(57)【要約】【課題】基板及び薄膜トランジスタを備えた基板を提供する。【解決手段】製造工程において、熱的ストレスまたは蒸着ストレスなどによる変形が防止された基板のために、一面に変形防止層が備えられていることを特徴とする基板と、製造工程において、熱的ストレスまたは蒸着ストレスなどによる変形が防止された薄膜トランジスタを備えた基板のために、基板と、基板の一面に備えられた薄膜トランジスタと、基板の他面に備えられた少なくとも一つの層を備える変形防止層とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタを備えた基板。【選択図】図６
2006148057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一面に備えられた薄膜トランジスタと、
前記基板の他面に備えられた少なくとも一つの層を備える変形防止層と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項２】
前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記平坦化層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに備えられることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項３】
前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項４】
前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記平坦化層の上部には、バッファ層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記バッファ層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第１層、及び前記バッファ層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第２層を備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項５】
前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタを覆うように、前記基板の全面に保護膜が更に備えられることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項７】
前記変形防止層は、前記保護膜と同じ材料及び同じ厚さに備えられることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項８】
前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記平坦化層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第１層、及び前記保護膜と同じ材料及び同じ厚さに形成される第３層を備えることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項９】
前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されることを特徴とする請求項８に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項１０】
前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記平坦化層の上部には、バッファ層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記バッファ層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第１層、前記バッファ層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第２層、及び前記保護膜と同じ材料及び同じ厚さに形成される第３層を備えることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項１１】
前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項１２】
前記変形防止層は、前記基板の一面の上部に備えられ、前記基板の全面に備えられる層と、それぞれ同じ材料及び同じ厚さに形成される層と、を備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項１３】
前記基板は、金属基板であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタを備えた基板。
【請求項１４】
一面に変形防止層が備えられることを特徴とする基板。
【請求項１５】
前記基板の他面には、平坦化層が更に備えられることを特徴とする請求項１４に記載の基板。
【請求項１６】
前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに備えられることを特徴とする請求項１５に記載の基板。
【請求項１７】
前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されることを特徴とする請求項１５に記載の基板。
【請求項１８】
