(57)【要約】【課題】本発明は、製造プロセスを増やすことなく、１つの画素内に少なくとも２つのベンド配向を有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明は、複数の画素電極２８が設けられた電極基板と、電極基板に対向して配置された対向電極３６が設けられ、電極基板の配向処理に対して略反平行方向に配向処理された対向基板と、電極基板と対向基板との間に挟持され、画素電極と対向電極との間の電界により各画素内において少なくとも２つのベンド配向領域に分割されるカイラルネマチック液晶１とを備え、電極基板は、画素電極に設けられたスリット２９と、スリット２９の下層に絶縁層２１，２６を介して設けられ、カイラルネマチック液晶１の配向を制御する配向制御電極３０とを備える。【選択図】図６
2006251161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極が設けられた電極基板と、
前記電極基板に対向して配置された対向電極が設けられ、前記電極基板の配向処理に対して略反平行方向に配向処理された対向基板と、
前記電極基板と前記対向基板との間に挟持され、前記画素電極と前記対向電極との間の電界により各画素内において少なくとも２つのベンド配向領域に分割されるカイラルネマチック液晶とを備え、
前記電極基板は、前記画素電極に設けられたスリットと、前記スリットの下層に絶縁層を介して設けられ、前記カイラルネマチック液晶の配向を制御する配向制御電極とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記電極基板は、前記スリットの下層にゲート配線を配線し、当該前記ゲート配線の一部を前記配向制御電極としても用いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
複数の画素電極が設けられた電極基板と、
前記電極基板に対向して配置された対向電極が設けられ、前記電極基板の配向処理に対して略反平行方向に配向処理された対向基板と、
前記電極基板と前記対向基板との間に挟持され、前記画素電極と前記対向電極との間の電界により各画素内において少なくとも２つのベンド配向領域に分割されるカイラルネマチック液晶とを備え、
前記電極基板は、前記画素電極に設けられた長尺状のスリットと、前記スリットの長辺に対向する前記画素電極の端辺の下層に絶縁層を介して設けられ、前記カイラルネマチック液晶の配向を制御する配向制御電極とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶表示装置であって、
前記電極基板は、前記スリットの長辺に対向する前記画素電極の端辺の下層にゲート配線を配線し、当該前記ゲート配線の一部を前記配向制御電極としても用いることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項３に記載の液晶表示装置であって、
前記配向制御電極は、前記電極基板に設けられているゲート配線と接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１又は請求項３に記載の液晶表示装置であって、
前記配向制御電極は、前記電極基板に設けられている補助容量配線と接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１つに記載の液晶表示装置であって、
画像表示期間の前に配向制御期間が設けられ、
前記配向制御期間に、前記配向制御電極、前記画素電極及び前記対向電極に電圧を印加することで前記カイラルネマチック液晶の配向を制御することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶表示装置であって、
前記配向制御期間は、０．１秒乃至１．０秒であることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係る発明であって、特に、動画表示特性に優れ、且つ視野角の広い液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
テレビやマルチメディアモニターなど、主として動画表示を行う液晶表示装置は、ＰＣモニターなどの静止画を主に表示する液晶表示装置に比べて、高速な応答特性が求められる。高速な応答特性を実現する液晶モードとして、ベンド配向あるいはベンド配向に類似した配向を用いる液晶モードがいくつか提案されている。なお、本明細書においては、ベンド配向に類似した配向も含めてベンド配向と呼ぶ。
【０００３】
このベンド配向について、図３１に示した液晶パネルの断面図を用いて説明する。ベンド配向とは、図３１に示すように液晶層１０１の液晶分子１０２が弓状に曲がったような形状に配向していることである。液晶層１０１は、配向膜１０３、透明電極１０４が積層されたガラス基板１０５に挟持され、両側のガラス基板１０５上に形成された透明電極１０４間に印加される電圧の高低によって液晶分子１０２の配向の曲がり具合が制御される。ベンド配向では、電圧変化に対する応答に際して、液晶層１０１内にバックフローが発生しないため、原理的に高速応答特性が得られる。詳細については、例えば非特許文献１に記載されている。
【０００４】
次に、ベンド配向を用いる液晶モードのうち、ＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードと呼ばれる液晶モードでは、高速応答特性と広視野角特性の両方の特性を有している。しかし、ＯＣＢモードは、初期配向状態（電圧非印加時の配向状態）の配向がスプレイ配向であるので、表示時に必要なベンド配向を得るために、２０Ｖ以上の高電圧の初期化電圧が必要となる問題があった。詳細については、例えば非特許文献２に記載されている。
【０００５】
一方、ＯＣＢモード以外のベンド配向を用いる液晶モードとしては、１つの画素内に少なくとも２つのベンド配向を有する液晶モード（以下、当該液晶モードをＤＤＢ（Dual-Domain Bend）モードともいう）がある。このＤＤＢモードは、ベンド配向のＯＣＢモードと同様、高速応答特性を有している。さらに、ＤＤＢモードでは、ベンド配向を得るためにＯＣＢモードのような高電圧が不要である。これは、ＤＤＢモードの初期配向が略１８０度のツイスト配向であるため、電圧印加により初期配向からベンド配向に連続的に変化することができるからである。
【０００６】
また、ＤＤＢモードでは、１つの画素内に少なくとも２つの対称的なベンド配向を有するマルチドメイン構造を採るため、視野角特性の対称性が優れるといった特長を有している。なお、ＤＤＢモードについては、例えば、特許文献１や非特許文献３に記載されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−６６４９１号公報
