(57)【要約】【課題】本発明は隔壁上部に帯電される電荷の量を減らすことができるプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は、背面ガラス基板上に隔壁を形成する段階と、前記隔壁上部に前記隔壁の誘電率より小さな誘電率を持つ帯電防止層を形成する段階を含む。  本発明は帯電防止層を含んで隔壁上部に帯電される電荷の量を減らす。本発明は帯電防止層を含んで隔壁上部に帯電される電荷の量を減らすことで誤放電の発生を防止する。本発明は帯電防止層を含んで隔壁上部に帯電される電荷の量を減らすことでジッタ特性(ｊｉｔｔｅｒ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ)を改善する。【選択図】図３
2006073533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイ装置の製造方法において、
背面ガラス基板上に隔壁を形成する段階と、
前記隔壁上部に前記隔壁の誘電率より小さな誘電率を持つ帯電防止層を形成する段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２】
前記帯電防止層の誘電率は１以上１２未満であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項３】
前記帯電防止層の厚さは１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項４】
前記帯電防止層はＰｂＯを含み、
前記帯電防止層のＰｂＯの含量は前記隔壁のＰｂＯの含量より小さいことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項５】
前記帯電防止層はエッチング法またはスクリーンプリンティング法の何れかによって形成されることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項６】
前記帯電防止層は黒色染料を含むことを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項７】
前記帯電防止層は酸化鉄または酸化クロムの内、少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項６記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項８】
プラズマディスプレイ装置の製造方法において、
背面ガラス基板上に隔壁を形成する段階と、
前記隔壁上部に前記隔壁の誘電率より小さな誘電率を持ち、黒色染料を含む帯電防止層を形成する段階と、を含むことを特徴とするプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項９】
前記帯電防止層は酸化鉄または酸化クロムの内、少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記帯電防止層の誘電率は１以上１２未満であることを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１１】
前記帯電防止層の厚さは１μm以上３μm以下であることを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記帯電防止層はＰｂＯを含み、
前記帯電防止層のＰｂＯの含量は前記隔壁のＰｂＯの含量より小さいことを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記帯電防止層はエッチング法またはスクリーンプリンティング法の何れかによって形成されることを特徴とする、請求項８記載のプラズマディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
セルを形成する隔壁と、
前記隔壁上部に形成されて前記隔壁より誘電率が小さな帯電防止層を含むプラズマディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記帯電防止層の誘電率は１以上１２未満であることを特徴とする、請求項１４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記帯電防止層の厚さは１μｍ 以上３μｍ以下であることを特徴とする、請求項１４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記帯電防止層はＰｂＯを含み、
