(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品を樹脂封止して端面電極を有するチップ部品とするうえで、トランスファモ−ルド法の熱や圧力に耐えて非貫通導通穴の穴内に封止樹脂の侵入を阻止する方法を提供する。【解決手段】非貫通導通穴７の穴内の略上半部に充填された絶縁樹脂６と、この非貫通導通穴内に充填された絶縁樹脂の下端面は非貫通導通穴の下端から略均一な深さで陥没している端面電極９を形成する配線基板１とする。  また、端面電極を形成するための非貫通導通穴は、該非貫通導通穴の上端面の穴径が該非貫通導通穴の下端面の穴径より大きくすることもできる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の分割切断線上に端面電極を形成するための非貫通導通穴を配置する配線基板において、この端面電極用の非貫通導通穴は配線基板の上面導体と下面導体を電気的に接続する該非貫通導通穴のスルーホールめっきと、該非貫通導通穴の穴内の略上半部に充填された絶縁樹脂と、該非貫通導通穴の穴内の略下半部の穴壁面に露呈している金属導体と、からなる非貫通導通穴であり、前記の穴内に充填された絶縁樹脂の下端面は該非貫通導通穴の下端から略均一な深さで陥没していることを特徴とする端面電極を形成する配線基板。
【請求項２】
前記の請求項１において、端面電極を形成するための非貫通導通穴は、該非貫通導通穴の上端面の穴径（Ｄ１）が該非貫通導通穴の下端面の穴径（Ｄ２）より大きいことを特徴とする端面電極を形成する配線基板。
【請求項３】
複数の分割切断線上に端面電極を形成するための非貫通導通穴を配置する大版の配線基板において、この大版の配線基板の上面に電子部品又は電子部品素子を実装し、前記の電子部品又は電子部品素子と前記配線基板の上面全体を樹脂封止した後、該非貫通導通穴の略中心の分割切断線で切断して端面電極を形成することを特徴とする請求項１、請求項２の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板に関するもので、特に端面電極用の非貫通導通穴を有し、電子部品又は電子部品素子を実装する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来は配線基板に端面電極を形成する場合、プリント配線板の外形側面の近傍に一直線上に貫通導通穴（一般的に、めっきスルーホールと呼ぶ）を設け、配線基板の上下面の導体パタ−ンを電気的に接続する貫通導通穴のほぼ中心線で分割切断して、この分割した貫通導通穴の内部が半円筒状で外部に露呈した端面電極を形成する。
配線基板に電子部品素子、電子部品を実装し、その後配線基板の配線パタ−ンや電子部品素子、電子部品を樹脂モ−ルドして樹脂封止をし端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、貫通導通穴の内部に封止樹脂が侵入しないように貫通導通穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材（フィルム、テ−プ、基材など）を設けなければならない。
【０００３】
その一例として、特開平１１−２５１７０４号公報に開示されている端面電極用の配線基板がある。
これは、貫通導通穴の上面側に封止樹脂の侵入を阻止する部材に絶縁膜を使用するものである。
貫通導通穴の上面を塞ぐ部材が絶縁テ−プ、フィルム状などの絶縁膜は通常薄い絶縁性被膜であるため、実装した電子部品素子や電子部品を樹脂で封止する圧力が高くなると、この圧力によって絶縁性被膜が陥没したり、破けたり、貫通スルーホールの内部に封止樹脂が侵入する。
