(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィ露光システムにおいて空間解像度を向上させるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びこれを用いたフォトリソグラフィ方法を提供する。【解決手段】第１領域４５１と第２領域とを備える基板と、第１及び第２領域のうち一方の領域の基板内に形成された偏光構造４０４と、を含み、第１照明タイプの輻射線が基板及び偏光構造４０４上に入射される場合、第１及び第２領域のうち偏光構造４０４が形成された領域で第２照明タイプの輻射線が形成され、残りの一方の領域で第３照明タイプの輻射線が形成される。【選択図】図８
2006350351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域と第２領域とを備える基板と、
前記第１及び第２領域のうち一方の領域の前記基板内に形成された偏光構造と、を含み、
第１照明タイプの輻射線が前記基板及び前記偏光構造上に入射される場合、前記第１及び第２領域のうち前記偏光構造が形成された領域で第２照明タイプの輻射線が形成され、残りの一方の領域で第３照明タイプの輻射線が形成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記第１照明タイプと前記第３照明タイプとは、同じであることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記第１照明タイプは、等角偏光照明であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記等角偏光照明は、等角偏光クロスポール照明であることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスク。
【請求項５】
前記第１照明タイプは、環状照明であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項６】
前記第２照明タイプの輻射線は、前記第１領域を通過する輻射線から形成されたことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項７】
前記第１領域は、偏光領域であることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項８】
前記第３照明タイプは、前記第１照明タイプと同じであることを特徴とする請求項７に記載のフォトマスク。
【請求項９】
前記第２照明タイプは、双極照明であることを特徴とする請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項１０】
前記基板上に形成されたパターンをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のフォトマスク。
【請求項１１】
前記パターンは、クロムを含むことを特徴とする請求項１０に記載のフォトマスク。
【請求項１２】
前記偏光構造は、前記パターンに近接して形成されたことを特徴とする請求項１０に記載のフォトマスク。
【請求項１３】
前記偏光構造は、前記基板の前記クロムに隣接する面上に形成されたことを特徴とする請求項１１に記載のフォトマスク。
【請求項１４】
前記偏光構造は、前記基板内に形成されたグルーブパターンを備えることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項１５】
前記基板は、石英を含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項１６】
第１領域と第２領域とを備える基板を提供するステップと、
前記第１及び第２領域のうち一方の領域の前記基板内に偏光構造を形成するステップと、を含み、
第１照明タイプの輻射線が前記基板及び前記偏光構造上に入射される場合、前記第１及び第２領域のうち前記偏光構造が形成された領域で第２照明タイプの輻射線が形成され、残りの一方の領域で第３照明タイプの輻射線が形成されることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１７】
前記第１照明タイプと前記第３照明タイプとは、同じであることを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１８】
前記第１照明タイプは、等角偏光照明であることを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項１９】
前記等角偏光照明は、等角偏光クロスポール照明であることを特徴とする請求項１８に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２０】
前記第１照明タイプは、環状照明であることを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２１】
前記第２照明タイプの輻射線は、前記第１領域を通過する輻射線から形成されたことを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２２】
前記第１領域は、偏光領域であることを特徴とする請求項２１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２３】
前記第３照明タイプは、前記第１照明タイプと同じであることを特徴とする請求項２２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２４】
前記第２照明タイプは、双極照明であることを特徴とする請求項２１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２５】
前記基板上にパターンを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２６】
前記パターンは、クロムを含むことを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２７】
前記偏光構造は、前記パターンに近接して形成されることを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２８】
前記偏光構造は、前記基板の前記クロムに隣接する面上に形成されることを特徴とする請求項２６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項２９】
前記偏光構造は、前記基板内に形成されたグルーブパターンを備えることを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３０】
前記基板は、石英を含むことを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３１】
前記基板上に不透明物質膜を形成するステップと、
前記不透明物質膜をパターニングして前記基板上にパターンを形成するステップと、
前記パターン上に透明物質膜を形成するステップと、をさらに含み、
前記基板内に偏光構造を形成するステップは、前記透明物質膜をパターニングして前記パターンに近接する偏光構造を形成することを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３２】
前記基板は、透明物質からなることを特徴とする請求項３１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３３】
前記透明物質は、石英であることを特徴とする請求項３２に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３４】
前記不透明物質膜は、クロムを含むことを特徴とする請求項３１に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３５】
前記基板内に偏光構造を形成するステップは、前記基板をパターニングして前記偏光構造を形成し、
前記フォトマスクの製造方法は、
前記偏光構造を備える基板上に不透明物質膜を形成するステップと、
前記不透明物質膜をパターニングして前記偏光構造に近接するパターンを形成するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３６】
前記不透明物質膜は、クロムを含むことを特徴とする請求項３５に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３７】
前記基板上に不透明物質膜を形成するステップと、
前記不透明物質膜をパターニングして前記基板上にパターンを形成し、前記基板の一部分を露出させるステップと、をさらに含み、
前記基板内に偏光構造を形成するステップは、前記基板の露出された部分をパターニングして前記パターンに近接する偏光構造を形成することを特徴とする請求項１６に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３８】
前記不透明物質膜は、クロムを含むことを特徴とする請求項３７に記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項３９】
第１及び第２領域のうち一方の領域に偏光構造を備えるフォトマスクを、前記フォトマスクの第１及び第２領域に対応する第１及び第２回路領域を備える回路が形成される半導体基板上に位置させるステップと、
前記フォトマスクに第１照明タイプの輻射線を照射し、前記フォトマスクの第１及び第２領域のうち前記偏光構造が形成された領域に対応した前記基板の第１及び第２回路領域のうち一方の回路領域に第２照明タイプの輻射線を入射させ、残りの一方の回路領域に第３照明タイプの輻射線を入射させるステップと、を含むことを特徴とする回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４０】
前記回路は、メモリ回路であることを特徴とする請求項３９に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４１】
前記回路は、ＤＲＡＭ回路であることを特徴とする請求項４０に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４２】
前記第１回路領域はメモリセルを備え、前記第２回路領域は周辺回路を備えることを特徴とする請求項４０に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４３】
