(57)【要約】【課題】 塗布法によるコーティングが容易で、高い発光効率及び低電圧化を実現可能なイリジウム錯体を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で表されるイリジウム錯体。  【化１】2006290781.tif 000024（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０は、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、Ｒ１１は水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基又はアルコキシ基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるイリジウム錯体。
【化１】
2006290781.tif 000023
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、R１１は水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基、アラルキル基又はアルコキシ基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、溶剤への溶解性が良好なイリジウム錯体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略す。）は、低電圧で高輝度の発光を得ることが出来る為、有望な次世代の表示素子として注目を集めている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、印加電圧が低く消費電力が小さく、小型化が可能であり、面発光であり、三原色発光もできることから、このような有機ＥＬ素子をマルチカラーディスプレイへ適用する動きが盛んに検討されている。しかし、高機能なマルチカラーディスプレイを開発する為には、光の三原色である赤色、緑色及び青色のそれぞれ各色の発光素子特性及びその効率を向上させる必要があり、また照明器具とするためにも発光効率の改善が求められている。
【０００４】
有機ＥＬ素子の発光素子特性向上の手段として、有機ＥＬ素子の発光層に燐光発光材料を利用することが提案されている。電子と正孔の再結合による電流励起においては、スピン統計則により、三重項の固有状態の３個と一重項の固有状態の１個の合計４個の固有状態が再結合により等確率で起こるために、一重項励起子と三重項励起子が１：３の確率で起こる。このように、電流励起による有機ＥＬ素子において、燐光性発光材料が特に注目されている理由は、原理的に高発光効率が期待できるからである。これまでの有機ＥＬ素子は、一重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率は生成された励起子数に対して、２５％でありこれが原理的上限であった。しかし、三重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも３倍の収率が期待され、さらに、エネルギー的に高い一重項からの三重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には４倍の１００％の発光収率が期待できる。
このような燐光発光材料として、次式で示されるビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウムアセチルアセトナート（Ｉｒ(ｐｐｙ)2（ａｃａｃ））や、次式で示されるトリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）イリジウムをはじめとしたオルソメタル化イリジウム錯体が広く知られている。
【０００５】
【化１】
2006290781.tif 000002
【０００６】
燐光性発光材料（燐光ドーパント）の発光はホスト材料に依存するが、そのホスト材料に必要とされる基本性能としては、正孔輸送性および電子輸送性を有すること、ホスト材料の三重項状態のエネルギーレベルが燐光ドーパントの三重項エネルギーよりも大きいことなどが挙げられ、一般には低分子材料であるＣＢＰ（４，４'−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル）が好適に用いられている。
このような低分子材料を用いた燐光素子は、層構成の最適化を容易に行うことができるため、高効率化や長寿命化が期待できるが、一方で経時的に有機層の結晶化や凝集が起こり素子が劣化して、素子寿命に多大な影響を与えるといった問題がある。さらに、蒸着プロセスにより素子を作製しなければならず、大掛かりな蒸着装置が必要でコストが高いという問題があり、さらに、基材の大面積化が困難という問題がある。真空蒸着法に比べてコストが安価で、大面積ディスプレイの製造が可能な方法としては、溶媒を用いて基材に塗布する塗布法がある。しかしながら、従来の低分子材料を溶剤に溶解又は分散させて塗工液を調製しようとしても溶解性、分散性が悪いため、均一で安定な塗工液が得られず、製膜できても膜安定性が悪いため、従来の低分子材料を塗布法により利用することは困難であった。
【０００７】
しかし、有機ＥＬ素子を証明装置や大面積ディスプレイとして応用してゆくためには、安定した層を容易に形成することができる塗布法による製造方法の開発が求められており、近年塗布法により成膜可能な燐光性発光材料が開発されている。このための方法としては、例えば、ＰＶＣｚ（ポリビニルカルバゾール）などの高分子ホストとＩｒ（ｐｐｙ）３（トリス（２−フェニルピリジネート−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）錯体）などの低分子燐光ゲストとの混合溶液を塗布する方法（特許文献１）、ホスト分子とゲスト分子のモノマーを共重合させて、全体を高分子化した高分子の溶液を塗布する方法（非特許文献１、２）、高分子材料としてデンドリマーを使用して、共役系デンドリマーの中心に低分子燐光ゲストを配し、低分子ホストとの混合溶液を塗布する方法（非特許文献３を）等が報告されている。また、酸素や水に対する安定性を高めた有機ＥＬ素子についても報告されている（例えば、特許文献２を参照）。
【０００８】
しかしながら、これらの従来法では、溶液をスピン塗布して容易に成膜することができたとしても、得られた発光層の発光特性や素子寿命などは必ずしも十分ではなく、発光特性や素子の寿命がより改善された材料の開発が望まれている。
【０００９】
【非特許文献１】J.-S.Lee et.al., Polymer Preprints 2001, 42(2), p.448-449(2001)
【非特許文献２】鈴木充典、時任静士, ＮＨＫ技研 Ｒ＆Ｄ, No.77, p.34-41(2003)
【非特許文献３】S.-C.Lo et.al., Adv.Mater., vol.14, No.13-14, p.975-979(2002)
【特許文献１】特開２００１−２５７０７６号公報
【特許文献２】特表２００２−５４３５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、塗布法によるコーティングが容易で、高い発光効率を実現可能な有機化合物、並びに当該有機化合物を用いた高い発光効率を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、塗布法によるコーティングが容易であり、高い発光効率を有する有機ＥＬ素子の研究を行っている過程で、一般式（１）で表されるイリジウム錯体が優れた溶媒溶解性や溶媒分散性を有することを見出し、本発明を完成させた。
従来、燐光発光材料であるイリジウム錯体は、イリジウム錯体分子同士が近接する凝集状態では、それぞれの分子の三重項状態同士でエネルギー交換を起こすため、リン光発光が消失する。この為、リン光発光化合物であるイリジウム錯体を凝集させることは適していなかった。しかし、下記一般式（１）で示されるイリジウム化合物をホスト材料に使用することによって、溶媒溶解性が改善されるだけでなく、高効率及び低電圧駆動が可能であることがわかった。
