(57)【要約】【課題】  アドレス放電の放電電圧の安定化および低下を図ることが出来るプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】  背面ガラス基板４側の放電セルＣに対向する部分のうち、列電極Ｄとこの列電極Ｄとの間で放電を発生させる行電極Ｙとの間の部分に設定されたアドレス放電領域Ｅ１に、二次電子放出材料によって形成された二次電子放出層７が放電セルＣ内に露出された状態で設けられ、蛍光体層８が、背面ガラス基板４側の放電セルＣに対向する部分のうちアドレス放電領域Ｅ１以外の部分に設定された発光領域Ｅ２に放電セルＣに露出された状態で設けられている。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向される一対の基板と、この一対の基板のうち一方の基板側に形成された複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対と交差する向きに形成されて行電極対と交差する部分の放電空間内にそれぞれ単位発光領域を形成するとともに行電極対の一方の行電極との間で放電を発生させる複数の列電極と、一対の基板の何れかの基板側に形成された蛍光体層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記一対の基板の何れかの基板側の単位発光領域に対向する部分のうち、列電極とこの列電極との間で放電を発生させる一方の行電極との間の部分に設定された第１領域部分に、二次電子放出材料によって形成された二次電子放出層が単位発光領域内に臨まされた状態で位置され、
前記蛍光体層が、一対の基板の何れかの基板側の単位発光領域に対向する部分のうち第１領域部分以外の第２領域部分に単位発光領域内に臨まされた状態で位置されている、
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記二次電子放出層が、酸化マグネシウムによって形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記第１領域部分に形成された二次電子放出層と第２領域部分に形成された蛍光体層が、それぞれ、互いに積層されていない状態で形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１領域部分に形成された二次電子放出層と第２領域部分に形成された蛍光体層が、第１領域部分と第２領域部分に境界部分の所要の範囲においてのみ重なり合っている請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記一対の基板の何れかの基板側の単位発光領域に対向する部分の全域に二次電子放出層が形成され、この二次電子放出層上の第２領域部分に対応する部分に蛍光体層が積層して形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記一対の基板の何れかの基板側の単位発光領域に対向する部分の全域に蛍光体層が形成され、この蛍光体層上の第１領域部分に対応する部分に二次電子放出層が積層して形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記二次電子放出層と蛍光体層が、一対の基板のうち列電極が形成されている基板の側に形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記行電極対を構成する行電極が、それぞれ、行方向に延びる電極本体部と、この電極本体部の所要の位置からそれぞれ対になっている他の行電極の方向に突出して互いに放電ギャップを介して対向する突出電極部とを有し、
前記二次電子放出層が単位発光領域内に臨まされた状態で位置される第１領域部分が、単位発光領域の列電極との間で放電を発生させる一方の行電極の突出電極部の電極本体部との接続側部分に対向する部分に設定され、第２領域部分が、単位発光領域の放電ギャップおよび他方の行電極の突出電極部に対向する部分に設定されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記一対の基板の間に、放電空間を単位発光領域毎に区画する少なくとも行方向に延びる横壁部を有する隔壁が設けられ、列電極との間で放電を発生させる一方の行電極の電極本体部が、隔壁の横壁部よりも単位発光領域の内側の第１領域部分に対向する位置に配置されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記一方の基板の内面側に行電極対を被覆する誘電体層が形成され、この誘電体層の背面の単位発光領域の第１領域部分に対向する部分に、誘電体層から単位発光領域内に突出する黒色または暗色の嵩上げ誘電体層が形成されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記行電極対が列方向に並設され、この行電極対を構成する行電極のうち列電極との間で放電を発生させる一方の行電極と、この一方の行電極との間で放電を発生させる他方の行電極が、隣接する行電極対間で交互に入れ替わるように配置されて、一方の行電極同士および他方の行電極同士が背中合わせに位置されるとともに、各単位発光領域の第１領域部分が一方の行電極に対向する位置において列方向に隣接する単位発光領域間で互いに背中合わせに位置されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、面放電方式交流型プラズマディスプレイパネルのパネル構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の、一般的構造のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）は、前面ガラス基板と背面ガラス基板が、放電ガスが封入された放電空間を介して互いに平行に対向され、この前面ガラス基板の内側に行方向に延び列方向に並設された複数の行電極対が形成されて、誘電体層によって被覆されており、背面ガラス基板の内面側に列方向に延び行方向に並設された複数の列電極が形成されていて、この行電極対と列電極が交差する部分の放電空間内にそれぞれ放電セルが形成され、背面ガラス基板上の各放電セル部分に、それぞれ、赤，緑，青に色分けされた蛍光体層が形成された構成を備えている。
