(57)【要約】【課題】  ＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を、ＴＭＲ素子にダメージを与えない比較的低い印加電圧で正確に行うこと及び短時間かつ容易にしかも確実に行うことができるＴＭＲ素子の検査方法及び装置を提供する。【解決手段】  ＴＭＲ素子に互いに異なる極性のストレス電圧を印加した後にこのＴＭＲ素子の抵抗値をそれぞれ測定し、測定した抵抗値から抵抗変化量を求めてＴＭＲ素子の評価を行う。【選択図】  図５
2006060120.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル磁気抵抗効果素子に互いに異なる極性のストレス電圧を印加した後に該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値をそれぞれ測定し、該測定した抵抗値から抵抗変化量を求めて該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行うことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の検査方法。
【請求項２】
前記抵抗値の測定が、互いに異なる極性のストレス電圧を交互に印加した後に該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値をそれぞれ測定するものであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
トンネル磁気抵抗効果素子にストレス電圧を印加する前に、該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定して初期抵抗値とし、該トンネル磁気抵抗効果素子に第１の極性のストレス電圧を印加した後、該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定して第１の抵抗値とし、該トンネル磁気抵抗効果素子に該第１の極性とは逆の第２の極性のストレス電圧を印加した後、該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定して第２の抵抗値とし、前記初期抵抗値に対する前記第１の抵抗値の変化率と、該初期抵抗値に対する前記第２の抵抗値の変化率との差から抵抗変化量を求めて該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行うことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の検査方法。
【請求項４】
前記初期抵抗値（Ｒ０）と前記第１の極性のストレス電圧を印加して測定しその後前記第２の極性のストレス電圧を印加して測定することを複数回繰り返して得た抵抗値とをＲｋ―１（ｋは自然数）とし、ｆ（ｋ）＝Ｒｋ／Ｒ０とすると、ｇ（ｋ）＝ｆ（ｋ−１）−ｆ（ｋ）の標準偏差に応じて前記トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行うことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記標準偏差が
【数１】
2006060120.tif 000007
で与えられることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記標準偏差が所定の閾値未満の場合は該トンネル磁気抵抗効果素子が良品であると評価することを特徴とする請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記所定の閾値が、０．１（％）であることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記抵抗値の測定が、前記第１の極性又は前記第２の極性を有するセンス電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流して抵抗値を測定するものであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記抵抗値の測定が、前記第１の極性を有するセンス電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流して抵抗値を測定すると共に、前記第２の極性を有するセンス電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流して抵抗値を測定するものであることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記抵抗値の測定が、所定方向の直流外部磁場を前記トンネル磁気抵抗効果素子に印加した状態で行われることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、トンネル磁気抵抗効果ヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗メモリであることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
トンネル磁気抵抗効果素子にストレス電圧を印加する前に、該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定して初期抵抗値とする手段と、該トンネル磁気抵抗効果素子に第１の極性のストレス電圧を印加した後、該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定して第１の抵抗値とする手段と、該トンネル磁気抵抗効果素子に該第１の極性とは逆の第２の極性のストレス電圧を印加した後、該トンネル磁気抵抗効果素子の抵抗値を測定して第２の抵抗値とする手段と、前記初期抵抗値に対する前記第１の抵抗値の変化率と、該初期抵抗値に対する前記第２の抵抗値の変化率との差から抵抗変化量を求めて該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行う手段とを備えたことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の検査装置。
【請求項１４】
