(57)【要約】【解決手段】  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂、（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【効果】  本発明のエポキシ樹脂組成物は、接着性、強靭性に優れる硬化物を得ることができ、また該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機質充填剤、
（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂、
（Ｅ）硬化促進剤
を必須成分とすることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１記載のエポキシ樹脂組成物を製造する方法であって、（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂を予め（Ｂ）硬化剤に分散し、これを他成分と混合することを特徴とするエポキシ樹脂組成物の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着性、強靭性に優れ、耐クラック性が良好な硬化物を与えるエポキシ樹脂組成物、その製造方法及び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体デバイスは、樹脂封止型のダイオード、トランジスター、ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩが主流であるが、エポキシ樹脂が他の熱硬化性樹脂に比べて成形性、接着性、電気特性、機械特性、耐湿性等に優れているため、エポキシ樹脂組成物で半導体装置を封止することが一般的である。
最近、これらの半導体装置は集積度がますます大きくなり、それに応じてチップ寸法も大きくなりつつある。その一方で、電子機器の小型化、軽量化等の要求に応じて、パッケージ外形寸法は小さいものとなっている。更に、基板上の部品の高密度化、基板の薄型化等を図るために、半導体装置の回路基板への取り付け方法としては、半導体装置の表面実装が採用されるようになってきた。
【０００３】
しかしながら、半導体装置の表面実装方法として、半導体装置全体を半田槽に浸漬するか、又は半田が溶融し得る高温の処理区域を通過させる方法が一般的であるが、その際の熱衝撃により封止樹脂層にクラックが発生したり、封止樹脂層とリードフレーム、チップ等との界面に剥離が生じたりする場合がある。半導体装置の封止樹脂層が吸湿している状態で前記処理を行うと、前記熱衝撃によるクラック又は剥離は更に顕著なものとなる。しかし、実際の作業工程においては封止樹脂層の吸湿を避けることは困難であるため、実装後のエポキシ樹脂封止半導体装置の信頼性が大きく損なわれる場合がある。
【０００４】
上記問題に対しては、封止樹脂層の吸湿度を下げること、半導体素子が搭載されている基材との密着性を向上させること、高温時の応力を下げ、ストレスを低減させる等の手段が有効である。封止樹脂層の吸湿度を下げるためには、無機質充填剤を高充填する、あるいは疎水性基を多く含むエポキシ官能基の低いエポキシ樹脂等の手段が用いられている。
しかしながら、無機質充填剤を高充填すると溶融時の粘度が増加し、流動性が著しく損なわれる場合がある。この点を解決し、無機質充填剤を高充填するためには、溶融時の粘度が低いエポキシ樹脂が要求される。
【０００５】
これらの低粘度エポキシ樹脂は、低分子量のものが多く、一分子中の官能基数が少ないため、硬化剤との反応後の架橋密度が低くなる場合が多い。架橋密度はガラス転移温度（Ｔｇ）と密接な関係があり、一般に架橋密度が低いとＴｇは低くなる。
Ｔｇが低い場合、半田実装温度での機械的強度が著しく低下する場合がある。その場合、パッケージ中に含まれている水分量がわずかであっても、これらが水蒸気化するときの圧力に耐え切れず、クラックが発生するケースがある。
なお、本発明に関連する先行技術文献としては、下記のものが挙げられる。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−２９２０９４号公報
【特許文献２】特開平１１−１２４３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、接着性、強靭性に優れ、耐クラック性が良好な硬化物を与え、半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物、その製造方法及び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂、（Ｅ）硬化促進剤を必須成分とするエポキシ樹脂組成物が、接着性、強靭性に優れる硬化物を得ることができ、また該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置が、耐クラック性に優れるものであることを見出し、本発明をなすに至ったものである。
