(57)【要約】【課題】セラミック基板表面における配線回路層と絶縁層の接着強度を向上させる。【解決手段】絶縁層１と、絶縁層１の表面あるいは内部に形成された配線回路層３とを具備してなるセラミック配線基板９であって、前記セラミック配線基板９の少なくとも一方の主面に形成された表層配線回路層３ａの端部における前記絶縁層１と前記表層配線回路層３ａの間に、前記絶縁層１よりも易焼結性を有する絶縁性の接着層１１が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2006156523.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、該絶縁層の表面あるいは内部に形成された配線回路層とを具備してなるセラミック配線基板であって、前記セラミック配線基板の少なくとも一方の主面に形成された表層配線回路層と前記絶縁層との間に、前記絶縁層よりも易焼結性を有する絶縁性の接着層が形成されていることを特徴とするセラミック配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層と、前記接着層とがガラスを含有することを特徴とする請求項１に記載のセラミック配線基板。
【請求項３】
前記接着層が含有するガラスが、前記絶縁層が含有するガラスよりも多いことを特徴とする請求項２に記載のセラミック配線基板。
【請求項４】
前記接着層が含有するガラスの軟化点が、前記絶縁層が含有するガラスの軟化点以下であることを特徴とする請求項２又は３に記載のセラミック配線基板。
【請求項５】
前記接着層の厚みが３〜２０μｍであることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれかに記載のセラミック配線基板。
【請求項６】
前記接着層の最小幅が４０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれかに記載のセラミック配線基板。
【請求項７】
前記接着層と前記表層配線回路層との重なり部分の最小幅が２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれかに記載のセラミック配線基板。
【請求項８】
前記接着層の前記表層配線回路層の端部からセラミック配線基板表面に露出している部分の最小幅が２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれかに記載のセラミック配線基板。
【請求項９】
前記セラミック配線基板の配線回路層が、金属焼結体あるいは金属箔からなり、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を含有するなることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれかに記載のセラミック配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と配線回路層を具備し、半導体素子や抵抗、コンデンサなどの電子素子を搭載することのできるセラミック配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セラミック配線基板は、熱や水分に対して非常に安定であるため、高い信頼性を有する配線基板として種々の用途に用いられている。
【０００３】
しかしながら、セラミック配線基板の表面に形成された配線回路層とセラミック配線基板の絶縁層との密着性については、未だ改善の余地が残されている。
【０００４】
特に、従来の１５００℃程度の温度域で焼成されるアルミナセラミックスなどを絶縁層として用いた場合に比べ、１０５０℃以下の温度域で焼成される、いわゆる低温焼成配線基板においては、配線回路層とセラミック配線基板の絶縁層との密着性が劣り、セラミック配線基板の信頼性を低くする要因となっている。
【０００５】
この絶縁層と配線回路層の接着強度の低さ、あるいは残留応力にともなう接着界面の破断や、配線回路層端部の絶縁層部分におけるクラック・空隙の発生は、配線回路層の回路の断絶や、半導体素子や抵抗・コンデンサなどの搭載部品あるいはセラミック基板を実装するプリント板との接続信頼性の低下、または外部からの水分の侵入による配線層を形成する金属のイオン化によって引き起こされる絶縁層の絶縁性低下の原因となる。
【０００６】
