(57)【要約】【課題】  レーザ加工によって内部亀裂を形成した後の基板を、表面の割断予定線に沿って割断残りのないように割断する。【解決手段】  基板表面１１には表面加工痕１１ａが設けられ、外力によって基板１０を素子チップ１０ａに割断する際に、基板１０の裏面と曲面６４を有する円筒状ステージ６１とを圧迫することで、基板１０を円筒状ステージ６１の曲面６４に倣って変形させ、表面加工痕１１ａを起点として生じる亀裂を内部亀裂１２と連結させることで、基板表面１１は割断予定線Ｃに沿って分断される。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を複数の素子チップに分離するための基板割断方法であって、
前記基板の割断予定線に応力を集中させるための線状の凹部を基板表面に形成する表面加工工程と、
円筒状外周曲面の一部を有するステージと前記基板の裏面とを圧迫することで、当該基板を前記ステージの外周曲面に倣って変形させ、前記凹部を起点として亀裂を形成する割断工程と、
を有することを特徴とする基板割断方法。
【請求項２】
凹部を起点として形成される亀裂は、基板内部に形成された内部亀裂と連結することを特徴とする請求項１に記載の基板割断方法。
【請求項３】
内部亀裂は、基板内部の所定の深さの集光点にレーザ光を集光させて形成されることを特徴とする請求項３に記載の基板割断方法。
【請求項４】
ステージの母線方向の長さは、該母線方向の基板の長さよりも長いことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板割断方法。
【請求項５】
ステージの外周曲面は、ステージの母線方向と直交する方向の基板の長さよりも長いことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板割断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数の素子が形成されたシリコンウエハ等の基板から個別の素子を分離する基板割断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンウエハ基板の表面にマトリクス状に形成された半導体素子等の機能素子を切り出す際に行われる割断方法として知られているものとして、曲げ、引張りなどの適当な外力を加える方法がある。曲げの例では、ゴムステージ上の基板に回転ロッドを圧迫走査し、基板の圧迫変形により基板を分割するチップブレーカーがある。引張りの例では、ウエハエキスパンド装置によりウエハを搭載した粘着テープを全周囲方向に引張り、その引張り力で基板を分割する方法がある（特許文献１）。
【０００３】
また、その他の割断方法としては、基板表面を非接触として基板をドーム状に変形する割断方法が知られている。（特許文献２）。
【特許文献１】特開２００２−１９２３７０号公報（特許第３４０８８０５号公報）
【特許文献２】特開２００１−１０２３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された方法によると、曲げの外力を加える方法では、割断予定線への直接の外力付与が可能なため、確実な割断が期待できるが、基板の両面を圧迫するため、基板表面の機能素子等の構造物が破損するおそれがあった。また、引張りの外力を加える方法では、引張り力がウエハ全体に付与されるため、個々の割断予定線への外力付与を確実に行うことが困難であり、所謂割れ残りが生じる危険があった。特に、ある場所に割れが生じると、エキスパンドの引張り力はその割れ部分のテープの伸びとして吸収されてしまうので、未割断の割断予定線への引張り力の付与が急減してしまって、未割断部分の割断がうまく行なえないことがあった。
【０００５】
