(57)【要約】【課題】  有機電界発光表示装置の製造方法に関する。【解決手段】  ドナー基板のベース基板を準備する段階と、該ベース基板上に光熱変換層を形成する段階と、該光熱変換層上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層の表面を処理して粗さを増加させる段階と、前記表面処理されたバッファ層上に転写層を形成する段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。【選択図】  図１Ｂ
2006066368.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー基板としてベース基板を備える段階と、
該ベース基板上に光熱変換層を形成する段階と、
該光熱変換層上にバッファ層を形成する段階と、
該バッファ層の表面を処理して粗さを増加させる段階と、
該表面処理されたバッファ上に転写層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記バッファ層の表面を処理する段階は、酸素を含むイオンまたはラジカル系列の気体で表面処理をすることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ベース基板は、柔軟性のあるフィルムまたは堅い材質の基板であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記ドナー基板の転写層は、有機電界発光素子の発光層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ドナー基板の転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、及び電子注入層からなる一群から選択された、少なくとも一つの層をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置の製造方法に関するもので、さらに詳しく説明すると、表面処理されたバッファ層を含むドナー基板を用いて製造する有機電界発光表示装置の製造方法（Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ  ｍｅｔｈｏｄ  ｏｆ  ｄｏｎｏｒ  ｄｅｖｉｃｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の中で有機電界発光表示装置は、応答速度が１ｍｓ以下の高速な応答速度を有し、消費電力も小さくて、自体発光であるから視野角も広く、装置の大きさに関係なく動画像の表示媒体としてのメリットを有している。また、低温作製が可能であり、既存の半導体工程技術を基として製造工程が簡単であるため、今後の次世代の平板表示装置としても注目を浴びている。
【０００３】
前記有機電界発光表示装置は、有機電界発光素子として用いられる材料と工程によって、湿式工程を用いる高分子型素子と、蒸着工程を用いる低分子型素子とに大きく分けられている。前記発光層を形成する物質が低分子物質である場合は、シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ  ｍａｓｋ）を用いてそれぞれの発光層を真空蒸着し、前記発光層が高分子物質である場合は、インクジェットプリンティング（ｉｎｋ−ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）を用いてそれぞれの発光層を形成する。しかしながら、前記シャドーマスクを用いた蒸着法は、大型基板に適用するのが難しい点もあり、前記インクジェットプリンティングは湿式工程であるため、下部層を形成する材料が制限され、基板上にバンク構造を必ず形成しなければならないと言う弱点がある。
【０００４】
前述のような発光層のパターニングの方法を代替できる技術として、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ：Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ）が、最近開発されている。
【０００５】
レーザ熱転写法とは、光源から出るレーザを用いてパターン形成物質を対象基板へ転写させてパターンを形成する方法であって、このような方法のためには転写層が形成されたドナー基板と、光源、アクセプタの基板が必要とされる。
【０００６】
前記ドナー基板は、ベース基板、光熱変換層、転写層を備える。前記ドナー基板を用いた転写工程では、前記ベース基板の所定の領域にレーザが照射され、該レーザは前記光熱変換層で熱に変換する。該熱は前記転写層と前記光熱変換層との間の接着力を変換させて前記転写層をアクセプタ基板上に転写することになる。
【０００７】
従って、前記ドナー基板において、ドナー基板と転写層との間の接着特性は最も重要であり、該転写層と該光熱変換層との間の接着力によっては、前記アクセプタ基板上への転写過程中に不良が発生する場合がある。        
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする技術的課題は、転写層と光熱変換層との間にバッファ層を介在し、介在されたバッファ層の表面を処理することで、ドナー基板と転写層との間の接着特性を向上させ、有機電界発光表示装置のパターニング特性を改善させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記技術的課題を解決するために本発明は、ドナー基板としてベース基板を準備する段階と、該ベース基板上に光熱変換層を形成する段階と、該光熱変換層上にバッファ層を形成する段階と、前記バッファ層の表面を処理し粗さを増加させる段階と、前記表面処理されたバッファ層上に転写層を形成する段階と、を含む有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【００１０】
前記バッファ層の表面を処理する段階は、酸素を含むイオンまたはラジカル系列の気体で表面処理しても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るドナー基板の製造方法は、表面処理されたバッファ層を転写層と光熱変換層との間に介在させることによって、該転写層と該熱変換層との間の接着特性が向上されたドナー基板を形成することができるメリットがある。
