(57)【要約】【課題】  熱板上の微小な付着物を検出する。【解決手段】ＰＥＢ装置４４に，レーザ装置９１を設け，熱板６３の周囲に第１のミラー９２，第２のミラー９３及び反射板９５を配置する。レーザ装置９１から出力されたレーザ光は，熱板６３上のウェハＷの表面に反射して第１のミラー９２で角度を変えて反射し，ウェハＷの表面に反射した後，第１のミラー９２で角度を変えて反射し，再度ウェハＷの表面で反射して，反射板９５に入射する。反射板９５により，入射方向と同方向に反射したレーザ光は，同じ光路を辿ってレーザ装置９１に戻され受光される。反射板９５の前には，貫通孔が形成された遮光板９４が配置され，ウェハＷが傾いて途中で光軸がずらされたレーザ光は，遮光板９４で遮断される。レーザ装置９１まで戻されるレーザ光の有無を検出することによって，ウェハＷの傾きを検出して熱板６３上の付着物を検出する。【選択図】  図５
2006140259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置して熱処理する熱処理板を備えた熱処理装置であって，
熱処理板に載置された基板の表面にレーザ光を照射し，反射させ，その反射光のずれを検出することによって熱処理板上の基板の傾きを検出する基板傾き検出装置を有することを特徴とする，熱処理装置。
【請求項２】
前記基板傾き検出装置は，基板の表面に対してレーザ光を照射する照射部と，基板の表面から反射した反射光を受光する受光部を有することを特徴とする，請求項１に記載の熱処理装置。
【請求項３】
前記基板傾き検出装置は，レーザ光が前記照射部から前記受光部に到達するまでの間に前記レーザ光を基板の表面の複数個所に反射させるミラーを有することを特徴とする，請求項２に記載の熱処理装置。
【請求項４】
前記基板傾き検出装置は，前記受光部の前に遮光板を有し，
前記遮光板には，前記受光部に入射するレーザ光を限定する貫通孔が形成されていることを特徴とする，請求項２又は３のいずれかに記載の熱処理装置。
【請求項５】
前記基板傾き検出装置は，前記照射部と前記受光部の両方の機能を備えたレーザ装置を有し，さらに，前記レーザ装置から前記ミラーを経由して基板の表面で反射したレーザ光を，入射方向と同じ方向に反射させて同じ光路を通って前記レーザ装置に戻す反射板を有することを特徴とする，請求項３に記載の熱処理装置。
【請求項６】
前記基板傾き検出装置は，前記反射板の前に遮光板を有し，
前記遮光板には，前記反射板に入射するレーザ光を限定する貫通孔が形成されていることを特徴とする，請求項５に記載の熱処理装置。
【請求項７】
基板を載置して熱処理する熱処理板上の付着物を検出する方法であって，
熱処理板に載置された基板の表面にレーザ光を照射し，反射させ，その反射光のずれを検出することによって基板の傾きを検出することを特徴とする，熱処理板上の付着物の検出方法。
【請求項８】
前記レーザ光を基板の表面の複数個所に反射させることを特徴とする，請求項７に記載の熱処理板上の付着物の検出方法。
【請求項９】
基板を熱処理板に載置した直後に，基板の表面に前記レーザ光を照射して基板の傾きを検出することを特徴とする，請求項７又は８のいずれかに記載の熱処理板上の付着物の検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板を載置して熱処理する熱処理板を備えた熱処理装置と，熱処理板上の付着物の検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程では，例えばウェハ上に塗布されたレジスト膜内の溶剤を蒸発させる加熱処理（プリベーキング），パターンの露光後にレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング），現像処理後の加熱処理（ポストベーキング）等の複数の加熱処理が行われている。
【０００３】
上記加熱処理は，通常，円盤状の熱板を備えた熱処理装置で行われ，予め所定温度に設定された熱板上にウェハを載置することによって行われている。しかしながら，例えば熱板上に塵埃などの付着物がある場合，熱板上に載置されるウェハは，その付着物の上に乗り上げて，ウェハ面内で均一に加熱されなくなる。ウェハは，均一に加熱されないと，例えば最終的にウェハ上に形成されるパターンの線幅もウェハ面内においてばらつき，歩留まりが低下する。このため，熱板上に付着物が付着した場合には，その付着を検出する必要がある。
【０００４】
従来は，熱板を挟んだ両側に，熱板表面上にほぼ水平な光を発する発光部と，当該発光部から発せられた光を受光する受光部が設けられ，熱板表面において光が遮断されることを検出して，ウェハの傾きを検出していた（例えば，特許文献１参照。）。これにより，ウェハの傾きの原因となる，熱板上への付着物の付着を検出できた。
【０００５】