【非特許文献１】SHINYA ONDA、外２名,"Mechanism of Fast Response and Recover in Bend Alignment Cell",Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1999, Vol. 331, p.383-389
【非特許文献２】K.Sueoka、外２名,"Initialization of Optically Compensated Bend-Mode LCDs",AM-LCD / IDW '96 予稿集, p.133-136
【非特許文献３】Tetsuya Satake and Tetsuyuki Kurata,"A Novel Fast-Switching LCD with Dual-Domain Bend Mode",Asia Display/IMID '04 予稿集, p.209-212
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、ＤＤＢモードを用いた液晶表示装置では、１つの画素内に少なくとも２つのベンド配向を得るために、画素内にスリットや突起構造などの新たな配向制御構造を形成する必要があった。特に、対向基板側に上記の配向制御構造を形成する場合は、製造プロセスを増やす必要があり、製造コストが増加するという問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、製造プロセスを増やすことなく、１つの画素内に少なくとも２つのベンド配向を有する液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る解決手段は、複数の画素電極が設けられた電極基板と、電極基板に対向して配置された対向電極が設けられ、電極基板の配向処理に対して略反平行方向に配向処理された対向基板と、電極基板と対向基板との間に挟持され、画素電極と対向電極との間の電界により各画素内において少なくとも２つのベンド配向領域に分割されるカイラルネマチック液晶とを備え、電極基板は、画素電極に設けられたスリットと、スリットの下層に絶縁層を介して設けられ、カイラルネマチック液晶の配向を制御する配向制御電極とを備える。
【００１１】
また、本発明に係る解決手段は、複数の画素電極が設けられた電極基板と、電極基板に対向して配置された対向電極が設けられ、電極基板の配向処理に対して略反平行方向に配向処理された対向基板と、電極基板と対向基板との間に挟持され、画素電極と対向電極との間の電界により各画素内において少なくとも２つのベンド配向領域に分割されるカイラルネマチック液晶とを備え、電極基板は、画素電極に設けられた長尺状のスリットと、スリットの長辺に対向する画素電極の端辺の下層に絶縁層を介して設けられ、カイラルネマチック液晶の配向を制御する配向制御電極とを備える。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に記載の液晶表示装置は、画素電極に設けられたスリットと、スリットの下層に絶縁層を介して設けられた配向制御電極とを備えるので、製造プロセスを増やすことなく、１つの画素内に少なくとも２つのベンド配向を形成し、製造コストを低減することができる効果がある。
【００１３】
また、本発明に記載の液晶表示装置は、画素電極に設けられた長尺状のスリットと、スリットの長辺に対向する画素電極の端辺の下層に絶縁層を介して設けられた配向制御電極とを備える構成であっても、製造プロセスを増やすことなく、１つの画素内に少なくとも２つのベンド配向を形成し、製造コストを低減することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（実施の形態１）
まず、ＤＤＢモードの液晶表示装置について説明する。図１（ａ）に、ＤＤＢモードの液晶表示装置における初期配向状態を模式的に示す。図１（ａ）に示す液晶パネル１２は、配向膜３、透明電極４が積層されたガラス基板５に液晶層１が挟持され、両側のガラス基板５上に形成された透明電極４間に印加される電圧の高低によって液晶分子２の配向が制御される構成である。ＤＤＢモードでは、両ガラス基板５上の配向膜３表面が反平行方向（反対方向）に配向処理されている。なお、図１（ａ）では、配向処理方向６を矢印で示している。
【００１５】
図１（ａ）に示すＤＤＢモードの初期配向状態は、ＯＣＢモードのようなスプレイ配向ではなく、略１８０度のツイスト配向した状態である。ＤＤＢモードでは、この初期配向を得るため液晶層１にカイラル性を有するネマチック液晶材料（以下、カイラルネマチック液晶という）が用いられる。また、ＤＤＢモードの初期配向状態では、液晶層１の中央付近の液晶分子２がガラス基板５に対して略水平となる特徴を有している。なお、ＤＤＢモードで用いられる液晶材料には、誘電異方性が正であるｐ形液晶が用いられる。
【００１６】
図１（ｂ）に示す液晶パネル１２は、ＤＤＢモードの液晶表示装置における表示時の配向状態を模式的に示している。ＤＤＢモードの表示時の配向状態は、図１（ｂ）に示すように、１つの画素にベンド配向の曲がり方向が反対となる２つのベンド配向領域（領域Ａ、領域Ｂ）を有している。また、ＤＤＢモードの表示時の配向状態では、液晶層１の中央付近の液晶分子２が図の右側から立ち上げれば領域Ａが形成され、逆に、図の左側から立ち上げれば領域Ｂが形成される。さらに、ＤＤＢモードの表示時の配向状態では、ＯＣＢモードで用いられるベンド配向とは異なり、カイラルネマチック液晶（図１（ｂ）の場合、上から下に左回り）の影響で、領域Ａ及び領域Ｂの液晶層１の中央付近にある液晶分子２が、電圧印加時においてもガラス基板５の面に対して垂直にはならない。具体的に図１（ｂ）では、液晶層１の中央付近にある液晶分子２が、それぞれ矢印で示された傾き方向７に傾いている。
【００１７】
図１（ｂ）のように、ベント配向領域を分割するためには、電極にスリットや突起構造など設けて斜め電界を生じさせる方法、表面粗さの差により生じるプレチルト角差を利用する方法などがある。なお、図１（ｂ）では、ベント配向領域を分割するための構造物などの記載は省略している。
【００１８】
次に、透明電極４にスリットを設けて斜め電界を生じさせる構成の液晶パネル１２について説明する。図２は、透明電極４にスリット８，９を設けた液晶パネルの断面図である。図２に示す断面図では配向膜３は図示されていないが、各ガラス基板５の内側最表面に配向膜３が形成されている。図２の液晶パネル１２において、上側の透明電極４にはスリット８が、下側の透明電極４にはスリット９が交互に設けられている。各スリット８，９は紙面に垂直な方向に長い形状である。このような液晶パネル１２の両透明電極４間に電圧を印加すると、スリット８，９で斜め電界１０が発生する。この斜め電界１０によって、液晶層１中央付近に位置する液晶分子２の立ち上がり方向を制御し、１つの画素に少なくとも２つのベント配向領域を形成する。
