(57)【要約】【課題】  目標線速に短時間で安定に到達させることができる光ファイバの線引方法を提供する。【解決手段】  光ファイバ母材を加熱炉に供給して、前記光ファイバ母材の供給速度Ｖf(t)を制御しながら光ファイバの線引を行う。第１の減算器３１は、実際線速ｖ(t)と、一定時間dt前の実際線速ｖ(t-dt)とを入力し、これらの差を求め、実際線速変化量Δｖdtを求める。第２の減算器３２では、実際線速変化量Δｖdtと線速変化量の目標値Δｖdtaとの差を求める。この差（Δｖdta−Δｖdt）と制御ゲインＧとを乗算器３３に入力し、ΔＶf1を求める。制御ゲインＧは、線速変化量の目標値Δｖdtaと実際線速変化量Δｖdtとの差の絶対値に基づいて設定する。加算器３４は、光ファイバ母材１２の設定供給速度ＶfsetにΔＶf1を加算し、その結果を光ファイバ母材１２の供給速度Ｖf(t)として出力する。【選択図】  図４
2006193350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ母材を加熱炉に供給して、前記光ファイバ母材の供給速度Ｖf(t)を制御しながら光ファイバの線引を行う光ファイバ線引方法であり、
線引開始から定常状態の設定線速ｖsetに達するまでの間に、前記供給速度Ｖf(t)を下記式で演算する際、制御のために設定する係数Ｇ（以下、制御ゲインＧという。）を、光ファイバの線引速度の線速変化量の目標値Δｖdtaと、光ファイバの線引速度の実際線速変化量Δｖdtとの差の絶対値｜Δｖdta−Δｖdt｜に基づいて、｜Δｖdta−Δｖdt｜が大きい領域では大きい値に、｜Δｖdta−Δｖdt｜が小さい領域では小さい値に設定することを特徴とする光ファイバ線引方法。
Ｖf(t)＝Ｖfset＋Ｇ・（Δｖdta−Δｖdt）
〔ここで、Ｖfsetは、前記設定線速ｖset、光ファイバ母材の外径、及び光ファイバの線引外径に基づき決定される光ファイバ母材の設定供給速度を指す。〕
【請求項２】
前記光ファイバの線引速度ｖ(t)が、前記定常状態における設定線速ｖsetより小さい所定速度に達したとき、その後の制御ゲインＧを一定値に設定することを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ線引方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ母材を加熱線引して光ファイバを製造する光ファイバ線引方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバ母材を加熱線引して光ファイバを製造する工程においては、光ファイバの線引速度（以下、「線引速度」を「線速」ともいう。）を徐々に設定線速まで上昇させ、一定の設定線速にて線引していく。一般に、線速の上昇中は光ファイバの品質が担保されないため、光ファイバの線速が設定線速に達して安定した後に製造された光ファイバの部分が良品として使用されている。
【０００３】
不良部分の発生量を減少させるためには、光ファイバの線速を設定線速にできるだけ早期に到達させて安定させることが要求される。この要求に基づいて、線速を短時間で安定に所望の設定線速まで上昇させようとする光ファイバ線引方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
特許文献１によれば、光ファイバの線速の一定時間当たりの変化量を設定し、当該設定変化量と、線速の実際の変化量との差に基づいて、線引される光ファイバ母材の加熱炉への供給速度を制御している。
具体的には、線速の一定時間当たりの設定変化量Δｖdtset’と実際変化量Δｖdt’との差に、Ｖfg’（制御ゲイン）を乗じた値としてΔＶf1’を算出する。ΔＶf1’の算出式を表すと、下記式（Ａ）のようになる。
