(57)【要約】  【課題】基板の表面の不要物を、その基板への再付着を防止しつつ排除することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。  【解決手段】第２ノズル３から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ２が、第１ノズル２から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ１と相対向し、かつ、第１ノズル２から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置（入射位置）Ｐ１と第２ノズル３から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置（入射位置）Ｐ２とが、流速ベクトルＶ１と直交する方向にずれるように、第１ノズル２および第２ノズル３が設けられている。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面から不要物を排除するための処理に用いられる基板処理装置であって、
基板の表面に処理液を供給するための処理液供給手段と、
基板の表面上において、前記処理液供給手段によって供給される処理液の渦流を形成するための渦流形成手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記渦流形成手段は、基板の表面に向けて処理液を吐出する複数のノズルを備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数の前記ノズルは、第１ノズルおよび第２ノズルを含み、
前記第１ノズルおよび前記第２ノズルは、前記第２ノズルから吐出されて基板の表面上を流れる処理液の流速ベクトルが、前記第１ノズルから吐出されて基板の表面上を流れる処理液の流速ベクトルと相対向する方向のベクトル成分を有し、かつ、前記第１ノズルから吐出される処理液の着地位置と前記第２ノズルから吐出される処理液の着地位置とが、前記第１ノズルから吐出されて基板の表面上を流れる処理液の流速ベクトルと直交する方向にずれるように、設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記渦流形成手段は、基板の表面に近接して対向配置され、処理液を案内するための内周面を有するガイド部材と、このガイド部材の内周面に沿うように処理液を吐出するノズルとを備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガイド部材の内周面は、処理液の案内方向に直交する方向における断面形状が略円弧状であることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
基板と前記渦流形成手段とを相対的に移動させる移動手段をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記移動手段は、基板と前記渦流形成手段とを、基板の表面と平行な方向において相対的に移動させるスキャン手段を含むことを特徴とする請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記移動手段は、基板をその表面に垂直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段を含むことを特徴とする請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板の表面から不要物を排除するための基板処理方法であって、
ノズルから基板の表面に向けて処理液を吐出する処理液供給ステップと、
基板の表面上において、前記ノズルから吐出される処理液に渦流を形成する渦流形成ステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
少なくとも前記渦流形成ステップの実行中に、前記ノズルと基板とを相対的に移動させる移動ステップをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面を処理液によって処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板の表面に処理液を供給して、その基板の表面から不要物を排除する処理（たとえば、基板の表面からパーティクルを除去するための洗浄処理、基板の表面から不要なレジスト膜を剥離するためのレジスト剥離処理など）が行われる。
この不要物を排除するための処理に用いられる典型的な基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックによって回転される基板の表面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。基板の表面に供給された処理液は、回転による遠心力を受けて流れ、この処理液の流れによって、基板の表面の不要物が押し流されて排除される。
