(57)【要約】【課題】垂直配向方式の液晶ディスプレイを提供する。【解決手段】垂直配向方式の液晶ディスプレイは、複数の画素領域からなり、各画素領域はソースラインとゲートラインとにより駆動される。第一基板は、第二基板の反対側に位置し、それらの間に液晶層が配置される。第一画素駆動装置と第二画素駆動装置とは、第一画素電極と第二画素電極とに結合され、第一基板上に形成される。第一画素電極と第二画素電極は、複数のスリットを有し、第一画素駆動装置及び第二画素駆動装置は、異なる開電流を有し、第一画素電極及び第二画素電極は異なる電圧を有して、液晶層は二つの異なる方位を有する液晶方位領域を有する。複数のスリット又は突起を有するコモン電極は、第二基板の内側に形成される。【選択図】図１
2006350299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素領域を備え、各画素領域はソースラインとゲートラインとにより駆動される垂直配向方式の液晶ディスプレイであって、
第一基板と
前記第一基板と反対側に位置する第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板との間に配置される液晶層と、
前記第一基板上に形成され、複数のスリットを有し、互いに結合されない第一画素電極及び第二画素電極と、
前記第一基板上に形成され、前記第一画素電極に結合される第一画素駆動装置と、
前記第一基板上に形成され、前記第二画素電極に結合され、前記第一画素電極と前記第二画素電極とが異なる電圧を有するように前記第一画素駆動装置と異なる開電流を有する第二画素駆動装置と、
前記第二基板の内側に形成され、複数のスリット又は突起を有し、前記第一画素電極と前記第二画素電極との間に異なる電圧ドロップが存在し、前記液晶層が異なる方位を有するコモン電極と
からなることを特徴とする垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項２】
さらに、前記第一基板上に形成され、前記ゲートラインに平行であるストレージコンデンサ電極線を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項３】
前記第一画素電極及び前記第二画素電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることを特徴とする請求項１に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項４】
前記コモン電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることを特徴とする請求項１に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項５】
前記第一画素駆動装置は、第一薄膜トランジスタであり、前記第二画素駆動装置は、第二薄膜トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項６】
前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、異なる幅と長さとの比（Ｗ／Ｌ）を有することを特徴とする請求項５に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項７】
複数の画素領域を備える垂直配向方式の液晶ディスプレイであって、
各画素領域は、
第一基板上に形成される、横に延伸したゲートライン及び縦に延伸したソースラインと、
第一ソースと第一ドレインとを有し、第一基板上に形成される第一薄膜トランジスタと、
第二ソースと第二ドレインとを有し、前記第一基板上に形成され、前記第一薄膜トランジスタと異なる開電流を有する第二薄膜トランジスタと、
複数のスリットを有し、前記第一ドレインにより前記第一ソースに電気的に接続されて、第一電圧を有する第一画素電極と、
複数のスリットを有し、前記第二ドレインにより前記第二ソースに電気的に接続されて、前記第一電圧と異なる第二電圧を有し、前記第一電圧と前記第二電圧との間にドロップ電圧がある第二画素電極と、
前記第一基板の反対側に位置する第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板との間に配置される液晶層と、
前記第二基板の内側に形成され、複数のスリット又は突起を有し、前記第一画素電極と第二画素電極との間に異なる電圧ドロップを生成して、前記液晶層が異なる方位を有するコモン電極と
からなることを特徴とする垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項８】
さらに、前記第一基板上に形成され、前記ゲートラインに平行であるストレージコンデンサ電極線を有することを特徴とする請求項７に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項９】
