(57)【要約】 【課題】  高温高湿雰囲気においても導体のイオンマイグレーションを十分に防止できる配線回路基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  ベース絶縁層１および金属薄膜層(シード層)２からなる積層体を用意する。金属薄膜層２の上面側に、めっきレジスト層を所定のパターンで形成する。電解めっきにより外部に露出した金属薄膜層２上に金属めっき層４を形成する。その後、めっきレジスト層を除去するとともに、めっきレジスト層の形成領域における金属薄膜層２を除去する。これにより、金属薄膜層２および金属めっき層４からなる導体パターンＨＰが形成される。導体パターンＨＰが形成されていない領域Ｓのベース絶縁層１の上面側を粗面化処理する。ベース絶縁層１および導体パターンＨＰの上面側にカバー絶縁層５を形成する。これにより、配線回路基板１０が完成する。【選択図】        図３
2006156547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の一面上または両面上に設けられ、所定のパターンを有する導体層とを備え、
前記導体層の設けられる前記絶縁層の面上において、前記導体層を除く領域が粗面化されたことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記導体層は、前記絶縁層に接するように設けられた金属薄膜層を含むことを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記導体層を除く領域における前記絶縁層の表面粗さが０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
絶縁層の一面上または両面上に所定のパターンを有する導体層を形成する工程と、
前記導体層の設けられる前記絶縁層の面上において、前記導体層を除く領域を粗面化する工程とを含むことを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記所定のパターンを有する導体層を形成する工程は、
金属薄膜層を含む前記導体層を前記金属薄膜層が前記絶縁層の一面上または両面上に接するように形成する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板の製造方法として、サブトラクティブ法、アディティブ法およびセミアディティブ法がある。
【０００３】
例えば、サブトラクティブ法による配線回路基板の製造方法は次のように行われる（特許文献１参照）。初めに、ポリイミドフィルム等のベース絶縁層上に、スパッタリングにより金属薄膜を密着強化層（シード層）として形成する。さらに、金属薄膜上に銅めっき層を形成する。
【０００４】
そこで、銅めっき層上に所定のパターンでフォトレジストを塗布して乾燥させた後、露光、現像、エッチングおよびフォトレジストの剥離の工程を経て導体（配線）パターンが完成する。
【０００５】
この他、セミアディティブ法による配線回路基板の製造方法は次のように行われる（特許文献２参照）。初めに、ベース絶縁層上にスパッタリングにより銅薄膜を形成する。そして、予め設定された配線部分の銅薄膜が露出するようにめっきレジストパターンを形成する。その後、露出した銅薄膜上に電解ニッケルめっきを施し、めっきレジストパターンおよびめっきレジストパターンの形成領域の銅薄膜を除去する。それにより、導体パターンが完成する。
【特許文献１】特開２００２−２５２２５７号公報
【特許文献２】特開２００２−３６８３９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記のように作製された配線回路基板が高温高湿雰囲気で使用されると、ベース絶縁層と、導体パターンの形成されたベース絶縁層の一面上に形成されるカバー絶縁層との境界面に沿って、導体（上記では銅）のイオンマイグレーションが発生する場合がある。この場合、配線として形成された導体パターン間で短絡が発生する。
【０００７】
ここで、イオンマイグレーションとは電界が発生している状態で水分が媒体となって金属イオン（上記では銅イオン）が移動する現象をいう。
【０００８】
本発明の目的は、高温高湿雰囲気においても導体のイオンマイグレーションを十分に防止できる配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の発明に係る配線回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面上または両面上に設けられ、所定のパターンを有する導体層とを備え、導体層の設けられる絶縁層の面上において、導体層を除く領域が粗面化されたものである。
【００１０】
