(57)【要約】【課題】  電極間の短絡を生じない電気光学装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板(10)上に親液性表面を有する第１の画素電極（120）を形成する工程と、第１の画素電極が形成された基板上に親液性の絶縁材料層（121）を形成する工程と、絶縁材料層の表面を撥液性にする工程と、絶縁材料層をパターニングし第１の画素電極の少なくとも一部を露出させる工程と、露出された第１の画素電極上に発光層（126）を形成する工程と、発光層上に第２の画素電極（128）を形成する工程と、を含む。それにより、発光層が平坦に形成される。第１及び第２の電極間の短絡が回避される。【選択図】  図３
2006156307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された親液性表面を有する第１の画素電極と、
前記第１の画素電極の外周部を囲むように配置され、上面が撥液性で側面が親液性である隔壁と、
前記第１の画素電極上の前記隔壁に囲まれた領域内に液体材料を固化して形成された発光層と、
前記発光層上に形成された第２の画素電極と、を含む電気光学装置。
【請求項２】
前記隔壁が、光を照射されることにより水溶性となる性質を有している感光性樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記感光性樹脂は光を照射されることにより水溶性となる性質を有しているアクリルであることを特徴とする、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
基板上に親液性表面を有する第１の画素電極を形成する第１の工程と、
前記第１の画素電極が形成された基板上に親液性の絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層の表面を撥液性にする処理を施す第３の工程と、
前記絶縁層をパターニングして前記第１の画素電極の少なくとも一部を露出させる第４の工程と、
前記露出された第１の画素電極上に発光層を形成する第５の工程と、
前記発光層上に第２の画素電極を形成する第６の工程と、
を含む電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記第３の工程がプラズマ処理によって行われる、請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に親液性表面を有する第１の画素電極を形成する第１の工程と、
前記第１の画素電極が形成された基板上に少なくとも撥液性の絶縁層を形成する第２の工程と、
前記絶縁層をパターニングして前記第１の画素電極の少なくとも一部を露出させると同時に絶縁層側壁が親液化される第３の工程と、
前記露出された第１の画素電極上に発光層を形成する第４の工程と、
前記発光層上に第２の画素電極を形成する第５の工程と、
を含む電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁層が、光を照射されることにより水溶性となる性質を有している感光性樹脂であり、前記第３の工程は前記絶縁層に光を照射することにより前記絶縁層側壁を親液化することを特徴とする、請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置を表示部に備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極上に発光層を有する画素が基板上に多数配置されて形成される電気光学装置とその製造方法、及び当該電気光学装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一分野である、有機エレクトロ・ルミネセンス（ＥＬ）を画素として用いた装置、いわゆる有機ELディスプレイでは低コスト化、大面積化を目的として有機溶剤中に分散させた高分子有機EL材料をインクジェット法等を用いて各画素に配置する製造方法が開発されている。この製造方法では発光体の混色防止のために撥液性の隔壁を設ける必要があるが、画素電極上に直接撥液性の隔壁を設けると画素電極と隔壁の境界部分でEL材料の膜厚が減少し、陽極と陰極が短絡する恐れがある。
【０００３】
そこで、上述の短絡を防止するため、例えば特開2001-126867号公報では画素電極上の絶縁膜を２層形成し、１層目の絶縁膜を親液性にすることにより陽極と陰極の短絡防止を図る方法を提案している（特許文献1）。
【特許文献１】特開2001-126867号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記構成の電気光学装置は、絶縁層の形成とパターニングをそれぞれ2回行う必要があり、製造コストや品質維持等に課題があった。