前記帯電防止層のＰｂＯの含量は前記隔壁のＰｂＯの含量より小さいことを特徴とする、 請求項１４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記帯電防止層は黒色染料を含むことを特徴とする、請求項１４記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記帯電防止層は酸化鉄または酸化クロムの内、少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記帯電防止層はエッチング法またはスクリーンプリンティング法の何れかによって形
成されることを特徴とする、請求項１４記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイ装置及びその製造方法に関し、より詳しくは隔壁を含むプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なプラズマディスプレイ装置は交流（ＡＣ）電圧または直流（ＤＣ）電圧が印加された電極の間で発生するガス放電を利用して画像を表示する。すなわち、ガス放電によって紫外線の放射が発生して、 紫外線の放射によって蛍光体が発光される。一般的なプラズマディスプレイ装置は蛍光体の発光を通じて画像を表示する。
【０００３】
図１は従来のプラズマディスプレイ装置の構造を概略的に示す斜視図である。 図１に示すように、従来のプラズマディスプレイ装置は前面ガラス基板１０と背面ガラス基板２０を含む。前面ガラス基板１０は画像が表示される表示面である。背面ガラス基板２０は前面ガラス基板１０と一定距離を間に置いて前面ガラス基板１０と平行に結合される。
【０００４】
前面ガラス基板１０は維持放電（ｓｕｓｔａｉｎ  ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）を維持するためのスキャン電極１１及びサステイン電極１２を含む。 スキャン電極１１及びサステイン電極１２は壁電荷を形成して、放電維持電圧によって放電を維持させる。スキャン電極１１及びサステイン電極１２は、それぞれ透明電極(１１ａ、１２ａ)とバス電極(１１ｂ、１２ｂ)からなる。透明電極(１１ａ、１２ａ)は透明なＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ） 物質によって形成される。バス電極(１１ｂ、１２ｂ)は金属材質によって形成される。
【０００５】
上部誘電体層１３ａはプラズマ放電時にイオンの移動による衝撃からスキャン電極１１及びサステイン電極１２を保護して拡散防止膜の役目をする。
【０００６】
保護層１４は上部誘電体層１３ａ上面に形成されて、２次電子の放出を容易にする。保護層１４は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の蒸着によって形成される。
【０００７】
隔壁２１はセルを形成させて、背面ガラス基板２０上に、互いに平行に配列される。
【０００８】
アドレス電極２２は隔壁２１と平行に背面ガラス基板２０の上面に形成されて、スキャン電極１１及びサステイン電極１２と交差される部位でアドレス放電を遂行する。
【０００９】
下部誘電体層１３ｂはアドレス電極２２上面に形成される。Ｒ，Ｇ，Ｂ蛍光層２３は隔壁２１と隔壁２１の間に塗布されて画像の表示のための可視光線を放出する。
【００１０】
従来、前面ガラス基板１０と背面ガラス基板２０はシーリング材であるフリットガラス（Ｆｒｉｔ  Ｇｌａｓｓ）によって合着される。以後プラズマディスプレイ装置の内部の不純物を取り除くための排気工程が遂行される。排気工程以後にプラズマ放電の效率を高めるためにヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）などのような不活性ガスがプラズマディスプレイ装置の内部に注入される。
【００１１】
図２は従来のプラズマディスプレイ装置の隔壁構造を示している。図２に示すように、アドレス電極２２及び下部誘電体層１３ｂが背面ガラス基板２０に形成されて下部誘電体層１３ｂ上に隔壁２１が形成されて、隔壁２１の間には Ｒ，Ｇ，Ｂ蛍光体２３のそれぞれが塗布される。
【００１２】
プラズマディスプレイ装置の隔壁形成方法はプリンティング法（ｐｒｉｎｔｉｎｇ）、 サンドブラスト法（ｓａｎｄ−ｂｌａｓｔ）及び直接エッチング法（ｄｉｒｅｃｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）などがある。この中で直接エッチング法が主に使われる。直接エッチング法はフォトレジスト（ｐｈｏｔｏ  ｒｅｇｉｓｔ）の塗布、露光、現像及びエッチング工程からなる。下部誘電体層１３ｂ上に隔壁形成物質が塗布されて乾燥する。隔壁形成物質がフォトレジストになる。以後マスクを透過した紫外線によってフォトレジストが露光される。現象工程を通じてパターンが形成されてエッチング工程を通じて隔壁２１が形成する。以後隔壁２１を炉（ｆｕｒｎａｃｅ）に入れて隔壁２１を塑性させる。隔壁２１が形成された後隔壁２１の間に蛍光体２３が印刷される。
