(57)【要約】【課題】投影システムの下に延在するボリュームに調整されたガス流を提供するガス調整構造を含むリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】リソグラフィ装置は、放射線システム、および放射線ビームをパターン化するパターニングデバイスを支持する第一支持体基板を支持する第二支持体、パターン化したビームを基板の目標部分に投影する投影システム、および投影システムの下に延在するガスの細長いボリューム内で、軸線に沿って延在する干渉計測定ビームを提供する干渉計測定システムを含む。装置は、調整したガス流をボリューム内に提供するガス調整構造も含む。ガス調整構造は、ガス流をボリュームへと案内するために、構造の出口に配置された複数のガス案内羽根を含む。ガス案内羽根は連続的に成形され、ボリュームの軸線から発散するように配向される。【選択図】図４
2006140467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射線のビームを提供する放射線システムと、
パターニングデバイスを支持する第一支持体とを有し、パターニングデバイスは、放射線のビームにパターンを形成する働きをし、さらに、
基板を支持する第二支持体と、
パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システムと、
投影システムの下に延在するガスの細長いボリュームの中心軸線に沿って延在する干渉計測定ビームを提供する干渉計測定システムと、
調整したガス流を前記細長いボリュームに提供するガス調整構造とを有し、前記ガス調整構造は、前記ガス流を前記細長いボリュームへと案内するために、前記構造の出口に配置された複数のガス案内羽根を有し、前記ガス案内羽根は連続的に成形され、前記細長いボリュームの前記中心軸線から発散するように配向されるものであるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記ガス案内羽根が、ほぼ半径方向のガス流パターンを前記細長いボリュームに向かって提供するために湾曲する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記ガス案内羽根が直線方向に延在する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記ガス案内羽根が単一部片の出口の幅にわたって延在する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記出口が、環状形状の区画に従って形成され、前記調整されたガスが、前記出口から半径方向に出る、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記羽根と前記中心軸線との間の初期発散角度が、約１５°から約４５°の範囲にある、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記羽根と前記中心軸線との間の最終発散角度が、約４０°から約５０°の範囲にある、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記細長いボリュームへの流ガイダンスを提供するために、前記出口に隣接する流案内本体を配置構成する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記ガス案内羽根が、投影システムの下面に対して下方向に延在する第二ガス流を提供するために、相互に対してある角度で配向される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
中心軸線に最も近い羽根は、前記ボリュームの上部分にガス流を提供するように配向され、中心軸線から距離をおいた羽根は、前記細長いボリュームの下部分にガス流を提供するように配向される、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記相対的角度が５°と１０°の間の範囲である、請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記出口が、前記羽根に沿った方向にて、ほぼ一定である距離当たりのガスボリュームの比率を提供するように形成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
干渉計測定ビーム路によって画定された細長いボリュームに調整されたガス流を提供するガス調整構造を有するリソグラフィ装置であって、前記ガス調整構造は、前記ガス流を前記細長いボリュームへと案内するために、前記構造の出口に配置された複数のガス案内羽根を有し、前記ガス案内羽根は連続的に成形され、前記細長いボリュームに向かうほぼ半径方向のガス流パターンを提供するために、前記細長いボリュームの中心軸線から発散するように配向されるものであるリソグラフィ装置。
【請求項１４】
リソグラフィ装置の干渉計測定ビーム路によって画定された細長いボリューム内に調整されたガス流を提供するガス調整装置であって、前記ガス調整装置が、前記ガス流を前記細長いボリュームへと案内するために、前記ガス調整装置の出口に配置された複数のガス案内羽根を有し、前記ガス案内羽根が滑らかな輪郭であり、前記細長いボリュームに向かうほぼ半径方向のガス流パターンを提供するために、前記細長いボリュームの中心軸線から発散するものであるガス調整装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置に関する。特に、本発明は投影システムの下に延在するボリュームに調整されたガス流を提供するガス調整構造を含むリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板の目標部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。このような場合、代替的にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンの生成に使用することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つあるいはそれ以上のダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に設けた放射線感光原料（レジスト）の層への描像を介する。