(57)【要約】【課題】  光素子が設けられた基板への導波路回路素子の実装の安定性を向上可能な光学部品を提供すること。【解決手段】  Ｖ溝３４が形成された３３基板と、ノッチ構造３２が形成された導波路回路素子３１であって、反りを有する導波路回路素子３１とを備える。ノッチ構造３２およびＶ溝３４の長手方向は、反りが生じている方向Ｐに対して略平行方向であり、ノッチ構造３２とＶ溝３４とを嵌合することにより、導波路回路素子３１を基板３３に実装する。ここで、Ｖ溝３４の幅をほぼ一定とし、かつノッチ構造３２の幅を、導波路回路素子３１の反りが最も生じていない領域から、導波路回路素子３１の反りが最も生じている領域に向かって徐々に大きくすることによって、ノッチ構造３２の長手方向のほぼ全域に渡ってノッチ構造３２は、Ｖ溝３４の壁面に接している。【選択図】  図３
2006350135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｖ溝構造または該Ｖ溝構造と嵌合するノッチ構造の一方が形成された基板と、
前記Ｖ溝構造または該Ｖ溝構造と嵌合するノッチ構造の他方が形成された、導波路コアを含む導波路回路素子であって、反りを有する導波路回路素子とを備え、
前記ノッチ構造および前記Ｖ溝構造の長手方向は、前記反りが生じている方向に対して略平行方向であり、
前記ノッチ構造と前記Ｖ溝構造とを嵌合することにより、前記導波路回路素子を前記基板に実装し、
前記Ｖ溝構造または前記ノッチ構造の一方の幅をほぼ一定とし、かつ前記Ｖ溝構造または前記ノッチ構造の他方の幅を、前記導波路回路素子の前記反りが最も生じていない領域から、前記導波路回路素子の反りが最も生じている領域に向かって徐々に変化させることによって、前記ノッチ構造の長手方向のほぼ全域に渡って前記ノッチ構造は、前記Ｖ溝構造の壁面に接していることを特徴とする光学部品。
【請求項２】
前記Ｖ溝構造の幅を一定とし、
前記ノッチ構造の幅を、前記導波路回路素子の前記反りが最も生じていない領域から、前記導波路回路素子の反りが最も生じている領域に向かって徐々に大きくすることを特徴とする請求項１記載の光学部品。
【請求項３】
前記Ｖ溝構造の角度をφとし、前記導波路回路素子の最も反りが生じていない部分から前記導波路回路素子の最も反りが生じている部分に向かって、前記最も反りが生じていない部分をゼロとした距離の変数をｘとし、該ｘにおける、前記基板を基準とした前記反りの高さをＨ（ｘ）とし、前記ｘ＝０における前記ノッチ構造の幅をＷ０とすると、前記ｘにおけるノッチ構造の幅Ｗ（ｘ）は、Ｗ（ｘ）＝Ｗ０＋２Ｈ（ｘ）／ａｒｃｔａｎ（φ）の関係式を満たすことを特徴とする請求項２記載の光学部品。
【請求項４】
前記ノッチ構造の幅を一定とし、
前記Ｖ溝構造の幅を、前記導波路回路素子の前記反りが最も生じていない領域から、前記導波路回路素子の反りが最も生じている領域に向かって徐々に小さくすることを特徴とする請求項１記載の光学部品。
【請求項５】
前記Ｖ溝構造の角度をφとし、前記導波路回路素子の最も反りが生じていない部分から前記導波路回路素子の最も反りが生じている部分に向かって、前記最も反りが生じていない部分をゼロとした距離の変数をｘとし、該ｘにおける、前記基板を基準とした前記反りの高さをＨ（ｘ）とし、前記ｘ＝０における前記Ｖ溝構造の幅をＶ０とすると、前記ｘにおけるＶ溝構造の幅Ｖ（ｘ）は、Ｖ（ｘ）＝Ｖ０−２Ｈ（ｘ）／ａｒｃｔａｎ（φ）の関係式を満たすことを特徴とする請求項４記載の光学部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学部品に関し、より詳細には、光素子が設けられた基板と導波路回路素子とを正確にパッシブ実装させる光学部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度情報化に伴い大容量の情報を伝達したいという要望から、高速で大容量の情報が伝達可能な光通信システムが注目されている。このような光通信システムにおいて、高速で大容量な通信網を構築する伝送媒体として光ファイバが用いられており、この光ファイバを大容量化するための技術として、ＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）技術が注目されている。
【０００３】