前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、第一ドレイン、第一ソース、第二ドレイン及び第二ソースの配置命令を有することを特徴とする請求項７に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１０】
前記第一画素電極及び前記第二画素電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることを特徴とする請求項７に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１１】
前記コモン電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることを特徴とする請求項７に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１２】
前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、同一ゲートであることを特徴とする請求項７に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１３】
前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、異なる幅と長さとの比（Ｗ／Ｌ）を有することを特徴とする請求項７に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１４】
複数の画素領域を備える垂直配向方式の液晶ディスプレイであって、
各画素領域は、
第一基板上に形成される、横に延伸したゲートライン及び縦に延伸したソースラインと、
第一ソースと第一ドレインとを有し、第一基板上に形成される第一薄膜トランジスタと、
第一ソースと第二ドレインとを有し、前記第一基板上に形成され、前記第一薄膜トランジスタと異なる開電流を有する第二薄膜トランジスタと、
複数のスリットを有し、前記第一ドレインにより前記第一ソースに電気的に接続されて、第一電圧を有する第一画素電極と、
複数のスリットを有し、前記第二ドレインにより前記第一ソースに電気的に接続されて、前記第一電圧と異なる第二電圧を有し、前記第一電圧と前記第二電圧との間にドロップ電圧がある第二画素電極と、
前記第一基板の反対側に位置する第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板との間に配置される液晶層と、
前記第二基板の内側に形成され、複数のスリット又は突起を有し、前記第一画素電極と第二画素電極との間に異なる電圧ドロップを生成して、前記液晶層が異なる方位を有するコモン電極と
からなることを特徴とする垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１５】
さらに、前記第一基板上に形成され、前記ゲートラインに平行であるストレージコンデンサ電極線を有することを特徴とする請求項１４に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１６】
前記第一画素電極及び前記第二画素電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることを特徴とする請求項１４に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１７】
前記コモン電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることを特徴とする請求項１４に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１８】
前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、同一ゲートであることを特徴とする請求項１４に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【請求項１９】
前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、異なる幅と長さとの比（Ｗ／Ｌ）を有することを特徴とする請求項１４に記載の垂直配向方式の液晶ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイに関するものであって、特に、広視野角の垂直配向方式（Vertical alignment，ＶＡ）の液晶ディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
垂直配向方式の液晶ディスプレイは、反応速度が速いという特徴があり、中心的な液晶ディスプレイとなっている。しかし、横電界（in plane switch，ＩＰＳ）液晶ディスプレイと比べて視野角が小さく、斜視時に、ガンマ流出（gamma washout）現象が生じ、ＶＡ型液晶ディスプレイが解決しなければならない問題となっている。
【０００３】
