(57)【要約】【課題】  実際のデバイス製造工程において、回路パターンが設けられるマスク自体及び試料自体には歪み測定用のマークを設けることなく、試料上に形成された下層パターンに合わせて上層パターンの露光位置を精度良く補正することが可能な露光方法を提供する。【解決手段】  下層パターン６１が形成されたと同じ試料４０を用いて、これを試験試料としてネガ型レジスト層６５を形成し、このネガ型レジスト層６５に上層パターンＨを露光してその未露光部分を除去することにより上層パターンＨを形成し、これら下層パターン６１及び上層パターンＨの間の位置ずれ量を測定し、この位置ずれ量に応じて、下層パターンが形成された試料４０への上層パターンＨの露光位置を補正する。【選択図】      図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上に形成された下層パターンに対して、上層パターンを重ね合わせて露光する重ね合わせ露光方法において、
前記下層パターンが形成された前記試料と同じ試験試料上に、ネガ型レジスト層を形成するステップと、
前記ネガ型レジスト層に前記上層パターンを露光して該ネガ型レジスト層のうち未露光部分を除去することにより、前記上層パターンを形成するステップと、
前記試験試料上に形成された前記下層パターン及び前記上層パターンの間の位置ずれ量を測定するステップと、を有し、
測定された前記位置ずれ量に応じて、前記上層パターンの露光位置を補正することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記のネガ型レジスト層を形成するステップは、前記下層パターンのパターン層の上に形成された層間膜の上に、さらにネガ型レジスト層を形成することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記のネガ型レジスト層を形成するステップは、前記下層パターンのパターン層の上に、直接ネガ型レジスト層を形成することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項４】
前記露光方法は、電子ビーム源より生じる電子ビームを、前記試料の表面に近接して前記電子ビームの経路中に配置される、前記上層パターンに対応するマスクパターンを有する露光マスクに照射して、前記露光マスクを通過した電子ビームで、前記試料の表面に前記上層パターンを露光する電子線露光方法であって、
測定された前記位置ずれ量に応じて、前記電子ビームの前記露光マスクへの入射角度を変更することにより、前記試料への前記上層パターンの露光位置を補正する、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光マスクに設けられたマスクパターンに対応するパターンを試料上に露光する際に、露光マスクのマスク歪みや、試料上にすでに形成されている下層パターンの歪みに応じてパターンの露光位置を補正して、上層パターンを下層パターンに重ね合わせて露光する露光方法に関する。より詳しくは、このような重ね合わせ露光を行なう電子線露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化のニーズに伴い、回路パターンの一層の微細化が要望されている。現在、微細化の限界を規定しているのは主として露光装置であり、電子ビーム直接描画装置やＸ線露光装置などの新しい方式の露光装置が開発されている。
最近では新しい方式の露光装置として、量産レベルで超微細加工用に使用可能な電子ビーム近接露光装置が開示されている（例えば特許文献１、およびこれに対応する日本国特許出願の特許文献２）。
【０００３】
図１は上記電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。この電子ビーム近接露光装置１０は、主として電子ビーム１５を発生する電子ビーム源１４、電子ビーム１５を平行ビームにするレンズ１６、及び整形アパーチャ１８を含む電子銃１２と、主偏向器２１、２２及び副偏向器５１、５２を含み、電子ビームを光軸に平行に走査する走査手段２４と、露光マスク３０と、静電チャック４４と、ウエハステージ４６とから構成されている。
【０００４】