【００１９】
次に、透明電極４に突起構造を設けて斜め電界を生じさせる構成の液晶パネル１２について説明する。図３は、図２で示した上側の透明電極４に設けたスリット８の代わりに、誘電体材料の突起構造１１を設けた液晶パネル１２の断面図である。図３の液晶パネル１２において、突起構造１１は紙面に垂直な方向に長い畝状である。なお、突起構造１１には、液晶材料よりも比誘電率が小さい誘電体材料が用いられる。具体的に、液晶材料の誘電率は４〜１５程度なので、例えば、シリコン酸化膜（比誘電率３程度）などで突起構造１１が形成される。図３に示す液晶パネル１２であっても、電圧印加時には突起構造１１で斜め電界１０が発生する。
【００２０】
次に、ＤＤＢモードの液晶表示装置における光学フィルムの構成と表示原理について説明する。ＤＤＢモードにおいて、低電圧側で白表示、高電圧側で黒表示させるノーマリーホワイトとして動作を行う場合、黒表示電圧（以下、単に黒電圧ともいう）ので液晶層１の残留位相差を補償するために、ガラス基板５の外側に位相差フィルムを配置する必要がある。さらに位相差フィルムの外側には、偏光板を配置する必要がある。図４に、ＤＤＢモードの液晶表示装置における光学フィルム構成の一例を示す。図４では、図１等で示した液晶パネル１２の外側に、位相差フィルムの１種で、フィルム面内に位相差を有する一軸フィルム（以下、ａプレート１３という）が設けられている。
【００２１】
ａプレート１３は、その遅相軸αを液晶の配向処理方向６と略直交する方向に配置することで、配向処理方向６に生じる液晶層１の残留位相差をキャンセルする。図４に示す液晶表示装置では、ａプレート１３が液晶パネル１２の上下に配置され、ａプレート１３の位相差の和が液晶層１の残留位相差と等しくなるように設定されている。さらに、ａプレート１３の外側には、フィルムの厚さ方向に負の位相差を有する一軸フィルム（以下、ｃプレート１４という）が配置されている。ｃプレート１４は、フィルム面内に位相差を有しないので、液晶表示装置正面の透過率はほとんど影響を受けないが、斜め方向からの光漏れを抑制する働きがある。さらに、ｃプレート１４の外側には、偏光板１５が配置されている。ここで、偏光板１５は直線偏光板であり、その透過軸方向βは図４の矢印で示す。偏光板１５の透過軸方向βは、偏光板１５の上下で直交し、且つ液晶層１の配向処理方向６と４５度の角度をなすように配置されている。
【００２２】
図４に示した光学フィルム構成を取るＤＤＢモードの液晶表示装置では、白透過率分布が図５のようになる。なお、図中の数字は、位相差フィルム（ａプレート１３，ｃプレート１４）及び偏光板１５を貼り付けていない液晶表示装置の画素開口部における透過率を用いて規格化した透過率（％）である。一般的な液晶表示装置では左右方向で対称的な視野角特性を有することが求められるが、ＤＤＢモードでは、図５に示すように左右方向のみならず上下方向においても視野角特性は優れた対称性を有している。これは、図１（ｂ）に示したようにＤＤＢモードが２つのベント配向領域を備え、ベンド配向の曲がりの方向や液晶層中央付近における液晶分子２の傾きの方向７などが、互いに補償するように液晶分子２が配向されているためである。
【００２３】
以上のようにＤＤＢモードの液晶表示装置は、高速応答特性、及び優れた対称性を持つ視野角特性を有する特長がある。しかし、ＤＤＢモードでは、１つの画素内に少なくとも２つのベンド配向を得るために、透明電極５にスリット８，９又は突起構造１１を設けている。そのため、ＤＤＢモードの液晶表示装置を製造するには、従来の製造プロセスに、さらにスリット８，９や突起構造１１を形成する製造プロセスを追加する必要があった。製造プロセスの追加は、ＤＤＢモードの液晶表示装置の製造コストを増加させることになる。そこで、以下に述べる本実施の形態に係る液晶表示装置では、製造プロセスの追加する必要がないＤＤＢモードの液晶表示装置の構成について説明する。
【００２４】
図６（ａ）は、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。図６（ｂ）は、本実施の形態に係る液晶表示装置の対向基板の透視図である。図６（ｃ）は、本実施の形態に係る液晶表示装置の断面図である。図６（ｃ）の断面図は、図６（ａ），（ｂ）に示すＣ−Ｄでの断面である。図６（ａ）乃至（ｃ）は、液晶表示装置の１つの画素に対応する単位構造を示しており、実際の液晶表示装置では、縦方向及び横方向に同様の構造がマトリクス状に並んでいる。
【００２５】
図２で示した液晶パネル１２の下側の基板が、図６（ａ）に示す電極基板に該当する。電極基板は、ガラスなどの透明基板１６上の一方向（図６（ａ）の場合、横方向）にゲート配線１７が配置されている。このゲート配線１７にはゲート電極１８が接続されている。ゲート配線１７と同一方向に補助容量配線１９が配置され、当該補助容量配線１９には補助容量電極２０が接続されている。ゲート配線１７や補助容量配線１９は、図６（ｃ）に示すように第１の絶縁膜２１で被覆され、絶縁膜２１上には信号配線２２がゲート配線１７や補助容量配線１９の方向とは異なる方向（図６（ａ）の場合は縦方向）に配置されている。
【００２６】
信号配線２２には、ソース電極２３が接続されている。なお、ゲート配線１７及び補助容量配線１９と信号配線２２とは、絶縁層２１を挟んで異なる層に形成されているため、電気的に絶縁されている。そして、ゲート電極１８、ソース電極２３、ドレイン電極２４、絶縁膜２１、半導体層（図示せず）などからスイッチィング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）部２５が構成される。さらに、信号配線２２などの上層は、図６（ｃ）に示すように第２の絶縁膜２６で被覆されている。
【００２７】
ドレイン電極２４上の第２の絶縁膜２６にはコンタクトホール２７が設けられており、このコンタクトホール２７によりドレイン電極２４と第２の絶縁膜２６の上層に形成される画素電極２８とが電気的に接続されている。画素電極２８はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電材料からなる。本実施の形態に係る液晶表示装置では、この画素電極２８の中央部にスリット２９が設けられている。このスリット２９は、信号配線２２と同じ方向（図６（ａ）の場合は縦方向）に設けられている。図６（ｃ）では、画素電極２８がスリット２９により左右に分断されているが、図６（ａ）に示すように画素電極２８の短辺近傍までしかスリット２９が形成されていないので、左右の画素電極２８電気的には接続されている。
【００２８】
