(57)【要約】【課題】  均一な膜厚のバンプをワークピースに形成するバンプ形成方法を提供する。【解決手段】  本発明によるバンプ形成方法は、ワークピースにバンプを形成する方法であって、第一開口部を有する犠牲膜を前記ワークピース上に形成する段階と、前記犠牲膜及び前記第一開口部から露出している前記ワークピース上にレジスト膜を形成する段階と、前記犠牲膜及び前記第一開口部から露出している前記ワークピース上に分布し一部が前記バンプに対応する複数の第二開口部を前記レジスト膜に形成する段階と、前記第二開口部内にメッキにより導体膜を形成する段階と、前記犠牲膜上に形成された前記導体膜を前記犠牲膜とともに除去する段階と、を含む。【選択図】    図１
2006073645.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースにバンプを形成する方法であって、
第一開口部を有する犠牲膜を前記ワークピース上に形成する段階と、
前記犠牲膜及び前記第一開口部から露出している前記ワークピース上にレジスト膜を形成する段階と、
前記犠牲膜及び前記第一開口部から露出している前記ワークピース上に分布し一部が前記バンプに対応する複数の第二開口部を前記レジスト膜に形成する段階と、
前記第二開口部内にメッキにより導体膜を形成する段階と、
前記レジスト膜を除去する段階と、
前記犠牲膜上に形成された前記導体膜を前記犠牲膜とともに除去する段階と、
を含むことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
複数の前記第二開口部はほぼ均一な密度で前記レジスト膜に分布することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
複数の前記第二開口部は実質的に同一形状であることを特徴とする請求項１又は２に記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記ワークピースは、プローブユニットを構成するものであって、
前記導体膜は、検体の電極に接触する前記プローブユニットのバンプを構成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のバンプ形成方法。
【請求項５】
基板と、
前記基板上に形成された導線と、
検体の電極に接触するバンプであって、前記基板上に形成された犠牲膜上に形成される複数の犠牲バンプと同時にメッキにより前記導線上に直に形成され、前記犠牲バンプが前記犠牲膜とともに除去された後に残存したバンプと、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に形成された犠牲膜上に形成された複数の犠牲バンプと同時にメッキにより前記基板上に直に形成され、前記犠牲バンプが前記犠牲膜とともに除去された後に残存したバンプと、
前記基板上に形成され前記バンプ上を横断し前記バンプ上の部位が検体の電極に接触する導線と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ形成方法及びプローブユニットに関し、特にワークピースにバンプを形成する薄膜形成技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、能動素子、受動素子、集積回路等の電子部品のワークピースに接合用のバンプを電気メッキにより形成する方法が知られている。電気メッキでは、電流密度の偏りが生ずると、電着膜からなるパターンの膜厚にばらつきが生ずる。電流密度の偏りはワークピース上に形成しようとするパターンの分布密度の偏りによって生ずる。
【０００３】
非特許文献１及び非特許文献２には、遮蔽板、陰極形状、補助陽極等を工夫して電流密度の偏りを低減する方法が開示されている。しかし、パターン毎に遮蔽板、陰極形状、補助陽極等を最適化する必要があるため、多品種少量生産される電子部品にこの方法を適用することは困難である。
【０００４】
また、完成品として残存しない部位や不要なバンプが形成されていても問題のない部位をレジストから露出させ、その部位にもパターンを形成することによって、本来必要なパターンの膜厚のばらつきを低減する方法も知られている。しかしこの方法でも、完成品として残存する部位の上ではパターンの分布密度を一定にできないため、膜厚のばらつきを小さくできない場合も多い。
【０００５】
