(57)【要約】【課題】  光信号を用いて信号伝送を行うことができるため大容量の情報を処理するのに適しており、さらには、電子機器の小型化に寄与することができるフレックスリジッド多層プリント配線板を提供する。【解決手段】  基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されたリジッド部と、１つまたは複数の屈曲可能なフレックス部とが一体化してなる光電気配線板であって、上記リジッド部には、光学素子および／または光学素子を実装したパッケージ基板を搭載するための外部接続端子が形成されており、上記フレックス部の少なくとも１つには、光配線が形成されていることを特徴とする光電気配線板。【選択図】      図１
2006140233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されたリジッド部と、１つまたは複数の屈曲可能なフレックス部とが一体化してなる光電気配線板であって、
前記リジッド部には、光学素子および／または光学素子を実装したパッケージ基板を搭載するための外部接続端子が形成されており、
前記フレックス部の少なくとも１つには、光配線が形成されていることを特徴とする光電気配線板。
【請求項２】
前記フレックス部の少なくとも１つには、光配線とともに導体回路が形成されている請求項１に記載の光電気配線板。
【請求項３】
前記フレックス部が複数あり、
前記のフレックス部のうち、少なくとも１つのフレックス部には、光配線のみが形成されており、他の少なくとも１つのフレックス部には、導体回路のみが形成されている請求項１に記載の光電気配線板。
【請求項４】
前記リジッド部には、光信号通過領域が形成されており、
前記光信号通過領域の一端と、前記光配線とが光学的に接続されている請求項１〜３のいずれかに記載の光電気配線板。
【請求項５】
前記光信号通過領域は、その内部に樹脂組成物が充填されている請求項１〜４のいずれかに記載の光電気配線板。
【請求項６】
前記光信号通過領域は、前記リジッド部を構成する全ての基板および絶縁層を貫通するように形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の光電気配線板。
【請求項７】
前記光信号通過領域は、前記リジッド部を構成する基板および絶縁層の一部のみを貫通するように形成されている請求項１〜５のいずれかに記載の光電気配線板。
【請求項８】
前記フレックス部に形成された導体回路の一部または全部は、電源パターンおよび／またはグランドパターンである請求項２〜７のいずれかに記載の光電気配線板。
【請求項９】
前記光配線は、光導波路である請求項１〜８のいずれかに記載の光電気配線板。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の光電気配線板に、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板が搭載されていることを特徴とする光通信用デバイス。
【請求項１１】
前記光電気配線板に、光路変換部品が配設されている請求項１０に記載の光通信用デバイス。
【請求項１２】
前記光路変換部品は、前記光学素子に固定されて前記光電気配線板に配設されているか、または、サブマウント基板を介して前記光電気配線板に配設されている請求項１１に記載の光通信用デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電気配線板および光通信用デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パソコン、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ＣＣＤモジュール、液晶パネル、光変換モジュール等の電子機器においては、機器の小型化に対応するためにフレックスリジッド基板が使用されている。
そして、このような電子機器に用いるフレックスリジッド基板としては、種々のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
また、上述したような電子機器では、高性能化、多機能化に伴い、処理情報量の大容量化、情報処理の高速化が求められている。
【０００３】
【特許文献１】特開０６−２６８３３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このようなフレックスリジッド基板では、基板に実装された各素子が電気信号により動作しており、大容量情報の迅速な処理に充分に対応することが難しかった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
そこで、本発明者らは、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、フレックスリジッド基板において、基板の内の信号伝送の一部を光信号で行うことにより、処理情報量の大容量化、情報処理の高速化に対応することができることを見出し本発明を完成した。
【０００６】
なお、本発明者らは、実装される各素子からの信号を全て光信号に変換し、各素子間の信号伝送を全て光信号で行うことも検討したが、この場合、部品点数が増加することとなり（各素子について、発光素子、発光素子駆動用ドライバＩＣ、受光素子、光電気変換後の電気信号の調整を行うアンプＩＣ等を実装する必要がある）、配線板面積を増大させる必要があるため、機器の小型化を妨げることとなり、また、コストアップに繋がり経済的にも不利になることが明らかとなった。
また、各素子間の信号伝送を全て光信号で行う場合には、電源供給およびグランドを各リジッド部で行う必要があるが、一部を光信号で行い、残りを電気信号で行う場合には、電源供給およびグランドを一箇所で行うことができる。
【０００７】
すなわち、本発明の光電気配線板は、基板の両面に導体回路と絶縁層とが積層形成されたリジッド部と、１つまたは複数の屈曲可能なフレックス部とが一体化してなる光電気配線板であって、
上記リジッド部には、光学素子および／または光学素子を実装したパッケージ基板を搭載するための外部接続端子が形成されており、
上記フレックス部の少なくとも１つには、光配線が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の光電気配線板においては、上記フレックス部の少なくとも１つには、光配線とともに導体回路が形成されていることが望ましい。
また、上記フレックス部が複数あり、
上記のフレックス部のうち、少なくとも１つのフレックス部には、光配線のみが形成されており、他の少なくとも１つのフレックス部には、導体回路のみが形成されていることも望ましい。
【０００９】
上記光電気配線板においては、上記リジッド部には、光信号通過領域が形成されており、
上記光信号通過領域の一端と、上記光配線とが光学的に接続されていることが望ましい。
また、上記光信号通過領域は、その内部に樹脂組成物が充填されていることが望ましい。
【００１０】
上記光電気配線板において、上記光信号通過領域は、上記リジッド部を構成する全ての基板および絶縁層を貫通するように形成されているか、上記リジッド部を構成する基板および絶縁層の一部のみを貫通するように形成されていることが望ましい。
【００１１】
上記光電気配線板において、上記フレックス部に形成された導体回路の一部または全部は、電源パターンおよび／またはグランドパターンであることが望ましい。
また、上記光電気配線板において、上記光配線は、光導波路であることが望ましい。
【００１２】
また、本発明の光通信用デバイスは、本発明の光電気配線板に、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板が搭載されていることを特徴とする。
【００１３】
上記光通信用デバイスにおいては、上記光電気配線板に、光路変換部品が配設されていることが望ましく、上記光路変換部品は、上記光学素子に固定されて上記光電気配線板に配設されているか、または、サブマウント基板を介して上記光電気配線板に配設されていることが望ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の光電気配線板によれば、フレックス部に光配線が形成されており、リジッド部には導体回路が形成されている。そのため、さほど高速伝送を必要とせず、電気配線で良い部分には導体回路を形成し、高速伝送が必要な回線のみを光配線とすることができ、配線板のサイズを大きくすることなく、大容量情報の処理や情報の高速処理を好適に行うことができる。
【００１５】
本発明の光通信用デバイスによれば、フレックス部に光配線が形成されており、リジッド部には導体回路が形成されている。そのため、さほど高速伝送を必要とせず、電気配線で良い部分には導体回路を形成し、高速伝送が必要な回線のみを光配線とすることができ、配線板のサイズを大きくすることなく、大容量情報の処理や情報の高速処理を好適に行うことができる。
【００１６】
また、上記光通信用デバイスでは、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板が搭載されており、これらの間で、光信号を伝送することができる。
そして、フレックス部を介して接続されたリジッド部のそれぞれに光学素子等が実装されている場合には、リジッド部がパッケージ基板として機能し、パッケージ基板間を光配線を介して接続した光通信用デバイスとして機能することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の光電気配線板の実施形態について説明する。
本発明の光電気配線板は、基板の両面に導体回路と絶縁層とが
積層形成されたリジッド部と、１つまたは複数の屈曲可能なフレックス部とが一体化してなる光電気配線板であって、
上記リジッド部には、光学素子および／または光学素子を実装したパッケージ基板を搭載するための外部接続端子が形成されており、
上記フレックス部の少なくとも１つには、光配線が形成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明の光電気配線板は、リジッド部とフレックス部とが一体化してなるものであり、上記リジッド部には、光学素子および／または光学素子を実装したパッケージ基板（以下、単に光学素子等ともいう）を搭載するための外部接続端子が形成されており、また、上記フレックス部の少なくとも一つには、光配線が形成されている。
なお、上記リジッド部には、後述するように、必要に応じて、最外層にソルダーレジスト層が形成されていてもよい。
また、本発明の光電気配線板において、リジッド部とフレックス部とが一体化してなるとは、両者の間で光信号を伝送することができるように構成されていることをいい。その具体的な態様は特に限定されない。
【００１９】
本発明の光電気配線板について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の光電気配線板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図１に示すように、光電気配線板１００は、基板１２１の両面に導体回路１２５と絶縁層１２２とが順次積層形成され、導体回路同士を接続するための非貫通バイアホール１２７が形成されたリジッド部１００ａ、１００ｃと、基板１２１の異なる面のそれぞれに導体回路１２５と光導波路１５０とが形成されたフレックス部１００ｂとから構成されている。
ここで、リジッド部１００ａ、１００ｃを構成する基板と、フレックス部１００ｂを構成する基板とは、１枚の基板１２１である。従って、リジッド部１００ａ、１００ｃとフレックス部１００ｂとは一体化している。
【００２０】
また、光導波路１５０は、フレックス部を構成する基板上と、リジッド部を構成する基板上とに形成されており、この光導波路１５０は、下部クラッド１５２ａとコア１５１と上部クラッド１５２ｂとから構成されている。また、光導波路１５０には、基板１２１の光導波路と接する面とのなす角が４５°の光路変換ミラー１５３が形成されている。
また、フレックス部の基板１２１の光導波路１５０が形成された側と反対側の面には、導体回路１２５が形成されており、さらに、この導体回路１２５上には、導体回路１２５aを保護するようにカバーレイ１２６が形成されている。
【００２１】
さらに、リジッド部１００ａ、１００ｃにおいては、基板１２１、片側の絶縁層１２２および片側のソルダーレジスト層１３４を貫通する光信号通過領域１４２ａ、１４２ｂが形成されており、この光信号通過領域１４２ａ、１４２ｂのそれぞれの一端と、光導波路１５０とは、光学的に接続されている。具体的には、図示したように、光信号通過領域１４２ａ、１４２ｂの下端の直下に、光路変換ミラー１５３が形成された光導波路１５０が配設されている。
また、この光信号通過領域１４２ａ、１４２ｂは、その内部の一部に、樹脂組成物１４７が充填されている。
【００２２】
また、リジッド部１００ａ、１００ｃのそれぞれの最外層には、光学素子等を実装するための外部接続端子１３７が形成されている。
また、フレックス部１００ｂでは、基板１２１上の異なる面に光導波路１５０と導体回路１２５ａとが形成されている。
【００２３】
このような構成からなる光電気配線板１００では、フレックス部が１つ形成されており、このフレックス部には、光配線とともに導体回路が形成されている。
従って、光電気配線板１００では、光電気配線板１００を構成するリジッド部同士の間での信号伝送を光信号により行うことができ、さらに、電気信号も伝送することができる。
【００２４】
また、光電気配線板１００では、リジッド部を構成する基板および絶縁層の一部のみ、すなわち、基板１２１とその片面に積層された絶縁層１２２を貫通するように光信号通過領域が形成されている。
このように、リジッド部を構成する基板および絶縁層の一部を貫通するように光信号通過領域が形成されている場合には、リジッド部を構成する基板および絶縁層のうち、光信号通過領域が貫通していない階層では、導体回路や非貫通バイアホール等を光信号通過領域を迂回することなく、自由に形成することができるため、電気配線に関して、高密度配線を達成するのに適している。
【００２５】
また、図１に示したように、光信号通過領域の端部と光配線とが直接光学的に接続されている場合（なお、ここでいう直接光学的に接続されているとは、絶縁層を介することなく光信号を伝送することができる態様をいう）には、絶縁層は、伝送光に対して透明である必要がないため、従来のプリント配線板に使用するような市販品等を用いて絶縁層を形成することができ、光電気配線板を安価に製造することができる。
【００２６】
図２は、本発明の光電気配線板のフレックス部の断面図である。
（ａ）は、図１に示した光電気配線板のＡ−Ａ線断面図であり、（ａ）に示すように、基板１２１の一方の面（図中、上面）には、導体回路１２５がこの導体回路１２５がカバーレイ１２６で保護されており、他方の面（図中、下側）にはコア１５１とクラッド１５２とからなる光導波路１５０が形成されている。
【００２７】
また、本発明の光電気配線板を構成するフレックス部の構造は、図２（ａ）に示したようなものに限定されるわけではなく、例えば、図２（ｂ）〜（ｄ）に示したような構造を有するものであってもよい。
図２（ｂ）〜（ｄ）は、それぞれ、本発明の光電気配線板を構成するフレックス部の別の実施形態を模式的に示す断面図である。
【００２８】
図２（ｂ）に示すように、基板１２１の一方の面（図中、上面）に、信号パターンとして機能する導体回路１２５が形成され、他方の面（図中、下面）に、グランドパターンとして機能する導体回路１２５ａが形成され、さらに、導体回路１２５ａ上にコアとクラッドとからなる光導波路が形成された構造を有していてもよい。このようなフレックス部では、導体回路がストリップライン構造を有していることとなる。
なお、導体回路１２５上には、（ａ）に示したフレックス部と同様、カバーレイ１２６が形成されている。
【００２９】
図２（ｃ）に示すように、基板１２１の一方の面（図中、上面）に、信号パターンとして機能する導体回路１２５が形成され、さらに絶縁層１２２を介してグランドパターンとして機能する導体回路１２５ａが形成されており、他方の面（図中、下面）に、グランドパターンとして機能する導体回路１２５ａが形成され、さらに、導体回路１２５ａ上にコアとクラッドとからなる光導波路が形成された構造を有していてもよい。このようなフレックス部では、導体回路がマイクロストリップライン構造を有していることとなる。
なお、導体回路１２５上には、（ａ）に示したフレックス部と同様、カバーレイ１２６が形成されている。
【００３０】
図２（ｄ）に示すように、基板１２１の一方の面（図中、上面）に、信号パターンとして機能するディファレンシャルライン１２５ｂの導体回路１２５が形成されており、他方の面（図中、下面）に、グランドパターンとして機能する導体回路１２５ａが形成され、さらに、導体回路１２５ａ上にコアとクラッドとからなる光導波路が形成された構造を有していてもよい。このようなフレックス部では、電気信号を差動伝送することができる。
なお、導体回路１２５上には、（ａ）に示したフレックス部と同様、カバーレイ１２６が形成されている。
【００３１】
また、本発明の光電気配線板を構成するフレックス部は、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すフレックス部において、グランドパターンに代えて電源パターンが形成された構成を有するものであってもよい。
【００３２】
また、本発明の光電気配線板は、図３に示したような構造を有していてもよい。
図３は、本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、光電気配線板２００は、基板２２１の両面に導体回路２２５と絶縁層２２３、２２２とが順次積層形成され、導体回路同士を接続するための非貫通バイアホール２２７が形成されたリジッド部２００ａ、２００ｃと、基板２２１の両面に導体回路２２５とが形成されたフレックス部２００ｂとから構成されている。
ここで、リジッド部２００ａ、２００ｃを構成する基板と、フレックス部２００ｂを構成する基板とは、１枚の基板２２１である。従って、リジッド部２００ａ、２００ｃとフレックス部２００ｂとは一体化している。
【００３３】
そして、基板２２１は、光導波路フィルム２５０と、その周囲の樹脂層（絶縁層）２２１ａとからなるものである。
また、樹脂層２２１ａは、光信号通過領域２４２ａ、２４２ｂの一部を構成するため、伝送光に対してある程度の透過性を有している。なお、具体的な材質については後述する。
また、本明細書において、伝送光に対してある程度の透過性を有しているとは、伝送光の透過率が２５〜３０℃において、６０％／３０μｍ以上であることをいう。なお、伝送光に対してある程度の透過性を有しているものを、伝送光に対して透明であるともいう。
【００３４】
また、光導波路フィルム２５０は、コア２５１とクラッド２５２とから構成されている。また、光導波路２５０には光路変換ミラー２５３が形成されている。
