(57)【要約】  【課題】薬液の乾燥跡などの不具合を生じることなく、基板の表面の全域にリンス液をむらなく供給することができる基板処理装置を提供する。  【解決手段】スプラッシュガード５の上面に、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９が隣接して配置されている。第１リンス液固定ノズル８からのリンス液は、スピンチャック３によって回転されているウエハＷの表面の回転中心に供給される。一方、第２リンス液固定ノズル９からのリンス液は、平面視において、投影直線Ｌに直交し、かつ、ウエハＷの表面に平行な直線Ｄに対して第１リンス液固定ノズル８側（第２リンス液固定ノズル９側）の半円形領域内であって、投影直線ＬよりもウエハＷの回転方向下流側の１／４円形（扇形）領域に供給される。これにより、ウエハＷの表面の全域に十分な量のリンス液を供給することができる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をほぼ水平に保持して、当該基板をほぼ鉛直な軸線まわりに回転させる基板回転手段と、
上記基板回転手段によって回転されている基板の表面に薬液を供給する薬液供給手段と、
この薬液供給手段を移動させて、上記基板回転手段によって回転されている基板の表面における薬液供給位置をスキャンさせるスキャン手段と、
上記基板回転手段によって回転されている基板の表面における回転中心に対して、その回転中心を通る傾斜直線上の一定の位置からリンス液を供給する第１リンス液供給手段と、
上記基板回転手段によって回転されている基板の表面において、上記傾斜直線の当該基板の表面への投影直線に直交し、かつ、当該基板の表面に平行な直線に関して上記第１リンス液供給手段側の領域内であって、上記投影直線よりも上記基板回転手段による基板の回転方向下流側の領域に、上記第１リンス液供給手段の位置に隣接する一定の位置からリンス液を供給する第２リンス液供給手段とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、たとえば、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板の表面に対する洗浄処理のために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。
この種の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の表面に薬液を供給するための薬液ノズルと、スピンチャックに保持された基板の表面に純水を供給するための純水ノズルとを備えている。薬液ノズルは、スキャンノズルとしての基本形態を有しており、スピンチャックによって回転されている基板の表面において、薬液の供給位置を基板の回転中心から基板の周縁部に至る範囲内で円弧状の軌跡を描くように移動させる。これによって、基板の表面全域に薬液をむらなく供給することができ、基板の表面に対して均一な薬液処理を行うことができる。一方、純水ノズルは、スピンチャックの斜め上方に固定配置された固定ノズルであり、その位置からスピンチャックによって回転されている基板の表面の回転中心に向けて純水を吐出する。薬液処理の終了後、純水ノズルから基板の表面に純水を供給することによって、基板の表面に付着している薬液や薬液による除去物（たとえば、ポリマ）を純水で洗い流すことができる。
【特許文献１】特開平１０−１２５６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、基板の表面に対して斜め上方から入射する純水は、その基板の表面に平行な方向の速度成分を有しているため、基板の表面において、回転中心から同心円状には拡がらず、回転中心から周縁に向かいつつ、基板の回転につられて、回転方向下流側に向かって流れる。すなわち、基板の表面を流れる純水は、基板の半径方向の速度成分と周方向の速度成分とを有する。この結果、基板の表面上において、純水ノズルと基板の回転中心を通る直線の基板への投影直線よりも回転方向下流側の領域に純水が多く流れ、その反対側（回転方向上流側）に、純水の供給量が少ない三日月状の領域を生じるおそれがあった。このような三日月状の領域が生じると、その領域に対応したドーナツ状の領域で、薬液による除去物が十分に洗い流されずに残るおそれがある。
【０００４】
