(57)【要約】【課題】小型化が容易な積層型誘電体フィルタを提供する。【解決手段】平衡不平衡変換素子およびフィルタ素子の一方を第１の基板積層体で構成し、他方を第２、第３の基板積層体に分離して構成し、第１の基板積層体を上下に夾む。素子を分離して構成することから、基板面積の低減による素子の小型化が図れる。【選択図】図１
2006067224.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平衡不平衡変換素子と、フィルタ素子とを含み、
前記平衡不平衡変換素子および前記フィルタ素子の一方を構成する第１の基板積層体と、
前記第１の基板積層体の表裏それぞれに配置され、前記平衡不平衡変換素子および前記フィルタ素子の他方の一部をそれぞれ構成する第２、第３の基板積層体と、
を具備することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
【請求項２】
前記第２、第３の基板積層体がそれぞれ、前記平衡不平衡変換素子の一部を構成する
ことを特徴とする請求項１記載の積層型誘電体フィルタ。
【請求項３】
前記第２の基板積層体が、不平衡信号が伝送される第１の伝送線路と、前記第１の伝送線路と電磁的に結合される第２の伝送線路と、を有し、
前記第３の基板積層体が、前記第１の伝送線路と電気的に接続される第３の伝送線路と、前記第３の伝送線路と電磁的に結合される第４の伝送線路と、を有する
ことを特徴とする請求項２記載の積層型誘電体フィルタ。
【請求項４】
前記第２、第３の基板積層体を構成する基板の材質が、前記第１の基板積層体を構成する基板の材質と異なる
ことを特徴とする請求項１記載の積層型誘電体フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フィルタ、特に積層型誘電体フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信機器において、平衡信号と不平衡信号とを変換する平衡不平衡変換素子と、所望の通過帯域の信号を通過させるフィルタ素子とを組み合わせて用いる場合がある。例えば、アンテナと平衡入力型の高周波増幅器とを接続するのに、フィルタ部と変換部とを上下に積層した積層型誘電体フィルタが用いられる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−８７００８公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、積層型誘電体フィルタの小型化を図るのは必ずしも容易ではない。
上記に鑑み、本発明は小型化が容易な積層型誘電体フィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る積層型誘電体フィルタは、平衡不平衡変換素子と、フィルタ素子とを含み、前記平衡不平衡変換素子および前記フィルタ素子の一方を構成する第１の基板積層体と、前記第１の基板積層体の表裏それぞれに配置され、前記平衡不平衡変換素子および前記フィルタ素子の他方の一部をそれぞれ構成する第２、第３の基板積層体と、を具備することを特徴とする。
【０００５】
平衡不平衡変換素子およびフィルタ素子の一方を第１の基板積層体で構成し、他方を第２、第３の基板積層体に分離して構成し、第１の基板積層体を上下に夾む。素子を分離して構成することから、基板面積の低減による素子の小型化が図れる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、小型化が容易な積層型誘電体フィルタを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタ１００の回路構成を表す回路図である。
図１に示すように積層型誘電体フィルタ１００は、不平衡端子Ｔｕ，平衡端子Ｔｂ１，Ｔｂ２、フィルタＦ，平衡不平衡変換素子（バラン：Balun（BALanced-to-UNbalanced transformer））Ｂを有する。
不平衡端子Ｔｕから入力された不平衡信号がフィルタＦを通過し、平衡不平衡変換素子Ｂによって２つの平衡信号に変換され、平衡端子Ｔｂ１，Ｔｂ２それぞれから出力される。また、この逆に平衡端子Ｔｂ１，Ｔｂ２から入力された平衡信号が平衡不平衡変換素子Ｂによって不平衡信号に変換され、フィルタＦを通過して不平衡端子Ｔｕから出力される。
【０００８】