そこでセラミック配線基板では、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層５１と、絶縁層の主面に形成された表面配線回路層５３ａ、内層配線回路層５３ｂと、絶縁層５１を挟持して形成された配線回路層５３同士を接続する貫通導体５５とを具備するセラミック基板５９の表面における５１絶縁層と表面配線回路層５３ａの接着強度を強化し、表面配線回路層５３ａの端部の絶縁層５１部分におけるクラック・空隙の発生を抑制し、絶縁層５１と表面配線回路層５３ａの接着信頼性を確保する方法として、表層配線回路層５３ａの上に絶縁層５１の成分を含むオーバーコート６１を形成することが提案されている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−１５６４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら表層配線回路層の上に絶縁層の成分を含むオーバーコートで被覆する方法では、表層配線回路層の端面における表層配線回路層と絶縁層との段差の影響により、配線回路層端部の角の部分に接するオーバーコートの厚みが局所的に薄くなる場合があり、配線回路層端部の角の部分を起点としてオーバーコートにクラックが発生したり、オーバーコート下にある配線回路層の導体の影響を受けて、オーバーコートが局所的に薄い部分に、めっきに用いるＮｉやＡｕが付着したりすることがあった。
【０００８】
従って、本発明は、配線回路層の端部において水分が浸入することによる表層の絶縁層における絶縁性の低下も抑制できるセラミック配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のセラミック配線基板は、絶縁層と、該絶縁層の表面あるいは内部に形成された配線回路層とを具備してなるセラミック配線基板であって、前記セラミック配線基板の少なくとも一方の主面に形成された表層配線回路層と前記絶縁層との間に、前記絶縁層よりも易焼結性を有する絶縁性の接着層が形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記絶縁層と、前記接着層とがガラスを含有することが望ましい。
【００１１】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記接着層が含有するガラスが、前記絶縁層が含有するガラスよりも多いことが望ましい。
【００１２】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記接着層が含有するガラスの軟化点が、前記絶縁層が含有するガラスの軟化点以下であることが望ましい。
【００１３】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記接着層の厚みが３〜２０μｍであることが望ましい。
【００１４】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記接着層の最小幅が４０μｍ以上であることが望ましい。
【００１５】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記接着層と前記表層配線回路層との重なり部分の最小幅が２０μｍ以上であることが望ましい。
【００１６】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記接着層の前記表層配線回路層の端部からセラミック配線基板表面に露出している部分の最小幅が２０μｍ以上であることが望ましい。
【００１７】
また、本発明のセラミック配線基板は、前記セラミック配線基板の配線回路層が、金属焼結体あるいは金属箔からなり、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を含有するなることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のセラミック配線基板によれば、絶縁層と表面配線回路層との間に前記絶縁層よりも易焼結性を有する絶縁性の接着層を形成することにより、表層の絶縁層と表面配線回路層との接着強度を強化することができ、また表面配線回路層端部の絶縁層部分におけるクラック・空隙の発生を抑制することができる。これにより表面配線回路層と絶縁層の接着信頼性を確保できるとともに、絶縁層と表面配線回路層との間に水分が浸入することによる表層の絶縁層における絶縁性の低下も抑制できる。
【００１９】
また、本発明のセラミック配線基板によれば、絶縁層と、接着層とにガラスを含有させることで両者の接着力を向上させることができる。
【００２０】
また、本発明のセラミック配線基板によれば、接着層のガラスを絶縁層よりも多くすることで、接着層と表面配線回路層、接着層と絶縁層との接着力をさらに向上させることができる。
【００２１】