基板の表面に純水をむらなく供給するために、純水ノズルを薬液ノズルと同様なスキャンノズルで構成することが考えられる。しかし、この場合、薬液ノズルと純水ノズルとの干渉を避けるために、薬液ノズルを基板上から退避させた後に、純水ノズルを基板上に移動させて、純水ノズルから基板の表面への純水の供給を開始しなければならない。そのため、薬液の供給が終了してから純水の供給を開始するまでの間に、基板の表面が乾いてしまい、基板の表面に薬液の乾燥跡などを生じるおそれがある。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、薬液の乾燥跡などの不具合を生じることなく、基板の表面の全域にリンス液をむらなく供給することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）をほぼ水平に保持して、当該基板をほぼ鉛直な軸線まわりに回転させる基板回転手段（３，１０）と、上記基板回転手段によって回転されている基板の表面に薬液を供給する薬液供給手段（６）と、この薬液供給手段を移動させて、上記基板回転手段によって回転されている基板の表面における薬液供給位置をスキャンさせるスキャン手段（２２，２３，２４）と、上記基板回転手段によって回転されている基板の表面における回転中心（Ｏ）に対して、その回転中心を通る傾斜直線上の一定の位置からリンス液を供給する第１リンス液供給手段（８）と、上記基板回転手段によって回転されている基板の表面において、上記傾斜直線の当該基板の表面への投影直線（Ｌ）に直交し、かつ、当該基板の表面に平行な直線（Ｄ）に関して上記第１リンス液供給手段側の領域内であって、上記投影直線よりも上記基板回転手段による基板の回転方向下流側の領域（Ｂ）に、上記第１リンス液供給手段の位置に隣接する一定の位置からリンス液を供給する第２リンス液供給手段（９）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
第１リンス液供給手段からのリンス液は、基板回転手段によって回転されている基板の表面の回転中心に対して、その回転中心を通る傾斜直線に沿う方向から供給される。この回転中心に供給されるリンス液は、基板の表面に平行な速度成分を有しているため、基板の表面上において、回転中心から周縁に向かいつつ、基板の回転につられて、その回転方向下流側に向かって流れる。このため、第１リンス液供給手段からのリンス液の供給のみでは、傾斜直線の基板の表面への投影直線よりも回転方向下流側にリンス液が多く流れ、その反対側（回転方向上流側）に、リンス液の供給量が少ない三日月状の領域（Ａ）を生じるおそれがある。
【０００８】
この発明によれば、第２リンス液供給手段からのリンス液を、投影直線に直交し、かつ、基板の表面に平行な直線に対して、第１リンス液供給手段側の半円形領域内であって、投影直線よりも基板の回転方向下流側の領域に供給することができる。そのため、第１リンス液供給手段からのリンス液が供給されにくい三日月状領域に、第２リンス液供給手段からリンス液を供給することができ、基板の表面の全域に十分な量のリンス液を供給することができる。また、第１リンス液供給手段および第２リンス液供給手段は、それぞれ一定位置から基板の表面にリンス液を供給するものであり、スキャン手段によって移動される薬液供給手段との干渉を生じないので、たとえば、薬液供給手段から基板の表面への薬液供給の停止後、薬液供給手段が移動中であっても、第１リンス液供給手段および第２リンス液供給手段からのリンス液の供給を開始することができる。そのため、基板の表面に薬液の乾燥跡などを生じることなく、基板の表面の全域から薬液および薬液による除去物をリンス液によって洗い流すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す横断面図である。また、図２は、図１に示す基板処理装置の縦断面図である。
この基板処理装置は、基板の一例としての半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）Ｗの表面（デバイス形成面）を薬液によって処理した後、その基板の表面に付着している薬液および薬液による除去物（薬液によってウエハＷの表面から除去されたポリマ等の異物）をリンス液によって洗い流すリンス処理を行う装置であり、隔壁１によって区画された処理室２内に、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック３と、このスピンチャック３を収容した処理カップ４と、処理カップ４に対して昇降可能に設けられたスプラッシュガード５と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面（上面）に薬液を供給するための薬液ノズル６と、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面にリンス液を供給するための二流体ノズル７、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９とを備えている。
【００１０】
