(57)【要約】【課題】有機ＴＦＴの製造方法よって製造された有機ＴＦＴ及び有機ＴＦＴを備える平板表示装置を提供する。【解決手段】基板上の有機半導体層の非形成領域に潤滑剤を塗布するステップと、潤滑剤が塗布された後、その基板上に有機半導体物質を塗布するステップと、有機半導体物質が塗布された基板に熱を供給して、潤滑剤を溶融させるステップと、非形成領域の上部に塗布された部分の有機半導体層を基板から剥離するステップと、を含む有機ＴＦＴの製造方法、及びその製造方法によって製造された有機ＴＦＴ及び有機ＴＦＴを備えるフラットパネルディスプレイである。これにより、基板及び有機半導体物質の損傷なしに効果的に有機半導体層をパターニングできる。【選択図】  図４
2006148060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の有機半導体層の非形成領域に潤滑剤を塗布するステップと、
前記潤滑剤が塗布された後、前記基板上に有機半導体物質を塗布するステップと、
前記有機半導体物質が塗布された基板に熱を供給して、前記潤滑剤を溶融させるステップと、
非形成領域の上部に塗布された部分の有機半導体層を、前記基板から剥離するステップと、を含む有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記潤滑剤塗布ステップを、有機半導体層の非形成領域によるパターンが形成されたスタンプを利用して行うことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記有機半導体物質は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−６−チオフェン、α−４−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−複素環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びそれらの誘導体、α−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びそれらの誘導体、金属を含有または含有していないフタロシアニン及びそれらの誘導体、ピロメリット酸ニ無水物及びその誘導体、ならびにピロメリット酸ジイミド及びその誘導体からなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記潤滑剤の溶融段階において、有機溶媒の蒸気を熱供給源として利用することを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記有機溶媒は、へキサン、シクロへキサン、ペンタン及びシクロペンタンからなる群から選択された一つ以上であることを特徴とする請求項４に記載の有機薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のうち、何れか１項に記載の方法によって形成されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項６に記載の有機薄膜トランジスタを備えることを特徴とするフラットパネルディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴという）の製造方法、前記方法で製造されたＴＦＴ及び前記ＴＦＴを備える平板表示装置に係り、より具体的には、容易に有機半導体層をパターニングできる有機ＴＦＴの製造方法、前記方法で製造された有機ＴＦＴ及び前記有機ＴＦＴを備える平板表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ素子や有機発光ディスプレイ素子または無機発光ディスプレイ素子のようなフラットパネルディスプレイに使用されるＴＦＴは、各ピクセルの動作を制御するスイッチング素子、及びピクセルを駆動させる駆動素子として使用される。
【０００３】
そのようなＴＦＴは、高濃度の不純物でドーピングされたソース／ドレーン領域とこのソース／ドレーン領域の間に形成されたチャンネル領域とを有する半導体層を有し、その半導体層と絶縁されて、前記チャンネル領域に対応する領域に位置するゲート電極と、前記ソース／ドレーン領域にそれぞれ接触されるソース／ドレーン電極と、を有する。
【０００４】
一方、最近のフラットパネルディスプレイは、薄型化と共にフレキシブルな特性が要求されている。そのようなフレキシブルな特性のために、ディスプレイ装置の基板として、従来のガラス材基板と異なりプラスチック基板を使用しようとする試みが多く行われているが、そのように、プラスチック基板を使用する場合には、プラスチック基板が熱に弱いという点を考慮して、低温工程を使用せねばならない。したがって、高温工程を伴う従来のポリシリコン系のＴＦＴを使用し難いという問題点があった。
【０００５】
それを解決するために、最近では有機半導体物質が使用されている。有機半導体物質を利用すれば、低温工程で半導体層を形成できるため、低コストのＴＦＴを実現できるという長所を有する。そのような有機ＴＦＴは、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００６】
