(57)【要約】【課題】スループット性を低下させずに、高精度の露光処理が行える露光方法等を提供すること。【解決手段】インターバル・ベースラインチェックで行うサーチ計測では、ＣＣＤカメラ２３の撮像面にある計測視野の範囲を限定し、この限定された計測視野内で探索して、レチクルＲ上のサーチ用マークＲＭ７の位置を計測する。次いで、ファイン計測を行うが、このファイン計測では、ロット先頭時でのベースラインチェックで行われる基準データ採取のためのファイン計測と同じ位置計測用パターンＲＭ１の像と基準マークＦＭ１の像を使用してこれらの相対位置を検出する。そして、計測結果を基準データと比較して、基準データとのずれ量を算出する。ずれ量が所定範囲を超えている場合には、レチクルステージ駆動系１２によりレチクルステージＲＳを駆動して、レチクルＲ（パターンが形成された領域ＰＡ）とウエハＷとの相対位置関係を調整する。【選択図】      図１
2006060026.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクパターンを有するマスク上に形成された複数の位置計測用パターンと、前記マスクパターンで露光される被露光基板が載置されるステージ上に配置され且つ前記複数の位置計測用パターンとそれぞれ対応関係を持つ複数の基準マークとの相対位置関係を計測し、この位置計測結果に基づいて前記マスクパターンと前記被露光基板との相対位置関係を調整した後に、該被露光基板を該マスクパターンで露光処理する露光方法であって、
前記複数の位置計測用パターンと、該位置計測用パターンにそれぞれ対応する前記複数の基準マークとの各組合せ毎に、両者間の相対位置関係を計測する第１計測工程と、
前記第１計測工程での計測結果に基づいて、前記基準マークに対する前記マスクパターンの位置関係を調整する位置合わせ工程と、
前記位置合わせ工程の後に、前記第１計測工程での組合せ数よりも少ない組合せ数の、前記位置計測用パターンとそれに対応する前記基準マークとの間の相対位置関係を計測し、該計測結果を記憶する第２計測工程と、
前記被露光基板に対する前記露光処理が開始された以降で且つ所定のインターバル毎に、前記第２計測工程で使用したのと同一の前記位置計測用パターン及び前記基準マークを用いて、前記相対位置関係を計測する第３計測工程と、を含むことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記第３計測工程での計測結果と、前記第２計測工程で記憶された計測結果とを比較する比較工程を更に含み、
前記比較工程での比較結果に基づいて、前記マスクパターンと前記被露光基板との相対位置関係を調整することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記第１計測工程を行う直前に、前記位置計測用パターンを撮像する撮像手段における第１計測視野内の撮像信号に基づいて、前記位置計測用パターンを探索する第１探索工程を行い、
前記第３計測工程を行う直前に、前記第１計測視野よりも狭い計測視野である第２計測視野内の撮像信号に基づいて、前記位置計測用パターンを探索する第２探索工程を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項４】
マスクパターンを有するマスク上に形成された複数の位置計測用パターンと、前記マスクパターンで露光される被露光基板が載置されるステージ上に配置され且つ前記複数の位置計測用パターンとそれぞれ対応関係を持つ複数の基準マークとの相対位置関係を計測し、この位置計測結果に基づいて前記マスクパターンと前記被露光基板との相対位置関係を調整した後、該被露光基板を該マスクパターンで露光処理する露光方法であって、
前記位置計測用パターンを撮像する撮像手段における第１計測視野内の撮像信号に基づいて、前記位置計測用パターンを探索する第１探索工程と、
前記第１探索工程での探索結果を踏まえて、前記基準マークに対する前記マスクパターンの位置関係を調整する位置合わせ工程と、を有し、
前記位置合わせ工程が施された後の前記マスク上に形成された前記位置計測用パターンを、前記撮像手段を用いて探索する際には、前記第１計測視野よりも狭い計測視野である第２計測視野内の撮像信号に基づいて、該探索を行う第２探索工程を実行することを特徴とする露光方法。
【請求項５】
前記第２探索工程では、前記撮像手段の計測視野上での走査範囲を、前記第１探索工程における走査範囲よりも限定することを特徴とする請求項３又は４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記第２探索工程では、前記撮像手段の計測視野内の撮像信号を演算処理する際の演算処理範囲を、前記第１探索工程における演算処理範囲よりも限定することを特徴とする請求項３又は４に記載の露光方法。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の露光方法を用いて、マスクに形成されたデバイスパターンで被露光基板上を露光することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光処理精度を低下させることなくスループット性を向上させることが可能な露光方法及び該露光方法を実施する露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイスを、リソグラフィ技術を用いて製造する方法の一つとして、例えば、パターンを形成したマスクとしてのレチクルに露光用照明光（露光光）を照射し、このパターンの像を、投影光学系を介してステージ上に搭載される、感光性樹脂が塗布された半導体ウエハやガラステンプレート等の感光性基板上に投影露光する際、投影光学系に対し、マスク（レチクル）及び感光性基板を相対的に同期させて走査する、ステップ・アンド・スキャン方式の露光方法が知られている。
【０００３】
この露光方法では、レチクル上に描かれた複数の異なった回路パターンを感光性基板上に順次重ねて露光（重ね合わせ露光）をするため、露光に先立ち、レチクルの基板ステージ座標系に対する位置関係を精度良く求めて、レチクル上の回路パターンと基板の各ショット領域に既に形成された回路パターンとのアライメント（位置合わせ）を正確に行う必要がある。
【０００４】
このため、レチクルの上方に設置された第１のマーク検出光学系（レチクルアライメントセンサ）で該レチクル上に形成された位置合わせ用マークを位置計測することにより、レチクルの位置を求める一方、基板上に設置された第２のマーク検出光学系（ウエハアライメントセンサ）で該基板上に形成された位置合わせ用マーク位置計測することにより、基板上の回路パターンの位置を求め、両者の正確な位置情報に基づいて、両者の相対位置関係を調整してから重ね合わせ露光を行うようにしている。