フィルタＦは、キャパシタ（コンデンサ：容量素子）Ｃ１，Ｃ２、インダクタンス素子Ｌ１、Ｌ２、共振器Ｒ１〜Ｒ３から構成される。共振器Ｒ１〜Ｒ３は、接地のための接地端子（「グランド端子」ともいう）Ｇを介して接地される。
【０００９】
平衡不平衡変換素子Ｂは、共振器Ｌ４〜Ｌ６から構成される。共振器Ｌ５，Ｌ６は接地端子Ｇを介して接地される。
共振器Ｌ４は１／２波長のストリップライン共振器によって構成できる。また、共振器Ｌ５，Ｌ６は、１／４波長のストリップライン共振器によって構成できる。共振器Ｌ４は、共振器Ｌ５，Ｌ６の双方と電磁的に結合する。この結果、共振器Ｌ４中を伝送する不平衡信号が共振器Ｌ５，Ｌ６それぞれに分配され、平衡信号に変換される。また、この逆に共振器Ｌ５，Ｌ６それぞれに平衡信号が入力されると、これらの平衡信号によって共振器Ｌ４中に不平衡信号が生成される。
このように、共振器Ｌ４と，共振器Ｌ５，Ｌ６との間の電磁的な結合によって不平衡信号から平衡信号へ、平衡信号から不平衡信号への変換が行われる。
【００１０】
図２は、積層型誘電体フィルタ１００の外観を表す斜視図である。
積層型誘電体フィルタ１００は、基板１１〜２１を重ね合わせて構成される。基板１１〜２１に、例えば、ガラスセラミック（比誘電率εｒ＝７．９、ｔanδ＝４．８×１０-3）からなる２５２０（２．５ｍｍ×２．０ｍｍ）タイプの基板を用い、厚膜印刷により銀ペースト等を印刷した電極パターンが形成される。
なお、基板１１〜２１は、ガラスセラミック以外のセラミック素材であっても良い。
【００１１】
各基板１１〜２１の側辺には所定の端子となる切り欠き部３１〜３８が形成されている。この切り欠き部３１〜３８は、積層時に基板１１〜２１の積層方向で一致し、積層方向に延びる溝部を構成する。この溝部に銀ペーストを印刷することで、不平衡端子Ｔｕ，平衡端子Ｔｂ１，Ｔｂ２、および接地端子Ｇとして機能することになる。ここでは、切り欠き部３１、３３が平衡端子Ｔｂ１、Ｔｂ２、切り欠き部３４〜３６が接地端子Ｇ、切り欠き部３７が不平衡端子Ｔｕに相当する。なお、切り欠き部３２、３８は端子としてではなく、基板１１〜２１間の電気的接続のために用いられている。
なお、切り欠き部３１〜３８を形成することなく、基板１１〜２１の側辺に銀ペーストを印刷することで不平衡端子Ｔｕ，平衡端子Ｔｂ１，Ｔｂ２、および接地端子Ｇを形成してもよい。
【００１２】
図３は、積層型誘電体フィルタ１００を構成する基板１１〜２１を分離した状態を表す分解斜視図である。基板１１〜１３、基板１８〜２１がそれぞれ、平衡不平衡変換素子Ｂの一部たる平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２を、基板１４〜１７がフィルタＦを構成する。なお、本図では切り欠き部３１〜３８の記載を省略している。
基板１１の下面に、それぞれ切り欠き部３１〜３８に接続されるランドパターン（実装用の電極のパターン）１１１ａ〜１１１ｈ（図示せず）が配置されている。ランドパターン１１１ａ、１１１ｃが平衡端子Ｔｂ１、Ｔｂ２、ランドパターン１１１ｄ〜１１１ｆが接地端子Ｇ、ランドパターン１１１ｇが不平衡端子Ｔｕに相当する。なお、ランドパターン１１１ｂ、１１１ｈは、積層型誘電体フィルタ１００を基板等にハンダ等で接続する際に用いることができる。
基板１１の上面に接地（グランド）用の平板電極１１２および接続部１１３〜１１５の電極パターンが配置される。平板電極１１２は、平衡不平衡変換素子Ｂを外界からの電気的な影響から保護し、その動作の安定を図るためのものである。平板電極１１２は、後述の線路１２１と後述のビア１２２を介して電気的に接続される。
平板電極１１２は、接続部１１３〜１１５によって、接地端子Ｇに接続される。
【００１３】
基板１２の上面に、１／４波長の共振器Ｌ６として機能する線路１２１が配置される。この線路１２１は、後述する線路１３１と電磁的に結合する。
線路１２１の一端は、切り欠き部３３を介して、平衡端子Ｔｂ２に接続される。この線路１２１の他端に、基板１２を上下に貫通して平板電極１１２と電気的に接続されるビア１２２が配置される。
【００１４】
基板１３の上面に、１／２波長の共振器Ｌ４の一部として機能する線路１３１が配置される。この線路１３１は、線路１２１と電磁的に結合する。線路１３１の一端は、切り欠き部３２を介して、後述する線路１９１の端部と電気的に接続される。この線路１３１の他端は、開放されている。
【００１５】
