(57)【要約】【課題】  結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の方法は基板上に非晶質シリコーン層を形成する段階、非晶質シリコーン層上にギャッピング層を形成する段階、ギャッピング層上に金属触媒層を形成する段階、金属触媒層にレーザービームを選択的に照射して金属触媒を拡散させる段階及び非晶質シリコーン層を結晶化する段階を含むことを特徴とする。ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質シリコーン層を形成する段階と；
前記非晶質シリコーン層上にギャッピング層を形成する段階と；
前記ギャッピング層上に金属触媒層を形成する段階と；
前記金属触媒層にレーザービームを選択的に照射して前記金属触媒を拡散させる段階；及び
前記非晶質シリコーン層を結晶化する段階を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記レーザービームの形態がドット型であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記ドット型のレーザービームは円形、三角形、四角形、台形及びひし形のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記レーザービームの形態がライン型であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記レーザービームはパターニングされたマスクを介して照射されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記ギャッピング層はシリコーン窒化膜またはシリコーン酸化膜で構成されたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記金属触媒はニッケルであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記金属触媒層の厚さは２Å以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記非晶質シリコーン層の結晶化は熱処理により構成されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
基板上に非晶質シリコーン層を形成する段階と；
前記非晶質シリコーン層上にギャッピング層を形成する段階と；
前記ギャッピング層上に金属触媒層を形成する段階と；
前記金属触媒層上に金属触媒保護層を形成する段階と；
前記金属触媒保護層にレーザービームを選択的に照射して前記金属触媒を拡散させる段階；及び
前記非晶質シリコーン層を結晶化する段階を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記レーザービームの形態がドット型であることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記ドット型のレーザービームは円形、三角形、四角形、台形及びひし形のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記レーザービームの形態がライン型であることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記レーザービームはパターニングされたマスクを介して照射されることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記ギャッピング層はシリコーン窒化膜またはシリコーン酸化膜で構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記金属触媒はニッケルであることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１７】
前記金属触媒層の厚さは２Å以下であることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
前記非晶質シリコーン層の結晶化は熱処理により構成されることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１９】
前記金属触媒保護層はシリコーン窒化膜またはシリコーン酸化膜で構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２０】
前記金属触媒保護層は前記ギャッピング層と同時にエッチングが可能な膜で構成されたことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタの製造方法に係り、さらに詳細にはＳＧＳ法を利用した結晶化において、レーザービームを選択的に照射して金属触媒を拡散させて結晶化することを含む薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、多結晶シリコーン層は高い電界効果移動度と高速動作回路に適用が可能であってＣＭＯＳ回路構成が可能であるという長所があって薄膜トランジスタ用半導体層の用途で多く使われている。このような多結晶シリコーン層を利用した薄膜トランジスタは主にアクティブマトリックス液晶ディスプレー装置（ＡＭＬＣＤ）のアクティブ素子と有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）のスイッチング素子及び駆動素子に使われる。