【０００５】
レチクルの位置合わせ（レチクルアライメント）には、第１のマーク検出光学系（レチクルアライメントセンサ）でレチクルの位置合わせ用マーク（位置計測用パターン）と、投影光学系を介して基板が載置されるウエハステージ上の基準マーク（フィデュシャルマーク）とを第１のマーク検出光学系に装備されたカメラの計測視野上に同時に結像させて、これら位置計測用パターンと基準マークとを観察し、画像処理技術等を用いて両者の位置関係を求めることにより、レチクルのパターンの投影像と基準マークとの位置関係を調整している。
【０００６】
具体的には、レチクル上のパターン領域の両外側に走査方向に沿って複数対（例えば６対）の位置計測用パターンと１対のサーチ用マークとを形成し、またウエハステージ上に複数対の位置計測用パターンと対応する位置に複数対（例えば６対）の基準マーク（フィデュシャルマーク）を走査方向に沿って配置しておく。例えば、２５枚の基板を１ロットとして露光処理する場合にあっては、その最初の１枚目の基板を露光処理する直前（以下ロット先頭と記す）、あるいはレチクルを交換した直後などにおいて、まず第１のマーク検出光学系（レチクルアライメントセンサ）の計測視野内においてレチクル上のサーチ用マークを探索するサーチアライメント（ラフアライメント）を行ってレチクルのおおまかな位置を算出する、サーチ計測を行う。次いで、レチクルを搭載したレチクルステージとウエハステージとを投影光学系に対して同期させて相対的に走査方向に移動させ、レチクル上の複数の位置計測用パターンと、これと対応するウエハステージ上の複数の基準マークとの組合せ毎に、第１のマーク検出光学系の計測視野内において、位置計測用パターンと基準マークとを同時に結像させて、レチクルの位置を算出する、ファイン計測を行う。このファイン計測では、複数の計測値の平均値からレチクルの位置を算出し、ベースライン量（レチクルの中心とウエハアライメント系である第２のマーク検出系の計測中心との間の距離）を算出する。また、レチクルステージとウエハステージの走査方向におけるずれ量も算出する。このアライメント結果に基づいて、レチクルステージやウエハステージの位置補正（調整）を行った後、レチクル上のパターンの像を感光性基板上に露光転写する、露光処理を行う。
【０００７】
上述したベースライン量は、温度、気圧、湿度等の装置の環境変動によって変化することがあるので、装置精度維持のため、一定枚数のウエハを露光処理する毎にベースライン量のチェック（インターバル・ベースラインチェック）を行う必要がある。
【０００８】
従来、インターバル・ベースラインチェックにおいても、ロット先頭時やレチクル交換時などの場合と同様に、まず第１のマーク検出光学系（アライメントセンサ）の計測視野内においてレチクル上のサーチ用マークを探索するサーチアライメント（ラフアライメント）を行ってレチクルのおおまかな位置を算出し、次いで、第１のマーク検出光学系の計測視野内において、レチクル上の複数の位置計測用パターンと、これと対応するウエハステージ上の複数の基準マークとの組合せ毎に順次結像させて、レチクルの位置を算出し、またベースライン量（レチクルの中心とウエハアライメント系である第２のマーク検出系の計測中心との間の距離）を算出していた。
【０００９】
上述したインターバル・ベースラインチェックは、ロット先頭やレチクル交換時に行われるレチクルアライメントよりも実行される頻度が多く、スループット性を低下させる要因の一つとなっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
近年の半導体デバイス等の高集積化要求に伴い、より厳しい重ね合わせ精度が求められる一方、スループット性を低下させずに露光処理を高精度で行うことが要望されている。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、スループット性を低下させずに、高精度の露光処理が行える露光方法及びこの露光方法を実施する露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成する、本発明の請求項１に記載の露光方法は、マスクパターンを有するマスク上に形成された複数の位置計測用パターンと、前記マスクパターンで露光される被露光基板が載置されるステージ上に配置され且つ前記複数の位置計測用パターンとそれぞれ対応関係を持つ複数の基準マークとの相対位置関係（ベースライン量）を計測し、この位置計測結果（ベースライン量のデータ）に基づいて前記マスクパターンと前記被露光基板との相対位置関係を調整した後、該被露光基板を該マスクパターンで露光処理する露光方法であって、前記複数の位置計測用パターンと該位置計測用パターンにそれぞれ対応する前記複数の基準マークとの組合せ毎に両者間の相対位置関係を計測する第１計測工程（図６中のステップＳ１０２で、６対のパターン及びマークの計測）と、この第１計測工程での計測結果に基づいて、前記基準マークに対する前記マスクパターンの位置関係を調整する位置合わせ工程（図６中のステップＳ１０３で、レチクルアライメント）と、この位置合わせ工程の後に、前記第１計測工程での組合せ数よりも少ない組合せ数の、前記位置計測用パターンとそれに対応する前記基準マークとの間の相対位置関係を計測し、該計測結果を記憶する第２計測工程（図６中のステップＳ１０４で、１対のパターン及びマークの像を計測して計測値をメモリする工程で、該計測値は基準データとなる）と、前記被露光基板に対する前記露光処理が開始された以降で且つ所定のインターバル毎に、前記第２計測工程で使用したのと同一の前記位置計測用パターン及び前記基準マークを用いて、前記相対位置関係を計測する第３計測工程（図６中のステップＳ１０９のインターバル計測で、ステップＳ１０４で計測したのと同じ１対のパターン及びマークを計測）と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
前記請求項１記載の露光方法において、前記第３計測工程での計測結果（インターバル計測での計測値）と、前記第２計測工程で記憶された計測結果（基準データ）とを比較する比較工程を更に含み、この比較工程での比較結果に基づいて、前記マスクパターンと前記被露光基板との相対位置関係を調整（図中６のステップＳ１０４での１対のパターン及びマークの計測値である基準データに対して、ステップＳ１０９での１対のパターン及びマークのインターバル計測の計測結果がどのくらいずれているかを算出し、その算出結果に基づいて次のステップＳ１１０で露光動作する際のウエハアライメントに反映させるべくマスクパターンとウエハとの相対位置関係を調整）するようにしてもよい（請求項２）。
