(57)【要約】【課題】電子部品封止体内部へのガスの封入を防止して高真空状態で封止可能な電子部品封止体の製造方法を提供する。【解決手段】電子部品封止体の製造方法では、まず容器内に水晶振動子を収納し（ステップＳ１）、容器の開口周縁に蓋体を配置してこれを仮付けする（ステップＳ２）。その後、蓋体の外周の所定領域を除く領域に電子ビームを照射し、当該所定領域に未溶接部分を形成する（一次溶接工程ステップＳ３）。その後、パッケージを所定温度で加熱してアニールを行い（アニール工程ステップＳ４）、所定温度に冷却する（冷却工程ステップＳ５）。そして、未溶接部分にレーザビームを照射してパッケージの完全封止を行う（二次溶接工程ステップＳ６）。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有し当該開口を通じて内部の収容部に電子部品が収納される容器と、前記開口の周縁に接合されて前記容器の前記開口を覆う蓋体と、を有し、前記容器と前記蓋体との接合部に配設した封止材を溶融して封止される電子部品封止体の製造方法であって、
前記容器の前記収容部と外部との連通部が少なくとも一部に形成された未封止の前記電子部品封止体を加熱してアニール処理するアニール工程と、
前記アニール工程後の前記未封止の電子部品封止体を冷却する冷却工程と、
前記冷却工程後の前記未封止の電子部品封止体の前記連通部をビーム溶接して完全封止する連通部ビーム溶接工程と、
を含むことを特徴とする電子部品封止体の製造方法。
【請求項２】
前記アニール工程では、前記接合部の前記封止材の溶融温度より低く、かつ前記連通部ビーム溶接工程後の前記電子部品封止体の加工処理における処理温度以上の温度に前記未封止の電子部品封止体を加熱することを特徴とする請求項１に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項３】
前記冷却工程では、前記連通部ビーム溶接工程における前記未封止の電子部品封止体の温度が全体として前記アニール工程における前記未封止の電子部品封止体の温度以下となるよう前記未封止の電子部品封止体を冷却することを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項４】
前記アニール工程、前記冷却工程、および前記連通部ビーム溶接工程では、真空雰囲気中で各処理を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項５】
前記接合部の所定領域をビーム溶接して前記所定領域以外の前記接合部の領域に前記連通部である未溶接部分を形成する連通部形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項６】
前記容器が予め貫通孔を前記連通部として有し、前記貫通孔に貫通孔封止材を装填する貫通孔封止材装填工程を前記アニール工程の前または後にさらに含み、
前記連通部ビーム溶接工程では、前記貫通孔封止材にビームを照射し、溶融した前記貫通孔封止材によって前記貫通孔を充填封止することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項７】
前記容器が予め貫通孔を前記連通部として有し、前記貫通孔に貫通孔封止材を装填する貫通孔封止材装填工程を前記冷却工程の前または後にさらに含み、
前記連通部ビーム溶接工程では、前記貫通孔封止材にビームを照射し、溶融した前記貫通孔封止材によって前記貫通孔を充填封止することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項８】
前記貫通孔封止材がほぼ球状であることを特徴とする請求項６または７に記載の電子部品封止体の製造方法。
【請求項９】
開口を有し当該開口を通じて内部の収容部に電子部品が収納される容器と、前記開口の周縁に接合されて前記容器の前記開口を覆う蓋体と、を有し、前記容器と前記蓋体との接合部に配設した封止材を溶融して封止される電子部品封止体の製造装置であって、
前記容器の前記収容部と外部との連通部を少なくとも一部に有する未封止の前記電子部品封止体が供給され、前記未封止の電子部品封止体を加熱してアニール処理するアニール手段と、
前記アニール手段で処理された前記未封止の電子部品封止体を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段で冷却された前記未封止の電子部品封止体の前記連通部をビーム溶接して完全封止する連通部ビーム溶接手段と、
を備えたことを特徴とする電子部品封止体の製造装置。
【請求項１０】
前記アニール手段、前記冷却手段、および前記連通部ビーム溶接手段が、一つの真空加工室内に設けられたことを特徴とする請求項９に記載の電子部品封止体の製造装置。
【請求項１１】
複数の前記未封止の電子部品封止体を搭載した保持手段が、前記アニール手段、前記冷却手段、および前記連通部ビーム溶接手段に順次供給されることを特徴とする請求項９または１０に記載の電子部品封止体の製造装置。
【請求項１２】
前記アニール手段は、前記未封止の電子部品封止体の表面および前記保持手段の表面の少なくとも一方に直接接触する加熱部材を有し、
前記冷却手段は、前記未封止の電子部品封止体の表面および前記保持手段の表面の少なくとも一方に直接接触する冷却部材を有することを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造装置。
【請求項１３】
前記アニール手段は、前記保持手段に搭載された複数の前記未封止の電子部品封止体の各々を押圧して前記加熱部材に当接させる押圧部材をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の電子部品封止体の製造装置。
【請求項１４】
前記冷却手段は、前記保持手段に搭載された複数の前記未封止の電子部品封止体の各々を押圧して前記冷却部材に当接させる押圧部材をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の電子部品封止体の製造装置。
【請求項１５】
前記真空加工室は、前記保持手段が表面に配置され自転に伴って前記保持手段を前記アニール手段、前記冷却手段、および前記連通部ビーム溶接手段に順次供給する回転搬送手段を備えたことを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造装置。
【請求項１６】
前記真空加工室に連通する搬送路をさらに備え、
装置外部から搬入され前記搬送路を移動して前記真空加工室の前記回転搬送手段に配置された前記保持手段が、前記アニール手段、前記冷却手段、および前記連通部ビーム溶接手段に順次供給された後、再び前記搬送路を搬入時とは逆向きに移動して装置外部に搬出されることを特徴とする請求項１１〜１５のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造装置。
【請求項１７】
前記真空加工室に連通する真空予備室をさらに備えたことを特徴とする請求項９〜１６のいずれか一つに記載の電子部品封止体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、容器内に水晶振動子、圧電振動子や圧電発振器等の圧電素子、ＩＣチップ等の電子部品を収納した後に容器を蓋体で気密封止して構成される電子部品封止体の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品封止体は、水晶振動子等の電子部品が、例えば、セラミックス等からなる容器とこの容器の開口部を封止する蓋体とから構成されたパッケージの内部に気密状態で収納されて構成される。
【０００３】
電子部品封止体の封止方法としては、従来はシーム溶接が行われていたが、シーム溶接はコストが高く、また、この方法を適用しようとすると、電子部品封止体を十分に小型化することが困難である。また、真空中で容器を加熱して封止材を溶融することにより容器に蓋体を溶接する真空炉溶接機もあるが、これはコストおよび生産性が優れている一方で、封止材の外周部全周にわたって一度に溶接を行うため、溶接時に封止材から発生するアウトガスがパッケージ内部に閉じ込められ真空度が悪化する問題がある。このことから、シーム溶接等の方法に代わって、電子ビームやレーザビーム等を用いたビーム溶接による封止が行われている。
【０００４】
このようなビームによる溶接では、容器と容器開口部を封止するよう容器上面に配置された蓋体との間に、金属ろう材等の封止材を配設する。そして、例えば蓋体側からビームを照射して封止材を溶融させる。それにより、容器と蓋体とが封止材により溶接されて、電子部品が収納された電子部品封止体が封止される。
【０００５】
ところで、セラミックス等からなる電子部品封止体の容器では、容器表面等に大気中の不純物（揮発成分）や水分等が付着しており、これらの不純物は、封止工程において容器にビームが照射されて加熱された際に揮発する。そして、この揮発によるガスが電子部品封止体内に封入されると、電子部品封止体内部の真空度を悪化させて電子部品の特性を劣化させるおそれがある。例えば、水晶振動子を収納して構成された電子部品封止体では、溶接時に発生した揮発成分により、水晶振動子の等価直列抵抗値（ＣＩ値）が大きくなり、その結果、水晶振動子の発振特性が低下する。
【０００６】
そこで、このような容器表面等に付着した揮発成分を除去する方法として、封止工程の前に、予め、容器、封止材、および蓋体の各部材を予備加熱する方法、すなわち予備加熱工程を設ける方法がある（例えば、特許文献１参照。）。このような予備加熱工程を設けることにより、封止工程の前に予め容器や封止材や蓋体等の部材を加熱して揮発成分を揮発させ除去し、封止工程における揮発成分の揮発を抑制することが可能となる。以下においては、このような真空雰囲気中での加熱による揮発成分の除去を、アニール処理と呼ぶ。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２２３６０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のようなアニール処理により電子部品封止体の各構成部材に付着している揮発成分の除去を行っても、揮発させることが可能な揮発成分の種類や揮発量等はアニール処理の加熱温度に応じて決まるため、揮発成分の十分な除去を行うことは困難であり電子部品封止体には除去されずに残留した揮発成分が存在する。そして、この残留揮発成分が、予備加熱工程後の工程（例えば、封止工程）において高温加熱された際に揮発し、電子部品封止体のパッケージ内にガスとして封入される。その結果、アニール処理を行ったにもかかわらず、アニール処理で除去されなかった残留揮発成分により、電子部品封止体の特性劣化が引き起こされる。
【０００９】
本発明は、上記の従来技術における問題点を解消するために、電子部品封止体内部へのガスの封入を防止して高真空状態で封止可能な電子部品封止体の製造方法および製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、開口を有し当該開口を通じて内部の収容部に電子部品が収納される容器と、前記開口の周縁に接合されて前記容器の前記開口を覆う蓋体と、を有し、前記容器と前記蓋体との接合部に配設した封止材を溶融して封止される電子部品封止体の製造方法であって、前記容器の前記収容部と外部との連通部が少なくとも一部に形成された未封止の前記電子部品封止体を加熱してアニール処理するアニール工程と、前記アニール工程後の前記未封止の電子部品封止体を冷却する冷却工程と、前記冷却工程後の前記未封止の電子部品封止体の前記連通部をビーム溶接して完全封止する連通部ビーム溶接工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
かかる構成によれば、連通部ビーム溶接工程の前に予め冷却工程を設けているため、連通部ビーム溶接工程において電子部品封止体がアニール工程における加熱温度より高くなるのを抑制することが可能となる。それゆえ、アニール工程において除去されなかった揮発成分が連通部ビーム溶接工程において揮発するのを抑制することが可能となり、当該揮発成分由来のガスが電子部品封止体の内部に封入されるのを防止することが可能となる。したがって、内部に収容された電子部品が封入ガスによって特性劣化や信頼性の劣化を生じるのを防止することが可能となる。
【００１２】
また、請求項２の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１に記載の発明において、前記アニール工程では、前記接合部の前記封止材の溶融温度より低く、かつ前記連通部ビーム溶接工程後の前記電子部品封止体の加工処理における処理温度以上の温度に前記未封止の電子部品封止体を加熱することを特徴とする。
