(57)【要約】【課題】支持体に形成される輝尽性蛍光体層の面内発光強度分布に優れた放射線画像変換パネルの製造方法を提供すること。【解決手段】気相堆積法により回転させながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成させる放射線画像変換パネルの製造方法であって、前記支持体の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が、０＜Ｓ≦１５．０を満たすようにする。【選択図】図１
2006090895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相堆積法により回転させながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成させる放射線画像変換パネルの製造方法であって、前記支持体の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が、０＜Ｓ≦１５．０を満たすことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦１１．０を満たすことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦６．０を満たすことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
前記輝尽性蛍光体層は下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルキルを母体とする輝尽性蛍光体からなることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ      ・・・（１）
［ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＭ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類金属であり、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を示す。］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネルの製造方法に係り、特に支持体を回転させながら蛍光体を支持体上に蒸着させる放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用せず放射線像を画像化する方法が開発されている。
【０００３】
例えば、放射線（Ｘ線、高周波発振コイル線、β線、γ線、電子線、紫外線等）の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けると、蓄積された放射線エネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体である輝尽性蛍光体が知られている。この輝尽性蛍光体を利用する一例として、輝尽性蛍光体を含有する層（以下、輝尽性蛍光体層という。）が形成されている放射線画像変換パネルが挙げられる。
【０００４】
ところで、近年、市場では高輝度、高感度、高鮮鋭性を示す放射線画像変換パネルが求められており、感度、鮮鋭性を改善するための手段として、特定の形状に輝尽性蛍光体をコントロールすることが提案されている。例えば、特許文献１では、輝尽性蛍光体の原料を蒸発させる蒸発源の上方に支持体を設置し、気相堆積法によって支持体上に、輝尽性蛍光体の原料を一定の角度で入射させて、支持体の法線方向に対して一定の傾きをもった細長い柱状結晶を気相成長させて支持体の法線方向に対して一定の傾きをもった細長い柱状結晶を有する輝尽性蛍光体層の膜を形成している。
【０００５】
また、鮮鋭性を改善するための手段として、気相堆積法により支持体上に輝尽性蛍光体層を形成する際に支持体を５００ｒｐｍ以上に高速回転させて、膜厚分布の均一を試みることが提案されている（特許文献２）。
【０００６】
また、最近では輝尽性蛍光体としてＣｓＢｒ等のハロゲン化アルカリを母体とし、Ｅｕを付活することが提案されている。特に、Ｅｕを付活することで、高輝度、高感度、高鮮鋭性を示すだけでなく、従来不可能であったＸ線変換効率の向上も可能になるとされている。
【０００７】
このように気相堆積法により輝尽性蛍光体層を形成させることにより高画質な放射線画像を得ることができるようになってきた。
【特許文献１】特開平２−５８０００号公報
【特許文献２】特開２００３−３４４５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、気相堆積法により輝尽性蛍光体層を形成すると、そのプロセス上、面内画質分布、特に、面内発光強度分布を悪化させてしまうという新たな問題を生じさせてしまっていた。また、特許文献２のように、単に支持体の回転数のみを規定するだけでは、大面積化した輝尽性蛍光体での効果が不明確である。
【０００９】
このように、面内画質分布の均一化が、放射線画像変換パネルの実用化に向けて大きな課題となっていた。
【００１０】
そこで、本発明は前記した点に鑑みてなされたもので、支持体に形成される輝尽性蛍光体層の面内発光強度分布に優れた放射線画像変換パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記課題を解決するため、請求項１に記載の発明に係る放射線画像変換パネルの製造方法は、
気相堆積法により回転させながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成させる放射線画像変換パネルの製造方法であって、前記支持体の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が、０＜Ｓ≦１５．０を満たすことを特徴とする。
【００１２】
