(57)【要約】      （修正有）【課題】  導体パターンをファインピッチで形成しても、導体パターンと絶縁層との間の密着性を向上させることができ、金属めっき層と絶縁層との間に、めっき液が残留することを防止して、イオン性不純物が残渣として残存することを防止でき、その結果、高温高湿下において、長期にわたって通電しても、イオンマイグレーションによる短絡を抑制して、絶縁不良を低減することのできる、配線回路基板を提供すること。【解決手段】  カバー絶縁層４から露出されるフレキシブル配線回路基板１の長手方向一端部において、ベース絶縁層２の上に形成される端子部５の下端部と、各端子部５を被覆する金属めっき層６の各側面の下端部とを、ベース絶縁層２に対して埋設させる。これによって、金属めっき層６の形成時に、めっき液がそれらの間に浸入することを防止することができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備える配線回路基板において、
前記導体パターンは、端子部を含み、
前記端子部の表面には、金属めっき層が形成されており、
前記端子部と前記金属めっき層とが、前記絶縁層に対して部分的に埋設されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記金属めっき層は、前記端子部の側面および上面を被覆するように設けられており、
前記端子部の前記絶縁層側の端部と、前記金属めっき層の側面の前記絶縁層側の端部とが、前記絶縁層に対して埋設されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、電子機器などに用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線回路基板などの配線回路基板は、通常、ベース絶縁層と、そのベース絶縁層の上に形成される導体パターンと、その導体パターンを被覆するようにベース絶縁層の上に形成されるカバー絶縁層とを備えている。
このような配線回路基板では、導体パターンのファインピッチ化に対応して、ベース絶縁層に対する導体パターンの密着性を向上させて、導体パターンのベース絶縁層からの剥離を防止することが要求される。
【０００３】
例えば、熱硬化性樹脂を主成分とする樹脂フィルムを基板に貼り付けることによって、Ｂステージ状態の絶縁層を基板の表面に形成し、次に、この絶縁層の表面に、めっきにより回路を形成した後、圧力をかけて回路を絶縁層に埋入させ、最後に、絶縁層をＣステージ状態にまで完全硬化させることにより、絶縁層への回路の密着性を確保することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、このような配線回路基板では、導体パターンが、カバー絶縁層から部分的に露出されており、その露出部分が、外部端子と接続するための接続端子部とされている。
このような接続端子部には、外部端子との接続信頼性を向上させるため、あるいは、腐食防止のために、その表面に、ニッケルめっき層や金めっき層などの金属めっき層を形成することが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００４−１７９３４１号公報
【特許文献２】特開２００２−１８５１３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、このような配線回路基板では、金属めっき層の形成時において、金属めっき層とベース絶縁層との界面にめっき液が浸入し、そのめっき液が残留して、めっき液中の塩素イオンなどのイオン性不純物が残渣として残存することがある。そのような残渣が残存すると、高温高湿下において、長期にわたって通電すると、イオンマイグレーションによる短絡を生じて、絶縁不良になるという不具合がある。
【０００６】
しかるに、特許文献１に記載の方法では、ベース絶縁層と導体パターンとの間の密着性の向上を図ることはできるが、上記したようなイオンマイグレーションによる短絡を防止することは困難である。
本発明の目的は、導体パターンをファインピッチで形成しても、導体パターンと絶縁層との間の密着性を向上させることができ、金属めっき層と絶縁層との間に、めっき液が残留することを防止して、イオン性不純物が残渣として残存することを防止でき、その結果、高温高湿下において、長期にわたって通電しても、イオンマイグレーションによる短絡を抑制して、絶縁不良を低減することのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、絶縁層と、前記絶縁層の上に形成された導体パターンとを備える配線回路基板において、前記導体パターンは、端子部を含み、前記端子部の表面には、金属めっき層が形成されており、前記端子部と前記金属めっき層とが、前記絶縁層に対して部分的に埋設されていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、前記金属めっき層は、前記端子部の側面および上面を被覆するように設けられており、前記端子部の前記絶縁層側の端部と、前記金属めっき層の側面の前記絶縁層側の端部とが、前記絶縁層に対して埋設されていることが好適である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線回路基板によれば、端子部と金属めっき層とが、ともに絶縁層に対して部分的に埋設されている。