(57)【要約】  【課題】  マスクの大型化に伴う、マスク表面の撓みに対応することができる異物検出装置等を提案する。  【解決手段】  所定方向に沿って並べて配置された複数のラインセンサ６１，７１を所定方向に直交する方向に走査しつつ、マスク表面Ｍａ，Ｍｂに照射した光の反射光を受光して、マスク表面Ｍａ，Ｍｂ上の異物を検出する異物検出装置６０，７０において、複数のラインセンサ６１，７１は、マスク表面Ｍａ，Ｍｂから離間しつつ、マスクＭを保持した際のマスク表面Ｍａ，Ｍｂの撓み形状に沿うように配置する  【選択図】  図５
2006251480.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定方向に沿って並べて配置された複数のラインセンサを前記所定方向に直交する方向に走査しつつ、マスク表面に照射した光の反射光を受光して、前記マスク表面上の異物を検出する異物検出装置において、
前記複数のラインセンサは、前記マスク表面から離間しつつ、前記マスクを保持した際の前記マスク表面の撓み形状に沿うように配置されることを特徴とする異物検出装置。
【請求項２】
前記複数のラインセンサは、前記マスク表面に対する検出領域が隣接するラインセンサの検出領域の一部と重複するように、互い違いに配置されることを特徴とする請求項１に記載の異物検出装置。
【請求項３】
前記複数のラインセンサは、前記マスクの上面側と下面側にそれぞれ配置されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の異物検出装置。
【請求項４】
前記上面側に配置された複数のラインセンサと前記下面側に配置された複数のラインセンサとは、前記マスクを挟んで一部が略対向するように配置されることを特徴とする請求項３に記載の異物検出装置。
【請求項５】
マスク表面に対する検出領域の一部が重複するように所定方向に沿って互い違いに並べて配置された複数のラインセンサを、前記マスク表面から離間した位置で前記所定方向に直交する方向に走査しつつ、前記マスク表面に照射した光の反射光を受光して、前記表面上の異物を検出する異物検出方法において、
前記検出領域が重複する部分の一方を前記マスク表面の縁部の検出に用いることを特徴とする異物検出方法。
【請求項６】
前記縁部を検出する受光部と、前記マスク表面上の異物を検出する受光部の検出感度を異ならせることを特徴とする請求項５に記載の異物検出方法。
【請求項７】
前記縁部は、前記マスクに形成されたパターンを保護する保護膜を支持する枠部材であることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の異物検出方法。
【請求項８】
大型マスクに付着した異物を検出する処理を経た後に、前記大型マスクに形成されたパターンを感光基板に転写する露光装置において、
前記感光基板を戴置する基板ステージと、
前記大型マスクに形成されたパターンを前記感光基板上に投影する投影光学系と、
前記マスクに付着した異物を検出する装置として、請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の異物検出装置と、
を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記基板ステージは、前記感光基板として、外形が５００ｍｍよりも大きい基板を載置可能であることを特徴とする請求項８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記投影光学系は、前記感光基板上に前記大型マスクのパターンを複数の部分投影領域に分割して投影する複数の投影光学ユニットを含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記投影光学系は、前記大型マスクのパターンを前記感光基板上に等倍以上に投影する投影倍率を有することを特徴とする請求項８から請求項１０のうちいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
大型マスクに付着した異物を検出する検出工程と、前記大型マスクに形成されたパターンを感光基板に転写する転写工程と、を有する露光方法において、
前記転写工程は、前記感光基板に対して、前記大型マスクのパターンを等倍以上の投影倍率で転写し、
前記検出工程は、請求項５から請求項７のうちいずれか一項に記載の異物検出方法を用いることを特徴とする露光方法。
【請求項１３】
前記感光基板として、外形が５００ｍｍよりも大きい基板を用いることを特徴とする請求項１２に記載の露光方法。
【請求項１４】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、表示デバイス用の感光基板に大型マスクのパターンを投影露光する装置として、請求項８から請求項１１のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターンを有するマスクを露光光で照明し、このマスクのパターンを感光基板に露光する露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子や半導体素子等のマイクロデバイスは、マスク（又はレチクル）上に形成されたパターンをガラス基板やウエハ等の感光基板上に転写する、いわゆるフォトリソグラフィの手法により製造される。
フォトリソグラフィ工程において使用される露光装置では、マスクに埃や塵等の異物が付着していると、マスクに形成されたパターンとともに異物の像が感光基板に転写されてしまい、複数の感光基板に同様の欠陥が発生してしまうので、露光処理に先立ってマスク上に付着した異物を検出するようにしている。
【０００３】
異物検出装置としては、ラインセンサをマスク上で走査して、マスク上に照射した反射光を受光することにより、マスク上の異物を検出する技術がある。特に、大型のマスクの場合には、特許文献１に開示されるように、複数のラインセンサを走査方向に直交する方向に沿って並べて配置することにより、異物検出を可能とする技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００１−２０１４６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、マスクの大型化は年々進展しており、例えば、一辺が５００ｍｍを越えるマスクも用いられるようになってきている。このような大型マスクの場合であっても、上述した技術を適用して、ラインセンサの数を増加させることにより、対応可能であると考えられていた。
しかしながら、マスクは外周部のみを支持されるので、その中央部分が自重により撓みやすく、そのため、マスクの大型化に伴ってその撓み量が無視できなくなってきている。すなわち、マスクの撓み量が大きくなると、その部分がラインセンサの計測範囲から外れてしまい、マスク上の異物の検出が困難になってしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、マスクの大型化に伴う、マスク表面の撓みに対応することができる異物検出装置等を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る異物検出装置、異物検出方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、所定方向に沿って並べて配置された複数のラインセンサ（６１，７１）を所定方向に直交する方向に走査しつつ、マスク表面（Ｍａ，Ｍｂ）に照射した光の反射光を受光して、マスク表面上の異物を検出する異物検出装置（６０，７０）において、複数のラインセンサは、マスク表面から離間しつつ、マスクを保持した際のマスク表面の撓み形状に沿うように配置されるようにした。