前記第１照明タイプと前記第３照明タイプとは、同じであることを特徴とする請求項３９に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４４】
前記第１照明タイプは、等角偏光照明であることを特徴とする請求項３９に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４５】
前記等角偏光照明は、等角偏光クロスポール照明であることを特徴とする請求項４４に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４６】
前記第１照明タイプは、環状照明であることを特徴とする請求項３９に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４７】
前記第２照明タイプの輻射線は、前記第１領域を通過する輻射線から形成されたことを特徴とする請求項３９に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４８】
前記第１領域は、偏光領域であることを特徴とする請求項４７に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項４９】
前記第３照明タイプは、前記第１照明タイプと同じであることを特徴とする請求項４８に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項５０】
前記第２照明タイプは、双極照明であることを特徴とする請求項４７に記載の回路製造用のフォトリソグラフィ方法。
【請求項５１】
第１領域と第２領域とを備える基板と、
前記第１及び第２領域のうち一方の領域の前記基板内に形成された偏光構造と、を含み、
前記偏光構造は、前記基板がクロムと隣接する面上に形成されたことを特徴とするフォトマスク。
【請求項５２】
第１領域と第２領域とを備える基板を提供するステップと、
前記第１及び第２領域のうち一方の領域の前記基板内に偏光構造を形成するステップと、を含み、
前記偏光構造は、前記基板がクロムと隣接する面上に形成されることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク、フォトマスクの製造方法、及び回路製造用のフォトリソグラフィ方法に係り、さらに具体的には、解像度の増大したフォトマスク、フォトマスクの製造方法、及び回路製造用のフォトリソグラフィ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィシステムは、照明源（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  ｓｏｕｒｃｅ）を備える。照明源は、光のような輻射線をレチクルまたはフォトマスクを通じて基板上にコーティングされたフォトレジストのような感光性物質上に向かわせる。基板は、回路パターンのようなパターンが形成される半導体基板でありうる。回路の高集積化につれて、素子は超小型化されている。したがって、回路基板上に形成されるパターンとそれに対応して回路パターンを形成するためのフォトマスクまたはレチクル上のパターンも超小型化されている。このような小型パターンを作るために、フォトリソグラフィシステムは高解像度を有さねばならない。
【０００３】
フォトリソグラフィシステムの解像力を向上させるために、システム内の光学要素は光源からできるだけ多量の光を集めることが重要である。輻射ビームがフォトマスクに垂直または正常に入射される垂直照明（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）または正常標準照明（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｎｏｒｍａｌ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）において、露光システムにより集められて基板に到達する光のほとんどは０次光である。解像度を向上させるためには、フォトマスクパターンにより回折された高い次数を有する光を集め、このような高い次数を有する光を感光性コーティング上に向かわせることが重要である。具体的に、フォトマスクパターンにより回折された１次光を集め、１次光を使用してコーティングを照明することが望ましい。
【０００４】
１次光を集め、これを露光されるウェーハ上に向かわせる１つの方法には、光源による斜入射照明（Ｏｆｆ−Ａｘｉｓ  Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ；ＯＡＩ）がある。ＯＡＩは、照明の軸上（ｏｎ−ａｘｉｓ）または垂直成分、すなわち、フォトマスクに垂直に入射される光を顕著に減らすか、除去する照明形態に属する。照明をチルトさせて垂直入射されないようにすることによって、マスクの回折パターンは、露光システムの対物レンズ内でシフトされる。その結果、さらに多くの１次光がフォトマスクからウェーハ上に向かう。
【０００５】
図１は、フォトリソグラフィ露光工程に使われる照明システムの概略図である。
【０００６】
図１を参照すれば、システム１０は、レチクルまたはフォトマスク２６を照明するための高出力エキシマーレーザ（ｈｉｇｈ−ｐｏｗｅｒ  ｅｘｃｉｍｅｒ  ｌａｓｅｒ）のような照明源１２と調節光学素子を備える。フォトマスク２６の照明された領域は、投射システムによりウェーハ（図示せず）上にイメージングされる。照明源１２は、ビーム１４のような照明輻射ビームをビーム変形器（ｂｅａｍ  ｓｈａｐｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）１６上に照射する。ビーム変形器１６は、ビーム１４を調節して所望の形の照明ビーム２１に変形させる役割を果たす。ビーム変形器１６は、偏向光学素子（Ｄｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｌｅｍｅｎｔ；ＤＯＥ）１８とレンズ２０とを備えうる。変形された照明ビーム２１は、ビーム変形器１６から出て均一化素子２２上に導かれる。均一化素子２２は、ビーム全体に渡って光を均一にする。集光レンズ２４は、光を集めてレチクルまたはフォトマスク２６上にフォーカシングする。図１に示された照明は正常な方向または垂直方向の軸上照明である。
【０００７】
図２は、リソグラフィ露光の原理を示すリソグラフィ露光システムの一部を示す概略図である。
【０００８】
図２を参照すれば、光はフォトマスク２６に垂直に入射される。フォトマスク２６の背面または底面上には不透明な光遮断パターンが形成されている。微細マスクパターンを通過しつつ回折された後、光は投射レンズ２９を透過してウェーハ２７上に集められる。ウェーハ２７上には、フォトマスクパターンのイメージが形成される。
【０００９】
垂直入射された光がフォトマスク２６上の微細パターン間のスリットを通過する場合、パターンの狭い幅により影響されて光は回折され、０次光と１次光とに分離される。大きなスリット幅パターンから出たほとんどの光は０次光またはθ１の回折角を有する±１次光である。マスクについての情報は１次光に含まれている。パターンを解像（ｒｅｓｏｌｖｅ）するためには、パターンの情報がレンズ２９上に到達してレンズ２９によって集められねばならない。図２を参照すれば、垂直照明下では、多量の±１次光がレンズ２９によって集められない。これにより、システムの解像度は、低下されうる。もし、さらに多くの±１次光がレンズ２９上に到達するならば、解像度は向上しうる。
【００１０】
図３は、フォトリソグラフィ露光システム１０内の回折効果を示す概略図である。
【００１１】
図３を参照すれば、ウェーハ２７は、システム１０内のステージ４１上に設置される。フォトマスク２６は、スリットまたはスペースにより分離された不透明なラインパターン４０を備える。光は、パターン４０が形成されたフォトマスク２６に垂直に入射される。微細パターン４０を貫通して回折された後、光は投射レンズ２９を透過してステージ４１上に設置されたウェーハ２７上に到達する。その結果、ウェーハ２７上にパターンのイメージが形成される。
【００１２】
図２と関連して記載したように、垂直入射光がパターン間のスリットを貫通する時、光は、パターンの狭い幅の影響を受けて回折され、０次光と±１次光とに分離される。比較的大きなスリット幅パターンから出た大部分の光線は０次光またはθ１の回折角を有する１次光である。さらに狭いスリット幅パターンから出た光線は、図３に示されたようにほとんどθ２の回折角を有する±１次光である。ここで、θ２は、θ１より大きい。すなわち、フィーチャーサイズ（ｆｅａｔｕｒｅ  ｓｉｚｅ）とデザインピッチ（ｄｅｓｉｇｎｐｉｔｃｈ）が小さくなるほど、±１次光の回折角は増加する。±１次光は、比較的高い強度を有し、投射レンズ２９の焦点距離（ｆｏｃｕｓ  ｄｉｓｔａｎｃｅ）と曲率半径により０次光と±１次光との間の光路差が生成される。したがって、イメージコントラストとそれによる解像度が劣化される。
【００１３】
フォトマスク上のフィーチャーサイズが露光照明の波長に近接するか、またはそれ以下になることによって、回折効果はさらに顕著になる。これにより、１次回折イメージは、投射レンズ２９の外側に現れうる。したがって、イメージの生成において問題点を誘発しうる。なぜなら、フォトマスクからイメージを適切に解像するためには、０次及び１次回折は必ず投射レンズ内に入らねばならないからである。
【００１４】
図４は、フォトリソグラフィ露光システム１１０内の回折効果についての斜入射照明（ＯＡＩ）の効果を示す概略図である。ＯＡＩは、照明の軸上（ｏｎ−ａｘｉｓ）成分、すなわち、フォトマスクにほぼ垂直または垂直に入射される光を大幅に減らすか、または除去したあらゆる照明形態を話す。垂直入射から照明をチルトすることによって、マスクの回折パターンは対物レンズ２９内に移動しうる。さらに多くの±１次光がフォトマスク上に集まり、解像度は向上する。
【００１５】
ＯＡＩは、フォトマスクを照明する際に、露光システム１１０のステッパレンズ（ｓｔｅｐｐｅｒ  ｌｅｎｓ）の光軸を通過する光をオフさせることによって解像度を向上させる。回折格子の役割を果たすフォトマスクの構造物に入った所定角を有する光の相互作用は投射レンズ２９を通じてさらに多くの回折次数を通過させることによって、イメージのコントラストを向上させうる。すなわち、±１次光の回折角θ２は減り、したがって、さらに多量の±１次光が、フォトマスクパターンをウェーハ２７上にイメージングするのに使われうる。