前記評価を行う手段が、前記初期抵抗値（Ｒ０）と前記第１の極性のストレス電圧を印加して測定しその後前記第２の極性のストレス電圧を印加して測定することを複数回繰り返して得た抵抗値とをＲｋ―１（ｋは自然数）とし、ｆ（ｋ）＝Ｒｋ／Ｒ０とすると、ｇ（ｋ）＝ｆ（ｋ−１）−ｆ（ｋ）の標準偏差に応じて前記トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行う手段であることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記評価を行う手段が、前記標準偏差として
【数２】
2006060120.tif 000008
で与えられる標準偏差を用いる手段であることを特徴とする請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記評価を行う手段が、前記標準偏差が所定の閾値未満の場合は該トンネル磁気抵抗効果素子が良品であると評価する手段であることを特徴とする請求項１４又は１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記所定の閾値が、０．１（％）であることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記評価を行う手段が、前記第１の極性又は前記第２の極性を有するセンス電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流して抵抗値を測定する手段であることを特徴とする請求項１３から１７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
前記評価を行う手段が、前記第１の極性を有するセンス電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流して抵抗値を測定すると共に、前記第２の極性を有するセンス電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流して抵抗値を測定する手段であることを特徴とする請求項１３から１７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
前記抵抗値の測定中に、所定方向の直流外部磁場を前記トンネル磁気抵抗効果素子に印加する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１３から１９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２１】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、トンネル磁気抵抗効果ヘッド素子であることを特徴とする請求項１３から２０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２２】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗メモリであることを特徴とする請求項１３から２０のいずれか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用したヘッド素子や磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ）等のＴＭＲ素子の検査方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＭＲヘッド素子を備えた磁気ヘッドを製造した後又はその製造途中において、それが良品であるか又は不良品であるかを評価することが通常は行われる。この評価の一つとして、破壊電圧が充分大きいか否かによる長時間の使用に耐え得る信頼性の確認を行うことが要求される。
【０００３】
特許文献１には、ＴＭＲヘッド素子にダメージを与えたり破壊させることなく信頼性の確認を行う検査方法として、設定された初期電流値をＴＭＲヘッド素子に通電して抵抗値を測定し、この抵抗値を用いて検査電流値を求めるか、又はこの抵抗値と素子の測定基準となる電圧値により修正電流値を求めることを何度か行い、最終的な修正電流値をＴＭＲヘッド素子に通電して抵抗値を測定し、最終的な抵抗値を用いて検査電流値を求め、このようにして求めた検査電流値を用いてＴＭＲヘッド素子の電磁変換特性等の特性検査を行う方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２３１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている検査方法は、最終的にＴＭＲヘッド素子の電磁変換特性等の特性検査を行う必要があり、信頼性の確認に多大な手間と非常に長い時間を要するという大きな問題を有している。
【０００６】
このような不都合を解決するため、本出願人は、ＴＭＲ素子の基板方向から非基板方向へ電流を流し、その初期抵抗値と所定時間通電後の抵抗値との比からなる変化率を閾値と比較することによって、ＴＭＲ素子の良品、不良品の検査を行う方法及び装置を先に提案している（特願２００４−６２０３１号、平成１６年３月５日出願）。
【０００７】
この検査方法によると、良品、不良品の評価を行うための抵抗値変化率の閾値を、通電時間、印加電圧及びＴＭＲ素子材料に応じて、その都度設定しなければならないため、検査処理が非常に煩雑となり、容易に良品、不良品の評価を行うことが難しかった。
【０００８】
また、ＴＭＲ素子材料によっては、正確な良否評価を行なうために、比較的高い印加電圧が必要となり、これがＴＭＲ素子にダメージを与えてしまうおそれがあった。
【０００９】
さらに、２〜３分程度通電時間する必要があることから、検査処理が長時間化するという不都合も有していた。
【００１０】
従って本発明の目的は、ＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を、ＴＭＲ素子にダメージを与えない比較的低い印加電圧で正確に行うことができるＴＭＲ素子の検査方法及び装置を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、ＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を、短時間かつ容易にしかも確実に行うことができるＴＭＲ素子の検査方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、ＴＭＲ素子に互いに異なる極性のストレス電圧を印加した後にこのＴＭＲ素子の抵抗値をそれぞれ測定し、測定した抵抗値から抵抗変化量を求めてＴＭＲ素子の評価を行うＴＭＲ素子の検査方法が提供される。
