(57)【要約】【課題】  内部に残留する液体原料を確実に気化させて液残りの発生を抑制することが可能な気化装置を提供する。【解決手段】  圧送されてくる液体原料を減圧雰囲気中にて気化させると共に、発生した原料ガスをキャリアガスにより搬送するようにした気化装置において、前記圧送されてくる液体原料を一時的に貯留する液溜め室７０と、前記液溜め室に弁口６６を介して連通された気化室６２と、前記弁口を区画する弁座に前記液溜め室側から着座可能に設けられた弁体７２と、前記弁体を駆動するアクチュエータ手段８１と、前記弁体に前記弁口を臨むようにして設けられたキャリアガス噴射口９２を有するキャリアガス導入手段９０と、前記気化室内の原料ガスを排出する排出口２８とを備える。これにより、内部に残留する液体原料を確実に気化させて液残りの発生を抑制する。【選択図】  図２
2006193801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧送されてくる液体原料を減圧雰囲気中にて気化させると共に、発生した原料ガスをキャリアガスにより搬送するようにした気化装置において、
前記圧送されてくる液体原料を一時的に貯留する液溜め室と、
前記液溜め室に弁口を介して連通された気化室と、
前記弁口を区画する弁座に前記液溜め室側から着座可能に設けられた弁体と、
前記弁体を駆動するアクチュエータ手段と、
前記弁体に前記弁口を臨むようにして設けられたキャリアガス噴射口を有するキャリアガス導入手段と、
前記気化室内の原料ガスを排出する排出口と、
を備えたことを特徴とする気化装置。
【請求項２】
前記キャリアガス噴射口は、該キャリアガス噴射口から噴射される前記キャリアガスが前記液体原料と共に前記気化室内へ供給されるような位置に設けられることを特徴とする請求項１記載の気化装置。
【請求項３】
前記キャリアガス噴射口は、前記弁体が前記弁座に着座した時にも前記弁口を臨むような位置に設けられることを特徴とする請求項１または２記載の気化装置。
【請求項４】
前記キャリアガス噴射口から噴射される前記キャリアガスの噴射方向に前記気化室が配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の気化装置。
【請求項５】
前記弁口の前記気化室側には、前記液体原料と前記キャリアガスとを混合させて霧状にする混合エリアが設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の気化装置。
【請求項６】
前記混合エリアにはオリフィスが設けられることを特徴とする請求項５記載の気化装置。
【請求項７】
前記気化室内を加熱する気化室加熱手段が設けられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の気化装置。
【請求項８】
前記液溜め室へ導入される液体原料を予備加熱する予備加熱手段が設けられることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の気化装置。
【請求項９】
前記弁体には弁棒が連結され、該弁棒には前記キャリアガスを流すキャリアガス通路が形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の気化装置。
【請求項１０】
前記弁体は屈曲可能になされた薄板状の金属板よりなるダイヤフラムであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の気化装置。
【請求項１１】
被処理体に減圧雰囲気下にて所定の処理を施す処理装置において、
真空引き可能になされた処理容器と、
前記被処理体を載置する載置台と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内へ原料ガスを導入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段に連結された原料ガス通路と、
前記原料ガス通路の他端に連結された請求項１乃至１０のいずれかに記載の気化装置と、
