(57)【要約】【課題】  周辺温度の上昇に起因するＥＬ発光素子の発光効率や寿命の低下を防止したラインヘッドと、これを備えた画像形成装置を提供する。【解決手段】  素子基板２上に、複数のＥＬ素子３を配列してなる発光素子列３Ａと、ＥＬ素子３を駆動させる駆動制御手段の少なくとも一部とを一体形成したラインヘッド１である。素子基板２上に、温度制御手段７を備えている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上に、複数のＥＬ素子を配列してなる発光素子列と、前記ＥＬ素子を駆動させる駆動制御手段の少なくとも一部とを一体形成したラインヘッドであって、
前記素子基板上に、温度制御手段を備えたことを特徴とするラインヘッド。
【請求項２】
前記温度制御手段が熱伝導部材からなることを特徴とする請求項１記載のラインヘッド。
【請求項３】
前記熱伝導部材に温度センサが設けられており、該温度センサが、前記駆動素子群を制御する制御部に電気的に接続されていることを特徴とする請求項２記載のラインヘッド。
【請求項４】
ラインヘッドは画像形成装置に備えられるものであり、
前記熱伝導部材は、ラインヘッドを前記画像形成装置に支持させるための支持部材からなっていることを特徴とする請求項２又は３記載のラインヘッド。
【請求項５】
前記熱伝導部材に加熱装置が設けられていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載のラインヘッド。
【請求項６】
前記温度制御手段が冷却装置からなることを特徴とする請求項１記載のラインヘッド。
【請求項７】
前記温度制御手段が熱伝導部材と該熱伝導部材に設けられた冷却装置とからなることを特徴とする請求項１記載のラインヘッド。
【請求項８】
前記熱伝導部材に温度センサが設けられ、該温度センサが前記冷却装置に電気的に接続されていることを特徴とする請求項７記載のラインヘッド。
【請求項９】
露光手段として、請求項１〜８のいずれか一項に記載のラインヘッドを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像形成装置において露光手段として用いられるラインヘッドと、これを備えた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高速高画質のプリンタ（画像形成装置）として、一般にレーザプリンタと呼ばれるレーザスキャナ方式のものが知られている。ところが、近年ではさらなる高速高画質化が益々要求されるとともに、プリンタ自体の小型化も要求されるようになってきている。
このような要求に応えるものとして、有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）を発光素子とする発光素子アレイを露光手段として備えた画像形成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。この画像形成装置では、レーザプリンタで用いられているポリゴンミラーのような回転機構部が無いため、さらなる高速化や小型化が可能になっている。
【特許文献１】特開平１１−１９８４３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ＥＬ発光素子、特に有機ＥＬ素子は、周辺温度によってその発光効率や寿命が変化し、一般的には低温側で良好な特性を示す。
また、ＥＬ発光素子は湿度（水分）に弱いため、ＥＬ発光素子を形成した素子基板と封止基板との間にＥＬ発光素子を挟み、これによってＥＬ発光素子を封止する構造になっている。ここで、ＥＬ発光素子で発光した光を外部に出射させる必要上、例えばボトムエミッションタイプのものでは素子基板に透明のガラスを用い、封止基板についても同質のガラスを用いている。これは、素子基板と封止基板とが異質であると、熱膨張係数の差によって反り等が発生してしまうからである。
【０００４】
しかしながら、ガラス材料は熱伝導度が比較的小さく、放熱性が低いため、ＥＬ発光素子が発光し続けると、その周辺部分の温度が上昇し、ＥＬ発光素子の発光効率や寿命の低下が生じやすくなってしまう。また、ＥＬ発光素子間で発光頻度が異なると、局所的に温度差が生じることにより、発光むらが生じてしまうおそれもある。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、周辺温度の上昇に起因するＥＬ発光素子の発光効率や寿命の低下を防止したラインヘッドと、これを備えた画像形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のラインヘッドは、素子基板上に、複数のＥＬ素子を配列してなる発光素子列と、前記ＥＬ素子を駆動させる駆動制御手段の少なくとも一部とを一体形成したラインヘッドであって、前記素子基板上に、温度制御手段を備えたことを特徴としている。
このラインヘッドによれば、素子基板上に温度制御手段を備えたことにより、この温度制御手段でＥＬ素子の周辺温度を制御することができ、したがって周辺温度の上昇に起因するＥＬ素子の発光効率や寿命の低下を防止することが可能になる。
【０００７】
また、前記ラインヘッドにおいては、前記温度制御手段が熱伝導部材からなっていてもよい。
このようにすれば、熱伝導部材が放熱板として機能することにより、ＥＬ素子の周辺温度の上昇を抑えることができ、したがって周辺温度の上昇に起因するＥＬ素子の発光効率や寿命の低下を防止することが可能になる。また、熱伝導部材によって素子基板の温度を均一化することができるため、局所的な温度差による発光むらを防止することもできる。
【０００８】
なお、このラインヘッドでは、前記熱伝導部材に温度センサが設けられており、該温度センサが、前記駆動素子群を制御する制御部に電気的に接続されているのが好ましい。
このようにすれば、熱伝導部材に設けられた温度センサによってＥＬ素子の周辺温度を検出し、この検出した温度に基づいて制御部で前記駆動素子群を制御することにより、ＥＬ素子に、その周辺温度に応じた最適な発光をなさせることが可能になる。
【０００９】
また、前記ラインヘッドでは、該ラインヘッドが画像形成装置に備えられるものであり、前記熱伝導部材は、ラインヘッドを前記画像形成装置に支持させるための支持部材からなっていてもよい。
このようにすれば、新たに放熱板としての熱伝導部材を設けることなく、前記支持部材に放熱板としての機能を持たせることができ、したがって構成が簡略化してコストアップを抑えることができる。
