(57)【要約】      （修正有）【課題】可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換方法を提供する。【解決手段】光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、光電変換層の吸収領域の光を照射し、電極から電圧を印加することにより、電界発光層から入射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、光電変換層に一般式（Ｉ）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれる。2006251555.tif 000023（式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、芳香族炭化水素または複素芳香環化合物の２価基であり、Ａｒ３の芳香族炭化水素または複素芳香環化合物の１価基であり、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、アルキル基、アルコキシ基、及びアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、１以上３以下の整数を表わす。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、光電変換層の吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、電界発光層から入射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（Ｉ）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子。
【化１】
2006251555.tif 000020
（式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の２価基であり、Ａｒ３は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の１価基であり、Ｒ１からＲ８は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、１以上３以下の整数を表わす。
ｘまたはｙが２以上の整数の場合、ｘ個のＲ３はそれぞれ異なっていてもよく、ｙ個のＲ４もそれぞれ異なっていてもよい。）
【請求項２】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、光電変換層の吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、電界発光層から入射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（II）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項１に記載の光波長変換素子。
【化２】
2006251555.tif 000021
（式中、Ｒ１からＲ１１は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基を表わす。ｘ及びｙは、それぞれ独立に１以上３以下の整数を表わし、ｕ及びｖは、それぞれ独立に１以上４以下の整数を表わし、ｗは１以上５以下の整数を表わす。
ｕ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙがそれぞれ２以上の整数の場合、ｕ個のＲ９、ｖ個のＲ１０、ｗ個のＲ１１、ｘ個のＲ３、ｙ個のＲ４はそれぞれ異なっていてもよい。）
【請求項３】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、光電変換層の吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、電界発光層から入射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（III）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする請求項１に記載の光波長変換素子。
【化３】
2006251555.tif 000022
（式中、Ｒ１からＲ１０およびＲ１２からＲ１５は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基を表わす。ｓ、ｘ及びｙは、それぞれ独立に１以上３以下の整数を表わし、ｔ、ｕ及びｖは、それぞれ独立に１以上４以下の整数を表わす。
ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙがそれぞれ２以上の整数の場合、ｓ個のＲ１２、ｔ個のＲ１３、ｕ個のＲ９、ｖ個のＲ１０、ｘ個のＲ３、ｙ個のＲ４はそれぞれ異なっていてもよい。）
【請求項４】
前記繰り返し単位は、置換または無置換で１個以上２５個以下の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルキル基、置換または無置換で１個以上２５個以下の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルコキシ基、及び／又は置換または無置換で１個以上２５個以下の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルキルチオ基を前記芳香族環上または飽和炭化水素環上に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光波長変換素子。
【請求項５】
該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである請求項１乃至４のいずれかに記載の光波長変換素子。
【請求項６】
該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷輸送層が、上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有したものである請求項１乃至４のいずれかに記載の光波長変換素子。
【請求項７】
光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設けた光波長変換素子であって、該電界発光層に上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有させたことを特徴とする光波長変換素子。
