(57)【要約】      （修正有）【課題】  半導体チップからの複数のワイヤーを同一のリードに接続する接続構造において狭リードピッチを実現し、高集積度、高密度、小型の半導体チップを用いて高品質な半導体装置をコンパクトかつ安価に構成する。【解決手段】  半導体チップ１をダイパッド２に搭載し、チップ表面の電極３とダイパッド２の周囲に配列されたリード４とをワイヤー５で接続し、半導体チップ１とワイヤー５とリード４のワイヤー接続部分とを一括して封止樹脂６で樹脂モールドした半導体装置を、少なくとも１本のリード４の先端部分に先端側が低くなるように段差部８が形成され、半導体チップ１上の同一または異なる電極３に接続した複数本のワイヤー５が前記段差部８の各段にそれぞれ接続された構造とする。これによって、半導体チップ１の縮小化、短ワイヤー化が可能となり、安定した電気特性を持った高信頼性の半導体装置をコンパクトかつ安価に構成できる。【選択図】図１
2006073904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードと、前記半導体チップの表面に形成された電極と前記リードとを接続したワイヤーとを備え、前記半導体チップとワイヤーとリードのワイヤー接続部分とが一括して樹脂モールドされた半導体装置であって、少なくとも１本の前記リードの先端部分に先端側が低くなるように段差部が形成され、前記半導体チップ上の同一または異なる電極に接続した複数本のワイヤーが前記リードの段差部の各段にそれぞれ接続された半導体装置。
【請求項２】
すべてのリードに段差部が形成され、少なくとも１本の前記リードの段差部に複数本のワイヤーが接続された請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ダイパッドに搭載された半導体チップが複数個である請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
リードの先端部の幅が０．１ｍｍ以下であり、隣り合うリードの先端部の中心間距離が０．２ｍｍ以下となる間隔で配列された請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、前記半導体チップの表面に形成された電極と前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードとをワイヤーで接続するワイヤーボンディング工程と、前記半導体チップとワイヤーとリードのワイヤー接続部分とを一括して樹脂モールドする樹脂封止工程とを行う半導体装置の製造方法であって、前記ワイヤーボンディング工程において、先端部分に先端側が低くなるように段差部が形成された少なくとも１本の前記リードに対しては、前記段差部の各段に、前記半導体チップ上の同一または異なる電極に接続した所定の複数本のワイヤーのそれぞれを接続する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
リードの段差部を、ワイヤーボンディング工程において、ワイヤーボンディング法により金属バンプを施すことで形成する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置に使用されるダイパッドとリードとを備えたリードフレームであって、半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードと、前記複数のリードの他端部が接続したフレーム枠と、前記ダイパッドを前記フレーム枠上に保持したダイパッドサポートとが一体に形成され、少なくとも１本の前記リードの先端部分に先端側が低くなるように段差部が形成されたリードフレーム。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置に使用されるダイパッドとリードとを備えたリードフレームの製造方法であって、金属板をエッチング法あるいはプレス法により加工して、半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードと、前記複数のリードの他端部が接続したフレーム枠と、前記ダイパッドを前記フレーム枠上に保持したダイパッドサポートとを一体に形成するとともに、少なくとも１本の前記リードの先端部分に先端側が低くなるように段差部を形成するリードフレームの製造方法。