請求項１に記載の発明によれば、気相堆積法により回転させながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成させる放射線画像変換パネルの製造方法であって、前記支持体の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が、０＜Ｓ≦１５．０を満たすので、周速Ｓを常に一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができる。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法おいて、前記周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦１１．０を満たすことを特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、前記周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦１１．０を満たすので、請求項１に記載の発明に比べて、より周速Ｓを一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、
請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法おいて、前記周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦６．０を満たすことを特徴とする。
【００１６】
請求項３に記載の発明によれば、前記周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦６．０を満たすので、請求項１に記載の発明に比べて、より周速Ｓを一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、
請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、前記輝尽性蛍光体層は下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルキルを母体とする輝尽性蛍光体からなることを特徴とする。
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ      ・・・（１）
［ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＭ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類金属であり、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を示す。］
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、前記輝尽性蛍光体層は下記一般式（１）で表されるハロゲン化アルキルを母体とする輝尽性蛍光体からなる。
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ      ・・・（１）
［ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＭ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類金属であり、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を示す。］
このように規定される輝尽性蛍光体において、特に請求項１〜請求項３と同様の作用を得ることができ、周速Ｓを常に一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができる。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１に記載の発明によれば、周速Ｓを常に一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができるので、前記のように周速Ｓを規定しない場合に比べて、常に一定の割合で輝尽性蛍光体の結晶を成長させることができる。したがって、結晶にムラを生じさせず、膜厚や組成が均一な輝尽性蛍光体層を形成させることができ、得られる輝尽性蛍光体パネルの発光強度を均一にさせて面内発光強度分布を優れたものにすることができる。また、周速Ｓをこのように規定することにより、輝尽性蛍光体パネルのサイズに関係なく発光強度を均一にすることができ、輝尽性蛍光体パネルを大面積化させた場合においても、発光強度を均一にさせて面内発光強度分布を優れたものにすることができる。
【００２０】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明に比べて、より周速Ｓを一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができるので、得られる輝尽性蛍光体パネルの面内発光強度分布をより優れたものにすることができ、特に輝尽性蛍光体パネルを大面積化させた場合においてその効果を一層発揮することができる。
【００２１】
請求項３に記載の発明によれば、請求項１に記載の発明に比べて、より周速Ｓを一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができるので得られる輝尽性蛍光体パネルの面内発光強度分布をより優れたものにすることができ、特に輝尽性蛍光体パネルを大面積化させた場合においてその効果を一層発揮することができる。
【００２２】
請求項４に記載の発明によれば、このように規定される輝尽性蛍光体において、特に請求項１〜請求項３と同様の作用を得ることができ、周速Ｓを常に一定の範囲内に収めながら支持体上に輝尽性蛍光体層を形成することができるので、得られる輝尽性蛍光体パネルの面内発光強度分布をより優れたものにすることができる。また、このような効果は、輝尽性蛍光体パネルを大面積化させた場合において一層発揮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を説明する。本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法は、気相堆積法を用いるものであり、気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができ、好ましくは蒸着法を用いる。蒸着法では図１に示されるような蒸着装置１を用いて行われる。そこで、まず、蒸着装置１について説明する。
【００２４】
