(57)【要約】【課題】  EUVLマスクのブランクスのMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正する。【解決手段】  ガラス基板2裏面よりガラスに吸収されない波長のレーザー4をレーザーアブレーションや融解の起きない程度の低パワー密度で対物レンズ5を用いてガラス基板上の異物3で集束するように入射することで異物近傍を加熱してMo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差を緩和して多層膜中の位相欠陥を修正する。【選択図】    図１
2006060059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜が形成されたEUVLマスクのブランクスの、前記多層膜中に含まれる異物による位相欠陥の修正方法において、前記ガラス基板裏面よりガラス基板に吸収されない波長のレーザー光を前記異物に集束するように入射し異物及びその近傍を加熱してMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜に生じた段差を緩和することで位相欠陥を修正することを特徴とするEUVLマスクのブランクスの位相欠陥修正方法。
【請求項２】
ガラス基板上にMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜が形成されたEUVLマスクのブランクスの、前記多層膜中に含まれる異物による位相欠陥の修正方法において、前記ガラス基板裏面よりMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜に生じた段差が緩和されるような加熱プロファイルを前記ガラス基板に吸収されない波長のレーザー光を異物及びその近傍で焦点位置を変化させたり、照射位置を変えたり、あるいはレーザーショット数分布をを変えることで与えたりすることにより位相欠陥を修正することを特徴とするEUVLマスクのブランクスの位相欠陥修正方法。
【請求項３】
ガラス基板裏面と多層膜側の両方からMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜に生じた段差が緩和されるような加熱プロファイルをガラス基板に吸収されない波長のレーザー光を異物近傍で焦点位置を変化させたり、照射位置を変えたり、レーザーショット数分布をを変えたりすることで与え位相欠陥を修正することを特徴とするEUVLマスクのブランクスの位相欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザーを用いたEUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜の位相欠陥修正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在波長248nmのKrFや波長193nmのArFエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置がウェーハへのパターン転写に用いられている。最近投影露光装置の対物レンズとウェーハの間を高屈折率の媒体で満たして分解能を向上させる液浸技術と変形照明やレベンソン型位相シフトマスクといった超解像技術を併用することで、ハーフピッチ65nmルールまたは45nmルールまではArFエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置を延命できる可能性が報告されているが、32nmルール以降では解像限界に達するため、露光波長をいっきに短くした軟X線縮小露光(Extreme Ultra Violet Lithography、EUVL)のような新しい転写方法が提案されている。EUVLは波長約13.5nmの軟X線を反射光学系で1/4に縮小して露光する技術で、紫外線露光の短波長化の極限と見なされ、45nmルールまたは32nmルール以降の二世代以上に渡って利用できるリソグラフィ技術として最近特に注目を集めている。
【０００３】
EUVLマスクは低膨張ガラス(石英)基板上に入射したEUV光を反射するためにMoとSiを交互に積層した約7nm周期の40〜60層のバイレイヤーからなるMo/Si多層膜と、EUV光を吸収してパターン形状を転写する役目を担うTaNやTaBNやTaGeNのような重金属を含む二元系または三元系の膜でできた70nmくらいの吸収体と、吸収体とMo/Si多層膜の間に吸収体パターンのドライエッチング時にMo/Si多層膜を保護するための30nmくらいのSiO2やCrやCrNでできたバッファーレイヤーで構成されている(非特許文献1)。最近ではMo/Si多層膜は熱に弱くかなり温度の低い製造プロセスが必要であり、経時変化もあるため、耐熱性に優れ経時変化のないMo2C/Si多層膜も提案されている(非特許文献2)。
【０００４】