この発明によれば、マスクの表面に撓みが発生した場合であっても、その撓み形状にラインセンサを沿うように配置されるので、計測範囲の狭いラインセンサであっても、マスクの表面に付着した異物を確実に検出することが可能となる。
【０００７】
また、複数のラインセンサ（６１，７１）が、マスク表面（Ｍａ，Ｍｂ）に対する検出領域が隣接するラインセンサの検出領域の一部と重複するように、互い違いに配置されるものでは、マスク表面を漏れなく異物検出することができる。更に、検出領域が重複しているので、重複部分の一方を異物以外の物体の検出に用いることが可能となる。
また、複数のラインセンサ（６１，７１）が、マスク（Ｍ）の上面（Ｍａ）側と下面（Ｍａ）側にそれぞれ配置されるものでは、マスクの上面及び下面の異物検出を同時に行うことができる。
また、上面（Ｍａ）側に配置された複数のラインセンサ（６１）と下面（Ｍｂ）側に配置された複数のラインセンサ（７１）とが、マスク（Ｍ）を挟んで一部が略対向するように配置されるものでは、上面側のラインセンサと下面側のラインセンサとが走査方向に対して近接した一位置に配置されるので、マスクとラインセンサの相対移動距離を最小限に抑えることができ、装置の大型化を防止することができる。更に、上面側のラインセンサと下面側のラインセンサとが走査方向に対して同一位置に配置されていないので、一方のラインセンサからの検出光が対向するラインセンサに入射して異物検出に悪影響を与える不具合を防止することができる。
【０００８】
第２の発明は、マスク表面（Ｍａ，Ｍｂ）に対する検出領域の一部が重複するように所定方向に沿って互い違いに並べて配置された複数のラインセンサ（６１，７１）を、マスク表面から離間した位置で所定方向に直交する方向に走査しつつ、マスク表面に照射した光の反射光を受光して、表面上の異物を検出する異物検出方法において、検出領域が重複する部分の一方をマスク表面の縁部の検出に用いるようにした。
この発明によれば、マスクの大型化に対応しつつ、マスク表面の縁部を検出することにより、容易に異物検出範囲を規定することが可能となる。
【０００９】
また、縁部を検出する受光部（８２，９２）と、マスク表面（Ｍａ，Ｍｂ）上の異物を検出する受光部（８２，９２）の検出感度を異ならせるものでは、計測対象（縁部又はマスク表面上の異物）に合わせて感度を調整することにより、検出精度を向上させることができる。
また、縁部が、マスク（Ｍ）に形成されたパターン（ＰＡ）を保護する保護膜（Ｃ）を支持する枠部材（Ｆ）であるものでは、保護膜上の異物を検出する場合には枠部を検出することにより、容易に異物検出範囲を規定することが可能となる。
【００１０】
第３の発明は、大型マスク（Ｍ）に付着した異物を検出する処理を経た後に、大型マスクに形成されたパターン（ＰＡ）を感光基板（Ｗ）に転写する露光装置（ＥＸ）において、感光基板を戴置する基板ステージ（ＷＳＴ）と、大型マスクに形成されたパターンを感光基板上に投影する投影光学系（ＰＬ）と、マスクに付着した異物を検出する装置として第１の発明の異物検出装置（６０，７０）と、を備えるようにした。
この発明によれば、液晶表示素子等を形成するための感光基板に大型マスクのパターンを露光するに先立って、大型マスクの表面に付着した異物を検出するので、異物の影響による欠陥のない良好なパターンを感光基板上に露光することができる。
【００１１】
また、基板ステージ（ＷＳＴ）が、感光基板（Ｗ）として、外形が５００ｍｍよりも大きい基板を載置可能であるものでは、大型の液晶表示素子等を形成することができる。或いは、液晶表示素子等を複数取りすることができるので、生産効率の向上を図ることができる。
また、投影光学系（ＰＬ）が、感光基板（Ｗ）上に大型マスク（Ｍ）のパターン（ＰＡ）を複数の部分投影領域に分割して投影する複数の投影光学ユニット（ＰＬａ〜ＰＬｅ）を含むものでは、より大型のマスクを用いて露光処理を行うことができる。
また、投影光学系（ＰＬ）が、大型マスク（Ｍ）のパターン（ＰＡ）を感光基板（Ｗ）上に等倍以上に投影する投影倍率を有するものでは、マスク上の異物による悪影響が大きい場合であっても、異物の影響による欠陥のない良好なパターンを感光基板上に露光することができる。
【００１２】
第４の発明は、大型マスク（Ｍ）に付着した異物を検出する検出工程と、大型マスクに形成されたパターン（ＰＡ）を感光基板（Ｗ）に転写する転写工程と、を有する露光方法において、転写工程が、感光基板に対して、大型マスクのパターンを等倍以上の投影倍率で転写し、前記検出工程が、第２の発明の異物検出方法を用いるようにした。
この発明によれば、的確にマスク上の異物検出範囲を規定して異物検出処理を行うことができるので、転写工程のスループットの低下を招くことなく、露光処理を行うことができる。
また、感光基板（Ｗ）として、外形が５００ｍｍよりも大きい基板を用いるものでは、大型の液晶表示素子等を形成することができる。或いは、液晶表示素子等を複数取りすることができるので、生産効率の向上を図ることができる。
【００１３】
第５の発明は、リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、リソグラフィ工程が、表示デバイス用の感光基板（Ｗ）に大型マスク（Ｍ）のパターン（ＰＡ）を投影露光する装置として、第３の発明の露光装置（ＥＸ）を用いるようにした。
この発明によれば、欠陥のないパターンが感光基板上に形成されるので、歩留まりが向上して表示デバイスの製造コストが抑えられる。また、信頼性の高い表示デバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば以下の効果を得ることができる。
マスクの表面に撓みが発生した場合であっても、マスクの表面に付着した異物を確実に検出することができるので、異物の付着のないマスクを確実に提供することが可能となる。
また、容易にマスク上の異物検出範囲を規定することができるので、マスクとラインセンサの相対位置を検出する特別な装置を設ける等の必要がなくなって、装置コストの上昇が抑えられる。
また、欠陥のない良好なパターンを有する感光基板を形成できるので、高品質な表示デバイスを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の異物検出装置、異物検出方法、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法の実施形態について図を参照して説明する。
図１は、本発明の露光装置ＥＸの概略構成を示す模式図である。
露光装置ＥＸは、マスクＭのパターンＰＡを感光基板Ｗに対して露光処理する露光装置本体Ｓと、複数のマスクＭを収容するマスク収容装置としてのライブラリ部ＬＢと、マスクＭをライブラリ部ＬＢと露光装置本体Ｓとの間で搬送する搬送装置Ｈと、露光処理に関する動作を制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。
露光装置本体Ｓは、投影光学系ＰＬに対してマスクＭと感光基板Ｗとを所定方向に同期移動しつつマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターンＰＡを感光基板Ｗに露光する、いわゆるマルチレンズスキャン型露光装置である。