【０００９】
従って、本発明は、
（Ａ）エポキシ樹脂、
（Ｂ）硬化剤、
（Ｃ）無機質充填剤、
（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂、
（Ｅ）硬化促進剤
を必須成分とする接着性、強靭性に優れ、耐クラック性が良好な硬化物を与え、半導体封止用として好適なエポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止した半導体装置を提供する。
【００１０】
本発明は、更に上記エポキシ樹脂組成物を製造する方法であって、上記（Ｄ）成分を予め（Ｂ）成分に分散し、これを他成分と混合することを特徴とするエポキシ樹脂組成物の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、接着性、強靭性に優れる硬化物を得ることができ、また該エポキシ樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐クラック性に優れた硬化物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明のエポキシ樹脂組成物を構成する（Ａ）エポキシ樹脂は、一分子中に２個以上のエポキシ基を有するいずれのエポキシ樹脂をも使用することができ、特に限定されない。一般的なエポキシ樹脂としては、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールアルカン型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、ナフタレン環含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、スチルベン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種を単独で又は２種以上を併用することができる。
【００１３】
とりわけ、エポキシ樹脂組成物を半導体封止用として用いる場合、封止樹脂層の吸水率を低減するため、フィラーを高充填化するには、１５０℃のＩＣＩ溶融粘度が０．１Ｐａ・ｓ以下のエポキシ樹脂を使うことが望ましい。
【００１４】
上記エポキシ樹脂は、加水分解性塩素が１，０００ｐｐｍ以下、特に５００ｐｐｍ以下であり、ナトリウム及びカリウムはそれぞれ１０ｐｐｍ以下の含有量とすることが好ましい。加水分解性塩素が１，０００ｐｐｍを超えたり、ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００１５】
本発明に用いる（Ｂ）硬化剤も特に限定されるものではない。一般的な硬化剤としては、フェノール樹脂が好ましく、具体的にはフェノールノボラック樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂、トリフェノールアルカン型フェノール樹脂、ビフェニル骨格含有アラルキル型フェノール樹脂、ビフェニル型フェノール樹脂、脂環式フェノール樹脂、複素環型フェノール樹脂、ナフタレン環含有フェノール樹脂、ビスフェノールＡ型樹脂、ビスフェノールＦ型樹脂等のビスフェノール型フェノール樹脂などが挙げられ、これらのうち１種を単独で又は２種以上を併用することができる。
【００１６】
上記硬化剤は、エポキシ樹脂と同様に、ナトリウム及びカリウムをそれぞれ１０ｐｐｍ以下の含有量とすることが好ましい。ナトリウム又はカリウムが１０ｐｐｍを超える場合は、長時間高温高湿下に半導体装置を放置すると、耐湿性が劣化する場合がある。
【００１７】
ここで、エポキシ樹脂に対する硬化剤の配合量は特に制限されず、エポキシ樹脂を硬化させる有効量とし得るが、硬化剤としてフェノール樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂中に含まれるエポキシ基１モルに対して、硬化剤中に含まれるフェノール性水酸基のモル比が０．５〜１．５、特に０．８〜１．２の範囲であることが好ましい。
【００１８】
本発明のエポキシ樹脂組成物中に配合される（Ｃ）無機質充填剤としては、通常エポキシ樹脂組成物に配合されるものを使用することができる。例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ等のシリカ類、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ボロンナイトライド、酸化チタン、酸化亜鉛、ガラス繊維等が挙げられる。
【００１９】
これら無機質充填剤の平均粒子径や形状は、特に限定されないが、この場合、無機質充填剤の平均粒子径、形状としては、平均粒子径５〜３０μｍの球状の溶融シリカが特に好ましい。なお、平均粒子径は、例えばレーザー光回折法による粒度分布測定装置などを用いて重量平均値（メジアン径）などとして求めることができる。
