(57)【要約】【課題】  電気的な性能が良好であると共に、高周波素子としても好適なスパイラルインダクタを提供する。【解決手段】  本発明のスパイラルインダクタは、この絶縁基板１の一面１ａ側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成され、スパイラル状の外方に配置された外部端２ａ、及びスパイラル状の内方に配置された内部端２ｂを有した導電体２と、内部端２ｂに接続されてスパイラル状の外方に引き出される引出導電体４とを備え、引出導電体４は、絶縁層３を介して導電体２と対向した状態で、導電体２の巻方向に沿って引き出されたため、導電体２と引出導電体４の磁気結合が強くなって、インダクタンス値、及びＱ値を高くでき、電気的な性能が良好になる上に、高周波素子としても好適なものが得られる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板の一面側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成され、前記スパイラル状の外方に配置された外部端、及び前記スパイラル状の内方に配置された内部端を有した導電体と、前記内部端に接続されて前記スパイラル状の外方に引き出される引出導電体とを備え、前記引出導電体は、絶縁層を介して前記導電体と対向した状態で、前記導電体の巻方向に沿って引き出されたことを特徴とするスパイラルインダクタ。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記導電体上に設けられた絶縁膜によって形成され、前記絶縁膜上に前記引出導電体が設けられたことを特徴とする請求項１記載のスパイラルインダクタ。
【請求項３】
前記引出導電体は、前記一面側の前記導電体に対向した状態で、前記絶縁基板の他面側に設けられて、前記絶縁層が前記絶縁基板で形成されると共に、前記導電体の前記内部端と前記引出導電体が前記絶縁基板内に設けられた第１の接続導体によって接続されたことを特徴とする請求項１記載のスパイラルインダクタ。
【請求項４】
前記スパイラル状の外方に位置する前記引出導電体の端部導体は、前記絶縁基板の前記一面側に設けられ、前記一面側に位置する前記端部導体と前記他面側に位置する前記引出導電体が前記絶縁基板内に設けられた第２の接続導体によって接続されたことを特徴とする請求項１記載のスパイラルインダクタ。
【請求項５】
互いに対向した状態にある前記導電体と前記引出導電体は、幅寸法を互いに異ならしめたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のスパイラルインダクタ。
【請求項６】
前記導電体の幅寸法よりも前記引出導電体の幅寸法を大きくしたことを特徴とする請求項５記載のスパイラルインダクタ。
【請求項７】
前記引出導電体は、前記スパイラル状の外側に位置する前記導電体に対向したことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載のスパイラルインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子機器に使用される回路基板等に適用して好適なスパイラルインダクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
図６は従来のスパイラルインダクタを示す平面図で、従来のスパイラルインダクタの構成を図６に基づいて説明すると、絶縁基板５１の表面には、スパイラル状に形成され、スパイラル状の外方に配置された外部端５２ａ、及びスパイラル状の内方に配置された内部端５２ｂを有した導電体５２が設けられている。
【０００３】
また、絶縁基板５１の表面には、導電体５２上と絶縁基板５１上とに跨って形成された絶縁膜５３と、内部端５２ｂに接続され、導電体５２に対して直交した状態で横切るように絶縁膜５３上に形成された引出導電体５４が設けられると共に、この引出導電体５４は、スパイラル状の外方に引き出されるようになっている。（例えば、特許文献１参照）
【０００４】