【請求項９】
段差部は、リードの先端部を押し潰すことにより形成する請求項８記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
段差部は、リードの先端部を曲げ加工することにより形成する請求項８記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１１】
段差部は、リードの先端部を垂直方向に押し下げることにより形成する請求項８記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１２】
段差部は、リードの先端部の上層を除去するエッチング加工により形成する請求項８記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１３】
段差部は、リードの先端部分に突起部を設けることにより形成する請求項８記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１４】
突起部は、リードを垂直方向に押し上げることにより形成する請求項１３記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１５】
突起部は、リード上に金属めっきを施すことにより形成する請求項１３記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１６】
突起部は、リード上にワイヤーボンディング法により金属バンプを施すことで形成する請求項１３記載のリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置、リードフレーム、及びその製造方法に関し、特にリードフレームを用いた集積回路のパッケージ技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、リードフレームを用いた多ピン半導体集積回路装置の形態としてクワッド・フラット・パッケージ（以下ＱＦＰという）が広く用いられている。
図１１は従来の一般的なＱＦＰ型半導体装置の断面図、図１２は同半導体装置のワイヤーボンディング部分の内部構造図である。このＱＦＰ型半導体装置においては、集積回路が形成された半導体チップ１がダイパッド２に搭載され、半導体チップ１の表面に形成された電極３とダイパッド２の周辺に放射状に配置されたリード４のインナーリード４ａ部分とがワイヤー５で接続され、半導体チップ１、ワイヤー５、インナーリード４ａが一括して封止樹脂６で樹脂モールドされて樹脂封止体７が形成され、インナーリード４ａに連続したアウターリード４ｂが樹脂封止体７の外部でガルウィング型に曲げ成形されている。ダイパッドサポート１１は、ダイパッド２を後述するリードフレーム上に保持する部材である（たとえば非特許文献１参照）。
【０００３】
集積回路の高集積化、高密度化に伴い、ＱＦＰ型半導体装置においても多ピン化、リードの狭ピッチ化が進んできた。しかしＱＦＰ型半導体装置は、外形やピン数が業界で標準化されているので、多ピンといえども限られたピン数の中で高集積化された半導体チップを保持すべく、電源、接地電極などの共通化できる電極をまとめて一本のインナーリードに接続することで、アウターリードの少ピン化と回路の安定化を図っている。図１３は１本のインナーリード４ａに複数の電極３からのワイヤー５を接続した状態を示した模式図である。図１３（ａ）では１本のインナーリード４ａに２本のワイヤー５を接続し、図１３（ｂ）では１本のインナーリード４ａに３本のワイヤー５を接続している。
【非特許文献１】香山晋、成瀬邦彦  監修、「ＶＬＳＩパッケージング技術（下）」、株式会社日経ＢＰ、１９９３年５月３１日発行、Ｐ１６５〜Ｐ１７０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１本のリード４（具体的にはインナーリード４ａ）の先端部に複数本のワイヤー５をボンディングする場合、リード４の先端部は従来、平面的に仕上げられているため、各ワイヤー５を互いに重ならないようにリード４の幅方向に沿って平面的に配列しなければならず、１本のワイヤー５をボンディングする場合に比べてリード４の先端部の幅を広く取る必要がある。そしてその領域を確保するために、リード４の先端部を半導体チップ１から遠ざけて配置しなければならない。このような配置は、複数本のワイヤー５を接続すべきリード４の数が多いほど顕著である。
