(57)【要約】【課題】  半導体装置に関し、基板及び半導体素子の反りをさらによく防止することを目的とする。【解決手段】  半導体装置は、基板１２と、基板に搭載された半導体素子１４と、基板の半導体素子とは反対側の面に接着剤１８により取付けられたスティフナ１６とを備え、接着剤１８の熱膨張率は基板１２の熱膨張率及びスティフナ１６の熱膨張率よりも小さく、かつ、接着剤１８の縦弾性係数は１０GPa以上である構成、または、接着剤１８の熱膨張率は基板１２の熱膨張率及びスティフナ１８の熱膨張率よりも大きく、かつ、接着剤１８の縦弾性係数は１０GPa以下である構成とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板に搭載された半導体素子と、該基板の該半導体素子とは反対側の面に接着剤により取付けられたスティフナとを備え、該接着剤の熱膨張率は該基板の熱膨張率及び該スティフナの熱膨張率よりも小さく、かつ、該接着剤の縦弾性係数は１０GPa以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、該基板に搭載された半導体素子と、該基板の該半導体素子とは反対側の面に接着剤により取付けられたスティフナとを備え、該接着剤の熱膨張率は該基板の熱膨張率及び該スティフナの熱膨張率よりも大きく、かつ、該接着剤の縦弾性係数は１０GPa以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、該基板に搭載された半導体素子と、該基板の該半導体素子とは反対側の面に接着剤により取付けられたスティフナとを備え、該スティフナは該半導体素子の外形とほぼ同じ外形を有する枠形状のものであり、該基板の該スティフナのまわりに外部端子が設けられ、該スティフナの高さは該外部端子の高さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
該外部端子に接続される端子を有するプリント基板をさらに備え、該スティフナは該プリント基板の表面に接触していることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
冷却部材が熱伝導部材を介して該半導体素子に結合され、該冷却部材は該プリント基板に固定されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はスティフナを設けた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を基板に搭載してなる半導体装置においては、半導体素子の熱膨張率と基板の熱膨張率との差により、基板及び半導体素子に反りが発生する問題がある。そこで、基板の半導体素子とは反対側の面にスティフナ（補強板）を取付け、基板及び半導体素子の反りを防止する提案がある（例えば、特許文献１〜１１参照）。
【０００３】
基板に金属のスティフナを取り付けると、基板の剛性が強化されるので、基板は曲がりにくくなり、基板及び半導体素子の反りを小さくすることができる。この場合、スティフナの熱膨張率を基板の熱膨張率と同程度にすると、基板及び半導体素子の反りを小さくすることができる。それでも、基板及び半導体素子の反りは完全にゼロになる訳ではないので、基板及び半導体素子の反りをさらに小さくすることが求められている。
【０００４】
【特許文献１】特開平３−２９５２６３号公報
【特許文献２】特開平６−２０４６５６号公報
【特許文献３】実公平６−４５７９号公報
【特許文献４】特開平８−１５３９３８号公報
【特許文献５】特開平９−８２８３９号公報
【特許文献６】特開平１１−２６０９５３号公報
【特許文献７】特開２０００−１７４１７６号公報
【特許文献８】特開２００１−１０１３７５号公報
【特許文献９】特開２００１−１５５６１号公報
【特許文献１０】特開２００２−２３１７６９号公報
【特許文献１１】特開２００２−２５２３０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、基板及び半導体素子の反りをさらに小さくすることができるようにした半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
１つの局面において、本発明による半導体装置は、基板と、該基板に搭載された半導体素子と、該基板の該半導体素子とは反対側の面に接着剤により取付けられたスティフナとを備え、該接着剤の熱膨張率は該基板の熱膨張率及び該スティフナの熱膨張率よりも小さく、かつ、該接着剤の縦弾性係数は１０GPa以上であることを特徴とするものである。
【０００７】
