(57)【要約】【課題】  基板に照射する紫外線の照度を調整可能にして表面処理性能を向上した表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】  紫外線照射装置１０に、ステージモータＭによって上下方向に移動可能な基板ステージ２０を設け、同基板ステージ２０に紫外線受光部２５を配設した。そして、紫外線照射処理を施すときに、紫外線受光部２５の生成する検出信号に基づいて実照度を検出し、検出した実照度に基づいて、その実照度を設定処理照度にするための基板ステージ２０の高さ位置を決定するようにした。そして、紫外線をガラス基板２に照射する間、基板ステージ２０の高さ位置の変位によって、被照射面２ｓに照射する紫外線の照度を設定処理照度にするようにした。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
出射源から出射した紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理するようにした表面処理方法において、
前記出射源に対する前記被照射面の相対位置を変位させることによって、前記被照射面に照射する紫外線の実照度を予め設定した所定の照度にするようにしたことを特徴とする表面処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載する表面処理方法において、
前記基板を載置する基板ステージの位置を変位することによって、前記出射源に対する前記被照射面の照射方向の相対位置を変位するようにしたことを特徴とする表面処理方法。
【請求項３】
出射源から出射される紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理する表面処理装置において、
被照射面に照射する紫外線の実照度を検出する照度検出手段と、
前記出射源に対する前記被照射面の相対位置を変位させる変位手段と、
前記照度検出手段の検出した前記実照度に基づいて、前記実照度を予め設定した所定の照度にするための前記被照射面の相対位置を決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した前記相対位置に基づいて、前記変位手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載する表面処理装置において、
前記変位手段は、前記基板を載置する基板ステージと、
前記基板ステージを昇降して前記出射源に対する前記被照射面の照射方向の相対位置を変位する昇降機構とを備えたこと特徴とする表面処理装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載する表面処理装置において、
前記照度検出手段は、前記基板を載置する基板ステージに紫外線を受光する受光部を設けたことを特徴とする表面処理装置。
【請求項６】
基板の一側面上に発光素子を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、
前記発光素子を形成するときに、前記一側面を、請求項１又は２に記載する表面処理方法によって表面処理するようにしたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載する電気光学装置の製造方法によって、前記基板の一側面上に発光素子を形成した電気光学装置。
【請求項８】
基板の一側面上に半導体素子を形成するようにした半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子を形成するときに、前記一側面を、請求項１又は２に記載する表面処理方法によって表面処理するようにしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載する半導体装置の製造方法によって、前記基板の一側面上に半導体素子を形成した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）の製造工程や半導体装置の製造工程では、ガラス基板やシリコンウェハ等の基板表面に付着した有機物を洗浄するために、同基板表面に紫外線を照射する表面処理装置としての紫外線照射装置が利用されている。
【０００３】
紫外線照射装置は、基板に照射する紫外線のフォトンエネルギーによって、同基板に付着した有機物を分解し、分解した有機物を活性酸素によって揮発可能な分子（例えば、二酸化炭素や水等）に酸化して除去するようにしている。
【０００４】