また、本発明のセラミック配線基板によれば、接着層のガラスの軟化点を、絶縁層が含有するガラスの軟化点以下とすることで、接着層と表面配線回路層、接着層と絶縁層との接着力をさらに向上させることができる。
【００２２】
また、前記接着層の厚みを３〜２０μｍとすることにより、表面配線回路層に段差やそれによる亀裂が生じることなく表面配線回路層と絶縁層の接着強度を強化できる。
【００２３】
また、さらに前記接着層の最小幅を４０μｍ以上とすること、前記接着層と表面配線回路層との重なり部分の最小幅を２０μｍ以上とすること、前記接着層が表面配線回路層の端部からセラミック配線基板表面に露出している部分の最小幅を２０μｍ以上とすることにより、表面配線回路層端部の表層の絶縁層と表面配線回路層の間に接着強度を向上させるために十分な幅を有した接着層を形成することができるとともに、表面配線回路層端部周辺に緻密質な接着層を形成することにより表面配線回路層端部の絶縁層部分におけるクラック・空隙の発生を抑制することができる。
【００２４】
そしてセラミック配線基板の配線回路層を金属焼結体あるいは金属箔により形成するとともに、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔの少なくとも１種を含有させることにより、市場に求められる伝送特性の優れた低抵抗導体が形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明のセラミック配線基板は、例えば、図１（ａ）、（ｂ）に示すようにセラミックスからなる絶縁層１と、絶縁層１の主面に形成された表面配線回路層３ａ、内部配線回路層３ｂと、絶縁層１を貫通して、この絶縁層１を狭持して形成された表面配線回路層３ａと内部配線回路層３ｂあるいは３ｂ同士を接続する貫通導体５とを備えている。
【００２６】
そして、このセラミック配線基板９の表面に形成された表面配線回路層３ａと、絶縁層１との間に接着層１１が形成されていることが重要である。
【００２７】
なお、図１（ａ）では、表面配線回路層３ａの端にのみ接着層１１が形成されているが、必要に応じて、表面配線回路層３ａの全面に接着層１１が形成されている部分があっても良く、部位によって、接着層１１と表面配線回路層３ａの接触比率を変化させてもよいことはいうまでもない。
【００２８】
この接着層１１は、例えば、絶縁層１の組成と比較してセラミックスの焼結を促進する液相を構成する成分を多くしたり、液相が生成する温度が低い成分を用いたりすることにより、絶縁層１と比較して易焼結性を有する絶縁性の組成が主に適用されるものであり、表面配線回路層３ａと絶縁層１とを接着層１１を介して強固に接続させ、表面配線回路層３ａの剥離を抑制する機能を具備するものである。
【００２９】
具体的には、接着層１１において、焼結助剤やガラス粉末の量を絶縁層１よりも多くしたり、焼結助剤やガラス粉末の液相生成温度、軟化点を絶縁層１よりも低くしたりすることで本発明のセラミック配線基板を形成することができるのである。
【００３０】
また、接着層１１を用いることにより、表面配線回路層３ａに用いる金属成分が焼成中に絶縁層１に拡散することを抑制することができるため、金属成分による局所的な絶縁層１の緻密化挙動の変化を抑制でき、表面配線回路層３ａの端部の絶縁層部分におけるクラック・空隙の発生を抑制することができる。
【００３１】
このような効果を発現させることにより、絶縁層１と表面配線回路層３ａの接着信頼性を確保できるとともに、表面配線回路層３ａの端部において水分が浸入することによる表層の絶縁層１における絶縁性の低下も抑制できる。
【００３２】
この接着層１１と絶縁層１とにガラスを含有させることで、接着層１１と絶縁層１、接着層１１と表面配線回路層３ａとの間にガラスによる濡れが発生し、これらの間の接着性を向上させることができる。なお、このガラスは、例えば、複数の焼結助剤が溶融してガラス化したものであって、ガラス粉末に起因するものであっても良い。
【００３３】
このガラスの量は、特に、１０５０℃以下での焼成を行う低温焼成基板の場合には、それぞれ５０体積％以上、特に、絶縁層は６０体積％以上、接着層は７０体積％以上とすることが望ましい。
【００３４】
また、接着層１１に含まれるガラスの含有量を絶縁層１に含まれるガラスの含有量よりも多くすることで、焼成時に接着層１１を絶縁層１よりも柔らかくすることができるため、接着層１が変形しやすくなり、接着層１１を絶縁層１の表面に良く追従させることができ、両者の接着性をさらに向上させることができる。
【００３５】
