(57)【要約】【課題】初期付着点を提供するよう表面処理された基板を利用してカーボンナノチューブエミッタの分布密度と均一性を向上させられる電界放出エミッタ電極の製造方法及びこれにより製造された電界放出エミッタ電極を開示する。【解決手段】本発明による電界放出エミッタ電極の製造方法は、カーボンナノチューブが分散されたメッキ液を用意する段階と、カーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう表面処理された基板を具備する陰電極と、陽電極とを上記メッキ液に含浸する段階と、上記陰電極及び陽電極に所定の電圧を加えて上記基板上にカーボンナノチューブ‐金属メッキ層を形成する段階を含む。【選択図】図４
2006073505.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブが分散されたメッキ液を用意する段階と、
カーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう表面処理された基板を具備する陰電極と、陽電極を上記メッキ液に含浸する段階と、
上記陰電極及び陽電極に所定の電圧を加えて上記基板上にカーボンナノチューブ−金属メッキ層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項２】
上記初期付着点を提供するよう表面処理された基板は、上記基板上に陽刻または陰刻が形成されるよう表面処理された基板であることを特徴とする請求項１に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項３】
上記陽刻または陰刻はポイント型またはライン型から成ることを特徴とする請求項２に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項４】
上記初期付着点を提供するよう表面処理された基板は、上記基板の表面に鋸歯形態の山断面が形成されるよう表面処理された基板であることを特徴とする請求項１に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項５】
上記初期付着点を提供するよう表面処理された基板は、上記基板の表面に不規則な凹凸形態が形成されるよう表面処理された基板であることを特徴とする請求項１に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項６】
上記カーボンナノチューブ−金属メッキ層を形成する段階後に、上記カーボンナノチューブの並びを向上させるための活性化処理を上記カーボンナノチューブ−金属メッキ層に施す段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項７】
上記メッキ液は金属イオン及び陽イオン性分散剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項８】
上記金属イオンはニッケルイオンで、上記基板は銅基板であることを特徴とする請求項７に記載の電界放出エミッタ電極の製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし８中いずれか一項の方法で製造され初期付着点を提供するよう表面処理された基板上にカーボンナノチューブ−金属複合メッキ層を有することを特徴とする電界放出エミッタ電極。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界放出エミッタ電極(field emitter electrode)の製造方法及びこれにより製造された電界放出エミッタ電極に関するものであって、より詳しくは陰電極基板上にカーボンナノチューブの初期付着点(nucleation site)を提供するよう基板を表面処理することによりエミッタの密度と均一度を高められる電界放出エミッタ電極の製造方法及びこれにより製造された電界放出エミッタ電極に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電界放出表示装置(Field Emission Display; FED)は真空中での電子の放出に基づく光源であって、これは強い電場により電子を放出する多数の微細チップ(tip)またはエミッタが形成された電界放出エミッタ電極を具備する。エミッタから放出された電子は真空中から蛍光体スクリーンに加速され蛍光体を励起させることにより発光する。ＣＲＴ表示装置と異なり、電界放出表示装置は電子ビーム操縦回路(beam steering circuitry)を要さす不要に多くの熱を発生させることもない。また、ＬＣＤ表示装置と異なり、電界放出表示装置はバックライト(back light)を要さず大変明るく且つ広い視野角(viewing angle)を有し、応答時間(response time)も大変短い。こうした諸利点から、電界放出表示装置は各種照明分野及びディスプレイ装置の次世代光源として脚光を浴びている。
