(57)【要約】【課題】出力を低下させることなく、戻り光による影響が実質的に無いマルチモード光ファイバおよび光モジュールを提供する。【解決手段】マルチモード光ファイバ４０は、半導体レーザ２０から出射されたレーザ光をマルチモードで伝播させるためのコア部４３を備える。伝播されるレーザ光をコア部４３内に閉じ込めるクラッド部４４がコア部４３を被膜している。これらコア部４３およびクラッド部４４からなる光導波部４２には、レーザ光の入射側の端面４０Ａがコア部４３からクラッド部４４に渡って連続的に形成されている。その端面４０Ａには、レーザ光の入射領域と共に光反射部４１が形成されている。【選択図】  図２
2006350255.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザから出射されたレーザ光をマルチモードで伝播するためのコア部と、前記コア部を被覆し、伝播されるレーザ光を前記コア部内に閉じ込めるクラッド部とを有し、レーザ光の入射側の端面が前記コア部からクラッド部に渡って連続的に形成されてなる光導波部を備え、
前記光導波部の端面にレーザ光の入射領域と共に光反射部を有する
ことを特徴とするマルチモード光ファイバ。
【請求項２】
前記光導波部の端面は、前記コア部およびクラッド部を横切る帯状の開口部を有し、前記開口部が入射領域となると共に前記開口部以外の領域が光反射部となっている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチモード光ファイバ。
【請求項３】
前記光導波部の端面は、前記コア部の表面に方形状の開口部を有し、前記開口部が入射領域となると共に前記開口部以外の領域が光反射部となっている                        ことを特徴とする請求項１に記載のマルチモード光ファイバ。
【請求項４】
前記開口部は１０μｍ以上２５μｍ以下の幅を有する
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載のマルチモード光ファイバ。
【請求項５】
前記光導波部の端面は、平坦面である
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチモード光ファイバ。
【請求項６】
前記光導波部の端面は、前記コア部の中心軸に関して対称で、かつ所定の幅の稜線を形成する一対の傾斜面を有し、
前記光反射部は、その傾斜面上に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチモード光ファイバ。
【請求項７】
前記光反射部は、高反射率膜である
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチモード光ファイバ。
【請求項８】
前記光反射部は、前記端面を研磨することにより形成された粗面である
ことを特徴とする請求項１に記載のマルチモード光ファイバ。
【請求項９】
半導体レーザとマルチモード光ファイバとを光学的に結合させてなる光モジュールであって、
前記マルチモード光ファイバは、
半導体レーザから出射されたレーザ光をマルチモードで伝播するためのコア部と、前記コア部を被覆し、伝播されるレーザ光を前記コア部内に閉じ込めるクラッド部とを有し、レーザ光の入射側の端面が前記コア部からクラッド部に渡って連続的に形成されてなる光導波部を備え、
前記光導波部の端面にレーザ光の入射領域と共に光反射部を有する
ことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザから出射されたレーザ光をマルチモードで伝播するためのマルチモード光ファイバ、ならびにマルチモードの半導体レーザおよびマルチモード光ファイバを利用した光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは戻り光に非常に弱いことが一般に知られている。戻り光とは、半導体レーザから出射した光が、被照射面や、被照射面までの光路中に設けられたレンズや光ファイバなどの光学部品の表面などで反射して、半導体レーザに戻ってくる光のことである。これら外部素子の表面と半導体レーザの端面とが新たな共振器を構成し、これにより発生するノイズは半導体レーザの特性に大きな影響を及ぼす。このため、ワット級の出力を持つ高出力型半導体レーザを、固体レーザの励起用光源や、直接加工（レーザ溶着、レーザ溶接、マーキングなど）用の光源として利用する技術分野では、戻り光が特に問題となっている。
