(57)【要約】【課題】  表面に亘って均一にかつ効率よくプラズマ処理を施す方法を提供すること。【解決手段】  表面処理方法が、放電発生部と表面との間のギャップに供給された処理ガスからプラズマが得られるように放電発生部と支持体との間に電圧差を与える工程Ａと、表面を前記プラズマに曝しながら、前記放電発生部と前記基板との一方を他方に対して第１方向に相対移動させる工程Ｂと、前記工程Ｂの前または後で、前記基板を前記プラズマに曝しながら、前記一方を前記他方に対して、前記第１方向の反対の第２方向に相対移動させる工程Ｃと、を包含している。【選択図】      図１
2006350176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体に載せられた基板の表面にギャップをおいて対面する放電発生部と、前記ギャップに処理ガスを供給する構造と、を備えたプラズマ処理装置が用いられる表面処理方法であって、
前記ギャップに供給された前記処理ガスからプラズマが得られるように前記放電発生部と前記支持体との間に電圧差を与える工程Ａと、
前記表面を前記プラズマに曝しながら、前記放電発生部と前記基板との一方を他方に対して第１方向に相対移動させる工程Ｂと、
前記工程Ｂの前または後で、前記基板を前記プラズマに曝しながら、前記一方を前記他方に対して、前記第１方向の反対の第２方向に相対移動させる工程Ｃと、
を包含した表面処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の表面処理方法であって、
前記処理ガスが酸素を含む場合に、前記工程Ｂと前記工程Ｃとの間で前記基板を大気に曝す工程Ｄをさらに包含した表面処理方法。
【請求項３】
支持体に載せられた基板の表面にギャップをおいて対面する放電発生部と、前記ギャップに処理ガスを供給する構造と、を備えたプラズマ処理装置が用いられるカラーフィルタ基板の製造方法であって、
前記ギャップに供給された前記処理ガスからプラズマが得られるように前記放電発生部と前記支持体との間に電圧差を与える工程Ａと、
前記表面を前記プラズマに曝しながら、前記放電発生部と前記基板との一方を他方に対して第１方向に相対移動させる工程Ｂと、
前記工程Ｂの前または後で、前記基板を前記プラズマに曝しながら、前記一方を前記他方に対して、前記第１方向の反対の第２方向に相対移動させる工程Ｃと、
を包含したカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項４】
支持体に載せられた基板の表面にギャップをおいて対面する放電発生部と、前記ギャップに処理ガスを供給する構造と、を備えたプラズマ処理装置が用いられる電気光学装置の製造方法であって、
前記ギャップに供給された前記処理ガスからプラズマが得られるように前記放電発生部と前記支持体との間に電圧差を与える工程Ａと、
前記表面を前記プラズマに曝しながら、前記放電発生部と前記基板との一方を他方に対して第１方向に相対移動させる工程Ｂと、
前記工程Ｂの前または後で、前記基板を前記プラズマに曝しながら、前記一方を前記他方に対して、前記第１方向の反対の第２方向に相対移動させる工程Ｃと、
を包含した電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面処理方法に関し、特に、インクジェットプロセスによるカラーフィルタ基板の製造への適用、およびインクジェットプロセスによる電気光学装置の製造への適用が好適な表面処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットプロセスによって基板の表面に配向膜を設けることが知られている。このインクジェットプロセスでは、配向膜を設ける工程に先立って、配向膜の下地である表面の濡れ性を調整する工程が行われる。そして、基板の表面の濡れ性を調整する工程において用いられる技術の一つが、大気圧プラズマ法である。大気圧プラズマ法とは、大気圧下で、基板の表面を励起活性種またはプラズマに曝して、基板の表面の表面エネルギーまたは濡れ性を調整する技術である。
【０００３】
