(57)【要約】【課題】多結晶ＩＴＯ薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】まず、基板上に非晶質ＩＴＯ薄膜を形成する。次に、非晶質ＩＴＯ薄膜を多結晶ＩＴＯ薄膜に変換するため、急速熱アニーリングプロセスを実施する。多結晶ＩＴＯ電極の製造方法をさらに提供する。まず、ＴＦＴアレイ基板上に非晶質ＩＴＯ薄膜を形成する。次に、複数の非晶質ＩＴＯ電極を形成するため、非晶質ＩＴＯ薄膜をパターン形成する。非晶質ＩＴＯ電極を複数の多結晶ＩＴＯ電極に変換するため、急速熱アニーリングプロセスを実施する。平坦性の向上した多結晶ＩＴＯ薄膜が形成される。処理時間が短縮され、プロセス処理能力が改善される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）皮膜の製造方法であって、この製造方法が、
基板上に非晶質ＩＴＯ皮膜を形成するステップと；
非晶質ＩＴＯ皮膜を多結晶ＩＴＯ皮膜に変換するため、急速熱アニーリング（ＲＴＡ）プロセスを実施するステップと
をもつ方法。
【請求項２】
非晶質ＩＴＯ皮膜を形成するステップが、スパッタリング法、物理蒸着法、または化学蒸着法を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
非晶質ＩＴＯ皮膜の厚さが４００〜１５００オングストロームである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ＲＴＡプロセスが４００〜７００℃で０．５〜６分にわたって行われる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板が、ガラス基板、シリコン基板、またはプラスチック基板を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
基板が、硬質の基板または柔軟な基板を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
薄膜トランジスタアレイ、カラーフィルタ、発光ダイオード、または有機エレクトロルミネセンスディスプレイに電極を形成するために使用する際に適した多結晶インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）電極の製造方法であって、この方法が、
基板上に非晶質ＩＴＯ皮膜を形成するステップと；
基板上に複数の非晶質ＩＴＯ電極を形成するため、非晶質ＩＴＯ皮膜のパターン形成を行うステップと；
非晶質ＩＴＯ電極を複数の多結晶ＩＴＯ電極に変換するため、急速熱アニーリング（ＲＴＡ）プロセスを実施するステップと
をもつ方法。
【請求項８】
非晶質ＩＴＯ皮膜を形成するステップが、スパッタリング法、物理蒸着法、または化学蒸着法を含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
非晶質ＩＴＯ電極の厚さが４００〜１５００オングストロームである請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
非晶質ＩＴＯ皮膜のパターン形成を行うステップが、
パターン形成されたフォトレジスト層を非晶質ＩＴＯ皮膜上に形成するステップと；
非晶質ＩＴＯ電極を基板上に形成するよう１つのマスクとしてのパターンとしてフォトレジスト層を用いることにより非晶質ＩＴＯ皮膜の一部を除去するステップと；
フォトレジスト層を除去するステップと
を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
非晶質ＩＴＯ皮膜の一部がシュウ酸により除去される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ＲＴＡプロセスが４００〜７００℃で０．５〜６分にわたって行われる請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
基板が、ガラス基板、シリコン基板、またはプラスチック基板を含む請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
基板が、硬質の基板または柔軟な基板を含む請求項７に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）皮膜および透明電極の製造に関する。さらに詳細には、本発明は、多結晶ＩＴＯ皮膜および多結晶ＩＴＯ電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイ端末は、利用者と情報メディア間の通信インターフェイスである。現在、パネルディスプレイの開発が進んでいる。パネルディスプレイの主なものとして、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ（ＯＥＬＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）等がある。ＩＴＯ透明導電皮膜は、上記ディスプレイにおいて重要な役割を果たしている。ＩＴＯ皮膜は良好な導電性をもつ透明電極材として用いられているだけでなく、加熱、熱反射、電磁波遮蔽、帯電防止等のさまざまな用途でも用いることができる。