【００１２】
本発明に係るイリジウム錯体は良好な溶媒溶解性又は溶媒分散性を有し、溶媒中に均一に溶解又は分散し易い状態となっている。そのため、本発明のイリジウム錯体化合物を含む塗液を用いて被塗布材上に塗布することにより、化合物は塗膜中に凝集することなく均一に分散することが可能となるので、被塗布材上の各部において均一な発光特性をもたらすことができる。さらに、より高い発光効率を達成できるだけでなく、従来に比べて低電圧化駆動を可能とする。
【００１３】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表されるイリジウム錯体に関するものである。
【００１４】
【化２】
2006290781.tif 000003
【００１５】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれの置換基が他の置換基と結合しても良い。Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、R１１は水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基、アラルキル基又はアルコキシ基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るイリジウム錯体（以下、本発明の錯体とする）は、溶媒溶解性に優れるため、該化合物を含む塗料を用いて成膜することが可能であり、有機発光素子、特に燐光有機発光素子をコーティング成膜によって作製することが可能である。
【００１７】
また本発明の錯体は塗膜中に凝集することなく均一に分散するので、有機ＥＬ素子に用いられた場合に被塗布材上の各部において均一な発光特性をもたらし、その結果、注入された電荷に基づく発光が面内で均一に生じることとなり、発光効率が向上する。
本発明の錯体は、これまでの塗布型発光・燐光材料に比べて効率が高く、かつ発光材料自身の凝集を抑制できるため、低電圧駆動も可能である。また、本発明の有機化合物は熱的安定性が高く、寿命向上に有利である。
【００１８】
従って本発明の錯体は、これまでの塗布型発光・燐光材料が抱える種々の問題を解決し、高効率的発光により長寿命な有機ＥＬ素子の実現を可能にする。
本発明に係る有機ＥＬ素子は、上記効果を有する本発明の錯体を含有する層が設けられているため、従来に比べて塗布により容易に該材料の分散性が高い層が得られ、更に高い発光効率を得ることができ、長寿命素子の実現が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のイリジウム錯体について詳しく説明する。
本発明に係るイリジウム錯体は、下記一般式（１）で表される化合物である。
【００２０】
【化３】
2006290781.tif 000004
【００２１】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基を示しており、それぞれのR基が他のR基と結合しても良い。R９及びＲ１０はそれぞれ独立して、アルキル基、アリール基、アルコキシ基又はハロゲン化アルキル基を表し、R１１は水素原子、アルキル基、アリール基又はハロゲン化アルキル基を表す。また、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１は重合性基又は該重合性基が重合した基を示してもよい。ただし、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１の中の少なくとも一つは、炭素数５以上のアルキル基、アラルキル基又はアルコキシ基を表す。ｎは１又は２の整数を示し、ｎ１は１又は２の整数を示すが、ｎとｎ１の和は３である。）
【００２２】
以下に一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１で示される基の説明をする。
アルキル基としては、例えば、炭素数１〜３０、好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１０の直鎖状、又は分枝状鎖状のアルキル基や、炭素数３〜３０、好ましくは炭素数３〜２０、より好ましくは炭素数３〜１０の単環式、多環式、又は架橋式のシクロアルキル基が挙げられ、具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられるが、フッ素原子が好ましい。
【００２３】
アルコキシ基としては、前記したようなアルキル基に酸素原子が結合した基が挙げられ、具体例としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。
【００２４】
ハロゲン化アルキル基としては、前記したアルキル基の１個以上の水素原子がフッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子によりハロゲン置換された基が挙げられ、具体的には、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等のパーフルオロアルキル基等が挙げられる。
【００２５】
ジアルキルアミノ基としては、アミノ基の２個の水素原子が、それぞれ独立して前記したようなアルキル基で置換されたものが挙げられ、具体例としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ（ｎ−プロピル）アミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジ（ｎ−ブチル）アミノ基、ジ（ｎ−ヘキシル）アミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基などが挙げられる。
【００２６】
アリール基としては、炭素数６〜３０、好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１２の単環式、多環式、又は縮合環式アリール基が挙げられ、具体例としては、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基、アントラニル基などが挙げられる。これらのアリール基は、前記したアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン原子などの置換基を有していてもよい。
【００２７】
ジアリールアミノ基としては、アミノ基の２個の水素原子が、それぞれ独立して前記したアリール基で置換されたものが挙げられ、具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、フェニルナフチルアミノ基などが挙げられる。
【００２８】
アラルキル基としては、前記アルキル基の少なくとも１個の水素原子が前記アリール基で置換された基が挙げられ、具体的にはベンジル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニルプロピル基、３−ナフチルプロピル基等が挙げられる。
【００２９】
また、Ｒ１とＲ２、Ｒ２とＲ３、Ｒ３とＲ４、Ｒ５とＲ６、Ｒ６とＲ７及びＲ７とＲ８のそれぞれ隣接する基、又はＲ４とＲ5のように相互にオルト位に位置する基は、それぞれ一緒になって隣接する炭素原子と共に環を形成する場合には、形成する環は飽和又は不飽和の単環でも多環でもよく、５員環又は６員環が好ましい。また、同様にＲ９とＲ１１又はＲ１０とＲ１１がそれぞれ一緒になって隣接する炭素原子と共に環を形成する場合には、形成される環は飽和又は不飽和の単環でも多環でもよく、５員環又は６員環が好ましい。このようにして形成される好ましい環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等の炭素環式芳香環、ピリジン環、ピラジン環等の芳香族複素環等が挙げられる。
【００３０】
以下、本発明の溶解性の高いイリジウム金属錯体の具体的な構造式を以下に示す。但し、代表例を例示しただけで、本発明はこれらに限定されるものではない。化合物中、Ｐｈはフェニル基を、Ｃｙはシクロヘキシル基を表す。
