(57)【要約】【課題】光受光素子の電荷蓄積効果による残像を低減すること。【解決手段】画像セルＣａは、光受光素子としてのフォト・ダイオードＰＤのカソードに接続されサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタＴ１のドレインに駆動信号Φｗ１を供給するようにした。その結果、画像セルＣａは、Ｈレベルの駆動信号Φｗ１によって第１トランジスタＴ１がサブ・スレッショルド領域で動作し、フォト・ダイオードＰＤに流れる光電流を対数変換した信号を出力する。また、画像セルＣａは、Ｌレベルの駆動信号Φｗ１によって第１トランジスタＴ１のソース及びドレインが同電位になる、即ちフォト・ダイオードＰＤのアノードとカソードとを実質的に短絡し、これによりセンスノードＮ１がリセットされる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光受光素子と１導電チャネル型のトランジスタを備え、入射光量に応じて対数特性を持つ信号を出力する撮像デバイス回路であって、
前記光受光素子に第１端子が接続されサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタの第２端子に駆動信号を供給するようにしたことを特徴とする撮像デバイス回路。
【請求項２】
光受光素子と１導電チャネル型のトランジスタを備え、入射光量に応じて対数特性を持つ信号を出力する撮像デバイス回路であって、
第１端子が第１電源に接続された前記光受光素子と、
第１端子が前記光受光素子の第２端子に接続され、第２端子に駆動信号が供給され、ゲートが第２電源に接続され、サブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタと、
ゲートが前記光受光素子と前記第１トランジスタとの間のセンスノードに接続され、第１端子が第２電源に接続され、第２端子から前記センスノードの電位を増幅した信号を出力する第２トランジスタと、
を備えたことを特徴とする撮像デバイス回路。
【請求項３】
前記第２トランジスタに接続され、該第２トランジスタの出力信号を増幅する増幅部と、
ゲートに前記駆動信号が供給され、該駆動信号に応答してオン・オフして前記増幅部の出力信号を外部へ出力する出力トランジスタと、
を備えたことを特徴とする請求項１又は２記載の撮像デバイス回路。
【請求項４】
複数の行選択線と複数の列信号線の交点に接続されて行列配列された複数の画像セルを備え、前記各画像セルは、光受光素子と１導電チャネル型のトランジスタを備え、入射光量に応じて対数特性を持つ信号を出力する、固体撮像装置であって、
前記画像セルは、
第１端子が第１電源に接続された前記光受光素子と、
第１端子が前記光受光素子の第２端子に接続され、第２端子が前記行選択線に接続され該行選択線を介して駆動信号が供給され、ゲートが第２電源に接続され、サブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタと、
ゲートが前記光受光素子と前記第１トランジスタとの間のセンスノードに接続され、第１端子が第２電源に接続され、第２端子から前記センスノードの電位を増幅した信号を出力する第２トランジスタと、
を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項５】
前記第２トランジスタの第２端子は前記列信号線に接続されたことを特徴とする請求項４記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像デバイス回路及び固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、種々の画像データを取得するために、ＭＯＳ型の撮像デバイスが用いられている。この種の撮像デバイスは、フォト・ダイオードのｐｎ接合容量に蓄積した電荷をＭＯＳ型のトランジスタ（例えば、電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ））を介して読み出すようになっている。
【０００３】
一般に、ＭＯＳ型等の撮像デバイスは、撮影に用いられるネガ・フィルムに比べてラティテュード、即ちダイナミック・レンジが狭いと言われている。ラティテュードが狭いことは、画像の暗い部分が黒い画素データとして記録され、画像の明るい部分が白い画素データとして記録される。
【０００４】