また、フレックス部の基板２２１の両面には、導体回路２２５が形成されており、さらに、この導体回路２２５上には、導体回路２２５を保護するようにカバーレイ２２６が形成されている。
【００３５】
さらに、リジッド部２００ａ、２００ｃにおいては、基板２２１の片側の絶縁層２２３、２２２および片側のソルダーレジスト層２３４を貫通する光信号通過領域２４２ａ、２４２ｂが形成されており、この光信号通過領域２４２ａ、２４２ｂと、光導波路２５０とは、光学的に接続されている。具体的には、図示したように、光信号通過領域２４２ａ、２４２ｂの直下に、光路変換ミラー２５３が配設されている。
また、この光信号通過領域２４２ａ、２４２ｂは、その内部の一部に、樹脂組成物２４７が充填されている。
【００３６】
また、リジッド部２００ａ、２００ｃのそれぞれの最外層には、光学素子等を実装するための外部接続端子２３７が形成されている。
【００３７】
このような構成からなる光電気配線板２００では、フレックス部が１つ形成されており、このフレックス部には、光配線とともに導体回路が形成されている。
従って、光電気配線板２００では、光電気配線板２００を構成するリジッド部同士の間での信号伝送を光信号により行うことができ、さらに、フレックス部に形成された導体回路が信号パターンである場合には、電気信号も伝送することができる。
【００３８】
なお、フレックス部２００ｂに形成された導体回路２２５のそれぞれは、信号パターン、電源パターン、グランドパターンのいずれであってもよいが、その一部または全部は、電源パターンおよび／またはグランドパターンであることが望ましい。
フレックス部に導体回路が形成されておらず、光配線のみが形成されている場合には、各リジッド部において電源供給を行う必要があるのに対し、フレックス部に形成された導体回路が、電源パターンやグランドパターンである場合には、複数のリジッド部のうちの一箇所で電源を供給すれば良く、光電気配線板の小型化、高密度実装に好都合であるからである。
【００３９】
また、光電気配線板２００では、リジッド部を構成する基板および絶縁層の一部のみ、すなわち、基板２２１の一部、および、その片面に積層された絶縁層２２２、２２３を貫通するように光信号通過領域が形成されている。
【００４０】
また、光信号通過領域２４２の一部は、伝送光に対して透明な絶縁層（絶縁層２２３等）により構成されている。このような透明な絶縁層としては、伝送光に対する透明性が優れる材料（例えば、透過率が９０％／ｍｍ以上）を用いて形成することもできるが、伝送光に対する透過率が６０％／３０μｍ以上の材料を用いて形成することもでき、このような材料のほうが安価で経済的に有利である。
【００４１】
ここでは、フレックス部が１つの光電気配線板について説明したが、本発明の光電気配線板は、複数のフレックス部を有するものであってもよい。
図４−１は、本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図４−１に示すように、光電気配線板３００は、光導波路フィルム３５０とその両端を覆うように形成された絶縁層３２３とからなる基板３２１ａ、その両面に導体回路３２５が形成された基板３２１ｂ、絶縁層３２３、３２２および導体回路３２５から構成されている。
また、導体回路同士を接続するための非貫通バイアホール３２７が形成されている。
そして、基板３２１ａ、３２１ｂに絶縁層３２２、３２３が積層された部分が、リジッド部３００ａ、３００ｃを構成し、絶縁層が積層されていない部分がフレックス部３００ｂを構成している。基板３２１ａ、３２１ｂは、リジッド部およびフレックス部の構成部材となっており、リジッド部３００ａ、３００ｃとフレックス部３００ｂとは一体化している。
【００４２】
基板３２１ａは、コア３５１とクラッド３５２とからなる光導波路フィルム３５０の両端を覆うように絶縁層３２３が形成されて構成されている。そして、光導波路フィルム３５０には、光路変換ミラー３５３が形成されている。
【００４３】
また、基板３２１ｂの両面には、導体回路３２５が形成されており、さらに、この導体回路３２５上には、導体回路３２５を保護するようにカバーレイ３２６が形成されている。
【００４４】
さらに、リジッド部３００ａ、３００ｃにおいては、基板３２１ａの片側（図中、上側）の絶縁層３２３および片側のソルダーレジスト層３３４を貫通する光信号通過領域３４２ａ、３４２ｂが形成されており、この光信号通過領域３４２ａ、３４２ｂと、光導波路３５０とは、光学的に接続されている。具体的には、図示したように、光信号通過領域３４２ａ、３４２ｂの直下に、光路変換ミラー３５３が配設されている。
また、この光信号通過領域３４２ａ、３４２ｂは、その内部の一部に、樹脂組成物３４７が充填されている。
光電気配線板３００では、基板を貫通しないように光信号通過領域が形成されていることとなる。
【００４５】
また、リジッド部３００ａ、３００ｃのそれぞれの最外層には、光学素子等を実装するための外部接続端子３３７が形成されている。
【００４６】
このような構成からなる光電気配線板３００では、フレックス部が２つ形成されており、一方のフレックス部には、光配線のみが形成され、他方のフレックス部には導体回路のみが形成されている。
従って、光電気配線板３００では、光電気配線板３００を構成するリジッド部同士の間での信号伝送を光信号により行うことができ、さらに、フレックス部に形成された導体回路が信号パターンである場合には、電気信号も伝送することができる。
【００４７】
なお、フレックス部３００ｂに形成された導体回路３２５のそれぞれは、信号パターン、電源パターン、グランドパターンのいずれであってもよいが、その一部または全部は、電源パターンおよび／またはグランドパターンであることが望ましい。
その理由は上述した通りである。
【００４８】
また、図４−１に示した光電気配線板３００では、光配線と導体回路とのいずれかのみが形成されたフレックス部が複数形成されており、ここで、各フレックス部はリジッド部の異なる階層で一体化されるように形成されているが、光配線と導体回路とのいずれかのみが形成されたフレックス部が複数形成されている場合において、各フレックス部が、リジッド部の同一階層で一体化されるような構成を有していてもよい。
具体的には、例えば、図４−２に示すような形態を有する光電気配線板であってもよい。
図４−２（ａ）は、本発明の光電気配線板の別の一実施形態の外形を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ′線断面図であり、（ｃ）は、Ｂ−Ｂ′線断面図である。
【００４９】
図４−２に示すように、光電気配線板９００はリジッド部９００ａ、９００ｃと、フレックス部９００ｂとが一体化して構成されており、複数のリジッド部９００ｂ（１９００ａ、１９００ｂ）を有している。
リジッド部１９００ａは、基板９２１ａの片面に光導波路９５０が形成され、さらに光導波路９５０が形成された面と反対側の面にカバーレイ９２６が形成されて構成されており、また、リジッド部１９００ｂは、基板９２１ｂの両面に導体回路９２５が形成され、さらにこの導体回路９２５を保護するためのカバーレイ９２６が形成されて構成されている。光導波路９５０は、コア９５１とクラッド９５２とから構成されており、さらに、光路変換ミラー９５３が形成されている。
【００５０】
基板９２１ａ、９２１ｂのそれぞれはともに、その両面に導体回路９２５と絶縁層９２２が積層形成されており、リジッド部９００ａ、９００ｃを構成している。
また、絶縁層を挟んだ導体回路同士を接続するための非貫通バイアホール９２７が形成されている。
このように、基板９２１ａ、９２１ｂは、リジッド部およびフレックス部の構成部材となっており、リジッド部９００ａ、９００ｃとフレックス部９００ｂとは一体化している。
また、基板９２１ａ、９２１ｂはともに、リジッド部の同一階層を構成しており、各フレックス部が、リジッド部の同一階層で一体化されるような構成を有していこととなる。
【００５１】
さらに、リジッド部９００ａ、９００ｃにおいては、基板９２１ａの片側（図中、上側）の絶縁層９２３および片側のソルダーレジスト層９３４を貫通する光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂが形成されており（図４−２（ｂ）参照）、この光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂと、光導波路９５０とは、光学的に接続されている。具体的には、図示したように、光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂの直下に、光路変換ミラー９５３が配設されている。
また、この光信号通過領域９４２ａ、９４２ｂは、その内部の一部に、樹脂組成物９４７が充填されている。
光電気配線板９００では、基板を貫通しないように光信号通過領域が形成されていることとなる。
【００５２】
また、リジッド部９００ａ、９００ｃのそれぞれの最外層には、光学素子等を実装するための外部接続端子９３７が形成されている。
【００５３】
このような構成からなる光電気配線板９００では、フレックス部が２つ形成されており、一方のフレックス部には、光配線のみが形成され、他方のフレックス部には導体回路のみが形成されており、光配線が形成されたフレックス部と導体回路が形成されたフレックス部とが同一階層に形成されている。
従って、光電気配線板９００では、光電気配線板９００を構成するリジッド部同士の間での信号伝送を光信号により行うことができ、さらに、フレックス部に形成された導体回路が信号パターンである場合には、電気信号も伝送することができる。
【００５４】
なお、フレックス部９００ｂに形成された導体回路９２５のそれぞれは、信号パターン、電源パターン、グランドパターンのいずれであってもよいが、その一部または全部は、電源パターンおよび／またはグランドパターンであることが望ましい。
その理由は上述した通りである。
【００５５】
また、図４−２に示したように、光配線が形成されたフレックス部と導体回路が形成されたフレックス部とが同一階層に形成されている場合には、設計の自由度が向上することとなる。
というのは、リジッド部のフレックス部と一体化している階層は、導体回路が形成しにくく、導体回路が形成されておらず、絶縁層のみの領域が多くなってしまう傾向にあるが、光配線が形成されたフレックス部と導体回路が形成されたフレックス部とを同一階層に形成することにより、他の階層の絶縁層に導体回路を効率よく形成することができるからである。
【００５６】
図４−１、２に示したように、光電気配線板３００、９００では、フレックス部が複数形成されており、各フレックス部のそれぞれには、光配線と導体回路とのいずれかが形成されているが、本発明の光配線は、必ずしも各フレックス部のそれぞれに光配線と導体回路とのいずれかのみが形成されているものに限定されるわけではなく、複数のフレックス部を有する光電気配線板においても、図１に示した光電気配線板１００等のように、一のフレックス部に光配線と導体回路とが形成されていてもよい。
【００５７】
フレックス部に光配線と導体回路とのいずれかのみが形成された形態とする場合、両方が形成された形態に比べ、フレックス部の厚さを薄くすることができ、フレックス部で曲げやすくなるため、光電気配線板を使用する際の変形の自由度が向上することとなる。
また、フレックス部に光配線のみが形成されている場合には、折り曲がり難い金属層が形成されておらず、折り曲がり易い樹脂のみで構成されていることとなるため、折れ曲がりによる応力集中が緩和され、フレックス部全体に応力がかかることとなるため、折り曲げによる光信号の伝播損失の増加を防止することができる。また、フレックス部に導体回路のみが形成されている場合には、フレックス部の厚さを薄くすることができるため、折り曲げ時の応力集中が緩和されやすい傾向にある。
【００５８】
また、光配線と導体回路とのいずれかのみを形成するほうが、工程数が少なくなるため、フレックス部の作製は容易となる。
また、同一のフレックス部に光配線と導体回路とが形成されている場合には、両者の熱膨張係数の差異に起因して光配線にクラックが発生するおそれがあるが、いずれか一方のみを形成した場合には、熱膨張係数の整合が図りやすく、クラックの発生をなくし、信頼性を向上させやすくなる。
【００５９】
また、本発明の光電気配線板は、図５、６に示すような実施形態を有するものであってもよい。
図５、６は、それぞれ本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
図５に示す光電気配線板４００は、図３に示した光電気配線板２００と略同様の構成を有するものであるが、基板４２１の構成と光信号通過領域４４２ａ、４４２ｂの構成が若干異なる。従って、ここでは、異なる点のみを詳細に説明する。
【００６０】
光電気配線板４００を構成する基板４２１は、光導波路４５０の両面に絶縁層４２３と導体回路４２２とが積層形成されている点では同一であるが、光導波路に光路変換ミラーが形成されていない点で異なる。
また、光信号通過領域４４２ａ、４４２ｂは、リジッド部４００ａ、４００ｃ全体を貫通するように形成されており、この光信号通過領域全体は、空隙により構成されている。
【００６１】
また、図６に示す光電気配線板５００は、図４−１に示した光電気配線板３００と略同様の構成を有しているが、基板５２１ａの構成と、光信号通過領域５４２ａ、５４２ｂの構成が若干異なる。従って、ここでは、異なる点のみを詳細に説明する。
【００６２】
光電気配線板４００を構成する基板５２１ａは、その両端部近傍に光導波路５５０の両面に絶縁層５２３と導体回路５２２とが積層形成されている点では同一であるが、光導波路に光路変換ミラーが形成されていない点で異なる。
また、光信号通過領域５４２ａ、５４２ｂは、リジッド部５００ａ、５００ｃ全体を貫通するように形成されており、この光信号通過領域全体は、空隙により構成されている。
【００６３】
このような構成を有する光電気配線板４００、５００もまた、本発明の光電気配線板の一つである。そして、このような光電気配線板に光学素子等を実装する場合には、光学素子等と光配線との間で、光信号の伝送を行うことができるようにするために、光路変換部材を配設することとなる。これについては、後に詳述する。
【００６４】
また、図５、６に示した光電気配線板では、リジッド部を構成する全ての基板および絶縁層を貫通するように光信号通過領域が形成されている。
この場合、基板の両面に全ての絶縁層を積層形成した後（さらには、ソルダーレジスト層を形成した後）、光信号通過領域を形成することができるため、容易に光信号通過領域を形成することができる。
また、このような光信号通過領域を形成した場合、上述したように、光路変換部材を配設することとなるが、光路変換部材は位置合わせを行いながら、接着剤で固定することにより配設することとなるため、光信号通過領域の形成位置についての位置精度自体は、高い位置精度が要求されないため、加工が容易である。
また、絶縁層は、伝送光に対して透明である必要がないため、従来のプリント配線板に使用するような市販品等を用いて絶縁層を形成することができ、光電気配線板を安価に製造することができる。
【００６５】
また、ここまで図面を参照しながら説明した光電気配線板は、光配線として、光導波路が形成されているものであるが、本発明の光電気配線板では、光配線として光導波路に代えて光ファイバシートが形成されたものであってもよい。
【００６６】
また、本発明の光電気配線板の実施形態は、図示したものに限定されるわけではなく、光配線や導体回路の形成位置は特に限定されない。
また、フレックス部において、光配線は、その両面に形成されていてもよいし、多層に形成されていてもよく、さらには、導体回路と光配線とが積層されていてもよい。
また、リジッド部の層数は限定されず、さらに、いずれの層において、フレックス部と一体化していてもよい。
【００６７】
次に、本発明の光電気配線板の構成部材について説明する。
上記光配線としては、光導波路、光ファイバシート等が挙げられる。
上記光導波路としては、ポリマー材料等からなる有機系光導波路が挙げられる。絶縁層との密着性に優れ、加工が容易だからである。
上記ポリマー材料としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂、熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との樹脂複合体、感光性樹脂と熱可塑性樹脂との複合体等が挙げられる。
【００６８】
具体的には、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
【００６９】
また、上記光導波路のコアの厚さは１〜１００μｍが望ましく、その幅は１〜１００μｍが望ましい。上記幅が１μｍ未満では、その形成が容易でないことがあり、一方、上記幅が１００μｍを超えると、光電気配線板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがある。
また、上記光導波路のコアの厚さと幅との比は、１：１に近いほうが望ましい。これは、通常、上記受光素子の受光部や上記発光素子の発光部の平面形状が円形状だからである。なお、上記厚さと幅との比は特に限定されるものではなく、通常、約１：２〜約２：１程度であればよい。
【００７０】
また、上記光導波路は、マルチモードの光導波路であることが望ましく、上記光導波路が通信波長０．８５μｍでマルチモードの光導波路である場合には、そのコアの厚さおよび幅は２０〜８０μｍであることがより望ましく、５０μｍ程度であることが特に望ましい。
マルチモードの光導波路が望ましいのは、シングルモードの光導波路に比べて、光導波路と光学素子との位置合わせが比較的容易で、また、位置ズレに対する許容値も大きいからである。
【００７１】
また、上記光導波路には、粒子が配合されていてもよい。粒子が配合されることにより、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。即ち、光導波路に粒子が配合されていない場合には、光導波路と他の層（例えば、絶縁層等）との熱膨張係数が異なることに起因して光導波路にクラックが発生することがあるが、光導波路に粒子を配合して熱膨張係数を調整することにより、上記他の層との熱膨張係数の差を小さくした場合には、光導波路にクラックが発生しにくくなるからである。
【００７２】
上記粒子としては、例えば、後述する光信号通過領域を構成する樹脂組成物に含まれる粒子と同様のもの等が挙げられる。これらの粒子は、それぞれ単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。
上記粒子としては、無機粒子が望ましく、シリカ、チタニアまたはアルミナからなる粒子が望ましい。また、シリカ、チタニアおよびアルミナのうちの少なくとも２種を混合、溶融させて形成した混合組成の粒子も望ましい。
また、上記樹脂粒子等の粒子の形状は特に限定されず、球状、楕円球状、破砕状、多面体状等が挙げられる。
【００７３】
また、上記粒子の粒子径は、通信波長より短いことが望ましい。粒子径が通信波長より長いと光信号の伝送を阻害することがあるからである。
