(57)【要約】【課題】  アクティブマトリックス型の表示装置において、残像現象を抑制し、表示品位の向上を図る。【解決手段】  帰線期間中に、電位切換回路１０３により、保持容量線２１７の電位を第１の電位Ｖ１（例えば接地電位）から第２の電位Ｖ２（例えば正電源電位ＰＶｄｄの電位）に切り換える。このとき、保持容量２１８の容量結合効果により、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートの電位が上昇する。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位が、そのソース電位に比して高くなる。ここで、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより、正孔がトラップされていたとすると、正孔はゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４の電気的特性が初期化される。そして、帰線期間が終了する前に、電位切換回路１０３により、保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖ２から第１の電位Ｖ１に切り換える。【選択図】  図１
2006251453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、
各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、発光素子と、前記画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて前記発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、前記表示信号を保持する保持容量とを備え、
さらに、帰線期間中に前記保持容量線の電位を第１の電位から該第１の電位と異なる第２の電位に切り換えて前記駆動用トランジスタをオフ状態とし、帰線期間終了前に前記保持容量線の電位を第２の電位から第１の電位に戻すように切り換える電位切換回路を備えることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記第２の電位が前記第１の電位より高いことを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記第２の電位が前記発光素子へ供給される電源電位と同じであることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記第１の電位が接地電位であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１、２、３、４のいずれかに記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、
各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、発光素子と、前記画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて前記発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、前記表示信号を保持する保持容量とを備えたアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法において、
帰線期間中に前記保持容量線の電位を第１の電位から該第１の電位と異なる第２の電位に切り換えて前記駆動用トランジスタをオフ状態とし、
帰線期間終了前に前記保持容量線の電位を第２の電位から第１の電位に戻すように切り換え、
帰線期間終了後の映像表示期間に、前記画素選択信号に応じて前記画素選択用トランジスタを通して前記表示信号を前記駆動用トランジスタに印加することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項７】
前記第２の電位が前記第１の電位より高いことを特徴とする請求項６に記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項８】
前記第２の電位が前記発光素子へ供給される電源電位と同じであることを特徴とする請求項７に記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項９】
前記第１の電位が接地電位であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項６、７、８、９のいずれかに記載のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＲＴやＬＣＤに代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  Ｄｅｖｉｃｅ：以降、「有機ＥＬ素子」と略称する）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が開発されている。特に、有機ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以降、「ＴＦＴ」と略称する）を備えたアクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置が開発されている。
【０００３】
以下で、アクティブマトリックス型の有機ＥＬ表示装置について、図面を参照して説明する。図３は、この有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。図３では、表示パネル４００に行列状に配置された複数の表示画素の中から、１つの表示画素２１０だけを示している。
【０００４】
行方向に延びた画素選択信号線２１１と列方向に延びた表示信号線２１２の交差点の付近に、Ｎチャネル型の画素選択用ＴＦＴ２１３が配置されている。この画素選択用ＴＦＴ２１３のゲートは、画素選択信号線２１１に接続されており、そのドレインは、表示信号線２１２に接続されている。画素選択信号線２１１には垂直駆動回路３０１から出力されるハイレベルの画素選択信号Ｇが印加され、それに応じて画素選択用ＴＦＴ２１３がオンする。表示信号線２１２には水平駆動回路３０２から表示信号Ｄが出力される。
【０００５】
画素選択用ＴＦＴ２１３のソースは、Ｐチャネル型の駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに接続されている。駆動用トランジスタ２１４のソースには、正電源電位ＰＶｄｄを供給する電源線２１５が接続されている。駆動用トランジスタ２１４のドレインは有機ＥＬ素子２１６の陽極に接続されている。有機ＥＬ素子２１６の陰極には負電源電位ＣＶが供給されている。
