(57)【要約】【課題】  半田ボール接続ランドにおける半田の接合強度の低下を防止し、電気的接続の信頼性の高い半導体用基板を提供する。【解決手段】  絶縁性基板２と、半田ボール接続ランド４を形成するために絶縁性基板２の上面に設けられたパッド電極１０と、半導体チップと電気的に接続するために絶縁性基板２の下面に形成された接続電極１６と、パッド電極１０と接続電極１６とを電気的に接続するために絶縁性基板２に設けられたスルーホール２２と、絶縁性基板２の上面及び下面に形成され、接続電極１６上及びパッド電極１０上に開口部をもつ絶縁膜１２，２０と、パッド電極１０上に設けられた金属又は合金のメッキ層からなる半田ボール接続ランド４と、を備えた半導体用基板１において、半田ボール接続ランド４を構成するＮｉメッキ層２４及びＡｕメッキ層２６を構成する粒子が実質的に均一となっている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
半田ボール接続ランドを形成するために前記絶縁性基板の上面に設けられたパッド電極と、
半導体チップと電気的に接続するために前記絶縁性基板の下面に形成された接続電極と、
前記パッド電極と前記接続電極とを電気的に接続するために前記絶縁性基板に設けられたスルーホールと、
前記絶縁性基板の上面及び下面に形成され、少なくとも前記接続電極上及び前記パッド電極上に開口部をもつ絶縁膜と、
半田ボール接続ランドを形成するために前記パッド電極上に設けられた金属又は合金からなるメッキ層と、を備えた半導体用基板において、
前記メッキ層を構成する粒子が実質的に均一となっていることを特徴とする半導体用基板。
【請求項２】
前記絶縁膜において、前記半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しくなるように、前記絶縁膜に開口部をもつダミー電極を前記絶縁性基板の前記接続電極及び前記パッド電極とは異なる位置に備えている請求項１に記載の半導体用基板。
【請求項３】
前記メッキ層は、Ｎｉメッキ層である請求項１又は２に記載の半導体用基板。
【請求項４】
前記メッキ層は、前記パッド電極上に形成されたＮｉメッキ層と、前記Ｎｉメッキ層の上に形成されたＡｕメッキ層により形成されている請求項１又は２に記載の半導体用基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の半導体用基板に半導体チップ及び半田ボールを搭載した半導体装置。
【請求項６】
絶縁性基板と、半田ボール接続ランドを形成するために前記絶縁性基板の上面に設けられたパッド電極と、半導体チップと電気的に接続するために前記絶縁性基板の下面に形成された接続電極と、前記パッド電極と前記接続電極とを電気的に接続するために前記絶縁性基板に設けられたスルーホールと、前記絶縁性基板の上面及び下面に形成され、少なくとも前記接続電極上及び前記パッド電極上に開口部をもつ絶縁膜とを備えた基板に金属又は合金からなるメッキ層を形成するためのメッキ工程を少なくとも備えた半導体用基板の製造方法において、
前記メッキ工程は、前記半導体用基板の上面側と下面側において電流密度が実質的に等しくなるように印加電圧値又は電流値を設定して電解メッキを行なうことを特徴とする半導体用基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板として、前記絶縁膜において前記半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しくなるように、前記絶縁膜に開口部をもつダミー電極を前記絶縁性基板の前記接続電極及び前記パッド電極とは異なる位置に備えているものを用いる請求項６に記載の半導体用基板の製造方法。
【請求項８】
前記メッキ層としてＮｉメッキ層を形成する請求項６又は７に記載の半導体用基板の半導体用基板の製造方法。
【請求項９】
