(57)【要約】【課題】画素電極のエッジ部分を囲う絶縁膜の表面に凹凸または溝を形成し、絶縁膜上のパーチクルによる暗点不良を防止できる有機電界発光表示装置を提供する。【解決手段】基板１００上に形成された下部電極１６０と、下部電極１６０の一部分を露出させる開口部１７５を備えた絶縁膜１７０と、開口部１７５により露出された下部電極１６０上に形成された有機膜層１８０と、基板１００上に形成された上部電極１９０とを備え、絶縁膜１７０は、その表面は、溝または凹凸１７７を備える有機電界発光表示装置であり、該溝または凹凸１７７は、絶縁膜１７０の表面のうち、開口部１７５のエッジ１７５ａに隣接した一部分に形成されるか、または開口部１７５のエッジ１７５ａに隣接した部分を除外した全表面にわたって形成され、該溝または凹凸１７７は、絶縁膜の表面がスクラッチまたはブラッシングされて形成されるか、または絶縁膜１７０が一定厚さほどエッチングされて形成される。【選択図】図６Ｂ
2006140145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記絶縁膜は、その表面に凹凸を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記凹凸は、絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記凹凸は、絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記凹凸は、絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記凹凸は、絶縁膜の表面がブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、
前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記絶縁膜は、その表面に溝を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択されることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記溝は、前記絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記溝は、前記絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記溝は、絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されたことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記溝は、絶縁膜の表面がブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
基板上に形成され、少なくともソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、
基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記ソース及びドレイン電極のうち１つの電極に連結される画素電極と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える第２絶縁膜と、
前記露出された画素電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記第２絶縁膜は、その表面に凹凸を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１絶縁膜は、保護膜と平坦化膜とから選択され、前記第２絶縁膜は、画素分離膜を備えることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記凹凸は、第２絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されるか、または前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
前記凹凸は、第２絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されるか、またはブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１７】
基板上に形成され、少なくともソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、
基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記ソース及びドレイン電極のうち１つの電極に連結される画素電極と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える第２絶縁膜と、
前記露出された画素電極上に形成された有機膜層と、
基板上に形成された上部電極とを備え、
前記第２絶縁膜は、その表面に溝を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項１８】
前記第１絶縁膜は、保護膜と平坦化膜とから選択され、前記第２絶縁膜は、画素分離膜を備えることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１９】