もう１つの局面において、本発明による半導体装置は、基板と、該基板に搭載された半導体素子と、該基板の該半導体素子とは反対側の面に接着剤により取付けられたスティフナとを備え、該接着剤の熱膨張率は該基板の熱膨張率及び該スティフナの熱膨張率よりも大きく、かつ、該接着剤の縦弾性係数は１０GPa以下であることを特徴とするものである。
【０００８】
もう１つの局面において、本発明による半導体装置は、基板と、該基板に搭載された半導体素子と、該基板の該半導体素子とは反対側の面に接着剤により取付けられたスティフナとを備え、該スティフナは該半導体素子の外形とほぼ同じ外形を有する枠形状のものであり、該基板の該スティフナのまわりに外部端子が設けられ、該スティフナの高さは該外部端子の高さよりも小さいことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明の発明者はスティフナを設けた半導体装置において基板及び半導体素子の反りについて研究した結果、基板及び半導体素子の反りは、スティフナの特性ばかりでなく、スティフナを基板に固定する接着剤の特性を適切に設定することによって防止することができることを見出した。そこで、基板の熱膨張率及びスティフナの熱膨張率と接着剤の熱膨張率の関係、及び接着剤の縦弾性係数が上記した条件を満足するようにそれぞれの部材の材料の特性を選択すれば、基板及び半導体素子の反りをさらに小さくすることができる。
【００１０】
また、基板のスティフナのまわりに外部端子が設けられている半導体装置の場合には、スティフナの高さは外部端子の高さよりも小さくすることにより、該半導体装置がプリント基板に実装された場合には、例えばはんだボールとして形成された外部端子がプリント基板の端子に確実に接合されるとともに、スティフナがプリント基板の表面に接触し、スティフナがスタンドオフの機能を発揮して、基板がプリント基板によく結合され、基板及び半導体素子の反りをさらに小さくすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
従って、本発明によれば、基板及び半導体素子の反りをさらに小さくすることができる半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明による半導体装置を示す断面図、図２は図１の半導体装置を示す底面図である。
【００１３】
図１及び図２において、半導体装置１０は、基板１２と、基板１２に搭載された半導体素子（ＬＳＩチップ）１４と、基板１２の半導体素子１４とは反対側の面に接着剤１８により取付けられたスティフナ１６とを備える。半導体素子１４の電極パッドにはバンプ（はんだボール）２０が設けられ、バンプ２０は基板１２の対応する電極パッドにフリップチップ接合される。アンダーフィル２２がバンプ２０のまわりで半導体素子１４と基板１２の間に充填される。
【００１４】
スティフナ１６は半導体素子１４の外形とほぼ同じ外形を有する枠形状のものである。スティフナ１６はスティフナ１６の中心が半導体素子１４の中心と一致するように基板１２に取付けられる。さらに、基板１２のスティフナ１６のまわりにはんだボールからなる外部端子２４が設けられ、基板１２のスティフナ１６の内部にはコンデンサ等の電気部品２６が設けられる。基板１２には回路が形成されており、外部端子２４は基板１２の回路によって基板１２のバンプ２０上の電極パッドに電気的に接続される。外部端子２４はＢＧＡで配置される。
【００１５】
スティフナ１６の高さは外部端子２４の高さよりも小さい。例えば、スティフナ１６の厚さは０．４mmであり、外部端子２４を構成するはんだボールの直径は０．６mmである。
【００１６】
スティフナ１６は、スティフナ１６の熱膨張率が基板１６の熱膨張率と同程度となる金属材料で作られる。例えば、スティフナ１６はステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）で作られ、その熱膨張率は１７．３ppm／℃、縦弾性係数は５GPaである。スティフナ１６はその他の金属、例えば銅で作られることもできる。銅の熱膨張率は１７ppm／℃である。基板１６はＢＴレジンなどの有機樹脂で作られ、回路材料等を含む基板１２の熱膨張率は１７ppm／℃である。
【００１７】
接着剤１８は、接着剤１８の熱膨張率と基板１２の熱膨張率及びスティフナ１６の熱膨張率との関係に従って定められた縦弾性係数をもつ材料で作られる。すなわち、（ａ）接着剤１８の熱膨張率が基板１２の熱膨張率及びスティフナ１６の熱膨張率よりも小さい場合には、接着剤１８の縦弾性係数は１０GPa以上とする。（ｂ）接着剤１８の熱膨張率が基板１２の熱膨張率及びスティフナ１６の熱膨張率よりも大きい場合には、接着剤１８の縦弾性係数は１０GPa以下とする。