一般的に、１枚の基板は、順次パターン化される近接目標部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回の露光で各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の基準方向（「走査」方向）にパターンを放射線ビームで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することにより、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板に刻印することによって、パターンをパターニングデバイスから基板へ転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィシステムにおいて、より小さい描像寸法で解像度を上げようとする現行の努力では、０．８よりはるかに高い開口数を有する投影システムが使用されている。このようなシステムは、非常に嵩張り、寸法が大きい傾向があり、基板を照明するために放射線（光）が投影システムを出るシステムの下面付近では、特にそうである。さらに、このような高い開口数は、作業距離が通常は非常に小さく（わずか数ミリメートル）、それによって投影システムがウェハ表面の非常に近い場所に配置されることになる。その結果、実際的なセットアップでは、投影システムと基板との間の区域で動作する構成にとって、ほとんど余地がなくなる。上記の区域で動作するこれらの構成の一つは、この区域で「エア」（通常は非常に細かく調整された気体の組成）を調整するために存在するエアシャワシステムである。特にこの調整は、干渉計測定ビームが屈折率の変動によって妨害されないような安定した気体環境を画定するのに役立つ。これは、パターンを基板の規定の位置に確実に描像できるように、投影システムに対する基板の位置をナノメータ（以下）の単位で確実に測定するのに役立つ。
【０００４】
このように投影システムがより嵩張り、作業距離が短くなると、この区域に全体として十分に到達するような方法でエアシャワシステムを位置決めすることが困難になる。特に、基板ホルダが投影システムの下で移動するボリュームを、ガス流が十分に調整できるようにエアシャワシステムを配置するための十分な余地がなくなる。このボリューム内で、干渉計測定ビームが基板の位置を測定するように延在する。一般的に、このボリュームは投影システムによって、例えば投影システムの下部レンズの出口面によって画成される。このボリュームは、照明すべき基板のｚ高さの測定に使用するミラーブロック（Ｚミラー）の下にも延在する。
【０００５】
エアシャワシステムの現在のセットアップは一般的に、２つの主要な流れの方向を有する。つまりレンズからある距離では、ガス流は、干渉計測定ビームの路によって画定された細長いボリュームの縦軸に直角であり、レンズ中心に近づくと、ガス流は、縦軸に対してほぼ小さい角度になる。しかし、このような主要な流れの方向間に延在する遷移領域では、流れが一般的に決定されない。この遷移領域は通常、これが調整しようとする細長いボリューム内に広い範囲を有し、したがって実際には、細長いボリュームの大きい部分は、調整状態が最適ではなくなる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の一態様は、投影システムの下の区域へとエアシャワシステムがさらに良好に到達するリソグラフィシステムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの実施形態では、放射線のビームを提供する放射線システム、およびパターニングデバイスを支持する第一支持体を含むリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、放射線のビームにパターンを形成する働きをする。装置は、基板を支持する第二支持体、パターン形成したビームを基板の目標部分に投影する投影システム、直下に延在するガスの細長いボリュームの中心軸線に沿って延在する干渉計測定ビームを提供する干渉計測定システム、および調整したガス流を細長いボリューム内に提供するガス調整構造も含む。ガス調整構造は、ガス流を細長いボリュームへと案内するために構造の出口に配置された複数のガス案内羽根を含む。ガス案内羽根は連続的に成形され、細長いボリュームの中心軸線から発散するように配向される。
【０００８】
本発明の実施形態ではリソグラフィ装置が提供され、これは、リソグラフィ装置の干渉計測定ビーム路によって画定された細長いボリューム内に調整されたガス流を提供するガス調整構造を含む。ガス調整構造は、ガス流を細長いボリュームへと案内するために構造の出口に配置された複数のガス案内羽根を含む。ガス案内羽根は連続的に成形され、ほぼ半径方向のガス流パターンを細長いボリュームに向かって提供するために、細長いボリュームの中心軸線から発散するように配向される。
【０００９】
本発明の実施形態では、干渉計測定ビーム路によって画定された細長いボリューム内に調整されたガス流を提供するガス調整装置が提供される。ガス調整装置は、ガス流を細長いボリュームへと案内するためにガス調整装置の出口に配置された複数のガス案内羽根を含む。ガス案内羽根は滑らかな輪郭にし、ほぼ半径方向のガス流パターンを細長いボリュームに向かって提供するために、細長いボリュームの中心軸線から発散する。
【００１０】
本発明によると、リソグラフィ装置内で調整されたガス流をボリューム内に提供するガス調整構造は、ガス流をボリュームへと案内するために、構造の前出口に設けてある複数の指向性ガス案内羽根を含む。ガス案内羽根は、ボリュームから連続的に発散する。
【００１１】
このような配置構成により、縦軸に直角の流れ方向と縦軸に平行な流れ領域との間の遷移領域を、ガスを良好に設定して、より良く調整することができる。屈曲したガス羽根は、空気流パターンに望ましくない不連続性を引き起こすような鋭角を導入しない。この方法で、流れの不安定性のような有害な調整状況を低減もしくは防止することもできる。
【００１２】
本発明の実施形態を添付の略図を参照に、例示の方法においてのみ説明する。図面では対応する参照記号は対応する部品を示すものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明の１つの実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示したものである。この装置は、放射線ビームＢ（例えばＵＶ放射線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一位置決め装置ＰＭに連結を行った支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト塗布したウェハ）Ｗを支持ように構築され、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置ＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）と、パターニングデバイスＭＡによって放射線ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折性投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００１４】