この紫外線照射装置では、均一な紫外線を一度に照射できる利便性から、紫外線の出射源として、管内に水銀を封入した低圧水銀ランプやキセノンを封入したエキシマランプ等、いわゆる紫外線ランプを採用している（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００１−１２９３９１  号広報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、こうした紫外線照射装置では、同紫外線照射装置に配設された紫外線ランプの本数によって、基板に照射する紫外線の照度（実照度）が規定されるため、以下の問題を生じる。
【０００６】
すなわち、前記実照度は、一般的に、紫外線ランプの使用状況や同紫外線ランプの周辺環境に応じて大きく変動する。例えば、紫外線を出射した積算時間が長くなると、紫外線ランプは、管内から透過する紫外線の透過率が減衰して前記実照度を低下させるようになる。反対に、例えば、ランプ周辺に窒素やアルゴン等の不活性ガスが多く存在すると、紫外線ランプは、基板表面までの紫外線吸収率が低下して前記実照度を増加させるようになる。
【０００７】
従って、上記する紫外線照射装置では、前記実照度を所定の照度に維持することができないため、紫外線照射後の表面状態にバラツキを来たす、ひいては表面処理の処理性能を低下させる問題を招く。
【０００８】
こうした問題は、紫外線ランプに入力する入力電力を調整することによって解消可能と考えられる。ところが、入力電力によって紫外線ランプの出力照度を制御すると、実照度を安定させるまでの時間を要して、照射処理するための処理時間が長くなる。さらには、入力電力を変動させる分だけ、紫外線ランプのフィラメント等に掛かる負荷が大きくなり、同紫外線ランプの照度低下を加速する。ひいては、紫外線照射装置の処理性能を低下させる問題を招く。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、基板に照射する紫外線の照度を調整可能にして表面処理性能を向上した表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供す
ることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の表面処理方法は、出射源から出射した紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理するようにした表面処理方法において、前記出射源に対する前記被照射面の相対位置を変位させることによって、前記被照射面に照射する紫外線の実照度を予め設定した所定の照度にするようにした。
【００１１】
本発明の表面処理方法によれば、出射源に対する被照射面の相対位置の変位によって、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、出射源の出射する紫外線量が変動する場合であっても、同出射源に対する入力電力等を調整することなく、被照射面に対する紫外線の照射量を所望の照射量に安定させることができる、ひいては表面処理の処理性能を向上させることができる。
【００１２】
この表面処理方法は、前記基板を載置する基板ステージの位置を変位することによって、前記出射源に対する前記被照射面の照射方向の相対位置を変位するようにした。
この表面処理方法によれば、基板ステージの位置を変位して被照射面の相対位置を変位するため、相対位置の変位による基板の位置ズレを回避することができ、安定した照度の紫外線を照射することができる。
【００１３】
本発明の表面処理装置は、出射源から出射される紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理する表面処理装置において、被照射面に照射する紫外線の実照度を検出する照度検出手段と、前記出射源に対する前記被照射面の相対位置を変位させる変位手段と、前記照度検出手段の検出した前記実照度に基づいて、前記実照度を予め設定した所定の照度にするための前記被照射面の相対位置を決定する決定手段と、前記決定手段が決定した前記相対位置に基づいて、前記変位手段を制御する制御手段とを備えた。
【００１４】
本発明の表面処理装置によれば、制御手段が、決定手段の決定した出射源に対する被照射面の相対位置を、変位手段に変位させることによって、実照度を予め設定した所定の照度にすることができる。従って、出射源の出射する紫外線量が変動する場合であっても、同出射源に対する入力電力等を調整することなく、被照射面に対する紫外線の照射量を所望の照射量に安定させることができる、ひいては表面処理の処理性能を向上させることができる。
