(57)【要約】【課題】本発明は、補正において利用する範囲内にＶライン傷と画素欠陥とが併存する場合に補正が可能な撮像装置であって、過補正を回避し適切な欠陥補正を行うことができる撮像装置を提供する。【解決手段】ＣＣＤと、信号処理部２と、画像処理部３と、Ｖライン傷の傷位置を記憶するＶライン傷記憶部５４と、ＣＣＤの点欠陥について、その欠陥位置を記憶する点欠陥記憶部５５と、Ｖライン傷記憶部５５に記憶した傷位置に基づいてＶライン傷を補正するＶライン傷補正部５３と、点欠陥記憶部５５に記憶した欠陥位置に基づいて点欠陥を補正する点欠陥補正部５１とを備え、Ｖライン傷補正部５３及び点欠陥補正部５１は、補正において利用する範囲内にＶライン傷と点欠陥とが併存する場合、少なくとも一方の補正方法を併存しない場合の補正方法から変更する。【選択図】図２
2006148440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＣＤを有する撮像部と、
前記撮像部から出力された画像信号を処理する信号処理部と、
前記信号処理部で処理された画像信号に対して画像処理を行う画像処理部と、
前記ＣＣＤの垂直転送ライン上の欠陥箇所に起因して画像上で生じるライン性の傷であるＶライン傷について、その傷位置を記憶するＶライン傷記憶部と、
前記ＣＣＤの点欠陥について、その欠陥位置を記憶する点欠陥記憶部と、
前記Ｖライン傷記憶部に記憶した前記傷位置に基づいて前記Ｖライン傷を補正するＶライン傷補正部と、
前記点欠陥記憶部に記憶した前記欠陥位置に基づいて前記点欠陥を補正する点欠陥補正部とを備え、
前記Ｖライン傷補正部及び前記点欠陥補正部は、補正において利用する範囲内に前記Ｖライン傷と前記点欠陥とが併存する場合、少なくとも一方の補正方法を併存しない場合の補正方法から変更することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記Ｖライン傷補正部は、
前記Ｖライン傷上に前記点欠陥が重なっている場合に、
前記点欠陥の画素を除いた前記Ｖライン傷の画素に対して、オフセットによる補正を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記Ｖライン傷補正部は、
前記Ｖライン傷上に前記点欠陥が重なっている場合に、
画素補間による補正により前記Ｖライン傷を補正することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記Ｖライン傷補正部は、
補間に利用する画素が前記点欠陥に重なっている場合、前記補正方法を、前記点欠陥を除いた前記画素を利用して画素補間を行う方法に変更することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項１に記載の撮像装置であって、
前記点欠陥補正部は、
補間に利用する画素が前記Ｖライン傷に重なっている場合、前記補正方法を、前記Ｖライン傷と重ならない画素を参照して画素補間を行う方法に変更することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の撮像装置であって、
前記点欠陥補正部は、前記Ｖライン傷補正部が補正を行う前に、前記点欠陥を補正することを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像装置に係る発明であって、特に、ＣＣＤの欠陥を補正する機能を持つ撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
撮像装置に用いられるＣＣＤ（Charge Coupled Devices）は、撮像装置の小型化、高性能化に伴って小サイズ化、高画素化している。このＣＣＤの小サイズ化、高画素化に伴い、ＣＣＤに画素欠陥が増え、撮影画像に与える影響があった。そこで、特許文献１では、画素欠陥の番地を事前に記録しておき、画素欠陥の位置を特定し補正する技術が開示されている。さらに、特許文献２では、色分離（インターポレーション）において画素欠陥、並びに、その近傍の画素を補間する場合に、画素欠陥を考慮した色分離方法が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−１６２７５７号公報
【特許文献２】特開２０００−２９９８７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＣＣＤの小サイズ化、高画素化がさらに進むことによって、画素間のピッチはさらに狭まり画素だけに限らず垂直転送ライン上にも欠陥が発生しやすくなってきている。この垂直転送ライン上の欠陥は、欠陥箇所に起因して画像上で生じるライン性の傷（「Ｖライン傷」と称する）となるため、撮影画像に与える影響は画素欠陥の場合より大きくなる。さらに、このＶライン傷は、ＣＣＤの温度によって欠陥のレベル変化する温度依存性も有している。そのため、従来より開示されている補正では、誤補正が多く、十分対応できない問題があった。
【０００５】
また、Ｖライン傷と画素欠陥が重なる場合、Ｖライン傷の補正と画素欠陥の補正とが共に行われてしまい過補正となる問題があった。さらに、Ｖライン傷の補間に利用する画素に欠陥があった場合や、画素欠陥の補間に利用する画素にＶライン傷が重なった場合には、補間に利用する画素が正常ではないため適切な補正を行うことができない問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、補正において利用する範囲内にＶライン傷と画素欠陥とが併存する場合に補正が可能な撮像装置であって、過補正を回避し適切な欠陥補正を行うことができる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、ＣＣＤを有する撮像部と、撮像部から出力された画像信号を処理する信号処理部と、信号処理部で処理された画像信号に対して画像処理を行う画像処理部と、ＣＣＤの垂直転送ライン上の欠陥箇所に起因して画像上で生じるライン性の傷であるＶライン傷について、その傷位置を記憶するＶライン傷記憶部と、ＣＣＤの点欠陥について、その欠陥位置を記憶する点欠陥記憶部と、Ｖライン傷記憶部に記憶した傷位置に基づいてＶライン傷を補正するＶライン傷補正部と、点欠陥記憶部に記憶した欠陥位置に基づいて点欠陥を補正する点欠陥補正部とを備え、Ｖライン傷補正部及び点欠陥補正部は、補正において利用する範囲内にＶライン傷と点欠陥とが併存する場合、少なくとも一方の補正方法を併存しない場合の補正方法から変更する。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載の撮像装置であって、Ｖライン傷補正部は、Ｖライン傷上に点欠陥が重なっている場合に、点欠陥の画素を除いたＶライン傷の画素に対して、オフセットによる補正を行う。
【０００９】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載の撮像装置であって、Ｖライン傷補正部は、Ｖライン傷上に点欠陥が重なっている場合に、画素補間による補正によりＶライン傷を補正する。
【００１０】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載の撮像装置であって、Ｖライン傷補正部は、補間に利用する画素が点欠陥に重なっている場合、補正方法を、点欠陥を除いた画素を利用して画素補間を行う方法に変更する。