【０００５】
一方、チップサイズやパッド配置の異なる複数タイプの半導体チップ１の搭載に１タイプのリードフレームを共通して用いることが多く、そのためには、複数のワイヤー５を接続するリード４を限定して幅広く形成しておくか、限定出来ない場合は全てのリード４を幅広く形成しておく必要がある。そして後者の場合には特に、リード４の先端部を半導体チップ１から遠ざけて配置しなければならない。
【０００６】
しかしリード４の先端部を半導体チップ１から遠ざける配置は、ロングワイヤーのボンディング技術や樹脂封止技術などにより制約を受けることになり、高密度化された小さな半導体チップほどリード４の先端部を遠ざける配置を要するため、搭載は困難になっている。半導体チップの小型高密度化は限界に達してきているのである。
【０００７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、半導体チップからの複数のワイヤーを同一のリードに接続する接続構造において狭リードピッチを実現し、高集積度、高密度、小型の半導体チップを用いて高品質な半導体装置をコンパクトかつ安価に構成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードと、前記半導体チップの表面に形成された電極と前記リードとを接続したワイヤーとを備え、前記半導体チップとワイヤーとリードのワイヤー接続部分とが一括して樹脂モールドされた半導体装置において、少なくとも１本の前記リードの先端部分に先端側が低くなるように段差部が形成され、前記半導体チップ上の同一または異なる電極に接続した複数本のワイヤーが前記リードの段差部の各段にそれぞれ接続されたことを特徴とする。
【０００９】
上記構成によれば、同一のリードにボンディングされる複数本のワイヤーのボンディング部は段差で上下に分離され、複数本のワイヤーは立体的に分離して配置される。したがって、ワイヤーどうしが接触することはなく、半導体チップとリードとの安定した接続がなされる。また各リードの幅をワイヤー１本分のボンディングに必要な最小幅に設定することが可能になり、換言すると複数本のワイヤーを接続するリードを敢えて幅広くする必要がないので、リードピッチを極限まで狭めることが可能である。
【００１０】
これらのことより、複数本のワイヤーが接続されるリードであっても半導体チップに近い位置に配列することが可能であり、したがって、小さい半導体チップでも、短いワイヤーで安定したワイヤーボンド、樹脂封止成型が可能となり、極めて高品質かつ小型の半導体装置を実現できる。また、接続するワイヤーの本数によってリードの幅やピッチを変更する必要がないので、チップサイズ、電極の配置、複数の電極と接続するリードの位置が異なっても、ダイパッドおよびリードが一体に形成されるリードフレームを共通化することが可能となる。
【００１１】
すべてのリードに段差部が形成され、少なくとも１本の前記リードの段差部に複数本のワイヤーが接続された構造であってよい。また、ダイパッドに搭載された半導体チップは複数個であってよい。リードの先端部の幅が０．１ｍｍ以下であり、隣り合うリードの先端部の中心間距離が０．２ｍｍ以下となる間隔で配列された構造であってよい。
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体チップをダイパッドに搭載する搭載工程と、前記半導体チップの表面に形成された電極と前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードとをワイヤーで接続するワイヤーボンディング工程と、前記半導体チップとワイヤーとリードのワイヤー接続部分とを一括して樹脂モールドする樹脂封止工程とを行う半導体装置の製造方法であって、前記ワイヤーボンディング工程において、先端部分に先端側が低くなるように段差部が形成された少なくとも１本の前記リードに対しては、前記段差部の各段に、前記半導体チップ上の同一または異なる電極に接続した所定の複数本のワイヤーのそれぞれを接続することを特徴とする。
【００１３】
リードの段差部は、ワイヤーボンディング工程において、ワイヤーボンディング法により金属バンプを施すことで形成することもできる。