図６は、ＶＡ型液晶ディスプレイ装置の異なる視野角時の電圧（Ｖ）と透過率（ａ．ｕ．）との関係を示す図である。図６において、曲線１１はＶＡ型液晶ディスプレイを正視したときの電圧と透過率との曲線であり、曲線１２は６０度で斜視したときの電圧と透過率との曲線である。ＶＡ型液晶ディスプレイの特性から、透過率は電圧の増加に伴って増加する。透過率が電圧の増加に伴って増加せずに減少する場合、色の分散が生じる。曲線１２で、透過率の増加幅が、３Ｖから４Ｖへの電圧増加ほどではないので、曲線１２の色分散は曲線１１よりも一層悪い。この欠点を改善する技術のうち、画素分割技術が好ましい。
【０００４】
図７は、画素分割技術を示す図である。図７において、画素は、電圧Ｖ１を有する第一画素領域２１と、電圧Ｖ１とは異なる電圧Ｖ２（Ｖ１≠Ｖ２）を有する第二画素領域２２の二つの画素領域に分割される。充電時、第一画素領域２１と第二画素領域２２とが異なる電圧を有するので、液晶素子Ｌ１とＬ２とは、異なる液晶ねじれ方位を有し、斜視時に生成される色の分散の問題を改善する。
【０００５】
図８は、図７の技術を応用している公知技術を示す図である。図８の公知技術において、画素電極上にさらに誘電層３０を備えて、異なる電圧Ｖ１とＶ２とを生成する。しかし、この方式を利用するとセルギャップの不均一が生じやすく、ムラや残像が生じる。
【０００６】
図９は、図７の技術を応用したもう一つの公知技術を示す図である。図８のセルギャップにより生じる問題を改善するために、誘電層４３が形成するカップリングコンデンサは、画素電極４２にフローティング接続し、第一画素電極と第二画素電極とは異なる電圧Ｖ１とＶ２とを有する。しかし、一般の誘電層材料は細密さが充分でなく、セルギャップの問題が改善できるが、残像が生成する可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、広視野角の垂直配向方式の液晶ディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、第一に本発明は、複数の画素領域を備え、各画素領域はソースラインとゲートラインとにより駆動される垂直配向方式の液晶ディスプレイであって、第一基板と前記第一基板と反対側に位置する第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との間に配置される液晶層と、前記第一基板上に形成され、複数のスリットを有し、互いに結合されない第一画素電極及び第二画素電極と、前記第一基板上に形成され、前記第一画素電極に結合される第一画素駆動装置と、前記第一基板上に形成され、前記第二画素電極に結合され、前記第一画素電極と前記第二画素電極が異なる電圧を有するように前記第一画素駆動装置と異なる開電流を有する第二画素駆動装置と、前記第二基板の内側に形成され、複数のスリット又は突起を有し、前記第一画素電極と前記第二画素電極との間に異なる電圧ドロップが存在し、前記液晶層が異なる方位を有するコモン電極とからなることを特徴とする垂直配向方式の液晶ディスプレイを提供する（請求項１）。
【０００９】
上記発明（請求項１）においては、さらに、前記第一基板上に形成され、前記ゲートラインに平行であるストレージコンデンサ電極線を有することが好ましく（請求項２）、前記第一画素電極及び前記第二画素電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることが好ましい（請求項３）。また、上記発明（請求項１）においては、前記コモン電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることが好ましく（請求項４）、前記第一画素駆動装置は、第一薄膜トランジスタであり、前記第二画素駆動装置は、第二薄膜トランジスタであることが好ましい（請求項５）。さらに、上記発明（請求項５）においては、前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、異なる幅と長さとの比（Ｗ／Ｌ）を有することが好ましい（請求項６）。
【００１０】
第二に本発明は、複数の画素領域を備える垂直配向方式の液晶ディスプレイであって、各画素領域は、第一基板上に形成される、横に延伸したゲートライン及び縦に延伸したソースラインと、第一ソースと第一ドレインとを有し、第一基板上に形成される第一薄膜トランジスタと、第二ソースと第二ドレインとを有し、前記第一基板上に形成され、前記第一薄膜トランジスタと異なる開電流を有する第二薄膜トランジスタと、複数のスリットを有し、前記第一ドレインにより前記第一ソースに電気的に接続されて、第一電圧を有する第一画素電極と、複数のスリットを有し、前記第二ドレインにより前記第二ソースに電気的に接続されて、前記第一電圧と異なる第二電圧を有し、前記第一電圧と前記第二電圧との間にドロップ電圧がある第二画素電極と、前記第一基板の反対側に位置する第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との間に配置される液晶層と、前記第二基板の内側に形成され、複数のスリット又は突起を有し、前記第一画素電極と第二画素電極との間に異なる電圧ドロップを生成して、前記液晶層が異なる方位を有するコモン電極とからなることを特徴とする垂直配向方式の液晶ディスプレイを提供する（請求項７）。
