(57)【要約】【課題】比較的発熱量が多い発光素子やＩＣチップなどの電子部品を実装しても、当該電子部品から発生する熱を迅速且つ確実に外部に放熱できる配線基板を提供する。【解決手段】セラミックからなり且つ表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６に位置する電子部品の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を貫通するＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成されたビア導体１０と、を含む、配線基板１。【選択図】  図１
2006140360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり且つ表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に位置する電子部品の実装エリアと、
上記実装エリアを含む上記基板本体の表面と裏面との間を貫通するＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成された単数または複数のビア導体と、を含む、ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁材からなり且つ表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に位置する電子部品の実装エリアと、
上記基板本体を厚み方向に沿ってほぼ貫通すると共に、上端が上記実装エリアを含む上記基板本体の表面に露出し且つ下端が上記基板本体の裏面に露出していないＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成された単数または複数のビア導体と、を含む、ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
絶縁材からなり且つ表面および裏面を有する基板本体と、
上記基板本体の表面に位置する電子部品の実装エリアと、
上記基板本体を厚み方向に沿ってほぼ貫通すると共に、上端が上記実装エリアを含む上記基板本体の表面に露出せず且つ下端が上記基板本体の裏面に露出するＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成された単数または複数のビア導体と、を含む、ことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、比較的発熱量が多い発光素子やＩＣチップなどの電子部品を実装するための配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フリップチップ型の配線基板には、発光ダイオードなどの比較的発熱量が多い発光素子や動作速度が速いＩＣチップなどの電子部品を実装することが求められている。上記発光ダイオード素子（ＬＥＤ素子）は、その動作に伴って従来の電子部品に比べ多量の熱を発生する。このため、ＬＥＤ素子を実装する配線基板の表面やキャビティの底面に位置する実装エリアの直下には、放熱孔や当該孔に金属ペーストを充填することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平２００２−３５３５１５号公報  （図１，図７）
【０００４】
前記特許文献１に開示された放熱孔は、ＬＥＤ素子を実装する補助セラミックシートの直下に位置するセラミック基板の中間を貫通して形成されている。このため、大型化するＬＥＤ素子から発熱される大量の熱を迅速且つ効率良く放熱することができない。また、上記放熱孔に金属ペーストを充填しても、ＬＥＤ素子自体は補助セラミックシート上に実装されているため、やはり放熱特性が不十分となる、という問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記背景技術における問題点を解決し、比較的発熱量が多い発光素子やＩＣチップなどの電子部品を実装しても、当該電子部品から発生する熱を迅速且つ確実に外部に放熱できる配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、熱伝導率の高い金属製のビア導体を電子部品の実装エリアの直下に配置する