(57)【要約】【課題】  熱転写装置内においてドナー基板と基板の固定方法を改善することによって、ラミネーション特性及びレーザ熱転写工程のパターニングを改善させることができるラミネーション装備を提供する。【解決手段】  本発明に係るラミネーション装備は、第１基板と第２基板を固定させるためのチャックを備え、前記チャックは、前記第１基板の外郭に形成される少なくとも１つの第１真空孔を含むことを特徴とする。【選択図】  図３
2006066374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板を固定させるためのチャックを備え、
前記チャックは、前記第１基板の外郭に形成される少なくとも１つの第１真空孔を含むことを特徴とするラミネーション装備。
【請求項２】
前記チャックは、前記第１基板の下部に形成される少なくとも１つの第２真空孔をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項３】
前記チャックは、不活性気体の常圧雰囲気内に位置することを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項４】
前記真空孔は、前記チャックと前記第２基板との間を基板固定用真空で作ることによって、前記第２基板を固定させることを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項５】
前記真空孔は、前記チャックと前記第１基板との間を基板固定用真空で作ることによって、前記第１基板を固定させることを特徴とする請求項２に記載のラミネーション装備。
【請求項６】
前記チャック内に存在する少なくとも１つのリフトピンを含むことを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項７】
前記リフトピンは、ラミネーション後、前記チャックから前記第１基板を脱着させることを特徴とする請求項６に記載のラミネーション装備。
【請求項８】
前記第２基板上に、ローラ、気体加圧、またはクラウンプレスを使用して加圧することによって、ラミネーションを行うことを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項９】
前記ラミネーションは、中央から外郭へ行く方向に進行することを特徴とする請求項８に記載のラミネーション装備。
【請求項１０】
前記ラミネーションは、短方向に進行することを特徴とする請求項８に記載のラミネーション装備。
【請求項１１】
前記第２基板は、前記第１基板より大きいことを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項１２】
前記第２基板は、フレーミングされたものであることを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項１３】
前記第１基板は、アクセプタ基板であり、前記第２基板は、ドナー基板であることを特徴とする請求項１に記載のラミネーション装備。
【請求項１４】
チャック上に基板を位置させる段階と、
前記基板上にドナー基板を整列する段階と、
前記基板の外郭に位置し且つ前記チャック内に形成された第１真空孔を用いて、前記基板及び前記ドナー基板を固定させる段階と、を備えることを特徴とするレーザ熱転写方法。
【請求項１５】
前記基板の下部に位置し且つ前記チャック内に形成された第２真空孔を用いて、前記基板を固定させる段階をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１６】
前記各段階は、不活性気体の常圧雰囲気で行われることを特徴とする請求項１４に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１７】
前記固定されたドナー基板と前記基板をラミネーションする段階をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１８】
前記ラミネーションは、ローラ、気体加圧、またはクラウンプレスを使用して加圧することを特徴とする請求項１７に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１９】
前記ラミネーションは、中央から外郭へ行く方向に進行することを特徴とする請求項１７に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２０】
前記ラミネーションは、短方向に進行することを特徴とする請求項１７に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２１】
前記ドナー基板は、フレーミングされたものであることを特徴とする請求項１４に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２２】
前記ドナー基板は、前記下部基板より大きいことを特徴とする請求項１４に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２３】
前記ドナー基板に形成された転写層は、有機電界発光素子の発光層であることを特徴とする請求項１４に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２４】