【０００３】
この時、薄膜トランジスタに用いる多結晶シリコーン層の製作は直接蒸着法、高温熱処理を利用した技術またはレーザー熱処理方法などを利用する。レーザー熱処理方法は低温工程が可能であって高い電界効果移動度を具現することができるが、高価のレーザー装備が必要であるので代替技術が多く研究されている。
【０００４】
現在、金属を利用して非晶質シリコーンを結晶化する方法は固相結晶化（ＳＰＣ、Ｓｏｌｉｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）より低い温度で迅速な時間内に結晶化させることができる長所を有しているため多く研究されている。金属を利用した結晶化方法は金属誘導結晶化（ＭＩＣ、Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法と金属誘導側面結晶化（ＭＩＬＣ、Ｍｅｔａｌ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ）方法に区分される。しかし、金属を利用した前記方法の場合にも金属汚染によって薄膜トランジスタの素子特性が低下する問題点がある。
【０００５】
一方、金属量を減らして良質の多結晶シリコーン層を形成させるために、イオン注入器を介して金属のイオン濃度を調節して高温処理、急速熱処理またはレーザー照射で良質の多結晶シリコーン層を形成させる技術と金属誘導結晶化方法で多結晶シリコーン層の表面を平坦にするために粘性がある有機膜と液状の金属を混合してコーティング方法で薄膜を蒸着した次に熱処理工程で結晶化する方法が開発されている。しかし、前記結晶化方法の場合にも多結晶シリコーン層で最も重要視されるグレーン大きさの大型化及び均一度側面で問題がある。
【０００６】
前記問題を解決するために蓋層を利用した結晶化方法で多結晶シリコーン層を製造する方法（韓国公開特許番号２００３−００６０４０３）が開発された。前記方法は、基板上に非晶質シリコーン層を形成してその上にギャッピング層を形成させた次に、前記ギャッピング層上に金属触媒層を蒸着して熱処理あるいはレーザーを利用して金属触媒をギャッピング層を介して非晶質シリコーン層に拡散させてシード（ｓｅｅｄ）を形成させた後、これを利用して多結晶シリコーン層を得る方法である。前記方法は金属触媒が蓋層を介して拡散するため必要以上の金属汚染を防止することができるという長所がある。しかし、前記方法の場合にも金属触媒の均一な低濃度制御が難しくて結晶化が始まる位置、成長方向及び結晶粒の大きさを制御するに難しいという問題点がある。
【特許文献１】韓国公開特許番号２００３−００６０４０３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明が解決しようとする技術的課題は上述した従来技術の問題点を解決するためのことであって、ＳＧＳ法を利用した結晶化においてレーザービームの選択的な照射を介してシードを形成させて結晶化することによって結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記技術的課題を達成するために本発明は薄膜トランジスタの製造方法を提供する。前記方法は基板上に非晶質シリコーン層を形成する段階、前記非晶質シリコーン層上にギャッピング層を形成する段階、前記ギャッピング層上に金属触媒層を形成する段階、前記金属触媒層にレーザービームを選択的に照射して前記金属触媒を拡散させる段階及び前記非晶質シリコーン層を結晶化する段階を含むことを特徴とする。
【０００９】
また、前記方法は基板上に非晶質シリコーン層を形成する段階、前記非晶質シリコーン層上にギャッピング層を形成する段階、前記ギャッピング層上に金属触媒層を形成する段階、前記金属触媒層上に金属触媒保護層を形成する段階、前記金属触媒保護層にレーザービームを選択的に照射して前記金属触媒を拡散させる段階及び前記非晶質シリコーン層を結晶化する段階を含むことを特徴とする。
【００１０】
前記レーザービームの形態はドット（ｄｏｔ）型またはライン（ｌｉｎｅ）型であることがあって、ドット型である場合その断面形態が円形、三角形、四角形、台形及びひし形のうちいずれか一つでもある。また、前記レーザービームはパターニングされたマスクを介して照射できる。
【００１１】
前記非晶質シリコーン層の結晶化は熱処理により構成されることができる。
【００１２】
前記金属触媒保護層はシリコーン窒化膜またはシリコーン酸化膜で構成されることができ、前記ギャッピング層と同時にエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）が可能な膜で構成されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
上述したように本発明によると、ＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化することにおいて、レーザービームの選択的な照射を介して金属触媒の均一な低濃度拡散制御を可能なようにして、結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節して素子特性を向上させて、均一な値を得ることができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する利点がある。