また、特許文献２に開示された方法によると、ドーム状変形にはテープを等方的に同時に拡張するため、基板に貼付された保持テープの伸びが伴わなければならないが、一旦割れ残りが発生すと、その割れ残り部分のテープの伸びのために、未割断の割断予定線への引張り力の付与が急減してしまって、これも未割断部分の割断がうまく行なえないことがあった。
【０００６】
本発明は上述のような解決すべき課題に鑑みてなされたものであり、予め表面に碁盤の目状に複数の素子が形成されたシリコンウエハの基板内部に割断予定線に沿って亀裂が形成された基板から個別に素子を分離すべく、より確実に基板を割断できる基板割断方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明による基板割断方法は、基板を複数の素子チップに分離するための基板割断方法であって、前記基板の割断予定線に応力を集中させるための線状の凹部を基板表面に形成する表面加工工程と、円筒状外周曲面の一部を有するステージと前記基板の裏面とを圧迫することで、当該基板を前記ステージの外周曲面に倣って変形させ、前記凹部を起点として亀裂を形成する割断工程と、を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、曲面に沿って基板が変形することで、各々の割断予定線に曲げ応力が作用し、全ての割断予定線の確実な割断が可能である。また、基板表面を上として基板が変形するため、基板表面が工具などにより圧迫されることがなく、例えば、表面の構造物等が破損することがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に図面を用いて本発明に係る各実施例を説明する。
【００１０】
（実施例１）
図１（ａ）、（ｂ）に示すシリコン基板１０は、表面が（１００）面の単結晶シリコンで厚み６２５μｍのシリコンウエハ１を基体とし、そのシリコンウエハ１の表面には、厚さ１μｍ程度の酸化膜２が形成されている（図１（ｃ））。また、その上には、インク等液体吐出用の機構、およびそれらを駆動するロジック素子、配線等を内蔵したエポキシ樹脂製の構造物であるノズル層３が配置され、各ロジック素子部１０ａを構成している。
【００１１】
このように液体吐出用の機構等を内蔵したノズル層３の直下に、開口部である液体供給口（インク供給口）４をシリコンウエハ１の異方性エッチングにより形成する。ノズル層３は、製造工程の最終段階でシリコンウエハ１を各素子チップに割断できるように、互いに割断予定線Ｃを挟んで配置される。割断予定線Ｃはシリコンウエハ１の結晶方位に沿って形成され、隣接するノズル層３の間隔Ｓは最小で４００μｍ程度である。
【００１２】
図３は、シリコン基板１０を個々の素子チップとなるロジック素子部１０ａに分離する割断プロセスを説明するフローチャートであり、以下に各工程を順に説明する。
【００１３】
〔テープマウント工程〕
まず、シリコン基板１０をダイシングテープＤにマウントする（図４）。本実施例では、ダイシングテープＤとして、光硬化型粘着層を有するＰＶＣ基材の粘着テープを用いた。
【００１４】
〔凹部加工工程〕
続いて、シリコン基板１０の各ロジック素子部１０ａの割断を精度よく行うために、基板表面１１において割断予定線Ｃに亀裂の伝播を誘導する凹部である表面加工痕１１ａをその表面に形成する。すなわち、割断予定線Ｃに沿って表面加工痕１１ａを形成することで、後の割断工程で外力による割断の際に、基板表面に作用する応力が表面加工痕１１ａへ集中し、同じく後の内部亀裂形成工程で形成される内部亀裂と表面加工痕１１ａとが亀裂で連結される。従って、ロジック回路等を破壊するような不必要な割れを生じることがない。
【００１５】
〔内部亀裂形成工程〕