しかしながら，従来の場合，熱板の両側の熱板表面と同程度の高さに発光部と受光部を設置する必要があり，例えば熱板の収容容器が熱板の周囲を熱板表面の上方まで覆っている場合のように熱板の周りに障害物がある場合には，発光部と受光部を設置できなかった。このように発光部と受光部を設置できる熱処理装置は限られていた。また，発光部と受光部との間の光が熱板表面のぎりぎりを通るようにすると，ウェハの揺れや歪みにより誤検知を起こし易くなるので，光路をあまり熱板表面に近づけることができず，大きな付着物による基板の傾きしか検知できなかった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２-３５３２９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，多様な装置構成にも対応でき，熱板などの熱処理板上の微小な付着物を検出できる熱処理装置と，熱処理板上の付着物の検出方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成する本発明は，基板を載置して熱処理する熱処理板を備えた熱処理装置であって，熱処理板に載置された基板の表面にレーザ光を照射し，反射させ，その反射光のずれを検出することによって熱処理板上の基板の傾きを検出する基板傾き検出装置を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば，レーザ光を熱処理板上の基板の表面に照射し，反射させ，その反射光のずれを検出するので，基板の僅かな傾きも検出することができる。それ故，熱処理板上の微小な付着物を検出することができる。また，レーザ光を基板の表面に反射させるので，従来に比べてレーザ光の照射部や受光部の設置可能範囲が広がり，多様な熱処理装置に適用できる。
【００１０】
前記基板傾き検出装置は，基板の表面に対してレーザ光を照射する照射部と，基板の表面から反射した反射光を受光する受光部を有していてもよい。
【００１１】
前記基板傾き検出装置は，レーザ光が前記照射部から前記受光部に到達するまでの間に前記レーザ光を基板の表面の複数個所に反射させるミラーを有するようにしてもよい。かかる場合，レーザ光を基板の表面の複数個所に反射させるので，基板の傾きを洩れなく確実に検出できる。また，この場合レーザ光が複数回に亘り基板の表面に反射するので，例えば基板が傾いている場合に，レーザ光のずれが反射する度に大きくなり，基板の僅かな傾きを助長して検出することができる。それ故，熱処理板上の微小な付着物を検出することができる。
【００１２】
前記基板傾き検出装置は，前記受光部の前に遮光板を有し，前記遮光板には，前記受光部に入射するレーザ光を限定する貫通孔が形成されていてもよい。かかる場合，基板の傾きによって光軸がずれたレーザ光を遮光板により遮光し，光軸のずれのないレーザ光のみを貫通孔を通じて通過させることができる。貫通孔を通過したレーザ光は，受光部で受光される。したがって，この遮光板により，基板の傾きがない場合には，受光部にレーザ光が受光され，基板の傾きがある場合には，受光部にレーザ光が届かないので，基板の傾きの有無を簡単に検出できる。
【００１３】
前記基板傾き検出装置は，前記照射部と前記受光部の両方の機能を備えたレーザ装置を有し，さらに，前記レーザ装置から前記ミラーを経由して基板の表面で反射したレーザ光を，入射方向と同じ方向に反射させて同じ光路を通って前記レーザ装置に戻す反射板を有するようにしてもよい。かかる場合，レーザ光の光軸の微調整をミラーを動かすだけで行うことができるので，レーザ光の光学系の調整を簡単に行うことができる。
【００１４】
前記基板傾き検出装置は，前記反射板の前に遮光板を有し，前記遮光板には，前記反射板に入射するレーザ光を限定する貫通孔が形成されていてもよい。かかる場合，基板の傾きによって光軸がずれたレーザ光を遮光板により遮光し，光軸のずれのないレーザ光のみを貫通孔を通じて通過させることができる。貫通孔を通過したレーザ光は，反射板で反射し，受光部に戻される。したがって，この遮光板により，基板の傾きがない場合には，受光部にレーザ光が受光され，基板の傾きがある場合には，受光部にレーザ光が届かないので，基板の傾きの有無を簡単に検出できる。
【００１５】
別の観点による本発明は，基板を載置して熱処理する熱処理板上の付着物を検出する方法であって，熱処理板に載置された基板の表面にレーザ光を照射し，反射させ，その反射光のずれを検出することによって基板の傾きを検出することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば，レーザ光を基板の表面に照射し，反射させ，その反射光のずれを検出するので，基板の僅かな傾きも検出することができる。それ故，熱処理板上の微小な付着物を検出することができる。また，レーザ光を基板の表面に反射させるので，従来に比べてレーザ光の照射部や受光部の設置可能範囲が広がり，多様な構成の熱処理装置でも適用できる。なお，前記レーザ光を基板の表面の複数個所に反射させるようにしてもよい。