【０００３】
上記電界放出表示装置の性能は主に電界を放出できるエミッタ電極に左右される。最近には電界放出特性を向上させるためエミッタとしてカーボンナノチューブ（carbon Nanotube：  以下、「ＣＮＴ」ともいう）が使用されている。
【０００４】
従来、カーボンナノチューブエミッタ電極は主にＣＮＴとバインダーとを混合して基板にスクリーンプリンティングする方法で製造してきた。しかし、スクリーンプリンティングにより製造したカーボンナノチューブエミッタ電極は電界放出効率が低く機械的強度が弱いとの欠点を有する。こうした問題を解決するために、金属メッキ法を利用して基板上にカーボンナノチューブエミッタを形成する方法が導入された。しかし、従来の金属メッキ法によりカーボンナノチューブエミッタ電極を製造する場合、金属メッキを制御しがたく、カーボンナノチューブが基板に均一に付着されなくなる。
【０００５】
図１はＣＮＴ−金属複合メッキに用いられる通常のメッキ装置を示した図で、図２に従来のＣＮＴ−金属複合メッキ法でカーボンナノチューブエミッタ電極を製造する際発生する問題点を概略的に示した図である。従来の金属メッキ装置によると、図１に示したようなメッキ装置を用いて、金属イオン（例えばＮｉイオン）の含まれたメッキ液とカーボンナノチューブ（１３）とを混合して製造した複合メッキ液（１２）（この複合メッキ液内にはカーボンナノチューブが分散されている）に陰電極（１４）と陽電極（１５）を含浸し両電極間に電圧を印加する。この際、例えばＮｉを陰電極（１４）上のメッキする場合、Ｎｉ基板が陽電極（１５）に用いられ、金属板や金属を塗布したガラス平板が陰電極（１４）として用いられることができる（場合によっては、Ｎｉの塗布された基板を陰電極とし、他方の金属基板を陽極とすることもできる）。このように両電極（１４、１５）間に電圧を印加することにより、複合メッキ液内に含まれたＮｉイオンとＣＮＴが陰電極（１４）の表面上にメッキされる。こうして、陰電極（１４）上にＣＮＴが配列されＣＮＴエミッタ電極が形成される。
【０００６】
ところが、電気メッキの際、陰電極（１４）に引き付けられるＮｉイオンやＣＮＴ（２３）が図２のａのように基板上から電場に誘導され図２のｂに示したように溝または障害物（２２）に優先的に付着され固定される。このように形成された構造物は溝または障害物（２２）の部位において局部的により増した電場を引き起こす。したがって、より多くのＮｉイオンとＣＮＴ（２３）が上記溝または障害物（２２）の部位に引き付けられる。
【０００７】
その結果、こうして形成されたＣＮＴエミッタ電極は全体として不均一なエミッタ分布を示し、低いエミッタ分布密度を有するようになる。
【０００８】
特許文献１はＣＮＴ−金属複合メッキで陰電極ライン(cathode line)上にカーボンナノチューブを付着する方法を開示している。上記方法で陰電極ライン上にカーボンナノチューブをメッキする場合、上記理由により低いＣＮＴ分布密度と均一度を有するカーボンナノチューブエミッタ電極が得られるようになる。
【０００９】
しかし、カーボンナノチューブエミッタ電極を電界放出表示装置として利用するためにはカーボンナノチューブエミッタが電極上に均一且つ高密度で付着されなければならない。  カーボンナノチューブエミッタが電極上に均一に分布されていなかったり、充分な分布密度を示さない場合は、電解放出効率が低下し表示装置の寿命が短縮することになる。
【特許文献１】日本特許出願２０００−９８０２６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
こうして本発明の目的はカーボンナノチューブエミッタが基板上に高密度で均一に分布されるようにする電界放出エミッタ電極の製造方法を提供することにある。  
