(57)【要約】【課題】  ノイズが少なく、高周波特性に優れ、かつ、トランジスタの熱暴走を防止するトランジスタ集積回路装置を提供する。【解決手段】  一端が高周波信号の入力端子ＲＦｉｎに共通接続され、他端が各トランジスタのベース電極に接続されたキャパシタＣ１１〜Ｃ１ｎと、一端が直流電源の入力端子ＤＣｉｎに共通接続され、他端が各トランジスタのベース電極に接続されたインダクタＬ１１〜Ｌ１ｎとを備えることにより、直流電源回路において発生する高周波ノイズを低減する。これにより、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１ｎから出力される高周波ノイズを低減することができる。また、インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎは、入力端子ＲＦｉｎから入力される高周波信号が直流電源回路側に流れることを防ぐ。これにより、高周波信号が直流電源回路側に流れることによる高周波信号の損失を防ぐことができる。【選択図】  図１
2006067381.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に回路が集積されたトランジスタ集積回路装置であって、
第１の電極が共通の出力端子に接続され、第２の電極が接地された少なくとも１つのトランジスタと、
一方の電極が前記トランジスタのベース電極の１つに接続され、他方の電極が共通の高周波信号の入力端子に接続された少なくとも１つのキャパシタと、
一方の電極が前記トランジスタのベース電極の１つに接続され、他方の電極が共通の直流電源の入力端子に接続された少なくとも１つのインダクタとを備える、トランジスタ集積回路装置。
【請求項２】
前記インダクタがバイアス抵抗として十分な抵抗成分を有することを特徴とする、請求項１に記載のトランジスタ集積回路装置。
【請求項３】
前記インダクタが正の温度係数の抵抗率を有する材料で形成されていることを特徴とする、請求項２に記載のトランジスタ集積回路装置。
【請求項４】
前記インダクタが金属の薄膜で形成されていることを特徴とする、請求項３に記載のトランジスタ集積回路装置。
【請求項５】
前記インダクタが前記キャパシタと同じ金属を用いて一体形成されていることを特徴とする、請求項４に記載のトランジスタ集積回路装置。
【請求項６】
前記インダクタと前記直流電源を供給する直流電源回路との間に、別のインダクタを含むことを特徴とする、請求項１に記載のトランジスタ集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタ集積回路装置に関し、より特定的には、高周波信号を増幅するパワートランジスタ回路などに用いられるトランジスタ集積回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波信号を増幅するパワートランジスタ回路には、高周波特性を確保するために、複数のトランジスタ（例えば、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）が並列接続された回路が従来から用いられている。
【０００３】
例えば、従来から用いられているパワートランジスタ回路には、図４に示すような回路がある。図４に示すパワートランジスタ回路は、ｎ個のトランジスタＴｒ４１〜Ｔｒ４ｎ、バイアス抵抗Ｒ４１、キャパシタＣ４１、直流電源の入力端子ＤＣｉｎ、高周波信号の入力端子ＲＦｉｎ、および、高周波信号の出力端子ＲＦｏｕｔを備える。
【０００４】
図４に示すパワートランジスタ回路では、各トランジスタＴｒ４１〜Ｔｒ４ｎのベース電極に、共通のバイアス抵抗Ｒ４１を介して直流電圧（バイアス電圧）が印加される。さらに、各トランジスタＴｒ４１〜Ｔｒ４ｎのベース電極には、キャパシタＣ４１を介して、入力端子ＲＦｉｎから高周波信号が入力される。そして、各トランジスタＴｒ４１〜Ｔｒ４ｎのエミッタ電極は、それぞれ接地される。また、トランジスタＴｒ４１〜Ｔｒ４ｎのコレクタ電極は、出力端子ＲＦｏｕｔに共通接続される。トランジスタＴｒ４１〜Ｔｒ４ｎからの出力信号は、出力端子ＲＦｏｕｔを介して、外部に出力される。
【０００５】
図４に示すパワートランジスタ回路は、各トランジスタの特性にばらつきが無いと仮定した場合の理想回路である。しかし、実際には各トランジスタに特性のばらつきがあるために、各トランジスタの動作にばらつきが生じる。このため、図４に示すパワートランジスタ回路では、動作時に発熱量が多くなり熱暴走を起こすトランジスタが発生する場合がある。トランジスタが熱暴走を起こすと、トランジスタの劣化や損傷が起こり、回路の誤動作の原因となる。
【０００６】
