(57)【要約】【課題】  酸化スズ粉末と均一に混合処理することができ、ＩＴＯ焼結体におけるピンホールの発生を抑制できる酸化インジウム粉末を得るための製造方法を提案せんとする。【解決手段】インジウム塩溶液とアルカリ水溶液とを混合して水酸化インジウムを合成し、得られた水酸化インジウムを大気中７００℃〜８００℃で第１焼成を行った後、粉砕を行い、次いで大気中１０７０℃〜１３００℃にて第２焼成を行って酸化インジウム粉末を得ることを特徴とする酸化インジウム粉末の製造方法を提案する。この製造方法で得られた酸化インジウム粉末は、酸化スズ粉末との混合性に優れており、ムラが無くピンホールの生じないＩＴＯ焼結体を製造することができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウム塩溶液とアルカリ水溶液とを混合して水酸化インジウムを合成し、得られた水酸化インジウムを大気中６００℃〜９００℃で第１焼成を行った後、次いで大気中１０００℃〜１３００℃にて第２焼成を行うことを特徴とする酸化インジウム粉末の製造方法。
【請求項２】
水酸化インジウムの合成は、インジウム塩溶液とアルカリ水溶液との混合液が液温５０℃〜９０℃、ｐＨ７〜８となるように管理して行うことを特徴とする請求項１に記載の酸化インジウム粉末の製造方法。
【請求項３】
第１焼成を行った後、粉砕を行い、次いで第２焼成を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の酸化インジウム粉末の製造方法。
【請求項４】
第１焼成後、品温が２０℃〜１００℃となるまで徐冷し、次いでＤｍａｘが１２μｍ以下の範囲内に入るように粉砕を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の酸化インジウム粉末の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜）を形成する際のスパッタリングターゲット原料として用いる酸化インジウム粉末の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＴＯ膜は、高い導電性と可視光透過性を併せ持つため、太陽電池や液晶表示デバイス、タッチパネル、窓ガラス用結露防止発熱膜など、様々な透明導電膜用途に広く用いられている。
このようなＩＴＯ薄膜を製造する方法として、スパッタリング、真空蒸着、ゾル・ゲル法、クラスタービーム蒸着、ＰＬＤなどの方法が挙げられるが、中でもスパッタリング法は大面積基板上に低抵抗な膜を比較的低温で作製できるため工業的に広く用いられている。
【０００３】
このようにスパッタリング法によってＩＴＯ薄膜を製造する際、スパッタリングターゲットとして用いられるのがＩＴＯ焼結体である。このＩＴＯ焼結体は酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末との混合粉末（プレミックス粉体）を加圧成型後、焼結して製造するのが一般的である。
このようにして製造されるＩＴＯ薄膜の性能は、ＩＴＯ焼結体原料としての酸化インジウム粉末の物性が大きく影響するため、従来から酸化インジウム粉末及びその製造方法に関して様々な提案がなされている。
【０００４】
従来一般的な酸化インジウム粉末の製造方法としては、インジウム塩溶液にアルカリ溶液を添加することにより水酸化インジウムを合成し、得られた水酸化インジウムを焼成して酸化インジウム粉末とするというものであったが、より高性能なＩＴＯ焼結体を得るために前記製造方法に様々な工夫をする提案が為されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、微細で高分散状態の酸化インジウム粉末を得るべく、インジウム塩水溶液とアルカリ水溶液を混合し、該混合溶液のｐＨを７以上にした後、熟成、濾過、乾燥処理して得られる針状水酸化インジウムを仮焼して酸化インジウム粉末を製造する方法が開示されている。
【０００６】
特許文献２には、焼結密度６．０ｇ／ｃｍ3以上の高密度ＩＴＯ焼結体を製造することが可能な酸化インジウム粉末を得るべく、温度が６０℃以上１００℃以下のインジウム塩水溶液とアルカリ水溶液とを、［ＯＨ］／［Ｉｎ］比が３〜５の範囲になるように混合すると共に、その混合速度を特定して所望の水酸化インジウムを得、該水酸化インジウムを洗浄、濾過、乾燥、仮焼して製造することを特徴とする酸化インジウム粉末の製造方法が開示されている。