【００１４】
また、前記請求項１又は２に記載の露光方法において、前記第１計測工程を行う直前に前記位置計測用パターンを撮像する撮像手段における第１計測視野２３ａ（図５（Ｂ）参照）内の撮像信号に基づいて前記位置計測用パターンを探索する第１探索工程（図６中のステップＳ１０１のサーチ計測で、計測視野全体で探索範囲を限定しない計測）を行い、また前記第３計測工程を行う直前に前記第１計測視野よりも狭い計測視野である第２計測視野２３ｂ（図５（Ａ）参照）内の撮像信号に基づいて前記位置計測用パターンを探索する第２探索工程（図６中ステップＳ１０７のサーチ計測で、計測視野の所定範囲内の探索範囲を限定する計測）を行うようにしてもよい（請求項３）。
【００１５】
また、上記目的を達成する、本発明の請求項４に記載の露光方法は、マスクパターンを有するマスク上に形成された複数の位置計測用パターンと、前記マスクパターンで露光される被露光基板が載置されるステージ上に配置され且つ前記複数の位置計測用パターンとそれぞれ対応関係を持つ複数の基準マークとの相対位置関係を計測し、この位置計測結果に基づいて前記マスクパターンと前記被露光基板との相対位置関係を調整した後に、該被露光基板を該マスクパターンで露光処理する露光方法であって、前記位置計測用パターンを撮像する撮像手段における第１計測視野２３ａ（図５（Ｂ）参照）内の撮像信号に基づいて、前記位置計測用パターンを探索する第１探索工程（図６中のステップＳ１０１参照）と、前記第１探索工程での探索結果を踏まえて、前記基準マークに対する前記マスクパターンの位置関係を調整する位置合わせ工程（図６中のステップＳ１０３参照）と、を有し、前記位置合わせ工程が施された後の前記マスク上に形成された前記位置計測用パターンを、前記撮像手段を用いて探索する際には、前記第１計測視野よりも狭い計測視野である第２計測視野２３ｂ（図５（Ａ）参照：位置合わせ工程により、基準マークに対するマスクパターンの位置関係が調整された結果、位置計測パターンが存在する確率の高いとされる範囲の計測視野）内の撮像信号に基づいて、該探索を行う第２探索工程（図６中のステップＳ１０７参照）を実行することを特徴とする。
【００１６】
前記請求項３又は４に記載の露光方法において、前記第２探索工程では、前記撮像手段の計測視野上での走査範囲を、前記第１探索工程における走査範囲よりも限定することが好ましい（請求項５）。
【００１７】
また、前記請求項３又は４に記載の露光方法において、前記第２探索工程では、前記撮像手段の計測視野内の撮像信号を演算処理する際の演算処理範囲を、前記第１探索工程における演算処理範囲よりも限定することが好ましい（請求項６）。
【００１８】
また、上記目的を達成する、本発明の請求項７に記載の露光装置は、請求項１乃至６の何れか一項に記載の露光方法を用いて、マスクに形成されたデバイスパターンで被露光基板上を露光することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の請求項１に記載の露光方法によれば、複数の位置計測用パターンと該位置計測用パターンにそれぞれ対応する複数の基準マークとの組合せ毎に両者間の相対位置関係を計測する第１計測工程での計測結果に基づいて、基準マークに対するマスクパターンの位置関係を調整する位置合わせをした後にあっては、第１計測工程での組合せ数よりも少ない組合せ数の、位置計測用パターンとそれに対応する基準マークとの間の相対位置関係を計測し、該計測結果（基準データ）を記憶する第２計測工程と、被露光基板に対する露光処理が開始された以降で且つ所定のインターバル毎に、第２計測工程で使用したのと同一の位置計測用パターン及び基準マークを用いて、相対位置関係を計測する第３計測工程を実行するようにしてあるので、被露光基板に対する露光処理が開始された以降で且つ所定のインターバル毎において複数の位置計測用パターンと該位置計測用パターンにそれぞれ対応する複数の基準マークとの組合せ毎に両者間の相対位置関係を計測する、従来の露光方法に比し、位置計測用パターン及び基準マークの計測回数を大幅に減らすことができ、スループット性を低下させずに温度、気圧、湿度等の装置の環境変動があっても高精度の露光処理を行うことが可能となる。
【００２０】
また、請求項２に記載の露光方法によれば、第３計測工程での計測結果（インターバル計測での計測値）と、第２計測工程で記憶された計測結果（基準データ）とを比較する比較工程を更に含み、この比較工程での比較結果に基づいて、マスクパターンと被露光基板との相対位置関係を調整するので、温度、気圧、湿度等の装置の環境変動によってベースライン量が変化しても容易に対処することができ、露光処理精度を高水準に維持することが可能となる。
【００２１】
また、請求項３に記載の露光方法によれば、複数の位置計測用パターンと該位置計測用パターンにそれぞれ対応する複数の基準マークとの組合せ毎に両者間の相対位置関係を計測する第１計測工程を行う直前に、位置計測用パターンを撮像する撮像手段における第１計測視野２３ａ（図５（Ｂ）参照）内の撮像信号に基づいて位置計測用パターンを探索する第１探索工程を行い、また第３計測工程を行う直前に、第１計測視野よりも狭い計測視野である第２計測視野２３ｂ（図５（Ａ）参照）内の撮像信号に基づいて位置計測用パターンを探索する第２探索工程を行うようにしてあるので、第２検索工程においても第１検索工程のときと同じ範囲の計測視野内の撮像信号に基づいて位置計測用パターンを探索する、従来の露光方法に比してスループット性を向上させることが可能となり、また偽信号を位置計測用パターンの信号として検出するような、誤検出が生じる確率を減らすことが出来る。
【００２２】
また、請求項４に記載の露光方法によれば、位置計測用パターンを撮像する撮像手段における第１計測視野内の撮像信号に基づいて、位置計測用パターンを探索する第１探索工程と、第１探索工程での探索結果を踏まえて、基準マークに対するマスクパターンの位置関係を調整する位置合わせ工程と、を有し、位置合わせ工程が施された後のマスク上に形成された位置計測用パターンを、撮像手段を用いて探索する際に、第１計測視野よりも狭い計測視野である第２計測視野内（位置合わせ工程により、基準マークに対するマスクパターンの位置関係が調整された結果、位置計測パターンが存在する確率の高いとされる範囲の計測視野内）の撮像信号に基づいて、該探索を行う第２探索工程を実行するようにしてあるので、高い露光精度が得られると共に、第２検索工程においても第１検索工程のときと同じ範囲の計測視野内の撮像信号に基づいて位置計測用パターンを探索する、従来の露光方法に比してスループット性を向上させることが可能となり、また偽信号を位置計測用パターンの信号として検出するような、誤検出が生じる確率を減らすことが出来る。