また、接着層１１に含まれるガラスの軟化点を絶縁層１に含まれるガラスの軟化点よりも低くすることで、焼成時に接着層１１のガラスが絶縁層１、表面配線回路層３ａに良く濡れ、しかも、接着層１１を絶縁層１よりも柔らかくすることができるため、接着層１が変形しやすくなり、接着層１１を絶縁層１の表面に良く追従させることができ、両者の接着性をさらに向上させることができる。
【００３６】
また接着層１１の厚みが３〜２０μｍであることが望ましい。接着層１１の厚みを３〜２０μｍにすることにより、表面配線回路層３ａに段差やそれによる亀裂を生じさせることなく表面配線回路層３ａの端部および絶縁層１とを強固に接続することができる。さらに接着層１１の最小幅が４０μｍ以上、特に、５０μｍ以上、さらに、６０μｍ以上であることが、印刷等の位置ずれによる不良の発生を抑制できる点で望ましい。また、接着層１１と表面配線回路層３ａとの重なり部分の最小幅が２０μｍ以上、特に、３０μｍ以上、さらに、４０μｍ以上であることが、接着強度を向上させる点で望ましい。また、接着層１１の表面配線回路層３ａの端部から配線基板９の表面に露出している部分の最小幅を２０μｍ以上とすることが、絶縁層１と、接着層１１と、表面配線層３ａとの間で、応力の集中する場所をずらすことができるため信頼性を向上させるという点で望ましい。
【００３７】
このように接着層１１の最小幅、接着層１１と表面配線回路層３ａとの重なり部分の最小幅、接着層１１が表面配線回路層３ａの端部からセラミック配線基板９の表面に露出している部分の最小幅を制御することにより、さらに絶縁層１と表面配線回路層３ａの接続を強化することができる。
【００３８】
そしてセラミック配線基板９の表面配線回路層３ａ、内部配線回路層３ｂに、低抵抗金属であるＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔなどを少なくとも１種を含有する金属焼結体あるいは金属箔を用いることが望ましい。これら低抵抗金属を主成分として導体材料を、表面配線回路層３ａ、内部配線回路層３ｂに用いることにより、市場に求められる伝送特性の優れたセラミック配線基板を提供することができる。
【００３９】
続いて、本発明のセラミック配線基板の製造方法を、図２、３を用いて説明する。
【００４０】
まず、絶縁層１を構成するセラミックフィラー粉末を所望する調合比率にて秤量し、ボールミルに投入する。その際に有機バインダー、可塑剤、有機溶剤、混合粉砕用のアルミナボールなどをともに投入する。ボールミルを密閉した後、ボールミルを所定の時間回転させて成型に適したスラリーを作製する。そのスラリーを用いてドクターブレード法、圧延法、プレス法などから選ばれるシート成形法により所望する厚みの図２（ａ）に示すようなセラミックグリーンシート１３を作製する。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示すように、このセラミックグリーンシート１３にレーザーや、パンチングなどにより貫通孔１５を形成する。
【００４２】
次いで、図２（ｃ）に示すように、貫通孔１５に金属粉末を含有する導体ペーストを充填して貫通導体５となる成形体１７を形成する。
【００４３】
次に、図２（ｄ）に示すように、セラミック配線基板表面に用いる貫通導体１７を形成したセラミックグリーンシート１３の表面の表面配線回路層を形成する部分の表面配線回路層端部付近に対して接着層用ペーストをスクリーン印刷にて塗布して接着層１１となる成形体１９を形成する。
【００４４】
次に、図２（ｅ）に示すように、接着層１１となる成形体１９を形成したセラミックグリーンシート１３の表面に配線回路用の導体ペーストをスクリーン印刷法などにより表面配線回路層３ａとなる成形体２１ａを形成する。
【００４５】
また、接着層１１となる成形体１９を形成する工程がない以外は、上記と同様の工程で内部配線回路層３ｂとなる成形体２１ｂを備えたセラミックグリーンシート１３も形成する。なお、この配線回路層３となる成形体２１を形成する導体ペーストは、ＭｏやＷ、あるいはＣｕやＡｇ、Ａｕなどの金属を主成分とし、それ以外にアクリル樹脂などからなる有機バインダーや有機溶剤とを混合して形成する。なお、この導体ペーストには若干のセラミックスフィラー粉末などを添加してもよい。また、あるいは、これらの配線回路層は、場合によって導体ペーストの代わりに金属箔を用いて形成することも可能である。
【００４６】
次に、図３（ｆ）に示すように、以上説明した工程で得られた複数のセラミックグリーンシート１３を位置ずれが起こらないように積層圧着して、図３（ｇ）に示すようなセラミック配線基板積層体２３を形成する。
【００４７】
次に、多孔質なアルミナなどからなる焼成用トレイにセラミック配線基板積層体２３を載せ、バッチ式焼成炉やコンベアー式連続焼成炉等にて焼成する。
【００４８】
