(57)【要約】【課題】      大パターンで挟まれた狭いスペースの露光精度を高めることができる荷電粒子ビーム露光方法を提供する。【解決手段】  所定サイズ以上の大きなパターンで挟まれたスペース(PA,PB)を荷電粒子ビームで露光する場合、大きなパターンで挟まれたスペース(100)を、その両側の大きなパターンのエッジ部分と当該スペースとを有する共通のブロックマスク(BM1-3)により露光し、両側の大きなパターンのエッジ部分を除く部分を、可変矩形ビームまたは別のブロックマスクにより露光することを特徴とする。【選択図】    図３
2006032820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定サイズ以上の一対の大パターンと当該一対の大パターンで挟まれた狭スペースとを露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
前記狭スペースの領域を、当該狭スペースとその両側の大パターンのエッジ領域とを有する第１のブロックマスクにより露光する工程と、
前記狭スペース以外の領域を、前記第１のブロックマスクとは異なる第２のブロックマスクまたは可変矩形ビーム用マスクのいずれかにより露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記一対の大パターンで挟まれた前記狭スペースの領域は、前記第１のブロックマスクを繰り返し利用した荷電粒子ビーム照射により露光されることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１のブロックマスクは、前記狭スペースの領域の両端に対応するブロックマスクと、前記狭スペースの領域の両端以外の領域に対応するブロックマスクとを少なくとも有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１のブロックマスクは、当該ブロックマスク内の狭スペース幅が、前記一対の大パターンのサイズが大きいほど広くなるよう異なる複数組のブロックマスクを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数組のブロックマスクから、前記大パターンのサイズに応じて、最適の狭スペース幅を有するブロックマスクが選択されて、露光が行われることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項６】
請求項１において、
被露光領域が複数の露光フィールドに分割され、前記狭スペースが前記露光フィールドの境界に一致する場合でも、当該狭スペースの領域は前記第１のブロックマスクにより露光されることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項７】
所定サイズ以上の一対の大パターンと当該一対の大パターンで挟まれた狭スペースとを露光する場合に、
前記狭スペースの領域を、当該狭スペースとその両側の大パターンのエッジ領域とを有する第１のブロックマスクにより露光し、
前記狭スペース以外の領域を、前記第１のブロックマスクとは異なる第２のブロックマスクまたは可変矩形ビームのいずれかにより露光することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項８】
複数のパターンを含む設計データから露光データを生成する露光データ生成方法において、
前記複数のパターン内において、所定サイズ以上の一対の大パターンで挟まれた狭スペースの領域を検出する工程と、
当該検出された狭スペースを挟む一対の大パターンから所定幅のエッジパターンを抽出する工程と、
