(57)【要約】【課題】基板の一方の面を腐食させることなく、基板の他の面のみを確実に洗浄可能な基板洗浄装置を得ること。【解決手段】洗浄用媒体または前記洗浄用媒体を洗い流すリンス用媒体を貯留して基板を浸漬させる為の貯留部と、基板を保持する保持基板を有し、該保持基板を前記貯留部に浸漬するべく移動可能な保持部と、を備え、前記保持部が、前記保持基板の基板保持面と前記基板との間に介在される多重の環状のシールと、前記基板を前記シールを介在させて前記保持基板に保持した際に隣り合うシールと前記基板と前記基板保持面とで形成する空間に、前記リンス用媒体を供給するリンス用媒体供給部と、該空間から前記リンス用媒体を排出する排出部と、を備える。【選択図】        図１
2006073753.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄用媒体または前記洗浄用媒体を洗い流すリンス用媒体を貯留して基板を浸漬させる為の貯留部と、
基板を保持する保持基板を有し、該保持基板を前記貯留部に浸漬するべく移動可能な保持部と、
を備え、
前記保持部が、
前記保持基板の基板保持面と前記基板との間に介在される多重の環状のシールと、
前記基板を前記シールを介在させて前記保持基板に保持した際に隣り合うシールと前記基板と前記基板保持面とで形成する空間に、前記リンス用媒体を供給するリンス用媒体供給部と、該空間から前記リンス用媒体を排出する排出部と、
を備えること
を特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記保持部は、前記基板を吸着保持することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記シールは、前記保持部材の基板保持面に固定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記貯留部が、
前記洗浄用媒体を供給する供給部と、
前記洗浄用媒体を回収する回収部と、
前記リンス用媒体を供給する供給部と、
前記洗浄用媒体と前記リンス用媒体との混合液を排出する排出部と、
を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記保持部が、前記保持基板を回転させる回転手段を有し、
前記洗浄用媒体または前記洗浄用媒体の飛散を防止する飛散防止手段をさらに備えること、
を特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記貯留部として、前記洗浄用媒体を貯留する第１の貯留部と、前記リンス用媒体を貯留する第２の貯留部と、を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の基板洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の洗浄を行う基板洗浄装置に関し、特に、半導体装置の製造等に用いて好適な基板洗浄装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板の洗浄方法としては、たとえば基板の裏面側から薬液をノズルにより吐出し、回転する基板に吹き付けて基板表面に薬液の拡散を行う方法がある（たとえば、特許文献１参照）。このような方法においては、薬液を回転する基板に吹き付けるため該薬液が周辺へ飛散し、蒸気あるいはミストとなって基板の周辺に腐食雰囲気を作る。このため、基板表面への腐食雰囲気の混入を防止するために、一般に基板表面へ窒素ガスをブローする、または基板の周辺を吸引するなどにより基板表面を保護している。しかしながら、高速で回転する基板上の完全な気流制御は困難であり、腐食雰囲気の乱入により基板の製品領域の腐食が発生してしまう。また、この腐食雰囲気は、薬液の廃液後も基板周辺に滞留し、基板の製品領域の腐食を加速させてしまう。
【０００３】