また、メッキジグを回転させることによって膜厚のばらつきを小さくする方法も知られている。しかしこの方法は、製品をウェハ上で放射状に配置しなければ十分な効果が得られないため、配置効率が悪く、また、ウェハから製品を取り出す際のダイシングパターンが複雑になり、また、角形のウェハには不向きである。
【０００６】
また、バンプを形成した後の研磨等の後処理によってバンプの膜厚を均一化することもできる。しかし、研磨等の後処理によってバンプが破損したり、製造コストが増大するという問題がある。
以上述べた問題は、例えば、検体の電極に接触するプローブユニットのバンプを形成するときに顕在化する。プローブユニットのバンプの膜厚にばらつきがあると、検体の電極とバンプとの接触不良が起こるため、プローブユニットのバンプの膜厚は高い精度で調整される必要がある。
【０００７】
【非特許文献１】伊勢秀夫著  ”ＮＰシリーズ  電鋳技術と応用”  １９９６年５月２５日発行  第２７０−２７４頁
【非特許文献２】山原利行著  ”光ディスク原盤の高速電鋳”  表面技術  第５２巻  第１１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題を解決するために創作されたものであって、均一な膜厚のバンプをワークピースに形成するバンプ形成方法を提供することを第一の目的とする。
本発明は、バンプと検体の電極との接触不良を低減するプローブユニットを提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）  上記第一の目的を達成するための本発明によるバンプ形成方法は、ワークピースにバンプを形成する方法であって、第一開口部を有する犠牲膜を前記ワークピース上に形成する段階と、前記犠牲膜及び前記第一開口部から露出している前記ワークピース上にレジスト膜を形成する段階と、前記犠牲膜及び前記第一開口部から露出している前記ワークピース上に分布し一部が前記バンプに対応する複数の第二開口部を前記レジスト膜に形成する段階と、前記第二開口部内にメッキにより導体膜を形成する段階と、前記犠牲膜上に形成された前記導体膜を前記犠牲膜とともに除去する段階と、を含む。
【００１０】
バンプを構成する導体膜をメッキによって形成する前の段階において、バンプに対応する第二開口部とともにバンプに対応しない第二開口部をレジスト膜に形成しておくことにより、導体膜のパターンの分布密度の偏りを低減することができる。したがって本発明によると、バンプを構成する導体膜の膜厚のばらつきを低減することができる。さらに本発明によると、レジスト膜を形成する前の段階において、バンプを形成する必要のない部位を犠牲膜で覆っておくため、導体膜をレジスト膜の開口部に形成した後に導体膜の不要な部位を除去することができる。すなわち、分布密度の偏りが小さくなる任意の形状の導体膜のパターンを形成することができる。また本発明によると、導体膜を形成した後にレジスト膜を除去すると犠牲膜が露出するため、犠牲膜をウェットエッチング等により短時間で除去することができる。
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」と、「・・・上に中間物を介して形成する」の両方を含む意味とする。
【００１１】
（２）  複数の前記第二開口部はほぼ均一な密度で前記レジスト膜に分布してもよい。
第二開口部の分布密度を均一にすることにより、導体膜の膜厚のばらつきを低減することができる。
【００１２】
（３）  複数の前記第二開口部は実質的に同一形状であってもよい。
複数の第二開口部の形状を同一にすることにより、導体膜の膜厚のばらつきを低減することができる。
【００１３】
（４）  前記ワークピースは、プローブユニットの基板を構成するものであってもよい。前記導体膜は、検体の電極に接触する前記プローブユニットのバンプを構成してもよい。
均一な膜厚の導体膜からプローブユニットのバンプを構成することにより、バンプと検体の電極との接触不良を低減することができる。
【００１４】
（５）  上記第二の目的を達成するための本発明によるプローブユニットは、基板と、前記基板上に形成された導線と、検体の電極に接触するバンプであって、前記基板上に形成された犠牲膜上に形成される複数の犠牲バンプと同時にメッキにより前記導線上に直に形成され、前記犠牲バンプが前記犠牲膜とともに除去された後に残存したバンプと、を備える。
バンプが犠牲バンプと同時にメッキにより形成されるものである場合、バンプの膜厚のばらつきが小さい。したがって本発明によると、バンプと検体の電極との接触不良を低減することができる。
