(57)【要約】【課題】  コンデンサ素子のレジスト層を薄くしても、動作不良を低減することができる固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】  固体電解コンデンサのコンデンサ素子２は、陽極部６と、陰極部７と、陽極部６と陰極部７とを電気的に分離するレジスト層８とを有している。陽極部６は、アルミニウム基体９の粗面化破壊部分９で形成されている。アルミニウム基体９の粗面化保持領域９ｂには固体電解質層１１が形成され、固体電解質層１１上には、陰極部７を形成する導電体層１２が設けられている。レジスト層８は、断面山形状を有する内側凸状部１５と、内側凸状部１５の両側に形成され、断面山形状を有する２つの外側凸状部１６とからなっている。内側凸状部１５と各外側凸状部１６との間の空間は、陰極部７の形成時に陽極部６に向かって流れる反応溶液を溜めるための液溜まり用凹部１７を形成している。【選択図】  図２
2006073638.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサであって、
前記コンデンサ素子は、
弁金属基体の一部領域で形成される陽極部と、
前記弁金属基体における前記陽極部を除く領域の表面上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成される陰極部と、
前記陽極部と前記陰極部とを電気的に分離するレジスト層とを有し、
前記レジスト層には、前記陰極部の形成時に前記陽極部に向かって流れる反応溶液を溜めるための液溜まり用凹部が設けられていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記レジスト層は、第１凸状部と、前記第１凸状部に対して前記陰極部側に形成され、前記第１凸状部よりも頂上高さ位置が低い第２凸状部とを有し、
前記第１凸状部と前記第２凸状部との間の空間で前記液溜まり用凹部を形成したことを特徴とする請求項１記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記レジスト層は、前記陽極部と前記陰極部との並設方向に沿って形成され、断面山形状を有する複数の凸状部を有し、
前記各凸状部間の空間で前記液溜まり用凹部を形成したことを特徴とする請求項１または２記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極部と陰極部とを有するコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の固体電解コンデンサとしては、例えば特許文献１に記載されているものがある。この特許文献１に記載の固体電解コンデンサは、弁作用金属箔の所定部位に、撥水性樹脂層と親水性樹脂層とからなるレジスト層を設けることで、弁作用金属箔を陽極引出し部と素子箔部とに区画し、その素子箔部上に化学酸化重合膜を形成し、更に化学酸化重合膜上に電解重合膜を形成してなるものである。
【特許文献１】特開平６−４５２０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来技術においては、レジスト層が薄い場合には、化学重合法により素子箔部上に化学酸化重合膜を形成する際に、反応液がレジスト層を乗り越えて陽極引出し部に流れ込むことがある。この場合には、固体電解コンデンサの漏れ電流不良等が発生するという問題がある。このような不具合を解決するためには、レジスト層を十分に厚くすることが考えられる。ところで、複数のコンデンサ素子を積層してなる積層型固体電解コンデンサを形成する場合には、各コンデンサ素子の陽極部同士をレーザ溶接等で接続するために、各陽極部を曲げる必要がある。このとき、レジスト層が厚いと、その分だけ各陽極部の曲げ量が大きくなってしまうため、陽極部の亀裂や断線等が発生する可能性がある。
【０００４】
本発明の目的は、コンデンサ素子のレジスト層を薄くしても、動作不良を低減することができる固体電解コンデンサを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、コンデンサ素子の形成について実験等を繰り返し行い、鋭意検討を重ねた結果、例えば化学酸化重合法を用いて、一部にレジスト層が形成された弁金属基体の表面上に固体電解質層を形成する際、レジスト層に凹みを設けると、レジスト層が多少薄い場合でも、反応溶液がレジスト層を乗り越えにくくなることを見出した。本発明は、そのような知見に基づいて為されたものである。
