(57)【要約】【課題】  電子部品の表面の高温部分を、優先的に冷却することができる冷却装置を提供することを課題とする。【解決手段】  冷却装置は、冷媒が流れる冷却通路２２を内蔵し電子部品の表面に面接触する冷却面を持つ冷却管２と、冷却通路２２に配列される複数の冷却フィン２５０ａからなる冷却フィン群２５と、を備える。複数の冷却フィン２５０ａは、電子部品の表面の温度分布に応じて、冷却面に冷却通路２２の幅方向に不均一な冷却効率分布を形成するように、配列されていることを特徴とする。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒が流れる冷却通路を内蔵し電子部品の表面に面接触する冷却面を持つ冷却管と、該冷却通路に配列される複数の冷却フィンからなる冷却フィン群と、を備えてなる冷却装置であって、
複数の前記冷却フィンは、前記電子部品の表面の温度分布に応じて、前記冷却面に前記冷却通路の幅方向に不均一な冷却効率分布を形成するように、配列されていることを特徴とする冷却装置。
【請求項２】
前記電子部品は、半導体素子を内蔵するパワーモジュールであり、
複数の前記冷却フィンは、前記冷却通路の長さ方向に沿って延設されており、
複数の該冷却フィンのうち少なくとも一つは、全長が最も短い最短フィンであり、
該最短フィンは、該パワーモジュール表面における該半導体素子の略中央部に対向する部分と、前記冷却面を挟んで、対向して配置されている請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
前記最短フィンと、該最短フィンに隣接する前記冷却フィンと、の間隔は、互いに隣接する他の該冷却フィン同士の間隔よりも狭い請求項２に記載の冷却装置。
【請求項４】
前記冷却管は、所定間隔毎に複数並設されており、
前記電子部品は、複数の該冷却管のうち互いに隣接する冷却管同士の隙間に介装されており、
さらに、複数の該冷却管に前記冷媒を分流導入する導入管と、複数の該冷却管から熱交換後の該冷媒を合流導出する導出管と、を備える請求項１に記載の冷却装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば車両用回転電機のインバータのパワーモジュールの冷却などに用いられる冷却装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１には、所定間隔毎に配列された複数の冷却チューブを持つ冷却装置が紹介されている。冷却チューブの内部には、冷媒が流れる冷却通路が区画されている。隣り合う冷却チューブ間には、パワーモジュールが介装されている。パワーモジュールは、半導体スイッチング素子とフライホイルダイオードとを内蔵している。
【０００３】
駆動に伴うパワーモジュールの発熱は、冷却チューブの側壁を介して、パワーモジュールの表面から冷却通路中の冷媒に伝達される。この伝熱により、パワーモジュールの温度上昇が抑制されている。
【特許文献１】特開２００２−２６２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、冷却効率を上げるためには、伝熱面積を大きくすればよい。そこで、本発明者は、冷却チューブの冷却通路に、複数の冷却フィンを配列した。具体的には、冷却通路の長さ方向に沿って延びる冷却フィンを、冷却通路の幅方向一定間隔毎に、複数配列した。また、複数の冷却フィンの長さは、互いに等長とした。
【０００５】
しかしながら、当該冷却装置の場合、冷却チューブの冷却効率を、全体的に向上させることができるに過ぎなかった。言い換えると、冷却チューブ表面の冷却効率分布は、略均一であった。
【０００６】
これに対して、実際のパワーモジュール表面の温度分布は、パワーモジュールが内蔵する半導体スイッチング素子の位置に依存している。すなわち、半導体スイッチング素子の出力は、比較的大きい。このため、パワーモジュール表面のうち、内部に半導体スイッチング素子を有する部分が、最も高熱になる。したがって、当該部分を最高温度とする等高線状に、パワーモジュール表面の温度分布は形成される。
【０００７】