さて、特許文献１は、基板の表面へ励起活性種を均一に供給するプラズマ処理装置を開示している。特許文献１によれば、電極を兼ねた多孔質プレートを通して、電極、つまり多孔質プレートと基板の表面との間の放電領域に、処理ガスが導入される。また、特許文献１によれば、多孔質プレートの機能のおかげで、放電領域内の表面ではどこでも同じ放電状態が実現して、そしてこの結果、基板の表面が受ける処理の程度は、表面に亘って均一になる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２７２８３７号公報（図１から図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１の多孔質プレートは、処理ガスを通すための多くの孔を有している。そして、このことに起因して、処理ガスによって多孔質プレートが分解されやすい。さらに、多孔質プレートが分解されると、分解によって生じる物質が、不純物として基板表面に付着して、パネルの品質を劣化させる惧れがある。
【０００６】
また、本発明者は、表面に対して電極を連続的に相対移動させると、たとえ多孔質プレートが用いられても、処理ムラが生じ得ることを見出した。
【０００７】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、表面に亘って均一にかつ効率よくプラズマ処理を施す方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の表面処理方法では、支持体に載せられた基板の表面にギャップをおいて対面する放電発生部と、前記ギャップに処理ガスを供給する構造と、を備えたプラズマ処理装置が用いられる。そしてこの表面処理方法は、前記ギャップに供給された前記処理ガスからプラズマが得られるように前記放電発生部と前記支持体との間に電圧差を与える工程Ａと、前記表面を前記プラズマに曝しながら、前記放電発生部と前記基板との一方を他方に対して第１方向に相対移動させる工程Ｂと、前記工程Ｂの前または後で、前記基板を前記プラズマに曝しながら、前記一方を前記他方に対して、前記第１方向の反対の第２方向に相対移動させる工程Ｃと、を包含している。
【０００９】
本発明の上記特徴によれば、基板をプラズマに曝しながら、放電発生部と基板との一方を他方に対して第１方向に相対移動させる。さらに、その前後で、基板をプラズマに曝しながら、上記一方を他方に対して第１方向の反対の第２方向に相対移動させる。本発明の表面処理方法では、このような「往復処理」が行われるので、放電発生部に対する基板の相対移動速度を高くしても、基板の表面が受けるプラズマ処理の程度を高く維持できる。さらに、本発明によれば「往復処理」が行われるので、たとえ放電発生部が対面する表面に、相対移動方向に沿った段差が存在しても、この段差に起因する処理ムラが基板３の表面に生じることを抑制できる。
【００１０】
本発明のある態様では、前記処理ガスが酸素を含む場合に、上記表面処理方法が、前記工程Ｂと前記工程Ｃとの間で前記基板を大気に曝す工程Ｄ、をさらに包含している。本発明の上記特徴によれば、基板の表面を効率よく親液化できる。
【００１１】
さらに、本発明は、種々の態様で実現されることができ、具体的には、カラーフィルタの製造方法の形態、または電気光学装置の製造方法の形態で実現され得る。ここで、用語「電気光学装置」は、少なくとも液晶表示装置、プラズマ表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、ＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、およびＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）を包含する用語である。さらに、「電気光学装置」は、複屈折性の変化、旋光性の変化、光散乱性の変化、などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、発光、透過、または反射する表示装置全般を意味する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本実施形態では、本発明の表面処理方法が、インクジェットプロセスによって液晶表示装置の配向膜を設ける工程の一部として実現されている。つまり、本発明が液晶表示装置の製造方法として実現されている。
