(57)【要約】【課題】  保存信頼性が良好で、ＤＶＤ相当の記録密度で４倍速以上の高速記録が行える光記録媒体の提供。【解決手段】  透光性を有する基板上に、少なくとも下部保護層、相変化材料から成る記録層、上部保護層及び反射層を設けた構成から成り、該記録層がレーザ光の照射により結晶相とアモルファス相との相変化を引き起こす事で書き換え記録を行う光記録媒体において、該記録層の相変化材料が、以下に示すような組成式（但し、α、β、γ、δ、εは原子比）から成る事を特徴とする光記録媒体。      ＧａαＳｂβＳｎγＧｅδＣｕε          ０．０３≦α≦０．１０          ０．５６≦β≦０．７９          ０．１０≦γ≦０．２４          ０．０４≦δ≦０．１２          ０．０１≦ε≦０．０５【選択図】        図１
2006142673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性を有する基板上に、少なくとも下部保護層、相変化材料から成る記録層、上部保護層及び反射層を設けた構成から成り、該記録層がレーザ光の照射により結晶相とアモルファス相との相変化を引き起こす事で書き換え記録を行う光記録媒体において、該記録層の相変化材料が、以下に示すような組成式（但し、α、β、γ、δ、εは原子比）から成る事を特徴とする光記録媒体。
ＧａαＳｂβＳｎγＧｅδＣｕε
０．０３≦α≦０．１０
０．５６≦β≦０．７９
０．１０≦γ≦０．２４
０．０４≦δ≦０．１２
０．０１≦ε≦０．０５
【請求項２】
下部保護層の膜厚が５０〜１００ｎｍ、記録層の膜厚が１０〜２０ｎｍ、上部保護層の膜厚が３〜１０ｎｍ、反射層の膜厚が１００〜３００ｎｍの範囲にある事を特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
記録層と接する下部保護層及び上部保護層の材料がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物から成り、ＳｉＯ２の混合割合が、全体を１００モル％として、１５〜３５モル％の範囲にある事を特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
下部保護層と記録層の間にＳｉＯ２膜が挿入され、その膜厚が１〜３ｎｍの範囲である事を特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
基板として、溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜５０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有する事を特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、相変化材料を用いた光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、相変化材料を記録層とした光記録媒体、特に相変化光ディスクの開発が盛んに行われている。
一般に相変化光ディスクは、透明なプラスチック基板上に特定の溝を形成し、その上に薄膜を形成する。基板に用いられるプラスチック材料は主にポリカーボネートで、溝の形成には射出成形法がよく用いられる。基板上に成膜する薄膜は多層膜で、基板側から順番に下部保護層、記録層、上部保護層、反射層の構成が基本的なものである。下部及び上部保護層には酸化物、窒化物、硫化物などが用いられるが、中でもＺｎＳとＳｉＯ２を混合したＺｎＳ−ＳｉＯ２がよく用いられる。記録層にはＳｂＴｅを主成分とした相変化材料がよく用いられる。具体的には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅなどが挙げられ、これら以外にもＧｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂなどが用いられる。反射層には金属材料が用いられるが、光学特性及び熱伝導率などからＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属材料及びそれらの合金材料がよく用いられる。