そのため、この配線回路基板では、導体パターンをファインピッチで形成しても、導体パターンと絶縁層との間の密着性を向上させることができるとともに、金属めっき層の形成時において、金属めっき層と絶縁層との間にめっき液が浸入することを防止することができる。そのため、金属めっき層と絶縁層との間に、めっき液中のイオン性不純物が残渣として残存することを、防止することができる。その結果、高温高湿下において、長期にわたって通電しても、イオンマイグレーションによる短絡を抑制して、絶縁不良を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は、本発明の配線回路基板としてのフレキシブル配線基板の一実施形態であって、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ´線要部断面図を示す。
このフレキシブル配線回路基板１は、長手方向に延びる帯板状に形成され、図１（ｂ）に示すように、絶縁層としてのベース絶縁層２と、そのベース絶縁層２の上に形成された導体パターン３と、その導体パターン３を被覆するように、ベース絶縁層２の上に形成されたカバー絶縁層４とを備えている。
【００１０】
また、図１（ａ）に示すように、ベース絶縁層２は、その長手方向一端部が平面視略矩形状に形成されており、導体パターン３は、そのベース絶縁層２の上に、複数の配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄのパターンとして形成されている。
各配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄは、このフレキシブル配線回路基板１の長手方向に沿って、フレキシブル配線回路基板１の長手方向一端縁の近傍まで延び、かつ、幅方向（フレキシブル配線回路基板１の長手方向と直交する方向）において、互いに間隔を隔てて並列配置されるように、形成されている。
【００１１】
カバー絶縁層４は、ベース絶縁層２の上に、フレキシブル配線回路基板１の長手方向一端縁から、長手方向他端側に向かって間隔を隔てた位置において、長手方向他端側に向かって複数の配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄを被覆するように形成されている。
すなわち、フレキシブル配線回路基板１の長手方向一端縁からカバー絶縁層４の長手方向一端縁までの間は、カバー絶縁層４が形成されておらず、ベース絶縁層２および複数の配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄが、カバー絶縁層４から露出されており、各配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄの露出部分が、平面視略矩形状の端子部５とされている。
【００１２】
また、各端子部５の表面、つまり、露出している上面、幅方向両側面および長手方向一側面には、金属めっき層６が形成されている。
そして、このフレキシブル配線回路基板１では、図１（ｂ）および図１（ｃ）に示すように、各端子部５において、各端子部５の下端部（ベース絶縁層２側の端部）、および、各端子部５を被覆する金属めっき層６の側面（幅方向両側面および長手方向一側面）の下端部（ベース絶縁層２側の端部）が、ベース絶縁層２に対して埋設されている。
【００１３】
次に、このようなフレキシブル配線回路基板１の製造方法について、図２を参照して説明し、併せて、上記した各端子部５の下端部および金属めっき層６の側面の下端部のベース絶縁層２に対する埋設について、詳述する。
この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、ベース絶縁層２を用意する。ベース絶縁層２は、フレキシブル配線回路基板１のベース絶縁層２として用いられるものであれば、特に制限されず、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂のフィルムが用いられる。作業性の観点からは、好ましくは、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、１５０〜３００℃のものが用いられる。また、耐熱性の観点からは、好ましくは、ポリイミド樹脂フィルムが用いられる。ベース絶縁層２の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００１４】