【請求項８】
該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである請求項７に記載の光波長変換素子。
【請求項９】
該光電変換層が、上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有したものである請求項７または８に記載の光波長変換素子。
【請求項１０】
該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷発生層及び電荷輸送層が、上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有したものである請求項７に記載の光波長変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光波長変換方法に関し、さらに詳しくは、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、各種表示システムに用いられる光変換素子としては、種々のものが知られており、光変換素子として、アモルファスシリコン及び電界発光層を積層して電圧を印加、アモルファスシリコンの吸収光照射により電流を流し、発光層より別波長の発光を生じさせる波長変換素子が提案されている［宮尾、平本、横山、‘９０春季応用物理学会予稿集３１ａ−Ｑ−７及び２８ａ−ＰＢ−１２（非特許文献１）］。
しかしながら、アモルファスシリコンは、製造コストが高いこと、可撓性がないこと等の欠点があった。
【０００３】
また、他の従来の光波長変換素子は、金属電極と電界発光層との接合部における変質劣化及びこれに伴う注入電荷密度の低下に起因した発光輝度の経時的な低下が観測されるという問題があった。
そこで、発光特性を安定化させるため、発光効率が低くなった場合には、さらに電圧を印加しなければならず、この場合、初期駆動時の数倍の電圧を印加することを余儀なくされ、素子寿命を短くする原因となっていた。
【０００４】
【非特許文献１】宮尾、平本、横山、‘９０春季応用物理学会予稿集３１ａ−Ｑ−７及び２８ａ−ＰＢ−１２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、このような現状に鑑み、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換方法を提供することをその課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記課題を解決するために、試行錯誤の上、光電変換層に含有させる化合物に着目し鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに到った。
すなわち、上記課題は本発明の（１）〜（１０）によって解決される。
（１）「光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、光電変換層の吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、電界発光層から入射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（Ｉ）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする光波長変換素子。
【０００７】
【化１】
2006251555.tif 000002
（式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の２価基であり、Ａｒ３は置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の１価基であり、Ｒ１からＲ８は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、１以上３以下の整数を表わす。
ｘまたはｙが２以上の整数の場合、ｘ個のＲ３はそれぞれ異なっていてもよく、ｙ個のＲ４もそれぞれ異なっていてもよい。）」；
（２）「光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、光電変換層の吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、電界発光層から入射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（II）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする前記第（１）項に記載の光波長変換素子。
【０００８】
【化２】
2006251555.tif 000003
（式中、Ｒ１からＲ１１は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基を表わす。ｘ及びｙは、それぞれ独立に１以上３以下の整数を表わし、ｕ及びｖは、それぞれ独立に１以上４以下の整数を表わし、ｗは１以上５以下の整数を表わす。
ｕ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙがそれぞれ２以上の整数の場合、ｕ個のＲ９、ｖ個のＲ１０、ｗ個のＲ１１、ｘ個のＲ３、ｙ個のＲ４はそれぞれ異なっていてもよい。）」；
（３）「光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設け、光電変換層の吸収領域の光を照射し、さらに該電極から電圧を印加することにより、電界発光層から入射光と異なる波長の光を発生する光波長変換素子であって、該光電変換層に下記一般式（III）で表わされる繰返し単位を有する高分子材料が含まれることを特徴とする前記第（１）項に記載の光波長変換素子。
【０００９】
【化３】
2006251555.tif 000004
（式中、Ｒ１からＲ１０およびＲ１２からＲ１５は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基を表わす。ｓ、ｘ及びｙは、それぞれ独立に１以上３以下の整数を表わし、ｔ、ｕ及びｖは、それぞれ独立に１以上４以下の整数を表わす。
ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙがそれぞれ２以上の整数の場合、ｓ個のＲ１２、ｔ個のＲ１３、ｕ個のＲ９、ｖ個のＲ１０、ｘ個のＲ３、ｙ個のＲ４はそれぞれ異なっていてもよい。）」；