前記メッキ層として、Ｎｉメッキ層を形成し、さらに前記Ｎｉメッキ層の上にＡｕメッキ層を形成する請求項６又は７に記載の半導体用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基板と、半田ボール接続ランドを形成するために上記絶縁性基板の上面に設けられたパッド電極と、半導体チップと電気的に接続するために上記絶縁性基板の下面に形成された接続電極と、上記接続電極と上記パッド電極とを電気的に接続するために上記絶縁性基板に設けられたスルーホールと、上記絶縁性基板の上面及び下面に形成され、少なくとも上記接続電極上及び上記パッド電極上に開口部をもつ絶縁膜と、上記パッド電極上に設けられて半田ボール接続ランドを形成する金属又は合金からなるメッキ層と、を備えた半導体用基板とその製造方法及びその半導体用基板を用いた半導体装置に関する。このような半導体用基板は、例えばＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）やＴＦＢＧＡ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｎｅｐｉｃｈ  ＢＧＡ）など、基板の表面に複数の外部接続用端子が形成されている半導体装置に用いられる。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体用基板について簡略的に説明する。図４は従来の半導体用基板を示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）は（Ａ）及び（Ｂ）におけるＹ−Ｙ’位置での断面図、（Ｄ）は半田ボール接続ランドの拡大断面図である。尚、同図において、半導体用基板について半田バンプが形成される面を上面、半導体チップが搭載される面を下面とする。
【０００３】
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、半導体用基板５２の上面に半田ボールを搭載するための半田ボール接続ランド５４が形成されており、下面に搭載する半導体チップを電気的に接続するための接続電極部５６が形成されている。これらの電極部は半導体用基板５２の上下面の表面に露出しており、それ以外の面はソルダーレジストなどの絶縁膜５７，５８で覆われている。
【０００４】
（Ｃ）に示すように、半導体用基板５２の基材となる絶縁性基板２の上面に、半田ボール接続ランド５４を形成するためのパッド電極１０が例えばＣｕなどの導電性材料により形成されており、パッド電極１０の上にＮｉとＡｕのメッキ層からなる半田ボール接続ランド５４が形成されている。半導体用基板５２の上面は、半田ボール接続ランド５４以外の面が絶縁膜５７で覆われている。
また、絶縁性基板２の下面には、配線パターン１４が形成されており、その一部は半導体用基板５２の下面に搭載される半導体チップと電気的に接続するための接続電極１６を構成している。接続電極１６上の絶縁膜５８に開口部が形成されており、接続電極１６上表面にＮｉとＡｕのメッキ層からなる接続電極部５６が形成されている。
絶縁性基板２には、上面のパッド電極１０と下面の配線パターン１４を接続するためにスルーホール２２が設けられている。
【０００５】
（Ｄ）に示すように、半田ボール接続ランド５４は、パッド電極１０上に厚さ２〜５μｍ程度のＮｉメッキ層６０と、Ｎｉメッキ層６０の表面に形成されたコバルト等の不純物を含み、Ｎｉメッキに食いつきやすい膜厚０.０５μｍ程度のフラッシュＡｕメッキ層６２とからなる半田ボール接続ランド５４が形成されている（例えば特許文献１参照。）。
【０００６】
半田ボール接続ランド５４に例えば加熱炉などを用いて半田ボールを溶融接合することにより半田バンプ（図示は省略）が形成される。
半導体用基板５２の下面に搭載された半導体チップのパッド電極は、例えばボンディングワイヤ（図示は省略）により接続電極１６上に形成された接続電極部５６に接続され、ボンディングワイヤ、接続電極部５６、接続電極１６、配線パターン１４、パッド電極１０、半田ボール接続ランド５４を介して半田ボールに電気的に接続される。
【特許文献１】特開平１１−２６０９５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図４（Ｄ）に示すように、絶縁性基板２の上にはＣｕメッキ層からなるパッド電極１０が形成されており、その表面にＮｉメッキ層６０及びＡｕメッキ層６２からなる半田ボール接続ランド５４が形成されている。Ｎｉメッキ層６０及びＡｕメッキ層６２を形成する手段としては、電解メッキを挙げることができるが、通常、電解メッキで形成されたこれらのメッキ層６０，６２は、構成する粒子にバラつきが生じており、結果として半田ボール接続ランド５４の表面に凹凸が生じ、半田ボールとの接触面積が大きくなってしまう。