【００１０】
また、前記ラインヘッドでは、前記熱伝導部材に加熱装置が設けられているのが好ましい。
ＥＬ発光素子は、前述したように一般的には低温側で良好な特性を示すものの、通常の使用範囲として設定された温度を大幅に下回ると、逆に良好な特性を発揮できなくなってしまう。例えば、寒冷地において装置を立ち上げた際など、十分に素子基板が暖まっていない場合には、ＥＬ素子の周辺温度が設定された温度を大幅に下回っていることにより、良好な発光が得られないことがある。そこで、前述したように熱伝導部材に加熱装置を設けることにより、このような場合に対処してＥＬ素子の周辺温度を設定された温度に迅速に温めることができる。
【００１１】
また、前記ラインヘッドにおいては、前記温度制御手段が冷却装置からなっていてもよい。
このようにすれば、温度制御手段としての冷却装置により、素子基板を冷却してＥＬ素子の周辺温度の上昇を抑えることができ、したがって周辺温度の上昇に起因するＥＬ素子の発光効率や寿命の低下を防止することが可能になる。
【００１２】
また、前記ラインヘッドにおいては、前記温度制御手段が熱伝導部材と該熱伝導部材に設けられた冷却装置とからなっていてもよい。
このようにすれば、冷却装置により、熱伝導部材を介して素子基板を均一に冷却し、ＥＬ素子の周辺温度の上昇を抑えることができ、したがって周辺温度の上昇に起因するＥＬ素子の発光効率や寿命の低下を防止することが可能になる。また、熱伝導部材によって素子基板の温度を均一化することができるため、局所的な温度差による発光むらを防止することもできる。
【００１３】
なお、このラインヘッドでは、温度センサが設けられ、該温度センサが前記冷却装置に電気的に接続されているのが好ましい。
このようにすれば、温度センサによってＥＬ素子の周辺温度を検出することにより、この検出した温度に基づいて冷却装置によりＥＬ素子の周辺温度を適正な温度に冷却することができる。
【００１４】
本発明の画像形成装置は、露光手段として、前記のラインヘッドを備えたことを特徴としている。
この画像形成装置によれば、前述したように周辺温度の上昇に起因するＥＬ素子の発光効率や寿命の低下が防止されたラインヘッドを露光手段としているので、露光効率が良好となり、さらに長寿命化によって信頼性が向上したものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を詳しく説明する。
まず、本発明のラインヘッドについて説明する。図１（ａ）、（ｂ）は本発明のラインヘッドの第１の実施形態を模式的に示す図であり、図１（ａ）、（ｂ）中符号１はラインヘッドである。このラインヘッド１は、後述する画像形成装置の露光手段として用いられるもので、図１（ａ）に示すように長細い矩形の素子基板２上に、複数の有機ＥＬ素子３を配列してなる発光素子列３Ａと、前記有機ＥＬ素子３を駆動させる駆動素子４からなる駆動素子群と、これら駆動素子４（駆動素子群）の駆動を制御する制御回路群５とを一体形成したものである。
【００１６】
また、図１（ｂ）に示すように前記素子基板２上には、その表面側に、前記有機ＥＬ素子３を封止した状態で、透明性の接着剤によって封止基板６が貼着されている。ここで、本実施形態のラインヘッド１は、有機ＥＬ素子３で発光した光を素子基板２側から出射するボトムエミッション型ではなく、封止基板６側から出射する、トップエミッション型のものとなっている。したがって、封止基板６は、後述するようにガラス等の透明性基板からなっている。
【００１７】
一方、前記素子基板２の裏面側には、本発明における温度制御手段となる熱伝導部材７が設けられている。熱伝導部材７は、熱伝導性に優れた材料、例えばアルミニウム等の金属からなるもので、特に放熱板として機能するように構成されたものであり、素子基板２の裏面全体を覆ってこれに取り付けられたものである。ここで、この熱伝導部材７については、例えば図２に示すように素子基板２の裏面に貼設された放熱板７ａと、この放熱板７ａに一体に形成された放熱フィン７ｂとから構成してもよい。放熱フィン７ｂの構造については、その表面積を大きくして外気との接触面積を大きくした構造であればよく、従来公知の一般的なものが採用可能である。このように構成すれば、より放熱性が高くなることによって有機ＥＬ素子３の周辺温度の上昇を抑えることができ、したがって周辺温度の上昇に起因する有機ＥＬ素子３の発光効率や寿命の低下を防止することができる。
また、このような熱伝導部材７については、特にその色を黒またはこれに近い色とするのが好ましい。このようにすれば、熱伝導部材７の熱吸収性が高まることにより、その輻射能を向上させることができる。
【００１８】
図１（ａ）に示したように、素子基板上２に駆動素子４、制御回路群５、電源線８、９が形成され、これら電源線８、９を介して電源（図示せず）から駆動素子４に電圧が印加されるような駆動制御手段が構成されている。そして、このような構成のもとに有機ＥＬ素子３は、制御回路群５によって制御された駆動素子４により、その発光動作が制御されるようになっている。
【００１９】
ここで、ラインヘッド１における有機ＥＬ素子３や駆動素子４等の構成について、図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。
素子基板２としては、前述したように本実施形態のラインヘッド１がトップエミッション型であり、この素子基板２の対向側である封止基板６側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。ただし、本実施形態では、封止基板６として透明なガラス基板を用いることから、素子基板２についても、熱膨張係数の差による反り等の不具合を防止するため、同質の材料としてガラス基板を用いるものとする。
【００２０】
素子基板２上には、画素電極２３に接続する駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）などを含む回路部１１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子３が設けられている。有機ＥＬ素子３は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されている。ここで、有機ＥＬ素子３および駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）を図１に対応した模式図で示すと、図３（ｂ）に示すようになる。図３（ｂ）において、電源線８は駆動素子４のソース／ドレイン電極に接続し、電源線９は有機ＥＬ素子３の陰極５０に接続している。