前記露光マスク３０は、静電チャック４４に吸着された試料（ウエハ）４０に近接するように（露光マスク３０とウエハ４０との隙間が、例えば５０μｍとなるように）配置される。この状態で、露光マスク３０に垂直に電子ビームを照射すると、露光マスク３０のマスクパターンを通過した電子ビームがウエハ４０上のレジスト層４２に照射される。
走査手段２４中の主偏向器２１、２２は、図２に示すように電子ビーム１５が露光マスク３０の全面を走査するように電子ビーム１５を偏向制御する。これにより、露光マスク３０のマスクパターンがウエハ４０上のレジスト層４２に等倍転写される。
なお、図２には、電子ビーム１５がマスク領域３０全体を、ｙ方向を主走査方向、ｘ方向を副走査方向として連続して走査する様子を示したものであるが、このように連続して電子ビームを走査する１動作や、連続して電子ビームが走査されるマスク３０上又はウエハ４０上の領域を、「１ショット」と呼ぶことがあるので本明細書でもこの用語を使用する。
【０００５】
ウエハステージ４６は、静電チャック４４に吸着されたウエハ４０を水平の直交２軸方向に移動させるもので、マスクパターンの等倍転写が終了するごとにウエハ４０を所定量移動させ、これにより１枚のウエハ４０に複数のマスクパターンを転写できるようにしている。
【０００６】
また、走査手段２１中の副偏向器５１、５２は、マスク歪みを補正するように電子ビーム１５のマスクパターンへの入射角度を制御（傾き制御）する。いま図３に示すように電子ビーム１５の露光用マスク３０への入射角度をα、露光用マスク３０とウエハ４０とのギャップをＧとすると、入射角度αによるマスクパターンの転写位置のずれ量δは、
δ＝Ｇ・ｔａｎα
で表される。図３上ではマスクパターンが正規の位置からずれ量δだけずれた位置に転写される。
【０００７】
したがって、露光用のマスク３０に、例えば図４（Ａ）に示されるようなマスク歪みがある場合には、電子ビーム走査位置におけるマスク歪みに応じて、電子ビームの傾き制御を行なうことにより、図４（Ｂ）に示されるようにマスク歪みのない状態でのマスクパターンを転写することが可能となる。
【０００８】
一方で、半導体集積回路は、何層もの導体膜や半導体膜を積層して形成され、多いものでは約４０層もの層により形成されている。これらの層間には絶縁膜が設けられており、この絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して絶縁膜を挟む上下層の電気的な接続が設けられている。このようなコンタクトホールの例を図５を参照して説明する。
図５（Ａ）は、コンタクトホールＨによってゲート層６１と配線パターン層６３とを接続する回路構成例を示す図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。図５（Ｂ）に示すようにゲート電極Ｇが設けられるゲート層６１は基板６０上に形成され、その上には層間絶縁膜６２が形成され、さらにその上に配線パターン層６３が形成される。そして、ゲート電極Ｇの上に位置する層間絶縁膜６２上の位置にはコンタクトホールＨが設けられており、このコンタクトホールＨを介してゲート電極Ｇと配線パターン層６３の配線パターンの電気的導通が得られる。
【０００９】
これら各層には、それぞれの露光工程およびエッチング工程等のプロセスによって各パターンが形成されるが、これらの各パターンは様々な要因により、設計パターンから歪んで形成される場合がある。このとき、下層パターン（下地パターン）の歪みが甚だしいと、上述のマスク歪み補正により上層パターンの露光マスク歪みを完全に補正して下層パターンの上に露光したとしても、形成される回路に支障をきたす場合がある。
【００１０】
例えば、図６（Ａ）に示すゲート電極Ｇなどを含むゲート層６１である下層パターンＰ61の上に設けられた層間絶縁膜６２に、コンタクトホールＨのパターンである上層パターンＰ62（図６（Ｂ））を形成する場合、上層パターンの露光マスクの歪みを補正して露光すると、下層パターンに歪みがある場合には図６（Ｃ）に示すように下層パターンＰ61のゲート部分Ｇと上層パターンＰ62のホール部分Ｈとの位置ずれが生じてしまい両者が接続しなくなる。したがって、下層パターンに歪みがある場合には、パターンの歪みにあわせて上層パターンの露光位置を補正する必要がある。
【００１１】