【００１８】
図３はスティフナ１６がステンレス鋼で作られた場合の接着剤１８の縦弾性係数に対する半導体素子（ＬＳＩチップ）１４の反りを示す図である。反り量は、半導体素子１４が縦横２０mmの正方形である場合のもので、単位mmで表されている（mm／□２０mm）。曲線Ａは接着剤１８の熱膨張率が３０ppm／℃のものを示し、曲線Ｂは接着剤１８の熱膨張率が２５ppm／℃のものを示し、曲線Ｃは接着剤１８の熱膨張率が２０ppm／℃のものを示す。これらの熱膨張率の値（３０、２５、２０）は基板１２の熱膨張率（１７）及びスティフナ１６の熱膨張率（１７．３）よりも大きい。この場合には、接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以下であると、基板１２の反り量は小さくなる。接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以上になると、基板１２の反り量は次第に大きくなる。例えば、接着剤１８の熱膨張率が４０ppm／℃のものの場合には、基板１２の反り量は、接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以上の場合には図３の曲線Ａの値よりも大きくなるが、接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以下の場合には図３の曲線Ａの値と同程度になる。従って、熱膨張率が４０ppm／℃の接着剤１８を用いることができる。
【００１９】
図４はスティフナ１６が銅で作られた場合の接着剤１８の縦弾性係数に対する半導体素子（ＬＳＩチップ）１４の反りを示す図である。曲線Ｄは接着剤１８の熱膨張率が３０ppm／℃のものを示し、曲線Ｅは接着剤１８の熱膨張率が２５ppm／℃のものを示し、曲線Ｆは接着剤１８の熱膨張率が２０ppm／℃のものを示す。これらの熱膨張率の値（３０、２５、２０）は基板１２の熱膨張率（１７）及びスティフナ１６の熱膨張率（１７）よりも大きい。この場合には、接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以下であると、基板１４の反り量は小さくなる。接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以上になると、基板１４の反り量は次第に大きくなる。
【００２０】
図５はスティフナ１６がステンレス鋼で作られた場合の接着剤１８の縦弾性係数に対する半導体素子（ＬＳＩチップ）１４の反りを示す図である。曲線Ｇは接着剤１８の熱膨張率が１５ppm／℃のものを示し、曲線Ｈは接着剤１８の熱膨張率が１０ppm／℃のものを示し、曲線Ｉは接着剤１８の熱膨張率が５ppm／℃のものを示す。これらの熱膨張率の値（１５、１０、５）は基板１２の熱膨張率（１７）及びスティフナ１６の熱膨張率（１７．３）よりも小さい。この場合には、接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以上であると、基板１４の反り量はかなり小さくなる。
【００２１】
図６はスティフナ１６が銅で作られた場合の接着剤１８の縦弾性係数に対する半導体素子（ＬＳＩチップ）１４の反りを示す図である。曲線Ｊは接着剤１８の熱膨張率が１５ppm／℃のものを示し、曲線Ｋは接着剤１８の熱膨張率が１０ppm／℃のものを示し、曲線Ｌは接着剤１８の熱膨張率が５ppm／℃のものを示す。これらの熱膨張率の値（１５、１０、５）は基板１２の熱膨張率（１７）及びスティフナ１６の熱膨張率（１７．３）よりも小さい。この場合には、接着剤１８の縦弾性係数が１０GPa以上であると、基板１４の反り量はかなり小さくなる。
【００２２】
接着剤１８は樹脂接着剤材料（例えば、エポキシ樹脂）にフィラーを挿入して作られた熱硬化型の接着剤であり、接着剤シートとして提供される。接着剤１８の熱膨張率及び縦弾性係数は接着剤シートを熱硬化した状態で測定されたものである。接着剤１８は５０〜１００μｍの厚さをもつが、接着剤１８の厚さは基板１４の反り量に影響しなかった。
【００２３】
上記の結果はスティフナ１６の熱膨張率が基板１６の熱膨張率と同程度の場合に得られる。スティフナ１６の熱膨張率が基板１６の熱膨張率とかなり相違する場合には、結果が異なる。例えば、スティフナ１６がアルミニウム（熱膨張率は約２３）で作られた場合には、基板１４の反り量は０．１４程度になり、これは図３から図６に示された値よりもかなり大きいので、好ましくない。
【００２４】
