(57)【要約】【課題】本発明は、背面基板と前面基板とを側壁を介して封着するにあたって、工程の簡素化を図り、生産性の向上化を得られる画像表示装置の製造方法および画像表示装置を提供する。【解決手段】背面基板４と、この背面基板に対向配置された前面基板２と、これら背面基板と前面基板の周縁部に沿って介在され背面基板と前面基板との間に間隙を存する枠状の側壁６とを有する表示パネル１０と、この表示パネル内に設けられた複数の表示素子１６とを備えた画像表示装置の製造方法において、真空雰囲気中で、背面基板に取付けられる側壁の封着面に溶融したインジウム２０ｂを充填する工程と、真空雰囲気を継続したまま溶融したインジウムに前面基板の封着面を当てて前面基板を背面基板に加圧し、側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程とを具備する。【選択図】  図４
2006073245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背面基板と、この背面基板に対向配置された前面基板と、これら背面基板と前面基板の周縁部に沿って介在され、背面基板と前面基板との間に間隙を存する枠状の側壁とを有する外囲器と、この外囲器内に設けられた複数の表示素子と、を備えた画像表示装置の製造方法において、
真空雰囲気中で、上記背面基板に取付けられる上記側壁の封着面に、溶融した封着材を充填する工程と、
真空雰囲気を継続したまま、溶融した封着材に前面基板の封着面を当てて前面基板を背面基板に加圧し、側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程と
を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
背面基板と、この背面基板に対向配置された前面基板と、これら背面基板と前面基板の周縁部に沿って介在され、背面基板と前面基板との間に間隙を存する枠状の側壁とを有する外囲器と、この外囲器内に設けられた複数の表示素子と、を備えた画像表示装置の製造方法において、
上記背面基板に取付けられる側壁の封着面に、前面基板を重ね合わせる工程と、
真空雰囲気中で、上記前面基板に設けられる供給用孔を介して側壁の封着面に溶融した封着材を充填する工程と、
真空雰囲気を継続したまま、前面基板を背面基板に加圧し、側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程と
を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
上記請求項１および請求項２の画像表示装置の製造方法において、上記背面基板に取付けられる側壁の封着面は、断面凹状に形成され、溶融した封着材を溜める受け部が設けられることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
背面基板と、この背面基板に対向配置された前面基板と、これら背面基板と前面基板の周縁部に沿って介在され、背面基板と前面基板との間に間隙を存する枠状の側壁とを有する外囲器と、この外囲器内に設けられた複数の表示素子と、を備えた画像表示装置の製造方法において、
背面基板の周縁部に沿って凹部を形成する工程と、
この背面基板の凹部上に枠状の側壁を載置し、さらに側壁上に前面基板を載置する工程と、
上記側壁および背面基板の凹部に対して溶融した封着材を注入し、封着材の濡れ性を利用して側壁を凹部内に位置決めするとともに、側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程と
を具備することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
背面基板と、この背面基板に対向配置された前面基板と、これら背面基板と前面基板の周縁部に沿って介在され、背面基板と前面基板との間に間隙を存する枠状の側壁とを有する外囲器と、この外囲器内に設けられた複数の表示素子と、を備えた画像表示装置の製造方法において、
背面基板と前面基板のそれぞれ周縁部に沿って凹部を形成する工程と、
背面基板の上記凹部上に側壁を載置し、さらにこの側壁上に前面基板の凹部を載置する工程と、
