(57)【要約】【課題】優れた温度特性を得ることができるマルチバンド型弾性波フィルタを提供する。【解決手段】ＳＡＷフィルタ１０の中心周波数ｆ1は、ＳＡＷフィルタ３０の中心周波数ｆ2より低い。ＳＡＷフィルタ１０，３０に関してすだれ状電極の膜厚ｈはすべて等しく設定されている。そして、ＳＡＷフィルタ１０に関して入力側すだれ状電極１２，１４のメタライズ比、出力側すだれ状電極１６，１８のメタライズ比をそれぞれＭｉ１、Ｍｏ１とし、ＳＡＷフィルタ３０に関して入力側すだれ状電極３２，３４のメタライズ比、出力側すだれ状電極３６，３８のメタライズ比をそれぞれＭｉ２、Ｍｏ２とすると、Ｍｉ１＞Ｍｉ２及びＭｏ１＞Ｍｏ２が成立する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が異なる通過周波数帯域を有する複数の弾性波フィルタを備えることで、複数の通過周波数帯域を有するマルチバンド型弾性波フィルタであって、
各弾性波フィルタは、弾性波を圧電性基板へ励振する入力側すだれ状電極及び該弾性波を検出する出力側すだれ状電極を有するとともに、各弾性波フィルタに用いられる圧電性基板が共通化されており、
すべての入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の膜厚が略等しく、
通過周波数帯域の高い弾性波フィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比と出力側すだれ状電極のメタライズ比の少なくとも一方が小さく設定されていることを特徴とするマルチバンド型弾性波フィルタ。
【請求項２】
請求項１に記載のマルチバンド型弾性波フィルタであって、
通過周波数帯域の高い弾性波フィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比と出力側すだれ状電極のメタライズ比の両方が小さく設定されていることを特徴とするマルチバンド型弾性波フィルタ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のマルチバンド型弾性波フィルタであって、
各弾性波フィルタの中心周波数の温度に対する特性が変曲点を有することを特徴とするマルチバンド型弾性波フィルタ。
【請求項４】
請求項１または２に記載のマルチバンド型弾性波フィルタであって、
各弾性波フィルタに用いられる圧電性基板が水晶基板であることを特徴とするマルチバンド型弾性波フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ）や横波弾性波（ＳＴＷ）等の弾性波を利用するマルチバンド型弾性波フィルタに関し、特に、各々が異なる通過周波数帯域を有する複数の弾性波フィルタを備えることで、複数の通過周波数帯域を有するマルチバンド型弾性波フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のマルチバンド型弾性波フィルタの一例が特開２００４−３２１１６号公報（特許文献１）に開示されている。特許文献１のマルチバンド型弾性波フィルタにおいては、互いに並列接続された複数の共振器型ＳＡＷフィルタに用いられる圧電性基板が共通化されている。そして、圧電性基板上に形成されたすべての入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の膜厚が等しく設定されている。さらに、通過周波数帯域の高い共振器型ＳＡＷフィルタほど、入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の電極指対数が少なく設定されている。特許文献１においては、電極指対数をこのように設定することで、各共振器型ＳＡＷフィルタのＱ値をそろえるとともに、すべての入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の膜厚を等しくすることで、すだれ状電極を圧電性基板上に形成する工程数を減少させて生産性の向上を図っている。
【０００３】
また、その他の背景技術として、非特許文献１のＳＡＷ遅延線が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３２１１６号公報
【非特許文献１】J.Y. DUQUESNOY他,"2.2 GHz SH-MODE SAW DELAY LINE",1982 ULTRASONICS SYMPOSIUM,IEEE,1982,p57-62
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