そして、このような構成のもとに有機ＥＬ素子３は、図３（ａ）に示すように、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが発光層６０で結合することにより、発光をなすようになっている。
【００２１】
陽極として機能する画素電極２３は、通常はＩＴＯによって形成される。また、特にトップエミッション型の場合で、高コントラストを得たい場合には、チタンやタングステン、チタン−タングステン合金等を形成して反射層とし、この反射層上にＩＴＯを積層して干渉層とし、これら反射層と干渉層とからなる積層構造によって画素電極２３を形成するようにしてもよい。
【００２２】
正孔輸送層７０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられる。
なお、正孔輸送層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。
【００２３】
発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。なお、本実施形態では、例えば発光波長帯域が赤色に対応した発光層が採用されるが、もちろん、発光波長帯域が緑色や青色に対応した発光層を採用するようにしてもよい。
【００２４】
発光層６０の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
【００２５】
陰極５０は、前記発光層６０を覆って形成されたもので、特にトップエミッション型である本実施形態の場合、透明導電材料によって形成される。透明導電材料としては、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜を用い、さらに導電性を付与するためにＩＴＯを積層するといった構造が好適に採用される。なお、バソクプロインとセシウムの共蒸着膜の代わりに、Ｃａを５ｎｍ程度に形成して用いてもよい。
また、この陰極５０上には透明接着層を介して前記封止基板６（図３（ａ）では省略）が貼着されている。
【００２６】
また、このような有機ＥＬ素子３の下方には、前述したように回路部１１が設けられている。この回路部１１は素子基板２上に形成されたものである。すなわち、素子基板２の表面にはＳｉＯ２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００２７】
また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。
【００２８】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００２９】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、アクリル系やポリイミド系等の、耐熱性絶縁性樹脂などによって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３（駆動素子４）やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。
【００３０】
そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化膜２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
【００３１】
画素電極２３が形成された平坦化膜２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ２などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、隔壁２２１とによって覆われている。そして、画素電極２３上には、親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａおよび隔壁２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部、すなわち画素領域に、前記の正孔輸送層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層されている。
【００３２】
次に、このような構成のラインヘッド１の製造方法の一例を説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、素子基板２の表面に、下地保護層２８１を形成する。次に、下地保護層２８１上に、ＩＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法などを用いてアモルファスシリコン層５０１を形成し、その後、レーザアニール法又は急速加熱法により結晶粒を成長させてポリシリコン層とする。
【００３３】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ポリシリコン層をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、島状のシリコン層２４１、２５１および２６１を形成する。これらのうちシリコン層２４１は、表示領域内に形成され、画素電極２３に接続される駆動用ＴＦＴ１２３を構成するものであり、シリコン層２５１、２６１は、走査線駆動回路８０に含まれるＰチャネル型およびＮチャネル型のＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）をそれぞれ構成するものである。
【００３４】
次に、プラズマＣＶＤ法、熱酸化法などにより、シリコン層２４１、２５１および２６１、下地保護層２８１の全面に厚さが約３０ｎｍ〜２００ｎｍのシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層２８２を形成する。ここで、熱酸化法を利用してゲート絶縁層２８２を形成する際には、シリコン層２４１、２５１および２６１の結晶化も行い、これらのシリコン層をポリシリコン層とすることができる。
【００３５】
また、シリコン層２４１、２５１および２６１にチャネルドープを行う場合には、例えば、このタイミングで約１×１０１２／ｃｍ２のドーズ量でボロンイオンを打ち込む。その結果、シリコン層２４１、２５１および２６１は、不純物濃度（活性化アニール後の不純物にて算出）が約１×１０１７／ｃｍ３の低濃度Ｐ型のシリコン層となる。