【００２０】
また、無機質充填剤の充填量は、特に限定されないが、封止樹脂層の吸湿度を下げるためには、エポキシ樹脂組成物中に成形性を損なわない範囲で可能な限り多量に充填させることが好ましく、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、４００〜１，２００質量部、特に６００〜１，０００質量部とすることが好ましい。４００質量部未満では膨張係数が大きくなり、半導体素子に加わる応力が増大して素子性能の低下を招く場合がある。一方、１，２００質量部を超えると流動性が著しく低下し、成形性が悪くなる場合がある。
【００２１】
なお、無機質充填剤は、樹脂と無機質充填剤との結合強度を強くするため、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング剤で予め表面処理したものを配合することが好ましい。このようなカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシラン、γ−メルカプトシラン等のメルカプトシランなどのシランカップリング剤を用いることが好ましい。ここで表面処理に用いるカップリング剤の配合量及び表面処理方法については、特に制限されるものではない。
【００２２】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂を必須成分とする。これまでにもＭＢＳ（メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体）、インデンオリゴマーなどの熱可塑性樹脂を添加すると、基材との密着性向上、耐クラック性の向上等に効果があることが確認されている。
【００２３】
しかしながら、熱可塑性樹脂の軟化温度が高いとエポキシ樹脂−硬化剤中への均一分散が困難であり、期待されるほど基材との密着に効果が見られない場合、あるいは、均一な物性が得られない場合もある。
【００２４】
また、熱可塑性樹脂の軟化温度が低いと、エポキシ樹脂−硬化剤中への分散は容易となるが、半田実装時の高温では、組成物自体が可塑化され、熱時強度が弱くなり、耐クラック性に問題が生じる。
【００２５】
そこで、熱可塑性樹脂を平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍ程度に微粒子化したものをエポキシ樹脂−硬化剤中に添加することにより、エポキシ樹脂−硬化剤中への均一分散が可能となり、基材との密着性、半田実装時での熱時強度が向上し、耐クラック性に優れた硬化物を与えることを見出したものである。
【００２６】
熱可塑性樹脂の種類としては、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合体、ニトリル−ブタジエン共重合体、シリコーンゴムなどの一般合成ゴム、前述した合成ゴムのカルボン酸変性、アクリル酸変性ゴムなどが一般的であるが、必ずしもこれらに限定される訳ではない。
【００２７】
本発明で用いる熱可塑性樹脂の平均粒子径は１０〜１，０００ｎｍであり、特には５０〜５００ｎｍが望ましい。１０ｎｍ未満の微粒子は入手困難である点、また非常に２次凝集しやすい点から本目的では特に必要性はない。１，０００ｎｍを超えると、基材との接着性、熱時強度に期待されるほどの効果が得られない。
【００２８】
上記超微粒子熱可塑性樹脂としては、市販品が使用でき、例えば北京化学研究所製のＮａｒｐｏｗ  ＶＰ−１０１，ＶＰ−３０１，ＶＰ−４０１，ＶＰ−４０２，ＶＰ−５０１，ＶＰ−６０１，ＶＰ−７０１などが知られている。
【００２９】
また、これら超微粒子熱可塑性樹脂の添加量としては、特に限定されるものではないが、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、０．０５〜５質量部、更に好ましくは０．１〜３質量部であることが好ましい。０．０５質量部未満では、接着性、熱時強度にあまり効果が見られない。５質量部を超えると成形性に支障をきたす場合がある。
【００３０】
超微粒子熱可塑性樹脂をエポキシ樹脂−硬化剤中に効果的に分散させるためには、予め超微粒子熱可塑性樹脂を硬化剤中に分散させておくと有効である。その際、凝集を解砕するために、剪断力を付与できる添加方法が望ましい。これら分散方法としては、ダイナミックミル、ダイノーミル、ボールミル、加圧ニーダー、石臼、エクストルーダー等が挙げられる。
【００３１】