【０００７】
特許文献３には、理論密度５．３ｇ／ｃｍ3以上の高密度焼結体を製造することが可能な酸化インジウム粉末を得るべく、インジウム硝酸水溶液を７０℃〜９５℃に保ちながら３０分間〜３時間かけてインジウム硝酸水溶液の最終ｐＨが７〜９になるまでアルカリ水溶液を添加することにより、平均長さ０．０３μｍ〜０．３μｍ、結晶子径２００Å〜５００Å、平均粒径０．５μｍ以下である針状水酸化インジウムを合成し、得られたスラリーを固液分離して９０℃〜２６０℃で乾燥させ、軽く解砕した後、５００℃〜９００℃で焼成して酸化インジウム粉末を得る製造方法が開示されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−１９３９３９号公報（特許第３２８９３３５号）
【特許文献２】特開平６−１９１８４６号公報（特許第３３２４１６４号）
【特許文献３】特開２００２−３１６８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、ＩＴＯ焼結体にピンホールがあると、スパッタリングした際にノジュールが発生し易くなり、スパッタリングに使用できる寿命が短くなることが分ってきた。
そこで本発明は、ピンホールの発生を抑えることにより、ノジュールの発生が少なくスパッタリングにおいて長く使用可能なＩＴＯ焼結体を製造できる酸化インジウム粉末を得ることができる製造方法を提供せんとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、インジウム塩溶液とアルカリ水溶液とを混合して水酸化インジウムを合成し、得られた水酸化インジウムを大気中７００℃〜８００℃で第１焼成を行った後、次いで大気中１０７０℃〜１３００℃にて第２焼成を行うことを特徴とする酸化インジウム粉末の製造方法を提案する。
【００１１】
水酸化インジウムの合成においては、インジウム塩溶液とアルカリ水溶液との混合液が液温５０℃〜９０℃、ｐＨ７〜８となるように管理して行うのが好ましい。この際、インジウム塩溶液にアルカリ水溶液を加えるようにしても、アルカリ水溶液にインジウム塩溶液を加えるようにしても、同時に反応槽に供給するようにしてもよいが、インジウム塩溶液にアルカリ水溶液を加えるようにするのが好ましい。
【００１２】
一次焼成に次いで二次焼成することで、一次焼成のみの場合に比べて、焼きムラが少なくて粒度が揃うようになり、焼成後の成分の分布にもムラがなくなるため、焼結後のピンホールを抑制でき、その結果、ノジュールの発生が少なくスパッタリングにおいて長く使用可能なＩＴＯ焼結体を製造することができる。
【００１３】
なお、本発明において「Ｘ〜Ｙ」と表記した場合、特に断わらない限り、Ｘ以上Ｙ以下の範囲を意味する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、実施形態に基づいて本発明を説明するが、本発明が下記実施形態に限定されるものではない。
【００１５】
本実施形態に係る酸化インジウム粉末の製造方法は、インジウム塩溶液にアルカリ水溶液を加えて反応させて水酸化インジウムを合成し、得られた水酸化インジウムを大気中７００℃〜８００℃で第１焼成を行った後、次いで１０７０℃〜１３００℃にて第２焼成を行うことを特徴とするものである。
以下、詳細に説明する。
【００１６】
（水酸化インジウム合成工程）
水酸化インジウムの合成は、インジウム塩溶液にアルカリ水溶液を加え、混合液（反応液）の液温を所定温度に管理すると共に、混合液（反応液）のｐＨが所定域になるまでアルカリ水溶液を加え、その後所定時間攪拌させて十分に反応させるようにするのが好ましい。
【００１７】
インジウム塩溶液とアルカリ水溶液との混合液（反応液）の液温は５０℃〜９０℃、特に６０℃〜８５℃、中でも７０℃〜８５℃の温度を保持するように制御管理するのが好ましい。
また、アルカリ水溶液の添加は、混合液（反応液）のｐＨが７〜８、特に７．４〜７．６となるようにアルカリ水溶液を加えるのが好ましい。
この際、アルカリ水溶液の添加速度は４０分〜６０分かけて目標ｐＨに達するように調整することが好ましく、目標ｐＨに到達した後は、反応が十分進行するように適宜時間（例えば３０分程度）攪拌しながら反応させるのが好ましい。但し、数時間に及ぶような熟成処理をする必要はない。