【００１６】
ＯＡＩは、光学リソグラフィにおいて可能であると考えられていた解像度の限界よりも実際的な解像度の限界をさらに発展させた、いくつかの主要解像度向上技術の１つである。他の技術としては、相反転マスク（ｐｈａｓｅ−ｓｈｉｆｔｉｎｇ  ｍａｓｋｓ）及び光近接補正（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎｓ；ＯＰＣ）などが知られている。ＯＡＩを効果的に適用するためには、照明の形態及びサイズがプリントされる特定マスクパターンのために最適化なれねばならない。
【００１７】
ＯＡＩは、リソグラフィシステムの光軸外の少なくとも一つの方向からフォトマスクに対称的に照明することを必要とする。０次及び１次回折次数は、各照明地点からイメージのシフトを補償しうる対称的な配列を有してレンズに到達する。また、投射レンズ内の水平もしくは垂直ライン性能または収差（ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ）によるイメージングエラーを補償するために非対称的照明が必要である。非対称的照明は、照明パターン全体にわたって照明バランスを調節すること、例えば、１つのポールを他のポールに比べて高い強度にすること、及び／または照明パターンの形状を調節すること、例えば、照明パターンの水平軸を照明パターンの垂直軸に比べて長く延長させることがありえる。
【００１８】
形成しようとするパターン及び他の要因に基づいて多様な照明モードが利用されうる。このようなモードは、アニューラ照明（環状照明：ａｎｎｕｌａｒ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）及びマルチポール照明（ｍｕｌｔｉｐｏｌｅ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）を含む。アニューラ照明は、１つのリング及び同心リング（ｃｏｎｃｅｎｔｒｉｃ  ｒｉｎｇｓ）などを含みうる。マルチポール照明モードは、数個のポールを有する照明パターンを備えうる。具体的に、２つのポールを有するダイポール照明（双極照明：ｄｉｐｏｌｅ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）、４つのポールを有するクアドラポール照明（四重極照明：ｑｕａｄｒuｐｏｌｅ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）、及び８個のポールを有するオクタポール照明（ｏｃｔａｐｏｌｅ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）などがありえる。照明モードは、形成しようとするパターンの形態によって使われる。例えば、ただ１つの軸、例えば、Ｘ軸に沿って照明のオフセットが必要なラインアンドスペースパターン（ｌｉｎｅ−ａｎｄ−ｓｐａｃｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）の場合、ダイポール照明形態が使われうる。オフセットの軸が１つ以上必要なパターン、すなわち、ラインアンドスペースより複雑なパターンである場合、アニューラ照明が使われうる。
【００１９】
図５は、一般的な半導体メモリ集積回路１５０の概略図である。
【００２０】
図５の一般的な半導体メモリ回路１５０は１つの回路チップダイ上に形成されたメモリセル領域１５１と隣接する周辺回路領域１５２を備える。一般的に、メモリセル領域１５１は周期的なラインアンドスペースパターンを備え、周辺回路領域１５２は、相異なる複数のパターンを備える。典型的に、メモリ回路１５０が製造される時、露光条件は、メモリセル領域１５１内に形成される回路のために最適化される。したがって、回路１５０の製造に使われる照明モードは、メモリセル領域１５１内のパターン形態によって選択される。
【００２１】
しかし、メモリセル領域１５１に適切な照明モードは、一般的に周辺回路領域１５２に適していない。なぜなら、周辺回路領域１５２に形成されたパターン形態は、メモリセル領域１５１に形成されるパターン形態と異なり、またそれに比べて非常に複雑であるからである。例えば、メモリセル領域１５１は、一般的に周期的なラインアンドスペースパターンからなる。したがって、メモリセル領域１５１を露光するためにダイポール照明モード１５３が一般的に使われる。しかし、周辺回路領域１５２は、多様な形とサイズとを有する非常に複雑で非周期的な回路を含むので、ダイポール照明は、領域１５２を照明するのに適していない。周辺回路領域１５２のためには、アニューラ照明１５４がさらに望ましい。したがって、もし、同じ照明形態、例えば、ダイポールが二領域１５１，１５２のために使われたならば、周辺回路領域１５２内の解像度は最適化されない。
【００２２】
これにより、メモリセル領域１５１と周辺回路領域１５２とを露光するために２種の照明形態が使われうる。具体的に、ダイポール照明１５３は、メモリセル領域１５１の露光に使われ、アニューラ照明１５４は、周辺回路領域１５２の露光に使われる。これは２種の可能な方法により達成されうる。
【００２３】
第１の方法としては、２ステップまたはダブル露光工程が使われうる。この方法では、メモリセル領域１５１は、ダイポール照明１５３を使用して先に露光される。その後、二番目の露光ステップで、周辺回路領域１５２がアニューラ照明１５４を使用して露光される。このようなステップは、逆順になって良い。かかる方法は、いろいろな短所、すなわち、時間の消耗及びそれによる非効率性、ならびにそれによる処理量（ｔｈｒｏｕｇｈｐｕｔ）の減少を誘発する。また、領域間にオーバーレイ（ｏｖｅｒｌａｙ）不良及びスティッチ不良が生じ得る。結論的に、かかる方法は量産に適していない。
【００２４】
他の方法としては、相異なる照明形態を適用した１つの露光ステップを使用してメモリセル領域１５１と周辺回路領域１５２とを同時に露光することである。図６は、このような方法を表す概略図である。光源１２から成形された照明がフォトマスク２２６上に到達する。フォトマスク２２６は、その底面または背面上にクロムのような不透明な物質からなる不透明なラインパターン２２７を有する。成形された照明は、一般的にアニューラタイプ１５４である。フォトマスク２２６は、二つの領域５１，５３を有する。集積回路を有するメモリセル領域１５１のための照明は、フォトマスク２２６の第１領域５１を通過し、周辺回路領域１５２のための照明は、フォトマスク２２６の第２領域５２を通過する。フォトマスクは、第１領域５１の上面上に形成された格子パターン１４３を備えるように製造される。格子パターン１４３は、格子パターン１４３に入射されるアニューラ照明タイプ１５４をダイポール照明タイプ１５３に変形する。その結果、メモリセル領域１５１は、ダイポール照明１５３により照明され、それと同時に周辺回路領域１５２は、アニューラ照明１５４により照明される。
【００２５】
このような方法も多くの短所を有する。例えば、相異なる照明条件でフォトマスク２２６の背面を貫通する回折光は、図６のＡ領域でのようにフォトマスクの背面の第１領域５１と第２領域５２との境界で互いに重複されうる。その結果、メモリセル領域１５１と周辺回路領域１５２との境界に望ましくない照明状態を誘発しうる。一般的に、フォトマスク２２６の背面を通過する回折された光は広く広がるので、空間解像度の損失及び不良なパターンイメージを誘発しうる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、フォトリソグラフィ露光システムにおいて空間解像度を向上させるフォトマスク、フォトマスクの製造方法、及びこれを用いたフォトリソグラフィ方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明によれば、回路が製造される複数の回路領域のために多様な照明条件が同時に実現される。本発明によれば、回路領域別に選択的偏光をなしうるフォトマスクは、表面、特に、背面に偏光構造を備える。前記フォトマスクを通過する光を回路領域別に選択的に偏光させることによって、回路が製造される複数の回路領域のための照明条件が生成されうる。前記回路の複数の回路領域は、相異なる照明条件下で同時に露光される。本発明は、ただ一回の露光に使用しうる回路領域別に最適化された露光条件を提供する。
【００２８】
一側面によれば、本発明は、フォトマスクを提供する。前記フォトマスクは、第１領域と第２領域とを有する基板を備える。前記第１及び第２領域のうち一方の領域の基板内に偏光構造が形成され、第１照明タイプの輻射線が前記基板及び前記偏光構造上に入射される場合、前記第１及び第２領域のうち前記偏光構造が形成された領域で第２照明タイプの輻射線が形成され、残りの一方の領域で第３照明タイプの輻射線が形成される。
【００２９】
一実施形態において、前記第１照明タイプと第３照明タイプとは、同一である。
【００３０】
一実施形態において、前記第１照明タイプは、等角偏光照明（ａｚｉｍｕｔｈａｌ  ｐｏｌａｒｉｚｅｄ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）である。前記等角偏光照明は、等角偏光クロスポール照明（ａｚｉｍｕｔｈａｌ  ｃｒｏｓｓ−ｐｏｌｅ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）でありうる。
【００３１】
一実施形態において、前記第１照明タイプは、環状照明である。
【００３２】
一実施形態において、前記第２照明タイプの輻射線は、前記第１領域を通過する輻射線から形成される。前記第１領域は、偏光領域でありうる。前記第３照明タイプは、前記第１照明タイプと同一であり得る。
【００３３】
一実施形態において、前記第２照明タイプは、双極照明である。
【００３４】
一実施形態において、前記フォトマスクは、前記基板上に形成されたパターンをさらに含む。前記パターンは、クロムを含み、前記偏光構造は、前記パターンに近接して形成されうる。前記偏光構造は、前記基板の前記クロムに隣接する面上に形成されうる。
【００３５】
一実施形態において、前記偏光構造は、前記基板内に形成されたグルーブパターンを備える。
【００３６】
一実施形態において、前記基板は、石英を含む。
【００３７】
他の側面によれば、本発明は、フォトマスクの製造方法を提供する。前記方法は、第１領域と第２領域とを備える基板を提供するステップと、前記第１及び第２領域のうち一方の領域の前記基板内に偏光構造を形成するステップを含み、第１照明タイプの輻射線が前記基板及び前記偏光構造上に入射される場合、前記第１及び第２領域のうち前記偏光構造が形成された領域で第２照明タイプの輻射線が形成され、残りの一方の領域で第３照明タイプの輻射線が形成される。
