(57)【要約】【課題】  基板に照射する紫外線の照度を調整可能にして表面処理性能を向上した表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】  紫外線照射装置１０に、酸素ガスの流量を制御可能に供給する酸素流量制御弁１６を設け、基板ステージ１８に紫外線Ｌｕｖの照度を検出するための紫外線受光部２１を配設した。そして、紫外線照射処理を施すときに、紫外線受光部２１からの検出信号に基づいて実照度を検出し、検出した実照度に基づいて、その実照度を設定処理照度にするための酸素ガスの流量を算出するようにした。そして、紫外線Ｌｕｖをガラス基板２に照射する間、酸素ガスの供給量の制御によって、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を設定処理照度にするようにした。【選択図】      図２
2006185938.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出射源から出射した紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理するようにした表面処理方法において、
前記出射源と前記被照射面との間に紫外線を吸収する紫外線吸収媒体を供給し、前記紫外線吸収媒体の供給量を制御することによって、前記被照射面に照射する紫外線の実照度を、予め設定した所定の照度にするようにしたことを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載する表面処理方法において、
前記紫外線吸収媒体は酸素であることを特徴とする表面処理方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載する表面処理方法において、
前記出射源と前記被照射面との間に供給する前記紫外線吸収媒体の流量を制御することによって、前記被照射面に照射する紫外線の実照度を、予め設定した所定の照度にするようにしたことを特徴とする表面処理方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載する表面処理方法において、
前記紫外線吸収媒体に、紫外線を透過する紫外線透過媒体を混和して供給するようにしたことを特徴とする表面処理方法。
【請求項５】
請求項４に記載する表面処理方法において、
前記紫外線透過媒体と前記紫外線吸収媒体の総流量を維持して、前記紫外線吸収媒体の供給量を制御するようにしたことを特徴とする表面処理方法。
【請求項６】
出射源から出射される紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理する表面処理装置において、
被照射面に照射する紫外線の実照度を検出する照度検出手段と、
前記出射源と前記被照射面との間に紫外線吸収媒体を調整可能に供給する供給手段と、
前記照度検出手段の検出する前記実照度に基づいて、前記実照度を予め設定した所定の照度にする前記紫外線吸収媒体の供給量を決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した前記紫外線吸収媒体の供給量に基づいて前記供給手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載する表面処理装置において、
前記紫外線吸収媒体は酸素であることを特徴とする表面処理装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載する表面処理装置において、
前記供給手段は、前記紫外線吸収媒体の流量を制御して供給することを特徴とする表面処理装置。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれか１つに記載する表面処理装置において、
前記供給手段は、前記紫外線吸収媒体に、紫外線を透過する紫外線透過媒体を混和して供給することを特徴とする表面処理装置。
【請求項１０】
請求項９に記載する表面処理装置において、
前記制御手段は、前記紫外線透過媒体と前記紫外線吸収媒体の総流量を維持するように前記供給手段を制御することを特徴とする表面処理装置。
【請求項１１】
基板の一側面上に発光素子を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、
前記発光素子を形成するときに、前記一側面を、請求項１〜５のいずれか１つに記載す
る表面処理方法によって表面処理するようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載する電気光学装置の製造方法によって、前記基板の一側面上に発光素子を形成した電気光学装置。
【請求項１３】
基板の一側面上に半導体素子を形成するようにした半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子を形成するときに、前記一側面を、請求項１〜５のいずれか１つに記載する表面処理方法によって表面処理するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載する半導体装置の製造方法によって、前記基板の一側面上に半導体素子を形成した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）の製造工程や半導体装置の製造工程では、ガラス基板やシリコンウェハ等の基板表面に付着した有機物を洗浄するために、同基板表面に紫外線を照射する表面処理装置としての紫外線照射装置が利用されている。
