(57)【要約】【課題】  フォトスペーサを用いた液晶装置において、面押し時にＴＦＤ素子等といった非線形抵抗素子と電極とが短絡することを防止し、しかも、低温状況下での衝撃による障害が発生することを防止する。【解決手段】  液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、それら一対の基板のうちの一方である第１透光性基板１１ａ上に設けられる複数のＴＦＤ素子１９とを有する液晶装置である。複数のＴＦＤ素子１９の一部の上には、液晶層の層厚を一定に保持すると共に絶縁性を備えたフォトスペーサ２１が形成される。フォトスペーサ２１が形成されていないＴＦＤ素子１９上には、そのＴＦＤ素子１９を覆うドット状に形成される絶縁性を備えたカバー部材２２が形成される。このカバー部材２２は、フォトスペーサ２２よりも低い高さに形成される。【選択図】        図６
2006251597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、
該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、
該複数のスイッチング素子のうちの一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、
該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材と
を有し、
前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、前記カバー部材は前記柱状スペーサと同じ材料を用いて形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、
該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、
該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材と
を有し、
前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から液晶層の対向する基板側の表面までの高さよりも低く形成される
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記スイッチング素子は、非線形な電流−電圧特性を有する非線形抵抗素子であることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する工程と、
第１の露光パターンを備えたマスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサに対応する潜像を形成する第１の露光を行う工程と、
第２の露光パターンを備えたマスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記カバー部材に対応する潜像を形成する第２の露光を行う工程と、
前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程と
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する樹脂材料層形成工程と、
光透過性がそれぞれ異なる３つの領域を有する多階調マスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサと前記カバー部材に対応する潜像を形成する露光を行う工程と、
前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程と
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する樹脂材料層形成工程と、
完全光透過領域と、部分光透過領域と、完全遮光領域とを備えた多階調マスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサと前記カバー部材に対応する潜像を形成する露光を行う工程と、
前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程と
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、
基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する樹脂材料層形成工程と、
露光解像度の限界よりも小さい露光パターンを備えた多階調マスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサと前記カバー部材に対応する潜像を形成する露光を行う工程と、
前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程と
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項５から請求項８のいずれか１つに記載の液晶装置において、前記スイッチング素子は、非線形な電流−電圧特性を有する非線形抵抗素子であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶を用いて光を制御する液晶装置及びその製造方法に関する。また、本発明は、その液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器では、当該電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として、例えば、液晶装置が用いられている。この液晶装置は液晶パネルを有し、この液晶パネルは、例えば、それぞれが電極を備えた一対の基板の間に液晶層を介在させた構造を有する。この液晶装置では、例えば照明装置等によって液晶層に光を供給すると共に、該液晶層に印加される電圧を表示ドットごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を表示ドットごとに制御する。液晶層へ供給された光は、液晶分子の配向状態に従って表示ドットごとに変調され、この変調された光を偏光層の液晶側表面に供給することにより、その偏光層の観察側表面、すなわち表示領域に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【０００３】
上記のような液晶装置において、一対の基板の一方にドットマトリクス状に配置された多数の電極を、スイッチング素子によって個々に制御する構造のアクティブマトリクス型の液晶装置が知られている。スイッチング素子としては、例えば、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子が用いられる。このＴＦＤ素子は、例えば、最も基板に近い第１電極と、その上の層である絶縁層と、さらにその上の層である第２電極とを積層した構造、いわゆるＭＩＭ（Metal Insulator Metal）の積層構造を有している。
【０００４】
上記のような液晶装置として、従来、液晶層の層厚、すなわちセルギャップを一定に保持するために、カラーフィルタ基板の上に複数の柱状のスペーサを形成したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、カラーフィルタ基板の上に複数の柱状スペーサを形成し、さらにそれらの柱状スペーサと異なる高さを有した突起層をそのカラーフィルタ基板上に形成したものも知られている（例えば、特許文献２参照）。また、カラーフィルタ基板の上に形成した柱状スペーサの個々に、高さが異なる部分を形成したものも知られている（例えば、特許文献３参照）。これら特許文献１から特許文献３に開示された技術は、いずれも、柱状のスペーサをカラーフィルタ基板の上に形成するものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−７６１３１号公報（第３頁、図１）
【特許文献２】特開２００１−３２４７１６号公報（第３頁、図１）
【特許文献３】特開２００２−１８２２２０号公報（第３〜４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１から特許文献３に開示された液晶装置において、表示領域内における柱状スペーサの分布密度が低い場合には（すなわち、隣り合う柱状スペーサの間隔が広い場合には）、液晶パネルの表示面が押される、いわゆる面押しが行われたとき、一方の基板上に設けられたＴＦＤ素子と、対向するカラーフィルタ基板上に設けられた電極とが短絡するおそれがあった。このようにＴＦＤ素子と電極とが短絡した場合には、ＴＦＤ素子の絶縁層が破壊されてＴＦＤ素子が駆動しなくなるおそれがあった。
【０００７】
また、表示領域内における柱状スペーサの分布密度が高い場合には（すなわち、隣り合う柱状スペーサの間隔が狭い場合には）、低温（例えば、マイナス２０℃以下）の状況下における使用に際して液晶パネルに衝撃が加わったとき、液晶層内に気泡が発生するおそれがあった。この気泡は、いわゆる低温衝撃気泡と呼ばれることがある。このように気泡が発生すると、その気泡の部分において表示が行われない等といった障害が発生する可能性があった。
【０００８】