【００３８】
一実施形態において、前記第１照明タイプと第３照明タイプとは、同一である。
【００３９】
一実施形態において、前記第１照明タイプは、等角偏光照明である。前記等角偏光照明は、等角偏光クロスポール照明でありうる。
【００４０】
一実施形態において、前記第１照明タイプは、環状照明である。
【００４１】
一実施形態において、前記第２照明タイプの輻射線は、前記第１領域を通過する輻射線から形成される。前記第１領域は、偏光領域でありうる。前記第３照明タイプは、前記第１照明タイプと同一でありえる。前記第２照明タイプは、双極照明でありうる。
【００４２】
一実施形態において、前記方法は、前記基板上にパターンを形成するステップをさらに含む。前記パターンは、クロムを含みうる。前記偏光構造は、前記パターンに近接して形成されうる。前記偏光構造は、前記基板の前記クロムに隣接する面上に形成されうる。
【００４３】
一実施形態において、前記偏光構造は、前記基板内に形成されたグルーブパターンを備える。
【００４４】
一実施形態において、前記基板は、石英を含む。
【００４５】
一実施形態において、前記方法は、前記基板上に不透明物質膜を形成するステップと、前記不透明物質膜をパターニングして前記基板上にパターンを形成するステップと、前記パターン上に透明物質膜を形成するステップと、をさらに含み、前記基板内に変更構造を形成するステップは、前記透明物質膜をパターニングして前記パターンに近接する前記偏光構造を形成する。前記基板は透明物質で形成されうる。前記透明物質は、石英であり得る。前記不透明物質は、クロムを含みうる。
【００４６】
一実施形態において、前記基板内に変更構造を形成するステップは、前記基板をパターニングして前記偏光構造を形成し、前記方法は、前記偏光構造を備える基板上に不透明物質膜を形成するステップと、前記不透明物質膜をパターニングして前記偏光構造に近接するパターンを形成するステップと、をさらに含む。前記不透明物質は、クロムを含みうる。
【００４７】
一実施形態において、前記方法は、前記基板上に不透明物質膜を形成するステップと、前記不透明物質膜をパターニングして前記基板上にパターンを形成し、前記基板の一部分を露出させるステップと、をさらに含み、前記基板内に偏光構造を形成するステップは、前記基板の露出された部分をパターニングして前記パターンに近接する偏光構造を形成する。前記不透明物質は、クロムを含みうる。
【００４８】
さらに他の一側面によれば、本発明は、回路製造用のフォトリソグラフィ方法を提供する。前記方法は、第１及び第２領域のうち一方の領域に偏光構造を備えるフォトマスクを、前記フォトマスクの第１及び第２領域に対応する第１及び第２回路領域を備える回路が形成される半導体基板上に位置させるステップと、前記フォトマスクに第１照明タイプの輻射線を照射し、前記フォトマスクの第１及び第２領域のうち前記偏光構造が形成された領域に対応した前記基板の第１及び第２回路領域のうち一方の回路領域に第２照明タイプの輻射線を入射させ、残りの一方の領域に第３照明タイプの輻射線を入射させるステップと、を含む。
【００４９】
一実施形態において、前記回路は、メモリ回路である。前記回路は、ＤＲＡＭ回路でありうる。前記回路の第１回路領域は、メモリセルを備え、前記回路の第２回路領域は、周辺回路を備えうる。
【００５０】
一実施形態において、前記第１照明タイプと第３照明タイプとは、同一である。
【００５１】
一実施形態において、前記第１照明タイプは、等角偏光照明である。前記等角偏光照明は、等角偏光クロスポール照明でありうる。
【００５２】
一実施形態において、前記第１照明タイプは、環状照明である。前記第２照明タイプの輻射線は、前記第１領域を通過する輻射線から形成されうる。前記第１領域は、偏光領域でありうる。
【００５３】
一実施形態において、前記第３照明タイプは、前記第１照明タイプと同一である。前記第２照明タイプは、双極照明でありうる。
【００５４】
さらに他の一側面によれば、本発明は、フォトマスクを提供する。前記フォトマスクは、第１領域と第２領域とを備える基板と、前記第１及び第２領域のうち一方の領域の前記基板内に形成された偏光構造を含み、前記偏光構造は、前記基板がクロムと隣接する面上に形成される。
【００５５】
さらに他の一側面によれば、本発明は、フォトマスクの製造方法を提供する。前記方法は、第１領域と第２領域とを備える基板を提供するステップと、前記第１及び第２領域のうち一方の領域の前記基板内に偏光構造を形成するステップと、を含み、前記偏光構造は、前記基板がクロムと隣接する面上に形成される。
【発明の効果】
【００５６】
本発明によれば、フォトリソグラフィ過程で照明タイプを領域別に選択的に制御することによって、ウェーハ全体領域に渡って露光システムの解像度が最適化される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５７】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態を詳細に説明する。図面において同じ参照符号は、同じ要素を示す。しかし、本発明の実施形態は、色々な他の形に変形でき、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されると解釈されてはならない。本発明は、特許請求の範囲により定義される本発明の思想及び範疇内に含まれうる代案、変形、及び等価物を含む。また、後述する本発明の詳細な説明で複数の特定細部は、本発明の完全な理解を助けるために提供されたものである。しかし、当業者ならば、これらの特定の細部がなくても、本発明が実施されうるということを明確に理解できるであろう。
【００５８】
本発明によれば、フォトマスク上に偏光構造が形成され、フォトマスクの偏光構造が形成された領域に到達する照明のタイプが変換される。
【００５９】
図７は、本発明によるフォトマスク３０１を使用するフォトリソグラフィ露光システム３００を示す概略図である。
【００６０】
図７を参照すれば、等角クロスポール照明（ａｚｉｍｕｔｈａｌクロスポール照明）のようなアニューラ照明タイプ（環状照明タイプ）１５４を有する光源３２０は、フォトマスク３０１上に光を照射する。フォトマスク３０１は、石英のような物質を含有する透明基板３０２を備える。形成された光は、基板３０２の上面または前面３０２ｂ上に照射される。クロムのような物質を含有する不透明なラインパターン３０６，３０８は、基板３０２の底面または背面３０２ａ上に形成される。システム３００は、パターン３０６，３０８をウェーハ３１０上に形成されたフォトレジスト層３１２上に描写する。ウェーハ３１０は、メモリセルが形成されたメモリセル領域（第１または第２回路領域）１５１と周辺回路が形成された周辺回路領域（第２または第１回路領域）１５２とを備える。フォトマスク３０１は、２つの領域３５１，３５２を備える。一実施形態において、メモリセル領域１５１の露光に使われる照明は、フォトマスク３０１の第１領域３５１を通過し、周辺回路領域１５２の露光に使われる照明は、第２領域３５２を通過する。
【００６１】
本発明によれば、フォトマスク基板３０２の第１領域３５１はその背面に形成された偏光パターン３０４を備える。偏光パターン（偏光構造）３０４は、石英基板３０２内にエッチングにより形成された周期的なグルーブパターンを含む。グルーブの深さ、幅、及びピッチ（周期）は、照明光の波長を考慮して選択される。偏光パターン３０４は、フォトマスク３０１の第１領域３５１上に入射される光の照明タイプを変える。言い換えれば、フォトマスク基板３０２の背面３０２ａを通じて出射されてウェーハ３１０上に形成されたフォトレジスト層３１２の第１領域１５１に到達する光の照明タイプは、基板３０２の前面３０２ｂに入射される光の照明タイプと異なる。具体的に、光源から等角アニューラ照明が出射されたとすれば、フォトマスク３０１の第１領域３５１の背面からの光はダイポール照明（双極照明）でありうる。
【００６２】
光は、横電界（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｌｅｄ）と横磁界（ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｌｅｄ）の組み合わせである。電界、すなわち、ＴＥ界と磁界、すなわち、ＴＭ界は、進行方向に対して垂直な平面のうち互いに垂直な平面で振動する。如何なる光線でも二部分に分けられる。
【００６３】
偏光された光波動は、１つの平面で振動が起こる光波動である。非偏光の光を偏光された光に変換する方法は、偏光（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）と知られている。ＴＥ偏光は、入射面に対して垂直な偏光と定義される。入射面内で放射偏光された（ｒａｄｉａｔｉｏｎ  ｐｏｌａｒｉｚｅｄ）ことはＴＭ偏光と称する。本発明によれば、面波動は、偏光構造が形成されたフォトマスク上に垂直入射される。ＴＥ偏光の場合、偏光構造内のラインパターンのグルーブがｙ軸と平行しているとすれば、回折次数の偏光された電界はｙ軸に平行している。ＴＭ偏光の場合、偏光された電界は、はじめにはｘ軸に平行しているが、第１回折次数はフォトレジスト及びウェーハに伝播される間にｚ成分を必要とする。
【００６４】
図８は、本発明の一実施形態によるフォトマスク４０１の一部分を示す概略的な斜視図であって、フォトマスク４０１は、フォトマスク基板４０２の一領域内に形成された偏光構造４０４を備える。基板４０２は、前面４０２ｂと背面４０２ａとを備える。背面４０２ａには、偏光構造４０４が形成されている。示されたように、偏光構造４０４は、ｙ軸に平行に延長する平行したグルーブのパターンを含む。偏光構造４０４のグルーブは、不透明なクロムパターンライン４０６の反対面に隣接しつつ反対面上に形成される。不透明なライン４０６は、ウェーハ上への回路パターンの形成に使われる複数のラインのうちの１つである。たとえ図８に示されていないとしても、フォトマスク４０１は、パターンを形成する複数の不透明なライン４０６を実質的に含みうる。フォトマスク４０１上に形成されたパターンは、フォトリソグラフィ露光システムにより集積回路にイメージングされる。
【００６５】
図９は、図８の切断線Ｉ−Ｉ’に沿って取られた図８のフォトマスク４０１の一部を示す概略的な断面図である。
【００６６】
図９を参照すれば、偏光構造（偏光パターン）４０４のグルーブは、深さ（ｄ）、幅（ｗ）、及びピッチまたは周期（ｐ）により特定される。このようなパラメータは偏光される光、特に偏光される光の波長によって選択される。
