(57)【要約】【課題】放電の発生および電子ビームの軌道ずれを抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】画像表示装置は、蛍光面１６が形成された第１基板１０と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに蛍光面を励起する複数の電子放出源１８が設けられた第２基板１２とを有した外囲器１５を備えている。外囲器内で第１基板および第２基板の間には、第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサ３０ａ、３０ｂが設けられている。スペーサ表面の少なくとも一部は、クロム酸化物を含有したコート層３２により被覆されている。コート層におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満の範囲に設定されている。【選択図】      図３
2006066134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光面が形成された第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板とを有した外囲器と、
前記外囲器内で前記第１基板と第２基板との間に設けられ、前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備え、
前記スペーサの表面少なくとも一部は、クロム酸化物を含有したコート層により被覆され、前記コート層におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満である画像表示装置。
【請求項２】
蛍光面が形成された第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板とを有した外囲器と、
前記外囲器内で前記第１基板と第２基板との間に設けられ、前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備え、
前記スペーサの表面少なくとも一部は、クロム酸化物を含有したコート層により被覆され、前記コート層におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１．５より大きく３未満である画像表示装置。
【請求項３】
前記第１基板と第２基板との間に配設されているとともに表面の少なくとも一部がクロム酸化物を含有した基板コート層により被覆された支持基板を備え、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満であり、前記スペーサは前記支持基板上に立設されている請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記支持基板はその表面を覆った絶縁層を有し、前記基板コート層は前記絶縁層に重ねて形成されている請求項３に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記支持基板は、前記第１基板に対向した第１表面と、前記第２基板に対向した第２表面と、を有し、前記スペーサは、前記第１表面上に立設された複数の第１スペーサと、前記第２表面上に立設された複数の第２スペーサと、を含んでいる請求項３又は４に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記支持基板は、前記第１基板に当接した第１表面と、前記第２基板と隙間を置いて対向した第２表面と、を有し、前記スペーサは、前記第２表面上に立設されているとともに前記第２基板に当接した先端部を有している請求項３又は４に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記スペーサは、柱状のスペーサである請求項１ないし６のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサとを備えた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）の一種として、表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。
【０００３】
このＳＥＤは、所定の間隔をおいて対向配置された第１基板および第２基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第１基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。
【０００４】
ＳＥＤにおいて、第１基板および第２基板間の空間、すなわち真空外囲器内は、高い真空度に維持されることが重要となる。真空度が低い場合、電子放出素子の寿命、ひいては、装置の寿命が低下してしまう。また、第１基板および第２基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、多数の板状あるいは柱状のスペーサが配置されている（例えば、特許文献１）。画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは５ｋＶ以上に設定することが必要となる。
【特許文献１】特開２００１−２７２９２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記構成のＳＥＤにおいて、高い加速電圧を持った電子が蛍光面に衝突した際、蛍光面で２次電子および反射電子が発生する。第１基板と第２基板との間の空間が狭い場合、蛍光面で発生した２次電子および反射電子が、基板間に配設されたスペーサに衝突し、その結果、スペーサが帯電する。ＳＥＤにおける加速電圧では、通常、スペーサは正に帯電する。この場合、電子放出素子から放出された電子ビームはスペーサに引き付けられ、本来の軌道からずれてしまう。その結果、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生し、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。
【０００６】
また、スペーサが帯電すると、スペーサ付近では放電が発生し易くなる。特に、電子ビームの移動量を制御する目的で、スペーサ表面に低抵抗の膜をコーティングした場合などは、スペーサからの放電がより発生し易くなる。そのため、ＳＥＤの耐電圧特性が劣化する虞がある。
【０００７】
この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、電子ビームの軌道ずれ、スペーサの帯電を抑制し、耐電圧特性および表示品位の向上した画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板とを有した外囲器と、前記外囲器内で前記第１基板と第２基板との間に設けられ、前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備え、前記スペーサの表面少なくとも一部は、クロム酸化物を含有したコート層により被覆され、前記コート層におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満であることを特徴としている