本発明のリードフレームは、上記した半導体装置に使用されるダイパッドとリードとを備えたリードフレームであって、半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードと、前記複数のリードの他端部が接続したフレーム枠と、前記ダイパッドを前記フレーム枠上に保持したダイパッドサポートとが一体に形成され、少なくとも１本の前記リードの先端部分に先端側が低くなるように段差部が形成されたことを特徴とする。
【００１４】
本発明のリードフレームの製造方法は、上記した半導体装置に使用されるダイパッドとリードとを備えたリードフレームの製造方法であって、金属板をエッチング法あるいはプレス法により加工して、半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲にダイパッドに先端部が対向するように配置された複数のリードと、前記複数のリードの他端部が接続したフレーム枠と、前記ダイパッドを前記フレーム枠上に保持したダイパッドサポートとを一体に形成するとともに、少なくとも１本の前記リードの先端部分に先端側が低くなるように段差部を形成することを特徴とする。
【００１５】
段差部は、リードの先端部を押し潰すことにより、またリードの先端部を曲げ加工することにより、またリードの先端部を垂直方向に押し下げることにより、またリードの先端部の上層を除去するエッチング加工により、またリードの先端部分に突起部を設けることにより、好適に形成することができる。
【００１６】
突起部は、リードを垂直方向に押し上げることにより、またリード上に金属めっきを施すことにより、またリード上にワイヤーボンディング法により金属バンプを施すことで、好適に形成することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、一本のリードに接続するワイヤー数にかかわらず常にリードの幅・ピッチを最小にすることができる。その結果、半導体チップにより近い位置にリードを配置することが可能になり、特にリードフレームを用いる多ピンパッケージ半導体装置を構成する際に、高集積化、高密度化された半導体チップに対する短ワイヤーボンディングが可能となり、ワイヤーの小径化や、特に樹脂封止成型工程でのワイヤー変形防止に極めて大きな効果がある。よって、高品質かつ小型の半導体装置を実現できる。
【００１８】
また、接続するワイヤーの本数によってインナーリードの幅やピッチを変更する必要がないので、チップサイズ、電極の配置、複数の電極と接続するインナーリードの位置が異なる複数種の半導体チップについて、リードフレームを共通化することが可能となる。したがって、複数種の半導体チップに共通して使用できるリードフレームを大量生産して、各種半導体装置を非常に高品質に、コンパクトに、かつ低コストにて提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態における半導体装置の断面図、図２（ａ）は同半導体装置のワイヤーボンディング部分の内部構造図、図２（ｂ）は同半導体装置のワイヤーボンディング部分の模式図である。
【００２０】
図１および図２に示す半導体装置において、集積回路が形成された半導体チップ１がダイパッド２に搭載され、半導体チップ１の表面に形成された電極３とダイパッド２の周辺に放射状に配置されたリード４とがワイヤー５で接続され、半導体チップ１、ワイヤー５、リード４の内のインナーリード４ａが一括して封止樹脂６で樹脂モールドされて樹脂封止体７が形成され、インナーリード４ａに連続したアウターリード４ｂが樹脂封止体７の外部でガルウィング型に曲げ成形されている。
【００２１】
この半導体装置が上述した従来のものと異なるのは、少なくとも１本のリード４（具体的にはインナーリード４ａ）の先端部分に、先端側が低くなるように段差部８が形成されていて、各段の平坦なワイヤーボンド領域８ａ，８ｂのそれぞれにワイヤー５が接続されている点である。
【００２２】
以下、上記半導体装置の製造方法を説明する。
（１）金属板をエッチング法あるいはプレス法により加工して、図３（ａ）（ｂ）に示すようなリードフレーム９を製造する。リードフレーム９は、複数の半導体装置を同時に（あるいは順次に）形成するために、各半導体装置に対応する矩形のパターン１０をフレーム枠１１で連結して複数個、左右、上下に配列したものである。