しかし、従来の有機ＴＦＴの製造方法は、有機半導体層パターニングの精度及び製造コストの節減という側面で満足すべきレベルに至っていないが、これを改善する必要がある。
【特許文献１】韓国特許公開第２００４−００４９１１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記問題点を解決するために、有機半導体層パターニング工程を改善した有機ＴＦＴの製造方法、前記方法で製造された有機ＴＦＴ及び前記有機ＴＦＴを備えるフラットパネルディスプレイを提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記本発明の課題を達成するために、本発明の第１態様は、基板上の有機半導体層の非形成領域に潤滑剤を塗布するステップと、前記潤滑剤が塗布された後、前記基板上に有機半導体物質を塗布するステップと、前記有機半導体物質が塗布された基板に熱を供給して、前記潤滑剤を溶融させるステップと、非形成領域の上部に塗布された部分の有機半導体層を前記基板から剥離するステップと、を含む有機ＴＦＴの製造方法を提供する。
【０００９】
前記本発明の他の課題を達成するために、本発明の第２態様は、前記方法によって形成された有機ＴＦＴを提供する。
【００１０】
前記本発明の更に他の課題を達成するために、本発明の第３態様は、前記本発明による有機ＴＦＴを備えるフラットパネルディスプレイを提供する。
【００１１】
本発明の有機ＴＦＴの製造方法によれば、有機半導体層をなす有機半導体物質はもとより、基板の損傷なしに容易に有機半導体層をパターニングできる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の有機ＴＦＴの製造方法によれば、基板及び有機半導体物質の損傷なしに、容易に有機半導体層をパターニングできる。それにより、製造コストの節減の効果も得られる。本発明の有機ＴＦＴの製造方法によって、信頼性の向上した有機ＴＦＴが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明を更に詳細に説明する。
【００１４】
本発明の有機ＴＦＴの製造方法は、基板上の有機半導体層の非形成領域に潤滑剤を塗布するステップと、前記潤滑剤が塗布された後、前記基板上に有機半導体物質を塗布するステップと、前記有機半導体物質が塗布された基板に熱を供給して潤滑剤を溶融させるステップと、非形成領域の上部に塗布された部分の有機半導体物質を前記基板から剥離するステップとから構成される。
【００１５】
まず、図１Ａに示されたように、潤滑剤を基板上の有機半導体層を形成させないように予め決めている領域（有機半導体層の非形成領域４２）に塗布する。図１Ａのうち、点線で表示されている領域４０は、有機半導体層を形成するように予め決めている領域（有機半導体層の形成領域４０）であって、ガラス材またはプラスチック材の基板上に備えられたゲート電極１２、ソース及びドレーン電極１４ａ、１４ｂ及び前記ゲート電極１２と、前記ソース及びドレーン電極１４ａ、１４ｂとを絶縁させる絶縁層（図示せず）が備えられている。図１Ｂは、前記１Ａの概略的な断面図であって、基板１１のうち、有機半導体層の非形成領域４２の上部には潤滑剤４３が塗布されているが、基板１１のうち、有機半導体層の形成領域４０の上部には潤滑剤４３が塗布されていない。
【００１６】
有機半導体層の非形成領域４２に塗布された潤滑剤によって、非形成領域の上部に塗布された部分の有機半導体物質を前記基板から容易に剥離できる。したがって、潤滑剤は、前記基板及び有機半導体物質に対して非反応性の必要性があり、前記基板上の有機半導体層の非形成領域４２を明示できるように、塗布後に流れたり、広がりやすい液状よりは、半固体または固体であることが好ましい。また、潤滑剤の溶融段階を考慮して、比較的に低温、例えば、約５０℃ないし１００℃の融点を有する物質を選択することが好ましい。前記の条件を満足させる潤滑剤ならば、通常使用される任意の潤滑剤を使用できる。
【００１７】
前記潤滑剤の非制限的な例としては、グリースなどが含まれる。グリースとは、基油に増粘剤を混合して製造した半固体潤滑剤であって、グリースの基油としては、ジエステルオイルまたはシリコンオイルが主に使用され、また増粘剤としては、金属石鹸、シリカエアロゲルまたはカーボンブラックが使用されうる。グリースの基油として主に使用されるシリコンオイルは、温度による粘性係数の変化が小さく、低い凝固点を有し、低温でも流動性を失わず、化学的に非活性であり、表面張力が低く、撥水性、消泡性及び離型作用を有する。また、グリースに添加される増粘剤は、基油に非ニュートン粘性の性質を与え、半固体相において基油を維持する役割を行う。通常使用される増粘剤としては、金属石鹸、ウレア系増粘剤、シリカエアロゲル、ベントナイト及びカーボンブラックがある。そのうち、金属石鹸は、脂肪酸の金属塩であって、石鹸増粘剤の主原料は、脂肪酸と金属水酸化物とに分類される。脂肪酸は、主に精製ステアリン酸が使用され、金属水酸化物としては、リチウムおよびナトリウムなどのアルカリ金属の水酸化物、カルシウムおよびバリウムなどのアルカリ土金属類の水酸化物が使用される。ウレア系の増粘剤は、ジウレア、トリウレア、テトラウレア及びポリウレアなどが使用されてもよい。一方、シリコンオイルを基油として製造されたグリースは、耐摩耗性及び極圧力抵抗が低くて、金属対金属間の高荷重潤滑条件の使用に制約されるが、それを解決するために、シリコンの主鎖中にメチル基をフッ素に置換させたフルオロシリコンオイルを使用することもある。