弾性波フィルタの温度特性は、すだれ状電極の膜厚変化に伴い変化する。複数の弾性波フィルタ間で温度特性をそろえるためには、すだれ状電極の膜厚ｈを弾性波の波長λで割った値であるすだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λを複数の弾性波フィルタ間で等しく設定することで、その実現が可能である。ただし、特許文献１のマルチバンド型弾性波フィルタにおいては、すべてのすだれ状電極の膜厚ｈが等しく設定されているため、複数の弾性波フィルタ間で、すだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λが異なり、温度特性も異なってくる。したがって、特許文献１においては、優れた温度特性を得ることが困難であるという問題点がある。一方、複数の弾性波フィルタ間で温度特性をそろえるためにすだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λを等しく設定した場合は、複数の弾性波フィルタ間ですだれ状電極の膜厚ｈが異なってくる。したがって、すだれ状電極を圧電性基板上に形成する工程数が増大してしまい、マルチバンド型弾性波フィルタの生産性が低下してしまうという問題点がある。
【０００６】
本発明は、圧電性基板上に形成されたすべてのすだれ状電極の膜厚が等しく設定されている場合でも、優れた温度特性を得ることができるマルチバンド型弾性波フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るマルチバンド型弾性波フィルタは、各々が異なる通過周波数帯域を有する複数の弾性波フィルタを備えることで、複数の通過周波数帯域を有するマルチバンド型弾性波フィルタであって、各弾性波フィルタは、弾性波を圧電性基板へ励振する入力側すだれ状電極及び該弾性波を検出する出力側すだれ状電極を有するとともに、各弾性波フィルタに用いられる圧電性基板が共通化されており、すべての入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の膜厚が略等しく、通過周波数帯域の高い弾性波フィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比と出力側すだれ状電極のメタライズ比の少なくとも一方が小さく設定されていることを要旨とする。
【０００８】
本発明においては、通過周波数帯域の高い弾性波フィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比と出力側すだれ状電極のメタライズ比の少なくとも一方が小さく設定されているため、複数の弾性波フィルタ間ですだれ状電極の規格化膜厚が異なることに起因する温度特性差をすだれ状電極のメタライズ比の設定により補償することができる。したがって、本発明によれば、圧電性基板上に形成されたすべてのすだれ状電極の膜厚が等しく設定されていることで複数の弾性波フィルタ間ですだれ状電極の規格化膜厚が異なる場合でも、優れた温度特性を得ることができる。
【０００９】
本発明に係るマルチバンド型弾性波フィルタにおいて、通過周波数帯域の高い弾性波フィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比と出力側すだれ状電極のメタライズ比の両方が小さく設定されているものとすることもできる。こうすれば、より優れた温度特性を得ることができる。
【００１０】
本発明に係るマルチバンド型弾性波フィルタにおいて、各弾性波フィルタの中心周波数の温度に対する特性が変曲点を有することが好適である。
【００１１】
本発明に係るマルチバンド型弾性波フィルタにおいて、各弾性波フィルタに用いられる圧電性基板が水晶基板であることが好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を実施するための形態（以下実施形態という）を図面に従って説明する。
【００１３】
図１，２は、本発明の実施形態に係るマルチバンド型弾性波フィルタの構成の概略を示す図であり、図１は平面図を示し、図２は断面図を示す。本実施形態に係るマルチバンド型弾性波フィルタは、圧電性基板の表面を伝搬するＳＡＷ（レイリー波）を利用するＳＡＷフィルタを弾性波フィルタとして備えており、各々が異なる通過周波数帯域を有する複数のＳＡＷフィルタ１０，３０を備えることで複数の通過周波数帯域を有する。そして、互いに並列接続された複数のＳＡＷフィルタ１０，３０に用いられる圧電性基板２４が共通化されており、複数のＳＡＷフィルタ１０，３０が１パッケージ化されている。ここでの圧電性基板２４としては、例えば水晶基板が用いられる。
