(57)【要約】【課題】  本発明はプラズマＣＶＤ法を用いて光電変換層光電変換層を形成する場合に、光劣化後において良好な性能を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明によるシリコン系薄膜光電変換装置は、光入射側より順に、透明導電酸化物層、ｐ型半導体層、光電変換初期層、光電変換層、及びｎ型半導体層が形成されてなる非晶質シリコン系光電変換装置であって、前記ｐ型半導体層、前記光電変換初期層、及び前記光電変換層中の水素原子含有量が、順次増加することを特徴とする非晶質シリコン系光電変換装置である。その製造方法は、前記光電変換初期層が結晶化しない程度に原料ガスが希釈ガスで希釈された条件で形成することを特徴とする。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光入射側より順に、透明導電酸化物層、ｐ型半導体層、光電変換初期層、光電変換層、及びｎ型半導体層が形成されてなる非晶質シリコン系光電変換装置であって、
該ｐ型半導体層、該光電変換初期層、及び該光電変換層中の水素原子含有量が、
下記（式１）の関係を満たすことを特徴とする非晶質シリコン系光電変換装置。
【数１】
2006140339.tif 000007
【請求項２】
光入射側より順に、透明導電酸化物層、ｐ型半導体層、光電変換初期層、光電変換層、及びｎ型半導体層が形成されてなる非晶質シリコン系光電変換装置の製造方法であって、該ｐ型半導体層は、該光電変換初期層および該光電変換層とは異なる反応室内において形成され、且つ該光電変換初期層と該光電変換層の少なくとも一部は同一の反応室内において形成され、さらに該光電変換初期層は結晶化しない程度にシリコン系原料ガスが希釈ガスで希釈された条件で形成されることを特徴とする請求項１に記載の非晶質シリコン系光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記光電変換初期層層形成時のシリコン系原料ガスに対する希釈ガスの流量比が３０倍以上かつ１００倍以下の範囲であることを特徴とする前記請求項２に記載の非晶質シリコン系光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非晶質シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法に関し、特に非晶質シリコン系光電変換層を含むシリコン系薄膜光電変換装置の性能改善に関するものである。なお、本願明細書における「結晶質」、「微結晶」との用語は、部分的に非晶質を含んでいるものも含んでいるものとする。
【背景技術】
【０００２】
近年、光電変換装置の低コスト化、高効率化を両立するために資源面での問題もほとんど無い薄膜光電変換装置が注目され、開発が精力的に行われている。薄膜光電変換装置は、太陽電池、光センサ、ディスプレイなど、さまざまな用途への応用が期待されている。薄膜光電変換装置の一つである非晶質シリコン光電変換装置は、低温で大面積のガラス基板やステンレス基板上に形成できることから、低コスト化が期待できる。
【０００３】
非晶質シリコン系光電変換装置は、一般にその光入射側から透明導電酸化物層の第一電極と、１以上の半導体薄膜光電変換ユニットと、及び第二電極とを含んでいる。そして１つの薄膜光電変換ユニットはｐ型半導体層とｎ型半導体層でサンドイッチされたｉ型の光電変換層からなる。ここで、光電変換ユニットまたは薄膜太陽電池は、それに含まれるｐ型とｎ型の半導体層が非晶質か結晶質かにかかわらず、その主要部を占めるｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質光電変換ユニットまたは非晶質薄膜太陽電池と称される。