【００１４】
前記では本発明の望ましい実施形態を参照しながら説明したが、該技術分野の熟練された当業者は特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照しながら説明する。明細書全体にかけて同一な参照番号は同一な構成要素を示す。
【００１６】
本発明ではＳＧＳ法を利用して非晶質シリコーン層を結晶化させるが、前記ＳＧＳ（Ｓｕｐｅｒ  Ｇｒａｉｎ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法ということは、金属触媒の選択的な拡散を介してシードを形成させて結晶化することによって結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節することができる結晶化法をいう。
【００１７】
図１Ａないし図１Ｅは本発明の第１及び第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための工程順序図であって、図１Ａは本発明の第１及び第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面構造図である。
【００１８】
図１Ａを参照すると、基板１００上にバッファー層１１０を形成する。前記基板１００はガラス等のような絶縁基板を用いることが望ましくて、前記バッファー層１１０は前記基板１００から流出される不純物から後続する工程で形成される半導体層を保護する役割をする。前記バッファー層１１０はシリコーン酸化膜で形成することが望ましい。
【００１９】
前記バッファー層１１０が形成された基板全面に非晶質シリコーン層１２０を形成する。前記非晶質シリコーン層１２０は化学気相蒸着（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｕｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）を用いて遂行することができる。
【００２０】
前記非晶質シリコーン層１２０上にギャッピング層１３０を形成する。前記ギャッピング層１３０はシリコーン窒化膜またはシリコーン酸化膜で構成されることができ、プラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）法を用いて形成することができる。
【００２１】
前記ギャッピング層１３０は後述する金属触媒が拡散可能であるように形成されるが、その厚さは５ないし２０００Åであることが望ましい。ギャッピング層の厚さが５Å以下ならば金属触媒の低濃度制御が難しくて、その厚さが２０００Å以上であれば金属触媒の拡散が難しいので前記した厚さでギャッピング層を形成することが望ましい。また、一般に酸化膜または窒化膜は不純物の拡散においてバリヤ（ｂａｒｒｉｅｒ）で作用するので、シリコーン酸化膜またはシリコーン窒化膜の密度を低くして金属触媒の拡散を容易にすることもできる。
【００２２】
続いて、前記ギャッピング層１３０上に金属触媒１４０層を形成する。前記金属触媒１４０としてはニッケルを用いることができて、スパッタ（Ｓｐｕｔｔｅｒ）を利用して蒸着することができる。また、イオン注入を介した方法で成り立つことができて、プラズマを利用して形成することができるが、プラズマを利用した方法は前記ギャッピング層１３０上に金属物質を配置してこれをプラズマに露出させて形成させることができる。
【００２３】
前記方法により形成される金属触媒１４０層の厚さは２Å以下であることが望ましい。金属触媒の低濃度制御のために金属触媒を目が細かく蒸着させないでちらほらと蒸着させるが、形成される金属触媒１４０層の厚さが２Å以上になれば金属触媒の濃度が高くなり低濃度制御が難しくなって、シリコーン内の金属触媒の濃度も高くなってトランジスタの漏れ電流が大きくなるようになって、後述する多結晶シリコーン層の結晶粒(Grain)大きさが小さくなるようになる。
【００２４】
続いて、前記金属触媒１４０層にレーザービーム１６０を照射して前記金属触媒１４０を前記非晶質シリコーン層１２０に拡散させる。この時、後述するシード１５０が所望する部分に形成されることができるように前記金属触媒１４０が拡散する領域を選択してレーザービームを照射する。
【００２５】
前記レーザービームの選択的な照射を介して前記金属触媒１４０は前記ギャッピング層１３０を通過して前記非晶質シリコーン層１２０に拡散される。拡散した前記金属触媒１４０は前記非晶質シリコーン層１２０でシード１５０を形成させる。前記シード１５０というのは金属触媒がシリコーンと会って形成される金属ケイ化物を意味する。後述する結晶化は前記シード１５０から形成されるが、普通は金属触媒のうち１／１００程度だけが拡散してシードを形成する。
【００２６】
前記したように、本発明では金属触媒を拡散させることにおいて、レーザービームを選択的に照射するが、照射されるレーザービームの形態を多様に形成して照射することができる。
【００２７】
図１Ｂは本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するためのことであって、図１Ａに示した断面での斜視図である。
【００２８】
図１Ｂを参照すると、前記金属触媒１４０層にレーザービーム１７０を選択的に照射して前記金属触媒１４０を前記ギャッピング層１３０を通過して前記非晶質シリコーン層１２０に拡散させる。
【００２９】
