(57)【要約】【課題】  それぞれの一面側にバンプが設けられた２つの基板を当該バンプ同士を圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、２つの基板のバンプの位置あわせを容易にし、当該バンプ同士を適切に接続できるようにする。【解決手段】  第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側にバンプ１０、２０を設け、第１の基板１００側のバンプ１０の先端部１１を平坦面とし、第２の基板２００側のバンプ２０の先端部を第１の基板１００側のバンプ１０の先端部１１よりも細い凸部２１としており、両基板１００、２００の各一面を対向させた状態において、両基板の平面方向への位置ずれが生じても、第１の基板１００側のバンプ１０の先端部１１の範囲内に、第２の基板２００側のバンプ２０の先端部２１が位置するように、両基板のバンプ１０、２０の先端部１１、２１の幅Ａ、Ｂが規定されている。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板（１００）および第２の基板（２００）のそれぞれの一面側にバンプ（１０、２０）が設けられており、
前記第１の基板（１００）の一面と前記第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態で、前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）と前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）とを圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、
前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）は、その先端部が平坦面となっており、前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）は、その先端部が前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）の先端部よりも細い凸部（２１）となっていることを特徴とする基板の実装構造。
【請求項２】
前記第１の基板（１００）の一面と前記第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態において、前記両基板（１００、２００）の平面方向への位置ずれが生じても、前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）の先端部の範囲内に、前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）の先端部が位置するように、前記両基板（１００、２００）のバンプ（１０、２０）の先端部の幅が規定されていることを特徴とする請求項１に記載の基板の実装構造。
【請求項３】
前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）の先端部の幅Ｂは、前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）の先端部の幅Ａの２．５倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の基板の実装構造。
【請求項４】
前記バンプ（１０、２０）は金バンプであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板の実装構造。
【請求項５】
第１の基板（１００）および第２の基板（２００）のそれぞれの一面側にバンプ（１０、２０）が設けられており、
前記第１の基板（１００）の一面と前記第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態で、前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）と前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）とを圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、
前記第１の基板（１００）および前記第２の基板（２００）のそれぞれの一面側には、突起（３０、４０）が設けられており、
前記両基板（１００、２００）の前記突起（３０、４０）をかみ合わせるように前記両基板（１００、２００）を配置することにより、前記両基板（１００、２００）の位置あわせが可能となっていることを特徴とする基板の実装構造。
【請求項６】
前記かみ合わせられた前記両基板（１００、２００）の前記突起（３０、４０）により、前記両基板（１００、２００）の間にて前記両基板（１００、２００）の周辺部の全周に壁部（５０）が形成されており、
前記壁部（５０）により前記壁部（５０）の内周への異物の侵入が防止されるようになっていることを特徴とする請求項５に記載の基板の実装構造。
【請求項７】
第１の基板（１００）および第２の基板（２００）のそれぞれの一面側にバンプ（１０、２０）を設け、
前記第１の基板（１００）の一面と前記第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態で、前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）と前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）とを圧着することにより接続するようにした基板の実装方法において、
前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）を形成する工程では、ボールボンディング法によりキャピラリ（３００）の先端部にワイヤ（４００）により形成されたボール（４０１）を形成し、
このボール（４０１）を前記キャピラリ（３００）を介して前記第１の基板（１００）のパッド（１０１）に押し当てた後、前記変形したボール（４０１）のうち先端部を前記キャピラリ（３００）の先端部にてカットすることにより、前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）としてその先端部が平坦面となっているバンプを形成するものであり、
前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）を形成する工程では、ボールボンディング法によりキャピラリ（３００）の先端部にワイヤ（４００）により形成されたボール（４０１）を形成し、