【００１８】
前記潤滑剤は、多様な方法を通じて、前記基板の有機半導体層の非形成領域に塗布されうる。前記潤滑剤の塗布方法の例として、有機半導体層の非形成領域４２のパターンを有するスタンプを利用する方法がある。そのうち、ポリジメチレンシロキサン（以下、“ＰＤＭＳ”と称する）スタンプ製造例は、次の通りである。まず、シリコンウエハー上にフォトレジストを塗布した後、約７０℃ないし１２０℃の温度で焼成させる。その後、前記フォトレジストを、有機半導体層の非形成領域４２に対応するパターンが形成されるように紫外線に露光させた後、現像液で現像して乾燥させる。パターンが形成されたフォトレジスト層上に、ＰＤＭＳ前駆物質を塗布し、約５０℃ないし１００℃の温度下で硬化させて、有機半導体層の非形成領域４２パターンを有するＰＤＭＳを得る。前記ＰＤＭＳを基板から剥離してＰＤＭＳスタンプが得られる。前記ＰＤＭＳスタンプの凸面部、すなわち、有機半導体層の非形成領域４２のパターンに対応する凸面部に、前記のような潤滑剤を塗布した後、前記基板の有機半導体層の非形成領域４２に、前記潤滑剤が塗布されるように前記基板と接触させることで、前記基板の有機半導体層の非形成領域４２に前記潤滑剤を塗布する。そのようなＰＤＭＳスタンプの利用方法は、潤滑剤の塗布方法の一例であって、それに限定されるものではない。図１Ｃは、ＰＤＭＳスタンプ４５を利用した潤滑剤の塗布方法の一例を概略的に説明した図面であって、基板１１のうち、有機半導体層の非形成領域４２に対応するパターンを有するＰＤＭＳスタンプ４５の凸面部に塗布されたＰＤＭＳスタンプ４５を矢印方向に基板１１の上部に加えた後、前記ＰＤＭＳスタンプ４５を分離して、図１Ｂのように、基板１１の上部の有機半導体層の非形成領域４２のみに潤滑剤を塗布させうる。
【００１９】
その後、図２Ａに示されたように、有機半導体物質を基板の全面に塗布する。すなわち、図２Ａの概略的な断面図である図２Ｂのように、基板１１の有機半導体層の非形成領域４２では、基板１１に予め塗布されている潤滑剤４３の上部に有機半導体物質４７が塗布され、基板１１の有機半導体層の形成領域４０の上部には有機半導体物質が塗布される。前記有機半導体物質の具体的な例としては、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−６−チオフェン、α−４−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ニ無水物及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリフロレン及びその誘導体、ポリチオフェンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン−複素環芳香族共重合体及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びその誘導体、α−５−チオフェンのオリゴチオフェン及びその誘導体、金属を含有、または含有していないフタロシアニン及びその誘導体、ピロメリット酸ニ無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びその誘導体からなる群から選択された一つ以上が含まれるが、それに限定されるものではない。
【００２０】
前記有機半導体物質を塗布した後、前記有機半導体層の非形成領域に備えられた潤滑剤に熱を供給して溶融させる。前記熱供給段階は、有機ＴＦＴの基板及び有機半導体物質を損傷させない方法で行われることが好ましい。そのために、例えば、熱供給源として有機溶媒の蒸気を利用できる。前記有機溶媒は、沸点が低いため、気化が容易な物質である。特に、前記有機溶媒は、前述のようなグリースの融点を考慮して選択されうる。前記グリースの融点より高い沸点を有して、前記グリースを容易に溶融させうる溶媒であることが好ましい。そのような有機溶媒の非制限的な例としては、へキサン、シクロへキサン、ペンタン、およびシクロペンタンなどが含まれる。これらのなかで、安定した揮発性液体であるヘキサンが好ましい。へキサンの沸点は６９℃であって、その蒸気は、基板または有機半導体物質を損傷させずに潤滑剤を溶融させるのに適している。
【００２１】
前記したように、基板上の有機半導体層の非形成領域４２に塗布された潤滑剤を溶融させた後には、非形成領域の上部に塗布された部分の有機半導体物質を剥離して、図３Ａのように、有機半導体層の形成領域４０の上部のみに有機半導体層を形成させる。これは、図３Ｂのような概略的な断面図を参照する。図３Ｂのように、潤滑剤４３を溶融させれば、基板１１から潤滑剤４３が分離されつつ、有機半導体層の非形成領域４２の上部の有機半導体物質が基板１１から剥離されるため、基板１１の有機半導体層の形成領域４０の上部のみに有機半導体物質４７が残る。