【００１１】
また、請求項５の発明は、請求項１に記載の撮像装置であって、点欠陥補正部は、補間に利用する画素がＶライン傷に重なっている場合、補正方法を、Ｖライン傷と重ならない画素を参照して画素補間を行う方法に変更する。
【００１２】
また、請求項６の発明は、請求項１乃至請求項５のいずれか１つに記載の撮像装置であって、点欠陥補正部は、Ｖライン傷補正部が補正を行う前に、点欠陥を補正する。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に記載の撮像装置は、Ｖライン傷補正部及び点欠陥補正部は、補正において利用する範囲内にＶライン傷と点欠陥とが併存する場合、少なくとも一方の補正方法を併存しない場合の補正方法から変更するので、過補正を回避し適切な欠陥補正を行うことができる効果がある。
【００１４】
請求項２に記載の撮像装置は、点欠陥の画素を除いたＶライン傷の画素に対して、オフセットによる補正を行うので、点欠陥の画素にオフセットによる補正が行われることによる過補正を回避することができる。
【００１５】
請求項３に記載の撮像装置は、画素補間による補正によりＶライン傷を補正するので、点欠陥の画素にオフセットによる補正が行われることがなく適切な欠陥補正を行うことができる。
【００１６】
請求項４に記載の撮像装置は、点欠陥を除いた画素を利用して画素補間によるＶライン傷補正を行うので、点欠陥の影響をＶライン傷補正に与えることなく適切な欠陥補正を行うことができる。
【００１７】
請求項５に記載の撮像装置は、Ｖライン傷と重ならない画素を参照し、点欠陥の画素補間を行うので、Ｖライン傷の影響を点欠陥補正に与えることなく適切な欠陥補正を行うことができる。
【００１８】
請求項６に記載の撮像装置は、ライン傷補正部が補正を行う前に、点欠陥を補正ので、高速な補正処理が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施の形態１）
＜撮像装置の要部構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る撮像装置１の要部構成を示す図である。ここで、図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ撮像装置１の正面図、背面図及び上面図に相当している。
【００２０】
撮像装置１は、デジタルカメラとして構成されており、撮影レンズ１０を備えている。
【００２１】
撮像装置１は、その上面にモード切替スイッチ１２とシャッターボタン１３とが設けられている。
【００２２】
モード切替スイッチ１２は、被写体を撮像してその静止画を記録する静止画撮影モード（ＲＥＣモード）と、動画撮影を行う動画モード（ＭＯＶＥモード）と、メモリーカード９（図２参照）に記録された画像を再生する再生モード（ＰＬＡＹモード）とを切替えるためのスイッチである。
【００２３】
シャッターボタン１３は、半押し状態（Ｓ１オン）と、さらに押し込まれた全押し状態（Ｓ２オン）とを検出可能な２段階スイッチになっている。上記の静止画撮影モードにおいてシャッターボタン１３が半押しされると、ズーム・フォーカスモータドライバー４７（図２参照）が駆動されて、合焦位置に撮影レンズ１０を移動させる動作が行われる。一方、静止画撮影モードにおいてシャッターボタン１３が全押しされると、本撮影動作、つまり記録用の撮影動作が行われる。
【００２４】
撮像装置１の背面には、撮影された画像などを表示するＬＣＤ（Liquid Crystal Display）モニタ４２と、電子ビューファインダー（ＥＶＦ）４３と、コマ送り・ズームスイッチ１５とが設けられている。
【００２５】
コマ送り・ズームスイッチ１５は、４つのボタンで構成され、再生モードにおける記録画像のコマ送りや、撮影時のズーミングを指示するためのスイッチである。このコマ送り・ズームスイッチ１５の操作により、図２のズーム・フォーカスモータドライバー４７が駆動されて、撮影レンズ１０に関する焦点距離を変更できる。
【００２６】
図２は、撮像装置１の機能ブロックを示す図である。
【００２７】
撮像装置１は、撮像センサ１６と、撮像センサ１６にデータ伝送可能に接続する信号処理部２と、信号処理部２に接続する画像処理部３と、画像処理部３に接続するカメラ制御部４０とを備えている。
【００２８】
撮像センサ１６は、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の原色透過フィルターがピクセル単位に市松状に配列（ベイヤー配列）されたエリアセンサ（撮像素子）として構成されており、全画素読み出タイプである。この撮像センサ１６の温度については、撮像装置１の筐体内の温度を測定する温度センサー４９により検出が可能となっている。
【００２９】
撮像センサ１６において露光によって電荷の蓄積が完了すると、光電変換された電荷信号は、遮光された撮像センサ１６内の垂直・水平転送路へとシフトされ、ここからバッファを介し画像信号として出力される。
【００３０】
信号処理部２は、ＣＤＳ２１とＡＧＣ２２とＡ／Ｄ変換部２３とを有しており、いわゆるアナログフロントエンドとして機能する。
【００３１】
撮像センサ１６から出力されたアナログ画像信号は、ＣＤＳ２１でサンプリングされノイズが除去された後、ＡＧＣ２２により撮影感度に相当するアナログゲインが乗算されて感度補正が行われる。
【００３２】
Ａ／Ｄ変換部２３は、１４ビットの変換器として構成されており、ＡＧＣ２２で正規化されたアナログ信号をデジタル化する。デジタル変換された画像信号は、画像処理部３で所定の画像処理が施されて画像ファイルが生成される。
【００３３】
画像処理部３は、点欠陥補正部５１とＶライン傷検出部５２とＶライン傷補正部５３とを備えている。また、画像処理部３は、デジタル処理部３ｐと画像圧縮部３６とビデオエンコーダー３８とメモリカードドライバー３９とを備えている。
【００３４】
画像処理部３に入力された画像データについては、まず点欠陥補正部５１において予め記憶されている点欠陥アドレスに基づき欠陥が存在する画素データが補正データに置換される。そして、Ｖライン傷検出部５２及びＶライン傷補正部５３において、撮像センサ１６の垂直転送ライン（垂直ＣＣＤ）の欠陥箇所に起因して画像上で生じるライン性の傷（以下では、「Ｖライン傷」と称する）を検知して補正する（後で詳述）。なお、Ｖライン傷検出部５２で検出された傷のアドレスは、傷アドレスメモリ５４に格納されることとなる。
【００３５】
デジタル処理部３ｐは、画素補間部３１とホワイトバランス制御部３２とガンマ補正部３３と輪郭強調部３４と解像度変換部３５とを有している。
【００３６】
デジタル処理部３ｐに入力される画像データは、撮像センサ１６の読み出に同期し画像メモリー４１に書込まれる。以後は、この画像メモリー４１に格納された画像データにアクセスし、デジタル処理部３ｐで各種の処理が行われる。
【００３７】
画像メモリー４１内の画像データは、まずホワイトバランス制御部３２によりＲＧＢ各画素が独立にゲイン補正され、ＲＧＢのホワイトバランス補正が行われる。このホワイトバランス補正では、撮影被写体から本来白色となる部分を輝度や彩度データ等から推測し、その部分のＲ、Ｇ、Ｂそれぞれの平均値とＧ／Ｒ比及びＧ／Ｂ比とを求め、これらの情報に基づいてＲ及びＢの補正ゲインとして制御される。
