(57)【要約】【課題】トレンチ素子分離領域にディボットが生成されることを防止し、さらにトレンチ領域内のボイド発生をより効果的に抑制できるトレンチ分離構造の作成方法を提供する。【解決手段】トレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成した後に、ライナー酸化膜としてＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ／Ｎ2ガスからなるＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）酸化膜を形成する際に、ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比が１／５００〜１／７０の範囲内とする条件化で前記ＨＴＯ酸化膜を形成することにより、微小異物の発生を抑制する。【選択図】図１
2006140408.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にパッド酸化膜と窒化膜とを順次形成した後に選択的に除去してマスクパターンを形成し、形成したマスクパターンを用いて半導体基板にトレンチ領域を形成する工程と、
熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する工程と、
トレンチ領域を含む半導体基板上にＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガスを用いた熱ＣＶＤ法でトレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚の第１の埋め込み酸化膜を形成する工程と、
残された前記トレンチ領域の空洞部を埋め込むように、ＨＤＰプラズマＣＶＤ法で第２の埋め込み酸化膜であるプラズマ酸化膜を形成する工程と、
前記窒化膜をストッパーとして前記第１及び第２の埋め込み酸化膜の上部をＣＭＰ法（化学機械研磨）により除去した後に前記窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する工程とを備え、
前記第１の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比を、第１の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にすることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離方法。
【請求項２】
前記第１の埋め込み酸化膜を形成工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比が、１／５００〜１／７０の範囲内である請求項１記載のトレンチ素子分離方法。
【請求項３】
より好ましくは、前記第１の埋め込み酸化膜を形成工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比が、１／２５０〜１／１００の範囲内である請求項１記載のトレンチ素子分離方法。
【請求項４】
前記第１の埋め込み酸化膜を形成する工程における成膜温度が、７００〜８２０℃の範囲内である請求項２または３記載のトレンチ素子分離方法。
【請求項５】
熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する前記工程が、２回の熱酸化工程を含む請求項１記載のトレンチ素子分離方法。
【請求項６】
前記第１の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第１の埋め込み酸化膜形成後に第１の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含むことを特徴とする請求項１記載のトレンチ素子分離方法。
【請求項７】
前記第２の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第２の埋め込み酸化膜形成後に第２の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含むことを特徴とする請求項１記載のトレンチ素子分離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板におけるトレンチ分離構造の作成方法、特にトレンチに埋め込まれる酸化膜の表面部に凹部が形成されないようにし、且つ、トレンチに埋め込まれる酸化膜にボイドを発生させないトレンチ分離構造の作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に形成される素子を電気的に分離する技術として、半導体基板にトレンチを形成し絶縁膜を埋め込むトレンチ分離構造（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ：ＳＴＩ）が知られている。しかし、素子の微細化に伴いトレンチ領域の幅が狭くなり、例えば０．５μｍ以下になると、ボイド、即ちトレンチ領域が絶縁膜で完全に充填されない部分が発生する。ボイドの発生を低減するために、形成したトレンチ領域の側壁および底部に第１の熱酸化膜を薄く形成した後に、緻密な第２の酸化膜で完全にトレンチ領域を充填する手法が知られている。
【０００３】