【００１３】
かかる構成によれば、アニール工程において連通部の封止材が溶融するのを防止することが可能となるとともに、連通部ビーム溶接工程後の加工処理、例えば、電子部品封止体をプリント配線基板等に実装するリフロー工程における処理等、において、アニール工程で除去されなかった揮発成分が揮発するのを抑制することが可能となり、よって、電子部品封止体内において当該揮発成分由来のガスが発生するのを防止することが可能となる。
【００１４】
また、請求項３の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１または２に記載の発明において、前記冷却工程では、前記連通部ビーム溶接工程における前記未封止の電子部品封止体の温度が全体として前記アニール工程における前記未封止の電子部品封止体の温度以下となるよう前記未封止の電子部品封止体を冷却することを特徴とする。
【００１５】
かかる構成によれば、連通部ビーム溶接工程において電子部品封止体がアニール工程における加熱温度より高くなるのをより効果的に抑制することが可能となる。それゆえ、アニール工程において除去されなかった揮発成分が連通部溶接工程において揮発するのをより有効に抑制することが可能となる。
【００１６】
また、請求項４の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜３のいずれか一つに記載の発明において、前記アニール工程、前記冷却工程、および前記連通部ビーム溶接工程では、真空雰囲気中で各処理を行うことを特徴とする。
【００１７】
かかる構成によれば、電子部品封止体の内部に存在するガスを外部に促進して排出することが可能となり、電子部品封止体の内部を高真空に保持することが可能となる。また、真空雰囲気中では、アニール工程により加熱された未封止の電子部品封止体の温度が放冷によりほとんど下がらないので、アニール工程の後に連通部ビーム溶接工程を直接実施すると、連通部ビーム溶接工程において電子部品封止体がアニール処理温度よりも高温となる。したがって、冷却工程を設けて未封止の電子部品封止体の温度を一旦下げる本発明の方法は有効な効果を奏する。
【００１８】
また、請求項５の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記接合部の所定領域をビーム溶接して前記所定領域以外の前記接合部の領域に前記連通部である未溶接部分を形成する連通部形成工程をさらに含むことを特徴とする。
【００１９】
かかる構成によれば、未溶接部分を通じて、連通部形成工程において発生するガスやアニール工程において発生するガスを外部に排出することが可能となる。したがって、電子部品封止体内の真空度をより高めることが可能となる。
【００２０】
また、請求項６の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記容器が予め貫通孔を前記連通部として有し、前記貫通孔に貫通孔封止材を装填する貫通孔封止材装填工程を前記アニール工程の前または後にさらに含み、前記連通部ビーム溶接工程では、前記貫通孔封止材にビームを照射し、溶融した前記貫通孔封止材によって前記貫通孔を充填封止することを特徴とする。
【００２１】
また、請求項７の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項１〜４のいずれか一つに記載の発明において、前記容器が予め貫通孔を前記連通部として有し、前記貫通孔に貫通孔封止材を装填する貫通孔封止材装填工程を前記冷却工程の前または後にさらに含み、前記連通部ビーム溶接工程では、前記貫通孔封止材にビームを照射し、溶融した前記貫通孔封止材によって前記貫通孔を充填封止することを特徴とする。
【００２２】
また、請求項８の発明にかかる電子部品封止体の製造方法は、請求項６または７に記載の発明において、前記貫通孔封止材がほぼ球状であることを特徴とする。
【００２３】
かかる構成によれば、容器の貫通孔を通じて、アニール工程において発生するガス等を排出することが可能となる。したがって、電子部品封止体内の真空度をより高めることが可能となる。
【００２４】
また、請求項９の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、開口を有し当該開口を通じて内部の収容部に電子部品が収納される容器と、前記開口の周縁に接合されて前記容器の前記開口を覆う蓋体と、を有し、前記容器と前記蓋体との接合部に配設した封止材を溶融して封止される電子部品封止体の製造装置において、前記容器の前記収容部と外部との連通部を少なくとも一部に有する未封止の前記電子部品封止体が供給され、前記未封止の電子部品封止体を加熱してアニール処理するアニール手段と、前記アニール手段で処理された前記未封止の電子部品封止体を冷却する冷却手段と、前記冷却手段で冷却された前記未封止の電子部品封止体の前記連通部をビーム溶接して完全封止する連通部ビーム溶接手段と、を備えたことを特徴とする。
【００２５】
かかる構成によれば、予め冷却手段により冷却された未封止の電子部品封止体を連通部ビーム溶接手段で処理することが可能となり、よって、連通部ビーム溶接手段による処理において、電子部品封止体がアニール手段による加熱温度よりも高くなるのを抑制することが可能となる。それゆえ、アニール手段による処理では除去されなかった揮発成分が連通部ビーム溶接手段による処理において揮発するのを抑制することが可能となり、当該揮発成分由来のガスが電子部品封止体の内部に封入されるのを防止することが可能となる。したがって、内部に収容された電子部品が封入ガスによって特性劣化や信頼性の劣化を生じるのを防止することが可能となる。
【００２６】
また、請求項１０の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項９に記載の発明において、前記アニール手段、前記冷却手段および前記連通部ビーム溶接手段が、一つの真空加工室内に設けられたことを特徴とする。
【００２７】
かかる構成では、真空加工室の内部を真空に保持した状態で、アニール手段、冷却手段および連通部ビーム溶接手段による各処理を実施することが可能となる。したがって、電子部品封止体の内部に存在するガスを真空加工室に促進して排出することが可能となり、電子部品封止体の内部を高真空に保持することが可能となる。
【００２８】
また、請求項１１の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項９または１０に記載の発明において、複数の前記未封止の電子部品封止体を搭載した保持手段が、前記アニール手段、前記冷却手段および前記連通部ビーム溶接手段に順次供給されることを特徴とする。
【００２９】
かかる構成によれば、アニール手段、冷却手段および連通部ビーム溶接手段において、複数の未封止の電子部品封止体に効率よく各処理を実施することが可能となる。したがって、電子部品封止体を良好な製造効率で製造することが可能となる。
【００３０】
また、請求項１２の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項９〜１１のいずれか一つに記載の発明において、前記アニール手段は、前記未封止の電子部品封止体の表面および前記保持手段の表面の少なくとも一方に直接接触する加熱部材を有し、前記冷却手段は、前記未封止の電子部品封止体の表面および前記保持手段の表面の少なくとも一方に直接接触する冷却部材を有することを特徴とする。
【００３１】
かかる構成によれば、加熱部材と冷却部材とが未封止の電子部品封止体の表面および保持部材の表面の少なくとも一方に直接接触して加熱および冷却が行われるため、真空加工室が真空に保持された状態であっても、アニール手段による加熱と冷却手段による冷却とを効率よく行うことが可能となる。
【００３２】
また、請求項１３の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項１２に記載の発明において、前記アニール手段は、前記保持手段に搭載された複数の前記未封止の電子部品封止体の各々を押圧して前記加熱部材に当接させる押圧部材をさらに有することを特徴とする。
【００３３】
また、請求項１４の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項１２に記載の発明において、前記冷却手段は、前記保持手段に搭載された複数の前記未封止の電子部品封止体の各々を押圧して前記冷却部材に当接させる押圧部材をさらに有することを特徴とする。
【００３４】
これらの構成によれば、押圧部材によって、保持手段に搭載された複数の未封止の電子部品封止体の各々を確実に加熱部材または冷却部材に当接させることが可能となる。ここで、真空加工室が真空に保持された状態では、未封止の電子部品封止体が加熱部材または冷却部材に当接するか否かによって、加熱状態または冷却状態が大きな影響を受ける。したがって、確実に当接させる構成を実現することにより、アニール手段による加熱と冷却手段による冷却とをより効率よく行うことが可能となる。
【００３５】
特に、かかる構成では、保持手段に搭載された複数の未封止の電子部品封止体の間において厚みにばらつきが存在しても、全ての電子部品封止体を、確実に加熱部材または冷却部材に当接させることが可能となる。したがって、複数の未封止の電子部品封止体の間における加熱状態または冷却状態のばらつきを抑制することが可能となり、均一に加熱または冷却を行うことが可能となる。
【００３６】
また、請求項１５の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項１１〜１４のいずれか一つに記載の発明において、前記保持手段が表面に配置され自転に伴って前記保持手段を前記アニール手段、前記冷却手段および前記連通部ビーム溶接手段に順次供給する回転搬送手段を備えたことを特徴とする。
【００３７】
また、請求項１６の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項１１〜１５のいずれか一つに記載の発明において、前記真空加工室に連通する搬送路をさらに備え、装置外部から搬入され前記搬送路を移動して前記真空加工室の前記回転搬送手段に配置された前記保持手段が、前記アニール手段、前記冷却手段および前記連通部ビーム溶接手段に順次供給された後、再び前記搬送経路を搬入時とは逆向きに移動して装置外部に搬出されることを特徴とする。
【００３８】
これらの構成によれば、装置の小型化が図られる。また、搬入時と搬出時に同一の搬送路を用いることが可能となるので、装置を構成する部品点数を減らすことが可能となるため、コストの低減化が図られる。
【００３９】
また、請求項１７の発明にかかる電子部品封止体の製造装置は、請求項９〜１６のいずれか一つに記載の発明において、前記真空加工室に連通する真空予備室をさらに備えたことを特徴とする。
【００４０】
かかる構成によれば、電子部品封止体の搬入時および搬出時において、真空予備室を用いて予め真空状態を実現してから真空加工室に電子部品封止体の搬入および搬出を行うことが可能となる。よって、真空加工室の真空状態を保持することが可能となる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明にかかる電子部品封止体の製造方法および製造装置によれば、電子部品封止体のパッケージを構成する容器、封止材および蓋体等に付着した揮発成分が揮発して生じたガスがパッケージ内に封入されることを抑制することが可能となる。さらに、封止材溶融時に発生する、封止材中に含まれる揮発成分を、効率よく外部に排出することが可能となる。よって、電子部品封止体のパッケージ内部の真空度を向上させることが可能となり、その結果、パッケージ内部に収納された電子部品の特性や信頼性等の劣化が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかる電子部品封止体の製造方法および製造装置の好適な実施の形態を詳細に説明する。ここでは、電子部品封止体として、容器内に電子部品たる水晶振動子デバイスが収納されて封止された水晶振動子封止体について例示し、特に、水晶振動子が表面実装されるものについて説明する。また、以下においては、水晶振動子封止体を、単にパッケージと呼ぶ。
【００４３】
１．パッケージの製造方法