上記のような問題を解決するために、図５に示すパワートランジスタ回路が、従来から用いられている。図５に示すパワートランジスタ回路は、ｎ個のトランジスタＴｒ５１〜Ｔｒ５ｎ、ｎ個のバイアス抵抗Ｒ５１〜Ｒ５ｎ、直流電源の入力端子ＤＣｉｎ、高周波信号の入力端子ＲＦｉｎ、および、高周波信号の出力端子ＲＦｏｕｔを備える。
【０００７】
図５に示すパワートランジスタ回路では、バイアス抵抗Ｒ５１〜Ｒ５ｎがトランジスタＴｒ５１〜Ｔｒ５ｎのベース電極に接続されることにより、温度が上昇したトランジスタのベース電流の増大が抑制される。これにより、トランジスタＴｒ５１〜Ｔｒ５ｎの熱暴走を防ぐことができる。しかし、図５に示す回路では、高周波信号がバイアス抵抗Ｒ５１〜Ｒ５ｎを流れるために利得の低下が生じる。したがって、図５に示す回路は、パワートランジスタ回路の構成としては適当ではない。
【０００８】
そこで、パワートランジスタ回路をセル化する方法が、特許文献１に提案されている。図６は、特許文献１に記載のパワートランジスタ回路の回路図である。図６に示す回路は、ｎ個の並列接続されたトランジスタ回路のセル６００を備える。セル６００は、トランジスタＴｒ６１、キャパシタＣ６１およびバイアス抵抗Ｒ６１を含む。
【０００９】
トランジスタＴｒ６１のベース電極には、キャパシタＣ６１とバイアス抵抗６１とが接続される。キャパシタＣ６１の他端は、高周波信号の入力端子ＲＦｉｎに接続される。また、バイアス抵抗Ｒ６１の他端は、直流電源の入力端子ＤＣｉｎに接続される。トランジスタＴｒ６１のベース電極には、バイアス抵抗Ｒ６１を介して、直流電源回路（図示せず）からバイアス電流が供給される。さらに、トランジスタＴｒ６１のベース電極には、キャパシタＣ６１を介して、高周波信号が入力される。以上の構成は、他のセルについても同様である。以下においては、セル６００に含まれる構成要素を用いて、図６に示す従来のパワートランジスタの動作を説明する。
【００１０】
図６に示すパワートランジスタ回路では、バイアス抵抗Ｒ６１がトランジスタＴｒ６１に接続されることにより、トランジスタＴｒ６１の温度が上昇した場合に、トランジスタＴｒ６１のベース電流の増大が抑制される。これにより、トランジスタＴｒ６１の熱暴走を防止し、トランジスタの熱暴走によるトランジスタの劣化や損傷を防止することができる。
【００１１】
また、図６に示すパワートランジスタ回路では、高周波信号がバイアス抵抗Ｒ６１を通らずにトランジスタＴｒ１１に入力されるため、図５に示すパワートランジスタ回路のように、バイアス抵抗による利得の低下が生じることはない。
【００１２】
なお、図６に示すパワートランジスタ回路においては、トランジスタＴｒ６１のベース電極は、バイアス抵抗Ｒ６１を介して直流電源回路に接続されるが、通常、この直流電源回路には、同一半導体基板上に形成されるトランジスタが用いられる。
【特許文献１】米国特許第５６０８３５３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、図６に示すパワートランジスタ回路では、直流電源回路に含まれるトランジスタが直流から高周波帯域までの広い帯域において利得を有するために、直流電源回路で発生した高周波ノイズがトランジスタＴｒ６１に入力されてしまい、増幅された高周波ノイズがトランジスタＴｒ６１から出力されてしまうという問題が起こる。また、バイアス抵抗Ｒ６１の種類によっては、バイアス抵抗Ｒ６１において発生する熱雑音が問題になる場合もある。
【００１４】
また、一般に、高周波信号を増幅するパワートランジスタ回路では、トランジスタのコレクタに大きな電流が流れることがあるが、このときトランジスタのベースにも瞬間的に大きな電流が流れる。図６に示すパワートランジスタ回路では、ベースに大きな電流が流れると、バイアス抵抗によってバイアス電圧が低下するため、ベース電位が低下する。ベース電位が低下すると、パワートランジスタ回路の動作状態がＢ級動作に近くなり、この結果、コレクタ電流に高調波成分が発生し、コレクタ電圧のピーク電圧が瞬間的に増大する。このため、トランジスタの高周波特性の劣化や、最悪の場合、トランジスタが損傷するといった問題が起こる。
【００１５】
それ故に、本発明は、ノイズが少なく、高周波特性に優れ、かつ、トランジスタの熱暴走を防止するトランジスタ集積回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のトランジスタ集積回路装置は、第１の電極が共通の出力端子に接続され、第２の電極が接地された少なくとも１つのトランジスタと、一方の電極がトランジスタのベース電極の１つに接続され、他方の電極が共通の高周波信号の入力端子に接続された少なくとも１つのキャパシタと、一方の電極がトランジスタのベース電極の１つに接続され、他方の電極が共通の直流電源の入力端子に接続された少なくとも１つのインダクタとを備える。
