(57)【要約】【課題】  アモルファスシリコン薄膜トランジスタとポリシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネルにおいて、より一層の小型化を図る。【解決手段】  光電気変換型の薄膜トランジスタ３のアモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１は、駆動回路用のＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２のポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６よりも上層側に設けられている。これにより、半導体薄膜４１を半導体薄膜２５、２６と同一の層上に設ける場合と比較して、より一層の小型化を図ることができる。この場合、薄膜トランジスタ３のソース・ドレイン電極１０は、薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５と同一の層（オーミックコンチクト層４３を含むボトムゲート絶縁膜３１）上に同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ポリシリコンからなる半導体薄膜及び複数の電極を有するポリシリコン薄膜トランジスタと、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜及び複数の電極を有するアモルファスシリコン薄膜トランジスタと、が設けられた薄膜トランジスタパネルにおいて、
前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記アモルファスシリコンからなる半導体薄膜は、前記ポリシリコン薄膜トランジスタの前記ポリシリコンからなる半導体薄膜の上部に絶縁膜を介して設けられ、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかは、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかと同一の層に形成され、当該電極と同一の導電材料からなることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極における、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかと同一の層に形成される電極に接続され、当該電極と同一の導電材料によって同一の層に形成される、接続パッドを有する第１の配線と、
前記第１の配線と絶縁膜を介して、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかと同一の導電材料で、当該電極と同一の層に設けられ、該絶縁膜の前記第１の配線の接続パッドに対応する箇所に設けられるコンタクトホールを介して、前記第１の配線に電気的に接続される第２の配線と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、
前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、その半導体薄膜の上方及び下方にそれぞれ絶縁膜を介して設けられたトップゲート電極及びボトムゲート電極を備えたダブルゲート型の薄膜トランジスタからなることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層は、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層に、同一の導電材料によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項５】
請求項３に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層は、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのボトムゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項６】
請求項３に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層は、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのトップゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項７】
請求項３に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート電極を含む導電体層は、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのボトムゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項８】
請求項３に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート電極を含む導電体層は、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのボトムゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって形成され、且つ、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層は、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極同一の層に、同一の導電材料によって形成されて設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタはトップゲート型であることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項１０】
請求項１に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタはボトムゲート型であることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項１１】
請求項１に記載の発明において、
前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、前記基板上の所定の領域にマトリクス状に配置され、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタは、前記基板上の、前記所定の領域に隣接する周辺領域に配置されて、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタを駆動する駆動回路部を構成していることを特徴とする薄膜トランジスタパネル。
【請求項１２】
基板上に、ポリシリコンからなる半導体薄膜及び複数の電極を有するポリシリコン薄膜トランジスタと、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜及び複数の電極を有するアモルファスシリコン薄膜トランジスタと、が設けられた薄膜トランジスタパネルの製造方法において、
前記基板上に、ポリシリコンからなる半導体薄膜を形成する工程と、
前記ポリシリコンからなる半導体薄膜を用いて前記ポリシリコン薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記ポリシリコンからなる半導体薄膜の上部に、絶縁膜を介して、前記アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を用いて前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタを形成する工程とを有し、
前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタを形成する工程及び前記ポリシリコン薄膜トランジスタを形成する工程は、前記ポリシリコン薄膜トランジスタの前記複数のいずれかを、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかの電極と同一の導電材料によって同時に形成する工程を含んでいることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、
前記ポリシリコンからなる半導体薄膜を形成する工程は、第１の温度条件下で行なわれ、
前記アモルファスシリコンからなる半導体薄膜を形成する工程は、最高温度が前記第１の温度条件よりも低い第２の温度条件下で行なわれることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の発明において、
前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタは、その半導体薄膜の上方及び下方にそれぞれ絶縁膜を介して設けられたトップゲート電極及びボトムゲート電極を備えたダブルゲート型の薄膜トランジスタからなることを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層を、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同窓に、同一の導電材料によって同時に形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層を、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのボトムゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって同時に形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層を、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのトップゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって同時に形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート電極を含む導電体層を、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのボトムゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって同時に形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのゲート電極を含む導電体層を、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのボトムゲート電極と同一の層に、同一の導電材料によって同時に形成し、且つ、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を含む導電体層を、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極と同一の層に、同一の導電材料によって同時に形成することを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【請求項２０】
請求項１２に記載の発明において、
前記ポリシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極における、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかと同一の層に形成される電極に接続されて当該電極と同一の導電材料よりなり、接続パッドを有する第１の配線を、当該電極と同時に形成する工程と、
前記第１の配線の上部に絶縁膜を形成し、該絶縁膜の前記第１の配線の接続パッドに対応する箇所に設けられるコンタクトホールを形成する工程と、
前記コンタクトホールに対応する前記絶縁膜上に、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかと同一の導電材料よりなる第２の配線を形成し、該コンタクトホールを介して前記第２の配線と前記第１の配線とを電気的に接続する工程と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は薄膜トランジスタパネル及びその製造方法に関し、特に、ポリシリコン薄膜トランジスタとアモルファスシリコン薄膜トランジスタとを備えた薄膜トランジスタパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像読取装置には、例えば、ガラス基板上のほぼ中央部の画像読取領域に複数のフォトセンサを配置し、ガラス基板上の画像読取領域の外側に、フォトセンサを駆動するための半導体チップを配置したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、このような画像読取装置では、画像読取領域に対してその外側に配置された半導体チップが上方に突出しているため、例えば指紋読取装置として用いた場合、被写体である指が半導体チップに当接すると、指を画像読取領域に所期の通り密接させることができず、適切な指紋読取動作が実行されず、誤動作等の不具合が生じる要因となってしまう。
【０００４】
