(57)【要約】  【課題】従来に比べて加速度センサチップが加速度以外の要因による応力の影響を受けにくく、しかも、従来に比べて加速度センサチップの小型化が可能な加速度センサを提供する。  【解決手段】加速度センサチップ１と、加速度センサチップ１のフレーム部１１が平面状の固定面３ａに対して接着剤により固着されたパッケージ３と、パッケージ３内において固定面３ａの法線方向への重り部１２の過度な変位を規制するストッパ部材２とを備える。ストッパ部材２は、加速度センサチップ１の一表面に中間部が対向配置される平板状のストッパ片２ａと、加速度センサチップ１の側方において加速度センサチップ１の厚み方向に沿って配設されてストッパ片２ａを支持する２つの脚片２ｂとが一体に形成され、各脚片２ａそれぞれの先端縁が固定面３ａに対して接着剤により固着されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状のフレーム部の開口窓内に配置される重り部が一表面側において可撓性を有する撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持され撓み部にゲージ抵抗が設けられた加速度センサチップと、加速度センサチップが収納され加速度センサチップのフレーム部が平面状の固定面に対して第１の接着剤により固着されたパッケージと、パッケージ内において前記固定面の法線方向への重り部の過度な変位を規制するストッパ部材とを備え、ストッパ部材は、加速度センサチップの前記一表面に中間部が対向配置される平板状のストッパ片と、加速度センサチップの側方において加速度センサチップの厚み方向に沿って配設されてストッパ片を支持する複数の脚片とが一体に形成され、各脚片それぞれの先端縁が前記固定面に対して第２の接着剤により固着されてなることを特徴とする加速度センサ。
【請求項２】
前記ストッパ部材は、合成樹脂成形品からなることを特徴とする請求項１記載の加速度センサ。
【請求項３】
前記ストッパ部材は、シリコン基板上の絶縁層上にシリコン層を有するＳＯＩ基板の裏面に、絶縁層もしくはシリコン層に達する深さの凹部を設けることにより形成されてなることを特徴とする請求項１記載の加速度センサ。
【請求項４】
前記第１の接着剤および前記第２の接着剤は、互いに同じ厚さに設定されたシート状のダイボンドペーストからなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加速度センサに関し、特に耐衝撃性に優れた加速度センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、加速度センサとして、図４に示すように、加速度センサチップ１’と、加速度センサチップ１’のフレーム部１１’の一表面側（図４における上面側）の４隅に接着剤により接着され重り部１２’の過度な変位を制限する矩形板状のガラス基板からなるストッパ部材２’と、一面が開放された箱状であって内底面に加速度センサチップ１’のフレーム部１１’が固着されたパッケージ３’と、パッケージ３’の上記一面を閉塞する矩形板状のパッケージ蓋４’とを備えたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ここにおいて、加速度センサチップ１’は、図５に示すように、矩形枠状のフレーム部１１’の開口窓内に配置される重り部１２’が一表面側において可撓性を有する４つの撓み部１３’を介してフレーム部１１’に揺動自在に支持されている。この加速度センサチップ１’は、互いに直交する３方向の加速度を検出可能な３軸加速度センサチップであって、図４および図５それぞれの左側に示すように、加速度センサチップ１’の厚み方向に直交する平面において矩形枠状のフレーム部１１’の一辺に沿った方向をｘ軸方向、この一辺に直交する辺に沿った方向をｙ軸方向、加速度センサチップ１’の厚み方向をｚ軸方向と規定すれば、重り部１２’の変位により撓み部１３’に生じる歪みによって抵抗値の変化するピエゾ抵抗Ｒが各撓み部１３’の適宜位置に形成され、これらのピエゾ抵抗Ｒが各軸それぞれの加速度を検出するブリッジ回路を構成するように図示しない配線（拡散層配線、金属配線など）によって接続されている。なお、上述の加速度センサチップ１’は、１枚のＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）ウェハに多数形成した後で個々の加速度センサチップ１’に分割されている。
【０００４】