【００１５】
この表面処理装置において、前記変位手段は、前記基板を載置する基板ステージと、前記基板ステージを昇降して前記出射源に対する前記被照射面の照射方向の相対位置を変位する昇降機構とを備えた。
【００１６】
この表面処理装置によれば、制御手段が、昇降機構に基板ステージの位置を変位させ、被照射面の相対位置を変位するため、相対位置の変位による基板の位置ズレを回避して、同基板を基板ステージに載置した状態で安定した照射量の紫外線を照射することができる。
【００１７】
この表面処理装置において、前記照度検出手段は、前記基板を載置する基板ステージに紫外線を受光する受光部を設けた。
この表面処理装置によれば、照度検出手段が、基板ステージに設けられた受光部によって実照度を検出するため、変位した被照射面の位置に対応する実照度を確実に検出することができる。従って、被照射面に対する紫外線の照射量を、より高い精度で安定させることができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、基板の一側面上に発光素子を形成するようにした電気光学装置の製造方法において、前記発光素子を形成するときに、前記一側面を、上記する表面処理方法によって表面処理するようにした。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、発光素子を形成する一側面の表面処理状態を均一することができ、ひいては電気光学装置の生産性を向上することができる。
本発明の電気光学装置は、上記する電気光学装置の製造方法によって、基板上に発光素子を形成した。
【００２０】
本発明の電気光学装置によれば、発光素子を形成する一側面の表面処理状態を均一にすることができ、ひいては電気光学装置の生産性を向上することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板の一側面上に半導体素子を形成するようにした半導体装置の製造方法において、前記半導体素子を形成するときに、前記一側面を、上記する表面処理方法によって表面処理するようにした。
【００２１】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子を形成する一側面の表面処理状態を均一することができ、ひいては半導体装置の生産性を向上することができる。
本発明の半導体装置は、上記する半導体装置の製造方法によって、基板上に半導体素子を形成した。
【００２２】
本発明の半導体装置によれば、半導体素子を形成する一側面の表面処理状態を均一することができ、ひいては半導体装置の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図１〜図４に従って説明する。図１は、電気光学装置としての有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（有機ＥＬディスプレイ）を示す平面図である。
【００２４】
有機ＥＬディスプレイ１はボトムエミッション型のディスプレイであって、図１に示すように、基板としてのガラス基板２を備えている。
ガラス基板２は、四角形状に形成される無アルカリガラス基板であって、その表面（被照射面２ｓ）には、四角形状の素子形成領域７が形成されている。その素子形成領域７には、上下方向（列方向）に延びる複数のデータ線Ｌｙが所定の間隔をおいて形成されている。各データ線Ｌｙは、それぞれガラス基板２の下側に配設されるデータ線駆動回路Ｄｒ１に電気的に接続されている。データ線駆動回路Ｄｒ１は、図示しない外部装置から供給される表示データに基づいてデータ信号を生成し、そのデータ信号を対応するデータ線Ｌｙに所定のタイミングで出力するようになっている。
【００２５】
また、素子形成領域７には、列方向に延びる複数の電源線Ｌｖが所定の間隔をおいて各データ線Ｌｙに併設されている。各電源線Ｌｖは、それぞれ素子形成領域７の下側に形成される共通電源線Ｌｖｃに電気的に接続され、図示しない電源電圧生成回路の生成する駆動電源を各電源線Ｌｖに供給するようになっている。
【００２６】
さらにまた、素子形成領域７には、データ線Ｌｙ及び電源線Ｌｖと直交する方向（行方向）に延びる複数の走査線Ｌｘが所定の間隔をおいて形成されている。各走査線Ｌｘは、それぞれガラス基板２の左側に形成される走査線駆動回路Ｄｒ２に電気的に接続されている。走査線駆動回路Ｄｒ２は、図示しない制御回路から供給される走査制御信号に基づいて、複数の走査線Ｌｘの中から所定の走査線Ｌｘを所定のタイミングで選択駆動し、その走査線Ｌｘに走査信号を出力するようになっている。