図３は、従来のＳＴＩ構造を作成する方法を示す。従来の方法によれば、まず図３（ａ）に示すように、半導体基板１上にパッド酸化膜２及び窒化膜３を順次形成し、レジストマスクパターン４を形成する。次に、図３（ｂ）に示すように、レジストマスクパターンを用いて、トレンチマスクパターンを形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、トレンチマスクパターンを用いて、半導体基板１をドライエッチングし、トレンチ領域５を形成する。次に熱酸化を行い、図３（ｄ）に示すように、トレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜６を形成する。次に、図３（ｅ）に示すように、トレンチ内部が完全に埋め込まれるようにして、酸化膜７を形成する。次に図３（ｆ）に示すように、窒化膜３をストッパーにして化学機械研磨（ＣＭＰ）する。最後に図３（ｇ）に示すように、窒化膜３をウェットエッチングにより除去し、続いて、酸化膜のウェットエッチングを適宜行う。
【０００４】
この場合、図３（ｇ）に示すようにトレンチに埋め込まれる酸化膜の表面部にディボットと呼ばれる凹部８が形成される。このような凹部は、このＳＴＩ構造上にトランジスタが形成されると、凹部の角の部分に電界集中が起こり、電気的な特性不良を生じる。
また、埋め込み酸化膜７の物理的ストレスによってトレンチ５周辺部の半導体基板１に結晶欠陥が生じる場合もある。
【０００５】
これらの課題に対し、解決方法として、例えば特開平１１−１７６９２４号公報及び特開２００１−１３５７１８号公報に記載されている、第２の埋め込み酸化膜である高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化膜形成前に第１の埋め込み酸化膜としてライナー膜を形成し、その後第２の埋め込み酸化膜を形成する方法がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＬＳＩの微細化に伴い、トレンチ幅が０．２μｍ以下になってくると、トレンチ領域への酸化膜の埋め込みが困難になると同時に、図３（ｇ）に示すディボット８のトランジスタ特性への影響はますます大きくなってくる。また、素子分離の絶縁特性のバラツキにライナー膜の膜質及び膜厚のバラツキが影響するようになる。
【０００７】
発明者らは、上述のライナー膜を形成する従来の方法においては、図２に示すように、ライナー膜１１中に存在する微小異物１２によって第２の埋め込み酸化膜にボイド１３が発生する場合があることを発見した。前記の微小異物１２は、酸化膜系の粒子であり、気相中での過剰ＳｉＨ4がＮ2Ｏとの気相反応で酸化膜系の粒子となり、形成中のライナー酸化膜の表面上に付着したものと考えられる。このボイドは素子分離特性を劣化させると同時に、図２（ｈ）に示すようにフィールド酸化膜構造の不均一性をもたらし、このＳＴＩ構造上にゲート電極が形成されると、ゲート電極のＯｐｅｎ／Ｓｈｏｒｔの原因にもなる。
【０００８】
この発明は、トレンチ素子分離領域にディボットが生成されることを防止し、さらにトレンチ領域内のボイド発生をより効果的に抑制できるトレンチ分離構造の作成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、半導体基板上にパッド酸化膜と窒化膜とを順次形成した後に選択的に除去してマスクパターンを形成し、形成しマスクパターンを用いて半導体基板にトレンチ領域を形成する工程と、熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する工程と、トレンチ領域を含む半導体基板上にＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガスを用いた熱ＣＶＤ法でトレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚の第１の埋め込み酸化膜を形成する工程と、残された前記トレンチ領域の空洞部を埋め込むように、ＨＤＰプラズマＣＶＤ法で第２の埋め込み酸化膜であるプラズマ酸化膜を形成する工程と、前記窒化膜をストッパーとして前記第１及び第２の埋め込み酸化膜の上部をＣＭＰ法（化学機械研磨）により除去した後に前記窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する工程とを備え、前記第１の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比を、第１の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にすることを特徴とする半導体装置のトレンチ素子分離方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
この発明のトレンチ素子分離方法は、第１の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比を、第１の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にするので、第１の埋め込み酸化膜への異物付着を抑制することができ、第１の埋め込み酸化膜上に形成する第２の埋め込み酸化膜中のボイド生成も防止することができる。その結果、このＳＴＩ構造上に形成されるゲート電極のＯｐｅｎ／Ｓｈｏｒｔの不具合の発生等を抑制することができる。
【００１１】
換言すると、この発明のトレンチ素子分離構造の作成方法によれば、トレンチに埋め込まれた酸化膜の表面周囲部でのディボットの形成が抑止されるので、ディボットに起因するデバイス特性の劣化を防ぐことができ、且つ、トレンチ分離領域の埋め込み酸化膜にボイドによる欠陥が発生しないため、デバイスの信頼性を向上させることが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