基板１４の上面に接地用の平板電極１４１および接続部１４２〜１４４の電極パターンが配置される。平板電極１４１は、平衡不平衡変換部Ｂ１とフィルタＦ間での電気的な干渉を防止するためのものである。
平板電極１４１は、接続部１４２〜１４４によって、接地端子Ｇに接続される。
【００１６】
基板１５の上面に、キャパシタＣ１，Ｃ２用の平板電極１５１，１５２が配置される。平板電極１５１，１５２は、後述の線路１６１〜１６３と容量結合することでキャパシタＣ１，Ｃ２として機能する。平板電極１５１は、線路１６１、１６２それぞれと容量結合することで、共振器Ｒ１、Ｒ２間のキャパシタＣ１として機能する。平板電極１５２は、線路１６２、１６３それぞれと容量結合することで、共振器Ｒ２、Ｒ３間のキャパシタＣ２として機能する。
【００１７】
基板１６の上面に、共振器Ｒ１〜Ｒ３用の線路１６１〜１６３、およびインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２用の線路１６４，１６５が配置される。線路１６１（共振器Ｒ１）は、線路１６４（インダクタンス素子Ｌ１）を介して、不平衡端子Ｔｕに電気的に接続される。線路１６３（共振器Ｒ３）は、線路１６５（インダクタンス素子Ｌ２），および切り欠き部３８を介して、後述の線路１８１に電気的に接続される。線路１６１〜１６３の端部は接地端子Ｇに接続される。
線路１６１、１６２（共振器Ｒ１、Ｒ２）は、この両者と容量結合する平板電極１５１によって、キャパシタＣ１で接続される。
線路１６２、１６３（共振器Ｒ２、Ｒ３）は、この両者と容量結合する平板電極１５２によって、キャパシタＣ２で接続される。
【００１８】
基板１７の上面に接地用の平板電極１７１および接続部１７２〜１７４の電極パターンが配置される。平板電極１７１は、フィルタＦと平衡不平衡変換部Ｂ２間での電気的な干渉を防止するためのものである。
平板電極１７１は、接続部１７２〜１７４によって、接地端子Ｇに接続される。
【００１９】
基板１８の上面に、線路１８１が配置される。この線路１８１は、線路１６５（インダクタンス素子Ｌ２）と後述する線路１９１とを電気的に接続するためのものである。
線路１８１の一端は、切り欠き部３８を介して、線路１６５（インダクタンス素子Ｌ２）と電気的に接続される。線路１８１の他端は、後述の線路１９１と後述のビア１９２を介して電気的に接続される。
【００２０】
基板１９の上面に、１／２波長の共振器Ｌ４の一部として機能する線路１９１が配置される。この線路１９１は、後述の線路２０１と電磁的に結合する。線路１９１の一端は、切り欠き部３２を介して、線路１３１の端部と電気的に接続される。この線路１９１の他端に、基板１９を上下に貫通するビア１９２が配置され、線路１９１と線路１８１とを電気的に接続している。
【００２１】
基板２０の上面に、１／４波長の共振器Ｌ５として機能する線路２０１が配置される。この線路２０１は、線路１９１と電磁的に結合する。
線路２０１の一端は、平衡端子Ｔｂ１に接続される。この線路２０１の他端は、後述の平板電極２１１と後述のビア２１５を介して電気的に接続される。
【００２２】
基板２１の上面に接地用の平板電極２１１および接続部２１２〜２１４の電極パターンおよびビア２１５が配置される。平板電極２１１は、基板２１を上下に貫通するビア２１５によって、線路２０１の端部と電気的に接続される。
平板電極２１１は、接続部２１２〜２１４によって、接地端子Ｇに接続される。
【００２３】
以上の積層型誘電体フィルタ１００は、平衡不平衡変換素子Ｂが平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２に分離され、フィルタＦが平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２で上下に夾まれている。
積層型誘電体フィルタ１００は、次のような特徴を有する。
（１）フィルタＦと平衡不平衡変換素子Ｂとが積層型誘電体フィルタ１００として一体的に構成される。フィルタＦと平衡不平衡変換素子Ｂとを別個に形成する場合と比べて、部品点数の減少が可能となる。
【００２４】
（２）平衡不平衡変換素子Ｂを構成する共振器Ｌ４を線路１３１，１９１に分離して、異なる基板１３，１９上に配置したことから、それぞれの線路１３１，１９１の線路長を低減することができる。このため、基板の面積、ひいては積層型誘電体フィルタ１００のサイズを低減することが可能となる。