前記基板は、金属基板であることを特徴とする請求項１４に記載の基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板及び薄膜トランジスタを備えた基板に係り、より詳細には、製造工程において熱的ストレスまたは蒸着ストレスなどによる変形が防止された基板及び薄膜トランジスタを備えた基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、モバイルディスプレイ装置及びフレキシブルディスプレイ装置などの需要が急増しているところ、このようなモバイル用のディスプレイ装置及びフレキシブルディスプレイ装置には、薄くて軽く、かつ割れ難い特性が要求される。
【０００３】
薄くて軽いモバイルディスプレイ装置及びフレキシブルディスプレイ装置を製作するために、製造時に薄いガラス材の基板を使用する方法があるが、これは、製造工程において取り扱い難く、正確なアラインが難しく、かつ外部の衝撃に弱いという問題点があった。このような問題点を解決するために、既存のガラス材の基板を使用して製作した後、前記ガラス材の基板を機械的または化学的方法で薄く製作する方法が導入された。しかし、このような工程は複雑なだけでなく、外部の衝撃に非常に弱いため、実際には使用し難いという問題点があった。
【０００４】
ガラス材の基板における前記のような問題点のために、ガラス材の基板よりフレキシブル特性に優れており、また、外部の衝撃により損傷し難いプラスチック材の基板を利用する方法が導入された。しかし、プラスチック材の基板は、耐熱性に劣り、ポリシリコン薄膜トランジスタの製造及びその他の蒸着などの高温工程を行えないという問題点があった。
【０００５】
このような問題点を解決するために、耐熱性及びフレキシブル特性に優れた金属基板を使用することが提案された。しかし、図１に示すように、金属基板１上に任意の層２が備えられた後、前記層２が備えられた基板１が高温工程を経る場合には、前記基板１とその上層２との熱膨張係数の差により変形が発生するという問題点があった。すなわち、例えば、前記金属基板１の熱膨張係数よりその上層２の熱膨張係数が更に大きい場合には、図２に示すように、金属基板１がその上層２の方向に膨らみ、逆に、前記金属基板１の熱膨張係数がその上層２の熱膨張係数より更に大きい場合には、図３に示すように、金属基板１がその上層２の逆方向に膨らむという問題点があった。もちろん、このような問題は、金属基板の場合だけでなく、その他の多様な基板で発生するおそれがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記問題点及び多様な問題点を解決するためのものであって、製造工程において熱的ストレスまたは蒸着ストレス等による変形が防止された基板及び薄膜トランジスタを備えた基板を提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的及びその他の多様な目的を達成するために、本発明は、基板と、前記基板の一面に備えられた薄膜トランジスタと、前記基板の他面に備えられた少なくとも一つの層を備える変形防止層と、を備えることを特徴とする薄膜トランジスタを備えた基板を提供する。
【０００８】
このような本発明の他の特徴によれば、前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記平坦化層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに備えられうる。
【０００９】
本発明の更に他の特徴によれば、前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記平坦化層の上部には、バッファ層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記バッファ層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第１層、及び前記バッファ層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第２層を備えうる。
【００１０】
本発明の更に他の特徴によれば、前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されうる。
本発明の更に他の特徴によれば、前記薄膜トランジスタを覆うように、前記基板の全面に保護膜が更に備えられうる。
【００１１】
本発明の更に他の特徴によれば、前記変形防止層は、前記保護膜と同じ材料及び同じ厚さに備えられうる。
本発明の更に他の特徴によれば、前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記平坦化層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第１層、及び前記保護膜と同じ材料及び同じ厚さに形成される第３層を備えうる。
【００１２】
本発明の更に他の特徴によれば、前記基板の一面には、平坦化層が更に備えられ、前記平坦化層の上部には、バッファ層が更に備えられ、前記薄膜トランジスタは、前記バッファ層の上部に備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第１層、前記バッファ層と同じ材料及び同じ厚さに形成される第２層、及び前記保護膜と同じ材料及び同じ厚さに形成される第３層を備えうる。
【００１３】
本発明の更に他の特徴によれば、前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されうる。
本発明の更に他の特徴によれば、前記変形防止層は、前記基板の一面の上部に備えられ、前記基板の全面に備えられる層と、それぞれ同じ材料及び同じ厚さに形成される層と、を備えうる。
【００１４】
本発明の更に他の特徴によれば、前記基板は、金属基板でありうる。