【０００３】
紫外線照射装置は、基板に照射する紫外線のフォトンエネルギーによって、同基板に付着した有機物を分解し、分解した有機物を活性酸素によって揮発可能な分子（例えば、二酸化炭素や水等）に酸化して除去するようにしている。
【０００４】
この紫外線照射装置では、均一な紫外線を一度に照射できる利便性から、紫外線の出射源として、管内に水銀を封入した低圧水銀ランプやキセノンを封入したエキシマランプ等、いわゆる紫外線ランプを採用している（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−１２９３９１  号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、こうした紫外線照射装置では、同紫外線照射装置に配設された紫外線ランプの本数によって、基板に照射する紫外線の照度（実照度）が規定されるため、以下の問題を生じる。
【０００６】
すなわち、前記実照度は、一般的に、紫外線ランプの使用状況や同紫外線ランプの周辺環境に応じて大きく変動する。例えば、紫外線を出射した積算時間が長くなると、紫外線ランプは、管内から透過する紫外線の透過率が減衰して前記実照度を低下させるようになる。反対に、例えば、ランプ周辺に窒素やアルゴン等の不活性ガスが多く存在すると、紫外線ランプは、基板表面までの紫外線吸収率が低下して前記実照度を増加させるようになる。
【０００７】
従って、上記する紫外線照射装置では、前記実照度を所定の照度に維持することができないため、紫外線照射後の表面状態にバラツキを来たす、ひいては表面処理の処理性能を低下させる問題を招く。
【０００８】
こうした問題は、紫外線ランプに入力する入力電力を調整することによって解消可能と考えられる。ところが、入力電力によって紫外線ランプの出力照度を制御すると、実照度を安定させるまでの時間を要して、照射処理するための処理時間が長くなる。さらには、入力電力を変動させる分だけ、紫外線ランプのフィラメント等に掛かる負荷が大きくなり、同紫外線ランプの照度低下を加速する。ひいては、紫外線照射装置の処理性能を低下させる問題を招く。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板に照射する紫外線の照度を調整可能にして表面処理性能を向上した表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供す
ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表面処理方法は、出射源から出射した紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理するようにした表面処理方法において、前記出射源と前記被照射面との間に紫外線を吸収する紫外線吸収媒体を供給し、前記紫外線吸収媒体の供給量を制御することによって、前記被照射面に照射する紫外線の実照度を、予め設定した所定の照度にするようにした。
【００１１】
本発明の表面処理方法によれば、出射源と被照射面との間に供給する紫外線吸収媒体の供給量を制御することによって、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、出射源の出射する紫外線量が変動する場合であっても、同出射源に対する入力電力等を調整することなく、被照射面に対する紫外線の照射量を所望の照射量に安定させることができる、ひいては表面処理の処理性能を向上させることができる。
【００１２】
この表面処理方法において、前記紫外線吸収媒体は酸素である。
この表面処理方法によれば、出射源と被照射面との間に供給する酸素の供給量を制御することによって、被照射面に対する紫外線の照射量を所望の照射量に安定させることができる、ひいては表面処理の処理性能を向上させることができる。
【００１３】
この表面処理方法において、前記出射源と前記被照射面との間に供給する前記紫外線吸収媒体の流量を制御することによって、前記被照射面に照射する紫外線の実照度を、予め設定した所定の照度にするようにした。
【００１４】
この表面処理方法によれば、供給する紫外線吸収媒体の流量を制御するため、供給する紫外線吸収媒体を順次排気しながら、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、供給した紫外線吸収媒体が、紫外線の吸収によって紫外線吸収能力を減衰させる場合であっても、順次新たな紫外線吸収媒体を供給して被照射面に対する紫外線の照射量を所望の照射量に安定させることができる。ひいては、表面処理の処理性能をさらに向上させることができる。
【００１５】
この表面処理方法において、前記紫外線吸収媒体に、紫外線を透過する紫外線透過媒体を混和して供給するようにした。
この表面処理方法によれば、紫外線吸収媒体に紫外線透過媒体を混和して供給するため、紫外線吸収媒体を紫外線透過媒体によって希釈することができ、出射源と被照射面との間に、紫外線吸収媒体を均一に供給することができる。従って、被照射面に対する紫外線の照射量を、被照射面に対して均一に安定させることができる。