【０００３】
具体的には、固体レーザの励起用光源の分野では、レーザ媒質の吸収波長が決まっているため、半導体レーザの波長は常にレーザ媒質の吸収スペクトルに対応していることが必要である。しかし、戻り光がある場合は、戻り光によって半導体レーザの波長やスペクトラムの形状が乱れるため、固体レーザの出力光が不安定になる。一方、直接加工用の光源の分野では、光のエネルギーを熱エネルギーに変え、物質を溶かすなどして加工を行うものであるので、半導体レーザの出力は常に安定していることが必要である。しかし、戻り光がある場合には、その影響で半導体レーザがモードホップを起こして出力が不安定になり、近視野像が変化するため、加工むらが生じる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２２８８５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、戻り光を抑制する方策として、従来、半導体レーザと被照射面との間にアイソレータを挿入して戻り光を減衰させたり、被照射面を傾けて戻り光が被照射面から発生しないようにしたりすることがなされてきた。しかし、前者の方策ではアイソレータの損失により出力が低下してしまい、後者の方策では被照射面までの光路中の光学部品により発生する戻り光を全く減衰させることができないという問題がある。
【０００６】
なお、光通信に使用するシングルモードの半導体レーザとの光結合効率を高めた光ファイバに関する技術が特許文献１に開示されている。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、出力を低下させることなく、戻り光による影響が実質的に無いマルチモード光ファイバおよび光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のマルチモード光ファイバは、半導体レーザから出射されたレーザ光をマルチモードで伝播させるためのコア部を備える。伝播されるレーザ光をコア部内に閉じ込めるクラッド部がコア部を被膜している。これらコア部およびクラッド部からなる光導波部には、レーザ光の入射側の端面がコア部からクラッド部に渡って連続的に形成されている。その端面には、レーザ光の入射領域と共に光反射部が形成されている。
【０００９】
本発明の光モジュールは、上記半導体レーザとマルチモード光ファイバとを光学的に結合させたものである。
【００１０】
本発明のマルチモード光ファイバおよび光モジュールでは、半導体レーザから出射されたレーザ光が、入射側の端面のうち入射領域に入射し、コア部とクラッド部との界面で反射されながらコア部内を伝播し、他方の端面から出射する。このとき、他方の端面から出射されたレーザ光の一部は、例えば、被照射面や、被照射面までの光路中に設けられた光学部品の表面で反射されて戻ってくる。また、コア部を伝播するレーザ光が他方の端面に到達したときに、その端面で反射されて戻ってくる。これらの反射光の一部は、半導体レーザ側の端面のうちレーザ光の入射領域以外の領域に形成された光反射部により被照射面側に反射されて、半導体レーザには到達しない。反射光のうち、入射側の端面における入射領域に達した成分が、入射領域を通過して半導体レーザの端面のうち主として活性層に戻り光として入射する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のマルチモード光ファイバおよび光モジュールでは、入射側の端面のうちレーザ光の入射領域以外の領域に光反射部を形成するようにしたので、反射光のうち、入射側の端面における入射領域に達した成分が、半導体レーザの端面のうち主として活性層に戻り光として入射する。