そこで、腐食雰囲気を発生させる要因となっているスプレーノズルを用いた方式および薬液処理中に基板を回転させる方式を廃止して基板の洗浄を行う方法が提案されている。このような方法としては、たとえば処理流体が貯留される洗浄槽と、この洗浄槽の一部にウエハの輪郭形状とほぼ同一の形状に開設されたウエハ保持部と、前記ウエハの一主面のみが前記洗浄槽内に露出する姿勢で前記ウエハ保持部に対して当該ウエハを固定する第一のウエハ固定手段と、からなる基板洗浄装置がある（たとえば、特許文献２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−１１１６２２号公報
【特許文献２】特開平６−２６７９２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の特許文献２の技術によれば、ウエハの表面と裏面とを一層のパッキンによりシールして隔てた構成とされている。この場合、シール部近傍のウエハの表層が薬液によりエッチング除去されるとパッキンとウエハとの間にわずかな隙間が生じてシール状態が破れて、ここからウエハの表面側にも洗浄液が侵入してしまい、ウエハの表面の形成された製品領域の腐食が発生してしまうという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、基板の一方の面を腐食させることなく、基板の他の面のみを確実に洗浄可能な基板洗浄装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる基板洗浄装置は、洗浄用媒体または洗浄用媒体を洗い流すリンス用媒体を貯留して基板を浸漬させる為の貯留部と、基板を保持する保持基板を有し、該保持基板を貯留部に浸漬するべく移動可能な保持部と、を備え、保持部が、保持基板の基板保持面と基板との間に介在される多重の環状のシールと、基板を前記シールを介在させて保持基板に保持した際に隣り合うシールと基板と基板保持面とで形成する空間に、リンス用媒体を供給するリンス用媒体供給部と、該空間からリンス用媒体を排出する排出部と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、基板を貯留部に貯留した洗浄用媒体に浸漬させて静止状態で保持することにより基板の洗浄を行う。これにより、基板の洗浄時の腐食雰囲気の発生が抑制される。また、基板の表面を多重のシールでシーリングすることにより、該基板の表面の所望の部位が外部環境から分離され、保護される。そして、多重のシールでシーリングし、基板をシールを介在させて保持基板に保持した際に隣り合うシールと基板と基板保持面とで形成する空間にリンス用媒体を供給し、また該空間からリンス用媒体を排出する。こうすることで、該空間に洗浄用媒体が侵入した場合においても、侵入した洗浄用媒体を即座に薄めて且つ該空間に供給したリンス用媒体と共に排水される。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、基板の表面を保持基板と対向させてシールを介して保持するため、該基板の表面の所望の部位を外部環境から分離して保護することができる。また、多重のシールでシーリングしているため、前記の外部環境から分離した基板表面の所定の部位に洗浄用媒体が浸入し、腐食が発生することを効果的に防止することができる。さらに、この発明によれば、基板をシールを介在させて保持基板に保持した際に隣り合うシールと基板と基板保持面とで形成する空間にリンス用媒体を供給し、また該空間からリンス用媒体を排出するため、この空間に洗浄用媒体が侵入した場合においても、侵入した洗浄用媒体を即座に薄めて且つ該空間に供給したリンス用媒体と共に排水することができる。これにより、前記の外部環境から分離した基板表面の所定の部位に洗浄用媒体が浸入し、腐食が発生することをより確実に防止することができる。したがって、この発明によれば、基板の一方の面を腐食させることなく、基板の他の面のみを確実に洗浄可能な基板洗浄装置を得ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明にかかる基板洗浄装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる基板洗浄装置の概略構成を示す図である。本実施の形態にかかる基板洗浄装置は、たとえば半導体基板（ウエハ）３の一方の面のみを洗浄するものである。以下においては、半導体基板３における洗浄を行う側の面を裏面と称し、半導体基板３における洗浄を行わない側の面を表面と称する。このような洗浄を行う基板洗浄装置は、図１に示すように半導体基板３を浸漬させる処理槽１と、半導体基板３を保持する基板保持部１３と、処理溶液の外部への飛散を防止する飛散防止板４と、を備えて構成されている。
