(57)【要約】【課題】  十分なキャリアを注入することができ、耐久性を確保することができる発光デバイス及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  ｎ電極１１及びｐ電極１５から注入されたキャリアを量子ドットでなる活性層１３へ輸送する輸送層１２及び１４として、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層が用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。また、無機半導体層は有機物に比べ長寿命で耐久性に優れている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子ドットでなり、電子及びホールの再結合によって発光する発光層と、
前記発光層へ前記電子を輸送するｎ型の無機半導体層と、
前記発光層へ前記ホールを輸送するｐ型の無機半導体層と、
前記ｎ型の無機半導体層に前記電子を注入するための第１の電極と、
前記ｐ型の無機半導体層に前記ホールを注入するための第２の電極と
を具備することを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の発光デバイスであって、
前記量子ドットは、半導体でなり、その最大幅が励起子ボーア半径の４倍以下であることを特徴とする発光デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の発光デバイスであって、
前記発光層は、量子井戸構造を有することを特徴とする発光デバイス。
【請求項４】
キャリアの輸送層として無機の半導体層を塗布により第１の基板上に形成する工程と、
前記半導体層が形成された第１の基板に、量子ドットでなり前記キャリアの再結合により発光する発光層を塗布によりを形成する工程と
を具備することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の発光デバイスの製造方法であって、
前記発光層を形成する工程は、
前記量子ドットを含む溶液に、前記半導体層が形成された基板を浸す工程と、
前記第１の基板に付着した前記溶液を蒸発させる工程と
を有することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の発光デバイスの製造方法であって、
前記半導体層は、前記キャリアのうち電子を輸送するｎ型の無機半導体層であり、
当該発光デバイスの製造方法は、
ホールの輸送層としてｐ型の無機半導体層を、塗布により前記第１の基板とは別の第２の基板上に形成する工程と、
前記ｎ型の無機半導体層と前記ｐ型の無機半導体層とが接合されるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と
をさらに具備することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載の発光デバイスの製造方法であって、
前記半導体層は、前記キャリアのうちホールを輸送するｐ型の無機半導体層であり、
当該発光デバイスの製造方法は、
電子の輸送層としてｎ型の無機半導体層を、塗布により前記第１の基板とは別の第２の基板上に形成する工程と、
前記ｐ型の無機半導体層と前記ｎ型の無機半導体層とが接合されるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と
をさらに具備することを特徴とする発光デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、量子ドットを発光層とした発光デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば半導体でなる量子ドットを発光層とした発光デバイスが提案され、開発されている。量子ドットは、半導体の原子が複数集まって数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の結晶を構成するものであり、結晶がこのようなナノサイズまで小さくなると、連続的なバンド構造ではなく、離散的なエネルギー準位を構成するようになる。つまり、量子サイズ効果が顕著に現れるようになるので、量子ドットよりサイズの大きいバルク結晶に比べ電子の閉じ込め効果が高まり、励起子が再結合する確率を高めることができる。このような量子ドットは、ナノクリスタル、微粒子、コロイドあるいはクラスターなどと呼ばれることもあるが、量子サイズ効果が生ずるものはここでは量子ドットと同じものを示す。