上述の加速度センサでは、ｚ軸方向の正方向（パッケージ３’の内底面の法線方向）への重り部１２’の過度な変位を規制するストッパ部材２’を備えているので、重り部１２’が過度に変位することがなく、撓み部１３’などが破損するのを防止することができる。つまり、上述の加速度センサでは、ストッパ部材２’を設けたことにより、ストッパ部材２’を設けていない場合に比べて耐衝撃性を高めることができるという利点がある。ここにおいて、加速度センサに加速度がかかっていない状態におけるストッパ部材２’と加速度センサチップ１’の重り部１２’との間のギャップ長は５〜１０μｍの範囲で設定されている。
【０００５】
なお、この種の加速度センサとしては、ガラス基板を加工して形成したストッパを加速度センサチップの一表面側へ陽極接合により固着したセンサ構造体を、パッケージに収納した構成のものも提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２３３０７２号公報（段落〔００２５〕〜段落〔００２７〕、および図１〜図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ガラス基板を加工して形成したストッパ部材を加速度センサチップに陽極接合により固着してから、パッケージに収納した構成の加速度センサでは、ストッパ部材と加速度センサチップとの熱膨張係数差に起因して撓み部に熱応力が生じるので、ブリッジ回路のオフセット電圧が周囲温度によって変動してしまう。
【０００７】
これに対して、上記特許文献１に開示された加速度センサでは、矩形板状のガラス基板からなるストッパ部材２’の４隅を加速度センサチップ１のフレーム部１１’の一表面の４隅にシリコーン樹脂などの弾性を有する接着剤により接着しているので、ストッパ部材と加速度センサチップとを陽極接合により固着したものに比べて、ストッパ部材２’と加速度センサチップ１’との熱膨張係数差に起因して撓み部１３’に生じる熱応力を低減できるが、接着剤の収縮などによる応力の影響を受けて特性変化が起こりやすかった。
【０００８】
また、上記特許文献１に開示された加速度センサでは、加速度センサチップ１’の上記一表面に接着剤を塗布するためのスペースを確保しなければならず、上記配線のパターン設計の制約が多くなるので、加速度センサチップ１’のより一層の小型化が難しかった。また、ガラス基板を加工して形成したストッパ部材を加速度センサチップに陽極接合により固着する場合には陽極接合のためのスペースを確保しなければならず、この場合にも、上記配線のパターン設計の制約が多くなるので、加速度センサチップ１’のより一層の小型化が難しかった。
【０００９】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、従来に比べて加速度センサチップが加速度以外の要因による応力の影響を受けにくく、しかも、従来に比べて加速度センサチップの小型化が可能な加速度センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１の発明は、枠状のフレーム部の開口窓内に配置される重り部が一表面側において可撓性を有する撓み部を介してフレーム部に揺動自在に支持され撓み部にゲージ抵抗が設けられた加速度センサチップと、加速度センサチップが収納され加速度センサチップのフレーム部が平面状の固定面に対して第１の接着剤により固着されたパッケージと、パッケージ内において前記固定面の法線方向への重り部の過度な変位を規制するストッパ部材とを備え、ストッパ部材は、加速度センサチップの前記一表面に中間部が対向配置される平板状のストッパ片と、加速度センサチップの側方において加速度センサチップの厚み方向に沿って配設されてストッパ片を支持する複数の脚片とが一体に形成され、各脚片それぞれの先端縁が前記固定面に対して第２の接着剤により固着されてなることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、ストッパ部材は、加速度センサチップの前記一表面に中間部が対向配置される平板状のストッパ片と、加速度センサチップの側方において加速度センサチップの厚み方向に沿って配設されてストッパ片を支持する複数の脚片とが一体に形成され、各脚片それぞれの先端縁がパッケージの固定面に対して第２の接着剤により固着されているので、ストッパ部材と加速度センサチップとの熱膨張係数差による熱応力やストッパ部材を固着する接着剤の収縮による応力などが加速度センサチップに生じることがなくて、従来に比べて加速度センサチップが加速度以外の要因による応力の影響を受けにくく、また、加速度センサチップの上記一表面に接着剤を塗布するためのスペースを確保する必要もないから、従来に比べて加速度センサチップの小型化を図ることができる。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記ストッパ部材は、合成樹脂成形品からなることを特徴とする。