【０００６】
即ち、本発明は、コンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサであって、コンデンサ素子は、弁金属基体の一部領域で形成される陽極部と、弁金属基体における陽極部を除く領域の表面上に固体電解質層及び導電体層を積層して形成される陰極部と、陽極部と陰極部とを電気的に分離するレジスト層とを有し、レジスト層には、陰極部の形成時に陽極部に向かって流れる反応溶液を溜めるための液溜まり用凹部が設けられていることを特徴とするものである。
【０００７】
このような固体電解コンデンサにおいて、コンデンサ素子を作る場合は、まず弁金属基体における陽極形成領域と陰極形成領域との間の領域の表面上に、液溜まり用凹部を有するレジスト層を形成する。そして、弁金属基体における陰極形成領域の表面上に固体電解質層及び導電体層を積層して陰極部を形成する。このとき、例えば化学酸化重合法により固体電解質層を形成する場合、反応溶液がレジスト層に向かって流れるが、レジスト層の厚みが小さいと、反応溶液がレジスト層を乗り越えようとする。しかし、レジスト層には液溜まり用凹部が設けられているので、レジスト層に流れ込んだ反応溶液は液溜まり凹部に溜まるようになる。このため、反応溶液がレジスト層を乗り越えて陽極部に流れていくことが抑止される。これにより、レジスト層が多少薄くても、固体電解コンデンサの漏れ電流不良等といった動作不良を低減することができる。
【０００８】
好ましくは、レジスト層は、第１凸状部と、第１凸状部に対して陰極部側に形成され、第１凸状部よりも頂上高さ位置が低い第２凸状部とを有し、第１凸状部と第２凸状部との間の空間で液溜まり用凹部を形成する。この場合には、例えば化学酸化重合法により弁金属基体の表面上に固体電解質層を形成する際、レジスト層に流れ込んだ反応溶液は、第２凸状部を越えて液溜まり用凹部に溜まっても、更に第１凸状部を越えないと、陽極部には流れていかない。ここで、第１凸状部の頂上高さ位置は第２凸状部の頂上高さ位置よりも高いので、反応溶液は、容易には第１凸状部を越えられない。これにより、反応溶液がレジスト層を乗り越えて陽極部に流れていくことをより効果的に抑止できる。
【０００９】
また、好ましくは、レジスト層は、陽極部と陰極部との並設方向に沿って形成され、断面山形状を有する複数の凸状部を有し、各凸状部間の空間で液溜まり凹部を形成する。このような断面山形状をもった凸状部を複数有するレジスト層は、例えばスクリーン印刷法を用いることで容易に形成可能である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、レジスト層を多少薄くした場合でも、陰極部の形成時に、陽極部に向かって流れる反応溶液がレジスト層を乗り越えることが抑止されるので、固体電解コンデンサの動作不良を低減することができる。従って、レジスト層の厚さを必要以上に大きくしなくて済むため、複数のコンデンサ素子を積層した積層型固体電解コンデンサを形成する場合に、各コンデンサ素子の陽極部の曲げ量を抑えることができる。その結果、陽極部の亀裂や断線等の発生を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明に係わる固体電解コンデンサの好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明に係わる固体電解コンデンサの一実施形態を示す断面図である。同図において、本実施形態の固体電解コンデンサ１は、複数（ここでは３つ）のコンデンサ素子２からなるコンデンサ素子積層体３と、このコンデンサ素子積層体３が載置・固定される基板４と、コンデンサ素子積層体３をモールドする樹脂モールド部５とを備えている。コンデンサ素子２は、陽極部６と、陰極部７と、陽極部６と陰極部７との間に形成され、陽極部６と陰極部７とを電気的に分離するレジスト層８とを有している。
【００１３】