【００１３】
この場合、抵抗値の測定が、互いに異なる極性のストレス電圧を交互に印加した後にこのＴＭＲ素子の抵抗値をそれぞれ測定するものであることが好ましい。
【００１４】
本発明によれば、さらに、ＴＭＲ素子にストレス電圧を印加する前に、このＴＭＲ素子の抵抗値を測定して初期抵抗値とし、ＴＭＲ素子に第１の極性のストレス電圧を印加した後、このＴＭＲ素子の抵抗値を測定して第１の抵抗値とし、ＴＭＲ素子に第１の極性とは逆の第２の極性のストレス電圧を印加した後、このＴＭＲ素子の抵抗値を測定して第２の抵抗値とし、初期抵抗値に対する第１の抵抗値の変化率と、初期抵抗値に対する第２の抵抗値の変化率との差から抵抗変化量を求めてＴＭＲ素子の評価を行うＴＭＲ素子の検査方法が提供される。
【００１５】
本願発明者等は、ＴＭＲヘッド素子に流すセンス電流の極性を変えると、その抵抗値の変化特性が異なってくることを見出した。
【００１６】
図１は、複数のＴＭＲヘッド素子に対してセンス電流Ｉｓの極性（流す方向）を変えた場合に、抵抗変化率がどのように変化するかを実際に測定した特性図である。同図（Ａ）は、素子破壊電圧が高い良好なＴＭＲヘッド素子のグループに関する特性であり、同図（Ｂ）は、素子破壊電圧が低い不良なＴＭＲヘッド素子のグループに関する特性である。
【００１７】
同図（Ａ）に示すように素子破壊電圧が高い良好なＴＭＲヘッド素子においては、正極性及び負極性の両方のセンス電流下で抵抗変化率が減少しているが、同図（Ｂ）に示すように素子破壊電圧が低い不良なＴＭＲヘッド素子においては、正極性のセンス電流下で抵抗変化率が減少し、負極性のセンス電流下で抵抗変化率が増大している。
【００１８】
そこで、本願発明者等は、ストレス電圧を印加する前の初期抵抗値を測定しておき、極性の異なるストレス電圧を印加した後、その都度抵抗値を測定し、これら測定した抵抗値の初期抵抗値に対する抵抗変化率との差から抵抗変化量を求めてＴＭＲ素子の評価を行った。このように極性を反転させてストレス電圧を印加して抵抗値測定を行うことにより、比較的低いストレス電圧を印加するのみでＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を正確に行うことができ、この良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことができる。しかも、その場合、素子破壊を発生させることなく良否評価できるので、ＴＭＲ素子の良否選別が可能となる。その結果、短時間にＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【００１９】
初期抵抗値（Ｒ０）と第１の極性のストレス電圧を印加して測定しその後第２の極性のストレス電圧を印加して測定することを複数回繰り返して得た抵抗値とをＲｋ―１（ｋは自然数）とし、ｆ（ｋ）＝Ｒｋ／Ｒ０とすると、ｇ（ｋ）＝ｆ（ｋ−１）−ｆ（ｋ）の標準偏差に応じてＴＭＲ素子の評価を行うことも好ましい。
【００２０】
この標準偏差が
【数３】
2006060120.tif 000003
で与えられることがより好ましい。
【００２１】
標準偏差が所定の閾値未満の場合はＴＭＲ素子が良品であると評価することが好ましい。この場合、所定の閾値は、例えば０．１（％）である。
【００２２】
抵抗値の測定が、第１の極性若しくは第２の極性を有するセンス電流をＴＭＲ素子に流して抵抗値を測定するものであること、又は第１の極性を有するセンス電流をＴＭＲ素子に流して抵抗値を測定すると共に第２の極性を有するセンス電流をＴＭＲ素子に流して抵抗値を測定するものであることが好ましい。
【００２３】
抵抗値の測定が、所定方向の直流外部磁場をＴＭＲ素子に印加した状態で行われることも好ましい。
【００２４】
ＴＭＲ素子が、ＴＭＲヘッド素子か、又はＭＲＡＭであることも好ましい。
【００２５】
本発明によれば、さらにまた、ＴＭＲ素子にストレス電圧を印加する前に、このＴＭＲ素子の抵抗値を測定して初期抵抗値とする手段と、ＴＭＲ素子に第１の極性のストレス電圧を印加した後、このＴＭＲ素子の抵抗値を測定して第１の抵抗値とする手段と、ＴＭＲ素子に該第１の極性とは逆の第２の極性のストレス電圧を印加した後、このＴＭＲ素子の抵抗値を測定して第２の抵抗値とする手段と、初期抵抗値に対する第１の抵抗値の変化率と、初期抵抗値に対する第２の抵抗値の変化率との差から抵抗変化量を求めてＴＭＲ素子の評価を行う手段とを備えたＴＭＲ素子の検査装置が提供される。
【００２６】
ストレス電圧を印加する前の初期抵抗値を測定しておき、極性の異なるストレス電圧を印加した後、その都度抵抗値を測定し、これら測定した抵抗値の初期抵抗値に対する抵抗変化率との差から抵抗変化量を求めてＴＭＲ素子の評価を行うように構成されている。このように極性を反転させてストレス電圧を印加して抵抗値測定を行うことにより、比較的低いストレス電圧を印加するのみでＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を正確に行うことができ、この良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことができる。しかも、その場合、素子破壊を発生させることなく良否評価できるので、ＴＭＲ素子の良否選別が可能となる。その結果、短時間にＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【００２７】
評価を行う手段が、初期抵抗値（Ｒ０）と第１の極性のストレス電圧を印加して測定しその後第２の極性のストレス電圧を印加して測定することを複数回繰り返して得た抵抗値とをＲｋ―１（ｋは自然数）とし、ｆ（ｋ）＝Ｒｋ／Ｒ０とすると、ｇ（ｋ）＝ｆ（ｋ−１）−ｆ（ｋ）の標準偏差に応じてＴＭＲ素子の評価を行う手段であることも好ましい。
【００２８】
評価を行う手段が、標準偏差として
【数４】
2006060120.tif 000004
で与えられる標準偏差を用いる手段であることも好ましい。
【００２９】
評価を行う手段が、標準偏差が所定の閾値未満の場合はＴＭＲ素子が良品であると評価する手段であることが好ましい。この場合、所定の閾値は、例えば０．１（％）である。
【００３０】
評価を行う手段が、第１の極性若しくは第２の極性を有するセンス電流をＴＭＲ素子に流して抵抗値を測定する手段であるか、又は第１の極性を有するセンス電流をＴＭＲ素子に流して抵抗値を測定すると共に第２の極性を有するセンス電流をＴＭＲ素子に流して抵抗値を測定する手段であることが好ましい。