ΔＶf1’＝Ｖfg’・｛Δｖdtset’−Δｖdt’｝・・・（Ａ）
このΔＶf1’に基づいて光ファイバ母材の供給速度Ｖf(t)’を求め、光ファイバ母材の供給速度を制御する。このように母材の供給速度を制御することにより、線速のオーバーシュートを発生させることなく、安定に設定線速まで到達させることができる。
【特許文献１】特開２００１−３１４４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１で開示されている制御方法で母材の供給速度を制御した場合、実際変化量Δｖdt’と設定変化量Δｖdtset’との差が大きい低線速域では、母材供給速度Ｖf(t)’が足りず、線速の上昇が遅れるという問題がある。線速の上昇が遅れると、結果的に設定線速に到達する時間が長く掛かってしまうことになる。
【０００６】
これに対し、制御ゲインＶfg’を大きい値とすれば低線速域での母材供給速度Ｖf(t)’を向上させることができるが、制御ゲインＶfg’が大きい値になると、実際変化量Δｖdt’と設定変化量Δｖdtset’との差が小さいときの操作量が大きくなってしまい、実際変化量Δｖdt’を設定変化量Δｖdtset’に安定させることが困難となる。
【０００７】
この対策として、線速の上昇開始直後に作業者が強制的に母材供給速度を上昇させることによって、低線速域での母材供給速度不足の解消を図ることもできるが、作業者によって線速の上昇量がまちまちになり、安定して設定線速に到達させることが困難となる。
【０００８】
本発明の目的は、目標線速に短時間で安定に到達させることができる光ファイバ線引方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した目的を達成するために、本発明にかかる光ファイバ線引方法は、光ファイバ母材を加熱炉に供給して、前記光ファイバ母材の供給速度Ｖf(t)を制御しながら光ファイバの線引を行う光ファイバ線引方法であり、
線引開始から定常状態の設定線速ｖsetに達するまでの間に、前記供給速度Ｖf(t)を下記式で演算する際、制御のために設定する係数Ｇ（以下、制御ゲインＧという。）を、光ファイバの線引速度の線速変化量の目標値Δｖdtaと、光ファイバの線引速度の実際線速変化量Δｖdtとの差の絶対値｜Δｖdta−Δｖdt｜に基づいて、｜Δｖdta−Δｖdt｜が大きい領域では大きい値に、｜Δｖdta−Δｖdt｜が小さい領域では小さい値に設定することことを特徴としている。
Ｖf(t)＝Ｖfset＋Ｇ・（Δｖdta−Δｖdt）
〔ここで、Ｖfsetは、前記設定線速ｖset、光ファイバ母材の外径、及び光ファイバの線引外径に基づき決定される光ファイバ母材の設定供給速度を指す。〕
【００１０】
このように構成された光ファイバ線引方法においては、光ファイバ母材の供給速度Ｖf(t)を算出する際、制御ゲインＧを線速変化量の目標値Δｖdtaと実際線速変化量Δｖdtとの差の絶対値｜Δｖdta−Δｖdt｜が大きい領域では制御ゲインＧを大きい値に設定し、｜Δｖdta−Δｖdt｜が小さい領域では制御ゲインＧを小さい値に設定するので、線速変化量の目標値Δｖdtaと実際線速変化量Δｖdtとの差が大きい低速領域において効果的に線速を上昇させることができ、設定線速への到達時間を短縮することができる。
【００１１】
また、本発明にかかる光ファイバ線引方法は、前記光ファイバの線引速度ｖ(t)が、前記定常状態における設定線速ｖsetより小さい所定速度に達したとき、その後の制御ゲインＧを一定値に設定することが望ましい。
【００１２】