上記側壁と、背面基板および前面基板それぞれの凹部に対して溶融した封着材を注入し、封着材の濡れ性を利用して側壁をそれぞれの凹部内に位置決めするとともに、側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程と
を具備することを特徴とする画像製造装置の製造方法。
【請求項６】
上記側壁と背面基板および前面基板それぞれの凹部に対して溶融した封着材を注入する際、もしくは上記側壁と背面基板および前面基板それぞれの凹部に対して溶融した封着材を注入する際は、側壁と前面基板との間に所定の間隙を存する、もしくは側壁と前面基板の凹部との間に所定の間隙を存するよう、前面基板を保持することを特徴とする請求項４および請求項５のいずれかに記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向配置された背面基板と前面基板間に複数の表示素子を有し真空外囲器となす画像表示装置の製造方法および画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示装置として、効率的な空間利用あるいはデザイン的な要素から、平面型の画像表示装置が注目されている。中でも、フィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）のような電子放出型の画像表示装置は、高輝度、高分解能、低消費電力等のメリットから優れたディスプレイであると期待されている。  
また、前記ＦＥＤの一種として、たとえば［特許文献１］に開示されているように、表面伝導型の表示素子である電子放出素子を備えた表示装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。上記ＳＥＤは、所定の隙間を存して対向配置された前面基板および背面基板を有する。これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部を互いに接合され、内部を真空にされて扁平な平面パネル構造の真空外囲器を構成している。
【０００３】
前面基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、背面基板の内面には、蛍光体層を励起発光させる電子の放出源として、画素毎に対応する多数の電子放出素子が整列配置されている。また、背面基板の内面上には、電子放出素子を駆動するための多数本の配線がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器の外部に引き出されている。
【特許文献１】特開平９−８２２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記ＳＥＤを製造するのにあたって、背面基板にフリットガラスと呼ばれる低融点ガラス接着剤を介して側壁を接合し、この側壁の封着面に金属封着材であるインジウムを充填する。また、前面基板の封着面にも、金属封着材であるインジウムを充填する場合がある。  
そして、背面基板および前面基板を３００℃程度でベーキングして、各基板の表面吸着ガスを充分に放出させ、約１００℃程度で冷却してからゲッター膜を蒸着処理する。その後、２００℃まで加熱して固形化していたインジウム層を再び液状に溶融あるいは軟化させながら、前面基板を背面基板に所定圧力で加圧する。ついで、インジウムを除冷して固化させることで、背面基板と側壁が封着され、側壁と前面基板が封着されて、真空外囲器が形成される。
【０００５】
ここで用いられる金属封着材としてのインジウムは、融点が約１５６℃の低融点金属封着材であり、溶融した状態で背面基板に接合された側壁（および前面基板）の封着面に充填される充填工程がある。その後、上述したようにベーキング処理、冷却、ゲッター膜処理、加圧、除冷などの各工程が続く。  
したがって、インジウムは加熱溶融と冷却固化の状態が繰り返される。インジウムは背面基板および前面基板を構成するガラス材と親和性がないので、各基板には、インジウムに対して親和性の高い下地層が設けられる。すなわち、溶融状態のインジウムであっても、流動することなく下地層上に保持されるようになっている。
【０００６】
ところが、条件によっては、溶融したインジウムが基板内部の表示領域や基板周辺の配線領域にはみ出る場合がある。これら領域にインジウムがはみ出すと、基板上に設けられた配線等に接触して、ショートなどの問題が発生する。そのため、インジウムがはみ出しても側壁の幅内および前面基板の封着面内部に収まるように、側壁と封着面の幅を充分に広く確保することが余儀なくされている。  