本発明は、上記の問題に鑑みて成されたものであて、柱状スペーサを用いた液晶装置において、面押し時にＴＦＤ素子等といった非線形抵抗素子と電極とが短絡することを防止し、しかも、低温状況下での衝撃による障害が発生するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る第１の液晶装置は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子のうちの一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成されることを特徴とする。
【００１０】
上記構成のように、一対の基板が液晶層を挟んで互いに対向して成るパネル構造体が液晶パネルである。この液晶パネルは、基板間に封入された液晶の配向を外部信号により制御して光を変調することによって表示を実現するものである。以下の説明においては、液晶パネルを形成する基板のうち、スイッチング素子が設けられる側の基板を素子基板とし、この素子基板に対向する基板を対向基板と言うことにする。
【００１１】
また、上記構成において、スイッチング素子には、ＴＦＤ素子やＴＦＴ（Thin Film Diode）素子等といった能動素子を用いることができる。例えば、ＴＦＤ素子は、非線形な電流−電圧特性を有する非線形抵抗素子である。このＴＦＤ素子は、例えば、基板から順に第１素子電極、絶縁膜、第２素子電極を積層して成る積層構造を有する。第１素子電極は、例えばＴａＷ（タンタル・タングステン）によって形成される。絶縁膜は、例えば陽極酸化膜によって形成される。第２素子電極は、例えばＣｒ（クロム）、ＭｏＷ合金（モリブデンとタングステンを含んだ合金）によって形成される。
【００１２】
スイッチング素子にドット状に重なるカバー部材とは、例えばスイッチング素子の上に層を分けるように全体的に形成される膜状の部材とは異なり、スイッチング素子の上にのみ部分的に形成される部材である。このカバー部材及び柱状スペーサは、例えばポジ型の感光性樹脂、例えばシリコン酸化膜、アクリル樹脂等によって形成される。
【００１３】
柱状スペーサ及びカバー部材を形成する手法は特定の手法に限定されないが、柱状スペーサとカバー部材とを異なる高さに形成することを考慮すれば、柱状スペーサとカバー部材とは、２度露光処理、ハーフトーンマスクを用いた多階調露光、あるいは面積階調マスクを用いた多階調露光の各技術のいずれかを用いて形成することが好ましい。
【００１４】
２度露光処理とは、マスクパターンが異なる２つのマスクを１つずつ用いて２度の露光処理を行って、高さが異なる柱状スペーサとカバー部材とをスイッチング素子上に形成する処理である。また、ハーフトーンマスクを用いた多階調露光とは、ハーフトーンマスク（すなわち、完全光透過領域、部分光透過領域、及び完全遮光領域の３つの領域を１つの基板上に有する露光マスク、又は光透過領域がそれぞれ異なる３つの領域を１つの基板上に有する露光マスク）を用いた１回の露光により、高さの異なる柱状スペーサとカバー部材とを同時に形成する処理である。
【００１５】
また、面積階調マスクを用いた多階調露光とは、面積階調マスク（すなわち、露光解像限界よりも小さいパターンの集合によって透過光量が異なる複数の領域を形成して成る露光マスク）を用いた１回の露光により、高さの異なる柱状スペーサとカバー部材とを同時に形成する処理である。なお、露光解像限界は露光装置の特性によって決まる値である。
【００１６】
上記構成の第１の液晶装置によれば、柱状スペーサをスイッチング素子の上に形成した。これにより、柱状スペーサを形成したスイッチング素子は、絶縁性を備えた柱状スペーサによって、対向基板上に設けられる電極から電気的に絶縁される。また、柱状スペーサが形成されていないスイッチング素子上に、そのスイッチング素子に重なるドット状にカバー部材を形成した。これにより、カバー部材を形成したスイッチング素子は、絶縁性を備えたカバー部材によって、対向基板上に設けられる電極から電気的に絶縁される。従って、液晶パネルの面押しによって液晶パネルにたわみが生じた場合でも、スイッチング素子と対向基板上の電極とが短絡することを防止できる。
【００１７】
また、素子基板の表面からカバー部材の頂点までの高さは、素子基板の表面から柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される。従って、カバー部材は対向基板には接触せず、柱状スペーサのみが対向基板に接触して液晶層の層厚を維持する。柱状スペーサは全ての素子に対応して設けられるのではなく、一部の素子に対応して設けられるので、液晶層を保持している一対の基板には可撓性に関して適度の弾性、復元性、あるいは追従性が付与される。このため、例えばマイナス２０℃以下といった低温の状況下において、液晶パネルに衝撃が加わった場合でも低温衝撃気泡の発生を抑えることができる。
【００１８】
また、カバー部材はスイッチング素子上においてドット状に（すなわちスイッチング素子上に対応する部分のみに）形成される。これにより、画素上、つまり、表示に利用される光が通過する領域上にカバー部材が無いので、カバー部材が液晶パネルにおける表示に影響を及ぼすことがない。その結果、液晶パネルにおいて高い品質の表示を行うことができる。
【００１９】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記カバー部材は前記柱状スペーサと同じ材料を用いて形成されることが望ましい。柱状スペーサは、例えば、ポジ型の感光性樹脂材料を用いて形成される。この感光性樹脂材料は絶縁性を備えた材料であり、カバー部材を柱状スペーサと同じ樹脂材料で形成すれば、スイッチング素子を確実に絶縁することができる。また、カバー部材は、柱状スペーサと同じ材料を用いて形成することにより、製造工程を増やすことなく柱状スペーサと同時に形成できる。
【００２０】
次に、本発明に係る第２の液晶装置は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方にある素子基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記素子基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記素子基板の表面から、液晶層の対向基板側の表面までの高さよりも低く形成されることを特徴とする。
【００２１】
上記構成の第２の液晶装置によれば、カバー部材をスイッチング素子の上にドット状に形成した。これにより、カバー部材を形成したスイッチング素子は、絶縁性を備えたカバー部材によって、対向基板上に設けられる電極から電気的に絶縁される。また、前記素子基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記素子基板の表面から、液晶層の対向基板側の表面までの高さよりも低く形成される。従って、カバー部材は対向基板には接触しなくなる。これにより、液晶パネルの表示面が押される等により液晶パネルにたわみが生じた場合でも、スイッチング素子と対向基板上の電極とが短絡することを防止できる。
【００２２】
また、カバー部材はスイッチング素子上においてドット状に形成される。これにより、画素上、つまり、表示に利用される光が通過する領域上にカバー部材が無いので、液晶パネルにおける表示に影響を及ぼすことがない。その結果、液晶パネルにおいて高い品質の表示を行うことができる。
【００２３】
次に、本発明に係る第１の液晶装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、（１）基板上にスイッチング素子を形成する工程と、（２）前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する工程と、（３）第１の露光パターンを備えたマスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサに対応する潜像を形成する第１の露光を行う工程と、（４）第２の露光パターンを備えたマスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記カバー部材に対応する潜像を形成する第２の露光を行う工程と、（５）前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２４】
この方法は、いわゆる２度露光の技術を用いて、互いに高さの異なる柱状スペーサ及びカバー部材を形成する方法である。この方法によれば、例えば第１回目の露光量の少ない露光によって柱状スペーサに対応する潜像を樹脂材料層の中に形成し、引続いて行われる露光量の多い露光によってカバー部材に対応する潜像を樹脂材料層の中に形成する。そして、それらの潜像を１回の現像処理によって顕在化する。この方法によれば、柱状スペーサとカバー部材とを別々の工程によって独自に形成する場合に比べて、工程を簡略化でき、それ故、コストを低減できる。また、第１回目の露光において露光量を適宜に調節することにより、カバー部材の高さを希望に応じて任意の値に設定できる。
【００２５】