スピンチャック３としては、たとえば、ウエハＷの表面を上方に向けた状態で、そのウエハＷの裏面（非デバイス形成面）を真空吸着することにより、ウエハＷをほぼ水平に保持することができる真空吸着式チャックが用いられている。このスピンチャック３には、モータなどを含むチャック回転駆動機構１０が結合されており、ウエハＷを吸着して保持した状態で、チャック回転駆動機構１０から駆動力を入力することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でほぼ鉛直な軸線まわりに回転させることができる。
【００１１】
なお、スピンチャック３としては、このような真空吸着式チャックに限らず、たとえば、ウエハＷの端面を複数個の挟持部材で挟持することにより、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で保持し、さらにその状態でほぼ鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる構成のものが採用されてもよい。
処理カップ４は、スピンチャック３の下方に配置された底壁１１と、この底壁１１から鉛直上方に立ち上がる２つの円筒状壁１２，１３とを備えている。円筒状壁１２，１３は、スピンチャック３によるウエハＷの回転軸線を中心軸線とする二重円筒状に配置されていて、内側の円筒状壁１２と外側の円筒状壁１３との間には、ウエハＷの処理に用いた薬液を回収するための回収溝１４が形成されている。また、スピンチャック３の周囲には、ウエハＷの処理に用いたリンス液を廃液するための廃液溝１５が、内側の円筒状壁１２に囲まれて形成されている。
【００１２】
スプラッシュガード５は、スピンチャック３を取り囲む環状筒であり、その上方部には、スピンチャック３に対向する内壁面に、下方ほど外側に傾斜した廃液捕獲面１６が形成されている。この廃液捕獲面１６は、その下端において、廃液溝１５へと垂下した円筒状のガイド面１７に連続している。また、スプラッシュガード５の下方部であって、廃液捕獲面１６よりも外側に位置する内壁面には、内方および下方に開放した湾曲面からなる薬液捕獲面１８が形成されている。この薬液捕獲面１８は、その下端において、回収溝１４へと垂下した円筒状のガイド面１９に連続している。
【００１３】
スプラッシュガード５は、ガード昇降駆動機構２０によって昇降（上下動）されるようになっている。これにより、スプラッシュガード５は、その上端がスピンチャック３に保持されたウエハＷよりも下方に位置する退避位置と、廃液捕獲面１６がスピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に対向する廃液位置と、薬液捕獲面１８がスピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に対向する回収位置との間で上下動される。
【００１４】
薬液ノズル６は、ウエハＷの表面に対して薬液を連続流の状態で供給するものであり、薬液供給管２１から薬液が供給されるようになっている。また、薬液ノズル６は、ウエハＷの表面における薬液の供給位置を変更できるスキャンノズルとしての基本形態を有している。具体的には、処理カップ４の外側には、回動軸２２が鉛直方向に沿って配置されており、薬液ノズル６は、その回動軸２２の上端部からほぼ水平に延びたアーム２３の先端部に取り付けられている。回動軸２２には、この回動軸２２を中心軸線まわりに所定の角度範囲内で回動させる薬液ノズル駆動機構２４が結合されている。薬液ノズル駆動機構２４から回動軸２２に駆動力を入力して、回動軸２２を所定の角度範囲内で回動させることにより、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上方でアーム２３を揺動させることができ、これに伴って、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面上で、薬液ノズル６からの薬液の供給位置をスキャン（移動）させることができる。
【００１５】
薬液としては、ウエハＷの表面に対する処理の内容に応じたものが用いられる。たとえば、ウエハＷの表面から不要なレジスト膜を剥離するためのレジスト剥離処理であれば、ＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture：硫酸過酸化水素水）などのレジスト剥離液が用いられる。また、レジスト剥離処理後に、ウエハＷの表面にポリマとなって残留したレジスト残渣を除去するためのポリマ除去処理であれば、ＡＰＭ（ammonia−hydrogen peroxide mixture：アンモニア過酸化水素水）などのポリマ除去液が用いられる。
【００１６】
二流体ノズル７は、ウエハＷの表面に対してリンス液を液滴の噴流の状態で供給するものであり、リンス液供給管２５からリンス液が供給されるとともに、窒素ガス供給管２６から高圧の窒素ガスが供給されるようになっている。