【００１３】
（Ａ．プラズマ処理装置の全体構成）
図１のプラズマ処理装置１は、大気圧下でのプラズマ処理を行う装置であり、本実施形態の表面処理方法において用いられる。そして、プラズマ処理装置１は、交流電源１ａと、交流電源１ａに接続された電極２と、誘電体部材５と、電極２に対する接地電極として機能するステージ１０と、を備えている。電極２は、その本体からステージ１０側へ突出した２つの突出部２ａ，２ｂを有している。２つの突出部２ａ，２ｂのそれぞれは、Ｘ軸方向に延びた形状を有している。
【００１４】
誘電体部材５は、電極２の下面および側面を覆っている。ただし、２つの突出部２ａ，２ｂのそれぞれの上での誘電体部材５の厚さは、電極２の他の部分上での厚さよりも薄い。本実施形態では、２つの突出部２ａ，２ｂと、それらの上に位置する誘電体部材５とが、２つの放電発生部４ａ，４ｂに対応する。そして、これら２つの放電発生部４ａ，４ｂは、２つの突出部２ａ，２ｂと同様に、Ｘ軸方向に延びた形状を有している。また、２つの放電発生部４ａ，４ｂのそれぞれの底面は平坦である。なお、２つの放電発生部４ａ，４ｂは、２つの突出部２ａ，２ｂを覆う誘電体部材５を有しているので、２つの放電発生部４ａ，４ｂのそれぞれからの異常放電が防止される。
【００１５】
ステージ１０は、アルミニウムからなる導電体である。そして、ステージ１０は、パレット１１を載せながら、Ｘ軸方向に直交するＹ軸方向に沿って前後に移動するように構成されている。後述するように、パレット１１上には、複数の基板３が載置される。そして、２つの放電発生部４ａ，４ｂのそれぞれが、パレット１１上の基板３の表面に、放電ギャップＤＧ（図３）をおいて対面するように、２つの放電発生部４ａ，４ｂとステージ１０とが位置合せされている。なお、本実施形態では、２つの放電発生部４ａ，４ｂのそれぞれと、基板３の表面と、の間の放電ギャップＤＧの長さは、約０．５ｍｍである。
【００１６】
さて、２つの放電発生部４ａ，４ｂの間には、Ｘ軸方向に細長い形状を有したガス噴出口６が位置している。ガス噴出口６は、誘電体部材５と電極２内部とをＺ軸方向に沿って貫くガス通路７および中間チャンバ８を介して、ガス導入口９に接続している。このような構造によって、プラズマ処理装置１は、放電ギャップＤＧに混合ガスを供給できる。
【００１７】
ガス噴出口６から噴射された混合ガスは、誘電体部材５とステージ１０との間の空間で、相対移動方向（Ｙ軸方向）に沿って前方・後方に分かれて流れ、２つの放電領域のそれぞれに達する。ここで、「放電領域」とは、２つの放電発生部４ａ，４ｂのそれぞれに対応するそれぞれの空間のことである。なお、図示はしていないが、誘電体部材５とステージ１０との間の空間へ噴出された混合ガスがＸ軸方向に漏れ出さないように、ステージ１０の両脇には、互いに対面し合う一対の壁が位置している。また、この一対の壁は、誘電体部材５とステージ１０との間の空間が維持されるように、誘電体部材５と電極２とを支える役割も果たしている。
【００１８】
さて、２つの放電領域のそれぞれを経た後で、混合ガスは、誘電体部材５の前端および後端から、プラズマ処理装置１の外部へ排気される。このような混合ガスの供給と並行して、交流電源１ａから電極２に所定の電圧を印加すると、２つの放電領域において気体放電が発生する。この気体放電によって、混合ガスにおける処理ガス（後述）からプラズマまたは励起活性種が生成する。したがって、基板３の表面は、２つの放電領域のそれぞれにおいて、このようなプラズマまたは励起活性種に曝されて処理される。しかも、２つの放電領域のそれぞれは、ステージ１０の相対移動によって基板３上を連続的に移動するので、基板３の表面全体は、連続的にプラズマまたは励起活性種に曝されて処理される。なお、プラズマ処理装置１が行うこのような表面処理の仕方は、「直接方式」と呼ばれる。
