(57)【要約】【課題】  印刷法によって塗布または付与された導電層の密着性を向上させること。【解決手段】  層形成方法は、第１の絶縁樹脂の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、前記中間材料層に第１の金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、を含んでいる。さらに、前記中間材料は、第２の絶縁樹脂の前駆体と、第２の金属の微粒子と、を含んでいる。【選択図】  図７
2006007135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁樹脂の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、
前記中間材料層に第１の金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、
前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、
を含んだ層形成方法であって、
前記中間材料は、第２の絶縁樹脂の前駆体と、第２の金属の微粒子と、を含んでいる、
層形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の層形成方法であって、
前記第１の絶縁樹脂と前記第２の絶縁樹脂とは同じである、
層形成方法。
【請求項３】
請求項１記載の層形成方法であって、
前記第１の金属と前記第２の金属とは同じである、
層形成方法。
【請求項４】
第１の無機絶縁物の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、
前記中間材料層に第１の金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、
前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、
を含んだ層形成方法であって、
前記中間材料は、第２の無機絶縁物と、第２の金属の微粒子と、を含んでいる、
層形成方法。
【請求項５】
請求項４記載の層形成方法であって、
前記第１の無機絶縁物と前記第２の無機絶縁物とは同じである、
層形成方法。
【請求項６】
請求項４記載の層形成方法であって、
前記第１の金属と前記第２の金属とは同じである、
層形成方法。
【請求項７】
第１の絶縁樹脂の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、
前記中間材料層に金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、
前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、
を含んだ層形成方法であって、
前記中間材料は、第２絶縁樹脂の前駆体と、無機物または樹脂の微粒子と、を含んでいる、
層形成方法。
【請求項８】
請求項７記載の層形成方法であって、
前記第１の絶縁樹脂と前記第２の絶縁樹脂とは同じである、
層形成方法。
【請求項９】
第１の無機絶縁物の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、
前記中間材料層に金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、
前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、
を含んだ層形成方法であって、
前記中間材料は、第２の無機絶縁物と、無機物または樹脂の微粒子と、を含んでいる、
層形成方法。
【請求項１０】
請求項９記載の層形成方法であって、
前記第１の無機絶縁物と前記第２の無機絶縁物とは同じである、
層形成方法。
【請求項１１】
請求項７から１０のいずれか１つに記載の層形成方法であって、
前記液状の導電性材料は、前記金属の微粒子を含んでいて、
前記無機物または樹脂の微粒子の平均粒径は、前記金属の微粒子の平均粒径よりも大きい、
層形成方法。
【請求項１２】
第１の絶縁樹脂の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、
前記中間材料層が乾燥する前に、前記中間材料層に金属の微粒子を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、
前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、
を含んだ層形成方法であって、
前記中間材料は、第２の絶縁樹脂の前駆体を含んでいる、
層形成方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の層形成方法であって、
前記第１の絶縁樹脂と前記第２の絶縁樹脂とは同じである、
層形成方法。
【請求項１４】
第１の無機絶縁物の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、
前記中間材料層が乾燥する前に、前記中間材料層に金属の微粒子を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、
前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、
を含んだ層形成方法であって、
前記中間材料は、第２の無機絶縁物を含んでいる、
層形成方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の層形成方法であって、
前記第１の無機絶縁物と前記第２の無機絶縁物とは同じである、
層形成方法。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一つに記載の層形成方法で製造された配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層形成方法および配線基板に関し、特にインクジェット法による導電層の形成に好適な層形成方法およびそれによって製造される配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット法による金属配線の形成技術が知られている（例えば特許文献１）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−６５７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インクジェット法などの印刷法を利用して絶縁層上に設けられた導電性材料層は、下地の絶縁層に密着しにくいことがある。このため、そのような導電性材料層を加熱して最終的な導電層を生成する場合に、導電性材料層の熱収縮によって、絶縁層と導電性材料層との間に隙間が生じてしまうことがある。また、絶縁層の線膨張係数と、導電層の線膨張係数との違いから、周囲温度が上昇した際に導電層が剥離してしまうことがある。
【０００５】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、印刷法によって塗布または付与された導電層の密着性を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の層形成方法は、第１の絶縁樹脂の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、前記中間材料層に第１の金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、を含んでいる。さらに、前記中間材料は、第２の絶縁樹脂の前駆体と、第２の金属の微粒子と、を含んでいる。
【０００７】
上記構成によって得られる効果の一つは、絶縁樹脂の層から剥離しにくい導電層を印刷法で形成できることである。
【０００８】
好ましくは、前記第１の絶縁樹脂と前記第２の絶縁樹脂とは同じである。
【０００９】
上記構成によって得られる効果の一つは、絶縁樹脂の層の線膨張係数と中間層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００１０】
好ましくは、前記第１の金属と前記第２の金属とは同じである。
【００１１】
上記構成によって得られる効果の一つは、中間層の線膨張係数と導電層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００１２】
本発明の層形成方法は、第１の無機絶縁物の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、前記中間材料層に第１の金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、を含んでいる。さらに、前記中間材料は、第２の無機絶縁物と、第２の金属の微粒子と、を含んでいる。
【００１３】
上記構成によって得られる効果の一つは、無機絶縁物の層から剥離しにくい導電層を印刷法で形成できることである。
【００１４】
好ましくは、前記第１の無機絶縁物と前記第２の無機絶縁物とは同じである。
【００１５】
上記構成によって得られる効果の一つは、無機絶縁物の層の線膨張係数と中間層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００１６】
また好ましくは、前記第１の金属と前記第２の金属とは同じである。
【００１７】
上記構成によって得られる効果の一つは、中間層の線膨張係数と導電層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００１８】
本発明の層形成方法は、第１の絶縁樹脂の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、前記中間材料層に金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、を含んでいる。さらに、前記中間材料は、第２絶縁樹脂の前駆体と、無機物または樹脂の微粒子と、を含んでいる。