このボール（４０１）を前記キャピラリ（３００）を介して前記第２の基板（２００）のパッド（２０１）に押し当てた後、前記変形したボール（４０１）の先端部に位置する前記ワイヤ（４００）の一部を前記キャピラリ（３００）の先端部にてカットすることにより、前記第２の基板（２００）側の前記バンプ（２０）としてその先端部が前記第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）の先端部よりも細い凸部（２１）となっているバンプを形成することを特徴とする基板の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、それぞれの一面側にバンプが設けられた２つの基板を当該バンプ同士を圧着することにより接続してなる基板の実装構造およびその実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、一般的なこの種の基板の実装構造を示す図であり、（ａ）は２つの基板１００、２００が接続される前の状態を示す概略断面図、（ｂ）は２つの基板１００、２００が接続された状態すなわち実装状態を示す概略断面図である。
【０００３】
図１３に示されるように、下側の第１の基板１００と上側の第２の基板２００とは、それぞれの一面側にて互いに対向するように配置されている。そして、第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側には、ボールボンディング法により形成された金などからなるバンプ１０、２０が設けられている。
【０００４】
これら両基板１００、２００を実装するにあたっては、図１３（ａ）に示されるように、第１の基板１００の一面と第２の基板２００の一面とを対向させた状態で、第１の基板１００側のバンプ１０と第２の基板２００側のバンプ２０とを位置あわせし、その後、図１３（ｂ）に示されるように、両バンプ１０、２０を圧着する。これにより両バンプ１０、２０が接続され、基板の実装構造が形成される。
【０００５】
ここで、従来では、両基板１００、２００のバンプ１０、２０は、その先端部の幅Ａがほぼ等しくなっている。
【０００６】
そのため、両基板１００、２００の平面方向への位置ずれによる両バンプ１０、２０の位置合わせの許容値Ｗ１は、バンプ１０、２０同士の接合品質を確保することを考慮して、たとえば、上記先端部の幅Ａの１／２すなわちＡ／２以下の値となり、狭い値となっている。
【０００７】
このように位置あわせの許容値Ｗ１が狭いと、バンプ接続部を視覚装置などで確認しながら、高精度の位置あわせを行うことが必要となり、両基板１００、２００の位置あわせに要する手間やコストが増大する。
【０００８】
ここで、従来では、基板側の電極にめっきまたはレジストにより壁を設けて位置決めする方法が提案されている（特許文献１参照）。また、一方で、位置あわせの目的ではないが、最終の樹脂封止時に素子の応力に敏感な部分に樹脂が流れ込まないように壁、ダムを設ける構造が提案されている（特許文献２、特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００２−２６１１１６号公報
【特許文献２】特開平９−２３２３６６号公報
【特許文献３】特開平６−２０４２９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１に記載されているような位置決め方法では、めっきで電極を形成することが前提となっておりコスト高となる。また、この壁は、目印やガイドになるというだけで、電極の寸法の制約の範囲で対処しており、位置あわせを容易とすることにはならない。
【００１０】
一方、上記特許文献２、３に記載されているような壁やダムは、上述したように、基板の位置あわせとなるものではなく、基板の実装における位置あわせを容易にするという目的を持たない。
【００１１】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、それぞれの一面側にバンプが設けられた２つの基板を当該バンプ同士を圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、２つの基板のバンプの位置あわせを容易にし、当該バンプ同士を適切に接続できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、請求項１および請求項２に記載の発明では、第１の基板（１００）および第２の基板（２００）のそれぞれの一面側にバンプ（１０、２０）が設けられており、第１の基板（１００）の一面と第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態で、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）と第２の基板（２００）側のバンプ（２０）とを圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）は、その先端部が平坦面となっており、第２の基板（２００）側のバンプ（２０）は、その先端部が第１の基板（１００）側のバンプ（１０）の先端部よりも細い凸部（２１）となっていることを特徴としている。
【００１３】
それによれば、第１の基板（１００）の一面と第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態において、両基板（１００、２００）の平面方向への位置ずれが生じても、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）の先端部の範囲内に、第２の基板（２００）側のバンプ（２０）の先端部が位置するように、両基板（１００、２００）のバンプ（１０、２０）の先端部の幅を規定することができる（請求項２の発明）。
【００１４】
つまり、対向する両基板（１００、２００）の平面方向への位置ずれが生じても、比較的狭い第２の基板（２００）側のバンプ（２０）の先端部である凸部（２１）を、比較的広い第１の基板（１００）側のバンプ（１０）の先端部である平坦部（１１）上に適切に位置させることが容易になる。
【００１５】
こうして、両基板（１００、２００）の位置あわせ精度を緩和し、当該位置ずれを吸収しやすくなる。そのため、バンプ接続部を視覚装置などで確認しながら位置あわせを行うことが不要となり、容易に位置あわせを行うことができる。
【００１６】
したがって、本発明によれば、それぞれの一面側にバンプ（１０、２０）が設けられた２つの基板（１００、２００）を当該バンプ（１０、２０）同士を圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、２つの基板（１００、２００）のバンプ（１０、２０）の位置あわせを容易にし、当該バンプ（１０、２０）同士を適切に接続することができる。
【００１７】
ここで、請求項３に記載の発明では、請求項１に記載の基板の実装構造において、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）の先端部の幅Ｂは、第２の基板（２００）側のバンプ（２０）の先端部の幅Ａの２．５倍以上であることを特徴としている。