【００３８】
ホワイトバランス補正された画像データは、画素補間部３１でＲＧＢ各画素をそれぞれのフィルターパターンでマスキングした後、高帯域まで画素値を有するＧ画素については、注目画素に対する周辺１２画素のコントラストパターンに基づき画素値の空間的な変化を推定し、周囲４画素のデータに基づき被写体のパターンに最適な画素値を算出して割り当てる。一方、Ｒ画素及びＢ画素に関しては、周囲の８画素の同色画素値に基づいて補間する。
【００３９】
画素補間された画像データは、ガンマ補正部３３で各出力機器に合った非線形変換、具体的にはガンマ補正及びオフセット調整が行われ、画像メモリー４１に格納される。
【００４０】
輪郭強調部３４は、画像データに応じたハイパスフィルターによって輪郭を際立たせるエッジ強調処理を行う。
【００４１】
そして、画像メモリー４１に格納された画像データは、解像度変換部３５で設定された画素数に水平垂直の縮小または間引きが行われ、画像圧縮部３６で圧縮処理を行った後、メモリカードドライバー３９にセットされるメモリーカード９に記録される。この画像記録時には、指定された解像度の撮影画像が記録される。また、解像度変換部３５では、画像表示時についても画素間引きを行って、ＬＣＤモニタ４２やＥＶＦ４３に表示するための低解像度画像を作成する。プレビュー時には、画像メモリー４１から読み出された６４０×２４０画素の低解像度画像がビデオエンコーダー３８でＮＴＳＣ／ＰＡＬにエンコードされ、これをフィールド画像としてＬＣＤモニタ４２やＥＶＦ４３で画像再生が行われる。
【００４２】
カメラ制御部４０は、ＣＰＵ及びメモリを備え、撮像装置１の各部を統括的に制御する部位である。具体的には、上記のモード切替スイッチ１２やシャッターボタン１３などを有するカメラ操作スイッチ５０に対して撮影者が行う操作入力を処理する。また、カメラ制御部４０は、撮影者によるモード設定スイッチ１２の操作により、被写体を撮像してその画像データを記録する静止画撮影モードや動画モード、再生モードへの切替えを行う。
【００４３】
撮像装置１は、本撮影前の撮影準備状態において被写体を動画的態様でＬＣＤモニタ４２に表示するプレビュー表示（ライブビュー表示）時には、絞り４４の光学絞りが絞りドライバー４５によって開放固定となる。また、シャッタースピード（ＳＳ）に相当する撮像センサ１６の電荷蓄積時間（露光時間）に関しては、撮像センサ１６で取得したライブビュー画像に基づき、カメラ制御部４０が露出制御データを演算する。そして、算出された露出制御データに基づいて予め設定されたプログラム線図により、撮像センサ１６の露光時間が適正となるようにタイミングジェネレーターセンサードライバー４６に対するフィードバック制御が行われる。
【００４４】
そして、本撮影時では、ライブビュー時に測光された光量データに基づいて予め設定されたプログラム線図によって絞りドライバー４５とタイミングジェネレーターセンサードライバー４６とで撮像センサ１６への露光量が制御される。
【００４５】
以上の構成を有する撮像装置については、撮像センサ１６で取得された画像データにおいてＶライン傷の検出・補正を行えるが、これらについて以下で説明する。
【００４６】
＜Ｖライン傷の検出について＞
図３は、撮像センサ１６の構成を示す図である。
【００４７】
撮像センサ１６においては、各フォトダイオード１６１で光電変換され蓄積された電荷が垂直転送ライン毎に設けられた垂直ＣＣＤ（以下では「ＶＣＣＤ」ともいう）１６２に読み出され、１水平期間の周期で最下段の水平ＣＣＤ１６３に転送される。そして、水平ＣＣＤ１６３に転送された電荷は、画素クロックに基づき読み出されることで水平画素方向の読み出が行われる。
【００４８】
このような撮像センサ１６の動作により、２次元的に配列されたフォトダイオード１６１で取得した２次元画像に対して水平ライン毎にスキャン読み出しが行われることとなる。
【００４９】
ここで、フォトダイオード１６１に欠陥がある場合には、この欠陥によって発生する電荷が信号電荷に加算されるため、撮影画像において点欠陥として再現されることとなる。この点欠陥については、点欠陥補正部５１において、欠陥に起因して発生する電荷に相当する画素レベルが減算される補正が行われる。
【００５０】
一方、垂直転送ラインの一部に同様の欠陥箇所（傷）Ｆｐが存在する場合には、欠陥箇所Ｆｐに電荷が読み出されるフォトダイオードとＸ方向のアドレスが等しいフォトダイオードからの電荷は、欠陥箇所Ｆｐが存在する垂直ＣＣＤ１６ｆを通って撮像センサ１６から出力されることとなる。このため、欠陥箇所Ｆｐに対して電荷転送方向Ｈａの上流から転送される信号電荷群Ｆａに電荷が加算されることとなり、図４に示すように撮影画像Ｇ１おいて明度の高いライン性の傷（Ｖライン傷）Ｇａとして再現される。
【００５１】
上述した点欠陥の場合には撮影画像に与える劣化要因は少ないものの、図４に示すようなＶライン傷Ｇａの場合には画質に対する影響が非常に大きくなるため、その検出が重要となるが、以下では、この検出方法を説明する。
【００５２】
図５及び図６は、Ｖライン傷の検出原理を説明するための図である。
【００５３】
Ｖライン傷Ｇａ（図４）については、上述したように図３に示す垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所Ｆｐを通って読み出される信号画素群Ｆａに起因して画像上で生じるライン性の明度傷として発生する。
【００５４】
そこで、図５に示すように垂直ＣＣＤ１６２の転送を一定期間（例えば２００水平期間）停止することにより欠陥箇所Ｆｐで発生する電荷量を増大させた後に、フォトダイオードからの電荷をＶＣＣＤに転送することなく画像読み出を行うこととする。これにより、垂直ＣＣＤ１６２上の欠陥箇所Ｆｐに信号電荷が読み出されるフォトダイオードＤｐの画素データを強調して撮像センサ１６から出力できることとなる。
【００５５】
このように欠陥箇所Ｆｐが強調され撮像センサ１６から出力された画像Ｇ２では、図６に示すように、Ｖライン傷Ｇａのうち欠陥箇所Ｆｐに電荷が読み出されるフォトダイオードＤｐ（図５）の位置に対応したＢ画素Ｇｐの画素レベルが垂直ＣＣＤ１６２の転送停止期間に正比例して強調されることとなる。
【００５６】
以上のような画像Ｇ２が読み出された後に、画像Ｇ２から明度の高い輝点となる画素Ｇｐのアドレスを検出することで、Ｖライン傷の下端に対応する欠陥箇所の位置（アドレス）を検知できることとなる。以下では、撮像装置１によるＶライン傷の検出について具体的に説明する。
【００５７】
図７は、撮像装置１におけるＶライン傷の検出動作を示すフローチャートである。
【００５８】
まず、シャッターに相当する絞り４４を閉じた（ステップＳＴ１）後に、ＶＣＣＤ１６２において電荷の高速はき出しが設定される（ステップＳＴ２）。
【００５９】
ステップＳＴ３では、上述したように、ＶＣＤＤ１６２での転送を２００水平転送期間停止する。これにより、ＶＣＣＤ１６２の欠陥箇所で電荷が増幅されることとなる。
【００６０】
ステップＳＴ４では、撮像センサ１６からフォトダイオードからの電荷をＶＣＣＤに転送することなく画素データを順次に読み出す。