【００１６】
この表面処理方法は、前記紫外線透過媒体と前記紫外線吸収媒体の総流量を維持して、前記紫外線吸収媒体の供給量を制御するようにした。
この表面処理方法によれば、紫外線透過媒体と紫外線吸収媒体の総流量を維持して、紫外線吸収媒体の供給量を制御するため、出射源と被照射面との間の状態（例えば、圧力や温度等）を変化させることなく、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、被照射面に対する紫外線の照射量を、より確実に安定させることができる。
【００１７】
本発明の表面処理装置は、出射源から出射される紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理する表面処理装置において、被照射面に照射する紫外線の実照度を検出する照度検出手段と、前記出射源と前記被照射面との間に紫外線吸収媒体を調整可能に供給する供給手段と、前記照度検出手段の検出する前記実照度に基づいて、前記実照度を予め設定した所定の照度にする前記紫外線吸収媒体の供給量を決定する決定手段と、前
記決定手段が決定した前記紫外線吸収媒体の供給量に基づいて前記供給手段を制御する制御手段とを備えた。
【００１８】
本発明の表面処理装置によれば、制御手段が、出射源と被照射面との間の紫外線吸収媒体の供給量を、供給手段に調整させることによって、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、出射源の出射する紫外線量が変動する場合であっても、同出射源に対する入力電力等を調整することなく、被照射面に対する紫外線の照射量を所望の照射量に安定させることができる、ひいては表面処理の処理性能を向上させることができる。
【００１９】
この表面処理装置において、前記紫外線吸収媒体は酸素である。
この表面処理装置によれば、制御手段が、出射源と被照射面との間に供給する酸素の供給量を供給手段に調整させることによって、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。
【００２０】
この表面処理装置において、前記供給手段は、前記紫外線吸収媒体の流量を制御して供給する。
この表面処理装置によれば、供給手段が、紫外線吸収媒体の流量を制御するため、供給した紫外線吸収媒体を順次排気しながら、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、供給した紫外線吸収媒体が、紫外線の吸収によって紫外線吸収能力を減衰させる場合であっても、逐次新たな紫外線吸収媒体を供給して被照射面に対する紫外線の照射量を所望の照射量に安定させることができる。
【００２１】
この表面処理装置において、前記供給手段は、前記紫外線吸収媒体に、紫外線を透過する紫外線透過媒体を混和して供給する。
この表面処理装置において、供給手段が、紫外線吸収媒体に紫外線透過媒体を混和して供給するため、紫外線吸収媒体を紫外線透過媒体によって希釈することができ、出射源と被照射面との間に、紫外線吸収媒体を均一に供給することができる。従って、被照射面に対する紫外線の照射量を、被照射面に対して均一に安定させることができる。
【００２２】
この表面処理装置において、前記制御手段は、前記紫外線透過媒体と前記紫外線吸収媒体の総流量を維持するように前記供給手段を制御する。
この表面処理装置によれば、制御手段が、紫外線透過媒体と紫外線吸収媒体の総流量を維持するように前記供給手段を制御するため、出射源と被照射面との間の状態（例えば、圧力や温度等）を変化させることなく、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、被照射面に対する紫外線の照射量を、より確実に安定させることができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板の一側面上に発光素子を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、前記発光素子を形成するときに、前記一側面を、上記する表面処理方法によって表面処理するようにした。
【００２４】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、発光素子を形成する一側面の表面処理状態を均一することができ、ひいては電気光学装置の生産性を向上することができる。
本発明の電気光学装置は、上記する電気光学装置の製造方法によって、基板上に発光素子を形成した。
【００２５】
本発明の電気光学装置によれば、発光素子を形成する一側面の表面処理状態を均一にすることができ、ひいては電気光学装置の生産性を向上することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板の一側面上に半導体素子を形成するようにした
半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を形成するときに、前記一側面を、上記する表面処理方法によって表面処理するようにした。