【００３６】
次に、Ｐチャネル型ＴＦＴ、Ｎチャネル型ＴＦＴのチャネル層の一部にイオン注入選択マスク５０２を形成し、この状態でリンイオンを約１×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する。その結果、図４（ｃ）に示すように、シリコン層２４１及び２６１中に高濃度ソース領域２４１Ｓおよび２６１Ｓ並びに高濃度ドレイン領域２４１Ｄおよび２６１Ｄが形成される。
【００３７】
次に、ゲート絶縁層２８２の表面全体に、ドープドシリコンやシリサイド膜、あるいはアルミニウム膜等の金属膜からなるゲート電極形成用導電層を形成する。この導電層の厚さは概ね５００ｎｍ程度である。その後、フォトリソグラフィー技術により、図４（ｄ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２５２、画素用ＴＦＴを形成するゲート電極２４２、Ｎチャネル型の駆動回路用ＴＦＴを形成するゲート電極２６２を形成する。また、駆動制御信号導通部（図示せず）、陰極電源配線の第１層１２１も同時に形成する。
【００３８】
続いて、ゲート電極２４２，２５２および２６２をマスクとして用い、シリコン層２４１，２５１および２６１に対してリンイオンを約４×１０１３／ｃｍ２ のドーズ量でイオン注入する。その結果、ゲート電極２４２，２５２および２６２に対してセルフアライン的に低濃度不純物が導入され、図４（ｄ）に示すように、シリコン層２４１および２６１中に低濃度ソース領域２４１ｂおよび２６１ｂ、並びに低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび２６１ｃが形成される。また、シリコン層２５１中に低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄが形成される。
【００３９】
次に、図５（ｅ）に示すように、Ｐチャネル型の駆動回路用ＴＦＴ以外の部分を覆うイオン注入選択マスク５０３を形成する。このイオン注入選択マスク５０３を用いて、シリコン層２５１に対してボロンイオンを約１．５×１０１５／ｃｍ２のドーズ量でイオン注入する。結果として、Ｐチャネル型駆動回路用ＴＦＴを構成するゲート電極２５２もマスクとして機能するため、シリコン層２５１中にセルフアライン的に高濃度不純物がドープされる。したがって、低濃度不純物領域２５１Ｓおよび２５１Ｄはカウンタードープされ、Ｐ型チャネル型の駆動回路用ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域となる。
【００４０】
次いで、図５（ｆ）に示すように、素子基板２の全面にわたって第１層間絶縁層２８３を形成するとともに、フォトリソグラフィ法を用いて該第１層間絶縁層２８３およびゲート絶縁層２８２をパターニングすることにより、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極に対応する位置にコンタクトホールＣを形成する。
【００４１】
次に、図５（ｇ）に示すように、第１層間絶縁層２８３を覆うように、アルミニウム、クロム、タンタルなどの金属からなる導電層５０４を形成する。この導電層５０４の厚さは概ね２００ｎｍないし８００ｎｍ程度である。この後、導電層５０４のうち、各ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極が形成されるべき領域２４０ａ、駆動電圧導通部が形成されるべき領域（図示せず）、陰極電源配線の第２層が形成されるべき領域１２２ａを覆うようにパターニング用マスク５０５を形成するとともに、該導電層５０４をエッチングして、図６（ｈ）に示すソース電極２４３、２５３、２６３、ドレイン電極２４４、２５４、２６４を形成する。
【００４２】
次いで、図６（ｉ）に示すように、これらが形成された第１層間絶縁層２８３を覆う平坦化膜２８４を、例えば感光性アクリル系樹脂などの高分子材料によって形成する。この平坦化膜２８４は、約１〜２μｍ程度の厚さに形成するのが好ましい。なお、ＳｉＮやＳｉＯ２によって平坦化膜２８４を形成するようにしてもよい。
【００４３】
次いで、図６（ｊ）に示すように、平坦化膜２８４のうち、駆動用ＴＦＴのドレイン電極２４４に対応する部分を露光・現像することにより除去してコンタクトホール２３ａを形成する。
その後、素子基板２の全面を覆うように画素電極２３となる透明導電膜を、ＩＴＯ等によって形成する。そして、この導電膜をパターニングすることにより、図７（ｋ）に示すように、平坦化膜２８４のコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４と導通する画素電極２３を形成する。
【００４４】
次いで、図７（ｌ）に示すように、画素電極２３上、および平坦化膜２８４上に絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａにおいて画素電極２３からの正孔移動が可能となるようにしておく。
次いで、図７（ｍ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは画素領域を囲む位置に樹脂等によって隔壁２２１を形成する。
【００４５】
次いで、素子基板２の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成するものする。具体的には、該プラズマ処理は、予備加熱工程と、隔壁２２１の表面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃ、親液性制御層２５の表面をそれぞれ親液性にする親液化工程と、隔壁２２１の上面および開口部２２１ａの壁面を撥液性にする撥液化工程と、冷却工程とで構成する。
【００４６】
すなわち、基材（バンクなどを含む素子基板２）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親液化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２プラズマ処理）を行う。次いで、撥液化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。
【００４７】