よりなることを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理体に対して成膜処理等の所定の処理を行う処理装置及びこの所定の処理を行う際に用いる液体原料を気化させる気化装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路等を製造するには、半導体ウエハ等の被処理体に対して、成膜処理、エッチング処理、酸化拡散処理、還元処理等が繰り返し行われる。例えば成膜処理を例にとって説明すると、最近にあっては堆積させる膜種が多種多様化し、タンタルやチタンや銅等の多様な金属膜を成膜することが行われている。この種の金属膜を成膜するには、その原料として、蒸気圧が低いことから常温常圧で液体となっている液体原料が多く用いられている。具体的には、この液体原料を気化装置に圧送して、この気化装置内において減圧雰囲気下にて加熱気化し、発生した原料ガスをキャリアガスと共に減圧下の処理容器内へ搬入して例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により金属薄膜を半導体ウエハ上に堆積させるようになっている。
ところで、上記気化装置としては、例えば特許文献１に開示されているような気化装置が用いられており、この気化装置では流量制御されつつ圧送されてきた液体原料を、弁体により開閉可能になされた弁口を介して減圧雰囲気下の加熱状態の気化室内へ導入し、この液体原料を気化させるようになっている。この時、キャリアガスも上記気化室内へ供給して上記液体原料を霧状化し、その表面積を増大させることによって液体原料の気化を促進させて効率的に原料ガスを発生させるようになっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１４８３４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記したような気化装置においては、気化を停止した時には弁口より下流側の空間にあっては、原料液体が残留することは極力避けなければならない。しかしながら、実際の気化装置にあっては、上述したようにキャリアガスを気化室内へ導入しているとはいえ、このキャリアガスが十分に届かない領域もあって、いわゆるデッドスペースが僅かであるが発生してしまう。そして、このようなデッドスペースに付着している液体原料は容易には気化せずに、気化装置を停止した後においてもそのまま残留する場合がある。
この結果、この種の液体原料は一般的には有機金属錯体等の化合物である場合が多いので、熱安定性が悪く、上述のように液残りや気化不良によって残留した液体原料が気化装置内で熱分解して堆積物が発生する、といった問題があった。
【０００５】
更には、この種の堆積物が、気化装置の下流側に破片となって流れると、配管類を閉塞したり、パーティクルとなって処理容器内へ流れ込んだりするので、製品の歩留まりやＣＶＤプロセスの再現性を低下させる、といった問題があった。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、内部に残留する液体原料を確実に気化させて液残りの発生を抑制することが可能な気化装置及び処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、圧送されてくる液体原料を減圧雰囲気中にて気化させると共に、発生した原料ガスをキャリアガスにより搬送するようにした気化装置において、前記圧送されてくる液体原料を一時的に貯留する液溜め室と、前記液溜め室に弁口を介して連通された気化室と、前記弁口を区画する弁座に前記液溜め室側から着座可能に設けられた弁体と、前記弁体を駆動するアクチュエータ手段と、前記弁体に前記弁口を臨むようにして設けられたキャリアガス噴射口を有するキャリアガス導入手段と、前記気化室内の原料ガスを排出する排出口と、を備えたことを特徴とする気化装置である。
【０００７】
このように、気化室に通じる弁口を開閉する弁体にキャリアガスの噴射口を設け、これより噴射するキャリアガスにより弁口から流入する液体原料を霧状にして液体原料を気化させるようにしたので、弁口より気化室側に流入した液体原料は略完全に気化させることができ、弁体よりも下流側の装置内部に液体原料が残留して液残りが発生することを略確実に防止することができる。
従って、液残りに起因して発生していたパーティクルや配管類の閉塞が生ずることを防止でき、しかも成膜等のプロセスの再現性の低下も防止することができ、更に製品の歩留まりも向上させることができる。
【０００８】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記キャリアガス噴射口は、該キャリアガス噴射口から噴射される前記キャリアガスが前記液体原料と共に前記気化室内へ供給されるような位置に設けられる。