（４）「前記繰り返し単位は、置換または無置換で１個以上２５個以下の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルキル基、置換または無置換で１個以上２５個以下の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルコキシ基、及び／又は置換または無置換で１個以上２５個以下の炭素原子を含む直鎖または分岐鎖のアルキルチオ基を前記芳香族環上または飽和炭化水素環上に有することを特徴とする前記第（１）項乃至第（３）項のいずれか１項に記載の光波長変換素子」；
（５）「該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである前記第（１）項乃至第（４）項のいずれかに記載の光波長変換素子」；
（６）「該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷輸送層が、上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有したものである前記第（１）項乃至第（４）項のいずれかに記載の光波長変換素子」；
（７）「光電変換層及び電界発光層からなる積層体の両面に電極を設けた光波長変換素子であって、該電界発光層に上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有させたことを特徴とする光波長変換素子」；
（８）「該光電変換層が、電荷発生材料を含有するものである前記第（７）項に記載の光波長変換素子」；
（９）「該光電変換層が、上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有したものである前記第（７）項または第（８）項に記載の光波長変換素子」；
（１０）「該光電変換層が、電荷発生層及び電荷輸送層からなる積層体であって、該電荷発生層及び電荷輸送層が、上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有したものである前記第（７）項に記載の光波長変換素子」。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、可撓性及び耐久性に優れ、低電圧で良好な発光性を有し、しかも製造の容易な光波長変換素子が提供され、各種表示システムに用いられる発光材料の設計、製造等の分野に寄与するところはきわめて多大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、図面に基づいて、本発明の電界発光素子及び光波長変換方法について説明する。
図１は、本発明に係る代表的な電界発光素子の断面図である。
（１）は光電変換層、（２）は電界により発光する電界発光層、（３）は電極、（４）は上部電極、（５）は支持体である。
【００１２】
次ぎに、図１に示す素子の作動について説明する。
光変換素子として、まず電極（３）及び（４）の間に電界をかけ、同時に、例えば、下側より光電変換層の吸収波長領域の光を照射する。光電変換層で発生した電荷（例えば、ホール）は発光層との界面に至る。発光層が電子移動性であった場合、上部電極（４）より電界発光層（２）へ注入された電子と上記ホールが出会い、電界発光層中の発光材料に基づく照射光と異なる波長の発光が生じる。
【００１３】
本発明の光波長変換素子は、金属電極から光電変換層を介して発光部へ電荷が注入されるため、金属電極と発光層との接合部における変質劣化が起こりにくく、発光特性が安定的なものとなる。
本発明における光波長変換素子は、光電変換層に下記一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有することを特徴とするものである。
【００１４】
【化４】
2006251555.tif 000005
（式中、Ａｒ１及びＡｒ２は、それぞれ独立に置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の２価基であり、Ａｒ３は、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の１価基であり、Ｒ１からＲ８は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基であり、ｘ及びｙは、それぞれ独立に、１以上３以下の整数を表わす。
ｘまたはｙが２以上の整数の場合、ｘ個のＲ３はそれぞれ異なっていてもよく、ｙ個のＲ４もそれぞれ異なっていてもよい。）
【００１５】
本発明の有機半導体材料は、前記芳香環上または飽和炭化水素環上に置換基を有していてもよい。溶解性の向上の観点からはアルキル基やアルコキシ基、アルキルチオ基などが挙げられる。これら置換基の炭素数が増加すれば溶解性はより向上するが、その反面キャリア移動度は低下してしまうため、溶解性が損なわれない範囲で所望の特性が得られるような置換基を選択することが好ましい。その場合の好適な置換基の例としては炭素数が１〜２５の直鎖または分岐鎖の、アルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基が挙げられる。更に好適には、炭素数が２〜１８の直鎖または分岐鎖の、アルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基が挙げられる。
【００１６】
これら置換基は同一のものを複数導入してもよいし、異なるものを複数導入してもよい。また、これらのアルキル基、アルコキシ基及びアルキルチオ基はさらにハロゲン原子、シアノ基、アリール基、ヒドロキシル基、カルボキシル基または炭素数１〜１２の直鎖、分岐鎖もしくは環状のアルキル基やアルコキシ基、アルキルチオ基で置換されたアリール基などのさらなる置換基を含有していてもよい。
【００１７】
アルキル基として具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルヘキシル基、トリフルオロメチル基、２−シアノエチル基、ベンジル基、４−クロロベンジル基、４−メチルベンジル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を一例として挙げることができ、アルコキシ基、アルキルチオ基としては上記アルキル基の結合位に酸素原子または硫黄原子を挿入してアルコキシ基、アルキルチオ基としたものが一例として挙げられる。
【００１８】