この発明のトレンチ素子分離方法は、トレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成した後に、ライナー酸化膜としてＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ／Ｎ2ガスからなるＨＴＯ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｏｘｉｄｅ）酸化膜を形成する際に、ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比が１／５００〜１／７０の範囲内とする条件化で前記ＨＴＯ酸化膜を形成することにより、微小異物の発生を抑制することができる。
【００１３】
より詳細には、この発明のトレンチ素子分離方法は、半導体基板上にパッド酸化膜と窒化膜とを順次形成した後に選択的に除去してマスクパターンを形成し、形成しマスクパターンを用いて半導体基板にトレンチ領域を形成する工程と、熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する工程と、トレンチ領域を含む半導体基板上にＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガスを用いた熱ＣＶＤ法でトレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚の第１の埋め込み酸化膜を形成する工程と、残された前記トレンチ領域の空洞部を埋め込むように、ＨＤＰプラズマＣＶＤ法で第２の埋め込み酸化膜であるプラズマ酸化膜を形成する工程と、前記窒化膜をストッパーとして前記第１及び第２の埋め込み酸化膜の上部をＣＭＰ法（化学機械研磨）により除去した後に前記窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する工程とを備え、前記第１の埋め込み酸化膜を形成する工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比を、第１の埋め込み酸化膜中の微小異物の発生を抑制できるような流量比にすることを特徴とする。
【００１４】
ここで、半導体基板の材料としては、シリコンが好適である。パッド酸化膜とは、シリコン基板と窒化膜との間に生じる応力を緩和する機能を果たす膜であり、例えば、熱酸化法を用いて形成することができる。パッド酸化膜上に形成する窒化膜は、例えばＣＶＤ法を用いて形成することができる。前記パッド酸化膜と窒化膜との選択的な除去は、フォトリソフラフィ技術により表面のフォトレジストをパターニングし、異方性ドライエッチングを適用して実現することができる。さらに、トレンチ領域の形成は、選択的に一部を除去した後の窒化膜をマスクとしてドライエッチング法を用いてシリコン基板をエッチングして形成することができる。
【００１５】
また、ここで、トレンチ領域に空洞を残す程度の膜厚とは、一例では、トレンチ幅が２００nm（ナノメートル）の場合に５〜５０nm程度の膜厚である。従って、この例の場合は第１の埋め込み酸化膜形成後、トレンチ領域には少なくとも幅約１００nmの空洞部が残される。
【００１６】
前記第１の埋め込み酸化膜を形成工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比は、１／５００〜１／７０の範囲内であることが好ましい。ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比が前記範囲内であれば、前記工程において気相中の過剰ＳｉＨ4がＮ2Ｏとの気相反応で酸化膜系の粒子となることが抑制され、第１の埋め込み酸化膜の表面部に微小異物が形成されるのを抑制することができる。
より好ましくは、前記第１の埋め込み酸化膜を形成工程におけるＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比は、１／２５０〜１／１００の範囲内である。
【００１７】
また、熱酸化法によりトレンチ領域の側壁及び底部に熱酸化膜を形成する前記工程が、２回の熱酸化工程を含むことが好ましい。すなわち、第１の埋め込み酸化膜は、トレンチコーナー部の電界集中を抑止するための丸め酸化を目的として前フッ酸処理とその後の酸化処理とを複数回繰り返して形成することが望ましいが、回数が多すぎるとパッド酸化膜がサイドエッチされることによるパターン異常が発生するため、２回が好ましい。
【００１８】
さらに、前記第１の埋め込み酸化膜を形成する工程における成膜温度が、７００〜８２０℃の範囲内であることが好ましい。
また、この発明の半導体装置のトレンチ素子分離方法は、前記第１の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第１の埋め込み酸化膜形成後に第１の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含んでもよい。前記熱処理工程の温度が、９００〜１１００℃であることが好ましい。第１の埋め込み酸化膜を緻密化することによって、その後の工程で窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する際の第１の埋め込み酸化膜のエッチングレートを低くし、窒化膜とパッド酸化膜とに対するエッチング比を高くすることができる。
【００１９】
さらにまた、前記第２の埋め込み酸化膜を形成する工程が、第２の埋め込み酸化膜形成後に第２の埋め込み酸化膜を緻密化するための熱処理を含むことが望ましい。前記熱処理工程の温度が、９００〜１１００℃であってもよい。すなわち、第１の埋め込み酸化膜形成後、高密度プラズマ（ＨＤＰ）酸化膜でトレンチ領域を完全に埋め込む場合、ディボットの発生抑止と素子分離特性を向上させるためにＨＤＰ酸化膜形成前後に酸化膜の緻密化を目的とした高温熱処理を加えることが望ましい。第２の埋め込み酸化膜を緻密化することによって、その後の工程で窒化膜とパッド酸化膜とをエッチングで除去する際の第２の埋め込み酸化膜のエッチングレートを低くし、窒化膜とパッド酸化膜とに対するエッチング比を高くすることができる。