【０００６】
また、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートと保持容量線２１７の間には保持容量２１８が接続されている。保持容量線２１７は一定の電位に固定されている。保持容量２１８は、画素選択用ＴＦＴ２１３を通して駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加される表示信号Ｄを一水平期間保持する。
【０００７】
次に、上述した有機ＥＬ表示装置の動作について説明する。ハイレベルの画素選択信号Ｇが１水平期間にわたって画素選択信号線２１１に印加されると、画素選択用ＴＦＴ２１３がオンする。すると、表示信号線２１２の出力された表示信号Ｄが画素選択用ＴＦＴ２１３を通して、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加されると共に、保持容量２１８によって保持される。即ち、表示信号Ｄが表示画素２１０に書き込まれる。
【０００８】
そして、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加された表示信号Ｄに応じて、駆動用ＴＦＴ２１４のコンダクタンスが変化して、駆動用トランジスタ２１４がオン状態となる場合には、そのコンダクタンスに応じた電流が駆動用ＴＦＴ２１４を通して有機ＥＬ素子２１６に供給され、有機ＥＬ素子２１６がそれに応じた輝度で点灯する。一方、当該ゲートに供給された表示信号Ｄに応じて、駆動用ＴＦＴ２１４がオフ状態となる場合には、駆動用ＴＦＴ２１４には電流が流れないため、有機ＥＬ素子２１６は消灯する。
【０００９】
上述した動作を、１フィールド期間にわたって、全ての行の表示画素２１０に対して行うことにより、表示パネル全体に所望の画像を表示することができる。
【００１０】
なお、本願に関連する技術文献としては、以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特開２００４−３４１４３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上述した有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子２１６の発光による残像が表示パネルの一部に生じることがあり、そのため表示品位が劣化するという問題があった。これは、同一の表示画素について、前回に表示信号Ｄが書き込まれた時の駆動用ＴＦＴ２１４の導通状態（オン状態もしくはオフ状態）によっては、今回に書き込まれた時の駆動用ＴＦＴ２１４に、今回の表示信号Ｄに応じて期待される電流値とは異なる電流値の電流が流れてしまうためである。即ち、駆動用ＴＦＴ２１４に流れる電流にヒステリシスがあるという現象である。この現象は、特に表示信号Ｄがハイレベルとロウレベルの中間レベルの信号である場合に顕著である。
【００１２】
本発明者の検討によれば、このヒステリシス現象は、前回の表示信号Ｄの書き込み時に、駆動用ＴＦＴ２１４に流れるキャリア（正孔）がそのゲート絶縁膜中にトラップされ、そのトラップされたキャリアが駆動用ＴＦＴ２１４のしきい値を変動させているためと考えられる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
そこで本発明は、上述のような表示パネルの残像を抑制し、表示品位の向上を図ったアクティブマトリクス型表示装置を提供するものである。
【００１４】
本発明のアクティブマトリクス型表示装置は、マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、発光素子と、画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、表示信号を保持する保持容量とを備え、さらに、帰線期間中に保持容量線の電位を第１の電位から該第１の電位と異なる第２の電位に切り換えて駆動用トランジスタをオフ状態とし、帰線期間終了前に保持容量線の電位を第２の電位から第１の電位に戻すように切り換える電位切換回路を備えることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、駆動用トランジスタのゲート絶縁膜中にトラップされたキャリアをソースあるいはドレインに抜くことができるので、表示画素に表示信号を書き込む前に、駆動用トランジスタの電気的特性（特に、しきい値電圧）を元の状態に戻すことができる。これにより、駆動用トランジスタには、常に表示信号に応じた適正な電流値の電流が流れるようになり、表示パネルの残像現象を抑制することができる。
【００１６】
また、本発明のアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法は、マトリクス状に配置された複数の表示画素を備え、各表示画素は画素選択信号に応じてオンする画素選択用トランジスタと、発光素子と、画素選択用トランジスタを通して印加される表示信号に応じて発光素子を駆動する駆動用トランジスタと、駆動用トランジスタのゲートと保持容量線の間に接続され、表示信号を保持する保持容量とを備えたアクティブマトリクス型表示装置の駆動方法において、帰線期間中に前記保持容量線の電位を第１の電位から該第１の電位と異なる第２の電位に切り換えて駆動用トランジスタをオフ状態とし、帰線期間終了前に保持容量線の電位を第２の電位から第１の電位に戻すように切り換え、帰線期間終了後の映像表示期間に、画素選択信号に応じて画素選択用トランジスタを通して表示信号を駆動用トランジスタに印加することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、アクティブマトリクス型の表示装置において、表示パネルの残像を抑制し、表示品位の向上を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法について、図面を参照して説明する。図１は、この有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。図１では、表示パネル４００の中にマトリクス状に配置された複数の表示画素の中から、１つの表示画素２１０のみを示している。なお、図１において、図３と同一の構成部分については同一の符号を付してその説明を省略する。
【００１９】
この有機ＥＬ表示装置では、表示パネル４００の垂直駆動回路３０１及び水平駆動回路３０２、及び表示画素２１０の保持容量線２１７に、表示パネル４００の制御回路である制御用ＬＳＩ１００が接続されている。