【００１９】
上記構成によって得られる効果の一つは、アンカー効果によって、中間層と導電層とが密着できる。中間材料が無機物または樹脂の微粒子を含んでいるので、この無機物または樹脂の微粒子の平均粒径に応じた凹凸が中間層の表面に現れるからである。
【００２０】
好ましくは、前記第１の絶縁樹脂と前記第２の絶縁樹脂とは同じである。
【００２１】
上記構成によって得られる効果の一つは、絶縁樹脂の層の線膨張係数と中間層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００２２】
本発明の層形成方法は、第１の無機絶縁物の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、前記中間材料層に金属を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、を含んでいる。さらに、前記中間材料は、第２の無機絶縁物と、無機物または樹脂の微粒子と、を含んでいる。
【００２３】
上記構成によって得られる効果の一つは、アンカー効果によって、中間層と導電層とが密着できる。中間材料が無機物または樹脂の微粒子を含んでいるので、この無機物または樹脂の微粒子の平均粒径に応じた凹凸が中間層の表面に現れるからである。
【００２４】
好ましくは、前記第１の無機絶縁物と前記第２の無機絶縁物とは同じである。
【００２５】
上記構成によって得られる効果の一つは、無機絶縁物の層の線膨張係数と中間層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００２６】
好ましくは、前記液状の導電性材料は、前記金属の微粒子を含んでいて、前記無機物または樹脂の微粒子の平均粒径は、前記金属の微粒子の平均粒径よりも大きい。
【００２７】
上記構成によって得られる効果の一つは、印刷法を利用して金属の微粒子を含む液状の導電性材料を塗布または付与しても、剥離しにくい導電層が得られることである。
【００２８】
本発明の層形成方法は、第１の絶縁樹脂の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、前記中間材料層が乾燥する前に、前記中間材料層に金属の微粒子を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、を含んでいる。さらに、前記中間材料は、第２の絶縁樹脂の前駆体を含んでいる。
【００２９】
上記構成によって得られる効果の一つは、絶縁樹脂の層から剥離しにくい導電層を印刷法で形成できることである。
【００３０】
好ましくは、前記第１の絶縁樹脂と前記第２の絶縁樹脂とは同じである。
【００３１】
上記構成によって得られる効果の一つは、絶縁樹脂の層の線膨張係数と中間層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００３２】
本発明の層形成方法は、第１の無機絶縁物の層に液状の中間材料を塗布または付与して、前記層上に中間材料層を形成するステップ（Ａ）と、前記中間材料層が乾燥する前に、前記中間材料層に金属の微粒子を含んだ液状の導電性材料を塗布または付与して、前記中間材料層上に導電性材料層を形成するステップ（Ｂ）と、前記中間材料層と前記導電性材料層とを活性化して、中間層と前記中間層上に位置する導電層とを生成するステップ（Ｃ）と、を含んでいる。さらに、前記中間材料は、第２の無機絶縁物を含んでいる。
【００３３】
上記構成によって得られる効果の一つは、無機絶縁物の層から剥離しにくい導電層を印刷法で形成できることである。
【００３４】
好ましくは、前記第１の無機絶縁物と前記第２の無機絶縁物とは同じである。
【００３５】
上記構成によって得られる効果の一つは、無機絶縁物の層の線膨張係数と中間層の線膨張係数とが互いにより近くなることである。
【００３６】
本発明の配線基板は、上記層形成方法で製造されている。
【００３７】
上記構成によって得られる効果の一つは、導電層が剥離しにくい配線基板を印刷法で製造できることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
（実施形態１）
本実施形態の配線基板は、テープ形状を有するベース基板１ａから製造される。ここでベース基板１ａは、ポリイミドからなっており、フレキシブル基板とも呼ばれる。ベース基板１ａ上には、後述する製造工程によって、導電配線が形成される。そして、導電配線が形成された後で、ベース基板１ａはプレス処理を受けて、ベース基板１ａから複数の基板が切り抜かれる。この結果、ベース基板１ａから、それぞれが導電配線を有する複数の基板が得られる。ここで、本実施形態では、複数の基板のそれぞれに設けられた導電配線は、どれも同じパターンを構成している。このように、導電配線が形成された基板を「配線基板」と表記する。
【００３９】
（Ａ．層形成装置）
本実施形態の配線基板は、３つの層形成装置が行う層形成工程を経て製造される。これら３つの層形成装置は、いずれも基本的に同じ構成・機能を有している。このため、以下では、記載の重複を避ける目的で、３つの層形成装置を代表して、１つの層形成装置についてのみ構成・機能を説明する。
【００４０】
図１の層形成装置１０は、所定のレベルに位置する表面に導電層または絶縁層を設ける装置である。この層形成装置１０は、一対のリールＷ１と、吐出装置１０Ａと、オーブン１０Ｂと、を含んでいる。そして、層形成装置１０において、ベース基板１ａがリールＷ１の一方から巻き出されて他方に巻き取られるまでに、吐出装置１０Ａとオーブン１０Ｂとによって、ベース基板１ａに対してそれぞれの処理が行われる。このような処理方式は、リール・トゥ・リール（Ｒｅｅｌ  Ｔｏ  Ｒｅｅｌ）とも呼ばれる。
【００４１】
吐出装置１０Ａは、ベース基板１ａの所定のレベルに位置する表面に向けて液状の材料を吐出する装置である。また、オーブン１０Ｂは、吐出装置１０Ａによって付与または塗布された液状の材料を、加熱すなわち活性化する装置である。説明の便宜上、本明細書では、３つの層形成装置１０のそれぞれに含まれる３つの吐出装置１０Ａを、吐出装置１１Ａ、吐出装置１２Ａ、吐出装置１３Ａと表記する。同様に、説明の便宜上、本明細書では、３つのオーブン１０Ｂを、オーブン１１Ｂ、オーブン１２Ｂ、オーブン１３Ｂと表記する。
【００４２】
３つの吐出装置１１Ａ、１２Ａ、１３Ａは、基本的にいずれも同じ構造・機能を有している。このため、以下では、記載の重複を避ける目的で、３つの吐出装置１１Ａ、１２Ａ、１３Ａを代表して、吐出装置１１Ａについてのみ構成・機能を説明する。
【００４３】
（Ｂ．吐出装置の全体構成）
図２に示す吐出装置１１Ａはインクジェット装置である。より具体的には、吐出装置１１Ａは、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、チューブ１１０を介してタンク１０１から液状の材料１１１が供給される吐出走査部１０２と、を備えている。ここで、吐出走査部１０２は、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００４４】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図３、図４）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。
【００４５】
ステージ１０６はベース基板１ａを固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いてベース基板１ａの位置を固定する機能も有する。
【００４６】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００４７】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００４８】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータおよびサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。
【００４９】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、ベース基板１ａはステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、ベース基板１ａに対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図３、図４）は、ベース基板１ａに対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００５０】
制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データ（例えばビットマップデータ）を外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。
【００５１】
上記構成を有する吐出装置１１Ａは、ビットマップデータ（つまり吐出データ）に応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図３、図４）をベース基板１ａに対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状の材料１１１を吐出する。このビットマップデータとは、ベース基板１ａ上に、材料を所定パターンで付与するためのデータである。なお、吐出装置１１Ａによるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状の材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
【００５２】
また「被吐出部」とは、液状の材料１１１の液滴が着弾して塗れ広がる部分である。さらに「被吐出部」は、液状の材料１１１が所望の接触角を呈するように、下地の物体に表面改質処理が施されることによって形成された部分でもある。ただし、表面改質処理を行わなくても下地の物体の表面が、液状の材料１１１に対して所望の撥液性または親液性を呈する（つまり着弾した液状の材料１１１が下地の物体の表面上で望ましい接触角を呈する）場合には、下地の物体の表面そのものが「被吐出部」であってもよい。なお、本明細書では、「被吐出部」を「ターゲット」または「受容部」とも表記する。
