(57)【要約】 【課題】  装置の小型化および低コスト化が図れ、基板の配線設計がより簡略化できる光集積ユニットおよび光ピックアップ装置を提供する。【解決手段】  偏光分離手段１５によって反射される往路光を受光する第１受光素子１７は、半導体レーザ素子１３が設けられるステム２５上のステムブロック２５ａに設けられ、第１受光素子１７と外部回路との接続を半導体レーザ素子１３と外部回路との接続と同様にステム２５裏側の電極ピン２６により行えるようになるので、光集積ユニット１０１および光ピックアップ装置１２としての小型化が図れ、配線設計が簡略化できる。また、受光素子専用のステム、電極ピンなどの部品が不要であるので、低コスト化も期待できる。【選択図】      図１
2006073080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報が光によって記録または再生される光記録媒体に向けて光を出射し、光記録媒体からの反射光を受光する光集積ユニットにおいて、
少なくとも光を出射する光源と、
光源から出射された往路光と、光源から出射されて光記録媒体で反射された復路光とを分離する光分離手段と、
光分離手段によって反射された往路光をさらに反射する第１の反射手段と、
第１の反射手段によって反射された往路光を受光する第１の受光素子とを含み、
光源から出射された往路光の進行方向に対して、第１の受光素子に入射する往路光の進行方向が逆方向もしくはそれに近い方向になるように、第１の反射手段および第１の受光素子が配置されることを特徴とする光集積ユニット。
【請求項２】
第１の反射手段および第１の受光素子は、
第１の受光素子に入射する往路光の入射方向が傾斜角度を有するように配置されることを特徴とする請求項１記載の光集積ユニット。
【請求項３】
第１の反射手段は、光源から出射され光分離手段によって第１の反射手段に向けて反射された光の一部のみを反射するように設けられることを特徴とする請求項１または２記載の光集積ユニット。
【請求項４】
光分離手段と第１の反射手段との間または第１の反射手段と第１の受光素子との間には、往路光を遮蔽する遮蔽部材が設けられ、
遮蔽部材は、往路光の一部を透過させる開口部が形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項５】
第１の反射手段は、反射面を有し、反射面における反射率が反射面内の位置に応じて異なるように形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項６】
第１の反射手段の反射面は、
反射面の光分離手段から離れた一端部から光分離手段寄りの他端部に向かって、一方向に反射率が低くなるように形成されることを特徴とする請求項５記載の光集積ユニット。
【請求項７】
第１の反射手段は、反射面を有し、反射面の反射率が、反射面中央付近で最も高く、中央付近から離反すると低くなるように形成されることを特徴とする請求項５記載の光集積ユニット。
【請求項８】
第１の反射手段と第１の受光素子との間における往路光の光路中に、往路光を回折する第１の回折手段が設けられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項９】
第１の受光素子の受光面は、
光源の発光面に対して光記録媒体寄りに位置することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項１０】
光記録媒体から反射された復路光を受光する第２の受光素子であって、光源が設けられる往路光の光軸に垂直な平面に平行な平面に設けられる第２の受光素子と、
光記録媒体から反射された復路光を第２の受光素子に向けて反射する第２の反射手段と、
第２の反射手段と第２の受光素子との間に設けられ、第２の反射手段により反射された光を第２の受光素子に向けて回折する第２の回折手段とを含み、
光分離手段は、
光記録媒体により反射された復路光を第２の反射手段に向けて反射するように設けられることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の光集積ユニット。
【請求項１１】
光記録媒体から反射された光を第１の受光素子に向けて回折する第３の回折手段を含み、
第２の回折手段と第３の回折手段とが、同一の部材に備えられることを特徴とする請求項１０記載の光集積ユニット。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１つに記載の光集積ユニットを備え、
光集積ユニットと光記録媒体との間に配置され光集積ユニットから出射された光を光記録媒体上に集光させる集光手段と、
光集積ユニットと集光手段との間に配置される１／４波長板とを含むことを特徴とする光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光集積ユニットおよび光ピックアップ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報の記録または再生が可能な光記録媒体として、波長７８０ｎｍの光によって情報の記録および再生が行われるＣＤ（Compact Disc）が広く使用されている。また最近では、光記録媒体の記録容量の大容量化にともない、ＣＤよりもさらに多くの情報を記録することができるＤＶＤ（Digital Versatile Disc）が使用されている。ＤＶＤに対する情報の記録および再生は、ＣＤに用いられる波長よりも短い波長６３０〜６９０ｎｍの光によって行われる。
【０００３】
光記録媒体の情報の再生は、光記録媒体に存在する微細なピットにレーザ光を照射し反射させ、その反射光の光量の変化を記録情報として捉える光ピックアップ装置によって行われる。なお光ピックアップ装置による光記録媒体の情報の記録は、光記録媒体に存在するランドおよびグルーブからなるトラック溝にレーザ光を照射し、ピットを生成することによって行われる。光ピックアップ装置は、たとえば、レーザ光を出射する光源である半導体レーザ素子、半導体レーザ素子から出射されるレーザ光を３ビームに回折する３ビーム生成用回折素子、予め定められる角度に設けられて光を透過または反射させる光分離手段、光記録媒体からの反射光を検出する光検出用受光素子および光記録媒体からの反射光を光検出用受光素子に向けて回折する回折素子を含む光集積ユニットと、入射光を平行光に変化させるコリメートレンズおよび光記録媒体の情報記録面に集光させる対物レンズを含む集光ユニットとから成る。特に、光記録媒体への情報の記録時には、対物レンズからの出射光を再生時よりも大きくする必要があるので、半導体レーザ素子の高出力化および光学系の光往復利用効率を高める必要がある。