図２は、コンデンサ素子２の具体的構造を示す断面図であり、図３は図２の一部拡大断面図であり、図４はコンデンサ素子２の平面図である。各図において、陽極部６は、矩形状に打ち抜き加工された箔状または板状のアルミニウム基体９の一端側部分で形成されている。アルミニウム基体９の表面は、表面積を増やすべく粗面化（拡面化）されている。また、アルミニウム基体９の表面には、化成処理（陽極酸化）によって絶縁性の酸化アルミニウム皮膜（誘電体層）１０が形成されている。
【００１４】
陽極部６を形成する領域を含むアルミニウム基体９の一端側領域は、表面の粗面化構造が破壊された粗面化破壊領域９ａを構成している。アルミニウム基体９における粗面化破壊部分９ａを除く粗面化保持領域９ｂの表面（両面）上には、導電性高分子化合物を含む固体電解質層１１が形成されている。この固体電解質層１１は、アルミニウム基体９の表面の粗面化によって形成された微細穴９ｃに入り込むように形成されている。固体電解質層１１上には、陰極部７を形成する導電体層１２が設けられている。導電体層１２は、グラファイトペースト層１３及び銀ペースト層１４を順に積層して形成されている。
【００１５】
アルミニウム基体９における粗面化破壊領域９ａの基端部の表面（両面）上には、上記のレジスト層８が形成されている。レジスト層８は、アルミニウム基体９の長手方向（陽極部６と陰極部７との並設方向）に対して垂直な方向に延びている。レジスト層８は、絶縁性を有するエポキシ樹脂等で形成されている。なお、レジスト層８の幅Ｗは、０．５〜１ｍｍ程度であり、レジスト層８の厚さ（高さ）Ｄは、例えば１５μｍ程度である。
【００１６】
レジスト層８は、断面山形状を有する内側凸状部１５と、この内側凸状部１５の両側（陽極部６側及び陰極部７側）にそれぞれ形成され、断面山形状を有する２つの外側凸状部１６とからなっている。外側凸状部１６の頂上高さ位置は、内側凸状部１５の頂上高さ位置よりも低くなっている。これらの断面山形状を有する内側凸状部１５及び外側凸状部１６によって、内側凸状部１５と各外側凸状部１６との間には空間がそれぞれ形成されることになる。この空間は、陰極部７の形成時に陽極部６に向かって流れる反応溶液を溜めるための断面略Ｖ字状の液溜まり用凹部１７を形成している。この液溜まり用凹部１７は、アルミニウム基体９の長手方向に対して垂直な方向に延びている。
【００１７】
このようなコンデンサ素子２を作製する場合は、まずスクリーン印刷法を用いて、アルミニウム基体９における粗面化破壊領域９ａの基端部の表面上にレジスト層８を形成する。
【００１８】
具体的には、まず平行に延びる２本の線状パターンを有するスクリーンパターン（図示せず）を使用して、図５（ａ）に示すように、断面山形状を有する２つの樹脂層１８を形成する。これらの樹脂層１８は、レジスト層８の外側凸状部１６を構成するものである。続いて、１本の線状パターンを有するスクリーンパターン（図示せず）を使用して、図５（ｂ）に示すように、２つの樹脂層１８間に、断面山形状を有する樹脂層１９を形成する。この樹脂層１９は、レジスト層８の内側凸状部１５を構成するものである。このとき、２回目に使用するスクリーンパターンとしては、最初に使用するスクリーンパターンよりも膜厚の厚いものを用いるのが望ましい。以上により、２つの断面略Ｖ字状の液溜まり用凹部１７を有するレジスト層８が形成される。
【００１９】
次いで、アルミニウム基体９における粗面化保持領域９ｂの表面上に、導電性高分子化合物を含む固体電解質層１１を形成する（図２参照）。具体的には、アルミニウム基体９における粗面化保持領域９ｂのみを、固体電解質層１１を形成するための反応溶液中に浸漬し、化学酸化重合を行うことにより、固体電解質層１１を形成する。このとき、モノマーとして、例えばピロールや３，４−エチレンジオキシチオフェン溶液を用い、酸化剤反応溶液として、例えばアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム及び硫酸鉄（III）を含むエタノール水混合溶液を用いる。
【００２０】
このとき、レジスト層８の厚さＤが小さい場合には、反応溶液がレジスト層８を乗り越えて陽極部６側に行こうとするが、レジスト層８には液溜まり用凹部１７が形成されているため、陽極部６に向かって流れる反応溶液は液溜まり用凹部１７に溜まることになる。しかも、レジスト層８の内側凸状部１５の頂上は外側凸状部１６の頂上よりも高い位置にあるため、液溜まり用凹部１７に一旦溜まった反応溶液が更に内側凸状部１５を乗り越えることは困難であると考えられる。従って、レジスト層８が反応溶液のダム効果（堰き止め効果）を有効に発揮するようになるため、反応溶液がレジスト層８を容易に乗り越えていくことは無い。