そこで、このような半導体チップの上方への突出による不具合を回避するために、画像読取領域からある程度離れた位置に半導体チップを配置する構成を採用することが考えられるが、このようにした場合には、装置全体が大型化し、携帯機器等への搭載を考慮した場合、好ましくない。
【０００５】
一方、アクティブマトリクス型の液晶表示装置には、例えば、ガラス基板上にアモルファスシリコン薄膜を成膜し、このアモルファスシリコン薄膜のうち、ポリシリコン薄膜トランジスタ形成領域のみを選択的に結晶化してポリシリコン薄膜を形成し、アモルファスシリコン薄膜形成領域にアモルファスシリコン薄膜トランジスタを形成し、ポリシリコン薄膜形成領域にポリシリコン薄膜トランジスタを形成するようにしたものがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
そして、このような液晶表示装置では、ガラス基板上のほぼ中央部の画像表示領域にスイッチング素子としてのアモルファスシリコン薄膜トランジスタを形成し、ガラス基板上の画像表示領域の外側に、アモルファスシリコン薄膜トランジスタを駆動するための駆動回路部としてのポリシリコン薄膜トランジスタを形成すると、最上面がほぼ平坦となる。そこで、このような構造を指紋読取装置に採用すると、駆動回路部を画像読取領域から必要以上に離す必要はなく、装置全体を小型化することができる。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−８４１４号公報（図３）
【特許文献２】特公平５−９７９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献２に記載の液晶表示装置では、ガラス基板上に成膜されたアモルファスシリコン薄膜のうち、ポリシリコン薄膜トランジスタ形成領域（駆動回路部形成領域）のみを選択的に結晶化してポリシリコン薄膜を形成しているので、ポリシリコン薄膜を部分的に形成する工程が必要となる。
【０００９】
このため、アモルファスシリコン薄膜の結晶化を例えばレーザ照射により行なう場合には、レーザ照射位置を高精度に制御するとともに、細いレーザビームをスキャンさせてアモルファスシリコン薄膜を選択的に結晶化することが必要となり、ひいては製造装置の高精度化が必要であるとともに、結晶化工程に比較的長い時間を要し、製造コストの上昇を招くという問題があった。
【００１０】
また、アモルファスシリコン薄膜の結晶化は、アモルファスシリコン薄膜を６００℃程度に加熱処理することによって行なわれるものであるため、結晶化する領域と結晶化しない領域を明確に分離することが難しく、そのためにアモルファスシリコン薄膜トランジスタからなる画像表示領域とポリシリコン薄膜トランジスタからなる駆動回路部とを基板上において十分接近させて配置することが難しく、装置全体の小型化に限界があるという問題があった。
【００１１】
そこで、この発明は、製造コストを低減することができ、また装置全体のより一層の小型化を図ることができる薄膜トランジスタパネル及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、上記目的を達成するため、基板上に、ポリシリコンからなる半導体薄膜及び複数の電極を有するポリシリコン薄膜トランジスタと、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜及び複数の電極を有するアモルファスシリコン薄膜トランジスタと、が設けられた薄膜トランジスタパネルにおいて、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記アモルファスシリコンからなる半導体薄膜は、前記ポリシリコン薄膜トランジスタの前記ポリシリコンからなる半導体薄膜の上部に絶縁膜を介して設けられ、前記ポリシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかは、前記アモルファスシリコン薄膜トランジスタの前記複数の電極のいずれかと同一の層に形成され、当該電極と同一の導電材料からなることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの半導体薄膜をポリシリコン薄膜トランジスタの半導体薄膜よりも上層側に設けているので、ポリシリコン薄膜トランジスタの半導体薄膜を形成した後に、その上層にアモルファスシリコン薄膜トランジスタの半導体薄膜を形成すればよく、したがって成膜されたアモルファスシリコン薄膜全体を結晶化してポリシリコン薄膜を形成するようにしてもよく、従来技術にあるように、成膜されたアモルファスシリコン薄膜の特定の領域を選択的に結晶化するような工程が不要となり、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。
【００１４】
また、ポリシリコン薄膜トランジスタの半導体薄膜の上層側にアモルファスシリコン薄膜トランジスタの半導体薄膜が設けられ、ポリシリコン薄膜トランジスタとアモルファスシリコン薄膜トランジスタとが異なる層に分離して形成されるため、ポリシリコン薄膜トランジスタとアモルファスシリコン薄膜トランジスタとを十分接近させて配置することができ、ひいては装置全体のより一層の小型化を図ることができる。
【００１５】
さらに、ポリシリコン薄膜トランジスタの複数の電極のいずれかを、アモルファスシリコン薄膜トランジスタの複数の電極のいずれかと同一の層に、同一の導電体材料によって形成しているので、これらの電極を別々に形成する場合と比較して、工程数を削減することができる上、これらの電極間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、これらの電極間とを接続するためのコンタクトホールを形成する必要もない。これにより、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての、例えば画像読取装置を構成する薄膜トランジスタパネルの要部の等価回路的平面図を示す。この薄膜トランジスタパネルはガラス基板１を備えている。ガラス基板１上のほぼ中央部の画像読取領域２には、フォトセンサとしての複数の光電変換型の薄膜トランジスタ３がマトリクス状に配置されている。
【００１７】
ガラス基板１上において画像読取領域２の右側、左側及び下側の各隣接する領域には、薄膜トランジスタ３を駆動するための後述する第１〜第３の駆動回路部４〜６が設けられている。ガラス基板１上の下端部には複数の外部接続端子７が設けられている。外部接続端子７は、後述するように、ガラス基板１上に設けられた上層接続配線及び下層接続配線を介して、第１〜第３の駆動回路部４〜６等に接続されている。
【００１８】
薄膜トランジスタ３は、その具体的な構造については後で説明するが、トップゲート電極８、ボトムゲート電極９及びソース・ドレイン電極１０、１０を備えている。トップゲート電極８は、画像読取領域２において行方向に配置されたトップゲートライン１１を介して第１の駆動回路部（トップゲートドライバ）４に接続されている。ボトムゲート電極９は、画像読取領域２において行方向に配置されたボトムゲートライン１２を介して第２の駆動回路部（ボトムゲートドライバ）５に接続されている。
【００１９】
一方のソース・ドレイン電極１０は、画像読取領域２において列方向に配置されたドレインライン１３を介して第３の駆動回路部（ドレインドライバ）６に接続されている。他方のソース・ドレイン電極１０は、画像読取領域２等に配置された接地ライン（図示せず）を介して、外部接続端子７のうちの接地用外部接続端子に接続されている。
【００２０】
次に、この薄膜トランジスタパネルの一部の具体的な構造の一例について、図２を参照して説明する。この場合、図２の左側から右側に向かって、外部接続端子７の部分の断面図、第１〜第３の駆動回路部４〜６の各一部を構成するＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２の部分の断面図、第１〜第３の層間コンタクトの部分の断面図、光電変換型の薄膜トランジスタ３の部分の断面図を示す。
【００２１】
まず、第１〜第３の駆動回路部４〜６の各一部を構成するＣＭＯＳ薄膜トランジスタ２１、２２の部分について説明する。ガラス基板１上の駆動回路部形成領域には、例えばポリシリコン薄膜トランジスタによるＮＭＯＳ薄膜トランジスタ２１とＰＭＯＳ薄膜トランジスタ２２とからなるＣＭＯＳ薄膜トランジスタが設けられている。
【００２２】
各薄膜トランジスタ２１、２２は、ガラス基板１の上面に設けられた第１及び第２の下地絶縁膜２３、２４の上面に設けられたポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を備えている。この場合、第１の下地絶縁膜２３は窒化シリコンからなり、第２の下地絶縁膜２４は酸化シリコンからなっている。
【００２３】
ＮＭＯＳ薄膜トランジスタ２１は、例えばＬＤＤ(Lightly Doped Drain)構造を有して構成されている。すなわち、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタ２１の半導体薄膜２５の中央部は真性領域からなるチャネル領域２５ａとされ、その両側はｎ型不純物低濃度領域からなるソース・ドレイン領域２５ｂとされ、さらにその両側はｎ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域２５ｃとされている。一方、ＰＭＯＳ薄膜トランジスタ２２の半導体薄膜２６の中央部は真性領域からなるチャネル領域２６ａとされ、その両側はｐ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域２６ｂとされている。
【００２４】
半導体薄膜２５、２６を含む第２の下地絶縁膜２４の上面には酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２７が設けられている。各チャネル領域２５ａ、２６ａ上におけるゲート絶縁膜２７の上面にはモリブデンからなるゲート電極２８、２９が設けられている。ゲート電極２８、２９を含むゲート絶縁膜２７の上面には窒化シリコンからなる層間絶縁膜３０及びボトムゲート絶縁膜３１が設けられている。
【００２５】
半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂ上におけるボトムゲート絶縁膜３１、層間絶縁膜３０及びゲート絶縁膜２７にはコンタクトホール３２、３３が設けられている。コンタクトホール３２、３３内及びその各近傍の層間絶縁膜３０の上面にはモリブデンからなる導電体層３４、３５がコンタクトホール３２、３３を介してソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続されて設けられ、ソース・ドレイン電極及びそれに接続される配線を構成している。ここで、導電体層３４、３５はボトムゲート絶縁膜３１上に形成された部分と、コンタクトホール３２、３３内に充填された部分からなる。また、導電体層３４、３５を含むボトムゲート絶縁膜３１の上面には窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜３６及びオーバーコート膜３７が設けられている。
【００２６】
そして、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタ２１は、半導体薄膜２５、ゲート絶縁膜２７、ゲート電極２８及びソース・ドレイン電極を含む導電体層３４によって構成されている。ＰＭＯＳ薄膜トランジスタ２２は、半導体薄膜２６、ゲート絶縁膜２７、ゲート電極２９及びソース・ドレイン電極を含む導電体層３５によって構成されている。これにより、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタ２１とＰＭＯＳ薄膜トランジスタ２２とからなるＣＭＯＳ薄膜トランジスタ、つまり、第１〜第３の駆動回路部４〜６は、ガラス基板１上に一体形成されている。
【００２７】
次に、光電変換型の薄膜トランジスタ３の部分について説明する。駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９を覆うように設けられた層間絶縁膜３０の上面にはクロム（遮光性金属）からなるボトムゲート電極９が設けられている。ボトムゲート電極９を含む層間絶縁膜３０の上面にはボトムゲート絶縁膜３１が設けられている。ボトムゲート電極９上におけるボトムゲート絶縁膜３１の上面には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１が設けられている。
【００２８】
半導体薄膜４１の上面ほぼ中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜４２が設けられている。チャネル保護膜４２の上面両側及びその両側における半導体薄膜４１の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層４３が設けられている。オーミックコンタクト層４３の上面及びその近傍のボトムゲート絶縁膜３１の上面にはモリブデンからなるソース・ドレイン電極１０が設けられている。
【００２９】
ソース・ドレイン電極１０を含むボトムゲート絶縁膜３１の上面にはトップゲート絶縁膜３６が設けられている。半導体薄膜４１上におけるトップゲート絶縁膜３６の上面にはＩＴＯ（透光性金属）からなるトップゲート電極８が設けられている。トップゲート電極８を含むトップゲート絶縁膜３６の上面にはオーバーコート膜３７が設けられている。
【００３０】