前記ドナー基板に形成された転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子注入層よりなる群から選ばれた少なくとも１つの層をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載のレーザ熱転写方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラミネーション装備及びレーザ熱転写方法に関し、より詳細には、不活性気体雰囲気でドナー基板のラミネーション工程を行うラミネーション装備及び該装備を用いたレーザ熱転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の中で、有機電界発光表示装置は、応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し、消費電力が低く、自己発光するので、視野角に問題がなくて、装置のサイズに関わらず、動画像表示媒体として長所がある。また、低温製作が可能であり、既存の半導体工程技術を土台にして製造工程が簡単なので、今後次世代平板表示装置として注目されている。
【０００３】
前記有機電界発光表示装置は、有機電界発光素子に使用する材料と工程によって、大きく、湿式工程を使用する高分子型素子と、蒸着工程を使用する低分子型素子とに分けられる。
【０００４】
前記高分子型有機電界発光素子は、画素電極を含む基板上に、インクジェットプリント方法やスピンコート方法を使用して、発光層を含む有機層を積層し、対向電極を形成し、素子を製作する。
【０００５】
また、前記低分子型有機電界発光素子は、画素電極を含む基板上に、蒸着工程により発光層を含む有機層を積層し、対向電極を形成し、素子を完成する。
【０００６】
前記高分子又は低分子発光層のパターニング方法のうち、インクジェットプリント方法の場合、発光層以外の有機層の材料が制限的であり、基板上にインクジェットプリントのための構造を形成しなければならないという面倒さがある。
【０００７】
また、蒸着工程による発光層のパターニングの場合、金属マスクの使用に起因して大型素子の製作に難しさがある。
【０００８】
前述のようなパターニングの方法に代替できる技術として、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ:Laser Induced Thermal Imaging）が最近開発されている。
【０００９】
レーザ熱転写法とは、光源から出るレーザを熱エネルギーに変換し、この熱エネルギーにより、パターン形成物質を対象基板に転写させて、パターンを形成する方法を言い、このような方法のためには、転写層が形成されたドナー基板と、光源、及び被写体としての基板が必要である。
【００１０】
前記熱転写法は、ドナーフィルムが、アクセプタとしての前記基板を覆っている形態で、前記ドナーフィルム及び基板はステージ上に固定される。
【００１１】
前記固定された基板は、ラミネーション作業を行うようになるが、前記ラミネーション作業時に、ラミネーションの方向に応じて基板またはドナー基板が移動するようになれば、前記ドナー基板と基板間の結着が正しく行われないので、バブルが発生したり、整列がずれるようになり、これにより、発光層のパターニング時において問題が発生する。
【００１２】
また、外部から前記ステージが位置するチャンバー内へパーティクルが流入される問題が発生し得る。前記パーティクルは、転写層に存在するようになり、発光領域のスポットや画素の不良のような表示素子の欠陥が発生し、表示性能の低下を招く。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、熱転写装置内においてドナー基板と基板の固定方法を改善することによって、ラミネーション特性及びレーザ熱転写工程のパターニングを改善させることができるラミネーション装備を提供することにある。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、ドナー基板とレセプターである基板が位置するステージやステージが存在するチャンバー内に、外部パーティクルの流入を防止するラミネーション装備及び該装備を用いたレーザ熱転写方法を提供することによって、有機電界発光表示装置の欠陥を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明は、第１基板と第２基板を固定させるためのチャックを備え、前記チャックは、前記第１基板の外郭に形成される少なくとも１つの第１真空孔を含むことを特徴とするラミネーション装備を提供する。
【００１６】
前記チャックは、不活性気体の常圧雰囲気内に位置することができる。
【００１７】
また、上記目的を達成するために、本発明は、チャック上に基板を位置させる段階と、前記基板上にドナー基板を整列する段階と、前記基板の外郭に位置し且つ前記チャック内に形成された第１真空孔を用いて、前記基板及び前記ドナー基板を固定させる段階と、を備えることを特徴とするレーザ熱転写方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によるラミネーション装備とレーザ熱転写方法は、真空孔が存在するチャックを利用することによって、ラミネーション工程時に、ドナー基板と基板をさらに固定させ、これにより、前記２つの基板はさらに結着が強化され、ラミネーション過程中に発生するバブル問題及び整列がずれる問題を改善させることができる。したがって、レーザ転写時に発光層のパターニング特性をさらに向上させることができる。