図７は図１の半導体装置１０をプリント基板（マザーボード）３０に取り付ける例を示す図である。図８は実装後の図７の半導体装置を示す図である。プリント基板３０は半導体装置１０の外部端子２４に対応する端子３２を有する。上記したように、半導体装置１０は、基板１２と、基板１２に搭載された半導体素子１４と、基板１２の半導体素子１４とは反対側の面に接着剤１８により取付けられたスティフナ１６とを備える。スティフナ１６は半導体素子１４の外形とほぼ同じ外形を有する枠形状のものであり、基板１２のスティフナ１６のまわりに外部端子２４が設けられ、スティフナ１６の高さは外部端子２４の高さよりも小さい。プリント基板３０への実装後には、スティフナ１６はプリント基板３０の表面に接触している。
【００２５】
このように、基板１２のスティフナ１６のまわりに外部端子２４が設けられている半導体装置１０の場合には、スティフナ１６の高さは外部端子２４の高さよりも小さくすることにより、半導体装置１０がプリント基板３０に実装された場合には、例えばはんだボールとして形成された外部端子２４がプリント基板３０の端子３２に確実に接合されるとともに、スティフナ１６がプリント基板３０の表面に接触し、スティフナ１６がスタンドオフの機能を発揮して、基板１２がプリント基板３０によく結合され、基板１２及び半導体素子１４の反りをさらによく防止することができる。
【００２６】
図９は図７の半導体装置１０にヒートシンク（冷却部材）３４を取り付けた例を示す図である。ヒートシンク３４はフィン３６を有し、熱伝導部材３８を介して半導体素子１４に結合される。熱伝導部材３８はサーマルコンパウンドやサーマルシート等の良伝導材料からなる。ヒートシンク３４は熱伝導部材３８を介して半導体素子１４に押圧されてプリント基板３０に固定される。図９の例においては、プリント基板３０は支持板４０に支持され、ねじ４２がヒートシンク３４に設けた穴及びプリント基板３０に設けた穴を通って支持板４０に螺合される。ねじ４２の頭部とヒートシンク３４の間にはスプリング４４が配置され、ヒートシンク３４はスプリング４４のばね力によって半導体素子１４に押圧される。
【００２７】
このように、ヒートシンク３４をスプリング４４のばね力によって半導体素子１４に押圧し、スティフナ１６がプリント基板３０の表面に接触することにより、熱伝導部材３８が一定の圧力の下で一定の厚さに維持され、熱伝導部材３８の熱抵抗が安定した状態で熱を半導体素子１４からヒートシンク３４に伝達することができる。よって、スティフナ１６は、上記した反り低減機能及びスタンドオフ機能とともに、スプリング４４のばね力により外部端子２４と端子３２との間に過度の力がかかるのを防止するスタンドオフの機能を発揮する。こうして、ＢＧＡとして配置された外部端子２４とプリント基板３０の端子３２との接合部及び半導体素子１４に対する応力緩和効果があり、信頼性の高い半導体装置を実現できる。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、半導体素子の反りが小さく信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は本発明による半導体装置を示す断面図である。
【図２】図２は図１の半導体装置を示す底面図である。
【図３】図３はスティフナがステンレス鋼で作られた場合の接着剤の縦弾性係数に対する半導体素子の反りを示す図である。
【図４】図４はスティフナが銅で作られた場合の接着剤の縦弾性係数に対する半導体素子の反りを示す図である。
【図５】図５はスティフナがステンレス鋼で作られた場合の接着剤の縦弾性係数に対する半導体素子の反りを示す図である。
【図６】図６はスティフナが銅で作られた場合の接着剤の縦弾性係数に対する半導体素子の反りを示す図である。
【図７】図７は図１の半導体装置をプリント基板に実装する例を示す図である。
【図８】図８は実装後の図７の半導体装置を示す図である。
【図９】図９は図７の半導体装置にヒートシンクを取り付けた例を示す図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０…半導体装置
１２…基板
１４…半導体素子
１６…スティフナ
１８…接着剤
２０…バンプ
２２…アンダーフィル
２４…外部端子
２６…電気部品
３０…プリント基板
３２…端子
３４…ヒートシンク
３６…フィン
３８…熱伝導部材
４０…支持板
４２…ねじ
４４…スプリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006066693.tif 000009
【図８】
2006066693.tif 000010
【図９】
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