この二流体ノズル７は、図３に示すように、内部混合型の二流体ノズルであり、気体導入部２７、液体導入部２８および液滴形成吐出部２９を有している。気体導入部２７、液体導入部２８および液滴形成吐出部２９はいずれも管形状を有していて、これらが直列に連結されて二流体ノズル７が構成されている。
【００１７】
液滴形成吐出部２９は、液体導入部２８の下方端に連結されており、下方に向かうに従って内径が小さくなるテーパ部３０と、このテーパ部３０の下端に連なり、内径が一様な直管形状のストレート部３１とを有している。
気体導入部２７は、液体導入部２８の上側部に係合する大径部と、この大径部の下方に連なって液滴形成吐出部２９のテーパ部３０の内部空間にまで達する小径部とを有し、その内部には先細り形状の気体導入路３２が形成されており、その入り口が気体導入ポート３３を形成している。この気体導入ポート３３には、窒素ガス供給管２６が接続されている。
【００１８】
液体導入部２８には、リンス液供給管２５が接続される液体導入ポート３４が側方に開口して形成されており、この液体導入ポート３４は、気体導入部２７の小径部と液体導入部２８の内壁との間のリング状の空間ＳＰ１に連通している。この空間ＳＰ１は、気体導入部２７の小径部と液滴形成吐出部２９の内壁との間のリング状の空間ＳＰ２を介して、液滴形成吐出部２９のテーパ部３０の内部空間ＳＰ３（混合室）と連通している。
【００１９】
この内部混合型の二流体ノズル７では、気体導入ポート３３から供給される窒素ガスと、液体導入ポート３４から空間ＳＰ１，ＳＰ２を介して供給されるリンス液とが、空間ＳＰ３において混合され、その結果、液滴が形成されることになる。この液滴は、テーパ部３０で加速され、ストレート部３１の先端から勢いよく噴射される。この液滴の噴流は、ストレート部３１の働きにより、極めて良好な直進性を有する。
【００２０】
図１および図２を再び参照して、処理カップ４の外側には、回動軸３５が鉛直方向にほぼ沿って配置されており、二流体ノズル７は、その回動軸３５の上端部からほぼ水平に延びたアーム３６の先端部に取り付けられている。回動軸３５には、この回動軸３５を中心軸線まわりに所定の角度範囲内で回動させる二流体ノズル駆動機構３７が結合されている。二流体ノズル駆動機構３７から回動軸３５に駆動力を入力して、回動軸３５を所定の角度範囲内で回動させることにより、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上方でアーム３６を揺動させることができ、これに伴って、スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面上で、二流体ノズル７からのリンス液の液滴の噴流の供給位置をスキャン（移動）させることができる。
【００２１】
第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９は、スプラッシュガード５の上面に取り付けられたノズル保持部材３８に保持されて、それぞれ吐出口をスプラッシュガード５内に向けて斜めに下げた状態で横並びに設けられている。第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９には、それぞれリンス液供給管３９，４０からリンス液が供給されるようになっている。
【００２２】
また、この基板処理装置は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの裏面の周縁部にリンス液を供給するための複数のバックリンスノズル４１を備えている。これらのバックリンスノズル４１は、たとえば、スピンチャック３の上端部に配置されていて、各バックリンスノズル４１には、図示しないリンス液供給管からリンス液が供給されるようになっている。
【００２３】
なお、リンス液としては、ＤＩＷ（脱イオン化された純水）などの純水を用いてもよいし、炭酸水、イオン水、オゾン水、還元水（水素水）または磁気水などの機能水を用いてもよい。
処理対象のウエハＷが搬入される前は、スプラッシュガード５が退避位置に位置し、スピンチャック３がウエハＷを保持可能な状態で停止している。また、薬液ノズル６および二流体ノズル７は、それぞれ処理カップ４の側方の待機位置に位置している。
【００２４】
処理対象のウエハＷが搬入されてきて、そのウエハＷが表面を上方に向けた状態でスピンチャック３に保持されると、スプラッシュガード５が退避位置から回収位置に上昇され、スプラッシュガード５の薬液捕獲面１８がスピンチャック３に保持されたウエハＷの周端面に対向される。そして、スピンチャック３によるウエハＷの回転が開始される。