【００１２】
上記した半導体レーザは、一般に、クラッド層や基板など、活性層以外の領域に戻り光が入射したときはその影響が非常に大きくなるが、主として活性層に戻り光が入射したときはその影響が非常に限定的である、という性質を有する。そのため、もし入射側の端面に光反射部が形成されていないと、被照射面側からコア部を伝播してきた反射光のほとんどがその端面を通過して半導体レーザに到達し、戻り光として作用する。その場合、半導体レーザの活性層以外の領域にも多量の戻り光が入射するので、戻り光による影響が非常に大きくなる。一方、本発明のマルチモード光ファイバでは、上記したように戻り光が主として活性層に入射するので、その影響は非常に少ない。
【００１３】
これにより、戻り光によって半導体レーザの波長やスペクトラムの形状が乱れる現象が抑制されるので、例えば、固体レーザの出力光の安定性を向上させることができる。また、戻り光によって半導体レーザがモードホップを起こして出力が不安定になる現象が抑制されるので、例えば、近視野像が変化して加工むらが生じる可能性を低減することができる。
【００１４】
また、半導体レーザから出射されたレーザ光をマルチモード光ファイバに入射させる際に、例えばレンズなどを用いて端面の入射領域にレーザ光を集めることが可能であることから、レーザ光がマルチモード光ファイバに入射する前に光反射部で反射されてしまうようなことはない。すなわち、端面に光反射部を形成したことによるレーザ光の入射ロスはない。
【００１５】
これらのことから、本発明のマルチモード光ファイバおよび光モジュールによれば、出力を低下させることなく、戻り光による影響を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光モジュール１０の概略構成を表すものである。図２（Ａ）は図１のマルチモード光ファイバ４０の光軸に平行な方向の断面構成を、図２（Ｂ）、図３および図４は図１のマルチモード光ファイバ４０のうち端面４０Ａ側の先端の平面構成例をそれぞれ表すものである。この光モジュール１０は、例えば、固体レーザの励起用光源、内視鏡用光源、ガン照射用光源、各種診断用光源として用いることを目的としたものであり、被照射面Ｓにレーザ媒質や、診断部位などの対象物を配置して半導体レーザ２０のレーザ光を照射するようになっている。
【００１８】
この光モジュール１０の光学系は、半導体レーザ２０と、レンズ３０，３１と、マルチモード光ファイバ４０とを備えており、レンズ３０、マルチモード光ファイバ４０およびレンズ３１は半導体レーザ２０から出射されるレーザ光の光路上にこの順に配置されている。
【００１９】
半導体レーザ２０は、ブロードエリア型のレーザダイオードであって、被照射面Ｓを照射するためのレーザ光を供給するようになっている。この半導体レーザ２０では、レーザ光は、へき開面の発光点、例えば、遅軸（Ｓｌｏｗ軸）方向の幅が５０μｍ、速軸（Ｆａｓｔ軸）方向の幅が１μｍの偏平な発光点から出射されるようになっている。ここで、発光点は、いわゆる光スポットであり、主として活性層（図示せず）に形成されるが、活性層の厚さが非常に薄い（例えば１μｍ以下）ときは、光スポットの一部が活性層の上下にあるクラッド層にも及ぶこともある。また、レーザ光の波長は、光スポットおよびその近傍の温度の変化に応じて変化するものであり、これにより、例えば、戻り光によりレーザ光の波長が変移したとしてもレーザ媒質の吸収波長と等しい波長（例えば、８０８ｎｍ）のレーザ光を出射することが可能となっている。
【００２０】
レンズ３０は、例えば、コリメートレンズ（図示せず）と、凸レンズ（図示せず）とをレーザ光の光路上にこの順に含んで構成される。このレンズ３０は、半導体レーザ２０の光スポットから出射された偏平なレーザ光を視準したのち集光して、マルチモード光ファイバ４０の開口部４１Ａ（後述）の所定の領域に入射させるようになっている。レンズ３１は、例えば、凸レンズ（図示せず）を含んで構成される。このレンズ３１は、マルチモード光ファイバ４０から出射されたレーザ光を集光して被照射面Ｓに照射するようになっている。