第１の発明に係る配線回路基板においては、導体層の設けられる絶縁層の面上において、導体層を除く領域が粗面化されることにより、絶縁層上に凹凸が形成される。それにより、高温高湿雰囲気において導体層から溶出される金属イオンの移動が絶縁層の凹凸により制限される。特に、導体層の設けられる絶縁層の面上に、その面を覆うように新たな絶縁層が設けられる場合には、それら絶縁層間の密着性が向上し、金属イオンの移動がより制限される。その結果、高温高湿雰囲気においても導体層のイオンマイグレーションが十分に防止される。
【００１１】
導体層は、絶縁層に接するように設けられた金属薄膜層を含んでもよい。この場合、金属薄膜層により、絶縁層の一面上または両面上に金属めっき層を形成することが容易となる。
【００１２】
導体層を除く領域における絶縁層の表面粗さが０．１μｍ以上であってもよい。これにより、高温高湿雰囲気においても導体層のイオンマイグレーションがより十分に防止される。
【００１３】
第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、絶縁層の一面上または両面上に所定のパターンを有する導体層を形成する工程と、導体層の設けられる絶縁層の面上において、導体層を除く領域を粗面化する工程とを含むものである。
【００１４】
第２の発明に係る配線回路基板の製造方法においては、絶縁層の一面上または両面上に所定のパターンを有する導体層が形成され、導体層の設けられる絶縁層の面上において、導体層を除く領域が粗面化される。
【００１５】
このように、導体層の設けられる絶縁層の面上において導体層を除く領域が粗面化されることにより、絶縁層上に凹凸が形成される。それにより、高温高湿雰囲気において導体層から溶出される金属イオンの移動が絶縁層の凹凸により制限される。特に、導体層の設けられる絶縁層の面上に、その面を覆うように新たな絶縁層が設けられる場合には、それら絶縁層間の密着性が向上し、金属イオンの移動がより制限される。その結果、高温高湿雰囲気においても導体層のイオンマイグレーションが十分に防止される。
【００１６】
所定のパターンを有する導体層を形成する工程は、金属薄膜層を含む導体層を金属薄膜層が絶縁層の一面上または両面上に接するように形成する工程を含んでもよい。この場合、金属薄膜層により、絶縁層の一面上または両面上に金属めっき層を形成することが容易となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、導体層の設けられる絶縁層の面上において導体層を除く領域が粗面化されることにより、絶縁層上に凹凸が形成される。それにより、高温高湿雰囲気において導体層から溶出される金属イオンの移動が絶縁層の凹凸により制限される。特に、導体層の設けられる絶縁層の面上に、その面を覆うように新たな絶縁層が設けられる場合には、それら絶縁層間の密着性が向上し、金属イオンの移動がより制限される。その結果、高温高湿雰囲気においても導体層のイオンマイグレーションが十分に防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について説明する。
【００１９】
図１〜図３は、本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【００２０】
図１（ａ）に示すように、厚み５〜５０μｍのベース絶縁層１および所定の厚みを有する金属薄膜層(シード層)２からなる積層体を用意する。なお、ベース絶縁層１の厚みは１０〜３０μｍであることが好ましい。
【００２１】
次に、図１（ｂ）に示すように、金属薄膜層２の一面側（以下、上面側と呼ぶ。）に、例えば感光性樹脂等からなるめっきレジスト層３を形成する。そこで、図１（ｃ）に示すように、めっきレジスト層３を所定のパターンで露光処理および現像処理する。これにより、所定のパターンを有するめっきレジスト層３が金属薄膜層２上に形成される。それにより、配線パターン部分の金属薄膜層２が外部に露出する。
【００２２】
なお、めっきレジスト層３は、金属薄膜層２上で所定のパターンを形成できるのであれば感光性樹脂以外の他の材料により形成されてもよい。
【００２３】
続いて、図２（ｄ）に示すように、電解めっきにより外部に露出した金属薄膜層２上に金属めっき層４を形成する。金属めっき層４としては、例えば、ニッケル、銅、金またははんだが用いられる。
【００２４】
さらに、図２（ｅ）に示すように、めっきレジスト層３を除去するとともに、めっきレジスト層３の形成領域における金属薄膜層２を除去する。これにより、図２（ｆ）に示すように、金属薄膜層２および金属めっき層４からなる導体パターンＨＰが形成される。この導体パターンＨＰの厚みは、５〜３０μｍであることが好ましく、５〜１５μｍであることがより好ましい。
【００２５】
