(57)【要約】  【課題】  配線基板の製造に必要なプレス工程数を減らして製造効率を高め、生産性の向上を図り、層間絶縁膜に対するその層間絶縁膜上の配線膜形成用金属層、或いは配線膜の剥がれ強度を強める。  【解決手段】一方の面に層間接続用の金属バンプ４が形成された配線膜形成用金属板６の面上に、層間絶縁膜１０を介して埋め込み用金属層１２をプレスにより積層し、埋め込み用金属層１２及び層間絶縁膜１０の表面部を、金属バンプ４の頂面４ａが露出するまで研磨して該層間絶縁膜１０の表面に埋め込み状の金属層１２ａが形成されるようにし、層間絶縁膜１０ｃの表面上に、金属バンプ１２頂面１２ａと接続された部分を少なくとも有する配線膜形成用金属層１６をメッキにより形成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された配線膜形成用金属板の該一方の面上に、層間絶縁膜が上記金属バンプによって貫通され該金属バンプの頂面が露出するように形成され、
上記層間絶縁膜の表面に上記金属バンプと離間して金属層がその表面と該層間絶縁膜の表面とが略面一となるように埋め込み状に形成され、
上記層間絶縁膜の表面上に、上記金属バンプ頂面と接続されたメッキによる金属層が形成された
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
同層の複数ある配線膜の少なくとも一部にそこから一方の側に突出する層間接続用の金属バンプが形成され、
上記配線膜の上記一方の側の面上に、層間絶縁膜が上記金属バンプによって貫通され該金属バンプの頂面が露出するように形成され、
上記層間絶縁膜の表面に上記金属バンプと離間して金属層がその表面と該層間絶縁膜の表面とが略面一となるように埋め込み状に形成され、
上記層間絶縁膜の表面上に、上記金属バンプ頂面と接続された部分を少なくとも有するメッキによる配線層が形成された
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記層間絶縁膜の前記埋め込み状金属層が形成された部分の表面と、該埋め込み状の金属層の該層間絶縁膜側の表面との両方又は何れか一方が粗面化されてなる
ことを特徴とする請求項１又は２記載の配線基板。
【請求項４】
一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された配線膜形成用金属板を用意する工程と、
上記配線膜形成用金属板の上記一方の面上に、層間絶縁膜を介して埋め込み用金属層をプレスにより積層する工程と、
上記埋め込み用金属層及び上記層間絶縁膜の表面部を、上記金属バンプの頂面が露出するまで研磨することにより、該層間絶縁膜の表面に上記金属バンプと離間して上記埋め込み用金属層がその表面と該層間絶縁膜の表面とが略面一となるように埋め込み状に形成された状態にする工程と、
上記層間絶縁膜の表面上に、上記金属バンプ頂面と接続された部分を少なくとも有する配線膜形成用金属層をメッキにより形成する工程と、
を少なくとも有する配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線膜形成用金属板の上記一方の面上に、前記層間絶縁膜を介して前記埋め込み用金属層をプレスにより積層する工程において、該層間絶縁膜の上面と該埋め込み用金属層の下面のいずれか又は両方を予め粗面化しておく
ことを特徴とする請求項４記載の配線基板。
【請求項６】
前記配線膜形成用金属層のメッキによる形成を、最初に無電解メッキ処理を施し、次に電解メッキ処理を施すことにより行う
ことを特徴とする請求項４又は５記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属バンプを層間接続手段として用いた配線基板と、その製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
