(57)【要約】【課題】  ＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を、短時間にかつ素子を破壊することなしに確実に行うことができるＴＭＲ素子の検査方法及び装置を提供する。【解決手段】  ＴＭＲ素子に通常使用時より高い電圧を印加してパルスノイズ発生の有無を検出し、この発生の有無に応じてＴＭＲ素子の評価を行う。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル磁気抵抗効果素子に通常使用時より高い電圧を印加してパルスノイズ発生の有無を検出し、該発生の有無に応じて該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行うことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の検査方法。
【請求項２】
前記印加電圧が、２５０ｍＶ以上の直流電圧であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印加電圧が、前記トンネル磁気抵抗効果素子にダメージを与える電圧より低い電圧であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記パルスノイズ発生の有無の検出が前記トンネル磁気抵抗効果素子の出力を所定の閾値と比較するものであり、該トンネル磁気抵抗効果素子の出力が前記閾値を越えた場合に該トンネル磁気抵抗効果素子が不良品であると評価することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記所定の閾値が、前記トンネル磁気抵抗効果素子の正常時出力のピーク値の１．２倍の値であることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記パルスノイズ発生の有無の検出が、所定方向の直流外部磁場を前記トンネル磁気抵抗効果素子に印加した状態で行われることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、トンネル磁気抵抗効果ヘッド素子であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗メモリであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
トンネル磁気抵抗効果素子に通常使用時より高い電圧を印加する手段と、該電圧を印加した状態で該トンネル磁気抵抗効果素子からパルスノイズ発生の有無を検出する手段と、該発生の有無に応じて該トンネル磁気抵抗効果素子の評価を行う手段とを備えたことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子の検査装置。
【請求項１０】
前記電圧を印加する手段が、前記トンネル磁気抵抗効果素子に２５０ｍＶ以上の直流電圧を印加する手段であることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記電圧を印加する手段が、前記トンネル磁気抵抗効果素子にダメージを与える電圧より低い電圧を印加する手段であることを特徴とする請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記検出する手段が、前記トンネル磁気抵抗効果素子の出力を所定の閾値と比較する手段であり、前記評価を行う手段が、該トンネル磁気抵抗効果素子の出力が前記閾値を越えた場合に該トンネル磁気抵抗効果素子が不良品であると評価する手段であることを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記所定の閾値が、前記トンネル磁気抵抗効果素子の正常時出力のピーク値の１．２倍の値であることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記パルスノイズ発生の有無の検出時に、所定方向の直流外部磁場を前記トンネル磁気抵抗効果素子に印加する手段をさらに備えたことを特徴とする請求項９から１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、トンネル磁気抵抗効果ヘッド素子であることを特徴とする請求項９から１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記トンネル磁気抵抗効果素子が、磁気抵抗メモリであることを特徴とする請求項９から１４のいずれか１項に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）を利用したヘッド素子や磁気抵抗メモリ（ＭＲＡＭ）等のＴＭＲ素子の検査方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＭＲヘッド素子を備えた磁気ヘッドを製造した後又はその製造途中において、それが良品であるか又は不良品であるかを評価することが通常は行われる。この評価の一つとして、破壊電圧が充分大きいか否かによる長時間の使用に耐え得る信頼性の確認を行うことが要求される。
【０００３】