しかしながら、平面型の画像表示装置では、表示領域以外は極力少ないこと、つまり表示領域の周囲に位置した額縁部分が極力少ないことが望ましく、側壁の幅および封着幅は狭いほど有利となる。  
また、工程的にも、インジウムを充填したあと基板相互を封着するまでに、インジウムを加熱溶融もしくは軟化させ、さらに冷却固化するそれぞれの工程に時間がかかり、この種の画像表示装置を製造し完成に至るまでの時間が長くなって、生産性の向上に悪影響を及ぼしている。
【０００７】
本発明は上記事情に着目してなされたものであり、その目的とするところは、背面基板と前面基板とを側壁を介して封着するにあたって、工程の簡素化を図り、生産性の向上化を得られる画像表示装置の製造方法および画像表示装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を満足するため本発明は、背面基板と、この背面基板に対向配置された前面基板と、これら背面基板と前面基板の周縁部に沿って介在され背面基板と前面基板との間に間隙を存する枠状の側壁とを有する外囲器と、この外囲器内に設けられた複数の表示素子とを備えた画像表示装置の製造方法において、  
真空雰囲気中で背面基板に取付けられる側壁の封着面に溶融した封着材を充填する工程と、真空雰囲気を継続したまま溶融した封着材に前面基板の封着面を当てて前面基板を背面基板に加圧し側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程とを具備する。
【０００９】
上述の目的を満足するため本発明は、上記画像表示装置の製造方法において、背面基板に取付けられる側壁の封着面に前面基板を重ね合わせる工程と、真空雰囲気中で前面基板に設けられる供給用孔を介して側壁の封着面に溶融した封着材を充填する工程と、真空雰囲気を継続したまま前面基板を背面基板に加圧し側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程とを具備する。
【００１０】
上述の目的を満足するため本発明は、上記画像表示装置の製造方法において、背面基板の周縁部に沿って凹部を形成する工程と、この背面基板の凹部上に枠状の側壁を載置しさらに側壁上に前面基板を載置する工程と、側壁および背面基板の凹部に対して溶融した封着材を注入し封着材の濡れ性を利用して側壁を凹部内に位置決めするとともに側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程とを具備する。
【００１１】
上述の目的を満足するため本発明は、上記画像表示装置の製造方法において、背面基板と前面基板のそれぞれ周縁部に沿って凹部を形成する工程と、背面基板の凹部上に側壁を載置しさらにこの側壁上に前面基板の凹部を載置する工程と、側壁と背面基板および前面基板それぞれの凹部に対して溶融した封着材を注入し封着材の濡れ性を利用して側壁をそれぞれの凹部内に位置決めするとともに側壁を介して前面基板と背面基板を封着する工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、背面基板と前面基板とを側壁を介して封着する工程の簡素化を図り、生産性の増大化を得られるなどの効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下図面を参照しながら、本発明に係る平面型画像表示装置を製造する工程に適用した実施形態について詳細に説明する。  
はじめに、図１ないし図３を参照し、平面型画像表示装置の一例として、ＳＥＤ（Surface-conduction Electron-emitter Display）について説明する。  
図１は、前面基板２を部分的に切り欠いた状態のＳＥＤの真空外囲器（以下、表示パネルと称する場合もある）１０を示す斜視図であり、図２は、図１の真空外囲器１０を線分II-IIで切断した断面図であり、図３は、図２の断面を部分的に拡大した部分拡大断面図である。
【００１４】