【０００３】
そして、このＰＤＰは、行電極対の一方の行電極と列電極との間で選択的にアドレス放電を発生させ、行電極対を被覆する誘電体層のアドレス放電が発生された放電セルに対向する部分に壁電荷を形成（または、形成されていた壁電荷を消去）し、次に、誘電体層に壁電荷が形成されている放電セル内において、行電極対を構成する一対の行電極間でサステイン放電を発生させて、このサステイン放電により放電空間内の放電ガスから発生される真空紫外線によって各放電セルの赤，緑，青に色分けされた蛍光体層を発光させることにより、パネル面に映像信号に対応した画像を形成する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このような構成の従来のＰＤＰは、行電極対を構成する一方の行電極と列電極との間で行われるアドレス放電が、蛍光体層を挟んで行われるため、蛍光体層を形成する赤，緑，青の蛍光材料の特性の違いによって、アドレス放電電圧が放電セル毎に異なり、駆動マージンが減少してしまうという問題を有している。
【０００５】
そこで、上記のような構成のＰＤＰにおける問題点を解決するために、従来、アドレス放電が発生される放電セルとサステイン放電が発生される放電セルとが別個に形成されたセル構造（以下、分離セル構造という）のＰＤＰが提案されている。
【０００６】
この分離セル構造のＰＤＰは、サステイン放電用の蛍光体層が形成されたサステイン放電セルと、アドレス放電用の蛍光体層が形成されていないアドレス放電セルとが、それぞれ互いに対になるように列方向に隣接して形成されており、その間が背面ガラス基板上に形成された隔壁によって仕切られているとともに、この隔壁と前面ガラス基板側との間に形成された隙間によって互いに連通されている。
【０００７】
そして、アドレス放電セル内において行電極対の一方の行電極と列電極との間で発生されるアドレス放電によって生成される荷電粒子が、隔壁と前面ガラス基板側との間の隙間を通って、隣接する対になっているサステイン放電セル内に導入され、これによって、サステイン放電セルに対向する部分の誘電体層への壁電荷の形成（または、誘電体層に形成されている壁電荷の消去）が行われる（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
この分離セル構造のＰＤＰは、蛍光体層が形成されていないアドレス放電セル内においてアドレス放電が発生されることによって、このアドレス放電の放電電圧が、蛍光体層を形成する蛍光材料の特性によって影響を受けることは無い。
【０００９】
ここで、今後、ＰＤＰの高精細化が進むにつれて、特に上記のような分離セル構造のＰＤＰにおいては、蛍光体発光部分の開口面積を確保する上で、サステイン放電セルとアドレス放電セルの間に形成される隔壁の影響が大きくなり、ＰＤＰの発光効率を向上させる際の障害になってくることが予想される。
【００１０】
また、ＰＤＰの高精細化が進むにつれて、蛍光体発光部分の開口面積を確保するために、隔壁の幅を小さくすることが要求されてくるが、この幅の小さい隔壁を形成することは製造技術上非常に難しく、このため、製品の歩留まりの減少によって製品コストが上昇するという問題が生じてくることが予想される。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−３１１６１２号公報
【特許文献２】特開２００３−０８６１０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
この発明は、上記のような従来のＰＤＰにおける問題点を解決することをその解決課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明（請求項１に記載の発明）によるＰＤＰは、上記目的を達成するために、放電空間を介して対向される一対の基板と、この一対の基板のうち一方の基板側に形成された複数の行電極対と、他方の基板側に行電極対と交差する向きに形成されて行電極対と交差する部分の放電空間内にそれぞれ単位発光領域を形成するとともに行電極対の一方の行電極との間で放電を発生させる複数の列電極と、一対の基板の何れかの基板側に形成された蛍光体層とを備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、前記一対の基板の何れかの基板側の単位発光領域に対向する部分のうち、列電極とこの列電極との間で放電を発生させる一方の行電極との間の部分に設定された第１領域部分に、二次電子放出材料によって形成された二次電子放出層が単位発光領域内に臨まされた状態で位置され、前記蛍光体層が、一対の基板の何れかの基板側の単位発光領域に対向する部分のうち第１領域部分以外の第２領域部分に単位発光領域内に臨まされた状態で位置されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
この発明は、放電空間を介して背面ガラス基板と対向される前面ガラス基板の内面に行方向に延びる複数の行電極対が列方向に並設されて誘電体層により被覆されており、背面ガラス基板の内面に列方向に延びる複数の列電極が行方向に並設されて、この行電極対と列電極が交差する部分の放電空間内に、それぞれ隔壁によって区画された放電セルが形成され、背面ガラス基板上の各放電セルに対向する部分において、行電極対を構成する一対の行電極のうち列電極との間で発光を行わせるための放電セルを選択するアドレス放電を発生させる一方の行電極（走査電極）と列電極の間の部分に、アドレス放電領域（第１領域部分）が設定され、放電セル内の他の部分に発光領域（第２領域部分）が設定されて、それぞれ放電セル内に露出されている状態で、アドレス放電領域に、ＭｇＯ等の高い二次電子放出係数を有する高二次電子放出材料によって形成された二次電子放出層が設けられ、発光領域に、赤，緑，青に色分けされた蛍光体層が設けられているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【００１５】