【００１２】
ここで、処理槽１は、半導体基板３を洗浄するための洗浄用媒体である洗浄液（薬液）を処理槽１内に供給する洗浄液供給口６と、処理槽１内の洗浄液を回収する洗浄液回収口７と、半導体基板３から洗浄液を洗い流すリンス用媒体である純水を処理槽１内に供給する純水供給口８と、処理槽１内の洗浄液および純水が混合した廃液を回収する廃液回収口９と、余分な純水等を回収するオーバーフロー口１２と、を備えている。そして、この処理槽１内に洗浄液を貯留し、半導体基板３を浸漬させて該半導体基板３の洗浄を行う。また、この処理槽１内にリンス媒体となる純水を貯留し、半導体基板３を浸漬させて洗浄液を洗い流す。
【００１３】
基板保持部１３は、半導体基板３を保持するための保持基板２を有し、多重の環状のシール５−１およびシール５−２を介在させた状態で半導体基板３を保持基板２の基板保持面（半導体基板３を保持する側の面）で保持する。保持基板２は、半導体基板３よりもやや大きめの径を有し、洗浄液（薬液）に対してエッチング耐性のある材料により構成された略円盤状の基板である。そして、基板保持部１３は、保持基板２における基板保持面に貫通する吸引口１０を有する。この吸引口１０を備えることにより、後述するように保持基板２に半導体基板３を保持する際に保持基板２と半導体基板３との間に形成される空間１６の空気を吸引し、該空間１６を略真空状態として半導体基板３を吸引保持することができる。
【００１４】
また、基板保持部１３は、保持基板２を回転可能とする回転機構１１を備える。そして、回転機構１１で保持基板２を回転させることにより、該保持基板２に保持された半導体基板３を回転させることができる。すなわち、この基板保持部１３によれば、半導体基板３を保持基板２に固定した状態で、たとえば図１に示す矢印Ａの方向に回転可能とされている。これにより、半導体基板３に付着した液体を振り切ることが可能である。そして、また、基板保持部１３は、図示しない移動機構を有し、図１に示す矢印Ｂの方向に往復移動可能とされている。
【００１５】
さらに、基板保持部１３は、保持基板２に純水供給口１４および排水口１５を備える。この純水供給口１４および排水口１５は、該基板保持部１３の基板保持面で半導体基板３を保持した際に、保持基板２、半導体基板３、略環状のシール５−１および略環状のシール５−２で囲まれた空間１７に開口部を有するものである。このような純水供給口１４および排水口１５を備えることにより、純水供給口１４により空間１７に純水を供給することができる。また、排水口１５により空間１７の廃液を排水することができる。
【００１６】
ここで、基板保持部１３による半導体基板３の保持方法について説明する。本実施の形態において半導体基板３は、図１に示すようにその一方の面（表面）側を保持基板２と対向した状態で真空保持される。すなわち、保持基板２、半導体基板３および略環状のシール５−２で囲まれた空間１６の空気が吸引口１０により吸引され、該空間１６が略真空状態とされることにより半導体基板３が吸引保持されている。
【００１７】