【００１９】
通常、上述の混合ガスは、目的とする表面処理に適した酸素（Ｏ2）、四フッ化炭素（ＣＦ4）などの処理ガスと、大気圧近傍の圧力下で気体放電を容易に開始させ、かつ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ2）などの不活性ガスとが、混合されて得られる。処理ガスを適切に選択することにより、表面に対するエッチング、アッシング、改質、被膜形成などといった種々の表面処理が行われる。特に、処理ガスとして酸素を用いることにより、表面の親液化、および有機ＥＬ装置における電極の仕事関数の調整が行われる。
【００２０】
本実施形態の表面処理方法によれば、基板３の表面が親液化される。このため、処理ガスは酸素（Ｏ2）を含んでいる。
【００２１】
（Ｂ．パレット）
図２および図３は、ステージ１０に載置されるパレット１１を示している。ここで、図３は、図２におけるＡ−Ａ断面に対応している。本実施形態のパレット１１は、導電体であり、アルミニウムから形成されている。また、パレット１１は、複数の基板３を載せる構造を有している。具体的には、パレット１１は、複数のリブ１１ａと、複数のリブ１１ａによって囲まれた複数の凹部１１ｂと、を有している。複数の凹部１１ｂの底面１１ｃは平らであり、それら底面１１ｃのそれぞれに、複数の基板３のそれぞれが載置されることになる。また、基板３がパレット１１に載置される場合に、処理を受けるべき表面が上を向くように、基板３が凹部１１ｂ内で配向される。
【００２２】
さて、図３に示すように、基板３は厚さＴＬを有している。そこで、基板３が凹部１１ｂに載置される場合に、リブ１１ａの上面と基板３の表面とが、ほぼ同じレベルまたは高さに位置するように、凹部１１ｂの深さと、基板３の厚さＴＬとが、互いに等しく設定されている。一方、凹部１１ｂの側面と基板３との間には、間隙Ｇが存在している。間隙Ｇが存在していることで、作業者は、基板３を凹部１１ｂにセットし易いし、同様に、凹部１１ｂから基板３を取出し易い。
【００２３】
ところで、ステージ１０上にパレット１１がない場合であっても、ステージ１０上に基板３を直接おくことで、プラズマ処理装置１は基板３の表面を処理できる。ただし、パレット１１を用いれば、一度に複数の基板３をプラズマ処理装置１にセットできるとともに、一度に複数の基板３をプラズマ処理装置１から取出せる。このため、複数のパレット１１のそれぞれに複数の基板３を載置しておけば、プラズマ処理装置１に対してパレット１１を入れ替えるだけで、大量の基板３の表面を処理できる。つまり、時間効率がよい。また、パレット１１があれば、互いに隣合う２つの基板３の間の位置であって、基板３の表面と同じ高さの位置に、導電体であるリブ１１ａの上面が位置するので、複数の基板３に亘って、気体放電が発生し易くなる。
【００２４】
なお、基板３の表面を処理する場合にパレット１１が用いられる場合には、パレット１１とステージ１０との組合せが、本発明の「支持体」の一例である。ただし、パレット１１がない場合、つまり、ステージ１０上に基板３を載置する場合には、ステージ１０が単独で本発明の「支持体」に対応する。
【００２５】
さて、基板３は、図１から図３では単純化されて描かれているが、実際には、複数のスイッチング素子と、これら複数のスイッチング素子に電気的に連結された複数の画素電極と、を少なくとも備えたアクティブマトリクス基板である。具体的には、本実施形態の基板３は、０．７インチサイズのチップの形態をしている。このチップは、本実施形態の表面処理が施された後に、配向膜、対向基板、および液晶層が設けられて、液晶表示装置または液晶ライトバルブになる。
【００２６】
ただし、他の実施形態では、基板３は、１つの対向電極が設けられた対向基板であってもよい。さらに他の実施形態では、基板３は、図１から図３に描かれるような、単純な基板であってもよい。いずれにせよ、上述の「基板３の表面」は、複数の画素電極の表面であり得るし、１つの対向電極の表面でもあり得るし、また、複数の画素電極の下地または１つの対向電極の下地として位置する絶縁膜の表面でもあり得る。
【００２７】
（Ｃ．配向膜材料）
