(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造における、ＣＭＰ処理後の半導体基板表面の金属不純物除去性能に優れ、半導体基板へ悪影響を与える恐れが少ないＣＭＰ工程用金属不純物除去剤を提供することにある。【解決手段】  ハイドロフルオロカーボン及び含酸素有機化合物からなるＣＭＰ処理後の金属不純物除去剤を提供する。  なお、上記含酸素有機化合物としては、エタノール又はプロピレングリコールモノメチルエーテルが好ましい。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイドロフルオロカーボン及び含酸素有機化合物を含んでなるＣＭＰ工程用金属不純物除去剤。
【請求項２】
ハイドロフルオロカーボンが、下記式（１）で表される請求項１に記載のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤。
【化１】
2006066839.tif 000005
（Ｒ１は、−ＣＨＦ−ＣＨ２−で表される炭素鎖を示す。Ｒｆ１およびＲｆ２は、各々、パーフルオロアルキル基であり、また、Ｒｆ１およびＲｆ２は互いに結合して環を形成していてもよい。）
【請求項３】
請求項１に記載のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤をＣＭＰ処理後の基板表面に接触させ、金属不純物を除去する工程を有する金属不純物除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＣＭＰ工程において優れた金属不純物除去性能を有する金属不純物除去剤に関する。特に、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造におけるＣＭＰ工程で有用な、基板表面の金属不純物除去性能に優れた金属不純物除去剤、および、該金属不純物除去剤を用いた基板表面の金属不純物除去方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの高集積化に伴い、層間絶縁膜などの絶縁膜の平坦化、シリコン基板上の素子分離、ビア形成、銅ダマシン配線形成等に化学的機械的研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ；以下、「ＣＭＰ」と略す。）技術が半導体製造工程に導入されてきた。ＣＭＰは研磨剤粒子と化学薬品の混合物であるスラリーを用いて化学的作用と物理的作用を併用させ、絶縁膜や金属材料を研磨し平坦化を行なう技術であるが、ＣＭＰ処理後の基板の表面は、スラリーからの金属不純物などにより汚染されている。これらの金属不純物などは、基板そのものの電気特性を劣化させるのみならず、製造ラインも汚染してしまう。そこで、ＣＭＰ処理により吸着した金属不純物を、次工程の前に除去する必要がある。
【０００３】
ＣＭＰ処理により吸着した金属不純物などを除去するための一般的な方法としては、洗浄液を用いた浸漬処理がある。特許文献１及び２は、シュウ酸やクエン酸などの有機酸を含有し、水を主成分とした洗浄液を用い、浸漬処理を行なうことを開示している。しかしながら、これら水系の洗浄液で良好な金属不純物除去性能を得るには、ブラシ洗浄が必須であり、ブラシ洗浄による低誘電率膜の剥がれ等のダメージが大きい。
また、最近ではＣＭＰ処理を受ける絶縁膜が、従来のシリコン酸化膜から、メチルシロセスキサン、その多孔質膜である有機スピンオングラス、又は化学気相成長により得られた炭素含有シリコン酸化膜などの、表面疎水性の高い低誘電率材料へ移行しつつある。前述の水を主成分とした洗浄液は、こうした新しい材料を用いた絶縁膜に対する濡れ性が悪く、十分な洗浄効果が得られず、さらに露出する銅配線を腐食する問題があった。一方、非水系の洗浄液として、ハイドロフルオロカーボン（特許文献３）があるが、これを用いてＣＭＰ処理後の基板を浸漬洗浄しても、銅の腐食抑制には効果があるが、金属不純物除去性能は十分ではなかった。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−７２５９４号公報
【特許文献２】特開２００１−７０７１公報
【特許文献３】特開平１０−３１６５９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造における、ＣＭＰ処理後の基板表面の金属不純物除去性能に優れ、基板へ悪影響を与えることが少ない金属不純物除去剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ハイドロフルオロカーボン及び含酸素有機化合物を含有する金属不純物除去剤を用いることにより、優れた金属不純物除去性能を有し、基板へ悪影響を与えることが少なく、特にＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造に有用なＣＭＰ工程用金属不純物除去剤が得られることを見出し本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明は、
（１）  ハイドロフルオロカーボン及び含酸素有機化合物を含んでなるＣＭＰ工程用金属不純物除去剤、
（２）  ハイドロフルオロカーボンが、下記式（１）で表される上記記載のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤、
【化１】
2006066839.tif 000002
（Ｒ１は、−ＣＨＦ−ＣＨ２−で表される炭素鎖を示す。Ｒｆ１およびＲｆ２は、各々、パーフルオロアルキル基であり、また、Ｒｆ１およびＲｆ２は互いに結合して環を形成していてもよい。）
（３）上記記載のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤をＣＭＰ処理後の基板表面に接触させ、金属不純物を除去する工程を有する金属不純物除去方法、
