(57)【要約】  【課題】研磨処理の時に、半導体基板表面に傷が発生することを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。  【解決手段】半導体基板表面を研磨パッドに所定の圧力で押しつけ、かつ、半導体基板表面を研磨パッドに対して所定の相対速度で移動させることによって、半導体基板表面を研磨した後に、研磨パッドに対する押しつけ圧力を研磨時以下でかつ６０％以上の範囲に保って、相対速度を研磨時の速度に比較して減少させる緩衝ステップを行ってから、半導体基板を研磨パッドから脱離する。【選択図】図２
2006073806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面を研磨パッドに所定の圧力で押しつけ、かつ、該半導体基板表面を該研磨パッドに対して所定の相対速度で移動させることによって、該半導体基板表面を研磨した後に、該半導体基板を該研磨パッドから脱離するにあたって、
前記研磨パッドに対する押しつけ圧力を前記研磨時以下でかつ６０％以上の範囲に保って、前記相対速度を前記研磨時に比較して減少させる緩衝ステップを行ってから、前記半導体基板を脱離することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記緩衝ステップにおける相対速度を前記研磨時の相対速度の２／３ないし１／３に減少させることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板を研磨パッドを有する定盤に装着し、該半導体基板の表面を研磨した後に、前記研磨パッドとは別個に設けられたバフ研磨パッドを有する定盤に装着してバフ研磨を行うにあたって、
前記バフ研磨パッドを有する定盤に純水を供給しながら前記半導体基板を装着し、続いて、砥粒を含んだスラリーを供給してスラリーバフ研磨を行い、さらに、純水を供給してバフ研磨を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記研磨パッドに装着して行う研磨を、該研磨パッドに砥粒を含んだスラリーを供給して行い、
前記スラリーバフ研磨を、前記研磨パッドに供給するものと同一のスラリーを、該研磨パッドへの供給量の±２５％の範囲の供給量で供給して行うことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記研磨パッドが前記半導体基板に比較して大きな寸法を有し、該研磨パッドおよび半導体基板のそれぞれを、互いに異なる軸を中心として自転させることにより前記半導体基板表面の研磨を行うことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板表面の研磨は、該半導体基板表面の全面に形成された絶縁膜の表面層の研磨であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、さらに詳しくは、半導体基板上に堆積された絶縁膜等の表面を研磨するＣＭＰ（化学機械研磨）技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造において、配線等による段差が形成された半導体基板上に堆積された絶縁膜の表面を平坦化する、もしくは、溝が形成された半導体基板上に絶縁膜を堆積し、溝外の部分を除去して溝内に埋め込まれた部分を残す（ＳＴＩ（シャロー・トレンチ・アイソレーション工程））、等の目的で、絶縁膜の表面を研磨するＣＭＰ法が広く利用されている。ＣＭＰ法はまた、半導体基板上の絶縁膜に溝やホールを形成し、その上に堆積したタングステンや銅などの金属材料の、溝もしくはホール外の部分を除去し、溝もしくはホール内に金属材料を埋め込む（ダマシンもしくはプラグ形成工程）目的でも使用されている。
【０００３】
ＣＭＰでは、研磨すべき材料が表面に形成された半導体基板を、研磨パッドを表面に有する定盤に、一定の圧力で押しつけ、研磨パッドに対して一定の相対速度で移動させながら、研磨パッドの表面に固定された、もしくは、スラリー（研磨液）に含有されて研磨パッド上に供給された、砥粒の作用によって、基板表面の被研磨材料の研磨が行われる。
【０００４】
