(57)【要約】【課題】  基板の裏面汚染を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】  露光装置１４による露光処理前の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４へと搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ５が用いられる。また、露光装置１４による露光処理後の基板Ｗを露光装置１４から基板載置部ＰＡＳＳ１０へと搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ６が用いられる。すなわち、露光処理後の液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ６が用いられ、露光処理前の液体が付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ５が用いられる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行う処理部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、
前記受け渡し部は、前記処理部と前記露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を備え、
前記搬送手段は、前記露光装置による露光処理前の基板を保持する第１の保持手段と、前記露光装置による露光処理後の基板を保持する第２の保持手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記受け渡し部は、基板に所定の処理を行う処理ユニットと、基板が一時的に載置される載置部とをさらに含み、
前記搬送手段は、前記処理部、前記処理ユニットおよび前記載置部の間で基板を搬送する第１の搬送ユニットと、
前記露光装置および前記載置部の間で基板を搬送する第２の搬送ユニットとを含み、
前記第２の搬送ユニットは、前記第１および第２の保持手段を備えることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の搬送ユニットは、前記露光装置による露光処理前の基板を保持する第３の保持手段と、前記露光装置による露光処理後の基板を保持する第４の保持手段とを備えたことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記載置部は、前記露光装置による露光処理前の基板を載置する第１の載置ユニットと、前記露光装置による露光処理後の基板を載置する第２の載置ユニットとを含むことを特徴とする請求項２または３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含むことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１および第２の保持手段は、上下方向に積層されて設けられ、
前記第２の保持手段は前記第１の保持手段よりも下方に設けられたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１および第２の保持手段は、略水平方向に並ぶように設けられたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
露光装置に隣接するように配置され、処理部および搬送手段を備えた基板処理装置において基板を処理する方法であって、
前記処理部により基板に処理を行う工程と、
前記処理部により処理された基板を前記搬送手段に設けられた第１の保持手段により保持しつつ、前記露光装置に搬送する工程と、
前記露光装置により露光処理された基板を前記搬送手段に設けられた第２の保持手段により保持しつつ、前記処理部に搬送する工程とを備えたことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置において、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにより反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
ここで、インターフェイスブロックから露光装置への基板の搬送および露光装置からインターフェイスブロックへの基板の搬送は、インターフェイスブロックに設けられたインターフェイス用搬送機構の１つの保持アームにより行われる。
【０００６】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レクチルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００７】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理後の基板は液体が付着した状態で投影露光装置から搬出される。
【０００９】
そのため、上記特許文献１の基板処理装置に上記特許文献２の投影露光装置を外部装置として設ける場合、投影露光装置から搬出される基板に付着している液体が保持アームに付着する。保持アームは露光処理前の基板の投影露光装置への搬入も行う。これにより、保持アームに液体が付着すると、保持アームに付着した液体が露光処理前の基板の裏面にも付着する。
【００１０】
それにより、基板の投影露光装置への搬入時に基板の裏面の液体に雰囲気中の塵埃等が付着し、基板の裏面が汚染される。その結果、基板の裏面汚染に起因して、露光処理の解像性能が劣化する場合がある。
【００１１】
本発明の目的は、基板の裏面汚染を十分に防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部とを備え、受け渡し部は、処理部と露光装置との間で基板を搬送する搬送手段を備え、搬送手段は、露光装置による露光処理前の基板を保持する第１の保持手段と、露光装置による露光処理後の基板を保持する第２の保持手段とを備えたものである。
【００１３】
その基板処理装置においては、処理部により基板に処理が行われ、搬送手段により処理部と露光装置との間で基板が搬送される。搬送手段による基板の搬送時においては、露光処理による液体が付着していない基板が第１の保持手段により保持され、露光処理による液体が付着した基板が第２の保持手段により保持される。
【００１４】
これにより、第１の保持手段に液体が付着することがないので、露光処理前の基板の裏面に液体が付着することを防止することができる。それにより、液体への塵埃等の付着による基板の裏面汚染を十分に防止することができる。その結果、露光装置において基板の裏面汚染に起因する露光処理の解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【００１５】
受け渡し部は、基板に所定の処理を行う処理ユニットと、基板が一時的に載置される載置部とをさらに含み、搬送手段は、処理部、処理ユニットおよび載置部の間で基板を搬送する第１の搬送ユニットと、露光装置および載置部の間で基板を搬送する第２の搬送ユニットとを含み、第２の搬送ユニットは、第１および第２の保持手段を備えてもよい。
【００１６】
この場合、処理部により基板に処理が行われた後、基板は受け渡し部の第１の搬送ユニットにより受け渡し部の処理ユニットへと搬送される。また、処理ユニットにより基板に所定の処理が行われた後、基板は第１の搬送ユニットにより受け渡し部の載置部へと搬送される。その後、基板は受け渡し部の第２の搬送ユニットにより露光装置へと搬送される。露光装置において基板の露光処理が行われた後、基板は第２の搬送ユニットにより載置部へと搬送される。
【００１７】