従来知られているマスク歪み及び下層パターンの歪みに合わせて上層の露光位置を補正する方法には、例えば、マスク及び下層パターンの各々に設けられた歪み測定用パターンの絶対位置をそれぞれ座標測定器を用いて測定する方法と、重ね合わせ測定法と、がある。
座標測定器を用いる方法では、図７（Ａ）に示すようにマスク３０のパターン領域３３内の各所にマスク歪み測定用マークＭPMを、また、図７（Ｂ）に示すようにウエハ４０の下層パターンのショット領域Ｓ内の各所に下層パターン歪み測定用マークＭPWを設けておき、それらの座標をＩＰＲＯ（商標）などの座標測定器を用いてそれぞれ測定し、マスク歪み及び下層パターンの歪み量を求め、この歪み量を補正するように上記副偏向器５１、５２を駆動することにより、下層パターンの歪みに合わせて上層パターンの露光位置を補正する。
【００１２】
一方、重ね合わせ測定法では、図８（Ａ）に示すようにマスク３０のパターン領域３３内の各所にマスク側重ね合わせ測定用マークＭMを、その外側にマスク側アライメントマークＭAMを設ける。一方でウエハ４０の下層パターンのショット領域Ｓ内の各所に、マスク側重ね合わせ測定用マークＭMに対応して、ウエハ側重ね合わせ測定用マークＭWを図８（Ｂ）に示すように設け、その外側には、マスク側アライメントマークＭAMに対応するウエハ側アライメントマークＭAWを設ける。
そして、マスク側アライメントマークＭAMとウエハ側アライメントマークＭAWにより、マスク領域３３とショット領域Ｓとのアライメントを行なった後、マスク側重ね合わせ測定用マークＭMを、ウエハ４０上に露光、転写する。マスク側重ね合わせ測定用マークＭMが転写されたウエハ４０のショット領域Ｓを図８（Ｃ）に示す。
【００１３】
図８（Ｃ）に示すように、下層パターンのショット領域Ｓの各所に形成されたウエハ側重ね合わせマークＭWと、これに対応するマスク側重ね合わせ測定用マークＭMとの間には、マスク歪み及び下層パターン歪みの和に応じて位置ずれが生じる。したがって、この位置ずれ量を電子顕微鏡などにより観測し、この位置ずれ量を補正するように上記副偏向器５１、５２を駆動することにより、下層パターンの歪みに合わせて上層パターンの露光位置を補正する。
【００１４】
【特許文献１】米国特許第５，８３１，２７２号明細書
【特許文献２】日本特許第２９５１９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上記従来の方法では、マスク歪み及び下層パターン歪みを補正し、精度良く上層パターンを重ね合わせるためには、マスク３０内のマスクパターン領域３３内及び下層パターン上のショット領域Ｓ内に、歪み測定用マーク又は重ね合わせ測定用マークを多数設ける必要がある。
しかしながら、実際のデバイス製造工程では、マスクパターン領域３３内及びショット領域Ｓ内には、回路パターンが高密度に形成されており、歪み測定用マーク又は重ね合わせ測定用マークを多数設けるスペース的余裕はない。
【００１６】
そこで、本発明では、実際のデバイス製造工程において、回路パターンを露光する露光マスク自体、及び回路パターンが形成されるウエハ自体に、歪み測定用マーク又は重ね合わせ測定用マークを設けることなく、ウエハ上に形成された下層パターンの歪みに合わせて上層パターンの露光位置を精度良く補正することが可能な露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明では、下層パターンが形成された試料と同じ試料を用いて、これを試験試料としてネガ型レジスト層を形成し、このネガ型レジスト層に上層パターンを露光してその未露光部分を除去することにより上層パターンを形成し、これら下層パターン及び上層パターンの間の位置ずれ量を測定しておく。そして、下層パターンが形成された上記試料へ上層パターンを露光する際に、この位置ずれ量に応じて上層パターンの露光位置を補正する。
【００１８】
ネガ型レジスト層は、下層パターンのパターン層の上に形成された層間膜の上に形成することとしてもよく、前記下層パターンのパターン層の上に直接形成することとしても良い。
【００１９】