【００１７】
基板を熱処理板に載置した直後に，基板の表面に前記レーザ光を照射して基板の傾きを検出するようにしてもよい。熱処理板により熱を受けて基板が歪んだり撓む前に基板の傾きを検出できる。この結果，熱処理板上の付着物に起因する基板の傾きを正確に検出できる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば，熱処理板上の微小な付着物を検出することができるので，基板の熱処理を清浄な熱処理板上でのみ行って歩留まりを向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる熱処理装置が搭載された塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２０】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２１】
カセットステーション２では，カセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。カセットステーション２には，搬送路６上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体７が設けられている。ウェハ搬送体７は，カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり，Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。
【００２２】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。ウェハ搬送体７は，後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２３】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には，各種処理装置が多段に配置されて処理装置群が構成されている。塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４が配置されており，第１及び第２の処理装置群Ｇ１，Ｇ２は，塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群Ｇ３は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群Ｇ４は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群Ｇ５を背面側に別途配置可能となっている。主搬送装置１３は，これらの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５内に配置されている後述する各種処理装置に対してウェハＷを搬送できる。
【００２４】
第１の処理装置群Ｇ１では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，露光後のウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。第２の処理装置群Ｇ２も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００２５】
第３の処理装置群Ｇ３では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，レジスト液中の溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３３，３４及び現像処理後の加熱処理を施すポストベーキング装置３５，３６等が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００２６】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，本実施の形態にかかる熱処理装置としてのポストエクスポージャーベーキング装置（以下「ＰＥＢ装置」とする。）４４，４５，ポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００２７】
図１に示すようにインターフェイス部４の中央部には，ウェハ搬送体５０が設けられている。ウェハ搬送体５０は，Ｘ方向，Ｚ方向の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群Ｇ４に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，ウェハＷを搬送できる。
【００２８】
次に上述したＰＥＢ装置４４の構成について説明する。図４に示すように，例えばＰＥＢ装置４４は，全体を覆うケース４４ａを有し，ケース４４ａ内には，上側に位置して上下動自在な蓋体６０と，下側に位置して蓋体６０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部６１とを有している。
