(57)【要約】【課題】高密度・微細配線に対応できる両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を提供する。【解決手段】ステンレスからなる第１導体層１１の一方の面に第１絶縁層１２が形成された長尺搬送される基板材料に対して、第１絶縁層１２の所定部位から、第１絶縁層１２のみを貫通する又は第１絶縁層１２及び第１導体層１１の両方を貫通する導通孔１３を形成し、第１絶縁層１２の表面及び導通孔１３の壁面に導電性薄膜層１４を形成し、導電性薄膜層１４上の所定部位に第２絶縁層１５を形成し、導電性薄膜層１４上の第２絶縁層１５が形成されていない部位に、めっきによって第１導体配線１６を形成し、第１導体配線１６を耐薬液性を有する皮膜１７で被覆し、第１導体層１１の他方の面の所定部位を薬液によって化学的に溶解させることにより、第２導体配線１８を形成し、第２絶縁層１５及び皮膜１７を除去する。【選択図】図１
2006148173.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステンレスからなる第１導体層の一方の面に第１絶縁層が形成された長尺搬送される基板材料に対して、
前記第１絶縁層の所定部位から、前記第１絶縁層のみを貫通する又は前記第１絶縁層及び前記第１導体層の両方を貫通する導通孔を形成する第１ステップと、
前記第１絶縁層の表面及び前記導通孔の壁面に導電性薄膜層を形成する第２ステップと、
前記導電性薄膜層上の所定部位に第２絶縁層を形成する第３ステップと、
前記導電性薄膜層上の前記第２絶縁層が形成されていない部位に、めっきによって第１導体配線を形成する第４ステップと、
前記第１導体配線を耐薬液性を有する皮膜で被覆する第５ステップと、
前記第１導体層の他方の面の所定部位を薬液によって化学的に溶解させることにより、第２導体配線を形成する第６ステップと、
前記第２絶縁層及び前記皮膜を除去する第７ステップとを備えることを特徴とする両面配線基板の製造方法。
【請求項２】
ステンレスからなる第１導体層の一方の面に第１絶縁層が形成された長尺搬送される基板材料に対して、
前記第１絶縁層の所定部位から、前記第１絶縁層のみを貫通する又は前記第１絶縁層及び前記第１導体層の両方を貫通する導通孔を形成する第１ステップと、
前記第１絶縁層の表面及び前記導通孔の壁面に導電性薄膜層を形成する第２ステップと、
前記導電性薄膜層上の所定部位に第２絶縁層を形成する第３ステップと、
前記導電性薄膜層上の前記第２絶縁層が形成されていない部位に、めっきによって第１導体配線を形成する第４ステップと、
前記第１導体配線を耐薬液性を有する皮膜で被覆する第５ステップと、
前記第１導体層の他方の面の所定部位を薬液によって化学的に溶解させることにより、第２導体配線を形成する第６ステップと、
前記第２絶縁層及び前記皮膜を除去する第７ステップとにより製造されることを特徴とする両面配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層の両面に導体配線が形成された両面配線基板の製造方法及び両面配線基板であって、特に、フレキシブル配線基板の製造に好適な製造方法及び両面配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の両面配線基板は、一般的には、図６に示すような方法によって製造されている。すなわち、図６（ａ）に示すように、ポリイミド等の絶縁層６１の両面に銅箔等の導体層６２が形成されたプリント基板材料６を用い、図６（ｂ）に示すように、当該材料６に対して、レーザや金型等を用いた穿孔、化学的な溶解、或いはこれらを併用する方法等によって、貫通孔６３を形成する。次に、図６（ｃ）に示すように、貫通孔６３の壁面に、薬液処理や、蒸着、スパッタ等の方法によって導電性の薄膜層６４を形成する。次に、図６（ｄ）に示すように、薄膜層６４上を含む基板材料６の表裏面全体に、電解めっきによって銅等からなる導体層６５を形成する。さらに、図６（ｅ）に示すように、導体層６５を感光性の皮膜６６で被覆した後、図６（ｆ）に示すように、所定の導体配線パターンに対応する箇所を露光・解像して、耐薬液性を有する皮膜６７にした後、当該皮膜６７で被覆されていない導体層６５及び導体層６２を薬液により化学的に溶解する。最後に、図６（ｇ）に示すように、皮膜６７を除去することにより、両面配線基板６０が製造される。
【０００３】
つまり、上述した従来の両面配線基板６０の製造方法は、絶縁層６１の両面に形成された導体層６２の内、導体配線パターンとして不要な部分を取り除く、所謂サブトラクティブ工法が用いられている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、近年の両面配線基板においては、配線の高密度化や微細化の要求が高まり、これまで行われていたサブトラクティブ工法による配線形成では、前記要求への対応が困難な状況になりつつある。より具体的には、サブトラクティブ工法の場合、前述のように、所定の導体配線パターンに対応する箇所を露光・解像して得られた耐薬液性を有する皮膜６７をマスクとし、薬液を用いて導体層６５及び導体層６２を溶解することにより、導体配線が形成される。この方法では、微細配線や高密度配線の場合に、溶解用薬液の液回りが悪く、溶解速度が配線幅や間隙幅によって大きく異なることになるため、均一な配線が形成され難いという問題を有する。また、導体層６５及び導体層６２の表層の配線幅と底面の配線幅との差異が大きくなり易いという問題を有する。