【００３１】
【化４】
2006290781.tif 000005
【００３２】
【化５】
2006290781.tif 000006
【００３３】
【化６】
2006290781.tif 000007
【００３４】
【化７】
2006290781.tif 000008
【００３５】
これらの本発明のイリジウム錯体は、それ自体で有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）材料として使用することができる。また、好ましくは、これらの本発明のイリジウム錯体は、有機ＥＬ素子用のホスト材料として使用することができる。
【００３６】
次に本発明のイリジウム錯体の製造方法について詳細に説明する。本発明の前記一般式（１）で表される化合物は、種々の手法で合成することができ、例えばInorg.Chem.1991年,30号,1685頁.,同1988,27号,3464頁.,同1994年,33号,545頁., Inorg.Chem.Acta 1991年，181号,245頁., J.Organomet.Chem. 1987年，335号，293頁., J.Am.Chem.Soc.1985年,107号,1431頁等、公知の手法で合成することができる。すなわち、種々の配位子またはその遊離体とイリジウム化合物とを、溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、水などが挙げられる）の存在下又は溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）又は塩基非存在下、室温以下又は加熱して（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）、合成することができる。
【００３７】
出発原料としてのイリジウム化合物としては、例えば、（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー、イリジウムクロライド（III）水和物、６ハロゲン化イリジウム（III）化合物、例えば、カリウムヘキサクロロイリデート（III）、６ハロゲン化イリジウム（IV）化合物、例えばカリウムヘキサクロロイリデート（IV）及びその類縁体を用いることができる。
【００３８】
化学量論量の配位子と上記イリジウム化合物から三価六配位オルソメタル化イリジウム複核錯体の合成を行い、次いで塩基の存在下、又は非存在下に配位子を反応させて一般式（１）の化合物を合成する。必要であれば、トリフルオロメタンスルホン酸銀等を用いても良い。
【００３９】
溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル等のニトリル類、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、ｏ−ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類、水等が挙げられる。これら溶媒は、夫々単独で用いても２種以上適宜組み合わせて用いても良い。これら溶媒は、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、２−エトキシエタノール等のアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−プロパンジオール、グリセリン等の多価アルコール類及び水を単独で或いは２種以上を併用することが好ましい。
【００４０】
使用する溶媒の量としては、反応が十分に進行できる量であれば特に制限はないが、好ましくはイリジウム出発原料に対して通常１〜２００倍量、好ましくは約５〜５０倍量程度がよい。
【００４１】
この反応は不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス等が挙げられる。また、上記製造方法は、超音波発生装置を併用して行うことができる。
【００４２】
反応温度は、通常２５℃〜３００℃、好ましくは６０℃〜２００℃、より好ましくは８０℃〜１５０℃の範囲から適宜選択される。
反応時間は、通常１０分〜７２時間、好ましくは３０分〜４８時間、より好ましくは１時間〜６時間の範囲から適宜選択される。
【００４３】
この製造方法は、塩基の存在下で行うことが好ましい。塩基としては、無機塩基、有機塩基等が挙げられる。無機塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等が挙げられる。有機塩基としては、カリウムメトキシド、ナトリウムメトキシド、リチウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド等のアルカリ金属アルコキシド類、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ピペリジン、ピリジン、４−ジメチルアミノピリジン、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、トリ−ｎ−ブチルアミン、Ｎ−メチルモルホリン等の有機アミン類、水素化ナトリウム等の金属水素化物類等が挙げられる。
【００４４】
塩基の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して通常０．５〜１０当量、好ましくは０．８〜２当量、より好ましくは１〜１．２当量の範囲から適宜選択される。
また、銀塩を添加して反応を行っても良い。銀塩としては、例えば、硝酸銀、酢酸銀、トリフルオロ酢酸銀、メタンスルホン酸銀、トリフルオロメタンスルホン酸銀等が挙げられ、中でもトリフルオロ酢酸銀及びトリフルオロメタンスルホン酸銀が好ましい。銀塩の使用量は、一般式（１）で表される化合物に対して通常１〜２０当量、好ましくは１．５〜１０当量、より好ましくは２〜３当量の範囲から適宜選択される。
【００４５】
本反応は、必要に応じて後処理、単離及び精製を行い多段階で反応を行なうこともでき、または、一切の後処理を行うことなくワンポットで反応を行なうことも可能である。後処理の方法としては、例えば反応物の抽出、沈殿物の濾過、溶媒の添加による晶析、溶媒の留去などが挙げられ、これらを単独もしくは併用して行うことができる。精製の方法としては、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華などが挙げられ、これらを単独あるいは併用して行うことができる。
【００４６】
本発明の良溶解性イリジウム錯体としては、各溶剤におけるヒルデブランド（Ｈｉｌｄｅｂｒａｎｄ）の溶解度パラメータ（δ＝（Ｅ／Ｖ）1/2  （式中、Ｅはモル凝集エネルギーを表し、Ｖは分子の容積を表す。））を基準として、溶解度パラメータδの値が、６〜１１、好ましくは７〜１０の範囲にある溶剤に０．１重量％以上溶解するものが好ましい。具体的な溶剤としては、ペンタン、ヘキサン、オクタン、シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素、エチルエーテル、プロピルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、ジクロロメタン、クロロホルム、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、酢酸エチル等のエステル類などが挙げられる。
【００４７】
