(57)【要約】【課題】 本発明は、レーザー転写用ドナー基板及びこれを用いて製造される有機電界発光素子に関する。【解決手段】 導電層が形成されているドナー基板と接地されたステージと電気的に連結しているため、レーザー転写法により有機膜形成の際、静電気を制御できる有機電界発光素子の製造方法を提供する。【選択図】図３Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層と、
前記基材層の上部全面にかけて形成された光-熱変換層と、
前記基材層の全面にかけて前記光-熱変換層上に形成された帯電防止膜と、
前記帯電防止膜上に形成され、前記帯電防止膜の所定部分が露出されてパターンされている転写層と、を含み、
前記帯電防止膜は、導電性の物質からなることを特徴とするレーザー転写用ドナー基板。
【請求項２】
前記導電性物質は、有機材料、無機材料及び有機-無機複合材料の中、一つの物質からなることを特徴とする、請求項に1記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項３】
前記有機材料は、ポリアニリン(polyaniline)、ポリピロル(polypyrrole)、ポリチオフェン(poythiophene)及びポリエチレンジオキシチオフェン(poly(3、4-ethylenedioxythiophene)からなる群から選択される一つの物質であることを特徴とする、請求項２に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項４】
前記無機材料は、ＡＴＯ(antimony tin oxide)、ＩＴＯ(indium tin oxide)、ＩＺＯ(indium zinc oxide)、Ｎｂ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＴｉＮからなる群から選択される一つの物質であることを特徴とする、請求項２に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項５】
前記有機-無機複合材料は、ＡＴＯゾル、ＩＴＯゾル、Ａｇ-Ｐｄ及びＡｇ-Ｒｕからなる群から選択される一つの物質であることを特徴とする、請求項２に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項６】
前記レーザー熱転写用ドナー基板は、前記帯電防止膜と前記転写層との間に形成され、前記帯電防止膜の所定部分が露出されるようにする中間層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項７】
前記中間層は、ガス生成層、バッファー層及び金属薄膜層からなる群から一つ以上で形成されることを特徴とする、請求項６に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項８】
前記転写層は、有機発光層、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、正孔抑制有機膜、電子注入性有機膜及び電子輸送性有機膜からなる群から選択される一つからなり、又は積層膜からなることを特徴とする、請求項１に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項９】
基材層が提供されているステップと、
前記基材層の上部全面にかけて光-熱変換層を形成するステップと、
前記基材層の全面にかけて前記光-熱変換層上に帯電防止膜を形成するステップと、
前記帯電防止膜上に形成し、前記帯電防止膜の所定部分が露出されてパターンされた転写層を形成するステップと、
前記帯電防止膜は、導電性の物質からなることを特徴とする、レーザー転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１０】
基板上に第１電極をパターンさせて形成するステップと、
前記基板を接地されたステージに吸着して固定するステップと、
前記基板上に導電層を備えた請求項１のドナー基板を合着し、
前記ドナー基板に選択的にレーザーを照射して少なくとも発光層を含む有機膜を転写するステップと、
前記有機膜が前記基板に転写された後のドナー基板を前記基板から脱着するステップと、
前記有機膜上に第２電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記ドナー基板の露出された導電層は、前記ステージに電気的に連結していることを特徴とする、請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１２】
前記有機膜は、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、正孔抑制有機膜、電子注入性有機膜及び電子輸送性有機膜からなる群から選択される一つ以上をさらに含むことを特徴とする、請求項１０に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０の製造方法によって製造されることを特徴とする、有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、静電気を制御できるレーザー転写用ドナー基板及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、有機電界発光素子は、低電圧駆動、高い発光効率、広い視野角及び速い応答速度等によって高画質の動映像を表現できるため、次世代ディスプレーとして脚光を浴びている。