【００１１】
上記発明（請求項７）においては、さらに、前記第一基板上に形成され、前記ゲートラインに平行であるストレージコンデンサ電極線を有することが好ましく（請求項８）、前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、第一ドレイン、第一ソース、第二ドレイン及び第二ソースの配置命令を有することが好ましい（請求項９）。また、上記発明（請求項７）においては、前記第一画素電極及び前記第二画素電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることが好ましく（請求項１０）、前記コモン電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることが好ましい（請求項１１）。さらに、上記発明（請求項７）においては、前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、同一ゲートであることが好ましく（請求項１２）、前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、異なる幅と長さとの比（Ｗ／Ｌ）を有することが好ましい（請求項１３）。
【００１２】
第三に本発明は、複数の画素領域を備える垂直配向方式の液晶ディスプレイであって、各画素領域は、第一基板上に形成される、横に延伸したゲートライン及び縦に延伸したソースラインと、第一ソースと第一ドレインとを有し、第一基板上に形成される第一薄膜トランジスタと、第一ソースと第二ドレインとを有し、前記第一基板上に形成され、前記第一薄膜トランジスタと異なる開電流を有する第二薄膜トランジスタと、複数のスリットを有し、前記第一ドレインにより前記第一ソースに電気的に接続されて、第一電圧を有する第一画素電極と、複数のスリットを有し、前記第二ドレインにより前記第一ソースに電気的に接続されて、前記第一電圧と異なる第二電圧を有し、前記第一電圧と前記第二電圧との間にドロップ電圧がある第二画素電極と、前記第一基板の反対側に位置する第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との間に配置される液晶層と、前記第二基板の内側に形成され、複数のスリット又は突起を有し、前記第一画素電極と第二画素電極との間に異なる電圧ドロップを生成して、前記液晶層が異なる方位を有するコモン電極とからなることを特徴とする垂直配向方式の液晶ディスプレイを提供する（請求項１４）。
【００１３】
上記発明（請求項１４）においては、さらに、前記第一基板上に形成され、前記ゲートラインに平行であるストレージコンデンサ電極線を有することが好ましく（請求項１５）、前記第一画素電極及び前記第二画素電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることが好ましい（請求項１６）。また、上記発明（請求項１４）においては、前記コモン電極は、ＩＴＯ層又はＩＺＯ層であることが好ましく（請求項１７）、前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、同一ゲートであることが好ましい（請求項１８）。さらに、上記発明（請求項１４）においては、前記第一薄膜トランジスタ及び前記第二薄膜トランジスタは、異なる幅と長さとの比（Ｗ／Ｌ）を有することが好ましい（請求項１９）。
【発明の効果】
【００１４】
公知の問題を改善するような広視野角の垂直配向方式の液晶ディスプレイが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の第一の実施形態を示す概略図である。ＭＶＡ（multi-domain vertical alignment）型液晶ディスプレイ５０は、上基板５１と、上基板５１と反対側に位置する下基板５２からなり、液晶（図示されない）がそれらの間に配置される。
【００１６】
インジウムスズ（ＩＴＯ）層又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）層等のコモン電極５８は、上基板５１に配置される。コモン電極５８は、誘電材又はフォトレジスト材等の複数の突起５３を有し、液晶素子の方位を変換する。
【００１７】
下基板５２は、それぞれ、第一画素電極５６と第二画素電極５７とに電気的に接続される第一駆動装置５４と第二駆動装置５５とを有し、第一画素電極５６は、第二画素電極５７に結合されない。下基板５２は、複数のスリット５９を有する。
【００１８】
第一駆動装置５４と第二駆動装置５５とは、第一画素電極５６と第二画素電極５７とが異なる電圧Ｖ１，Ｖ２を有するように異なる開回路を有しており、液晶素子は異なる方位を有する。本実施形態において、第一画素駆動装置５４と第二画素駆動装置５５とは、二つの薄膜トランジスタである。