【００２１】
マルチモード光ファイバ４０は、コア部４３およびクラッド部４４で構成された光導波部４２と、光反射部４１とを有する。コア部４３は、レーザ光の波長に対して透明な性質を有する材料、例えば二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2 ）を微量に含有する石英ガラス（ＳｉＯ2 ）により構成され、光通信のシングルモード用のコア部と比べて１０倍以上の直径（例えば５０μｍ以上２００μｍ以下）の円柱状の形状を有する。このコア部４３は、レンズ３０で集光されたレーザ光をマルチモードで伝播させる芯線としての役割を有する。クラッド部４４は、コア部４３よりもわずかに小さな屈折率の材料、例えばフッ素（Ｆ）を微量に含有する石英ガラス（ＳｉＯ2 ）により構成され、内径がコア部４３の直径と等しく外径が例えば１００μｍ以上４００μｍ以下の筒状の形状を有する。このクラッド部４４は、コア部４３を被膜しており、コア部４３内を伝播するレーザ光をコア部４３に閉じ込めるための外皮としての役割を有する。
【００２２】
光導波部４２は、いずれも平面状の端面４０Ａ，４０Ｂを有する。これらの端面４０Ａ，４０Ｂでは、中心部にコア部４３が、周縁部にクラッド部４４が同心円状に形成されている。
【００２３】
端面４０Ａの表面には、コア部４３の表面の一部とクラッド部４４の表面の一部または全部とをそれぞれ覆う光反射部４１が設けられている。光反射部４１は、レーザ光の波長に対して高い反射率を有する材料で構成されていればよく、例えばレーザ光の波長が８０８ｎｍのときに、その波長８０８ｎｍに対して９８％程度の高反射率を有する金（Ａｕ）で構成されている。端面４０Ａの表面のうち光反射部４１の形成されていない領域は、開口部４１Ａとなっている。この開口部４１Ａは、レーザ光が入射する所定の領域に応じた形状となっており、具体的には、端面４０Ａに入射するレーザ光の端面４０Ａにおける像のＦａｓｔ軸方向の幅Ｈμｍと等しいかそれ以上の幅を有し、端面４０Ａに入射するレーザ光の端面４０Ａにおける像のＳｌｏｗ軸方向の幅Ｌμｍと等しいかそれ以上の幅を有する。
【００２４】
例えば、開口部４１Ａは、図２（Ｂ）に示すように、コア部４３の表面の一部とクラッド部４４の表面の一部とを連続して横切る、Ｆａｓｔ軸方向の幅がＨμｍ、Ｓｌｏｗ軸方向幅が光導波部４２の直径と等しい帯状の形状、すなわち、レーザ光が入射しない領域（クラッド部４４に相当する）が一部存在している形状となっている。なお、図３および図４に示すように、コア部４３の表面の一部に形成された、Ｆａｓｔ軸方向の幅がＨμｍ、Ｓｌｏｗ軸方向幅がＬμｍの方形の形状、すなわち、レーザ光の入射する領域と完全に対応した形状となっていてもよい。ここで、幅Ｈおよび幅Ｌは、レンズ３０の集光の度合いによっても異なるが、幅Ｈは、例えば、１０μｍ以上２５μｍ以下の範囲、幅Ｌは、コア部４３の直径（例えば、２００μｍ）以下となっている。
【００２５】
このような構成のマルチモード光ファイバ４０は、例えば、以下の方法により製造される。まず、公知の方法で光導波部４２を形成したのち、例えばフォトレジストを端面４０Ａの表面全体に成膜する。次に、マスクなどを用いて選択的に露光、現像をすることにより、成膜されたフォトレジストのうち開口部４１Ａを形成することとなる領域以外の部分を選択的に除去する。さらに、その上から金（Ａｕ）を成膜したのち、残存しているフォトレジストを金ごと除去して開口部４１Ａを形成すると共に、それ以外の領域に光反射部４１を形成する。
【００２６】
このような構成の光モジュール１０では、半導体レーザ２０から出射されたレーザ光が、半導体レーザ２０側の端面４０Ａに設けられた開口部４１Ａ（入射領域）に入射し、コア部４３とクラッド部４４との界面で反射されながらコア部４３内を伝播し、端面４０Ｂから出射する。このとき、端面４０Ｂから出射されたレーザ光の一部は、被照射面Ｓや、被照射面までの光路中に設けられた光学部品の表面で反射されて戻ってくる。また、コア部４３内を伝播するレーザ光が端面４０Ｂに到達したときに、その端面４０Ｂで反射されて戻ってくる。