【００１８】
このように、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）の先端部の幅Ｂを、第２の基板（２００）側のバンプ（２０）の先端部の幅Ａの２．５倍以上とすることにより、上記請求項１、２に記載の発明の効果を適切に実現することができ、好ましい。
【００１９】
また、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載の基板の実装構造においては、バンプ（１０、２０）は金バンプであるものにできる。
【００２０】
また、請求項５に記載の発明では、第１の基板（１００）および第２の基板（２００）のそれぞれの一面側にバンプ（１０、２０）が設けられており、第１の基板（１００）の一面と第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態で、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）と第２の基板（２００）側のバンプ（２０）とを圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、第１の基板（１００）および第２の基板（２００）のそれぞれの一面側には、突起（３０、４０）が設けられており、これら両基板（１００、２００）の突起（３０、４０）をかみ合わせるように両基板（１００、２００）を配置することにより、両基板（１００、２００）の位置あわせが可能となっていることを特徴としている。
【００２１】
それによれば、両基板（１００、２００）のそれぞれに設けられた突起（３０、４０）を目印として、両基板（１００、２００）の位置あわせが容易に行えるため、バンプ接続部を視覚装置などで確認しながら位置あわせを行うことが不要となり、容易に位置あわせを行うことができる。
【００２２】
したがって、本発明によれば、それぞれの一面側にバンプ（１０、２０）が設けられた２つの基板（１００、２００）を当該バンプ（１０、２０）同士を圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、２つの基板（１００、２００）のバンプ（１０、２０）の位置あわせを容易にし、当該バンプ（１０、２０）同士を適切に接続することができる。
【００２３】
ここで、請求項６に記載の発明のように、請求項５に記載の基板の実装構造においては、かみ合わせられた両基板（１００、２００）の突起（３０、４０）により、両基板（１００、２００）の間にて両基板（１００、２００）の周辺部の全周に壁部（５０）が形成されており、壁部（５０）により壁部（５０）の内周への異物の侵入が防止されるようになっていることが好ましい。
【００２４】
それによれば、かみ合わせられた両基板（１００、２００）の突起（３０、４０）により形成された壁部（５０）が、その内周側への異物の侵入を阻害する壁として構成されるため、外部からの異物の侵入を適切に防止することができ、信頼性の向上を図ることができる。
【００２５】
請求項７に記載の発明では、第１の基板（１００）および第２の基板（２００）のそれぞれの一面側にバンプ（１０、２０）を設け、第１の基板（１００）の一面と第２の基板（２００）の一面とを対向させた状態で、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）と第２の基板（２００）側のバンプ（２０）とを圧着することにより接続するようにした基板の実装方法において、次のような特徴点を有する実装方法が提供される。
【００２６】
すなわち、第１の基板（１００）側の前記バンプ（１０）を形成する工程では、ボールボンディング法によりキャピラリ（３００）の先端部にワイヤ（４００）により形成されたボール（４０１）を形成し、このボール（４０１）をキャピラリ（３００）を介して第１の基板（１００）のパッド（１０１）に押し当てた後、変形したボール（４０１）のうち先端部をキャピラリ（３００）の先端部にてカットすることにより、第１の基板（１００）側のバンプ（１０）としてその先端部が平坦面となっているバンプを形成する。
【００２７】
また、第２の基板（２００）側のバンプ（２０）を形成する工程では、ボールボンディング法によりキャピラリ（３００）の先端部にワイヤ（４００）により形成されたボール（４０１）を形成し、このボール（４０１）をキャピラリ（３００）を介して第２の基板（２００）のパッド（２０１）に押し当てた後、変形したボール（４０１）の先端部に位置するワイヤ（４００）の一部をキャピラリ（３００）の先端部にてカットすることにより、第２の基板（２００）側のバンプ（２０）としてその先端部が第１の基板（１００）側のバンプ（１０）の先端部よりも細い凸部（２１）となっているバンプを形成する。
【００２８】
これらの特徴点を有する本発明の基板の実装方法によれば、上記請求項１に記載の基板の実装構造を適切に形成することができる。
【００２９】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３１】
図１は、本発明の実施形態に係る基板の実装構造（図２参照）において２つの基板１００、２００が接続される前の状態を示す概略断面図であり、図２は、本実装構造において２つの基板１００、２００が接続された後の状態すなわち実装構造を示す概略断面図である。ここでは、図１、図２において、下側の基板１００を第１の基板１００、上側の基板２００を第２の基板２００とする。
【００３２】
図１に示されるように、本実施形態の基板の実装構造は、大きくは、第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側にバンプ１０、２０が設けられており、第１の基板１００の一面と第２の基板２００の一面とを対向させた状態で、第１の基板１００側のバンプ１０と第２の基板２００側のバンプ２０とを圧着することにより接続してなるものである。
【００３３】
ここで、上側の第２の基板２００は、たとえば、図示しないが、その一面側に加速度や角速度、圧力、湿度、光、流量、ガスなどを検出する素子が形成されたセンサチップとして構成されている。
【００３４】
より具体的には、第２の基板２００は、シリコン半導体基板などからなり、半導体製造技術を用いて、力学量を検出するための櫛歯形状やダイアフラムなどを有する可動部や素子などのセンシング部が形成されたものである。
【００３５】
そして、第２の基板２００において、バンプ２０は、金バンプなどからなるもので、このバンプ２０は、図示しないアルミなどからなるパッド上に、ボールボンディング法を用いて形成されている。
【００３６】
そして、第２の基板２００において、上記パッドと上記センシング部とは、図示しない配線を介して電気的に接続されている。
【００３７】