蒸着装置１は、シート状の支持体の表面に蛍光体層を真空蒸着法によって形成するものであり、内部空間を真空にする真空チャンバ２を備えている。
【００２５】
真空チャンバ２の内部には、内部が中空で、かつ、上面に開口部３が形成されたボート４が配設されており、ボート４にはボート内の蒸着原料を加熱する加熱装置として電極１０が接続されている。また、真空チャンバ２の内部であって、ボート４の上方には支持体ホルダ６が配設されている。
【００２６】
支持体ホルダ６には、支持体７と、支持体７を回転駆動させる支持体ホルダ回転機構（図示略）とが配設されている。そのため、支持体７はボート４と対向するように配設されており、好ましくは、開口部３から蒸散される輝尽性蛍光体が支持体の回転半径を超えて支持体に蒸着することがないように配設されている。
【００２７】
なお、支持体ホルダ回転機構としては、支持体の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）を一定の速度に保ちながら支持体を回転制御させることができるものであればなんでもよい。
【００２８】
また、支持体ホルダ６には、必要に応じて、支持体７に支持体７を加熱する支持体加熱装置を配設したり、支持体７とボート４との間に支持体７への蒸着の開始と停止を行うための遮蔽板を配設したり、ボート４に蒸着原料として輝尽性蛍光体を供給する原料供給手段等を配設してもよい。
【００２９】
支持体加熱装置を配設する場合には、支持体の温度を５０℃〜４００℃に設定することが好ましく、蛍光体の特性上では１００℃〜２５０℃が好ましい。また、支持体に樹脂を用いる場合には樹脂の耐熱性を考慮して支持体の温度を５０℃〜１５０℃、さらに好ましくは５０℃〜１００℃が好ましい。このような蒸着装置６において、蒸着装置６を構成する支持体ホルダ回転機構以外の各部材としては従来公知のものを使用することができる。
【００３０】
次に前述した蒸着装置１を用いて支持体７上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。まず、支持体７を支持体ホルダ６に設置し、所定量の輝尽性蛍光体８をボート４に充填する。
【００３１】
このとき用いられる支持体７としては、水分の透過性が低いものが好ましく、高分子材料，ガラス，金属等で構成されており、特に、セルロースアセテートフィルム，ポリエステルフィルム，ポリエチレンテレフタレート，ポリアミドフィルム，ポリイミドフィルム，トリアセテートフィルム，ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、石英，ホウ珪酸ガラス，化学的強化ガラス等の板ガラス、又はアルミニウム，鉄，銅，クロム等の金属シート若しくはそれら金属酸化物の被覆層を有する金属シートで構成されているのがよい。
【００３２】
また、これら支持体７の層厚は支持体７上に形成される輝尽性蛍光体層の用途によって異なるが、一般的には８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の点から、さらに好ましくは８０μｍ〜３０００μｍである。
【００３３】
また、所定量の輝尽性蛍光体８とは、支持体７上に所望の厚さの輝尽性蛍光体層を形成するのに必要な輝尽性蛍光体量を指しており、これは従来公知の方法で計算することにより求めることが可能である。輝尽性蛍光体８としては、一般式（１）で表されるものを使用することができる。
【００３４】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ      ・・・（１）
【００３５】
ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にＫ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００３６】
Ｍ2はＭ1以外のＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にＭ1以外のＫ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００３７】
Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ及びＬｕからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
【００３８】
Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にＸはＢｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
【００３９】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類金属であり、特にＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも一種の希土類金属であることが好ましい。
【００４０】
ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦b＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を示し、特にｂは０≦ｂ≦１０-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００４１】
この中でも特に、下記一般式（２）で表される蛍光体を含むことが好ましい。
【００４２】
ＣｓＢｒ：ｅＥｕ  ・・・（２）
【００４３】
ここで、ｅは０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。
【００４４】
前記の輝尽性蛍光体８は、例えば下記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。
【００４５】
（ａ）ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣＳＢｒ及びＣｓＩからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４６】