【００２３】
各パターン１０は、上述したダイパッド２を中央に配し、複数のリード４（インナーリード４ａ，アウターリード４ｂ）の外端部をフレーム枠１１に接続し、ダイパッド２をダイパッドサポート１２によりフレーム枠１１上に保持した構造である。各パターン１０の少なくとも１本のインナーリード４ａの先端部には上記した段差部８を形成する。このリードフレーム９、特に段差部８については後段で詳述する。
（２）リードフレーム９の各パターン１０のダイパッド２上に半導体チップ１を搭載する。
（３）半導体チップ１の表面の電極３とインナーリード４ａとをワイヤーボンディング法により金属ワイヤー５で接続する。その際に、段差部８が形成されたインナーリード４ａについては、半導体チップ１上の同一または異なる電極３に接続した所定の複数本の金属ワイヤー５を導いて、段差部８の各段のワイヤーボンド領域８ａ，８ｂにそれぞれ接続する。
（４）半導体チップ１とワイヤー５とインナーリード４ａ（すなわちフレーム枠１１の内側部分）を一括して封止樹脂６で樹脂モールドして樹脂封止体７を形成する。
（５）各リード４間のダムバー１６をカットする。そして最後に、アウターリード４ｂの外端部分の切断ラインに沿って切断して個片に分離するとともに、アウターリード４ｂを所定の形状に加工して、半導体装置の完成品を得る。
【００２４】
リードフレーム９は、銅合金あるいは鉄ニッケル合金などからなる厚み０．０５〜０．３ｍｍの範囲の金属板材料を用いるのが望ましく、その加工はエッチングあるいはプレス加工により行うのが望ましい。インナーリード４ａの先端部の幅は、ワイヤー５を１本ボンディングするのに必要な幅を最小とし、ワイヤー５の線径によるが０．０３〜０．１ｍｍの範囲が望ましい。インナーリード４ａのピッチは、加工技術レベルにより０．０８〜０．２５ｍｍの範囲、好ましくは０．２ｍｍ以下に設定できる。
【００２５】
インナーリード４ａに段差部８を形成するには、インナーリード４ａの先端部をワイヤーボンディング面側からエッチングするか、またはプレス加工して叩き潰すことにより、先端側により低い平坦なワイヤーボンド領域８ａを形成し、ワイヤーボンド領域８ａに続く非加工部分を平坦なワイヤーボンド領域８ｂとする。この段差部８の形成方法は必ずしもリードフレーム９全体の加工方法と同一である必要はなく、例えばエッチング加工で成形されたリードフレーム９に対して、プレス加工によってワイヤーボンド領域８ａを段差形成してもかまわない。
【００２６】
ワイヤーボンド領域８ａ，８ｂの段差は、それぞれにボンディングされたワイヤー５が互いに干渉してボンディング不良を起こさないだけの高低差とすることが望ましく、ワイヤー５の線径によるが０．０１〜０．１５ｍｍの範囲の段差が望ましい。ワイヤーボンド領域８ａ，８ｂの長さは、ワイヤー５どうしの干渉と、ボンディングツールとワイヤーボンド領域８ａ，８ｂの段差との干渉などを考慮して０．２〜１．５ｍｍの範囲が望ましい。
【００２７】
段差部８は、ここに示したように複数本のワイヤー５がボンディングされる所定のインナーリード４ａにのみ形成するのでなく、ボンディングされないインナーリード４ａにも形成してよい。図２（ｃ）に示すワイヤーボンディング部分の内部構造図のように全てのインナーリード４ａに段差部８を形成しておけば、チップサイズや、電極位置や、電極３とインナーリード４ａとの配線パターンが異なる半導体チップ１であっても、適当なインナーリード４ａの段差部８に接続できるため、リードフレーム９を共用可能となる。
【００２８】
段差部８が形成されたインナーリード４ａに１本のワイヤー５のみボンディングするときには、ボンディング領域８ａ，８ｂのいずれに接続してもかまわない。しかし一般に、ワイヤー５は変形防止などの理由から短い方が好ましいので、先端側のボンディング領域８ａにボンディングするのが望ましい。
【００２９】
図４（ａ）（ｂ）に示すように、段差部８を３段（あるいはそれ以上に）に形成し、各段のボンディング領域８ａ，８ｂ，８ｃのそれぞれにワイヤー５を接続してもよい。この図４から理解されるように、一本のインナーリード４ａに接続するワイヤー５の本数が図１〜図３に示した半導体装置に比べて増えても、インナーリード４ａの幅およびピッチは同等で済む。
【００３０】