前記溝は、第２絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した部分に形成されるか、または前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成されることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項２０】
前記凹凸は、第２絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されるか、またはブラッシングされて形成されたことを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置に係り、さらに具体的には、画素電極のエッジ部分を覆っている絶縁膜の表面に凹凸が形成された有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、アクティブマトリックス有機電界発光表示装置（ＡＭＯＬＥＤ）は、基板上に多数の画素が配列され、各画素は、少なくとも１つのスイッチング薄膜トランジスタ、１つの駆動薄膜トランジスタ、キャパシタ、及び有機電界発光素子を備える。有機電界発光素子は、画素分離膜によりエッジ部分が覆われた画素電極の下部電極、カソード電極の上部電極、及び前記上下部電極間に介在された発光層を含む有機膜層を備える。
【０００３】
有機電界発光素子は、仕事関数の大きいアノード電極と仕事関数が相対的に小さいカソード電極とに所定のバイアスを外部から印加すれば、アノード電極から正孔、カソード電極から電子が発光層に注入され、発光層に注入された電子と正孔との再結合により所定色の光を放出する。
【０００４】
かかる有機電界発光素子において、発光層から発光される光の発光効率は、アノード電極とアノード電極上に形成される有機膜層間の界面特性に大きく依存し、発光効率は、素子の寿命に影響を及ぼす。有機電界発光素子の発光効率を向上させるための多様な方法が試みられている。
【０００５】
特許文献１には、アノード電極のＩＴＯ膜の表面をＳＦプラズマで処理し、アノード電極と有機膜層との界面特性を向上させた有機発光素子の製造方法が開示されている。一方、特許文献２には、酸素イオンまたは電子を利用してＩＴＯ膜を表面処理し、アノード電極と有機膜層との界面特性を向上させた電荷注入型発光素子が開示されている。
【０００６】
従来の画素分離膜を形成する方法は、図１に図示されているように、基板１１上に画素分離膜のための絶縁膜１５を蒸着し、画素電極１３の一部分が露出されるように写真エッチング工程を介して前記絶縁膜１５をエッチングして開口部１６を形成した。画素分離膜の形成工程後、画素分離膜１５の表面に残っているパーチクル１９は、ガラス基板の移送中または有機膜を蒸着するためのマスクとのアラインメント動作時に、開口部１６内の画素電極１３の表面に移動する。表面にパーチクル１９が吸着された画素電極１３上に有機膜を蒸着させれば、素子駆動時に画素電極の表面に付着されたパーチクルが抵抗体として作用して電流が集中し、これによって暗点のような不良が発生するという問題点があった。
【特許文献１】韓国特許公開第２００１−００５７１２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１３３４６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前記のような従来技術の問題点を解決するためのものであり、画素電極のエッジ部分を囲う絶縁膜の表面に凹凸または溝を形成し、パーチクルによる暗点不良を防止できる有機電界発光表示装置（ＯＬＥＤ）を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明は、基板上に形成された下部電極と、前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、基板上に形成された上部電極とを備え、前記絶縁膜は、その表面に凹凸を備えるＯＬＥＤを提供することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明は、基板上に形成された下部電極と、前記下部電極の一部分を露出させる開口部を備えた絶縁膜と、前記開口部により露出された下部電極上に形成された有機膜層と、基板上に形成された上部電極とを備え、前記絶縁膜は、その表面に溝を備えるＯＬＥＤを提供することを特徴とする。
【００１０】
前記絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択される。
【００１１】
前記溝または凹凸は、前記絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されるか、または前記絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成される。前記溝または凹凸は、絶縁膜の表面がスクラッチされて形成されるか、または絶縁膜の表面がブラッシングされて形成される。
【００１２】