【０００４】
また光ピックアップ装置には、通常、光源からの出力を所望の値に安定化させるために光源から出射される光の量をモニタするモニタ用受光素子が設けられ、該モニタ用受光素子によって検出される信号に応じてＡＰＣ（Auto Power Control）回路によって光源の光出力が制御される。
【０００５】
このような構成の光ピックアップ装置は、たとえばノート型パーソナルコンピュータなどのモバイル光情報記録再生装置に搭載されて汎用されるので、小型化が必須の開発課題とされている。
【０００６】
このような課題に応える従来技術として、光往復利用効率を高めるために光記録媒体からの反射光が半導体レーザ素子に帰還しない構造の集積光学素子を搭載し、半導体レーザ素子からの出射光の一部を検出するモニタ受光素子を前記集積光学素子と一体化する光集積ユニットおよび光ピックアップ装置が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００７】
図１０は、特許文献１の光集積ユニット１の構成を簡略化して示す概略断面図である。光集積ユニット１は、レーザ光を出射する半導体レーザ素子２と、第１および第２回折素子３ａ，３ｂを備える回折ユニット３と、偏光分離手段４ａおよび反射手段４ｂを備える反射ユニット４と、半導体レーザ素子２から出射される光の一部を検出するモニタ用受光素子である第１受光素子５と、光記録媒体からの反射光を検出する光検出用受光素子である第２受光素子６とを含む。なお、特許文献１の光ピックアップ装置は、光集積ユニット１と、図示しないコリメートレンズおよび対物レンズとで構成される。
【０００８】
半導体レーザ素子２は、ステム７上のステムブロック７ａに設けられ、たとえば、光記録媒体がＤＶＤであるときは波長６５０ｎｍの赤色光を出射する。また、ステムブロック７ａには、光記録媒体からの反射光を検出する第２受光素子６が設けられ、ステムブロック７ａを覆うようにしてキャップ９がステム７に設けられる。このキャップ９には、ステムブロック７ａの上方部分に開口部９ａが形成され、この開口部９ａを封止するように、回折ユニット３が設けられる。第１回折素子３ａは、回折ユニット３の半導体レーザ素子２を臨む側の面に設けられ、半導体レーザ素子２から出射される光を０次回折光、±１次回折光の３ビームに分岐する。回折ユニット３の半導体レーザ素子２を臨む側と反対の側には反射ユニット４が設けられる。反射ユニット４には、半導体レーザ素子２から出射される光の光軸１０に対して、直交する方向の光軸１１方向に偏光分離手段４ａと反射手段４ｂとが設けられる。偏光分離手段４ａとしては、Ｐ偏光のみを透過し、Ｓ偏光を反射する偏光ビームスプリッタなどが用いられる。また反射ユニット４には、半導体レーザ素子２から出射された光が偏光分離手段４ａで反射されて進行する方向にモニタ受光素子である第１受光素子５が、反射ユニット４と一体的に設けられる。半導体レーザ素子２は、金製のワイヤによって電極ピン８と電気的に接続され、図示しないＦＰＣ（Flexible Print
Circuit）基板などの電気配線を介して、外部回路と接続される。
【０００９】
半導体レーザ素子２から出射される光は、第１回折素子３ａを透過し、偏光分離手段４ａによって一部の光が反射される。残余の光は、偏光分離手段４ａを透過して反射ユニット４から出射し、図示しない集光手段によって光記録媒体へ集光される。光記録媒体に集光された光は、光記録媒体で反射されて、再び集光手段を透過し反射ユニット４に入射する。反射ユニット４に入射した光は、偏光分離手段４ａによって反射される。この反射光は反射手段４ｂによってさらに反射され、第２回折素子３ｂを通過して光検出用受光素子である第２受光素子６に入射される。一方、半導体レーザ素子２から出射されて第１回折素子３ａを透過し、偏光分離手段４ａによって反射される一部の光は、モニタ用受光素子である第１受光素子５に受光され、光量に基づく半導体レーザ素子２の出力検出信号が得られる。
【００１０】
このような光集積ユニットは、偏光分離手段として、モニタ用受光素子である第１受光素子５が光集積ユニット１の反射ユニット４に一体的に設けられ、光学部材の設置スペース取り合いの問題が解決されるので、小型化を実現することができるとされる。
【００１１】
しかしながら、従来の光集積ユニットに含まれるモニタ用受光素子は、少なくともＳｉフォトダイオードおよび電極が接合される半導体ウェハチップを含み、電極は金製ワイヤなどによって受光素子用ステムまたはリードフレームの電極ピンに接続され、透光性エポキシ樹脂などでモールド成型され作製される。したがって、モニタ受光素子用ステムおよび電極ピンの大きさまで考慮に入れると、モニタ用受光素子は反射ユニットよりも外形寸法が大きくなってしまうので、モニタ用受光素子を反射ユニットに一体化させたとしても光集積ユニットの小型化を実現することができない。さらに、モニタ検出用受光素子専用のステム、リードフレームなどの部品が必要となるので、コストが高くなるという問題も生じる。
【００１２】
また、通常光集積ユニットにおけるモニタ用受光素子以外の素子と外部回路との接続はステムの裏側に設けられる電極ピンを介して行われるようになっている。しかしながら、モニタ受光素子用のステム電極だけが分離独立しているので、モニタ受光素子と外部回路との電気的接続を電極ピンとは別の接続部材によって行わなければならず、光集積ユニットに接続するＦＰＣ基板などの配線基板の設計が複雑になるという問題がある。
【００１３】
【特許文献１】特開２００３−１３２５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明の目的は、装置の小型化および低コスト化が図れ、基板の配線設計がより簡略化できる光集積ユニットおよび光ピックアップ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、情報が光によって記録または再生される光記録媒体に向けて光を出射し、光記録媒体からの反射光を受光する光集積ユニットにおいて、
少なくとも光を出射する光源と、
光源から出射された往路光と、光源から出射されて光記録媒体で反射された復路光とを分離する光分離手段と、
光分離手段によって反射された往路光をさらに反射する第１の反射手段と、
第１の反射手段によって反射された往路光を受光する第１の受光素子とを含み、
光源から出射された往路光の進行方向に対して、第１の受光素子に入射する往路光の進行方向が逆方向もしくはそれに近い方向になるように、第１の反射手段および第１の受光素子が配置されることを特徴とする光集積ユニットである。
【００１６】
また本発明は、第１の反射手段および第１の受光素子は、
