(57)【要約】【課題】  金属膜を高精度にパターニングすることができるパターニング方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  基板１３０上に形成された金属材料からなる金属膜２０１の表面に金属膜２０１よりもイオン化傾向の小さい金属粒子２４０を付着させ、金属粒子２４０が付着した状態の金属膜２０１を、所定形状のレジスト膜２３０を介してウェットエッチングすることで金属膜２０１を所定形状に形成する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された金属材料からなる金属膜の表面に当該金属膜よりもイオン化傾向の小さい金属粒子を付着させ、該金属粒子が付着した状態の前記金属膜を、所定形状のレジスト膜を介してウェットエッチングすることで当該金属膜を所定形状に形成することを特徴とするパターニング方法。
【請求項２】
請求項１において、前記金属膜が、卑金属材料からなることを特徴とするパターニング方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記金属粒子が、貴金属粒子であることを特徴とする金属膜のパターニング方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記金属粒子をスパッタリング法により前記金属膜の表面に付着させることを特徴とするパターニング方法。
【請求項５】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記金属膜をめっき浴に浸漬させることにより当該金属膜の表面に前記金属粒子を付着させることを特徴とする金属膜のパターニング方法。
【請求項６】
請求項５において、前記金属粒子を付着させる前に、前記金属膜上に所定パターンの前記レジスト膜を形成することを特徴とするパターニング方法。
【請求項７】
液滴が吐出されるノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に振動板を介して設けられる圧電素子とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、
請求項１〜６の何れかのパターニング方法を用いて金属材料からなる金属膜をパターニングして、前記圧電素子に接続される配線パターンを形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記流路形成基板に接合される接合基板の表面に、前記配線パターンを形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属材料からなる金属膜を所定形状にパターニングするためのパターニング方法に関し、特に、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電素子の変位によりインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造方法に用いるのに好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの代表例としては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。また、インクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。前者は圧電素子の端面を振動板に当接させることにより圧力発生室の容積を変化させることができて、高密度印刷に適したヘッドの製作が可能である反面、圧電素子をノズル開口の配列ピッチに一致させて櫛歯状に切り分けるという困難な工程や、切り分けられた圧電素子を圧力発生室に位置決めして固定する作業が必要となり、製造工程が複雑であるという問題がある。これに対して後者は、圧電材料のグリーンシートを圧力発生室の形状に合わせて貼付し、これを焼成するという比較的簡単な工程で振動板に圧電素子を作り付けることができるものの、たわみ振動を利用する関係上、ある程度の面積が必要となり、高密度配列が困難であるという問題がある。
【０００３】
このような後者の記録ヘッドの不都合を解消すべく、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電材料層を形成し、この圧電材料層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けて各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものがある。これによれば圧電素子を振動板に貼付ける作業が不要となって、リソグラフィ法という精密で、かつ簡便な手法で圧電素子を高密度に作り付けることができるばかりでなく、圧電素子の厚みを薄くできて高速駆動が可能になるという利点がある。
【０００４】
また、このようなインクジェット式記録ヘッドには、例えば、圧力発生室が形成される流路形成基板に接合された接合基板上に配線パターンを介して圧電素子を駆動するための駆動ＩＣが実装されたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
そして、上述したような圧電素子を高密度に配列しようとすると、それに伴って、当然ながら配線数も多くなる。このため、保護基板上に形成する配線パターンも比較的狭いピッチで高密度に形成する必要がある。すなわち、配線パターンとなる金属膜を高精度にエッチングする必要があるが、現状では十分に対応できてない。特に、配線パターンを構成する金属膜の材料として比較的イオン化傾向の高い材料を用いる場合には、ウェットエッチングによって高精度にパターニングするのが難しい。イオン化傾向の高い材料からなる金属膜の表面は、自然酸化、乾燥等によって不動態化した不動態膜が形成されやすく、この不動態膜をウェットエッチングによって除去するためには、硝酸や塩酸等の濃度の濃いエッチング液を高い温度で用いる必要がある。そして、このような酸の強いエッチング液で金属膜をエッチングすれば、表面が不動態化された膜であってもパターニングすることはできるが、サイドエッチング量が大きくなる、あるいはレジスト膜が浸食されて金属膜全体の厚さが減少する等の問題が生じてしまう。また、高い処理温度でエッチング液を使用するため、エッチング液の劣化が非常に早く、有害なガス等が発生するという問題もある。
【０００６】
なお、例えば、半導体などの製造では、配線パターンをドライエッチングによるパターニングによって形成している。しかしながら、設備が大掛かりになると同時に環境に適さないガス等を用いる必要があるため、ウェットエッチングによるパターニングが見直されてきている。また、インクジェット式記録ヘッドには、ドライエッチング工程を通すことのできない構造の部品があるため、ウェットエッチングによるパターニングが必要となる。