なお、以下の説明において、水平面内においてマスクＭと感光基板Ｗとが同期移動する方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内において前記走査方向と直交する方向（非走査方向）をＸ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸，Ｙ軸，及びＺ軸の軸線まわり方向を、それぞれθＸ方向，θＹ方向，及びθＺ方向とする。
【００１６】
図２は、マスクＭを示す図であって、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は断面図である。
マスクＭは、所定のパターンＰＡが形成されたマスク板Ｐと、マスク板Ｐ上のパターンＰＡ（パターン形成領域）を保護するペリクルＰＥとから構成される。マスクＭは、ガラス板（原板）の一方の面（パターン面）上に、クロムなどの遮蔽材料により所定のパターンＰＡを形成したものである。ペリクルＰＥは、フレーム（又はスタンド）と呼ばれる略四角形の枠部材Ｆと、ペリクル膜Ｃとから構成される。
枠部材Ｆは、平面視矩形状に形成された金属製部材であって、その一端部がマスク板Ｐのパターン面に接着され、他端部にはペリクル膜Ｃが装着される。
ペリクル膜Ｃは、パターン形成領域に、埃・塵等の異物が付着するのを防止するための透明の薄板であって、枠部材Ｆを介してパターン形成領域に対して間隙を有して平行状態に張設されている。ペリクル膜Ｃとしては、通常、ニトロセルロース或いはフッ素系樹脂等を主成分とする厚さが１〜２μｍ程度の透明なフィルム部材（薄膜）からなる。
なお、マスクＭは、液晶表示素子等のフラットパネルディスプレイを製造するために用いられる大型マスクであって、例えば、一辺が５００ｍｍ以上の長さを有するものが用いられる。
一方、感光基板Ｗは、ガラスプレート（ガラス基板）に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものである。感光基板Ｗの大きさは、例えば、一辺或いは対角の長さ（外形）が５００ｍｍ以上のものが用いられる。
つまり、感光基板Ｗの大型化に伴い、生産性を向上させるために、マスクＭの大型化も併せて行われる。
【００１７】
図１に戻り、ライブラリ部ＬＢは、マスクＭを載置するとともにＸ方向に移動（伸縮）可能に構成された複数の棚部５０を有している。
搬送装置Ｈは、ライブラリ部ＬＢの各棚部５０にアクセス可能となっており、収容されている複数のマスクＭのうち露光処理に使用するマスクＭを選択して取り出し、露光装置本体ＳのマスクステージＭＳＴに搬送（ロード）するようになっている。また、露光処理済みのマスクＭを、マスクステージＭＳＴから搬送装置Ｈにより搬出（アンロード）し、ライブラリ部ＬＢに戻すようになっている。
【００１８】
ライブラリ部ＬＢは、マスクＭに付着したゴミ（異物）を検出するゴミ検出装置（異物検出装置）８０，９０を備えている。具体的には、ゴミ検出装置６０，７０は、ライブラリ部ＬＢの下部に設けられた計測空間部５５に設置されている。なお、計測空間部５５は、ライブラリ部ＬＢの上部に設けてもよい。
そして、計測空間部５５には、ゴミ検出装置６０，７０と共に、マスクＭを載置するマスク載置アームＮが設置される。
【００１９】
図３は、ゴミ検出装置６０，７０の概略構成を示す図であり、図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は要部断面図である。
ゴミ検出装置６０，７０は、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂに付着した異物を検査するものであって、マスク載置アームＮ上に載置されたマスクＭに対して、ゴミ検出装置６０が上面側に、ゴミ検出装置７０が下面側に設置されている。
ゴミ検出装置６０，７０は、それぞれ複数のラインセンサ６１（６１ａ〜６１ｃ），７１（７１ａ〜７１ｃ）から構成される。各ラインセンサ６１，７１は、同一構成、同一形状であって、マスクＭに対して検出光を照射する投光部８１，９１と、照射された検出光に基づきマスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂで反射した反射光を受光する受光部８２，９２とを備えている。
なお、図では、各ラインセンサ６１，７１の数が３つであるが、マスクＭの大きさにより、更にその数を増やしてもよい。
【００２０】
図４は、マスク載置アームＮを示す斜視図である。
マスク載置アームＮは、載置したマスクＭをＸ方向に移動させることにより、ゴミ検出装置６０，７０をマスクＭに対して相対移動させるための装置である。すなわち、マスクＭを保持されたマスクＭに対して、ゴミ検出装置６０，７０によりゴミ検出処理が行われる。
マスク載置アームＮは、マスクＭに対して側面方向からアクセスして、マスクＭの外周領域を支持するために、二股フォーク形（コ字形）に形成されている。すなわち、マスクＭのうちパターン形成領域以外の部分、つまりマスクＭの下面側（ペリクル面Ｍｂ側）のＹ方向の外周部を支持する。
更に、マスク載置アームＮは、不図示の駆動装置により、Ｘ方向に精密に平行移動可能となっている。すなわち、マスク載置アームＮは、マスクＭを支持しつつ、マスクＭをゴミ検出装置６０，７０に対してＸ軸方向に相対的移動させることができる。
【００２１】
そして、マスクＭをゴミ検出装置６０，７０に対してＸ軸方向に相対的移動させつつ、投光部８１，９１からマスクＭに対して検出光を照射し、その反射光を受光部８２，９２により受光する。受光部８２，９２の検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴは受光部８２，９２（ゴミ検出装置６０，７０）の検出結果に基づいて、マスクＭにゴミ（異物）があるかどうかを判断する。このようにして、ゴミ検出装置６０，７０により、マスクＭの上面側及び下面側の表面全面に対して、ゴミ検出を行うことができる。
なお、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂとは、上面側はマスク板Ｐの表面（以下、ガラス面Ｍａともいう）であり、下面側はペリクル膜Ｃの表面（以下、ペリクル面Ｍｂともいう）である（図２参照）。
【００２２】
図３に戻り、ゴミ検出装置６０，７０を構成する複数のラインセンサ６１，７１について詳述する。
ラインセンサ６１，７１の投光部８１，９１は、Ｙ軸方向を長手方向とし光を射出する蛍光管８３，９３と、この蛍光管８３，９３を囲むように設けられ、マスクＭ側に開口しＹ軸方向に延びるスリット部８５，９５を有するカバー部８４，９４とを備えている。蛍光管８３，９３から射出された光は、カバー部８４，９４のスリット部８５，９５を介してマスクＭを傾斜方向から照射する。蛍光管８３，９３から射出された光は、スリット部８５，９５を通過することにより指向性のある光（検出光）に整形される。
なお、投光部８１，９１としては、蛍光管を用いる場合の他、発光ダイオード素子を並べたものや、発光ダイオードアレイ素子等を用いるものであってもよい。
【００２３】
受光部８２，９２は、Ｙ軸方向を長手方向とし、投光部８１，９２とほぼ同じ長さを有する撮像素子（ＣＣＤ）により構成されている。なお、ＣＣＤは、１０ｍｍ程度の長さを有する数個のチップをＹ方向に一列に並べて構成される。各々のチップには、数１０μｍ程度のピッチで数千のセルが一次元的に配列されおり、各チップはセル１つ分の大きさ程度の間隔をもって離間して配列されている。
