(57)【要約】      （修正有）【課題】浸漬リソグラフィ装置において、基板の移動に伴い残留する薄膜状液体を除去すること。【解決手段】超音波トランスデューザー２４は、液体閉じこめ構造体２２の下に存在する気体を通して超音波ビーム２５を放出する。超音波ビーム２５は液体層１１ａを霧化し基板の表面から液体を除去する。超音波トランスデューサー２４は２つの発信部２４ａ、２４ｂで構成され、放射される個々のビームの振幅、周波数、位相を制御でき、ビーム間の干渉効果を利用して、霧化を促進できる。【選択図】図６
2006140501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に隣接する空間に投与した液体を通して、パターン付与装置によるパターンを基板に投影するように構成されたリソグラフィ投影装置において、基板上の液体を霧化させるために、超音波ビームを基板に向けて発するように構成された超音波トランスデューサーを有するリソグラフィ投影トランスデューサー装置。
【請求項２】
前記超音波トランスデューサーが、気体状媒体中に超音波ビームを発するように構成されている請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項３】
前記超音波トランスデューサーが、独立して駆動される２つの部分を有する請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項４】
前記超音波トランスデューサーの前記２つの部分が、基板の表面、または、その近傍で干渉するビームを発するように構成されている請求項３に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項５】
前記空間の周囲に対して実質的に平行な方向で離隔配置された２つの超音波トランスデューサーを有する請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項６】
前記空間に対して実質的に半径方向に離隔配置された２つの超音波トランスデューサーを有する請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項７】
前記超音波トランスデューサーが、１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの周波数を有する超音波ビームを発するように構成された請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項８】
前記超音波トランスデューサーが、圧電、圧歪、磁歪および容量性のトランスデューサーを含む群から選択された種類のものである請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項９】
前記基板の表面上の液体を検出するように構成されたセンサと、
前記センサの出力に応答して超音波ビームの振幅、周波数、位相、または、それらの組み合わせを制御するように構成された制御装置とを更に有する請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１０】
前記超音波トランスデューサーのインピーダンスを検出するように構成されたセンサと、
前記センサの出力に応答して超音波ビームの振幅、周波数、位相、または、それらの組み合わせを制御するように構成された制御装置とを更に有する請求項１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１１】
放射線ビームを調整するように構成された照明装置と、
放射線の横断面にパターンを与えて、パターン付与された放射線ビームを作るように構成されたパターン付与装置を保持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付与された放射線ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、
前記基板上に前記液体を供給して、前記投影系と前記基板との間の空間を少なくとも部分的に液体で満たすように構成された液体供給系と、
前記基板上の液体を霧化させるために、前記基板に向けて超音波ビームを発するように構成された超音波トランスデューサーとを有するリソグラフィ投影装置。
【請求項１２】
前記超音波トランスデューサーが、超音波ビームを気体状媒体中に発するように構成されている請求項１１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１３】
前記超音波トランスデューサーが、独立して駆動される２つの部分を有する請求項１１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１４】
前記超音波トランスデューサーが、前記基板の前記表面、または、その近傍で干渉するビームを発するように構成されている請求項１１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１５】
前記超音波トランスデューサーが、１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲の周波数を有する超音波ビームを発するように構成されている請求項１１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１６】
前記基板の表面上の液体を検出するように構成されたセンサと、
前記センサの出力に応答して前記超音波ビームの振幅、周波数、位相、または、それらの組み合わせを制御するように構成された制御装置とを有する請求項１１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１７】
前記超音波トランスデューサーのインピーダンスを検出するように構成されたセンサと、
前記センサの出力に応答して前記超音波ビームの振幅、周波数、位相、または、それらの組み合わせを制御するように構成された制御装置とを有する請求項１１に記載されたリソグラフィ投影装置。