【００３１】
抵抗値の測定中に、所定方向の直流外部磁場をＴＭＲ素子に印加する手段をさらに備えたことも好ましい。
【００３２】
ＴＭＲ素子が、ＴＭＲヘッド素子か、又はＭＲＡＭであることも好ましい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、比較的低いストレス電圧を印加するのみでＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を正確に行うことができ、この良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことができる。しかも、その場合、素子破壊を発生させることなく良否評価できるので、ＴＭＲ素子の良否選別が可能となる。その結果、短時間にＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
図２は本発明の一実施形態として、ＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成を概略的に説明する図である。
【００３５】
同図において、２０は複数のＴＭＲヘッドが互いに連接して一列配置されたバー部材であり、２１はＴＭＲヘッド素子の検査装置をそれぞれ示している。
【００３６】
バー部材２０は、多数のＴＭＲヘッドをマトリクス状に形成してなるウエハを個々のバー部材に切断分離した後、ＭＲハイト加工を行った状態のものである。バー部材２０の各ＴＭＲヘッド２０ａは、ＴＭＲ読出しヘッド素子と、このＴＭＲ読出しヘッド素子に電気的に接続されている１対の端子パッド２０ｂとを備えている。
【００３７】
検査装置２１は、ＴＭＲ読出しヘッド素子用の１対の端子パッド２０ｂに電気的に接触可能な１対のプローブ２１ａと、この１対のプローブ２１ａに電気的に接続されており、極性が交互反転した一定値のストレス電圧を供給するストレス電圧供給回路２１ｂと、１対のプローブ２１ａに電気的に接続されており、ＴＭＲヘッド素子に一定値のセンス電流を供給すると共にその端子電圧の値を測定する電流供給及び電圧測定回路２１ｃと、電流供給及び電圧測定回路２１ｃに電気的に接続されており、測定した電圧値を表す電流供給及び電圧測定回路２１ｃのアナログ出力をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器２１ｄと、Ａ／Ｄ変換器２１ｄに電気的に接続されており、そのデジタル信号を継続的に入力してＴＭＲヘッド素子のその時の抵抗値を計算し、そのＴＭＲヘッド素子の良否を判別すると共に、ストレス電圧供給回路２１ｂ及びＡ／Ｄ変換器２１ｄの動作を制御するデジタルコンピュータ２１ｅとを備えている。
【００３８】
図３はこのようなＴＭＲ読出しヘッド素子の構造の一例を浮上面（ＡＢＳ）と直交する方向から見た断面図であり、図４はこのＴＭＲ読出しヘッド素子をＡＢＳ方向から見た断面図である。
【００３９】
これらの図に示すように、ＴＭＲ読出しヘッド素子のＴＭＲ層部分は、下部シールド層３０上に、反強磁性層３１、ピン層３２、バリア層３３、フリー層３４、キャップ層３５を順次積層した構造を有しており、その上に、金属ギャップ層３６を介して上部シールド層３７が積層されている。ＴＭＲ層部分のトラック幅方向には、バイアス層３８が形成されている。ＴＭＲ層の積層順序はこの逆であっても良い。
【００４０】
図５は、本実施形態における検査装置２１の処理動作を説明するフローチャートである。
【００４１】
まず、バー部材２０に対して図示しない直流磁界発生装置から外部直流磁界、例えば５００Ｏｅ、の印加を開始する（ステップＳ１）。この印加される直流磁界は各ＴＭＲヘッド素子におけるピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向との関係が一定となるような磁界である。
【００４２】
次いで、バー部材２０の良否の評価を行うべきＴＭＲヘッド素子の端子パッド２０ｂに１対のプローブ２１ａを電気的に接触させ、この状態で、ストレス電圧を供給することなく、電流供給及び電圧測定回路２１ｃから一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する（ステップＳ２）。この抵抗値は、センス電流値と測定した電圧とからオームの法則によって算出される。算出した抵抗値は、初期抵抗値Ｒ０として、コンピュータ２１ｅ内に記憶される。このステップＳ２において、ｋ＝２に初期設定される。
【００４３】
次いで、ストレス電圧供給回路２１ｂより、第１の極性（例えば、ＴＭＲ層の積層順序にかかわらず非基板側から基板側方向（図３及び４にて上から下方向）へ電流が流れる極性、以下、これを正極性と称する）のストレス電圧、例えば３００ｍＶ、２００ｍｓｅｃをＴＭＲヘッド素子に印加する（ステップＳ３）。
【００４４】
次いで、電流供給及び電圧測定回路２１ｃから一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する（ステップＳ４）。この抵抗値は、センス電流値と測定した電圧とからオームの法則によって算出される。算出した抵抗値は、第（ｋ−１）の抵抗値Ｒｋ−１として、コンピュータ２１ｅ内に記憶される。
【００４５】
次いで、ストレス電圧供給回路２１ｂより、第１の極性と逆の第２の極性（例えば、ＴＭＲ層の積層順序にかかわらず基板側から非基板側方向（図３及び４にて下から上方向）へ電流が流れる極性、以下、これを負極性と称する）のストレス電圧、例えば−３００ｍＶ、２００ｍｓｅｃをＴＭＲヘッド素子に印加する（ステップＳ５）。
【００４６】
次いで、電流供給及び電圧測定回路２１ｃから一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する（ステップＳ６）。この抵抗値は、センス電流値と測定した電圧とからオームの法則によって算出される。算出した抵抗値は、第ｋの抵抗値Ｒｋとして、コンピュータ２１ｅ内に記憶される。
【００４７】
次いで、ｋをｋ＝ｋ＋２と増大させ（ステップＳ７）、ステップＳ３〜Ｓ６の処理を所定回数、例えば４回、繰り返したかどうか判別する（ステップＳ８）。この判別は、例えばｋが１０以上であるかどうかを判別すれば良い。
【００４８】
ステップＳ３〜Ｓ６の処理を所定回数繰り返した場合は、バー部材２０に対しての外部直流磁界の印加を終了する（ステップＳ９）。
【００４９】