【００１３】
このような過程を通じて形成された従来の隔壁２１は高い誘電率（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｃｏｎｓｔａｎｔ）を持つ。従来、隔壁２１の誘電率は約１２である。隔壁２１はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。隔壁２１の誘電率を高める主要原因はＰｂＯである。
【００１４】
これによってアドレス放電が起きる時、隔壁２１上部に帯電される電荷が多くなる一方で、セルの放電空間に存在する電荷が少なくなる。セルの放電空間に存在する電荷が少なくなればアドレス放電が完璧に起きないので、誤放電が発生してジッタ特性(ｊｉｔｔｅｒ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ)が低下するという問題点が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は隔壁上部に帯電される電荷の量を減らすことができるプラズマディスプレイ装置及びプラズマディスプレイ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は背面ガラス基板上に隔壁を形成する段階と、前記隔壁上部に前記隔壁の誘電率より小さな誘電率を持つ帯電防止層を形成する段階とを含む。
【００１７】
本発明のプラズマディスプレイ装置の製造方法は背面ガラス基板上に隔壁を形成する段階と、前記隔壁上部に前記隔壁の誘電率より小さな誘電率を持ち、黒色染料を含む帯電防止層を形成する段階とを含む。
【００１８】
本発明のプラズマディスプレイ装置はセルを形成する隔壁及び前記隔壁上部に形成されて前記隔壁より誘電率が小さな帯電防止層を含む。
【００１９】
前記帯電防止層の誘電率は１以上１２未満であることを特徴とする。
【００２０】
前記帯電防止層の厚さは１μｍ以上３μｍ以下であることを特徴とする。
【００２１】
前記帯電防止層はＰｂＯを含み、前記帯電防止層のＰｂＯの含量は前記隔壁のＰｂＯの含量より小さいことを特徴とする。
【００２２】
前記帯電防止層はエッチング法またはスクリーンプリンティング法の何れかによって形成されることを特徴とする。
【００２３】
前記帯電防止層は黒色染料を含むことを特徴とする。
【００２４】
前記帯電防止層は酸化鉄または酸化クロムの内、少なくとも一つを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明は帯電防止層を含むことで隔壁上部に帯電される電荷の量を減らす。
【００２６】
本発明は帯電防止層を含んで隔壁上部に帯電される電荷の量を減らすことで誤放電の発生を防止する。
【００２７】
本発明は帯電防止層を含んで隔壁上部に帯電される電荷の量を減らすことでジッタ特性を改善する。
【００２８】
本発明は黒色染料が含有された帯電防止層を含んで隔壁上部に帯電される電荷の量を減らしながら帯電防止層がブラックマトリクスの機能を遂行するようにする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明による具体的な実施形態を添付された図面を参照して説明する。
【００３０】
<第１実施形態>
図３ａ乃至図３ｅはエッチング法によって本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示している。
【００３１】
図３ａに示すように、アドレス電極３２と誘電体層３４が形成された背面ガラス基板３０を用意する。
【００３２】
図３ｂに示すように、誘電体層３４上に隔壁を形成するための隔壁材３６を塗布した後、乾燥させる。隔壁材３６は誘電率が大きいので、アドレス放電時にセルの放電空間に存在する電荷の量を減らす。これによって誤放電が発生して、ジッタ特性が低下する虞がある。なお、隔壁材３６はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。
【００３３】
図３ｃに示すように、隔壁材３６上に帯電防止層材３８が塗布される。帯電防止層材３８の誘電率は隔壁材３６の誘電率よりも小さい。望ましくは帯電防止層材３８の誘電率は１ 以上１２未満であることを特徴とする。
【００３４】
図３ｄに示すように、帯電防止層材３８上にフォトレジスト４０が塗布される。フォトレジスト４０はフォトマスク４２を透過した紫外線(ＵＶ)によって露光される。フォトマスク４２は隔壁のパターンを持っている。具体的には、フォトマスク４２は、隔壁のパターンに対応したパターンの開口部を有している。この開口部を介して紫外線がフォトレジスト４０上に照射され、フォトレジスト４０が隔壁のパターンに対応して露光される。
