(57)【要約】【課題】  フィラメント電流制限値をフィラメントの消耗等のフィラメント条件に応じて設定すること。【解決手段】  電子銃１０のフィラメント１１に供給するフィラメント電流をフィラメント電流指令電圧によって制御するフィラメント電流制御において、フィラメント電流の上限を、フィラメントに流れる実行電流に基づいて電流制限することによって、フィラメント電流制限値をフィラメントの消耗等のフィラメント条件に応じて設定する。フィラメントの実行電流によりフィラメント電流指令電圧を発生する指令電圧発生回路２と、フィラメント電流指令電圧値を記憶する記憶回路６と、記憶したフィラメント電流指令電圧値に基づいて指令上限電圧を出力する指令上限電圧出力回路４と、フィラメント電流指令電圧を指令上限電圧にクランプする指令電圧クランプ回路５とを備え、フィラメント指令電圧の上限を指令上限電圧に制限してフィラメント電流を電流制限する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子銃のフィラメントに供給するフィラメント電流をフィラメント電流指令電圧によって制御するフィラメント電流制御方法であって、
前記フィラメント電流の上限を、フィラメントに流れる実行電流に基づいて電流制限することを特徴とする電子銃のフィラメント電流制御方法。
【請求項２】
フィラメントに流れる実行電流をフィードバックしてフィラメント電流指令電圧を定め、
当該フィラメント電流指令電圧に基づいてフィラメント指令電圧の上限値を定め、
当該上限値によりフィラメント電流指令電圧を制限することによりフィラメント電流を電流制限することを特徴とする、請求項１に記載の電子銃のフィラメント電流制御方法。
【請求項３】
電子銃のフィラメントに供給するフィラメント電流をフィラメント電流指令電圧によって制御するフィラメント電流制御装置であって、
フィラメントに流れる実行電流をフィードバックしてフィラメント電流指令電圧を発生する指令電圧発生回路と、
当該フィラメント電流指令電圧値を記憶する記憶回路と、
前記記憶回路に記憶したフィラメント電流指令電圧値に基づいて指令上限電圧を出力する指令上限電圧出力回路と、
前記フィラメント電流指令電圧を前記指令上限電圧にクランプする指令電圧クランプ回路とを備え、
フィラメント指令電圧の上限を指令上限電圧に制限することによりフィラメント電流を電流制限することを特徴とする、電子銃のフィラメント電流制御装置。
【請求項４】
前記指令上限電圧出力回路は、記憶回路から読み出したフィラメント電流指令電圧値に所定倍率を乗じた値を指令上限電圧として出力することを特徴とする、請求項３に記載の電子銃のフィラメント電流制御装置。
【請求項５】
前記指令電圧発生回路は、外部指令電圧で定まるフィラメント電流指令電圧を、前記フィラメントに流れる実行電流の大きさに応じて変更して発生することを特徴とする、請求項３又は４に記載の電子銃のフィラメント電流制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴアレイ検査装置等に用いる電子銃の制御に関し、電子銃のフィラメントに流れるフィラメント電流を制御する電流制御方法及び電流制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶基板や薄膜トランジスタアレイ基板（ＴＦＴアレイ基板）は、ガラス基板等の基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）がマトリックス状に配置されてなるＴＦＴアレイと、この薄膜トランジスタに駆動信号を供給する信号電極とを備え、薄膜トランジスタは走査信号電極端子，映像信号電極端子からの信号により駆動される。
【０００３】
基板に形成されるＴＦＴアレイや液晶基板を検査する装置としてＴＦＴアレイ検査装置や液晶基板検査装置等の基板検査装置が知られている。基板検査装置としては、検査用プローバを介して液晶基板に検査信号を印加することによって液晶基板を駆動し、この駆動により液晶基板に発生する電圧状態を検査することによって、液晶基板の短絡、点欠陥、断線等の検査を行うものが知られている。液晶基板に電圧状態の検査は、電子銃で発生した電子を液晶基板等の被検体に照射し、被検体から発生した二次電子を検出することで行うことができる。