第１の受光素子に入射する往路光の入射方向が傾斜角度を有するように配置されることを特徴とする光集積ユニットである。
【００１７】
また本発明は、第１の反射手段は、光源から出射され光分離手段によって第１の反射手段に向けて反射された光の一部のみを反射するように設けられることを特徴とする光集積ユニットである。
【００１８】
また本発明は、光分離手段と第１の反射手段との間または第１の反射手段と第１の受光素子との間には、往路光を遮蔽する遮蔽部材が設けられ、
遮蔽部材は、往路光の一部を透過させる開口部が形成されることを特徴とする光集積ユニットである。
【００１９】
また本発明は、第１の反射手段は、反射面を有し、反射面における反射率が反射面内の位置に応じて異なるように形成されることを特徴とする光集積ユニットである。
【００２０】
また本発明は、第１の反射手段の反射面は、
反射面の光分離手段から離れた一端部から光分離手段寄りの他端部に向かって、一方向に反射率が低くなるように形成されることを特徴とする光集積ユニットである。
【００２１】
また本発明は、第１の反射手段は、反射面を有し、反射面の反射率が、反射面中央付近で最も高く、中央付近から離反すると低くなるように形成されることを特徴とする光集積ユニットである。
【００２２】
また本発明は、第１の反射手段と第１の受光素子との間における往路光の光路中に、往路光を回折する第１の回折手段が設けられることを特徴とする光集積ユニットである。
【００２３】
また本発明は、第１の受光素子の受光面は、
光源の発光面に対して光記録媒体寄りに位置することを特徴とする光集積ユニットである。
【００２４】
また本発明は、光記録媒体から反射された復路光を受光する第２の受光素子であって、光源が設けられる往路光の光軸に垂直な平面に平行な平面に設けられる第２の受光素子と、
光記録媒体から反射された復路光を第２の受光素子に向けて反射する第２の反射手段と、
第２の反射手段と第２の受光素子との間に設けられ、第２の反射手段により反射された光を第２の受光素子に向けて回折する第２の回折手段とを含み、
光分離手段は、
光記録媒体により反射された復路光を第２の反射手段に向けて反射するように設けられることを特徴とする光集積ユニットである。
【００２５】
また本発明は、光記録媒体から反射された光を第１の受光素子に向けて回折する第３の回折手段を含み、
第２の回折手段と第３の回折手段とが、同一の部材に備えられることを特徴とする光集積ユニットである。
【００２６】
また本発明は、前記のいずれか１つに記載の光集積ユニットを備え、
光集積ユニットと光記録媒体との間に配置され光集積ユニットから出射された光を光記録媒体上に集光させる集光手段と、
光集積ユニットと集光手段との間に配置される１／４波長板とを含むことを特徴とする光ピックアップ装置である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、光分離手段によって反射される往路光を受光する第１の受光素子は、光源から出射された往路光が、光分離手段および反射手段に反射されて、光源から出射された直後の往路光の進行方向に対して逆方向から入射するように設けられる。したがって、受光素子と外部回路との接続を光源と外部回路との接続と同様にすべてステムの裏側に設けられる電極ピンからできるようになるので、小型化が図れ、配線設計が簡略化できる。また、第１の受光素子専用のステム、電極ピンなどの部品が不要になるので、低コスト化も期待できる。
【００２８】
また本発明によれば、第１の受光素子は、受光素子に入射する往路光の入射方向が傾斜角度を有するように配置される。したがって、受光素子により若干反射された往路光が再び光源の発光面に入射するのを防止し、光源の光出力制御の精度を向上させることができる。
【００２９】
また本発明によれば、第１の反射手段は、光源から出射され光分離手段によって反射手段に向けて反射された光の一部のみを反射するように設けられるので、反射された往路光が光源に入射するのを防止し、光源の光出力制御の精度を向上することができる。また、第１の受光素子に入射する光の照射面積を小さくすることができるので、受光素子の受光セグメントを小さくすることが可能となり、受光素子の小型化によって、さらに装置を小さくすることができるとともに、受光素子の応答速度が速くなり、光記録媒体への高速記録が可能となる。
【００３０】
また本発明によれば、光分離手段と第１の反射手段との間または第１の反射手段と第１の受光素子との間には、往路光を遮蔽する遮蔽部材が設けられ、遮蔽部材には、往路光の一部を透過させる開口部が形成されるので、反射された往路光が光源に入射するのを防止し、光源の光出力制御の精度を向上することができる。また、第１の受光素子に入射する光の照射面積を小さくすることができるので、受光素子の受光セグメントを小さくすることが可能となり、受光素子の小型化によって、さらに装置を小さくすることができるとともに受光素子の応答速度が速くなり、光記録媒体への高速記録が可能となる。
【００３１】
また本発明によれば、第１の反射手段は、反射面を有し、反射面における反射率が反射面内の位置に応じて異なるように形成されるので、第１の受光素子の光源から遠い部分では入射する光量を大きくし、第１の受光素子の光源に近い部分へ入射する光量を小さくすることができる。したがって、反射された往路光が光源に入射するのを防止し、光源の光出力制御の精度を向上させることができる。
【００３２】
また本発明によれば、第１の反射手段の反射面は、反射面の光分離手段から離れた一端部から光分離手段寄りの他端部に向かって、一方向に反射率が低くなるように形成されるので、反射された往路光が光源に入射するのを防止でき、光源の光出力制御の精度を向上させることができる。
【００３３】
また本発明によれば、第１の反射手段は反射面を有し、反射面の反射率が、反射面中央付近で最も高く、中央付近から離反すると低くなるように形成されるので、反射された往路光が光源に入射するのを防止することができ、光源の光出力制御の精度を向上させることができる。
【００３４】
また本発明によれば、第１の反射手段と第１の受光素子との間における往路光の光路中に、往路光を回折する回折手段が設けられ、回折手段によって透過する光の放射角を小さくすることができるので、第１の受光素子に安定して光を入射させることができ、反射された往路光が光源に入射するのを防止することができ、光源の光出力制御の精度を向上させることができる。また、受光素子に入射する光の照射面積を小さくすることができるので、受光素子の受光セグメントを小さくすることが可能となり、受光素子を小型化することによって、さらに装置を小さくすることができるとともに、受光素子の応答速度が速くなり、光記録媒体への高速記録が可能となる。