【００６７】
図１０Ａ〜図１０Ｃは、図８に示す本発明のフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光子が等角アニューラ照明により照明された場合を示す。具体的に、図１０Ｂは、偏光構造４０４を備えるフォトマスク４０１の一部を表す概略的な斜視図である。図１０Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でフォトマスク４０１の照明に使われる等角偏光アニューラ照明を概略的に示す。図１０Ｃは、フォトマスク４０１の前面４０２ｂ上に等角偏光アニューラ照明１６０が入射されて偏光子４０４により生成される選択的ｙ−ダイポール照明１７０を概略的に示す。図１０Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０は、フォトマスク４０１の背面４０２ａから放出され、一実施形態においてフォトリソグラフィ露光過程で集積回路のメモリセル領域の照明に使われる。
【００６８】
フォトマスク４０１は、選択的ｘ−偏光子である。図１０Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光アニューラ照明１６０は、照明１６０のアニューラリング内で対向側に位置する複数対のポールを備える。具体的に、図１０Ａはアニューラリング１６０上に対向して位置する４対のポール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄを示す。
【００６９】
図１０Ａの等角偏光アニューラ照明１６０が図１０Ｂの選択的ｘ−偏光子フォトマスク４０１に照射され、これを通過する場合、図１０Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０が生成される。一実施形態において、図１０Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０は、フォトリソグラフィ工程の露光過程で集積回路のメモリセル領域の照明に使われる。図１０Ｃを参照すれば、選択的ｙ−ダイポール照明１７０は、３対のポール１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄを備える。ポール対１６０ａは、フォトマスク４０１の偏光子４０４により除去された。
【００７０】
図１１Ａ〜図１１Ｃは、図８に示す本発明のフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光子が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。具体的に、図１１Ｂは偏光構造４０４を備えるフォトマスク４０１の一部分を示す概略的な斜視図である。図１１Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でフォトマスク４０１の照明に使われる等角偏光クロスポール照明を概略的に示す。図１１Ｃは、フォトマスク４０１の前面４０２ｂ上に等角偏光クロスポール照明１６５が入射して偏光子４０４により生成された選択的ｙ−ダイポール照明１７０’を概略的に示す。図１１Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０’は、フォトマスク４０１の背面４０２ａから放出され、一実施形態において、フォトリソグラフィ露光過程で集積回路のメモリセル領域の照明に使われうる。
【００７１】
フォトマスク４０１は、選択的ｘ−偏光子である。図１１Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光クロスポール照明１６５は、照明１６０のアニューラリング内で対向側に位置する複数のポール対を備える。具体的に、図１１Ａは、アニューラリング上に対向して位置する２対のポール１６０ａ，１６０ｂを示す。
【００７２】
図１１Ａの等角偏光クロスポール照明１６５が図１１Ｂの選択的ｘ−偏光子フォトマスク４０１に照射されてこれを通過する場合、図１１Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０’が生成される。一実施形態において、図１１Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０’は、フォトリソグラフィ工程の露光過程で集積回路のメモリセル領域の照明に使われる。図１１Ｃを参照すれば、選択的ｙ−ダイポール照明１７０’は、１対のポール１６０ｂを備える。ポール対１６０ａは、フォトマスク４０１の偏光構造４０４により除去された。
【００７３】
図１２は、本発明の他の実施形態によるフォトマスク５０１の一部を示す概略的な斜視図であって、フォトマスク５０１は、基板５０２の一領域５４１内に形成された偏光構造５０４を備える。基板５０２は、前面５０２ｂと背面５０２ａとを備える。背面５０２ａには、偏光構造５０４が形成されている。示されたように、偏光構造５０４は、ｘ軸に平行に延長する平行したグルーブのパターンを含む。偏光構造５０４のグルーブは不透明なクロムパターンライン５０６の反対面に隣接しつつ反対面上に形成される。不透明なライン５０６は、ウェーハ上に回路パターンの形成に使われる複数のラインのうちの１つである。たとえ図１２に示されていないとしても、フォトマスク５０１は、パターンを形成する複数の不透明なライン５０６を実質的に含みうる。フォトマスク５０１上に形成されたパターンは、フォトリソグラフィ露光システムにより集積回路にイメージングされる。
【００７４】
図１３Ａ〜図１３Ｃは、図１２に示す本発明のフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。具体的に、図１３Ｂは、偏光構造５０４を備えるフォトマスク５０１の一部を表す概略的な斜視図である。図１３Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でフォトマスク５０１の照明に使われる等角偏光アニューラ照明を概略的に示す。図１３Ｃは、フォトマスク４０１の前面５０２ｂ上に等角偏光アニューラ照明１６０が入射されて偏光構造５０４により生成される選択的ｘ−ダイポール照明２７０を概略的に示す。図１３Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０は、フォトマスク５０１の背面５０２ａから放出され、一実施形態においてフォトリソグラフィ露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われる。
【００７５】
フォトマスク４０１は、選択的ｙ−偏光子である。図１３Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光アニューラ照明１６０は、照明１６０のアニューラリング内で対向側に位置する複数のポール対を備える。具体的に、図１３Ａは、アニューラリング１６０上に対向して位置する４対のポール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄを示す。
【００７６】
図１３Ａの等角偏光アニューラ照明１６０が図１３Ｂの選択的ｙ−偏光子フォトマスク５０１に照射され、これを通過する場合、図１３Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０が生成される。一実施形態において、図１３Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０は、フォトリソグラフィ工程の露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われる。図１３Ｃを参照すれば、選択的ｘ−ダイポール照明２７０は、３対のポール１６０ａ，１６０ｃ，１６０ｄを備える。ポール対１６０ｂは、フォトマスク５０１の偏光構造５０４により除去された。
【００７７】
図１４Ａ〜図１４Ｃは、図１２に示す本発明のフォトマスク５０１の機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光子が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。具体的に、図１４Ｂは、偏光構造５０４を備えるフォトマスク５０１の一部を示す概略的な斜視図である。図１４Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でフォトマスク５０１の照明に使われる等角偏光クロスポール照明を概略的に示す。図１４Ｃは、フォトマスク５０１の前面５０２ｂ上に等角偏光クロスポール照明１６５が入射され、偏光構造５０４により生成された選択的ｘ−ダイポール照明２７０’を概略的に示す。図１４Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０’は、フォトマスク５０１の背面５０２ａから放出され、一実施形態において、フォトリソグラフィ露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われうる。
【００７８】
フォトマスク５０１は、選択的ｙ−偏光子である。図１４Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光クロスポール照明１６５は、照明１６５のアニューラリング内で対向側に位置する複数のポール対を備える。具体的に、図１４Ａは、アニューラリング上に対向して位置する２対のポール１６０ａ，１６０ｂを示す。
【００７９】
図１４Ａの等角偏光クロスポール照明１６５が図１４Ｂの選択的ｙ−偏光子フォトマスク５０１に照射され、これを通過する場合、図１４Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０’が生成される。一実施形態において、図１４Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０’は、フォトリソグラフィ工程の露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われる。図１４Ｃを参照すれば、選択的ｘ−ダイポール照明２７０’は、１対のポール１６０ａを備える。ポール対１６０ｂは、フォトマスク５０１の偏光構造５０４により除去された。
【００８０】
