(57)【要約】【課題】画素電極の信号線近傍における光漏れを防止することができる液晶表示装置を提供する。【解決手段】水平方向Ｈおよび垂直方向に複数の画素電極４が配置されている。画素電極４の下層には、水平方向Ｈに並ぶ画素電極４間において垂直方向に伸びる信号線２が配置されている。信号線２と画素電極４との間には、水平方向Ｈに並ぶ画素電極４間の領域において表面段差１４を有する絶縁層１３が形成されており、画素電極４の端部が、絶縁層１３の表面段差１４に乗り上げて形成されている。【選択図】図２
2006153904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水平方向および垂直方向に複数配置された画素電極と、
前記画素電極の下層であって、水平方向に並ぶ前記画素電極間において垂直方向に伸びる信号線と、
前記画素電極の下層であって、水平方向に伸びる走査線と、
各画素電極に対応して設けられ、前記信号線、前記走査線および前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
前記信号線および前記走査線と、前記画素電極との間に形成され、水平方向に並ぶ前記画素電極間の領域において表面段差を有する絶縁層とを有し、
前記画素電極の端部が、前記絶縁層の前記表面段差に乗り上げて形成された
液晶表示装置。
【請求項２】
前記絶縁層内において、前記信号線および前記走査線に対応する位置に遮光配線がさらに形成された
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
所定数の走査線毎に、垂直方向に並ぶ各画素電極の極性を反転させるデータ信号が、前記信号線を通じて供給される
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
水平方向および垂直方向に複数配置された画素電極と、
前記画素電極の下層であって、水平方向に並ぶ前記画素電極間において垂直方向に伸びる信号線と、
前記画素電極の下層であって、水平方向に伸びる走査線と、
各画素電極に対応して設けられ、前記信号線、前記走査線および前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
前記信号線および前記走査線と、前記画素電極との間に形成された絶縁層とを有し、
前記信号線から前記絶縁層表面までの距離が、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の膜厚に規定された
液晶表示装置。
【請求項５】
所定数の走査線毎に、垂直方向に並ぶ各画素電極の極性を反転させるデータ信号が、前記信号線を通じて供給される
請求項４記載の液晶表示装置。
【請求項６】
水平方向および垂直方向に複数配置された画素電極と、
前記画素電極の下層であって、水平方向に並ぶ前記画素電極間において垂直方向に伸びる信号線と、
前記画素電極の下層であって、水平方向に伸びる走査線と、
各画素電極に対応して設けられ、前記信号線、前記走査線および前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、
前記信号線および前記走査線と、前記画素電極との間に形成された絶縁層と、
前記絶縁層内において、前記信号線および前記走査線に対応する位置に形成された遮光配線とを有し、
前記遮光配線から前記絶縁層表面までの距離が、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の膜厚に規定された
液晶表示装置。
【請求項７】
所定数の走査線毎に、垂直方向に並ぶ各画素電極の極性を反転させるデータ信号が、前記信号線を通じて供給される
請求項６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力という特性から、ＯＡ機器、時計、テレビのような様々な分野で応用されている。特にアクティブマトリクス型表示装置は、薄膜トランジスタを用いて画素のスイッチングを行うことにより優れた応答性を得ることができるため、多くの画像情報を表示しなくてはならないコンピュータあるいはテレビ表示モニタとして利用されている。
【０００３】
特に最近では、数ｃｍ角のパネルサイズで画素ピッチが１０数μｍの液晶パネルと、投影用の光学系とを組み合わせたプロジェクション型のディスプレイが作製されている。このような液晶表示装置においては、高品質な画像を表示するという基本的な要請があり、それを達成する上でも、とりわけ、高開口率化、画像の高コントラスト化などが求められる。
【０００４】
上記の液晶表示装置では、一般に直流駆動を行うと不純物イオンが液晶層ないし電極基板上の配向膜中に偏在して液晶分子の分極が起こり、電圧―透過率特性が変化するという、いわゆる焼付け現象が起こることから、それを防ぐために、交流駆動により常に液晶の電位をリフレッシュするようになされている。また、全フィールドを同電位で駆動すると、極性反転による光透過率の微小変化がフリッカとなって見えやすい。そこで、１ライン毎または複数ライン毎に極性を反転してフリッカをキャンセルするようにしたライン反転駆動が一般に多く用いられている。