また、本発明は、基板上に形成され、少なくともソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記ソース及びドレイン電極のうち１つの電極に連結される画素電極と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える第２絶縁膜と、前記露出された画素電極上に形成された有機膜層と、基板上に形成された上部電極とを備え、前記第２絶縁膜は、その表面に凹凸を備えるＯＬＥＤを提供することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、基板上に形成され、少なくともソース及びドレイン電極を備える薄膜トランジスタと、基板上に形成され、前記薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極のうち一つを露出させるビアホールを備える第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを介して前記ソース及びドレイン電極のうち１つの電極に連結される画素電極と、前記第１絶縁膜上に形成され、前記画素電極の一部分を露出させる開口部を備える第２絶縁膜と、前記露出された画素電極上に形成された有機膜層と、基板上に形成された上部電極とを備え、前記第２絶縁膜は、その表面に溝を備えるＯＬＥＤを提供することを特徴とする。
【００１４】
前記第１絶縁膜は、保護膜と平坦化膜とから選択され、前記第２絶縁膜は、画素分離膜を備える。
【００１５】
前記凹凸または溝は、第２絶縁膜の表面のうち前記開口部のエッジに隣接した一部分に形成されるか、または前記開口部のエッジ部分を除外した全表面にわたって形成される。前記凹凸または溝は、第２絶縁膜の表面がスクラッチされるか、またはブラッシングされて形成されるか、または絶縁膜が一定厚さほどエッチングされて形成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、ＯＬＥＤのような平板表示素子で、有機膜上に存在するパーチクルなどが開口部内の画素電極に移動することを防止し、表示素子の長寿命化を図ることが可能である。
【００１７】
また、本発明の実施形態によるＯＬＥＤの製造方法によれば、画素電極のエッジ部分を囲うように形成される画素分離膜の表面に凹凸または溝を形成して画素分離膜上に存在するパーチクルが開口部内の画素電極に移動することを防止できる。これで暗点のような不良を防止して寿命を延長させることができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を添付された図面を参照して説明すれば、次の通りである。
【００１９】
図２Ａは、本発明の第１実施形態によるＯＬＥＤの断面図を図示した図面である。図２Ｂは、本発明の第１実施形態によるＯＬＥＤの平面図を図示した図面である。図２Ａは、図２ＢのＩＩＡ−ＩＩＡ線に沿った断面図であり、図２Ｂの複数の画素電極のうち１つの画素電極について図示した図面である。図２Ａ及び図２Ｂは、ＯＬＥＤのうち下部電極のアノード電極と前記アノード電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜に限定して図示した図面である。
【００２０】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば、基板２１上に画素電極としてアノード電極２３が形成され、前記アノード電極２３のエッジ部分を囲うように、開口部２６を備える絶縁膜２５が形成される。前記絶縁膜２５は、その表面のうち一部分２５ａに、凹凸２７ａを備える。好ましくは、前記絶縁膜２５は、その表面のうち開口部２６のエッジ２６ｂに隣接する部分２５ａに凹凸２７ａを備える。前記凹凸２７ａは、開口部２６のエッジ２６ｂを囲うように形成される。ここで、開口部２６のエッジというのは、絶縁膜２５の上面の開口部エッジ２６ｂを意味する。
【００２１】
前記絶縁膜２５に形成される凹凸２７ａは、絶縁膜にパーチクル２９が吸着されうる絶縁膜２５の表面積を拡大させるために、小さければ小さいほど望ましい。また、凹凸２７ａは、絶縁膜２５の表面内のパーチクルが開口部２６内に移動することを防止するために形成されるものであるので、絶縁膜２５の表面のうち開口部２６のエッジ２６ｂに隣接して形成されることが望ましい。
【００２２】
本発明の実施形態では、前記画素電極の一部分を露出させるための開口部を備え、開口部エッジに隣接した表面に凹凸を備える絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択される有機絶縁膜を含み、一層以上の多層膜を備えることもある。
【００２３】
図３Ａは、本発明の第２実施形態によるＯＬＥＤの断面図を図示した図面である。図３Ｂは、本発明の第２実施形態によるＯＬＥＤの平面図を図示した図面である。図３Ａは、図３ＢのＩＩＩＡ−ＩＩＩＡ線に沿った断面図であり、図３Ｂの複数の画素電極のうち１つの画素電極について図示した図面である。図３Ａ及び図３Ｂは、ＯＬＥＤのうち下部電極のアノード電極と前記アノード電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜に限定して図示した図面である。
【００２４】
図３Ａ及び図３Ｂを参照すれば、基板２１上に画素電極としてアノード電極２３が形成され、前記アノード電極２３のエッジ部分を囲うように開口部２６を備える絶縁膜２５が形成される。前記絶縁膜２５は、その表面のうち開口部２６の側面２６ａとエッジ２６ｂを除外した全表面にわたって形成された凹凸２７ｂを備える。