（ｂ）ＹＦ3、ＹＣｌ3、ＹＢｒ3、ＹＩ3、ＬａＦ3、ＬａＣｌ3、ＬａＢｒ3、ＬａＩ3、ＣｅＦ3、ＣｅＣｌ3、ＣｅＢｒ3、ＣｅＩ3、ＰｒＦ3、ＰｒＣｌ3、ＰｒＢｒ3、ＰｒＩ3、ＮｄＦ3、ＮｄＣｌ3、ＮｄＢｒ3、ＮｄＩ3、ＰｍＦ3、ＰｍＣｌ3、ＰｍＢｒ3、ＰｍＩ3、ＳｍＦ3、ＳｍＣｌ3、ＳｍＢｒ3、ＳｍＩ3、ＥｕＦ3、ＥｕＣｌ3、ＥｕＢｒ3、ＥｕＩ3、ＧｄＦ3、ＧｄＣｌ3、ＧｄＢｒ3、ＧｄＩ3、ＴｂＦ3、ＴｂＣｌ3、ＴｂＢｒ3、ＴｂＩ3、ＤｙＦ3、ＤｙＣｌ3、ＤｙＢｒ3、ＤｙＩ3、ＨｏＦ3、ＨｏＣｌ3、ＨｏＢｒ3、ＨｏＩ3、ＥｒＦ3、ＥｒＣｌ3、ＥｒＢｒ3、ＥｒＩ3、ＴｍＦ3、ＴｍＣｌ3、ＴｍＢｒ3、ＴｍＩ3、ＹｂＦ3、ＹｂＣｌ3、ＹｂＢｒ3、ＹｂＩ3、ＬｕＦ3、ＬｕＣｌ3、ＬｕＢｒ3、及びＬｕＩ3からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００４７】
（ｃ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、及びＹからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の金属。
【００４８】
上記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を一般式（１）のａ、ｂ、ｅの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００４９】
次に、得られた混合液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００５０】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００５１】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、希ガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００５２】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００５３】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部に移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００５４】
このように作製された輝尽性蛍光体８をボート４に充填した状態で、ボート４に電極１０を接続した後、真空チャンバ２内を排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とする。真空チャンバ２内を排気する際には、Ａｒガス、Ｎｅガス等の不活性ガスを導入しても良い。
【００５５】
次いで、支持体７を支持体回転機構により回転させ、支持体の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦１５．０を満たし、好ましくは０＜Ｓ≦１１．０を満たし、更に好ましくは０＜Ｓ≦６．０を満たすように支持体を回転制御させた状態で、電極１０から電流を印加し、ボート４を加熱する。すると、ボート４内の輝尽性蛍光体８が溶融し、その融液が蒸気となって開口部３から輝尽性蛍光体８が蒸散して、支持体７上に蒸着し、輝尽性蛍光体層を形成する。
【００５６】
これは、面内発光強度分布の悪化の原因が周速Ｓが最大となる箇所の発光強度が低いために生じる現象であることを見出したことによる。輝尽性蛍光体は、結晶構造によりその発光強度が変化することが知られているが、本発明者らは、周速Ｓが大きい条件で成長した輝尽性蛍光体の結晶は、周速Ｓが小さい条件下で成長した輝尽性蛍光体の結晶とは異なっているものと推測している。そのため、支持体面内において周速Ｓが最大となる箇所の周速をできる限り小さく制御しながら輝尽性蛍光体の結晶を成長させている。
【００５７】
ここで、輝尽性蛍光体層が形成される様子を説明する。
図３に示すように蒸着装置内の支持体ホルダに固定した支持体７の表面７ａの法線Ｒに対し、輝尽性蛍光体の蒸気流９の入射角度をθ２とし、形成しようとする柱状結晶１０ａの傾斜角度をθ１とすると、経験的に傾斜角度θ１は入射角度θ２の約半分となり、入射角度θ２に応じた傾斜角度θ１で多数の柱状結晶１０ａ，１０ａ，…が形成され、輝尽性蛍光体１０が形成される。
【００５８】
例えば、入射角度θ２＝６０°で輝尽性蛍光体の蒸気流９を支持体７の表面７ａに入射させれば、当該支持体７の表面７ａには傾斜角度θ１＝３０°の多数の柱状結晶１０ａ，１０ａ，…を形成することができる、したがって、輝尽性蛍光体１０は、輝尽性蛍光体から構成された多数の柱状結晶１０ａ，１０ａ，…が互いに間隔をあけて並んだ柱状構造を形成させることができ、各柱状結晶１０ａは、支持体７の表面７ａの法線Ｒに対し所定角度で傾斜させることが可能である。
【００５９】
この他に、支持体７の表面７ａに対し輝尽性蛍光体の蒸気流９を所定の入射角度で供給する方法としては、蒸着源に対し支持体７を傾斜させるように配置する方法や、支持体７と蒸着源とを互いに平行に設置して、スリット等により輝尽性蛍光体の蒸気流の斜め成分のみを蒸着面から蒸発させる方法等が挙げられる。輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、輝尽性蛍光体層は５０μｍ以上、好ましくは３００〜５００μｍの層厚に形成する。
【００６０】
このように周速Ｓが最大の箇所になる支持体周縁部の周速Ｓを制御しながら輝尽性蛍光体層１０を形成することにより、支持体面内において周速Ｓを一定範囲内にとどめ、周速Ｓが最小の箇所になる支持体７の回転中心部との間において、周速Ｓが異なることで発生する結晶ムラを最小限にとどめることができ、支持体面内において常に一定の割合で輝尽性蛍光体の結晶を成長させることができる。したがって、結晶にムラを生じさせず、膜厚や組成が均一な輝尽性蛍光体層１０を形成させることができ、得られる輝尽性蛍光体パネルの発光強度を均一にさせることができる。
【００６１】
また、周速Ｓをこのように規定することにより、輝尽性蛍光体パネルのサイズに関係なく発光強度を均一にすることができ、輝尽性蛍光体パネルを大面積化させた場合においても、発光強度を均一にさせることができる。
【００６２】
以上の過程を経て、結着材を含有しない輝尽性蛍光体層１０が形成されるが、前記蒸着工程を複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