前記狭スペースの領域を、前記狭スペースとその両側のエッジパターンとを有する第１のブロックマスクで露光する第１の露光データと、前記狭スペースの領域以外の前記一対の大パターンを、前記第１のブロックマスク以外の第２のブロックマスクまたは可変矩形ビーム用マスクで露光する第２の露光データとを生成する工程とを有することを特徴とする露光データ生成方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記生成工程では、前記狭スペースの領域の当該狭スペースとその両側のエッジパターンを、あらかじめ生成され狭スペースとその両側のストライプパターンとを有する第１のブロックマスクのパターンとマッチングをとり、マッチングした狭スペースの領域を、当該マッチングした第１のブロックマスクで露光する前記第１の露光データを生成することを特徴とする露光データ生成方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第１のブロックマスクは、当該ブロックマスク内の狭スペース幅が、前記一対の大パターンのサイズが大きいほど広くなるよう異なる複数組のブロックマスクを有し、
前記大パターンのサイズに応じて、前記複数組のブロックマスクから、最適のブロックマスクを選択することを特徴とする露光データ生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置に関し、特に、サイズが大きいパターン間の狭いスペースを高精度に露光することができる荷電粒子ビーム露光方法及びその露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
荷電粒子ビーム、例えば電子ビーム、を利用した露光方法は、ウエハ上に直接描画することで、微細パターンの形成を可能にする。この描画方法では、電子ビームを２つの矩形状開口を通過させて形成した可変矩形ビームをウエハ上の描画位置に偏向照射して描画したり、電子ビームを所定の繰り返しパターンに対応したブロックマスクを通過させてウエハ上の描画位置に偏向照射して描画したりすることが行われる。ブロックマスクは、通常、繰り返しパターンに対応するものであり、例えば、ライン・アンド・スペースからなる繰り返しパターンの描画に利用される。ブロックマスクについては、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００３】
電子ビーム露光方法において、近接効果に起因する現像パターンのずれの問題が指摘されている。特に、電子ビーム照射に伴うレジスト層での前方散乱と後方散乱の影響により、パターン密度が高い領域ではパターン幅が拡大し、パターン密度が低い孤立パターンではパターン幅が縮小する。この近接効果による影響を抑制するために、露光パターンの修正、露光量の補正、補助露光の追加を行うことが提案されている。例えば、特許文献２、３に記載されるとおりである。
【特許文献１】特開平４−１００２０８号公報
【特許文献２】特開２００１−５２９９９号公報
【特許文献３】特開２０００−３２３３７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
荷電粒子ビーム露光方法において、パターンの微細化に伴い、サイズが大きいパターン間に挟まれた狭いスペースに対する露光マージンが狭いという課題がある。大パターンに挟まれた狭いスペースでは、周囲のパターン密度が高く、後方散乱による蓄積露光エネルギーが高くなり、露光量のばらつきやレジスト膜厚のばらつきに起因する実効的露光量ばらつき対してパターン精度のマージンが狭くなり、高精度に狭いスペースを形成することが困難になっている。更に、そのような狭いスペース部に露光フィールドの境界が一致する場合は、フィールド間の位置合わせ精度の影響が加わり、狭いスペース部の精度マージンが更に狭くなる。また、可変矩形ビームによる露光に伴って、ビームのフォーカスずれや、大きなサイズの矩形ビームのクーロン・インター・アクションによるビームぼけなどの影響も加わると、同様に、狭いスペース部の精度マージンが狭くなる。
【０００５】
そこで、本発明は、大パターンで挟まれた狭いスペースの露光精度を高めることができる荷電粒子ビーム露光方法とその露光装置、及びその露光データ生成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の側面では、所定サイズ以上の大きなパターンで挟まれたスペースを荷電粒子ビームで露光する場合、前記大きなパターンで挟まれたスペースを、その両側の大きなパターンのエッジ部分と当該スペースとを有する共通のブロックマスクにより露光し、両側の大きなパターンの前記エッジ部分を除く部分を、可変矩形ビームまたは別のブロックマスクにより露光することを特徴とする。
【０００７】