しかし、従来のスパイラルインダクタは、引出導電体５４が導電体５２に対して直交した状態で引き出されるため、直交する箇所で磁力が減少し、インダクタンス値、及びＱ値が低下して、電気的な性能が悪くなる上に、高周波素子として不適なものになる。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−４５７４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のスパイラルインダクタは、引出導電体５４が導電体５２に対して直交した状態で引き出されるため、直交する箇所で磁力が減少し、インダクタンス値、及びＱ値が低下して、電気的な性能が悪くなる上に、高周波素子として不適なものになるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は電気的な性能が良好であると共に、高周波素子としても好適なスパイラルインダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、絶縁基板と、この絶縁基板の一面側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成され、前記スパイラル状の外方に配置された外部端、及び前記スパイラル状の内方に配置された内部端を有した導電体と、前記内部端に接続されて前記スパイラル状の外方に引き出される引出導電体とを備え、前記引出導電体は、絶縁層を介して前記導電体と対向した状態で、前記導電体の巻方向に沿って引き出された構成とした。
【０００９】
また、第２の解決手段として、前記絶縁層は、前記導電体上に設けられた絶縁膜によって形成され、前記絶縁膜上に前記引出導電体が設けられた構成とした。  また、第３の解決手段として、前記引出導電体は、前記一面側の前記導電体に対向した状態で、前記絶縁基板の他面側に設けられて、前記絶縁層が前記絶縁基板で形成されると共に、前記導電体の前記内部端と前記引出導電体が前記絶縁基板内に設けられた第１の接続導体によって接続された構成とした。
【００１０】
また、第４の解決手段として、前記スパイラル状の外方に位置する前記引出導電体の端部導体は、前記絶縁基板の前記一面側に設けられ、前記一面側に位置する前記端部導体と前記他面側に位置する前記引出導電体が前記絶縁基板内に設けられた第２の接続導体によって接続された構成とした。
【００１１】
また、第５の解決手段として、互いに対向した状態にある前記導電体と前記引出導電体は、幅寸法を互いに異ならしめた構成とした。
また、第６の解決手段として、前記導電体の幅寸法よりも前記引出導電体の幅寸法を大きくした構成とした。
また、第７の解決手段として、前記引出導電体は、前記スパイラル状の外側に位置する前記導電体に対向した構成とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のスパイラルインダクタは、絶縁基板と、この絶縁基板の一面側に設けられた導電膜によってスパイラル状に形成され、スパイラル状の外方に配置された外部端、及びスパイラル状の内方に配置された内部端を有した導電体と、内部端に接続されてスパイラル状の外方に引き出される引出導電体とを備え、引出導電体は、絶縁層を介して導電体と対向した状態で、導電体の巻方向に沿って引き出された構成とした。
即ち、引出導電体は、絶縁層を介して導電体と対向した状態で、導電体の巻方向に沿って引き出されたため、導電体と引出導電体の磁気結合が強くなって、インダクタンス値、及びＱ値を高くでき、電気的な性能が良好になる上に、高周波素子としても好適なものが得られる。
【００１３】
また、絶縁層は、導電体上に設けられた絶縁膜によって形成され、絶縁膜上に引出導電体が設けられたため、薄型のものが得られる。
【００１４】
また、引出導電体は、一面側の導電体に対向した状態で、絶縁基板の他面側に設けられて、絶縁層が絶縁基板で形成されると共に、導電体の内部端と引出導電体が絶縁基板内に設けられた第１の接続導体によって接続されたため、導電体と引出導電体との間に生じる結合容量が小さくなって、自己共振周波数が高くなり、高い周波周に使用して好適なものが得られる。
【００１５】
また、スパイラル状の外方に位置する引出導電体の端部導体は、絶縁基板の一面側に設けられ、一面側に位置する端部導体と他面側に位置する引出導電体が絶縁基板内に設けられた第２の接続導体によって接続されたため、導電体の外部端と引出導体の端部導体が絶縁基板の同一面側となって、配線の容易なものが得られる。
【００１６】
また、互いに対向した状態にある導電体と引出導電体は、幅寸法を互いに異ならしめたため、導電体、及び引出導電体の形成に若干のズレが生じても、対向面積の変化の少ないものが得られ、その製造が容易であると共に、インダクタンス値のバラツキの少ないものが得られる。
【００１７】
また、導電体の幅寸法よりも引出導電体の幅寸法を大きくしたため、その製造が容易となって、生産性の良好なものが得られる。
【００１８】