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかるパッケージの製造方法の概要を示すフローチャートである。また、図２は、かかる製造方法により製造されるパッケージの構成を示す模式的な断面図である。また、図３は、図１の製造方法の一次溶接工程（図１のステップＳ３）におけるビーム照射方法を示す模式的な平面図である。また、図４は、図１の製造方法の二次溶接工程（図１のステップＳ６）におけるビーム照射方法を示す模式的な平面図である。図３および図４では、ビーム照射軌跡を模式的に実線で示している。
【００４４】
図１に示す本実施の形態のパッケージの製造方法では、まず、図２に示すように、容器２内に水晶振動子１を収納する（図１のステップＳ１）。容器２は、底壁と、底壁の外周に沿って配置された側壁とから構成され、上部が開口し内部に収容部が形成された矩形の箱形形状を有している。容器２の構成材料としては、セラミックス、金属、樹脂等が挙げられるが、ここでは、容器２がセラミックスから構成されている。また、容器２の寸法は、ここでは、長辺が４．１ｍｍ、短辺が１．５ｍｍおよび、高さが０．８ｍｍ以下である。容器２の底面には支持台５が配設されており、接合材６を介して、支持台５に、水晶振動子１たる水晶片を容器２の底面と平行に配設される。それにより、容器２内に水晶振動子１が収納された構成が実現される。
【００４５】
ここでは、水晶振動子１として、Ｕ字形状を有する音叉型水晶振動子を用いている。音叉型の水晶振動子１の開口端の配置方向は任意である。この場合、Ｕ字の立ち上がり部が容器２の長辺に沿うように配置されている。
【００４６】
上記のようにして容器２内に水晶振動子１を配置して収納した後、図２に示すように、容器２の開口を封止するように、蓋体３を、封止材４を介して容器２の側壁上面に配置する。そして、蓋体３側から蓋体３の二つの短辺中央部に抵抗溶接機のローラ電極（図示せず）を押圧し、それにより、短辺中央部二箇所において、蓋体３を容器２に抵抗溶接して仮付け（仮溶接）する（図１のステップＳ２）。なお、ここでは蓋体３の短辺中央部を仮付けしているが、これ以外の部分を押圧して仮付けしてもよい。
【００４７】
図２に示すように、蓋体３は、平面視において外周が容器２の外周とほぼ一致する形状を有する。蓋体３は金属から構成されており、ここでは、鉄系合金から構成されている。封止材４は、容器２の側壁上面、すなわち容器２の開口の周縁に配設され、容器２と蓋体３との間に介在する。詳細は後述するが、封止材４は、金属ろうから構成される。
【００４８】
ここで、図２には示していないが、容器２の側壁上面にはタングステンからなるメタライズ層が設けられており、このメタライズ層上に、さらに、ニッケルメッキ、金メッキからなるメッキ層が設けられている。そして封止材４は、このメッキ層上に設けられている。このように予め容器２の側壁上面に封止材４を配設することにより、後述の一次溶接工程（図１のステップＳ３）において、従来のビーム照射の場合のように容器２上に配設した蓋体３を治具で押さえる必要がなくなる。なお、ここでは封止材４を容器２の側壁上面に予め配設しているが、封止材４を予め蓋体３側に設けてもよい。
【００４９】
このようにして蓋体３を容器２に仮付けした後、図３に示すように、蓋体３側から蓋体３の周縁に沿って所定方向に電子ビーム１０を走査してビーム照射を行う。それにより、当該照射部分の封止材４を溶融させて蓋体３と容器２とを溶接するとともに、電子ビーム１０を照射しなかった部分に、幅Ｗの未溶接部分１５を形成する（図１の一次溶接工程ステップＳ３）。
【００５０】
未溶接部分１５は、水晶振動子１が収納された容器２の内部の空間（すなわち収容部）と容器２の外部とを連通させる連通部に相当する。したがって、ここでは、一次溶接工程ステップＳ３が連通部形成工程に相当する。
【００５１】
かかる未溶接部分１５を形成することにより、一次溶接工程ステップＳ３における電子ビーム１０の照射に伴って発生したガス、具体的には、封止材４中に含まれる揮発成分が揮発して生じるガスや、容器２、蓋体３および封止材４に付着した揮発成分（例えば大気中の水分）が揮発して生じるガス等を、未溶接部分１５に形成された開口を介してパッケージ２０の内部から外部に排出することが可能となる。
【００５２】
ここで、図１の一次溶接工程ステップＳ３における図３のような電子ビーム１０の照射は、例えば、通常の電子ビーム加工装置を用いて行う。電子ビーム加工装置の詳細についてはここでは説明を省略するが、電子ビーム加工装置は、少なくとも、図３の電子ビーム１０を発生させる電子銃と、加工対象物（ここでは図３のパッケージ２０に相当）が内部に配置されるとともに発生した電子ビーム１０がこの加工対象物に照射されて溶接が行われる加工室と、電子ビーム１０の進路を制御する偏向器とを備える。
【００５３】
電子銃で発生した図３の電子ビーム１０は、偏向器により偏向されて加工室に導入され、さらに、図３に示すように、加工対象物であるパッケージ２０に蓋体３側からその周縁に沿って所望のビーム軌跡を描いて照射されるべく、偏向器により進路が制御される。このような電子ビーム加工装置による加工では、装置内が真空状態に保持される。また、偏向器は、磁界により電子ビームを偏向させるものであり、例えば、コイル等から構成されている。
【００５４】
図１に示すように、上記一次溶接工程ステップＳ３の後、図２のパッケージ２０の全体を所定時間所定温度で加熱して脱ガスし、アニール処理を行う（アニール工程ステップＳ４）。それにより、パッケージ２０の構成部材である容器２、蓋体３および封止材４等に付着していた揮発成分（例えば、これらの表面に付着した大気中の水分等）を揮発させ、当該揮発成分由来のガスをパッケージ２０の外部に排出して除去することが可能となる。このようなアニール工程ステップＳ４は、加工室を真空状態にして行われるため、パッケージ２０の内部から加工室へのガスの排出が自然に促進される。したがって、効率よくガスを外部に排出してパッケージ２０内部を高真空状態とすることが可能となる。
【００５５】
ここで、図１のアニール工程ステップＳ４における図２のパッケージ２０の加熱温度（すなわち前記所定温度）は、後述する図１の二次溶接工程ステップＳ６におけるパッケージ２０の加熱温度（ここでは後述するように図２の封止材４の融点）よりも低温とし、かつ図１の製造方法により製造されたパッケージ２０のその後の加工処理工程における処理温度、例えばリフロー工程における処理温度以上の温度とする。
【００５６】
このような加熱温度の設定により、アニール工程ステップＳ４において未溶接部分１５の封止材４が溶融して当該部分の封止が行われるのを防止することが可能となる。よって、アニール工程ステップＳ４において生じた揮発成分由来のガスを図３の未溶接部分１５を介してパッケージ２０の外部に排出することができ、このガスがパッケージ２０の内部に残留するのを抑制することが可能となる。
【００５７】
また、このような加熱温度の設定により、パッケージ２０のリフロー工程（図示せず）における加熱温度がアニール工程ステップＳ４の加熱温度よりも低温となるため、リフロー工程においてアニール工程ステップＳ４で除去されなかった残留揮発成分が揮発するのを抑制することが可能となる。
【００５８】
なお、リフロー工程は、図１の一連の処理工程Ｓ１〜Ｓ６を経て完成した図２のパッケージ２０を、ろう材や半田等で構成される接合材を介してプリント配線基板等の基板に取り付けるパッケージ２０の表面実装工程のことである。リフロー工程では、パッケージ２０をこの接合材の融点まで加熱する。
【００５９】
上記のアニール工程ステップＳ４の後、図１に示すように、所定温度まで図２のパッケージ２０を冷却する（冷却工程ステップＳ５）。かかる冷却工程ステップＳ５では、真空状態でパッケージ２０の冷却を行う。ここでは、後述の図１の二次溶接工程ステップＳ６におけるパッケージ２０の温度が図１のアニール工程ステップＳ４におけるパッケージ２０の温度以下となるように、冷却温度が設定される。それにより、以下で詳細を説明するように、前述の図１のアニール工程ステップＳ４で除去されなかった残留揮発成分が二次溶接工程ステップＳ６において揮発するのを抑制することが可能となる。
【００６０】
図４に示すように、上記の図１の冷却工程Ｓ４の後、パッケージ２０の未溶接部分１５にレーザビーム４０を照射して当該部分の封止材４を溶融させ、パッケージ２０の完全封止、すなわち二次溶接を行う（図１のステップＳ６）。このように、二次溶接工程ステップＳ６では、パッケージ２０の内部（すなわち図２に示す容器２の水晶振動子１の収容部）と外部とを連通させる未溶接部分１５が溶接されることから、二次溶接工程ステップＳ６が連通部ビーム溶接工程に相当する。このような二次溶接工程ステップＳ６は、真空状態において実施される。
【００６１】
二次溶接工程ステップＳ６では、実際の未溶接部分１５の幅Ｗが小さくレーザビーム４０のビーム径とほぼ同程度小さいので、レーザビーム４０を走査しないでスポット状に照射することができる。このように、二次溶接工程ステップＳ６では、一次溶接工程ステップＳ３よりも溶接領域が狭いので、溶接に伴う封止材４等由来のガスの発生量が少なく、よって、最終的にパッケージ２０の内部に封入されるガスの量を低減することが可能となる。
【００６２】
また、二次溶接工程ステップＳ６では、レーザビーム４０の照射によってパッケージ２０が加熱されるが、アニール工程ステップＳ４（図１参照）で前述したように、ここでは二次溶接工程ステップＳ６の前に予め冷却工程ステップＳ５においてパッケージ２０を冷却しているため、レーザビーム４０の照射によってパッケージ２０の温度が上昇しても、当該パッケージ２０の全体の温度は、アニール工程ステップＳ４における加熱温度以下に保持が可能である。
【００６３】
詳細に説明すると、レーザビーム４０の照射では、図４に示すように、レーザビーム４０が直接照射される未溶接部分１５が他の部分に比べて局部的に高温となり、封止材４の融点まで未溶接部分１５は加熱される。したがって、図１の二次溶接工程ステップＳ６では、未溶接部分１５が図１のアニール工程ステップＳ４における加熱温度よりも高温となり、この部分およびその近傍領域の容器２、蓋体３、封止材４等に付着していたアニール工程ステップＳ４後の残留揮発成分が、二次溶接工程ステップＳ６において揮発する。一方、レーザビーム４０が直接照射されないパッケージ２０の部分では、未溶接部分１５のように封止材４の融点まで温度が上昇せず、アニール工程ステップＳ４における加熱温度以下の温度に保持される。よって、ここでは、残留揮発成分の揮発が抑制される。
【００６４】
ところで、前述のように、パッケージ２０におけるレーザビーム４０の照射部分はスポット溶接可能な程小さいので、局部的に高温となる未溶接部分１５およびその近傍領域がパッケージ２０の全体に与える温度の影響は小さい。よって、パッケージ２０全体から見れば、図１の二次溶接工程ステップＳ６におけるパッケージ２０の温度は、図１のアニール工程ステップＳ４におけるパッケージ２０の温度以下であるとみなすことができる。
【００６５】
したがって、二次溶接工程ステップＳ６では、レーザビーム４０が照射される未溶接部分１５およびその近傍領域において残留揮発成分の揮発が生じるものの、パッケージ２０全体では、アニール工程ステップＳ４で除去されなかった残留揮発成分の揮発を効果的に抑制しつつ完全封止を行うことが可能となり、それゆえ、この残留揮発成分由来のガスがパッケージ２０の内部に封入されるのを防止することが可能となる。
【００６６】
図１では図示を省略しているが、図１に示す製造方法により完成した図２のパッケージ２０は、さらにベーキング工程および放置冷却工程を順次経て、各工程でそれぞれ処理される。そして、このようにして完成したパッケージ２０は、プリント配線基板等の基板に表面実装される。前述のように、ここでは、このようなパッケージ２０の表面実装工程をリフロー工程と呼ぶ。リフロー工程では、例えば、パッケージ２０を金属ろう材や半田等の接合材を介してプリント配線板に配置し、このプリント配線基板を、パッケージ２０毎所定時間所定温度で加熱する。それにより、溶融した接合材によって、パッケージ２０がプリント配線基板に接合されて表面実装される。
【００６７】
ところで、図１のアニール工程ステップＳ４において前述したように、ここでは、アニール工程ステップＳ４におけるパッケージ２０の加熱温度をリフロー工程におけるパッケージ２０の加熱温度（すなわち、接合材の融点）以上に設定しているため、リフロー工程におけるパッケージ２０の加熱では、リフロー工程における加熱温度で揮発するパッケージ２０の揮発成分が既にアニール工程ステップＳ４において除去されており、よって、ここでは揮発しない。
【００６８】
また、アニール工程ステップＳ４において除去されなかったパッケージ２０の残留揮発成分は、リフロー工程の加熱温度がアニール工程ステップＳ４の加熱温度よりも低いことから、ここでは揮発しない。以上のことから、リフロー工程では、表面実装のためにパッケージ２０を加熱しても、パッケージ２０の揮発成分が揮発してガスを生じることを抑制することが可能となる。