【００１３】
この発明によれば、前記ストッパ部材をシリコン基板やガラス基板をエッチング加工して形成する場合に比べて、前記ストッパ部材の低コスト化を図れる。
【００１４】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、前記ストッパ部材は、シリコン基板上の絶縁層上にシリコン層を有するＳＯＩ基板の裏面に、絶縁層もしくはシリコン層に達する深さの凹部を設けることにより形成されてなることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、前記ストッパ部材をシリコン基板やガラス基板をエッチング加工して形成する場合に比べて、前記ストッパ部材の脚片の長さ寸法の精度を高めることができ、前記ストッパ片と前記加速度センサチップの前記重り部との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。
【００１６】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記第１の接着剤および前記第２の接着剤は、互いに同じ厚さに設定されたシート状のダイボンドペーストからなることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、前記加速度センサチップのフレーム部と前記固定面との間の寸法と、前記各脚片それぞれの先端縁と前記固定面との間の寸法とを揃えることができ、前記ストッパ片と前記加速度センサチップの前記重り部との間のギャップ長の精度をより高めることが可能となる。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１の発明では、従来に比べて加速度センサチップが加速度以外の要因による応力の影響を受けにくく、しかも、従来に比べて加速度センサチップの小型化が可能になるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（実施形態１）
図１に示す本実施形態の加速度センサについて説明するにあたって、まず、加速度センサチップ１について図２を参照しながら説明する。
【００２０】
加速度センサチップ１は、図２（ａ），（ｂ）に示すように、枠状（本実施形態では、矩形枠状）のフレーム部１１を備え、フレーム部１１の矩形状の開口窓内に配置される重り部１２が一表面（図２（ｂ）における上面）側において可撓性を有する４つの短冊状の撓み部１３を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。ここにおいて、加速度センサチップ１は、シリコン基板からなる支持基板上のシリコン酸化膜からなる絶縁層（埋込酸化膜）上にｎ形のシリコン層（活性層）を有するＳＯＩウェハを加工することにより形成してあり、フレーム部１１は、ＳＯＩウェハの支持基板、絶縁層、シリコン層それぞれを利用して形成してある。これに対して、撓み部１３は、ＳＯＩウェハにおけるシリコン層を利用して形成してあり、フレーム部１１よりも薄肉となっている。なお、ＳＯＩウェハについては、支持基板の厚さを４００〜６００μｍ程度、絶縁層の厚さを０．３〜１．５μｍ程度、シリコン層の厚さを４〜６μｍ程度に設定してあるが、これらの数値は特に限定するものではない。
【００２１】
重り部１２は、上述の４つの撓み部１３を介してフレーム部１１に支持された直方体状のコア部１２ａと、加速度センサチップ１の上記一表面側から見てコア部１２ａの四隅それぞれに連続一体に連結された直方体状の４つの付随部１２ｂとを有している。言い換えれば、重り部１２は、フレーム部１１の内側面に一端部が連結された各撓み部１３の他端部が外側面に連結されたコア部１２ａと、コア部１２ａと一体に形成されコア部１２ａとフレーム部１１との間の空間に配置される４つの付随部１２ｂとを有している。つまり、各付随部１２ｂは、加速度センサチップ１の上記一表面側から見て、フレーム部１１とコア部１２ａと互いに直交する方向に延長された２つの撓み部１３，１３とで囲まれる空間に配置されており、各付随部１２ｂそれぞれとフレーム部１１との間にはスリット１４が形成され、撓み部１３を挟んで隣り合う付随部１２ｂ間の間隔が撓み部１３の幅寸法よりも長くなっている。ここにおいて、コア部１２ａは、ＳＯＩウェハの支持基板、絶縁層、シリコン層それぞれを利用して形成し、各付随部１２ｂは、ＳＯＩウェハの支持基板を利用して形成してある。しかして、加速度センサチップ１の上記一表面側において各付随部１２ｂの表面は、コア部１２ａの表面を含む平面から加速度センサチップ１の他表面（図２（ｂ）における下面）側へ離間して位置している。
【００２２】
