(57)【要約】【課題】  中性条件下で脱保護可能な核酸塩基のアミノ基の保護基を提供する。【解決手段】  一般式（Ｉ）：【化１】2006248931.tif 000026〔式中、Ｘはアミノ基を持つ核酸塩基などのアミノ基以外の部分を表す。〕で表される化合物を、一般式（II）：【化２】2006248931.tif 000027〔式中、Ｙは電子吸引性基を表す。〕で表されるイソシアナート誘導体と反応させ、一般式（III）：【化３】2006248931.tif 000028〔式中、Ｘ及びＹは前記と同意義を示す。〕で表される化合物を得る工程、及び一般式（III）で表される化合物を、加熱又はマイクロウェーブ照射し、一般式（Ｉ）で表される化合物を得る工程を含むことを特徴とする核酸の合成方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）：
【化１】
2006248931.tif 000020
〔式中、Ｘはアミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド又はその類似化合物のアミノ基以外の部分を表す。〕
で表される化合物を、一般式（II）：
【化２】
2006248931.tif 000021
〔式中、Ｙは電子吸引性基を表す。〕
で表されるイソシアナート誘導体と反応させ、一般式（III）：
【化３】
2006248931.tif 000022
〔式中、Ｘ及びＹは前記と同意義を示す。〕
で表される化合物を得る工程、及び一般式（III）で表される化合物を、加熱又はマイクロウェーブ照射し、一般式（Ｉ）で表される化合物を得る工程を含むことを特徴とする核酸の合成方法。
【請求項２】
一般式（II）及び（III）におけるＹが、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールスルホニル基であることを特徴とする請求項１記載の核酸の合成方法。
【請求項３】
一般式（II）及び（III）におけるＹが、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、又はフェニルスルホニル基であることを特徴とする請求項１記載の核酸の合成方法。
【請求項４】
一般式（III）：
【化４】
2006248931.tif 000023
〔式中、Ｘはアミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド又はその類似化合物のアミノ基以外の部分を表し、Ｙは電子吸引性基を表す。〕
で表される化合物を、加熱又はマイクロウェーブ照射し、一般式（Ｉ）：
【化５】
2006248931.tif 000024
〔式中、Ｘは前記と同意義を示す。〕
で表される化合物に変換することを特徴とする核酸塩基中のアミノ基の脱保護方法。
【請求項５】
一般式（III）におけるＹが、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールスルホニル基であることを特徴とする請求項４記載の核酸塩基中のアミノ基の脱保護方法。
【請求項６】
一般式（III）におけるＹが、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、又はフェニルスルホニル基であることを特徴とする請求項４記載の核酸塩基中のアミノ基の脱保護方法。
【請求項７】
一般式（III’）：
【化６】
2006248931.tif 000025
〔式中、Ｘはアミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド又はその類似化合物のアミノ基以外の部分を表し、Ｙ’は４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、又はフェニルスルホニル基を表す。〕
で表される化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、置換カルバモイル基を保護基として利用した核酸の合成方法、及び前記保護基の脱保護方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
核酸塩基部のアミノ基は反応性が高く、糖部などその他の核酸部位に化学修飾する際や、ＤＮＡやＲＮＡオリゴマーの合成時には保護基が必要である。現在汎用されている保護基としてはトリチル骨格、アシル骨格、カルバメート骨格、アミジン骨格（カレント  プロトコールズ  イン  ヌクレイック  アシッド  ケミストリー,  チャプター２,  ユニット２．１ ジョン  ワイリー  アンド  サンズ社）などを骨格にもつ保護基が挙げられる。しかし、いずれの保護基も脱保護には酸性あるいは塩基性条件が必要であり、中性条件下脱保護可能な新規保護基の開発が求められている。