また、引出導電体は、スパイラル状の外側に位置する導電体に対向したため、引出導電体は、導電体に対して直交することが無く、従って、インダクタンス値、及びＱ値を高くできると共に、小型のものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明のスパイラルインダクタの図面を説明すると、図１は本発明のスパイラルインダクタの第１実施例を示す平面図、図２は本発明のスパイラルインダクタの第１実施例に係り、製造方法の第１工程を示す説明図、図３は本発明のスパイラルインダクタの第１実施例に係り、製造方法の第２工程を示す説明図、図４は本発明のスパイラルインダクタの第２実施例を示す平面図、図５は図４の５−５線における断面図である。
【００２０】
次に、本発明のスパイラルインダクタの第１実施例における構成を図１に基づいて説明すると、絶縁基板１は、セラミック基板等からなる回路基板を形成するための基板からなり、この絶縁基板１の一面１ａ側（上面側）には、薄膜や厚膜ならなる導電膜によってスパイラル状に形成され、スパイラル状の外方に配置された外部端２ａ、及びスパイラル状の内方に配置された内部端２ｂを有した同一幅からなる導電体２が設けられている。
【００２１】
また、絶縁基板１の一面１ａ側には、導電体２上と絶縁基板１上とに跨って形成された薄膜や厚膜からなる絶縁膜の絶縁層３と、内部端２ｂに接続され、絶縁層３を介してスパイラル状の外方に引き出される引出導電体４が設けられている。
この引出導電体４は、薄膜や厚膜によって形成されると共に、引出導電体４は、絶縁層を介してスパイラル状の外方に位置する導電体２と対向した状態で、導電体２の巻方向に沿って引き出されている。
【００２２】
そして、互いに対向する導電体２と引出導電体４の幅寸法は、互いに異なる幅で形成さたものとなっており、この実施例では、導電体２の幅寸法よりも引出導電体４の幅寸法を大きくしている。
【００２３】
次に、本発明のスパイラルインダクタの第１実施例における製造方法を図２，図３に基づいて説明すると、先ず、図２に示すように、絶縁基板１の一面１ａ側には、スパイラル状の導電体２を形成する。
【００２４】
次に、図３に示すように、スパイラル状の外方に位置する導電体２上と絶縁基板１の一面１ａに跨って絶縁層３を形成した後、図１に示すように、導電体２の内部端２ｂに繋がった状態で、絶縁層３上に引出導電体４を形成すると、その製造が完了する。
【００２５】
また、図４，図５は本発明のスパイラルインダクタの第２実施例を示し、この第２実施例を説明すると、引出導電体４は、絶縁基板１の一面１ａ側の導電体２に対向した状態で、絶縁基板１の他面１ｂ側に設けられて、絶縁層３が絶縁基板１で形成されると共に、スパイラル状の外方に位置する引出導電体４の端部導体４ａは、絶縁基板１の一面１ａ側に設けられて、端部導体４ａと導電体２の外部端２ａが同一面に形成された状態となっている。
【００２６】
更に、導電体２の内部端２ｂと引出導電体４が絶縁基板１内に設けられた第１の接続導体（ビアホール）５によって接続されると共に、一面１ａ側に位置する端部導体４ａと他面側１ｂに位置する引出導電体４が絶縁基板１内に設けられた第２の接続導体（ビアホール）６によって接続されている。
【００２７】
その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
なお、この第２実施例では、引出導電体４の端部導体４ａが一面１ａ側に設けられたもので説明したが、端部導体４ａが他面１ｂ側に設けられたものでも良い。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明のスパイラルインダクタの第１実施例を示す平面図。
【図２】本発明のスパイラルインダクタの第１実施例に係り、製造方法の第１工程を示す説明図。
【図３】本発明のスパイラルインダクタの第１実施例に係り、製造方法の第２工程を示す説明図。
【図４】本発明のスパイラルインダクタの第２実施例を示す平面図。
【図５】図４の５−５線における断面図。
【図６】従来のスパイラルインダクタを示す平面図。
【符号の説明】
【００２９】
１：絶縁基板
１ａ：一面
１ｂ：他面
２：導電体
２ａ：外部端
２ｂ：内部端
３：絶縁層
４：引出導電体
４ａ：端部導体
５：第１の接続導体
６：第２の接続導体
【図１】
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【図２】
2006060057.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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