【００２６】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子を形成する一側面の表面処理状態を均一することができ、ひいては半導体装置の生産性を向上することができる。
本発明の半導体装置は、上記する半導体装置の製造方法によって、基板上に半導体素子を形成した。
【００２７】
本発明の半導体装置によれば、半導体素子を形成する一側面の表面処理状態を均一することができ、ひいては半導体装置の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図４に従って説明する。図１は、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）を示す平面図である。
【００２９】
有機ＥＬディスプレイ１はボトムエミッション型のディスプレイであって、図１に示すように、基板としてのガラス基板２を備えている。
ガラス基板２は、四角形状に形成される無アルカリガラス基板であって、その表面（被照射面２ｓ）には、四角形状の素子形成領域７が形成されている。その素子形成領域７には、上下方向（列方向）に延びる複数のデータ線Ｌｙが所定の間隔をおいて形成されている。各データ線Ｌｙは、それぞれガラス基板２の下側に配設されるデータ線駆動回路Ｄｒ１に電気的に接続されている。データ線駆動回路Ｄｒ１は、図示しない外部装置から供給される表示データに基づいてデータ信号を生成し、そのデータ信号を対応するデータ線Ｌｙに所定のタイミングで出力するようになっている。
【００３０】
また、素子形成領域７には、列方向に延びる複数の電源線Ｌｖが所定の間隔をおいて各データ線Ｌｙに併設されている。各電源線Ｌｖは、それぞれ素子形成領域７の下側に形成される共通電源線Ｌｖｃに電気的に接続され、図示しない電源電圧生成回路の生成する駆動電源を各電源線Ｌｖに供給するようになっている。
【００３１】
さらにまた、素子形成領域７には、データ線Ｌｙ及び電源線Ｌｖと直交する方向（行方向）に延びる複数の走査線Ｌｘが所定の間隔をおいて形成されている。各走査線Ｌｘは、それぞれガラス基板２の左側に形成される走査線駆動回路Ｄｒ２に電気的に接続されている。走査線駆動回路Ｄｒ２は、図示しない制御回路から供給される走査制御信号に基づいて、複数の走査線Ｌｘの中から所定の走査線Ｌｘを所定のタイミングで選択駆動し、その走査線Ｌｘに走査信号を出力するようになっている。
【００３２】
これらデータ線Ｌｙと走査線Ｌｘの交差する位置には、対応するデータ線Ｌｙ、電源線Ｌｖ及び走査線Ｌｘに接続されることによってマトリックス状に配列される複数の画素４が形成されている。その画素４内には、それぞれ対応するデータ線Ｌｙ、電源線Ｌｖ及び走査線Ｌｘに接続される制御素子５と、その制御素子５に接続される発光素子６が形成されている。これら被照射面２ｓ上に形成される制御素子５と発光素子６は、四角形状の封止基板３（図１における２点鎖線）によって覆われて保護されるようになっている。
【００３３】
そして、選択駆動される走査線Ｌｘ上の制御素子５がデータ信号に応じた駆動電流を発光素子６に供給すると、発光素子６がその駆動電流に応じた輝度で発光するようになっている。すなわち、データ信号に基づく画像が有機ＥＬディスプレイ１の裏面（被照射面２ｓと相対向する面）に表示されるようになっている。
【００３４】
尚、本実施形態における各画素４は、それぞれ対応する色の光を発光する画素であって、赤色の光を発光する赤色画素又は緑色の光を発光する緑色画素又は青色を発光する青色画素である。そして、これら各画素４によって、ガラス基板２の裏面（被照射面２ｓと相対向する面）側にフルカラーの画像を表示するようになっている。
【００３５】
次に、上記する有機ＥＬディスプレイ１の製造工程において、前記各種素子を形成する素子形成工程の前工程であって、被照射面２ｓを表面処理する表面処理工程について以下に説明する。まず、表面処理工程に使用する表面処理装置としての紫外線照射装置について説明する。図２は、紫外線照射装置を示す概略側断面図である。
【００３６】
図２に示すように、紫外線照射装置１０には、照射処理部１１が備えられている。その照射処理部１１には、図２における上側を開口した箱体形状に形成されるステージ筐体１２が備えられている。そのステージ筐体１２の左右両側壁には、それぞれステージ筐体１２内から外方に向かって貫通する排気孔１２ａと供給孔１２ｂが形成されている。
【００３７】
排気孔１２ａには、排気配管１３が接続され、その排気配管１３の一端（図２における左側端）が図示しない排気ポンプに接続されることによって、ステージ筐体１２内を排気可能にしている。その排気配管１３の途中には、圧力制御弁１４が配設されている。圧力制御弁１４は、ステージ筐体１２内の圧力を検出する図示しない圧力センサの圧力検出値に基づいて開閉制御され、同ステージ筐体１２内の圧力を常に大気圧に制御するようになっている。
【００３８】
供給孔１２ｂには、２方に分岐する供給配管１５が接続されている。２方に分岐する供給配管１５の一方（酸素供給配管１５ａ）は、紫外線照射装置１０の配設された施設内の図示しない酸素供給ラインに接続され、他方（窒素供給配管１５ｂ）は、同施設内の図示しない窒素供給ラインに接続されている。これら酸素供給配管１５ａ及び窒素供給配管１５ｂの途中には、それぞれ紫外線吸収媒体としての酸素ガス及び紫外線透過媒体としての窒素ガスの質量流量（流量）を制御可能にするマスフローコントローラ等の酸素流量制御弁１６と窒素流量制御弁１７が設けられている。そして、これら酸素流量制御弁１６と窒素流量制御弁１７によって、所望する流量の酸素ガスと窒素ガスを混和してステージ筐体１２内に供給可能にしている。