本発明の他の目的はカーボンナノチューブの初期付着点(nucleation site)を提供するよう基板を表面処理することによりカーボンナノチューブの分布密度を制御できる電界放出エミッタ電極の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明のさらに他の目的はカーボンナノチューブエミッタが基板上に高密度で均一に分布されている電界放出エミッタ電極を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一視点によると、カーボンナノチューブが分散されたメッキ液を用意する段階と、カーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう表面処理された基板を具備する陰電極と、陽電極とを上記メッキ液に含浸する段階と、上記陰電極及び陽電極に所定の電圧を印加して上記基板上にカーボンナノチューブ−金属複合層をメッキする段階と、を含む電界放出エミッタ電極の製造方法が提供される。
【００１３】
上記本発明の一視点によると、上記初期付着点を提供するよう表面処理された基板は、上記基板表面に陽刻または陰刻が形成されるよう表面処理された基板であることができる。この場合、上記陽刻または陰刻はポイント型またはライン型とされることができる。他の実施形態として、上記初期付着点を提供するよう表面処理された基板は、上記基板表面に鋸歯形状の山断面が形成されるよう表面処理された基板であることができる。また、上記初期付着点を提供するよう表面処理された基板は、上記基板表面に不規則な凹凸が形成されるよう表面処理された基板であることができる。
【００１４】
本発明の他視点によると、カーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう表面処理された基板上に均一にメッキされたカーボンナノチューブ−金属層を有する電界放出エミッタ電極が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の方法によるとカーボンナノチューブエミッタが均一に高密度で分布された電界放出エミッタ電極が製造される。電界放出エミッタ電極の製造時、特定の凹凸が形成された基板を使用することにより、この凹凸が形成された部分がカーボンナノチューブがメッキされる初期付着点として作用する。そうしてカーボンナノチューブを高い密度と均一な分布で基板上にメッキできる。また、カーボンナノチューブがメッキされる位置及び密度を制御することもできる。上記本発明の方法により製造された電界放出エミッタ電極は増大された電界放出の効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付の図を参照に本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は他の諸形態に変形可能であり、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるわけではない。本発明の実施形態は当業界において平均的知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものでさる。したがって、図面においた諸要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることもある。
【００１７】
本発明においては電界放出エミッタ電極製造時に陰電極基板としてＣＮＴの初期付着点を提供するよう表面処理された基板を使用することによりＣＮＴが基板上の特定部位に優先的にメッキされる。したがって基板上に付着されるＣＮＴの均一性、密度を高め、その均一性、密度及び配向性を制御することができる。
【００１８】
より具体的には、基板表面に陽刻または陰刻などの凹凸を形成することによりカーボンナノチューブがメッキされることのできる初期付着点(nucleation site)を提供する。こうすることでカーボンナノチューブが優先的にメッキされる位置を基板上に均一に分布させたり、その位置を制御することができるようになる。
【００１９】
本発明による電界放出エミッタ電極の製造時にカーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう表面処理された基板の表面構造（形態）の例を図３（ａ）ないし図３（ｆ）に示した。
【００２０】