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の第１の配線基板（請求項１）は、絶縁材からなり且つ表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に位置する電子部品の実装エリアと、かかる実装エリアを含む上記基板本体の表面と裏面との間を貫通するＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成された単数または複数のビア導体と、を含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、発光素子などの比較的発熱量の多い電子部品から発生した熱は、その実装エリアの直下に上端が位置するビア導体に吸熱されると共に、かかるビア導体を介して基板本体の裏面側に放熱される。また、ビア導体内を伝導する熱の一部は、当該ビア導体と接続された内部電極または内部配線、あるいは基板本体を形成する絶縁材中にも分散して放熱される。しかも、前記ビア導体は、比較的高い熱伝導率のＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、またはＣｕから形成されているため、上記熱を迅速に伝導して放熱することができる。従って、比較的発熱量の多い電子部品を実装しても、正確な動作を容易に保証することが可能となる。
尚、前記絶縁材には、例えばアルミナを主成分とするセラミックと例えばエポキシ系の合成樹脂とが含まれる。また、前記基板本体の表面には、かかる表面に開口するキャビティおよびその底面も含まれる。更に、前記ビア導体は、前記基板本体に内蔵された内部電極や内部配線に接続されていても良い。加えて、前記Ａｇ−Ｃｕ系合金は、Ａｇを７２〜８５ｗｔ％含み且つ残部がＣｕからなる。
【０００８】
また、本発明の第２の配線基板（請求項２）は、絶縁材からなり且つ表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に位置する電子部品の実装エリアと、上記基板本体を厚み方向に沿ってほぼ貫通すると共に、上端が上記実装エリアを含む上記基板本体の表面に露出し且つ下端が上記基板本体の裏面に露出していないＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成された単数または複数のビア導体と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、比較的発熱量の多い電子部品から発生した熱は、その実装エリアの直下に上端が位置する比較的高い熱伝導率の前記金属からなるビアに吸熱されると共に、かかるビア導体を介して当該ビアと接続された内部電極または内部配線、あるいは基板本体を形成する絶縁材中に分散して放熱される。
従って、比較的発熱量の多い電子部品を実装しても、正確な動作を比較的容易に保証可能となる。尚、基板本体の裏面側は、上記ビア導体を貫通させないセラミックまたは樹脂からなる厚みが約１００μｍ前後の絶縁層が位置している。
【０００９】
更に、本発明の第３の配線基板（請求項３）は、絶縁材からなり且つ表面および裏面を有する基板本体と、かかる基板本体の表面に位置する電子部品の実装エリアと、上記基板本体を厚み方向に沿ってほぼ貫通すると共に、上端が上記実装エリアを含む上記基板本体の表面に露出せず且つ下端が上記基板本体の裏面に露出するＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、あるいはＣｕから形成された単数または複数のビア導体と、を含む、ことを特徴とする。
これによれば、比較的発熱量の多い電子部品から発生した熱は、その実装エリアの直下に位置する基板本体の表面を形成する厚みが約１００μｍの絶縁層を介して、比較的高い熱伝導率の前記金属からなるビア導体に吸熱されると共に、かかるビアを介して基板本体の裏面側に放熱される。また、ビア導体内を伝導する熱の一部は、当該ビアと接続された内部電極、内部配線、あるいは基板本体の絶縁材中にも分散して放熱される。従って、比較的発熱量の多い電子部品を実装しても、正確な動作を比較的容易に保証することが可能となる。
【００１０】
尚、前記基板本体の平面視において、前記電子部品の実装エリアに対する前記ビア導体の断面積の割合を大きくするに連れて、放熱の効果も大きくできる。
【００１１】