【００２５】
前記絶縁膜２５に形成される凹凸２７ｂは、絶縁膜にパーチクル２９が吸着されうる絶縁膜２５の表面積を拡大させるために、小さければ小さいほど望ましい。本発明の実施形態では、前記画素電極の一部分を露出させるための開口部を備え、開口部の側面２６ａを除外したその全表面にわたって形成された凹凸２７ｂを備える絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択される有機絶縁膜を含み、一層以上の多層膜を備えることもある。
【００２６】
第１及び第２実施形態によるＯＬＥＤは画素電極のエッジ部分を囲うように開口部を備える絶縁膜の表面に、凹凸を備えて絶縁膜上のパーチクルを吸着させることにより、基板移送中または蒸着マスクとのアラインメント時に、絶縁膜上のパーチクル２９が開口部内の画素電極に移動することを防止する。これにより、後続工程で形成される有機膜層と画素電極との界面特性が改善されて暗点のような不良を防止する。
【００２７】
図４Ａは、本発明の第３実施形態によるＯＬＥＤの断面図を図示した図面である。図４Ｂは、本発明の第３実施形態によるＯＬＥＤの平面図を図示した図面である。図４Ａは、図４ＢのＩＶＡ−ＩＶＡ線に沿った断面図であり、図４Ｂの複数の画素電極のうち１つの画素電極について図示した図面である。図４Ａ及び図４Ｂは、ＯＬＥＤのうち下部電極のアノード電極と前記アノード電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜に限定して図示した図面である。
【００２８】
図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、基板３１上に画素電極としてアノード電極３３が形成され、前記アノード電極３３のエッジ部分を囲うように開口部３６を備える絶縁膜３５が形成される。前記絶縁膜３５は、その表面に溝３７ａを備える。前記絶縁膜３５の表面のうち、開口部３６のエッジに隣接する部分に溝３７ａを備える。ここで、開口部３６のエッジというのは、絶縁膜３５の上面の開口部エッジ３６ｂを意味する。
【００２９】
このとき、前記絶縁膜３５に形成される溝３７ａは、絶縁膜３５の表面内のパーチクルが開口部３６内に移動することを防止するために形成されるものであるので、絶縁膜３５の表面のうち開口部３６のエッジに隣接して形成されることが望ましい。前記溝３７ａは、開口部３６のエッジ３６ｂを囲うように形成される。
【００３０】
本発明の実施形態では、前記画素電極の一部分を露出させるための開口部を備える絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択される有機絶縁膜を含み、一層以上の多層膜を備えることもある。
【００３１】
図５Ａは、本発明の第４実施形態によるＯＬＥＤの断面図を図示した図面である。図５Ｂは、本発明の第４実施形態によるＯＬＥＤの平面図を図示した図面である。図５Ａは、図５ＢのＶＡ−ＶＡ線に沿った断面図であり、図５Ｂの複数の画素電極のうち１つの画素電極について図示した図面である。図５Ａ及び図５Ｂは、ＯＬＥＤのうち下部電極のアノード電極と前記アノード電極の一部分を露出させる開口部を備える絶縁膜に限定して図示した図面である。
【００３２】
図５Ａ及び図５Ｂを参照すれば、基板３１上に画素電極としてアノード電極３３が形成され、前記アノード電極３３のエッジ部分を囲うように開口部３６を備える絶縁膜３５が形成される。前記絶縁膜３５は、その表面に溝３７ｂを備える。前記絶縁膜３５の表面のうち開口部３６のエッジ３６ｂに隣接した部分を除外した全表面にわたって形成される溝３７ｂを備える。ここで、開口部３６のエッジというのは、絶縁膜３５の上面の開口部エッジ３６ｂを意味する。
【００３３】
このとき、絶縁膜３５の表面内のパーチクルが開口部３６内に移動することを防止するために、絶縁膜３５の表面のうち開口部３６のエッジ３６ｂに隣接した部分が他の部分と段差をなすように陰刻パターン３７ｂにより形成されることが望ましい。
【００３４】
本発明の実施形態では、前記画素電極の一部分を露出させるための開口部を備える絶縁膜は、画素分離膜、平坦化膜及び保護膜から選択される有機絶縁膜を含み、一層以上の多層膜を備えることもある。
【００３５】
第３及び第４実施形態によるＯＬＥＤは、画素電極のエッジ部分を囲うように開口部を備える絶縁膜の表面に溝状の陰刻パターンを備えて絶縁膜上のパーチクルを吸着させることにより、基板移送中または蒸着マスクとのアラインメント時に、絶縁膜上のパーチクル３９が開口部内の画素電極に移動することを防止する。これにより、後続工程で形成される有機膜層と画素電極との界面特性が改善され、暗点のような不良を防止する。
【００３６】
本発明の第３及び第４実施形態は、絶縁膜の表面に溝を形成し、パーチクルが画素電極の表面に移動することを防止するものを例示したが、溝状でなく絶縁膜の表面のうちエッジ部分に近接した部分より残りの部分がさらに低い段差を有するように形成される陰刻パターンも可能である。
【００３７】
図６Ａないし図６Ｃは、本発明の第１実施形態を適用した前面発光型ＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図を図示した図面である。
【００３８】