【００１８】
アルカリ水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム、アンモニア等の水溶液が用いることができ、中でもアンモニア水溶液が特に好ましい。
【００１９】
インジウム塩溶液としては、例えば硝酸インジウム溶液、硫酸インジウム溶液などのインジウムを酸に溶解してなる溶液が挙げられるが、中でも硝酸インジウムが好ましい。
この硝酸インジウム溶液は、例えば純水中にインジウムショットを投入し、適量の硝酸を添加してオイルバス内で溶解させ（例えば１１０℃〜１５０℃にて９時間〜２０時間程度浸漬）、溶解完了後、純水にて稀釈することにより所定のインジウムイオン濃度の硝酸インジウム溶液を用いることができる。
【００２０】
上記の如くインジウム塩溶液とアルカリ水溶液とを混合して反応させると、水酸化インジウムが析出して反応液はスラリー状となる。そこで、必要に応じて室温程度まで静置した後、固液分離して固体分（ケーキ）を回収し、これを洗浄及び乾燥して水酸化インジウムを得るのが好ましい。
この際の乾燥温度は、特に限定するものではないが９０℃〜２６０℃が好ましく、乾燥後は必要に応じて軽く解砕するようにしてもよい。
【００２１】
（第１焼成工程）
次に、上記の如く合成して得られた水酸化インジウムを、大気中６００℃〜９００℃にて焼成する。すなわち６００℃〜９００℃に設定した炉内に水酸化インジウムを保持するように焼成する。ここで、炉内を６００℃〜９００℃に設定するとは、炉内の雰囲気温度を当該温度に設定する意味である。
【００２２】
第１焼成工程における焼成温度は、上記の如く６００℃〜９００℃であればよいが、より好ましくは７００℃〜８００℃、特に７２０℃〜７８０℃であり、焼成時間は８０分〜２００分が好ましく、より好ましくは１００分〜１８０分であり、例えば６００℃で２００分、９００℃で８０分で行なう焼成を例示することができる。
この際、６００℃〜９００℃に加熱した炉内に被焼成物を投入することも可能であるが、そのような高温雰囲気にいきなり被焼成物を投入するのではなく、当該温度域まで徐々に加熱するようにするのが好ましい。例えば、被焼成物を焼成炉に投入する時点での初温を２０℃〜８０℃、特に好ましくは２０℃〜６０℃に設定し、当該初温から昇温速度４℃／ｍｉｎ〜８℃／ｍｉｎ、特に好ましくは４．５℃／ｍｉｎ〜６℃／ｍｉｎ、中でも特に好ましくは４．５℃／ｍｉｎ〜５．５℃／ｍｉｎで７００℃〜８００℃まで昇温し、その後７００℃〜８００℃を所定時間保持するようにするのが好ましい。
焼成炉としては、連続炉、バッチ炉のいずれでも用いることができる。
【００２３】
（粉砕工程）
第１焼成後は、所定温度まで冷却し、所定粒度となるように粉砕するのが好ましい。
【００２４】
この際、８時間〜１５時間をかけて品温が２０℃〜１００℃に到達するまで徐冷するのが好ましく、中でも、８時間〜１５時間をかけて品温が４０℃〜７０℃に到達するまで徐冷するのがより好ましい。
【００２５】
その後の粉砕は、ハンマーミルなどを用いてＤｍａｘ１２μｍ以下、中でもＤｍａｘ１０μｍ以下、その中でもＤｍａｘ８μｍ以下の範囲内に入り、粉砕された粉末のかさ比重（以下「ＡＤ」ともいう）が０．２ｇ／ｃｍ3〜０．５ｇ／ｃｍ3の範囲となるように粉砕するのが好ましい。
【００２６】
（第２焼成工程）
第１焼成工程を経たものを、大気中１０００℃〜１３００℃にて焼成する。すなわち１０００℃〜１３００℃に設定した炉内に被焼成物を所定時間保持するように焼成する。ここで、炉内を１０００℃〜１３００℃に設定するとは、炉内の雰囲気温度を当該温度に設定する意味である。
【００２７】
第２焼成では、少なくとも１０００℃〜１３００℃、好ましくは１０７０℃〜１３００℃、特に好ましくは１１３０℃〜１２４０℃にて、１１０分間〜２４０分間、好ましくは１５０分間〜２１０分間保持するようにして焼成を行うことが重要である。例えば１０００℃を２１０分間保持するようにしてもよいし、また、１３００℃を１１０分間保持するようにしてもよい。
