(57)【要約】【課題】ウェーハ外周部の全周にわたる鏡面面取りの均一性が高められ、鏡面面取り中の回転ドラムからの研磨布の剥がれを防ぎ、研磨布の張り替え頻度も減少可能な鏡面面取り装置およびそれ用の研磨布を提供する。【解決手段】研磨布１４として、平行四辺形状で、かつ回転ドラム１３に対する巻き付け方向の長さが、回転ドラム１３の外周の長さより１〜２ｍｍ短いものを採用したので、シリコンウェーハＷの外周部の全周にわたる鏡面面取りの高精度でかつ均一性が高い状態を維持できる。これにより、研磨時における研磨液によるウェーハ外周部の浸食を抑制できる。また、鏡面面取り中、回転ドラム１３から研磨布１４が剥がれ難くなり、鏡面面取り装置１０のランニングコストを低減できて、研磨布１４の張り替え頻度も減少し、シリコンウェーハＷの生産性も高まる。【選択図】図１
2006156688.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面取り後の半導体ウェーハが保持されるウェーハ保持板と、
該ウェーハ保持板を回転させる保持板回転手段と、
円筒形状または円柱形状を有する回転体と、
該回転体の外周面に巻き付け状態で貼着される研磨布と、
前記回転体を回転させる回転体回転手段と、
前記研磨布に砥液を供給する砥液供給手段とを備えた鏡面面取り装置において、
前記研磨布は、展開すると平行四辺形状で、かつ該研磨布の回転体に対する巻き付け方向の長さを、該回転体の外周の長さより１〜２ｍｍ短くした鏡面面取り装置。
【請求項２】
前記研磨布の回転体に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺が、両辺と直交する辺に対して８０°傾斜している請求項１に記載の鏡面面取り装置。
【請求項３】
円筒形状または円柱形状を有する回転体の外周面に貼着され、該回転体とともに回転中に、面取り後の半導体ウェーハの外周部が押し付けられる鏡面面取り用の研磨布において、
展開すると平行四辺形状で、かつ前記回転体に対する巻き付け方向の長さを、該回転体の外周の長さより１〜２ｍｍ短くした鏡面面取り用の研磨布。
【請求項４】
前記回転体に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺が、両辺と直交する辺に対して８０°傾斜している請求項３に記載の鏡面面取り用の研磨布。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は鏡面面取り装置およびそれ用の研磨布、詳しくは半導体ウェーハの面取りされた外周部を鏡面研磨によって仕上げる鏡面面取り装置およびそれ用の研磨布に関する。
【背景技術】
【０００２】
スライス工程で、単結晶シリコンインゴットからスライスされたシリコンウェーハは、続く面取り工程において、面取り用砥石を使用し、ウェーハ外周部が面取りされる。これにより、例えば、その外周部が断面砲弾型に付形される。こうして、シリコンウェーハの機械的強度が高められ、続くラップ工程などでのシリコンウェーハの欠け、チッピングなどが抑制される。
しかしながら、このような研削による面取りだけでは、面取り面の粗さが大き過ぎる。すなわち、シリコンウェーハの面取り面は、単結晶シリコンの無数の微細な小断片が毛羽立っている。そのため、後工程でのシリコンウェーハのハンドリング時に、前記小断片が多数欠落し、発塵が起きていた。また、シリコンウェーハの面取りされた外周部（面取り部）には、面取りによる研削ダメージも残存していた。
【０００３】
そこで、従来、例えば特許文献１の鏡面面取り装置により、シリコンウェーハＷの面取り部を鏡面面取り（鏡面仕上げ）していた。図４および図５を参照して、特許文献１を具体的に説明する。
図４に示すように、特許文献１の鏡面面取り装置１００は、面取り後のシリコンウェーハＷが吸着保持されるウェーハ保持板１０１と、ウェーハ保持板１０１を回転させる保持板回転モータ１０２と、回転軸１０３を中心にして高速回転する円筒形状の回転ドラム１０４と、回転ドラム１０４の外周面に貼着される研磨布（研磨バフ）１０５と、回転ドラム１０４を回転させるドラム回転モータ１０６と、研磨布１０５に砥液を供給する砥液供給手段１０７とを備えている。