このＷＤＭでは、例えば半導体レーザや光ファイバ等の光素子と導波路回路素子とを光モジュール上に実装する場合がある。特許文献１では、導波路が形成された基板と、光ファイバ嵌合溝が形成された支持基板とをパッシブ実装することが記載されている。特許文献１では、基板に形成された、パッシブ実装時の位置決めノッチ構造としての突起部を、支持基板に形成された突起嵌合部に嵌合することにより、パッシブ実装を行っている。
【０００４】
また、光軸方向に沿って凸部の高さが変わる形状の凸部と、凹部とを嵌合することにより、光モジュール基板と光導波路とをパッシブ実装することがある。図１は、従来の光モジュールの側面図である。
【０００５】
図１において、光モジュール１には、半導体レーザ２が設けられており、また、光モジュールの長手方向に半導体レーザ２から所定の距離離れてＶ溝３が形成されている。このＶ溝３には光ファイバ４が嵌め込み実装されている。光モジュール上の、半導体レーザ２とＶ溝３との間の領域には、光モジュールの長手方向に平行な凹部５が形成されている。
【０００６】
光導波路６の一方の面には、導波路６の長手方向の両端から中央に向かうに従い徐々にその高さが高くなる、ロッキングチェアのような構造である、凸部７（位置決めノッチ構造）が形成されている。特許文献２では、凹部７を凹部５に嵌め合わせることで、光モジュールに導波路が実装する際の厚み（高さ）方向の調整を行っている。
【０００７】
【特許文献１】特許第３２２１５４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来では、反りのある導波路回路素子を基板へ実装する場合、良好な位置決めが行われない場合がある。位置決めのために、反りを有する導波路回路素子にノッチ構造を複数個形成しても、基板への実装時には、その反りのために、複数個あるノッチ構造のうち一部しか機能しない（平坦ではない床に置かれたイスのようなもの）ため、ガタツキが生じ、不安定な実装となる。
【０００９】
図２は、従来の、反りを有する導波路回路素子を基板へと実装する様子を示す図である。図２から分かるように、ノッチ構造２２が形成された、反りを有する導波路回路素子２１を基板２３に実装する場合、ノッチ構造２２を基板２３に形成された嵌合溝２４に嵌合することになる。このとき、ノッチ構造２２のうち、導波路回路素子２１の反りの中心部側の部分のみが、嵌合溝２４と接することになる。すなわち、導波路回路素子に反りがある場合は、ノッチ構造と嵌合溝とは点で接することになる。
【００１０】
すなわち、反りを有する導波路回路素子では、反りの無い場合と同様な設計を行うと、ちょうどイスの足が不ぞろいになった状態と同じ状態となるため、実装時にガタツキが生じる。よって、上記実装時に、基板上に導波路回路素子を精度良く位置決めすることが難しい。
【００１１】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、光素子が設けられた基板への導波路回路素子の実装の安定性を向上可能な光学部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１記載の発明は、Ｖ溝構造または該Ｖ溝構造と嵌合するノッチ構造の一方が形成された基板と、前記Ｖ溝構造または該Ｖ溝構造と嵌合するノッチ構造の他方が形成された、導波路コアを含む導波路回路素子であって、反りを有する導波路回路素子とを備え、前記ノッチ構造および前記Ｖ溝構造の長手方向は、前記反りが生じている方向に対して略平行方向であり、前記ノッチ構造と前記Ｖ溝構造とを嵌合することにより、前記導波路回路素子を前記基板に実装し、前記Ｖ溝構造または前記ノッチ構造の一方の幅をほぼ一定とし、かつ前記Ｖ溝構造または前記ノッチ構造の他方の幅を、前記導波路回路素子の前記反りが最も生じていない領域から、前記導波路回路素子の反りが最も生じている領域に向かって徐々に変化させることによって、前記ノッチ構造の長手方向のほぼ全域に渡って前記ノッチ構造は、前記Ｖ溝構造の壁面に接していることを特徴とする。
【００１３】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記Ｖ溝構造の幅を一定とし、前記ノッチ構造の幅を、前記導波路回路素子の前記反りが最も生じていない領域から、前記導波路回路素子の反りが最も生じている領域に向かって徐々に大きくすることを特徴とする。
