(57)【要約】      （修正有）【課題】パターンデータ処理上、高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置で、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを行うことができる、チャープトグレーティング形成基板の作製方法を提供する。【解決手段】各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、且つ、前記描画動作制御データ上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッド上に丸めを起こさない数値で作成するものである。【選択図】図１
2006350201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の一面に直線状の凹溝を繰り返して格子状に設けて、凹溝と凸条の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝の幅と凸条の幅の比を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、チャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記凹溝を形成するためのパターニングを、前記透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝の形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うもので、前記描画装置は可変成形型の露光装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、且つ、前記描画動作制御データ上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で作成するものであることを特徴とするチャープトグレーティング形成基板の作製方法。
【請求項２】
請求項１に記載のチャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記描画装置は、ＥＢ描画装置であることを特徴とするチャープトグレーティング形成基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１ないし２のいずれか１項に記載のチャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記チャープトグレーティングを作製した透明基板は、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクであることを特徴とするチャープトグレーティング形成基板の作製方法。
【請求項４】
透明基板の一面に直線状の凹溝を繰り返して格子状に設けて、凹溝と凸条の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝の幅と凸条の幅の比を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、チャープトグレーティング形成基板であって、請求項１ないし２のいずれか１項に記載のチャープトグレーティング形成基板の作製方法により作製されたものであることを特徴とするチャープトグレーティング形成マスク。
【請求項５】
請求項４に記載のチャープトグレーティング形成マスクであって、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクであることを特徴とするチャープトグレーティング形成マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明基板の一面に凹溝パターンを繰り返し設けて、これをグレーティングとして配設し、該グレーティングのピッチを僅かずつ変化させているチャープトグレーティングの作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ファイバーは地球規模の通信に大革新をもたらし、高品質、大容量の大洋横断電話通信を可能にしたが、従来より、この光ファイバーに沿って、コア内に周期的な屈折率分布を作り出し、光ファイバー内にブラック回折格子をつくり、回折格子の周期と長さ、屈折率変調の大きさによって、回折格子の反射率の高低と、波長特性の幅を決めることにより、その回折格子を、光通信用の波長多重分割器、レーザやセンサーに使用される狭帯域の高反射ミラー、ファイバーアンプにおける余分なレーザー波長を採り除く波長選択フィルター等として利用できることが知られている。
しかし、石英ファイバーの減衰が最小となり、長距離通信システムに適している波長が１．５５μｍであることより、この波長でファイバー回折格子を使用するためには、格子間隔を約５００ｎｍとする必要があり、このような細かい構造をコアの中に作ること自体が、当初は難しいとされており、光ファイバーのコア内にブラック回折格子をつくるのに、側面研磨、フオトレジストプロセス、ホログラフィー露光、反応性イオンビームエッチング等からなる何段階もの複雑な工程が採られていた。
この為、作製時間は長く、歩留りも低かった。
【０００３】