【００５３】
（Ｃ．ヘッド）
図３に示すように、ヘッド１１４は吐出ヘッド部１０３においてキャリッジ１０３Ａによって固定されている。また、ヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８と、を備えている。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の材料１１１が常に充填される。
【００５４】
振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００５５】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ、１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００５６】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００５７】
（Ｄ．制御部）
次に、制御部１１２の構成を説明する。図５に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８と、を備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。
【００５８】
走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。
【００５９】
入力バッファメモリ２００は、吐出装置１０Ａの外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状の材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図５では、記憶装置２０２はＲＡＭである。
【００６０】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴が吐出される。
【００６１】
制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータであってもよい。この場合には、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。
【００６２】
（Ｅ．液状の材料）
上述の液状の材料１１１とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴として吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴の吐出を実現できる。
【００６３】
後述する導電性材料９１Ａ（図７（ａ））は、上述の「液状の材料」の一種である。本実施形態の導電性材料９１Ａは、平均粒径が１０ｎｍ程度の銀粒子と、分散剤と、トルエンやキシレンなどの有機溶媒と、を含む。そして導電性材料において、銀粒子は分散剤に覆われている。分散剤に覆われた銀粒子は有機溶媒中に安定して分散されている。ここで、分散剤は、銀原子に配位可能な化合物である。
【００６４】
このような分散剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、分散剤として２−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールなどを用いることができる。
【００６５】
なお、平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、本実施形態の導電性材料は銀のナノ粒子を含んでいる。
【００６６】
後述する絶縁材料２１Ａ（図６（ａ）、図１０（ａ））、および絶縁材料２２Ａ（図８（ａ）、図１２（ａ））も「液状の材料」である。具体的には、絶縁材料２１Ａは、ポリイミド前駆体と、溶媒（希釈剤）であるＮメチル２ピロリドンと、を含んでいる。一方、絶縁材料２２Ａは、無機絶縁物であるシリカ（二酸化ケイ素）のナノ粒子と、溶媒とを含んでいる。ここで、絶縁材料２２Ａに含まれるシリカのナノ粒子の平均粒径は約１０ｎｍである。絶縁材料２２Ａにおける溶媒（希釈剤）は、水である。
【００６７】
さらに、後述する中間材料３１Ａ（図６（ｃ））、４１Ａ（図８（ｃ））、５１Ａ（図１０（ｃ））、６１Ａ（図１２（ｃ））、７１Ａ（図１４（ｃ））、８１Ａ（図１６（ｃ））のそれぞれも「液状の材料」である。
【００６８】
具体的には、中間材料３１Ａは、ポリイミド前駆体と、溶媒であるＮメチル２ピロリドンと、銀のナノ粒子と、銀のナノ粒子を分散させる分散剤と、を含んだ「液状の材料」である。また、中間材料４１Ａは、平均粒径がほぼ１０ｎｍのシリカのナノ粒子と、溶媒（希釈剤）と、銀のナノ粒子と、銀のナノ粒子を分散させる分散剤と、を含んだ「液状の材料」である。
【００６９】
また、中間材料５１Ａは、ポリイミド前駆体と、溶媒であるＮメチル２ピロリドンと、平均粒径がほぼ５０ｎｍのシリカのナノ粒子と、を含んだ「液状の材料」である。そして、中間材料６１Ａは、平均粒径がほぼ１０ｎｍのシリカのナノ粒子と、溶媒（希釈剤）と、平均粒径が５０ｎｍのシリカのナノ粒子と、を含んだ「液状の材料」である。
【００７０】
さらに、中間材料７１Ａは、ポリイミド前駆体と、溶媒であるＮメチル２ピロリドンと、を含んだ「液状の材料」である。本実施形態では、中間材料７１Ａは、絶縁材料２１Ａと同じである。また、中間材料８１Ａは、平均粒径がほぼ１０ｎｍのシリカのナノ粒子と、溶媒（希釈剤）と、を含んだ「液状の材料」である。本実施形態では、中間材料８１Ａは、絶縁材料２２Ａと同じである。
【００７１】
次に、層形成方法を説明する。本実施形態の層形成方法は、配線基板の製造方法の一部である。
【００７２】
（Ｆ１．絶縁層）
まず、ベース基板１ａ上に絶縁層２１を設ける。具体的には、図６（ａ）に示すように、ベース基板１ａを吐出装置１１Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１１Ａは、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａ上に絶縁材料層２１Ｂを形成する。ここで、絶縁材料層２１Ｂは、ベース基板１ａの一方の面の全面をほぼ覆うような形状をしている。つまり、絶縁材料層２１Ｂはいわゆるべた膜である。
【００７３】
より具体的には、まず、吐出装置１１Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、ベース基板１ａの被吐出部に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１１Ａはノズル１１８から絶縁材料２１Ａの液滴を吐出する。ここで、絶縁材料２１Ａは、ポリイミド前駆体と溶媒とを含んだ液状の材料である。吐出された絶縁材料２１Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして絶縁材料２１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａの被吐出部上に絶縁材料層２１Ｂが得られる。
【００７４】
絶縁材料層２１Ｂを形成した後で、絶縁材料層２１Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１１Ｂの内部に位置させる。そして、絶縁材料層２１Ｂを加熱することで、絶縁材料層２１Ｂにおけるポリイミド前駆体を硬化してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図６（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、絶縁層２１（ポリイミド層）が得られる。
【００７５】
（Ｆ２．中間層・導電層）
絶縁層２１を形成した後で、互いに同じパターンの形状を有する中間層３１と導電層９１とを形成する。ここで、導電層９１は、中間層３１上に積層されることになる。
【００７６】
具体的には、図６（ｃ）に示すように、絶縁層２１が設けられたベース基板１ａを吐出装置１２Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１２Ａは、第２ビットマップデータに応じて、絶縁層２１上に中間材料層３１Ｂを形成する。
【００７７】
より具体的には、まず、吐出装置１２Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１２Ａはノズル１１８から中間材料３１Ａの液滴を吐出する。ここで、中間材料３１Ａは、ポリイミド前駆体と、溶媒と、平均粒径がほぼ１０ｎｍの銀の微粒子と、を含んだ液状の材料である。吐出された中間材料３１Ａの液滴は、絶縁層２１の被吐出部に着弾する。そして中間材料３１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、図６（ｄ）に示すように、絶縁層２１の被吐出部上に中間材料層３１Ｂが得られる。
【００７８】
ここで、本実施形態の導電パターン４０は、図７（ｄ）に示すように、導電配線が設けられるべきパターンである。導電配線は本実施形態の導電層９１（図７（ｃ））によって実現されることになる。なお、図７（ｄ）に示すように、導電パターン４０は、互いに接している電極部分４０Ａと配線部分４０Ｂとからなる。電極部分４０Ａとは、他の半導体素子の電極パッド等に電気的かつ物理的に接合されるための部分である。
【００７９】
中間材料層３１Ｂを形成した後で、導電パターン４０の形状を有する導電性材料層９１Ｂを形成する。この目的で、ベース基板１ａは、中間材料層３１Ｂを保護するスペーサとともにリールＷ１に巻き取られる。そしてその後、ベース基板１ａは、リールＷ１とともに、吐出装置１３Ａを含む層形成装置にセットされる。なお、本実施形態では、オーブン１２Ｂは用いられず、このため、中間材料層３１Ｂは、完全には硬化されていない。ただし、中間材料層３１Ｂを形成した直後にｉ線などのＵＶ光を照射してもよい。