照明システムＩＬは、放射線の誘導、成形、あるいは制御を行うために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または他のタイプの光学構成要素、またはその組み合わせなどの様々なタイプの光学構成要素を含むことができる。
【００１５】
支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを支持、つまりその重量を担持する。これは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計、および他の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気、または他の締め付け技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレームもしくはテーブルでよく、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影システムＰＳなどに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書において使用する「レチクル」または「マスク」なる用語は、より一般的な「パターニングデバイス」なる用途と同義と見なすことができる。
【００１６】
本明細書において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを生成するよう、放射線ビームの断面にパターンを与えるために使用し得るデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射線ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが移相形態またはいわゆる補助形態を含む場合に、基板の目標部分における所望のパターンに正確に対応しないことがあることに留意されたい。一般的に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などの目標部分に生成されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１７】
パターニングデバイスは透過性または反射性でよい。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は小さなミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、異なる方向に入射の放射線ビームを反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスで反射した放射線ビームにパターンを与える。
【００１８】
本明細書において使用する「投影システム」なる用語は、例えば使用する露光放射線、または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「レンズ」なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見なされる。特に、投影システムは複数の部分的に積み重ねた光学要素を含んでよく、これは透過性（レンズ）または反射性（ミラー）でよい。一般的に、投影システムは、放射線が最も低い光学要素を通して投影システムから出るような方法で構成され、投影システムの下面を画定する。特に、投影システムの下面は、基板の走査領域の上に存在する最下面によって画定される。幾つかの構成では、この最下面は、基板を支持する支持構造のＺ位置を制御するために使用するＺミラーによって形成することができる。
【００１９】
ここで示しているように、本装置は反射タイプである（例えば反射マスクを使用する）。あるいは、装置は透過タイプでもよい（例えば透過マスクを使用する）。
【００２０】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）あるいはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、１つ以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が１つ以上のテーブルにて実行される。
【００２１】
リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を充填するよう、基板の少なくとも一部を水などの比較的高い屈折率を有する液体で覆うタイプでもよい。浸漬液は、例えばマスクと投影システムとの間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用してもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるため、当技術分野で周知である。本明細書で使用する「浸漬」という用語は、基板などの構造を液体に沈めるべきという意味ではなく、露光中に液体を投影システムと基板の間に配置するという意味にすぎない。
【００２２】
図１を参照すると、照明装置ＩＬは放射線ソースＳＯから放射線のビームを受け取る。ソースとリソグラフィ装置とは、例えばソースがエキシマレーザである場合に、別個の存在でよい。このような場合、ソースはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはビーム拡大器などを含むビーム送出システムの助けにより、ソースＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、ソースが装置の一体部品でもよい。ソースＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム送出システムＢＤとともに放射線システムと呼ぶことができる。
【００２３】
照明装置ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節する調節装置を含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）を調節することができる。また、照明装置は、積分器およびコンデンサのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、放射線ビームがその断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するように、放射線ビームを調整するために使用することができる。