【０００５】
上記のライン反転駆動が行われると、互いに極性の異なる隣り合う画素電極間に、対向電極に対する電位差の略２倍の電位差が発生する。このため、垂直方向に隣り合う画素電極間には強い横電界が発生する。この横電界の影響を受けて、本来の液晶分子の配向とは異なる方向に配列したリバースチルトドメインが走査線方向に発生する。
【０００６】
このため、上記のライン反転駆動の液晶表示装置では、画素が１０数ミクロン程の大きさの場合に、画素周辺光漏れによりコントラストが低下してしまうことが知られている。
光利用効率を上げるために開口率を大きくすると遮光の領域が小さくなり、液晶が乱れた部分を隠し切れなくなるからである。
【０００７】
そこで、ライン反転駆動では、リバースチルトドメインが発生しにくいようにラビング方向を選択するなどして、走査線近傍に生じる光漏れを防止するための各種の対策が施されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１１８０４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一方、信号線側の光漏れ量は、リバースチルトドメインに比べて小さくこれまで注目されてなかった。しかしながら、開口率の向上に伴い遮光の領域が小さくなり、信号線側の光漏れ量が無視できなくなりつつある。
【０００９】
信号線近傍の光漏れについて検討をしたところ、電界の乱れにより液晶配列が乱れているのが原因と分かった。信号線を挟んで左右に隣接する画素電極は、黒表示時に同電位であり、隣接する画素電極間に横電界は掛からない。ところが、画素電極の下層配線の電位が画素電極間の隙間から影響を及ぼし、電界が乱されている。これによって液晶の配向が乱れ光漏れが生じることが分かった。
【００１０】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素電極の信号線近傍における光漏れを防止することができる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、水平方向および垂直方向に複数配置された画素電極と、前記画素電極の下層であって、水平方向に並ぶ前記画素電極間において垂直方向に伸びる信号線と、前記画素電極の下層であって、水平方向に伸びる走査線と、各画素電極に対応して設けられ、前記信号線、前記走査線および前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記信号線および前記走査線と、前記画素電極との間に形成され、水平方向に並ぶ前記画素電極間の領域において表面段差を有する絶縁層とを有し、前記画素電極の端部が、前記絶縁層の前記表面段差に乗り上げて形成されたものである。
【００１２】
上記の本発明の液晶表示装置では、絶縁層には水平方向に並ぶ画素電極間の領域において表面段差が形成されており、画素電極の端部が、絶縁層の表面段差に乗り上げて形成されている。これにより、画素電極の端部が立ち上がった形状となる。
水平方向に並ぶ画素電極間に信号線が存在する場合には、信号線の電位の影響により画素電極における水平方向の端部上の等電位線が信号線側に引き寄せられるが、この画素電極の端部が立ち上がっていることにより等電位線を押し上げて、画素電極の主面に平行な等電位線となる。この結果、画素電極上において液晶分子の方向が均一に規制される。
【００１３】
上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、水平方向および垂直方向に複数配置された画素電極と、前記画素電極の下層であって、水平方向に並ぶ前記画素電極間において垂直方向に伸びる信号線と、前記画素電極の下層であって、水平方向に伸びる走査線と、各画素電極に対応して設けられ、前記信号線、前記走査線および前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記信号線および前記走査線と、前記画素電極との間に形成された絶縁層とを有し、前記信号線から前記絶縁層表面までの距離が、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の膜厚に規定されたものである。
【００１４】
上記の本発明の液晶表示装置では、信号線から絶縁層表面までの距離が、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の膜厚に規定されている。
水平方向に並ぶ画素電極間に信号線が存在する場合には、信号線の電位の影響により画素電極における水平方向の端部上の等電位線が信号線側に引き寄せられるが、信号線から絶縁層表面までの距離を上記の範囲まで離すことにより、信号線の電位による等電位線への影響が少なくなる。この結果、画素電極の主面に平行な等電位線が得られ、画素電極上において液晶分子の方向が均一に規制される。
【００１５】