【００２４】
ゴミ検出装置６０，７０を構成する各ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃは、マスクＭのガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂに対して、数ミリ程度離間した位置配される。また、各ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃは、Ｙ方向に沿って、またＸ方向に互い違いとなるように、並べて配置される。つまり、各ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃは、隣接するラインセンサとは、その端部がＹ方向に関して重複（重畳）するように配置される。
このように、複数のラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃをＹ方向に沿って並べて配置するのは、マスクＭの大型化に対応するためである。すなわち、各ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃは、所定の長さに形成されたものであるため、複数のラインセンサを並べて配置することにより、マスクＭの大型化に対応可能となるからである。
また、複数のラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃを一部が重なるように互い違いに配置するのは、ガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂの幅が、必ずしも各ラインセンサ６１，７１の長さの整数倍ではないからであり、また、重ねた部分（受光部８２，９２の一部のＣＣＤ）を他の物体の検出に用いるためである（詳細については後述する）。
【００２５】
また、図３（ａ）に示すように、ガラス面Ｍａ側（上面側）に配置されるラインセンサ６１ａ〜６１ｃと、ペリクル面Ｍｂ側（下面側）に配置されるラインセンサ７１ａ〜７１ｃとは、Ｚ方向に関して、一部が重複（重畳）するように配置される。
このように配置するのは、ラインセンサ６１とラインセンサ７１とを、マスクＭを挟んで完全に対向するように配置すると、例えば、ラインセンサ６１ａの投光部８１からの検出光が、対向するラインセンサ７１ａの受光部９２により受光されてしまい、ラインセンサ７１ａによるゴミ検出に悪影響を及ぼしてしまうからである。
一方、ラインセンサ６１とラインセンサ６１とを、Ｘ方向の位置を異ならせることにより、Ｚ方向に関して完全に重複（重畳）しないように配置した場合には、上述したような不具合は発生しないが、マスクＭとラインセンサ６１，７１（ゴミ検出装置６０，７０）との相対移動距離を大きくしなければならない。しかし、マスクＭの大型化に伴って、露光装置本体Ｓ等を大型化した上で、更に装置を大型化させるのは困難な場合が少なくない。
そこで、ラインセンサ６１，７１を上述のように配置することにより、ゴミ検出への悪影響と、装置の大型化を防いでいる。
なお、ラインセンサ６１，７１とは、Ｚ方向に関して一部が重複（重畳）しているので、対向するラインセンサからの検出光によりゴミ検出に悪影響を受けてしまう部分が存在する場合がある。このような場合には、例えば、互いに悪影響を受ける部分の一方を遮蔽部材により覆う等することにより、悪影響の回避が可能である。
【００２６】
図５は、ガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂに対するラインセンサ６１，７１の配置を示す図である。
ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃ（受光部８２，９２）のそれぞれは、ガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂの撓み形状に沿うように配置される。すなわち大型化に伴って自重により中央領域がＺ軸方向に撓んだ（下凸形に変形した）ガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂの表面形状に、ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃ（受光部８２，９２）が略平行となるように配置される。
マスクＭは、図４に示すように、Ｙ方向の両端（外周部）のみをマスク載置アームＮにより支持されているので、自重により中央領域がＺ軸方向に、例えば０．５ｍｍ程度、撓んでしまう。一方、ラインセンサ６１，７１の検出範囲（深度）は、同程度又はそれよりも若干大きい程度なので、ラインセンサ６１，７１をマスク載置アームＮの載置面に平行（略水平）に配置した場合には、マスクＭの撓み量が大きい部分では、ゴミ検出の精度が低下したり、検出不可能となったりする場合がある。
そこで、ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃ（受光部８２，９２）を、Ｚ軸方向に撓んだガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂの表面形状に略平行となるように配置することにより、上述したような不具合を回避することができる。
【００２７】
ところで、ガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂの撓み量（形状）は、図５に示すように、異なったものとなっている。
ガラス面Ｍａは、平板状のマスク板Ｐが自重によって中央部分が大きく撓む。この撓み形状は、Ｘ方向の位置によって変わらず、殆ど一定である。このため、ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ（受光部８２）は、図５（ａ）に示すように、ガラス面Ｍａの撓み形状に沿って配置すればよい。
一方、ペリクル面Ｍｂは、ペリクル膜Ｃがマスク板Ｐに固着された枠部材Ｆを介して張設されているため、枠部材Ｆの周辺ではマスク板Ｐと共に大きく撓んでいる（図５（ｂ）参照）が、中央部分では枠部材Ｆの変形の影響はなく、またペリクル膜が張力を有することから、撓みは少なくなっている（図５（ｃ）参照）。つまり、ペリクル面Ｍｂは、Ｘ方向の位置により撓み形状が異なっている。このため、ラインセンサ７１ａ〜７１ｃ（受光部８２）は、ペリクル面Ｍｂの撓み量が最大の位置（Ｘ方向の両端）と、撓み量が最小の位置（Ｘ方向の中央部分）の両位置における撓み形状に対応できるように、図５（ｂ），（ｃ）に示すように、両者の中間（中間値）の撓み形状に沿うように配置される。
なお、各ラインセンサ６１ａ〜６１ｃ，７１ａ〜７１ｃ（受光部８２，９２）をガラス面Ｍａ又はペリクル面Ｍｂの撓み形状に沿うように配置するために、ラインセンサ６１，７１（受光部８２，９２）を固定する部材との間に不図示のスペーサ等の調整機構を配置している。調整機構としては、微小変位が可能なアクチュエータを用いてもよい。また、ラインセンサ６１，７１（受光部８２，９２）自体を撓ませることにより、対応してもよい。
【００２８】
図１戻り、露光装置本体Ｓの構成について説明する。
