(57)【要約】【課題】基板の処理対象面に部材を接触させることなく基板を部分的に処理する方式を改良し、例えば、処理の均一性を向上させ、及び／又は、基板への異物の付着問題を軽減する。【解決手段】基板処理装置１００は、第１面１２及び第２面１４を有する基板１０を液体１４５で処理する。基板処理装置１００は、基板１０の第２面１４と接触して基板１０を保持する基板保持部１６０と、基板１０の第１面１２の処理対象領域１２ａに液体１４５を接触させ、基板１０の第１面１２の非処理対象領域１２ｂに気体１３０を接触させるように液体１４５及び気体１３０を保持して処理対象領域１２ａと非処理対象領域１２ｂとを区切る区切り部１２０とを備える。区切り部１２０は、基板１０の少なくとも第１面１２に接触しないように配置され、液体１４５をその周囲を取り囲んで保持する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を有する基板を液体で処理する基板処理装置であって、
前記基板の前記第２面と接触して前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板の前記第１面の処理対象領域に前記液体を接触させ、前記基板の前記第１面の非処理対象領域に気体を接触させるように前記液体及び前記気体を保持して前記処理対象領域と前記非処理対象領域とを区切る区切り部とを備え、
前記区切り部は、前記基板の少なくとも前記第１面に接触しないように配置され、前記液体をその周囲を取り囲んで保持することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
対向して配置された第１及び第２電極を更に備え、前記基板は、前記基板保持部によって前記第１電極と前記第２電極との間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記区切り部と前記基板との最小間隔よりも遠い位置に、前記基板の前記第１面に対向するように配置されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記区切り部が前記液体の周囲を取り囲む部分は、前記区切り部と前記基板との最小間隔よりも深いことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記非処理対象領域に前記気体を供給する気体供給部を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記気体供給部は、前記非処理対象領域に供給する気体の圧力を調整する圧力調整部を含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記区切り部は、前記液体と前記気体との界面が前記区切り部の端部又はその近傍に位置するように前記液体及び前記気体を保持することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
第１面及び第２面を有する基板を液体で処理する基板処理方法であって、
前記基板の前記第２面に基板保持部が接触した状態で前記基板保持部によって前記基板を保持する工程と、
前記基板の前記第１面の処理対象領域に前記液体を接触させ、前記基板の前記第１面の非処理対象領域に気体を接触させるように前記液体及び前記気体を区切り部によって保持して前記処理対象領域と前記非処理対象領域とを区切る工程と、
前記液体によって前記処理対象領域を処理する工程と、
を含み、前記区切り部を、前記基板の少なくとも前記第１面に接触しないように、かつ、前記液体をその周囲を取り囲んで保持するように配置することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を部分的に液体で処理する基板処理装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板表面のうち一部を処理対象領域とし他の部分を非処理対象領域として処理したいとの要求がある。例えば、陽極化成による多孔質層の形成に関して、基板の非処理対象領域に予め酸化膜、窒化膜又はレジスト膜を形成した後に陽極化成を行う方法がある（非特許文献１）。