一方、下側の第１の基板１００は、たとえば、回路チップとして構成されたものであり、センサチップとしての第２の基板２００から発せられる検出信号を処理するための回路を有するものである。
【００３８】
このような回路チップとしての第１の基板１００は、シリコン半導体基板などからなり、半導体製造技術を用いて、トランジスタ素子などにより形成された上記回路を構成したものである。
【００３９】
そして、第１の基板１００において、バンプ１０は、金バンプなどからなるもので、このバンプ１０は、図示しないアルミなどからなるパッド上に、ボールボンディング法を用いて形成されている。そして、第１の基板１００において、上記パッドと上記回路とは、図示しない配線を介して電気的に接続されている。
【００４０】
つまり、本実装構造においては、センサチップとしての第２の基板２００と回路チップとしての第１の基板１００とは、バンプ１０、２０を介して電気的に接続されており、第２の基板２００からの検出信号は、バンプ１０、２０を介して第１の基板１００へ送られ、そこで信号処理に供され、外部に出力されるものにできる。
【００４１】
このような実装構造において、本実施形態では、図１に示されるように、下側の第１の基板１００側のバンプ１０は、その先端部が平坦面となっており、上側の第２の基板２００側のバンプ２０は、その先端部が第１の基板１００側のバンプ１０の先端部よりも細い凸部２１となっている。
【００４２】
より具体的に言うと、下側の第１の基板１００側のバンプ１０は、その先端部が平坦面となっている平坦部１１として構成されている。
【００４３】
一方、上側の第２の基板２００側のバンプ２０は、第２の基板２００の一面側から先端部に向かって細くなるように、基部２３、テーパ部２２、先端部としての凸部２１が形成された構成となっている。
【００４４】
また、基板１００、２００の接続の状態前においては、図１に示されるように、この凸部２１の先端にはボールボンディングにより切断されたワイヤの残り部２４が形成されている。
【００４５】
ここで、本実施形態においては、第１の基板１００側のバンプ１０の先端部である平坦部１１の幅Ｂを、第２の基板２００側のバンプ２０の先端部である凸部２１の幅Ａの２．５倍以上とすることが好ましい。
【００４６】
これら両基板１００、２００のバンプ１０、２０は、上述したように、ボールボンディング法により形成することができるが、そのバンプ形成方法について、図３、図４を参照して、具体的に説明する。
【００４７】
図３は、先端部が凸部２１となっている第２の基板２００側のバンプ２０の形成方法を示す工程図であり、図４は、先端部が平坦部１１となっている第１の基板１００側のバンプ１０の形成方法を示す工程図である。ここで、図３、図４においては、これらバンプ１０、２０は、各基板１００、２００の一面に形成されたパッド１０１、２０１上に形成される。
【００４８】
まず、図３（ａ）〜（ｆ）を参照して、ボールボンディング法による第２の基板２００側のバンプ２０の形成方法について説明する。
【００４９】
まず、キャピラリ３００のホール３０１に挿入された金ワイヤ４００のうち、キャピラリ３００の先端部３０２から突出する部分に対して、放電加工などを施すことにより、球状のボール４０１を形成する。
【００５０】
そして、この状態で、図３（ａ）に示されるように、キャピラリ３００をパッド２０１の方向へ下降させ、ボール４０１を第２の基板２００の一面側に設けられたパッド２０１に接触させる。
【００５１】
次に、図３（ｂ）に示されるように、キャピラリ３００を介して、ボール４０１に荷重と超音波を印加し、ボール４０１を塑性変形させながら、ボール４０１とパッド２０１とを接合する。これにより、変形したボール４０１がキャピラリ３００のチャンファー部３０３とホール３０１に入り込み、バンプ２０における凸部２１、テーパ部２２および基部２３が形成される。
【００５２】
続いて、図３（ｃ）に示されるように、キャピラリ３００を、設定値ＺＡの位置まで上昇させた後、図３（ｄ）に示されるように、水平に設定値ＺＢの位置まで移動させる。このようにすることにより、キャピラリ３００の先端部３０２によって金ワイヤ４００の一部分をカットする。
【００５３】
次に、図３（ｅ）に示されるように、キャピラリ３００を設定値ＺＣの位置まで下降させて金ワイヤ４００を押しつぶし、バンプ２０の凸部２１を成形するとともに、金ワイヤ４００のプルカットを容易とする。
【００５４】
次に、図３（ｆ）に示されるように、キャピラリ３００を上昇させながら金ワイヤ４００をプルカットする。このプルカットに伴い、第２の基板２００側のバンプ２０の形成が完了する。
【００５５】
このように、本実施形態の第２の基板２００側のバンプ２０の形成にあたっては、スタッドバンプ技術を採用することにより、ボールボンディングの設備や金ワイヤを流用することができ、専用の設備やワイヤが不要である。
【００５６】
次に、図４（ａ）〜（ｅ）を参照して、ボールボンディング法による第１の基板１００側のバンプ１０の形成方法について説明する。
【００５７】
まず、キャピラリ３００のホール３０１に挿入された金ワイヤ４００のうち、キャピラリ３００の先端部３０２から突出する部分に対して、放電加工などを施すことにより、球状のボール４０１を形成する。
【００５８】
そして、この状態で、図４（ａ）に示されるように、キャピラリ３００をパッド１０１の方向へ下降させ、ボール４０１を第１の基板１００の一面側に設けられたパッド１０１に接触させる。
【００５９】
次に、図４（ｂ）に示されるように、キャピラリ３００を介して、ボール４０１に荷重と超音波を印加し、ボール４０１を塑性変形させながら、ボール４０１とパッド１０１とを接合する。
【００６０】
続いて、図４（ｃ）に示されるように、キャピラリ３００を、設定値ＺＡの位置まで微量、上昇させる。なお、当該設定値ＺＡが０の場合であっても、バンプ１０における上記平坦部１１が問題なく加工できるときには、この工程において、キャピラリ３００を上昇させなくてもよい。
【００６１】
その後、図４（ｄ）に示されるように、キャピラリ３００を水平に設定値ＺＢの位置まで移動させることにより、キャピラリ３００の先端部３０２によって、金ワイヤ４００の一部分をカットする。
【００６２】
次に、図４（ｅ）に示されるように、キャピラリ３００を上昇させながら金ワイヤ４００をプルカットする。このプルカットに伴い、先端部が平坦部１１となった第１の基板１００側のバンプ１０の形成が完了する。
【００６３】
このように、本実施形態の第１の基板１００側のバンプ１０の形成にあたっては、スタッドバンプ技術を採用することにより、ボールボンディングの設備や金ワイヤを流用することができ、専用の設備やワイヤが不要である。また、平坦部１１を形成するためのレベリング工程が不要となる。
【００６４】
また、図１、図２に示されるように、本実施形態の実装構造においては、第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側には、突起としてのダム３０、４０が設けられている。
【００６５】