この際、１０００℃〜１３００℃に加熱した炉内に被焼成物を投入することも可能であるが、そのような高温雰囲気にいきなり被焼成物を投入するのではなく、当該温度域まで徐々に加熱するようにするのが好ましい。すなわち、被焼成物を焼成炉に投入する時点での初温を２０℃〜８０℃、特に好ましくは２０℃〜６０℃に設定し、当該初温から昇温速度４℃／ｍｉｎ〜８℃／ｍｉｎ、特に好ましくは４．５℃／ｍｉｎ〜６℃／ｍｉｎで、中でも特に好ましくは４．５℃／ｍｉｎ〜５．５℃／ｍｉｎで、１０００℃〜１３００℃まで昇温するようにし、その後１０００℃〜１３００℃を所定時間保持するのが好ましい。
第２焼成に用いる焼成炉は、連続炉、バッチ炉のいずれでもよい。
【００２８】
なお、第１焼成及び第２焼成いずれにおいても、トンネル炉内を被焼成物が移動する形式の連続炉を用いることも可能であり、この場合、トンネル炉を移送長さ方向に複数のブロックに分け、ブロック毎に設定温度を変えるようにすることができる。例えば第２焼成炉であれば、入り口から段階的に加熱温度を高め、所定のブロックの温度を１０００℃〜１３００℃の温度域とし、その後のブロックを冷却用とするように各ブロックの温度を設定すればよい。
【００２９】
第２焼成後は、所定温度まで冷却するのが好ましい。例えば、酸化インジウムの品温が２０℃〜１５０℃に到達するまで徐冷するのが好ましく、中でも、品温が２０℃〜５０℃に到達するまで徐冷するのがより好ましい。
冷却後、必要に応じてダマ状の酸化インジウムをほぐす程度に解砕してもよいし、分級によってダマを取り除くようにしてもよい。
なお、徐冷は、上記のようにトンネル炉を移送長さ方向に複数のブロックに分け、最終ブロックを冷却ブロックとして設計することも可能であるが、炉外で行うようにしてもよい。
【００３０】
（酸化インジウム粉末）
以上のようにして得られた酸化インジウム粉末は、酸化スズ粉末と混合して焼成して得られるＩＴＯ膜（Indium Tin Oxide膜）を形成する際のスパッタリングターゲット原料として好適に用いることができ、ピンホールを生じないＩＴＯ焼結体を製造することができる。
中でも特に、特に、所定の酸化スズ粉末、例えばＴＥＭ写真観察（倍率：３０万倍）した時に観察される一次粒子の平均粒子経が１μｍ以下、好ましくは０．０１μｍ〜０．２μｍで、ＢＥＴ測定による比表面積が１ｍ2／ｇ〜２０ｍ2／ｇ、好ましくは２ｍ2／ｇ〜５ｍ2／ｇである酸化スズ粉末と混合してＩＴＯ焼結体を製造すれば、酸化スズ粉末とより一層均一に混合処理することができ、ピンホールを発生しないＩＴＯ焼結体をより一層歩留まり良く製造することができる。
【００３１】
ＩＴＯ焼結体の製造方法としては、例えば、酸化インジウム粉末に酸化スズ粉末を例えば５ｗｔ％〜２０ｗｔ％加え、ボールミルや振動ミル等によって混合してＩＴＯ粉末とし、所望の形に成型した後、適宜条件で焼結すればＩＴＯ焼結体を製造することができる。
また、酸化インジウム粉末、酸化スズ粉末及びイオン交換水をボールミル混合し、さらに分散剤及びバインダーを加えて混合してスラリー状にし、これを構造成形型に注入して減圧下排水して成形体とし、乾燥及び脱脂処理を行った後、焼結するようにしてＩＴＯ焼結体を製造することもできる。
但し、これらの製造方法に限定されるものではない。
【００３２】
ＩＴＯ粉末の成型手段としては、金形プレス、鋳込み成型、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）、スリップキャスト成型等の成形方法を採用することができる。
また、焼結は、例えば１４５０℃〜１６５０℃の温度で焼結すればよいが、この温度に限定されるものではない。焼結時間は数時間〜数十時間が一般的であるが、この時間に限定されるものではない。焼結雰囲気は特に限定されず、大気中、酸素中、不活性ガス中等で行うことができる。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明の実施例について説明する。但し、本発明が下記実施例に限定されるものではない。
なお、実施例・比較例で得た各サンプルは次の方法で評価を行なった。
【００３４】
＜ＢＥＴ測定＞
実施例及び比較例で得た酸化インジウム粉末のＢＥＴ（比表面積）は、ユアサアイオニクス株式会社製Monosorbを使用して測定した。
測定に用いた酸化インジウムは、図１に示すように、ＳｉＣ焼成容器の対角及び中央のそれぞれ上、中、下の合計９個所からそれぞれ約２０ｇづつサンプリングし、９サンプルそれぞれについてＢＥＴ測定を行い、下記式より平均値、標準偏差及びＣＶ値を算出した。