【０００３】
しかし、処理の終了後に保護膜を如何にして除去するかが問題である。レジスト膜を塗布する方法においては、アセトン又は加熱硫酸系溶液のような剥離液中で残留レジストを除去する方法が使用されうるが、多孔質層の孔内にこれらの剥離液が残留し、後の熱処理プロセスで蒸発する。その際に蒸発物がチャンバーを腐食する問題や、基体表面に付着して異物数を増加させる問題などを引き起こす。
【０００４】
最も簡便な方法は、Ｏリング等のシール部材を用いて処理対象領域と非処理対象領域とを区切る方法であるが、このような方法では、シール部材が基板に接触することによって基板に異物が付着しうる。特に、前述のような陽極化成による多孔質層、或いは、めっき層については、異物を除去するための強力な洗浄方法を適用することができない。これは、洗浄によって、多孔質層やめっき層が破損する可能性があるからである。よって、シール部材の接触によって付着した異物は、除去されることがないまま次のプロセスへ持ち込まれてしまう。また、シール部材の接触自体によって基板が損傷を受ける可能性もある。
【０００５】
更に、シール部材を利用する方法では、シールが弱い場合に、毛細管現象によって処理液が非処理対象領域に進入することがある。半導体基板の大型化や液晶パネルの大判化に伴って、シールすべき領域も大きくなるなり、シール不良の問題は一層顕在化する。また、Ｏリング等のシール部材は、処理を繰り返すことによって、磨耗や化学変化のためにその機能が低下する。
特許文献１には、ウエハの処理対象領域にマスクを対向配置し、毛管作用力によって処理対象領域とマスクとの間隙に処理液を供給し、この処理液によって処理対象領域を処理する方法が開示されている。この方法は、基板への異物の付着の問題や基板の損傷の問題の一つの解決策を提供する。
【非特許文献１】Ｖｏｌｋｅｒ  Ｌｅｈｍａｎｎ，  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ，  ＷＩＬＥＹ−ＶＣＨ，  Ｇｅｒｍａｎｙ，  ２００２，  ｐ．ｐ．１０７−１０８．
【特許文献１】特開２００２−２４６３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載された方法は、毛管作用力を利用して処理対象領域とマスクとの間隙に処理液を供給するために、必然的に、その間隙を十分に小さくする必要があり、処理中における処理液の劣化を引き起こす。また、このような小さな間隙は、処理液を循環させることを困難にし、処理対象領域の均一な処理に不向きである。更に、この方法を洗浄に適用した場合には、洗浄によって除去された異物が基板に再付着する可能性が高い。そのため、特許文献１に記載された方法の現実的な用途は、コーティングの除去等の単純なものに限定されると考えられる。
【０００７】
本発明は、上記の課題認識を基礎としてなされたものであり、基板の処理対象面に部材を接触させることなく基板を部分的に処理する方式を改良し、例えば、処理の均一性を向上させ、及び／又は、基板への異物の付着問題を軽減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板処理装置は、第１面及び第２面を有する基板を液体で処理する基板処理装置として構成され、前記基板の前記第２面と接触して前記基板を保持する基板保持部と、前記基板の前記第１面の処理対象領域に前記液体を接触させ、前記基板の前記第１面の非処理対象領域に気体を接触させるように前記液体及び前記気体を保持して前記処理対象領域と前記非処理対象領域とを区切る区切り部とを備え、前記区切り部は、前記基板の少なくとも前記第１面に接触しないように配置され、前記液体をその周囲を取り囲んで保持する。
【０００９】
本発明の好適な実施形態によれば、前記基板処理装置は、対向して配置された第１及び第２電極を更に備えることができ、前記基板は、前記基板保持部によって前記第１電極と前記第２電極との間に配置されうる。
【００１０】