また、前記蒸着工程では加熱装置として抵抗加熱機あるいはエレクトロンビーム等を用いることも可能であり、複数の加熱装置を用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００６３】
以上のようにして支持体７上に輝尽性蛍光体層１０を形成させた後、必要に応じて輝尽性蛍光体層１０の支持体７とは反対の側に保護層が設けられる。保護層は、保護装用の塗布液を輝尽性蛍光体層の表面に直接塗布して形成もよいし、またあらかじめ別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層に接着してもよい。
【００６４】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体などの通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス支持体を保護層として用いることもできる。
【００６５】
また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。
これらの保護層の層厚は、０．１〜２０００μｍが好ましい。
【００６６】
このようにして、図３に示すように所定の支持体７上に多数の柱状結晶１０ａからなる輝尽性蛍光体層１０が形成された放射線画像変換パネル１１が形成される。
【００６７】
以上のように、本発明では、気相堆積法により回転する支持体７上に輝尽性蛍光体層１０を形成する際に、支持体７の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が、０＜Ｓ≦１５．０を満たすことにより、発光強度を均一にして面内発光強度分布に優れた放射線画像変換パネル１１を提供することができる。
【００６８】
なお、本実施形態においては、気相堆積法の一例として蒸着法により放射線画像変換パネル１１を製造する方法を詳細に説明したが、スパッタリング法を用いた場合では、以下のように行うことが可能である。
【００６９】
まず、支持体をスパッタリング装置内に設置した後、蒸着法と同様にスパッタリング装置内を一旦排気して１．３３３×１０-4Ｐａ程度の真空度とし、次いで支持体の周縁部における周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦１５．０を満たすように支持体を回転させた状態で、スパッタリング用のガスとしてＡｒ、Ｎｅ等の不活性ガスをスパッタリング装置内に導入して１．３３３×１０-1Ｐａ程度のガス圧とする。次に、前記輝尽性蛍光体をターゲットとして、スパッタリングすることにより、前記支持体上に輝尽性蛍光体層を所望の厚さに成長させる。このとき、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）は、０＜Ｓ≦１１．０であることが好ましく、特に０＜Ｓ≦６．０であることが好ましい。
【００７０】
このようにすることにより、スパッタリング法においても蒸着法と同様に、結晶にムラを生じさせず、膜厚や組成が均一な輝尽性蛍光体層を形成させることができ、得られる輝尽性蛍光体パネルの発光強度を均一にさせることができる。また、輝尽性蛍光体パネルを大面積化させた場合においても、発光強度を均一にさせることができる。
【実施例】
【００７１】
以下、実施例を挙げて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。実施例では以下に記載の方法に従って放射線画像変換パネルの試料である試料１〜試料１５を作製し、比較例の方法により作製された放射線画像変換パネルの試料である試料１６及び試料１７と共に、各試料について面内発光強度を測定し、評価した。
【００７２】
＜試料の作製＞
（１）試料１の作製
支持体を保持しながら回転する回転機構を備えた蒸着装置を用いて、大きさが４３ｃｍ×４３ｃｍであり、正方形状で、厚さ０．５ｍｍのアルミニウム板である支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着させて輝尽性蛍光体層を形成した。
【００７３】
蒸着にあたっては、まず、蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入し、１．０×１０-2Ｐａに真空度を調整した後、支持体の温度を１００℃に保持しながら、支持体の周縁部の速度である周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０．８となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が４００μｍとなったところで蒸着を終了させ、放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１した。
【００７４】
（２）放射線画像変換パネル試料２の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が１．５となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料２とした。
【００７５】
（３）放射線画像変換パネル試料３の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が２．３となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料３とした。
【００７６】
（４）放射線画像変換パネル試料４の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が３．０となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料４とした。
【００７７】
（５）放射線画像変換パネル試料５の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が３．８となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料５とした。
【００７８】