【０００７】
なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドの製造に限られず、金属材料からなる金属膜をパターニングする際には、同様に発生する虞がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−０１７６００号公報（特許請求の範囲等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑み、金属膜を高精度にパターニングすることができるパターニング方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、基板上に形成された金属材料からなる金属膜の表面に当該金属膜よりもイオン化傾向の小さい金属粒子を付着させ、該金属粒子が付着した状態の前記金属膜を、所定形状のレジスト膜を介してウェットエッチングすることで当該金属膜を所定形状に形成することを特徴とするパターニング方法にある。
かかる第１の態様では、金属膜をウェットエッチングする際のエッチングレートが大幅に上昇し、サイドエッチング量等が抑えられる。したがって、金属膜を高精度にパターニングすることができる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記金属膜が、卑金属材料からなることを特徴とするパターニング方法にある。
かかる第２の態様では、卑金属材料からなる金属膜であっても、上述したようにエッチングレートが大幅に上昇する。
【００１２】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記金属粒子が、貴金属粒子であることを特徴とする金属膜のパターニング方法にある。
かかる第３の態様では、金属膜のエッチングレートをさらに確実に上昇させることができる。
【００１３】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記金属粒子をスパッタリング法により前記金属膜の表面に付着させることを特徴とするパターニング方法にある。
かかる第４の態様では、金属膜の表面に金属粒子を比較的容易且つ良好に付着させることができる。
【００１４】
本発明の第５の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記金属膜をめっき浴に浸漬させることにより当該金属膜の表面に前記金属粒子を付着させることを特徴とする金属膜のパターニング方法にある。
かかる第５の態様では、金属膜の表面に金属粒子を比較的容易且つ良好に付着させることができる。
【００１５】
本発明の第６の態様は、第５の態様において、前記金属粒子を付着させる前に、前記金属膜上に所定パターンの前記レジスト膜を形成することを特徴とするパターニング方法にある。
かかる第６の態様では、金属膜の、エッチングによって除去される部分にだけのエッチングレートが上昇するため、金属膜をさらに高精度にパターニングすることができる。
【００１６】
本発明の第７の態様は、液滴が吐出されるノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板と、該流路形成基板の一方面側に振動板を介して設けられる圧電素子とを具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、請求項１〜６の何れかのパターニング方法を用いて金属材料からなる金属膜をパターニングして、前記圧電素子に接続される配線パターンを形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第７の態様では、各配線が高密度に配列された配線パターンを高精度に形成することができ、圧電素子を高密度に配列した液体噴射ヘッドを実現することができる。
【００１７】
本発明の第８の態様は、第７の態様において、前記流路形成基板に接合される接合基板の表面に、前記配線パターンを形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる第８の態様では、各配線を高密度に配列する必要のある接合基板上の配線パターンであっても、エッチングによって良好に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態では、本発明に係る製造方法によって製造される液体噴射ヘッドとして、インクジェット式記録ヘッドを例示して説明する。
（実施形態１）
図１は、本実施形態に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、図示するように、この流路形成基板１０には、隔壁１１によって区画された複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。連通部１３は、後述する保護基板３０のリザーバ部３２と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００の一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００１９】
なお、流路形成基板１０の一方の面には予め熱酸化によって二酸化シリコンからなる厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されており、これら圧力発生室１２等は、流路形成基板１０を弾性膜５０に達するまで異方性エッチングすることによって形成されている。
【００２０】
流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、マスク膜５２を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又はステンレス鋼などからなる。
【００２１】
また、流路形成基板１０の表面の弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とからなる圧電素子３００が形成されている。また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、リード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００２２】
さらに、流路形成基板１０の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域に圧電素子保持部３１を有する保護基板（接合基板）３０が接着剤３５を介して接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。また、保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１３と連通してリザーバ１００を構成するリザーバ部３２が形成されている。