【００２１】
続いて、固体電解質層１１の表面にグラファイトペースト層１３を形成し、更にグラファイトペースト層１３の表面に銀ペースト層１４を形成することにより、導電体層１２を形成する。この導電体層１２の形成は、例えばスクリーン印刷法やスプレー塗布法等を用いて行う。これにより、１枚のコンデンサ素子２が完成する。
【００２２】
コンデンサ素子積層体３は、そのようなコンデンサ素子２を複数枚積層したものである。コンデンサ素子２の陰極部７を構成する導電体層１２同士は、導電性接着剤２０で接合されている。この導電性接着剤としては、例えば銀−エポキシ系接着剤が用いられる。
【００２３】
このようなコンデンサ素子積層体３が載置される基板４は、例えばエポキシ樹脂製のプリント基板である。基板４の上面４ａには、コンデンサ素子積層体３の陽極部６と電気的に接続される陽極配線パターン２１と、コンデンサ素子積層体３の陰極部７と電気的に接続される陰極配線パターン２２とが設けられている。これらの配線パターン２１，２２は、銅等で形成されている。
【００２４】
コンデンサ素子積層体３における最下層のコンデンサ素子２の陰極部７は、導電性接着剤２０により陰極配線パターン２２に接着されている。コンデンサ素子積層体３における各コンデンサ素子２の陽極部６は、基板４側に曲げて重ねた状態で、ＹＡＧレーザスポット溶接等の溶接手段により陽極配線パターン２１に溶接されている。
【００２５】
基板４の下面４ｂには、陽極端子パターン２３及び陰極端子パターン２４が設けられている。これらの端子パターン２３，２４は、電子回路基板等（図示せず）に実装される部分であり、配線パターン２１，２２と同様の金属材料で形成されている。
【００２６】
基板４には、陽極配線パターン２１と陽極端子パターン２３とを電気的に接続するスルーホール２５と、陰極配線パターン２２と陰極端子パターン２４とを電気的に接続するスルーホール２６とが設けられている。これらのスルーホール２５，２６は、例えばドリル加工により基板４に貫通孔２７を形成した後、その貫通孔２７を形成する基板４の内壁面にメッキ２８を施して形成される。
【００２７】
以上のように構成した本実施形態にあっては、陰極部７の形成時に陽極部６に向かって流れる反応溶液を溜めるための液溜まり用凹部１７をレジスト層８に設けることにより、レジスト層８の厚さＤが小さい場合であっても、固体電解質層１１を形成する際に反応溶液がレジスト層８を乗り越えて陽極部６に流れ込むことが抑えられる。これにより、完成した固体電解コンデンサ１において、コンデンサ素子２の漏れ電流不良等を低減することが可能となる。
【００２８】
また、上記の理由から、レジスト層８を必要以上に厚く形成する必要がないので、その分だけコンデンサ素子積層体３における各コンデンサ素子２（特に最上層のコンデンサ素子２）の陽極部６の曲げ量を小さくすることが可能となる。従って、陽極部６を構成するアルミニウム基体９に亀裂や破損等が生じたり、陽極部６の強度が低下することを防止できるので、コンデンサ素子２の特性劣化を避けることが可能となる。
【００２９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、陰極部７の形成時に陽極部６に向かって流れる反応溶液を溜めるための液溜まり用凹部を有するレジスト層としては、特に上記実施形態のような１つの内側凸状部１５と２つの外側凸状部１６とからなるレジスト層８に限られず、形状を種々変形可能である。そのような液溜まり用凹部を有するレジスト層の変形例を図６及び図７に示す。
【００３０】
図６（ａ）に示すレジスト層３０は、アルミニウム基体９の長手方向（陰極部７から陽極部６に向かう方向）に沿って形成され、断面山形状を有する３つの凸状部３１からなっている。各凸状部３１の頂上高さ位置は、同等となっている。そして、各凸状部３１間の空間が断面略Ｖ字状の液溜まり用凹部３２を形成している。
【００３１】