第２の搬送ユニットは、基板の載置部から露光装置への搬送時に、第１の保持手段により露光装置による露光処理前の基板を保持する。また、第２の搬送ユニットは、基板の露光装置から載置部への搬送時に、第２の保持手段により露光装置による露光処理後の基板を保持する。
【００１８】
これにより、第１の保持手段に液体が付着することがないので、露光処理前の基板の裏面に液体が付着することを防止することができる。それにより、液体への塵埃等の付着による基板の裏面汚染を防止することができる。その結果、露光装置において基板の裏面汚染に起因する露光処理の解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【００１９】
第１の搬送ユニットは、露光装置による露光処理前の基板を保持する第３の保持手段と、露光装置による露光処理後の基板を保持する第４の保持手段とを備えてもよい。
【００２０】
この場合、第１の搬送ユニットは、第１の保持手段により露光装置による露光処理前の基板を保持する。また、第１の搬送ユニットは、第２の保持手段により露光装置による露光処理後の基板を保持する。
【００２１】
これにより、第１の保持手段に液体が付着することがないので、露光処理前の基板の裏面に液体が付着することをより防止することができる。それにより、液体への塵埃等の付着による基板の裏面汚染をより十分に防止することができる。その結果、露光装置において基板の裏面汚染に起因する露光処理の解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【００２２】
載置部は、露光装置による露光処理前の基板を載置する第１の載置ユニットと、露光装置による露光処理後の基板を載置する第２の載置ユニットとを含んでもよい。
【００２３】
この場合、載置部においては、露光装置による露光処理前の基板が第１の載置ユニットに載置され、露光装置による露光処理後の基板が第２の載置ユニットに載置される。
【００２４】
これにより、第１の載置ユニットに液体が付着することがないので、露光処理前の基板の裏面に液体が付着することをより防止することができる。それにより、液体への塵埃等の付着による基板の裏面汚染をより十分に防止することができる。その結果、露光装置において基板の裏面汚染に起因する露光処理の解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【００２５】
処理ユニットは、基板の周縁部を露光するエッジ露光部を含んでもよい。この場合、エッジ露光部において基板の周縁部に露光処理が行われる。
【００２６】
第１および第２の保持手段は、上下方向に積層されて設けられ、第２の保持手段は第１の保持手段よりも下方に設けられてもよい。この場合、第２の保持手段が第１の保持手段の下方に設けられているので、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下したとしても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。
【００２７】
これにより、露光処理前の基板に液体が付着することが防止されるので、液体への塵埃等の付着による基板の汚染をより十分に防止することができる。それにより、露光装置において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【００２８】
第１および第２の保持手段は、略水平方向に並ぶように設けられてもよい。この場合、第２の保持手段と第１の保持手段とが略水平方向に並ぶので、第２の保持手段およびそれが保持する基板から液体が落下したとしても、第１の保持手段およびそれが保持する基板に液体が付着することがない。
【００２９】
これにより、露光処理前の基板に液体が付着することが防止されるので、液体への塵埃等の付着による基板の汚染をより十分に防止することができる。それにより、露光装置において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【００３０】
また、第１および第２の保持手段が略水平方向に並ぶので、搬送手段は第１および第２の保持手段による基板の搬送動作を同時に行うことが可能となる。その結果、基板の処理時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【００３１】
第２の発明に係る基板処理方法は、露光装置に隣接するように配置され、処理部および搬送手段を備えた基板処理装置において基板を処理する方法であって、処理部により基板に処理を行う工程と、処理部により処理された基板を搬送手段に設けられた第１の保持手段により保持しつつ、露光装置に搬送する工程と、露光装置により露光処理された基板を搬送手段に設けられた第２の保持手段により保持しつつ、処理部に搬送する工程とを備えたものである。
【００３２】
その基板処理方法においては、処理部により基板に処理が行われ、処理部により処理された基板が第１の保持手段により保持され、露光装置に搬送される。その後、露光装置により露光処理された基板が第２の保持手段により保持され、処理部に搬送される。
【００３３】
これにより、第１の保持手段に液体が付着することがないので、露光処理前の基板の裏面に液体が付着することを防止することができる。それにより、液体への塵埃等の付着による基板の裏面汚染を十分に防止することができる。その結果、露光装置において基板の裏面汚染に起因する露光処理の解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、露光処理前の基板の裏面汚染を十分に防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３６】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図１は、第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【００３７】
図１以降の各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。
【００３８】
図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を含む。インターフェースブロック１３に隣接するように露光装置１４が配置される。露光装置１４においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。これにより、本実施の形態において、露光装置１４による露光処理後の基板には液体が付着している。
【００３９】
以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。
【００４０】
インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。
【００４１】
反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部７０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部７０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。
【００４２】
インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられる。この隔壁１５には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。
【００４３】
また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも同様に設けられる。
【００４４】
レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部８０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部８０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。
