(57)【要約】【課題】  画像形成装置の複雑化や大型化を招くことなく、例えばタンデム型の場合における色ずれを防止したラインヘッドと、これを備えた画像形成装置を提供する。【解決手段】  素子基板２上に、複数の有機ＥＬ素子３を配列してなる発光素子３Ａ列と、有機ＥＬ素子を駆動させる駆動制御手段の少なくとも一部とを一体形成したラインヘッド１である。素子基板２上に、位置合わせ用マーク６を形成している。【選択図】      図１
2006027197.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に、複数のＥＬ素子を配列してなる発光素子列と、前記ＥＬ素子を駆動させる駆動制御手段の少なくとも一部とを一体形成したラインヘッドであって、
前記素子基板上に、位置合わせ用マークを形成したことを特徴とするラインヘッド。
【請求項２】
前記位置合わせマークが、フォトリソグラフィー技術によって形成されてなることを特徴とする請求項１記載のラインヘッド。
【請求項３】
前記位置合わせマークが、ＥＬ材料によって形成されてなることを特徴とする請求項１記載のラインヘッド。
【請求項４】
前記位置合わせマークが、液滴吐出法によってＥＬ材料が所定位置に配されたことで形成されたことを特徴とする請求項３記載のラインヘッド。
【請求項５】
前記位置合わせマークが、前記発光素子列を構成するＥＬ素子とは別に形成されたダミーのＥＬ素子にからなることを特徴とする請求項１記載のラインヘッド。
【請求項６】
露光手段として、請求項１〜５のいずれか一項に記載のラインヘッドを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置において露光手段として用いられるラインヘッドと、これを備えた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高速高画質のプリンタ（画像形成装置）として、一般にレーザプリンタと呼ばれるレーザスキャナ方式のものが知られている。ところが、近年では高速高画質化が益々要求されるとともに、プリンタ自体の小型化も要求されるようになってきている。
このような要求に応えるものとして、ＬＥＤプリンタヘッドを使用したタンデム型のカラー電子写真プリンタが提供されている。このプリンターでは、レーザプリンタで用いられているポリゴンミラーのような回転機構部が無いため、さらなる高速化や小型化が可能になっている。
【０００３】
しかしながら、このＬＥＤプリンタヘッドは、支持基板上に複数のＬＥＤチップアレイを固着したものであり、したがって固着したＬＥＤチップアレイ間で位置ずれが生ずるおそれがある。特にタンデム型のカラー電子写真プリンタでは、通常前記のＬＥＤプリンタヘッドを４つ使用するが、これらＬＥＤプリンタヘッドに前記の位置ずれがある場合、結果的に色ずれを生じてしまうといった問題がある。
【０００４】
このような背景のもとに、記録した画像から画像ずれを検知する検知手段を備え、この検知手段で得られたデータを基にして修正を加えるようにした、カラー画像形成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−１０４９０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このように画像ずれを検知する検知手段を備えるのでは、装置が複雑化してコスト高を招いてしまい、さらに小型化を妨げる一因にもなってしまう。
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、画像形成装置の複雑化や大型化を招くことなく、例えばタンデム型の場合における色ずれを防止したラインヘッドと、これを備えた画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のラインヘッドは、素子基板上に、複数のＥＬ素子を配列してなる発光素子列と、前記ＥＬ素子を駆動させる駆動制御手段の少なくとも一部とを一体形成したラインヘッドであって、前記素子基板上に、位置合わせ用マークを形成したことを特徴としている。
このラインヘッドによれば、素子基板上に直接発光素子列を形成しているので、支持基板上にチップアレイを固着する場合と異なり発光素子間での位置ずれが無く、さらに、素子基板上に位置合わせマークも直接形成されているので、該位置合わせマークと前記発光素子との間での位置ずれも無い。したがって、特にタンデム型のカラー画像形成装置において４つのラインヘッドを用いる場合にも、前記位置合わせマークを用いてそれぞれの相対位置を合わせることにより、各ラインヘッドの発光素子が前記位置合わせマークを基準に位置合わせされるようになり、したがって色ずれが防止される。また、ラインヘッドを一つしか用いない場合であっても、通常はこれを画像形成装置に組み込む際、結像レンズや感光ドラムとの間で位置合わせ（光軸合わせ）を行う必要があるが、その場合にも、前記の位置合わせマークを用いることで、容易にしかも精度良く位置あわせを行うことが可能になる。
【０００７】
また、前記ラインヘッドにおいては、前記位置合わせマークが、フォトリソグラフィー技術によって形成されてなるのが好ましい。
このようにすれば、位置合わせマークをより精度良く形成することが可能になるとともに、ＥＬ素子や駆動素子の構成要素の形成をフォトリソグラフィー技術で行う際、前記構成要素用の材料によって同じ工程で位置合わせマークを形成することが可能になる。
【０００８】
また、前記ラインヘッドにおいては、前記位置合わせマークが、ＥＬ材料によって形成されてなるのが好ましく、その場合に、このＥＬ材料は液滴吐出法によって所定位置に配されることで形成されるのが好ましい。
このようにすれば、ＥＬ素子を形成する工程において位置合わせマークを同時に形成することが可能になり、工程の増加を抑えることで生産性を向上することができるとともに、コストアップを抑えることがでできる。