【０００５】
一方、前述したサブトラクティブ工法とは異なり、絶縁基板材料上に電解めっき等により導体配線を形成するアディティブ工法も知られている。しかしながら、特にフレキシブル配線基板の場合、前記絶縁基板材料が可撓性を有するフィルム状になることから、長尺搬送の場合、搬送張力によって前記絶縁基板材料に必然的に生じる応力が無視できない程に大きくなり、その結果、寸法安定性が低下したり、カールが生じ易いという問題がある。また、電解めっきにより導体配線を形成する場合、導体配線が電解析出金属となるため、折り曲げ特性等の屈曲特性が劣化し、十分な屈曲特性を必要とする両面配線基板の製造方法には適さないという問題もある。
【０００６】
本発明は、斯かる従来技術の問題点を解決するべくなされたもので、高密度・微細配線に対応できる一方、フレキシブル配線基板の製造に適用した場合には、寸法安定性を具備し、カールが生じ難く、且つ屈曲用途にも使用可能な両面配線基板を得ることのできる、両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するべく本発明は、ステンレスからなる第１導体層の一方の面に第１絶縁層が形成された長尺搬送される基板材料に対して、前記第１絶縁層の所定部位から、前記第１絶縁層のみを貫通する又は前記第１絶縁層及び前記第１導体層の両方を貫通する導通孔を形成する第１ステップと、前記第１絶縁層の表面及び前記導通孔の壁面に導電性薄膜層を形成する第２ステップと、前記導電性薄膜層上の所定部位に第２絶縁層を形成する第３ステップと、前記導電性薄膜層上の前記第２絶縁層が形成されていない部位に、めっきによって第１導体配線を形成する第４ステップと、前記第１導体配線を耐薬液性を有する皮膜で被覆する第５ステップと、前記第１導体層の他方の面の所定部位を薬液によって化学的に溶解させることにより、第２導体配線を形成する第６ステップと、前記第２絶縁層及び前記皮膜を除去する第７ステップとを備えることを特徴とする両面配線基板の製造方法を提供するものである。
【０００８】
また、前記課題を解決するべく本発明は、ステンレスからなる第１導体層の一方の面に第１絶縁層が形成された長尺搬送される基板材料に対して、前記第１絶縁層の所定部位から、前記第１絶縁層のみを貫通する又は前記第１絶縁層及び前記第１導体層の両方を貫通する導通孔を形成する第１ステップと、前記第１絶縁層の表面及び前記導通孔の壁面に導電性薄膜層を形成する第２ステップと、前記導電性薄膜層上の所定部位に第２絶縁層を形成する第３ステップと、前記導電性薄膜層上の前記第２絶縁層が形成されていない部位に、めっきによって第１導体配線を形成する第４ステップと、前記第１導体配線を耐薬液性を有する皮膜で被覆する第５ステップと、前記第１導体層の他方の面の所定部位を薬液によって化学的に溶解させることにより、第２導体配線を形成する第６ステップと、前記第２絶縁層及び前記皮膜を除去する第７ステップとにより製造されることを特徴とする両面配線基板を提供するものである。
【０００９】
斯かる発明によれば、めっきによって第１導体配線が形成されるため、当該第１導体配線は、高密度・微細配線の要求に対応することが可能である。つまり、配線幅や間隙幅の影響を受けることなく均一な第１導体配線を形成することができ、且つ、表層の配線幅と底面の配線幅の差異を極めて小さくすることが可能である。なお、第２導体配線自体は、第１導体層の他方の面の所定部位を薬液によって化学的に溶解し取り除く所謂サブトラクティブ工法によって形成されるため、高密度・微細配線に対応し難いことになるが、第２導体配線から、導通孔を介して、第１導体配線に配線の引き回しをなし得るため、製造される両面配線基板全体としては、高密度・微細配線の要求に対応することが可能である。
【００１０】
また、本発明に係る製造方法及び両面配線基板をフレキシブル配線基板に適用した場合であっても、めっきによって第１導体配線を形成する第４ステップの段階で、既に第１絶縁層（この場合には可撓性を有するフィルム状の絶縁層となる）に第１導体層が形成されているため、長尺搬送の場合における搬送張力の影響を大きく低減することができ、その結果、寸法安定性を具備し、カールの生じ難い両面配線基板を得ることが可能である。つまり、一般的に、絶縁層に比べて導体層は高弾性であるため、前記第１の導体層の存在により、基板材料に生じる応力を分散乃至緩和させることができ、搬送張力の影響を大きく低減することが可能である。
【００１１】
さらに、折り曲げ特性等の屈曲特性を必要とする部位には、第２絶縁層を形成し、めっきによる第１導体配線が形成されないようにする（場合によっては、これに加えて、前記第１導体配線が形成されない部位に位置する第１導体層の他方の面を化学的に溶解させる）ことにより、十分な屈曲特性を得ることが可能である。
【発明の効果】
【００１２】