そして、光電変換型の薄膜トランジスタ３は、ボトムゲート電極９、ボトムゲート絶縁膜３１、半導体薄膜４１、チャネル保護膜４２、オーミックコンタクト層４３及びソース・ドレイン電極１０によって構成されたボトムゲート型の選択用薄膜トランジスタと、トップゲート電極８、トップゲート絶縁膜３６、半導体薄膜４１、チャネル保護膜４２、オーミックコンタクト層４３及びソース・ドレイン電極１０によって構成されたトップゲート型のセンサ用薄膜トランジスタと、によって構成されている。これにより、光電変換型の薄膜トランジスタ３は、ガラス基板１上に一体形成されている。
【００３１】
次に、外部接続端子７の部分について説明する。モリブデンからなる外部接続端子７は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられ、オーバーコート膜３７及びトップゲート絶縁膜３６に設けられた開口部４４を介して露出されている。
【００３２】
次に、第１〜第３の層間コンタクトの部分について説明する。第１の層間コンタクトの部分においては、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたモリブデンからなる第１の上層接続配線４５は、ボトムゲート絶縁膜３１及び層間絶縁膜３０に設けられたコンタクトホール４６を介して、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられたモリブデンからなる第１の下層接続配線４７の接続パッド部に接続されている。ここで、第１の上層接続配線４５は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に形成された部分と、コンタクトホール４６内に充填された部分からなる。
【００３３】
第２の層間コンタクトの部分においては、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたモリブデンからなる第２の上層接続配線４８は、ボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール４９を介して、層間絶縁膜３０の上面に設けられたクロムからなる第２の下層接続配線５０の接続パッド部に接続されている。ここで、第２の上層接続配線４８は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に形成された部分と、コンタクトホール４９内に充填された部分からなる。
【００３４】
第３の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１は、トップゲート絶縁膜３６に設けられたコンタクトホール５２を介して、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたからなるモリブデンからなる第３の下層接続配線５３の接続パッド部に接続されている。ここで、第３の上層接続配線５１は、トップゲート絶縁膜３６の上面に形成された部分と、コンタクトホール５２内に充填された部分からなる。
【００３５】
次に、図２に示す各部の電気的接続について説明する。光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９は、第２の下層接続配線５０及び第２の上層接続配線４８の各導電体層を介して、つまり図１に示すボトムゲートライン１２を介して、第２の駆動回路部（ボトムゲートドライバ）５の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含むに導電体層３４、３５に接続されている。
【００３６】
光電変換型の薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１０は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、つまり図１に示すドレインライン１３を介して、第３の駆動回路部（ドレインドライバ）６の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【００３７】
光電変換型の薄膜トランジスタ３の他方のソース・ドレイン電極１０は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、つまり図１において図示しない接地ラインを介して、外部接続端子７のうちの接地用外部接続端子に接続されている。
【００３８】
光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８は、第３の上層接続配線５１及び上層接続配線５１に接続される第３の下層接続配線５３の各導電体層を介して、つまり図１に示すトップゲートライン１１を介して、第１の駆動回路部（トップゲートドライバ）４の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【００３９】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９は、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５の各導電体層を介して、外部接続端子７に接続されている。駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、外部接続端子７に接続されている。
【００４０】
ここで、本実施形態においては、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、オーミックコンタクト層４３の上面を含むボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられた光電変換型の薄膜トランジスタ３のモリブデンからなるソース・ドレイン電極１０と同一の層に、同一の導電材料により形成されている。
【００４１】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図３に示すように、ガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる第１の下地絶縁膜２３（膜厚２０００Å程度）、酸化シリコンからなる第２の下地絶縁膜２４（膜厚１０００Å程度）及びアモルファスシリコン薄膜６１（膜厚５００Å程度）を連続して成膜する。ここで、アモルファスシリコン薄膜６１を成膜する工程は、概ね３００℃程度を最高温度とする温度条件（第２の温度条件）で行なわれる。
【００４２】
次に、水素含有量の多いプラズマＣＶＤ法で成膜したアモルファスシリコン薄膜６１の含有水素を除去するために、窒素ガス雰囲気中において５００℃程度の温度で１時間程度の脱水素処理を行なう。この脱水素処理は、アモルファスシリコン薄膜６１に後工程でエキシマレーザの照射により高エネルギーを与えると、アモルファスシリコン薄膜６１中の水素が突沸して欠陥が生じるので、これを回避するために行なうものである。
【００４３】
次に、アモルファスシリコン薄膜６１に上面側からエキシマレーザを照射することにより、アモルファスシリコン薄膜６１を結晶化してポリシリコン薄膜６２を形成する。ここで、アモルファスシリコン薄膜６１を結晶化してポリシリコン薄膜６２とする工程は、概ね６００℃程度を最高温度とする温度条件（第１の温度条件）で行なわれる。
【００４４】
次に、ポリシリコン薄膜６２をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図４に示すように、半導体薄膜２５、２６を形成する。次に、図５に示すように、半導体薄膜２５、２６を含む第２の下地絶縁膜２４の上面に、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２７（膜厚１０００Å程度）を成膜する。次に、ゲート絶縁膜２７の上面に、スパッタ法により成膜されたモリブデン膜（膜厚３０００Å程度）からなる導電体層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極２８、２９及び第１の下層接続配線４７を形成する。
【００４５】
次に、図６に示すように、フォトリソグラフィ法により形成された、ソース・ドレイン領域２６ｂに対応する部分に開口部を有する第１のレジストパターン（図示せず）をマスクとして、ｐ型不純物を高濃度で注入する。一例として、ボロンイオンを加速エネルギー３０ｋｅＶ、ドーズ量３×１０15ａｔｍ／ｃｍ2の条件で注入する。これにより、半導体薄膜２６は、ゲート電極２９下の真性領域からなるチャネル領域２６ａと、その両側におけるｐ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域２６ｂとを有するものとなる。この後、第１のレジストパターンを剥離する。
【００４６】
次に、フォトリソグラフィ法により形成された、ソース・ドレイン領域２５ｃに対応する部分に開口部を有する第２のレジストパターン（図示せず）をマスクとして、ｎ型不純物を高濃度で注入する。一例として、リンイオンを加速エネルギー７０ｋｅＶ、ドーズ量３×１０15ａｔｍ／ｃｍ2の条件で注入する。この後、第２のレジストパターンを剥離する。
【００４７】
次に、フォトリソグラフィ法により形成された、ソース・ドレイン領域２５ｂに対応する部分に開口部を有する第３のレジストパターン（図示せず）をマスクとして、ｎ型不純物を低濃度で注入する。一例として、リンイオンを加速エネルギー７０ｋｅＶ、ドーズ量３×１０13ａｔｍ／ｃｍ2の条件で注入する。この後、第３のレジストパターンを剥離する。
【００４８】
これにより、半導体薄膜２５は、ゲート電極２８下の真性領域からなるチャネル領域２５ａと、その両側におけるｎ型不純物低濃度領域からなるソース・ドレイン領域２５ｂと、さらにその両側におけるｎ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域２５ｃとを有するものとなる。
【００４９】
次に、窒素ガス雰囲気中において４５０℃程度の温度で１時間程度の注入イオン活性化処理を行なう。ここで、第１〜第３のレジストパターンをマスクとした各イオン注入工程は、上記順序に特に制約されるものではなく、任意の順序で行なうようにしてもよく、また他の方法、例えばゲート電極２８、２９をマスクとしたイオン注入工程を含む方法であってもよい。
【００５０】
次に、図７に示すように、ゲート電極２８、２９及び第１の下層接続配線４７を含むゲート絶縁膜２７の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる層間絶縁膜３０（膜厚３０００Å程度）を成膜する。次に、層間絶縁膜３０の上面に、スパッタ法により成膜されたクロム膜（膜厚１０００Å程度）からなる導電体層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ボトムゲート電極９及び第２の下層接続配線５０を形成する。
【００５１】
次に、図８に示すように、ボトムゲート電極９及び第２の下層接続配線５０を含む層間絶縁膜３０の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜３１（膜厚３０００Å程度）、真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜形成用層４１ａ（膜厚５００Å程度）及び窒化シリコンからなるチャネル保護膜形成用層４２ａ（膜厚１０００Å程度）を連続して成膜する。この場合、真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜形成用層４１ａは、図３に示すアモルファスシリコン薄膜６１の成膜の場合と同様に、概ね３００℃程度の温度条件で成膜される。
【００５２】
次に、チャネル保護膜形成用層４２ａをフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図９に示すように、チャネル保護膜４２を形成する。次に、図１０に示すように、チャネル保護膜４２を含む半導体薄膜形成用層４１ａの上面に、プラズマＣＶＤ法により、ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用層４３ａ（膜厚２５０Å程度）を成膜する。この場合も、ｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用層４３ａは、図３に示すアモルファスシリコン薄膜６１の成膜の場合と同様に、概ね３００℃程度の温度条件で成膜される。
【００５３】
次に、オーミックコンタクト層形成用層４３ａ及び半導体薄膜形成用層４１ａをフォトリソグラフィ法により連続してパターニングすることにより、図１１に示すように、オーミックコンタクト層４３及び半導体薄膜４１を形成する。
【００５４】
次に、図１２に示すように、フォトリソグラフィ法により、半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂ上におけるボトムゲート絶縁膜３１、層間絶縁膜３０及びゲート絶縁膜２７にコンタクトホール３２、３３を連続して形成し、また第１の下層接続配線４７の接続パッド部上におけるボトムゲート絶縁膜３１及び層間絶縁膜３０にコンタクトホール４６を連続して形成し、さらに第２の下層接続配線５０の接続パッド部上におけるボトムゲート絶縁膜３１にコンタクトホール４９を形成する。
【００５５】