しかし、最近、紫外光をファイバーに照射し、直接コア内に屈折率に変化をもたらし回折格子を作る方法が知られるようになり、この紫外線を照射する方法は複雑なプロセスを必要としないため、周辺技術の進歩とともに次第に実施されるようになってきた。
この紫外光を用いる方法の場合、上記のように格子間隔は約５００ｎｍと細かい為、２本の光束を干渉させる干渉方法、（エキシマレーザからのシングルパルスを集光して回折格子面を１枚づつ作る）１点ごとの書き込みによる方法、グレーティングをもつ位相シフトマスクを使って照射する方法等が採られている。
【０００４】
２光束を干渉させる干渉方法には、横方向のビームの品質、即ち空間コヒーレンスに問題があり、１点ごとの書き込みによる方法には、サブミクロンの大きさの緻密なステップ制御が必要で、且つ、光を小さく絞り込み、多くの面を書き込むことが要求され、作業性にも問題があった。
【０００５】
このため、上記問題に対応できる方法として、位相シフトマスク（以下単に位相マスクとも言う）を用いる照射方法が注目されるようになってきたが、この方法は、図５（ａ）に示すように、石英基板の１面に凹溝を所定のピッチで、所定の深さに設けた位相シフトマスク２１を用い、ＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）２３を照射して直接光ファイバー２２のコア２２Ａに屈折率の変化をもたらし、グレーティング（格子）を作製するものである。
尚、図５（ａ）（ロ）は、コア２２Ａにおける干渉縞パターン２４を分かり易く拡大して示した図であり、図５（ｂ）（イ）、図５（ｂ）（ロ）はそれぞれ位相シフトマスクの断面、上面の全部ないし一部を示したものである。
Ｄ、Ｐはそれぞれ、凹溝２６の深さ、ピッチを示している。
この凹溝２６の深さは、露光光であるエキシマレーザ光（ビーム）の位相πラジアンだけ変調するように選択されており、０次光（ビーム）２５Ａは位相シフトマスク２１により２％以下に抑えられ、位相シフトマスク２１から出る主な光（ビーム）は、回折光の３５％以上を含むプラス１次の回折光２５Ｂとマイナス１次の回折光２５Ｃに発散される。  この為、このプラス１次の回折光２５Ｂないしマイナス１次の回折光２５Ｃで所定のピッチでの照射を行い、このピッチでの屈折率変化をファイバー内にもたらすものである
【０００６】
尚、特開平９−８０７３８号公報（特許文献１）には、格子状の溝を所定のピッチ、形状に作製することができる、光ファイバー加工用の位相シフトフォトマスクの製造方法が記載されている。
【特許文献１】特開平９−８０７３８号公報
【０００７】
このように、従来、光通信システムにおいては、一般に、伝送媒体として、高純度のシリカ光ファイバーが用いられ、典型的に光信号をある波長範囲を用いて伝送するように設計されているため、そのシステムにおいては、より長い波長成分は、より短い波長成分より若干長い伝搬時間の遅延を受ける。
ただし、この分散は、今までは、光信号の情報をそれほど劣化させることはなかった。  これは、初期のシステムにおいては、単一のチャネルを分散の小さい波長領域から選んで使用されていたためである。
【０００８】
ところが、光ファイバーを使った高速伝送技術である波長分割多重（ＷＤＭ）システムに見られるように、今日では、より多数の情報を運ぶために、多数のチャネルをより広い波長領域に渡って用いることが必要となっており、これに伴って群速度分散をより精密に補償することが要求されるようになってきた。
例えばＷＤＭシステムに関しては、ＷＤＭシステム内に提供されるチャネルの数の増加に伴って分散の補償がますます重要な課題となっている。
【０００９】
これに伴い、光ファイバー中に形成されるブラッグ回折格子として、格子のピッチが格子状に直交する方向に（格子の繰り返し方向）の位置に応じて線形或いは非線形に増加或いは減少しているグレーティング（以下、チャープ化グレーティング、あるいはチャープトグレーティングとも言う）が要求されることになってきた。
このようなグレーティングは、例えば反射帯域を広げた高反射ミラー、遅延時間を調整する手段等として用いられる。
【００１０】
このように、光ファイバー中に形成されるブラッグ回折格子として、チャープトグレーティングが要求されるようになり、光ファイバー中にブラッグ回折格子を形成するための、グレーティングをもつ位相シフトマスクの作製においても、チャープトグレーティングをもつ位相シフトマスクの作製が求められるようになってきた。
位相シフトマスクに、チャープトグレーティングをパターニングする方法としては、２光束干渉による方法もあるが、電子線描画装置（電子線露光装置とも言う）を用いた描画露光方法が簡単な方法として実施されている。
本発明者は上記のようなチャープ化グレーティングに対する要求が高まったことに対応して、透明基板の１面に格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンが設けられ、その繰り返しパターンによる回折光を光ファイバーに照射して異なる次数の回折光相互の干渉縞により光ファイバー中に回折格子を作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法において、電子線描画装置を用いた描画露光方法で、ピッチが異なる複数の線条のパターンを並列させて描画し、これより前記格子状の凹溝と凸条の繰り返しパターンを作製する光ファイバー加工用位相マスクの製造方法を、特開平１１−７２６３１号公報（特許文献２）において示している。