次に、本発明に係る第２の液晶装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、（１）基板上にスイッチング素子を形成する工程と、（２）前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する樹脂材料層形成工程と、（３）光透過性がそれぞれ異なる３つの領域を有する多階調マスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサと前記カバー部材に対応する潜像を形成する露光を行う工程と、（４）前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２６】
この方法は、多階調マスクとしてハーフトーンマスクを用いることにより、互いに高さの異なる柱状スペーサ及びカバー部材を１回の露光によって形成する方法である。この方法によれば、柱状スペーサとカバー部材とを別々の工程によって独自に形成する場合、及び上記の２度露光の場合に比べて、工程をさらに簡略化でき、それ故、コストをさらに低減できる。また、柱状スペーサとカバー部材が１回の露光及び１回の現像によって同時に形成されるので、基板上における柱状スペーサの位置及びカバー部材の位置を高精度に決めることができる。従って、柱状スペーサ及びカバー部材をスイッチング素子上に正確に形成できる。
【００２７】
次に、本発明に係る第３の液晶装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、（１）基板上にスイッチング素子を形成する工程と、（２）前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する樹脂材料層形成工程と、（３）完全光透過領域と、部分光透過領域と、完全遮光領域とを備えた多階調マスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサと前記カバー部材に対応する潜像を形成する露光を行う工程と、（４）前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００２８】
本発明で使用できるハーフトーンマスクは光透過性がそれぞれ異なる３つの領域を有するハーフトーンマスクである。このハーフトーンマスクの１つの形態として、完全光透過領域、部分光透過領域、及び完全遮光領域の３つの領域を有するハーフトーンマスクが考えられる。
【００２９】
次に、本発明に係る第４の液晶装置の製造方法は、液晶層を挟んで互いに対向する一対の基板と、該一対の基板のうちの一方の基板上に設けられる複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチング素子の一部の上に形成され、前記液晶層の層厚を一定に保持し、絶縁性を備えた柱状スペーサと、該柱状スペーサが形成されていない前記スイッチング素子上に形成され、該スイッチング素子にドット状に重なる絶縁性を備えたカバー部材とを有し、前記一方の基板の表面から前記カバー部材の頂点までの高さは、前記一方の基板の表面から前記柱状スペーサの頂点までの高さよりも低く形成される液晶装置を製造するための製造方法であって、（１）基板上にスイッチング素子を形成する工程と、（２）前記スイッチング素子を覆うように前記基板上に感光性の樹脂材料層を形成する樹脂材料層形成工程と、（３）露光解像度の限界よりも小さい露光パターンを備えた多階調マスクを用いて、前記感光性樹脂材料層に対して前記柱状スペーサと前記カバー部材に対応する潜像を形成する露光を行う工程と、（４）前記感光性樹脂材料層を現像して前記柱状スペーサと前記カバー部材とを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００３０】
この方法は、多階調マスクとして面積階調マスクを用いることにより、互いに高さの異なる柱状スペーサ及びカバー部材を１回の露光によって形成する方法である。この方法によれば、柱状スペーサとカバー部材とを別々の工程によって独自に形成する場合、及び上記の２度露光の場合に比べて、工程をさらに簡略化でき、それ故、コストをさらに低減できる。また、柱状スペーサとカバー部材が１回の露光及び１回の現像によって同時に形成されるので、基板上における柱状スペーサの位置及びカバー部材の位置を高精度に決めることができる。従って、柱状スペーサ及びカバー部材をスイッチング素子上に正確に形成できる。
【００３１】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶装置によれば、柱状スペーサ又はカバー部材をスイッチング素子の上に形成したことにより、スイッチング素子と対向基板上の電極とが短絡することを防止できるので、表示に障害が発生することを防止できる。従って、この液晶装置を用いた本発明の電子機器においても、表示に障害が発生することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
（液晶装置の実施形態）
以下、本発明を電気光学装置の一例である液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００３３】
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。また、図２は、図１のＢ−Ｂ線に従った断面構造を示している。また、図３は、図２における１つの表示ドット近傍を拡大して示している。ここに挙げられた液晶表示装置は、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。
【００３４】
図１において、本実施形態の液晶装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３と、液晶パネル２に接続された配線基板としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４とを有する。この液晶装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は、観察側から見て液晶パネル２の背面側に配設されてバックライトとして機能する。照明装置３は、液晶パネル２の観察側に配設してフロントライトとして機能させても良い。
【００３５】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）６と、導光体７とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体７は、例えば、透光性を有する樹脂を材料として形成され、ＬＥＤ６に対向する側面が光入射面７ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面７ｂである。矢印Ａが描かれた観察側から見て導光体７の背面側には、必要に応じて、光反射層８が設けられる。また、導光体７の光出射面７ｂには、必要に応じて、光拡散層９が設けられる。
【００３６】
液晶パネル２は、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２とをシール材１３で貼り合わせることによって形成される。シール材１３は、矢印Ａ方向から見て正方形又は長方形、すなわち方形の環状に形成されている。シール材１３の一部には液晶注入口１３ａが設けられ、この液晶注入口１３ａを介して液晶が液晶パネル２の内部へ注入され、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２の間に形成されたセルギャップＧ（図３参照）内に液晶層１４が形成される。液晶注入口１３ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。
【００３７】
図２において、素子基板１１は第１の透光性の基板１１ａを有する。この第１透光性基板１１ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されており、その１辺がカラーフィルタ基板１２の外側へ張り出して張出し部１６を形成している。
【００３８】
第１透光性基板１１ａの外側表面には偏光板１５ａが、例えば、貼着等によって装着される。必要に応じて、偏光板１５ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板１１ａの内側表面には、図３に示すように、ライン配線１８が形成される。このライン配線１８は図３の左右方向に延びている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子としての複数のＴＦＤ素子１９がそのライン配線１８に接続して形成される。そしてさらに、それらのＴＦＤ素子１９に接続するように複数の画素電極２８ａが形成される。画素電極２８ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等といった金属酸化物によって形成される。
【００３９】
各画素電極２８ａが形成された領域以外の領域には柱状スペーサとしての複数のフォトスペーサ２１が形成される。このフォトスペーサ２１は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えば、アクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。フォトスペーサ２１は、立った状態の円柱形状又は角柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。また、フォトスペーサ２１はギャップ材と呼ばれることがある。
【００４０】