上記の第１の側面において、好ましい実施例によれば、前記共通のブロックマスクは、両側のエッジ部分とその間のスペース部分に対応するパターンを有する。更に、好ましい実施例によれば、前記共通のブロックマスクのスペース部分のパターン幅は、前記両側の大きなパターンのパターンサイズに応じて、異なるサイズを有することを特徴とする。
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の第２の側面は、複数のパターンを含む設計データから露光データを生成する露光データ生成方法において、前記複数のパターン内において、所定サイズ以上の一対の大パターンで挟まれた狭スペースの領域を検出する工程と、当該検出された狭スペースを挟む一対の大パターンから所定幅のエッジパターンを抽出する工程と、前記狭スペースの領域を、前記狭スペースとその両側のエッジパターンとを有する第１のブロックマスクで露光する第１の露光データと、前記狭スペースの領域以外の前記一対の大パターンを、前記第１のブロックマスク以外の第２のブロックマスクまたは可変矩形ビーム用マスクで露光する第２の露光データとを生成する工程とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
上記発明の側面によれば、大きなサイズのパターンで挟まれたスペースを、両側の大きなパターンのエッジ部分とスペースとを有する共通のブロックマスクにより露光することにより、フィールド間位置合わせ精度の影響や、ビームのフォーカスずれやビームぼけの影響を排除することができ、大パターンで挟まれた狭いスペースのサイズの精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。本発明は、荷電粒子ビーム露光に適用することができるが、以下の説明では、その一例である電子ビーム露光を例にして説明する。
【００１１】
図１は、本発明が解決使用とする課題を説明する図である。図１（Ａ）は、所定サイズよりも大きい大パターンＰＡ，ＰＢで挟まれた狭いスペース１００を示している。大パターンＰＡと大パターンＰＢのパターン幅Ｗａ，Ｗｂは、所定の基準サイズより大きい。このような場合、狭スペース１００の周囲はパターン面積密度が高くなり、後方散乱による影響が高く、露光量のばらつきやレジスト膜厚のばらつきによりスペース幅Ｗｓがばらつきやすく、スペース幅に対するマージンが狭いことが知られている。このように近接効果により狭いマージンしか持ち得ない狭スペース１００は、図１（Ｂ）に示したように、大パターンＰＡやＰＢの位置ずれ（矢印方向へのずれ）により、その狭スペース１００のスペース幅Ｗｓ１が狭くなる場合がある。更に、図１（Ｃ）に示したように、大パターンＰＡ，ＰＢの間のスペース１００に露光フィールドの境界１０２がたまたま位置する場合には、異なる露光フィールド間の位置合わせ精度に起因して大パターンＰＡ，ＰＢが位置ずれを生じ、図１（Ｂ）と同様にスペース幅Ｗｓ２が狭くなる場合がある。また、図１（Ｄ）に示したように、大パターンＰＡ，ＰＢをそれぞれ可変矩形ビームで描画した場合は、フォーカスずれによるパターンのぼけや、大きな可変矩形ビームに伴うクーロンインターラクションによるパターンのぼけが発生する場合がある。
【００１２】
このように、所定サイズより大きな大パターンで挟まれた狭いスペースは、電子ビーム露光方法で描画露光した場合、高精度なスペース幅が得られるプロセスマージンが非常に狭くなり、最悪のケースでは、大パターンどうしが短絡し狭スペースが形成されなくなる場合がある。
【００１３】
図２は、本実施の形態における電子ビーム露光の概略を示す図である。図２（Ａ）は、図１（Ａ）と同様に、所定サイズより大きい大パターンＰＡ，ＰＢに挟まれた狭スペース１００を有する露光パターンを示している。かかる露光パターンに対しては、それぞれの大パターンＰＡ，ＰＢを可変矩形ビームや何らかのブロックマスクのビームによりそれぞれ描画するのではなく、両パターンＰＡ，ＰＢのエッジ部分とその間のスペース１００とを含む共通のブロックマスクによるビームで描画する。図２（Ｂ）に示されるように、両方の大パターンＰＡ，ＰＢに対して、所定のパターン処理により所定幅Ｗｅのエッジパターン１０４を生成する。このエッジ幅Ｗｅは、例えば、設計上の最小パターン幅、その最小パターン幅の半分、スペース１００の幅Ｗｓのいずれかに等しくすることが好ましい。