また、ＥＬ材料を液滴吐出法で所定位置に配するようにすることで、工程をさらに簡略化することができる。
【０００９】
また、前記ラインヘッドにおいては、前記位置合わせマークが、前記発光素子列を構成するＥＬ素子とは別に形成されたダミーのＥＬ素子にからなるのが好ましい。
このようにすれば、ＥＬ素子を形成する工程において位置合わせマークを同時に形成することが可能になり、工程の増加を抑えることで生産性を向上することができるとともに、コストアップを抑えることがでできる。
また、特にこのダミーのＥＬ素子についても、発光をなすように配線をしておけば、位置合わせ時にこのダミーのＥＬ素子の発光を利用することができる。
【００１０】
本発明の画像形成装置は、露光手段として、前記のラインヘッドを備えたことを特徴としている。
この画像形成装置によれば、前述したように発光素子間での位置ずれが無く、さらに位置合わせマークと前記発光素子との間での位置ずれも無いラインヘッドを露光手段としているので、特にタンデム型のものであって、４つのラインヘッドを用いる場合にも、前記位置合わせマークを用いてそれぞれの相対位置を合わせることにより、各ラインヘッドの発光素子が前記位置合わせマークを基準に位置合わせされるようになり、したがって色ずれが防止される。また、ラインヘッドを一つしか用いないものの場合であっても、ラインヘッドを組み込む際、前記の位置合わせマークを用いることにより、このラインヘッドと結像レンズや感光ドラムとの間で位置合わせ（光軸合わせ）を容易にしかも精度良く行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明を詳しく説明する。
まず、本発明のラインヘッドについて説明する。図１は本発明のラインヘッドの一実施形態を模式的に示す図であり、図１中符号１はラインヘッドである。このラインヘッド１は、後述する画像形成装置の露光手段として用いられるもので、長細い矩形の素子基板２上に、複数の有機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）素子３を配列してなる発光素子列３Ａと、前記有機ＥＬ素子３を駆動させる駆動素子４からなる駆動素子群と、これら駆動素子４（駆動素子群）の駆動を制御する制御回路群５とを一体形成したものである。また、前記素子基板２上には、有機ＥＬ素子３を配列してなる発光素子列３Ａの外側、すなわち列の先端側と後端側に、それぞれ位置合わせ用マーク６が形成されている。さらに、前記素子基板２上には、前記有機ＥＬ素子３を封止した状態で、接着剤によって封止基板（図示せず）が貼着されている。
【００１２】
駆動素子４には電源線７、８が接続されており、これら電源線７、８を介して電源（図示せず）から駆動素子４に電圧が印加されるようになっている。これら駆動素子４（駆動素子群）、制御回路群５、電源線７、８により、駆動制御手段が構成されている。そして、このような構成のもとに有機ＥＬ素子３は、制御回路群５によって制御された駆動素子４により、その発光動作が制御されるようになっている。なお、
【００１３】
ここで、ラインヘッド１における有機ＥＬ素子３や駆動素子４等の構成について、図２（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
素子基板２としては、図２（ａ）に示すように、後述する発光層で発光した光を陰極（対向電極）５０側から出射する、いわゆるトップエミッション型である場合には、この素子基板２の対向側である封止基板側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
【００１４】
また、発光層で発光した光を画素電極２３側から出射する、いわゆるボトムエミッション型である場合には、基板２側から発光光を取り出す構成であるので、基板２としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。本実施形態ではボトムエミッション型が採用され、したがって素子基板２には透明なガラスが用いられるものとする。
【００１５】
素子基板２上には、画素電極２３に接続する駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）などを含む回路部１１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子３が設けられている。有機ＥＬ素子３は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されている。ここで、有機ＥＬ素子３および駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）を図１に対応した模式図で示すと、図２（ｂ）に示すようになる。図２（ｂ）において、電源線７は駆動素子４のソース／ドレイン電極に接続し、電源線８は有機ＥＬ素子３の陰極５０に接続している。
そして、このような構成のもとに有機ＥＬ素子３は、図２（ａ）に示すように、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが発光層６０で結合することにより、発光をなすようになっている。
【００１６】
陽極として機能する画素電極２３は、特にボトムエミッション型である場合、透明導電材料によって形成され、具体的にはＩＴＯが好適に用いられる。
正孔輸送層７０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔輸送層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００１７】
発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。なお、本実施形態では、例えば発光波長帯域が赤色に対応した発光層が採用されるが、もちろん、発光波長帯域が緑色や青色に対応した発光層を採用するようにしてもよい。