次に、ボトムゲート絶縁膜３１の上面及びオーミックコンタクト層４３の上面に、スパッタ法によりモリブデン膜（膜厚２０００Å程度）からなる導電体層を成膜し、コンタクトホール３２、３３、４６、４９内を埋め、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、導電体層３４、３５をコンタクトホール３２、３３を介して半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続させて形成してソース・ドレイン電極及びそれに接続される配線を形成する。また、第１、第２の上層接続配線４５、４８をコンタクトホール４６、４９を介して第１、第２の下層接続配線４７、５０の接続パッド部に接続させて形成し、さらにソース・ドレイン電極１０、第３の下層接続配線５３及び外部接続端子７を形成する。
【００５６】
次に、図１３に示すように、外部接続端子７、導電体層３４、３５、第１、第２の上層接続配線４５、４８、第３の下層接続配線５３及びソース・ドレイン電極１０を含むボトムゲート絶縁膜３１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜３６（膜厚３０００Å程度）を成膜する。
【００５７】
次に、第３の下層接続配線５３の接続パッド部上におけるトップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール５２を連続して形成する。次に、コンタクトホール５２内及びトップゲート絶縁膜３６の上面に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜（膜厚５００Å程度）からなる導電体層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、第３の上層接続配線５１をコンタクトホール５２を介して第３の下層接続配線５３の接続パッド部に接続させて形成し、またトップゲート電極８を形成する。
【００５８】
次に、図２に示すように、トップゲート電極８及び第３の上層接続配線５１を含むトップゲート絶縁膜３６の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなるオーバーコート膜３７（膜厚６０００Å程度）を成膜する。次に、外部接続端子７上におけるオーバーコート膜３７、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に、フォトリソグラフィ法により、開口部４４を連続して形成する。かくして、図２に示す薄膜トランジスタパネルが得られる。
【００５９】
ところで、上記製造方法では、光電変換型の薄膜トランジスタ３のアモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６よりも上層側に設けているので、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を形成した後に、その上層に光電変換型の薄膜トランジスタ３のアモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を形成すればよく、したがって成膜されたアモルファスシリコン薄膜６１全体を結晶化してポリシリコン薄膜６２を形成するようにしてもよく、従来技術にあるように、成膜されたアモルファスシリコン薄膜の特定の領域を選択的に結晶化するような工程が不要となり、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。
【００６０】
また、上記製造方法では、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２の半導体薄膜２５、２６の上層側に光電変換型の薄膜トランジスタ３の半導体薄膜４１を形成し、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２と光電変換型の薄膜トランジスタ３とを異なる層に分離して形成しているので、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２と光電変換型の薄膜トランジスタ３とを十分接近させて配置することができ、装置全体の面積をより一層小さくすることができ、ひいては装置全体をより一層小型化することができる。
【００６１】
また、上記製造方法では、図３に示すように、アモルファスシリコン薄膜６１を比較的低い温度条件（概ね３００℃程度）で成膜し、次いでアモルファスシリコン薄膜６１を結晶化してポリシリコン薄膜６２を形成する工程を比較的高い温度条件（概ね６００℃程度）で行ない、次いで図８に示すように、アモルファスシリコン薄膜４１ａを比較的低い温度条件（概ね３００℃程度）で成膜しているので、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２及び光電変換型の薄膜トランジスタ３の各素子特性を良好に維持することができる。
【００６２】
すなわち、上記とは逆に、アモルファスシリコン薄膜４１ａを比較的低い温度条件（概ね３００℃程度）で成膜し、次いで半導体薄膜４１を形成した後に、アモルファスシリコン薄膜６１を比較的低い温度条件（概ね３００℃程度）で成膜し、次いでアモルファスシリコン薄膜６１を結晶化してポリシリコン薄膜６２を形成する工程を比較的高い温度条件（概ね６００℃程度）で行なった場合には、先に形成されたアモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１において脱水素化が進行するため、光電変換型の薄膜トランジスタ３において十分な電子移動度を実現することができなくなり、素子特性が劣化する現象が生じる可能性がある。
【００６３】
これに対し、上記製造方法では、比較的高温の温度条件を必要とするポリシリコンからなる半導体薄膜２５、２６を形成した後に、比較的低温で成膜が可能なアモルファスシリコンからなる半導体薄膜４１を形成しているので、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２の素子特性を良好に維持しつつ、光電変換型の薄膜トランジスタ３の素子特性も良好に維持することができる。
【００６４】
さらに、上記製造方法では、特に、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５と光電変換型の薄膜トランジスタ３のソース・ドレイン電極１０とを同一の層（オーミックコンタクト層１０を含むボトムゲート絶縁膜３１）上に、同一の導電材料（モリブデン）によって、同時に形成しているので、これらの導電体層と電極とを別々に形成する場合と比較して、工程数を削減することができる上、これらの導電体層と電極間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、またこれらの導電体層と電極とを接続するためのコンタクトホールを形成する必要もない。これにより、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。
【００６５】
（第２実施形態）
図１４はこの発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図２に示す場合と大きく異なる点は、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５を、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９と同一の層（層間絶縁膜３０）上に、同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成した点である。
【００６６】
すなわち、光電変換型の薄膜トランジスタ３の部分における構造は、基本的には、図２に示す場合と同じであるが、ボトムゲート電極９はモリブデン膜（膜厚３０００Å程度）によって形成され、ソース・ドレイン電極１０はクロム膜（膜厚５００Å程度）によって形成され、トップゲート電極８はＩＴＯ膜（膜厚５００Å程度）によって形成されている。
【００６７】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２の部分においては、層間絶縁膜３０の上面に設けられたモリブデンからなる導電体層３４、３５（膜厚３０００Å程度）は、層間絶縁膜３０及びゲート絶縁膜２７に設けられたコンタクトホール３２、３３を介して、第２の下地絶縁膜２４の上面に設けられた半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続されている。モリブデンからなるゲート電極２８、２９（膜厚３０００Å程度）は、図２に示す場合と同様に、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられている。
【００６８】
外部接続端子７の部分においては、層間絶縁膜３０の上面に設けられたモリブデンからなる外部接続端子７（膜厚３０００Å程度）は、オーバーコート膜３７、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に設けられた開口部４４を介して露出されている。
【００６９】
第１の層間コンタクトの部分においては、層間絶縁膜３０の上面に設けられたモリブデンからなる第１の上層接続配線４５（膜厚３０００Å程度）は、層間絶縁膜３０に設けられたコンタクトホール４６を介して、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられたモリブデンからなる第１の下層接続配線４７（膜厚３０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００７０】
第２の層間コンタクトの部分においては、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたクロムからなる第２の上層接続配線４８（膜厚５００Å程度）は、ボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール４９を介して、層間絶縁膜３０の上面に設けられたモリブデンからなる第２の下層接続配線５０（膜厚３０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００７１】
第３の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１（膜厚５００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール５２を介して、層間絶縁膜３０の上面に設けられたモリブデンからなる第３の下層接続配線５３（膜厚３０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００７２】
次に、図１４に示す各部の電気的接続について説明する。光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９は、層間絶縁膜３０の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１０は、第２の上層接続配線４８及び第２の下層接続配線５０を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【００７３】
光電変換型の薄膜トランジスタ３の他方のソース・ドレイン電極１０は、第２の上層接続配線４８及び第２の下層接続配線５０を介して、外部接続端子７のうちの接地用外部接続端子に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８は、第３の上層接続配線５１及び第３の下層接続配線５３を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【００７４】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９は、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５を介して、外部接続端子７に接続されている。駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、層間絶縁膜３０の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、外部接続端子７に接続されている。
【００７５】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例において、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５等を形成する場合について説明する。この場合、層間絶縁膜３０の上面に、スパッタ法によりモリブデン膜（膜厚３０００Å程度）からなる導電袋層を成膜し、コンタクトホール３２、３３、４６内を埋め、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、導電体層３４、３５をコンタクトホール３２、３３を介して半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続させて形成し、また第１の上層接続配線４５をコンタクトホール４６を介して第１の下層接続配線４７の接続パッド部に接続させて形成し、さらにボトムゲート電極９、第２、第３の下層接続配線５０、５３及び外部接続端子７を形成する。
【００７６】
