(57)【要約】【課題】  パネルに接触するスペーサの面積を領域別に異ならせ，パネルに加えられる外力をパネル全体に均一に分布させることが可能となる。【解決手段】  少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板１００と，上記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板２００と，上記電子放出基板と上記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサ３３０と，を含み，中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，単位面積当たりの上記スペーサの設置面積が増加することを特徴とする，電子放出表示装置が提供される。【選択図】    図３Ｂ
2006156336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と；
前記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と；
前記電子放出基板と前記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと；
を含み，
中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，単位面積当たりの前記スペーサの設置面積が増加することを特徴とする，電子放出表示装置。
【請求項２】
単位面積当たりの前記スペーサの設置面積は，中心領域から周辺領域へ放射状に増加することを特徴とする，請求項１に記載の電子放出表示装置。
【請求項３】
前記中心領域に対する周辺領域の，前記単位面積当たりのスペーサの設置面積比は，１．０５〜１．３５であることを特徴とする，請求項１に記載の電子放出表示装置。
【請求項４】
前記中心領域に対する周辺領域の，前記単位面積当たりのスペーサの設置面積比は，１.１〜１.３であることを特徴とする，請求項１に記載の電子放出表示装置。
【請求項５】
中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，前記スペーサの高さが減少することを特徴とする，請求項１に記載の電子放出表示装置。
【請求項６】
前記スペーサの高さは，中心領域から周辺領域へ放射状に減少することを特徴とする，請求項５に記載の電子放出表示装置。
【請求項７】
前記周辺領域に対する中心領域の，前記スペーサの高さの比は，１.００２〜１.０１８であることを特徴とする，請求項５に記載の電子放出表示装置。
【請求項８】
前記周辺領域に対する中心領域の，前記スペーサの高さの比は，１.００５〜１.０１５であることを特徴とする，請求項５に記載の電子放出表示装置。
【請求項９】
少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と；
前記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と；
前記電子放出基板と前記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと；
を含み，
中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，前記スペーサの断面積が増加することを特徴とする，電子放出表示装置。
【請求項１０】
前記中心領域に対する周辺領域の，前記スペーサの断面積の比は，１.１〜１.３であることを特徴とする，請求項９に記載の電子放出表示装置。
【請求項１１】
少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と；
前記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と；
前記電子放出基板と前記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと；
を含み，
中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，前記スペーサの数が増加することを特徴とする，電子放出表示装置。
【請求項１２】
前記中心領域に対する周辺領域の，単位面積当たりの前記スペーサの数の比は１.１〜１.３であることを特徴とする，請求項１１に記載の電子放出表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，スペーサを備える電子放出表示装置に関し，特に，電子放出表示装置のパネルに接する単位面積当たりのスペーサの面積が，領域によって互いに異なる電子放出表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，電子放出素子(Electron  Emission  Device)は，電子源として熱陰極を利用するする方式と，冷陰極を利用する方式がある。冷陰極を利用する方式の電子放出素子としてはFEA(Field  Emitter  Array)型，SCE(Surface  Conduction  Emitter)型，MIM(Metal-Insulator-Metal)型およびMIS(Metal-Insulator-Semiconductor)型，BSE(Ballisticelectron  Surface  Emitting)型等が知られている。