【００３５】
図３ｅに示すように、露光されたフォトレジスト４０に対して現象工程が行われると、フォトレジスト４０に隔壁のパターンが形成される。以後、蝕刻工程を通じて隔壁４４が形成されて隔壁４４上に帯電防止層４６が形成される。この時帯電防止層４６の厚さは１μ、ｍ以上３μｍ以下である。また、帯電防止層４６は ＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。この時、帯電防止層４６のＰｂＯの量は隔壁４４に含有されたＰｂＯの量よりも少ない。したがって帯電防止層４６の誘電率は隔壁４４の誘電率よりも小さい。帯電防止層４６の誘電率はＰｂＯの量によって１以上１２未満に調節可能である。
【００３６】
帯電防止層４６の誘電率は従来の隔壁２１の誘電率よりも小さいので、隔壁２１上部に帯電される電荷の量が減る。このように隔壁材３６の誘電率よりも小さな誘電率を持つ帯電防止層４６が隔壁４４上に形成されれば、アドレス放電時に隔壁２１上部に電荷が帯電することを阻むことができる。したがって、セルの放電空間に存在する電荷が多くなってアドレス放電が完璧に起き易くなるので、誤放電の発生を防止してジッタ特性(ｊｉｔｔｅｒ  ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ)が改善される。
【００３７】
このように第１実施形態によって隔壁４４上に形成される帯電防止層４６は、スクリーンプリンティング法（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）によっても形成することができる。
【００３８】
図４ａ乃至図４ｄはスクリーンプリンティング法によって本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示している。
【００３９】
図４ａに示すように、 アドレス電極３２と誘電体層３４が形成された背面ガラス基板３０を用意する。
【００４０】
図４ｂに示すように、隔壁を形成するための隔壁リブ材ペースト（ｂａｒｒｉｅｒ ｒｉｂ  ｍａｔｅｒｉａｌ  ｐａｓｔｅ）４８がスクリーンマスク（ｓｃｒｅｅｎ  ｍａｓｋ）５０上に塗布されると、スクイズ（ｓｑｕｅｅｚｅ）５２が隔壁リブ材ペースト４８を下に押し出す。なお、隔壁リブ材ペースト４８はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。スクリーンマスク５０は通常金属からなるメッシュ網（ｍｅｓｈ  ｎｅｔ）５４と隔壁のパターンが形成されたパターン形成層５６で構成される。このようにスクイズ５２が隔壁リブ材ペースト４８を下に押し出すと、隔壁リブ材ペースト４８がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動する。
【００４１】
図４ｃに示すように、隔壁リブ材ペースト４８がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動すると、隔壁４４が形成される。以後、隔壁４４は一定温度の熱によって硬化される。
【００４２】
図４ｄに示すように、帯電防止層を形成するための帯電防止ペースト６０がスクリーンマスク５０上に塗布される。スクイズ５２が帯電防止ペースト６０を下に押し出す。このようにスクイズ５２が帯電防止ペースト６０を下に押し出すと、帯電防止ペースト６０がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動する。
【００４３】
図４ｅに示すように、帯電防止ペースト６０がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動すると、帯電防止層４６が形成される。以後、帯電防止層４６は一定温度の熱によって硬化される。以後、隔壁４４と帯電防止層４６に対して塑性工程が行われる。
【００４４】
この時、帯電防止層４６の厚さは１μｍ以上３μｍ以下である。また、帯電防止層４６はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。この時、帯電防止層４６のＰｂＯの量は隔壁４４に含有されたＰｂＯの量より少ない。したがって帯電防止層４６の誘電率は隔壁４４の誘電率より小さい。帯電防止層４６の誘電率はＰｂＯの量によって１以上１２未満に調節可能である。
【００４５】
