(57)【要約】      （修正有）【課題】電子素子の材料として用いた場合素子性能に優れた電子素子を与えることのできる高分子化合物を提供する。【解決手段】下記式で示される化合物の残基の少なくとも一つを含むことを特徴とする高分子化合物。2006328387.tif 000129〔Ａ環、Ｂ環およびＣ環は芳香族環または非芳香族環を、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、およびＺ5はＣ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を表し、Ｑは、置換基または水素原子を、ｚは０または１を表す。〕【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される化合物の残基の少なくとも一つを含むことを特徴とする高分子化合物。
2006328387.tif 000108
（式１）
〔式中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環または非芳香族環を表し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、およびＺ5はそれぞれ独立に、Ｃ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を表し、Ｑは、置換基または水素原子を表し、ｚは０または１を表し、Ａ環とＢ環は互いに、それぞれの環を構成するＺ5以外の原子を共有していてもよく、Ａ環、Ｂ環およびＣ環の一つ以上二つ以下は非芳香族環である。〕
【請求項２】
下記式（１−１）、（１−２）または（１−３）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。
2006328387.tif 000109
式（１−１）              式（１−２）              式（１−３）
〔式中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環または非芳香族環を表し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4およびＺ5はそれぞれ独立にＣ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を表し、Ｑは、置換基または水素原子を表し、ｚは０または１を表し、Ａ環とＢ環はＺ5以外の環の原子を共有していてもよくまた、各環の置換基同士が結合して、さらに環を形成していてもよく、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環のうち、結合手を持たない環の１つ以上が非芳香族環である。〕
【請求項３】
Ａ環、Ｂ環およびＣ環の環を構成する原子が全て炭素原子であることを特徴とする請求項１または２記載の高分子化合物。
【請求項４】
上記式（１−１）で示される繰り返し単位が、下記式（２−１）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項２または３に記載の高分子化合物。
2006328387.tif 000110
式（２−１）
〔式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に置換基を表し、Ｄ環は置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、ａは０〜２の整数を表し、ｂは０〜３の整数を表し、Ｒ1およびＲ2がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ1とＲ2は互いに結合して環を形成していてもよい。また、Ｒ1および／またはＲ2はＤ環と結合して環を形成していてもよく、Ｑおよびｚは前記と同じ意味を表す。〕
【請求項５】
上記式（２−１）で示される繰り返し単位が、下記式（３−１）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項２または３に記載の高分子化合物。
2006328387.tif 000111
式（３−１）
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｄ環、Ｑ、ｚ、ａおよびｂは前記と同じ意味を表す。〕
【請求項６】
式（３−１）で示される繰り返し単位が、下記式（４−１）、（４−２）、（４−３）または（４−４）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項５記載の高分子化合物。
2006328387.tif 000112
式（４−１）                            式(４−２)              
2006328387.tif 000113
式（４−３）                      式（４−４）
〔式中、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ2a〜Ｒ2cおよびＲ3a〜Ｒ3gはそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。式（４−１）〜（４−３）において、Ｒ2cとＲ3gは互いに結合して環を形成してもよい。式（４−４）において、Ｒ2cとＲ3eは互いに結合して環を形成していてもよい。〕
【請求項７】
さらに下記式（５）、式（６）、式（７）または式（８）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物。
−Ａｒ1−        （５）
2006328387.tif 000114
−Ａｒ4−Ｘ2−        （７）
−Ｘ3−                  （８）
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ独立に−ＣＲ9＝ＣＲ10−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ11）−、または−（ＳｉＲ12Ｒ13）m−を表す。Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基または置換アミノ基を示す。ｆｆは1または２を表す。mは１〜１２の整数を表す。Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項８】
さらに、下記式（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）または（１４）で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物。
2006328387.tif 000115
〔式中、Ｒ14は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。nは０〜４の整数を表す。Ｒ14が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000116
〔式中、Ｒ15およびＲ16は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。oおよびpはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ15およびＲ16がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000117
〔式中、Ｒ17およびＲ20は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。qおよびrはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ17およびＲ20が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000118
〔式中、Ｒ21は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。ｓは０〜２の整数を表す。Ａｒ13およびＡｒ14はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。ｓｓおよびｔｔはそれぞれ独立に０または１を表す。Ｘ4は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｅ，またはＴｅを表す。Ｒ21が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000119
〔式中、Ｒ22およびＲ23は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。tおよびuはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｘ5は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ24、またはＳｉＲ25Ｒ26を表す。Ｘ6およびＸ7は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ27を表す。Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26およびＲ27はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。Ｒ25、Ｒ26およびＲ27が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000120
〔式中、Ｒ28およびＲ33は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基またはニトロ基を表す。vおよびwはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31およびＲ32は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ａｒ5はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｒ28およびＲ33が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【請求項９】
さらに下記式（１５）で示される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の高分子化合物。
2006328387.tif 000121
〔式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を表す。Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9、およびＡｒ10は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。〕
【請求項１０】
原料として、少なくとも下記式（１６−１）、（１６−２）または（１６−３）
2006328387.tif 000122
式（１６−１）              式（１６−２）          式（１６‐３）
〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｚ1〜Ｚ5は前記と同じ意味を表す。Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6はそれぞれ独立に重合に関与する置換基を表す。〕
で示される化合物を用いて重合させることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物の製造方法。
【請求項１１】
下記式（１６−１）で示される化合物が下記式（１７−１）で示される化合物であることを特徴とする請求項１０記載の製造方法。
2006328387.tif 000123
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、ａ、ｂ、Ｄ環、Ｑ、ｚ、Ｙ1およびＹ2は前記と同じ意味を表す。〕
【請求項１２】
下記式（１７−１）で示される化合物が下記式（１８−１）、（１８−２）、（１８−３）または（１８−４）で示される化合物であることを特徴とする請求項１１記載の製造方法。
2006328387.tif 000124
式（１８−１）                  式（１８−２）
2006328387.tif 000125
式（１８−３）                    式（１８−４）
〔式中、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ2a〜Ｒ2c、Ｒ3a〜Ｒ3g、Ｙ1およびＹ2は前記と同じ意味を表す。〕
【請求項１３】
上記式（１６−２）で示される化合物が、下記式（１７−２）で示される化合物であることを特徴とする請求項１０記載の製造方法。
2006328387.tif 000126
式（１７−２）              
〔式中、Ｂ環、Ｃ環、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｙ3およびＹ4は前記と同じ意味を表す。Ｚ6、Ｚ7およびＺ8はそれぞれ独立にＣ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を示す。Ｚ1a、Ｚ5aおよびＺ9はそれぞれ独立に炭素原子を示す。Ｑ、およびｚは前記と同じ意味を表す。Ｒ4は置換基を示す。ｅは０〜２の整数を示す。Ｒ4が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ4同士が結合して環を形成していてもよい。〕
【請求項１４】
上記式（１６−３）で示される化合物が、下記式（１７−３）で示される化合物であることを特徴とする請求項１０記載の製造方法。
2006328387.tif 000127
式（１７−３）              
〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｚ1、Ｚ4、Ｚ5、Ｙ5およびＹ6は前記と同じ意味を表す。Ｚ10、Ｚ11、Ｚ12およびＺ13はそれぞれ独立に、Ｃ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を示す。Ｚ2aおよびＺ3aはそれぞれ独立に炭素原子を示す。Ｑ、およびｚは前記と同じ意味を表す。Ｒ5は置換基を示す。ｆは０〜２の整数を示す。Ｒ5が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ5同士が結合して環を形成していてもよい。〕
【請求項１５】
上記式（１６−１）、（１６−２）または（１６−３）で示される化合物に加えて、下記式（１９）〜（２２）のいずれかで示される化合物を原料として用いて重合させることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれかに記載の製造方法。
Ｙ7−Ａｒ1−Ｙ8        （１９）
2006328387.tif 000128
Ｙ11−Ａｒ4−Ｘ2−Ｙ12        （２１）
Ｙ13−Ｘ3−Ｙ14              （２２）
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、ｆｆ、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は前記と同じ意味を表す。Ｙ7、Ｙ8、Ｙ9、Ｙ10、Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13およびＹ14はそれぞれ独立に重合に関与する置換基を表す。〕
【請求項１６】