【００２９】
蓋体６０は，例えば上面が閉口した略円筒状の形態を有しており，図示しない昇降駆動部により上下動できる。
【００３０】
熱板収容部６１は，例えば下面が閉口し上面が開口した略円筒状の形態を有している。熱板収容部６１には，ウェハＷを載置して加熱する熱処理板としての熱板６３が収容されている。熱板６３は，例えば厚みのある略円盤形状を有している。熱板６３には，給電により発熱するヒータ６４が内蔵されており，このヒータ６４の発熱により熱板６３上のウェハＷを所定温度に加熱できる。
【００３１】
熱板６３の中央部付近には，熱板６３及び熱板収容部６１の底部を上下方向に貫通する複数の貫通孔７０が形成されている。各貫通孔７０内には，ウェハＷを支持し昇降するための昇降ピン７１が配置されている。昇降ピン７１は，シリンダなどの図示しない昇降駆動部により昇降し，熱板６３上に突出してウェハＷを昇降できる。
【００３２】
例えばケース４４ａ内には，熱板６３や熱板収容部６１が配置された熱処理領域８０と，電気系統などが設置される電装領域８１とを仕切る仕切り板８２が設けられている。仕切り板８２の材質には，熱処理領域８０側の熱が電装領域８１側に伝達しないように断熱材が使用されている。電装領域８１には，例えば上述した蓋体６０の昇降駆動部や，昇降ピン７１の昇降駆動部，ヒータ６４に接続された配線などが収容されている。
【００３３】
ＰＥＢ装置４４には，例えば図５に示すように熱板６３上に載置されたウェハＷの傾きを検出する基板傾き検出装置９０が設けられている。基板傾き検出装置９０は，例えばレーザ装置９１，第１のミラー９２，第２のミラー９３，遮光板９４及び反射板９５を有している。
【００３４】
レーザ装置９１は，例えば回帰型のレーザセンサであり，レーザ光を照射する照射部としての機能と，反射して回帰したレーザ光を受光する受光部としての機能を備えている。レーザ装置９１は，例えば電装領域８１内の中央部付近に配置され，仕切り板８２には，レーザ光が通過する透明な窓９２が形成されている。図４に示すようにレーザ装置９１は，レーザ光を，窓９２を介して熱板６３上のウェハＷに対し斜めに照射するように向けられている。
【００３５】
図５に示すように，熱処理領域８０内の熱板収容部６１の周囲には，第１のミラー９２，第２のミラー９３及び反射板９５が配置されている。第１のミラー９２，第２のミラー９３及び反射板９５は，熱板６３の中心を円心とする同一円周上におよそ１２０°の等間隔に配置されている。例えば平面から見てレーザ装置９１は，熱板６３の中心を通るＹ方向の中心軸Ｊ上に近い位置に配置されており，例えば第１のミラー９２と第２のミラー９３は，その中心軸Ｊ挟んだ両側に中心軸Ｊに対する線対称の位置に配置されている。例えば反射板９５は，レーザ装置９１側の中心軸Ｊ上付近に配置されている。
【００３６】
第１のミラー９２は，レーザ装置９１から照射されウェハＷの表面（図５中の点Ｐ１）で反射したレーザ光を，平面から見ておよそ６０°屈折させ，ウェハＷの表面（図５中の点Ｐ２）に向けて反射するように設置されている。第２のミラー９３は，第１のミラー９２で反射されウェハＷの表面（図５中の点Ｐ２）で反射したレーザ光を，平面から見ておよそ６０°屈折させ，ウェハＷの表面（図５中の点Ｐ３）に向けて反射するように設置されている。さらに，反射板９５は，第２のミラー９３で反射されウェハＷの表面（図５中の点Ｐ３）で反射したレーザ光が入射するように配置されている。
【００３７】
反射板９５には，入射したレーザ光を入射方向と同方向に反射させるものが用いられる。この反射板９５により，レーザ装置９１から，第１のミラー９２，第２のミラー９３を経由して反射板９５に到達したレーザ光が同じ光路を辿ってレーザ装置９１まで戻される。
【００３８】
反射板９５の直前には，光軸がずれたレーザ光を遮光する遮光板９４が設けられている。遮光板９４には，図６及び図７に示すように１ｍｍ程度の径の貫通孔９７が形成されている。遮光板９４により，第２のミラー９３を経由してウェハＷの表面で反射したレーザ光のうち，光軸がずれたものを遮光し，適正な位置を通るレーザ光のみを通過させることができる。これにより，ウェハＷが傾いてレーザ光の光軸がずれた場合には，レーザ光が反射板９５で反射されず，レーザ装置９１で受光されない。また，ウェハＷが水平に載置されている場合には，レーザ光が貫通孔９７を通過し反射板９５で反射され，レーザ装置９１で受光される。
【００３９】
レーザ装置９１におけるレーザ光の受光の有無の情報は，例えば図５に示すように装置制御部１００に出力できる。装置制御部１００は，レーザ装置９１からの情報に基づいて，ウェハＷの傾きがあるか否かを判定し，熱板６３上の付着物の付着の有無を検出できる。つまり，装置制御部１００は，レーザ光の受光がない場合に，ウェハＷの傾きがあり，熱板６３上に付着物があると判定し，レーザ光の受光がある場合に，ウェハＷの傾きがなく，熱板６３上に付着物がないと判定する。