【０００３】
このような電子放出素子を利用すると，電子放出表示装置，各種バックライト，リソグラフィ用の電子ビ-ム装置等を実現できる。このうち，電子放出表示装置は，電子放出素子を具備して電子を放出するカソ-ド基板と，放出された電子を螢光膜に衝突させて発光させるためのアノ-ド基板を具備して構成される。
【０００４】
一般に，電子放出表示装置において，電子放出基板は，カソ-ド電極とゲ-ト電極が交差するマトリックス状に構成され，この交差領域で定義される複数の電子放出素子を設け，アノ-ド基板は，螢光体とこれに接続されたアノ-ド電極を備え，電子放出素子から放出された電子をアノ-ド基板に形成された螢光体に向けて加速させる。
【０００５】
電子放出表示装置は，交差領域をマトリックス駆動させて選択的な表示ができるように構成される。カソ-ド基板とアノ-ド基板は，一定距離を維持するためにその間にスペーサを具備する。このようなスペーサは，電子放出素子とアノ-ド基板の間の空間を，高真空でパッケージングする際に，内外部の圧力差によって変形されるのをまたは破損されるのを防止し，二つの基板間の間隔を一定に維持して，発光位置による輝度のばらつきを抑制する。
【０００６】
このようなスペーサを適用した電子放出表示装置の一例が韓国公開特許公報第２００３-００３１３５５号（特許文献１参照）に開示されており，以下において，このような従来の技術による電子放出表示装置を説明する。
【０００７】
図１は，従来の技術に係わるスペーサを具備する電子放出表示装置の一部断面図である。
【０００８】
図１を参照すると，電子放出表示装置は電子放出素子１０と，アノ-ド基板２０と，電子放出素子１０の一面に提供されるライン形態のカソ-ド電極１２と，絶縁層１４を間において，カソ-ド電極１２と直交して交差形成されるライン形態のゲ-ト電極１６と，アノ-ド基板２０と，一面にカソ-ド電極１２と同一方向に提供されるライン形態のアノ-ド電極２２とを含んで形成される。カソ-ド電極１２とゲ-ト電極１６が交差する画素領域には，ゲ-ト電極１６と絶縁層１４を貫通する複数の溝が形成され，各溝の内部のカソ-ド電極１２には，ＣＮＴ(Carbon  Nano  Tube)等のカ-ボン系列の物質からなる面タイプの電子放出部１８が提供される。
【０００９】
電子放出部１８に対向する位置に配置されたアノ-ド電極２２表面には，電子放出部１８から放出された電子が衝突する時に発光する螢光膜２４が提供され，アノ-ド電極２２の表面における螢光膜２４同士の間には，高真空で密封する両基板１０，２０を支持するスペーサ２６の一端部が支持され，スペーサ２６の他端部はゲ-ト電極１６に支持される。
【００１０】
上述したようなスペーサが適用されたディスプレーパネルの場合，パネルに加えられる外力が一定であるという仮定の下で，同じ形状を有するスペーサを適用している。しかし，このようなスペーサを適用してもパネルに加えられる外力がパネルの領域別に異なるため，基板の変形を根本的に抑制することができず，ディスプレーする際には輝度差が発生して色再現性の均一度が維持されないという問題がある。
【００１１】
【特許文献１】韓国特許公開第２００３−００３１３５５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は，従来の電子放出表示装置が有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，パネルに接触するスペーサの面積を領域別に異ならせ，パネルに加えられる外力をパネル全体に均一に分布させることが可能な，新規かつ改良された電子放出表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と；上記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と；上記電子放出基板と上記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと；を含み，中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，単位面積当たりの上記スペーサの設置面積が増加することを特徴とする，電子放出表示装置が提供される。
【００１４】
単位面積当たりの上記スペーサの設置面積は，中心領域から周辺領域へ放射状に増加するとしても良い。ここで，放射状とは，中央の例えば１点から四方八方に放出している状態を言う。従って，放射状に増加とは，中央から距離が離れれば離れるほど設置面積が増加することを示す。
【００１５】
上記中心領域に対する周辺領域の，上記単位面積当たりのスペーサの設置面積比は，１．０５〜１．３５であるとしても良く，１.１〜１.３であるとしても良い。
【００１６】
中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，上記スペーサの高さが減少するとしても良い。