【０００３】
また、このような有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に有機発光層を含む有機膜で構成されていて、前記二つの電極に電圧を印加することによって電子と正孔が有機発光層内で再結合して光を発生する自体発光型としてＬＣＤのようなバックライトが必要ないため、軽量薄型が可能なだけでなく単純な工程で製造できるという長所がある。
【０００４】
ここで、前記有機膜、特に、有機発光層の材料によって低分子型有機電界発光素子と高分子型有機電界発光素子とに分けられる。
【０００５】
前記低分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子注入層等の機能が各々異なる多層の有機膜で形成されていて電荷等の蓄積が発生しないようにドーピングをし、又は適切なエネルギー準位を持つ物質に代わることによって調節が可能である。ここで、このような有機膜は、主に真空蒸着によって形成されるため、大型化されたディスプレーを具現するのに困難であった。
【０００６】
その反面、前記高分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に有機発光層からなる単層構造、又は正孔輸送層を含む二重構造からなることができるため、厚さが薄い層の有機電界発光素子を製造することができ、また、前記有機膜は、湿式コーティングにより形成されるため、常圧下でも製作することができ、生産工程の費用を節減できるだけでなく、大面積化をなすのに容易である。
【０００７】
ここで、単色素子を製作する場合において、高分子を用いた有機電界発光素子は、スピンコーティング工程を用いて簡単に素子を製作できるが、低分子有機電界発光素子より効率と寿命と、が落ちるという短所がある。またフルカラー素子の場合、前記有機電界発光素子にＲ、Ｇ及びＢの三原色を表す発光層をパターニングすることによりフルカラーを具現できる。ここで、低分子型有機電界発光素子の有機膜パターニングは、シャドウマスクを用いた蒸着によりパターニングすることができ、高分子型有機電界発光素子の有機膜パターニングは、インクジェットプリンティング、又はレーザー熱転写法(Laser  Induced  Thermal  Imaging:LITI)によりなされることができる。この中でレーザー熱転写法は、スピンコーティング特性をそのままに利用することができるため、大面積化をなす際、ピクセル内部均一度が優れる。また、レーザー熱転写法は、湿式工程でなく乾燥式工程であるため、溶媒による寿命が低下される問題点を解決することができ、また前記有機膜を微細にパターニングすることができる。
【０００８】
前記レーザー熱転写法を適用するためには、基本的に光源、有機電界発光素子基板(以下、基板とする)及びドナー基板を必要とし、前記ドナー基板は、基材層、光-熱変換層及び転写層からなる。
【０００９】
前記レーザー熱転写法は、光源で光が出てきてドナー基板の光-熱変換層へ吸収されて光が熱エネルギーに転換され、その転換された熱エネルギーにより転写層に形成された有機物質が基板へ転写されて形成される方法である。
【００１０】
前記レーザー熱転写法による有機電界発光素子のパターン形成方法は、下記特許文献１に開示されており、また、下記特許文献２,３,４に既に開示されている。
【００１１】
図１a乃至図１ｃは、レーザー熱転写法による有機膜パターン過程を説明するために示す図面である。
【００１２】
図１aを参照すれば、基板１０が提供されていて、前記基板に基材層２１、光-熱変換層２２及び転写層２３からなるドナー基板２０を合着(lamination)させる。
【００１３】
次に、図１ｂのように前記ドナー基板２０の基材層２１に第１領域aのレーザーＸによる光を照射する。前記基材層２１を通過した光が、光-熱変換層２２で熱に変換され、発生された前記熱によって前記第１領域aの転写層と光-熱変換層２２の接着力が落ちるようになる。
【００１４】
次に、図１ｃのように接着力が落ちた転写層、すなわち、第１領域aの転写層が前記基板１０へ転写されて有機膜２３aが基板に形成され、第２領域、すなわち、光が照射出来ない領域bの転写層２３bは、脱着の際、ドナー基板と同時に離れて出てくることによって、パターンされた有機膜２３aを形成することができる。
【００１５】
しかしながら、前記のようなレーザー熱転写法によりパターンされた有機膜を形成するにおいて、ドナー基板２０と基板１０を吸着して脱着させる過程を通じて摩擦及び外部の環境的要因により静電気が発生できる。このような静電気の放電電圧は、数千から数万ボルトに至るために、静電気により接合部分がショットされ、又は素子内部の温度上昇により金属が溶けて、又は接合線が離れるようになる等、素子の不良をもたらすことができ、素子内部回路に影響を与えるようになって素子の特性を阻害することができる。
【００１６】
【特許文献１】韓国特許登録番号１０-０３４２６５３号