【００８０】
具体的には、図７（ａ）に示すように、中間材料層３１Ｂが設けられたベース基板１ａを吐出装置１３Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１３Ａは、第３ビットマップデータに応じて、中間材料層３１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂを形成する。
【００８１】
より具体的には、まず、吐出装置１３Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１３Ａはノズル１１８から導電性材料９１Ａの液滴を吐出する。吐出された導電性材料９１Ａの液滴は、中間材料層３１Ｂ上に着弾する。そして導電性材料９１Ａの液滴が中間材料層３１Ｂ上に着弾することによって、図７（ｂ）に示すように、中間材料層３１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂが得られる。
【００８２】
導電性材料層９１Ｂを形成した後で、中間材料層３１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、中間材料層３１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを加熱することで、図７（ｃ）に示すように、互いに密着した中間層３１と導電層９１とが得られる。なお、次で詳述するように、中間層３１は、接続層３２と、緩衝層３３と、接続層３４と、からなる。
【００８３】
具体的には、中間材料層３１Ｂと導電性材料層９１Ｂとの活性化によって、中間材料層３１Ｂにおけるポリイミド前駆体の硬化反応が進行して、中間材料層３１Ｂから緩衝層３３が生成する。また、導電性材料９１Ａにおける銀の微粒子が燒結または融着して、導電性材料層９１Ｂから導電層９１が生成する。それらと同時に、中間材料層３１Ｂの表層における銀の微粒子と、導電性材料層９１Ｂの表層における銀の微粒子と、が互いに燒結または融着することで、緩衝層３３と導電層９１との間に接続層３２が生成する。この結果、緩衝層３３と導電層９１とが接続層３２を介して互いに密着するようになる。
【００８４】
さらに上記活性化によって、絶縁層２１の表層におけるポリイミドと、中間材料層３１Ｂの他方の表層に含まれるポリイミド前駆体と、が結合することで、絶縁層２１と緩衝層３３との間に接続層３４が生成する。この結果、絶縁層２１と緩衝層３３とが接続層３４を介して互いに密着するようになる。なお、絶縁層２１に含まれるポリイミドと、上記活性化によって生成する中間層３１に含まれるポリイミドとが、本発明の「絶縁樹脂」に対応する。
【００８５】
したがって、中間層３１は、絶縁層２１にも導電層９１にも密着できる。また、中間層３１は、ポリイミドと銀とを含む。つまり、中間層３１は、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂と同じ絶縁樹脂を含むとともに、導電層９１に含まれる金属と同じ金属を含む。このため、中間層３１の線膨張係数の値は、絶縁層２１の線膨張係数の値と、導電層９１の線膨張係数の値との間になる。したがって、中間層３１がない場合と比べて、絶縁層２１が熱膨張する際に生じる応力が小さい。この結果、中間層３１がない場合よりも、熱膨張による導電層９１の剥離が生じにくい。
【００８６】
このように本実施形態の中間材料３１Ａは、絶縁樹脂の前駆体を含んでおり、しかも、活性化によってその前駆体から生成する絶縁樹脂は、下地の絶縁層２１を構成する絶縁樹脂と同じである。ただし、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂の線膨張係数と、結果として得られる中間層３１に含まれる絶縁樹脂の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂と、中間層３１に含まれる絶縁樹脂とが、異なっていてもよい。同様に、中間層３１に含まれる金属の線膨張係数と、導電層９１に含まれる金属の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、中間層３１に含まれる金属と、導電層９１に含まれる金属とは、異なっていてもよい。
【００８７】
（実施形態２）
次に実施形態２の製造方法を述べる。本実施形態の製造方法は、絶縁材料２１Ａと中間材料３１Ａとの代わりに絶縁材料２２Ａと中間材料４１Ａとが用いられる点を除いて、基本的に実施形態１の製造方法と同じである。
【００８８】
（Ｇ１．絶縁層）
まず、ベース基板１ａ上に、無機絶縁物からなる絶縁層２２を設ける。具体的には、図８（ａ）に示すように、ベース基板１ａを吐出装置１１Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１１Ａは、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａ上に絶縁材料層２２Ｂを形成する。ここで、絶縁材料層２２Ｂは、ベース基板１ａの一方の面の全面をほぼ覆うような形状をしている。つまり、絶縁材料層２２Ｂはいわゆるべた膜である。
【００８９】
より具体的には、まず、吐出装置１１Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、ベース基板１ａの被吐出部に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１１Ａはノズル１１８から絶縁材料２２Ａの液滴を吐出する。ここで、絶縁材料２２Ａは、無機絶縁物と溶媒とを含んだ液状の材料である。吐出された絶縁材料２２Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして絶縁材料２２Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａの被吐出部上に絶縁材料層２２Ｂが得られる。
【００９０】
絶縁材料層２２Ｂを形成した後で、絶縁材料層２２Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１１Ｂの内部に位置させる。そして、絶縁材料層２２Ｂを加熱することで、絶縁材料層２２Ｂにおける無機絶縁物を析出または融着させる。このような活性化の結果、図８（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、絶縁層２２が得られる。
【００９１】
（Ｇ２．中間層・導電層）
絶縁層２２を形成した後で、どちらも導電パターン４０（図７（ｄ））の形状を有する中間層４１と導電層９１とを形成する。ここで、導電層９１は、中間層４１上に積層されることになる。
【００９２】
具体的には、図８（ｃ）に示すように、絶縁層２２が設けられたベース基板１ａを吐出装置１２Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１２Ａは、第２ビットマップデータに応じて、絶縁層２２上に中間材料層４１Ｂを形成する。
【００９３】
より具体的には、まず、吐出装置１２Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１２Ａはノズル１１８から中間材料４１Ａの液滴を吐出する。ここで、中間材料４１Ａは、無機絶縁物と、溶媒と、平均粒径がほぼ１０ｎｍの銀の微粒子と、を含む。吐出された中間材料４１Ａの液滴は、絶縁層２２の被吐出部に着弾する。そして中間材料４１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、図８（ｄ）に示すように、絶縁層２２の被吐出部上に中間材料層４１Ｂが得られる。
【００９４】
中間材料層４１Ｂを形成した後で、導電パターン４０の形状を有する導電性材料層９１Ｂを形成する。この目的で、ベース基板１ａは、中間材料層４１Ｂを保護するスペーサとともにリールＷ１に巻き取られる。そしてその後、ベース基板１ａは、リールＷ１とともに、吐出装置１３Ａを含む層形成装置にセットされる。なお、本実施形態では、オーブン１２Ｂは用いられず、このため、中間材料層４１Ｂは、完全には硬化されていない。
【００９５】
具体的には、図９（ａ）に示すように、中間材料層４１Ｂが設けられたベース基板１ａを吐出装置１３Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１３Ａは、第３ビットマップデータに応じて、中間材料層４１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂを形成する。
【００９６】
より具体的には、まず、吐出装置１３Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１３Ａはノズル１１８から導電性材料９１Ａの液滴を吐出する。吐出された導電性材料９１Ａの液滴は、中間材料層４１Ｂ上に着弾する。そして導電性材料９１Ａの液滴が中間材料層４１Ｂ上に着弾することによって、図９（ｂ）に示すように、中間材料層４１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂが得られる。
【００９７】
導電性材料層９１Ｂを形成した後で、中間材料層４１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、中間材料層４１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを加熱することで、図９（ｃ）に示すように、互いに密着した中間層４１と導電層９１とが得られる。なお、次で詳述するように、中間層４１は、接続層４２と、緩衝層４３と、接続層４４と、からなる。
【００９８】
具体的には、中間材料層４１Ｂと導電性材料層９１Ｂとの活性化によって、中間材料層４１Ｂにおける無機絶縁物が析出または融着して、中間材料層４１Ｂから緩衝層４３が生成する。また、導電性材料９１Ａにおける銀の微粒子が燒結または融着して、導電性材料層９１Ｂから導電層９１が生成する。それらと同時に、中間材料層４１Ｂの表層における銀の微粒子と、導電性材料層９１Ｂの表層における銀の微粒子と、が互いに燒結または融着することで、緩衝層４３と導電層９１との間に接続層４２が生成する。この結果、緩衝層４３と導電層９１とが接続層４２を介して互いに密着するようになる。