そして、本実装構造においては、両基板１００、２００のダム３０、４０をかみ合わせるように両基板１００、２００を配置することにより、両基板１００、２００の位置あわせが可能となっている。
【００６６】
具体的には、第１の基板１００側のダム３０と第２の基板２００側のダム４０とは、互いの高さｈ５、ｈ６（図１参照）がほぼ同じであり、また、実装状態において互いにかみ合うように、図１に示される設計上のバンプの位置あわせ状態において、互いに間隔Ｗ２をもって位置している。
【００６７】
このダム３０と４０との間隔Ｗ２（図１参照）は、両基板１００、２００のバンプ１０、２０の位置あわせの許容値Ｗ１を考慮して決められている。つまり、このダム３０、４０の位置ずれが最大の場合、図２の右側の部分に示されるように、ダム３０と４０との間隔はＷ２の２倍となる。
【００６８】
そして、このようにダム３０と４０との位置ずれが最大となっても、両基板１００、２００のバンプ１０、２０の位置ずれは、上記許容値Ｗ１の範囲になるようになっており、両バンプ１０、２０が適切に接続できるようになっている。
【００６９】
このダム３０、４０の形成方法としては、たとえば、（ａ）光学的エッチング加工を利用したフォトリソ方式、（ｂ）圧電素子などの圧力による塗布加工を利用したインクジェット方式、（ｃ）印刷加工を利用したスクリーン印刷方式、（ｄ）エアー圧力を利用したディスペンス塗布方式、などによる有機膜の塗布によって形成する方法を採用することができる。
【００７０】
そして、この突起としてのダム３０、４０を構成する有機物材料としては、たとえば、上記形成方法のうち（ａ）においては、感光性フィルムレジスト、感光性ポリイミド、感光性ベンゾシクロブテンなどが挙げられ、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）においては、ポリイミド、ポリアミド、エポキシ、アクリルなどが挙げられる。
【００７１】
次に、本実施形態の実装構造は、次のようにして形成することができる。まず、上記バンプ１０、２０およびダム３０、４０が形成された第１および第２の基板１００、２００を用意する。
【００７２】
そして、これら両基板１００、２００を実装するにあたっては、図１に示されるように、第１の基板１００の一面と第２の基板２００の一面とを対向させた状態で、第１の基板１００側のバンプ１０と第２の基板２００側のバンプ２０とを位置あわせし、その後、図２に示されるように、両バンプ１０、２０を圧着する。これにより両バンプ１０、２０が接続され、上記図２に示される基板の実装構造が形成される。
【００７３】
ここで、第１の基板１００と第２の基板２００との組み付け方法としては、たとえば、２００℃〜３５０℃程度に加熱した状態で圧力のみを印加する熱圧着法や、１００℃〜２００℃程度の加熱と超音波とを併用した超音波圧着法などの方法を採用することが可能である。
【００７４】
ところで、本実施形態によれば、第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側にバンプ１０、２０が設けられており、第１の基板１００の一面と第２の基板２００の一面とを対向させた状態で、第１の基板１００側のバンプ１０と第２の基板２００側のバンプ２０とを圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、第１の基板１００側のバンプ１０は、その先端部が平坦面となっており、第２の基板２００側のバンプ２０は、その先端部が第１の基板１００側のバンプ１０の先端部よりも細い凸部２１となっていることを特徴とする基板の実装構造が提供される。
【００７５】
それによれば、第１の基板１００の一面と第２の基板２００の一面とを対向させた状態において、両基板１００、２００の平面方向への位置ずれが生じても、第１の基板１００側のバンプ１０の先端部の範囲内に、第２の基板２００側のバンプ２０の先端部が位置するように、両基板１００、２００のバンプ１０、２０の先端部の幅を規定することができる。
【００７６】
つまり、対向する両基板１００、２００の平面方向への位置ずれが生じても、比較的狭い第２の基板２００側のバンプ２０の先端部である凸部２１を、比較的広い第１の基板１００側のバンプ１０の先端部である平坦部１１上に適切に位置させることが容易になるということである。
【００７７】
こうして、両基板１００、２００の位置あわせ精度を緩和し、当該位置ずれを吸収しやすくなる。そのため、バンプ接続部を視覚装置などで確認しながら位置あわせを行うことが不要となり、容易に位置あわせを行うことができる。
【００７８】
したがって、本実施形態によれば、それぞれの一面側にバンプ１０、２０が設けられた２つの基板１００、２００を当該バンプ１０、２０同士を圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、２つの基板１００、２００のバンプ１０、２０の位置あわせを容易にし、当該バンプ１０、２０同士を適切に接続することができる。
【００７９】
ここで、上述したように、本実施形態においては、第１の基板１００側のバンプ１０の先端部である平坦部１１の幅Ｂを、第２の基板２００側のバンプ２０の先端部である凸部２１の幅Ａの２．５倍以上とすることが好ましいとしている。
【００８０】
本発明者らは、このように幅Ａ、Ｂを規定することにより、両基板１００、２００の実装において、位置ずれを容易にし、バンプ１０、２０の接続不良を大幅に低減できることを確認している。つまり、このように幅Ａ、Ｂを規定することにより、本実施形態の上記効果を適切に実現できる。
【００８１】
また、このように、平坦部１１の幅Ｂを凸部２１の幅Ａの２．５倍以上とすることの根拠は、これらバンプ１０、２０を上記したようなボールボンディングにより形成していることによるが、この根拠について、図５、図６を参照して具体的に説明する。
【００８２】
図５は、第２の基板２００側のバンプ２０における凸部２１の幅Ａの算出方法を示す図であり、（ａ）はキャピラリ３００の断面図、（ｂ）はキャピラリ３００内の金ワイヤ４００を塑性変形させた状態を示す断面図、（ｃ）は第２の基板２００側のバンプ２０の断面図である。
【００８３】
また、図６は、第１の基板１００側のバンプ１０における平坦部１１の幅Ｂの算出方法を示す図であり、（ａ）はキャピラリ３００内の金ワイヤ４００を塑性変形させた状態を示す断面図、（ｂ）は第１の基板１００側のバンプ１０の断面図である。
【００８４】
まず、バンプ１０、２０を形成するために使用される金ワイヤ４００の線径ｄ１は数十μｍであるが、たとえば、線径ｄ１＝１８μｍの金ワイヤ４００を用いた場合を考えることにする。
【００８５】
キャピラリ３００のホール３０１の径ｄ２（図５（ａ）参照）は、通常のボールボンディングでは、キャピラリ３００内における金ワイヤ４００の摺動などを考慮して、金ワイヤ４００の線径ｄ１の１．３倍程度である。
【００８６】