【００４５】
反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１６が設けられる。この隔壁１６には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。
【００４６】
現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部９０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像用熱処理部１２１はインターフェースブロック１３に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を備える。現像処理部９０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。
【００４７】
レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。
【００４８】
インターフェースブロック１３は、第４のセンターロボットＣＲ４、バッファＳＢＦ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよびエッジ露光部ＥＥＷを含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する戻りバッファ部ＲＢＦ１，ＲＢＦ２および基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が設けられている。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。
【００４９】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ５およびハンドＨ６を有する。本実施の形態において、ハンドＨ５およびハンドＨ６は上下方向に積層されている。特に、ハンドＨ５はハンドＨ６の上側に位置する（後述の図２および図４参照）。
【００５０】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ９と露光装置１４との間、露光装置１４と乾燥処理部９５との間および乾燥処理部９５と基板載置部ＰＡＳＳ１０との間で基板Ｗの受け渡しを行う。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの詳細については後述する。
【００５１】
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３が順に並設されている。
【００５２】
図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【００５３】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部７０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル７２を備える。
【００５４】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部８０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。
【００５５】
現像処理ブロック１２の現像処理部９０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル９２を備える。
【００５６】
インターフェースブロック１３には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ１、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および戻りバッファ部ＲＢＦ２が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。
【００５７】
図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。
【００５８】
反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００５９】
レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６０】
現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には５個の熱処理ユニットＰＨＰ、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８およびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。
【００６１】
本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について説明する。
【００６２】
インデクサブロック９のキャリア載置台６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、基板Ｗの受け渡しをするためのハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。
【００６３】
本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。
【００６４】
基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ１により基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１はハンドＣＨＲ２により反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、反射防止膜用塗布処理部７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部７０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣによりフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が塗布形成される。
【００６５】
その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ１により反射防止膜用塗布処理部７０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。
【００６６】
次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ２により反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。
【００６７】
基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ３により基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２はハンドＣＨＲ４によりレジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、レジスト膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が塗布形成される。
【００６８】
その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ３によりレジスト膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。