【００１８】
発光層６０の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００１９】
陰極５０は、前記発光層６０を覆って形成されたもので、例えばＣａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、その上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極とし、Ａｌを反射層としても機能させたものである。
また、この陰極５０上には接着層を介して封止基板（図示せず）が貼着されている。
【００２０】
また、このような有機ＥＬ素子３の下方には、前述したように回路部１１が設けられている。この回路部１１は素子基板２上に形成されたものである。すなわち、素子基板２の表面にはＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００２１】
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００２２】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００２３】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００２４】
そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化膜２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００２５】
画素電極２３が形成された平坦化膜２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、隔壁２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３上には、親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａおよび隔壁２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部、すなわち画素領域に、前記の正孔輸送層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。
【００２６】
また、このような構成からなるラインヘッド１において、前記位置合わせ用マーク６は、後述するようにラインヘッド１を露光手段として画像形成装置に組み込む際、例えばラインヘッド間での相対的な位置決めや、結像レンズや感光ドラムとの間で位置合わせ（光軸合わせ）を行うときに用いるものである。この位置合わせ用マーク６は、前記の有機ＥＬ素子３の形成材料や、駆動素子４（駆動用ＴＦＴ）の形成材料、さらには駆動素子４に接続する配線等の材料によって形成されたものである。その形状や大きさについては、特に限定されることなく、任意の形状・大きさに形成される。なお、形状については、一般的に位置合わせマークとして用いられる、＋形などが採用可能である。
【００２７】
また、特に本実施形態においては、素子基板２が透明のガラスからなっているため、位置合わせマーク６としては、非透明の材料によって形成するのが好ましい。具体的には、前記有機ＥＬ素子３の形成材料であるＥＬ材料、すなわち発光層６０や正孔注入層７０の形成材料で形成するのが好ましい。また、これ以外にも、陰極５０の材料となる金属（Ａｌ）や陰極５０に接続する陰極電源配線（図示せず）の材料となる金属（Ａｌ）、さらには駆動素子４のゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、またはこれに接続する配線用の金属（Ａｌ）によって形成するようにしてもよい。さらに、透明ではあっても、素子基板２を形成するガラスと透過率が異なるもの、好ましくはガラスより低いものであれば、これらの間での屈折等によって位置合わせマーク６を視認することが可能となる。なお、位置合わせマーク６の確認には、例えば光学顕微鏡等を用いることもできる。
【００２８】
また、このような位置合わせマーク６については、特に反射率の低い材料からなっているのが好ましい。これは、ラインヘッド１によって露光を行うべく、有機ＥＬ素子３を発光させた際、その光が前記位置合わせマーク６で反射・散乱し、不要な漏れ光となってしまうことで露光精度が低下するのを防止するためである。このような理由からも、位置合わせマーク６については、ＥＬ材料によって形成するのが好ましい。
【００２９】
なお、この位置合わせマーク６は、図３（ａ）に示すような透明な封止基板９を、図３（ｂ）に示すように透明な封止接着剤を介して素子基板２上に貼着する場合に、封止基板９側に形成した位置合わせマーク１０に重ね合わせるためのものとして利用することもできる。その場合に、透明な封止基板９を透して見える位置合わせマーク６（図１参照）、すなわち位置合わせマーク１０と重ね合った位置合わせマーク６が、前述したようにラインヘッド１を露光手段として画像形成装置に組み込む際の、位置合わせマークとして機能するようになる。
【００３０】