このように、パワーモジュール表面の温度分布は不均一である。一方、先述したように、冷却チューブ表面の冷却効率分布は、均一である。このため、先述の等間隔かつ等長の冷却フィンを持つ冷却装置では、パワーモジュール表面の高温部分を、優先的に冷却することができない。
【０００８】
本発明の冷却装置は、上記課題に鑑みて完成されたものである。したがって、本発明は、パワーモジュールなど電子部品の表面の高温部分を、優先的に冷却することができる冷却装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）上記課題を解決するため、本発明の冷却装置は、冷媒が流れる冷却通路を内蔵し電子部品の表面に面接触する冷却面を持つ冷却管と、該冷却通路に配列される複数の冷却フィンからなる冷却フィン群と、を備えてなる冷却装置であって、複数の前記冷却フィンは、前記電子部品の表面の温度分布に応じて、前記冷却面に前記冷却通路の幅方向に不均一な冷却効率分布を形成するように、配列されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の冷却装置の冷却フィンは、電子部品表面の温度分布と冷却面の冷却効率分布とが対応するように、配列されている。本発明の冷却装置によると、電子部品表面の高温部分と、冷却面の冷却効率が高い部分とが、面接触する。このため、電子部品表面の高温部分を、優先的に冷却することができる。
【００１１】
（２）好ましくは、前記電子部品は、半導体素子を内蔵するパワーモジュールであり、複数の前記冷却フィンは、前記冷却通路の長さ方向に沿って延設されており、複数の該冷却フィンのうち少なくとも一つは、全長が最も短い最短フィンであり、該最短フィンは、該パワーモジュール表面における該半導体素子の略中央部に対向する部分と、前記冷却面を挟んで、対向して配置されている構成とする方がよい。
【００１２】
本構成によると、冷却通路における最短フィンに近接する部分の圧力損失が小さくなる。このため、最短フィンに近接する部分の冷媒の流速が速くなる。したがって、冷却面における最短フィン対向部分の冷却効率が高くなる。
【００１３】
一方、熱拡散抵抗の違いから、半導体素子の略中央部は、周縁部よりも冷却されにくい。並びに、半導体素子の出力は、比較的高い。このため、半導体素子の略中央部は高温になる。したがって、パワーモジュール表面において半導体素子略中央部を収容する部分は、パワーモジュール表面の他の部分と比較して、高温になる。
【００１４】
この点、本構成によると、パワーモジュール表面において半導体素子略中央部を収容する部分が、冷却面における最短フィン対向部分に、面接触している。このため、パワーモジュール表面の高温部分を、優先的に冷却することができる。
【００１５】
（３）好ましくは、上記（２）の構成において、前記最短フィンと、該最短フィンに隣接する前記冷却フィンと、の間隔は、互いに隣接する他の該冷却フィン同士の間隔よりも狭い構成とする方がよい。
【００１６】
本構成によると、冷却通路における最短フィンに近接する部分の伝熱面積が大きくなる。このため、当該伝熱面積の拡大化による効果と、上記（２）の冷媒流速の高速化による効果と、が相俟って、さらに冷却面における最短フィン対向部分の冷却効率を高くすることができる。
【００１７】
（４）好ましくは、前記冷却管は、所定間隔毎に複数並設されており、前記電子部品は、複数の該冷却管のうち互いに隣接する冷却管同士の隙間に介装されており、さらに、複数の該冷却管に前記冷媒を分流導入する導入管と、複数の該冷却管から熱交換後の該冷媒を合流導出する導出管と、を備える構成とする方がよい。
【００１８】
電子部品と冷却管とは、積層構造を有している。このため、電子部品の積層方向両面は、各々、冷却管の冷却面に面接触する。したがって、任意の単一の電子部品の高温部分を、積層方向両側から、冷却することができる。また、上記積層構造を有するため、本構成の冷却装置は、高い冷却能力を有するにもかかわらずコンパクトである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、電子部品の表面の高温部分を、優先的に冷却することができる冷却装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の冷却装置の実施の形態について説明する。
