(57)【要約】【課題】リソグラフィ用のマスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、基板（１１）上に形成され、電磁波を反射させる材料からなる反射層（１２）と、反射層（１２）上に前記電磁波が通過する電磁波通過領域を設けるように所定のパターンに形成され、前記電磁波を吸収する材料からなる吸収体パターン（２０）と、を備え、前記電磁波通過領域に隣接した前記吸収体パターンの側面は、反射層（１２）に対して少なくとも一つの傾斜した側面（２１）を備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、電磁波を反射させる材料からなる反射層と、
前記反射層上に前記電磁波が通過する電磁波通過領域を設けるように所定のパターンに形成され、前記電磁波を吸収する材料からなる吸収体パターンと、を備え、
前記電磁波通過領域に隣接した前記吸収体パターンの側面は、前記反射層に対して少なくとも一つの傾斜した側面を備えることを特徴とするリソグラフィ用のマスク。
【請求項２】
前記吸収体パターンの側面は、前記反射層に対して少なくとも一つの垂直な側面をさらに備え、前記少なくとも一つの傾斜した側面と少なくとも一つの垂直の側面とを有する構造であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項３】
前記吸収体パターンは、
前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する第１吸収体パターンと、
前記少なくとも一つの垂直の側面を有する第２吸収体パターンと、
を備えることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項４】
前記第１吸収体パターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とは、前記反射層に対して傾斜していることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項５】
前記第１吸収体パターンの断面は、台形形状であることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項６】
前記第１吸収体パターンは、前記電磁波線の入射平面と垂直方向に形成され、
前記第２吸収体パターンは、前記入射平面と平行方向に形成されることを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項７】
前記吸収体パターンの少なくとも一つの傾斜した側面は、前記電磁波が前記反射層に入射される角度と実質的に同じ角度で傾斜していることを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項８】
前記吸収体パターンの少なくとも一つの傾斜した側面は、前記電磁波が前記反射層に入射される角度と実質的に同じ角度で傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項９】
前記吸収体パターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とは、前記反射層に対して傾斜していることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１０】
前記吸収体パターンの断面は、台形形状であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１１】
前記吸収体パターンは、金属物質を含む物質からなることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１２】
前記吸収体パターンは、ＴａＮ、Ｔａ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、及びＡｌからなる群から選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項１１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１３】
前記反射層は、第１物質層及び第２物質層が交互に繰り返して積層されて形成されることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１４】
前記第１物質層は、Ｍｏ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、及びＡｕからなる群から選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項１３に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１５】
前記第２物質層は、Ｓｉ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムからなる群から選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項１３に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１６】
前記電磁波は、極紫外線であることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ用のマスク。
【請求項１７】
基板上に電磁波を反射させる材料からなる反射層を形成する工程と、
前記反射層上に電磁波を吸収できる材料からなる吸収体層を形成する工程と、
前記電磁波を通過させる電磁波通過領域を設けるように前記吸収体層をパターニングして、前記電磁波通過領域に隣接した少なくとも一つの側面が、前記反射層に対して傾斜した側面を備えるように吸収体パターンを形成する工程と、
を含むことを特徴とするリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項１８】
前記吸収体層に吸収体パターンを形成する工程は、
前記吸収体層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして適用して、前記吸収体層をパターニングすることにより、前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する吸収体パターンを前記吸収体層に形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項１７に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項１９】
前記レジストパターンを形成する工程は、その少なくとも一つの側面が電磁波の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜したレジストパターンを前記レジスト層に形成し、