露光装置本体Ｓは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴ、感光基板Ｗを支持する基板ステージＷＳＴ、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬ、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンＰＡを基板ステージＷＳＴに支持されている感光基板Ｗに投影露光する投影光学系ＰＬ等を備えている。
【００２９】
照明光学系ＩＬは、超高圧水銀ランプ等からなる光源１、光源１から射出された光束を集光する楕円鏡２、楕円鏡２により集光された光束のうち露光に必要な波長の光束を反射し、その他の波長の光束を透過させるダイクロイックミラー３、ダイクロイックミラー３で反射した光束のうち更に露光に必要な波長（通常は、ｇ，ｈ，ｉ線のうち少なくとも１つの帯域）のみを通過させる波長選択フィルタ４、波長選択フィルタ４からの光束を複数本（本実施形態では５本）に分岐するライトガイド５、及びライトガイド５からの光束を反射する反射ミラー６等を備えている。
【００３０】
更に、照明光学系ＩＬは、複数（５つ）の照明系モジュールＩＬａ〜ＩＬｅを備える。なお、図１では、照明系モジュールＩＬａのみが示されているが、他の照明系モジュールＩＬｂ〜ＩＬｅも照明系モジュールＩＬａと同等の構成を有している。
また、投影光学系ＰＬも、照明系モジュールＩＬａ〜ＩＬｅの数に対応して複数（５つ）の投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅを有している。投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅのそれぞれは、照明系モジュールＩＬａ〜ＩＬｅのそれぞれに対応して配意されている。各投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅは、マスクＭのパターンＰＡを正立正像の等倍で感光基板Ｗに投影している。なお、各投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅの倍率を１．２５倍や１．５倍としてもよい。
照明系モジュールＩＬａ（ＩＬｂ〜ＩＬｅ）は、照明シャッタ７、マスクＭに対する露光光ＥＬの照明領域を設定するブラインド部８、光学素子系９等を備えている。
光学素子系９は、リレーレンズ、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ、コンデンサレンズ等を含んで構成されている。また、フライアイレンズは、射出面側に二次光源を形成し、コンデンサレンズを介してマスクＭの照明領域を均一な照度で照射する。
これにより、マスクＭは、照明系モジュールＩＬａ〜ＩＬｅのそれぞれを透過した露光光ＥＬにより異なる複数の照明領域で照明される。
【００３１】
マスクステージＭＳＴは、露光光ＥＬの光路上に設けられており、一次元の走査露光を行うべくＹ軸方向に長いストロークと、走査方向と直交するＸ軸方向に所定距離のストロークとを有している。
そして、マスクステージＭＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるマスクステージ駆動部ＭＳＴＤにより駆動される。
【００３２】
同様に、基板ステージＷＳＴは、露光光ＥＬの光路上に設けられており、一次元の走査露光を行うべくＹ軸方向に長いストロークと、走査方向と直交するＸ軸方向にステップ移動するための長いストロークとを有している。更に、基板ステージＷＳＴは、Ｚ軸方向にも移動可能であるとともに、θＸ方向，θＹ方向，及びθＺ方向にも移動可能である。
そして、基板ステージＷＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御される基板ステージ駆動部ＷＳＴＤにより駆動される。
【００３３】
図６は、露光装置本体Ｓの概略構成を示す斜視図である。
マスクステージＭＳＴは、マスクステージＭＳＴ上のＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの端縁に、互いに直交するように配置された移動鏡１０ａ，１０ｂを備えている。また、移動鏡１０ａにはレーザー干渉計１１ａが対向して配置され、移動鏡１０ｂにはレーザー干渉計１１ｂが対向して配置されている。
そして、レーザー干渉計１１ａ，１１ｂのそれぞれは、移動鏡１０ａ，１０ｂのそれぞれにレーザー光を照射して移動鏡１０ａ，１０ｂとの間の距離を計測することにより、マスクステージＭＳＴのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置、ひいてはマスクＭの位置を検出する。レーザー干渉計１１ａ，１１ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴはレーザー干渉計１１ａ、１１ｂの検出結果に基づいてマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを介してマスクステージＭＳＴの位置を制御する。
【００３４】
同様に、基板ステージＷＳＴは、基板ステージＷＳＴ上のＸ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれの端縁に、互いに直交するように配置された移動鏡１２ａ，１２ｂを備える。また、移動鏡１２ａにはレーザー干渉計１３ａが対向して配置され、移動鏡１２ｂにはレーザー干渉計１３ｂが対向して配置されている。
そして、レーザー干渉計１３ａ，１３ｂのそれぞれは、移動鏡１２ａ，１２ｂのそれぞれにレーザー光を照射して移動鏡１２ａ，１２ｂとの間の距離を計測することにより、基板ステージＷＳＴのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置、ひいては感光基板Ｗの位置を検出する。レーザー干渉計１３ａ，１３ｂの検出結果は制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴはレーザー干渉計１３ａ，１３ｂの検出結果に基づいて基板ステージ駆動部ＷＳＴＤを介して基板ステージＷＳＴの位置を制御する。
更に、基板ステージＷＳＴは、マスクＭのパターン面及び感光基板Ｗの露光処理面のＺ軸方向における位置を検出するフォーカス検出系（不図示）を備えており、制御装置ＣＯＮＴはフォーカス検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動部ＷＳＴＤを介して感光基板ＷのＺ軸方向における位置を制御する。
【００３５】
投影光学系ＰＬを構成する複数の投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅは、投影光学ユニットＰＬａ，ＰＬｃ，ＰＬｅと投影光学ユニットＰＬｂ，ＰＬｄとが２列に千鳥状に配列されている。すなわち、千鳥状に配置されている各投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅは、隣り合う投影光学系どうし（例えば投影光学ユニットＰＬａとＰＬｂ、ＰＬｂとＰＬｃ）をＹ軸方向に所定量変位させて配置されている。