上述のように、本実施形態の表面処理方法は、インクジェットプロセスの一部として実現されている。具体的には、基板３の表面に、後述する表面処理を施した後で、インクジェット装置などの液滴吐出装置によって、配向膜材料を含有した機能液が付与される。なお、他の実施形態では、本発明の表面処理方法が、インクジェットプロセスの代わりに他の公知の印刷プロセスの一部として実現されてもよい。
【００２８】
ここで、本実施形態の機能液は、配向膜材料としてのポリイミドと、ポリイミドを溶解する溶剤としてのγブチロラクトンとを含有している。γブチロラクトンに対するポリイミドの重量組成比は、約２％である。
【００２９】
（Ｄ．表面処理方法）
図４（ａ）から（ｄ）を参照しながら、本実施形態の表面処理方法を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、パレット１１に載置された基板３（図１）の表面が、後述する影領域１Ｓの外に位置するように、ステージ１０をセットする。そして、２つの放電発生部４ａ，４ｂと、ステージ１０と、の間の空間に混合ガスを供給する。さらに、２つの放電発生部４ａ，４ｂと、ステージ１０と、の間に電圧差を与える。そうすると、上述の放電領域において気体放電が生じて、混合ガスにおける処理ガスからプラズマが得られる。ここで、本実施形態では、５５０ｗのプラズマパワーで気体放電を生じさせる。
【００３０】
そして、図４（ｂ）に示すように、２つの放電発生部４ａ，４ｂに対して、基板３をＹ軸方向に沿って後方へ相対移動させる。本実施形態では、この相対移動は、基板３の表面が、影領域１Ｓ内に侵入してから影領域１Ｓ外に完全に出るまで続けられる。そうすれば、基板３の表面の全体がプラズマに曝される。
【００３１】
そして、図４（ｃ）に示すように、基板３の表面を大気に曝す。基板３の表面を大気に曝すことは、混合ガスの濃度が無視できる程度に低い雰囲気に、表面を曝すことでもよい。本実施形態では、基板３を影領域１Ｓから完全に出すことで、基板３を大気に曝すことを実現している。ここで、「影領域１Ｓ」とは、プラズマ処理装置１をステージ１０側へＺ軸方向に沿って投影して得られる範囲を意味している。
【００３２】
その後、図４（ｄ）に示すように、２つの放電発生部４ａ，４ｂに対して、基板３をＹ軸方向に沿って前方へ相対移動させる。この相対移動は、基板３の表面が、再び影領域１Ｓに侵入してから影領域１Ｓ外に完全に出るまで続けられる。そうすれば、基板３の表面の全体が、再びプラズマに曝される。
【００３３】
以上説明したように、本実施形態では、基板３の表面をプラズマに曝しながら、まず基板３を後方に相対移動させる。このことで、基板３の表面に存在する有機物がプラズマによって分解される。プラズマによって分解された有機物は、水（Ｈ2Ｏ）または二酸化炭素（ＣＯ2）となって基板３の表面から取り除かれるので、基板３の表面は洗浄される。次に、そのような洗浄された基板３の表面を大気に曝す。このことで、基板３の表面は、大気中の水分子から乖離した活性酸素に覆われる。そして、基板３の表面を再度、プラズマに曝しながら、基板３を前方に相対移動させる。表面を大気に曝した後で再びプラズマに曝すので、基板３の表面は、効率よく親液化される。しかも、２回の相対移動方向が、互いに反対なので、処理ムラが低減する。
【００３４】
ここで、本明細書では、基板３の表面をプラズマに曝しながら、放電発生部４ａ（４ｂ）と基板３との一方を他方に対して前方および後方の双方に相対移動させることを、「往復処理」とも表記する。また、放電発生部４ａ（４ｂ）と基板３との一方を他方に対して前方および後方の一方向にのみ相対移動させることを「片道処理」とも表記する。
【００３５】
（Ｅ．接触角のばらつき）
上述した表面処理方法にしたがって基板３の表面を処理した後で、基板３の表面上での接触角の分布を測定した。測定の方法と結果は、次の通りである。
【００３６】
基板３の表面上での接触角の分布を調べるために、図５（ａ）に示すように、基板３上に３つの測定位置Ａ１，Ａ２，Ａ３を設定した。これら３つの測定位置Ａ１，Ａ２，Ａ３は、Ｙ軸方向に並んでいる。これらのうち、測定位置Ａ１，Ａ３は、ともに基板３の端に位置している。一方、測定位置Ａ２は、測定位置Ａ１，Ａ３の間に位置しており、本実施形態では、基板３のほぼ中央部分に位置している。