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の金属不純物除去剤は、ＣＭＰ処理後の基板表面の金属不純物除去性能に特に優れ、基板に悪影響を与えることが少ないため、特にＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造に有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明に用いるハイドロフルオロカーボンは、好ましくは炭素数が４〜６、特に好ましくは５である。炭素数が上記範囲にあることで、金属不純物除去性能が向上し、回収・再使用が容易になる。
ハイドロフルオロカーボンは、鎖状、環状のいずれのものでもよいが、金属不純物除去性能の観点から、好ましくは環状である。
ハイドロフルオロカーボンの中でも、金属不純物除去性能の観点から炭素数が４〜６のトリヒドロハイドロフルオロカーボンが好ましく、下記式（１）で表される炭素数が４〜６のトリヒドロハイドロフルオロカーボンが特に好ましい。
【化２】
2006066839.tif 000003
（Ｒ１は、−ＣＨＦ−ＣＨ２−で表される炭素鎖を示す。Ｒｆ１およびＲｆ２は、各々、パーフルオロアルキル基であり、また、Ｒｆ１およびＲｆ２は互いに結合して環を形成していてもよい。）
【００１０】
本発明に用いるハイドロフルオロカーボンの沸点は、金属不純物除去性能及び取り扱いの容易さの観点から、２５℃〜１５０℃が好ましく、５０℃〜１００℃が特に好ましい。
【００１１】
好ましいハイドロフルオロカーボンの具体例としては、取り扱いの容易さ及び金属不純物除去性能の観点から、１，１，１，２，４，４，４−ヘプタフルオロ−ｎ−ブタン、１，１，１，２，２，３，５，５，５−ノナフルオロ−ｎ−ペンタン、１，１，１，２，２，４，５，５，５−ノナフルオロ−ｎ−ペンタン、１，１，１，２，２，３，３，４，６，６，６−ウンデカフルオロ−ｎ−ヘキサン、１，１，１，２，２，３，３，５，６，６，６−ウンデカフルオロ−ｎ−ヘキサン、及び１，１，１，２，２，４，５，５，６，６，６−ウンデカフルオロ−ｎ−ヘキサン等の炭素数が４〜６の鎖状の弗素化炭化水素；１，１，２，２，３−ペンタフルオロシクロブタン、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン、及び１，１，２，２，３，３，４，４，５−ノナフルオロシクロヘキサン等の炭素数が４〜６の環状の弗素化炭化水素；等が挙げられ、なかでも１，１，１，２，２，３，５，５，５−ノナフルオロ−ｎ−ペンタン、１，１，１，２，２，４，５，５，５−ノナフルオロ−ｎ−ペンタン、及び１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタンが好ましく、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン、が特に好ましい。
なお、ハイドロフルオロカーボンは一種単独で用いても良く、二種以上を混合して用いても良いが、回収・再使用の容易さから一種単独で用いることが好ましい。
【００１２】
本発明に用いる含酸素有機化合物とは、分子内に酸素原子を有する有機化合物であれば、特に限定されないが、常温で液状のものが好ましい。また、含酸素有機化合物の沸点は、好ましくは５０〜２００℃、さらに好ましくは８０〜１５０℃、特に好ましくは９０〜１２０℃である。上記範囲にある場合に、取り扱い易く、金属不純物除去性能がより優れたＣＭＰ工程用金属不純物除去剤が得られる。
【００１３】
含酸素有機化合物の具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、３−メチル−３−メトキシブタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル及びジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）等のグリコールエーテル類；エチレングリコール及びプロピレングリコール等のグリコール類；ジメチルスルホキシド及びジエチルスルホキシド等のスルホキシド類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ−メチルピロリドン等のアミド類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルプロピレンウレア及び１，１，３，３−テトラメチルウレア等のウレア類；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｓ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、イソペンタノール、ｔ−アミルアルコール、ｎ−ヘキサノール、イソヘキサノール、２−エチルヘキサノール及びｎ−オクタノール等のアルコール類；アセトン、２−ブタノン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、３−メチル−２−ブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、２−メチルシクロペンタノン及び２−メチルシクロヘキサノン等のケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸プロピル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸プロピル、酪酸イソプロピル、吉草酸メチル及び吉草酸エチル等のエステル類；フェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール及びｐ−クレゾール等のフェノール類；ヘキサメチルジシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン及びデカメチルシクロペンタシロキサン等の揮発性有機シリコーン類；などが挙げられるが、金属不純物除去性能の観点からグリコールエーテル類、ケトン類及びアルコール類が好ましく、グリコールエーテル類及びアルコール類がさらに好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びエタノールがより好ましく、エタノールが特に好ましい。