式（１６−１）、（１６−２）または（１６−３）で示される化合物を単独で、あるいは式（１９）〜（２２）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種類と重合する際に、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7、Ｙ8、Ｙ9、Ｙ10、Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13およびＹ14がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基であり、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合することを特徴とする請求項１０〜１５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１７】
式（１６−１）、（１６−２）または（１６−３）から選ばれる１種類を単独で、あるいは式（１９）〜（２２）から選ばれる少なくとも１種類と重合する際に、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7、Ｙ8、Ｙ9、Ｙ10、Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13およびＹ14がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−Ｂ（ＯＨ）2、またはホウ酸エステル基であり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、−Ｂ（ＯＨ）2およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１であり、ニッケルまたはパラジウム触媒を用いて縮合重合することを特徴とする請求項１０〜１５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１８】
上記式（１７−１）で示される化合物。
【請求項１９】
上記式（１８−１）、（１８‐２）、（１８‐３）または（１８−４）で示される化合物。
【請求項２０】
上記式（１６−２）または（１６−３）で示される化合物。
【請求項２１】
上記式（１７−２）または（１７−３）で示される化合物。
【請求項２２】
正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物とを含有することを特徴とする組成物。
【請求項２３】
請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物と溶媒とを含有することを特徴とするインク組成物。
【請求項２４】
粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項２３記載のインク組成物。
【請求項２５】
請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物を含有する発光性薄膜。
【請求項２６】
請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物を含有する導電性薄膜。
【請求項２７】
請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項２８】
陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜９のいずれかに記載の高分子化合物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
【請求項２９】
有機層が発光層であることを特徴とする請求項２８記載の高分子発光素子。
【請求項３０】
発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含むことを特徴とする請求項２９記載の高分子発光素子。
【請求項３１】
請求項２８〜３０のいずれかに記載の高分子発光素子を含むことを特徴とする面状光源。
【請求項３２】
請求項２８〜３０のいずれかに記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項３３】
請求項２８〜３０のいずれかに記載の高分子発光素子を含むことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項３４】
請求項２８〜３０のいずれかに記載の高分子発光素子を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高分子量の発光材料や電荷輸送材料は溶媒に可溶で塗布法により発光素子における有機層を形成できることから種々検討されている。発光材料や電荷輸送材料として高分子発光素子（高分子ＬＥＤ）等の電子素子に用いることのできる高分子化合物としてポリフルオレン類が知られている（特許文献１）。
【特許文献１】国際公開第９９／５４３８５パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記高分子化合物を発光材料や電荷輸送材料等として用いた素子の素子性能は、実用的には未だ必ずしも満足できる水準のものではなかった。
例えば、上記高分子化合物を用いた高分子ＬＥＤは、その発光効率、発光色の色調等の素子性能において、実用的には、未だ満足できる水準のものではなかった。
本発明の目的は、電子素子の材料として用いた場合素子性能に優れた電子素子を与えることのできる高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
即ち本発明は、下記式（１）で示される化合物の残基の少なくとも一つを含む高分子化合物を提供するものである。
（式１）
2006328387.tif 000002
〔式中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環または非芳香族環を表し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、およびＺ5はそれぞれ独立に、Ｃ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を表し、Ｑは、置換基または水素原子を表し、ｚは０または１を表し、Ａ環とＢ環は互いに、それぞれの環を構成するＺ5以外の原子を共有していてもよく、Ａ環、Ｂ環およびＣ環の一つ以上二つ以下は非芳香族環である。〕
【発明の効果】
【０００５】
本発明の高分子化合物は、電子素子の材料として用いた場合、素子性能に優れた電子素子を与える。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
式（1）において、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環または非芳香族環を表す。
【０００７】
芳香族環としては、環構造中にπ電子が４ｎ+２個含まれるものをがあげられる。具体的には、ベンゼン環、シクロデカンペンタエン環等の芳香族炭化水素環；フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、などの芳香族複素環が挙げられる。
非芳香族環としては、シクロペンタン環、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、シクロヘキサン環、シクロヘキセン環、シクロヘキサジエン環、シクロヘプタン環、シクロヘプテン環、シクロヘプタジエン環、シクロヘプタトリエン環、シクロオクタン環、シクロオクテン環、シクロオクタジエン環、シクロオクタトリエン環、シクロオクタテトラエン環、シクロノナン環、シクロノネン環、シクロノナンジエン環、シクロノナントリエン環、シクロデカン環、シクロデセン環、シクロデカンジエン環、シクロデカントリエン環、シクロデカンテトラエン環、シクロドデカン環、シクロドデセン環、シクロドデカンジエン環、シクロドデカントリエン環、シクロドデカンテトラエン環、シクロドデカンペンタエン環、シクロウンデカン環、シクロウンデセン環、シクロウンデカンジエン環、シクロウンデカントリエン環、シクロウンデカンテトラエン環、シクロウンデカンペンタエン環、シクロウンデカンヘキサエン環などの脂環式環；ピラン環、チオピラン環、などの非芳香族性の複素環が挙げられる。
【０００８】
芳香族環または非芳香族環が置換基を有する場合、置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基およびニトロ基があげられ、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基がさらに好ましい。
【０００９】
ここに、アルキル基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、  ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００１０】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、  ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００１１】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、  ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、  ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００１２】
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【００１３】
アリールオキシ基は、炭素数が通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【００１４】
アリールチオ基は、炭素数が通常３〜６０程度であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００１５】
アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、好ましくは７〜４８であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【００１６】
アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【００１７】
アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基が好ましい。
【００１８】
アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００１９】
アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度であり、その具体的としては、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００２０】
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示される。
【００２１】
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられる。置換シリル基の炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【００２２】
アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００２３】
アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００２４】
アミド基は、炭素数が通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。
【００２５】
酸イミド基は、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が４〜２０程度であり、具体的には以下に示す基などが例示される。
2006328387.tif 000003
【００２６】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、下記構造が示される。
2006328387.tif 000004
2006328387.tif 000005
2006328387.tif 000006
2006328387.tif 000007
2006328387.tif 000008
2006328387.tif 000009
2006328387.tif 000010
上記式において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。
中でも、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが好ましく、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基がさらに好ましい。
【００２７】
置換カルボキシル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、炭素数が通常２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００２８】
上記式(１)中  Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、およびＺ5はそれぞれ独立に、Ｃ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を表し、Ｑは、置換基または水素原子を表し、ｚは０または１を表す。
Ｑにおける置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、フッ素原子、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基およびニトロ基等があげられ、その定義具体例等は、前記のそれらと同様である。
【００２９】
Ａ環とＢ環はそれぞれの環を構成するＺ5以外の環の原子を共有していてもよく、Ａ環、Ｂ環およびＣ環の一つ以上二つ以下は非芳香族環である。
好ましくは、Ａ環とＢ環がＺ5以外に１つの環の原子を共有している場合である。また、非芳香族環が一つの場合が好ましい。
【００３０】
また、本発明の高分子化合物は繰り返し単位として下記式（１−１）〜（１−３）で示さ
れる繰り返し単位を含むことが好ましい。
2006328387.tif 000011
式（１−１）                式（１−２）                式（１−３）
〔式中、Ａ環、Ｂ環およびＣ環はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香族環または非芳香族環を表し、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4およびＺ5はそれぞれ独立にＣ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を表し、Ｑは、置換基または水素原子を表し、ｚは０または１を表し、Ａ環とＢ環はＺ5以外の環の原子を共有していてもよくまた、各環の置換基同士が結合して、さらに環を形成していてもよく、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環のうち、結合手を持たない環の１つ以上が非芳香族環である。〕
【００３１】
式（１−１）で示される繰り返し単位の具体例としては、
【００３２】
2006328387.tif 000012
2006328387.tif 000013
2006328387.tif 000014
2006328387.tif 000015
等およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。
【００３３】
式（１−２）で示される繰り返し単位の具体例としては、
2006328387.tif 000016
2006328387.tif 000017
2006328387.tif 000018
等およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。
【００３４】
式（１−３）で示される繰り返し単位の具体例としては、
2006328387.tif 000019
2006328387.tif 000020
2006328387.tif 000021
2006328387.tif 000022
等およびこれらが置換基を有するものが挙げられる。
【００３５】
上記式（１‐１）〜（１−３）で示される繰り返し単位の中で、Ａ環、Ｂ環およびＣ環を構成する原子（「環を構成する原子」とは環の骨格を形成する原子を指す）は、炭素原子以外に、窒素、酸素、硫黄、けい素、セレン等の原子を含んでいてもよいが、電荷輸送性を調整する観点から、Ａ環、Ｂ環およびＣ環を構成する原子が全て炭素原子であることが好ましい。
【００３６】
高分子化合物の溶解性を高める観点、発光波長を調整する観点、電荷輸送性を調整する観点から、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環のいずれかが置換基を有していることが好ましい。
【００３７】
さらに、電荷輸送性の観点からは、上記式（１−１）、（１−２）で示される構造の繰り返し単位が好ましく、合成のしやすさの観点から、上記式（１−１）で示される構造がさらに好ましい。
【００３８】
さらに、上記式（１−１）が下記式（２−１）であることがより好ましい。
2006328387.tif 000023
式（２−１）
〔式中、Ｒ1およびＲ2はそれぞれ独立に置換基を表し、Ｄ環は置換基を有していてもよい非芳香族環を表し、ａは０〜２の整数を表し、ｂは０〜３の整数を表し、Ｒ1およびＲ2がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ1とＲ2は互いに結合して環を形成していてもよい。また、Ｒ1および／またはＲ2はＤ環と結合して環を形成していてもよく、Ｑおよびｚは前記と同じ意味を表す。〕
【００３９】
上記式（２−１）を含む繰り返し単位が、下記式（３−１）で示される繰り返し単位であることが好ましい。
2006328387.tif 000024
式（３−１）
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｄ環、Ｑ、ｚ、ａおよびｂは前記と同じ意味を表す。〕
【００４０】
式（３−１）で示される繰り返し単位の中で、電荷輸送性を調整する観点から、下記式（４−１）、（４−２）、（４−３）および（４−４）で示されるものがさらに好ましい。
2006328387.tif 000025
式（４−１）                    式(４-２)              
2006328387.tif 000026
式（４−３）                    式（４‐４）
〔式中、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ2a〜Ｒ2cおよびＲ3a〜Ｒ3gは置換基を表す。式（４−１）〜（４−３）において、Ｒ2cとＲ3gは互いに結合して環を形成しても良い。式（４−４）において、Ｒ2cとＲ3eは互いに結合して環を形成していても良い。〕
互いに結合して形成される環としては、芳香族環、非芳香族環等があげられその具体例等は、前記に記載と同様である。
なお、式（4−1）〜（4-３）の単位は、式（3-1）でｚ＝１の場合に含まれ、
式（4-4）の単位は、式（3-1）でｚ＝０の場合に含まれる。
【００４１】
上記式（４−１）で示される繰り返し単位の具体例としては、
【００４２】
2006328387.tif 000027
2006328387.tif 000028
2006328387.tif 000029
が挙げられる。
【００４３】
式（４−２）で示される繰り返し単位の具体例としては、
【００４４】
2006328387.tif 000030
2006328387.tif 000031
2006328387.tif 000032
2006328387.tif 000033
が挙げられる。
【００４５】
式（４−３）で示される繰り返し単位の具体例としては、
【００４６】
2006328387.tif 000034
2006328387.tif 000035
2006328387.tif 000036
が挙げられる。
【００４７】
上記式（４−４）で示される繰り返し単位の具体例としては、
【００４８】
2006328387.tif 000037
2006328387.tif 000038
2006328387.tif 000039
が挙げられる。
【００４９】
式中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基をそれぞれ表す。
【００５０】
上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（２−１）、（３−１）、（４‐１）、（４‐２）、（４‐３）および（４‐４）で示される構造である繰り返し単位の合計は、本発明の高分子化合物が有する全繰り返し単位の合計の通常１モル％以上１００モル％以下であり、５モル％以上１００モル％以下であることが好ましい。
【００５１】
本発明の高分子化合物は、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点等から、上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（２−１）、（３−１）、（４‐１）、（４‐２）、（４‐３）および（４‐４）で示される繰り返し単位に加え、それ以外の繰り返し単位を１種類以上含む共重合体が好ましい。
【００５２】
上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（２−１）、（３−１）、（４‐１）、（４‐２）、（４‐３）および（４‐４）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、下記式（５）、式（６）、式（７）または式（８）で示される繰り返し単位が好ましい。
−Ａｒ1−        （５）
2006328387.tif 000040
−Ａｒ4−Ｘ2−        （７）
−Ｘ3−                  （８）
式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ独立に−ＣＲ9＝ＣＲ10−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ11）−、または−（ＳｉＲ12Ｒ13）m−を示す。Ｒ9およびＲ10は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ11、Ｒ12およびＲ13は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基または置換アミノ基を示す。ｆｆは１または２の整数を示す。mは１〜１２の整数を示す。Ｒ9、Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12およびＲ12がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
【００５３】
ここでアリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常６〜１００程度である。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセン−ジイル基（下図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３５）、スチルベン−ジイル（下図の式Ａ〜Ｄ），  ジスチルベン−ジイル  （下図の式Ｅ，Ｆ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【００５４】
2006328387.tif 000041
【００５５】
2006328387.tif 000042
【００５６】
2006328387.tif 000043
【００５７】
2006328387.tif 000044
【００５８】
2006328387.tif 000045
【００５９】
2006328387.tif 000046
【００６０】
また、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4における２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、該基は置換基を有していてもよい。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。２価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。
置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基が挙げられる。
２価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常３〜６０程度である。また、２価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常３〜１００程度である。
【００６１】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下図の式９９〜１００、１０２〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１１１〜１１２）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１３〜１１９）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下図の式１２０〜１２５）が挙げられる。
【００６２】
2006328387.tif 000047
【００６３】
2006328387.tif 000048
【００６４】
2006328387.tif 000049
【００６５】
2006328387.tif 000050
【００６６】
2006328387.tif 000051
【００６７】
2006328387.tif 000052
【００６８】
2006328387.tif 000053
【００６９】
2006328387.tif 000054
【００７０】
2006328387.tif 000055
【００７１】
2006328387.tif 000056
【００７２】
また、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4における金属錯体構造を有する２価の基とは、有機配位子を有する金属錯体の有機配位子から水素原子を２個除いた残りの２価の基である。
該有機配位子の炭素数は、通常４〜６０程度であり、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
また、該錯体の中心金属としては、例えば、アルミニウム、亜鉛、ベリリウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウム、テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、低分子の蛍光材料、燐光材料として公知の金属錯体、三重項発光錯体などが挙げられる。
【００７３】
金属錯体構造を有する２価の基としては、具体的には、以下の（１２６〜１３２）が例示される。
2006328387.tif 000057
2006328387.tif 000058
2006328387.tif 000059
2006328387.tif 000060
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2006328387.tif 000063
【００７４】
上記の式１〜１３２において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。また、式１〜１３２の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
【００７５】
さらに、上記式（５）、（６）、（７）、（８）で示される繰り返し単位の中では、下記式（９）、式（１０）、式（１１）、式（１２）、式（１３）、または式（１４）で示される繰り返し単位が好ましい。
2006328387.tif 000064
〔式中、Ｒ14は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。nは０〜４の整数を示す。Ｒ14が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000065
〔式中、Ｒ15およびＲ16は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。oおよびpはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ15およびＲ16がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000066
〔式中、Ｒ17およびＲ20は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。qおよびrはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ17およびＲ20が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000067
〔式中、Ｒ21は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。sは０〜２の整数を示す。Ａｒ13およびＡｒ14はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｓｓおよびｔｔはそれぞれ独立に０または１を示す。
Ｘ4は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｅ，またはＴｅを示す。Ｒ21が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006328387.tif 000068
〔式中、Ｒ22およびＲ25は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。tおよびuはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｘ5は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ24、またはＳｉＲ25Ｒ26を示す。Ｘ6およびＸ7は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ27を示す。Ｒ24、Ｒ25、Ｒ26およびＲ27はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。Ｒ22、Ｒ23およびＲ27が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
式（１１）で示される繰り返し単位の中央の５員環の例としては、チアジアゾール、オキサジアゾール、トリアゾール、チオフェン、フラン、シロールなどが挙げられる。
【００７６】
2006328387.tif 000069