上記重合体は、アルキル基やアルコキシ基、アルキルチオ基の存在により、溶媒への溶解性がさらに向上する。これらの材質において溶解性を向上させることは、フィルムの湿式成膜過程の製造許容範囲が大きくなることから重要である。例えば塗工溶媒の選択肢の拡大、溶液調製時の温度範囲の拡大、溶媒の乾燥時の温度及び圧力範囲の拡大となり、これらプロセッシビリティーの高さにより、結果的に高純度で均一性の高い高品質な薄膜が得られる可能性が高くなる。
【００１９】
本発明の重合体における置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の２価基Ａｒ１、Ａｒ２としては、単環基、多環基（縮合多環基、非縮合多環基）の何れでもよく、一例として以下の式（ａ）に示す芳香環の２価基が挙げられる。
【００２０】
【化５】
2006251555.tif 000006
Ｙ、Ｚはそれぞれ、Ｏ、Ｓ、および、Ｎ（Ｒ）を表わし、Ｙ’は、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ２）、および、Ｎ（Ｒ）を表わす（ここでＲは置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の１価基、またはアルキル基を表わす）。
また、本発明の重合体における置換若しくは無置換の芳香族炭化水素または置換若しくは無置換の複素芳香環化合物の１価基Ａｒ３の例としては、上記芳香環の１価基が挙げられる。
【００２１】
また、これら芳香族炭化水素の１価基及び２価基、並びに複素環式化合物の１価基及び２価基は以下に示す置換基を有していてもよい。
（１）ハロゲン原子、トリフルオロメチル基、シアノ基、ニトロ基。
（２）炭素数１〜２５の直鎖または分岐鎖の、アルキル基、アルコキシ基。これらのアルキル基及びアルコキシ基は、さらにハロゲン原子、シアノ基、フェニル基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルチオ基で置換されていてもよい。
（３）アリールオキシ基。（アリール基としてフェニル基、ナフチル基を有するアリールオキシ基が挙げられる。これらのアリールオキシ基は、ハロゲン原子を置換基として含有してもよく、炭素数１〜２５の直鎖または分岐鎖の、アルキル基またはアルコキシ基あるいはアルキルチオ基を置換基として含有していてもよい。具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−メトキシフェノキシ基、４−クロロフェノキシ基、６−メチル−２−ナフチルオキシ基等が挙げられる。）
（４）アルキルチオ基またはアリールチオ基。（アルキルチオ基またはアリールチオ基としては、具体的にはメチルチオ基、エチルチオ基、フェニルチオ基、ｐ−メチルフェニルチオ基等が挙げられる。）
（５）アルキル置換アミノ基。（具体的には、ジエチルアミノ基、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ基、ジベンジルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ユロリジル基等が挙げられる。）
（６）アシル基。（アシル基としては、具体的にはアセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、マロニル基、ベンゾイル基等が挙げられる。）
【００２２】
上記一般式（Ｉ）に示されるくり返し単位を含む重合体のうち、より好ましい第一の態様は下記一般式（II）で表わされる。
【００２３】
【化６】
2006251555.tif 000007
（式中、Ｒ１からＲ１１は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基を表わす。ｘ及びｙは、それぞれ独立に１以上３以下の整数を表わし、ｕ及びｖは、それぞれ独立に１以上４以下の整数を表わし、ｗは１以上５以下の整数を表わす。
ｕ、ｖ、ｗ、ｘ、ｙがそれぞれ２以上の整数の場合、ｕ個のＲ９、ｖ個のＲ１０、ｗ個のＲ１１、ｘ個のＲ３、ｙ個のＲ４はそれぞれ異なっていてもよい。）
【００２４】
上記一般式（Ｉ）に示されるくり返し単位を含む重合体のうち、より好ましい第二の態様は下記一般式（III）で表わされる。
【００２５】
【化７】
2006251555.tif 000008
（式中、Ｒ１からＲ１０およびＲ１２からＲ１５は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルコキシ基、及び置換または無置換のアルキルチオ基からなる群より選択される基を表わす。ｓ、ｘ及びｙは、それぞれ独立に１以上３以下の整数を表わし、ｔ、ｕ及びｖは、それぞれ独立に１以上４以下の整数を表わす。
ｓ、ｔ、ｕ、ｖ、ｘ、ｙがそれぞれ２以上の整数の場合、ｓ個のＲ１２、ｔ個のＲ１３、ｕ個のＲ９、ｖ個のＲ１０、ｘ個のＲ３、ｙ個のＲ４はそれぞれ異なっていてもよい。）
【００２６】
上記一般式（Ｉ）、（II）、（III）に示される繰り返し単位を含む重合体の製造方法は、例えばカルボニル化合物とホスホネートを用いたＷｉｔｔｉｇ−Ｈｏｒｎｅｒ反応、カルボニル化合物とホスホニウム塩を用いたＷｉｔｔｉｇ反応、ビニル置換体とハロゲン化物を用いたＨｅｃｋ反応、ビニルボロン酸誘導体とハロゲン化物を用いた鈴木−宮浦カップリング反応などを用いることができ、公知の方法により製造可能である。
なお、本発明で用いられる上記一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる構造単位からなる重合体の具体的な製造方法は、特願２００４−１７４０８８号明細書にその詳細が記載されている。
【００２７】
本発明に係る高分子材料は、固体もしくは溶液の状態では、空気中でも実質的に酸化されることはない。
上記一般式（Ｉ）、（II）、（III）に示される高分子材料の好ましい分子量は、ポリスチレン換算数平均分子量で１０００〜１００００００であり、より好ましくは２０００〜５０００００である。分子量が小さすぎる場合は成膜時にひびが入ったりして実用性に乏しくなる。また、分子量が大きすぎる場合は一般溶媒への溶解性が悪くなり、溶液の粘度が高くなって塗工が困難になり、やはり実用性に乏しくなるからである。
【００２８】
次に、光電変換層の構成について説明する。
一般式（Ｉ）で表わされる化合物を光電変換層として用いる場合、このものを単独で使用できるが、このときは窒素レーザ等の光源を用いて励起することになる。また、代表的には、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールと２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノンとからなる電荷移動錯体をも光電変換層として使用できる。