上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、水平方向および垂直方向に複数配置された画素電極と、前記画素電極の下層であって、水平方向に並ぶ前記画素電極間において垂直方向に伸びる信号線と、前記画素電極の下層であって、水平方向に伸びる走査線と、各画素電極に対応して設けられ、前記信号線、前記走査線および前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、前記信号線および前記走査線と、前記画素電極との間に形成された絶縁層と、前記絶縁層内において、前記信号線および前記走査線に対応する位置に形成された遮光配線とを有し、前記遮光配線から前記絶縁層表面までの距離が、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の膜厚に規定されたものである。
【００１６】
上記の本発明の液晶表示装置では、遮光配線から絶縁層表面までの距離が、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下の膜厚に規定されている。
水平方向に並ぶ画素電極間に遮光配線が存在する場合には、遮光配線の電位の影響により画素電極における水平方向の端部上の等電位線が遮光配線側に引き寄せられるが、遮光配線から絶縁層表面までの距離を上記の範囲まで離すことにより、遮光配線の電位による等電位線への影響が少なくなる。この結果、画素電極の主面に平行な等電位線が得られ、画素電極上において液晶分子の方向が均一に規制される。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の液晶表示装置によれば、画素電極の信号線近傍における光漏れを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に、本発明の液晶表示装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１９】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を示す図である。本実施形態では、一例として透過型液晶表示装置について説明する。
【００２０】
基板上には、水平方向Ｈに延在する走査線１が垂直方向Ｖに複数配列されており、垂直方向Ｖに延在する信号線２が水平方向Ｈに複数配列されている。
【００２１】
走査線１と信号線２の交差部分には、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ThinFilm Transistor :ＴＦＴ）３が設けられている。水平方向Ｈの複数の薄膜トランジスタ３のゲートＧは走査線１に共通接続されている。垂直方向Ｖの複数の薄膜トランジスタ３のソースＳは信号線２に共通接続されている。
【００２２】
走査線１と信号線２とで囲まれる領域を覆うように、水平方向Ｈおよび垂直方向Ｖにおいてマトリックス状に画素電極４が配置されている。これにより、水平方向Ｈに並んだ画素電極４間に信号線２が配置され、垂直方向Ｖに並んだ画素電極４間に走査線１が配置される。画素電極４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極からなる。画素電極４は、薄膜トランジスタ３のドレインＤに接続されている。
【００２３】
垂直方向Ｖに並んだ各走査線１は、Ｖゲートドライバ５に接続されている。走査線１は、Ｖゲートドライバ５により１水平期間毎に順次１本ずつ選択される。
【００２４】
水平方向Ｈに並んだ各信号線２は、Ｈドライバ６に接続されている。Ｈドライバ６は、１水平期間に順次信号線２を選択し、ビデオ信号（データ信号）を信号線２に供給する。画面のちらつき等を防止するため、所定数の行、例えば１行の画素電極ごとに極性を反転させたビデオ信号を供給する(ライン反転駆動)。
【００２５】
図２は、図１のＡ−Ａ’線における概略断面図である。
【００２６】
例えばＴＦＴ基板１０は、石英基板などの透明絶縁性基板にスイッチング素子として図示しない薄膜トランジスタ３が形成されて構成される。ＴＦＴ基板１０上には、酸化シリコンなどからなる絶縁層１２が形成されており、絶縁層１２上に信号線２が形成されている。
【００２７】
絶縁層１２上には、信号線２を被覆する酸化シリコンなどからなる絶縁層１３が形成されている。絶縁層１３には、信号線２上に対応する位置、すなわち、水平方向Ｈの画素の境界部分に、画素電極を突き上げるための表面段差１４が形成されている。
【００２８】
絶縁層１３上には画素電極４が形成されている。水平方向Ｈにおける画素電極４の端部が、絶縁層１３の表面段差１４に乗り上げた状態で形成されている。この結果、画素電極４の水平方向Ｈの端部は、液晶側へ突き出したような形状となる。
【００２９】
図示はしないが、画素電極４および絶縁層１３上には配向処理が施された配向膜が形成されている。
【００３０】
ＴＦＴ基板１０に対向して、対向基板２０が配置されている。対向基板２０は、ガラス基板や石英基板などの透明絶縁性基板からなる。対向基板２０には、ＩＴＯなどの透明電極からなる対向電極（共通電極）２１が全面に形成されている。図示はしないが、対向電極２１上には必要に応じてカラーフィルタが形成される。また、カラーフィルタ上には配向処理が施された配向膜が形成される。