なお、ＢＥＴ測定は酸化インジウムのサンプリング直後から１時間以内を目安に測定を開始した。
【００３５】
【数１】
2006306669.tif 000002
【００３６】
【数２】
2006306669.tif 000003
【００３７】
【数３】
2006306669.tif 000004
【００３８】
＜ＴＥＭ径測定＞
酸化スズのＴＥＭは、無作為に粒子２００個を抽出し、それぞれＴＥＭ写真観察（倍率：３０万倍）にてＴＥＭ径を測定し、その平均値を求めた。
【００３９】
＜ＡＤ測定＞
粉砕した粉末の見掛け密度（ＡＤ）は、ＪＩＳ  Ｋ−５１０１に準拠して蔵持科学器械製作所製カサ比重測定器を使用して測定した。その際、いずれの粉末も粉砕してから３時間以内に測定を開始した。
【００４０】
＜ピンホール評価＞
実施例及び比較例で得たＩＴＯ焼結成形体について、任意に選んだ１０視野について実体顕微鏡（倍率１００倍）で観察し、５０μｍ以上の径を有するピンホールの有無を評価した。
【００４１】
（実施例１）
インジウムイオン濃度３．４ｍｏｌ／Ｌの硝酸インジウム溶液をオイルバスにて７０℃〜８０℃に制御すると共に、攪拌しながら２８％アンモニア水を５５分間かけて添加してｐＨ７．６に調整した後、３０分間攪拌を続けて水酸化インジウムを析出させスラリーを得た。
得られたスラリーをフィルタープレスにて固液分離して固体分（ケーキ）を回収し、これを純温水にて十分洗浄した後、１４０℃の雰囲気にて２２時間乾燥させた。乾燥後、ＳｉＣ焼成容器（内容量３００ｍｍ×３００ｍｍ×２００ｍｍ）に入れて初温４０℃から昇温速度５．０℃／ｍｉｎで７５０℃まで昇温し、７５０℃を１５０分間保持するようにして第１焼成を実施した。
得られた粉末をＳｉＣ焼成容器に入れたまま４０℃まで冷却した後、目開き１ｍｍφのハンマーミル（粉体供給量７．４ｋｇ／ｍｉｎ、回転数５８００ｒｐｍ）を用いて粉砕した。得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３３ｇ／ｃｍ3であった。
次に、粉砕した粉末を、ＳｉＣ焼成容器（内容量３００ｍｍ×３００ｍｍ×２００ｍｍ）に入れ、初温４０℃から昇温速度５．０℃／ｍｉｎで１１７５℃まで昇温した後、１１７５℃を１８０分間保持するようにして第２焼成を実施し、得られた粉末をＳｉＣ焼成容器に入れたまま品温４０℃まで冷却して酸化インジウム粉末を得た。
得られた酸化インジウム粉末のＢＥＴを上記要領で測定したところ、ＢＥＴ平均値は２．４２ｍ2／ｇ、その標準偏差は０．１０ｍ2／ｇであり、ＣＶ値（変動係数）は０．０４であった。なお、第２焼成後におけるＳｉＣ焼成容器の対角及び中央のそれぞれ上、中、下９個所のＢＥＴ測定値、平均値、標準偏差及びＣＶ値を表２に示した。
【００４２】
また、上記の如く得られた酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末（平均粒子径０．０８μｍ、比表面積２．６ｍ2／ｇ）とを質量割合で９０：１０となるように混合し、ＺｒＯ2ボールを用いた乾式ボールミルにて２１時間分散処理を行った。そして、分散処理後の混合粉末にポリビニルアルコール（バインダー）を添加して攪拌擂潰機にて混合し、２００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス機で成形した後、この成形体を目開き３ｍｍφのハンマーミルを用いて粉砕し、得られた粉体を１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力でプレス成形を行って３００ｍｍ×３００ｍｍ×７ｍｍの直方体状の成形体を得た。そして、この成形体を８０℃で１５時間乾燥させた後、大気圧程度の酸素雰囲気下において１５５０℃で８時間焼成してＩＴＯ焼結成形体を５枚得た。
こうして得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００４３】
（実施例２）
第２焼成の昇温速度を４．５℃／ｍｉｎに変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。なお、第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３３ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００４４】