（６）放射線画像変換パネル試料６の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が４．５となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料６とした。
【００７９】
（７）放射線画像変換パネル試料７の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が５．３となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料７とした。
【００８０】
（８）放射線画像変換パネル試料８の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が６．０となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料８とした。
【００８１】
（９）放射線画像変換パネル試料９の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が６．８となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料９とした。
【００８２】
（１０）放射線画像変換パネル試料１０の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が７．５となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１０とした。
【００８３】
（１１）放射線画像変換パネル試料１１の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が８．３となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１１とした。
【００８４】
（１２）放射線画像変換パネル試料１２の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が９．０となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１２とした。
【００８５】
（１３）放射線画像変換パネル試料１３の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が９．８となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１３とした。
【００８６】
（１４）放射線画像変換パネル試料１４の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が１０．６となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１４とした。
【００８７】
（１５）放射線画像変換パネル試料１５の作製
放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が１４．１となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１５とした。
【００８８】
（１６）放射線画像変換パネル試料１６の作製
比較例として、放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が１９．０となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１６とした。
【００８９】
（１７）放射線画像変換パネル試料１７の作製
比較例として、放射線画像変換パネル試料１の作製において、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が２７．０となるように支持体を回転させて、輝尽性蛍光体の蒸着を行った以外は前記（１）と同様の方法で行い、作製された放射線画像変換パネルを形成し、これを試料１７とした。
【００９０】
＜面内発光強度の評価＞
面内発光強度の評価は、試料１〜試料１７について各試料の全面に管電圧８０ｋＶｐのＸ線を照射した後に、各試料を１００ｍＷの半導体レーザ（６８０ｎｍ）で走査して励起させ、蛍光体層から放射される輝尽発光を光電子管（浜松フォトにクス製：光電子増倍管Ｒ１３０５）を用いて受光し、これを電気信号に変換し、アナログ／デジタル変換して磁気テープにより記録した。
【００９１】
記録した磁気テープをコンピュータで分析して、磁気テープに記録されているＸ線平面画像のシグナル値分布を求め、これを面内発光強度分布と定義し、下記表１に示した。なお、面内発光強度分布はその値が小さい程、優れていることを示している。
【００９２】
【表１】
2006090895.tif 000003
【００９３】
表１に示すように、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が高くなるにつれて、面内発光強度分布が悪くなることがわかるが、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）が０＜Ｓ≦１５．０となるように支持体を回転させながら蒸着を行った試料１〜試料１５では、周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）がＳ＜１５．０となるように支持体を回転させながら蒸着を行った試料１６及び試料１７にくらべて、面内発光強度分布が優れていることがわかり、このように周速Ｓ（ｍ／ｍｉｎ）を規定することにより支持体の面積が大きい場合においても面内発光強度分布に優れた放射線画像変換パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の放射線画像変換パネルを製造する際に使用する蒸着装置の概略構成図である。
【図２】支持体に輝尽性蛍光体層が蒸着法により形成される様子を示す図である。
【図３】本発明の放射線画像変換パネルを示す図である。
【符号の説明】
【００９５】
６  支持体ホルダ
７  支持体
１０  輝尽性蛍光体層
１０ａ  柱状結晶
１１  放射線画像変換パネル
Ｓ  周速
【図１】
2006090895.tif 000004
【図２】
2006090895.tif 000005
【図３】
2006090895.tif 000006