【０００３】
ＤＮＡやＲＮＡオリゴマーの合成時の核酸塩基アミノ基の保護基はアシル骨格、アミジン骨格をもつものが汎用されている。いずれの保護基もアンモニアやメチルアミンを用いて脱保護する必要があり、塩基性条件下不安定な分子を含むオリゴマーを合成することはできない。この問題を克服する方法として、核酸塩基アミノ基の保護基に中性条件下脱保護可能なアリルオキシカルボニル基を用いる方法（ザ  ジャーナル  オブ  オーガニック  ケミストリー  ５１巻  Ｐ２４００ー２４０２  １９８６年）が開発されているが、脱保護に遷移金属を用いる必要があり問題がある。一方、塩基部に保護基を用いない塩基部無保護ホスホロアミダイト法（ジャーナル  オブ  ザ  アメリカン  ケミカル  ソサイアティー  １２６巻  Ｐ１０８８４−１０８９６  ２００４年）が本発明者らにより開発されている。
【０００４】
また修飾塩基として、アデニン塩基アミノ基の修飾基としてＮーカルバモイル基をもつ修飾核酸（ジャーナル  オブ  ザ  アメリカン  ケミカル  ソサイアティー  １２５巻  Ｐ８０８６−８０８７  ２００３年）、シトシン塩基アミノ基の修飾基としてＮ−カルバモイル基をもつ修飾核酸（ヌクレイック  アシッズ  リサーチ  サプリメント  ２巻  Ｐ１６１−１６２  ２００２年）が報告されている。更に、修飾ヌクレオシドとして、本発明者らによって４−Ｎ−（Ｎ−アリールカルバモイル）デオキシシチジン（非特許文献１）が報告されている。
【０００５】
【非特許文献１】テトラへドロン  レターズ  ４５巻  Ｐ９３６５−９３６８  ２００４年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述したように、中性条件下で脱保護可能な核酸塩基のアミノ基の保護基は非常に少なく、また、脱保護可能な保護基も、遷移金属を使用しなければならないなど使い難いものであった。本発明は、以上のような技術的背景の下になされたものであり、核酸塩基のアミノ基の新規な保護手段を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、４−Ｎ−（Ｎ−アリールカルバモイル）デオキシシチジン（非特許文献１）などに含まれるアリールカルバモイル基が、中性条件下で脱離させることができ、核酸塩基のアミノ基の保護基として好適な性質を持つことを見出し、この知見に基づき、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、本発明は、以下の（１）〜（７）を提供するものである。
【０００９】
（１）一般式（Ｉ）：
【００１０】
【化１】
2006248931.tif 000002
〔式中、Ｘはアミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド又はその類似化合物のアミノ基以外の部分を表す。〕
で表される化合物を、一般式（II）：
【００１１】
【化２】
2006248931.tif 000003
〔式中、Ｙは電子吸引性基を表す。〕
で表されるイソシアナート誘導体と反応させ、一般式（III）：
【００１２】
【化３】
2006248931.tif 000004
〔式中、Ｘ及びＹは前記と同意義を示す。〕
で表される化合物を得る工程、及び一般式（III）で表される化合物を、加熱又はマイクロウェーブ照射し、一般式（Ｉ）で表される化合物を得る工程を含むことを特徴とする核酸の合成方法。
【００１３】
（２）一般式（II）及び（III）におけるＹが、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールスルホニル基であることを特徴とする（１）記載の核酸の合成方法。
【００１４】
（３）一般式（II）及び（III）におけるＹが、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、又はフェニルスルホニル基であることを特徴とする（１）記載の核酸の合成方法。
【００１５】
（４）一般式（III）：
【００１６】
【化４】
2006248931.tif 000005