また例えば請求項３に規定するように、前記キャリアガス噴射口は、前記弁体が前記弁座に着座した時にも前記弁口を臨むような位置に設けられる。
また例えば請求項４に規定するように、前記キャリアガス噴射口から噴射される前記キャリアガスの噴射方向に前記気化室が配置されている。
また例えば請求項５に規定するように、前記弁口の前記気化室側には、前記液体原料と前記キャリアガスとを混合させて霧状にする混合エリアが設けられている。
また例えば請求項６に規定するように、前記混合エリアにはオリフィスが設けられる。
また例えば請求項７に規定するように、前記気化室内を加熱する気化室加熱手段が設けられる。
また例えば請求項８に規定するように、前記液溜め室へ導入される液体原料を予備加熱する予備加熱手段が設けられる。
また例えば請求項９に規定するように、前記弁体には弁棒が連結され、該弁棒には前記キャリアガスを流すキャリアガス通路が形成されている。
また例えば請求項１０に規定するように、前記弁体は屈曲可能になされた薄板状の金属板よりなるダイヤフラムである。
【０００９】
請求項１１に係る発明は、被処理体に減圧雰囲気下にて所定の処理を施す処理装置において、真空引き可能になされた処理容器と、前記被処理体を載置する載置台と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内へ原料ガスを導入するガス導入手段と、前記ガス導入手段に連結された原料ガス通路と、前記原料ガス通路の他端に連結された上記のいずれかの気化装置と、よりなることを特徴とする処理装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る気化装置及び処理装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
気化室に通じる弁口を開閉する弁体にキャリアガスの噴射口を設け、これより噴射するキャリアガスにより弁口から流入する液体原料を霧状にして液体原料を気化させるようにしたので、弁口より気化室側に流入した液体原料は略完全に気化させることができ、弁体よりも下流側の装置内部に液体原料が残留して液残りが発生することを略確実に防止することができる。
従って、液残りに起因して発生していたパーティクルや配管類の閉塞が生ずることを防止でき、しかも成膜等のプロセスの再現性の低下も防止することができ、更に製品の歩留まりも向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明に係る気化装置及び処理装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係る成膜装置の全体を示す概略構成図、図２は本発明に係る気化装置を示す断面図、図３は弁口が弁体により閉じられた時の状態を示す気化装置の断面図、図４は液溜め室内を示す平面図、図５はダイヤフラムよりなる弁体を下方より見た下面図である。
【００１２】
まず、図１を参照して処理装置の全体について説明する。
ここでは銅含有の有機金属材料よりなる液体原料を用いて金属膜として銅膜をＣＶＤにより成膜する場合を例にとって説明する。図１に示すように、この成膜装置２は、被処理体である半導体ウエハＷに実際に成膜処理を施す処理チャンバ４と、この処理チャンバ４に対して原料ガスを供給するために液体原料を気化させる気化装置６とにより主に構成される。
まず、上記処理チャンバ４は、アルミニウム等により筒体状に成形された処理容器８を有している。この処理容器８の底部に設けた排気口１０には、真空ポンプ１２等が介設された真空排気系１４が接続されており、上記処理容器８内を真空引きして減圧雰囲気にできるようになっている。この処理容器８内には底部より起立させて、この上面に半導体ウエハＷを載置して支持する載置台１６が設けられていると共に、この載置台１６には例えば加熱ヒータよりなる加熱手段１８が設けられており、上記ウエハＷを所定の温度に加熱し得るようになっている。尚、加熱手段１８として加熱ランプを用いることもできる。
【００１３】