研磨布１０５は、展開すると長方形状で（図５）、かつ回転ドラム１０４の外周と同じ長さを有した湾曲自在なクロス材である。研磨布１０５の回転ドラム１０４への貼着は、両面テープを用いて、研磨布１０５を回転ドラム１０４の外周面に１重に巻き付けて行う。このとき、研磨布１０５の長さ方向の両端は、回転ドラム１０４の軸線と平行状態を保ち、互いに隙間なく突き合わされる。
【０００４】
鏡面面取り時には、まず、ドラム回転モータ１０６により回転ドラム１０４を高速度で回転させるとともに、保持板回転モータ１０２によりウェーハ保持板１０１を所定の回転速度で回転させる。その後、ウェーハ保持板１０１を回転ドラム側に移動させ、砥液供給手段１０７からスラリーノズル１０７ａを通して遊離砥粒を含む砥液を供給しながら、ウェーハ保持板１０１に吸着保持されたシリコンウェーハＷの外周部を研磨布１０５に押し当てる。これにより、シリコンウェーハＷの面取り部が鏡面面取りされる。
【特許文献１】特開平９−１８３０５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、研磨布１０５は、砥液の浸透に伴って徐々に膨潤してくる。また、特許文献１の鏡面面取り装置１００では、研磨布１０５の長さ方向の両端同士が隙間なく突き合わされている。そのため、砥液を研磨布１０５に供給しながら鏡面面取りすると、その作業中に研磨布１０５の膨潤が生じ、研磨布１０５の突き合わせ側の両端部同士が干渉し合い、これらの部分が徐々に盛り上がる現象が起きていた。その結果、シリコンウェーハＷの外周部に鏡面面取りのムラが生じ、ウェーハ外周部の全周にわたる鏡面面取りの均一性の低下を招いていた。
【０００６】
しかも、このような盛り上がり現象が顕著になると、研磨布１０５の突き合わせ側の両端部が、回転ドラム１０４の外周面から剥がれ易くなってしまう。その結果、研磨布１０５の寿命が短縮し、研磨布１０５もコスト高となるとともに、一定期間における研磨布１０５の貼り替え頻度が大きくなってシリコンウェーハＷの生産性が低下していた。
また、研磨布１０５は、展開時の形状が長方形で、かつ回転ドラム１０４の外周面に対して、研磨布１０５の長さ方向の両端を回転ドラム１０４の軸線と平行に貼着されていた。そのため、通常、回転ドラム１０４の外周面に対する研磨布１０５の巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺がそれぞれ短くなっている。その結果、回転ドラム１０４の外周面に対する研磨布１０５の巻き付け方向の端部およびその反対側の端部の接着強度（接着力）は、十分とは言えなかった。
【０００７】
そこで、発明者は鋭意研究の結果、研磨布について、展開時の形状を従来の長方形から平行四辺形に変更し、かつ研磨布の回転ドラムに対する巻き付け方向の長さを、回転ドラムの外周の長さより１〜２ｍｍ短くすることに想到した。すなわち、この研磨布を回転ドラムの外周面に巻き付ければ、研磨布の巻き付け方向の辺とそれとは反対側の辺との間に１〜２ｍｍの隙間が現出される。その結果、鏡面面取り時に砥液が浸透して研磨布が膨潤した場合でも、研磨布の突き合わせ側の両端部（回転ドラムに対する巻き付け方向の端部とその反対側の端部）同士が干渉し難くなることを知見した。
また、回転ドラムに貼着された平行四辺形の研磨布は、その回転ドラムへの巻き付け方向の辺とそれとは反対側の辺が、回転ドラムの軸線に対して斜めになる。これにより、従来の長方形状を有した研磨布の場合に比べて、研磨布の前記巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺はそれぞれ長くなる。その結果、研磨布の巻き付け方向の端部およびその反対側の端部の接着強度がそれぞれ高まることを知見した。発明者は、これらの２つの知見より、この発明を完成させた。