図１ないし図３に示すように、表示パネル１０は、それぞれ矩形のガラス板からなる前面基板２および背面基板４を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて互いに平行に対向配置されている。なお、背面基板４は、前面基板２より１回り大きいサイズを有する。前面基板２および背面基板４は、ガラス材からなる矩形枠状の側壁６を介して周縁部同士が接合され、内部が真空の扁平な平面パネル構造の真空外囲器を構成している。  
前面基板２の内面には画像表示面として機能する蛍光体スクリーン１２が形成されている。この蛍光体スクリーン１２は、赤、青、緑の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成されている。また、蛍光体スクリーン１２上には、アルミニウム等からなるメタルバック１４が形成されている。
【００１５】
背面基板４の内面には、蛍光体スクリーン１２の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起発光させるための電子を放出する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の表示素子であるところの電子放出素子１６が設けられている。これらの電子放出素子１６は、画素毎、すなわち蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ毎に対応して複数列および複数行に配列されている。  
各電子放出素子１６は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。また、背面基板４の内面上には、各電子放出素子１６に駆動電圧を与えるための多数本の配線１８がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１０の外部に引き出されている。
【００１６】
接合部材として機能する側壁６は、たとえば、低融点ガラス材、低融点金属材等の封着材２０により、前面基板２の周縁部および背面基板４の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。ここでは、背面基板４と側壁６相互をフリットガラス２０ａを用いて接合し、前面基板２と側壁６相互をインジウム２０ｂを用いて接合した。なお、配線１８のある背面基板４と側壁６を低融点金属材で封着する場合は、配線１８と封着材２０の電気ショートを避けるため、中間層として絶縁層を設ける必要がある。  
また、表示パネル１０は、前面基板２と背面基板４の間にガラスからなる複数の細長い板状のスペーサ８を備えている。本実施の形態において、スペーサ８は、複数の細長いガラス板としたが、矩形板状の金属板からなるグリッド（図示せず）と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサ（図示せず）と、で構成してもよい。
【００１７】
各スペーサ８は、上述したメタルバック１４、および蛍光体スクリーン１２の遮光層１１を介して前面基板２の内面に当接する上端８ａ、および背面基板４の内面上に設けられた配線１８上に当接する下端８ｂを有する。これら複数のスペーサ８は、前面基板２および背面基板４の外側から作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。  
さらに、ＳＥＤは、前面基板２のメタルバック１４と背面基板４との間にアノード電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。電圧供給部は、例えば、背面基板４の電位を０Ｖに設定し、メタルバック１４の電位を１０ｋＶ程度にするよう、両者の間にアノード電圧を印加する。
【００１８】
そして、上記ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、配線１８に接続した図示しない駆動回路を介して電子放出素子１６の素子電極間に電圧を与え、任意の電子放出素子１６の電子放出部から電子ビームを放出するとともに、メタルバック１４にアノード電圧を印加する。電子放出部から放出された電子ビームは、アノード電圧により加速され、蛍光体スクリーン１２に衝突する。これにより、蛍光体スクリーン１２の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂが励起されて発光し、カラー画像を表示する。  