【００６１】
ステップＳＴ５では、ステップＳＴ４で読み出されたレベルを１／２００倍で正規化した画素レベルが、予め定められた傷レベルリファレンス（閾値）Ｖｒｅｆより大きいかを判定する。ここで、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい場合には、ステップＳＴ６に進み、傷レベルリファレンスＶｒｅｆ以下の場合には、ステップＳＴ７に進む。
【００６２】
ステップＳＴ６では、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい欠陥画素（傷）に関して画像上のアドレス（Ｈ，Ｖ）を、傷アドレスメモリ５４に登録（記憶）する。この際には、傷レベル（画素値）も登録する。
【００６３】
ステップＳＴ７では、撮像センサ１６からの画像読み出が完了したかを判定する。ここで、画像読み出が完了した場合には、ステップＳＴ８に進み、未完の場合には、ステップＳＴ４に戻る。
【００６４】
ステップＳＴ８では、傷アドレスメモリ５４に格納されている傷のアドレスを並び替える。この場合には、例えば傷レベルの大きい順に、つまり昇順に傷アドレスの順番が変更される。
【００６５】
ステップＳＴ９では、ステップＳＴ８で並び替えられた傷アドレスに基づき、傷レベルが上位４０位以内に入る傷アドレスと傷レベルとを、傷アドレスメモリ５４に再登録する。この傷レベルについては、２００水平転送期間停止して得られた画素データに関して１／２００倍で正規化したレベルが登録されることとなる。
【００６６】
以上のような撮像装置１の動作により、Ｖライン傷の検出を適切に行えることとなるが、この検出動作は、例えば撮像装置１の工場出荷前に管理された所定の温度にて行われ、工場出荷時には、傷アドレスメモリ５４に必要な情報がデフォルトのデータとして格納されている状態にする。
【００６７】
なお、上記のステップＳＴ８の動作については、Ｖライン傷の傷レベルに基づき並べ替えるだけでなく、Ｖライン傷の範囲も考慮して並べ替えるようにしても良い。例えば、（傷レベル）×（Ｖライン傷の範囲）から得られる情報に基づき、並べ替えを行う。これにより、画像全体に与える各Ｖライン傷の影響を考慮した並べ替えが可能となる。
【００６８】
撮像センサ１６のＶライン傷は、温度依存性を有しているが、この特性について、以下で説明する。
【００６９】
図８は、撮像センサ１６におけるＶライン傷の温度依存性を説明するための図である。図８（ａ）〜（ｃ）は、常温時（例えば２０度）、３０度及び４０度の高温時における撮像センサ１６の状態の一例と、撮像センサ１６から出力された画像Ｇｔとを表している。
【００７０】
常温時の撮像センサ１６においては、図８（ａ）に示すように傷として認識される垂直ＣＣＤの欠陥箇所は１箇所Ｆｐ１のみであり、撮像センサ１６から出力される画像Ｇｔで生じるＶライン傷も１本Ｇａ１だけとなる。
【００７１】
３０度の高温時の撮像センサ１６においては、常温時に比べて顕在化されるＶライン傷の箇所が温度に依存して１つ増加する。すなわち、図８（ｂ）に示すように傷として認識される垂直ＣＣＤの欠陥箇所は２箇所Ｆｐ１、Ｆｐ２となり、撮像センサ１６から出力される画像ＧｔにおけるＶライン傷も２本Ｇａ１、Ｇａ２となる。
【００７２】
４０度の高温時の撮像センサ１６においては、３０度の高温時に比べて顕在化されるＶライン傷が温度に依存してさらに１つ増加する。すなわち、図８（ｃ）に示すように傷として認識される垂直ＣＣＤの欠陥箇所は３箇所Ｆｐ１〜Ｆｐ３となり、撮像センサ１６から出力される画像ＧｔにおけるＶライン傷が３本Ｇａ１〜Ｇａ３となる。
【００７３】
このように撮像センサ１６においては、Ｖライン傷が温度依存性を有しているため、上述したＶライン傷の検出は、温度毎に検出することが好ましい。
【００７４】
＜Ｖライン傷の補正について＞
撮像装置１のＶライン傷補正部５３においては、検出されたＶライン傷に対して（１）オフセットによる補正と、（２）画素補間による補正とを選択的に行えるようになっている。これら２種類の補正方法について以下で説明する。
【００７５】
（１）オフセットによる補正
図９は、オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【００７６】
オフセットによるＶライン傷の補正では、まず撮像センサ１６から出力された画像Ｇ３においてＶライン傷Ｇａに起因するオフセット成分Ｌｏを検出する。そして、このオフセット成分Ｌｏを画像Ｇ３におけるＶライン傷Ｇａの画素レベルから減算することで、画像ノイズとしての傷が消去された補正画像Ｇ４を生成する。
【００７７】
このようなオフセットによる補正方法では、上述のように撮像装置１の工場出荷時に傷アドレスメモリ５４に格納されるデフォルトのＶライン傷データに基づき傷レベル（オフセット成分Ｌｏ）を推定して補正しても良いが、温度依存性が大きいＶライン傷の特性を考慮すると、撮影時にリアルタイムでオフセット量（補正量）を求めるのが好ましい。このオフセット量の検出方法について説明する。
【００７８】
撮像センサ１６は、図１０に示すように黒レベルを検出するためのオプチカル・ブラック部（以下「ＯＢ部」という）１６ｂａ、１６ｂｂを有している。ここで、各ＯＢ部から垂直ＣＣＤ１６２に読み出された電荷は、下段のＯＢ部１６ｂａの方が先に水平ＣＣＤ１６３に転送され、上段のＯＢ部１６ｂｂの方が後で転送されることとなる。以下では、垂直ＣＣＤ１６２に２つの欠陥箇所Ｆｐ１、Ｆｐ２が存在するケースについてのオフセット量の検出を説明する。
【００７９】
図１１に示すように撮像センサ１６から出力された画像Ｇ５においては、上段のＯＢ部１６ｂｂから読み出され垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所Ｆｐ１を通過してその影響を受けた画素Ｇｂ２は、下段のＯＢ部１６ｂａから読み出され欠陥箇所Ｆｐ１を通過せずその影響を受けていない画素Ｇｂ１より上記のオフセット量だけ画素レベルが大きくなっている。同様に、上段のＯＢ部１６ｂｂから読み出され垂直ＣＣＤ１６２の欠陥箇所Ｆｐ２を通過した画素Ｇｂ４は、欠陥箇所Ｆｐ２を通過しない画素Ｇｂ３より上記のオフセット量だけ画素レベルが増加している。
【００８０】
したがって、図１１に示すＶライン傷Ｇａ１の傷レベル（オフセット量）は、画素Ｇｂ２のレベルから画素Ｇｂ１のレベルを減算することにより得られ、Ｖライン傷Ｇａ２のオフセット量は、画素Ｇｂ４のレベルから画素Ｇｂ３のレベルを減算することにより得られることとなる。
【００８１】
次に、撮像装置１における上記のオフセット量（傷レベル）の検出動作について説明する。
【００８２】
図１２は、撮像装置１におけるＶライン傷の傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。
【００８３】
ステップＳＴ１１では、レリーズして露光を行う。すなわち、撮影者によりシャッターボタン１３が全押し（Ｓ２オン）されて、被写体を撮影する動作が行われる。
【００８４】
ステップＳＴ１２では、撮像センサ１６から画素データを順次に読み出す。
【００８５】
ステップＳＴ１３では、ステップＳＴ１２で撮像センサ１６から読み出された画素データをキャプチャーする処理を行う。
【００８６】