このように、ＩＴＯ皮膜は、ＴＦＴアレイ、色フィルタ、ＬＥＤ、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ、あるいはＰＤＰのさまざまな形式のディスプレイでさまざまな用途をもつ。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、ＩＴＯ皮膜の表面平坦性が装置の安定性に大きな影響を与える。例として有機エレクトロルミネセンスディスプレイをとりあげると、ＩＴＯ皮膜の表面平坦性が比較的大きければ、陰極層（ＩＴＯが陽極の場合）がＩＴＯ皮膜の突出部に対して簡単に接近してしまう。これにより電極表面に局所的な高電場が発生し、その後、この局所部分に大きな電流が流れる。この局所部分に大電流が流れると、この局所部分の温度が上昇し、この局所部分で溶融が起こる。この結果、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ上が損傷する。
【０００４】
したがって、表面平坦性または抵抗といったＩＴＯ材にとって良好な皮膜特性を得るため、従来技術では皮膜形成後にアニーリングプロセスを含める。従来のアニーリングプロセスでは、多結晶ＩＴＯ皮膜に変換するよう非晶質ＩＴＯ皮膜のアニーリングを行うため、電気炉または熱盤を用いる。しかしながら、温度上昇、温度保持（２００℃）、温度降下の手順には長時間かかり、加工時間で通常数時間かかるため処理能力向上にとって好ましくない。
【０００５】
他の従来式アニーリングプロセスでは、多結晶ＩＴＯ皮膜に変換するよう非晶質ＩＴＯ皮膜への照射用紫外（ＵＶ）光を用いる。ＵＶ光を用いるエネルギーの方が少ないため、ＵＶ光の照射後、ＩＴＯ皮膜に対して後アニーリングプロセスを行うための電気炉も必要になる。一般にアニーリングプロセスに必要な時間は短くならない。
【０００６】
アニーリング時間を短縮するため、米国特許第６，４４８，１５８号ではＩＴＯ層のパターン形成を行う方法を提案している。米国特許第６，４４８，１５８号では、非晶質ＩＴＯ皮膜を多結晶ＩＴＯ皮膜に変換するため、エキシマレーザアニーリング（ＥＬＡ）を主として用いる。しかし、レーザビームでは照射エリアが限られるため、広い面積に対するアニーリングで用いられる場合、形成される皮膜が均一な厚さをもつよう制御することは容易でない。さらに、高価なレーザアニーリング機器を用いることにより製造コストが上昇し、競争下にある製造業者の数が減少する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの目的に対して、本発明は、良好な皮膜特性をもつ多結晶ＩＴＯ皮膜を形成する上で適したＩＴＯ皮膜の製造を行い、製造時間と費用とを減少させる方法を提供する。
【０００８】
他の目的に対して、本発明は、高安定性多結晶ＩＴＯ電極を形成する上で適したＩＴＯ電極の製造を行い、製造時間と費用とを減少させる方法を提供する。
【０００９】
本発明はＩＴＯ皮膜の製造方法を提供する。まず、基板上に非晶質ＩＴＯ皮膜を形成する。非晶質ＩＴＯ皮膜を多結晶ＩＴＯ皮膜に変換するため、急速熱アニーリング（ＲＴＡ）プロセスを実施する。
【００１０】
本発明の好ましい実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜を形成するプロセスには、例えば、スパッタリング法、または物理蒸着法あるいは化学蒸着法といった他の方法が含まれる。さらにこの実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜の厚さは、例えば４００〜１５００オングストロームである。ＲＴＡプロセスは、例えば４００〜７００℃で０．５〜６分にわたって行われる。
【００１１】
本発明はまた、ＴＦＴアレイ、色フィルタ、ＬＥＤ、有機エレクトロルミネセンスディスプレイ、またはＰＤＰにおいて透明電極を形成する上で適したＩＴＯ電極の製造方法を提供する。ＩＴＯ電極の製造方法には、非晶質ＩＴＯ皮膜を基板上に形成することが含まれる。多段非晶質ＩＴＯ電極を基板上に形成するため、非晶質ＩＴＯ皮膜はパターン形成される。その後、非晶質ＩＴＯ電極を多段多結晶ＩＴＯ電極に変換するため、急速熱アニーリングプロセスを実施する。
【００１２】
本発明の好ましい実施例において、多結晶ＩＴＯ電極を形成するプロセスには、例えば、スパッタリング法、または物理蒸着法あるいは化学蒸着法といった他の方法が含まれる。さらにこの実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜の厚さは、例えば４００〜１５００オングストロームである。ＲＴＡプロセスは、例えば４００〜７００℃で０．５〜６分にわたって行われる。
【００１３】
本発明の実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜のパターン形成を行うプロセスには、例えば、非晶質ＩＴＯ皮膜を覆うパターン形成されたフォトレジスト層を形成することが含まれる。その後、非晶質ＩＴＯ皮膜の一部がフォトレジスト層を用いてマスクとして除去される。したがって、非晶質ＩＴＯ皮膜は、例えばシュウ酸またはその他のエッチング液により除去され、それにより基板上に多段非晶質ＩＴＯ電極が形成される。その後、フォトレジスト層が除去される。
【００１４】