〔式中、Ｒ28およびＲ33は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。vおよびwはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31およびＲ36は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ａｒ5はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ28およびＲ33が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
また上記式（６）で示される繰り返し単位の中で、下記式（１５）で示される繰り返し単位が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点からも好ましい。
2006328387.tif 000070
〔式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を示す。Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を示す。Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9、およびＡｒ10は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または１を示し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。〕
【００７７】
上記式（１５）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の（式１３３〜１４０）で示されるものが挙げられる。
2006328387.tif 000071
【００７８】
2006328387.tif 000072
【００７９】
2006328387.tif 000073
【００８０】
上記式においてＲは、前記式１〜１３２のそれと同じである。
溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を１つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
【００８１】
上記式においてＲがアルキルを含む置換基においては、高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるために、１つ以上に環状または分岐のあるアルキルが含まれることが好ましい。
さらに、上記式においてＲがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
【００８２】
上記式（１５）で示される繰り返し単位において、発光波長を調節する観点、素子特性等の観点から、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9がそれぞれ独立にアリーレン基であり、Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12がそれぞれ独立にアリール基を示すものが好ましい。
【００８３】
Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8としては、それぞれ独立に、無置換のフェニレン基、無置換のビフェニル基、無置換のナフチレン基、無置換のアントラセンジイル基である場合が好ましい。
【００８４】
Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12としては、溶解性、発光効率、安定性の観点から、それぞれ独立に、３つ以上の置換基を有するアリール基であるものが好ましく、Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12が置換基を３つ以上有するフェニル基、３つ以上の置換基を有するナフチル基または３つ以上の置換基を有するアントラニル基であるものがより好ましく、Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12が置換基を３つ以上有するフェニル基であるものがさらに好ましい。
【００８５】
中でも、Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12が、それぞれ独立に下記式（１５−１）であるものが好ましい。
2006328387.tif 000074
〔式中、Ｒe、ＲfおよびＲgは、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基またはハロゲン原子を表す。〕
【００８６】
前記式（１５）で示される繰り返し単位において、Ａｒ7が下記式（１５−２）または（１５−３）であることが好ましい。
2006328387.tif 000075
[ここで、(１５−２)、(１５−３)で示される構造に含まれるベンゼン環は、それぞれ独立に１個以上４個以下の置換基を有していてもよい。それら置換基は、互いに同一であっても、異なっていても良い。また、複数の置換基が連結して環を形成していても良い。さらに、該ベンゼン環に隣接して他の芳香族炭化水素環または複素環が結合していても良い。]
【００８７】
上記式（１５）で示される繰り返し単位として、特に好ましい具体例としては、以下の（式１４１〜１４２）で示されるものが挙げられる。
2006328387.tif 000076
〔式中、Ｒｅ〜Ｒｇは前述の通り。〕
【００８８】
上記式においてＲｅ〜Ｒｇは、前記式１〜１３２のそれと同じである。溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を１つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
上記式においてＲがアルキル鎖を含む置換基においては、高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるために、１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。
さらに、上記式においてＲがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
【００８９】
なお、本発明の高分子化合物は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）および式（５）〜式（１５）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、これらの繰り返し単位や他の繰り返し単位が、非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。結合構造としては、以下に示すもの、および以下に示すもののうち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここで、Ｒは前記のものと同じ置換基から選ばれる基であり、Ａｒは炭素数６〜６０個の炭化水素基を示す。
2006328387.tif 000077
【００９０】
本発明の高分子化合物の中では、上記式（１−１）で示される繰り返し単位のみからなるもの、および／または（１−２）で示される繰り返し単位のみからなるもの、および／または（１−３）で示される繰り返し単位のみからなるもの、実質的に上記式（１−１）および／または（１−２）および／または（１−３）と上記式（５）〜（１５）で示される繰り返し単位の１以上とからなるものが好ましい。
【００９１】
また、本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。蛍光またはりん光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【００９２】
また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【００９３】
本発明の高分子化合物においてはその分子鎖末端の少なくとも一方が、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基およびアリール基から選ばれる芳香族末端基であることが好ましい。この芳香族末端基は１種類でも２種類以上であってもよい。芳香族末端基以外の末端基は、蛍光特性や素子特性の観点から、実質的に存在しないことが好ましい。ここで、分子鎖末端とは、本発明の製造方法により高分子化合物の末端に存在する芳香族末端基、重合に用いた単量体の脱離基であって重合時に脱離しないで高分子化合物の末端に存在する脱離基、高分子化合物の末端に存在する単量体に由来する脱離基が外れたものの芳香族末端基が結合しないでかわりに結合した水素原子を言う。これらの分子鎖末端のうち、重合に用いた単量体の脱離基であって重合時に脱離しないで高分子化合物の末端に存在する脱離基、例えば、原料としてハロゲン原子を有する単量体を用いて本発明の高分子化合物を製造する場合等には、ハロゲンが高分子化合物末端に残っていると蛍光特性等が低下する傾向があるため、末端には単量体の脱離基が実質的に残っていないことが好ましい。
【００９４】
高分子化合物においてはその分子鎖末端の少なくとも一方を、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基または式量９０以上のアリール基から選ばれる芳香族末端基で封止することにより、高分子化合物にさまざまな特性を付加することが期待される。具体的には、素子の輝度低下に要する時間を長くする効果、電荷注入性、電荷輸送性、発光特性等を高める効果、共重合体間の相溶性や相互作用を高める効果、アンカー的な効果等などがあげられる。
【００９５】
１価の芳香族アミン基としては、前記式（１５）の構造において２個有する結合手のうちの１つをＲで封止した構造が例示される。
【００９６】
複素環配位金属錯体から誘導される１価の基としては、前述の金属錯体構造を有する２価の基において２個有する結合手のうちの１つをＲで封止した構造が例示される。
【００９７】
本発明の高分子化合物が有する芳香族末端基のなかで、式量９０以上のアリール基としては、炭素数は通常６〜６０程度である。ここにアリール基の式量とは、アリール基を化学式で表したときに、該化学式中の各元素について、それぞれの元素の原子数に原子量を乗じたものの和をいう。  
【００９８】
アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フルオレン構造を有する基、縮合環化合物基などあげられる。
【００９９】
末端を封止するフェニル基としては、例えば
2006328387.tif 000078
があげられる。    
【０１００】
末端を封止するナフチル基としては、例えば、
2006328387.tif 000079
があげられる。    
【０１０１】
アントラセニル基としては、例えば、
2006328387.tif 000080
があげられる。    
【０１０２】
フルオレン構造を含む基としては、例えば、
2006328387.tif 000081
があげられる。
【０１０３】
縮合環化合物基としては、例えば、
2006328387.tif 000082
があげられる。
【０１０４】
電荷注入性、電荷輸送性を高める末端基としては、１価の複素環基、１価の芳香族アミン基、縮合環化合物基が好ましく、１価の複素環基、縮合環化合物基がより好ましい。
【０１０５】
発光特性を高める末端基としては、ナフチル基、アントラセニル基、縮合環化合物基、複素環配位金属錯体から誘導される１価の基が好ましい。
【０１０６】
素子の輝度低下に要する時間を長くする効果がある末端基としては、置換基を有するアリール基が好ましく、アルキル基を１〜３個有するフェニル基が好ましい。
【０１０７】
高分子化合物間の相溶性や相互作用を高める効果がある末端基としては、置換基を有するアリール基が好ましい。また、炭素数６以上のアルキル基が置換したフェニル基を用いることによりアンカー的な効果を奏することができる。アンカー効果とは末端基がポリマーの凝集体に対してアンカー的な役割をし、相互作用を高める効果をいう。
【０１０８】
素子特性を高める基としては、下記構造が好ましい。
2006328387.tif 000083
2006328387.tif 000084
式中のＲは前述のＲが例示される。
【０１０９】
本発明の高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は通常１０3〜１０8程度であり、好ましくは１０4〜１０6である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１０3〜１０8であり、好ましくは１０4〜５×１０6である。
【０１１０】
本発明の高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。
本発明の高分子化合物は、対応する、ポリフルオレン誘導体に比較して、短波長で発光し得る。
【０１１１】
次に本発明の高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明の高分子化合物のなかで、例えば、式（１−１）、（１−２）、（１−３）で示される繰り返し単位を有するものは、それぞれ原料として、少なくとも下記式（１６−１）、（１６−２）および（１６−３）
2006328387.tif 000085
式（１６‐１）                式（１６‐２）            式（１６‐３）
〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｚ1〜Ｚ5は前述の通り。Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5およびＹ6はそれぞれ独立に重合に関与する置換基を表す。〕
で示される化合物を用いて重合させることで製造することができる。
【０１１２】
式（１６‐１）で示される化合物の中で、式（１７‐１）で示される化合物が好ましい。
2006328387.tif 000086
式（１７‐１）
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、ａ、ｂ、Ｄ環、Ｑ、ｚ、Ｙ1およびＹ2は前記と同じ意味を表す。〕
【０１１３】
式（１７−１）で示される化合物の中では、式（１８−１）、（１８−２）、（１８−３）および（１８−４）で示される構造がさらに好ましい。
2006328387.tif 000087
式（１８−１）                式（１８−２）
2006328387.tif 000088
式（１８−３）                式（１８−４）
【０１１４】
また、式（１６−２）で示される化合物の中で、式（１７‐２）で示される化合物が好ましい。
2006328387.tif 000089
式（１７−２）              
〔式中、Ｂ環、Ｃ環、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ4、Ｙ3およびＹ4は前記と同じ意味を表す。Ｚ6、Ｚ7およびＺ8はそれぞれ独立にＣ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を示す。Ｚ1a、Ｚ5aおよびＺ9はそれぞれ独立に炭素原子を示す。Ｑ、およびｚは前記と同じ意味を表す。Ｒ4は置換基を示す。ｅは０〜２の整数を示す。Ｒ4が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ4同士が結合して環を形成していてもよい。〕
【０１１５】
また、式（１６−３）で示される化合物の中で、式（１７‐３）で示される化合物が好ましい。
2006328387.tif 000090
式（１７−３）              