【特許文献２】米国特許第５,９９８,０８５号
【特許文献３】米国特許第６,２１４,５２０号
【特許文献４】米国特許第６,１１４,０８５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上述のような問題点を解決するために案出されたもので、その目的は、レーザー転写法により有機膜形成の際、静電気発生を制御できる有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、前記目的を達成するために、基材層と、
前記基材層の上部全面にかけて形成された光-熱変換層と、
前記基材層の全面にかけて前記光-熱変換層上に形成された帯電防止膜と、
前記帯電防止膜上に形成されて前記帯電防止膜の所定部分が露出されてパターンされている転写層と、を含み、
前記帯電防止膜は、導電性物質からなることを特徴とするレーザー転写用ドナー基板を提供する。
【００１９】
また、本発明は、基材層が提供されているステップと、
前記基材層の上部全面にかけて光-熱変換層を形成するステップと、
前記基材層の全面にかけて前記光-熱変換層上に帯電防止膜を形成するステップと、
前記帯電防止膜上に形成し、前記帯電防止膜の所定部分が露出されてパターンされた転写層を形成するステップと、
前記帯電防止膜は、導電性の物質からなることを特徴とするレーザー転写用ドナー基板の製造方法を提供する。
【００２０】
また、本発明は、基板上に第１電極をパターンさせて形成するステップと、
前記基板を接地されたステージに吸着して固定するステップと、
前記基板上に導電層を備えた第１項のドナー基板を合着し、
前記ドナー基板に選択的にレーザーを照射して少なくとも発光層を含む有機膜を転写するステップと、
前記有機膜が前記基板に転写された後のドナー基板を前記基板から脱着するステップと、
前記有機膜上に第２電極を形成するステップと、を含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【００２１】
また、本発明は、前記製造方法により製造されることを特徴とする有機電界発光素子を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、レーザー転写法により有機電界発光素子を製造の際に発生できる静電気を效果的に制御することができるため、静電気による素子特性低下を防止して高品質のディスプレーを具現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照して本発明をより一層詳細に説明する。
【００２４】
図２は、本発明の好適な実施例に係るドナー基板の断面を示す。
【００２５】
図２を参照すれば、基材層１０１が提供されていて、前記基材層１０１上に光-熱変換層１０２、帯電防止膜１０３及び転写層１０４が順次積層されている。
【００２６】
前記基材層１０１は、光-熱変換層１０２に光を伝達するために、透明性を持つべきで、適当な光学的性質と充分な機械的安全性を持つ高分子物質からなることができる。例えば、前記基材層１０１は、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン及びポリスチレンからなる群から選択される一つ以上の高分子物質からなることができる。より好ましくは、前記基材層１０１は、ポリエチレンテレフタルレートからなることができる。
【００２７】
前記光-熱変換層１０２は、赤外線-可視光線領域の光を吸収して前記光の一部分を熱に変換させる層であって、適当な光学密度(optical  density)を持つべきで、光を吸収するための光吸収性物質を含むことが好ましい。ここで、前記光-熱変換層３２は、Ａｌ、Ａg及びこれらの酸化物及び硫化物からなる金属膜、又はカーボンブラック、黒鉛又は赤外線染料を含む高分子からなる有機膜からなることができる。ここで、前記金属膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法又はスパッタリングを用いて形成することができ、前記有機膜は、一般的なフィルムコーティング方法として、ロールコーティング、グラビア、圧出、スピンコーティング及びナイフコーティング法の中、いずれかの方法により形成されることができる。
【００２８】
前記帯電防止膜１０３は、前記ドナー基板を前記基板に接着し、又はレーザー照射の後にドナー基板を脱着させる場合に発生できる静電気を制御するためのものである。前記ドナー基板内の帯電防止膜が接地されているステージと電気的に連結して静電気の発生を抑制できる。前記帯電防止膜は、有機材料、無機材料及び有機-無機複合材料の中、一つの物質で形成できる。例えば、前記有機材料は、伝導性高分子として、ポリアニリン(polyaniline)、ポリピロル(polypyrrole)、ポリチオフェン(poythiophene)及びポリエチレンジオキシチオフェン(poly(3、4-ethylenedioxythiophene)からなる群から選択される一つの物質である。このような伝導性高分子は、湿式コーティングにより均一に膜を 形成できるという長所がある。また、前記無機材料は、ＡＴＯ(antimony  tin oxide)、ＩＴＯ(indium tin oxide)、ＩＺＯ(indium zinc oxide)、Ｎｂ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＴｉＮからなる群から選択される一つの物質である。このような無機材料は、伝導性が良いため效率的に静電気を制御でき、耐久性が優れる。そして、前記有機-無機複合材料は、ＡＴＯゾル、ＩＴＯゾル、Ａｇ-Ｐｄ及びＡｇ-Ｒｕからなる群から選択される一つの物質である。前記有機-無機複合材料は、ゾル状態として薄膜を形成するのに有利なだけでなく、伝導性が良いという長所を持っている。