発光素子の有機層（有機化合物層）の製膜方法は、特に限定されないが、スパッタリング、分子積層法、コーティング法、インクジェット法などの方法が好ましい。更に好ましくは、構成材料等の有機溶剤溶液を調整し、スプレイコーティング、スピンコーティング、ディップコーティングなどのコーティング法、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の印刷法、またはインクジェット法等によって印刷またはコーティングを行い、乾燥して製膜する。乾燥方法に特に制限はない。また、各種材料の粘度を調整するため、高分子材料を含有させても良い。このとき混合する高分子材料は、素子の性能を落とさないように、電荷又は正孔輸送層を有するものが好ましい。例えば、溶剤に可溶としたポリフェニレン、ポリフルオレン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン、ポリビニルカルバゾール、ポリピロール、ポリアセチレン、ポリアニリン、ポリオキサジアゾール等が挙げられる。特に溶剤に可溶としたポリパラフェニレン、ポリビニルカルバゾールが好ましい。また、電子輸送を補助する材料を加えることも好ましい態様の一つである。このような電子輸送を補助する材料としての具体例としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の芳香環テトラカルボン酸の酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。
【００４８】
本発明のイリジウム錯体を発光層のホスト材料として用いた場合の発光層におけるホスト材料とゲスト材料の混合比は、発光層中のゲスト材料の濃度が少なくとも０．５％以上となるようにする。具体的には、０．５：９９．５〜９９．５：０．５の範囲が好ましい。発光層の膜厚は特に限定はないが、乾燥後１ｎｍ〜１μｍとした場合に、高い発光効率が得られ、１０ｎｍ〜５００ｎｍとなるように作製することが好ましい。
【００４９】
前記有機溶剤としては、材料を溶解することが出来ればいずれの有機溶剤でも使用できる。例えばシクロヘキサノン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、クロロホルム、ジクロロメタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ブチルカルビトール、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸、メタノール、エタノール、フェノール、ブタノール、水等をあげることが出来る。溶剤の揮発速度が速いと溶液の粘度上昇が起こることや、使用する印刷版に材料が固着しやすくなることから、２５℃における蒸気圧が１６〜３５０Ｐａ（０．１２〜２．５ｍｍＨｇ）程度の範囲内であって、沸点が常圧で１００〜３００℃の範囲内であることが好ましい。このような溶剤の例として、トルエン、キシレン、シクロヘキサノン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、テトラリン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ブチルカルビトール、Ｎ−メチルピロリドン、酢酸、フェノール、ブタノール、水等が挙げられる。これらの溶剤は、単独で使用しても混合で使用しても差し支えない。
【００５０】
ゲスト及びホスト化合物の溶液の濃度は、印刷法やコーティング方法により異なるが、０．１質量％〜１５質量％の範囲であることが好ましい。ゲスト及びホスト化合物の濃度が０．１質量％未満であると、印刷又はコーティングした乾燥後の膜厚が薄くなり過ぎる為有機EL素子のショートを引き起こす恐れがある。一方、ゲスト及びホスト化合物の濃度が１５質量％を越えると、印刷又はコーティングした乾燥後の膜厚が厚くなり、発光させる為の必要な電圧が高くなる、或いは発光輝度が低くなることになる。得られる有機EL素子の性能から、材料の溶液中での濃度は０．５質量％〜１０質量％の範囲にあることが特に好ましい。材料の溶液中での濃度がこの範囲内であれば乾燥後の発光層の膜厚を１ｎｍ〜１μｍとなるように制御しやすい。
【００５１】
前記発光層上に電子輸送層等の異なる層を設ける場合、湿式製膜法又は真空蒸着法によって前記発光層上に設ける。好ましくはインクジェット法、印刷法やコーティング法などの湿式製膜法が好ましい。湿式製膜法により材料を溶剤に溶解又は分散させて得た溶液を、公知のコーティング法、インクジェット法、印刷法等によって塗布後乾燥させる。乾燥方法に特に制限はない。このとき使用する溶剤は、発光層が溶解することのないような溶剤が好ましい。このとき溶剤中の化合物濃度が０．１〜１０質量％となるように調整すると、乾燥後の電子輸送層の膜厚を１ｎｍ〜２００ｎｍとなるように制御しやすい。
【００５２】
発光素子は陽極、陰極の一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む複数の有機化合物薄膜を形成した素子であり、発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、保護層などを有しても良く、またこれらの各層はそれぞれ他の機能を備えた物であっても良い。各層の形成にはそれぞれ種々の材料を用いることが出来る。
【００５３】
陽極は正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。具体例としては酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（以下、ＩＴＯとする）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物または積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、およびこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性などの点からＩＴＯが好ましい。陽極の膜厚は材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００５４】
陽極は通常、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。陽極の作製には材料によって種々の方法が用いられるが、たとえばＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾル−ゲル法など）、ＩＴＯ分散物の塗布などの方法で膜形成される。陽極は洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げ、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【００５５】
陰極は電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。陰極の材料としては金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、またはこれらの混合物を用いる事ができ、具体例としてはリチウム、ナトリウム、カリウムといったアルカリ金属およびその弗化物、マグネシウム、カルシウムといったアルカリ土類金属及びその弗化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属、インジウム、イッテルビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金またはそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金またはそれらの混合金属等である。
【００５６】
陰極は、上記化合物及び混合物を含む積層構造を取ることも出来る。陰極の膜厚は材料により適時選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。陰極の作製には電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法等の方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することも出来る。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金で極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させても良い。陰極及び陽極のシート抵抗は低い方が好ましい。