また、本発明は、前記目的を達成するために、一面に変形防止層が備えられることを特徴とする基板を提供する。
このような本発明の他の特徴によれば、前記基板の他面に平坦化層が更に備えられうる。
【００１５】
本発明の更に他の特徴によれば、前記変形防止層は、前記平坦化層と同じ材料及び同じ厚さに備えられうる。
本発明の更に他の特徴によれば、前記平坦化層は、シリコンオキシドから形成されうる。
本発明の更に他の特徴によれば、前記基板は、金属基板でありうる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の基板及び薄膜トランジスタを備えた基板によれば、次のような効果が得られる。
第一に、基板の他面に変形防止層を備えることにより、薄膜トランジスタ製造工程において、非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に形成する工程などで発生する熱による変形や層の剥離現象などを防止できる。
第二に、基板の他面に変形防止層を備えることにより、薄膜トランジスタを基板に備えさせた後、その後に行われる工程で発生しうる各層の熱膨張係数の差による変形や剥離などを防止できる。
第三に、薄膜トランジスタが備えられていない基板の場合にも、その一面に変形防止層を備えることにより、後続工程で高温工程を経る場合にも、その変形を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付された図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。
図４は、本発明の好ましい第１実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
図４を参照すれば、基板１１０の一面に薄膜トランジスタ１２０が備えられており、前記基板１１０の他面には、少なくとも一つの層を備える変形防止層１０１が備えられている。前記基板１１０は、金属基板であってもよく、その他の多様な基板であってもよい。
【００１８】
前記薄膜トランジスタ１２０は、ＭｏＷなどで形成されるゲート電極１２１と、前記ゲート電極１２１と絶縁されるソース電極１２２及びドレイン電極１２３と、前記ゲート電極１２１と絶縁されつつ、前記ソース電極１２２及び前記ドレイン電極１２３にそれぞれ接する半導体層１２４と、を備える。この時、前記半導体層１２４と前記ゲート電極１２１とを絶縁させるために、その間にゲート絶縁膜１３０が更に備えられ、また、前記ソース電極１２２及び前記ドレイン電極１２３を前記ゲート電極１２１と絶縁させるために、層間絶縁膜１４０が更に備えられうる。
【００１９】
この場合、前記半導体層１２４として多結晶シリコン層を使用できるが、そのために非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に形成する結晶化工程を経る。結晶化方法としては、低温工程は、レーザー熱処理、金属誘導結晶化（ｍｅｔａｌ ｉｎｄｕｃｅｄ ｃｒｙｓｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ：ＭＩＣ）などの多様な方法があるが、主に、非晶質シリコン層にレーザーを照射して、それを液状に溶融させた後、冷却させつつグレインを成長させるエキシマレーザーアニーリング方法、または、多結晶シリコンのグレインが、レーザーが照射された液状領域と、レーザーが照射されていない固状領域との境界で、その境界面に対して垂直方向に成長するという事実を利用した、順次側面固状結晶方法などを利用して、多結晶シリコン層を形成する。
【００２０】
一般的に、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程は高温工程であり、特に、前記のような結晶化工程は、相対的に高温工程であるため、薄膜トランジスタ製造工程において、熱などによる変形や層の剥離現象などが発生しうる。
したがって、前記基板１１０に前記変形防止層１０１が備えられていなければ、前記基板１１０が熱的ストレスにより前記薄膜トランジスタ１２０が備えられた方向またはその逆方向に曲がる恐れがあるが、そのようなストレスと逆方向のストレスとを前記基板１１０に加えることで反りを防止できる。
【００２１】
すなわち、前記基板１１０に前記変形防止層１０１が備えられていない時、図２と同様に、前記基板１１０の一面に備えられた薄膜トランジスタ１２０の方向に前記基板１１０が曲がる場合には、前記基板１０１より熱膨張係数の小さな物質で前記基板１１０の他面に変形防止層１０１を形成することで、そのような熱的ストレスによる変形を防止できる。また、前記基板１１０に前記変形防止層１０１が備えられていない時、図３と同様に、前記基板１１０の一面に備えられた薄膜トランジスタ１２０の逆方向に前記基板１１０が曲がる場合には、前記基板１１０より熱膨張係数の大きい物質で前記基板１１０の他面に変形防止層１０１を形成することで、そのような熱的ストレスによる変形を防止できる。すなわち、前記変形防止層１０１の材料及びその厚さを、前記基板１１０が曲がる方向及びその程度によって適切に選択することで前記基板１１０の変形を防止できる。また、このように、前記基板１１０の変形が防止されることによって、その上層の剥離なども防止されうる。
【００２２】
また、前記薄膜トランジスタ１２０を前記基板１１０に備えさせた後、その後に行われる工程、例えば、有無機物質の蒸着などの工程も高温工程であり得るため、各層の熱膨張係数の差による変形や剥離などが発生しうるが、前記のように、前記基板１１０の他面に変形防止層１０１を備えることにより、それを防止できる。