【００２０】
制御用ＬＳＩ１００は、垂直スタートパルス信号ＳＴＶ、垂直クロックＣＫＶ、水平スタートパルス信号ＳＴＨ、水平クロックＣＫＨ等の駆動信号を発生する駆動信号発生回路１０１、及び表示の対象となる画像に応じた表示信号Ｄを時系列的に出力する表示信号発生回路１０２を備えている。
【００２１】
さらに制御用ＬＳＩ１００は、保持容量線２１７と接続された電位切換回路１０３を備えている。この電位切換回路１０３は、帰線期間（即ちブランキング期間）中に、保持容量線２１７の電位を、第１の電位Ｖ１から、当該第１の電位Ｖ１より高い第２の電位Ｖ２に切り換えて駆動用ＴＦＴ２１４をオフ状態とし、帰線期間終了前に保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖ２から第１の電位Ｖ１に戻すように切り換える。
【００２２】
ここで、保持容量線２１７の電位を切り換えて駆動用ＴＦＴ２１４をオフ状態にしたが、このオフ状態とは、完全なオフ状態でなくてもよく、その駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加された電圧に応じてゲートのオフのしぐあいが制御されるのであり、完全にオンしてしまう状態ではないことを意味する。
【００２３】
本実施形態では、第１の電位Ｖ１は接地電位（即ち０Ｖ）であり、第２の電位Ｖ２は電源線２１５の正電源電位ＰＶｄｄ（例えば約７〜８Ｖ）であることが好ましい。
【００２４】
次に、上述した有機ＥＬ表示装置の駆動方法について、図面を参照して説明する。図２は、本実施形態に係る表示装置の駆動方法を説明するタイミング図である。
【００２５】
図２に示すように、電位切換回路１０３は、映像表示期間中には第１の電位Ｖ１を出力しているが、帰線期間中には、第１の電位Ｖ１を第２の電位Ｖ２に切り換えて、保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖ２へ上昇させる。
【００２６】
すると、保持容量２１８の容量結合効果により、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートの電位が、第１の電位Ｖ１から第２の電位Ｖ２への電圧変化分ΔＶに応じて上昇する。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位が、そのソース電位に比して高くなり、また当該駆動用ＴＦＴ２１４の閾値以上に高くなり、当該駆動用ＴＦＴ２１４はオフ状態となる。このとき、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜に、前回の表示信号Ｄの書き込みにより、キャリア（正孔）がトラップされていたとすると、そのキャリア（正孔）はゲートからソースあるいはドレインへ向かう電界によりトンネル電流となって、ゲート絶縁膜からソースあるいはドレインに引き抜かれる。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４の電気的特性が初期化される。
【００２７】
次に、帰線期間終了前に、電位切換回路１０３は、保持容量線２１７の電位を第２の電位Ｖ２から第１の電位Ｖ１に戻すように切り換える。これにより、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート電位は元に戻り、保持容量２１８にも元の表示信号Ｄが保持された状態となる。
【００２８】
そして、帰線期間終了後、映像表示期間に入ると、制御用ＬＳＩ１００の駆動信号発生回路１０１から、垂直駆動回路３０１へ、垂直スタートパルス信号ＳＴＶが出力される。すると、垂直駆動回路３０１によって垂直スタートパルス信号ＳＴＶが垂直クロックＣＫＶに同期してシフトされて、ハイレベルの画素選択信号Ｇが出力され、これに応じて画素選択用ＴＦＴ２１３が１水平期間オンする。そして、この１水平期間中に、駆動信号発生回路１０１から水平駆動回路３０２に出力される水平駆動信号ＳＴＨ（不図示）に同期して、水平駆動回路３０２から表示画素２１０の表示信号線２１２に表示信号Ｄが出力され、この表示信号Ｄが画素選択用ＴＦＴ２１３を通して、駆動用ＴＦＴ２１４のゲートに印加されると共に、保持容量２１８に保持される。そして、表示信号Ｄに応じた電流が駆動用ＴＦＴ２１４から有機ＥＬ素子２１６に供給され、有機ＥＬ素子２１６が発光する。
【００２９】
このように、本実施形態によれば、表示信号線２１２に表示信号Ｄが出力されない帰線期間中に、駆動用ＴＦＴ２１４のゲート絶縁膜中のキャリア（正孔）を抜き取り、その電気的特性を初期化しているので、表示パネル４００の残像現象を抑制し、その表示品位を向上させることができる。
【００３０】
なお、上述した実施形態では、発光素子として有機ＥＬ素子２１６を用いているが、その替わりに、有機ＥＬ素子以外の発光素子、例えば、無機ＥＬ素子や発光ダイオードを用いてもよい。
【００３１】
また、上述した実施形態では、画素選択用ＴＦＴ２１３は例えばＮチャネル型ＴＦＴであり、駆動用ＴＦＴ２１４は例えばＰチャネル型ＴＦＴであるとしたが、これらのＴＦＴは他の導電チャネル型であってもよい。駆動用ＴＦＴ２１４がＮチャネル型ＴＦＴである場合には、上記実施形態とは逆に、第２の電位Ｖ２は第１の電位Ｖ１より低く設定される。
【００３２】
さらにまた、上述した実施形態では電位切り換え回路１０３は制御用ＬＳＩ１００の中に設けられているが、図３の等価回路に示されるように、表示パネル４００の中に設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の駆動方法を説明するタイミング図である。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置のもう１つの等価回路図である。
【図４】従来例に係る有機ＥＬ表示装置の等価回路図である。
【符号の説明】
【００３４】
１００  制御用ＬＳＩ    １０１  駆動信号発生回路    １０２  表示信号発生回路
１０３  電位切換回路    ２１０  表示画素            ２１１  画素選択信号線
２１２  表示信号線      ２１３  画素選択用ＴＦＴ    ２１４  駆動用ＴＦＴ
２１５  電源線          ２１６  有機ＥＬ素子        ２１７  保持容量線
２１８  保持容量        ３０１  垂直駆動回路        ３０２  水平駆動回路
４００  表示パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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