【００２３】
また、請求項５に記載の露光方法によれば、第２探索工程で、撮像手段の計測視野上での走査範囲を、第１探索工程における走査範囲よりも限定し、また請求項６に記載の露光方法によれば、第２探索工程で、撮像手段の計測視野内の撮像信号を演算処理する際の演算処理範囲を、第１探索工程における演算処理範囲よりも限定するようにしてあるので、撮像手段の計測視野を位置計測パターンが存在する確率の高いとされる範囲内に限定するのが容易であると共に、第２検索工程においても第１検索工程のときと同じ計測視野内で撮像信号に基づいて位置計測用パターンを探索する、従来の露光方法に比してスループット性を向上させることが可能となり、また偽信号を位置計測用パターンの信号として検出するような、誤検出が生じる確率を減らすことが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下本発明の露光方法及び該露光方法を実施する露光装置の実施形態について図１乃至図６を参照して説明する。
【００２５】
図１は本発明の露光装置の一実施形態を示す全体構成図、図２は図１の露光装置で使用されるレチクル上に形成された位置計測用パターンを示す平面図、図３は図１の露光装置に装備されたウエハステージに配置された基準板を示す平面図、図４（Ａ）は図２の位置計測用パターンを詳細に示す拡大平面図、図４（Ｂ）は図３の基準板上に配置される基準マークを詳細に示す拡大平面図、図５（Ａ）、（Ｂ）は図１の露光装置に装備された撮像手段である、ＣＣＤカメラの計測視野を示す説明図、図６は本発明の露光方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【００２６】
先ず、本実施形態の露光装置１０の全体構成について、図１を参照して説明する。
【００２７】
本実施形態においては、露光装置１０は、マスクとしてのレチクルＲ上に形成された回路パターン等のパターンを、ステップ・アンド・スキャン方式により投影光学系ＰＬを介して被露光基板としてのウエハＷの各ショット領域上に露光転写する（図１において走査（スキャン）方向はＹ方向である）、縮小投影型の露光装置である。図１中、Ｘ軸及びＺ軸は紙面に並行に設定され、Ｙ軸が紙面に対して垂直となる方向に設定されている。
【００２８】
露光装置１０は、不図示の光源を備えた照明光学系１１と、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳと、レチクルＲに形成されたパターンの像をウエハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、ウエハＷを保持する可動ステージとしてのウエハステージＷＳＴと、レチクルアライメントの際に使用される、結像光学系としてのレチクルアライメントセンサ（レチクル顕微鏡）２０Ａ、２０Ｂと、ウエハアライメントセンサ２５と、フォーカス検出系（図示せず）及び制御系等を備えている。制御系は、露光装置１０全体を統括制御する主制御装置３０を備える。この主制御装置３０は、位置演算部３１と制御部３２とを備えており、図６に示すフォローチャートの内容にしたがって、レチクルアライメントセンサ（レチクル顕微鏡）２０Ａ、２０Ｂやウエハアライメントセンサ２５から撮像信号を入力し、この撮像信号に基づいて位置演算部３１でレチクルＲとウエハＷの位置を演算し、この演算結果や干渉計１５からの信号等に基づいて制御部３２からレチクルステージ駆動系１２、ウエハステージ駆動系１６等に制御信号を出力するように構成されている。
【００２９】
照明光学系１１は、図示していないが、例えばＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２レーザ等からなる光源と、ビーム整形用レンズ及びオプティカルインテグレータ（フライアイレンズ）等を含む照度均一化光学系と、照明系開口絞りと、リレー光学系と、レチクルブラインド、ミラー及びコンデンサレンズ系等を有しており、該レチクルブラインドによって形成された照明領域内にあるレチクルＲのパターンが形成された領域ＰＡ（図２参照）を均一な照度で照明する。
【００３０】
レチクルＲは、照明光学系１１の下方に配置されたレチクルステージＲＳ上に載置されて、不図示のバキュームチャック等を介して吸着保持される。レチクルステージＲＳは、水平面（ＸＹ平面）内で２次元移動可能に構成されており、レチクルＲが載置された後、位置決めが行われる。このレチクルＲの位置決めのために、前述したレチクルアライメントセンサ２０Ａ、２０Ｂを使用してレチクルアライメントが行われる。
【００３１】
レチクルＲには、図２に示すようにパターンが形成された領域ＰＡの両外側に走査方向（Ｙ軸方向）に沿って適宜間隔をあけて６対の位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と１対のサーチ用マークＲＭ７とが形成されている。これら６対の位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と１対のサーチ用マークＲＭ７は、レチクルアライメントセンサ２０Ａ、２０Ｂを使用してレチクルアライメントを行う際に使用するもので、例えばクロムなどの金属薄膜により形成される。図２では、６対の位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と１対のサーチ用マークＲＭ７をそれぞれ十字状のパターンとして形成した場合を示しているが、実際には図４（Ａ）に示すように、十字状のパターンと正方形状のパターンをそれらの中心が互いに一致するように重ね合わせ且つ正方形状のパターンの外側に適宜間隔をあけて各辺にそれぞれ平行に１本の直線状のパターン（合計４本の直線状のパターン）を配置して形成される。
【００３２】
レチクルステージＲＳには、不図示のレチクル干渉計からのレーザビームを反射する不図示の移動鏡が固定され、レチクルステージＲＳの移動面内での位置が、所定の分解能で常時検出される。レチクル干渉計からの、レチクルステージＲＳの位置情報は、主制御装置３０に送られる。主制御装置３０は、この位置情報に基づいてレチクルステージ駆動系１２を介してレチクルステージＲＳを駆動する。
【００３３】
投影光学系ＰＬは、複数のレンズエレメントから構成され、これらレンズエレメントが両側テレセントリックな光学配置になるように共通のＺ軸方向の光軸ＡＸを有する。投影光学系ＰＬとしては、投影倍率が例えば１／４、１／５又は１／６のものが使用されており、照明光によりレチクルＲのパターンが形成された領域ＰＡが照明されると、レチクルＲのパターンの像が投影光学系ＰＬによって縮小された状態で感光剤としてのレジストが塗布されたウエハＷ上に縮小投影され、ウエハＷ上のあるショット領域にレチクルＲのパターンの縮小像が転写される。