このダイナミック・レンジを拡大する技術として、対数変換型の撮像デバイスがある（例えば、特許文献１，非特許文献１参照）。例えば、特許文献１に開示された画像セルは、光受光素子を第１のＭＯＳトランジスタの一方の端子と第２のＭＯＳトランジスタのゲート端子との間に接続され、第１のＭＯＳトランジスタの他方の端子は電圧供給源の一方の電極に接続されている。そして、サブ・スレッショルド領域にて動作する第１のＭＯＳトランジスタにより画像セル中で対数変換を行い、その変換結果を出力する。
【特許文献１】米国特許５６０８２０４号明細書
【非特許文献１】映像メディア学会誌、Ｖｏｌ．５４、Ｎｏ．２、ｐｐ．２２４−、２０００年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記の特許文献１と非特許文献１に開示された撮像デバイスは、明暗の差が大きくその明点が移動する場合、光受光素子に流れる光電流（入射光量に応じて流れる電流）が小さい方に急激に変化した画像セルにおいて、対数変換の応答速度によって光受光素子に蓄積された電荷が残存する。このように電荷が残留した状態で撮像動作が行われるため、残像現象が生じるという問題がある。
【０００６】
この発明は、光受光素子の電荷蓄積効果による残像を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明による撮像デバイス回路は、光受光素子と１導電チャネル型のトランジスタを備え、入射光量に応じて対数特性を持つ信号を出力するものであって、前記光受光素子に第１端子が接続されサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタの第２端子に駆動信号を供給するようにしたものである。
【０００８】
この発明によると、光受光素子に流れる光電流、つまり光受光素子で光電変換した信号電荷は、等価的にキャパシタとして動作する光受光素子の電圧変化に置き換えられ、第１レベルの駆動信号によってサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタにより対数変換した信号を出力する。また、第２レベルの駆動信号によって第１トランジスタの第１端子と第２端子とを同電位に制御し、光受光素子の第１端子と第２端子とを実質的に短絡することでリセットを行い、残像を低減する。
【０００９】
光受光素子として、フォト・ダイオードやＭＯＳ型トランジスタのソース−ドレイン拡散と基板又はウェルとのＰＮ接合が用いられる。
また、この発明による撮像デバイス回路は光受光素子と１導電チャネル型のトランジスタを備え、入射光量に応じて対数特性を持つ信号を出力するものであって、第１端子が第１電源に接続された前記光受光素子と、第１端子が前記光受光素子の第２端子に接続され、第２端子に駆動信号が供給され、ゲートが第２電源に接続され、サブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタと、ゲートが前記光受光素子と前記第１トランジスタとの間のセンスノードに接続され、第１端子が第２電源に接続され、第２端子から前記センスノードの電位を増幅した信号を出力する第２トランジスタと、を備えたものである。
【００１０】
この発明によると、第１レベルの駆動信号によって第１トランジスタがサブ・スレッショルド領域で動作し、光受光素子に流れる光電流を対数変換した信号を出力する。また、第２レベルの駆動信号によって第１トランジスタの第１端子と第２端子とを同電位に制御し、光受光素子の第１端子と第２端子とを実質的に短絡することでリセットを行い、残像を低減する。
【００１１】
この発明の一態様においては、前記第２トランジスタに接続され、該第２トランジスタの出力信号を増幅する増幅部と、ゲートに前記駆動信号が供給され、該駆動信号に応答してオン・オフして前記増幅部の出力信号を外部へ出力する出力トランジスタと、が更に備えられる。
【００１２】
この発明による固体撮像装置は、複数の行選択線と複数の列信号線の交点に接続されて行列配列された複数の画像セルを備え、前記各画像セルは、光受光素子と１導電チャネル型のトランジスタを備え、入射光量に応じて対数特性を持つ信号を出力する、ものであって、前記画像セルは、第１端子が第１電源に接続された前記光受光素子と、第１端子が前記光受光素子の第２端子に接続され、第２端子が前記行選択線に接続され該行選択線を介して駆動信号が供給され、ゲートが第２電源に接続され、サブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタと、ゲートが前記光受光素子と前記第１トランジスタとの間のセンスノードに接続され、第１端子が第２電源に接続され、第２端子から前記センスノードの電位を増幅した信号を出力する第２トランジスタと、を備えたものである。