【０００４】
電子銃はフィラメントに電流を流すことで電子線を発生する。電流のフィラメントに流す電流は、実際の使用で流される電流値を大幅に越えると、フィラメントの過大発熱を引き起こしてフィラメントが断線し易くなり、フィラメントの寿命を短縮するという問題がある。
【０００５】
そこで、従来の電子銃のフィラメント電流制御では、フィラメントに供給するフィラメント電流値に上限を設けてフィラメント電流を制限する電流制限機能を備えるものがある。
【０００６】
この電流制限機能として、フィラメント電流を指令する電圧値に上限値を持たせる電圧クランプ回路がある。この電圧クランプ回路の一例として、基準電圧源の出力を固定抵抗器や可変抵抗器を用いて分圧し、所望の固定値を設定するものが一般的である。
【０００７】
図７は従来の電子銃のフィラメント電流制御回路の構成例を説明するための図である。電子銃１０は、フィラメント１１にフィラメント電流を流すことによってビーム電流１２を発生し、液晶基板等の被検体２０に照射する。フィラメント１１に供給するフィラメント電流は、フィラメント電流制御回路１０１によって制御される。
【０００８】
フィラメント電流制御回路１０１は、外部指令電圧Ｖiを入力してフィラメント電流指令電圧Ｖoを出力する指令電圧発生器１０２、フィラメント電流指令電圧Ｖoを電流電圧変換してフィラメント電流を発生し、電子銃１０のフィラメント１１に供給するフィラメント電流駆動回路１０３、フィラメント電流指令電圧Ｖoが上限値を越えた場合に、その上限値にクランプ制限する指令電圧クランプ回路１０５を備える。指令電圧クランプ回路１０５は、フィラメント電流駆動回路１０３に入力するフィラメント電流指令電圧Ｖoの上限値Ｖcをクランプすることによって、フィラメント１１に過剰なフィラメント電流が流れないよう電流制限を行っている。指令電圧クランプ回路１０５が定める上限値Ｖcは、例えば抵抗の分圧比によって定められる。
【０００９】
図８は、指令電圧発生器、指令電圧クランプ回路、及びフィラメント電流駆動回路の各回路の動作を説明するための図である。なお、ここでは、説明を簡易とするために、外部指令電圧Ｖiとフィラメント電流指令電圧Ｖoとフィラメント電流Ｉoとの関係をリニアな関係で示しているが、所定特性とすることもできる。
【００１０】
指令電圧発生器１０２は、外部指令電圧Ｖiに応じてフィラメント電流指令電圧Ｖoを発生する。このとき、指令電圧クランプ回路１０５は指令電圧の上限値Ｖcを定める。フィラメント電流駆動回路１０３は、フィラメント電流指令電圧Ｖoに応じたフィラメント電流Ｉoを発生し、フィラメントに供給する。フィラメント電流Ｉoは、フィラメント電流指令電圧を上限値Ｖcに制限することによって上限値Ｉcに制限される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
フィラメント電流の実使用値はフィラメントが消耗するに伴って変化し、消耗が進むと同等の電子ビームを発生するために要する電流値は減少する。これは、フィラメントから加速電子を射出させるための条件が、フィラメント電流ではなく、フィラメントの温度で決まるためである。フィラメントの消耗が進んでフィラメント径が細くなると、フィラメントの抵抗値が増加する。フィラメント温度はフィラメントの発熱Ｐと等価であり、発熱Ｐはフィラメントの抵抗値Ｒとフィラメント電流ｉを用いて、（Ｐ＝Ｒ×ｉ×ｉ）で表される。
【００１２】
したがって、フィラメントの径が細くなって抵抗値Ｒが増加すると、同じ電流値を流した場合には発熱量Ｐが増えるため、発熱量Ｐを一定とするにはフィラメント電流ｉを減少させる必要がある。
【００１３】
ところが、従来のフィラメント電流制御回路が備える指令電圧クランプ回路１０５では、フィラメント電流の上限値は、フィラメントの消耗の程度にかかわらず一定の値に固定されているため、フィラメントの消耗に応じてフィラメント電流の上限値を減少させる方向に変化させることはできない。