また、共振器Ｌ５、Ｌ６を異なる基板２０，１２上に配置したことから、同一基板上に共振器Ｌ５、Ｌ６の双方を配置する場合よりも、基板の面積、ひいては積層型誘電体フィルタ１００のサイズを低減することが可能となる。
【００２５】
（３）フィルタ部Ｆと平衡不平衡変換素子Ｂそれぞれを構成する基板に異なる材質のものを利用する場合に、積層型誘電体フィルタ１００に反りが発生しにくい。
フィルタ部Ｆと平衡不平衡変換素子Ｂはそれぞれ、求められる特性が異なり、誘電率の異なる基板を用いると設計上便宜である。このような場合、フィルタ部Ｆと平衡不平衡変換素子Ｂそれぞれを構成する基板に異なる材質のものを利用することになる。異種材料の基板を重ね合わせて焼成すると、熱膨張係数の相違等の理由により、基板間、ひいては素子全体として反りが発生する可能性が高くなる。
【００２６】
本実施形態では、フィルタ部Ｆの上下を平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２で夾んでいることから、フィルタＦと平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２とで材質が異なっていても、上下の平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２が力学的にバランスすることにより基板間で反りが発生しにくくなる。
ここで、フィルタＦを上下に夾む平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２を構成する基板の厚さが同一（個々の基板の厚さが同一であれば枚数も同一）である方が、力学的なバランス上好ましい。
本実施形態では、平衡不平衡変換部Ｂ１，Ｂ２を構成する基板の枚数がそれぞれ３枚、４枚と一致していないが、例えば、基板１４の構成材料を基板１１〜１３，１８〜２１と同一の構成材料とすることで、基板１５〜１７を上下に夾む基板１１〜１４および基板１８〜２１の枚数を一致させることができる。基板１４の誘電率それ自体は、フィルタ部Ｆの特性を直接決定する要因とはならないからである。例えば、基板１４は平板電極１４１と平板電極１５１，１５２の間に配置されていないことから、その間の電気的な結合への影響は小さい。
【００２７】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態に係る積層型誘電体フィルタ５００につき説明する。
図４は、積層型誘電体フィルタ５００の外観を表す斜視図である。なお、回路図自体は第１の実施形態と同様なので、説明を省略する。
積層型誘電体フィルタ５００は、基板５１〜６３を重ね合わせて構成される。基板５１〜６３に、例えば、ガラスセラミックからなる２５２０（２．５ｍｍ×２．０ｍｍ）タイプの基板を用い、厚膜印刷により銀ペースト等を印刷した電極パターンが形成される。
【００２８】
各基板５１〜６３の側辺には所定の端子となる切り欠き部７１〜７８が形成されている。この切り欠き部７１〜７８は、積層時に基板５１〜６３の積層方向で一致し、積層方向に延びる溝部を構成する。この溝部に銀ペーストを印刷することで、不平衡端子Ｔｕ，平衡端子Ｔｂ１，Ｔｂ２、および接地端子Ｇとして機能することになる。ここでは、切り欠き部７１、７３が平衡端子Ｔｂ１、Ｔｂ２、切り欠き部７４〜７６が接地端子Ｇ、切り欠き部７７が不平衡端子Ｔｕに相当する。なお、切り欠き部７２、７８は端子としてではなく、基板５１〜６３間の電気的接続のために用いられている。
なお、切り欠き部７１〜７８を形成することなく、基板５１〜６３の側辺に銀ペーストを印刷することで不平衡端子Ｔｕ，平衡端子Ｔｂ１，Ｔｂ２、および接地端子Ｇを形成してもよい。
【００２９】
図５は、積層型誘電体フィルタ５００を構成する基板５１〜６３を分離した状態を表す分解斜視図である。基板５１〜５３、基板６０〜６３がそれぞれ、フィルタＦの一部たるフィルタ部Ｆ１，Ｆ２を構成する。基板５４〜５９が、平衡不平衡変換素子Ｂを構成する。即ち、本実施形態では、フィルタＦがフィルタ部Ｆ１，Ｆ２に分離され、衡不平衡変換素子Ｂを上下に夾んでいる。
【００３０】
基板５１の下面に、それぞれ切り欠き部７１〜７８に接続されるランドパターン（実装用の電極のパターン）５１１ａ〜５１１ｈ（図示せず）が配置されている。ランドパターン５１１ａ、５１１ｃが平衡端子Ｔｂ１、Ｔｂ２、ランドパターン５１１ｄ〜５１１ｆが接地端子Ｇ、ランドパターン５１１ｇが不平衡端子Ｔｕに相当する。なお、ランドパターン５１１ｂ、５１１ｈは、積層型誘電体フィルタ１００を基板等にハンダ等で接続する際に用いることができる。