発光層は通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。発光層の作製方法は、特に限定されるものではないが、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、分子積層法、コーティング法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法、ＬＢ法等の方法が用いられ、好ましくは抵抗加熱蒸着、コーティング法である。
【００５７】
正孔注入層、正孔輸送層の材料は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。具体例としては、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール） 誘導体、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。正孔注入層、正孔輸送層の作製方法は、真空蒸着法やＬＢ法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することが出来、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【００５８】
電子注入層、電子輸送層の材料は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれかを有しているものであれば良い。陽極から注入された正孔を障壁する機能を有する正孔ブロッキング層のイオン化ポテンシャルは、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きいものを選択する。
【００５９】
具体例としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、多環系化合物、バソクプロイン等のヘテロ多環系化合物、オキサジアゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、アントラキノンジメタン誘導体、アントロン誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸又はペリレンテトラカルボン酸等の芳香環テトラカルボン酸の酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、イリジウム錯体等が挙げられる。電子注入層、電子輸送層の膜厚は特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。電子注入層、電子輸送層は上述した材料の一種または二種以上から成る単層構造であっても良いし、同一組成または異種組成の複数層からなる多層構造であっても良い。電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、真空蒸着法やＬＢ法、前記の正孔注入輸送剤を溶媒に溶解または分散させてコーティングする方法（スピンコート法、キャスト法、ディップコート法等）、インクジェット法等の方法が用いられる。コーティング法の場合、樹脂成分と共に溶解または分散することが出来、樹脂成分としては正孔注入層及び正孔輸送層の場合に例示したものが適用できる。
【００６０】
保護層の材料としては水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであれば良い。具体例としては、インジウム、錫、鉛、金、銀、銅、アルミニウム、チタン、ニッケル等の金属、酸化マグネシウム、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化ニッケル、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化鉄、酸化イッテルビウム、酸化チタンなどの金属酸化物、弗化マグネシウム、弗化リチウム、弗化アルミニウム、弗化カルシウムの金属弗化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも一種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法を適用できる。
【００６１】
このようにして得られた高効率な発光素子は、省エネルギーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例としては表示装置・照明装置やプリンターの光源、液晶表示装置のバックライトなどが考えられる。表示装置としては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが可能となる。また、プリンターの光源としては、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を、前記のようにして得られた発光素子に置き換えることができる。独立にアドレスできる素子をアレイ上に配置し、感光ドラムに所望の露光を行うことで、画像形成する。このような素子を用いることで、装置体積を大幅に減少することができる。ディスプレイへの応用では、単純マトリックス方式及びアクティブマトリクス方式であるＴＦＴ駆動回路を用いて駆動する方式が考えられる。上記ＩＴＯ電極の上に多層あるいは単層の有機ＥＬ層／陰極層を順次積層し有機ＥＬ表示パネルを得ることができる。
【実施例】
【００６２】
以下に実施例等を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００６３】
（実施例１）
化合物（１−１）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）２，４−トリデカンジオナート）の製造、
化合物（１−１）を次式に示す反応式にしたがって製造した。
【００６４】
【化８】
2006290781.tif 000009
【００６５】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（５．０ｇ、７．４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（５０ｍＬ）、２−フェニルピリジン（４．８５２g、３．１３ｍｍｏｌ、４．２当量）を順次加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却し、中間体のビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）クロライド ダイマーを懸濁液として得た。この懸濁液に、２,４−トリデカンジオン（４.７６ｇ、２２．３ｍｍｏｌ、３．０当量）及び炭酸ナトリウム（２.３７g、２２．３ｍｍｏｌ、３．０当量）を順次加え、１３５℃でさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘキサン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−１）を山吹色の粉末として４．７７ｇ得た。収率８９．９％。さらに減圧下、昇華精製を行った。
1H NMR(500MHz, CD2Cl2):δ 0.89(t, J=7.2Hz, 3H), 0.91-1.38(m,14H), 1.97(t, J=7.4Hz, 2H), 5.19(s, 1H)
MS(C35H39N2O2Ir:M.W.712.26): 実測値：712.0, 501.1
【００６６】
（実施例２）
化合物（１−２）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）１０，１２−ヘンイコサンジオナート）の製造、
化合物（１−２）を次に示す反応式にしたがって製造した。
【００６７】
【化９】
2006290781.tif 000010