（実施例３）
第２焼成の焼成温度を１２００℃に変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３１ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００４５】
（実施例４）
第２焼成の焼成温度を１１５０℃に変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３２ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００４６】
（実施例５）
第２焼成の昇温速度を４．５℃／ｍｉｎ、焼成温度を１１５０℃に変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３２ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００４７】
（実施例６）
２８％アンモニア水を５５分間かけて添加してｐＨ７．３に調整して水酸化インジウムを析出させスラリーを得た以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３５ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００４８】
（実施例７）
２８％アンモニア水を５５分間かけて添加してｐＨ８．０に調整して水酸化インジウムを析出させスラリーを得た以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。
また、第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３３ｇ／ｃｍ3であった。  得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００４９】
（実施例８）
第１焼成温度を６５０℃、第２焼成温度を１０７０℃に変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。なお、第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．２５ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００５０】
（実施例９）
第１焼成温度を６５０℃、第２焼成温度を１２００℃に変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。なお、第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．２４ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００５１】
（実施例１０）
第１焼成温度を８５０℃、第２焼成温度を１０７０℃に変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．４３ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００５２】
（実施例１１）
第１焼成温度を８５０℃、第２焼成温度を１２００℃に変えた以外は、実施例１と同様に酸化インジウム粉末及びＩＴＯ焼結成形体を得た。得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。第１焼成後に粉砕して得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．４５ｇ／ｃｍ3であった。
また、得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、すべてのＩＴＯ焼結成形体において５０μｍφ以上のピンホールは０であった。
【００５３】
（比較例１）
インジウムイオン濃度３．４ｍｏｌ／Ｌの硝酸インジウム溶液をオイルバスにて７０℃〜８０℃に制御すると共に、攪拌しながら２８％アンモニア水を５５分間かけて添加してｐＨ７．５に調整した後、３０分間攪拌を続けて水酸化インジウムを析出させてスラリーを得た。