つぎに、本実施の形態にかかる基板洗浄装置を用いた半導体基板３の洗浄方法について説明する。まず、基板保持工程において半導体基板３を保持基板２に固定保持する。この場合、保持基板２の基板保持面の所定の位置に環状のシール、シール５−１およびシール５−２を多重に配置し、固定する。ここで、シール５−２はシール５−１よりも径が小とされており、保持基板２の外周側に略環状のシール５−１を配置し、その内側に略環状のシール５−２を配置し固定する。また、シール５−１とシール５−２とは、上述した純水供給口１４および排水口１５がシール５−１とシール５−２との間に位置するように配置する。図２は、シール５−１およびシール５−２と純水供給口１４および排水口１５との位置関係の一例を示した図であり、保持基板２単体を半導体基板３と対向する面側から見た平面図である。シール５−１およびシール５−２はそれぞれ図２において示す略環状の固定部位５−１′および５−２′において保持基板２に固定される。シール５−１およびシール５−２としては、洗浄液（薬液）に対してエッチング耐性の優れた材料で構成されたものを使用する。
【００１８】
そしてシールを固定した基板保持部１３の基板保持面と半導体基板３の洗浄を行わない側の面（表面）とを対向させた状態で位置合わせを行い、シールを介して保持基板２と半導体基板３とを貼り合わせる。そしてこの状態で保持基板２、半導体基板３、略環状のシール５−２で囲まれた空間１６の空気を吸引口１０から吸引して該空間１６を略真空状態とする。これにより、半導体基板３を保持基板２に吸引保持することができる。図３は、保持基板２が半導体基板３を吸着保持した状態を示す断面図である。
【００１９】
つぎに半導体基板３を洗浄液で洗浄する洗浄工程を実施する。まず、洗浄液供給口６を用いて所定の深さとなるように処理槽１に洗浄液（薬液）を供給し、貯留する。ここで、所定の高さとは、後述するように半導体基板３を処理槽１に浸漬させる際に、少なくとも半導体基板３が全て浸漬可能な深さとする。このような深さとなるように洗浄液を貯留することにより、半導体基板３の側面も確実に洗浄することができる。
【００２０】
つぎに、保持基板２に保持された半導体基板３を、洗浄を行う面（裏面）を下にした状態で処理槽１の洗浄液に浸漬する。このとき、半導体基板３の全体を洗浄液に浸漬させる。そしてこの状態で、所定の洗浄時間だけ保持する。この洗浄時間は、洗浄液の種類や濃度等の諸条件により適宜変更可能である。
【００２１】
また、半導体基板３を処理槽１内の洗浄液に浸漬させている間、保持基板２、半導体基板３、略環状のシール５−１および略環状のシール５−２で囲まれた空間１７に純水供給口１４を用いて純水を供給する。また、排水口１５を用いて該空間１７に供給された純水を排水する。ここで、保持基板２、半導体基板３および略環状のシール５−２で囲まれた空間１６は、シール５−２により空間１７と隔てた構成とされているため、該空間１６に純水が浸入することはない。
【００２２】
この場合、シール５−１近傍の半導体基板３の表層が洗浄液によりエッチングされると、シール５−１と半導体基板３との間にわずかな隙間が生じてシール状態が破れ、ここから保持基板２、半導体基板３、略環状のシール５−１および略環状のシール５−２で囲まれた空間１７に洗浄液が侵入してしまう。そして、この状態を放置しておくと、同様に保持基板２、半導体基板３および略環状のシール５−２で囲まれた空間１６にも洗浄液が侵入してしまい、たとえば半導体基板３の表面に形成された製品領域の腐食が発生してしまう。また、この場合、空間１６のシール状態が破られると、空間１６の略真空状態が破られ、半導体基板３を吸着保持することができなくなってしまう。
【００２３】
そこで、本実施の形態においては、半導体基板３を洗浄液で洗浄している間、すなわち半導体基板３を処理槽１内の洗浄液に浸漬させている間、純水供給口１４を用いて空間１７に純水を供給し、また排水口１５を用いて該空間１７に供給された純水を排水する。こうすることで、空間１７に洗浄液が侵入した場合においても、侵入した洗浄液を即座に薄めて且つ該空間１７に供給した純水と共に排水することで除去することが可能である。これにより、空間１７に洗浄液が侵入した場合においても、空間１６にも洗浄液が侵入することを確実に防止し、且つ空間１７における半導体基板３の表面の腐食を確実に防止することが可能である。
【００２４】
そして、所定の洗浄時間の経過後、洗浄液回収口７を用いて処理槽１内の洗浄液を回収する。このようにして回収した洗浄液は、図示しない洗浄液貯留槽に戻されることにより、再度、半導体基板３の洗浄に使用することが可能であり、低コストで半導体基板３の洗浄を行うことができる。