【請求項１８】
基板に隣接する空間に投与した液体を通して、パターン付与された放射線ビームを基板に発射する段階と、
前記基板上の液体を霧化させるために、前記基板に向けて超音波ビームを投影する段階とを含むデバイス製造方法。
【請求項１９】
前記超音波ビームを気体状媒体中に発射する段階を含む請求項１８に記載されたデバイス製造方法。
【請求項２０】
前記基板の表面、または、その近傍で干渉する２つの超音波ビームを発射する段階を含む請求項１８に記載されたデバイス製造方法。
【請求項２１】
前記空間の周囲に対して実質的に平行な方向で離隔配置された２つの超音波トランスデューサーから超音波ビームを発射する段階を含む請求項１８に記載されたデバイス製造方法。
【請求項２２】
前記空間に対して実質的に半径方向に離隔配置された２つの超音波トランスデューサーから超音波ビームを発射することを含む請求項１８に記載されたデバイス製造方法。
【請求項２３】
前記超音波ビームが、１ＭＨｚ〜５０ＭＨｚの範囲の周波数を有する請求項１８に記載されたデバイス製造方法。
【請求項２４】
前記基板の表面上の液体を検出する段階と、
前記液体の検出に応答して、前記超音波ビームの振幅、周波数、位相、または、それらの組み合わせを制御する段階とを更に含む請求項１８に記載されたデバイス製造方法。
【請求項２５】
前記超音波ビームの発生に用いるトランスデューサーのインピーダンスを検出する段階と、
前記インピーダンスの検出に応答して、前記超音波ビームの振幅、周波数、位相、または、それらの組み合わせを制御する段階とを更に含む請求項１８に記載されたデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望パターンを基板（通常は、基板の目標部分）に投与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターン付与装置は、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターン作るために使用できる。このパターンが、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば一つまたはそれ以上のダイの一部を含む）に転写される。パターンの転写は、通常、基板上に設けた放射線感光原料（レジスト）の層への画像形成による。一般に、１枚の基板は、順次パターン付与される互いに隣接するネットワーク状目標部分を含む。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に１回露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の基準方向（走査方向）に放射線ビームによってパターンを走査し、またこれと同期させて、この方向と平行または反平行に基板を走査して、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板にパターンを刻印することによって、パターン付与装置から基板にパターンを転写することもできる。
【０００３】
リソグラフィ投影装置の基板を比較的高い屈折率を有する液体（例えば、水）中に浸漬して、投影系の最終部材と基板との間の空間を満たすことが提案されている。露光放射線が液体中で短い波長を有するので、より小さいフィーチャー（構成）を画像化できからである。この液体効果は、投影系の有効ＮＡを増大し、焦点深度も大きくするとも見なされる。固体粒子（例えば、水晶）が懸濁した水等、その他の浸漬液が提案されている。
【０００４】
しかしながら、基板、または、基板と基板テーブルを液体浴に浸すこと（例えば、米国特許第４５０９８５２号参照。引用によって、その全記載内容を本明細書の記載として援用する）は、走査露光中に加速すべき大きな液体塊のあることを意味する。それには、付加的モータ、または、より強力なモータが必要であり、また、液体中の乱れは望ましからざる予測不可能な結果をもたらすだろう。
【０００５】
提案された解決法の一つは、液体供給系が、閉じ込め装置を用いて、基板の局所領域で、投影系の最終部材と基板との間にのみ液体を投与することである（一般に、基板は、投影系の最終部材よりも大きな表面積を有する）。この構成について提案された一つの方法が、ＰＣＴ特許出願ＷＯ９９／４９５０４号（引用によって、その全記載内容を本明細書の記載として援用する）に開示されている。図２、図３で示すように、少なくとも一つの入口ＩＮによって、基板上に液体が供給され（好ましくは、最終部材に対する基板の運動方向に沿って供給され）、投影系の下を通過した後、少なくとも一つの出口ＯＵＴによって除去される。つまり、最終部材の下で、−Ｘ方向で基板を走査しながら、最終部材の＋Ｘ側で液体を供給し、−Ｘ側で取り出す。図２は、入口ＩＮを通じて液体を供給し、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって最終部材の他方の側で液体を取り出すという構成を模式的に示している。図２では、最終部材に対する基板の運動方向に沿って液体が供給されるが、そうである必要はない。最終部材の周囲に位置するあらゆる方向と数の入口および出口が可能である。その一例が図３に示されており、最終部材の周囲に規則的パターンで４組の入口と出口（各側の入口と出口）を設けている。
【０００６】
投影系と基板との間の局所領域にのみ水等の液体を閉じ込めるリソグラフィ装置では、投影系および液体供給系が（基板の観点で）通過した後に、基板の背後に残された液体によって、問題が起きる可能性がある。例えば、基板表面に残された液体が蒸発して、基板を局所的に冷却する可能性があり、これは基板の熱歪につながる。このような蒸発で生じる湿潤気体が、基板テーブルの位置の監視に通常使用される干渉計変位測定装置の結果に影響を与えるだろう。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって、例えば、浸漬リソグラフィ装置において、基板から残留液体を除去する手法を提供すると好都合である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、基板に隣接する空間に投与した液体を通して、パターン付与装置によるパターンを基板に投影するように構成されたリソグラフィ投影装置が提供され、該装置は、基板上の液体を霧化させるために、基板に向けて超音波ビームを発するように構成された超音波トランスデューサーを有する。