【００２７】
これらデータ線Ｌｙと走査線Ｌｘの交差する位置には、対応するデータ線Ｌｙ、電源線Ｌｖ及び走査線Ｌｘに接続されることによってマトリックス状に配列される複数の画素４が形成されている。その画素４内には、それぞれ対応するデータ線Ｌｙ、電源線Ｌｖ及び走査線Ｌｘに接続される制御素子５と、その制御素子５に接続される発光素子６が形成されている。これら被照射面２ｓ上に形成される制御素子５と発光素子６は、四角形状の封止基板３（図１における２点鎖線）によって覆われて保護されるようになっている。
【００２８】
そして、選択駆動される走査線Ｌｘ上の制御素子５がデータ信号に応じた駆動電流を発光素子６に供給すると、発光素子６がその駆動電流に応じた輝度で発光するようになっている。すなわち、データ信号に基づく画像が、有機ＥＬディスプレイ１の裏面（被照射面２ｓと相対向する面）上に表示されるようになっている。
【００２９】
尚、本実施形態における各画素４は、それぞれ対応する色の光を発光する画素であって、赤色の光を発光する赤色画素又は緑色の光を発光する緑色画素又は青色を発光する青色画素である。そして、これら各画素４によって、ガラス基板２の裏面（被照射面２ｓと相対向する面）側にフルカラーの画像を表示するようになっている。
【００３０】
次に、上記する有機ＥＬディスプレイ１の製造工程の中で、前記各種素子を形成する素子形成工程の前工程であって、被照射面２ｓを表面処理する表面処理工程について以下に説明する。まず、表面処理工程に使用する表面処理装置としての紫外線照射装置について説明する。図２は、紫外線照射装置を示す概略側断面図である。
【００３１】
図２に示すように、紫外線照射装置１０には、左右１対の脚部１１ａ，１１ｂが備えられている。その左右１対の脚部１１ａ，１１ｂには、照射処理部１２が支持固定されている。
【００３２】
照射処理部１２には、図２における上側を開口した箱体形状に形成されるステージ筐体１３が備えられている。そのステージ筐体１３の底部１３ａ略中央位置には、同ステージ筐体１３内から下方に向かって外側まで貫通する挿通孔１４ａが形成されている。また、ステージ筐体１３の右側壁下側には、同じくステージ筐体１３内から右側に向かって貫通する引出孔１４ｂが形成されている。
【００３３】
ステージ筐体１３の下側であって前記挿通孔１４ａの脚部１１ａ側には、下方に延びるガイドレール１５が延設されている。そのガイドレール１５には、同ガイドレール１５と係合してレール形成方向（上下方向）にのみ移動可能なスライダ１６が取付けられている。スライダ１６は、四角形状に形成される板部材であって、そのガイドレール１５側には、上下方向に貫通する貫通孔１６ｈが形成されている。そのスライダ１６の上側面であって前記貫通孔１６ｈと相対する位置には、ネジ溝に循環するボールを詰込んだボールナット１７が配設固定されている。
【００３４】
そのガイドレール１５の下端には、ステージモータＭが配設固定されている。そのステージモータＭの駆動軸には、上下方向を軸方向にするネジ軸１８が連結されている。ネジ軸１８は、その外周面に所定の長さだけ雌ねじを有する軸であって、前記スライダ１６の貫通孔１６ｈを下側から貫通して前記ボールナット１７と螺合している。
【００３５】
そして、ステージモータＭを正逆回転駆動すると、ステージモータＭに連結駆動されるネジ軸１８が正逆回転し、ネジ軸１８と螺合するボールナット１７を介して、スライダ１６が、その高さ位置をネジ軸１８の軸方向（上下方向）に沿って変位させる。すなわち、ステージモータＭを正逆回転駆動すると、そのステージモータＭの回転運動が、スライダ１６の上下方向の往復運動に変換される。
【００３６】
尚、本実施形態では、これらガイドレール１５、ボールナット１７、ステージモータＭ、ネジ軸１８及びスライダ１６によって、昇降機構としてのネジ式直動機構が構成されている。また、本実施形態におけるステージモータＭは、所定のパルス信号を受けてステップ単位で回転する、いわゆるステッピングモータである。
【００３７】
スライダ１６とステージ筐体１３（底部１３ａ）との間であって前記挿通孔１４ａと相対する位置には、上下方向に伸縮可能なベローズ１９が挟入されている。ベローズ１９は、上下両端部を開口する蛇腹形状に形成され、その上下両端部１９ａ，１９ｂが、それぞれステージ筐体１３の底部１３ａとスライダ１６の上面に位置決め固定され、挿通孔１４ａを封止している。そして、スライダ１６が上下方向に沿って直線運動すると、ベローズ１９が、前記挿通孔１４ａを封止した状態で伸縮動する。
【００３８】