図６（ｂ）に示すレジスト層３５は、アルミニウム基体９の長手方向に沿って形成され、断面山形状を有する２つの凸状部３６からなっている。各凸状部３６の頂上高さ位置は、同等となっている。そして、各凸状部３６間の空間が断面略Ｖ字状の液溜まり用凹部３７を形成している。
【００３２】
図６（ｃ）に示すレジスト層４０は、アルミニウム基体９の長手方向に沿って形成され、断面山形状を有する凸状部４１，４２からなっている。陰極部７側の凸状部４２の頂上高さ位置は、陽極部６側の凸状部４１の頂上高さ位置よりも低くなっている。そして、凸状部４１，４２間の空間が断面略Ｖ字状の液溜まり用凹部４３を形成している。
【００３３】
図７（ａ）に示すレジスト層４５は、アルミニウム基体９の長手方向に沿って形成され、断面矩形状を有する２つの凸状部４６を有している。各凸状部４６の頂上高さ位置は、同等となっている。そして、各凸状部４６間の空間が断面矩形状の液溜まり用凹部４７を形成している。
【００３４】
図７（ｂ）に示すレジスト層５０は、アルミニウム基体９の長手方向に沿って形成され、断面矩形状を有する凸状部５１，５２を有している。陰極部７側の凸状部５２の頂上高さ位置は、陽極部６側の凸状部５１の頂上高さ位置よりも低くなっている。そして、凸状部５１，５２間の空間が断面矩形状の液溜まり用凹部５３を形成している。
【００３５】
図７（ｃ）に示すレジスト層５５は、アルミニウム基体９の長手方向に沿って形成され、断面台形状を有する２つの凸状部５６を有している。各凸状部５６の頂上高さ位置は、同等となっている。そして、各凸状部５６間の空間が断面Ｖ字状の液溜まり用凹部５７を形成している。
【００３６】
なお、レジスト層に形成する液溜まり用凹部の数は、アルミニウム基体９の長手方向に沿って３つ以上あっても良い。また、液溜まり用凹部の形状は、断面球面状等であっても良い。さらに、液溜まり用凹部の形成方法としては、上記実施形態のような２段階の樹脂層印刷に限られず、エッチング等により樹脂層の表面を削っても良い。
【００３７】
また、上記実施形態では、レジスト層８の液溜まり用凹部１７は、固体電解質層１１の形成時に陽極部６に向かって流れる反応溶液を溜めるものであるが、その後の工程である導電体層１２の形成を浸漬法（ディップ法）等で行う場合には、その時に使用する反応溶液も液溜まり用凹部に溜まるように液溜まり用凹部を構成する。
【００３８】
さらに、上記実施形態では、コンデンサ素子２の陽極部６を形成する弁金属電極体としてアルミニウム基体９を用いたが、弁金属電極体の金属材料としては、アルミニウム以外に、アルミニウム合金、チタン、タンタル、ニオブ及びジルコニウムまたはこれらの合金を使用してもよい。
【００３９】
また、上記実施形態の固体電解コンデンサ１は、陽極部６及び陰極部７を１つずつ有する２端子型コンデンサであるが、本発明は、複数の陽極部を有する多端子型コンデンサにも適用可能である。また、本発明は、上記実施形態のような基板型の電解コンデンサに限らず、リードフレーム型の固体電解コンデンサにも適用可能である。
【実施例１】
【００４０】
[実施例]
上記実施形態に係わる固体電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
【００４１】
（１）コンデンサ素子の作製
まず、粗面化処理が施され、更に酸化アルミニウム皮膜が形成されている厚さ１００μｍのアルミニウム箔シートを用意する。なお、このアルミニウム箔シートからは、２５０μＦ／ｃｍ２の静電容量が得られる。アルミニウム箔シートを、図４に示すような矩形状となるように打ち抜き加工し、面積が０．１ｃｍ２であるアルミニウム陽極電極体を作製した。そして、陽極部に相当するアルミニウム陽極電極体の一端側部分の粗面化構造を押圧処理により破壊した。
【００４２】
続いて、アルミニウム陽極電極体の粗面化破壊領域の基端部にエポキシ樹脂を塗布してレジスト層を形成した。このレジスト層は、スクリーン印刷手法を用いて以下のように形成した。
【００４３】
即ち、まずスクリーン印刷用の製版において、平行に延びる２本の線状パターンを有するスクリーンパターンを作製した。そして、このスクリーンパターンを使用して、幅０．３ｍｍ、高さ１０μｍの樹脂層を印刷し、これを所定の温度で硬化させた。これにより、図５（ａ）に示すような２つの線状の熱硬化性エポキシ樹脂層が形成された。