〔式中、Ａ環、Ｂ環、Ｚ1、Ｚ4、Ｚ5、Ｙ5およびＹ6は前記と同じ意味を表す。Ｚ10、Ｚ11、Ｚ12およびＺ13はそれぞれ独立に、Ｃ−（Ｑ）ｚまたは窒素原子を示す。Ｚ2aおよびＺ3aはそれぞれ独立に炭素原子を示す。Ｑ、およびｚは前記と同じ意味を表す。Ｒ5は置換基を示す。ｆは０〜２の整数を示す。Ｒ5が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよく、Ｒ5同士が結合して環を形成していてもよい。〕
【０１１６】
本発明の製造方法において、重合に関与する置換基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、−Ｂ（ＯＨ）2、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等があげられる。
【０１１７】
ここに、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子があげられる。重合度を向上させる観点からは、臭素原子、ヨウ素原子が好ましい。
【０１１８】
アルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。
【０１１９】
ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。
2006328387.tif 000091
式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を示す。
【０１２０】
スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2Ｓ+Ｍｅ2Ｘ-、−ＣＨ2Ｓ+Ｐｈ2Ｘ-
（Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示す。）
【０１２１】
ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2Ｐ+Ｐｈ3Ｘ-  （Ｘはハロゲン原子を示す。）
【０１２２】
ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ2ＰＯ（ＯＲ’）2  （Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ’はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基を示す。）
【０１２３】
モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。
【０１２４】
重合に関与する置換基として好ましい置換基は重合反応の種類によって異なるが、例えばＹａｍａｍｏｔｏカップリング反応など０価ニッケル錯体を用いる場合には、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基が挙げられる。またＳｕｚｕｋｉカップリング反応などニッケル触媒あるいはパラジウム触媒を用いる場合には、アルキルスルホネート基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル基、-Ｂ（ＯＨ）2などが挙げられる。
【０１２５】
特に、式（４−１）の繰り返し単位を有する高分子化合物は、式（４−２）〜（４−４）の繰り返し単位を有する高分子化合物を、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、あるいはこれらを混合した貴金属を活性炭上に担持させた触媒によって水素化しても得ることができる。
【０１２６】
逆に、式（４−２）〜（４−４）の繰り返し単位を有する高分子化合物は、式（４−１）の繰り返し単位を有する高分子化合物を２、３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１、４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）や、塩基条件下で臭素化テトラブチルアンモニウムを用いて酸化することによっても得ることができる。
【０１２７】
また、本発明の高分子化合物が、式（１−１）または式（１−２）または式（１−３）以外の繰り返し単位を有する場合には、式（１−１）または式（１−２）または式（１−３）以外の繰り返し単位となる、２個の重合に関与する置換基を有する化合物を共存させて重合させればよい。
【０１２８】
上記式（１６−１）、（１６−２）または（１６−３）で示される化合物に加えて、下記式（１９）〜（２２）のいずれかで示される化合物を原料として用いることができる。
式（１９）
Ｙ7−Ａｒ1−Ｙ8
式（２０）
2006328387.tif 000092
式（２１）
Ｙ11−Ａｒ4−Ｘ2−Ｙ12
式（２２）
Ｙ13−Ｘ3−Ｙ14
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、ｆｆ、Ｘ1、Ｘ2およびＸ3は前記と同じである。Ｙ7、Ｙ8、Ｙ9、Ｙ10、Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13、Ｙ14はそれぞれ独立に重合可能な置換基を示す。〕
上記式(１−１)、（１−２）または（１−３）で示される単位に加えて、順に（５）、（６）、（７）または（８）の単位を１つ以上有する高分子化合物を製造することができる。
【０１２９】
また、上記式（１−１）、（１−２）または（１−３）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位となる、上記式（１５）に対応する２個の重合に関与する置換基を有する化合物としては、下記式（１５−７）で示される化合物があげられる。
2006328387.tif 000093
〔式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9、Ａｒ10、Ａｒ11、Ａｒ12、ｘおよびｙは前記と同じ。Ｙ15およびＹ16はそれぞれ独立に重合に関与する置換基を示す。〕
さらに好ましくは、式（１５−８）または式（１５−９）で示される化合物である。
2006328387.tif 000094
式（１５−８）                              式（１５−９）
〔式中、Ｒｅ〜Ｒｇは前述の通り。Ｙ17、Ｙ18、Ｙ19、Ｙ20はそれぞれ独立に重合に関与する置換基を示す。〕
【０１３０】
本発明の製造方法は、具体的には、モノマーとなる、縮合重合に関与する置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、  “オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
【０１３１】
本発明の高分子化合物の製造方法において、重合させる方法としては、上記式（１６−１）〜（１６−３）および（２２）〜（２５）で表される化合物の重合に関与する置換基に応じて、既知の重合反応を用いることにより製造できる。
本発明の高分子化合物が重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物が重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Ｈｅｃｋ反応、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応が利用できる。
【０１３２】
また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１３３】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【０１３４】
本発明の製造方法の中で、式（１６−１）、（１６−２）または（１６−３）で示される化合物を単独で、あるいは式（１９）〜（２２）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種類と重合する際に、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7、Ｙ8、Ｙ9、Ｙ10、Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13、Ｙ14、Ｙ15、Ｙ16、Ｙ17、Ｙ18、Ｙ19、Ｙ20がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基であり、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１３５】
また、本発明の製造方法の中で、
式（１６−１）、（１６−２）または（１６−３）で示される化合物を単独で、あるいは式（１９）〜（２２）で示される化合物から選ばれる少なくとも１種類と重合する際に、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4、Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7、Ｙ8、Ｙ9、Ｙ10、Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13、Ｙ14、Ｙ15、Ｙ16、Ｙ17、Ｙ18、Ｙ19、Ｙ20がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、−Ｂ（ＯＨ）2、またはホウ酸エステル基であり、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、−Ｂ（ＯＨ）2およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１（通常  K／J  は０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケルまたはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物またはビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。
【０１３６】
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１３７】
溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，  Ｎ‘，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシドなどのアミド類などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。これらの中で、エーテル類が好ましく、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルがさらに好ましい。
【０１３８】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１３９】
本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１４０】
本発明の高分子化合物の原料として有用な（１６−１）〜（１６−３）、（１７−１）〜（１７−３）および（１８−１）〜（１８−４）は、上記式のＹ1〜Ｙ6を水素原子に置き換えた構造の化合物を臭素化することによって得られる。
【０１４１】
特に、式（１８−１）の構造の化合物は、式（１８−２）〜（１８−４）の構造を有する化合物を、パラジウム、白金、ロジウム、ルテニウム、あるいはこれらを混合した貴金属を活性炭上に担持させた触媒によって水素化しても得ることができる。
【０１４２】
逆に、式（１８−２）〜（１８−４）の構造を有する化合物は、式（１８−１）の構造を有する化合物を２、３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１、４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）や、塩基条件下で臭素化テトラブチルアンモニウムを用いて酸化することによっても得ることができる。
【０１４３】
次に本発明の高分子化合物の用途について説明する。
本発明の高分子化合物は、通常は、固体状態で蛍光または燐光を発し、高分子発光体(高分子量の発光材料)として用いることができる。
また、該高分子化合物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子ＬＥＤは低電圧、高効率で駆動できる高性能の高分子ＬＥＤである。従って、該高分子ＬＥＤは液晶ディスプレイのバックライト、または照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
また、本発明の高分子化合物はレーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることができる。
さらに、蛍光や燐光を発する発光性薄膜材料としても用いることができる。
【０１４４】
次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明する。
本発明の高分子ＬＥＤは、陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が本発明の高分子化合物を含むことを特徴とする。
有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。
【０１４５】
ここに、発光層とは、発光する機能を有する層をいい、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいい、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０１４６】
有機層が発光層である場合、有機層である発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料または発光材料を含んでいてもよい。ここで、発光性材料とは、蛍光および／または燐光を示す材料のことをさす。
本発明の高分子化合物と正孔輸送材料と混合する場合には、その混合物全体
に対して、正孔輸送材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と電子輸送材料を混合する場合には、その混合物全体に対して電子輸送材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。さらに、本発明の高分子化合物と発光材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光材料の混合割合は１ｗｔ％〜８０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜６０ｗｔ％である。本発明の高分子化合物と発光材料、正孔輸送材料および／または電子輸送材料を混合する場合にはその混合物全体に対して発光材料の混合割合は１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、正孔輸送材料と電子輸送材料はそれらの合計で１ｗｔ％〜５０ｗｔ％であり、好ましくは５ｗｔ％〜４０ｗｔ％であり、本発明の高分子化合物の含有量は９９ｗｔ％〜２０ｗｔ％である。
【０１４７】