【００１７】
また、本発明のトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタは、バイアス抵抗として十分な抵抗成分を有することが好ましい。
【００１８】
さらに、本発明のトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタは、正の温度係数の抵抗率を有する材料で形成されていることが好ましい。
【００１９】
また、本発明のトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタは、金属の薄膜で形成されていてもよい。
【００２０】
また、本発明のトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタは、キャパシタと同じ金属を用いて一体形成されていることが好ましい。
【００２１】
さらに、本発明のトランジスタ集積回路装置は、インダクタと直流電源を供給する直流電源回路との間に、別のインダクタを含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のトランジスタ集積回路装置は、第１の電極が共通の出力端子に接続され、第２の電極が接地された少なくとも１つのトランジスタと、一方の電極がトランジスタのベース電極の１つに接続され、他方の電極が共通の高周波信号の入力端子に接続された少なくとも１つのキャパシタと、一方の電極がトランジスタのベース電極の１つに接続され、他方の電極が共通の直流電源の入力端子に接続された少なくとも１つのインダクタとを備える。これにより、直流電源回路において発生する高周波ノイズをインダクタによって低減し、トランジスタから出力される高周波ノイズを低減することができる。また、インダクタは、高周波信号の入力端子から入力される高周波信号が直流電源回路側に流れることを防ぐ。これにより、高周波信号が直流電源回路側に流れることによる高周波信号の損失を防ぐことができる。また、本発明のトランジスタ集積回路装置は、各トランジスタのベース電極と直流電源回路との間が、それぞれ、インダクタによって高周波的に分離されている。これにより、出力信号が大きい場合におけるベース電位の低下を抑制し、それに伴うコレクタ電流およびコレクタ電圧の増大を抑制できる。よって、コレクタ電流およびコレクタ電圧の増大によるトランジスタの劣化や損傷を防止することができる。
【００２３】
また、本発明のトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタは、バイアス抵抗として十分な抵抗成分を有し、正の温度係数の抵抗率を有する材料で形成されていることから、トランジスタの温度が上昇した場合において、トランジスタのベース電流の増大を抑制する。これにより、トランジスタ間のばらつきに起因するトランジスタの熱暴走を防止することができる。
【００２４】
また、本発明のトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタは、キャパシタと同じ金属を用いて一体形成されていることにより、トランジスタ集積回路装置の小型化を図ることができる。
【００２５】
さらに、本発明のトランジスタ集積回路装置は、インダクタと直流電源回路との間に、別のインダクタを含むことにより、直流電源回路と各トランジスタのベース電極間の高周波的な分離をさらに良くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るトランジスタ集積回路装置の回路図である。図１に示すトランジスタ集積回路装置は、ｎ個のトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１ｎ、ｎ個のキャパシタＣ１１〜Ｃ１ｎ、ｎ個のインダクタＬ１１〜Ｌ１ｎ、直流電源の入力端子ＤＣｉｎ、高周波信号の入力端子ＲＦｉｎ、および、高周波信号の出力端子ＲＦｏｕｔを備える。図１に示すトランジスタ集積回路装置は、回路全体が１つの半導体基板上に形成される。
【００２７】
トランジスタＴｒ１１のベース電極には、キャパシタＣ１１とインダクタＬ１１とが接続される。キャパシタＣ１１の他端は、高周波信号の入力端子ＲＦｉｎに接続される。また、インダクタＬ１１の他端は、直流電源の入力端子ＤＣｉｎに接続される。トランジスタＴｒ１１のコレクタ電極は、高周波信号の出力端子ＲＦｏｕｔに接続され、エミッタ電極は接地される。トランジスタＴｒ１１のベース電極には、インダクタＬ１１を介して、直流電源回路（図示せず）からバイアス電流が供給される。さらに、トランジスタＴｒ１１のベース電極には、キャパシタＣ１１を介して、高周波信号が入力される。以上の構成は、他のトランジスタについても同様である。したがって、以下においては、トランジスタＴｒ１１、キャパシタＣ１１およびインダクタＬ１１を用いて、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置を説明する。