EUVLマスクでは吸収体パターンのパターン異常欠陥以外にMo/Si多層膜(またはMo2C/Si多層膜)の欠陥が報告されている。Mo/Si多層膜(またはMo2C/Si多層膜)の欠陥には、多層膜表面に近いところに異物等が混入してできる振幅欠陥と、ガラス基板上もしくは多層膜の堆積の初期に異物等が混入してできる位相欠陥があることが知られている(非特許文献3)。これらの振幅欠陥や位相欠陥は吸収体やバッファーレイヤーを成膜する前に除去される必要がある。光のスルーフォーカス特性の違いを利用して振幅欠陥や位相欠陥を区別して検出する方法も提案されている(非特許文献3)。
【０００５】
EUVLマスクの吸収体パターンの欠陥についてはフォトマスク同様集束イオンビームで修正する方法が報告されている。Mo/Si多層膜(またはMo2C/Si多層膜)の振幅欠陥の修正方法として低加速Arビームによる多層膜中の異物のエッチングとArビームSiスパッタ膜によるMo膜酸化防止用キャッピングレイヤー形成による修正方法が提案されている(非特許文献3)。Mo/Si多層膜(またはMo2C/Si多層膜)の位相欠陥の修正方法として電子ビームによる加熱でMo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜に生じた段差を緩和することで修正する方法が提案されている(非特許文献3)。
【０００６】
提案されている上記のMo/Si多層膜(またはMo2C/Si多層膜)の位相欠陥の修正方法では多層膜とガラスの界面近くの異物に対して多層膜側から電子ビーム照射すると途中で電子が散乱されるため異物近傍だけ加熱することが難しくMo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜に生じた段差を緩和するのに必要な熱プロファイルが得にくいという問題があった。また加熱に電子ビームを用いるため、修正するEUVLマスクを真空装置にいれる必要があり真空引きの待ち時間などのためにどうしても低スループットになってしまうという問題もあった。また加熱するために大電流の電子ビームを用いるため、チャージアップし電子ビームの照射位置が変化するという問題があった。
【非特許文献１】T. Shoki, T. Kinoshita, N. Sakaya, M. Hosoya, R. Ohkubo, Y. Usui, H. Kobayashi, and O. Nagarekawa, J. Vac. Sci. Technol. B21 3021-3026(2003)
【非特許文献２】S. Yulin, T. Kuhlmann, T. Feigal, and N. Kaiser, Proceedings of SPIE 4343 607-613(2001)
【非特許文献３】A. Barty, P. B. Mirkarimi, D. G. Stearns, D. Sweeney. H. N. Chapman, M. Clift, S. Hector, and M. Yi, Proceedings of SPIE 4688 385-394(2002)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はEUVLマスクのMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜中の位相欠陥を修正することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ガラス基板裏面よりガラスに吸収されないで異物や多層膜に吸収される波長のレーザーアブレーションや融解の起きない低パワー密度のレーザー光をガラス基板上の異物で集束するように入射して異物近傍を加熱してMo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜に生じた段差を緩和することで位相欠陥を修正する。
【０００９】
ガラス基板裏面よりMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜に生じた段差が緩和されるような加熱プロファイルが実現できるようにガラスに吸収されないで異物や多層膜に吸収される波長のレーザーをレーザーアブレーションや融解の起きない低パワー密度で異物近傍で焦点位置を変化させたり、光路中に入れたガルバノミラーで照射位置を変えたり、レーザーショット数分布または照射時間を変えることで与え位相欠陥を修正する。
【００１０】
ガラス基板裏面と多層膜側の両方からMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜に生じた段差が緩和されるような加熱プロファイルが達成できるようにガラスに吸収されないで異物や多層膜に吸収される波長のレーザーをレーザーアブレーションや融解の起きない低パワー密度のレーザー光を異物近傍で焦点位置を変化させたり、光路中に入れたガルバノミラーで照射位置を変えたり、レーザーショット数分布または照射時間を変えることで与え位相欠陥を修正する。
【発明の効果】
【００１１】