【００９９】
さらに上記活性化によって、絶縁層２２の表層における無機絶縁物と、中間材料層４１Ｂの他方の表層に含まれる無機絶縁物と、が結合して、絶縁層２２と緩衝層４３との間に接続層４４が生成する。この結果、絶縁層２２と緩衝層４３とが接続層４４を介して互いに密着するようになる。
【０１００】
したがって、中間層４１は、絶縁層２２にも導電層９１にも密着できる。また、中間層４１は、無機絶縁物と銀とを含む。つまり、中間層４１は、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物と同じ無機絶縁物を含むとともに、導電層９１に含まれる金属と同じ金属を含む。このため、中間層４１の線膨張係数の値は、絶縁層２２の線膨張係数の値と、導電層９１の線膨張係数の値との間になる。したがって、中間層４１がない場合と比べて、絶縁層２２が熱膨張する際に生じる応力が小さい。この結果、中間層４１がない場合よりも、熱膨張による導電層９１の剥離が生じにくい。
【０１０１】
このように本実施形態の中間材料４１Ａは、絶縁層２２を構成する無機絶縁物と同じ無機絶縁物を含んでいる。ただし、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物の線膨張係数と、結果として得られる中間層４１に含まれる無機絶縁物の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物と、中間層４１に含まれる無機絶縁物とが、異なっていてもよい。同様に、中間層４１に含まれる金属の線膨張係数と、導電層９１に含まれる金属の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、中間層４１に含まれる金属と、導電層９１に含まれる金属とは、異なっていてもよい。
【０１０２】
（実施形態３）
次に実施形態３の製造方法を述べる。本実施形態の製造方法は、中間材料３１Ａの代わりに中間材料５１Ａが用いられる点を除いて、基本的に実施形態１の製造方法と同じである。
【０１０３】
（Ｈ１．絶縁層）
まず、ベース基板１ａ上に、絶縁樹脂からなる絶縁層２１を設ける。具体的には、図１０（ａ）に示すように、ベース基板１ａを吐出装置１１Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１１Ａは、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａ上に絶縁材料層２１Ｂを形成する。ここで、絶縁材料層２１Ｂは、ベース基板１ａの一方の面の全面をほぼ覆うような形状をしている。つまり、絶縁材料層２１Ｂはいわゆるべた膜である。
【０１０４】
より具体的には、まず、吐出装置１１Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、ベース基板１ａの被吐出部に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１１Ａはノズル１１８から絶縁材料２１Ａの液滴を吐出する。ここで、絶縁材料２１Ａは、ポリイミド前駆体と溶媒とを含んだ液状の材料である。吐出された絶縁材料２１Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして絶縁材料２１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａの被吐出部上に絶縁材料層２１Ｂが得られる。
【０１０５】
絶縁材料層２１Ｂを形成した後で、絶縁材料層２１Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１１Ｂの内部に位置させる。そして、絶縁材料層２１Ｂを加熱することで、絶縁材料層２１Ｂにおけるポリイミド前駆体の硬化反応が進行してポリイミド層を得る。このような活性化の結果、図１０（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、絶縁層２１（ポリイミド層）が得られる。
【０１０６】
（Ｈ２．中間層・導電層）
絶縁層２１を形成した後で、どちらも導電パターン４０（図７（ｄ））の形状を有する中間層５１と導電層９１とを形成する。ここで、導電層９１は、中間層５１上に積層されることになる。
【０１０７】
具体的には、図１０（ｃ）に示すように、絶縁層２１が設けられたベース基板１ａを吐出装置１２Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１２Ａは、第２ビットマップデータに応じて、絶縁層２１上に中間材料層５１Ｂを形成する。
【０１０８】
より具体的には、まず、吐出装置１２Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１２Ａはノズル１１８から中間材料５１Ａの液滴を吐出する。ここで、中間材料５１Ａは、ポリイミド前駆体と、溶媒と、平均粒径がほぼ５０ｎｍのシリカ粒子と、を含んだ液状の材料である。吐出された中間材料５１Ａの液滴は、絶縁層２１の被吐出部に着弾する。そして中間材料５１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、図１０（ｄ）に示すように、絶縁層２１の被吐出部上に中間材料層５１Ｂが得られる。ここで、中間材料層５１Ｂがシリカ粒子の表面には、シリカ粒子の存在によってほぼ５０ｎｍ程度の凹凸が現れる。
【０１０９】
中間材料層５１Ｂを形成した後で、導電パターン４０の形状を有する導電性材料層９１Ｂを形成する。この目的で、ベース基板１ａは、中間材料層５１Ｂを保護するスペーサとともにリールＷ１に巻き取られる。そしてその後、ベース基板１ａは、リールＷ１とともに、吐出装置１３Ａを含む層形成装置にセットされる。なお、本実施形態では、オーブン１２Ｂは用いられず、このため、中間材料層５１Ｂは、完全には硬化されていない。
【０１１０】
具体的には、図１１（ａ）に示すように、中間材料層５１Ｂが設けられたベース基板１ａを吐出装置１３Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１３Ａは、第３ビットマップデータに応じて、中間材料層５１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂを形成する。
【０１１１】
より具体的には、まず、吐出装置１３Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１３Ａはノズル１１８から導電性材料９１Ａの液滴を吐出する。吐出された導電性材料９１Ａの液滴は、中間材料層５１Ｂ上に着弾する。そして導電性材料９１Ａの液滴が中間材料層５１Ｂ上に着弾することによって、図１１（ｂ）に示すように、中間材料層５１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂが得られる。
【０１１２】
上述したように、銀の微粒子の平均粒径はほぼ１０ｎｍである。つまり、銀の微粒子の平均粒径は、中間材料層５１Ｂの表面の凹凸のスケールよりも小さい。このため、導電性材料層９１Ｂにおける銀の微粒子は、中間材料層５１Ｂの表面の凹凸に入り込む。
【０１１３】
導電性材料層９１Ｂを形成した後で、中間材料層５１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、中間材料層５１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを加熱することで、図１１（ｃ）に示すように、互いに密着した中間層５１と導電層９１とが得られる。なお、次で詳述するように、中間層５１は、緩衝層５３と、接続層５４と、からなる。
【０１１４】
具体的には、中間材料層５１Ｂと導電性材料層９１Ｂとの活性化によって、中間材料層５１Ｂにおけるポリイミド前駆体の硬化反応が進行して、中間材料層５１Ｂから緩衝層５３が生成する。また、導電性材料９１Ａにおける銀の微粒子が燒結または融着して、導電性材料層９１Ｂから導電層９１が生成する。さらに、中間材料層５１Ｂの表面の凹凸に、銀の微粒子が入り込んでいるので、いわゆるアンカー硬化によって、中間層５１と導電層９１とが互いに密着する。
【０１１５】
さらに上記活性化によって、絶縁層２１の表層におけるポリイミドと、中間材料層５１Ｂの他方の表層に含まれるポリイミド前駆体と、が結合することで、絶縁層２１と緩衝層５３との間に接続層５４が生成する。この結果、絶縁層２１と緩衝層５３とが接続層５４を介して互いに密着するようになる。なお、絶縁層２１におけるポリイミドと、上記活性化によって形成される中間層５１におけるポリイミドとが、本発明の「絶縁樹脂」に対応する。
【０１１６】
したがって、中間層５１は、絶縁層２１にも導電層９１にも密着できる。この結果、中間層５１がない場合と比較して、導電層９１の剥離が生じにくくなる。
【０１１７】
なお、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂の線膨張係数と、結果として得られる中間層５１に含まれる絶縁樹脂の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂と、中間層５１に含まれる絶縁樹脂とが、異なっていてもよい。
【０１１８】
（実施形態４）
次に実施形態４の製造方法を述べる。本実施形態の製造方法は、絶縁材料２１Ａと中間材料３１Ａとの代わりに絶縁材料２２Ａと中間材料６１Ａとが用いられる点を除いて、基本的に実施形態１の製造方法と同じである。
【０１１９】
（Ｉ１．絶縁層）
まず、ベース基板１ａ上に、無機絶縁物からなる絶縁層２２を設ける。具体的には、図１２（ａ）に示すように、ベース基板１ａを吐出装置１１Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１１Ａは、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａ上に絶縁材料層２２Ｂを形成する。ここで、絶縁材料層２２Ｂは、ベース基板１ａの一方の面の全面をほぼ覆うような形状をしている。つまり、絶縁材料層２２Ｂはいわゆるべた膜である。