【００１９】
図２は、本発明の第二の実施形態を示す概略図である。ＰＶＡ（patterned vertical alignment）型液晶ディスプレイ６０は、上基板６１と、上基板６１と反対側に位置する下基板６２とからなり、液晶（図示されない）がそれらの間に配置される。
【００２０】
インジウムスズ（ＩＴＯ）層又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）層等のコモン電極６８は、上基板６１に配置される。コモン電極６８は、複数のスリット６３を有し、液晶素子の方位を変換する。
【００２１】
下基板６２は、それぞれ、第一画素電極６６と第二画素電極６７とに電気的に接続される第一駆動装置６４と第二駆動装置６５とを有し、第一画素電極６６は第二画素電極６７に結合されない。下基板６２も複数のスリット６９を有する。
【００２２】
薄膜トランジスタである第一駆動装置６４と第二駆動装置６５とは、第一画素電極６６と第二画素電極６７とが異なる電圧Ｖ１、Ｖ２を有するように異なる開回路を有しており、液晶素子は異なる方位を有する。
【００２３】
図３は、本発明の第一の実施形態の画素配置を示す図である。画素電極は、第一画素電極７０４と第二画素電極７０５とに分割され、第一画素電極７０４は、第二画素電極７０５に電気的に接続されない。
【００２４】
第一画素電極７０４は、第一薄膜トランジスタＴＦＴ１により駆動され、第二画素電極７０５は、第二薄膜トランジスタＴＦＴ２により駆動され、ＴＦＴ１とＴＦＴ２とは、異なる開電流を有する。
【００２５】
ＴＦＴ１は、ソースライン７０１の延伸部により形成される第一ソース７１４、第一ドレイン７１２、ゲートライン７０２の延伸部により形成されるゲート７１１、及びチャンネル層７１３からなる。第一ドレイン７１２は、ストレージコンデンサ電極線（Ｃｓ）７０３上に形成される第一延伸部７０６の延伸からなる。
【００２６】
ＴＦＴ１がスイッチオンのとき、第一ソース７１４は、チャンネル層７１３を経て第一ドレイン７１２により電圧ドロップを生成し、第一ドレイン７１２により第一延伸部７０６上で電圧Ｖ１を生成し、第一画素電極７０４を駆動する。
【００２７】
ＴＦＴ２は、ソース７０１の延伸部により形成される第二ソース７１０、第二ドレイン７０８、ゲートライン７０２の延伸部により形成されるゲート７１１、及びチャンネル層７０９からなる。第二ドレイン７０８は、ストレージコンデンサ電極線（Ｃｓ）７０３上に形成される第二延伸部７０７の延伸からなる。
【００２８】
ＴＦＴ２がスイッチオンのとき、チャンネル層７０９を経て、電圧ドロップが第二ソース７１０と第二ドレイン７０８間に生成され、電圧Ｖ２が第二ドレイン７０８により第二延伸部７０７上で生成され、第二画素電極７０５を駆動する。
【００２９】
ＴＦＴ１とＴＦＴ２とが異なる開電流を有するように、ＴＦＴ２のチャンネル７０９とＴＦＴ１のチャンネル層７１３とは、下記式を満たす。
Ｗ１／ｄ１≠Ｗ２／ｄ２
【００３０】
図４は、本発明の第二の実施形態の画素配置を示す図である。画素電極は、第一画素電極８０４と第二画素電極８０５とに分割され、第一画素電極８０４は、第二画素電極８０５に電気的に接続されない。
【００３１】
第一画素電極８０４は、第一薄膜トランジスタＴＦＴ１により駆動され、第二画素電極は第二薄膜トランジスタＴＦＴ２により駆動され、ＴＦＴ１とＴＦＴ２は異なる開電流を有する。
【００３２】
図４は、ＴＦＴ１のデュアルドレイン設計を示す。ＴＦＴ１は、ソースライン８０１の延伸部により形成される第一ソース８１４、第一ドレイン８１２、第二ドレイン８１６、第一チャンネル層８１３、第二チャンネル層８１５、及びゲートライン８０２の延伸部により形成されるゲート８１１からなる。第一ドレイン８１２と第二ドレイン８１６とは、ストレージコンデンサ電極線（Ｃｓ）８０３上に形成される第一延伸部８０６の延伸である。
【００３３】
ＴＦＴ１がスイッチオンのとき、第一ソース８１４は、第一チャンネル層８１３と第二チャンネル層８１５とを経て第一ドレイン８１２と第二ドレイン８１６とにより電圧ドロップを生成し、電圧Ｖ１が第一ドレイン８１２と第二ドレイン８１６により第一延伸部８０６上で生成され、第一画素電極８０４を駆動する。
【００３４】
ＴＦＴ２は、ソース８０１の延伸部により形成される第二ソース８１０、第三ドレイン８０８、ゲートライン８０２の延伸部により形成されるゲート８１１、及び第三チャンネル層８０９からなる。第三ドレイン８０８はストレージコンデンサ電極線（Ｃｓ）８０３上に形成される第二延伸部８０７の延伸である。
【００３５】
ＴＦＴ２がスイッチオンのとき、第三チャンネル層８０９を経て、電圧ドロップが第三ドレイン８０８と第三チャンネル層８０９との間に生成され、電圧Ｖ２が第三ドレイン８０８により第二延伸部８０７上で生成され、第二画素電極８０５を駆動する。
【００３６】
ＴＦＴ１とＴＦＴ２とが異なる開電流を有するように、ＴＦＴ１の第一チャネル層８１３及び第二チャンネル層８１５、並びにＴＦＴ２の第三チャンネル層８０９は、下記式を満たす。