【特許文献１】特開平１０−１１２４５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、遠心力によって形成される処理液の流れでは、基板の表面の不要物を単に押し流して転動させるだけであり、その転動する不要物が、他の場所（たとえば、処理液の流れが弱い場所）に再付着するおそれがあった。
そこで、この発明の目的は、基板の表面の不要物を、その基板への再付着を防止しつつ排除することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板（Ｗ；Ｇ）の表面から不要物を排除するための処理に用いられる基板処理装置であって、基板の表面に処理液を供給するための処理液供給手段（２１，３１；６４）と、基板の表面上において、前記処理液供給手段によって供給される処理液の渦流を形成するための渦流形成手段（２，３；６；８）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【０００５】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
この構成によれば、渦流形成手段によって、基板の表面上に処理液の渦流が形成される。この処理液の渦流内には、基板の表面から離れる方向の上昇流が生じ、渦流の周辺では、処理液が基板の表面に沿って流れる。そのため、基板の表面の不要物を、処理液の渦流内の上昇流によって基板の表面から浮き上がらせ、この処理液中に浮かんだ状態で、渦流の周辺の処理液の流れによって排除することができる。よって、基板の表面の不要物を、その基板への再付着を防止しつつ排除することができる。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、前記渦流形成手段は、基板の表面に向けて処理液を吐出する複数のノズル（２，３；６２；８）を備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、処理液供給手段によって供給される処理液が、複数のノズルから基板の表面に向けて吐出される。
【０００７】
たとえば、複数の前記ノズルがそれぞれ適当に配置されていれば、複数のノズルから処理液を並行して吐出させることによって、基板の基板の表面上に処理液の渦流を形成することができる。
より具体的には、請求項３に記載のように、複数の前記ノズルが、第１ノズル（２）および第２ノズル（３；８）を含み、前記第１ノズルおよび前記第２ノズルが、前記第２ノズルから吐出されて基板の表面上を流れる処理液の流速ベクトル（Ｖ２；Ｖ３）が、前記第１ノズルから吐出されて基板の表面上を流れる処理液の流速ベクトル（Ｖ１）と相対向する方向のベクトル成分を有し、かつ、前記第１ノズルから吐出される処理液の着地位置（Ｐ１）と前記第２ノズルから吐出される処理液の着地位置（Ｐ２；Ｐ３）とが、前記第１ノズルから吐出されて基板の表面上を流れる処理液の流速ベクトルと直交する方向にずれるように、設けられていれば、第１ノズルおよび第２ノズルから処理液を並行して吐出させることによって、基板の表面上に処理液の渦流を確実に形成することができる。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、前記渦流形成手段は、基板の表面に近接して対向配置され、処理液を案内するための内周面（６３）を有するガイド部材（６１）と、このガイド部材の内周面に沿うように処理液を吐出するノズル（６２）とを備えていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ノズルからガイド部材の内周面に沿うように処理液が吐出され、そのガイド部材の内周面に処理液が案内されることによって、基板の表面上に処理液の渦流が形成される。したがって、ガイド部材およびノズルを備える簡素な構成によって、基板の表面上に処理液の渦流を形成することができる。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、前記ガイド部材の内周面は、処理液の案内方向に直交する方向における断面形状が略円弧状であることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガイド部材の内周面が断面略円弧状であるので、処理液がガイド部材の内周面に案内されつつ流れる状態を良好に維持することができる。そのため、基板の表面上に処理液の渦流をより確実に形成することができる。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、基板と前記渦流形成手段とを相対的に移動させる移動手段（１，４；７）をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、移動手段によって、基板と渦流形成手段とを相対的に移動させることができる。