そして、第２の基板２００側のバンプ２０における凸部２１は、キャピラリ３００のホール３０１の径ｄ２によって決まるため、当該凸部２１の幅Ａは、たとえば１８×１．３＝２３μｍとなる。
【００８７】
一方、第１の基板１００側のバンプ１０における平坦部１１は、キャピラリ３００の先端部３０２による押しつぶしにより形成されるが、通常のボールボンディングでは、最大バンプ径に相当する平坦部１１の幅Ｂは、金ワイヤ４００の線径ｄ１の約４倍となるのが普通である。
【００８８】
そのため、当該平坦部１１の幅Ｂは、たとえば１８×４＝７２μｍとなる。そして、幅Ｂは幅Ａの３倍程度となるが、さらに、公差などを考慮すると、平坦部１１の幅Ｂを凸部２１の幅Ａの２．５倍以上とすることができる。そして、上述したが、このように幅Ａ、Ｂを規定することにより、本実施形態の上記効果を適切に実現できる。
【００８９】
また、本実施形態では、第１の基板１００側のバンプ１０および第２の基板２００側のバンプ２０を、金バンプにより形成していることも特徴のひとつである。それにより、上記図３、図４に示したように、ボールボンディングによるバンプ１０、２０の形成を適切に行うことができる。
【００９０】
また、本実施形態によれば、上記図３および上記図４を参照して示したように、第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側にバンプ１０、２０を設け、第１の基板１００の一面と第２の基板２００の一面とを対向させた状態で、第１の基板１００側のバンプ１０と第２の基板２００側のバンプ２０とを圧着することにより接続するようにした基板の実装方法において、次のような特徴点を有する実装方法を提供することができる。
【００９１】
上記図４に示したように、第１の基板１００側のバンプ１０を形成する工程では、まず、ボールボンディング法によりキャピラリ３００の先端部にワイヤ４００により形成されたボール４０１を形成する。
【００９２】
次に、このボール４０１をキャピラリ３００を介して第１の基板１００のパッド１０１に押し当てた後、変形したボール４０１のうち先端部をキャピラリ（３００）の先端部にてカットする。これにより、第１の基板１００側のバンプ１０としてその先端部が平坦面となっているバンプを形成する。
【００９３】
上記図３に示したように、第２の基板２００側のバンプ２０を形成する工程では、まず、ボールボンディング法によりキャピラリ３００の先端部にワイヤ４００により形成されたボール４０１を形成する。
【００９４】
次に、このボール４０１をキャピラリ３００を介して第２の基板２００のパッド２０１に押し当てた後、変形したボール４０１の先端部に位置するワイヤ４００の一部をキャピラリ３００の先端部にてカットする。これにより、第２の基板２００側のバンプ２０としてその先端部が第１の基板１００側のバンプ１０の先端部よりも細い凸部２１となっているバンプを形成する。
【００９５】
このようにバンプ１０、２０の形成方法において特徴点を有する本実施形態の基板の実装方法によれば、上記図２に示されるような基板の実装構造を適切に形成することができる。
【００９６】
また、本実施形態によれば、第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側にバンプ１０、２０が設けられており、第１の基板１００の一面と第２の基板２００の一面とを対向させた状態で、第１の基板１００側のバンプ１０と第２の基板２００側のバンプ２０とを圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、第１の基板１００および第２の基板２００のそれぞれの一面側には、突起としてのダム３０、４０が設けられており、両基板１００、２００のダム３０、４０をかみ合わせるように両基板１００、２００を配置することにより、両基板１００、２００の位置あわせが可能となっていることを特徴とする基板の実装構造が提供される。
【００９７】
それによれば、両基板１００、２００のそれぞれに設けられたダム３０、４０を目印として、両基板１００、２００の位置あわせが容易に行えるため、バンプ接続部を視覚装置などで確認しながら位置あわせを行うことが不要となり、容易に位置あわせを行うことができる。
【００９８】
したがって、このような特徴を有する本実施形態の実装構造によっても、それぞれの一面側にバンプ１０、２０が設けられた２つの基板１００、２００を当該バンプ１０、２０同士を圧着することにより接続してなる基板の実装構造において、２つの基板１００、２００のバンプ１０、２０の位置あわせを容易にし、当該バンプ１０、２０同士を適切に接続することができる。
【００９９】
このようなバンプ１０、２０による効果を有する本実施形態の実装構造について、上記図１、図２を参照して、具体的な寸法を示しながら、その効果をより具体的に述べることにする。
【０１００】
一部上述した寸法もあるが、図１、図２には、次に示されるような各寸法が示されている。第１の基板１００側のバンプ１０については、その先端部である平坦部１１の幅Ｂ、バンプ１０の高さｈ１。
【０１０１】
第２の基板２００側のバンプ２０については、その先端部である凸部２１の幅Ａ、バンプ２０全体の高さｈ２、テーパ部２２の高さｈ３、基部２３の高さｈ４。また、バンプ１０、２０の位置あわせの許容値Ｗ１（図２参照）。
【０１０２】
第１の基板１００側のダム３０の高さｈ５、第２の基板２００側のダム４０の高さｈ６、設計上のバンプの位置あわせ状態（つまり、両バンプ１０、２０が中心で一致している状態）における両ダム３０、４０の間隔Ｗ２（図１参照）。
【０１０３】
ここで、限定するものではないが、ひとつの寸法例としては、バンプ１０の平坦部１１の幅Ｂ＝１２９μｍ、ｈ１＝１５μｍ、バンプ２０の凸部２１の幅Ａ＝４３μｍ、バンプ２０全体の高さｈ２＝５０μｍ、テーパ部２２の高さｈ３＝１３μｍ、基部２３の高さｈ４＝１５μｍ、ダム３０の高さｈ５＝６４．５μｍ、ダム４０の高さｈ６＝６４．５μｍ、両ダム３０、４０の間隔Ｗ２＝６４．５μｍ、とすることができる。
【０１０４】
また、この寸法例では、第１の基板１００側のバンプ１０の平坦部１１の幅Ｂは、第２の基板２００側のバンプ２０の凸部２１の幅Ａの３倍となっている。両バンプ１０、２０の接合品質を確保するためには、狭い方である第２の基板２００側のバンプ２０の凸部２１の中心が、広い方である第１の基板１００側のバンプ１０の平坦部１１の範囲に位置していればよい。
【０１０５】
そのため、本寸法例では、バンプ１０、２０の位置あわせの許容値Ｗ１は、凸部２１の幅Ａの１．５倍すなわち３Ａ／２が最大値であり、具体的には、当該許容値Ｗ１＝４３×１．５＝６４．５μｍである。
【０１０６】
この例の場合、図１に示される設計上の狙いの位置あわせ状態から、両基板１００、２００が平面方向に最大にずれた状態が、図２に示される状態である。
【０１０７】
この最大位置ずれの状態では、図２に示されるように、左側の部分では、下側のダム３０に上側のダム４０が矯正され両ダム３０と４０との間隔はなくなる。一方、図２の右側の部分では、ダム３０と４０との間隔は、上記両ダム３０、４０の間隔Ｗ２の２倍すなわち１２９μｍとなる。
