(57)【要約】【課題】  新規な面不斉ビピリジン化合物、その化合物の製造方法、面不斉ビピリジン化合物を配位子として用いた新規な金属錯体、及び、新規な不斉触媒を用いた光学活性化合物の製造方法を提供することである。【解決手段】  ２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に面不斉架橋アルキレン基を有し、下記式（I）又は（II）で表されることを特徴とする面不斉ビピリジン化合物、その化合物の製造方法、面不斉ビピリジン化合物を配位子として用いた新規な金属錯体、及び、新規な不斉触媒を用いた光学活性化合物の製造方法である。    【化１】2006206507.tif 000044
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に面不斉架橋アルキレン基を有し、
下記式（I）又は（II）で表されることを特徴とする
面不斉ビピリジン化合物。
【化１】
2006206507.tif 000039
（ここで、面不斉架橋アルキレン基は、Ａを含み、前記ピリジン環の３位と６位を架橋し、置換基を有してもよいアルキレン基であり、前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１６の整数であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３’位及び６’位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｚは無置換又は酸素原子を表す。）
【請求項２】
前記ｎが８〜１４の整数である請求項１に記載の面不斉ビピリジン化合物。
【請求項３】
前記ｎが８〜１０の整数である請求項１又は２に記載の面不斉ビピリジン化合物。
【請求項４】
前記Ｘ1が炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基である請求項１〜３のいずれか１つに記載の面不斉ビピリジン化合物。
【請求項５】
前記Ｘ1がメトキシカルボニル基である請求項１〜４のいずれか１つに記載の面不斉ビピリジン化合物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の面不斉ビピリジン化合物を、配位子として少なくとも１つ有する金属錯体。
【請求項７】
前記金属が鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅又は亜鉛である請求項６に記載の金属錯体。
【請求項８】
前記金属が亜鉛又は銅である請求項６又は７に記載の金属錯体。
【請求項９】
下記式（III）又は（IV）に示す面不斉架橋アルキレン基を有する面不斉パラピリジノファン誘導体のピリジン環の６位をハロゲン化し、６−ハロゲン化不斉化合物を誘導するハロゲン化工程、及び、
前記６−ハロゲン化不斉化合物と、下記式（V）に示すスズ化合物とをカップリング反応させるカップリング工程を含む
面不斉ビピリジン化合物の製造方法であって、
前記面不斉ビピリジン化合物が、２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に面不斉架橋アルキレン基を有し、かつ、
下記式（VI）又は（VII）で表されることを特徴とする
面不斉ビピリジン化合物の製造方法。
【化２】
2006206507.tif 000040
（ここで、面不斉架橋アルキレン基は、Ａを含み、ピリジン環の２位と５位を架橋する、置換基を有してもよいアルキレン基であり、前記アルキレン基において、ピリジン環の２位と５位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１０の整数を表し、また、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。）
【化３】
2006206507.tif 000041
（ここで、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３位及び６位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｒ1は、アルキル基又はアリール基を表す。）
【化４】
2006206507.tif 000042
（ここで、面不斉架橋アルキレン基は、Ａを含み、前記ピリジン環の３位と６位を架橋し、置換基を有してもよいアルキレン基であり、前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１０の整数であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３’位及び６’位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｚは無置換又は酸素原子を表す。）
【請求項１０】
前記ｎが１０である請求項９に記載の面不斉ビピリジン化合物の製造方法。
【請求項１１】
ピリジン環上の窒素原子を酸化する酸化工程を含む請求項９又は１０に記載の面不斉ビピリジン化合物の製造方法。
【請求項１２】
前記６−ハロゲン化不斉化合物が、６−ヨード体である請求項９〜１１のいずれか１つに記載の面不斉ビピリジン化合物の製造方法。
【請求項１３】
前記カップリング反応を５０℃以下で行う請求項９〜１２のいずれか１つに記載のビピリジン化合物の製造方法。
【請求項１４】
前記カップリング反応にパラジウム触媒を用いる請求項９〜１３のいずれか１つに記載の面不斉ビピリジン化合物の製造方法。
【請求項１５】
前記カップリング反応にパラジウム触媒、添加剤としてＣｕＩ及びＣｓＦ、及び、反応溶媒としてＤＭＦを用いる請求項９〜１４のいずれか１つに記載の面不斉ビピリジン化合物の製造方法。
【請求項１６】
２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に架橋アルキレン基を有し、かつ下記式（VIII）で表される面不斉ビピリジン化合物のラセミ体、又は、前記ラセミ体より誘導したジアステレオマー混合物を光学分割する工程
を含むことを特徴とする
面不斉ビピリジン化合物の製造方法。
【化５】
2006206507.tif 000043
（ここで、架橋アルキレン基Ａ’はピリジン環の３位と６位を架橋し、置換基を有してもよいアルキレン基を表し、前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１６の整数を表し、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３’位及び６’位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｚは無置換又は酸素原子を表す。）
【請求項１７】
請求項１〜８のいずれか１つに記載の面不斉ビピリジン化合物又は金属錯体を不斉触媒として反応を行う工程を含む
光学活性化合物の製造方法。
【請求項１８】
前記光学活性化合物が光学活性ホモアリルアルコール化合物である請求項１７に記載の光学活性化合物の製造方法。
【請求項１９】
前記触媒が亜鉛錯体である請求項１７又は１８に記載の光学活性化合物の製造方法。
【請求項２０】
前記面不斉ビピリジン化合物、又は、前記金属錯体の配位子である面不斉ビピリジン化合物の前記Ｚが酸素原子である請求項１７又は１８に記載の光学活性化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な化合物である面不斉ビピリジン化合物の合成、その製造方法、それを配位子として用いた新規な金属錯体、及び、それらを触媒として用いた不斉合成反応に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にビピリジン化合物は、配位子として、種々の金属と錯体を形成することが知られている（特許文献１及び２等参照）。
ビピリジン骨格を有するキラルな配位子は、これまでに種々報告されており、例えば、特許文献２及び非特許文献１等が挙げられる。しかしながら、従来の不斉ビピリジン配位子は、ピリジン環の近傍に不斉中心を持つ置換基が存在するため、剛直かつ立体障害の大きな配位子であり、錯体形成や反応性の低下などの問題点を抱える配位子が多い。
また、非特許文献１に記載されているように、架橋部位に芳香環を有する面不斉ビピリジン化合物が報告されているが、芳香環を架橋部位に有するため、架橋部位を有するピリジン環上の窒素原子近傍の立体障害が大きく、錯体形成や反応性に問題があり、また、不斉合成反応に用いた際の不斉収率が十分ではない。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−９７８０９号公報
【特許文献２】特開２００１−３９９９４号公報
【非特許文献１】U. Worsdorfer et al., Synthesis, p.597-602 (1999)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの目的は、新規な面不斉ビピリジン化合物、及び、その製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、面不斉ビピリジン化合物を配位子として用いた新規な金属錯体を提供することである。
また、本発明の更に他の目的は、新規な不斉触媒を用いた光学活性化合物の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は、以下の（１）〜（５）により達成できた。
