(57)【要約】【課題】弾性表面波フィルタやアンテナ共用器が、単体で置かれた状態でも、また機器に組み込まれた後でも、静電気による破壊を避ける。【解決手段】圧電基板と、  前記圧電基板上に導電膜で形成された少なくとも１つ以上のインターディジタル電極を有する弾性表面波素子と、  前記インターディジタル電極の電極指が接続される端子間に電気的に接続され、前記圧電基板上に形成されたバリスタ特性を示す薄膜を有する。【選択図】図１
2006020285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、
前記圧電基板上に導電膜で形成された少なくとも１つ以上のインターディジタル電極を  有する弾性表面波素子と、
前記インターディジタル電極の電極指が接続される端子間に電気的に接続され、前記圧  電基板上に形成されたバリスタ特性を示す薄膜を有することを特徴とする弾性表面波装  置。
【請求項２】
請求項１において、
前記バリスタ特性を示す薄膜は、前記インターディジタル電極の部分及び、弾性表面波  が伝搬する部分を除く前記圧電基板上の領域に形成されていることを特徴とする弾性表  面波装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記バリスタ特性を示す薄膜は、酸化亜鉛又は、チタン酸ストロンチウムに微量の添加  物を加えた半導体セラミックスからなり、その結晶粒径は１μmから５０μmであるこ  とを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記バリスタ特性を示す薄膜は、1μmから100μmの膜厚であることを特徴とする弾  性表面波装置。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記バリスタ特性を示す薄膜は，前記圧電基板を減圧雰囲気中に置き、バリスタ特性を示す材料の微粉末を加速し衝突させて成膜するエアロゾルデポジション法により常温で前記圧電基板上に成膜されたことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項６】
導電膜で形成された少なくとも１つ以上のインターディジタル電極を有する弾性表面波  素子が圧電基板上に形成された弾性表面波素子チップと、
前記弾性表面波素子チップの前記圧電基板に形成された端子電極とバンプを介して接続  される端子電極を備えたパッケージベース基板を有し、
前記パッケージベース基板には、更に前記インターディジタル電極の電極指間に電気的  に接続されるバリスタ特性を示す薄膜が形成されている
ことを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記バリスタ特性を示す薄膜は前記パッケージベース基板の上面、裏面あるいは基板内  部に形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項８】
厚み方向に異方性エッチングにより空けられた空洞領域を有する基板と、
前記基板の空洞領域に対応する位置に配置される薄膜共振子と、
前記薄膜共振子の端子間に電気的に接続される、前記基板に形成されたバリスタ特性を  示す薄膜を有することを特徴とする弾性表面波装置。
【請求項９】
請求項１または６において，
前記バリスタ特性を示す薄膜は，一面側で前記インターディジタル電極の電極指間に電気的に接続され，前記一面側と反対面側に前記電極指と少なくとも一部が対向する電極が形成されていることを特徴とする弾性表面波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波(SAW)素子を用いる弾性表面波装置及び、薄膜共振子（FBAR）を
用いる弾性波装置に関し、特に、携帯電話等の移動体通信機器などに組み込まれ、弾性表面波(SAW)や薄膜共振子（FBAR）を利用したフィルタやアンテナ共用器に用いられる弾性
表面波装置及び弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波装置は、その小型化の特性ゆえに、近年、携帯機器の小型化の要求に対応して、携帯電話機等に組み込まれ、フィルタやアンテナ共用器として機能するように用いられている。
【０００３】
ところで、一般に携帯電話機等では、人体や物体にチャージされた静電気がアンテナなどを通して内部部品に印加される。かかる内部部品として、弾性表面波装置は、圧電結晶基板上にアルミニウムを主成分とする薄膜導電体で構成されるすだれ状（IDT：インター