【０００３】
これらの多層膜の成膜方法としては、抵抗線加熱法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法など様々な成膜方法を用いる事ができるが、中でも量産性に優れていることからスパッタ法がよく用いられる。これらの多層膜を形成後、薄膜を保護する為に樹脂層をスピンコートにより被覆する。
このようにして作製された相変化光ディスクは、記録層に用いられている相変化材料がアモルファス状態であり、これを結晶化状態にする所謂初期化工程を施す事が一般的である。相変化光ディスクの初期化にはディスクを回転させながら幅数μｍ、長さ数十〜数百μｍの半導体レーザからレーザ光を照射し、半径方向にレーザ光を移動させる事で行う。レーザ光の照射にはフォーカシング機能を設けてより効率の良いレーザ照射を行う場合が多い。
【０００４】
このようにして作製した相変化光ディスクは任意に決められたレーザ発光パターン（以下、ストラテジー）を照射することで任意のアモルファスマークを形成する事ができる。更に、相変化光ディスクでは消去と記録を同時に行うダイレクトオーバーライト（以下、ＤＯＷ）記録が可能である。ちなみに消去とはアモルファス状態のマークを結晶化させる事で、記録とは結晶状態からアモルファス状態のマークを形成する事である。
よく用いられるストラテジーとしては、記録パワー（Ｐｗ）、消去パワー（Ｐｅ）、バイアスパワー（Ｐｂ）の３値制御（Ｐｗ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）がある。これに種々のパルス幅を組み合わせて特定のマーク長を記録する。データ記録・再生の変調方式としてはＣＤで使われているＥＦＭ変調やＤＶＤで使われているＥＦＭ＋変調などはマークエッジ記録方式である事からマーク長の制御が非常に重要である。このマーク長の制御の評価としてはジッター特性が一般的に用いられる。
【０００５】
上記のような相変化光ディスクは現在ＤＶＤの書き換え型媒体として広く使用されている。ＤＶＤの書き換え型媒体としてはＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷの３種類がある。これらの記録容量は何れも同じで４．７ＧＢであるが記録線速度が異なる。中でもＤＶＤ＋ＲＷは最高記録線速がＤＶＤの基準線速３．５ｍ／ｓの４倍速である１４ｍ／ｓを実現し、書き換え型ＤＶＤの中で最も高速記録が可能である。しかし、更なるデータ記録時間の短縮を目的に、より高線速記録が可能な媒体の開発が各方式で活発に行われている。
高線速記録を実現する方法としては、記録層に用いる相変化材料の結晶化速度が十分速く、高速記録の線速でも結晶状態が得られる事が必要となる。相変化材料の結晶化速度を向上させる最も効果的な方法は、相変化材料自体を調整する事である。
例えば、これまで商品化されている書き換え型相変化光ディスクで用いられている記録層材料としては、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−ＴｅやＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅに代表されるＳｂ−Ｔｅ系が主なものであるが、この系ではＳｂ量を増やす方法や結晶化速度を向上させるＩｎ、Ｇａ、Ｓｎなどを添加する方法等を用いる事ができる。しかし、これらの方法では初期化による結晶化が困難であったり、保存信頼性が劣化するなどの不具合が発現し、これらの不具合と高速記録とのトレードオフが問題になる。特に記録密度が高くなるとこの傾向が顕著となり、ＤＶＤ相当の記録密度では４倍速以上の記録線速を実現するのは非常に困難である。
【０００６】
このような状況の中、最近になってＧａＳｂやＧｅＳｂ（例えば、特許文献１〜２）、ＩｎＳｂ（例えば、非特許文献１）、ＳｎＳｂ（例えば、特許文献３）、ＢｉＧｅＴｅ（例えば、特許文献４〜５）などの材料をベースにした相変化材料を用いた光記録媒体の提案がなされている。しかし、何れも高速記録は実現できるものの、記録密度が低かったり、保存信頼性や繰り返し特性などのディスク特性が実用レベルに達していなかったりという問題がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２２４０４０号公報