また、各画素電極２８ａが形成された領域以外の領域であって、フォトスペーサ２１が形成された以外の領域にはカバー部材２２が形成される。このカバー部材２２は、例えば、フォトスペーサ２１と同じ材料、すなわち透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えば、アクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。また、カバー部材２２は、立った状態の円柱形状又は角柱形状に形成される。
【００４１】
フォトスペーサ２１、カバー部材２２、及び画素電極２８ａの上には配向膜２９ａが形成される。この配向膜２９ａは、例えばポリイミド等によって形成される。配向膜２９ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板１１の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４２】
個々のＴＦＤ素子１９は、図４に示すように、第１ＴＦＤ要素１９ａと第２ＴＦＤ要素１９ｂとが直列に接続された構造を有している。ＴＦＤ素子１９は、第１素子電極３１、絶縁膜３２、そして第２素子電極３３をその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極３１は、例えばＴａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜３２は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３３は、例えば、Ｃｒ（クロム）によって形成される。
【００４３】
第１ＴＦＤ要素１９ａの第２素子電極３３は、ライン配線１８から延びている。つまり、ライン配線１８はＣｒによって形成されている。第２ＴＦＤ要素１９ｂの第２素子電極３３はその先端に広がった端子部３３ａを有し、この端子部３３ａにおいてＴＦＤ素子１９と画素電極２８ａとが導通する。ライン配線１８から画素電極２８ａへ向けて電気信号が流れることを考えれば、その電流方向に従って、第１ＴＦＤ要素１９ａでは第２素子電極３３→絶縁層３２→第１素子電極３１の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素１９ｂでは第１素子電極３１→絶縁層３２→第２素子電極３３の順に電気信号が流れる。
【００４４】
つまり、第１ＴＦＤ要素１９ａと第２ＴＦＤ要素１９ｂとの間では電気的に逆向きの一対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて、安定した特性を得られることが知られている。なお、第１素子電極３１及びライン配線１８が第１透光性基板１１ａから剥れることを防止したり、第１透光性基板１１ａから第１素子電極３１等へ不純物が拡散しないようにする等のために、ＴＦＤ素子１９と第１透光性基板１１ａとの間及びライン配線１８と第１透光性基板１１ａとの間に下地層（図示せず）を設けることもできる。
【００４５】
図２において、素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２は、矢印Ａが描かれた観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板１２ａを有する。この第２透光性基板１２ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第２透光性基板１２ａの外側表面には、偏光板１５ｂが、例えば、貼着等によって装着される。必要に応じて、偏光板１５ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００４６】
図３において、第２透光性基板１２ａの内側表面には、樹脂層２３が形成され、その上に光反射膜２４が形成され、その上に複数の着色要素２５及びそれらを取り囲む遮光部材２６が形成され、その上にオーバーコート層２７が形成され、その上に紙面垂直方向へ直線的に延びる複数の帯状電極２８ｂが形成され、さらにその上に配向膜２９ｂが形成される。配向膜２９ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板１２の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４７】
上記の樹脂層２３の表面には凹凸形状が形成されている。このため、その樹脂層２３上に積層された光反射膜２４は同じ凹凸形状を有する。この凹凸形状により、光反射膜２４で反射する光は拡散する。この光反射膜２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。なお、樹脂層２３の表面に形成する凹凸形状を滑らかにしたい場合には、樹脂層２３を第１層及び第２層の２層構造によって形成し、第１層の表面に粗い凹凸形状を形成し、そしてその上に第２層を積層して凹凸形状を滑らかにするという方法を用いることもできる。
【００４８】
着色要素２５は、例えば、１つ１つが矢印Ａ方向から見て長方形のドット状に形成され、１つの着色要素２５は、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の３原色のいずれか１つの光を通す材料によって形成されている。これら各色の着色要素２５は、矢印Ａ方向から見てストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べられている。なお、着色要素２５は、Ｃ(シアン)、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ(イエロー)の３原色によって形成することもできる。
【００４９】
遮光部材２６は、例えばＣｒ等といった遮光性の材料によって、複数の着色要素２５の間を埋める状態に形成される。この遮光部材２６は、ブラックマスクとして機能して着色要素２５を透過した光によって表示される像のコントラストを向上させる。なお、遮光部材２６は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素２５を構成するＢ，Ｇ，Ｒの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。
【００５０】
オーバーコート層２７は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。図３の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極２８ｂは、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２９ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。
【００５１】
素子基板１１に設けられる複数の直線状のライン配線１８は、図５に示すように、個々が縦方向に延び全体としてストライプ状に設けられている。また、複数のＴＦＤ素子１９は個々のライン配線１８に適宜の間隔をおいて接続され、それらのＴＦＤ素子１９に画素電極２８ａが接続されている。
【００５２】
図３において、素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２に設けられる複数の帯状電極２８ｂは、図５に示すように、個々が横方向に延び全体としてストライプ状に形成されている。これらの帯状電極２８ｂは、図２のようにカラーフィルタ基板１２と素子基板１１とをシール材１３によって貼り合わせたとき、ライン配線１８に対して直角の方向に延び、さらに、横列を成す複数の画素電極２８ａに平面的に重なり合う。このように、帯状電極２８ｂと画素電極２８ａとが重なり合う領域が、表示の最小単位である表示ドット領域を構成する。この表示ドット領域は図２、図３及び図５において符号Ｄで示す領域である。複数の表示ドット領域Ｄが縦方向及び横方向に複数個、マトリクス状に並べられて図１の表示領域Ｖを形成し、この表示領域に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５３】
図３の光反射膜２４は、例えばフォトエッチング処理によって形成されるが、そのフォトエッチング処理の際、光反射膜２４は表示ドット領域Ｄごとに一部が部分的に除去される。このため、個々の表示ドット領域Ｄの中には、光反射膜２４が存在する領域と、光反射膜２４が存在しない領域とが設けられる。光反射膜２４が存在しない領域３８は、図５に示すように表示ドット領域Ｄのほぼ中央に長方形状の領域として形成されている。なお、光反射膜２４が存在しない領域３８は図３のカラーフィルタ基板１２に形成されるものであるので、素子基板１１を示している図５に描かれたその領域３８は仮想的なものである。
【００５４】
図３において、個々の表示ドット領域Ｄの中で光反射膜２４が存在する領域が反射部Ｒであり、光反射膜２４が存在しない領域３８が透過部Ｔである。矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌｏは、反射部Ｒで反射する。他方、符号Ｌｓで示す光、すなわち、図２の照明装置３の導光体７から出射した光Ｌｓは、透過部Ｔを透過する。
【００５５】