上記粒子径は、その下限が０．０１μｍで、上限が０．８μｍであることがより望ましい。この範囲を外れる粒子を含んでいると、粒度分布が広くなりすぎて、樹脂組成物中に混合した際に、該樹脂組成物の粘度のバラツキが大きくなり、樹脂組成物を調製する場合の再現性が低くなり、所定の粘度を有する樹脂組成物を調製することが困難になることがあるからである。また、粒径の上限が０．８μｍであると、その粒径は、０．８５μｍのマルチモードの波長以下となる。
【００７４】
上記粒子径は、その下限が０．１μｍで、その上限が０．８μｍであることがさらに望ましい。この範囲にあると、スピンコート、ロールコート等を用いて樹脂組成物を塗布するの適しており、また、粒子が混合された樹脂組成物を調製する際に、所定の粘度に調製しやすくなる。
上記粒子径は、その下限が０．２μｍで、その上限が０．６μｍであることが特に望ましい。この範囲が、樹脂組成物の塗布、光導波路のコアの形成に特に適している。さらに、形成した光導波路ごとのバラツキ、特に、コアのバラツキが最も小さくなり、光電気配線板の特性に特に優れることとなるからである。
また、この範囲の粒子径を有する粒子であれば、２種類以上の異なる粒子径の粒子が含まれていてもよい。
【００７５】
上記粒子の配合量は、その望ましい下限が１０重量％であり、より望ましい下限が２０重量％である。一方、上記粒子の望ましい上限は８０重量％であり、より望ましい上限は７０重量％である。粒子の配合量が１０重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が８０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。
【００７６】
また、上記光導波路の形状は特に限定されないが、その形成が容易であることから、フィルム状であってもよい。
また、上記光導波路がコアとクラッドとから構成されているものである場合、上記粒子は、コアとクラッドとの両方に配合されていてもよいが、コアには粒子が配合されておらず、該コアの周囲を覆うクラッドにのみ粒子が配合されていることが望ましい。その理由は以下の通りである。
すなわち、光導波路に粒子を配合する場合、該粒子と光導波路の樹脂成分との密着性によっては、粒子と樹脂成分との界面に空気層が生じてしまうことがあり、この場合には、この空気層により光の屈折方向が変わり、光導波路の伝送損失が大きくなることがあるのに対し、クラッドにのみ粒子が配合を配合した場合には、上述したような粒子を配合することにより、光導波路の伝送損失が大きくなるというような問題が発生することがないとともに、光導波路でクラックが発生しにくくなるとの上述した効果を得ることができるからである。
【００７７】
また、上記光ファイバシートとしては、複数の光ファイバが並列に配置され、その周囲が樹脂組成物等からなるカバー樹脂層で覆われフィルム状に成形されたもの等が挙げられる。この場合、光ファイバは、並列にのみ一段で配置されていてもよいし、並列に配置された光ファイバが複数段に組み重ねられていてもよい。
上記光ファイバとしては、特に限定されず、石英ガラス系光ファイバ（ＳＯＦ）、ポリマークラッド光ファイバ（ＰＣＦ）、ハードポリマークラッド光ファイバ（ＨＰＣＦ）、プラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）等が挙げられる。これらのなかでは、厚さを薄くすることができる点からは、石英ガラス系光ファイバ（ＳＯＦ）が望ましい。また、フレックス部の折り曲げ角度が小さい場合には、石英ガラス系光ファイバ（ＳＯＦ）が望ましく、フレックス部の折り曲げ角度が大きい場合には、プラスチック光ファイバ（ＰＯＦ）が望ましい。
また、１本の光ファイバのみを周囲を樹脂組成物で覆い、フィルム状に成形したものも上記光ファイバシートとして用いることができる。
【００７８】
また、上記光配線には、光路変換ミラーが形成されていることが望ましい。光路変換ミラーを形成することにより、光路を所望の角度に変更することが可能となり、光信号通過領域の端部と光学的に接続することができるからである。この場合、光路変換ミラーは、空気や屈折率の異なる樹脂等と接することとなっていてもよいし、金属蒸着層が形成されていてもよい。上記金属蒸着層としては、例えば、金、銀、白金、銅、ニッケル、パラジウム、アルミニウム、クロム、これらの合金等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、組み合わせて用いてもよい。
上記光路変換ミラーの形成は、後述するように、光配線を切削し、さらに必要に応じて、金属蒸着層等を形成することにより行うことができる。また、光配線に光路変換ミラーを形成する代わりに、光配線の端部の先に、光路変換部を有する部材を接着剤を介して配置してもよい。
また、上記光路変換ミラーを形成する場合、その形成角度は特に限定されず、光路に応じて適宜選択すればよいが、該光路変換ミラーは、通常、絶縁層に接する面とのなす角度が、４５°または１３５°となるように形成する。特に、上記角度が４５°となるように形成することが望ましく、この場合、その形成が特に容易である。
【００７９】
本発明の光電気配線板においては、光信号通過領域が形成されていることが望ましい。このような光信号通過領域を形成することにより、光配線の設計の自由度がより向上することとなるからである。
【００８０】
上記光信号通過領域は、空隙のみから構成されていてもよいし、その一部または全部に樹脂組成物が充填されていてもよい。上記光信号通過領域の全部に樹脂組成物が充填されている場合、上記光信号通過領域は、樹脂組成物から構成されていることとなる。
【００８１】
上記樹脂組成物の樹脂成分としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光性化された樹脂等が挙げられる。
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂、ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
【００８２】
また、上記樹脂組成物には、上記樹脂成分以外に、例えば、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。これらの粒子を含ませることにより光信号通過領域と、絶縁層等との間で熱膨張係数の整合を図ることができ、また、粒子の種類によっては難燃性を付与することもできる。
上記粒子としては、例えば、無機粒子、樹脂粒子、金属粒子等が挙げられる。
上記無機粒子としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物、炭酸カリウム等のカリウム化合物、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウム化合物、シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物、チタニア等のチタン化合物等からなるものが挙げられる。また、少なくとも２種類の無機材料を混合、溶融した混合組成の粒子であってもよい。
【００８３】
上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、具体的には、例えば、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂等）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等からなるものが挙げられる。
【００８４】
上記金属粒子としては、例えば、金、銀、銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケル、鉄、鉛等が挙げられる。上記金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていることが望ましい。
また、これらの粒子は、単独で用いてもよいし、２種以上併用してもよい。
また、上記粒子の形状、最大長さ、その含有量等も上記光導波路に含まれる粒子と同様であることが望ましい。
【００８５】
また、本発明の光電気配線板において、光信号通過領域に樹脂組成物が充填されている場合、この樹脂組成物の伝播光の透過率は、７０％／mm以上であることが望ましい。上記透過率が７０％／mm未満では、充分な光信号伝送能を得ることができないことがあるからである。上記透過率は、９０％／mm以上であることがより望ましい。
なお、本明細書において、樹脂組成物の透過率とは、長さ１ｍｍあたりの伝送光の透過率をいう。また、上記透過率とは、２５〜３０℃で測定した透過率をいう。
【００８６】
また、上記光信号通過領域は、単チャンネルの光配線を介した光信号を伝送することができる形状であってもよいし、マルチチャンネルの光配線を介した光信号を伝送することができる形状であってもよい。
また、上記マルチチャンネルの光配線を介した光信号を伝送することができる光信号通過領域は、全てのチャンネルの光信号を伝送することができる一括貫通孔構造を有していてもよいし、各チャンネルの光信号ごとに伝送することができる個別貫通孔構造を有していてもよい。なお、どちらの場合も、そのチャンネル数は限定されない。
また、一の光電気配線板において、一括貫通孔構造の光信号通過領域と個別貫通孔構造の光信号通過領域とが混在していてもよい。
【００８７】
上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
また、上記光信号通過領域の形状が、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状である場合には、その一部に、実際には、光信号通過領域として機能しないダミー円柱が形成されていてもよい。
【００８８】
また、上記一括貫通孔構造の光信号通過領域の大きさは、縦、横のそれぞれが１００μｍ〜５ｍｍであることが望ましい。また、上記光信号通過領域の形状が円柱である場合は、その径が上記範囲にあることが望ましい。
上記断面の径が１００μｍ未満では、光信号の伝送が阻害されることがあり、一方、５ｍｍを超えても、光信号の伝送損失の向上はみられず、上記光電気配線板の小型化が難しくなる。
【００８９】
また、上記個別貫通孔構造の各光信号通過領域の形状としては、例えば、円柱、角柱、楕円柱、直線と円弧とで囲まれた底面を有する柱状体等が挙げられる。
【００９０】
上記個別貫通孔構造の光信号通過領域において、各光信号通過領域の大きさは、その断面の径の下限は１００μｍであることが望ましく、その上限は５００μｍであることが望ましい。上記径が１００μｍ未満では、光路が塞がれてしまうおそれがあるとともに、該光信号通過領域に未硬化の樹脂組成物を充填することが困難となることがある。一方、上記径を５００μｍより大きくしても光信号の伝送性はあまり向上せず、光電気配線板を構成する導体回路等の設計の自由度を阻害する原因となることがあるからである。
より望ましい径の下限は２５０μｍであり、より望ましい径の上限は３５０μｍである。
なお、上記光信号通過領域の上記基板および上記絶縁層を貫通する部分の断面の径とは、上記光信号通過領域が円柱状の場合にはその断面の直径、楕円柱状の場合にはその断面の長径、四角柱状や多角柱状の場合にはその断面の最も長い部分の長さをいう。また、本発明において、光信号通過領域の断面とは、光電気配線板のリジッド部の主面に平行な方向の断面をいう。
【００９１】
なお、上記光信号通過領域は、光信号伝送時に、伝送光がその壁面で反射しない大きさで形成することが望ましい。光信号通過領域の壁面の凹凸の影響を受けるおそれがなくなるからである。
また、壁面で反射しない大きさとすべく、後述するマイクロレンズを配設することにより、光信号通過領域内をコリメート光が伝送するように設計することが望ましい。
【００９２】
上記光信号通過領域の壁面は、樹脂または金属により構成されていてもよい。
ここで、上記光信号通過領域の壁面は、通常、絶縁層が露出しているため、絶縁層と同様の材質で構成されていることとなる。従って、絶縁層が樹脂からなるものである場合に、特に何ら処理を施さなくても、上記光信号通過領域の壁面は、樹脂により構成されていることとなる。
ただし、上記光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよく、この場合には、樹脂層がクラッドとして機能し、上記光信号通過領域の内部に充填される樹脂組成物がコアとして機能するように構成されていることが望ましい。
【００９３】
また、上記光信号通過領域の壁面が、金属により構成されている場合、その材料としては、例えば、銅、ニッケル、クロム、チタン、貴金属等が挙げられる。
また、上記光信号通過領域の壁面が金属により構成されている場合、即ち、光信号通過領域の壁面に金属層が形成されている場合、この金属層は、１層から形成されていてもよいし、２層以上から構成されていてもよい。
また、上記金属層は、場合によっては、スルーホールとしての役目、即ち、基板を挟んだ導体回路間や、基板と絶縁層とを挟んだ導体回路間を電気的に接続する役目を果たすことができる。
【００９４】
また、上記光信号通過領域の壁面に樹脂層や金属層を形成する場合、その表面（内部に充填される樹脂組成物と接する面）は、その表面粗さ（Ｒａ）が０．１〜５μｍの粗化面とすることが望ましい。樹脂組成物との密着性が向上することとなるからである。
なお、上記粗化面は、エッチング処理等により形成すればよい。
【００９５】
なお、本発明の光電気配線板において、上記光信号通過領域の形状や形成位置やその個数は特に限定されるものではなく、光電気配線板の設計、すなわち、外部接続端子の形成位置、光導波路や導体回路の形成位置等を考慮して適宜選択すればよい。
【００９６】
ただ、上記光信号通過領域は、一方の最外層の絶縁層を貫通するように形成されており、
他方の最外層の絶縁層の外層側であって、上記光信号通過領域の上記光配線と光学的に接続された側の延長上の位置には、導体回路および／またはパッドが形成されていることが望ましい。
このような構成とすることにより、光配線および導体回路の高密度配線が可能となり、さらには、光学素子や各種電子部品の高密度実装が可能となる。
なお、上記パッドとは、光学素子や各種電子部品を実装するために設けられたものである。
【００９７】
本発明の光電気配線板において、光信号通過領域が形成されている場合、該光信号通過領域の光配線と光学的に接続された側と反対側の端部等には、マイクロレンズが配設されていてもよい。上記マイクロレンズは、直接配設されていてもよいし、光学接着剤を介して配設されていてもよい。
マイクロレンズを配設することにより、光信号が、マイクロレンズで集光されることとなり、より確実に光信号を伝送することが可能となるからである。
【００９８】
上記マイクロレンズとしては特に限定されず、光学レンズに使用されているものが挙げられ、その材質の具体例としては、光学ガラス、光学レンズ用樹脂等が挙げられる。上記光学レンズ用樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の上記光信号通過領域に充填する樹脂組成物として説明したポリマー材料と同様の材料等が挙げられる。
【００９９】
また、上記マイクロレンズの形状としては、例えば、片面にのみ凸面を有する凸形状レンズ等が挙げられ、この場合、上記レンズの凸面の曲率半径は、光信号通過領域の設計等を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、焦点距離を長くする必要があるときには、曲率半径を大きくすることが望ましく、焦点距離を短くする必要があるときには、曲率半径を小さくすることが望ましい。
なお、上記マイクロレンズの形状は、凸形状レンズに限定されるわけではなく、光信号を所望の方向に集光することができる形状であればよい。
【０１００】
上記マイクロレンズは、その通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ以上であることが望ましい。
通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ未満では、光信号の損失が大きく、光信号の伝送性の低下に繋がることがあるからである。上記透過率は、９０％／ｍｍ以上であることがより望ましい。
上記マイクロレンズは、通常、インクジェット装置やディスペンサーを用いて配設される。
【０１０１】
上記マイクロレンズに含まれる粒子の配合量の望ましい下限は５重量％であり、より望ましい下限は１０重量％である。一方、上記粒子の配合量の望ましい上限は６０重量％であり、より望ましい上限は５０重量％である。粒子の配合量が５重量％未満であると、粒子を配合させる効果が得られないことがあり、粒子の配合量が６０重量％を超えると、光信号の伝送が阻害されることがあるからである。
【０１０２】
なお、本発明の光電気配線板がマルチチャンネルの光配線を有しており、この光電気配線板にマイクロレンズが配設されている場合には、該マイクロレンズは、互いに独立したマイクロレンズであってもよいし、複数のレンズが並列に配置されたマイクロレンズアレイであってもよい。
【０１０３】
また、マイクロレンズを配設する場合において、発光素子と対向する側に配設されたマイクロレンズは、発光素子に対向する側と反対側の光導波路のコアに焦点が合うように設計することが望ましく、また受光素子と対向する側に配設されたマイクロレンズは光導波路から伝送されてきた光をコリメート光にするように設計されていることが望ましい。
【０１０４】
上記マイクロレンズは、上述したように、直接配設されていてもよいし、光学接着剤を介して配設されていてもよいが直接配設されていることが望ましい。
上記光学接着剤としては特に限定されず、エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系、シリコーン樹脂系等の光学接着剤を用いることができる。
上記光学接着剤の特性は、粘度：０．２〜１．０Ｐａ・ｓ、屈折率：１．４〜１．６、光透過率：８０％／mm以上、熱膨張係数（ＣＴＥ）：４．０×１０−５〜９．０×１０−５（／℃）であることが望ましい。
具体的な光学接着剤としては、例えば、ダイキン工業社製のオプトダインＵＶ−４０００、ＮＴＴアドバンステクノロジ社製の光路結合用接着剤（屈折率１．４６〜１．５７）等が挙げられる。
また、上記光学接着剤の厚さは、５０μｍ以下であることが望ましい。
【０１０５】
また、上記マイクロレンズが配設される場合、その配設領域には、表面処理が施されていてもよい。
インクジョット装置等でマイクロレンズを形成するための樹脂を塗布した際に、ソルダーレジスト層を形成するまでの工程条件のバラツキや放置時間に起因するマイクロレンズを配設する部位の濡れ性のバラツキにより、マイクロレンズの形状、特にサグ高さにバラツキが発生しやすいのに対し、撥水コート剤による表面処理等を施すことにより、サグ高さのバラツキを抑えることができる。
【０１０６】
上記表面処理としては、例えば、フッ素系ポリマーコーティング剤（表面張力１０〜１２ｍＮ／ｍ）等の撥水コート剤による処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理、Ｏ２プラズマによる親水処理等が挙げられる。
