍍金層３４０、３４０′が残っており、トラックの対向する直線辺部に相当する領域は加工されるので、内壁に絶縁層３２０、３２０′が露出される。
【０１３１】
ここで、二つのビアホールＡ３間の部分を加工する工程は、ＣＮＣドリル、ルータドリルおよび金型パンチングなどを用いて行う。
【０１３２】
図８ｊに示すように、抵抗物質充填部Ｂ３に、スクリーン印刷方式で抵抗物質３５０（例えば、カーボン系レジスタペースト）を充填する。
【０１３３】
図８ｋに示すように、上下銅鍍金層３４０、３４０′の表面上に突出した抵抗物質３５０をバフなどで平坦に除去する。
【０１３４】
図８ｌに示すように、上下銅鍍金層３４０、３４０′および抵抗物質３５０にドライフィルム３６０ｂ、３６０ｂ′をそれぞれ塗布した後、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルム（図示せず）を介してドライフィルム３６０ｂ、３６０ｂ′を露光および現像させることにより、ドライフィルム３６０ｂ、３６０ｂ′に所定のパターンを形成する。ここで、所定のパターンとしては、一般的な回路パターン（図示せず）、抵抗物質充填部Ｂ３およびビアホールＡ３のランドなどが含まれる。
【０１３５】
図８ｍに示すように、所定のパターンが形成されたドライフィルム３６０ｂ、３６０ｂ′をエッチングレジストとして使用し、エッチング液を噴霧させることにより、ドライフィルム３６０ｂ、３６０ｂ′の所定パターンに対応する部分を除く残り部分の上下銅箔３３０、３３０′および銅鍍金層３４０、３４０′をエッチングして除去する。
【０１３６】
図８ｎに示すように、ドライフィルム３６０ｂ、３６０ｂ′を、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液で除去すると、本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板３００が製造される。
【０１３７】
前述した図８ｂないし図８ｄの過程と同様に、図８ｌないし図８ｎの過程においても、液体状態の感光材をエッチングレジストとして使用することで、一般的な回路パターン、抵抗物質充填部Ｂ３およびビアホールＡ３のランドなどを形成することができる。
【０１３８】
図９に示すように、本発明の第３実施例による内蔵型抵抗は、銅鍍金されたビアホールＡ３の内壁を抵抗端子として用い、ビアホールＡ３とビアホールＡ３間の加工部分を抵抗物質３５０で充填するので、それぞれの抵抗物質充填部Ｂ３の大きさおよび長さが一定であり、均一な抵抗値を有する抵抗を製造することができる。
【０１３９】
図１０は本発明の第４実施例による内蔵型抵抗の斜視図、図１１は本発明の第５実施例による内蔵型抵抗の斜視図である。
【０１４０】
図１０に示すように、本発明による内蔵型抵抗は、二つのビアホールＡ４間に、ビアホールＡ４の直径より小さい通路を加工し、断面亜鈴形の抵抗物質充填部Ｂ４を形成することにより、より大きい抵抗値の内蔵型抵抗を製造することができる。この場合、亜鈴の対向円弧部に対応する領域の内壁には銅鍍金層４４０、４４０′が残っており、亜鈴の対向直線辺部に対応する領域の内壁は絶縁層４２０、４２０′に露出される。
【０１４１】
また、図１１に示すように、本発明による内蔵型抵抗は二つのビアホールＡ５間に、ビアホールＡ５の直径より小さい通路を加工し、小さな半円部が突出した長方形の抵抗物質充填部Ｂ５を形成することにより、より小さい抵抗値の内蔵型抵抗を製造することができる。この場合、突出した半円部に対応する領域の内壁には銅鍍金層５４０、５４０′が残っており、そのほかの長方形の辺部に対応する領域の内壁は絶縁層５２０、５２０′に露出される。
【０１４２】
図１２は本発明の実施例による多数の内蔵型抵抗を有する抵抗内蔵型プリント基板の断面図である。
【０１４３】
同図に示すように、本発明による抵抗内蔵型プリント基板１０００は、２層間を連結するビアホールを用いる内蔵型抵抗１１００、４層間を連結するビアホールを用いる内蔵型抵抗１２００、２層間を連結するブラインドビアホールを用いる内蔵型抵抗１３００、１３００′、および３層間を連結するブラインドビアホールを用いる内蔵型抵抗１４００、１４００′を使用目的または用途に応じて組み合わせて含むことができる。
【０１４４】
以上、本発明の実施例を説明したが、当業者であれば、本発明の技術的思想および範囲を逸脱しない範囲内で多様な変形および修正が可能であろう。このような変形および修正実施例も本発明の範囲内に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１ａ】従来の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す図である。
【図１ｂ】従来の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す図である。
【図１ｃ】従来の抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す図である。
【図２ａ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｂ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｃ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｄ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｅ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図２ｆ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ａ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のさらにほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｂ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のさらにほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｃ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のさらにほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｄ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のさらにほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｅ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のさらにほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図３ｆ】従来の抵抗内蔵型プリント基板のさらにほかの製造方法の流れを示す断面図である。
【図４ａ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図４ｂ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図４ｃ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図４ｄ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図４ｅ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図４ｆ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図４ｇ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図４ｈ】本発明の第１実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図５】図４ａないし図４ｈの方法により製造された内蔵型抵抗の斜視図である。