また、重り部１２のコア部１２ａおよび各付随部１２ｂは、支持基板を利用して形成されている部分の厚さがフレーム部１１において支持基板を利用して形成されている部分の厚さに比べて、加速度センサチップ１の厚み方向（図２（ｂ）における上下方向）への重り部１２の許容変位量分だけ薄くなっている。したがって、加速度センサチップ１のフレーム部１１を後述のパッケージ３（図１参照）の内底面に固着したときに、加速度センサチップ１の上記他表面側には加速度センサチップ１の厚み方向への重り部１２の変位を可能とする隙間が形成される。
【００２３】
ところで、図２（ａ），（ｂ）それぞれの左側に示したように、加速度センサチップ１の厚み方向に直交する平面において矩形枠状のフレーム部１１の一辺に沿った方向をｘ軸方向、この一辺に直交する辺に沿った方向をｙ軸方向、加速度センサチップ１の厚み方向をｚ軸方向と規定すれば、重り部１２は、ｘ軸方向に延長されてコア部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３と、ｙ軸方向に延長されてコア部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３とを介してフレーム部１１に支持されていることになる。ここで、加速度センサチップ１は、ｘ軸方向を長手方向とする２つの撓み部１３，１３におけるコア部１２ａ近傍にｘ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗（図示せず）が２つずつ形成され、ｙ軸方向を長手方向とする２つの撓み部１３，１３におけるコア部１２ａ近傍にｙ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗（図示せず）が２つずつ形成され、４つの撓み部１３それぞれの長手方向におけるフレーム部１１近傍にｚ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗（図示せず）が１つずつ形成されており、各軸方向ごとにそれぞれ４つのピエゾ抵抗がブリッジ回路を構成するように配線（拡散層配線、金属配線など）を介して接続されている。ここに、加速度センサチップ１の上記一表面側には、シリコン酸化膜からなる保護膜（図示せず）が形成されており、ブリッジ回路の各端子となるパッド１６（図１（ｂ）参照）がフレーム部１１に対応する部位で加速度センサチップ１の上記一表面側に設けられている。
【００２４】
したがって、加速度センサチップ１に加速度が作用すると、加速度の方向および大きさに応じて重り部１２がフレーム部１１に対して相対的に変位し、結果的に撓み部１３が撓んでピエゾ抵抗の抵抗値が変化することになる。つまり、ピエゾ抵抗の抵抗値の変化を検出することにより加速度センサチップ１に作用したｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向それぞれの加速度を検出することができる。要するに、各ブリッジ回路の対角位置の一方の端子間に適宜の検出用電源を接続するとともに対角位置の他方の端子間の電圧を検出し、適宜の補正を加えれば、重り部１２に作用するｘ軸方向、ｙ軸方向、ｚ軸方向それぞれの加速度に比例する電圧を得ることができる。本実施形態では、各ピエゾ抵抗それぞれが、フレーム部１１に対する重り部１２の変位により撓み部１３に生じるひずみによって抵抗率の変化するゲージ抵抗を構成している。
【００２５】
本実施形態の加速度センサは、図１（ａ），（ｂ）に示すように、上述の加速度センサチップ１と、一面が開放された箱状であって加速度センサチップ１が収納され加速度センサチップ１のフレーム部１１が固着されたパッケージ３と、パッケージ３の上記一面を閉塞する矩形板状のパッケージ蓋４とを備えている。なお、パッケージ３の外周形状は矩形状であり、パッケージ蓋４は、パッケージ３に対して接着剤を用いて気密的に封着されている。
【００２６】
パッケージ３は、平面状の内底面３ａが加速度センサチップ１の固定面となっており、加速度センサチップ１のフレーム部１１の４隅（４つの角部）を接着剤（例えば、所定厚さのペース状のダイボンドペースト）によりパッケージ３の固定面３ａに固着してある（図１（ａ），（ｂ）中の５は、フレーム部１１とパッケージ３とを接着した接着剤からなる接着部を示している）。すなわち、加速度センサチップ１は、フレーム部１１の４つの角部のみをパッケージ３に接着しているので、フレーム部１１を全周に亙ってパッケージ３に接着する場合に比べて、パッケージ３から加速度センサチップ１への応力が撓み部３に作用しにくく安定した精度の高い加速度測定が可能となる。
【００２７】