以上に説明した本発明に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板によれば、電解めっきによって第１導体配線が形成されるため、当該第１導体配線側に半導体素子等を搭載することにより、高密度・微細配線の要求に対応することが可能である。つまり、配線幅や間隙幅の影響を受けることなく均一な第１導体配線を形成することができ、且つ、表層の配線幅と底面の配線幅の差異を極めて小さくすることが可能である。また、本発明に係る製造方法及び両面配線基板をフレキシブル配線基板に適用した場合であっても、電解めっきによって第１導体配線を形成する段階で、既に第１絶縁層に第１導体層が形成されているため、長尺工程における搬送張力の影響を大きく低減することができ、その結果、寸法安定性を具備し、カールの生じ難い両面配線基板を得ることが可能である。
【００１３】
さらに、折り曲げ特性等の屈曲特性を必要とする部位には、第２絶縁層を形成し、電解めっきによる第１導体配線が形成されないようにする（場合によっては、これに加えて、前記第１導体配線が形成されない部位に位置する第１導体層の他方の面を化学的に溶解させる）ことにより、十分な屈曲特性を得ることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。図１（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法及び両面配線基板では、第１導体層１１の一方の面に第１絶縁層１２が形成された基板材料１が用いられる。ここで、第１導体層１１としては、銅箔、銅合金、ステンレス、ニッケル等の薬液により加工が可能な金属又は金属箔を使用するのが好ましく、その厚みは、通常１〜１００μｍ、好ましくは３〜３０μｍとされる。また、第１絶縁層１２としては、ポリイミド系樹脂等の耐薬品性、耐熱性、高寸法安定性に優れた樹脂を使用するのが好ましく、その厚みは、通常３〜２００μｍ、好ましくは５〜１００μｍとされる。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、長尺搬送される基板材料１に対して、第１絶縁層１２の所定部位から、第１絶縁層１２及び第１導体層１１の両方を貫通する導通孔１３が形成される。なお、導通孔１３の形成方法としては、レーザや金型等を用いた穿孔、薬液による溶解、感光性樹脂の使用等、公知の方法を使用することができ、導通孔１３の孔径は、通常１０〜５００μｍ、好ましくは３０〜３００μｍとされる。
【００１７】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１絶縁層１２の表面及び導通孔１３の壁面に導電性薄膜層１４が形成される。なお、導電性薄膜層１４としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｎｉ／Ｃｒ合金、Ｃｕ／Ｎｉ合金、Ｔｉ、又はこれらの合金を使用するのが好ましく、より好ましくはＣｒ、Ｎｉ／Ｃｒ合金などのＣｒ系金属が使用され、その厚みは、通常３〜３０００Å、好ましくは５〜２０００Åとされる。また、導電性薄膜層１４は、単層に限らず、必要に応じて複数層を積層することも可能である。
【００１８】
次に、図１（ｄ）に示すように、導電性薄膜層１４上の所定部位に第２絶縁層１５が形成される。なお、第２絶縁層１５としては、耐電解めっき液性を有するものが使用され、その厚みは、後述する第１導体配線１６のめっき厚より大きくするのが好ましい。例えば、第１導体配線１６のめっき厚を１０μｍとする場合には、厚み１５μｍの第２絶縁層１５が形成される。また、第２絶縁層１５を後述する第１導体配線１６のパターンに相当する形状に加工するには、例えば、第２絶縁層１５として感光性の絶縁材料を使用し、当該絶縁材料の前記導体配線パターンに対応する部位を露光・解像した後、解像されなかった部位の絶縁材料を溶解すればよい。
【００１９】
次に、図１（ｅ）に示すように、導電性薄膜層１４上の第２絶縁層１５が形成されていない部位に、電解めっきによって第１導体配線１６が形成される。ここで、本実施形態においては、導電性薄膜層１４が形成されていない第１導体層１１の他方の面にも、前記電解めっきによって導体層１６'が形成されることになる。なお、前記電解めっきは、例えば、電解硫酸銅めっき液中に基板材料１を浸漬し、印加することにより実施される。
【００２０】
次に、図１（ｆ）に示すように、第１導体配線１６が、例えば、塩化第二鉄や塩化第二銅の酸に対する耐薬液性を有する皮膜１７で被覆される。ここで、皮膜１７としては、例えば感光性の絶縁材料が使用され、当該絶縁材料の全面を露光・解像することにより、耐薬液性を有する皮膜１７が形成される。なお、本実施形態では、導体層１６'上にも同様の皮膜１７'が形成されるが、皮膜１７'は、全面が露光・解像される皮膜１７と異なり、後述する第２導体配線１８パターンに対応する部位のみが露光・解像され、当該部位のみが耐薬液性を有することになる。また、皮膜１７'は、第２絶縁層１５と異なり、後述する第２導体配線１８をサブトラクティブ工法で形成する際の保護膜としての機能を奏するものであるため、表層の配線幅と底面の配線幅の差異を小さくする等の観点から、その厚みは薄いほど（例えば１５μｍ以下）好ましく、例えば液状のレジストを使用することにより形成される。
【００２１】