ここで、本実施の形態では、図３（ｇ）に示すように、導体パターンＨＰが形成されていない領域Ｓのベース絶縁層１の上面側を粗面化処理する。粗面化処理の方法としては、例えば酸性もしくはアルカリ性の液体を用いたウェットエッチング法またはウェットブラスト法がある。また、スパッタリング法またはプラズマエッチング等のドライエッチング法がある。
【００２６】
粗面化処理による領域Ｓの表面粗さは０．１μｍ以上であることが好ましく、０．５μｍ以下であることが好ましい。ここでいう表面粗さは、「ＪＩＳ（日本工業規格）  Ｂ  ０６０１」の表面粗さ（Ｒａ）に基づく。
【００２７】
続いて、図３（ｈ）に示すように、ベース絶縁層１および導体パターンＨＰの上面側にカバー絶縁層５を形成する。カバー絶縁層５の厚みは３〜３０μｍであることが好ましく、５〜３０μｍであることがより好ましい。
【００２８】
これにより、本実施の形態に係る配線回路基板１０が完成する。
【００２９】
上記の配線回路基板１０において、ベース絶縁層１ならびに導体パターンＨＰ間および導体パターンＨＰならびにカバー絶縁層５間には、必要に応じて接着剤層が存在してもよい。この場合、接着剤層の厚みは、５〜５０μｍであることが好ましく、１０〜２０μｍであることがより好ましい。
【００３０】
また、配線回路基板１０の導体パターンＨＰは金属薄膜層２および金属めっき層４の二層構造を有するが、導体パターンＨＰは一層構造を有してもよいし、二層以上の多層構造を有してもよい。
【００３１】
上記では、セミアディティブ法による導体パターンＨＰの形成について説明したが、これに限らず、導体パターンＨＰはアディティブ法またはサブトラクティブ法により形成されてもよい。
【００３２】
本実施の形態に係る配線回路基板１０においては、導体パターンＨＰの設けられるベース絶縁層１の面上において、導体パターンＨＰを除く領域Ｓが粗面化されることにより、ベース絶縁層１上に凹凸が形成される。それにより、高温高湿雰囲気において導体パターンＨＰから溶出される金属イオン（銅イオン）の移動がベース絶縁層１の凹凸により制限される。特に、本実施の形態では、導体パターンＨＰの設けられるベース絶縁層１の面上に、その面を覆うようにカバー絶縁層５が設けられるので、ベース絶縁層１およびカバー絶縁層５間の密着性が向上し、金属イオンの移動がより制限される。その結果、高温高湿雰囲気においても導体パターンＨＰのイオンマイグレーションが十分に防止される。
【００３３】
上記のように、本実施の形態において、導体パターンＨＰは、ベース絶縁層１に接するように設けられた金属薄膜層２を含む。この場合、金属薄膜層２により、ベース絶縁層１の一面上または両面上に金属めっき層４を形成することが容易となっている。
【００３４】
また、上記では導体パターンＨＰを除く領域Ｓにおけるベース絶縁層１の表面粗さが０．１μｍ以上であることが好ましいとしている。この場合、高温高湿雰囲気においても導体層のイオンマイグレーションがより十分に防止される。
【００３５】
なお、上記ではベース絶縁層１の上面側の領域Ｓを除く領域、すなわち導体パターンＨＰの形成領域に対して粗面化処理が行われていない。これにより、ベース絶縁層１と導体パターンＨＰとの界面に凹凸が存在しないので、導体パターンＨＰの表面での電気信号の伝達損失が低減される。
【００３６】
さらに、ベース絶縁層１の上面側および下面側に導体パターンＨＰが形成される場合においては、上面側および下面側の導体パターンＨＰの間に位置するベース絶縁層１がコンデンサとして働く。ここで、ベース絶縁層１と導体パターンＨＰとの界面に凹凸が存在すると、静電容量値にばらつきが生じる。その結果、配線回路基板１０の設計が困難となる。
【００３７】
これに対して、上述のように本実施の形態に係る配線回路基板１０においては、ベース絶縁層１と導体パターンＨＰとの界面に凹凸が存在しないので、ベース絶縁層１の静電容量値にばらつきが生じない。その結果、配線回路基板１０の設計が容易となる。
【００３８】
本実施の形態において、ベース絶縁層１上には導体パターンＨＰの一部として金属薄膜層２が形成されている。一般に、上記のようなセミアディティブ法においては導体パターンＨＰの金属めっき層４の形成のために金属薄膜層２をベース絶縁層１上に形成している。
【００３９】
本実施の形態に係る配線回路基板１０においては、導体パターンＨＰ間のベース絶縁層１上に凹凸が形成されるので、溶出された金属イオンの移動がベース絶縁層１上の凹凸により防止される。その結果、導体パターンＨＰのイオンマイグレーションの発生が十分に防止される。
【００４０】
したがって、本発明は導体パターンＨＰとして金属薄膜層２を備える構成の配線回路基板１０に特に有用である。
【００４１】
本実施の形態に係る配線回路基板においては、導体パターンＨＰが導体層に相当する。
【実施例】
【００４２】
以下、上記の配線回路基板およびその製造方法に基づいて実施例１および比較例１の配線回路基板を作製した。
【００４３】
図４は、実施例１および比較例１の配線回路基板の模式的断面図である。図４（ａ）に実施例１の配線回路基板１０が示され、図４（ｂ）に比較例１の配線回路基板２０が示されている。