【００１１】
たとえば、渦流形成手段による渦流形成時に、基板と渦流形成手段とを相対的に移動させることにより、基板の表面上に形成される渦流の位置を移動させることができる。渦流が通過する領域では、渦流の中心の通過前後で処理液の流れる方向が変化（ほぼ反転）するので、このとき基板の表面の不要物が処理液によって揺すられる。これにより、基板の表面に不要物が強固に付着していても、その不要物を、基板の表面から剥離することができ、基板への再付着を防止しつつ排除することができる。
【００１２】
前記移動手段は、請求項７に記載のように、基板と前記渦流形成手段とを基板の表面と平行な方向において相対的に移動させるスキャン手段（４；７）を含んでいてもよいし、請求項８に記載のように、基板をその表面に垂直な回転軸線まわりに回転させる基板回転手段（１）を含んでいてもよい。
ただし、渦流形成手段による渦流形成時に、スキャン手段によって基板と渦流形成手段とを相対移動させれば、基板回転手段によって基板を回転させなくても、基板の表面上に形成される渦流の位置を確実に移動させることができ、基板の表面の各所で処理液の渦流を形成することによって、基板の表面の全域から不要物を良好に除去することができる。したがって、この場合、基板回転手段を不要とすることができる。基板回転手段を不要とすることにより、装置の構成を簡素化することができ、ひいてはコストを低減させることができる。
【００１３】
また、基板回転手段を含む場合には、渦流形成手段による渦流形成時に、基板を低速（たとえば、５〜２０ｒｐｍ）で回転させることが好ましい。基板を低速回転させることによって、基板の表面に対してより均一に処理液の渦流を接触させることができ、基板の表面の不要物を一層良好に排除することができる。また、基板の表面への処理液の供給時に、基板を高速（たとえば、５００〜３０００ｒｐｍ）で回転させることによって生じる種々の問題を回避することができる。
【００１４】
すなわち、処理液供給時に基板を高速回転させる場合、次の（１）〜（５）のような問題がある。
（１）遠心力によって基板から振り切られる処理液が、その基板の周囲に配設された部材（たとえば、処理液の飛散を防止するためのスプラッシュガードなど）で跳ね返って、処理中または処理後の基板に再付着するおそれがある。
（２）回転中の基板の周囲に乱気流が生じ、この乱気流によって処理液雰囲気が拡散するおそれがある。
（３）基板の表面の回転中心付近と周縁部とで、処理液に働く遠心力が異なるために、処理が不均一になるおそれがある。
（４）高速回転する基板の脱落を防止するために、基板を複数の挟持部材で挟持して高速回転させる構成では、基板を強力に挟持する必要があり、基板または挟持部材の破損（削れ）を生じるおそれがある。また、基板を吸着保持して高速回転させる構成では、基板を強力に吸着する必要があり、基板に吸着跡（吸着に起因するパーティクルの付着跡）がつくおそれがある。
（５）基板とその表面上の処理液との摩擦による静電気が発生し、基板に作り込まれたデバイスに悪影響を及ぼすおそれがある。
【００１５】
基板を低速回転させることによって、上記（１）〜（５）のような問題を回避することができる。
請求項９に記載の発明は、基板の表面から不要物を排除するための基板処理方法であって、ノズル（２，３；６２；８）から基板の表面に向けて処理液を吐出する処理液供給ステップと、基板の表面上において、前記ノズルから吐出される処理液に渦流を形成する渦流形成ステップとを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【００１６】
この方法によれば、請求項１および２に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
請求項１０に記載の発明は、少なくとも前記渦流形成ステップの実行中に、前記ノズルと基板とを相対的に移動させる移動ステップをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の基板処理方法である。
【００１７】
この方法によれば、請求項６に関連して述べた効果と同様な効果を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す側面図である。この基板処理装置は、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗの表面（上面）から不要物を排除するための処理を行う枚葉式の装置であり、処理室内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に向けて処理液を吐出する第１ノズル２および第２ノズル３とを備えている。