さらに、本実施の形態に係る液晶表示装置では、スリット２９の真下で、且つゲート配線１７や補助容量電極２０等と同じ層に配向制御電極３０が設けられている。この配向制御電極３０は、ゲート配線１７と接続されている。以上の構成の電極基板上には、さらにポリイミド、ポリアミドなどの配向膜（図示せず）が形成され、その表面は特定の配向処理方向３１にラビング処理などが施される。
【００２９】
次に、図２で示した液晶パネル１２の上側の基板５が、図６（ｂ）に示す対向基板に該当する。対向基板は、ガラスなどの透明基板３２上に遮光のためのブラックマトリクス（以下、ＢＭともいう）３３が配置され、各画素に区切られている。画素内には赤、緑、青などの色材層３４が形成されている。色材層３４の上層には透明な有機膜によるオーバーコート層３５が設けられ、さらにその上層に透明な導電材料からなる対向電極３６が設けられる。但し、モノクロ液晶表示装置などの場合には、色材層３４やオーバーコート層３５が設けられないこともある。
【００３０】
以上の構成の対向基板には、電極基板と同様に、さらにポリイミド、ポリアミドなどの配向膜（図示せず）が形成され、その表面は電極基板の配向処理方向３１と逆方向の配向処理方向３７に配向処理が施される。
【００３１】
次に、本実施の形態に係る液晶表示装置の駆動方法について説明する。図７は、ゲート配線１７、補助容量配線１９、信号配線２２及び対向電極３６のそれぞれに印加される電圧波形を示した図である。ゲート配線１７には、ゲート電圧Ｖｇの電圧波形が入力される。同じゲート配線１７に接続された画素（図６（ａ）の場合、横方向に並んでいる画素）が選択される期間（選択期間）には、当該画素のＴＦＴをオン状態にする必要があるため、ゲートオン電圧ＶｇＨがゲート配線１７に印加される。その他の期間（非選択期間）では、ゲートオフ電圧ＶｇＬがゲート配線１７に印加される。
【００３２】
隣接するゲート配線（図６（ａ）の場合、上側あるいは下側の画素列に接続されたゲート配線１７）には、図７に示すゲート電圧Ｖｇ’の電圧波形が入力される。同様に、選択期間には、ゲートオン電圧Ｖｇ’Ｈがゲート配線１７に印加され、非選択期間には、ゲートオフ電圧Ｖｇ’Ｌがゲート配線１７に印加される。ここで、ＶｇＨ又はＶｇ’Ｈは１０Ｖ〜２５Ｖの範囲内での特定の電圧であり、ＶｇＬ又はＶｇ’Ｌは−１５Ｖ〜０Ｖの範囲内での特定の電圧である。本実施の形態に係る液晶表示装置では、ＶｇＨ又はＶｇ’Ｈを２０Ｖ、ＶｇＬ又はＶｇ’Ｌを−５Ｖとしている。
【００３３】
一方、信号配線２２には、画像情報に対応する信号電圧Ｖｓの電圧波形が入力される。対向電極３６には対向電圧Ｖｃｅ、補助容量配線１９には補助容量電圧Ｖｃｓの電圧波形がそれぞれ印加される。本実施の形態に係る液晶表示装置では、対向電圧Ｖｃｅと補助容量電圧Ｖｃｓには同じ電圧Ｖｃが入力され、且つ電圧Ｖｃは一定電圧の７Ｖとしている。なお、図７では、ゲート電圧Ｖｇの電圧波形の切り替えタイミングをわかりやすくするため、ゲート電圧Ｖｇ’の電圧波形をゲート電圧Ｖｇの電圧波形に対して僅かに下方向にずらして描画している。
【００３４】
一般的な液晶表示装置に画像を表示する場合、画像書き換えは３０〜２００Ｈｚの駆動周波数で行っている。本実施の形態では、駆動周波数を６０Ｈｚとしている。そのため、１つ画像を表示してから次に画像に書き換えるまでの期間（１フレーム又は１ｆ）が約１７ｍｓとなる。つまり、１ｆの期間内に、液晶表示装置の一方向から順にゲート配線１７に対してゲートオン電圧ＶｇＨが印加され、特定の画素列が順次選択される。選択された画素の画素電極２８には信号配線２２に印加される信号電圧Ｖｓとほぼ同じ電圧が印加され、画素電極２８と対向電極３６との間にはおよそ信号電圧Ｖｓ−対向電圧Ｖｃｅ（＝電圧Ｖｃ）の電圧が印加される。非選択期間中は、ＴＦＴがオフ状態であるので、選択期間に印加された電圧がほぼ維持されることになる。
【００３５】
本実施の形態に係る液晶表示装置では、画像表示に先んじて、配向制御のための電圧波形を印加する期間（以下、配向制御期間Ｔａともいう）を設けている。具体的に、配向制御期間Ｔａは、液晶表示装置の電源をオンし、映像が表示される前などに設けられる。図８は、配向制御期間Ｔａにゲート配線１７、補助容量配線１９、信号配線２２及び対向電極３６のそれぞれに印加される電圧波形を示した図である。まず配向制御期間Ｔａでは、全てのゲート配線１７にゲートオン電圧ＶｇＨが印加され、全ての画素を選択状態とする。そして、補助容量配線１９及び対向電極３６には画像表示時と同じ電圧（電圧Ｖｃ）が印加される。また、信号配線２２にはゲートオン電圧ＶｇＨと電圧Ｖｃとのほぼ中間の電圧を有する信号電圧Ｖｓが印加される。図８では、電圧Ｖｃを画像表示時と同じ電圧としたが、ゲートオン電圧ＶｇＨ＞信号電圧Ｖｓ＞電圧Ｖｃ＝対向電圧Ｖｃｅとなる関係を有していれば、画像表示時と異なる電圧Ｖｃを印加してもかまわない。
【００３６】
次に、本実施の形態に係る液晶表示装置の配向制御メカニズムを、図９を用いて説明する。図９は、本実施の形態に係る液晶表示装置の断面図である。図９に示す画素電極２８の両端（信号配線２２の近傍に位置する画素電極２８の端）は、図２に示したスリット９に対応するため、図２と同じ方向に斜め電界１０が発生する。これに対して、中央のスリット２９では、配向制御期間Ｔａにおいて、配向制御電極３０に高い電圧（ゲートオン電圧ＶｇＨ）、画素電極２８に信号電圧Ｖｓ、対向電極３６に電圧Ｖｃがそれぞれ印加され、それぞれの電圧がゲートオン電圧ＶｇＨ＞信号電圧Ｖｓ＞電圧Ｖｃの関係を有しているのでスリット２９から上部方向に広がる斜め電界１０が発生することになる。
【００３７】
画素電極２８の両端における斜め電界１０の方向と、スリット２９における斜め電界１０の方向とは一致するので、図２で示したスリット８，９を設けた場合や図３で示したスリット９と突起構造１１を設けた場合と同様に、本実施の形態に係る液晶表示装置は２つのベンド配向領域を形成することができる。また、本実施の形態に係る液晶表示装置では、対向基板側に配向制御構造を配置する必要がなく、且つ電極基板側にも新たな製造プロセスを必要とすることなく配向制御構造を追加できるので、製造コストを低減することができる。
【００３８】
ここで、配向制御期間Ｔａは、液晶分子２が立ち上がりベンド配向となるのに要する応答時間より長くする必要がある。しかし、配向制御期間Ｔａをあまり長く取りすぎると、当該液晶表示装置を使用している者が画像表示までの間にもたつきを感じることになる。したがって、本発明に係る液晶表示装置では、液晶材料や過去の経験等を考慮して配向制御期間Ｔａを０．１〜１．０秒とすることが望ましい。特に本実施の形態では、配向制御期間Ｔａを０．２秒（１２ｆに相当）とした。
【００３９】