本発明の好適な実施形態によれば、前記第１電極は、前記区切り部と前記基板との最小間隔よりも遠い位置に、前記基板の前記第１面に対向するように配置されうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記区切り部が前記液体の周囲を取り囲む部分は、前記区切り部と前記基板との最小間隔よりも深いことが好ましい。
【００１１】
本発明の好適な実施形態によれば、前記基板処理装置は、前記非処理対象領域に前記気体を供給する気体供給部を更に備えうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記気体供給部は、前記非処理対象領域に供給する気体の圧力を調整する圧力調整部を含みうる。
本発明の好適な実施形態によれば、前記区切り部は、前記液体と前記気体との界面が前記区切り部の端部又はその近傍に位置するように前記液体及び前記気体を保持することが好ましい。
【００１２】
本発明の基板処理方法は、第１面及び第２面を有する基板を液体で処理する方法であって、前記基板の前記第２面に基板保持部が接触した状態で前記基板保持部によって前記基板を保持する工程と、前記基板の前記第１面の処理対象領域に前記液体を接触させ、前記基板の前記第１面の非処理対象領域に気体を接触させるように前記液体及び前記気体を区切り部によって保持して前記処理対象領域と前記非処理対象領域とを区切る工程と、前記液体によって前記処理対象領域を処理する工程とを含み、前記区切り部は、前記基板の少なくとも前記第１面に接触しないように、かつ、前記液体をその周囲を取り囲んで保持するように配置される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板の処理対象面に部材を接触させることなく基板を部分的に処理する方式が改良され、例えば、処理の均一性を向上させ、及び／又は、基板への異物の付着問題を軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１５】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１の好適な実施形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。図２は、図１の一部を拡大した図である。図１及び図２に示す基板処理装置１００は、第１面１２及び第２面１４を有する基板（例えば、ウエハ）１０を液体で処理する装置として構成されている。基板１０は、第１面１２に処理対象領域１２ａと非処理対象領域１２ｂを有する。この実施形態では、非処理対象領域１２ｂは、基板１０の周辺領域として規定され、処理対象領域１２ａは、非処理対象領域１２ｂの内側領域として規定されている。
基板１０は、基板保持部１６０により保持される。より具体的には、基板保持部１６０は、基板１０をその第２面１４の全部又は一部（図示の例では、一部）と接触した状態で保持する。基板保持部１６０は、例えば、環状の吸着部１６６を有する。吸着部１６６は、例えば、吸着溝１６６ａを有し、吸引孔１６８及び吸引管１７０を通して不図示の減圧機構により吸着溝１６６ａ内が減圧されることにより基板１０を吸着する。
【００１６】
基板処理装置１００は、基板１０の第１面１２に固体部材を接触させることなく、処理対象領域１２ａと非処理対象領域１２ｂとを区切り、処理対象領域１２ａのみを液体１４５で処理する。具体的には、基板処理装置１００は、基板１０の処理対象領域１２ａに液体１４５を接触させ、基板１０の非処理対象領域１２ｂに気体１３０を接触させるように液体１４５及び気体１３０を保持して処理対象領域１２ａと非処理対象領域１２ｂとを液体１４５と気体１３０との境界によって区切る区切り部１２０を備えている。基板１０の処理対象領域１２ａに液体１４５を接触させることにより、処理対象領域１２ａのみが液体１４５によって処理される。液体１４５と気体１３０との界面Ｂは、区切り部材１２０の気体空間定義面１２０ｂの端部又はその近傍に形成されうる。