本発明に係る重ね合わせ露光方法は、マスクパターン各部の試料上への各露光位置を補正可能な方式の露光方法に広く適用可能であるが、特に、電子ビーム源より生じる電子ビームを、試料の表面に近接して電子ビームの経路中に配置される、上層パターンに対応するマスクパターンを有する露光マスクに照射して、露光マスクを通過した電子ビームで、試料の表面に上層パターンを露光する電子線露光方法に好適に使用することが可能である。この場合、試料への上層パターンの露光位置の補正は、測定された前記位置ずれ量に応じて、電子ビームの露光マスクへの入射角度を変更することにより行なう。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、実際の回路パターンを露光する露光マスク自体、及び回路パターンが形成される試料自体に、歪み測定用マーク又は重ね合わせ測定用マークを設けることなく、試料上に形成された下層パターンの歪みに合わせて上層パターンの露光位置を精度良く補正することが可能となる。
【００２１】
また、下層パターン及び上層パターンの位置ずれ量の測定に際し、実デバイスの下層パターンが形成された試料と、上層パターンが形成された実デバイス用のマスクと、を使用することにより、より実際の露光条件に近い条件で位置ずれ量を測定することが可能となる。これにより上層パターンの露光位置を精度良く決定することが可能となる。
特に、上層パターンの形成をステンシルマスクによる露光により行なう場合には、従来の重ね合わせ測定測定法では、重ね合わせマークが設けられた測定用マスクと実際の露光マスクとの間で開口部分とそれ以外の部分の面積比が異なるため、かかる相違に起因するマスク歪み量の相違を避けることができない。したがって、本発明のように実デバイス用のマスクを位置ずれ量測定に使用することにより、位置補正量の精度を向上することが可能となる。
【００２２】
さらに、ネガ型レジストを下層パターンのパターン層の上に形成された層間膜の上に形成することにより、位置ずれ量の測定後に試験試料からネガ型レジストを除去して、実デバイス用の試料として利用することが可能となる。これにより本発明の使用による歩留まりへの影響を防止することが可能となる。
一方で、ネガ型レジストを下層パターンのパターン層の上に直接形成することにより、下層パターンをより明瞭に観察することが可能となり、測定精度の向上に資する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施例を説明する。なお、以下の説明では、例示として、上層パターンが上記の近接露光方式の電子線近接露光方法に露光されることを想定するが、本発明による重ね合わせ露光方法は、電子線近接露光方法だけでなく、マスクパターン各部の試料上への各露光位置を補正することが可能な露光装置であれば、他の方式の露光方法にも利用可能である。
【００２４】
まず、本発明に実施例に係る重ね合わせ露光方法の理解をより容易にするために、本方法の説明に先立ち、試料（ウエハ）上に既に形成された下層パターンの上に、ポジ型レジストを使用して上層パターンを形成する通常の実デバイスの形成工程について説明する。
ここにポジ型レジストとは、一般に光線又は電子ビームが試料上に塗布された該レジストに露光されたとき、後の現像工程において、露光した部分のみが溶けて洗い流されるレジスト剤のことをいい、反対にネガ型レジストとは、露光しなかった部分のみが溶けて洗い流されるレジスト剤のことをいう。これらレジスト剤は、主に高分子材料とこれに混入される感光剤とからなり、ポジ型レジストでは、感光した感光剤が高分子材料の分子間の結合を切断することによって、露光部分が現像剤に対して可溶となり、ネガ型レジストでは、感光した感光剤が高分子材料の分子間の結合をより高めることにより、露光部分が不可溶となる。
【００２５】
このようなネガ型レジストは、用途に応じて様々なものが用いられており、例えば化学増幅型ネガレジストは、電子線の照射によって酸発生剤が照射量に比例した酸を発生し、電子線露光後の加熱処理によってこの酸が触媒となってベース樹脂と架橋剤との架橋反応が進行し、現像液に対して不溶化する。
【００２６】
図９及び図１０は、ポジ型レジストを使用した上層パターンの形成工程の説明図である。ここに図９（Ａ）は、下層パターンであるゲート層６１のゲート部分に接続するように、上層パターンであるコンタクトホールＨを形成した回路構成例を示す図であり、図９（Ｂ）〜図９（Ｄ）並びに図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）は、形成工程の各途中経過における、図９（Ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【００２７】