【特許文献２】特開２００４−２２４０４１号公報
【特許文献３】特開２００４−２０３０１１号公報
【特許文献４】特開２００４−２５９４４３号公報
【特許文献５】特開２００４−２５５８８９号公報
【非特許文献１】Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ  ＩＳＯＭ’０４  ｐ．２６６：“Ｉｎ−Ｓｂ  Ｐｈａｓｅ−Ｃｈａｎｇｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  ｆｏｒ  １６Ｘ  ＤＶＤ−Ｒｅｗｒｉｔａｂｌｅ  Ｍｅｄｉａ”
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題を解決し、保存信頼性が良好で、ＤＶＤ相当の記録密度で４倍速以上の高速記録が行える光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題は次の１）〜５）の発明（以下、本発明１〜５という）によって解決される。
１）  透光性を有する基板上に、少なくとも下部保護層、相変化材料から成る記録層、上部保護層及び反射層を設けた構成から成り、該記録層がレーザ光の照射により結晶相とアモルファス相との相変化を引き起こす事で書き換え記録を行う光記録媒体において、該記録層の相変化材料が、以下に示すような組成式（但し、α、β、γ、δ、εは原子比）から成る事を特徴とする光記録媒体。
ＧａαＳｂβＳｎγＧｅδＣｕε
０．０３≦α≦０．１０
０．５６≦β≦０．７９
０．１０≦γ≦０．２４
０．０４≦δ≦０．１２
０．０１≦ε≦０．０５
２）  下部保護層の膜厚が５０〜１００ｎｍ、記録層の膜厚が１０〜２０ｎｍ、上部保護層の膜厚が３〜１０ｎｍ、反射層の膜厚が１００〜３００ｎｍの範囲にある事を特徴とする１）記載の光記録媒体。
３）  記録層と接する下部保護層及び上部保護層の材料がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物から成り、ＳｉＯ２の混合割合が、全体を１００モル％として、１５〜３５モル％の範囲にある事を特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４）  下部保護層と記録層の間にＳｉＯ２膜が挿入され、その膜厚が１〜３ｎｍの範囲である事を特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）  基板として、溝ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜５０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍの蛇行溝を有する事を特徴とする１）〜４）の何れかに記載の光記録媒体。
【００１０】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
ＧａＳｂＳｎＧｅにＡｇ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｔｅを添加した相変化材料についてはこれまで本発明者等が開発しており（特願２００４−２９９２３号）、記録信号の保存特性、所謂アーカイバル特性が改善される事が確認されている。本発明では更に保存信頼性の内容として、未記録状態で保存後記録した場合のジッター特性、所謂シェルフ特性について検討を行った結果、本発明１に示すような構成で顕著な改善効果を得る事ができた。
ＧａＳｂＳｎＧｅにＣｕを添加する事でシェルフ特性が改善される理由の詳細は不明であるが、以下のように考えられる。