【０００８】
半田ボール接続ランド５４と半田ボールとの接触する面積が大きくなると、半田ボールに含まれるＳｎとＡｕメッキ層６２のＡｕが合金化し、もろい合金層が形成されてしまう。半田ボール接続ランド５４と半田ボールとの間にもろい合金層が形成されると、半田ボール接続ランド５４と半田ボールとの間の接合強度が低下してしまい、例えばピンコンタクトオープン、ファンクション不良、半田ボールの脱落などの不具合が発生するという問題があった。
【０００９】
また、上記のような不具合が発生しても検査や選別作業を行なうことは困難であり、不良製品の流出や不良製品数量の増大といった懸念がある。
従来では上記の問題に対するマージンが少なく、また、不具合が生じた際のコストアップや品質低下を招くという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、半田ボール接続ランドにおける半田の接合強度の低下を防止し、電気的接続において信頼性の高い半導体用基板及びその製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明にかかる半導体用基板は、絶縁性基板と、半田ボール接続ランドを形成するために上記絶縁性基板の上面に設けられたパッド電極と、半導体チップと電気的に接続するために前記絶縁性基板の下面に形成された接続電極と、上記パッド電極と上記接続電極とを電気的に接続するために上記絶縁性基板に設けられたスルーホールと、上記絶縁性基板の上面及び下面に形成され、少なくとも上記接続電極上及び上記パッド電極上に開口部をもつ絶縁膜と、半田ボール接続ランドを形成するために上記パッド電極上に設けられた金属又は合金からなるメッキ層と、を備えた半導体用基板であって、上記メッキ層を構成する粒子が実質的に均一となっていることを特徴とするものである。
メッキ層を構成する粒子が実質的に均一となっているので、メッキ層の表面積はメッキ層の表面形状が不均一であるものに比べて小さい。
ここで粒子が実質的に均一とは、メッキ層を構成する粒子の高さのばらつきが１.０μｍ以下であることを意味する。
【００１２】
上記絶縁膜において、上記半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しくなるように、上記絶縁膜に開口部をもつダミー電極を上記絶縁性基板の上記接続電極及び上記パッド電極とは異なる位置に備えているのが好ましい。
上記絶縁膜において、前記半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しくなるように、前記絶縁膜に開口部をもつダミー電極を前記接続電極及び前記パッド電極とは異なる位置に備えているようにすれば、電解メッキ時において半導体用基板の上面側と下面側の電流密度を容易に均一にすることができ、開口部より露出した電極部に形成されるメッキ層を構成する粒子を容易に実質的に均一とすることができる。
絶縁膜において、半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しいとは、半導体用基板の
【００１３】
金属又は合金によるメッキ層の一例として、Ｎｉメッキ層を挙げることができる。
また、金属又は合金によるメッキ層として、パッド電極上に形成されたＮｉメッキ層と、そのＮｉメッキ層の上にさらに形成されたＡｕメッキ層からなるものであってもよい。
Ｎｉメッキ層の表面にさらにＡｕメッキ層を形成することにより、表面形状をより滑らかにすることができる。
【００１４】
本発明の半導体装置は、本発明の半導体用基板に半導体チップを搭載したものである。
【００１５】
本発明にかかる半導体用基板の製造方法は、絶縁性基板と、半田ボール接続ランドを形成するために上記絶縁性基板の上面に設けられたパッド電極と、半導体チップと電気的に接続するために上記絶縁性基板の下面に形成された接続電極と、前記パッド電極と上記接続電極とを電気的に接続するために前記絶縁性基板に設けられたスルーホールと、上記絶縁性基板の上面及び下面に形成され、少なくとも上記接続電極上及び上記パッド電極上に開口部をもつ絶縁膜とを備えた基板に金属又は合金からなるメッキ層を形成するためのメッキ工程を少なくとも備えたものであって、上記メッキ工程は、上記半導体用基板の上面と下面において電流密度が実質的に等しくなるように印加電圧値又は電流値を設定して電解メッキを行なうものである。