これにより、コンピュータ２１ｅ内には、初期抵抗値Ｒ０及びその後のストレス電圧を印加後の抵抗値Ｒ１〜Ｒ８が記憶されることとなる。これらの抵抗値から、初期抵抗値に対する抵抗変化率をｆ（ｋ−１）＝Ｒｋ−１／Ｒ０、即ち、ｆ（０）＝Ｒ０／Ｒ０＝１、ｆ（１）＝Ｒ１／Ｒ０、ｆ（２）＝Ｒ２／Ｒ０、ｆ（３）＝Ｒ３／Ｒ０、ｆ（４）＝Ｒ４／Ｒ０、ｆ（５）＝Ｒ５／Ｒ０、ｆ（６）＝Ｒ６／Ｒ０、ｆ（７）＝Ｒ７／Ｒ０、ｆ（８）＝Ｒ８／Ｒ０と算出し、これら抵抗変化率の差ｇ（ｋ）＝ｆ（ｋ−１）−ｆ（ｋ）、即ち、ｇ（１）＝ｆ（０）−ｆ（１）、ｇ（２）＝ｆ（１）−ｆ（２）、ｇ（３）＝ｆ（２）−ｆ（３）、ｇ（４）＝ｆ（３）−ｆ（４）、ｇ（５）＝ｆ（４）−ｆ（５）、ｇ（６）＝ｆ（５）−ｆ（６）、ｇ（７）＝ｆ（６）−ｆ（７）、ｇ（８）＝ｆ（７）−ｆ（８）の標準偏差σを算出する。
【００５０】
この標準偏差σは、例えば、
【数５】
2006060120.tif 000005
から算出される。
【００５１】
次いで、このようにして求めた標準偏差σが所定の閾値である０．１（％）未満であるか否かを判別する（ステップＳ１０）。
【００５２】
未満である場合はそのＴＭＲヘッド素子が素子破壊電圧の高い良品であると評価し（ステップＳ１１）、未満ではない場合はそのＴＭＲヘッド素子が素子破壊電圧の低い不良品であると評価する（ステップＳ１２）。
【００５３】
次いで、バー部材２０の他のＴＭＲヘッド素子について、同様の評価を順次行う。
【００５４】
図６は、この図５の処理動作シーケンスを説明する図である。
【００５５】
同図から明らかのように、ＴＭＲヘッド素子に直流磁界を印加した状態で、ストレス電圧を印加する前に初期抵抗値Ｒ０を測定する。次いで、正極性のストレス電圧、例えば３００ｍＶを２００ｍｓｅｃ印加する。その後、例えば０．１ｍＡのセンス電流を流してその時の抵抗値Ｒ１を求める。次いで、負極性のストレス電圧、例えば−３００ｍＶを２００ｍｓｅｃ印加する。その後、例えば０．１ｍＡのセンス電流を流してその時の抵抗値Ｒ２を求める。以後同様にして、Ｒ３〜Ｒ８を求める。その後、初期抵抗値Ｒ０に対する抵抗変化率ｆ（０）〜ｆ（８）を算出し、さらに、抵抗変化率の差ｇ（１）＝ｆ（０）−ｆ（１）、・・・、ｇ（８）＝ｆ（７）−ｆ（８）の標準偏差σを算出し、その結果が所定の閾値である０．１（％）未満であるか否かを判別して、ＴＭＲヘッド素子の良否評価を行う。
【００５６】
図７は複数のＴＭＲヘッド素子について、本実施形態と同様の方法でストレス電圧を印加して測定された各抵抗値測定時における抵抗変化率（％）特性を示す図であり、図８は図７の一部の抵抗変化率特性を拡大して示す図である。ただし、ＴＭＲヘッド素子への直流磁界は５００Ｏｅであり、ストレス電圧の大きさは３５０ｍＶ、持続時間は２００ｍｓｅｃの場合である。
【００５７】
図７に示すように、交互に極性を変えてストレス電圧を印加させて行った場合、抵抗変化率が急激に低下する傾向を示すグループＡと抵抗変化率が徐々に低下していく傾向を示すグループＢとが存在する。
【００５８】
グループＡのＴＭＲヘッド素子は、バリア層にピンホールが存在するものと思われ、明らかに素子破壊電圧が低い不良品である。
【００５９】
一方、図８に、より明瞭に示すように、グループＢのＴＭＲヘッド素子において、抵抗変化率がストレス電圧の極性に応じて振動しながら徐々に低下していく不安定な傾向を示すグループＢ１と、抵抗変化率がストレス電圧の極性にかかわらずほぼリニアに徐々に低下していく安定した傾向を示すグループＢ２とが存在している。即ち、図９に模式的に示すように、グループＢ１のＴＭＲヘッド素子は不安定に振動しながら徐々に低下しているのに対して、グループＢ２のＴＭＲヘッド素子は振動せずほぼリニアに徐々に低下している。
【００６０】
図１０は多数のＴＭＲヘッド素子に印加される電圧を１００ｍＶから１０５０ｍＶまで徐々に上げていき、素子破壊電圧を測定した結果を表す図である。
【００６１】
同図において、ＴＭＲヘッド素子の一部グループは、印加電圧が６００ｍＶに達する前に抵抗変化率が５０％以下に低下してしまう、低い素子破壊電圧の不良品であり、上述のグループＢ１のＴＭＲヘッド素子はこのグループに含まれている。また、残りのグループは、印加電圧が６００ｍＶを越えても抵抗変化率が５０％より大きい、高い素子破壊電圧の良品であり、上述のグループＢ２のＴＭＲヘッド素子はこのグループに含まれている。
【００６２】
従って、本実施形態では、抵抗変化率が徐々にほぼリニアに低下するグループＢ２のＴＭＲヘッド素子を選別すべく、上述したように抵抗変化率の差ｇ（ｋ）＝ｆ（ｋ−１）−ｆ（ｋ）の標準偏差σを求め、この標準偏差σを所定の閾値と比較しているのである。
【００６３】
図１１は、高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子及び低い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子について、本実施形態と同様の方法でストレス電圧を印加して測定された抵抗変化率の差の標準偏差特性を示す図である。同図において、横軸は初期抵抗値（Ω）、縦軸は抵抗変化率の差の標準偏差σ（％）を表している。ただし、ＴＭＲヘッド素子への直流磁界は５００Ｏｅであり、ストレス電圧の大きさは３５０ｍＶ、持続時間は２００ｍｓｅｃである。
【００６４】
同図から分かるように、高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子は、極性の異なるストレス電圧を交互に印加した場合に、極めて安定した標準偏差σを有しており、従って、これを所定の閾値である０．１（％）と比較すれば、低い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子と確実にかつ容易に識別することができる。なお、標準偏差σの閾値は、本実施形態では０．１（％）としているが、この値に限定されるものではなく、ストレス電圧とストレス時間とに依存する。
【００６５】
図１２は、高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子及び低い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子について、ストレス電圧の値を変えた場合の抵抗変化率の差の標準偏差特性を示す図である。同図において、横軸は初期抵抗値（Ω）、縦軸は抵抗変化率の差の標準偏差σ（％）を表しており、（Ａ）はＴＭＲヘッド素子への直流磁界が５００Ｏｅ、ストレス電圧の大きさが３００ｍＶ、持続時間が２００ｍｓｅｃの場合、（Ｂ）はＴＭＲヘッド素子への直流磁界が５００Ｏｅ、ストレス電圧の大きさが３５０ｍＶ、持続時間が２００ｍｓｅｃの場合、（Ｃ）はＴＭＲヘッド素子への直流磁界が５００Ｏｅ、ストレス電圧の大きさが４００ｍＶ、持続時間が２００ｍｓｅｃの場合である。