本発明の好ましい実施例において、前述の基板には、ガラス基板、シリコン基板、またはプラスチック基板が含まれる。
【００１５】
本発明の好ましい実施例において、前述の基板には、硬質の基板または柔軟な基板が含まれる。
【００１６】
本発明において、非晶質ＩＴＯ皮膜を急速に多結晶ＩＴＯ皮膜に変換できるようＲＴＡを用いる。これにより製造時間が短縮し、処理能力が向上する。形成された多結晶ＩＴＯ皮膜では、表面平坦性または電気抵抗といった皮膜特性が良好になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ皮膜の製造プロセスを図示するものである。図２Ａ〜２Ｄは、本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ皮膜の製造プロセスを図示する横断面図である。
【００１８】
図１および図２Ａにおいて、基板２１０が準備される（ステップ１００）。さらにＩＴＯ皮膜を形成する前に、基板２１０上の汚染物質または粒子を除去するため、基板２１０に対して浄化プロセス（ステップ１１０）を行う。実施例において、基板２１０には、例えばガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、または他の硬質の基板または柔軟な基板が含まれる。
【００１９】
その後、図１および図２Ｂに示すとおり、基板２１０上に非晶質ＩＴＯ皮膜２２０が形成される（ステップ１２０）。したがって、非晶質ＩＴＯ皮膜を形成する方法には、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）法または化学蒸着（ＣＶＤ）法が含まれる。本発明の実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜２２０の形成は、例えば、スパッタリングプロセスであり、ＩＴＯ材料のターゲットを用いてターゲットイオン２３０を形成する。スパッタリングプロセスにより、基板２１０上にターゲットイオン２３０の蒸着を行い、非晶質ＩＴＯ皮膜２２０を形成する。非晶質ＩＴＯ皮膜２２０の厚さは、例えば４００〜１５００オンググトロームである。好ましい実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜２２０の厚さは約５００オングストロームである。
【００２０】
図１および図２Ｃに示すとおり、多結晶ＩＴＯ皮膜２５０に変換するよう非晶質ＩＴＯ皮膜２２０を加熱するため、急速熱アニーリング（ＲＴＡ）プロセス２４０を実施する（ステップ１３０）。非晶質ＩＴＯ皮膜２２０の電気抵抗、結晶構造、表面平坦性、または結晶応力は最適化されていないため、多結晶ＩＴＯ皮膜２５０への変換を行うためアニーリングプロセスが必要である。本実施例で用いられるＲＴＡプロセスにより、短時間で反応室の温度を反応温度まで高め、反応後に急速に当初温度まで降下させることが可能である。本発明の実施例において、基板２１０上に形成された非晶質ＩＴＯ皮膜２２０は、４００〜７００℃のアニーリング温度で０．５〜６分間にわたってアニーリングがなされ、その際に多結晶ＩＴＯ皮膜２５０に変換させることができる。他の実施例において、多結晶ＩＴＯ皮膜２５０として良好な皮膜特性を得るため、ＲＴＡプロセスを、例えば６００℃で１分間にわたって行う。
【００２１】
図３は、本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示するものである。図４Ａ〜４Ｈは、本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【００２２】
図３および図４Ａで示すとおり、基板４１０が準備され（ステップ３００）、この基板を用いて非晶質ＩＴＯ皮膜を形成するためのプロセスを実行する。この実施例において、基板４１０には、例えばガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、または他の硬質の基板または柔軟な基板が含まれる。非晶質ＩＴＯ皮膜を形成する前に、汚染物質または粒子を除去するため、基板４１０は洗浄される（ステップ３１０）。その後、図３および図４Ｇで示すとおり、基板４１０に非晶質ＩＴＯ皮膜４２０を形成する（ステップ３２０）。実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜４２０を形成する方法には、例えば、物理蒸着（ＰＶＤ）法または化学蒸着（ＣＶＤ）法が含まれる。本発明の実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜４２０の形成は、例えば、スパッタリングプロセスであり、このプロセスではＩＴＯ材料のターゲットを用いてターゲットイオン４３０を形成する。スパッタリングプロセスにより、ターゲットイオン４３０を基板４１０上に蒸着して非晶質ＩＴＯ皮膜４２０を形成する。非晶質ＩＴＯ皮膜４２０の厚さは、例えば４００〜１５００オングストロームである。好ましい実施例において、非晶質ＩＴＯ皮膜４２０の厚さは約５００オングストロームである。
【００２３】
その後、多段非晶質電極４７０を基板４１０上に形成するため、非晶質ＩＴＯ皮膜４２０がパターン形成される。
【００２４】