【０００３】
このような量子ドットが発光層とされた発光デバイスは、その発光層に電子を輸送する電子輸送層及び発光層にホールを輸送するホール輸送層が発光層を挟むように設けられている。これら、電子輸送層やホール輸送層等、キャリア輸送層は、主に有機系の高分子でなる材料が用いられ、キャリア輸送層間に電圧が印加されて電子及びホールが注入されることにより、発光層で発光するようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１７２１０２号公報（段落[００１３]、[００３０]、図１等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載の発光デバイスでは、キャリア輸送層が有機物であるため、エネルギー方向に対してある一定のエネルギー準位にのみ、移動可能なキャリアが存在し得るだけなので、電極からキャリア輸送層へ十分にキャリアを注入できないといった問題があり、また、キャリア輸送層の耐久性がない等の問題がある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、十分なキャリアを注入することができ、耐久性を確保することができる発光デバイス及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る発光デバイスは、量子ドットでなり、電子及びホールの再結合によって発光する発光層と、前記発光層へ前記電子を輸送するｎ型の無機半導体層と、前記発光層へ前記ホールを輸送するｐ型の無機半導体層と、前記ｎ型の無機半導体層に前記電子を注入するための第１の電極と、前記ｐ型の無機半導体層に前記ホールを注入するための第２の電極とを具備する。
【０００７】
本発明では、ｎ型及びｐ型の無機半導体層がキャリアの輸送層として用いられている。これらの輸送層はエネルギー方向に対して幅のあるエネルギーバンドを有するので、従来の有機系の輸送層に比べ第１及び第２の電極から十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。また、無機半導体層は有機物に比べ長寿命で耐久性に優れている。
【０００８】
本発明の一の形態によれば、前記量子ドットは、半導体でなり、その最大幅が励起子ボーア半径の４倍以下である。
【０００９】
本発明の一の形態によれば、前記発光層は、量子井戸構造を有する。これにより、キャリアの閉じ込めがより効果的に発揮される。本発明では、このように発光層が量子井戸構造を有する場合であって、発光層とキャリア輸送層との間にポテンシャル障壁がある場合、トンネル効果によって発光層にキャリアを移動させることができるようになる。従来における有機系のキャリア輸送層の場合、一定のエネルギー準位にのみキャリアが存在し得るだけで、エネルギーバンドというものは存在しないと考えられる。したがって、キャリア輸送層において一定のエネルギー状態にあるキャリアが、ポテンシャル障壁を越えようとする場合、その一定のエネルギー準位を含まないバンドを持つ発光層に到達するためには、キャリアがその障壁を越えて拡散できる分の電界に頼るしかない。つまり、トンネリングが発生するためには、そのキャリア輸送層の一定のエネルギー準位が、輸送先である発光層になければならない。このことは、トンネリングが起こるときは、例えば電子波の振幅（存在確率）だけが変わり、波数（運動エネルギー）は変わらないことに基づく。すなわち、発光デバイスが従来の有機物でなるキャリア輸送層を備える場合にトンネル現象が発生するためには、そのような条件を満たさなければならないので、輸送層の材料の選択の余地が狭められる。このような観点から、本発明のキャリア輸送層は、エネルギー方向に幅のあるバンドを有するので、トンネル効果を期待する場合、従来のような制約はなく、材料選択の幅が広がる上、発光効率の向上及び低消費電力化を図ることができる。
【００１０】
本発明に係る発光デバイスの製造方法は、キャリアの輸送層として無機の半導体層を塗布により第１の基板上に形成する工程と、前記半導体層が形成された第１の基板に、量子ドットでなり前記キャリアの再結合により発光する発光層を塗布によりを形成する工程とを具備する。
【００１１】