区切り部１２０は、基板１０の少なくとも第１面１２に接触しないように配置される。図１に示す例では、区切り部１２０は、基板１０のいずれの部分とも接触しないように配置されている。区切り部１２０は、液体１４５の周囲を取り囲むようにして液体１４５を保持する。区切り部１２０が液体１４５の周囲を取り囲む部分の深さＤは、区切り部１２０（図１では、気体空間定義部１２０ｂ）と基板１０との最小間隔ｄよりも深い。このような区切り部１２０によって液体１４５を保持することにより、特許文献１に記載されたような毛管作用力を利用して液体を保持する構成に比べて、より多くの液体を処理対象領域１２ａの処理のために利用することができる。したがって、処理対象領域１２ａの処理中における液体１４５の劣化を抑え、及び／又は、液体１４５を循環させることを容易にすることができる。したがって、このような構成は、処理対象領域１２ａの均一な処理に有利である。また、例えば、処理対象領域１２ａを洗浄する場合において、洗浄によって処理対象領域１２ａから除去された異物が処理対象領域１２ａに再付着する可能性を低減することができる。
基板処理装置１００は、更に、対向して配置された第１電極１１０及び第２電極１６２を備えることができる。基板１０は、基板保持部１６０によって、第１電極１１０と第２電極１６２との間に配置されうる。第１電極１１０及び第２電極１６２は、電源１８０に接続され、これにより、基板１０を通る電流経路が形成されうる。基板１０の第１面１２を陽極化成する場合には、第１電極１１０が陰極、第２電極１６２が陽極となるように第１電極１１０及び第２電極１６２が電源１８０に接続されうる。基板１０の第１面１２をめっきする場合には、第１電極１１０が陽極、第２電極１６２が陰極となるように第１電極１１０及び第２電極１６２が電源１８０に接続されうる。
第１電極１１０は、区切り部１２０と基板１０との最小間隔ｄよりも遠い位置に基板１０の第１面１２に対向するように配置される。ここで、図１に示す構成例では、第１電極１１０は、基板１０から距離Ｄ（Ｄ＞ｄ）を隔てた位置に配置されている。
第１電極１１０及び区切り部１２０を含む第１構造体（上部構造体）と、第２電極１６２及び保持部１６０を含む第２構造体（下部構造体）とは、１又は複数のシール部材（例えば、Ｏリング）１５０を介して接続されうる。
【００１７】
基板１０の処理対象領域１２ａに接触させるべき液体１４５は、その周囲が区切り部１２０の液体空間定義部１２０ａによって取り囲まれる。したがって、区切り部１２０は、液体１４５を保持する槽としも機能する。基板１０の非処理対象領域１２ｂには、区切り部１２０の気体空間定義部１２０ｂが対向している。ここで、区切り部１２０が液体を保持する空間を液体空間、区切り部１２０が気体１３０を保持する空間を気体空間と呼ぶことにする。
液体空間を含む循環経路を通して液体１４５を循環させることにより、基板１０の処理対象領域１２ａに常に新鮮な液体１４５を提供し、また、反応性生物（例えば、気体）を除去することができるため、処理対象領域１２ａをより均一に処理することができる。図１に示す構成例では、タンク１４０内の液体がポンプ１４２によって送液管１３６及び注入口１３２を通して液体空間内に供給され、液体空間内の液体１４５は、排出口１３４及び送液管１３８を通してタンク１４０に戻る。なお、このようにして構成される循環経路にフィルタを配置してもよい。
気体空間には、レギュレータ１２６、給気管１２４、気体流路１２２を通して圧力源１２８から気体が供給される。処理対象領域１２ａを覆う液体１４５と非処理対象領域１２ｂを覆う気体１３０とは、平衡状態において、処理対象領域１２ａ及び非処理対象領域１２ｂを区切る。液体１４５と気体１３０との界面Ｂは、区切り部材１２０の気体空間定義面１２０ｂの端部又はその近傍に形成されうる。ここで、液体１４５の圧力及び表面張力と気体１３０の圧力とがそれらの境界Ｂが概ね気体空間定義面１２０ｂの端部に位置するように調整することにより、液体１４５及び気体１３０の各圧力が僅かに変動した場合においても、境界Ｂが気体空間定義面１２０ｂの端部又はその近傍に維持される。これは、このような端部は、液体が部材に対する接触角を自由に変えることができる特異点であり、水圧やガス圧の変動に対して界面が破壊されにくい安定点であるためである。
【００１８】