【００３５】
また本発明によれば、光源の発光面に対して、第１の受光素子の受光面を光記録媒体寄りに位置させると、第１の反射手段と第１の受光素子との距離が短くなる。反射手段との距離が短くなるほうが受光素子に対する光の照射面積が狭くなり、反射手段に反射された往路光が光源に入射するのを防止でき、光源の光出力制御の精度を向上させることができる。また、第１の受光素子に入射する光の照射面積を小さくすることができるので、受光素子の受光セグメントを小さくすることが可能となり、さらに受光素子を小型化することができるとともに、受光素子の応答速度が速くなり、光記録媒体への高速記録が可能となる。
【００３６】
また本発明によれば、往路光の光軸に垂直な平面に平行な平面に光記録媒体からの反射光を受光する第２の受光素子が設けられ、第２の受光素子と外部回路との接続も、光源と外部回路との接続と同様に電極ピンによってステムの裏側からできるようになるので、装置の小型化が図れ、配線の設計を簡略化することができる。
【００３７】
また本発明によれば、往路光を回折する第１の回折手段と復路光を回折する第２の回折手段とが同一の部材に備えられるので、光集積ユニットをさらに小型化でき、製造工程も簡略化できるので低コスト化を図ることができる。
【００３８】
また本発明によれば、前記のいずれか１つに記載の光集積ユニットを光ピックアップ装置に用いることによって、光ピックアップ装置の小型化が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
図１は本発明の実施の１形態である光集積ユニット１０１の構成を簡略化して示す概略断面図であり、図２は図１に示す光集積ユニット１０１を備える光ピックアップ装置１２の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【００４０】
光集積ユニット１０１は、光記録媒体２１に向けて光を出射する光源となる半導体レーザ素子１３と、反射手段によって反射された往路光を受光する受光素子である第１受光素子１７と、光記録媒体２１から反射された復路光を受光する第２の受光素子である第２受光素子２０と、反射手段と受光素子との間における往路光の光路中に設けられて往路光を回折する回折手段である第１回折手段１４および光記録媒体２１から反射された復路光を回折する回折手段である第２回折手段１９を備える回折ユニット２８と、半導体レーザ素子１３から出射された往路光と、光源から出射されて光記録媒体２１で反射された復路光を分離する光分離手段である偏光分離手段１５、偏光分離手段１５によって反射された往路光をさらに反射する反射手段である第１反射手段１６および光記録媒体２１から反射された復路光を第２受光素子２０に向けて反射するもう１つの反射手段である第２反射手段１８を備える反射ユニット２９とを含む。
【００４１】
ここで、図１および図２中に示すＸ−Ｙ−Ｚの３軸方向について説明する。Ｚ軸方向は、半導体レーザ素子１３から出射される光の光軸５５方向に一致する方向と定義する。Ｘ軸方向は、Ｚ軸に直交する平面座標である２次元平面座標を表すＸ−Ｙ２軸のうちの１軸であり、このＸ軸方向を、光集積ユニット１０１における第１受光素子１７および第２受光素子２０の並び方向に一致する方向と定義する。Ｙ軸方向は、Ｚ軸に直交する平面座標である２次元平面座標を表す残りの１軸であって、先のＸ軸方向に直交する方向と定義する。
【００４２】
半導体レーザ素子１３は、たとえば、ＤＶＤ用の波長６５０ｎｍの赤色光を出射する。半導体レーザ素子１３はステム２５上のステムブロック２５ａに装着される。
【００４３】
第１受光素子１７は、光を受光して電気信号に変換するモニタ検出用受光素子であり、半導体レーザ素子１３から出射された往路光の一部を受光し、光出力をモニタする。検出した半導体レーザ素子１３の光出力は光検出出力に応答し、図示しないパワーコントローラであるＡＰＣ回路に入力され、ＡＰＣ回路は、半導体レーザ素子１３から出射される光量が所定量となるように、半導体レーザ素子１３の駆動電流を制御する。半導体レーザ素子１３の駆動電流と光出力特性との関係は、環境温度、経年変化などによって変化するので、半導体レーザ素子１３の出力をモニタし、その出力を安定化制御することは、情報の記録／再生に不可欠である。
【００４４】
第２受光素子２０には、図示しない複数の受光セグメントが配置され、光記録媒体２１からの反射光をそれぞれの受光セグメントで受光し、受光した光量を電流に変換することによって反射光の検出信号を得る。図示しない後段の外部回路によって前記検出信号が処理され、フォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号の生成によりフォーカスサーボ制御およびトラッキングサーボ制御を同時に行い、光記録媒体からの情報信号であるＲＦ信号の再生もしくは光記録媒体への情報信号の記録が行われる。第１受光素子１７および第２受光素子２０は、ステムブロック２５ａに装着され、半導体レーザ素子１３からの出射光光軸５５に対して対称な方向に配置される。半導体レーザ素子１３、第１受光素子１７および第２受光素子２０は、それぞれ図示しない電極を有しており、該電極と電極ピン２６とが金製ワイヤで結線されて前述のＡＰＣ回路、サーボ信号処理回路、再生信号処理回路などの外部回路との電気的接続が可能となっている。
【００４５】
ステム２５上には、ステムブロック２５ａと、金線ワイヤおよび金線ワイヤと接続される金属ピン２６の図示しないインナーリードピンとを覆うようにキャップ２７が被せられる。キャップ２７には、半導体レーザ素子１３からの出射光、第１および第２受光素子１７，２０への入射光が透過できるように開口部が形成される。回折ユニット２８は、キャップ２７に設けられる開口部を封止するように設けられる。回折ユニット２８には、第１回折手段１４および第２回折手段１９が設けられる。第１回折手段１４は、回折ユニット２８の半導体レーザ素子１３を臨む側の面の半導体レーザ素子１３からの出射光が入射する位置に設けられる。第１回折手段１４は回折格子であり、半導体レーザ素子１３から出射された光を０次回折光、±１次回折光の３ビームに回折分岐する。３ビームに回折された光は、３ビームの光記録媒体２１に対する照射位置と光記録媒体２１に形成されるトラックとの相対位置のずれから生じる反射光量の変化を検出するトラッキングエラー信号の検出に用いられる。第２回折手段１９は、回折ユニット２８の半導体レーザ素子１３を臨む側と反対側の面の、第２受光素子２０に近い位置に設けられる。第２回折手段１９は、光記録媒体２１による反射光を複数のビームに分割し、分割した複数のビームを第２受光素子２０の複数の受光セグメントのそれぞれに落射させる回折素子である。