次に、このような構成のラインヘッド１の製造方法の一例を説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、素子基板２の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成し、その後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００３１】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００３２】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００３３】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０１２／ｃｍ２のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０１７／ｃｍ３の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００３４】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスク５０２を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する。その結果、図４（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００３５】
次に、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、あるいはアルミニウム膜等の金属膜からなるゲート電極形成用導電層を形成する。この導電層の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、フォトリソグラフィー技術により、図４（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部（図示せず）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。
【００３６】
また、特にゲート電極２５２等をアルミニウム膜等の金属膜から形成する場合に、すなわち、この金属膜をフォトリソグラフィー技術でパターニングし、ゲート電極２５２等を形成する際に、本発明における位置合わせ用マーク６を、図１に示したように素子基板２の両端部に形成するようにしてもよい。
このようにフォトリソグラフィー技術によって位置合わせマーク６を形成すれば、この位置合わせマーク６をより精度良く形成することができ、しかもゲート電極２５２等の形成と同じ工程でパターニングを行うことができるので、工程を増やすことなく、したがって生産性を損なうことなく容易に位置合わせマーク６を形成することができる。
【００３７】
続いて、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０１３／ｃｍ２ のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図４（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００３８】
次に、図５（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５１中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。したがって、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００３９】
次いで、図５（ｆ）に示すように、素子基板２の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて該第１層間絶縁層２８３およびゲート絶縁層２８２をパターニングすることにより、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００４０】
次に、図５（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部が形成されるべき領域（図示せず）、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、該導電層５０４をエッチングして、図６（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００４１】
なお、前述したようにゲート電極２５２等を形成する工程で位置合わせマーク６を形成するのに代えて、これらソース電極２４３、２５３、２６３やドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する際に、すなわち、導電膜をフォトリソグラフィー技術でパターニングする際に、本発明の位置合わせマーク６を形成するようにしてもよい。このようにしても、この位置合わせマーク６をより精度良く形成することができ、しかもソース電極２４３、２５３、２６３やドレイン電極２４４、２５４、２６４等の形成と同じ工程でパターニングを行うことができるので、工程を増やすことなく、したがって生産性を損なうことなく容易に位置合わせマーク６を形成することができる。
【００４２】
次いで、図６（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う平坦化膜２８４を、例えば感光性アクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この平坦化膜２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成するのが好ましい。なお、ＳｉＮやＳｉＯ２によって平坦化膜２８４を形成するようにしてもよい。
【００４３】
次いで、図６（ｊ）に示すように、平坦化膜２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分を露光・現像することにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、素子基板２の全面を覆うように画素電極２３となる透明導電膜を、ＩＴＯ等によって形成する。そして、この導電膜をパターニングすることにより、図７（ｋ）に示すように、平坦化膜２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成する。