この発明の他の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板とを有した外囲器と、前記外囲器内で前記第１基板と第２基板との間に設けられ、前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持する複数のスペーサと、を備え、前記スペーサの表面少なくとも一部は、クロム酸化物を含有したコート層により被覆され、前記コート層におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１．５より大きく３未満であることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、スペーサの少なくとも一部を覆ったコート層におけるクロム酸化物の組成比を制御することで、電子ビームの軌道ずれおよびスペーサの帯電を抑制し、耐電圧特性および表示品位の向上した画像表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面を参照しながら、この発明を、平面型画像表示装置としてのＳＥＤに適用した第１の実施形態について詳細に説明する。  
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器１５を構成している。
【００１１】
第１基板１０の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、青、緑に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７およびゲッタ膜１９が順に形成されている。
【００１２】
第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、複数列および複数行に配列され、それぞれ画素を構成している。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第２基板１２の内面上には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。
【００１３】
接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。
【００１４】
図２および図３に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２の間に配設されたスペーサ構体２２を備えている。本実施形態において、スペーサ構体２２は、第１および第２基板１０、１２間に配設された矩形状の金属板からなる支持基板２４と、支持基板の両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、を有している。
【００１５】
詳細に述べると、支持基板２４は、第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有している。支持基板２４は蛍光体スクリーン１６とほぼ等しい大きさに形成され、第１基板１０および第２基板１２と平行に配置されている。支持基板２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、真空外囲器１５の長手方向と平行な第１方向Ｘにブリッジ部を介して第１ピッチで並んでいるとともに、第１方向と直交する第２方向Ｙに第１ピッチよりも大きな第２ピッチで並んで設けられている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
【００１６】
支持基板２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．３ｍｍに形成されている。支持基板２４の表面には、金属板を構成する元素からなる酸化膜、例えば、Ｆｅ３Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４からなる酸化膜が形成されている。また、支持基板２４の表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面は、例えば、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁層２７により被覆されている。更に、支持基板２４の表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面は、二次電子発生防止効果を有した高抵抗膜としての基板コート層２８により被覆されている。基板コート層２８は絶縁層２７に重ねて形成されている。
【００１７】
基板コート層２８は、二次電子放出係数が０．４〜２．０と低い材料、例えば、クロム酸化物を含有している。支持基板２４の表面抵抗は１０７Ωcm以上であることが望ましい。そこで、本実施形態では、基板コート層２８を形成することで、支持基板２４の表面抵抗値をマクロ的に上げ放電抑制効果を得ている。基板コート層２８におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満に設定されている。
【００１８】
図２および図３に示すように、支持基板２４の第１表面２４ａ上には複数の第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、それぞれ第２方向Ｙに並んだ電子ビーム通過孔２６間に位置している。第１スペーサ３０ａの先端は、ゲッタ膜１９、メタルバック１７、および蛍光体スクリーン１６の遮光層１１を介して第１基板１０の内面に当接している。
【００１９】
支持基板２４の第２表面２４ｂ上には複数の第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、それぞれ第２方向Ｙに並んだ電子ビーム通過孔２６間に位置している。第２スペーサ３０ｂの先端は第２基板１２の内面に当接している。ここでは、各第２スペーサ３０ｂの先端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に位置している。各第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置し、支持基板２４を両面から挟み込んだ状態で支持基板２４と一体に形成されている。
【００２０】
第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、支持基板２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、各第１スペーサ３０ａはほぼ楕円状の横断面形状を有している。各第２スペーサ３０ｂはほぼ楕円状の横断面形状を有している。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、その長手方向が長手方向Ｘと一致した状態で支持基板２４上に設けられている。
【００２１】
各第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの表面は、クロム酸化物を含有したコート層３２により被覆されている。コート層３２におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満の範囲に制御されている。
【００２２】
上記のように構成されたスペーサ構体２２は第１基板１０および第２基板１２間に配設されている。そして、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００２３】