付言すれば、本発明の配線基板は、前記基板本体の裏面に露出する当該ビア導体の下端には、当該基板本体の裏面に形成した配線層または表面電極が接続されている、とすることも可能である。これよる場合、ビア内を伝導してきた前記熱を、基板本体の裏面に位置する上記配線層または表面電極を介して、当該配線基板の外部に一層効率良く迅速に放熱することが可能となる。
尚、上記表面電極には、基板本体の裏面に形成された平坦な導体層のほか、かかる導体層にロウ付けされた導体ピンなども含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明における第１の配線基板１を示す垂直断面図、図２は、図１の部分拡大平面図である。
配線基板１は、図１に示すように、セラミック（絶縁材）ｓからなり表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６に位置する電子部品８の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含む上記底面６と基板本体２の裏面４との間を、基板本体２の厚み方向に沿って貫通するビア導体（以下、単にビアと称する）１０と、を含んでいる。
基板本体２は、例えばアルミナを主成分とする複数枚のグリーンシートを積層・圧着した後、所定の温度帯で焼成したセラミック（絶縁材）ｓからなり、その内部には、図示しない内部配線層または内部電極が所要のパターンで形成されている。上記キャビティ５は、平面視が矩形（正方形または長方形）、または円形を呈する。
【００１３】
また、上記電子部品８は、例えば比較的発熱量が多い発光ダイオード（ＬＥＤ素子）であり、図１に示すように、キャビティ５の底面６における実装エリアａに、例えばＡｕ−Ｓｎ系などの低融点合金からなるロウ材７を介して実装されている。かかる電子部品８は、平面視で矩形を呈する。尚、ロウ材７に替えて、エポキシ系樹脂材を用いても良い。
前記ビア１０は、比較的熱伝導率が高いＡｇ、Ａｇ−１５〜２８ｗｔ％Ｃｕ系合金、またはＣｕ粉末を含む導電性ペーストからなり、これらを前記グリーンシートの積層体を焼成して得られた基板本体２におけるキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を貫通するビアホールｖに充填して得られた円柱形の導体である。
尚、前記ビア１０は、上記Ａｇ−Ｃｕ系合金からなり且つ球形または柱体形のプリフォーム片を配置した後、これをリフロー（再加熱）し且つビアホールｖ内で溶かすことで、当該ビアホールｖ内にＡｇ−Ｃｕ系合金のビア１０を充填することもできる。
【００１４】
図１と図２の部分拡大図に示すように、当該ビア１０の上端１１は、キャビティ５の底面６に露出すると共に、かかる底面６に位置する実装エリアａよりもやや大きい。ビア１０の下端１２は、基板本体２の裏面４に露出すると共に、かかる裏面４に形成された表面電極１３に接続されている。因みに、基板本体２の平面視において上記実装エリアａに対するビア１０の断面積の割合は、約１４０％である。
尚、キャビティ５の側面には、電子部品８から発光された光を反射するＡｇなどからなる反射層９が全周に沿って形成されている。また、表面電極１３は、Ａｇ、Ａｇ−１５〜２８ｗｔ％Ｃｕ系合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、またはＭｏから形成されている。更に、ビア１０を形成する際、前記基板本体２のうち、キャビティ５となる基板本体２の内側の凹所に別のセラミック体を挿入した状態で、当該積層体の裏面側から前記導電性ペーストが充填される。
尚、ビア１０は、上記Ａｇ−Ｃｕ系合金の前記プリフォーム片を配置した後、これをリフローし且つビアホールｖ内で溶かして充填するようにしても良い。
【００１５】
以上のような第１の配線基板１によれば、電子部品８から発生した熱は、ロウ材７またはエポキシ系樹脂材を介して、その実装エリアａの直下に上端１１が位置するビア１０に吸熱され、かかるビア１０を介して下端１２から基板本体２の裏面４の表面電極１３に放熱される。同時に、ビア１０内を伝導する熱の一部は、当該ビア１０と接続された内部電極または内部配線、あるいは基板本体２を形成するセラミックｓ中にも分散して放熱される。しかも、ビア１０は、比較的高い熱伝導率のＡｇ、Ａｇ−Ｃｕ系合金、またはＣｕから形成されているため、上記熱を迅速に伝導して放熱することができる。従って、比較的発熱量の多い電子部品８を実装しても、正確な動作を容易に保証することが可能となる。