本発明では、無機半導体層及び発光層を塗布によって形成しているので、真空プロセスを用いる必要がなく、低コストで発光デバイスを製造することができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記発光層を形成する工程は、前記量子ドットを含む溶液に、前記半導体層が形成された基板を浸す工程と、前記第１の基板に付着した前記溶液を蒸発させる工程とを有する。これにより、量子ドットでなる結晶が第１の基板上に析出することで、発光層を形成することができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記半導体層は、前記キャリアのうち電子を輸送するｎ型の無機半導体層であり、当該発光デバイスの製造方法は、ホールの輸送層としてｐ型の無機半導体層を、塗布により前記第１の基板とは別の第２の基板上に形成する工程と、前記ｎ型の無機半導体層と前記ｐ型の無機半導体層とが接合されるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程とをさらに具備する。これにより、発光層、ｎ型の無機半導体層及びｐ型の無機半導体層でなる３つの層を形成することができ、例えばこの３つの層に電極を接続することで発光デバイスを作製することができる。
【００１４】
前記半導体層が、前記キャリアのうちホールを輸送するｐ型の無機半導体層である場合は、当該発光デバイスの製造方法は、電子の輸送層としてｎ型の無機半導体層を、塗布により前記第１の基板とは別の第２の基板上に形成する工程と、前記ｐ型の無機半導体層と前記ｎ型の無機半導体層とが接合されるように、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程とをさらに具備すればよい。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明によれば、十分なキャリアを注入することができ、耐久性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施の形態に係る発光デバイスを示す模式的な断面図である。
【００１８】
発光デバイス１０には、発光層としての半導体量子ドット（ＱＤｓ）からなる活性層１３の両側に、キャリア輸送層としてｎ型の無機半導体層１２とｐ型の無機半導体層１４とが設けられている。さらに、これらのキャリア輸送層１２及び１４の両側に陰極となるｎ電極１１と、陽極となるｐ電極１５とが接合されている。活性層１３の量子ドットの結晶は、その最大幅が励起子ボーア半径の４倍以下のサイズに形成されたものである。励起子ボーア半径ａＢ＊は以下の式で定義することができる。
【００１９】
【数１】
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【００２０】
図２は、発光デバイス１０のバンドダイアグラムの一例を示す。ｎ電極１１及びｐ電極１５に順方向の電圧が印加されると、ｎ電極１１からｎ型半導体層１２に注入された電子は、このｎ型半導体層１２の伝導帯Ｃを移動し、また、ｐ電極１５からｐ型半導体層１４に注入されたホールがｐ型半導体層１４の価電子帯Ｖを移動する。これらのキャリアはｐ型半導体層１４及びｎ型半導体層１２から、トンネル効果等により活性層１３内の量子ドット結晶表面のポテンシャル障壁を通過し、再結合することで、発光が起こる。なお、図２において、活性層１３の量子井戸が２つあるが、これは単なる例であり、いくつあってもかまわない。
【００２１】
活性層１３に用いる半導体量子ドットの材料としては、発光性物質であれば特に限定されるものではないが、炭素(C)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、錫等の周期表第IV族元素の単体、リン（黒リン）等の周期表第V族元素の単体、セレン、テルル等の周期表第VI族元素の単体、酸化錫（IV）、窒化ホウ素(BN)、リン化ホウ素(BP)、砒化ホウ素(Bas)、窒化アルミニウム(AlN)、リン化アルミニウム(AlP)、砒化アルミニウム(AlAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)、窒化ガリウム(GaN)、リン化ガリウム(GaP)、砒化ガリウム(GaAs)、アンチモン化ガリウム(GaSb)、窒化インジウム(InN)、リン化インジウム(InP)、砒化インジウム(InAs)、アンチモン化インジウム(InSb)等の周期表第III族元素と周期表第V族元素との化合物、硫化アルミニウム(Al2S3)、セレン化アルミニウム(Al2Se3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、セレン化ガリウム（GaSe, Ga2Se3）、テルル化ガリウム(GaTe, Ga2Te3）、酸