前記傾斜した吸収体パターンを吸収体層に形成する工程は、前記レジストパターンの少なくとも一つの側面が前記吸収体層に対して角度と実質的に同じ角度で傾斜した少なくとも一つの側面を有する吸収体パターンを前記吸収体層に形成することを特徴とする請求項１８に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２０】
前記レジストパターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とは、前記電磁波の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成されることを特徴とする請求項１９に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２１】
前記吸収体パターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とは、前記レジストパターンの側面がなす角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成されることを特徴とする請求項１９に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２２】
前記レジストパターンの断面は、台形形状に形成されることを特徴とする請求項１９に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２３】
前記吸収体パターンを形成する工程は、
前記反射層に対して少なくとも一つの垂直の側面をさらに備えるように前記吸収体層をパターニングし、前記少なくとも一つの傾斜した側面と少なくとも一つの垂直の側面とが混合された構造の吸収体パターンを形成することを特徴とする請求項１７に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２４】
前記吸収体パターンは、
前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する第１吸収体パターンと、
前記少なくとも一つの垂直の側面を有する第２吸収体パターンと、を備えることを特徴とする請求項２３に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２５】
前記第１吸収体パターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とは、前記反射層に対して傾斜するように形成されることを特徴とする請求項２４に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２６】
前記第１吸収体パターンの断面は、が台形形状に形成されることを特徴とする請求項２４に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２７】
前記第１吸収体パターンは、前記電磁波の入射平面と垂直方向に形成され、
前記第２吸収体パターンは、前記入射平面に平行方向に形成されることを特徴とする請求項２４に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２８】
前記吸収体層に吸収体パターンを形成する工程は、
前記吸収体層上にレジスト層を形成する工程と、
形成しようとする吸収体パターンの側面と実質的に同じ傾斜角を有する少なくとも一つの側面を有するレジストパターンを前記レジスト層に形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、その少なくとも一つの側面が前記反射層に対してなす角度が、前記レジストパターンの少なくとも一つの側面が前記反射層に対してなす角度と実質的に同じ角度なるように、吸収体パターンを前記吸収体層に形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項２３に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項２９】
前記レジストパターンを形成する工程は、
前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する吸収体パターンの形成に使用されるように、電磁波の入射角度と実質的に同じ角度に傾斜した少なくとも一つの側面を有する第１レジストパターンを形成する工程と、
前記少なくとも一つの垂直の側面を有する吸収体パターンの形成に使用されるように、少なくとも一つの垂直な側面を有する第２レジストパターンを形成する工程と、を含み、
前記レジスト層は、少なくとも２つの工程を経てパターニングされ、
前記吸収体パターンを形成する工程は、
前記第１レジストパターン及び前記第２レジストパターンにより、少なくとも一つの傾斜した側面と少なくとも一つの垂直の側面とを有する吸収体パターンを形成することを特徴とする請求項２８に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３０】
前記第１レジストパターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とは、いずれもＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成されることを特徴とする請求項２９に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３１】
前記第１レジストパターンの断面は、台形形状に形成されることを特徴とする請求項２９に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３２】
前記吸収体パターンを形成する工程は、前記電磁波と隣接した前記吸収体パターンの少なくとも一つの側面が電磁波の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成することを特徴とする請求項１７に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３３】
前記吸収体パターンを形成する工程は、前記吸収体パターンの断面が台形形状に形成されることを特徴とする請求項１７に記載のリソグラフィ用のマスクの製造方法。
【請求項３４】
前記吸収体パターンは、金属物質を含む物質からなることを特徴とする請求項１７に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３５】
前記吸収体パターンは、ＴａＮ、Ｔａ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、及びＡｌからなる群から選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項３４に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３６】