【００２４】
放射線ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。放射線ビームＢは、マスクＭＡを通り越して、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるように正確に運動可能である。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、位置決め装置ＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアラインメントマークＭ１、Ｍ２および基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アラインメントマークは専用の目標部分を専有しているが、目標部分の間の空間に配置してもよい（これはスクライブレーンアラインメントマークとして知られる）。同様に、マスクＭＡに複数のダイを設ける状況では、マスクアラインメントマークをダイの間に配置してよい。
【００２５】
ここに表した装置は以下のモードのうち少なくとも１つで使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保たれている。そして、投影ビームに与えたパターン全体が１回の作動（すなわち１回の静止露光）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがＸ方向および／あるいはＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、投影ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動作するか、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルＷＴを動作させるごとに、または走査中に連続する放射線パルス間に、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２６】
上述した使用モードの組合せおよび／または変形、または全く異なる使用モードも使用することができる。
【００２７】
図２は、ボリューム２内のガスを調整し、ガス調整装置とも呼ばれるガス調整構造１の従来の配置構成を下からの平面図で示す。図３は、図２で示した配置構成の側面図を示す。以下の説明では、このガス調整構造１を「エアシャワ」とも称するが、この構造が発する空気は周囲の空気以外の気体としてよいことが当業者には理解される。エアシャワ１は、ガス流をボリューム２へと案内するために構造の前出口４に設けた複数の横に並んで配向されたガス案内羽根３を含む。投影システム５は、複数の積み重ねたレンズ（図示せず）を囲む概ね円形の外殻として図示されている。外殻６に、またはその付近には補助システムが取り付けられて（図示せず）、光学システムに設けた光学要素（の一部）および光学システム（出口）の近傍の環境を調整することができる。外殻６は下面７が境界を決定される。グレーの環状部品８は下面７に対して部分的に傾斜し、図３から明白であるように、エアシャワ１の部分を収容する多少の余地を提供する。図３には、照明すべき基板１３のｚ高さの測定に使用するミラーブロック（Ｚミラー）であるＺミラー９が図示されている。このミラーブロック９は実際には、投影システム５の下面７よりさらに低い表面を形成する。
【００２８】
Ｚミラー９に平行で、その下にある干渉計測定ビーム１０は、基板１３を支持するステージ１２のＸおよび／Ｙ位置を求めるために干渉計測定ユニット１１から放射される（図３参照）。測定ユニット１１に隣接する領域に垂直の横断流を提供するために、別個のエアシャワ１４が存在してよい。
【００２９】
概して、調整すべきボリューム２は、ガスの屈折率を制御するという理由で、干渉計ビーム１０の路に沿って形成され、それを囲むように調整される。したがって、投影システム５の中心にあるボリューム（点線１５で図示）は、エアシャワ１からさらに離れて配置されているので、その低い位置のために調整が困難である。投影システム５の下で中心部分１５を獲得できるようにするために、エアシャワ１は概ねガス出力の２つ主要方向領域を有する。つまり、ボリューム２内のビーム１０の路に対して概ね横方向の第一方向Ｐと、レンズ中心に近くにガスがビーム路に対してほぼ小さい角度（約４５°）で流れる方向Ｑにおける領域である。これらの２つのガス流領域からの不連続的遷移を通して、１６で示す領域はガス流の外乱を経験し、その結果として不安定な流状態になることが分かる。したがって、領域１６の屈折率は、エアシャワ１の従来のセットアップでは制御が困難であり、その結果、投影システム５に対する基板１３の真の位置に関する正確さが失われる。その結果、リソグラフィプロセスで製造するデバイスの性能に影響するような描像の欠陥が生じる。
【００３０】
図４は、本発明による実施形態の平面図を示し、下から見た場合の投影システム５を示す。図４では、ガス調整構造１７は複数の方向性ガス案内羽根１８を含む。図３で示す実施形態とは対照的に、方向性羽根１８は湾曲した１部片の羽根から製造される。したがって、図２に表示された流領域ＰおよびＱは、図２の１６で示すような急な遷移ゾーンを有さない。対照的に、ガス案内羽根１８は連続的に成形され、干渉計ビーム１０の路によって形成された中心軸線から発散するように配向され、それによって矢印Ｒで示すようなさらに半径流を提供する。特に、図２の環状の幾何学的形状とは対称的に、この実施形態では出口１９が環状形状の区画に従って形成される。この形態では、半径方向の線Ｒに沿って見て、ほぼ等しい量のガス流が全方向に出力され、これに対して図２では、エアシャワ１の傾斜した幾何学的形状のせいで、領域１５の方向で限られた量のガス流のみ可能であり、このために環境１５の調整が最適ではなくなる。ガス調整構造１７の縦軸は、図２で示す実施形態に対して回転することができ、特に羽根１８と軸線との間の初期発散角度は、約１５°〜４５°の範囲でよい。初期発散角度は、３０〜３８°の範囲でよい。このような初期発散は、遷移ゾーン１６を大幅に減少させることができ、このために空気流の横方向範囲が約７〜１５°に制限され、これは（半径流Ｒに対して）横方向の拡大範囲全体にわたって安定した流状態を維持するのに最適である。中心領域１５に最適に到達するために、羽根１８と軸線の間の最終発散角度は４０〜５０°の範囲にある。さらに、図４では、初期発散角度が有意であるので、ガス調整構造１７とボリューム２の間に「ギャップ」が存在する。最適な流状態を提供し、流をガス調整構造へと案内するために、流を出口１９からボリューム２に向かって案内する案内要素２０を導入することが好ましいことが判明している。この案内要素２０を通して、流は要素２０の案内表面に「付着」し、ボリューム２へと最適に案内することができ、それによって半径流Ｒの安定した流状態をほぼ維持することができる。