【００２８】
本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置は、トランジスタＴｒ１１と直流電源回路との間に、インダクタＬ１１を備えることにより、直流電源回路において発生した高周波ノイズを低減する。これにより、トランジスタＴｒ１１からの出力信号に含まれるノイズを低減することができる。
【００２９】
また、インダクタＬ１１は、高周波信号に対しては高インピーダンスとなるため、入力端子ＲＦｉｎから入力される高周波信号が直流電源回路側に流れることを防ぐ。これにより、高周波信号が直流電源回路側に流れることによる高周波信号の損失を防ぐことができる。
【００３０】
また、一般に、パワートランジスタ回路では、大きな信号の出力時にトランジスタのコレクタに大きな電流が流れる。このとき、トランジスタのベースにも、コレクタ電流に応じた電流振幅が生じる。図６に示す従来のパワートランジスタ回路では、このベースの電流振幅によって、ベース電位が変動し、ベース電位の平均電位が低下する。ベース電位が低下すると、トランジスタの動作点が下がり、トランジスタの動作がＢ級動作的になる。この結果、コレクタ電流に高調波成分が発生し、瞬間的にコレクタ電流およびコレクタ電圧が増大する。瞬間的なコレクタ電流およびコレクタ電圧の増大は、トランジスタの劣化や損傷の原因となる。
【００３１】
一方、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置を用いたパワートランジスタ回路では、各トランジスタのベース電極と直流電源回路との間が、それぞれ、インダクタによって高周波的に分離されているため、ベース電位の低下が抑制され、それに伴うコレクタ電流およびコレクタ電圧の増大が抑制される。これにより、瞬間的なコレクタ電流およびコレクタ電圧の増大によるトランジスタの劣化や損傷を防止することができる。
【００３２】
さらに、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置では、各トランジスタ間が、それぞれ、インダクタによって高周波的に分離されていることから、特に高周波帯域での動作時に、トランジスタのカップリング等による利得の低減やその他トランジスタの増幅特性の劣化を防止することができ、トランジスタの動作を安定させることができる。
【００３３】
次に、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置を用いたパワートランジスタ回路の負荷線と、従来のパワートランジスタ回路の負荷線とを図２に示す。図２に示す曲線ａは、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置を用いたパワートランジスタ回路の負荷線である。また、曲線ｂは、従来のパワートランジスタ回路においてベース電位が低下した場合の負荷線である。曲線ｃは、ベース電流を示す。また、図２に示すバイアスポイント１は、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置を用いたパワートランジスタ回路のバイアスポイントを示し、バイアスポイント２は、従来のパワートランジスタ回路においてベース電位が低下した場合のバイアスポイントを示す。
【００３４】
本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置を用いたパワートランジスタ回路によれば、図２の矢印Ａが示すように、バイアスポイントの低下を抑制することができる。また、矢印Ｂが示すように、コレクタ電圧の振幅のピーク値を低減することができる。したがって、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置によれば、トランジスタの劣化や損傷を防止することができる。
【００３５】