【００４０】
ケース４４ａのＹ方向正方向側の側面には，ウェハＷを装置内に搬入出するための搬送口１１０が形成されている。搬送口１１０には，シャッタ１１１が設けられており，ウェハＷの搬入出時に搬送口１１０を開閉できる。
【００４１】
以上のように構成された塗布現像処理システム１で行われるフォトリソグラフィー工程では，先ず，ウェハ搬送体７によってカセットＣから未処理のウェハＷが一枚ずつ順次取り出され，第３の処理装置群Ｇ３に属するアドヒージョン装置３１に搬送される。各ウェハＷは，アドヒージョン装置３１においてレジスト液との密着性を向上させるHMDSなどの密着強化剤が塗布され，主搬送装置１３によってクーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。その後，ウェハＷは，レジスト塗布装置１７，プリベーキング装置３４に順次搬送され，所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，主搬送装置１３によってエクステンション・クーリング装置４１に搬送され，ウェハ搬送体５０によって周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送され，ＰＥＢ装置４４に搬送される。ＰＥＢ装置４４において，加熱処理の終了したウェハＷは，主搬送装置１３によりクーリング装置４３，現像処理装置１８，ポストベーキング装置３５，クーリング装置３０に順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介して，ウェハ搬送体７によってカセットＣに戻され，一連の塗布現像処理が終了する。
【００４２】
次に，上述のＰＥＢ装置４４における熱板６３上の付着物の検出プロセスについて説明する。
【００４３】
例えば，熱板６３上の付着物の検出は，上述の一連のウェハ処理において，ウェハＷがＰＥＢ装置４４に搬入され，熱板６３上に載置される度に行われる。先ず，蓋体６０が上昇し処理室Ｓが開放された状態で，ウェハＷが主搬送装置１３により熱板６３の上方まで搬送され，ウェハＷが昇降ピン７１に受け渡される。そして，昇降ピン７１によってウェハＷが熱板６３上に載置された直後に，図４に示すようにレーザ装置９１からウェハＷの表面に向けてレーザ光が照射される。ウェハＷが熱板６３上に水平に載置されている場合には，レーザ装置９１から照射されたレーザ光は，図５に示すようにウェハＷの表面の複数個所で複数回に亘り反射しながら，反射板９５との間で往復し，レーザ装置９１で受光される。つまり，レーザ光は，レーザ装置９１から出力された後，ウェハＷの表面（図５中の点Ｐ１），第１のミラー９２，ウェハＷの表面（図５中の点Ｐ２），第２のミラー９３及びウェハＷの表面（図５中の点Ｐ３）に順次反射し，遮光板９４の貫通孔９７を通過して反射板９５に入射する。反射板９５で反射したレーザ光は，同じ光路を通ってレーザ装置９１に戻り受光される。レーザ装置９１でレーザ光を受光すると，その情報が装置制御部１００に出力され，装置制御部１００において，ウェハＷの傾きがなく，熱板６３上に付着物がないと判定される。
【００４４】
一方，ウェハが熱板６３上に水平に載置されていない場合には，レーザ装置９１から出力されたレーザ光は，ウェハＷの表面で反射する際に光軸がずらされ，図８に示すように遮光板９４の貫通孔９７を通過できず，遮光板９４により遮断される。この結果，レーザ光がレーザ装置９１に戻されず受光されない。レーザ装置９１でレーザ光が受光されないと，その情報が装置制御部１００に出力され，装置制御部１００において，ウェハＷに傾きがあり，熱板６３上に付着物があると判定される。例えば熱板６３上に付着物があると判定された場合には，例えば装置制御部１００からアラームが出力され，例えば塗布現像処理システム１の動作が一時的に停止される。また，熱板６３上に付着物がないと判定された場合には，蓋体６０が下降し熱板収容部６１に接着して処理室Ｓが形成され，熱板６３によりウェハＷが加熱される。
【００４５】
以上の実施の形態によれば，レーザ光をウェハＷの表面に反射させるので，レーザ装置９１などの基板傾き検出装置９０の設置場所を広く確保できる。したがって，基板傾き検出装置９０を，特定の装置構成を有するＰＥＢ装置４４に限られず，多様な装置構成のＰＥＢ装置４４に搭載できる。また，レーザ光を実際にウェハＷの表面で反射させるので，ウェハＷの僅かな傾きであっても検出可能であり，熱板６３上の微小な付着物を検出できる。
【００４６】
熱板６３周辺にミラー９２，９３を設けて，レーザ光をウェハＷの表面の複数個所で反射させるようにしたので，例えばウェハＷが傾いている場合には，レーザ光が反射する度に光軸のずれが増幅され，ウェハＷの傾きが助長される。この結果，ウェハＷの僅かな傾きも検出でき，熱板６３上のより小さい付着物を検出できる。