（１）２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に面不斉架橋アルキレン基を有し、下記式（I）又は（II）で表されることを特徴とする面不斉ビピリジン化合物、
【０００６】
【化１】
2006206507.tif 000002
（ここで、面不斉架橋アルキレン基は、Ａを含み、前記ピリジン環の３位と６位を架橋し、置換基を有してもよいアルキレン基であり、前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１６の整数であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３’位及び６’位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｚは無置換又は酸素原子を表す。）
（２）上記（１）に記載の面不斉ビピリジン化合物を、配位子として少なくとも１つ有する金属錯体、
（３）下記式（III）又は（IV）に示す面不斉架橋アルキレン基を有する面不斉パラピリジノファン誘導体のピリジン環の６位をハロゲン化し、６−ハロゲン化不斉化合物を誘導するハロゲン化工程、及び、前記６−ハロゲン化不斉化合物と、下記式（V）に示すスズ化合物とをカップリング反応させるカップリング工程を含む面不斉ビピリジン化合物の製造方法であって、前記面不斉ビピリジン化合物が、２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に面不斉架橋アルキレン基を有し、かつ、下記式（VI）又は（VII）で表されることを特徴とする面不斉ビピリジン化合物の製造方法、
【０００７】
【化２】
2006206507.tif 000003
（ここで、面不斉架橋アルキレン基は、Ａを含み、ピリジン環の２位と５位を架橋する、置換基を有してもよいアルキレン基であり、前記アルキレン基において、ピリジン環の２位と５位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１０の整数を表し、また、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。）
【０００８】
【化３】
2006206507.tif 000004
（ここで、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３位及び６位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｒ1は、アルキル基又はアリール基を表す。）
【０００９】
【化４】
2006206507.tif 000005
（ここで、面不斉架橋アルキレン基は、Ａを含み、前記ピリジン環の３位と６位を架橋し、置換基を有してもよいアルキレン基であり、前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１０の整数であり、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３’位及び６’位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｚは無置換又は酸素原子を表す。）
（４）２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に架橋アルキレン基を有し、かつ下記式（VIII）で表される面不斉ビピリジン化合物のラセミ体、又は、前記ラセミ体より誘導したジアステレオマー混合物を光学分割する工程を含むことを特徴とする面不斉ビピリジン化合物の製造方法、
【００１０】
【化５】
2006206507.tif 000006
（ここで、架橋アルキレン基Ａ’はピリジン環の３位と６位を架橋し、置換基を有してもよいアルキレン基を表し、前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１６の整数を表し、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３’位及び６’位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｚは無置換又は酸素原子を表す。）
（５）上記（１）又は（２）に記載の面不斉ビピリジン化合物又は金属錯体を不斉触媒として反応を行う工程を含む光学活性化合物の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、新規な面不斉ビピリジン化合物を合成することができた。
また、本発明によれば、前記面不斉ビピリジン化合物を配位子として用いることで、新規な金属錯体を合成することができた。
また更に、本発明によれば、前記面不斉ビピリジン化合物又は前記金属錯体を不斉触媒として利用することより、様々な不斉合成反応に応用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の面不斉ビピリジン化合物は、２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に面不斉架橋アルキレン基を有し、前記式（I）又は（II）で表されることを特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】
＜面不斉ビピリジン化合物＞
本発明の面不斉ビピリジン化合物は、２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に面不斉架橋アルキレン基を有する。
２，２’−ビピリジン環とは、前記式（I）又は（II）に示すように２つのピリジン環が互いに２位で結合したビピリジン環である。
【００１４】
また、面不斉架橋アルキレン基は、前記式（I）又は（II）に示すように前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環の３位と６位を架橋し、かつピリジン環部位と共に一方の面性キラリティー（面不斉）を生じさせるアルキレン基である。
前記架橋アルキレン基は、Ａを含み、前記ピリジン環の３位と６位を架橋し、置換基を有してもよいアルキレン基である。アルキレン基の置換基としては、本発明の趣旨を逸脱しない限り、後述する置換基群より選ばれた任意の１価の置換基を表す。Ａは（ＣＨ2）n-6で表されるが、ＡのＣＨ2部分における１つ以上のＨが、上記置換基で置換されていてもよい。
ｎは、架橋アルキレン基の架橋鎖の長さ（前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数）である。ｎは８〜１６の整数であり、面不斉ビピリジン化合物の不斉合成の容易さ、及び、触媒や金属錯体に用いた場合の立体障害等の観点から、８〜１４の整数が好ましく、８〜１０の整数がより好ましく、１０が特に好ましい。
また、面不斉架橋アルキレン基の３位と６位とをつなぐ最短のアルキレン鎖に替えて、アルキレン基以外に、−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ’−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＯＮＲ’−等の二価の置換基を含む架橋構造であってもよい。Ｒ’は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数６〜３０のアリール基、又は、炭素数７〜３０のアラルキル基で表される。
【００１５】
前記式（I）又は（II）において、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。
Ｘ1のピリジン環上の置換位置は５位であり、また、Ｘ2のピリジン環上の置換位置は４位である。
Ｘ1及びＸ2における置換基とは、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、又は、以下に示す置換基群より選ばれた任意の１価の置換基を表す。
【００１６】
（置換基群）
アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１０、さらに好ましくは２〜５のアルコキシカルボニル基である）、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８のアルキル基である）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルケニル基である）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８のアルキニル基である）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリール基である）、アラルキル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２のアラルキル基である）、置換もしくは無置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６のアミノ基である）、
【００１７】