次に、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置に用いられるインダクタについて説明する。本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置に入力される高周波信号の周波数帯域は、例えば、１ＧＨｚ〜５ＧＨｚである。この周波数帯域で整合回路などに用いるインダクタのインダクタンスは、通常、数ｎＨから数十ｎＨ程度である。しかし、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置では、インダクタは半導体基板上に形成されるため、インダクタンスが１０ｎＨを超えるとインダクタの面積が大きくなり実用的でない。したがって、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタのインダクタンスの上限値は、１０ｎＨ程度である。また、通常の配線もインダクタンスを有することから、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置に含まれるインダクタのインダクタンスの下限値は、０．１ｎＨ程度である。
【００３６】
以上のように、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置は、コレクタ電極が出力端子ＲＦｏｕｔに共通接続されたトランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１ｎと、一端が高周波信号の入力端子ＲＦｉｎに共通接続され、他端が各トランジスタのベース電極に接続されたキャパシタＣ１１〜Ｃ１ｎと、一端が直流電源の入力端子ＤＣｉｎに共通接続され、他端が各トランジスタのベース電極に接続されたインダクタＬ１１〜Ｌ１ｎとを備える。これにより、直流電源回路において発生する高周波ノイズをインダクタＬ１１〜Ｌ１ｎによって低減し、トランジスタＴｒ１１〜Ｔｒ１ｎから出力される高周波ノイズを低減することができる。また、インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎは、入力端子ＲＦｉｎから入力される高周波信号が直流電源回路側に流れることを防ぐ。これにより、高周波信号が直流電源回路側に流れることによる高周波信号の損失を防ぐことができる。
【００３７】
また、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置は、各トランジスタＴｒ１１〜Ｔ１ｎのベース電極と直流電源回路との間が、それぞれ、インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎによって高周波的に分離されている。これにより、出力信号が大きい場合におけるベース電位の低下を抑制し、それに伴うコレクタ電流およびコレクタ電圧の増大を抑制できる。よって、従来のパワートランジスタ回路の問題であったコレクタ電流およびコレクタ電圧の増大によるトランジスタの劣化や損傷を防止することができる。
【００３８】
なお、直流電源回路と各トランジスタのベース電極間の高周波的な分離の効果をさらに高めるために、インダクタＬ１１〜Ｌ１ｎと直流電源回路との間に、さらにインダクタを接続してもよい。
【００３９】
上記のインダクタは、各トランジスタに接続されるインダクタとは異なり、多少面積が大きくとも半導体基板上に形成することが可能である。したがって、好適なインダクタンスとしては、２０ｎＨ程度のものであってもよい。ただし、１ｎＨ以下では、高周波ノイズの分離が期待できないことから、このインダクタのインダクタンスは、１ｎＨ以上であることが好ましい。
【００４０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係るトランジスタ集積回路装置について説明する。本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置と、第１の実施形態に係るトランジスタ集積回路との違いは、インダクタを形成する材料に金属の薄膜を用いることである。インダクタを形成する材料に金属を用いることにより、インダクタに抵抗成分が加わる。図３に本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置の等価回路図を示す。
【００４１】
図３に示すトランジスタ集積回路装置は、ｎ個のトランジスタＴｒ３１〜Ｔｒ３ｎ、キｎ個のキャパシタＣ３１〜Ｃ３ｎ、および、ｎ個のインダクタＬ３１〜Ｌ３ｎに加え、インダクタの抵抗成分であるバイアス抵抗Ｒ３１〜Ｒ３ｎを備える。以下においては、トランジスタＴｒ３１、キャパシタＣ３１、インダクタＬ３１およびバイアス抵抗Ｒ３１を用いて、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置を説明する。
【００４２】
本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置では、インダクタＬ３１が抵抗成分であるバイアス抵抗Ｒ３１を有することから、温度が上昇したトランジスタのベース電流の増大が抑制される。これにより、トランジスタ間のばらつきに起因するトランジスタの熱暴走を防止することができる。