混合する正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料は公知の低分子化合物、三重項発光錯体、または高分子化合物が使用できるが、高分子化合物を用いることが好ましい。  高分子化合物の正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料としては、ＷＯ９９／１３６９２、ＷＯ９９／４８１６０、ＧＢ２３４０３０４Ａ、ＷＯ００／５３６５６、ＷＯ０１／１９８３４、ＷＯ００／５５９２７、ＧＢ２３４８３１６、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ００／０６６６５、ＷＯ９９／５４９４３、ＷＯ９９／５４３８５、ＵＳ５７７７０７０、ＷＯ９８／０６７７３、ＷＯ９７／０５１８４、ＷＯ００／３５９８７、ＷＯ００／５３６５５、ＷＯ０１／３４７２２、ＷＯ９９／２４５２６、ＷＯ００／２２０２７、ＷＯ００／２２０２６、ＷＯ９８／２７１３６、ＵＳ５７３６３６、ＷＯ９８／２１２６２、ＵＳ５７４１９２１、ＷＯ９７／０９３９４、ＷＯ９６／２９３５６、ＷＯ９６／１０６１７、ＥＰ０７０７０２０、ＷＯ９５／０７９５５、特開平２００１−１８１６１８、特開平２００１−１２３１５６、特開平２００１−３０４５、特開平２０００−３５１９６７、特開平２０００−３０３０６６、特開平２０００−２９９１８９、特開平２０００−２５２０６５、特開平２０００−１３６３７９、特開平２０００−１０４０５７、特開平２０００−８０１６７、特開平１０−３２４８７０、特開平１０−１１４８９１、特開平９−１１１２３３、特開平９−４５４７８等に開示されているポリフルオレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレン、その誘導体および共重合体、ポリアリーレンビニレン、その誘導体および共重合体、芳香族アミンおよびその誘導体の（共）重合体が例示される。
低分子化合物の蛍光性材料としでは、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０１４８】
三重項発光錯体としては、例えば、イリジウムを中心金属とするIr(ppy)3、Btp2Ir(acac)、白金を中心金属とするPtOEP、ユーロピウムを中心金属とするEu(TTA)3phen等が挙げられる。
【０１４９】
2006328387.tif 000095
【０１５０】
2006328387.tif 000096
【０１５１】
2006328387.tif 000097
【０１５２】
2006328387.tif 000098
三重項発光錯体として具体的には、例えばNature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852 、Jpn.J.Appl.Phys.,34, 1883 (1995)などに記載されている。
【０１５３】
本発明の組成物は、正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物を含有し、発光材料や電荷輸送材料として用いることができる。
その正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料と本発明の高分子化合物の含有比率は、用途に応じて決めればよい。
【０１５４】
本発明の別の実施態様としては、本発明の高分子化合物を２種類以上含む高分子組成物が例示される。
【０１５５】
本発明の高分子ＬＥＤが有する発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよい。例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１５６】
発光層の形成方法としては、例えば、溶液からの成膜による方法が例示される。高分子ＬＥＤ作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。
溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【０１５７】
印刷法等で用いる溶液としては本発明のインク組成物を用いることができる。
本発明のインク組成物は、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物と溶媒とが含有されていればよく、また本発明の高分子化合物以外に正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。
本発明のインク組成物は、素子作製時において液状であり、典型的には、常圧（即ち、１気圧）、25℃において液状のものを意味する。
また、本発明のインク組成物は必ずしも有色であることを要しない。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた該インク組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中の溶媒の割合は、該インク組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、さらに好ましく９０ｗｔ％〜９９．８ｗｔ％である。
該インク組成物（溶液）の粘度は印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法など溶液が吐出装置中を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【０１５８】
本発明のインク組成物に用いる溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。
【０１５９】
溶媒の種類としては、本発明の高分子化合物の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
【０１６０】
インク組成物の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
【０１６１】
インク組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物が溶解することが好ましい。
【０１６２】
インク組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物が溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物が溶解することが好ましい。
【０１６３】
インク組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度および成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、インク組成物の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることがさらに好ましい。
【０１６４】
本発明のインク組成物としては、粘度および成膜性の観点から、アニソールおよびビシクロヘキシルからなる組成物、アニソールおよびシクロヘキシルベンゼンからなる組成物、キシレンおよびビシクロヘキシルからなる組成物、キシレンおよびシクロヘキシルベンゼンからなる組成物、メシチレンおよびメチルベンゾエートからなる組成物が好ましい。
【０１６５】
本発明のインク組成物が含むことができる添加剤のなかで、
正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体があげられる。
電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体があげられる。
発光材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などがあげられる。
【０１６６】
本発明のインク組成物（溶液）は、本発明の高分子化合物の他に、粘度および/または表面張力を調節するための添加剤を含有していても良い。該添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すれば良い。
【０１６７】
前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良い。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、あるいは本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。
貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すれば良い。
【０１６８】
また、本発明のインク組成物（溶液）は、保存安定性を改善するために、本発明の高分子化合物の他に、酸化防止剤を含有していても良い。酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良く、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。
【０１６９】
本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、高分子化合物の溶解度パラメータとの差が１０以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましい。
【０１７０】
溶媒の溶解度パラメーターと本発明の高分子化合物の溶解度パラメーターは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、１９７６年）」に記載の方法で求めることができる。
【０１７１】
本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
【０１７２】
例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１７３】
本発明の高分子ＬＥＤとしては、本発明の高分子化合物が正孔輸送層および／または電子輸送層に含まれているものも含む。
本発明の高分子化合物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が正孔輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、芳香族アミンとの共重合体、スチルベンとの共重合体などが例示される。
また、本発明の高分子化合物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の高分子化合物が電子輸送性基を含む高分子化合物であることが好ましく、その具体例としては、オキサジアゾールとの共重合体、トリアゾールとの共重合体、キノリンとの共重合体、キノキサリンとの共重合体、ベンゾチアジアゾールとの共重合体などが例示される。
【０１７４】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
【０１７５】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１７６】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。
【０１７７】
また、低分子化合物の正孔輸送材料としてはピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０１７８】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０１７９】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０１８０】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０１８１】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０１８２】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０１８３】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１８４】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１８５】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１８６】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【０１８７】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１８８】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０１８９】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、上記の高分子バインダーを併用してもよい。
【０１９０】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０１９１】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１９２】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１９３】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０１９４】
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０１９５】
本発明の高分子化合物は、有機半導体薄膜として高分子電界効果トランジスタとしても用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極およびドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
【０１９６】
高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板の材質としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。
【０１９７】
電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば特開平５−１１００６９号公報記載の方法により製造することができる。
【０１９８】
活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の高分子を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。高分子を有機溶剤に溶解した溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。
【０１９９】
高分子電界効果トランジスタを作成後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界トランジスタの特性の低下を抑えることができる。
封止する方法としては、ＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のＳｉＯＮｘ膜などでカバーする方法、ガラス板やフィルムをＵＶ硬化樹脂、熱硬化樹脂などで張り合わせる方法などがあげられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作成後封止するまでの工程を大気に曝すことなく（例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中など）行うことが好ましい。
【０２００】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０２０１】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０２０２】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1以下がさらに好ましい。