〔式中、Ｘはアミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド又はその類似化合物のアミノ基以外の部分を表し、Ｙは電子吸引性基を表す。〕
で表される化合物を、加熱又はマイクロウェーブ照射し、一般式（Ｉ）：
【００１７】
【化５】
2006248931.tif 000006
〔式中、Ｘは前記と同意義を示す。〕
で表される化合物に変換することを特徴とする核酸塩基中のアミノ基の脱保護方法。
【００１８】
（５）一般式（III）におけるＹが、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールスルホニル基であることを特徴とする（４）記載の核酸塩基中のアミノ基の脱保護方法。
【００１９】
（６）一般式（III）におけるＹが、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、又はフェニルスルホニル基であることを特徴とする（４）記載の核酸塩基中のアミノ基の脱保護方法。
【００２０】
（７）一般式（III’）：
【００２１】
【化６】
2006248931.tif 000007
〔式中、Ｘはアミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド又はその類似化合物のアミノ基以外の部分を表し、Ｙ’は４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、又はフェニルスルホニル基を表す。〕
で表される化合物。
【発明の効果】
【００２２】
本発明は、置換カルバモイル基を核酸塩基のアミノ基の保護基として利用する新規な核酸の合成方法を提供する。置換カルバモイル基は、中性条件下で加熱等によって脱離させることができ、また、イソシアナート誘導体によって容易に導入することができ、保護基として非常に優れた性質を持っている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００２４】
本発明の核酸の合成方法は、少なくとも以下の保護基導入工程と脱保護工程を含むことを特徴とするものである。
【００２５】
保護基導入工程は、一般式（Ｉ）
【００２６】
【化７】
2006248931.tif 000008
で表される化合物を、一般式（II）
【００２７】
【化８】
2006248931.tif 000009
で表されるイソシアナート誘導体と反応させ、一般式（III）
【００２８】
【化９】
2006248931.tif 000010
で表される化合物を得る工程である。
【００２９】
一般式（Ｉ）及び（III）におけるＸはアミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド、又はその類似化合物のアミノ基以外の部分を表す。
【００３０】
ここで、「アミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシド」とは、リボース−１−イルもしくは２−デオキシリボース−１−イル基とアミノ基を有する任意のヘテロ芳香環とが結合した物質全般を指し、例えば２’−デオキシアデノシン、２’−デオキシグアノシン、２’−デオキシシチジン、アデノシン、グアノシン、シチジン、などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００３１】
「ヌクレオシドの類似化合物」とは、ヌクレオシドと同様にその分子内に核酸塩基を含む天然由来の又は人工的に合成された化合物をいい、少なくともヌクレオシド誘導体、ヌクレオシドホスホロアミダイト化合物、オリゴＤＮＡ、オリゴＲＮＡ、ＰＮＡ、及びＰＮＡのモノマーは「ヌクレオシドの類似化合物」に含まれる。
【００３２】
「ヌクレオシド誘導体」とは、ヌクレオシド分子中の一部が他の原子又は基で置き換えられた化合物をいい、例えば、ヌクレオシド中の糖部位に存在する水酸基の一部もしくは全部が適当な保護基で保護された化合物やデオキシリボースの２位の水素原子が水酸基以外の官能基によって置換された化合物などが含まれる。
【００３３】
「ヌクレオシドホスホロアミダイト化合物」とは、リボース又はデオキシリボースの５位の水酸基が適当な保護基で保護され、３位が遊離の水酸基である化合物の３位の酸素原子上に式（IV）で表わされる基が結合した化合物である。
【００３４】
【化１０】
2006248931.tif 000011
【００３５】