しかし、研磨によって、被研磨材料（絶縁膜平坦化の場合）、もしくは、被研磨材料が除去された後に露出する下地材料（ＳＴＩ、プラグ、ダマシンの場合）の表面に傷（スクラッチ等）が発生する場合があることが知られている。特に、研磨速度を高くして処理能力を向上させるために、押しつけ圧力および相対速度を大きくした場合には、傷の発生が顕著になる。
【０００５】
このような傷発生を防止もしくは削減するために、加工終了時に、定盤の回転速度を低速にするとともに、圧力を低く制御することが提案されている（特許文献１）。
【０００６】
また、研磨後の表面粗度を減少させるために、研磨のための研磨パッドとは別の補助パッドに半導体基板を移し、研磨パッド上にスラリーを供給してスラリーバフミガキ（タッチ−アップ工程）を行うことが提案されている（特許文献２）。
【０００７】
さらに、純水との混合によるｐＨ値の変化（ｐＨショック）によってスラリーに含まれる砥粒が凝集し、傷が発生することを防止するため、スラリーのｐＨ値を調整する手段を設けることが提案されている（特許文献３）。
【０００８】
【特許文献１】特開昭６２−１６２４６４号公報
【特許文献２】特開平１０−２０２５０７号公報
【特許文献３】特開２０００−３２６２１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、研磨に使用したパッド表面には、スラリーに含有させて供給した砥粒が凝集した大粒径の砥粒や、被研磨材料の破片等が存在しており、その表面に被加工基板を押しつけて研磨を行う限り、特許文献１で提案されたように終了時の速度や圧力を低くしたとしても、傷の発生は避けられない。
【００１０】
また、特許文献２では、研磨パッドとは別の補助パッドに半導体基板を移してタッチ−アップ工程を行うことが提案されているが、具体的に、どのようなシーケンスおよび条件で行うべきかについての記載は無い。
【００１１】
さらに、本発明者による検討によって、研磨パッドから半導体ウエハを脱離するタイミングで傷が発生する場合があることが明らかになった。すなわち、半導体ウエハと研磨パッドとの密着性が高いため、半導体ウエハを研磨パッドから脱離する時に、研磨パッドが撓み、研磨パッドが半導体ウエハ表面に接触することによって、半導体ウエハ表面に傷が発生する場合がある。このような脱離時の傷発生を抑制する方法は、上記の従来技術には示されていない。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来技術に基づく問題点を解消し、研磨処理の時に、半導体基板表面に傷が発生することを低減することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、半導体基板表面を研磨パッドに所定の圧力で押しつけ、かつ、該半導体基板表面を該研磨パッドに対して所定の相対速度で移動させることによって、該半導体基板表面を研磨した後に、該半導体基板を該研磨パッドから脱離するにあたって、
前記研磨パッドに対する押しつけ圧力を前記研磨時以下でかつ６０％以上の範囲に保って、前記相対速度を前記研磨時に比較して減少させる緩衝ステップを行ってから、前記半導体基板を脱離することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１４】
ここで、前記緩衝ステップにおける相対速度を前記研磨時の相対速度の２／３ないし１／３に減少させることが好ましい。
【００１５】
また、本発明は、半導体基板を研磨パッドを有する定盤に装着し、該半導体基板の表面を研磨した後に、前記研磨パッドとは別個に設けられたバフ研磨パッドを有する定盤に装着してバフ研磨を行うにあたって、
前記バフ研磨パッドを有する定盤に純水を供給しながら前記半導体基板を装着し、続いて、砥粒を含んだスラリーを供給してスラリーバフ研磨を行い、さらに、純水を供給してバフ研磨を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１６】
ここで、前記研磨パッドに装着して行う研磨を、該研磨パッドに砥粒を含んだスラリーを供給して行い、
前記スラリーバフ研磨を、前記研磨パッドに供給するものと同一のスラリーを、該研磨パッドへの供給量の±２５％の範囲の供給量で供給して行うことが好ましい。
【００１７】