【０００９】
本発明の一観点によれば、以下のリソグラフィ投影装置が提供される。
放射線ビームを調整するように構成された照明装置と、
放射線の横断面にパターンを与えて、パターン付与された放射線ビームを作るように構成されたパターン付与装置を保持するように構成された支持体と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記パターン付与された放射線ビームを前記基板の目標部分に投影するように構成された投影系と、
前記基板上に前記液体を供給して、前記投影系と前記基板との間の空間を少なくとも部分的に液体で満たすように構成された液体供給系と、
前記基板上の液体を霧化させるために、前記基板に向けて超音波ビームを発するように構成された超音波トランスデューサーとを有するリソグラフィ投影装置。
【００１０】
本発明の一観点によれば、基板に隣接する空間に投与した液体を通して、パターン付与された放射線ビームを基板に発射する段階と、前記基板上の液体を霧化させるために、前記基板に向けて超音波ビームを投影する段階とを含むデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
次に、添付の模式図を見ながら、単なる例示としての本発明の具体例について説明する。図面では対応する部品に同じ符号を付した。
【実施例】
【００１２】
図１は、本発明の一具体例であるリソグラフィ装置を模式的に示す。
このリソグラフィ装置は、
放射線ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射線またはＤＵＶ放射線）を調整するように構成された照明系（照明装置）ＩＬと、
パターン付与装置（例えばマスク）ＭＡを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確にパターン付与装置の位置決めを行うように構成された第一位置決め装置ＰＭに連結を行った支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えばレジスト塗布したウェハ）Ｗを支持し、かつ、特定のパラメータに従って正確に基板の位置決めを行うように構成された第二位置決め装置ＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、
パターン付与装置ＭＡによって放射線ビームＰＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、一つまたはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影系（例えば屈折性投影レンズ系）ＰＬとを含む。
【００１３】
照明系は、放射線の誘導、成形、または、制御を行うために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気、または、その他の種類の光学構成要素、または、それらの組み合わせ等、各種光学構成要素を含むことができる。
【００１４】
支持構造は、パターン付与装置を支持（つまり、その重量を担持）する。これは、パターン付与装置の方向、リソグラフィ装置の設計、および、その他の条件、例えばパターン付与装置が真空環境中で保持されているか否かに応じた方法で、パターン付与装置を保持する。支持構造は、パターン付与装置を保持するために、機械的、真空、静電気、または、その他の締着技術を利用できる。支持構造は、例えばフレームまたはテーブルであってよく、これは必要に応じて、固定式、または、可動式であってよい。支持構造は、パターン付与装置が、例えば投影系などに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書で用いる用語「レチクル」または「マスク」は、一般的な用語である「パターン付与装置」と同義であると考えてよい。
【００１５】
本明細書で用いる用語「パターン付与装置」は、基板の目標部分にパターンを作成するべく、放射線ビームの横断面にパターンを付与するために用いることのできるデバイスを指すものとして広義に解釈すべきである。放射線ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが移相シフト・フィーチャー、または、所謂アシスト・フィーチャーを含む場合、基板の目標部分における所望パターンに正確に対応しないことがある点に留意すべきである。一般に、放射線ビームに付与されるパターンは、集積回路などの目標部分に作られるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１６】
パターン付与装置は透過性または反射性であってよい。パターン付与装置の例には、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、および、プログラム可能なＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィ技術において周知であり、これには、各種ハイブリッドマスクのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスク等のマスクも含まれる。プログラム可能なミラーアレイの一例では、マトリクス配列された小ミラーが用いられる。その各ミラーは、異なる方向に入射する放射線ビームを反射するように個々に傾斜できる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射線ビームにパターンを付与する。
【００１７】