【００３４】
ウエハＷは、ウエハステージＷＳＴ上に、ウエハホルダ１３を介して真空吸着等により固定されている。ウエハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方に配置され、水平面（ＸＹ面）内を２次元移動可能なＸＹステージと、このＸＹステージ上に搭載された光軸方向（Ｚ軸方向）に微動可能なＺステージ等から構成される。図１ではＸＹステージ、Ｚステージを具体的に図示せず、これらをまとめた形でウエハステージＷＳＴとして表現している。ウエハステージＷＳＴは、不図示の駆動系によりＸＹ２次元方向に駆動されるとともに例えば１００μｍの微小範囲内で光軸ＡＸ方向にも駆動されるように構成されている。
【００３５】
ウエハステージＷＳＴの２次元的な位置は、ウエハステージＷＳＴ上に固定された移動鏡１４を介して干渉計１５により所定の分解能（例えば１ｎｍ程度）で常時検出される。干渉計１５の出力は主制御装置３０に送られ、該主制御装置３０からウエハステージ駆動系１６を介してウエハステージＷＳＴが制御され、例えばウエハＷ上の１つのショット領域に対するレチクルＲのパターンの転写露光が終了すると、次のショット位置までウエハＷをステッピングさせるようにウエハステージＷＳＴが制御される。
【００３６】
ウエハＷの面のＺ軸方向の位置は、前述したフォーカス検出系（図示せず）により測定される。このフォーカス検出系は、例えば投影光学系ＰＬの結像面に向けて結像光束若しくは平行光束を光軸ＡＸに対して斜め方向より照射する照射光学系と、この結像光束若しくは平行光束のウエハＷの表面（基準板ＦＭの表面）での反射光束を受光する受光光学系とを有する。受光光学系からの信号は、主制御装置３０に供給され、主制御装置３０は、この信号に基づき、投影光学系ＰＬの最良結像面にウエハＷの面が位置するように、ウエハＷのＺ軸方向の位置を制御する。
【００３７】
ウエハステージＷＳＴ上には、レチクルアライメント及びベースライン計測のための６対の基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６（図３参照）が形成された基準板ＦＭが固定される。
【００３８】
６対の基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６は、図３に示すように、レチクルＲ上に形成された６対の各位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ２（図２参照）とそれぞれ対応するように、基準板ＦＭ上に形成される。すなわち、位置計測用パターンＲＭ１と基準マークＦＭ１、位置計測用パターンＲＭ２と基準マークＦＭ２、位置計測用パターンＲＭ３と基準マークＦＭ３、位置計測用パターンＲＭ４と基準マークＦＭ４、位置計測用パターンＲＭ５と基準マークＦＭ５、位置計測用パターンＲＭ６と基準マークＦＭ６とがそれぞれ互いに対応するように配置される。
【００３９】
図３では、各基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６を、大きい正方形状マーク内に小さい正方形状マークを配置した、大小２個の正方形状マークで形成した場合を示しているが、実際には図４（Ｂ）に示すように、３本の直線状パターンをＸ軸方向に所定の間隔をあけて２組配列すると共に、３本の直線状パターンをＹ軸方向に所定の間隔をあけて２組配列して形成される。
【００４０】
なお、基準板ＦＭ上にはレチクルＲに形成された１対のサーチ用マークＲＭ７と対応するマークが形成されていない。後述するサーチ計測を行う場合には、下地として基準板ＦＭのマークを設定することなく（下地としてはＦＭ上の無地領域を使用して）、画面（サーチカメラの画面）基準でサーチマーク７を計測する。なお、後述するプリファイン計測（ファイン計測の前にサーチマークＲＭ７と基準板ＦＭ上のマークＦＭｎ（ＦＭ１乃至ＦＭ６）との相対位置計測を行うもの）を行う、サーチ用マークＲＭ７を計測する際に、基準マークＦＭ３又はＦＭ４のいずれか一方の基準マークを基準板ＦＭ上に設定する。すなわち、プリファイン計測時には、基準板ＦＭ上に何れか一方の基準マークＦＭ３、ＦＭ４を下地として配置して、サーチ用マークＲＭ７と重ねて計測出来るようにする。
【００４１】
前述したウエハアライメントセンサ２５は、ＦＩＡ(Field Image Alignment )センサにより構成され、検出基準となる指標を備え、この指標を基準としてウエハＷ上のアライメントマーク又は基準板ＦＭ上の基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６の位置を検出する画像処理方式の結像センサが用いられる。このＦＩＡセンサ２５の検出値は、主制御装置３０の位置演算部３１に供給される。
【００４２】
前述した、結像光学系としての、レチクル顕微鏡２０Ａ、２０Ｂは、ＶＲＡ(Video Reticle Alignment)センサから構成されており、レチクル顕微鏡２０Ａは、図１は露光装置１０に向かって右側に配置され、またレチクル顕微鏡２０Ｂは、投影光学系ＰＬの光軸を挟んだＸ方向反対側の対称位置である左側に配置される。
【００４３】
レチクル顕微鏡２０Ａとレチクル顕微鏡２０Ｂは同じ構成なので、レチクル顕微鏡２０Ａについての説明を行い、レチクル顕微鏡２０Ｂについては、レチクル顕微鏡２０Ａと同一構成部分に同一符号を付してその説明を省略する。
【００４４】
レチクル顕微鏡２０Ａでは、露光用の照明光（照明ビーム）を利用しており、照明光学系１１から分岐して光ファイバ等の不図示の送光光学系を介して、計測用照明光の光束がＶＲＡ光学系２２に導かれる。この計測用照明光の光束は、レチクル顕微鏡２０Ａから出射し、ミラー２１で反射された後、レチクルＲに導かれ、レチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ１（ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６）を照明する。位置計測用パターンＲＭ１（ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６）で反射した反射光は、ミラー２１からＶＲＡ光学系２２内に導かれ、該ＶＲＡ光学系２２内の不図示の結像光学系を介して撮像手段としてのＣＣＤカメラ２３の撮像面に結像する。
【００４５】