前記基板上に反射層を形成する工程は、第１物質層及び第２物質層を交互に繰り返して積層する工程を含むことを特徴とする請求項１７に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３７】
前記第１物質層は、Ｍｏ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、及びＡｕからなる群から選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項３６に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【請求項３８】
前記第２物質層は、Ｓｉ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムからなる群から選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項３６に記載のリソグラフィ用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波放射用のマスク及びその製造方法に係り、より詳細には、半導体の製造工程において電磁波を使用した高解像度のフォトリソグラフィ技術への使用に適した電磁波放射用のマスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造工程のフォトリソグラフィ工程において、１００ｎｍ以下の描画サイズを実現する露光技術として、軟Ｘ線と呼ばれる極紫外線（ＥＵＶ）領域の露光波長を利用した技術が活発に研究されている。
【０００３】
ＥＵＶ領域では、ほとんどの物質が大きな光吸収性を有するため、ＥＵＶを使用する露光技術にはＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用のマスクが使用される。一般的なＥＵＶＬ用のマスクは、ＥＵＶ領域での反射率の大きい鏡（反射鏡）上に、ＥＵＶ光を吸収できる吸収体からなるパターンを形成している。したがって、反射鏡の表面が吸収体パターンで覆われている領域が吸収領域となり、吸収体パターンなしに、反射鏡表面が露出された領域が反射領域となる。
【０００４】
図１は、従来のＥＵＶＬ用のマスクの構造を示す断面図である。
【０００５】
図１に示すように、従来のＥＵＶＬ用のマスク１は、シリコン、ガラスなどの物質からなる基板２と、基板２上に形成される反射層３と、反射層３上に形成される吸収体パターン４と、を備える。図面上の参照符号５は、シリコンウェーハである。
【０００６】
反射層３は、モリブデンとシリコン（Ｍｏ／Ｓｉ）、ベリリウムとシリコン／（Ｂｅ／Ｓｉ）などの異種の膜が交互に積層された多層膜の構造を有する。吸収体パターン４は、ＥＵＶ線を吸収できる窒化タンタル（ＴａＮ）膜などからなり、所定のパターンになってＥＵＶ線に対して吸収領域を構成する。  ＥＵＶＬ用のマスク１がＥＵＶ線に露光されれば、吸収体パターン４の各寸法と実際にＳｉウェーハ５に形成されるパターンの各寸法とが変わるが、それは、下記の数式（１）及び数式（２）と共に説明する。下記の数式（１）は、一の吸収体パターン４と隣接する他の吸収体パターン４の間の距離８０（吸収体パターン間の距離８０：（Ｄｅｓｉｇｎｅｄ  Ｓｐａｃｅ  ＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ））と、一のＳｉウェーハ５に形成される吸収体パターン４に対応するパターン（対応パターン）と隣接する他のＳｉウェーハ５に形成される対応パターンとの間の距離８１（Ｓｉウェーハに形成される対応パターン間の距離８１：Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｓｐａｃｅ  ＣＤ）との関係を表す数式である。下記の数式（２）は、吸収体パターン４の一つの吸収体パターンの長さ８３（Ｄｅｓｉｇｎｅｄ  Ｌｉｎｅ  ＣＤ）と、Ｓｉウェーハ５に形成される対応パターンの長さ８２（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｌｉｎｅ  ＣＤ）との関係を表す式である。
【０００７】
‘Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｓｐａｃｅ  ＣＤ'＝‘Ｄｅｓｉｇｎｅｄ  Ｓｐａｃｅ  ＣＤ'−２ｄ×ｔａｎθ×Ｍ                                                        （１）
‘Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｌｉｎｅ  ＣＤ'＝‘Ｄｅｓｉｇｎｅｄ  Ｌｉｎｅ  ＣＤ'＋２ｄ×ｔａｎθ×Ｍ                                                            （２）
ここで、‘ｄ’は、吸収体パターン４の厚さであり、‘θ’は、吸収体パターン４の側面を基準としたＥＵＶ線の入射角度であり、‘Ｍ’は、換算因子である。
【０００８】
半導体の製造工程のフォトリソグラフィ工程において、吸収体パターン４の側面が垂直面であり、前記θは、与えられた角度を有するため、数式（１）及び数式（２）の‘２ｄ×ｔａｎθ×Ｍ’項目が与えられた値を有する。したがって、吸収体パターン４の吸収体間の距離８０と、Ｓｉウェーハ５に形成される対応パターン間の距離８１は、異なり、また、吸収体パターン４の一つの吸収体パターンの長さ８３と、Ｓｉウェーハ５に形成される対応パターンの長さ８２も異なる。このように、それぞれの長さに差が生じることによって、吸収体パターン４に設計された形状をＳｉウェーハ５に正確に具現することができないという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記問題を改善するためになされたものであって、電磁波放射用のマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
また、本発明は、フォトリソグラフィ技術において、吸収体パターンに設計された形状をＳｉウェーハに正確に具現させることができるＥＵＶＬ用のマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、吸収パターンに設計される形状をさらに正確に実現できるマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
目的を達成するための本発明に係るリソグラフィ用のマスクは、基板と、前記基板上に形成され、電磁波、例えば、ＥＵＶ線を反射させることができる材料からなる反射層と、前記電磁波が電磁波通過領域（ウィンドウ）を設けるように所定のパターンに形成され、前記電磁波を吸収する材料からなる吸収体パターンと、を備え、前記ウィンドウに隣接した前記吸収体パターンの側面は、前記反射層に対して少なくとも一つの傾斜した側面を備えることを特徴とする。