ディジタル）電極指からなる弾性表面波素子を有している。
【０００４】
インターディジタル電極指の間隔はフィルタの中心周波数で主に決まり１−２GHz帯フ
ィルタでは隣り合う電極指の間隔は０．１−０．５μmとなる。このため５０〜１００Ｖ
を超える静電気が、電極に印加されると電極指間で放電が発生する。この時、放電部分の電極指には瞬間的に放電電流が流れ、その電流密度は大きく、電極指を溶断してフィルタの特性を劣化ないしは破壊する。
【０００５】
特に、アンテナ共用器として用いられる弾性表面波装置は、電気的にアンテナと直近に接続される位置にあり、かかる静電気放電（ESD）の影響を受け易い。
【０００６】
しかし、これまで弾性表面波フィルタやアンテナ共用器単体では、静電気放電による対策はとられておらず、個別部品をアンテナと弾性表面波フィルタ間に挿入し、静電気による電荷をグランド(接地)に流して弾性表面波フィルタを静電気放電から保護していた。
【０００７】
例えば、1998年IEEE Ultrasonics Symp. pp.9-12では、pp.11のFig.5において福島らがπ型LCハイパス型のマッチング回路をアンテナと弾性表面波フィルタの間に挿入し、並列に接続されたインダクタンスによって、静電荷をホット端子からグランド側に流して弾性表面波フィルタを保護することを提案していた。
【０００８】
また、静電気放電対策用の個別部品としてバリスタが使われてきた。バリスタとは印加電圧が低いと高抵抗であるが、印加電圧が高くなると急激に抵抗値が低下する非線形抵抗特性を有し、これにより、高電圧印加時に静電荷をグランドに流して静電気放電から部品の保護を行うことができる。
【０００９】
しかしながら、従来の個別部品構成のバリスタは流す電流値を大きくする為に、容量（キャパシタンス）が１−２GHzに対して無視できないほど大きくなり、このためバリスタを弾性表面波フィルタに並列に接続すると弾性表面波フィルタの特性が変化してしまう欠点があった。バリスタは扱う周波数が１００MHz以下の比較的低い周波数帯での部品の静電気放電保護に使われてきた。
【００１０】
さらに弾性表面波装置における静電気放電対策の従来技術として、薄膜抵抗体を用いる技術（特許文献１）、インピーダンス整合用コイルを用いる技術（特許文献２）あるいは、容量素子を用いる技術（特許文献３）が提案されている。
【００１１】
特許文献１及び特許文献２に記載の発明では、それぞれ抵抗又は、コイルを通して静電気電流を接地に流す構成であるが、弾性表面波素子に並列に抵抗又は、コイルが挿入されるので、上記大容量バリスタを用いる場合と同様に、弾性表面波フィルタの特性に影響を与えることは避けられない。
【００１２】
また、特許文献３に記載の発明では、容量性電極に鋭利な突起を設け、容量性電極でリーク放電をし易い構成にしている。かかる構成では容量性電極でリーク放電が一度生じると、突起先端部が溶断されてその後の静電気放電が誘導できないことになる。
【特許文献１】特開平８−１６７８２６号公報
【特許文献２】特開平１１−２７４８８６号公報
【特許文献３】特開２００１−１６８６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ここで、携帯電話機等の携帯機器では、手に持って移動されるものであり、外部の静電気を遮断することは難しい。また先に説明したような従来技術により、回路的に弾性表面波フィルタやアンテナ共用器などを静電気放電から保護する方法を用いても、携帯電話製造業者らが携帯電話機を組み立てる工程において、携帯電話機への実装前の弾性表面波フィルタ単体に対しては、静電気放電に対して耐性を有しないものである。
【００１４】
したがって、本発明の目的は、弾性表面波フィルタやアンテナ共用器が、単体で置かれた状態でも、また機器に組み込まれた後でも、静電気による破壊を避ける構成を有する弾性表面波装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成する本発明に従う、弾性表面波装置の第1の態様は、圧電基板と、前
記圧電基板上に導電膜で形成された少なくとも１つ以上のインターディジタル電極を有する弾性表面波素子と、前記インターディジタル電極の電極指が接続される端子間に接続され、前記圧電基板上に形成されたバリスタ特性を示す薄膜を有することを特徴とする。
【００１６】
さらに、上記の目的を達成する本発明に従う、弾性表面波装置の第２の態様は、第1の