【００２０】
尚、ライナー膜にはＨＤＰ酸化膜形成に使用するＳｉＨ4系のガスを用いたＨＴＯ酸化膜を使用するため、窒化膜やＳｉＨ2Ｃｌ2やＴＥＯＳを用いた酸化膜よりもトレンチ内の酸化膜質をほぼ一定にし、電気的にも形状的にも安定したトレンチ素子分離構造を形成することが可能になると考えられる。
【００２１】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態）
図１は、トレンチ分離構造の作成方法の実施形態を示す各工程における断面図である。
まず、図１（ａ）に示すように、シリコン基板１上に厚さ約１０ｎｍのパッド酸化膜２及び厚さ約１６０ｎｍの窒化膜３を形成し、フォトリソグラフィによりレジストパターン４を形成する。
次に、図１（ｂ）に示すように、レジストパターン４を用いて、ドライエッチングによりトレンチマスクパターンを形成する。
【００２２】
次に、図１（ｃ）に示すように、トレンチマスクパターンを用いて、シリコン基板１をドライエッチングし、深さ約２００ｎｍのトレンチ５を形成する。
次に、図１（ｄ）に示すように、丸め酸化を２回行い、トレンチ５の側壁及び底部に厚さ約２０ｎｍの熱酸化膜６を形成する。この丸め酸化の目的は、トランジスタがシリコン基板上に作成された場合に、トレンチコーナー部２１に電界が集中し、トランジスタ特性を劣化させることを避けるためである。
【００２３】
次に図１（ｅ）に示すように、第１の埋め込み酸化膜として、ＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガスを用いてＳｉＨ4／Ｎ2Ｏガス流量比が１／７０以下の条件で、７００〜８００℃程度の減圧ＣＶＤ（ＨＴＯ）法により、厚さ約２０ｎｍのライナー酸化膜１１を形成する。このときの成膜圧は、０．５〜１．０Torr程度である。この場合、ライナー酸化膜１１の厚さは、酸化膜がトレンチ５内に成膜されたときに、トレンチ５の内部が完全に埋め込まれず、トレンチ５内に空洞が残るようにする。このためには、ライナー酸化膜１１の厚さは、トレンチ分離幅にも依るが、５〜５０ｎｍが望ましい。この時、ＳｉＨ４／Ｎ2Ｏガス流量比を１／７０以下の条件を使用しているため、ＳｉＨ4の気相反応が抑制され、微小異物の発生は無い。
ここで、ライナー酸化膜を緻密化によるウェットエッチングレートの低下を目的に９００〜１１００℃程度のＮ2等の不活性ガス雰囲気で６０ｍｉｎ程度の高温アニールを行っても良い。
【００２４】
次に図１（ｆ）に示すように、トレンチ領域５が完全に埋め込まれるように、第２の埋め込み酸化膜として、ＳｉＨ4ガスを使用してＨＤＰ酸化膜を約５００ｎｍ形成する。この時、ライナー酸化膜１１には微小異物の発生が無いため、ＨＤＰ酸化膜はボイドを発生させること無く、トレンチ領域５に完全に埋め込むことが可能である。
次に、ＨＤＰ酸化膜を緻密化によるウェットエッチングレートの低下を目的に９００〜１１００℃程度のＮ2等の不活性ガス雰囲気で６０ｍｉｎ程度の高温アニールを行う。
【００２５】
次に、図１（ｇ）に示すように、窒化膜３をストッパーとして、ＣＭＰ処理して、ＨＤＰ酸化膜７及びライナー酸化膜１１の上部を除去する。
最後に、図（ｈ）に示すように、窒化膜３をリン酸によるウェットエッチングにより除去し、ライナー酸化膜１１及びＨＤＰ酸化膜７の上部及びパッド酸化膜２をフッ酸によるウェットエッチングにより除去する。この時、ライナー酸化膜１１及びＨＤＰ酸化膜７は同種の膜組成で形成されているため、ウェットエッチングによるディボット及び形状異常が発生しない。
【００２６】
ここで、発明者らは、この発明の効果を確認するため、図１について同様の方法により３種類のシリコンウェハを評価サンプルとして製作し、市販の欠陥検査測定装置を用いて、ウェハ内欠陥数（形状異常）を調査した。
その結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
2006140408.tif 000003
【００２８】
表１から、欠陥数はＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ流量比が小さくなるほど減少し、前記流量比１／５０の条件下では７３個あった欠陥が、前記流量比１／７１．４の条件下では実質上十分少ない５個の欠陥にまで減少し、前記流量比１／１００の条件下では０個、即ち完全に発生が抑制されている。上記の結果より、好ましくはＳｉＨ4／Ｎ2Ｏ流量比が１／７０以下、より好ましくは１／１００以下である。しかし、流量比を下げると異物の付着を抑制する観点からは好ましいが、成膜速度が遅くなるので成膜に時間を要して経済的に不利になる。量産を考慮した場合、ガス流量コントローラーで制御可能な１／５００が前記流量比の下限であり、より成膜速度が早いのは１／２５０の流量比である。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明のトレンチ素子分離構造の作成方法の各工程を示す基板断面図である。
【図２】従来のトレンチ素子分離構造の作成方法で、欠陥発生時の各工程を示す基板断面図である。
【図３】従来のトレンチ素子分離構造の作成方法の各工程を示す基板断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１    シリコン基板
２    パッド酸化膜
３    窒化膜
４    フォトレジスト
５    トレンチ領域
６    熱酸化膜
７    ＨＤＰ酸化膜、第２の埋め込み酸化膜
８    ディボット
１１    ライナー酸化膜、第１の埋め込み酸化膜
１２    微小異物
１３    ボイド
２１    トレンチコーナー部
【図１】
2006140408.tif 000004
【図２】
2006140408.tif 000005
【図３】
2006140408.tif 000006