図５の（ａ）に示す加工装置５０を用いて、図２に示した内部亀裂１２を形成する。この加工装置５０は、光源５１、ビーム拡大系５１ａ、ミラー５１ｂ、Ｚステージ５２ｃ、観察用カメラ５２ｄ等を有する光源光学系と、顕微鏡対物レンズ５２ａ、ミラー５２ｂ等を有する集光光学系５２と、Ｘステージ５３ａ、Ｙステージ５３ｂ、微動調整ステージ５３ｃ等を有する自動ステージ５３と、ワークＷであるシリコン基板１０のオリエンテーションフラット１０ｂ（図１参照）によるアライメントを行うアライメント光学系（不図示）、ワークＷとの間隔を測定するＡＦ光学系５４を備えており、光源５１としてはパルスＹＡＧレーザ光の基本波（１０６４ｎｍ）を用いる。パルス幅は１５〜１０００ｎｓｅｃ前後で、周波数は１０〜１００ＫＨｚである。
【００１６】
レーザ光の選定は、シリコン基板の分光透過率より決定される。そのため、集光点にて強電界が形成可能で、シリコン透過性がある波長域の光であればよい。
【００１７】
光源５１から出射したレーザ光Ｌは、ビーム拡大系５１ａ等を経て集光光学系５２に入射する。
【００１８】
集光光学系５２の顕微鏡対物レンズ５２ａは、例えば、倍率２０ＮＡ０．４２あるいは倍率５０ＮＡ０．５５のものを用いる。集光光学系５２によってワークＷに集光されたレーザ光Ｌは、図５（ｂ）に示すように、自動ステージ５３上のワークＷであるシリコン基板１０のロジック素子部１０ａを有する基板表面１１から入射する。
【００１９】
このときの光学条件は、基板表面１１に表面加工痕１１ａが存在してもかまわないように設定される。すなわち、表面加工痕１１ａによるエネルギー損失を考慮してパワーを上げるか、表面加工痕１１ａを避けて入射するように光束を選定する等の方策をとる。基板表面１１から入射した光束はシリコン基板１０内を屈折して、内部の所定の深さ（ａ）の集光点Ａに集光して内部亀裂１２を生じる。
【００２０】
実験によれば、図２に示す最上端の内部亀裂１２ｆの亀裂先端が基板表面１１より１０μｍ以上離れるように、集光位置や酸化膜２の膜構成、使用するレーザ波長等に応じ、加工条件を設定することが望ましい。加工中に、不用意に内部亀裂１２ｆと基板表面１１との連結が生じたり、レーザ照射条件によっては基板表面１１が損傷してしまうことがあり得るので、こういった事態を防ぐためである。
【００２１】
このように、シリコン基板１０の内部の一点から内部亀裂１２を形成し、集光点Ａを割断予定線Ｃに沿って相対移動させることで割断予定線Ｃの直下の内部加工を行う。なお、図１に示すように、シリコン基板１０の割断予定線Ｃには、オリエンテーションフラット１０ｂを基準にして互いに直交する２方向の割断予定線Ｃ１、Ｃ２がある。
【００２２】
ＸＹ方向の移動速度は周波数と亀裂形状などを考えて決定され、通常周波数１０〜１００ＫＨｚでは移動速度は１０〜１００ｍｍ／ｓｅｃが目安となっている。移動速度が１００ｍｍ／ｓｅｃ以上であると、内部加工は移動方向に対して飛び飛びになり、同じ割断予定線上の隣接する亀裂の間隔が著しく広くなる等、後で行う割断の品質に影響を与える。
【００２３】
〔割断工程〕
各割断予定線Ｃごとに表面加工痕１１ａおよび複数（例えば１２ａ〜１２ｆの６層）の内部亀裂からなる内部亀裂群を形成したシリコン基板１０を、それぞれの素子チップに割断する手順は以下のように行う。
【００２４】
図６のように、シリコン基板１０の割断予定線の１つが円筒状ステージ６１と可能な限り重なるように、双方をアライメントする。円筒状ステージ６１は、円筒状部材の外周曲面の一部の曲面表面６４を有し、被割断部材である基板の裏面に対してその曲面表面６４の曲面の外周長さＬ１、母線の長さＬ２は、一回のステージ圧迫動作で基板全面に曲げ変形を与えるため、基板上の被割断領域の幅以上の長さであればよい。さらに、本実施例のように、ウエハの直径よりも大きい長さであればより好ましい。つまり、Ｌ１は、母線と直交する方向の被割断部材の長さよりも長ければ、被割断部材の端部までの割断が良好に行なえる。また、Ｌ２は、被割断部材の母線方向の長さよりも長ければ、同様に被割断部材の端部までの割断が良好に行なえる。ステージ６２についても同様である。