【００２９】
また、染料増感された光電変換層も使用できる。増感染料としては、ブリリアントグリーン、ビクトリアブルーＢ、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、アシッドバイオレット６Ｂのようなトリアリールメタン染料、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミンＧエキストラ、エオシンＳ、エリトロシン、ローズベンガル、フルオレセインのようなキサンテン染料、メチレンブルーのようなチアジン染料、シアニンのようなシアニン染料が挙げられる。
【００３０】
本発明において光電変換層を形成するためには、スピンコート法、キャスト法、インクジェット工法等の公知の方法によって薄膜化することができる。本発明の高分子材料は、ジクロロメタンやテトラヒドロフラン等の有機溶媒に容易に溶解する。したがって、本発明の高分子材料を溶解できる適当な溶媒により適当な濃度の溶液を調製し、これを用いて上記方法等により塗工し、薄膜を作製することができる。
また、本発明においては、光電変換層にさらに電荷発生材料を含有させることができる。
【００３１】
電荷発生材料としては、例えば、セレン、セレン−テルル、硫化カドミウム、硫化カドミウム−セレン、α−シリコン等の無機材料、有機材料としては例えば、シーアイピグメントブルー２５（カラーインデックスＣＩ２１１８０）、シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ２１２００）、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ４５１００）、シーアイベーシックレッド３（ＣＩ４５２１０）、カルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号公報に記載）、ジスチリルベンゼン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３３４４５号公報に記載）、トリフェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３２３４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１４９６７号公報に記載）等のアゾ顔料、例えばシーアイバットブラウン５（ＣＩ７３４１０）、シーアイバットダイ（ＣＩ７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレットＢ（バイエル社製）、インダンスレンスカーレットＲ（バイエル社製）等のペリレン系顔料等が挙げられる。
【００３２】
また、下記式（１）で表わされるフタロシアニン顔料も電荷発生物質として有用である。
式中、Ｍ（中心金属）は金属または水素を表わす。
【００３３】
【化８】
2006251555.tif 000009
このＭ（中心金属）は、Ｈ、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｈ、Ｐａ、Ｕ、Ｎｐ、Ａｍ等の単体または酸化物、塩化物、フッ化物、水酸化物、臭化物等の２種以上の元素からなる。中心金属は、これらの元素に限定されるものではない。
【００３４】
本発明におけるフタロシアニン骨格を有する電荷発生物質とは、少なくとも一般式（１）の基本骨格を有していればよく、２量体、３量体等多量体構造を有するもの、さらに高次の高分子構造を有するものであってもよい。また、基本骨格に様々な置換基を有していれもよい。
【００３５】
これらの様々なフタロシアニンのうち、中心金属にＴｉＯを有するオキソチタニウムフタロシアニン、Ｈを有する無金属フタロシアニンは、感光体特性的に、特に好ましいものである。
また、これらのフタロシアニンは、様々な結晶系を有することも知られており、例えば、オキソチタニウムフタロシアニンの場合、α、β、γ、ｍ、ｙ型等、銅フタロシアニンの場合、α、β、γの結晶多系を有している。
同じ中心金属を持つフタロシアニンにおいても、結晶系が変わることにより、種々の特性も変化する。
【００３６】
その中で、感光体特性もこのような結晶系変化に伴い変化することが報告されている〔電子写真学会誌第２９巻第４号（１９９０）〕。
このことから、各フタロシアニンは、感光体特性的に最適な結晶系が存在し、特にオキソチタニウムフタロシアニンにおいては、ｙ型の結晶系が好ましい。
また、上記記載の電荷発生物質は２種以上混合して用いてもよい。
【００３７】
しかしながら、光電変換効率等を考慮すれば、電荷発生材料と電荷輸送材料とからなる機能分離型の光電変換層を形成することが好ましい。
すなわち、本発明の電界発光素子における光電変換層が、電荷発生層と、一般式（１）で表わされる化合物を含む電荷輸送層との積層であってもよい。
【００３８】
図２は、光電変換層（１）が電荷発生層（１２）と電荷輸送層（１１）との積層からなる本発明の代表的な光波長変換素子の断面図である。
これらの電荷発生層は、電荷発生材料と適当な溶媒に、必要に応じてバインダー樹脂を加え、溶解または分散し塗布して乾燥させることにより設けることができる。バインダー樹脂としては、絶縁性がよい従来から知られているバインダー樹脂であれば、いずれも使用でき特に限定はない。
【００３９】
このバインダー樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスチレン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリプロピレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリアミド樹脂、シリコン樹脂、メラミン樹脂等の付加重合型樹脂、重付加型樹脂、重縮合型樹脂及びこれらの樹脂の繰り返し単位のうち２つ以上を含む共重合体樹脂、例えば、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、スチレン−アクリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体樹脂等の絶縁性樹脂のほか、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール等の高分子有機半導体が挙げられる。
【００４０】