【００６６】
同図から分かるように、高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子は、いずれのストレス電圧においても、低い標準偏差σを有しているが、ストレス電圧が４００ｍＶの場合は、閾値を０．１（％）より大きくする必要がある。
【００６７】
図１３は、高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子及び低い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子について、ストレス電圧印加による劣化特性を示す図である。同図において、横軸は初期抵抗値（Ω）、縦軸は初期抵抗値とストレス電圧印加後の抵抗値との差（Ω）を表しており、（Ａ）はＴＭＲヘッド素子への直流磁界が５００Ｏｅ、ストレス電圧の大きさが３００ｍＶ、持続時間が２００ｍｓｅｃの場合、（Ｂ）はＴＭＲヘッド素子への直流磁界が５００Ｏｅ、ストレス電圧の大きさが３５０ｍＶ、持続時間が２００ｍｓｅｃの場合、（Ｃ）はＴＭＲヘッド素子への直流磁界が５００Ｏｅ、ストレス電圧の大きさが４００ｍＶ、持続時間が２００ｍｓｅｃの場合である。
【００６８】
同図から分かるように、高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子は、いずれのストレス電圧においても、特性が回復することを示しているが、ストレス電圧は低い方が望ましい。
【００６９】
以上述べた実施形態では、正極性及び負極性のストレス電圧を計８回印加しているが、この回数は８回に限定されるものではなく、２回以上であれば良い。
【００７０】
図１４は、ストレス電圧の印加回数に応じたＴＭＲヘッド素子の素子破壊電圧の高低判別特性を示す図である。同図において、横軸は抵抗変化率の差の標準偏差の閾値（％）、縦軸はヒット率（％）を表しており、（Ａ）はＴＭＲヘッド素子へのストレス電圧の大きさが３５０ｍＶ、持続時間が５００ｍｓｅｃの場合である。
【００７１】
同図より、ストレス電圧の印加回数は４回以上であれば同じ傾向を示しており、８回で充分であることが分かる。
【００７２】
図１５は、ストレス電圧の持続時間に応じたＴＭＲヘッド素子の素子破壊電圧の高低判別特性を示す図である。同図において、横軸は抵抗変化率の差の標準偏差の閾値（％）、縦軸はヒット率（％）を表しており、（Ａ）はＴＭＲヘッド素子へのストレス電圧の大きさが３５０ｍＶ、印加回数は８回の場合である。
【００７３】
同図より、ストレス電圧の持続時間は、１００〜４００ｍｓｅｃの範囲で同じ傾向を示している。ただし、標準は２００ｍｓｅｃとしている。
【００７４】
また、ストレス電圧の大きさとしては、望ましくは２８０〜３００ｍＶである。ストレス電圧の大きさを２８０〜３００ｍＶ、持続時間を２００ｍｓｅｃとし、正極性及び負極性で合わせて８回印加することが推奨される。
【００７５】
ストレス電圧の極性としては、上述の実施形態では、最初に正極性、以後負極性、正極性を交互に繰り返しているが、最初に負極性、以後正極性、負極性を交互に繰り返しても良い。
【００７６】
さらに、上述の実施形態では、抵抗値を測定する際のセンス電流を正極性の方向に流しているが、負極性の方向に流してももちろん良い。
【００７７】
以上述べたように、本実施形態によれば、正極性及び負極性のストレス電圧を交互に印加した後、その都度抵抗値を測定し、これら測定した抵抗値の初期抵抗値に対する抵抗変化率を求め、さらに抵抗変化率の差の標準偏差σを求め、これを閾値と比較して判別を行なっているため、比較的低いストレス電圧を印加するのみでＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を正確に行うことができ、この良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことができる。しかも、その場合、素子破壊を発生させることなく良否評価できるので、ＴＭＲ素子の良否選別が可能となる。その結果、短時間にＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【００７８】
図１６は本発明の他の実施形態における検査装置の処理動作を説明するフローチャートである。この実施形態における検査装置の構成及びＴＭＲヘッド素子の構成は、図２の実施形態の場合と同様である。従って、本実施形態においても図２の実施形態と同じ構成要素については、同じ参照番号を使用する。
【００７９】
まず、バー部材２０に対して図示しない直流磁界発生装置から外部直流磁界、例えば５００Ｏｅ、の印加を開始する（ステップＳ１１）。この印加される直流磁界は各ＴＭＲヘッド素子におけるピン層の磁化方向とフリー層の磁化方向との関係が一定となるような磁界である。
【００８０】
次いで、バー部材２０の良否の評価を行うべきＴＭＲヘッド素子の端子パッド２０ｂに１対のプローブ２１ａを電気的に接触させ、この状態で、ストレス電圧を供給することなく、電流供給及び電圧測定回路２１ｃから第１の極性（例えば、ＴＭＲ層の積層順序にかかわらず非基板側から基板側方向（図３及び４にて上から下方向）へ電流が流れる極性、以下、これを正極性と称する）の一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出すると共に第１の極性と逆の第２の極性（例えば、ＴＭＲ層の積層順序にかかわらず基板側から非基板側方向（図３及び４にて下から上方向）へ電流が流れる極性、以下、これを負極性と称する）の一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する（ステップＳ１２）。これらの抵抗値は、センス電流値と測定した電圧とからオームの法則によって算出される。算出した正極性及び負極性の抵抗値は、初期抵抗値ＰＲ０及びＮＲ０として、コンピュータ２１ｅ内に記憶される。このステップＳ１２において、ｋ＝２に初期設定される。
【００８１】
次いで、ストレス電圧供給回路２１ｂより、正極性のストレス電圧、例えば３００ｍＶ、２００ｍｓｅｃをＴＭＲヘッド素子に印加する（ステップＳ１３）。