【００２１】
＜第一実施形態＞
まず、本実施形態の冷却装置の構成について説明する。図１に、本実施形態の冷却装置の分解斜視図を示す。図２に、同冷却装置の合体斜視図を示す。図３に、同冷却装置により冷却されるパワーモジュールの分解斜視図を示す。図４に、同冷却装置の断面図を示す。
【００２２】
これらの図に示すように、本実施形態の冷却装置１は、冷却チューブ２と導入管４と導出管５とを備えている。冷却チューブ２は、本発明の冷却管に含まれる。
【００２３】
冷却チューブ２は、アルミニウム製であって、長さ方向両端部が丸い扁平角筒状を呈している。冷却チューブ２の長さ方向両端部には、導入口２０と導出口２１とが開設されている。これら導入口２０と導出口２１とは、冷却チューブ２内部に形成された冷却通路２２により連通している。冷却通路２２には、冷却通路２２の長さ方向に沿って、冷却フィン（図略）が配置されている。冷却フィンについては、後で詳しく説明する。冷却チューブ２は、合計十枚、互いに略平行に配置されている。隣り合う冷却チューブ２同士の間には、冷却チューブ２の長さ方向に沿って二個ずつ、パワーモジュール９４０が介装されている。
【００２４】
パワーモジュール９４０は、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｒａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）９４０ａ（図３において点線で示す）とフライホイルダイオード９４０ｂ（図３において点線で示す）と電極端子９４０ｃと信号端子９４０ｄと絶縁板９４０ｅと樹脂モールド９４０ｆとを備えている。ＩＧＢＴ９４０ａは、本発明の半導体素子に含まれる。パワーモジュール９４０は、ＭＧ（Ｍｏｔｏｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）の駆動用として用いられている。樹脂モールド９４０ｆは、絶縁樹脂製であって、扁平の矩形板状を呈している。ＩＧＢＴ９４０ａとフライホイルダイオード９４０ｂとは、樹脂モールド９４０ｆ内部に封入されている。電極端子９４０ｃは、銅製であって短冊状を呈している。電極端子９４０ｃは、樹脂モールド９４０ｆの上面から、突設されている。電極端子９４０ｃは、合計二つ配置されている。信号端子９４０ｄは、銅製であってピン状を呈している。信号端子９４０ｄは、樹脂モールド９４０ｆの下面から、突設されている。信号端子９４０ｄは、合計五つ配置されている。信号端子９４０ｄは、制御基板（図略）に接続されている。絶縁板９４０ｅは、セラミック製であって矩形板状を呈している。絶縁板９４０ｅは、樹脂モールド９４０ｆの対向する両面に、合計二枚配置されている。
【００２５】
導入管４は、導入本管４０と導入連通管４１とを備えている。導入連通管４１は、アルミニウム製であって蛇腹（図略）を持つ短軸円筒状を呈している。導入連通管４１は、互いに隣接する冷却チューブ２の導入口２０同士を連結している。導入連通管４１は、合計九個、略一直線に並んで配置されている。
【００２６】
導入本管４０は、アルミニウム製であって、導入連通管４１よりも長軸の円筒状を呈している。導入本管４０の一端は、最上流側の冷却チューブ２の導入口２０を覆っている。導入本管４０を介して、放熱装置１０から冷却チューブ２に、水希釈ＬＬＣ（Ｌｏｎｇ  Ｌｉｆｅ  Ｃｏｏｌａｎｔ）が導入される。水希釈ＬＬＣは、本発明の冷媒に含まれる。
【００２７】
導出管５は、導出本管５０と導出連通管５１とを備えている。導出連通管５１は、アルミニウム製であって蛇腹（図略）を持つ短軸円筒状を呈している。導出連通管５１は、互いに隣接する冷却チューブ２の導出口２１同士を連結している。導出連通管５１は、合計九個、略一直線に並んで配置されている。
【００２８】