【００２５】
本実施例は、シリコン基板表面に形成された多数の素子の各々の辺（縦と横の辺）の長さに応じた、曲面の曲率半径が互いに異なる２種類の円筒状ステージ６１、６２を用いる。まず、ステージ６１を用いて第一割断方向の予定線に沿って割断し、その後、基板１０を反転し、ステージ６２を用いて第二割断方向の予定線に沿って割断する。
【００２６】
図７はステージ６１の断面である。
【００２７】
ステージ６１、６２は、いずれも滑らかな凸状の曲面を有する。滑らかな曲面とは、基板を圧迫する範囲において、図７（ａ）のように、曲面が実質的に一定の曲率半径で形成されることである。あるいは曲面の頂部から裾へ向けて、曲がりが大きくなるような曲率半径の異なる複数の曲面が連続して組み合わせて形成される面である。図７（ｂ）の例は、基板を圧迫する曲面が、面６４−１と面６４−２とからなるものである。ここで、曲率半径Ｒ２は、曲率半径Ｒ１より小さく設定されている。これにより、基板１０が表側に凸状に変形されることで上述のような応力が基板内に発生するものである。
【００２８】
まず、図６のようにシリコン基板１０の割断予定線の１つが円筒状ステージ６１の母線上に位置するように、シリコン基板１０を円筒状ステージ６１上に置く。
【００２９】
ステージ６１の曲面表面６４の長さＬ１、母線の長さＬ２は、ともに、円形のウエハであるシリコン基板１０の直径よりも大である。ステージ６２についても同様である。
【００３０】
一般に、割断予定線のピッチが比較的小さく、割断予定線数が多いほど、一回の割断処理では割れない割断予定線が生じやすい。また、２度目の割断動作（第二割断方向）では、１度目の割断動作で生じた第一割断方向の割れのため、第二割断方向の割れの成長が阻害されやすい。そこで、図８のような長方形の形状の異形チップの場合には、まず、その長辺側の割断予定線Ｃ１を第一割断方向とて選択する。そして、割断予定線Ｃ１の割断後に、第二割断方向として短辺側の割断予定線Ｃ２に沿った内部亀裂１２を加工することとすれば、より確実に第一割断方向と第二割断方向との２つの方向の割断が行なえる。
【００３１】
図９は、本実施例の割断工程フローを示す図である。
【００３２】
内部亀裂形成（内部加工領域形成）後にダイシングフレームＭを分離したワークは、ダイシングテープＤに基板が粘着固定された状態である。そこで、矩形成形した保持テープＴに粘着固定する。予め「テープマウント工程」の際に、割断時の保持テープＴとして好適な性状のテープを貼付しておいてもよい。
【００３３】
保持テープＴは、後述する円筒状曲面に沿うような曲げに追従できる柔軟さがあればよい。引張り力に対する伸びが比較的小さな硬質の材料、例えば、厚さ５０〜８０μｍのポリオレフィン、ＰＥＴなどがより好適である。
【００３４】
保持テープＴの基材が厚さ３０〜１００μｍ程度のポリオレフィン、ＰＥＴ、ポリイミドなど、比較的硬質で伸びにくい、とされている材料であっても、一方向に曲げることは容易であり、本実施例の保持テープＴの基材として利用できる。
【００３５】
本実施例では、保持テープＴは、例えば、感圧粘着層を有するポリオレフィン基材の粘着テープ、或いは光硬化型粘着層を持つＰＥＴ基材のダイシングテープを用いる。
【００３６】
ステージ６１の母線方向と交差する方向の保持テープＴの両端（ステージ６１の曲面から離間している。）を下方（ステージ６１側）に引下げる（若しくはステージ昇降機を上昇させる）と、ステージ６１の曲面６４の表面は保持テープＴ越しに基板１０の裏面を圧迫し、保持テープＴに粘着固定された基板１０は、保持テープＴとともにステージ６１の滑らかな曲面に倣うように変形させられる（図９（ａ）、（ｂ））。