このように構成された光ファイバ線引方法では、線引速度ｖ(t)が定常状態における設定線速ｖsetに近づいたときに制御ゲインＧを一定値とするので、外乱によるハンチングを防止して、安定して設定線速に到達させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る線引方法によれば、光ファイバ母材の供給速度の演算に際し、前記供給速度を演算するための制御ゲインＧを、線速変化量の目標値Δｖdtaと実際線速変化量Δｖdtとの差の絶対値｜Δｖdta−Δｖdt｜に基づいて、｜Δｖdta−Δｖdt｜が大きい領域では大きい値に、小さい領域では小さい値に設定することにより、特に低線速域において線速を速やかに上昇させることができ、目標線速に短時間で安定に到達させることができる。従って、線引速度が設定線速に到達するまでの光ファイバの廃棄部分を低減することができ、生産性を向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本実施形態に係る光ファイバ線引方法を好適に実施できる光ファイバ線引装置の一例を示す構成図である。図１に示す光ファイバ線引装置１０は、光ファイバ母材１２を加熱溶融する加熱炉１３と、光ファイバ母材１２を加熱炉１３へ供給する母材供給装置１１とを備え、加熱炉１３の下方には、光ファイバ１４が通過する経路に沿って、外径測定器１５、冷却装置１７、ダイス１８、硬化炉１９及びキャプスタン１６が設けられている。
【００１５】
母材供給装置１１は、光ファイバ母材１２の加熱炉１３への供給速度を変動可能なモータ２３を備えている。モータ２３はドライバ２２からの電気信号に基づいて駆動し、ドライバ２２は演算部２４からの指示によりモータ２３に送るべき電気信号を出力する。演算部２４は、光ファイバ１４の外径、実際線速等に基づいて、光ファイバ母材１２を供給すべき速度（供給速度Ｖf(t)）を演算により求めることができる。この演算部２４としては、加算器、減算器および乗算器などから構成される回路であってもよい。なお、実際線速は、例えばキャプスタン１６の回転速度から求められる。
【００１６】
この光ファイバ線引装置１０を用いて光ファイバを線引するには、光ファイバ母材１２を加熱炉１３に供給しながら、光ファイバ母材１２の下端付近を加熱溶融し、加熱溶融した光ファイバ母材１２をキャプスタン１６によって引っ張ることにより細径化して光ファイバ１４を形成する。
【００１７】
加熱炉１３によって溶融された光ファイバ１４の外径を外径測定器１５によりオンラインで測定した後、光ファイバ１４を冷却装置１７において冷却し、光ファイバ１４の周りにダイス１８によりコーティング樹脂液を塗布する。コーティング樹脂液を硬化炉１９により硬化して、コーティング樹脂層を有する光ファイバ素線２０を形成し、この光ファイバ素線２０を巻取機２１により巻き取る。
【００１８】
外径測定器１５により測定された外径の測定値をキャプスタン１６にフィードバックし、外径が一定になるようにキャプスタン１６の回転速度を調整する。また、キャプスタン１６の回転速度を演算部２４に送り、演算部２４にて光ファイバ１４の実際線速を計算し、さらに供給速度Ｖf(t)を演算して、光ファイバ母材１２の加熱炉１３へ供給する際の供給速度を制御する。
【００１９】
以下、この供給速度Ｖf(t)（特に引開始から定常状態の設定線速ｖsetに達するまでの間における供給速度Ｖf(t)）の演算過程及び光ファイバ母材１２の供給速度の制御方法について説明する。以下に説明する光ファイバ母材１２の供給速度Ｖf(t)は、演算部２４により求められるものである。
【００２０】
供給速度Ｖf(t)は、設定供給速度ＶfsetにＧ・（Δｖdta−Δｖdt）（＝ΔＶftとする。）を加算して求められる。すなわち、供給速度Ｖf(t)は下記式（１）により求められる。
Ｖf(t)＝Ｖfset＋Ｇ・（Δｖdta−Δｖdt）・・・（１）