【００１２】
また、前記ドナー基板を用いることによって、有機電界発光表示装置の製造方法のパターニング工程が改善できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付した図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳しく説明する。次に紹介する実施形態は、当業者に本発明の思想が充分に伝達されるようにするための例として提供されるものである。従って、本発明は、以下に説明される実施形態に限定されず、他の形態で具体化されることもある。そして、図面において、層及び領域の長さ、厚さなどは便宜上誇張されて表現されたものである。明細書全体において同一の参照番号は同一の構成要素を表す。
【００１４】
図１Ａ及び図１Ｂは、本発明の実施形態に係るレーザ転写用ドナー基板の製造方法を示すものである。
【００１５】
図のように、ベース基板１００を備える。
【００１６】
該ベース基板１００は、プラスティックフィルムのような柔軟性のある基板またはガラス基板のような堅い基板であっても良い。
【００１７】
前記ベース基板１００上に光熱変換層１２０を形成する。
【００１８】
前記光熱変換層１２０を形成する前に、前記ベース基板１００上にプライマー層（ｐｒｉｍｅｒ  ｌａｙｅｒ、１１０）を形成することもできる。
【００１９】
前記プライマー層１１０は、前記ベース基板１００と光熱変換層１２０との接着力の向上のために用いるのが好ましい。また、前記プライマー層１１０は、ベース基板の表面を処理する役割をし、光熱変換層１２０を形成する際、均一度を向上するのに役に立つ。
【００２０】
前記光熱変換層１２０は、赤外線−可視光線領域の光を吸収する性質を有する光吸収性物質で形成する。また、前記光熱変換層１２０は、レーザ光の吸収物質が含まれている有機膜、金属、及びこれらの複合層のうち、一つからなる。
【００２１】
前記光熱変換層１２０は、前記レーザ照射装置から照射されたレーザを熱エネルギーに変換させる役割を実行する。そして、前記熱エネルギーは、前記転写層１４０と前記光熱変換層１２０との間の接着力を変化させる。これにより、前記転写層１４０は、前記レーザが照射された領域が、被写体である基板上に転写され、パターニングがなされる。
【００２２】
前記光熱変換層１２０上にバッファ層１３０を形成する。該バッファ層１３０は、転写物質の損傷を防ぎ、前記転写層１４０と前記ドナー基板との接着力を効果的に調節するために形成される。
【００２３】
前記バッファ層１３０は、ポリマー、金属または金属酸化物である有機物、または無機物で形成できる。
【００２４】
前記形成されたバッファ層１３０上に表面処理を実施する。前記バッファ層の表面を処理するには、酸素を含むイオンまたはラジカル系列の気体２００で表面処理しても良い。
【００２５】
図２Ａは、バッファ層が形成した後の表面を示す写真であり、図２Ｂは本発明の実施形態に係るバッファ層の表面処理した後の表面を示す写真である。
【００２６】
図２Ａと図２Ｂとを比べると、前記表面処理後のバッファ層の表面粗さは増加したことがわかる。
【００２７】
従って、前記転写層と前記光熱変換層との間に介在されたバッファ層を表面処理することによって、ドナー基板と転写層との間の接着特性が向上される。
【００２８】
図１Ｂを参照すると、前記表面処理されたバッファ層１３０上に転写層１４０を形成する。
【００２９】
前記ドナー基板の転写層１４０は、有機電界発光素子の発光層であっても良い。
【００３０】
また、前記ドナー基板の転写層１４０は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層及び電子注入層からなる一群から選択された、少なくとも一つの層をさらに含むことができる。
【００３１】
図３は、前記ドナー基板を用いてレーザ熱転写法を実行することを示す有機電界発光表示装置の単位画素に対する断面図である。
【００３２】
図を参照すると、薄膜トランジスタ及び画素電極２９０が形成された基板上に前記の製造過程を経たドナー基板１５０が位置する。
【００３３】
詳しく説明すると、基板２１０上に半導体層２３０、ゲート電極２５０、ソース電極２７０ａ及びドレイン電極２７０ｂからなる薄膜トランジスタが形成されていて、該薄膜トランジスタの前記ソース電極２７０ａまたは前記ドレイン電極２７０ｂと接続され、画素定義膜２９５によって露出された画素電極２９０が形成されている。
【００３４】
前記ドナー基板１５０上に、レーザ６００転写工程を実施すると、前記露出された画素電極２９０上に転写層１４０ａが転写されることによって、発光層がパターニングされる。
【００３５】
前記パターニング過程を経た後、対向電極を形成することによって有機電界発光表示素子は完成される。
【００３６】
上述では、本発明の好ましい実施の形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しなし範囲で、本発明を多様に修正及び変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１Ａ】本発明の実施形態に係るレーザ転写用ドナー基板の製造方法を示す図である。
【図１Ｂ】本発明の実施形態に係るレーザ転写用ドナー基板の製造方法を示す図である。
【図２Ａ】バッファ層を形成した後の表面を示す写真である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態に係るバッファ層の表面処理した後の表面を示す写真である。
【図３】前記ドナー基板を用いてレーザ熱転写法を実行する状態を示す有機電界発光表示装置の単位画素に対する断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１００  ベース基板
１１０  プライマー層
１２０  光熱変換層
１３０  バッファ層
１４０  転写層
２００  ラジカル系列気体
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
2006066368.tif 000004
【図２Ａ】
2006066368.tif 000005
【図２Ｂ】
2006066368.tif 000006
【図３】
2006066368.tif 000007