また、本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素２５を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素２５に対応する３つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。
【００５６】
図２において、素子基板１１を構成する第１透光性基板１１ａの張出し部１６のうち、矢印Ａで示す観察側と反対側の表面には、配線３５がフォトエッチング処理等によって形成されている。配線３５は複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。図１に示したＦＰＣ基板４には図示しない配線が複数形成され、これらの配線は、図２の外部接続用端子３６に導電接続する。
【００５７】
複数の配線３５の一部はライン配線１８となって第１透光性基板１１ａの表面上を延びている。また、複数の配線３５の残りの一部はシール材１３の中にランダム（すなわち、無秩序）に含まれる導通材３７を介してカラーフィルタ基板１２上に設けられた帯状電極２８ｂに導電接続されている。導通材３７は、図２では模式的に大きく描かれているが、実際にはシール材１３の断面の幅よりも小さいものであり、通常、シール材１３の１つの断面内に複数の導通材３７が含まれる。
【００５８】
張出し部１６の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）３８を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ３９が実装されている。駆動用ＩＣ３９は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ３９は、図２のライン配線１８へデータ信号又は走査信号の一方を伝送する。他方、図１において両側の駆動用ＩＣ３９，３９は、カラーフィルタ基板１２上に形成された帯状電極２８ｂへデータ信号又は走査信号の他方を伝送する。
【００５９】
以上のように構成された液晶装置１によれば、図２において、液晶装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６０】
上記の反射型表示を行う場合、図３において、観察側である矢印Ａの方向から素子基板１１を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌｏは、液晶層１４を通過してカラーフィルタ基板１２内へ入った後、反射部Ｒにおいて光反射膜２４で反射して再び液晶層１４へ供給される。他方、透過型表示を行う場合、図２の照明装置３のＬＥＤ６が点灯し、それからの光が導光体７の光入射面７ａから導光体７へ導入され、さらに、光出射面７ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図３の符号Ｌｓで示すように光反射膜２４が存在しない領域３８、すなわち透過部Ｔを通って液晶層１４へ供給される。
【００６１】
以上のようにして液晶層１４へ光が供給される間、素子基板１１側の画素電極２８ａとカラーフィルタ基板１２側の帯状電極２８ｂとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１４内の液晶分子の配向が表示用ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１４に供給された光が表示用ドット領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、素子基板１１側の偏光板１５ａ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１５ａの偏光特性に従って表示用ドット領域Ｄごとに通過を許容または通過を阻止され、これにより、素子基板１１の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６２】
以下、本実施形態におけるフォトスペーサ２１の構造について詳しく説明する。図６（ａ）は、図５の一部を拡大して示している。また、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＣ−Ｃ線に従った断面を示している。図６（ｂ）に示すように、フォトスペーサ２１は、画素電極２８ａが形成された領域以外の領域であるＴＦＤ素子１９の直上に形成される。このフォトスペーサ２１は、図６（ａ）において、破線で示すＴＦＤ素子１９を覆うように形成されている。このフォトスペーサ２１は、全てのＴＦＤ素子１９の上に形成する必要は無い。フォトスペーサ２１の数、すなわち、図１の表示領域Ｖに対するフォトスペーサ２１の分布密度は、セルギャップＧ（図３参照）を一定に保持する上で十分な面積を確保できる分布密度に設定される。
【００６３】
図６（ｂ）において、カバー部材２２は、フォトスペーサ２１が設けられていないＴＦＤ素子１９の上に形成される。このカバー部材２２は、例えば、フォトスペーサ２１と同じ材料、すなわち透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えば、アクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成する。このカバー部材２２もフォトスペーサ２１と同じく、図６（ａ）において、破線で示すＴＦＤ素子１９を覆うように形成されている。本実施形態では、カバー部材２２をフォトスペーサ２１と同じく円柱形状又は角柱形状に形成している。しかしながら、カバー部材２２の形状はこれに限定されず、平面的に見てドット形状、つまりＴＦＤ素子１９のみを覆う島状の形状であれば良い。
【００６４】
図６（ｂ）に示すように、フォトスペーサ２１とカバー部材２２とは異なる高さに形成される。具体的には、第１透光性基板１１ａの表面からフォトスペーサ２１の頂点までの高さをＨ１、第１透光性基板１１ａの表面からカバー部材２２の頂点までの高さをＨ２とすると、Ｈ１＞Ｈ２になるように形成される。より具体的には、カバー部材２２の高さＨ２をフォトスペーサ２１の高さＨ１に対して９０％以下、望ましくは、３０％〜７０％に形成する。
【００６５】
ところで、図２に示した構成の液晶装置１において、表示領域Ｖに対するフォトスペーサ２１の分布密度が低い場合（すなわち、隣り合うフォトスペーサ２１の間隔が広い場合）、液晶パネル２が面押しされることによって撓みが生じたときには、素子基板１１に設けられたＴＦＤ素子１９と、素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２に設けられた帯状電極２８ｂとが接触して短絡するおそれがあった。このようにＴＦＤ素子１９と帯状電極２８ｂとが短絡した場合には、ＴＦＤ素子１９の絶縁層３２が破壊されてＴＦＤ素子１９が駆動しなくなるおそれがあった。
【００６６】
このことに関し、本実施形態では、図６に示すように、柱状のフォトスペーサ２１をＴＦＤ素子１９上にそのＴＦＤ１９を覆うように形成した。これにより、フォトスペーサ２１を形成したＴＦＤ素子１９は、絶縁性を備えたフォトスペーサ２１によって、カラーフィルタ基板１２に設けられた帯状電極２８ｂから電気的に絶縁される。また同じく、カバー部材２２を形成したＴＦＤ素子１９は、絶縁性を備えたカバー部材２２によって、カラーフィルタ基板１２上に設けられた帯状電極２８ｂから電気的に絶縁される。従って、液晶パネル２の表示面が押される、つまり面押しされる等により液晶パネル２にたわみが生じた場合でも、ＴＦＤ素子１９とカラーフィルタ基板１２上の帯状電極２８ｂとが短絡することを防止できる。
【００６７】
また、図２に示した構成の液晶装置１において、表示領域Ｖに対するフォトスペーサ２１の分布密度が高い場合（すなわち、隣り合うフォトスペーサ２１の間隔が狭い場合）、低温（例えばマイナス２０℃以下）の状況下で使用するときには、例えば、液晶パネル２に衝撃が加わったとき、液晶層１４の内部に気泡、いわゆる低温衝撃気泡が発生するおそれがあった。このように気泡が発生すると、その気泡の部分において表示が行われない等といった障害が発生する可能性があった。
【００６８】
このことに関して、本実施形態の液晶装置１は、カバー部材２２をフォトスペーサ２１より低い高さに形成した。具体的には、フォトスペーサ２１の高さの９０％以下、望ましくは、３０％〜７０％の高さに形成した。こうすれば、カバー部材２２はカラーフィルタ基板１２には接触せず、フォトスペーサ２１のみがカラーフィルタ基板１２に接触する。これにより、基板１１，１２の撓みに関して適度の弾性、復元性、又は追従性を付与でき、その結果、例えばマイナス２０℃以下といった低温の状況下において、液晶パネルに衝撃が加わった際に発生する気泡、すなわち低温衝撃気泡の発生を抑えることができる。
【００６９】
また、カバー部材２２はＴＦＤ素子１９上においてドット状、すなわち島状、すなわち連続しない形状に形成される。これにより、表示に利用される光が通過する領域内、すなわち図５の画素電極２８ａが設けられた領域にカバー部材２２が存在しないので、液晶パネル２における表示に影響を及ぼすことがない。その結果、液晶パネル２において高い品質の表示を行うことができる。
【００７０】
（変形例）