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１０のアルコキシ基である）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは２〜１０のアシルオキシ基である）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０のアシルアミノ基である）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルコキシカルボニルアミノ基である）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールオキシカルボニルアミノ基である）、アルキルスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルスルホニルアミノ基である）、アリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアリールスルホニルアミノ基である）、スルファモイル基、アルキルスルファモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルスルファモイル基である）、アリールスルファモイル基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアルキルスルファモイル基である）、カルバモイル基、アルキルカルバモイル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２のアルキルカルバモイル基である）、アリールカルバモイル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２のアリールカルバモイル基である）、
【００１８】
アルキルスルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルスルホニル基である）、アリールスルホニル基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールスルホニル基である）、アルキルスルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキルスルフィニル基である）、アリールスルフィニル基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２のアリールスルフィニル基である）、ヒドロキシ基、カルボキシル基、シアノ基、ニトロ基、ヒドラジノ基、イミノ基、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４のシリル基である）が含まれる。
これらの置換基はさらにこれらの置換基によって置換されていてもよい。また、可能な場合には互いに結合して環を形成していてもよい。
【００１９】
中でも、合成上の観点から、Ｘ1が炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜８のアルキル基、ヒドロキシメチル基、炭素数２〜９のアルコキシメチル基、炭素数１〜１７のシリルオキシメチル基、カルボキシル基であることが好ましく、Ｘ1が炭素数２〜５のアルコキシカルボニル基であることがより好ましく、Ｘ1がメトキシカルボニル基であることがさらに好ましい。
【００２０】
前記式（I）又は（II）において、Ｙは、Ｘ1及びＸ2の置換されていないピリジン環上の任意の位置における一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数である。
Ｙのピリジン環上の置換位置としては、３’〜６’位の任意の位置である。
Ｙは、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、又は、先にＸ1及びＸ2における置換基として挙げた置換基群より選ばれた任意の１価の置換基を表す。
ｍが０の場合は、ピリジン環上にＹがないことを表し、ｍが１〜４の場合は、ピリジン環上にＹがそれぞれ１〜４つあることを表す。
ｍが２以上の場合は、ピリジン環上のそれぞれのＹにおいて、互いに独立にハロゲン原子又は置換基を選ぶことができ、また、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３’位及び６’位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよい。
前記式（I）又は（II）において、Ｚは無置換又は酸素原子を表す。Ｚが酸素原子の場合、２つのＺのうち、両方が酸素原子であってもよく、どちらか一方であってもよい。
【００２１】
本発明の面不斉ビピリジン化合物が有する面不斉架橋アルキレン基、置換基Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、Ｚとしては、面不斉を有する、及び、２，２’−ビピリジン環を有するという特徴を発揮するため、面不斉ビピリジン化合物を塩基触媒して用いる場合、ピリジン環の窒素原子又はそのＮ−オキシド部位の塩基触媒としての働きを阻害しないため、それらより塩基性の高い部位を含まない置換基が好ましい。また、面不斉ビピリジン化合物を金属錯体の配位子として用いる場合、ピリジン環の窒素原子が金属へ配位することを阻害しないため、ピリジン環の窒素原子の配位能より、配位能の高い部位のない置換基が好ましい。
【００２２】
前記式（I）又は（II）で表される化合物は、好ましくは下記式（I−１）又は（II−１）で表される化合物である。
【００２３】
【化６】
2006206507.tif 000007
【００２４】
ピリジン環の３位と６位を架橋したＡ1を含む面不斉架橋アルキレン基は、（ＣＨ2）8、（ＣＨ2）9、又は、（ＣＨ2）10を表す。
Ｘ11は、水素原子、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、炭素数２〜２０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐ハロアルキル基、炭素数２〜２１のアルコキシメチル基、炭素数１〜１７のシリルオキシメチル基、ヒドロキシメチル基、炭素数４〜１０の下式（Ａｍ−１）を含む一置換又は二置換のアミド基、又は、無置換アミド基を表す。
Ｘ12、Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13、及び、Ｙ14は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、又は、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐ハロアルキル基を表す。また、Ｙ11、及び、Ｙ14は、互いに結合して環状構造を形成した面不斉架橋アルキレン基であってもよく、その場合、（ＣＨ2）8、（ＣＨ2）9、又は、（ＣＨ2）10を表す。
Ｚ1は、無置換又は酸素原子を表す。
【００２５】
【化７】
2006206507.tif 000008
【００２６】
ＲAmは、炭素数１〜４の直鎖又は分岐アルキル基、炭素数６〜１０のアリール基、又は、炭素数７〜１４のアラルキル基で表される。
【００２７】
前記式（I−１）又は（II−１）で表される化合物は、好ましくは以下のＢ−１〜Ｂ−５０に示す面不斉化合物、及び、前記式（I−１）に対する式（II−１）で示すような、Ｂ−１〜Ｂ−５０に示す面不斉化合物の反対の面不斉を有する化合物である。
【００２８】
【化８】
2006206507.tif 000009
【００２９】
【化９】
2006206507.tif 000010
【００３０】
【化１０】
2006206507.tif 000011
【００３１】
【化１１】
2006206507.tif 000012
【００３２】
【化１２】
2006206507.tif 000013
【００３３】
【化１３】
2006206507.tif 000014
【００３４】
【化１４】
2006206507.tif 000015
【００３５】
前記Ｂ−１〜Ｂ−５０に示す面不斉化合物、及び、Ｂ−１〜Ｂ−５０に示す面不斉化合物の反対の面不斉を有する化合物のうち、好ましくは以下のＢ−１〜Ｂ−８に示す面不斉化合物、及び、Ｂ−１〜Ｂ−８に示す面不斉化合物の反対の面不斉を有する化合物である。
【００３６】
【化１５】
2006206507.tif 000016
【００３７】
前記Ｂ−１〜Ｂ−８で示す化合物及びＢ−１〜Ｂ−８に示す面不斉化合物の反対の面不斉を有する化合物のうち、好ましくは以下のＢ−３に示す化合物及びＢ−３に示す面不斉化合物の反対の面不斉を有する化合物であり、特に好ましくはＢ−３に示す化合物である。
【００３８】
【化１６】
2006206507.tif 000017
【００３９】
＜面不斉ビピリジン化合物を配位子とする金属錯体＞
本発明の面不斉ビピリジン化合物は、配位子として、種々の金属と錯体を形成することができる。
本発明の金属錯体は、本発明の面不斉ビピリジン化合物を、配位子として少なくとも１つ有する金属錯体である。金属錯体としては、単核、複核、及び、多核の金属錯体があげられるが、単核錯体が好ましい。
配位形式は、単核錯体の場合、中心金属が面不斉ビピリジン化合物に２座配位していることが錯体の安定性等から好ましいが、どちらか一方のみに単座配位していてもよい。
用いることのできる金属としては、典型金属及び遷移金属を特に制限なく用いることができるが、ビピリジン錯体の合成例が知られており、かつ金属錯体を不斉反応に用いる際に反応性が高いと思われる、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅又は亜鉛が好ましく、ビピリジン化合物を配位子とした金属錯体を用いた不斉反応が知られている銅又は亜鉛がより好ましい。
また、本発明の金属錯体は、配位子として、前記面不斉ビピリジン化合物以外の中性配位子や、陽イオン性配位子、陰イオン性配位子を有していてもよい。
【００４０】
