(57)【要約】【課題】  生産性が良く、安価で、且つ、小型であると共に、性能の良好なＳＡＷフィルタを提供する。【解決手段】  本発明のＳＡＷフィルタは、絶縁基板２と、この絶縁基板２に取り付けられ、一面側に櫛歯電極１０を設けた板状の絶縁基体７とを備え、絶縁基体７の他面側には、マイクロストリップライン、又はインダクタを有する位相回路１１が形成されたため、位相回路１１のＱが従来に比して高くなって、性能の良好なものが得られると共に、従来の積層基板が不要となり、部品点数が少なく、安価で、且つ、縦方向に小型のもが得られる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、この絶縁基板に取り付けられ、一面側に櫛歯電極を設けた板状の絶縁基体とを備え、前記絶縁基体の他面側には、マイクロストリップライン、又はインダクタを有する位相回路が形成されたことを特徴とするＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記絶縁基体は、外面に前記櫛歯電極を設けた圧電基板と、この圧電基板に貼り合わされ、外面に前記位相回路が設けられた低損失基板とで形成されたことを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記低損失基板がアルミナ基板で形成されたことを特徴とする請求項２記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項４】
前記絶縁基体が圧電基板で形成され、前記圧電基板の一面側には、前記櫛歯電極が設けられると共に、前記圧電基板の他面側には、前記位相回路が形成されたことを特徴とする請求項１記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項５】
前記絶縁基板には、第１，第２のランド部が設けられ、前記櫛歯電極が前記第１のランド部にフェイスダウンボンディングされると共に、前記位相回路が前記第２のランド部にワイヤーボンディングされたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項６】
前記絶縁基板がアルミナ基板で形成されたことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載のＳＡＷフィルタ。
【請求項７】
前記絶縁基板が複数枚積層された積層基板を有し、この積層基板には、前記絶縁基体を収容するための凹部からなる収容部を有し、この収容部内には、前記第１，第２のランド部が設けられたことを特徴とする請求項６記載のＳＡＷフィルタ。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は携帯電話機等の無線機器に使用して好適なＳＡＷフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は従来のＳＡＷフィルタの構成を示す断面図で、次に、従来のＳＡＷフィルタの構成を図４に基づいて説明すると、櫛歯電極（図示せず）を設けた圧電基板（図示せず）等を有するＳＡＷフィルタ５１は、積層基板５２上に設けられたランド部５３にフェイスダウンボンディングによって取り付けられる。
【０００３】
また、セラミック材等からなる積層基板５２の積層内には、インダクタからなる位相回路５４が設けられ、この位相回路５４は、積層基板５２内に設けられた接続導体５５を介して、ＳＡＷフィルタ５１の櫛歯電極に接続されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００４】
しかし、従来のＳＡＷフィルタは、ＳＡＷフィルタ５１とは別に積層基板５２を必要とし、部品点数が多くなって、生産性が悪く、コスト高で、且つ、縦方向に大型になると共に、位相回路５４が積層基板５２の積層内に形成されているため、Ｑが低下して、性能が悪くなる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−７５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来のＳＡＷフィルタは、ＳＡＷフィルタ５１とは別に積層基板５２を必要とし、部品点数が多くなって、生産性が悪く、コスト高で、且つ、縦方向に大型になると共に、位相回路５４が積層基板５２の積層内に形成されているため、Ｑが低下して、性能が悪くなるという問題がある。
【０００７】
そこで、本発明は生産性が良く、安価で、且つ、小型であると共に、性能の良好なＳＡＷフィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、絶縁基板と、この絶縁基板に取り付けられ、一面側に櫛歯電極を設けた板状の絶縁基体とを備え、前記絶縁基体の他面側には、マイクロストリップライン、又はインダクタを有する位相回路が形成された構成とした。
【０００９】
また、第２の解決手段として、前記絶縁基体は、外面に前記櫛歯電極を設けた圧電基板と、この圧電基板に貼り合わされ、外面に前記位相回路が設けられた低損失基板とで形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記低損失基板がアルミナ基板で形成された構成とした。
【００１０】
また、第４の解決手段として、前記絶縁基体が圧電基板で形成され、前記圧電基板の一面側には、前記櫛歯電極が設けられると共に、前記圧電基板の他面側には、前記位相回路が形成された構成とした。
また、第５の解決手段として、前記絶縁基板には、第１，第２のランド部が設けられ、前記櫛歯電極が前記第１のランド部にフェイスダウンボンディングされると共に、前記位相回路が前記第２のランド部にワイヤーボンディングされた構成とした。
【００１１】
また、第６の解決手段として、前記絶縁基板がアルミナ基板で形成された構成とした。
また、第７の解決手段として、前記絶縁基板が複数枚積層された積層基板を有し、この積層基板には、前記絶縁基体を収容するための凹部からなる収容部を有し、この収容部内には、前記第１，第２のランド部が設けられた構成とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のＳＡＷフィルタは、絶縁基板と、この絶縁基板に取り付けられ、一面側に櫛歯電極を設けた板状の絶縁基体とを備え、絶縁基体の他面側には、マイクロストリップライン、又はインダクタを有する位相回路が形成されたため、位相回路のＱが従来に比して高くなって、性能の良好なものが得られると共に、従来の積層基板が不要となり、部品点数が少なく、安価で、且つ、縦方向に小型のもが得られる。