また、本発明に係る液晶表示装置は、図８に示した配向制御期間Ｔａの電圧波形に限定されず、図１０に示す電圧波形であっても良い。図１０に示す電圧波形では、ゲート配線１７、補助容量配線１９及び対向電極３６には画像表示時と同じ電圧波形を入力する。しかし、信号配線２２には、ゲート配線１７に印加されるゲート実効電圧Ｖｇ（ａｖｅ）と補助容量配線１９及び対向電極３６に印加される電圧Ｖｃのほぼ中間の電圧である信号電圧Ｖｓが印加される。図１０では、電圧Ｖｃ＝対向電圧Ｖｃｅ＞信号電圧Ｖｓ＞ゲート実効電圧Ｖｇ（ａｖｅ）となる関係を有していることが重要である。なお、ゲート実効電圧Ｖｇ（ａｖｅ）は、ゲートオン電圧ＶｇＨ×（選択期間比率）＋ゲートオフ電圧ＶｇＬ×（非選択期間比率）で計算される。
【００４０】
図１０に示す電圧波形を用いた場合も、図９と同様の斜め電界１０（但し、電界の向きは逆となる）が発生し、１つの画素に２つのベンド配向領域を形成することができる。
【００４１】
次に、本実施の形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、電極基板の作製方法について説明する。ガラスの透明基板１６上に金属クロム膜を３００ｎｍ成膜し、写真製版によって、ゲート配線１７、ゲート電極１８、配向制御電極３０，補助容量配線１９及び補助容量電極２０を形成する。本実施の形態では、配向制御電極３０を形成するために、新たな製造プロセスを追加する必要がなく、ゲート配線１７等と同時に形成することができる。次に、ゲート配線１７等の上層に、第１の絶縁膜２１としてシリコン窒化膜を４００ｎｍ成膜する。なお、当該膜中に形成されたピンホールなどによって導通が生じるのを防ぐため、シリコン窒化膜は３００ｎｍ、１００ｎｍと２度に分けて成膜する。続いて、アモルファスシリコン膜を１００ｎｍ、ドープドアモルファスシリコン膜を５０ｎｍ、連続して第１の絶縁膜２１上に成膜し、写真製版によってＴＦＴ部２５を形成する。
【００４２】
再び、金属クロム膜３００ｎｍをドープドアモルファスシリコン膜上や第１の絶縁膜２１上に成膜し、写真製版によって、信号配線２２、ソース電極２３、ドレイン電極２４を形成する。次に、第２の絶縁膜２６としてシリコン窒化膜４００ｎｍを信号配線２２等の上に成膜し、写真製版によってコンタクトホール２７を形成する。続いて、第２の絶縁膜２６上に、ＩＴＯ膜を１００ｎｍ成膜し、写真製版によって画素電極２８を形成する。本実施の形態では、画素電極２８を形成する際にスリット２９も写真製版によって形成されるため、新たな製造プロセスを追加する必要がない。
【００４３】
次に、対向基板の作製方法について説明する。ガラスの透明基板３２上に金属クロム膜を３００ｎｍ成膜し、写真製版によって、ＢＭ３３を形成する。ＢＭ３３形成後の透明基板３２上に、赤、緑、青の色材層３４を、成膜、写真製版を繰り返して作製する。その後、色材層３４上にオーバーコート層３５を形成する。さらに、オーバーコート層３５上にＩＴＯ膜を１００ｎｍ成膜し、対向電極３６を形成する。
【００４４】
上記のようにして作製した電極基板と対向基板を用いて、液晶パネルを作製する方法を説明する。電極基板及び対向基板に、配向膜（ＪＳＲ社製のオプトマー（登録商標）ＡＬ３０４６）をおよそ８０ｎｍ成膜し、ローラーラビング装置を用いて図６（ａ），（ｂ）で示した配向処理方向３１，３７にラビング処理を行う。次に、対向基板側に樹脂製スペーサ（積水化学工業社製のミクロパール（登録商標））を散布する。
【００４５】
一方、電極基板側には、透明基板１６の周辺部にシール材を塗布する。続いて、電極基板と対向基板を所定の方向に重ね合わせて、熱圧着して貼り合わせる。電極基板と対向基板の間隙（以下、パネルギャップとする）は７μｍになるように調整する。その後、シール材の開口部から、液晶材料を注入する。
【００４６】
本実施の形態に係る液晶表示装置に用いられるＤＤＢモードでは、液晶分子が基板面に水平に配向している状態と、電圧印加時に立ち上がった状態との液晶層の位相差変化を利用する液晶表示モード（例えば、Twisted Nematicモード）や、液晶分子が基板面に垂直に配向している状態と、電圧印加時に寝させた状態との液晶層の位相差変化を利用する液晶表示モード（例えば、Vertical Alignmentモード）と異なり、白表示時と黒表示時との液晶配向状態の変化が小さいため、充分な透過率変化を得るためには複屈折性の大きな液晶材料を用いることが望ましい。また、ＤＤＢモードでは、初期配向をツイスト配向させるために、液晶材料のカイラルピッチｐは、（４ｄ）／３＜ｐ＜４ｄの関係を満たす必要がある。ここで、ｄは、パネルギャップを示す。
【００４７】
次に、本実施の形態に係る液晶表示装置に用いられる液晶材料の特性を表１に示す。
【００４８】
【表１】
2006251161.tif 000003
【００４９】
液晶パネルに、表１に示した液晶材料を注入後、紫外線硬化性樹脂を用いて、シール材の開口部（液晶注入口）を封止する。液晶パネル１２を作製した後、ゲート配線１７、信号配線２２、対向電極３６などに駆動回路を実装し、各電極に所定の電圧が印加できるようにする。
【００５０】
駆動回路を実装した後、表２に示した特性を有する位相差フィルムや偏光板を、粘着フィルムなどを用いて液晶パネル１２に貼り付ける。なお、表２で示されている透過軸、遅相軸などの方向は、液晶表示装置を正面から見て右手を０度とし、反時計回りの角度を示す。つまり、図６（ａ），（ｂ）で示した配向処理方向３１，３７は、９０度，２７０度にそれぞれ相当する。また、表２で示す位相差は、波長５５０ｎｍでの値である。
【００５１】
【表２】
2006251161.tif 000004
【００５２】
上記のようにして製造された液晶パネル１２（位相差フィルム等が貼り付けられている）に、バックライトなどの面光源上に配置することで、液晶表示装置を作製している。
【００５３】
本実施の形態に係る液晶表示装置での電気光学特性を図１１に示す。図１１は、液晶表示装置の正面での印加電圧−透過率特性であり、横軸が印加電圧［Ｖ］、縦軸が透過率［％］である。ここで、印加電圧は、画素電極２８と対向電極３４との間に印加される電圧を示す。また、透過率は、位相差フィルム等を貼り付けていない液晶パネル１２の開口部における透過率で規格化している。本実施の形態に係る液晶表示装置では、黒電圧を６．３Ｖ、白電圧を２．５Ｖに設定してある。図１１に示すように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、黒表示時の透過率が低く抑えられていることが分かる。なお、本実施の形態に係る液晶表示装置の白表示時の透過率分布を図１２に示す。図１２に示す透過率分布は、図５に示した透過率分布とほぼ同じである。つまり、本実施の形態は、電極基板側にのみスリット２９や配向制御電極３０を設ける構成であるが、図２や図３に示すＤＤＢモードの液晶表示装置と同様、左右対称の視野角特性が得られ、１つの画素が２つのベンド配向領域に分割されていることが分かる。
【００５４】