そして、図１に示すようなセラミック配線基板９を作製することができる。
【００４９】
最後に、焼成後のセラミック配線基板９における表層配線回路層３ａに電極保護あるいは半田濡れ性向上のためのＡｕめっきを施してもよい。
【００５０】
なお、絶縁層１と接着層１１とが同じ組成であったとしても、焼成前の段階において、絶縁層１の組成物よりも接着層１１の組成物を構成する粉末の平均粒径を小さくすることで、絶縁層１よりも接着層１１の焼結性を向上させることができることは言うまでもない。
【実施例】
【００５１】
先ず、絶縁層を形成するために、ガラスＡとしてセルジアン系結晶化ガラス（ＳｉＯ２：３５質量％、ＢａＯ：８質量％、Ａｌ２Ｏ３：８質量％、ＭｇＯ：３８質量％、ＣａＯ：３質量％、Ｂ２Ｏ３：６質量％、ＺｒＯ２：１質量％、Ｙ２Ｏ３：１質量％からなるガラス、軟化点：７７０℃、平均粒径２．５μｍ）と、フィラー粉末として平均粒径１．８μｍのアルミナを準備した。
【００５２】
このガラス粉末とフィラー粉末とを所定の割合（ガラス：アルミナ＝６５質量％：３５質量％）にて調合し、ボールミルを用いて有機バインダーを１２質量％、可塑剤を４．５質量％加えてトルエン中にて十分混合粉砕させてスラリーを作製し、そのスラリーを用いてドクターブレード法により厚み１００μｍのグリーンシートを作製した。
【００５３】
次に、セラミックグリーンシートの所定箇所にＮＣパンチングマシーンにてφ１５０μｍの貫通孔を形成し、その中に導体ペーストをスクリーン印刷にて充填し貫通導体となる成形体を形成した。なお、用いた導体ペーストは、平均粒径２μｍの表１に示す金属粉末１００質量％に対して、ガラスを４質量％の割合で配合し、この混合物に有機バインダー、可塑剤、溶剤を加えて混合し、作製したものである。
【００５４】
次に、貫通導体となる成形体を形成したグリーンシートの表面に、表層配線回路層を形成する部分の表層配線回路層の端部付近に対して、予め作製しておいた表１に示す４種類の接着層用ペーストをスクリーン印刷にて塗布して接着層を形成した。
【００５５】
この接着層用ペーストは、前記したセルジアン系結晶化ガラスであるガラスＡおよびＡ１、Ｂ、Ｃと、アルミナ粉末とを表１に示す割合で含有する粉末に対して、有機バインダーを１０質量％添加し、密閉容器を用いてアセトンなどの有機溶剤中で混合し、混合終了後に用いた有機溶剤を乾燥させることにより作製したものを用いた。
【００５６】
なお、ガラスとしてガラスＡの他に用いたガラスの組成は、ガラスＡ１：セルジアン系結晶化ガラス（ＳｉＯ２：３５質量％、ＢａＯ：８質量％、Ａｌ２Ｏ３：６質量％、ＭｇＯ：３８質量％、ＣａＯ：３質量％、Ｂ２Ｏ３：８質量％、ＺｒＯ２：１質量％、Ｙ２Ｏ３：１質量％からなるガラス、軟化点：７５０℃、平均粒径２．５μｍ）、ガラスＢ：バリウムホウ珪酸ガラス（ＳｉＯ２：４３質量％、ＢａＯ：３８質量％、Ａｌ２Ｏ３：８質量％、ＣａＯ：５質量％、Ｂ２Ｏ３：８質量％からなるガラス、軟化点：７２０℃、平均粒径３μｍ）、ガラスＣ：ホウ珪酸ガラス（ＳｉＯ２：４４質量％、Ａｌ２Ｏ３：２８質量％、Ｂ２Ｏ３：１０質量％、ＭｇＯ：１１質量％、ＺｎＯ：７質量％からなるガラス、軟化点：８２０℃、平均粒径２μｍ）である。
【００５７】
内層用のグリーンシートには、接着層を設けない以外は、表層用のグリーンシートと同様の工程で作製した。
【００５８】
続いて、接着層を形成した表層用のセラミックグリーンシートおよび内層用のセラミックグリーンシート表面に、表１に示す平均粒径２μｍの金属粉末を含む導体ペーストをスクリーン印刷にて塗布して表面配線回路層および内部配線回路層とを形成した。
【００５９】
このようにして作製した配線回路層を形成したセラミックグリーンシートを７層積層し、一方の主面に断面がＶ字状の刃先を有する金型より分割溝を形成し、８０ｍｍ×８０ｍｍの大きさに切断してセラミック配線基板となる積層体を作製した。
【００６０】
次に、このセラミック配線基板となる積層体を、３００ｍｍ□の多孔質アルミナ製トレイに載せ、該トレイを連続式焼成炉の可動ベルトに載せ、所望温度に加熱された領域を通過させることにより焼成処理を行った。具体的には、脱バインダー／脱カーボン処理については、水蒸気を含有する窒素雰囲気中において７２０℃にて加熱保持することにて行い、最終セラミックスとしての焼結は、水蒸気を含有する窒素雰囲気中において９００℃にて１時間加熱保持することにて行った。
【００６１】
焼成後のセラミック配線基板には、めっきにてＡｕの電極保護膜を形成した。こうして、図１に示すように表面配線回路層の端、言い換えると周辺に接着層を具備するセラミック配線基板表面を作製した。
【００６２】