以上のように、インナーリード４ａに段差部８（ボンディング領域８ａ，８ｂ，８ｃ，・・・）を設けることにより、１本のインナーリード４ａに複数本のワイヤー５をボンディングする場合も立体的に分離することができ、ワイヤー５どうしが接触することはなく、半導体チップ１とインナーリード４ａとの安定した接続が可能である。また各インナーリード４ａを１本のワイヤー５のボンディングに必要な最小幅、最小ピッチにまで狭めることが可能である。
【００３１】
これらのことより、複数本のワイヤー５が接続されるインナーリード４ａであっても半導体チップ１に近い位置に配列することが可能であり、高集積化、高密度化された小さい半導体チップ１についても、短ワイヤーボンディングが可能となり、ワイヤー５の小径化、あるいは特に樹脂封止成型工程でのワイヤー変形防止に極めて大きな効果がある。
【００３２】
また、接続するワイヤー５の本数によってインナーリード４ａの幅やピッチを変更する必要がないので、チップサイズ、電極３の配置、複数の電極３と接続するインナーリード４ａの位置が異なる複数種の半導体チップ１について、リードフレーム９を共通化することが可能となる。
【００３３】
したがって、複数種の半導体チップ１に共通して使用できるリードフレーム９を大量生産して、複数種の半導体装置を非常に高品質に、コンパクトに、かつ低コストにて製造することができる。
（第２の実施形態）
図５は本発明の第２の実施形態における半導体装置のワイヤーボンディング部分の構造を示す要部断面図である。
【００３４】
この第２の実施形態の半導体装置が上記した第１の実施形態のものと異なるのは、インナーリード４ａの段差部８を形成する際に、ワイヤーボンディング領域８ａに相応する先端の段部をプレス金型を用いる曲げ加工で形成した点である。
【００３５】
この方法によれば、インナーリード４ａの先端の段部の厚みおよび幅のばらつきを抑えることができる。これは、第１の実施形態の方法では、上述したようにワイヤーボンディング領域８ａに相応する先端の段部をワイヤーボンディング面側からエッチング加工またはプレス加工により薄肉化するようにしたので、段差の前後、すなわちインナーリード４ａの先端前方部のワイヤーボンディング領域８ａと先端後方部のワイヤーボンディング領域８ｂとの境界部など、を短く限定できるため２本目以降のワイヤー５の長さを短く設定できる反面、エッチング加工の場合には厚み制御がやや難しく、またプレス加工の場合には叩き潰され塑性変形する部分の広がり量の制御やリード先端の傾きの制御がやや難しいことに対する第２の実施形態の方法の利点である。
【００３６】
その他の一連の製造方法、リードフレーム材料・厚みの設定、インナーリード先端部のワイヤーボンディング領域の幅・長さ・段差の設定、適用するインナーリードの数の設定、１本のみワイヤーを接続するインナーリードにおけるワイヤーボンディング点の選択などは第１の実施形態と同様である。
【００３７】
したがって、第１の実施形態のもの以上に高品質な半導体装置を低コストにて実現可能である。
（第３の実施形態）
図６は本発明の第３の実施形態における半導体装置のワイヤーボンディング部分の構造を示す要部断面図である。
【００３８】
この第３の実施形態の半導体装置が上記した第１の実施形態のものと異なるのは、インナーリード４ａの段差部８を形成する際に、ワイヤーボンディング領域８ａに相応する先端の段部をプレス金型を用いて垂直方向に押し下げて形成した点である。
【００３９】
この方法によれば、インナーリード４ａの先端の段部の厚みおよび幅のばらつきを抑えられるだけでなく、第２の実施形態に比べても、２本目以降のワイヤー５の長さを短く設定することが可能となる。これは、第２の実施形態では、プレス金型を用いて単に曲げ加工しているので、リード長さ方向に曲げ加工のための領域が必要になり、すなわちワイヤーボンディングできない傾斜部分ができ、その分だけリードを長くしなければならず、２本目以降のワイヤー５のワイヤー長が長くなることに対する第３の実施形態の方法の利点である。
【００４０】
その他の一連の製造方法、リードフレーム材料・厚みの設定、インナーリード先端部のワイヤーボンディング領域の幅・長さ・段差の設定、適用するインナーリードの数の設定、１本のみワイヤーを接続するインナーリードにおけるワイヤーボンディング点の選択などは第１および第２の実施形態と同様である。