【０２０３】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０２０４】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０２０５】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０２０６】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０２０７】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【０２０８】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０２０９】
通常本発明の高分子ＬＥＤが有する陽極および陰極の少なくとも一方が透明または半透明である。陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２１０】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２１１】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【０２１２】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２１３】
本発明の高分子ＬＥＤは面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置（例えば液晶表示装置のバックライト）に用いることができる。
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０２１４】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【実施例】
【０２１５】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２１６】
（数平均分子量および重量平均分子量）
ここで、数平均分子量および重量平均分子量については、ＧＰＣ（島津製作所製：ＬＣ−１０Ａｖｐ）によりポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量を求めた。測定する重合体は、約０．５ｗｔ％の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、ＧＰＣに５０μＬ注入した。ＧＰＣの移動相はテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／ｍｉｎの流速で流した。カラムは、ＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ  ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
【０２１７】
(蛍光スペクトル)
蛍光スペクトルの測定は以下の方法で行った。重合体の０．８ｗｔ％溶液を石英上にスピンコートして重合体の薄膜を作製した。この薄膜を３５０ｎｍの波長で励起し、蛍光分光光度計（堀場製作所製Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ）を用いて蛍光スペクトルを測定した。薄膜での相対的な蛍光強度を得るために、水のラマン線の強度を標準に、波数プロットした蛍光スペクトルをスペクトル測定範囲で積分して、分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製  Ｃａｒｙ５Ｅ）を用いて測定した、励起波長での吸光度で割り付けた値を求めた。
【０２１８】
（ＨＰＬＣ測定）
測定機器：Ａｇｉｌｅｎｔ  １１００ＬＣ
測定条件：Ｌ−Ｃｏｌｕｍｎ  ＯＤＳ、５μｍ、２．１ｍｍ×１５０ｍｍ；
Ａ液：アセトニトリル、Ｂ液：ＴＨＦ
グラジエント
Ｂ液：
０％（６０ｍｉｎ．）→１０％ｕｐ／ｍｉｎ→１００％（１０ｍｉｎ）、
サンプル濃度：５．０ｍｇ／ｍＬ（ＴＨＦ溶液）、
注入量：１μＬ
検出波長：３５０ｎｍ
【０２１９】
合成例１
（１−ブロモ−４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルベンゼンの合成）
2006328387.tif 000099
不活性雰囲気下で、５００ｍｌの３つ口フラスコに酢酸２２５ｇを入れ、５−ｔ−ブチル−ｍ−キシレン２４．３ｇを加えた。続いて臭素３１．２ｇを加えた後、１５〜２０℃で３時間反応させた。
反応液を水５００ｍｌに加え析出した沈殿をろ過した。水２５０ｍｌで２回洗浄し、白色の固体３４．２ｇを得た。
【０２２０】
＜Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミンの合成＞
2006328387.tif 000100
不活性雰囲気下で、１００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン３６ｍｌを入れ、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン０．６３ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム  ０．４１ｇ、１−ブロモ−４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルベンゼン９．６ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム５．２ｇ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−１，４−フェニレンジアミン４．７ｇを加えた後、１００℃で３時間反応させた。
反応液を飽和食塩水３００ｍｌに加え、約５０℃に温めたクロロホルム３００ｍｌで抽出した。溶媒を留去した後、トルエン１００ｍｌを加えて、固体が溶解するまで加熱、放冷した後、沈殿をろ過し、白色の固体９．９ｇを得た。
【０２２１】
＜Ｎ，Ｎ’− ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミンの合成＞
2006328387.tif 000101
不活性雰囲気下で、１０００ｍｌの３つ口フラスコに脱水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３５０ｍｌを入れ、，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン５．２ｇを溶解した後、氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド３．５ｇ／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶液を滴下し、一昼夜反応させた。
反応液に水１５０ｍｌを加え、析出した沈殿をろ過し、メタノール５０ｍｌで２回洗浄し白色の固体４．４ｇを得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＴＨＦ−ｄ８）：
δ(ｐｐｍ)  ＝  １．３〔ｓ，１８Ｈ〕、２．０〔ｓ，１２Ｈ〕、６．６〜６．７〔ｄ，４Ｈ〕、６．８〜６．９〔ｂｒ，４Ｈ〕、７．１〔ｓ，４Ｈ〕、７．２〜７．３〔ｄ，４Ｈ〕
ＭＳ（ＦＤ+）Ｍ+  ７３８
【０２２２】
合成例２
＜Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ‐ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジンの合成＞
2006328387.tif 000102
不活性雰囲気下で、３００ｍｌの３つ口フラスコに脱気した脱水トルエン１６６０ｍｌを入れ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン２７５．０ｇ、４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルブロモベンゼン４４９．０ｇを加えた。続いてトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム  ７．４８ｇ、ｔ−ブトキシナトリウム１９６．４ｇ、を加えた後、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン５．０ｇを加えた。その後、１０５℃で７時間反応させた。
反応液にトルエン２０００ｍｌを加え、セライト濾過し、濾液を水１０００ｍｌで３回洗浄した後、７００ｍｌまで濃縮した。これにトルエン／メタノール（１：１）溶液１６００ｍｌを加え、析出した結晶を濾過し、メタノールで洗浄した。白色の固体４７９．４ｇを得た。
＜Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ‐ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジンの合成＞
2006328387.tif 000103
不活性雰囲気下で、クロロホルム４７３０ｇに、上記Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジン４７２．８ｇを溶解した後、遮光および氷浴下でＮ−ブロモスクシンイミド２８１．８ｇを１２分割で１時間かけて仕込み、３時間反応させた。
クロロホルム１４３９ｍｌを反応液に加え、濾過し、濾液のクロロホルム溶液を５％チオ硫酸ナトリウム２１５９ｍｌで洗浄し、トルエンを溶媒留去して白色結晶を得た。得られた白色結晶をトルエン／エタノールで再結晶し、白色結晶６７８．７ｇを得た。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+  ８１５．２
【０２２３】
実施例１＜化合物Ｂの合成＞
（化合物Ａの合成）
2006328387.tif 000104
（化合物Ａ）
反応容器にイオン交換水３１ｍｌを入れ、撹拌しながら水酸化ナトリウム２９ｇを（７２７ｍｍｏｌ）を少しずつ加え、完全に溶かす。系内をアルゴン置換し、トルエン３０ｍｌと１、２、３、１０ｂ−テトラヒドロフルオランテン５.０ｇ（２４ｍｍｏｌ）を入れ、撹拌して溶かす。続いて臭化テトラブチルアンモニウム２.３ｇ（７.３ｍｍｏｌ）と臭化オクチル９．４ｇ（４８ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で３時間反応させた。トルエンと水で分液、有機層を抽出後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、淡黄色の結晶を６．４５ｇ得た。
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））  ３１８（［Ｍ＋Ｈ］+）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）δ７．６９（１Ｈ，ｄ）、７．５０（１Ｈ，ｄ）、７．４０（１Ｈ，ｄ）、７．３４〜７．２２（３Ｈ，ｍ）、７．０３（１Ｈ，ｄ）、３．０７〜２．９６（１Ｈ，ｍ）、２．７７〜２．７０（１Ｈ，ｍ）、２．３７〜２．１８（２Ｈ，ｍ）、１．９５〜１．７４（３Ｈ，ｍ）、１．２７〜１．０４（１１Ｈ，ｍ）、０．８４〜０．６９（５Ｈ，ｍ）
【０２２４】
（化合物Ｂの合成）
2006328387.tif 000105
（化合物Ｂ）
アルゴン置換した反応容器に化合物Ａ５．８ｇ（１８ｍｍｏｌ）と酢酸：ジクロロメタン＝１：１の混合溶媒１１５ｍｌを入れ、室温で撹拌し溶かした。続いて三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム１４ｇ（３６ｍｍｏｌ）を入れ、撹拌しながら塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完全に解けるまで加えた。反応をＨＰＬＣで追跡しつつ、適宜三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムと塩化亜鉛を加えた。反応終了後、クロロホルムと水で分液、有機層を抽出し、２回水洗後、炭酸カリウム水溶液で中和した。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製後、エタノール：ヘキサン＝１０：１混合溶媒から再結晶し、化合物Ｂを白色の粉末として５．０８ｇ得た。
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））  ４７６（Ｍ+）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）δ７．５３〜７．４３（４Ｈ，ｍ）、７．３３（１Ｈ，ｄ）、２．９０〜２．８４（２Ｈ，ｍ）、２．３３〜２．２２（２Ｈ，ｍ）、２．０５〜１．９６（１Ｈ，ｍ）、１．８３〜１．６４（２Ｈ，ｍ）、１．３２〜１．０５（１３Ｈ，ｍ）、０．８５〜０．８１（３Ｈ，ｍ）
【０２２５】
実施例２
（高分子化合物１の合成）
化合物Ｂ（０．１ｇ）、２，２’−ビピリジル（０．０８９ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１９ｍＬに溶解した後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（０．１５６ｇ）を加え、６０℃まで昇温し、３時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１ｍＬ／メタノール１９ｍＬ／イオン交換水１９ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物１と呼ぶ）の収量は０．０８ｇであった。またポリスチレン換算の数平均分子量は２．９×１０4、重量平均分子量は６．１×１０4であった。
【０２２６】
実施例３
＜高分子化合物２の合成＞  
化合物Ｂ（０．５５７ｇ）、Ｎ，Ｎ’− ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（０．０９６ｇ）、２，２’−ビピリジル（０．５４８ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１４０ｍＬに溶解した後、アルゴンでバブリングして系内を窒素置換した。６０℃まで昇温後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（０．９６５ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水５ｍＬ／メタノール１４０ｍＬ／イオン交換水１４０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン４０ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１．６ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水８０ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。つづいて４％アンモニア水８０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約８０ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール１６０ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物２と呼ぶ）の収量は０．３３ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．６ｘ１０4、Ｍｗ＝８．７ｘ１０4であった。
【０２２７】
実施例４
＜高分子化合物３の合成＞