シェルフ特性は未記録状態の保存性が問題になる事から、結晶化状態の安定性が重要になる。Ｃｕ自体は原子半径（金属結合半径）が１．２８Åであり、Ａｇ（１．４４Å）、Ｉｎ（１．６２Å）、Ｚｎ（１．３３Å）、Ｔｅ（１．４３Å）に比べて小さい事から、ＧａＳｂＳｎＧｅの格子間に入って結晶構造の変化を止める効果があると考えられる。但し、これだけでは結晶状態が安定になり過ぎてしまい、アモルファスマークを形成する事が難しくなる。その点、Ｃｕは結合配位数が最も少ない１であり、この事が結晶化を阻害して必要以上に結晶状態が安定にならない働きをしていると考えられる。これらの２つの性質を持っている事が重要であり、この性質が同族元素であるＡｇや単に原子半径が小さい元素を添加してもシェルフ特性が改善されない理由と考えられる。
【００１１】
次に、各構成元素の最適な組成については本発明１に示すような範囲が望ましい。
Ｇａの組成量（原子比）については、０．０３より少ないと初期化後の反射信号の周内分布が悪くなり、０．１０より多いと結晶化速度が遅くなるため、何れの場合も記録特性を悪くする。望ましくは０．０３〜０．０８、更に望ましくは０．０３〜０．０５の範囲である。
Ｓｂの組成量（原子比）については、０．５６より少ないと十分な結晶化速度が得られず高速記録ができなくなり、０．７９より多いとアモルファス化が困難になり良好な記録特性が得られない。望ましくは０．６０〜０．７５、更に望ましくは０．６５〜０．７０の範囲である。
Ｓｎの組成量（原子比）については、０．１０より少ないと十分な結晶化速度が得られず高速記録ができなくなり、０．２４より多いとアモルファス化が困難になり良好な記録特性が得られなくなったり、保存信頼性の一つである反射率の低下やシェルフ特性の劣化が見られたりする。望ましくは０．１０〜０．２０、更に望ましくは０．１０〜０．１８の範囲である。
【００１２】
Ｇｅの組成量（原子比）については、０．０４より少ないと保存信頼性の一つである反射率の低下やシェルフ特性の劣化が見られ、０．１２より多いと結晶化速度が遅くなり高速記録ができなくなる。望ましくは０．０５〜０．１２、更に望ましくは０．０８〜０．１０の範囲である。
Ｃｕの組成量（原子比）については、０．０１より少ないと保存信頼性の一つであるシェルフ特性の劣化が見られ、０．０５より多いと結晶化速度が遅くなり高速記録ができなくなる。望ましくは０．０１〜０．０３の範囲である。
更に、結晶化速度を速くする元素がＳｂとＳｎで、遅くする元素がＧａ、Ｇｅ、Ｃｕである事を考慮して、結晶化速度を最適化するように上記のそれぞれの組成範囲内で調整をする必要がある。
【００１３】
次に、各層の膜厚は、本発明２で規定する範囲が望ましい。
下部保護層の膜厚は光記録媒体の反射率を調整する働きがあり、望ましい膜厚の範囲は５０〜１００ｎｍである。５０ｎｍより薄いと、膜厚に対する反射率変動が大きい事から安定に作製する事が難しく、１００ｎｍより厚いと、成膜時間が長くなり光記録媒体の生産性が落ちる。
記録層の膜厚は１０〜２０ｎｍの範囲が望ましい。１０ｎｍより薄いと繰り返し記録特性の劣化などの不具合が生じるし、２０ｎｍより厚いと初回記録のジッター特性が悪くなる。より望ましくは１２〜１８ｎｍである。また本発明では、下部保護層の膜厚が７０ｎｍ以上の場合、記録層の膜厚を最小１０ｎｍまで薄くしても良好な記録特性が得られる事を見出した。これは記録層の膜厚が薄い事により生じる繰り返し記録特性の劣化が、下部保護層を厚くする事で防止できた為と考えられる。
上部保護層の膜厚は３〜１０ｎｍの範囲が望ましい。３ｎｍより薄いと記録感度が悪くなったり、変調度が低下したりする不具合が生じる。また、１０ｎｍより厚いと放熱効果が無くなりジッター特性や繰り返し記録特性が悪くなる。より望ましくは５〜１０ｎｍである。
反射層の膜厚は１００〜３００ｎｍの範囲が望ましい。更に望ましくは１２０〜１５０ｎｍの範囲である。１００ｎｍより薄いと放熱効果が得られない可能性がある。また、３００ｎｍより厚くしても放熱効果は変わらず、単に必要のない膜厚を成膜する事になる。
【００１４】