この実施形態におけるＰＤＰは、アドレス放電を発生させる行電極対の一方の行電極と列電極との間のアドレス放電領域に、放電セル内に露出された状態で、二次電子放出係数が高い二次電子放出層が設けられていることによって、アドレス放電が、放電セル内の発光領域に形成されている蛍光体層を介してではなく、二次電子放出層を介して行われる。
【００１６】
したがって、この実施形態によるＰＤＰによれば、アドレス放電の放電電圧が、従来のように蛍光体層を形成する赤，緑，青のそれぞれの蛍光材料の特性の違いによって放電セル毎にばらつきが生じることが無くなるとともに、アドレス放電が二次電子放出層を介して行われることによってアドレス放電電圧を低下させることが出来、さらに、今後のＰＤＰの高精細化に容易に対応することが出来るようになり、発光効率の向上および製品の低廉化を図ることが容易になる。
【実施例１】
【００１７】
図１および２は、この発明の実施形態における第１の実施例を示しており、図１はこの第１実施例におけるＰＤＰの構成を模式的に示す正面図であり、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【００１８】
この図１および２において、ＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の内面に、行方向に延びる（図１の左右方向）複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向）に等間隔に並設されている。
【００１９】
行電極Ｘは、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｘａと、前面ガラス基板１の行方向に帯状に延びて透明電極Ｘａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｘｂとによって構成されている。
【００２０】
行電極Ｙも同様に、Ｔ字形状に形成されたＩＴＯ等の透明導電膜からなる透明電極Ｙａと、前面ガラス基板１の行方向に帯状に延びて透明電極Ｙａの狭小の基端部に接続された金属膜からなるバス電極Ｙｂとによって構成されている。
【００２１】
この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向に交互に配列されており、バス電極ＸｂとＹｂに沿って配列されたそれぞれの透明電極ＸａとＹａが互いに対となる相手の行電極側に延びて、この透明電極ＸａとＹａの幅広部の頂辺が、それぞれ所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。
【００２２】
さらに、前面ガラス基板１の内面には、誘電体層２が形成されて、この誘電体層２によって行電極対（Ｘ，Ｙ）が被覆されている。
【００２３】
そして、この誘電体層２の背面側には、ＭｇＯからなる保護層３が形成されて、誘電体層２の背面が被覆されている。
【００２４】
一方、前面ガラス基板１と放電空間Ｓを介して平行に配置された背面ガラス基板４の表示側の面上には、列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になっている透明電極ＸａおよびＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて行方向に並設されている。
【００２５】
さらに、背面ガラス基板４の表示側の面上には、列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層(誘電体層）５が形成され、この列電極保護層５上に、隔壁６が形成されている。
【００２６】
この隔壁６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘｂに対向する位置において行方向に延びる横壁６Ａａおよびバス電極Ｙｂに対向する位置において行方向に延びる横壁６Ａｂと、隣接する列電極Ｄの間の中間位置において対になった横壁６Ａａと６Ａｂ間を列方向に延びる縦壁６Ｂとによって略梯子形状に形成されており、各隔壁６が、隣接する他の隔壁６との間において互いに背中合わせに位置する横壁６Ａａと６Ａｂの間に行方向に延びる隙間ＳＬを挟んで、列方向に並設されている。
【００２７】
そして、この梯子状の隔壁６によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間Ｓが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）において互いに対になっている透明電極ＸａとＹａに対向する部分に形成される放電セルＣ毎に、それぞれ方形に区画されている。
【００２８】
この各放電セルＣ内の列電極保護層５上には、ＭｇＯ等の高い二次電子放出係数を有する材料によって構成される二次電子放出層７と、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の三原色に色分けされた蛍光体層８とが、それぞれ以下に述べるような態様によって、形成されている。
【００２９】
すなわち、二次電子放出層７は、各放電セルＣ内の列電極保護層５上において、行電極Ｙのバス電極Ｙｂに対向している隔壁６の横壁部６Ａｂ側から列方向に所要の幅の領域部分（以下、アドレス放電領域という）Ｅ１に形成されており、蛍光体層８は、放電セルＣ内の列電極保護層５上の二次電子放出層７が形成されている部分以外の領域部分（以下、発光領域という）Ｅ２に形成されている。
【００３０】