【００２５】
処理槽１内の洗浄液を回収した後、半導体基板３に付着した洗浄液を洗い流すリンス工程を行う。今度は、半導体基板３に付着している洗浄液を洗い流す（純水リンスを行う）為に、純水供給口８を用いて純水を処理槽１内に供給、貯留する。そして、所定の時間だけ処理槽１内に純水の供給を続けることで純水により半導体基板３に付着した洗浄液を洗い流す。ここで、処理槽１にはオーバーフロー口１２が設けられており、余分な純水はこのオーバーフロー口１２から排水されるため処理槽１に供給された純水は所定の高さ以上に貯留されることがなく、処理槽１内から溢れることが防止されている。また、処理槽１内におけるオーバーフロー口１２の配置高さは、半導体基板３を浸漬した際の半導体基板３の上面（表面）の位置よりも高い位置とされている。
【００２６】
つぎに、所定の時間の経過後、処理槽１への純水の供給を停止し、廃液回収口９を用いて、半導体基板３に付着していた洗浄液が純水に混合した廃液を処理槽１から回収する。そして、処理槽１内の廃液を回収した後、半導体基板３が所定の高さ、たとえば図１に示す（ａ）の位置となるように基板保持部１３を上昇させ、回転機構１１により基板保持部１３を回転させることにより半導体基板３を回転させて該半導体基板３に付着した純水を振り切る。そして、乾燥チャンバにおいて半導体基板３を乾燥させる。以上の処理を行うことにより、半導体基板３の表面を腐食させることなく、裏面のみを確実に洗浄することができる。
【００２７】
なお、上記においては、リンス工程においては以下のような処理を行うことも可能である。すなわち、まず、純水供給口８を用いて純水を所定の高さまで処理槽１内に供給し、貯留する。ここで、所定の高さとは、オーバーフロー口１２の位置よりも低く、且つ半導体基板３が全て浸漬する高さとする。このような深さとなるように純水を貯留することにより、半導体基板３に付着した洗浄液を確実に洗い流すことができる。そして、この状態で所定の時間だけ保持する。
【００２８】
つぎに、所定の時間の経過後、廃液回収口９を用いて、半導体基板３に付着していた洗浄液が純水に混合した廃液を処理槽１から回収する。以上の処理を１バッチとして、これを数バッチ繰り返す。そして最後に、上記と同様にたとえば半導体基板３が図１に示す（ａ）の位置となるように基板保持部１３を上昇させ、回転機構１１により基板保持部１３を回転させることにより半導体基板３を回転させて該半導体基板３に付着した純水を振り切る。そして、乾燥チャンバにおいて半導体基板３を乾燥させる。以上の処理を行うことにより、上記の場合と同様に半導体基板３に付着した洗浄液を洗い流すことができる。
【００２９】
また、リンス工程においては以下のような処理を行うことも可能である。すなわち、まず、純水供給口８を用いて純水を所定の高さまで処理槽１内に供給し、貯留する。ここで、所定の高さとは、オーバーフロー口１２の位置よりも低く、且つ半導体基板３が全て浸漬する高さとする。このような深さとなるように純水を貯留することにより、半導体基板３に付着した洗浄液を確実に洗い流すことができる。そして、この状態で所定の時間だけ保持する。
【００３０】
つぎに、所定の時間の経過後、廃液回収口９を用いて、半導体基板３に付着していた洗浄液が純水に混合した廃液を処理槽１から回収する。そして、処理槽１内の廃液を回収した後、上記と同様にたとえば半導体基板３が図１に示す（ａ）の位置となるように基板保持部１３を上昇させ、回転機構１１により基板保持部１３を回転させることにより半導体基板３を回転させて該半導体基板３に付着した純水を振り切り、乾燥させる。以上の処理を１バッチとして、これを数バッチ繰り返す。そして、最後に乾燥チャンバにおいて半導体基板３を乾燥させる。以上の処理を行うことによっても、上記の場合と同様に半導体基板３に付着した洗浄液を洗い流すことができる。
【００３１】