なお、補助容量電極２０及び補助容量配線１９の形状は、図６（ａ）に示した形状に限定されない。本実施の形態に係る液晶表示装置では、画素電極２８に設けられたスリット２９と、スリット２９の下層に絶縁層２１，２６を介して設けられた配向制御電極３０とを備えていればよく、例えば、図１３に示す補助容量電極２０及び補助容量配線１９の形状であってもよい。さらに、本実施の形態に係る液晶表示装置では、図１４に示すように補助容量電極２０及び補助容量配線１９がなくても良い。補助容量電極２０及び補助容量配線１９がない場合であっても、図１４に示す液晶表示装置では、配向制御電極３０と画素電極２８との重なる部分で補助容量が形成することができるため、当該部分が補助容量電極２０及び補助容量配線１９と同様の機能を果たすことができる。
【００５５】
（実施の形態２）
実施の形態１に係る液晶表示装置では、画素電極２８のほぼ中央部に設けられたスリット２９の下層に配向制御電極３０を配置したが、本実施の形態に係る液晶表示装置では、長尺状のスリット２９の長辺に対向する画素電極２８の端辺の下層に配向制御電極３０を配置する。
【００５６】
図１５は、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極基板の平面構造を示す透視図である。なお、本実施の形態に係る液晶表示装置の対向基板は、図６（ｂ）に示す対向基板と同じものを用いる。そのため、本実施の形態では、対向基板については詳細な説明を省略する。
【００５７】
図１５に示すように、本実施の形態の電極基板では、画素電極２８のほぼ中央部に長尺状のスリット２９が設けられ、当該スリット２９の長辺に対向する画素電極２８の端辺の下層に、ゲート配線１７に接続された配向制御電極３０が設けられている。一方、補助容量電極２０は、スリット２９の下層に設けられ、ゲート配線１７と同一方向に配置された補助容量配線１９と接続されている。
【００５８】
図１６に、本実施の形態に係る液晶表示装置の断面図を示す。図１６では、ゲート配線１７や補助容量電極２０等と同じ層に配向制御電極３０が設けられていることが分かる。本実施の形態では、配向制御電極３０を画素電極２８の端辺の下層に配置したことにより、図９に示した実施の形態１の場合と異なる方向の斜め電界１０がかかることになる。
【００５９】
具体的には、図１６に示すように、画素電極２８の中央部のスリット２９では、図２等に示したスリット８，９の斜め電界１０が発生する。これに対し、下層に配向制御電極３０を配置した画素電極２８の端辺では、配向制御電極３０に高い電圧（例えば、図８に示す配向制御期間Ｔａのゲートオン電圧ＶｇＨ）が印加されるため、画素電極２８の端辺から内側に広がるような斜め電界１０が発生する。画素電極２８の端辺における斜め電界１０の方向と、スリット２９における斜め電界１０の方向とは一致するため、スリット２９を境界として１つの画素に２つのベンド配向が形成されることになる。但し、本実施の形態の場合、図１（ｂ）に示したように左側に領域Ａ、右側に領域Ｂとなるように液晶分子２が配向されず、右側に領域Ａ、左側に領域Ｂと図１（ｂ）とは逆になる。なお、上述以外の本実施の形態に係る液晶表示装置の駆動方法や製造方法については、実施の形態１と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【００６０】
以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置においても、対向基板側に配向制御構造を配置する必要がなく、且つ電極基板側にも新たな製造プロセスを必要とする配向制御構造を追加して形成する必要がないので、製造コストを低減することができる。
【００６１】
なお、本実施の形態の場合においても、補助容量電極２０及び補助容量配線１９の形状は図１５に示した形状に限定されない。本実施の形態に係る液晶表示装置では、画素電極２８に設けられたスリット２９と、画素電極２８の端辺の下層に絶縁層２１，２６を介して設けられた配向制御電極３０とを備えていればよく、例えば、図１７（ａ）に示す補助容量電極２０及び補助容量配線１９の形状であっても良い。
【００６２】
但し、図１７（ａ）の電極基板には、スリット２９の下層に遮光する配線等が設けられないので、スリット２９に対向する対向基板上にＢＭ３３を形成するのが望ましい。対向基板の平面構造を図１７（ｂ）に、図１７（ａ）（ｂ）で示した電極基板及び対向基板のＣ−Ｄでの断面図を図１７（ｃ）にそれぞれ示す。スリット２９では液晶層１に充分な電界が印加されないため、黒表示時に当該部分で光漏れが発生しコントラストが低下する問題があった。そのため、上記のようにスリット２９の部分から光漏れを遮光するために、対向基板側のスリット２９と対向する位置にＢＭ３３を設けて、コントラストの低下を抑制している。
【００６３】
また、本実施の形態の場合においても、図１８に示すように補助容量電極２０及び補助容量配線１９を設けなくとも良い。補助容量電極２０及び補助容量配線１９を設けない場合には、配向制御電極３０と画素電極２８の重なる部分で補助容量が形成することができるため、当該部分が補助容量電極２０及び補助容量配線１９と同様の機能を果たすことができる。
【００６４】
（実施の形態３）
本実施の形態に係る液晶表示装置では、配向制御電極３０を設けられた画素のゲート配線１７ではなく、隣接する画素のゲート配線１７に接続する構成である。図１９は、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極基板の平面構造を示す透視図である。図１９の配向制御電極３０は、当該配向制御電極３０が設けられた画素の上側に位置する画素列のゲート配線３８と接続している。図１９における他の部分については、図６（ａ）に示した電極基板と同じ構造であるため、同一の部分については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００６５】
また、本実施の形態に係る液晶表示装置の対向基板も、図６（ｂ）に示す対向基板と同じである。そして、本実施の形態の場合、隣接するゲート配線３８にも、配向制御期間Ｔａにおいて、図８に示すようにゲートオン電圧ＶｇＨが印加されるので、図９に示した斜め電界１０が液晶層１に印加されることになる。そのため、本実施の形態においても、各画素に２つのベンド配向領域が形成されることになる。なお、上述以外の本実施の形態に係る液晶表示装置の駆動方法や製造方法については、実施の形態１と同じであるので、詳細な説明は省略する。
【００６６】
以上のように、本実施の形態に係る液晶表示装置においても、対向基板側に配向制御構造を配置する必要がなく、且つ電極基板側にも新たな製造プロセスを必要とする配向制御構造を追加して形成する必要がないので、製造コストを低減することができる。
【００６７】