【００１９】
また、不活性気体の常圧雰囲気で加圧してラミネーションを行うことによって、発光層及び画素電極上に外部のパーティクル流入を抑制し、これにより、有機電界発光表示装置の発光領域のスポットや画素の不良のような表示素子の欠陥を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。下記の実施例は、当業者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために一例として提示されるものである。したがって、本発明は、下記の実施例に限らず、様々な変形が可能である。なお、図面において、層及び領域の長さ、厚さなどは、便宜のために誇張されて表現されることもできる。本明細書において、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
【００２１】
図１乃至図４を参照して、本発明の実施例に係るラミネーション装備及び該装備を用いたレーザ熱転写方法を説明する。
【００２２】
図１は、本発明の実施例に係るドナー基板を示すものである。
【００２３】
前記ドナー基板１００は、ベース基板１１０上に複数の層が形成された構造を有し、ベース基板１１０と、前記ベース基板１１０上に位置した光熱変換層１２０と、前記光熱変換層上に位置した転写層１４０とを備える。
【００２４】
まず、ベース基板１１０を用意する。前記ベース基板１１０は、フレーミングされたものであってもよく、柔軟性ある材質または堅固な材質を有してもよい。
【００２５】
前記ベース基板１１０は、薄すぎれば、ハンドリングすることが難しい。また、厚すぎれば、重くてドナー基板の移送に問題が発生し得るので、前記ベース基板１１０の厚さは、２０乃至２００μｍであることが好ましい。
【００２６】
前記ベース基板上に光熱変換層１２０を形成し、前記光熱変換層１２０上に転写層１４０を形成する。
【００２７】
前記光熱変換層１２０は、レーザ照射装置で照射されたレーザを熱エネルギーに変換させる役目をし、前記熱エネルギーは、前記転写層１４０と前記光熱変換層１２０間の接着力を変化させることによって、前記転写層をレセプターである基板上に転写する役目をする。
【００２８】
転写物質の損傷を防止し、前記転写層１４０と前記ドナー基板の接着力を効果的に調節するために、前記光熱変換層１２０と前記転写層１４０との間にバッファ層１３０を介在することができる。
【００２９】
前記転写層１４０は、有機電界発光素子の発光層であってもよい。ひいては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子注入層よりなる群から選ばれた少なくとも１つの層をさらに含むものであってもよい。
【００３０】
また、前記転写層１４０は、高分子有機膜または低分子有機膜であってもよい。
【００３１】
図２は、基板上に所定の層を形成した単位画素を示す断面図である。
【００３２】
前記基板上に所定の層を形成することは、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタに連結される画素電極層を形成し、画素定義膜を形成することを含むことができる。
【００３３】
図面を参照すれば、基板２１０上に半導体層２３０を形成する。前記基板２１０上に存在する不純物の半導体層２３０流入を防止するために、前記基板２１０と半導体層２３０との間にバッファ層２２０を形成することができる。
【００３４】
前記半導体層２３０上にゲート絶縁膜２４０を形成し、前記ゲート絶縁膜２４０上にゲート電極２５０を形成する。前記ゲート電極２５０上に通常の物質を使用して層間絶縁膜２６０を形成し、前記層間絶縁膜２６０内に前記半導体層２３０のソース領域及びドレイン領域を各々露出させるコンタクトホールを形成する。前記層間絶縁膜２６０上に導電膜を積層しパターニングすることによって、前記露出されたソース領域及びドレイン領域にそれぞれ当接するソース電極２７０ａ及びドレイン電極２７０ｂを形成する。
【００３５】
前記ソース電極及びドレイン電極２７０ａ、２７０ｂを形成した基板の上部に平坦化層２８０を形成し、前記平坦化層２８０にビアホールを形成し、下部のドレイン電極２７０ｂが露出されるようにする。
【００３６】
また、前記平坦化層２８０を形成する前に、外部の湿気や不純物から下部層を保護し且つ工程過程中のエッチング工程時に下部層を保護するために、無機保護層を形成することができる。
【００３７】
前記ビアホールが形成された平坦化層２８０上に導電膜を積層しパターニングすることによって、画素電極２９０を形成する。前記画素電極２９０上に前記画素電極を露出する画素定義膜２９５を形成し、単位画素内の有機層が形成される領域を定義する。
【００３８】
図３は、本発明の実施例に係るラミネーション装備を示す断面図である。
【００３９】