【００６９】
次に、本実施の形態における図１のアニール工程ステップＳ４および冷却工程ステップＳ５の具体的な温度設定例を説明する。まず、アニール工程ステップＳ４のパッケージ２０（図２参照）の加熱温度の設定について説明する。前述のように、アニール工程ステップＳ４におけるパッケージ２０の加熱温度は、封止材４（図２参照）およびリフロー工程で用いる接合材（以下、単に接合材と呼ぶ）の融点に応じて設定されるものであり、よって、封止材４および接合材の種類に応じて適宜設定される。
【００７０】
封止材４および接合材には、共晶組成のろう材料や半田材料、あるいは低融点ガラス等が用いられる。ここでは、融点によってろう材料と半田材料とを区別しており、ろう材料は４５０℃以上で溶融する材料であり、半田材料は４５０℃未満で溶融する材料である。
【００７１】
ろう材料として、例えば、Ａｇ−Ｃｕ合金で構成される銀ろう、Ａｌ−Ｓｉ合金で構成されるアルミニウムろう、Ｎｉ−Ｃｒ合金で構成されるニッケルろう、Ａｕ−Ｃｕ合金やＡｕ−Ｎｉ合金で構成される金ろう、Ｐｄ−Ａｇ合金やＰｄ−Ｎｉ合金で構成されるパラジウムろう等の金属ろうが用いられる。
【００７２】
また、半田材料として、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ合金で構成される錫−鉛半田、Ａｌ−Ｓｉ合金で構成されるアルミニウム半田、Ａｕ−Ｓｉ合金やＡｕ−Ｓｎ合金で構成される金半田、Ｃｄ−Ｚｎ合金で構成されるカドミウム半田等の金属半田が用いられる。また、低融点ガラスは、具体的に、３００〜７００℃で溶融・軟化するガラスであって、例えば、ＰｂＯとＢ2Ｏ3とを主成分として含む無機低融点ガラスや、無機物と有機物とを含むハイブリッド低融点ガラス等が用いられる。
【００７３】
例えば、図２のパッケージ２０では、Ａｕ−Ｓｎ合金で構成された金半田を封止材４として用いており、また、Ｓｎ−Ｐｂ共晶半田を接合材として用いている。この場合には、封止材４を構成する金半田の融点が２８０℃であり、かつ、接合材を構成するＳｎ−Ｐｂ共晶半田の融点が１８０〜１９０℃程度であることから、アニール工程ステップＳ４における加熱温度が２４０〜２８０℃に設定される。具体的に、ここでは、アニール工程ステップＳ４においてパッケージ２０を２８０℃で９０秒間加熱している。
【００７４】
なお、例えば、封止材４が高融点材料である銀ろう（融点７８０℃）で構成される場合は、アニール工程ステップＳ４におけるパッケージ２０の加熱温度をより高温とすることが可能であるが、パッケージ２０を５００℃以上の高温で加熱すると、パッケージ２０の内部に収納された水晶振動子１に特性劣化が生じる。したがって、アニール工程ステップＳ４における加熱温度の上限は、封止材４の融点にかかわらず５００℃より低くすることが好ましい。
【００７５】
一方、図１の冷却工程ステップＳ５における図２のパッケージ２０の冷却温度の設定については、上記のようにアニール工程ステップＳ４で所定温度（例えば２８０℃）に加熱したパッケージ２０の全体が、図１の二次溶接工程ステップＳ６において当該所定温度よりも高温にならないことを要件に設定される。すなわち、冷却工程ステップＳ５におけるパッケージ２０の冷却温度は、アニール工程ステップＳ４および二次溶接工程ステップＳ６におけるにパッケージ２０の温度によって相対的に決まる。
【００７６】
例えば、二次溶接工程ステップＳ６におけるパッケージ２０の全体的な温度が２８０℃より高くなると、ここではアニール処理が２８０℃で行われることから、二次溶接工程ステップＳ６においてアニール工程ステップＳ４で除去されなかったパッケージ２０の残留揮発成分が揮発し、当該揮発成分由来のガスがパッケージ２０内部に封入される。そこで、ここでは、二次溶接工程ステップＳ６におけるパッケージ２０の温度が２８０℃以下となるよう、冷却工程ステップＳ５における冷却温度を設定する。ここでは、冷却工程ステップＳ５において、パッケージ２０の温度が１００℃未満、例えば、２２〜２５℃となるまで冷却を行っている。
【００７７】
図５は、本実施の形態のパッケージ製造方法における各工程でのパッケージの温度変化を示す図である。なお、ここでのパッケージ２０（図２参照）の温度とは、パッケージ２０全体の平均温度のことである。
【００７８】
図５に示すように、仮溶接工程（すなわち図１のステップＳ２の仮付けに相当）では、短時間の抵抗溶接によって仮溶接が行われるので、パッケージ２０（図２参照）は、常温より少し高い温度まで上昇した後、すぐに常温に戻る。また、一次溶接工程ステップＳ３（図１参照）では、図３に示すように電子ビーム１０によって容器２と蓋体３との大部分を溶接するので、パッケージ２０のうち電子ビーム１０の照射部分およびその近傍領域が局所的に高温となるが、パッケージ２０全体の平均温度は、リフロー工程で用いる接合材の融点を少し超す程度の温度上昇となる。そして、このように温度が上昇したパッケージ２０は、その後再び常温に戻る。
【００７９】
アニール工程ステップＳ４（図１参照）では、前述の温度設定にしたがって、リフロー工程で用いる接合材の融点以上の温度までパッケージ２０の温度が上昇する。その後、パッケージ２０は、冷却工程ステップＳ５（図１参照）において、前述の温度設定にしたがって冷却される。そして、冷却されたパッケージ２０は、さらに二次溶接工程ステップＳ６（図１参照）に供される。具体的に、この場合、冷却工程ステップＳ５では、その後の二次溶接工程ステップＳ６において、図４のようにレーザビーム４０を照射してパッケージ２０の完全封止を行っても、二次溶接工程ステップＳ６におけるパッケージ２０全体の平均温度が、アニール工程ステップＳ４における温度を超えないよう冷却温度の設定が行われている。
【００８０】
二次溶接工程ステップＳ６を経て一旦常温まで冷却されたパッケージ２０は、さらにベーキング工程において再び加熱され、それにより、パッケージ２０の温度が上昇する。ベーキング工程において加熱されたパッケージ２０は、さらに放置冷却工程に供される。それにより、パッケージ２０の温度が再び常温に戻り、完成品であるパッケージ２０が得られる。以上のように、各工程において図５に示すようにパッケージ２０の温度が変化する本実施の形態のパッケージ製造方法によれば、パッケージ２０の真空度を向上させることができ、それゆえ、パッケージ２０の特性や信頼性の劣化を防止することが可能となる。
【００８１】
（実施の形態２）
図６〜図９は、本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法を説明するための図である。具体的に、図６は、本実施の形態のパッケージ２０に用いられる容器２を底部から見た平面図であり、図７〜図９は、本実施の形態にかかる製造方法の各処理工程を示す模式的な断面図である。
【００８２】
本実施の形態にかかるパッケージの製造方法は、実施の形態１の場合と同様、図１のフローチャートで示す各処理工程Ｓ１〜Ｓ６を含むが、図１の一次溶接工程ステップＳ３における処理および図１の二次溶接工程ステップＳ６における処理が、図３および図４に示す実施の形態１とは異なっている。
【００８３】
以下に、本実施の形態の詳細について説明する。まず、図６に示すように、本実施の形態のパッケージ２０では、容器２の底部に、図２のパッケージ２０の内部（すなわち、図２に示す容器２の水晶振動子１の収容部）とパッケージ２０の外部とを連通させる貫通孔５００が設けられている。したがって、ここでは、貫通孔５００が連通部に相当する。
【００８４】
図７に示すように、容器２の底部が二枚の底板６０１，６０２を積層して構成され、外側に配置される第一の底板６０１と内側に配置される第二の底板６０２とには、それぞれ円形の貫通孔６０３，６０４が設けられている。
【００８５】
第一の底板６０１の貫通孔６０３と第二の底板６０２の貫通孔６０４とは、第一および第二の底板６０１，６０２を積層して容器２の底面を形成した際に平面視において孔の一部が重なるように配置され、それにより、二つの貫通孔６０３，６０４が組み合わされて貫通孔５００が形成される。かかる貫通孔５００では、孔内において、貫通孔６０３，６０４同士が重ならない部分で第一の底板６０１および第二の底板６０２がそれぞれ突出し、それにより、孔内が段差状となった貫通孔５００が形成される。
【００８６】
次に、本実施の形態のパッケージ２０の製造方法を説明する。まず、本実施の形態では、実施の形態１の場合と同様に、図１のステップＳ１およびステップＳ２の処理が行われる。その後、真空状態の下でパッケージ２０の蓋体３側から電子ビーム１０を照射し、図１の一次溶接工程ステップＳ３を行う。
【００８７】
ここで、前述の実施の形態１では、図３に示すように未溶接部分１５を除いて蓋体３の周縁に沿って電子ビーム１０を走査しているが、本実施の形態では、蓋体３の周縁全周にわたって電子ビームを走査する。それにより、蓋体３の周縁全周において封止材４が溶融し、未溶接部分１５が形成されることなく蓋体３と容器２とが一次溶接工程ステップＳ３において完全に溶接される。なお、ここでは電子ビーム１０により蓋体３と容器２との溶接を行っているが、溶接方法は電子ビーム照射に限定されるものではなく、例えば、加熱炉で蓋体３と容器２とを加熱して溶接を行ってもよい。
【００８８】
このような一次溶接工程ステップＳ３においては、実施の形態１の場合と同様、電子ビーム照射に伴ってガス（例えば、封止材４の揮発成分や、パッケージ２０に付着した揮発成分に由来するガス等）が発生するが、ここでは、このガスが、容器２の底部に配設された図６の貫通孔５００を介してパッケージ２０の内部から外部に排出される。したがって、実施の形態１のように図３の未溶接部分１５を形成しなくても、実施の形態１と同様にガスの排出を行うことが可能となる。
【００８９】
続いて、実施の形態１の場合と同様に図１の二次溶接工程ステップＳ６が行われるが、本実施の形態の二次溶接工程ステップＳ６は、以下のように、貫通孔封止材装填工程と、貫通孔のビーム溶接工程とで構成される。
【００９０】
具体的には、上記の一次溶接工程ステップＳ３の後、実施の形態１の場合と同様に、図１のアニール工程ステップＳ４および冷却工程ステップＳ５の各処理が行われ、それにより、アニール工程ステップＳ４において、前述のようにパッケージ２０に付着した揮発成分が揮発してガスを生じる。ここでは、この揮発成分由来のガスが、貫通孔５００を通じてパッケージ２０の内部から外部に排出される。
【００９１】
その後、図７に示すように、容器２の底部の貫通孔５００を塞ぐべく、貫通孔封止材６００を貫通孔５００の内に装填（配設）する。ここでは、ほぼ球状の貫通孔封止材６００を、第一の底板６０１の貫通孔６０３内に第二の底板６０２の表面と当接させて配置する。このような貫通孔封止材６００の配置を行う工程を、貫通孔封止材装填工程と呼ぶ。この貫通孔封止材装填工程は、真空状態で行われる。
【００９２】
なお、上記においては、図１のアニール工程ステップＳ４および冷却工程ステップＳ５の後に貫通孔封止材装填工程を備えた場合を例示したが、貫通孔封止材装填工程は、アニール工程ステップＳ４の前でもよく、また、アニール工程ステップＳ４と冷却工程ステップＳ５との間であってもよい。これらの場合には、アニール工程ステップＳ４において生じる上記のガスを貫通孔封止材６００が装填された貫通孔５００を通じて外部に排出することになるが、貫通孔封止材６００と貫通孔５００との間には隙間が形成されているため、当該隙間を通じてガスの排出を行うことが可能となる。
【００９３】
上記の貫通孔封止材装填工程の後、貫通孔５００のビーム溶接工程が行われる。具体的には、図８に示すように、貫通孔５００内に装填された貫通孔封止材６００に選択的にレーザビーム４０を照射して貫通孔封止材６００を溶融させる。それにより、図９に示すように、溶融した貫通孔封止材６００が貫通孔５００内に充填されて貫通孔５００が塞がれ、パッケージ２０（図２参照）の完全封止が実現される。
【００９４】
このように、本実施の形態では、貫通孔封止材装填工程と貫通孔５００のビーム溶接工程とによって図１の二次溶接工程ステップＳ６が構成されており、この場合には、貫通孔５００のビーム溶接工程が、連通部ビーム溶接工程に相当する。
【００９５】
以上のように、上記実施の形態１および実施の形態２にかかるパッケージの製造方法では、アニール工程ステップＳ４におけるパッケージ２０の加熱温度を所定温度、すなわち、蓋体３と容器２との間に配設された封止材４の溶融温度よりも低温でかつリフロー工程における接着材の溶融温度よりも高温、に設定とするとともに、アニール工程ステップＳ４と二次溶接工程ステップＳ６との間に冷却工程ステップＳ５を設け、パッケージ２０を所定温度、すなわち、二次溶接工程ステップＳ６におけるパッケージ２０の温度をアニール工程ステップＳ４におけるパッケージ２０の温度よりも低くすることが可能な温度、まで冷却する。