その後、薬液ノズル６が、処理カップ４の側方の待機位置から、スピンチャック３に保持されたウエハＷの上方に移動される。そして、薬液ノズル６から回転中のウエハＷの表面に薬液が供給される。この一方で、アーム２３が所定の角度範囲内で揺動されることによって、ウエハＷの表面における薬液の供給位置（薬液供給位置）が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ往復スキャンし、ウエハＷの表面の全域に薬液がむらなく供給される。これにより、ウエハＷの表面の全域を薬液で処理することができ、たとえば、ウエハＷの表面に付着しているポリマ等の異物を除去（剥離）することができる。
【００２５】
ウエハＷの表面に供給された薬液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面を周縁に向けて流れ、その周縁から振り切られて側方に飛散する。このとき、スプラッシュガード５の薬液捕獲面１８がウエハＷの周端面に対向しているので、ウエハＷの周縁から側方に飛散する薬液は、その薬液捕獲面１８に捕獲され、薬液捕獲面１８からガイド面１９を伝って、ガイド面１９の下端から処理カップ４の回収溝１４に流下して集められる。そして、回収溝１４から図示しない回収ラインを通して、薬液をウエハＷの処理に再利用するために処理する回収液処理設備へ回収される。
【００２６】
薬液供給位置の往復スキャンが所定回数行われると、薬液ノズル６からウエハＷへの薬液の供給が停止されて、薬液ノズル６が処理カップ４の側方の退避位置に戻される。また、薬液ノズル６の退避位置への移動に並行して、スプラッシュガード５が退避位置から回収位置に上昇され、スプラッシュガード５の廃液捕獲面１６がスピンチャック３に保持されているウエハＷの周端面に対向される。そして、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９からウエハＷの表面へのリンス液の供給が開始される。また、バックリンスノズル４１からウエハＷの裏面へのリンス液の供給が開始される。
【００２７】
図４に示すように、第１リンス液固定ノズル８からのリンス液は、スピンチャック３によって回転されているウエハＷの表面に対して、斜め上方からその回転中心Ｏに供給される。この回転中心Ｏに供給されるリンス液は、ウエハＷの表面に平行な速度成分を有しているため、回転中心ＯからウエハＷの周縁に向かいつつ、ウエハＷの回転につられて、その回転方向下流側に向かって流れる。このため、第１リンス液固定ノズル８からのリンス液の供給のみでは、「発明が解決しようとする課題」の項で説明したように、ウエハＷの表面上において、第１リンス液固定ノズル８の吐出口とウエハＷの回転中心Ｏを通る直線のウエハＷの表面への投影直線Ｌよりも回転方向下流側（図４における右側）にリンス液が多く流れ、その反対側（図４における左側）に、リンス液の供給量が少ない三日月状の領域Ａを生じるおそれがある。
【００２８】
そこで、この基板処理装置では、第２リンス液固定ノズル９が備えられており、第１リンス液固定ノズル８からのリンス液の供給と同時に、第２リンス液固定ノズル９からウエハＷの表面へのリンス液の供給が行われる。この第２リンス液固定ノズル９からのリンス液は、平面視において、投影直線Ｌに直交し、かつ、ウエハＷの表面に平行な直線Ｄに対して、第１リンス液固定ノズル８側（第２リンス液固定ノズル９側）の半円形領域内であって、投影直線ＬよりもウエハＷの回転方向下流側の１／４円形（扇形）領域（図４においてハッチングを付した領域）Ｂに供給される。これにより、第１リンス液固定ノズル８からのリンス液が供給されにくい三日月状領域Ａに、第２リンス液固定ノズル９からのリンス液を供給することができ、ウエハＷの表面の全域に十分な量のリンス液を供給することができる。そのため、ウエハＷの表面の全域から薬液および薬液による除去物を洗い流すことができる。
【００２９】
第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９からウエハＷの表面にリンス液が供給されている間に、薬液ノズル６の退避位置への移動が完了し、つづいて、二流体ノズル７が処理カップ４の側方の待機位置からウエハＷの上方に移動されて、二流体ノズル７からウエハＷの表面にリンス液の液滴の噴流が供給される。この後、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９からのリンス液の供給が停止される。このように、薬液ノズル６からの薬液の供給停止後、二流体ノズル７からのリンス液の供給が開始されるまでの間、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９からのリンス液の供給が行われることにより、ウエハＷの表面の乾燥を防止することができ、ウエハＷの表面に薬液の乾燥跡などを生じるのを防止することができる。