【００２９】
前記転写層１０４は、有機発光層、正孔注入性有機膜、正孔輸送性有機膜、正孔抑制有機膜、電子注入性有機膜及び電子輸送性有機膜からなる群から選択される一つからなり、又は積層膜からなることができる。
【００３０】
このような前記転写層は、圧出、スピンコーティング、ナイフコーティング、真空蒸着法及びＣＶＤ等の方法により形成されることができる。次に、前記転写層の所定部分をパターニングして前記導電層の一部分が露出された転写層パターンを形成する。これによって、レーザー転写法により有機膜の形成の際に、前記ドナー基板の露出された帯電防止膜が接地されたステージに電気的に連結してレーザー転写工程の際に発生できる静電気を制御できる。
【００３１】
また、前記帯電防止膜１０３と前記転写層１０４との間に転写特性を向上させるために、所定部分がパターンされた中間層をさらに含むことができる。ここで、前記中間層は、ガス生成層、バッファー層及び金属反射膜のうち、一つ以上からなることができる。
【００３２】
前記ガス生成層は、光又は熱を吸収すれば、分解反応を起こして窒素ガスや水素ガス等を放出することによって、転写エネルギーを提供する役割をし、四硝酸ペンタエリトリット又はトリニトロトルエン等からなることができる。
【００３３】
前記バッファー層は、光-熱吸水性物質が後続工程で形成される転写層の汚染、又は損傷させることを防止し、転写層との接着力を制御して転写パターン特性を向上させる役割をする。ここで、前記バッファー層は、金属酸化物、非金属無機化合物又は不活性高分子からなることができる。
【００３４】
前記金属反射膜は、ドナー基板の基材層に照射されたレーザーを反射させることによって光-熱変換層により多くのエネルギーが伝達されるようにする役割だけでなく、ガス生成層が導入される場合において、前記ガス生成層から発生されるガスが転写層に浸透することを防止する役割をする。
【００３５】
以下、図３a乃至図３ｃを参照して本発明に係るドナー基板を用いたレーザー転写法による有機電界発光素子の製造方法について説明するために示す。
【００３６】
図３aを参照すれば、基板２００を接地されている基板吸着ステージ３００に供給する。
【００３７】
ここで、前記基板２００は、絶縁基板上に一般的な方法により第１電極２０１を形成し、第１電極上に画素部を定義する画素正義膜２０３を含む。また、前記基板は、薄膜トランジスター及び多数の絶縁膜を含むことができる。前記第１電極２０１は、陽極の場合において、仕事関数が高い金属としてＩＴＯ、又はＩＺＯからなる透明電極、又はＰｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金からなる群から選択される反射電極である。 、
【００３８】
また、前記第１電極１０２がカソードの場合、仕事関数が低い金属としてＭg、Ｃa、Ａｌ、Ａg、Ｂａ及びこれらの合金からなる群から選択するが、薄い厚さを持つ透明電極、又は厚い反射電極である。
【００３９】
前記基板吸着ステージ３００は、接地されており、基板２００を吸入部３００aにより吸着、固定して移動する手段である。
【００４０】
一方、基材層１０１、光-熱変換層１０２、帯電防止膜１０３及び転写層１０４を含むドナー基板１００を一実施例によって製造する。ここで、前記帯電防止膜は、所定部分露出されていることが好ましい。
【００４１】
次に、図３bのように前記ドナー基板１００を前記基板吸着ステージ３００に固定された基板２００に一定の間隔で離隔されるように配置して吸着した後に、前記ドナー基板の所定領域にレーザーを照射して前記転写層を前記第１電極上の画素領域に転写する。ここで、前記ドナー基板の露出された帯電防止膜が前記接地されたステージに電気的に連結して工程の際に発生できる静電気を制御できる。
【００４２】
ここで、前記転写層は、少なくとも有機発光層を含み、素子の特性を向上させるために、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び転写注入層からなる群から選択される一つ以上をさらに含むことができる。
【００４３】
前記有機発光層は、赤色発光材料であるＡｌｑ３(ホスト)/ＤＣＪＴＢ(蛍光ドーパント)、Ａｌｑ３(ホスト)/ＤＣＭ(蛍光ドーパント)、ＣＢＰ(ホスト)/ＰｔＯＥＰ(燐光有機金属錯体)等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができ、緑色発光材料であるＡｌｑ３、Ａｌｑ３(ホスト)/Ｃ５４５ｔ(ドーパント)、ＣＢＰ(ホスト)/ＩｒＰＰｙ(燐光有機金属錯体)等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。また、青色発光材料であるＤＰＶＢｉ、スピロ-ＤＰＶＢｉ、スピロ-６Ｐ、ジスチルベンゼン(DSB)、ジスチルアリレン(DSA)等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。