図１５は、本発明のさらに他の実施形態によるフォトマスク６０１の一部を示す概略的な斜視図であって、フォトマスク６０１は、基板６０２の一領域６４１内に形成された偏光構造６０４を備える。基板６０２は、前面６０２ｂと背面６０２ａとを備える。背面６０２ａには、偏光構造６０４が形成されている。示されたように、偏光構造６０４は、ｘ軸に平行に延びる平行したグルーブのパターンを含む。偏光構造６０４のグルーブは、不透明なクロムパターンライン６０６の反対面に隣接しつつ、反対面上に形成される。不透明なライン６０６は、ウェーハ上への回路パターンの形成に使われる複数のラインのうちの１つである。たとえ図１５に示されていないとしても、フォトマスク６０１は、パターンを形成する複数の不透明なライン６０６を実質的に含みうる。フォトマスク６０１上に形成されたパターンは、フォトリソグラフィ露光システムにより集積回路にイメージングされる。
【００８１】
図１６Ａ〜図１６Ｃは、図１５に示す本発明のフォトマスク６０１の機能を示す概略図であって、フォトマスク６０１の偏光構造６０４が等角偏光アニューラ照明１６０により照明された場合を示す。具体的に、図１６Ｂは、偏光構造６０４を備えるフォトマスク６０１の一部を示す概略的な斜視図である。図１６Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でフォトマスク６０１の照明に使われる等角偏光アニューラ照明を概略的に示す。図１６Ｃは、フォトマスク６０１の前面６０２ｂ上に等角偏光アニューラ照明１６０が入射され、偏光構造６０４により生成される選択的ｙ−ダイポール照明１７０を概略的に示す。図１６Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０は、フォトマスク６０１の背面６０２ａから放出され、一実施形態においてフォトリソグラフィ露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われる。
【００８２】
フォトマスク６０１は、選択的ｘ−偏光子である。図１６Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光アニューラ照明１６０は、照明１６０のアニューラリング内で対向側に位置する複数のポール対を備える。具体的に、図１６Ａはアニューラリング１６０上に対向して位置する４対のポール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄを示す。
【００８３】
図１６Ａの等角偏光アニューラ照明１６０が図１６Ｂの選択的ｘ−偏光子フォトマスク６０１に照射され、これを通過する場合、図１６Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０が生成される。一実施形態において、図１６Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０は、フォトリソグラフィ工程の露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われる。図１６Ｃを参照すれば、選択的ｙ−ダイポール照明１７０は、３対のポール１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄを備える。ポール対１６０ａは、フォトマスク６０１の偏光構造６０４により除去された。
【００８４】
図１７Ａ〜図１７Ｃは、図１５に示す本発明のフォトマスク６０１の機能を示す概略図であって、フォトマスク６０１の偏光構造６０４が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。具体的に、図１７Ｂは、偏光構造６０４を備えるフォトマスク６０１の一部を示す概略的な斜視図である。図１７Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でのフォトマスク６０１の照明に使われる等角偏光クロスポール照明１６５を概略的に示す。図１７Ｃは、フォトマスク６０１の前面６０２ｂ上に等角偏光クロスポール照明１６５が入射され、偏光構造６０４により生成された選択的ｙ−ダイポール照明１７０’を概略的に示す。図１７Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０’は、フォトマスク６０１の背面６０２ａから放出され、一実施形態において、フォトリソグラフィ露光過程での集積回路のメモリセル領域の照明に使われうる。
【００８５】
フォトマスク６０１は、選択的ｘ−偏光子である。図１７Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光クロスポール照明１６５は、照明１６５のアニューラリング内で対向側に位置する複数のポール対を備える。具体的に、図１７Ａは、アニューラリング上に対向して位置する２対のポール１６０ａ，１６０ｂを示す。
【００８６】
図１７Ａの等角偏光クロスポール照明１６５が図１７Ｂの選択的ｘ−偏光子フォトマスク６０１に照射され、これを通過する場合、図１７Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０’が生成される。一実施形態において、図１７Ｃの選択的ｙ−ダイポール照明１７０’は、フォトリソグラフィ工程の露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われる。図１７Ｃを参照すれば、選択的ｙ−ダイポール照明１７０’は、１対のポール１６０ｂを備える。ポール対１６０ａは、フォトマスク６０１の偏光構造６０４により除去された。
【００８７】
図１８は、本発明のさらに他の実施形態によるフォトマスク７０１の一部を示す概略的な斜視図であって、フォトマスク７０１は、基板７０２の一領域７４１内に形成された偏光構造７０４を備える。基板７０２は前面７０２ｂと背面７０２ａを備える。背面７０２ａには偏光構造７０４が形成されている。示されたように、偏光構造７０４は、ｙ軸に平行に延びる平行したグルーブのパターンを含む。偏光構造７０４のグルーブは、不透明なクロムパターンライン７０６の反対面に隣接しつつ反対面上に形成される。不透明なライン７０６は、ウェーハ上に回路パターンを形成するのに使われる複数のラインのうちの１つである。たとえ図１８に示されていないとしても、フォトマスク７０１はパターンを形成する複数の不透明なライン７０６を実質的に含みうる。フォトマスク７０１上に形成されたパターンはフォトリソグラフィ露光システムにより集積回路にイメージングされる。
【００８８】
図１９Ａ〜図１９Ｃは、図１８に示す本発明のフォトマスク７０１の機能を示す概略図であって、フォトマスク７０１の偏光構造７０４が等角偏光アニューラ照明１６０により照明された場合を示す。具体的に、図１９Ｂは、偏光構造７０４を備えるフォトマスク７０１の一部を示す概略的な斜視図である。図１９Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でのフォトマスク７０１の照明に使われる等角偏光アニューラ照明１６０を概略的に示す。図１９Ｃは、フォトマスク７０１の前面７０２ｂ上に等角偏光アニューラ照明１６０が入射されて偏光構造７０４により生成される選択的ｘ−ダイポール照明２７０を概略的に示す。図１９Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０は、フォトマスク７０１の背面７０２ａから放出され、一実施形態においてフォトリソグラフィ露光過程での集積回路のメモリセル領域の照明に使われる。
【００８９】
フォトマスク７０１は、選択的ｙ−偏光子である。図１９Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光アニューラ照明１６０は、照明１６０のアニューラリング内で対向側に位置する複数のポール対を備える。具体的に、図１９Ａは、アニューラリング１６０上に対向して位置する４対のポール１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄを示す。
【００９０】
図１９Ａのアニューラ等角偏光クロスポール照明１６０が図１９Ｂの選択的ｙ−偏光子フォトマスク７０１に照射され、これを通過する場合、図１９Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０が生成される。一実施形態において、図１９Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０は、フォトリソグラフィ工程の露光過程での集積回路のメモリセル領域の照明に使われる。図１９Ｃを参照すれば、選択的ｘ−ダイポール照明２７０は、３対のポール１６０ａ，１６０ｃ，１６０ｄを備える。ポール対１６０ｂは、フォトマスク７０１の偏光構造７０４により除去された。
【００９１】
図２０Ａ〜図２０Ｃは、図１８に示す本発明のフォトマスク７０１の機能を示す概略図であって、フォトマスク７０１の偏光構造７０４が等角偏光クロスポール照明１６５により照明された場合を示す。具体的に、図２０Ｂは、偏光構造７０４を備えるフォトマスク７０１の一部を示す概略的な斜視図である。図２０Ａは、フォトリソグラフィ露光過程でのフォトマスク７０１の照明に使われる等角偏光クロスポール照明を概略的に示す。図２０Ｃは、フォトマスク７０１の前面７０２ｂ上に等角偏光クロスポール照明１６５が入射して偏光構造７０４により生成された選択的ｘ−ダイポール照明２７０’を概略的に示す。図２０Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０’は、フォトマスク７０１の背面７０２ａから放出され、一実施形態において、フォトリソグラフィ露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われうる。
【００９２】
フォトマスク７０１は、選択的ｙ−偏光子である。図２０Ａを参照すれば、露光システムの光源から出射された等角偏光クロスポール照明１６５は、照明１６５のアニューラリング内で対向側に位置する複数のポール対を備える。具体的に、図２０Ａは、アニューラリング上に対向して位置する２対のポール１６０ａ，１６０ｂを示す。
【００９３】
図２０Ａの等角偏光クロスポール照明１６５が図２０Ｂの選択的ｙ−偏光子フォトマスク７０１に照射され、これを通過する場合、図２０Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０’が生成される。一実施形態において、図２０Ｃの選択的ｘ−ダイポール照明２７０’は、フォトリソグラフィ工程の露光過程で集積回路のメモリセル領域を照明するのに使われる。図２０Ｃを参照すれば、選択的ｘ−ダイポール照明２７０’は、１対のポール１６０ａを備える。ポール対１６０ｂは、フォトマスク７０１の偏光構造７０４により除去された。