次に、図１（ｇ）に示すように、第１導体層１１の他方の面の所定部位（本実施形態では皮膜１７'及び導体層１６'の所定部位も含む）を薬液によって化学的に溶解させ、第２導体配線１８が形成される。つまり、サブラクティブ工法によって第２導体配線１８が形成される。なお、本実施形態における導体層の溶解には、酸（例えば、塩化第二鉄や塩化第二銅）が使用される。
【００２２】
次に、図１（ｈ）に示すように、皮膜１７、１７'及び第２絶縁層１５が除去される。なお、皮膜１７、１７'及び第２絶縁層１５は、例えば、アルカリ性の薬液によって剥離除去することができる。
【００２３】
最後に、図１（ｉ）に示すように、第１絶縁層１２上に残存する導電性薄膜層１４が除去され、第１導体配線１６及び第２導体配線１８を有する両面配線基板１０が完成する。なお、導電性薄膜層１４は、例えば、酸性の薬液によって剥離除去することができる。
【００２４】
なお、本実施形態に係る方法によって製造された両面配線基板１０の所定部位１９には、電解めっきによる第１導体配線１６及び第２導体配線１８が形成されず、第１絶縁層１２のみによって構成されるため、第１絶縁層１２を例えば可撓性を有するフィルム状の材料から形成することにより、当該部位１９において、十分な屈曲特性を得ることが可能である。
【００２５】
（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。図２（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法及び両面配線基板でも、第１の実施形態と同様に、第１導体層２１の一方の面に第１絶縁層２２が形成された基板材料２が用いられる。第１導体層２１及び第１絶縁層２２を形成する好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、長尺搬送される基板材料２に対して、第１絶縁層２２の所定部位から、第１絶縁層２２及び第１導体層２１の両方を貫通する導通孔２３が形成される。なお、導通孔１３の好ましい形成方法や孔径については、第１の実施形態と同様である。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１絶縁層２２の表面及び導通孔２３の壁面に導電性薄膜層２４が形成される。なお、導電性薄膜層２４の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００２８】
次に、図２（ｄ）に示すように、導電性薄膜層２４上の所定部位に第２絶縁層２５が形成される。なお、本実施形態では、第１導体層２１の他方の面上の所定部位にも絶縁層２５'が形成される。なお、第２絶縁層２５及び絶縁層２５'の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態における第２絶縁層１５と同様である。
【００２９】
次に、図２（ｅ）に示すように、導電性薄膜層２４上の第２絶縁層２５が形成されていない部位に、電解めっきによって第１導体配線２６が形成される。ここで、本実施形態においては、導電性薄膜層２４が形成されていない第１導体層２１の他方の面上であって、絶縁層２５'が形成されていない部位にも、前記電解めっきによって導体層２６'が形成されることになる。なお、前記電解めっきは、第１の実施形態と同様に、例えば、電解硫酸銅めっき液中に基板材料２を浸漬し、印加することにより実施される。
【００３０】
次に、図２（ｆ）に示すように、第１導体配線２６が、例えば、塩化第二鉄や塩化第二銅の酸に対する耐薬液性を有する皮膜２７で被覆される。なお、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、導体層２６'上にも同様の皮膜２７'が形成される。皮膜２７、２７'の好ましい材料や厚みについては、それぞれ第１の実施形態における皮膜１７、１７'と同様である。
【００３１】
次に、図２（ｇ）に示すように、第１導体層２１の他方の面の所定部位（本実施形態では皮膜２７'及び導体層２６'の所定部位も含む）を薬液によって化学的に溶解させ、第２導体配線２８が形成される。なお、溶解方法は、第１の実施形態と同様である。
【００３２】
次に、図２（ｈ）に示すように、皮膜２７、２７'、第２絶縁層２５及び絶縁層２５'が除去される。なお、これらの除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００３３】
最後に、図２（ｉ）に示すように、第１絶縁層２２上に残存する導電性薄膜層２４が除去され、第１導体配線２６及び第２導体配線２８を有する両面配線基板２０が完成する。なお、導電性薄膜層２４の除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００３４】
なお、本実施形態に係る方法によって製造された両面配線基板２０の所定部位２９には、電解めっきによる第１導体配線２６が形成されず、第１絶縁層２２と第１導体層２１のみによって構成されるため、第１絶縁層１２を例えば可撓性を有するフィルム状の材料から形成し、第１導体層２１を圧延銅箔等から形成することにより、当該部位２９において、十分な屈曲特性を得ることが可能である。
【００３５】
（第３の実施形態）