ステップＳＴ１４では、ステップＳＴ１２で読み出された画素のアドレスが、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷のアドレスに該当するかを判定する。ここで、登録アドレスに該当する場合には、ステップＳＴ１５に進み、該当しない場合には、ステップＳＴ１８に進む。
【００８７】
ステップＳＴ１５では、ステップＳＴ１２で読み出された画素が転送された垂直ＣＣＤ１６２の両端にあるＯＢ部１６ｂａ、１６ｂｂ（図１０）の黒レベルを検出し、これらの黒レベルの差分を求めて、傷レベルを検出する。
【００８８】
ステップＳＴ１６では、ステップＳＴ１５で検出された傷レベルが、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きいかを判定する。ここで、傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい場合には、ステップＳＴ１７に進み、傷レベルリファレンスＶｒｅｆ以下の場合には、ステップＳＴ１８に進む。
【００８９】
ステップＳＴ１７では、ステップＳＴ１６において傷レベルリファレンスＶｒｅｆより大きい欠陥画素（傷）に関して画像上のアドレス（Ｈ，Ｖ）を、傷アドレスメモリ５４に登録する。この際には、傷レベルも登録する。
【００９０】
ステップＳＴ１８及びステップＳＴ１９では、図７に示すステップＳＴ７及びステップＳＴ８と同様の動作を行う。
【００９１】
ステップＳＴ２０では、ステップＳＴ１９で並び替えられた傷アドレスに基づき、傷レベルが上位２０位以内に入る傷アドレスと傷レベルとを、傷アドレスメモリ５４に再登録する。
【００９２】
以上のような撮像装置１の動作により、撮影中に傷レベルの検出が可能となり、オフセットによるＶライン傷の補正を適切に行えることとなる。
【００９３】
なお、予め決められた温度範囲内で工場出荷時等に検出されたＶライン傷の情報を傷アドレスメモリ５４に記録しておけば、この情報を利用してＶライン傷の補正を行えるため、より高速な補正処理が可能となる。
【００９４】
（２）画素補間による補正
図１３は、画素補間によるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【００９５】
画素補間によるＶライン傷の補正では、Ｖライン傷の周辺に位置する画素ラインのデータに基づき置換データを作成し、この置換データでＶライン傷の画素データを置換する処理を行う。
【００９６】
例えば、画像Ｇ６において、Ｖライン傷Ｇａの左右に配置される同色の画素ラインＪ１、Ｊ２を検出し、これらの画素ラインＪ１、Ｊ２に関する画素レベルの平均値でＶライン傷Ｇａの画素データを置換する。これにより、傷が消去された補正画像Ｇ７が生成される。
【００９７】
このような画素補間による補正方法では、オフセットによるＶライン傷の補正に比べて精度が低くなるものの、Ｖライン傷の箇所（アドレス）が既知である場合には、傷レベルの検出が不要となる。そして、画素補間による補正方法においては、Ｖライン傷のオフセット値が温度特性を有する事に対する考慮が基本的に不要である。
【００９８】
＜傷レベル（オフセット量）検出の変形例＞
上記の実施形態における撮影時の傷レベル（オフセット量）検出については、工場出荷時に行う傷レベル検出（図７）に類似した方法により行っても良い。この検出方法について説明する。
【００９９】
図１４は、本発明の変形例に係る傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。
【０１００】
ステップＳＰ１及びステップＳＰ２では、図１２に示すステップＳＴ１１及びステップＳＴ１３と同様の動作を行う。
【０１０１】
ステップＳＰ３では、キャプチャー処理が完了したかを判定する。ここで、キャプチャー処理が完了した場合には、ステップＳＰ４に進み、完了していない場合には、ステップＳＰ２の動作を繰り返す。
【０１０２】
ステップＳＰ４〜ＳＰ７では、図７に示すステップＳＴ１〜ＳＴ４と同様の動作を行う。
【０１０３】
ステップＳＰ８では、図１２に示すステップＳＴ１４と同様の動作を行う。
【０１０４】
ステップＳＰ９では、傷レベルの検出を行う。具体的には、２００水平転送期間停止して得られた画素データに関して１／２００倍で正規化したレベルを、傷レベルとして検出する。
【０１０５】
ステップＳＰ１０〜ＳＰ１４では、図１２に示すステップＳＴ１６〜ＳＴ２０と同様の動作を行う。
【０１０６】
以上のような動作によっても、撮影時においてＶライン傷の傷レベルを適切に検出できることとなる。
【０１０７】
＜Ｖライン傷と点欠陥とが重なる場合＞
上記の撮像装置１では、ＣＣＤにＶライン傷のみが存在している場合に、その検出及び補正方法について説明した。しかし、現実の撮像装置１では、ＣＣＤにＶライン傷と点欠陥が併存している場合もある。そこで、以下に記載する本実施の形態では、ＣＣＤにＶライン傷と点欠陥が併存する場合の補正方法について説明する。補正の処理において特に問題となるのは、補正において利用する範囲内にＶライン傷と点欠陥とが併存する場合である。ここで、補正において利用する範囲内にＶライン傷と点欠陥とが併存する場合とは、例えばＶライン傷と点欠陥とが重なる場合、Ｖライン傷の補正に利用する画素と点欠陥とが重なる場合や、Ｖライン傷と点欠陥補正に利用する画素とが重なる場合などがある。
【０１０８】
まず、Ｖライン傷と点欠陥とが重なる場合について、以下に説明する。
【０１０９】
図１５は、撮像センサ１６の構成を示す図である。図１５では、垂直ＣＣＤ１６２上に欠陥箇所Ｆｐ３と、フォトダイオード１６１上に欠陥箇所Ｆｐ４が存在している。この欠陥箇所Ｆｐ３が起因して、画像上で生じるライン性の明度傷として発生し、図１６に示すように撮影画像Ｇ８おいてＶライン傷Ｇａとして再現される。また、欠陥箇所Ｆｐ４が起因して、画像上で生じる点状の欠陥として発生し、図１６に示すように撮影画像Ｇ８おいて点欠陥Ｐａとして再現される。
【０１１０】
撮像センサ１６にＶライン傷Ｇａと点欠陥Ｐａとが併存する場合、本実施の形態に係る撮像装置１では、システムの効率性等を考慮して点欠陥Ｐａの補正が先に行われる。これにより、本実施の形態に係る撮像装置１では、高速に補正処理を行うことができる。なお、本発明はこれに限られず、点欠陥Ｐａの補正をＶライン傷Ｇａの補正の後に行っても良い。
【０１１１】
点欠陥Ｐａの補正は、隣接する同色の画素データを点欠陥Ｐａの画素に置換する方法で行われる。図１６では、点欠陥Ｐａの左右に位置する画素データを平均化して点欠陥Ｐａの画像データとして置換（補間）を行っている。この補正を行うことで、画像処理部３は、点欠陥Ｐａの画素を、正常な画素データとして取り扱うことができる。
【０１１２】
点欠陥Ｐａの補正が終わった後にＶライン傷Ｇａの補正が行われるが、Ｖライン傷Ｇａの補正については、上記で説明した補正方法のうちのオフセットによる補正が行われる。このオフセットによる補正を行うことで、Ｖライン傷Ｇａが補正され欠陥のレベルが改善される。しかし、点欠陥Ｐａの画素については、点欠陥Ｐａの補正が行われることにより、Ｖライン傷Ｇａによる欠陥も補正されている。そのため、補正後の点欠陥Ｐａの画素に対して、さらにオフセットによる補正を行うことは過補正であり、逆に過補正することにより、欠陥が生じることになる。