【００６８】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに実施例１と同様にして得られたビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）クロライド ダイマー（１．５ｇ、１．４ｍｍｏｌ、１当量）を取り、この中に１−ブタノール（３０ｍＬ）及び１０，１２−ヘンイコサンジオン（１．２g、３．６８ｍｍｏｌ、１．３当量）を順次加えた。さらにナトリウムターシャリーブトキシド（０．３７ｇ、３．１２mmol、１．１当量）を徐々に加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却し、ろ過し、ろ過物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−２）を山吹色の粉末として０．７４３ｇ（０．９０mmol）得た。収率３２．０％。
1H NMR(500MHz,,CD2Cl2):δ0.88(t, J=7.3Hz, 6H), 0.95-1.35(m, 28H), 1.99(td, 4H), 5.18(s, 1H), 6.32(d, J=7.6Hz,2H), 6.68(dd, J=7.6, 7.7Hz, 2H), 6.81(dd, J=7.6, 7.7Hz, 2H), 7.08(dd, J=5.8, 8.1Hz, 2H), 7.55(d, J=7.7Hz, 2H), 7.70(dd, J=5.8, 8.1Hz, 2H), 7.83(d, J=8.1Hz, 2H), 8.49(d, J=5.8Hz, 2H)
MS(C43H55N2O2Ir:M.W.824.22): 実測値：824.3, 501.2
【００６９】
（実施例３）
化合物（１−３）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）３−ドデシル−２．４−ペンタンジオナート）の製造、
化合物（１−３）を次に示す反応式に従って製造した。
【００７０】
【化１０】
2006290781.tif 000011
【００７１】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（２．０ｇ、２．９８ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、２−フェニルピリジン（１．８５g、１１．９ｍｍｏｌ、２当量）を順次加え、１３５℃にて３時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却した後、３−ドデシル−２．４−ペンタジオン（２．０４ｇ、7.74mmol、１．３当量）を加え、さらにナトリウムターシャリーブトキシド（０．６０１ｇ、６．２５mmol、１．０５当量）を徐々に加えた後、室温にて１０時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温にまで冷却後、ろ過し、ろ過物をトルエンに溶解して、トルエン溶液を水洗した。さらに飽和食塩水で２回洗浄した後、溶媒を留去した。得られた粗生成物は、塩化メチレン／ヘプタンで再結晶を行い、化合物（１−３）を山吹色の粉末として３．２３ｇ（５．２６mmol）得た。収率８８.３％。
1H NMR(500MHz, CD2Cl2):δ 0.88(t, J=7.1Hz, 3H), 1.20-1.31(m, 20H), 1.57(d, J=7.0Hz, 2H), 2.01(s, 3H), 2.33(s, 3H), 6.08(d, J=7.8Hz, 2H), 6.63(dd, J=7.5Hz, 7.8Hz, 2H), 6.78(dd, J=7.5Hz, 7.8Hz, 2H), 7.27(dd, J=8.0Hz, 5.5Hz, 2H), 7.51(d, J=7.8Hz, 2H), 7.80(dd, J=8.0Hz, 5.5Hz, 2H), 7.87(d, J=8.0Hz, 2H), 8.87(d, J=5.5Hz, 2H)
MS(C39H47N2O2Ir:M.W.768.32); 実測値：768.2, 501.2
【００７２】
（実施例４）
化合物（１−４）（ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）ドデシル−３−オキソブタノエート）の製造、
化合物（１−４）を次に示す反応式に従って製造した。
【００７３】
【化１１】
2006290781.tif 000012
【００７４】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコにビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）クロライド ダイマー（１．８３ｇ、１．７１ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中にアセトン１００ｍLを加えた。さらにトリフルオロメタンスルホン酸銀（１．７５６g、６．８３ｍｍｏｌ、２当量）を添加して、還流下にて３時間攪拌した。室温まで冷却した後、析出した塩化銀をろ過した。得られたろ液を還流管を取り付けたシュレンクフラスコに窒素下で加えて、さらにドデシル−３−オキソブタノエート（２．３４０９ｇ、８．７２mmol、２．５５当量）及びトリエチルアミン１．５ｍLを添加して、還流下にて５時間攪拌後、室温まで冷却した。反応溶液をろ過した後、ろ液を減圧留去した。得られた粗生成物を塩化メチレンに溶解した後、セライトろ過を行い、ろ液を溶媒留去した後、ヘプタン再結晶を３回繰り返して、化合物（１−４）を山吹色の粉末として０．６０２ｇ（０．７８４mmol）得た。収率２２．９％。
1H NMR(500MHz, CD2Cl2):δ 0.89(t, J=7.1Hz, 3H), 1.01-1.36(m, 16H), 3.08(s, 3H), 3.76(m, 2H), 4.69(s, 1H), 6.23(d, J=7.6Hz, 1H), 6.27(d, J=7.6Hz, 1H), 6.67(m, 2H), 6.79(m, 2H), 7.13(m, 2H), 7.52(d, J=7.8Hz, 2H), 7.54(d, J=7.54, 2H), 7.72(dd, 2H), 7.82(d, J=8.0Hz, 1H), 7.82(d, J=8.0Hz, 1H), 8.54(d, J=7.7Hz, 1H), 8.62(d, J=7.7Hz, 1H)
MS(C38H45N2O2Ir:M.W.770.30): 実測値：770.0, 501.1, 154.0
【００７５】
（実施例５）
化合物（１−５）（ビス（２−（４−デシルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート）の製造、
化合物（１−５）を次に示す反応式に従って製造した。
【００７６】
【化１２】
2006290781.tif 000013
【００７７】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（０．５ｇ、０．７４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（３０ｍＬ）、２−（４−デシルフェニル）ピリジン（０．８８g、純度９０％、５．１０ｍｍｏｌ、３．４当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０．２９ｇ、純度97％、１．９１ｍｍｏｌ、２．６当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−５）を山吹色の粉末として０.５１５４ｇ（０．５８５mmol）得た。収率３９.３％。
1H NMR(500MHz, CD2Cl2): δ0.883(t, J=7.1Hz, 6H), 1.04-1.42(m, 32H), 1.77(s, 6H), 2.27(d, J=7.7Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.02(s, 2H), 6.61(d, J=7.9Hz, 2H), 7.08(dd, J=5.7, 8.0Hz, 2H), 7.43(d, J=8.0Hz, 2H), 7.68(dd, J=5.7, 8.0Hz, 2H), 7.79(d, J=8.0Hz, 2H), 8.48(d, J=5.7Hz, 2H)