【００１４】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記Ｖ溝構造の角度をφとし、前記導波路回路素子の最も反りが生じていない部分から前記導波路回路素子の最も反りが生じている部分に向かって、前記最も反りが生じていない部分をゼロとした距離の変数をｘとし、該ｘにおける、前記基板を基準とした前記反りの高さをＨ（ｘ）とし、前記ｘ＝０における前記ノッチ構造の幅をＷ０とすると、前記ｘにおけるノッチ構造の幅Ｗ（ｘ）は、Ｗ（ｘ）＝Ｗ０＋２Ｈ（ｘ）／ａｒｃｔａｎ（φ）の関係式を満たすことを特徴とする。
【００１５】
請求項４記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記ノッチ構造の幅を一定とし、前記Ｖ溝構造の幅を、前記導波路回路素子の前記反りが最も生じていない領域から、前記導波路回路素子の反りが最も生じている領域に向かって徐々に小さくすることを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記Ｖ溝構造の角度をφとし、前記導波路回路素子の最も反りが生じていない部分から前記導波路回路素子の最も反りが生じている部分に向かって、前記最も反りが生じていない部分をゼロとした距離の変数をｘとし、該ｘにおける、前記基板を基準とした前記反りの高さをＨ（ｘ）とし、前記ｘ＝０における前記Ｖ溝構造の幅をＶ０とすると、前記ｘにおけるＶ溝構造の幅Ｖ（ｘ）は、Ｖ（ｘ）＝Ｖ０−２Ｈ（ｘ）／ａｒｃｔａｎ（φ）の関係式を満たすことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、Ｖ溝構造またはノッチ構造の一方の幅をほぼ一定とし、かつＶ溝構造またはノッチ構造の他方の幅を、導波路回路素子の反りが最も生じていない領域から、導波路回路素子の反りが最も生じている領域に向かって徐々に変化させているので、ノッチ構造の長手方向のほぼ全域に渡ってノッチ構造は、Ｖ溝構造の壁面に接することができる。よって、基板への導波路回路素子の実装の安定性を向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（第１の実施形態）  
図３（ａ）は、本実施形態に係る、反りを有する導波路回路素子を基板へ実装する様子を示す断面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の導波路回路素子の上面図である。  
図３（ａ）において、クラッド３６と該クラッド３６に埋め込まれた導波路コア３７とを備える導波路回路素子３１は、反りが生じている方向Ｐに反りを有している。なお、図３（ａ）では、導波路回路素子３１が有する反りを明確に図示する上で、実際の反りよりもかなり過大に表している。
【００２０】
導波路回路素子３１は、その長手方向が、反りが生じている方向Ｐに略平行である、ノッチ構造３２を備えている。ノッチ構造３２の中心部分は、ノッチ構造３２の中心部付近が、導波路回路素子３１の最も反りが生じていない部分（導波路回路素子において最も窪んでいる部分）上になるように形成されている。また、ノッチ構造３２は、その中心部付近の幅が最も小さく（細く）なっており、両端に向かって徐々にその幅が大きく（太く）なっている。
【００２１】
なお、本明細書において、「反りが生じている方向」とは、最も反りが生じてない部分から、最も反りが生じている部分に向かう方向であり、図３（ａ）では矢印方向Ｐである。
【００２２】
このような構成の導波路回路素子３１において、基板３３への実装前の上面は、図３（ｂ）に示される通りである。
【００２３】
シリコン等の基板３３には、その長手方向が、反りが生じている方向Ｐに略平行である、Ｖ溝３４が形成されている。Ｖ溝３４の幅は、その長手方向に沿ってほぼ一定である。該Ｖ溝３４にノッチ構造３２が嵌合することにより、導波路回路素子３１の基板３３への実装が行われる。
【００２４】
図４は、図３（ａ）のノッチ構造とＶ溝との嵌合部の拡大図である。図５（ａ）は、図４のノッチ構造の端付近におけるＡ−Ａ’線切断断面図であり、図５（ｂ）は、図４のノッチ構造の中央部付近におけるＢ−Ｂ’線切断断面図であり、図５（ｃ）は、図４のノッチ構造の端付近におけるＣ−Ｃ’線切断断面図である。
【００２５】
その中心部付近の幅が細く、端に向かって徐々に中心部の幅よりも太くなっているノッチ構造３２を、幅がほぼ一定のＶ溝３４に嵌合させると、ノッチ構造３２の中心部付近では、図５（ｂ）に示すように、ノッチ構造３２とＶ溝３４の壁面とが接するようになる。また、ノッチ構造３２の端付近においても、図５（ａ）および（ｃ）に示すように、ノッチ構造３２の幅を中心部付近の幅よりも大きくしているので、ノッチ構造３２は、中心部付近よりも浅い位置で、Ｖ溝３４の壁面と接している。