この時、前記レーザービーム１７０の形態はドット型であり、照射される領域は局部的に選択された領域にだけ限られることが分かる。
【００３０】
詳細に説明すると、所定のレーザー装置が基板１００のｙ軸方向に移動しながらレーザービーム１７０を前記金属触媒１４０層に選択的に照射した後、前記基板１００のｘ軸方向に前記レーザー装置を移動して照射しようとする領域を選択する。続いて、前記基板１００のｙ軸方向にレーザー装置を移動しながらレーザービーム１７０を選択的に照射した後、再び前記レーザー装置を前記基板１００のｘ軸方向に移動して照射しようとする領域を選択する。これを繰り返して所望する部分に前記金属触媒１４０が拡散してシード１５０を形成することができるように前記レーザービーム１７０を照射する。
【００３１】
図１Ｂではドット型レーザービームの断面形態が四角形であることだけを図示しているが、円形、三角形、台形及びひし形のうちいずれか一つの断面形態を有するドット型レーザービームを用いることができる。また、他の断面形態を有するドット型レーザービームを用いることもできる。
【００３２】
図１Ｃは本発明の第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するためのことであって、図１Ａに示した断面での斜視図である。
【００３３】
図１Ｃを参照すると、金属触媒１４０層にレーザービーム１８０を選択的に照射して前記金属触媒１４０をギャッピング層１３０を通過して非晶質シリコーン層１２０に拡散させる。
【００３４】
この時、前記レーザービーム１８０の形態はライン型であり、照射される領域はライン形態で選択された領域にだけ限られることが分かる。
【００３５】
詳細に説明すると、金属触媒１４０層にライン形態のレーザービーム１８０を選択的に照射した後、基板１００のｘ軸方向に所定のレーザー装置を移動して照射しようとする領域を選択する。続いて、ライン形態のレーザービーム１８０を照射した後、再び前記レーザー装置を前記基板１００のｘ軸方向に移動して照射しようとする領域を選択する。これを繰り返して所望する部分に前記金属触媒１４０が拡散してシード１５０を形成することができるようにレーザービームを照射する。
【００３６】
図１Ｃでは基板１００のｙ軸領域を一度に照射することができるライン形態のレーザービーム１８０を例示しているが、基板のｙ軸領域を一度に照射できない場合には図１Ｂに示したように、先に所定のレーザー装置を基板１００のｙ軸へ移動しながらライン形態のレーザービーム１８０を金属触媒１４０層に選択的に照射した後、前記レーザー装置を前記基板１００のｘ軸へ移動して照射しようとする領域を選択する方法を用いることができる。
【００３７】
図１Ｄを参照すると、前記拡散により形成されたシード１５０を含んだ前記非晶質シリコーン層１２０を結晶化して多結晶シリコーン層１２５を形成させる。前記結晶化は熱処理を介して遂行されることができ、前記熱処理は炉（Ｆｕｒｎａｃｅ）で長時間加熱することによって成り立つことができるが、この時熱処理温度は４００ないし１０００℃で成り立つことができて、望ましくは５５０ないし６００℃で成り立つことが望ましい。前記温度で熱処理をするようになれば前記シード１５０から側面に成長して隣接した結晶粒と会うようになって結晶粒境界（Ｇｒａｉｎ  ｂｏｕｎｄａｒｙ）を形成して完全結晶化される。前記ＳＧＳ法により結晶化された多結晶シリコーン層１２５の結晶粒大きさは３ないし４００μｍまで成長できる。したがって、結晶粒内部でも結晶性が良い部分をチャネル形成部にして後述するチャネル層を形成することができる。
【００３８】
前記したように、本発明では金属触媒が拡散する領域を選択してレーザービームを照射することによって多結晶シリコーン層の結晶粒の大きさ及び結晶が成長する位置、方向を調節することができるようになる。また、前記のようにチャネル層が結晶性が良い所に形成されるならば薄膜トランジスタの素子特性はそれだけ向上して均一な値を得ることができるようになる。
【００３９】
図１Ｅを参照すると、前記ギャッピング層１３０、金属触媒１４０層は前記ＳＧＳ法を利用して結晶化した後にエッチングを介して除去させる。前記構造物を除去させることによって結晶化された多結晶シリコーン層１２５に必要以上の金属汚染を防止することができる。
【００４０】
続いて、前記多結晶シリコーン層１２５をパターニングしてイオン注入工程を介してソース／ドレイン領域１９０Ｓ、１９０Ｄ及びチャネル層１９０Ｃを形成する。すなわち、半導体層パターン１９０を形成する。
【００４１】
前記半導体層パターン１９０上にゲート絶縁膜１９５を形成した後前記ゲート絶縁膜１９５上に金属層及びフォトレジスト層を次々と積層する。前記フォトレジスト層をパターニングして前記パターニングされたフォトレジスト層をマスクにして前記金属層をエッチングすることでゲート電極１９６を形成する。前記結果物を利用して薄膜トランジスタを完成できる。
【００４２】
図２は本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面構造図である。
【００４３】
図２を参照すると、基板１００上にバッファー層１１０、非晶質シリコーン層１２０、ギャッピング層１３０及び金属触媒１４０層が次々と積層されている。
【００４４】
前記金属触媒１４０層にレーザービーム２６０を照射して前記金属触媒１４０を前記非晶質シリコーン層１２０に拡散させる。この時、前記レーザービーム２６０はシード１５０が所望する部分に形成されることができるようにパターニングされたマスク２６５を介して前記金属触媒１４０層に照射される。