【００２３】
また、この保護基板３０上には、金属膜２０１を所定形状にパターニングすることによって形成された複数の配線からなる配線パターン２００が設けられ、この配線パターン２００上には、圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ２１０が実装されている。そして、各圧電素子３００から圧電素子保持部３１の外側まで引き出された各リード電極９０の先端部と、駆動ＩＣ２１０とが駆動配線２２０を介して電気的に接続されている。
【００２４】
なお、配線パターン２００を構成する金属膜２０１の材料としては、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、あるいはこれらの合金等の卑金属材料が挙げられ、本実施形態では、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）を用いている。
【００２５】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されてリザーバ部３２が封止されている。なお、固定板４２のリザーバ部３２に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっており、リザーバ部３２は、実際には可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２６】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、駆動ＩＣ２１０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、圧電素子３００及び振動板をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインクが吐出する。
【００２７】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す圧力発生室の長手方向の断面図である。
【００２８】
まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板用ウェハ１１０として、厚さが約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。具体的には、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を、例えば、５００〜１２００℃の拡散炉で熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる絶縁体膜５５を形成する。
【００３０】
次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定形状にパターニングする。次に、図３（ｄ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成し、これら圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。次いで、図４（ａ）に示すように、リード電極９０を形成する。具体的には、例えば、金（Ａｕ）等からなる配線層９５を全面に形成し、この配線層９５をパターニングすることにより各圧電素子３００から引き出されるリード電極９０を形成する。
【００３１】
次に、図４（ｂ）に示すように、保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０上に接着剤３５によって接着する。ここで、保護基板用ウェハ１３０の表面には、金属膜２０１からなる配線パターン２００を予め形成しておく。具体的には、まず、図５（ａ）に示すように、圧電素子保持部３１等が形成された保護基板用ウェハ１３０の表面に、所定の金属材料、本実施形態では、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）からなる金属膜２０１を形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、金属膜２０１上に、レジストを塗布・パターニングすることにより、所定形状のレジスト膜２３０を形成する。次いで、図５（ｃ）に示すように、レジスト膜２３０で覆われていない領域の金属膜２０１の表面、すなわち、後のエッチング工程で除去される領域の金属膜２０１の表面に、金属膜２０１よりもイオン化傾向の小さい金属粒子２４０を付着させる。例えば、本実施形態では、金属膜２０１が形成された保護基板用ウェハ１３０をめっき浴に数秒〜数分程度浸漬させることによって、金属粒子２４０を金属膜２０１の表面に付着させている。
【００３２】
この金属粒子２４０は、金属膜２０１の表面に点在していればよいが、数ｎｍ程度の厚さの実質的な膜として存在していてもよい。すなわち、金属粒子２４０を付着させる量は特に限定されず、金属膜２０１の材料等に合わせて適宜決定されればよい。また、金属膜２０１の表面に付着させる金属粒子２４０は、金属膜２０１よりもイオン化傾向の低い金属材料、すなわち、標準単極電位が大きい金属材料であればよいが、金属膜２０１とのイオン化傾向の差が大きい金属材料の粒子であることが好ましく、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等の貴金属粒子が挙げられる。
【００３３】
このように金属粒子２４０を金属膜２０１に付着させた後は、図５（ｄ）に示すように、レジスト膜２３０を介して金属粒子２４０が表面に付着した状態の金属膜２０１をウェットエッチングすることにより、金属膜２０１を所定形状にパターニングして配線パターン２００を形成する。
【００３４】
このように本実施形態では、保護基板用ウェハ１３０上に配線パターン２００を形成する際、金属粒子２４０を表面に付着させた状態で金属膜２０１をエッチングするようにした。これにより、金属膜２０１のエッチングレートは、数倍程度〜数十倍程度まで上昇するため、金属膜２０１を極めて短時間でパターニングして配線パターン２００を形成することができる。したがって、金属膜２０１のサイドエッチング量が大幅に減少し、また、レジスト膜２３０がエッチング液によって浸食されてレジスト膜２３０の下側の金属膜２０１（配線パターン２００）の膜厚が減少してしまうのも防止することができる。すなわち、金属膜２０１を高精度にパターニングでき、各配線が比較的高密度に配列された配線パターン２００を形成することができる。さらに、本実施形態では、レジスト膜２３０を形成後に、金属膜２０１の表面に金属粒子２４０を付着させている。これにより、金属膜２０１は、除去される部分のみ、エッチングレートが上昇するため、ウェットエッチングによって金属膜２０１を極めて高精度にパターニングすることができる。
【００３５】