また、上記処理容器８の側壁には、この容器内へウエハＷを搬入・搬出する際に開閉されるゲートバルブ２０が設けられる。そして、この処理容器８の天井部には、この容器内へ原料ガスを導入するためのガス導入手段として、例えばシャワーヘッド２２が設けられており、この下面のガス噴射面に設けた多数のガス噴射孔２２Ａより原料ガスを容器内へ噴射できるようになっている。このシャワーヘッド２２からは原料ガスの他に、他の必要なガス、ここでは例えばＡｒガス、Ｈ２ ガス等も供給できるようになっている。
具体的には、このシャワーヘッド２２のガス入口２４には、原料ガス通路２６が連結されており、この原料ガス通路２６の上流側端部が、上記気化装置６の排出口２８に接続されて、原料ガスを流すようになっている。この原料ガス通路２６の途中には、原料ガスの流れを遮断する開閉弁３０が介設されている。尚、原料ガス通路２６に、原料ガスの再液化を防止するためにこれを加熱するテープヒータ等を巻回するようにしてもよい。
【００１４】
そして、上記気化装置６の原料入口３２と、成膜用の液体原料３４を貯留する原料タンク３６内とを連結するようにして液体流路３８が設けられており、この液体流路３８の途中には液体原料の流量を制御する液体流量制御器４０と、この両側に位置された２つの開閉弁４２とがそれぞれ介設されている。上記液体流路３８の先端部は上記原料タンク３６内の液体原料３４中に浸漬されている。またこの密閉された原料タンク３４内の空間部には、途中に開閉弁４２の介設された圧送ガス流路４４の先端部が挿入されている。ここで圧送ガスとして加圧された不活性ガス、例えばＨｅガスが用いられており、この加圧されたＨｅガスにより液体原料３４を圧送できるようになっている。ここでは液体原料３４として例えばＣｕ（ＥＤＭＤＤ）２ を用いることができる。
また上記気化装置６のキャリアガス入口４６にはキャリアガス流路４８が接続されており、このキャリアガス流路４８の途中にはマスフローコントローラのような流量制御器５０と、この両側に位置された２つの開閉弁５２とがそれぞれ介設されている。このキャリアガスとしては不活性ガス、例えばＡｒガスを用いることができる。
【００１５】
一方、上記シャワーヘッド２２のガス入口２４には、他の必要なガスを供給するためのガス流路５４が接続されている。このガス流路５４は、ここでは途中で２つに分岐され、各分岐路にはそれぞれマスフローコントローラのような流路制御器５６、５８と、その前後に位置されて２つの開閉弁６０、６２がそれぞれ介設されており、ここではＨ２ ガスとＡｒガスとが必要に応じて供給できるようになっている。
【００１６】
次に、図２〜図５も参照して上記気化装置６の構造について説明する。図２及び図３に示すように、この気化装置６は、例えばステンレスやアルミニウム等よりなる筐体６０により比較的大空間に区画された気化室６２を有している。この気化室６２を区画する筐体６０の側壁には、ここで発生した原料ガスを下流側に向けて排出する排出口２８が設けられており、この排気口２８に上記原料ガス通路２６が接続される。上記気化室６２の天井部は円錐状（傘状）になされており、この気化室６２の天頂部にはこれより上方に僅かな長さだけ延びる混合路６４が上記気化室６２と一体化されて形成されている。そして、この混合路６４の上端開口部が弁口６６として形成され、この弁口６６を区画する周辺部が弁座６８となっている。また、この混合路６４内が液体原料とキャリアガスとを混合させて霧状にさせる混合エリア６５として構成され、この混合エリア６５の途中に細孔を有するオリフィス６７が介設されている。
【００１７】
そして、上記弁口６６の上方に、外部より圧送されてくる液体原料を一時的に貯留する液溜め室７０が形成される。従って、この液溜め室７０は、上記弁口６６を介して下方の気化室６２と連通された状態となっている。そして、この液溜め室７０の天井部は、屈曲可能になされた弁体７２により区画されている。この弁体７２としては、例えば薄板状の金属板よりなる円形のダイヤフラム７４（図５参照）により形成されており、このダイヤフラム７４には断面波状に変形されたリング状のコルゲ−ション７４Ａが形成されて、全体が屈曲可能になされている。
図４に示すように、上記弁口６６は、上記液溜め室７０の底部の略中央部に位置されており、この底部の一側にはこの液溜め室７０内へ液体原料を導入する原料導入口７６が形成されている。そして、この原料導入口７６には、上記筐体６０内を貫通して外部へ延びる液体導入路７８が連結されていると共に、この液体導入路７８の先端部は原料入口３２として形成され、この原料入口３２に上記液体流路３８が連結されて圧送されてきた液体原料を取り込むことができるようになっている。