【００１３】
この発明によると、第１レベルの駆動信号によって第１トランジスタがサブ・スレッショルド領域で動作し、光受光素子に流れる光電流を対数変換した信号を出力する。また、第２レベルの駆動信号によって第１トランジスタの第１端子と第２端子とを同電位に制御し、光受光素子の第１端子と第２端子とを実質的に短絡することでリセットを行い、残像を低減する。
【００１４】
この発明の一態様においては、前記第２トランジスタの第２端子は前記列信号線に接続される。
この発明によると、画像セルは光受光素子と２つのトランジスタとから構成される。従って、所定の面積にて画像セルを形成する場合、トランジスタの数が少ないほど光受光素子の面積が大きくなる、つまり画像セルの面積に対する光受光素子の面積の比率が大きくなる。これにより、トランジスタの数が多い画像セルに比べて同じ受光量に対して光受光素子に流れる電流（フォトカレント）の量が多くなり、センスノードにおけるＳ／Ｎ比(signal-to-noise ratio )が改善される。そして、画像セルの出力信号を受ける増幅回路において増幅率を高くすることができ、高感度化を図ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上記述したように、本発明によれば、光受光素子の電荷蓄積効果による残像を低減する撮像デバイス回路及び固体撮像装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１の実施の形態）
以下、本発明を具体化した第１の実施の形態を図１〜図３に従って説明する。
図２は、固体撮像装置の概略ブロック回路図である。
【００１７】
固体撮像装置１０は、撮像部１１、内部クロック発生回路１２、垂直走査回路１３、水平走査回路１４、出力回路１５を含む。
撮像部１１は、行列配列された複数の画像セルＣａを備えている。尚、図２には、４行４列のマトリックス状に配列された画像セルＣａを示している。
【００１８】
内部クロック発生回路１２は、クロック信号Φ０が入力され、該クロック信号Φ０に基づいて垂直クロック信号Φｗと水平クロック信号Φｔを生成する。
垂直走査回路１３は、垂直方向のシフトレジスタであり、行選択線Ｗ１〜Ｗ４が接続されている。水平走査回路１４は複数（図２において４個）の増幅回路１６とシフトレジスタ１７とを含み、列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４が接続されている。それら行選択線Ｗ１〜Ｗ４と列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４の交点に画像セルＣａが接続されている。
【００１９】
垂直走査回路１３は、垂直クロック信号Φｗに基づいて行選択線Ｗ１〜Ｗ４を順次駆動する。行選択線Ｗ１〜Ｗ４に接続された画像セルＣａは、行選択線Ｗ１〜Ｗ４を介して供給される駆動信号に応答して光電変換信号を列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４に出力する。
【００２０】
水平走査回路１４を構成する増幅回路１６は各列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４が接続されている。各増幅回路１６は、列信号線ＢＬ１〜ＢＬ４を介して入力される光電変換信号を増幅する増幅部と、その増幅部の出力信号をデジタル信号に変換するアナログ−デジタル（Ａ／Ｄ）変換部を含む。
【００２１】
水平走査回路１４を構成するシフトレジスタ１７は、増幅回路１６から出力されるデジタル信号を水平クロック信号Φｔに基づいて出力回路１５に転送する。
出力回路１５は、水平走査回路１４から出力される信号のパルス幅を伸長した出力信号ｏｕｔを生成し出力する。
【００２２】
次に、画像セルの構成を説明する。
図１は、行選択線Ｗ１と列信号線ＢＬ１との交点に接続された画像セルＣａを示す。
画像セルＣａは、光受光素子としてのフォト・ダイオードＰＤと、６個のトランジスタＴ１〜Ｔ６を備えている。第１〜第６トランジスタＴ１〜Ｔ６は１導電チャネル型のトランジスタ（本実施形態ではＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ）であり、それらのバックゲートは低電位電源（本実施形態ではグランドＧＮＤ）に接続されている。