【００４４】
さらに、スクリーン印刷用の製版において、１本の線状パターンを有するスクリーンパターンを作製した。そして、このスクリーンパターンを使用して、幅０．３ｍｍ、高さ１０μｍの樹脂層を印刷し、これを所定の温度で硬化させた。これにより、先に形成した２つの熱硬化性エポキシ樹脂層の間に、図５（ｂ）に示すような１つの線状の熱硬化性エポキシ樹脂層が形成された。その結果、２つの液溜まり用凹部を有する幅０．３ｍｍ、高さ１７μｍのレジスト層が形成された。
【００４５】
続いて、３重量％の濃度で６．０のｐＨに調整されたアジピン酸アンモニウム水溶液中にアルミニウム陽極電極体を浸漬し、酸化アルミニウム皮膜が形成され粗面化構造が保持されている部分が完全に水溶液中に浸るようにした。次いで、アルミニウム陽極電極体における粗面化構造が破壊された陽極部側を陽極として、水溶液中のアルミニウム陽極電極体を化成電流密度５０〜１００ｍＡ／ｃｍ２、化成電圧６Ｖの条件下で酸化させ、電極体の切断部端面に酸化アルミニウム皮膜を形成した。
【００４６】
その後、アルミニウム陽極電極体を上記水溶液中から引き上げ、粗面化処理が施されている電極体の表面（陰極形成領域）上に、化学酸化重合によって、ポリピロールからなる固体高分子電解質層を形成した。具体的には、ピロールからなるモノマー溶液を、粗面化処理が施され酸化アルミニウム皮膜が形成されたアルミニウム箔部分のみに含浸させ、精製した０．１ｍｏｌ／ｌのアルキルナフタレンスルホン酸ナトリウム及び０．０５ｍｏｌ／ｌの硫酸鉄（III）を含むエタノール水混合溶液セル中にセットし、３０分にわたって攪拌して化学酸化重合を進行させ、同じ操作を３回にわたって繰り返すことにより生成した。その結果、最大厚さが約１０μｍの固体高分子電解質層が形成された。
【００４７】
こうして得られた固体高分子電解質層の表面にカーボンペーストを塗布し、更にカーボンペーストの表面に銀ペーストを塗布して、陰極部を形成した。以上の処理によってコンデンサ素子が完成した。なお、このようなコンデンサ素子を、同様の方法により４つ作製した。
【００４８】
（２）基板の作製
基板として、厚さ３５μｍの配線パターン及び端子パターンが印刷され、縦７．３ｍｍ×横４．３ｍｍ×厚さ０．５ｍｍのサイズを有するガラスクロス含有耐熱性エポキシ樹脂基板（以下、ＦＲ４基板と称す）を以下のようにして準備した。
【００４９】
即ち、両面に厚さ３６μｍの銅箔がコーティングされている厚さ０．４ｍｍのＦＲ４基板を１００ｍｍ×１００ｍｍの寸法に切り出し、その片面（上面）に、７．３ｍｍ×４．３ｍｍのサイズの配線パターンをフォトリソグラフィ技術によりパターンニングした。このパターンを同一面上に９６個形成した。また、ＦＲ４基板の下面に、配線パターンとの位置合わせを図りつつ、フォトリソグラフィ技術を用いて端子パターンをパターンニングした。
【００５０】
続いて、ＦＲ４基板の上面に形成された配線パターンとＦＲ４基板の下面に形成された端子パターンとを結ぶための貫通孔（０．３ｍｍφ）を複数形成した。続いて、この貫通孔を形成するＦＲ４基板部の内壁に、無電解メッキによって３μｍのニッケルメッキを施し、更にその上に０．８μｍの金メッキを施して、スルーホールを形成した。
【００５１】
（３）基板上へのコンデンサ素子の実装
先に作製した４枚のコンデンサ素子の陽極部を互いに重なり合うように揃えて、これらのコンデンサ素子を積層すると共に、各コンデンサ素子の陰極部（ペースト層）同士を導電性接着剤で接着して、１つのコンデンサ素子積層体を作製した。
【００５２】
このようなコンデンサ素子積層体をＦＲ４基板上に載置し、銀−エポキシ系導電性接着剤を用いて、積層体の最下面に露出した陰極部（ペースト層）を陰極配線パターンに接着した。また、ＮＥＣ製ＹＡＧレーザ溶接機を用いて、コンデンサ素子積層体の各陽極部を陽極配線パターンに溶接して一体化した。
【００５３】
その後、ＦＲ４基板上の所定領域に載置・固定された積層体を、真空印刷法を用いたキャスティングモールドによってエポキシ樹脂でモールドした。
【００５４】