反射層の材料としては、光学特性及び熱伝導率などからＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属及びそれらの合金を用いる事ができる。特に本発明では、高速記録を可能とするため急冷構造が望ましいので、熱伝導率が最も高いＡｇ又はその合金が適している。Ａｇ又はその合金を用い上部保護層に硫化物を含む材料を用いた場合には、硫黄成分によるＡｇの硫化が問題になる為、上部保護層と反射層の間に硫化防止層を設ける必要がある。硫化防止層には硫化に対して強い材料を用いる必要があり、例えばＳｉ、Ａｌなどの金属、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２などの酸化物、ＳｉＮ、ＡｌＮなどの窒化物、ＳｉＣ、ＴｉＣなどの炭化物、或いはこれらの混合物などが用いられる。
硫化防止層の膜厚は２〜５ｎｍ程度が望ましい。更に望ましくは３〜５ｎｍの範囲である。２ｎｍより薄いと硫化防止の効果が無くなる可能性があり、５ｎｍより厚いと放熱効果や光学的な影響が大きくなる可能性がある為である。
【００１５】
次に、下部保護層と上部保護層の材料については本発明３で規定する材料が望ましい。従来技術では両保護層共に酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などの誘電体材料或いはこれらの混合物などが用いられ、単層又は複数層から成る。本発明者等は、少なくとも記録層に接する保護層を、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる誘電体材料で形成する事により、記録特性が改善される事を見出した。この理由については不明であるが、以下のように考えられる。
本発明で用いる相変化材料は結晶化速度が速い事から、結晶化を促進する効果を与える事で瞬時に結晶化状態になると考えられる。保護層材料の中には結晶化促進効果を有する材料があり、そのような保護層が該相変化材料に接した場合、アモルファス状態の形成を阻害し、記録特性を悪くすると考えられる。特に繰り返し記録時は熱が篭り易く、アモルファス化が困難になる傾向がある。そのため比較的結晶化促進効果が小さいＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が適していると考えられる。
また、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる保護層材料中のＳｉＯ２の混合割合は、本発明３で規定する範囲が望ましい事を見出した。更に望ましくは２０〜３０モル％である。１５モル％未満では繰り返し記録や初期化によるＺｎＳの結晶化が発生し、記録層のアモルファス化を阻害する。また、３５モル％を超えると屈折率が小さくなってしまい、十分な光学的特性を得る事ができない。
【００１６】
更に、本発明４の構成とする事で繰り返し特性、特にその高パワー側のジッター特性を改善する事ができる。この理由の詳細は不明であるが、高パワーでの繰り返し記録の場合、非常に大きな熱量が記録層に発生する事が予想され、反射層側に熱が放熱されるのに対し、基板側は熱伝導率の小さい材料で構成されている為に局部的に熱が下部保護層側に集中すると考えられる。そこで、機械的に補強するという効果により特性が改善されると考えられる。また、このような事から、膜厚が厚いと熱のダメージが増大する為、なるべく薄い方が望ましく、３ｎｍ以下とする。しかし、膜厚１ｎｍ未満の膜は、実際上、成膜が難しい。更に、上述したように結晶化促進効果のある材料は使用する事ができない。
以上の事を考慮すると、スパッタ製膜後に非晶質で且つ膜厚１〜３ｎｍの範囲でも十分な強度を有する材料としてはＳｉＯ２が最も適していると考えられる。
【００１７】
以上の本発明１〜４の要件を満たした上で、本発明５で規定する蛇行溝を有する基板を用いれば、現状のＤＶＤ＋ＲＷ媒体の規格に準拠し、４倍速以上の高速記録が可能なＤＶＤ＋ＲＷ媒体を提供する事ができる。溝を蛇行させる目的としては、未記録の特定トラックにアクセスさせる事や基板を一定線速度で回転させる事などが挙げられる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明１〜５によれば、高線速記録に対して優れた記録特性とシェルフ特性を示す光記録媒体を提供する事ができる。
更に本発明３〜４によれば、高線速時の繰り返し記録特性に優れた光記録媒体を提供する事ができる。
更に本発明５によれば、４倍速以上の高速記録が可能なＤＶＤ＋ＲＷ媒体を提供する事ができる。
【実施例】