【００１４】
本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤において、（ハイドロフルオロカーボン）／（含酸素有機化合物）の重量比は好ましくは１０００／１〜８０／２０、さらに好ましくは９９／１〜９０／１０、特に好ましくは９７／３〜９２／８である
さらに、本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤中に占めるハイドロフルオロカーボン及び含酸素有機化合物の合計割合は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは９０重量％、特に好ましくは９９重量％以上である。
上記範囲にある場合に、より金属不純物除去性能が優れたＣＭＰ工程用金属不純物除去剤が得られる。
【００１５】
本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤は、本発明の特徴的構成を逸脱せず、またその効果を損なわない範囲であれば、必要に応じて種々の有機溶剤や添加剤を含んでいてもよい。例えば、金属不純物除去剤の均一性向上、融点降下、洗浄力調整、界面活性化、安定化、酸化防止、紫外線吸収及び消泡等を目的とした有機溶剤や添加剤などがある。
【００１６】
有機溶剤としては、特にその種類については限定されないが、例えば、炭化水素類、ニトリル類、複素環化合物類、塩素化炭化水素類および他のフッ化炭化水素類などが挙げられ、単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、有機溶剤がＣＭＰ工程用金属不純物除去剤に占める量は、好ましくは３０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下、特に好ましくは１重量％以下である。
【００１７】
炭化水素類の具体例としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソヘキサン、イソヘプタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、ｎ−デカン、イソデカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン及びｎ−トリデカン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン及びメチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素；などが挙げられる。
【００１８】
ニトリル類の具体例としては、アセトニトリル及びベンゾニトリル等が挙げられる。
【００１９】
複素環化合物類の具体例としては、ピリジン及びＮ−メチルピロリドン等が挙げられる。
【００２０】
塩素化炭化水素類の具体例としては、塩化メチレン、ジクロロエタン、ジクロロエチレン、トリクロロエチレン及びパークロロエチレン等が挙げられる。
【００２１】
その他のフッ化炭化水素類としては、炭素原子及びフッ素原子を含有し、酸素原子や不飽和結合を含んでいてもよいが、前記ハイドロフルオロカーボン以外のものをいう。なかでも沸点２５℃以上のものが好ましい。このようなその他のフッ化炭化水素類の具体例としては、パーフルオロプロピルメチルエーテル、パーフルオロブチルメチルエーテル、パーフルオロブチルエチルエーテル、及びオクタフルオロシクロペンテンなどが挙げられる。
【００２２】
添加剤としては、特にその種類については限定されないが、例えば、界面活性剤、安定化剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤及び消泡剤などが挙げられ、単独であるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、添加剤のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤に占める割合は、好ましくは１０重量％以下、さらに好ましくは５重量％以下、特に好ましくは１重量％以下である。
【００２３】
界面活性剤としては、公知の陰イオン性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤及び両性界面活性剤が使用できる。陰イオン性界面活性剤としては、例えば、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩及びリン酸エステル塩などが挙げられる。陽イオン性界面活性剤としては、例えば、アミンと各種の酸との塩及び第４級アンモニウム塩が挙げられる。非イオン性界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンエーテル、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレンアルキルエーテル及び多価アルコールの脂肪酸部分エステルなどが挙げられる。また、両性界面活性剤としては、例えば、ベタイン類、アミノ有機酸類及び脂肪酸のアミン塩などが挙げられる。また、これらの化合物の分子中にフッ素原子を含んだ活性剤も好適に用いられる。
【００２４】