次いで、この方法では、図１（ｂ）に示すように、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を形成する。導体パターン３の形成は、特に制限されず、例えば、アディティブ法やサブトラクティブ法など、公知のパターンニング法が用いられる。
すなわち、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層２の全面に、種膜となる金属薄膜を形成する。金属薄膜は、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などから、スパッタリング法などの薄膜形成法を用いて、形成することができる。次いで、その金属薄膜の表面に、導体パターン３に対する反転パターンで、めっきレジストを形成する。めっきレジストは、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により形成することができる。その後、めっきレジストから露出するベース絶縁層２の表面に、導体パターン３を形成する。導体パターン３は、銅などから、電解めっきにより形成することができる。その後、めっきレジストをエッチングまたは剥離により除去し、導体パターン３から露出する金属薄膜をエッチングにより除去する。
【００１５】
また、サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層２の全面に、必要により接着剤層を介して、銅箔などの金属箔を積層する。なお、予め金属箔の上にベース絶縁層２が積層されている公知の二層基材を用いることもできる。次いで、その金属箔の表面に、導体パターン３に対応するパターンで、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムレジストなどを用いて、公知の方法により形成することができる。その後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングする。その後、エッチングレジストをエッチングまたは剥離により除去する。
【００１６】
上記の方法によって、導体パターン３が、上記した複数の配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄからなるパターンとして形成される。なお、複数の配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄの幅は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍであり、互いに隣接する間隔は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。また、導体パターン３の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
【００１７】
次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、カバー絶縁層４を形成する。
カバー絶縁層４は、ベース絶縁層２と同様の合成樹脂が用いられる。また、例えば、エポキシ樹脂やウレタン樹脂などを用いることもできる。好ましくは、上記した合成樹脂において、感光性樹脂であるもの、さらに好ましくは、感光性ポリイミド前駆体樹脂（ポリアミック酸樹脂）が用いられる。
【００１８】
カバー絶縁層４の形成は、例えば、感光性樹脂のワニスを、導体パターン３を含むベース絶縁層２の全面に塗布した後、フォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板１の長手方向一端部において、ワニスからベース絶縁層２および導体パターン３が露出するように（つまり、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部にカバー絶縁層４が形成されないように）パターニングする。
【００１９】
そして、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させれば、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を被覆するカバー絶縁層４が、フレキシブル配線回路基板１の長手方向一端部には形成されないように、形成される。