化インジウム(In2O3)、硫化インジウム(In2S3,InS)、セレン化インジウム(In2Se3)、テルル化インジウム(In2Te3)等の周期表第III族元素と周期表第VI族元素との化合物、酸化亜鉛(ZnO)、硫化亜鉛(ZnS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、酸化カドミウム(CdO)、硫化カドミウム(CdS)、セレン化カドミウム(CdSe)、テルル化カドミウム(CdTe)、硫化水銀(HgS)、セレン化水銀(HgSe)、テルル化水銀(HgTe)等の周期表第II族元素と周期表第VI族元素との化合物、酸化銅（Ｉ）(Cu2O)等の周期表第I族元素と周期表第VI族元素との化合物、塩化銅（Ｉ）(CuCl)、臭化銅（Ｉ）(CuBr)、ヨウ化銅（Ｉ）(CuI)、塩化銀(AgCl)、臭化銀(AgBr)等の周期表第I族元素と周期表第VII族元素との化合物などが挙げられ、必要によりこれらの２種以上を併用してもよい。これらの半導体には、構成元素以外の元素が含有されていても構わない。例えばIII-V族を例にとれば、InGaP、InGaNの様な合金系であってもよい。また上記材料中に、希土類元素あるいは遷移金属元素がドープされた超微粒子も使われる。例えば、ZnS:Mn、ZnS:Tb、ZnS:Ce、LaPO4:Ce等が挙げられる。この中でもケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、窒化ガリウム(GaN)、リン化ガリウム(GaP)、砒化ガリウム(GaAs)、窒化インジウム(InN)、リン化インジウム(InP)、砒化インジウム(InAs)、セレン化ガリウム（GaSe, Ga2Se3）、硫化インジウム(In2S3,InS)、酸化亜鉛(ZnO)、硫化亜鉛(ZnS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、酸化カドミウム(CdO)、硫化カドミウム(CdS)、セレン化カドミウム(CdSe)、テルル化カドミウム(CdTe)）、InGaP、InGaNなどの合金系が好ましく用いられる。またこれらの材料からなる量子ドットの結晶表面に、さらにバンドギャップの大きな材料を形成して、図２に示したように量子井戸構造を作ることにより、発光効率を高めることができる。
【００２２】
n型半導体層１２、p型半導体層１４に用いる材料は、半導体であれば特に限定されるものではないが、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)の周期表第IV族元素の単体、窒化ホウ素(BN)、リン化ホウ素(BP)、砒化ホウ素(Bas)、窒化アルミニウム(AlN)、リン化アルミニウム(AlP)、砒化アルミニウム(AlAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)、窒化ガリウム(GaN)、リン化ガリウム(GaP)、砒化ガリウム(GaAs)、アンチモン化ガリウム(GaSb)、窒化インジウム(InN)、リン化インジウム(InP)、砒化インジウム(InAs)、アンチモン化インジウム(InSb)等の周期表第III族元素と周期表第V族元素との化合物、硫化アルミニウム(Al2S3)、セレン化アルミニウム(Al2Se3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、セレン化ガリウム（GaSe, Ga2Se3）、テルル化ガリウム(GaTe, Ga2Te3）、硫化インジウム(In2S3,InS)、セレン化インジウム(In2Se3)、テルル化インジウム(In2Te3)等の周期表第III族元素と周期表第VI族元素との化合物、酸化亜鉛(ZnO)、硫化亜鉛(ZnS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、酸化カドミウム(CdO)、硫化カドミウム(CdS)、セレン化カドミウム(CdSe)、テルル化カドミウム(CdTe)、硫化水銀(HgS)、セレン化水銀(HgSe)、テルル化水銀(HgTe)等の周期表第II族元素と周期表第VI族元素との化合物、酸化銅（Ｉ）(Cu2O)等の周期表第I族元素と周期表第VI族元素との化合物等が挙げられ、必要によりこれらの２種以上を併用しても良い。これらの半導体には、構成元素以外の元素が含有されていても構わない。また、それぞれの材料に相応しいドナーあるいはアクセプター準位を形成するイオンがドーピングされる。
【００２３】