【００３７】
そして、往復処理および片道処理をそれぞれの基板３に対して施す。往復処理または片道処理を開始すると、放電発生部４ａ（４ｂ）は、まず、測定位置Ａ３，Ａ２，Ａ１の順番でこれらの位置に対面する。往復処理の場合には、さらにその後、放電発生部４ａ（４ｂ）は、測定位置Ａ１，Ａ２，Ａ３の順番で、再度、これらの位置に対面する。
【００３８】
往復処理および片道処理のそれぞれが終了した後で、それぞれの基板３について、測定位置Ａ１，Ａ２，Ａ３での接触角が測定された。接触角は、基板３の表面に付与された上述の機能液に対して測定された。図５（ｂ）は、基板３に片道処理を施した場合の接触角の分布を示すグラフであり、図５（ｃ）は、基板３に往復処理を施した場合の接触角の分布を示すグラフである。図５（ｂ）に示すように、片道処理の場合には、測定位置Ａ１，Ａ２，Ａ３でのそれぞれの接触角が、２度から４度の間で散らばっている。一方、図５（ｃ）に示すように、往復処理の場合には、測定位置Ａ１，Ａ２，Ａ３のそれぞれの接触角がいずれも２度未満の値に納まっており、しかも、それらの間でばらつきが少ない。
【００３９】
以上の測定結果が示すように、本実施形態の表面処理方法よれば、基板３に往復処理が施されるので、基板３の表面に亘って処理ムラが低減される。したがって、往復処理が施された基板３へ機能液を付与すれば、基板３の表面に亘って機能液は均一に濡れ広がる。そしてこのため、機能液が配向膜材料を含有している場合には、基板３の表面に亘って、厚さが均一な配向膜が得られる。
【００４０】
往復処理によって処理ムラが低減することの原因の一つは、次のように考えられる。（表１）は、プラズマパワーが３００ｗ、４００ｗ、および５００ｗのそれぞれの場合について、放電ギャップＤＧの変化に対する表面処理の結果の変化を示している。いずれの場合も、表面処理の結果は、それぞれの基板３上の同一の位置での観測から得られている。
【００４１】
【表１】
2006350176.tif 000003
（表１）中の「○」は、表面処理の結果が良好であることを示し、「△」は表面処理の結果が十分でないことを示し、「×」は表面処理が施されなかったことを示す。
【００４２】
（表１）が示すように、３００ｗの出力で気体放電を生じさせる場合には、放電ギャップＤＧが０．５ｍｍを超えると、十分な表面処理の結果が得られない。同様に、４００ｗの出力および５５０ｗの出力でそれぞれ気体放電を生じさせる場合には、放電ギャップＤＧが、それぞれ０．６ｍｍおよび０．７ｍｍを超えると、十分な表面処理の結果が得られない。これらの結果は、放電ギャップＤＧが０．１ｍｍ単位で変化しても、放電状態が有意に変化し得ることを意味している。
【００４３】
しかも、放電発生部４ａ（４ｂ）に対して表面が相対移動する場合には、ある位置での放電状態が、その位置に隣接する位置であって、その位置の直前に気体放電が始まる位置での放電状態に依存する。
【００４４】
このことを図６を参照して具体的に説明する。図６において、位置Ｐ１と放電発生部４ａ（４ｂ）との間の距離と、位置Ｐ３と放電発生部４ａ（４ｂ）との間の距離と、は互いに同じである。ここで、放電発生部４ａ（４ｂ）が、図６の左から右へ相対移動する場合に、位置Ｐ１に隣接する位置であって、位置Ｐ１の直前に気体放電が始まる位置は、位置Ｐ０である。同様に、位置Ｐ３に隣接する位置であって、位置Ｐ３の直前に気体放電が始まる位置は、位置Ｐ２である。
【００４５】
ここで、図６に示すように、位置Ｐ０は、間隙Ｇにおいて露出した底部１１ｃ上の位置である。一方、位置Ｐ２は、基板３の表面上の位置である。つまり、位置Ｐ０と放電発生部４ａ（４ｂ）との間の距離と、位置Ｐ２と放電発生部４ａ（４ｂ）との間の距離と、は互いに異なる。具体的には、これら２つの距離には、基板３の厚さＴＬに対応する差がある。このため、位置Ｐ０の放電状態と、位置Ｐ２での放電状態とは、互いに異なる。そしてこれら位置Ｐ０，Ｐ２の放電状態が互いに異なるので、位置Ｐ１の放電状態と位置Ｐ３の放電状態とが、互いに異なる。そして、基板３上でのこのような放電状態の違いが、片道処理の場合に処理ムラを生じる原因の一つになっている。