このようにモールドされた１００ｍｍ×１００ｍｍ寸法のＦＲ４基板のモールド面を上にした状態で、所定のマーキング位置を基準にして、７．３ｍｍ×４．３ｍｍ間隔でダイシング切断を行った。そして、洗浄後、７．３ｍｍ×４．３ｍｍのコンデンサ素子を内蔵したディスクリートタイプの２端子型固体電解コンデンサのサンプル♯１を得た。その後、公知の方法により固体電解コンデンサに一定の電圧を印加してエージング処理を行い、漏れ電流を十分に低減し、固体電解コンデンサのサンプル♯１を完成させた。
【００５５】
（４）評価
こうして得られた約１００個のサンプル♯１の電気的特性について、漏れ電流値を測定した。漏れ電流の測定手法はすでに公知であり、試作した固体電解コンデンサに定格電圧（４Ｖ）を印加できる直流安定化電源と電流計とを用意し、固体電解コンデンサを電源の極性に従って接続した。その際、保護回路として１ｋΩの抵抗を電流計と共に直列に接続した。そして、電源を入れてから５分後に、一定規格値以下の電流値に到達したサンプル数をカウントした。その結果、漏れ電流規格値（４０μＡ以下）を満たすサンプルは８９個であった。
【００５６】
[比較例]
比較例となる固体電解コンデンサを、以下のようにして作製した。
【００５７】
即ち、まず上記実施例と同様にして、同じアルミニウム陽極電極体を作製した。続いて、アルミニウム陽極電極体の粗面化破壊領域の基端部にエポキシ樹脂を塗布してレジスト層を形成した。具体的には、スクリーン印刷用の製版において、１本の線状パターンを有するスクリーンパターンを作製した。そして、このスクリーンパターンを使用して、幅０．７ｍｍ、高さ２２μｍの樹脂層を印刷し、これを所定の温度で硬化させた。これにより、液溜まり用凹部の無い線状の熱硬化性エポキシ樹脂層が形成された。
【００５８】
以後、上記実施例と同様にして、２端子型固体電解コンデンサのサンプル♯２を約１００個作製し、同様の評価を行った。その結果、漏れ電流規格値（４０μＡ以下）を満たすサンプルは６０個であった。
【００５９】
ここで、上述した[実施例]で作製した固体電解コンデンサのサンプル♯１と、[比較例]で作製した従来の固体電解コンデンサのサンプル♯２とでは、電極の作製方法、絶縁性酸化皮膜の形成方法、使用する固体高分子化合物の種類及び完成部品のサイズについては同一である。異なる点は、コンデンサ素子のレジスト層の形状、つまりレジスト層における液溜まり用凹部の有無である。従って、当該レジスト層の形状が固体電解コンデンサの特性に影響を及ぼしていると考えられる。以上の結果から、本発明に係わる固体電解コンデンサの効果を確認することができた。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明に係わる固体電解コンデンサの一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示すコンデンサ素子の具体的構造を示す断面図である。
【図３】図２に示すコンデンサ素子の一部拡大断面図である。
【図４】図２に示すコンデンサ素子の平面図である。
【図５】図２に示すレジスト層を形成する工程を示す断面図である。
【図６】図２に示すレジスト層の変形例を示す図である。
【図７】図２に示すレジスト層の他の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…固体電解コンデンサ、２…コンデンサ素子、６…陽極部、７…陰極部、８…レジスト層、９…アルミニウム基体（弁金属電極体）、１１…固体電解質層、１２…導電体層、１５…内側凸状部（第１凸状部）、１６…外側凸状部（第２凸状部）、１７…液溜まり用凹部、３０…レジスト層、３１…凸状部、３２…液溜まり用凹部、３５…レジスト層、３６…凸状部、３７…液溜まり用凹部、４０…レジスト層、４１…凸状部（第１凸状部）、４２…凸状部（第２凸状部）、４３…液溜まり用凹部、４５…レジスト層、４６…凸状部、４７…液溜まり用凹部、５０…レジスト層、５１…凸状部（第１凸状部）、５２…凸状部（第２凸状部）、５３…液溜まり用凹部、５５…レジスト層、５６…凸状部、５７…液溜まり用凹部。
【図１】
2006073638.tif 000003
【図２】
2006073638.tif 000004
【図３】
2006073638.tif 000005
【図４】
2006073638.tif 000006
【図５】
2006073638.tif 000007
【図６】
2006073638.tif 000008
【図７】
2006073638.tif 000009