導出本管５０は、アルミニウム製であって円筒状を呈している。導出本管５０は、導入本管４０に対して、略平行に配置されている。導出本管５０の一端は、最下流側の冷却チューブ２の導出口２１を覆っている。導出本管５０を介して、冷却チューブ２から放熱装置１０に、熱交換後の水希釈ＬＬＣが導出される。
【００２９】
次に、本実施形態の冷却装置における水希釈ＬＬＣの流れについて説明する。図４に示すように、水希釈ＬＬＣは、放熱装置１０から導入本管４０に供給される。そして、水希釈ＬＬＣは、導入本管４０から、直接あるいは導入連通管４１を介して、十枚の冷却チューブ２各々の冷却通路２２に、導入される。ところで、ＭＧの駆動により、パワーモジュール９４０は発熱している。パワーモジュール９４０の熱は、冷却チューブ２の管壁を介して、冷却通路２２を流れる水希釈ＬＬＣに伝達される。パワーモジュール９４０の熱を受け昇温した水希釈ＬＬＣは、冷却通路２２から、直接あるいは導出連通管５１を介して、導出本管５０に流れ込む。導出本管５０にて合流した水希釈ＬＬＣは、放熱装置１０に導出される。放熱装置１０により再冷却された水希釈ＬＬＣは、再び導入本管４０に導入される。すなわち、水希釈ＬＬＣは、放熱装置１０→導入管４→冷却チューブ２（冷却通路２２）→導出管５→再び放熱装置１０という経路で、放熱装置１０と冷却装置１との間を循環している。そして、水希釈ＬＬＣは、パワーモジュール９４０の温度を、許容温度以下になるように保持している。
【００３０】
次に、本実施形態の冷却装置の冷却フィンの配列について説明する。図５に、同冷却装置の冷却チューブの拡大斜視図を示す。図６に、図５のＶＩ−ＶＩ断面図を示す。図７に、図５のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図を示す。なお、図５〜図７に示す「幅方向」とは、冷却通路２２の幅方向をいう。また、「長さ方向」とは、冷却通路２２の長さ方向をいう。
【００３１】
これらの図に示すように、冷却チューブ２は、二枚の断面Ｃ字状のプレート２３ａ、２３ｂが互いの開口を合わせて接合されることにより、形成されている。プレート２３ａの外面には、平面状の冷却面２４ａが配置されている。同様に、プレート２３ｂの外面には、平面状の冷却面２４ｂが配置されている。図６に点線で示すように、パワーモジュール９４０は、冷却面２４ａ、２４ｂに、面接触している。同じく図６に示すように、冷却通路２２には、冷却フィン群２５が配置されている。冷却フィン群２５は、一枚の波板により形成されている。冷却フィン群２５により、冷却通路２２は、冷却通路２２の幅方向に沿って、ジグザグに仕切られている。このため、冷却面２４ａ側から見て、冷却通路２２には、合計五つの冷却フィン２５０ａ（波板の山部分）が配置されていることになる。また、冷却面２４ｂ側から見て、冷却通路２２には、合計四つの冷却フィン２５０ｂが配置されていることになる。
【００３２】
図７に示すように、五つの冷却フィン２５０ａの全長は、冷却通路２２の幅方向端部から幅方向中央部に向かって、徐々に短くなるように設定されている。すなわち、冷却通路２２の幅方向両端部の二つの冷却フィン２５０ａの全長Ｌ３と、当該冷却フィン２５０ａに各々隣接する二つの冷却フィン２５０ａの全長Ｌ２と、冷却通路２２の幅方向中央部の一つの冷却フィン２５０ａの全長Ｌ１とは、Ｌ１＜Ｌ２＜Ｌ３の関係がある。全長Ｌ１の冷却フィン２５０ａは、本発明の最短フィンに含まれる。図５に実線ハッチングで示すように、冷却通路２２の幅方向中央部の一つの冷却フィン２５０ａの外側には、冷却面２４ａの幅方向中央部が、対向している。
【００３３】
前出図３に戻って、パワーモジュール９４０のうち、最も出力が大きいのは、ＩＧＢＴ９４０ａである。このため、図中点線ハッチングで示すように、ＩＧＢＴ９４０ａの略中央部分は、他の部分と比較して高温になる。ＩＧＢＴ９４０ａの外側には、絶縁板９４０ｅが配置されている。したがって、図中実線ハッチングで示すように、絶縁板９４０ｅ表面の略中央部分は、他の部分と比較して高温になる。すなわち、絶縁板９４０ｅ表面言い換えるとパワーモジュール９４０表面には、当該実線ハッチング部分を最高温度とする温度分布が形成されている。図３の実線ハッチング部分（つまり最高温度部分）は、図５の帯状の実線ハッチング部分（つまり冷却面の幅方向中央部）に、面接触している。