【００８２】
次いで、電流供給及び電圧測定回路２１ｃから正極性の一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する共に、負極性の一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する（ステップＳ１４）。これらの抵抗値は、センス電流値と測定した電圧とからオームの法則によって算出される。算出した抵抗値は、第（ｋ−１）の抵抗値ＰＲｋ−１及びＮＲｋ−１として、コンピュータ２１ｅ内に記憶される。
【００８３】
次いで、ストレス電圧供給回路２１ｂより、負極性のストレス電圧、例えば−３００ｍＶ、２００ｍｓｅｃをＴＭＲヘッド素子に印加する（ステップＳ１５）。
【００８４】
次いで、電流供給及び電圧測定回路２１ｃから正極性の一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する共に、負極性の一定値のセンス電流、例えば０．１ｍＡ、を供給し、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を測定し、その値をコンピュータ２１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の抵抗値を算出する（ステップＳ１６）。これらの抵抗値は、センス電流値と測定した電圧とからオームの法則によって算出される。算出した抵抗値は、第ｋの抵抗値ＰＲｋ及びＮＲｋとして、コンピュータ２１ｅ内に記憶される。
【００８５】
次いで、ｋをｋ＝ｋ＋２と増大させ（ステップＳ１７）、ステップＳ１３〜Ｓ１６の処理を所定回数、例えば４回、繰り返したかどうか判別する（ステップＳ１８）。この判別は、例えばｋが１０以上であるかどうかを判別すれば良い。
【００８６】
ステップＳ１３〜Ｓ１６の処理を所定回数繰り返した場合は、バー部材２０に対しての外部直流磁界の印加を終了する（ステップＳ１９）。
【００８７】
これにより、コンピュータ２１ｅ内には、初期抵抗値ＰＲ０及びＮＲ０、その後のストレス電圧を印加後の抵抗値ＰＲ１〜ＰＲ８及びＮＲ１〜ＮＲ８が記憶されることとなる。これらの抵抗値から、正極性のセンス電流で測定した、初期抵抗値に対する抵抗変化率をｆＰ（ｋ−１）＝ＰＲｋ−１／ＰＲ０、即ち、ｆＰ（０）＝ＰＲ０／ＰＲ０＝１、ｆＰ（１）＝ＰＲ１／ＰＲ０、ｆＰ（２）＝ＰＲ２／ＰＲ０、ｆＰ（３）＝ＰＲ３／ＰＲ０、ｆＰ（４）＝ＰＲ４／ＰＲ０、ｆＰ（５）＝ＰＲ５／ＰＲ０、ｆＰ（６）＝ＰＲ６／ＰＲ０、ｆＰ（７）＝ＰＲ７／ＰＲ０、ｆＰ（８）＝ＰＲ８／ＰＲ０と算出し、これら抵抗変化率の差ｇＰ（ｋ）＝ｆＰ（ｋ−１）−ｆＰ（ｋ）、即ち、ｇＰ（１）＝ｆＰ（０）−ｆＰ（１）、ｇＰ（２）＝ｆＰ（１）−ｆＰ（２）、ｇＰ（３）＝ｆＰ（２）−ｆＰ（３）、ｇＰ（４）＝ｆＰ（３）−ｆＰ（４）、ｇＰ（５）＝ｆＰ（４）−ｆＰ（５）、ｇＰ（６）＝ｆＰ（５）−ｆＰ（６）、ｇＰ（７）＝ｆＰ（６）−ｆＰ（７）、ｇＰ（８）＝ｆＰ（７）−ｆＰ（８）の標準偏差Ｐσを算出する。同様に、負極性のセンス電流で測定した、初期抵抗値に対する抵抗変化率をｆＮ（ｋ−１）＝ＮＲｋ−１／ＮＲ０、即ち、ｆＮ（０）＝ＮＲ０／ＮＲ０＝１、ｆＮ（１）＝ＮＲ１／ＮＲ０、ｆＮ（２）＝ＮＲ２／ＮＲ０、ｆＮ（３）＝ＮＲ３／ＮＲ０、ｆＮ（４）＝ＮＲ４／ＮＲ０、ｆＮ（５）＝ＮＲ５／ＮＲ０、ｆＮ（６）＝ＮＲ６／ＮＲ０、ｆＮ（７）＝ＮＲ７／ＮＲ０、ｆＮ（８）＝ＮＲ８／ＮＲ０と算出し、これら抵抗変化率の差ｇＮ（ｋ）＝ｆＮ（ｋ−１）−ｆＮ（ｋ）、即ち、ｇＮ（１）＝ｆＮ（０）−ｆＮ（１）、ｇＮ（２）＝ｆＮ（１）−ｆＮ（２）、ｇＮ（３）＝ｆＮ（２）−ｆＮ（３）、ｇＮ（４）＝ｆＮ（３）−ｆＮ（４）、ｇＮ（５）＝ｆＮ（４）−ｆＮ（５）、ｇＮ（６）＝ｆＮ（５）−ｆＮ（６）、ｇＮ（７）＝ｆＮ（６）−ｆＮ（７）、ｇＮ（８）＝ｆＮ（７）−ｆＮ（８）の標準偏差Ｎσを算出する。
【００８８】
これらの標準偏差Ｐσ及びＮσは、例えば、
【数６】
2006060120.tif 000006
から算出される。
【００８９】
次いで、このようにして求めた標準偏差Ｐσ及びＮσが所定の閾値である０．１（％）未満であるか否かを判別する（ステップＳ２０）。
【００９０】
標準偏差Ｐσ及びＮσの両方が０．１（％）未満である場合はそのＴＭＲヘッド素子が素子破壊電圧の高い良品であると評価し（ステップＳ２１）、どちらか一方が未満ではない場合はそのＴＭＲヘッド素子が素子破壊電圧の低い不良品であると評価する（ステップＳ２２）。実際には、標準偏差Ｐσ及びＮσの両方が０．１（％）以上の場合は、素子破壊電圧の低い不良品であると評価されるが、標準偏差Ｐσ及びＮσのどちらか一方のみが０．１（％）以上の場合は、不良品の疑いがあると評価される。
【００９１】
次いで、バー部材２０の他のＴＭＲヘッド素子について、同様の評価を順次行う。
【００９２】
図１７は、この図１６の処理動作シーケンスを説明する図である。
【００９３】
同図から明らかのように、ＴＭＲヘッド素子に直流磁界を印加した状態で、ストレス電圧を印加する前に正極性及び負極性のセンス電流を流してそれぞれにおいて初期抵抗値ＰＲ０及びＮＲ０を測定する。次いで、正極性のストレス電圧、例えば３００ｍＶを２００ｍｓｅｃ印加する。その後、正極性及び負極性の例えば０．１ｍＡのセンス電流を流してそれぞれにおいて抵抗値ＰＲ１及びＮＲ１を求める。次いで、負極性のストレス電圧、例えば−３００ｍＶを２００ｍｓｅｃ印加する。その後、正極性及び負極性の例えば０．１ｍＡのセンス電流を流してそれぞれにおいて抵抗値ＰＲ２及びＮＲ２を求める。以後同様にして、ＰＲ３〜ＰＲ８及びＮＲ３〜ＮＲ８を求める。その後、初期抵抗値ＰＲ０及びＮＲ０に対する抵抗変化率ｆＰ（０）〜ｆＰ（８）及びｆＮ（０）〜ｆＮ（８）を算出し、さらに、抵抗変化率の差ｇＰ（１）＝ｆＰ（０）−ｆＰ（１）、・・・、ｇＰ（８）＝ｆＰ（７）−ｆＰ（８）の標準偏差Ｐσと抵抗変化率の差ｇＮ（１）＝ｆＮ（０）−ｆＮ（１）、・・・、ｇＮ（８）＝ｆＮ（７）−ｆＮ（８）の標準偏差Ｎσとを算出し、その結果が所定の閾値である０．１（％）未満であるか否かを判別して、ＴＭＲヘッド素子の良否評価を行う。
【００９４】
本実施形態によれば、より正確な信頼性の確認を行うことができ、この良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことができる。しかも、その場合、素子破壊を発生させることなく良否評価できるので、ＴＭＲ素子の良否選別が可能となる。その結果、短時間にＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【００９５】