そして、この二次電子放出層７が形成されるアドレス放電領域Ｅ１は、その列方向の幅が、図１から分かるように、前面ガラス基板１の表示面側から見た状態で、二次電子放出層７と透明電極Ｙａの先端の幅広部分が重ならない大きさに設定されている。
【００３１】
放電セルＣ毎に色分けされた蛍光体層８は、赤，緑，青の順に、行方向に順に並ぶように配列されている。
【００３２】
前面ガラス基板１と背面ガラス基板４との間の放電空間Ｓ内には、キセノン（Ｘｅ）を含む放電ガスが封入されている。
【００３３】
上記ＰＤＰは、駆動時に、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の一方の行電極Ｙの透明電極Ｙａと列電極Ｄとの間で選択的にアドレス放電が発生されて、このアドレス放電が発生された放電セルＣに面している部分の誘電体層２に壁電荷が形成（または、形成されている壁電荷が消去）され、誘電体層２に壁電荷が形成されている放電セル（発光セル）と、誘電体層２の壁電荷が消去されている放電セル（非発光セル）とが、ＰＤＰに入力する映像信号の画像データに対応してパネル面に分布される。
【００３４】
この後、各発光セル内において、互いに放電ギャップｇを介して対向する行電極Ｘ，Ｙの透明電極Ｘａ，Ｙａ間でサステイン放電が発生され、このサステイン放電によって放電セル内の放電ガスから発生する真空紫外線により、赤，緑，青の三原色に色分けされたそれぞれの蛍光体層８が励起されて発光することによって、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００３５】
上記のようなＰＤＰの駆動時において、アドレス放電は、行電極Ｙの透明電極Ｙａのバス電極Ｙｂに接続されている側の基端部分が、高い二次電子放出係数を有する材料によって形成された二次電子放出層７に対向されていることによって、この透明電極Ｙａの基端部分と列電極Ｄとの間で、蛍光体層８を介してではなく、二次電子放出層７を介して行われる。
【００３６】
したがって、上記ＰＤＰの構成によれば、アドレス放電の放電電圧が、従来のように蛍光体層を形成する赤，緑，青のそれぞれの蛍光材料の特性によって影響を受けることによって、放電セル毎にばらつきが生じることが無くなるとともに、アドレス放電が二次電子放出層７を介して行われることによって、その放電電圧が低下される。
【００３７】
さらに、上記ＰＤＰの構成によれば、アドレス放電が発生する部分とサステイン放電が発生する部分とが同じ放電セルＣ内に設定されるので、今後ＰＤＰの高精細化が進んだ場合でも、発光効率の向上への対応が容易になるとともに、隔壁を形成する際の製造技術上の困難性が緩和されて、製品の歩留まりの向上による低廉化を図ることが容易になる。
【００３８】
また、行電極Ｙと列電極Ｄの間でアドレス放電を発生させる際に、従来のＰＤＰにおいては、二次電子放出材料であるＭｇＯによって構成される保護層３が形成された前面ガラス基板１側に形成されている行電極Ｙを負の電極側にすることによって、そのスキャン速度を速くしているが、上記ＰＤＰの構成によれば、列電極Ｄが形成された背面ガラス基板４側に二次電子放出層７が形成されているので、列電極Ｄを負の電極側にしてスキャンを行うようにすることも可能になる。
【００３９】
図３および４は、上記ＰＤＰの二次電子放出層７と蛍光体層８の形成方法の一例を示す図である。
【００４０】
この例において、二次電子放出層７と蛍光体層８の形成は、以下の様な手順によって行われる。
【００４１】
すなわち、背面ガラス基板４の製造工程において、背面ガラス基板４上への列電極Ｄおよび列電極保護層５，隔壁６の形成工程が終了した後、図３に示されるように、背面ガラス基板４の隔壁６等が形成されている側に、列電極保護層５の表面の予め設定されている前述したようなアドレス放電領域Ｅ１に対向する部分に開口部ＳＣ１ａが形成されたスクリーンＳＣ１が重ね合わされる。
【００４２】
そして、このスクリーンＳＣ１の開口部ＳＣ１ａから印刷スキージＳＱ１によって高二次電子放出材料ペースト（ここでは、ＭｇＯペースト）ＰＡ１が流し込まれ、この高二次電子放出材料ペーストＰＡ１が列電極保護層５上のアドレス放電領域Ｅ１部分およびこのアドレス放電領域Ｅ１を囲む三方の隔壁（横壁部６Ａｂと縦壁６Ｂ）の側面に塗布される。
【００４３】
次に、スクリーンＳＣ１に替えて、列電極保護層５上の前述したような発光領域Ｅ２に対向する部分に開口部ＳＣ２ａが形成されたスクリーンＳＣ２が重ね合わされる。
【００４４】
そして、このスクリーンＳＣ２の開口部ＳＣ２ａから印刷スキージＳＱ２によって赤，緑，青のそれぞれの蛍光体ペーストＰＡ２が流し込まれ、この蛍光体ペーストＰＡ２が列電極保護層５上の発光領域Ｅ２部分およびこの発光領域Ｅ２を囲む三方の隔壁（横壁部６Ａａと縦壁６Ｂ）の側面に塗布される。
【００４５】
このとき、図４に示されるように、アドレス放電領域Ｅ１と発光領域Ｅ２の境界部分ｂにおいて、列電極保護層５上に塗布された蛍光体ペーストＰＡ２が、先に塗布されている高二次電子放出材料ペーストＰＡ１上に乗り上げて所要の範囲で重なり合うようにしても良く、このようにすることによって、形成される二次電子放出層７と蛍光体層８の間に隙間が出来るのを防止することが出来る。
【００４６】
以上のようにして、高二次電子放出材料ペーストＰＡ１のアドレス放電領域Ｅ１への塗布工程と蛍光体ペーストＰＡ２の発光領域Ｅ２への塗布工程が終了した後、焼成工程を経て、二次電子放出層７および蛍光体層８が形成される。
【００４７】
図５および６は、二次電子放出層７と蛍光体層８の形成方法の他の例を示す図である。
【００４８】
前述した方法が、高二次電子放出材料ペーストＰＡ１の塗布と蛍光体ペーストＰＡ２の塗布をそれぞれスクリーンＳＣ１とＳＣ２の別々のスクリーンを用いて行うのに対し、この例においては、高二次電子放出材料ペーストＰＡ１と蛍光体ペーストＰＡ２が、同じスクリーンＳＣ３を用いて行われる。
【００４９】