【０００８】
この発明は、半導体ウェーハの外周部の全周にわたる鏡面面取りの均一性を高めることができ、これにより研磨時の研磨液によるウェーハ外周部の浸食を抑制することができ、また、鏡面面取り中の回転ドラムからの研磨布の剥がれを防ぎ、鏡面面取り装置のランニングコストの低減を図ることができるとともに、研磨布の張り替え頻度も抑制することができて、半導体ウェーハの生産性も高まる鏡面面取り装置およびそれ用の研磨布を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、面取り後の半導体ウェーハが保持されるウェーハ保持板と、該ウェーハ保持板を回転させる保持板回転手段と、円筒形状または円柱形状を有する回転体と、該回転体の外周面に巻き付け状態で貼着される研磨布と、前記回転体を回転させる回転体回転手段と、前記研磨布に砥液を供給する砥液供給手段とを備えた鏡面面取り装置において、前記研磨布は、展開すると平行四辺形状で、かつ該研磨布の回転体に対する巻き付け方向の長さを、該回転体の外周の長さより１〜２ｍｍ短くした鏡面面取り装置である。
【００１０】
請求項１に記載の鏡面面取り装置によれば、展開すれば平行四辺形状である研磨布（鏡面面取り用の研磨布）を、回転体の外周面に巻き付けて貼着すると、研磨布の巻き付け方向の辺と、それとは反対側の辺との間に１〜２ｍｍの隙間が現出される。これにより、鏡面面取り時に、砥液の浸透によって研磨布が膨潤しても、研磨布の突き合わせ側の両端部（回転ドラムに対する巻き付け方向の端部とその反対側の端部）同士が互いに干渉し難くなる。その結果、この干渉に伴う、研磨布の突き合わせ側の両端部同士の盛り上がり現象の発生頻度が減少する。また、仮にこの盛り上がり現象が発生しても、その程度（盛り上がり量）は小さい。これにより、半導体ウェーハの外周部における鏡面面取りのムラが抑えられ、半導体ウェーハの外周部の全周にわたる鏡面面取りの均一性が高まる。その結果、後工程の研磨時における研磨液による半導体ウェーハの外周部の浸食を抑制することができる。
【００１１】
また、回転体の外周面に貼着された研磨布は、その回転体への巻き付け方向の辺とそれとは反対側の辺が、回転体の軸線に対して傾斜する。これにより、従来の長方形状を有した研磨布の場合に比べて、回転体の外周面に対する研磨布の巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺の長さが、それぞれ長くなる。その結果、研磨布の巻き付け方向の端部およびその反対側の端部の接着強度がそれぞれ高められる。
【００１２】
このように、鏡面面取り用の研磨布として、展開すると平行四辺形状で、かつ研磨布の回転体に対する巻き付け方向の長さが、回転ドラムの外周の長さより１〜２ｍｍ短いものを採用したので、半導体ウェーハの外周部の全周にわたる鏡面面取りの高精度でかつ均一性が高い状態を維持することができる。これにより、後工程の研磨時において、研磨液による半導体ウェーハの外周部の浸食を抑制することができる。また、鏡面面取り中の回転体からの研磨布の剥がれを防止することができる。そのため、研磨布の剥がれを原因とした鏡面面取り装置のランニングコストを低減することができるとともに、研磨布の張り替え頻度も減少して、半導体ウェーハの生産性を高めることができる。
【００１３】
半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハ、単結晶シリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハなどになる。ウェーハ外周部にオリエンテーションフラット部が形成されたものでもよいし、ノッチ部が形成されたものでもよい。
半導体インゴットの直径は限定されない。例えば、直径２００ｍｍ、直径３００ｍｍなどでもよい。
半導体ウェーハの面取りは、例えばレジノイド面取り用砥石、メタルボンド面取り用砥石などの面取り用砥石によって行われる。