【００１５】
（６）  上記第二の目的を達成するための本発明によるプローブユニットは、基板と、前記基板上に形成された犠牲膜上に形成された複数の犠牲バンプと同時にメッキにより前記基板上に直に形成され、前記犠牲バンプが前記犠牲膜とともに除された後に残存したバンプと、前記基板上に形成され前記バンプ上を横断し前記バンプ上の部位が検体の電極に接触する導線と、を備える。
バンプが犠牲バンプと同時にメッキにより形成されるものである場合、バンプの膜厚のばらつきが小さい。したがって本発明によると、バンプ上の導線と検体の電極との接触不良を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を複数の実施例に基づいて説明する。
（第一実施例）
図２及び図３は、本発明によるバンプ形成方法の第一実施例としてのプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【００１７】
はじめに基板１００の上にプローブユニットの導線１０９のパターンを形成する。
具体的にはまず図２（Ａ）に示すように、ジルコニアからなる基板１００上に第一シード層１０２を形成する。基板１００には、セラミックス、ガラスセラミックス、ガラス、シリコン、金属、樹脂等の板状部材を用いることができる。また例えば洗浄後、５００ÅのＴｉ膜及び３０００ÅのＮｉＦｅ膜をスパッタにより定着させることにより第一シード層１０２を形成することができる。
【００１８】
次に図２（Ｂ）に示すように、第一シード層１０２の上に導線１０９に対応する開口部１０６を有する第一レジスト膜１０４を形成する。具体的には例えば、第一シード層１０２に膜厚３０μｍのネガ型のフォトレジストを塗布して第一レジスト膜１０４を形成し、所定形状のマスクを用いた露光処理と、現像処理と、ベーク処理とを行って開口部１０６を形成することができる。
【００１９】
次に図２（Ｃ）に示すように、第一レジスト膜１０４の開口部１０６から露出した第一シード層１０２の上に第一導体膜１０８を形成する。具体的には例えば、２０μｍのパーマロイ膜を電気メッキにより形成する。メッキ材料には、Ｎｉ、ＮｉＣｏ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈ、これらの組み合わせ等を用いることができる。
【００２０】
次に図２（Ｄ）に示すように、第一レジスト膜１０４を除去する。具体的には例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて第一レジスト膜１０４を除去することができる。
次に図２（Ｅ）に示すように、第一シード層１０２の第一導体膜１０８に被覆されていない部位を除去する。具体的には例えば、大型のミリング装置を用いてイオンミリングにより第一シード層１０２を除去することができる。この結果、プローブユニットの導線１０９のパターンが基板１００の上に形成される。
【００２１】
次に、バンプ１２４を形成しようとする部位を残して基板１００及び第一導体膜１０８を犠牲膜１１０で被覆する。
具体的にはまず図３（Ａ）に示すように、基板１００及び導線１０９の表面全体に犠牲膜１１０を形成する。具体的には例えば、洗浄後、５００ÅのＣｒ膜及び３０００ÅのＣｕ膜とからなる犠牲膜１１０を形成する。その他、導線１０９との選択的なエッチングが可能な他の金属や、フォトレジストなどを用いて犠牲膜１１０を形成することができる。
【００２２】
次に図３（Ｂ）に示すように、犠牲膜１１０の上に所定形状の開口部１１３を有するレジスト膜１１１を形成する。具体的には例えば、ポジ型のフォトレジストを犠牲膜１１０の表面全体に１０μｍ塗布してレジスト膜１１１を形成し、所定形状のマスクを用いた露光処理と、現像処理と、ベーク処理とを行って開口部１１３を形成する。この結果、レジスト膜１１１の開口部１１３から犠牲膜１１０が露出する。
【００２３】
次に図３（Ｃ）に示すように、開口部１１３から露出している犠牲膜１１０の部位を除去して開口部１１５を形成し、バンプ１２４が形成される第一導体膜１０８の部位を露出させ、その後、レジスト膜１１１を除去する。具体的には例えば、ウェットエッチングにより犠牲膜１１０を除去して開口部１１５を形成することができる。またレジスト膜１１１は、例えばＮ−メチル−２−ピロリドンを用いて除去することができる。この結果、バンプ１２４を形成しようとする部位を残して基板１００及び第一導体膜１０８が犠牲膜１１０で被覆される。