カーボンナノチューブのメッキ時初期付着点に提供される基板（例えば鋼板）表面上の構造（形態）は図３（ａ）のように陽刻（凸部）（３１）で（例えば複数で均一）に形成するか、あるいは図３（ｂ）のように陰刻（凹部）（３２）で（例えば複数で均一に）形成することができる。一方、上記陽（陰）刻（３１）（３２）は図３（ｃ）のように山断面を有する鋸歯形態の形状（３３）に（例えば複数で均一）に形成することができる。また、上記陽刻または陰刻は図３（ｄ）のようなポイント型（３４）（例えば縦横格子状に複数で均一に形成する）ばかりでなく、図３（ｅ）に示したようなライン型（３５）で（例えば複数で均一に）形成することができる。ひいては、例えばポイント型陽刻（凸部）の断面は正方形、直方形または円形などであってもよい。また、上記基板表面上に形成された構造（形態）は規則的でも不規則でもよい。例えば、鋼板の表面をサンドペーパーでこすって鋼板表面上に不規則なモーフォロジーを形成することができる。
【００２１】
本発明の電界放出エミッタ電極は面光源用に用いることができるが、基板表面上に陽刻または陰刻の間隔は点光現象を防止するために約１〜２０μｍにすることがよく、陽刻の高さまたは陰刻の深さはＣＮＴチップ(tip)より低く（＜１μｍ）  することが好ましい。
【００２２】
カーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう基板表面に形成される凹凸の形態、模様及び間隔などは所望の電界放出エミッタの電界放出密度に応じて適切に選択及び変形可能なものであり、図３（ａ）ないし図３（ｅ）の模様に限られるわけではない。
【００２３】
カーボンナノチューブの初期付着点を提供するよう基板を表面処理する方法としては、リソグラフィーを使用したマイクロパターニング、スクリーンプリンティングまたは機械的方法などを利用できる。機械的方法はとりわけ陰刻パターンを形成する場合に適している。
【００２４】
さらに、基板表面上の凹凸に対して規則性が要されない場合にはサンドペーパー(sand paper)またはサンドブラスト(sand blast)法により図３（ｆ）のように基板表面に不規則な凹凸を形成することができる。このように不規則な凹凸を形成することによりカーボンナノチューブが付着する初期点(nucleation site)が増加し、これによりＣＮＴ−金属複合メッキにより基板上に付着及びメッキされるカーボンナノチューブの分布密度が増加する。このように、基板上のカーボンナノチューブの分布密度が増加すると電界放出エミッタ電極に用いる際電界放出密度が増加する。上記基板には銅またはアルミニウムなどの金属基板を使用することができる。
【００２５】
本発明によると、上記のようにカーボンナノチューブの初期付着点を提供するように表面処理された基板を陰電極基板としてＣＮＴ−金属の複合メッキを実施する。即ち、上記のように表面処理された基板を具備する陰電極と、陽電極とをカーボンナノチューブを含む複合メッキ液に含浸して電気メッキを施す。こうして、ＣＮＴ−金属の複合メッキ層が上記基板表面上にメッキされる。
【００２６】
上記複合メッキ液はカーボンナノチューブ、金属イオン及び陽イオン性分散剤を含んで成る。ニッケルメッキの場合、金属イオンは主にＮｉＳＯ４とＮｉＣｌ２から供給される。また、上記複合メッキ液にはＨ３ＢＯ３などが添加されることができる。ＣＮＴが分散された複合メッキ液の組成は一般的なものであって、当技術分野の技術者であれば必要に応じて各成分の含量を適宜に調節し配合することができる。
【００２７】
ＣＮＴは、これに限られるわけではないが、一般にＣＶＤ(chemical vapor deposition)法で製造されたものを使用でき、具体的にはＭＷＮＴ(Multi Wall Nanotube)、ＤＷＮＴ(Double Wall Nanotubes)またはＳＷＮＴ(Single Wall Nanotube)を用いることができ、とりわけ直線形態で製造されるａｒｃ−ＭＷＮＴを使用することができる。
【００２８】
基板にメッキで付着されるＣＮＴの量はメッキ時間の調節により調節でき、これは当技術分野における技術者であれば必要に応じて適宜に調節することができる。
【００２９】
一方、カーボンナノチューブは表面積が大変大きく密度が小さい物質なので、強い凝集力を有する。こうしたカーボンナノチューブの凝集力は均一なカーボンナノチューブの分散を妨げかねないので、複合メッキ液中分散剤を添加することが好ましい。本発明において分散剤には陽イオン性分散剤が使用される。陽イオン性分散剤を使用することによりカーボンナノチューブが陽電荷を帯びるようになる。こうした陽イオン性分散剤の作用によりカーボンナノチューブは他金属イオンと共により容易に陰電極に沈着することができる。
