(57)【要約】【課題】２層以上の記録層を有する多層の光記録媒体において、高速記録が可能であり、且つ、記録マークの高い熱安定性を得るようにする。【解決手段】光記録媒体１０は、第１情報層１４及び第２情報層１８を有し、光入射面側の第２情報層１８は、主としてＳｂ及びＩｎを含んで厚さ１２ｎｍ以下に形成され、結晶状態と非結晶状態との相変化により、情報の記録が可能とされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層以上の記録層を有する光記録媒体であって、
光入射面側から最も遠い記録層を除く、少なくとも１層の記録層が、主としてＳｂ及びＩｎを含んで形成されていて、結晶状態と非晶質状態との相変化により情報を記録するようにされたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
前記Ｓｂ及びＩｎの原子重量比が、６０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｉｎ≦３０であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】
請求項１において、
前記Ｓｂ及びＩｎを含む記録層が、更にＧｅを含むことを特徴とする光記録媒体。
【請求項４】
請求項３において、
前記Ｓｂ、Ｉｎ及びＧｅの原子重量比が、６０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｉｎ≦３０、０＜Ｇｅ≦２０であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】
請求項1及至４のいずれかにおいて、
前記Ｓｂ及びＩｎを含む記録層の光入射面側にＡｌＮからなる放熱層を設けたことを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、２層以上の記録層を有する光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光記録媒体における記録層を構成する材料として、結晶状態と非晶質状態との相変化を利用する相変化型の材料として、ＧｅＴｅ、ＩｎＴｅ、ＧｅＴｅＳｅＳｂ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等が知られている。
【０００３】
又、例えば特許文献１には、Ｉｎ（２０〜６０ａｔ％）とＳｂ（４０〜８０ａｔ％）の合金からなる記録材料を用いた光記録媒体が提案されている。この光記録媒体は、２つの異なる結晶状態の相変化記録を利用することで、記録マークの高い熱安定性を得るようにしたものである。
【０００４】
更に又、例えば特許文献２に記載されるように、結晶状態と非晶質状態との反射率差が大きいこと、及び、記録膜組成により容易に結晶化速度を変えられること等の特徴を有することから、ＳｂＴｅ共晶組成を主成分にＡｇ、Ｉｎ、Ｇｅ等を含有した記録膜材料がＤＶＤ−ＲＷ等の光記録媒体の記録膜材料として用いられている。
【０００５】
前記特許文献１記載の光記録媒体におけるＩｎとＳｂを主成分とする記録膜材料は、Ｉｎ５０Ｓｂ５０の結晶相及びＳｂの結晶相の２つの異なる結晶状態が存在し、これらの結晶相の析出量の相違により反射率差を得ているが、Ｉｎ５０Ｓｂ５０とＳｂとの相分離が必須となり、且つその相分離量が異なるため、長距離の電子移動が必要となり、相変化が完了するのに必要な時間が長くなる。従って、短時間での相変化が必要な高速記録が不可能となるという問題点を有する。
【０００６】
又、特許文献２記載の光記録媒体では、高速記録に対応させるため、ＳｂＴｅを主成分とする記録膜材料におけるＳｂ含有量を多くして結晶化速度を向上させることが可能であるが、非晶質の記録マークの熱安定性が低下するという問題点がある。
【０００７】
一方、光記録媒体においては、記録容量の増大及び高速記録化が求められていて、記録層を２層以上に多層化することが提案されている。
【０００８】
ここで、多層光記録媒体の場合、光入射面から最も遠い記録層以外の記録層は、光を透過させるために、記録層、反射層の膜厚を薄くして半透過層にする必要がある。
【０００９】
このように記録層を薄膜化すると、記録膜材料の結晶化速度の低下、反射層の薄膜化による放熱性の低下が生じてしまい、高速記録化及び記録マークの高い熱安定性の要求に応えられないという問題点がある。
【００１０】
【特許文献１】特公平４−１９３３号公報
【特許文献２】特開２０００−３２２７４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、２層以上の記録層を有する光記録媒体であって、記録層を薄膜化しても、結晶化速度を向上させることができ、又記録マークの高い熱安定性が得られるようにした光記録媒体を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