【００２４】
次に図３（Ｄ）に示すように、犠牲膜１１０の開口部１１５から露出している第一導体膜１０８と犠牲膜１１０の表面全体に第二シード層１１２を形成する。具体的には例えば、第一シード層と同様に、洗浄された面に５００ÅのＴｉ膜及び３０００ÅのＮｉＦｅ膜をスパッタすることにより第二シード層１１２を形成することができる。
【００２５】
次に図３（Ｅ）に示すように、第二シード層１１２の表面全体にほぼ均一な密度で分布する開口部１１６を有する第三レジスト膜１１４を形成する。開口部１１６は、請求項に記載の第二開口部に相当する。具体的には例えば、ネガ型のフォトレジストを３７ミクロンの膜厚で塗布して第三レジスト膜１１４を形成し、所定形状のマスクを用いた露光処理と、現像処理と、ベーク処理とを行って開口部１１６を形成する。開口部１１６の一部は、導線１０９の上に形成されるバンプ１２４に対応するものである。バンプ１２４に対応する開口部１１６は、第一導体膜１０８の上に直に形成された第二シード層１１２の上に形成される。開口部１１６の残部は、バンプ１２４の膜厚を均一にするために犠牲膜１１０の上に形成される犠牲バンプ１２２に対応するものである。犠牲バンプ１２２に対応する開口部１１６は、犠牲膜１１０の上に形成された第二シード層１１２の上に形成される。バンプ１２４の膜厚を一定にするためには、バンプ１２４に対応する開口部１１６と、犠牲バンプ１２２に対応する開口部１１６とは、実質的に同一の形状であることが好ましい。
【００２６】
次に図３（Ｆ）に示すように、第三レジスト膜１１４の開口部１１６から露出している第二シード層１１２の上に第二導体膜１１８を電気メッキにより形成する。具体的には例えば、第一導体膜１０８と同様に２０μｍのパーマロイ膜を電気メッキにより形成する。メッキ材料には、Ｎｉ、ＮｉＣｏ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈ、これらの組み合わせ等を用いることができる。また、第一導体膜１０８と第二導体膜１１８とは同一材料で形成してもよい。このとき、開口部１１６が第三レジスト膜１１４の全面にほぼ均一な密度で分布しているため、電気メッキによって開口部１１６内に成長する第二導体膜１１８の膜厚はほぼ均一になる。
【００２７】
次に図３（Ｇ）に示すように、第三レジスト膜１１４を除去する。具体的には例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いて第三レジスト膜１１４を除去することができる。
【００２８】
次に図３（Ｈ）に示すように、第二シード層１１２の第二導体膜１１８に被覆されていない部位を除去する。具体的には例えば、大型のミリング装置を用いてイオンミリングにより第二シード層１１２を除去することができる。この結果、第二シード層１１２及び第二導体膜１１８からなるバンプ１２４が第一導体膜１０８の上に直に形成され、第二シード層１１２及び第二導体膜１１８からなる犠牲バンプ１２２が第一導体膜１０８の上に犠牲膜１１０を介して形成される。
【００２９】
次に図３（Ｉ）に示すように、犠牲バンプ１２２とともに犠牲膜１１０を除去する。具体的には例えば、メッキ剥離剤を用いて犠牲膜１１０を除去する。この結果、バンプ１２４のみが導線１０９の上に残存する。
この後、基板１００の不要部位がダイサー等で除去されると、基板１００と導線１０９と検体の電極に接触するバンプ１２４とを備えたプローブユニットが完成する。
【００３０】
（第二実施例）
図４は、本発明の第二実施例によるバンプ形成方法を示す断面図である。第二実施例は、能動素子、受動素子、集積回路等の電子部品のワークピースに接合用のバンプを形成する方法である。
【００３１】
はじめに図４（Ａ）に示すように、配線を構成する導体パターンが形成されたウェハ２００の表面全体に犠牲膜２０２を形成する。具体的には例えば、第一実施例と同様に、ウェハ２００を洗浄後、Ｃｒ及びＣｕからなる犠牲膜２０２をスパッタにより形成する。ウェハ２００の導体パターンとの選択的なエッチングが可能な金属や、フォトレジストなどを用いて犠牲膜２０２を形成することができる。
【００３２】
次に図４（Ｂ）に示すように、犠牲膜２０２に所定形状の開口部２０４を形成する。開口部２０４は、請求項に記載の第一開口部に相当する。具体的には例えば、第一実施例と同様に、ポジ型のフォトレジストを用いたウェットエッチングにより開口部２０４を形成する。この結果、犠牲膜２０２の開口部２０４からウェハ２００が露出する。