【００４４】
なお、前述したようにゲート電極２５２やソース電極２４３等を形成する工程で位置合わせマーク６を形成するのに代えて、画素電極２３を形成する際に、すなわち、ＩＴＯ等からなる導電膜をフォトリソグラフィー技術でパターニングする際に、本発明の位置合わせマーク６を形成するようにしてもよい。
【００４５】
次いで、図７（ｌ）に示すように、画素電極２３上、および平坦化膜２８４上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａにおいて画素電極２３からの正孔移動が可能となるようにしておく。
次いで、図７（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に樹脂等によって隔壁２２１を形成する。
【００４６】
次いで、素子基板２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成するものする。具体的には、該プラズマ処理は、予備加熱工程と、隔壁２２１の表面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の表面をそれぞれ親液性にする親液化工程と、隔壁２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とで構成する。
【００４７】
すなわち、基材（バンクなどを含む素子基板２）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親液化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。次いで、撥液化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００４８】
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ２、ＴｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００４９】
次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０を形成する。この正孔輸送層形成工程では、液滴吐出法として、特にインクジェット法が好適に採用される。すなわち、このインクジェット法により、正孔輸送層形成材料を電極面２３ｃ上に選択的に配し、これを塗布する。その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。正孔輸送層７０の形成材料としては、例えば前記のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものが用いられる。
【００５０】
ここで、このインクジェット法による正孔輸送層７０の形成にあたっては、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔輸送層形成材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された前記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基材（素子基板２）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層７０を形成する。
【００５１】
このとき、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面２３ｃ上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥液処理された隔壁２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からずれて、液滴の一部が隔壁２２１の表面にかかったとしても、該表面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に引き込まれる。
なお、この正孔輸送層形成工程以降では、各種の形成材料や形成した要素の酸化・吸湿を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００５２】
次いで、図８（ｎ）に示すように、発光層形成工程による発光層６０の形成を行う。発光層形成工程では、前記の正孔輸送層７０の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、隔壁２２１に形成された開口部２２１ａ内、すなわち画素領域上に発光層６０を形成する。
【００５３】
なお、前述したようにゲート電極２５２やソース電極２４３等や画素電極２３を形成する工程で位置合わせマーク６を形成するのに代えて、ＥＬ材料をインクジェット法（液滴吐出法）で塗布することにより正孔輸送層７０や発光層６０を形成する際に、これらＥＬ材料によって本発明の位置合わせマーク６を形成するようにしてもよい。
このようにすれば、正孔輸送層７０や発光層６０を形成する工程において位置合わせマーク６を同時に形成することができ、したがって工程の増加を抑えることで生産性を向上することができるとともに、コストアップを抑えることがでできる。また、ＥＬ材料を液滴吐出法で所定位置に配するようにすることで、工程を簡略化することができる。
【００５４】
次いで、図８（ｏ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０を形成する。この陰極５０については、ＥＬ素子を効率よく発光させるため、電子注入層と導電層のような積層構造を採用するのが一般的であり、例えばアルミニウムなどの金属材料が使用可能である。なお、この陰極５０の形成では、前記正孔輸送層７０や発光層６の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うため、画素領域にのみ選択的に形成材料を配するのでなく、素子基板２のほぼ全面に形成材料が設けられることになる。そこで、本実施形態では、素子基板２と図示しないメタルマスクを位置合わせして蒸着法やスパッタ法で陰極５０を成膜することにより、図８（ｏ）に示したように基板周辺部に陰極５０が形成されないようにする。