得られたスラリーをフィルタープレスにて固液分離して固体分（ケーキ）を回収し、これを純温水にて十分洗浄した後、１４０℃の雰囲気にて２２時間乾燥させた。乾燥後、得られた粉末をＳｉＣ焼成容器（内容量３００ｍｍ×３００ｍｍ×２００ｍｍ）に入れて初温４０℃から昇温速度５．０℃／ｍｉｎで７５０℃まで昇温し、７５０℃を１５０分間保持するようにして焼成を行い、得られた粉末をＳｉＣ焼成容器に入れたまま４０℃まで冷却して酸化インジウム粉末を得た。
得られた酸化インジウムを、実施例１と同様にサンプリングして、ＢＥＴを測定したところ、ＢＥＴ平均値は１３．４７ｍ2／ｇ、その標準偏差は３．４１ｍ2／ｇであり、ＣＶ値は０．２５であった。また、得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．３２ｇ／ｃｍ3であった。
なお、上記焼成後におけるＳｉＣ焼成容器の対角及び中央のそれぞれ上、中、下９個所のＢＥＴ測定値、平均値、標準偏差及びＣＶ値を表３に示した。
【００５４】
また、上記の如く得られた酸化インジウムを用いて、実施例１と同様にＩＴＯ焼結成形体を５枚得た。得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、いずれのＩＴＯ焼結成形体においても５０μｍφ以上のピンホールが数箇所観察された。
【００５５】
（比較例２）
インジウムイオン濃度３．４ｍｏｌ／Ｌの硝酸インジウム溶液を、オイルバスにて７０℃〜８０℃に制御すると共に攪拌しながら、２８％アンモニア水を５５分間かけて添加してｐＨ７．５に調整した後、３０分間攪拌を続けて水酸化インジウムを析出させスラリーを得た。
得られたスラリーをフィルタープレスにて固液分離して固体分（ケーキ）を回収し、これを純水にて十分洗浄した後、１４０℃の雰囲気にて２２時間乾燥させた。乾燥後、得られた粉末をＳｉＣ焼成容器（内容量３００ｍｍ×３００ｍｍ×２００ｍｍ）に入れて初温４０℃から昇温速度５．０℃／ｍｉｎで１１８５℃まで昇温し、１１８５℃を１５０分間保持するようにして焼成を行い、得られた粉末をＳｉＣ焼成容器に入れたまま４０℃まで冷却して酸化インジウム粉末を得た。
得られた酸化インジウムのＢＥＴ平均値、標準偏差及びＣＶ値を表１に示す。なお、得られた粉末の見掛け密度（ＡＤ）は０．８２ｇ／ｃｍ3であった。
【００５６】
また、上記の如く得られた酸化インジウムを用いて、実施例１と同様にＩＴＯ焼結成形体を５枚得た。得られたＩＴＯ焼結成形体について観察すると、いずれのＩＴＯ焼結成形体においても５０μｍφ以上のピンホールは数箇所観察された。
【００５７】
【表１】
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【００５８】
表１に示すように、実施例１〜１１で得られた酸化インジウム粉末のＣＶ値は０．０３〜０．１６の範囲内にあり、いずれも一次粒子の粒度が揃った酸化インジウム粉末であり、焼きムラが非常に少ないことが分った。一方、比較例１、２の酸化インジウム粉末のＣＶ値はそれぞれ０．２５及び０．４７であり、一次粒子の粒度が揃っておらず、焼成による焼きムラが大きいことが分った。
【００５９】
【表２】
2006306669.tif 000006
【００６０】
【表３】
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【００６１】
表２に示される実施例１におけるＢＥＴ測定値の分布を見ると、サンプリングした全ての箇所においてＢＥＴ値の振れ幅が小さく、ＣＶ値も０．０４であったことから、焼きムラをほとんどないことが分った。
その一方、表３に示される比較例１におけるＢＥＴ測定値の分布を見ると、サンプリングした箇所によってＢＥＴ値の振れ幅が大きく、特にＳｉＣ焼成容器中心部でのＢＥＴ値が大きくなっており、ＣＶ値も０．２５であることから、焼きムラが生じていることが分った。
表１の結果と考え合わせると、実施例１では、焼きムラがほとんどないために、この酸化インジウムを用いると、酸化スズとのより均一な混合が可能となり、ピンホールの無いＩＴＯ焼結体を得ることが出来たものと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】得られた酸化インジウムをＳｉＣ焼成容器からサンプリングした際のサンプリング個所の模式図である。
【図１】
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