【００３３】
次に図４（Ｃ）に示すように、犠牲膜２０２の開口部２０４から露出しているウェハ２００と犠牲膜１１０の表面全体にシード層２０６を形成する。具体的には例えば、第一実施例と同様に、洗浄された面にＴｉ膜及びＮｉＦｅ膜をスパッタにより基板１００に定着させる。
【００３４】
次に図４（Ｄ）に示すように、シード層２０６の表面全体にほぼ均一な密度で分布する開口部２０８を有するレジスト膜２１０を形成する。開口部２０８は、請求項に記載の第二開口部に相当する。具体的には例えば、ネガ型のフォトレジストを塗布してレジスト膜２１０を形成し、所定形状のマスクを用いた露光処理と、現像処理と、ベーク処理とを行って開口部２０８を形成する。開口部２０８の一部は、図示しない導体パターンの上に形成されるバンプ２１４に対応するものである。バンプ２１４に対応する開口部２０８は、ウェハ２００の導体パターンの上に直に形成されたシード層２０６の上に形成される。開口部２０８の残部は、バンプ２１４の膜厚を均一にするために犠牲膜２０２の上に形成される犠牲バンプ２１６に対応するものである。犠牲バンプ２１６に対応する開口部２０８は、犠牲膜２０２の上に形成されたシード層２０６の上に形成される。バンプ２１４の膜厚を一定にするためには、バンプ２１４に対応する開口部２０８と、犠牲バンプ２１６に対応する開口部２０８とは、実質的に同一の形状であることが望ましい。
【００３５】
次に図４（Ｅ）に示すように、レジスト膜２１０の開口部２０８から露出しているシード層２０６の上に導体膜２１２を電気メッキにより形成する。メッキ材料には、Ｎｉ、ＮｉＣｏ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈ、これらの組み合わせ等を用いることができる。このとき、開口部２０８がレジスト膜２１０の全面にほぼ均一な密度で分布しているため、電気メッキによって開口部２０８内に成長する導体膜２１２の膜厚はほぼ均一になる。
【００３６】
次に図４（Ｆ）に示すように、レジスト膜２１０を除去する。具体的には例えば、第一実施例と同様に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いてレジスト膜２１０を除去することができる。
【００３７】
次に図４（Ｇ）に示すように、シード層２０６の導体膜２１２に被覆されていない部位を除去する。具体的には例えば、イオンミリングによりシード層２０６を除去することができる。この結果、シード層２０６及び導体膜２１２からなるバンプ２１４がウェハの図示しない導体パターンの上に直に形成され、シード層２０６及び導体膜２１２からなる犠牲バンプ２１６が犠牲膜２０２の上に形成される。
【００３８】
次に図４（Ｈ）に示すように、犠牲バンプ２１６とともに犠牲膜２０２を除去する。具体的には例えば、メッキ剥離剤を用いて犠牲膜２０２を除去する。この結果、バンプ２１４のみがウェハ２００上に残存する。
【００３９】
（第三実施例）
図５は、本発明の第三実施例によるバンプ形成方法を示す断面図である。第三実施例は、犠牲膜３０４の開口部３０６をリフトオフで形成する点において第二実施例と異なり、その他の点では第二実施例と実質的に同一である。
【００４０】
はじめ図５（Ａ）に示すように、犠牲膜３０４の開口部３０６に対応する形状のレジスト膜３０２をウェハ３００の上に形成する。具体的には例えば、ポジ型のフォトレジストを塗布し、露光処理と、現像処理と、ベーク処理とを行って、犠牲膜３０４の開口部３０６に対応する形状のレジスト膜３０２を形成する。
【００４１】
次に図５（Ｂ）に示すように、ウェハ３００及びレジスト膜３０２の全面に犠牲膜３０４を形成する。具体的には例えば、洗浄後、Ｃｒ及びＣｕからなる犠牲膜３０４をスパッタにより形成する。その他、ウェハ３００に形成されている図示しない導体パターンとの選択的なエッチングが可能な金属や、フォトレジストなどを用いて犠牲膜３０４を形成することができる。
【００４２】
次に図５（Ｃ）に示すように、レジスト膜３０２とともに犠牲膜３０４を除去する。具体的には例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いてレジスト膜３０２を除去することができる。この結果、所定形状の開口部３０６を有する犠牲膜３０４が形成される。開口部３０６は、請求項に記載の第一開口部に相当する。
【００４３】