【００４１】
したがって、第１および第２の実施形態のもの以上に高品質な半導体装置を低コストにて実現可能である。
（第４の実施形態）
図７は本発明の第４の実施形態における半導体装置のワイヤーボンディング部分の構造を示す要部断面図である。
【００４２】
この第４の実施形態の半導体装置が上記した第１の実施形態のものと異なるのは、インナーリード４ａの段差部８を形成する際に、ワイヤーボンディング法によりワイヤー５が接続されるだけの平坦なワイヤーボンディング領域部８ａを先端部に少なくとも確保し、それよりもアウターリード４ｂ寄りの位置に、上面がワイヤーボンディング領域８ｂとなる突起１３を形成した点である。
【００４３】
インナーリード４ａに突起１３を形成する方法としては、ワイヤーボンド領域８ａとなる平坦部を残して、ワイヤーボンド領域８ｂとなる部分をプレス加工などで垂直方向に押し上げる。この突起９の形成方法は必ずしもリードフレーム９全体の加工方法と同一である必要はなく、例えばエッチング加工で成形されたリードフレーム９に対して、ワイヤーボンド領域８ｂとなる部分をプレス加工により突出させることでもかまわない。
【００４４】
突起１３の長さは、ワイヤーボンドに必要な平坦領域を保てばよく、０．２〜１．０ｍｍの範囲に設定することが望ましい。また突起１３の高さは、それぞれにボンディングされたワイヤー５ｂが互いに干渉してボンディング不良を起こさないだけの高低差を生じることが望ましく、ワイヤー５ｂの線径によるが０．０１〜０．１５ｍｍの範囲とすることが望ましい。
【００４５】
その他の一連の製造方法、リードフレーム材料・厚みの設定、インナーリード先端部のワイヤーボンディング領域の幅・長さ・段差の設定、適用するインナーリードの数の設定、１本のみワイヤーを接続するインナーリードにおけるワイヤーボンディング点の選択などは第１の実施形態と同様である。
【００４６】
したがって、第１の実施形態のもの以上に高品質な半導体装置を低コストにて実現可能である。
（第５の実施形態）
図８は本発明の第５の実施形態における半導体装置のワイヤーボンディング部分の構造を示す要部断面図である。
【００４７】
この第５の実施形態の半導体装置が上記した第１の実施形態のものと異なるのは、インナーリード４ａの段差部８を形成する際に、ワイヤーボンディング法によりワイヤー５が接続されるだけの平坦なワイヤーボンディング領域部８ａを先端部に少なくとも確保し、それよりもアウターリード４ｂ寄りの位置に、上面がワイヤーボンディング領域８ｂとなる突起１４を金属めっきを施すことで形成した点である。金属めっきの材料（例えば銀めっきや金めっき）はリードフレーム９の材料（例えば鉄-ニッケル合金や銅合金）と同一でなくてもかまわない。
【００４８】
その他の一連の製造方法、リードフレーム材料・厚みの設定、インナーリード先端部のワイヤーボンディング領域の幅・長さ・段差の設定、適用するインナーリードの数の設定、１本のみワイヤーを接続するインナーリードにおけるワイヤーボンディング点の選択などは第１の実施形態と同様である。
【００４９】
したがって、第１の実施形態のもの以上に高品質な半導体装置を低コストにて実現可能である。
（第６の実施形態）
図９は本発明の第６の実施形態における半導体装置のワイヤーボンディング部分の構造を示す要部断面図である。
【００５０】
この第６の実施形態の半導体装置が上記した第１の実施形態のものと異なるのは、インナーリード４ａの段差部８を形成する際に、ワイヤーボンディング法によりワイヤー５が接続されるだけの平坦なワイヤーボンディング領域部８ａを先端部に少なくとも確保し、それよりもアウターリード４ｂ寄りの位置に、ワイヤーボンディング法（ボールボンディング法）により突起（バンプ）１５を形成してその上面をワイヤーボンディング領域８ｂとした点である。
【００５１】
突起１５の形成は、第１の実施形態で説明したようなワイヤーボンディング工程の中で行うことが望ましい。突起１５の材料は、電極３とインナーリード４ａとの接続に使用するワイヤー５と同一材料であるのが望ましく、一般的に金線または銅合金線などが使用される。
【００５２】
このようにワイヤーボンディング工程で突起１５を形成する方法によれば、第１〜５の実施形態のように、リードフレーム９のインナーリード４ａに予め形成する必要がない。