Ｗ１／ｄ１≠Ｗ２／ｄ２＋Ｗ３／ｄ３
【００３７】
図５は、本発明の第三の実施形態の画素配置を示す図である。画素電極は、第一画素電極９０４と第二画素電極９０５とに分割され、第一画素電極９０４は、第二画素電極９０５に電気的に接続されない。
【００３８】
第一画素電極９０４は、第一薄膜トランジスタＴＦＴ１により駆動され、第二画素電極は、第二薄膜トランジスタＴＦＴ２により駆動され、ＴＦＴ１とＴＦＴ２は異なる開電流を有する。
【００３９】
図５で示される具体例の設計は、ＴＦＴ１とＴＦＴ２とのコモンソースを利用する。ＴＦＴ１は、ソースライン９０１の延伸部により形成されるソース９１０、第一ドレイン９１２、第一チャンネル層９１３、及びゲートライン９０２の延伸部により形成されるゲート９１１からなる。第一ドレイン９１２は、ストレージコンデンサ電極線（Ｃｓ）９０３上に形成される第一延伸部９０６の延伸である。
【００４０】
ＴＦＴ１がスイッチオンのとき、ソース９１０は、第一チャンネル層９１３を経て第一ドレイン９１２により電圧ドロップを生成し、電圧Ｖ１が第一ドレイン９１２により第一延伸部９０６上で生成され、第一画素電極９０４を駆動する。
【００４１】
ＴＦＴ２は、ソースライン９０１の延伸部により形成される第二ソース９１０、第二ドレイン９０８、第二チャンネル層９０９、及びゲートライン９０２の延伸部により形成されるゲート９１１からなる。第二ドレイン９０８は、ストレージコンデンサ電極線（Ｃｓ）９０３中に形成される第二延伸部９０７の延伸である。
【００４２】
ＴＦＴ２がスイッチオンのとき、ソース９１０は第二チャンネル層９０９を経て、第二ドレイン９０８により電圧ドロップを生成し、電圧Ｖ２が第二延伸部９０７上で生成され、第二画素電極９０５を駆動する。
【００４３】
ＴＦＴ１とＴＦＴ２とが異なる開電流を有するように、ＴＦＴ２の第二チャンネル層９０９とＴＦＴ１の第一チャンネル層９１３とは、下記式を満たす。
Ｗ１／ｄ１≠Ｗ２／ｄ２
【００４４】
好ましい実施例を前述の通り開示して本発明を説明したが、これらは決して本発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも、本発明の精神と領域とを脱しない範囲内で各種の変動や潤色を加えることができ、したがって本発明の保護範囲は、特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第一の実施形態に係るＶＡ型液晶ディスプレイを示す概略図である。
【図２】本発明の第二の実施形態に係るＶＡ型液晶ディスプレイを示す概略図である。
【図３】本発明の第一の実施形態に係るＶＡ型液晶ディスプレイの画素配置を示す図である。
【図４】本発明の第二の実施形態に係るＶＡ型液晶ディスプレイの画素配置を示す図である。
【図５】本発明の第三の実施形態に係るＶＡ型液晶ディスプレイの画素配置を示す図である。
【図６】異なる視野角を有するＶＡ型液晶ディスプレイの電圧と透過率を示す図である。
【図７】画素分割技術を示す図である。
【図８】図７の公知の液晶ディスプレイを示す図である。
【図９】図７のもう一つの公知の液晶ディスプレイを示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１１…ＶＡ型液晶ディスプレイを正視した時の電圧と透過率の曲線
１２…６０度で斜視した時の電圧と透過率の曲線
２１…第一画素
２２…第二画素
３０…誘電層
３１…画素電極
４１，４２…画素電極
４３…誘電層
５０…ＭＶＡ液晶ディスプレイ
５１，６１…上基板
５２，６２…下基板
５３…突起
６３…スリット
５４，６４…第一駆動装置
５５，６５…第二駆動装置
５６，６６…第一画素電極
５７，６７…第二画素電極
５８，６８…コモン電極
５９，６９…スリット
７０１，８０１，９０１…ソースライン
７０２，８０２，９０２…ゲートライン
７０３，８０３，９０３…ストレージコンデンサ電極線
７０４，８０４，９０４…第一画素電極
７０５，８０５，９０５…第二画素電極
７０６，８０６，９０６…第一延伸部
７０７，８０７，９０７…第二延伸部
７０８，８１６，９０８…第二ドレイン
７０９，７１３，９０９，９１３…チャンネル層
７１０，８１０…第二ソース
７１１，８１１，９１１…ゲート
７１２，８１２，９１２…第一ドレイン
７１４，８１４…第一ソース
８０８…第三ドレイン
８０９…第三チャンネル層
８１３…第一チャンネル層
８１５…第二チャンネル層
９１０…ソース
【図１】
2006350299.tif 000003
【図２】
2006350299.tif 000004
【図３】
2006350299.tif 000005
【図４】
2006350299.tif 000006
【図５】
2006350299.tif 000007
【図６】
2006350299.tif 000008
【図７】
2006350299.tif 000009
【図８】
2006350299.tif 000010
【図９】
2006350299.tif 000011