【０１２０】
より具体的には、まず、吐出装置１１Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、ベース基板１ａの被吐出部に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１１Ａはノズル１１８から絶縁材料２２Ａの液滴を吐出する。ここで、絶縁材料２２Ａは、無機絶縁物と溶媒とを含んだ液状の材料である。吐出された絶縁材料２２Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして絶縁材料２２Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａの被吐出部上に絶縁材料層２２Ｂが得られる。
【０１２１】
絶縁材料層２２Ｂを形成した後で、絶縁材料層２２Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１１Ｂの内部に位置させる。そして、絶縁材料層２２Ｂを加熱することで、絶縁材料層２２Ｂにおける溶媒を気化して無機絶縁物を析出または融着する。このような活性化の結果、図１２（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、絶縁層２２が得られる。
【０１２２】
（Ｉ２．中間層・導電層）
絶縁層２２を形成した後で、どちらも導電パターン４０（図７（ｄ））の形状を有する中間層６１と導電層９１とを形成する。ここで、導電層９１は、中間層６１上に積層されることになる。
【０１２３】
具体的には、図１２（ｃ）に示すように、絶縁層２２が設けられたベース基板１ａを吐出装置１２Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１２Ａは、第２ビットマップデータに応じて、絶縁層２２上に中間材料層６１Ｂを形成する。
【０１２４】
より具体的には、まず、吐出装置１２Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１２Ａはノズル１１８から中間材料６１Ａの液滴を吐出する。ここで、中間材料６１Ａは、無機絶縁物と、溶媒と、平均粒径がほぼ５０ｎｍのシリカ粒子と、を含んだ液状の材料である。吐出された中間材料６１Ａの液滴は、絶縁層２２の被吐出部に着弾する。そして中間材料６１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、図１２（ｄ）に示すように、絶縁層２２の被吐出部上に中間材料層６１Ｂが得られる。ここで、中間材料層６１Ｂの表面には、シリカ粒子の存在によって、ほぼ５０ｎｍ程度の凹凸が現れる。
【０１２５】
中間材料層６１Ｂを形成した後で、導電パターン４０の形状を有する導電性材料層９１Ｂを形成する。この目的で、ベース基板１ａは、中間材料層６１Ｂを保護するスペーサとともにリールＷ１に巻き取られる。そしてその後、ベース基板１ａは、リールＷ１とともに、吐出装置１３Ａを含む層形成装置にセットされる。なお、本実施形態では、オーブン１２Ｂは用いられず、このため、中間材料層６１Ｂは、完全には硬化されていない。
【０１２６】
具体的には、図１３（ａ）に示すように、中間材料層６１Ｂが設けられたベース基板１ａを吐出装置１３Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１３Ａは、第３ビットマップデータに応じて、中間材料層６１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂを形成する。
【０１２７】
より具体的には、まず、吐出装置１３Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１３Ａはノズル１１８から導電性材料９１Ａの液滴を吐出する。吐出された導電性材料９１Ａの液滴は、中間材料層６１Ｂ上に着弾する。そして導電性材料９１Ａの液滴が中間材料層６１Ｂ上に着弾することによって、図１３（ｂ）に示すように、中間材料層６１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂが得られる。
【０１２８】
上述したように、銀の微粒子の平均粒径はほぼ１０ｎｍである。つまり、銀の微粒子の平均粒径は、中間材料層６１Ｂの表面の凹凸のスケールよりも小さい。このため、導電性材料層９１Ｂにおける銀の微粒子は、中間材料層６１Ｂの表面の凹凸に入り込む。
【０１２９】
導電性材料層９１Ｂを形成した後で、中間材料層６１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、中間材料層６１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを加熱することで、図１３（ｃ）に示すように、互いに密着した中間層６１と導電層９１とが得られる。なお、次で詳述するように、中間層６１は、緩衝層６３と、接続層６４と、からなる。
【０１３０】
具体的には、中間材料層６１Ｂと導電性材料層９１Ｂとの活性化によって、中間材料層６１Ｂにおける無機絶縁物が析出または融着して、中間材料層６１Ｂから緩衝層６３が生成する。また、導電性材料９１Ａにおける銀の微粒子が燒結または融着して、導電性材料層９１Ｂから導電層９１が生成する。さらに、中間材料層６１Ｂの表面の凹凸に、銀の微粒子が入り込んでいるので、いわゆるアンカー硬化によって、中間層６１と導電層９１とが互いに密着する。
【０１３１】
さらに上記活性化によって、絶縁層２２の表層における無機絶縁物と、中間材料層６１Ｂの他方の表層に含まれる無機絶縁物と、が結合して、絶縁層２２と緩衝層６３との間に接続層６４が生成する。この結果、絶縁層２２と緩衝層６３とが接続層６４を介して互いに密着するようになる。
【０１３２】
したがって、中間層６１は、絶縁層２２にも導電層９１にも密着できる。この結果、中間層５１がない場合と比較して、導電層９１の剥離が生じにくくなる。
【０１３３】
なお、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物の線膨張係数と、結果として得られる中間層６１に含まれる無機絶縁物の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物と、中間層６１に含まれる無機絶縁物とが、異なっていてもよい。
【０１３４】
（実施形態５）
次に実施形態５の製造方法を述べる。本実施形態の製造方法は、中間材料３１Ａの代わりに中間材料７１Ａが用いられる点と、吐出装置１２Ａと吐出装置１３Ａとが一対のリールＷ１の間で直列に位置している点と、を除いて、基本的に実施形態１の製造方法と同じである。
【０１３５】
（Ｊ１．絶縁層）
まず、ベース基板１ａ上に絶縁樹脂からなる絶縁層２１を設ける。具体的には、図１４（ａ）に示すように、ベース基板１ａを吐出装置１１Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１１Ａは、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａ上に絶縁材料層２１Ｂを形成する。ここで、絶縁材料層２１Ｂは、ベース基板１ａの一方の面の全面をほぼ覆うような形状をしている。つまり、絶縁材料層２１Ｂはいわゆるべた膜である。
【０１３６】
より具体的には、まず、吐出装置１１Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、ベース基板１ａの被吐出部に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１１Ａはノズル１１８から絶縁材料２１Ａの液滴を吐出する。ここで、絶縁材料２１Ａは、ポリイミド前駆体と溶媒とを含んだ液状の材料である。吐出された絶縁材料２１Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして絶縁材料２１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａの被吐出部上に絶縁材料層２１Ｂが得られる。
【０１３７】
絶縁材料層２１Ｂを形成した後で、絶縁材料層２１Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１１Ｂの内部に位置させる。そして、絶縁材料層２１Ｂを加熱することで、絶縁材料層２１Ｂにおけるポリイミド前駆体の硬化反応が進行して、ポリイミド層が生成する。このような活性化の結果、図１４（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、絶縁層２１（ポリイミド層）が得られる。
【０１３８】
（Ｊ２．中間層・導電層）
絶縁層２１を形成した後で、どちらも導電パターン４０（図７（ｄ））の形状を有する中間層７１と導電層９１とを形成する。ここで、導電層９１は、中間層７１上に積層されることになる。
【０１３９】
具体的には、まず、図１４（ｃ）に示すように、絶縁層２１が設けられたベース基板１ａを吐出装置１２Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１２Ａは、第２ビットマップデータに応じて、絶縁層２１上に中間材料層７１Ｂを形成する。
【０１４０】
より具体的には、まず、吐出装置１２Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、所定パターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１２Ａはノズル１１８から中間材料７１Ａの液滴を吐出する。ここで、中間材料７１Ａは、ポリイミド前駆体と、溶媒と、を含んだ液状の材料である。吐出された中間材料７１Ａの液滴は、絶縁層２１の被吐出部に着弾する。そして中間材料７１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、図１４（ｄ）に示すように、絶縁層２１の被吐出部上に中間材料層７１Ｂが得られる。なお、ここで、本実施形態の中間材料７１Ａは、銀の微粒子が含まれない点を除いて、実施形態１の中間材料３１Ａと同じである。