【００５５】
その後、図８（ｐ）に示すように、封止工程によって封止基板９を接着する。この封止工程では、透明な封止基板９と素子基板２との間に、透明な接着剤４０を塗布し、気泡が入らないようにして封止基板９と素子基板２とを貼り合わせる。このとき、前述したように封止基板９に予め位置合わせマーク１０（図３（ａ）参照）を形成しておき、この位置合わせマーク１０を素子基板２側の位置合わせマーク６に重ね合わせることにより、素子基板２に対する封止基板９の位置決めを行うことができる。
【００５６】
なお、本発明のラインヘッドは、前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、図９に示すように前記位置合わせマーク６を、前記発光素子列３Ａを構成する有機ＥＬ素子３とは別に形成されたダミーの有機ＥＬ素子によって形成するようにしてもよい。
その場合に、これらダミーの有機ＥＬ素子（位置合わせマーク６）については、例えばその配線を電源線に直接接続することにより、駆動素子４によって制御する発光素子列３Ａの有機ＥＬ素子３とは別に、その発光制御を行うようにしてもよい。
【００５７】
このようにすれば、有機ＥＬ素子３を形成する工程において位置合わせマーク６を同時に形成することができ、したがって工程の増加を抑えることで生産性を向上することができるとともに、コストアップを抑えることがでできる。
また、位置合わせ時に、このダミーの有機ＥＬ素子（位置合わせマーク６）の発光を利用することができることから、位置合わせをより容易にすることができる。すなわち、この位置合わせマーク６を利用して光学的な位置合わせを行う際、特に照明光が届きにくいような場合に、前記ダミーの有機ＥＬ素子を発光させることで照明光なしに位置あわせを行うことができる。
【００５８】
また、前記実施形態では本発明のＥＬ素子を、発光層を有機材料で形成する有機ＥＬ素子３によって構成したが、本発明はこれに限定されることなく、発光層を無機材料で形成する無機ＥＬ素子によって構成してもよい。また、駆動制御手段を構成する構成要素、即ち駆動素子４、制御回路群５、電源線７、８等の総てがＥＬ素子と一体成形されている必要はなく、例えば制御回路群５を外付けの回路構成としても良く、更に他の例としては駆動素子４と制御回路群５の機能を有する単結晶シリコンによる集積回路を外付けにしても良い。この場合、図２（ｂ）のＧＮＤの電源線８がＥＬ素子と一体形成されることになる。
【００５９】
次に、本発明のラインヘッド１が設けられる画像形成装置について説明する。図１０は、本発明の画像形成装置の第１の実施形態を示す図であり、図１中符号８０は画像形成装置である。この画像形成装置８０は、本発明のラインヘッドの一例となる有機ＥＬアレイラインヘッド１０１Ｋ、１０１Ｃ、１０１Ｍ、１０１Ｙを、対応する同様な構成である４個の感光体ドラム（像担持体）４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙの露光装置にそれぞれ配置したもので、タンデム方式のものとして構成されたものである。
【００６０】
この画像形成装置８０は、駆動ローラ９１と従動ローラ９２とテンションローラ９３とを備え、これら各ローラに中間転写ベルト９０を、図１０中矢印方向（反時計方向）に循環駆動するよう張架したものである。この中間転写ベルト９０に対して、感光体４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙが所定間隔で配置されている。これら感光体４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙは、その外周面が像担持体としての感光層となっている。
【００６１】
ここで、前記符号中のＫ、Ｃ、Ｍ、Ｙは、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローを意味し、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエロー用の感光体であることを示している。なお、これら符号（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の意味は、他の部材についても同様である。感光体４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙは、中間転写ベルト９０の駆動と同期して、図１０中矢印方向（時計方向）に回転駆動するようになっている。
【００６２】
各感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の周囲には、それぞれ感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の外周面を一様に帯電させる帯電手段（コロナ帯電器）４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この帯電手段４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）によって一様に帯電させられた外周面を感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転に同期して順次ライン走査する本発明の有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。
【００６３】