尚、ロウ材７には、ビア１０の合金よりも低融点の合金、またはエポキシ系樹脂材を用いても良い。
【００１６】
図３は、異なる形態の第１の配線基板１ａを示す垂直断面図、図４は、図３中における電子部品８などの平面的な位置関係を示す部分拡大図である。
配線基板１ａは、図３および図４に示すように、前記同様の基板本体２と、前記同様の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を厚み方向に沿って貫通する複数（５個）のビア１４，１７と、を含んでいる。
即ち、図４に示すように、実装エリアａの中央に上端１５が露出するビア１４と、実装エリアａの四隅の各コーナ付近に上端１８が露出する４個のビア１７とからなり、これらの各下端１６，１９は基板本体２の裏面４に露出し、且つかかる裏面４に形成された表面電極１３にそれぞれ接続されている。
因みに、基板本体２の平面視において、上記実装エリアａに対するビア１４，１７全体の断面積の割合は、約５０〜９０％である。
【００１７】
尚、４個のビア１７が実装エリアａの四隅の各コーナから一部が外側に出ているのは、これらのビア１７を充填・形成するためのビアホールｖを形成し易くすると共に、電子部品８からの発熱を、基板本体２のセラミックｓにも容易に放熱するためである。また、複数のビア１４，１７は、２個以上であれば良く、実装エリアａの直下に一対、３個、または４個以上を等間隔で配置するほか、中央のビア１４を周囲の各ビア１７よりも大径としても良い。
以上のような第１の配線基板１ａによっても、電子部品８から発生した熱は、ロウ材７またはエポキシ系樹脂材を介して、その実装エリアａの直下に上端１５，１８が位置する複数のビア１４，１７に吸熱され、これらを介して下端１６，１９から基板本体２の裏面４の表面電極１３に放熱される。同時に、ビア１４，１７内を伝導する熱の一部は、これらと接続された内部電極または内部配線、あるいは基板本体２を形成するセラミックｓ中にも分散して放熱される。従って、配線基板１ａの実装エリアａに電子部品８を実装しても、正確な動作を容易に保証することが可能となる。
【００１８】
図５は、本発明における第２の配線基板１ｂを示す垂直断面図である。
配線基板１ｂは、図５に示すように、前記同様の基板本体２と、前記同様の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ下端１２ａが基板本体２の裏面４に露出しないビア１０ａと、を含んでいる。
図６は、異なる形態の第２の配線基板１ｃを示す垂直断面図である。
配線基板１ｃは、図６に示すように、前記同様の基板本体２と、前記同様の実装エリアａと、実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ下端１６ａ，１９ａが基板本体２の裏面４に露出しない前記同様の５個のビア１４ａ，１７ａと、を含んでいる。
【００１９】
配線基板１ｂ，１ｃの基板本体２の裏面４には、厚みが約１００μｍ前後のセラミック層ｓが残留している。尚、実装エリアａに対するビア１０ａまたはビア１４ａ，１７ａの断面積の割合は、前記形態と同様である。
以上のような第２の配線基板１ｂ，１ｃによれば、電子部品８から発生した熱は、実装エリアａの直下に上端１１，１５，１８が位置する比較的熱伝導率の高い複数のビア１４ａ，１７ａに吸熱されると共に、これらを介して当該ビア１４ａ，１７ａと接続された内部電極または内部配線、あるいは基板本体を形成するセラミックｓ中に分散して放熱される。従って、比較的発熱量の多い電子部品８を実装しても、正確な動作を比較的容易に保証することが可能となる。
【００２０】
図７は、本発明における第３の配線基板１ｄを示す垂直断面図である。
配線基板１ｄは、図７に示すように、前記同様の基板本体２と、前記同様の実装エリアａと、実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ上端１１ａがキャビティ５の底面６に露出しないビア１０ｂと、を含んでいる。
図８は、異なる形態の第３の配線基板１ｅを示す垂直断面図である。
配線基板１ｅは、図８に示すように、前記同様の基板本体２と、前記同様の実装エリアａと、実装エリアａを含むキャビティ５の底面６と基板本体２の裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ上端１５ａ，１８ａがキャビティ５の底面６に露出しない前記同様の５個のビア１４ｂ，１７ｂと、を含んでいる。