このように、この製造方法では、特に、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９と駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５とを同一の層（層間絶縁膜３０）上に同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成しているので、これらの電極を別々に形成する場合と比較して、工程数を削減することができる上、これらの電極間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、またこれらの電極を接続するためのコンタクトホールを形成する必要もない。これにより、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。なお、上記以外の製造工程は、上記第１実施形態における製造方法から容易に理解し得るので、省略する。
【００７７】
（第３実施形態）
図１５はこの発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１４同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１４に示す場合と異なる点は、第３の層間コンタクトの部分において、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１（膜厚５００Å程度）を、トップゲート絶縁膜３６に設けられたコンタクトホール５２を介して、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたクロムからなる第３の下層接続配線５３（膜厚５００Å程度）の接続パッド部に接続させた点である。
【００７８】
この薄膜トランジスタパネルを製造する場合には、ボトムゲート絶縁膜３１を成膜した後に、第２の下層接続配線５０の接続パッド部上におけるボトムゲート絶縁膜３１に、フォトリソグラフィ法により、コンタクトホール４９を形成する。次に、オーミックコンタクト層４３を含むボトムゲート絶縁膜３１の上面に、スパッタ法によりクロム膜を成膜し、コンタクトホール４９内を埋め、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、第２の上層接続配線４８をコンタクトホール４９を介して第２の下層接続配線５０の接続パッド部に接続させて形成し、またトップゲート電極８及び第３の下層接続配線５３を形成する。以下の工程は、上記第１実施形態の場合とほぼ同じであるので、省略する。
【００７９】
ところで、この第３実施形態では、第３の下層接続配線５３の接続パッド部上におけるトップゲート絶縁膜３６にコンタクトホール５２を形成し、トップゲート絶縁膜３６の上面に第３の上層接続配線５１をコンタクトホール５２を介して第３の下層接続配線５３の接続パッド部に接続させて形成すればよいので、図１４に示す場合と比較して、コンタクトホール５２をトップゲート絶縁膜３６のみに浅く形成すればよく、第３の上層接続配線５１の第３の下層接続配線５３に対する接続信頼性を向上することができる。
【００８０】
（第４実施形態）
図１６はこの発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図２に示す場合と大きく異なる点は、光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８を駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５と同一の層（トップゲート絶縁膜３６）上に、同一の導電材料（ＩＴＯ）によって同時に形成した点である。
【００８１】
すなわち、光電変換型の薄膜トランジスタ３の部分における構造は、基本的には、図２に示す場合と同じであるが、ボトムゲート電極９はクロム膜（膜厚１０００Å程度）によって形成され、ソース・ドレイン電極１０はクロム膜（膜厚５００Å程度）によって形成され、トップゲート電極８はＩＴＯ膜（膜厚１０００Å程度）によって形成されている。
【００８２】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２の部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる導電体層３４、３５（膜厚１０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６、ボトムゲート絶縁膜３１、層間絶縁膜３０及びゲート絶縁膜２７に設けられたコンタクトホール３２、３３を介して、第２の下地絶縁膜２４の上面に設けられた半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続されている。モリブデンからなるゲート電極２８、２９（膜厚３０００Å程度）は、図２に示す場合と同様に、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられている。
【００８３】
外部接続端子７の部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる外部接続端子７（膜厚１０００Å程度）は、オーバーコート膜３７に設けられた開口部４４を介して露出されている。
【００８４】
第１の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第１の上層接続配線４５（膜厚１０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６、ボトムゲート絶縁膜３１及び層間絶縁膜３０に設けられたコンタクトホール４６を介して、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられたモリブデンからなる第１の下層接続配線４７（膜厚３０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００８５】
第２の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第２の上層接続配線４８（膜厚１０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール４９を介して、層間絶縁膜３０の上面に設けられたクロムからなる第２の下層接続配線５０（膜厚１０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００８６】
第３の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１（膜厚１０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６に設けられたコンタクトホール５２を介して、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたクロムからなる第３の下層接続配線５３（膜厚５００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００８７】
次に、図１６に示す各部の電気的接続について説明する。光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９は、第２の下層接続配線５０及び第２の上層接続配線４８を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１０は、第３の下層接続配線５３及び第３の上層接続配線５１を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【００８８】
光電変換型の薄膜トランジスタ３の他方のソース・ドレイン電極１０は、第３の下層接続配線５３及び第３の上層接続配線５１を介して、外部接続端子７のうちの接地用外部接続端子に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８は、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【００８９】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９は、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５を介して、外部接続端子７に接続されている。駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、外部接続端子７に接続されている。
【００９０】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例において、光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５等を形成する場合について説明する。この場合、トップゲート絶縁膜３６の上面に、スパッタ法によりＩＴＯ膜（膜厚１０００Å程度）を成膜し、コンタクトホール３２、３３、４６、４９、５２内を埋め、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、導電体層３４、３５をコンタクトホール３２、３３を介して半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続させて形成し、また第１〜第３の上層接続配線４５、４８、５１をコンタクトホール４６、４９、５２を介して第１〜第３の下層接続配線４７、５０、５３の接続パッド部に接続させて形成し、さらにトップゲート電極８及び外部接続端子７を形成する。
【００９１】
このように、この製造方法では、特に、光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８と駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５とを同一の層（トップゲート絶縁膜３６）上に同一の導電材料（ＩＴＯ）によって同時に形成しているので、これらの電極を別々に形成する場合と比較して、工程数を削減することができる上、これらの電極間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、またこれらの電極を接続するためのコンタクトホールを形成する必要もなく、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。なお、上記以外の製造工程は、上記第１実施形態における製造方法から容易に理解し得るので、省略する。
【００９２】
また、この第４実施形態では、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５及び第１〜第３の上層接続配線４５、４８、５１をトップゲート絶縁膜３６の上面に形成しているので、ソース・ドレイン電極３５、３６と半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂとを接続するためのコンタクトホール３２、３３及び第１〜第３の上層接続配線４５、４８、５１と第１〜第３の下層接続配線４７、５０、５３とを接続するためのコンタクトホール４６、４９、５２を同時に形成することができ、したがってコンタクトホール形成工程は１回でよく、工程をより一層簡略化して、製造コストをより一層低減することができる。
【００９３】
（第５実施形態）
図１７はこの発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図２に示す場合と大きく異なる点は、層間絶縁膜３０を有せず、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９を駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９と同一の層（ゲート絶縁膜２７）上に、同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成した点である。
【００９４】
すなわち、光電変換型の薄膜トランジスタ３の部分における構造は、基本的には、図２に示す場合と同じであるが、ボトムゲート電極９はモリブデン膜（膜厚３０００Å程度）によって形成され、ソース・ドレイン電極１０はクロム膜（膜厚５００Å程度）によって形成され、トップゲート電極８はＩＴＯ膜（膜厚５００Å程度）によって形成されている。
【００９５】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２の部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたモリブデンからなる導電体層３４、３５（膜厚５０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６、ボトムゲート絶縁膜３１及びゲート絶縁膜２７に設けられたコンタクトホール３２、３３を介して、第２の下地絶縁膜２４の上面に設けられた半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続されている。モリブデンからなるゲート電極２８、２９（膜厚３０００Å程度）は、図２に示す場合と同様に、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられている。
【００９６】
外部接続端子７の部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたモリブデンからなる外部接続端子７（膜厚５０００Å程度）は、オーバーコート膜３７に設けられた開口部４４を介して露出されている。