ここでＲ１、Ｒ２は同一または異なるアルキル基、もしくはＲ１とＲ２が互いに結合してヘテロ原子を含んでもよい環を形成した基を表わし、Ｒ３はリン酸基の保護基をあらわす。Ｒ１、Ｒ２としては例えば、イソプロピル基などがあげられ、Ｒ３としては２−シアノエチル基などが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
【００３６】
また、オリゴＤＮＡ及びオリゴＲＮＡは、化学修飾を受けているものも含む。
【００３７】
一般式（II）及び（III）におけるＹは電子吸引性基を表す。電子吸引性基としては、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールスルホニル基などを挙げることができ、より具体的には、４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、フェニルスルホニル基を挙げることができる。これらの中でも２−ニトロフェニル基、フェニルスルホニル基を特に好適な基として挙げることができる。なお、Ｙが４−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、２−ニトロフェニル基、又はフェニルスルホニル基の場合、一般式（III）で表される化合物は新規化合物である。
【００３８】
一般式（Ｉ）で表される化合物と一般式（II）で表されるイソシアナート誘導体との反応は、公知の方法（例えば、テトラへドロン  レターズ  ４５巻  Ｐ９３６５−９３６８  ２００４年に記載の方法）に従って行うことができる。例えば、一般式（Ｉ）で表される化合物と一般式（II）で表されるイソシアナート誘導体を、反応を阻害しない有機溶媒（複数の有機溶媒同士を任意の体積比で混合した混合有機溶媒を用いてもよい）中で混合し、一定時間撹拌処理を行うことにより、一般式（III）で表される化合物を得ることができる。
【００３９】
脱保護工程は、一般式（III）で表される化合物を、加熱又はマイクロウェーブ照射し、一般式（Ｉ）で表される化合物を得る工程である。
【００４０】
加熱温度は脱保護可能な温度であれば特に限定されないが、４０〜１００℃とするのが好ましく、５０〜９０℃とするのが更に好ましい。加熱時間はカルバモイル基の置換基の種類によって異なるが、例えば、置換基が２−ニトロフェニル基であれば、加熱時間は１〜３０時間とするのが好ましく、３〜２０時間とするのが更に好ましい。
【００４１】
照射するマイクロウェーブの周波数は脱保護可能な範囲であれば限定されないが、１０００〜１００００ＭＨｚとするのが好ましく、１０００〜５０００ＭＨｚとするのが更に好ましい。脱保護に要するマイクロウェーブの照射時間はカルバモイル基の置換基の種類によって異なるが、例えば、置換基が２−ニトロフェニル基であれば、照射時間は１〜３０時間とするのが好ましく３〜２０時間とするのが更に好ましい。
【００４２】
上述した加熱処理等は、通常溶媒中で行う。溶媒は、反応を阻害しない有機溶媒と水系溶媒とを０：１００−１００：０の任意の体積比で混合したものを用いることができる。有機溶媒としては脱保護反応を阻害しない複数の有機溶媒同士を任意の体積比で混合した混合有機溶媒を用いてもよい。また水系溶媒としては水だけでなく任意の緩衝溶液を用いることができ、複数の緩衝溶液同士を任意の濃度で混合した混合緩衝溶液を用いても良い。また反応を阻害しない添加剤として、たとえば、アンモニア、一級アミン、二級アミン、三級アミン、アミジン化合物、グアニジン化合物、テトラ（ｎ−ブチル）アンモニウム  フルオリド、炭酸塩、カルボン酸塩、金属アルコキシド、金属ヒドロキシド、金属水素化物などを同時に複数用いることもできる。
【００４３】
本発明の核酸合成方法は、上述した保護基導入工程と脱保護工程以外は、一般的な核酸の合成方法（例えば、ホスホロアミダイト法）と同様に行うことができる。ホスホロアミダイト法を用いた場合の合成法の一例を以下に示す。まず、アミノ基を持つ核酸塩基を含むヌクレオシドホスホロアミダイト化合物を合成する。このヌクレオシドホスホロアミダイト化合物のアミノ基に、上述した保護基導入工程に従って保護基を導入する。保護基の導入されたヌクレオシドホスホロアミダイト化合物を順次連結し、保護基を含むオリゴ核酸を合成する。この保護基を含むオリゴ核酸を、上述した脱保護工程に従って保護基を除去し、オリゴ核酸を得る。
【００４４】
なお、本発明の合成方法において合成対象とする核酸には、ＰＮＡなどの非天然型の核酸も含まれる。
【実施例】
【００４５】
〔実施例１〕  ４−Ｎ−［Ｎ−（４−ニトロフェニル）カルバモイル］デオキシシチジンの合成
【００４６】
【化１１】