【００３９】
尚、本実施形態では、これら酸素流量制御弁１６及び窒素流量制御弁１７によって供給手段が構成されている。
そのステージ筐体１２内には、基板ステージ１８が配設されている。基板ステージ１８は、四角板状に形成されるステージであって、その上側面には、ガラス基板２を載置可能にする載置面１８ａが形成されている。その基板ステージ１８には、図２に示すように、ガラス基板２を載置する状態で、そのガラス基板２の近傍に位置する受光部としての紫外線受光部２１が備えられている。尚、本実施形態では、図示しない搬送系によって、基板ステージ１８（載置面１８ａ）上に、ガラス基板２を移載することができるようになっている。
【００４０】
紫外線受光部２１は、例えばシリコンフォトダイオードを有したシリコン光起電力型受光素子やダイアモンド薄膜を有したダイアモンド薄膜光導電型受光素子等を備え、紫外領域の光（紫外線Ｌｕｖ）を受光して、受光した紫外線Ｌｕｖの照度に相対する検出信号を生成するようになっている。紫外線受光部２１の面位置（受光面）は、ガラス基板２が載置される状態で、同ガラス基板２の被照射面２ｓと略同じ高さ位置になっている。これによって、紫外線受光部２１は、後述する紫外線ランプ２５から被照射面２ｓに対して照射される紫外線Ｌｕｖと相対する照度の紫外線Ｌｕｖを受光できるようになっている。
【００４１】
その紫外線受光部２１には、ステージ筐体１２の底部を介して、同ステージ筐体１２外方に引き出せられる接続ケーブル２２が接続されている。この接続ケーブル２２が、紫外線受光部２１と後述する受光部駆動回路４４（図３参照）を電気的に接続することによって、紫外線受光部２１の生成する検出信号が受光部駆動回路４４（図３参照）に出力されるようになっている。
【００４２】
尚、本実施形態では、これら紫外線受光部２１、接続ケーブル２２及び受光部駆動回路４４によって、紫外線Ｌｕｖの照度を検出する照度検出手段が構成されている。
上記照射処理部１１の上側には、図２に示すように、紫外線出射部２３が配設されている。その紫外線出射部２３には、箱体形状に形成されるランプ筐体２４が備えられている。そのランプ筐体２４の下側には、同ランプ筐体２４内から基板ステージ１８に向かって開口する照射孔２４ｈが、基板ステージ１８よりも若干大きいサイズで形成されている。その照射孔２４ｈには、石英等の紫外線透過材料によって照射孔２４ｈと略同じサイズに形成される透過窓Ｗが嵌合されている。
【００４３】
そして、紫外線出射部２３は、前記透過窓Ｗによって照射孔２４ｈを封止することにより、その内部に、大気から遮断されたランプ収容空間Ｓ１を形成する。また、紫外線出射部２３は、これらランプ筐体２４及び透過窓Ｗによって前記ステージ筐体１２の上側を封止し、ステージ筐体１２の内部に、前記基板ステージ１８（ガラス基板２及び紫外線受光部２１）を収容して大気から遮断された基板収容空間Ｓ２を形成する。尚、ランプ収容空間Ｓ１の内部には、例えば窒素等の不活性ガスが連続供給されて充填又は充満するようになっている。また、ランプ筐体２４の内壁面２４ａは、後述する紫外線ランプ２５の出射した紫外線Ｌｕｖを前記照射孔２４ｈ側に反射するようになっている。
【００４４】
そのランプ収容空間Ｓ１内には、出射源としての紫外線ランプ２５が配設されている。紫外線ランプ２５は、石英等の紫外線透過材料によって形成される長尺管体２５ａの管内にキセノン等の放電ガスを封入したランプである。その紫外線ランプ２５の管内には、高周波電源２６（図３参照）に接続される内部給電電極（フィラメント）２５ｆが配設され、そのフィラメント２５ｆに所定の高周波電力を給電することによって、紫外線Ｌｕｖを出射するようになっている。紫外線ランプ２５は、その左右両端部２５ｂがランプ筐体２４の内壁面２４ａから突出形成される締結部２４ｂによって締め付け固定され、ランプ収容空間Ｓ１内の所定位置に位置決めされている。
【００４５】
そして、フィラメント２５ｆに所定の高周波電力を給電すると、紫外線ランプ２５から紫外線Ｌｕｖが出射され、出射される紫外線Ｌｕｖの殆んどが、内壁面２４ａの反射等によって、透過窓Ｗから基板収容空間Ｓ２側に出射される。基板収容空間Ｓ２内に出射された紫外線Ｌｕｖは、透過窓Ｗ（紫外線ランプ２５）と被照射面２ｓの間に存在する酸素ガスの供給量に相対する分だけ吸収され、被照射面２ｓに照射される。
【００４６】
すなわち、酸素流量制御弁１６に酸素ガスの流量を増加させる制御信号が入力されると、紫外線ランプ２５と被照射面２ｓの間に存在する酸素ガスの量（供給量）が増加し、その増加する分だけ、紫外線Ｌｕｖが吸収され、被照射面２ｓに照射される紫外線Ｌｕｖの照度が減少する。反対に、酸素ガス流量を減少させる制御信号が入力されると、酸素ガスの量（供給量）が減少し、その減少する分だけ、被照射面２ｓに照射される紫外線Ｌｕｖの照度が増加する。
【００４７】
次に、上記する紫外線照射装置１０の電気的構成を図３に従って説明する。図３は、紫外線照射装置１０の電気的構成を示すブロック図である。