（第四実施例）
図６は、本発明のバンプ形成方法の第四実施例としてのプローブユニットの製造方法を示す断面図である。本発明の第四実施例は、基板４００上に形成されたバンプ４０６の上を横断する導線４１４を備えるプローブユニットの製造方法である。
【００４４】
はじめに図６（Ａ）に示すように、上記第二実施例又は第三実施例に準じて基板４００上にシード層４０４及び導体膜４０２からなるバンプ４０６を形成する。基板４００には、セラミックスからなるウェハ、ガラスセラミックス、ガラス、シリコン、金属、樹脂等の板状部材を用いることができる。
【００４５】
次に図６（Ｂ）に示すように、基板４００及びバンプ４０６の表面全体にシード層４０８を形成する。シード層４０８は、例えば洗浄後、Ｔｉ膜及びＮｉＦｅ膜をスパッタにより定着させることができる。
【００４６】
次に図６（Ｃ）に示すように、導線４１４に対応する開口部４１１を有するレジスト膜４１０をシード層４０８の上に形成する。具体的には例えば、シード層４０８にネガ型のフォトレジストを塗布してレジスト膜４１０を形成し、所定形状のマスクを用いた露光処理と、現像処理と、ベーク処理とを行って開口部４１１を形成することができる。
【００４７】
次に図６（Ｄ）に示すように、レジスト膜４１０の開口部４１１から露出したシード層４０８の上にバンプ４０６の上を横断する導体膜４１２を形成する。メッキ材料には、Ｎｉ、ＮｉＣｏ合金、Ｃｕ、Ａｕ、Ｒｈ、これらの組み合わせ等を用いることができる。この結果、バンプ４０６は広い面積で基板４００に接合されたシード層４０８及び導体膜４１２に被覆される。したがって、バンプ４０６と導体膜４１２とが強固に接合される。
【００４８】
次に図６（Ｅ）に示すように、レジスト膜４１０を除去する。具体的には例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを用いてレジスト膜４１０を除去することができる。
【００４９】
次に図６（Ｆ）に示すように、シード層４０８の導体膜４１２に被覆されていない部位を除去する。具体的には例えばイオンミリングによりシード層４０８を除去することができる。この結果、プローブユニットの導線４１４のパターンが基板４００の上に形成される。
【００５０】
この後、基板４００の不要部位がダイサー等で除去されると、バンプ４０６の上を横断している突部が検体の電極に接触する導線４１４と基板４００とを備えたプローブユニットが完成する。
以上説明した本発明の複数の実施例によると、バンプ１２４、２１４、４０６を構成する導体膜を電気メッキによって形成する前の段階において、バンプ１２４、２１４、４０６に対応する開口部とともに犠牲バンプ１２２、２１６に対応する開口部をレジスト膜に形成しておくことにより、導体膜のパターンの分布密度の偏りを低減する。したがって、導体膜を電気メッキで形成する期間中の電流密度の偏りを抑制できる。このため、上記複数の実施例によるとバンプ１２４、２１４、４０６の膜厚を均一にすることができる。
【００５１】
表１及び表２は、本発明の実施例によるプローブユニットのバンプの膜厚と、従来の方法で製造されたプローブユニットのバンプの膜厚とを測定した結果を示す表である。両者の比較は、異なる方法で製造された同一構成の２つのプローブユニットの同一の測定ポイントについてバンプの膜厚を測定して行った。例えば、（表１）に示すＡ行１列の値と、（表２）に示すＡ行１列の値とは、２つのプローブユニットの同一の測定ポイントにあるバンプの膜厚を示している。
【００５２】
【表１】
2006073645.tif 000003
【表２】
2006073645.tif 000004
【００５３】
（表１）に膜厚を示した本発明の実施例の製造には、図１に示すように、基板５００の表面全体にほぼ均一な密度で分布する同一形状の開口部５０８を多数有するレジスト膜５０６を用いた。本発明の実施例によると、バンプ５１２の膜厚のばらつきは、バンプ５１２の膜厚の平均値を１００％としたときに±１０％以内である。尚、図１において５０２は導線を示し、５０４は犠牲膜を示し、５１０は導体膜を示し、５１４は犠牲バンプを示している。
一方、（表２）に膜厚を示した比較例の製造には、図７に示すようにバンプに対応する開口部６０４を除いて基板６００及び導線６０６の表面全体を被覆するレジスト６０２を用いた。従来の方法により製造されたこの比較例では、開口部６０４に形成された図示しないバンプの膜厚のばらつきは、バンプの膜厚の平均値を１００％としたときに±５０％以上である。