〔Δｖdtaは光ファイバの線引速度の線速変化量、Δｖdtは光ファイバの線引速度の実際線速変化量を示している。〕
【００２１】
式（１）において、設定供給速度Ｖfsetは、光ファイバ１４の定常状態における設定線速、光ファイバ母材１２の外径、光ファイバ１４の線引外径に基づき決定される値であり、例えば下記式（２）により求めることができる。
Ｖfset＝ｖset・ｄ2／Ｄ2・・・（２）
〔ｖsetは光ファイバ１４の定常状態における設定線速、ｄは光ファイバ１４の外径、Ｄは光ファイバ母材１２の外径を指す。〕
【００２２】
一方、式（１）のＧ・（Δｖdta−Δｖdt）について、実際線速変化量Δｖdtは、ある時刻ｔにおける光ファイバ１４の実際線速をｖ(t)とし、一定時間dt前の線速をｖ(t-dt)とすると、下記式（３）から求めることができる。
Δｖdt＝ｖ(t)−ｖ(t-dt)・・・ （３）
例えば、現在の線速が３００ｍ／ｍｉｎ、１０秒前の線速が２９０ｍ／ｍｉｎの場合は、Δｖ10は１０ｍ／ｍｉｎ／１０ｓｅｃとなる。
【００２３】
また、線速変化量の目標値Δｖdtaは、一定値であっても可変値であってもよく、任意に設定することできるが、定常状態における設定線速ｖsetと実際線速ｖ(t)との線速差に比例して変化させるのが好ましい。即ち、図２に示すように、線速変化量の目標値Δｖdtaを縦軸に取り、定常状態における設定線速ｖsetと実際線速ｖ(t)との線速差（ｖset−ｖ(t)）を横軸に取ると、線速変化量の目標値Δｖdtaは、原点を通り線速差に比例したグラフで表される。このように線速変化量の目標値Δｖdtaを線速差に比例して変化させることで、線速のふらつきを防止することができる。
【００２４】
なお、図２のように、設定線速ｖsetと実際線速ｖ(t)との線速差の絶対値が所定値以下のとき（例えば、｜ｖset−ｖ(t)｜≦０．２ｖsetのとき）は、線速変化量の目標値Δｖdtaを線速差に比例して変化させ、それ以外の範囲においては線速変化量の目標値Δｖdtaを一定値（例えば、Δｖset＝１０ｍ／ｍｉｎ／１０ｓｅｃ、−１０ｍ／ｍｉｎ／１０ｓｅｃ）に維持することが望ましい。
【００２５】
さらに、制御ゲインＧについては、線速変化量の目標値Δｖdtaと実際線速変化量Δｖdtとの差の絶対値｜Δｖdta−Δｖdt｜（＝Δａとする）に基づいて、｜Δｖdta−Δｖdt｜が大きい領域では大きい値に、｜Δｖdta−Δｖdt｜が小さい領域では小さい値に設定する。ここで制御ゲインＧの設定の一例を図３のグラフに示す。図３に示すグラフおいて、縦軸は制御ゲインＧであり、横軸はΔａである。
【００２６】
図３に示すように、制御ゲインＧはΔａの関数ｆ（Δａ）で表される。関数ｆ（Δａ）は、ΔａがＫ１〜Ｋ２では、点（Ｋ１，Ａ１）及び点（Ｋ２，Ａ２）を通る直線ｆ（Δａ）＝ｐ・Δａ+ｑで表される（但し、Ｋ１、Ｋ２、ゲイン最小値Ａ１及びゲイン最大値Ａ２は任意の定数であり、Ｋ２＞Ｋ１、Ａ２＞Ａ１である。）。
【００２７】
制御ゲインＧは、ΔａがＫ１〜Ｋ２の間ではΔａに比例して直線的に変化する。そうすると、Δａが大きい場合には制御ゲインＧは大きくなり、その乗算（Ｇ・Δａ）も大きくなるので、ΔＶf1を大きくすることができる。反対に、Δａが小さい場合には制御ゲインＧは小さくなるので、ΔＶf1は小さくなる。このようにして、Δａに応じて、制御ゲインＧを適当な値に設定する。
【００２８】
なお、ΔａがＫ１以下の場合にはゲイン最小値Ａ１に、Ｋ２以上の場合にはゲイン最大値Ａ２に維持する。これは、線引装置１０の能力上の限界に配慮したものである。
Ｋ１、Ｋ２、Ａ１及びＡ２としては、例えば、Ｋ１＝5000、Ｋ２＝10000、Ａ１＝30及びＡ２＝50に設定することができる。
【００２９】