2006248931.tif 000012
デオキシシチジン塩酸塩（２６４  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（１０  ｍｌ）に懸濁させ、トリエチルアミン（１４１  μＬ，  １．０  ｍｍol）を加え５分間撹拌した。ついで、４−ニトロフェニルイソシアナート（１６４  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）を加え３０分撹拌し、溶媒を減圧留去した。イソプロピルアルコールを加え生じた沈殿を乾燥させ、表記化合物（３３４  ｍｇ，  収率８８％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＤＭＳＯ−ｄ６）  δ  ２．０１−２．０９（１Ｈ，ｍ），２．２７−２．３３（１Ｈ，ｍ），３．５０−３．６４（１Ｈ，ｍ），３．８４−３．９０（１Ｈ，ｍ），４．１９−４．２５（１Ｈ，ｍ），５．０７（１Ｈ，ｂｒ），５．１８（１Ｈ，ｂｒ），６．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，Ｊ＝５．９Ｈｚ），６．３７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），７．７４−７．７７（２Ｈ，ｍ），７．９２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），８．１２−８．２３（３Ｈ，ｍ）
【００４７】
〔実施例２〕  ４−Ｎ−［Ｎ−（３−ニトロフェニル）カルバモイル］デオキシシチジンの合成
【００４８】
【化１２】
2006248931.tif 000013
デオキシシチジン塩酸塩（２６４  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（１０  ｍｌ）に懸濁させ、トリエチルアミン（１４１  μＬ，  １．０  ｍｍol）を加え５分間撹拌した。ついで、３−ニトロフェニルイソシアナート（１６４  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）を加え３０分撹拌し、溶媒を減圧留去した。イソプロピルアルコールを加え生じた沈殿を乾燥させ、表記化合物（３５２  ｍｇ，収率９０％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＤＭＳＯ−ｄ６）  δ  １．９８−２．１０（１Ｈ，ｍ），２．２５−２．３５（１Ｈ，ｍ），３．５０−３．６４（１Ｈ，ｍ），３．８４−３．９０（１Ｈ，ｍ），４．１９−４．２５（１Ｈ，ｍ），５．０８（１Ｈ，ｂｒ），５．２５（１Ｈ，ｂｒ），６．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，Ｊ＝５．９Ｈｚ），６．３６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．５５（１Ｈ，ｍ），７．７９（１Ｈ，ｍ），７．８９（１Ｈ，ｍ），８．１８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），８．５６（１Ｈ，ｍ）
【００４９】
〔実施例３〕  ４−Ｎ−［Ｎ−（２−ニトロフェニル）カルバモイル］デオキシシチジンの合成
【００５０】
【化１３】
2006248931.tif 000014
デオキシシチジン塩酸塩（２６４  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド（１０  ｍｌ）に懸濁させ、トリエチルアミン（１４１  μＬ，  １．０  ｍｍol）を加え５分間撹拌した。ついで、２−ニトロフェニルイソシアナート（１６４  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）を加え３０分撹拌し、溶媒を減圧留去した。６０Ｎシリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（クロロホルム−メタノール）により精製し、表記化合物（３５２  ｍｇ，収率９０％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＤＭＳＯ−ｄ６）  δ  １．９７−２．０８（１Ｈ，ｍ），２．２５−２．３４（１Ｈ，ｍ），３．５０−３．６４（１Ｈ，ｍ），３．８４−３．８９（１Ｈ，ｍ），４．１６−４．２１（１Ｈ，ｍ），５．０５（１Ｈ，ｂｒ），５．２１（１Ｈ，ｂｒ），６．０７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，Ｊ＝６．２Ｈｚ），６．３２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），７．３２（１Ｈ，ｍ），７．６７（１Ｈ，ｍ），７．９１（１Ｈ，ｍ），８．０２（１Ｈ，ｍ），８．１９（１Ｈ，ｍ，Ｊ＝７．２Ｈｚ）