図６Ａを参照すれば、基板１００上にバッファ層１１０が形成され、前記バッファ層１１０上に薄膜トランジスタ１３０を形成する。前記薄膜トランジスタ１３０は、一般的な薄膜トランジスタを形成する方法により製造され、前記バッファ層１１０上に形成された半導体層１３１、ゲート１３２及びソース及びドレイン電極１３４，１３５を備える。
【００３９】
前記半導体層１３１は、ソース及びドレイン領域（図示せず）を備え、前記ソース及びドレイン電極１３４，１３５は、絶縁膜１２０に形成されたそれぞれのコンタクトホールを介して前記半導体層１３１のソース及びドレイン領域に連結される。前記半導体層１３１とゲート電極１３２、及びゲート電極１３２とソース及びドレイン電極１３４，１３５間には、絶縁膜１２０が介在されている。前記絶縁膜１２０は、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜などを備える。
【００４０】
前記絶縁膜１２０上に、前記薄膜トランジスタ１３０のソース及びドレイン電極１３４，１３５のうち１つの電極、例えばドレイン電極１３５を露出させるビアホールを備える保護膜（第１絶縁膜）１４０が形成される。前記保護膜１４０上に、前記薄膜トランジスタ１３０のドレイン電極１３５を露出させるビアホール１５５を備える平坦化膜１５０が形成される。
【００４１】
前記平坦化膜１５０上に、前記ビアホール１５５を介して前記薄膜トランジスタ１３０のドレイン電極１３５に連結される有機電界発光素子の下部電極１６０が形成される。前記下部電極１６０は、画素電極としてのアノード電極として作用する。本発明のＯＬＥＤは、前面発光構造を有するので、前記下部電極１６０は、反射電極を備える。従って、前記画素電極１６０の下部には、反射膜（図示せず）が形成され、前記画素電極１６０は、透明電極物質を備える。
【００４２】
前記画素電極１６０が形成された平坦化膜１５０上に、画素分離膜（第２絶縁膜）１７０、例えばポリイミド系有機膜またはアクリル系有機膜のような有機絶縁膜を基板上に蒸着した後、一般的な写真エッチング工程を介して前記画素電極１６０の一部分が露出されるようにエッチングし、開口部１７５を形成する。
【００４３】
図６Ｂを参照すれば、前記画素分離膜１７０の表面に凹凸１７７を形成する。前記画素分離膜１７０に凹凸１７７を形成する方法は、画素分離膜の表面をスクラッチするか、またはブラッシングして形成する。前記凹凸１７７は、開口部エッジ１７５ａに隣接して形成されることが望ましい。
【００４４】
図６Ｃを参照すれば、前記画素分離膜１７０の開口部１７５により露出されたアノード電極１６０上に、有機膜層１８０を形成する。基板上に、カソード電極１９０が形成される。前記有機膜層１８０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。前記カソード電極１９０は、透過電極を含む。
【００４５】
図６Ａないし図６Ｃに図示されたＯＬＥＤの製造方法は、第１実施形態を適用した前面発光型ＯＬＥＤについて説明したが、それに限定されずに、第２実施形態ないし第４実施形態にも適用することも可能なだけではなく、他の形態の前面発光型ＯＬＥＤにも適用可能である。
【００４６】
図７Ａないし図７Ｃは、本発明の第３実施形態による背面発光型ＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図を図示した図面である。
【００４７】
図７Ａを参照すれば、基板２００上にバッファ層２１０が形成され、前記バッファ層２１０上に薄膜トランジスタ２３０を形成する。前記薄膜トランジスタ２３０は、半導体層２３１、ゲート２３２、及びソース及びドレイン電極２３４，２３５を備える。
【００４８】
前記半導体層２３１は、ソース及びドレイン領域（図示せず）を備え、前記ソース及びドレイン電極２３４，２３５は、絶縁膜２２０に形成されたそれぞれのコンタクトホールを介して前記半導体層２３１のソース及びドレイン領域に連結される。前記半導体層２３１とゲート電極２３２、及びゲート電極２３２とソース及びドレイン電極２３４，２３５間には、絶縁膜２２０が介在されている。前記絶縁膜２２０は、ゲート絶縁膜及び層間絶縁膜などを含む。
【００４９】
前記絶縁膜２２０上に、前記薄膜トランジスタ２３０のソース及びドレイン電極２３４，２３５のうち１つの電極、例えばドレイン電極２３５を露出させるビアホール２４５を備える保護膜２４０（第１絶縁膜）が形成される。前記保護膜２４０上に、前記ビアホール２４５を介して前記薄膜トランジスタ２３０のドレイン電極２３５に連結される有機電界発光素子の下部電極２６０が形成される。前記下部電極２６０は、画素電極としてのアノード電極として作用する。本発明のＯＬＥＤは、背面発光構造を有するので、前記画素電極２６０は、透過電極を備える。
【００５０】
前記画素電極２６０が形成された保護膜２４０上に、画素分離膜のための絶縁膜（第２絶縁膜）２７０、例えばポリイミド系有機膜またはアクリル系有機膜のような有機絶縁膜を基板上に蒸着した後、一般的な写真エッチング工程を介して前記画素電極２６０の一部分が露出されるようにエッチングし、開口部２７５を形成する。
【００５１】
図７Ｂを参照すれば、前記画素分離膜２７０の表面に溝２７７を形成する。前記溝２７７は、画素分離膜２７０の表面のうち、エッジ部分２７５ａに隣接した部分に陰刻状に形成する。前記溝２７７は、スクラッチ法またはブラッシング法を利用して形成する。
【００５２】