なお、このＣＦ４プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ２、ＴｉＯ２などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親液化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。
【００４８】
次いで、正孔輸送層形成工程によって正孔輸送層７０を形成する。この正孔輸送層形成工程では、液滴吐出法として、特にインクジェット法が好適に採用される。すなわち、このインクジェット法により、正孔輸送層形成材料を電極面２３ｃ上に選択的に配し、これを塗布する。その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔輸送層７０を形成する。正孔輸送層７０の形成材料としては、例えば前記のＰＥＤＯＴ：ＰＳＳをイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものが用いられる。
【００４９】
ここで、このインクジェット法による正孔輸送層７０の形成にあたっては、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔輸送層形成材料を充填し、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された前記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させ、インクジェットヘッドと基材（素子基板２）とを相対移動させながら、吐出ノズルから１滴当たりの液量が制御された液滴を電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔輸送層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔輸送層７０を形成する。
【００５０】
このとき、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面２３ｃ上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥液処理された隔壁２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からずれて、液滴の一部が隔壁２２１の表面にかかったとしても、該表面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に引き込まれる。
なお、この正孔輸送層形成工程以降では、各種の形成材料や形成した要素の酸化・吸湿を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。
【００５１】
次いで、図８（ｎ）に示すように、発光層形成工程による発光層６０の形成を行う。発光層形成工程では、前記の正孔輸送層７０の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層形成材料を正孔輸送層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、隔壁２２１に形成された開口部２２１ａ内、すなわち画素領域上に発光層６０を形成する。
【００５２】
次いで、図８（ｏ）に示すように、陰極層形成工程によって陰極５０を形成する。この陰極５０については、ＥＬ素子を効率よく発光させるため、電子注入層と導電層のような積層構造を採用するのが一般的であり、例えばアルミニウムなどの金属材料が使用可能である。なお、この陰極５０の形成では、前記正孔輸送層７０や発光層６の形成とは異なり、蒸着法やスパッタ法等で行うため、画素領域にのみ選択的に形成材料を配するのでなく、素子基板２のほぼ全面に形成材料が設けられることになる。そこで、本実施形態では、素子基板２と図示しないメタルマスクを位置合わせして蒸着法やスパッタ法で陰極５０を成膜することにより、図８（ｏ）に示したように基板周辺部に陰極５０が形成されないようにする。
【００５３】
次いで、図８（ｐ）に示すように、封止工程によって封止基板６を接着する。この封止工程では、透明な封止基板６と素子基板２との間に、透明な接着剤４０を塗布し、気泡が入らないようにして封止基板６と素子基板２とを貼り合わせる。
その後、素子基板２に熱伝導部材７を接着等によって取り付け、図１（ｂ）に示した本実施形態におけるラインヘッド１を得る。
【００５４】
このようなラインヘッド１にあっては、素子基板２上に温度制御手段としての熱伝導部材７を備えているので、特にこの熱伝導部材７が放熱板として機能することにより、封止基板６から外気に熱が放出されるより速やかに熱を素子基板２から放出させることができ、したがって有機ＥＬ素子３の周辺温度の上昇を抑えることができる。よって、周辺温度の上昇に起因する有機ＥＬ素子３の発光効率や寿命の低下を防止することができ、これにより発光効率の向上や長寿命化を図ることができる。また、熱伝導部材７によって素子基板２の温度を均一化することができるため、局所的な温度差による発光むらを防止することもできる。
【００５５】
なお、本発明のラインヘッドは、前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。
図９（ａ）、（ｂ）は、本発明のラインヘッドの第２の実施形態を模式的に示す図であり、図１（ａ）、（ｂ）中符号１０はラインヘッドである。このラインヘッド１０が図１（ａ）、（ｂ）に示したラインヘッド１と異なるところは、前記熱伝導部材７の素子基板２側の面に温度センサ１２が取り付けられており、該温度センサ１２が、前記駆動素子４からなる駆動素子群を制御する制御回路群５（制御部）に電気的に接続されている点である。
【００５６】
このようにすれば、熱伝導部材７に取り付けられた温度センサ１２によって素子基板２の温度、すなわち有機ＥＬ素子３の周辺温度を検出し、この検出した温度に基づいて制御回路群５で前記駆動素子３を制御することにより、有機ＥＬ素子３に、周辺温度に応じた最適な発光をなさせることができる。また、特に温度センサ１２を熱伝導部材７の素子基板２側の面に取り付けているので、有機ＥＬ素子３の周辺温度をより正確に検出することができ、したがって有機ＥＬ素子３により最適な発光をなさせることができる。
【００５７】
なお、この第２の実施形態では温度センサ１２を熱伝導部材７に取り付けるようにしたが、本発明はこれに限定されることなく、温度センサ１２を素子基板２に直接取り付けるようにしてもよい。