【００１４】
フィラメント電流をオフ状態からオン状態に状態変化させると、配線等の回路中に蓄積された電荷の放電等によってフィラメントに過大な電流が流れる。図９は、フィラメント電流とフィラメント電流上限値との関係を説明するための図である。
【００１５】
過大電流で増加したフィラメント電流指令電圧は、指令電圧クランプ回路によって制限されるが、フィラメントが消耗している場合には、設定した上限値（図９中のＩｃ）では十分に制限することができずにオーバーシュートすることになる。図９では、ある消耗状態のフィラメントにおける上限値をＩdで示している。
【００１６】
フィラメント電流Ｉoがそのときの上限値Ｉdを越えてオーバーシュートが発生すると、フィラメントに過大な発熱が発生してフィラメントの寿命を縮めたり、被検体に照射するビーム電流が過大となり、被検体を必要以上に帯電させ、液晶基板の場合には擬似欠陥を生成してしまったり、被検体を破壊する場合がある。
【００１７】
そこで、本発明は前記した従来の問題点を解決し、フィラメント電流制限値をフィラメントの消耗等のフィラメント条件に応じて設定することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、電子銃のフィラメントに供給するフィラメント電流をフィラメント電流指令電圧によって制御するフィラメント電流制御において、フィラメント電流の上限を、フィラメントに流れる実行電流に基づいて電流制限することによって、フィラメント電流制限値をフィラメントの消耗等のフィラメント条件に応じて設定する。
【００１９】
フィラメントに流れる実行電流をフィードバックしてフィラメント電流指令電圧を定め、フィラメント電流指令電圧に基づいてフィラメント指令電圧の上限値を定め、上限値によりフィラメント電流指令電圧を制限することによりフィラメント電流を電流制限する。
【００２０】
これにより、現時点で実用上必要充分なフィラメント電流値に相当する指令電圧の任意の設定倍率分だけ大きな上限値に自動設定されるため、フィラメントの消耗に応じたフィラメント電流をフィラメントに供給し、必要以上に大きなフィラメント電流を流すことを防ぐことができる。これにより、電子銃のフィラメントの寿命を延ばし、被検体の損傷を防ぐことができる。
【００２１】
本発明の電子銃のフィラメント電流制御装置は、電子銃のフィラメントに供給するフィラメント電流をフィラメント電流指令電圧によって制御するフィラメント電流制御装置であり、フィラメントに流れる実行電流をフィードバックしてフィラメント電流指令電圧を発生する指令電圧発生回路と、フィラメント電流指令電圧値を記憶する記憶回路と、記憶回路に記憶したフィラメント電流指令電圧値に基づいて指令上限電圧を出力する指令上限電圧出力回路と、フィラメント電流指令電圧を前記指令上限電圧にクランプする指令電圧クランプ回路とを備え、これによりフィラメント指令電圧の上限を指令上限電圧に制限することによりフィラメント電流を電流制限する。
【００２２】
指令電圧発生回路は、入力した外部指令電圧に基づいて指令電圧を定めると共に、この指令電圧を電子銃のフィラメントに流れる実行電流に応じた大きさのフィラメント電流指令電圧を出力する。
【００２３】
記憶回路が記憶するフィラメント電流指令電圧は、実行電流の変化に依存しているため、消耗等のフィラメント条件に応じて変化する。
【００２４】
指令上限電圧出力回路は、記憶回路から読み出したフィラメント電流指令電圧値に所定倍率を乗じた値を指令上限電圧として出力する。したがって、指令上限電圧出力回路から出力される指令上限電圧は、消耗の程度等のフィラメント条件に応じて変化する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、フィラメント電流制限値をフィラメントの消耗等のフィラメント条件に応じて設定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。
