(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体集積回路装置の正確な配線接続として、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光を用いることにより、非熱的加工方法による高精度および微細な配線接続加工を行うレ−ザ加工方法及びレ−ザ加工装置を提供する。【解決手段】配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを紫外線レ−ザ発振機１、紫外線レ−ザ光Ｌのビ−ム直径を拡大するためのビ−ム・エキスパンダ２、紫外線レ−ザ光Ｌのエネルギ−量を調整するためのアッテネイタ３、紫外線レ−ザ光Ｌの走査を行うためのガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置４、紫外線レ−ザ光Ｌを集光させるためのｆθレンズ５で構成されるレ−ザ加工装置本体６から被加工対象物７の配線接続部である被加工箇所の金属配線の上面または斜め側面または近傍に集光させ、その集光光をガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置で移動させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを紫外線レ−ザ発振機１から被加工対象物７の配線接続部である被加工箇所の金属配線の上面または斜め側面または近傍に集光させ、その集光光をガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置で移動させることにより被加工対象物を配線接続するための被加工対象基板９及び被加工対象基板９上に施された被加工箇所である金属配線１０の箇所で配線ショ−トの発生を防ぎながら接着剤または樹脂を常温で高精度に硬化させるレ−ザ加工方法。
【請求項２】
４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザを発振させる紫外線レ−ザ発振機１、紫外線レ−ザ光Ｌのビ−ム直径を拡大するためのビ−ム・エキスパンダ２、紫外線レ−ザ光Ｌのエネルギ−量を調整するためのアッテネイタ３、紫外線レ−ザ光Ｌの走査を行うためのガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置４、紫外線レ−ザ光Ｌを集光させるためのｆθレンズ５で構成されるレ−ザ加工装置本体６と、被加工対象基板９などを保持するための保持台１１とで構成され、配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザＬを被加工物またはその近傍に照射し加工を行うことにより配線ショ−トの発生を防ぎながら接着剤または樹脂を常温で高精度に硬化させるレ−ザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、半導体集積回路装置の金属配線などの配線接続加工をする際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザを照射し、配線接続加工を行うことにより、配線ショ−トの発生を防ぎながら、接着剤または樹脂を常温で高精度に硬化させる配線接続のためのレ−ザ加工方法及びレ−ザ加工装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  近年、切断加工、溝加工、ザグリ加工あるいは穴開け加工等には４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザが良く用いられている。というのは紫外線レ−ザを用いた加工は、４００ｎｍ以上の波長を持つレ−ザを用いた加工とは異なり、非熱的加工（いわゆるアブレ−ション加工）が可能になる。この加工法は熱的加工方法に比べて熱歪みの発生がきわめて少なく、加工精度が高く微細な加工が可能になるものである。【０００３】  従来の配線接続加工方法には、半田付け、導電性接着剤、直接溶接等があるが、どれも比較的高温処理であり、ライン幅の最小ピッチ間隔も０．２ｍｍぐらいが限界である。また基板の材料も高温に耐えうる材料を使用しなくてはならない。【０００４】  半田付けによる加工では、▲１▼熱処理（２５０℃）の必要がある。▲２▼熱処理するため冷却の必要がある。▲３▼最小ピッチ間隔が０．２ｍｍ以下にできない。▲４▼加工装置が大きく設置場所の広さが必要。▲５▼使用できる基板材質が限定される。▲６▼少量多品種の加工に時間がかかる。などの問題点があった。【０００５】  導電性接着剤による加工では、▲１▼熱処理（１５０℃）の必要がある。▲２▼熱処理するため冷却の必要がある。▲３▼最小ピッチ間隔が０．２ｍｍ以下にできない。▲４▼加工装置が大きく設置場所の広さが必要。▲５▼使用できる基板材質が限定される。▲６▼少量多品種の加工に時間がかかる。などの問題点があった。【０００６】  直接溶接による加工では、▲１▼最小ピッチ間隔が０．２ｍｍ以下にできない。▲２▼使用できる基板材質が限定される。などがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】  半導体集積回路装置の高密度実装化に伴い、基板回路の縮小化、電子部品の小形化が必須になっている。