【００４４】
[実施例１]
実施例１の配線回路基板１０の作製時においては、上記と同様にセミアディティブ法により導体パターンＨＰを形成した。以下、詳細を説明する。
【００４５】
初めに、厚み２５μｍのポリイミド樹脂フィルムをベース絶縁層１として用意した。そして、ベース絶縁層１の上面側に連続スパッタリングによりニッケルのスパッタ膜および銅のスパッタ膜を金属薄膜層２として形成した。ここで、ニッケルのスパッタ膜は厚み３０ｎｍであり、銅のスパッタ膜は厚み２００ｎｍであった。
【００４６】
続いて、金属薄膜層２の上面側に、感光性樹脂からなるめっきレジスト層３を形成した。そこで、めっきレジスト層３を所定のパターンで露光処理および現像処理する。これにより、所定のパターンを有するめっきレジスト層３が金属薄膜層２上に形成された。
【００４７】
次に、電解めっきにより外部に露出した金属薄膜層２上に厚み１０μｍの銅めっき層を金属めっき層４として形成した。そして、めっきレジスト層３を除去するとともに、めっきレジスト層３の形成領域における金属薄膜層２を除去した。
【００４８】
これにより、金属薄膜層２および金属めっき層４からなる導体パターンＨＰが形成された。
【００４９】
その後、導体パターンＨＰが形成されていない領域Ｓにおけるベース絶縁層１の上面側に対して粗面化処理を行った。粗面化処理は、プラズマエッチングにより行った。
【００５０】
プラズマ装置としては、ＡＰＳ社製ＰＷＢ−４を用いた。処理条件としては、周波数を４０ｋＨｚに設定し、ガス比を酸素とアルゴンとの比率が５０％：５０％となるように設定した。さらに、圧力を２００ｍＴｏｒｒに設定し、パワーを３０００Ｗに設定し、電極温度を４５℃に設定した。
【００５１】
上記の粗面化処理の結果、ベース絶縁層１の領域Ｓにおける表面粗さは０．１μｍとなった。なお、この表面粗さは、「ＪＩＳ（日本工業規格）  Ｂ  ０６０１」の表面粗さ（Ｒａ）に基づく。
【００５２】
最後に、ベース絶縁層１および導体パターンＨＰの上面側にカバー絶縁層５として厚み１５μｍの接着剤層を介して、厚み２５μｍのポリイミド樹脂フィルムを貼り付けた。これにより、実施例１の配線回路基板１０が完成した。
【００５３】
[比較例１]
比較例１の配線回路基板２０は、以下の点で実施例１の配線回路基板１０と異なる。図４（ｂ）に示すように、比較例１の配線回路基板２０においては、ベース絶縁層１の上面側の領域Ｓに粗面化処理が施されていない。
【００５４】
（評価）
実施例１および比較例１の配線回路基板１０，２０について、それぞれ温度６０℃かつ湿度９５％の雰囲気中で、３０Ｖの電圧を印加した状態で保持し、経過時間に伴う導体パターンＨＰ間の絶縁抵抗値の変化を測定した。測定は、エスペック製イオンマイグレーション評価システムを用いて行った。
【００５５】
上記の高温高湿雰囲気中において、実施例１および比較例１の初期の絶縁抵抗値は、ともに１×１０９  Ωであった。
【００５６】
実施例１の導体パターンＨＰ間の絶縁抵抗値は、１０００時間を経過しても１×１０８  Ω以上であった。これに対して、実施例１の導体パターンＨＰ間の絶縁抵抗値は、１００時間経過することにより１×１０６  Ω以下となり、絶縁不良が発生した。
【００５７】
このような結果から、ベース絶縁層１の上面側の領域Ｓについて粗面化処理を行うことにより、導体パターンＨＰから溶出される金属イオン（銅イオン）の移動がベース絶縁層１の凹凸により制限され、導体パターンＨＰによるイオンマイグレーションの発生が防止されると考えられる。特に、導体パターンＨＰの設けられるベース絶縁層１の面上に、その面を覆うようにカバー絶縁層５が設けられるので、ベース絶縁層１およびカバー絶縁層５間の密着性が向上し、金属イオンの移動がより制限されていると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、絶縁層および導体層を備えるフレキシブル配線回路基板およびリジッド配線回路基板等の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図３】本発明の一実施の形態に係る配線回路基板の製造方法を説明するための製造工程図である。
【図４】実施例１および比較例１の配線回路基板の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  ベース絶縁層
２  金属薄膜層
３  めっきレジスト層
４  金属めっき層
５  カバー絶縁層
１０  配線回路基板
ＨＰ  導体パターン
【図１】
2006156547.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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