即ち、以下の本発明により上記課題を解決することができる。
【００１３】
（１）２層以上の記録層を有する光記録媒体であって、光入射面側から最も遠い記録層を除く、少なくとも１層の記録層が、主としてＳｂ及びＩｎを含んで形成されていて、結晶状態と非晶質状態との相変化により情報を記録するようにされたことを特徴とする光記録媒体。
【００１４】
（２）前記Ｓｂ及びＩｎの原子重量比が、６０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｉｎ≦３０であることを特徴とする（１）に記載の光記録媒体。
【００１５】
（３）前記Ｓｂ及びＩｎを含む記録層が、更にＧｅを含むことを特徴とする（１）に記載の光記録媒体。
【００１６】
（４）前記Ｓｂ及びＩｎ及びＧｅの原子重量比が、６０≦Ｓｂ≦９５、０＜Ｉｎ≦３０、０＜Ｇｅ≦２０であることを特徴とする（３）に記載の光記録媒体。
【００１７】
（５）前記Ｓｂ及びＩｎを含む記録層の光入射面側にＡｌＮからなる放熱層を設けたことを特徴とする（１）及至（４）のいずれかに記載の光記録媒体。
【発明の効果】
【００１８】
この発明に係る光記録媒体における記録層は、主としてＳｂ及びＩｎを含んで形成されていて、結晶状態と非晶質状態（アモルファス状態）との相変化を利用している。また、結晶状態の構造がＳｂの菱面体晶からなる単一相であり、相分離を伴わないことから、短時間でアモルファス状態から結晶状態への相変化が完了し、高速記録が可能となるという効果を有する。
【００１９】
又、前記ＳｂとＩｎを主として含む記録層の、光入射面側にＡｌＮからなる放熱層を設けることにより、記録時の放熱性を高めて、多層光記録媒体の場合でも高速記録に対応することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
最良の形態に係る光記録媒体は、基板上に第１情報層、スペーサ層、第２情報層、及び光透過層をこの順で積層してなり、第２情報層は基板側から第１誘電体層、反射層、第２誘電体層、主としてＳｂ及びＩｎを含んで形成された記録層、第３誘電体層、ＡｌＮからなる放熱層をこの順で積層して構成されている。
【００２１】
反射層は、放熱と光干渉効果のために設けられ、材料として好ましくはAｇ合金が用いられ、その厚さＴｒは、半透過構造とするために０＜Ｔｒ＜３０ｎｍである。より好ましくは０＜Ｔｒ＜２０ｎｍである。記録層の好ましい厚さＴｒｅｃは、２≦Ｔｒｅｃ≦１２ｎｍであり、好ましくは３≦Ｔｒｅｃ≦８ｎｍである。
【００２２】
これらにより、第２情報層全体の記録波長における光透過率が３０％以上８０％以下となるようにされている。第２情報層の光透過率が３０％未満であると第１情報層への記録が困難となり、８０％以上を超えると第２情報層への記録が困難となる。
【００２３】
記録層は、主としてＳｂ、Ｉｎを含み、さらにＧｅ，Ｎ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｔｅ、Ｂｉ、などが含まれても良い。
【００２４】
Ｓｂの好ましい原子重量比は、６０≦Ｓｂ≦９５である。Ｓｂが６０ａｔ％未満では、結晶化速度が低下してしまいマークの消去が困難となり、また、９５ａｔ％よりも多いと、結晶化速度が速すぎてしまい低速での記録が困難となり、且つ、マークの熱安定性が損なわれてしまう。
【００２５】
Ｉｎの好ましい原子重量比は、０＜Ｉｎ≦３０である。Ｉｎが０ａｔ％では、マークの熱安定性が損なわれてしまう。また、Ｉｎが３０ａｔ％よりも多いと,結晶構造が、Ｓｂ層とＩｎ５０Ｓｂ５０相の２つの結晶相に相分離してしまい、結晶化速度が著しく低下して消去困難となる。
【００２６】
Ｇｅ等の好ましい原子重量比は、０＜Ｇｅ≦２０である。Ｇｅが０ａｔ％では、マークの熱安定性が損なわれてしまう。また、Ｇｅが２０ａｔ％よりも多いと、結晶化速度が低下して消去困難となる。
【００２７】
ＡｌＮ放熱層の好ましい厚さＴａｌｎは、１５≦Ｔａｌｎ＜１５０ｎｍであり、好ましくは２０≦Ｔａｌｎ＜１２０ｎｍである。ＡｌＮ放熱層の厚さが１５ｎｍ未満であると、記録層からの放熱効果が小さくなり、また、１５０ｎｍ以上になると成膜に要する時間が長くなり生産性の低下を引き起こす。
【実施例１】
【００２８】
次に、本発明の実施例１について、図１を参照して詳細に説明する。
【００２９】
この実施例１に係る光記録媒体１０は、厚さ１．１ｍｍのＰＣ（ポリカーボネイト）基板１２上に、第１情報層１４、厚さ２５μｍのスペーサ層１６、第２情報層１８、厚さ７５μｍの光透過層２０をこの順で積層して構成されたものである。