図３および図４Ｃで示すとおり、非晶質ＩＴＯ皮膜４２０上にフォトレジスト層４５０がコーティングされ、このフォトレジスト層４５０が露光される（ステップ３３０）。その後、図３および図４Ｄにおいて、パターン形成されたフォトレジスト層４６０を形成するため、フォトレジスト層４５０のパターン形成を行うようフォトレジスト層４５０が現像される（ステップ３４０）。その後、図３および図４Ｅにおいて、非晶質ＩＴＯ皮膜４２０の一部を除去するよう、パターン形成されたフォトレジスト層４６０がマスクとして用いられ、基板４１０上に多段非晶質ＩＴＯ電極４７０が形成される（ステップ３５０）。好ましい実施例において、例えば、非晶質ＩＴＯ皮膜４２０の一部を除去するため、ウェットエッチングを実施するためのエッチング液としてシュウ酸が用いられる。非晶質ＩＴＯ皮膜４２０をエッチングすることのできる他のエッチング液を用いることも可能である。その後、図３および図４Ｆにおいて、パターン形成されたフォトレジスト層４６０のストリッピングを行い、非晶質ＩＴＯ電極４７０が基板上に残る（ステップ３６０）。
【００２５】
図３および図４Ｇに示すとおり、非晶質ＩＴＯ電極４７０を加熱し、他段多結晶ＩＴＯ電極４９０に変換するためＲＴＡプロセス４８０が実施される（ステップ３７０）。この実施例において、非晶質ＩＴＯ電極４７０が多段多結晶ＩＴＯ電極４９０に変換できるよう、ＲＴＡプロセスを、例えば、４００〜７００℃の温度で０．５〜６分間にわたって行う。好ましい実施例において、電気抵抗、表面平坦性、結晶構造、または電子移動度といった皮膜特性の良好な他段多結晶ＩＴＯ電極４９０を得るため、ＲＴＡプロセスを６００℃の温度で１分間にわたって行う。これにより、その後の装置に対して安定した操作条件をもたらすことが可能になる。
【００２６】
図３および図４Ｈで示すとおり、さまざまな形式のパネルディスプレイに対して透明電極を応用するため、多結晶ＩＴＯ電極４９０を後プロセス（ステップ３８０）で用いることが可能である。
【００２７】
図５Ａ〜５Ｅは、ＩＴＯ電極のさまざまな応用例を図示するものである。図５Ａにおいて、有機エレクトロルミネセンスディスプレイには、基板５００、陽極５１０、有機発光層５２０、陰極５３０が含まれる。有機エレクトロルミネセンスディスプレイにおいて、本発明のＩＴＯ皮膜の製造方法を用いることにより陽極５１０を形成することができる。
【００２８】
本発明のＩＴＯ皮膜の製造方法は、図５Ｂに示す色フィルタや図５Ｃに示すＴＦＴアレイといった通常のＬＣＤにも適用可能である。図５Ｂにおいて、色フィルタには少なくとも、基板６００、多段光遮断層６１０、多段光フィルタリング皮膜６２０、防護層６３０、共通電極６４０が含まれる。光フィルタにおいて、本発明のＩＴＯ皮膜の製造方法を用いることにより共通電極６４０を形成することができる。図５Ｃにおいて、ＴＦＴアレイには少なくとも、多段ＴＦＴ７００、画素電極７１０、データライン７２０、走査ライン７３０が含まれ、本発明のＩＴＯ皮膜の製造方法を用いることにより画素電極７１０を形成することができる。
【００２９】
大型ディスプレイにおいて、図５ＤでＰＤＰを例としてとりあげると、ＰＤＰは、例えば前基板８００と後基板８１０とで構成される。前基板８００には少なくとも、Ｘ電極とＹ電極とが含まれる。後基板８１０には少なくとも、リブ８１２とアドレス電極８１４とが含まれる。ここでは、本発明のＩＴＯ皮膜の製造方法を用いることによりＸ電極とＹ電極とを形成することができる。
【００３０】
ＬＥＤディスプレイでもＩＴＯ皮膜の応用が行われる。図５Ｅに示すとおり、ＬＥＤには少なくとも、基板９００、陰極９１０、ｎ型半導体層９２０、発光層９３０、ｐ型半導体層９４０、陽極９５０が含まれ、陰極９１０と陽極９５０とは透明ＩＴＯ皮膜になりうる。本発明のＩＴＯ皮膜の製造方法を用いることにより、この陰極９１０または陽極９５０を形成することができる。
【００３１】
まとめると、本発明における多結晶ＩＴＯ皮膜と多結晶ＩＴＯ電極とを製造する方法には少なくとも以下に示すような利点がある：
【００３２】
本発明ではＩＴＯ皮膜の形成においてＲＴＡプロセスを用いる。このプロセスには、製造時間を短縮し、処理能力を向上し、製造費用を減少させるという利点がある。
【００３３】
本発明により良好な特性をもつＩＴＯ皮膜を形成することができる。良好な皮膜平坦性に加えて、ＩＴＯ皮膜は以後の製造プロセスで用いることが可能であり、操作をさらに安定させることができる。
【００３４】
本発明の多結晶ＩＴＯ皮膜製造方法は、皮膜または電極の製造のため、さまざまなパネルディスプレイに適用することが可能である。
【００３５】
当業者であれば、本発明の構造において、本発明の適用範囲あるいは考え方から逸脱することなく、さまざまな改造や応用を行うことが可能ということは明らかである。上記の説明を考慮すると、本発明は、以下に示す特許請求の範囲やその等価なものの適用範囲内にある限りにおいて本発明の改造や応用も含めるということが意図されている。
【００３６】
添付の図面は、本発明の理解を深めるためのものであり、本仕様書に組み込まれ、その一部を構成するものである。これらの図面は本発明の実施例を示すものであり、説明とあわせて本発明の原理を説明する一助となるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ皮膜の製造プロセスを図示するものである。