【００６９】
続いて、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ４によりレジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。
【００７０】
基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ５により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ５により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４の上側のハンドＣＲＨ７により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ７により基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。
【００７１】
そして、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ７によりエッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出す。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＨＲ７により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に移載する。
【００７２】
基板載置部ＰＡＳＳ９に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１４に搬入される。基板Ｗの露光装置１４への搬送時において、基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ５により保持される。
【００７３】
露光装置１４において基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェイス用搬送機構ＩＦＲは、露光装置１４から基板Ｗを受け取り、受け取った基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載する。基板Ｗの基板載置部ＰＡＳＳ９への搬送時において基板Ｗはインターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ６により保持される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの詳細については後述する。
【００７４】
基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４の下側のハンドＣＲＨ８により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ８により基板Ｗを現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２１に搬入する。現像用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ８により現像用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。
【００７５】
基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ６により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ６により基板Ｗを現像処理部９０に搬入する。現像処理部９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。
【００７６】
その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ５により現像処理部９０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部１２０に搬入する。
【００７７】
次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ６により現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。
【００７８】
なお、故障等により現像処理部９０において一時的に基板Ｗの現像処理ができないときは、現像用熱処理部１２１において基板Ｗに熱処理を施した後、インターフェースブロック１３の戻りバッファ部ＲＢＦ１に基板Ｗを一時的に収納保管することができる。
【００７９】
基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ４により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。
【００８０】
基板載置部ＰＡＳＳ２に移載された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。
【００８１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図４は図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。
【００８２】
図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図４に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台２１は螺軸２２に螺合される。螺軸２２は、Ｘ方向に延びるように支持台２３によって回転可能に支持される。螺軸２２の一端部にはモータＭ１が設けられ、このモータＭ１により螺軸２２が回転し、可動台２１が±Ｘ方向に水平移動する。
【００８３】
また、可動台２１にはハンド支持台２４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台２４は、回転軸２５を介して可動台２１内のモータＭ２に連結しており、このモータＭ２によりハンド支持台２４が回転する。ハンド支持台２４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ５，Ｈ６が進退可能に上下に設けられる。
【００８４】
次に、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。
【００８５】
初めに、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図４の位置Ａにおいてハンド支持台２４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、上側のハンドＨ５を基板載置部ＰＡＳＳ９に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ９においてハンドＨ５が露光装置１４による露光処理前の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ５を基板載置部ＰＡＳＳ９から後退させ、ハンド支持台２４を−Ｚ方向に下降させる。
【００８６】
そこで、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、図４の位置Ｂにおいてハンド支持台２４を回転させるとともに基板を保持するハンドＨ５を露光装置１４の基板搬入部１４ａ（図１参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１４ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ５を基板搬入部１４ａから後退させる。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４への基板Ｗの搬送動作が終了する。