本願出願人会社は、多層配線基板製造技術として種々のものを開発したが、その開発した技術のなかで多いのは、金属バンプを層間接続手段として用いる技術である。その技術の具体例を挙げると、バンプ形成用の銅層（厚さ例えば１００μｍ）の一方の主面に例えばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば１μｍ）を形成し、更に、該エッチングバリア層の主表面に導体回路形成用の銅箔（厚さ例えば１８μｍ）を形成した三層構造の金属板からなる配線回路基板形成用部材をベースとして用い、それを適宜加工することにより表面に例えば層間接続用の微細な突起物であるバンプを有する配線基板を得るもので、これに関しては、例えば特願２０００−２３０１４２（：特開２００２−４３５０６号公報）、特願２０００−３３４３３２号（：特開２００２−１４１６２９号公報）、特願２００２−６６４１０（：特開２００２−４３５０６号公報）等の出願により技術的提案をした。
【０００３】
図３（Ａ）〜（Ｅ）はそのような技術を駆使した配線基板の製造方法の典型的な具体例を工程順に示す断面図である。
（Ａ）図３（Ａ）に示すように、一方の表面に金属バンプが形成された金属板１０２を用意し、更に、その表面に例えばＢステージ状態の例えばガラスクロス或いはガラスマットを基材とするエポキシ樹脂からなるＢステージの樹脂１０４及び離型シート１０６の積層体を臨ませる。
この金属板１０２は例えば銅からなる配線膜形成用金属膜１０８の一方の表面に例えばニッケルからなるエッチングバリア用金属層１１０を介して例えば銅からなるバンプ１１２を形成したものである。
【０００４】
該金属板１０２は、例えば、バンプ形成用の銅層（厚さ例えば１００μｍ）の一方の主面に例えばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば１μｍ）を例えばメッキにより形成し、更に、該エッチングバリア層の主表面に導体回路形成用の銅箔（厚さ例えば１８μｍ）を形成した三層構造の金属板を配線基板形成用部材として用い、上記バンプ形成用の銅層を、選択的にエッチングして金属バンプ１１２を形成し、その後、そのエッチングの際エッチングストッパとして機能させた上記ニッケルからなるエッチングバリア層１１０を、金属バンプ１１２をマスクとしてエッチングすることにより除去するという方法で製造される。
【０００５】
この方法に関しては、例えば特願２０００−２３０１４２（：特開２００２−４３５０６号公報）、特願２０００−３３４３３２号（：特開２００２−１４１６２９号公報）、特願２００２−６６４１０（：特開２００２−４３５０６号公報）等の出願により技術的提案が為されている。
上記樹脂１０４は層間絶縁膜となるもので、シート状であり、Ｂステージ状態のエポキシ樹脂からなる。１０６は剥離シートで、上記エポキシ樹脂１０４に重ねられる。
【０００６】
該剥離シート１０６は、上記樹脂１０４を上記金属板１０２のバンプ形成面側に形成したときに、その樹脂１０４の表面よりも金属バンプ１１２の頂部を適宜突出させ、加圧及び加熱による積層によって金属バンプ１１２が縮むことを見越した縮代（ちぢみしろ）を確保するためのものであり、上面を研磨し金属バンプ１１２頂面が露出した後剥離されるものであり、Ｂステージ状態にある樹脂１０４の表面を汚染しないようにする役割をも果たす。
尚、この剥離シート１０６及びＢステージの樹脂１０４からなる積層体の上には、図示はしないが、クッション材が配置され、図示しない加圧プレートにより該クッション材を介してその積層体が金属板１０２のバンプ形成面側に加圧及び加熱される。この時の加熱温度はＢステージ状態を保つように１２０℃以下の温度にされる。図３（Ａ）は加圧及び加熱される直前の状態における金属板１０２及びこの剥離シート１０６及び樹脂１０４からなる積層体を示している。
【０００７】
（Ｂ）加圧及び加熱により樹脂１０４と剥離シート１０６からなる積層体を、上記金属板１０２のバンプ形成面側に積層すると、図３（Ｂ）に示すようになる。
（Ｃ）次に、図３（Ｃ）に示すように、上記樹脂１０４と剥離シート１０６からなる積層体を、上記各金属バンプ１１２の頂面１１２ａが露出するまでドライ研磨する。ドライ研磨とは水等の冷却用液体を研磨部分に供給することなく行う研磨のことである。ウェット研磨、即ち水等の冷却用液体を研磨部分に供給しながら行う研磨を行わないのは、Ｂステージ状態の樹脂１０４に水分等の液体が入ることにより樹脂１０４が徐々に劣化し、樹脂１０４の本来の樹脂物性が得られなくなることを回避するためである。
【０００８】
（Ｄ）次に、図３（Ｄ）に示すように、上記剥離シート１０６を剥離し、除去する。