【００３１】
ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間には、液晶３０が充填されている。液晶３０は、例えば、ポジ型のツイストネマティック液晶材料からなる。図示はしないが、上記の液晶表示装置には、入射側偏光板と出射側偏光板が配置される。
【００３２】
図２では、水平方向Ｈにおける画素電極４間隙の直下に信号線２が配置されている例を示すが、例えば図３に示すように、信号線２の上層に遮光配線７が配置されている構成であってもよい。図３に示す構造は、主に液晶プロジェクタに用いられる透過型液晶パネルで採用される。
【００３３】
図３に示す構造の例では、ＴＦＴ基板１０上に形成された酸化シリコンからなる絶縁層１１上に信号線２が形成され、絶縁層１１上には信号線２を被覆する絶縁層１２が形成され、絶縁層１２上に遮光配線７が形成される。遮光配線７は、信号線２および不図示の走査線１に対応する位置に形成される。絶縁層１２上には遮光配線７を被覆する絶縁層１３が形成され、この絶縁層１３に表面段差１４が形成される。
【００３４】
次に、上記の液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、以降の説明では図２に示す構造を中心に説明するが、図３に示す構造についても同様に適用される。
【００３５】
まず、図４（ａ）に示すように、透明絶縁性基板に薄膜トランジスタを形成することにより、ＴＦＴ基板１０を作製する。次に、ＴＦＴ基板１０の薄膜トランジスタを被覆する絶縁層１２を形成する。続いて、信号線２および不図示の走査線１を形成した後に、これらの配線を被覆する絶縁層１３を形成する。その後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法などにより絶縁層１３の表面を平坦化する。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、リソグラフィ技術により、絶縁層１３上における信号線２に対応する位置、すなわち垂直方向Ｖに延在し水平方向Ｈに複数配列したストライプ状のレジスト膜１５を形成する。
【００３７】
次に、図５（ａ）に示すように、熱処理を行いレジスト膜１５の表面を円滑にする。続いて、図５（ｂ）に示すように、絶縁層１３とレジスト膜１５のエッチング選択比が１に近い条件でエッチングを行うことにより、レジスト膜１５のパターンが絶縁層１３に転写されて、絶縁層１３に表面段差１４が形成される。
【００３８】
ここで、熱処理によりレジスト膜１５の表面段差を滑らかにしたのは、急峻な段差を絶縁層１３に形成すると、その上に形成される配向膜の配向処理が困難となるからである。
【００３９】
以降の工程としては、絶縁層１３上に画素電極４を形成した後に、絶縁層１３および画素電極４上に配向膜を形成し、配向処理を施す。なお、レジスト膜１５の耐光性、耐熱性に問題がなければ、表面段差１４としてレジスト膜１５を用いて、レジスト膜１５および絶縁層１３上に画素電極４を形成してもよい。
【００４０】
一方、対向基板２０については、対向基板２０上に対向電極２１を形成し、必要に応じてカラーフィルタを形成し、その上に配向膜を形成して配向処理を施す。その後、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０を所定の間隙を維持した状態で貼り合わせ、その間隙に液晶３０を注入することにより液晶表示装置が製造される。なお、入射側偏光板および出射側偏光板は、ＴＦＴ基板１０および対向基板２０の外側に配置しても、貼り付けてもよい。
【００４１】
次に、上記構成の液晶表示装置の効果について比較例を参照して説明する。図６（ａ）は、比較例において、黒表示時の信号線近傍の電界分布を示す図である。比較例は、絶縁層１３には表面段差が形成されていない点を除いて、本実施形態と同様に作製したものである。図６（ｂ）は、本実施形態における黒表示時の信号線近傍の電界分布を示す図である。
【００４２】
図６（ａ）および図６（ｂ）に示す電界分布は、対向電極２１を０Ｖとし、画素電極４を５Ｖとし、信号線２を０Ｖとして、２次元シミュレータＬＣＤマスターを用いてシミュレーションを行った結果である。なお、遮光配線７が存在する場合には、遮光配線７の電位は０Ｖに維持されるため、同様の結果が得られる。
【００４３】
図６（ａ）に示す比較例では、水平方向Ｈに隣り合う画素電極４の間において下層に存在する信号線２の電位の影響により、画素電極４の端部上の領域Ａ１における等電位線ＩＬが曲がっている。例えば液晶３０としてポジ型のツイストネマティック液晶材料を用いた場合には、液晶分子は等電位線に対して直角に並ぶ性質があるため、領域Ａ１の液晶分子は斜めになり、この部分で光漏れが起こることとなる。
【００４４】
図６（ｂ）に示す本実施形態例では、絶縁層１３の表面段差１４の影響により画素電極４の端部が立ち上がっているため、領域Ａ１における等電位線ＩＬが立ち上がり、領域Ａ１における等電位線の曲がりがほとんどなくなる。等電位線の曲がりがなくなると、液晶分子は電極表面に対してほぼ垂直に立つため、光漏れが大幅に低減される。なお、画素電極４の間の領域上は、信号線２あるいは遮光配線７により遮光されるため、等電位線ＩＬが曲がっても光漏れの発生には繋がらない。