MS(C47H63N2O2Ir:M.W.880.45): 実測値：880.2, 781.3
【００７８】
（実施例６）
化合物（１−６）（ビス（２−（３−ヘキシルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）アセチルアセトナート）の製造
化合物（１−６）を次に示す反応式に従って製造した。
【００７９】
【化１３】
2006290781.tif 000014
【００８０】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（１．０ｇ、１．４４ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（６０ｍＬ）、２−（3−ヘキシルフェニル）ピリジン（１．４２５g、５.９５ｍｍｏｌ、２当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０．５７ｇ、純度97％、３．７６ｍｍｏｌ、１．３当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ジクロロメタン）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、ヘプタン／ジクロロメタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−６）を山吹色の粉末として０.８８９８ｇ（１．１６mmol）得た。収率３８．９％。
1H NMR(500MHz, CD2Cl2): δ 0.86(t, J=7.1Hz, 6H), 1.21-1.32(m, 12H), 1.51-1.58(m, 4H), 2.43(t, J=7.7Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.16(d, J=7.8Hz, 2H), 6.54(d, J=7.8Hz, 2H), 7.09(dd, J=8.1Hz, 6.3Hz, 2H), 7.35(s, 1H), 7.69(dd, J=8.1Hz, 6.3Hz, 2H), 7.83(d, J=8.1Hz, 2H), 8.59(d, J=6.3Hz, 2H)
MS(C39H47N2O2Ir:768.32): 実測値：768.0, 669.1
【００８１】
（実施例７）
化合物（１−７）（ビス（２−フェニル（４−ペンチル−ピリジナト）−Ｎ，Ｃ２'）イリジウム（III）２，４−ペンタジオナート）の製造、
化合物（１−７）を次に示す反応式に従って製造した。
【００８２】
【化１４】
2006290781.tif 000015
【００８３】
窒素雰囲気下、還流管を取り付けたシュレンクフラスコに（１，５−シクロオクタジエン）イリジウム（Ｉ）クロライド ダイマー（０．２ｇ、０．２９８ｍｍｏｌ、１当量）を入れ、この中に２−エトキシエタノール（２５ｍＬ）、２−フェニル−４−ペンチルピリジン（０.３５２g、１.０７ｍｍｏｌ、３．６当量）を順次加え、１３５℃にて４時間攪拌した。得られた黄色の懸濁液を室温まで冷却した後、カリウムアセチルアセトナート水和物（０.１５２ｇ、純度97％、１.０７ｍｍｏｌ、３.４当量）を加え、還流下にてさらに２時間攪拌し山吹色の懸濁液を得た。反応液から溶媒を減圧留去して、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：トルエン/酢酸エチル）にて精製した。カラムの分画を濃縮した後、トルエン／ヘプタンから再結晶を行い、標題の化合物（１−７）を山吹色の粉末として０.２１６ｇ（０.２９mmol）得た。収率４９.１％。
1H NMR(500MHz, CD2Cl2):δ 0.95(t, J=7.1Hz, 6H), 1.42(m, 8H), 1.77(m, 4H), 1.78(s, 6H), 2.80(t, J=7.9Hz, 4H), 5.19(s, 1H), 6.25(d, J=7.6Hz, 2H), 6.66(dd, J=7.6Hz, 7.8Hz, 2H), 6.78(dd, J=7.6Hz, 7.8Hz, 2H), 6.97(d, J=5.9Hz, 2H), 7.52(d, J=7.8Hz, 2H), 7.64(s, 2H), 8.36(d, J=5.9Hz, 2H)
MS(C37H48N2O2Ir:740.04): 実測値：741.4, 692.3, 673.4, 641.4
【００８４】
（合成例１）
化合物（２−１）の合成
【００８５】
【化１５】
2006290781.tif 000016
【００８６】
アルゴン雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−３，５−ジ（ｔ−ブチル）アニリン（２４８ｍｇ）及びテトラクロロ白金酸カリウム(II)（３０６ｍｇ）を混合し、酢酸を加えて１４０℃にて３日間撹拌した。加水後、塩化メチレンで抽出を行い、溶媒を留去後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、化合物（２−１）を赤色結晶として得た（１２４ｍｇ）。
【００８７】
（合成例２）
化合物（２−２）の合成
【００８８】
【化１６】
2006290781.tif 000017
【００８９】
ベンゾニトリル中に塩化白金（II）（２１２ｍｇ）及びＮ，Ｎ−ビス［３−（２−ピリジル）フェニル］−４−ｎ−オクチルアニリン（４０９ｍｇ）を加え、還流下で５時間撹拌を行った。放冷後、ベンゾニトリルを留去し、加水後、塩化メチレンで抽出した。抽出液を濃縮して塩化メチレンを留去し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製して化合物（２−２）を赤色結晶として得た（３２８ｍｇ）。
【００９０】
（素子例１）
図１の素子構造１の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。なお、ＰＥＤＴはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を示し、ＰＳＳはポリスルホスチレンを示す（以下、同じ）。さらに，その上に，発光層として実施例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、合成例１で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、さらに、次式
【００９１】
【化１７】
2006290781.tif 000018
【００９２】
で示される化合物ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＢａを３０ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍ蒸着した。この素子に電流を流したところ，６．８Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【００９３】
（素子例２）
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層として，実施例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、及び合成例１で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ゲスト＝９４：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次にホールブロッキング層としてバトクプロイン（ＢＣＰ:２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン）を蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）を蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ，５．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【００９４】
（素子例３）