これら投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅのそれぞれは、照明系モジュールＩＬａ〜ＩＬｅから射出されマスクＭを透過した複数の露光光ＥＬを透過させ、基板ステージＷＳＴに載置されている感光基板ＷにマスクＭのパターン像を投影する。そして、各投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅを通過した露光光ＥＬは、感光基板Ｗ上の異なる投影領域のそれぞれにマスクＭの照明領域に対応したパターン像を等倍以上の結像特性で結像する。
【００３６】
なお、投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅのそれぞれは、シフト調整機構、ローテーション調整機構、像面調整機構、視野絞り、スケーリング調整機構、像面調整機構等（いずれも不図示）を備えており、光学特性（結像特性）を補正可能となっている。
シフト調整機構は、入射した光束（マスクＭのパターンＰＡの像）を感光基板Ｗ上におけるパターンの像をＸ軸方向及びＹ軸方向にシフト可能である。ローテーション調整機構は、感光基板Ｗ上におけるマスクＭのパターンＰＡの像をＺ軸まわりに回転（ローテーション）可能である。視野絞りは、感光基板Ｗ上における投影領域を設定可能であり、これにより、感光基板Ｗ上に台形状に投影領域が規定される。スケーリング調整機構は、マスクＭのパターンＰＡの像の倍率（スケーリング）を調整可能である。そして、像面調整機構は、投影光学系の結像位置（Ｚ軸方向）及び像面のＸＹ平面に対する傾斜を調整可能である。
なお、複数の投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅを用いて露光することは、マスクＭの大型化に対して有利である。したがって、マスクＭの大きさに対応して、複数の投影光学ユニットＰＬａ〜ＰＬｅの数を変更するようにしてもよい。
【００３７】
次に、上述した構成を有する露光装置ＥＸを用いてマスクＭのパターンＰＡを感光基板Ｗに露光する方法について説明する。
露光方法は、露光に先立ってマスクＭ上に付着したゴミを検出する工程（検出工程）、ゴミの付着がないことが確認されたマスクＭを用いて感光基板Ｗ上にパターンＰＡを転写する工程（転写工程）の順に行われる。
【００３８】
ゴミ検出工程では、まず、搬送装置Ｈがライブラリ部ＬＢにアクセスし、収容されている複数のマスクＭのうち、露光処理に用いるべきマスクＭを取り出す。そして、搬送装置Ｈにより、取り出したマスクＭを計測空間部５５に配置されたマスク載置アームＮ上に載置する。
マスク載置アームＮ上にマスクＭが載置されると、マスク載置アームＮはＸ方向に移動して、マスクＭの端部がゴミ検出装置６０，７０の間に位置するように搬送する。
【００３９】
次いで、ゴミ検出装置６０，７０の各ラインセンサ６１，７１の投光部８１，９１より検出光を照射させるとともに、マスクＭを保持しているマスク載置アームＮをゴミ検出装置６０，７０の各ラインセンサ６１，７１の間でＸ軸方向に一定速度で走査させる。これにより、ゴミ検出装置６０，７０の各ラインセンサ６１，７１の投光部８１，９１からマスクＭの略全面に対して検出光が照射され、その検出光に基づきマスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂ（ガラス面Ｍａ，ペリクル面Ｍｂ）で反射した反射光が各ラインセンサ６１，７１の受光部８２，９２により受光される。
そして、各ラインセンサ６１，７１の受光部８２，９２の受光結果は、制御装置ＣＯＮＴに出力され、制御装置ＣＯＮＴはその検出結果に基づいて、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂにゴミ（異物）が付着しているかどうかを判別する。
【００４０】
上述したように、制御装置ＣＯＮＴにおいては、受光部８２，９２からの検出信号に基づいて、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂ上のゴミを判別する信号処理を行うが、その方法は、特開２００４−２７１４２１号公報に記載の方法と略同様であるので、詳細については説明を省略する。
以下では、受光部８２，９２からの検出信号に基づいて、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂ上におけるゴミ検出を行うべき（Ｘ方向の）範囲を規定（選択又は抽出）する方法について説明する。
図７は、ラインセンサ６１，７１の検出領域を示す図である。
マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂ上に付着したゴミを判別する際には、受光部８２，９２（ラインセンサ６１，７１）からの検出信号を信号処理して判断するが、受光部８２，９２から得られる検出情報の中には、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂ以外の領域における検出情報も含まれている（図７における各検出領域を参照）。なぜならば、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの全面からの反射光を確実に得るために、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの全面よりも大きい範囲に対して検出光を照射している。すなわち、ラインセンサ６１，７１をマスクＭに対してＸ方向に走査する際に、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの前後の空間も含むようにしている。このため、受光部８２，９２から得られる検出情報には、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの前後の空間に対する検出情報が含まれるのである。しかし、この空間では検出光の反射が得られないため、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂ上のゴミの付着のない領域と略同一の検出情報が得られてしまう。したがって、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂにおける検出情報とそれ以外の部分における検出情報との区別が困難となってしまう。
このため、受光部８２，９２から得られる検出情報の中から、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの縁部を検出することが求められる。すなわち、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの縁部を検出し、その縁部を基準にすることにより、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂにおける検出情報のみを選択（抽出）することが可能となる。
具体的には、ガラス面Ｍａの縁部はマスク板Ｐの縁部であり、ペリクル面Ｍｂの縁部は枠部材Ｆの縁部である。なお、マスク板Ｐの縁部には、面取り（ガラス面Ｍａに対して、所定の角度を有する面）が施されており、この面取り部分では検出光の反射状態が変化する（図２（ｂ）参照）。また、ペリクル面Ｍｂの縁部は、枠部材Ｆに貼り付けられているので、この部分では検出光の反射状態が変化する。したがって、受光部８２，９２から得られる検出情報に基づいて、ゴミを検出する処理と同様の処理を行うことにより、マスク板Ｐ及び枠部材Ｆの縁部を検出することが可能である。
【００４１】