そのスライダ１６の上側には、基板ステージ２０が配設されている。基板ステージ２０は、コマ状に形成されるステージであって、ガラス基板２を載置するための載置部２１と、その載置部２１の下面から下方に向かって形成され、同載置部２１を支持するための支持部２２を有している。基板ステージ２０は、その支持部２２が挿通孔１４ａ及びベローズ１９を挿通してスライダ１６にネジ止め固定され、その支持部２２に支持される載置部２１をステージ筐体１３内に配置するようになっている。
【００３９】
載置部２１は、その上側にガラス基板２を載置可能にする載置面２１ａを有している。その載置面２１ａであって、図２に示すように、ガラス基板２が載置される状態で、そのガラス基板２の近傍に、受光部としての紫外線受光部２５を設けている。紫外線受光部２５は、その受光面が上方に向くように突出している。
【００４０】
紫外線受光部２５は、例えばシリコンフォトダイオードを有したシリコン光起電力型受光素子やダイアモンド薄膜を有したダイアモンド薄膜光導電型受光素子等を備え、紫外領域の光（紫外線Ｌｕｖ）を受光して、受光した紫外線Ｌｕｖの照度に相対する検出信号を生成するようになっている。紫外線受光部２５の面位置（受光面）は、ガラス基板２が載置される状態で、同ガラス基板２の被照射面２ｓと略同じ高さ位置になっている。これによって、紫外線受光部２５は、後述する紫外線ランプ３３から被照射面２ｓに対して照射される紫外線Ｌｕｖと相対する照度の紫外線Ｌｕｖを受光できるようになっている。
【００４１】
その紫外線受光部２５には、ステージ筐体１３の引出孔１４ｂを介して、同ステージ筐体１３の外方に引き出せられる接続ケーブル２６が接続されている。この接続ケーブル２６が、紫外線受光部２５と後述する受光部駆動回路５３（図３参照）を電気的に接続することによって、紫外線受光部２５の生成する検出信号が受光部駆動回路５３（図３参照）に出力されるようになっている。
【００４２】
尚、本実施形態では、これら紫外線受光部２５、接続ケーブル２６及び受光部駆動回路５３によって、紫外線Ｌｕｖの照度を検出する照度検出手段が構成されている。
そして、図２に示す状態において、ステージモータＭにスライダ１６の高さ位置を制御（例えば、上昇）するためのパルス信号が入力されると、図２の２点差線に示すように、基板ステージ２０（ガラス基板２の被照射面２ｓ及び紫外線受光部２５）は、スライダ１６の高さ位置の変位分だけ、その高さ位置が変位する。
【００４３】
尚、本実施形態では、基板ステージ２０の高さ位置であってその最下位置（図２において実線で示す位置）を、基板ステージ２０のホーム位置Ｈ０とする。尚、基板ステージ２０がこのホーム位置Ｈ０に位置するときに、図示しない搬送系によって、同基板ステージ２０（載置面２１ａ）上に、ガラス基板２を移載することができるようになっている。
【００４４】
上記照射処理部１２の上側には、図２に示すように、紫外線出射部３０が配設されている。その紫外線出射部３０には、箱体形状に形成されるランプ筐体３１が備えられている。そのランプ筐体３１の下側には、同ランプ筐体３１内から基板ステージ２０に向かって開口する照射孔３１ｈが、基板ステージ２０よりも若干大きいサイズで形成されている。その照射孔３１ｈには、石英等の紫外線透過材料によって照射孔３１ｈと略同じサイズに形成される透過窓３２が嵌合されている。
【００４５】
そして、紫外線出射部３０は、前記透過窓３２によって照射孔３１ｈを封止することにより、その内部に、大気から遮断されたランプ収容空間Ｓ１を形成する。また、紫外線出射部３０は、これらランプ筐体３１及び透過窓３２によって前記ステージ筐体１３の上側を封止し、ステージ筐体１３の内部に、前記基板ステージ２０（ガラス基板２及び紫外線受光部２５）を収容して大気から遮断された基板収容空間Ｓ２を形成する。尚、これらランプ収容空間Ｓ１及び基板収容空間Ｓ２の内部には、例えば窒素等の不活性ガスが連続供給されて充填又は充満するようになっている。また、ランプ筐体３１の内壁面３１ａは、後述する紫外線ランプ３３の出射した紫外線Ｌｕｖを前記照射孔３１ｈ側に反射するようになっている。
【００４６】
そのランプ収容空間Ｓ１内には、出射源としての紫外線ランプ３３が配設されている。紫外線ランプ３３は、石英等の紫外線透過材料によって形成される長尺管体３３ａの管内にキセノン等の放電ガスを封入したランプである。その紫外線ランプ３３の管内には、高周波電源３４（図３参照）に接続される内部給電電極（フィラメント）３３ｆが配設され、そのフィラメント３３ｆに所定の高周波電力を給電することによって、紫外線Ｌｕｖを出射するようになっている。紫外線ランプ３３は、その左右両端部３３ｂがランプ筐体３１の内壁面３１ａから突出形成される締結部３１ｂによって締め付け固定され、ランプ収容空間Ｓ１内の所定位置に位置決めされている。