【００１３】
ここで、前記吸収体パターンは、前記反射層に対して少なくとも一つの垂直の側面をさらに備え、前記少なくとも一つの傾斜した側面と少なくとも一つの垂直の側面とを有する構造からなることができる。
【００１４】
前記吸収体パターンは、前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する第１吸収体パターンと、前記少なくとも一つの垂直の側面を有する第２吸収体パターンとを備えることができる。
【００１５】
前記第１吸収体パターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とは、前記反射層に対して傾斜して形成されることができる。
【００１６】
前記第１吸収体パターンの断面は、台形形状に形成されることができる。
【００１７】
前記第１吸収体パターンは、例えば、ＥＵＶ線の入射平面と垂直方向に形成され、前記第２吸収体パターンは、前記入射平面と平行方向に形成されることができる。
【００１８】
前記吸収体パターンの傾斜した側面は、例えば、ＥＵＶ線が前記反射層に入射される角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成されることができる。
【００１９】
前記傾斜した側面を有する吸収体パターンは、その一の側面と他の側面とがいずれも前記反射層に対して傾斜して形成されることができる。
【００２０】
前記傾斜した側面を有する吸収体パターンの断面は、台形形状をなすように形成されることができる。
【００２１】
前記吸収体パターンは、金属物質を含む物質からなることができる。
【００２２】
前記吸収体パターンは、ＴａＮ、Ｔａ、Ｃｒ、窒化チタン（ＴｉＮ）、チタニウム（Ｔｉ）、アルミニウム−銅合金（Ａｌ−Ｃｕ）、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、及びＡｌからなる群から選択されたいずれか一つからなることができる。
【００２３】
前記反射層は、第１物質層及び第２物質層が交互に繰り返して積層されて形成されることができる。
【００２４】
前記第１物質層は、モリブデン（Ｍｏ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）からなる群から選択されたいずれか一つからなることができる。
【００２５】
前記第２物質層は、Ｓｉ、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムからなる群から選択されたいずれか一つからなることできる。
【００２６】
前記電磁波は、ＥＵＶ放射、軟Ｘ線または他の電磁波放射であることができる。
【００２７】
前記目的を達成するための本発明に係るマスク製造方法は、基板上に電磁波、例えば、ＥＵＶ線を反射させることができる材料からなる反射層を形成する工程と、前記反射層上に前記電磁波を吸収できる材料からなる吸収体層を形成する工程と、前記電磁波を通過させるウィンドウを設けるように前記吸収体層をパターニングして、前記ウィンドウに隣接した少なくとも一つの側面が、前記反射層に対して傾斜した側面を備えるように吸収体パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００２８】
ここで、前記吸収体層に吸収体パターンを形成する工程は、前記吸収体層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして適用して、前記吸収体層をパターニングすることにより、前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する吸収体パターンを前記吸収体層に形成する工程と、を含むことができる。
【００２９】
前記レジストパターンを形成する工程は、前記吸収体パターンの傾斜した側面は、電磁波の入射角度と実質的に同じく角度で傾斜したレジストパターンを前記レジスト層に形成し、前記傾斜した側面を有する吸収体パターンを吸収体層に形成する工程は、少なくとも一つの側面が、前記レジストパターンの側面がなす角度と実質的に同じ角度で傾斜した吸収体パターンを前記吸収体層に形成することができる。  前記レジストパターンは、前記レジストパターンが有する一の側面と他の側面とがいずれも電磁波の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成されることができる。
【００３０】
前記レジストパターンは、断面が台形形状をなすように形成されることができる。
【００３１】
前記吸収体パターンを形成する工程は、前記反射層に対して少なくとも一つの垂直の側面をさらに備えるように前記吸収体層をパターニングし、前記少なくとも一つの傾斜した側面と少なくとも一つの垂直の側面とを有する構造の吸収体パターンを形成することができる。
【００３２】
このとき、前記吸収体パターンは、前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する第１吸収体パターンと、前記少なくとも一つの垂直の側面を有する第２吸収体パターンと、を含むことができる。
【００３３】
前記第１吸収体パターンは、前記第１吸収体パターンのする一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とがいずれも前記反射層に対して傾斜するように形成されることが好ましい。
【００３４】
前記第１吸収体パターンは、その断面が台形形状をなすように形成されることができる。
【００３５】
前記第１吸収体パターンは、前記電磁波、例えば、ＥＵＶ線の入射平面と垂直方向に形成され、前記第２吸収体パターンは、前記入射平面に平行方向に形成されることができる。
【００３６】
前記吸収体層に吸収体パターンを形成する工程は、前記吸収体層上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層の側面が形成しようとする吸収体パターンの少なくとも一つの側面と実質的に同じ傾斜角を有するレジストパターンを前記レジスト層に形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして利用し、前記レジストパターンの少なくとも一つの側面が前記反射層に対してなす角度と前記レジストパターンの他の側面が前記反射層に対してなす角度とが実質的に同じくなるように吸収体パターンを前記吸収体層に形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００３７】