【０１０７】
また、上記マイクロレンズは、レンズマーカを介して配設されていてもよい。
上記レンズマーカとしては、例えば、特開２００２−３３１５３２号公報に開示されたもの等が挙げられる。
また、レンズマーカが形成されている場合、上記マイクロレンズは、撥水処理または親水処理が施されたレンズマーカに配設されていることが望ましい。
レンズマーカ表面が汚れていた場合、マイクロレンズの形成に用いる樹脂組成物（レンズ用樹脂組成物）が均一に広がらず、所望の形状のマイクロレンズを形成することができない原因になることがあるが、上述した撥水処理や親水処理を施すことにより、レンズマーカ表面の汚れを除去することができ、上記レンズ用樹脂組成物をレンズマーカ上に均一に広げることができるからである。
さらには、レンズマーカには、撥水処理よりも親水処理が施されていることが望ましい。
親水処理が施されている場合、レンズマーカ上にマイクロレンズを配設する際に滴下したレンズ用樹脂組成物が、レンズマーカ上の全体に広がりやすく、また、レンズマーカの外周でその樹脂の広がりが確実に停止するため、表面張力により所定の形状のマイクロレンズを形成するのに適しているからである。
【０１０８】
次に、本発明の光電気配線板の製造方法について説明する。
本発明の光電気配線板を製造する方法としては、光配線および／または導体回路が形成された基板、導体回路やベタの導体層が形成された絶縁層、光配線、プリプレグ等の接着性絶縁材料等を必要に応じて用意し、これらを適宜積層する方法（第一の製造方法）や、光配線および／または導体回路が形成された基板を出発材料とし、これに、絶縁層や導体回路を順次積層していく方法（第二の製造方法）等を用いることができる。
【０１０９】
まず、第一の製造方法について説明する。
（１）光配線および／または導体回路が形成された基板の用意。
具体的には、エポキシ樹脂基板、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）樹脂基板等のフレキシブルな樹脂基板等を出発材料とし、これに光配線および／または導体回路を形成する。また、基板としては、液晶ポリマーからなるものも用いることができる。液晶ポリマーは、高強度、低膨張率で、高速電気伝送に適している。
導体回路は、基板上に無電解めっき処理等によりベタの導体層を形成した後、エッチング処理を施すことにより形成することができる。また、ベタの導体層が形成された基板として、銅張積層板、ＲＣＣ基板等を用いてもよい。
また、ここでは、導体回路の形成まで行わず、ベタの導体層を形成した後、後工程において、エッチング処理等を施すことにより導体回路を形成してもよい。
なお、光電気配線板の設計によっては、ベタ、メッシュ、または、複数のパターンが接続された形状の導体層が、電源パターンやグランドパターンとして機能する導体回路となる。
【０１１０】
また、必要に応じて、上記基板を挟んだ導体回路間を接続するための非貫通バイアホールを形成してもよい。上記非貫通バイアホールは、上記基板にドリル等で穴あけを行い、その壁面にめっき処理を施すことにより形成することができる。
【０１１１】
また、光導波路や光ファイバシート等の光配線の形成は、下記の方法で行うことができる。なお、光配線は、上記基板上に直接形成してもよいし、導体回路を介して形成してもよい。
【０１１２】
ポリマー材料からなる光導波路を形成する方法としては、（１）予めガラス基板、シリコン基板等の基材上に光導波路を形成しておき、光導波路部分を剥離して、フィルム状に形成した光導波路フィルムを絶縁層上に張り付ける方法や、（２）絶縁層上に下部クラッド、コア、上部クラッドを順次積層形成していくことにより、上記絶縁層等上に直接光導波路を形成する方法等が挙げられる。ただし、位置精度は、後者のほうが優れる。
なお、光導波路の形成方法としては、ガラス基板等上に光導波路を形成する場合も、絶縁層等上に光導波路を形成する場合も同様の方法を用いて行うことができる。
なお、光導波路フィルムを形成する場合は、ガラス基板等にシリコン樹脂等の離形材を塗布しておいてもよい。また、ガラス基板等に光導波路を露光現像法、金型形成法等により形成しておき、３％フッ酸水溶液等に浸漬して、光導波路を剥離することにより、光導波路フィルムを形成することもできる。
【０１１３】
また、ポリマー材料からなる光導波路を形成するに際して、硬化温度が２００℃未満のポリマー材料を使用する場合には、基板上に直接形成するのが適しており、２００℃以上のポリマー材料を使用する場合には、別途、基材上に作製した後、剥離後、光学接着剤等で張り付けるのが適している。
【０１１４】
具体的には、反応性イオンエッチングを用いた方法、露光現像法、金型形成法、レジスト形成法、これらを組み合わせた方法等を用いることができる。
上記反応性イオンエッチングを用いた方法では、（ｉ）まず、基材や基板（以下、単に基板等という）の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂層とする。（iii）次に、上記コア形成用樹脂層上に、マスク形成用の樹脂層を形成し、次いで、このマスク形成用の樹脂層に露光現像処理を施すことにより、コア形成用樹脂層上にマスク（エッチングレジスト）を形成する。
（iv）次に、コア形成用樹脂層に反応性イオンエッチングを施すことにより、マスク非形成部分のコア形成用樹脂層を除去し、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この反応性イオンエッチングを用いた方法は、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
【０１１５】
また、露光現像法では、（ｉ）まず、基板等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、この下部クラッド上にコア用樹脂組成物を塗布し、さらに、必要に応じて、半硬化処理を施すことによりコア形成用樹脂組成物の層を形成する。
（iii）次に、上記コア形成用樹脂組成物の層上に、コア形成部分に対応したパターンが描画されたマスクを載置し、その後、露光現像処理を施すことにより、下部クラッド上にコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この露光現像法は、工程数が少ないため、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、また、加熱工程が少ないため、光導波路に応力が発生しにくい。
【０１１６】
また、上記金型形成法では、（ｉ）まず、基板等の上に下部クラッドを形成し、（ii）次に、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成する。（iii）さらに、上記溝内にコア用樹脂組成物を印刷により充填し、その後、硬化処理を施すことによりコアを形成する。（iv）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
この金型形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
【０１１７】
また、上記レジスト形成法では、（ｉ）まず、基板等の上に下部クラッドを形成し、（ii）さらに、この下部クラッド上にレジスト用樹脂組成物を塗布した後、露光現像処理を施すことにより、上記下部クラッド上のコア非形成部分に、コア形成用レジスト形成する。
（iii）次に、下部クラッド上のレジスト非形成部分にコア用樹脂組成物の塗布し、（iv）さらに、コア用樹脂組成物を硬化した後、上記コア形成用レジストを剥離することにより、下部クラッド上にコアを形成する。（ｖ）最後に、上記コアを覆うように下部クラッド上に上部クラッドを形成し、光導波路とする。
このレジスト形成法は、光導波路を量産する際に好適に用いることができ、寸法信頼性に優れた光導波路を形成することができる。また、この方法は、再現性にも優れている。
【０１１８】
これらの方法を用いてポリマー材料からなる光導波路を形成する場合において、コアに粒子が配合された光導波路を形成する場合には、露光現像法に比べて、金型形成法が望ましい。その理由は以下のとおりである。
すなわち、下部クラッドに金型形成によりコア形成用の溝を形成し、その後、この溝内にコアを形成する金型形成法でコアを形成した場合には、コアに配合される粒子は全部、コア中に入ってしまうこととなるため、コアの表面は平坦で光信号の伝送性に優れるのに対し、露光現像法でコアを形成した場合には、現像後のコアにおいて、コア表面から粒子の一部が突出していたり、コア表面に粒子がとれた窪みが形成されていたりして、コアの表面に凹凸が形成されることがあり、この凹凸によって光が所望の方向に反射しなくなり、その結果、光信号の伝送性が低下することがあるからである。
【０１１９】
また、ここまで説明した光導波路の形成方法では、コア用樹脂組成物と、クラッド用樹脂組成物として別々の樹脂組成物を用意して光導波路を形成しているが、例えば、クラッド用樹脂組成物のみを用意し、フェムト秒レーザ等の単パルスレーザや露光により、クラッド用樹脂組成物の屈折率を変化させてコアを形成するフォトブリーチング法により光導波路を形成してもよい。
【０１２０】
また、導体回路を介して光導波路を形成する場合には、下部クラッドを形成する際に、導体回路の厚さよりも厚くなるように形成することが望ましい。光導波路にうねり等が生じることを回避することができるからである。
また、下部クラッドの形成に際して、クラッド用樹脂組成物をスピンコータで塗布する場合には、塗布量を多くして、回転速度の調整を行うことにより、導体回路間に充分に樹脂組成物を供給し、表面の平坦な下部クラッドを形成することができる。
また、下部クラッドを形成時には、クラッド用樹脂組成物を塗布後、フィルムを載置し、さらに平板を介して圧力を付加する等の平坦化処理を施してもよい。
なお、光導波路用樹脂組成物（クラッド用樹脂組成物、コア用樹脂組成物）の塗布は、スピンコータ以外に、ロールコーター、バーコーター、カーテンコーター等を用いることができる。
【０１２１】
また、光配線として、光ファイバシートを形成する場合には、予め作製しておいて光ファイバシートを接着材等を介して、所定の位置に張り付ければよい。
また、光ファイバシートは、ポリイミド樹脂等からなるベースフィルム（カバー樹脂層）上に、必要本数の光ファイバを光ファイバ布線装置を用いて布線した後、その周囲をポリイミド樹脂等からなる保護フィルム（カバー樹脂層）で被覆することにより形成することができる。なお、市販の光ファイバシートを用いることもできる。
【０１２２】
また、上記光配線には、通常、光路変換ミラーを形成する。
上記光路変換ミラーは、光配線を基板上に取り付ける前に形成しておいてもよいし、基板上に取り付けた後に形成してもよいが、該光配線を基板上に直接形成する場合を除いて、予め光路変換ミラーを形成しておくことが望ましい。作業を容易に行うことができ、また、作業時に光電気配線板を構成する他の部材、基板や導体回路、絶縁層等に傷を付けたり、これらを破損させたりするおそれがないからである。ただし、基板上に取り付けた後に形成したほうが精度は向上する。
上記光路変換ミラーを形成する方法としては特に限定されず、従来公知の形成方法を用いることができる。具体的には、先端がＶ形９０°のダイヤモンドソーや刃物、ブレードによる機械加工、反応性イオンエッチングによる加工、レーザアブレーション等を用いることができる。また、光導波路フィルム等の両端に光路変換ミラーを形成する場合には、該光導波路フィルム等を研磨機の冶具に固定し、両端を研磨することにより光路変換ミラーを形成してもよい。また、光路変換ミラーの反射面には、金属蒸着層を形成してもよい。
また、光路変換ミラーを形成する代わりに光路変換部材を埋め込んでもよい。
また、光導波路に９０度光路変換ミラーを形成する場合には、下部クラッドの基板または絶縁層と接する面と、光路変換面とのなす角は、４５度であってもよいし、１３５度であってもよい。
【０１２３】
また、光配線および導体回路が形成された基板としては、例えば、光配線が内部に形成された基板の表面に導体回路（ベタの導体層を含む）を作製してもよい。
この場合には、例えば、上述した方法で作製した、必要に応じて光路変換ミラーが形成された光配線フィルムや光ファイバシートの両面に、樹脂付き片面銅箔をプレス（加熱圧着）し、さらに必要に応じてエッチング処理を施せばよい。
樹脂付き銅箔をプレスした段階で、基板の両面にベタの導体層が形成されたこととなり、エッチング処理を施すことにより、導体回路が形成されることとなる。
【０１２４】
また、 光配線が内部に形成された基板を作製する場合には、光配線はピンラミネーションを行うことができる大きさとすることが望ましい。具体的には、長さ方向（光の伝送方向）を基板と略同じ大きさとし、幅方向をコアの信号伝送領域より若干大きい大きさ〜基板と略同じ大きさとすることが望ましい。
また、長さ方向が、基板の大きさよりも小さい光配線であって、その両端に光路変換ミラーが形成された基板が形成されていてもよい。
【０１２５】
また、光導波路フィルム上に、樹脂マスクを露光現像処理により形成し、銅スパッタリングによりクラッド上に銅パターンを形成し、さらに銅パターン上に銅めっき処理を施すことにより、導体回路を形成し、光配線および導体回路が形成された基板としてもよい。
【０１２６】
（２）導体回路やベタの導体層が形成された絶縁層の用意。
上記（１）の工程と同様の方法で、絶縁層（基板）にベタの導体層や導体回路を形成すればよいし、市販の樹脂付き片面銅箔や、樹脂付き両面銅箔を準備してもよい。
上記絶縁層の材質としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂等が挙げられる。また、基板や絶縁層と同一の材料であることが望ましい。
【０１２７】
この絶縁層には、必要に応じて、光信号通過領域を形成してもよい。具体的には、下記（ａ）〜（ｃ）の工程を行えばよい。
【０１２８】
（ａ）次に、基板、絶縁層および導体層を貫通するように、光路用貫通孔を形成する。
上記光路用貫通孔の形成は、例えば、ドリル加工やルータ加工、レーザ処理等により行う。
上記レーザ処理において使用するレーザとしては、第二の製造方法でバイアホール用開口の形成において使用するレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記ドリル加工においては、多層配線板の認識マークを読み、加工位置を補正してドリル加工を行う認識マークの認識機能付き装置を用いることが望ましい。
ここでは、設計に応じて、一括貫通孔構造や個別貫通孔構造の光信号通過領域に対応した光路用貫通孔を形成する。
【０１２９】
また、この工程において、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合、形成する円柱の個数は、奇数個であることが望ましく、また、隣り合わない円柱を先に形成し、その後、隣り合わない円柱同士の間に、側面の一部が繋がった円柱を形成することが望ましい。
側面の一部が繋がった、隣り合う円柱を連続して形成しようとすると、ドリルの先端が既に形成された円柱の方向へ逃げようとしてドリルの先端ふれが発生し、ドリル加工時の精度が低下することがあるからである。
【０１３０】
また、光路用貫通孔を形成した後、必要に応じて、光路用貫通孔の壁面にデスミア処理を行ってもよい。
上記デスミア処理は、例えば、過マンガン酸溶液による処理や、プラズマ処理、コロナ処理等を用いて行うことができる。なお、上記デスミア処理を行うことにより、光路用貫通孔内の樹脂残り、バリ等を除去することができ、完成した光信号通過領域における壁面での光の乱反射に起因した光信号の伝送損失の増加を防止することができる。
また、光路用貫通孔の壁面には、円柱形状の砥石等を用いて研磨処理をほどこしてもよい。
【０１３１】
（ｂ）次に、光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填する。
光路用貫通孔内に、未硬化の樹脂組成物を充填した後、硬化処理を施すことにより、その端部が最外層の絶縁層の表面よりも突出している光信号通過領域を形成することができる。
具体的な未硬化の樹脂組成物の充填方法としては特に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を用いることができる。
【０１３２】
また、光路用貫通孔を形成した後には、樹脂組成物を充填する前に、光路用貫通孔の壁面に金属層を形成したり、樹脂層を形成したりしてもよい。
さらに、金属層を形成した場合には、その表面に表面粗さＲａは、０．１〜５μｍ程度の粗化面を形成してもよい。
【０１３３】
（３）光配線の用意。
上記（１）の工程と同様の方法で、光導波路フィルムや光ファイバシートを作製し、必要に応じて、光路変換ミラーを形成しておけばよい。
【０１３４】
（４）接着性絶縁材料の用意。
上記接着性絶縁材料としては、例えば、プリプレグ、接着フィルム等のシート状材料、液状樹脂組成物等が挙げられる。また、上記接着性絶縁材料の材質としては、エポキシ樹脂、ＢＴ樹脂等が挙げられる。
【０１３５】
上記プリプレグ等の接着性絶縁材料は、光信号通過領域の一部を構成することとなる場合があり、その場合は、伝送光に対してある程度の透過性を有すること、すなわち、厚さ３０μｍにおける透過率が６０％以上であることが望ましい。
透過率が６０％／３０μｍである場合、１ｍｍ当りの透過率は４．０×１０−６％／１ｍｍであり、厚さ３５μｍで用いた場合の伝送損失および厚さ５０μｍで用いた場合の伝送損失は、それぞれ２．５ｄＢ、３．７ｄＢであり、７０％／３０μｍである場合、１ｍｍ当りの透過率は６．９×１０−４％／１ｍｍ、厚さ３５μｍ、５０μｍで用いた場合の伝送損失は、それぞれ１．８ｄＢ、２．６ｄＢであり、８０％／３０μｍである場合、１ｍｍ当りの透過率は５．９×１０−２％／１ｍｍ、厚さ３５μｍ、５０μｍで用いた場合の伝送損失は、それぞれ１．１ｄＢ、１．６ｄＢであり、９０％／３０μｍである場合、１ｍｍ当りの透過率は３．０％／１ｍｍ、厚さ３５μｍ、５０μｍで用いた場合の伝送損失は、それぞれ０．５３ｄＢ、０．７６ｄＢであり、９７％／３７μｍである場合、１ｍｍ当りの透過率は３６％／１ｍｍ、厚さ３５μｍ、５０μｍで用いた場合の伝送損失は、それぞれ０．１５ｄＢ、０．２２ｄＢであり、この程度の損失であれば、光電気配線板における２．５Ｇｂｐｓの光伝送における許容損失１８ｄＢ、１０Ｇｂｐｓの光伝送における許容損失１４ｄＢに対して比較的小さな損失となるため、光信号を伝送することができる。
なお、透過率は伝送距離に応じて選択してもよく、具体的には、５０〜１００ｃｍの長い距離の光伝送を行う場合には、透過率が高い材料を用いて伝播損失をできるだけ小さくすることが望ましいが、３０ｃｍ以下の短い距離を伝送する場合は、ある程度の透過性を有するものを用いればよい。
【０１３６】
また、上記接着性絶縁材料としては、光導波路の形成に用いる樹脂と同様の樹脂等の透過率が高い、透明樹脂を用いることもできる。