【００４７】
さらに，反射板９５によりレーザ光を反射させ，レーザ光を往復させたので，狭い装置内でレーザ光の光路を長くできる。こうすることによっても，レーザ光の光軸のずれが増幅されるので，ウェハＷの僅かな傾きであっても検出され，微小な付着物を検出できる。
【００４８】
反射板９５の前に遮光板９４を設けて，光軸がずれたレーザ光を遮光するようにしたので，ウェハＷが傾いた際には，レーザ装置９１でレーザ光が受光されず，ウェハＷが水平の際には，レーザ装置９１でレーザ光が受光される。このように，レーザ光の受光の有無により，ウェハＷの傾きの有無を比較的簡単に検出することができる。また，貫通孔９７の径を変えるだけで，ウェハＷの傾きの閾値を簡単に変更できるので，あらゆる仕様の熱処理装置にも対応できる。なお，互いに径の異なる貫通孔９７を有する複数の遮光板９５を，レーザ光の光路に対して取り換え自在にして，例えばウェハＷの傾きの閾値によって遮光板９５を取り換えてもよい。また，遮光板９５の設置位置は，反射板９５の直前に限られず，レーザ装置９１の前であってもよい。
【００４９】
また，レーザ装置９１を電装領域８１に配置したので，熱に弱いレーザ装置９１を加熱処理中のＰＥＢ装置４４内で使用することができる。
【００５０】
以上の実施の形態では，照射と受光の両方の機能を有する回帰型のレーザ装置９１を用いていたが，照射部と受光部を別々に有するレーザ装置９１を用いてもよい。例えば図９に示すようにレーザ装置１２０の照射部１２１と，受光部１２２を電装領域８１内に配置し，第２のミラー９３で反射しウェハＷの表面（図９に示す点Ｐ３）で反射したレーザ光を，上記実施の形態の反射板９５に代えて受光部１２２で受光できるようにしてもよい。この場合，受光部１２２の直前に，遮光板９４が設けられ，受光部１２２におけるレーザ光の受光の有無の情報は，装置制御部１００に出力できる。その他の構成は，上記実施の形態と同様であり，説明を省略する。この例では，照射部１２１から出力されたレーザ光が，ウェハＷの表面の複数個所で反射しながら，第１のミラー９２，第２のミラー９３を経由して受光部１２２で受光される。また，レーザ光の光軸がずれた場合には，受光部１２２の直前の遮光板９４でレーザ光が遮光される。この例によっても，レーザ光がウェハＷの表面の複数個所で反射するので，ウェハＷが傾いている場合には，レーザ光のずれが増幅され，ウェハＷの傾きが助長される。したがって，熱板６３上の微小な付着物を検出できる。
【００５１】
以上の実施の形態では，ミラー９２，９３を二箇所に設け，レーザ光がレーザ装置９１から反射板９４に到達するまでに，レーザ光をウェハＷの表面の三箇所で反射させていたが，その数は，二箇所或いは四箇所以上であってもよく，ミラーは，その数に応じて適宜設置してもよい。
【００５２】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば本実施の形態では，ＰＥＢ装置４４の熱板６３の付着物を検出する例であったが，プリベーキング装置，ポストベーキング装置などの熱板を備えた他の加熱処理装置や，ウェハＷを載置して冷却する冷却板を備えた冷却処理装置にも本発明は適用できる。さらに，本発明は，ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の熱処理装置にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は，熱処理板上の微小な付着物を検出する際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本実施の形態における塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】ＰＥＢ装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】ＰＥＢ装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図６】遮光板と反射板の斜視図である。
【図７】レーザ光が遮光板を通過して反射板に入射する様子を示す説明図である。
【図８】レーザ光の光軸がずれてレーザ光が遮光板で遮光される様子を示す説明図である。
【図９】照射部と受光部を別々に有するレーザ装置を備えたＰＥＢ装置を示す横断面の説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１    塗布現像処理システム
４４  ＰＥＢ装置
６３  熱板
９０  基板傾き検出装置
９１  レーザ装置
９２  第１のミラー
９３  第２のミラー
９４  遮光板
９５  反射板
９７  貫通孔
Ｗ    ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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