すなわち、先ず、図５に示されるように、背面ガラス基板４およびスクリーンＳＣ３が、列電極保護層５のアドレス放電領域Ｅ１が発光領域Ｅ２よりも下側に位置される方向に傾斜されて、アドレス放電領域Ｅ１がスクリーンＳＣ３の開口部ＳＣ３ａに対向される。
【００５０】
この後、スクリーンＳＣ３の開口部ＳＣ３ａから印刷スキージ（図示せず）によって高二次電子放出材料ペーストＰＡ１が流し込まれて、この高二次電子放出材料ペーストＰＡ１が列電極保護層５上のアドレス放電領域Ｅ１部分およびこのアドレス放電領域Ｅ１を囲む三方の隔壁（横壁部６Ａｂと縦壁６Ｂ）の側面に塗布される。
【００５１】
次に、図６に示されるように、背面ガラス基板４およびスクリーンＳＣ３が、上記と反対方向に傾斜され、列電極保護層５の発光領域Ｅ２がアドレス放電領域Ｅ１よりも下側に位置されて、この発光領域Ｅ２がスクリーンＳＣ３の開口部ＳＣ３ａに対向される。
【００５２】
この後、スクリーンＳＣ３の開口部ＳＣ３ａから印刷スキージ（図示せず）によって蛍光体ペーストＰＡ２が流し込まれて、この蛍光体ペーストＰＡ２が列電極保護層５上の発光領域Ｅ２部分およびこの発光領域Ｅ２を囲む三方の隔壁（横壁部６Ａｂと縦壁６Ｂ）の側面に塗布される。
【００５３】
このとき、前述した例の場合と同様に、アドレス放電領域Ｅ１と発光領域Ｅ２の境界部分において、列電極保護層５上に塗布された蛍光体ペーストＰＡ２が、先に塗布されている高二次電子放出材料ペーストＰＡ１上に乗り上げて所要の範囲で重なり合うようにしても良い。
【００５４】
以上のようにして、高二次電子放出材料ペーストＰＡ１のアドレス放電領域Ｅ１への塗布工程と蛍光体ペーストＰＡ２の発光領域Ｅ２への塗布工程が終了した後、焼成工程を経て、二次電子放出層７および蛍光体層８が形成される。
【実施例２】
【００５５】
図７は、この発明の実施形態の第２の実施例における背面ガラス基板側の構成を、第１実施例の図２の場合と同じ位置において断面して示した図である。
【００５６】
この図７において、第１実施例のＰＤＰの二次電子放出層が列電極保護層上のアドレス放電領域Ｅ１にのみ形成されていたのに対し、この第２実施例におけるＰＤＰは、ＭｇＯ等の高い二次電子放出係数を有する材料によって構成される二次電子放出層１７が、列電極保護層５の表面の隔壁６に四方を囲まれた部分の全域に亘って形成されている。
【００５７】
そして、蛍光体層１８が、二次電子放出層１７上の第１実施例と同様の発光領域Ｅ２の部分にのみ積層されて形成されており、これによって、二次電子放出層１７が、アドレス放電領域Ｅ１において露出されている構成になっている。
【００５８】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第１実施例の場合とほぼ同様であり、図７において、第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については同一の符号が付されている。
【００５９】
この例におけるＰＤＰも、第１実施例の場合と同様に、駆動時におけるアドレス放電が、二次電子放出層１７が露出されているアドレス放電領域Ｅ１において行われるので、このアドレス放電の放電電圧が、従来のように蛍光体層を形成する赤，緑，青のそれぞれの蛍光材料の特性によって影響を受けることによって、放電セル毎にばらつきが生じることが無くなるとともに、アドレス放電が二次電子放出層１７を介して行われることによってその放電電圧が低下され、さらに、今後ＰＤＰの高精細化が進んだ場合でも、発光効率の向上への対応が容易になるとともに、隔壁を形成する際の製造技術上の困難性が緩和されて、製品の歩留まりの向上による低廉化が容易になる。
【００６０】
図８および９は、上記ＰＤＰの二次電子放出層１７と蛍光体層１８の形成方法の一例を示す図であり、この例において、二次電子放出層１７と蛍光体層１８の形成は、以下の様な手順によって行われる。
【００６１】
すなわち、背面ガラス基板４の製造工程において、背面ガラス基板４上への列電極Ｄおよび列電極保護層５，隔壁６の形成工程が終了した後、図８に示されるように、背面ガラス基板４の隔壁６等が形成されている側に、列電極保護層５の表面の隔壁６によって囲まれている部分（放電セルの形成部分）に開口部ＳＣ４ａが形成されたスクリーンＳＣ４が重ね合わされる。
【００６２】
そして、このスクリーンＳＣ４の開口部ＳＣ４ａから印刷スキージ（図示せず）によって高二次電子放出材料ペースト（ここでは、ＭｇＯペースト）ＰＡ１が流し込まれ、この高二次電子放出材料ペーストＰＡ１が列電極保護層５上の隔壁６によって囲まれた放電セルの形成部分および隔壁６の壁面全体に亘って塗布される。
【００６３】
次に、スクリーンＳＣ４に替えて、列電極保護層５上の前述したような発光領域Ｅ２に対向する部分に開口部ＳＣ５ａが形成されたスクリーンＳＣ５が重ね合わされる。
【００６４】
そして、このスクリーンＳＣ５の開口部ＳＣ５ａから印刷スキージ（図示せず）によって赤，緑，青のそれぞれの蛍光体ペーストＰＡ２が流し込まれ、この蛍光体ペーストＰＡ２が、列電極保護層５上に形成されている高二次電子放出材料ペーストＰＡ１の層の表面の発光領域Ｅ２部分およびこの発光領域Ｅ２を囲む三方の隔壁（横壁部６Ａａと縦壁６Ｂ）の側面に塗布される。
【００６５】
以上のようにして、高二次電子放出材料ペーストＰＡ１の塗布工程と蛍光体ペーストＰＡ２の塗布工程が終了した後、焼成工程を経て、二次電子放出層１７および蛍光体層１８が形成される。
【００６６】
また、上記実施例のように、放電セルの形成部分の全域に二次電子放出層が形成される場合には、スクリーン印刷法に限らず、蒸着等の気相成長法による成膜方法により、二次電子放出層を形成することも可能である。
【実施例３】
【００６７】
図１０は、この発明の実施形態の第３の実施例における背面ガラス基板側の構成を、第１実施例の図２の場合と同じ位置において断面して示した図である。
【００６８】
この図１０において、第１実施例のＰＤＰの蛍光体層が列電極保護層上の発光領域Ｅ２にのみ形成されていたのに対し、この第３実施例におけるＰＤＰは、蛍光体層２８が列電極保護層５の表面の隔壁６に四方を囲まれた部分の全域に亘って形成されている。