【図２Ａ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ皮膜の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図２Ｂ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ皮膜の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図２Ｃ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ皮膜の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図２Ｄ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ皮膜の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示するものである。
【図４Ａ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図４Ｂ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図４Ｃ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図４Ｄ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図４Ｅ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図４Ｆ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図４Ｇ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図４Ｈ】本発明の好ましい実施例による多結晶ＩＴＯ電極の製造プロセスを図示する横断面図である。
【図５Ａ】ＩＴＯ電極のさまざまな応用例を図示するものである。
【図５Ｂ】ＩＴＯ電極のさまざまな応用例を図示するものである。
【図５Ｃ】ＩＴＯ電極のさまざまな応用例を図示するものである。
【図５Ｄ】ＩＴＯ電極のさまざまな応用例を図示するものである。
【図５Ｅ】ＩＴＯ電極のさまざまな応用例を図示するものである。
【符号の説明】
【００３８】
２１０            基板
２２０            非晶質ＩＴＯ皮膜
２３０            ターゲットイオン
２４０            プロセス
２５０            多結晶ＩＴＯ皮膜
４１０            基板
４２０            非晶質ＩＴＯ皮膜
４３０            ターゲットイオン
４５０            フォトレジスト層
４６０            フォトレジスト層
４７０            多段非晶質電極
４８０            ＲＴＡプロセス
４９０            電極
５００            基板
５１０            陽極
５２０            有機発光層
５３０            陰極
６００            基板
６１０            多段光遮断層
６２０            多段光フィルタリング皮膜
６３０            防護層
６４０            共通電極
７１０            画素電極
７２０            データライン
７３０            走査ライン
８００            前基板
８１０            後基板
８１２            リブ
８１４            アドレス電極
９００            基板
９１０            陰極
９２０            ｎ型半導体層
９３０            発光層
９４０            ｐ型半導体層
９５０            陽極
【図１】
2006066362.tif 000003
【図２Ａ】
2006066362.tif 000004
【図２Ｂ】
2006066362.tif 000005
【図２Ｃ】
2006066362.tif 000006
【図２Ｄ】
2006066362.tif 000007
【図３】
2006066362.tif 000008
【図４Ａ】
2006066362.tif 000009
【図４Ｂ】
2006066362.tif 000010
【図４Ｃ】
2006066362.tif 000011
【図４Ｄ】
2006066362.tif 000012
【図４Ｅ】
2006066362.tif 000013
【図４Ｆ】
2006066362.tif 000014
【図４Ｇ】
2006066362.tif 000015
【図４Ｈ】
2006066362.tif 000016
【図５Ａ】
2006066362.tif 000017
【図５Ｂ】
2006066362.tif 000018
【図５Ｃ】
2006066362.tif 000019
【図５Ｄ】
2006066362.tif 000020
【図５Ｅ】
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