一方、レチクルＲを透過した計測用照明光の光束は、投影光学系ＰＬを介してウエハステージＷＳＴ上に固定された基準板ＦＭの基準マークＦＭ１（ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６）を照明する。基準マークＦＭ１（ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６）を反射した反射光は、投影光学系ＰＬ、レチクルＲを透過した後、位置計測用パターンＲＭ１（ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６）で反射した反射光の場合と同様の光路を通ってＣＣＤカメラ２３の結像面に結像する。
【００４６】
レチクル顕微鏡２０Ａでは、投影光学系ＰＬを介して入射した基準マークＦＭ１の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ１の像との組合せを同時に撮像し、この撮像信号を主制御装置３０の位置演算部３１に出力する。また、基準マークＦＭ２の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ２の像との組合せ、基準マークＦＭ３の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ３の像との組合せ、基準マークＦＭ４の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ４の像との組合せ、基準マークＦＭ５の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ５の像との組合せ、及び基準マークＦＭ６の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ６の像との組合せを、それぞれ同時に撮像して、これら撮像信号を主制御装置３０の位置演算部３１に出力する。
【００４７】
レチクル顕微鏡２０Ｂでも同様に、投影光学系ＰＬを介して入射した基準マークＦＭ１の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ１の像との組合せを同時に撮像し、この撮像信号を主制御装置３０の位置演算部３１に出力する。また、基準マークＦＭ２の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ２の像との組合せ、基準マークＦＭ３の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ３の像との組合せ、基準マークＦＭ４の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ４の像との組合せ、基準マークＦＭ５の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ５の像との組合せ、及び基準マークＦＭ６の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ６の像との組合せを、それぞれ同時に撮像して、これら撮像信号を主制御装置３０の位置演算部３１に出力する。
【００４８】
主制御装置３０の位置演算部３１では、レチクル顕微鏡２０Ａ，２０Ｂから入力した撮像信号に基づいて、位置計測用パターンＲＭ１，ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６と基準マークＦＭ１，ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６の各組合せの計測値の平均値からレチクルＲの位置を算出してベースライン量を算出する。また、各組合せ毎に位置計測用パターンＲＭ１，ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６と基準マークＦＭ１，ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６との位置ずれ量を検出するとともに、レチクルステージＲＳ及びウエハステージＷＳＴの位置を検出する不図示のレチクル干渉計と干渉計１５等の測定値を入力してこの位置ずれ量を補正し、補正した位置計測用パターンＲＭ１，ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６と基準マークＦＭ１，ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６との位置ずれ量が所定値、例えば零となるときのレチクルステージＲＳ及びウエハステージＷＳＴの各位置を求める。これにより、ウエハステージ移動座標系ＸＹ上でのレチクルＲの位置が検出される。換言すれば、レチクルステージ座標系とウエハステージ座標系ＸＹとの対応付け（すなわち、相対位置関係の検出）が行われる。
【００４９】
本発明では、位置計測用パターンＲＭ１，ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６と基準マークＦＭ１，ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６の像の相対位置を検出し、また不図示のレチクル干渉計や干渉計１５の測定値からレチクルステージＲＳの座標系とウエハステージＷＳＴの座標系との関係を求めて、レチクルアライメントが行われるが、このレチクルアライメントは、ロット先頭時、例えば２５枚のウエハＷを１ロットとして露光処理する場合にあっては、その最初の１枚目のウエハＷを露光処理する直前、あるいはレチクルＲを交換した直後においてのみ行われ、ロット先頭後やレチクル交換後に行われる、インターバル・ベースラインチェック時（ロット先頭後やレチクル交換後に所定枚数（例えば５枚）のウエハを露光処理するたびごとに行われるベースライン量のチェック）においては、位置計測用パターンＲＭ１，ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６と基準マークＦＭ１，ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６の像の相対位置を全て検出するのではなく、所定の一対のパターンＲＭ１乃至ＲＭ６とマークＦＭ１乃至ＦＭ６との組合せを選択して検出して、（例えば位置計測用パターンＲＭ１と基準マークＦＭ１との組合せを選択し、位置計測用パターンＲＭ１と基準マークＦＭ１の像の相対位置のみを検出して）ベースライン量をチェックするようにしてある。
【００５０】