本明細書で用いる用語「投影系」は、例えば使用する露光放射線、または、浸漬流体の使用、真空の使用等のその他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気光学系、電磁気光学系および静電気光学系を含む各種投影系を網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において、用語「投影レンズ」を使用した場合、これはさらに一般的な用語「投影系」と同義であると考えてよい。
【００１８】
ここで示されるとおり、本リソグラフィ装置は透過型である（例えば透過マスクを用いる）。あるいはまた、装置は反射型であってもよい（例えば、前記で言及したような形式のプログラム可能なミラーアレイを用いるか、または、反射性マスクを用いる）。
【００１９】
リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つもしくはそれ以上のマスクテーブル）を有する形式である。このような「多段」機械では、追加のテーブルが並列して使用されるか、または、一つ以上のその他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が一つ以上のテーブルにて実行される。
【００２０】
図１を見ると、照明装置ＩＬは放射線源ＳＯから放射線ビームを受け取る。放射線源とリソグラフィ装置とは、例えば、放射線源がエキシマレーザである場合に、別体であってよい。このような場合、放射線源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射線ビームは、例えば適切な集光ミラーおよび／またはビーム拡張器などを含むビーム送出系ＢＤの助けにより、放射線源ＳＯから照明装置ＩＬへと渡される。他の場合、例えばソースが水銀ランプの場合は、放射線源が装置の一体部品でもよい。放射線源ＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム送出系ＢＤとともに放射線系と呼ぶことができる。
【００２１】
照明装置ＩＬは、放射線ビームの角度強度分布を調節するように構成された調節装置ＡＤを含んでよい。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の外部および／または内部放射範囲（一般に、それぞれ、外側σおよび内側σと称する）を調節することができる。また、照明装置ＩＬは、積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯのような他の様々な構成要素を含む。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するように、放射線ビームの調整に使用することができる。
【００２２】
放射線ビームＰＢは、支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターン付与装置（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターン付与装置によってパターン形成される。放射線ビームＰＢはマスクＭＡを通り抜けて、基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームを集束する投影系ＰＬを通過する。第二位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量性センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＰＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示的に図示せず）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に、放射線ビームＰＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、第一位置決め装置ＰＭの部分を形成する長ストロークモジュール（粗動位置決め）および短ストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は、第二位置決め装置ＰＷの部分を形成する長ストロークモジュールおよび短ストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは短ストロークアクチュエータに連結されるだけであるか、または固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク位置あわせマークＭ１、Ｍ２および基板位置あわせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板位置あわせマークは、専用の目標位置を占有するが、目標部分の間の空間に配置してもよい（スクライブレーン位置合せマークと呼ばれる）。同様に、マスクＭＡに複数のダイを設ける状況では、マスク位置合せマークをダイ間に配置してもよい。
【００２３】
ここで説明した装置は以下のモードのうち少なくとも一つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれている。そして、放射線ビームに与えたパターン全体が１回で目標部分Ｃに投影される（すなわち１回の静止露光）。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／またはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが照射され得る。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で描像される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．走査モードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期走査する一方、放射線ビームに与えられたパターンを目標部分Ｃに投影する（つまり１回の動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＬの拡大（縮小）および像反転特性によって決定される。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光で目標部分の（非走査方向における）幅を制限し、走査動作の長さが目標部分の（走査方向における）高さを決定する。