【００２６】
ノッチ構造３２の幅は、上述のように、中心部付近からその端に向かって徐々にその幅を大きくしているので、ノッチ構造３２の長手方向のほぼ全域に渡って、Ｖ溝３４の壁面と接するようになる。すなわち、図３（ａ）の破線３５に沿ってノッチ構造３２とＶ溝３４とは接するようになる。
【００２７】
以上のように、本実施形態によれば、基板へ実装する導波路回路素子が反りを有していても、ノッチ構造の長手方向のほぼ全域に渡って、Ｖ溝の壁面に密着させることができるので、反りを有する導波路回路素子の基板への実装において、安定性を改善することができる。
【００２８】
本実施形態では、ノッチ構造は、上述のように、導波路回路素子の最も反りが生じていない部分を含むように形成することに限定されず、導波路回路素子上であればいずれの領域に形成しても良い。例えば、図６に示すように、導波路回路素子の最も反りが生じていない部分に対して、反りが生じている方向Ｐの両側にノッチ構造を備えていても良い。
【００２９】
図６において、クラッドと該クラッドに埋め込まれた導波路コア（不図示）とを備える導波路回路素子６１は、反りが生じている方向Ｐに反りを有している。なお、図６では、導波路回路素子６１が有する反りを明確に図示する上で、実際の反りよりもかなり過大に表している。
【００３０】
導波路回路素子６１は、その長手方向が、反りが生じている方向Ｐに略平行である、ノッチ構造６２ａおよび６２ｂを備えている。ノッチ構造６２ａおよび６２ｂの幅はそれぞれ、導波路回路素子６１の最も反りが生じていない部分（図６では、導波路回路素子６１の中心部付近）から最も反りが生じている部分（図６では、反りが生じている方向Ｐに沿った、導波路回路素子６１の端の部分）に向かって徐々に大きくなっている。
【００３１】
シリコン等の基板６３には、その長手方向が、反りが生じている方向Ｐに略平行である、Ｖ溝６４が２つ形成されている。Ｖ溝６４の幅は、その長手方向に沿ってほぼ一定である。該Ｖ溝６４にそれぞれ、ノッチ構造６２ａおよび６３ｂが嵌合することにより、導波路回路素子６１の基板６３への実装が行われる。
【００３２】
この場合も、ノッチ構造６２ａ、６２ｂのほぼ全域に渡って、Ｖ溝６４の壁面と線接触することができるので、導波路回路素子６１の基板６３への実装の安定性を向上することができる。
【００３３】
上述から分かるように、本実施形態では、導波路回路素子の反り具合に応じて、ノッチ構造のほぼ全域がＶ溝の壁面と接するようにノッチ構造の幅を変化させることが重要である。そのために、ノッチ構造およびＶ溝の長手方向を反りが生じている方向に一致させ、反りを有する導波路回路素子に形成されるノッチ構造において、反りが大きい領域ほどノッチ構造の幅を大きくすれば良いのである。
【００３４】
以下で、反りを有する導波路回路素子を基板へと実装する際の、導波路回路素子が備えるノッチ構造のノッチ幅の関数形状について説明する。  
図７（ａ）において、基板７２上に、反りを有する導波路回路素子７１が最も反りが生じてない部分の接するようにして実装されている。導波路回路素子７１および基板７２にはそれぞれ、本実施形態に係るノッチ構造およびＶ溝が形成されているが、図を見やすくするために、図７（ａ）では省略している。
【００３５】
ここで、導波路回路素子７１の反りを、半径Ｒの円周の一部と仮定する。また、導波路回路素子７１の最も反りが生じていない部分から最も反りが生じている部分に向かって、最も反りが生じていない部分をゼロとして距離の変数ｘを設定する。このとき、距離ｘでの、基板７２を基準とした高さＨ（ｘ）は、  
Ｈ（ｘ）＝Ｒ（１−ｃｏｓθ）＝Ｒ（１−ｃｏｓ（ａｒｃｓｉｎ（ｘ／Ｒ）））  
と表せる。
【００３６】
図７（ｂ）から分かるように、Ｖ溝の角度をφとし、また、最も反りが生じていない部分における、すなわち、ｘ＝０のときのノッチ構造の幅をＷ０とすると、距離ｘにおけるノッチ構造の幅Ｗ（ｘ）は、  
Ｗ（ｘ）＝Ｗ０＋２Ｈ（ｘ）／ａｒｃｔａｎ（φ）      （式１）  
であれば良い。
【００３７】
（第２の実施形態）  
第１の実施形態では、基板に形成されるＶ溝の幅をほぼ一定とし、導波路回路素子に形成されるノッチ構造の幅を変化させているが、本実施形態では、導波路回路素子に形成されるノッチ構造の幅をほぼ一定とし、基板に形成されるＶ溝の幅を変化させている。
【００３８】