図３は、本発明の第３の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。図３（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法及び両面配線基板でも、第１の実施形態と同様に、第１導体層３１の一方の面に第１絶縁層３２が形成された基板材料３が用いられる。第１導体層３１及び第１絶縁層３２を形成する好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００３６】
次に、図３（ｂ）に示すように、長尺搬送される基板材料３に対して、第１絶縁層３２の所定部位から、第１絶縁層３２及び第１導体層３１の両方を貫通する導通孔３３が形成される。なお、導通孔３３の好ましい形成方法や孔径については、第１の実施形態と同様である。
【００３７】
次に、図３（ｃ）に示すように、第１絶縁層３２の表面及び導通孔３３の壁面に導電性薄膜層３４が形成される。なお、導電性薄膜層３４の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００３８】
次に、図３（ｄ）に示すように、導電性薄膜層３４上の所定部位に第２絶縁層３５が形成される。なお、本実施形態では、第１導体層３１の他方の面の全面にも絶縁層３５'が形成される。なお、第２絶縁層３５及び絶縁層３５'の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態における第２絶縁層１５と同様である。
【００３９】
次に、図３（ｅ）に示すように、導電性薄膜層３４上の第２絶縁層３５が形成されていない部位に、電解めっきによって第１導体配線３６が形成される。ここで、本実施形態においては、第１導体層３１の他方の面の全面に絶縁層３５'が形成されているため、第１導体層３１の他方の面には、前記電解めっきによる導体層は形成されない。なお、前記電解めっきは、第１の実施形態と同様に、例えば、電解硫酸銅めっき液中に基板材料３を浸漬することにより実施される。
【００４０】
次に、図３（ｆ）に示すように、第１導体配線３６が、例えば、塩化第二鉄や塩化第二銅の酸に対する耐薬液性を有する皮膜３７で被覆される。なお、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、絶縁層３５'上にも同様の皮膜３７'が形成される。皮膜３７、３７'の好ましい材料や厚みについては、それぞれ第１の実施形態における皮膜１７、１７'と同様である。
【００４１】
次に、図３（ｇ）に示すように、第１導体層３１の他方の面の所定部位（本実施形態では皮膜３７'及び絶縁層３５'の所定部位も含む）を薬液によって化学的に溶解させ、第２導体配線３８が形成される。なお、溶解方法は、第１の実施形態と同様である。
【００４２】
次に、図３（ｈ）に示すように、皮膜３７、３７'、第２絶縁層３５及び絶縁層３５'が除去される。なお、これらの除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００４３】
最後に、図３（ｉ）に示すように、第１絶縁層３２上に残存する導電性薄膜層３４が除去され、第１導体配線３６及び第２導体配線３８を有する両面配線基板３０が完成する。なお、導電性薄膜層３４の除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００４４】
（第４の実施形態）
図４は、本発明の第４の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。図４（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法及び両面配線基板でも、第１の実施形態と同様に、第１導体層４１の一方の面に第１絶縁層４２が形成された基板材料４が用いられる。第１導体層４１及び第１絶縁層４２を形成する好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００４５】
次に、図４（ｂ）に示すように、長尺搬送される基板材料４に対して、第１絶縁層４２の所定部位から、第１絶縁層４２のみを貫通する導通孔４３が形成される。なお、導通孔４３の好ましい形成方法や孔径については、第１の実施形態と同様である。
【００４６】
次に、図４（ｃ）に示すように、第１絶縁層４２の表面及び導通孔４３の壁面に、さらに本実施形態では、これらに加え、導通孔４３の底面、つまり第１導体層４１の露呈した面に導電性薄膜層４４が形成される。なお、導電性薄膜層４４の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００４７】
次に、図４（ｄ）に示すように、導電性薄膜層４４上の所定部位に第２絶縁層４５が形成される。なお、本実施形態では、第１導体層４１の他方の面の全面にも絶縁層４５'が形成される。なお、第２絶縁層４５及び絶縁層４５'の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態における第２絶縁層１５と同様である。
【００４８】