これらのバインダー樹脂は、単独または２種類以上の混合物として用いることができる。バインダー樹脂の量は、電荷発生材料１重量部に対し０〜５重量部、好ましくは０．１〜３重量部である。
【００４１】
電荷発生層の分散液または溶液を調製する際に使用する溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、１，２−ジクロルエタン、１，１，１−トリクロルエタン、ジクロルメタン、１，１，２−トリクロルエタン、トリクロルエチレン、テトラヒドロフラン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジオキサン等を挙げることができる。
【００４２】
電荷発生層用分散液の分散方法としては、例えば、ボールミル、超音波、ホモミキサー等が挙げられ、また塗布手段としては、ディッピング塗工法、ブレード塗工法、スプレー塗工法、インクジェット工法等が挙げられる。
本発明の光波長変換素子において、使用される発光材料は、溶液状態において強い蛍光を示すレーザ色素等や、これまで有機薄膜ＥＬ素子に発光材として使用されてきた既存の低分子蛍光性材料を利用することが可能である。
【００４３】
この低分子蛍光性材料としては、例えば、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、テトラセン、コロネン、クリセン、フルオレセイン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ペリノン、フタロペリノン、ナフタロペリノン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、アルダジン、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、ピラジン、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、イミン、ジフェニルエチレン、ビニルアントラセン、ジアミノカルバゾール、ピラン、チオピラン、ポリメチン、メロシアニン、イミダゾールキノレート化オキシノイド化合物、キナクリドン、ルブレン等及びそれらの誘導体が挙げられる。
【００４４】
また、上記記載の発光材料は２種以上混合して用いてもよく、これらを積層して電界発光層を形成してもよい。
上記発光材料を含む電界発光層の製膜方法としては、上記の光電変換層の製膜方法を利用することができ、また、それ以外に真空蒸着法やスパッタ法等の乾式成膜法をも利用することができる。
【００４５】
本発明の光波長変換素子においては、電界発光層に一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含有させることもできる。
【００４６】
図３は、本発明の光波長変換素子の一例を示す断面図であり、電界発光層（６）に一般式（Ｉ）で表わされる化合物が含まれる。
また、一般式（Ｉ）で表わされる化合物を光電変換層及び電界発光層の両方に含有させることができる。
【００４７】
図４は、この一例を示す本発明の光波長変換素子の断面図であり、電界発光層（６）及び光電変換層（７）の両層に一般式（Ｉ）で表わされる化合物が含まれる。この光電変換層には、同時に電荷発生材料を含むことが望ましい。
【００４８】
さらに、光電変化層が電荷発生層と一般式（Ｉ）で表わされる化合物を含む電荷輸送層とを積層し構成されることも可能である。
【００４９】
図５は、この例を示す本発明の光波長変換素子の断面図であり、光電変換層が電荷発生層（１２）と電荷輸送層（７１）との積層で構成され、電荷輸送層（７１）に一般式（Ｉ）で表わされる化合物が含まれる。
【００５０】
本発明の光波長変換素子に直流電圧をかける場合は、電極（３）が正極、電極（４）が負極となる。
この発光を電極（３）及び支持体（５）を通って外部に放射することを目的とした場合、電極（３）及び支持体は透明度の高いものがよく、かつ電荷発生物質の吸収は発光物質の発光波長と重ならない方がより多くの光を外部に取り出すことができる。
【００５１】
一方、電極（４）を通して出てきた光を使用する場合、電極（４）はなるべく透明なもの（透明電極またはアルミニウムを薄く蒸着する）を使用する。なお、透明支持体は電極（４）側につけてもよい。
【００５２】
また、図２に示すように、発光層と対極側の間にも電荷搬送層を設けることも可能である。また、対極側にも電荷発生層を設けることもできる。
電極（３）としては、４ｅＶ好ましくは４．８ｅＶより大きな仕事関数を有する金属、合金、酸化金属等が利用される。
【００５３】
このような電極材料の具体例としては、金、白金、パラジウム、銀、タングステン、ニッケル、コバルト、ＩＴＯ、ＣｕＩ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の透明電極の利用が挙げられる。
特にＩＴＯ基板が好適である。ＩＴＯ基板の場合表面の平滑なものが好ましく、また、表面の汚れを充分に洗浄して使用する。
【００５４】
洗浄法としては、既知の方法でよいが、オゾン雰囲気下での紫外線照射や酸素雰囲気下でのプラズマ処理を行なったものが好適である。
一方、電極（４）としては、仕事関数の４ｅＶより小さい金属、合金等が利用される。このような物質の具体例としては、ナトリウム、カルシウム、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、サマリウム及びこれらの合金等が利用できる。
電極（３）及び電極（４）として用いる材料のうち少なくとも一方は、素子の発光波長領域において充分透明であることが望ましい。
基板（５）としては通常、ガラス板や合成樹脂シートが用いられ、入射光と発光層より放出される光に対して透明であることが望ましい。
【実施例】
【００５５】
以下、実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明するが、これら実施例によって本発明はなんら限定されるものではない。また、本実施例に用いた重合体の製造方法の詳細は特願２００４−１７４０８８号明細書に記載されている。
【００５６】
〔実施例１〕
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理（プラズマ処理条件は、出力：５００Ｗ、反射波率：１．２％以下、酸素ガス流量：７０ｃｃ／ｍｉｎ．、処理時間：３０分）した。