３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴが基本的に静止状態に維持されて、プログラム可能なパターン付与装置を保持し、放射線ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する間に、基板テーブルＷＴが動くか、または、走査される。このモードでは、一般的にパルス状放射線ソースを使用して、基板テーブルＷＴを動かす都度、または、走査中に連続する放射線パルス間に、プログラム可能なパターン付与装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、前記形式のプログラム可能なミラーアレイなどのプログラム可能なパターン付与装置を使用するマスクなしリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２４】
前記使用モードの組合せ、および／または、変形、または全く異なる使用モードを使用してもよい。
【００２５】
局所的液体供給系を有するさらなる浸漬リソグラフィの解決策が図４に示されている。液体は、２つの溝入口ＩＮによって投影系ＰＬのいずれかの側に供給され、入口ＩＮの半径方向外側に構成された複数の個別出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよびＯＵＴは、中心に穴があり、投影される投影ビームが通るプレートに構成することができる。液体は、投影系ＰＬの一方側にある一つの溝入口ＩＮによって供給されて、投影系ＰＬの他方側で複数の個別出口ＯＵＴによって除去され、これにより投影系ＰＬと基板Ｗの間に薄膜状の液体の流れを引き起こす。どの組み合わせの入口ＩＮと出口ＯＵＴを使用するかの選択は、基板Ｗの運動方向によって決定することができる（他の入口ＩＮと出口ＯＵＴの組み合わせは非作動である）。
【００２６】
提案する局所的液体供給系を有する別の浸漬リソグラフィの解決策は、液体供給系に、投影系の最終部材と基板テーブルの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する液体閉じ込め構造体を設けることである。このようなシステムが図５に図示されている。液体閉じ込め構造体は、ＸＹ面で投影系に対してほぼ静止状態であるが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対的運動があってよい。液体閉じ込め構造体と基板表面の間にシールを形成する。実施形態では、シールは気体シールのような非接触シールである。気体シールがあるこのようなシステムが、米国特許出願第ＵＳ１０／７０５７８３号で開示されている（その全記載内容を本明細書の記載として援用する）。
【００２７】
図５はリザーバ（液貯溜部）１０の構成を示し、これは液体が基板表面と投影系の最終部材との間の空間を満たすために閉じ込められるように、投影系の像フィールドの周囲で基板に対する非接触シールを形成する。投影系ＰＬの最終部材の下に位置決めされ、これを囲む液体閉じ込め構造体１２がリザーバを形成する。液体は、投影系の下で、液体閉じ込め構造体１２の中の空間へと搬送される。液体閉じ込め構造体１２は、投影系の最終部材の少し上に延在し、液体レベルが最終部材の上へ上昇して、緩衝液になる。液体閉じ込め構造体１２は内周面を有し、その上端が、好適には、投影系またはその最終部材の形状に正確に一致する（内周面は、例えば、丸くてよい）。底部において、内周面は、像フィールドの形状（例えば、長方形）に正確に一致するが、必須ではない。
【００２８】
液体は、液体閉じ込め構造体１２の底部と基板Ｗの表面との間の気体シール１６によってリザーバ内に閉じ込められる。気体シールは、加圧状態で入口１５を介して液体閉じ込め構造体１２と基板の間のギャップに提供され、第１出口１４を介して抽出される空気、合成空気、Ｎ2または不活性ガス等の気体で形成される。気体入口１５へと過剰圧力、第１出口１４の負圧レベル、およびギャップの幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流があるように構成される。当業者であれば、液体を保持するためにその他の種類のシールを使用できることが判るだろう。
【００２９】
図６は、本発明の一具体例による液体供給系ＩＨを示す。液体供給系は液体閉じ込め構造体２２を有し、これは液体１１を投影系ＰＬの最終部材と基板Ｗとの間の空間に閉じ込める。液体閉じ込め構造体２２は、基板の上に５０μｍ〜３００μｍ等の小さい距離に担持され、液体１１の流出を制約するシール装置２３を有する。これは、液体１１を閉じ込めるために気体または液体の流れを使用する気体または液体シールでよく、代替的に別個に支持、および／または、起動される液体閉じ込め構造体の支承部としても作用することができる。
【００３０】
シール装置を完全に効果的にすることは一般的に困難であるので、基板が矢印Ｓの方向に移動（例えば走査）するにつれ、おそらくは厚さ１０μｍのオーダーの薄膜状液体１１ａが残される可能性が高い。（この膜の相対的高さは、明快さを期して図６では誇張されている。）この膜を移動するために、液体閉じ込め構造体２２の下面に超音波トランスデューサー２４を設ける。
【００３１】