また、パッケージ３は、加速度センサチップ１の固定面３ａの周辺から突出する矩形枠状の突台部３ｂを備えており、突台部３ｂの先端面には、加速度センサチップ１の各パッド１６それぞれがボンディングワイヤＷを介して電気的に接続される複数の端子パターン３６が露出している。ここにおいて、各端子パターン３６はパッケージ３の外部に露出した電極部（図示せず）と電気的に接続されている。
【００２８】
なお、本実施形態では、パッケージ３を、多層積層型セラミックパッケージ（積層セラミックパッケージ）により構成してあり、積層する複数枚（図示例では、４枚）のシート３１〜３４のうちパッケージ３の底壁に対応するシート３１上に積層する１枚のシート３２の厚み寸法を突台部３ｂの突出寸法に設定してシート３２がパッケージ３の周壁および突台部３ｂを構成するように平面形状を設計してある。
【００２９】
ところで、本実施形態の加速度センサは、パッケージ３内において固定面３ａの法線方向への重り部１２の過度な変位を規制するストッパ部材２を備えており、耐衝撃性に優れている。
【００３０】
ストッパ部材２は、加速度センサチップ１の上記一表面に中間部が対向配置される平板状（細長の矩形板状）のストッパ片２ａと、加速度センサチップ１の側方（図１（ａ）では加速度センサチップ１の左右両側）において加速度センサチップ１の厚み方向に沿って配設されてストッパ片２ａを支持する複数（本実施形態では、２つ）の脚片２ｂとが一体に形成され、各脚片２ｂそれぞれの先端縁（図１（ａ）における下端縁）が固定面３ａに対して接着剤（例えば、所定厚さのペース状のダイボンドペースト）により固着されてなる（図１（ａ），（ｂ）中の６は、脚片２ｂとパッケージ３とを接着した接着剤からなる接着部を示している）。要するに、コ字状に形成されたストッパ部材２における両脚片２ｂ，２ｂそれぞれの先端縁がパッケージ３の固定面３ａに対して接着剤により固着されている。
【００３１】
加速度センサチップ１では、矩形枠状のフレーム部１１の４辺のうちの２辺のみに上述のパッド１６を設けてある一方で、ストッパ部材２のストッパ片２ａでは、短手方向（図１（ｂ）における上下方向）の寸法をフレーム部１１の対向辺間の寸法よりも小さく設定してある。したがって、ストッパ部材２を、ストッパ片２ａが加速度センサチップ１のフレーム部１１のうちパッド１６の設けられていない２辺に交差し、加速度センサチップ１の厚み方向においてパッド１６と重複しないように配設することにより、ストッパ部材２をパッケージ３に固着した後でも、加速度センサチップ１の各パッド１６とパッケージ３の突台部３ｂの先端面に露出した各端子パターン３６とをボンディングワイヤＷを介して接続することができる。
【００３２】
以上説明した本実施形態の加速度センサでは、ストッパ部材２と加速度センサチップ１との熱膨張係数差による熱応力やストッパ部材２を固着する接着剤の収縮による応力などが加速度センサチップ１に生じることがなくて、従来に比べて加速度センサチップ１が加速度以外の要因による応力の影響を受けにくくなるという利点がある。また、加速度センサチップ１の上記一表面に接着剤を塗布するためのスペースを確保する必要もないから、従来に比べて加速度センサチップ１の小型化を図ることができる。ここにおいて、本実施形態では、ストッパ部材２が合成樹脂成形品（プラスチック）により構成されており、ストッパ部材２をシリコン基板やガラス基板をエッチング加工して形成する場合に比べて、ストッパ部材２の低コスト化を図れる。
【００３３】
また、本実施形態の加速度センサでは、加速度センサチップ１とパッケージ３の固定面３ａとを固着するために用いる接着剤およびストッパ部材２とパッケージ３の固定面とを固着するために用いる接着剤として、互いに同じ厚さに設定されたシート状のダイボンドペーストを用いているので、加速度センサチップ１のフレーム部１１と固定面３ａとの間の寸法と、各脚片２ｂそれぞれの先端縁と固定面３ａとの間の寸法とを揃えることができ、ストッパ片２ａと加速度センサチップ１の重り部１２のコア部１２ａとの間のギャップ長の精度をより高めることが可能となる。なお、ギャップ長は、例えば、２μｍ〜２０μｍ程度の範囲内で適宜設定すればよい。
【００３４】
ここにおいて、図１（ａ）に示したように、ギャップ長をｈ１、ストッパ部材２の脚片２ｂの長さ（高さ寸法）をｈ２、加速度センサチップ１のフレーム部１１と固定面３ａとの間に介在する接着部５の厚みをｈ３、脚片２ｂの先端縁と固定面３ａとの間に介在する接着部６の厚みをｈ３’、 加速度センサチップ１のフレーム部１１の厚みをｈ４とすれば、ｈ３＝ｈ３’とみなすことができるから、ｈ１＝ｈ２−ｈ４となる。したがって、加速度センサチップ１のフレーム部１１の厚みｈ４を変えなければ、ストッパ部材２における脚片２ｂの長さｈ２を変更することによって、ストッパ片２ａと加速度センサチップ１の重り部１２のコア部１２ａとの間のギャップ長ｈ１を調整することができる。