図２に示した液晶装置１は、液晶層１４のセルギャップＧを一定に保持するために、ＴＦＤ素子１９上に柱状のフォトスペーサ２１を形成した構造を有している。本発明は、フォトスペーサ２１に代えて球形状のスペーサ材を液晶層に分散させた構造の液晶装置にも適用できる。この場合には、全てのＴＦＤ素子上にカバー部材を設けることにより実現できる。
【００７１】
（液晶装置の製造方法の第１実施形態）
次に、以上に説明した液晶装置１を製造するための製造方法の一実施形態を図７に示す工程図を参照して説明する。図７の工程Ｐ１〜工程Ｐ６に至る工程は図１の素子基板１１を形成する工程である。また、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１７に至る工程は図１のカラーフィルタ基板１２を形成する工程である。また、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２８に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶装置１を形成する工程である。
【００７２】
なお、本実施形態の製造方法では、図１に示す素子基１１及びカラーフィルタ基板１２を１つずつ形成するのではなく、素子基板１１に関しては、複数の素子基板１１を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー基板を用いて複数の素子基板１１を同時に形成する。また、カラーフィルタ基板１２に関しては、複数のカラーフィルタ基板１２を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー基板を用いて複数のカラーフィルタ基板１２を同時に形成する。素子側マザー基板及びカラーフィルタ側マザー基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００７３】
まず、図７の工程Ｐ１において、素子側マザー基板の表面に非線形抵抗素子である図４のＴＦＤ素子１９及びライン配線１８を、図９（ａ）に示すように基板１１ａ上に同時に形成する。具体的には、第１素子電極３１を例えばＴａＷによって形成し、絶縁膜３２を陽極酸化処理によって形成する。また、ライン配線１８、第２素子電極３３、及び端子部３３ａを例えばＣｒによって形成する。
【００７４】
次に、図７の工程Ｐ２において、図３の画素電極２８ａをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理（すなわち、フォトリソグラフィ処理及びフォトエッチング処理）によって図９（ａ）に示すように形成する。次に、工程Ｐ３において、図６のフォトスペーサ２１及びカバー部材２２を図９（ｃ）に示すようにＴＦＤ素子１９上に形成する。この詳細は後述する。なお、図７のフォトスペーサ及びカバー部材を形成する工程は、後述する工程Ｐ５のラビング処理を行った後に実施することもできる。この場合には、図３のフォトスペーサ２１及びカバー部材２２は配向膜２９ａの上に形成される。
【００７５】
次に、工程Ｐ４において、図３の配向膜２９ａを、例えばポリイミドを印刷することによって形成し、さらに工程Ｐ５において、その配向膜２９ａに配向処理、例えばラビング処理を施す。次に、工程Ｐ６において、例えばエポキシ系の樹脂を材料として印刷等によって図１のシール材１３を形成する。以上により、素子側マザー基板の上に素子基板１１の複数個分の要素が形成されて素子側マザー基板が形成される。
【００７６】
次に、図７の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー基板の表面上に図３の樹脂層２３を、表面に凹凸パターンを持つように、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、図７の工程Ｐ１２において、図３の光反射膜２４を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに光反射膜２４が存在しない領域３８が形成され、これにより、光反射部Ｒと透光部Ｔが形成される。樹脂層２３の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された光反射膜２４にも同様の凹凸パターンが形成される。この凹凸パターンを有する反射層２４に光が当って反射する場合には、その反射光は散乱光となる。
【００７７】
次に、工程Ｐ１３において、図３の着色要素２５を形成し、同時に各色の着色要素２５を重ねることによって遮光部、すなわちブラックマスク（ＢＭ）２６を形成する。遮光部２６は、例えば、個々の表示ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターンに形成される。着色要素２５については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１４において、図３のオーバーコート層２７を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００７８】
次に、図７の工程Ｐ１５において、図３の帯状電極２８ｂをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１６において図３の配向膜２９ｂを形成し、さらに工程Ｐ１７において配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー基板の上にカラーフィルタ基板１２の複数個分の要素が形成されてカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００７９】
その後、図７の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが、個々の液晶表示装置の領域において図１のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００８０】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、工程Ｐ２２において熱硬化又は紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口１３ａが形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、その開口１３ａが外部に露出する。
【００８１】
次に、図７の工程Ｐ２４において、上記のシール材の開口１３ａを通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口１３ａを樹脂によって封止する。次に、工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００８２】
次に、図７の工程Ｐ２６において、図１の張出し部１６の表面に駆動用ＩＣ３９を実装する。次に、工程Ｐ２７において、図１の液晶パネル２に偏光板１５ａ及び１５ｂを装着し、さらに工程Ｐ２８において、図１の照明装置３を液晶パネル２に取り付ける。これにより、液晶装置１が完成する。
【００８３】
以下、図７の工程Ｐ３のフォトスペーサ／カバー部材形成工程について、図８を参照して詳細に説明する。まず、工程Ｐ３１において、図９（ａ）に示すように、第１透光性基板１１ａの上にＴＦＤ素子１９を覆うように、フォトスペーサ及びカバー部材の材料、例えばポジ型の感光性樹脂をスパッタ処理等によって一様な厚さで塗布し、材料層３４を形成する。
【００８４】
次に、図８の工程Ｐ３２において露光処理を実行する。具体的には、図９（ｂ）に示すように、第１透光性基板１１ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、ハーフトーン型の多階調露光マスク４１を素子基板１１ａに対向する所定位置に設置する。ハーフトーン型多階調露光マスク４１は、完全光透過領域Ａ０、部分光透過領域Ａ１、及び完全遮光領域Ａ２を有するハーフトーンマスクである。
【００８５】
部分光透過領域Ａ１は、ガラス等といった透光性材料によって形成された基板４２上に部分光透過パターン４３を設けることによって形成されている。この部分光透過パターン４３は、光を減衰して透過させる材料を基板４２上に塗布した後、その材料を光描画によって所定パターンに形成したものである。光を減衰して透過させる材料としては、例えば、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ又はＭｏＳｉ２）を用いることができる。この部分光透過領域Ａ１は、露光光Ｌ２の全光量のうちの何割かを透過する。
【００８６】
完全遮光領域Ａ２は、部分光透過パターン４３上に遮光パターン４４を設けることによって形成されている。この遮光パターン４４は、光を完全に透過させない材料を基板４２上又は部分光透過パターン４３上に塗布した後、その材料を光描写によって所定パターンに形成したものである。光を完全に透過させない材料としては、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯｘ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムを用いることができる。この完全遮光領域Ａ２は、露光光Ｌ２を完全に遮光する。
【００８７】
完全光透過領域Ａ０は、基板４２の上に何も形成されていない領域である。この領域では、露光光Ｌ２が、基板４２によって減衰するだけで、ほぼ１００％の光量を維持した状態で基板４２を透過する。