また、前記研磨パッドが前記半導体基板に比較して大きな寸法を有し、該研磨パッドおよび半導体基板のそれぞれを、互いに異なる軸を中心として自転させることにより前記半導体基板表面の研磨を行うことが好ましい。
【００１８】
また、前記半導体基板表面の研磨は、該半導体基板表面の全面に形成された絶縁膜の表面層の研磨であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、緩衝ステップを行ってから、半導体基板を研磨パッドから脱離することによって、半導体基板表面に傷が発生するのを大幅に低減することができる。また、本発明によれば、定盤に純水を供給しながら、バフ研磨パッドを有する定盤に半導体基板を装着することによって、メイン研磨中に半導体基板表面に付着した、凝集した砥粒や被研磨材料の破片や、もしくは、バフ研磨パッドに付着した粒子等を除去することができる。続いて、砥流を含んだスラリーを供給してスラリーバフ研磨を行うことによって、メイン研磨時に半導体基板表面に発生した傷を除去し、製造される半導体装置の歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、添付の図面に示す好適実施形態に基づいて、本発明の半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
【００２１】
図１は、本発明の半導体装置の製造方法を適用して半導体ウエハの表面を研磨する工程を表す概略図である。同図に示すように、本発明の半導体装置の製造方法を適用するためのＣＭＰ装置１１は、ウエハローダ部１２、研磨ヘッド２４、メイン研磨用研磨ユニット１４、バフ研磨用研磨ユニット１６、およびウエハアンローダ部１８を備えている。メイン研磨用研磨ユニット１４は、その上面にメイン研磨用の研磨パッド２０が装着された研磨定盤２２と、純水供給管２６およびスラリー供給管２８とを備えている。バフ研磨用研磨ユニット１６は、バフ研磨用の研磨パッド３０が装着された研磨定盤３２と、純水供給管３６およびスラリー供給管３８とを備えている。
【００２２】
半導体ウエハ１０の表面（被研磨面となる半導体基板表面）を研磨する場合、半導体ウエハ１０は、ウエハローダー部１２を介してＣＭＰ装置１１に搬入され、研磨ヘッド（半導体ウエハ吸着機構）２４の下部に、その被研磨面を下側に向けて（メイン研磨用研磨ユニット１４、バフ研磨用研磨ユニット１６のそれぞれにおいて、被研磨面が研磨定盤２２および３２に向かうように）吸着される。そして、研磨ヘッド２４に吸着された状態で、メイン研磨用の研磨ユニット１４に装着され、そこでメイン研磨が施される。
【００２３】
メイン研磨用の研磨ユニット１４において、半導体ウエハ１０を、その被研磨面を研磨パッド２０に所定圧力で押しつけ、スラリー供給管２８から砥粒を含んだスラリーを所定流量で供給しながら、研磨定盤２２および研磨ヘッド２４を各々所定速度で所定時間回転させる。すなわち半導体基板表面を研磨パッド２０に対して所定の相対速度で移動させる。これによって、半導体基板表面を研磨する。
【００２４】
その後、半導体基板（すなわち、半導体ウエハ１０）を研磨パッド２０から脱離するにあたって、研磨パッド２０に対する押しつけ圧力を研磨時以下でかつ６０％以上の範囲に保ち、かつ相対速度を研磨時の速度に比較して減少させて、スラリー供給管２８からスラリーを所定流量で供給しながら、研磨定盤２２および研磨ヘッド２４を各々所定速度で所定時間回転させることによって半導体基板表面を研磨する緩衝ステップを行ってから、半導体基板を研磨パッド２０から脱離する。
【００２５】
なお、メイン研磨の処理時間は、被研磨面の材質および必要な研磨量に応じて適宜設定すればよい。また、緩衝ステップの処理時間は、メイン研磨の処理時間と比べて、極めて短い時間とするのが好ましい。緩衝ステップの目的は、その後に半導体ウエハを研磨パッドから脱離するときの、研磨パッドの撓みを低減することであるので、研磨定盤２２および研磨ヘッド２４の回転が、研磨時に比較して減少させた速度で安定するだけの時間だけ行えば十分である。具体的に必要な速度は、研磨定盤２２および研磨ヘッド２４の応答速度によって異なるが、通常、５ないし１０秒程度にすることが好ましい。
【００２６】