【００１８】
上記円形ダイヤフラム７４の周縁部は、下方向に向けて凹部状になされた筐体蓋部８０により上記筐体６０の上端部側へ気密に圧着固定されている。そして、このダイヤフラム７４には、これを上下方向に屈曲駆動するためのアクチュエータ手段８１が設けられる。このアクチュエータ手段８１は、ここでは電磁アクチュエータよりなり、具体的には、上記ダイヤフラム７４の上面中央部には取付部材８２を介してパイプ状の弁棒８４が上方へ起立させて設けられている。この弁棒８４は、上記筐体蓋部８０を放嵌状態で上方へ貫通して延びており、その上部には磁性体８６が取り付けられている。そして、この弁棒８４を囲むようにして電磁コイル８８が設けられており、この電磁コイル８８に信号電流を流すことにより、所定のストローク内で任意の距離だけ上記弁棒８４を上方へ、或いは下方へ移動できるようになっている。尚、この場合、弁棒８４は常時、上方向、或いは下方向へ力が加えられており、信号電流を印加しない際には、弁口６６をノーマリオープン、或いはノーマリクローズ状態としている。
【００１９】
そして、この弁体７２であるダイヤフラム７４の部分に本発明の特徴とするキャリアガス導入手段９０が設けられる。具体的には、このキャリアガス導入手段９０は、ここでは上記ダイヤフラム７４の中央部に微細な開口よりなるキャリアガス噴射口９２を有している。そして、上記取付部材８２及び弁棒８４には、その内部を貫通するようにしてキャリアガス通路９４が形成されて上記キャリアガス噴射口９２に連通されている。そして、上記アクチュエータ手段８１を覆うようにしてカバー部材９６が設けられており、このカバー部材９６の上部に、上記キャリアガス流路４８に連結されるキャリアガス入口４６が取り付けられている。そして、このキャリアガス入口４８と上記キャリアガス通路９４の形成された弁棒８４の上端部との間が屈曲可能になされた金属製のベローズ９８により連結されている。従って、上記キャリアガス流路４８を流れてきたキャリアガスは、上記ベローズ９８内及び弁棒８４内のキャリアガス通路９４を流れて上記ダイヤフラム７４のキャリアガス噴射口９２より下方向、すなわち弁口６６へ向けて直接的に噴射できるようになっている。
【００２０】
ここで、このキャリアガス噴射口９２は、上記弁口６６を常に臨むようにして設けられ、また、このダイヤフラム７４が弁座６８に着座して弁口６６が閉じられた場合でも上記キャリアガス噴射口９２が上記弁口６６を臨むような位置になされている。
特に、ここでは上記キャリアガス噴射口９２から噴射されるキャリアガスの噴射方向に上記気化室６２が広がるように配置されており、液体原料のミスト化を促進させて気化効率を最大限に上げるようになっている。
そして、上記気化室６２を区画する筐体６０には、この気化室６２内を加熱して霧状の原料の気化を促進させるための気化室加熱手段１００が設けられている。更に上記液体導入路７８の原料入口３２の近傍にはここを流入してくる液体原料を予備的に加熱する予備加熱手段１０２が設けられており、液体原料の気化効率を高めるようになっている。
【００２１】
次に以上のように構成された成膜装置を用いて行われる成膜方法について説明する。
まず、図１を参照して成膜方法の全体的な流れについて説明する。
被処理体としての半導体ウエハＷは処理チャンバ４の処理容器８内へ収容されて載置台１６上に載置され、そして、加熱手段１８により所定のプロセス温度、例えば１００〜３００℃程度に維持される。また、この処理容器８内は真空排気系１４により真空引きされて所定の減圧雰囲気下、例えば１０〜５００Ｐａ程度に維持されている。そして、この処理容器８内に金属膜の成膜のためにＣｕ（ＥＤＭＤＤ）２ よりなる原料ガスがシャワーヘッド２２から供給されることになり、この原料ガスが熱分解しつつ同時に供給されるＨ２ ガス等と反応してＣＶＤによりウエハＷ上にＣｕ膜よりなる薄膜が堆積されることになる。
【００２２】
ここで上記原料ガスを発生するには、まず、原料タンク３６内に圧送ガス流路４４から加圧Ｈｅガスを供給することにより、この原料タンク３６内の液体原料３４は液体流路３８内を圧送され、この圧送された液体原料３４は、液体流量制御器４０によりその流量が制御されつつ原料入口３２より気化装置６内へ流れ込むことになり、ここで減圧雰囲気下にて気化されて原料ガスとなる。そして、この気化装置６へは、キャリアガスが流れ込み、この気化装置６内で液体原料を気化することによって発生した原料ガスは上記キャリアガスと共に排出口２８より下流側へ排出される。この原料ガスはキャリアガスと共に原料ガス通路２６の中を流れて上記シャワーヘッド２２に至ることになり、これにより上記したように処理容器８内へ供給されて成膜することになる。