このような透過率の高い樹脂、具体的には、透過率が７０％／１ｍｍの樹脂を３０μｍの厚さで用いた場合、その伝送損失は０．０５ｄＢ程度、透過率が９０％／１ｍｍの樹脂を３０μｍの厚さで用いた場合、その伝送損失は０．０１ｄＢ程度と極めて小さくすることができる。
【０１３７】
また、上記接着性絶縁材料からなる絶縁層が、光信号通過領域の一部を構成することとなる場合、光信号通過領域を構成する樹脂組成物と、接着性絶縁材料との屈折率は同一であることが望ましい。両者の界面で、反射や屈折等が発生しないからである。
【０１３８】
（５）上記（１）〜（４）の工程を経て、光配線および／または導体回路が形成された基板、導体回路やベタの導体層が形成された絶縁層、光配線、接着性絶縁材料を用意した後、これらなかで必要なものを所定の順序で、所定の箇所にピンラミネーション方式またはマスラミネーション方式で位置合わせを行いながら積層し、これらをプレスすることにより一体化させる。なお、ピンラミネーション方式で積層する場合には、予め各部材にガイド穴を設けておく。
また、位置合わせは、例えば、予めコアに形成しておいたアライメントマークを基準に行えばよい。
また、上記接着性絶縁材料は、Ｂステージ状態で使用してもよいし、他の部材の片面または両面に塗布して使用してもよい。
【０１３９】
上記プレスは、ピンラミネーション方式またはマスラミネーション方式で位置合わせをした後、積層し、熱板（ＳＵＳ板等）で挟み、加熱および加圧することにより行うことができる。また、上記プレスは、真空下で行ってもよい。
また、上述した方法でプレスを行う場合、最外層（熱板と接することとなる面）は、ベタの導体層で構成されていることが望ましい。例えば、最外層が導体回路が形成されている場合、熱板から伝わる圧力が不均一となり（導体回路形成領域に伝わる圧力が、非形成領域に比べて大きくなる）、その結果、各層を構成する導体回路、絶縁層、光配線にうねりが発生してしまうことがある。特に、光配線にうねりが発生した場合には、伝送損失が増大する原因となり、また、不均一な圧力は、光配線の位置ズレの原因ともなる。
上記プレスの条件としては、例えば、圧力が２０〜５０ｋｇ／ｃｍ２で、プレス時間が、温度１８０℃以上の時間が４０分間以上で、トータルプレス時間が１５０分間等が挙げられる。
このような工程を経ることにより、リジッド部とフレックス部とが一体化してなる配線板を作製することができる。
また、フレックス部には、必要に応じて、カバーレイを張り付けてもよい。また、後工程でめっき処理等を施す場合には、めっき液等からフレックス部を保護すべく、ドライフィルムやめっきレジストを積層しておき、工程終了後、剥離してもよい。
【０１４０】
（６）次に、必要に応じて、リジッド部の絶縁層全体を貫通するバイアホール（貫通バイアホール）を形成する。
上記貫通バイアホールの形成は、例えば、リジッド部の絶縁層全体を貫通する貫通孔をドリル加工等により形成し、その後、この貫通孔の壁面にめっき等により導体層を形成することにより形成することができる。
また、この工程では、絶縁層全体を貫通する光路用貫通孔（光信号通過領域）を形成してもよい。上記光路用貫通孔の径は特に限定されないが、通常、０．３〜０．５ｍｍ程度である。
なお、バイアホール用貫通孔と光路用貫通孔との形成は、同時におこなってもよいし、別々におこなってもよい。光路用貫通孔の形成方法は上述したとおりである。
【０１４１】
また、リジッド部の絶縁層全体を挟んだ導体回路間は、複数の非貫通バイアホールにより接続されていてもよい。
このような非貫通バイアホールの形成は、例えば、内層に形成された一つの導体回路に向かって、積層された絶縁層の両面からレーザ加工により非貫通孔を形成し（この場合、それぞれの非貫通孔は、上記した導体回路の両面を底とする有低孔となる）、その後、非貫通孔の壁面（内部全体であってもよい）にめっき等により導体層を形成することにより行うことができる。
また、最外層がベタの導体である場合には、この工程で、エッチング処理等により最外層の導体回路を形成してもよい。
【０１４２】
（７）次に、必要に応じて、リジッド部の最外層にソルダーレジスト層を形成する。
上記ソルダーレジスト層は、未硬化のソルダーレジスト組成物を塗布した後、硬化処理を施したり、上記ソルダーレジスト組成物からなるフィルムを圧着し、さらに必要に応じて、硬化処理を施したりすることにより形成することができる。
【０１４３】
また、この工程では、ソルダーレジスト層として、透過率の高くないソルダーレジスト層を形成する場合には、ソルダーレジスト層の形成と同時に、光信号通過領域として機能することができる光路用開口を形成する。なお、伝送光に対して透明なソルダーレジスト層を形成する場合には、光路用開口を形成する必要はない。
上記光路用開口は、例えば、上記ソルダーレジスト組成物を塗布した後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
また、光路用開口の形成と同時に半田バンプ形成用開口（ＩＣチップや光学素子を実装するための開口）を形成してもよい。勿論、光路用開口と半田バンプ形成用開口とは別々に形成してもよい。
また、ソルダーレジスト層を形成する際に、予め、所望の位置に開口を有する樹脂フィルムを作製し、該樹脂フィルムを張り付けることにより、光路用開口や半田バンプ形成用開口を有するソルダーレジスト層を形成してもよい。
また、この工程で形成した光路用開口内には、光路用貫通孔内に充填した樹脂組成物と同様の樹脂組成物を充填してもよい。なお、光路用貫通孔の形成自体をソルダーレジスト層の形成後におこなってもよい。
【０１４４】
（８）次に、必要に応じて、光信号通過領域の端部にマイクロレンズを配設する。
なお、マイクロレンズの配設は、上記ソルダーレジスト層として透明ソルダーレジスト層を形成した場合には、そのソルダーレジスト層上に配設すればよい。
【０１４５】
また、マイクロレンズを配設する場合には、予め、マイクロレンズを配設する部位に撥水コート材による処理、ＣＦ４プラズマによる撥水処理、Ｏ２プラズマによる親水処理等の表面処理を施しておいてもよい。上記マイクロレンズを配設する部位の濡れ性によっては、マイクロレンズの形状、特に、サグ高さにバラツキが発生しやすいのに対し、表面処理を施すことにより、サグ高さのバラツキを抑えることができる。
【０１４６】
上記表面処理の具体的な方法について簡単に説明しておく。
上記撥水コート剤による処理を行う場合には、まず、マイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次にスプレー塗布やスピンコータでの塗布により撥水コート剤を塗布し、その後、撥水コート剤を自然乾燥させ、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。なお、撥水コート剤層の厚さは、通常、１μｍ程度である。ここでは、メッシュ版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
なお、撥水コート剤による処理を行う場合には、マスクを用いることなく、ソルダーレジスト層全体に撥水コート剤による処理を施してもよい。
【０１４７】
また、上記ＣＦ４プラズマによる撥水処理を行う場合には、まず、ソルダーレジスト層上のマイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、ＣＦ４プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。ここでは、レジスト形成したマスクを用いればよい。
また、上記Ｏ２プラズマによる親水処理を行う場合には、まず、ソルダーレジスト層上のマイクロレンズを形成する部分に対応する部分が開口したマスクを行い、次に、Ｏ２プラズマ処理を行い、さらにマスクを剥がすことにより表面処理を終了する。ここでは、メタル版やレジスト形成したマスクを用いればよい。
また、上記撥水処理（撥水コート剤による処理含む）と親水処理とを組み合わせて行うことが望ましい。
【０１４８】
また、上記マイクロレンズは、直接配設してもよく、また、光学接着剤を介して配設してもよい。さらには、レンズマーカを介して配設してもよい。そして、レンズマーカを介して配設する場合には、このレンズマーカのマイクロレンズを配設する部位に表面処理を施しておいてもよい。
上記ソルダーレジスト層上にマイクロレンズを直接配設する方法としては、例えば、未硬化の光学レンズ用樹脂を樹脂組成物上に適量滴下し、この滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施す方法が挙げられる。
上記方法において、未硬化の光学レンズ用樹脂をソルダーレジスト層上に適量滴下する際には、ディスペンサー、インクジェット、マイクロピペット、マイクロシリンジ等の装置を用いることができる。また、このような装置を用いてソルダーレジスト層上に滴下した未硬化の光学レンズ用樹脂は、その表面張力により球形になろうとするため、上記ソルダーレジスト層上で半球状となり、その後、半球状の未硬化の光学レンズ用樹脂に硬化処理を施すことで、ソルダーレジスト層上に半球状のマイクロレンズを形成することができるのである。
なお、このようにして形成するマイクロレンズの直径や曲面の形状等は、ソルダーレジスト層と未硬化の光学レンズ用樹脂との濡れ性を考慮しながら、適宜未硬化の光学レンズ用樹脂の粘度等を調整することで制御することができる。
【０１４９】
（９）次に、下記の方法を用いて半田パッドや半田バンプの形成を行う。
すなわち、上記半田バンプ形成用開口を形成することにより露出した導体回路部分を、必要に応じて、ニッケル、パラジウム、金、銀、白金等の耐食性金属により被覆し、半田パッドとする。
上記被覆層は、例えば、めっき、蒸着、電着等により形成することができるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れるという点からめっきにより形成することが望ましい。
なお、半田パッドの形成は、上述したマイクロレンズ配設工程の前に行うこととしてもよい。
【０１５０】
さらに、上記半田パッドに相当する部分に開口部が形成されたマスクを介して、上記半田パッドに半田ペーストを充填した後、リフローすることにより半田バンプを形成する。また、半田バンプに代えて金バンプを形成してもよい。
ここで用いる半田の組成は特に限定されず、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｐｂ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ、Ｓｎ／Ｃｕ等どのような組成であってもよい。
このような工程を経ることにより、本発明の光電気配線板を製造することができる。
【０１５１】
なお、本製造方法において、絶縁層および導体回路の形成方法は、特に限定されず、アディティブ法であってもよいし、サブトラクティブ法であってもよいし、その他の方法であってもよい。
【０１５２】
次に、第二の製造方法について説明する。
第二の製造方法では、光配線および／または導体回路が形成された基板を出発材料とし、これに、絶縁層や導体回路を順次積層していくこととなる。
また、第二の製造方法では、出発材料となる基板の両面に同時に、絶縁層や導体回路を積層していってもよいが、光信号通過領域を形成する工程が必要な場合には、片面ずつ積層形成していくことが望ましい。
【０１５３】
（１）本方法では、光配線および／または導体回路が形成された基板を出発材料とする。
上記基板は、第一の製造方法の（１）の工程と同様の方法で作製することができる。
【０１５４】
（２）次に、基板のリジッド部を構成する部分に、バイアホール用開口を有する絶縁層を積層形成する。
上記絶縁層は、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂と含む樹脂複合体等を用いて形成すればよい。
具体的には、まず、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテンコーター等により塗布したり、樹脂フィルムを熱圧着したりすることにより樹脂層を形成し、その後、必要に応じて、硬化処理を施すとともに、レーザ処理や露光現像処理によりバイアホール用開口を形成することにより絶縁層を形成することができる。
また、上記熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することができる。
【０１５５】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
【０１５６】
また、上記絶縁層は、粗化面形成用樹脂組成物を用いて形成してもよい。
上記粗化面形成用樹脂組成物とは、例えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも１種からなる粗化液に対して可溶性の物質が分散されたものである。
なお、上記「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。
【０１５７】
上記レーザ処理に使用するレーザとしては、例えば、炭酸ガスレーザ、紫外線レーザ、エキシマレーザ等が挙げられる。バイアホール用開口を形成した後、必要に応じて、デスミア処理を施してもよい。
また、この工程では、必要に応じて、全ての絶縁層を貫通するバイアホール用開口を形成してもよい。
【０１５８】
（３）次に、必要に応じて、バイアホール用開口の内壁を含む絶縁層の表面に導体回路を形成する。
まず、セミアディティブ法による導体回路の形成方法を説明する。
具体的には、まず、絶縁層の表面に、無電解めっきやスパッタリング等により薄膜導体層を形成し、次いで、その表面の一部にめっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形成する。次に、めっきレジストと、該めっきレジスト下の薄膜導体層とを除去し、導体回路を形成する。
【０１５９】
上記薄膜導体層の材質としては、例えば、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、コバルト、タリウム、鉛等が挙げられる。電気特性、経済性等に優れる点から銅や銅およびニッケルからなるものが望ましい。
また、上記薄膜導体層の厚さは、０．１〜２．０μｍが望ましい。
また、上記薄膜導体層形成前には、絶縁層の表面に粗化面を形成しておいてもよい。
【０１６０】
上記めっきレジストは、例えば、感光性ドライフィルムを張り付けた後、露光現像処理を施すことにより形成することができる。
また、上記電解めっき層の厚さは５〜２０μｍが望ましい。上記電解めっき層を形成するための電解めっきとしては、銅めっきが望ましい。
【０１６１】
上記めっきレジストの除去は、例えば、アルカリ水溶液等を用いて行えばよく、上記薄膜導体層の除去は、硫酸と過酸化水素との混合液、過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用いて行えばよい。
また、上記導体回路を形成した後、必要に応じて、絶縁層上の触媒を酸や酸化剤を用いて除去してもよい。電気特性の低下を防止することができるからである。
【０１６２】
また、上記導体回路は、サブトラクティブ法により形成してもよい。
この場合は、絶縁層の表面に、無電解めっきやスパッタリング等により薄膜導体層を形成し、次いで、必要に応じて、電解めっき等により、導体層の厚付けを行う。
その後、導体層の表面の一部にエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト非形成部に導体層を除去することより導体回路を形成する。
なお、電解めっきやエッチング等は、例えば、セミアディティブ法で用いた方法と同様の方法を用いることができる。
このような工程を経ることにより、導体回路と非貫通バイアホールとを形成することができる。
【０１６３】
（４）その後、上記（３）の導体回路を形成する工程を行った場合には、上記（２）の工程を繰り返し行い、絶縁層を積層形成する。
その後、必要に応じて、（３）および（２）の工程を繰り返すことにより、導体回路と絶縁層とを積層形成してもよい。
このような（１）〜（４）の工程を繰り返すことにより、リジッド部を構成する基板上に、導体回路や光配線、絶縁層が形成され、フレックス部を構成する基板上に導体回路および／または光配線が形成された多層配線板を製造することができる。
【０１６４】
（５）次に、最外層の絶縁層上に導体回路を形成するとともに、絶縁層を貫通する光信号通過領域を形成する。
ここで、光信号通過領域は、その端部が、最外層の絶縁層の表面よりも突出するように形成してもよい。
また、この工程で、光信号通過領域を形成する際には、光信号通過領域の壁面に金属層を形成してもよい。金属層を形成することなく、光路用貫通孔の壁面に必要に応じてデスミア処理を施した後、光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填した場合には、樹脂組成物にボイドが発生するおそれがあるが、上記金属層を形成することにより、ボイドが発生するおそれが少なくなる。
また、上記金属層を形成した場合、その表面には、粗化処理を施すことが望ましく、その場合、表面粗さＲａは、０．１〜５μｍ程度であることが望ましい。粗化処理を施すことにより、樹脂組成物との密着性が向上することとなるからである。
また、光信号通過領域の壁面には、別途、樹脂層を形成してもよい。
【０１６５】
具体的には、例えば、下記（ａ）〜（ｄ）の工程を行うことにより、導体回路と光信号通過領域とを形成することができる。
（ａ）まず、最外層の絶縁層上に、上記（３）の工程で用いた方法と同様の方法を用いて、薄膜導体層を形成し、次いで、必要に応じて、電解めっき等により、導体層の厚付けを行う。
【０１６６】
（ｂ）次に、基板、絶縁層および導体層を貫通するように、光路用貫通孔を形成する。
上記光路用貫通孔の形成は、例えば、ドリル加工やルータ加工、レーザ処理等により行う。
上記レーザ処理において使用するレーザとしては、上記バイアホール用開口の形成において使用するレーザと同様のもの等が挙げられる。
上記ドリル加工においては、多層配線板の認識マークを読み、加工位置を補正してドリル加工を行う認識マークの認識機能付き装置を用いることが望ましい。
ここでは、設計に応じて、一括貫通孔構造や個別貫通孔構造の光信号通過領域に対応した光路用貫通孔を形成する。
【０１６７】
また、この工程において、複数の円柱が並列に並べられ、互いに隣り合う円柱の側面の一部が繋がった形状の光路用貫通孔を形成する場合、形成する円柱の個数は、奇数個であることが望ましく、また、隣り合わない円柱を先に形成し、その後、隣り合わない円柱同士の間に、側面の一部が繋がった円柱を形成することが望ましい。
側面の一部が繋がった、隣り合う円柱を連続して形成しようとすると、ドリルの先端が既に形成された円柱の方向へ逃げようとしてドリルの先端ふれが発生し、ドリル加工時の精度が低下することがあるからである。
【０１６８】
また、光路用貫通孔を形成した後、必要に応じて、光路用貫通孔の壁面にデスミア処理を行ってもよい。