上記のように、メイン研磨の後、半導体ウエハ１０を研磨パッド２０から脱離する時に、緩衝ステップを行ってから、半導体基板を研磨パッド２０から脱離することによって、脱離時に半導体基板表面に傷が発生するのを低減することができる。
【００２７】
なお、緩衝ステップによる十分な傷減少効果を得るためには、研磨パッド２０と半導体ウエハ１０との間の相対速度が、研磨時の相対速度の２／３程度以下になるように、研磨定盤２２および研磨ヘッド２４の回転速度を減少させることが好ましい。一方、相対速度を減少させすぎると、スラリーの供給が不均一になり、かえって傷が増大する場合もある。従って、通常は、研磨時の相対速度の２／３〜１／３の範囲、例えば、１／２程度に減少させることが好ましい。
【００２８】
メイン研磨が終了した後の半導体ウエハ１０は研磨ヘッド２４に吸着されたままの状態で、バフ研磨用の研磨ユニット１６に移送され、そこでバフ研磨が施される。
【００２９】
バフ研磨用の研磨ユニット１６において、バフ研磨パッド３０を有する研磨定盤３２に、純水供給管３６から純水を供給しながら、研磨ヘッド２４に吸着した半導体ウエハ１０を装着する。この時、半導体ウエハ１０をバフ研磨パッド３０に押しつけるのではなく、バフ研磨パッド３０の表面に純水を介して浮いている状態とする。
【００３０】
研磨定盤３２に純水を供給しながら半導体ウエハ１０を装着することによって、メイン研磨中に半導体基板表面に付着した、凝集した砥粒や被研磨材料の破片や、もしくは、バフ研磨パッド３０に付着した粒子等を除去することができる。
【００３１】
続いて、半導体基板表面をバフ研磨パッド３０に所定圧力で押しつけ、スラリー供給管３８から砥粒を含んだスラリーを所定流量で供給し、研磨定盤３２および研磨ヘッド２４を所定速度で所定時間回転させることによってスラリーバフ研磨を行う。そして最後に、純水供給管３６から純水を所定流量で供給し、同様に研磨定盤３２および研磨ヘッド２４を所定速度で所定時間回転させることによってバフ研磨を行う。
【００３２】
スラリーバフ研磨を行うことによって、メイン研磨時に半導体基板表面に発生した傷を除去し、製造される半導体装置の歩留まりを向上させることができる。その後の純水によるバフ研磨によって、半導体基板表面を洗浄してスラリーを除去することができる。
【００３３】
そして最後に、バフ研磨が終了した後の半導体ウエハ１０は、ウエハアンローダー部１８を介して搬出される。
【００３４】
なお、バフ研磨を行う場合、メイン研磨後に緩衝ステップを行わず、バフ研磨時に、純水を供給しながら半導体ウエハを研磨定盤３２に装着し、スラリーバフ研磨を行ってからバフ研磨を行うようにしてもよい。また、バフ研磨時に、半導体基板をバフ研磨パッド３０から脱離するにあたって、メイン研磨時と同様に緩衝ステップを行うようにしてもよい。
【００３５】
上記実施形態の場合のように、メイン研磨時にスラリーを使用する場合、バフ研磨時にも、メイン研磨時と同じスラリーを利用することができる。スラリーバフ研磨時のスラリー供給量が少なすぎると、傷を除去する効果が得られず、多すぎると、スラリーバフ研磨時のスラリーが半導体基板表面に残留して、半導体装置の歩留まりを低下させる原因となる。従って、スラリーバフ研磨時のスラリー供給量は、メイン研磨時と同等の量、具体的には、メイン研磨時の±２５％程度が好ましい。
【００３６】
特許文献３にも記載されているように、従来は、スラリーと純水が混合されてｐＨが変化すると、砥粒の凝集が発生し、傷発生の原因になることが危惧されていた。しかし現実には、同一のバフ研磨パッドに半導体基板表面を装着したままの状態で、純水、スラリー、純水と切り替えて供給しても、すなわち、切替のタイミングで純水とスラリーとが混合される状態になっても、傷を増大させることはなく、むしろ、メイン研磨によって発生された傷を減少させ、製造される半導体装置の歩留まりを向上させることができることが明らかとなった。
【００３７】
また、半導体基板表面の具体的な研磨方法は何ら限定されないが、好ましい例として、図１に示す例のように、研磨パッド２０が半導体基板に比較して大きな寸法を有し、研磨パッド２０および半導体基板のそれぞれを、互いに異なる軸を中心として自転させることにより半導体基板表面の研磨を行うことを挙げることができる。また、研磨される半導体基板の表面層も何ら限定されないが、一例として、半導体基板表面の全面に形成された絶縁膜の表面層を挙げることができる。