【００４５】
本発明の第３実施形態では第１及び２実施形態とは違ってパターニングされたマスク２６５を用いることによって、さらに広い領域を選択してレーザービーム２６０を照射することができて工程時間を減らすことができる長所がある。
【００４６】
上述したことを除いては本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタの製造方法と同一である。
【００４７】
図３は本発明の第４実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面構造図である。
【００４８】
図３を参照すると、基板１００上にバッファー層１１０、非晶質シリコーン層１２０、ギャッピング層１３０及び金属触媒１４０層が次々と積層されている。
【００４９】
本発明の第４実施形態では前記金属触媒１４０層上に金属触媒保護層３４５を形成する。前記金属触媒１４０層は拡散過程を遂行するためにレーザービーム３６０が照射されるが、保護膜を形成しないで前記金属触媒１４０層にレーザービームを照射する場合には照射された領域が外部に露出していてエネルギー損失が大きくなることができるようになる。また、金属触媒に直接レーザービームが照射されるために前記金属触媒が保護されなくて飛んで行ってしまい均一な低濃度制御が難しいことがある。したがって、本実施形態では前記金属触媒保護層３４５を形成して前記レーザービーム３６０を前記金属触媒保護層３４５に照射することによって均一な金属触媒の低濃度制御が可能なようにしている。
【００５０】
前記金属触媒保護層３４５はシリコーン窒化膜またはシリコーン酸化膜で構成されたことであることができる。また、多結晶シリコーン層を形成した次に前記金属触媒保護層３４５は除去されるのでギャッピング層と同時にエッチングが可能な膜を用いることが望ましい。
【００５１】
上述したことを除いては本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタの製造方法と同一である。
【００５２】
図４は本発明の第５実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面構造図である。
【００５３】
図４を参照すると、基板１００上にバッファー層１１０、非晶質シリコーン層１２０、ギャッピング層１３０、金属触媒１４０層及び金属触媒保護層３４５が次々と積層されている。
【００５４】
前記金属触媒保護層３４５にレーザービーム４６０を照射して前記金属触媒１４０を前記非晶質シリコーン層１２０に拡散させる。この時、前記レーザービーム４６０はシード１５０が所望する部分に形成されることができるようにパターニングされたマスク４６５を介して前記金属触媒保護層３４５に照射される。
【００５５】
上述したことを除いては本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタの製造方法と同一である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１Ａ】本発明の第１及び第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための工程順序図。
【図１Ｂ】本発明の第１及び第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための工程順序図。
【図１Ｃ】本発明の第１及び第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための工程順序図。
【図１Ｄ】本発明の第１及び第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための工程順序図。
【図１Ｅ】本発明の第１及び第２実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための工程順序図。
【図２】本発明の第３実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面構造図。
【図３】本発明の第４実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面構造図。
【図４】本発明の第５実施形態による薄膜トランジスタの製造方法を説明するための断面構造図である。
【符号の説明】
【００５７】
１００：基板
１１０：バッファー層
１２０：非晶質シリコーン層
１３０：ギャッピング層
１４０：金属触媒
１５０：シード
１６０、１７０、１８０、２６０、３６０、４６０：レーザービーム
１２５：多結晶シリコーン層
１９０：半導体層パターン
１９５：ゲート絶縁膜
１９６：ゲート電極
２６５、４６５：パターニングされたマスク
３４５：金属触媒保護層
【図１Ａ】
2006060185.tif 000003
【図１Ｂ】
2006060185.tif 000004
【図１Ｃ】
2006060185.tif 000005
【図１Ｄ】
2006060185.tif 000006
【図１Ｅ】
2006060185.tif 000007
【図２】
2006060185.tif 000008
【図３】
2006060185.tif 000009
【図４】
2006060185.tif 000010