【特許文献２】特開平１１−７２６３１号公報  また、特開２００３−７５６２０号公報（特許文献３）には、上記のような光ファイバー加工用位相マスクを、電子線描画装置を用いた描画露光方法で品質良く作製する製造方法が開示されている。  この方法は、凹溝と凸条の繰り返しパターンのデータを繰り返しピッチを変調しながら複数配列し、一括化してなる描画用パターンデータを用いるもので、描画時のつなぎの発生に対応するものである。
【特許文献３】特開平２００３−７５６２０号公報
【００１１】
上記の電子線描画装置を用いた描画露光方法は、ラスター型の露光装置を用いた描画露光により、グレーティングを表現する基本の特定ピッチのパターンを、パターンデータ処理上で倍率を変化させて、配置させるものである。
しかし、チャープトグレーテインングを有する光ファイバー加工用位相マスクを作製のために、このように、パターンデータ処理上で基本特定ピッチのパターンを連続的に倍率を変化させて配置させる場合、パターンの倍率を表現するためには、μｍ単位で小数点下６桁以下の桁の精度が必要とされており、パターンデータ処理上でこのような高精度な倍率を持たない、通常の描画露光装置では、精度的に、チャープトグレーティング形成のためのパターニングはできないとされていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のように、近年、特に、光ファイバー加工用位相マスクのチャープトグレーティングのパターンを形成する方法として、ラスター型の露光装置を用いた描画露光方法が採られるようになってきたが、これらの描画方法においては、パターンデータ処理上で基本特定ピッチのパターンを連続的に倍率を変化させて配置させ、これを用いて描画露光を行うが、パターンの倍率を表現するためには、μｍ単位で小数点下６桁以下の桁の精度がパターンデータ処理上で必要とされ、このような高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置では、チャープトグレーティング形成用の描画露光はできないとされ、この対応が求められていた。
本発明はこれに対応するもので、パターンデータ処理上、高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置で、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを行うことができる、チャープトグレーティング形成基板の作製方法を提供しようとするものである。
同時に、そのようなチャープトグレーティング形成基板の作製方法により作製されたチャープトグレーティング形成マスクを提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法は、透明基板の一面に直線状の凹溝を繰り返して格子状に設けて、凹溝と凸条の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝の幅と凸条の幅の比を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、チャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記凹溝を形成するためのパターニングを、前記透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝の形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うもので、前記描画装置は可変成形型の露光装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ（ＪＯＢデータとも言う）上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、且つ、前記描画動作制御データ上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で作成するものであることを特徴とするものである。
そして、上記のチャープトグレーティングの作製方法であって、前記描画装置は、ＥＢ描画装置（電子線描画装置とも言う）であることを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれかのチャープトグレーティングの作製方法であって、前記チャープトグレーティングを作製した透明基板は、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクであることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明のチャープトグレーティング形成マスクは、透明基板の一面に直線状の凹溝を繰り返して格子状に設けて、凹溝と凸条の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝の幅と凸条の幅の比を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、チャープトグレーティング形成基板であって、請求項１ないし２のいずれか１項に記載のチャープトグレーティング形成基板の作製方法により作製されたものであることを特徴とするものである。
そして、上記のチャープトグレーティング形成マスクであって、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクであることを特徴とするものである。      