【００３０】
二流体ノズル７からリンス液の液滴の噴流が供給される一方で、アーム３６が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、二流体ノズル７からの液滴の噴流が導かれるウエハＷの表面上の供給位置が、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を円弧状の軌跡を描きつつ移動し、ウエハＷの表面の全域にリンス液の液滴の噴流がむらなく供給される。リンス液の液滴の噴流がウエハＷの表面に入射するときの衝撃によって、ウエハＷの表面に残留している除去物を除去することができ、また、ウエハＷの表面を流れるリンス液によって、ウエハＷの表面に付着している薬液および除去物を洗い流すことができる。
【００３１】
ウエハＷの表面に供給されたリンス液は、ウエハＷの回転による遠心力を受けて、ウエハＷの表面を周縁に向けて流れ、その周縁から振り切られて側方に飛散する。そして、ウエハＷの周縁から側方に飛散するリンス液は、このときウエハＷの周端面に対向している廃液捕獲面１６に捕獲され、廃液捕獲面１６からガイド面１７を伝って、ガイド面１７の下端から処理カップ４の廃液溝１５に流下して集められる。廃液溝１５に集められたリンス液（ウエハＷの表面から洗い流した薬液を含むリンス液）は、図示しない回収ラインを通して廃液ドレンに廃液される。
【００３２】
アーム３６の揺動が所定回数行われると、二流体ノズル７からウエハＷへのリンス液の液滴の噴流の供給が停止されて、二流体ノズル７が処理カップ４の側方の退避位置に戻される。また、バックリンスノズル４１からウエハＷの裏面へのリンス液の供給が開始される。その後は、スピンチャック３によるウエハＷの回転速度が上げられて、ウエハＷの表面に付着しているリンス液を遠心力で振り切って乾燥させる処理が行われる。そして、この乾燥処理が終了すると、スピンチャック３によるウエハＷの回転が停止され、スプラッシュガード５が廃液位置から退避位置まで下降されて、スピンチャック３に保持されている処理後のウエハＷが搬出される。
【００３３】
以上のように、この実施形態によれば、第１リンス液固定ノズル８からウエハＷの表面へのリンス液の供給と同時に、第２リンス液固定ノズル９からウエハＷの表面にリンス液が供給されることにより、ウエハＷの表面の全域に十分な量のリンス液をむらなく供給することができる。また、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９は、スプラッシュガード５に固定された固定ノズルであり、薬液ノズル６との干渉を生じないので、薬液ノズル６からウエハＷの表面への薬液の供給が停止された後、速やかに、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９からのリンス液の供給を開始することができる。そのため、ウエハＷの表面に薬液の乾燥跡などを生じることなく、ウエハＷの表面の全域から薬液および薬液による除去物をリンス液によって洗い流すことができる。
【００３４】
なお、この実施形態では、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９からのリンス液の供給後に、二流体ノズル７からウエハＷの表面にリンス液の液滴の噴流を供給するとしたが、二流体ノズル７を省略して、第１リンス液固定ノズル８および第２リンス液固定ノズル９からのリンス液の供給のみによって、ウエハＷの表面から薬液および薬液による除去物を洗い流すようにしてもよい。
【００３５】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す横断面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の縦断面図である。
【図３】二流体ノズルの内部構成を示す縦断面図である。
【図４】第１リンス液固定ノズルおよび第２リンス液固定ノズルによるリンス液供給位置を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００３７】
３      スピンチャック
６      薬液ノズル
８      第１リンス液固定ノズル
９      第２リンス液固定ノズル
１０    チャック回転駆動機構
２２    回動軸
２３    アーム
２４    薬液ノズル駆動機構
Ｂ      １／４円形（扇形）領域
Ｄ      直線
Ｌ      投影直線
Ｏ      回転中心
Ｗ      ウエハ
【図１】
2006032858.tif 000003
【図２】
2006032858.tif 000004
【図３】
2006032858.tif 000005
【図４】
2006032858.tif 000006