【０００４】
ｐ型半導体層やｎ型半導体層は光電変換ユニット内に拡散電位を生じさせる役割を果たしており、その拡散電位の大きさによって光電変換装置の重要な特性である開放端電圧の値が左右される。非晶質シリコン系光電変換装置においては、ｐ型半導体層の光学的禁制帯幅を拡大してｐ型層内での光吸収損失を低減するために高周波プラズマＣＶＤ法を用いたｐ型層形成時の原料ガスとして、シラン系ガス、水素ガス、ジボラン等のドーピングガスとともにメタンあるいはエチレンなどの炭化水素系ガスを用いて非晶質シリコンカーバイドとすることが一般的である。さらに上記ｐ型半導体層と光電変換層の間には２つの層の光学禁制帯幅の不整合を緩和するためにバッファ層を挿入することが一般的に行われている。そして、このｐ型半導体層形成後のバッファ層には実質的に真性半導体の非晶質シリコンカーバイドが広く用いられており、ｐ型半導体層を形成後同一の反応室内で原料ガスの流量を調整することにより形成される。
【０００５】
光電変換層としてｉ型非晶質シリコンを用いる非晶質シリコン系薄膜太陽電池では、光照射により太陽電池の光電変換効率が低下するステブラーロンスキー効果と呼ばれる光劣化現象が起こる。ステブラーロンスキー効果が起こる原因は未だ明らかにされていないが、この光劣化現象はｉ型光電変換層の膜特性に加えてｐ型半導体層と光電変換層の接合界面付近の特性によって大きく左右されることが分かっている。このため光電変換層の初期層や、ｐ型半導体層のうち光電変換層と接する最近接の層に工夫を加えて、ｐ型半導体層と光電変換層の界面特性を良好なものにしようと様々な検討が行われている。
【０００６】
非特許文献１には、化学的気相成長法により光電変換層を形成したガラス基板等の透明基板上にｐ、ｉ、ｎ型半導体層の順に形成した光電変換装置である所謂ｐｉｎ型光電変換装置の製造方法において、光電変換層を形成する際に、ｐ型半導体層との界面側に位置する界面近傍の製膜初期領域では光電変換層を成長速度が遅い条件で形成した後、成長速度を速い条件に切り替えて光電変換層を形成するという手法が記載されている。この手法によれば、ｐ型半導体層と接する領域における光電変換層の欠陥生成を抑制できるため光電変換特性が向上するとしている。しかしながら、光照射後の光電変換効率は１００ｍＷ／ｃｍ２、２０時間の光照射後で８％以下の値にとどまっている。
【０００７】
また、特許文献１は、化学的気相成長法により光電変換層を形成する光電変換装置の製造方法において、光電変換層が形成される下地半導体層（ｐｉｎ型光電変換装置ではｐ型半導体層に相当）の光電変換層との界面近傍の膜中水素の濃度を、下地半導体層のバルクの膜中水素濃度に比べて相対的に少なくなるように形成した後、光電変換層を形成するという手法が記載されている。この手法によれば、プラズマＣＶＤの初期放電に起因した光電変換層の初期層中に含まれる高濃度の水素が、低水素量の界面付近の下地半導体層に拡散することにより、一定量の水素濃度プロファイルを形成することができる、としている。つまり、特許文献１に記載された製法は、ｐ層の膜中水素量が光電変換層のそれよりも多いことを前提とした技術であり、同文献に記載されたｐ層の形成温度は１２０℃と低く、その膜中水素量は２１原子％と非常に多い。このような条件で作製したｐ層は通常ドーパントであるボロンの活性化率が低く、光電変換装置の出力特性に影響を及ぼす。従って、通常はｐ層の形成温度としては１７０℃程度以上とすることが多い。そのような形成温度においては、ｐ層の膜中水素量は光電変換層のそれと同等以下となる。
【非特許文献１】R.E.I. Schropp, Solar Energy Materials and Solar Cells, Vol.34, pp455-463, 1994.