また、カバー絶縁層４は、感光性樹脂を用いなくとも、例えば、予め外形加工した合成樹脂のフィルムを、必要により接着剤層を介して、導体パターン３を含むベース絶縁層２の上に、フレキシブル配線回路基板１の長手方向一端部を被覆しないように、貼着することにより、形成することもできる。
【００２０】
また、カバー絶縁層４の厚み（接着剤層が介在する場合には、その接着剤層の厚みを含む。）は、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜３０μｍである。
これによって、フレキシブル配線回路基板１の一端部において、カバー絶縁層４から露出する導体パターン３の各配線３ａ、３ｂ、３ｃおよび３ｄの露出部分が、平面視略矩形状の端子部５とされる。
【００２１】
次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、各端子部５の表面、つまり、露出している上面、幅方向両側面および長手方向一側面に、金属めっき層６を形成する。
金属めっき層６は、例えば、金やニッケルなどからなり、例えば、電解めっきや無電解めっきなどのめっきにより形成する。好ましくは、無電解金めっきや無電解ニッケルめっきが用いられる。金属めっき層６の厚みは、例えば、金めっき層である場合には、例えば、０．１〜１μｍ、ニッケルめっき層である場合には、例えば、０．５〜５μｍである。
【００２２】
そして、この方法では、図２（ｅ）に示すように、各端子部５の下端部を、各端子部５を被覆する金属めっき層６の各側面の下端部とともに、ベース絶縁層２の厚さ方向内側に埋設させることにより、フレキシブル配線回路基板１を得る。
各端子部５の下端部、および、金属めっき層６の各側面の下端部を埋設させるには、例えば、各端子部５を被覆する金属めっき層６の上面から、ベース絶縁層２に向かって、熱プレスする。熱プレスは、例えば、ベース絶縁層２を形成する合成樹脂のガラス転移温度以上の温度、好ましくは、１５０〜３５０℃の温度で、圧力０．２〜１０ｋＮ／ｃｍ2、好ましくは、０．３〜５ｋＮ／ｃｍ2で、加熱加圧する。
【００２３】
また、各端子部５の下端部、および、金属めっき層６の各側面の下端部の、ベース絶縁層２に対する埋没量は、例えば、１μｍ以上で、ベース絶縁層２の厚みの５０％以下である。埋没量がこれより少ない（浅い）と、イオンマイグレーションによる短絡を生じる場合があり、一方、これより多い（深い）と、埋設時に、端子部５がベース絶縁層２を厚さ方向に貫通したり、ベース絶縁層２に変形を生じる場合がある。
【００２４】
このようにして得られるフレキシブル配線回路基板１では、各端子部５の下端部が、ベース絶縁層２の厚さ方向内側に埋設されている。そのため、このフレキシブル配線回路基板１では、導体パターン３をファインピッチで形成しても、導体パターン３とベース絶縁層２との間の密着性の向上を図ることができる。
また、このフレキシブル配線回路基板１では、各端子部５の下端部とともに、各端子部５を被覆する金属めっき層６の各側面の下端部も、ベース絶縁層２の厚さ方向内側に埋設されている。そのため、導体パターン３をファインピッチで形成しても、金属めっき層６の形成時において、金属めっき層６とベース絶縁層２との間にめっき液が浸入することを防止することができ、金属めっき層６とベース絶縁層２との間に、めっき液中のイオン性不純物が残渣として残存することを、有効に防止することができる。その結果、このフレキシブル配線回路基板１では、高温高湿下において、長期にわたって通電しても、イオンマイグレーションによる短絡を抑制して、絶縁不良を低減することができる。
【００２５】
また、上記した図２に示す方法において、ベース絶縁層２を、ガラス転移温度に差異がある複数層から形成することもできる。ベース絶縁層２を、ガラス転移温度に差異がある複数層から形成すれば、端子部５の下端部および金属めっき層６の各側面の下端部を、ベース絶縁層２に対して、精度の良い埋没量で埋設させることができる。
すなわち、このようにフレキシブル配線回路基板１を形成するには、まず、図３（ａ）に示すように、ベース絶縁層２として、ガラス転移温度がより高いアンダー絶縁層７を用意して、図３（ｂ）に示すように、このアンダー絶縁層７の上に、ガラス転移温度がより低いオーバー絶縁層８を積層して、ベース絶縁層２を形成する。
【００２６】
アンダー絶縁層７は、オーバー絶縁層８を形成する合成樹脂のガラス転移温度よりも、ガラス転移温度が高い合成樹脂が用いられる。より具体的には、ガラス転移温度が、例えば、２５０℃以上、好ましくは、２８０℃以上の合成樹脂が用いられる。
また、オーバー絶縁層８は、アンダー絶縁層７を形成する合成樹脂のガラス転移温度よりも、ガラス転移温度が低い合成樹脂が用いられる。より具体的には、ガラス転移温度が、例えば、１５０〜３００℃、好ましくは、１５０〜２５０℃の合成樹脂が用いられる。
【００２７】