【００３４】
次に、本実施形態の冷却装置の作用効果について説明する。本実施形態の冷却装置１によると、五つの冷却フィン２５０ａの全長が、Ｌ１＜Ｌ２＜Ｌ３となるように、設定されている（図７参照）。このため、冷却通路２２の幅方向端部よりも幅方向中央部の方が、圧力損失が小さくなる。したがって、冷却通路２２の幅方向端部よりも幅方向中央部の方が、冷媒の流速が速くなる。すなわち、冷却面２４ａ、２４ｂの幅方向端部よりも幅方向中央部の方が、冷却効率が高くなる。ここで、冷却面２４ａの幅方向中央部（図５中、実線ハッチングで示す）には、パワーモジュール９４０表面の最高温度部分（図３中、実線ハッチングで示す）が、面接触している。したがって、本実施形態の冷却装置１によると、パワーモジュール９４０表面の最高温度部分を、冷却面２４ａ、２４ｂのうち最も冷却効率の高い部分で、優先的に冷却することができる。
【００３５】
＜第二実施形態＞
本実施形態と第一実施形態との相違点は、冷却フィンの配列のみである。したがって、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００３６】
図８に、本実施形態の冷却装置の冷却チューブの幅方向断面図を示す。なお、図６と対応する部位については、同じ符号で示す。図９に、同冷却チューブの図８のＩＸ方向から見た長さ方向断面図を示す。なお、図７と対応する部位については、同じ符号で示す。
【００３７】
これらの図に示すように、冷却通路２２の幅方向中央に配置された一対の冷却フィン２５０ｂの間には、リブ状の冷却フィン２５０ｂ’が配置されている（図９においては、点線で示す）。冷却フィン２５０ｂ’は、本発明の最短フィンに含まれる。並びに、冷却通路２２の幅方向中央に配置された単一の冷却フィン２５０ａの両側には、リブ状の冷却フィン２５０ａ’が一対配置されている。隣接する冷却フィン２５０ｂと冷却フィン２５０ｂ’との間隔Ｄ１と、隣接する冷却フィン２５０ｂ同士の間隔Ｄ２、Ｄ３とは、Ｄ１＜Ｄ２＝Ｄ３となるように、設定されている。
【００３８】
また、五つの冷却フィン２５０ｂ、２５０ｂ’の全長は、冷却通路２２の幅方向端部から幅方向中央部に向かって、徐々に短くなるように設定されている。すなわち、冷却通路２２の幅方向両端部の二つの冷却フィン２５０ｂの全長Ｌ３’と、当該冷却フィン２５０ｂに各々隣接する二つの冷却フィン２５０ｂの全長Ｌ２’と、冷却通路２２の幅方向中央部の一つの冷却フィン２５０ｂ’の全長Ｌ１’とは、Ｌ１’＜Ｌ２’＜Ｌ３’の関係がある。
【００３９】
本実施形態の冷却装置１と第一実施形態の冷却装置とは、同様の作用効果を有する。また、本実施形態の冷却装置１によると、隣接する冷却フィン同士の間隔が、冷却通路２２の幅方向中央部から幅方向両端部に向かって、Ｄ１＜Ｄ２＝Ｄ３となるように、設定されている。このため、冷却通路２２の幅方向中央部の方が幅方向両端部よりも、伝熱面積が大きい。したがって、冷却面２４ａ、２４ｂの幅方向端部よりも幅方向中央部の方が、より一層冷却効率が高くなる。
【００４０】
＜第三実施形態＞
本実施形態と第一実施形態との相違点は、冷却フィンの配列のみである。したがって、ここでは相違点についてのみ説明する。
【００４１】
図１０に、本実施形態の冷却装置の冷却チューブの幅方向断面図を示す。なお、図６と対応する部位については、同じ符号で示す。図に示すように、プレート２３ａ、２３ｂ間には、冷却通路２２を合計十二室に仕切る仕切り部材６が介装されている。仕切部材６により、冷却フィン群２５が形成されている。冷却フィン群２５は、冷却面２４ａ側に六つの冷却フィン２５０ａを備えている。並びに、冷却フィン群２５は、冷却面２４ｂ側に六つの冷却フィン２５０ｂを備えている。冷却フィン２５０ａ、２５０ｂは、互いに背中合わせに配置されている。
【００４２】