ＳＥＤは、支持基板２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、支持基板２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、支持基板２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。
【００２４】
次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。始めに、スペーサ構体２２の製造方法について説明する。  
図４に示すように、所定寸法の支持基板２４、この支持基板とほぼ同一の寸法を有した矩形板状の上型３６ａおよび下型３６ｂを用意する。支持基板２４としては、４５〜５５重量％ニッケル、残部鉄、不可避不純物を含有した板厚０．１２ｍｍの金属板を用いる。この金属板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより電子ビーム通過孔２６を形成する。金属板全体を酸化処理した後、電子ビーム通過孔２６の内面を含め金属板表面に絶縁層２７を形成する。
【００２５】
成形型としての上型３６ａおよび下型３６ｂは、紫外線を透過する透明な材料、例えば、透明シリコン、透明ポリエチレンテレフタレート等により平坦な板状に形成する。上型３６ａは、支持基板２４に当接される平坦な当接面４１ａと、第１スペーサ３０ａを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔４０ａと、を有している。スペーサ形成孔４０ａはそれぞれ上型３６ａの当接面４１ａに開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。同様に、下型３６ｂは、平坦な当接面４１ｂと、第２スペーサ３０ｂを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔４０ｂと、を有している。スペーサ形成孔４０ｂはそれぞれ下型３６ｂの当接面４１ｂに開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。
【００２６】
続いて、上型３６ａのスペーサ形成孔４０ａおよび下型３６ｂのスペーサ形成孔４０ｂにスペーサ形成材料４６を充填する。スペーサ形成材料４６としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。
【００２７】
図５に示すように、スペーサ形成材料４６の充填されたスペーサ形成孔４０ａがそれぞれ電子ビーム通過孔２６間と対向するように、上型３６ａを位置決めし当接面４１ａを支持基板２４の第１表面２４ａに密着させる。同様に、下型３６ｂを、各スペーサ形成孔４０ｂが電子ビーム通過孔２６間と対向するように位置決めし、当接面４１ｂを支持基板２４の第２表面２４ｂに密着させる。なお、支持基板２４のスペーサ立設位置、すなわち、各領域７０には、ディスペンサあるいは印刷により、予め接着剤を塗布しておいてもよい。これにより、支持基板２４、上型３６ａおよび下型３６ｂからなる組立体４２を構成する。組立体４２において、上型３６ａのスペーサ形成孔４０ａと下型３６ｂのスペーサ形成孔４０ｂとは、支持基板２４を挟んで対向して配列されている。
【００２８】
次いで、上型３６ａおよび下型３６ｂの外側に配置された紫外線ランプ６２ａ、６２ｂから上型および下型に向けて紫外線（ＵＶ）を照射する。上型３６ａおよび下型３６ｂはそれぞれ紫外線透過材料で形成されている。そのため、紫外線ランプ６２ａ、６２ｂから照射された紫外線は、上型３６ａおよび下型３６ｂを透過し、充填されたスペーサ形成材料４６に照射される。これにより、組立体４２の密着を維持した状態で、スペーサ形成材料４６を紫外線硬化させる。
【００２９】
続いて、図６に示すように、硬化したスペーサ形成材料４６を支持基板２４上に残すように、上型３６ａおよび下型３６ｂを支持基板２４から離型する。その後、スペーサ形成材料４６が設けられた支持基板２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、支持基板２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサ構体２２を得る。
【００３０】
次に、酸素雰囲気中にスペーサ構体２２を配置し、スペーサ構体２２の表面にクロムを蒸着する。これにより、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの表面にクロム酸化物を含有したコート層３２を形成するとともに、電子ビーム通過孔２６の内壁を含む支持基板２４表面にクロム酸化物を含有した基板コート層２８を形成する。この際、酸素雰囲気中の酸素濃度を制御することにより、クロム酸化物の組成比を、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満の範囲に設定する。
【００３１】
なお、酸素雰囲気中でクロムを蒸着する場合、コート層３２におけるクロム酸化物の酸素組成比を容易に制御することができるが、コート層の形成方法はこれに限らず、スパッタリング、塗布等の他の方法を用いることもできる。
【００３２】
一方、ＳＥＤの製造においては、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。続いて、前記のようにして得られたスペーサ構体２２を第２基板１２上に位置決め配置する。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサ構体２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。これにより、スペーサ構体２２を備えたＳＥＤが製造される。
【００３３】
以上のように構成されたＳＥＤによれば、クロム酸化物を含有したコート層３２によりスペーサの表面を被覆することにより、二次電子放出低減効果、および抵抗値制御による電極効果が得られる。コート層３２におけるクロム酸化物の組成比を制御することで、電子ビームの軌道ずれおよびスペーサの帯電を抑制することができる。図７に示すように、クロムに対する酸素の割合を少なくし、組成比をクロム１に対して、酸素を１以上、１．５未満の範囲とすることにより、コート層３２の抵抗値を下げることができる。そのため、コート層３２の電極効果により電子ビームの反発を抑制し、電子ビームの軌道ずれを低減することができる。
【００３４】
また、クロム酸化物における酸素の割合を１．５より大きく３未満の範囲とすることにより、コート層３２の抵抗値が高くなる。これにより、スペーサの帯電を抑制し、耐電圧特性の向上を図ることができる。なお、酸素の割合が３以上の場合、六価クロムが存在することになり、これは毒性が非常に強いため取り扱うことが困難となる。  
以上のことから、電子ビームの軌道ずれおよびスペーサの帯電を抑制し、耐電圧特性および表示品位の向上したＳＥＤが得られる。
【００３５】