このようなＳＥＤを製造するのにあたって、背面基板４にフリットガラス２０ａと呼ばれる低融点ガラス接着剤を介して側壁６を接合する。この状態で、背面基板４には電子放出素子１６および配線１８の処理がなされ、前面基板２には蛍光体スクリーン１２およびメタルバック１４が形成されている。
【００１９】
側壁６が取付けられた背面基板４と、前面基板２は真空雰囲気としたチャンバに送られ、ベーキング処理がなされる。すなわち、チャンバを１０−５Ｐａ程度の高真空度に達した時点で、背面基板と前面基板を３００℃程度の温度にベーキングし、各基板４，２の表面吸着ガスを充分に放出させる。  
ついで、背面基板４と前面基板２は、たとえば約１００℃の温度まで冷却されてから、背面基板４と前面基板２はゲッター膜の蒸着処理がなされ、蛍光体スクリーン１２およびメタルバック１４上にゲッター膜としてのＢａ膜が蒸着形成される。このＢａ膜は、表面が酸素や炭素などで汚染されることが防止され、活性状態を維持することができる。
【００２０】
そして、背面基板４と前面基板２は真空雰囲気のチャンバへ送られ、真空雰囲気中で背面基板４と前面基板２とが側壁６を介して封着処理される。以下、背面基板４と前面基板２との封着方法について説明する。  
図４（Ａ）〜（Ｄ）は、第１の実施の形態による背面基板４と前面基板２の封着方法を順に説明する図である。  
図４（Ａ）に示すように、背面基板４の周縁部にはフリットガラス（低融点ガラス接着剤）２０ａを介して、ガラス材からなる矩形枠状の側壁６が接合されている。この側壁６の上端部は封着面として、断面鈍角状の凹面に形成された受け部３０Ａが設けられている。
【００２１】
図４（Ｂ）に示すように、所定温度に加熱して溶融させた金属封着材であるインジウム２０ｂを充填ノズル１００から受け部３０Ａへ供給する工程をなす。受け部３０Ａが断面鈍角状の凹面に形成されているので、溶融したインジウム２０ｂは効率よく受け部３０Ａへ供給され、かつ受け部から流出することなく、インジウムは受け部に溜まる。  
なお、このとき背面基板４に対して、もしくは側壁６に直接、超音波振動を加えることで、溶融インジウムが効率よく撹拌され、封着が完了した状態で機密性の向上化を得るとともに封着強度の高い画像表示装置を製造できる。
【００２２】
図４（Ｃ）に示すように、受け部３０Ａに所定量の溶融インジウム２０ｂを供給したあと、供給を停止して前面基板２の封着面を側壁受け部３０Ａに対向する工程をなす。この状態で、前面基板２の封着面には下地層２Ｓが形成されている。なお、先に説明した図１〜図３では、下地層２Ｓについては省略してある。  
図４（Ｄ）に示すように、前面基板２の下地層２Ｓを側壁受け部３０Ａに合わせて、前面基板２を背面基板４に加圧する工程をなす。溶融状態にあるインジウム２０ｂは、側壁６と前面基板２の封着面である下地層２Ｓとを互いに接合する。その後、インジウム２０ｂを除冷して固化させる。上記加圧工程では、インジウム２０ｂの固形化にともなう薄肉化を吸収するための適宜な圧力が設定される。
【００２３】
これによって、予め背面基板４と側壁６とがフリットガラス２０ａによって封着されたうえで、前面基板２と側壁６とがインジウム２０ｂによって封着されて、真空外囲器１０が形成される。真空外囲器１０は常温まで冷却された後、装置から取出される。以上の工程により、ＳＥＤが完成する。  
以上説明したように第１の実施の形態による封着方法では、真空雰囲気中で、背面基板４に取付けられる側壁６の封着面である受け部３０Ａに溶融したインジウムを充填し、真空雰囲気を継続したまま、受け部に前面基板２の封着面である下地層２Ｓを当てる。そして、前面基板２を加圧し、側壁６を介して背面基板４と前面基板２を封着するようにしたから、工程の簡素化を図ることができて、生産性の増大化を得られる。
【００２４】
図５は、第２の実施の形態による背面基板４と前面基板２の封着方法を示している。  
前面基板２および下地層２Ｓの各辺には、所定間隔を存して複数の供給用孔３５が設けられている。図のように、供給用孔３５は前面基板２における上面側の直径が大で、下面側と下地層２Ｓにおける直径が小となるよう形成すると、後述するようにインジウム２０ｂを供給し易くなる。あるいは、単純な同一直径の供給用孔であって、別途、漏斗状の供給用治具を用意して、上記供給用孔に宛がってもよい。  