よって本発明は、製造に要するコスト及び工程を低減し、陽極と陰極との間における短絡の発生がなく、信頼性の高い電気光学装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明による電気光学装置は、基板上に形成された親液性表面を有する第１の画素電極と、上記第１の画素電極を囲むように配置され、上面が撥液性で側面が親液性である隔壁と、上記第１の画素電極上の上記隔壁に囲まれた領域内に液体材料を固化して形成された発光層と、上記発光層上に形成された第２の画素電極と、を含んでいる。ここで、基板には、透光性基板やＴＦＴ回路基板などが含まれる。ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光する電気光学素子を備えた装置一般をいい、例えばＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備える表示装置等が該当する。
【０００６】
上記構成により、第１の画素電極上に形成される発光層等の膜厚が均一化され、発光層が部分的に薄くなることが回避されて、第１の画素電極と第２の画素電極との短絡が防止できる。好ましくは、上記絶縁層には感光性樹脂が用いられる。好ましくは、上記感光性樹脂は、光を照射されることにより水溶性となる性質を有するアクリル樹脂が用いられる。
【０００７】
かかる構成によれば、特別な現像手段を用いずに上記絶縁層のパターニングが可能となり、生産性が向上する。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に親液性表面を有する第１の画素電極を形成する第１の工程と、第１の画素電極が形成された基板上に親液性の絶縁層を形成する第２の工程と、絶縁層の表面を撥液性にする処理を施す第３の工程と、絶縁層をパターニングし上記第１の画素電極の少なくとも一部を露出させる第４の工程と、第１の画素電極上に発光層を形成する第５の工程と、発光層上に第２の画素電極を形成する第６の工程と、を含む。
【０００９】
かかる製造方法によれば、各画素における第１の画素電極と第２の画素電極との短絡が低減される電気光学装置をより低コストで提供できる。
【００１０】
好ましくは、上記絶縁膜層の表面を撥液性にする第３の工程はプラズマ処理によって行われる。
【００１１】
かかる製造方法によれば、上記絶縁膜層の表面のみを撥液性とし、エッチングにより形成される隔壁の側面部分は親液性を保てるため、発光層等の膜厚の均一性をより一層向上させ、短絡の可能性を減少させることが可能となる。
【００１２】
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に親液性表面を有する第１の画素電極を形成する第１の工程と、前記第１の画素電極が形成された基板上に少なくとも撥液性の絶縁層を形成する第２の工程と、前記絶縁層をパターニングして前記第１の画素電極の少なくとも一部を露出させると同時に絶縁層側壁が親液化される第３の工程と、前記露出された第１の画素電極上に発光層を形成する第４の工程と、前記発光層上に第２の画素電極を形成する第５の工程と、を含む。
【００１３】
好ましくは、上記絶縁層には感光性樹脂が用いられ、絶縁層側壁は光を照射することにより親液化される。
【００１４】
かかる製造方法によれば、上面が撥液性で壁面が親液性の隔壁を画素電極の外周囲に露光及び現像により簡単に形成することができる。
【００１５】
本発明の電子機器は、上記の本発明にかかる電気光学装置を備える電子機器である。ここで「電子機器」とは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定が無いが、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明による電気光学装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明による電気光学装置１００の一例を示す断面図であり、多数の画素を有する電気光学装置１００の一部分が示されている。
【００１７】
この電気光学装置１００は薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」と称する。）によって駆動される有機ＥＬ素子を表示画素としており、発生光を基板側（図の下側）から外部に放射するボトムエミッション方式である。
【００１８】
この電気光学装置１００の構成について説明すると、透光性材料よりなる絶縁性の基板１０１上にソース１０２、チャネル１０３、ドレイン１０４、ゲート絶縁膜１０６、及びゲート電極１０８からなるＴＦＴが形成されている。
【００１９】
上記各要素が形成された基板１０１上の全面に第１の層間絶縁膜１１０が形成され、ソース１０２上、ドレイン１０４上、その他必要な箇所に第１のコンタクトホール１１２が形成されている。
【００２０】