すなわち、本発明の実施例によるプローブユニットは、バンプの膜厚のばらつきが従来の方法で製造されるプローブユニットに比べて小さいため、検体の電極とバンプとの接触不良を低減することができる。
【００５４】
また、図８に示すように基板７００の完成形の基板として残存しない部位を露出させたレジスト７０２を用いると、開口部７０４内に形成される図示しないバンプの膜厚のばらつきは小さくなるものの、レジスト７０２上で開口部７０４の分布が偏っているため、本発明の実施例ほどにバンプの膜厚のばらつきが小さくなることはない。尚、図８において７０６は導線を示している。
【００５５】
図９は、他の比較例を示す図である。図９に示すように犠牲膜８０４で基板８００及び導線８０２を被覆し、バンプに対応する開口部８０７の周囲のみに局所的にレジスト膜８０６を形成した場合、本発明の実施例と比較すると、導体膜８０８の不要部位を除去するのに要する時間が相当長くなる。なぜならば、図９（Ｃ）に示すように導体膜８０８を形成した後にレジスト膜８０６を除去しても、図９（Ｄ）に示すようにほとんど犠牲膜８０２が露出しない。したがって、わずかに露出した部位８１０のみから犠牲膜８０２をエッチング等によって除去しようとすると、極めて長い時間を要することになる。
【００５６】
一方、本発明の実施例によると、図１（Ｃ）に示すように導体膜５１０を形成した後にレジスト膜５０６を除去した状態では、図９に示した比較例に比べて犠牲膜５０４の露出している部位の面積は相当広い。したがって、本発明の実施例によると、犠牲バンプ５１４とともに犠牲膜５０４を短時間で除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】（Ａ）は本発明の一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図であり、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図である。
【図２】本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第一実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第二実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第三実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第四実施例によるプローブユニットの製造方法を示す断面図である。
【図７】（Ａ）は本発明の比較例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図８】（Ａ）は本発明の比較例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】（Ａ）は本発明の比較例によるプローブユニットの製造方法を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図であり、（Ｃ）、（Ｄ）及び（Ｅ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面に対応する断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１００  基板（ワークピース）、１０９  導線（ワークピース）、１１０  犠牲膜、１１５  開口部（第一開口部）、１１４  第三レジスト膜（レジスト膜）、１１６  開口部（第二開口部）、１１８  第二導体膜（導体膜）、１２２  犠牲バンプ、１２４  バンプ、２００  ウェハ（ワークピース）、２０２  犠牲膜、２０４  開口部（第一開口部）、２０８  開口部（第二開口部）、２１０  レジスト膜、２１２  導体膜、２１４  バンプ、２１６  犠牲バンプ、３００  ウェハ（ワークピース）、４００  基板（ワークピース）、４０２  導体膜、４０６  バンプ、４１４  導線、５００  基板、５０４  犠牲膜、５０６  レジスト膜、５０８  開口部、５１０  導体膜、５１２  バンプ、５１４  犠牲バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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