次に、図４（ｅ）に示すように、導電性薄膜層４４上の第２絶縁層４５が形成されていない部位に、電解めっきによって第１導体配線４６が形成される。ここで、本実施形態においては、第１導体層４１の他方の面の全面に絶縁層４５'が形成されているため、第１導体層４１の他方の面には、前記電解めっきによる導体層は形成されない。なお、前記電解めっきは、第１の実施形態と同様に、例えば、電解硫酸銅めっき液中に基板材料４を浸漬することにより実施される。
【００４９】
次に、図４（ｆ）に示すように、第１導体配線４６が、例えば、塩化第二鉄や塩化第二銅の酸に対する耐薬液性を有する皮膜４７で被覆される。なお、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、絶縁層４５'上にも同様の皮膜４７'が形成される。皮膜４７、４７'の好ましい材料や厚みについては、それぞれ第１の実施形態における皮膜１７、１７'と同様である。
【００５０】
次に、図４（ｇ）に示すように、第１導体層４１の他方の面の所定部位（本実施形態では皮膜４７'及び絶縁層４５'の所定部位も含む）を薬液によって化学的に溶解させ、第２導体配線４８が形成される。なお、溶解方法は、第１の実施形態と同様である。
【００５１】
次に、図４（ｈ）に示すように、皮膜４７、４７'、第２絶縁層４５及び絶縁層４５'が除去される。なお、これらの除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００５２】
最後に、図４（ｉ）に示すように、第１絶縁層４２上に残存する導電性薄膜層４４が除去され、第１導体配線４６及び第２導体配線４８を有する両面配線基板４０が完成する。なお、導電性薄膜層４４の除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００５３】
（第５の実施形態）
図５は、本発明の第５の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。図５（ａ）に示すように、本実施形態に係る製造方法及び両面配線基板でも、第１の実施形態と同様に、第１導体層５１の一方の面に第１絶縁層５２が形成された基板材料５が用いられる。第１導体層５１及び第１絶縁層５２を形成する好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００５４】
次に、図５（ｂ）に示すように、長尺搬送される基板材料５に対して、第１絶縁層５２の所定部位から、第１絶縁層５２のみを貫通する導通孔５３が形成される。なお、導通孔５３の好ましい形成方法や孔径については、第１の実施形態と同様である。
【００５５】
次に、図５（ｃ）に示すように、第１絶縁層５２の表面、導通孔５３の壁面、導通孔５３の底面に導電性薄膜層５４が形成される。なお、導電性薄膜層５４の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態と同様である。
【００５６】
次に、図５（ｄ）に示すように、導電性薄膜層５４上の所定部位に第２絶縁層５５が形成される。なお、本実施形態では、第１導体層５１の他方の面の全面にも絶縁層５５'が形成される。なお、第２絶縁層５５及び絶縁層５５'の好ましい材料や厚みについては、第１の実施形態における第２絶縁層１５と同様である。
【００５７】
次に、図５（ｅ）に示すように、導電性薄膜層５４上の第２絶縁層５５が形成されていない部位に、電解めっきによって第１導体配線５６が形成される。ここで、本実施形態においては、第１導体層５１の他方の面の全面に絶縁層５５'が形成されているため、第１導体層５１の他方の面には、前記電解めっきによる導体層は形成されない。なお、前記電解めっきは、第１の実施形態と同様に、例えば、電解硫酸銅めっき液中に基板材料５を浸漬し、印加することにより実施される。
【００５８】
次に、図５（ｆ）に示すように、第１導体配線５６が、例えば、塩化第二鉄や塩化第二銅の酸に対する耐薬液性を有する皮膜５７で被覆される。なお、本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、絶縁層５５'上にも同様の皮膜５７'が形成される。皮膜５７、５７'の好ましい材料や厚みについては、それぞれ第１の実施形態における皮膜１７、１７'と同様である。
【００５９】
次に、図５（ｇ）に示すように、第１導体層５１の他方の面の所定部位（本実施形態では皮膜５７'及び絶縁層５５'の所定部位も含む）を薬液によって化学的に溶解させ、第２導体配線５８が形成される。なお、溶解方法は、第１の実施形態と同様である。
【００６０】
次に、図５（ｈ）に示すように、皮膜５７、５７'、第２絶縁層５５及び絶縁層５５'が除去される。なお、これらの除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００６１】
最後に、図５（ｉ）に示すように、第１絶縁層５２上に残存する導電性薄膜層５４が除去され、第１導体配線５６及び第２導体配線５８を有する両面配線基板５０が完成する。なお、導電性薄膜層５４の除去方法は、第１の実施形態と同様である。
【００６２】
なお、以上に説明した第１〜第５の実施形態に係る製造方法によって製造される両面配線基板は、必要に応じて、第１導体配線及び第２導体配線上に絶縁層（カバーレイ）が形成され、さらに、必要に応じて、当該絶縁層上に金めっき等の表面処理が施される場合がある。