すなわち、インターバル・ベースラインチェックにおいては、位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６の像の相対位置の計測回数を大幅に減らしている。ロット先頭直後やレチクル交換直後でレチクルアライメントが行われていて、レチクルステージＲＳ、ウエハステージＷＳＴの位置が既に調整されており、大きな環境変動（温度、湿度、気圧）が生じない限り、短時間の間にベースライン量が変化することが殆どないので、インターバル・ベースラインチェックにおいて、位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６の像の相対位置を全て検出する必要がないと考えられるからである。このように位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６の像の相対位置の計測回数を減らすことにより、計測時間の短縮化を図ることができ、結果として露光処理のスループット性を向上させることが可能となる。
【００５１】
なお、本明細書で、インターバル、インターバル・ベースラインチェック（インターバル計測）とは、大きな環境変動が生じていない通常時に行われるものを意味する。インターバル・ベースラインチェック（インターバル計測）であっても、大きな環境変動が生じた場合にあっては、位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６の像の相対位置を全て検出し、レチクルアライメントをやり直すことは勿論である。
【００５２】
次に本発明の露光方法の一実施態様を図６のフローチャートを参照して説明する。
【００５３】
ステップＳ１０１乃至ステップＳ１０４までの工程がロット先頭で行われるベースラインチェックを示し、ステップＳ１０７乃至ステップＳ１０９がインターバル・ベースラインチェックを示している。
【００５４】
ステップＳ１００でレチクルＲの交換が行われると、まずステップＳ１０１でサーチ計測が実行される。このサーチ計測では、ＣＣＤカメラ２３の撮像面にある計測視野２３ａの範囲を限定せず、計測視野２３ａ内の全てを探索して、レチクルＲ上のサーチ用マークＲＭ７の位置をＣＣＤカメラ２３の画面基準で計測する（図５（Ｂ）参照）。ステップＳ１０１のサーチ計測結果に基づいてレチクルステージＲＳの位置を調整、駆動することによりレチクルＲのラフアライメントを行う。
【００５５】
次いで、ステップＳ１０２でレチクルステージＲＳとウエハステージＷＳＴとの位置関係を順次相対的に移動させることにより、位置計測用パターンＲＭ１，ＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６と基準マークＦＭ１，ＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６の像の全ての組合せの相対位置を順次検出してファイン計測を行う。すなわち、ＣＣＤカメラ２３の撮像面上に基準マークＦＭ１の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ１の像との組合せを同時に撮像し、この撮像信号を主制御装置３０の位置演算部３１に出力する。また、基準マークＦＭ２の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ２の像との組合せ、基準マークＦＭ３の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ３の像との組合せ、基準マークＦＭ４の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ４の像との組合せ、基準マークＦＭ５の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ５の像との組合せ、及び基準マークＦＭ６の像とレチクルＲ上の位置計測用パターンＲＭ６の像との組合せを、順次それぞれパターンＲＭ２，ＲＭ３，ＲＭ４，ＲＭ５，ＲＭ６とマークＦＭ２，ＦＭ３，ＦＭ４，ＦＭ５，ＦＭ６とを重ねて同時に撮像して、これら撮像信号を主制御装置３０の位置演算部３１に出力する。そして、位置演算部３１で位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６の相対位置を計測する。
【００５６】
ステップＳ１０３では、ステップＳ１０２での計測結果に基づいて、基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６に対してレチクルＲ（レチクルＲのパターンが形成された領域ＰＡ）の位置関係を補正（調整）して、レチクルアライメントを実行する。
【００５７】
次いで、ステップＳ１０４で所定のパターンＲＭ１乃至ＲＭ６と所定のマークＦＭ１乃至ＦＭ６との組合せ（例えば位置計測用パターンＲＭ１の像と基準マークＦＭ１の像）の相対位置を検出してファイン計測を行い、その計測結果を基準データとして主制御装置３０の不図示のメモリ部にストアする。
【００５８】
ロット先頭時でのベースラインチェックが終了した後、ステップＳ１０５で露光処理を実行する。そしてステップＳ１０６でウエハＷを所定枚数露光したか否かが判断される。この所定枚数とは、インターバル・ベースラインチェックを行うまでのウエハＷの露光枚数を意味する。例えば、１ロット２５枚で、所定枚数（例えば５枚）のウエハＷを露光処理したら、そのたびごとにベースラインチェックを行う場合にあっては、ステップＳ１０６で所定枚数（例えば５枚）のウエハＷを露光処理したか否かが判断され、所定枚数（例えば５枚）のウエハＷを露光処理した場合にはステップＳ１０７に移行し、しない場合にはステップＳ１０５に戻り、露光処理が続行される。
【００５９】
インターバル・ベースラインチェックでは、まずステップＳ１０７でサーチ計測が実行される。このサーチ計測では、ステップＳ１０１で実行されるサーチ計測とは異なり、ＣＣＤカメラ２３の撮像面にある計測視野の範囲を限定し、この限定された計測視野２３ｂ内で探索して、レチクルＲ上のサーチ用マークＲＭ７の位置をＣＣＤカメラ２３の画面基準で計測する（図５（Ａ）参照）。ステップＳ１０３で既にレチクルアライメントが実行されているので、ＣＣＤカメラ２３の計測視野上でサーチ用マークＲＭ７が存在する確率の高い範囲を予測することが出来る。したがって、この予測された計測視野の範囲内に限定してサーチ用マークＲＭ７を探索すれば済み、計測視野の全範囲を探索しなくてもよい。計測視野を限定する方法としては、例えば、ＣＣＤカメラ２３の計測視野上での走査範囲をステップＳ１０１の場合よりも限定するか、あるいはＣＣＤカメラ２３の計測視野内の撮像信号を演算処理（微分処理、積分処理などの処理）する段階で、この演算処理範囲をステップＳ１０１の場合の演算処理範囲よりも限定する方法がある。いずれの方法を用いてもよく、このようにＣＣＤカメラ２３の計測視野を限定することによって、サーチ用マークＲＭ７を探索する時間を短縮することができ、その結果、露光処理のスループット性を向上させることが可能となる。また、計測視野内にある偽信号をサーチ用マークＲＭ７の信号として検出するような、誤検出の確率を減らすことが出来る。