背面基板２の周縁部にフリットガラス２０ａを介して接合された矩形枠状の側壁６に対して、封着面に下地層２Ｓが形成された前面基板２を載置する工程をなす。予め、側壁６の上面である封着面には、断面凹状に形成された受け部３０Ｂが設けられている。ここでは、受け部３０Ｂの断面形状として、矩形凹溝状をなしている。
【００２５】
真空雰囲気中で、側壁６上面に、下地層２Ｓを取付けた前面基板２を載置する。すなわち、下地層２Ｓが直接、側壁６上面である受け部３０Ｂ上に載る。先に説明した供給用孔３５は、側壁６の受け部３０Ｂと対向する位置にある。そして、供給用孔３５へ充填ノズル１００から溶融したインジウム２０ｂを供給する工程をなす。  
溶融インジウム２０ｂは供給用孔３５から側壁受け部３０Ｂへ供給されて溜まる。複数の供給用孔３５が設けられているので、順次供給ノズル１００を対向して溶融インジウム２０ｂを供給するか、複数の供給ノズル１００を用意して、同時に各供給用孔３５へ供給することで、処理時間の迅速化を図れる。所定量の溶融インジウム２０ｂを供給したら供給を停止し、前面基板２を背面基板４に加圧した状態でインジウム２０ｂの冷却固化を待機する工程をなす。
【００２６】
これによって、背面基板４と側壁６がフリットガラス２０ａによって封着されたうえで、前面基板２と側壁６がインジウム２０ｂによって封着されて、真空外囲器１０が形成される。この真空外囲器１０は、常温まで冷却された後、装置から取出される。以上の工程により、ＳＥＤが完成する。  
この実施の形態では、真空雰囲気中で、背面基板４に取付けられる側壁６の封着面に前面基板２を重ね合わせてから、溶融したインジウム２０ｂを側壁受け部３０Ｂに充填し、真空雰囲気を継続したまま前面基板２を加圧し、側壁６を介して背面基板４と前面基板２を封着するようにしたから、工程の簡素化を図ることができて、生産性の増大化を得られる。
【００２７】
図６は、先に説明した第１の実施の形態、もしくは第２の実施の形態による封着方法で封着されたＳＥＤの一部断面図である。ここでは、側壁６の封着面に形成される受け部３０Ｃの断面形状が略半円状をなしていることが特徴である。この他、側壁６の封着面に形成される受け部３０Ｃの断面形状は、溶融インジウム２０ｂを充填し易いよう凹状をなしていればよい。  
図７（Ａ）（Ｂ）は、第３の実施の形態による背面基板４と前面基板２の封着方法を順に示している。この場合、上述した側壁を備えておらず、ガラス材からなる側壁に代って、たとえば金属ワイヤを矩形枠状に形成した側壁６０Ａを介して背面基板４と前面基板２とが封着される。  
図７（Ａ）は、背面基板４の周縁部に沿って凹部４０を形成する工程と、この凹部に下地層４１を形成する工程と、この背面基板４の凹部４０に下地層４１を介して側壁６０Ａを載置し、さらに側壁上に前面基板２を所定の間隔を存して配置する工程と、上記側壁６０Ａと凹部４０に対して充填ノズル１００から溶融したインジウム２０ｂを充填する工程を示している。
【００２８】
側壁６０Ａ上に載置される前面基板２は、周縁部に沿って封着面が形成されていて、上記封着面には下地層２Ｓが設けられている。前面基板２を側壁６０Ａ上に所定の間隔を存して載置する工程では、図示しない治具を用いて前面基板２の位置を保持する必要がある。  
図７（Ｂ）は、側壁６０Ａに対して通電し加熱するとともに、前面基板２を背面基板４に加圧する工程を示している。溶融したインジウム２０ｂは、それ自体の濡れ性を利用して側壁６０Ａの全周面に充填され、よって、側壁６０Ａの位置決めをなすとともに、側壁を介して背面基板４と前面基板２とが封着される。
【００２９】
なお、この工程のときは、前面基板２に対する治具による位置の保持を解除して自由状態となす。重力の影響で側壁６と背面基板下地層２Ｓとの間にインジウム２０ｂが浸透して介在する。すなわち、側壁６０Ａは背面基板４の凹部４０と下地層４１に対して浮いた状態となる。また、予め設定された側壁６０と前面基板２の下地層２Ｓとの間隙に、インジウム２０ｂは濡れ性を利用して侵入し介在する。  
したがって、側壁６０Ａと前面基板下地層２Ｓとの間は、側壁６０Ａと背面基板下地層４１との間と略同等の厚さで介在する。さらに、側壁６０Ａの左右両側部にもインジウム２０ｂは濡れ性を利用して略同一厚さで充填され、結局、背面基板４と前面基板２とは側壁６０Ａを介して封着される。
【００３０】