態様において、前記バリスタ特性を示す薄膜は、前記インターディジタル電極の部分及び、弾性表面波が伝搬する部分を除く前記圧電基板上の領域に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
上記の目的を達成する本発明に従う、弾性表面波装置の第３の態様は、第1または、第
２の態様において、前記バリスタ特性を示す薄膜は、酸化亜鉛又は、チタン酸ストロンチウムに微量の添加物を加えた半導体セラミックスからなり、その結晶粒径は１μmから５
０μmであることを特徴とする。
上記の目的を達成する本発明に従う、弾性表面波装置の第４の態様は、第1または、第２
の態様において、前記バリスタ特性を示す薄膜は、1μmから100μmの膜厚であることを特徴とする。
【００１８】
また、上記の目的を達成する本発明に従う、弾性表面波装置の第５の態様は、導電膜で形成された少なくとも１つ以上のインターディジタル電極を有する弾性表面波素子が圧電基板上に形成された弾性表面波素子チップと、前記弾性表面波素子チップの前記圧電基板に形成された端子電極とバンプを介して接続される端子電極を備えたパッケージベース基板を有し、前記パッケージベース基板には、更に前記インターディジタル電極の電極指間に電気的に接続されるバリスタ特性を示す薄膜が形成されていることを特徴とする。
さらに、上記の目的を達成する本発明に従う、弾性表面波装置の第６の態様は、第５の態様において、前記バリスタ特性を示す薄膜は前記パッケージベース基板の上面、裏面あるいは基板内部に形成されていることを特徴とする。
【００１９】
さらに、上記の目的を達成する本発明に従う、弾性波装置は、厚み方向に例えば異方性エッチング等により空けられた空洞領域を有する基板と、前記基板の空洞領域に対応する位置に配置される薄膜共振子と、前記薄膜共振子の端子間に電気的に接続される、前記基板に形成されたバリスタ特性を示す薄膜を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の特徴は、以下に図面に従い説明される発明の実施の形態例から更に明らかになる。
【発明の効果】
【００２１】
上記の本発明に従う構成により、バリスタ特性を示す薄膜は、バリスタ電圧を越える高電圧の静電気が印加されたとき、ホット端子とグランド端子間が低抵抗になって静電荷を接地（グランド）に流し、弾性表面波素子のインターディジタル電極を保護することができる。
【００２２】
また、バリスタ特性を示す薄膜は、弾性表面波素子の形成される圧電基板上に一体に形成されるので、弾性表面波装置あるいは、弾性波装置を携帯機器等に組み込む工程における取り扱い時にも、静電気放電破壊を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、図面に従い本発明の実施の形態例を説明する。
【００２４】
図１は、以下の他の実施の形態例においても同様である。
【００２５】
図１において、水晶、LiTaO3、LINbO3などの圧電結晶基板１上に弾性表面波（ＳＡＷ）素子が形成される。弾性表面波（ＳＡＷ）素子は、対向するインターディジタル電極１１と１２を有する共振子２と、共振子２の両側に配置された反射器３，４を有する。
【００２６】
これら共振子２及び反射器３,４を形成する電極は、Ａｌを主成分とし、フォトリソグ
ラフィ技術で圧電結晶基板１上に形成される。
【００２７】
フォトリソグラフィ技術で形成された対向するインターディジタル電極１１，１２の各々に接続されるバスバー１３，１４から引き出されたバリスタ用端子パターン１５，１６間に、バリスタ薄膜１７が形成されている。ここでバリスタ用端子パターン１５，１６とバリスタ薄膜１７は上下逆の配置でも良い。
【００２８】
ここで、バリスタ薄膜１７とは、図２にバリスタ特性を示すように、印加電圧がバリスタ電圧Ｖvを越えると急激に抵抗値が低下する（電流ｉが大きくなる）非線形抵抗特性を
示す薄膜状のものを指す。材料として例えば、酸化亜鉛に添加物として酸化ランタンや酸化プラセオジウム、酸化コバルトなどを微量に添加したものや、チタン酸ストロンチウムなどいわゆる半導体セラミックスが挙げられる。
【００２９】
これらを、スパッタ法や焼結法により、多結晶セラミックスの薄膜を形成する。このセラミックスは結晶粒と粒界からなり、粒界部では、ショットキー障壁が出来る。ショットキー電圧以下では電子が障壁を乗り越えられず高抵抗を示すが、高電圧になるとショットキー障壁を越えて電流が流れ、低抵抗になる。
【００３０】