基板５１の上面に接地（グランド）用の平板電極５１２および接続部５１３〜５１５の電極パターンが配置される。平板電極５１２は、フィルタＦを外界からの電気的な影響から保護し、その動作の安定を図るためのものである。
平板電極５１２は、接続部５１３〜５１５によって、接地端子Ｇに接続される。
【００３１】
基板５２の上面にキャパシタＣ１，Ｃ２用の平板電極５２１，５２２が配置される。平板電極５２１，５２２は、後述の線路５３１〜５３３と容量結合することでキャパシタＣ１，Ｃ２として機能する。平板電極５２１は、線路５３１、５３２それぞれと容量結合することで、共振器Ｒ１、Ｒ２間のキャパシタＣ１の一部として機能する。平板電極５２２は、線路５３２、５３３それぞれと容量結合することで、共振器Ｒ２、Ｒ３間のキャパシタＣ２の一部として機能する。
【００３２】
基板５３の上面に、共振器Ｒ１〜Ｒ３用の線路５３１〜５３３、およびインダクタンス素子Ｌ１，Ｌ２用の線路５３４，５３５が配置される。線路５３１（共振器Ｒ１）は、線路５３４（インダクタンス素子Ｌ１）を介して、不平衡端子Ｔｕに電気的に接続される。線路５３３（共振器Ｒ３）は、線路５３５（インダクタンス素子Ｌ２），および切り欠き部７８を介して、後述の線路５７１に電気的に接続される。線路５３１〜５３３の一端は、図示しないビアによってそれぞれ後述の線路６１１〜６１３の端部に接続される。線路５３１〜５３３の他端は、開放される。
線路５３１、５３２（共振器Ｒ１、Ｒ２）は、この両者と容量結合する平板電極５２１によって、キャパシタＣ１で接続される。
線路５３２、５３３（共振器Ｒ２、Ｒ３）は、この両者と容量結合する平板電極５２２によって、キャパシタＣ２で接続される。
【００３３】
基板５４の上面に、接地用の平板電極５４１および接続部５４２〜５４４の電極パターンが配置される。平板電極５４１は、平衡不平衡変換素子Ｂとフィルタ部Ｆ１間の干渉を低減するためのものである。平板電極５４１は、後述の線路５５１と後述のビア５２２を介して電気的に接続される。
平板電極５４１は、接続部５４２〜５４４によって、接地端子Ｇに接続される。
【００３４】
基板５５の上面に、１／４波長の共振器Ｌ６として機能する線路５５１が配置される。この線路５５１は、後述する線路５６１と電磁的に結合する。
線路５５１の一端は、切り欠き部７３を介して、平衡端子Ｔｂ２に接続される。この線路５５１の他端に、基板５５を上下に貫通して平板電極５４１と電気的に接続されるビア５５２が配置される。
【００３５】
基板５６の上面に、１／２波長の共振器Ｌ４の一部として機能する線路５６１が配置される。この線路５６１は、線路５５１と電磁的に結合する。線路５６１の一端は、切り欠き部７２を介して、後述する線路５８１の端部と電気的に接続される。この線路５６１の他端は、開放されている。
【００３６】
基板５７の上面に、線路５７１が配置される。この線路５７１は、線路５３５（インダクタンス素子Ｌ２）と後述する線路５８１とを電気的に接続するためのものである。
線路５７１の一端は、切り欠き部７８を介して、線路５３５（インダクタンス素子Ｌ２）と電気的に接続される。線路５７１の他端は、後述の線路５８１と後述のビア５８２を介して電気的に接続される。
【００３７】
基板５８の上面に、１／２波長の共振器Ｌ４の一部として機能する線路５８１が配置される。この線路５８１は、後述の線路５９１と電磁的に結合する。線路５８１の一端は、切り欠き部７２を介して、線路５６１の端部と電気的に接続される。この線路５８１の他端に、基板５８を上下に貫通するビア５８２が配置され、線路５８１と線路５７１とを電気的に接続している。
【００３８】
基板５９の上面に、１／４波長の共振器Ｌ５として機能する線路５９１が配置される。この線路５９１は、線路５８１と電磁的に結合する。
線路５９１の一端は、平衡端子Ｔｂ１に接続される。この線路５９１の他端は、後述の平板電極６０１と後述のビア６０５を介して電気的に接続される。
【００３９】
基板６０の上面に接地用の平板電極６０１および接続部６０２〜６０４の電極パターンおよびビア６０５が配置される。平板電極６０１は、基板６０を上下に貫通するビア６０５によって、線路５９１の端部と電気的に接続される。
平板電極６０１は、接続部６０２〜６０４によって、接地端子Ｇに接続される。