【０１１３】
そこで、本実施の形態に係る撮像装置１では、点欠陥Ｐａの補正を行った画素に対しては、Ｖライン傷Ｇａの補正（オフセットによる補正）を行わない。具体的には、まず、図１７に、本実施の形態に係る撮像装置１の機能ブロックを示す。図１７に示す機能ブロックは、基本的に図２に示した機能ブロックと同じであるが、点欠陥アドレスメモリ５５を設けている点が異なる。この点欠陥アドレスメモリ５５は、点欠陥記憶部に相当し、点欠陥Ｐａのアドレス（位置）を記憶（登録）する。点欠陥アドレスメモリ５５に点欠陥Ｐａのアドレスを登録するのは、例えば工場出荷時が考えられる。
【０１１４】
点欠陥アドレスメモリ５５に登録された点欠陥Ｐａのアドレスと、傷アドレスメモリ５４に登録されたＶライン傷Ｇａのアドレスが一致している場合に、Ｖライン傷補正部５３では、点欠陥Ｐａのアドレスを除くＶライン傷Ｇａのアドレスに対してオフセットによる補正を行う。一致の判断は、画像処理部３で行う。
【０１１５】
次に、図１８は、点欠陥アドレスメモリ５５を備える撮像装置１における補正動作を示すフローチャートである。図１８に示すフローチャートでは、まず、ステップＳＲ１でレリーズして露光を行う。すなわち、撮影者によりシャッターボタン１３が全押し（Ｓ２オン）されて、被写体を撮影する動作が行われる。次に、ステップＳＲ２では、点欠陥補正が行われる。ここで、点欠陥補正は、上記で説明した隣接する画素による補間であっても良いが、他の方法であっても良い。
【０１１６】
ステップＳＲ３では、ステップＳＲ２で点欠陥補正行った画素データをキャプチャーする処理を行う。ステップＳＲ４では、キャプチャー処理が完了したかを判定する。ここで、キャプチャー処理が完了した場合には、ステップＳＲ５に進み、完了していない場合には、ステップＳＲ２の動作を繰り返す。ステップＳＲ５では、Ｖライン傷の傷レベルを検出する。ここで、傷レベルを検出については、上記で説明しているため説明を省略する。ステップＳＲ６では、ステップＳＲ５で検出した傷レベルに基づいてＶライン傷Ｇａのオフセット量を決定する。
【０１１７】
次に、ステップＳＲ７では、撮像センサ１６から画素データを順次に読み出す。ステップＳＲ８では、ステップＳＲ７で読み出した画像データのアドレスが傷アドレスメモリ５４に登録されたＶライン傷Ｇａの水平アドレスと一致するかを判断する。ここで、画像データのアドレスがＶライン傷Ｇａの水平アドレスと一致する場合は、ステップＳＲ９に進み、一致しない場合は、ステップＳＲ１１に進む。
【０１１８】
ステップＳＲ９では、ステップＳＲ７で読み出した画像データのアドレスが点欠陥アドレスメモリ５５に登録された点欠陥Ｐａの水平アドレスと一致するかを判断する。ここで、画像データのアドレスが点欠陥Ｐａの水平アドレスと一致する場合は、ステップＳＲ１０に進み、一致しない場合は、ステップＳＲ１２に進む。
【０１１９】
ステップＳＲ１０では、ステップＳＲ７で読み出した画像データのアドレスが点欠陥アドレスメモリ５５に登録された点欠陥Ｐａの垂直アドレスと一致するかを判断する。ここで、画像データのアドレスが点欠陥Ｐａの垂直アドレスと一致する場合は、ステップＳＲ１１に進み、一致しない場合は、ステップＳＲ１２に進む。
【０１２０】
ステップＳＲ１１では、全ての画像データを読み出したかを判定し、全て読み出していればフローを終了し、全て読み出していなければステップＳＲ７に戻る。一方、ステップＳＲ１２では、Ｖライン傷Ｇａの水平アドレスと一致するが、点欠陥Ｐａの水平及び垂直アドレスと一致しないアドレスを持つ画像データに対してオフセットによる補正を行う。これにより、本実施の形態では、点欠陥補正とＶライン傷の補正の２つ補正が行われることによる過補正を回避することができ、適切な補正を行うことができる。
【０１２１】
＜変形例＞
図１８に示すフローチャートでは、Ｖライン傷Ｇａと点欠陥Ｐａとが重なった場合、両欠陥が重なった画素についてオフセットによる補正を行わない方法を示した。これとは別の補正方法として、Ｖライン傷Ｇａと点欠陥Ｐａとが重なった場合に、オフセットによる補正に代えて画素補間による補正を行う方法がある。図１９に、Ｖライン傷Ｇａと点欠陥Ｐａとが重なった場合、画素補間による補正でＶライン傷Ｇａを補正した画像Ｇ９を示す。図１９では、Ｖライン傷Ｇａに隣接する左右の画素について平均を計算し、その結果に基づいてＶライン傷Ｇａの補間を行っている。
【０１２２】
別の補正方法のフローチャートを図２０に示す。図２０のフローチャートは、図１８のフローチャートと同じ部分については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１２３】
図２０に示すステップＳＲ９では、ステップＳＲ７で読み出した画像データのアドレスが点欠陥アドレスメモリ５５に登録された点欠陥Ｐａの水平アドレスと一致するかを判断する。ここで、画像データのアドレスが点欠陥Ｐａの水平アドレスと一致する場合は、ステップＳＲ１３に進み、一致しない場合は、ステップＳＲ１２に進む。
【０１２４】
ステップＳＲ１３では、Ｖライン傷と点欠陥とが重なっていると判断されるので、オフセットによる補正に代えて画素補間による補正を行う。これにより、Ｖライン傷Ｇａと点欠陥Ｐａとが重なっている画素は、点欠陥補正と画素補間による補正の２回補正が行われる。しかし、両補正は、共に画素補間による補正であるため、オフセットによる補正のような過補正の問題はなく、適切な補正を行うことができる。
【０１２５】
（実施の形態２）
＜Ｖライン傷と点欠陥とが隣接する場合＞
Ｖライン傷と点欠陥とが隣接する場合、点欠陥の補正に利用する画素がＶライン傷と重なることが特に問題となる。図２１は、Ｖライン傷Ｇａと点欠陥Ｐａとが隣接する場合の撮像センサ１６の構成を示す図である。図２１では、垂直ＣＣＤ１６２上に欠陥箇所Ｆｐ５と、フォトダイオード１６１上に欠陥箇所Ｆｐ６が存在している。この欠陥箇所Ｆｐ５が起因して、画像上で生じるライン性の明度傷として発生し、図２２に示すように撮影画像Ｇ１０おいてＶライン傷Ｇａとして再現される。また、欠陥箇所Ｆｐ６が起因して、画像上で生じる点状の欠陥として発生し、図２２に示すように撮影画像Ｇ１０おいて点欠陥Ｐａとして再現される。
【０１２６】
点欠陥Ｐａを補正する場合、点欠陥Ｐａの画素は、通常、隣接する同色の左右画素で補間される。しかし、図２２に示す撮影画像Ｇ１０では、点欠陥Ｐａの画素の右側に隣接する画素がＶライン傷と重なっている。そのため、このまま点欠陥Ｐａの補正を行うと、Ｖライン傷Ｇａを有する右側に隣接する画素を用いて、画素補間が行われることになるので、適切な補正が行われない。そこで、本実施の形態では、点欠陥補正に利用する画素（以下、参照画素ともいう）がＶライン傷Ｇａと重なる場合、例えばＶライン傷Ｇａと重なっていない左側に隣接する画素のみで補間する方法が採用される。図２３に示す撮影画像Ｇ１１では、点欠陥Ｐａの補正に、右側に隣接する画素を利用せずに、左側に隣接する画素のみで補間を行っている。
【０１２７】
図２３に示すように参照画素からＶライン傷Ｇａと重なる画素を除いて、点欠陥補正を行うフローチャートを図２４に示す。まず、ステップＳＵ１では、レリーズして露光を行う。すなわち、撮影者によりシャッターボタン１３が全押し(Ｓ２オン)されて、被写体を撮影する動作が行われる。ステップＳＵ２では、撮像センサ１６から画素データを順次に読み出す。