【００６３】
以下に実施例を示し、本発明の特徴をより一層明らかにする。
【００６４】
（実施例１）
本実施例では、図１に示す第１の実施形態に係る製造方法に従って、両面配線基板を製造した。まず、長尺搬送される基板材料１として、厚み１２μｍの銅箔からなる第１導体層１１上に、第１絶縁層１２としての厚み２５μｍのポリイミド樹脂が直接形成された銅張積層板（例えば、新日鐵化学製エスパネックス、三井化学製ネオフレックス等）を用いた。次に、ＹＡＧレーザによって、孔径７５μｍの導通孔１３を形成した。次に、スパッタにより、厚み５００ÅのＮｉ／Ｃｒ合金からなる導電性薄膜層１４を形成した。次に、第２絶縁層１５として、厚み１５μｍの感光性の絶縁フィルム（例えば旭化成製ＳＰＧ１５２）をラミネートにより積層し、所定位置を遮光することのできるガラスマスクを介して、第２絶縁層１５に紫外線を照射した後、アルカリ溶液中で解像を行った。次に、基板材料１を電解硫酸銅めっき液中に浸漬し、２．５Ａ／ｄｍ２で約１８分間めっきすることにより、厚み８μｍの銅めっき配線からなる第１導体配線１６を形成した。また、第１導体層１１の他方の面の全面にも厚み８μｍの銅めっきからなる導体層１６'を形成し、第１導体層１１と合わせて合計の厚みが２０μｍである銅層を形成した。次に、皮膜１７、１７'として、厚み１０μｍの感光性の絶縁フィルム（例えば旭化成製ＳＦＧ１０２）をラミネートにより積層し、皮膜１７'を所望する配線パターンに応じて露光・解像した後、塩化第二鉄を用いて前記２０μｍ厚の銅層を溶解し、第２導体配線１８を形成した。さらに、皮膜１７、１７'、第２絶縁層１５及び導電性薄膜層１４を除去し、両面配線基板１０を得た。本実施例によって製造された両面配線基板１０は、第１導体配線１６が均一に形成され、表層の配線幅と底面の配線幅の差異が極めて小さくなることが確認された。また、寸法安定性を具備し、カールが生じ難いと共に、十分な屈曲特性を得ることができた。
【００６５】
（実施例２）
本実施例では、図２に示す第２の実施形態に係る製造方法に従って、両面配線基板を製造した。まず、長尺搬送される基板材料２として、厚み１２μｍの銅箔からなる第１導体層２１上に、第１絶縁層２２としての厚み１２μｍのポリイミド樹脂が直接形成された銅張積層板（例えば、新日鐵化学製エスパネックス、三井化学製ネオフレックス等）を用いた。次に、ＹＡＧレーザによって、孔径１００μｍの導通孔２３を形成した。次に、スパッタにより、厚み３００ÅのＮｉ／Ｃｕ合金からなる導電性薄膜層２４を形成した。次に、第２絶縁層２５及び絶縁層２５'として、厚み１５μｍの感光性の絶縁フィルム（例えば旭化成製ＳＰＧ１５２）をラミネートにより積層し、所定位置を遮光することのできるガラスマスクを介して、第２絶縁層２５及び絶縁層２５'に紫外線を照射した後、アルカリ溶液中で解像を行った。次に、基板材料２を電解硫酸銅めっき液中に浸漬し、２．５Ａ／ｄｍ２で約２０分間めっきすることにより、厚み１０μｍの銅めっき配線からなる第１導体配線２６を形成した。また、第１導体層２１の他方の面上であって、絶縁層２５'が形成されていない部位にも厚み１０μｍの銅めっきからなる導体層２６'を形成し、第１導体層２１と合わせて合計の厚みが２２μｍである銅層を形成した。次に、皮膜２７、２７'として、厚み６μｍの感光性の絶縁フィルム（日立化成製ＲＹ３２０６）をラミネートにより積層し、皮膜２７'を所望する配線パターンに応じて露光・解像した後、塩化第二鉄を用いて前記２２μｍ厚の銅層を溶解し、第２導体配線２８を形成した。さらに、皮膜２７、２７'、第２絶縁層２５、絶縁層２５'及び導電性薄膜層２４を除去し、両面配線基板２０を得た。本実施例によって製造された両面配線基板２０は、第１導体配線２６が均一に形成され、表層の配線幅と底面の配線幅の差異が極めて小さくなることが確認された。また、寸法安定性を具備し、カールが生じ難いと共に、十分な屈曲特性を得ることができた。
【００６６】
（実施例３）
本実施例では、図３に示す第３の実施形態に係る製造方法に従って、両面配線基板を製造した。まず、長尺搬送される基板材料３として、厚み１８μｍの銅箔からなる第１導体層３１上に、第１絶縁層３２としての厚み１２μｍのポリイミド樹脂が直接形成された銅張積層板（例えば、新日鐵化学製エスパネックス、三井化学製ネオフレックス等）を用いた。次に、パンチング加工によって、孔径１５０μｍの導通孔３３を形成した。次に、スパッタにより、厚み４００ÅのＣｒからなる導電性薄膜層３４を形成した。次に、第２絶縁層３５及び絶縁層３５'として、厚み２５μｍの感光性の絶縁フィルム（例えば旭化成製ＳＰＧ２５２）をラミネートにより積層し、所定位置を遮光することのできるガラスマスクを介して、第２絶縁層３５及び絶縁層３５'に紫外線を照射した後、アルカリ溶液中で解像を行った。次に、基板材料３を電解硫酸銅めっき液中に浸漬し、２．５Ａ／ｄｍ２で約３６分間めっきすることにより、厚み１８μｍの銅めっき配線からなる第１導体配線３６を形成した。次に、皮膜３７、３７'として、厚み６μｍの感光性の絶縁フィルム（日立化成製ＲＹ３２０６）をラミネートにより積層し、皮膜３７'を所望する配線パターンに応じて露光・解像した後、塩化第二鉄を用いて前記１８μｍ厚の第１導体層３１を溶解し、第２導体配線３８を形成した。さらに、皮膜３７、３７'、第２絶縁層３５、絶縁層３５'及び導電性薄膜層３４を除去し、両面配線基板３０を得た。本実施例によって製造された両面配線基板３０は、第１導体配線３６が均一に形成され、表層の配線幅と底面の配線幅の差異が極めて小さくなることが確認された。また、寸法安定性を具備し、カールが生じ難いと共に、十分な屈曲特性を得ることができた。