この基板上にＸ型銅フタロシアニン５０ｎｍを蒸着した後、本発明で用いられる下記化合物（Ａ）の高分子材料の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液を調製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。
【００５７】
この溶液を使用して、Ｘ型銅フタロシアニン膜上にスピンコート法により１００ｎｍの膜厚で塗布し、光電変換層を形成した。
充分乾燥を行なった後に、光電変換層上に、発光層として、１，４−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノスチリル）ベンゼン５０ｎｍを蒸着、次いで電子輸送層として、２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを１００ｎｍ蒸着し、電界発光層を形成した。
さらに、この上にＭｇＡｇ合金層を２００ｎｍ 形成した。
【００５８】
このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から７８０ｎｍのレーザ光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００５９】
【化９】
2006251555.tif 000010
【００６０】
〔一般式（Ａ）の高分子材料合成〕
実施例１に用いた実施例に用いた重合体（Ａ）は、つぎのように合成された。
【００６１】
【化１０】
2006251555.tif 000011
【００６２】
２００ｍｌ四つ口フラスコに、上記のジアルデヒド１．１０６ｇ（２．６４８ｍｍｏｌ）及びジホスホネート１．６８１ｇ（２．６４８ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換してテトラヒドロフラン８０ｍｌ、及びベンズアルデヒド１４．１ｍｇ（０．１３２ｍｍｏｌ）を加えた。この溶液にカリウムｔ−ブトキシドの１．０ｍｏｌ  ｄｍ−３テトラヒドロフラン溶液８．００ｍｌ（８．００ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で２時間撹拌した後、ベンジルホスホン酸ジエチル６０．５ｍｇ（０．２６５ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間撹拌した。酢酸およそ１ｍｌを加えて反応を終了し、反応溶液を水洗した。溶媒を減圧留去した後、テトラヒドロフラン及びメタノールを用いて再沈澱による精製を行ない、上記重合体を１．６８２ｇ得た。収率８５％。
元素分析値（計算値）；Ｃ：９０．６８（９０．４０％）、Ｈ：７．４８％（７．７２％）、Ｎ：１．９１％（１．８８％）。
示差走査熱量測定から求めたガラス転移温度は１９４．６℃であった。
ＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の数平均分子量は１７３００、重量平均分子量は５６０００であった。
【００６３】
〔実施例２〕
実施例１において、本発明で用いられる高分子材料として、化合物（Ａ）のかわりに下記化合物（Ｂ）を用いた以外は、実施例１と同様にして本発明の光波長変換素子を作製した。このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ 側から７８０ｎｍのレーザ光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００６４】
【化１１】
2006251555.tif 000012
【００６５】
〔一般式（Ｂ）の高分子材料合成〕
実施例２に用いた実施例に用いた重合体（Ｂ）は、つぎのように合成された。
【００６６】
【化１２】
2006251555.tif 000013
【００６７】
２００ｍｌ四つ口フラスコに、上記のジアルデヒド０．８３７ｇ（２．６５５ｍｍｏｌ）及びジホスホネート１．６８５ｇ（２．６５５ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換してテトラヒドロフラン８０ｍｌ、及びベンズアルデヒド１４．１ｍｇ（０．１３２ｍｍｏｌ）を加えた。この溶液にカリウムｔ−ブトキシドの１．０ｍｏｌ  ｄｍ−３テトラヒドロフラン溶液８．００ｍｌ（８．００ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で２時間撹拌した後、ベンジルホスホン酸ジエチル６０．５ｍｇ（０．２６５ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間撹拌した。酢酸およそ１ｍｌを加えて反応を終了し、反応溶液を水洗した。溶媒を減圧留去した後、テトラヒドロフラン及びメタノールを用いて再沈澱による精製を行ない、上記重合体を１．３８６ｇ得た。収率８１％。
元素分析値（計算値）；Ｃ：９０．１１（８９．８１％）、Ｈ：７．９２％（８．０１％）、Ｎ：２．０１％（２．１８％）。
示差走査熱量測定から求めたガラス転移温度は１８２．９℃であった。
ＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の数平均分子量は１４４００、重量平均分子量は４２６００であった。
【００６８】
〔実施例３〕
厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ膜を設けたガラス基板を煮沸アルコールにより洗浄し、さらに表面を酸素プラズマにより表面処理した。
この基板上にＹ型チタニルフタロシアニン／シリコン樹脂（商品名ＫＲ５２４０、信越化学製）／２−ブタノンからなる電荷発生層形成液をドクターブレードを塗布、乾燥して、１００ｎｍの光電変換層を形成した。
【００６９】
光電変換層上に本発明で用いられる化合物として下記化合物（Ｃ）の高分子材料の１．５ｗｔ％ジクロロメタン溶液に、２−（４−ｔｅｒｔ．−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾールを固形分の３０ｗｔ％と微量の下記式（Ｄ）で表わされるペリレン誘導体を固形分の３ｗｔ％溶解させ、ドクターブレードを塗布、乾燥して、１００ｎｍの電界発光層を形成した。
【００７０】
このようにして作製した光波長変換素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ 側から７８０ｎｍのレーザ光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００７１】
【化１３】
2006251555.tif 000014
【００７２】
【化１４】
2006251555.tif 000015