【００３７】
図１０は、表面加工痕１１ａを起点として生じる割断を説明するものである。
【００３８】
図１０（ａ）において、シリコン基板１１の予定線より右側をステージ６１の面６４側へ外力を付与することで、基板表面には基板裏面よりも大きな引張力が基板表面に沿った方向に作用する。この応力は、基板表面１１の最も弱い個所、すなわち割断予定線Ｃ１  上の表面加工痕１１ａを広げるように作用する。
【００３９】
この結果、表面加工痕１１ａを起点として亀裂が発生し、亀裂は基板内部のレーザ照射による内部亀裂１２ｆから１２ａ（図２参照）までを順次連結しながら基板裏面へ進行して基板裏側の表面に至り、割断予定線Ｃ１に沿ってシリコン基板１０が割断される。最も浅い内部亀裂と表面との距離が１０〜１００μｍであれば、表面加工痕１１ａから直下の内部亀裂への亀裂の進行は両者を亀裂で連結するように生じるため、基板表面１１上の割断予定線Ｃ１から大きくずれることはない。
【００４０】
ステージ６１の面６４の表面は滑らかな曲面を有するため、割断予定線Ｃ１に沿った全ての表面加工痕１１ａに対して、加工痕を基板表面に沿った方向に広げるような応力が作用する。このため、基板１０をステージ６１に沿って倣わせる一度の曲げ動作で、平行する全ての割断予定線Ｃ１が割断される。
【００４１】
仮に、曲面に、頂部から裾へ向けて曲率半径が大きくなる領域がある場合、加工痕を広げるような応力が得られないため、亀裂が進行しない危険がある。例えば、図７（ｂ）にて、曲率半径がＲ１＜Ｒ２ならば、面６４−１から面６４−２へ掛けての部分で、曲面と基板裏側の表面との間に十分な隙間が得られず、基板が凸状態に変形され難く、亀裂が進行し難いこととなる。
【００４２】
従って、Ｒ１＝Ｒ２またはＲ１＞Ｒ２であることが、良好な割断を行なう上で必要となる。
【００４３】
ステージ６１による基板の圧迫を解放し、基板１０は元のフラットな状態に戻る（図１０（（ｂ））。このときの戻り動作の変位量が大きいと、割断面の裏面付近に隣接する素子との擦りによる欠けが生じる危険がある。これを回避するため、曲面の曲率半径は、亀裂を進行させるに十分な範囲で可能な限り大きな値とし、基板の曲げ変形をできる限り小さくすることが好ましい。
【００４４】
次に、シリコン基板１０を９０°回転し、第二割断方向の割断予定線Ｃ２に沿った方向にステージ６２の母線が位置するように、シリコン基板１０を円筒状ステージ６２上に置く。そのときの母線方向と交差する方向の保持テープＴの両端を下方に引下げると、基板１０は、保持テープＴとともにステージ６２の曲面表面に倣うように変形し（図９（（ｄ）、（ｅ））、割断予定線Ｃ２は、割断予定線Ｃ２上の表面加工痕１１ａを起点として割断される。
【００４５】
以上の工程により、シリコン基板１０は個々の素子チップに分離される。
【００４６】
表面加工痕１１ａを起点とする亀裂は、基板の曲げ変形による加工痕への応力集中により生じる。表面加工痕１１ａを起点とする亀裂が発生してから後の亀裂の進行を確実なものとするためには、内部亀裂（内部加工領域）、表面加工痕、割断予定線のピッチなどの構成に応じて、適切なステージ曲面６１の形状を選べばよい。
【００４７】
例えば、次に詳述する「加工例Ａ」の内部亀裂１２、表面加工痕１１ａを有する基板では、図１０（ａ）の△の寸法が０．２ｍｍ以上となるような曲率半径をもつ円筒状ステージ６１を選ぶことで、６インチ径６２５μｍ厚のシリコン基板の、ピッチ８．８ｍｍの１５本の割断予定線を一度の動作で割断することができた。
【００４８】
「加工例Ａ」
表面加工痕・・・深さ２〜５μｍのダイヤモンド工具による痕
内部亀裂の長さ・・・各々約７０〜８０μｍ
内部亀裂の層数・・・６層