この薄い絶縁性被膜は、機械的強度が不足し、樹脂で封止する熱や圧力が高いトランスファモ−ルド法では、高い圧力と熱によって非貫通導通穴の薄い被膜が陥没したり、破損して端面電極の品質不良となっていた。
【特許文献１】特開平１１−２５１７０４号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板に電子部品素子、電子部品を実装し、その後実装した電子部品素子や電子部品を樹脂封止して端面電極を有するモ−ルドチップ部品とするには、基板に設けた貫通スルーホールの内部に封止樹脂が侵入しないように貫通導通穴の上面側に樹脂の侵入を阻止する部材（絶縁テ−プ、フィルム状、シ−ト状などの阻止部材）を設けなければならない。
【０００５】
上記の阻止部材を張り合わせる為、高密度化や端面電極の低背化、薄厚化が悪くなっていた。
特に、最近ではモ−ルドチップ部品の小型高密度化、低背化、薄厚化、および端面電極の高い接続信頼性が要求されている。
本発明は特に、薄型高密度のモ−ルド樹脂部品を高温高圧で大量生産するトランスファモ−ルド法の熱や圧力に耐えうる樹脂の侵入を阻止する部材構造と、高い電気的及びはんだ接続信頼性の端面電極とする。
【０００６】
従って、配線基板の部品搭載面の上部外層導体と下面外層導体とを電気的に接続し、トランスファモ−ルド法の熱や圧力に耐えうる樹脂の侵入を阻止する部材を非貫通導通穴の穴内のほぼ上半部に充填した非貫通導通穴を分割切断して、この非貫通導通穴の穴内のほぼ下半部の穴壁面に露呈している金属導体を端面電極として利用する配線基板である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、請求項１では、複数の分割切断線上に端面電極を形成するための非貫通導通穴を配置する配線基板において、この端面電極用の非貫通導通穴は配線基板の上面導体と下面導体を電気的に接続する該非貫通導通穴のスルーホールめっきと、該非貫通導通穴の穴内の略上半部に充填された絶縁樹脂と、該非貫通導通穴の穴内の略下半部の穴壁面に露呈している金属導体と、からなる非貫通導通穴であり、前記の穴内に充填された絶縁樹脂の下端面は該非貫通導通穴の下端から略均一な深さで陥没している端面電極を形成する配線基板である。
【０００８】
請求項２では、前記の請求項１において、端面電極を形成するための非貫通導通穴は、該非貫通導通穴の上端面の穴径（Ｄ１）が該非貫通導通穴の下端面の穴径（Ｄ２）より大きくして、配線基板の上面に電子部品又は電子部品素子を実装した後、トランスファモ−ルド法の上面側からの高温高圧の樹脂封止加重に耐えうる端面電極を形成する非貫通導通穴とするものである。
【０００９】
また、請求項３では、複数の分割切断線上に端面電極を形成するための非貫通導通穴を配置する大版の配線基板において、この大版の配線基板の上面に電子部品又は電子部品素子を実装し、前記の電子部品又は電子部品素子と前記配線基板の上面全体を樹脂封止した後、上面を樹脂封止した該非貫通導通穴の略中心の分割切断線で切断して端面電極を形成するための請求項１、請求項２の配線基板とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
請求項１の発明は、配線基板の貫通導通穴の穴内に絶縁樹脂を充填する非貫通導通穴ため、チップ部品の小型高密度化、低背化、薄厚化が可能となり、さらに穴埋め絶縁樹脂の下端は非貫通導通穴の下端面から均一な深さで陥没してなる絶縁樹脂の侵入阻止部材とした非貫通導通穴とすることにより、トランスファモ−ルド法の高熱や高圧力に耐えうる樹脂の侵入阻止部材を備えた接続信頼性の高い高密度の端面電極が形成できる。
【００１１】