なお、光ファイバ１４の実際線速ｖ(t)が徐々に上昇して設定線速ｖsetに近づいて行き、所定速度に達したときには、その後の制御ゲインＧを一定値Ｇ0に設定することが望ましい。このように制御ゲインＧを一定とすることにより、設定線速ｖsetに近づいた際のハンチングの発生を防止できる。
一定値Ｇ0としては、例えば、図３中の関数ｆ（Δａ）のゲイン最小値であるＡ１を採用することができる。また、制御ゲインを一定値とする所定速度は、例えば0.6ｖset〜0.9ｖsetの範囲に設定できる。
【００３０】
以上のようにして、線速変化量の目標値Δｖdta及び制御ゲインＧを設定すると、Δｖdta−Δｖdt＜０の領域（図２におけるＡ領域）においては、ΔＶf1＝Ｇ・（Δｖdta−Δｖdt）＜０となり、光ファイバ母材を引き上げ方向に制御し、Δｖdta−Δｖdt＞０の領域（図２におけるＢ領域）においては、ΔＶf1＝Ｇ・（Δｖdta−Δｖdt）＞０となり、光ファイバ母材を押し込み方向に制御することになる。
【００３１】
上記式（１）〜（３）から、図１における演算部２４で光ファイバ母材１２の供給速度Ｖf(t)を求め、この供給速度Ｖf(t)に基づいて、ドライバ２２はモータ２３を回転させ、光ファイバ母材１２を供給速度Ｖf(t)で供給する。
この演算部２４を回路で構成した場合の回路ブロックについて説明する。図４は、光ファイバ母材１２の供給速度Ｖf(t)を演算する演算回路の一例を示す回路ブロック図である。
【００３２】
図４に示すように、第１の減算器３１は、光ファイバ１４のある時刻ｔにおける実際線速ｖ(t)と、その一定時間dt前の実際線速ｖ(t-dt)とを入力し、これらの差を求め、上記式（３）で表される実際線速変化量Δｖdtを求める。第２の減算器３２では、第１の減算器３１で得られた実際線速変化量Δｖdtと線速変化量の目標値Δｖdtaとを入力して、これらの差（Δｖdta−Δｖdt）を求める。
【００３３】
（Δｖdta−Δｖdt）の絶対値Δａ＝｜Δｖdta−Δｖdt｜を図３に示す関数ｆ（Δａ）に代入して、制御ゲインＧを設定する。この制御ゲインＧと、線速変化量の目標値Δｖdtaと実際線速変化量Δｖdtとの差（Δｖdta−Δｖdt）とを乗算器３３に入力し、（Δｖdta−Δｖdt）に制御ゲインＧを乗算して、上記式（１）におけるΔＶf1＝Ｇ・（Δｖdta−Δｖdt）を出力する。実際線速ｖ(t)が所定速度（例えば0.8ｖset）となるまで、関数ｆ（Δａ）にΔａを代入して、Δａに応じて制御ゲインＧを設定し、実際線速ｖ(t)が所定速度（例えば0.8ｖset）に到達したときは、制御ゲインＧを一定値Ａ１に設定する。
【００３４】
そして、加算器３４は、上記式（２）で表される光ファイバ母材１２の設定供給速度ＶfsetにΔＶf1を加算し、その結果を光ファイバ母材１２の供給速度Ｖf(t)として出力する。
【００３５】
上記のようにして母材の供給速度を制御したときの、線速上昇時における線速及び母材供給速度の変化について、図５に示すグラフを用いて説明する。図５（Ａ）において、実線のグラフは、制御ゲインＧを図３に示すように設定したときの線速の変化を示しており、点線のグラフは、直線的に線速が上昇する理想的な線速（目標線速）を示している。また、図５（Ｂ）は、母材供給速度の変化を示している。
【００３６】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、時刻ｔ＝Ｔ0までは、光ファイバ１４の実際の線速は、口出し時の低線速ｖ0であり、光ファイバ母材１２の供給速度は、それに対応した速度Ｖf0である。この間は、演算部２４は上述の演算を行っていない。時刻ｔ＝Ｔ0以降、光ファイバ１４の線引速度を設定線速ｖsetに上昇させるべく、演算部２４は、制御ゲインＧをΔａ＝｜Δｖdta−Δｖdt｜に応じて変化させて母材の供給速度の演算を行う。