【００４６】
ところが、図６において、放電発生部４ａ（ｂ）が右から左へ相対移動する場合には、左から右へ相対移動する場合と比べて、位置Ｐ１での放電状態と、位置Ｐ３での放電状態とが、入れ替る。この理由の一つは、相対移動方向に直交する軸（Ｘ軸）に関して、パレット１１と基板３とが形成する凹凸の形状がほぼ対称だからである。したがって、本実施形態のように往復処理を行えば、基板３上の各位置での放電状態の過不足が補完されるので、相対移動方向への処理ムラが低減する。
【００４７】
さらに、以下で説明するように、本実施形態の表面処理方法によれば、往復処理が行われるので、片道処理の場合と比較して相対移動速度が低くても、十分な表面処理の結果が得られる。
【００４８】
図７（ａ）は、片道処理の場合について、相対移動速度と接触角との間の関係を示すグラフである。さて、配向膜材料を含有する機能液が表面上で濡れ広がるためには、表面上での機能液の接触角が２度以下であることが好ましい。ここで、片道処理の場合には、図７（ａ）に示すように、相対移動速度と接触角とは、ほぼ比例関係にある。このため、相対移動速度が低下すると、接触角が低下する。接触角が低下するということは、機能液に対する濡れ性が向上することを意味しているので、つまり、基板３の相対移動速度が低下すれば、濡れ性がより向上する。
【００４９】
ただし、片道処理の場合、図７（ａ）に示すように、２度以下の接触角が実現するには、約３ｍｍ／ｓ以下の相対移動速度が必要である。ここで、相対移動速度が３ｍｍ／ｓ以下であると、プラズマ処理装置１が安定領域において稼動しない場合がある。例えば、ステージ１０の相対移動速度を一定に保つ制御が難しい場合がある。
【００５０】
一方、往復処理の場合に２度以下の接触角が実現するには、相対移動速度が１２ｍｍ／ｓ以下であればよい。しかも、接触角は、ある相対移動速度以下で、ある下限値に収束している。このように、所定の値以下の接触角を得るための相対移動速度が比較的に高くてすむので、プラズマ処理装置１は安定領域において稼動できる。例えば、ステージ１０の相対移動速度を一定に保つ制御が容易になる。
【００５１】
（変形例１）
本実施形態では、往復処理は、前方への相対移動と後方への相対移動とからなる１セットによって実現されている。ただし、往復処理が、前方への相対移動と後方への相対移動とからなる２セット以上によって実現されてもよい。基板３が前方へ相対移動する回数と、基板３が後方へ相対移動する回数とが同じであれば、本実施形態で説明した効果が得られるからである。さらに、相対移動の際の相対移動速度の絶対値は、前方への相対移動の場合と、後方への相対移動の場合とで、同じであることが好ましい。
【００５２】
ただし、パレット１１と基板３とが形成する凹凸の形状が、相対移動方向に直交する軸（Ｘ軸）に関して対称でない場合には、前方へ相対移動する回数と、後方へ相対移動する回数とを、適宜変更してよい。
【００５３】
（変形例２）
本実施形態では、「直接方式」のプラズマ処理装置が用いられる表面処理に本発明が適用されているが、「間接方式」のプラズマ処理装置が用いられる表面処理に本発明が適用されてもよい。ここで、「間接方式」のプラズマ処理装置とは、処理を受けるべき表面から離れて位置する一対の電極間での気体放電によるプラズマを、その表面へ供給する構造を備えた装置である。ただし、このような「間接方式」とは異なり、本実施形態の「直接方式」では、放電発生部４ａ（４ｂ）に対面する表面の段差（凹凸）が放電状態に影響を与え易い。したがって、「直接方式」のプラズマ処理装置が用いられる表面処理に本発明が適用されれば、適用されない場合と比べて、処理ムラが低減する効果がより有意に現れる。
【００５４】
（変形例３）