【００１４】
ＳＡＷフィルタ１０については、ＳＡＷを励振する入力側すだれ状電極１２，１４と、この励振されたＳＡＷを検出する出力側すだれ状電極１６，１８と、が所定間隔をおいて圧電性基板２４上に形成されることで構成される。同様に、ＳＡＷフィルタ３０については、ＳＡＷを励振する入力側すだれ状電極３２，３４と、この励振されたＳＡＷを検出する出力側すだれ状電極３６，３８と、が所定間隔をおいて圧電性基板２４上に形成されることで構成される。そして、図１に示すように、ＳＡＷフィルタ１０のすだれ状電極１２，１４，１６，１８及びＳＡＷフィルタ３０のすだれ状電極３２，３４，３６，３８については、ＳＡＷ伝搬方向が略平行となるように配置されており、かつＳＡＷフィルタ１０の入力側すだれ状電極１２，１４が励振するＳＡＷとＳＡＷフィルタ３０の入力側すだれ状電極３２，３４が励振するＳＡＷとが互いに干渉しないように、ＳＡＷ伝搬方向と略垂直方向に関して所定距離はなされて配置されている。ここでの入力側すだれ状電極１２，１４，３２，３４及び出力側すだれ状電極１６，１８，３６，３８の材料としては、例えばアルミニウムが用いられる。
【００１５】
なお、ＳＡＷフィルタ１０の入力側すだれ状電極１４と出力側すだれ状電極１６、ＳＡＷフィルタ３０の入力側すだれ状電極３４と出力側すだれ状電極３６は、接地されている。また、ＳＡＷフィルタ１０の入力側すだれ状電極１２とＳＡＷフィルタ３０の入力側すだれ状電極３２、ＳＡＷフィルタ１０の出力側すだれ状電極１８とＳＡＷフィルタ３０の入力側すだれ状電極３８は、それぞれ共通接続されている。
【００１６】
ＳＡＷフィルタ１０は、中心周波数ｆ1の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ特性を有する狭帯域フィルタである。一方、ＳＡＷフィルタ３０は、中心周波数ｆ2の周波数帯域の信号を通過させるフィルタ特性を有する狭帯域フィルタである。ここで、ｆ1とｆ2にはｆ1＜ｆ2という関係があり、ＳＡＷフィルタ３０は、電極指ピッチ、開口長等の電極配置を変えずにＳＡＷフィルタ１０をｆ1／ｆ2倍した構成である。このようにして、本実施形態に係るマルチバンド型弾性波フィルタのフィルタ特性は、中心周波数ｆ1、ｆ2の２つの異なる通過周波数帯域を有する。なお、後述するように、ＳＡＷフィルタ１０，３０の中心周波数ｆ1、ｆ2は、温度変化に対して変化する。すなわち、ＳＡＷフィルタ１０，３０の中心周波数ｆ1、ｆ2は、温度特性を有する。
【００１７】
本実施形態においては、ＳＡＷフィルタ１０の入力側すだれ状電極１２，１４と出力側すだれ状電極１６，１８、及びＳＡＷフィルタ３０の入力側すだれ状電極３２，３４と出力側すだれ状電極３６，３８に関して、膜厚はすべて等しく設定されている。すなわち、圧電性基板２４上に形成されたすべての入力側すだれ状電極１２，１４，３２，３４及び出力側すだれ状電極１６，１８，３６，３８の膜厚が略等しい。この膜厚の設定により、入力側すだれ状電極１２，１４，３２，３４及び出力側すだれ状電極１６，１８，３６，３８を圧電性基板２４上に形成する工程数を減少させることができるので、マルチバンド型弾性波フィルタの生産性を向上させることができる。
【００１８】
ここで、シングルバンド型のＳＡＷフィルタを水晶基板上に構成した場合の温度特性の一例を図３に示す。本実施形態におけるＳＡＷフィルタ１０，３０も図３に示すような温度特性を有する。図３に示す水晶基板を用いたＳＡＷフィルタの温度特性においては、温度に対する中心周波数の特性が非線形特性であり、２次曲線でほぼ近似可能な変曲点を有する特性となっている。より詳細には図３に示すように、温度がＴ０より小さい範囲では温度上昇に対してＳＡＷフィルタの中心周波数が増大し、温度Ｔ０を変曲点として傾きの正負が反転し、温度がＴ０より大きい範囲では温度上昇に対してＳＡＷフィルタの中心周波数が減少する。そのため、温度がＴ０近傍の範囲では温度変化に対してＳＡＷフィルタの中心周波数はほとんど変化しない。以下、この温度Ｔ０を頂点温度とする。
【００１９】
ＳＡＷフィルタにおいて、温度変化に対する中心周波数への影響を少なくするためには、前述の頂点温度Ｔ０が常用時の温度範囲内に含まれていることが好ましい。そして、本実施形態に係るマルチバンド型弾性波フィルタにおいては、複数のＳＡＷフィルタ１０，３０の温度特性の頂点温度Ｔ０がいずれも常用時の温度範囲内に含まれていることが好ましい。したがって、複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間で温度特性（温度−中心周波数特性）が略一致していることが好ましい。