電極１１、１５の材料として、チタン(Ti)、白金(Pt)、パラジウム(Pd)、金(Au)、ゲルマニウム(Ge)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、銀(Ag)、タングステン(W)などの金属及びこれらの合金あるいは多層膜にすることにより、n型半導体層１２、またはp型半導体層１４との界面に生ずるショットキー障壁をできる限り小さくすることが望ましい。
【００２４】
以上のように、本実施の形態に係る発光デバイス１０によれば、バンド構造を有するｎ型及びｐ型の無機半導体層１２及び１４がキャリアの輸送層として用いられているので、十分にキャリアを注入することができ、低消費電力化を図ることができる。また、無機半導体層は有機物に比べ長寿命で耐久性に優れている。
【００２５】
また、本実施の形態では、図２に示したように、活性層１３において量子井戸構造を有する場合であって、活性層とキャリア輸送層との間にポテンシャル障壁がある場合、上述したようにトンネル効果によって活性層１３にキャリアを移動させることができるようになる。例えば図６に示すように、従来における有機系のキャリア輸送層１１４（あるいはキャリア輸送層１１２）の場合、一定のエネルギー準位Ａにのみキャリアが存在し得るだけで、エネルギーバンドというものは存在しないと考えられる。したがって、キャリア輸送層１１４において一定のエネルギー状態にあるキャリアが、ポテンシャル障壁を越えようとする場合、その一定のエネルギー準位Ａを含まないバンドを持つ活性層１１３に到達するためには、キャリアがその障壁を越えて拡散できる分の電界に頼るしかない。つまり、トンネリングが発生するためには、そのキャリア輸送層１１４の一定のエネルギー準位Ａが、輸送先である活性層１１３になければならないが、図６に示すエネルギーの構造ではエネルギー準位Ａが活性層１１３にないので、トンネリングが起こらないと推察される。したがって、従来の有機系のキャリア輸送層でトンネリングを発生させようとする場合、当該輸送層の材料の選択の余地が狭められる。これに対し、本実施の形態に係るキャリア輸送層１２及び１４は、無機の半導体であり、エネルギー方向に幅のあるバンドを有するので、トンネル効果を期待する場合、従来のような制約はなく、材料選択の幅が広がる上、発光効率の向上及び低消費電力化を図ることができる。
【００２６】
次に、発光デバイス１０の製造方法について説明する。図３は、その製法を示すフローチャートである。
【００２７】
シリコン基板上にシクロペンタシラン・トルエン溶液を例えばスピンコートにより塗布し、シクロペンタシラン薄膜を形成する（ステップ３０１）。例えばエネルギー密度４００mJ/cm2以上、かつ、波長２５０〜５５０ｎｍのレーザ照射によりこのシクロペンタシランを分解し、膜厚１００nm程度の結晶性シリコン薄膜を形成する（ステップ３０２）。レーザ照射の代わりに、不活性ガスあるいは還元ガス雰囲気中での４００℃以上の加熱により、シクロペンタシランを分解して結晶性シリコン薄膜を形成するようにしてもよい。
【００２８】
結晶性シリコン薄膜が形成された基板に、n型またはp型の塗布型不純物ドーピング材料を塗布し、加熱することにより不純物をドープし、活性化する（ステップ３０３）。ドーピング材料としては、Honeywell Electronic Materials社製ACCUSPIN(r) Phosphorus Spin-on DopantsやACCUSPIN(r) Boron Spin-on Dopants等が挙げられる。このようにしてキャリアの輸送層が形成される。
【００２９】
以上のような方法で、ｎ型及びｐ型の半導体層の両方について作製する。つまり、基板をｎ型とｐ型とで２枚作製する。
【００３０】
次に、不純物がドーピングされた結晶性シリコン薄膜上に、塗布により活性層１３を形成する（ステップ３０４）。この活性層１３は、上記ｎ型の基板、またはｐ型の基板のいずれか一方に形成すればよい。
【００３１】
活性層１３の具体的な形成方法として、まず、例えば結晶サイズ１〜５nm程度のCdSeを核、ZnSを殻とする、コア／シェル型コロイド量子ドットを、トルエン中に重量比１％程度に分散したコロイド分散液を用意する。上記n型及びp型半導体膜１２及び１４の表面を酸化物除去あるいはシランカップリング剤などで処理した後、図４に示すように、基板５を上記コロイド分散液６に浸し、一定速度で引き上げる。この際、コロイド分散液と基板５の表面との親和性を一致させることにより、つまり親水性または疎水性を両者一致させることで、コロイド分散液６の液面は基板５上を這い上がる。液面と基板５の境界付近では、溶液が揮発することにより量子ドットの密度が高くなり基板５上に量子ドットが析出し薄膜化する。図５は、コロイド分散液６の揮発によって、基板５上に量子ドット７が析出する様子を示した模式図である。また、このときのコロイド分散液の濃度と溶媒の蒸気圧や引上げ速度を調整することにより、活性層１３の膜厚を調整することができる。このようにして活性層１３が形成される。