【００２７】
これらの反射光の一部は、半導体レーザ２０側の端面４０Ａのうち開口部４１Ａ（入射領域）以外の領域に形成された光反射部４１により被照射面Ｓ側に反射されて、半導体レーザには到達しない。反射光のうち、入射側の端面における入射領域に達した成分が、入射領域を通過して半導体レーザの端面のうち主として活性層に戻り光として入射する。すなわち、光反射部４１は、反射光に対して絞りとして作用するが、半導体レーザ２０から出射されたレーザ光に対しては絞りとして作用しない。
【００２８】
上記反射光のうち開口部４１Ａ（入射領域）に到達した光は、そのまま開口部４１Ａ（入射領域）を通過し、戻り光として半導体レーザ２０の端面のうち光スポットを有する活性層に入射する。なお、図３および図４に示すように、開口部４１Ａがレーザ光の入射領域の形状と完全に対応した形状となっているときは、光スポットにだけ入射する。
【００２９】
次に、図５、図６および図７を参照して、本実施の形態の光モジュール１０の効果について説明する。
【００３０】
図５、図６および図７は、半導体レーザ２０から出射されるレーザ光のスペクトラムを表すものである。図５は戻り光が半導体レーザ２０に一切入射しないようにしたときのスペクトラムを、図６は光反射部４１を端面４０Ａに設けて戻り光が主として活性層に入射するようにしたときのスペクトラムを、図７は光反射部４１を端面４０Ａに設けないで戻り光がクラッド層や、基板など、活性層以外の領域にも入射するようにしたときのスペクトラムを、それぞれ表すものである。
【００３１】
半導体レーザ２０は、図５に示すように、半導体レーザ２０に戻り光が一切入射していないときは、戻り光によるノイズが全く発生していないため、半導体レーザ２０の発振波長やスペクトラムの形状が全く乱れていない。
【００３２】
図６に示すように、主として活性層に戻り光が入射しているときは、戻り光による影響として、半導体レーザ２０の発振波長が長波長側（低周波側）に多少変移する。しかし、スペクトラムの形状は乱れていないので、半導体レーザ２０の温度を変化させて発振波長を所定の値に変移させることにより、戻り光による影響を無くすることができる。
【００３３】
一方、図７に示すように、クラッド層や、基板など、活性層以外の領域にも戻り光が入射しているときは、半導体レーザ２０は戻り光によって激しい影響を受け、発振波長やスペクトラムの形状が非常に乱れていることがわかる。
【００３４】
これらのことから、光導波部４２のうち半導体レーザ２０側の端面４０Ａに光反射部４１を設けることにより、戻り光の一部を反射することが可能となる。これにより、戻り光にによって半導体レーザ２０の発振波長やスペクトラムの形状の乱れを抑制することができるので、例えば、固体レーザの出力光の安定性を向上させることができる。また、戻り光によって半導体レーザ２０がモードホップを起こして出力が不安定になることを抑制することができるので、例えば、近視野像が変化して加工むらが生じる可能性を低減することができる。このように、戻り光による影響を低減することができる。
【００３５】
また、半導体レーザ２０から出射されたレーザ光をマルチモード光ファイバ４０に入射させる際に、例えばレンズなどを用いて端面の入射領域にレーザ光を集めることが可能であることから、レーザ光がマルチモード光ファイバ４０に入射する前に光反射部４１で反射されてしまうようなことはない。すなわち、端面４０Ａに光反射部を形成したことによるレーザ光の入射ロスはない。
【００３６】
したがって、本実施の形態のマルチモード光ファイバ４０、およびそれを利用した光モジュール１０によれば、出力を低下させることなく、戻り光による影響を低減することができる。