このコンタクトホール１１２を埋め込むように、電極配線１１４が形成されている。更に、基板１０１上全面に第２の層間絶縁膜１１６が形成され、電極配線１１４上、その他必要な箇所に第２のコンタクトホール１１８が形成されている。このようにしてＴＦＴ回路基板１０が形成される。
【００２１】
ＴＦＴ基板回路１０上の所定の画素領域に透光性導電材料、例えば、酸化インジウム・スズ合金（以下、「ＩＴＯ」と称する。）よりなる第１の画素電極１２０（陽極）が形成されている。本実施例はボトムエミッション方式のため、画素電極１２０は透明電極によって形成されている。
【００２２】
画素電極１２０の周囲には画素領域を画定する隔壁１２２が形成されている。隔壁１２２はその一部が画素電極１２０の外周囲と重なっており、その上面は撥液性を有し、その側面は親液性を有している。
【００２３】
画素電極１２０の上面には、正孔注入層１２４、有機ＥＬ層１２６及び電極（陰極）１２８が形成されている。発光体に有機ＥＬを用いる場合、画素電極１２０と有機ＥＬ層１２６間に正孔注入層１２４を挟むことで、発光効率を向上させることができる。第２の画素電極である共通電極１２８は基板１０１上の全面に形成されている。本実施例では上述のようにボトムエミッションであり、光を基板側から取り出す。画素電極１２８は透光性を要しないので、例えばアルミニウムが使用される。画素電極１２８を全画素に対し共通電位とした場合はパターニングを要しない。
【００２４】
上述のように、画素電極１２０上面と隔壁１２２の側面が親液性であることは、発光体の形状制御、特に高分子有機ＥＬを発光体として用いる場合の発光体層の形状制御に有効である。液滴吐出法あるいは印刷法等で、溶媒に溶かし液状となった有機ＥＬ材料を画素電極１２０上に配置する際、粒状にまとまらず、平坦に広がるからである。また、隔壁１２２の上面を撥液性とすることによって、液状の有機ＥＬ材料を画素電極上に配置する際に隣接する画素電極上への流出がなくなり、混色の発生を防止できる。
【００２５】
なお、本実施例はボトムエミッションタイプの電気光学装置であるが、本発明は光の取り出し方向に左右されることはない。陰極側を透明電極によって構成したトップエミッションタイプの電気光学装置についても適用可能である。
【００２６】
また、上記実施例ではＴＦＴ駆動のアクティブマトリクス方式の電気光学装置について述べたが、本発明は駆動方式に左右されることはない。例えば、パッシブマトリクス方式等であってもよい。また、単結晶シリコン基板上のトランジスタで駆動する電気光学装置であってもよい。
【００２７】
次に、上述した本発明に係る電気光学装置の製造方法について、図２及び図３を参照して説明する。各図において図１と対応する要素には同一符号を付している。
【００２８】
まず、画素であるＥＬ素子を駆動するＴＦＴ回路を基板上に形成する。具体的には以下の手順である。
【００２９】
まず、ガラス基板１０１上にＣＶＤ法によりアモルファスシリコン膜を形成する。なお、必要によりガラス基板１０１上には酸化シリコンなどによる絶縁保護膜が形成される。そして、レーザー照射により結晶化させポリシリコン膜とした後パターニングしてトランジスタ素子領域を形成する。次に、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いてポリシリコン膜上全面にＣＶＤ法によりゲート絶縁膜１０６を形成する。さらに、ポリシリコンなどを成膜し、パターニングしてトランジスタ素子領域の所定の位置にゲート電極１０８を形成する。トランジスタ素子領域のポリシリコン膜にリン等をイオンインプランテーションにて注入し、自己整合的にソース１０２及びドレイン１０４を形成する。次に、ゲート絶縁膜１０６上及びゲート電極１０８上に第１の層間絶縁膜１１０を形成する。所定の位置に第１のコンタクトホール１１２を形成し、その上にアルミニウムなどの導電材料層１２０をスパッタ等により形成する。導電材料層１２０をパターニングしてソース・ドレイン電極１１４を形成する。次に、基板全面に第２の層間絶縁膜１１６を平坦に形成する。層間絶縁膜１１６に第２のコンタクトホール１１８を形成することにより、ＴＦＴ回路基板１０が完成する。
【００３０】
図２（ａ）は、ＴＦＴ回路基板１０の第２の層間絶縁膜１１６上に導電材料層を形成し、パターニングして、第１の画素電極１２０とした状態である。（図２では第２の層間絶縁膜１１６は、ＴＦＴ回路基板１０に含まれている。また、画素電極１２０は第２のコンタクトホール１１８を通じてＴＦＴ駆動回路１０と導通している。）
【００３１】
画素電極１２０の材料としてはアルミニウム等の金属を用いることも可能ではあるが、本実施例のように光を基板側（下側）から取り出す場合は、ＩＴＯ等の透光性を有する材料が用いられる。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示すように、感光性絶縁材料層１２１（フォトレジストを兼ねる。）を基板全面上に形成する。ここで感光性とは光の照射により性質が変化することをいい、紫外線等の光を照射された部分が光分解反応を起こし溶媒に溶けやすくなるポジ型と、紫外線等の光を照射された部分が光重合反応をおこし溶媒に溶けにくくなるネガ型がある。本実施例ではポジ型を用いている。感光性を有する絶縁物質は有機系の高分子材料が一般的で、ポリイミド、アクリル等の有機樹脂材料を用いることが好ましい。さらに上記材料は、紫外線等の照射により水に対し可溶性となるものであることが好ましい。