【００３２】
活性層１３がｎ型半導体層１２またはｐ型半導体層１４のいずれか一方に形成されているので、活性層１３と、ｎ型半導体層１２またはｐ型半導体層１４とが接合されるように、両基板を貼り合わせる（ステップ３０５）。具体的には、両基板に応力を加えて貼り合わせることができる。あとは、ｎ電極１１及びｐ電極１５が、ｎ型半導体層１２及びｐ型半導体層１４にそれぞれ接合されることにより、発光デバイス１０が作製される。
【００３３】
本実施の形態に係る製造方法によれば、ｎ型半導体層１２、ｐ型半導体層１４及び活性層１３を塗布によって形成しているので、真空プロセスを用いる必要がなく、低コストで発光デバイス１０を製造することができる。
【００３４】
以上の実施の形態では、キャリア輸送層１２及び１４の形成にシクロペンタシランが用いられたが、これに限られるものではない。シクロペンタシラン以外の塗布型半導体材料の例として、シクロトリシラン、シクロテトラシラン、シクロヘキサシラン、シクロヘプタシラン、1,1’-ビシクロブタシラン、1,1,’-ビシクロペンタシラン、1,1’-ビシクロヘキサシラン、1,1’-ビシクロヘプタシラン、1,1’-シクロブタシリルシクロペンタシラン、1,1’-シクロブタシリルシクロヘキサシラン、1,1’-シクロブタシリルシクロヘプタシラン、1,1’-シクロペンタシリルシクロヘキサシラン、1,1’-シクロペンタシリルシクロヘプタシラン、1,1’-シクロヘキサシリルシクロペンタシラン、スピロ[2,2]ペンタシラン、スピロ[3,3]ヘプタシラン、スピロ[4,4]ノナシラン、スピロ[4,5]デカシラン、スピロ[4,6]ウンデカシラン、スピロ[5,5]ウンデカシラン、スピロ[5,6]ウンデカシラン、スピロ[6,6]トリデカシラン等が挙げられる。これらの骨格の水素原子を部分的に置換基やハロゲン原子に置換することができる。またこれらを２種類以上混合して使用することもできる。
【００３５】
キャリア輸送層１２及び１４としては、塗布型の材料に限られない。例えば、結晶サイズ１〜５nm程度のInPコロイド量子ドットを、トルエン中に重量比１％程度に分散する。アンモニア(NH3)、トリメチルガリウム(Ga(CH3)3)及び水素化マグネシウム(MgH2)を原料ガスとする有機金属気相成長法により、サファイア基板上にGaNとGaN:Mgの２層膜を結晶成長させた後、例えば窒素ガス雰囲気中、８００℃で１時間程度アニール処理（焼成処理）する。これによりホール濃度１０１７個/cm2程度のp型GaN薄膜が形成される。一方、n型半導体層としては、GaAs、InP基板を用意し、表面をシランカップリング剤などで疎水化処理した後に上記InP QDs分散液をスピンコートにより塗布し、膜厚５０nm前後の活性層を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る発光デバイスを示す模式的な断面図である。
【図２】図１に示す発光デバイスのバンドダイアグラムである。
【図３】本発明の一実施の形態に係る発光デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】活性層を形成するときの模式図である。
【図５】コロイド分散液の揮発によって、基板上に量子ドットが析出する様子を示した模式図である。
【図６】従来の発光デバイスのバンドダイアグラムである。
【符号の説明】
【００３７】
５…シリコン基板
７…量子ドット
１０…発光デバイス
１１…ｎ電極
１２…ｎ型半導体層（キャリア輸送層）
１３…活性層（発光層）
１４…ｐ型半導体層（キャリア輸送層）
１５…ｐ電極
【図１】
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【図２】
2006185985.tif 000005
【図３】
2006185985.tif 000006
【図４】
2006185985.tif 000007
【図５】
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【図６】
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