帯電防止層４６の誘電率は従来の隔壁２１の誘電率よりも小さいので、隔壁２１上部に帯電される電荷の量が減る。このように隔壁材３６の誘電率よりも小さな誘電率を持つ帯電防止層４６が隔壁４４上に形成されれば、アドレス放電時に隔壁２１上部に電荷が帯電されることを阻むことができる。したがって、セルの放電空間に存在する電荷が多くなってアドレス放電が完璧に起き易くなるので、誤放電の発生を防止してジッタ特性が改善される。
【００４６】
<第２実施形態>
図５ａ乃至図５ｅはエッチング法によって本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示している。
【００４７】
図５ａに示すように、アドレス電極３２と誘電体層３４が形成された背面ガラス基板３０を用意する。
【００４８】
図５ｂに示すように、誘電体層３４上に隔壁を形成するための隔壁材３６を塗布した後、乾燥させる。隔壁材３６は誘電率が大きいので、アドレス放電時にセルの放電空間に存在する電荷の量を減らす。これによって誤放電が発生してジッタ特性が低下する。なお、隔壁材３６はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。
【００４９】
図５ｃに示すように、隔壁材３６上に帯電防止層材３８が塗布される。帯電防止層材３８の誘電率は隔壁材３６の誘電率よりも小さい。望ましくは帯電防止層材３８の誘電率は １以上１２未満であることを特徴とする。また帯電防止層材３８は酸化鉄や酸化クロムのような黒色染料が含まれる。したがって本発明の第２実施形態で使われる帯電防止層材３６の色は黒色である。
【００５０】
図５ｄに示すように、帯電防止層材３８上にフォトレジスト４０が塗布される。フォトレジスト４０はフォトマスク４２を透過した紫外線(ＵＶ)によって露光される。具体的には、フォトマスク４２は、隔壁のパターンに対応したパターンの開口部を有している。この開口部を介して紫外線がフォトレジスト４０上に照射され、フォトレジスト４０が隔壁のパターンに対応して露光される。フォトマスク４２は隔壁のパターンを持っている。
【００５１】
図５ｅに示すように、露光されたフォトレジスト４０に対して現像工程が行われると、フォトレジスト４０に隔壁のパターンが形成される。以後、蝕刻工程を通じて隔壁４４が形成されて隔壁４４上に帯電防止層４６が形成される。この時、帯電防止層４６の厚さは１μｍ以上３μｍ以下である。
【００５２】
帯電防止層４６はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。この時、帯電防止層４６のＰｂＯの量は隔壁４４に含有されたＰｂＯの量よりも少ない。したがって帯電防止層４６の誘電率は隔壁４４の誘電率よりも小さい。帯電防止層４６の誘電率はＰｂＯの量によって１以上１２未満に調節可能である。
【００５３】
また、帯電防止層４６はブラックマトリクス(ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ)の役目も果たす。すなわち、本発明の帯電防止層４６は酸化鉄や酸化クロムのような黒色染料を含んだ帯電防止層材３８を通じて形成されるので、帯電防止層４６の色は黒色である。
【００５４】
帯電防止層４６の誘電率は従来の隔壁２１の誘電率よりも小さいので、隔壁２１上部に帯電される電荷の量が減る。このように隔壁材３６の誘電率よりも小さな誘電率を持つ帯電防止層４６が隔壁４４上に形成されれば、アドレス放電時に隔壁２１上部に電荷が帯電されることを阻むことができる。したがって、セルの放電空間に存在する電荷が多くなってアドレス放電が完璧に起きるので、誤放電の発生を防止してジッタ特性が改善される。また本発明の第２実施形態による帯電防止層４６は黒色染料を含んでブラックマトリクスの機能を果たす。
【００５５】
このように第２実施形態によって隔壁４４上に形成される帯電防止層４６は、スクリーンプリンティング法によっても形成されることができる。
【００５６】
図６ａ乃至図６ｄはスクリーンプリンティング法によって本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示している。
【００５７】
図６ａに示すように、アドレス電極３２と誘電体層３４が形成された背面ガラス基板３０を用意する。
【００５８】
図６ｂに示すように、隔壁を形成するための隔壁リブ材ペースト４８がスクリーンマスク５０上に塗布されると、スクイズ５２が隔壁リブ材ペースト４８を下に押し出す。なお、隔壁リブ材ペースト４８はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。スクリーンマスク５０は、通常金属からなるメッシュ網５４と隔壁のパターンが形成されたパターン形成層５６で構成される。このように、スクイズ５２が隔壁材ペースト４８を下に押し出すと、隔壁材ペースト４８がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動する。