【００３１】
図５はさらに、ガス案内羽根１８が相互に対してある角度で配向されて、下面に対して下方向に延在する第２半径方向ガス流パターンを提供する実施形態を示す。したがって、羽根１８は長手方向で相互に並んで配向されるが、羽根に対して直角の方向では、羽根１８はある角度で配向される。この方法で、前述の図示の半径流Ｒに対して概ね横方向の第２半径流Ｓが提供され、ここで案内要素２０の軸線に最も近い羽根１８は、ガス流を上部分に提供するように配向され、案内要素２０から距離をおいた羽根は、ガス流をボリューム２の下部分に提供するように配向される。安定した流状態を提供するために、相対的角度は約５°と約１５°の間の範囲でよく、約７°±０．５°であることが好ましい。
【００３２】
図６から図８はさらに、本発明のガス調整ユニットの設計の例を幾つか示し、これはほぼ流領域Ｒ全体にわたって半径方向の流れを提供するために、湾曲した羽根１８を特徴とする。このような半径流は、局所的な中心ゾーンから来るように見えるように設計され、これに対して従来使用されている流状態は、通常、安定した流状態を維持するために発散しない平行な流を使用する。図６で示す例では、出口１９は環状の形状であり、約４５°の角度にわたって延在し、概ねボリューム２に平行に開始する。図７で示す例では、出口１９は環状であり、ボリュームに対して相対的に回転する。湾曲部が約２６°の範囲にわたって延在する。図６および図７の例では、羽根１８に沿った方向（接線方向）で、角度単位ごとの空気の流出ボリュームの比率がほぼ一定であり、それによってほぼ同様の流状態を有する全角度範囲を提供する半径流Ｒが提供される。そのために、羽根に沿った方向にて、ほぼ一定である距離当たりのガスボリュームの比率を提供する出口を形成することができる。これは、羽根２１と後部羽根２２（図５参照）の間の距離を羽根の全範囲にわたってほぼ一定に維持することによって実行することが好ましい。
【００３３】
図８は、図２で示す先行技術の実施形態と図４で示す本発明の実施形態の組み合わせとして見ることができる実施形態を示す。これに関して、１つの部片から作成できる連続的形状の羽根２４を有するガス調整構造２３が図示されている。羽根は、一部は細長いボリューム２の軸線に平行に配向され、一部は概ね横方向の流方向Ｐに連続的に整列する半径流Ｒを提供するために、ボリュームから離れて湾曲する。
【００３４】
図９は、別のガス調整構造２５が図示されている本発明による代替実施形態を示す。ガス調整構造２５はガス案内羽根２６を含み、これは連続的に成形され、細長いボリューム２の縦軸から発散するように配向される。この実施形態では、発生する流は、ビーム路に対してほぼ小さい角度（約４５°）である方向Ｑにて概ね単一方向である。この実施形態では、羽根は、細長いボリューム２に向かって配向された流の流領域に急な遷移が発生しないように成形することができる。
【００３５】
本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。
【００３６】
以上では光学リソグラフィの状況における本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は例えばインプリントリソグラフィのような他の用途においても使用可能であり、状況が許せば、光学リソグラフィに制限されないことが理解される。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイスの微細構造が、基板上に生成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構造は、基板に供給するレジストの層にプレスし、その後に電磁放射線、熱、圧力またはその組み合わせを適用して、レジストを硬化する。パターニングデバイスはレジストから移動して、レジストの硬化後にパターンを残す。
【００３７】
本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍの波長を有する）および超紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。
【００３８】
「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気および静電光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素の任意の１つまたはその組み合わせを指す。
【００３９】
以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を説明する機械読み取り可能命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとってよい。
【００４０】
以上の説明は例示的であって、制限する意図ではない。したがって、請求の範囲から逸脱せずに、記載された通りの本発明を解像できることが当業者には明白である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。
【図２】下から見た投影システムを示す従来の実施形態の平面図を示したものである。
【図３】図２の線ＩＩＩ−ＩＩＩで見た投影システムを示す従来の実施形態の側断面図を示したものである。
【図４】下から見た場合の投影システムを示す本発明による実施形態の平面図を示したものである。
【図５】図４のＶ−Ｖに沿った断面図を示したものである。
【図６】調整すべきボリュームに対するガス調整構造の実施形態の特異的レイアウトを示したものである。
【図７】調整すべきボリュームに対するガス調整構造の実施形態の特異的レイアウトを示したものである。
【図８】調整すべきボリュームに対するガス調整構造の実施形態の特異的レイアウトを示したものである。
【図９】調整すべきボリュームに対するガス調整構造の実施形態の特異的レイアウトを示したものである。
【図１】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図２】
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【図４】
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