【００６９】
そして、ＭｇＯ等の高い二次電子放出係数を有する材料によって構成される二次電子放出層２７が、蛍光体層２８上の第１実施例と同様のアドレス放電領域Ｅ１の部分にのみ積層されて形成されており、これによって、蛍光体層２８が、サステイン放電Ｅ２において露出されている構成になっている。
【００７０】
このＰＤＰの他の部分の構成は、第１実施例の場合とほぼ同様であり、図１０において、第１実施例のＰＤＰと同一の構成部分については同一の符号が付されている。
【００７１】
この例におけるＰＤＰも、第１および第２実施例の場合と同様に、駆動時におけるアドレス放電が、二次電子放出層２７が露出されているアドレス放電領域Ｅ１において行われるので、このアドレス放電の放電電圧が、従来のように蛍光体層を形成する赤，緑，青のそれぞれの蛍光材料の特性によって影響を受けることによって、放電セル毎にばらつきが生じることが無くなるとともに、アドレス放電が二次電子放出層２７を介して行われてその放電電圧が低下され、さらに、今後ＰＤＰの高精細化が進んだ場合でも、発光効率の向上への対応が容易になるとともに、隔壁を形成する際の製造技術上の困難性が緩和されて、製品の歩留まりの向上による低廉化が容易になる。
【００７２】
図１１および１２は、上記ＰＤＰの二次電子放出層２７と蛍光体層２８の形成方法の一例を示す図であり、この例において、二次電子放出層２７と蛍光体層２８の形成は、以下の様な手順によって行われる。
【００７３】
すなわち、背面ガラス基板４の製造工程において、背面ガラス基板４上への列電極Ｄおよび列電極保護層５，隔壁６の形成工程が終了した後、図１１に示されるように、背面ガラス基板４の隔壁６等が形成されている側に、列電極保護層５の表面の隔壁６によって囲まれている部分（放電セルの形成部分）に開口部ＳＣ６ａが形成されたスクリーンＳＣ６が重ね合わされる。
【００７４】
そして、このスクリーンＳＣ６の開口部ＳＣ６ａから印刷スキージ（図示せず）によって赤，緑，青のそれぞれの蛍光体ペーストＰＡ２が流し込まれ、この蛍光体ペーストＰＡ２が列電極保護層５上の隔壁６によって囲まれた放電セルの形成部分および隔壁６の壁面全体に亘って塗布される。
【００７５】
次に、スクリーンＳＣ６に替えて、列電極保護層５の表面の前述したようなアドレス放電Ｅ１に対向する部分に開口部ＳＣ７ａが形成されたスクリーンＳＣ７が重ね合わされる。
【００７６】
そして、このスクリーンＳＣ７の開口部ＳＣ７ａから印刷スキージ（図示せず）によって高二次電子放出材料ペースト（ここでは、ＭｇＯペースト）ＰＡ１が流し込まれ、この高二次電子放出材料ペーストＰＡ１が、列電極保護層５上に形成されている蛍光体ペーストＰＡ２の層の表面のアドレス放電領域Ｅ１部分およびこのアドレス放電領域Ｅ１を囲む三方の隔壁（横壁部６Ａｂと縦壁６Ｂ）の側面に塗布される。
【００７７】
以上のようにして、蛍光体ペーストＰＡ２の塗布工程と高二次電子放出材料ペーストＰＡ１の塗布工程が終了した後、焼成工程を経て、二次電子放出層２７および蛍光体層２８が形成される。
【実施例４】
【００７８】
図１３および１４は、この発明の実施形態の第４の実施例を示しており、図１３はこの第４実施例におけるＰＤＰの構成を模式的に示す正面図であり、図１４は図１３のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【００７９】
前述した第１ないし第３実施例のＰＤＰの行電極ＸとＹが、列方向に並設された各行電極対（Ｘ，Ｙ）において同じ位置関係、すなわち、Ｘ−Ｙ，Ｘ−Ｙ…という配列になっていたのに対し、この第４実施例のＰＤＰは、行電極Ｘ１とＹ１が、列方向に並設された各行電極対（Ｘ１，Ｙ１）毎に交互に入れ替えられて、Ｘ１−Ｙ１，Ｙ１−Ｘ１，Ｘ１−Ｙ１…というように同じ行電極同士が背中合わせに位置するように、配置されている。
【００８０】
そして、この行電極Ｘ１，Ｙ１の配置に合わせて、放電セルＣ１内に設定されるアドレス放電領域Ｅ１１と発光領域Ｅ１２が、その互いの位置が列方向において放電セルＣ１毎に交互に入れ替えられて、列方向に隣接する放電セルＣ１間でアドレス放電領域Ｅ１１同士および発光領域Ｅ１２同士が互いに背中合わせになるように配置されている。
【００８１】
他の部分の構成は、第１実施例のＰＤＰとほぼ同様であり、同一の構成部分については第１実施例の場合と同一の符号が付されている。
【００８２】
この実施例におけるＰＤＰも、第１ないし第３実施例のＰＤＰと同様に、アドレス放電が行電極Ｙ１と列電極Ｄ間においてアドレス放電領域Ｅ１１内で発生され、これによって、アドレス放電の放電電圧にばらつきが発生するのを防止することが出来るとともに、アドレス放電の放電電圧を低下させることができ、さらに、今後ＰＤＰの高精細化が進んだ場合でも、発光効率の向上への対応が容易になるとともに、隔壁を形成する際の製造技術上の困難性が緩和されて、製品の歩留まりの向上による低廉化が容易になる。
【００８３】
さらに、第１ないし第３実施例のＰＤＰの場合には、隣接する行電極対間で行電極ＸとＹが背中合わせになっていることによってアドレス放電の前に行われるリセット放電が隣接する行電極対間で発生するを防止するために、奇数行の行電極対におけるリセット放電期間と偶数行の行電極対におけるリセット放電期間とを分けて行った方がよい場合も生じるが、この例におけるＰＤＰの場合には、隣接する行電極対間で行電極Ｘ１同士または行電極Ｙ１同士が背中合わせになっているので、リセット放電が隣接する行電極対間で発生する虞がなく、このリセット放電をパネルの全面に亘って一斉に発生させることが可能になる。
【００８４】
また、第１実施例の場合と同様に、この実施例においても、列電極Ｄが形成された背面ガラス基板４側に二次電子放出層７が形成されていることによって、列電極Ｄを負の電極側にしてスキャンを行うことが可能になる。
【実施例５】
【００８５】