【００１７】
上記スペーサの高さは，中心領域から周辺領域へ放射状に減少するとしても良い。
【００１８】
上記周辺領域に対する中心領域の，上記スペーサの高さの比は，１.００２〜１.０１８であるとしても良く，１.００５〜１.０１５であるとしても良い。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と；上記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と；上記電子放出基板と上記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと；を含み，中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，上記スペーサの断面積が増加することを特徴とする，電子放出表示装置が提供される。
【００２０】
上記中心領域に対する周辺領域の，上記スペーサの断面積の比は，１.１〜１.３であるとしても良い。
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，少なくとも一つの電子放出素子を上部に設けた電子放出基板と；上記電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板と；上記電子放出基板と上記画像形成基板を離隔して支持する少なくとも二つ以上のスペーサと；を含み，中心領域から周辺領域の少なくとも一方向に向かって，上記スペーサの数が増加することを特徴とする，電子放出表示装置が提供される。
【００２２】
上記中心領域に対する周辺領域の，単位面積当たりの上記スペーサの数の比は１.１〜１.３であるとしても良い。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように本発明によるスペーサを適用する電子放出表示装置は，パネルの周辺領域から発生する基板の変形，および，その変形を原因とした破損を防止することができ，また，ディスプレー時のパネルの左右間または上下間の輝度差を補償して，色再現の均一度を一定に維持することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２５】
図２は，電子放出表示装置のパネルに加えられる外力による変位を示した分布図である。
【００２６】
図２は，電子放出表示装置のディスプレーパネル４００に加えられる外力の分布を段階別で示したものであり，パネルの中心領域Ａより周辺領域Ｂがさらに濃い色で表示されていることが分かる。つまり，パネルの中心領域Ａより周辺領域Ｂが外部から高い外力を受けている。これはガラスを含む前面基板(図示せず)の変形の変曲点が，支持フレーム(図示せず)が形成される周辺領域Ｂに集中分布されるからである。このように，周辺領域Ｂが高い外力を受けることにより前面基板の変形が発生すると，中心領域Ａと周辺領域Ｂの間に輝度の差が発生し，パネル全体にわたる色再現に対する均一度が低くなる。
【００２７】
したがって，パネル全体に外力を均一に分布させ，色再現に対する均一度を維持することが本発明の技術的思想であり，以下具体的な実施形態を上げて説明する。
【００２８】
図３Ａは，本発明の一実施形態によるスペーサを具備する電子放出表示装置の概略的な平面図であり，図３Ｂは，図３Ａの切断線I-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。
【００２９】
図３Ａおよび３Ｂを参照すると，電子放出表示装置３００は，上部に少なくとも一つの電子放出素子を含む電子放出基板１００と，電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板２００と，電子放出基板１００と画像形成基板２００とを離隔するように支持する少なくとも二つ以上のスペーサ３３０とを含んで構成される。このとき，電子放出基板１００または画像形成基板２００と接する単位面積当たりスペーサ３３０の設置面積は，少なくとも一方向に電子放出基板１００または画像形成基板２００の中心領域Ａから周辺領域Ｂに向かって増加する。
【００３０】
ディスプレーパネル４００の外郭には，電子放出基板１００と画像形成基板２００を所定の距離を離隔しながら外部圧力から保護する支持フレーム３２０が形成され，支持フレーム３２０は，圧着工程の便宜上，正六面体のほうが好ましいが，これに限定されない。また，その材質としてソーダライム(soda  lime)を含むとしても良いが，かかる材質にも限定されず，ＰＤ２００またはセラミックス等の利用が可能である。
【００３１】
また，支持フレーム３２０は，熱変形特性が少ない材質として電子放出基板１００および画像形成基板２００の熱膨脹係数と同一のものが好ましいが，熱膨脹係数が２０%以下であれば適用可能である。ここで，熱膨脹係数とは１℃の温度変化に対する体積または長さの変化の比率を意味する。
【００３２】
ディスプレーパネル４００上部の電子放出素子が形成される領域，すなわち，スペーサ形成領域ｓで電子放出基板１００または画像形成基板２００と接する単位面積当たりスペーサの面積がパネルの中心領域Ａから周辺領域Ｂへ少なくとも一方向(x，y，d(対角線方向))に増加するように構成することが好ましい。