【００２０】
ＳＡＷフィルタの温度特性（温度−中心周波数特性）は、すだれ状電極の膜厚変化に伴い変化する。複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間で温度特性（頂点温度Ｔ０）をそろえるためには、すだれ状電極の膜厚ｈをＳＡＷの波長λで割った規格化膜厚ｈ／λを複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間で等しく設定することで、その実現が可能である。ただし、本実施形態に係るマルチバンド型弾性波フィルタにおいては、すべてのすだれ状電極の膜厚ｈが略等しいため、複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間で、すだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λが異なり、温度特性（頂点温度Ｔ０）も異なってくる。なお、以上に説明した温度特性（温度−中心周波数特性）は、弾性波フィルタが圧電性基板の表面近傍を伝搬するＳＴＷ（バルク波）を利用するＳＴＷフィルタである場合でも同様である。
【００２１】
そこで、本実施形態においては、通過周波数帯域が高いＳＡＷフィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比と出力側すだれ状電極のメタライズ比の少なくとも一方を小さく設定する。ここで、（メタライズ比）＝（電極指幅）／（電極指ピッチ）＝２×（電極指幅）／（ＳＡＷの波長）である。このすだれ状電極のメタライズ比の設定により、後述するように複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間ですだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λが異なることに起因する温度特性差を補償することができる。図２はその一例として、通過周波数帯域が高いＳＡＷフィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比と出力側すだれ状電極のメタライズ比の両方が小さく設定されている場合を示している。すなわち、ＳＡＷフィルタ１０に関して入力側すだれ状電極１２，１４のメタライズ比及び出力側すだれ状電極１６，１８のメタライズ比をそれぞれＭｉ１（＝２×ｗｉ１／λ１）及びＭｏ１（＝２×ｗｏ１／λ１）とし、ＳＡＷフィルタ３０に関して入力側すだれ状電極３２，３４のメタライズ比及び出力側すだれ状電極３６，３８のメタライズ比をそれぞれＭｉ２（＝２×ｗｉ２／λ２）及びＭｏ２（＝２×ｗｏ２／λ２）とすると、ｆ1＜ｆ2であるため、Ｍｉ１＞Ｍｉ２及びＭｏ１＞Ｍｏ２が成立している。ただし、ｗｉ１、ｗｏ１、ｗｉ２、ｗｏ２は、それぞれ入力側すだれ状電極１２，１４の電極指幅、出力側すだれ状電極１６，１８の電極指幅、入力側すだれ状電極３２，３４の電極指幅、出力側すだれ状電極３６，３８の電極指幅である。そして、λ１はＳＡＷフィルタ１０にて励振されるＳＡＷの波長であり、λ２はＳＡＷフィルタ３０にて励振されるＳＡＷの波長である。
【００２２】
次に、本願発明者が行った実験の結果について説明する。なお、以下の実験結果では、弾性波フィルタがＳＴＷフィルタである場合について説明しているが、弾性波フィルタがＳＡＷフィルタである場合でも同様である。
【００２３】
まず水晶基板上にアルミニウムの入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極を形成したシングルバンド型のＳＴＷフィルタについて、すだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λの変化に対する頂点温度Ｔ０の変化を調べた。より詳細には、入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極のメタライズ比Ｍをともに０．５６（５６％）の一定値に固定して、入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λをともに変化させた場合におけるＳＴＷフィルタの温度特性を測定することで、規格化膜厚ｈ／λに対する頂点温度Ｔ０の特性を調べた。その実験結果を図４に示す。図４に示すように、規格化膜厚ｈ／λに対する頂点温度Ｔ０の特性は、ほぼ線形特性にあり、規格化膜厚ｈ／λの増大に対して頂点温度Ｔ０が低下している。
【００２４】