前記レジストパターンを形成する工程は、前記少なくとも一つの傾斜した側面を有する吸収体パターンの形成に使用されるように、前記レジストパターンの有する側面が、電磁波、例えば、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度に傾斜した第１レジストパターンを形成する工程と、前記少なくとも一つの垂直の側面を有する吸収体パターンの形成に使用されるように、垂直傾斜角を有する第２レジストパターンを形成する工程と、を含み、少なくとも２工程を経てレジスト層がパターニングされ、前記吸収体パターンを形成する工程は、前記第１レジストパターン及び第２レジストパターンにより、少なくとも一つの傾斜した側面と少なくとも一つの垂直側面とを有する吸収体パターンを形成する。
【００３８】
前記第１レジストパターンは、前記第１レジストパターンの一の側面と前記一の側面に対向する他の側面とがいずれも電磁波、例えば、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成されることが好ましい。
【００３９】
前記第１レジストパターンは、その断面が台形形状をなすように形成されることができる。
【００４０】
前記吸収体パターンを形成する工程は、前記ウィンドウと隣接した前記吸収体パターンの少なくとも一つの側面が、電磁波、例えば、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成することができる。
【００４１】
前記吸収体パターンを形成する工程は、前記吸収体パターンの断面が台形形状をなすように形成することができる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明に係るＥＵＶＬ用のマスクによれば、ウィンドウに隣接した吸収体パターンのすくなくとも一つの側面が、反射層に対して傾斜して形成されることにより、吸収体パターンに設計された形状がＳｉウェーハに正確に具現されることができる。
【００４３】
本発明の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクによれば、ウィンドウに隣接した吸収体パターンの少なくとも一つの側面が反射層に対して傾斜することにより、吸収体パターンに設計された形状がＳｉウェーハに正確に具現されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施形態によるＥＵＶＬ用のマスク及びその製造方法を詳細に説明する。以下の図面で、同じ参照符号は同じ構成要素を示す。図面で、層及び領域の厚さは、明瞭性のために誇張されている。そして、層、領域、または、基板のような要素が他の異なる要素の“上側”にあると言及されるとき、それは、他の異なる要素上に直接存在するか、または、その要素と他の異なる要素との間に中間要素が介入されていてもよい。また、反射層に対してＥＵＶ線の入射角度と反射角度とは実質的に同じであるため、本実施形態においては、ＥＵＶ線の入射角度として称する。また、一の吸収体のパターンと隣接する他の吸収体パターンとの間に設けられ、ＥＵＶ線が通過する部分をウィンドウという。
【００４５】
また、本実施形態に係るＥＵＶ線は、１０〜１００ｎｍ範囲の波長及び１２．４〜１２４ｅＶ範囲のエネルギーを有する１〜２から３０ＰＨｚ（ｐｅｔａｈｅｒｔｚ）範囲の放射線の少なくともいずれか一方として定義される。
【００４６】
また、本実施形態に係る軟Ｘ線は、１００ｐｍから１０ｎｍ範囲の波長及び１２４ｋｅＶ範囲のエネルギーを有する３０ＰＨｚから３ＥＨｚ（ｅｘａｈｅｒｔｚ）範囲の放射線のいずれか一方として定義される。
【００４７】
また、本実施形態に係る電磁波は、他の種類の電磁波が使用されることができる。
【００４８】
図２は、本発明の一実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの構造を示す断面図である。
【００４９】
図２示すように、本実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスク１０は、Ｓｉ、ガラス、または、基板１１を形成する上で他の適当な物質からなる基板１１と、基板１１上に形成される反射層１２と、反射層１２上に形成される吸収体パターン２０と、を備える。図面上の参照符号１３は、半導体ウェーハ、例えば、Ｓｉウェーハである。
【００５０】
反射層１２は、ＥＵＶ線を反射させることができる材料からなる。反射層１２は、相異なる二つの物質層が交互に繰り返して積層された構造に形成される。例えば、反射層１２は、Ｍｏ膜とＳｉ膜とが交互に複数積層されたものを使用することができる。反射層１２の最上層は、Ｍｏ膜またはＳｉ膜が形成されるが、Ｓｉ膜は、Ｓｉ表面に生成される自然酸化膜の安定性に優れているため、Ｓｉ膜を最上層とすることが好ましい。Ｍｏ単層またはＳｉ単層の膜厚は、数ｎｍ程度であり、積層数は、数十層程度の任意の層数に設定することが可能である。
【００５１】
反射層１２を構成する膜としては、前記Ｍｏの代りに、スカンジウム（Ｓｃ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、及び金（Ａｕ）からなる群から選択されたいずれか一つの元素、または、反射層を形成する上で他の適当な物質が使用されることができる。そして、反射層１２を構成する膜としては、前記Ｓｉの代りに、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムからなる群から選択されたいずれか一つの元素、または、他の適当な物質が使用されることができる。
【００５２】
吸収体パターン２０は、ＥＵＶ線に対する吸収領域を有し、ＥＵＶ線が通過する通過領域（ウィンドウ）を設けるように所定のパターンで形成される。
【００５３】
吸収体パターン２０は、ＥＵＶ線を吸収できる材料、例えば、金属物質を含む材料からなる。例えば、吸収体パターン２０は、ＴａＮ膜などからなり、所定のパターンで形成され、ＥＵＶ線に対する吸収領域を構成する。吸収体パターン２０は、ＴａＮ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉｎ、Ｔｉ、Ａｌ−Ｃｕ、ＮｉＳｉ、ＴａＳｉＮ、及びＡｌからなる群から選択されたいずれか一つの物質から形成されることができる。
【００５４】
本実施形態では、前記ウィンドウに隣接した吸収体パターン２０の少なくとも一つの側面２１、２２が、反射層１２に対して傾斜して形成されている。好ましくは、吸収体パターン２０の傾斜した側面２１、２２は、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜して形成されていることが好ましい。このように形成されれば、本実施形態に係る反射フォトマスク１０がＥＵＶ線に露光されるとき、吸収体パターン２０の各寸法と実際にＳｉウェーハ１３に形成されるパターンの各寸法とが同じになるが、これは、下記の数式と共に説明する。下記の数式（３）は、吸収体パターン２０の吸収体パターン間の距離８０と、Ｓｉウェーハ１３に形成される対応パターン間の距離８１との関係を表す式である。下記の数式（４）は、吸収体パターン２０の吸収体一つのパターンの長さ８３と、Ｓｉウェーハ１３に形成される対応パターンの長さ８２との関係を表す式である。