【００９７】
第１の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたモリブデンからなる第１の上層接続配線４５（膜厚５０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール４６を介して、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられたモリブデンからなる第１の下層接続配線４７（膜厚３０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００９８】
第２の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたモリブデンからなる第２の上層接続配線４８（膜厚５０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６に設けられたコンタクトホール４９を介して、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたクロムからなる第２の下層接続配線５０（膜厚５００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【００９９】
第３の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたモリブデンからなる第３の上層接続配線５１（膜厚５０００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第３の下層接続配線５３（膜厚５００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【０１００】
次に、図１７に示す各部の電気的接続について説明する。光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９は、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１０は、第２の下層接続配線５０及び第２の上層接続配線４８を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【０１０１】
光電変換型の薄膜トランジスタ３の他方のソース・ドレイン電極１０は、第２の下層接続配線５０及び第２の上層接続配線４８を介して、外部接続端子７のうちの接地用外部接続端子に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８は、第３の下層接続配線５３及び第３の上層接続配線５１を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【０１０２】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９は、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５を介して、外部接続端子７に接続されている。駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、外部接続端子７に接続されている。
【０１０３】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例において、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９等を形成する場合と、光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５等を形成する場合とについて説明する。
【０１０４】
まず、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９等を形成する場合について説明する。この場合、ゲート絶縁膜２７の上面に、スパッタ法によりモリブデン膜（膜厚３０００Å程度）を成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ボトムゲート電極９、ゲート電極２８、２９及び第１の下層接続配線４７を形成する。
【０１０５】
次に、光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５等を形成する場合について説明する。この場合、トップゲート絶縁膜３６を成膜した後において、まず、トップゲート絶縁膜３６の上面に、スパッタ法によりＩＴＯ膜（膜厚５００Å程度）を成膜し、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、トップゲート電極８及び第３の下層接続配線５３を形成する。
【０１０６】
次に、フォトリソグラフィ法により、半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂ上におけるトップゲート絶縁膜３６、ボトムゲート絶縁膜３１及びゲート絶縁膜２７にコンタクトホール３２、３３を連続して形成し、また第１の下層接続配線４７の接続パッド部上におけるトップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１にコンタクトホール４６を連続して形成し、さらに第２の下層接続配線５０の接続パッド部上におけるトップゲート絶縁膜３６にコンタクトホール４９を形成する。この場合も、コンタクトホール形成工程は１回で済む。
【０１０７】
次に、トップゲート絶縁膜３６の上面に、スパッタ法によりモリブデン膜（膜厚５０００Å程度）を成膜し、コンタクトホール３２、３３、４６、４９内を埋め、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、導電体層３４、３５をコンタクトホール３２、３３を介して半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続させて形成し、また第１、第２の上層接続配線４５、４８をコンタクトホール４６、４９を介して第１、第２の下層接続配線４７、５０の接続パッド部に接続させて形成し、また第３の上層接続配線５１を第３の下層接続配線５３の接続パッド部に接続させて形成し、さらに外部接続端子７を形成する。
【０１０８】
以上のように、この製造方法では、特に、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９と駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９とを同一の層（ゲート絶縁膜２７）上に、同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成しているので、これらの電極を別々に形成する場合と比較して、工程数を削減することができる上、これらの電極間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、またこれらの電極を接続するためのコンタクトホールを形成する必要もなく、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。なお、上記以外の製造工程は、上記第１実施形態における製造方法から容易に理解し得るので、省略する。
【０１０９】
ところで、この第５実施形態では、トップゲート絶縁膜３６の上面に形成したＩＴＯからなる第３の下層接続配線５３の接続パッド部に、同じくトップゲート絶縁膜３６の上面に形成したモリブデンからなる第３の上層接続配線５１を接続させているので、こられの接続配線を異なる層上に形成する場合と比較して、これらの接続配線間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、またこれらの接続配線を接続するためのコンタクトホールを形成する必要もなく、工程をより一層簡略化して、製造コストをより一層低減することができる。
【０１１０】
（第６実施形態）
図１８はこの発明の第６実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１７同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１７に示す場合と異なる点は、トップゲート絶縁膜３６とオーバーコート膜３７との間に層間絶縁膜３８を光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８及び第３の下層接続配線５３を覆うように設け、層間絶縁膜３８の上面に駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５、外部接続端子７及び第１〜第３の上層接続配線４５、４８、５１を設けた点である。
【０１１１】
すなわち、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２の部分においては、層間絶縁膜３８の上面に設けられたモリブデンからなるソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、層間絶縁膜３８、トップゲート絶縁膜３６、ボトムゲート絶縁膜３１及びゲート絶縁膜２７に設けられたコンタクトホール３２、３３を介して、第２の下地絶縁膜２４の上面に設けられた半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続されている。
【０１１２】
外部接続端子７の部分においては、層間絶縁膜３８の上面に設けられたモリブデンからなる外部接続端子７は、オーバーコート膜３７に設けられた開口部４４を介して露出されている。
【０１１３】
第１の層間コンタクトの部分においては、層間絶縁膜３８の上面に設けられたモリブデンからなる第１の上層接続配線４５は、層間絶縁膜３８、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール４６を介して、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられたモリブデンからなる第１の下層接続配線４７の接続パッド部に接続されている。
【０１１４】
第２の層間コンタクトの部分においては、層間絶縁膜３８の上面に設けられたモリブデンからなる第２の上層接続配線４８は、層間絶縁膜３８及びトップゲート絶縁膜３６に設けられたコンタクトホール４９を介して、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたクロムからなる第２の下層接続配線５０の接続パッド部に接続されている。
【０１１５】
第３の層間コンタクトの部分においては、層間絶縁膜３８の上面に設けられたモリブデンからなる第３の上層接続配線５１は、層間絶縁膜３８に設けられたコンタクトホール５２を介して、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第３の下層接続配線５３の接続パッド部に接続されている。
【０１１６】
なお。図１８に示す各部の電気的接続は、基本的には、図１７に示す第５実施形態の場合と同じである。異なる点は、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、層間絶縁膜３８の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、外部接続端子７に接続されている点である。
【０１１７】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法において、トップゲート絶縁膜３６を成膜した後の工程について説明する。まず、トップゲート絶縁膜３６の上面に、スパッタ法により成膜されたＩＴＯ膜（膜厚５００Å程度）をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、トップゲート電極８及び第３の下層接続配線５３を形成する。次に、トップゲート電極８及び第３の下層接続配線５３を含むトップゲート絶縁膜３６の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる層間絶縁膜３８（膜厚２０００Å程度）を成膜する。
【０１１８】
次に、フォトリソグラフィ法により、半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂ上における層間絶縁膜３８、トップゲート絶縁膜３６、ボトムゲート絶縁膜３１及びゲート絶縁膜２７にコンタクトホール３２、３３を連続して形成し、また第１の下層接続配線４７の接続パッド部上における層間絶縁膜３８、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１にコンタクトホール４６を連続して形成し、また第２の下層接続配線５０の接続パッド部上における層間絶縁膜３８及びトップゲート絶縁膜３６にコンタクトホール４９を連続して形成し、さらに第３の下層接続配線５３の接続パッド部上における層間絶縁膜３８にコンタクトホール５２を形成する。この場合も、コンタクトホール形成工程は１回で済む。
【０１１９】