基板１０の第２面１４は、基板保持部１６０によって構成されうる槽内の液体１６５を通して第２電極１６２に電気的に接続されうる。或いは、基板１０の第２面１４は、直接第２電極１６２に電気的に接続されてよい。
以下、基板処理装置１００の具体的な構成例を説明する。基板保持部１６０は、例えば、樹脂で構成されうる。また、基板保持部１６０は、例えば、直径が２００ｍｍのウエハ（例えば、シリコンウエハ）を保持するように構成されうる。典型的には、基板１０は、その面を水平にして保持され処理されうる。基板保持部１６０は、吸着部１６６により基板１０の第２面１４を真空吸着することにより基板１０を保持しうる。
【００１９】
区切り部１２０は、例えば、樹脂で構成されうる。区切り部１２０と基板保持部１６０とは、例えば、Ｏリング等のシール部材１５０を介して接続されうる。区切り部１２０は、液体空間として円形の空間を定義し、その上方において円形の第１電極１１０を保持しうる。典型的には、第１電極１１０の中心は、基板１０の中心と一致し、第１電極１１０の直径は、例えば、１８０ｍｍとすることができる。
例えば、処理対象領域１２ａを基板１０の中心に調心された半径９０ｍｍの円内の領域とし、非処理対象領域１２ｂを処理対象領域１２ａの外側の領域、すなわち、半径が９０〜１００ｍｍの領域とすることができる。
区切り部１２０が気体空間を定義する気体空間定義部１２０ｂと基板１０の第１面１２との距離ｄは、１ｍｍ以下であることが好ましく、０．２ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２０】
以下、基板処理装置１００によってシリコン基板１０の第１面１２の処理対象領域１２ａを陽極化成し多孔質層を形成する例を説明する。
【００２１】
陰極として使用する第１電極１１０は、化成液に耐性のある物質、例えば、金又は白金で構成されることが好ましい。基板１０と陰極１１０との間の間隔Ｄは、例えば、２０ｍｍとすることができる。
陽極として使用する第２電極１６２は、導電性を有する部材であればよいが、水素よりもイオン化ポテンシャルの高い材料を選択することが好ましい。なお、陽極は、基板１０の第２面１４に接触するように配置されてもよい。
【００２２】
区切り部１２０及び基板保持部１６０は、化成液に耐性のある材料、例えば、テフロン（登録商標）やポリプロピレンで構成されうる。
【００２３】
まず、基板保持部１６０にシリコン基板１０を保持させ、基板１０の第２面側に導電液（電解液）１６５を注入する。
【００２４】
次いで、レギュレータ１２６を通して気体空間に気体１３０を供給する。気体１３０の圧力は、例えば、０．３ＫＰａとすることができる。気体とは、基板１０、化成液１４５、１６５、区切り部１２０等に対して不活性な気体、例えば、窒素が選択される。
【００２５】
次いで、基板１０の第１面１２側の液体空間に化成液１４５を注入する。この際、化成液１４５に作用する圧力及び表面張力、気体１２２の圧力が平衡する位置に化成液１４５と気体１３０との界面Ｂが形成される。化成液１４５と気体１３０との界面は、気体空間定義面１２０ｂの端部又はその近傍に形成されることが好ましい。
【００２６】
次いで、第１電極１１０を陰極、第２電極１６２を陽極とするように、第１電極１１０及び第２電極１６２と電源１８０とを接続し、基板１０の処理対象領域１２ａの陽極化成を実施し、該領域１２ａを多孔質化する。
条件は、例えば次のようにすることができる。
【００２７】
基板（１０）；  Ｐ＋基板、比抵抗：１６ｍΩ・ｃｍ
化成液（１４５）；  ＨＦ:ＩＰＡ ＝ ４２．５:９．２（ｗｔ．％）
化成液深（Ｄ）；  ２０ｍｍ
電流条件；  ５．１２Ａ×２１０秒
半導体基板、化成液、電流条件は、必要とする多孔質層の構造に応じて自由に設定することができる。また、処理中に化成液を循環させて、基板表面から発生する泡を除去しても良い。
【００２８】
以上の処理により、基板１０の中心から半径９０ｍｍ内の領域には１０μｍの化成層が存在し、半径９０〜１００ｍｍの周辺領域には化成層が存在しない基板を得ることができる。
【００２９】
なお、基板処理装置１００は、陽極化成のほか、めっき、電界酸化、洗浄等にも使用しうる。洗浄においては、一般には、電極は不要である。