【００８７】
続いて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、図４の位置Ｃにおいて下側のハンドＨ６を露光装置１４の基板搬出部１４ｂ（図１参照）に進入させる。基板搬出部１４ｂにおいてハンドＨ６が露光装置１４による露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ６を基板搬出部１４ｂから後退させる。
【００８８】
その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、位置Ａにおいてハンド支持台２４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗを保持するハンドＨ６を進入させる。それにより、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載する。これにより、露光装置１４から基板載置部ＰＡＳＳ１０への基板Ｗの搬送動作が終了する。
【００８９】
なお、基板Ｗを露光装置１４から基板載置部ＰＡＳＳ１０へと搬送する際に、基板載置部ＰＡＳＳ１０が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦ２に一時的に収納保管される。
【００９０】
また、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４へと搬送する際に、露光装置１４が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板ＷはバッファＳＢＦに収納保管される。
【００９１】
上記のように、本実施の形態においては、露光装置１４による露光処理前の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４へと搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ５が用いられる。
【００９２】
また、露光装置１４による露光処理後の基板Ｗを露光装置１４から基板載置部ＰＡＳＳ１０へと搬送する際には、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ６が用いられる。
【００９３】
すなわち、露光処理による液体が付着した基板Ｗの搬送時には、ハンドＨ６により基板Ｗが保持される。また、露光処理による液体が付着していない基板Ｗの搬送時には、ハンドＨ５により基板Ｗが保持される。そのため、ハンドＨ５に基板Ｗの液体が付着することがない。
【００９４】
これにより、露光処理前の基板Ｗの裏面に液体が付着することが防止されるので、液体への塵埃等の付着による基板Ｗの裏面汚染を十分に防止することができる。それにより、露光装置１４において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【００９５】
さらに、本実施の形態においては、基板Ｗの基板載置部ＰＡＳＳ７からエッジ露光部ＥＥＷへの搬送時およびエッジ露光部ＥＥＷから基板載置部ＰＡＳＳ９への搬送時に、基板Ｗが第４のセンターロボットＣＲ４の上側のハンドＣＲＨ７により保持される。また、基板Ｗの基板載置部ＰＡＳＳ１０から現像用熱処理部１２１への搬送時に、基板Ｗが第４のセンターロボットＣＲ４の下側のハンドＣＲＨ８により保持される。
【００９６】
その上、露光装置１４による露光処理前の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ９に移載され、露光装置１４による露光処理後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載されている。
【００９７】
これらより、露光処理前の基板Ｗの裏面に液体が付着することがさらに防止されるので、液体への塵埃等の付着による基板Ｗの裏面汚染をより十分に防止することができる。それにより、露光装置１４において解像性能の劣化等による処理不良の発生をより防止することができる。
【００９８】
本実施の形態では、ハンドＨ６はハンドＨ５の下方に設けられているので、ハンドＨ６およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下したとしても、ハンドＨ５およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することがない。
【００９９】
これにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止されるので、液体への塵埃等の付着による基板Ｗの汚染をより十分に防止することができる。それにより、露光装置１４において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【０１００】
なお、本実施の形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４への搬送、露光装置１４から基板載置部ＰＡＳＳ１０への搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。この場合、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、露光装置１４による露光処理前の基板Ｗを保持するハンドと露光装置１４による露光処理後の基板Ｗを保持するハンドとが設けられる。
【０１０１】
また、本実施の形態においては、基板Ｗを受け渡すためのハンドの構造について説明していないが、ハンドは基板Ｗの周縁部を局部的に支持する構造であってもよいし、基板Ｗの裏面を吸着保持する構造であってもよい。
【０１０２】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係る基板処理装置について説明する。図５は、第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【０１０３】
第２の実施の形態に係る基板処理装置５００は、以下の点で第１の実施の形態に係る基板処理装置５００と異なる。
【０１０４】
図５に示すように、露光装置１４の基板搬入部１４ａおよび基板搬出部１４ｂの配置は、図１の露光装置１４の基板搬入部１４ａおよび基板搬出部１４ｂの配置と異なる。図５では、基板搬入部１４ａの−Ｘ方向側に基板搬出部１４ｂが配置されている。
【０１０５】
インターフェースブロック１３のインターフェース用搬送機構ＩＦＲはＸ方向に延びる構造を有し、Ｘ方向に並ぶ２つのハンドＨ７およびハンドＨ８を備える。
【０１０６】
図５のインターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図６は、図５のインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。
【０１０７】
図５のインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図６に示すように、図６のインターフェース用搬送機構ＩＦＲにおいては、Ｘ方向に延びた構造を有する固定台２１Ｋ上にＸ方向で並ぶようにハンド支持台２４ａ，２４ｂが搭載される。ハンド支持台２４ａ，２４ｂは、それぞれ±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載されている。
【０１０８】