【００３３】
これは図２に例示された外力分布図に相応するように中心領域Ａに対する周辺領域Ｂの，単位面積当たりスペーサ３３０の設置面積の比を決定することが望ましく，その比は１.０５から１.３５までとしても良い。
【００３４】
より好ましくは，中心領域Ａに対する周辺領域Ｂの，単位面積当たりスペーサの設置面積の比は，１.１から１.３までである。
【００３５】
また，スペーサ３３０の設置面積が増加する方向は，x方向，y方向，d方向(対角線方向)，または中心領域Ａからの放射状方向に分布されることが好ましい。より好ましくは放射状方向に増加することが好ましい。
【００３６】
このように，スペーサの設置面積を中心領域から周辺領域へ少なくとも一方向に増加させることによって，支持フレーム３２０から発生する過度な外力をパネル全体に亘って均一に分散することができる。
【００３７】
一方，中心領域Ａから周辺領域Ｂへ単位面積当たりスペーサ３３０の設置面積が増加する具体的な方法としては，個別的なスペーサ３３０の断面積を少なくとも一方向に増加させることが考えられる。中心領域に対する周辺領域の個別的なスペーサの断面積の比は１.１から１.３までが好ましい。
【００３８】
また別の方法としては，スペーサ３３０の数を少なくとも一方向に増加させることが考えられる。中心領域に対する周辺領域のスペーサの数は１.１から１.３までが好ましい。個別的なスペーサの断面積の変更，もしくは，スペーサの数の変更は，同一の効果を奏する。
【００３９】
ここで，電子放出基板１００は，少なくとも一つの電子放出素子(図示せず)を含み，電子放出素子は，第１電極(図示せず)と，第１電極と電気的に絶縁され交差形成される第２電極(図示せず)と，第１電極に電気的に接続される電子放出部(図示せず)とを含み，第１電極と第２電極に印加される電圧によって形成される電界によって，電子放出部から電子が放出される構造を有す。画像形成基板２００は，電子放出素子から放出される電子によって発光する螢光体(図示せず)と，螢光体と電気的に接続されるアノ-ド電極(図示せず)とを含み，かかるアノ-ド電極には放出された電子を螢光体で加速させる電圧が印加され，所定のイメージを具現する構造からなる。
【００４０】
図４Ａは，本発明の他の実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置の概略的な平面図であり，図４Ｂは，図４Ａの切断線のI-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。
【００４１】
図４Ａおよび４Ｂを参照すると，電子放出表示装置３００は，上部に少なくとも一つの電子放出素子(図示せず)を含む電子放出基板１００と，電子放出素子から放出される電子によってイメージを具現する画像形成基板２００と，電子放出基板１００と画像形成基板２００を離隔するように支持する少なくとも二つ以上のスペーサ３３０とを含んで構成される。かかるスペーサ３３０の高さは，中心領域Ａから周辺領域Ｂへ少なくとも一方向に減少し得る。
【００４２】
ディスプレーパネル４００の外郭には，電子放出基板１００と画像形成基板２００とを所定の距離を離隔させて外部圧力から保護する支持フレーム３２０が形成され，支持フレーム３２０は，圧着工程の便宜上，正六面体のほうが好ましいが，それに限定されない。また，その材質としてはソーダライム(sodalime)を含むがそれに限定されず，ＰＤ２００またはセラミックスを含む材料も利用することができる。
【００４３】
また，支持フレーム３２０は，熱変形の特性が少ない材質であり，電子放出基板１００および画像形成基板２００の熱膨脹係数と同一のものが好ましいが，熱膨脹係数が２０%以下であれば適用可能である。ここで，熱膨脹係数とは１℃温度の変化に対する体積または長さ変化の比率を意味する。
【００４４】
ディスプレーパネル４００の上部電子放出素子が形成される領域，すなわち，スペーサ形成領域ｓで，電子放出基板１００または画像形成基板２００と接するスペーサの高さがパネルの中心領域Ａから周辺領域Ｂへ少なくとも一方向(x，y，d)に減少するように構成することが好ましい。
【００４５】
このとき，ディスプレーパネル４００に加えられる外部大気圧に対応するため，周辺領域Ｂに形成されるスペーサの高さｈ２に対する中心領域Ａに形成されるスペーサ３３０の高さｈ１の比ｈ１/ｈ２を決定することが好ましい。その比は１.００２から１.０１８までであっても良い。より好ましくは，周辺領域Ｂに対する中心領域Ａのスペーサ３３０の高さの比ｈ１/ｈ２が１.００５から１.０１５までである。一方，スペーサ３３０の高さの比ｈ１/ｈ２は大気圧による周辺領域Ｂに対する中心領域Ａの変形率によって決定され，その変形率はスペーサ３３０の高さの比に相応することが好ましい。
【００４６】
また，スペーサ３３０の高さが減少する方向は，x方向，y方向，d方向(対角線方向)，または中心領域Ａからの放射状方向に分布されることが好ましい。より好ましくは放射状方向に減少することが好ましい。スペーサの高さを中心領域から周辺領域へ少なくとも一方向に減少させることによって，外部大気圧による外力をパネル全体に亘って均一に分散がすることができる。