まず、図９（Ｂ）において、下層パターンを含むゲート層６１より下位の下位層６０に、ゲート層６１を形成する。ゲート層６１の形成には、例えば光リソグラフィ工程を用いることとしてよい。
そして、図９（Ｃ）においてＣＶＤ工程などにより、ゲート層６１の上に絶縁膜６２（層間絶縁膜）を形成し、さらに図９（Ｄ）において層間絶縁膜６２上にポジ型レジスト剤を塗布して、ポジ型レジスト層６４を形成する。
【００２８】
その後、図１０（Ａ）において、図１を参照して上記説明した電子線近接露光装置を使用して、上層パターンであるコンタクトホールＨのパターンを、ポジ型レジスト層６４上に露光する。すなわち、電子線源１４から発生させた電子ビーム１５を、上層パターンであるコンタクトホールＨ部分に開口を有する露光マスク３０上で走査して、かかる開口部を通過した電子ビーム１５を、ポジ型レジスト層６４に照射する。電子ビームが照射された部分Ｈは、後の現像工程において可溶性になる。電子線近接露光方法については、図１を参照して説明したので説明を省略する。
【００２９】
そして、図１０（Ｂ）においてポジ型レジスト層６４を現像することにより、Ｈ部分のレジスト層を除去し、図１０（Ｃ）において露呈したＨ部分の層間絶縁膜６２をエッチングし、図１０（Ｄ）においてポジ型レジスト層６４を除去することにより、層間絶縁膜６２にコンタクトホールＨが形成される。
【００３０】
ここで、レジスト層６４に上層パターンであるコンタクトホール部Ｈが形成された図１０（Ｂ）の状態において、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて、下層パターンのＧ部分と上層パターンのＨ部分との間の位置ずれ量を測定することを考える。
この場合には、下層パターンのＧ部分はコンタクトホールＨが設けられた開口部分から僅かに露呈しているだけであり、その他の部分は相間絶縁膜６２及びレジスト層６４によって覆われてしまっている。したがって、通常使用される加速電圧のＳＥＭ装置、特に測長ＳＥＭでは、下層パターンであるゲート部Ｇの輪郭を観察することは困難であり、その位置ずれ量を測定することはできない（ただし、加速電圧百ｋｅＶ以上の高加速ＳＥＭであれば可能である）。
【００３１】
以下、本発明の実施例に係る露光方法を説明し、本方法により下層パターンと上層パターンとの間の位置ずれ量をより容易かつ正確に測定しうることを説明する。図１１は、本発明の実施例に係る重ね合わせ露光方法のフローチャートであり、図１２は、本方法において、ネガ型レジストを使用した上層パターンの形成工程の途中経過における、図９（Ａ）のＢ−Ｂ’部分に対応する断面図である。
【００３２】
まず、ステップＳ７１において、実デバイスを形成する試料と同じ試料を、上下層パターンの位置ずれ量を測定するための試験試料として取り出し、この試験試料の、ゲート層６１より下位の下位層６０の上にゲート層６１を形成する（図１２（Ａ））。ゲート層６１の形成には例えば光リソグラフィ工程を用いることとしてよい。
次に、ステップＳ７２において、ＣＶＤ工程などによりゲート層６１の上に絶縁膜６２（層間絶縁膜）を形成する（図１２（Ｂ））。さらに、ステップＳ７３において、層間絶縁膜６２上にネガ型レジスト剤を塗布して、ネガ型レジスト層６５を形成する（図１２（Ｃ））。
【００３３】
その後、ステップＳ７４において、上記説明した電子線近接露光装置を使用して、上層パターンであるコンタクトホールＨのパターンを、ネガ型レジスト層６５上に露光する（図１２（Ｄ））。
すなわち、電子線源１４から発生させた電子ビーム１５を、上層パターンであるコンタクトホールＨ部分に開口を有する露光マスク３０上で走査して、かかる開口部を通過した電子ビーム１５を、ネガ型レジスト層６５に照射する。電子ビームが照射された部分Ｈは、後の現像工程において不可溶性になる。
【００３４】
そして、ステップＳ７５においてネガ型レジスト層６５を現像することにより、未露光部分のレジスト層を除去する（図１２（Ｅ））。