内部加工領域を形成するレーザ光集光深度の深さ方向のピッチ・・・約９５μｍ
表面加工痕の底と、表面直下の内部亀裂の表面側先端と、の距離・・・４０μｍ
円筒ステージの曲率半径・・・１２５ｍｍ
【００４９】
本実施例によれば、表面加工痕１１ａを起点とする亀裂を基板内部へ進行させ、内部亀裂１２と連結させることで、基板１０を簡単にかつより確実に素子単位の断片へと分離することができる。また、割断予定線Ｃの間隔に応じて、各々適当な曲率半径の曲面のステージを選択できるので、異形チップ（縦と横との長さが大きく異なる四角形の素子チップ）であっても、より確実な割断が可能である。縦横比が１に近い素子チップの分離は、同一の円筒状ステージで対応することも可能である。
【００５０】
また、本実施例に代表される本発明の方法は、従来知られている基板割断方法に対しても、次のような優位がある。
【００５１】
例えば、エキスパンドによる割断方法や上述の特許文献２に記載の割断方法と比較すると、既に述べたように、本発明の方法によると、個々の割断予定線に応力を付与できるため、従来方法で生じるような割れ残りが生じない。
【００５２】
また、ロッドが走査するブレーカー割断方法と比較すると、本発明の方法によると、基板の表面にロッド等の他部材が直接接触することがないため、素子を損傷するおそれがない。
【００５３】
〔リペア・ピックアップ工程〕
割断工程にて、表面加工痕１１ａと内部亀裂１２による亀裂が連結するとともに、亀裂は基板裏側表面へも到達し、シリコン基板１０は各素子チップに割断・分離される。しかし、偶発的にも完全分離が成されていない場合は、再割断する必要がある。
【００５４】
再割断の方法には、例えば、割断が成されていないロジック素子部１０ａのみ個別に割断方向に応力を加えることにより、完全に割断する。
【００５５】
割断・分離された素子チップであるロジック素子部１０ａは、吸着コレットおよびピックアップピン等の機構によって搬出され、個別に収納される。
【００５６】
（実施例２）
以下に、上述の実施例１の一部の工程を変更した、本発明に係る実施例２を図１１を用いて説明する。
【００５７】
図１１に示す実施例では、基板１０の裏面に貼付された保持テープＴ１、Ｔ２は、厚さ６０〜６５μｍのポリオレフィンテープであり、エキスパンド性（拡張性）を要するＰＶＣ基材等のダイシングテープには劣るものの、本発明の割断方法には障害とならない程度のエキスパンド性を有している。また、本実施例の保持テープＴ１、Ｔ２は、実施例１で用いた保持テープＴの厚さ１１０μｍより薄く、若干のエキスパンド性を有する。
【００５８】
基板１０をステージ６１の表面曲面に倣うように変形させて第一割断予定線Ｃ１を割断した後（図１１（ａ）、（ｂ））、その割断線を広げるように保持テープＴ１を引っ張って拡張し、素子チップ１列分のブロック１０ｄをピックアップする（図１１（ｃ）、（ｄ））。その後、取り出したブロック１０ｄは、再度保持テープＴ２に裏面側から貼付されてマウントされ、同様の工程を経て、個々の素子１０ｃが得られる（図１１（ｅ）、（ｆ））。
【００５９】
本実施例によれば、割断された素子の隣接する側面が互いに接触する機会を減じることができるので、素子のチッピング等による破損の発生をより抑えることができる。
【００６０】
（実施例３）
以下に説明する本発明に係る実施例３は、基板に直接貼付されるダイシングテープＤとして拡張性のあるテープを選び、割断の際には、ダイシングテープＤに、拡張性の劣る保持テープＴ３を重ね貼りし、保持テープの性状でダイシングテープの伸びを規制することで、基板を海老反り変形させるものである。それ以外は、上述の実施例１と同じ工程を有するものである。
【００６１】
本実施例のダイシングテープＤとして光硬化型粘着テープ、保持テープＴ３として光硬化型粘着テープを用いた。
【００６２】