このようにして、背面基板４に設けた凹部４０に側壁６０Ａを載置し、この側壁と前面基板２との間に所定の間隙を存して、溶融したインジウム２０ｂを充填したから、インジウムの濡れ性を利用して凹部４０に対する側壁６０Ａの位置決めをなし、側壁の背面基板４と前面基板２に対する封着位置を正しく設定できる。同時に、工程の簡素化を図ることができて、生産性の増大化を得られることは、勿論である。  
図８（Ａ）および（Ｂ）は、第３の実施の形態による封着方法を採用して得られるＳＥＤの一部断面図である。  
ここでは、先に説明した側壁６０Ａとは形態の異なる側壁が用いられている以外、封着方法については全く同一であるので、同番号を付して新たな説明は省略する。
【００３１】
図８（Ａ）では、断面矩形状の側壁６０Ｂが用いられる。図８（Ｂ）では、断面台形状の側壁６０Ｃが用いられる。なお、図８（Ｂ）に示す台形状の側壁６０Ｃは、上下逆にしてもよい。  
いずれも、インジウム２０ｂの濡れ性を利用して側壁６０Ｂ，６０Ｃの全周面に充填させ、凹部４０に対する側壁の位置決めをなして、側壁の背面基板４と前面基板２に対する封着位置を正しく設定できる。同時に、工程の簡素化を図ることができて、生産性の増大化を得られる。
【００３２】
図９（Ａ）（Ｂ）は、第４の実施の形態による背面基板４と前面基板２の封着方法を示している。第３の実施の形態と同様、たとえば金属ワイヤを矩形枠状に形成した側壁６０Ａを介して背面基板４と前面基板２が封着される。  
背面基板４の周縁部に沿って凹部４０が形成され、下地層４１が設けられることも変りがない。ただし、第３の実施の形態と異なり、ここでは前面基板２の封着面は凹部５０が形成され、この凹部に下地層５１が設けられる点が異なる。  
図９（Ａ）は、背面基板４および前面基板２のそれぞれ周縁部に沿って凹部４０，５０を形成する工程と、それぞれの凹部に下地層４１，５１を形成する工程と、背面基板４の凹部４０に下地層４１を介して側壁６０Ａを載置し、さらに側壁上に前面基板２の凹部５０および下地層５１を介して所定の間隔を存して配置する工程と、上記側壁６０Ａと凹部４０に対して充填ノズル１００から溶融したインジウム２０ｂを充填する工程を示している。
【００３３】
図９（Ｂ）は、側壁６０Ａに対して通電し加熱するとともに、前面基板２を背面基板４に加圧する工程を示している。溶融したインジウム２０ｂは、濡れ性を利用して側壁６０Ａの全周面に充填される。よって、側壁６０Ａの凹部４０，５０に対する位置決めをなすとともに、側壁を介して背面基板４と前面基板２とが封着される。  
このようにして、背面基板４に設けた凹部４０に側壁６０Ａを載置し、この側壁と前面基板２に設けた凹部５０との間に所定の間隙を存して、溶融したインジウム２０ｂを充填したから、インジウムの濡れ性を利用してそれぞれの凹部４０，５０に対する側壁６０Ａの位置決めをなし、側壁の背面基板４と前面基板２に対する封着位置を正しく設定できる。同時に、工程の簡素化を図ることができて、生産性の増大化を得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明における実施の形態に係る、ＳＥＤの真空外囲器を示す外観斜視図。
【図２】同実施の形態に係る、図１の真空外囲器を線分II―IIに沿って切断した断面斜視図。
【図３】同実施の形態に係る、図２の断面を部分的に拡大して示す部分拡大断面図。
【図４】第１の実施の形態による背面基板と前面基板との封着方法を順次説明する図。
【図５】第２の実施の形態による背面基板と前面基板との封着方法を説明する図。
【図６】同実施の形態により封着されたＳＥＤの一部断面図。
【図７】第３の実施の形態による背面基板と前面基板との封着方法を順次説明する図。
【図８】同実施の形態により封着された、互いに異なるＳＥＤの一部断面図。
【図９】第４の実施の形態による背面基板と前面基板との封着方法を順次説明する図。
【符号の説明】
【００３５】
４…背面基板、２…前面基板、６，６０Ａ，６０Ｂ，６０Ｃ…側壁、１０…真空外囲器（表示パネル）、１６…表示素子（電子放出素子）、２０ｂ…インジウム（封着材）、３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ…受け部、３５…供給用孔、４０，５０…凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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