上記デスミア処理は、例えば、過マンガン酸溶液による処理や、プラズマ処理、コロナ処理等を用いて行うことができる。なお、上記デスミア処理を行うことにより、光路用貫通孔内の樹脂残り、バリ等を除去することができ、完成した光信号通過領域における壁面での光の乱反射に起因した光信号の伝送損失の増加を防止することができる。
また、光路用貫通孔の壁面には、円柱形状の砥石等を用いて研磨処理をほどこしてもよい。
【０１６９】
（ｃ）次に、光路用貫通孔内に樹脂組成物を充填する。
光路用貫通孔内に、未硬化の樹脂組成物を充填した後、硬化処理を施すことにより、その端部が最外層の絶縁層の表面よりも突出している光信号通過領域を形成することができる。
具体的な未硬化の樹脂組成物の充填方法としては特に限定されず、例えば、印刷やポッティング等の方法を用いることができる。
【０１７０】
（ｄ）次に、導体層上にエッチングレジストを形成し、その後、エッチングレジスト非形成部分の導体層を除去することにより、導体回路をすることができる。
ここで、エッチング処理は、上記（３）の工程で用いた方法と同様の方法により行うことができる。
【０１７１】
また、上記（ａ）〜（ｄ）の方法に代えて、下記の方法を用いてもよい。
すなわち、上記（ａ）の工程において、薄膜導体層を形成した後、導体層の厚付けを行うことなく、上記(ｃ)の工程までを行い、上記（ｄ）の工程において、薄膜導体層上にめっきレジストを形成した後、めっきレジスト非形成部に、電解めっき層を形成し、その後、電解めっき層の除去と、このめっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うことにより、導体回路と光信号通過領域とを形成してもよい。
【０１７２】
また、その他の方法として、例えば、上記（ａ）および（ｄ）の工程を先に行うことにより、最外層の導体回路を形成した後、上記（ｂ）、（ｃ）の工程、即ち、光路用貫通孔を形成した後、樹脂組成物を充填する工程を行うことにより、光信号通過領域を形成してもよい。
なお、上記光信号通過領域は、必要に応じて形成すればよく、光信号通過領域を形成しない場合には、上記（３）の工程と同様の方法を用いることにより、最外層の導体回路を形成すればよい。
【０１７３】
また、上記（５）の工程を行うことにより、光信号通過領域を形成する場合には、導体回路のみが形成された基板を出発材料とし、上記（２）および（３）の工程は、基板の片面にずつ行い、さらに基板の一方の面に導体回路と絶縁層とを積層形成した後、光配線の形成を行い、その後、上記（５）の工程と他方の面での導体回路と絶縁層との形成を行うことが望ましい。
光信号通過領域を形成する前に、光配線を形成しておいた場合には、光信号通過領域を形成するさいのドリル加工等により、光配線を傷付けるおそれがあるからである。
【０１７４】
また、光信号通過領域を形成した後、光配線を形成する場合には、光信号通過領域の光配線と対向する側と反対側の光信号通過領域の端部（なお、ここでいう端部とは、この段階で形成されている光信号通過領域の端部をいう）に、基板のアライメントマークを基準として露光現像法により透明樹脂からなるアライメントマークを形成しておき、この透明樹脂からなるアライメントマークを基準として、光配線に光路変換ミラーを形成することにより、光路変換ミラーと光学素子が実装されるパッドとの位置精度を高め、光学素子をパッシブアライメントで精度よく実装することができるため、光信号の伝送能に優れる光電気配線板を製造することができる。
なお、透明樹脂からなるアライメントマークを形成する際に、同時にレンズマーカを形成してもよい。
【０１７５】
（６）次に、第一の製造方法の（６）〜（９）の工程と同様の工程を行うことにより、本発明の光電気配線板を製造することができる。
【０１７６】
第一の製造方法と第二の製造方法のどちらの方法を用いるかは、光電気配線板の設計等を考慮して適宜選択すればよいが、下記の点では第一の製造方法のほうが望ましい。
すなわち、第二の製造方法で光電気配線板を製造する場合には、絶縁層を形成する際に何度もオーブン等で硬化を行う必要があるので、光配線にかかる熱履歴（熱がかかる総時間）が長くなってしまう。そして、光配線は、熱がかかるほど光伝播損失が大きくなる場合がある。また、熱履歴が長くなると基板、絶縁層、導体回路の熱膨張係数の違いにより、クラックが発生するという信頼性上の問題も発生しやすくなる。
これに対して、第一の製造方法では、光電気配線板の各部位を予め形成しておき、これらを一括積層した後、プレスすることにより製造することができるため、熱履歴を短くすることができ、光伝播損失を小さく、信頼性に優れるものとすることができる。
また、上記一括積層をピンラミネーション法で行うことができ、この場合、光配線と導体回路との位置合せ精度を向上させることができる。
【０１７７】
次に、本発明の光通信用デバイスについて説明する。
本発明の光通信用デバイスは、上述した本発明の光電気配線板に、光学素子および／または光学素子が実装されたパッケージ基板が搭載されていることを特徴とする。
【０１７８】
本発明の光通信用デバイスによれば、フレックス部に光配線が形成されており、リジッド部には導体回路が形成されている。そのため、さほど高速伝送を必要とせず、電気配線で良い部分には導体回路を形成し、高速伝送が必要な回線のみを光配線とすることができ、配線板のサイズを大きくすることなく、大容量情報の処理や情報の高速処理を好適に行うことができる。
具体的には、例えば、上記光通信用デバイスを携帯電話に用いる場合であれば、画像の伝送において、ＲＧＢ信号は高速処理が望まれるため光配線で伝送し、画面のコントラスト、明るさ等の調整信号は特に高速処理が必要とされないため電気配線（導体回路）で伝送することができる。
即ち、本発明の光通信用デバイスでは、高速処理が必要な信号は、光配線で高速伝送し、高速処理が必要でない信号、電源、グランドは、電気配線（導体回路）で低速伝送することができるのである。
なお、上記光通信用デバイスの用途は、携帯電話のみならず、パソコン、デジタルビデオカメラ、デジタルビカメラ、ＣＣＤモジュール、液晶パネル、光変換モジュール等種々の装置に使用することができ、その用途は限定されない。
【０１７９】
本発明の光通信用デバイスの実施形態について、図面を参照しながら説明する。
図７は、本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。
図７に示す光通信用デバイス６００では、図１に示した光通信用デバイス１００に受光素子１３９および発光素子１３８が半田接続部を介して搭載されている。
この光通信用デバイス６００では、発光素子１３８から出射した光信号が、光信号通過領域１４２ｂ、光導波路１５０および光信号通過領域１４２ａを介して、受光素子１３９に伝送されることとなる。
【０１８０】
また、図７に示したように、光通信用デバイスのフレックス部に光配線と導体回路とが形成されている場合には、光通信用デバイスをマザーボード用基板等に接続しなくても、光通信用デバイス全体を駆動させることができる。
【０１８１】
本発明の光通信用デバイスには、受光素子や発光素子等の光学素子が搭載されている。
これらは、上記パッケージ基板の構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
【０１８２】
上記発光素子例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、インフラ型または酸化狭窄型のＶＣＳＥＬ（面発光半導体レーザ）等が挙げられる。
これらは、上記光通信用デバイスの構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
【０１８３】
上記発光素子の材料としては、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。
【０１８４】
また、受光素子や発光素子等の光学素子は、マルチチャンネルの光学素子であってもよく、そのチャンネル数、４ｃｈ、８ｃｈ、１２ｃｈ等特に限定されず、そのピッチも１２５μｍ、２５０μｍ、５００μｍ等特に限定されない。
なお、光学素子がマルチチャンネルを有するアレイ素子である場合、受光部や発光部が直線上に配置されたアレイ素子であってもよいし、２次元に配置されたアレイ素子であってもよい。
また、上記光学素子は、フリップチップボンディングにより実装されるものでもよく、ワイヤボンディングにより実装されるものでもよい。
また、上記受光素子の受光面や、発光素子の発光面にはマイクロレンズが配設されていてもよい。
【０１８５】
上記光学素子は、パッケージ基板に実装された状態で搭載されていてもよい。
具体的には、例えば、図２９に示したような形態のパッケージ基板が挙げられる。
図２９（ａ）、（ｂ）は、それぞれパッケージ基板の一例を模式的に示す断面図である。
（ａ）に示すパッケージ基板では、基板４１２１の両面に、導体回路４１２５と絶縁層４１２２とが積層形成され、さらに、最外層にソルダーレジスト層４１３４が形成されている。
そして、基板４１２１、絶縁層４１２２およびソルダーレジスト層４１３４を貫通するように、樹脂組成物４１４７が充填された光信号通過領域４１４２が形成されており、この光信号通過領域４１４２の直上には、半田接続部４１４４を介して光学素子４１３８が実装されている。また、光信号通過領域４１４２の光学素子４１３８が実装された側と反対側には、マイクロレンズ４１４９が配設されている。
さらに、パッケージ基板の光学素子が実装された側と反対側には、光電気配線板と接続するための半田バンプ４１３７が形成されている。
【０１８６】
（ｂ）に示すパッケージ基板では、基板４２２１の両面に、導体回路４２２５と絶縁層４２２２とが積層形成され、さらに、最外層にソルダーレジスト層４２３４が形成されている。また、非貫通バイアホール４２２７も形成されている。
そして、パッケージ基板の光電気配線板を実装する側の絶縁層４２２２には、樹脂組成物４２４７が充填された凹部形状の光信号通過領域４２４２が形成されており、この光信号通過領域４２４２内には、光学素子４２３８がワイヤボンディング４２４９により実装されている。さらに、パッケージ基板の光信号通過領域が形成された側には、光電気配線板と接続するための半田バンプ４２３７が形成されている。
本発明の光通信用デバイスは、このようなパッケージ基板が実装されていてもよい。
【０１８７】
また、上記光学素子や光学素子実装パッケージ基板が搭載された場合には、搭載後、アンダーフィルが充填されてもよい。
上記アンダーフィルの材料としては特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂や、これらと熱可塑性樹脂とを含む樹脂複合体等を用いることができる。また、市販のアンダーフィル用樹脂を用いることもできる。
【０１８８】
また、上記アンダーフィルは、その通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ以上であることが望ましい。通信波長光の透過率が７０％／ｍｍ未満では、光信号の損失が大きく、光信号の伝送性の低下に繋がることがあるからである。上記透過率は、９０％／ｍｍ以上であることがより望ましい。なお、アンダーフィルは、光路を構成する部分以外の部分にのみ充填されていてもよく、この場合、その透過率は特に限定されない。
【０１８９】
上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリフェニレン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
【０１９０】
上記感光性樹脂としては、例えば、アクリル樹脂等が挙げられる。
また、上記熱硬化性樹脂の一部に感光性基が付与された樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂の熱硬化基とメタクリル酸やアクリル酸とをアクリル化反応させたもの等が挙げられる。
【０１９１】
上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）等が挙げられる。
【０１９２】
また、上記アンダーフィルには、粒子が含まれていてもよい。粒子が含まれている場合、その配合量によって熱膨張係数を調整することができるため、アンダーフィルとパッケージ基板や光学素子との間で熱膨張係数の整合を図ることができる。
上記粒子の具体例として、上述した光信号通過領域に含まれる粒子と同様のもの等が挙げられる。
【０１９３】
また、上記粒子が上記アンダーフィルに含まれている場合、該粒子の配合量の下限は２０重量％が望ましく、上限は７０重量％が望ましい。通常、この範囲であれば、パッケージ基板や光学素子の熱膨張係数と整合させるのに適しているとともに、充填時に必要な流動性も有することとなるからである。
より望ましい下限は３０重量％であり、より望ましい上限は６０重量％である。
【０１９４】
本発明の光通信用デバイスでは、光電気配線板に光路変換部材が配設されていてもよく、この場合、上記光路変換部材は、上記光学素子に固定されて配設されているか、サブマウント基板を介して配設されていることが望ましい。
上記光路変換部材が配設された光通信用デバイスの具体例について、図８、９を参照しながら説明する。
【０１９５】
図８−１（ａ）は、本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図であり、図８−２（ｂ）、（ｃ）は、本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す部分断面図である。
（ａ）に示す光通信用デバイス７００では、図５に示した光通信用デバイス４００に受光素子４３９および発光素子４３８が半田接続部を介して搭載されるとともに、光路変換部４６２が配設されている。
光路変換部材４６２は、伝送光に対して透明な光学接着剤４６１を介して、光学素子（受光素子４３９や発光素子４３８）に固定されている。さらに、光路変換部材４６２の光学素子に固定された側と反対側には、光路変換ミラー４６３が形成されている。
この光通信用デバイス７００では、発光素子４３８から出射した光信号が、光信号通過領域４４２ｂ（光路変換部材４６２）、光導波路４５０および光信号通過領域４４２ａ（光路変換部材４６２）を介して、受光素子４３９に伝送されることとなる。
なお、光路変換部材４６２の光電気配線板に挿入された部分は、光信号通過領域の壁面にも接着剤を介して固定されていてもよい。
【０１９６】
上記光路変換部材の材料としては、例えば、上述した光導波路の材料と同様のもの等が挙げられる。また、端部に光路変換ミラーが形成された光導波路フィルムや、光ファイバシートも光路変換部材として用いることができる。
また、搭載さらた光学素子がマルチチャンネルの光学素子である場合には、上記光路変換部材は、全チャンネルの光信号の光路を変換できるサイズを有するものであってもよいし、各チャンネルごとに光路変換部材を配設してもよい。
また、光学接着剤としては、上述したマイクロレンズを配設する際に用いる光学接着剤と同様のもの等が挙げられる。
【０１９７】
また、本発明の光通信用デバイスにおいて、光路変換部材を配設する場合、図８−２（ｂ）、（ｃ）に示すように光路変換部材はサブマウト基板を介して配設されていてもよい。
（ｂ）に示す例では、ソルダーレジスト層４３４上に接着剤４７５を介して、サブマウント基板４７１が固定され、このサブマウント基板４７１上に形成されたパッド４７２を介して、半田４７３により受光素子４２９が搭載されている。そして、パッド４７２と光電気配線板の導体回路４７５とがワイヤボンディング４７４により接続されている。
また、サブマウント基板４７１には、光路用貫通孔４７１ａが形成され、サブマウント基板４７１の受光素子４３９が実装された側と反対側には、光学接着剤４６１を介して、光路変換ミラー４６３が形成された光路変換部材４６２が固定されている。
また、サブマウント基板４７１、受光素子４３９およびワイヤボンディングを覆うように、伝送光に対して透明な樹脂材料４７８により樹脂封止がなされている。
このように、本発明の光通信用デバイスでは、サブマウント基板を介して光路変換部材が配設されていてもよい。
なお、光路変換部材４６２の光電気配線板に挿入された部分は、光信号通過領域の壁面にも接着剤を介して固定されていてもよい。
【０１９８】
また、（ｃ）に示す例では、ソルダーレジスト層４３４上にサブマウント基板４７１が載置され、このサブマウント基板４７１上に形成されたパッド４７２を介して、半田４７３により受光素子４２９が搭載されている。そして、パッド４７２がサブマウント基板の側面にも延設されており、この側面のバッドと光電気配線板の導体回路４７５とが半田４７６により接続されている。なお、サブマウント基板自体もまた半田４７６により固定されている。
また、サブマウント基板４７１には、光路用貫通孔４７１ａが形成され、サブマウント基板４７１の受光素子４３９が実装された側と反対側には、光学接着剤４６１を介して、光路変換ミラー４６３が形成された光路変換部材４６２が固定されている。
本発明の光通信用デバイスにおいて、サブマウント基板を介して光路変換部材が配設された形態は、図８−２（ｃ）に示したような形態であってもよい。
【０１９９】
上記サブマウント基板としては特に限定されず、例えば、ガラス基板、セラミック基板、樹脂基板等が挙げられる。
また、図示したサブマウント基板では、光路用貫通孔を形成しているが、サブマウント基板自体が、伝送光に対して透明である場合には、この光路用貫通孔は形成しなくてもよい。また、光路用貫通孔内には、樹脂組成物が充填されていてもよい。
【０２００】
また、図８−２（ｂ）、（ｃ）では、ワイヤボンディングや、サブマウント基板の側面になされた半田付けにより、光学素子と光電気配線板との導通が図られているが、サブマウント基板を光電気配線板に取りつける場合には、予め、サブマウント基板の光学素子を実装する側と反対側の面に、光学素子を実装するためのパッドとスルーホールを介して接続されたパッドを形成しておき、このバッドを介して、ＢＧＡやＣＳＰ等の半田接続の技術を用いて光電気配線板に半田接続し、光学素子と光電気配線板との導通を図ってもよい。
【０２０１】
本発明の光通信用デバイスは、図９に示すような実施形態であってもよい。
図９は、本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。
図９に示す光通信用デバイス８００では、図６に示した光通信用デバイス５００に受光素子５３９および発光素子５３８が半田接続部を介して搭載されるとともに、光路変換部材５６２が配設されている。
光路変換部材５６２は、伝送光に対して透明な光学接着剤５６１を介して、光学素子（受光素子５３９や発光素子５３８）に固定されている。さらに、光路変換部材５６２の光学素子に固定された側と反対側には、光路変換ミラー５６３が形成されている。
この光通信用デバイス８００では、発光素子５３８から出射した光信号が、光信号通過領域５４２ｂ（光路変換部材５６２）、光導波路５５０および光信号通過領域５４２ａ（光路変換部材５６２）を介して、受光素子５３９に伝送されることとなる。