【００６０】
次いでステップＳ１０８でプリファイン計測を行う。このプリファイン計測とは、ステップＳ１０７で計測されたサーチ用マークＲＭ７を使用して基準板ＦＭ上の基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６（例えばＦＭ３又はＦＭ４）との相対位置関係を求め、この計測結果に基づいてレチクルステージＲＳの位置を調整する（ファイン計測前の事前調整を行う）ものである。このプリファイン計測でサーチ用マークＲＭ７を計測する際には、基準マークＦＭ３又はＦＭ４のいずれか一方の基準マークＦＭ３、ＦＭ４を下地として配置してサーチ用マークＲＭ７と重ねて計測出来るようにする。
【００６１】
次いで、ステップＳ１０９に移行して、ステップＳ１０４のファイン計測で用いたのと同じパターンＲＭ１乃至ＲＭ６及びマークＦＭ１乃至ＦＭ６の組合せ（例えば位置計測用パターンＲＭ１の像と基準マークＦＭ１の像）を使用してこれらの相対位置を検出してファイン計測を行う。そして、この計測結果を、ステップＳ１０４で行ったファイン計測の計測結果である基準データと比較する。すなわち、基準データとのずれ量を算出する。ずれ量が所定範囲を超えている場合には、レチクルステージ駆動系１２によりレチクルステージＲＳを駆動して、レチクルＲ（パターンが形成された領域ＰＡ）とウエハＷとの相対位置関係を調整する。このように、ステップＳ１０４で置計測用パターンＲＭ１の像と基準マークＦＭ１の像を使用して基準データを採取しておき、ステップＳ１０９では同じ置計測用パターンＲＭ１の像と基準マークＦＭ１の像を使用してこれらの相対位置を検出してファイン計測を行い、このファイン計測の計測結果と基準データとを比較するようにしているので、レチクルＲ（パターンが形成された領域ＰＡ）とウエハＷとの相対位置関係を調整するために必要なパターンＲＭ１乃至ＲＭ６とマークＦＭ１乃至ＦＭ６との計測回数を大幅に減らすことが出来、露光精度を維持しつつ露光処理のスループット性を向上させることが可能となる。
【００６２】
ずれ量が無いか、あるいは所定範囲内に収まっている場合には、何ら調整操作を行わずにステップＳ１１０に移行して露光処理を行う。ステップＳ１１１で露光処理を継続するか否かが判断され、継続しない場合には、露光処理が終了する。継続する場合には、ステップＳ１０６に移行し、ウエハＷを所定枚数露光したか否かが判断され、所定枚数に達していない場合には、ステップＳ１０５に移行して露光処理が続行される。
【００６３】
本実施態様によれば、ベースライン量をチェックして露光精度を維持しつつ、ステップＳ１０７でサーチ計測における計測視野範囲を限定し、またステップＳ１０９でファイン計測における位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６のうち、位置計測用パターンＲＭ１と基準マークＦＭ１との組合せを選択して、計測回数又は全体的な計測時間を大幅に低減させているので、探索時間や計測時間の短縮を図ることができ、その結果、露光処理のスループット性を向上させることができる。
【００６４】
本発明の上記実施態様では、ステップＳ１０７でサーチ計測における計測視野範囲を限定し、またステップＳ１０９でファイン計測における位置計測用パターンＲＭ１乃至ＲＭ６と基準マークＦＭ１乃至ＦＭ６のうち、位置計測用パターンＲＭ１と基準マークＦＭ１との組合せを選択して、計測回数を大幅に低減させた場合を示したが、ステップＳ１０７とステップ１０９の何れか一方のみを実行して（但しこの場合においてステップＳ１０７を実行しない場合には代わりにステップＳ１０１を実行し、ステップＳ１０９を実行しない場合には代わりにステップＳ１０２を実行するようにして）スループット性を向上させるようにしてもよい。
【００６５】
また、ステップＳ１０７で行うサーチ計測における計測視野範囲の限定は、インターバル・ベースラインチェック時のみではなく、例えばレチクルＲの交換後、初めてサーチ計測以外の、全てのサーチ計測（ロット先頭時のベースラインチェックも含む）に適用するようにしてもよい。
【００６６】
また、ロット先頭時に行われるサーチ計測では、探索範囲をカメラの計測視野全体に限る必要はなく、インターバル・ベースラインチェック時に行われるサーチ計測と異なる探索範囲であればよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の露光装置の一実施形態を示す全体構成図である。
【図２】図１の露光装置で使用されるレチクル上に形成された位置計測用パターンを示す平面図である。
【図３】図１の露光装置に装備されたウエハステージに配置された基準マーク板を示す平面図である。
【図４】図４（Ａ）は図２の位置計測用パターンを詳細に示す拡大平面図である。
【００６８】
図４（Ｂ）は図３の基準マーク板上に配置される基準マークを詳細に示す拡大平面図である。
【図５】図５（Ａ）は図１の露光装置に装備された撮像手段である、ＣＣＤカメラの計測視野を示す説明図で、計測視野が制限された場合である。
【００６９】
図５（Ｂ）は図１の露光装置に装備された撮像手段である、ＣＣＤカメラの計測視野を示す説明図で、計測視野が制限されない場合である。
【図６】本発明の露光方法の一実施形態を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７０】
１０      露光装置
２０Ａ、２０Ｂ      レチクル顕微鏡（結像光学系）
３０      主制御装置
３１      位置演算部
３２      制御部
２３      撮像手段（ＣＣＤカメラ）
２３ａ、２３ｂ      計測視野
Ｒ      レチクル（マスク）
ＲＳ      レチクルステージ
Ｗ      ウエハ（被露光基板）
ＷＳＴ      ウエハステージ（可動ステージ）
ＲＭ１乃至ＲＭ６      位置計測用パターン
ＲＭ７      サーチ用マーク
ＦＭ１乃至ＦＭ６      基準マーク
【図１】
2006060026.tif 000003
【図２】
2006060026.tif 000004
【図３】
2006060026.tif 000005
【図４】
2006060026.tif 000006
【図５】
2006060026.tif 000007
【図６】
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