【００４７】
つまり、紫外線ランプ３３と前記被照射面２ｓとの間の距離（照射距離）は、図２に示すように、基板ステージ２０がホーム位置Ｈ０に位置する状態で、常に基準照射距離Ｄ０に維持される。
【００４８】
そして、フィラメント３３ｆに所定の高周波電力を給電すると、紫外線ランプ３３から紫外線Ｌｕｖが出射され、出射される紫外線Ｌｕｖの殆んどが、内壁面３１ａの反射等によって、透過窓３２から基板収容空間Ｓ２側に出射される。基板収容空間Ｓ２内に出射された紫外線Ｌｕｖは、照射距離に相対する照度分だけ減衰して、透過窓３２から基板ステージ２０側（照射方向）に照射される。
【００４９】
すなわち、ステージモータＭに対して、基板ステージ２０の高さ位置を上昇させるためのパルス信号が入力されると、基板ステージ２０（被照射面２ｓ）が上昇しその上昇変位分（照射距離の減少分）だけ、被照射面２ｓに照射される紫外線Ｌｕｖの照度が増加する。反対に、基板ステージ２０の高さ位置を下降させるためのパルス信号を入力すると、基板ステージ２０（被照射面２ｓ）が下降しその下降変位分（照射距離の増加分）だけ、被照射面２ｓに照射される紫外線Ｌｕｖの照度が減少する。
【００５０】
次に、上記する紫外線照射装置１０の電気的構成を図３に従って説明する。図３は、紫外線照射装置１０の電気的構成を示すブロック図である。
紫外線照射装置１０は、制御手段を構成するＣＰＵ４１、ＲＯＭ４２、ＲＡＭ４３、ＡＳＩＣ４４、入力部４５及び表示部４６を備え、これら各種デバイスがバス４７を介して電気的に接続されている。また、ＡＳＩＣ４４には、高周波電源駆動回路５１、変位手段を構成するステージモータ駆動回路５２、照度検出手段を構成する受光部駆動回路５３が
電気的に接続されている。
【００５１】
ＣＰＵ４１は、入力部４５から入力される紫外線照射処理命令など、各種操作命令を実行して、その実行状態を表示部４６に表示する。ＲＯＭ４２は、ＣＰＵ４１が各種操作命令を実行するための各種プログラムと、そのプログラムを実行するための各種データとを格納する。
【００５２】
例えば、ＲＯＭ４２は、ＣＰＵ４１が紫外線照射処理命令を実行するための紫外線照射プログラムを格納する。また、ＲＯＭ４２は、ステージモータＭの単位ステップ数に相対する紫外線Ｌｕｖの照度の変化量（単位照度制御量）を格納する。そして、ＣＰＵ４１は、入力される各種操作命令に基づいてＲＯＭ４２に格納される各種プログラムを呼び出し、ＲＡＭ４３を作業領域として同プログラムを実行する。
【００５３】
ＡＳＩＣ４４は、各種プログラムを実行するＣＰＵ４１からの命令に基づき、高周波電源駆動回路５１、ステージモータ駆動回路５２、受光部駆動回路５３を介して、それぞれ高周波電源３４（紫外線照射ランプ３３）、ステージモータＭ及び紫外線受光部２５を駆動制御する。そして、受光部駆動回路５３は、紫外線受光部２５からの検出信号に基づいて実照度信号を生成しＡＳＩＣ４４に出力する。ＡＳＩＣ４４は、その実照度信号に基づき実照度を算出する。そのＡＳＩＣ４４には、紫外線照射処理の処理時間を計測するためのタイマー４４Ｃが設けられている。
【００５４】
尚、ＲＯＭ４２に格納される前記単位照度制御量は、紫外線ランプ３３を紫外線照射装置１０に取付ける度に、ＡＳＩＣ４４が、予め規定したステップ数にステージモータＭを駆動制御し、そのステップ数おける実照度に基づいて算出するものとする。
【００５５】
次に、上記する紫外線照射装置１０による表面処理工程、すなわちガラス基板２の被照射面２ｓに紫外線Ｌｕｖを照射し、被照射面２ｓ上に付着した有機物を洗浄する紫外線照射処理動作について以下に説明する。図４は紫外線照射処理動作を示すフローチャートである。
【００５６】
今、入力部４５から、紫外線照射処理に要する紫外線の照度（設定処理照度Ａｓ）と、その紫外線を照射する照射時間（設定処理時間Ｔｓ）等からなる紫外線照射処理命令を入力する（ステップＳ１１）。すると、ＣＰＵ４１は、ＲＯＭ４２から紫外線照射プログラムを読み出して、その紫外線照射プログラムを実行する。すなわち、ＣＰＵ４１は、ＡＳＩＣ４４に高周波電源駆動回路５１を介して高周波電源３４を駆動させ、所定の高周波電力を紫外線ランプ３３に給電させる。そして、紫外線ランプ３３を点灯して紫外線Ｌｕｖを出射させる（ステップＳ１２）。
【００５７】