【００２２】
前記したような有機ＴＦＴの製造方法によれば、基板及び有機半導体物質の損傷なしに容易に有機半導体層をパターニングできる。
【００２３】
前記方法で製造された有機ＴＦＴの一例の概略的な断面図は、図４を参照する。
【００２４】
図４の有機ＴＦＴは、ガラス材またはプラスチック材の基板１１上に所定パターンのゲート電極１２が備えられている。前記ゲート電極１２は、Ａｕのような金属からなり得るが、それに限定されるものではない。前記ゲート電極１２の上部には、前記ソース及びドレーン電極１４ａ、１４ｂと、ゲート電極１２と、を絶縁させる絶縁層１３が備えられており、絶縁層１３の上部にソース及びドレーン電極１４ａ、１４ｂが備えられている。前記ソース及びドレーン電極１４ａ、１４ｂは、図４から分かるように、一定部分のゲート電極１２と重畳させうるが、それに限定されるものではない。前記ソース及びドレーン電極１４ａ、１４ｂの上部に、前記したように、本発明の方法によって有機半導体層１５が形成されている。
【００２５】
本発明の有機ＴＦＴの製造方法及び有機ＴＦＴは、図１ないし図４に示されたような構造のトランジスタを例として挙げて説明したが、それに限定されないことは言うまでもない。すなわち、図４に示されたような構造のトランジスタの他にも、基板上にゲート電極、絶縁層、有機半導体層及びソース及びドレーン電極を順に備える構造のＴＦＴ、または基板上にソース及びドレーン電極、有機半導体層、絶縁層及びゲート電極を順に備える構造のＴＦＴなどでも本発明の製造方法を適用できる。付け加えると、図４で示すような、本発明の実施形態にかかる方法のような構造を有するＴＦＴも適用できる。そのとき、製造しようとするＴＦＴの構造によって、基板上の有機半導体層の形成領域４０、及び有機半導体層の非形成領域４２の重要性を、当業者は容易に認識できる。
【００２６】
前記本発明の方法によって形成された有機ＴＦＴは、液晶表示装置（ＬＣＤ）または有機電界発光表示装置のような多様な平板表示装置に備えられ得る。
【００２７】
図５は、そのうち、一例である有機電界発光表示装置に前記ＴＦＴを適用したところ示す図面である。
【００２８】
図５は、有機電界発光ディスプレイのうち、一つの副画素を示す図面であって、そのような各副画素には、自発光素子として有機電界発光素子（以下、“ＥＬ素子３０”と称する）を備えており、少なくても一つ以上のＴＦＴが備えられている。そして、図示されていないが、別途のキャパシタが更に備えられている。前記ＴＦＴ２０は、前記の実施形態によるＴＦＴの１つになり得る。しかし、必ずしもそれに限定されるものではなく、多様な構造のＴＦＴを更に備え得る。
【００２９】
図５から分かるように、基板２１上に、前記したように方法で形成されたＴＦＴ  ２０が備えられる。本発明に係るＴＦＴ  ２０のうち、ゲート電極２２、絶縁層２３、ソース及びドレーン電極２４、有機半導体層２５などについての詳細な説明は、前記した通りであるため省略する。
【００３０】
ＴＦＴ  ２０のうち、有機半導体層２５を形成した後には、前記ＴＦＴ  ２０を覆うようにパッシベーション膜２７が形成されるが、そのパッシベーション膜２７は、単一層または多重層の構造から形成されており、有機材料、無機材料、または有機／無機複合物から形成されうる。
【００３１】
前記パッシベーション膜２７の上部には、ＥＬ素子３０の一電極である第１電極３１が形成され、その上部に画素定義膜２８が形成され、その画素定義膜２８に所定の開口部２８ａを形成した後、ＥＬ素子３０の有機発光膜３２を形成する。
【００３２】
前記ＥＬ素子３０は、電流の流れるによって赤色、緑色、青色の光を発光して、所定の画像情報を表示するものであって、ＴＦＴ  ２０のソース／ドレーン電極２４のうち、何れか一つの電極に連結された第１電極３１と、全体画素を覆うように備えられた第２電極３３、及びそれらの第１電極３１と第２電極３３との間に配置されて発光する有機発光膜３２から構成される。本発明は、必ずしも前記のような構造に限定されるものではなく、多様な構造を有する有機電界発光ディスプレイを包含しうることは言うまでもない。
【００３３】
前記有機発光膜３２は、低分子または高分子量の有機膜が使用されうるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、ホール輸送層（Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、発光層（Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＥＭＬ）、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）、電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成されることが可能であり、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、およびトリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などをはじめとして多様に適用できる。それらの低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。