【００１９】
スピンチャック１は、たとえば、真空吸着式チャックであって、ほぼ鉛直な方向に延びたスピン軸１１と、このスピン軸１１の上端に取り付けられて、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその下面を吸着して保持する吸着ベース１２とを有している。スピン軸１１には、モータなどを含む回転駆動機構１３が結合されていて、ウエハＷを吸着ベース１２に吸着保持した状態で、回転駆動機構１３からスピン軸１１に駆動力を入力することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でスピン軸１１の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００２０】
なお、スピンチャック１としては、このような真空吸着式チャックに限らず、たとえば、ウエハＷの端面を複数個の挟持部材で挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる構成のものが採用されてもよい。
第１ノズル２および第２ノズル３は、たとえば、内径２〜４ｍｍの直管状のストレートノズルであり、それぞれ処理液供給管２１，３１から毎分０．２〜３リットルの流量で処理液が供給されるようになっている。
【００２１】
これらの第１ノズル２および第２ノズル３に供給される処理液としては、ウエハＷの表面から排除すべき不要物の種類に応じたものが用いられる。たとえば、ウエハＷの表面の金属不純物（不要な金属薄膜）を排除する場合には、ＨＦ、ＨＦ＋ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏの混合液、ＨＦ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏの混合液、ＢＨＦ（Buffered hydrofluoric acid）またはＤＨＦ（Diluted hydrofluoric acid）などを用いることができる。また、ウエハＷの表面から不要なレジスト膜を排除する場合には、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）を用いることができ、この処理後に、ウエハＷの表面にポリマとなって残留したレジスト残渣を排除する場合には、ＡＰＭ（ammonia−hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水）を用いることができる。さらに、これらの薬液以外にも、有機物（シリコン酸化膜など）のパーティクルを排除するために、フッ酸、塩酸、硫酸、リン酸、硝酸、酢酸、アンモニアもしくはこれらの過酸化水素水溶液などの薬液を用いることができる。また、薬液に限らず、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）もしくは磁気水などの機能水、または、純水（脱イオン化された純水）を処理液として用いることもできる。
【００２２】
なお、第１ノズル２および第２ノズル３に供給される処理液は、必ずしも同種のものに限らず、たとえば、第１ノズル２にＨ２ＳＯ４が供給され、第２ノズル３にＨ２Ｏ２が供給されてもよい。この場合、第１ノズル２から吐出されるＨ２ＳＯ４と第２ノズル３から吐出されるＨ２Ｏ２とがウエハＷの表面上で混ざり合い、ウエハＷの表面上でＳＰＭが生成されることになる。
【００２３】
また、図１に示すように、第１ノズル２および第２ノズル３は、それぞれ処理液がウエハＷの表面に対して所定の角度α（たとえば１０度以下）をなして入射するように設けられている。さらに、図２に示すように、第１ノズル２および第２ノズル３は、第２ノズル３から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ２が、第１ノズル２から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ１と相対向し、かつ、第１ノズル２から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置（入射位置）Ｐ１と第２ノズル３から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置（入射位置）Ｐ２とが、流速ベクトルＶ１と直交する方向にずれるように設けられている。
【００２４】
これにより、第１ノズル２および第２ノズル３から処理液を並行して吐出させると、ウエハＷの表面において、流速ベクトルＶ１を有する処理液の流れと、流速ベクトルＶ２を有する処理液の流れとが生じる。そして、これらの処理液の流れが、流速ベクトルＶ１と直交する方向において互いに間隔を隔ててすれ違うことによって、ウエハＷの表面上に処理液の渦流が形成される。