【００２１】
配線基板１ｄ，１ｅの基板本体２の表面３に開口するキャビティ５の底面６には、厚みが約１００μｍ前後のセラミック層ｓが残留している。尚、実装エリアａに対するビア１０ｂまたはビア１４ｂ，１７ｂの断面積の割合は、前記形態と同様である。
以上のような第３の配線基板１ｄ，１ｅによれば、電子部品８から発生した熱は、その実装エリアａの直下に位置するキャビティ５の底面６を形成する厚みが約１００μｍのセラミック層ｓを介して、比較的高い熱伝導率の高いビア１０ｂ，１４ｂ，１７ｂに吸熱される。更に、上記熱は、かかるビア１０ｂ，１４ｂ，１７ｂを介して基板本体２の裏面４に接続する表面電極１３に伝導され、これを介してを外部に放熱される。また、ビア１０ｂ，１４ｂ，１７ｂ内を伝導する熱の一部は、これらと接続された内部電極、内部配線、あるいは基板本体２のセラミックｓ中にも分散して放熱される。従って、比較的発熱量の多い電子部品８を実装しても、正確な動作を比較的容易に保証することが可能となる。
【００２２】
図９は、更に異なる形態である第１の配線基板１ｆを示す垂直断面図である。
配線基板１ｆは、図９に示すように、前記キャビティ５がない平坦な表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、かかる基板本体２ａの表面３のほぼ中央に位置する実装エリアａと、かかる実装エリアａを含む基板本体２ａの表面３と裏面４との間を厚み方向に沿って貫通し且つ下端１２が裏面４に露出するビア１０と、を含んでいる。
実装エリアａには、ロウ材７を介して前記同様の電子部品２０が実装されている。また、ビア１０の下端１２には、基板本体２ａの裏面４に形成された表面電極１３が接続されている。更に、基板本体２ａの表面３には、複数の接続端子２１が形成されると共に、これらはワイヤ２２を介して電子部品２０と接続されている。尚、上記接続端子２１は、基板本体２ａに内蔵された図示しない内部配線や内部電極と接続されている。
【００２３】
図１０は、更に別なる形態である第１の配線基板１ｇを示す垂直断面図である。
配線基板１ｇは、図１０に示すように、前記同様平坦な表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、前記同様の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含む基板本体２ａの表面３と裏面４との間を厚み方向に沿って貫通し且つ下端１６，１９が裏面４に露出する複数（５個）のビア１４，１７と、を含んでいる。
実装エリアａには、前記同様の電子部品２０が実装され、各ビア１４，１７の下端１６，１９下端１２には、前記同様の表面電極１３が接続されている。また、基板本体２ａの表面３に形成された複数の接続端子２１は、前記同様にワイヤ２２を介して電子部品２０と接続されている。
【００２４】
以上のような第１の配線基板１ｆ，１ｇによっても、電子部品２０から発生した熱は、ロウ材７またはエポキシ系樹脂材を介して、その実装エリアａの直下に上端１１，１５，１８が位置するビア１０，１４，１７に吸熱され、これらを介して下端１２，１６，１９から基板本体２ａの裏面４の表面電極１３に放熱される。同時に、ビア１０，１４，１７内を伝導する熱の一部は、これらと接続された内部電極または内部配線、あるいは基板本体２ａのセラミックｓ中にも分散して放熱される。更に、ビア１０，１４，１７は、熱伝導率が比較的高いため、上記熱を迅速に伝導して放熱することができる。従って、比較的発熱量の多い電子部品２０を実装しても、正確な動作を容易に保証することが可能となる。
【００２５】
図１１は、更に異なる形態である第２の配線基板１ｈを示す垂直断面図である。
配線基板１ｈは、図１１に示すように、平坦な表面３および裏面４を有する基板本体２ａと、かかる基板本体２ａの表面３のほぼ中央に位置する実装エリアａと、かかる実装エリアａを含む基板本体２ａの表面３と裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ下端１２ａが裏面４に露出しないビア１０ａと、を含んでいる。
実装エリアａには、前記同様にして電子部品２０が実装されている。また、ビア１０の下端１２ａは、基板本体２ａの裏面４側に位置する厚み約１００μｍ前後のセラミック層ｓに覆われている。更に、基板本体２ａの表面３に形成された複数の接続端子２１は、前記同様にワイヤ２２を介して電子部品２０と接続されている。