【００３０】
陽イオン性分散剤としては、これに限るわけではないが、例えばベンゼンコニウムクロライド(benzene konium chloride)を用いることができる。上記陽イオン性分散剤はカーボンナノチューブの重量対比約５０ｗｔ％〜２００ｗｔ％で添加することが好ましい。陽イオン性分散剤が５０ｗｔ％未満で用いられると、カーボンナノチューブ粒子の凝集を充分に防止できず、２００ｗｔ％を超過すると過料の分散剤が電極に付着してＣＮＴの付着を阻害するので好ましくない。
【００３１】
上記陽イオン性分散剤、カーボンナノチューブ、金属イオン提供物質及び脱イオン水を混合して約１時間ほど超音波処理し、カーボンナノチューブが適切に分散された複合メッキ液を得ることができる。
【００３２】
先述したように表面処理された基板を陰電極基板にして上記複合メッキ液で電気メッキを施すと、カーボンナノチューブの初期付着点を提供する構造の周囲（例えば陽刻周囲）に増加した電場が誘発される。こうして、この電場は複合メッキ液中のＣＮＴを引き付け、上記初期付着点の周囲に集中してＣＮＴが付着及びメッキされる。したがって、表面処理によって基板上に初期付着点を均一にすることができ、ＣＮＴの分布密度を高められる。  また、基板上に付着されるＣＮＴの密度、均一性及び方向性を、初期付着点を提供する構造の形状、位置などの調節によって調節することができる。
【００３３】
本発明の電界放出エミッタ電極の製造方法は、基板上に初期付着点を提供する構造（形態）が形成されることを除けば、図１に示すような通常の電気メッキを利用することができる。図１はメッキ槽（１１）に投入された複合メッキ液（１２）に陰電極（１４）と陽電極（１５）が含浸された状態を示す。上記複合メッキ液（１２）は、例えばＮｉイオン（Ｎｉ２＋）、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）及び陽イオン性分散剤を脱イオン水に添加及び配合して製造することができる。上記陰電極（１４）と上記陽電極（１５）に所定の電圧が印加されると、複合メッキ液（１２）中のＮｉイオンはカーボンナノチューブ（１３）と共に陰電極（１４）に沈着し、カーボンナノチューブ粒子を含むＣＮＴ−金属メッキ層（１６）が形成される。
【００３４】
本発明によると、基板上に初期付着点を均一に分布させることによりＣＮＴ−金属メッキ層（１６）は基板上により均一に分布させられる。したがって、カーボンナノチューブエミッタが均一に配列されている電界放出エミッタ電極を得ることができる。
【００３５】
本発明によると、上記得られたＣＮＴ−金属メッキ層（１６）の表面はＣＮＴの並びを向上させるため追加的に活性化処理することができる。このように活性化処理することにより、ＣＮＴ粒子を金属膜表面から充分に露出させることができ、ＣＮＴの並びが向上する。上記活性化処理はこれに限られるわけではないが、イオンビーム、レーザービームまたはテープリフトアップなどを利用して行うことができる。こうした活性化工程を通してより優れた電界放出効果を有する電界放出エミッタ電極を提供することができる。
【００３６】
本発明の方法によりＣＮＴが均一に分布及び付着された電界放出エミッタ電極を製造することができ、本発明の方法により製造された電界放出エミッタ電極は増加したＣＮＴの分布密度及び均一度を示す。こうしたＣＮＴ分布の密度及び均一度の増加により個々のエミッタ電極チップ（ｔｉｐ）の電流を最少化できるようになる。したがって、抵抗熱によるエミッタの劣化を防ぎ、エミッタの寿命が延長される。
【００３７】
以下、本発明の具体的な実施例を通して、本発明による電界放出エミッタ電極の製造方法をより具体的に説明する。
【実施例１】
【００３８】
（発明例）
本発明例においては、図１のメッキ装置を利用して初期付着点を提供するよう表面処理された銅基板にＣＮＴ−ニッケルメッキ層を形成した。メッキ液を製造するために、脱イオン水に１３５ｇ／リットルのＮｉＳＯ４、２２．５ｇ／リットルのＮｉＣｌ２及び１７．５ｇ／リットルのＨ３ＢＯ３を混合した。その後、この溶液に１０ｍｇ／リットルのカーボンナノチューブと１００ｗｔ％の分散剤（ベンゼンコニウムクロリド（ＢＫＣ））を添加し約１時間この溶液を超音波処理して複合メッキ液を製造した。その後、この複合メッキ液をメッキ槽に投入した。
【００３９】