また、本発明においては、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるため、（Ｅ）硬化促進剤を用いる。この硬化促進剤は、硬化反応を促進させるものであれば特に制限はなく、例えばトリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンとｐ−ベンゾキノンの付加物、トリフェニルホスフィンとｐ−ヒドロキノンの付加物等のリン系化合物、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７等の第３級アミン化合物、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物などを使用することができる。
これらの触媒はメチルメタクリレート、アクリルなどの熱可塑性樹脂によりマイクロカプセル化したものを用いてもよい。
【００３２】
硬化促進剤の配合量は有効量であるが、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総量１００質量部に対し、０．１〜５質量部、特に０．５〜２質量部とすることが好ましい。
【００３３】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、本発明の目的及び効果を発現できる範囲内において、各種の添加剤を配合することができる。例えばモリブデン酸亜鉛などの難燃剤、ハイドロタルサイトなどイオントラップ材、カルナバワックス、高級脂肪酸などの離型剤、シランカップリング剤、カーボンブラック等の顔料を添加することもできる。
【００３４】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤、（Ｄ）平均粒子径が１０〜１，０００ｎｍである超微粒子熱可塑性樹脂、（Ｅ）硬化促進剤、その他の添加剤を所定の組成比で配合し、これをダイナミックミル、ボールミル、ミキサー等によって十分均一に混合した後、熱ロール、ニーダー、エクストルーダー等による溶融混合処理を行い、次いで冷却固化させ、適当な大きさに粉砕して成形材料とすることができる。この場合、上記超微粒子熱可塑性樹脂を予め硬化剤に分散した混合品を用いる場合には、この混合品を他成分と配合し、同様に混合、溶融混合処理、冷却固化、粉砕すればよい。
【００３５】
このようにして得られる本発明のエポキシ樹脂組成物は、各種の半導体装置の封止用として有効に利用でき、この場合、封止の最も一般的な方法としては、低圧トランスファー成形法が挙げられる。なお、本発明のエポキシ樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃で３０〜１８０秒、後硬化は１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが望ましい。
【実施例】
【００３６】
以下、調製例及び実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。
【００３７】
［熱可塑性樹脂と硬化剤の調製例］
［調製例（イ）］
平均粒子径１００ｎｍのスチレン−ブタジエン共重合体（北京化学研究所製、Ｎａｒｐｏｗ  ＶＰ−１０１）１０ｇと硬化剤のフェノールノボラック樹脂ＤＬ−９２（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１１０）１００ｇをアセトン１，０００ｇ中に加え、ホモジナイザー、ナノマイザー等を用いて懸濁させた。懸濁液をダイノーミルに２０回通した。２０回通した液をスプレードライヤーを用いて顆粒状とした。
【００３８】
［調製例（ロ）］
平均粒子径１００ｎｍのニトリル−ブタジエン共重合体（北京化学研究所製、Ｎａｒｐｏｗ  ＶＰ−４０１）１０ｇと硬化剤のフェノールノボラック樹脂ＤＬ−９２（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１１０）１００ｇをアセトン１，０００ｇ中に加え、ホモジナイザー、ナノマイザー等を用いて懸濁させた。懸濁液をダイノーミルに２０回通した。２０回通した液をスプレードライヤーを用いて顆粒状とした。
【００３９】
［調製例（ハ）］
平均粒子径１００ｎｍのスチレン−ブタジエン共重合体（北京化学研究所製、Ｎａｒｐｏｗ  ＶＰ−１０１）１０ｇと硬化剤のフェノールノボラック樹脂ＤＬ−９２（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１１０）１００ｇをヘンシェルミキサーにて混合し、１００℃、３０分加圧ニーダーで混練した。冷却、ダイナミックミルにて微粉砕し、２軸混練機で再混練、冷却、粉砕した。
【００４０】
［調製例（ニ）］
メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体（鐘紡化学工業（株）製、カネエースＭ９０１）を粉砕後、４００メッシュの篩で篩い、平均粒子径１５μｍの粒子を得た。この粒子１０ｇと硬化剤のフェノールノボラック樹脂ＤＬ−９２（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１１０）１００ｇをアセトン１，０００ｇ中に加え、ホモジナイザー、ナノマイザー等を用いて懸濁させた。懸濁液をダイノーミルに２０回通した。２０回通した液をスプレードライヤーを用いて顆粒状とした。