【０１４１】
中間材料層７１Ｂを形成した後で、導電パターン４０の形状を有する導電性材料層９１Ｂを形成する。
【０１４２】
具体的には、図１５（ａ）に示すように、中間材料層７１Ｂが流動性を実質的に失う前に、中間材料層７１Ｂが設けられたベース基板１ａを吐出装置１３Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１３Ａは、第３ビットマップデータに応じて、中間材料層７１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂを形成する。なお、本実施形態では、吐出装置１２Ａと、吐出装置１３Ａとは、１対のリールＷ１の間で、直列に連結されている。
【０１４３】
より具体的には、まず、吐出装置１３Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、所定パターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１３Ａはノズル１１８から導電性材料９１Ａの液滴を吐出する。吐出された導電性材料９１Ａの液滴は、中間材料層７１Ｂに着弾する。そして導電性材料９１Ａの液滴が中間材料層７１Ｂに着弾することによって、図１５（ｂ）に示すように、中間材料層７１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂが得られる。
【０１４４】
ここで、中間材料層７１Ｂが流動性を実質的に失う前に、吐出装置１３Ａからの導電性材料９１Ａが中間材料層７１Ｂ上に着弾する。このため、図１５（ｂ）に示すように、導電性材料９１Ａからの銀の微粒子が混入した混入層７１Ｂ’が、中間材料層７１Ｂの表層に現れる。
【０１４５】
導電性材料層９１Ｂを形成した後で、中間材料層７１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、中間材料層７１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを加熱することで、図１５（ｃ）に示すように、互いに密着した中間層７１と導電層９１とが得られる。なお、次で詳述するように、中間層７１は、接続層７２と、緩衝層７３と、接続層７４と、からなる。
【０１４６】
具体的には、中間材料層７１Ｂと導電性材料層９１Ｂとの活性化によって、中間材料層７１Ｂにおけるポリイミド前駆体の硬化反応が進行して、中間材料層７１Ｂから緩衝層７３が生成する。また、導電性材料層９１Ｂにおける銀の微粒子が燒結または融着して、導電性材料層９１Ｂから導電層９１が生成する。それらと同時に、中間材料層７１Ｂの表層（混入層７１Ｂ’）における銀の微粒子と、導電性材料層９１Ｂの表層における銀の微粒子と、が互いに燒結または融着することで、緩衝層７３と導電層９１との間に接続層７２が生成する。この結果、緩衝層７３と導電層９１とが接続層７２を介して互いに密着するようになる。
【０１４７】
さらに上記活性化によって、絶縁層２１の表層におけるポリイミドと、中間材料層７１Ｂの他方の表層に含まれるポリイミド前駆体と、が結合することで、絶縁層２１と緩衝層７３との間に接続層７４が生成する。この結果、絶縁層２１と緩衝層７３とが接続層７４を介して互いに密着するようになる。なお、絶縁層２１におけるポリイミドと、上記活性化によって形成される中間層７１におけるポリイミドとが、本発明の「絶縁樹脂」に対応する。
【０１４８】
したがって、中間層７１は、絶縁層２１にも導電層９１にも密着できる。また、得られる中間層７１は、絶縁樹脂と、導電性材料層９１Ｂから混入した銀の微粒子とを含む。つまり、中間層７１は、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂と同じ絶縁樹脂を含むとともに、導電層９１に含まれる金属と同じ金属を含む。このため、中間層７１の線膨張係数の値は、絶縁層２１の線膨張係数の値と、導電層９１の線膨張係数の値との間になる。したがって、中間層７１がない場合と比べて、絶縁層２１が熱膨張する際に生じる応力が小さい。この結果、中間層７１がない場合よりも、熱膨張による導電層９１の剥離が生じにくい。
【０１４９】
なお、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂の線膨張係数と、結果として得られる中間層７１に含まれる絶縁樹脂の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、絶縁層２１に含まれる絶縁樹脂と、中間層７１に含まれる絶縁樹脂とが、異なっていてもよい。
【０１５０】
（実施形態６）
次に実施形態６の製造方法を述べる。本実施形態の製造方法は、絶縁材料２１Ａと中間材料３１Ａとの代わりに絶縁材料２２Ａと中間材料８１Ａとが用いられる点と、吐出装置１２Ａと吐出装置１３Ａとが一対のリールＷ１の間で直列に位置している点と、を除いて、基本的に実施形態１の製造方法と同じである。
【０１５１】
（Ｋ１．絶縁層）
まず、ベース基板１ａ上に無機絶縁物からなる絶縁層２２を設ける。具体的には、図１６（ａ）に示すように、ベース基板１ａを吐出装置１１Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１１Ａは、第１ビットマップデータに応じて、ベース基板１ａ上に絶縁材料層２２Ｂを形成する。ここで、絶縁材料層２２Ｂは、ベース基板１ａの一方の面の全面をほぼ覆うような形状をしている。つまり、絶縁材料層２２Ｂはいわゆるべた膜である。
【０１５２】
より具体的には、まず、吐出装置１１Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的（つまりＸ軸方向およびＹ軸方向）に変化させる。そして、ベース基板１ａの被吐出部に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１１Ａはノズル１１８から絶縁材料２２Ａの液滴を吐出する。ここで、絶縁材料２２Ａは、無機絶縁物と溶媒とを含んだ液状の材料である。吐出された絶縁材料２２Ａの液滴は、ベース基板１ａの被吐出部に着弾する。そして絶縁材料２２Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、ベース基板１ａの被吐出部上に絶縁材料層２２Ｂが得られる。
【０１５３】
絶縁材料層２２Ｂを形成した後で、絶縁材料層２２Ｂを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１１Ｂの内部に位置させる。そして、絶縁材料層２２Ｂを加熱することで、絶縁材料層２２Ｂにおける溶媒を気化して無機絶縁物を析出または融着する。このような活性化の結果、図１６（ｂ）に示すように、ベース基板１ａ上に、絶縁層２２が得られる。
【０１５４】
（Ｋ２．中間層・導電層）
絶縁層２２を形成した後で、どちらも導電パターン４０（図７（ｄ））の形状を有する中間層８１と導電層９１とを形成する。ここで、導電層９１は、中間層８１上に積層されることになる。
【０１５５】
具体的には、まず、図１６（ｃ）に示すように、絶縁層２２が設けられたベース基板１ａを吐出装置１２Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１２Ａは、第２ビットマップデータに応じて、絶縁層２２上に中間材料層８１Ｂを形成する。
【０１５６】
より具体的には、まず、吐出装置１２Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、導電パターン４０に対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１２Ａはノズル１１８から中間材料８１Ａの液滴を吐出する。ここで、中間材料８１Ａは、無機絶縁物と、溶媒と、を含む。ここで、吐出された中間材料８１Ａの液滴は、絶縁層２２の被吐出部に着弾する。そして中間材料８１Ａの液滴が被吐出部に着弾することによって、図１６（ｄ）に示すように、絶縁層２２の被吐出部上に中間材料層８１Ｂが得られる。なお、ここで、本実施形態の中間材料８１Ａは、絶縁材料２２Ａと同じである。
【０１５７】
中間材料層８１Ｂを形成した後で、導電パターン４０の形状を有する導電性材料層９１Ｂを形成する。
【０１５８】
具体的には、図１７（ａ）に示すように、中間材料層８１Ｂが流動性を実質的に失う前に、中間材料層８１Ｂが設けられたベース基板１ａを吐出装置１３Ａのステージ１０６上に位置させる。そうすると、吐出装置１３Ａは、第３ビットマップデータに応じて、中間材料層８１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂを形成する。なお、本実施形態では、吐出装置１２Ａと、吐出装置１３Ａとは、１対のリールＷ１の間で、直列に連結されている。
【０１５９】
より具体的には、まず、吐出装置１３Ａはベース基板１ａに対するノズル１１８の相対位置を２次元的に変化させる。そして、所定パターンに対応する位置にノズル１１８が達した場合に、吐出装置１３Ａはノズル１１８から導電性材料９１Ａの液滴を吐出する。吐出された導電性材料９１Ａの液滴は、中間材料層８１Ｂに着弾する。そして導電性材料９１Ａの液滴が中間材料層８１Ｂに着弾することによって、図１７（ｂ）に示すように、中間材料層８１Ｂ上に導電性材料層９１Ｂが得られる。
【０１６０】
ここで、中間材料層８１Ｂが流動性を実質的に失う前に、吐出装置１３Ａからの導電性材料９１Ａが中間材料層８１Ｂ上に着弾する。このため、図１７（ｂ）に示すように、導電性材料９１Ａから銀の微粒子が混入した混入層８１Ｂ’が、中間材料層８１Ｂの表層に現れる。
【０１６１】