ところで、マスク板Ｐの縁部及び枠部材Ｆの縁部をラインセンサ６１，７１により検出するためには、ラインセンサ６１，７１の検出感度を、表面Ｍａ，Ｍｂにおける検出感度に比べて、高く設定する必要がある。なぜならば、マスク板Ｐの縁部及び枠部材Ｆの縁部における検出光の反射状態の変化は、非常に微細なものだからである。
このため、ラインセンサ６１，７１の全ての感度を高く設定することも考えられるが、その場合にはゴミ検出処理に誤検出が頻発してしまう。
そこで、ラインセンサ６１，７１のうち、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂを検出する部分（図７の一点鎖線の内部）と、マスク板Ｐ及び枠部材Ｆの縁部を検出する部分（図７の一点鎖線の外部）とを、区別して用いるようにする。これにより、一度の走査処理（マスクＭとラインセンサ６１，７１の相対移動）により、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂのゴミ検出と、マスク板Ｐ及び枠部材Ｆの縁部の検出とを、同時に行うことが可能となる。
具体的には、ラインセンサ６１，７１のうち、隣接するラインセンサと検出領域が重複する部分を、マスク板Ｐの縁部及び枠部材Ｆの縁部を検出するために用いる。例えば、図７（ａ）に示すように、ラインセンサ６１ｂの両端側は、隣接するラインセンサ６１ａ，６１ｃとマスクＭ（ガラス面Ｍａ）に対する検出領域が重複しているので、この重複部分の検出感度を他の部分よりも高く設定することにより、マスク板Ｐの縁部を検出させる。一方、ラインセンサ６１ａ，６１ｃにおけるラインセンサ６１ｂとの重複部分は、ガラス面Ｍａ上のゴミ検出に用いる。これにより、ラインセンサ６１ａ〜６１ｃにより、ガラス面Ｍａの全面のゴミ検出を行うと共に、マスク板Ｐの縁部の検出も同時に行うことができる。
同様に、ラインセンサ７１ｂの両端側は、枠部材Ｆの縁部の検出に用いる。一方、ラインセンサ７１ａ，７１ｃにおけるラインセンサ７１ｂとの重複部分は、ペリクル面Ｍｂ上のゴミ検出に用いる。これにより、ラインセンサ７１ａ〜７１ｃにより、ペリクル面Ｍｂの全面のゴミ検出を行うと共に、枠部材Ｆの縁部の検出も同時に行うことができる。
また、図７（ｂ）に示すように、ラインセンサ６１ａ，６１ｃ、７１ａ，７１ｃのラインセンサ６１ｂ，７１ｂ側の一端部と、ラインセンサ６１ｂ，７１ｂの両端を、マスク板Ｐ又は枠部材Ｆの縁部の検出に用いるようにしてもよい。
【００４２】
こうして、ラインセンサ６１，７１の一部の感度を高く設定することにより、一度の走査で、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの検出と同時に、マスク板Ｐ及び枠部材Ｆの縁部の検出を行うことができる。これにより、受光部８２，９２から得られる検出情報の中から、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの縁部を基準にして、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂにおける検出情報のみを選択（抽出）可能となる。そして、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂにおける検出情報から、ゴミの存在を検出できる。
【００４３】
上述したゴミ検出工程が完了したら、ゴミの付着がないことが確認されたマスクＭを用いて感光基板Ｗ上にパターンＰＡを転写する工程（転写工程）が行われる。
まず、ゴミ検出装置６０，７０の検出結果より、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂにゴミが付着していないと判断された場合には、制御装置ＣＯＮＴは搬送装置Ｈを用いて、マスク載置アームＮ上のマスクＭを露光装置本体ＳのマスクステージＭＳＴに搬送、ロードする。
一方、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂにゴミが付着していると判断された場合には、搬送装置Ｈを用いてこのマスクＭをライブラリ部ＬＢに戻し、他のマスクＭを取り出してゴミ検出装置６０，７０によりゴミ検出を行う。
このようにして、露光装置本体ＳのマスクステージＭＳＴには、表面Ｍａ，Ｍｂにゴミの付着のないマスクＭがロードされる。そして、表面Ｍａ，Ｍｂにゴミの付着のないマスクＭを用いて、感光基板Ｗ上に所定のパターンＰＡが露光される。露光処理が終了したら、マスクステージＭＳＴに支持されているマスクＭは、搬送装置Ｈによりアンロードされ、ライブラリ部ＬＢに戻される。
なお、表面Ｍａ，Ｍｂにゴミが付着している判断されたマスクＭは、別途、ライブラリ部ＬＢから搬出されて、洗浄処理が施される。
【００４４】
このように、本実施形態の露光装置によれば、複数のラインセンサ６１，７１をマスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの撓み形状に沿うように配置したので、計測範囲の狭いラインセンサ６１，７１であっても、マスクの表面Ｍａ，Ｍｂに付着した異物を確実に検出することが可能となる。したがって、ゴミの付着のないマスクにより、精度良い露光処理を行うことができる。
また、複数のラインセンサ６１，７１を、マスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂに対する検出領域の一部が重複するようにＹ方向に沿って互い違いに並べて配置したので、その重複部分の一部をマスクＭの表面Ｍａ，Ｍｂの縁部の検出に用いることができる。これにより、縁部を検出するための特別なセンサを容易する必要がなく、一度の走査で全面と縁部を検出することができる。すなわち、装置コストの上昇を抑えると共に、検出処理の効率化（短時間化）が図られる。そして、この情報に基づいて、ガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂ上の検出情報のみを抽出（選択）可能となる。
このように、感光基板Ｗの外形が５００ｍｍを越えるようになると、生産効率の向上を図るために、マスクＭの大きさも併せて大型化することが望ましい。したがって、大型化したマスクＭに対して高精度に異物検出を行うことができるので、結果的に効率のよい露光処理が実現される。
【００４５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、上述した実施の形態において示した動作手順、あるいは各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲においてプロセス条件や設計要求等に基づき種々変更可能である。本発明は、例えば以下のような変更をも含むものとする。
【００４６】
本実施形態では、マスクＭをマスク載置アームＮで保持した状態でゴミ検出処理を行う構成であるが、マスクＭを搬送装置Ｈで保持した状態で行ってもよい。
また、マスクＭとゴミ検出装置６０，７０との相対移動は、マスクＭを移動する構成であってもよいし、ゴミ検出装置６０，７０を移動する構成でもよい。更に、マスクＭとゴミ検出装置６０，７０との双方を移動する構成としてもよい。
【００４７】
また、露光装置ＥＸは、互いに隣接する複数の投影光学ユニットを有する、いわゆるマルチレンズスキャン型露光装置であるが、投影光学系が１つである走査型露光装置についても、本発明を適用することができる。