アンダー絶縁層７に対するオーバー絶縁層８の積層は、例えば、キャスティング法などが用いられる。また、アンダー絶縁層７およびオーバー絶縁層８の厚みは、それらの合計の厚みが、上記したベース絶縁層２の厚みと同様の厚みとされ、オーバー絶縁層８の厚みは、端子部５の下端部および金属めっき層６の各側面の下端部のベース絶縁層２に対する埋没量より大きい厚みとされる。オーバー絶縁層８の厚みは、より具体的には、アンダー絶縁層７によってベース絶縁層２の物性を保持させるべく、ベース絶縁層２の厚みに対して、好ましくは、５〜５０％とされる。
【００２８】
そして、この方法では、上記した図１に示す方法と同様に、ベース絶縁層２の上に、導体パターン３を形成した後（図３（ｃ）参照）、カバー絶縁層４を形成する（図３（ｄ）参照）。次いで、各端子部５の表面に、金属めっき層６を形成した後（図３（ｅ）参照）、図３（ｆ）に示すように、各端子部５の下端部を、各端子部５を被覆する金属めっき層６の各側面の下端部とともに、ベース絶縁層２におけるオーバー絶縁層８の厚さ方向内側に埋設させることにより、フレキシブル配線回路基板１を得る。
【００２９】
この埋設においては、好ましくは、オーバー絶縁層８を形成する合成樹脂のガラス転移温度以上の温度であって、アンダー絶縁層７を形成する合成樹脂のガラス転移温度未満の温度で、熱プレスする。そうすれば、各端子部５の下端部および金属めっき層６の各側面の下端部を、オーバー絶縁層８の厚み方向内側であって、オーバー絶縁層８の表面からアンダー絶縁層７の表面までの間において、確実かつ精度の良い埋没量で、埋設させることができる。
【００３０】
そして、このようにして得られるフレキシブル配線回路基板１も、上記と同様に、導体パターン３とベース絶縁層２との間の密着性の向上を図ることができるとともに、金属めっき層６の形成時において、金属めっき層６とベース絶縁層２との間にめっき液が浸入することを防止することができ、その結果、高温高湿下において、長期にわたって通電しても、イオンマイグレーションによる短絡を抑制して、絶縁不良を低減することができる。
【００３１】
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、片面フレキシブル配線回路基板として説明したが、本発明の配線回路基板は、両面フレキシブル配線回路基板に適用することができ、さらには、リジッド−フレキシブル配線回路基板やリジッド配線回路基板に適用することもできる。
【実施例】
【００３２】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
厚み２５μｍ、ガラス転移温度２３０℃のポリイミド樹脂フィルムからなるベース絶縁層を用意した（図２（ａ）参照）。
次いで、ベース絶縁層の表面に、厚み０．０３μｍのクロム薄膜と、厚み０．１０μｍの銅薄膜とを連続してスパッタリングすることにより、金属薄膜を形成した。次いで、金属薄膜の上に、導体パターンの反転パターンでめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出するベース絶縁層の表面に、電解銅めっきにより、銅からなる導体パターンを形成した。その後、めっきレジストを剥離し、続いて、導体パターンから露出する金属薄膜をウエットエッチングにより除去した。これによって、厚み１０μｍの導体パターンが、複数の配線からなり、各配線間の間隔が３０μｍとなるパターンとして形成された（図２（ｂ）参照）。
【００３３】
次いで、ポリアミック酸樹脂のワニスを、導体パターンを含むベース絶縁層の全面に塗布し、ワニスを、フォトマスクを用いて露光し、その後、現像することにより、フレキシブル配線回路基板の長手方向一端部において、ワニスからベース絶縁層および導体パターン（端子部）が露出するようにパターニングした。その後、ワニスを乾燥後、加熱により硬化させることにより、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆する厚み１５μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００３４】
そして、各端子部の表面（上面、幅方向両側面および長手方向一側面）に、厚み０．５μｍの金めっき層を形成した後（図２（ｄ）参照）、各端子部を被覆する金めっき層の上面から、ベース絶縁層に向かって、温度２５０℃、圧力０．３ｋＮ／ｃｍ2、時間１０秒で、熱プレスすることにより、フレキシブル配線回路基板を得た（図２（ｅ）参照）。
得られたフレキシブル配線回路基板の、各端子部の下端部および金めっき層の各側面の下端部のベース絶縁層に対する埋没量は、２μｍであった。
【００３５】
実施例２
厚み２０μｍ、ガラス転移温度３５０℃のポリイミド樹脂フィルムからなるアンダー絶縁層（図３（ａ）参照）の上に、厚み５μｍ、ガラス転移温度２３０℃のポリイミド樹脂フィルムからなるオーバー絶縁層が積層されてなるベース絶縁層を用意した（図３（ｂ）参照）。