【００３７】
時刻ｔ＝Ｔ0の直後では、Δａが非常に大きくなる。このため、制御ゲインＧが大きい値に設定され（図３参照）、母材の供給速度Ｖf(t)が大きい値になり、線速が一時的に上昇する。線速が上昇すると、Δａが小さくなり、制御ゲインＧが小さい値に設定され（図３参照）、母材の供給速度Ｖf(t)は急激に小さくなる。母材の供給速度Ｖf(t)が小さくなると、再び線速が小さくなるのでΔａ及び制御ゲインＧが再び大きい値となって、線速が急激に上昇する。このような線速のハンチングを数回繰り返すことで、目標線速に迅速に近づくことができる。なお、この低線速時に製造された光ファイバは通常廃棄されるので線速がハンチングしていても問題はない。
【００３８】
このようにハンチングを繰り返して徐々に線速を上昇させていき、線速が例えば0.8ｖsetとなったとき、それ以後制御ゲインＧを一定値Ａ１に設定して供給速度を制御する。このように制御ゲインＧを設定することで、設定線速ｖsetの付近でのハンチングの発生を防止できるので、より確実に短時間で設定線速ｖsetに到達させることができる。
さらに、線速が設定線速に達したときは、作業者が光ファイバ母材の供給速度の制御を下記式（４）に基づいたＰＩＤ制御に切り替え、線引を行なう。
Ｖft＝Ｖfset＋α・・・（４）
〔αは、ＰＩＤ制御による調整分を指す。〕
【００３９】
以上のように、本発明の実施形態に係る光ファイバ線引方法では、線速変化量の目標値Δｖdtaと実際線速変化量Δｖdtとの差が大きい低速領域において効果的に線速を上昇させることができるので、光ファイバの線引速度が設定線速に到達するまでに要する時間を短縮することができる。従って、光ファイバの不良部分の発生量が少なくなり、生産性を向上させることができる。
【００４０】
本発明の光ファイバ線引方法は、以上で説明した実施形態に限定されるものでなく、適宜な変形，改良等が可能である。
例えば、前述した実施形態においては、制御ゲインＧの関数として図３に示した形状のものを採用したが、これに限るものではない。このほか、図３において直線的に比例する部分を段階的に変化させるようにしたり、その他の曲線状に変化させたりすることも可能である。
【実施例】
【００４１】
次に、上記実施形態にかかる光ファイバ線引方法による実験を行った結果について説明する。
これらの実験において共通の条件は以下の通りである。光ファイバ母材として、外径９０ｍｍφのものを用い、当該光ファイバ母材から外径１２５μｍφの光ファイバを線引した。光ファイバの口出し時の線速を３０ｍ／ｍｉｎ（対応する口出し時の光ファイバ母材の供給速度は０．０５７９ｍｍ／ｍｉｎ）とし、光ファイバの設定線速を１０００ｍ／ｍｉｎ（対応する光ファイバ母材の設定供給速度は１．９３ｍｍ／ｍｉｎ）とした。
【００４２】
（実施例１）
実施例１では、制御ゲインＧを図３に示すｆ（Δａ）で設定した。なお、Ｋ１＝5000、Ｋ２＝10000、Ａ１＝30及びＡ２＝50とした。
サンプリング時間を１０秒とし、１０秒毎に線速変化量の目標値Δｖdta、実際線速変化量Δｖdtを計測した。
【００４３】
線速変化量の目標値Δｖdtaについては、図２に示すように、設定線速と実際線速との線速差（ｖset−ｖ(t)）の絶対値が所定値以下の場合、即ち、実際線速が設定線速の８０〜１２０％の間は、線速変化量の目標値Δｖdtaをｖset−ｖ(t)に比例して変化させ、実際線速が設定線速の８０％より小さい場合、及び実際線速が設定線速の１２０％より大きい場合は、線速変化量の目標値Δｖdtaをそれぞれ６０ｍ／ｍｉｎ、及び−６０ｍ／ｍｉｎの一定値とした。以上の数値を用いて、時刻０より光ファイバ母材の供給速度の制御を行って光ファイバの線引を行った。
【００４４】