【００１４】
そして、図２（Ｃ）に示されるように、両パターンＰＡ，ＰＢのエッジパターン１０４とその間のスペース１００とを有するブロックマスクＢＭ１，ＢＭ２，ＢＭ３を抽出する。これらのブロックマスクの網掛けパターンが、エッジパターン１０４の開口部に対応する。ブロックマスクＢＭ２は、通常のライン・アンド・スペースのパターンと同じであり、エッジパターンの幅Ｗｅをスペース幅Ｗｓと同じにすると、一対一のライン・アンド・スペースのパターンと同じになる。ブロックマスクＢＭ２の幅Ｗ２を所定の幅長にすることで、ブロックマスクＢＭ２は、多くの狭スペース部において使用することができ、ブロックマスクとしての汎用性を高めることができる。ブロックマスクＢＭ１，ＢＭ２は、Ｌ字状のエッジパターン１０４を有し、それぞれ狭スペース１００の両端部分を露光することに利用される。その結果、図２（Ｄ）に示される３種類のブロックマスクＢＭ１，ＢＭ２．ＢＭ３が抽出される。
【００１５】
以上のように、本実施の形態の露光方法では、（１）露光パターンを有する露光データから、２つの大パターンで挟まれた狭スペース１００を抽出し、（２）その抽出された狭スペース１００に対して、狭スペース１００と両側のエッジパターン１０４とを含むブロックマスクＢＭ１−３を対応づけ、ブロックマスクＢＭ１−３により露光するデータと、通常の可変矩形ビームや他のブロックマスクのビームにより露光するデータとを生成する。そして、そのように生成された露光データにより、狭スペース部はブロックマスクＢＭ１−３を通過したビームで露光し、それ以外の部分は通常の可変矩形ビームや他のブロックマスクのビームにより露光する。
【００１６】
図３は、本実施の形態における電子ビーム露光方法を示す図である。図２に示したように、ブロックマスクＢＭ１−３を利用する領域と、通常の露光方法による領域とに分けられた露光データにしたがって、図３に示されるように露光が行われる。すなわち、大パターンＰＡの狭スペース１００に面していない領域１１０は、複数に分割された矩形パターンが、可変矩形マスクによる矩形ビーム、または所定のブロックマスクによる矩形ビームにより描画される。大パターンＰＢ側の狭スペース１００に面していない領域１１２も、同様の方法で露光が行われる。一方、両方の大パターンＰＡ，ＰＢの狭スペース１００に面した領域では、ブロックマスクＢＭ１，ＢＭ２，ＢＭ３を利用して露光が行われる。即ち、狭スペース１００の左端は、ブロックマスクＢＭ１を通過したビームで露光し、中央部は、ブロックマスクＢＭ２を通過したビーム、及びブロックマスクの一部ＢＭ２ｐを通過したビームにより露光し、右端は、ブロックマスクＢＭ３を通過したビームで露光を行う。大パターンＰＡ，ＰＢの横幅が長い場合は、ブロックマスクＢＭ２を繰り返し使用することで露光を行う。
【００１７】
このように、大パターンで挟まれた狭スペースの部分は、ブロックマスクＢＭ１，ＢＭ２，ＢＭ３を利用して露光を行うことで、次の点でスペース幅の精度マージンを広くすることができる。第１に、ブロックマスクであるので狭スペース１００の両側のエッジパターンがずれることはない。第２に、ブロックマスクを利用するので、狭スペース１００の位置に露光フィールドの境界が設けられても、露光フィールド間の位置合わせ誤差の影響を受けることはない。第３に、比較的狭いエッジパターン幅と狭スペースのブロックマスクを利用するので、サイズが大きな可変矩形ビームを照射するときのクーロン・インター・アクションによるビームぼけの問題が解消される。
【００１８】
図４は、本実施の形態における電子ビーム露光装置の概略構成図である。ワークステーションなどからなる制御ユニット１２に、バスBUSを介して、デジタル制御部１４と、コラム制御部３０と、マーク検出部３２と機構系制御部４０とが接続されている。制御ユニット１２には、露光データ１０が与えられ、この露光データに基づいて電子ビーム露光が行われる。従って、この露光データ１０は、大パターンで挟まれた狭スペースがブロックマスクを利用して露光するデータ構成になっている。デジタル制御部１４は、制御ユニット１２から露光データを一時的に格納するバッファメモリ１６と、その露光データから露光装置での露光パターンを生成し、補正メモリ２０を参照して露光パターンの補正を行うパターンジェネレータ及びパターン補正部１８とを有する。