次に、水晶基板上にアルミニウムの入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極を形成したシングルバンド型のＳＴＷフィルタについて、すだれ状電極のメタライズ比Ｍの変化に対する頂点温度Ｔ０の変化を調べた。より詳細には、入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λをともに一定値に固定して、入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極のメタライズ比Ｍをともに変化させた場合におけるＳＴＷフィルタの温度特性を測定することで、メタライズ比Ｍに対する頂点温度Ｔ０の特性を調べた。その実験結果を図５に示す。図５に示すように、メタライズ比Ｍに対する頂点温度Ｔ０の特性は、ほぼ線形特性にあり、メタライズ比Ｍの増大に対して頂点温度Ｔ０が低下している。
【００２５】
図４，５に示す実験結果から、すだれ状電極の膜厚ｈを一定値に保ちながら通過周波数帯域を変化させた場合に、規格化膜厚ｈ／λの変化による頂点温度Ｔ０の変化をメタライズ比Ｍの変化により補償することができる。より具体的には、すだれ状電極の膜厚ｈが一定で通過周波数帯域が高くなると、規格化膜厚ｈ／λは大きくなるので、図４から頂点温度Ｔ０は低下する。この頂点温度Ｔ０の低下を補償するためには、図５からメタライズ比Ｍを小さく設定すればよい。
【００２６】
また、図４に示す規格化膜厚ｈ／λ−頂点温度Ｔ０特性の傾きは、約−６０／０．２８（℃／％）であり、規格化膜厚ｈ／λの変化分δ（ｈ／λ）による頂点温度Ｔ０の変化分δＴｈは、約−６０／０．２８×δ（ｈ／λ）となる。一方、図５に示すメタライズ比Ｍ−頂点温度Ｔ０特性の傾きは、約−６０／８（℃／％）であり、メタライズ比Ｍの変化分δＭによる頂点温度Ｔ０の補償分δＴＭは、約−６０／８×δＭとなる。そのため、規格化膜厚ｈ／λの変化による頂点温度Ｔ０の変化分δＴｈをより正確に補償するためには、δＴＭ＝−δＴｈ、すなわち、−６０／８×δＭ＝６０／０．２８×δ（ｈ／λ）がほぼ成立することが好ましい。したがって、規格化膜厚ｈ／λの変化分δ（ｈ／λ）に対してメタライズ比Ｍの変化分δＭを、約−８／０．２８×δ（ｈ／λ）に設定すればよい。ただし、頂点温度Ｔ０の６０℃程度の変化に対する補償の際に、±２０℃程度の誤差が生じても実用上は問題ない。そこで、頂点温度Ｔ０の変化分δＴｈに対する補償分δＴＭの許容範囲を、−８０／６０×δＴｈ≦δＴＭ≦＝−４０／６０×δＴｈとしても、実用上問題なく頂点温度Ｔ０の変化を補償することができる。
【００２７】
以上のことから、複数のＳＡＷフィルタの中における任意の２つのＳＡＷフィルタに関して、規格化膜厚差をδ（ｈ／λ）、入力側すだれ状電極のメタライズ比の差をδＭｉ、出力側すだれ状電極のメタライズ比の差をδＭｏとすると、以下の（１）式、及び（２）式に示す関係が成立することがさらに好ましい。その中でも、δＭｉ／δ（ｈ／λ）＝−２００／７、δＭｏ／δ（ｈ／λ）＝−２００／７がほぼ成立することが特に好ましい。
【００２８】
−８００／２１≦δＭｉ／δ（ｈ／λ）≦−４００／２１      （１）
−８００／２１≦δＭｏ／δ（ｈ／λ）≦−４００／２１      （２）
【００２９】
図２に示す例においては、以下の（３）式、及び（４）式に示す関係が成立するように、Ｍｉ１、Ｍｏ１、Ｍｉ２、Ｍｏ２の値を設定すればよい。
【００３０】
−８００／２１≦（Ｍｉ２−Ｍｉ１）／（ｈ／λ２−ｈ／λ１）≦−４００／２１      （３）
−８００／２１≦（Ｍｏ２−Ｍｏ１）／（ｈ／λ２−ｈ／λ１）≦−４００／２１      （４）
【００３１】
なお、図５では、入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極のメタライズ比Ｍをともに変化させた場合を説明している。ただし、メタライズ比Ｍの変化による頂点温度Ｔ０の変化については、入力側すだれ状電極と出力側すだれ状電極とでメタライズ比Ｍが異なる場合や、入力側すだれ状電極と出力側すだれ状電極のいずれか一方のメタライズ比Ｍを変化させた場合でも、ほぼ同様の現象が成立する。したがって、通過周波数帯域が高いＳＡＷフィルタほど、入力側すだれ状電極のメタライズ比Ｍｉと出力側すだれ状電極のメタライズ比Ｍｏの少なくとも一方を小さく設定することで、複数のＳＡＷフィルタ間における頂点温度Ｔ０の差を補償することができる。さらに、（１）、（２）式のいずれか一方が成立する場合でも、複数のＳＡＷフィルタ間における頂点温度Ｔ０の差を正確に補償することができる。
【００３２】