ここで，バリスタ薄膜１７の成膜について考察すると，例えば，水熱処理による薄膜バリスタを製造する方法が，例えば，特開平５−２９９２１０号公報に記載されている。
この製造方法では，１００°Ｃ以上の温度で水熱処理することを特徴としている。
【００３１】
このように，一般には成膜後、高温焼成したり、１００℃を越える熱処理を必要とする。しかしながら圧電基板１上にAlを主成分とする電極パターンが形成された後に基板を昇温することは、電極の劣化などから望ましくない。
【００３２】
そこで、焼成や熱処理を行ったバリスタ材料をボールミルなどで微粉末にし、減圧雰囲気中に置いた圧電基板上に吹き付けて緻密な薄膜を成膜するエアロゾルデポジション法を用いることで常温ないし１００℃以下の比較的低温でバリスタ薄膜を形成することが可能である。
【００３３】
図１において、ボンディングワイヤ２０,２１が外部パッケージ端子に接続され、端子
パッド１８,１９を通して外部から静電気による高電圧が印加されると、隣り合うインタ
ーディジタル電極１１，１２の電極指間に最も高電界が掛かる。このとき、１GHz〜２GHzの弾性表面波素子では５０−２００V程度で放電が発生する。この時、放電電流や放電の
発熱により電極指が溶断する。これにより弾性表面波素子は本来の特性が発揮できず、所謂素子破壊に陥る。
【００３４】
本発明によれば、図１に示すように対向するインターディジタル電極１１，１２から、バリスタ用端子パターン１５，１６が並列に引き出され、その間隙にバリスタ薄膜１７が、形成されている。したがって、静電気による高電圧が印加されると、このバリスタ薄膜１７を通して静電荷が流れ、インターディジタル電極指１１，１２での放電破壊を回避することができる。
【００３５】
バリスタ電圧は、結晶粒径・粒界および、バリスタ用端子パターン１５，１６の間隙距離により変えられ、使用される条件によって最適化する。一般にはバリスタ電圧がインターディジタル電極指１１，１２間で放電が生ずる電圧以上であると、先にインターディジタル電極指１１，１２間で放電してしまいバリスタ薄膜１７による保護機能が発揮できない。一方、バリスタ電圧が低いと、弾性表面波素子に印加される信号電圧でもバリスタ薄膜１７が低抵抗となり、弾性表面波素子本来の特性が発揮できない。
【００３６】
これらから１−２GHｚの周波数帯での弾性表面波フィルタでは、バリスタ電圧は２０−１００Ｖが望ましい。
【００３７】
図３は、複数の1ポート型弾性表面波共振子から構成されるラダー型弾性表面波フィル
タに本発明を適用した実施の形態例である。図4は、図３のラダー型弾性表面波フィルタ
の等価回路である。
【００３８】
圧電体結晶基板１上に複数(４個)の１ポート型弾性表面波共振子ＳＡＷ１〜ＳＡＷ４が、直列・並列に導電パターンにより接続され、帯域通過型のフィルタを構成する。ここで外縁部にあるチップ上の端子パッド１８１〜１８４が、ボンディングワイヤを介して図示しないパッケージの端子に接続される。
【００３９】
外部からパッケージ、ボンディングワイヤを介して伝達した静電気は、図３の弾性表面波装置の入力端子パッド１８１に達し、入力側グランド端子パッド１８２との間に高電圧が印加される。
【００４０】
この高電圧がバリスタ電圧を越えている場合、静電荷はバリスタ薄膜１７１を介してグランド（接地）に流れ、図３における弾性表面波共振子ＳＡＷ１を静電気放電から保護する。
【００４１】
さらに、本実施の形態例では、２段目の弾性表面波素子ＳＡＷ２は、インターディジタル電極指１１，１２間にバリスタ薄膜１７２が接続されている。外部からの静電気を回避するのみであるならば、原理的にはこのバリスタ薄膜１７２は不要である。しかしながら、例えば圧電基板１から発生する焦電効果による高電圧など素子内部の発生電荷によるインターディジタル電極指破壊に対しての保護として有効である。
【００４２】
図５は、３個のインターディジタル電極とその両側にグレーティング反射器を配設した、縦モード結合多重モード弾性表面波フィルタへの、本発明の適用例である。
【００４３】
圧電結晶基板１上に構成された入力端子パッド１８５に印加された静電気は、中央のインターディジタル電極に伝達し、入力側グランドパッド１８６との電位差が隣接するインターディジタル電極指１１，１２間に印加される。
【００４４】