【００２５】
また、第１ノズル２および第２ノズル３は、図示しないホルダに一体的に保持されており、そのホルダに結合されたノズル移動機構４（図１参照）によって、スピンチャック１に保持されたウエハＷの表面と平行な面内において、スピンチャック１によるウエハＷの回転半径に沿った直線状またはウエハＷの中心を通る円弧状の軌跡を描くように移動されるようになっている。
【００２６】
ウエハＷの処理時には、スピンチャック１によって、ウエハＷが低速（たとえば、５〜２０ｒｐｍ）で回転されつつ、第１ノズル２および第２ノズル３から処理液が並行して吐出されることによって、その低速回転中のウエハＷの表面上に処理液の渦流が形成される。
処理液の渦流内には、ウエハＷの表面から離れる方向の上昇流が生じ、渦流の周辺では、処理液がウエハＷの表面に沿って流れる。そのため、ウエハＷの表面の不要物を、処理液の渦流内の上昇流によってウエハＷの表面から浮き上がらせることができ、処理液中に浮かんだ状態のまま、渦流の周辺の処理液の流れによって排除することができる。よって、ウエハＷの表面の不要物を、そのウエハＷへの再付着を防止しつつ排除することができる。
【００２７】
また、ウエハＷの処理時には、第１ノズル２および第２ノズル３からの処理液の吐出と並行して、ウエハＷの表面上に形成される処理液の渦流が少なくともウエハＷの回転半径を含む範囲で往復移動するように、ノズル移動機構４によって、第１ノズル２および第２ノズル３が往復移動される。この第１ノズル２および第２ノズル３の往復移動とスピンチャック１によるウエハＷの回転とによって、処理液の渦流をウエハＷの表面全域に隈無く形成する（接触させる）ことができる。これにより、ウエハＷの表面全域から不要物を良好に排除することができる。
【００２８】
さらに、ウエハＷの表面において処理液の渦流が通過する領域では、その渦流の中心の通過前後で処理液の流れる方向が変化（ほぼ反転）するので、このときウエハＷの表面の不要物が処理液によって揺すられる。これにより、ウエハＷの表面に不要物が強固に付着していても、その不要物をウエハＷの表面から剥離することができる。
しかも、ウエハＷの回転速度は低速であり、ウエハＷの高速回転は行われないので、ウエハＷの高速回転によって生じる各種の問題を回避することができる。具体的には、下記の（１）〜（５）の問題を回避することができる。
（１）遠心力によってウエハＷから振り切られる処理液が、スピンチャック１の周囲に配設された部材（たとえば、処理液の飛散を防止するためのスプラッシュガードなど）で跳ね返って、ウエハＷに再付着するおそれがある。
（２）高速回転中のウエハＷの周囲には乱気流が生じ、この乱気流によって処理液雰囲気が拡散するおそれがある。
（３）ウエハＷの表面の回転中心付近と周縁部とで、処理液に働く遠心力が異なるために、処理が不均一になるおそれがある。
（４）高速回転するウエハＷの脱落を防止するために、ウエハＷを吸着ベース１２に強力に吸着すると、ウエハＷの下面に吸着跡がつくおそれがある。また、ウエハＷを複数の挟持部材で挟持して高速回転させる構成では、ウエハＷを強力に挟持すると、ウエハＷの周縁部または挟持部材の破損（削れ）を生じるおそれがある。
（５）ウエハＷとその表面上の処理液との摩擦による静電気が発生し、ウエハＷに作り込まれたデバイスに悪影響を及ぼすおそれがある。
【００２９】
なお、この実施形態において、第１ノズル２および第２ノズル３は、ストレートノズルであるとしたが、第１ノズル２および第２ノズル３には、処理液を液滴の噴流の状態で吐出する二流体ノズルが採用されてもよいし、超音波振動子を内蔵し、超音波振動が付与された処理液を吐出する超音波ノズルが採用されてもよい。
また、第１ノズル２および第２ノズル３は、一体的に移動されるとしたが、個別にノズル移動機構が結合されて、それぞれ独立して移動されるようにしてもよい。この場合、ウエハＷの表面上における処理液の渦流の形成位置を移動させることができるだけでなく、たとえば、第１ノズル２と第２ノズル３との水平方向における間隔を変えることによって、ウエハＷの表面上における処理液の渦流の大きさを変えることもできる。
【００３０】
図３は、この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な側面図である。この基板処理装置は、液晶表示装置用ガラス基板などの角形基板Ｇの表面から不要物を排除するための処理を行う枚葉式の装置であり、処理室内に、角形基板Ｇを載置可能な傾斜面を有する保持台５と、この保持台５に載置された角形基板Ｇの表面上に処理液の渦流を形成するための渦流形成器６とを備えている。
【００３１】
渦流形成器６は、図４に示すように、ガイド部材６１と、このガイド部材６１の後述する内周面６３に沿うように処理液を吐出する４つのノズル６２とを備えており、保持台５に傾斜姿勢で保持された角形基板Ｇの表面に対して、微小な間隔（たとえば、１〜５ｍｍ）を隔てて対向配置される。