【０１２８】
ステップＳＵ３では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）の水平アドレス（Ｘアドレス）が、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷Ｇａの水平アドレスから２を引いた値と一致するかを判定する。ここで、Ｘアドレスが、Ｖライン傷Ｇａの水平アドレスから２を引いた値に一致する場合は、ステップＳＵ４に進み、一致しない場合は、ステップＳＵ５に進む。なお、Ｖライン傷Ｇａの水平アドレスから引く値を２としているのは、隣接する同色の画素が１列おきに配置されているためである。
【０１２９】
ステップＳＵ４では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）が、点欠陥アドレスメモリ５５に登録されている点欠陥Ｐａのアドレスに対応する場合、（Ｘ−２，Ｙ）の画像データのみ参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。つまり、（Ｘ＋２，Ｙ）の画像データは、Ｖライン傷Ｇａと重なるため点欠陥補正の参照画素として採用しない。
【０１３０】
ステップＳＵ５では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）の水平アドレス（Ｘアドレス）が、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷Ｇａの水平アドレスと一致するかを判定する。ここで、Ｘアドレスが、Ｖライン傷Ｇａの水平アドレスと一致する場合には、ステップＳＵ６に進み、一致しない場合には、ステップＳＵ７に進む。
【０１３１】
ステップＳＵ６では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）が、点欠陥アドレスメモリ５５に登録されている点欠陥Ｐａのアドレスに対応する場合、（Ｘ−２，Ｙ）と（Ｘ＋２，Ｙ）の画像データを参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。つまり、（Ｘ−２，Ｙ）と（Ｘ＋２，Ｙ）の両方の画像データを、点欠陥補正の参照画素として採用している。
【０１３２】
ステップＳＵ７では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）の水平アドレス（Ｘアドレス）が、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷Ｇａの水平アドレスに２を加えた値と一致するかを判定する。ここで、Ｘアドレスが、Ｖライン傷Ｇａの水平アドレスに２を加えた値に一致する場合には、ステップＳＵ８に進み、一致しない場合には、ステップＳＵ９に進む。
【０１３３】
ステップＳＵ８では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）が、点欠陥アドレスメモリ５５に記憶されている点欠陥Ｐａのアドレスに対応する場合、（Ｘ＋２，Ｙ）の画像データのみ参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。つまり、（Ｘ−２，Ｙ）の画像データは、Ｖライン傷Ｇａと重なるため点欠陥補正の参照画素として採用しない。
【０１３４】
ステップＳＵ９は、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）がステップＳＵ３，５，７の条件に該当しない場合に実行される。そして、ステップＳＵ９では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）が、点欠陥アドレスメモリ５５に登録されている点欠陥Ｐａのアドレスに対応する場合、（Ｘ−２，Ｙ）と（Ｘ＋２，Ｙ）の画像データを参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。つまり、（Ｘ−２，Ｙ）と（Ｘ＋２，Ｙ）の両方の画像データを、点欠陥補正の参照画素として採用している。
【０１３５】
ステップＳＵ１０では、キャプチャー処理が完了したかを判定する。ここで、キャプチャー処理が完了した場合には、ステップＳＵ１１に進み、完了していない場合には、ステップＳＵ２の動作を繰り返す。
【０１３６】
ステップＳＵ１１では、Ｖライン傷検出部５２においてＶライン傷Ｇａを検出する。ステップＳＵ１２では、ステップＳＵ１１で検出されたＶライン傷Ｇａについて適切な補正を行う。
【０１３７】
以上のように、本実施の形態に係る点欠陥補正部５１では、画素補間による補正を行う際、補間に利用する画素（参照画素）がＶライン傷に重なっている場合、Ｖライン傷に重なる画素を参照せずに、Ｖライン傷に重ならない画素のみを参照して画素補間を行う。これにより、本実施の形態では、補間に利用する画素がＶライン傷に重なっている場合であっても、適切な補正を行うことができる。
【０１３８】
＜Ｖライン傷の補正への適用＞
本実施の形態では、点欠陥補正に利用する画素がＶライン傷Ｇａと重なる場合について述べたが、上記の内容は、Ｖライン傷Ｇａに対して画素補間による補正を行う際、補正に利用する画素が点欠陥Ｐａと重なる場合に対しても適用することができる。
【０１３９】
例えば、Ｖライン傷Ｇａの補正に利用する画素（参照画素）のうち、右側の参照画素が点欠陥Ｐａと重なる場合、左側の参照画素のみを利用して、Ｖライン傷補正部５３はＶライン傷Ｇａの画素補間による補正を行うことができる。これにより、Ｖライン傷補正部５３は、Ｖライン傷Ｇａを適切に補正することができる。
【０１４０】
＜変形例＞
図２４に示すフローチャートでは、補間に利用する画素がＶライン傷Ｇａに重なる場合、重なった画素を参照画素として採用しないことで、点欠陥補正を行っていた。しかし、左右の画素を補間に利用する場合に、例えば右側の画素を採用せずに左側の画素のみで補間を行うと、補間される画像が左側の画像の影響のみを受けることになり適切な補正が行われない場合がある。そこで、本変形例では、Ｖライン傷Ｇａと重ならない画素で、且つ点欠陥Ｐａの画素を挟んで対称の位置にある一対の画素を利用して補間を行う。
【０１４１】
具体的に、欠陥Ｐａの画素を挟んで左右の位置にある一対の画素のうち、右側の画素がＶライン傷Ｇａと重なる場合、本変形例では、左右の位置にある一対の画素を利用せずに、上下の位置にある一対の画素を利用して補間を行う。なお、上下の位置にある一対の画素は、Ｖライン傷Ｇａとは重なっていない。図２５に、上下の位置にある一対の画素を利用して補間を行った画像Ｇ１２を示す。図２５では、欠陥Ｐａの画素を挟んで上下の位置にある一対の画素の平均を計算し、その結果に基づいて欠陥Ｐａの画素を補間している。
【０１４２】
本変形例のフローチャートを図２６に示す。図２６のフローチャートは、図２４のフローチャートと同じ部分については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１４３】