【特許文献１】特開２００２−２７０８７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のような課題を鑑み、本発明はプラズマＣＶＤ法を用いて光電変換層を形成する場合に、光劣化後において良好な性能を有する非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の非晶質シリコン系光電変換装置は光入射側より順に、透明導電酸化物層、ｐ型半導体層、光電変換初期層、光電変換層、及びｎ型半導体層が形成されてなり、前記ｐ型半導体層、前記光電変換初期層、及び前記光電変換層中の水素原子含有量が、下記（式１）の関係を満たすことを特徴とする非晶質シリコン系光電変換装置であり、ｐ層が十分ドーパントが活性化されるように形成され、その結果、ｐ層の膜中水素量が光電変換層のそれと同等以下となっている場合においても、光劣化が抑制される。
【００１０】
【数２】
2006140339.tif 000002
また、本発明の非晶質シリコン系光電変換装置の製造方法は、光入射側より順に、透明導電酸化物層、ｐ型半導体層、光電変換初期層、光電変換層、及びｎ型半導体層が形成されてなる非晶質シリコン系光電変換装置の製造方法であって、前記ｐ型半導体層は、前記光電変換初期層および前記光電変換層とは異なる反応室内において形成され、且つ前記光電変換初期層と前記光電変換層の少なくとも一部は同一の反応室内において形成され、さらに前記光電変換初期層は結晶化しない程度にシリコン系原料ガスが希釈ガスで希釈された条件で形成されることを特徴とする非晶質シリコン系光電変換装置の製造方法である。光電変換初期層の作製時にシラン系ガスに対する水素等の希釈ガスの流量比を大きな値とすることにより、形成される光電変換初期層の光安定性を向上させている。光電変換初期層が結晶化すると、その光学バンドギャップはｐ型半導体層および光電変換層の光学バンドギャップよりも小さな値となるために、光学的な反射損失およびバンドギャップ不整合が生ずる。このため、光電変換初期層は結晶化していないことが必要である。さらに、光電変換初期層の形成を光電変換層の少なくとも一部と同じ反応室内で行い、ｐ型半導体層を形成する反応室とは別の反応室を用いることにより、光電変換初期層の光安定性を阻害するドーピング元素等の不純物の量を抑制することが可能となる。
【００１１】
また、本発明の光電変換初期層に用いられるシラン系原料ガスに対する希釈ガスの流量比は、具体的には３０倍以上かつ１００倍以下の範囲であることが望ましい。このような作製条件にすることにより、光電変換装置全体の光安定性を大きく左右する光電変換初期層の光安定性が向上し、結果として作製した非晶質シリコン系薄膜光電変換装置の光安定化特性が向上する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、初期特性に優れ、かつ、光劣化後の特性に優れた、非晶質シリコン系光電変換素子、及びその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明者らは、ｐ層を十分ドーパントが活性化されるように形成温度１７０℃程度以上で形成し、その結果、ｐ層の膜中水素量が光電変換層のそれと同等以下となっている場合においても、光劣化が抑制された非晶質シリコン系光電変換装置を得るために好ましい各層膜中の水素量について主種検討を実施し、本発明を為すに到った。つまり、前述した特許文献１で開示された手法を用いる限り、ｐ層の膜中水素量が光電変換層のそれと同等以下の場合において、光電変換装置の初期性能および光劣化後の性能を更に改善することにはつながらないので、別な手法が必要であるとの認識から、本発明を為すに到った。
【００１４】
以下において本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお本願の各図において、厚さや長さなどの寸法関係については図面の明瞭化と簡略化のため適宜変更されており、実際の寸法関係を表してはいない。また、各図において、同一の参照符号は同一部分または相当部分を表している。
【００１５】
図１に、本発明の実施形態の一例による光電変換装置の断面図を示す。透明基板１上に、透明導電酸化物層２、ｐ型半導体層３１、実質的に真性な光電変換初期層３２、光電変換層３３、ｎ型半導体層３４、および裏面電極層４が順に配置されている。
【００１６】