【００３３】
次に、図２（ｃ）に示すように、感光性絶縁材料層１２１を、例えば、プラズマ処理装置によって表面処理し、表面を後述する正孔注入層形成材料及び発光層形成材料に対し撥液性とする。表面処理としては、フッ素又はフッ素化合物を含んだガスを使用し、減圧雰囲気下や大気圧雰囲気下でプラズマＡを照射する減圧プラズマ処理や大気圧プラズマ処理を行う。上記処理により、感光性絶縁材料層１２１にフッ素系化合物分子が入り込み、表面が撥液性となる。
【００３４】
フッ素又はフッ素化合物を含んだガスとしては、例えばＣＦ４、ＳＦ６、ＣＨＦ３等のハロゲンガスが好ましい。
【００３５】
次に、図２（ｄ）に示すように、ＴＦＴ回路基板１０表面の画素領域を開口するフォトマスク２０４を用いて選択的に紫外線Ｂを照射し、感光性絶縁材料層１２１をパターン露光する。なお、露光される領域は、画素電極１２０の領域より僅かに小さいことが好ましい。
【００３６】
次に、図３（ａ）に示すように、現像液Ｃにより現像処理を行い、各画素電極１２０上の感光性絶縁材料層１２１を除去して画素電極を露出させ、開口部及び隔壁１２２が形成される。感光性絶縁材料１２１の露光部分２０８（紫外線等の光を照射した部分）は、光分解反応を起こし可溶性となっているので、現像処理により除去可能である。感光性絶縁材料層１２１が紫外線等の光照射によって水溶性となるものを用いると、現像液として水を用いることができ、廃水処理が容易である。
【００３７】
隔壁１２２の上面は既述の感光性絶縁材料層１２１のプラズマ処理によって撥液性であるが、現像によって露出した壁面１２２ａは親液性を有する。壁面１２２ａは画素電極１２０の周囲を囲むように（その一部が画素電極１２０と重なるように）形成される。感光性絶縁材料層１２１は、露光により水溶性となると同時に現像により現れる隔壁側面１２２ａは親液性を示す。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、画素電極１２０上に正孔注入層１２４を形成する。本実施例では液滴吐出法（インクジェット法）を用いている。具体的には、溶液化した正孔注入材料１３２を、図示しない液滴吐出装置の第１のノズル１３０から画素電極１２０上に滴下する。そして、乾燥・硬化工程等を経て正孔注入層１２４を形成する。
【００３９】
ここで、隔壁１２２は上面部が撥液性を有し、側面部１２２ａは親液性である。画素電極１２０がＩＴＯであった場合、その表面は特別な処理を経ていない限り親液性を示すので、画素領域に滴下された正孔注入材料１３２は画素電極１２０上の開口部内に収まり易い。正孔注入材料１３２は隔壁１２２を乗り越えて隣接する画素電極上へ流入し難い。また、画素電極１２０上とこれに接する隔壁１２２ａの壁面がいずれも親液性であることによって画素電極１０２上に滴下された正孔注入材料１３２は画素電極１０２上の全体に平坦な膜厚で広がる。
【００４０】
次に、図３（ｃ）に示すように、硬化した正孔注入層１２４上に有機ＥＬ層１２６を形成する。本実施例では前工程と同じく液滴吐出法を用いている。具体的には有機ＥＬ材料を溶媒に溶解させてＥＬ材料液１３６とし、液滴吐出装置の発光層形成用の第２のノズル１３４から隔壁１２２に囲まれた正孔注入層１２４上に滴下する。以下、正孔注入層１２４と同様に乾燥固化工程等を経て有機ＥＬ層１２６となる。
【００４１】
この場合にも、隔壁１２２の上面の撥液性、壁面の親液性によって正孔注入層１２４上に有機ＥＬ層１２６が集められ、正孔注入層１２４上に有機ＥＬ層１２６が平坦に形成される。
【００４２】
最後に、図３（ｄ）に示すように、基板全面に第２の画素電極層１２８を形成する。画素電極１２０上に正孔注入層１２４及び有機ＥＬ層１２６が平坦に形成されるので、画素電極１２０と共通電極１２８間の短絡の発生が回避される。
【００４３】
以上説明したように、本実施例では、親液性表面を有する第１の画素電極（画素電極１２０）と、この画素電極を囲む、上面が撥液性で側面が親液性の隔壁とを備えることにより、陽極、陰極及びその間のＥＬ層等が短絡や膜厚の変動等を発生させず、安定して動作可能な電気光学装置が得られる。
【００４４】
また、上述した実施例では絶縁材料自体が感光性を有しているため、プラズマ処理後、他の工程（フォトレジスト塗布、パターン露光、現像、エッチング等）を経ずに露光・現像工程で隔壁形成が行える。一般に、表面が撥液性の絶縁材料層にフォトレジストを均一な膜厚に塗布することは困難であるが、本発明においては、絶縁材料自体を感光性であるフォトレジストとし、この表面（感光性絶縁材料）を撥液性に処理して露光・現像処理することによって絶縁材料で隔壁を形成するパターニング工程が簡単になっている。