【０１０８】
そして、図２に示されるように、この最大位置ずれの状態では、上側のバンプ２０の先端部である凸部２１の中心と下側のバンプ１０の先端部である平坦部１１の中心とは、本例の許容値Ｗ＝６４．５μｍの分、位置ずれしているが、許容値Ｗ１以内であるので、バンプ１０、２０の接合性は確保される。
【０１０９】
ちなみに、従来では、上記図１３に示したように、両バンプ１０、２０の先端部の幅が同じであり、両バンプ１０、２０の位置あわせの許容値Ｗ１は、Ａ／２である。それに対して、本例では、当該許容値Ｗ１は３Ａ／２であり、従来よりも３倍程度の位置ずれまで許容される。
【０１１０】
このように本実施形態では、両基板１００、２００の位置あわせ精度を緩和することができるので、従来のように、バンプ接続部を視覚装置で拡大して確認しながら位置あわせするのではなく、より大きな基板１００、２００の外形を基準として位置あわせを行うことができる。そのため、位置あわせの手間やコストが低減される。
【０１１１】
また、上述したように、本実施形態では両ダム３０、４０による位置あわせにより、バンプ１０、２０の位置あわせを容易にし、当該バンプ１０、２０同士を適切に接続することができるが、このバンプ３０、４０の形状は、上記図１、図２に示される形状に限定されるものではない。
【０１１２】
図７は、本実施形態に採用が可能なダム３０、４０の各種の全体断面形状を示す図であり、図８は、本実施形態に採用が可能なダム３０、４０の各種の先端角部形状を示す図である。
【０１１３】
図７において、（ａ）に示される長方形および（ｂ）に示される台形は、上記図１、図２に示されるダム３０、４０に用いられている形状であるが、それ以外にも、（ｃ）に示されるような台形、（ｄ）に示されるような先端両面テーパ形状、（ｅ）に示されるような先端片面テーパ形状などを、ダム３０、４０の形状として採用できる。
【０１１４】
また、ダム３０、４０の先端角部としては、図８において（ａ）に示されるような角形状、（ｂ）に示されるようなＲ形状、（ｃ）に示されるようなＣ形状などを採用することができる。もちろん、ダム３０、４０としては、図７、図８に示される各種形状を組み合わせて採用することが可能である。
【０１１５】
また、図９は、本実施形態の実装構造における突起としてのダム３０、４０の平面パターンを示す概略平面図である。なお、図９および後述する図１０、図１１において、ダム３０、４０には識別のため便宜上、ハッチングを施してある。
【０１１６】
図９に示されるように、第１の基板１００側のダム３０および第２の基板２００側のダム４０ともに、両基板１００、２００の間にて両基板１００、２００の周辺部の全周に設けられており、環状の平面パターンをなしている。
【０１１７】
本実装構造においては、このような平面パターンを有する両ダム３０、４０が、上記図２に示されるように、かみ合うことにより、これらかみ合わされた両ダム３０、４０によって、両基板１００、２００の間にて両基板１００、２００の周辺部の全周に壁部５０が形成された形となる。
【０１１８】
そして、このように全周に壁部５０が形成された場合、この壁部５０が、その内周側への異物の侵入を阻害する壁として構成されるため、外部からの異物の侵入を適切に防止することができ、信頼性の向上が図れる。特に、壁部５０の内周に、上記可動部や素子など異物の侵入が顕著に悪影響を及ぼす部位が存在している場合、壁部５０による異物侵入防止の効果は大きい。
【０１１９】
また、このようにダム３０、４０により構成される壁部５０によって、異物侵入を防止するためには、各ダム３０、４０が、対向する相手側の基板１００、２００の一面に接するか、接着していることが好ましい。
【０１２０】
各ダム３０、４０と相手側の基板１００、２００との接触状態については、以下に示すような種々の接触状態を採ることができる。
【０１２１】
接触状態１：第１の基板１００側のダム３０および第２の基板２００側のダム４０ともに、その先端部を相手側の基板１００、２００の一面に突き当てて熱変形させることで当該一面と接着する。
【０１２２】
接触状態２：第１の基板１００側のダム３０および第２の基板２００側のダム４０ともに、その先端部を相手側の基板１００、２００の一面に突き当てて熱変形させるが、当該一面とは接着しない。
【０１２３】
接触状態３：第１の基板１００側のダム３０の先端部は第２の基板２００の一面に突き当てるが、第２の基板２００側のダム４０の先端部は第１の基板１００の一面とは微量（たとえば０．５μｍ以下）の隙間を設ける。
【０１２４】
接触状態４：上記接触状態３とは反対に、第２の基板２００側のダム４０の先端部は第１の基板１００の一面に突き当てるが、第１の基板１００側のダム３０の先端部は第２の基板２００の一面とは微量（たとえば０．５μｍ以下）の隙間を設ける。
【０１２５】
上記接触状態１によれば、ハーメチックに近い状態が可能であり、外部からの異物の侵入は１００％防止することができる。なお、より高い耐湿信頼性が要求される場合には、さらに、実装構造全体をハーメチックパッケージに実装すればよい。
【０１２６】
上記接触状態２では、実装完了後の冷却によりダム３０、４０が、たとえば０．５／１００〜１／１００程度収縮する結果として、ダム３０、４０と相手側の基板１００、２００との間に隙間が生じ、壁部５０の内部の空間は外部と同じ圧力となる。
【０１２７】
また、ダム３０、４０と相手側の基板１００、２００とが未接着であることから、線膨張係数の大きな材料でダム３０、４０を形成した場合でも、基板１００、２００に応力を発生させることがないため、バンプ接合部の信頼性上優れており、なおかつ、あるサイズ以上の異物の侵入も防止することができる。なお、より高い耐湿信頼性が要求される場合には、さらに、実装構造全体をハーメチックパッケージに実装すればよい。
【０１２８】
上記接触状態３および上記接触状態４では、ＭＥＭＳ製品など、パーティクルが侵入すると機能不良となる素子に対し、壁部５０によって、たとえば０．５μｍ以上のパーティクルの侵入を阻止することができるので、機能不良の低減が見込める。なお、より高い耐湿信頼性が要求される場合には、さらに、実装構造全体をハーメチックパッケージに実装すればよい。
【０１２９】
ここで、異物侵入防止効果を有する壁部５０を形成するにあたっては、上記図９に示されるように、両方のダム３０と４０ともに、全周に設けられている必要はなく、両ダム３０と４０のうちいずれか一方のダムが全周に設けられていればよい。
【０１３０】
さらに、両方のダム３０、４０によって壁部５０を形成する必要がない場合には、両方のダム３０、４０ともに、基板の周辺部において全周ではなく、図１０に示されるように、部分的に設けられていてもよい。
【０１３１】
図１０（ａ）〜（ｆ）は、ダム３０、４０を矩形板状の基板１００、２００における周辺部に部分的に配置した平面パターンの種々の例を示す概略平面図である。