基板側から光を入射するタイプの光電変換装置にて用いられる透明基板１には、ガラス、透明樹脂等から成る板状部材やシート状部材が用いられる。透明導電酸化物層２は酸化錫等の導電性金属酸化物から成り、ＣＶＤ、スパッタ、蒸着等の方法を用いて形成されることが好ましい。透明導電酸化物層２はその表面に高低差が０．０５〜０．３μｍ程度の微細な凹凸を有することにより、入射光の散乱を増大させる効果を有することが望ましい。
【００１７】
透明導電体の凹凸の度合いを表す指標としてヘイズ率という値が用いられる。これはある規定されたの光源の光、通常は可視光を含むＣ光源を用いて光の散乱度合いを測定することにより計算される。本発明の実施形態のうち前記透明導電酸化物層は、このヘイズ率の値が７％以上、より好ましくは１５％以上であることが望ましい。
【００１８】
ｐ型半導体層３１としては、たとえば導電型決定不純物原子であるボロンが０．０１原子％以上ドープされたｐ型非晶質シリコン薄膜などが用いられ得る。しかし、ｐ型半導体層３１についてのこれらの条件は限定的なものではなく不純物原子としてはたとえばアルミニウムなどでもよく、また非晶質シリコンカーバイドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの合金材料の層が用いられてもよい。
【００１９】
次にｐ型半導体層３１の上に実質的に真性な光電変換初期層３２を形成するがこの光電変換初期層はプラズマＣＶＤ法により形成され、少なくとも前記実質的に真性な光電変換初期層３２とｐ型半導体層３１の作製は異なる反応室内において行い、前記実質的に真性な光電変換初期層３２は光電変換層作製時と同じ反応室内において形成される。また、この真性な光電変換初期層の製膜条件としては、シラン系ガスに対する希釈ガスの流量比が３０倍以上かつ１００倍以下の範囲であることが望ましい。
【００２０】
さらに、実質的に真性な光電変換初期層３２を形成したＣＶＤ反応室と同じ反応室内で光電変換層３３を形成する。前記光電変換層３３としてはノンドープの非晶質シリコン薄膜や微小の不純物を含む弱ｐ型もしくは弱ｎ型で光電変換効率を十分に備えているシリコン系薄膜材料が使用され得る。また、光電変換層３３はこれらの材料に限定されず、非晶質シリコンカーバイドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの合金材料の層が用いられても良い。
【００２１】
またｎ型半導体層３４としては、たとえば導電型決定不純物原子であるリンが０．０１原子％以上ドープされたｎ型非晶質シリコン薄膜などが用いられ得る。しかし、ｎ型半導体層３４についてのこれらの条件は限定的なものではなく、微結晶シリコン薄膜あるいは非晶質シリコンカーバイドや非晶質シリコンゲルマニウムなどの合金材料の層が用いられてもよい。
【００２２】
裏面電極層４としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、ＰｔおよびＣｒから選ばれる少なくとも一つの材料からなる少なくとも一層の金属層をスパッタ法または蒸着法により形成することが好ましい。また、光電変換ユニットと裏面電極との間に、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ等の導電性酸化物からなる層を形成しても構わない（図示せず）。
【実施例】
【００２３】
以下、本発明のいくつかの実施例による非晶質シリコン系薄膜光電変換装置としての非晶質シリコン系薄膜太陽電池が、比較例による太陽電池とともに説明される。
【００２４】
（実施例１）
図１を参照して説明された第一の実施の形態に対応して、実施例１としての非晶質シリコン太陽電池が作製された。基板１にはガラスを用い、透明導電酸化物層２には熱ＣＶＤ法により形成されたＳｎＯ２を用いた。この際の透明導電酸化物層２の膜厚は８００ｎｍ、シート抵抗は１０オーム／□、ヘイズ率は１５〜２０％とした。この上に、ボロンドープのｐ型シリコンカーバイド（ＳｉＣ）層３１を１０ｎｍ、ノンドープの非晶質シリコン光電変換層３３を２５０ｎｍ、リンドープのｎ型微結晶シリコン層３４を２０ｎｍの膜厚で、それぞれプラズマＣＶＤ法により製膜した。これにより、ｐｉｎ接合の非晶質シリコン光電変換ユニットを形成した。さらに裏面電極層４としてＺｎＯ膜を８０ｎｍ、Ａｇ膜を３００ｎｍの膜厚で、それぞれスパッタ法により形成した。
【００２５】