また、前記画素分離膜２７０に溝２７７を形成する方法は、画素分離膜２７０に第１マスク（図示せず）を利用した写真エッチング法で開口部２７５を形成した後、第２マスク（図示せず）を利用した写真エッチング法で溝２７７を形成できる。また、画素分離膜２７０をハーフトーンマスク（図示せず）を利用した写真エッチング法でエッチングして開口部２７５と溝２７７とを同時に形成することも可能である。
【００５３】
図７Ｃを参照すれば、前記画素分離膜２７０の開口部２７５により露出されたアノード電極２６０上に、有機膜層２８０を形成する。基板上に、カソード電極２９０が形成される。前記カソード電極は、不透明電極を含む。前記有機膜層２８０は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層及び正孔抑制層から選択される一つ以上の有機膜を備える。
【００５４】
図７Ａないし図７Ｃに図示されたＯＬＥＤの製造方法は、第３実施形態を適用した背面発光型ＯＬＥＤについて説明したが、それに限定されずに、第１及び第２実施形態そして第４実施形態に適用することも可能なだけではなく、他の形態の背面発光型ＯＬＥＤにも適用可能である。
【００５５】
本発明の実施形態では、画素電極の一部分を露出させる画素分離膜に凹凸または溝を形成することを例示したが、それらに必ずしも限定されるものではなく、画素電極のエッジ部分を囲うように形成される平坦化膜または保護膜に凹凸または溝を形成するＯＬＥＤの製造方法にも適用可能である。
【００５６】
本発明の実施形態は、背面及び前面発光構造を有するＯＬＥＤについて例示したが、両面発光型ＯＬＥＤにも適用可能である。また、本発明のＯＬＥＤは、有機電界発光素子を駆動する駆動素子として一般的な薄膜トランジスタを例示したが、有機薄膜トランジスタのような多様な素子も利用可能である。
【００５７】
以上、本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の当業者は、特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができるということを理解できるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明は、例えばＯＬＥＤ関連の技術分野で効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】従来のＯＬＥＤにおいて、画素電極についての断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての平面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての平面図である。
【図４Ａ】本発明の第３実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第３実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての平面図である。
【図５Ａ】本発明の第４実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての断面図である。
【図５Ｂ】本発明の第４実施形態によるＯＬＥＤにおいて、画素電極についての平面図である。
【図６Ａ】本発明の第１実施形態を適用したＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図６Ｂ】本発明の第１実施形態を適用したＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図６Ｃ】本発明の第１実施形態を適用したＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７Ａ】本発明の第３実施形態を適用したＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第３実施形態を適用したＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第３実施形態を適用したＯＬＥＤの製造方法を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１，２１，３１…基板
１３…画素電極
２３，３３…アノード電極（下部電極）
１５，２５，３５…絶縁膜
２５ａ…絶縁膜表面での一部分
１６，２６，３６…開口部
２６ａ…開口部の側面
２６ｂ，３６ｂ…開口部のエッジ
２７ａ，２７ｂ…凸凹
１９，２９，３９…パーチクル
３７ａ，３７ｂ…溝（陰刻パターン）
１００，２００…基板
１１０，２１０…バッファ層
１２０，２２０…絶縁膜
１３０，２３０…薄膜トランジスタ
１３１，２３１…半導体層
１３２，２３２…ゲート電極
１３４，２３４…ソース電極
１３５，２３５…ドレイン電極
１４０，２４０…保護膜（第１絶縁膜）
１５０…平坦化膜
１５５，２４５…ビアホール
１６０，２６０…アノード電極（下部電極、画素電極）
１７０，２７０…画素分離膜（第２絶縁膜）
１７５，２７５…開口部
１７５ａ，２７５ａ…開口部エッジ
１７７…凹凸
１８０，２８０…有機膜層
１９０，２９０…カソード電極（上部電極）
２７７…溝
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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