【００１９】
以下、本発明の実施例及び比較例を示すが、これらの実施例は本発明を何ら制限するものではない。例えば、本発明の効果は、実施例で用いた特定の保護層材料や反射層材料、層構成、作製装置や作製方法、評価装置などを採用した場合に限定されるものではない。なお、実施例及び比較例で作製した光記録媒体（光ディスク）の層構造の概略は図１に示す通りである。
【００２０】
＜実施例１〜１０＞及び＜比較例１〜１０＞
基板には、直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート製で、トラックピッチ０．７４μｍ、グルーブ（凹部）幅０．３μｍ、溝深さ約３０ｎｍの溝形状を有するものを用い、その上に次の各層を順に積層した。
下部保護層にはＺｎＳ（８０モル％）ＳｉＯ２（２０モル％）を用い、成膜レート９ｎｍ／ｓｅｃで厚さ６０ｎｍ成膜した。
記録層には表１に示す各相変化材料を用い、成膜レート５ｎｍ／ｓｅｃで厚さ１５ｎｍ成膜した。
上部保護層にはＺｎＳ（８０モル％）ＳｉＯ２（２０モル％）を用い、成膜レート４ｎｍ／ｓｅｃで厚さ７ｎｍ成膜した。
硫化防止層にはＳｉＣを用い、成膜レート１ｎｍ／ｓｅｃで厚さ４ｎｍ成膜した。
反射層にはＡｇを用い、成膜レート３５ｎｍ／ｓｅｃで厚さ１４０ｎｍ成膜した。
ここで硫化防止層としてＳｉＣを用いたのは、反射層であるＡｇと上部保護層に含まれる硫黄との反応を防ぐ為である。また、ＺｎＳ（８０モル％）ＳｉＯ２（２０モル％）の成膜にはＲＦマグネトロンスパッタ法を採用し、記録層、硫化防止層、反射層の成膜にはＤＣマグネトロンスパッタ法を採用した。
続いて環境保護層としてＵＶ硬化樹脂を塗布し硬化させた。
最後に、環境保護層の上に上記基板と同様な基板を貼り合わせて、厚さが約１．２ｍｍの光ディスクとしたが、この貼り合わせ基板については図示しなかった。
次に、これらの各光ディスクを、出力波長８３０ｎｍ、幅約１μｍ、長さ約７５μｍ、最大出力約２Ｗのレーザ光にフォーカシング機能を付加したレーザヘッドを有する初期化装置（日立ＣＰ社製ＰＯＰ１２０−７ＡＨ）を用いて初期化した。初期化条件としては初期化パワー１４００ｍＷ、線速１１ｍ／ｓ、ヘッドの送り速度３７μｍ一定とした。
【００２１】
【表１】
2006142673.tif 000003
【００２２】
上記のようにして作製した各光ディスクについて、記録線速２８ｍ／ｓ（ＤＶＤでの８倍速相当）での繰り返し記録特性（ダイレクトオーバーライト特性）について評価した。
評価には、波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用いた。評価するトラックは、隣接したトラックを５トラック記録し、その真中のトラックを再生した。記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ＋〔８／１６（２，１０）ＲＬＬ〕変調方式で行った。記録線密度は０．２６７μｍ／ｂｉｔとし、グルーブに記録した。記録パワーＰｗ及び消去パワーＰｅについては最適な条件を用いた。ボトムパワーＰｂはＰｂ＝０．１ｍＷで一定とした。
このようにして記録された信号のＤａｔａ  ｔｏ  Ｃｌｏｃｋ（データ・ツー・クロック）ジッターを測定し、ジッターσ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）を評価項目とした。
同様な方法で１回記録、２回記録、１０回記録、１００回記録でのジッターの変化を各光ディスクについて評価した。
結果を図２に示すが、図から、＜比較例＞では、比較例１と９を除き、＜実施例＞に比較して初期特性及び繰り返し特性が悪い事が分かる。
次に＜実施例１〜１０＞及び＜比較例１、９＞のディスクを同様な記録方法で１回記録した後、８０℃８５％の環境に置き、３００時間後の反射率Ｉｔｏｐの変化を比較した。
結果を図３に示す。図から、本発明の構成を採用すると反射率の変動が小さくなる傾向にあり、Ｇｅの組成量については本発明１で規定する範囲が望ましいことが分る。但し、比較例１は本発明と差異がないが、後述（図５）するように保存特性がよくない。
【００２３】
＜比較例１１〜１５＞