【００４１】
［実施例１〜５、比較例１，２］
表１に示す成分を熱２本ロールにて均一に溶融混合し、冷却、粉砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。これらの組成物につき、次の（ｉ）〜（ｖｉ）の諸特性を測定した。結果を表２に示す。
（ｉ）基材（４２アロイ）との密着性
１５×１５×０．２ｍｍの４２アロイ基材の上に底面積９８ｍｍ2、高さ１０ｍｍの円錘片を温度１７５℃、圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、時間９０秒の条件で成形した。１サンプルにつき１２個の試験片を１８０℃×４時間ポストキュアした後、８５℃、６０％ＲＨ雰囲気下で１６８時間放置した。放置後、ＭＡＸ温度２６０℃のＩＲリフロー炉に３回通し、室温で剪断接着力を測定した。１２個の試験片の平均値を密着性指標とした。
（ｉｉ）基材（Ｃｕ）との密着性
１５×１５×０．２ｍｍのＣｕ基材の上に底面積９８ｍｍ2、高さ１０ｍｍの円錘片を温度１７５℃、圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、時間９０秒の条件で成形した。１サンプルにつき１２個の試験片を１８０℃×４時間ポストキュアした後、８５℃、６０％ＲＨ雰囲気下で１６８時間放置した。放置後、ＭＡＸ温度２６０℃のＩＲリフロー炉に３回通し、室温で剪断接着力を測定した。１２個の試験片の平均値を密着性指標とした。
（ｉｉｉ）基材（Ａｇメッキ）との密着性
１５×１５×０．２ｍｍのＡｇメッキＣｕ基材の上に底面積９８ｍｍ2、高さ１０ｍｍの円錘片を温度１７５℃、圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、時間９０秒の条件で成形した。１サンプルにつき１２個の試験片を１８０℃×４時間ポストキュアした後、８５℃、６０％ＲＨ雰囲気下で１６８時間放置した。放置後、ＭＡＸ温度２６０℃のＩＲリフロー炉に３回通し、室温で剪断接着力を測定した。１２個の試験片の平均値を密着性指標とした。
（ｉｖ）基材（ＮｉＰｄＡｕメッキ）との密着性
１５×１５×０．２ｍｍのＮｉＰｄＡｕメッキＣｕ基材の上に底面積９８ｍｍ2、高さ１０ｍｍの円錘片を温度１７５℃、圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、時間９０秒の条件で成形した。１サンプルにつき１２個の試験片を１８０℃×４時間ポストキュアした後、８５℃、６０％ＲＨ雰囲気下で１６８時間放置した。放置後、ＭＡＸ温度２６０℃のＩＲリフロー炉に３回通し、室温で剪断接着力を測定した。１２個の試験片の平均値を密着性指標とした。
（ｖ）高温時の熱時（Ｋ1Ｃ）強度
ＡＳＴＭ♯Ｄ５０４５に基づき２６０℃にて強靭性Ｋ1Ｃの値を測定した。
（ｖｉ）耐クラック性
７×７×０．３０ｍｍの大きさのシリコンチップを１００ｐｉｎ  ＱＦＰ  フレーム（４２アロイ）に接着し、更にチップ表面のアルミニウム電極とリードフレームとを２５μｍφの金線でワイヤボンディングした後、これにエポキシ樹脂組成物を温度１７５℃、成形圧力６．９Ｎ／ｍｍ2、成形時間１２０秒の条件で成形し、１８０℃で４時間ポストキュアーした。このパッケージ１４×２０×１．４ｍｍそれぞれ１８個を８５℃、６０％ＲＨ雰囲気下で１６８時間放置した。放置後、ＭＡＸ温度２６０℃のＩＲリフロー炉に３回通し、パッケージクラックを目視及び超音波探傷装置で調べた。
【００４２】
【表１】
2006022188.tif 000002
【００４３】
（Ａ）エポキシ樹脂：ビフェニル含有アラルキル型エポキシ樹脂（商品名：ＮＣ−３０００、日本化薬（株）製、エポキシ当量＝２７２）
（Ｂ）硬化剤：フェノールノボラック樹脂、ＤＬ−９２（明和化成（株）製、フェノール性水酸基当量１１０）
（Ｃ）無機質充填剤：球状溶融シリカ（（株）龍森製、平均粒子径２０μｍ）
（Ｄ）調製例（イ）〜（ニ）の熱可塑性樹脂と硬化剤の混合物
（Ｅ）硬化促進剤：トリフェニルホスフィン（北興化学工業（株）製）
離型剤：カルナバワックス（日興ファインプロダクツ（株）製）
カーボンブラック：デンカブラック（電気化学工業（株）製）
シランカップリング剤：ＫＢＭ−４０３、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製）
【００４４】
【表２】
2006022188.tif 000003
【００４５】
表２の結果から明らかなように、本発明のエポキシ樹脂組成物は、接着性、強靭性に優れた硬化物を与え、該樹脂組成物の硬化物で封止された半導体装置は、耐クラック性に優れるものである。