【００４５】
また、一般的なウェットエッチングでは、等方性エッチングによりレジストマスクの下側部分もエッチングが進むため、隔壁部分の寸法および形状の制御が困難である。しかし、本実施例のように絶縁層自体が感光性を有している場合は、露光・現像のみでパターン形成が終了するため、実際の隔壁の形状は上に向かって開口が僅かに広がるテーパー状となる。
【００４６】
なお、本実施例においては、基板側から光を取り出すいわゆるボトムエミッション方式について記載したが、光を上側から取り出すいわゆるトップエミッション方式についても本発明を適用可能である。
【００４７】
また、本実施例においては、ＴＦＴで駆動されるＥＬ素子を用いる電気光学装置について記載したが、駆動手段は他にもパッシブマトリクス方式、あるいは単結晶シリコン基板上のトランジスタ等を用いることも可能である。
【００４８】
また、上述した液滴吐出法に変えて、印刷法等の他の手段によって画素電極上に正孔注入層１２４を形成することも可能である。
【００４９】
次に、比較例を参照して上述した実施例の利点を説明する。
【００５０】
図４（ａ）から同（ｄ）は上面のみならず、側面も撥液性を有する隔壁を用いた場合の電気光学装置（比較例）を示す画素部分の断面図である。各図において図３と対応する部分には同一符号を付しており、ＴＦＴ基板１０の形成手順は本発明の実施例と同一である。
【００５１】
図４（ａ）は、ＴＦＴ基板１０上にパターニングされた画素電極１２０上に、絶縁材料層１２１を形成し、さらにパターニングして画素電極１２０上の部分を選択的に除去して隔壁１２２とし、さらに全面にプラズマ処理を施した状態を示している。プラズマ処理により隔壁１２２は上面も側面１２２ａも撥液性となる。
【００５２】
図４（ｂ）は、画素電極１２０上に、液滴吐出法により、正孔注入材料１３２を滴下し、さらに硬化をして正孔注入層１２４を形成したものである。隔壁１２２は側面部１２２ａも撥液性を有するため滴下された正孔注入材料１３２及びそれを硬化させて得られた正孔注入層１２４は中央部が盛り上がった半凸レンズ状の形状となり、画素電極１２０と隔壁１２２が接する部分では非常に薄い膜を形成する。
【００５３】
図４（ｃ）は、正孔注入層１２４上にさらに有機ＥＬ層１２６を、液滴吐出法で形成した状態である。有機ＥＬ材料１３６は溶液で配置されて乾燥・固化される。有機ＥＬ層１２６は正孔注入層１２４と同様に中央部が盛り上がり、画素電極１２０と隔壁１２２が接する部分では非常に薄い形状となる。
【００５４】
図４（ｄ）は、基板全面に第２の画素電極１２８を形成した状態である。画素電極１２０と隔壁１２２の境界の部分２０６で、正孔注入層１２４及び有機ＥＬ層１２６が非常に薄くなっているため画素電極１２０と画素電極１２８が短絡し画素が機能を果たせなくなる可能性がある。
【００５５】
これに対し、本発明の実施例の構成によれば、図３（ｄ）に示すように、陽極及び陰極間の発光層の膜厚が平坦で短絡が生じにくい。工程数を増加させずに、安定して動作可能な電気光学装置が得られる。
【００５６】
上述の状況（短絡）に陥るのを回避すべく、画素電極１２０と隔壁１２２の間にＳｉＯ2層（絶縁層）を形成した第２の比較例を図５に示す。同図において図３と共通する構成要素には同一符号を付している。また、ＴＦＴ基板１０の形成手順は本発明の実施例と同一である。
【００５７】
図５（ａ）は、絶縁層上に画素電極１２０をパターニングし、その上にＳｉＯ2層を形成した後、画素電極１２０上のみを選択的に除去し、ＳｉＯ2の隔壁２０２を形成した状態である。画素電極１２０周囲で重なった部分がある点は、本発明の実施例における隔壁１２２と同様である。
【００５８】
図５（ｂ）は、ＳｉＯ2の隔壁２０２上に絶縁材料層１２１を形成し、画素電極１２０上を選択的に除去して隔壁１２２を形成し、さらに、プラズマ処理を行った状態を示す。
【００５９】
プラズマ処理により隔壁１２２は上面のみでなく側面も撥液性となるが、ＳｉＯ2の隔壁２０２は親液性のままである。もともとＳｉＯ2は親液性が強く、また無機材料であるためフッ素原子と反応等せずその性質が変化しにくい。
【００６０】
図５（ｃ）は、画素電極１２０上に、本発明の実施例と同様に、正孔注入層１２４及び有機ＥＬ層１２６を形成したものである。ＳｉＯ2の隔壁２０２表面は親液性であるため、正孔注入材料及び有機ＥＬ材料は画素電極１２０表面を完全に覆う。
【００６１】
図５（ｄ）は、基板全面に第２の画素電極１２８を形成した状態である。隔壁１２２とＳｉＯ2の隔壁２０２の境目の部分で正孔注入層１２４及び有機ＥＬ層１２６が薄くなっているが、隔壁１２２とＳｉＯ2の隔壁２０２は共に絶縁物であるため画素電極１２０と第２の画素電極１２８が短絡することはない。
【００６２】