【００２７】
図１は本発明のフィラメント電流制御装置の構成例を説明するための図である。電子銃１０は、前記図７で示したように、フィラメント１１にフィラメント電流を流すことによってビーム電流１２を発生し、液晶基板等の被検体２０に照射する。フィラメント１１に供給するフィラメント電流は、フィラメント電流制御装置１によって制御される。
【００２８】
フィラメント電流制御装置１は、前記図７で示した構成と同様に、外部指令電圧Ｖiを入力してフィラメント電流指令電圧値Ｖoを出力する指令電圧発生器２、フィラメント電流指令電圧値Ｖoを電流電圧変換してフィラメント電流を発生し、電子銃１０のフィラメント１１に供給するフィラメント電流駆動回路３、フィラメント電流指令電圧値Ｖoが上限値を越えた場合に、その上限値にクランプ制限する指令電圧クランプ回路５を備えと共に、指令電圧発生器２が出力するフィラメント電流指令電圧値Ｖoを記憶する記憶回路６と、記憶回路６に記憶したフィラメント電流指令電圧値Ｖoに基づいて指令上限電圧Ｖcを出力する指令上限電圧出力回路４を備える。
【００２９】
記憶回路６と指令上限電圧出力回路４は、フィラメント電流制限値をフィラメントの消耗等のフィラメント条件に応じて設定することを可能とするための回路を構成している。
【００３０】
指令電圧発生器２は、フィラメント１１からフィードバックした実行電流に基づいてフィラメント電流指令電圧を変更しているため、このフィラメント電流指令電圧はフィラメントの消耗等のフィラメント条件の情報を含んでいる。例えば、フィラメントが消耗してフィラメントの抵抗が増加した場合には実行電流は減少し、指令電圧発生器２が出力するフィラメント電流指令電圧も減少する。記憶回路６は、この減少したフィラメント電流指令電圧値を記憶する。フィラメント電流指令電圧値を記憶するタイミングは、任意に設定することができ、例えば一定時間間隔でサンプリングしたり、フィラメントをオフとする直前に記憶することができる。
【００３１】
また、フィラメント電流指令電圧値の記憶は、フィラメント電流指令電圧値をデジタルデータの形態でメモリに記憶する他、アナログ量としてコンデンサ等に電圧の形態で記憶することができる。
【００３２】
図１はデジタルデータの形態でメモリに記憶する構成例を示している。この記憶回路６は、フィラメント電流指令電圧値をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器６ａと、デジタル値に変換したフィラメント電流指令電圧値を記憶するメモリ６ｂ、メモリ６ｂに記憶するデジタル値を読み出してアナログ量の電圧値に変換するＤ／Ａ変換器６ｃと、これらＡ／Ｄ変換器６ａ，メモリ６ｂ，及びＤ／Ａ変換器６ｃの動作制御を行うロジック回路６ｄを含む。ロジック回路６ｄは、例えば外部から入力した記憶指令に基づいて、Ａ／Ｄ変換器６ａで変換したフィラメント電流指令電圧値をメモリ６ｂに記憶する。
【００３３】
指令上限電圧出力回路４は、記憶回路６から読み出したフィラメント電流指令電圧値に所定倍率を乗じて指令電圧を生成し、この指令電圧を上限値Ｖcとして出力する。指令上限電圧出力回路４は、例えばオペアンプを用いた乗算器で構成することができ、倍率はオペアンプに接続する抵抗値の比率で任意に設定することができる。
【００３４】
指令電圧クランプ回路５は、フィラメント電流駆動回路３に入力するフィラメント電流指令電圧Ｖoの上限値Ｖcをクランプすることによって、フィラメント１１に過剰なフィラメント電流が流れないよう電流制限を行っている。指令電圧クランプ回路５が定める上限値Ｖcは、指令上限電圧出力回路４の出力値によって定められる。
【００３５】
図２は、指令電圧発生器２、記憶回路６、指令上限電圧出力回路４、指令電圧クランプ回路５、及びフィラメント電流駆動回路３の各回路の動作を説明するための図である。なお、ここでは、前記図８と同様に、説明を簡易とするために、外部指令電圧Ｖiとフィラメント電流指令電圧Ｖoとフィラメント電流Ｉoとの関係をリニアな関係で示しているが、所定特性とすることもできる。
【００３６】