なお、このような効果は、本実施形態のように、金属膜２０１がイオン化傾向の高い卑金属材料からなる場合に特に効果的である。卑金属材料は、酸化（不動態化）されやすいため、このような卑金属材料からなる金属膜２０１の表面には酸化膜（不動態膜）が形成されやすい。そしてこのように表面に酸化膜（不動態膜）が形成された金属膜２０１はエッチングレートが大幅に低下するためエッチングに時間がかかり、その結果、サイドエッチング量が多くなる等の問題が生じてしまう。しかしながら、金属膜２０１の表面に酸化膜が形成されていても、上述したように、表面に金属粒子２４０を付着させた状態で金属膜２０１をウェットエッチングすることにより、極めて短時間でエッチングを終了させることができる。これは、例えば、上述したように金属膜２０１をめっき浴に浸漬させることで、金属膜２０１の表面の酸化膜が溶解（ライトエッチング）されて膜厚が薄くなると共に、金属膜２０１をウェットエッチングする際に、金属膜２０１と金属粒子２４０との間で電触が生じることによるものと考えられる。
【００３６】
なお、本実施形態では、金属膜２０１上にレジスト膜２３０を形成後に、金属粒子２４０を金属膜２０１の表面に付着させるようにしたが、これに限定されず、勿論、レジスト膜２３０を形成する前に、金属粒子２４０を金属膜２０１の全面に付着させるようにしてもよい。この場合でも、金属膜２０１を十分に高精度にパターニングすることができる。
【００３７】
また、レジスト膜２３０を形成する前に金属粒子２４０を金属膜２０１に付着させる場合、例えば、スパッタリング法あるいはＣＶＤ法によって金属粒子２４０を金属膜２０１の表面に付着させるようにしてもよい。また、例えば、スパッタリング法によって金属粒子２４０を金属膜２０１に付着させる場合、スパッタ装置の電極間に実際に電圧を印加しなくても、所定金属の原子又は分子が存在するチャンバ内に、数秒〜数十秒程度、保護基板用ウェハ１３０（金属膜２０１）を放置しておけばよい。
【００３８】
ここで、下記実施例１、２及び比較例のパターニング方法で、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）からなる金属膜をパターニングして配線パターンを形成し、そのときのエッチング時間およびサイドエッチング量を調べた結果を下記表１に示す。
【００３９】
（実施例１）
厚さが約０．１μｍの金属膜が形成された基板を、めっき浴に浸漬させて金属膜の表面に、パラジウム（Ｐｄ）である金属粒子を付着させ、その後、約３５μｍ幅のレジスト膜を介して金属膜をウェットエッチングすることによって、配線パターンを形成した。
【００４０】
（実施例２）
基板上に約０．１μｍの厚さで形成された金属膜の表面に、スパッタリング法によって金属粒子を付着させ、その後、実施例１と同様に、金属膜を、約３５μｍ幅のレジスト膜を介してウェットエッチングすることにより配線パターンを形成した。
【００４１】
（比較例）
基板上に約０．１μｍの厚さで形成された金属膜を、表面に金属粒子を付着させることなく、約４０μｍ幅のレジスト膜を介してウェットエッチングして、配線パターンを形成した。
【００４２】
【表１】
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【００４３】
上記表１に示すように、実施例１及び２のパターニング方法では、エッチング時間が、比較例のパターニング方法の１／５〜１／６程度まで、大幅に短縮された。また、比較例のパターニング方法では、配線（金属膜）の両サイドでのサイドエッチング量は、それぞれ約１２．９μｍもあったのに対し、実施例１及び２のパターニング方法では、比較例のパターニング方法の１／３程度まで大幅に減少していた。この結果からも明らかなように、本発明の方法によれば、金属膜を極めて短時間で高精度にパターニングして配線パターンを良好に形成することができる。
【００４４】
このような配線パターン２００が形成された保護基板用ウェハ１３０を、流路形成基板用ウェハ１１０に接合した後は、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨し、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより所定の厚さに形成する。次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成して所定形状にパターニングする。そして、図６（ｂ）に示すように、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることで、圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。さらに、弾性膜５０及び絶縁体膜５５を貫通させて連通部１３とリザーバ部３２とを連通させてリザーバ１００を形成する。
【００４５】
なお、図示しないが、その後、保護基板用ウェハ１３０に形成されている配線パターン２００上に駆動ＩＣ２１０を実装すると共に、駆動ＩＣ２１０とリード電極９０とを駆動配線２２０によって接続する。さらに、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、これら流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録ヘッドが製造される。
【００４６】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態では、インクジェット式記録ヘッドを例示して本発明を説明したが、本発明は、インク以外の液体を噴射する他の液体噴射ヘッドの製造方法にも勿論適用することができる。なお、その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。さらに、本発明のパターニング方法は、あらゆる金属膜のパターニングに適用することができ、勿論、液体噴射ヘッドの製造だけでなく、例えば、半導体デバイス等、あらゆる装置の製造に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  流路形成基板、  ２０  ノズルプレート、  ３０  保護基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ、  ２３０  レジスト膜、  ２４０  金属粒子、  ３００  圧電素子
【図１】
2006248093.tif 000004
【図２】
2006248093.tif 000005
【図３】
2006248093.tif 000006
【図４】
2006248093.tif 000007
【図５】
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【図６】
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