紫外線ランプ３３が紫外線Ｌｕｖを出射すると、ＡＳＩＣ４４は、ステージモータ駆動回路５２を介してステージモータＭを回転駆動し、基板ステージ２０をホーム位置Ｈ０まで移動する。そして、基板ステージ２０をホーム位置Ｈ０まで移動すると、ＡＳＩＣ４４は、受光部駆動回路５３を介して紫外線受光部２５を駆動し、受光部駆動回路５３から出力される実照度信号に基づいて、ホーム位置Ｈ０における実照度（基準照度Ａ０）を算出する。基準照度Ａ０を算出すると、ＡＳＩＣ４４は、実照度（基準照度Ａ０）と設定処理照度Ａｓとの偏差（差分）を求める。
【００５８】
次に、ＡＳＩＣ４４は、ＲＯＭ４２に格納される前記単位照度制御量を参照して、求めた差分に対するステージモータＭのステップ数を演算する。つまり、ＡＳＩＣ４４は、前記差分の照度を補償して実照度を設定処理照度Ａｓにするための基板ステージ２０の高さ位置（初期位置Ｈ１）を決定する（ステップＳ１３）。
【００５９】
ＡＳＩＣ４４が前記初期位置Ｈ１（ステップ数）を決定すると、ＣＰＵ４１は、図示しない搬送系によって、ガラス基板２を基板ステージ２０（載置部２１）に載置する。そして、ＣＰＵ４１は、ＡＳＩＣ４４にステージモータＭを前記ステップ数分だけ回転駆動して、基板ステージ２０をホーム位置Ｈ０から初期位置Ｈ１に移動し、ガラス基板２の被照射面２ｓに対する紫外線Ｌｕｖの照射を開始する（ステップＳ１４）。
【００６０】
紫外線Ｌｕｖの照射を開始すると、ＡＳＩＣ４４は、タイマー４４Ｃを駆動して、被照射面２ｓに対する紫外線Ｌｕｖの照射時間（実処理時間Ｔｐ）を計測する。また、ＡＳＩＣ４４は、受光部駆動回路５３からの実照度信号に基づいて、初期位置Ｈ１における実照度（実処理照度Ａｐ）を逐次算出する（ステップＳ１５）。
【００６１】
続いて、ＡＳＩＣ４４は、実処理照度Ａｐが設定処理照度Ａｓであるか否かを比較判断する。つまり、ＡＳＩＣ４４は、実処理照度Ａｐと設定処理照度Ａｓの偏差（差分）を求めて判断する。そして、紫外線ランプ３３の劣化や基板収容空間Ｓ２内の雰囲気の変化等によって、実処理照度Ａｐが設定処理照度Ａｓに対して差異が生じると（ステップＳ１６においてＮＯ）、ＡＳＩＣ４４は、再び単位照度制御量を参照し、実処理照度Ａｐと設定処理照度Ａｓの差分に相対するステップ数を演算する。すなわち、ＡＳＩＣ４４は、実処理照度Ａｐを設定処理照度Ａｓにするための基板ステージ２０の高さ位置（処理位置Ｈｐ）を決定する。処理位置Ｈｐ（ステップ数）を決定すると、ＡＳＩＣ４４は、基板ステージ２０を初期位置Ｈ１から処理位置Ｈｐに移動させる（ステップＳ１７）。
【００６２】
そして、ＡＳＩＣ４４は、処理時間Ｔｐが設定処理時間Ｔｓに到達するまで、上記する実処理照度Ａｐと設定処理照度Ａｓの比較と、基板ステージ２０の処理位置Ｈｐへの移動を繰り返して、実処理照度Ａｐを設定処理照度Ａｓに維持する（ステップＳ１６〜Ｓ１８）。処理時間Ｔｐが設定処理時間Ｔｓに到達すると（ステップＳ１８においてＹＥＳ）、ＣＰＵ４１は、図示しない搬送系によって、ガラス基板２を基板ステージ２０（載置部２１）から図示しない基板収納カセット内に移載して紫外線処理動作（表面処理）を終了する。
【００６３】
つまり、ガラス基板２の被照射面２ｓには、紫外線Ｌｕｖを照射する間、その紫外線ランプ３３に対する相対位置の変位によって、安定した照度（設定処理照度Ａｓ）の紫外線Ｌｕｖが照射される。そして、ガラス基板２上に付着した有機物は、設定処理照度Ａｓに相対する紫外線Ｌｕｖの設定処理時間Ｔｓ分の照射量によって、ガラス基板２上に残存することなく洗浄される。
【００６４】
上記紫外線照射処理によって洗浄されたガラス基板２には、公知の製造技術によって、被照射面２ｓ上に前記画素４（制御素子５及び発光素子６）及び各種配線が形成され、これによって有機ＥＬディスプレイが製造される。
【００６５】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、紫外線照射装置１０に、ステージモータＭによって上下方向に移動可能な基板ステージ２０を設け、同基板ステージ２０に紫外線Ｌｕｖの照度を検出するための紫外線受光部２５を配設した。そして、紫外線照射処理を施すときに、紫外線受光部２５からの検出信号に基づいて実照度（基準照度Ａ０及び実処理照度Ａｐ）を検出し、検出した実照度に基づいて、その実照度を設定処理照度Ａｓにするための基板ステージ２０の高さ位置（初期位置Ｈ１及び処理位置Ｈｐ）を決定するようにした。そして、紫外線Ｌｕｖをガラス基板２に照射する間、基板ステージ２０の高さ位置の変位によって、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を設定処理照度Ａｓにするようにした。
【００６６】