また、この有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与して可視像（トナー像）とする現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で現像されたトナー像を一次転写対象である中間転写ベルト９０に順次転写する転写手段としての一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、転写された後に感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置４６（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。
【００６４】
ここで、各有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、それぞれのアレイ方向が感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の母線に沿うように設置されている。そして、各有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の発光エネルギーピーク波長と、感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の感度ピーク波長とが略一致するように設定されている。
【００６５】
現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、例えば、現像剤として非磁性一成分トナーを用いるもので、その一成分現像剤を例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着した現像剤の膜厚を規制ブレードで規制し、その現像ローラを感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に接触させあるいは押圧せしめることにより、感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の電位レベルに応じて現像剤を付着させ、トナー像として現像するものである。
【００６６】
このような４色の単色トナー像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各トナー像は、一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に印加される一次転写バイアスによって中間転写ベルト９０上に順次一次転写される。そして、中間転写ベルト９０上で順次重ね合わされてフルカラーとなったトナー像は、二次転写ローラ６６において用紙等の記録媒体Ｐに二次転写され、さらに定着部である定着ローラ対６１を通ることで記録媒体Ｐ上に定着され、その後、排紙ローラ対６２によって装置上部に形成された排紙トレイ６８上に排出される。
【００６７】
なお、図１０中の符号６３は多数枚の記録媒体Ｐが積層保持されている給紙カセット、６４は給紙カセット６３から記録媒体Ｐを一枚ずつ給送するピックアップローラ、６５は二次転写ローラ６６の二次転写部への記録媒体Ｐの供給タイミングを規定するゲートローラ対、６６は中間転写ベルト９０との間で二次転写部を形成する二次転写手段としての二次転写ローラ、６７は二次転写後に中間転写ベルト９０の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニングブレードである。
このように、図１０の画像形成装置は、露光手段（書き込み手段）としてＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）を用いているので、例えばレーザ走査光学系を用いた場合に比べ、装置の小型化を図ることができる。
【００６８】
次に、本発明に係る画像形成装置の第２の実施の形態について説明する。図１１は画像形成装置の縦断側面図である。図１１において、画像形成装置１６０には主要構成部材として、ロータリ構成の現像装置１６１、像担持体として機能する感光体ドラム１６５、前記ラインヘッド（有機ＥＬアレイヘッド）が設けられてなる像書込手段（露光手段）１６７、中間転写ベルト１６９、用紙搬送路１７４、定着器の加熱ローラ１７２、給紙トレイ１７８が設けられている。
【００６９】
現像装置１６１は、現像ロータリ１６１ａが軸１６１ｂを中心として矢印Ａ方向に回転するよう構成されたものである。現像ロータリ１６１ａの内部は４分割されており、それぞれイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｋ）の４色の像形成ユニットが設けられている。１６２ａ〜１６２ｄは、前記４色の各像形成ユニットに配置されており、矢印Ｂ方向に回転する現像ローラ、１６３ａ〜１６３ｄは、矢印Ｃ方向に回転するトナ−供給ローラである。また、１６４ａ〜１６４ｄはトナーを所定の厚さに規制する規制ブレードである。
【００７０】
図１１中符号１６５は、前記のように像担持体として機能する感光体ドラム、１６６は一次転写部材、１６８は帯電器である。また、１６７は本発明における露光手段となる像書込手段であり、本発明の有機ＥＬラインヘッドを備えてなるものである。感光体ドラム１６５は、図示を省略した駆動モータ、例えばステップモータにより、現像ローラ１６２ａとは逆の方向となる矢印Ｄ方向に回転駆動されるようになっている。なお、像書込手段１６７を構成する有機ＥＬラインヘッドは、これと結像レンズ（図示せず）や感光ドラム１６５との間で位置合わせ（光軸合わせ）がなされた状態に配設されている。
【００７１】
中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａと従動ローラ１７０ｂとの間に張架されたものである。駆動ローラ１７０ａは、前記感光体ドラム１６５の駆動モータに連結されたもので、中間転写ベルト１６９に動力を伝達するようになっている。すなわち、該駆動モータの駆動により、中間転写ベルト１６９の駆動ローラ１７０ａは感光体ドラム１６５とは逆の方向となる矢印Ｅ方向に回動するようになっている。