次に、層間絶縁膜３８の上面に、スパッタ法によりモリブデン膜（膜厚５０００Å程度）を成膜し、コンタクトホール３２、３３、４６、４９、５２内を埋め、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、導電体層３４、３５をコンタクトホール３２、３３を介して半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続させて形成し、また第１〜第３の上層接続配線４５、４８、５１をコンタクトホール４６、４９、５２を介して第１〜第３の下層接続配線４７、５０、５３に接続させて形成し、さらに外部接続端子７を形成する。なお、上記以外の製造工程は、上記第１実施形態における製造方法から容易に理解し得るので、省略する。
【０１２０】
（第７実施形態）
図１９はこの発明の第７実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１８同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１８に示す場合と異なる点は、第３の層間コンタクトの部分において、トップゲート絶縁膜３６の上面にＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１を、トップゲート絶縁膜３６に設けられたコンタクトホール５２を介して、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたクロムからなる第３の下層接続配線５３の接続パッド部に接続させて設けた点である。
【０１２１】
ところで、この薄膜トランジスタパネルでは、光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８は、第３の上層接続配線５１、第３の下層接続配線５３、第２の下層接続配線５０及び第２の上層接続配線４８を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【０１２２】
この場合、ＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１はクロムからなる第３の下層接続配線５３の接続パッド部に接続されているため、トップゲート絶縁膜３６の上面に成膜されたＩＴＯ膜をＩＴＯ用のエッチング液を用いてパターニングして第３の上層接続配線５１及びトップゲート電極８を形成するとき、電池反応により、ＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１及びトップゲート電極８は酸化され、クロムからなる第３の下層接続配線５３は還元される。
【０１２３】
しかし、ＩＴＯ膜はもともと酸化物であるため、ＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１及びトップゲート電極８は酸化状態に置かれても事実上変化しない。また、クロムからなる第３の下層接続配線５３は還元されるが事実上変化しない。一方、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５、第１、第２の上層接続配線４５、４８及び外部接続端子７は、ＩＴＯからなる第３の上層接続配線５１及びトップゲート電極８と直接接続されていないため、それとの接続による電池反応による腐食が生じることはない。
【０１２４】
すなわち、ＩＴＯ膜との接続による電池反応による腐食を防止する必要がある場合には、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ等の比較的高価な高融点金属の単層構造あるいはこれらとＡｌとの積層構造とする必要があったが、本実施形態の構成によれば、電池反応による腐食を防止する必要がないため、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５、第１、第２の上層接続配線４５、４８及び外部接続端子７を、安価で低応力で低抵抗のＡｌの単層構造（膜厚５０００Å程度）としてもよい。これにより、製造コストの低減を図ることができる。
【０１２５】
（第８実施形態）
図２０はこの発明の第８実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図２に示す場合と大きく異なる点は、層間絶縁膜３０を有せず、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９を駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９と同一の層（ゲート絶縁膜２７）上に同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成し、且つ、光電変換型の薄膜トランジスタ３のソース・ドレイン電極１０を駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５と同一の層（オーミックコンタクト層４３を含むボトムゲート絶縁膜３１）上に同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成した点である。
【０１２６】
すなわち、光電変換型の薄膜トランジスタ３の部分における構造は、基本的には、図２に示す場合と同じであるが、ボトムゲート電極９はモリブデン膜（膜厚３０００Å程度）によって形成され、ソース・ドレイン電極１０はモリブデン膜（膜厚２０００Å程度）によって形成され、トップゲート電極８はＩＴＯ膜（膜厚５００Å程度）によって形成されている。
【０１２７】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２の部分においては、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたモリブデンからなるソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５（膜厚２０００Å程度）は、ボトムゲート絶縁膜３１及びゲート絶縁膜２７に設けられたコンタクトホール３２、３３を介して、第２の下地絶縁膜２４の上面に設けられた半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続されている。モリブデンからなるゲート電極２８、２９（膜厚３０００Å程度）は、図２に示す場合と同様に、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられている。
【０１２８】
外部接続端子７の部分においては、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたモリブデンからなる外部接続端子７（膜厚２０００Å程度）は、オーバーコート膜３７及びトップゲート絶縁膜３６に設けられた開口部４４を介して露出されている。
【０１２９】
第１の層間コンタクトの部分においては、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたモリブデンからなる第１の上層接続配線４５（膜厚２０００Å程度）は、ボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール４６を介して、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられたモリブデンからなる第１の下層接続配線４７（膜厚３０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【０１３０】
第２の層間コンタクトの部分においては、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第２の上層接続配線４８（膜厚５００Å程度）は、トップゲート絶縁膜３６及びボトムゲート絶縁膜３１に設けられたコンタクトホール４９を介して、ゲート絶縁膜２７の上面に設けられたモリブデンからなる第２の下層接続配線５０（膜厚３０００Å程度）の接続パッド部に接続されている。
【０１３１】
次に、図２０に示す各部の電気的接続について説明する。光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９は、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３の一方のソース・ドレイン電極１０は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【０１３２】
光電変換型の薄膜トランジスタ３の他方のソース・ドレイン電極１０は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、外部接続端子７のうちの接地用外部接続端子に接続されている。光電変換型の薄膜トランジスタ３のトップゲート電極８は、第２の上層接続配線４８、第２の下層接続配線５０、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５を介して、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５に接続されている。
【０１３３】
駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９は、第１の下層接続配線４７及び第１の上層接続配線４５を介して、外部接続端子７に接続されている。駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５は、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられた接続配線（図示せず）を介して、外部接続端子７に接続されている。
【０１３４】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例において、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９を同時に形成する場合と、光電変換型の薄膜トランジスタ３のソース・ドレイン電極１０及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５を同時に形成する場合について説明する。
【０１３５】
まず、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９を同時に形成する場合について説明する。この場合、ゲート絶縁膜２７の上面に、スパッタ法により成膜されたモリブデン膜（膜厚３０００Å程度）をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ボトムゲート電極９、ゲート電極２８、２９及び第１、第２の下層接続配線４７、５０を形成する。
【０１３６】
次に、光電変換型の薄膜トランジスタ３のソース・ドレイン電極１０及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５を同時に形成する場合について説明する。この場合、ボトムゲート絶縁膜３１を成膜した後において、まず、フォトリソグラフィ法により、半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂ上におけるボトムゲート絶縁膜３１及びゲート絶縁膜２７にコンタクトホール３２、３３を連続して形成し、また第１の下層接続配線４７の接続パッド部上におけるボトムゲート絶縁膜３１にコンタクトホール４６を形成する。
【０１３７】
次に、ボトムゲート絶縁膜３１の上面及びオーミックコンタクト層４３の上面に、スパッタ法によりモリブデン膜（膜厚２０００Å程度）を成膜し、コンタクトホール３２、３３、４６内を埋め、フォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、導電体層３４、３５をコンタクトホール３２、３３を介して半導体薄膜２５、２６のソース・ドレイン領域２５ｃ、２６ｂに接続させて形成し、また第１の上層接続配線４５をコンタクトホール４６を介して第１の下層接続配線４７の接続パッド部に接続させて形成し、さらにソース・ドレイン電極１０及び外部接続端子７を形成する。
【０１３８】
以上のように、この製造方法では、特に、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極９と駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９とを同一の層（ゲート絶縁膜２７）上に同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成しているので、これらの電極を別々に形成する場合と比較して、工程数を削減することができる上、これらの電極間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、またこれらの電極を接続するためのコンタクトホールを形成する必要もなく、工程を簡略化して、製造コストを低減することができる。
【０１３９】
また、光電変換型の薄膜トランジスタ３のソース・ドレイン電極１０と駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のソース・ドレイン電極を含む導電体層３４、３５とを同一の層（オーミックコンタクト層４３を含むボトムゲート絶縁膜３１）上に同一の導電材料（モリブデン）によって同時に形成しているので、これらの電極を別々に形成する場合と比較して、工程数を削減することができる上、これらの電極間に層間絶縁膜を成膜する必要がなく、またこれらの電極を接続するためのコンタクトホールを形成する必要もなく、工程をより一層簡略化して、製造コストをより一層低減することができる。なお、上記以外の製造工程は、上記第１実施形態における製造方法から容易に理解し得るので、省略する。