【００３０】
前記第２情報層１８は、前記スペーサ層１６側から、第１誘電体層２１、反射層２２、第２誘電体層２３、記録層２４、第３誘電体層２５及びＡｌＮからなる放熱層２６をこの順で積層したものである。即ち、放熱層２６は記録層２４の光入射面１０側に設けられている。
【００３１】
なお、前記記録層２４は、第１誘電体層２１〜放熱層２６までが積層された後に、初期化機により全面結晶化された後に、その上に０．１ｍｍの厚さの前記光透過層２０が積層されている。
【００３２】
ここで、前記第１誘電体層２１は、５ｎｍのＺｒＯ２、反射層２２は厚さ１０ｎｍのＡｇＰｄＣｕ（９８：１：１）（ａｔ％）、第２誘電体層２３は厚さ４ｎｍのＺｒＯ２、前記記録層２４は厚さ６ｎｍで、その組成は次の表１に示される材料、前記第３誘電体層２５は、厚さ５ｎｍのＺｒＯ２及び厚さ１０ｎｍのＺｎＳ：ＳｉＯ２（８０：２０）（ｍｏｌ％）、放熱層２６は厚さ４０ｎｍのＡｌＮであって、順次スパッタリングによって積層されている。又、前記光透過層２０は、紫外線硬化樹脂をスピンコートにより形成したものである。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
次に、上記のように、表１に示される記録層組成のサンプル１〜５について、レーザ光の波長を４０５ｎｍ、記録再生光学系のＮＡを０．８５、記録信号を（１，７）ＲＬＬ変調信号の条件で記録、且つ再生して再生時のジッター値を測定した。
【００３５】
測定は線速度５．３ｍ／ｓを１倍速として、１倍速、２倍速、４倍速記録信号のジッター値に対して、信号記録後のサンプルを、８０℃、２４時間保存し、取り出して、保存前の信号を再生したときのジッター値の劣化量を測定して、これらを表２、表３に示した。
【００３６】
【表２】
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【００３７】
【表３】
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【００３８】
なお、１倍速および２倍速記録においては、記録ストラテジは（ｎ−１）Ｔストラテジを、４倍速記録においては（ｎ／２）Ｔストラテジを用いた。各ストラテジでの各Ｔの記録パルス数は以下の表４のようになる。
【００３９】
【表４】
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【００４０】
表２からは、１倍速でサンプル３が、結晶化速度が速すぎるために溶融後に再結晶化してしまって、アモルファスマークの形成が困難であったことが分かる。
【００４１】
又、２倍速では、サンプル１が結晶化速度が遅いために、アモルファスマークを消去することが困難であり、又、サンプル３が、結晶化速度が速すぎて、溶融後に再結晶化し、アモルファスマークの形成が困難であった。
【００４２】
４倍速において、サンプル１、２、４、６では、結晶化速度が遅いために、アモルファスマークを消去することが困難であったことが分かる。
【００４３】
表３からは、Ｉｎの含有量が少ないと、アモルファスマークの熱安定性が低下するのが分かり、又Ｇｅを添加することにより熱安定性が向上することが分かる。
【００４４】
これらの測定結果からすると、サンプル２、４及び５が、記録速度２倍速としても、結晶化速度が速すぎたり遅すぎたりすることがなく、且つ熱安定性にも優れていることが分かる。
【００４５】
なお、上記実施例に係る光記録媒体は、２層の記録層を有するものであるが、本発明はこれに限定されるものでなく、３層以上の光記録媒体にも適用されるものである。この場合、本発明は、光入射面側から最も遠い記録層を除く他の少なくとも１層記録層に適用される。
【００４６】
更に又、本発明の光記録媒体を、４倍速の高速記録に対応させる場合は、表２、３からＳｂの含有量が多い場合に、高速記録に対応できるが、Ｇｅが少ない場合は熱安定性を確保できないことが分かり、且つ、Ｇｅを添加することによって熱安定性が向上することが分かるので、Ｓｂの成分を多くして、Ｇｅを僅かに添加することにより、４倍速の高速記録が可能であり、且つ熱安定性も得られることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施例に係る光記録媒体を模式的に拡大して示す断面図
【符号の説明】
【００４８】
１０…光記録媒体
１０Ａ…光入射面
１２…ＰＣ基板
１４…第１情報層
１８…第２情報層
２０…光透過層
２４…記録層
２６…放熱層
【図１】
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