【００４６】
回折ユニット２８の半導体レーザ素子１３を臨む側と反対側の面に接して、反射ユニット２９が設けられる。反射ユニット２９には、半導体レーザ素子１３から出射される光の軸５５に対して直交する方向に、第１反射手段１６、偏光分離手段１５および第２反射手段１８が並んで設けられる。
【００４７】
偏光分離手段１５は、半導体レーザ素子１３から出射された往路光の片方の偏光を、出射光の軸５５とほぼ直交する方向であって、偏光分離手段１５に並んで設けられる第１反射手段１６の側に反射させ、前記偏光と異なる方向の偏光を光記録媒体２１に向けて透過させる。また光記録媒体２１で反射されて偏光分離手段１５に入射する反射光を、反射光の軸５５と直交する方向であって、偏光分離手段１５に並んで設けられる第２反射手段１８側に反射させるように配置される。偏光分離手段１５としては、たとえば、半導体レーザ素子１３から出射された往路光のＰ偏光をほぼ１００％透過し、Ｓ偏光をほぼ１００％反射する特性を有する偏光ビームスプリッタなどが用いられる。偏光分離手段１５は、光記録媒体２１上の光強度および第２受光素子２０に入射する光強度が、再生または記録を安定して行うのに許される範囲であれば、偏光ビームスプリッタなどの偏光分離光学部材に限定されることなく、所望の透過率や反射率を選択することができるハーフミラーなどの光分離手段であってもよい。
【００４８】
前述のように第１反射手段１６は、反射ユニット２９において、半導体レーザ素子１３から出射された往路光が偏光分離手段１５で反射されて進行する方向に配置され、偏光分離手段１５を臨んで形成される反射膜１６ａが、偏光分離手段１５による往路光の反射光の光軸に対して４５度の傾斜を有するようにして設けられる。なお、第２受光素子２０への入射光位置調整を精度よく行うために、偏光分離手段１５と第２反射手段１８とを一体型とすることが好ましいが、第１受光素子１７への入射光位置調整は、前記第２受光素子２０への入射光位置調整精度ほど厳密に行う必要はないので、偏光分離手段１５と第１反射手段１６とは、図１のように一体型になっている必要はない。第１反射手段１６の反射膜１６ａは、所望の反射率を有する。たとえば、図３は、本発明の光集積ユニット１０１の第１反射手段１６に用いられる反射膜１６ａの反射率分布を示す図である。反射膜１６ａの一端から他端間のＸ方向距離を示し、縦軸は反射膜の反射率を示す。
【００４９】
図３に示す反射率分布を備える反射膜１６ａの反射率は、反射膜１６ａの一端から他端間で一定であり、第１受光素子１７の光電変換率および後段のＡＰＣ回路に必要な電流が許容値内であれば、１００％の反射率である必要はなく、一部透過するような反射率でもよい。
【００５０】
図４および図５は、本発明の光集積ユニット１０１の第１反射手段１６に用いられる反射膜１６ａの反射率分布を示す図である。上記図３の反射膜１６ａは、あくまで一例であって、たとえば図４のように、反射膜１６ａ上の光軸５６付近の所定領域のみ反射率が高く、上記領域以外では反射率が小さくなるような反射率分布のもの、図５のように、反射膜１６ａ内で＋Ｘ方向に反射率が一様に減少する反射率分布のものであってもよい。図４の反射率分布では、反射膜１６ａに入射する光の強度分布が、光軸５６近傍が最も高く、光軸５６から離れるほど低くなるので、入射光の強度分布中心近傍のみの光を用いており、強度の弱い端の部分の光を使用しないので、その反射光が半導体レーザ素子１３に入射されることが防止できる。図４の反射率分布はあくまで一例で、たとえば光軸５６中心に対称な形状である必要はなく、半導体レーザ素子１３に近くなるほど、反射率が低くなるように設定されていれば良い。同様に、図５の反射率分布では、反射膜１６ａにより反射させる光の強度分布が、半導体レーザ素子１３に近いほど小さくなり、図５のように反射膜１６ａの反射率が減少し、途中で０％になるような反射率分布であれば、半導体レーザ素子１３に入射されることが防止できる。図５の反射率分布もあくまで一例で、曲線的に反射率が減少するもの、図４のように、部分的に一定な反射率を持つものであっても構わない。
【００５１】
また、反射ユニット２９に設けられる第２反射手段１８は、光記録媒体２１で反射された光が偏光分離手段１５でさらに反射されて進行する側に設けられ、入射した光を第２受光素子２０の方向に反射させるように配置される。
【００５２】
光集積ユニット１０１を備える光ピックアップ装置１２は、光集積ユニット１０１と、光集積ユニット１０１と光記録媒体２１との間に配置される１／４波長板２２と、コリメートレンズ２３と、図示しないアクチュエータに搭載される対物レンズ２４とを含む。
【００５３】
光記録媒体２１は、たとえばＤＶＤであり、直径１２ｃｍの薄い円板状の形状を有し、ポリカーボネート基板の表面にアルミニウムを蒸着し、アルミニウム蒸着層の上に樹脂の保護層が被覆されて形成される。
【００５４】
１／４波長板２２は、半導体レーザ素子１３から出射された往路光のうち、偏光分離素子１５により透過された直線偏光であるＰ偏光を円偏光に変換し、光記録媒体２１により反射された復路光の円偏光を直線偏光であるＳ偏光に変換する。コリメートレンズ２３は、１／４波長板２２を透過した往路光を平行光にする。対物レンズ２４は、半導体レーザ素子１３から出射された往路光を光記録媒体２１上の情報記録面に集光し、情報記録面上に光スポットを形成する。
【００５５】
ここで、上記の構成を有する本発明の光集積ユニット１０１および光ピックアップ装置１２の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、半導体レーザ素子１３、第１受光素子１７および第２受光素子２０をステム２５上のステムブロック２５ａにダイレクトダイボンドする。続いて、各素子の電極と、電極ピン２６とを図示しない金線で結線し、ステム２５に開口部を有するキャップ２７を被せる。その上に、開口部を封止するように第１回折手段１４と第２回折手段１９とを含む回折ユニット２８を設け、さらにその上に、偏光分離手段１５、第１反射手段１６および第２反射手段１９を備える反射ユニット２９を設ける。なお、第１受光素子１７および第２受光素子２０を設置するステムブロック２５ａ上の平面は、半導体レーザ素子１３から出射される光の光軸５５に垂直な平面である。図１では第１受光素子１７および第２受光素子をステムブロック２５ａ上の同一平面上に設置しているが、それに限定されることなく、Ｚ軸方向の高さが異なってもよい。なお第１反射手段１６により反射された光が半導体レーザ素子１３に入射するのを防ぐために、第１受光素子１７の受光面３０ｂが、半導体レーザ素子１３の発光面３０ａに比べて、回折ユニット２８に近くなる位置になることが望ましい。また、偏光分離手段１５と第１反射手段１６との間にはできる限り距離を設け、半導体レーザ素子１３からの出射光が直接第１反射手段１６に入射せず、かつ第１反射手段１６によって反射された往路光が半導体レーザ素子１３に入射しないように配置する。