請求項２の発明は、トランスファモ−ルド法の封止樹脂の高熱や高圧力に耐えうる絶縁樹脂の侵入阻止部材とするための非貫通導通穴は、該非貫通導通穴の上端面の穴径（Ｄ１）が該非貫通導通穴の下端面の穴径（Ｄ２）より大きくし、トランスファモ−ルド法の上面側からの高温高圧の樹脂封止加重に耐えうるようにして、絶縁樹脂の侵入阻止部材がずれたり抜けないようにして非貫通導通穴（端面電極）を形成できる。
【００１２】
請求項３の発明は、前記の請求項１、請求項２の配線基板の非貫通導通穴の略中心の分割切断線で切断して端面電極を形成するチップ部品は小型高密度化、低背化、薄厚化が可能となり、はんだ付性や接続信頼性の高い高密度の端面電極が形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
端面電極を形成する非貫通導通穴を有する配線基板において、この端面電極とする非貫通導通穴は丸穴に限定するものではなく長円穴や角穴でも良く、次の特徴を備えている。（イ）配線基板の部品搭載面の上部外層導体と下面外層導体とを電気的に接続する。（ロ）トランスファモ−ルド法の樹脂封止の高温・高圧である封止樹脂の侵入を完全に阻止する阻止部材を備えている。（ハ）電気的接続信頼性及びはんだ接続信頼性が高い外部接続用の端面電極の構造である。（ニ）配線基板の下面に陥没してなる非貫通導通穴の阻止部材の下端面から配線基板の下面までの非貫通導通穴の内周面は半田付け性が良好な金属導体を備えている。
【００１４】
以下、本発明の配線基板の非貫通導通穴を形成する製造工程を図２を参照してアディティブ法で説明する。
まず、図２（ａ）として乳液状の接着剤が塗布された絶縁基材２の複数の分割切断線上に端面電極を形成するため、所定の箇所にＮＣドリリングマシンにより、穴明け加工を施して貫通穴とする。
次に所定の箇所に銅めっきをし、所定の形状の上面導体と下面導体のめっきパタ−ンである銅めっき導体４と、配線基板の上面導体と下面導体を電気的に接続するスルーホールめっき３からなる貫通導通穴５を形成する。
図２（ｂ）に示すように、トランスファモ−ルド法の熱や圧力に対応できる高耐熱性のエポキシ樹脂系、メラニン系、アクリル樹脂系などの穴埋め樹脂や液状レジストなどの絶縁樹脂６を貫通導通穴５内と配線基板の上、下面に塗布する。それから乾燥工程により半硬化させる。
【００１５】
次に図２（ｃ）に示すように、配線基板１の部品搭載面とはんだ付面の所定の箇所に所定の形状でＵＶ露光、現像、ポストキュアをするか又は熱硬化してトランスファモ−ルド法の高温高圧の樹脂封止加重に耐えうる穴埋め絶縁樹脂６とする。
さらに貫通導通穴内から溢れた穴埋め絶縁樹脂６を研磨して配線基板１の両面の上面導体と下面導体のめっきパタ−ンである銅めっき導体４と同一になるように平坦な形状である非貫通導通穴７を形成した。
【００１６】
それから図２（ｄ）に示すように、はんだ付面の内部側の非貫通導通穴７内に穴埋めされている樹脂をはんだ付面（下面側）から炭酸ガスレーザー加工により余分の穴埋め絶縁樹脂６を除去し、非貫通導通穴７の穴内の略上半部まで充填された状態にする。
かつ、非貫通導通穴７の穴内に充填された絶縁樹脂６の下端面は配線基板１の該非貫通導通穴７の下端からの深さが略均一な深さで陥没している非貫通導通穴７の穴埋め絶縁樹脂６とする。
【００１７】
この配線基板の下面からの深さが均一となるようにした後、非貫通導通穴７のほぼ中心線上の分割切断線１８で切断して端面電極９を備えた非貫通導通溝１３を形成する。
こ非貫通導通溝の内部が半円筒状で一方のみが外部に露呈した端面電極となり電気的及びはんだ接続信頼性の高い端面電極を形成する。
つまり端面電極の電気的及びはんだ接続信頼性の安定性と高品質を図りチップ部品は小型高密度化、低背化、薄厚化が可能となる。
【００１８】
図１に本願発明の端面電極を形成する配線基板について説明する。