【００２３】
次に、図２及び図３等も参照して上記気化装置６内の動作について説明する。図２は所定の弁開度で弁口が開いている状態を示し、図３は弁口が完全に閉じられて液体原料が流れていない状態を示している。
図２に示すように、流量制御されつつ圧送されてきた原料液体は、原料入口３２及び液体導入路７８を介して液溜め室７０内に流入する。この流入の際に、原料液体は予備加熱手段１０２によりある程度の温度まで予備加熱されて気化し易くなされる。
そして、液溜め室７０内に流入した液体原料は、この中央部に設けられた弁口６６に流れ込んで混合路６４及びオリフィス６７を通って減圧雰囲気になされ、且つ気化室加熱手段１００によって加熱されている気化室６２内にて気化されることになる。上記液体原料が混合路６４に流れ込む際には、ベローズ９８内及び弁棒８４のキャリアガス通路９４を流れてきたキャリアガスが、キャリアガス噴射口９２により噴射されているので、上記液体原料は噴射されたキャリアガスと共に混合路６４内で混合されて微粒子化乃至霧状（ミスト化）になされ、そして、霧状になされてオリフィス６７から気化室６２内へ拡散されて行き、効率的に気化されることになる。
【００２４】
そして、原料ガスの供給を停止する時には、アクチュエータ手段８１を駆動することにより弁棒８４を下方へ移動させて、図３に示すようにダイヤフラム７４を弁座６８に着座させて弁口６６を閉じる。これにより原料液体が気化室６２内へ流入できないようにして原料液体の供給を停止する。この際、キャリアガスの供給は継続的に行うことにより弁口６６よりも下流側に位置する領域、すなわち混合路６４内やオリフィス６７や気化室６２内に残留する微粒子状の液体原料は気化されるので液残りが発生することはない。
この場合、キャリアガス噴射口９２はダイヤフラム７４の中央部に設られているので、このダイヤフラム７４で図３に示すように弁口６６を閉じても、上記キャリアガス噴射口９２は弁口６６を直接的に臨むような位置になっている。その結果、このキャリアガス噴射口９２より噴射されるキャリアガスは、この弁口６６よりも下流側にデッドスペースを形成することなく隅々まで行き渡って隅々に残留する微粒子状の液体原料を略完全に気化させることができる。従って、従来の気化装置にあってはキャリアガスの行き届かないデッドスペースに液溜りが発生していたが、本実施例の気化装置では上述のようにデッドスペースがほとんど生じないので、残留する液体原料を略完全に気化させることができ、液残りが発生することを略確実になくすことができる。
このように液残りが発生しないことから、従来装置にて液残りに起因して発生していた配管類の閉塞やパーティクルの発生を阻止でき、従って、原料ガスを安定的に流すことができるので、製品の歩留まりやＣＶＤプロセスの再現性を高く維持することができる。尚、上記弁口６６を閉じた後に供給されるキャリアガスは、処理容器８内を通ることなく排気系に向けて配設されたバイパス管（図示せず）を経由して棄てられることになる。
【００２５】
また、ここではキャリアガス噴射口９２からのガスの噴射方向に気化室６２を配置するような構成としていることから、液体原料の微粒子化を効率的に行うことができる。更に、混合路６４にはオリフィス６７を設けているので、この点からも液体原料の微粒子化を効率的に行うことができる。
更に、上記弁棒８４の弁口開閉に伴うストロークは数１０μｍ程度であるが、このストロークを制御して弁開度を調整することにより、或いは弁口６６の開閉時間を制御することにより、気化室６２側へ流す液体原料の流量を制御することができる。
また上記実施例では、ダイヤフラム７４が着座する弁座６８の表面を平坦なフラット面としたが、これに限定されず、例えば図６に示す部分断面図に示すように、弁座６８の部分に上記弁口６６を囲むようにして断面半円の突起状のシール突起１１０をリング状に形成してもよい。これによれば、シール突起１１０にダイヤフラム７４が着座してシールされるので、このシール性を高くすることができる。
【００２６】