【００４７】
ここで，電子放出基板１００は，少なくとも一つの電子放出素子(図示せず)を含み，電子放出素子は，第１電極(図示せず)と，第１電極と電気的に絶縁され交差形成される第２電極(図示せず)と，第１電極に電気的に接続する電子放出部(図示せず)とを含み，第１電極と第２電極に印加される電圧によって形成された電界によって電子放出部から電子が放出される構造を有す。
【００４８】
画像形成基板２００は，電子放出素子から放出される電子によって発光する螢光体(図示せず)と，螢光体と電気的に接続されるアノ-ド電極(図示せず)とを含み，アノ-ド電極には，放出された電子を螢光体で加速する高電圧が印加され，所定のイメージを具現する。ここで，x方向は，ディスプレーパネル４００の横軸方向を意味し，y方向はディスプレーパネル４００の縦軸方向を意味する。
【００４９】
上述したように，ディスプレーパネルに加えられる大気圧によってスペーサの高さを異なるようにすることで，左右または上下間の輝度差を克服でき，これにより色再現時の均一度を一定に維持することができる。
【００５０】
図５Ａは，本実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置のパネルに加えられる外力を段階別で示した分布図であり，図５Ｂは，図５Ａの外力分布図を２次元で表現したグラフである。
【００５１】
図５Ａおよび５Ｂを参照し，スペーサが受ける外力を，x方向およびy方向に沿って段階別に表現すると，中心領域から周辺領域へ向かうほど許容可能外力が増加することが分かる。これは中心領域から周辺領域へ，単位面積当たりスペーサの設置面積が増加するにつれて，それに相応して許容可能外力が相対的に増加することを示している。
【００５２】
x方向への許容可能外力に対し，中心領域に比べて周辺領域の許容可能外力が，凡そ１.２倍ぐらい高い。実験例では，中心領域の許容可能外力は，４２０MPaであり，周辺領域の許容可能外力は５９０Mpaと測定された。
【００５３】
y方向への許容可能外力は，中心領域に比べて周辺領域の許容可能外力が，凡そ１.２倍高い。実験例では，中心領域の許容可能外力は４２０MPaであり，周辺領域の許容可能外力は４８０Mpaと測定された。
【００５４】
ここで，x方向はディスプレーパネルの横軸方向を意味し，y方向はディスプレーパネルの縦軸方向を意味する。x方向への許容可能外力がy方向への許容可能外力より高く示されるのはディスプレーパネルがy方向の長さよりx方向への長さが長いからである。
【００５５】
図６は，図３Ｂまたは図４Ｂの電子放出表示装置に対する詳細な構成断面図である。ここで，本図は本発明によるスペーサを適用した電子放出表示装置の具体的な実施形態を示し，スペーサ以外の構成は特に制限されない。
【００５６】
図６を参照すると，電子放出基板１００は，上部に少なくとも一つの電子放出素子を含む。つまり，カソ-ド電極１２０とゲ-ト電極１４０との間に形成された電界によって，カソ-ド電極１２０に接続された電子放出部１５０から電子が放出される。
【００５７】
本実施形態では電子放出素子として上部ゲ-トの構造を例として取り上げたが，これに限定されず，電子を放出する構造であれば下部ゲ-ト構造および二重ゲ-ト構造を含む多樣な構造が可能である。
【００５８】
背面基板１１０上には，所定の形状，例えばストライプ状で，少なくとも一つのカソ-ド電極１２０が配置される。背面基板１１０は通常使われるガラスまたはシリコン基板であるが，電子放出部１５０としてＣＮＴ(Carbon  Nano  Tube)ペーストを利用し，後面露光によってこれを形成する場合には，ガラス基板のような透明基板が好ましい。
【００５９】
カソ-ド電極１２０は，データ駆動部(図示せず)または走査駆動部(図示せず)から印加される，それぞれのデータ信号または走査信号を各電子放出素子に供給する。ここで，電子放出素子はカソ-ド電極１２０とゲ-ト電極１４０が交差する領域に電子放出部１５０を具備して形成される。カソ-ド電極１２０は，基板１１０と同じ理由により，例えばＩＴＯ(Indium  Tin  Oxide)が用いられる。
【００６０】
絶縁層１３０は，基板１１０とカソ-ド電極１２０の上部に形成され，カソ-ド電極１２０とゲ-ト電極１４０を電気的に絶縁する。絶縁層１３０は，カソ-ド電極１２０が露出されるようにカソ-ド電極１２０とゲ-ト電極１４０の交差領域に，少なくとも一つの第１ホール１３５を具備する。
【００６１】
ゲ-ト電極１４０は，絶縁層１３０上に所定の形状，例えばストライプ状でカソ-ド電極１２０と交差する方向へ配置され，データ駆動部または走査駆動部から印加される，それぞれのデータ信号または走査信号を各電子放出素子に供給する。ゲ-ト電極１４０は，電子放出部１５０が露出されるように第１ホールに対応して少なくとも一つの第２ホール１４５を具備する。
【００６２】
電子放出部１５０は，絶縁層１３０の第１ホール１３５によって露出されるカソ-ド電極１２０上に電気的に接続され，それぞれ位置し，カ-ボンナノチューブ，グラパイト(graphite)，グラパイトナノファイバー，ダイヤモンド状カ-ボンC６０，シリコンナノワイヤおよびこれらの組み合わせにより形成され得る。
【００６３】