まず、絶縁基材２の所定の箇所に穴明け加工を施して複数の貫通穴とし、この貫通穴と外層表面の所定の箇所に銅めっきをし、所定の形状の上面導体のめっき導体４、下面導体のめっき導体４、および貫通穴内壁の銅めっき導体４と、配線基板の上面導体と下面導体を電気的に接続するスルーホールめっき３によって貫通導通穴５を形成する。
【００１９】
次に、この貫通導通穴５に穴埋め絶縁樹脂６を充填し、配線基板１の下面側から炭酸ガスレーザー加工により下方の余分の穴埋め絶縁樹脂６を除去し、非貫通導通穴７の下端から穴埋め絶縁樹脂６の下端面までの深さ（ｔ）が配線基板１の板厚のほぼ２／３〜１／３とする。
そして、この非貫通導通穴７のほぼ中心線上の分割切断線１８で切断して非貫通導通溝１３の略下半部（穴埋め絶縁樹脂６の下方）の穴壁面に露呈している金属導体（非貫通導通穴７内壁の銅めっき導体４）が端面電極９となるように形成する。
つまり、炭酸ガスレーザー加工により下方の余分の穴埋め絶縁樹脂６を除去するため非貫通導通穴７の下端から穴埋め絶縁樹脂６の下端面までの深さ（ｔ）が均一で寸法精度良く、品質の高い端面電極９となる。
【００２０】
図３は本願発明の端面電極を形成するための大版の配線基板１１について説明する。
図３において、外形寸法が大きく形成された、いわゆる大版の配線基板１１であって、この大版の配線基板１１から多数枚（本例では便宜上９枚）の個別の配線基板１が形成される。
すなわち、大版の配線基板１１には、プレス加工やルーター加工、ライシング加工によって多数の個々の配線基板１が切断される分割切断線１８上に沿って、多数の穴埋め絶縁樹脂を充填した非貫通導通穴７が配置されている。
【００２１】
大版の配線基板１１の状態で炭酸ガスレーザー処理を行い、余分の穴埋め絶縁樹脂（非貫通導通穴７の略下半部の絶縁樹脂）を除去し、非貫通導通穴７の穴内の上端部に絶縁樹脂のみが充填された非貫通導通穴７を形成する。
その後、大版の配線基板１１に繋がってる多数の個々の配線基板１に電子部品素子、電子部品を実装し、実装した電子部品素子や電子部品と大版の配線基板１１の上方面を樹脂封止してから分割切断線１８で非貫通導通穴７のほぼ中心で切断することによって、端面電極を有するモ−ルド型チップ部品とするものである。
【００２２】
次に図４（ａ）に示すような端面電極を形成するための非貫通導通穴７は、この非貫通導通穴７の上端面の穴径（Ｄ１）を、この非貫通導通穴７の下端面の穴径（Ｄ２）より大きくして上端面に広がるテーパー形状としたものである。
配線基板１の下面側から炭酸ガスレーザー加工により下方の余分の穴埋め絶縁樹脂６を除去し、非貫通導通穴７の下端から穴埋め絶縁樹脂６の下端面までの深さ（ｔ）が配線基板１の板厚のほぼ１／３〜２／３になるようにする。
【００２３】
また、図４（ｂ）に示すように非貫通導通穴７の上端部の一部分の深さ（ｓ）のみを上端面の穴径（Ｄ１）が非貫通導通穴７の下端面の穴径（Ｄ２）より大きくなるようにザグリ加工したり、二段となるＴ字状の段付き穴加工しても良い。（二段穴は図示なし）
【００２４】
上記のようにテーパー形状、二段や三段となる段付き加工してからスルーホールめっきをして穴埋め絶縁樹脂６を充填し、穴埋めされている絶縁樹脂６をはんだ付面（下面側）から炭酸ガスレーザー加工により余分の穴埋め絶縁樹脂６を除去し、非貫通導通穴７の穴内のほぼ上半部まで絶縁樹脂６が充填された状態にしたものである。
そして配線基板の上面に電子部品又は電子部品素子を実装した後、トランスファモ−ルド法の上面側から樹脂封止する際の高温高圧の樹脂封止加重に耐えうる端面電極を形成するための非貫通導通穴７とするものである。
【００２５】