図８（ａ）は、本実施形態に係る、反りを有する導波路回路素子を基板へ実装する様子を示す断面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の導波路回路素子が実装される基板の上面図である。  
図８（ａ）において、クラッドと該クラッドに埋め込まれた導波路コア（不図示）とを備える導波路回路素子８１は、反りが生じている方向Ｐに反りを有している。なお、図８（ａ）では、導波路回路素子８１が有する反りを明確に図示する上で、実際の反りよりもかなり過大に表している。
【００３９】
導波路回路素子８１は、その長手方向が、反りが生じている方向Ｐに略平行である、ノッチ構造８２を備えている。ノッチ構造８２は、その長手方向に沿ってほぼ一定の幅である。
【００４０】
シリコン等の基板８３には、その長手方向が、反りが生じている方向Ｐに略平行である、Ｖ溝８４が形成されている。Ｖ溝８４は、その中心部付近の幅が最も大きく（太く）なっており、両端に向かって徐々にその幅が小さく（細く）なっており、Ｖ溝８４の幅が最も大きくなっている部分上に、導波路回路素子８１の最も反りが生じていない部分（導波路回路素子において最も窪んでいる部分）が形成されるように、ノッチ構造８２と溝部８４とは嵌合している。
【００４１】
このような構成の導波路回路素子８３において、導波路回路素子８１が実装される前の上面は、図８（ｂ）に示される通りである。
【００４２】
図９は、図８（ａ）のノッチ構造とＶ溝との嵌合部の拡大図である。図１０（ａ）は、図９のノッチ構造の端付近におけるＤ−Ｄ’線切断断面図であり、図１０（ｂ）は、図９のノッチ構造の中央部付近におけるＥ−Ｅ’線切断断面図であり、図１０（ｃ）は、図９のノッチ構造の端付近におけるＦ−Ｆ’線切断断面図である。
【００４３】
その中心部付近の幅が太く、端に向かって徐々に中心部の幅よりも細くなっているＶ溝８４、幅がほぼ一定のノッチ構造８２を嵌合させると、ノッチ構造８２の中心部付近では、図１０（ｂ）に示すように、ノッチ構造８２とＶ溝８４の壁面とが接するようになる。また、ノッチ構造８２の端付近においても、図１０（ａ）および（ｃ）に示すように、Ｖ溝８４の幅を中心部付近の幅よりも小さくしているので、ノッチ構造８２は、中心部付近よりも浅い位置で、Ｖ溝８４の壁面と接している。
【００４４】
Ｖ溝８４の幅は、上述のように、中心部付近からその端に向かって徐々にその幅を小さくしているので、ノッチ構造８２の長手方向のほぼ全域に渡って、Ｖ溝８４の壁面と接するようになる。すなわち、図８（ａ）の破線８５に沿ってノッチ構造８２とＶ溝８４とは接するようになる。
【００４５】
以上のように、本実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、反りを有する導波路回路素子の基板への実装において、安定性を改善することができる。
【００４６】
本実施形態では、ノッチ構造は、上述のように、導波路回路素子の最も反りが生じていない部分を含むように形成することに限定されず、導波路回路素子上であればいずれの領域に形成しても良い。例えば、導波路回路素子の最も反りが生じていない部分に対して、反りが生じている方向Ｐの両側にノッチ構造を備えていても良い。このとき、Ｖ溝は、導波路回路素子の最も反りが生じていない部分側から最も反りが生じている部分側に向かって徐々にその幅を小さくするようにすれば良い。
【００４７】
以下で、反りを有する導波路回路素子を基板へと実装する際の、基板に形成されるＶ溝の溝幅の関数形状について説明する。  
図１１（ａ）において、基板１１２上に、反りを有する導波路回路素子１１１が最も反りが生じてない部分の接するようにして実装されている。導波路回路素子１１１および基板１１２にはそれぞれ、本実施形態に係るノッチ構造およびＶ溝が形成されているが、図を見やすくするために、図１１（ａ）では省略している。
【００４８】
ここで、導波路回路素子１１１の反りを、半径Ｒの円周の一部と仮定する。また、導波路回路素子１１１の最も反りが生じていない部分から最も反りが生じている部分に向かって、最も反りが生じていない部分をゼロとして距離の変数ｘを設定する。このとき、距離ｘでの、基板１１２を基準とした高さＨ（ｘ）は、  
Ｈ（ｘ）＝Ｒ（１−ｃｏｓθ）＝Ｒ（１−ｃｏｓ（ａｒｃｓｉｎ（ｘ／Ｒ）））  
と表せる。
【００４９】
図１１（ｂ）から分かるように、Ｖ溝の角度をφとし、また、最も反りが生じていない部分における、すなわち、ｘ＝０のときのＶ溝の幅をＶ０とすると、距離ｘにおけるＶ溝の幅Ｖ（ｘ）は、  