【００１５】
（作用）
本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法は、このような構成にすることにより、パターンデータ処理上、高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置で、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを行うことができる、チャープトグレーティング形成基板の作製方法の提供を可能としている。
具体的には、凹溝を形成するためのパターニングを、透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝の形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うもので、前記描画装置は可変成形型の露光装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ（ＪＯＢデータとも言う）上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、且つ、前記描画動作制御データ上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で、即ち、描画座標系のグリッド上にのるような丸めを起こさない数値で、作成するものであることにより、これを達成している。
詳しくは、凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチＰｘが僅かづつ変化しているが、上記のようにして、描画系のグリッドにのせた数値表示で、描画動作制御データの指示により描画露光を行うため、ピッチＰｘの変化のバラツキ、即ち、設計データに対する誤差を、描画系のグリッドの単位で１以下とすることができる。
結果として、精度の良い、チャープトグレーティングを配設した位相シフトマスクを形成することができる。
更に具体的には、描画装置は、ＥＢ描画装置（電子線描画装置とも言う）である形態が挙げられる。
この場合、勿論、レジスト膜は電子線レジストとなる。
特に、チャープトグレーティングを作製した透明基板は、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクである場合には、有効である。
【００１６】
本発明のチャープトグレーティング形成マスクは、このような構成にすることにより、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを配設するチャープトグレーティング形成マスクの提供を可能としている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、上記のように、パターンデータ処理上、高精度なパターンの倍率表現を持たない、通常の描画露光装置で、特に、光ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを行うことができる、チャープトグレーティング形成基板の作製方法の提供を可能とした。
結果、ファイバー加工用の位相マスクにおける目的とするチャープトグレーティングのパターニングを配設するチャープトグレーティング形成マスクの提供を可能とした。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
図１は本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法の実施の形態の１例の処理フローを示した図で、図２はチャープトグレーティングを有する位相マスクの断面図で、図３は描画動作制御データを作製する際の、データ上の処理を説明するための図で、図４は図１に示す処理フローＳ１４、Ｓ７〜Ｓ１０に対応するプロセス処理を示した処理断面図である。
図２〜図４中、１１０は透明基板、１１１は凹溝（凹溝パターンとも言う）、１１２は凸条、１２０はＣｒ膜、１２１はＣｒ開口、１３０はレジスト（レジスト膜とも言う）、１３１はレジスト開口、１４０は電子線、２１０は単位のパターンデータ（単に、単位のパターンとも言う）、２１１はライン状のパターン、２２０、２３０は単位のパターンデータに倍率をかけたパターンデータ、Ｗ０は凹溝の幅、Ｗ１は凸条の幅、Ｈ０は凹溝の深さ（凸条の高さとも言う）、Ｇｘはｘ方向のグリッド、Ｇｙはｙ方向のグリッドである。      
【００１９】
はじめに、本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法の実施の形態の１例を、図１、図２に基づいて説明する。
本例のチャープトグレーティング形成基板の作製方法は、石英からなる透明基板１１０の一面に直線状の凹溝１１１を繰り返して格子状に設けて、凹溝１１１と凸条１１２の繰り返しパターンを形成し、且つ、凹溝１１１の幅Ｗ０と凸条１１２の幅Ｗ１の比（Ｗ１／Ｗ０）を一定に保つようにして、該繰り返しパターンのピッチを僅かずつ変化させ、これをチャープトグレーティングとして配設している、チャープトグレーティング形成基板の作製方法であって、前記凹溝１１１を形成するためのパターニングを、前記透明基板の一面側にレジストを配設し、該レジストを描画装置による描画露光にて、前記凹溝パターン形成領域に対応するレジストの領域を選択的に描画露光し、該レジスト膜を現像処理して行うものである。