【００２３】
フォト・ダイオードＰＤは、アノードが第１電源としての低電位電源（本実施形態ではグランドＧＮＤ）に接続され、カソードが第１トランジスタＴ１に接続されている。第１トランジスタＴ１は、第１端子（ソース）がフォト・ダイオードに接続され、第２端子が行選択線Ｗ１に接続され、ゲートが第２電源としての高電位電源Ｖｄｄに接続されている。
【００２４】
フォト・ダイオードＰＤと第１トランジスタＴ１との間の接続点であるセンスノードＮ１は第２トランジスタＴ２に接続されている。第２トランジスタＴ２は、ゲートがセンスノードＮ１に接続され、ソースが第３トランジスタＴ３に接続され、ドレインが高電位電源Ｖｄｄに接続されている。第３トランジスタＴ３は、ソースがグランドＧＮＤに接続され、ドレインが第２トランジスタＴ２に接続され、ゲートが第４トランジスタＴ４に接続されている。
【００２５】
第４トランジスタＴ４は、ソースが第５トランジスタＴ５に接続され、ドレインが高電位電源Ｖｄｄに接続され、ゲートが行選択線Ｗ１に接続されている。第５トランジスタＴ５は、ソースがグランドＧＮＤに接続され、ドレインが第４トランジスタＴ４に接続され、ゲートが第２トランジスタＴ２と第３トランジスタＴ３の間のノードＮ２に接続されている。そして、第４トランジスタＴ４と第５トランジスタＴ５の間のノードＮ３が第３トランジスタＴ３のゲートに接続されている。
【００２６】
また、ノードＮ３には第６トランジスタＴ６が接続されている。第６トランジスタＴ６は、第１端子（例えばドレイン）がノードＮ３に接続され、第２端子（例えばソース）が列信号線ＢＬ１に接続され、ゲートが行選択線Ｗ１に接続されている。
【００２７】
このように構成された画像セルＣａは、行選択線Ｗ１の電位に従って動作する。
その行選択線Ｗ１の電位は、垂直走査回路１３から供給され、その波形は垂直クロック信号Φｗと実質的に同じ波形を持つ。尚、ここでは、行選択線Ｗ１に供給される電位を持つ信号をΦｗ１とする。この駆動信号Φｗ１は、図３に示すように、立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとを所定の時定数によりなまらせた台形状の波形を持つ。例えば、垂直走査回路１３は、駆動信号Φｗ１を、パルス幅ｔｋの１０〜２０パーセントの立ち上がり幅ｔｒ及び立ち下がり幅ｔｆを持つように生成している。更に、垂直走査回路１３は、ＬレベルがグランドＧＮＤレベルであり、Ｈレベルが高電位電源Ｖｄｄレベルであるように駆動信号Φｗ１を生成している。
【００２８】
この駆動信号Φｗ１が供給された画像セルＣａにおいて、駆動信号Φｗ１がＨレベルであるとき、その駆動信号Φｗ１が第２端子に供給された第１トランジスタＴ１がフォト・ダイオードＰＤに流れる光電流によってサブ・スレッショルド領域にて動作し、対数変換された信号電圧が第２トランジスタＴ２のゲートに供給される。第２〜第５トランジスタＴ２〜Ｔ５は、この信号電圧を増幅する。即ち第３〜第５トランジスタは増幅部を構成する。そして、駆動信号Φｗ１がゲートに供給された第６トランジスタＴ６は、出力スイッチとして機能し、ノードＮ３の電位が光電変換信号として列信号線ＢＬ１に出力される。
【００２９】
一方、駆動信号Φｗ１がＬレベルであるとき、その駆動信号Φｗ１が第２端子に供給された第１トランジスタＴ１は、ゲートに高電位電源Ｖｄｄが供給されているため、ゲートと第２端子との電位差によってオンする。第１トランジスタＴ１がオンすると、センスノードＮ１の電位はＬレベル、つまりグランドＧＮＤレベルとなる。このセンスノードＮ１がグランドＧＮＤレベルになることは、フォト・ダイオードＰＤのカソード端子をグランドＧＮＤに接続する、つまりアノード端子とカソード端子とを短絡する。これにより、フォト・ダイオードＰＤにて発生された電荷が残存しない、即ちフォト・ダイオードＰＤ（センスノードＮ１）がリセットされる。
【００３０】
駆動信号Φｗ１の波形をなまらせることは、ノイズ発生を防ぐ。つまり、駆動信号Φｗ１の電位を急激に立ち上げると、第１トランジスタＴ１が急激に動作するため、光電流にリンギング等のノイズが発生する。同様に、駆動信号Φｗ１の電位を急激に立ち下げると、ノイズが発生する。このため、駆動信号Φｗ１の立ち上がり及び立ち下がりをなまらせることで、これらのノイズを抑える。