【００５９】
図６ｃに示すように、隔壁材ペースト４８がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動すると、隔壁４４が形成される。以後、隔壁４４は一定温度の熱によって硬化される。
【００６０】
図６ｄに示すように、帯電防止層を形成するための帯電防止ペースト６０がスクリーンマスク５０上に塗布される。この時、帯電防止ペースト６０は酸化鉄や酸化クロムのような黒色染料が含まれる。したがって、本発明の第２実施形態で使われる帯電防止ペースト６０の色は黒色である。スクイズ５２が帯電防止ペースト６０を下に押し出す。このように、スクイズ５２が帯電防止ペースト６０を下に押し出すと、帯電防止ペースト６０がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動する。
【００６１】
図６ｅに示すように、帯電防止ペースト６０がパターン形成層５６のホール５８を通じて移動すると、帯電防止層４６が形成される。以後、帯電防止層４６は一定温度の熱によって硬化される。以後、隔壁４４と帯電防止層４６に対して塑性工程が行われる。
【００６２】
この時、帯電防止層４６の厚さは１μｍ以上３μｍ以下である。また、帯電防止層４６はＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＢａＯ及びＰｂＯなどからなる。この時、帯電防止層４６のＰｂＯの量は隔壁４４に含有されたＰｂＯの量よりも少ない。したがって、帯電防止層４６の誘電率は隔壁４４の誘電率よりも小さい。帯電防止層４６の誘電率はＰｂＯの量によって１以上１２未満に調節可能である。
【００６３】
また、帯電防止層４６はブラックマトリクスの役目も果たす。すなわち、本発明の帯電防止層４６は、酸化鉄や酸化クロムのような黒色染料を含んだ帯電防止層材３６を通じて形成されるので、帯電防止層４６の色は黒色である。
【００６４】
帯電防止層４６の誘電率は従来の隔壁２１の誘電率より小さいので、隔壁２１上部に帯電される電荷の量が減る。このように、隔壁材３６の誘電率よりも小さな誘電率を持つ帯電防止層４６が隔壁４４上に形成されれば、アドレス放電時に隔壁２１上部に電荷が帯電されることを阻むことができる。したがって、セルの放電空間に存在する電荷が多くなってアドレス放電が完璧に起きるので、誤放電の発生を防止してジッタ特性が改善される。また本発明の第２実施形態による帯電防止層４６は黒色染料を含んでブラックマトリクスの機能を果たす。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】従来のプラズマディスプレイ装置の構造を概略的に示す斜視図。
【図２】従来のプラズマディスプレイ装置の隔壁構造を示す図。
【図３】エッチング法によって本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示す図。
【図４】スクリーンプリンティング法によって本発明の第１実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示す図。
【図５】エッチング法によって本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示す図。
【図６】スクリーンプリンティング法によって本発明の第２実施形態によるプラズマディスプレイ装置の帯電防止層を形成する過程を示す図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０    前面ガラス基板
１１    スキャン電極
１１ａ  透明電極
１１ｂ  バス電極
１２    サステイン電極
１２ａ  透明電極
１２ｂ  バス電極
１３ａ  上部誘電体層
１３ｂ  下部誘電体層
１４    保護層
２０    背面ガラス基板
２１    隔壁
２２    アドレス電極
２３    Ｒ，Ｇ，Ｂ蛍光層
３０    背面ガラス基板
３２    アドレス電極
３４    誘電体層
３６    隔壁材
３８    帯電防止層材
４０    フォトレジスト
４２    フォトマスク
４４    隔壁
４６    帯電防止層
４８    隔壁リブ材ペースト
５０    スクリーンマスク
５２    スクイズ
５４    メッシュ網
５６    パターン形成層
５８    ホール
６０    帯電防止ペースト
【図１】
2006073533.tif 000003
【図２】
2006073533.tif 000004
【図３】
2006073533.tif 000005
【図４】
2006073533.tif 000006
【図５】
2006073533.tif 000007
【図６】
2006073533.tif 000008