アナログ回路２２は、パターンジェネレータ及びパターン補正部１８からのデジタル指令信号をアナログに変換し、増幅するＤ／Ａ変換及び増幅回路２４を有する。この回路２４によりコラム内の透過マスクが制御される。コラム制御部３０は、露光装置のコラム５０内の電子銃やレンズ系の制御を行うものである。マーク検出部３２は、コラム内のウエハＷＦにまたはステージに形成された位置合わせようマークの検出を行う。そして、機構系制御部４０は、露光されるウエハＷＦを露光装置内に搬入し搬出する制御を行う搬送制御部４２と、ウエハＷＦが搭載されているステージの移動制御を行うステージ制御部４４とを有する。
【００１９】
図５は、本実施の形態における電子ビーム露光装置のコラム内の概略構成図である。コラム５０内には、電子ビームを生成する電子銃５４と、電子銃５４が生成した電子ビームを矩形ビームに成形する矩形状の開口を有する第１スリット５６と、電子ビームを偏向する偏光器５８と、第１スリットで成形された矩形ビームが通過するブロックマスク６０と、ブランキング６２と、アパーチャ６４と、静電偏向器からなる副偏光器６６と、電磁偏光器からなる主偏光器６８と、マーク検出用の反射電子検出器７０とを有する。そして、ブロックマスク６０は、拡大図に示されるように、繰り返し描画することが必要な特殊なパターンが開口されたマスクを複数有し、矩形ビームに選択したブロックマスクを通過させて、ブロックマスクの開口パターン形状を有する電子ビームを生成することができる。この複数のブロックマスクには、図２で示したようなブロックマスクＢＭ１−３に加えて、可変矩形用の矩形開口パターンを有するマスクも含まれる。矩形ビームにブロックマスク６０内の可変矩形用マスクを通過させることで、所望のサイズの矩形ビームを生成することができる。
【００２０】
図６は、本実施の形態における露光データの生成方法のフローチャート図である。図７は、露光データの生成の対象となるパターンの一例を示す図である。図６の露光データの生成方法は、図示しないコンピュータによって実行される露光データ生成プログラムによる手順に対応する。最初に、図６のフローチャートに示されるように、図７のようなパターンを含む設計データ８０に対して、本実施の形態が対象にしている大パターン間の狭スペース１００を検出する。図７（Ａ）の例では、所定のサイズより大きなパターン幅Ｗａ，Ｗｂを有する大パターンＰＡ，ＰＢとに挟まれた領域２００が検出される（Ｓ１０）。それ以外の、ライン上パターンＰＣ，ＰＤ，ＰＥや、マトリクス状の矩形パターンＰＦは、いずれも所定サイズより大きなパターンの範疇に該当せず、それらにより挟まれるスペースは抽出されない。
【００２１】
次に、図７（Ｂ）に示されるように、検出した大パターンＰＡ，ＰＢのエッジパターン１０４（図中ハッチング領域）を抽出する（Ｓ１２）。このエッジパターン１０４は、図２に示したとおり、所定のパターン幅Ｗｅを有する。そして、エッジパターン１０４及びその間の狭スペース１００と、あらかじめ生成されているブロックマスクＢＭ１−３のパターンとのマッチングをとり、ブロックマスクＢＭ１−３で露光可能な領域を抽出する（Ｓ１４）。最後に、大パターンＰＡ，ＰＢからマッチングしたブロックマスクによる露光領域を除去し（Ｓ１６）、可変矩形ビームや所定のブロックマスクによるビームでの露光データを含む通常の露光データ１０４と、ブロックマスクＢＭ１−３による露光データ１０Ｂとを区別して生成する。また、所定サイズより小さいパターンＰＣ，ＰＤ，ＰＥ，ＰＦについては、ブロックマスクＢＭ１−３による露光ではなく、可変矩形ビーム用マスクなどにより露光される露光データにされる。
【００２２】
以上の処理により、大パターンＰＡ，ＰＢで挟まれた狭スペース領域を、ブロックマスクＢＭ１−３を利用して露光する露光データが生成される。ブロックマスクＢＭ１−３は、狭スペースとそれを挟む所定幅Ｗｅのエッジパターンとからなるので、大パターンＰＡ，ＰＢのサイズに異存せず、汎用的に使用可能である。また、ブロックマスクＢＭ２の幅を変更したい場合は、図３で示したようにブロックマスクＢＭ３の一部の領域を利用することで、任意の幅のブロックマスクＢＭ２を使用可能である。
【００２３】