図２６に示すステップＳＵ３では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）の水平アドレス（Ｘアドレス）が、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷Ｇａの水平アドレスから２を引いた値と一致するかを判定する。ここで、Ｘアドレスが、Ｖライン傷Ｇａの水平アドレスから２を引いた値に一致する場合には、ステップＳＵ１３に進み、一致しない場合には、ステップＳＵ７に進む。
【０１４４】
ステップＳＵ１３では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）が、点欠陥アドレスメモリ５５に登録されている点欠陥Ｐａのアドレスに対応する場合、（Ｘ，Ｙ−２）と（Ｘ，Ｙ＋２）の画像データを参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。つまり、欠陥Ｐａの画素を挟んで左右の位置（水平方向の画素）を参照画素とするのではなく、欠陥Ｐａの画素を挟んで上下の位置（垂直方向の画素）を参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。
【０１４５】
図２６に示すステップＳＵ７では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）の水平アドレス（Ｘアドレス）が、傷アドレスメモリ５４に登録されているＶライン傷Ｇａの水平アドレスに２を加えた値と一致するかを判定する。ここで、Ｘアドレスが、Ｖライン傷Ｇａの水平アドレスに２を加えた値と一致する場合には、ステップＳＵ１３に進み、一致しない場合には、ステップＳＵ１４に進む。
【０１４６】
ステップＳＵ１４では、ステップＳＵ２で読み出した画像データ（Ｘ、Ｙ）が、点欠陥アドレスメモリ５５に記憶されている点欠陥Ｐａのアドレスに対応する場合、（Ｘ−２，Ｙ）と（Ｘ−２，Ｙ）の画像データを参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。つまり、欠陥Ｐａの画素を挟んで左右の位置（水平方向の画素）を参照画素として画像データ（Ｘ、Ｙ）を補間する。
【０１４７】
以上のように、本変形例に係る点欠陥補正部５１では、画素補間による補正を行う際、補間に利用する画素がＶライン傷Ｇａと重なっている場合、Ｖライン傷Ｇａに重ならない垂直方向の画素を参照して画素補間を行う。これにより、本変形例でも、補間に利用する画素がＶライン傷Ｇａに重なっている場合であっても、適切な補正を行うことができる。なお、本変形例では、点欠陥Ｐａの画素を挟んで上下の位置にある一対の画素を利用して画素補間を行う方法について説明したが、本発明はこれに限られず、点欠陥Ｐａの画素を挟んで斜め方向の位置にある一対の画素を利用して画素補間を行う方法であっても良い。本実施の形態では、全画素読み出しのＣＣＤの例で示しているが、複数フィールド読み出しのＣＣＤを用いても構わない。複数フィールド読み出しのＣＣＤの場合は、画素データを一旦１フレームに並べて変えてから補正を行うことで、本実施の形態と同じ補正を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４８】
【図１】本発明の実施形態に係る撮像装置１の要部構成を示す図である。
【図２】撮像装置１の機能ブロックを示す図である。
【図３】撮像センサ１６の構成を示す図である。
【図４】Ｖライン傷を説明するための図である。
【図５】Ｖライン傷の検出原理を説明するための図である。
【図６】Ｖライン傷の検出原理を説明するための図である。
【図７】撮像装置１におけるＶライン傷の検出動作を示すフローチャートである。
【図８】撮像センサ１６におけるＶライン傷の温度依存性を説明するための図である。
【図９】オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【図１０】オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【図１１】オフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【図１２】撮像装置１におけるＶライン傷の傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。
【図１３】画素補間によるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【図１４】本発明の変形例に係る傷レベルの検出動作を示すフローチャートである。
【図１５】本実施の形態１に係る撮像センサ１６の構成を示す図である。
【図１６】本実施の形態１のオフセットによるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【図１７】本実施の形態１に係る撮像装置１の機能ブロックを示す図である。
【図１８】本実施の形態１の補正動作を示すフローチャートである。
【図１９】本実施の形態１の変形例の画素補間によるＶライン傷の補正を説明するための図である。
【図２０】本実施の形態１の変形例の補正動作を示すフローチャートである。
【図２１】本実施の形態２に係る撮像センサ１６の構成を示す図である。
【図２２】本実施の形態２の点欠陥補正を説明するための図である。
【図２３】本実施の形態２の点欠陥補正を説明するための図である。
【図２４】本実施の形態２の補正動作を示すフローチャートである。
【図２５】本実施の形態２の変形例の点欠陥補正を説明するための図である。
【図２６】本実施の形態２の変形例の補正動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１４９】
１  撮像装置
３  画像処理部
１６  撮像センサ
１６ｂａ、１６ｂｂ  オプチカル・ブラック(ＯＢ)部
４９  温度センサー
５１  点欠陥補正部
５２  Ｖライン傷検出部
５３  Ｖライン傷補正部
５４  傷アドレスメモリ
５５  点欠陥アドレスメモリ
１６１  フォトダイオード
１６２  垂直ＣＣＤ
１６３  水平ＣＣＤ
Ｆｐ、Ｆｐ１、Ｆｐ２、Ｆｐ３  垂直ＣＣＤ上の欠陥箇所
【図１】
2006148440.tif 000003
【図２】
2006148440.tif 000004
【図３】
2006148440.tif 000005
【図４】
2006148440.tif 000006
【図５】
2006148440.tif 000007
【図６】
2006148440.tif 000008
【図７】
2006148440.tif 000009
【図８】
2006148440.tif 000010
【図９】
2006148440.tif 000011
【図１０】
2006148440.tif 000012
【図１１】
2006148440.tif 000013
【図１２】
2006148440.tif 000014
【図１３】
2006148440.tif 000015
【図１４】
2006148440.tif 000016
【図１５】
2006148440.tif 000017
【図１６】
2006148440.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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