図１５および１６は、この発明の実施形態の第５の実施例を示しており、図１５はこの第５実施例におけるＰＤＰの構成を模式的に示す正面図であり、図１６は図１５のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【００８６】
前述した第１ないし第４実施例のＰＤＰが、列方向において隣接する放電セルの間の隔壁に行方向に延びる隙間（図１および２の隙間ＳＬ）が形成されていたのに対し、この第５実施例のＰＤＰは、隔壁１６の列方向に隣接する放電セルＣ２間を区画する部分に隙間が形成されておらず、一本の横壁１６Ａによって仕切られている。
【００８７】
各行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を構成する行電極Ｘ２，Ｙ２は、第１ないし第３実施例の場合と同様に、列方向に並設された各行電極対（Ｘ２，Ｙ２）においてＸ２−Ｙ２，Ｘ２−Ｙ２…というように同じ配置になっていて、行電極Ｘ２のバス電極Ｘ２ｂが、隔壁１６の横壁１６Ａに対向する位置に配置されているのに対し、行電極Ｙ２のバス電極Ｙ２ｂは、横壁１６Ａよりも放電セルＣ２の内側部分に対向する位置に配置されている。
【００８８】
そして、アドレス放電領域Ｅ２１は、横壁１６Ａから行電極Ｙ２のバス電極Ｙ２ｂに対向する位置を含む所要の幅部分に設定され、発光領域Ｅ２２は、放電セルＣ２内のアドレス放電領域Ｅ２１以外の部分に設定されている。
【００８９】
さらに、この実施例においては、行電極対（Ｘ２，Ｙ２）を被覆する誘電体層１２の背面の隣接する行電極対間において背中合わせに位置する行電極Ｘ２とＹ２のそれぞれのバス電極Ｘ２ｂとＹ２ｂに対向する部分に、誘電体層１２から背面ガラス基板４側に突出するとともに行方向に延びる帯状の黒色または暗色の嵩上げ誘電体層１２Ａが形成されている。
【００９０】
なお、図１６には、二次電子放出層７と蛍光体層８が、アドレス放電領域Ｅ２１と発光領域Ｅ２２にそれぞれ第１実施例の場合と同様に積層されていない態様で形成されている例が示されているが、二次電子放出層と蛍光体層の形成の態様は、第２実施例または第３実施例の場合と同様にしても良い。
【００９１】
他の部分の構成は、第１実施例のＰＤＰとほぼ同様であり、同一の構成部分については第１実施例の場合と同一の符号が付されている。
【００９２】
この例におけるＰＤＰも、第１ないし第４実施例のＰＤＰと同様に、アドレス放電が行電極Ｙ２と列電極Ｄ間においてアドレス放電領域Ｅ２１内で発生されることによって、アドレス放電の放電電圧にばらつきが発生するのを防止することが出来るとともにアドレス放電の放電電圧を低下させることが出来、さらに、今後ＰＤＰの高精細化が進んだ場合でも、発光効率の向上への対応が容易になるとともに、隔壁を形成する際の製造技術上の困難性が緩和されて、製品の歩留まりの向上による低廉化が容易になる。
【００９３】
そして、この第５実施例においては、前面ガラス基板１側から見て、アドレス放電領域Ｅ２１が黒色または暗色の嵩上げ誘電体層１２Ａによって覆われていることによって、このアドレス放電領域Ｅ２１において発生されるアドレス放電の光が前面ガラス基板１側から外部に漏れるのが防止され、これによって、パネル面に形成される画像のコントラストの向上が図られる。
【００９４】
また、第１実施例の場合と同様に、この実施例においても、列電極Ｄが形成された背面ガラス基板４側に二次電子放出層７が形成されていることによって、列電極Ｄを負の電極側にしてスキャンを行うことが可能になる。
【実施例６】
【００９５】
図１７および１８は、この発明の実施形態の第６の実施例を示しており、図１７はこの第６実施例におけるＰＤＰの構成を模式的に示す正面図であり、図１８は図１７のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【００９６】
この第６実施例におけるＰＤＰは、前述した第４実施例のＰＤＰと同様に、行電極Ｘ３とＹ３が、列方向に並設された各行電極対（Ｘ３，Ｙ３）毎に交互に入れ替えられて、Ｘ３−Ｙ３，Ｙ３−Ｘ３，Ｘ３−Ｙ３…というように同じ行電極同士が背中合わせに位置するように配置され、この行電極Ｘ３，Ｙ３の配置に合わせて、放電セルＣ３内にアドレス放電領域Ｅ３１と発光領域Ｅ３２が、それぞれ同じ領域同士が背中合わせになるように設定されている。
【００９７】
そして、第４実施例の場合には、列方向に隣接している放電セルＣ３間において互いに背中合わせに位置しているアドレス放電領域Ｅ３１の間を仕切っている隔壁の横壁に隙間（図１３および１４の隙間ＳＬ）が形成されていたのに対し、この実施例のＰＤＰは、隔壁２６の列方向に隣接する放電セルＣ３間において互いに背中合わせに位置しているアドレス放電領域Ｅ３１の間を仕切っている部分に隙間が形成されておらず、一本の横壁２６Ａｂによって仕切られている。
【００９８】
そして、各行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の行電極Ｘ３のバス電極Ｘ３ｂが、隔壁２６の横壁２６Ａａに対向する位置に配置されているのに対し、隣接する行電極対（Ｘ３，Ｙ３）の互いに背中合わせに位置している行電極Ｙ３のバス電極Ｙ３ｂは、それぞれ、横壁２６Ａｂよりも放電セルＣ３の内側部分に対向する位置に配置されている。
【００９９】
そして、アドレス放電領域Ｅ３１は、横壁２６Ａｂから行電極Ｙ３のバス電極Ｙ３ｂに対向する位置を含む所要の幅部分に設定され、発光領域Ｅ３２は、放電セルＣ３内のアドレス放電領域Ｅ３１以外の部分に設定されている。
【０１００】
さらに、この実施例においては、行電極対（Ｘ３，Ｙ３）を被覆する誘電体層２２の背面の隣接する行電極対間において背中合わせに位置する二本の行電極Ｙ３のバス電極Ｙ３ｂおよびこの二本のバス電極Ｙ３ｂの間の部分に対向する部分に、誘電体層２２から背面ガラス基板４側に突出するとともに行方向に延びる黒色または暗色の嵩上げ誘電体層２２Ａが形成されている。
【０１０１】