【００３０】
以上のように、処理対象領域１２ａに液体１４５を接触させ、非処理対象領域１２ｂに気体１３０を接触させるように液体１４５及び気体１３０を保持して液体１４５と気体１３０との境界Ｂにより処理対象領域１２ａと非処理対象領域１２ｂとを区切ることにより、基板への異物の付着や基板の損傷の問題を解決することができる。また、区切り部１２０が液体の周囲を取り囲んで保持する構造によれば、処理対象領域への新鮮な液体の供給が容易になるほか、反応生成物や異物が処理対象領域の付近に滞留することを防止することができ、処理対象領域を高い均一性で処理することができる。
［第２実施形態］
図３は、本発明の第２の好適な実施形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。図３に示す基板処理装置２００は、第１面１２及び第２面１４を有する基板（例えば、ウエハ）１０を液体で処理する装置として構成されている。基板１０は、第１面１２に処理対象領域１２ｃと非処理対象領域１２ｄを有する。この実施形態では、処理対象領域１２ｃは、基板１０の周辺領域として規定され、非処理対象領域１２ｄは、処理対象領域１２ｃの内側領域として規定されている。
基板処理装置２００は、基板保持部２１０を有し、基板保持部２１０は、例えば、環状の吸着部１６６を含み、吸着部１６６によって基板１０の第２面を吸着して基板１０を保持する。基板保持部２１０は、シール部材１５０を介して槽壁部材２５０と接続され、これにより槽構造が形成される。
【００３１】
基板処理装置２００は、更に、基板１０の処理対象領域１２ｃに液体１４５を接触させ、基板１０の非処理対象領域１２ｄに気体１３０を接触させるように液体１４５及び気体１３０を保持して処理対象領域１２ｃと非処理対象領域１２ｄとを区切る区切り部２２０を備えている。基板１０の処理対象領域１２ｃに液体１４５を接触させることにより、処理対象領域１２ｃのみが液体１４５によって処理される。
【００３２】
区切り部２２０は、基板１０の少なくとも第１面１２に接触しないように配置される。図３に示す例では、区切り部２２０は、基板１０のいずれの部分とも接触しないように配置されている。区切り部２２０は、液体１４５の周囲を取り囲むようにして液体１４５を保持する。区切り部２２０が液体１４５の周囲を取り囲む部分の深さＤは、区切り部１２０と基板１０との最小間隔ｄよりも深い。このような区切り部２２０によって液体１４５を保持することにより、特許文献１に記載されたような毛管作用力を利用して液体を保持する構成に比べて、より多くの液体を処理対象領域１２ｃの処理のために利用することができる。したがって、処理対象領域１２ｃの処理中における液体１４５の劣化を抑え、及び／又は、液体１４５を循環させることを容易にすることができる。したがって、このような構成は、処理対象領域１２ｃの均一な処理に有利である。また、例えば、処理対象領域１２ｃを洗浄する場合には、洗浄によって処理対象領域１２ｃから除去された異物が処理対象領域１２ａに再付着する可能性を低減することができる。
基板処理装置２００は、更に、対向して配置された第１電極２３０及び第２電極２４０を備えることができる。基板１０は、基板保持部２１０によって、第１電極２３０と第２電極２４０との間に配置されうる。第１電極２３０及び第２電極２４０は、電源１８０に接続され、これにより、基板１０を通る電流経路が形成されうる。基板１０の第１面１２を陽極化成する場合には、第１電極２３０が陰極、第２電極２４０が陽極となるように第１電極２３０及び第２電極２４０に電源１８０が接続されうる。基板１０の第１面１２をめっきする場合には、第１電極２３０が陽極、第２電極２４０が陰極となるように第１電極２３０及び第２電極２４０に電源１８０が接続されうる。
第１電極２３０は、区切り部２２０と基板１０との最小間隔ｄよりも遠い位置に基板１０の第１面１２に対向するように配置される。ここで、図３に示す構成例では、第１電極２３０は、基板１０から距離Ｄ（Ｄ＞ｄ）を隔てた位置に配置されている。
［第３実施形態］
この実施形態は、第１実施形態に係る基板処理装置１００と第２実施形態に係る基板処理装置２００とを利用して、周辺領域とその内側領域とに互いに異なる構造の多孔質層を形成する方法を提供する。