図８は、本実施の形態における電子（荷電粒子）ビーム露光方法のフローチャート図である。前述の露光データ生成方法により生成された通常露光データ１０Ａとブロックマスク露光データ１０Ｂからなる露光データが制御ユニット１２に入力される（Ｓ２０）。そして、制御ユニット１２は、露光フィールドを設定し、Ｘ，Ｙステージを移動してコラムの中心付近にウエハの露光フィールドが一致するようにする（Ｓ２２）。この露光フィールドは、例えば、主偏光器により偏向可能なメインサブフィールド領域に対応する。そして、制御ユニット１２は、露光データに含まれるデータを順次処理し、ブロックマスク露光すべき露光データを検出した場合は（Ｓ２４）、指定されたブロックマスクで露光を行い（Ｓ２６）、それ以外の場合は、可変矩形ビームで露光を行う（Ｓ２８）。このブロックマスクによる露光には、狭スペース部を露光するブロックマスクＢＭ１−３による露光を含み、更に、それ以外のブロックマスクによる露光を含んでもよい。このように、ブロックマスクによる露光と可変矩形ビームによる露光とが、設定した露光フィールド内の露光が終了するまで繰り返される（Ｓ３０）。そして、ウエア内の全ての露光フィールドの露光が終了すると（Ｓ３２）、電子ビーム露光処理が終了する。
【００２４】
以上の露光方法によれば、図３で説明したとおり、大パターンＰＡ，ＰＢで挟まれた狭スペース１００は、大パターンのエッジパターンとスペースとからなるブロックマスクＢＭ１−３により露光される。また、狭スペース以外の領域は、可変矩形ビームやブロックマスクＢＭ１−３以外のブロックマスクを利用して露光される。したがって、大パターンを可変矩形ビームで露光するときの位置ずれや、露光フィールド境界による位置ずれ、ビームぼけなどの問題が解消され、狭スペース１００のサイズに対するプロセスばらつきを抑制することができる。また、狭スペースを生成するブロックマスクがライン・アンド・スペースに類似するパターンであり、大パターンのサイズに異存しない汎用性を有するので、ブロックマスクの数を無用に増やす必要もない。
【００２５】
図９は、本実施の形態におけるブロックマスクの補正を説明する図である。ブロックマスクを利用して狭スペースを挟む両側のエッジパターンを同時に露光しても、その周辺に大パターン形成のための露光が行われる。それにより、狭スペースの領域には、近接効果の原因である後方散乱による露光エネルギーが加算されて、現像されるパターンサイズが大きく傾向にある。そこで、狭スペースを挟む大パターンのサイズと、狭スペース幅に応じて、ブロックマスクのスペース幅を補正する。
【００２６】
図９には、スペース幅が0.1〜0.5μｍの時に、表の横方向の大パターンのパターンサイズが1.0μｍ以上、0.5μｍ近傍、0.2μｍ以下に対応して、ブロックマスクのスペース幅が0.15μｍ（Ｗ１）、0.12μｍ（Ｗ２）、0.10μｍ（Ｗ３）と補正されている。このようにスペース幅を大パターンのサイズが大きくなるに伴って大きくするように補正することにより、近接効果によりスペース幅が小さくなり大パターン間で短絡することが抑制される。スペース幅0.5μｍを超える場合は、ブロックマスクのスペース幅は一律に設計値と同じになっている。スペース幅の補正は、図９に示されるように、予め準備されている３種類のブロックマスクＢ１，Ｂ２，Ｂ３のいずれかを選択することで行われる。ブロックマスクＢ１は、設計値と同じスペース幅を有し、一方、ブロックマスクＢ２は、そのスペース幅Ｗ２が広くなっている。また、ブロックマスクＢ３のスペース幅Ｗ３は、更に広くなっている。但し、ブロックマスクＢ１，Ｂ２，Ｂ３のエッジパターン幅は、スペース幅Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３に応じて異なっている。
【００２７】
図９のように、ブロックマスクのスペース幅を補正するために、ブロックマスクの種類を増やす必要がある。しかしながら、パターンサイズ1.0μｍを超える大パターンや、パターンサイズ1.0〜0.2μｍの大パターンや、パターンサイズ0.2μｍより小さいパターンに対しては、それぞれ共通のブロックマスクＢ１，Ｂ２，Ｂ３を使用することができるので、その限りにおいて、ブロックマスクに汎用性を持たせることができる。
【００２８】