冷却通路２２の幅方向端部から幅方向中央部に向かって、隣り合う冷却フィン２５０ｂ同士、冷却フィン２５０ａ同士の間隔は、Ｄ３’＞Ｄ２’＞Ｄ１’となるように設定されている。間隔Ｄ１’の隙間（幅方向中央部の隙間）を区画する一対の冷却フィン２５０ａ、および一対の冷却フィン２５０ｂは、それぞれ本発明の最短フィンに含まれる。本実施形態の冷却装置１は、第二実施形態の冷却装置と同様の作用効果を有する。
【００４３】
＜その他＞
以上、本発明の冷却装置の実施の形態について説明した。しかしながら、実施の形態は上記形態に特に限定されるものではない。当業者が行いうる種々の変形的形態、改良的形態で実施することも可能である。
【００４４】
例えば、上記実施形態のパワーモジュール９４０は、いずれもＩＧＢＴとフライホイルダイオードとを備えている。しかしながら、半導体素子の種類は、これらＩＧＢＴ、フライホイルダイオードに特に限定するものではない。例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＧＴＯ（Ｇａｔｅ  Ｔｕｒｎ−ｏｆｆ  Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）などであってもよい。また、一つの半導体モジュールにおける半導体素子の配置数も特に限定するものではない。例えば、一つの半導体モジュールに一つのパワーＭＯＳを配置してもよい。
【００４５】
また、上記実施形態においては、冷却フィンの全長をＬ１＜Ｌ２＜Ｌ３（Ｌ１’＜Ｌ２’＜Ｌ３’）としたが、Ｌ１＝Ｌ２＜Ｌ３（Ｌ１’＝Ｌ２’＜Ｌ３’）としてもよい。この場合、全長Ｌ１、Ｌ２（Ｌ１’、Ｌ２’）の冷却フィンは、本発明の最短フィンに含まれる。あるいは、冷却フィンの全長を、Ｌ１＜Ｌ２＝Ｌ３（Ｌ１’＜Ｌ２’＝Ｌ３’）としてもよい。すなわち、冷却フィンの全長は、冷却通路２２の幅方向端部から幅方向中央部に向かって、「スロープ状」あるいは「ステップ状」に変化させることができる。
【００４６】
同様に、図８（Ｄ１＜Ｄ２＝Ｄ３）と図１０（Ｄ１’＜Ｄ２’＜Ｄ３’）とを対比すれば判るように、隣り合う冷却フィン間の間隔も、冷却通路２２の幅方向端部から幅方向中央部に向かって、「スロープ状」あるいは「ステップ状」に変化させることができる。
【００４７】
また、上記実施形態においては、冷却フィン群２５を、プレート２３ａ、２３ｂとは別の部材（例えば波板、仕切り部材６）により形成したが、冷却フィン群２５は、プレート２３ａ、２３ｂと一体に形成してもよい。こうすると、部品点数が少なくて済む。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第一実施形態の冷却装置の分解斜視図である。
【図２】同冷却装置の合体斜視図である。
【図３】同冷却装置により冷却されるパワーモジュールの分解斜視図である。
【図４】同冷却装置の断面図である。
【図５】同冷却装置の冷却チューブの拡大斜視図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ断面図である。
【図７】図５のＶＩＩ−ＶＩＩ断面図である。
【図８】第二実施形態の冷却装置の冷却チューブの幅方向断面図である。
【図９】図８のＩＸ方向から見た断面図である。
【図１０】第三実施形態の冷却装置の冷却チューブの幅方向断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１：冷却装置、２：冷却チューブ（冷却管）、２０：導入口、２１：導出口、２２：冷却通路、２３ａ：プレート、２３ｂ：プレート、２４ａ：冷却面、２４ｂ：冷却面、２５：冷却フィン群、２５０ａ：冷却フィン、２５０ａ’：冷却フィン、２５０ｂ：冷却フィン、２５０ｂ’：冷却フィン、４：導入管、４０：導入本管、４１：導入連通管、５：導出管、５０：導出本管、５１：導出連通管、６：仕切り部材、９４０：パワーモジュール、９４０ａ：ＩＧＢＴ（半導体素子）、９４０ｂ：フライホイルダイオード、９４０ｃ：電極端子、９４０ｄ：信号端子、９４０ｅ：絶縁板、９４０ｆ：樹脂モールド、１０：放熱装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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