ｐ型シリコンカーバイド層３１は、平行平板型高周波プラズマＣＶＤ法で堆積した。そのときの製膜条件については、プラズマの励起周波数を２７．１２ＭＨｚ、下地温度を１９０℃、反応室内圧力を３Ｔｏｒｒとして形成した。プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスとしてシラン、メタン、ジボラン、および水素が用いられ、それらのガスの流量比はシラン１に対してメタンが１．６であり、ジボランが０．０１であり、水素が３８に設定された。以上の条件で１０ｎｍの膜を堆積した後、そのまま放電を切らずにジボランおよびメタンのガス供給を止め、水素のシランに対するガス流量比を８０に設定して１０ｎｍの膜を続けて堆積した。
【００２６】
そして、このｐ型シリコンカーバイド層３１の上に実質的に真性な光電変換初期層３２をｐ型シリコンカーバイド層とは異なる反応室を用いて平行平板型高周波プラズマＣＶＤ法で製膜した。その時の製膜条件は、プラズマの励起周波数を２７．１２ＭＨｚ、下地温度を２１５℃、反応室内圧力を３Ｔｏｒｒとして形成した。プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスとしてシリコン系原料ガスであるシランおよび希釈ガスである水素が用いられ、それらのガスの流量比（希釈ガス／シリコン系原料ガス）５０、つまりシラン１に対して水素が８０に設定された。このように実質的に真性な光電変換初期層３２を製膜した後、真性な光電変換初期層３２を製膜したのと同じ反応室を用いて光電変換層３３をプラズマＣＶＤ法により製膜した。
【００２７】
このような実施例１の非晶質シリコン太陽電池に入射光としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で照射したときの出力特性は、開放端電圧が０．９０５Ｖ、短絡電流密度が１５．８ｍＡ／ｃｍ２、曲線因子が７４．５％そして変換効率が１０．７％であった。また、この実施例１で作製した太陽電池に５０℃の太陽電池温度の元で５００ｍＷ／ｃｍ2の光照度の光を２０時間照射することにより、この非晶質シリコン太陽電池を光劣化させた後に、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で測定した出力特性は、開放端電圧が０．８６６Ｖ、短絡電流密度が１５．０ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子が６４．２％そして変換効率が８．３４％であった。
【００２８】
実施例１で作製した太陽電池の中の水素プロファイルを裏面電極層４側からＳＩＭＳにより複数箇所測定したところ、水素量は光電変換層３３からｐ型シリコンカーバイド層３１にわたってｐ型シリコンカーバイド層３１側に向かってわずかに減少しており、その測定値は５．５×１０21atomsｃｍ-3〜５．０×１０21atomsｃｍ-3（１１〜１０原子％に相当）であった。また、実施例１で作製した太陽電池の断面ＴＥＭを撮影したところ、図２に示すように光電変換初期層３２は結晶化していないことが確認された。
【００２９】
（比較例１）
同じく図１に示す構成の非晶質シリコン太陽電池を作製した。実質的に真性な光電変換初期層３２の形成のみを省略し、それ以外の製膜条件は実施例１と同一とした。
【００３０】
このような実施例１の非晶質シリコン太陽電池に入射光としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で照射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．９０６Ｖ、短絡電流密度が１５．８ｍＡ／ｃｍ２、曲線因子が７４．５％そして変換効率が１０．７％であった。また、この実施例１で作製した太陽電池に５０℃の太陽電池温度の元で５００ｍＷ／ｃｍ2の光照度の光を２０時間照射することにより、この非晶質シリコン太陽電池を光劣化させた後に、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で測定した出力特性は、開放端電圧が０．８６８Ｖ、短絡電流密度が１５．１ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子が６２．３％そして変換効率が８．１５％であった。
【００３１】
（比較例２）
同じく図１に示す構成の非晶質シリコン太陽電池を作製した。実質的に真性な光電変換初期層３２の製膜条件以外は実施例１と全く同じとした。
【００３２】