特に、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクとして用いられるチャープトグレーティング形成基板を作製するものである。
本例では、描画装置は可変成形型のＥＢ描画装置（電子線描画装置とも言う）露光装置で、描画装置の描画動作を制御するための描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）上において、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎に、その位置座標とその開口幅を指定して、描画露光するもので、ベクター型ＥＢ描画装置とも言われるものである。
そして、前記描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）上における各ショット露光の位置座標の作成は、データ上で、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッドに丸めた数値で作成する。
【００２０】
更に、図１にしたがい、本例の処理フローの１例を説明する。
目的とするチャープトグレーティングの設計データ（Ｓ１）に基づき、これを作製するための、単位のパターンデータ（Ｓ２）と倍率データ（Ｓ３）とを用意する。
ここでは、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行い、描画する全てのライン状の矩形領域描画用データについて、各ライン状の矩形領域を露光するショット露光毎の描画用データを、描画座標系のグリッド上に丸めを起こさない数値で作成する。（Ｓ４〜Ｓ５）
例えば、エクセル（市販の表計算ソフト）上で、このようなデータの作成を行う。
そして、作成されたデータを用いて、描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）を作成する。（Ｓ６）
ここでは、描画系のグリッドにのせた座標位置で、描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）は表現される。
【００２１】
ここで、単位のパターンデータ（図３（ａ）の２１０に相当）が、例えば、図３（ａ）に示すように、ライン状のパターン２１１を３個、有するパターンデータである場合について、このようなデータ上の処理を説明しておく。
この場合、ライン幅とライン間幅との比は一定とし、ライン幅とライン間幅とは、設計データ上で倍率がかかっていない基本のデータ部と同じサイズとする。
図３（ｂ）に示すように、設計データの仕様にしたがい、単位のパターンデータ２１０と、これに、それぞれ、所定の倍率をかけたパターンデータ２２０、２３０とを、配置し、各ライン状のパターン、それぞれについて、その位置座標と、幅、高さを計算する。
ここでは、描画座標系の単位のグリッドに対して、十分小さい単位で、描画用の単位のパターンデータに対して倍率計算を行う。
そして、図３（ｃ）に示すように、各ライン状のパターン、それぞれについて、その位置座標が、描画系のグリッド上にのるように、データを丸める。
このようにして、各ライン状のパターンについて、それぞれ、その位置座標が、描画系のグリッド上にのるようにされた、データを用いて、描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）を作成する。
【００２２】
一方、目的とする光ファイバー加工用の位相マスクを形成するための素材である石英からなる透明基板を用意しておき（Ｓ１１）、該基板の凹溝パターン形成面側に、透明基板のエッチングにおいて耐エッチング膜となるＣｒ膜をスパッタ等により形成し（Ｓ１２）、更に、該Ｃｒ膜上に電子線に感光するレジスト膜を配設し（Ｓ１３）、描画露光処理に供する処理用基板を準備しておく。（Ｓ１４）
次いで、処理用基板（Ｓ１４）を電子線描画装置の描画用のステージ上 (図示していない）に載置した状態で、先に作成されている描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）の指示の下、描画露光を行う。（Ｓ７）
描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）の指示により描画露光を行う際、電子線描画装置は、描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）の指示に対応した、描画系の座標にて、即ち、高精度で座標位置管理がされている描画系でのグリッドの座標位置で描画を行う。
全ての描画露光を終えた後、露光済の処理用基板に対し現像処理を行い（Ｓ８）、該レジストの開口から露出した、Ｃｒ膜をエッチング除去して、レジスト開口部にＣｒ開口を形成し、更に、該Ｃｒ開口から露出した透明基板をエッチングして、所定の深さの凹部を形成し（Ｓ９）、チャープトグレーティングを配設した位相マスクを形成する。（Ｓ１０）
ここでは、凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチＰｘが僅かづつ変化しているが、その変化のバラツキは、即ち、設計データに対する誤差は、上記のように、描画系のグリッドにのせた数値表示で、描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）の指示により描画露光を行うため、描画系のグリッドの単位で１以下となる。