更に、本発明の露光装置として、マスクと感光基板とを同期移動してマスクのパターンを露光する走査型露光装置の他に、マスクと感光基板とを静止した状態でマスクのパターンを露光し、感光基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート型の露光装置にも適用することができる。
【００４８】
露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを露光する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば、半導体製造用の露光装置や薄膜磁気ヘッドを製造するための露光装置にも広く適用できる。
【００４９】
投影光学系の倍率は等倍系のみならず、縮小系及び拡大系のいずれでもよい。投影光学系としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材料を用い、Ｆ２レーザを用いる場合は反射屈折系または屈折系の光学系にする。
【００５０】
基板ステージやマスクステージにリニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもいい。また、ステージは、ガイドに沿って移動するタイプでもいいし、ガイドを設けないガイドレスタイプでもよい。
【００５１】
ステージの駆動装置として平面モ−タを用いる場合、磁石ユニットと電機子ユニットのいずれか一方をステージに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットの他方をステージの移動面側（ベース）に設ければよい。
【００５２】
基板ステージの移動により発生する反力は、特開平８−１６６４７５号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
マスクステージの移動により発生する反力は、特開平８−３３０２２４号公報に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。本発明は、このような構造を備えた露光装置においても適用可能である。
【００５３】
以上のように、本願実施形態の露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００５４】
次に、本発明の実施形態による露光装置及び露光方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
図８は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウエハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウエハを製造する。
【００５５】
次に、ステップＳ１３（ウエハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウエハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウエハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウエハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００５６】
図９は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ２１（酸化ステップ）おいては、ウエハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においては、ウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においては、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においては、ウエハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウエハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００５７】
ウエハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウエハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウエハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウエハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００５８】
また、半導体素子等のマイクロデバイスだけではなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハ等ヘ回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（深紫外）やＶＵＶ（真空紫外）光等を用いる露光装置では、一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶等が用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置や電子線露光装置等では、透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウエハ等が用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
【００５９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】露光装置ＥＸの概略構成を示す模式図である。
【図２】マスクＭを示す図である。
【図３】ゴミ検出装置６０，７０の概略構成を示す図である。
【図４】マスク載置アームＮを示す斜視図である。
【図５】ガラス面Ｍａ及びペリクル面Ｍｂに対するラインセンサ６１，７１の配置を示す図である。
【図６】露光装置本体Ｓの概略構成を示す斜視図である。
【図７】ラインセンサ６１，７１の検出領域を示す図である。
【図８】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【図９】図８におけるステップＳ１３の詳細工程の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
６０，７０…ゴミ検出装置
６１（６１ａ〜６１ｃ）…ラインセンサ
７１（７１ａ〜７１ｃ）…ラインセンサ
８１，９１…投光部
８２，９２…受光部
Ｍ…マスク（大型マスク）
ＰＡ…パターン
Ｆ…枠部材
Ｃ…ペリクル膜
Ｍａ…ガラス面，表面，上面（マスク表面）  
Ｍｂ…ペリクル面，表面，下面（マスク表面）
ＥＸ（Ｓ）…露光装置
ＰＬ…投影光学系
ＰＬａ〜ＰＬｅ…投影光学ユニット
ＭＳＴ…マスクステージ
ＷＳＴ…基板ステージ
Ｗ…感光基板
【図１】
2006251480.tif 000003
【図２】
2006251480.tif 000004
【図３】
2006251480.tif 000005
【図４】
2006251480.tif 000006
【図５】
2006251480.tif 000007
【図６】
2006251480.tif 000008
【図７】
2006251480.tif 000009
【図８】
2006251480.tif 000010
【図９】
2006251480.tif 000011