実質的に真性な光電変換初期層３２の製膜条件は、プラズマの励起周波数を２７．１２ＭＨｚ、下地温度を２１５℃、基板電極間距離を実施例１の０．８倍、反応室内圧力を３Ｔｏｒｒとして形成した。プラズマＣＶＤ反応室内に導入される原料ガスとしてシランおよび水素が用いられ、それらのガスの流量比はシラン１に対して水素が８０に設定された。基板電極間距離を短くすることにより、このような条件で作製された半導体層は一部が結晶化して微結晶状態となる。このように実質的に真性な光電変換初期層３２を製膜した後、真性な光電変換初期層３２を製膜したのと同じ反応室を用いて光電変換層３３をプラズマＣＶＤ法により製膜した。
【００３３】
このような実施例１の非晶質シリコン太陽電池に入射光としてＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で照射したときの出力特性においては、開放端電圧が０．９０４Ｖ、短絡電流密度が１５．７ｍＡ／ｃｍ２、曲線因子が７２．９％そして変換効率が１０．４％であった。また、この実施例１で作製した太陽電池に５０℃の太陽電池温度の元で５００ｍＷ／ｃｍ2の光照度の光を２０時間照射することにより、この非晶質シリコン太陽電池を光劣化させた後に、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で測定した出力特性は、開放端電圧が０．８６４Ｖ、短絡電流密度が１４．６ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子が６３．９％そして変換効率が８．０８％となり、実施例１の結果と比較して作製した太陽電池の短絡電流が特に光劣化後の結果で低くなり、特性が低下した。
【００３４】
（実施例２、３および比較例３）
図１を参照して説明された第一の実施の形態に対応して、実質的に真性な光電変換初期層３２の形成条件として原料ガスに対する希釈ガスの流量比率を変え、それ以外は実施例１あるいは比較例２と同様の方法で非晶質シリコン太陽電池を作製した。製膜条件としては下地温度を１９０℃、反応室内圧力を３Ｔｏｒｒ、実質的に真性な光電変換初期層３２形成時の反応室内に導入される原料ガスに対する希釈ガスの流量比率の各値に対する光電変換特性を比較した結果を表１および表２に示す。また、同表には実施例１および比較例１〜２の結果についても示している。表１は、作製した初期の非晶質シリコン太陽電池にＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で照射したときの出力特性を示しており、表２は、この非晶質シリコン太陽電池に５０℃の太陽電池温度の元で５００ｍＷ／ｃｍ2の光照度の光を２０時間照射する事により光劣化させた後に、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で測定した出力特性を示している。
【００３５】
【表１】
2006140339.tif 000003
【００３６】
【表２】
2006140339.tif 000004
以上の結果から、前記実質的に真性の半導体層の製膜条件としては光劣化後の非晶質シリコン太陽電池の特性を向上させるために、最適な原料ガスに対する希釈ガスの流量比が有ることが判った。
【００３７】
（実施例４、５および比較例４、５）
また、実施例１の非晶質シリコン太陽電池の光電変換層３３の膜厚のみを２５０ｎｍから３００ｎｍ、３３０ｎｍと変えたものを実施例４、５とし、比較例１の光電変換層３３の膜厚のみを２５０ｎｍから３００ｎｍ、３３０ｎｍと変えたものを比較例４、５とした。前記の実施例および比較例の光電変換特性を比較した結果を表３および表４に示す。表３は、作製した初期の非晶質シリコン太陽電池にＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で照射したときの出力特性を示しており、表４は、この非晶質シリコン太陽電池に５０℃の太陽電池温度の元で５００ｍＷ／ｃｍ2の光照度の光を２０時間照射する事により光劣化させた後に、ＡＭ１．５の光を１００ｍＷ／ｃｍ２の光照度で測定した出力特性を示している。
【００３８】
【表３】
2006140339.tif 000005
【００３９】
【表４】
2006140339.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の実施形態による光電変換装置の構造断面図。
【図２】本発明の実施例１で作製した光電変換装置の断面ＴＥＭ像。
【符号の説明】
【００４１】
１      透明基板
２      透明導電酸化物層
３１    ｐ型半導体層
３２    光電変換初期層
３３    光電変換層
３４    ｎ型半導体層
４      裏面電極層
【図１】
2006140339.tif 000008
【図２】
2006140339.tif 000009