（Ｅ）次に、図３（Ｅ）に示すように、例えば銅からなる金属層１１４を、上記樹脂１０４及び金属バンプ１１２の表面にプレスし、金属層１１４と金属バンプ１１２とを強力なプレス（加圧力が例えば５．０〜１０．０ＭＰａ）により強固且つ良好に接続させる。これにより金属バンプ１１２は例えば３０％程度縮む。そして、プレスした状態を保ちながら１７０〜２２０℃に加熱してその樹脂１０４をＣステージ状態にして、層間絶縁膜とする。
その後は、図示はしないが、上記金属層１０８及び１１４を選択的にエッチングすることによりパターニングして配線膜を形成する。
【特許文献１】特開２００２−４３５０６号公報（特願２０００−２３０１４２号）
【特許文献２】特開２００２−１４１６２９号公報（特願２０００−３３４３３２号）
【特許文献３】特開２００２−４３５０６号公報（特願２００２−６６４１０号）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述した従来の技術によれば、先ず第１に、図３（Ｅ）に示す状態にするまでに、プレス工程が２回必要であり、製造効率、生産性が悪いという問題があった。
即ち、上記従来の技術によれば、層間絶縁膜となるエポキシ樹脂からなるＢステージの樹脂１０４及び離型シート１０６を金属板１０２上に積層するときに第１回目のプレスを行う。
また、上記樹脂１０４及び離型シート１０６を、上記金属バンプ１１２の頂面が露出するまで研磨し、離型シート１０６の残っている部分を除去した後、配線膜形成用の例えば銅からなる金属層を積層するときに第２回目のプレスを行う。
【００１０】
そして、プレスは、多数の配線基板形成用の各種部材を所定の組み合わせで多数重ね、圧力、温度等を極めて精確且つ均一に調整して行う必要があり、極めて段取り、調整に時間がかかり、また、熟練を要するものであるので、プレス工程をできるだけ少なくすることが好ましいが、従来によれば、２回のプレスが必要であったので、製造効率の顕著な向上を図ることは難しかった。
【００１１】
上述した従来技術によれば、第２に、層間絶縁膜とそれに積層される配線膜形成用金属層との剥がれ強度が充分に強くないという問題があった。
具体的には、従来においては、ピール強度が５００〜６００ｇ／ｃｍ２程度にしかならなかった。
しかし、配線基板として充分な信頼度を得るには、ピール強度を１０００ｇ／ｃｍ２程度にすることが好ましいが、従来技術では、樹脂からなる層間絶縁膜に対する加圧、積層による銅等の金属層の密着力を強くすることに限界があり、そのようにピール強度を強めることは難しかった。
【００１２】
本発明は、このような問題を解決すべく為されたもので、配線基板の製造に必要なプレス工程数を減らして製造効率を高め、生産性の向上を図ることを一つの目的とし、層間絶縁膜に対するその層間絶縁膜上の配線膜形成用金属層、或いは配線膜の剥がれ強度を強めることを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１の配線基板は、一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された配線膜形成用金属板の該一方の面上に、層間絶縁膜が上記金属バンプによって貫通され該金属バンプの頂面が露出するように形成され、上記層間絶縁膜の表面に上記金属バンプと離間して金属層がその表面と該層間絶縁膜の表面とが略面一となるように埋め込み状に形成され、上記層間絶縁膜の表面上に、上記金属バンプ頂面と接続されたメッキによる金属層が形成されたことを特徴とする。
【００１４】
請求項２の配線基板は、同層の複数ある配線膜の少なくとも一部にそこから一方の側に突出する層間接続用の金属バンプが形成され、上記配線膜の上記一方の側の面上に、層間絶縁膜が上記金属バンプによって貫通され該金属バンプの頂面が露出するように形成され、上記層間絶縁膜の表面に上記金属バンプと離間して金属層がその表面と該層間絶縁膜の表面とが略面一となるように埋め込み状に形成され、上記層間絶縁膜の表面上に、上記金属バンプ頂面と接続された部分を少なくとも有するメッキによる配線層が形成されたことを特徴とする。
請求項３の配線基板は、請求項１又は２記載の配線基板において、前記層間絶縁膜の前記埋め込み状金属層が形成された部分の表面と、該埋め込み状の金属層の該層間絶縁膜側の表面との両方又は何れか一方が粗面化されてなることを特徴とする。
【００１５】