【００３３】
まず、第１工程において、図１に示す基板処理装置１００を使用して、基板１０の周辺領域を非処理対象領域１２ｂ、その内側を処理対象領域１２ａとして、処理対象領域１２ａを陽極化成して、多孔質層３０２を形成する。次いで、第２工程において、図３に示す基板処理装置２００を使用して、基板１０の周辺領域を処理対象領域１２ｃ、その内側を非処理対象領域１２ｄとして、処理対象領域１２ｃを陽極化成して、多孔質層３０３を形成する。ここで、第１工程と第２工程とでは、陽極化成の条件（例えば、化成液条件、電流条件）を変更する。
【００３４】
これにより、図４に例示的に示すように、周辺領域に第１多孔質層３０３を有し、その内側に、第１多孔質層３０３と構造が異なる第２多孔質層３０２を有する基板が得られる。
【００３５】
なお、上記の第２工程を先に実施し、次いで、第１工程を実施してもよい。また、多孔質層３０２と多孔質層３０３との間に、非多孔質層を残してもよい。
【００３６】
［第４実施形態］
この実施形態は、薄膜チップの製造方法を提供する。図５は、本発明の第４実施形態としての薄膜チップの製造方法を示す図である。まず、図５（ａ）に示す工程において、基板（例えば、シリコン基板）５０１の表面に多孔質層５０２を形成し、多孔質層５０２の上に半導体層（例えば、エピタキシャルシリコン層）５０３を形成し、更に、半導体層５０３を活性層として複数の集積回路５０４を形成する。
【００３７】
図５（ｂ）に示す工程では、基板処理装置６００を使って、半導体層５０３を局所的に陽極化成し、複数の集積回路５０４を個々の集積回路に分離するための多孔質層５０５を形成する。まず、基板処理装置６００の陰極側構造部６５０を半導体層５０３に接触させることなく、半導体層５０３に接近させる。また、基板処理装置６００の陽極側構造部６６０を基板５０１の裏面に接触させる。
【００３８】
陰極側構造部６５０は、半導体層５０３の非処理対象領域に不活性気体を供給する気体供給部６１０と、半導体層５０３の処理対象領域に化成液を供給する液体供給部６２０とを有する。気体供給部６１０と液体供給部６２０とは、区切り部６１５によって区切られている。陰極側構造部６５０は、更に、処理対象領域を陽極化成するための陰極６２０を有する。陽極側構造部６６０は、陽極６７０を有する。
【００３９】
陰極側構造部６５０及び陽極側構造部６６０を配置した後、気体供給部６１０から不活性気体を半導体層５０３の非処理対象領域（集積回路５０４を含む部分）に供給するとともに液体供給部６２０から化成液を半導体層５０３の処理対象領域（集積回路５０４と集積回路５０４との間の分離用の領域）に供給することにより、非処理対象領域と処理対象領域とを区切る。更に、陰極６３０と陽極６７０とを通して半導体層５０３を含む基板に電流を流すことにより処理対象領域を陽極化成し多孔質領域５０５を形成する。
図５（ｃ）に示す工程では、多孔質層５０２及び多孔質領域５０５を利用して基板から個々の集積回路５０４を分離して薄膜チップ５１０を得る。この分離は、多孔質層５０２及び多孔質領域５０５をエッチングする方法、多孔質層５０２及び多孔質領域５０５に流体の圧力を利用して破壊する方法、基板に応力を印加する方法等によって実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の好適な実施形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１の一部を拡大した図である。
【図３】本発明の第２の好適な実施形態の基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図４】本発明の第２の好適な実施形態で得られる基板の一例を模式的に示す図である。
【図５】本発明の第４実施形態としての薄膜チップの製造方法を示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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