ハンド支持台２４ａ，２４ｂは、それぞれ回転軸２５ａ，２５ｂを介して固定台２１Ｋ内のモータＭ３，Ｍ４に連結しており、このモータＭ３，Ｍ４によりハンド支持台２４ａ，２４ｂが回転する。
【０１０９】
ハンド支持台２４ａには、基板Ｗを水平姿勢で保持するハンドＨ７が進退可能に設けられる。ハンド支持台２４ｂには、基板Ｗを水平姿勢で保持するハンドＨ８が進退可能に設けられる。
【０１１０】
次に、図５のインターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図５のメインコントローラ３０により制御される。
【０１１１】
インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンド支持台２４ａを回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、ハンドＨ７を基板載置部ＰＡＳＳ９に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ９においてハンドＨ７が露光装置１４による露光処理前の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ７を基板載置部ＰＡＳＳ９から後退させ、ハンド支持台２４を−Ｚ方向に下降させる。
【０１１２】
そこで、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンド支持台２４ａを回転させるとともに基板を保持するハンドＨ７を露光装置１４の基板搬入部１４ａ（図５参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１４ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ７を基板搬入部１４ａから後退させる。これにより、基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４への基板Ｗの搬送動作が終了する。
【０１１３】
上記の動作の終了後または上記の動作と並行して、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ８を露光装置１４の基板搬出部１４ｂ（図５参照）に進入させる。基板搬出部１４ｂにおいてハンドＨ８が露光装置１４による露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ８を基板搬出部１４ｂから後退させる。
【０１１４】
そこで、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンド支持台２４ｂを回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、基板載置部ＰＡＳＳ１０に基板Ｗを保持するハンドＨ８を進入させる。それにより、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載する。その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ８を基板載置部ＰＡＳＳ１０から後退させる。これにより、露光装置１４から基板載置部ＰＡＳＳ１０への基板Ｗの搬送動作が終了する。
【０１１５】
本実施の形態においては、ハンドＨ７とハンドＨ８とが略水平方向に並ぶので、ハンドＨ８およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下したとしても、ハンドＨ７およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することがない。
【０１１６】
これにより、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止されるので、液体への塵埃等の付着による基板Ｗの汚染をより十分に防止することができる。それにより、露光装置１４において解像性能の劣化等による処理不良の発生を防止することができる。
【０１１７】
また、ハンドＨ７およびハンドＨ８が略水平方向に並ぶので、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ７およびハンドＨ８による基板Ｗの搬送動作を同時に行うことが可能となる。その結果、基板Ｗの処理時間を短縮し、スループットを向上させることができる。
【０１１８】
なお、本実施の形態においては、図６の固定台２１Ｋに代えて、第１の実施の形態で説明した可動台２１が用いられてもよい。また、本実施の形態ではハンド支持台２４ａ，２４ｂがともに共通の固定台２１Ｋに搭載されているが、固定台２１Ｋを２つ設け、それぞれの固定台２１Ｋに支持台２４ａ，２４ｂを個別に搭載してもよい。
【０１１９】
以上、第１および第２の実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１および現像処理ブロック１２が処理部に相当し、インターフェースブロック１３が受け渡し部に相当し、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが搬送手段に相当する。
【０１２０】
また、ハンドＨ５，Ｈ７が第１の保持手段に相当し、ハンドＨ６，Ｈ８が第２の保持手段に相当し、エッジ露光部ＥＥＷが処理ユニットに相当し、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が載置部に相当し、第４のセンターロボットＣＲ４が第１の搬送ユニットに相当し、インターフェース用搬送機構ＩＦＲが第２の搬送ユニットに相当する。
【０１２１】
さらに、ハンドＣＲＨ７が第３の保持手段に相当し、ハンドＣＲＨ８が第４の保持手段に相当し、基板載置部ＰＡＳＳ９が第１の載置ユニットに相当し、基板載置部ＰＡＳＳ１０が第２の載置ユニットに相当する。
【産業上の利用可能性】
【０１２２】
本発明は、種々の基板の処理等に有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。
【図３】図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。
【図４】図１のインターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。
【図５】第２の実施の形態に係る基板処理装置を示す平面図である。
【図６】図５のインターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。
【符号の説明】
【０１２４】
９  インデクサブロック
１０  反射防止膜用処理ブロック
１１  レジスト膜用処理ブロック
１２  現像処理ブロック
１３  インターフェースブロック
１４  露光装置
６０  キャリア載置台
７０  反射防止膜用塗布処理部
８０  レジスト膜用塗布処理部
９０  現像処理部
１００，１０１  反射防止膜用熱処理部
１１０，１１１  レジスト膜用熱処理部
１２０，１２１  現像用熱処理部
５００  基板処理装置
ＣＲ１  第１のセンターロボット
ＣＲ２  第２のセンターロボット
ＣＲ３  第３のセンターロボット
ＣＲ４  第４のセンターロボット
ＣＲＨ１〜ＣＲＨ８，Ｈ５〜Ｈ８  ハンド
ＲＥＳ  塗布ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
ＩＲ  インデクサロボット
ＩＦＲ  インターフェース用搬送機構
Ｗ  基板
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  基板載置部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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