紫外線照射装置１０は、制御手段を構成するＣＰＵ３１、ＲＯＭ３２、ＲＡＭ３３、決定手段を構成するＡＳＩＣ３４、入力部３５及び表示部３６を備え、これら各種デバイス
がバス３７を介して電気的に接続されている。また、ＡＳＩＣ３４には、高周波電源駆動回路４１、供給手段を構成する流量制御弁駆動回路４２、圧力制御弁駆動回路４３、照度検出手段を構成する受光部駆動回路４４が電気的に接続されている。
【００４８】
ＣＰＵ３１は、入力部３５から入力される紫外線照射処理命令など、各種操作命令を実行して、その実行状態を表示部３６に表示する。ＲＯＭ３２は、ＣＰＵ３１が各種操作命令を実行するための各種プログラムと、そのプログラムを実行するための各種データとを格納する。例えば、ＲＯＭ３２は、ＣＰＵ３１が紫外線照射処理命令を実行するための紫外線照射プログラムを格納する。
【００４９】
また、ＲＯＭ３２は、酸素ガスの単位流量（例えば、１ｓｃｃｍ）に相対する紫外線Ｌｕｖの照度の変化量（単位照度制御量）を格納する。さらに、ＲＯＭ３２は、後述する紫外線照射処理を実行するときに、酸素ガス流量の初期流量Ｏｘ１を算出するための酸素ガスの流量（酸素基準流量Ｏｘｒ）及び窒素ガスの流量（窒素基準流量Ｎｒ）を格納する。そして、ＣＰＵ３１は、入力される各種操作命令に基づいてＲＯＭ３２に格納される各種プログラムを呼び出し、ＲＡＭ３３を作業領域として同プログラムを実行する。
【００５０】
ＡＳＩＣ３４は、各種プログラムを実行するＣＰＵ３１からの命令に基づき、高周波電源駆動回路４１、流量制御弁駆動回路４２、圧力制御弁駆動回路４３、受光部駆動回路４４を介して、それぞれ高周波電源２６（紫外線照射ランプ３３）、酸素流量制御弁１６、窒素流量制御弁１７、圧力制御弁１４及び紫外線受光部２１を駆動制御する。そして、受光部駆動回路４４は、紫外線受光部２１からの検出信号に基づいて実照度信号を生成し、ＡＳＩＣ３４は、その実照度信号に基づき実照度を算出する。そのＡＳＩＣ３４には、紫外線照射処理の処理時間を計測するためのタイマー３４Ｃが設けられている。
【００５１】
尚、ＲＯＭ３２に格納される前記単位照度制御量は、紫外線ランプ２５を紫外線照射装置１０に取付ける度に、ＡＳＩＣ３４が、予め規定した酸素ガスの流量を酸素流量制御弁１６からステージ筐体１２内に供給させ、その酸素ガス流量の大気圧下における実照度に基づいて算出するものとする。
【００５２】
次に、上記する紫外線照射装置１０による表面処理工程、すなわちガラス基板２の被照射面２ｓに紫外線Ｌｕｖを照射し、被照射面２ｓ上に付着した有機物を洗浄する紫外線照射処理動作について以下に説明する。図４は紫外線照射処理動作を示すフローチャートである。
【００５３】
今、入力部３５から、紫外線照射処理に要する紫外線の照度（設定処理照度Ａｓ）と、その紫外線を照射する照射時間（設定処理時間Ｔｓ）等からなる紫外線照射処理命令を入力する（ステップＳ１１）。すると、ＣＰＵ３１は、ＲＯＭ３２から紫外線照射プログラムを読み出して、その紫外線照射プログラムを実行する。すなわち、ＣＰＵ３１は、ＡＳＩＣ３４に高周波電源駆動回路４１を介して高周波電源２６を駆動させ、所定の高周波電力を紫外線ランプ２５に給電させる。そして、紫外線ランプ２５を点灯して紫外線Ｌｕｖを出射させる（ステップＳ１２）。
【００５４】
紫外線ランプ２５が紫外線Ｌｕｖを出射すると、ＡＳＩＣ３４は、流量制御弁駆動回路４２を介して酸素流量制御弁１６及び窒素流量制御弁１７を駆動制御し、基板収容空間Ｓ２内に酸素基準流量Ｏｘｒの酸素ガス及び窒素基準流量Ｎｒの窒素ガスを供給する。
【００５５】
そして、酸素基準流量Ｏｘｒの酸素ガス及び窒素基準流量Ｎｒの窒素ガスを供給すると、ＡＳＩＣ３４は、受光部駆動回路４４を介して紫外線受光部２１を駆動し、受光部駆動回路４４から出力される実照度信号に基づいて、基準流量下における実照度（基準照度Ａ
０）を算出する。基準照度Ａ０を算出すると、ＡＳＩＣ３４は、実照度（基準照度Ａ０）と設定処理照度Ａｓとの偏差（差分）を求める。
【００５６】
次に、ＡＳＩＣ３４は、ＲＯＭ３２に格納される前記単位照度制御量を参照して、求めた差分に対する酸素ガスの流量を演算する。つまり、ＡＳＩＣ３４は、前記差分の補償を補償して実照度を設定処理照度Ａｓにするための酸素ガスの流量（初期流量Ｏｘ１）を決定する（ステップＳ１３）。
【００５７】
尚、この間、ＡＳＩＣ３４は、図示しない圧力センサの検出する圧力値に基づき、圧力制御弁駆動回路４３を介して圧力制御弁１４を駆動制御し、基板収容空間Ｓ２内の圧力を大気圧に維持する。これによって、基板収容空間Ｓ２内の圧力変動、すなわち酸素基準流量Ｏｘｒに相対する酸素ガスの分圧のバラツキによる実照度の変動を回避することができ、より正確な初期流量Ｏｘ１を算出することができる。
【００５８】
ＡＳＩＣ３４が前記初期流量Ｏｘ１を算出すると、ＣＰＵ３１は、図示しない搬送系によって、ガラス基板２を基板ステージ１８（載置面１８ａ）上に載置する。そして、ＣＰＵ３１は、ＡＳＩＣ３４に酸素流量制御弁１６を駆動制御させ、前記初期流量Ｏｘ１の酸素ガスを基板収容空間Ｓ２内に供給し、ガラス基板２の被照射面２ｓに対する紫外線Ｌｕｖの照射を開始する（ステップＳ１４）。
【００５９】
尚、以後の動作において、ＡＳＩＣ３４は、窒素流量制御弁１７に窒素基準流量Ｎｒの窒素ガスを供給させ続ける。この窒素ガスの供給によって酸素ガスが希釈され、同酸素ガスが、基板収容空間Ｓ２内に均一に供給される。