なお、図１８には、二次電子放出層７と蛍光体層８が、アドレス放電領域Ｅ３１と発光領域Ｅ３２にそれぞれ第１実施例の場合と同様に積層されていない態様で形成されている例が示されているが、二次電子放出層と蛍光体層の形成の態様は、第２実施例または第３実施例の場合と同様にしても良い。
【０１０２】
他の部分の構成は、第１実施例のＰＤＰとほぼ同様であり、同一の構成部分については第１実施例の場合と同一の符号が付されている。
【０１０３】
この例におけるＰＤＰも、第１ないし第４実施例のＰＤＰと同様に、アドレス放電が行電極Ｙ３と列電極Ｄ間においてアドレス放電領域Ｅ３１内で発生されることによって、アドレス放電の放電電圧にばらつきが発生するのを防止することが出来るとともにアドレス放電の放電電圧を低下させることができ、さらに、今後ＰＤＰの高精細化が進んだ場合でも、発光効率の向上への対応が容易になるとともに、隔壁を形成する際の製造技術上の困難性が緩和されて、製品の歩留まりの向上による低廉化が容易になる。
【０１０４】
そして、この第６実施例においては、前面ガラス基板１側から見て、アドレス放電領域Ｅ３１が黒色または暗色の嵩上げ誘電体層２２Ａによって覆われていることによって、このアドレス放電領域Ｅ３１において発生されるアドレス放電の光が前面ガラス基板１側から外部に漏れるのが防止され、これによって、パネル面に形成される画像のコントラストの向上が図られる。
【０１０５】
なお、この第６実施例のＰＤＰも第４実施例の場合と同様に、隣接する行電極対間で行電極Ｘ同士または行電極Ｙ同士が背中合わせになっているので、リセット放電が隣接する行電極対間で発生する虞がなく、このリセット放電をパネルの全面に亘って一斉に発生させことが可能になる。
【０１０６】
また、第１実施例の場合と同様に、この実施例においても、列電極Ｄが形成された背面ガラス基板４側に二次電子放出層７が形成されていることによって、列電極Ｄを負の電極側にしてスキャンを行うことが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】この発明の実施形態における第１実施例を模式的に示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】同実施例におけるＰＤＰの製造方法の一例を示す断面図である。
【図４】同例の製造方法を示す断面図である。
【図５】同実施例におけるＰＤＰの製造方法の他の例を示す断面図である。
【図６】同例の製造方法を示す断面図である。
【図７】この発明の実施形態における第２実施例を模式的に示す断面図である。
【図８】同実施例におけるＰＤＰの製造方法の一例を示す断面図である。
【図９】同例の製造方法を示す断面図である。
【図１０】この発明の実施形態における第３実施例を模式的に示す断面図である。
【図１１】同実施例におけるＰＤＰの製造方法の一例を示す断面図である。
【図１２】同例の製造方法を示す断面図である。
【図１３】この発明の実施形態における第４実施例を模式的に示す正面図である。
【図１４】図１３のＶ１−Ｖ１線における断面図である。
【図１５】この発明の実施形態における第５実施例を模式的に示す正面図である。
【図１６】図１５のＶ２−Ｖ２線における断面図である。
【図１７】この発明の実施形態における第６実施例を模式的に示す正面図である。
【図１８】図１７のＶ３−Ｖ３線における断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１                            …前面ガラス基板（一方の基板）
２，１２，２２                …誘電体層
１２Ａ，２２Ａ                …嵩上げ誘電体層
４                            …背面ガラス基板（他方の基板）
５                            …列電極保護層
６，１６，２６                …隔壁
６Ａａ，６Ａｂ，１６Ａ，２６Ａａ，２６Ａｂ
…横壁部
７，１７，２７                …二次電子放出層
８，１８，２８                …蛍光体層
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３              …放電セル（単位発光領域）
Ｄ                            …列電極
Ｅ１，Ｅ１１，Ｅ２１，Ｅ３１  …アドレス放電領域（第１領域部分）
Ｅ２，Ｅ１２，Ｅ２２，Ｅ３２  …発光領域（第２領域部分）
Ｓ                            …放電空間
Ｘ，Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３          …行電極（他方の行電極）
Ｙ，Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３          …行電極（一方の行電極）
Ｘａ，Ｙａ，Ｘ１ａ，Ｙ１ａ，Ｘ２ａ，Ｙ２ａ，Ｘ３ａ，Ｙ３ａ
…透明電極（電極突出部）
Ｘｂ，Ｙｂ，Ｘ１ｂ，Ｙ１ｂ，Ｘ２ｂ，Ｙ２ｂ，Ｘ３ｂ，Ｙ３ｂ
…バス電極（電極本体部）
ｂ                            …境界部分
ｇ                            …放電ギャップ
【図１】
2006073465.tif 000003
【図２】
2006073465.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2006073465.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006073465.tif 000009
【図８】
2006073465.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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