図面を参照すれば、チャンバー内にステージ４００が位置し、前記ステージ４００上には、第１基板と第２基板を固定させるためのチャック３００が位置する。前記チャックは、その内部に位置する少なくとも１つの第１真空孔３３０を備える。前記第１真空孔３３０は、前記第１基板の外郭に位置することによって露出される。ひいては、前記チャック３００は、前記第１基板の下部に少なくとも１つの第２真空孔３２０を備える。また、前記チャック３００の第１基板２００が位置する領域には、少なくとも１つのリフトピン３１０が位置する。
【００４０】
前記第１基板は、アクセプタである基板であり、前記第２基板は、ドナー基板であってもよい。
【００４１】
詳細に説明すれば、前記第１真空孔３３０は、前記チャックと前記ドナー基板１００間を基板固定用真空で作ることによって、前記ドナー基板１００を固定させる。そして、前記ドナー基板１００が固定されることによって、前記ドナー基板１００の下部に位置する前記基板２００も固定される。
【００４２】
ひいては、前記基板２００の下部に位置する前記第２真空孔３２０は、前記チャック３００と前記基板２００間を基板固定用真空で作ることによって、前記基板をさらに固定させるようになる。このために、前記ドナー基板１００は、前記基板２００に比べて大きいことが好ましい。前記ドナー基板は、フレーミングされたものであってもよい。
【００４３】
前述のように、第１真空孔３３０を用いて前記ドナー基板１００と基板２００を固定させることによって、ラミネーション工程時に前記２つの基板の結着が強化されることができる。ひいては、前記基板１００の下部に第２真空孔３２０が位置することによって、前記基板１００の固定をさらに強化させることができる。これにより、ラミネーション過程中にバブルが発生する問題を改善することができ、また、ラミネーションのための加圧実行時に整列がずれる問題を改善することができるので、レーザ転写時において発光層のパターニング特性をさらに向上させることができる。
【００４４】
前記リフトピン３１０は、ラミネーション後、前記チャック３００から前記基板２００を脱着させる。
【００４５】
前記ラミネーションは、ローラ、気体加圧、またはクラウンプレスを使用して加圧（５００）することによって行われる。前記ラミネーションは、中央から外郭へ行く方向に進行することができる。また、前記ラミネーションは、短方向に進行することができる。
【００４６】
中央から外郭へ行く方向にラミネーションを行う場合、前記ドナー基板１００と前記基板２００間のバブルが効果的に防止されることができるので、中央から外郭へ行く方向にラミネーションを行うことがより好ましい。
【００４７】
前述のように、不活性気体の常圧雰囲気で加圧してラミネーションを行うことによって、外部のパーティクル流入を抑制することができるので、従来の発光層でパーティクルが存在することによって発生した問題、例えば、発光領域のスポットや画素の不良のような表示素子の欠陥を防止することができる。
【００４８】
図４は、図３のＡに対するラミネーション後、レーザ転写工程を示す単位画素に対する断面図である。
【００４９】
図面を参照すれば、前記基板２００とドナー基板１００がラミネーションにより固定された後、パターニングしようとする領域にレーザ６００を照射する。
【００５０】
前記レーザ６００が照射された領域は、前記互いに密着された前記転写層１４０ａと前記画素電極２９０間の接着力が、前記バッファ層１３０と前記転写層１４０間の接着力に比べて大きくなるようになり、前記レーザが照射された領域の転写層１４０ａは、前記バッファ層１３０から剥離され、前記画素電極２９０上には転写層１４０ａがパターニングされる。
【００５１】
前記パターニングされた転写層１４０ａは、単位画素の形態に応じてストライプ形態やデルタ形態でパターニングされることができる。
【００５２】
前記パターニング過程を経た前記基板２００を前記ドナー基板１００から除去し、リフトピン３１０を使用して、チャック３００から前記基板２００を脱着させた後、前記基板２００を他のステージに移動させる。そして、前記パターニングされた有機膜上に対向電極を形成し、有機電界発光素子を完成する。
【００５３】
以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施例及び添付された図面に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】ドナー基板を示す断面図である。
【図２】基板上に所定の層を形成した単位画素を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るラミネーション装備を示す断面図である。
【図４】図３のＡに対するラミネーション後、レーザ転写工程を示す単位画素に対する断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１００  ドナー基板
１４０  転写層
２００  基板
２９０  画素電極
３００  チャック
４００  ステージ
６００  レーザ
【図１】
2006066374.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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