図９に示したブロックマスクの選択は、次の方法により行うことができる。第１の方法では、図６の設計データから露光データを生成する工程において、工程１４にて、抽出したエッジ間の狭スペース幅Ｗｓを、設計データの大パターンサイズに応じて補正テーブルに基づいて補正し、補正された狭スペース幅を有する抽出エッジパターンを、複数のスペース幅が異なるブロックマスクとマッチングをとって、最適のブロックマスクを選択する。第２の方法では、図６の設計データから露光データを生成する工程において、工程１４にて、ブロックマスクをマッチングにより選択し、その選択したブロックマスクについて、対応する大パターンサイズが所定サイズより大きければ、図９の補正テーブルに基づき、選択したブロックマスクを、より大きな狭スペース幅の補正ブロックマスクに置き換える。第３の方法では、露光データのブロックマスクのデータに、対応する大パターンサイズのデータを属性データとして加える。そして、かかる露光データを供給された露光装置において、属性データの大パターンサイズに応じて、補正テーブルに基づき、補正されたブロックマスクを選択して、露光を行う。
【００２９】
上記のいずれの方法であっても、ブロックマスクで露光される狭スペースを有する大パターンのサイズに応じて、最適の補正されたブロックマスクを選択して補正することができる。
【００３０】
以上の実施の形態をまとめると以下の付記の通りである。
【００３１】
（付記１）所定サイズ以上の一対の大パターンと当該一対の大パターンで挟まれた狭スペースとを露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
前記狭スペースの領域を、当該狭スペースとその両側の大パターンのエッジ領域とを有する第１のブロックマスクにより露光する工程と、
前記狭スペース以外の領域を、前記第１のブロックマスクとは異なる第２のブロックマスクまたは可変矩形ビーム用マスクのいずれかにより露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【００３２】
（付記２）付記１において、
前記一対の大パターンで挟まれた前記狭スペースの領域は、前記第１のブロックマスクを繰り返し利用した荷電粒子ビーム照射により露光されることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【００３３】
（付記３）付記１において、
前記第１のブロックマスクは、前記狭スペースの領域の両端に対応するブロックマスクと、前記狭スペースの領域の両端以外の領域に対応するブロックマスクとを少なくとも有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【００３４】
（付記４）付記１において、
前記第１のブロックマスクは、当該ブロックマスク内の狭スペース幅が、前記一対の大パターンのサイズが大きいほど広くなるよう異なる複数組のブロックマスクを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【００３５】
（付記５）付記４において、
前記複数組のブロックマスクから、前記大パターンのサイズに応じて、最適の狭スペース幅を有するブロックマスクが選択されて、露光が行われることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【００３６】
（付記６）付記１において、
被露光領域が複数の露光フィールドに分割され、前記狭スペースが前記露光フィールドの境界に一致する場合でも、当該狭スペースの領域は前記第１のブロックマスクにより露光されることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【００３７】
（付記７）付記１において、
前記所定サイズ未満の一対の大パターンにより挟まれた狭スペースの領域は、前記第１のブロックマスクを使用せずに露光されることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【００３８】
（付記８）所定サイズ以上の一対の大パターンと当該一対の大パターンで挟まれた狭スペースとを露光する場合に、
前記狭スペースの領域を、当該狭スペースとその両側の大パターンのエッジ領域とを有する第１のブロックマスクにより露光し、