従って、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を常に設定処理照度Ａｓに保持させることができる。その結果、設定処理時間Ｔｓに基づく紫外線Ｌｕｖの照射量を安定させることができ、紫外線照射処理後における被照射面２ｓの表面状態のバラツキを抑制することができる。そのため、紫外線照射処理の表面処理性能を向上することができ、有機ＥＬディスプレイ１の生産性を向上することができる。
【００６７】
（２）上記実施形態によれば、紫外線Ｌｕｖの照度を検出する紫外線受光部２５を基板ステージ２０に配設するようにした。従って、被照射面２ｓの高さ位置に相対する紫外線Ｌｕｖの照度を確実に検出することができ、紫外線照射処理後における被照射面２ｓの表面状態のバラツキをさらに抑制することができる。
【００６８】
（３）上記実施形態によれば、被照射面２ｓに対して紫外線Ｌｕｖを照射する前に、ホーム位置Ｈ０における基準照度Ａ０を算出し、実照度を設定処理照度Ａｓにするための基板ステージ２０の高さ位置（初期位置Ｈ１）を予め決定するようにした。従って、被照射面２ｓに紫外線Ｌｕｖを照射しながら初期位置Ｈ１を決定する場合に比べ、被照射面２ｓに照射する紫外線Ｌｕｖの照度を、より速く設定処理照度Ａｓにすることができ、紫外線照射処理の表面処理性能をさらに向上することができる。
【００６９】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、基板ステージ２０の高さ位置を上下方向に変位することによって、紫外線ランプ３３に対する被照射面２ｓの相対位置を変位するようにした。これに限らず、紫外線ランプ３３の高さを上下方向に変位することによって、前記相対位置を変位するようにしてもよい。
・上記実施形態では、昇降機構をネジ式直動機構に具体化したが、これに限らず、基板ステージ２０の高さ位置を上下方向に変位する機構であればよい。
・上記実施形態では、紫外線受光部２５を基板ステージ２０の載置部２１に配設するようにしたが、これに限らず、例えばステージ筐体１３の壁面に設けるようにしてもよく、ガラス基板２に照射される紫外線の照度を検出することができる位置であればよい。
・上記実施形態では、紫外線照射処理するときに、紫外線ランプ３３を点灯させるようにした（ステップ１２）。これに限らず、紫外線ランプ３３を常時点灯させるようにしてもよい。この際、透過窓３２の基板ステージ２０側に紫外線Ｌｕｖを遮蔽するシャッタを設け、紫外線処理動作を行うときに、同シャッタを開けて、紫外線処理動作を行うようにしてもよい。
・上記実施形態では、ＲＯＭ４２に格納される単位照度制御量を参照して、ステップ数（初期位置Ｈ１及び処理位置Ｈｐ）を決定するようにしたが、これに限らず、ＡＳＩＣ４４又はＣＰＵ４１が他のパラメータを参照して処理位置Ｈｐ等を決定するようにしてもよい。
・上記実施形態では、ＣＰＵ４１が図示しない搬送系を駆動してガラス基板２の移載を行うようにしたが、これに限らず、例えば手等によってガラス基板２を移載するようにしてもよく、搬送ロボット等によって移載するようにしてもよい。
・上記実施形態では、有機ＥＬディスプレイ１を構成するガラス基板２を基板として具体化したが、これに限らず、例えば液晶ディスプレイ、電界効果型ディスプレイ（ＦＥＤやＳＥＤ等）に利用されるガラス基板であってもよい。また、薄膜トランジスタ等の半導体素子を備えた半導体装置を構成する基板（例えば、シリコン基板）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明を具体化した有機ＥＬディスプレイを示す概略平面図。
【図２】同じく、紫外線照射装置の構成を示す概略断面図。
【図３】同じく、紫外線照射装置の電気的構成を示すブロック図。
【図４】同じく、紫外線照射処理動作を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００７１】
１…電気光学装置としての有機ＥＬディスプレイ、２…基板としてのガラス基板、２ｓ…被照射面、６…発光素子、１０…表面処理装置としての紫外線照射装置、１６…変位手段を構成するスライダ、２０…変位手段を構成する基板ステージ、２５…照度検出手段を構成する紫外線受光部、３３…出射源としての紫外線ランプ、４１…制御手段を構成するＣＰＵ、４４…制御手段及び決定手段を構成するＡＳＩＣ、Ｌｕｖ…紫外線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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