【００４５】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、画素電極２の信号線近傍における光漏れを防止することができる。この結果、コントラストを高めることができ、画質を向上させることができる。
【００４６】
（第２実施形態）
図７は、本実施形態に係る液晶表示装置の概略断面図である。なお、図７は、図１のＡ−Ａ’線における断面図に相当する。なお、第１実施形態と同じ構成要素には同一の符号を付しており、その説明は省略する。
【００４７】
本実施形態では、絶縁層１３の膜厚を従来のものよりも厚くする。絶縁層１３は、信号線２の上面から絶縁層１３の表面までの距離ｄが４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下となるように形成される。なお、従来においては、この距離は１５０ｎｍ程度である。
【００４８】
４００ｎｍ以上とする理由は、後述する結果に示すように、信号線２の電位による等電位線への影響を低減して、等電位線の曲がりをなくすのに最低限４００ｎｍ必要であるからである。
【００４９】
信号線２の電位による等電位線の影響を低減する観点からすれば、最上層の絶縁層１３の膜厚には上限はない。しかし、画素電極４を薄膜トランジスタ３のドレインＤと接続するために、絶縁層１３にはコンタクトホールを形成する必要がある。このため、あまりに絶縁層１３の膜厚を大きくすると、コンタクトホールのアスペクト比が大きくなりすぎてしまい、コンタクトホールの形成が困難となる。また、絶縁層１３の成膜時間も増加する。このような生産性の観点から、距離ｄは１２００ｎｍ以下とすることが好ましい。
【００５０】
図７では、水平方向Ｈにおける画素電極４間隙の直下に信号線２が配置されている例を示すが、例えば図８に示すように、信号線２の上層に遮光配線７が配置されている構成であってもよい。図８に示す構造は、主に液晶プロジェクタに用いられる透過型液晶パネルで採用される。
【００５１】
図８に示す構造の例では、ＴＦＴ基板１０上に形成された酸化シリコンからなる絶縁層１１上に信号線２が形成され、絶縁層１１上には信号線２を被覆する絶縁層１２が形成され、絶縁層１２上に遮光配線７が形成される。遮光配線７は、信号線２および不図示の走査線１に対応する位置に形成される。絶縁層１２上には遮光配線７を被覆する絶縁層１３が形成されている。
【００５２】
図８に示す構造の場合には、遮光配線７を被覆する画素電極４直下の絶縁層１３の膜厚を従来のものよりも厚くする。絶縁層１３は、遮光配線７の上面から絶縁層１３の表面までの距離ｄが４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下となるように形成される。この理由については、上述した通りである。なお、従来においては、この距離は１５０ｎｍ程度である。
【００５３】
次に、上記の本実施形態に係る液晶表示装置の効果について説明する。なお、以下の説明では、図７に示す構造を例に説明するが、図８に示す構造についても同様に適用される。
【００５４】
図９（ａ）〜図９（ｃ）は、信号線２の上面から絶縁層１３の表面までの距離ｄを変化させた場合における黒表示時の電界分布を示す図である。図９（ａ）はｄ＝１５０μｍの電界分布、図９（ｂ）はｄ＝４００ｎｍ、図９（ｃ）はｄ＝無限大のときの電界分布を示す。
【００５５】
図９（ａ）〜図９（ｃ）に示す電界分布は、対向電極２１を０Ｖとし、画素電極４を５Ｖとし、信号線２を０Ｖとして、２次元シミュレータＬＣＤマスターを用いてシミュレーションを行った結果である。なお、遮光配線７が存在する場合には、遮光配線７の電位は０Ｖに維持されるため、同様の結果が得られる。
【００５６】
図９（ａ）に示すｄ＝１５０μｍの例では、水平方向Ｈに隣り合う画素電極４の間において下層に存在する信号線２の電位の影響により、画素電極４の端部上の領域Ａ１における等電位線ＩＬが曲がっていることが分かる。例えば液晶３０としてポジ型のツイストネマティック液晶材料を用いた場合には、液晶分子は等電位線に対して直角に並ぶ性質があるため、領域Ａ１の液晶分子は斜めになり、この部分で光漏れが起こることとなる。
【００５７】
一方、図９（ｂ）に示すｄ＝４００ｎｍの例では、信号線２が画素電極４から離れるため、信号線２の電位による等電位線ＩＬへの影響が軽減され、領域Ａ１における等電位線の曲がり方が少なくなっていることがわかる。また、ｄ＝４００ｎｍ以上とすることにより、領域Ａ１において、図９（ｃ）に示すｄ＝無限大の場合とほぼ同様の等電位線ＩＬが得られる。
【００５８】
また、図１０に距離ｄを変化させた場合におけるコントラストの測定結果を示す。
【００５９】
図１０は、４０インチのサイズのパネルにおいて、照度計を用いて輝度の測定を行った結果である。画素電極４の電位を、白表示時において７．５Ｖ±０Ｖ、黒表示時において７．５Ｖ±５Ｖとして、輝度比（白／黒）をコントラストした。図１０では、信号線２の幅が２．０μｍの場合の測定結果がＣＶ１であり、信号線の幅が２．２μｍの場合の測定結果がＣＶ２である。