【図６ａ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｂ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｃ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｄ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｅ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｆ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｇ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｈ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｉ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｊ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｋ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｌ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図６ｍ】本発明の第２実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図７】図６ａないし図６ｍの方法により製造された内蔵型抵抗の斜視図である。
【図８ａ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｂ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｃ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｄ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｅ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｆ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｇ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｈ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｉ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｊ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｋ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｌ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｍ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図８ｎ】本発明の第３実施例による抵抗内蔵型プリント基板の製造方法の流れを示す平面図および断面図である。
【図９】図８ａないし図８ｎの方法により製造された内蔵型抵抗の斜視図である。
【図１０】本発明の第４実施例による内蔵型抵抗の斜視図である。
【図１１】本発明の第５実施例による内蔵型抵抗の斜視図である。
【図１２】本発明の実施例による多数の内蔵型抵抗を有する抵抗内蔵型プリント基板の断面図である。
【符号の説明】
【０１４６】
１００、２００、３００、１０００    抵抗内蔵型プリント基板
１１０、２１０、３１０    原板
１１１、２１１、３１１    絶縁樹脂層
１１２、１１２′、２１２、２１２′、３１２、３１２′    銅箔層
２２０、２２０′、３２０、３２０′、４２０、４２０′、５２０、５２０′    絶縁層
２３０、２３０′、３３０、３３０′    銅箔
１４０、１４０′、２４０、２４０′、３４０、３４０′、４４０、４４０′、５４０、５４０′    銅鍍金層
１５０、２５０、３５０    抵抗物質
１６０、１６０′、２６０ａ、２６０ａ′、２６０ｂ、２６０ｂ′、３６０ａ、３６０ａ′、３６０ｂ、３６０ｂ′    ドライフィルム
１１００、１２００、１３００、１３００′、１４００、１４００′    内蔵型抵抗
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５    ビアホール
Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ４、Ｂ５    抵抗物質充填部
Ｃ、Ｃ′    ビアホールのウィンドウ
【図１ａ】
2006073984.tif 000003
【図１ｂ】
2006073984.tif 000004
【図１ｃ】
2006073984.tif 000005
【図２ａ】
2006073984.tif 000006
【図２ｂ】
2006073984.tif 000007
【図２ｃ】
2006073984.tif 000008
【図２ｄ】
2006073984.tif 000009
【図２ｅ】
2006073984.tif 000010
【図２ｆ】
2006073984.tif 000011
【図３ａ】
2006073984.tif 000012
【図３ｂ】
2006073984.tif 000013
【図３ｃ】
2006073984.tif 000014
【図３ｄ】
2006073984.tif 000015
【図３ｅ】
2006073984.tif 000016
【図３ｆ】
2006073984.tif 000017
【図４ａ】
2006073984.tif 000018
【図４ｂ】
2006073984.tif 000019
【図４ｃ】
2006073984.tif 000020
【図４ｄ】
2006073984.tif 000021
【図４ｅ】
2006073984.tif 000022
【図４ｆ】
2006073984.tif 000023
【図４ｇ】
2006073984.tif 000024
【図４ｈ】
2006073984.tif 000025
【図５】
2006073984.tif 000026
【図６ａ】
2006073984.tif 000027
【図６ｂ】
2006073984.tif 000028
【図６ｃ】
2006073984.tif 000029
【図６ｄ】
2006073984.tif 000030
【図６ｅ】
2006073984.tif 000031
【図６ｆ】
2006073984.tif 000032
【図６ｇ】
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【図６ｈ】
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【図６ｉ】
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【図６ｊ】
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【図６ｋ】
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【図６ｌ】
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【図６ｍ】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図８ｅ】
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【図８ｆ】
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【図８ｇ】
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【図８ｈ】
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【図８ｉ】
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【図８ｊ】
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【図８ｋ】
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【図８ｌ】
2006073984.tif 000052
【図８ｍ】
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【図８ｎ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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