導電性材料層９１Ｂを形成した後で、中間材料層８１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを活性化する。このために本実施形態では、ベース基板１ａをオーブン１３Ｂの内部に位置させる。そして、中間材料層８１Ｂと導電性材料層９１Ｂとを加熱することで、図１７（ｃ）に示すように、互いに密着した中間層８１と導電層９１とが得られる。なお、次で詳述するように、中間層８１は、接続層８２と、緩衝層８３と、接続層８４と、からなる。
【０１６２】
具体的には、中間材料層８１Ｂと導電性材料層９１Ｂとの活性化によって、中間材料層８１Ｂにおける無機絶縁物が析出または融着して、中間材料層８１Ｂから緩衝層８３が生成する。また、導電性材料層９１Ｂにおける銀の微粒子が燒結または融着して、導電性材料層９１Ｂから導電層９１が生成する。それらと同時に、中間材料層８１Ｂの表層（混入層８１Ｂ’）における銀の微粒子と、導電性材料層９１Ｂの表層における銀の微粒子と、が互いに燒結または融着することで、緩衝層８３と導電層９１との間に接続層８２が生成する。この結果、緩衝層８３と導電層９１とが接続層８２を介して互いに密着するようになる。
【０１６３】
さらにそれらと同時に、絶縁層２２の表層における無機絶縁物と、中間材料層８１Ｂの他方の表層に含まれる無機絶縁物と、が結合することで、絶縁層２２と緩衝層８３との間に接続層８４が生成する。この結果、絶縁層２２と緩衝層８３とが接続層８４を介して互いに密着するようになる。
【０１６４】
したがって、中間層８１は、絶縁層２２にも導電層９１にも密着できる。また、得られる中間層８１は、無機絶縁物と、導電性材料層９１Ｂから混入した銀の微粒子とを含む。つまり、中間層８１は、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物と同じ無機絶縁物を含むとともに、導電層９１に含まれる金属と同じ金属を含む。このため、中間層８１の線膨張係数の値は、絶縁層２２の線膨張係数の値と、導電層９１の線膨張係数の値との間になる。したがって、中間層８１がない場合と比べて、絶縁層２２が熱膨張する際に生じる応力が小さい。この結果、中間層８１がない場合よりも、熱膨張による導電層９１の剥離が生じにくい。
【０１６５】
なお、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物の線膨張係数と、結果として得られる中間層８１に含まれる無機絶縁物の線膨張係数とが、同等か近いのであれば、絶縁層２２に含まれる無機絶縁物と、中間層８１に含まれる無機絶縁物とが、異なっていてもよい。
【０１６６】
このように、上記実施形態１〜６によれば、インクジェット法を利用して、剥離しにくい導電層を備えた配線基板を製造することができる。配線基板の一例は、液晶表示装置において液晶パネルに接続される基板である。つまり、本実施形態の層形成方法は、液晶表示装置の製造に適用できる。
【０１６７】
さらに、本実施形態の層形成方法は、液晶表示装置の製造だけでなく、種々の電気光学装置の製造にも適用され得る。ここでいう「電気光学装置」とは、複屈折性の変化や、旋光性の変化や、光散乱性の変化などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、透過、または反射する装置全般を意味する。
【０１６８】
具体的には、電気光学装置は、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、表面伝導型電子放出素子を用いたディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、および電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）を含む用語である。
【０１６９】
さらに、上記実施形態１〜６の層形成方法は、種々の電子機器の製造方法に適用され得る。例えば、図１８に示すような、液晶表示装置５２０を備えた携帯電話機５００の製造方法や、図１９に示すような、液晶表示装置６２０を備えたパーソナルコンピュータ６００の製造方法にも、本実施形態の製造方法が適用される。
【０１７０】
（変形例１）
上記実施形態１〜６では、ポリイミドからなるベース基板１ａに導電配線が設けられる。しかしながら、このようなベース基板１ａに代えて、セラミック基板やガラス基板やエポキシ基板やガラスエポキシ基板やシリコン基板などが利用されても、上記実施形態で説明した効果と同様の効果が得られる。なお、シリコン基板を利用する場合には、導電性材料を吐出する前に、基板表面にパシベーション膜を形成してもよい。なお、どのような基板や膜が用いられても、上述したように、ノズル１１８からの液状の材料１１１が着弾して塗れ広がることになる部分は「被吐出部」に対応する。
【０１７１】
（変形例２）
上記実施形態１〜６の導電性材料９１Ａには、銀のナノ粒子が含まれている。しかしながら、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか１つが利用されてもよいし、または、いずれか２つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、インクジェット法を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料９１Ａを利用することは好ましい。
【０１７２】
また、実施形態１〜４においては、導電性材料９１Ａが、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱（すなわち活性化）による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。
【０１７３】
このように、導電性材料９１Ａに含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。
【０１７４】
（変形例３）
上記実施形態１〜６では、インクジェット法を利用して、絶縁材料層、中間材料層、および導電性材料層を被吐出部に塗布または付与した。しかしながら、インクジェット法に代えて、スクリーン印刷法などの印刷法を利用して、これら絶縁材料層、中間材料層、および導電性材料層を塗布または付与してもよい。
【０１７５】
（変形例４）
実施形態１〜４において説明した中間層３１、４１、５１、６１と導電層９１とは、１つの層形成装置によって形成されてもい。具体的には、実施形態５および６で説明したような層形成装置（つまり吐出装置１２Ａ、１３Ａとが直列に配置された層形成装置）を用いて、形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】実施形態１から６の層形成装置を示す模式図。
【図２】実施形態１から６の吐出装置を示す模式図。
【図３】吐出装置における吐出ヘッド部を示す模式図。
【図４】吐出装置におけるヘッドを示す模式図。
【図５】吐出装置における制御部を示す模式図。
【図６】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１の製造方法を説明する図。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１の製造方法を説明する図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は実施形態２の製造方法を説明する図。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は実施形態２の製造方法を説明する図。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は実施形態３の製造方法を説明する図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は実施形態３の製造方法を説明する図。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は実施形態４の製造方法を説明する図。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は実施形態４の製造方法を説明する図。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は実施形態５の製造方法を説明する図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は実施形態５の製造方法を説明する図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は実施形態６の製造方法を説明する図。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は実施形態６の製造方法を説明する図。
【図１８】本実施形態の携帯電話機を示す模式図。
【図１９】本実施形態のパーソナルコンピュータを示す模式図。
【符号の説明】
【０１７７】
Ｗ１…リール、１ａ…ベース基板、１０…層形成装置、１０Ａ・１１Ａ・１２Ａ・１３Ａ…吐出装置、１０Ｂ・１１Ｂ・１２Ｂ・１３Ｂ…オーブン、２１…絶縁層、２１Ａ…絶縁材料、２１Ｂ…絶縁材料層、２２…絶縁層、２２Ａ…絶縁材料、２２Ｂ…絶縁材料層、３１…中間層、３１Ａ…中間材料、３１Ｂ…中間材料層、３２…接続層、３３…緩衝層、３４…接続層、４０…導電パターン、４０Ａ…電極部分、４０Ｂ…配線部分、４１…中間層、４１Ａ…中間材料、４１Ｂ…中間材料層、４２…接続層、４３…緩衝層、４４…接続層、５１…中間層、５１Ａ…中間材料、５１Ｂ…中間材料層、５３…緩衝層、５４…接続層、６１…中間層、６１Ａ…中間材料、６１Ｂ…中間材料層、６３…緩衝層、６４…接続層、７１…中間層、７１Ａ…中間材料、７１Ｂ’…混入層、７１Ｂ…中間材料層、７２…接続層、７３…緩衝層、７４…接続層、８１…中間層、８１Ａ…中間材料、８１Ｂ’…混入層、８１Ｂ…中間材料層、８２…接続層、８３…緩衝層、８４…接続層、９１…導電層、９１Ａ…導電性材料、９１Ｂ…導電性材料層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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