【００９６】
かかる実施の形態１および実施の形態２の構成によれば、アニール工程ステップＳ４で除去されなかったパッケージ２０の残留揮発成分がアニール工程ステップＳ４よりも後の工程において揮発することを抑制することが可能となる。その結果、パッケージ２０に付着した揮発成分由来のガスがパッケージ２０の内部に封入されるのを抑制することが可能となり、よって、パッケージ２０の内部に収納された水晶振動子１の特性劣化や信頼性の劣化が防止される。
【００９７】
例えば、水晶振動子１を収納したパッケージ２０から構成される水晶振動子封止体について、実施の形態１および実施の形態２のようにアニール工程ステップＳ４の温度設定が行われずかつ冷却工程ステップＳ５を設けない従来の製造方法により製造された水晶振動子封止体では、等価直列抵抗値（ＣＩ値）が６０〜１００ｋΩと大きく、また、個体別のばらつきも大きくなる。これに対して、実施の形態１および実施の形態２の製造方法により製造された水晶振動子封止体では、ＣＩ値が３８〜５０ｋΩと小さく、また、個体別のばらつきも小さくなり、よって、水晶振動子１の発振特性が向上する。
【００９８】
２．パッケージ製造装置
（実施の形態３）
図１０は、本発明の実施の形態３にかかるパッケージ製造装置の全体構成を模式的に示す装置上方からの平面図である。また、図１１は、図１０のパッケージ製造装置の処理対象（すなわちワーク）であるパッケージの供給に用いられるトレーの構成を示す平面図である。
【００９９】
図１０に示すように、パッケージ製造装置９００は、図１１のトレー１０００の搬入搬出口９１６に近い側から、ワーク搬入搬出室９０１、真空予備室９０２、ワーク受け渡し室９０３、および真空加工室９０４が順に配設されている。
【０１００】
パッケージ製造装置９００では、後述するように、真空加工室９０４において主要動作である図２のパッケージ２０の封止処理が行われることから、真空加工室９０４がパッケージ製造装置９００の主要部に相当する。そして、この真空加工室９０４に連通し当該真空加工室９０４へのワーク（具体的にはトレー１０００に配置されたパッケージ２０）の搬入と搬出とを実現する搬送路９０５が、ワーク搬入搬出室９０１、真空予備室９０２およびワーク受け渡し室９０３で構成されている。
【０１０１】
図１２は、図１０のＸＩ−ＸＩ線における真空加工室９０４の模式的な断面図である。図１０および図１２に示すように、真空加工室９０４は、両端面が天板および底板で封止されたステンレス製の円筒形のチャンバ９０６と、チャンバ９０６の外部に配設されたレーザビーム照射装置９０９とを備える。チャンバ９０６の内部には、図１０に示すように、搬送路９０５との間でトレー１０００の受け渡しを行う受け渡し部９１０と、図１のアニール工程ステップＳ４が実施される加熱部９１１と、図１の冷却工程ステップＳ５が実施される冷却部９１２と、図１の二次溶接工程ステップＳ６が実施されるレーザビーム照射部９１３とが設けられている。
【０１０２】
搬送路９０５と真空加工室９０４との連通部に受け渡し部９１０が配設され、さらに、受け渡し部９１０、加熱部９１１、冷却部９１２およびレーザビーム照射部９１３は、後述の回転軸Ａの周りに、時計と順方向にこの順で配設されている。ここでは、チャンバ９０６の内部が四等分されて各部９１０〜９１３がそれぞれ配置されており、加熱部９１１とレーザビーム照射部９１３とが回転軸Ａを介して対向配置され、また、受け渡し部９１０と冷却部９１２とが回転軸Ａを介して対向配置されている。
【０１０３】
チャンバ９０６内の受け渡し部９１０、加熱部９１１、冷却部９１２およびレーザビーム照射部９１３は、隔壁等で仕切られてはおらず、よって、各部９１０〜９１３の構成空間はチャンバ９０６内で互いに完全に開放された構成となっている。チャンバ９０６では、このように内部の各部９１０〜９１３を独立させる隔壁や断熱材等を設けなくても、内部を真空に保持した状態で加熱部９１１、冷却部９１２およびレーザビーム照射部９１３において後述の各処理が行われるため、加熱部９１１、冷却部９１２、およびレーザビーム照射部９１３の間では熱交換が行われない。したがって、各部９１０〜９１３が空間的に独立していないチャンバ９０６内において、後述の封止処理の際に加熱部９１１の加熱温度を２８０℃に保持するとともに、冷却部９１２の冷却温度を２２〜２５℃に保持することが可能となる。
【０１０４】
真空加工室９０４のチャンバ９０６の内部には、チャンバ９０６の中心と一致して回転軸Ａが配設されている。図１２に示すように、この回転軸Ａの一端に、回転テーブル９０８が取り付けられている。また、回転軸Ａの他端は、チャンバ９０６の底板を貫通して下部に突出し、チャンバ９０６の外部に配設された駆動手段１１１０に接続されている。
【０１０５】
図１０に示すように、回転テーブル９０８は、十字形状を有する板材で構成されており、９０°の間隔で設けられた四つの突出部分にトレー１０００がそれぞれ配置される。また、図１２に示すように、回転テーブル９０８は、トレー１０００の配置場所に貫通部９０８ａが形成されている。そして、回転テーブル９０８は、各トレー１０００を受け渡し部９１０から加熱部９１１、冷却部９１２およびレーザビーム照射部９１３に順次供給（搬送）するよう、回転軸Ａを中心に時計と順方向に回転（自転）する。また、回転テーブル９０８は、ワーク受け渡し室９０３の受け渡しテーブル９１７との間でトレー１０００の受け渡しができるように構成されている。
【０１０６】
図１２に示すように、チャンバ９０６内の加熱部９１１には、加熱装置１１００が配設されている。加熱装置１１００は、チャンバ９０６の底板に支持された支持部材１１０１と、この支持部材１１０１に取り付けられて支持された上部加熱部材１１０２および光マスク１１０７と、チャンバ９０６の底板に支持された下部加熱部材１１０３とを備える。回転テーブル９０８の上方に上部加熱部材１１０２が配設され、下方に光マスク１１０７および下部加熱部材１１０３が配設される。
【０１０７】
上部加熱部材１１０２は、熱源として、複数の線状のヒータ１１０６が埋設された加熱板１１０５を有する。ここでは図示を省略しているが、加熱板１１０５に埋設されたヒータ１１０６は、配線を介して加熱用電源に接続されている。上部加熱部材１１０２は、垂直方向に配設された支持部材１１０１に沿って上下移動可能に構成されており、その上下移動は、例えば、図示しないアクチュエータと制御手段とによって実現される。
【０１０８】
後述するように、加熱装置１１００では、加熱部９１１にトレー１０００が供給されて所定位置に配置されると、垂直方向に配設された支持部材１１０１に沿って上部加熱部材１１０２が下降する。それにより、上部加熱部材１１０２がトレー１０００に配置された複数のパッケージ２０（図１０参照）の表面と直接接触する。一方、加熱部９１１における加熱処理が終了すると、上部加熱部材１１０２は垂直方向に配設された支持部材１１０１に沿って上昇する。それにより、トレー１０００に配置されたパッケージ２０と上部加熱部材１１０２との間に空間が形成されて回転テーブル９０８が回転可能となる。
【０１０９】
一方、加熱装置１１００の下部加熱部材１１０３は、熱源としてランプヒータ１１０４を有する。そして、このランプヒータ１１０４と回転テーブル９０８の裏面との間に光マスク１１０７が配設されている。ここではランプヒータ１１０４として、ハロゲンランプが用いられている。また、光マスク１１０７は、ランプヒータ１１０４からの熱を選択的にトレー１０００に伝達し、それ以外の回転テーブル９０８の領域への伝熱を抑制するために配設され、具体的には、ランプヒータ１１０４であるハロゲンランプが発する光を選択的にトレー１０００に照射可能な導光構造を有する。
【０１１０】
なお、上記においては、下部加熱部材１１０３がランプヒータ１１０４を有する構成の加熱装置１１００について説明したが、加熱装置の構成は、これ以外であってもよい。例えば、図１３は、加熱装置の他の構成を示す模式的な断面図である。
【０１１１】
図１３に示すように、加熱装置１２００は、下部加熱部材１２０１が、熱源として、複数の線状のヒータ１２０３が埋設された加熱板１２０２を有する。ここでは図示を省略しているが、加熱板１２０２に埋設されたヒータ１２０３は、配線を介して加熱用電源に接続されている。そして、かかる構成の下部加熱部材１２０１は、上部加熱部材１１０２と同様、垂直方向に配設された支持部材１１０１に沿って上下移動可能に構成されている。
【０１１２】
このような加熱板１２０２を有する下部加熱部材１２０１を備えた加熱装置１２００では、加熱部９１１にトレー１０００が供給されて所定位置に配置されると、垂直方向に配設された支持部材１１０１に沿って上部加熱部材１１０２が下降するとともに下部加熱部材１２０１が上昇する。それにより、上部加熱部材１１０２および下部加熱部材１２０１が、トレー１０００に配置されたパッケージ２０（図１０参照）を挟持し、パッケージ２０の表面およびトレー１０００の裏面にそれぞれ直接接触する。
【０１１３】
ここでは、回転テーブル９０８の貫通部９０８ａを通じて下部加熱部材１２０１の上面の突出部がトレー１０００の裏面に直接接触する。一方、加熱部９１１における加熱処理が終了すると、垂直方向に配設された支持部材１１０１に沿って上部加熱部材１１０２が上昇するとともに、下部加熱部材１２０１が下降する。それにより、上部加熱部材１１０２および下部加熱部材１２０１に挟持されていたトレー１０００およびパッケージ２０（図１０参照）が解放され、回転テーブル９０８が回転可能となる。
【０１１４】
また、図１４は、加熱装置のさらに他の構成を示す模式的な断面図であり、図１５は、図１４の加熱装置の押し上げ部材の詳細構成を示す部分拡大図である。図１４および図１５に示すように、加熱装置１２００ａは、図１３の加熱装置１２００と同様の構成を有するが、以下の点が加熱装置１２００とは異なっている。
【０１１５】
すなわち、図１５に示すように、加熱装置１２００ａは、下部加熱部材１２０１が、パッケージ２０の押し上げ部材１２０４を備えており、この押し上げ部材１２０４によって、トレー１０００に配置されたパッケージ２０の裏面が押圧され、パッケージ２０が上部加熱部材１１０２側に押し上げられる。それにより、トレー１０００に配置された全てのパッケージ２０の表面を、確実に上部加熱部材１１０２に当接させることが可能となる。
【０１１６】
なお、ここでは図示の簡略化のために、トレー１０００に配置されたパッケージ２０の数および下部加熱部材１２０１が有する押し上げ部材１２０４の数を、実際よりも少なく表している。ここでは、図１１に示すように、９６個のパッケージ２０が配置されたトレー１０００を用いるので、実際には、９６個のパッケージ２０と、これに対応する９６個の押し上げ部材１２０４とが配設されている。
【０１１７】
押し上げ部材１２０４は、押し上げピン１２０４ａと、軸体１２０４ｂと、ピン収容基体１２０４ｃと、コイルバネ１２０４ｄとから構成される。押し上げピン１２０４ａ、軸体１２０４ｂ、ピン収容基体１２０４ｃおよびコイルバネ１２０４ｄは、金属等の熱伝導率の高い材料によって構成されている。このような材料によって構成された各部材１２０４ａ〜１２０４ｄから構成された押し上げ部材１２０４では、下部加熱部材１２０１の熱を、パッケージ２０に効率よく伝達することが可能となる。
【０１１８】
ピン収容基体１２０４ｃは、一端が封止された筒状を有しており、開口端を下部加熱部材１２０１の厚み方向上側に向けて下部加熱部材１２０１に埋設されている。ピン収容基体１２０４ｃの内部には、コイルバネ１２０４ｄが収容され、さらに、このコイルバネ１２０４ｄに下端を当接させて軸体１２０４ｂが収容される。軸体１２０４ｂの上端には、針状の押し上げピン１２０４ａが取り付けられている。なお、押し上げ部材１２０４の構成は、図示した構成に限定されるものではなく、これ以外の構成であってもよい。
【０１１９】
図１５に示すように、かかる構成の加熱装置１２００ａを備えた図１０のパッケージ製造装置９００では、加熱部９１１にトレー１０００が供給されて所定位置に配置されると、垂直方向に配設された支持部材１１０１（図１４参照）に沿って上部加熱部材１１０２が下降し、また、下部加熱部材１２０１が上昇する。それにより、上部加熱部材１１０２および下部加熱部材１２０１が、トレー１０００に配置されたパッケージ２０（図１０参照）を挟持し、パッケージ２０の表面およびトレー１０００の裏面にそれぞれ直接接触する。
【０１２０】