指令電圧発生器２は、外部指令電圧Ｖiに応じてフィラメント電流指令電圧Ｖoを発生する。このとき、指令電圧クランプ回路５は指令電圧の上限値Ｖcを定める。フィラメント電流駆動回路３は、フィラメント電流指令電圧Ｖoに応じたフィラメント電流Ｉoを発生し、フィラメントに供給する。
【００３７】
フィラメント電流指令電圧Ｖoが上限値Ｖc1を越える場合には、指令電圧クランプ回路５はフィラメント電流指令電圧Ｖoを上限値Ｖc1にクランプする。フィラメント電流駆動回路３は、上限値Ｖc1に応じたフィラメント電流Ｉc1を発生し、フィラメントに供給する。これによって、フィラメント電流Ｉcはフィラメント電流Ｉc1に電流制限される。
【００３８】
ここで、フィラメント１１からのフィードバックによって実行電流が変化した場合には、指令電圧発生器２からはこの実行電流の変化に応じて変化したフィラメント電流指令電圧が出力される。
【００３９】
記憶回路６及び指令上限電圧出力回路４は、このフィラメント電流指令電圧に応じて上限値Ｖc2（＜Ｖc1）に変更する。
【００４０】
ここで、フィラメント電流指令電圧Ｖoが上限値Ｖc2を越える場合には、指令電圧クランプ回路５はフィラメント電流指令電圧Ｖoを上限値Ｖc2にクランプする。フィラメント電流駆動回路３は、上限値Ｖc2に応じたフィラメント電流Ｉc2を発生し、フィラメントに供給する。これによって、フィラメント電流Ｉcはフィラメント電流Ｉc2に電流制限される。このフィラメント電流Ｉc2はフィラメント電流Ｉc1よりも小さく設定されるため、フィラメントの消耗の程度に応じた設定となる。
【００４１】
図３は図１に示すフィラメント電流制御装置の構成例の動作例を説明するためのフローチャートである。
【００４２】
図３のフローチャートにおいて、記憶回路６のロジック回路ｄは、フィラメント電流指令電圧値Ｖoを取得する指令（記憶指令）が出されると（Ｓ１）、フィラメント電流指令電圧を取得し（Ｓ２）、取得したフィラメント電流指令電圧値ＶoをＡ／Ｄ変換器６ａでデジタル信号に変換し、メモリ６ｂに記憶する（Ｓ３）。
【００４３】
ロジック回路ｄは、指令上限電圧Ｖcを更新する更新指令に基づいて（Ｓ４）、メモリ６ｂに記憶しているフィラメント電流指令電圧値Ｖoを読み出し、Ｄ／Ａ変換器６ｃでアナログ量に変換する。指令上限電圧Ｖcの更新は、外部信号によって任意のタイミングで行うことができる。外部信号は、例えばフィラメント電流制御装置１内に設けたタイマー回路（図示していない）で発生して一定周期信号とすることができる。また、フィラメントをオン／オフさせる制御回路（図示していない）から出力する信号に基づいて更新するようにしてもよい（Ｓ５）。
【００４４】
指令上限電圧出力回路４は、Ｄ／Ａ変換器６ｃで変換した電圧値を所定倍率を乗じて指令上限電圧を求め、この指令上限電圧を指令電圧クランプ回路５に設定する（Ｓ６）。
【００４５】
上記処理を電子銃を駆動している間繰り返し、この間に変化したフィラメント電流指令電圧の値を記憶回路６に格納しておく。これによって、記憶回路６には、その時点におけるフィラメント電流指令電圧が記憶される。このフィラメント電流指令電圧に基づいて上限値を設定することによって、常に電子銃のフィラメントの消耗の程度等のフィラメント条件に合わせて、フィラメント電流の電流制限を行うことができる。
【００４６】
図４は、フィラメント電流とフィラメント電流上限値との関係を説明するための図である。
【００４７】
図４（ａ）はフィラメント電流上限値Ｉc1が設定された場合を示している。フィラメント電流は、指令電圧クランプ回路によってフィラメント電流上限値Ｉc1に電流制限される。
【００４８】
フィラメント条件の変化によってフィラメント電流上限値Ｉc1がフィラメント電流上限値Ｉc2に変更された場合には、図４（ｂ）に示すように、フィラメント電流は、指令電圧クランプ回路によってフィラメント電流上限値Ｉc2に電流制限される。これによって、フィラメント電流上限値Ｉc1の場合に発生するオーバーシュートを防ぐことができる。
【００４９】