面取り後における半導体ウェーハの外周部の加工ダメージの深さは、例えば０．５〜２０μｍである。
【００１４】
ウェーハ保持板としては、例えば真空発生装置により発生された負圧力を利用した真空吸着により、ウェーハ吸着面に半導体ウェーハを保持する保持板などを採用することができる。その他、機械的に上下方向から半導体ウェーハを押さえる（クランプする）タイプの保持板などを採用することができる。
保持板回転手段としては、例えば電動モータなどを採用することができる。
ウェーハ保持板は、例えばリニヤ式の移動機構またはねじ送り機構などの移動手段により、回転体に対して接近および離反が自在に構成されている。なお、ウェーハ保持板を固定し、回転体をウェーハ保持板に対して接近および離反自在に構成してもよい。さらに、ウェーハ保持板と回転体とを互いに接近および離反自在に構成してもよい。
回転体とは、回転軸を中心にして周方向に回転自在な部材である。回転体は、円筒形状でもよいし、円柱形状でもよい。
回転体の素材としては、各種の金属、各種のセラミックス、各種の合成樹脂などを採用することができる。回転体の大きさ（サイズ）は限定されない。
研磨布の回転体に対する巻き付け方向の長さとは、例えば、回転体が円筒体であって、研磨布が、回転体の外周面の任意部分を貼り付け基端として、その回転体の外周面に対して、回転体の周方向に巻き付けられている場合には、回転体の周方向と一致した方向の研磨布の長さをいう。
また、回転体の外周の長さとは、回転体の外周面のうち、研磨布が巻き付けられる方向の長さをいう。例えば、前述したように回転体が円筒体の場合には、回転体の周方向の長さとなる。
【００１５】
研磨布の種類は限定されない。例えば、単層式の研磨布でもよいし、研磨布層の裏面にスポンジ層が形成された２層式の研磨布でもよい。
単層式における研磨布および２層式における研磨布層としては、例えば、ウレタンフォームなどの合成樹脂発泡体からなる研磨布、ポリエステル繊維製の不織布にウレタン樹脂を含浸させた硬質なベロアタイプの研磨布、不織布の基布の上にウレタン樹脂を発泡させたスエードパッドなどを採用することができる。
また、２層式のスポンジ層としては、例えばシリコンゴムスポンジ、シリコンスポンジなどを採用することができる。
研磨布の形状は、展開状態で平行四辺形状である。研磨布の大きさ（広さ）は、回転体の外周面の大きさに応じて変更される。
回転体の外周面に研磨布を貼着する方法としては、例えば両面テープ、接着剤などを採用することができる。
【００１６】
この発明では、研磨布の回転体に対する巻き付け方向の長さが、回転体の外周の長さより１〜２ｍｍだけ短く構成されている。研磨布のその巻き付け方向の長さと、回転体の外周の長さとの差が１ｍｍ未満では、砥液を含浸したときの膨潤により、研磨布の突き合わせ側の端部同士が干渉し合うおそれがある。また、２ｍｍを超えると、半導体ウェーハの外周部のうち、例えばノッチ部において、研磨布の突き合わせ側の端部と衝突したときの衝撃力が大きくなり過ぎてしまい、この衝突した部分にウェーハの欠け、チッピングなどが発生し易い。研磨布のその巻き付け方向の長さと、回転体の外周の長さとの差が１〜２ｍｍであれば、均一な粗度のウェーハ端面を形成することができる。
【００１７】
研磨布の回転体に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺が、これらの辺と直交する辺を基準として傾斜する角度はそれぞれ限定されない。例えば、７５°〜８５°である。７５°未満では、図３に示す研磨布１４Ａ（例えば傾斜角度６０°）のように、鏡面面取り時、半導体ウェーハＷ１の外周部と接触しない実質的な隙間ａが、この発明の平行四辺形を有した研磨布１４（例えば傾斜角度８０°）の場合の隙間ｂに比べて大きくなる。そのため、例えば半導体ウェーハＷ１の外周部のうち、例えばノッチ部ｎでは、研磨布１４Ａの突き合わせ側の端部と衝突したときの衝撃力が大きく、この半導体ウェーハＷ１の衝突した部分にウェーハの欠け、チッピングなどが発生し易い。