【００３１】
図２に示す増幅回路１６は、列信号線ＢＬ１に読み出された信号を増幅し、水平クロック信号Φｔに基づいてサンプリングしＡ／Ｄ変換する。この水平クロック信号Φｔは図３に示すように、フォト・ダイオードＰＤで十分に光電流が発生している時期にサンプリングするようにタイミングが設定されている。
【００３２】
そして、シフトレジスタ１７は、増幅回路１６の出力信号を出力回路１５に転送し、出力回路１５は、入力信号のパルス幅を所定のパルス幅（本実施形態では幅ｔｋ）に伸張した出力信号ｏｕｔを生成し、それを出力する。
【００３３】
以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）画像セルＣａは、フォト・ダイオードＰＤのカソードに接続されサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタＴ１のドレインに駆動信号Φｗ１を供給するようにした。その結果、画像セルＣａは、Ｈレベルの駆動信号Φｗ１によって第１トランジスタＴ１がサブ・スレッショルド領域で動作し、フォト・ダイオードＰＤに流れる光電流を対数変換した信号を出力する。また、画像セルＣａは、Ｌレベルの駆動信号Φｗ１によって第１トランジスタＴ１のソース及びドレインが同電位になる、即ちフォト・ダイオードＰＤのアノードとカソードとを実質的に短絡し、これによりセンスノードＮ１がリセットされる。このため、センスノードＮ１に電荷が蓄積しないため、残像を低減することができる。
【００３４】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を具体化した第２の実施の形態を図４に従って説明する。
図４は、本実施形態の画像セルＣｂの回路図である。
【００３５】
この画像セルＣｂは、フォト・ダイオードＰＤと、２つのトランジスタＴ１，Ｔ２とから構成されている。第１及び第２トランジスタＴ１，Ｔ２は、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、バックゲートがグランドＧＮＤに接続されている。
【００３６】
フォト・ダイオードＰＤは、アノードが低電位電源（本実施形態ではグランドＧＮＤ）に接続され、カソードが第１トランジスタＴ１に接続されている。第１トランジスタＴ１は、第１端子（ソース）がフォト・ダイオードに接続され、第２端子が行選択線Ｗ１に接続され、ゲートが高電位電源Ｖｄｄに接続されている。
【００３７】
フォト・ダイオードＰＤと第１トランジスタＴ１との間の接続点であるセンスノードＮ１は第２トランジスタＴ２に接続されている。第２トランジスタＴ２は、ゲートがセンスノードＮ１に接続され、ソースが列信号線ＢＬ１に接続され、ドレインが高電位電源Ｖｄｄに接続されている。
【００３８】
つまり、第２トランジスタＴ２は、ソース・フォロワ出力回路を構成し、ソース・フォロワ出力を列信号線ＢＬ１に直接導出する。これにより、画像セルＣｂを構成する素子数が第１実施形態に比べて少なくなる。このことは、画像セルＣｂを面積が小さい固体撮像装置において、各画像セルＣｂから出力される信号（光電変換信号）のＳ／Ｎ比(signal-to-noise ratio )を第１の実施の形態に比べて改善する。
【００３９】
即ち、第１の実施の形態の画像セルＣａと本実施形態の画像セルＣｂを同じ面積にて形成した場合、トランジスタの数が少ない方がフォト・ダイオードＰＤの受光面積が大きくなる。これは、トランジスタを形成した部分は、フォト・ダイオードＰＤの受光面積を減少させるためである。フォト・ダイオードＰＤの受光面積に応じて光電流が発生する。従って、本実施形態の画像セルＣｂが出力する信号の量（電位）に対するノイズ量（電位）の比、即ちＳ／Ｎ比は、第１の実施の形態の画像セルＣａのＳ／Ｎ比に比べて大きくなる。
【００４０】
そして、画像セルＣｂの出力信号におけるＳ／Ｎ比を良くすることは、列信号線ＢＬ１が接続された増幅回路１６（図２参照）における信号の増幅率を大きくすることができる。このため、Ａ／Ｄ変換部に入力する信号レベルを高くすることができ、出力信号の電位を高くする、即ち高感度化することができる。
【００４１】
以上記述したように、本実施の形態によれば、第１の実施の形態の効果に加えて以下の効果を奏する。