本発明の金属錯体の合成方法としては、公知の金属錯体の合成方法を応用することができ、特に公知のビピリジン配位子を有する金属錯体の合成方法を好適に用いることができる。例えば、日本化学会編「第５版  実験化学講座  ２１  有機遷移金属化合物、超分子錯体」丸善（株）、２００４年刊、日本化学会編「第５版  実験化学講座  ２２  金属錯体・遷移金属クラスター」丸善（株）、２００４年刊、Sir G. Wilkinson等著「Comprehensive organometallic chemistry」 Pergamon Press、１９８２年刊、E. W. Abell等著「Comprehensive organometallic chemistry II」 Pergamon、１９９５年刊、及び、これらに引用された文献を参考にできる。
また、本発明の金属錯体が前記面不斉ビピリジン化合物以外の配位子を有する場合、金属錯体の配位子交換方法として公知の方法を用い、金属上の配位子を変換することができ、様々な金属錯体を合成できる。
【００４１】
＜面不斉ビピリジン化合物の製造方法＞
本発明の前記式（I）又は（II）に示す面不斉ビピリジン化合物の製造方法は、以下の２つの方法により合成することができる。
１つは、面不斉ビピリジン化合物の架橋アルキレン基の炭素数ｎが８〜１０である場合、下記式（III）又は（IV）に示す面不斉パラピリジノファン誘導体のピリジン環の６位をハロゲン化し、６−ハロゲン化不斉化合物を誘導するハロゲン化工程、及び、前記６−ハロゲン化不斉化合物と、下記式（V）に示すスズ化合物とをカップリング反応させるカップリング工程を含むことを特徴とする面不斉ビピリジン化合物の製造方法を用いて、本発明の面不斉ビピリジン化合物を合成できる。
【００４２】
【化１７】
2006206507.tif 000018
（ここで、面不斉架橋アルキレン基は、Ａを含み、ピリジン環の２位と５位を架橋する、置換基を有してもよいアルキレン基であり、前記アルキレン基において、ピリジン環の２位と５位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１０の整数を表し、また、Ｘ1及びＸ2はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表す。）
【００４３】
【化１８】
2006206507.tif 000019
（ここで、Ｙはピリジン環上の一価の置換基を表し、Ｙの置換基数ｍは０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、２つのＹが互いに結合して環状構造を形成してもよく、このような環が３位及び６位を架橋する場合、面不斉架橋アルキレン基であってもよく、また、Ｒ1は、アルキル基又はアリール基を表す。）
【００４４】
もう一つは、面不斉ビピリジン化合物の架橋アルキレン基の炭素数ｎが８〜１６である場合、面不斉ビピリジン化合物のラセミ体、又は、前記ラセミ体より誘導したジアステレオマー混合物を光学分割する工程を含むことを特徴とする面不斉ビピリジン化合物の製造方法により、前記面不斉ビピリジン化合物を合成できる。
以下、この２つの方法を詳細に述べる。
【００４５】
面不斉ビピリジン化合物の架橋アルキレン基の炭素数ｎが８〜１０である場合、以下の面不斉ビピリジン化合物の製造方法を用いることができる。すなわち、前記式（III）又は（IV）に示す面不斉パラピリジノファン誘導体のピリジン環の６位をハロゲン化し、６−ハロゲン化不斉化合物を誘導するハロゲン化工程、及び、前記６−ハロゲン化不斉化合物と、前記式（V）に示すスズ化合物とをカップリング反応させるカップリング工程を含むことを特徴とする前記面不斉ビピリジン化合物の製造方法である。
【００４６】
前記式（III）又は（IV）に示す面不斉パラピリジノファン誘導体のＡ、Ｘ1、Ｘ2、及び、前記式（V）に示すスズ化合物のＹ、ｍは、それぞれ前記式（I）又は（II）に示す面不斉ビピリジン化合物で挙げたＡ、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍと同義である。また、ｎは８〜１０の整数を表し、１０であることがより好ましい。
【００４７】
前記式（V）に示すＲ1は、アルキル基又はアリール基を表す。アルキル基、又は、アリール基としては、特に限定されないが、炭素数１〜８の直鎖又は分岐アルキル基、又は、炭素数６〜１２のアリール基が好ましく、メチル基、ｎ−ブチル基が特に好ましい。
また、３つのＲ1は、それぞれ異なるアルキル基又はアリール基であってもよく、３つのＲ1のうち、その一つがヒドロキシ基、炭素数１〜８のアルコキシ基又は炭素数６〜８のフェノキシ基であってもよい。
【００４８】
前記式（III）又は（IV）に示す面不斉パラピリジノファン誘導体は、例えば、以下の本発明者等による（１）〜（６）等に記載された方法等を用いて得ることができる。
（１）特開平１０−２７９５８０号公報、
（２）特開２０００−２５６３５９号公報、
（３）特開２００２−２４９４６３号公報、
（４）N. Kanomata et al., J. Am. Chem. Soc., Vol.122, p.4563-4568 (2000)、
（５）N. Kanomata et al., Tetrahedron Letters, Vol.42, p.1045-1048 (2001)、
（６）N. Kanomata et al., Tetrahedron Letters, Vol.44, p.3599-3603 (2003)。
上記の中で例えば、上記（２）に記載の方法とは、ラセミ体のパラピリジノファン誘導体のエステル部位を、光学活性なアミノアルコールを用いてアミド化し、ジアステレオマー間の物性の違いを利用した固液平衡による異性化晶出法を用いて、一方の面不斉を有する面不斉パラピリジノファン誘導体を得る方法である。
また、上記（１）〜（６）等に記載された方法と同様の方法、又は、ラセミ体又はジアステレオマー混合物のキラルカラムを用いた光学分割法等により、逆の面不斉パラピリジノファン誘導体を得ることもできる。
【００４９】
パラピリジノファン誘導体の６位をハロゲン化する方法としては、ピリジン環の窒素原子のα位をハロゲン化する公知の方法を用いることができる。例えば、M. Schlosser and F. Cottet, Eur. J. Org. Chem., Vol.2002, Issue 24, p.4181-4184等の文献に記載の方法を好ましく用いることができる。具体的には、下記Ｓｃｈｅｍｅ１及び２に示すように、酸化剤を用いてパラピリジノファン誘導体のピリジン環上の窒素原子を一旦酸化し、Ｎ−オキシドとした後、オキシ塩化リン等のクロロ化剤を用いて６位をクロロ化し、６−クロロ体を得る方法が挙げられる。
酸化剤としては、過酸や金属酸化物、アミンのＮ−オキシド等が挙げられ、具体的にはｍ−クロロ過安息香酸等が好ましい。
【００５０】
【化１９】
2006206507.tif 000020
（Ｓｃｈｅｍｅ１及び２中のＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、及び、Ｘ2は、それぞれ前記式（I）又は（II）に示す面不斉ターピリジン化合物で挙げたＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、及び、Ｘ2と同義である。）
【００５１】
また、パラピリジノファン誘導体の６−ブロモ体や６−ヨード体は、上記６−クロロ体から、上記のF. Cottet等の文献に記載の方法等により、下記Ｓｃｈｅｍｅ３又は４に示すように、トリメチルシリルブロミドやトリメチルシリルヨージド等の臭素化剤又はヨウ素化剤を用いて誘導することもできる。
【００５２】
【化２０】
2006206507.tif 000021
（Ｓｃｈｅｍｅ３及び４中のＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、及び、Ｘ2は、それぞれ前記式（I）又は（II）に示す面不斉ターピリジン化合物で挙げたＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、及び、Ｘ2と同義である。）
【００５３】
パラピリジノファン誘導体の６−ハロゲン化物は、後述するカップリング反応での反応性の観点から、６−ヨード体が好ましい。６−ヨード体であると、カップリング反応において、遷移金属触媒に対する反応性が高いことから、反応温度をなるべく低温で行うことができる。反応温度が低いと、アルキレン架橋鎖の異性化（フリッピング）の進行が遅く、不斉収率を向上することができる。
【００５４】
前記６−ハロゲン化物と、前記式（V）に示すスズ化合物とをカップリング反応させ面不斉ビピリジン化合物を得る方法としては、下記Ｓｃｈｅｍｅ５示すように、Ｓｔｉｌｌｅ反応として知られた公知の方法を用いることができる。
Ｓｔｉｌｌｅ反応に用いる遷移金属触媒としては、公知のものを用いることができるが、反応性や入手の容易さ等からパラジウム触媒が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4）がより好ましい。
Ｓｔｉｌｌｅ反応を用いて本発明の面不斉ビピリジン化合物を合成する場合、反応温度が高いと反応性が高くなるが、不斉収率は低くなり、反応温度が低いとアルキレン架橋鎖の異性化（フリッピング）の進行が遅く不斉収率は高くなるが、反応性は低くなる。したがって、反応性と不斉収率のバランスを考え、反応温度を設定するのが好ましい。具体的には８０℃以下が好ましく、５０℃以下がより好ましく、２５〜５０℃が特に好ましい。
【００５５】
【化２１】