ガイド部材６１は、外形が平面視略矩形状に形成され、ノズル６２からの処理液を案内するための平面視円形状の内周面６３を有する枠体の構成を有している。また、ガイド部材６１の内周面６３は、図３に示すように、その内周面６３における処理液の案内方向に直交する方向（渦流形成器６と角形基板Ｇとの対向方向）の断面形状が、角形基板Ｇに近づくほど内側に狭まるような略円弧状に形成されている。言い換えれば、ガイド部材６１の内周面６３は下方向に挟まるすり鉢状に形成されている。
【００３２】
４つのノズル６２は、図４に示すように、直管状に形成されており、ガイド部材６１の内周面６３に沿う方向に隣接する２つのノズル６２において、それぞれの処理液の供給方向（吐出方向）が９０度異なるように配置されている。各ノズル６２には、処理液供給管６４が接続されており、各処理液供給管６４から処理液が供給されるようになっている。各ノズル６２に供給される処理液としては、第１ノズル２および第２ノズル３の場合と同様に、ウエハＷの表面から排除すべき不要物の種類に応じたものが用いられる。また、すべてのノズル６２に同種の処理液が供給されてもよいし、任意の２つまたは３つのノズル６２にのみ同種の処理液が供給され、残りのノズル６２には異なる種類の処理液が供給されてもよい。また、すべてのノズル６２に異なる種類の処理液が供給されてもよい。
【００３３】
４つのノズル６２から処理液を並行して吐出させると、各ノズル６２からの処理液がガイド部材６１の内周面６３に案内されることによって、ガイド部材６１内に、一方向に流れる渦流が形成される。この処理液の渦流内には、角形基板Ｇの表面から離れる方向の上昇流が生じる。この上昇流を形成する処理液は、ガイド部材６１の上面から側方へ流出する。一方、上昇流を形成しない処理液は、ガイド部材６１の下面から角形基板Ｇの表面を伝って流れる。そのため、角形基板Ｇの表面の不要物を、処理液の渦流内の上昇流によって角形基板Ｇの表面から浮き上がらせ、ガイド部材６１の上面から側方へ流出させることができる。このとき、角形基板Ｇとガイド部材６１との間には、不要物を含まない清浄な処理液が流れるので、その清浄な処理液の流れによって、ガイド部材６１の上面から処理液とともに流出する不要物が角形基板Ｇの表面に再付着することを防止することができる。よって、角形基板Ｇの表面の不要物を、その角形基板Ｇへの再付着を防止しつつ排除することができる。
【００３４】
また、図３に示すように、渦流形成器６には、渦流形成器移動機構７が結合されており、処理液の渦流形成時（処理液吐出時）に、渦流形成器６は、その渦流形成器移動機構７によって、角形基板Ｇの表面と平行な面内において、角形基板Ｇの傾斜方向およびこれに直交する方向に移動される。より具体的には、渦流形成器６は、角形基板Ｇの上端縁に対向する位置から傾斜方向に沿って移動され、角形基板Ｇの下端縁に対向する位置に達すると、角形基板Ｇの上端縁に対向する位置に再び戻されて、角形基板Ｇの傾斜方向と直交する方向に所定間隔だけ移動された後、角形基板Ｇの傾斜方向に沿って再び移動されるといった動作を繰り返すように移動される。これにより、処理液の渦流を角形基板Ｇの表面全域に隈無く形成する（接触させる）ことができ、角形基板Ｇの表面全域から不要物を良好に排除することができる。
【００３５】
さらに、図１に示す基板処理装置の場合と同様に、ウエハＷの表面において処理液の渦流が通過する領域では、その渦流の中心の通過前後で処理液の流れる方向が変化（ほぼ反転）するので、このときウエハＷの表面の不要物を揺すり取ることができる。これにより、ウエハＷの表面に不要物が強固に付着していても、その不要物をウエハＷの表面から剥離することができる。
【００３６】
また、この実施形態では、角形基板Ｇを回転させなくても、角形基板Ｇの表面全域に処理液の渦流を接触させることができるので、角形基板Ｇを回転させるための機構を不要とすることができる。そのため、装置の構成を簡素化することができ、ひいてはコストを低減させることができる。
なお、この実施形態では、渦流形成器６に４つのノズル６２が備えられているとしたが、渦流形成器６に備えられるノズル６２の個数は、１〜３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。
【００３７】
以上、この発明の実施の形態を説明したが、この発明はさらに他の形態で実施することもできる。たとえば、第１の実施形態では、流速ベクトルＶ１と流速ベクトルＶ２とが相対向するように、第１ノズル２および第２ノズル３が設けられているとしたが、第１ノズル２および第２ノズル３の配置はこれに限定されるものではない。すなわち、第１ノズル２および第２ノズル３は、図５に示すように、第２ノズル３から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ２が、第１ノズル２から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ１と相対向する方向のベクトル成分を有し、かつ、第１ノズル２から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置Ｐ１と第２ノズル３から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置Ｐ２とが、流速ベクトルＶ１と直交する方向にずれるように設けられていればよい。