ガラス基板裏面よりガラスに吸収されないで異物や多層膜に吸収される波長のレーザーを用いるので、ガラス基板と多層膜界面近傍にある位相欠陥の原因となる異物近傍のみ効率的に加熱できるので、Mo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜に生じた段差を緩和するのに必要な熱プロファイルを得やすい。
【００１２】
レーザービーム加熱は大気中で行えるため、電子ビーム加熱のような真空を必要とする装置に比べて真空の排気待ちや大気開放待ちがない分高いスループットで位相欠陥を修正できる。またレーザービームで加熱するため、電子ビームのようなチャージアップにより照射位置が変化することもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に本発明の実施例について説明する。
【００１４】
検査装置で位相欠陥が見つかったEUVLマスクをレーザー光源、ホモジナイザー、対物レンズ、シャッター、ガルバノミラーといったレーザー光学系と高精度XYステージを備えた装置に導入する。位相欠陥の加熱修正中に酸化が起こらないように窒素置換雰囲気下で行う。検査装置で位相欠陥が見つかった位置に高精度XYステージを移動する。
【００１５】
欠陥位置への移動後、図1に示すようにEUVLマスクのガラス基板2裏面よりガラスに吸収されないで異物や多層膜に吸収される波長のレーザー、例えばYAGレーザー(波長1064nm)またはその2倍高調波(波長533nm)4を、レーザーアブレーションや融解の起きない103〜105W/cm2のパワー密度、例えば104W/cm2程度の低パワー密度で、対物レンズ5を用いてガラス基板上の異物3の所に集束するように入射して異物近傍を加熱してMo/Si界面にシリサイドを形成し、異物3によりMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差が小さくなるよう緩和することで多層膜中の位相欠陥を修正する。
【００１６】
あるいは図2に示すように、EUVLマスクのガラス基板2裏面より異物3が存在するためにMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差が、緩和されるような加熱プロファイルが実現できるように、ガラスに吸収されないで異物や多層膜に吸収される波長のYAGレーザーまたはその2倍高調波4を、レーザーアブレーションや融解の起きない104W/cm2程度の低パワー密度で対物レンズ5を用いて、異物3近傍で焦点位置を変化させたり、光路中に入れたガルバノミラーでレーザー照射位置を変えたり、レーザーショット数分布または照射時間を変えることで与え、Mo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差を緩和して多層膜中の位相欠陥を修正する。
【００１７】
または図3に示すように、EUVLマスクのガラス基板2裏面と多層膜表面側の両方から、異物3によりMoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差が、緩和されるような加熱プロファイルが実現できるように、裏面からガラスに吸収されないで異物や多層膜に吸収される波長のYAGレーザーまたはその2倍高調波4と、多層膜表面側からレーザー5を、レーザーアブレーションや融解の起きない104W/cm2程度の低パワー密度で異物3近傍で焦点位置を変化させたり、光路中に入れたガルバノミラーでレーザー照射位置を変えたり、レーザーショット数分布または照射時間を変えることでMo/Si界面にシリサイドを形成しMo/Si多層膜またはMo2C/Si多層膜1に生じた段差を緩和して多層膜中の位相欠陥を修正する。
【００１８】
EUVLマスクに複数の位相欠陥が存在する場合には、欠陥が見つかった欠陥位置への高精度XYステージでの移動と上記のレーザー加熱を用いた段差緩和による修正工程を位相欠陥がなくなるまで繰り返して行う。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の特徴を最も良く表すガラス基板裏面からガラスに吸収されないレーザーを入射加熱して多層膜に生じた段差が緩和されるようにする場合の概略断面図である。
【図２】ガラス基板裏面から入射するレーザーの焦点位置を変化させたり、ガルバノミラーで照射位置を変えたり、ショット数分布または照射時間を変えることで多層膜に生じた段差が緩和されるような加熱プロファイルを与える場合の場合の概略断面図である。
【図３】ガラス基板裏面から入射するレーザービームと多層膜側から入射するレーザーの焦点位置を変化させたり、ガルバノミラーで照射位置を変えたり、ショット数分布または照射時間を変えることで多層膜に生じた段差が緩和されるような加熱プロファイルを与える場合の概略断面図である。
【符号の説明】
【００２０】
１  MoSi多層膜またはMo2C/Si多層膜
２  ガラス(石英)基板
３  位相欠陥の原因となる異物
４  ガラス基板裏面から入射するレーザー
５  対物レンズ
６  多層膜側から入射するレーザー
【図１】
2006060059.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006060059.tif 000005