前記実施例では、多結晶シリコン薄膜トランジスタの場合について説明したが、その他の多様な種類の薄膜トランジスタが備えられる場合にも本発明が適用されうることは言うまでもない。また、本発明は、図４に示す形態の薄膜トランジスタ以外に、他の形態の薄膜トランジスタが備えられた場合にも適用されうることは言うまでもない。これは、後述する実施例でも同一であり、以下、後述する実施例では、便宜上、図４に示す形態の多結晶シリコン薄膜トランジスタが備えられた場合のみについて説明する。
【００２３】
図５は、金属基板の上面に平坦化層が備えられているものを概略的に示す断面図であり、図６は、本発明の好ましい第２実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
前記したように、基板としては、フレキシブル特性及び耐熱性に優れた金属基板を使用できる。この場合、図５に示すように、前記金属基板２１０の表面粗度が高いため、その上部に薄膜トランジスタなどを形成する前に、前記金属基板２１０の一面に化学的または力学的にポリッシングを行った後、その上部に平坦化層２１２を備えさせて平坦化する必要がある。この場合、前記平坦化層２１２は、約５０００Åないし１００００Åの厚さに形成するが、したがって、これによる内部ストレスが存在する。したがって、前記平坦化層２１２としては、前記内部ストレスの少ないシリコンオキシド物質から形成することが好ましい。これは、後述する実施例でも同じである。
【００２４】
この場合、前記平坦化層２１２も熱的ストレスによって膨脹するため、前記基板２１０の熱膨張係数との差により前記基板２１０の変形を引き起こす。特に、前記平坦化層２１２の上部に半導体層２２４が備えられるが、前記したように、多結晶シリコン層で前記半導体層２２４を形成する場合には、高温工程を経るため、前記平坦化層２１２と前記基板２１０との熱膨張係数の差による変形を最小化することが重要である。したがって、前記基板２１０の他面に変形防止層２０２を形成させて、そのような変形を防止する。
【００２５】
この場合、前記変形防止層２０２は、前記平坦化層２１２と同じ物質及び同じ厚さに形成させることが好ましい。すなわち、前記平坦化層２１２と前記基板２１０との熱膨張係数の差により変形が発生するが、その差により前記基板２１０に加えられる熱的ストレスと同じ大きさのストレスを逆方向に前記基板２１０に加えることで、そのような変形を防止できるため、前記変形防止層２０２は、前記平坦化層２１２と同じ物質及び同じ厚さに形成させることが好ましい。
【００２６】
図７は、本発明の好ましい第３実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
本実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板が、前記した第２実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板と異なる点は、基板３１０の一面に備えられた平坦化層３１２の上部に、バッファ層３１４が更に備えられており、前記基板３１０の他面に備えられた変形防止層は、第１層３０２及び第２層３０４からなっているということである。
【００２７】
第１層は、前記したように、前記基板３１０の一面に備えられた平坦化層３１２と前記基板３１０との熱膨張係数の差による熱的ストレスを相殺するために、前記基板３１０の他面に備えられる層である。
一方、前記バッファ層３１４の上部に備えられる薄膜トランジスタ３２０は、ゲート電極３２１に印加される信号によって、ソース電極３２２とドレイン電極３２３との間の信号を制御するものであって、そのために、前記ソース電極３２２とドレイン電極３２３との間のチャンネルが形成される半導体層３２４には、外部から不純物が浸透されてはならない。したがって、そのために、前記半導体層３２４の下部にバッファ層３１４を更に備え得る。この場合、前記バッファ層３１４と前記基板３１０との熱膨張係数の差により、熱的ストレスが前記基板３１０に与えられるおそれがあるため、そのような熱的ストレスを相殺させるために第２層３０４を備える。
【００２８】
この場合、前記第１層３０２は、前記平坦化層３１２による熱的ストレスを相殺するためのものであるため、前記平坦化層３１２と同じ材料及び同じ厚さに形成することが好ましく、前記第２層３０４は、前記バッファ層３１４による熱的ストレスを相殺するためのものであるため、前記バッファ層３１４と同じ材料及び同じ厚さに形成することが好ましい。
【００２９】
図８は、本発明の好ましい第４実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
一般的に、基板４１０の一面の上部に薄膜トランジスタ４２０を備えさせた後、前記薄膜トランジスタ４２０を覆うように保護膜４５０が備えられうる。前記保護膜４５０は、前記薄膜トランジスタ４２０を外部から保護する役割の他に、前記薄膜トランジスタ４２０の上部に多様な構成要素が備えられる前に、前記薄膜トランジスタ４２０の上部を平坦化する役割も行う。
【００３０】
この時、前記薄膜トランジスタ４２０の上部に多様な構成要素を備える工程は、高温工程であってもよく、この場合、前記保護膜４５０と前記基板４１０との熱膨張係数の差により変形または剥離などが発生しうる。したがって、前記基板４１０の他面に、前記保護膜４５０と前記基板４１０との熱膨張係数の差による熱的ストレスを相殺させる変形防止層４０５を備えうる。この場合にも、前記変形防止層４０５は、前記保護膜４５０と同じ物質及び同じ厚さに形成させることが好ましい。
【００３１】
もちろん、図６に示すような前記した第２実施例で説明したように、基板の一面に平坦化層が備えられ、その上部に薄膜トランジスタが備えられつつ、前記薄膜トランジスタの上部に保護膜が更に備えられてもよい。したがって、この場合にも、図９に示す本発明の好ましい第５実施例のように、変形防止層が、平坦化層５１２と保護膜５５０とにそれぞれ対応する第１層５０２及び第３層５０５を備えるようにして、基板５１０の変形及び各層間の剥離現象などを防止できる。