また、８５°を超えると、図３に示す研磨布１４Ｂ（例えば傾斜角度９０°）のように、鏡面面取り時、半導体ウェーハＷ１の外周部と接触しない実質的な隙間ｃは、この発明の平行四辺形を有した研磨布１４の際の隙間ｂと同程度であるが、回転体１３の外周面に対する研磨布１４の巻き付け方向の端部およびそれとは反対側の端部の接着面積が、平行四辺形の研磨布１４の場合に比べてそれぞれ小さくなる。その結果、研磨布の巻き付け方向の端部およびその反対側の端部の接着強度がそれぞれ低下し、これらの端部が剥がれ易くなる。研磨布の回転体に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺が、これらの辺と直交する辺を基準として傾斜する好ましい角度は、８０°前後である。
回転体回転手段としては、例えば電動モータを採用することができる。
【００１８】
研磨布に供給される砥液（研磨剤）としては、例えばアルカリ溶液中に焼成シリカまたはコロイダルシリカなどの遊離砥粒を分散させたものを採用することができる。
遊離砥粒の平均粒径は、例えば０．０１〜０．１μｍである。
砥液の供給量は、例えば０．２〜１リットル／分である。
砥液は、研磨布に直接供給してもよいし、鏡面面取り中の半導体ウェーハをガイドにして、研磨布のうち、鏡面面取りを行っている部分に供給してもよい。
鏡面面取り量は、例えば５〜１０μｍである。
鏡面面取り後における半導体ウェーハの外周部の加工ダメージの深さは、例えば２〜３μｍである。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、前記研磨布の回転体に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺が、両辺と直交する辺に対して８０°傾斜している請求項１に記載の鏡面面取り装置である。
これにより、請求項１により得られる効果の最適なものが得られる。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、円筒形状または円柱形状を有する回転体の外周面に貼着され、該回転体とともに回転中に、面取り後の半導体ウェーハの外周部が押し付けられる鏡面面取り用の研磨布において、展開すると平行四辺形状で、かつ前記回転体に対する巻き付け方向の長さを、該回転体の外周の長さより１〜２ｍｍ短くした鏡面面取り用の研磨布である。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、前記回転体に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺が、両辺と直交する辺に対して８０°傾斜している請求項３に記載の鏡面面取り用の研磨布である。
【発明の効果】
【００２２】
この発明によれば、このように鏡面面取り用の研磨布として、展開すると平行四辺形状で、かつ研磨布の回転体に対する巻き付け方向の長さが、回転ドラムの外周の長さより１〜２ｍｍ短いものを採用したので、半導体ウェーハの外周部の全周にわたる鏡面面取りの高精度でかつ均一性が高い状態を維持することができる。これにより、後工程の研磨時において、研磨液による半導体ウェーハの外周部の浸食を抑制することができる。また、鏡面面取り中の回転体からの研磨布の剥がれを防止することができ、その結果、鏡面面取り装置のランニングコストを低減することができるとともに、研磨布の張り替え頻度も減少して、半導体ウェーハの生産性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００２４】
図１において、１０は鏡面面取り装置で、この鏡面面取り装置１０は、面取り後の単結晶のシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）Ｗが保持されるウェーハ保持板１１と、ウェーハ保持板１１を回転させる保持板回転モータ（保持板回転手段）１２と、円筒形状（円柱形状でもよい）を有する回転ドラム（回転体）１３と、回転ドラム１３の外周面に巻き付け状態で貼着される鏡面面取り用の研磨布１４と、回転ドラム１３を回転させるドラム回転モータ（回転体回転手段）１５と、研磨布１４に砥液を供給する砥液供給手段１６とを備えている。