【００９４】
図２１及び図２２は、本発明の実施形態による３つのタイプのフォトマスクを示す概略的な斜視図である。図２１及び図２２の実施形態は、本発明の前述した実施形態に適用されうる。
【００９５】
図２１は、本発明によるフォトマスク８０１の第１タイプ及び第２タイプを示す概略的な斜視図である。図２１のフォトマスク８０１は、“第１タイプ”または“第２タイプ”フォトマスクと呼ばれる。すなわち、第１及び第２フォトマスクは、同一かまたは類似した構造を有する。しかし、それらは相異なる方法により製造される。図２１を参照すれば、フォトマスク８０１は、石英のような物質を含有する透明基板８０２を備える。基板８０２は、前面８０２ｂと背面８０２ａとを備える。背面８０２ａには、本発明の偏光構造８０４が形成されている。フォトマスク８０１は、クロムのような物質を含有する不透明なライン８０６のパターンを備える。偏光構造８０４は、不透明なライン８０６の反対面に隣接しつつ反対面上に形成される。本発明によれば、フォトリソグラフィ露光システムの光源からフォトマスク８０１の前面８０２ｂ上に光が入射される。前述した発明の詳細な説明で説明されたように、基板８０２の背面８０２ａ上に位置する偏光構造８０４は、フォトマスクの背面８０２ａを通じて出射される照明の照明タイプをフォトマスク８０１の前面８０２ｂに入射される照明の照明タイプと異なるように変換する。
【００９６】
図２２は、本発明によるフォトマスク９０１の第３タイプを示す概略的な斜視図である。図２２のフォトマスク９０１は、“第３タイプ”フォトマスクと称され得る。図２２を参照すれば、フォトマスク９０１は、石英のような物質を含有する透明基板９０２を備える。基板９０２は、前面９０２ｂと背面９０２ａとを備える。背面９０２ａには、本発明の偏光構造９０４が形成されている。フォトマスク９０１は、クロムのような物質を含有する不透明なライン９０６のパターンを備える。偏光構造９０４は、不透明なライン９０６の反対面に隣接しつつ、反対面上に形成される。本発明によれば、フォトリソグラフィ露光システムの光源からフォトマスク９０１の前面９０２ｂ上に光が入射される。前述したように、基板９０２の背面９０２ａ上に位置する偏光構造９０４は、フォトマスクの背面９０２ａを通じて出射される照明の照明タイプをフォトマスク９０１の前面９０２ｂに入射される照明の照明タイプと異なるように変換する。
【００９７】
図２３Ａ〜図２３Ｅは、図２１の第１タイプフォトマスク８０１を製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【００９８】
図２３Ａを参照すれば、石英のような物質を備える透明基板８０２を備える構造が提供される。基板８０２は、前面８０２ｂと背面８０２ａとを備える。クロム８７１のような不透明な物質を含む膜が基板８０２の背面８０２ａ上に形成される。
【００９９】
図２３Ｂを参照すれば、クロムフィルム８０６は、エッチングのような方法でパターニングされて基板８０２の背面８０２ａ上にラインパターン８０６を形成する。
【０１００】
図２３Ｃを参照すれば、エッチングマスク８７３が基板８０２の背面８０２ａ上に形成される。エッチングマスク８７３は、パターニングされる。
【０１０１】
図２３Ｄを参照すれば、エッチングマスク８７３を使用して基板８０２をエッチングして背面８０２ａ上に偏光構造８０４を形成する。
【０１０２】
図２３Ｅを参照すれば、エッチングマスク８７３は除去される。
【０１０３】
図２４Ａ〜図２４Ｄは、図２１の第２タイプフォトマスク８０１を製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【０１０４】
図２４Ａを参照すれば、石英のような物質を含有する透明基板８０２が提供される。基板８０２は、前面８０２ｂと背面８０２ａとを備える。エッチングマスク８７３が基板８０２の背面８０２ａ上に形成される。
【０１０５】
図２４Ｂを参照すれば、エッチングマスク８７３を使用して基板８０２をエッチングして背面８０２ａ上に偏光構造８０４を形成する。
【０１０６】
図２４Ｃを参照すれば、エッチングマスク８７３は、除去され、クロム８７１のような不透明な物質を含有する膜が偏光構造８０４を備える基板８０２の背面８０２ａ上に形成される。
【０１０７】
図２４Ｄを参照すれば、クロムフィルム８０６は、エッチングのような方法でパターニングされて基板８０２の背面８０２ａ上にラインパターン８０６を形成する。
【０１０８】
図２３Ａ〜図２３Ｅを参照して記述した方法によって製造されたフォトマスク８０１の構造は、図２４Ａ〜図２４Ｄを参照して記述した方法によって製造されたフォトマスク８０１の構造と異なるという点に注意せねばならない。
【０１０９】
具体的に、図２３Ａ〜図２３Ｅによる方法により製造されたフォトマスク８０１（第１タイプ）では、偏光構造８０４の不透明なライン８０６が形成された後に形成される。その結果、第１型フォトマスク８０１では、偏光構造が基板８０２上に形成されるが、ライン８０６に隣接した領域にのみ形成され、ライン８０６の下には形成されない。一方、図２４Ａ〜図２４Ｄ（第２タイプ）による方法によって形成されたフォトマスク８０１は、不透明なライン８０６が形成される前に偏光構造８０４が形成される。その結果、第２型フォトマスク８０１では、偏光構造８０４が不透明なライン８０６に隣接した領域及び不透明なライン８０６の下にも形成される。
【０１１０】
図２５Ａ〜図２５Ｄは、図２２の第３タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【０１１１】
図２５Ａを参照すれば、石英のような物質を含有する透明基板９０２が提供される。基板９０２は、前面９０２ｂと背面９０２ａとを備える。クロムのような物質を含有する不透明物質膜９７１が基板９０２の背面９０２ａ上に形成される。
【０１１２】
図２５Ｂを参照すれば、クロム膜９０６をエッチングのような方法でパターニングして基板９０２の背面９０２ａ上にラインパターン９０６を形成する。
【０１１３】
図２５Ｃを参照すれば、石英のような物質を含有する透明物質膜９６７をライン９０６と背面９０２ａ上に積層する。透明物質膜９６７の厚さは、露光システムの照明光の波長λと類似している。
【０１１４】
図２５Ｄを参照すれば、透明物質膜９６７上にエッチングマスク（図示せず）を形成し、エッチングマスクを使用して透明物質膜９６７をエッチングして基板９０２の背面９０２ａ上に偏光構造９０４を形成する。その後、エッチングマスクを除去する。
【０１１５】
図２６は、本発明の第１〜第３タイプのフォトマスク及び偏光構造を備えない一般のバイナリマスクのフィーチャーコントラストカーブ（ｆｅａｔｕｒｅ  ｃｏｎｔｒａｓｔ  ｃｕｒｖｅ）を備える。
【０１１６】
図２６のカーブは、本発明のあらゆるフォトマスクが一般のバイナリマスクに比べて向上したフィーチャーコントラストとそれによる向上した解像度を有することを示す。水平軸は、フォトマスク上でのＣｒパターンの位置であり、垂直軸は、光度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  ｏｆ  ｌｉｇｈｔ）である。特に、位置Ｏは、１つのＣｒパターンの中心部であり、０．１４または−０．１４は、他のＣｒパターンの中心部である。前記カーブは、フォトマスクにより透過された光度のエアリアルイメージ（ａｅｒｉａｌ  ｉｍａｇｅ）を表す。各グラフで３つのカーブは、入射光の照明条件、すなわち、非偏光アニューラ照明（ｕｎｐｏｌａｒｉｚｅｄ  ａｎｎｕｌａｒ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）、等角偏光アニューラ照明（ａｚｉｍｕｔｈａｌ  ａｎｎｕｌａｒ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）、ＴＥ偏光アニューラ照明（ＴＥ  ｐｏｌａｒｉｚｅｄ  ａｎｎｕｌａｒ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）により区別される。前記グラフで波動の振幅が広いほど、フォトマスクの解像度は大きくなる。したがって、前記グラフは、一般のバイナリマスクに比べて本発明のフォトマスクがいずれも向上したフィーチャーコントラストとこれによる向上した解像度を有することを示す。
【０１１７】
図２７は、本発明の３つのタイプのフォトマスク及び一般のバイナリマスクの性能グラフを示す図である。
【０１１８】
図２７においてスレショルド値（ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ）は、エアリアルイメージでターゲットＣＤ（ｔａｒｇｅｔ  ＣＤ）が得られた時の光度である。ＮＩＬＳは、正規化されたイメージログ傾度（Ｎｏｒｍａｌｉｚｅｄ  ｉｍａｇｅ  ｌｏｇｓ  ｌｏｐｅ）である。ＮＩＬＳが大きいということは、リソグラフィ性能がさらに良いということを意味する。ＦＰＭは、前面偏光マスク（ｆｒｏｎｔｓｉｄｅ  ｐｏｌａｒｉｚｅｄ  ｍａｓｋ）を意味する。
【０１１９】
本発明は、フォトリソグラフィ露光過程で照明の選択的、地域的最適化をなしうるフォトマスクとフォトマスクの製造方法を提供する。前述した多様なフォトマスク及びフォトマスクの製造方法は、最適化された照明条件を生成するための１つのフォトマスクの複数個の領域に選択的に適用しうる。言い換えれば、前述したフォトマスクのいろいろなタイプのうち１つは、同じフォトマスクの複数個の領域に適用されるか、前述した相異なるタイプのフォトマスクは、１つのフォトマスクの複数の領域に適用されうる。これにより、本発明による１つのフォトマスクは、露光工程で最適化された照明条件を有する複数の領域を生成するのに使用しうる。前記複数の領域は、相等しいか、相異なる最適化された照明条件を有することができる。
【０１２０】
本発明の特定の実施形態についての以上の説明は、例示及び説明の目的として提供された。本発明は、実施形態に限定されず、本発明の技術的思想内で当業者によって多様な修正及び変形が可能であることが明白である。本発明の範疇は、特許請求の範囲及びその等価物により限定される。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明は、フォトマスク及びフォトリソグラフィシステム関連の技術分野に好適に適用されうる。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】フォトリソグラフィ露光工程に使われる照明システムの概略図である。