また、前記実施形態では、本発明における温度制御手段として熱伝導部材７を用いた例を示したが、温度制御手段として冷却装置を用いるようにしてもよく、さらに、熱伝導部材７と冷却装置とを併用してこれらを本発明における温度制御手段としてもよい。また、熱伝導部材７を併用する場合には、この熱伝導部材７と加熱装置とを用いてこれらを本発明における温度制御手段としてもよく、さらに、熱伝導部材７と冷却装置と加熱装置とを用いてこれらを本発明における温度制御手段としてもよい。
【００５８】
ここで、前記の冷却装置や加熱装置としては、例えば空冷扇、水冷装置、ペルチェ素子、ヒルシェ管、ヒートポンプ等の従来公知のものが使用可能である。特に、熱伝導部材７と冷却装置と加熱装置とから温度制御手段を構成する場合には、熱伝導部材７にペルチェ素子を取り付けた構成とするのが望ましい。このペルチェ素子は、印加電圧極性を切り替えるだけで冷却機能、加熱機能を共に発揮するようになり、したがって冷却装置と加熱装置とを兼ねることができるため、構成を簡略化できるからである。
【００５９】
温度制御手段として冷却装置を用いるようにすれば、冷却装置によって素子基板２を冷却することにより、封止基板６から外気に熱が放出されるより速やかに熱を素子基板２から放出させることができ、したがって有機ＥＬ素子３の周辺温度の上昇を抑えることができ、これにより周辺温度の上昇に起因する有機ＥＬ素子の発光効率や寿命の低下を防止し、発光効率の向上や長寿命化を図ることができる。
【００６０】
また、温度制御手段を、前記熱伝導部材７と該熱伝導部材７に設けられた冷却装置とから構成した場合には、冷却装置により、熱伝導部材７を介して素子基板２を均一に冷却し、有機ＥＬ素子３の周辺温度の上昇を確実に抑えることができる。したがって、周辺温度の上昇に起因する有機ＥＬ素子３の発光効率や寿命の低下を防止し、発光効率の向上や長寿命化を図ることができる。また、熱伝導部材７によって素子基板２の温度を均一化することができるため、局所的な温度差による発光むらを防止することもできる。
【００６１】
なお、この場合には、特に熱伝導部材７に温度センサを設けておき、該温度センサ１２を冷却装置に電気的に接続しておくのが好ましい。このようにすれば、温度センサによって有機ＥＬ素子３の周辺温度を検出し、この検出した温度に基づいて冷却装置で有機ＥＬ素子３の周辺温度を適正な温度に冷却することができ、したがって有機ＥＬ素子３により最適な発光をなさせることができる。
【００６２】
また、有機ＥＬ素子は、一般的には低温側で良好な特性を示すものの、通常の使用範囲として設定された温度を大幅に下回ると、逆に良好な特性を発揮できなくなってしまう。例えば、寒冷地において装置を立ち上げた際など、十分に素子基板が暖まっていない場合には、発光素子の周辺温度が設定された温度を大幅に下回っていることにより、良好な発光が得られないことがある。そこで、前述したように熱伝導部材７と加熱装置とを用いてこれらを温度制御手段とすれば、このような場合に対処して有機ＥＬ素子の周辺温度を設定された温度に迅速に温めることができる。
【００６３】
また、前記実施形態では本発明のＥＬ素子を、発光層を有機材料で形成する有機ＥＬ素子３によって構成したが、本発明はこれに限定されることなく、発光層を無機材料で形成する無機ＥＬ素子によって構成してもよい。
さらに、前記実施形態のラインヘッドでは、ＥＬ素子で発光した光を封止基板６側から出射するトップエミッション型を採用したが、光を素子基板２側から出射するボトムエミッション型としてもよく、その場合には、温度制御手段を素子基板２の表面側（封止基板６側）に貼設するか、あるいは透明基板６上に設けることにより、この透明基板６を介して素子基板２上に設けるようにすればよい。
また、特にラインヘッドがトップエミッション型やボトムエミッション型でなく、例えば特開平２−２３３２６８号公報に示されたような端面発光型のものである場合には、素子基板及び封止基板のそれぞれの外面に温度制御手段を設けるようにしてもよい。
なおまた、素子基板２上には必ずしも駆動制御手段を構成する構成要素、即ち駆動素子４、制御回路群５、電源線７、８等の総てがＥＬ素子と一体成形されている必要はなく、例えば制御回路群５を外付けの回路構成としても良く、更に他の例としては駆動素子４と制御回路群５の機能を有する単結晶シリコンによる集積回路を外付けにしても良い。この場合、図３（ｂ）のＧＮＤの電源線８がＥＬ素子と一体形成されることになる。
【００６４】
次に、本発明のラインヘッド１が設けられる画像形成装置について説明する。図１０は、本発明の画像形成装置の第１の実施形態を示す図であり、図１中符号８０は画像形成装置である。この画像形成装置８０は、本発明のラインヘッドの一例となる有機ＥＬアレイラインヘッド１０１Ｋ、１０１Ｃ、１０１Ｍ、１０１Ｙを、対応する同様な構成である４個の感光体ドラム（像担持体）４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙの露光装置にそれぞれ配置したもので、タンデム方式のものとして構成されたものである。
【００６５】
この画像形成装置８０は、駆動ローラ９１と従動ローラ９２とテンションローラ９３とを備え、これら各ローラに中間転写ベルト９０を、図１０中矢印方向（反時計方向）に循環駆動するよう張架したものである。この中間転写ベルト９０に対して、感光体４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙが所定間隔で配置されている。これら感光体４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙは、その外周面が像担持体としての感光層となっている。
【００６６】
ここで、前記符号中のＫ、Ｃ、Ｍ、Ｙは、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエローを意味し、それぞれ黒、シアン、マゼンタ、イエロー用の感光体であることを示している。なお、これら符号（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の意味は、他の部材についても同様である。感光体４１Ｋ、４１Ｃ、４１Ｍ、４１Ｙは、中間転写ベルト９０の駆動と同期して、図１０中矢印方向（時計方向）に回転駆動するようになっている。
【００６７】