【００２６】
図１２は、更に別なる形態である第２の配線基板１ｊを示す垂直断面図である。
配線基板１ｊは、図１２に示すように、前記同様の基板本体２ａと、前記同様の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含む基板本体２ａの表面３と裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ下端１６ａ，１９ａが裏面４に露出しない複数（５個）のビア１４ａ，１７ａと、を含んでいる。
実装エリアａには、前記同様に電子部品２０が実装され、ビア１４ａ，１７ａの下端１６ａ，１９ａは、基板本体２ａの裏面４側のセラミック層ｓに覆われると共に、基板本体２ａの表面３に形成された複数の接続端子２１は、前記同様にワイヤ２２を介して電子部品２０と接続されている。
【００２７】
以上のような第２の配線基板１ｈ，１ｊによっても、電子部品８から発生した熱は、ロウ材７またはエポキシ系樹脂材を介して、その実装エリアａの直下に上端１１，１５，１８が位置するビア１０ａ，１４ａ，１７ａに吸熱され、これらを介して内部電極または内部配線、あるいは基板本体２ａのセラミックｓ中に分散して放熱される。更に、ビア１０ａ，１４ａ，１７ａは、熱伝導率が比較的高い金属からなるため、上記熱を迅速に伝導して放熱することができる。従って、比較的発熱量の多い電子部品２０を実装しても、正確な動作を容易に保証することが可能となる。
【００２８】
図１３は、更に異なる形態である第３の配線基板１ｋを示す垂直断面図である。
配線基板１ｋは、図１３に示すように、前記同様の基板本体２ａと、前記同様の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含む基板本体２ａの表面３と裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ上端１１ａが表面３に露出しないビア１０ｂと、を含んでいる。
実装エリアａには、前記同様に電子部品２０が実装されている。また、ビア１０ｂの上端１１ａは、基板本体２ａの表面３側に位置する厚み約１００μｍ前後のセラミック層ｓに覆われている。更に、基板本体２ａの表面３に形成された複数の接続端子２１は、前記同様にワイヤ２２を介して電子部品２０と接続される。
【００２９】
図１４は、更に別なる形態である第３の配線基板１ｍを示す垂直断面図である。
配線基板１ｍは、図１４に示すように、前記同様の基板本体２ａと、前記同様の実装エリアａと、かかる実装エリアａを含む基板本体２ａの表面３と裏面４との間を厚み方向に沿ってほぼ貫通し且つ上端１５ａ，１８ａが表面３に露出しない複数（５個）のビア１４ｂ，１７ｂと、を含んでいる。
実装エリアａには、前記同様に電子部品２０が実装され、ビア１４ｂ，１７ｂの上端１５ａ，１８ａは、基板本体２ａの表面３側のセラミック層ｓに覆われると共に、基板本体２ａの表面３に形成された複数の接続端子２１は、前記同様にワイヤ２２を介して電子部品２０と接続されている。
【００３０】
以上のような第３の配線基板１ｋ，１ｍによっても、電子部品８から発生した熱は、ロウ材７またはエポキシ系樹脂材および実装エリアａの直下のセラミック層ｓを介して、表面３に上端１１ａ，１５ａ，１８ａが近接するビア１０ｂ，１４ｂ，１７ｂに吸熱され、これらを介して下端１２，１６，１９から裏面４側に放熱される。また、一部の熱は、ビア１０ｂ，１４ｂ，１７ｂを経て、基板本体２ａの内部電極または内部配線、あるいはセラミックｓ中に分散して放熱される。更に、ビア１０ｂ，１４ｂ，１７ｂは、熱伝導率が比較的高い金属からなるため、上記熱を迅速に伝導して放熱することができる。従って、比較的発熱量の多い電子部品２０を実装しても、正確な動作を容易に保証することが可能となる。
【００３１】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記基板本体２，２ａを形成する絶縁材であるセラミックｓは、例えばムライトや窒化アルミニウムを主成分とするものとしても良い。
また、前記基板本体２，２ａを形成する絶縁材をエポキシ系樹脂などとしても良く、かかる樹脂の薄板または金属の薄板の表面上に、例えばエポキシ系樹脂からなる複数層の樹脂絶縁層を順次積層し、公知のフォトリソグラフィ技術によって、各樹脂絶縁層にビアホールを形成し、その内側に前記金属からなるビアをメッキしても良い。かかる樹脂製の基板本体の場合、ビアは厚み方向に沿って接続される所謂スタックドビアとして形成される。この際、前記実装エリアａと対比する当該ビアの断面積部分は、最も小径の位置である。