【００４０】
基板６１の上面に、共振器Ｒ１〜Ｒ３用の線路６１１〜６１３が配置される。線路６１１〜６１３の一端は、図示しないビアによってそれぞれ線路５３１〜５３３の端部に接続される。線路６１１〜６１３の他端はそれぞれ、図示しないビアによって後述の平板電極６３１と電気的に接続される。
【００４１】
基板６２の上面にキャパシタＣ１，Ｃ２用の平板電極６２１，６２２が配置される。平板電極６２１，６２２は、線路６１１〜６１３と容量結合することでキャパシタＣ１，Ｃ２として機能する。平板電極６２１は、線路６１１、６１２それぞれと容量結合することで、共振器Ｒ１、Ｒ２間のキャパシタＣ１の一部として機能する。平板電極６２２は、線路６１２、６１３それぞれと容量結合することで、共振器Ｒ２、Ｒ３間のキャパシタＣ２の一部として機能する。
【００４２】
基板６３の上面に接地用の平板電極６３１および接続部６３２〜６３４の電極パターンが配置される。平板電極６３１は、図示しないビアによって、線路６１１〜６１３の端部と電気的に接続される。
平板電極６３１は、接続部６３２〜６３４によって、接地端子Ｇに接続される。
【００４３】
以上の積層型誘電体フィルタ５００は、フィルタＦがフィルタ部Ｆ１，Ｆ２に分離され、平衡不平衡変換部素子Ｂがフィルタ部Ｆ１，Ｆ２で上下に夾まれている。
この結果、積層型誘電体フィルタ５００は、次のような特徴を有する。
（１）フィルタＦと平衡不平衡変換素子Ｂとが積層型誘電体フィルタ５００として一体的に構成される。フィルタＦと平衡不平衡変換素子Ｂとを別個に形成する場合と比べて、部品点数の減少が可能となる。
【００４４】
（２）フィルタＦを構成する共振器Ｒ１〜Ｒ３を線路５３１〜５３３，および線路６１１〜６１３に分離して、異なる基板５３，６１上に配置したことから、それぞれの線路５３１〜５３３，６１１〜６１３の線路長を低減することができる。また、キャパシタＣ２，Ｃ３をそれぞれ、平板電極５２１，５２２，および平板電極６２１，６２２に分離して異なる基板５２，６２上に配置している。
この結果、同一基板上に共振器Ｒ１〜Ｒ３全体等を配置する場合よりも、基板の面積、ひいては積層型誘電体フィルタ５００のサイズを低減することが可能となる。
【００４５】
（３）フィルタ部Ｆと平衡不平衡変換素子Ｂそれぞれを構成する基板に異なる材質のものを利用する場合に、積層型誘電体フィルタ５００に反りが発生しにくい。
フィルタ部Ｆ１，Ｆ２と平衡不平衡変換素子Ｂとで材質が異なっていても、上下のフィルタ部Ｆ１，Ｆ２が力学的にバランスすることにより基板間で反りが発生しにくくなる。
ここで、平衡不平衡変換素子Ｂを上下に夾むフィルタ部Ｆ１，Ｆ２を構成する基板の厚さが同一（個々の基板の厚さが同一であれば枚数も同一）である方が、力学的なバランス上好ましい。
【００４６】
（その他の実施形態）
本発明の実施形態は上記の実施形態に限られず拡張、変更可能であり、拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの回路構成を表す回路図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの外観を表す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る積層型誘電体フィルタを構成する基板を分離した状態を表す分解斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る積層型誘電体フィルタの外観を表す斜視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る積層型誘電体フィルタを構成する基板を分離した状態を表す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００４８】
１００  積層型誘電体フィルタ
Ｆ      フィルタ
Ｂ      衡不平衡変換素子
Ｔｕ  不平衡端子
Ｔｂ１，Ｔｂ２  平衡端子
Ｇ      接地端子
Ｃ１〜Ｃ３      キャパシタ
Ｌ１，Ｌ２      インダクタンス素子
Ｌ４-Ｌ６      共振器
Ｒ１-Ｒ３      共振器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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