また、メタライズ比Ｍの変化による頂点温度Ｔ０の変化については、入力側すだれ状電極及び出力側すだれ状電極の材料がアルミニウム以外であっても同様の現象が成立する。さらに、温度特性が変曲点を有する特性を示す圧電性基板であれば水晶基板以外であっても同様の現象が成立する。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態においては、複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間ですだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λが異なることに起因する温度特性（頂点温度Ｔ０）の差をすだれ状電極のメタライズ比Ｍの設定により補償することができる。したがって、すべてのすだれ状電極の膜厚ｈが等しく設定されている場合でも、複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間で温度特性（頂点温度Ｔ０）をそろえることができるので、優れた温度特性を得ることができる。
【００３４】
そして、本実施形態においては、すべてのすだれ状電極の膜厚ｈが等しく設定されていることで、すだれ状電極を圧電性基板２４上に形成する工程数を減少させることができるので、マルチバンド型弾性波フィルタの生産性を向上させることができる。
【００３５】
さらに、本実施形態においては、（１）、（２）式の少なくとも一方が成立するようにすだれ状電極のメタライズ比Ｍを設定することで、複数のＳＡＷフィルタ１０，３０間における温度特性（頂点温度Ｔ０）の差をより正確に補償することができるので、より優れた温度特性を得ることができる。
【００３６】
以上の本実施形態の説明においては、２つのＳＡＷフィルタを並列に備え、通過周波数帯域が２つであるマルチバンド型弾性波フィルタの場合について説明した。ただし、本発明は、３つ以上のＳＡＷフィルタを並列に備え、通過周波数帯域が３つ以上であるマルチバンド型弾性波フィルタの場合についても適用可能である。
【００３７】
また、以上の本実施形態の説明においては、各々が異なる通過周波数帯域を有する複数の弾性波フィルタとして、圧電性基板２４の表面を伝搬するＳＡＷ（レイリー波）を利用するＳＡＷフィルタ１０，３０を備えた場合について説明した。ただし、本実施形態においては、ＳＡＷフィルタ１０，３０の代わりに、圧電性基板２４の表面近傍を伝搬するＳＴＷ（バルク波）を利用するＳＴＷフィルタを備えることもできる。弾性波フィルタとしてＳＴＷフィルタを用いた場合でも、複数のＳＴＷフィルタ間ですだれ状電極の規格化膜厚ｈ／λが異なることに起因する温度特性（頂点温度Ｔ０）の差をすだれ状電極のメタライズ比Ｍの設定により補償することができる。
【００３８】
以上、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明はこうした実施形態に何等限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、種々なる形態で実施し得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態に係るマルチバンド型弾性波フィルタの構成の概略を示す平面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るマルチバンド型弾性波フィルタの構成の概略を示す断面図である。
【図３】シングルバンド型のＳＡＷフィルタを水晶基板上に構成した場合の温度特性の一例を示す図である。
【図４】シングルバンド型のＳＴＷフィルタについて、メタライズ比を固定して規格化膜厚を変化させた場合における温度特性の頂点温度の実験結果を示す図である。
【図５】シングルバンド型のＳＴＷフィルタについて、規格化膜厚を固定してメタライズ比を変化させた場合における温度特性の頂点温度の実験結果を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０，３０  ＳＡＷフィルタ、１２，１４，３２，３４  入力側すだれ状電極、１６，１８，３６，３８  出力側すだれ状電極、２４  圧電性基板。
【図１】
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【図２】
2006148372.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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