【００６０】
紫外線Ｌｕｖの照射を開始すると、ＡＳＩＣ３４は、タイマー３４Ｃを駆動して、被照射面２ｓに対する紫外線Ｌｕｖの照射時間（実処理時間Ｔｐ）を計測する。また、ＡＳＩＣ３４は、受光部駆動回路４４からの実照度信号に基づいて、初期流量Ｏｘ１における実照度（実処理照度Ａｐ）を逐次算出する（ステップＳ１５）。
【００６１】
続いて、ＡＳＩＣ３４は、実処理照度Ａｐが設定処理照度Ａｓであるか否かを比較判断する。つまり、ＡＳＩＣ３４は、実処理照度Ａｐと設定処理照度Ａｓの偏差（差分）を求めて判断する。そして、紫外線ランプ２５の劣化や基板収容空間Ｓ２内の雰囲気の変化等によって、実処理照度Ａｐが設定処理照度Ａｓに対して差異が生じると（ステップＳ１６においてＮＯ）、ＡＳＩＣ３４は、再び単位照度制御量を参照し、実処理照度Ａｐと設定処理照度Ａｓの差分に相対する酸素ガスの流量を演算する。すなわち、ＡＳＩＣ３４は、実処理照度Ａｐを設定処理照度Ａｓにするための酸素ガスの流量（処理流量Ｏｘｐ）を算出する。処理流量Ｏｘｐを算出すると、ＡＳＩＣ３４は、酸素流量制御弁１６に初期流量Ｏｘ１から処理流量Ｏｘｐの酸素ガスを供給させる（ステップＳ１７）。
【００６２】
そして、ＡＳＩＣ３４は、処理時間Ｔｐが設定処理時間Ｔｓに到達するまで、上記する実処理照度Ａｐと設定処理照度Ａｓの比較と、酸素流量制御弁１６に対する処理流量Ｏｘｐへの制御を繰り返して、実処理照度Ａｐを設定処理照度Ａｓに維持する（ステップＳ１６〜Ｓ１８）。処理時間Ｔｐが設定処理時間Ｔｓに到達すると（ステップＳ１８においてＹＥＳ）、ＣＰＵ３１は、図示しない搬送系によって、ガラス基板２を基板ステージ１８（載置面１８ａ）から図示しない基板収納カセット内に移載して紫外線処理動作（表面処理）を終了する。
【００６３】
つまり、ガラス基板２の被照射面２ｓには、紫外線Ｌｕｖを照射する間、酸素ガスの制御によって、安定した照度（設定処理照度Ａｓ）の紫外線Ｌｕｖが照射される。そして、ガラス基板２上に付着した有機物は、設定処理照度Ａｓに相対する紫外線Ｌｕｖの設定処
理時間Ｔｓ分の照射量によって、ガラス基板２上に残存することなく洗浄される。
【００６４】
上記紫外線照射処理によって洗浄されたガラス基板２には、公知の製造技術によって、被照射面２ｓ上に前記画素４（制御素子５及び発光素子６）及び各種配線が形成され、これによって有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００６５】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、紫外線照射装置１０に、酸素ガスの流量を制御可能に供給する酸素流量制御弁１６を設け、基板ステージ１８に紫外線Ｌｕｖの照度を検出するための紫外線受光部２１を配設した。そして、紫外線照射処理を施すときに、紫外線受光部２１からの検出信号に基づいて実照度（初期照度Ａ０及び実処理照度Ａｐ）を検出し、検出した実照度に基づいて、その実照度を設定処理照度Ａｓにするための酸素ガスの流量（初期流量Ｏｘ１及び処理流量Ｏｘｐ）を算出するようにした。そして、紫外線Ｌｕｖをガラス基板２に照射する間、酸素ガスの供給量の制御によって、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を設定処理照度Ａｓにするようにした。
【００６６】
従って、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を常に設定処理照度Ａｓに保持させることができる。その結果、設定処理時間Ｔｓに基づく紫外線Ｌｕｖの照射量を安定させることができ、紫外線照射処理後における被照射面２ｓの表面状態のバラツキを抑制することができる。そのため、紫外線照射処理の表面処理性能を向上することができ、有機ＥＬディスプレイ１の生産性を向上することができる。
【００６７】
（２）上記実施形態によれば、紫外線照射装置１０に、窒素ガスの流量を制御可能に供給する窒素流量制御弁１７を設け、供給配管１５から、窒素ガスと酸素ガスと混和して基板収容空間Ｓ２内に供給するようにした。従って、酸素ガスを窒素ガスによって希釈することができ、基板収容空間Ｓ２内に対して、酸素ガスを均一に供給することができる。その結果、紫外線照射処理後における被照射面２ｓの表面状態のバラツキを、さらに抑制することができる。
【００６８】
（３）上記実施形態によれば、紫外線照射装置１０に、ステージ筐体１２内（基板収容空間Ｓ２内）の圧力を制御する圧力制御弁１４を設け、基準照度Ａ０を計測するときに（ステップＳ１３）、同基板収容空間Ｓ２内の圧力を大気圧に維持するようにした。従って、基板収容空間Ｓ２内の圧力変動、すなわち酸素基準流量Ｏｘｒに相対する酸素ガスの分圧のバラツキによる実照度の変動を回避することができ、より正確な初期流量Ｏｘ１を算出することができる。その結果、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を、より速く設定処理照度Ａｓにすることができ、紫外線照射処理の表面処理性能をさらに向上することができる。
【００６９】