また、複数のワイヤー５を接続しようとするインナーリード４ａのみを自由に選択して突起１５を形成できるので、従来タイプのリードフレーム９をそのまま用いることが可能となり、材料の共用性が更に高まる。
【００５３】
その他の一連の製造方法、リードフレーム材料・厚みの設定、インナーリード先端部のワイヤーボンディング領域の幅・長さ・段差の設定、適用するインナーリードの数の設定、１本のみワイヤーを接続するインナーリードにおけるワイヤーボンディング点の選択などは第１の実施形態と同様である。
【００５４】
したがって、第１の実施形態のもの以上に高品質な半導体装置を低コストにて実現可能である。
（第７の実施形態）
図１０は本発明の第７の実施形態における半導体装置の断面図である。
【００５５】
この第７の実施形態に係る半導体装置では、ダイパッド２に複数の半導体チップ１ａ、１ｂ、１ｃが積み重ねて搭載され、各々の半導体チップ１ａ、１ｂ、１ｃの電極３が、同一のインナーリード４ａの段差部８に接続されている。この構成においても、段差部８が存在することで、第１〜第６の実施形態で説明したのと同様の効果が得られる。
【００５６】
なおここでは、半導体チップ１ａ、１ｂ、・・を３段に積み重ねたが、２段、あるいは４段以上に積み重ねた場合も、また積み重ねでなく平面的に配置した場合も、同様にして同一のインナーリード４ａの段差部８に接続可能である。
【００５７】
またここでは、半導体チップ１ａ、１ｂ、１ｃという別個の半導体チップ上に存在した電極３をワイヤー５によって同一のインナーリード４ａに接続したが、１つの半導体チップ１ａ（あるいは１ｂもしくは１ｃ）上に存在している複数の電極３をそれぞれワイヤー５によって同一のインナーリード４ａに接続したり、あるいはこれら両接続方法の組み合わせも有効である。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明によれば、高集積度、高密度な半導体チップを用いて、クワッド・フラット・パッケージなどの多ピン半導体集積回路装置を高品質かつコンパクトに構成できる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態における半導体装置の断面図
【図２】図１の半導体装置のワイヤーボンディング部分の内部構造図および模式図
【図３】図１の半導体装置の製造に用いられるリードフレームの構成図
【図４】図１の半導体装置の変形例である半導体装置の要部断面図および模式図
【図５】本発明の第２の実施形態における半導体装置の要部断面図
【図６】本発明の第３の実施形態における半導体装置の要部断面図
【図７】本発明の第４の実施形態における半導体装置の要部断面図
【図８】本発明の第５の実施形態における半導体装置の要部断面図
【図９】本発明の第６の実施形態における半導体装置の要部断面図
【図１０】本発明の第７の実施形態における半導体装置の要部断面図
【図１１】従来の一般的なＱＦＰ型半導体装置の断面図
【図１２】図１１の半導体装置のワイヤーボンディング部分の内部構造図
【図１３】図１１の構造の半導体装置において１本のリードに複数のワイヤーを接続した状態を示す模式図
【符号の説明】
【００６０】
１    半導体チップ
1a,1b,1c  半導体チップ
２    ダイパッド
３    電極
４    リード
4a    インナーリード
4b    アウターリード
５    ワイヤー
６    封止樹脂
７    樹脂封止体
８    段差部
8a,8b,8c  ワイヤーボンド領域
９    リードフレーム
13,14,15  突起
【図１】
2006073904.tif 000003
【図２】
2006073904.tif 000004
【図３】
2006073904.tif 000005
【図４】
2006073904.tif 000006
【図５】
2006073904.tif 000007
【図６】
2006073904.tif 000008
【図７】
2006073904.tif 000009
【図８】
2006073904.tif 000010
【図９】
2006073904.tif 000011
【図１０】
2006073904.tif 000012
【図１１】
2006073904.tif 000013
【図１２】
2006073904.tif 000014
【図１３】
2006073904.tif 000015