化合物Ｂ（０．４３３ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ‐ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジン（０．３１８ｇ）、２，２’−ビピリジル（０．５４８ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１４０ｍＬに溶解した後、アルゴンでバブリングして系内を窒素置換した。６０℃まで昇温後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（０．９６５ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水５ｍＬ／メタノール１４０ｍＬ／イオン交換水１４０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン４０ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１．６ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水８０ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。つづいて４％アンモニア水８０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約８０ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール１６０ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物３と呼ぶ）の収量は０．４６ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．０ｘ１０4、Ｍｗ＝６．１ｘ１０4であった。
【０２２８】
実施例５
＜高分子化合物４の合成＞
化合物Ｂ（０．５８８ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ‐ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−ベンジジン（０．０５３ｇ）、２，２’−ビピリジル（０．５４８ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン１４０ｍＬに溶解した後、アルゴンでバブリングして系内を窒素置換した。６０℃まで昇温後、窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（０．９６５ｇ）を加え、攪拌し、３時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水５ｍＬ／メタノール１４０ｍＬ／イオン交換水１４０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン４０ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１．６ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水８０ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。つづいて４％アンモニア水８０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約８０ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール１６０ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物４と呼ぶ）の収量は０．３１ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝２．５ｘ１０4、Ｍｗ＝１．２ｘ１０5であった。
【０２２９】
実施例６＜ＥＬ素子の作成と性能＞
（溶液の調整）
上記で得た高分子化合物２をトルエンに溶解し、ポリマー濃度１．８重量％のトルエン溶液を作製した。
【０２３０】
（ＥＬ素子の作製）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板上に、ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸（Ｂａｙｅｒ製、ＢａｙｔｒｏｎＰ  ＡＩ４０８３）の懸濁液を０．２μｍメンブランフィルターで濾過した液を用いて、スピンコートにより７０ｎｍの厚みで薄膜を形成し、ホットプレート上で２００℃、１０分間乾燥した。次に、上記で得たトルエン溶液を用いて、スピンコートにより３４００ｒｐｍの回転速度で成膜した。成膜後の膜厚は約９５ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、フッ化リチウムを約４ｎｍ蒸着し、陰極としてカルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着してＥＬ素子を作製した。なお真空度が１×１０-4Ｐａ以下に到達した後に金属の蒸着を開始した。
【０２３１】
（ＥＬ素子の性能）
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４５５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光色をＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値で示すとｘ＝０．１５０、ｙ＝０．１２８であり、非常に良好な青色を示した。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。また該素子は５．２Vから発光開始が見られた。発光効率は測定した印加電圧の範囲（０V〜１２V）では単調に増加するものであったが、１２Vでの値は１．０２ｃｄ／ｍ2と比較的高い効率を示した。
【０２３２】
実施例７＜ＥＬ素子の作成と性能＞
（溶液の調整）
上記で得た高分子化合物４を９０重量％、高分子化合物３を１０重量％の比率でトルエンに溶解し、ポリマー濃度１．８重量％のトルエン溶液を作製した。
【０２３３】
（ＥＬ素子の作製）
上記で得たトルエン溶液を用いる以外は実施例６に記載の方法と全く同様にＥＬ素子を作成した。なお、ポリマー溶液のスピンコートにおける回転数は３３００ｒｐｍであり、ポリマー膜の成膜後の膜厚は９５ｎｍであった。
【０２３４】
（ＥＬ素子の性能）
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光色をＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値で示すとｘ＝０．１５５、ｙ＝０．０７２であり、非常に良好な青色を示した。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。また該素子は５．５Vから発光開始が見られた。発光効率は測定した印加電圧の範囲（０V〜１２V）では単調に増加するものであったが、１２Vでの値は０．２２ｃｄ／ｍ2と比較的高い効率を示した。
【０２３５】
実施例８＜ＥＬ素子の作成と性能＞
（溶液の調整）
上記で得た高分子化合物４をトルエンに溶解し、ポリマー濃度１．８重量％のトルエン溶液を作製した。
【０２３６】
（ＥＬ素子の作成）
上記で得たトルエン溶液を用いる以外は実施例６に記載の方法と全く同様にＥＬ素子を作成した。なお、ポリマー溶液のスピンコートにおける回転数は２５００ｒｐｍであり、ポリマー膜の成膜後の膜厚は９０ｎｍであった。
【０２３７】
（ＥＬ素子の性能）
得られた素子に電圧を印加することにより、この素子から４２５ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光色をＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値で示すとｘ＝０．１５５、ｙ＝０．０７４であり、非常に良好な青色を示した。ＥＬ発光の強度は電流密度にほぼ比例していた。また該素子は５．８Vから発光開始が見られた。発光効率は測定した印加電圧の範囲（０V〜１２V）では単調に増加するものであったが、１２Vでの値は０．５７ｃｄ／ｍ2と比較的高い効率を示した。
【０２３８】
実施例９＜化合物Ｄの合成＞
（化合物Ｃの合成）
（化合物Ｃ）
2006328387.tif 000106
反応容器にイオン交換水３１ｍｌを入れ、撹拌しながら水酸化ナトリウム２９ｇを（７２７ｍｍｏｌ）を少しずつ加え、完全に溶かす。系内をアルゴン置換し、トルエン３０ｍｌと１、２、３、１０ｂ−テトラヒドロフルオランテン５.０ｇ（２４ｍｍｏｌ）を入れ、撹拌して溶かす。続いて臭化テトラブチルアンモニウム２.３ｇ（７.３ｍｍｏｌ）と２-エチルヘキシルブロミド９．４ｇ（４８ｍｍｏｌ）を加えて４０℃で３時間反応させた。トルエンと水で分液、有機層を抽出後、硫酸ナトリウムで乾燥させた。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、黄色のオイルを６.８８ｇ得た。
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））  ３１８（［Ｍ＋Ｈ］+）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）δ７．６９（１Ｈ，ｄ）、７．５０（１Ｈ，ｄ）、７．４０（１Ｈ，ｄ）、７．３３〜７．２２（３Ｈ，ｍ）、７．０２（１Ｈ，ｄ）、３．０７〜２．９６（１Ｈ，ｍ）、２．７９〜２．７１（１Ｈ，ｍ）、２．３６〜２．２２（２Ｈ，ｍ）、２．１０〜１．９９（１Ｈ，ｍ）、１．９３〜１．７６（２Ｈ，ｍ）、１．２４〜１．１５（１Ｈ，ｍ）、０．８８〜０．３７（９Ｈ，ｍ）
【０２３９】
（化合物Ｄの合成）
（化合物Ｄ）
2006328387.tif 000107
アルゴン置換した反応容器に化合物Ｃ６．８ｇ（２１ｍｍｏｌ）、塩化亜鉛６.７ｇ（４９ｍｍｏｌ）および酢酸：ジクロロメタン＝１：１の混合溶媒１３４ｍｌを入れ、室温で撹拌した。続いて三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム１８ｇ（４７ｍｍｏｌ）をジクロロメタン１５０ｍｌに溶かして滴下した。滴下終了後、室温で２時間、続けて４０℃および５０℃で各３０分ずつ反応させた後、クロロホルムと５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止した。クロロホルムと水で分液、有機層を抽出し、２回水洗後、炭酸カリウム水溶液で中和した。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去し、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで３回精製することにより、化合物Ｄを黄色のオイル（室温で放置するとゆっくり白色結晶化）として１．７３ｇ得た。
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））  ４７６（Ｍ+）
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）δ７．５２〜７．４２（４Ｈ，ｍ）、７．３３（１Ｈ，ｄ）、３．００〜２．８０（２Ｈ，ｍ）、２．４０〜２．２０（２Ｈ，ｍ）、２．０２〜１．８９（２Ｈ，ｍ）、１．７５〜１．７０（１Ｈ，ｍ）、１．３１〜１．１５（２Ｈ，ｍ）、０．９６〜０．３９（８Ｈ，ｍ）
【０２４０】
実施例１０＜高分子化合物５の合成＞
窒素雰囲気下、化合物Ｄ（０．４７６ｇ）、２，２’−ビピリジル（０．４２２ｇ）を脱水したテトラヒドロフラン７２ｍＬに溶解した後、撹拌して溶解させた。この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（０．７４３ｇ）を加え、攪拌し、６０℃で３時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水４ｍＬ／メタノール７２ｍＬ／イオン交換水７２ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン２０ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト１．６ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に５．２％塩酸水４０ｍＬを加え３時間攪拌した後に水層を除去した。つづいて４％アンモニア水４０ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約４０ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール８０ｍｌに注加して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物５と呼ぶ）の収量は０．１７ｇであった。また、ポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．１ｘ１０5、Ｍｗ＝３．２ｘ１０5であった。  
【０２４１】
比較例１
＜高分子化合物６の合成＞
２，７−ジブロモ−９，９−ジオクチルフルオレン０．２２ｇ（０．４０ｍｍｏｌ）とＮ，Ｎ’− ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｔ−ブチル−２，６−ジメチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン０．２０ｇ（０．２７ｍｍｏｌ）と２、２’−ビピリジル０．２４ｇ（１．５ｍｍｏｌ）を反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）２０ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を０．４２ｇ（１．５ｍｍｏｌ）加え、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。この沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥した。次に、この沈殿をトルエン５０ｍＬに溶解し、１Ｎ塩酸５０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有機層に４％アンモニア水５０ｍＬを加え、１時間攪拌した後に水層を除去した。有機層はメタノール１２０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン４０ｍＬに溶解させた。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール１２０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥させた。得られた高分子化合物６の収量は０．０９４ｇであった。
高分子化合物６のポリスチレン換算数平均分子量は、２．０ｘ１０4であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．１ｘ１０5であった。
【０２４２】
比較例２＜ＥＬ素子の作成と性能＞
（溶液の調整）
上記で得た高分子化合物６をクロロホルムに溶解し、ポリマー濃度１．８重量％のクロロホルム溶液を作製した。
【０２４３】
（ＥＬ素子の作成）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記調製したクロロホルム溶液を用いてスピンコートにより２５００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、ＬｉＦを約４ｎｍ、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。
【０２４４】
（ＥＬ素子の性能）
得られた素子に電圧を引加することにより、４４８ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。ＥＬ発光色をＣ．Ｉ．Ｅ．色座標値で示すとｘ＝０．１５５、ｙ＝０．１３３であった。該素子は約１０Ｖで最大発光効率を示し、その値は０．１４ｃｄ／Ａであった。