以上において説明したように、本実施の形態にかかる基板洗浄装置によれば、半導体基板３を処理槽１内に浸漬させて静止状態で保持することにより半導体基板３の洗浄を行う。これにより、半導体基板３の洗浄時の腐食雰囲気の発生を最小限に抑えることができる。また、半導体基板３の表面をシール５−１およびシール５−２でシーリングすることにより、該半導体基板３の表面の所望の部位を外部環境から分離し、保護することができる。
【００３２】
すなわち、本実施の形態にかかる基板洗浄装置によれば、従来の方法で腐食雰囲気を加速させる要因となっているスプレーノズルで洗浄液を半導体基板３に噴霧し、洗浄中の半導体基板３を回転させる場合のように洗浄液が周囲に飛散して蒸気またはミストとして腐食雰囲気を形成することがない。したがって、腐食雰囲気の発生に起因した半導体基板３の腐食が発生することがない。
【００３３】
また、本実施の形態においては、半導体基板３を保持基板２に吸着保持して洗浄液に浸漬するが、このときシール５−１近傍の被エッチング膜、すなわち半導体基板３の表面層が除去されると、シール５−１と半導体基板３との間にわずかな隙間が生じてシール状態が破れ、ここから洗浄液が侵入してしまう虞がある。そこで、本実施の形態においては、シールをシール５−１とシール５−２との２層構造としている。これにより、シール５−１と半導体基板３との間のわずかな隙間から洗浄液が侵入した場合においても、シール５−２により洗浄液の広がりを防止することができる。
【００３４】
ここで、シール５−２を配置しただけでは、上記と同様に保持基板２、半導体基板３および略環状のシール５−２で囲まれた空間１６にも洗浄液が侵入してしまい、たとえば半導体基板３の表面に形成された製品領域の腐食が発生してしまう虞がある。また、この場合、空間１６のシール状態が破られると、空間１６の略真空状態が破られ、半導体基板３を吸着保持することができなくなってしまう。
【００３５】
そこで、本実施の形態においては、半導体基板３を処理槽１内の洗浄液に浸漬させている間、純水供給口１４を用いて空間１７に純水を供給し、また排水口１５を用いて該空間１７に供給された純水を排水する。こうすることで、空間１７に洗浄液が侵入した場合においても、侵入した洗浄液を即座に薄めて且つ該空間１７に供給した純水と共に排水することで除去することが可能である。これにより、空間１７に洗浄液が侵入した場合においても、空間１６にも洗浄液が侵入することを確実に防止し、且つ空間１７における半導体基板３の表面の腐食を確実に防止することが可能である。また、洗浄液の侵入を空間１７において確実に防止することができるため、洗浄液の侵入により空間１６の略真空状態を保持することができ、半導体基板３の洗浄処理を行っている間、該半導体基板３を確実に吸着保持することが可能である。
【００３６】
また、上記においては、シールを２層とした場合について説明したが、さらにシールの層を増やした多重構造とすることが可能である。この場合、図４および図５に示すようにシール５−１よりも外周側に環状のシール５−３を増設することにより空間１７へ洗浄液が侵入するまでの時間を延ばすことが可能であり、より確実に空間１６への洗浄液の侵入を防止することができる。ここで図４は、保持基板２が半導体基板３を吸着保持した状態を示す断面図であり、図５は、保持基板２単体を半導体基板３と対向する面側から見た平面図である。なお、シール５−１、シール５−２およびシール５−３はそれぞれ図５において示す略環状の固定部位５−１′、５−２′、５−３′において保持基板２に固定される。
【００３７】
また、本実施の形態においては、半導体基板３の表面にシールを配置して吸引保持するため、半導体基板３を傷つけることなく半導体基板３を保持することができる。そして、洗浄処理においては半導体基板３の裏面及び側面の全ての部分を確実に洗浄処理することが可能である。さらに、半導体基板３の裏面や側面で半導体基板３を保持する場合には、エッチングにおいてエッチングムラを発生する原因となる。しかしながら、本実施の形態においては、半導体基板３の表面にシールを配置して吸引保持するため、エッチングムラを発生させることなく、半導体基板３の洗浄を１回の処理で確実に行うことができる。