請求項４の配線基板の製造方法は、一方の面に層間接続用の金属バンプが形成された配線膜形成用金属板を用意する工程と、該配線膜形成用金属板の上記一方の面上に、層間絶縁膜を介して埋め込み用金属層をプレスにより積層する工程と、上記埋め込み用金属層及び上記層間絶縁膜の表面部を、上記金属バンプの頂面が露出するまで研磨することにより、該層間絶縁膜の表面に上記金属バンプと離間して上記埋め込み用金属層がその表面と該層間絶縁膜の表面とが略面一となるように埋め込み状に形成された状態にする工程と、上記層間絶縁膜の表面上に、上記金属バンプ頂面と接続された部分を少なくとも有する配線膜形成用金属層をメッキにより形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする。
尚、本明細書及び特許請求の範囲において、研磨には、機械的研磨、機械的化学的研磨及び化学的研磨（エッチング）が包含されるものとする。
【００１６】
請求項５の配線基板の製造方法は、請求項４記載の配線基板において、前記配線膜形成用金属板の上記一方の面上に、前記層間絶縁膜を介して前記埋め込み用金属層をプレスにより積層する工程において、該層間絶縁膜の上面と該埋め込み用金属層の下面のいずれか又は両方を予め粗面化しておくことを特徴とする。
請求項６の配線基板の製造方法は、請求項５記載の配線基板の製造方法において、前記配線膜形成用金属層のメッキによる形成を、最初に無電解メッキ処理を施し、次に電解メッキ処理を施すことにより行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１、２の配線基板によれば、層間絶縁膜上に形成される配線膜形成用金属層は、メッキにより形成されるので、プレスがその配線膜形成用金属層形成分少なくて済む。
従って、プレス回数を低減することにより、製造効率を高め、生産性の向上を図ることができる。
そして、メッキによる配線膜形成用金属層は、層間絶縁膜の表面部に対して埋め込み状でより密着強度が強い金属層を下地として形成することができるので、埋め込み状の金属層と一体化して層間絶縁膜との剥がれ強度を強くすることができる。
請求項３の配線基板によれば、請求項１、２の配線基板において、前記層間絶縁膜の前記埋め込み状金属層が形成された部分の表面と、該埋め込み状の金属層の該層間絶縁膜側の表面との両方又は何れか一方が粗面化されているので、層間絶縁膜と埋め込み用金属層との密着強度をより強めることができ、延いては、埋め込み用金属層とその上に形成された配線膜形成用金属層との密着強度をより強めることができる。
【００１８】
請求項４の配線基板の製造方法によれば、埋め込み用金属層を層間絶縁膜を介して積層し、配線膜形成用金属層は表面部に金属層が埋め込まれた層間絶縁膜上にメッキにより形成するので、プレス工程は一回で済む。
そして、メッキによる配線膜形成用金属層は、層間絶縁膜の表面部に対して埋め込み状でより密着強度が強い金属層を下地として形成するので、埋め込み状の金属層と一体化することができ、延いては、層間絶縁膜との剥がれ強度を強くすることができる。
【００１９】
請求項５の配線基板の製造方法によれば、 請求項４記載の配線基板の製造方法において、前記層間絶縁膜を介して前記埋め込み用金属層をプレスにより積層する工程に先立ち予め該層間絶縁膜の上面と該埋め込み用金属層の下面のいずれか一方又は両方を予め粗面化しておくので、層間絶縁膜と埋め込み用金属層との密着強度をより強めることができ、延いては、埋め込み用金属層とその上に形成された配線膜形成用金属層との密着強度をより強めることができる。
請求項６の配線基板の製造方法によれば、前記配線膜形成用金属層のメッキによる形成を、最初に無電解メッキ処理を施し、次に電解メッキ処理を施すことにより行うので、初め無電解メッキにより全面的に金属層を形成し、それを下地として無電解メッキにより良質の配線膜形成用金属層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明において、層間絶縁膜を成すものとしては、ガラスクロス入りエポキシ樹脂或いはガラスマット入りエポキシ樹脂が好適であり、各種金属層は銅が好適である。
また、例えばエポキシ樹脂からなる層間絶縁膜を埋め込み用金属層を介しての積層に際しての加圧力は例えば３〜１０ＭＰａ程度が好適である。
また、層間絶縁膜を介して前記埋め込み用金属層をプレスにより積層する工程に先立ち予め該層間絶縁膜の上面と該埋め込み用金属層の下面のいずれか一方又は両方を予め粗面化しておくと良い。
【００２１】