【００２５】
シリコンウェーハＷは、ＣＺ法により引き上げられた単結晶シリコン製の８インチウェーハ用のインゴット（半導体インゴット）を多数枚のウェーハに切断し、その後は、面取り、ラッピング、エッチングの各工程が順次施されたものである。
ウェーハ保持板１１は、真空発生装置により発生した負圧力を利用し、ウェーハ吸着面にシリコンウェーハＷを吸着保持する円板である。ウェーハ保持板１１は、シリコンウェーハＷの直径より若干小径である。
ウェーハ保持板１１の中央部の下面には、電動式の保持板回転モータ１２の出力軸１２ａが連結されている。これにより、ウェーハ保持板１１はその中心線を中心にして回転自在となっている。
【００２６】
回転ドラム１３は、垂直な軸線を中心にして回転自在な筒体で、その下端板の中央部の下面に、電動式のドラム回転モータ１５の出力軸１５ａが連結されている。これにより、回転ドラム１３はその軸線を中心にして回転自在となっている。回転ドラム１３の寸法は、直径３００ｍｍ、長さ１５０ｍｍである。そのため、回転ドラム１３の周方向の長さ（外周の長さ）は９４２ｍｍである。
研磨布１４は、展開すると平行四辺形状で（図２）、かつ研磨布１４の回転ドラム１３に対する巻き付け方向の長さを、回転ドラム１３の外周の長さより１〜２ｍｍだけ短くしている（具体的には９４０〜９４１ｍｍ）。これにより、研磨布１４の突き合わせ側の両辺（両端）間には、１〜２ｍｍの隙間ｂが形成される（図１および図３）。
【００２７】
研磨布１４の回転ドラム１３に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺は、これらの辺と直交する辺に対して８０°だけ傾斜している。
研磨布１４としては、ニッタ・ハース社製のＳｕｂａ６００（アスカーＣ硬度７８、厚さ１．２７ｍｍ）の研磨布１４層の裏面に、ゴム（厚さ２ｍｍ）の層が貼着された２層式の研磨布１４が採用されている。
砥液供給手段１６は、スラリーノズル１６ａを介して、内蔵するスラリータンクに貯液された砥液（スラリー）を、研磨布１４の表面に供給するスラリー供給装置である。砥液供給手段１６による砥液の供給量は、０．２リットル／分である。
【００２８】
次に、この発明の実施例１に係る鏡面面取り装置１０によるシリコンウェーハＷの鏡面面取り工程を説明する。
鏡面面取り時には、まず、シリコンウェーハＷの中央部の一帯を、ウェーハ外周部の裏面を露出させた状態で、ウェーハ保持板１１のウェーハ吸着面（上面）に真空吸着する。その後、ドラム回転モータ１５により回転ドラム１３を８００ｒｐｍで高速回転させるとともに、保持板回転モータ１２により、シリコンウェーハＷが吸着されたウェーハ保持板１１を１ｒｐｍで回転させる。その後、ウェーハ保持板１１を回転ドラム側に移動させ、ウェーハ保持板１１に吸着されたシリコンウェーハＷの外周部を、研磨布１４に押し当てる。このとき、研磨布１４には、砥液供給手段１６からスラリーノズル１６ａを通して、砥液が０．２リットル／分で供給されている。こうして、シリコンウェーハＷの面取り部が鏡面面取りされる。鏡面面取り量は５μｍである。シリコンウェーハｗの外周部の加工ダメージは、１μｍ程度である。
【００２９】
このとき、回転ドラム１３の外周面には、平行四辺形状の研磨布１４が巻き付け状態で貼着されている。しかも、研磨布１４の巻き付け方向の辺と、それとは反対側の辺との間には２ｍｍの隙間ｂが現出されている。これにより、鏡面面取り時に、砥液の浸透によって研磨布１４が膨潤しても、研磨布１４の突き合わせ側の両端部同士が互いに干渉するおそれが低減される。その結果、この干渉に伴う、研磨布１４の突き合わせ側の両端部同士の盛り上がり現象の発生頻度が少なくなる。また、仮にこの盛り上がり現象が起きたとしても、その度合い（盛り上がり量）は小さくなる。これにより、シリコンウェーハＷの外周部における鏡面面取りのムラが抑えられ、シリコンウェーハＷの外周部の全周にわたる鏡面面取りの均一性が高まる。したがって、後工程の研磨時における研磨液によるシリコンウェーハＷの外周部の浸食を抑制することができる。