【００３４】
高分子量の有機膜の場合には、ＨＴＬ及びＥＭＬとして備えられた構造を有することが可能であり、その時、前記ＨＴＬとしてＰＥＤＯＴを使用し、ＥＭＬとしてＰＰＶ（ポリフェニレンビニレン：Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン系などの有機材料を使用し、高分子量の有機層はスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成できる。
【００３５】
前記のような有機膜は、必ずしもそれに限定されるものではなく、多様な実施形態が適用されうるということは言うまでもない。
【００３６】
前記第１電極３１は、アノード電極としての機能を行い、前記第２電極３３は、カソード電極としての機能を行うが、もちろん、それらの第１電極３１と第２電極３３の極性は逆であってもよい。
【００３７】
そのように、本発明に係るＴＦＴは、図５のように、各副画素に搭載されてもよく、画像が具現されないドライバ回路（図示せず）にも搭載されうる。
【００３８】
以下、実施例を通じて本発明を更に詳細に説明する。
【実施例】
【００３９】
以下実施例を記載するが、本発明の範囲はこれに限定されるものではない。
【００４０】
シリコンウエハー上にネガティブフォトレジスト（ＳＵ−８）を、スピンコーティング器を利用して５０μｍの厚さに塗布した。塗布されたフォトレジストを９０℃で１５分間焼成させた後、有機半導体層の非形成領域のパターンを有するフォトマスクを利用して、３６５ｎｍの紫外線に１５０秒間露光させた。露光されたフォトレジストを現像液（ＳＵ−８用の現像液）に５分間浸漬させて現像した後、９０℃で焼成させ、ＰＤＭＳ前駆体を塗布した。前記ＰＤＭＳ前駆体を７０℃で約２時間経過させて、ＰＤＭＳスタンプを得た。前記ＰＤＭＳスタンプの凸部にグリースを塗布した後、ゲート電極、絶縁層及びソース及びドレーン電極が備えられた基板上の有機半導体層の非形成領域に合わせて前記スタンプを加圧して、グリースを有機半導体層の非形成領域に塗布した。その後、前記基板の全体にペンタセンを塗布した後、へキサン蒸気をペンタセンが塗布された層を介してグリースと接触させて、前記グリースを溶融させた。その後、前記グリースの上部に塗布されたペンタセンを前記基板から剥離した。
【００４１】
以上では、本発明の好ましい例及び実施形態を参照して説明したが、当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で、本発明を多様に修正及び変更させうるということを理解できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、平板表示装置に関連した技術分野に好適に適用され得る
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１Ａ】本発明に係るＴＦＴの製造方法の一例を示す平面図である。
【図１Ｂ】本発明に係るＴＦＴの製造方法の一例を示す平面図である。
【図１Ｃ】本発明に係るＴＦＴの製造方法の一例を示す平面図である。
【図２Ａ】本発明に係るＴＦＴの製造方法の一例を示す平面図である。
【図２Ｂ】本発明に係るＴＦＴの製造方法の一例を示す平面図である。
【図３Ａ】本発明に係るＴＦＴの製造方法の一例を示す平面図である。
【図３Ｂ】本発明に係るＴＦＴの製造方法の一例を示す平面図である。
【図４】本発明に係るＴＦＴの一例を概略的に示す断面図である。
【図５】本発明に係るＴＦＴを備える平板表示装置の一例を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１、２１    基板
２０    ＴＦＴ  
１２、２２    ゲート電極
１３、２３    絶縁層
１４ａ、１４ｂ、２４    ソース及びドレーン電極
１５、２５    有機半導体層
２７    パッシベーション膜
２８    画素定義膜
２８ａ    開口部
３０    ＥＬ素子
３１    第１電極
３２    有機発光膜
３３    第２電極
４０    有機半導体層の形成領域
４２    有機半導体層の非形成領域
４３    潤滑剤
４５    スタンプ
４７    有機半導体物質
【図１Ａ】
2006148060.tif 000003
【図１Ｂ】
2006148060.tif 000004
【図１Ｃ】
2006148060.tif 000005
【図２Ａ】
2006148060.tif 000006
【図２Ｂ】
2006148060.tif 000007
【図３Ａ】
2006148060.tif 000008
【図３Ｂ】
2006148060.tif 000009
【図４】
2006148060.tif 000010
【図５】
2006148060.tif 000011