【００３６】
次いで、実施例１と同様の方法により、厚み１０μｍの導体パターンを、複数の配線からなり、各配線間の間隔が３０μｍとなるパターンとして形成した（図３（ｃ）参照）。
さらに、実施例１と同様の方法により、ベース絶縁層の上に、導体パターンを被覆する厚み１５μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層を形成した（図３（ｄ）参照）。
そして、実施例１と同様の方法により、各端子部の表面に、厚み０．５μｍの金めっき層を形成した後（図３（ｅ）参照）、各端子部を被覆する金めっき層の上面から、ベース絶縁層に向かって、実施例１と同様の方法で、熱プレスすることにより、フレキシブル配線回路基板を得た（図３（ｆ）参照）。
【００３７】
得られたフレキシブル配線回路基板の、各端子部の下端部および金めっき層の各側面の下端部のベース絶縁層に対する埋没量は、２μｍであった。
比較例１
各端子部を被覆する金めっき層の上面からベース絶縁層に向かって熱プレスする工程を省略した以外は、実施例１と同様の方法により、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００３８】
比較例２
カバー絶縁層を形成した後に、各端子部の上面から、ベース絶縁層に向かって、温度２５０℃、圧力０．３ｋＮ／ｃｍ2、時間１０秒で、熱プレスした後に、各端子部の表面（上面、幅方向両側面および長手方向一側面）に、厚み０．５μｍの金めっき層を形成したこと以外は、実施例１と同様の方法により、フレキシブル配線回路基板を得た。
【００３９】
得られたフレキシブル配線回路基板は、金めっき層の各側面の下端部がベース絶縁層に埋設されず、各端子部の下端部のみがベース絶縁層に埋設され、その埋没量が、２μｍであった。
評価
上記により得られた各実施例および各比較例のフレキシブル配線回路基板を、６０℃で、９５％ＲＨの高温高湿雰囲気下に設置して、印加電圧３０Ｖで通電した。これによって、絶縁抵抗値が、１０6Ω以下となるまでの経過時間（マイグレーションにより短絡するまでの時間）を測定し、その経過時間によって電気信頼性を評価した。その結果を以下に示す。
【００４０】
実施例１                          経過時間８００時間
実施例２                          経過時間８００時間
比較例１                          経過時間６００時間
比較例２                          経過時間４００時間
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は、本発明の配線回路基板としてのフレキシブル配線基板の一実施形態であって、（ａ）は要部平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ´線断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ´線要部断面図を示す。
【図２】図１に示すフレキシブル配線回路基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、ベース絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｃ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｄ）は、各端子部の表面に、金属めっき層を形成する工程（ｅ）は、各端子部の下端部および金属めっき層の各側面の下端部を、ベース絶縁層に対して埋設させる工程を示す。
【図３】図２に示すフレキシブル配線回路基板の製造方法の他の実施形態（ベース絶縁層を複数層で形成する態様）を示す製造工程図であって、（ａ）は、アンダー絶縁層を用意する工程、（ｂ）は、アンダー絶縁層の上に、オーバー絶縁層を積層して、ベース絶縁層を形成する工程、（ｃ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程、（ｄ）は、カバー絶縁層を形成する工程、（ｅ）は、各端子部の表面に、金属めっき層を形成する工程（ｆ）は、各端子部の下端部および金属めっき層の各側面の下端部を、ベース絶縁層に対して埋設させる工程を示す。
【符号の説明】
【００４２】
１      フレキシブル配線回路基板
２      ベース絶縁層
３      導体パターン
５      端子部
６      金属めっき層
【図１】
2006073761.tif 000003
【図２】
2006073761.tif 000004
【図３】
2006073761.tif 000005