【００３５】
（実施形態２）
本実施形態の加速度センサの基本構成は実施形態１と略同じであって、ストッパ部材２が、シリコン基板上の絶縁層上にシリコン層を有するＳＯＩ基板の裏面に、シリコン層に達する深さの凹部を設けることにより形成されている点が相違する。
【００３６】
したがって、図３（ａ），（ｂ）に示す本実施形態の加速度センサにおけるストッパ部材２のストッパ片２ａは、上記ＳＯＩ基板におけるシリコン層により形成され、各脚片２ｂは、上記ＳＯＩ基板におけるシリコン基板の一部により形成された部位２１と絶縁層の一部により形成された部位２２とを有している。ストッパ部材２の形成に用いるＳＯＩ基板（実際にはＳＯＩウェハであって多数のストッパ部材２の形成後に個々のストッパ部材２に分割する）は加速度センサチップ１の形成に用いるＳＯＩウェハよりも厚み寸法が大きなものを用いている。ここにおいて、ストッパ部材２の形成に用いるＳＯＩ基板ではシリコン層の厚さを１００μｍに設定してあるが、この数値は特に限定するものではなく、ストッパ片２ａに必要な機械的強度に応じて適宜設定すればよい。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３７】
ところで、上述のストッパ部材２の形成にあたっては、例えば、上記ＳＯＩ基板の裏面に、凹部に対応する部位を露出させるようにパターニングされたレジスト層を形成し、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）型のドライエッチング装置を用いてＳＯＩ基板を裏面側から絶縁層に達する深さまで絶縁層をエッチングストッパ層として略垂直にエッチングし、その後、絶縁層の露出部位を選択的にエッチングすることにより、上記凹部を形成することができる。なお、本実施形態におけるストッパ部材２は、ＳＯＩ基板の裏面に、シリコン層に達する深さの凹部を設けることにより形成してあるが、絶縁層に達する深さの凹部を設けることにより形成してもく、この場合には、シリコン基板の厚みと絶縁層の厚みとの合計厚みに応じて脚片２ｂの長さが決まることとなる。
【００３８】
しかして、本実施形態の加速度センサでは、ストッパ部材２をシリコン基板やガラス基板をエッチング加工して形成する場合に比べて、ストッパ部材２の脚片２ｂの長さ寸法の精度を高めることができ、ストッパ片２ａと加速度センサチップ１の重り部１２のコア部１２ａとの間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。
【００３９】
なお、上記各実施形態では、ＳＯＩウェハを用いて形成した加速度センサチップ１について例示したが、加速度センサチップ１はＳＯＩウェハに限らず、例えばシリコン基板を用いて形成してもよい。また、加速度センサチップ１の形状も特に限定するものではなく、重り部が加速度センサチップの厚み方向へ変位可能な構造のものであれば、重り部を一方向のみから片持ちで支持した１軸の加速度を検出する加速度センサチップでもよい。また、撓み部１３に設けるゲージ抵抗もピエゾ抵抗に限らず、例えばカーボンナノチューブを採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態１を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はパッケージ蓋を取り外した状態の概略平面図である。
【図２】同上における加速度センサチップを示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】実施形態２を示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）はパッケージ蓋を取り外した状態の概略平面図である。
【図４】従来例を示す概略断面図である。
【図５】同上における加速度センサチップの概略斜視図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  加速度センサチップ
２  ストッパ部材
２ａ  ストッパ片
２ｂ  脚片
３  パッケージ
３ａ  固定面
３ｂ  突台部
４  パッケージ蓋
５  接着部
６  接着部
１１  フレーム部
１２  重り部
１３  撓み部
１４  スリット
１６  パッド
【図１】
2006153518.tif 000003
【図２】
2006153518.tif 000004
【図３】
2006153518.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006153518.tif 000007