しかし、上述した第２の比較例の構成による効果は、画素電極上に絶縁層を２層形成し、それぞれ別個に一連のフォトリソグラフィ工程を実施して得られるものである。
【００６３】
これに対し、本発明の実施例では画素電極間の短絡を発生させない構造を、画素電極形成後の絶縁層の成膜及び露光・現像工程を各１回で済ませている。
【００６４】
次に、上述した有機ＥＬ装置（電気光学装置）１００を備えた電子機器の具体例について説明する。
【００６５】
図６は、有機ＥＬ装置１００を含んで構成される電子機器の具体例を説明する図である。図６（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話５３０はアンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、および本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。このように本実施形態の有機ＥＬ装置は表示部として利用可能である。図６（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ５４０は受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３、および本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。図６（Ｃ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン５５０は本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図６（Ｄ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン５６０は本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。本例は、基板１１として樹脂フィルム等のフレキシブル基板を採用して有機ＥＬ装置を形成した場合の例である。
【００６６】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１００を搭載可能な電子機器はこれらに限定されず、表示機能を有する各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなども含まれる。
【００６７】
なお、本発明は上記実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。
【００６８】
また、上述した実施形態では、電気光学装置の一例として有機ＥＬ装置を採り上げて説明したが、これに限定されるものではなく無機ＥＬ装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施例における電気光学装置を説明する断面図である。
【図２】本発明に係る電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図３】本発明に係る電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図４】第１の比較例の電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図５】第２の比較例の電気光学装置の製造方法を説明する工程図である。
【図６】有機ＥＬ装置を含んで構成される電子機器の具体例を説明する図である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  ＴＦＴ回路基板、１００  有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、１０１  基板、１０２  ソース、１０３  チャネル、１０４  ドレイン、１０６  ゲート絶縁膜、１０８  ゲート電極、１１０  第１の層間絶縁膜、１１２  第１のコンタクトホール、１１４  電極配、１１６  第２の層間絶縁膜、１１８  第２のコンタクトホール、１２０  第１の画素電極、１２１  感光性絶縁材料層、１２２  隔壁、１２４  正孔注入層、１２６  有機ＥＬ層、１２８  第２の画素電極、１３０  第１のノズル、１３２  正孔材料液、１３４  第２のノズル、１３６  ＥＬ材料液、２０２  ＳｉＯ2膜、２０４  フォトマスク、２０６  第１の画素電極１２０と隔壁１２２の境目の部分、２０８  露光した部分、Ａ  プラズマ、Ｂ  紫外線、Ｃ  現像液
【図１】
2006156307.tif 000003
【図２】
2006156307.tif 000004
【図３】
2006156307.tif 000005
【図４】
2006156307.tif 000006
【図５】
2006156307.tif 000007
【図６】
2006156307.tif 000008