【００３８】
実施の形態２．
図６は、本発明の実施の形態２にかかる基板洗浄装置の概略構成を示す図である。本実施の形態にかかる基板洗浄装置は、実施の形態１の場合と同様にたとえば半導体基板（ウエハ）３の一方の面のみを洗浄するものである。このような洗浄を行う基板洗浄装置は、図６に示すように半導体基板３を洗浄液に浸漬させて洗浄工程を行う洗浄液専用の処理槽１−Ａと処理溶液の外部への飛散を防止する飛散防止板４とを備えた洗浄工程部２１と、半導体基板３を純水に浸漬させて該半導体基板３に付着した洗浄液を洗い流すリンス工程を行う純水専用の処理槽１−Ｂと処理溶液の外部への飛散を防止する飛散防止板４とを備えたリンス工程部２２と、半導体基板３を保持する基板保持部１３と、を備えて構成されている。なお、図６においては、上記の図１と同様の部材については、同じ符号を付してある。
【００３９】
ここで、処理槽１−Ａは、半導体基板３を洗浄するための洗浄用媒体である洗浄液（薬液）を処理槽１−Ａ内に供給する洗浄液供給口６と、処理槽１−Ａ内の洗浄液を回収する洗浄液回収口７と、余分な洗浄液等を回収するオーバーフロー口１２と、を備えている。また、処理槽１−Ｂは、半導体基板３から洗浄液を洗い流すリンス用媒体である純水を処理槽１−Ｂ内に供給する純水供給口８と、処理槽１−Ｂ内の洗浄液および純水が混合した廃液を回収する廃液回収口９と、余分な純水等を回収するオーバーフロー口１２と、を備えている。
【００４０】
そして、半導体基板３の裏面洗浄を行う場合、基板保持部１３を図６の矢印Ｃに示すように移動させ、洗浄液を貯留した処理槽１−Ａ浸漬して洗浄を行う。そして、半導体基板３に付着した洗浄液を洗い流すリンス工程は、基板保持部１３を図６の矢印Ｄに示すように移動させ、処理槽１−Ｂに貯留した純水に浸漬して行う。各処理の詳細については、上述した実施の形態１の場合と同様なため、上記の説明を参照することとして詳細な説明は省略する。
【００４１】
以上のように、本実施の形態においては、洗浄液用の処理槽１−Ａと純水用の処理槽１−Ｂとを独立して設けているため、洗浄液と純水の混入がない。これにより、洗浄液のエッチング性能の低下を防ぎ、洗浄液の使用量を低減することができる。その結果、基板の洗浄に費やすコストを低減することができ、基板洗浄の低コスト化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上のように、本発明にかかる基板洗浄装置は、基板の一方の面のみを洗浄する場合に有用であり、特に、半導体基板等の洗浄に適している。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる基板洗浄装置の概略構成を示す図である。
【図２】シールと純水供給口および排水口との位置関係の一例を示した図である。
【図３】保持基板が半導体基板を吸着保持した状態を示す断面図である。
【図４】保持基板が半導体基板を吸着保持した状態を示す断面図である。
【図５】保持基板単体を半導体基板と対向する面側から見た平面図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかる基板洗浄装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  処理槽
１−Ａ  処理槽
１−Ｂ  処理槽
２  保持基板
３  半導体基板
４  飛散防止板
５−１  シール
５−２  シール
６  洗浄液供給口
７  洗浄液回収口
８  純水供給口
９  廃液回収口
１０  吸引口
１１  回転機構
１２  オーバーフロー口
１３  基板保持部
１４  純水供給口
１５  排水口
１６  空間
１７  空間
【図１】
2006073753.tif 000003
【図２】
2006073753.tif 000004
【図３】
2006073753.tif 000005
【図４】
2006073753.tif 000006
【図５】
2006073753.tif 000007
【図６】
2006073753.tif 000008