（比較例１）
比較例１では、制御ゲインＧ’を一定値（5000）とし、その他については実施例１と同様の条件で光ファイバの線引を行った。
（比較例２）
比較例１において時刻ｔ＝3まで、作業者が供給速度を最大にした後、比較例１と同様の条件で光ファイバの線引を行った。
【００４５】
以上の条件の下に行った実験の結果を図６〜８に示す。
図６は、実施例１の条件で線引した場合の線速及び母材供給速度のグラフを示している。図６に示すように、線速はハンチングを繰り返しながら上昇し、設定線速（１０００ｍ／ｍｉｎ）に到達するために要した時間は、20分であった。
【００４６】
図７は、比較例１の条件で線引した場合の線速及び母材供給速度のグラフを示している。図７に示すように、安定して線速が上昇していたが低線速域（二点鎖線で囲んだ領域ａ）の線速上昇が遅かったため、設定線速に到達するために要した時間は、25分掛かった。
【００４７】
図８は、比較例２の条件で線引した場合の線速及び母材供給速度のグラフを示している。図８に示すように、作業者が母材供給速度をコントロールして最大としたことで、低線速域（二点鎖線で囲んだ領域ｂ）で線速を急激な上昇させたため、設定線速に到達するために要した時間は、実施例１と同程度の20分であった。しかし、光ファイバの線引を数回繰り返したところ、それぞれで設定線速に到達するために要した時間にバラつきが生じていた。
以上の結果から、本発明に係る線引方法を実施した実施例１では、光ファイバの線引速度が設定線速に到達するまでに要する時間を、従来の技術による線引方法に比べて短縮できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係る光ファイバ線引方法を実践するための光ファイバ線引装置の一例を示す構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る光ファイバ線引方法の目標線引加速度を示すグラフである。
【図３】制御ゲインＧの設定の一例を示すグラフである。
【図４】演算部としての演算回路を示すブロック図である。
【図５】（Ａ）は図３に示した制御ゲインＧを用いて光ファイバ母材の供給速度を制御したときの実際線引速度ｖ(t)の一例を示すグラフであり、（Ｂ）は母材供給速度Ｖftの変化を示すグラフである。
【図６】（Ａ）は実施例１における線速の変化、（Ｂ）は母材供給速度の変化を示すグラフである。
【図７】（Ａ）は比較例１における線速の変化、（Ｂ）は母材供給速度の変化を示すグラフである。
【図８】（Ａ）は比較例２における線速の変化、（Ｂ）は母材供給速度の変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１２  光ファイバ母材
１３  加熱炉
１４  光ファイバ
Ｄ  光ファイバ母材外径
ｄ    光ファイバ外径
Ｇ    制御ゲイン
Ｖf(t)  光ファイバ母材の供給速度
Ｖfset  光ファイバ母材の設定供給速度
ｖset  光ファイバの設定線引速度（設定線速）
Δｖdta  線速変化量の目標値
Δｖdt  実際線速変化量
【図１】
2006193350.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006193350.tif 000005
【図４】
2006193350.tif 000006
【図５】
2006193350.tif 000007
【図６】
2006193350.tif 000008
【図７】
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【図８】
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