【００５５】
‘Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｓｐａｃｅ  ＣＤ’＝‘Ｄｅｓｉｇｎｅｄ  Ｓｐａｃｅ  ＣＤ’（３）
‘Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｌｉｎｅ  ＣＤ’＝‘Ｄｅｓｉｇｎｅｄ  Ｌｉｎｅ  ＣＤ’（４）
本実施形態で、数式（３）及び数式（４）が得られる理由は、次の通りである。
【００５６】
本実施形態で、吸収体パターン２０の傾斜した側面２１、２２は、ＥＵＶ線の入射角度とほぼ同じ角度で形成される。これは、従来のＥＵＶＬ用のマスクに対し、前述した数式（１）及び数式（２）で、θがほぼ０゜となる場合に該当する。前記θは、０゜となることが好ましいが、加工上の誤差などを考慮して、０゜に近似した値を有することができる。このように、前記θが０゜となれば、従来のＥＵＶＬ用のマスクに対する数式（１）及び数式（２）の‘２ｄ×ｔａｎθ×Ｍ’項目が消去されることが分かる。
【００５７】
したがって、吸収体パターン２０の吸収体パターン間の距離と、Ｓｉウェーハ１３に形成される対応パターン間の距離が同じになり、吸収体パターン２０の一つのパターンの長さとＳｉウェーハ１３に形成される対応パターンの長さも同じになる。この結果、吸収体パターン２０の有する形状が、Ｓｉウェーハ１３に正確に具現することができる。
【００５８】
また、数式３及び数式４から分かるように、本実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスク１０によれば、従来の吸収体パターンに対する数式１及び数式２の‘２ｄ×ｔａｎθ×Ｍ’項目が消去されるため、吸収体パターン間の距離（Ｓｐａｃｅ  ＣＤ）と吸収体の一つのパターンの長さ（Ｌｉｎｅ  ＣＤ）とは、吸収体パターン２０の厚さｄと無関係になる。したがって、所望の吸収率を有する範囲内で吸収体パターン２０の厚さｄを薄く形成し、加工時間及び加工誤差を減少させることができる。
【００５９】
ここで、吸収体パターン２０の一の側面２１及び他の側面２２は、反射層１２に対して傾斜して形成することが好ましい。このとき、側面２１、２２は、ＥＵＶ線の入射角度と同じ角度で傾斜して形成することが好ましい。そして、吸収体パターン２０の断面は、台形形状に形成することが好ましい。
【００６０】
本実施形態において、吸収体パターン２０の少なくとも一つの傾斜した側面１、２２は、図２に示す構造で変更されることができる。本実施形態で、吸収体パターン２０の少なくとも一つの傾斜した側面２１、２２は、反射層に対して他の角度で傾斜して形成することができる。
【００６１】
図３Ａから図３Ｅは、本実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図である。
【００６２】
まず、図３Ａのように、基板１１上にＥＵＶ線を反射させることができる材料、例えば、Ｍｏ／Ｓｉなどの多層膜からなる反射層１２を形成する。このとき、成膜法としてＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法などを使用することができる。なお、スパッタリング条件は、使用する装置によって変化する。
【００６３】
次に、図３Ｂのように、反射層１２上にＥＵＶ線を吸収できる材料、例えば、ＴａＮなどで吸収体層２３を成膜する。このとき、吸収体層２３の材料が窒化物である場合、反応性スパッタリング法を使用し、その他の場合には、ＤＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）スパッタリング法を使用することができる。
【００６４】
次に、図３Ｃのように、吸収体層２３上にレジスト層３０を成膜する。
【００６５】
次に、図３Ｄのように、レジスト層３０を、例えば、電子ビームに露出させてパターニングし、それを現像して、与えられたレジストパターン３１を形成する。レジストパターン３１は、吸収体層２３に所望のパターンを形成するためのマスクである。ここで、レジストパターン３１の側面３１ａ、３１ｂは、吸収体層２３に形成しようとするパターンの側面（図３Ｅの２１、２２）と実質的に同じ傾斜角を有するように形成される。レジストパターン３１の側面３１ａ、３１ｂは、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成されることが好ましい。また、レジストパターン３１は、その断面が台形形状を有するように形成されることが好ましい。
【００６６】
次に、図３Ｅのように、吸収体層２３をパターニングして吸収体パターン２０を形成する。このとき、レジストパターン３１をマスクとして、例えば、誘導結合プラズマ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ：ＩＣＰ）乾式エッチング法を使用できる。パターニング後、吸収体パターン２０の側面２１、２２は、レジストパターン３１の側面３１ａ、３１ｂの角度と実質的に同じ角度で傾斜して形成される。したがって、前記ウィンドウと隣接した吸収体パターン２０の側面２１、２２は、反射層１２に対して傾斜するが吸収体パターン２０の側面２１、２２は、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜することが好ましい。
【００６７】
前記のような吸収体のパターン２０の形成後に、レジストパターン３１は除去される。
【００６８】
図４は、本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスク５０を概略的に示す斜視図であり、図４では、吸収体パターン７０の一部分のみを示す。ここで、本実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスク５０は、吸収体パターン７０の側面が反射層１２に対して垂直の側面７５ａ、７５ｂをさらに備えるという点を除いて、その他の構成は、実質的に図２から図３Ｅに示した本実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクと同じである。
【００６９】
図４に示すように、本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスク５０は、吸収体パターン７０の側面が反射層１２に対して垂直ではない少なくとも一つの側面と少なくとも一つの垂直の側面とを有する構造からなっている。
【００７０】
すなわち、吸収体パターン７０は、反射層１２に対して傾斜した（垂直ではない）側面７１ａ、７１ｂを有する第１吸収体パターン７１と、反射層１２に対して垂直の側面７５ａ、７５ｂを有する第２吸収体パターン７５とを備える。
【００７１】