例えば層間絶縁膜がエポキシ樹脂等の樹脂からなる場合、その表面の粗面化は、その樹脂を、過マンガン酸カリ液、重クロム酸ナトリウム液或いは濃アルカリ液等の処理液に侵漬することにより行うことができる。
また、金属層例えば銅層の表面の粗面化は黒化還元による粗化処理によって行うことができる。
また、層間絶縁膜上への配線膜形成用金属層のメッキによる形成は、先ず、無電解メッキ処理を施し、次いで、電解メッキ処理を施すことにより行うことができる。
【実施例１】
【００２２】
以下、本発明を図示実施例に従って詳細に説明する。
図１（Ａ）〜（Ｄ）及び図２（Ｅ）、（Ｆ）は本発明配線基板の製造方法の第１の実施例を工程順（Ａ）〜（Ｆ）に示す断面図である。
（Ａ）図１（Ａ）に示すように、配線膜形成用金属層２の一方の表面に金属バンプ４が形成された金属板６を用意する。
【００２３】
該金属板６は、例えば、バンプ形成用の例えば銅からなる金属層（厚さ例えば６０μｍ）４の一方の主面に例えばニッケルからなるエッチングバリア層（厚さ例えば１μｍ）８を例えば無電解メッキにより形成し、更に、該エッチングバリア層の主表面に配線膜形成用の例えば銅からなる金属層（厚さ例えば１８μｍ）２を形成した三層構造の金属板を配線基板形成用部材として用い、上記バンプ形成用の金属層（４）を、選択的にエッチングして金属バンプ４を形成し、その後、そのエッチングの際エッチングストッパとして機能させた上記ニッケルからなるエッチングバリア層８を、金属バンプ４をマスクとしてエッチングすることにより除去するという方法で製造される。
【００２４】
（Ｂ）次に、図１（Ｂ）に示すように、上記金属板６の金属バンプ４が形成された側に、層間絶縁膜となる、例えばＢステージ状態の例えばエポキシ樹脂（厚さ例えば６０〜１１０μｍ）１０及び銅からなる埋め込み用金属層（厚さ例えば３５μｍ）１２を臨ませる。尚、このエポキシ樹脂としては、ガラスクロス入りエポキシ樹脂或いはガラスマット入りエポキシ樹脂が好適である。
尚、次の工程で、埋め込み用金属層１２を、エポキシ樹脂１０を介して上記金属板６上に加圧及び加熱により積層することになるが、直接プレス型（図示しない）を埋め込み用金属層１２に当てるのではなく、離型シート１４ａ、１４ｂを介して更には図示しないクッション材を介してプレス型を当てることとするので、離型シート１４ａ、１４ｂを埋め込み用金属層１２に臨ませる。因みに、離型シート１４ａ、１４ｂは例えば発砲ポリエチレンからなる。例えば、アフレックス（厚さ例えば５０μｍ）を２枚重ね、その上にアルミニウム箔をおいてプレスすると良い。
また、パイレン（商品名）を用いても良い。その場合、離型シート１４ａの厚さは例えば３５μｍ、離型シート１４ｂの厚さは例えば１１０μｍが好適である。
また、埋め込み用金属層１２とエポキシ樹脂１０との密着性をより強めるため、予め埋め込み用金属層１２の下面と、エポキシ樹脂１０の上面とのいずれか一方又は両方を粗面化処理しておくと良い。
【００２５】
（Ｃ）次に、加熱、加圧により、離型シート１４ｂ、１４ａを介して埋め込み用金属層１２及びエポキシ樹脂１０を積層し、その後、離型シート１４ａ、１４ｂを剥離して除去する。図１（Ｃ）はその離型シート１４ａ、１４ｂの除去後の状態を示す。
この場合、積層のための加圧の圧力は例えば３〜１０ＭＰａ程度で、加熱温度は例えば１６０〜２５０℃であり、エポキシ樹脂４をＢステージからＣステージ状態にする。このように、エポキシ樹脂１０を研磨前に、ＢステージからＣステージ状態に変化させてしまうのである。１０ｃはＣステージ状態のエポキシ樹脂であり、層間絶縁膜として機能し得る。このＣステージ状態でのエポキシ樹脂１０ｃの厚さは、金属バンプ４の高さよりも稍薄くなるように形成することが必要である。さもないと、研磨後に形成される後述する埋め込み状の金属層（１２ａ）を充分に厚く残存させることができないからである。
【００２６】
（Ｄ）次に、露出した上記埋め込み用金属層１２及びエポキシ樹脂１０ｃを、上記各金属バンプ４の頂面４ａが露出し、該エポキシ樹脂１０ｃ、金属バンプ４及び埋め込み用金属層１２の上面が略面一（ツライチ：同一平面上に位置すること）になるように機械的研磨、機械的化学的研磨或いは化学的研磨（ハーフエッチング）する。この研磨により、金属バンプ４の頂面４ａが露出するのみならず、埋め込み用金属層１２がエポキシ樹脂１０ｃの金属バンプ４が形成されていない部分において表面に埋め込み状に残存するように形成された状態になる。１２ａはエポキシ樹脂１０ｃの表面に埋め込み状に残存する金属層を指す。