【００４３】
また、各トランジスタにバイアス抵抗が加わることにより、各トランジスタ間の分離がさらに良くなることから、トランジスタのカップリング等による利得の低減をより効果的に抑えることができる。
【００４４】
また、トランジスタ集積回路装置の設計時に、バイアス抵抗Ｒ３１の抵抗値とインダクタＬ３１のインダクタンスとを適当な値に設定することにより、特定の周波数のノイズを低減することができ、また、トランジスタ集積回路装置の動作の安定性を向上させることができる。
【００４５】
さらに、インダクタＬ３１に温度と共に抵抗値が上昇する材料を用いること、すなわち、バイアス抵抗Ｒ３１の抵抗値が正の温度係数を有することにより、トランジスタ間のばらつきによる熱暴走をより効果的に抑制することができる。
【００４６】
次に、好適なインダクタのＱ値の範囲について説明する。まず、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置に入力される高周波信号の周波数帯域は、例えば、１ＧＨｚ〜５ＧＨｚの範囲である。したがって、インダクタのＱ値を決めるパラメータとして、周波数帯域を１ＧＨｚ〜５ＧＨｚとし、インダクタのインダクタンスを０．１ｎＨ〜１０ｎＨとし、インダクタの抵抗成分をバラスト抵抗として効果のある５０Ω〜２００Ωとすると、これらの条件からインダクタのＱ値の範囲は、０．００３１４〜６．２８となる。しかし、Ｑ値の小さいものは、ほとんど抵抗に等しく、インダクタとしての効果を期待できない。したがって、下限を常識的な値にすると、好適なインダクタのＱ値の範囲は、０．１〜１０程度となる。
【００４７】
次に、インダクタの膜厚の上限値を求める。例えば、インダクタを形成する材料が金であったとすると、金の抵抗率は２．４×１０-8Ω・ｍであるから、幅２．４μｍ、長さ１００μｍ、厚さ１μｍのインダクタを形成したとすると、このインダクタの抵抗値は、１Ωとなり、バラスト抵抗としての効果を得るには抵抗値が小さいことが分かる。したがって、インダクタの膜厚は１μｍ以下が望ましい。
【００４８】
以上のように、本実施形態に係るトランジスタ集積回路装置は、インダクタの材料として金属を用いることにより、抵抗成分を有するインダクタを備える。この抵抗成分がバイアス抵抗となることから、トランジスタの温度が上昇した場合において、トランジスタのベース電流の増大が抑制される。これにより、トランジスタ間のばらつきに起因するトランジスタの熱暴走を防止することができる。また、インダクタの抵抗成分は、各トランジスタ間の分離をさらに良くする。これにより、トランジスタのカップリング等による利得の低減をより効果的に抑えることができる。
【００４９】
なお、インダクタＬ３１は、キャパシタＣ３１と同じ金属を用いて、キャパシタＣ３１と一体として形成されていてもよい。インダクタＬ３１とキャパシタＣ３１が一体として形成されることにより、回路の小型化を図ることができる。
【００５０】
また、インダクタＬ３１は、抵抗値が正の温度係数を有する材料であれば、金属でなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明のトランジスタ集積回路装置は、ノイズが少なく、高周波特性に優れ、かつ、トランジスタの熱暴走を防止することから、高周波信号を扱うパワートランジスタ回路等に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るトランジスタ集積回路装置の回路図
【図２】本発明の第１の実施形態に係るトランジスタ集積回路装置の負荷線を示す図
【図３】本発明の第２の実施形態に係るトランジスタ集積回路装置の等価回路図
【図４】従来のパワートランジスタ回路の一例を示す回路図
【図５】従来のパワートランジスタ回路の一例を示す回路図
【図６】従来のパワートランジスタ回路の一例を示す回路図
【符号の説明】
【００５３】
６００  セル
Ｃ１１〜Ｃ１ｎ、Ｃ３１〜Ｃ３ｎ、Ｃ４１、Ｃ６１〜Ｃ６ｎ  キャパシタ
ＤＣｉｎ  直流電源の入力端子
Ｌ１１〜Ｌ１ｎ、Ｌ３１〜Ｌ３ｎ  インダクタ
Ｒ３１〜Ｒ３ｎ、Ｒ４、Ｒ５１〜Ｒ５ｎ、Ｒ６１〜Ｒ６ｎ  抵抗
ＲＦｉｎ  高周波信号の入力端子
ＲＦｏｕｔ  高周波信号の出力端子
Ｔｒ１１〜Ｔｒ１ｎ、Ｔｒ３１〜Ｔｒ３ｎ、Ｔｒ４１〜Ｔｒ４ｎ、Ｔｒ５１〜Ｔｒ５ｎ、Ｔｒ６１〜Ｔｒ６ｎ  トランジスタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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