【図２】リソグラフィ露光の原理を示すリソグラフィ露光システムの一部を示す概略図である。
【図３】フォトリソグラフィ露光システム内の回折効果を示す概略図である。
【図４】フォトリソグラフィ露光システム内の回折効果についての斜入射照明（ＯＡＩ）の効果を示す概略図である。
【図５】一般的な半導体メモリ集積回路の概略図である。
【図６】解像力を向上させるための一般的な方法を適用したフォトリソグラフィシステムの概略図である。
【図７】本発明のフォトマスクを使用するフォトリソグラフィ露光システムを示す概略図である。
【図８】本発明の一実施形態によるフォトマスクの一部分を示す概略的な斜視図である。
【図９】図８の切断線Ｉ−Ｉ’に沿った断面図である。
【図１０Ａ】図８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１０Ｂ】図８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１０Ｃ】図８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１１Ａ】図８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１１Ｂ】図８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１１Ｃ】図８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１２】本発明の他の実施形態によるフォトマスクの一部を示す概略的な斜視図である。
【図１３Ａ】図１２に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１３Ｂ】図１２に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１３Ｃ】図１２に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１４Ａ】図１２に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１４Ｂ】図１２に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１４Ｃ】図１２に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１５】本発明のさらに他の実施形態によるフォトマスクの一部分を示す概略的な斜視図である。
【図１６Ａ】図１５に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１６Ｂ】図１５に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１６Ｃ】図１５に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１７Ａ】図１５に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１７Ｂ】図１５に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１７Ｃ】図１５に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図１８】本発明のさらに他の実施形態によるフォトマスクの一部を示す概略的な斜視図である。
【図１９Ａ】図１８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１９Ｂ】図１８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図１９Ｃ】図１８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光アニューラ照明により照明された場合を示す。
【図２０Ａ】図１８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図２０Ｂ】図１８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図２０Ｃ】図１８に示すフォトマスクの機能を示す概略図であって、フォトマスクの偏光構造が等角偏光クロスポール照明により照明された場合を示す。
【図２１】本発明によるフォトマスクの第１タイプ及び第２タイプを示す概略的な斜視図である。
【図２２】本発明によるフォトマスクの第３タイプを示す概略的な斜視図である。
【図２３Ａ】図２１に示す第１タイプのフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２３Ｂ】図２１に示す第１タイプのフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２３Ｃ】図２１に示す第１タイプのフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２３Ｄ】図２１に示す第１タイプのフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２３Ｅ】図２１に示す第１タイプのフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２４Ａ】図２１に示す第２タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２４Ｂ】図２１に示す第２タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２４Ｃ】図２１に示す第２タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２４Ｄ】図２１に示す第２タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２５Ａ】図２２に示す第３タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２５Ｂ】図２２に示す第３タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２５Ｃ】図２２に示す第３タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２５Ｄ】図２２に示す第３タイプフォトマスクを製造する過程の一実施形態を示す概略的な斜視図である。
【図２６】本発明の第１〜第３タイプのフォトマスク及び本発明の偏光構造を備えない一般のバイナリマスクのフィーチャーコントラストカーブを示す図面である。
【図２７】本発明の３タイプのフォトマスク及び一般のバイナリマスクの性能グラフを示す図面である。
【符号の説明】
【０１２３】
４０１    フォトマスク、
４０２    フォトマスク基板、
４０２ａ    背面、
４０２ｂ    前面、
４０４    偏光構造、
４０６    ライン。
【図１】
2006350351.tif 000003
【図２】
2006350351.tif 000004
【図３】
2006350351.tif 000005
【図４】
2006350351.tif 000006
【図５】
2006350351.tif 000007
【図６】
2006350351.tif 000008
【図７】
2006350351.tif 000009
【図８】
2006350351.tif 000010
【図９】
2006350351.tif 000011
【図１０Ａ】
2006350351.tif 000012
【図１０Ｂ】
2006350351.tif 000013
【図１０Ｃ】
2006350351.tif 000014
【図１１Ａ】
2006350351.tif 000015
【図１１Ｂ】
2006350351.tif 000016
【図１１Ｃ】
2006350351.tif 000017
【図１２】
2006350351.tif 000018
【図１３Ａ】
2006350351.tif 000019
【図１３Ｂ】
2006350351.tif 000020
【図１３Ｃ】
2006350351.tif 000021
【図１４Ａ】
2006350351.tif 000022
【図１４Ｂ】
2006350351.tif 000023
【図１４Ｃ】
2006350351.tif 000024
【図１５】
2006350351.tif 000025
【図１６Ａ】
2006350351.tif 000026
【図１６Ｂ】
2006350351.tif 000027
【図１６Ｃ】
2006350351.tif 000028
【図１７Ａ】
2006350351.tif 000029
【図１７Ｂ】
2006350351.tif 000030
【図１７Ｃ】
2006350351.tif 000031
【図１８】
2006350351.tif 000032
【図１９Ａ】
2006350351.tif 000033
【図１９Ｂ】
2006350351.tif 000034
【図１９Ｃ】
2006350351.tif 000035
【図２０Ａ】
2006350351.tif 000036
【図２０Ｂ】
2006350351.tif 000037
【図２０Ｃ】
2006350351.tif 000038
【図２１】
2006350351.tif 000039
【図２２】
2006350351.tif 000040
【図２３Ａ】
2006350351.tif 000041
【図２３Ｂ】
2006350351.tif 000042
【図２３Ｃ】
2006350351.tif 000043
【図２３Ｄ】
2006350351.tif 000044
【図２３Ｅ】
2006350351.tif 000045
【図２４Ａ】
2006350351.tif 000046
【図２４Ｂ】
2006350351.tif 000047
【図２４Ｃ】
2006350351.tif 000048
【図２４Ｄ】
2006350351.tif 000049
【図２５Ａ】
2006350351.tif 000050
【図２５Ｂ】
2006350351.tif 000051
【図２５Ｃ】
2006350351.tif 000052
【図２５Ｄ】
2006350351.tif 000053
【図２６】
2006350351.tif 000054
【図２７】
2006350351.tif 000055