【００８８】
以上の構成を有するハーフトーン型多階調マスク４１を通して材料層３４へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す潜像がその材料層３４の中に形成される。この潜像は、後の工程で行われる現像処理によって顕在化する像のことである。この潜像のうち完全遮光領域Ａ２に対応する部分は露光光Ｌ２を受けないので、この部分は材料層３４が、略、そのままの高さで残る部分である。また、潜像のうち部分光透過領域Ａ１に対応する部分は露光光Ｌ２のうちの一部光量を受けることにより、完全遮光領域Ａ２に対応する部分よりも低い潜像が形成される部分である。また、潜像のうち完全光透過領域Ａ０に対応する部分は露光光Ｌ２が十分に照射されて材料層３４が無くなる部分である。
【００８９】
露光処理によって以上のような潜像が形成された後、図８の工程Ｐ３３において現像処理が行われる。具体的には、図９（ｂ）のように潜像を有するに至った材料層３４が現像液に浸されて、露光によって光分解した部分が除去されて、図９（ｃ）に示すように潜像が顕在化する。この顕在化した像は、フォトスペーサ２１及びカバー部材２２を有している。フォトスペーサ２１は図９（ｂ）において完全遮光領域Ａ２に対応する部分の材料層３４によって形成される。また、カバー部材２２は図９（ｂ）において部分光透過領域Ａ１に対応する部分の材料層３４によって形成される。その他の部分の材料層３４は、図９（ｂ）において完全光透過領域Ａ０に対応する部分であって全て除去されている。次に、図８の工程Ｐ３４において、現像処理により顕在化した材料層３４を焼成する。これにより、フォトスペーサ２１及びカバー部材２２が形成される。
【００９０】
以上のように、本実施形態によれば、フォトスペーサ２１とカバー部材２２とを別々の工程によって独自に形成する場合、及び上記の２度露光の場合に比べて、工程をさらに簡略化でき、それ故、コストをさらに低減できる。また、フォトスペーサ２１とカバー部材２２が１回の露光及び１回の現像によって同時に形成されるので、素子基板１１上におけるフォトスペーサ２１の位置及びカバー部材２２の位置を高精度に決めることができる。従って、フォトスペーサ２１及びカバー部材２２をＴＦＤ素子１９上に正確に形成できる。
【００９１】
（変形例）
以上に説明した液晶装置の製造方法の第１実施形態では、図９（ｂ）のハーフトーン型多階調マスク４１は、完全光透過領域Ａ０、部分光透過領域Ａ１、及び完全遮光領域Ａ２の３つの領域を有している。しかしながら、ハーフトーン型多階調マスク４１は、必ずしも完全光透過領域Ａ０及び完全遮光領域Ａ２を有していなくても良い。例えば、ハーフトーン型多階調マスク４１の３つの領域が、それぞれ異なる光透過性を有していれば、露光量や材料層３４の感光性を調整することにより、フォトスペーサ２１とカバー部材２２を形成できる。
【００９２】
（液晶装置の製造方法の第２実施形態）
図１０は、本発明に係る液晶装置の製造方法の他の実施形態の要部工程を示している。この実施形態の全体的な工程は図７に示した先の実施形態の場合と同じとすることができる。図１０（ａ）は、図７のフォトスペーサ／カバー部材形成工程Ｐ３のうち、図８の材料層形成工程Ｐ３１を実行した後の状態を示している。また、図１０（ｂ）は、図８の露光工程Ｐ３２を実行した後の状態を示している。
【００９３】
先の実施形態では、図９（ｂ）に示したように、ハーフトーン型多階調露光マスク４１を用いて図８の露光工程Ｐ３２を実行した。これに代えて本実施形態では、図１０（ｂ）に示すように面積階調型の多階調露光マスク５１を用いて図８の露光工程Ｐ３２を実行する。ここで用いる面積階調型多階調露光マスク５１は、露光装置の特性である露光解像限界よりも小さい遮光パターンの集合によって透過光量が異なる複数の領域を形成して成る面積階調マスクである。例えば、露光装置の解像限界が３μｍである場合に、直径が１μｍの複数の遮光パターンを１μｍの間隔で集合させて遮光領域を形成するような態様が考えられる。
【００９４】
露光解像限界よりも小さい遮光パターンは、例えば、Ｃｒによって形成できる。図１０（ｂ）では、複数のパターンの集合の密度を高くして完全遮光領域Ａ２を形成し、複数パターンの集合の密度を低くして部分光透過領域Ａ１を形成し、パターンを形成しないことによって完全光透過領域Ａ０を形成している。
【００９５】
以上の構成を有する面積階調型多階調マスク５１を通して材料層３４へ一定光量の露光光Ｌ２を照射すると、鎖線で示す潜像がその材料層３４の中に形成される。この潜像のうち完全遮光領域Ａ２に対応する部分は露光光Ｌ２を受けないので、この部分は略材料層３４がそのままの高さで残る部分である。また、潜像のうち部分光透過領域Ａ１に対応する部分は露光光Ｌ２のうちの一部光量を受けることにより、完全遮光領域Ａ２に対応する部分よりも低い潜像が形成される部分である。また、潜像のうち完全光透過領域Ａ０に対応する部分は露光光Ｌ２が十分に照射されて材料層３４が無くなる部分である。
【００９６】
露光処理によって以上のような潜像が形成された後、図８の工程Ｐ３３において現像処理を行うことにより、露光によって光分解した部分が除去されて、図１０（ｃ）に示すように潜像が顕在化する。この顕在化した像は、フォトスペーサ２１及びカバー部材２２を有している。フォトスペーサ２１は図１０（ｃ）において完全遮光領域Ａ２に対応する部分の材料層３４によって形成される。また、カバー部材２２は図１０（ｃ）において部分光透過領域Ａ１に対応する部分の材料層３４によって形成される。その他の部分の材料層３４は、図１０（ｃ）において完全光透過領域Ａ０に対応する部分であって全て除去されている。次に、図８の工程Ｐ３４において、現像処理により顕在化した材料層３４を焼成する。これにより、フォトスペーサ２１及びカバー部材２２が形成される。
【００９７】
以上のように、本実施形態によれば、フォトスペーサ２１とカバー部材２２とを別々の工程によって独自に形成する場合、及び上記の２度露光の場合に比べて、工程をさらに簡略化でき、それ故、コストをさらに低減できる。また、フォトスペーサ２１とカバー部材２２が１回の露光及び１回の現像によって同時に形成されるので、素子基板１１上におけるフォトスペーサ２１の位置及びカバー部材２２の位置を高精度に決めることができる。従って、フォトスペーサ２１及びカバー部材２２をＴＦＤ素子１９上に正確に形成できる。
【００９８】
（液晶装置の製造方法の第３実施形態）
図１２は、本発明に係る液晶装置の製造方法のさらに他の実施形態の要部工程を示している。この実施形態の全体的な工程は図７に示した先の実施形態の場合と同じとすることができる。図１２に示す工程は、先の実施形態において図９及び図１０で示した工程に代えて行われる。既に説明した先の実施形態では、ハーフトーン型多階調露光マスク４１（図９（ｂ）参照）や、面積階調型多階調露光マスク５１（図１０（ｂ）参照）を用いて図８の露光工程Ｐ３２を実行した。これに代えて本実施形態では、２つの露光マスクを用いて２回の露光工程を実行すると共に、１回の現像工程によってフォトスペーサとカバー部材とを同時に顕在化する。
【００９９】
以下、本実施形態における図７の工程Ｐ３のフォトスペーサ／カバー部材形成工程について、図１１を参照して詳細に説明する。まず、図７の工程Ｐ１及び工程Ｐ２において、図１２（ａ）に示すように第１透光性基板１１ａの上にＴＦＤ素子１９、ライン配線１８、及び画素電極２８ａを形成する。次に、図１１の工程Ｐ４１において、図１２（ａ）に示すように、第１透光性基板１１ａ（大面積状態のもの）の上にＴＦＤ素子１９を覆うように、フォトスペーサ及びカバー部材の材料、例えばポジ型の感光性樹脂をスパッタ処理等によって一様な厚さで塗布し、材料層３４を形成する。
【０１００】
次に、図１１の工程Ｐ４２において第１の露光処理を実行する。具体的には、図１２（ｂ）に示すように、基板１１ａを露光装置の所定位置に設置し、さらに第１露光マスク６１ａを基板１１ａに対向する所定位置に設置して第１の露光処理を実行する。第１露光マスク６１ａは、透光性の基板６２上に所定の遮光パターン６３を設けることによって形成されている。遮光パターン６３は、例えばＣｒを用いて図６（ｂ）のフォトスペーサ２１に対応する領域に形成される。
【０１０１】
この第１の露光処理において、第１露光マスク６１ａを通して第１の露光光Ｌ３を材料層３４へ照射する。第１露光光Ｌ３の光量は材料層３４の高さ方向の全部を光分解しない程度の比較的小さい光量に設定されている。この第１露光光Ｌ３を用いた露光により、遮光パターン６３以外の領域でマスク６１ａを透過した露光光Ｌ３によって材料層３４が光分解され、これにより、材料層３４の中に図６（ｂ）のフォトスペーサ２１の高さに対応した潜像が形成され、それ以外の領域にはフォトスペーサ２１の高さより低い潜像が形成される。
【０１０２】
次に、図１１の工程Ｐ４３において第２の露光処理を実行する。具体的には、図１２（ｃ）に示すように第１露光マスク６１ａに代えて第２露光マスク６１ｂを基板１１ａに対向する位置に設置して第２の露光を行う。第２露光マスク６１ｂは、透光性の基板６４上に所定の遮光パターン６５を設けることによって形成されている。遮光パターン６５は、例えばＣｒを用いて図６（ｂ）のカバー部材２２に対応する領域に形成される。この第２の露光処理において、第２露光マスク６１ｂを通して第２の露光光Ｌ４を材料層３４へ照射する。第２露光光Ｌ４の光量は材料層３４を高さ方向の全域で光分解するのに十分な大きな光量に設定されている。この第２露光光Ｌ４を用いた露光により、遮光パターン６５が設けられていない部分に対応する材料層３４の中に図６（ｂ）のカバー部材２２に対応した潜像が形成される。