2006206507.tif 000022
（Ｓｃｈｅｍｅ５中のＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍは、それぞれ前記式（I）又は（II）に示す面不斉ターピリジン化合物で挙げたＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍと同義であり、また、Ｒ1は、前記式（V）に示すスズ化合物で挙げたＲ1と同義である。）
【００５６】
上記の方法の中でも、例えば、下記Ｓｃｈｅｍｅ６に示すようなJ. E. Baldwin et al., Angew. Chem. Int. Ed., Vol.43, p.1132-1136 (2004)に記載された方法等を用いるのが好ましい。具体的には、６−ヨード体とスズ化合物を基質として用い、溶媒としてジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、触媒としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ3）4）、添加剤としてフッ化セシウム（ＣｓＦ）及びヨウ化銅（Ｉ）（ＣｕＩ）を用い、なるべく温和な反応条件でカップリング反応を行うのが好ましい。上記反応条件でカップリング反応を行うと、反応時間が短く、かつ面不斉を保持したカップリング生成物を得ることができる。
【００５７】
【化２２】
2006206507.tif 000023
（Ｓｃｈｅｍｅ６中のＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍは、それぞれ前記式（I）又は（II）に示す面不斉ターピリジン化合物で挙げたＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍと同義であり、また、Ｒ1は、前記式（V）に示すスズ化合物で挙げたＲ1と同義である。）
【００５８】
また、得られた面不斉ビピリジン化合物より、公知の官能基変換法を用いて、種々の面不斉ビピリジン化合物も得ることができる。例えば、アルコキシカルボキシル基を水素化アルミニウムリチウム等の還元剤で還元するとヒドロキシメチル基が得られる。アルコキシカルボキシル基を水酸化リチウム等の塩基及び水で加水分解するとカルボキシル基が得られる。アミド基をナトリウムアルコキシド等の求核剤を作用させるとアルコキシカルボキシル基が得られる。
【００５９】
また、面不斉ビピリジン化合物の架橋アルキレン基のｎが８〜１６である場合、２，２’−ビピリジン環、及び、前記ビピリジン環の少なくとも一方のピリジン環上に架橋アルキレン基を有し、かつ下記式（VIII）で表されるビピリジン化合物のラセミ体、又は、前記ラセミ体より誘導したジアステレオマー混合物を光学分割する工程を含むことを特徴とする面不斉ビピリジン化合物の製造方法により、前記面不斉ビピリジン化合物を合成できる。
【００６０】
【化２３】
2006206507.tif 000024
【００６１】
前記式（VIII）において、架橋アルキレン基Ａ’はピリジン環の３位と６位を架橋する、置換基を有してもよいアルキレン基を表し、前記アルキレン基におけるピリジン環の３位と６位とを連結する最短の原子数ｎは８〜１６の整数を表す。
また、前記式（VIII）において、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、ｍ、及び、Ｚは、前記式（I）又は（II）におけるＸ1、Ｘ2、Ｙ、ｍ、及び、Ｚと同義である。
【００６２】
前記の光学活性パラピリジノファン誘導体から面不斉ビピリジン化合物を合成する方法と同様の方法を用い、ラセミ体のパラピリジノファン誘導体より、架橋アルキレン基を有するビピリジン化合物のラセミ体を合成する。
【００６３】
下記Ｓｃｈｅｍｅ７に示すように、得られたビピリジン化合物のラセミ体を、キラルカラムを用いたカラムクロマトグラフィー（高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）や中圧カラムクロマトグラフィーも含む。）により光学分割し、面不斉ビピリジン化合物を得ることができる。また、得られた面不斉ビピリジン化合物より、公知の官能基変換法を用いて、他の様々な面不斉ビピリジン化合物をも得ることができる。
【００６４】
【化２４】
2006206507.tif 000025
（Ｓｃｈｅｍｅ７中のＡ、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍは、前記式（I）又は（II）におけるＡ、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍと同義であり、また、Ａ’は前記式（VIII）におけるＡ’と同義である。）
【００６５】
また、ビピリジン化合物のラセミ体において、キラルカラムを用いたカラムクロマトグラフィーによる光学分割が困難な場合は、架橋アルキレン基を有するビピリジン化合物のラセミ体をジアステレオマー混合物へ誘導し、光学分割をしてもよい。
中でもビピリジン化合物のラセミ体のエステル部位等を、光学活性なアミノアルコールを用いてアミド化し、ジアステレオマー混合物とし、光学分割するのが好ましい。反応試薬及び反応条件は、特に制限はなく、公知のアミド化法を用いることができる。
用いる光学活性なアミノアルコールとしては、前記（１）〜（６）等の公報又は文献に記載されたキラルなアミド基部位を合成するために用いる光学活性なアミノアルコールが好ましく挙げられる。
【００６６】
本発明の面不斉ビピリジン化合物の製造方法は、下記Ｓｃｈｅｍｅ８に示すようなピリジン環上の窒素原子を酸化する酸化工程を含んでいてもよい。
面不斉ビピリジン化合物のピリジン環上の窒素原子を、酸化剤を用いて酸化することで、前記面不斉ビピリジン化合物のＮ−オキシド体を得ることができる。
酸化剤としては、過酸や金属酸化物、アミンのＮ−オキシド等が挙げられ、具体的にはｍ−クロロ過安息香酸等が好ましい。
また、前記Ｎ−オキシド体は、ピリジン環上の窒素原子を２つとも酸化したジオキシドでも、どちらか一方を酸化したモノオキシドであってもよい。
【００６７】
【化２５】
2006206507.tif 000026
（Ｓｃｈｅｍｅ８中のＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍは、それぞれ前記式（I）又は（II）に示す面不斉ターピリジン化合物で挙げたＡを含む架橋アルキレン基、Ｘ1、Ｘ2、Ｙ、及び、ｍと同義である。）
【００６８】
＜光学活性化合物の製造方法＞
本発明の光学活性化合物の製造方法は、本発明の面不斉ビピリジン化合物又は金属錯体を不斉触媒として反応を行う工程を含む。
光学活性化合物としては、塩基触媒や金属触媒による公知の不斉合成反応により合成できる光学活性化合物が挙げられる。その中でも光学活性ホモアリルアルコールを製造するのが好ましい。
【００６９】
本発明の光学活性ホモアリルアルコール化合物の製造方法は、前記不斉触媒によりアルデヒドとアリルシラン化合物とを反応させることにより光学活性ホモアリルアルコールを得る工程を含むのが好ましい。
【００７０】
【化２６】
2006206507.tif 000027
【００７１】
用いるアルデヒドを、上記Ｓｃｈｅｍｅ９に示すようにＲ2ＣＨＯと表すと、Ｒ2としては、置換基を有していてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよい複素環基を示す。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、１，１−ジメチル−ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基等の炭素数１〜１０の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；ビニル基、アリル基、イソプロペニル基等の炭素数２〜１０の直鎖又は分岐のアルケニル基；エチニル基、２−プロピニル基等の炭素数２〜１０の直鎖又は分岐のアルキニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントラセニル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基；フリル、チエニル、ピリジル等の複素環基を挙げられる。
【００７２】
Ｒ2におけるこれらの基の置換基としては、ヒドロキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖又は分岐等のアルコキシ基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルケニル基；エチニル基、２−プロピニル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基を挙げられる。
【００７３】
本発明で用いるアリルシラン化合物とは、１つのアリル基をケイ素原子上に有する化合物である。
アリル基としては、２−プロペニル部位を有していればよく、アリル基上に種々の置換基を有していてもよい。上記Ｓｃｈｅｍｅ９に示すようにアリル基が有していてもよい置換基Ｒ3〜Ｒ7としては、それぞれ独立に、ヒドロキシル基；フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数１〜６の直鎖、分岐又は環状のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖又は分岐等のアルコキシ基、ビニル基、アリル基、イソプロペニル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルケニル基；エチニル基、２−プロピニル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルキニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基を挙げられる。