安定化剤としては、ニトロメタン及びニトロエタンなどの脂肪族ニトロ化合物；３−メチル−１−ブチン−３−オール及び３−メチル−１−ペンチン−３−オールなどのアセチレンアルコール類；グリシドール、メチルグリシジルエーテル及びエチルグリシジルエーテルなどのエポキシド類；ジメトキシメタン、１，３−ジメトキシエタン及び１，４−ジオキサンなどのエーテル類；ヘキセン、ヘプテン、シクロペンテン及びシクロヘキセンなどの不飽和炭化水素類；アリルアルコール及び１−ブテン−３−オールなどの不飽和アルコール類；アクリル酸メチル及びアクリル酸エチルなどのアクリル酸エステル類；などが挙げられる。
【００２５】
酸化防止剤としては、１−オキシ−３−メチル−４−イソプロピルベンゼン、２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、ブチルヒドロキシアニソール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシメチルフェノール、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］及びオクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートなどのフェノール系酸化防止剤；ジフェニル−ｐ−フェニレン−ジアミン、４−アミノ−ｐ−ジフェニルアミン及びｐ，ｐ’−ジオクチルジフェニルアミンなどのアミン系酸化防止剤；フェニルイソデシルホスファイト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト、ジフェニルジイソデシルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト及びビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリストールジホスファイトなどのリン系酸化防止剤；ジラウリル−３，３’−チオジプロピオン酸エステル、ジトリデシル−３，３’−チオジプロピオン酸エステル、ジミリスチル−３，３’−チオジプロピオン酸エステル及びジステアリル−３，３’−チオジプロピオン酸エステルなどのイオウ系酸化防止剤；などが挙げられる。
【００２６】
紫外線吸収剤としては、４−ヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−４’−クロロベンゾフェノン、２、２’−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノン、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、５−クロロ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン及び４−ドデシル−２−ヒドロキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類；フェニルサリシレート、４−ｔ−ブチルフェニルサリシレート、４−オクチルフェニルサリシレート及びビスフェノールＡ−ジ−サリシレートなどのフェニルサリシレート類；２−（５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−［２−ヒドロキシ−３，５−ビス（α、α’−ジジメチルベンジル）フェニル］−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（３−ｔ−ブチル−５−メチル−２−ヒドロキシフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（３，５−ジ−ｔ−アミル−２−ヒドロキシフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−４’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール及び２−（２’−ヒドロキシ−５’−ｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾールなどのベンゾトリアゾ−ル類；などが挙げられる。
【００２７】
消泡剤としては、自己乳化シリコーン、シリコン、脂肪酸、高級アルコール、ポリプロピレングリコールポリエチレングリコール及びフッ素系界面活性剤などが挙げられる。
【００２８】
本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤の洗浄対象となる金属不純物汚れの好適な具体例としては、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造工程におけるＣＭＰ処理後のシリコンウェハーやガラス基板、または該基板に金属または／かつ誘電体が積層された表面や、金属または／かつ誘電体積層物を加工した際の基板表面の金属不純物汚れなどが挙げられるが、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子の製造工程におけるＣＭＰ処理後の半導体基板表面の金属不純物汚れに特に好適に用いられる。
【００２９】
本発明の金属不純物除去方法は、本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤を基板表面に接触させ、金属不純物を除去する工程（以下、「金属不純物除去工程」と略す。）を有することを特徴とする。
【００３０】
基板とは、絶縁体上に導電性の配線パターンを形成した板をいう。基板としては、ＩＣ及びＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネル素子の製造工程におけるシリコンウェハーやガラス基板、及び、該基板の金属または／かつ誘電体の積層体が挙げられる。
【００３１】