【実施例１】
【００３８】
ＣＭＰ装置として、ＩＰＥＣ／ＷＥＳＴＥＣＨ社製  ＡＶＡＮＴＩ４７２を使用し、メイン研磨用の研磨パッドとして、ＩＣ１０００／Ｓｕｂａ−４の２層パッド、バフ研磨用のバフ研磨パッドとして、Ｓｕｐｒｅｍｅ  ＲＮ−Ｈを使用して、ＰＳＧ膜が堆積された半導体基板表面の研磨を行った後、表面欠陥検出装置として、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製  ＡＩＴ−ＩＩを使用して、研磨後の半導体基板表面の欠陥数（欠陥検査装置によって観察される傷の個数）を測定した。
【００３９】
本実施例では、図２のグラフに示すように、本発明を適用して、メイン研磨の後、緩衝ステップを行ってから、半導体ウエハを研磨パッドから脱離し、さらに純水のみを供給してバフ研磨を行った。図２のグラフの縦軸は半導体ウエハを研磨パッドに押しつける圧力（ｐｓｉ）、横軸は処理時間（ｓｅｃ）を表す。また、Ｔ１，Ｔ２，Ｔｔ，Ｔｂは、それぞれメイン研磨の処理時間、緩衝ステップの処理時間、半導体ウエハの移送時間、バフ研磨の処理時間を表す。
【００４０】
また、緩衝ステップの効果を確認するために、従来通り、メイン研磨の後、緩衝ステップを行わずに、そのまま半導体ウエハを研磨パッドから脱離し、さらに純水のみを供給してバフ研磨を行った。
【００４１】
メイン研磨時の処理条件は以下の通りとした。
研磨定盤回転速数：５０ｒｐｍ
研磨ヘッド回転数：３０ｒｐｍ
圧力：７ｐｓｉ（４．８×１０4Ｐａ）
時間は、緩衝ステップを行わない場合は６０秒とし、緩衝ステップを行う場合には５５秒とした。
【００４２】
バフ研磨時の条件は以下の通りとした。
研磨定盤回転速数：５０ｒｐｍ
研磨ヘッド回転数：５０ｒｐｍ
圧力：２ｐｓｉ（１．４×１０4Ｐａ）
時間：３０秒
【００４３】
緩衝ステップ時の処理条件は、下記表１の通りとした。すなわち、緩衝ステップ時の研磨定盤／研磨ヘッドの回転数（半導体ウエハと研磨パッドとの間の相対速度）は、メイン研磨時の研磨定盤／研磨ヘッドの回転数の１／２とした。また、緩衝ステップ時の圧力は、メイン研磨時の圧力以下の値で変化させた。すなわち、７ｐｓｉ（４．８×１０4Ｐａ）から１ｐｓｉ（６．９×１０3Ｐａ）の範囲で変化させた。時間は、この実験においては、緩衝ステップにおける研磨量を同一にして比較するために、圧力に応じて変化させた。なお、表１には、６インチウエハ全面の欠陥数（個）を研磨量（ｎｍ）で規格化した数値を示してある（以下、単に欠陥数の規格値という）。
【００４４】
【表１】
2006073806.tif 000003
【００４５】
表１に示す通り、緩衝ステップを行わずに半導体ウエハを脱離した場合、欠陥数の規格値は０．６３（個／ｎｍ）であった。一方、緩衝ステップを行ってから半導体ウエハを脱離した場合、半導体基板表面と研磨パッドとの間の相対速度を１／２にしても、圧力を１／２以下に下げてから脱離した場合（圧力が３ｐｓｉおよび１ｐｓｉの場合）、かえって欠陥数の規格値が増加する結果となった。これに対して、圧力を６０％以上に保った状態で、相対速度を１／２に低下させてから脱離した場合（圧力が７ｐｓｉおよび５ｐｓｉの場合）、欠陥数の規格値を低下させることができた。
【００４６】
図３は、メイン研磨時の圧力Ｐ１と緩衝ステップ時の圧力Ｐ２との比Ｐ２／Ｐ１と、欠陥数の規格値との間の関係を表すグラフであって、その縦軸は欠陥数の規格値（個／ｎｍ）、横軸は研磨圧力比Ｐ２／Ｐ１を示す。このグラフから、緩衝ステップを行わない場合の欠陥数の規格値０．６３を上限として、これよりも低い数値、例えば０．５を欠陥数の規格値の目標値とすると、この目標値０．５よりも欠陥数の規格値が小さくなる範囲は、研磨圧力比Ｐ２／Ｐ１を０．６０程度以上とした場合であることが分かる。
【実施例２】
【００４７】
実施例１と同じ装置を使用して、ＰＳＧ膜が堆積された半導体基板表面の研磨を行い、研磨後の半導体基板表面の欠陥数を測定した。本実施例では、図４のグラフに示すように、本発明を適用して、メイン研磨の後、緩衝ステップを行わずに半導体ウエハを研磨パッドから脱離し、さらに純水を供給しながら半導体ウエハをバフ研磨パッドを有する研磨定盤に装着（洗浄工程）し、続いてスラリーバフ研磨を行い、最後に純水を供給してバフ研磨を行った。図４のグラフにおいて、Ｔｓは、スラリーバフ研磨の処理時間を表す。