【００６０】
図１０に示すように、信号線２と画素電極４との間の距離が大きくなるほどコントラストが向上することがわかる。ｄ＝４００μｍの場合では、信号線２の幅が２．２μｍと大きい方（ＣＶ２）がより遮光がなされるため、コントラストが高い。しかし、信号線の幅を２．０μｍと小さくした場合でも、信号線２と画素電極４との間の距離を大きくすると、ｄ＝７５０ｎｍ程度で信号線２の幅が大きい場合と同様のコントラストが得られることがわかる。ＣＶ１の方がＣＶ２に比べて傾きが大きいことから、信号線２の幅を小さくして高開口率化を図った液晶表示装置ほど、信号線２と画素電極４とを間の距離を大きくすることによるコントラスト向上効果が大きい。
【００６１】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶表示装置によれば、信号線２から絶縁層１３表面までの距離を、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下となるように絶縁層１３を形成することにより、信号線２の電位による等電位線の曲がりを抑制して、画素電極２の信号線近傍における光漏れを防止することができる。この結果、コントラストを高めることができ、画質を向上させることができる。
【００６２】
また、信号線２の上層に遮光配線７が設けられる構造では、遮光配線７から絶縁層１３表面までの距離を、４００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下となるように絶縁層１３を形成することにより、遮光配線７の電位による等電位線の曲がりを抑制して、画素電極２の水平方向の端部における光漏れを防止することができる。この結果、コントラストを高めることができ、画質を向上させることができる。
【００６３】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、本実施形態に係る液晶表示装置は、ＴＦＴ基板１０あるいは対向基板２０の片面側に面光源を配置し、面光源とは反対の側から直視するようにした直視型表示装置や、ＴＦＴ基板１０あるいは対向基板２０からの透過光をスクリーンなどに投射してその投射映像を鑑賞するようにした投射型表示装置に適用可能である。
【００６４】
例えば、本実施形態では、透過型の液晶表示装置を例に説明したが、例えば、画素電極４あるいは対向電極２１のうちの一方を光反射体により構成し、液晶３０を往復する光を鑑賞するようにした反射型の液晶表示装置として用いることもできる。この場合には、光反射体ではない電極とその電極基板を透明にし、この透明の電極基板側から表示装置を鑑賞することになる。また、例えば透過型と反射型の双方の表示が可能な併用型（半透過型）の液晶表示装置にも適用可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置の回路構成を示す図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線の概略断面図である。
【図３】信号線上に遮光配線が存在する場合における図１のＡ−Ａ’線の概略断面図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶表示装置の製造における工程断面図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶表示装置の製造における工程断面図である。
【図６】（ａ）は比較例における黒表示時の電界分布を示す図であり、（ｂ）は本実施形態例における黒表示時の電界分布を示す図である。
【図７】第２実施形態に係る液晶表示装置の概略断面図である。
【図８】信号線上に遮光配線が存在する場合における液晶表示装置の概略断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、信号線の上面から絶縁層の表面までの距離ｄを変化させた場合における黒表示時の電界分布を示す図である。
【図１０】信号線の上面から絶縁層の表面までの距離ｄを変化させた場合におけるコントラストの測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１…走査線、２…信号線、３…薄膜トランジスタ（スイッチング素子）、４…画素電極、５…Ｖゲートドライバ、６…Ｈドライバ、７…遮光配線、１０…ＴＦＴ基板、１１…絶縁層、１２…絶縁層、１３…絶縁層、１４…表面段差、１５…レジスト膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…液晶、３０…液晶、Ｇ…ゲート、Ｓ…ソース、Ｄ…ドレイン、Ｈ…水平方向、Ｖ…垂直方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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