図１８は、本発明のさらに他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【００９６】
図２の実施形態においては、ＭＲハイト加工を行った後のバー部材の状態でＴＭＲヘッド素子の検査を行っているが、本実施形態では、バー部材から個々の磁気ヘッドスライダ１８０に分離した状態でそのＴＭＲヘッド素子の１対の端子パッド１８０ｂに１対のプローブ１８１ａを電気的に接触させて、検査を行う。検査装置の他の構成、動作及び作用効果は図２の実施形態の場合と同様である。
【００９７】
図１９は、本発明のまたさらに他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【００９８】
本実施形態では、磁気ヘッドスライダ１９０をサスペンション１９２に装着してなるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）の状態でＴＭＲヘッド素子に電気的に接続されている接続パッド１９２ａに１対のプローブ１９１ａを電気的に接触させて、検査を行う。検査装置の他の構成、動作及び作用効果は図２の実施形態の場合と同様である。
【００９９】
以上述べた実施形態では、ＭＲハイト加工を行った後のバー部材の状態、個々の磁気ヘッドスライダに分離した状態又はＨＧＡの状態でＴＭＲヘッド素子の検査を行っているが、ウエハ状態でＴＭＲヘッド素子の検査を行っても良いことは明らかである。
【０１００】
なお、上述した実施形態は、ＴＭＲヘッド素子の検査を行う場合について説明したが、本発明は、ＭＲＡＭの検査を行う場合にも同様に適用できることは明らかである。
【０１０１】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】複数のＴＭＲヘッド素子に対してセンス電流の極性を変えた場合に、抵抗変化率がどのように変化するかを実際に測定した特性図である。
【図２】本発明の一実施形態として、ＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成を概略的に説明する図である。
【図３】図２の実施形態における各ＴＭＲ読出しヘッド素子の構造の一例をＡＢＳと直交する方向から見た断面図である。
【図４】図３のＴＭＲ読出しヘッド素子をＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図５】図２の実施形態における検査装置の処理動作を説明するフローチャートである。
【図６】図５の処理動作シーケンスを説明する図である。
【図７】複数のＴＭＲヘッド素子について、図２の実施形態と同様の方法でストレス電圧を印加して測定された各抵抗値測定時における抵抗変化率特性を示す図である。
【図８】図７の一部の抵抗変化率特性を拡大して示す図である。
【図９】抵抗変化率の変化を模式的に示す図である。
【図１０】多数のＴＭＲヘッド素子に印加される電圧を上げていき素子破壊電圧を測定した結果を表す図である。
【図１１】高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子及び低い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子について、図２の実施形態と同様の方法でストレス電圧を印加して測定された抵抗変化率の差の標準偏差特性を示す図である。
【図１２】高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子及び低い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子について、ストレス電圧の値を変えた場合の抵抗変化率の差の標準偏差特性を示す図である。
【図１３】高い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子及び低い素子破壊電圧を有するＴＭＲヘッド素子について、ストレス電圧印加による劣化特性を示す図である。
【図１４】ストレス電圧の印加回数に応じたＴＭＲヘッド素子の素子破壊電圧の高低判別特性を示す図である。
【図１５】ストレス電圧の持続時間に応じたＴＭＲヘッド素子の素子破壊電圧の高低判別特性を示す図である。
【図１６】本発明の他の実施形態における検査装置の処理動作を説明するフローチャートである。
【図１７】図１６の処理動作シーケンスを説明する図である。
【図１８】本発明のさらに他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【図１９】本発明のまたさらに他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【符号の説明】
【０１０３】
１０  バー部材
１０ａ  ＴＭＲヘッド
１０ｂ、１８０ｂ  １対の端子パッド
１１  検査装置
１１ａ、１８１ａ、１９１ａ  １対のプローブ
１１ｂ  ストレス電圧供給回路
１１ｃ  電流供給及び電圧測定回路
１１ｄ  Ａ／Ｄ変換器
１１ｅ  デジタルコンピュータ
１８０、１９０  磁気ヘッドスライダ
１９２  サスペンション
１９２ａ  １対の接続パッド
【図１】
2006060120.tif 000009
【図２】
2006060120.tif 000010
【図３】
2006060120.tif 000011
【図４】
2006060120.tif 000012
【図５】
2006060120.tif 000013
【図６】
2006060120.tif 000014
【図７】
2006060120.tif 000015
【図８】
2006060120.tif 000016
【図９】
2006060120.tif 000017
【図１０】
2006060120.tif 000018
【図１１】
2006060120.tif 000019
【図１２】
2006060120.tif 000020
【図１３】
2006060120.tif 000021
【図１４】
2006060120.tif 000022
【図１５】
2006060120.tif 000023
【図１６】
2006060120.tif 000024
【図１７】
2006060120.tif 000025
【図１８】
2006060120.tif 000026
【図１９】
2006060120.tif 000027