【００７２】
用紙搬送路１７４には、複数の搬送ローラと排紙ローラ対１７６などが設けられており、用紙が搬送されるようになっている。中間転写ベルト１６９に担持されている片面の画像（トナー像）が、二次転写ローラ１７１の位置で用紙の片面に転写されるようになっている。二次転写ローラ１７１は、クラッチによって中間転写ベルト１６９に離当接されるようになっており、クラッチオンで中間転写ベルト１６９に当接され、用紙に画像が転写されるようになっている。
【００７３】
上記のようにして画像が転写された用紙は、次に、定着ヒータＨを有する定着器で定着処理がなされる。定着器には、加熱ローラ１７２、加圧ローラ１７３が設けられている。定着処理後の用紙は、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆ方向に進行する。この状態から排紙ローラ対１７６が逆方向に回転すると、用紙は方向を反転して両面プリント用搬送路１７５を矢印Ｇ方向に進行する。１７７は電装品ボックス、１７８は用紙を収納する給紙トレイ、１７９は給紙トレイ１７８の出口に設けられているピックアップローラである。
【００７４】
用紙搬送路において、搬送ローラを駆動する駆動モータとしては、例えば低速のブラシレスモータが用いられている。また、中間転写ベルト１６９については、色ずれ補正などが必要となるためステップモータが用いられている。これらの各モータは、図示を省略した制御手段からの信号によって制御されるようになっている。
【００７５】
図１１に示した状態で、イエロー（Ｙ）の静電潜像が感光体ドラム１６５に形成され、現像ローラ１６２ａに高電圧が印加されることにより、感光体ドラム１６５にはイエローの画像が形成される。イエローの裏側および表側の画像がすべて中間転写ベルト１６９に担持されると、現像ロータリ１６１ａが矢印Ａ方向に９０度回転する。
【００７６】
中間転写ベルト１６９は１回転して感光体ドラム１６５の位置に戻る。次に、シアン（Ｃ）の２面の画像が感光体ドラム１６５に形成され、この画像が中間転写ベルト１６９に担持されているイエローの画像に重ねて担持される。以下、同様にして現像ロータリ１６１の９０度回転、中間転写ベルト１６９への画像担持後の１回転処理が繰り返される。
【００７７】
４色のカラー画像担持には中間転写ベルト１６９は４回転して、その後さらに回転位置が制御されて二次転写ローラ１７１の位置で用紙に画像を転写する。給紙トレー１７８から給紙された用紙を搬送路１７４で搬送し、二次転写ローラ１７１の位置で用紙の片面に前記カラー画像を転写する。片面に画像が転写された用紙は前記のように排紙ローラ対１７６で反転されて、搬送径路で待機している。その後、用紙は適宜のタイミングで二次転写ローラ１７１の位置に搬送されて、他面に前記カラー画像が転写される。ハウジング１８０には、排気ファン１８１が設けられている。
【００７８】
このような図１０、図１１に示した画像形成装置８０、１６０においては、図１に示したような本発明のラインヘッド（有機ＥＬアレイヘッド）が露光手段として備えられている。
したがって、これら画像形成装置８０、１６０にあっては、前述したように発光素子間での位置ずれが無く、さらに位置合わせマークと前記発光素子との間での位置ずれも無いラインヘッドを露光手段としているので、特に図１０に示したタンデム型の画像形成装置８０において、４つのラインヘッドを用いる場合にも、前記位置合わせマークを用いてそれぞれの相対位置を合わせることにより、色ずれを確実に防止することができる。
【００７９】
また、図１１に示したようにラインヘッドを一つしか用いない画像形成装置１６０の場合であっても、ラインヘッドを組み込む際、前記の位置合わせマークを用いることにより、このラインヘッドと結像レンズや感光ドラムとの間で位置合わせ（光軸合わせ）を容易にしかも精度良く行うことができる。
なお、本発明のラインヘッドを備えた画像形成装置は前記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明のラインヘッドの一実施形態を示す模式図である。
【図２】（ａ）はラインヘッドの要部側断面図、（ｂ）は模式図である。
【図３】（ａ）は封止基板の平面図、（ｂ）はラインヘッドの側面図である。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に説明する断面図である。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明のラインヘッドの他の実施形態を示す模式図である。
【図１０】本発明の画像形成装置の第１の実施形態を示す概略構成図である。
【図１１】本発明の画像形成装置の第２の実施形態を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００８１】
１…ラインヘッド、２…素子基板、３…有機ＥＬ素子、３Ａ…発光素子列、
４…駆動素子、６…位置合わせマーク、１０…位置合わせマーク、
８０、１６０…画像形成装置
【図１】
2006027197.tif 000003
【図２】
2006027197.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006027197.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006027197.tif 000008
【図７】
2006027197.tif 000009
【図８】
2006027197.tif 000010
【図９】
2006027197.tif 000011
【図１０】
2006027197.tif 000012
【図１１】
2006027197.tif 000013