【００３８】
また、図６に示すように、第１ノズル２および第２ノズル３の他に、第３ノズル８が設けられてもよいし、さらに多くのノズルが設けられてもよい。第３ノズル８が設けられる場合、その第３ノズル８は、第３ノズル８から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ３が、第１ノズル２から吐出されてウエハＷの表面上を流れる処理液の流速ベクトルＶ１と相対向する方向のベクトル成分を有し、かつ、第１ノズル２から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置Ｐ１と第３ノズル８から吐出される処理液のウエハＷの表面における着地位置Ｐ３とが、流速ベクトルＶ１と直交する方向にずれるように設けられるとよい。
【００３９】
さらにまた、第１の実施形態では、処理対象基板としてウエハＷを例示したが、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板を処理対象基板としてもよい。
また、第１の実施形態において、第１ノズル２、第２ノズル３およびノズル移動機構４に代えて、第２の実施形態の渦流形成器６および渦流形成器移動機構７を用いるようにしてもよい。逆に、第２の実施形態において、渦流形成器６および渦流形成器移動機構７に代えて、第１の実施形態の第１ノズル２、第２ノズル３およびノズル移動機構４を用いるようにしてもよい。
【００４０】
また、第２の実施形態では、処理対象基板として角形基板Ｇを例示したが、ウエハＷのような円形基板を処理対象基板としてもよい。
また、第２の実施形態では、保持台５には傾斜面が形成されており、角型基板Ｇを傾斜状態で保持するようになっているが、保持台５に水平面が形成されていて、角型基板Ｇを水平状態で保持するようになっていてもよい。
【００４１】
さらに、第２の実施形態において、渦流形成器６は、ガイド部材６１の内周面の直径が角形基板Ｇの対角線の長さまたはウエハＷの直径とほぼ同じに設定されて、角形基板ＧまたはウエハＷの表面の全域に処理液の渦流を形成するようにしてもよい。この場合、渦流形成器６を移動させなくても、角形基板ＧまたはウエハＷの表面全域に渦流を接触させることができ、角形基板ＧまたはウエハＷの表面全域から不要物を良好に排除することができる。したがって、渦流形成器６を移動させるための渦流形成器移動機構７を不要とすることができ、装置の構成を簡素化することができる。
【００４２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を図解的に示す側面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置における処理について説明するための図解的な平面図である。
【図３】この発明の他の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図解的な側面図である。
【図４】図３に示す基板処理装置における処理について説明するための図解的な平面図である。
【図５】図１に示す基板処理装置の構成の変形例（ノズルの配置を変更した態様）を示す図解的な平面図である。
【図６】図１に示す基板処理装置の構成のさらに他の変形例（ノズルを３つ設けた態様）を示す図解的な平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１      スピンチャック
２      第１ノズル
３      第２ノズル
４      ノズル移動機構
６      渦流形成器
７      渦流形成器移動機構
８      第３ノズル
１３    回転駆動機構
２１    処理液供給管
３１    処理液供給管
６１    ガイド部材
６２    ノズル
６３    内周面
６４    処理液供給管
Ｇ      角形基板
Ｐ１    着地位置
Ｐ２    着地位置
Ｐ３    着地位置
Ｖ１    流速ベクトル
Ｖ２    流速ベクトル
Ｖ３    流速ベクトル
Ｗ      ウエハ
【図１】
2006156906.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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