本発明のフィラメント電流制御装置によれば、フィラメントに過剰電流の供給を防ぐことができるため、フィラメントの寿命を長く保持することができる。図５はフィラメントの寿命の概略を説明するための図であり、フィラメントの消耗により径が減少することで、抵抗が増加するため、フィラメントが消耗すると同一の発熱を発生するに要する指令電圧Ｖiは減少する。図５（ａ）は消耗の程度が小さい場合の指令電圧Ｖiの経時変化を、図５（ｂ）は消耗の程度が大きい場合の指令電圧Ｖiの経時変化をそれぞれ模式的に示している。
【００５０】
消耗の程度が大きいほど指令電圧Ｖiの減少の変化が大きいため、フィラメント電流上限値が固定されている場合にはフィラメントに対する過剰電流の影響が大きくなるのに対して、フィラメント電流上限値を可変としてフィラメント条件に合わせることによってフィラメントに対する過剰電流の影響を抑制することができる。
【００５１】
図６は、本発明のフィラメント電流制御装置の他の構成例を説明するための図であり、アナログ回路で構成した記憶回路の構成例を示している。図６に示す構成例は、記憶回路７の構成以外は前記図１で示したものと同じであるため、ここでは記憶回路７の構成についてのみ説明する。
【００５２】
記憶回路７は、フィラメント電流指令電圧を蓄積するコンデンサ７ｂと、このコンデンサ７ｂの蓄電及び放電を制御するスイッチ７ａ，７ｂと、スイッチ７ａ，７ｂの動作制御を行うロジック回路７ｄを含む。ロジック回路７ｄは、例えば外部から入力した記憶指令に基づいて、スイッチ７ｂを開きスイッチ７ａを閉じることによってコンデンサ７ｂにフィラメント電流指令電圧を蓄積する。
【００５３】
このコンデンサ７ｂの蓄電によって、フィラメント電流指令電圧値が記憶される。なお、コンデンサ７ｂはリーク電流が少ないことが望ましい。記憶されたフィラメント電流指令電圧値は、スイッチ７ａを開きスイッチ７ｂを閉じることによってコンデンサ７ｂに蓄電されたフィラメント電流指令電圧を指令上限電圧出力回路４に放電する。指令上限電圧出力回路４は、このコンデンサ７ｂに蓄電された電圧に基づいて所定倍率を乗じて指令上限電圧値を生成する。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明の液晶パネルのほか、有機ＥＬパネルの検査等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】フィラメント電流制御装置の構成例を説明するための図である。
【図２】本発明の指令電圧発生器、記憶回路、指令上限電圧出力回路、指令電圧クランプ回路、及びフィラメント電流駆動回路の各回路の動作を説明するための図である。
【図３】本発明のフィラメント電流制御装置の構成例の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図４】フィラメント電流とフィラメント電流上限値との関係を説明するための図である。
【図５】フィラメントの寿命の概略を説明するための図である。
【図６】本発明のフィラメント電流制御装置の他の構成例を説明するための図である。
【図７】従来の電子銃のフィラメント電流制御回路の構成例を説明するための図である。
【図８】指令電圧発生器、指令電圧クランプ回路、及びフィラメント電流駆動回路の各回路の動作を説明するための図である。
【図９】フィラメント電流とフィラメント電流上限値との関係を説明するための図である
【符号の説明】
【００５６】
１…フィラメント電流制御装置、２…指令電圧発生器、３…フィラメント電流駆動回路、４…指令上限電圧出力回路、５…指令電圧クランプ回路、６…記憶回路、６ａ…Ａ／Ｄ変換器，６ｂ…メモリ、６ｃ…Ｄ／Ａ変換器、６ｄ…ロジック回路、７…記憶回路、７ａ…スイッチ、７ｂ…コンデンサ、７ｃ…スイッチ、７ｄ…ロジック回路、１０…電子銃、１１…フィラメント、１２…ビーム電流、２０…被検体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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