【００４４】
前記第１電極がアノード電極である場合において、前記第１電極２０１上に正孔注入層が形成され、前記第１電極２０１電極と界面接着力が高くてイオン化エネルギーが低い材料で正孔注入層を形成することによって、正孔注入を容易にし、素子の寿命を増加させることができる。前記正孔注入層はアリルアミン系化合物、ポルフィリン系金属錯体及びスターバスト型アミン類等からなることができる。より詳細には、4、4'、4''-トリス(3-メチルフェニルアミノ)トリフェチルアミノ(m-MTDATA)、1、3、5-トリス[4-(3-メチルフェニルアミノ)フェニル]ベンゼン(m-MTDATB)及びプタロシアニン銅(CuPc)等からなることができる。
【００４５】
前記正孔輸送層は、正孔を容易に発光層ヘ移動させるだけでなく、前記第２電極から発生した電子を発光領域へ移動されることを抑制させることによって、発光効率を高めることができる役割をする。前記正孔輸送層は、アリルレンジアミン誘導体、スターバスト型化合物、スピロ基を持つノンフェニルジアミン誘導体及び梯形化合物等からなることができる。より一層詳細では、N、N-ジフェニル-N、N'-ビス(4-メチルフェニル)-1、1'-バイフェニル-4、4'-ジアミン(TPD)、又は4、4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ノンフェニル(NPB)である。
【００４６】
前記正孔抑制層は、有機発光層内で電子移動度より正孔移動度が大きくて発光層で形成される励起子が広い領域にかけて分布するために、発光効率が落ちることを防止する役割をする。前記正孔抑制層は、2-ノンフェニル-4-1−5-(4-t-ブチルフェニル)-1、3、4-オキシジアゾール(PBD)、spiro-PBD及び3-(4'-tert-ブチルフェニル)-4-フェニル-5-(4'-ノンフェニル)-1、2、4-トリアゾール(TAZ）からなる群から選択される一つの物質からなることができる。
【００４７】
前記電子輸送層は、前記有機発光層上に積層されて電子がよく受け入れることができる金属化合物からなり、カソード電極から供給された電子を安定に輸送できる特性が優れた8-ハイドロキノリンアルミニウム塩(Ａｌｑ３)からなることができる。
【００４８】
ここで、前記のような有機発光層を除外した有機膜は、スピンコーティングや蒸着法により形成されることができ、又は前記ドナー基板の転写層形成の際、有機発光層と前記有機膜のうち、一つをより積層してレーザー転写の際、同時に形成できる。
【００４９】
図３ｃのように、前記第１電極上に転写層が転写された後に、前記ドナー基板を脱着させることによって有機膜パターンを形成する。次に、前記有機膜パターン上に第２電極を形成した後に、図には示されていないが、メタルカンで封止して有機電界発光素子を完成する。
【００５０】
ここで、前記第２電極２０４が陰極である場合において、前記有機膜１０４'上に形成されて仕事関数が低い導電性の金属として Ｍg、Ｃa、Ａｌ、Ａg及びこれらの合金からなる群から選択される一つの物質として薄い厚さを持つ透明電極、又は厚い厚さを持つ反射電極で形成される。
【００５１】
また、前記第２電極２０４が陽極である場合において、仕事関数が高い金属として、 ＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明電極、又はＰｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金からなる反射電極である。
【００５２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１Ａ】レーザー熱転写法による有機膜パターン過程を説明するために示す図面である。
【図１Ｂ】レーザー熱転写法による有機膜パターン過程を説明するために示す図面である。
【図１Ｃ】レーザー熱転写法による有機膜パターン過程を説明するために示す図面である。
【図２】本発明の好適な実施例に係るドナー基板の断面を示す図面である。
【図３Ａ】本発明に係るドナー基板を用いたレーザー転写法による有機電界発光素子の製造方法を説明するために示す図面である。
【図３Ｂ】本発明に係るドナー基板を用いたレーザー転写法による有機電界発光素子の製造方法を説明するために示す図面である。
【図３Ｃ】本発明に係るドナー基板を用いたレーザー転写法による有機電界発光素子の製造方法を説明するために示す図面である。
【符号の説明】
【００５４】
１００  ドナー基板
１０１  基材層
１０２  光-熱変換層
１０３  帯電防止膜
１０４  転写層
２００  基板
３００  ステージ
【図１Ａ】
2006066371.tif 000003
【図１Ｂ】
2006066371.tif 000004
【図１Ｃ】
2006066371.tif 000005
【図２】
2006066371.tif 000006
【図３Ａ】
2006066371.tif 000007
【図３Ｂ】
2006066371.tif 000008
【図３Ｃ】
2006066371.tif 000009