【００５１】
〔実施例４〕  ３’,５’−Ｏ−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）−４−Ｎ−（Ｎ−フェニルスルフォニルカルバモイル）デオキシシチジンの合成
【００５２】
【化１４】
2006248931.tif 000015
３’,５’−Ｏ−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）デオキシシチジン（９１１  ｍｇ，  ２．０  ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（２０  ｍＬ）に懸濁させ、フェニルスルフォニルイソシアネート（２７１  μＬ，  ２．０  ｍｍol）を加え５分間撹拌した。クロロホルム（２０  ｍＬ）で希釈し、塩化ナトリウム水溶液ついで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧下隆去する。Ｃ２００シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（ヘキサンークロロホルム）により精製し、表記化合物（１．１  ｇ，収率８７％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３）  δ  ０．０８−０．１１（１２Ｈ，ｍ），０．９０−０．９２（１８Ｈ，ｍ），２．０７−２．１７（１Ｈ，ｍ），２．５９−２．６７（１Ｈ，ｍ），３．７６−３．９５（２Ｈ，ｍ），３．９５−４．０３（１Ｈ，ｍ），４．３４−４．４２（１Ｈ，ｍ），６．２６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝５．９Ｈｚ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），７．４２−７．７５（４Ｈ，ｍ），８．０９−８．１３（２Ｈ，ｍ），８．３２（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ）
【００５３】
〔実施例５〕  ６−Ｎ−［Ｎ−（２−ニトロフェニル）カルバモイル］デオキシアデノシンの合成
【００５４】
【化１５】
2006248931.tif 000016
デオキシアデノシン（５０２  ｍｇ，２．０  ｍｍｏｌ）をピリジン（２０  ｍＬ）に懸濁させ、トリメチルシリルクロリド（７５８  μＬ，６．０  ｍｍｏｌ）を加え３０分間撹拌した。ついで、２−ニトロフェニルイソシアナート（３６１  ｍｇ，  ２．２  ｍｍｏｌ）を加え９０分撹拌した。ピリジン（２０  ｍＬ）で希釈したのち、濃アンモニア水（２０  ｍＬ）を加え、２時間撹拌する。クロロホルム（５０  ｍＬ）、塩化ナトリウム水溶液（５０  ｍＬ）を加えたのち、クロロホルムーピリジン（１：１，ｖ／ｖ，３０  ｍＬ）を用いて３回抽出した。有機層を回収し溶媒を減圧下留去し、水を加えた。生じた沈殿を回収し乾燥させ、表記化合物（７４０  ｍｇ，収率８９％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＤＭＳＯ−ｄ６）  δ  ２．３１−２．４２（１Ｈ，ｍ），２．７１−２．８１（１Ｈ，ｍ），３．５０−３．６９（２Ｈ，ｍ），３．８８−８．９３（１Ｈ，ｍ），４．４１−４．５７（１Ｈ，ｍ），５．０３（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝５．６Ｈｚ），５．３６（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝４．０Ｈｚ）６．４５（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６，６Ｈｚ，Ｊ＝６．９Ｈｚ），７．２２−７．３３（１Ｈ，ｍ），７．７１−７．８０（１Ｈ，ｍ），８．１０−８．１５（２Ｈ，ｍ），８．４３−８．５０（１Ｈ，ｍ），８．６５（１Ｈ，ｓ），８．６９（１Ｈ，ｓ），１０．６３（１Ｈ，ｂｒ），１３．０９（１Ｈ，ｂｒ）