なお、光路変換部材５６２の光電気配線板に挿入された部分は、光信号通過領域の壁面にも接着剤を介して固定されていてもよいし、光路変換部材が挿入された光信号通過領域全体を接着剤で埋めて固定してもよい。
【０２０２】
図８、９には、光路変換部材を配設された光通信用デバイスを説明したが、本発明の光通信用デバイスにおいて、光路変換部材は、既に説明した形態以外に、例えば、光路変換部材の光電気配線板に挿入された部分の壁面が、光信号通過領域の壁面にも接着剤を介して固定されることにより配設されていてもよい。
ただし、このように配設するよりも、上述したように、光学素子に固定されて配設されるか、サブマウント基板を介して配設されることが望ましい。
【０２０３】
というのは、光路変換部材を光電気配線板に挿入し、その壁面を接着剤で固定することにより配設する場合には、アクティブアライメントで位置合わせを行いながら光路変換部材を固定する必要があるが、光学素子に固定されて配設されるか、サブマウント基板を介して配設される場合には、パッシブアライメントにより位置合わせを行うことができるため、その位置合わせを行うことができ、その光軸合わせが比較的容易である。
【０２０４】
また、上記光路変換部材は、その反射面に、凸レンズや回折格子レンズが形成されていてもよく、さらには、その側面（光配線と光学的に接する面）に凸レンズが配設されていてもよい。
【０２０５】
また、本発明の光通信用デバイスにおいて、光路変換部材が配設されている場合、図２９に示したようなパッケージ基板の光信号通過領域に光路変換部材が固定されていてもよい。
【０２０６】
次に、本発明の光通信用デバイスの製造方法を簡単に説明しておく。
上記光通信用デバイスは、本発明の光電気配線板を製造した後、この光電気配線板に、必要に応じて光路変換部材を配設するとともに、光学素子を実装することにより製造することができる。
上記光学素子は、従来公知のフリップチップボンディングにより実装することができる。
【０２０７】
また、光路変換部材を配設する場合には、まず、ガラスや樹脂フィルムをダイシング加工で切り出し、研磨処理により光路変換面を形成したり、溶融させたガラス材料や樹脂材料を金型で成形したり、加熱したガラス材料や樹脂材料に金型を押し当てることにより光路変換部材を作製する。
ここで、光路変換部材の光路変換面には、金属蒸着層を形成してもよい。
【０２０８】
次に、図８−１（ａ）に示したように、光学素子に固定して配設する場合には、例えば、発光素子の発光面や受光素子の受光面に、光学素子実装用アライメントマークと光路変換部材の外形との位置合わせを行いながら、光学接着剤を用いて光路変換部材を固定しておき、この発光素子や受光素子を高精度部品搭載機（実装精度＜１μｍ）を用いて、光電気配線板に搭載することにより、光路変換部材を配設すればよい。
【０２０９】
また、図８−２（ｂ）に示したように、サブマウント基板を介して配設する場合には、例えば、サブマウント基板の光学素子を実装する側と反対側の面に光学接着剤を用いて光路変換部材を固形しておき、さらに、このサブマウント基板に光学素子を搭載した後、高精度部品搭載機を用いて、サブマウント基板に光電気配線板を接着材で固定する。
その後、サブマウント基板に形成されたパッドと光電気配線板に形成された導体回路とをワイヤボンディングより接続し、さらに、サブマウント基板全体を覆うように樹脂封止することにより光路変換部材を配設すればよい。
【０２１０】
また、図８−２（ｃ）に示したように、サブマウント基板を介して配設する場合には、例えば、サブマウント基板の光学素子を実装する側と反対側の面に光学接着剤を用いて光路変換部材を固形しておき、さらに、このサブマウント基板を半田を介して半田光電気配線板に搭載することにより光路変換部材を配設すればよい。
なお、この場合には、リフロー時のセルフアライメント効果を利用して、所定の位置にサブマウント基板を半田接続することができる。
【０２１１】
また、光路変換部材を直接配設する場合には、例えば、光信号通過領域内に光路変換部材を挿入し、アクティブアライメントで位置合わせを行いながら、光路変換部材の周囲に接着剤を充填して固定することにより配設すればよい。
このような工程を経ることにより、本発明の光通信用デバイスを製造することができる。
【実施例】
【０２１２】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施例１）
【０２１３】
（１）厚さ２５μｍのエポキシ樹脂フィルムからなる可撓性を有する基板２１の両面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている樹脂付き銅箔を出発材料とした（図１０（ａ）参照）。まず、この樹脂付き銅箔のリジッド部を構成する部分に、ドリル削孔で穴９を開け（図１０（ｂ）参照）、無電解めっき処理を施すことにより、穴９の壁面に導体層２７′を形成した。
その後、穴９内に、樹脂組成物３０を充填した（図１０（ｃ）参照）。
【０２１４】
なお、穴９内に充填する樹脂組成物としては、ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均最大長さ０．８μｍ以下のＳｉＯ２球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ  １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製  ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いた。
【０２１５】
（２）次に、基板上にエッチングレジスト（図示せず）を形成し、エッチング処理を施すことにより、基板２１の片面に導体回路２５を形成した（図１０（ｄ）参照）。
【０２１６】
（３）その後、厚さ８０μｍのエポキシ樹脂からなるプレプレグの片面に１８μｍの銅箔２８がラミネートされている銅箔付き接着フィルム（日立化成社製、ＭＣＦ−６０００Ｅ）を、基板２１の片面（導体回路２５を形成した側）のリジッド部を構成する位置に張り付け、エポキシ樹脂を完全に硬化させることにより、絶縁層２２を形成した。また、基板２１上のフレックス部を構成する部分には、厚さ１２．５μｍのポリイミドからなるカバーレイ２６を形成した（図１０（ｅ）参照）。
次に、銅箔２８上にエッチングレジスト（図示せず）を形成し、エッチング処理を施すことにより、絶縁層２２上に導体回路を形成した（図１１（ａ）参照）。
さらに、銅箔付きプリプレグを張り付ける工程を繰り返した（図１１（ｂ）参照）。
【０２１７】
（４）次に、ドリルを用いて、ルータ加工を行うことにより、基板２１、銅箔２８および絶縁層２２を貫通する光路用貫通孔を形成し、さらに、光路用貫通孔の壁面にデスミア処理を施した。
その後、スキージを用いて、光路用貫通孔内にエポキシ樹脂を含む未硬化の樹脂組成物を充填し、乾燥させた後、バフ研磨によりその表層を平坦化した。さらに、硬化処理を施すことにより、樹脂組成物４７が充填された光信号通過領域を形成した（図１１（ｃ）参照）。
上記光路用貫通孔は、底面３００×７５０μｍの四角柱に、半径１５０μｍの半円柱が付いた形状に形成した。
【０２１８】
（５）次に、基板上の、上記（２）の工程で導体回路２５を形成しなかった側に、エッチング処理を施すことにより導体回路２５を形成した（図１１（ｄ）参照）。
【０２１９】
（６）さらに、上記（５）の工程で形成した導体回路２５上に下記の方法により、光導波路を形成した。なお、光導波路としては、４つのコアが並列に配設された４チャンネルの光導波路５０を形成した。
コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）を２５重量％添加して透過率を８１％、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。
【０２２０】
次に、基板２１の所定の位置にクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、厚さ５０μｍの下部クラッドを形成した。ここでは、下部クラッドは、導体回路２５の厚さよりも厚くなるように形成している。
次に、下部クラッド５２上に、コア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、５００ｍＪのマスク露光処理、１％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いたディップによる２分間の現像処理、２０００ｍＪのベタ露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコア５１を形成した。
【０２２１】
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア５１上を含む基板の最外層全体に上部クラッド層５１を形成し、光導波路５０とした（図１２（ａ）参照）。
【０２２２】
その後、光導波路５０の所定の位置（光信号通過領域に対応する位置）に、９０度の♯３０００ブレードを用いたダイシング加工を施し、さらに、加工により露出した面にＡｕ／Ｃｒ蒸着膜を形成し、９０度光路変換ミラー５３を形成した（図１２（ｂ）参照）。
【０２２３】
（７）光導波路５０上の、リジッド部を構成する位置に、上記（３）の工程と同様にして、銅箔付きプリプレグを張り付け（図１２（ｃ）参照）、さらに、絶縁層２２上に導体回路を形成した（図１３（ａ）参照）。
その後、導体回路２５を形成した絶縁層２２上に、さらに銅箔付きプリプレグを張り付け
た（図１３（ｂ）参照）。
【０２２４】
（８）リジッド部全体を貫通する貫通孔１９をドリル加工により形成し（図１３（ｃ）参照）、この貫通孔１９の壁面に導体層２９′を形成した。
導体層２９′は、貫通孔１９の壁面にパラジウム触媒を付与した後、基板表面にマスクを形成し、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に、基板を浸漬することにより、無電解めっき銅めっき膜形成し、その後、下記の組成の電解銅めっき膜で厚付けを行うことにより形成した。
【０２２５】
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ４                     ０．００３  ｍｏｌ／ｌ
酒石酸                        ０．２００  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                        ０．０３０  ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ                      ０．０５０  ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ                      ０．１００  ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル              １００  ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）  ０．１０  ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３０℃の液温度で４０分
【０２２６】
〔電解めっき液〕
硫酸                      ２．２４  ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅                    ０．２６  ｍｏｌ／ｌ
添加剤                    １９．５    ｍｌ／ｌ
（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度                  １  Ａ／ｄｍ２
時間                      ６５  分
温度                      ２２±２  ℃
【０２２７】
（９）次に、壁面に導体層２９′を形成した貫通孔１９内に、樹脂組成物３０を充填した（図１４（ａ）参照）。
【０２２８】
（１０）次に、リジッド部の最外層の銅箔２８上に、エッチングレジスト（図示せず）を形成し、その後、エッチング処理を施すことにより最外層の導体回路２５を形成した（図１４（ｂ）参照）。
また、この工程では、同時に貫通バイアホール２９が形成されることとなる。
【０２２９】
（１１）次に、最外層にソルダーレジスト組成物の層を形成した。
上記ソルダーレジスト組成物としては、ＤＭＤＧに溶解させた６０重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）を４６．６７ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、エピコート１００１）１５．０ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学社製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）を０．２ｇ加えて、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したものを用いた。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。
【０２３０】
（１２）次いで、半田バンプ形成用開口および光路用開口のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクを透明ソルダーレジスト組成物の層に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、半田バンプ形成用開口および光路用開口が形成されたソルダーレジスト組成物の層とした。
さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト組成物の層を硬化させ、半田バンプ形成用開口および光路用開口を有したソルダーレジスト層３４を形成した（図１５（ａ）参照）。
【０２３１】
（１３）次に、ソルダーレジスト層３４を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、半田バンプ形成用開口に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０−３ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０−１ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０−１ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層を形成し、半田パッドとした。
【０２３２】
（１４）次に、ソルダーレジスト層３４に形成した半田バンプ形成用開口に半田ペースト（Ｓｎ／Ａｇ＝９６．５／３．５）を印刷し、半田バンプ３７を形成し、光電気配線板を完成した（図１５（ｂ）参照）。
【０２３３】
（実施例２−１）
基板２１上に形成する導体回路を図２（ｂ）に示したように、ストリップライン構造とした以外は、実施例１と同様にして光配線板を製造した。
【０２３４】
（実施例２−２）
基板２１上に形成する導体回路を図２（ｃ）に示したように、マイクロストリップライン構造とした以外は、実施例１と同様にして光配線板を製造した。
【０２３５】
（実施例２−３）
基板２１上に形成する導体回路を図２（ｄ）に示したように、ディファレンシャルラインとした以外は、実施例１と同様にして光配線板を製造した。
【０２３６】
（実施例３）
Ａ．光導波路基板の作製
（１）コア形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５２、透過率９４％、ＣＴＥ７２ｐｐｍ）を、クラッド形成用樹脂としてアクリル系樹脂（屈折率１．５１、透過率９３％、ＣＴＥ７０ｐｐｍ）に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）を２５重量％添加して透過率を８１％、ＣＴＥを５３ｐｐｍ、粘度を１０００ｃｐｓとしたものを準備した。
【０２３７】
（２）シリコン板上に、クラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、厚さ５０μｍの下部クラッドを形成した。
次に、下部クラッド上に、コア形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、５００ｍＪのマスク露光処理、１％ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム水溶液）を用いたディップによる２分間の現像処理、２０００ｍＪのベタ露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、幅５０μｍ×厚さ５０μｍのコアを形成した。
【０２３８】
次に、スピンコータ（１０００ｐｍ／１０ｓｅｃ）を用いてクラッド形成用樹脂を塗布し、８０℃で１０分間のプリベーク、２０００ｍＪの露光処理、１５０℃で１時間のポストベークを行い、コア上を含む基板の最外層全体に上部クラッドを形成し、光導波路とした。
また、ここでは、コアを形成する際に、同時にアライメントマークを形成しておいた。
【０２３９】
その後、光導波路の所定の位置（光信号通過領域に対応する位置）に、９０度の♯３０００ブレードを用いたダイシング加工を施し、さらに、加工により露出した面にＡｕ／Ｃｒ蒸着膜を形成し、９０度光路変換ミラーを形成した。なお、光路変換ミラーは、上記アライメントマークを基準に形成した。
最後に、フッ酸水溶液に浸漬して光導波路を剥離した。
【０２４０】
（３）上記（２）の工程までで作製した光導波路１０５０の両面に、銅箔付きプリプレグを張り付け、プレスすることにより、基板１０２１を作製した（図１６（ａ）参照）。なお、図中、１０５３は、光路変換ミラーである。
なお、ここで用いた銅箔付きプリプレグは、下記の方法で作製した。
すなわち、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、Ｅ−１００１）４０重量部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、Ｅ−１５４）６０重量部、イミダゾール型硬化剤（四国化成社製、２ＰＨＺ）５重量部およびブチルセロソルブアセテート７５重量部に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）３０重量部を添加し、３本ローラで攪拌した。
次に、予め１８μｍの銅箔を支持基板に張り付け（テープで固定）しておき、この銅箔上に、上記樹脂組成物をロールコータで塗布し、オーブンで８０℃／１０分の条件でＢステージまで硬化させることにより、プリプレグ部分の厚さ８０μmの銅箔付きプリプレグを作製した。なお、プリプレグ部分は、屈折率１．５８、８５０ｎｍ光の透過率９７％／３７μｍである。