【０１３２】
図１０（ａ）に示される例では、ダム３０、４０を、部分的に基板１００、２００の４箇所のコーナーにレイアウトしている。図１０（ｂ）では、ダム３０、４０を、部分的に基板１００、２００の３箇所のコーナーにレイアウトしている。図１０（ｃ）では、ダム３０、４０を、部分的に基板１００、２００の対角に位置する２箇所のコーナーにレイアウトしている。
【０１３３】
また、図１０（ｄ）では、ダム３０、４０を、部分的に基板１００、２００の４箇所の辺部の中央にレイアウトしている。図１０（ｅ）では、ダム３０、４０を、部分的に基板１００、２００の２箇所の辺部の中央と１箇所のコーナーとにレイアウトしている。図１０（ｆ）では、ダム３０、４０を、部分的に基板１００、２００の１箇所の辺部の中央と２箇所のコーナーとにレイアウトしている。
【０１３４】
なお、これら図１０（ａ）〜（ｆ）以外の部分的なレイアウトパターンを採用してもよいことはもちろんである。
【０１３５】
ここで、図１１に示されるように、ダム３０、４０を部分的にレイアウトすることにより、基板１００、２００におけるパッド１０１、２０１の配置の設計自由度を増やすことができる。
【０１３６】
たとえば、図１１（ａ）に示されるように、ダム３０、４０を基板周辺部の全周にレイアウトすることにより、パッド１０１、２０１は基板中央部に配置されるが、図１１（ｂ）に示されるように、部分的なレイアウトを採用することにより、パッド１０１、２０１を基板周辺部にまで配置することが可能になる。
【０１３７】
また、上記図１、図２や上記図９などに示される例では、第１の基板１００側のダム３０および第２の基板２００側のダム４０は、それぞれ１列の配置となっているが、各ダム３０、４０について複数列設けてもよい。
【０１３８】
図１２（ａ）〜（ｃ）は、各ダム３０、４０を複数列設けた各種の例を示す概略断面図であり、（ａ）では、第１の基板１００側のダム３０が１列、第２の基板２００側のダム４０が２列表されているが、第１の基板１００側のダム３０を奇数列、第２の基板２００側のダム４０を偶数列としたものである。
【０１３９】
もちろん、第１の基板１００側のダム３０を偶数列とし、第２の基板２００側のダム４０を奇数列としてもよい。また、図１２（ｂ）、（ｃ）は、第１の基板１００側のダム３０および第２の基板２００側のダム４０をともに偶数列または奇数列とした例を示す図である。
【０１４０】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態では、第１の基板１００を回路チップ、第２の基板２００をセンサチップとして構成できると述べたが、その逆に、第１の基板１００をセンサチップ、第２の基板２００を回路チップとして構成してもよい。
【０１４１】
さらには、第１の基板１００および第２の基板２００ともに、センサチップとしたり、あるいは回路チップとしたりしてもよい。つまり、第１の基板１００および第２の基板２００は、その用途を限定されるものではない。
【０１４２】
また、本発明でいう第１の基板、第２の基板は、２つの基板の一方の基板、他方の基板という意味であり、上記実施形態では、図１、図２において下側の基板１００を第１の基板１００、上側の基板２００を第２の基板２００としたが、その逆に、図１、図２において下側の基板を第２の基板、上側の基板を第１の基板として解釈してもよい。
【０１４３】
そのため、上記実施形態では、図１、図２において上側のバンプ２０が凸部２１を有するものであり、下側のバンプ１０が平坦部１１を有するものであったが、これとは逆に、上側のバンプが平坦部を有するものであり、下側のバンプが凸部を有するものであってもよい。
【０１４４】
要するに、本発明は、対向する２枚の基板のそれぞれの対向面にバンプを設け、対向する両方のバンプを圧着により接続してなる基板の実装構造であるならば適用可能なものである。
【０１４５】
そして、本発明は、このような実装構造において、一方の基板側のバンプの先端部を平坦面とし他方の基板側のバンプの先端部を一方の基板側のバンプの先端部よりも細い凸部としたことや、両基板の対向面に突起を設け該突起のかみ合わせにより位置決めを行うことにより、バンプ同士の位置あわせを容易にしたことを主たる特徴とするものであり、この主特徴点以外の細部等については適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４６】
【図１】本発明の実施形態に係る基板の実装構造において２つの基板が接続される前の状態を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板の実装構造を示す概略断面図である。
【図３】先端部が凸部となっている第２の基板側のバンプの形成方法を示す工程図である。
【図４】先端部が平坦部となっている第１の基板側のバンプの形成方法を示す工程図である。
【図５】第２の基板側のバンプにおける先端部である凸部の幅の算出方法を示す図であり、（ａ）はキャピラリの断面図、（ｂ）はキャピラリ内の金ワイヤを塑性変形させた状態を示す断面図、（ｃ）は第２の基板側のバンプの断面図である。
【図６】第１の基板側のバンプにおける先端部である平坦部の幅Ｂの算出方法を示す図であり、（ａ）はキャピラリ内の金ワイヤを塑性変形させた状態を示す断面図、（ｂ）は第１の基板側のバンプの断面図である。
【図７】上記実施形態に採用が可能なダムの各種の全体断面形状を示す図である。
【図８】上記実施形態に採用が可能なダムの各種の先端角部形状を示す図である。
【図９】上記実施形態の実装構造における突起としてのダムの平面パターンを示す概略平面図である。
【図１０】ダムを基板の周辺部に部分的に配置した平面パターンの種々の例を示す概略平面図である。
【図１１】（ａ）は、ダムを基板周辺部の全周にレイアウトした場合のパッドの配置例を示す概略平面図、（ｂ）は、ダムを基板周辺部に部分的にレイアウトした場合のパッドの配置例を示す概略平面図である。
【図１２】各ダムを複数列設けた各種の例を示す概略断面図である。
【図１３】一般的なこの種の基板の実装構造を示す図であり、（ａ）は２つの基板の接続前の状態を示す概略断面図、（ｂ）は２つの基板の実装状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１４７】
１０…第１の基板側のバンプ、
１１…第１の基板側のバンプの先端部としての平坦部、
２０…第２の基板側のバンプ、
２１…第２の基板側のバンプの先端部としての凸部、
３０…第１の基板側の突起としてのダム、
４０…第２の基板側の突起としてのダム、
５０…壁部、１００…第１の基板、２００…第２の基板、
Ａ…第２の基板側のバンプの凸部の幅、
Ｂ…第１の基板側のバンプの平坦部の幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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