図１２（Ｅ）に示す通り、ネガ型レジスト層６５のうち未露光部分を除去することにより、層間絶縁膜６２上には上層パターンであるＨ部分のみが残り、それ以外の箇所では相間絶縁膜６２が露呈している。
【００３５】
このとき、層間絶縁膜６２には、ゲート部分Ｇの外周に沿って顕著な段差が生じているので、通常の加速電圧の測長ＳＥＭによって、ゲート部分Ｇの輪郭を観察することが可能である。
したがって、ステップＳ７６からＳ７７において、上層パターンが形成される全ての箇所（すなわち相間絶縁膜６２に設けられる全てのコンタクトホールＨ部分）について、下層パターンであるゲート層６１の各ゲート部分Ｇと、ネガ型レジスト層６５に形成された上層パターンである各Ｈ部分との間の位置ずれ量を測定する。
【００３６】
位置ずれ量は、図１２（Ｅ）に示すように、層間絶縁膜６２の段差部分に現われるゲート部分Ｇの輪郭線と、ネガ型レジスト層６５に形成される上層パターンであるコンタクトホールＨ部分の中心位置と、の間の距離ｄｘ1及びｄｘ2、並びに不図示のｄｙ1及びｄｙ2を測長ＳＥＭを用いて測長して、その差を求めることにより測定することとしてよい。
【００３７】
また、図１１に示すフローチャートにおいて、層間膜６２を形成するステップＳ７２を省略して、ネガ型レジスト６５による上層パターンを下層パターンのパターン層であるゲート層６１の上に直接形成することとしてもよい。このようにネガ型レジスト層６５による上層パターンをゲート層６１の上に直接形成した様子を図１３に示す。
図１３から明らかなように、ネガ型レジスト層６５をゲート層６１の上に直接形成することにより、ゲート部分Ｇの輪郭が露呈してその輪郭線ををより明瞭に観察することが可能となる。
この位置ずれ量の測定は、上記と同様にゲート部分Ｇの輪郭線と、ネガ型レジスト層６５に形成される上層パターンであるコンタクトホールＨ部分の中心位置と、の間の距離ｄｘ1及びｄｘ2、並びに不図示のｄｙ1及びｄｙ2を測長して、その差を求めることにより行なってよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明は、露光マスクに設けられたマスクパターンに対応するパターンを試料上に露光する電子線露光方法及び電子線露光装置に利用可能であり、特にマスクパターン各部の試料上への各露光位置を補正可能な露光方法及び露光装置に広く利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】電子ビーム近接露光装置の基本構成を示す図である。
【図２】電子ビームの走査方法の説明図である。
【図３】電子ビームの副偏向制御の説明図である。
【図４】露光マスクの歪み補正の説明図である。
【図５】試料に形成された上下層パターンの説明図である。
【図６】（Ａ）は下層パターンを示す図であり、（Ｂ）は上層パターンを示す図であり、（Ｃ）は歪んで形成された（Ａ）下層パターンに（Ｂ）の上層パターンを重ねて形成した状態を示す図である。
【図７】座標測定器を用いた上層パターンの露光位置補正方法の説明図である。
【図８】重ね合わせ測定による上層パターンの露光位置補正方法の説明図である。
【図９】ポジ型レジストを使用した通常の上層パターンの形成工程の説明図（その１）である。
【図１０】ポジ型レジストを使用した通常の上層パターンの形成工程の説明図（その２）である。
【図１１】本発明に係る露光方法のフローチャートである。
【図１２】ネガ型レジストを使用した通常の上層パターンの形成工程の説明図（その１）である。
【図１３】ネガ型レジストを使用した通常の上層パターンの形成工程の説明図（その１）である。
【符号の説明】
【００４０】
６１    下層パターン層
６２    層間絶縁膜
６５    ネガ型レジスト層
Ｇ    ゲート部
Ｈ    コンタクトホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006156780.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006156780.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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