また上記実施例では、弁棒８４をパイプ状に成形して内部にキャリアガス通路９４を設けるようにしたが、これに限定されず、例えば図７に示すように構成してもよい。図７は本発明の気化装置の変形例を示す断面図である。尚、ここでは図１に示す構成部分と同一構成部分には同一符号を付してある。図７に示すように、ここでは弁棒８４としては中空のパイプ状ではなく、一本の棒体が用いられている。そして、筐体６０の上部側壁にキャリアガス入口４６を設け、このキャリアガス入口４６と弁棒８４の下端の取付部材８２に形成した流路１１２との間をベローズ１１４で連結し、これにより、ダイヤフラム７４の中央部に設けたキャリアガス噴射口９２より下方に向けてキャリアガスを噴射するようになっている。
この場合にも、図１に示す装置例と同様な作用効果を発揮することができる。また上記各実施例では、弁体７２であるダイヤフラム７４の中央部にキャリアガス噴射口９２を設けたが、これに限定されず、弁口６６を閉じた時にもこの弁口６６を臨むことができる位置ならば、このキャリアガス噴射口９２をダイヤフラム７４の中央部より偏心させた位置に設けるようにしてもよい。
【００２７】
また、ここではアクチュエータ手段８１として電磁アクチュエータを用いたが、これに限定されず、ピエゾ素子等を積層してなる圧電素子積層アクチュエータ、エアシリンダー等よりなるエアーアクチュエータ等を用いることができる。
また、キャリアガスは原料ガスと反応しないガスであるならばどのようなガスでもよく、原料ガスに応じて例えばＡｒガスの他に、Ｈｅガス、Ｎ２ ガス、Ｈ２ ガス等を用いることができる。
また、上記実施例では、成膜用の液体原料としてＣｕ（ＥＤＭＤＤ）２ を用いた場合を例にとって説明したが、他の液体原料として、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ（ヘキサフルオロアセチルアセトナト−トリメチルビニルシリル銅）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＢＴＤＥＴ（ターシャリーブチルイミド−トリ−ジエチルアミドタンタル）、ＰＥＴ（ペンタエトキシタンタル）、ＴｉＣｌ４ （四塩化チタン）、ＴＭＳ（テトラメチルシラン）、ＴＥＨ（テトラキスエトキシハフニウム）等を用いることができる。
【００２８】
また更に、本実施例では所定の処理として成膜処理を行う場合について説明したが、これに限定されず、金属酸化膜の還元処理や金属膜のエッチング処理等を行う場合にも、液体原料を用いる時には本発明装置を用いることができる。例えば上記還元処理を行う時には有機系の還元用液体原料が用いられ、また、エッチング処理を行う時には、液体トリフロロ酢酸、ヘキサフロロアセチルアセトン、酢酸等が用いられ、このようなときに本発明装置を適用することができる。
また、ここでは被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、これに限定されず、ガラス基板、ＬＣＤ基板等にも本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明に係る成膜装置の全体を示す概略構成図である。
【図２】本発明に係る気化装置を示す断面図である。
【図３】弁口が弁体により閉じられた時の状態を示す気化装置の断面図である。
【図４】液溜め室内を示す平面図である。
【図５】ダイヤフラムよりなる弁体を下方より見た下面図である。
【図６】本発明に係る気化装置の弁座の変形例を示す部分断面図である。
【図７】本発明の気化装置の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
２  成膜装置
４  チャンバ
６  気化装置
８  処理容器
１６  載置台
１８  加熱手段
２２  シャワーヘッド（ガス導入手段）
２６  原料ガス通路
２８  排出口
３２  原料入口
３６  原料タンク
４６  キャリアガス入口
６０  筐体
６２  気化室
６５  混合エリア
６６  弁口
６７  オリフィス
６８  弁座
７０  液溜め室
７２  弁体
７４  ダイヤフラム
８１  アクチュエータ手段
８４  弁棒
９０  キャリアガス導入手段
９２  キャリアガス噴射口
１００  気化室加熱手段
１０２  予備加熱手段
Ｗ  半導体ウエハ（被処理体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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