【０１４０】
（第９実施形態）
図２１はこの発明の第９実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２０同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図２０に示す場合と異なる点は、第２の層間コンタクトの部分において、トップゲート絶縁膜３６の上面に設けられたＩＴＯからなる第２の上層接続配線４９（膜厚５００Å程度）を、トップゲート絶縁膜３６に設けられたコンタクトホール５２を介して、ボトムゲート絶縁膜３１の上面に設けられたモリブデンからなる第２の下層接続配線５０（膜厚２０００Å程度）の接続パッド部に接続させた点である。
【０１４１】
ところで、この第９実施形態では、第２の下層接続配線５０の接続パッド部上におけるトップゲート絶縁膜３６にコンタクトホール４９を形成し、トップゲート絶縁膜３６の上面に第２の上層接続配線４８をコンタクトホール４９を介して第２の下層接続配線５０の接続パッド部に接続させて形成すればよいので、図２０に示す場合と比較して、コンタクトホール４９をトップゲート絶縁膜３６のみに浅く形成すればよく、第２の上層接続配線４８の第２の下層接続配線５０に対する接続信頼性を向上することができる。
【０１４２】
（第１０実施形態）
図２２はこの発明の第１０実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図２に示す場合と大きく異なる点は、図２に示す駆動回路用の薄膜トランジスタ２１、２２がトップゲート構造であるのに対し、ボトムゲート構造とした点である。この場合、ガラス基板１の上面には、下地絶縁膜として、窒化シリコンからなる下地絶縁膜２３のみが設けられている。
【０１４３】
次に、この薄膜トランジスタパネルの製造方法の一例について説明する。まず、図２３に示すように、ガラス基板１の上面に、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコンからなる下地絶縁膜２３（膜厚２０００Å程度）を成膜する。次に、下地絶縁膜２３の上面に、スパッタ法により成膜されたモリブデン膜（膜厚１０００Å程度）をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、ゲート電極２８、２９及び第１の下層接続配線４７を形成する。
【０１４４】
次に、ゲート電極２８、２９及び第１の下層接続配線４７を含む下地絶縁膜２３の上面に、プラズマＣＶＤ法により、酸化シリコンからなるゲート絶縁膜２７（膜厚１０００Å程度）及びアモルファスシリコン薄膜６１（膜厚５００Å程度）を連続して成膜する。この場合も、アモルファスシリコン薄膜６１を成膜する工程は、概ね３００℃程度を最高温度とする温度条件で行なわれる。次に、窒素ガス雰囲気中において５００℃程度の温度で１時間程度の脱水素処理を行なう。
【０１４５】
次に、アモルファスシリコン薄膜６１に上面側からエキシマレーザを照射することにより、アモルファスシリコン薄膜６１を結晶化してポリシリコン薄膜６２を形成する。この場合も、アモルファスシリコン薄膜６１を結晶化してポリシリコン薄膜６２とする工程は、概ね６００℃程度を最高温度とする温度条件で行なわれる。
【０１４６】
次に、フォトリソグラフィ法により形成された、ソース・ドレイン領域２６ｂに対応する部分に開口部を有する第１のレジストパターン（図示せず）をマスクとして、ｐ型不純物を高濃度で注入する。一例として、ボロンイオンを加速エネルギー１０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０15ａｔｍ／ｃｍ2の条件で注入する。この後、第１のレジストパターンを剥離する。
【０１４７】
次に、フォトリソグラフィ法により形成された、ソース・ドレイン領域２５ｃに対応する部分に開口部を有する第２のレジストパターン（図示せず）をマスクとして、ｎ型不純物を高濃度で注入する。一例として、リンイオンを加速エネルギー１０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０15ａｔｍ／ｃｍ2の条件で注入する。この後、第２のレジストパターンを剥離する。
【０１４８】
次に、フォトリソグラフィ法により形成された、ソース・ドレイン領域２５ｂに対応する部分に開口部を有する第３のレジストパターン（図示せず）をマスクとして、ｎ型不純物を低濃度で注入する。一例として、リンイオンを加速エネルギー１０ｋｅＶ、ドーズ量１×１０13ａｔｍ／ｃｍ2の条件で注入する。この後、第３のレジストパターンを剥離する。次に、窒素ガス雰囲気中において４５０℃程度の温度で１時間程度の注入イオン活性化処理を行なう。
【０１４９】
次に、ポリシリコン薄膜６２をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることにより、図２４に示すように、半導体薄膜２５、２６を形成する。この状態では、半導体薄膜２５は、ゲート電極２８上の真性領域からなるチャネル領域２５ａと、その両側におけるｎ型不純物低濃度領域からなるソース・ドレイン領域２５ｂと、さらにその両側におけるｎ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域２５ｃとを有するものとなっている。
【０１５０】
また、半導体薄膜２６は、ゲート電極２９上の真性領域からなるチャネル領域２６ａと、その両側におけるｐ型不純物高濃度領域からなるソース・ドレイン領域２６ｂとを有するものとなっている。以下の工程は、上記第１実施形態における製造方法から容易に理解し得るので、省略する。
【０１５１】
ところで、上記製造方法では、図２２に示すように、ポリシリコン半導体薄膜６２にボロンイオン及びリンイオンを直接注入しているため、高価な高加速（〜８０ｋｅＶ）のイオン注入装置を用いることなく、安価な低加速（〜１０ｋｅＶ）のイオン注入装置を用いて、ボロンイオン及びリンイオンを注入することができる。
【０１５２】
なお、イオン注入及び活性化処理は、図２４に示すように、デバイスエリアを形成した後に行なってもよい。ここで、上記第１実施形態においても、イオン注入及び活性化処理は、図３に示すように、ポリシリコン薄膜６２を形成した後に行なってもよく、また図４に示すように、デバイスエリアを形成した後に行なってもよい。
【０１５３】
（第１１実施形態）
図２５はこの発明の第１１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１８同様の断面図を示す。この薄膜トランジスタパネルにおいて、図１８に示す場合と大きく異なる点は、図１８に示す駆動回路用の薄膜トランジスタ２１、２２がトップゲート構造であるのに対し、ボトムゲート構造とした点である。この場合も、ガラス基板１の上面には、下地絶縁膜として、窒化シリコンからなる下地絶縁膜２３のみが設けられている。
【０１５４】
また、この場合、光電変換型の薄膜トランジスタ３のボトムゲート電極２３は、駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のゲート電極２８、２９が設けられた下地絶縁膜２３の上面に設けられている。そして、光電変換型の薄膜トランジスタ３の実質的なボトムゲート絶縁膜は、ゲート絶縁膜２７、層間絶縁膜３０及びボトムゲート絶縁膜３１からなっている。なお、この薄膜トランジスタパネルの製造方法は、上記第１、第６、第１０実施形態における製造方法から容易に理解し得るので、省略する。
【０１５５】
（その他の実施形態）
上記各実施形態では、駆動回路部をポリシリコン薄膜トランジスタからなるＣＭＯＳ薄膜トランジスタによって構成した場合について説明したが、これに限らず、ＮＭＯＳ薄膜トランジスタのみによって構成するようにしてもよく、またポリシリコン薄膜トランジスタとアモルファスシリコン薄膜トランジスタとの組み合わせによって構成するようにしてもよい。
【０１５６】
また、例えば上記第１実施形態では、外部接続端子７を、光電変換型の薄膜トランジスタ３及び駆動回路部用の薄膜トランジスタ２１、２２のモリブデンからなるソース・ドレイン電極１０、導電体層３４、３５の形成と同時に、モリブデンからなる単層構造として形成した場合について説明したが、これに限らず、他の層上の電極（例えばボトムゲート電極９）の形成と同時に形成してもよく、また複数層上の電極の形成と同時に形成して積層構造としてもよい。
【０１５７】
また、例えば上記第１実施形態（図２参照）において、層間絶縁膜３０は、窒化シリコン膜の単層ではなく、酸化シリコン膜の単層であってもよく、また複数種の積層構造であってもよい。また、例えば上記第１０実施形態（図２２参照）において、ゲート絶縁膜２７は、酸化シリコン膜の単層ではなく、下層の窒化シリコン膜と上層の酸化シリコン膜との２層構造であってもよく、また層間絶縁膜３０は、酸化シリコン膜の単層ではなく、下層の酸化シリコン膜と上層の窒化シリコン膜との２層構造であってもよく、さらに層間絶縁膜３８は、窒化シリコン膜の単層ではなく、酸化シリコン膜の単層であってもよく、また複数種の積層構造であってもよい。
【０１５８】
さらに、上記各実施形態では、この発明の薄膜トランジスタパネルを画像読取装置に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではない。要は、基板上の所定の領域にアモルファスシリコン薄膜トランジスタがマトリクス状に配置され、前記所定の領域に隣接する周辺領域にアモルファスシリコン薄膜トランジスタを駆動するためのポリシリコン薄膜トランジスタが配置された構造の薄膜トランジスタパネルであればよい。
【０１５９】
例えば、基板上の所定の領域に、液晶容量や有機ＥＬ素子等の発光素子を含む周知の表示画素（具体的には、液晶容量と画素トランジスタからなる液晶画素や有機ＥＬ素子と画素駆動回路からなる表示画素等）をマトリクス状に配置し、前記所定の領域に隣接する周辺領域に、各表示画素を選択状態に設定して、該表示画素に対して所定の階調信号を供給して所望の画像情報を表示するように制御するドライバ（走査ドライバ、データドライバ、電源ドライバ等）を設けた周知の画像表示装置にも、この発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】この発明の第１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの要部の等価回路的平面図。
【図２】図１に示す薄膜トランジスタパネルの一部の具体的な構造を説明するために示す断面図。
【図３】図２に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、当初の工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】図１１に続く工程の断面図。
【図１３】図１２に続く工程の断面図。
【図１４】この発明の第２実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図。
【図１５】この発明の第３実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１４同様の断面図。
【図１６】この発明の第４実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図。
【図１７】この発明の第５実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図。
【図１８】この発明の第６実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１７同様の断面図。
【図１９】この発明の第７実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１８同様の断面図。
【図２０】この発明の第８実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図。
【図２１】この発明の第９実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２０同様の断面図。
【図２２】この発明の第１０実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図２同様の断面図。
【図２３】図２２に示す薄膜トランジスタパネルの製造に際し、当初の工程の断面図。
【図２４】図２３に続く工程の断面図。
【図２５】この発明の第１１実施形態としての薄膜トランジスタパネルの図１８同様の断面図。
【符号の説明】
【０１６１】
１  ガラス基板
２  画像読取領域
３  光電変換型の薄膜トランジスタ
４〜６  駆動回路部
７  外部接続端子
８  トップゲート電極
９  ボトムゲート電極
１０  ソース・ドレイン電極
１１  トップゲートライン
１２  ボトムゲートライン
１３  ドレインライン
２１、２２  駆動回路部用の薄膜トランジスタ
２５、２６  半導体薄膜
２８、２９  ゲート電極
３４、３５  ソース・ドレイン電極を含む導電体層
４１  半導体薄膜
４２  チャネル保護膜
４３  オーミックコンタクト層
４５、４８、５１  第１〜第３の上層接続配線
４７、５０、５３  第１〜第３の下層接続配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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