なお、本実施の形態の場合においても、補助容量電極２０及び補助容量配線１９の形状は図１９に示した形状に限定されない。本実施の形態に係る液晶表示装置では、画素電極２８に設けられたスリット２９と、隣接するゲート配線３８に接続された配向制御電極３０とを備えていればよく、例えば、図２０に示す補助容量電極２０及び補助容量配線１９の形状であっても良い。
【００６８】
また、本実施の形態の場合においても、図２１に示すように補助容量電極２０及び補助容量配線１９を設けなくとも良い。補助容量電極２０及び補助容量配線１９を設けない場合には、配向制御電極３０と画素電極２８の重なる部分で補助容量が形成することができるため、当該部分が補助容量電極２０及び補助容量配線１９と同様の機能を果たすことができる。
【００６９】
さらに、本実施の形態の場合、隣接したゲート配線３８に接続された配向制御電極３０は、スリット２９の下層ではなく、図２２に示すようにスリット２９の長辺と対向する画素電極２８の端辺の下層に配置する構成であっても良い。なお、図２２では、スリット２９の下層に補助容量電極２０を設けている。
【００７０】
（実施の形態４）
実施の形態１乃至３に係る液晶表示装置では、配向制御電極３０をゲート配線１７に接続する構成であったが、本実施の形態に係る液晶表示装置では配向制御電極３０を補助容量配線１９に接続する構成である。図２３は、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極基板の平面構造を示す透視図である。図２３に示す配向制御電極３０は、補助容量電極１９に接続されている。図２３における他の部分については、図６（ａ）に示した電極基板と同じ構造であるため、同一の部分については同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００７１】
但し、本実施の形態では、補助容量電極２０については特に設けずに、補助容量電極１９に接続された配向制御電極３０を補助容量電極２０として用いている。また、本実施の形態に係る液晶表示装置の対向基板も、図６（ｂ）に示す対向基板と同じである。
【００７２】
次に、本実施の形態に係る液晶表示装置の配向制御期間Ｔａでの電圧波形を図２４に示す。図２４に示す波形は、図８及び図１０で示した電圧波形と異なり、配向制御期間Ｔａの間、補助容量配線１９と対向電極３６にそれぞれ異なる電圧が印加される。つまり、配向制御電極３０が接続された補助容量配線１９に印加される補助容量電圧Ｖｃｓは、ゲートオン電圧ＶｇＨとほぼ同じ電圧としている（図２４では、分かりやすくするために下側に少しずらして描画されている）。一方、対向電極３６に印加される電圧Ｖｃｅは、図８及び図１０で示した電圧と同じ電圧Ｖｃが印加される。
【００７３】
ゲート配線１７には画像表示時と同じ電圧波形が入力される。また、信号配線２２には、補助容量電圧Ｖｃｓ＞信号電圧Ｖｓ＞対向電圧Ｖｃｅ＝電圧Ｖｃの関係を満たす信号電圧Ｖｓが印加される。図２５に示す本実施の形態に係る液晶表示装置の断面図を用いて、本実施の形態の斜め電界を説明する。
【００７４】
図２５に示すように、本実施の形態に係る液晶表示装置では、図９に示した場合と同様、配向制御期間Ｔａの間、配向制御電極３０にゲートオン電圧ＶｇＨとほぼ同じ高電圧が印加されるため、スリット２９から広がるような斜め電界１０が発生する。そのため、本実施の形態に係る液晶表示装置でも、スリット２９の両側にベント配向が形成され、１つの画素に２つのベンド配向領域を有することになる。
【００７５】
本実施の形態では、補助容量配線１９に接続された配向制御電極３０を、図２３のようにスリット２９の下層に必ずしも配置する必要はなく、図２６に示すようにスリット２９の長辺と対向する画素電極２８の端辺の下層に配置してもよい。
【００７６】
（実施の形態５）
実施の形態１乃至４に係る液晶表示装置では、ゲート配線１７や補助容量配線１９と垂直な方向（信号配線２２と平行な方向）に配向処理方向３１，３７を有するようにラビング処理を行っている。そのため、実施の形態１乃至４に係る液晶表示装置では、信号配線２２と平行な方向にスリット２９を設け、当該スリット２９の左右に２つのベント配向領域を形成していた。
【００７７】
一方、本実施の形態に係る液晶表示装置では、ゲート配線１７や補助容量配線１９と平行な方向（信号配線２２と垂直な方向）に配向処理方向３１，３７を有するようにラビング処理を行う。そのため、本実施の形態に係る液晶表示装置では、信号配線２２と垂直な方向にスリット２９を設け、当該スリット２９の上下方向に２つのベント配向領域を形成している。
【００７８】
図２７（ａ）は、本実施の形態に係る液晶表示装置の電極基板の平面構造を示す透視図である。また、図２７（ｂ）は、本実施の形態に係る液晶表示装置の対向基板の平面構造を示す透視図である。図２７（ａ）では、ゲート配線１７が画素中央部を横切るように配置され、且つ配向制御電極３０の機能を兼ねている。また、図２７（ａ）では、スリット２９がゲート配線１７で且つ配向制御電極３０の配線と重なる位置に形成されている。図２７（ａ）に示すように、本実施の形態の構成は、ゲート配線１７をスリット２９の下層に配線し、配線したゲート配線１７の一部を配向制御電極３０としても用いる。
【００７９】
補助容量配線１９は、画素電極２８の上下端の下層に配置されている。ＴＦＴ部２５が画素中央付近に配置されたことに対応して、図２７（ｂ）に示す対向基板側のＢＭ３３の形状も変更されている。なお、配向処理方向３１，３７は、図２７（ａ）（ｂ）に示すようにゲート配線１７や補助容量配線１９と平行な方向であり、図２７（ａ）の電極基板と図２７（ｂ）の対向基板を重ね合わせたときに反平行となる方向となる。
【００８０】
ゲート配線１７、補助容量配線１９、信号配線２２、対向電極３６のそれぞれに入力される電圧波形は、図８に示した電圧波形と同じである。本実施の形態に係る液晶表示装置においても、スリット２９の上下に液晶分子２の立ち上がり方向の異なる２つのベンド配向が形成される。
【００８１】
また、本実施の形態では、配向処理方向３１，３７が横方向であるのにあわせて、両基板の外側に貼り付ける位相差フィルム等も液晶表示装置の正面から見て９０°反時計方向にずらせて貼り付ける。ここで、本実施の形態に係る液晶表示装置の白透過率分布を図２８に示す。図２８に示す透過率分布は、図１２に示した実施の形態１の透過率分布を９０°反時計方向に回した分布とほぼ同じである。そのため、本実施の形態に係る液晶表示装置でも、対称性の良い透過率分布を得ることができることが分かる。
【００８２】