【００７４】
上記Ｓｃｈｅｍｅ９に示すようにアリル基以外のケイ素上の置換基Ｒ8〜Ｒ10としては、それぞれ独立に、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の直鎖、分岐又は環状の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜６の直鎖又は分岐等のアルコキシ基；ヒドロキシ基が挙げられる。
なお、アリル基以外のケイ素上の３つの置換基は、同一であるのが合成上好ましい。また、２つ以上のケイ素が酸素で架橋したシロキサン構造を有するアリルシラン化合物であってもよい。
【００７５】
アリルシラン化合物は、上記に例示した化合物の中でも、アリル基が上記の基から選ばれるアリルトリクロロシラン又はアリルトリメチルシランが好ましく、反応性等の観点から、アリル基が上記の基から選ばれるアリルトリクロロシランがより好ましい。
【００７６】
触媒として用いる本発明の面不斉ビピリジン化合物又は金属錯体としては、得られるホモアリルアルコールの収率及び不斉収率より、２つのピリジン環上の窒素原子が共に酸化された面不斉ビピリジン化合物、又は、亜鉛錯体が好ましい。
【００７７】
なお、本発明の各製造方法で行う反応において、特に断りのない限り、用いる反応条件、反応容器、及び、反応装置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、公知の文献等を参考にし、適宜設定、又は、選択し、反応を行うことができる。
【実施例】
【００７８】
以下に実施例を示すが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
また、以下の実施例で用いる器具及び装置等は、特に断りのない限り、本発明の趣旨を逸脱しない範囲であれば、市販又は公知の器具及び装置を適宜用いることができる。
また、以下の実施例の反応は、必要に応じアルゴン、窒素等の不活性ガス雰囲気下又は空気雰囲気下のいずれかで行うのが好ましい。
【００７９】
＜不斉収率の決定方法＞
キラルカラムとして、ダイセル化学工業（株）製ＣＨＩＲＡＬＰＡＣＫ  ＩＡ、又は、ＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤを用いた高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により、化合物を光学分割し、不斉収率を決定した。
【００８０】
（実施例１）
＜面不斉パラピリジノファン誘導体からの面不斉ビピリジン化合物の合成＞
〔ピリジン環上の窒素原子の酸化〕
【００８１】
【化２７】
2006206507.tif 000028
【００８２】
面不斉パラピリジノファン誘導体（Ｓ）−１（９９％ｅｅ）（光学活性架橋ニコチン酸エステル）（５１１ｍｇ，１．８６ｍｍｏｌ）を脱水ジクロロメタンに溶解させ、０℃でｍ−クロロ過安息香酸（ｍ−ＣＰＢＡ）（６６８ｍｇ，３．８７ｍｍｏｌ）を加え、室温で１６時間撹拌して酸化反応を行った。反応終了後、０℃で水酸化カルシウムを加えてろ過し、溶媒を除去した。油状の架橋ニコチン酸メチルエステルＮ−オキシド（Ｓ）−２（５５２ｍｇ，１００％）を定量的に得た。
【００８３】
（Ｓ）−２：1HNMR（500.16 MHz, CDCl3）δ = 0.54-0.61（m, 1H），0.62-0.83（m, 2H），0.83-0.93（m, 4H），0.98-1.07（m, 1H），1.09-1.18（m, 1H），1.21-1.37（m, 3H），1.54-1.67（m, 3H），1.67-1.77（m, 1H），2.54（ddd, J = 12.5, 7.00, 4.50 Hz, 1H），2.70（ddd, J = 12.5, 7.00, 4.50 Hz, 1H），3.31（ddd, J = 12.9, 7.75, 5.00 Hz, 1H），3.65（ddd, J = 12.9, 7.75, 5.00 Hz, 1H），3.95（s, 3H），7.54（d, J = 1.15 Hz, 1H），8.24（d, J = 1.15 Hz, 1H）； 13CNMR（100.53 MHz, CDCl3）δ = 24.4, 24.5, 25.6, 26.1, 26.4, 26.7, 27.7, 27.74, 28.4, 31.9, 52.9, 128.4, 130.1, 137.4, 142.2, 152.1, 165.7.
〔ピリジン環の６位のクロロ化〕
【００８４】
【化２８】
2006206507.tif 000029
【００８５】
架橋ニコチン酸メチルエステルＮ−オキシド（Ｓ）−２（３３．１ｍｇ，０．１１４ｍｍｏｌ）を封管中で脱水ジクロロメタンに溶解させ、０℃でオキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）（１００μｌ）を滴下後、１時間撹拌した。５０℃で２日間撹拌した後、氷を加え室温で１時間撹拌した。ジクロロメタンで３回抽出し、飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去した。フラッシュカラムクロマトグラフィー（ジエチルエーテル：ヘキサン＝１：８）で精製し、油状の６−クロロパラピリジノファン誘導体（Ｓ）−３（９９％ｅｅ）（１７．６ｍｇ，５０％）を得た。なお、６−クロロ体（Ｓ）−３のエナンチオ過剰率の測定は、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＩＡ（４．６φ×２５０ｍｍ）（ダイセル化学工業（株）製）を用い、ヘキサン−酢酸エチル混合溶媒（１５０／１）（０．８ｍｌ／ｍｉｎ）を流出溶媒とするＨＰＬＣ（２０℃）にて行った。
【００８６】
（Ｓ）−３：1HNMR（399.78 MHz, CDCl3）δ = 0.48（m, 1H），0.66（m, 1H），0.73-0.78（m, 3H），0.80-0.85（m, 2H），1.01-1.19（m, 3H），1.22（m, 1H），1.39-1.54（m, 2H），1.70（m, 1H），1.82（m, 1H），1.86（m, 1H），2.60（ddd, J = 13.7, 9.8, 4.4 Hz, 1H），2.80（ddd, J = 13.7, 9.8, 4.4Hz, 1H），3.07（ddd, J = 14.6, 10.2, 4.4Hz, 1H），3.74（ddd, J = 10.2, 6.4, 3.9 Hz, 1H），3.93（s, 3H），8.03（s, 1H）； 13CNMR（100.53 MHz, CDCl3）δ = 24.6, 25.3, 26.2, 26.32, 26.34, 27.6, 27.91, 27.95, 31.9, 35.5, 52.43, 124.6, 133.1, 141.8, 152.9, 162.6, 166.4.
〔ピリジン環の６位の臭素化〕
【００８７】
【化２９】
2006206507.tif 000030
【００８８】
６−クロロパラピリジノファン誘導体（Ｓ）−３（４０．４ｍｇ，０．１３０ｍｍｏｌ）を封管中でアセトニトリルに溶解させた。ブロモトリメチルシラン（ＴＢＳＢｒ）（８５μｌ）を加え、８０℃で１５時間撹拌した。反応終了後、２．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を加え、ジクロロメタンで３回抽出した。純水と飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、溶媒を除去した。油状の６−ブロモパラピリジノファン誘導体（Ｓ）−４（９９％ｅｅ）（４４．８ｍｇ，１００％）を定量的に得た。なお、６−ブロモ体（Ｓ）−４のエナンチオ過剰率の測定は、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＩＡ（４．６φ×２５０ｍｍ）（ダイセル化学工業（株）製）を用い、ヘキサン−酢酸エチル混合溶媒（５０／１）（１．０ｍｌ／ｍｉｎ）を流出溶媒とするＨＰＬＣ（２０℃）にて行った。
【００８９】
（Ｓ）−４：1HNMR（399.78 MHz, CDCl3）δ = 0.47（m, 1H），0.59-0.68（m, 2H），0.73-0.80（m, 3H），1.01-1.11（m, 3H），1.16（m, 1H），1.20-1.29（m, 2H），1.48-1.69（m, 2H），1.78（m, 1H），1.84（m, 1H），2.59（ddd, J = 13.6, 8.4, 4.8 Hz, 1H），2.79（ddd, J = 13.6, 8.4, 4.8Hz, 1H），3.07（ddd, J = 12.0, 7.6, 4.4 Hz, 1H），3.74（ddd, J = 12.8, 7.6, 4.0 Hz, 1H），3.93（s, 3H），7.95（s, 1H）； 13CNMR（100.53 MHz, CDCl3）δ = 24.4, 25.4, 26.30, 26.35, 27.6, 27.90, 27.94, 33.7, 35.4, 52.4, 124.9, 135.6, 141.0, 145.9, 162.8, 166.5； MS（ESI+）: m/z（%）: 354（100）[M+].