基板と本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤の接触方法は特に限定されないが、例えば浸漬洗浄、攪拌洗浄、揺動洗浄、超音波洗浄、噴流洗浄、ノズル洗浄、シャワー洗浄、バレル回転洗浄、ブラシ洗浄、エアーバブリング洗浄などの従来公知のあらゆる接触手段を適用することができる。
なお、金属不純物除去工程時の温度は、金属不純物除去性能及び設備の簡略化の観点から０〜５０℃が好ましく、１０〜３５℃が特に好ましい。
【００３２】
本発明の金属不純物除方法においては、上記金属不純物除去工程の後に、ハイドロフルオロカーボンを基板表面に接触させてリンスした後、ハイドロフルオロカーボンを蒸発させて被洗浄物を乾燥させることが好ましい。リンス方法は、金属不純物除去工程における各種金属不純物除去方法と同様の方法を用いることが出来る。
なお、ハイドロフルオロカーボンは、上記ＣＭＰ工程用金属不純物除去剤に用いたものと同様のものが用いられる。
【００３３】
リンス時のハイドロフルオロカーボンの温度は、金属不純物除去性能及び設備の簡略化の観点から０〜５０℃が好ましく、１０〜３５℃が特に好ましい。
また、乾燥処理の方法としては、高速スピン乾燥、蒸気乾燥、減圧乾燥及び真空加熱乾燥などが挙げられる。
【００３４】
上記金属不純物除去工程の後に、ハイドロフルオロカーボンを基板表面に接触させてリンスした後、該ハイドロフルオロカーボンを蒸発させて半導体基板を乾燥させることにより、従来の水を主成分とした洗浄液と異なり、超純水でのリンス仕上げが不要であり、ウォーターマーク等の水を用いることに由来する不具合の改善にも効果を発揮する。
【００３５】
本発明の金属不純物除去方法は、ＣＭＰ処理後の基板の金属不純物除去に用いられる。
基板のＣＭＰ処理方法としては、例えばアルミナ粒子やシリカ粒子などの研磨剤を他の任意成分と共に必要な媒体等と混合して得られる研磨剤（スラリー）を基板上に供給しながら、バフで圧着し、回転させることによって、前記基板表面を研磨して膜を平坦化することが一般的に行なわれる。このＣＭＰ処理により、基板表面には、研磨剤成分に含まれる金属不純物；半導体基板表面に金属配線が形成されていた場合の金属イオンなどの大量の金属不純物が付着している。本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤は、これらの金属不純物を除去するのに好適に用いられる。
【実施例】
【００３６】
以下の実施例を用いて、本発明を具体的に説明するが、本発明の内容がこれらに限定されるものではない。
【００３７】
［評価基板の作成］
デュアルダマシン法による銅配線形成工程における、銅の化学的機械的研磨（ＣＭＰ）後の層間絶縁膜表面に残留する金属成分の除去性能を確認するために、模擬基板を次のように作成した。
直径６インチの清浄なシリコン基板を回転塗布装置に設置し、５００ｐｐｍ濃度のＣｕ（ＮＯ３）２溶液（和光純薬工業（株）製のＣｕ１０００を純水で２倍に希釈したもの）をシリコン基板鏡面に１．５ミリリットル滴下した。滴下後、液滴が乾燥しないよう速やかに１０００ｒｐｍまで回転数を上げ、基板表面の塗布に余剰な液滴を飛ばしながら回転乾燥した。この状態での基板表面上のＣｕ粒子数を全反射蛍光Ｘ線装置ＴＲＥＸ６１０（テクノス製）で測定したところ、基板上のＣｕ汚染量は１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であった。
なお、この際使用した清浄なシリコン基板の初期値は１×１０１0ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であった。
【００３８】
［実施例１］
上記で調製したＣｕ汚染基板を、２５℃に保持した表１記載の組成のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤（液状）中に３分間浸漬し、この後窒素ガスを基板表面に吹き付けて乾燥させた。これを汚染基板と同様の方法で測定した。基板上のＣｕ汚染量は、８×１０１1ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であった。
結果を表１に示す。
【００３９】
［実施例２］
ＣＭＰ工程用金属不純物除去剤として、表１記載の組成のもの（液状）を用いた以外は実施例１と同様にしてＣｕ汚染基板を洗浄したところ、基板上のＣｕ汚染量は、５×１０１1ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であった。
結果を表１に示す。
【００４０】
［比較例１］
ＣＭＰ工程用金属不純物除去剤として、１，１，２，２，３，３，４−ヘプタフルオロシクロペンタン（液状）のみを用いた以外は実施例１と同様にしてＣｕ汚染基板の金属不純物除去を行なったところ、基板表面のＣｕは全く除去できず、基板上のＣｕ汚染量は１×１０１３ａｔｏｍｓ／ｃｍ２のままであった。
結果を表１に示す。
【００４１】
［比較例２］
また、ＣＭＰ工程用金属不純物除去剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルのみを用いた以外は実施例１と同様にしてＣｕ汚染基板の金属不純物除去を行なったところ、基板上のＣｕ汚染量は１×１０１2ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であった。
結果を表１に示す。
【００４２】
［比較例３］
また、ＣＭＰ工程用金属不純物除去剤として、エタノールのみを用いた以外は実施例と同様にしてＣｕ汚染基板の金属不純物除去を行なったところ、基板上のＣｕ汚染量は６×１０１1ａｔｏｍｓ／ｃｍ２であった。
結果を表１に示す。
【００４３】
【表１】
2006066839.tif 000004
【００４４】
表１から、本発明のＣＭＰ工程用金属不純物除去剤は、基板表面の金属不純物の除去に優れていることがわかる。