各感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の周囲には、それぞれ感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の外周面を一様に帯電させる帯電手段（コロナ帯電器）４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この帯電手段４２（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）によって一様に帯電させられた外周面を感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の回転に同期して順次ライン走査する本発明の有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。
【００６８】
また、この有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で形成された静電潜像に現像剤であるトナーを付与して可視像（トナー像）とする現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、この現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）で現像されたトナー像を一次転写対象である中間転写ベルト９０に順次転写する転写手段としての一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）と、転写された後に感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニング装置４６（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）とが設けられている。
【００６９】
各有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、それぞれのアレイ方向が感光体ドラム４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の母線に沿うように設置されている。そして、各有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の発光エネルギーピーク波長と、感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の感度ピーク波長とが略一致するように設定されている。なお、前記の各有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、画像形成装置８０に対し、支持部材によって支持され、取り付けられている。
【００７０】
ここで、支持部材をアルミニウム等の金属で形成する場合に、この支持部材を本発明における熱伝導部材（温度制御手段）として兼用させてもよい。すなわち、この支持部材を各有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の素子基板２側に当接させ、これによってこの支持部材を、素子基板２の温度上昇を抑えるための放熱板として機能させるようにする。このようにすれば、新たに放熱板としての熱伝導部材を設けることなく、前記支持部材に放熱板としての機能を持たせることができ、したがって有機ＥＬアレイラインヘッド１０１の構成が簡略化してコストアップを抑えることができる。
また、熱伝導部材としての支持部材だけでなく、例えば温度制御手段として加熱装置についても、後述する定着部の熱源（ヒータ）などを兼用させるようにしてもよい。
【００７１】
現像装置４４（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）は、例えば、現像剤として非磁性一成分トナーを用いるもので、その一成分現像剤を例えば供給ローラで現像ローラへ搬送し、現像ローラ表面に付着した現像剤の膜厚を規制ブレードで規制し、その現像ローラを感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に接触させあるいは押圧せしめることにより、感光体４１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）の電位レベルに応じて現像剤を付着させ、トナー像として現像するものである。
【００７２】
このような４色の単色トナー像形成ステーションにより形成された黒、シアン、マゼンタ、イエローの各トナー像は、一次転写ローラ４５（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）に印加される一次転写バイアスによって中間転写ベルト９０上に順次一次転写される。そして、中間転写ベルト９０上で順次重ね合わされてフルカラーとなったトナー像は、二次転写ローラ６６において用紙等の記録媒体Ｐに二次転写され、さらに定着部である定着ローラ対６１を通ることで記録媒体Ｐ上に定着され、その後、排紙ローラ対６２によって装置上部に形成された排紙トレイ６８上に排出される。ここで、定着ローラ対６１を備えた定着部にはヒータ等の熱源が設けられているが、この熱源を、前述したように有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）における温度制御手段としての加熱装置として利用することができる。
【００７３】
なお、図１０中の符号６３は多数枚の記録媒体Ｐが積層保持されている給紙カセット、６４は給紙カセット６３から記録媒体Ｐを一枚ずつ給送するピックアップローラ、６５は二次転写ローラ６６の二次転写部への記録媒体Ｐの供給タイミングを規定するゲートローラ対、６６は中間転写ベルト９０との間で二次転写部を形成する二次転写手段としての二次転写ローラ、６７は二次転写後に中間転写ベルト９０の表面に残留しているトナーを除去するクリーニング手段としてのクリーニングブレードである。
このように、図１０の画像形成装置は、露光手段（書き込み手段）として有機ＥＬアレイラインヘッド１０１（Ｋ、Ｃ、Ｍ、Ｙ）を用いているので、例えばレーザ走査光学系を用いた場合に比べ、装置の小型化を図ることができる。
【００７４】
次に、本発明に係る画像形成装置の第２の実施の形態について説明する。図１１は画像形成装置の縦断側面図である。図１１において、画像形成装置１６０には主要構成部材として、ロータリ構成の現像装置１６１、像担持体として機能する感光体ドラム１６５、前記ラインヘッド（有機ＥＬアレイヘッド）が設けられてなる像書込手段（露光手段）１６７、中間転写ベルト１６９、用紙搬送路１７４、定着器の加熱ローラ１７２、給紙トレイ１７８が設けられている。