【００３２】
また、図７に示すような前記した第３実施例で説明したように、基板の一面に平坦化層が備えられ、その上部にバッファ層及び薄膜トランジスタが備えられつつ、前記薄膜トランジスタの上部に保護膜が更に備えられてもよい。したがって、この場合にも、図１０に示す本発明の好ましい第６実施例のように、変形防止層が、平坦化層６１２、バッファ層６１４及び保護膜６５０にそれぞれ対応する第１層６０２、第２層６０４及び第３層６０５を備えるようにして、基板６１０の変形及び各層間の剥離現象などを防止できる。
【００３３】
図１１は、本発明の好ましい第７実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
図１１を参照すれば、基板７１０の一面に、薄膜トランジスタ７２０が備えられており、他面に、二つの層７０３、７０４を備える変形防止層が備えられている。変形防止層が二つの層７０３、７０４を備えている理由は、前記基板７１０の一面の全面の上部に備えられている層が、ゲート絶縁膜７３０と層間絶縁膜７４０との二層であるためである。
【００３４】
前記したような熱膨張係数の差による基板の変形は、主に、基板と前記基板の全面とに備えられている層の熱膨張係数の差による変形である。したがって、前記基板の全面に備えられている層と前記基板との熱膨張係数の差による熱的ストレスを相殺するために、前記基板の全面に備えられる層に対応する層を備える変形防止層を備えることが好ましい。この場合、前記変形防止層に備えられる層は、前記基板の全面に備えられる層と、それぞれ同じ材料及び同じ厚さに形成される層であることが好ましい。
【００３５】
前記実施例においては、薄膜トランジスタが備えられた基板に変形防止層が備えられた場合について説明したが、もちろん、薄膜トランジスタが備えられていない基板の一面に変形防止層を備えうる。この場合、一面に変形防止層が備えられた基板を利用して後続工程を実施するにあたって、高温工程を経ても、前記基板の変形などを防止できる。このような一面に変形防止層が備えられた基板の場合でも、前記した実施例で説明した要素が何れも適用されうることは言うまでもない。例えば、前記基板の他面に平坦化層が備えられ、前記変形防止層は、前記平坦化層と同一物質及び同一厚さに形成される。
【００３６】
本発明は、図示された実施例を参考に説明されたが、これは、例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施例が可能であるということが理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、基板及び薄膜トランジスタを備えた基板に関連した技術分野に好適に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】熱膨張係数の異なる二層が接していることを概略的に示す断面図である。
【図２】熱膨張係数の異なる二層が接している場合、熱的ストレスによる変形が発生したものを概略的に示す断面図である。
【図３】熱膨張係数の異なる二層が接している場合、熱的ストレスによる変形が発生したものを概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の好ましい一実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
【図５】金属基板の上面に平坦化層が備えられていることを概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の好ましい更に他の一実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
【図７】本発明の好ましい更に他の一実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
【図８】本発明の好ましい更に他の一実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
【図９】本発明の好ましい更に他の一実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
【図１０】本発明の好ましい更に他の一実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
【図１１】本発明の好ましい更に他の一実施例に係る薄膜トランジスタを備えた基板を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
２０２  変形防止層
２１０  基板
２１２  平坦化層
２２１  ゲート電極
２２２  ソース電極
２２３  ドレイン電極
２２４  半導体層
２３０  ゲート絶縁膜
２４０  層間絶縁膜
【図１】
2006148057.tif 000003
【図２】
2006148057.tif 000004
【図３】
2006148057.tif 000005
【図４】
2006148057.tif 000006
【図５】
2006148057.tif 000007
【図６】
2006148057.tif 000008
【図７】
2006148057.tif 000009
【図８】
2006148057.tif 000010
【図９】
2006148057.tif 000011
【図１０】
2006148057.tif 000012
【図１１】
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