【００３２】
更に、ビアの断面形状は、前記円形の形態に限らず、前記実装エリアａの外形と相似形、またはこれに近似した矩形、正多角形、または変形多角形としたり、これらの何れかおよび円形を含めて、互いに異なる断面形状のビアを同じ基板本体に併用しても良い。例えば、実装エリアａが平面視で正方形の場合、当該実装エリアａの中央に円形断面の比較的大径のビアを、周囲に沿って円形、正方形、または六角形断面の比較的小径または小さなビアを配置するようにしても良い。
【００３３】
あるいは、図１５に示すように、基板本体２の表面３に平面視が円形のキャビティ５ａおよびその底面６ａが形成され、かかる底面６ａに位置する円形の実装エリアａにロウ材７を介して平面視が円形の電子部品（例えば発光素子）２４を実装する形態の配線基板も含まれる。この形態では、図示のように、実装エリアａの中心部に大径のビア２６を、実装エリアａの周囲に沿って４個の小径のビア２８を配置しても良い。かかるビア２６，２８は、前記第１乃至第３の何れかの配線基板と同様にして、底面６ａと基板本体２の底面４との間を貫通するか、あるいは、ほぼ貫通し且つ上端または下端が露出しないようにされる。
【００３４】
また、図１５で示したように、前記キャビティおよびその底面は、平面視が円形を呈する形態としても良く、例えば発光素子のような電子部品が円盤形状の実装に好適に用いられる。
更に、単一の実装エリアａに対し複数のビアホールｖを形成する形態では、各ビアホールｖに熱伝導率の異なる金属または合金からなるビアを充填しても良く、且つこれらのビアは、実装エリアａの中心部から外側に向けて熱伝導率が小さくなるように配置しても良い。
加えて、本発明配線基板は、１個の配線基板の表面に複数の実装エリアを形成したり、あるいはかかる表面に開口するキャビティを複数とし、これらの実装エリアに電子部品を個別に実装する形態とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明における第１の配線基板を示す垂直断面図。
【図２】図１中の一部を拡大した平面図。
【図３】異なる形態の第１の配線基板を示す垂直断面図。
【図４】図３中の一部における平面的な位置関係を示す概略図。
【図５】本発明における第２の配線基板を示す垂直断面図。
【図６】異なる形態の第２の配線基板を示す垂直断面図。
【図７】本発明における第３の配線基板を示す垂直断面図。
【図８】異なる形態の第３の配線基板を示す垂直断面図。
【図９】更に異なる形態の第１の配線基板を示す垂直断面図。
【図１０】更に別なる形態の第１の配線基板を示す垂直断面図。
【図１１】更に異なる形態の第２の配線基板を示す垂直断面図。
【図１２】更に別なる形態の第２の配線基板を示す垂直断面図。
【図１３】更に異なる形態の第３の配線基板を示す垂直断面図。
【図１４】更に別なる形態の第３の配線基板を示す垂直断面図。
【図１５】異なる形態の実装エリアとビアの平面的な位置関係を示す概略図。
【符号の説明】
【００３６】
１，１ａ〜１ｍ…………………………………………………………配線基板
２，２ａ…………………………………………………………………基板本体
３…………………………………………………………………………表面
４…………………………………………………………………………裏面
５，５ａ……………………………………………………………キャビティ(表面)
６，６ａ…………………………………………………………………底面(表面)
８，２０，２４…………………………………………………………電子部品
１０,１０ａ,１０ｂ,１４,１４ａ,１４ｂ,１７,１７ａ,１７ｂ,26,28…ビア導体
１１,１１ａ,１５,１５ａ,１８,１８ａ………………………………上端
１２,１２ａ,１６,１６ａ,１９,１９ａ………………………………下端
ａ…………………………………………………………………………実装エリア
ｓ…………………………………………………………………セラミック(絶縁材)
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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