【００７３】
〔一般式（Ｃ）の高分子材料合成〕
実施例３に用いた実施例に用いた重合体（Ｃ）は、つぎのように合成された。
【００７４】
【化１５】
2006251555.tif 000016
【００７５】
２００ｍｌ四つ口フラスコに、上記のジアルデヒド０．９７７ｇ（２．５３４ｍｍｏｌ）及びジホスホネート１．６０９ｇ（２．５３４ｍｍｏｌ）を入れ、窒素置換してテトラヒドロフラン８０ｍｌ、及びベンズアルデヒド１３．４ｍｇ（０．１２７ｍｍｏｌ）を加えた。この溶液にカリウムｔ−ブトキシドの１．０ｍｏｌ  ｄｍ−３テトラヒドロフラン溶液８．００ｍｌ（８．００ｍｍｏｌ）を滴下し、室温で２時間撹拌した後、ベンジルホスホン酸ジエチル５７．７ｍｇ（０．２５３ｍｍｏｌ）を加え、さらに１時間撹拌した。酢酸およそ１ｍｌを加えて反応を終了し、反応溶液を水洗した。溶媒を減圧留去した後、テトラヒドロフラン及びメタノールを用いて再沈澱による精製を行ない、上記重合体を１．５８０ｇ得た。収率８８％。
元素分析値（計算値）；Ｃ：８９．７０（８９．４０％）、Ｈ：８．４４％（８．６３％）、Ｎ：２．０１％（１．９７％）。
示差走査熱量測定から求めたガラス転移温度は１４２．４℃あった。
ＧＰＣにより測定したポリスチレン換算の数平均分子量は１１６００、重量平均分子量は３１９００であった。
【００７６】
〔実施例４〕
実施例１における発光層を下記式（Ｅ）のトリス（８−ヒドロキシキノリル）アルミニウムに代えた以外は、実施例１と同様にして光波長変換素子を作製した。この素子をＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から７８０ｎｍのレーザ光を照射したところ、緑色の発光が観測された。
【００７７】
【化１６】
2006251555.tif 000017
【００７８】
〔実施例５〕
実施例１におけるＸ型銅フタロシアニン蒸着膜に代えて、下記式（Ｆ）で表わされるビスアゾ顔料３．６ｇをシクロヘキサノン６５．６３ｇとともにボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液１重量部にさらにシクロヘキサノン４重量部を混合させた液を、実施例１と同様に処理されたＩＴＯ膜上に侵積塗工法により１００ｎｍの電荷発生層を設けた以外は、実施例１と同様にして電荷輸送層及び電界発光層を設け、光波長変換素子を作製した。
【００７９】
このようにして作製した素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から５８０ｎｍの光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００８０】
【化１７】
2006251555.tif 000018
【００８１】
〔実施例６〕
実施例５におけるビスアゾ顔料に代えて、下記式（Ｇ）で表わされるトリスアゾ顔料３．６ｇをシクロヘキサノン６５．６３ｇとともにボールミル中で粉砕混合し、得られた分散液１重量部にさらにシクロヘキサノン４重量部を混合させた液を、実施例１と同様に処理されたＩＴＯ膜上に侵積塗工法により１００ｎｍの電荷発生層を設けた以外は、実施例４と同様にして電荷輸送層及び電荷発光層を設け、光波長変換素子を作製した。
【００８２】
このようにして作製した素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から７８０ｎｍのレーザ光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【００８３】
【化１８】
2006251555.tif 000019
【００８４】
〔実施例７〕
実施例５で作製された光電変換層上に、実施例３に示した電界発光層形成用樹脂液をスピンコートすることにより、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から５８０ｎｍの光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００８５】
〔実施例８〕
２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノンとポリ−Ｎ−ビニルカルバゾールが１：１のモル比からなる厚さ２００ｎｍの光電変換層上に、実施例３に示した電界発光層形成用樹脂液をスピンコートすることにより、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側からキセノン光を照射したところ、オレンジ色の発光が観測された。
【００８６】
〔実施例９〕
本発明で用いられる化合物として、上記化合物（Ａ）の高分子材料の１．５ｗｔ％キシレン溶液を調製し、孔径０．１μｍのメンブランフィルターで濾過した。
この溶液を使用してＩＴＯ膜上にスピンコートして厚さ２５０ｎｍの光電変換層を形成した。
この光電変換層上に、実施例１で示した電界発光層を設けることにより、光波長変換素子を作製した。
このようにして作製した素子を、ＩＴＯを陽極に、ＭｇＡｇを陰極に接続し、印加電圧１０ＶにてＩＴＯ側から窒素レーザ光を照射したところ、青緑色の発光が観測された。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の光波長変換素子を示す断面図である。
【図２】本発明の他の光波長変換素子を示す断面図である。
【図３】本発明の別の光波長変換素子を示す断面図である。
【図４】本発明のさらに他の光波長変換素子を示す断面図である。
【図５】本発明のさらに別の光波長変換素子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８８】
１    光電変換層
２    電界発光層
３    電極
４    電極
５    支持体
６    一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有した電界発光層
７    一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物及び電荷発生剤を含有した光電変換層
７１  一般式（Ｉ）〜（III）で表わされる化合物を含有した電荷輸送層
１１  電荷輸送層
１２  電荷発生層
【図１】
2006251555.tif 000024
【図２】
2006251555.tif 000025
【図３】
2006251555.tif 000026
【図４】
2006251555.tif 000027
【図５】
2006251555.tif 000028