（４）上記実施形態によれば、被照射面２ｓに対して紫外線Ｌｕｖを照射する前に、各基準流量Ｏｘｒ，Ｎｒにおける基準照度Ａ０を算出し、実照度を設定処理照度Ａｓにするための酸素ガスの流量（初期流量Ｏｘ１）を予め決定するようにした。従って、被照射面２ｓに紫外線Ｌｕｖを照射しながら初期流量Ｏｘ１を決定する場合に比べ、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を、より速く設定処理照度Ａｓにすることができ、紫外線照射処理の表面処理性能をさらに向上することができる。
【００７０】
（５）上記実施形態によれば、紫外線Ｌｕｖの照度を検出する紫外線受光部２１をガラス基板２近傍に配設するようにした。従って、ステージ筐体１２の内壁面等に紫外線受光部２１を配設する場合に比べ、被照射面２ｓに対する紫外線Ｌｕｖの照度を、より確実に検出することができ、紫外線照射処理後における被照射面２ｓの表面状態のバラツキをさらに抑制することができる。
【００７１】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、酸素ガスの流量を制御することによって、実照度を設定処理照度Ａｓにするようにした。これに限らず、例えば窒素ガスの流量を制御することによって、基板収容空間Ｓ２内における酸素ガスの供給量を制御するようにしてもよい。
【００７２】
また、酸素ガスと窒素ガスの総流量を維持して酸素ガスの流量を制御し、基板収容空間Ｓ２内における酸素ガスの供給量を制御するようにしてもよい。これによれば、総流量を維持する分だけ、基板収容空間Ｓ２内の圧力制御動作に対する負荷を軽減になる。
【００７３】
さらには、酸素ガスと窒素ガスの流量を維持し、圧力制御弁１４の制御によって、基板収容空間Ｓ２の圧力を制御し、基板収容空間Ｓ２内の酸素ガスの供給量を制御するようにしてもよい。これによれば、酸素ガスと窒素ガスの流量を維持する分だけ、各流量制御弁の流量制御動作に対する負荷を軽減できる。
【００７４】
すなわち、紫外線ランプ２５と被照射面２ｓとの間の酸素ガスの供給量を制御して、実照度を設定処理照度Ａｓにする方法であればよい。
・上記実施形態では、酸素ガス及び窒素ガスを基板収容空間Ｓ２に供給するようにしたが、これに限らず、例えばランプ収容空間Ｓ１にのみ供給するようにしてもよい。これによれば、被照射面２ｓと接触する媒体の量を維持して、照射される紫外線Ｌｕｖの照度のみを制御することができる。
・上記実施形態では、紫外線吸収媒体を酸素ガスとして具体化したが、これに限らず、例えば液体であってもよく、紫外線Ｌｕｖを吸収する媒体であればよい。
・上記実施形態では、紫外線透過媒体を窒素ガスとして具体化したが、これに限らず、例えばヘリウムやアルゴン等、紫外線を透過する媒体であればよい。
・上記実施形態では、紫外線受光部２１を基板ステージ１８の載置面１８ａに配設するようにしたが、これに限らず、例えばステージ筐体１２の壁面に設けるようにしてもよく、ガラス基板２に照射される紫外線の照度を検出することができる位置であればよい。
・上記実施形態では、紫外線照射処理するときに、紫外線ランプ２５を点灯させるようにした（ステップ１２）。これに限らず、紫外線ランプ２５を常時点灯させるようにしてもよい。この際、透過窓Ｗの基板ステージ１８側に紫外線Ｌｕｖを遮蔽するシャッタを設け、紫外線処理動作を行うときに、同シャッタを開けて、紫外線処理動作を行うようにしてもよい。
・上記実施形態では、ＲＯＭ３２に格納される単位照度制御量を参照して、初期流量Ｏｘ１及び処理流量Ｏｘｐを決定するようにしたが、これに限らず、ＡＳＩＣ３４又はＣＰＵ３１が他のパラメータを参照して処理流量Ｏｘｐ等を決定するようにしてもよい。
・上記実施形態では、ＣＰＵ３１が図示しない搬送系を駆動してガラス基板２の移載を行うようにしたが、これに限らず、例えば手等によってガラス基板２を移載するようにしてもよく、搬送ロボット等によって移載するようにしてもよい。
・上記実施形態では、有機ＥＬディスプレイ１を構成するガラス基板２を基板として具体化したが、これに限らず、例えば液晶ディスプレイ、電界効果型ディスプレイ（ＦＥＤやＳＥＤ等）に利用されるガラス基板であってもよい。また、薄膜トランジスタ等の半導体素子を備えた半導体装置を構成する基板（例えば、シリコン基板）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明を具体化した有機ＥＬディスプレイを示す概略平面図。
【図２】同じく、紫外線照射装置の構成を示す概略断面図。
【図３】同じく、紫外線照射装置の電気的構成を示すブロック図。
【図４】同じく、紫外線照射処理動作を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００７６】
１…電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、２…基板としてのガラス基板、２ｓ…被照射面、６…発光素子、１０…表面処理装置としての紫外線照射装置、１６…供給手段を構成する酸素流量制御弁、１７…供給手段を構成する窒素流量制御弁、２１…照度検出手段を構成する紫外線受光部、２５…出射源としての紫外線ランプ、３１…制御手段を構成するＣＰＵ、３４…制御手段を構成するＡＳＩＣ、Ｌｕｖ…紫外線。
【図１】
2006185938.tif 000003
【図２】
2006185938.tif 000004
【図３】
2006185938.tif 000005
【図４】
2006185938.tif 000006