【００３０】
また、回転ドラム１３の外周面に貼着された研磨布１４は、その回転ドラム１３への巻き付け方向の辺とそれとは反対側の辺が、回転ドラム１３の軸線に対して傾斜している。これにより、従来の長方形状を有した研磨布の場合に比べて、回転ドラム１３の外周面に対する研磨布１４の巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺の長さが、それぞれ長い。これは、回転体１３の外周面に対する研磨布１４の巻き付け方向の端部およびそれとは反対側の端部の接着面積が、従来の長方形の研磨布の場合に比べて大きいことを意味する。その結果、研磨布１４の巻き付け方向の端部およびそれとは反対側の端部の接着強度（接着力）が、それぞれ高められる。
しかも、鏡面面取り時には、研磨布１４の巻き付け方向の端部のうち、シリコンウェーハＷの面取り部が当接する部分の長さは、従来の長方形の研磨布１４の場合よりも長くなる。その結果、高速回転中の研磨布１４の巻き付け方向の端部およびそれとは反対側の端部に、シリコンウェーハＷの面取り部が順次当接した際、シリコンウェーハＷの各当接部分に作用する応力は、従来の場合よりもそれぞれ小さくなる。その結果、鏡面面取り時、研磨布１４は回転ドラム１３の外周面から剥がれ難くなる。
【００３１】
このように、鏡面面取り用の研磨布１４として、展開すると平行四辺形状で、かつ研磨布１４の回転ドラム１３に対する巻き付け方向の長さが、回転ドラム１３の外周の長さより１〜２ｍｍ短いものを採用したので、シリコンウェーハＷの外周部の全周にわたる鏡面面取りの高精度で、かつ均一性が高い状態を維持することができる。これにより、後工程の研磨時において、研磨液（砥液）によるシリコンウェーハＷの外周部の浸食を抑制することができる。また、鏡面面取り中の回転ドラム１３からの研磨布１４の剥がれを防止することができる。これにより、鏡面面取り装置１０のランニングコストを低減することができるとともに、研磨布１４の張り替え頻度も減少して、シリコンウェーハＷの生産性を高めることができる。
【００３２】
このような鏡面面取りを施した後は、シリコンウェーハＷに対して鏡面研磨が施され、所定の品質検査を経て、梱包し、デバイス工場などに出荷される。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】この発明の実施例１に係る鏡面面取り装置の使用状態を示す斜視図である。
【図２】この発明の実施例１に係る研磨布の展開図である。
【図３】この発明の実施例１に係る研磨布の回転体に対する巻き付け方向の辺およびそれとは反対側の辺において、両辺と直交する辺に対する傾斜角度の違いを示す要部拡大正面図である。
【図４】従来手段に係る鏡面面取り装置の使用状態を示す斜視図である。
【図５】従来手段に係る研磨布の展開図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  鏡面面取り装置、
１１  ウェーハ保持板、
１２  保持板回転モータ（保持板回転手段）、
１３  回転ドラム（回転体）、
１４  研磨布、
１５  回転体回転モータ（回転体回転手段）、
１６  砥液供給手段、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【図１】
2006156688.tif 000003
【図２】
2006156688.tif 000004
【図３】
2006156688.tif 000005
【図４】
2006156688.tif 000006
【図５】
2006156688.tif 000007