本実施形態では、液晶表示装置の配向膜を形成する工程の前処理として、上述の表面処理が行われる。配向膜は、べた膜（一つの膜）である。ただし、本発明の表面処理方法は、べた膜を形成する工程の前処理として以外にも、複数のセクションに分割された機能膜を形成する工程の前処理に用いられてもよい。例えば、カラーフィルタ基板にカラーフィルタエレメントを設ける場合の前処理として、本発明の表面処理方法が適用され得る。同様に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置における複数の発光層を設ける場合の前処理として本発明の表面処理方法が適用され得るし、プラズマ表示装置の蛍光層を設ける場合の前処理として本発明の表面処理方法が適用され得る。
【００５５】
そして、機能膜が、べた膜であっても、上述のような複数のセクションに分割された膜であっても、本発明の表面処理方法が適用されれば、機能膜の厚さ、および／または機能膜内の分子の配向の仕方を、基板３の表面に亘ってより均一にさせることができる。具体的には、設けられる機能膜が、カラーフィルタエレメント（着色層）であれば、本発明によって色むらの少ないカラーフィルタ基板が得られる。また、設けられる機能膜が、発光層または蛍光層であれば、輝度ムラの少ない有機エレクトロルミネッセンス表示装置またはプラズマ表示装置が得られる。
【００５６】
ここで、本明細書では、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ表示装置、ＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｓｐｌａｙ）、およびＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ）のそれぞれを「電気光学装置」と表記する。あるいは、「電気光学装置」とは、複屈折性の変化、旋光性の変化、光散乱性の変化、などの光学的特性の変化（いわゆる電気光学効果）を利用する装置に限定されず、信号電圧の印加に応じて光を射出、発光、透過、または反射する表示装置全般を意味する。
【００５７】
以上のように、本発明の表面処理方法は、カラーフィルタ基板の製造方法として実現されてよいし、電気光学装置の製造方法として実現されてもよい。
【００５８】
（変形例４）
本実施形態では、本発明の表面処理方法が、機能液に対して表面を親液化する処理として実現されている。しかしながら、このような態様に代えて、本発明の表面処理方法は、機能液に対して表面を撥液化する処理として実現されてもよい。また、本発明の表面処理方法は、表面をプラズマによって洗浄する処理として実現されてもよい。さらに、本発明の表面処理方法が、有機エレクトロルミネッセンス表示装置における画素電極をプラズマに曝して、画素電極の仕事関数を調整する処理として実現されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本実施形態のプラズマ処理装置を示す模式図。
【図２】パレットの平面を示す模式図。
【図３】図２におけるＡ−Ａ断面を示す模式図。
【図４】（ａ）から（ｄ）は、本実施形態の表面処理方法を示す図である。
【図５】（ａ）は、基板の表面上の３つの測定位置を示す図であり、（ｂ）は片道処理の場合の３つの測定位置のそれぞれでの接触角を示すグラフであり、（ｃ）は往復処理の場合の３つの測定位置のそれぞれでの接触角を示すグラフである。
【図６】パレットと基板との関係を説明する図。
【図７】処理速度と接触角との関係を示すグラフであり、（ａ）は片道処理の場合に対応するグラフであり、（ｂ）往復処理の場合に対応するグラフである。
【符号の説明】
【００６０】
１…プラズマ処理装置、２…電極、２ａ，２ｂ…突出部、３…基板、４ａ，４ｂ…放電発生部、５…誘電体部材、１０…ステージ、１１…パレット、１１ａ…リブ、１１ｂ…凹部、１１ｃ…底面。
【図１】
2006350176.tif 000004
【図２】
2006350176.tif 000005
【図３】
2006350176.tif 000006
【図４】
2006350176.tif 000007
【図５】
2006350176.tif 000008
【図６】
2006350176.tif 000009
【図７】
2006350176.tif 000010