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層としては，実施例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例２で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次にホールブロッキング層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍで蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ，４．３Ｖで赤色に発光した。測定されたこの素子の特性を表１に示した。
【００９５】
（素子例４）
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層としては，実施例１で製造した化合物（１−１）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、さらに合成例２で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６：重量比）を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次にホールブロッキング層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に、電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ，５．４Ｖで赤色に発光した。測定された素子の特性を表１に示した。
【００９６】
（素子例５）
図１の素子構造２の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層としては，実施例２で製造した化合物（１−２）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、合成例２で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、１,２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．４Ｖで赤色に発光した。測定された素子の特性を表１に示した。
【００９７】
（素子例６）
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層として実施例４で製造した化合物（１−４）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、合成例２で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次にホールブロッキング層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、６.６Ｖで赤色に発光した。測定された素子の特性を表１に示した。
【００９８】
（素子例７）
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層としては，実施例５で製造した化合物（１−５）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、合成例２で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次にホールブロッキング層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．８Ｖで赤色に発光した。測定された素子の特性を表１に示した。
【００９９】
（素子例８）
図１の素子構造１の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層として，実施例６で製造した化合物（１−６）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、合成例１で製造した化合物（２−１）をゲスト材料として、１，２−ジクロロエタンに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。その上に背面電極としてＢａを３０ｎｍ，ついでＡｌを１００ｎｍ蒸着した。この素子に電流を流したところ、７．２Ｖで赤色に発光した。測定された素子の特性を表１に示した。
【０１００】
（素子例９）
図１の素子構造３の構造を有する有機ＥＬ素子を以下のように形成した。ＩＴＯの透明電極が形成されたガラス基板を洗浄し，PEDT：PSSをスピンコート法により３５ｎｍで製膜した。さらに，その上に，発光層としては，実施例６で製造した化合物（１−６）をホスト材料として、ＯＸＤ−７を電子輸送材料として、合成例２で製造した化合物（２−２）をゲスト材料として、ＴＨＦに溶解したもの（ホスト：ＯＸＤ−７：ゲスト＝４７：４７：６（＝質量比））を作製し、スピンコートにより８０ｎｍで塗布した。次にホールブロッキング層としてＢＣＰを蒸着により１００ｎｍ蒸着した。次に，電子輸送層としてアルミ・オキシン錯体（Ａｌｑ）蒸着により２００ｎｍで製膜する。その上に背面電極としてＬｉＦを０．５ｎｍ、ついでＡｌを１００ｎｍで蒸着した。この素子に電流を流したところ、５．３Ｖで赤色に発光した。測定された素子の特性を表１に示した。
【０１０１】
【化１８】
2006290781.tif 000019
【０１０２】
素子例１〜９で製造した各有機ＥＬ素子の特性をまとめて次の表１に示す。
【０１０３】
【表１】
2006290781.tif 000020
【０１０４】
（溶解度試験）
次の構造式で示される比較化合物Ｙ（Ir(ppy)2acac）のトルエンに対する溶解度を室温で試験した。比較化合物Ｙ（Ir(ppy)2acac）３２．５ｍｇに対してトルエン溶媒が４１．７２８ｇで完全に溶解した（溶解度０．０８wｔ％）。
【０１０５】
【化１９】
2006290781.tif 000021
【０１０６】
続いて、同様にして実施例１で得られた化合物（１−１）をトルエンに溶解させたところ、化合物（１−１）２９．１mgに対してトルエン溶媒０．９５５ｇを要した（溶解度３．０ｗｔ％）。同様に実施例２〜６で得られた化合物（１−２）〜（１−６）に対してもトルエンによる溶解度テストを行った。この結果をまとめて次の表２に各化合物の溶解度を示す。
【０１０７】
【表２】
2006290781.tif 000022
【０１０８】
この結果、有機配位子が無置換である比較化合物Ｙに比べて、炭素鎖が炭素数で８個伸びた化合物（１−１）は、３７．５倍（３．０／０．０８）も溶解度が増加し、アセチルアセトナートの１個のメチル基がアルコキシ基に代えられた化合物（１−４）では、実に２３３．７５倍（１８．７／０．０８）も増加することがわかった。このように、有機配位子部分にアルキル鎖やアルコキシ基が導入された本発明のイリジウム錯体が、無置換の比較化合物Ｙに比べて著しく溶解度が改善されていることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明は有機ＥＬ素子の材料として有用な新規イリジウム錯体を提供するものであり、産業上有用なものである。
また、本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）の発光層を湿式製膜法で製造することが可能となる溶解性や分散性に優れた燐光発光性材料を提供するものであり、しかも本発明の材料を使用することにより、発光層を湿式製膜法で製造しても発光効率や素子寿命に優れ、極めて有効な有機ＥＬ素子の製造材料、その製造方法、及びその方法で製造された有機ＥＬ素子を提供するものであり、産業上極めて有用なものである。
【０１１０】
したがって、本発明は、産業上の利用可能性を有しているものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】素子例中の素子構造１、素子構造２及び素子構造３の構成を示す図である。
【図１】
2006290781.tif 000025