このようにして、精度の良い、チャープトグレーティングを配設した位相シフトマスクを形成することができる。
【００２３】
このような図１に示す処理フローにて、例えば、図２に示すようなチャープトグレーティングを配設した位相マスクが作成される。
先に述べた、特開平１１−７２６３１号公報（特許文献２）、特開２００３−７５６２０号公報（特許文献３）に開示されている方法では、データ上でピッチを同じように変化させて、これを描画系の座標にて表現して描画動作制御データ（ＪＯＢデータ）とした場合における、データ上の最小単位（インクリメントとも言う）による丸め誤差が、描画系の座標のグリッドの単位に比べて大きく、光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクとして品質的に無視できないものであったが、本例において作製された光ファイバーの中に回折格子を作製する光ファイバー加工用の位相マスクは、上記のように、凹溝と凸条の繰り返しパターンのピッチＰｘの設計データに対する誤差は、描画系のグリッドの単位で１以下となるため、品質的に対応できる。
【実施例】
【００２４】
次に、処理用基板（図１のＳ１４）の加工の実施例を、図４に基づいて、更に、具体的に説明する。
実施例は、図２に示す位相マスクを、図１に示す位相マスクの製造方法により作製したものである。
ピッチ１. ０６μｍの凹溝パターン（回折格子パターン）を長さ１０ｍｍに、作製したものである。
石英基板からなる透明基板１１０上に、クロムからなる遮光膜を１１００Å厚に配設した基板（図４（ａ））の、遮光膜１２０上に、ポジ型の電子ビームレジストである市販の化学増幅型レジストを厚さ４００ｎｍｎｍに塗布、乾燥して配設した。（図４（ｂ））
次いで、電子線描画装置ＥＢＭ３０００（東芝機械社製）により、所定の露光量（ドーズ量とも言う）５．４μＣ／ｃｍ2 で、凹溝形成部を露光する露光を行なう。（図４（ｃ））  露光後、現像処理を行ない、凹溝形成箇所にレジストの開口１３１を設け、更に、レジスト１３０の開口１３１から露出したクロム膜（遮光膜１２０）を、ＣＨ2 Ｃｌ2 ガスを用いてドライエッチングし、開口１２１を設けた。（図４（ｄ））
次いで、クロム（遮光膜１２０）をマスクとして、レジスト１３０の開口１３１、クロム（遮光膜１２０）の開口１２１から露出した透明基板１１０を、ＣＦ４ガスを用いてドライエッチングし、光ファイバー作製における露光波長２４８ｎｍの半波長である、深さ２５０ｎｍに形成した。（図４（ｅ））
この後、７０℃の硫酸にて残存するレジスト１３０を剥離し、更に、硝酸第二セリウムアンモニウム溶液により遮光膜１２０をエッチング除去し、洗浄処理を経て、ピッチ１. ０６μｍの凹溝部パターンを長さ１０ｍｍに、且つ、その幅を座標位置により変えて作製した。（図４（ｆ））
このようにして、図２に示す位相マスクを作製した。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明のチャープトグレーティング形成基板の作製方法の実施の形態の１例の処理フローを示した図である。
【図２】チャープトグレーティングを有する位相マスクの断面図である。
【図３】描画動作制御データを作製する際の、データ上の処理を説明するための図である。
【図４】図１に示す処理フローＳ１４、Ｓ７〜Ｓ１０に対応するプロセス処理を示した処理断面図である。
【図５】位相マスクによる光ファイバーへの回折格子の形成と、位相マスクを説明するための図である。
【符号の説明】
【００２６】
１１０              透明基板
１１１              凹溝（凹溝パターンとも言う）
１１２              凸条
１２０              Ｃｒ膜
１２１              Ｃｒ開口
１３０              レジスト（レジスト膜とも言う）
１３１              レジスト開口
１４０              電子線
２１０              単位のパターンデータ（単に、単位のパターンとも言う）
２１１              ライン状のパターン
２２０、２３０      単位のパターンデータに倍率をかけたパターンデータ
Ｗ０                凹溝の幅
Ｗ１                凸条の幅
Ｈ０                凹溝の深さ（凸条の高さとも言う）
Ｇｘ                ｘ方向のグリッド
Ｇｙ                ｙ方向のグリッド
２１                位相マスク
２２                光ファイバー
２２Ａ              コア
２２Ｂ              クラッド
２３                ＫｒＦエキシマレーザ光
２４                干渉縞パターン
２５Ａ              ０次光（ビーム）
２５Ｂ              プラス１次の回折光
２５Ｃ              マイナス１次の回折光
２６                凹溝
Ｄ                （凹溝２６の）深さ
Ｐ                （凹溝２６の）ピッチ
【図１】
2006350201.tif 000003
【図２】
2006350201.tif 000004
【図３】
2006350201.tif 000005
【図４】
2006350201.tif 000006
【図５】
2006350201.tif 000007