メッキ工程において、基板の上面側と下面側において電流密度が等しくなるように印加電圧値又は電流値を設定して電解メッキを行なうことにより、基板の上面と下面に形成されるメッキ層表面の粒子形状又は大きさを実質的に均一にすることができる。
ここで、電流密度が実質的に等しいとは、半導体用基板の上面側と下面側の電流密度の差が５％以内であることを意味する。
【００１６】
上記基板として、上記絶縁膜において半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しくなるように、上記絶縁膜に開口部をもつダミー電極を上記絶縁性基板の接続電極及びパッド電極とは異なる位置に備えているものを用いることが好ましい。
絶縁膜において、基板の上面側と下面側に設けられた開口部面積が等しくなっているものを用いるようにすれば、電解メッキ時に基板の上面側と下面側において電流密度を容易に実質的に等しくすることができ、基板の上面と下面に形成されるメッキ層表面の粒子形状又は大きさを容易に実質的均一にすることができる。
【００１７】
上記メッキ工程において、メッキ層としてＮｉメッキ層を形成してもよい。
また、上記メッキ工程で、Ｎｉメッキ層の上にさらにＡｕメッキ層を形成してもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体用基板では、半田ボール接続ランドを構成する、上記パッド電極上に設けられた金属又は合金からなるメッキ層を構成する粒子が実質的に均一となっているので、メッキ層の表面積はメッキ層の表面形状が不均一であるものに比べて小さく、半田ボールとの溶融接合の際にもろい合金層の成長を抑制することができ、半田ボールとの接合強度の低下を防止することができる。これにより、この半導体用基板を用いた半導体装置の外部機器との電気的接続の信頼性を高めることができる。
【００１９】
さらに、絶縁膜において半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しくなるように、絶縁膜に開口部をもつダミー電極を接続電極及びパッド電極とは異なる位置に備えているようにすれば、電解メッキ時において半導体用基板の上面側と下面側の電流密度を容易に均一にすることができ、開口部より露出した電極部に形成されるメッキ層を構成する粒子を容易に実質的に均一とすることができる。
【００２０】
また、パッド電極上に設けられるメッキ層をＮｉメッキ層とすれば、半田ボールとの接合強度の良好なＮｉからなる半田ボール接続ランドを形成することができる。
【００２１】
また、パッド電極上に設けられる金属又は合金によるメッキ層を、Ｎｉメッキ層と、そのＮｉメッキ層の上にさらに形成されたＡｕメッキ層とにより形成すれば、それらのメッキ層からなる半田ボール接続ランドの表面形状を滑らかにすることができ、半田ボールとの接触面積の拡大を抑えることができるので、もろい合金層の成長を抑制して、半田ボールとの接合強度の低下を防止することができる。
【００２２】
本発明の半導体装置では、半導体用基板に半導体チップと半田ボールが搭載されたものであるので、半田ボール接続ランドと半田ボールの接合強度の低下を防止することができ、半導体装置の搭載の信頼性を高めることができる。
【００２３】
本発明の半導体用基板の製造工程では、半導体用基板の上面と下面において電流密度が実質的に等しくなるように印加電圧値又は電流値を設定して電解メッキを行なうようにしたので、基板の上面又は下面の電極部上に均一なメッキ層が形成され、半田ボールとの接合強度の低下を防止することができる。その結果、この製造方法により製造された半導体用基板を用いた半導体装置は、外部機器との電気的接続を信頼性高く行なうことができる。
【００２４】