【００１３】
また、絶縁基体は、外面に櫛歯電極を設けた圧電基板と、この圧電基板に貼り合わされ、外面に位相回路が設けられた低損失基板とで形成されたため、位相回路のＱを一層高くできて、性能の良好なものが得られる。
【００１４】
また、低損失基板がアルミナ基板で形成されたため、高温焼成によって形成されるアルミナ基板上の位相回路の形成には、銀、タングステン、モリブデン以外の材料が使用できて、材料に融通性を持たせることができる。
【００１５】
また、絶縁基体が圧電基板で形成され、圧電基板の一面側には、櫛歯電極が設けられると共に、圧電基板の他面側には、位相回路が形成されたため、部品点数を一層少なくできて、安価であると共に、縦方向に小型のものが得られる。
【００１６】
また、絶縁基板には、第１，第２のランド部が設けられ、櫛歯電極が第１のランド部にフェイスダウンボンディングされると共に、位相回路が第２のランド部にワイヤーボンディングされたため、その構成が簡単で、生産性が良好であると共に、ワイヤーも位相回路の一部を構成して、絶縁基体上の位相回路を短くできる。
【００１７】
また、絶縁基板がアルミナ基板で形成されたため、放熱性の良好なものが得られる。
【００１８】
また、絶縁基板が複数枚積層された積層基板を有し、この積層基板には、絶縁基体を収容するための凹部からなる収容部を有し、この収容部内には、第１，第２のランド部が設けられたため、絶縁基体の収容が簡単で、取付の容易なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明のＳＡＷフィルタの図面を説明すると、図１は本発明のＳＡＷフィルタの第１実施例に係る要部断面図、図２は本発明のＳＡＷフィルタの第２実施例に係る要部断面図、図３は本発明のＳＡＷフィルタの第３実施例に係る要部断面図である。
【００２０】
次に、本発明のＳＡＷフィルタの第１実施例の構成を図１に基づいて説明すると、積層基板１は、アルミナ基板等からなる複数枚の絶縁基板２が積層されて形成され、上部に開放部１ａを有すると共に、段差部１ｂを設けた凹部からなる収容部１ｃを有している。
【００２１】
この収容部１ｃ内の底面には、一対の第１のランド部３が設けられると共に、段差部１ｂ上には一対の第２のランド部４が設けられ、また、積層基板１の下面には、複数の端子５が設けられ、これ等の端子５と第１，第２のランド部３，４間は、積層基板１内に設けられた接続導体６によって接続されている。
【００２２】
板状の絶縁基体７は、板状の圧電基板８と、この圧電基板８に貼り合わされたアルミナ基板等からなる低損失基板９とで形成され、圧電基板８の下方に位置する外面には、櫛歯電極１０が設けられると共に、低損失基板９の上部に位置する外面には、厚膜、又は薄膜で形成されるマイクロストリップライン、又はインダクタを有する位相回路１１が設けられている。
【００２３】
そして、絶縁基体７は、櫛歯電極１０を下方にして、積層基板１の収容部１ｃ内に収容され、櫛歯電極１０が収容部１ｃの底面から離れた状態で、第１のランド部３に半田等によってフェイスダウンボンディングされると共に、位相回路１１が第２のランド部４にワイヤー１２によってボンディングされている。
【００２４】
また、収容部１ｃ内は、ドライエアー、又は不活性ガスが密封された状態で、蓋体１３が開放部１ａを塞ぐように積層基板１の上端部に取り付けられることによって、本発明のＳＡＷフィルタが形成されている。
【００２５】
そして、このような構成を有する本発明のＳＡＷフィルタは、ここでは図示しないが、電子機器の回路基板上の配線パターンに端子５を接続して、櫛歯電極１０と位相回路１１が接続されるようになっているが、櫛歯電極１０と位相回路１１の接続は、積層基板１内で行うようにしても良い。
【００２６】
また、上記実施例では、積層基板１を使用したもので説明したが、１枚の絶縁基板２上に第１，第２のランド部３，４を設けて、櫛歯電極１０と位相回路１１をそれぞれ第１，第２のランド部３，４に接続し、ワイヤー１２を含む絶縁基体７の外周全体を絶縁樹脂部によって覆うようにしたものでも良い。
【００２７】
また、図２は本発明のＳＡＷフィルタの第２実施例を示し、この第２実施例は、前記第１実施例における絶縁基体７を裏返した状態にし、位相回路１１が第１のランド部３にフェイスダウンボンディングされると共に、櫛歯電極１０が第２のランド部４にワイヤー１２によってボンディングされたものである。
その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００２８】
また、図３は本発明のＳＡＷフィルタの第３実施例を示し、この第２実施例は、絶縁基体７が単一の圧電基板８で形成され、この圧電基体８の下面には、櫛歯電極１０が形成されると共に、圧電基板８の上面には、位相回路１１が形成されたものである。
その他の構成は、前記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００２９】
なお、上記実施例では、ＳＡＷフィルタで説明した、２個のＳＡＷフィルタからなるデュプレクサにおいて、位相回路１１を設けたものにも適用できることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明のＳＡＷフィルタの第１実施例に係る要部断面図。
【図２】本発明のＳＡＷフィルタの第２実施例に係る要部断面図。
【図３】本発明のＳＡＷフィルタの第３実施例に係る要部断面図。
【図４】従来のＳＡＷフィルタの構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００３１】
１：積層基板
１ａ：開放部
１ｂ：段差部
１ｃ：収容部
２：絶縁基板
３：第１のランド部
４：第２のランド部
５：端子
６：接続導体
７：絶縁基体
８：圧電基板
９：低損失基板
１０：櫛歯電極
１１：位相回路
１２：ワイヤー
１３：蓋体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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