ここでは、回転テーブル９０８の貫通部９０８ａを通じて下部加熱部材１２０１の上面の突出部がトレー１０００の裏面に直接接触する。さらに、加熱装置１２００ａでは、下部加熱部材１２０１の押し上げピン１２０４ａによって、トレー１０００上のパッケージ２０の裏面が押圧されて上部加熱部材１１０２側に押し上げられる。すなわち、上記のように下降した上部加熱部材１１０２と上昇した下部加熱部材１２０１とによってトレー１０００が挟持された状態では、押し上げ部材１２０４のコイルバネ１２０４ｄが収縮するため、かかる収縮に伴って生じる応力により、軸体１２０４ｂおよびその先端に取り付けられた押し上げピン１２０４ａが、上部加熱部材１１０２側に押し上げられる。
【０１２１】
そして、押し上げられた押し上げピン１２０４ａは、トレー１０００の開口部１００２を介してトレー１０００を貫通し、開口部１００２上に配置されたパッケージ２０の裏面に当接してパッケージ２０を押圧する。パッケージ２０は、下部加熱部材１２０１と上部加熱部材１１０２との間に挟持された状態で、さらにこのように裏面側から押し上げピン１２０４ａにより押し上げられるので、表面が確実に上部加熱部材１１０２と当接する。
【０１２２】
この場合、トレー１０００に配置された複数のパッケージ２０の厚みにばらつきがあっても、押し上げピン１２０４ａによる押し上げによって、全てのパッケージ２０を確実に上部加熱部材１１０２に当接させることが可能となる。したがって、かかる構成では、パッケージ２０毎の加熱状態のばらつきを抑制し、全てのパッケージ２０を効率よく均一に加熱することが可能となる。
【０１２３】
加熱部９１１における加熱処理が終了すると、垂直方向に配設された支持部材１１０１に沿って上部加熱部材１１０２が上昇するとともに、下部加熱部材１２０１が下降する。それにより、上部加熱部材１１０２および下部加熱部材１２０１に挟持されていたトレー１０００およびパッケージ２０（図１０参照）が解放され、回転テーブル９０８が回転可能となる。このように下降した下部加熱部材１２０１では、収縮していたコイルバネ１２０４ｄが伸張して初期状態に戻る。また、押し上げピン１２０４ａは、下部加熱部材１２０１の下降に伴って下降し、トレー１０００の開口部１００２から後退して回転テーブル９０８の下方の初期位置に戻る。
【０１２４】
図１６は、図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における真空加工室の模式的な断面図である。図１６に示すように、チャンバ９０６内の冷却部９１２には、冷却装置１３００が配設されている。冷却装置１３００は、チャンバ９０６の底板に支持された支持部材１３０１と、この支持部材１３０１に取り付けられて支持された上部冷却部材１３０２および下部冷却部材１３０３とを備える。回転テーブル９０８の上方に上部冷却部材１３０２が配設され、下方に下部冷却部材１３０３が配設される。
【０１２５】
上部冷却部材１３０２および下部冷却部材１３０３は、冷却源として、冷媒を通流可能に構成された冷却板１３０４，１３０５を有する。冷却板１３０４，１３０５には、図示しない冷媒供給部から冷媒が供給され、ここでは冷媒として冷却水が供給される。冷却板１３０４，１３０５に供給された冷却水は、冷却板１３０４，１３０５内を通流する過程において、トレー１０００およびパッケージ２０（図１０参照）との間で熱交換を行い、トレー１０００およびパッケージ２０から熱を奪ってこれらを冷却する。このような冷却装置１３００では、冷却水が循環するように構成されてもよい。
【０１２６】
なお、上記においては、冷媒を通流させて冷却を行う冷却装置１３００について説明したが、冷却装置は、これ以外の構成であってもよい。例えば、冷却源としてペルチェ素子を備えた冷却装置であってもよい。
【０１２７】
上部冷却部材１３０２および下部冷却部材１３０３は、垂直方向に配設された支持部材１３０１に沿って上下移動可能に構成されており、その上下移動は、例えば図示しないアクチュエータと制御手段とによって実現される。後述するように、冷却装置１３００では、冷却部９１２にトレー１０００が供給されて所定位置に配置されると、垂直方向に配設された支持部材１３０１に沿って上部冷却部材１３０２が下降するとともに下部冷却部材１３０３が上昇する。
【０１２８】
それにより、上部冷却部材１３０２および下部冷却部材１３０３がトレー１０００およびこれに配置されたパッケージ２０（図１０参照）を挟持し、パッケージ２０の表面およびトレー１０００の裏面にそれぞれ直接接触する。ここでは、回転テーブル９０８の貫通部９０８ａを通じて下部冷却部材１３０３の上面の突出部がトレー１０００の裏面に直接接触する。
【０１２９】
一方、冷却部９１２における冷却処理が終了すると、垂直方向に配設された支持部材１３０１に沿って上部冷却部材１３０２が上昇するとともに、下部冷却部材１３０３が下降する。それにより、上部冷却部材１３０２および下部冷却部材１３０３に挟持されたトレー１０００およびパッケージ２０が解放され、回転テーブル９０８が回転可能となる。
【０１３０】
図１７は、冷却装置の他の構成を示す模式的な断面図である。図１７に示すように、冷却装置１３００ａは、図１６の冷却装置１３００と同様の構成を有するが、下部冷却部材１３０３に押し上げ部材１３０６がさらに配設された点が、冷却装置１３００とは異なっている。冷却装置１３００ａの押し上げ部材１３０６の詳細構成および動作は、前述の図１５に示す加熱装置１２００ａの押し上げ部材１２０４と同様であるので、ここでは図示および説明を省略する。なお、押し上げ部材１３０６の構成は、図１５と同様の構成に限定されるものではなく、これ以外の構成であってもよい。
【０１３１】
このような押し上げ部材１３０６を備えた冷却装置１３００ａでは、パッケージ２０を裏面側から押し上げピン１２０４ａ（図１５参照）により押し上げて、その表面を確実に上部冷却部材１３０２と当接させることが可能となる。したがって、トレー１０００に配置された複数のパッケージ２０の厚みにばらつきがあっても、パッケージ２０毎の冷却状態のばらつきを抑制し、全てのパッケージ２０を効率よく均一に冷却することが可能となる。
【０１３２】
また、図１２に示すように、チャンバ９０６内のレーザビーム照射部９１３では、チャンバ９０６の天板に、レーザビーム透過窓１１１１が配設されている。そして、チャンバ９０６の外部に、レーザビーム照射装置９０９が配設されている。レーザビーム照射装置９０９は、レーザ光源を備えたレーザヘッド９０９ａと、このレーザヘッド９０９ａが図中のＸ方向にスライド移動可能に構成されたバー状のヘッド支持部材９０９ｂと、長軸がヘッド支持部材９０９ｂの長軸と直交して配置され、図中のＹ方向にヘッド支持部材９０９ｂをスライド移動可能に構成されたバー状のヘッド支持部材可動部材９０９ｃとを備える。
【０１３３】
ヘッド支持部材９０９ｂは、ヘッド支持部材可動部材９０９ｃによって支持されている。また、ヘッド支持部材可動部材９０９ｃは、パッケージ製造装置９００（図１０参照）の所定部分に支持されている。さらに、ここでは図示を省略しているが、レーザビーム照射装置９０９には、ヘッド支持部材９０９ｂにおけるレーザヘッド９０９ａのスライド移動およびヘッド支持部材可動部材９０９ｃにおけるヘッド支持部材９０９ｂのスライド移動を実現可能とするアクチュエータと制御手段とが配設されている。
【０１３４】
ヘッド支持部材９０９ｂにおけるレーザヘッド９０９ａのＸ方向におけるスライド移動と、ヘッド支持部材可動部材９０９ｃにおけるヘッド支持部材９０９ｂのＹ方向におけるスライド移動とを組み合わせることにより、Ｘ軸とＹ軸とを含む平面において所望の位置にレーザヘッド９０９ａを配置することが可能となる。それにより、後述するように、図１の二次溶接工程ステップＳ６において、トレー１０００に配置された図１０の各パッケージ２０の所望の位置にレーザビーム４０（図４または図９参照）を照射することが可能となる。
【０１３５】
図１０に示すように、搬送路９０５は、一端がチャンバ９０６の内部に連通し、他端が大気開放されている。搬送路９０５を構成するワーク受け渡し室９０３、真空予備室９０２およびワーク搬入搬出室９０１は、壁材で周囲を囲まれて形成される。搬送路９０５のワーク搬入搬出室９０１と真空予備室９０２との間には扉９１４が配設されており、また、真空予備室９０２とワーク受け渡し室９０３との間には二重の扉９１５が配設されている。これらの扉９１４，９１５を閉じることにより、真空加工室９０４およびワーク受け渡し室９０３内を真空状態に保持することが可能となる。
【０１３６】
ワーク搬入搬出室９０１、真空予備室９０２およびワーク受け渡し室９０３には、トレー１０００を搬送するためのコンベア９０７がそれぞれ配設されている。また、ワーク受け渡し室９０３と真空加工室９０４のチャンバ９０６との連結部には、軸Ｂを中心に回転可能に構成された受け渡しテーブル９１７が配設されている。受け渡しテーブル９１７は矩形の板状を有し、その両端にトレー１０００がそれぞれ配置される。
【０１３７】
搬送路９０５の各室９０１〜９０３に配設されたコンベア９０７と受け渡しテーブル９１７とによって、パッケージ製造装置９００の外部から搬入されたトレー１０００が各室９０１〜９０３をこの順で搬送されて真空加工室９０４のチャンバ９０６内に供給されるとともに、チャンバ９０６内で封止処理されたトレー１０００が各室９０３〜９０１をこの順で搬送されてパッケージ製造装置９００の外部に搬出される。
【０１３８】
なお、図１０は、搬送路９０５におけるトレー１０００の搬入搬出経路の概要を示すものであって、当該搬入搬出経路の詳細構成については、図示および説明を省略している。搬送路９０５におけるトレー１０００の搬入経路および搬出経路は、トレー１０００の搬送を連続して行うことが可能な構成であれば、特に限定されるものではない。例えば、搬出経路と搬入経路とが上下または左右に並列して別々に設けられていてもよい。
【０１３９】
図１１に示すように、図１０のパッケージ製造装置９００に供給されるトレー１０００は、表面に複数の凹部が形成され、この凹部によって複数（この場合９６個）のパッケージ収容部１００１が構成される。ここでは、パッケージ収容部１００１がマトリクス状に配置されている。この複数のパッケージ収容部１００１の各々に、図１の一次溶接工程ステップＳ３までの処理を経た図３または図７のパッケージ２０が配置される。例えば、図３のパッケージ２０は、蓋体３を上にしてパッケージ収容部１００１に配置され、一方、図７のパッケージ２０は、貫通孔封止材６００が配置された容器２の底部を上にしてパッケージ収容部１００１に配置される。
【０１４０】
パッケージ収容部１００１の底面には、開口部１００２が形成されている。また、トレー１０００の縁部には、真空加工室９０４の回転テーブル９０８にトレー１０００が配置される際の位置決めに利用される位置決め穴１００３が設けられている。
【０１４１】
例えば、パッケージ製造装置９００の加熱部９１１が図１２に示す加熱装置１１００を備える場合には、この開口部１００２に、加熱装置１１００の下部加熱部材１１０３のランプヒータ１１０４から発せられる光を透過させるためのランプ光透過窓が形成される。また、パッケージ製造装置９００の加熱部９１１が図１４に示す加熱装置１２００ａを備える場合、あるいは、冷却部９１２が図１７に示す冷却装置１３００ａを備える場合には、図１５に示すように、この開口部１００２が、押し上げピン１２０４ａの挿貫部となる。
【０１４２】
上記のような構成の本実施の形態のパッケージ製造装置９００においては、真空加工室９０４内において、加熱装置１１００（または加熱装置１２００）を備えた加熱部９１１がアニール手段に相当し、冷却装置１３００を備えた冷却部９１２が冷却手段に相当し、レーザビーム照射装置９０９を備えたレーザビーム照射部９１３が連通部ビーム溶接手段に相当する。また、ここでは、トレー１０００が保持手段に相当し、回転テーブル９０８が回転搬送手段に相当する。また、図１０では図示を省略しているが、パッケージ封止装置９００では、真空加工室９０４、ワーク受け渡し室９０３および真空予備室９０２において真空状態を保持できるように、排気手段が適宜配設されている。
【０１４３】
続いて、かかる構成のパッケージ製造装置の動作について説明する。パッケージ製造装置９００の実際の運転では、一回の動作において複数のトレー１０００が所定の間隔で連続的に供給され、それにより、一回の動作によって複数のトレー１０００に対し封止処理が施される。しかしながら、ここでは説明の簡略化のため、一つのトレー１０００の流れに着目して説明する。
【０１４４】
図１０に示すように、まず、パッケージ製造装置９００のワーク搬入搬出室９０１に、装置外部からトレー１０００が搬入される。トレー１０００には、図１の一次溶接工程ステップＳ３を経た図３のパッケージ２０、または、貫通孔封止材６００が貫通孔５００の内部に装填された図７のパッケージ２０が、複数のパッケージ収容部１００１（図１１参照）にそれぞれ収納されている。