このとき、第１吸収体パターン７１は、ＥＵＶ線の入射平面に垂直の方向、すなわち、Ｊ軸（図４を参照）方向に形成され、第２吸収体パターン７５は、前記入射平面に平行な方向、すなわち、Ｉ軸方向に形成される。ここで、ＥＵＶ線の入射平面は、反射層１２に入射されるＥＵＶ線と入射面、すなわち、反射層１２面に垂直の法線がなす平面である。図４の場合、ＥＵＶ線の入射平面は、Ｉ−Ｋ平面と平行である。
【００７２】
第１吸収体パターン７１の側面７１ａ、７１ｂは、いずれも反射層１２に対して垂直にならないように傾斜して形成することが好ましい。また、第１吸収体パターン７１は、その断面が台形形状を有することが好ましい。このとき、第１吸収体パターン７１の傾斜した側面７１ａ、７１ｂは、ＥＵＶ線が反射層１２に入射される角度と実質的に同じ角度で傾斜して形成することが好ましい。
【００７３】
図５Ａは、第１吸収体パターン７１の一の側面を概略的に示す断面図であり、図５Ｂは、第２吸収体パターン７５一の側面を概略的に示す断面図である。図５Ａから分かるように、第１吸収体パターン７１は、少なくとも一つの側面７１ａ、７１ｂをＥＵＶ線の入射及び反射角度と同じく傾斜するように形成することにより、Ｓｉウェーハ１３に第１吸収体パターン７１の最大幅と実質的に同じ幅を有するパターンを形成することができる。
【００７４】
一方、本実施形態で、第１吸収体パターン７１と垂直方向に形成される第２吸収体パターン７５は、少なくとも一つの傾斜した側面を有することができる。また、本実施形態で、第１吸収体パターン７１と垂直方向に形成される第２吸収体パターン７５は、少なくとも一つの反射層１２と垂直の側面を有することができる。
【００７５】
本実施形態のように、入射平面と平行する方向に第２吸収体パターン７５の側面７５ａ、７５ｂを反射層１２に対して垂直に形成すれば、シャドー効果が現れなくなり、Ｓｉウェーハ１３に形成されるパターン線間幅の誤差発生を大幅に減らすことができる。図５Ｂに示すように、第２吸収体パターンの側面７５ａ、７５ｂが反射層１２に対して垂直になるように第２吸収体パターン７５を形成することにより、Ｓｉウェーハ１３に第２吸収体パターン７５の幅と実質的に同じ幅を有するパターンを形成することができる。
【００７６】
したがって、前記のように、吸収層１２をＥＵＶ線の入射平面に対して垂直方向に第１吸収体パターン７１と前記入射平面に平行する方向に第２吸収体パターン７５とを分離して形成すれば、ＥＵＶ露光時におけるシャドー効果を除去して、Ｓｉウェーハ１３にパターン線の間幅を正確に形成することが可能である。
【００７７】
以下に、本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクを製造する方法を説明する。
【００７８】
図６に示すように、基板１１上に、反射層１２、吸収体層２３、及びレジスト層３０を順に形成する。図６での各層は、実質的に図３Ｃと同じであるため、図３Ｃと対応する図６の各層は、図３Ｃと同じ参照番号を使用する。
【００７９】
次に、図７Ａ及び図７Ｂに示すように、金属物質の吸収体２３上に塗布されたレジスト層３０に電子ビーム記録により所望のパターンを形成し、そのパターンが形成されたレジスト層３０を現像する。この結果、吸収体パターンの側面と実質的に同じ傾斜角を有するレジストパターン３１’、３１”が形成される。
【００８０】
図７Ａは、傾斜した側面７１ａ、７１ｂを有する第１吸収体パターン７１の形成に使用される第１レジストパターン３１’を示す。第１レジストパターンは、側面がＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜して形成されている。
【００８１】
図７Ｂは、傾斜角が９０゜である垂直の側面７５ａ、７５ｂを有する第２吸収体パターン７５の形成に使用される第２レジストパターン３１”を示す。第２レジストパターンは、その側面が吸収層２３に対して傾斜角が９０゜、すなわち、垂直傾斜角を有して形成されている。
【００８２】
本実施形態で、第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”を形成する条件を異ならせて、第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”の側面の傾斜角を調節できる。
【００８３】
本実施形態で、電子ビーム記録は、２つの工程を経てなる。すなわち、ＥＵＶ線に対する入射平面と垂直方向に、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じく傾斜した側面を有する第１レジストパターン３１’を得るための電子ビーム記録を行う。次に、ＥＵＶ線に対する入射平面と平行方向に、少なくとも一つの垂直傾斜角を有する側面を有する第２レジストパターン３１”を得るための電子ビーム記録を行う。第２レジストパターン３１”を得るための電子ビーム記録を行った後、第１レジストパターン３１’を得るための電子ビーム記録を行ってもよい。
【００８４】
前記工程を経て電子ビーム記録を行った後、レジスト層３０を現像すれば、図７Ａ及び図７Ｂに示すような第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”を得ることができる。前記のように、第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”を形成するために、レジスト層３０は、少なくとも２つの工程を経てパターニングされる。
【００８５】
ここで、第１レジストパターン３１’は、図２から図３Ｅを参照に説明した本発明の一実施形態でのレジストパターン３１と同様に、その両側面がいずれもＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成される。この結果、側面７１ａ、７１ｂがいずれもＥＵＶ線の入射角度と同じ角度で傾斜した第１吸収体パターン７１を形成することができる。また、第１レジストパターン３１’は、その断面が台形形状を有するように形成されることができる。この結果、断面が台形形状の第１吸収体パターン７１を形成することができる。
【００８６】
前記のように、第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”を形成した後、この第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”をエッチング用のマスクとして使用して、吸収体層２３を、例えば、乾式エッチングすれば、第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”の側面角度とそれぞれ実質的に同じ傾斜角を有する第１吸収体パターン７１及び第２吸収体パターン７５からなる吸収体パターン７０が形成される。
【００８７】
図８Ａは、第１吸収体パターン７１を示す断面図であり、図８Ｂは、第２吸収体パターン７５を示す断面図であり、図９は、第１吸収体パターン７１及び第２吸収体パターン７５からなる吸収体パターン７０の一例を示す平面図である。