画像形成基板２００は，前面基板２１０と，前面基板２１０の上部に形成されるアノ-ド電極２２０と，アノ-ド電極２２０の上部の電子放出部１５０から放出される電子によって発光する螢光体２３０と，螢光体２３０同士間に形成される光遮閉膜２４０とを含む。
【００６４】
前面基板２１０には，電子放出部１５０から放出される電子の衝突によって発光する螢光体２３０が任意の間隔で配置される。ここで，螢光体２３０とは，独立した単色の螢光体を意味し，例えば，本実施形態ではR，G，Bを各々表現する螢光体に例示される。しかし，これに限定されない。一方，前面基板２１０は，螢光体２３０から発光する光が外部への伝達されるように透明な材質からなることが好ましい。
【００６５】
アノ-ド電極２２０は，前面基板２１０の上部に位置し，電子放出部１５０から放出された電子をより良好に集束する役割を行う。また，アノ-ド電極２２０は，透明な材質からなり，例えば本実施形態ではＩＴＯ電極２２０に形成され得る。
【００６６】
光遮閉膜２４０は，外部の光を吸收および遮断して，光学的クロストークを防止し，コントラストを向上させるために，螢光体２３０の間に任意の間隔をおいて配置される。
【００６７】
当該電子放出表示装置は，電子放出基板１００と画像形成基板２００との間の内部の真空空間を表示装置３００の外部から加えられる大気圧に対抗して一定間隔で維持しながら支持する少なくとも一つのスペーサ３３０を含む。かかるスペーサ３３０の一端部は光遮閉膜２４０の上部に接触して形成され，他端部は絶縁層１３０の上部に接触して形成される。
【００６８】
ここで，単位面積当たりスペーサ３３０の面積は，中心領域Ａから周辺領域Ｂまで増加し，これによってディスプレーパネルに加えられる外力を均一に分散することができる。これにより左右または上下間の輝度差を克服して色再現時の均一度を一定に維持することができる。
【００６９】
上述したように，電子放出表示装置３００は，電子放出基板１００と画像形成基板２００を密封して真空状態に維持し，二つの基板１００，２００を支持する支持フレーム３２０を含む。
【００７０】
外部電源からカソ-ド電極１２０には(+)電圧が，ゲ-ト電極１４０には(-)電圧が，光遮閉膜２４０には(+)電圧が印加される。これによって，カソ-ド電極１２０とゲ-ト電極１４０の電圧差により電子放出部１５０の周辺に電界が形成されて電子が放出され，放出された電子はアノ-ド電極２２０に印加された高電圧に誘導されて該画素の螢光体領域２３０と衝突し，これを発光させて所定のイメージを具現することになる。
【００７１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は，スペーサを備える電子放出表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】従来の技術によるスペーサを具備する電子放出表示装置の断面図である。
【図２】電子放出表示装置のパネルに加えられる外力による変位を示す分布図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態によるスペーサを具備する電子放出表示装置の概略的な平面図である。
【図３Ｂ】図３Ａの切断線I-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。
【図４Ａ】本発明の他の実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置の概略的な平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの切断線I-Iに沿った電子放出表示装置の断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態によるスペーサを適用した電子放出表示装置のパネルに加えられる外力を段階別に示す分布図である。
【図５Ｂ】図５Ａの外力分布図を２次元に表現するグラフである。
【図６】図３Ｂまたは図４Ｂの電子放出表示装置に対する詳細な構成断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０    電子放出素子
１２    カソード電極
１４    絶縁層
１６    ゲート電極
１８    電子放出部
２０    アノード基板
２２    アノード電極
２４    蛍光膜
２６，３３０  スペーサ
１００  電子放出基板
２００  画像形成基板
３２０  支持フレーム
４００  ディスプレーパネル
【図１】
2006156336.tif 000003
【図３Ａ】
2006156336.tif 000004
【図３Ｂ】
2006156336.tif 000005
【図４Ａ】
2006156336.tif 000006
【図４Ｂ】
2006156336.tif 000007
【図５Ｂ】
2006156336.tif 000008
【図６】
2006156336.tif 000009
【図２】
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【図５Ａ】
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