セラミック基板表面の絶縁層と表面配線回路層の接着強度の評価は、セラミック配線基板表面の２ｍｍ□の表面配線回路層にＳｎメッキしたＣｕ線（φ０．８ｍｍ）からなるリードを半田にて垂直に接合し、セラミック配線基板を固定した後、１０ｍｍ／ｍｉｎの条件にてＣｕ線を引き上げた際に絶縁層と表面配線回路層接着部付近が破断した荷重を測定して比較した。
【００６３】
表層絶縁層の絶縁抵抗の測定は、超絶縁計（ＴＯＡ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ製、ＤＩＧＩＴＡＬ  ＳＵＰＥＲ  ＭＥＧＯＨＭＭＥＴＥＲ  ＤＳＭ−８１０３）にて印加電圧１０Ｖ、印加時間２０秒後の抵抗値を確認した。
【００６４】
また、絶縁層と接着層との焼結性については、セラミック配線基板の断面の鏡面研磨を行い、気孔の分布状態を走査型電子顕微鏡にて反射電子像の写真を撮影し、１００μｍ×１００μｍ相当のエリアにおける気孔の面積率を算出し判断した。
【００６５】
なお、比較例として、接着層を設けていないセラミック配線基板、接着層を設けずにオーバーコートを設けたセラミック配線基板を作製した。このオーバーコートは表１に示す組成物に対して、有機バインダーを１０質量％添加し、密閉容器を用いてアセトンなどの有機溶剤中で混合し、混合終了後に用いた有機溶剤を乾燥させることにより作製したオーバーコート用ペーストを用いて作製した。
【００６６】
そして、オーバーコートは、接着層を設けずに表面配線回路層となる成形体を形成したグリーンシートの表面配線回路層となる成形体の端部を覆うように、オーバーコート用ペースト印刷して、オーバーコートとなる成形体を形成した後、所定の積層、焼成工程を経て、形成した。
【表１】
2006156523.tif 000003
【００６７】
表１に示すように、本発明の範囲外である接着層を用いていない試料Ｎｏ．１では、接着強度が４７Ｎ／２ｍｍ□と低くなった。
【００６８】
また、本発明の範囲外であるガラス組成、ガラス含有量は等しいものの、異なる成形工程により形成されたために、接着層の焼結性が絶縁層よりも低い試料Ｎｏ．１４では、絶縁層の気孔面積率が２．０％であったのに対して、接着層の気孔面積率が４．９％、接着強度は５６Ｎ／２ｍｍ□と低くなり、接着層としての機能を十分に満足することができなかった。
【００６９】
また、接着層を形成せずに、オーバーコートのみを形成した本発明の範囲外である試料Ｎｏ．１７では、表面配線回路層端部の角の部分に接するオーバーコートの厚みが局所的に薄くなっており、そこを起点としてオーバーコートにクラックの発生がみられ、接着強度は４８Ｎ／２ｍｍ□であり接着強度が十分ではなかった。またオーバーコートが局所的に薄い部分に、めっきに用いるＡｕが付着しており、半導体素子や抵抗・コンデンサなどの搭載部品あるいはセラミック基板を実装するプリント板との接続信頼性の低下が予測されるものであった。
【００７０】
一方、絶縁層よりも易焼結性の接着層を設けた本発明の試料Ｎｏ．２〜１３、１５、１６においては、いずれも接着層の気孔面積率が絶縁層の気孔面積率２．０％よりも小さく、緻密質な接着層を形成でき、１０１Ｎ／２ｍｍ□以上の高い接着強度が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（ａ）は、本発明のセラミック配線基板の１形態を示す断面図であり、（ｂ）は、本発明のセラミック配線基板の主面側から見た平面図である。
【図２】本発明のセラミック配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３】本発明のセラミック配線基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図４】（ａ）は、従来ののセラミック配線基板の１形態を示す断面図であり、（ｂ）は、従来のセラミック配線基板の主面側から見た平面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１・・・絶縁層
３ａ・・・表面配線回路層
３ｂ・・・内部配線回路層
５・・・貫通導体
９・・・セラミック配線基板
１１・・・接着層
１３・・・グリーンシート
１５・・・貫通孔
１７・・・貫通導体５となる成形体
１９・・・接着層１１となる成形体
２１ａ・・・表面配線回路層３ａとなる成形体
２１ｂ・・・内部配線回路層３ｂとなる成形体
２３・・・セラミック配線基板積層体
【図１】
2006156523.tif 000004
【図２】
2006156523.tif 000005
【図３】
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【図４】
2006156523.tif 000007