それらを正確に配線接続するためには従来の加工方法である半田付け、導電性接着剤、直接溶接等では困難である。【０００８】  そこで、本発明は４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザを用いることにより、非熱的加工方法による高精度および微細な配線接続加工を行うレ−ザ加工方法及びレ−ザ加工装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】  上記目的を達成するため、請求項１記載のレ−ザ加工方法は、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを被加工物またはその近傍に照射して接着剤または樹脂を常温で高精度に硬化させるレ−ザ加工を行うことを特徴としている。【００１０】  また、請求項２記載のレ−ザ加工装置は、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを被加工物またはその近傍に照射して接着剤または樹脂を常温で高精度に硬化させる加工を行えることを特徴とするレ−ザ加工装置である。
【発明の効果】
【００１１】  発明の効果としては、▲１▼熱処理が不必要である。▲２▼熱処理しないため冷却も不必要である。▲３▼最小ピッチ間隔が０．２ｍｍ以下に出来る。▲４▼加工装置が小型化出来る。▲５▼使用できる基板材質を問わない。▲６▼多品種少量生産も少品種多量生産も同じ能力で処理できる。などの配線接合加工が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】  本発明では、非熱的加工方法による高精度及び微細な配線接続加工を行えるため、被加工物である配線の線形を細くすることや、配線同士の間隔を狭くすることが、従来の限界を越えて可能になる。
【実施例１】
【００１３】  実施例としてのレ−ザ加工方法をみると、配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを紫外線レ−ザ発振機１から被加工対象物７の配線接続部である被加工箇所の金属配線の上面または斜め側面または近傍に集光させ、その集光光をガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置で移動させることにより被加工対象物を配線接続するための被加工対象基板９及び被加工対象基板９上に施された被加工箇所である金属配線１０の箇所で配線ショ−トの発生を防ぎながら接着剤または樹脂を常温で高精度に硬化させる配線接続加工を行うレ−ザ加工方法である。
【実施例２】
【００１４】  本発明の紫外線レ−ザ光によるレ−ザ加工装置の概略図を図１に示す。この装置は図１に示すように４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを発振させる紫外線レ−ザ発振機１、紫外線レ−ザ光Ｌのビ−ム直径を拡大するためのビ−ム・エキスパンダ２、紫外線レ−ザ光Ｌのエネルギ−量を調整するためのアッテネイタ３、紫外線レ−ザ光Ｌの走査を行うためのガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置４、紫外線レ−ザ光Ｌを集光させるためのｆθレンズ５で構成されるレ−ザ加工装置本体６と、被加工対象基板９などを保持するための保持台１１とで構成され、配線接続加工する際、４００ｎｍよりも短い波長の紫外線レ−ザ光Ｌを被加工物またはその近傍に照射し加工を行うことにより配線ショ−トの発生を防ぎながら接着剤または樹脂を常温で高精度に硬化させるレ−ザ加工装置である。【００１５】  また、加工物は被加工対象物（主に半導体集積回路装置）７と被加工対象物７から出た被加工箇所である金属配線８と被加工対象物を配線接続するための被加工対象基板８及び被加工対象基板９上に施された被加工箇所である金属配線１０からなっている。
【産業上の利用可能性】
【００１６】  特殊な性質を持った物質を放電状態のもとに置いて、一度高エネルギ−状態にし、それが普通の状態に戻るときにレ−ザ光を発振する仕組みの紫外線レ−ザは、光化学反応の光源として利用され、半導体製造の際のエッチングやビタミンＤの合成、ガン細胞の破壊、殺菌技術などへの実用化が進むものと思われる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】  本発明に用いる紫外線利用レ−ザ加工装置の概略図
【図２】  加工対象物の加工実施例図
【符号の説明】
【００１８】  １：紫外線レ−ザ発振機
２：ビ−ム・エキスパンダ
３：アッテネイタ
４：ガルバノ・メ−タ型ビ−ム走査装置
５：ｆθレンズ
６：本      体
７：被加工対象物（主に半導体集積回路装置）
８：被加工箇所（金属配線）
９：被加工対象基板
１０：被加工箇所（金属配線）
１１：保  持  台
Ｌ：紫外線レ−ザ光
【図１】
2006073972.tif 000003
【図２】
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