本発明の製造方法において、メッキ層形成の対照となる基板として、絶縁膜において半導体用基板の上面側と下面側の開口部面積が実質的に等しくなるように、絶縁膜に開口部をもつダミー電極を接続電極及びパッド電極とは異なる位置に備えているものを用いるようにすれば、電解メッキ時に基板の上面側と下面側において電流密度を容易に実質的に等しくすることができ、基板の上面と下面に形成されるメッキ層表面の粒子形状又は大きさを容易に実質的均一にすることができる。
【００２５】
また、本発明の製造方法におけるメッキ工程においてＮｉメッキ層を形成すれば、メッキ層表面の粒子形状又は大きさが実質的に均一なＮｉメッキ層からなる半田ボール接続ランドを形成することができる。
【００２６】
また、本発明の製造方法におけるメッキ工程においてＮｉメッキ層の上にさらにＡｕメッキ層を形成することで、表面形状が滑らかなメッキ層からなる半田ボール接続ランドを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に半導体用基板の一実施例を図面を参照して説明する。但し、この実施例において説明する半導体用基板は本発明の好適な態様の一例を示したにすぎず、本発明を限定するものではない。
【００２８】
図１は本発明の半導体用基板の一例を示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）は（Ａ）及び（Ｂ）におけるＸ−Ｘ’位置での断面図、（Ｄ）は半田ボール接続ランドを詳細に示す拡大断面図である。
（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、半導体用基板１の上面側に外部機器と接続するための外部接続端子である半田バンプを形成するための半田ボール接続ランド４が設けられている。また、半導体用基板１の下面に、半導体チップのパッド電極と電気的に接続するための接続電極部６と、信号配線としては用いられないメッキ層８が形成されている。
【００２９】
（Ｃ）に示すように、半導体用基板１は、例えばガラスエポキシ樹脂などの絶縁性材料からなる厚さ２５０μｍ程度の絶縁性基板２の上面に、例えばＣｕなどの導電性材料からなるパッド電極１０が１８〜３５μｍ程度の厚みに形成されている。パッド電極１０上に例えばＮｉとＡｕのメッキ層からなる半田ボール接続ランド４が５〜１５μｍ程度の厚みに形成されている。
半導体用基板１の上面において、半田ボール接続ランド４以外の領域は例えばソルダーレジストなどの絶縁膜１２で覆われている。即ち、半導体用基板１の上面に、パッド電極１０上に開口部をもつ絶縁膜１２が形成されている。絶縁膜１２の厚みは例えば３０μｍである。
【００３０】
絶縁性基板２の下面には、例えばＣｕなどの導電性材料からなる厚さ１８〜３５μｍ程度の厚みをもつ配線パターン１４が形成されている。配線パターン１４の一部は半導体チップをワイヤボンディングにより電気的に接続するための接続電極１６を構成する。接続電極１６上に半田ボール接続ランド４と同様のＮｉとＡｕのメッキ層からなる接続電極部６が形成されている。
【００３１】
また、絶縁性基板２の下面の中央部にはＣｕなどの導電性材料からなるダミー電極１８が５〜１５μｍ程度の厚みで形成されている。ダミー電極１８上に半田ボール接続ランド４と同様のＮｉとＡｕのメッキ層８が形成されている。
半導体用基板１の下面において、接続電極部６とメッキ層８以外の領域は、例えばソルダーレジストなどの絶縁膜２０で覆われている。即ち、半導体用基板１の下面に、接続電極１６上及びダミー電極１８上に開口部をもつ絶縁膜２０が形成されている。絶縁膜２０の厚みは、例えば３０μｍである。
【００３２】
この実施例では、半田ボール接続ランド４、接続電極部６及びメッキ層８が形成される前の状態で、絶縁性基板２の上面に露出している電極部分の面積（絶縁膜１２におけるパッド電極１０上の開口部面積）と下面に露出している電極部分の面積（絶縁膜２０における接続電極１６上とダミー電極１８上の開口部面積）が等しくなるように設定されている。即ち、半導体用基板１の上面と下面に形成された絶縁膜１２，２０に設けられている開口部の面積が等しくなっている。
【００３３】
２２は例えば切削ドリル加工によって絶縁性基板２に設けられた貫通孔であり、例えばＣｕなどの金属メッキがスルーホール２２内に施されており、絶縁性基板２の上面のパッド電極１０と下面の配線パターン１４がスルーホール２２を介して電気的に接続されている。
【００３４】
半田ボール接続ランド４について詳細に説明する。