基板１０の内部亀裂工程の際に基板に貼付されていたダイシングテープＤを剥離しない状態で、保持テープＴ３を重ねて貼付する（図１２（ａ））。次に２枚のテープ（ダイシングテープＤ及び保持テープＴ３）に保持された基板１０を基板の表側から裏面側へ向かって外力を加えて変形させ、オリエーテンションフラット１０ｂに平行な割断予定線Ｃを割断する（図１２（ｂ））。このとき、ダイシングテープＤの伸びは、比較的拡張しにくい保持テープＴ３により制限される。そのため、基板１０の全面にわたって円筒状ステージ６１の母線方向に平行な割断予定線の割断が良好になされる。
【００６３】
次に、保持テープＴ３の基材側からのＵＶ照射により保持テープＴ３の粘着剤を硬化し、ダイシングテープＤから保持テープ３を剥離する。テープＴ３の剥離後、ダイシングテープＤを拡張し、ブロック１０ｄを取り出す（図１２（ｃ））。保持テープＴ３を透過したＵＶ光の一部はダイシングテープＤの粘着剤を硬化し、ブロック１０ｄのピックアップを容易にする。
【００６４】
次に、最初に割断した割断予定線とは交差する方向の残りの割断予定線を割断するため、ブロック１０ｄは、基材側に保持テープＴ３が予め重ねて貼付されたダイシングテープＤの粘着面にマウントされ（図１２（ｄ））、オリエーテンションフラット１０ｂに平行な割断予定線の場合と同様の工程を経て（図１２（ｅ）、（ｆ））、個々の素子１０ｃが得られる。
【００６５】
本実例によれば、表面加工痕には基板の曲げ変形による引張り応力と、テープのエキスパンドによる引張り力が作用し、表面加工痕を起点とした亀裂が生じる。
【００６６】
第一、第二割断予定線の双方に、同じ曲げ変形が与えられるため、縦横比が１に近い素子の分離には、特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】（ａ）はシリコン基板の斜視図、（ｂ）は（ａ）の一部分を拡大して示す部分拡大斜視図、（ｃ）は（ｂ）の断面を示す部分断面図である。
【図２】内部加工領域を形成した基板の断面模式図である。
【図３】実施例１による割断プロセスを示すフローチャートである。
【図４】テープマウント工程を説明する図である。
【図５】内部亀裂形成工程を説明するもので、（ａ）はレーザ光を照射する加工装置を示す模式図、（ｂ）は内部亀裂が発生するメカニズムを示す図である。
【図６】円筒状ステージを用いた割断の様子を説明する模式図である。
【図７】円筒状ステージの断面模式図である。
【図８】基板の表面状態を説明する模式図である。
【図９】実施例１の工程フローを説明する図である。
【図１０】円筒状ステージを用いた割断の様子を説明する断面模式図である。
【図１１】実施例２の工程フローを説明する図である。
【図１２】実施例３の工程フローを説明する図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０  シリコン基板
１０ａ  ロジック素子部
１１  基板表面
１１ａ  表面加工痕
１２、１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅ、１２ｆ  内部亀裂
【図１】
2006156619.tif 000003
【図２】
2006156619.tif 000004
【図３】
2006156619.tif 000005
【図４】
2006156619.tif 000006
【図５】
2006156619.tif 000007
【図６】
2006156619.tif 000008
【図７】
2006156619.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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