図５において、弾性表面波チップの表面では、導電膜のパターンが入力側グランドパッド１８６と接続されていない。ここでは入力側グランドパッド１８６と、出力側グランドパッド１８７，１８８とがパッケージ内において、電気的に接続されていると仮定している。したがって入力側では入力端子パッド１８５と出力側グランドパッド１８７，１８８との間に、また出力側では出力端子パッド１８９，１９０と入力側グランドパッド１８６との間に、バリスタ薄膜１７４を設けることで、全てのインターディジタル電極の静電破壊を防止することが出来る。
【００４５】
図６は、本発明を適用した弾性表面波装置の実装例を示す図である。実装において、フリップチップ実装技術を本発明に従う弾性表面波装置構造に適用した例である。この実装技術は、先に、図１、図３で示した弾性表面波素子チップ１００を上下反転し、チップ１００の表面上の端子パッド１８と、パッケージベース基板３０上の導電パターン３０１とを、ボンディングワイヤを使わず金や半田ボールのバンプ３１により接続する実装方法である。この後、キャップを被せたり、樹脂をコートしてより小型・薄型の弾性表面波フィルタが実現できる。
【００４６】
金や半田ボールのバンプ３１の高さにより、弾性表面波チップ１００の表面と、パッケージベース基板３０の表面との間隙が１０−５０μm程度に保つことができる。弾性表面波チップ表面に形成されたバリスタ薄膜１７は概ね１−１０μmであるので、パッケージベース基板３０の表面にバリスタ薄膜１７が接触することはない。
【００４７】
図６において、更に、パッケージベース基板３０の導電パターン３０１は、スルーホール３０２を通して、外部端子３０３に接続される。
【００４８】
図７は、バリスタ薄膜１７をパッケージベース基板３０の表面上に形成した実施の形態例である。図１に示した実施の形態例において、圧電基板１上に弾性表面波電極パターンの導電パターンをフォトリソグラフィー技術等で形成した後、基板表面上にバリスタ薄膜１７を形成する際、圧電基板１を高温に曝すことで微細な電極パターンがダメージを受けたり、基板のもつ焦電性により電極が破損したりするおそれがある。
【００４９】
そこで、本実施の形態例ではバリスタ薄膜１７を、弾性表面波チップ表面ではなくパッケージベース基板３０側に形成したものである。一般に弾性表面波素子のパッケージベース３０の材質は、低温焼成のセラミックス(LTCC)や高温焼成のアルミナセラミックス(HTCC)が使われている。最近では、これらの他にシリコン単結晶、ガラス、サファイアなどが、開発されている。これらは、いずれも耐熱性に優れているため、バリスタ薄膜１７を形成する際に昇温や温度プロファイルを設定するのに自由度が増す。
【００５０】
このため結晶粒径や膜質の管理に優れ、バリスタ特性のバラツキの少ないバリスタ薄膜が形成可能となる。
【００５１】
さらにパッケージベース基板３０がセラミックスの場合、パッケージベースの焼成の為のグリーンシートと一緒にバリスタ薄膜用のグリーンシートも積層し、同時に焼成することも可能である。またバリスタ薄膜はパッケージベースの表面に形成する以外に、パッケージベース裏面やパッケージベース中間層に埋め込んでも良い。
【００５２】
この後、図６に示すように、弾性表面波素子のみを形成した弾性表面波素子チップ１００とバンプ３１を介して接続するように構成する。
【００５３】
ここで、上記実施の形態例説明では、専ら弾性表面波共振子を用いた弾性表面波装置を例にして説明したが、本発明の適用はこれに限られず、薄膜共振子(ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator)を用いる弾性波装置においても適用可能である。
【００５４】
図８は、かかる、薄膜共振子(ＦＢＡＲ)を用いた弾性波装置に本発明を適用する実施の形態例である。薄膜共振子(ＦＢＡＲ)は、表面波ではなく、薄膜内部を伝搬する弾性波により共振子特性を示す素子である。
【００５５】
図８において、パッケージベース３０に、薄膜共振子(ＦＢＡＲ)が配置される位置に対して、異方性エッチングにより空けられた空洞領域４０を有している。さらに、このパッケージベース基板３０の、空洞領域４０位置上部側に薄膜共振子ＦＢＡＲ１、ＦＢＡＲ２が載置されている。かかる薄膜共振子に対して蓄積電荷による高電圧がかかる場合は、放電破壊される可能がある。したがって、先に説明した実施の形態例と同様に、必要とする薄膜共振子ＦＢＡＲ１、ＦＢＡＲ２のホット電極と接地電極との間に、パッケージベース基板３０上に形成されたバリスタ薄膜１７を形成接続する。
【００５６】
これにより、静電気による薄膜共振子ＦＢＡＲ１、ＦＢＡＲ２の放電破壊を回避することができる。
【００５７】