【０１４５】
このワーク搬入搬出室９０１へのトレー１０００の搬入時には、真空予備室９０２とワーク受け渡し室９０３との間の扉９１５を閉めるとともに、真空加工室９０４およびワーク受け渡し室９０３の室内が排気されて真空状態（例えば１０-4Ｐａ）に保持される。一方、ワーク搬入搬出室９０１と真空予備室９０２との間の扉９１４は開いており、よって、ワーク搬入搬出室９０１および真空予備室９０２は、大気圧に保持されている。
【０１４６】
ワーク搬入搬出室９０１に搬入されたトレー１０００は、コンベア９０７を通じて真空予備室９０２に搬送される。真空予備室９０２にトレー１０００が搬入されると、コンベア９０７を通じてトレー１０００がワーク受け渡し室９０３側に搬送される。そして、扉９１４が閉められるとともに真空予備室９０２内の排気が行われ、室内がワーク受け渡し室９０３および真空加工室９０４と同じ真空状態（例えば１０-4Ｐａ）に保持される。このように真空予備室９０２で真空状態が実現されると、扉９１５が開かれ、コンベア９０７を通じてトレー１０００がワーク受け渡し室９０３に搬入される。その後、再び扉９１５および扉９１４が閉められる。
【０１４７】
ワーク受け渡し室９０３に搬入されたトレー１０００は、コンベア９０７を通じて真空加工室９０４に向かって搬送され、さらに、受け渡しテーブル９１７上に配置される。そして、受け渡しテーブル９１７の回転に伴って、真空加工室９０４の受け渡し部９１０に位置する回転テーブル９０８の部分にトレー１０００が受け渡される。
【０１４８】
このように真空加工室９０４の受け渡し部９１０に搬送されたトレー１０００は、図１１に示す位置決め穴１００３を用いて回転テーブル９０８の所定位置に精度よく配置される。このように回転テーブル９０８上で位置決めされたトレー１０００は、回転テーブル９０８が回転して加熱部９１１、冷却部９１２、レーザビーム照射部９１３に順次搬送される際に、当該位置を保持する。
【０１４９】
真空加工室９０４の受け渡し部９１０に配置されたトレー１０００は、回転テーブル９０８の９０°回転に伴って、真空加工室９０４と受け渡し部９１０から加熱部９１１に搬送される。そして、図１１に示すように、加熱部９１１において、加熱装置１１００の上部加熱部材１１０２がトレー１０００に配置されたパッケージ２０（図１０参照）の表面に直接接触し、それにより、表面側からパッケージ２０が加熱される。
【０１５０】
また、下部加熱部材１１０３では、ランプヒータ１００４から発せられた光が、光マスク１１０７を介して回転テーブル９０８の貫通部９０８ａを通じてトレー１０００の裏面に選択的に照射される。さらにこの光が、トレー１０００のランプ光透過窓である開口部１００２（図１１参照）を通じて、パッケージ２０（図１０参照）の裏面に照射される。それにより、パッケージ２０が裏面側から加熱される。
【０１５１】
上記のような加熱部９１１におけるパッケージ２０の加熱では、上部加熱部材１１０２とパッケージ２０の表面とが直接接触するので、真空加工室９０４のチャンバ９０６内が真空状態であっても、効率よく加熱を行うことが可能となる。また、下部加部材１１０３からの光を光マスク１１０７により選択的にトレー１０００の裏面に照射することにより、トレー１０００が配置されていない回転テーブル９０８の領域への伝熱を抑制してトレー１０００の当該光照射部分を選択的に加熱することができる。したがって、効率よく加熱を行うことが可能となる。
【０１５２】
なお、図１２に示す加熱装置１１００の代わりに図１３に示す加熱装置１２００を用いた加熱では、下部加熱部材１２０１が、回転テーブル９０８の貫通部９０８ａを介してトレー１０００の裏面に直接接触する構成が実現されるので、より効果的にトレー１０００およびこれに配置されたパッケージ２０を裏面側から加熱することが可能となる。
【０１５３】
また、図１４に示す加熱装置１２００ａを用いた加熱では、図１５に示すように、下部加熱部材１２０１から突出した押し上げピン１２０４ａによりパッケージ２０を裏面側から押圧し、全てのパッケージ２０の表面を確実に上部加熱部材１１０２に当接させることが可能となるため、さらに効果的に加熱することが可能となるとともに、パッケージ毎の加熱状態のばらつきを抑制することが可能となる。
【０１５４】
以上のように加熱部９１１においてトレー１０００毎パッケージ２０を加熱することにより、図１のアニール工程ステップＳ４が実施される。この場合、アニール工程ステップＳ４における加熱温度が実施の形態１で前述した温度（ここでは２８０℃）に設定されており、かかる温度で９０秒間処理が行われる。
【０１５５】
上記のようにして加熱部９１１において図１のアニール工程ステップＳ４が実施された後、トレー１０００は、回転テーブル９０８がさらに９０°回転するのに伴って、冷却部９１２に搬送される。そして、冷却部９１２に搬送されたトレー１０００に、図１の冷却工程ステップＳ５が実施される。
【０１５６】
具体的に、冷却部９１２における冷却工程ステップＳ５では、図１３に示すように、冷却装置１３００の上部冷却部材１３０２が、トレー１０００に配置されたパッケージ２０（図１０参照）の表面に直接接触する。それにより、当該接触部分で熱交換が行われて表面側からパッケージ２０が冷却される。また、冷却装置１３００の下部冷却部材１３０３が、回転テーブル９０８の貫通部９０８ａを介してトレー１０００の裏面に直接接触する。それにより、当該接触部分で熱交換が行われ、トレー１０００およびこれに配置されたパッケージ２０が裏面側から冷却される。
【０１５７】
このように上部冷却部材１３０２がパッケージ２０の表面に直接接触し、また、下部冷却部材１３０３がトレー１０００の裏面に直接接触する冷却部９１２では、チャンバ９０６内が真空状態であっても、効率よく冷却を行うことが可能となる。そして、この冷却部９１２で行われる図１の冷却工程ステップＳ５では、パッケージ２０の冷却温度が実施の形態１で前述した温度（ここでは、２２〜２５℃）に設定されており、かかる温度で９０秒間処理が行われる。特に、図１７に示す冷却装置１３００ａでは、押し上げピン１３０６により、確実にパッケージ２０の表面を上部冷却部材１３０２に当接させることができるので、より効率よく冷却を行うことが可能となる。
【０１５８】
なお、図１６に示す冷却装置１３００の代わりに図１７に示す冷却装置１３００ａを用いた冷却では、下部冷却部材１３０３から突出した押し上げピン１２０４ａ（図１５参照）によりパッケージ２０を裏面側から押圧し、全てのパッケージ２０の表面を確実に上部冷却部材１３０２に当接させることが可能となるため、さらに効果的に冷却することが可能となるとともに、パッケージ毎の冷却状態のばらつきを抑制することが可能となる。
【０１５９】
上記のようにして冷却部９１２において図１の冷却工程ステップＳ５が実施された後、トレー１０００は、回転テーブル９０８がさらに９０°回転するのに伴って、レーザビーム照射部９１３に搬送される。そして、レーザビーム照射部９１３に搬送されたトレー１０００に、図１の二次溶接工程ステップＳ６（言い換えると、連通部ビーム溶接工程）が実施される。
【０１６０】
具体的に、レーザビーム照射部９１３では、図１２のレーザビーム照射装置９０９のレーザビームヘッド９０９ａから発振されたレーザビーム４０（図４または図８参照）が、真空加工室９０４のチャンバ９０６のレーザビーム透過窓１１１１を通じてチャンバ９０６内に導入され、トレー１０００に配置されたパッケージ２０（図１０参照）の所定部分に選択的に照射される。
【０１６１】
例えば、図３のパッケージ２０がトレー１０００に配置されている場合には、実施の形態１で前述したように未溶接部分１５にレーザビーム４０が照射される。また、図７のパッケージ２０がトレー１０００に配置されている場合には、容器２の底部の貫通孔５００内に装填された貫通孔封止材６００にレーザビーム４０が照射される。このようなレーザビーム４０の照射により、当該照射部分の封止材４または貫通孔封止材６００が溶融し、パッケージ２０が完全封止される。
【０１６２】
ここでは、トレー１０００に配置された複数のパッケージ２０に対してパッケージ２０毎に上記のように所定部分にレーザビーム４０が照射され、隣接するパッケージ２０に順次当該照射が行われる。このように図１の二次溶接工程ステップＳ６が実施されるレーザビーム照射部９１３では、封止材４または貫通孔封止材６００が溶融する温度で９０秒間処理が行われる。
【０１６３】
上記のようにしてレーザビーム照射部９１３において図１の二次溶接工程ステップＳ６が実施された後、図１０に示すように、トレー１０００は、回転テーブル９０８がさらに９０°回転するのに伴って、受け渡し部９１０に搬送される。そして、回転テーブル９０８から受け渡しテーブル９１７にトレー１０００の受け渡しが行われ、さらにトレー１０００が、ワーク受け渡し室９０３のコンベア９０７を通じて真空予備室９０２側に搬送される。
【０１６４】
このようにワーク受け渡し室９０３において真空予備室９０２側にトレー１０００が搬送される際には、扉９１５と扉９１４とが閉じており、したがって、真空加工室９０４、ワーク受け渡し室９０３および真空予備室９０２が真空状態に保持されている。そして、引き続いてこの状態で扉９１５を開き、トレー１０００を真空予備室９０２にさらに搬送する。その後、扉９１５を閉じる。
【０１６５】
トレー１０００を真空予備室９０２に搬入した後、扉９１４を開く。それにより、真空予備室９０２が、真空状態から大気開放される。この場合、前述のように扉９１５は閉じているので、真空予備室９０２を大気開放しても、ワーク受け渡し室９０３および真空加工室９０４は真空状態に保持されたままである。
【０１６６】
真空予備室９０２においてコンベア９０７を通じてワーク搬入搬出室９０１側に搬送されたトレー１０００は、さらにワーク搬入搬出室９０１に搬入される。そして、ワーク搬入搬出室９０１のコンベア９０７を通じてパッケージ製造装置９００の外部に搬出される。このようにして、封止処理が施された図２のパッケージ２０が、パッケージ製造装置９００により得られる。
【０１６７】
上記においてはパッケージ製造装置９００における一つのトレー１０００の封止処理の流れについて説明したが、このパッケージ製造装置９００では、一回の動作の間に、複数のトレー１０００が所定間隔で連続的に搬入され、これらの各トレー１０００に配置されたパッケージ２０に対して上記の各処理が行われる。したがって、パッケージ製造装置９００は、複数の図２のパッケージ２０を連続的に製造することが可能となる。
【０１６８】
以上のように、本実施の形態にかかるパッケージ製造装置９００によれば、実施の形態１または実施の形態２にかかるパッケージの製造方法が実施されるので、実施の形態１および実施の形態２で前述した効果が実現される。
【０１６９】
特に、かかるパッケージ製造装置９００によれば、加熱装置１１００の上部加熱部材１１０２をパッケージ２０の表面に直接接触させて加熱することができ、また、加熱装置１２００を用いた場合には、さらに下部加熱部材１２０１をトレー１０００の裏面に直接接触させて加熱することが可能となる。さらに、加熱装置１２００ａを用いた場合には、押し上げ部材１２０４によって、確実にパッケージ２０の表面を上部加熱部材１１０２に当接させて加熱することが可能となる。したがって、真空状態のチャンバ９０６内においても、効率よく加熱を行うことが可能となる。
【０１７０】
また、パッケージ製造装置９００では、冷却装置１３００の上部冷却部材１３０２をパッケージ２０の表面に直接接触させて冷却することが可能となるとともに、下部冷却部材１３０３をトレー１０００の裏面に直接接触させて冷却することが可能となる。また、冷却装置１３００ａを用いた場合には、押し上げ部材１３０６によって、確実にパッケージ２０の表面を上部冷却部材１３０２に当接させて冷却することが可能となる。したがって、真空状態のチャンバ９０６内においても、効率よく冷却を行うことが可能となる。
【０１７１】
また、本実施の形態のパッケージ製造装置９００は、真空加工室９０４を折り返し地点としてトレー１０００の搬入および搬出が同一の搬送路９０５を用いて行われる構成であるため、トレー１０００の搬入時と搬出時とにおいて、搬送路９０５の真空予備室９０２およびワーク搬入搬出室９０１を共通利用することが可能となる。
【０１７２】
したがって、後述する実施の形態４の図１８のリニア式のパッケージ製造装置では搬送路に別々に真空予備室１４０２，１４０４、ワーク搬入室１４０１およびワーク搬出室１４０５を配設する必要があるのに対して、本実施の形態のパッケージ製造装置９００では、一つの真空予備室９０２およびワーク搬入搬出室９０１を設ければよい。このように、本実施の形態のパッケージ製造装置９００では、装置内の処理室の配設数を低減することが可能となるとともに、このような処理室数の低減に伴って処理室の構成要素、例えば、排気手段、搬入手段、搬出手段等、の配設数の低減化や構成の簡素化等が図られる。