尚、埋め込み用金属層１２及びエポキシ樹脂１０ｃの研磨は、最初から最後まで機械的研磨或いは機械的化学的研磨により行うようにしても良いし、最初は化学的研磨（ハーフエッチング）処理を施し、その後、機械的研磨或いは機械的化学的研磨により研磨して、金属バンプ４の頂面４ａを露出させるようにしても良い。
【００２７】
（Ｅ）次に、図２（Ｅ）に示すように、エポキシ樹脂１０ｃ、埋め込み状金属層１２ａ及び金属バンプ４の頂面４ａ上に例えば銅からなる配線膜形成用金属層１６を、無電解メッキ及びその後の電解メッキにより形成する。１６ａは無電解メッキにより形成された金属層、１６ｂは電解メッキにより形成された金属層を示し、破線はその間の境界を観念的に示す。実際的にはこのような明確な境界があるわけではない。
この図２（Ｅ）に示す配線基板は、特許請求の範囲の請求項１の配線基板に該当する。
（Ｆ）次に、図２（Ｆ）に示すように、上記配線膜形成用金属層２及び上記配線膜形成用金属層１６を同時又は異時に選択的にエッチングすることにより配線膜を形成する。
尚、配線膜形成用金属層１６の選択的エッチングは、その下地の埋め込み状金属層１２ａもエッチングされる深さで行う必要がある。
この図２（Ｆ）に示す配線基板は、特許請求の範囲の請求項２の配線基板に該当する。
【００２８】
本実施例によれば、埋め込み用金属層１２を層間絶縁膜となるエポキシ樹脂１０を介して積層し、配線膜形成用金属層１６は表面部に金属層１２ａが埋め込まれた層間絶縁膜を成すエポキシ樹脂１０ｃ上にメッキにより形成するので、プレス工程は一回で済む。
そして、メッキによる配線膜形成用金属層１６は、層間絶縁膜を成すエポキシ樹脂１０ｃの表面部に対して埋め込み状でより密着強度が強い金属層１２ａを下地として形成するので、埋め込み状の金属層１２ａと一体化することができ、延いては、層間絶縁膜を成すエポキシ樹脂１０ｃとの剥がれ強度を強くすることができる。具体的には１０００ｇ／ｃｍ２以上にすることができた。
【００２９】
尚、図２（Ｆ）に示す配線基板をコア基板として、その両面或いは片面に、図２（Ｆ）に示すような配線基板を、或いは、図２（Ｆ）に示す配線基板とは異なるタイプの配線基板を積層してより多層化した配線基板を得るようにしても良い。
また、図２（Ｆ）に示す配線基板とは異なるタイプの配線基板をコア基板として、その両面或いは片面に、図２（Ｆ）に示すような配線基板を積層してより多層化した配線基板を得るようにしても良い。
このように、本発明配線基板は、それ単独で配線基板として用いることができるが、複数個積層してより多層化した配線基板として用いることができるし、異なるタイプの配線基板と組み合わせてより多層化した配線基板として用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、例えば銅からなる金属バンプを層間接続手段として用い、例えばエポキシ樹脂等の樹脂を層間絶縁膜として用いた配線基板と、その製造方法に広く利用可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は本発明配線基板の製造方法の第１の実施例の工程（Ａ）〜（Ｄ）を順に示す断面図である。
【図２】（Ｅ）、（Ｆ）は本発明配線基板の製造方法の上記第１の実施例の工程（Ｅ）、（Ｆ）を順に示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｅ）は配線基板の製造方法の一つの従来例を工程順（Ａ）〜（Ｅ）に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３２】
２・・・配線膜形成用金属層、４・・・金属バンプ、４ａ・・・金属バンプ頂面、
１０・・・層間絶縁膜となるＢステージ状態のエポキシ樹脂、
１０ｃ・・・Ｃステージ状態のエポキシ樹脂（層間絶縁膜）、
１２・・・埋め込み用金属層、１２ａ・・・埋め込み状の金属層、
１６・・・配線膜形成用金属層、
１６ａ・・・無電解メッキ層、１６ｂ・・・電解メッキ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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