一方、サンドブラストを利用して銅基板の一表面に不規則な凹凸を形成した。そして、上記表面処理された銅基板を陰電極とし、ニッケル基板を陽電極として上記複合メッキ液に含浸した。そして、３０Ｖの電圧を上記両電極に印加して約３０分ほどメッキすることによりカーボンナノチューブが付着した約２μｍ厚さのＣＮＴ−Ｎｉ複合メッキ層が上記銅基板（陰電極基板）上に形成された。
【００４０】
このように発明例により形成された結果物（ＣＮＴ−Ｎｉ複合メッキ層が形成された銅基板）を電界放出エミッタ電極として電解放出実験を行った。図４（ａ）はこうした電界放出実験により得られた電界放出点を示す写真（大きさ横４ｃｍ×縦５ｃｍほど）である。  図４（ａ）に示したように、全体として大変高い密度の電界放出点が見られる。
【００４１】
（従来例）
図１のメッキ装置を利用して、初期付着点を提供する表面処理が施されていない銅基板にＣＮＴ−ニッケルメッキ層を形成した。メッキ液を製造するために脱イオン水に１３５ｇ／リットルのＮｉＳＯ４、２２．５ｇ／リットルのＮｉＣｌ２及び１７．５ｇ／リットルのＨ３ＢＯ３を混合した。その後、この溶液に１０ｍｇ／リットルのカーボンナノチューブと１００ｗｔ％の分散剤（ベンゼンコニウムクロリド（ＢＫＣ））を混合し約１時間にかけて超音波処理を施して複合メッキ液を製造した。その後、この複合メッキ液をメッキ槽に投入した。
【００４２】
初期付着点形成のために別途の前処理が施されていない銅基板を陰電極とし、ニッケル基板を陽電極として複合メッキ液に含浸した。その後、３０Ｖの電圧を上記両電極に印加して約３０分ほどメッキすることによりカーボンナノチューブが付着された約２μｍ厚のＣＮＴ−Ｎｉ複合メッキ層が基板上に形成された。
【００４３】
このように従来例により形成された結果物（ＣＮＴ−Ｎｉ複合メッキ層が形成された銅基板）を電界放出エミッタ電極として電解放出実験を行った。図４（ｂ）はこうした電解放出実験により得られた電解放出点を示す写真（大きさ横４ｃｍ×縦５ｃｍほど）である。  図４（ｂ）に示したように、電解放出点は大変低い分布密度となっている。
【００４４】
図４（ａ）及び４（ｂ）から分かるように、初期付着点を提供するようサンドブラストを利用して表面処理された基板にカーボンナノチューブ−Ｎｉ金属層をメッキする場合（図４（ａ））、メッキ時カーボンナノチューブが付着する初期付着点の増加によりカーボンナノチューブが基板上に高密度で付着する。別途の付着付着点が形成されない基板を利用した従来例（図４（ｂ））に比して、上記発明例の電界放出点の密度が約３倍ほど増加していることを確認できた。
【００４５】
本発明は上述した実施形態及び添付の図により限定されるものではなく、請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において当技術分野において通常の知識を有する者であれば様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これらもやはり本発明の範囲に属するものといえるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】ＣＮＴ−金属複合メッキに用いられる通常のメッキ装置を示した概略図である。
【図２】従来のＣＮＴ−金属複合メッキにおける問題点を説明するための図である。
【図３】本発明により表面処理された基板を示した図であって、（ａ）は表面に陽刻が形成された基板の側断面図、（ｂ）は表面に陰刻が形成された基板の側断面図、（ｃ）は表面に鋸歯形態の山断面が形成された基板の側断面図、（ｄ）は表面に規則的なポイント型陽刻が形成された基板を示し、（ｅ）は表面に一定の間隔で形成されたライン型陽刻が形成された基板を示し、（ｆ）は表面に不規則な凹凸が形成された基板を示した図である。
【図４】（ａ）は本発明の方法により不規則な凹凸が形成された基板上に形成されたＣＮＴ−金属メッキ層を有する電界放出エミッタ電極の電界放出密度を示した写真で、（ｂ）は従来の方法により基板上に形成されたＣＮＴ−金属メッキ層を有する電界放出エミッタ電極の電界放出密度を示した写真である。
【符号の説明】
【００４７】
１１  メッキ槽
１２  メッキ液
１３、２３  カーボンナノチューブ
１４  陰電極
１５  陽電極
１６  ＣＮＴ−ニッケルメッキ層
２２  基板上の溝または障害物
【図１】
2006073505.tif 000003
【図２】
2006073505.tif 000004
【図３】
2006073505.tif 000005
【図４】
2006073505.tif 000006