本実施形態によれば、スペーサに加えて、支持基板２４の表面はクロム酸化物を含有した基板コート層２８により被覆されている。このクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満の範囲に制御されている。従って、コート層３２と同様に、支持基板２４を被覆した基板コート層２８によって支持基板の帯電抑制および耐電圧特性の向上を図ることができる。また、電子放出素子１８から放出された電子の一部が支持基板２４表面に衝突した場合でも、支持基板表面における二次電子の発生を大幅に低減することができる。これにより、二次電子放出に起因する放電の発生を抑制し、放電による電子放出素子や蛍光面、第１基板上の配線の破壊あるいは劣化を防止することが可能となる。また、二次電子に起因したスペーサの帯電を防止して、蛍光体層に対する電子ビームの軌道ずれを一層確実に低減することができ、表示画像の色純度を向上させることができる。
【００３６】
なお、上述した第１の実施形態において、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの表面全体をコート層３２で被覆する構成としたが、これに限らず、スペーサの少なくとも一部、例えば、第２スペーサの表面のみをコート層３２で被覆する構成としてもよい。また、支持基板２４の基板コート層２８は省略してもよく、あるいは、支持基板の一部のみ、例えば、第１表面２４ａのみを基板コート層２８で被覆する構成としてもよい。いずれの構成においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００３７】
前述した実施形態において、スペーサ構体２２は、第１および第２スペーサおよび支持基板を一体的に備えた構成としたが、第２スペーサ３０ｂは第２基板１２上に形成する構成としてもよい。また、スペーサ構体は、支持基板および第２スペーサのみを備え、支持基板が第１基板に接触した構成としてもよい。
【００３８】
図８に示すように、この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤによれば、スペーサ構体２２は、矩形状の金属板からなる支持基板２４と、支持基板の一方の表面のみに一体的に立設された多数の柱状のスペーサ３０と、を有している。支持基板２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。
【００３９】
支持基板２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、各電子ビーム通過孔２６の内壁面は、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁層２７により被覆され、更に、絶縁層に重ねて基板コート層２８が形成されている。基板コート層２８は、クロム酸化物を含有している。支持基板２４の表面抵抗は１０７Ωcm以上であることが望ましい。基板コート層２８におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満に設定されている。
【００４０】
支持基板２４は、その第１表面２４ａが、ゲッタ膜、メタルバック１７、蛍光体スクリーン１６を介して、第１基板１０の内面に面接触した状態で設けられている。支持基板２４に設けられた電子ビーム通過孔２６は、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂと対向している。これにより、各電子放出素子１８は、電子ビーム通過孔２６を通して、対応する蛍光体層と対向している。
【００４１】
支持基板２４の第２表面２４ｂ上には複数のスペーサ３０が一体的に立設され、それぞれ電子ビーム通過孔２６間に位置している。各スペーサ３０の延出端は、第２基板１２の内面、ここでは、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に当接している。スペーサ３０の各々は、支持基板２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。支持基板２４表面と平行な方向に沿ったスペーサ３０の断面は、ほぼ楕円形に形成されている。
【００４２】
各スペーサ３０の表面は、クロム酸化物を含有したコート層３２により被覆されている。コート層３２におけるクロム酸化物の組成比は、クロムを１とした場合、酸素が１以上、１．５未満、１．５より大きく３未満の範囲に制御されている。
【００４３】
上記のように構成されたスペーサ構体２２は、支持基板２４が第１基板１０に面接触し、スペーサ３０の延出端が第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。
【００４４】
第２の実施形態において、他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。第２の実施形態に係るＳＥＤおよびそのスペーサ構体は前述した実施形態に係る製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。そして、第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４５】
第２の実施形態において、スペーサ３０の表面全体をコート層３２で被覆する構成としたが、これに限らず、スペーサの少なくとも一部、例えば、スペーサ３０の第２基板側の端部表面のみをコート層３２で被覆する構成としてもよい。また、支持基板２４の基板コート層２８は省略してもよく、あるいは、支持基板の一部のみ、例えば、第２表面２４ｂのみを基板コート層２８で被覆する構成としてもよい。いずれの構成においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００４６】
本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４７】
上述した実施形態において、スペーサは、支持基板上に立設した構成としたが、支持基板を省略し、第１基板あるいは第２基板上に直接スペーサを立設する構成としてもよい。スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。スペーサ形成材料の充填条件は必要に応じて種々選択可能である。この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明の第１の実施形態に係るＳＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。
【図３】前記ＳＥＤを拡大して示す断面図。
【図４】前記スペーサ構体の製造に用いる支持基板および成形型を示す断面図。
【図５】成形型および支持基板を密着させた組立体を示す断面図。
【図６】前記成形型を開放した状態を示す断面図。
【図７】クロム酸化物の組成比とスペーサの特性との関係を示す図。
【図８】この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤを示す断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１０…第１基板、  １２…第２基板、  １４…側壁、  １５…真空外囲器、
１６…蛍光体スクリーン、  １８…電子放出素子、  ２２…スペーサ構体、
２４…支持基板、  ２６…電子ビーム通過孔、  ２７…絶縁層、
２８…基板コート層、  ３０…スペーサ、  ３０ａ…第１スペーサ、
３０ｂ…第２スペーサ、  ３２…コート層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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