前記狭スペース以外の領域を、前記第１のブロックマスクとは異なる第２のブロックマスクまたは可変矩形ビームのいずれかにより露光することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【００３９】
（付記９）複数のパターンを含む設計データから露光データを生成する露光データ生成方法において、
前記複数のパターン内において、所定サイズ以上の一対の大パターンで挟まれた狭スペースの領域を検出する工程と、
当該検出された狭スペースを挟む一対の大パターンから所定幅のエッジパターンを抽出する工程と、
前記狭スペースの領域を、前記狭スペースとその両側のエッジパターンとを有する第１のブロックマスクで露光する第１の露光データと、前記狭スペースの領域以外の前記一対の大パターンを、前記第１のブロックマスク以外の第２のブロックマスクまたは可変矩形ビーム用マスクで露光する第２の露光データとを生成する工程とを有することを特徴とする露光データ生成方法。
【００４０】
（付記１０）付記９において、
前記生成工程では、前記狭スペースの領域の当該狭スペースとその両側のエッジパターンを、あらかじめ生成され狭スペースとその両側のストライプパターンとを有する第１のブロックマスクのパターンとマッチングをとり、マッチングした狭スペースの領域を、当該マッチングした第１のブロックマスクで露光する前記第１の露光データを生成することを特徴とする露光データ生成方法。
【００４１】
（付記１１）付記９において、
前記生成工程では、前記一対の大パターンで挟まれた前記狭スペースの領域を、前記第１のブロックマスクを繰り返し利用した荷電粒子ビーム照射により露光する第１の露光データを生成することを特徴とする露光データ生成方法。
【００４２】
（付記１２）付記９において、
前記第１のブロックマスクは、前記狭スペースの領域の両端に対応するブロックマスクと、前記狭スペースの領域の両端以外の領域に対応するブロックマスクとを少なくとも有することを特徴とする露光データ生成方法。
【００４３】
（付記１３）付記９において、
前記第１のブロックマスクは、当該ブロックマスク内の狭スペース幅が、前記一対の大パターンのサイズが大きいほど広くなるよう異なる複数組のブロックマスクを有し、
前記大パターンのサイズに応じて、前記複数組のブロックマスクから、最適のブロックマスクを選択することを特徴とする露光データ生成方法。
【００４４】
（付記１４）付記９において、
被露光領域が複数の露光フィールドに分割され、
前記第１の露光データは、前記狭スペースが前記露光フィールドの境界に一致する場合でも、当該狭スペースの領域を前記第１のブロックマスクにより露光するデータであることを特徴とする露光データ生成方法。
【００４５】
（付記１５）付記９において、
前記第２の露光データは、前記所定サイズ未満の一対の大パターンにより挟まれた狭スペースの領域を、前記第１のブロックマスクを使用せずに露光するデータであることを特徴とする露光データ生成方法。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明が解決使用とする課題を説明する図である。
【図２】本実施の形態における電子ビーム露光の概略を示す図である。
【図３】本実施の形態における電子ビーム露光方法を示す図である。
【図４】本実施の形態における電子ビーム露光装置の概略構成図である。
【図５】本実施の形態における電子ビーム露光装置のコラム内の概略構成図である。
【図６】本実施の形態における露光データの生成方法のフローチャート図である。
【図７】露光データの生成の対象となるパターンの一例を示す図である。
【図８】本実施の形態における電子ビーム露光方法のフローチャート図である。
【図９】本実施の形態におけるブロックマスクの補正を説明する図である。
【符号の説明】
【００４７】
ＰＡ，ＰＢ：大パターン、１００：狭スペース、１０４：エッジパターン
ＢＭ１，ＢＭ２，ＢＭ３：ブロックマスク
１１０：狭スペースの領域以外の領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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