【０１０３】
以上により図１１の第２露光工程Ｐ４３が終了し、次に、現像工程Ｐ４４において図１２（ｃ）の基板１１ａを所定の現像液に浸して現像処理を実行することにより、材料層３４内の潜像を図１２（ｄ）に示すように顕在化する。次に、図１１の工程Ｐ４５において、現像処理により顕在化した材料層３４を焼成する。これにより、フォトスペーサ２１及びカバー部材２２が形成される。
【０１０４】
以上のように、本実施形態によれば、フォトスペーサ２１とカバー部材２２とを別々の工程によって独自に形成する場合に比べて、工程を簡略化でき、それ故、コストを低減できる。また、第１回目の露光において露光量を適宜に調節することにより、カバー部材２２の高さを希望に応じて任意の値に設定できる。
【０１０５】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１０６】
例えば、以上の実施形態は図１に示す構造の液晶装置に本発明を適用したものであるが、本発明は図１の構造以外の液晶装置にも適用できる。また、以上の実施形態は、反射光を利用した表示と透過光を利用した表示の両方を選択的に実行できる半透過反射型の液晶装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、反射光を利用して表示を行う反射型液晶装置や、透過光を利用して表示を行う透過型液晶装置にも適用できる。
【０１０７】
また、以上の実施形態は、スイッチング素子として非線形抵抗素子であるＴＦＤ素子を用いた液晶装置に本発明を適用したものであるが、本発明は、スイッチング素子としてＴＦＴ素子を用いた液晶装置にも適用できる。一般にＴＦＴ素子はその素子上にパッシベーション膜（層間絶縁膜）が配置されるものである。しかしながら、ＴＦＴ素子、特にアモルファスＴＦＴ素子に本発明を用いれば、ＴＦＴ素子上のパッシベーション膜を用いなくても短絡によるＴＦＴ素子の破壊を防ぐことができるようになる。
【０１０８】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１０９】
図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態をブロック図で示している。ここに示す電子機器は、液晶装置７１と、これを制御する制御回路７０とを有する。制御回路７０は、表示情報出力源７４、表示情報処理回路７５、電源回路７６及びタイミングジェネレータ７７によって構成される。そして、液晶装置７１は液晶パネル７２及び駆動回路７３を有する。
【０１１０】
表示情報出力源７４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７５に供給する。
【０１１１】
次に、表示情報処理回路７５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７３へ供給する。ここで、駆動回路７３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１１２】
液晶装置７１は、例えば、図２に示す液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、フォトスペーサ２１又はカバー部材２２をＴＦＤ素子１９の上に形成したことにより、ＴＦＤ素子１９とカラーフィルタ基板１２上の帯状電極２８ｂとが短絡することを防止できるので、液晶装置１の表示に障害が発生することを防止できる。従って、この液晶装置１を用いた本発明の電子機器においても、表示に障害が発生することを防止できる。
【０１１３】
図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機８０は、本体部８１と、これに開閉可能に設けられた表示体部８２とを有する。液晶装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置８３は、表示体部８２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部８２において表示画面８４によって視認できる。本体部８１には操作ボタン８５が配列されている。
【０１１４】
表示体部８２の一端部にはアンテナ８６が伸縮自在に取付けられている。表示体部８２の上部に設けられた受話部８７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部８１の下端部に設けられた送話部８８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置８３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部８１又は表示体部８２の内部に格納される。
【０１１５】
表示装置８３は、例えば、例えば、図２に示す液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、フォトスペーサ２１又はカバー部材２２をＴＦＤ素子１９の上に形成したことにより、ＴＦＤ素子１９とカラーフィルタ基板１２上の帯状電極２８ｂとが短絡することを防止できるので、液晶装置１の表示に障害が発生することを防止できる。従って、この液晶装置１を用いた本発明の電子機器においても、表示に障害が発生することを防止できる。
【０１１６】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線に従った断面図である。
【図３】図２の断面図の主要部を拡大して示す断面図である。
【図４】図３のＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
【図５】図３の矢印Ａに従って液晶表示装置の画素構成を示す平面図である。
【図６】図５の表示ドット領域及びその近傍を拡大して示す図であって、（ａ）は平面図を示し、（ｂ）はＣ−Ｃ線に従った断面図を示している。
【図７】本発明に係る液晶装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図８】図７の工程図のうちの主要工程の一実施形態を示す工程図である。
【図９】図８の工程図に対応した液晶装置の内部構成の変化の様子を示す図である。
【図１０】本発明に係る液晶装置の製造方法の他の実施形態を実施した際の液晶装置の内部構成の変化の様子を示す図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置の製造方法のさらに他の実施形態のうちの主要工程を示す工程図である。
【図１２】図１１の工程図に対応した液晶装置の内部構成の変化の様子を示す図である。
【図１３】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１４】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１．液晶装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ４．ＦＰＣ基板、  ６．ＬＥＤ、
７．導光体、  ７ａ．光入射面、  ７ｂ．光出射面、  ８．光反射層、  ９．光拡散層、
１１．素子基板、  １１ａ．第１透光性基板、  １２．カラーフィルタ基板、
１２ａ．第２透光性基板、  １３．シール材、  １３ａ．液晶注入口、  １４．液晶層、
１５ａ，１５ｂ．偏光板、  １６．張出し部、  １８．ライン配線、  
１９．ＴＦＤ素子（非線形抵抗素子）、  １９ａ．第１ＴＦＤ要素、  
１９ｂ．第２ＴＦＤ要素、  ２１．フォトスペーサ（柱状スペーサ）、
２２．カバー部材、  ２３．樹脂層、  ２４．光反射層、  ２５．着色要素、  
２６．遮光部材、  ２７．オーバーコート層、  ２８ａ．画素電極、  
２８ｂ．帯状電極、  ２９ａ，２９ｂ．配向膜、  ３１．第１素子電極、  
３２．絶縁膜、  ３３．第２素子電極、  ３４．材料層、  ３５．配線、  
３６．外部接続用端子、  ３７．導通材、  ３８．ＡＣＦ、  ３９．駆動用ＩＣ、
４１．ハーフトーンマスク（多階調マスク）、  ４２，６２，６４．透光性基板、  
４３．部分光透過パターン、  ４４，６３，６５．遮光パターン、  
５１．面積階調マスク（多階調マスク）、６１ａ．第１露光マスク、
６１ｂ．第２露光マスク、  ７１．液晶装置、  ８０．携帯電話機（電子機器）、
Ａ０．完全光透過領域、  Ａ１．部分光透過領域、  Ａ２．完全遮光領域、  
Ｄ．表示ドット領域、  Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０．外部光、  Ｌ１．透過光、  
Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４．露光光、  Ｒ．反射部、  Ｔ．透過部、  Ｖ．表示領域
【図１】
2006251597.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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