（１）フォト・ダイオードＰＤとサブ・スレッショルド領域で動作する第１トランジスタＴ１との間の接続点であるセンスノードＮ１にゲート端子が接続された第２トランジスタＴ２のソースを列信号線ＢＬ１に接続した。即ち、画像セルＣｂは、フォト・ダイオードＰＤと、２つのトランジスタＴ１，Ｔ２とから構成されている。所定の面積にて画像セルＣｂを形成する場合、トランジスタの数が少ないほどフォト・ダイオードＰＤの面積が大きくなる、つまり画像セルＣｂの面積に対するフォト・ダイオードＰＤの面積の比率が大きくなる。これにより、トランジスタの数が多い画像セルに比べて同じ受光量に対してフォト・ダイオードＰＤに流れる電流（フォトカレント）の量が多くなり、センスノードＮ１におけるＳ／Ｎ比(signal-to-noise ratio )が改善される。そして、画像セルＣｂの出力信号を受ける増幅回路において増幅率を高くすることができ、高感度化を図ることができる。
【００４２】
尚、上記各実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記各実施の形態では、画像セルＣａをフォト・ダイオードＰＤとＮチャネル型ＭＯＳトランジスタにて構成したが、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタを用いて構成してもよい。例えば、図５は、第２の実施の形態の画像セルＣｂをＰチャネル型ＭＯＳトランジスタにて構成した画像セルＣｃを示す。この画像セルＣｃは、フォト・ダイオードＰＤと、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタよりなる２つのトランジスタＴ１１，Ｔ１２とを備える。この実施形態の場合、第１電源は高電位電源Ｖｄｄであり、第２電源は低電位電源（グランドＧＮＤ）である。
【００４３】
即ち、フォト・ダイオードＰＤは、アノードが第１トランジスタＴ１１に接続され、カソードが高電位電源Ｖｄｄに接続されている。第１トランジスタＴ１１は、第１端子（ソース）がフォト・ダイオードＰＤに接続され、第２端子（ドレイン）が行選択線Ｗ１に接続され、ゲートが低電位電源（図においてグランドＧＮＤ）接続されている。フォト・ダイオードＰＤと第１トランジスタＴ１１との間の接続点（センスノードＮ１）は第２トランジスタＴ１２に接続されている。第２トランジスタＴ１２は、ゲートがセンスノードＮ１に接続され、ソースが列信号線ＢＬ１に接続され、ドレインがグランドＧＮＤに接続されている。
【００４４】
そして、行選択線Ｗ１には、上記各実施形態の駆動信号Φｗ１を論理反転したレベルを持つ駆動信号／Φｗ１が図示しない垂直走査回路から供給される。従って、この画像セルＣｃは、Ｌレベルの駆動信号／Φｗ１に応答して光電変換信号を列信号線ＢＬ１に出力し、Ｈレベルの駆動信号／Φｗ１に応答してセンスノードＮ１をリセットする。このように、画像セルＣｃは、駆動信号／Φｗ１に応答してセンスノードＮ１をリセットすることで、残像の発生を抑えることができる。尚、第１の実施の形態の画像セルＣａをＰチャネル型ＭＯＳトランジスタにて構成することは言うまでもない。
【００４５】
・上記各実施形態では、撮像部１１を４行４列のマトリックス状に形成したが、行数，列数は適宜変更されてもよい。
・上記各実施形態では、画像セルＣａ，Ｃｂの駆動信号Φｗ１を、立ち上がり及び立ち下がりをなまらせるようにしたが、少なくとも立ち上がりをなまらせるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１の実施の形態の画像セルを示す回路図である。
【図２】固体撮像装置のブロック回路図である。
【図３】固体撮像装置の動作を示す波形図である。
【図４】第２の実施の形態の画像セルを示す回路図である。
【図５】別の実施の形態の画像セルを示す回路図である。
【符号の説明】
【００４７】
Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃ…画像セル、Ｎ１…センスノード、ＰＤ…フォト・ダイオード、Ｔ１，Ｔ１１…第１トランジスタ、Ｔ２，Ｔ１２…第２トランジスタ、Ｗ１〜Ｗ４…行選択線、ＢＬ１〜ＢＬ４…列信号線、ｏｕｔ…出力信号。
【図１】
2006148338.tif 000003
【図２】
2006148338.tif 000004
【図３】
2006148338.tif 000005
【図４】
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【図５】
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