【００４８】
また、スラリーバフ研磨の効果を確認するために、従来通り、メイン研磨の後、緩衝ステップを行わずに、そのまま半導体ウエハを研磨パッドから脱離した後、純水のみを供給してバフ研磨を行った。バフ研磨の条件は、スラリーバフ研磨を行った場合も行わなかった場合も、実施例１と同一である。メイン研磨の条件も、スラリーバフ研磨の有無によらず、実施例１において緩衝ステップを行わなかった場合と同一である。
【００４９】
スラリーバフ研磨時の処理条件は、下記表２の通りとした。また、表２には、スラリーバフ研磨時の研磨量、すなわち、スラリーバフ研磨およびバフ研磨を行った場合の研磨量と、バフ研磨のみを行った場合の研磨量との差も併せて示してある。
【００５０】
【表２】
2006073806.tif 000004
【００５１】
表２に示す通り、バフ研磨のみを行った場合、欠陥数は３８個であった。一方、スラリーバフ研磨を行った場合、欠陥数は、１５秒、３０秒、６０秒のスラリーバフ研磨でそれぞれ３２個、３個、０個となり、スラリーバフ研磨を行うことによって確実に欠陥数を減少させることができた。また、この時の研磨量は、それぞれ４５ｎｍ、１０９ｎｍ、２６１ｎｍであり、約１００ｎｍ程度のスラリーバフ研磨によって欠陥数を大幅に削減できることが分かった。
【実施例３】
【００５２】
ＣＭＰ装置として、ＡＰＰＬＩＥＤ  ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製  ＭＩＲＲＡを使用し、メイン研磨用の研磨パッドとして、ＩＣ１０００／Ｓｕｂａ−４の２層パッド、バフ研磨用のバフ研磨パッドとして、Ｓｕｐｒｅｍｅ  ＲＮ−Ｈを使用して、ＢＰＳＧ膜が堆積された半導体基板表面の研磨を行った。
【００５３】
本実施例では、図５のグラフに示すように、本発明を適用して、メイン研磨の後、半導体ウエハを研磨パッドから脱離し、次に、バフ研磨パッドを有する研磨定盤に純水を供給しながら半導体ウエハを装着（洗浄工程）し、続いてスラリーバフ研磨を行い、さらに純水を供給してバフ研磨を行った。
【００５４】
また、スラリーバフ研磨の有無による製品歩留まりの差を調べるために、従来通り、メイン研磨の後、純水のみを供給してバフ研磨を行った。
【００５５】
各処理における処理条件は、下記表３の通りとした。スラリーバフ研磨時のスラリー流量は、メイン研磨時のスラリー流量の８０％とした。
【００５６】
【表３】
2006073806.tif 000005
【００５７】
その結果、スラリーバフ研磨を行わず、従来通り、純水によるバフ研磨のみを行った場合の製品歩留まりは８２％であった。これに対して、本発明を適用してスラリーバフ研磨を行った場合の製品歩留まりは８７％に向上することを確認した。
【００５８】
本発明は、基本的に以上のようなものである。
以上、本発明の半導体装置の製造方法について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の半導体装置の製造方法を適用して半導体ウエハの表面を研磨する工程を表す概略図である。
【図２】実施例１に係る研磨工程を表す概念図である。
【図３】欠陥数の規格値と研磨圧力比との間の関係を表すグラフである。
【図４】実施例２に係る研磨工程を表す概念図である。
【図５】実施例３に係る研磨工程を表す概念図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０  半導体ウエハ
１１  ＣＭＰ装置
１２  ウエハローダー部
１４  メイン研磨用研磨ユニット
１６  バフ研磨用研磨ユニット
１８  ウエハアンローダー部
２０，３０  研磨パッド
２２，３２  研磨定盤
２４  研磨ヘッド
２６，３６  純水供給管
２８，３８  スラリー供給管
【図１】
2006073806.tif 000006
【図２】
2006073806.tif 000007
【図３】
2006073806.tif 000008
【図４】
2006073806.tif 000009
【図５】
2006073806.tif 000010