（Ｄ）に示すように、パッド電極１０上に形成されている半田ボール接続ランド４は、Ｎｉメッキ層２４と、Ｎｉメッキ層２４上に形成されたＡｕメッキ層２６から構成されている。Ｎｉメッキ層２４の表面の粒子形状や大きさは実質的に均一となっており、その表面形状は凹凸の少ない滑らかなものとなっている。また、Ｎｉメッキ層２４の上に形成されているＡｕメッキ層２６の表面の粒子形状や大きさも実質的に均一となっている。例えばＮｉメッキ層２４の厚みは５〜１５μｍ、Ａｕメッキ層２６の厚みは０.５〜１.０μｍである。また、ここではＮｉメッキ層２４表面の凹凸の大きさは０.１〜１.０μｍであり、Ａｕメッキ層２６表面の凹凸の大きさは０.１〜０.５μｍである。
また、接続電極部６及びメッキ層８も半田ボール接続ランド４と同じ構造で形成されている。
【００３５】
製造方法の一実施例として、半田ボール接続ランド４の形成方法を説明する。図２は半導体用基板にメッキ層を形成するためのメッキ装置の概略構成図である。
半田ボール接続ランド４、接続電極部６及びメッキ層８が形成されていない状態の半導体用基板１（図１を参照。）において、上面と下面に露出している電極部分にメッキ層を形成するために電解メッキ法を用いる。図２に示すように、電解層２８の中に半導体用基板１が浸漬され、その一端は負の電極３０に接続されている。そして、電解層２８中には例えばＮｉなど基板にメッキ層を形成する金属板３２ａ，３２ｂが半導体用基板１を挟むように配置されて浸漬されており、金属板３２ａ，３２ｂの一端はそれぞれ正の電極３４ａ，３４ｂに接続されている。
【００３６】
金属板３２ａ，３２ｂが接続されている電極３４ａと３４ｂの電位又は電流値は半導体用基板１の上面側と下面側（図で右側と左側）の電流密度の値が等しくなるように設定されている。この実施例では、半導体用基板１の下面にダミー電極１８を設けて上面と下面に露出した電極部分の面積を実質的に等しくしているので、半導体用基板１における上面側と下面側の電流密度を容易に等しくすることができる。
【００３７】
電極３０，３４ａ，３４ｂに電圧を付加すると、金属板のＮｉイオンが電解して解離し、電気的引力により半導体用基板１の電極部分に引き寄せられて付着する。このとき、基板の上面側と下面側の電流密度は実質的に等しくなっているので、半導体用基板１の上面及び下面に露出した電極部に表面形状が滑らかなＮｉメッキ層２４が形成される（図１（Ｄ）参照。）。
この場合、半導体用基板１の上面と下面の電流密度は全く同じあることが望ましいが、誤差が５％以内であれば所望の効果を得ることができる。
【００３８】
上記方法によりＮｉメッキ層２４を形成した後、Ｎｉメッキ層２４と同様の方法でＡｕメッキ層２６をＮｉメッキ層２４の上にさらに形成する。表面の粒子形状や大きさが実質的に均一なＮｉメッキ層２４の表面にさらにＡｕメッキ層２６を形成することにより、半田ボール接続ランド４の表面はさらに滑らかに形成される。
【００３９】
上記ようにして製造された半導体用基板１は、半田ボール接続ランド４を形成するメッキ層を構成している粒子が図１（Ｄ）に示されるように実質的に均一となっているので、半田ボールと接する面積をメッキ層表面が不均一なものに比べて小さくすることができ、半田に含まれるＳｎとメッキ層表面のＡｕとのもろい合金層の成長を抑制して、半田ボールとの接合強度の低下を防止することができる。そして、半田ボールの接合強度の低下を防止した半導体用基板１を用いて製造した半導体装置は、半導体用基板と半導体チップとの接合や半導体装置と外部機器との接続性において信頼が高く、結果として半導体装置としての性能の向上に繋がり、かつ、歩溜りを向上させることができる。
【００４０】
次に、半導体用基板１に半導体チップと半田ボールを搭載した半導体装置の一実施例を説明する。図３は半導体装置の一実施例を示す断面図である。但し、本発明はここに説明する半導体装置に限定されず、当該実施例の半導体装置はほんの一例にすぎない。また、この実施例で用いられている半導体用基板１の構成は既に上記で説明しているので、ここでの半導体用基板１の詳細な説明は省略する。
【００４１】