【００５７】
回折ユニット２８および反射ユニット２９は、キャップ２７に対して固定されることなく、Ｘ−Ｙ平面内で移動できるようにしておく。このような光集積ユニット１０１を、１／４波長板２２、コリメートレンズ２３および対物レンズ２４とともに組み込み、光ピックアップ装置１２とする。
【００５８】
この光ピックアップ装置１２を動作させて、光検出用受光素子である第２受光素子１７がフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号であるサーボ信号、ＲＦ信号である再生信号などを安定して検出できるように、回折ユニット２８および反射ユニット２９を、Ｘ−Ｙ平面内で適宜位置調整し、回折ユニット２８と反射ユニット２９とを接着剤にて固定する。ここで、回折ユニット２８と反射ユニット２９とが所定の位置から変動すると第１受光素子１７に入射する光量が変動し、ＡＰＣ回路によって制御を行うと半導体レーザ素子１３の駆動電流も変動してしまうので、第１受光素子１７から出力される電気信号も変動してしまう。また、第１受光素子１７に入射する光が少ない状態になると、ＡＰＣ回路で制御される半導体レーザ素子１３の駆動電流が極めて大きくなるので、定格を超えて光出力させることとなり、半導体レーザ素子１３の劣化を引き起こす恐れがある。したがって、回折ユニット２８と反射ユニット２９とを位置決めして組み立てる際、回折ユニット２８と反射ユニット２９とが接着固定されるまでの間は、ＡＣＣ（Auto Current
Control）回路によって、半導体レーザ素子１３の駆動電流を一定電流に制御することが好ましい。回折ユニット２８と反射ユニット２９との位置調整時の半導体レーザ素子１３の光出力制御は、上記方法は一例であり、たとえば、ＡＰＣ回路による半導体レーザ素子１３の光出力制御を、光集積ユニット１０１内部の第１受光素子１７とは別に、光集積ユニット１０１の外部に図示しないモニタ用受光素子とＡＰＣ回路とを設置することで、ＡＰＣ回路による光出力制御を行ってもよい。上記外部のモニタ用受光素子は、光集積ユニットの反射膜１６ａの反射率が１００％でないものであれば、一部透過した光を受光する位置に設置することで、半導体レーザ素子１３の往路光の光出力をモニタすることができる。また、別の方法として、光集積ユニット１０１と１／４波長板２２との間に、ハーフミラーを設置して、偏光分離手段１５から出射される往路光の一部を反射して、その反射した方向に設置しても、半導体レーザ素子１３の往路光の光出力をモニタすることができる。
【００５９】
以下光集積ユニット１０１および光ピックアップ装置１２の動作について説明する。
半導体レーザ素子１３から出射された往路光は、第１回折手段１４を通過して０次回折光、±１次回折光に回折分岐され、偏光分離手段１５に入射される。この半導体レーザ素子１３から出射されるレーザ光の偏光方向の大部分はＰ偏光であるが、Ｓ偏光も若干含んでいる。偏光分離手段１５では、半導体レーザ素子１３から出射されたレーザ光の大部分を占めるＰ偏光を透過し、若干含まれるＳ偏光を反射する。
【００６０】
半導体レーザ素子１３から出射されて偏光分離手段１５を透過した往路光のＰ偏光は、１／４波長板２２を通って円偏光となり、コリメートレンズ２３を通って平行光とされた後、対物レンズ２４によって光記録媒体２１の情報記録面に集光される。光記録媒体２１に集光された光は、光記録媒体２１によって反射され、対物レンズ２４およびコリメートレンズ２３を通過し、１／４波長板２２を通ってＳ偏光に変換される。
【００６１】
光記録媒体２１によって反射され、１／４波長板２２によってＳ偏光に変換された復路光は、偏光分離手段１５に入射する。Ｓ偏光に変換された光は、偏光分離手段１５によって第２反射手段１８に向けて反射され、第２反射手段１８によってさらに反射されて第２回折手段１９に入射し、複数の光に回折される。第２回折手段１９によって回折され、複数の光とされた復路光は、第２受光素子２０に入射し、電気信号に変換される。この電気信号によって、図示しない後段の回路によりフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号を生成し、フォーカスサーボ制御およびトラッキングサーボ制御が行われることで光記録媒体２１の情報の再生もしくは記録が行われる。
【００６２】
一方、偏光分離手段１５によって反射された往路光のＳ偏光は、第１反射手段１６でさらに反射されて第１受光素子１７に受光される。第１受光素子１７に受光された往路光の検出出力はＡＰＣ回路に与えられ、ＡＰＣ回路が検出出力に基づいて半導体レーザ素子１３の光出力を制御する。
【００６３】
本実施の形態の光集積ユニット１０１では、モニタ用受光素子である第１受光素子１７は半導体レーザ素子１３が設けられるステムブロック２５ａに設けられる。したがって、第１受光素子１７と外部回路との接続が、半導体レーザ素子１３と外部回路との接続と同様にステム２５裏側に設けられる電極ピン２６により行うことができる。したがって、第１受光素子１７を外部回路と接続するための外部配線および接続端子を必要としないので、装置の小型化が図れるとともに、配線設計が簡略化できる。また、部材点数を削減し、低コスト化を実現することができる。
【００６４】
また、本実施の形態の光集積ユニット１０１を備える光ピックアップ装置１２についても、小型化を実現することができる。
【００６５】
光ピックアップ装置１２においては、半導体レーザ素子１３から出射された光が反射光として半導体レーザ素子１３に帰還し入射すると、半導体レーザ素子１３の出射光にノイズが発生する。一般的に、半導体レーザ素子は、発光面と、発光面の裏面の反射膜が設けられており、裏面の反射率に比べて、発光面の反射率は低くなっている共振器であり、素子内部で発生した光が増幅され、発光面よりレーザ光が出射される。上記の通り、半導体レーザ素子の発光面の反射率が低いので、上記帰還光が発光面に入射すると、該帰還光が素子内部で増幅され、ノイズとして作用するので動作特性が変動してしまい、正確な光出力の制御が困難となる。したがって、半導体レーザ素子からの光出力制御の精度を向上させるためには、反射された光が半導体レーザ素子に入射しないように設計されることが必要である。
【００６６】