【００８８】
前記第１吸収体パターン７１の少なくとも一つの側面７１ａ、７１ｂは、ＥＵＶ線の入射角度と実質的に同じ角度で傾斜するように形成され、第２吸収体パターン７５の少なくとも一つの側面７５ａ、７５ｂは、反射層１２に対して垂直に形成されうる。
【００８９】
以上で説明したように、本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスク５０の吸収体パターン７０を形成するために、金属物質を含む吸収体２３上にレジストを塗布してレジスト層３０を形成した後、電子ビーム記録により所望のパターンを描く。本実施形態で、少なくとも一つの傾斜した側面７１ａ、７１ｂを有する第１吸収体パターン７１に対応する第１レジストパターン３１’と、少なくとも一つの垂直の側面７５ａ、７５ｂを有する第２吸収体パターン７５に対応する第２レジストパターン３１”のための描く条件を異ならせて、第１レジストパターン３１’及び第２レジストパターン３１”を描くための角度を調節することができる。
【００９０】
例えば、電子ビームの記録フィールドのサイズ及びドーズ係数は固定させ、開口のサイズを２０μｍ、電圧を１５ＫｅＶ、ステップのサイズを１５ｎｍの条件として、第１レジストパターン３１’を得るための電子ビーム記録を行える。また、開口のサイズを１５μｍ、電圧を１２ＫｅＶ及び／またはステップのサイズを２０ｎｍの条件として、第２レジストパターン３１”を得るための電子ビーム記録を行える。
【００９１】
電子ビーム記録を行った後に、レジスト層３０を現像すれば、傾斜角が、例えば、約８４゜である台形形状の第１レジストパターン３１’、例えば、９０゜である長方形パターン状の第２レジストパターン３１”からなるレジストパターンが得られる。
【００９２】
このように形成されたレジストパターンをエッチング用のマスクとして利用して、Ｃｌ系のガスで乾式エッチングすれば、レジストパターン傾斜に沿って少なくとも一つの傾斜した側面７１ａ、７１ｂを有する第１吸収体パターン７１と、少なくとも一つの垂直の側面７５ａ、７５ｂを有する第２吸収体パターン７５とを備える吸収体パターン７０が得られる。図１０は、前記条件で形成された少なくとも一つの傾斜した側面を有する吸収体パターン７０、すなわち、第１吸収体パターン７１の断面形状を撮影した写真を示す図である。図１１は、前記条件で形成された垂直の側面を有する吸収体パターン７０、すなわち、第２吸収体パターン７５の断面形状を撮影した写真を示す図である。
【００９３】
本発明は、図面に示す実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるということが理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的範囲は、特許請求の範囲によって決まらなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、半導体製造用のマスクに関連した技術分野に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】従来のＥＵＶＬ用のマスクの構造を示す断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの構造を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図３Ｃ】本発明の一実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図３Ｄ】本発明の一実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図３Ｅ】本発明の一実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図４】本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクを概略的に示す斜視図であり、吸収体パターンの一部分のみを示す。
【図５Ａ】図４の第１吸収体パターンの一の側面を概略的に示す断面図である。
【図５Ｂ】図４の第２吸収体パターンの一の側面を概略的に示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図７Ａ】本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図７Ｂ】本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図８Ａ】本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図８Ｂ】本発明の他の実施形態に係るＥＵＶＬ用のマスクの製造方法を説明するための工程図面である。
【図９】図４の第１吸収体パターン及び第２吸収体パターンからなる吸収体パターンの一例を示す平面図である。
【図１０】所望の条件で形成された傾斜した側面を有する吸収体パターンの断面形状を撮影した示す写真を示す図である。
【図１１】所望の条件で形成された垂直の側面を有する吸収体パターンの断面形状を撮影した写真を示す図である。
【符号の説明】
【００９６】
１０    ＥＵＶＬ用のマスク、
１１    基板、
１２    反射層、
１３    Ｓｉウェーハ、
２０、７０    吸収体パターン、
２１、２２、７１ａ、７１ｂ    傾斜した側面、
２３    吸収体層、
３０    レジスト層、
３１、３１’、３１”    レジストパターン、
７１    第１吸収体パターン、
７５    第２吸収体パターン、
７５ａ、７５ｂ    垂直の側面、
８０    吸収体パターン間の距離、
８１    対応パターン間の距離、
８２    対応パターンの一つの長さ、
８３    吸収体パターンの一つの長さ。
【図１】
2006148113.tif 000003
【図２】
2006148113.tif 000004
【図３Ａ】
2006148113.tif 000005
【図３Ｂ】
2006148113.tif 000006
【図３Ｃ】
2006148113.tif 000007
【図３Ｄ】
2006148113.tif 000008
【図３Ｅ】
2006148113.tif 000009
【図４】
2006148113.tif 000010
【図５Ａ】
2006148113.tif 000011
【図５Ｂ】
2006148113.tif 000012
【図６】
2006148113.tif 000013
【図７Ａ】
2006148113.tif 000014
【図７Ｂ】
2006148113.tif 000015
【図８Ａ】
2006148113.tif 000016
【図８Ｂ】
2006148113.tif 000017
【図９】
2006148113.tif 000018
【図１０】
2006148113.tif 000019
【図１１】
2006148113.tif 000020