【００３７】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態の光モジュール１１について説明する。
【００３８】
図８は、本実施の形態に係る光モジュール１１の概略構成を表すものである。図９（Ａ）は、図８のマルチモード光ファイバ５０の光軸に平行な方向の断面構成を、図９（Ｂ）は図８のマルチモード光ファイバ５０のうち端面５０Ａ側の先端の平面構成例をそれぞれ表すものである。この光モジュール１１は、楔形状の先端が一端に設けられたマルチモード光ファイバ５０を備える点で、平面形状の先端が両端に設けられたマルチモード光ファイバ４０を備える光モジュール１０と相違する。そこで、以下、上記実施の形態と同様の構成・作用・効果についての記載を省略し、マルチモード光ファイバ５０について詳細に説明する。
【００３９】
マルチモード光ファイバ５０は、コア部５３およびクラッド部５４で構成された光導波部５２と、光反射部５１とを有する。光導波部５２は、一対の端面５０Ａ，５０Ｂを有する。これらの端面５０Ａ，５０Ｂでは、中心部にコア部５３が、周縁部にクラッド部５４が同心円状に形成されている。半導体レーザ２０側の端面５０Ａは、コア部５３の中心軸に関して対称で、かつ所定の幅Ｈμｍを有する稜線を形成する一対の傾斜面５０Ｃ，５０Ｄを有しており、いわゆる楔形状となっている。一方、端面５０Ｂは、平面形状となっている。
【００４０】
なお、傾斜面５０Ｃ，５０Ｄの傾斜角θは、光導波部５２内での光学的な結合度を高めるために、コア部５３の中心軸と垂直な面（図９（Ｂ）の紙面に平行な面）に対して０°より大きく、７０°より小さいことが好ましく、４５°であることがより好ましい。
【００４１】
端面５０Ａのうち一対の傾斜面５０Ｃ，５０Ｄ上には、光反射部５１が設けられている。光反射部５１は、コア部５３の表面の一部とクラッド部５４の表面の一部とをそれぞれ覆っている。開口部５１Ａは、稜線と対応する領域に設けられており、レーザ光が入射する所定の領域に応じた形状となっている。具体的には、図９（Ｂ）に示すように、コア部５３の表面の一部とクラッド部５４の表面の一部とを連続して横切る、速軸（Ｆａｓｔ軸）方向の幅がＨμｍ、遅軸（Ｓｌｏｗ軸）方向幅が光導波部５２の直径と等しい帯状の形状、すなわち、レーザ光が入射しない領域（クラッド部５４に相当する）が一部存在している形状となっている。
【００４２】
このような構成のマルチモード光ファイバ５０は、例えば、以下の方法により製造される。まず、公知の方法で光導波部４２を形成する。次に、図１０（Ａ）に示すように、光導波部４２を所定の傾斜角に傾けると共に、その先端を所定の高さだけ突出させることの可能な保持部Ｈ１に固定したのち、図１０（Ｂ）に示すように、その先端を研磨部Ｅで研磨する。
【００４３】
次に、図１１（Ａ）に示すように、上記の研磨により鋭利となった先端が研磨部Ｅの方に突出するように光導波部４２を保持部Ｈ１に固定したのち、図１１（Ｂ）に示すように、その先端を研磨部Ｅで研磨する。
【００４４】
その後、図１２（Ａ）に示すように、上記の研磨によって楔形の形状となった先端面に高反射率膜を公知の方法で成膜して、２つの傾斜面５０Ｃ，５０Ｄ上に光反射部５１を形成する。
【００４５】
次に、図１２（Ｂ）に示すように、光反射部５１で被膜された先端を有する光導波部４２が研磨部Ｅに対して垂直となるように保持部Ｈ２に固定したのち、図１２（Ｃ）に示すように、その先端を研磨部Ｅで研磨して、コア部５３を露出させ、所定の幅Ｈμｍの稜線を形成する。
【００４６】
このように、マルチモード光ファイバ５０を製造する際に、開口部５１Ａを位置決めするためのマスクを形成する必要がないので、上記第１の実施の形態と比べて、開口部５１Ａを容易に形成することができる。
【００４７】
このような構成の光モジュール１１では、半導体レーザ２０から出射されたレーザ光が、半導体レーザ２０側の端面５０Ａに設けられた開口部５１Ａに入射し、コア部５３とクラッド部５４との界面で反射されながらコア部５３内を伝播し、端面５０Ｂから出射する。このとき、端面５０Ｂから出射されたレーザ光の一部は、被照射面Ｓの表面で反射されて戻ってくる。また、コア部５３内を伝播するレーザ光が端面５０Ｂに到達したときに、その端面５０Ｂで反射されて戻ってくる。