Ｖ（ｘ）＝Ｖ０−２Ｈ（ｘ）／ａｒｃｔａｎ（φ）      （式２）  
であれば良い。
【００５０】
なお、第１および第２の実施形態では、基板に形成される、ノッチ構造と嵌合する溝としては、Ｖ溝に限定されず、Ｖ溝構造であればいずれの構造であっても良い。
【００５１】
本明細書において、「Ｖ溝構造」とは、ノッチ構造と嵌合する溝であって、該溝の長手方向に略垂直な断面において、ノッチ構造との嵌合時に、該ノッチ構造と接する壁面が斜面である溝構造を指す。よって、Ｖ溝構造にはＶ溝も含まれる。また、「斜面」とは、溝が形成された基板の平面と、溝の壁面との内角が９０°より大きく１８０°未満である、溝の壁面である。
【００５２】
また、第１および第２の実施形態では、シリコン等の基板側にＶ溝構造を形成し、導波路回路素子上に方形形状または台形形状のノッチ構造を形成しているがこれに限定されない。すなわち、基板側に方形形状または台形形状のノッチ構造を形成し、導波路回路素子側にＶ溝構造を形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】従来の光モジュールの側面図である。
【図２】従来の、反りを有する導波路回路素子を基板へと実装する様子を示す図である。
【図３】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、反りを有する導波路回路素子を基板へ実装する様子を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の導波路回路素子の上面図である。
【図４】図３（ａ）のノッチ構造とＶ溝との嵌合部の拡大図である。
【図５】（ａ）は、図４のノッチ構造の端付近におけるＡ−Ａ’線切断断面図であり、（ｂ）は、図４のノッチ構造の中央部付近におけるＢ−Ｂ’線切断断面図であり、（ｃ）は、図４のノッチ構造の端付近におけるＣ−Ｃ’線切断断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る、反りを有する導波路回路素子を基板へ実装する様子を示す断面図である。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、反りを有する導波路回路素子を基板へと実装する際の、導波路回路素子が備えるノッチ構造のノッチ幅の関数形状について説明する図である。
【図８】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、反りを有する導波路回路素子を基板へ実装する様子を示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）の導波路回路素子が実装される基板の上面図である。
【図９】図８（ａ）のノッチ構造とＶ溝との嵌合部の拡大図である。
【図１０】（ａ）は、図９のノッチ構造の端付近におけるＤ−Ｄ’線切断断面図であり、（ｂ）は、図９のノッチ構造の中央部付近におけるＥ−Ｅ’線切断断面図であり、（ｃ）は、図９のノッチ構造の端付近におけるＦ−Ｆ’線切断断面図である。
【図１１】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、反りを有する導波路回路素子を基板へと実装する際の、導波路回路素子が備えるノッチ構造のノッチ幅の関数形状について説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
３１、６１、７１、８１、１１１    導波路回路素子
３２、６２ａ、６２ｂ、８２、１１２    ノッチ構造
３３、６３、７２、８３    基板
３４、６４、８４    Ｖ溝
３６    クラッド
３７    導波路コア
【図１】
2006350135.tif 000003
【図２】
2006350135.tif 000004
【図３】
2006350135.tif 000005
【図４】
2006350135.tif 000006
【図５】
2006350135.tif 000007
【図６】
2006350135.tif 000008
【図７】
2006350135.tif 000009
【図８】
2006350135.tif 000010
【図９】
2006350135.tif 000011
【図１０】
2006350135.tif 000012
【図１１】
2006350135.tif 000013