この半導体装置は、半導体チップ３６を搭載して半田ボール３８により外部機器と接続するための半導体用基板１を備えている。半導体チップ３６が半導体用基板１の搭載領域４０（図１（Ｂ）を参照。）にダイボンド剤などの接着剤４２により接着されている。また、半導体チップ３６の上面に設けられたパッド電極４４が半導体用基板１の接続電極部６とボンディングワイヤ４６により電気的に接続されている。半導体チップ３６とボンディングワイヤ４６はトランスファモールド樹脂４８により封止されている。
【００４２】
半田ボール接続ランド４には、半田ボール３８が例えば加熱炉を用いた溶融接合により接合されている。
半田ボール接続ランド４の表面形状は上述の形成方法により滑らかに形成されているので、半田ボール３８との接触面積が小さく、半田ボール３８中のＳｎとＡｕメッキ層表面のＡｕとのもろい合金層の成長が抑えられており、半田ボールの接合強度の低下に起因したピンコンタクトオープン、ファンクション不良又は半田ボールの脱落といった不具合が生じにくい。
【００４３】
半導体チップ３６のパッド電極４４は、ボンディングワイヤ４６、接続電極部６、接続電極１６、配線パターン１４、スルーホール２２、パッド電極１０及び半田ボール接続ランド４を介して半田ボール３８に電気的に接続されている。これにより、半田ボール３８によって接続される外部機器との間で電気的信号の送受信を行なうことができるようになっている。
【００４４】
本発明の半導体用基板及び半導体装置は、上記実施例に限定されるものではなく、寸法、形状、配置、材料、個数などは一例であり、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内で種々の変更が可能である。
また、この実施例では、半田ボール接続ランドを形成する際にＮｉメッキ層の上にＡｕメッキ層を形成しているが、これは本発明の好ましい形態の一例にすぎず、他の金属又はＮｉのみによりメッキ層を形成してもよい。
【００４５】
ダミー電極１８の形成領域は半導体チップ搭載領域４０に限定されるものではなく、半導体チップ搭載領域以外の領域に設けられていてもよい。
ダミー電極１８は、半導体用基板１を用いた半導体装置に対して直接的な機能を持たないようにしてもよいし、半導体チップの基板電位をとるための電極として用いてもよい。
また、ダミー電極は複数箇所に分割して設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明における半導体用基板を示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）は（Ａ）及び（Ｂ）におけるＸ−Ｘ’位置での断面図、（Ｄ）は半田ボール接続ランドの拡大断面図である。
【図２】同実施例における半導体用基板にメッキ層を形成するためのメッキ装置を説明するための概略構成図である。
【図３】本発明における半導体装置の一実施例の構成を示す断面図である。
【図４】従来の半導体用基板を示す図であり、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は下面図、（Ｃ）は（Ａ）及び（Ｂ）におけるＹ−Ｙ’位置での断面図、（Ｄ）は半田ボール接続ランドの拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１      半導体用基板
２      絶縁性基板
４      半田ボール接続ランド
６      接続電極部
８      メッキ層
１０      パッド電極
１２，２０      絶縁膜
１４      配線パターン
１６      接続電極
１８      ダミー電極
２２      スルーホール
２４      Ｎｉメッキ層
２６      Ａｕメッキ層
３６      半導体チップ
３８      半田ボール
４４      半導体チップのパッド電極
４６      ボンディングワイヤ
４８      トランスファモールド樹脂
【図１】
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【図２】
2006140225.tif 000004
【図３】
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【図４】
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