ここで、図１のように、半導体レーザ素子１３から出射される光の光軸５５に垂直な平面上に第１受光素子を設置する場合、第１受光素子１７を半導体レーザ素子１３よりも回折ユニット２８の近くに配置させ、偏光分離手段１５と第１反射手段１６との間にできる限り距離を設けることによって、第１反射手段１６によって反射された往路光が半導体レーザ素子１３に入射するのを防止することができる。
【００６７】
さらに、反射面における反射率が反射面内の位置に応じて異なるような反射率分布を有する反射膜を用いることによって、第１受光素子１７の半導体レーザ素子１３に近い領域で受光される光量を小さくすることができるので、半導体レーザ素子への往路光の入射を防止することができる。特に、図４のように、反射膜１６ａの中心近傍のみ高い反射率で、中心近傍から離れた領域では反射しないような反射率分布であれば、光軸５６が反射膜１６ａにより反射された光軸５７と、第１受光素子１７の受光面３０ｂとの交点となる光軸中心近傍では、受光光量が大きいけれども、光軸中心から所定距離離れると受光光量が小さくなり、半導体レーザ素子１３への往路光の入射を防止することができる。
【００６８】
図６は、本発明の実施の第２形態である光集積ユニット３１の構成を簡略化して示す概略断面図である。本実施形態の光集積ユニット３１は、前述の実施の第１形態の光集積ユニット１０１に類似し、対応する部分については同一の参照符合を付して説明を省略する。
【００６９】
本実施形態の光集積ユニット３１は、第１受光素子１７の受光面３０ｂが、半導体レーザ素子１３から出射された光の光軸５５に対して垂直な平面に対して傾斜角度を有することを特徴とする。
【００７０】
第１受光素子１７の受光面３０ｂ、回折ユニット２８のキャップ設置面２８ａおよび反射ユニット設置面２８ｂには反射を防止し、光を透過させる反射防止膜が設けられる。ただし、反射防止膜があっても光を１００％透過することは難しく、若干反射するのが現実である。したがって、第１受光素子１７の受光面３０ｂにより反射した光は、回折ユニット２８のキャップ設置面２８ａでさらに反射するといった多重反射を起こす。さらに、光集積ユニット１０１の小型化により、第１反射手段１６と偏光分離手段１５との距離を離して設置するには限界がある。したがって、第１受光素子１７の受光面３０ｂと、回折ユニット２８のキャップ設置面とが平行であれば、第１反射手段１６により反射された発散光である光は、光集積ユニットが小型であるほど多重反射を繰り返し、その多重反射を繰り返した光が半導体レーザ素子１３に入射しやすい。
【００７１】
そこで、第１受光素子の受光面３０ｂとステム設置面とは平行であるので、ステムブロック２５ａの第１受光素子１７の設置面３０ｅを、第１反射手段１６により反射された光の光軸５７の第１受光素子１７の受光面３０ｂにより反射された光の光軸５８が、Ｘ−Ｚ平面内で反時計回りに若干回転するように傾けることで、多重反射光が半導体レーザ素子１３に入射するのを防止することができる。上記ステムブロック２５ａ上の第１受光素子１７の設置面３０ｅをＸ−Ｚ平面内での回転は一例であり、図示しないがＸ−Ｚ平面の回転に加えてＸ−Ｙ平面でも回転することで、さらに半導体レーザ素子１３への多重反射光の入射を防ぐことができる。
【００７２】
図７は、本発明の実施の第３形態である光集積ユニット４１の構成を簡略化して示す概略断面図である。本実施形態の光集積ユニット４１は、前述の実施の第１形態の光集積ユニット１０１に類似し、対応する部分については同一の参照符合を付して説明を省略する。
【００７３】
本実施形態の光集積ユニット４１は、反射ユニット４３に備えられる第１反射手段４２が、偏光分離手段１５によって反射された往路光の一部のみを反射するように配置されることを特徴とする。
【００７４】
第１反射手段４２は、反射ユニット４３において、半導体レーザ素子１３から出射された往路光が偏光分離手段１５で反射されて進行する方向に配置される。第１反射手段４２は、所望の反射率を有する反射膜４２ａを含み、反射膜４２ａとしては図３に示すような反射率分布を有するものを形成する。第１反射手段４２は、偏光分離手段１５によって反射された往路光のうち、光記録媒体寄りの部分のみを第１受光素子１７に向けて反射させるように配置される。
【００７５】
半導体レーザ素子１３から出射されるレーザ光は、第１回折手段１４を通過して偏光分離手段１５に入射する。
【００７６】
半導体レーザ素子１３から出射されて偏光分離手段１５に入射した往路光のＳ偏光は、偏光分離手段１５によって反射され、反射された光の光記録媒体寄りの部分のみが第１反射手段３２に入射し反射されて第１受光素子１７に受光される。残余の光は反射ユニット４３から出射する。
【００７７】
本実施の形態の光集積ユニット４１は、半導体レーザ素子１３から出射され偏光分離手段１５によって反射された光の一部のみを第１受光素子１７に反射するように設けられるので、反射された往路光の第１受光素子１７に対する入射面積が小さくなり、反射された往路光が半導体レーザ素子１３へ入射するのを防止することができる。
【００７８】
また、反射された往路光の第１受光素子１７に対する入射面積が小さくなることによって、第１受光素子１７に入射する光スポット径が小さくなるので、第１受光素子１７の受光セグメントを小さくすることが可能となる。したがって、第１受光素子１７の寸法を小さくできると同時に応答速度を速くすることができるので、装置全体を小型化するとともに光記録媒体への高速記録も実現可能となる。
【００７９】
なお、本実施の形態の光集積ユニット４１では、第１反射手段４２は、偏光分離手段１５によって反射された光の一部のみを反射させるような配置で、かつ反射光が半導体レーザ素子１３に入射しない配置であれば、回折ユニット２８寄りの位置であってもよい。ただし、その場合、第１反射手段４２と偏光分離手段１５との距離を充分にとるか、もし近くなるようであれば半導体レーザ素子１３に反射光が入射しないように、反射膜４２ａの反射角が大きい第１反射手段４２を設置する必要がある。
【００８０】
また、第１受光素子１７の受光面３０ｂを、光集積ユニット３１のように傾けると、さらに半導体レーザ素子１３への往路光の入射を防ぐとともに、第１受光素子１７への入射光の光量を安定させることができる。
【００８１】
また反射膜４２ａとして、図５に示す反射率分布を有するものを用いても、半導体レーザ素子１３への往路光の入射を防ぐとともに、第１受光素子１７への入射光の光量を安定させることができる。
【００８２】
図８は、本発明の実施の第４形態である光集積ユニット５１の構成を簡略化して示す概略断面図である。本実施形態の光集積ユニット５１は、前述の実施形態の光集積ユニット１０１に類似し、対応する部分については同一の参照符合を付して説明を省略する。
【００８３】