【００４８】
これらの反射光の一部は、半導体レーザ２０側の端面５０Ａのうち開口部５１Ａ（入射領域）以外の領域、具体的には一対の傾斜面５０Ｃ，５０Ｄ上に形成された光反射部５１により被照射面Ｓ側に反射されて、半導体レーザには到達しない。反射光のうち、入射側の端面における入射領域に達した成分が、入射領域を通過して半導体レーザの端面のうち主として活性層に戻り光として入射する。すなわち、光反射部５１は、上記実施の形態の光反射部４１と同様、反射光に対して絞りとして作用するが、半導体レーザ２０から出射されたレーザ光に対しては絞りとして作用しない。
【００４９】
上記反射光のうち開口部５１Ａ（入射領域）に到達した光は、そのまま開口部５１Ａ（入射領域）を通過し、戻り光として半導体レーザ２０の端面のうち光スポットを有する活性層に入射する。
【００５０】
本実施の形態のマルチモード光ファイバ５０、およびそれを利用した光モジュール１１によれば、上記実施の形態のマルチモード光ファイバ４０および光モジュール１０と同様、出力を低下させることなく、戻り光による影響を低減することができる。
【００５１】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００５２】
例えば、上記第２の実施の形態では、開口部５１Ａは、レーザ光の入射しない領域が一部存在している形状となっていたが、本発明はこれに限定されるものではなく、上記第１の実施の形態と同様、レーザ光の入射する領域と完全に対応した形状となっていてもよい。
【００５３】
また、上記実施の形態では、光反射部４１，５１は、レーザ光の波長に対して高い反射率を有する材料からなる高反射率膜であったが、本発明はこれに限定されるものではなく、光導波部４２，５２の先端を研磨する際に、光反射部４１，５１を形成することとなる領域を荒く研磨することにより形成される粗面であってもよい。粗面であっても、反射光の一部を反射する絞りとして作用させることができ、戻り光による影響を低減することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光モジュールの概略構成図である。
【図２】図１のマルチモード光ファイバの要部を拡大して表した構成図である。
【図３】図１のマルチモード光ファイバの一変形例を表した構成図である。
【図４】図１のマルチモード光ファイバの他の変形例を表した構成図である。
【図５】戻り光がないときのスペクトラム図である。
【図６】主として活性層に戻り光が入射したときのスペクトラム図である。
【図７】活性層以外の領域にも戻り光が入射したときのスペクトラム図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る光モジュールの概略構成図である。
【図９】図８のマルチモード光ファイバの要部を拡大して表した構成図である。
【図１０】図８のマルチモード光ファイバの製造過程を説明するための断面図である。
【図１１】図１０に続く過程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く過程を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０，１１…光モジュール、２０…半導体レーザ、３０，３１…レンズ、４０，５０…マルチモード光ファイバ、４０Ａ，４０Ｂ，５０Ａ，５０Ｂ…端面、４１，５１…光反射部、４１Ａ，５１Ａ…開口部、４２，５２…光導波部、４３，５３…コア部、４４，５４…クラッド部、５０Ｃ…傾斜面、Ｅ…研磨部、Ｈ，Ｌ…幅、Ｈ１，Ｈ２…保持部、Ｓ…被照射面、θ…光反射部の傾斜角。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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