化合物（Ｓ）−４の物性データに関する参考文献：M. Schlosser and F. Cottet, Eur. J. Org. Chem., Vol.2002, Issue 24, p.4181-4184
〔ピリジン環の６位のヨウ素化〕
【００９０】
【化３０】
2006206507.tif 000031
【００９１】
６−ブロモパラピリジノファン誘導体（Ｓ）−４（６１９ｍｇ，１．７５ｍｍｏｌ）を封管中でアセトニトリルに溶解させた。ヨードトリメチルシラン（ＴＭＳＩ）（１．７５ｇ，８．７５ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２日間撹拌した。反応終了後、２．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液と５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加えた。さらに濃塩酸を用いて溶液を酸性（ｐＨ＝３）にし、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）：酢酸エチル（１：１）混合溶液で３回抽出した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過して溶媒を除去した。得られた混合物をメタノール−トルエン（１／４）混合溶媒に溶解し、トリメチルシリルジアゾメタン（ＴＭＳ−diazomethane）（９００μｌ）を加え室温で１時間撹拌した。減圧下で溶媒を除去し、６−ヨードパラピリジノファン誘導体（Ｓ）−５（９９％ｅｅ）（６６３ｍｇ，９７％）を得た。なお、６−ヨード体（Ｓ）−５のエナンチオ過剰率の測定は、ＣＨＩＲＡＬＰＡＫ  ＩＡ（４．６φ×２５０ｍｍ）（ダイセル化学工業（株）製）を用い、ヘキサン−酢酸エチル混合溶媒（５０／１）（１．０ｍｌ／ｍｉｎ）を流出溶媒とするＨＰＬＣ（２０℃）にて行った。
【００９２】
（Ｓ）−５：1HNMR（500.16 MHz, CDCl3）δ = 0.49（m, 1H），0.60-0.69（m, 2H），0.71-0.80（m, 3H），0.82-0.88（m, 2H），1.03-1.12（m, 2H），1.19（m, 1H），1.22-1.34（m, 2H），1.49-1.58（m, 2H），1.77（m, 1H），1.83（m, 1H），2.67（ddd, J = 13.0, 8.5, 4.5 Hz, 1H），2.80（ddd, J = 13.0, 8.5, 4.5Hz, 1H），2.94（ddd, J = 14.0, 9.5, 4.5 Hz, 1H），3.70（ddd, J = 12.5, 8.0, 4.0 Hz, 1H），3.92（s, 3H），7.80（s, 1H）； 13CNMR（125.77 MHz, CDCl3）δ = 24.2, 25.4, 26.28, 26.34, 26.6, 27.6, 27.9, 35.4, 37.0, 52.4, 124.8, 127.3, 138.7, 139.4, 162.8, 166.7； MS（ESI+）: m/z（%）: 424（100）[M+Na+].
化合物（Ｓ）−５の物性データに関する参考文献：M. Schlosser and F. Cottet, Eur. J. Org. Chem., Vol.2002, Issue 24, p.4181-4184
〔カップリング反応〕
【００９３】
【化３１】
2006206507.tif 000032
【００９４】
６−ヨードパラピリジノファン誘導体（Ｓ）−５（１００．８ｍｇ，０．２５１ｍｍｏｌ）とトリｎ−ブチル（２−ピリジル）スズ６（１００．８ｍｇ，０．２７４ｍｍｏｌ）、ＣｓＦ（７５．６ｍｇ，０．４９８ｍｍｏｌ）、およびＣｕＩ（９．５ｍｇ，０．０４９９ｍｍｏｌ）をＤＭＦに溶解させた後，さらにＰｄ（ＰＰｈ3）4（２８．８ｍｇ，０．０２４９ｍｍｏｌ）を加え、５０℃で６時間撹拌した。反応終了後、水を加え、エーテルで３回抽出した。飽和食塩水で洗浄後、ＭｇＳＯ4で乾燥させ、溶媒を除去した。フラッシュカラムクロマトグラフィー（シリカゲル，Ｅｔ2Ｏ：ｈｅｘａｎｅ＝１：１）で精製し、カップリング体である面不斉ビピリジン化合物（Ｓ）−７（５１．３ｍｇ，５８％）を得た。
【００９５】
（Ｓ）−７：1HNMR（500.16 MHz, CDCl3）δ = 0.37-0.46（m, 1H），0.52-0.61（m, 2H），0.61-0.77（m, 4H），0.77-0.93（m, 3H），1.00-1.20（m, 2H），1.29-1.40（m, 1H），1.45-1.60（m, 3H），1.79-1.91（m, 1H），2.57（ddd, J = 12.8, 9.2, 4.0 Hz, 1H），2.81（ddd, J = 12.8, 9.2, 4.0 Hz, 1H），3.57（ddd, J = 12.0, 5.8, 4.0 Hz, 1H），3.77（ddd, J = 12.0, 5.8, 4.0 Hz, 1H），3.88（s, 3H），7.26（ddd, J = 7.6, 4.0, 1.2 Hz, 1H），7.81（td, J = 7.6, 1.6 Hz, 1H），8.02（d, J = 7.6 Hz, 1H），8.59（dd, J = 4.0, 1.2 Hz, 1H）； 13CNMR（125.77 MHz, CDCl3）δ = 24.6, 26.0, 26.41, 26.47, 27.34, 27.37, 27.5, 27.8, 31.1, 35.7, 52.2, 53.4, 123.24, 124.5, 124.7, 133.66, 136.9, 142.0, 148.5, 157.8, 158.3, 160.3, 167.1.
【００９６】
上記の反応条件で、Ｐｄ（ＰＰｈ3）4を０．１当量、ＣｓＦ及びＣｕＩを全く添加しなかった場合、（Ｓ）−７（９９％ｅｅ）の収率が４０％であった。
【００９７】
また、出発物質を面不斉パラピリジノファン誘導体（Ｒ）−１（９９％ｅｅ）とした以外は、実施例１と同様に、上記各ステップの反応を行い、面不斉ビピリジン化合物（Ｒ）−７が得られる。
【００９８】
（実施例２）
＜面不斉ビピリジン化合物におけるエステルの還元＞
【００９９】
【化３２】
2006206507.tif 000033
【０１００】
キラルな面不斉ビピリジン化合物（Ｓ）−７（１７．９ｍｇ，０．０５０８ｍｍｏｌ）を脱水エーテルに溶解させ、０℃で水素化リチウムアルミニウム（ＬＡＨ）（１．９ｍｇ，０．０５０８ｍｍｏｌ）を加えた。室温で３時間撹拌した後、０℃で２．０Ｍ水酸化ナトリウム水溶液を加え、ＭｇＳＯ4で乾燥後、溶媒を除去した。アルコール体（Ｓ）−８（１６．４ｍｇ，１００％）を定量的に得た。
【０１０１】
（Ｓ）−８：1H NMR (399.78 MHz, CDCl3)δ = 0.48-0.57 (m, 3H), 0.62-0.75 (m, 4H), 0.75-0.93 (m, 3H), 1.01-1.10 (m, 1H), 1.19-1.35 (m, 3H), 1.53-1.62 (m, 1H), 1.78-1.87 (m, 1H), 2.58 (ddd, J = 14.9, 8.7, 4.1 Hz, 1H), 2.73 (ddd, J = 14.9, 8.7, 4.1 Hz, 1H), 2.84 (ddd, J = 14.9, 8.7, 4.1 Hz, 1H), 3.40 (ddd, J = 14.9, 8.7, 4.1 Hz, 1H), 4.03 (broad, 1H), 4.50 (d, 14.2 Hz, 1H), 4.61 (d, 14.2 Hz, 1H), 7.32 (td, J = 7.8, 1.8 Hz, 1H), 7.54 (s, 1H), 7.87 (td, J = 7.8, 1.8 Hz, 1H), 7.96 (dd, J = 7.8, 1.8 Hz, 1H), 8.64 (dd, J = 7.8, 1.8 Hz, 1H); 13C NMR (100.53 MHz, CDCl3)δ = 24.7, 25.7, 26.52, 26.57, 27.54, 27.7, 27.9, 31.14, 33.24, 61.0, 65.8, 122.8, 124.84, 133.96, 134.46, 137.2, 138.35, 148.2, 154.1, 156.1, 159.15.