相変化材料を表２に示した材料に変えた点以外は、＜実施例１＞と同様にして光ディスクを作製し初期化した。
これらの光ディスクについて、＜実施例１＞と同様にして１回記録、２回記録、１０回記録、１００回記録でのジッターを評価した。
結果を図４に示す。比較の為に＜実施例１＞の光ディスクの結果も同時に示すが、何れの光ディスクもほぼ同様な特性である事が分かる。なお、図３の場合と同様な方法を用いて＜比較例１１〜１５＞の保存特性を評価したところ、＜実施例１〜１０＞及び＜比較例１＞と同様に反射率の変動が小さい事が確認された。
次に、＜実施例１〜１０＞及び＜比較例１及び１１〜１５＞の光ディスクを、未記録状態で８０℃８５％の環境に１００時間保存した後に＜実施例１〜１０＞及び＜比較例１〜１０＞と同様な記録方法で１回記録、２回記録のジッターを評価し、保存前後のジッターの差について各光ディスクを比較した。
結果を図５に示す。何れの光ディスクも保存による劣化が見られるが、明らかに本発明の構成を採用した光ディスクの方が劣化が小さい事が分かる。
【００２４】
【表２】
2006142673.tif 000004
以上の結果から、本発明の構成を採用する事で、高線速記録特性と保存信頼性に優れた光ディスクを提供できることが分かる。
【００２５】
＜実施例１１〜１９＞
上部保護層材料を表３に示す材料に変えた点以外は、＜実施例１＞と同様にして各光ディスクを作製した。比較の為に＜実施例１＞の上部保護層材料も一緒に示した。
上記の各光ディスクを＜実施例１＞と同様の評価方法で比較した。
結果を図６に示す。図から＜実施例１＞と＜実施例１３〜１５＞が他の実施例に比べて繰り返し特性が優れていることが分かる。なお、本実施例において、基準となる実施例１を実施例２などの他の実施例に置き換え、上部保護層材料を表３に示す材料に変えた場合にも、ほぼ類似の結果が得られる。
【表３】
2006142673.tif 000005
【００２６】
＜実施例２０〜２７＞
下部保護層と記録層の間に表４に示すような材料（以下、界面層材料と称する）を挿入した点以外は、＜実施例１＞と同様にして各光ディスクを作製した。界面層材料の膜厚は何れも２ｎｍとした。
上記各光ディスクに対し、＜実施例１＞における評価方法で用いた記録パワーよりも４ｍＷ高いパワーで記録を行い、その５００回記録のジッターを比較した。
結果を図７に示す。比較の為に界面層を挿入していない＜実施例１＞の結果も示すが、図から、本発明の構成を採用する事で、高パワー記録での繰り返し特性が改善される事が分かる。
【表４】
2006142673.tif 000006
【００２７】
＜実施例２８〜３０＞
界面層膜厚を表５に示すように変えた点以外は、＜実施例２０＞と同様にして光ディスクを作製し評価を行った。結果を図８に示す。比較の為に＜実施例１＞及び＜実施例２０＞の結果も示す。
図８の結果から、本発明４の界面層膜厚の範囲が最適である事が分かる。
【表５】
2006142673.tif 000007
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施例及び比較例で作製した光記録媒体（光ディスク）の層構造の概略を示す図。
【図２】実施例１〜１０及び比較例１〜１０の光ディスクの評価結果を示す図。
【図３】実施例１〜１０及び比較例１と９の光ディスクを初期化した後、光ディスク評価装置を用いてＤＣ照射を行い評価を行った結果を示す図。
【図４】実施例１及び比較例１１〜１５の光ディスクの評価結果を示す図。
【図５】実施例１〜１０及び比較例１と比較例１１〜１５の光ディスクの評価結果を示す図。
【図６】実施例１と実施例１１〜１９の光ディスクの保存特性の評価結果を示す図。
【図７】実施例１と実施例２０〜２７の光ディスクの評価結果を示す図。
【図８】実施例１、２０、２８〜３０の光ディスクの評価結果を示す図。
【符号の説明】
【００２９】
１  基板
２  下部保護層
３  記録層
４  上部保護層
５  硫化防止層
６  反射層
７  環境保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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