【００７５】
現像装置１６１は、現像ロータリ１６１ａが軸１６１ｂを中心として矢印Ａ方向に回転するよう構成されたものである。現像ロータリ１６１ａの内部は４分割されており、それぞれイエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｋ）の４色の像形成ユニットが設けられている。１６２ａ〜１６２ｄは、前記４色の各像形成ユニットに配置されており、矢印Ｂ方向に回転する現像ローラ、１６３ａ〜１６３ｄは、矢印Ｃ方向に回転するトナ−供給ローラである。また、１６４ａ〜１６４ｄはトナーを所定の厚さに規制する規制ブレードである。
【００７６】
図１１中符号１６５は、前記のように像担持体として機能する感光体ドラム、１６６は一次転写部材、１６８は帯電器である。また、１６７は本発明における露光手段となる像書込手段であり、本発明の有機ＥＬラインヘッドを備えてなるものである。感光体ドラム１６５は、図示を省略した駆動モータ、例えばステップモータにより、現像ローラ１６２ａとは逆の方向となる矢印Ｄ方向に回転駆動されるようになっている。なお、像書込手段１６７を構成する有機ＥＬラインヘッドは、これと結像レンズ（図示せず）や感光ドラム１６５との間で位置合わせ（光軸合わせ）がなされた状態に配設されている。
【００７７】
中間転写ベルト１６９は、駆動ローラ１７０ａと従動ローラ１７０ｂとの間に張架されたものである。駆動ローラ１７０ａは、前記感光体ドラム１６５の駆動モータに連結されたもので、中間転写ベルト１６９に動力を伝達するようになっている。すなわち、該駆動モータの駆動により、中間転写ベルト１６９の駆動ローラ１７０ａは感光体ドラム１６５とは逆の方向となる矢印Ｅ方向に回動するようになっている。
【００７８】
用紙搬送路１７４には、複数の搬送ローラと排紙ローラ対１７６などが設けられており、用紙が搬送されるようになっている。中間転写ベルト１６９に担持されている片面の画像（トナー像）が、二次転写ローラ１７１の位置で用紙の片面に転写されるようになっている。二次転写ローラ１７１は、クラッチによって中間転写ベルト１６９に離当接されるようになっており、クラッチオンで中間転写ベルト１６９に当接され、用紙に画像が転写されるようになっている。
【００７９】
上記のようにして画像が転写された用紙は、次に、定着ヒータＨを有する定着器で定着処理がなされる。定着器には、加熱ローラ１７２、加圧ローラ１７３が設けられている。定着処理後の用紙は、排紙ローラ対１７６に引き込まれて矢印Ｆ方向に進行する。この状態から排紙ローラ対１７６が逆方向に回転すると、用紙は方向を反転して両面プリント用搬送路１７５を矢印Ｇ方向に進行する。１７７は電装品ボックス、１７８は用紙を収納する給紙トレイ、１７９は給紙トレイ１７８の出口に設けられているピックアップローラである。
【００８０】
用紙搬送路において、搬送ローラを駆動する駆動モータとしては、例えば低速のブラシレスモータが用いられている。また、中間転写ベルト１６９については、色ずれ補正などが必要となるためステップモータが用いられている。これらの各モータは、図示を省略した制御手段からの信号によって制御されるようになっている。
【００８１】
図１１に示した状態で、イエロー（Ｙ）の静電潜像が感光体ドラム１６５に形成され、現像ローラ１６２ａに高電圧が印加されることにより、感光体ドラム１６５にはイエローの画像が形成される。イエローの裏側および表側の画像がすべて中間転写ベルト１６９に担持されると、現像ロータリ１６１ａが矢印Ａ方向に９０度回転する。
【００８２】
中間転写ベルト１６９は１回転して感光体ドラム１６５の位置に戻る。次に、シアン（Ｃ）の２面の画像が感光体ドラム１６５に形成され、この画像が中間転写ベルト１６９に担持されているイエローの画像に重ねて担持される。以下、同様にして現像ロータリ１６１の９０度回転、中間転写ベルト１６９への画像担持後の１回転処理が繰り返される。
【００８３】
４色のカラー画像担持には中間転写ベルト１６９は４回転して、その後さらに回転位置が制御されて二次転写ローラ１７１の位置で用紙に画像を転写する。給紙トレー１７８から給紙された用紙を搬送路１７４で搬送し、二次転写ローラ１７１の位置で用紙の片面に前記カラー画像を転写する。片面に画像が転写された用紙は前記のように排紙ローラ対１７６で反転されて、搬送径路で待機している。その後、用紙は適宜のタイミングで二次転写ローラ１７１の位置に搬送されて、他面に前記カラー画像が転写される。ハウジング１８０には、排気ファン１８１が設けられている。
【００８４】
このような図１０、図１１に示した画像形成装置８０、１６０においては、図１に示したような本発明のラインヘッド（有機ＥＬアレイヘッド）が露光手段として備えられている。したがって、これら画像形成装置８０、１６０にあっては、前述したように露光手段であるラインヘッド（有機ＥＬアレイヘッド）が、周辺温度の上昇に起因する有機ＥＬ素子３の発光効率や寿命の低下が防止されているので、露光効率が良好となり、さらに長寿命化によって信頼性が向上したものとなる。
なお、本発明のラインヘッドを備えた画像形成装置は前記実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明のラインヘッドの一実施形態を示す模式図。
【図２】熱伝導部材の概略構成を説明するための斜視図。
【図３】（ａ）はラインヘッドの要部側断面図、（ｂ）は模式図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に説明する断面図。
【図５】図４に続く工程を説明するための断面図。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図。
【図９】（ａ）、（ｂ）は本発明のラインヘッドの他の実施形態を示す模式図。
【図１０】本発明の画像形成装置の第１の実施形態を示す概略構成図。
【図１１】本発明の画像形成装置の第２の実施形態を示す概略構成図。
【符号の説明】
【００８６】
１、１０…ラインヘッド、２…素子基板、３…有機ＥＬ素子、３Ａ…発光素子列、
４…駆動素子、６…封止基板、７…熱伝導部材（温度制御手段）、１２…温度センサ
８０、１６０…画像形成装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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