【０１０２】
（実施例３）
＜面不斉ビピリジン化合物におけるピリジン環上の窒素原子の酸化＞
【０１０３】
【化３３】
2006206507.tif 000034
【０１０４】
アルコール体（Ｓ）−８（１７．９ｍｇ，０．０５５２ｍｏｌ）を脱水ジクロロメタンに溶解させ、０℃でｍ−クロロ過安息香酸（ｍ−ＣＰＢＡ）（３８．１ｍｇ，０．２２１ｍｍｏｌ）を加え、室温で１７時間撹拌した。反応終了後、０℃で水酸化カルシウムを加えてろ過し、溶媒を除去した。薄層クロマトグラフィー（ＭｅＯＨ：ＣＨＣｌ3＝１：９）で精製した後、酢酸エチルを用いて再結晶し、吸引ろ過をした。これを減圧乾燥することで針状結晶であるＮ，Ｎ’−ジオキシド（Ｓ）−１０（１０．４ｍｇ，５３％）を得た。
【０１０５】
（Ｓ）−１０：mp 126.6-128.3 ℃, 1H NMR (399.78 MHz, CDCl3)δ = 0.24-0.34 (m, 1H), 0.57-0.73 (m, 2H), 0.74-0.92 (m, 4H), 0.92-1.03 (m, 2H), 1.03-1.17 (m, 1H), 1.23-1.33 (m, 3H), 1.52-1.73 (m, 2H), 2.58 (ddd, J = 13.7, 8.2, 3.2 Hz, 1H), 2.73 (ddd, J = 13.7, 8.2, 3.2 Hz, 1H), 2.84 (ddd, J = 13.7, 8.2, 3.2 Hz, 1H), 3.33 (ddd, J = 13.7, 8.2, 3.2 Hz, 1H), 4.54 (d, 14.6 Hz, 1H), 4.69 (d, 14.6 Hz, 1H), 5.28 (br, 1H), 7.41 (m, 2H), 7.47 (s, 1H), 7.60 (dd, J = 7.7, 2.3 Hz, 1H), 8.34 (dd, J = 7.7, 2.3 Hz, 1H); 13C NMR (100.53 MHz, CDCl3)δ = 22.9, 24.76, 25.55, 26.05, 26.7, 26.8, 27.7, 28.4, 31.05, 50.6, 61.04, 126.15, 126.3, 127.09, 130.0, 138.86, 138.9, 139.95, 140.4, 143.1, 148.0; MS (ESI+): m/z (%): 379 (100) [M+Na].
【０１０６】
（実施例４）
＜亜鉛錯体の合成＞
【０１０７】
【化３４】
2006206507.tif 000035
【０１０８】
面不斉ビピリジン化合物（Ｓ）−７（２３．４ｍｇ，０．０６６４ｍｏｌ）を脱水ＴＨＦに溶解させ、ＺｎＣｌ2（９．１ｍｇ，０．０６６４ｍｍｏｌ）を加え、４時間還流した。反応終了後、溶媒を除去し、亜鉛錯体（Ｓ）−１１（３２．５ｍｇ，１００％）を得た。
【０１０９】
（Ｓ）−１１： 1H NMR (399.78 MHz, CDCl3)δ = 0.28-0.33 (m, 2H), 0.58-0.66 (m, 1H), 0.74-0.91 (m, 4H), 0.91-1.01 (m, 1H), 1.01-1.19 (m, 3H), 1.34-1.47 (m, 1H), 1.62-1.76 (m, 2H), 1.83-1.91 (m, 1H), 2.04-2.16 (m, 1H), 2.58 (ddd, J = 13.7, 8.2, 3.2 Hz, 1H), 3.16 (ddd, J = 13.37, 8.7, 4.1 Hz, 1H), 3.53 (ddd, J = 13.7, 8.2, 3.2 Hz, 1H), 4.02 (s, 3H), 4.22 (ddd, J = 13.7, 8.2, 3.2 Hz, 1H), 7.81 (td, J = 8.2, 2.0 Hz, 1H), 8.25 (td, J = 8.2, 2.0 Hz, 1H), 8.34 (dd, J = 8.2, 2.0 Hz, 1H), 8.53 (s, 1H), 8.92 (dd, J = 8.2, 2.0 Hz, 1H); 13C NMR (100.53 MHz, CDCl3)δ = 24.65, 25.9, 26.1, 26.25, 26.3, 27.8, 30.2, 32.94, 37.25, 53.2, 126.7, 127.5, 128.5, 136.1, 141.4, 146.25, 148.66, 149.5, 149.6, 162.2, 164.86.
【０１１０】
（実施例５）
＜不斉ホモアリルアルコール合成＞
【０１１１】
【化３５】
2006206507.tif 000036
【０１１２】
ベンズアルデヒド１当量（１９．７ｍｇ（０．１８６ｍｍｏｌ））、アリルトリクロロシラン１．５当量（３９μｌ（０．２７４ｍｍｏｌ））をジクロロメタン２ｍｌに溶解し、−７８℃に冷却した。不斉触媒としてＮ−オキシド（Ｓ）−１０（９９％ｅｅ）０．１当量（６．６ｍｇ（０．０１８５ｍｍｏｌ））と、ジイソプロピルエチルアミン（ｉ−Ｐｒ2ＮＥｔ）５当量（１２０．２ｍｇ（０．９３０ｍｍｏｌ））を添加した後、−７８℃で２０時間撹拌した。−７８℃で炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて反応を停止し、酢酸エチルで抽出後、フラッシュクロマトグラフィーにより単離した。（Ｓ）−（１−ヒドロキシ−３−ブチル）ベンゼン  （Ｓ）−１２（２６．５ｍｇ（０．１７９ｍｍｏｌ））が、収率９６％、５２％ｅｅで得られた。
【０１１３】
不斉触媒として面不斉ビピリジン化合物（Ｓ）−７（９９％ｅｅ）を用い、反応時間を２５時間とした以外は、上記と同様に反応を行った。（Ｓ）−（１−ヒドロキシ−３−ブチル）ベンゼン  （Ｓ）−１２  ３５．２ｍｇ（０．１７９ｍｍｏｌ）が、収率８７％、４０％ｅｅで得られた。
【０１１４】
【化３６】
2006206507.tif 000037
【０１１５】
（実施例６）
＜ラセミ体の光学分割による面不斉ビピリジン化合物の合成＞
【０１１６】
【化３７】
2006206507.tif 000038
【０１１７】
ラセミ体のパラピリジノファン誘導体１を出発物質とし、上記（Ｓ）−７と同様な方法で合成したラセミ体のビピリジン化合物７（１５１ｍｇ，０．４２８ｍｍｏｌ）を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により光学分割した。光学分割は、光学活性カラムとしてＣＨＩＲＡＬＣＥＬ  ＯＤ（４．６φ×２５０ｍｍ）（ダイセル化学工業（株）製）を用い、１０％イソプロピルエチルアミン含有ヘキサン溶液（１．０ｍｌ／ｍｉｎ）を流出溶媒として１５℃にて行った。またエナンチオ過剰率の測定も同様の条件で行った。それぞれ面不斉ビピリジン化合物（Ｒ）−７（３３．０ｍｇ）を収率２２％、不斉収率９９％ｅｅで分割し、面不斉ビピリジン化合物（Ｓ）−７（３０．２ｍｇ）を収率２０％、不斉収率９９％ｅｅで得た。
【０１１８】
また、ラセミ体のビピリジン化合物７より前記（１）〜（６）に記載の方法を用いて、ラセミ体７のエステル部位を、光学活性なアミノアルコールを用いてアミド化してジアステレオマーとし、このジアステレオマーを光学活性カラムにより光学分割し、面不斉パラピリジノファン誘導体を得ることもできる。