【００５５】
〔実施例６〕  ３’，５’−Ｏ−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）−６−Ｎ−（Ｎ−フェニルスルフォニルカルバモイル）デオキシアデノシンの合成
【００５６】
【化１６】
2006248931.tif 000017
３’，５’−Ｏ−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）デオキシアデノシン（４８０  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（２０  ｍＬ）に懸濁させ、フェニルスルフォニルイソシアネート（１３６  μＬ，  １．０  ｍｍol）を加え５分間撹拌した。クロロホルム（２０  ｍＬ）で希釈し、塩化ナトリウム水溶液ついで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。有機層を回収し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、溶媒を減圧下隆去した。Ｃ２００シリカゲルを用いたカラムクロマトグラフィー（ヘキサンークロロホルム）により精製し、表記化合物（６１３  ｍｇ，収率９２％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３）  δ  ０．０５−０．１２（１２Ｈ，ｍ），０．８２−０．９７（１８Ｈ，ｍ），２．４２−２．５２（１Ｈ，ｍ），２．６１−２．７３（１Ｈ，ｍ），３．７３−３．９１（２Ｈ，ｍ），４．０２−４．０７（１Ｈ，ｍ），４．６０−４．６７（１Ｈ，ｍ），６．４６（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６，６Ｈｚ，Ｊ＝６．３Ｈｚ），７．５１−７．６７（３Ｈ，ｍ），８．１６−８．２１（２Ｈ，ｍ），８．４１（１Ｈ，ｓ），８．６１（１Ｈ，ｂｒ），８．６５（１Ｈ，ｓ），１３．１２（１Ｈ，ｂｒ）
【００５７】
〔実施例７〕  ３’，５’−Ｏ−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）−２−Ｎ−（Ｎ−フェニルスルフォニルカルバモイル）デオキシグアノシンの合成
【００５８】
【化１７】
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３’，５’−Ｏ−ビス−（ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル）デオキシグアノシン（４８０  ｍｇ，  １．０  ｍｍｏｌ）をピリジン（２０  ｍＬ）に懸濁させ、トリメチルシリルクロリド（６３１  μＬ，５．０  ｍＬ）を加え３０分間撹拌した。フェニルスルフォニルイソシアネート（１３６  μＬ，  １．０  ｍｍol）を加え２０分間撹拌した。溶媒を減圧下留去し、トルエンで３回、クロロホルムで３回共沸した。酢酸エチルを加え生じた沈殿を回収し、乾燥させることで表記化合物（１．２４  ｇ，収率９１％）を得た。
１Ｈ  ＮＭＲ  （ＣＤＣｌ３）  δ  ０．０４−０．１１（１２Ｈ，ｍ），０．８３−０．９６（１８Ｈ，ｍ），２．２６−２．５７（２Ｈ，ｍ），３．７０−３．８０（２Ｈ，ｍ），３．９１−３．９４（１Ｈ，ｍ），４．４９−４．５８（１Ｈ，ｍ），６．６２（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝６，６Ｈｚ，Ｊ＝６．３Ｈｚ），７．３５−７．６０（３Ｈ，ｍ），７．９４（１Ｈ，ｓ），７．９０−８．０１（２Ｈ，ｍ），８．１７（１Ｈ，ｂｒ），１２．４６（１Ｈ，ｓ），１３．１２（１Ｈ，ｂｒ）
【００５９】
〔実施例８〕  デオキシシチジンの脱保護
種々の置換カルバモイル基で保護したデオキシシチジンを加熱処理し、脱保護されるまでの時間を測定した。
【００６０】
脱保護反応は、Ｄ２Ｏ／ＤＭＳＯ−ｄ６中で行い、加熱温度は８０℃とした。
【００６１】
保護デオキシシチジンの半分が脱保護されるまでの時間（Ｔ１／２）及び全ての保護デオキシシチジンが脱保護されるまでの時間（Ｔｃｏｍｐ）を表１に示す。
【００６２】
【表１】
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【００６３】
表１に示すように、Ｎ−（２−ニトロフェノール）カルバモイル基やＮ−フェニルスルホニルカルバモイル基などの電子吸引性の高い基は、脱保護に要する時間が短かった。