本実施の形態のように、配向処理方向３１，３７がゲート配線１７や補助容量配線１９と平行な方向の場合においても、上記のように配向制御電極３０がスリット２９の下層に配置され、且つゲート配線１７に接続された形態に限定されない。つまり、本実施の形態では、図２９に示すように、スリット２９の長辺に対向する画素電極２８の端辺（図２９の場合、画素電極２８の上下端辺）の下層に、対象画素２８のゲート配線１７及び隣接する画素のゲート配線３８を配置する構成であっても良い。図２９に示す場合も、ゲート配線１７が、スリット２９の長辺に対向する画素電極２８の端辺の下層に配線され、配線されたゲート配線１７の一部が配向制御電極３０としても用いられ、配向制御電極３０の機能を兼ねている。
【００８３】
さらに、本実施の形態では、図３０に示すように配向制御電極３０がスリット２９の下層に配置され、且つ補助容量配線１９と接続する構成であっても良い。図３０に示す場合は、配向制御電極３０が、補助容量電極２０の機能を兼ねている。補助容量配線１９に接続する場合には、実施の形態４と同様、配向制御期間Ｔａの間は、図２４で示した電圧波形が各配線に印加される。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の前提となる液晶表示装置の斜視図である。
【図２】本発明の前提となる液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明の前提となる液晶表示装置の断面図である。
【図４】本発明の前提となる液晶表示装置の光学フィルム構成を説明する図である。
【図５】本発明の前提となる液晶表示装置の白透過率分布を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置を説明する図である。
【図７】本発明の前提となる液晶表示装置の電圧波形を説明する図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電圧波形を説明する図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電圧波形を説明する図である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の光学特性を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の白透過率分布を示す図である。
【図１３】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図１４】本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図１５】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図１６】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置を説明する図である。
【図１８】本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図１９】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図２０】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図２１】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図２２】本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図２３】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図２４】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の電圧波形を説明する図である。
【図２５】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図２７】本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置を説明する図である。
【図２８】本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の白透過率分布を示す図である。
【図２９】本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図３０】本発明の実施の形態５に係る液晶表示装置の電極基板の透視図である。
【図３１】ベント配向を説明する液晶表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１  液晶層、２  液晶分子、３  配向膜、４  透明電極、５  ガラス基板、６，３１，３７  配向処理方向、７  傾き方向、８，９，３５  スリット、１０  斜め電界、１１  突起構造、１２  液晶パネル、１３  ａプレート、１４  ｃプレート、１５  偏光板、１６，３２  透明基板、１７，３８  ゲート配線、１８  ゲート電極、１９  補助容量配線、２０  補助容量電極、２１，２６  絶縁膜、２２  信号配線、２３  ソース電極、２４  ドレイン電極、２５  ＴＦＴ部、２７  コンタクトホール、２８  画素電極、２９  スリット、３０  配向制御電極、３３  ブラックマトリクス、３４  色材層、３５  オーバーコート層、３６  対向電極、１０１  液晶層、１０２  液晶分子、１０３  配向膜、１０４  透明電極、１０５  ガラス基板。
【図１】
2006251161.tif 000005
【図２】
2006251161.tif 000006
【図３】
2006251161.tif 000007
【図４】
2006251161.tif 000008
【図５】
2006251161.tif 000009
【図６】
2006251161.tif 000010
【図７】
2006251161.tif 000011
【図８】
2006251161.tif 000012
【図９】
2006251161.tif 000013
【図１０】
2006251161.tif 000014
【図１１】
2006251161.tif 000015
【図１２】
2006251161.tif 000016
【図１３】
2006251161.tif 000017
【図１４】
2006251161.tif 000018
【図１５】
2006251161.tif 000019
【図１６】
2006251161.tif 000020
【図１７】
2006251161.tif 000021
【図１８】
2006251161.tif 000022
【図１９】
2006251161.tif 000023
【図２０】
2006251161.tif 000024
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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