【０２４１】
（４）次に、基板１０２１上にエッチングレジスト（図示せず）を形成し、エッチング処理を施すことにより、基板１０２１の両面に導体回路１０２５を形成した（図１６（ｂ）参照）。
また、図示していないが、光導波路基板には、コアに形成したアライメントマークを基準にして、ピンラミネーション用のガイド穴を形成しておいた。
【０２４２】
Ｂ．リジッド部部材ａの作製
（１）エポキシ樹脂フィルムからなる絶縁シート１０２２の両面に銅箔１０２８がラミネートされている樹脂付き銅箔を出発材料とした（図１７（ａ）参照）。まず、この樹脂付き銅箔に、ドリル削孔で穴１００９を開け（図１７（ｂ）参照）、無電解めっき処理を施すことにより、穴１００９の壁面に導体層１０２７′を形成した。
その後、穴１００９内に、樹脂組成物１０３０を充填した（図１７（ｃ）参照）。樹脂組成物としては、実施例１の（１）の工程で用いたものと同様のものを用いた。
【０２４３】
（２）次に、ドリルを用いて、ルータ加工を行うことにより、絶縁シート１０２２および銅箔１０２８を貫通する光路用貫通孔１０１９を形成し、さらに、光路用貫通孔の壁面にデスミア処理を施した（図１７（ｄ）参照）。
その後、スキージを用いて、光路用貫通孔内にエポキシ樹脂を含む未硬化の樹脂組成物を充填し、乾燥させた後、バフ研磨によりその表層を平坦化した。さらに、硬化処理を施すことにより、樹脂組成物１０４７が充填された光信号通過領域を形成した（図１７（ｅ）参照）。
上記光路用貫通孔は、底面３００×７５０μｍの四角柱に、半径１５０μｍの半円柱が付いた形状に形成した。
【０２４４】
（３）次に、絶縁シート１０２２の片面に、エッチング処理を施すことにより導体回路１０２５を形成した（図１７（ｆ）参照）。なお、リジッド部部材ａには、ピンラミネーション用のガイド穴を形成しておいた。
なお、リジッド部部材ａは、２枚作製した。
【０２４５】
Ｃ．リジッド部部材ｂの作製
上記Ｂの工程において、（２）の工程を行わなかった以外は、上記Ｂの工程と同様にして、リジッド部部材ｂを作製した（図１８（ａ）〜（ｄ）参照）。なお、リジッド部部材ｂには、ピンラミネーション用のガイド穴を形成しておいた。
なお、リジッド部部材ｂは、２枚作製した。
【０２４６】
Ｄ．光電気配線板の作製
（１）上記Ａの工程で、作製した光導波路基板１０２１の両面のリジッド部を構成する部分に、リジッド部部材ａ、ｂをプリプレグ１０２３を介してピンラミネーション方式で積層し（図１９（ａ）参照）、さらに、光導波路基板１０２１のフレックス部を構成する部分には、カバーレイ１０２６を形成し、プレスした。
なお、プレスは、圧力３０ｋｇ／ｃｍ２、温度１８０℃で４５分、総プレス時間４５分となる条件で行った。
なお、ここで用いたプリプレグは下記の方法で作製した。
すなわち、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、Ｅ−１００１）４０重量部、フェノールノボラック型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製、Ｅ−１５４）６０重量部、イミダゾール型硬化剤（四国化成社製、２ＰＨＺ）５重量部およびブチルセロソルブアセテート７５重量部に、粒径０．４〜０．６μｍのＳｉＯ２球状粒子（アドマテック社製、ＳＯ−Ｅ２）３０重量部を添加し、３本ローラで攪拌した。
次に、この樹脂組成物をＰＥＴフィルムに挟んでローラーを通し、オーブンで８０℃／１０分の条件でＢステージまで硬化させることにより、厚さ８０μmのプリプレグを作製した。なお、プリプレグ部分は、屈折率１．５８、８５０ｎｍ光の透過率９７％／３７μｍである。
【０２４７】
（２）次に、実施例１の（８）の工程と同様にして、リジッド部全体を貫通する貫通孔１０１９をドリル加工により形成し（図１９（ｂ）参照）、この貫通孔１０１９の壁面に導体層を形成した。
【０２４８】
（３）実施例１の（９）、（１０）の工程と同様にして、貫通孔１０１９内に樹脂組成物１０３０を充填し、さらに、リジッド部の最外層に導体回路１０２５を形成した（図２０（ａ）参照）。この工程では、貫通バイアホール１０２９が形成されることとなる。
【０２４９】
（４）実施例１の（１１）〜（１４）の工程と同様にして、ソルダーレジスト層１０３４、半田バンプ１０３７等を形成し、光電気配線板を完成した（図２０（ｂ）〜図２１参照）。
【０２５０】
（実施例４）
Ａ．光導波路フィルムの作製
実施例３のＡの（１）、（２）の工程と同様の方法を用いて光導波路フィルム２０５０を作製した。
【０２５１】
Ｂ．フレックス基板の作製
実施例１の（１）および（２）の工程と略同様の工程を行うことにより、フレックス基板２０２１ｂを作製した。なお、ここでは、実施例１の（２）の工程を行う際に基板の両面導体回路２０２５を形成した。なお、フレックス基板には、ピンラミネーション用のガイド穴を形成しておいた。
【０２５２】
Ｃ．リジッド部部材ａ、ｂの作製
実施例３のＢ、Ｃの工程と同様にして、リジッド部部材ａ、ｂを作成した。
【０２５３】
Ｄ．リジッド部部材ｃの作製
実施例３のＣの工程と略同様にして、リジッド部部材ｃを作成した。なお、ここでは、絶縁シートの両面に導体回路を形成した。
【０２５４】
Ｅ．光電気配線板の作製
（１）上記Ａの工程で、作製した光導波路フィルム２０５０、リジッド部部材ａ〜ｃ、フレックス基板２０２１ｂをそれぞれプリプレグ２０２３を介して、所定の順序でピンラミネーション方式で積層し（図２２参照）、さらに、光導波路基板２０２１ｂのフレックス部を構成する部分には、カバーレイ２０２６を形成し、プレスした。
上記プレスは、圧力３０ｋｇ／ｃｍ２、温度１８０℃で４５分、総プレス時間４５分となる条件で行った。
なお、本実施例では、光導波路フィルム２０５０とプリプレグを合わせた部分が、基板２０２１ａとなる。なお、プリプレグとしては、実施例３のＤの（１）で作製したものと同様のものを用いた。
【０２５５】
（２）実施例３のＤの（２）〜（４）の工程と同様にして、貫通バイアホール２０２９、最外層の導体回路２０２５、ソルダーレジスト層２０３４、ソルダーレジスト層２０３４、半田バンプ２０３７等を形成し、光電気配線板を完成した（図２３（ａ）〜図２４（ｂ）参照）。
なお、本実施例で作製した光電気配線板は、２つのフレックス部を有することとなる。
【０２５６】
（実施例５）
Ａ．光導波路基板の作製
実施例３のＡの工程と略同様にして、光導波路基板３０２１を作製した（図２５（ａ）、（ｂ）参照）。ただし、ここでは、光導波路に光路変換ミラーを形成せず、また、光導波路自体の平面サイズを光導波路基板の平面サイズと同一にした。
【０２５７】
Ｂ．リジッド部部材ｂの作製
実施例３のＣの工程と同様にしてリジッド部部材ｂを作製した。なお、本工程において、リジッド部部材ｂは４枚作製した。
【０２５８】
Ｃ．光電気配線板の作製
（１）上記Ａの工程で作製した光導波路基板３０２１の両面のリジッド部を構成する部分に、リジッド部部材ｃを、厚さ８０μｍの高Ｔｇエポキシ樹脂製プリプレグ（日立化成社製、ＭＣＬ−Ｅ−６７９）３０２３を介してピンラミネーション方式で積層し（図２６（ａ）参照）、さらに、光導波路基板３０２１のフレックス部を構成する部分には、カバーレイ３０２６を形成し、プレスした。
なお、プレスは、圧力３０ｋｇ／ｃｍ２、温度１８０℃で４５分、総プレス時間４５分となる条件で行った。
【０２５９】
（２）次に、実施例３ののＤの（２）〜（４）の工程と同様にして、貫通バイアホール３０２９、最外層の導体回路３０２５、ソルダーレジスト層３０３４、半田バンプ３０３７等を形成した（図２６（ｂ）〜図２８（ａ）参照）。
【０２６０】
次に、リジッド部全体を貫通する光路用貫通孔（光信号通過領域３０４２）を、実施例１の（４）の工程と同様の方法を用いて作製し、光電気配線板を完成した（図２８（ｂ）参照）。
上記光路用貫通孔は、底面３４０×１３００μｍの四角柱に、半径１７０μｍの半円柱が付いた形状に形成した。
【０２６１】
（実施例６）
Ａ．光導波路基板の作製
実施例５のＡの工程と同様にして、光導波路基板を作製した。
【０２６２】
Ｂ．フレックス基板の作製
実施例４のＢの工程と同様の工程を行うことにより、フレックス基板を作製した。
【０２６３】
Ｃ．リジッド部部材ｂの作製
実施例３のＣの工程と同様にしてリジッド部部材ｂを作製した。なお、本工程において、リジッド部部材ｂは４枚作製した。
【０２６４】
Ｄ．リジッド部部材ｃの作製
実施例４のＤの工程と同様にしてリジッド部部材ｃを作製した。なお、本工程において、リジッド部部材ｃは２枚作製した。
【０２６５】
Ｅ．光電気配線板の作製
（１）上記Ａの工程で作製した光導波路基板、リジッド部部材ｂ、ｃ、フレックス基板をそれぞれプリプレグを介して、所定の順序でピンラミネーション方式で積層し、さらに、光導波路基板のフレックス部を構成する部分には、カバーレイを形成し、プレスした。
なお、プレスは、圧力３０ｋｇ／ｃｍ２、温度１８０℃で４５分、総プレス時間４５分となる条件で行った。なお、プリプレグとしては、実施例３のＤの（１）で作製したものと同様のものを用いた。
【０２６６】
（２）次に、実施例４のＥの（２）の工程と同様にして、貫通バイアホール、最外層の導体回路、ソルダーレジスト層、ソルダーレジスト層、半田バンプ等を形成した。
その後、リジッド部全体を貫通する光路用貫通孔（光信号通過領域５４２ａ、５４２ｂ）を、実施例１の（４）の工程と同様の方法を用いて形成し、光電気配線板を完成した（図６参照）。
上記光路用貫通孔は、底面３４０×１３００μｍの四角柱に、半径１７０μｍの半円柱が付いた形状に形成した。
【０２６７】
（実施例７）
実施例４において、光導波路フィルムに代えて、光ファイバシートを用いた以外は、実施例４と同様にして、光電気配線板を製造した。
光ファイバシートとしては、コア径５０μｍ、クラッド径１２５μｍの４本の石英系光ファイバが並列に配設され、その周囲にポリイミド樹脂からなるカバー樹脂層が形成されたものを用いた。なお、光ファイバシートの所定の部位には、光路変換ミラーを形成しておいた。
【０２６８】
（比較例）
光導波路を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして電気配線板を製造した。
【０２６９】
実施例１、実施例２−１〜２−３および比較例で作製した（光）電気配線板に、発光素子（ＶＣＳＥＬ）および受光素子（ＰＤ）、さらにＩＣチップ（図示せず）を実装した後（図７参照）、下記の方法で、光信号および電気信号の伝送性を評価した。結果を表１に示す。
なお、実施例および比較例に係る光電気配線板について、フレックス部の長さは５ｃｍである。
【０２７０】
すなわち、光信号については、テスト用コネクタにパルスジェネレータで、１．０、２．５、５．０、１０Ｇｂｐｓの電気信号を入力し、ドライバＩＣを経由して、ＶＣＳＥＬで発光させ、光電気配線板（光信号通過領域および光配線）を介して伝送されてきた光信号をＰＤで受光して電気信号に変換し、アンプＩＣを経由して、テスト用コネクタから電気信号を取り出し、オシロスコープによって、光信号伝送が正常に行うことができたかをアイパターンで判断した。
なお、ＶＣＳＥＬおよびＰＤとしては、４ｃｈ、２５０μｍピッチのものを実装した。
【０２７１】
また、電気信号については、テスト用コネクタにパルスジェネレータで電気信号を入力し、ドライバＩＣから、導体回路（フレックス部に形成された導体回路）を介して伝送し、アンプＩＣを経由して、テスト用コネクタから電気信号を取り出し、オシロスコープによって、電気信号伝送が正常に行うことができたかを波形で判断した。
【０２７２】
【表１】
2006140233.tif 000003
【０２７３】
表１に示した結果から明らかなように、実施例に係る光電気配線板では、光信号は、１０Ｇｂｐｓでも確実に伝送することができたものの、電気信号は、ディファレンシャルラインを介して伝送する場合ではあっても、１０Ｇｂｐｓの信号は、伝送することができなかった。
また、比較例に係る電気配線板では、１Ｇｂｐｓの信号しか伝送することができなかった。
【０２７４】
また、実施例３〜７に係る光電気配線板についても、上述した方法と同様の方法を用いて光信号および電気信号の伝送性を評価したところ、実施例１と同様の結果が得られた。
なお、実施例５、６の評価に際しては、受光素子の受光面および発光素子の発光面に，高精度部品搭載機（実装精度＜１μｍ）を用いて、下記の方法で作製した光路変換部材を、所定の屈折率を有するエポキシ系光学接着剤（ＮＴＴアドバンステクノロジ社製）で固定した（硬化条件、１５０℃、１時間）。そして、この光路変換部材が固定された光学素子を光電気配線板に実装し、さらに、光信号通過領域内および光学素子下部にエポキシ樹脂（屈折率１．５２、透過率９０％／ｍｍ）を充填した。
【図面の簡単な説明】
【０２７５】
【図１】本発明の光電気配線板の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示した光電気配線板のＡ−Ａ線断面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、本発明の光電気配線板の別の一実施形態のフレックス部の断面図である。
【図３】本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図４−１】本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図４−２】本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の光電気配線板の別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の光通信用デバイスの一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図８−１】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図８−２】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を模式的に示す部分断面図である。
【図９】本発明の光通信用デバイスの別の一実施形態を模式的に示す断面図である。
【図１０】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１１】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１２】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１３】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１４】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１５】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１６】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１７】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１８】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図１９】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２０】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２１】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２２】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２３】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２４】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２５】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２６】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２７】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２８】本発明の光電気配線板の製造方法の一部を模式的に示す断面図である。
【図２９】（ａ）、（ｂ）は、それぞれパッケージ基板の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０２７６】
１００、２００、３００、４００、５００  光電気配線板
１００ａ、１００ｃ、２００ａ、２００ｃ、３００ａ、３００ｃ、４００ａ、４００ｃ、５００ａ、５００ｃ  リジッド部
１００ｂ、２００ｂ、３００ｂ、４００ｂ、５００ｂ  リジッド部
１２１、２２１、３２１ａ、３２１ｂ、４２１、５２１ａ、５２１ｂ   基板
１２２、２２２、３２２、４２２、５２２  絶縁層
１２３、２２３、３２３、４２３、５２３  絶縁層
１２５、２２５、３２５、４２５、５２５  導体回路
１２７、２２７、３２７、４２７、５２７  非貫通バイアホール
１２９、２２９、３２９、４２９、５２９  貫通バイアホール
１３４、２３４、３３４、４３４、５３４  ソルダーレジスト層
１３７、２３７、３３７、４３７、５３７  半田バンプ
１５０、２５０、３５０、４５０、５５０  光配線（光導波路）
１５３、２５３、３５３、４５３、５５３  光路変換ミラー
１３８、４３８、５３８  発光素子
１３９、４３９、５３９  受光素子
１４２ａ、１４２ｂ、２４２ａ、２４２ｂ、３４２ａ、３４２ｂ、４４２ａ、４４２ｂ、４４２ａ、４４２ｂ  光信号通過領域
【図１】
2006140233.tif 000004
【図２】
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【図３】
2006140233.tif 000006
【図４−１】
2006140233.tif 000007
【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８−１】
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【図８−２】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2006140233.tif 000027
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
2006140233.tif 000031
【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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