【０１７３】
さらに、本実施の形態のパッケージ製造装置９００では、真空加工室９０４のチャンバ９０６内に搬入されたトレー１０００が、図１１の位置決め穴１００３を用いて回転テーブル９０８の所定位置に精度よく配置され、かかる配置を保持した状態で加熱部９１１、冷却部９１２およびレーザビーム照射部９１３に供給される。
【０１７４】
したがって、加熱部９１１、冷却部９１２およびレーザビーム照射部９１３において、各処理に最適な位置に確実にトレー１０００を配置することが可能となり、よって、各処理が効果的に行われる。特に、レーザビーム照射部９１３における図１の二次溶接工程ステップＳ６では、パッケージ２０の所望部分に正確にレーザビーム４０を照射する必要があるため、このようにトレー１０００を精度よく適切な位置に配置することによる効果は大きい。また、パッケージ製造装置９００が、図１４に示す加熱装置１２００ａまたは図１７に示す冷却装置１３００ａを用いる場合には、押し上げ部材１２０４，１３０６の押し上げピン１２０４ａ（図１５参照）がトレー１０００の開口部１００２を挿貫するようにトレー１０００を配置する必要があるため、このようにトレー１０００を精度よく適切な位置に配置することによる効果は大きい。
【０１７５】
なお、上記においてはトレー１０００の搬送が全自動で行われる場合について説明したが、トレー１０００の供給が半自動で行われる構成であってもよい。また、回転テーブル９０８の形状およびこれに配置されるトレー１０００の数や、各処理部９１１〜９１３における処理時間等は、上記に限定されるものではない。また、パッケージ製造装置９００に用いられるトレー１０００は、上記の構成に限定されるものではなく、これ以外の構成、例えば、図１１のパッケージ収容部１００２の配置数が９６個以外の構成であってもよい。
【０１７６】
（実施の形態４）
図１８は、本発明の実施の形態４にかかるパッケージ製造装置の構成を示す模式図である。図１８に示すように、本実施の形態にかかるパッケージ製造装置は、処理対象（ワーク）である図１１のトレー１０００が一方向に搬送されるリニア式である。
【０１７７】
具体的に、本実施の形態のパッケージ製造装置では、ワーク搬入室１４０１と、真空予備室１４０２と、真空加工室１４０３と、真空予備室１４０４と、ワーク搬出室１４０５とが、一方向に沿って順次配設されている。ワーク搬入室１４０１と真空予備室１４０２との間には扉１４０６が配設されており、真空予備室１４０２と真空加工室１４０３との間には二重の扉１４０７が配設されており、真空加工室１４０３と真空予備室１４０４との間には二重の扉１４０８が配設されており、真空予備室１４０４とワーク搬出室１４０５との間には扉１４０９が配設されている。
【０１７８】
そして、真空加工室１４０３の内部には、真空予備室１４０２側から順に、加熱部１４１１、冷却部１４１２およびレーザビーム照射部１４１３が設けられている。なお、実施の形態３の図１０のパッケージ製造装置９００の場合と同様、真空加工室１４０３の加熱部１４１１、冷却部１４１２およびレーザビーム照射部１４１３は、隔壁等によって特に仕切られているわけではない。
【０１７９】
ここでは図示を省略しているが、加熱部１４１１には加熱装置が配置され、冷却部１４１２には冷却装置が配設され、レーザビーム照射部１４１３にはレーザビーム照射装置が配設されている。ここでは、実施の形態３のパッケージ製造装置９００の有する図１２、図１３または図１４の加熱装置１１００，１２００，１２００ａのいずれかと、図１６または図１７の冷却装置１３００，１３００ａのいずれかと、図１１のレーザビーム照射装置９０９とがそれぞれ配設されている。
【０１８０】
また、図示を省略しているが、ワーク搬入室１４０１、真空予備室１４０２、真空加工室１４０３、真空予備室１４０４およびワーク搬出室１４０５には、トレー搬送用のコンベアがそれぞれ配設されており、また、真空予備室１４０２、真空加工室１４０３および真空予備室１４０４には真空状態を実現するための排気手段が配設されている。
【０１８１】
本実施の形態のパッケージ製造装置では、まず、扉１４０６を開けた状態で、ワーク搬入室１４０１を介して真空予備室１４０２に、図３のパッケージ２０または図７のパッケージ２０をパッケージ収容部１００２に配置した図１１のトレー１０００が搬送される。この時、少なくとも扉１４０７は閉じており（本実施の形態では、さらに扉１４０８，１４０９も閉じている）、かつ真空加工室１４０３および真空予備室１４０４の内部は真空状態に保持されている。真空予備室１４０２にトレー１０００（図１１参照）が搬送されると、扉１４０６が閉じられて室内の排気が行われ、真空予備室１４０２が真空加工室１４０３等と同様の真空状態となる。
【０１８２】
上記のように真空予備室１４０２で真空状態が実現されると、扉１４０７が開き、トレー１０００（図１１参照）が真空予備室１４０２から真空加工室１４０３に搬送される。そして、真空加工室１４０３の各処理部１４１１〜１４１３において、実施の形態３の真空加工室９０４の各処理部９１１〜９１３と同様の処理が行われ、図２のようにパッケージ２０が封止される。
【０１８３】
真空加工室９０４で封止処理が終わると、扉１４０８が開く。そして、トレー１０００（図１１参照）が真空予備室１４０４に搬送される。その後、扉１４０８を閉じるとともに扉１４０９を開き、真空予備室１４０４を大気開放する。そして、真空予備室１４０４からワーク搬出室１４０５にさらにトレー１０００を搬送し、完成品である図２のパッケージ２０を搬出する。
【０１８４】
以上のような本実施の形態のパッケージ製造装置によれば、実施の形態１または実施の形態２にかかるパッケージの製造方法が実施されるので、実施の形態１および実施の形態２で前述した効果が実現される。したがって、実施の形態３のパッケージ製造装置と同様の効果が得られる。
【０１８５】
上記の実施の形態１〜４は、本発明にかかるパッケージの製造方法および製造装置の例示であって、これらに限定されるものではない。例えば、上記の実施の形態１においては容器２と蓋体３との溶接を二回に分けて行う、すなわち図１の一次溶接工程ステップＳ３と二次溶接工程ステップＳ６とを行う場合について説明したが、以下のように一工程により容器２と蓋体３との溶接を行ってもよい。
【０１８６】
すなわち、図１のステップＳ２まで終了して蓋体３が容器２に仮付けされたパッケージ２０（図２参照）を、図１の一次溶接工程ステップＳ３を行うことなく、アニール工程Ｓ３および冷却工程Ｓ４に順に供し、その後、ステップＳ６の溶接工程において蓋体３の外周全体にわたって電子ビームを照射し一工程でパッケージ２０の完全封止を行ってもよい。または、ステップＳ６の溶接工程において、まずは一次封止加工（すなわち一次溶接）を行い、１０秒間程度真空雰囲気中で排気させた後に、続けて二次封止加工（すなわち二次溶接）を行ってパッケージ２０の完全封止を行ってもよい。
【０１８７】
このような一工程における完全封止を行う製造方法を適用するパッケージ製造装置では、例えば、図１０の真空加工室９０４が、レーザビーム照射部９１３の代わりに、電子ビーム照射部を備える。そして、かかる装置では、図１のステップＳ２までの処理を経たパッケージ２０がトレー１０００に配置されて搬入される。
【０１８８】
また、上記の実施の形態１〜４においては、電子部品封止体（パッケージ２０）が、容器２内に音叉型の水晶振動子１を収納する場合について説明したがこれ以外の水晶振動子が収納されてもよい。さらに、水晶振動子１に限らず、その他の電子部品を収納する構成の電子部品封止体についても、本発明は適用可能である。例えば、圧電振動子、集積回路、ＳＷＡフィルタ等を容器内に収納する電子部品封止体に本発明を適用してもよい。さらに、本発明は、四角形以外の形状を有する電子部品封止体についても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１８９】
以上のように、本発明にかかる電子部品封止体の製造方法および製造装置は、内部を高真空に保持可能な電子部品封止体の製造に有用であり、特に、内部の真空状態が収納されたデバイスの特性や信頼性に大きく影響する電子部品封止体、例えば、水晶振動子等を収納した電子部品封止体の製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【０１９０】
【図１】本発明の実施の形態１にかかるパッケージの製造方法の概要を示すフローチャートである。
【図２】図１の製造方法により製造されるパッケージの構成を示す模式的な断面図である。
【図３】図１の製造方法の一次溶接工程におけるビーム照射方法を示す模式的な平面図である。
【図４】図１の製造方法の二次溶接工程におけるビーム照射方法を示す模式的な平面図である。
【図５】実施の形態１のパッケージ製造方法の各工程におけるパッケージの温度変化を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法に用いられる容器の底部平面図である。
【図７】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図８】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２にかかるパッケージの製造方法を説明するための模式的な断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３にかかるパッケージ製造装置の全体構成を模式的に示す装置上方からの平面図である。
【図１１】図１０のパッケージ製造装置に用いられるトレーの構成を模式的に示す平面図である。
【図１２】図１０のＸＩ−ＸＩ線における真空加工室の構成を示す模式的な断面図である。
【図１３】加熱装置の他の構成を示す模式的な断面図である。
【図１４】加熱装置のさらに他の構成を示す模式的な断面図である。
【図１５】図１４の加熱装置の詳細構成を示す部分拡大図である。
【図１６】図１０のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線における真空加工室の模式的な断面図である。
【図１７】冷却装置の他の構成を示す模式的な断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態４にかかるパッケージ製造装置の構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１９１】
１  水晶振動子
２  容器
３  蓋体
４  封止材
１０  電子ビーム
１５  未溶接部分
２０  パッケージ
４０  レーザビーム
５００  貫通孔
６００  貫通孔封止材
９００  パッケージ製造装置
９０１  ワーク搬入搬出室
９０２，１４０２，１４０４  真空予備室
９０３  ワーク受け渡し室
９０４，１４０３  真空加工室
９０５  搬送路
９０６  チャンバ
９０７  コンベア
９０８  回転テーブル
９０９  レーザビーム照射装置
９１０  受け渡し部
９１１  加熱部
９１２  冷却部
９１３  レーザビーム照射部
９１４，９１５，１４０６〜１４０９  扉
９１６  搬入搬出口
９１７  受け渡しテーブル
１０００  トレー
１１００，１２００  加熱装置
１１０２  上部加熱部材
１１０３，１２０１  下部加熱部材
１３００  冷却装置
１３０２  上部冷却部材
１３０３  下部冷却部材
【図１】
2006073679.tif 000003
【図２】
2006073679.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2006073679.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006073679.tif 000009
【図８】
2006073679.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2006073679.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
2006073679.tif 000016
【図１５】
2006073679.tif 000017
【図１６】
2006073679.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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