図５は本発明の端面電極用の非貫通導通穴を有する配線基板１にはんだペ−スト１４で電子部品１０を実装したチップ部品の断面図である。
まず、図１に示すように、非貫通導通穴７のほぼ中心線上の分割切断線１８で分割切断して端面電極９を備えた非貫通導通溝１３を形成する。
つまり図５のこの個々の配線基板１の非貫通導通溝１３を閉口させている穴埋め絶縁樹脂６は高耐熱性でるエポキシ樹脂系としたため樹脂の軟化点温度が高く、また穴埋め絶縁樹脂６の上端は個々の配線基板１の部品搭載面の上部の銅めっき導体４と同一面としたものである。
【００２６】
尚、穴埋め絶縁樹脂６の下端は貫通導通穴の下面から均一な深さで陥没してなるエポキシ樹脂系の部材である非貫通導通穴を有する配線基板とする。次に配線基板に電子部品素子、電子部品１０を実装し、この実装した電子部品１０又は電子部品素子と前記配線基板の上面全体を樹脂封止した後、樹脂封止した該非貫通導通穴の略中心の分割切断線で切断して端面電極９を備えた非貫通導通溝１３を形成する。
この非貫通導通溝１３の溝内の略下半部の穴壁面に露呈している金属導体を端面電極９として活用するモ−ルド型チップ部品とする。
【００２７】
また配線基板の表面の金属導体パターンや下面側だけに開口している非貫通導通穴の金属導体の露呈面は接続信頼性の向上、はんだ付性の向上、ワイヤーボンデング作業等の必要性からソルダーレジストの形成やＮｉ−Ａｕ、Ｎｉ−Ａｇめっき等を行う場合もある。また、本発明の非貫通導通穴を有する配線基板はサブトラクティブ法で作製しても良い。
また、穴埋め絶縁樹脂はアクリル樹脂系の液状レジスト、ＵＶレジストや熱乾燥タイプの熱硬化樹脂を使用しても良い。
【００２８】
そして、封止樹脂の穴埋め阻止部材である絶縁樹脂６を個々の配線基板１の下面側から炭酸ガスレーザー加工により余分の絶縁樹脂６を除去し、個々の配線基板１の非貫通導通穴７の下端から絶縁樹脂６の下端面までの深さ（ｔ）が略均一な深さ（ｔ）となるようにし、個々の配線基板１の非貫通導通穴７の下端から略均一な深さで陥没している端面電極である。
しかしトランスファモ−ルド法の高温高圧の樹脂封止加重を考慮した端面電極の設計仕様に応じ、配線基板１の板厚（また非貫通導通穴の全体厚み）の１／３〜２／３として阻止部材の絶縁樹脂６の余分の樹脂を除去し、非貫通導通穴７の絶縁樹脂６の下端面の底面が均一で平坦となるように形成することもできる。
【００２９】
配線基板に電子部品素子、電子部品１０を実装し、実装した電子部品素子や電子部品を樹脂封止して端面電極を有するモ−ルド型チップ部品とする際にトランスファモ−ルド法の熱や圧力に対応できる封止樹脂の侵入を阻止する部材である。
つまり貫通導通穴内に充填する穴埋め樹脂は樹脂の軟化点温度（Ｔｇ）が高く高耐熱であるほうが有利である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の端面電極を形成するための配線基板の断面図である。
【図２】本発明の端面電極を形成する配線基板を説明する製造工程図。
【図３】本発明の端面電極を形成する大版の配線基板の平面図である。
【図４】本発明の他の実施例を説明する配線基板の断面図である。
【図５】本発明の配線基板に電子部品を実装したチップ部品の断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１…配線基板、２…絶縁基材、４…めっき導体、５…貫通導通穴、
６…絶縁樹脂、７…非貫通導通穴、９…端面電極、１０…電子部品、
１３…非貫通導通溝、１５…封止樹脂、１８…分割切断線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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