ここで，放電破壊電圧を調整するために，必要によりバリスタ電圧を高くすることが必要である。この場合，電極膜を介してバリスタ薄膜を多層に積層し，直列接続とすることによりバリスタ電圧を高くすることが可能である。しかし，複数回のバリスタ薄膜電極膜の積層成膜は製造工程を複雑にし、大幅な製造コストの上昇が避けられない。
【００５８】
これに対し，図９Ａ，図９Ｂはバリスタ薄膜を多層に積層せずに、バリスタ電圧を高くすることを可能とする本発明による形態例の説明図である。たとえば，図９Ａに示す実施例は，図１のバリスタ薄膜１７のバリスタ電圧を高くする場合の例であり，Ａ−Ｂ線に沿う断面図を示している。
【００５９】
バリスタ薄膜１７は，インターディジタル電極の電極指間に電気的に接続されたバリスタ端子パターン１５，１６と一面側で接続され，この一面側と反対面側に前記バリスタ端子パターン１５，１６と少なくとも一部が対向する電極パターン１１７が形成されている。  
【００６０】
この時、印加された静電気によるバリスタ薄膜１７にかかる電界は、バリスタ端子パターン１５と電極パターン１１７の対向する部分aと，バリスタ端子パターン１６と電極パターン１１７の対向する部分bが直列接続された状態となる。これにより，バリスタ薄膜と導電膜を多層に積み上げなくとも、実質的にバリスタ電圧を上昇させることが可能となる。
【００６１】
また，直列接続の段数を多くし，バリスタ電圧を更に高くする場合は，図９Ｂに示すごとく電極パターン１１７を電極１１７Ａ，１１７Ｂに分割して，更にこれら電極１１７Ａ，１１７Ｂと対向する部分を有する電極パターン１１８を形成することにより可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
上記したように、本発明により、バリスタ電圧を越える高電圧の静電気が印加されたとき、ホット端子とグランド端子間が低抵抗になって静電荷を接地（グランド）に流し、弾性表面波素子のインターディジタル電極、あるいは、薄膜共振子を保護することができる。
【００６３】
また、バリスタ特性を示す薄膜は、弾性表面波素子あるいは、薄膜共振子の形成される圧電基板上に一体に形成されるので、該当の素子を携帯機器等に組み込む工程における取り扱い時にも、静電気放電破壊を防止できる。よって、携帯機器等の信頼性向上と、生産効率の向上を期待することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に従う弾性表面波装置の第１の実施の形態例を上面図で示す構成図で    ある。
【図２】バリスタ特性を示す図である。
【図３】本発明をラダー型弾性表面波フィルタに適用した実施の形態例を示す図であ    る。
【図４】図３の実施の形態例に対する等価回路である。
【図５】３個のインターディジタル電極とその両側にグレーティング反射器を配設し    た、縦モード結合多重モード弾性表面波フィルタへの、本発明の適用例である。
【図６】本発明を適用した弾性表面波装置の実装例を示す図である。
【図７】バリスタ薄膜をパッケージベースの表面上に形成した実施の形態例である。
【図８】薄膜共振子(ＦＢＡＲ)を用いた弾性波装置に本発明を適用する実施の形態であ    る。
【図９Ａ】バリスタ薄膜を積層構造にしないでバリスタ電圧を上昇させる第１の構造例を示す図である。
【図９Ｂ】バリスタ薄膜を積層構造にしないでバリスタ電圧を上昇させる第２の構造例を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１              圧電基板
１１、１２      インターディジタル電極
１３、１４      バスバー
１５，１６      バリスタ端子パターン
１７，１７１〜１７５      バリスタ薄膜
１８，１９      端子パッド
２０、２１      ボンディングワイヤ
３０    パッケージベース基板  
１１７，１１８，１１７Ａ，１１７Ｂ  電極パターン
【図１】
2006020285.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006020285.tif 000007
【図６】
2006020285.tif 000008
【図７】
2006020285.tif 000009
【図８】
2006020285.tif 000010
【図９Ａ】
2006020285.tif 000011
【図９Ｂ】
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