本実施形態の光集積ユニット５１は、往路光を遮蔽する遮蔽部材５２と、遮蔽部材５２に形成され、往路光の一部を透過させる開口部５２ａとが、第１反射手段１６と第１受光素子１７との間における往路光の光路中に設けられることを特徴とする。
【００８４】
遮蔽部材５２は、反射ユニット５３の回折ユニット２８に接する側の第１反射手段１６と第１受光素子１７との間の往路光の光路中に設けられる。また遮蔽部材５２は、第１反射手段１６によって反射された往路光の光軸中心付近に、往路光の一部のみを透過させる開口部５２ａを有する。なお上記構造は一例であり、開口部５２ａを通過する光が半導体レーザ素子１３から離れるように開口部５２ａを光軸中心からずらして設けてもよい。さらに遮蔽部材５２の位置を、偏光分離手段１５と反射手段１６との間の接合面５３ａに設置してもよい。ただし、第１反射手段１６の回折ユニットに接する面を研磨面にすると、反射しにくい遮蔽部材５２を設置しても、反射膜１６ａにより反射された光が遮蔽部材５２により反射されやすくなるので、砂面にしておく方が望ましい。
【００８５】
半導体レーザ素子１３から出射されて偏光分離手段１５に入射した往路光のＳ偏光は、偏光分離手段１５によって反射され第１反射手段１６によってさらに反射される。第１反射手段１６によって反射された光は、一部が遮蔽部材５２の開口部５２ａを通過し、第１受光素子１７へ入射させる。
【００８６】
このように、第１受光素子１７に入射させる光の照射面積を小さくできるので、半導体レーザ素子１３への光の入射が防止できる。さらに、第１受光素子１７の受光セグメントを小さくすることが可能となるので、第１受光素子１７をさらに小型化するとともに、応答速度を速くすることができる。
【００８７】
また、第１受光素子１７の受光面３０ｂを、実施の第２形態の光集積ユニット３１のように傾けると、さらに半導体レーザ素子１３への往路光の入射を防ぐことができるとともに、第１受光素子１７への入射光の光量を安定させることができる。
【００８８】
図９は、本発明の実施の第４形態である光集積ユニット６１の構成を簡略化して示す概略断面図である。本実施形態の光集積ユニット６１は、前述の実施形態の光集積ユニット１０１に類似し、対応する部分については同一の参照符合を付して説明を省略する。
【００８９】
本実施形態の光集積ユニット６１は、第１反射手段１６と第１受光素子１７との間における往路光の光路中に設けられ、往路光を回折する回折ユニットである第３回折手段６２を含むことを特徴とする。
【００９０】
第３回折手段６２は、回折ユニット６３の反射ユニット２９と接合する側の面に、第１反射手段１６によって反射された光を回折するように設けられる。第３回折手段６２は、入射した光が第３回折手段の放射角を小さくして出射する。
【００９１】
半導体レーザ素子１３から出射されて偏光分離手段１５に入射した往路光のＳ偏光は、偏光分離手段１５によって反射され第１反射手段１６によってさらに反射される。第１反射手段１６によって反射された光は、第３回折手段６２に入射する。第３回折手段６２は、入射した光の放射角を小さくして第１受光素子１７へ入射させる。
【００９２】
このように、第１受光素子１７に入射させる光の照射面積を小さくできるので、半導体レーザ素子１３への光の入射が防止できる。さらに、第１受光素子１７の受光セグメントを小さくすることが可能となるので、第１受光素子１７をさらに小型化するとともに応答速度を速くすることができる。
【００９３】
また、第１受光素子１７の受光面３０ｂを、実施の第２形態の光集積ユニット３１のように傾けると、さらに半導体レーザ素子１３への往路光の入射を防ぐとともに、第１受光素子１７への入射光の光量を安定させることができる。
【００９４】
また、第３回折手段６２は、第１回折手段１４および第２回折手段１９とともに回折ユニット６３中に一体的に設けられることによって、大型化せず、製造工程も簡略化できるので、低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の１形態である光集積ユニット１０１の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図２】図１に示す光集積ユニット１０１を備える光ピックアップ装置１２の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図３】本発明の光集積ユニット１０１の第１反射手段１６に用いられる反射膜１６ａの反射率分布を示す図である。
【図４】本発明の光集積ユニット１０１の第１反射手段１６に好適に用いられる反射膜１６ａの反射率分布を示す図である。
【図５】本発明の光集積ユニット１０１の第１反射手段１６に好適に用いられる反射膜１６ａの反射率分布を示す図である。
【図６】本発明の実施の第２形態である光集積ユニット３１の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図７】本発明の実施の第３形態である光集積ユニット４１の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図８】本発明の実施の第４形態である光集積ユニット５１の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図９】本発明の実施の第５形態である光集積ユニット６１の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【図１０】特許文献１の光集積ユニット１の構成を簡略化して示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
３１，４１，５１，６１，１０１  光集積ユニット
１２  光ピックアップ装置
１３  半導体レーザ素子
１４  第１回折手段
１５  偏光分離手段
１６，４２  第１反射手段
１７  第１受光素子
１８  第２反射手段
１９  第２回折素子
２０  第２受光素子
２１  光記録媒体
２２  １／４波長板
２３  コリメートレンズ
２４  対物レンズ
２５  ステム
２６  電極ピン
５２  遮蔽部材
６２  第３回折素子
【図１】
2006073080.tif 000003
【図２】
2006073080.tif 000004
【図３】
2006073080.tif 000005
【図４】
2006073080.tif 000006
【図５】
2006073080.tif 000007
【図６】
2006073080.tif 000008
【図７】
2006073080.tif 000009
【図８】
2006073080.tif 000010
【図９】
2006073080.tif 000011
【図１０】
2006073080.tif 000012