【００６７】
（実施例４）
本実施例では、図４に示す第４の実施形態に係る製造方法に従って、両面配線基板を製造した。まず、長尺搬送される基板材料４として、厚み１８μｍの銅箔からなる第１導体層４１上に、第１絶縁層４２としての厚み１２μｍのポリイミド樹脂が直接形成された銅張積層板（例えば、新日鐵化学製エスパネックス、三井化学製ネオフレックス等）を用いた。次に、薬液によって、孔径８０μｍの導通孔４３を形成した。次に、スパッタにより、厚み４００ÅのＮｉ／Ｃｒ合金からなる導電性薄膜層４４を形成した。さらに、スパッタにより、Ｃｕからなる導電性薄膜層を導電性薄膜層４４の上に形成した。次に、第２絶縁層４５及び絶縁層４５'として、厚み２５μｍの感光性の絶縁フィルム（例えば旭化成製ＳＰＧ２５２）をラミネートにより積層し、所定位置を遮光することのできるガラスマスクを介して、第２絶縁層４５及び絶縁層４５'に紫外線を照射した後、アルカリ溶液中で解像を行った。次に、基板材料４を電解硫酸銅めっき液中に浸漬し、２．５Ａ／ｄｍ２で約１８分間めっきすることにより、厚み８μｍの銅めっき配線からなる第１導体配線４６を形成した。次に、皮膜４７、４７'として、厚み６μｍの感光性の絶縁フィルム（日立化成製ＲＹ３２０６）をラミネートにより積層し、皮膜４７'を所望する配線パターンに応じて露光・解像した後、塩化第二鉄を用いて前記１８μｍ厚の第１導体層４１を溶解し、第２導体配線４８を形成した。さらに、皮膜４７、４７'、第２絶縁層４５、絶縁層４５'及び導電性薄膜層４４を除去し、両面配線基板４０を得た。本実施例によって製造された両面配線基板４０は、第１導体配線４６が均一に形成され、表層の配線幅と底面の配線幅の差異が極めて小さくなることが確認された。また、寸法安定性を具備し、カールが生じ難いと共に、十分な屈曲特性を得ることができた。
【００６８】
（実施例５）
本実施例では、図５に示す第５の実施形態に係る製造方法に従って、両面配線基板を製造した。まず、長尺搬送される基板材料５として、厚み１８μｍの銅箔からなる第１導体層５１上に、第１絶縁層５２としての厚み１２μｍの感光性ポリイミド樹脂が直接形成された銅張積層板を用いた。次に、薬液によって、孔径８０μｍの導通孔５３を形成した。次に、スパッタにより、厚み４００ÅのＮｉ／Ｃｒ合金からなる導電性薄膜層５４を形成した。次に、第２絶縁層５５及び絶縁層５５'として、厚み２５μｍの感光性の絶縁フィルム（例えば旭化成製ＳＰＧ２５２）をラミネートにより積層し、所定位置を遮光することのできるガラスマスクを介して、第２絶縁層５５及び絶縁層５５'に紫外線を照射した後、アルカリ溶液中で解像を行った。次に、基板材料５を電解硫酸銅めっき液中に浸漬し、２．５Ａ／ｄｍ２で約３６分間めっきすることにより、厚み１８μｍの銅めっき配線からなる第１導体配線５６を形成した。次に、皮膜５７、５７'として、厚み６μｍの感光性の絶縁フィルム（日立化成製ＲＹ３２０６）をラミネートにより積層し、皮膜５７'を所望する配線パターンに応じて露光・解像した後、塩化第二鉄を用いて前記１８μｍ厚の第１導体層５１を溶解し、第２導体配線５８を形成した。さらに、皮膜５７、５７'、第２絶縁層５５、絶縁層５５'及び導電性薄膜層５４を除去し、両面配線基板５０を得た。本実施例によって製造された両面配線基板５０は、第１導体配線５６が均一に形成され、表層の配線幅と底面の配線幅の差異が極めて小さくなることが確認された。また、寸法安定性を具備し、カールが生じ難いと共に、十分な屈曲特性を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。
【図４】図４は、本発明の第４の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。
【図５】図５は、本発明の第５の実施形態に係る両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。
【図６】図６は、従来の両面配線基板の製造方法及び両面配線基板を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７０】
１，２，３，４，５…基板材料、１１，２１，３１，４１，５１…第１導体層、１２，２２，３２，４２，５２…第１絶縁層、１３，２３，３３，４３，５３…導通孔、１４，２４，３４，４４，５４…導電性薄膜層、１５，２５，３５，４５，５５…第２絶縁層、１６，２６，３６，４６，５６…第１導体配線、１７，２７，３７，４７，５７…皮膜、１８，２８，３８，４８，５８…第２導体配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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