超音波トランスデューサー２４は、液体閉じ込め構造体２２の下に存在する気体（例えば空気）を通して基板へと、一つの実施形態では１ＭＨｚを超え、場合によっては５０ＭＨｚもある周波数の超音波ビーム２５を放射する。超音波ビーム２５は液体層１１ａを霧化し、基板の表面から液体を解放する。液体は、霧化および霧化した液体の搬送によって、基板をほとんど冷却することなく除去される。このようにして生じた蒸発は、基板に直接影響しない可能性が高い。霧化した液体をシール装置２３に向かって搬送し、望ましくないことである装置の部品への逃げを防止するために、気体供給部２６によって気体（例えば空気）２７の流れを提供してよい。本発明の一または複数の実施形態では、シール装置２３の抽出部品が十分な気体流を設定して、この機能を実行することができる。
【００３２】
一例では、超音波トランスデューサー２４は個別に駆動される２つの部品２４ａ、２４ｂによって形成される。これらの部品の相対的位相を制御して、液体層１１ａの表面に超音波ビームを集束する。音響センサまたは光学センサ等のセンサ２８を設けて、液体層１１ａの存在および／またはその上面の位置を検出することができる。追加的または代替的に、過度な熱を発生せずに液体層を効率的および効果的に除去することを保証し、超音波ビームの周波数の関数である発生した液体小滴のサイズを制御するために、センサ２８を使用して、超音波トランスデューサーの２つの部品２４ａ、２４ｂの振幅、周波数および／または位相を制御することができる。トランスデューサーの２つの部分によって放射されるビーム間の干渉効果を利用して、霧化を向上させることができる。主要周波数の高調波を使用して、除去効果を向上させることができる。液体を除去すべき基板の１ｃｍ2ごとに数十ワットの電力を入力してよいが、超音波ビームの周波数は、リソグラフィ装置を妨害しないほどに十分高い。
【００３３】
適切な形式のトランスデューサーには、圧電、圧歪、磁歪および容量型トランスデューサーがある。液体閉じ込め構造体２２の周囲にその幾何学的形状、および基板の予想される運動方向に従って複数のトランスデューサーを隔置することができる。交差指電極トランスデューサーを使用し、必要に応じてトランスデューサーの幾つかの同心リングを使用することができる。
【００３４】
液体層１１ａを検出するセンサの代わりに、トランスデューサーのインピーダンスを監視してもよい。液体層１１ａへの超音波ビーム２５の適切な結合が、トランスデューサー２４のインピーダンスを変化させるからである。
【００３５】
欧州特許出願第０３２５７０７２．３号では、ツインまたはデュアルステージ浸漬リソグラフィ装置の概念が開示されている。このような装置には、基板を支持する２つのテーブルを設ける。浸漬液なしで第１位置にあるテーブルでレベリング測定を実行し、浸漬液が存在する状態で、第２位置にあるテーブルで露光を実行する。あるいは、装置は一つしかテーブルを有しなくてもよい。
【００３６】
本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の多くの用途においても使用可能であることは明確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途の状況においては、本文にて使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な用語に置き換えて使用可能である。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）または計測または検査ツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。
【００３７】
本明細書では、「放射線」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射線を網羅するものとして使用される。
【００３８】
「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折および反射光学構成要素を含む各種光学構成要素のいずれか、またはそれらの組み合わせを指す。
【００３９】
以上、本発明の具体例について説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実行できる。例えば、本発明は、上記で開示したような方法を述べる機械読み取り式命令の一つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または自身内にこのようなコンピュータプログラムを有するデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【００４０】
本発明の一または複数の実施形態は、任意の浸漬リソグラフィ装置に、特に排他的ではないが前記形式に適用可能である。液体供給系は、投影系と基板および／または基板テーブルの間の空間に液体を提供する任意の機構である。一または複数の構造、一または複数の液体入口、一または複数の気体入口、一または複数の気体出口および一または複数の出口の任意の組み合わせを有してよく、その組み合わせは液体を空間に提供し、閉じ込める。実施形態では、空間の表面が基板および／または基板テーブルの一部に制限されるか、空間の表面が基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うか、空間が基板および／または基板テーブルを囲むことができる。
【００４１】
以上の説明は例示的であり、制限的ではない。したがって、特許請求の範囲から逸脱することなく、本発明の変更を行ない得る。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を示したものである。
【図２】リソグラフィ投影装置で使用する液体供給系を示す。
【図３】リソグラフィ投影装置で使用する液体供給系を示す。
【図４】リソグラフィ投影装置で使用する別の液体供給系を示す。
【図５】リソグラフィ投影装置で使用する更に別の液体供給系を示したものである。
【図６】本発明の実施形態による液体供給系を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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