特許文献１には、ＴＭＲヘッド素子にダメージを与えたり破壊させることなく信頼性の確認を行う検査方法として、設定された初期電流値をＴＭＲヘッド素子に通電して抵抗値を測定し、この抵抗値を用いて検査電流値を求めるか、又はこの抵抗値と素子の測定基準となる電圧値により修正電流値を求めることを何度か行い、最終的な修正電流値をＴＭＲヘッド素子に通電して抵抗値を測定し、最終的な抵抗値を用いて検査電流値を求め、このようにして求めた検査電流値を用いてＴＭＲヘッド素子の電磁変換特性等の特性検査を行う方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２３１３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている検査方法は、最終的にＴＭＲヘッド素子の電磁変換特性等の特性検査を行う必要があり、信頼性の確認に多大な手間と非常に長い時間を要するという大きな問題を有している。
【０００６】
従って本発明の目的は、ＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を、短時間かつ容易にしかも確実に行うことができるＴＭＲ素子の検査方法及び装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、ＴＭＲ素子に通常使用時より高い電圧を印加してパルスノイズ発生の有無を検出し、この発生の有無に応じてＴＭＲ素子の評価を行うＴＭＲ素子の検査方法が提供される。
【０００８】
通常使用時より高い電圧を印加してパルスノイズが出力されるかどうかを検出している。このため、ＴＭＲ素子に関する良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことが可能となる。しかも、その場合、素子破壊が発生させることなく良否評価できるので、ＴＭＲ素子の良否選別が可能となる。特に本発明では、ＴＭＲ素子に通常使用電圧より高い電圧を印加しているため、極めて短い時間でＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【０００９】
印加電圧が、２５０ｍＶ以上の直流電圧であることが好ましい。
【００１０】
また、印加電圧が、ＴＭＲ素子にダメージを与える電圧より低い電圧であることも好ましい。
【００１１】
パルスノイズ発生の有無の検出がＴＭＲ素子の出力を所定の閾値と比較するものであり、ＴＭＲ素子の出力がこの閾値を越えた場合にそのＴＭＲ素子が不良品であると評価することが好ましい。
【００１２】
所定の閾値が、ＴＭＲ素子の正常時出力のピーク値の１．２倍の値であることも好ましい。
【００１３】
パルスノイズ発生の有無の検出が、所定方向の直流外部磁場をＴＭＲ素子に印加した状態で行われることも好ましい。これによって、バルクハウゼンノイズ（ＢＨＮ）の影響を除去することが可能となる。
【００１４】
本発明によれば、さらに、ＴＭＲ素子に通常使用時より高い電圧を印加する手段と、この電圧を印加した状態でＴＭＲ素子からパルスノイズ発生の有無を検出する手段と、発生の有無に応じてＴＭＲ素子の評価を行う手段とを備えたＴＭＲ素子の検査装置が提供される。
【００１５】
前にも述べたように、通常使用時より高い電圧を印加してパルスノイズが出力されるかどうかを検出している。このため、ＴＭＲ素子に関する良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことが可能となる。しかも、その場合、素子破壊が発生させることなく良否評価できるので、ＴＭＲ素子の良否選別が可能となる。特に本発明では、ＴＭＲ素子に通常使用電圧より高い電圧を印加しているため、極めて短い時間でＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【００１６】
電圧を印加する手段が、ＴＭＲ素子に２５０ｍＶ以上の直流電圧を印加する手段であることが好ましい。
【００１７】
電圧を印加する手段が、ＴＭＲ素子にダメージを与える電圧より低い電圧を印加する手段であることも好ましい。
【００１８】
検出する手段が、ＴＭＲ素子の出力を所定の閾値と比較する手段であり、評価を行う手段が、ＴＭＲ素子の出力がこの閾値を越えた場合にＴＭＲ素子が不良品であると評価する手段であることが好ましい。
【００１９】
所定の閾値が、ＴＭＲ素子の正常時出力のピーク値の１．２倍の値であることも好ましい。
【００２０】
パルスノイズ発生の有無の検出時に、所定方向の直流外部磁場をＴＭＲ素子に印加する手段をさらに備えたことも好ましい。これによって、ＢＨＮの影響を除去することが可能となる。
【００２１】
ＴＭＲ素子が、ＴＭＲヘッド素子か、又はＭＲＡＭであることも好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ＴＭＲ素子に関する良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことが可能であり、素子破壊が発生させることなく良否評価を行うことができる。特に本発明では、ＴＭＲ素子に通常使用電圧より高い電圧を印加しているため、極めて短い時間でＴＭＲ素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は本発明の一実施形態として、ＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成を概略的に説明する図である。
【００２４】
同図において、１０は複数のＴＭＲヘッドが互いに連接して一列配置されたバー部材であり、１１はＴＭＲヘッド素子の検査装置をそれぞれ示している。
【００２５】
バー部材１０は、多数のＴＭＲヘッドをマトリクス状に形成してなるウエハを個々のバー部材に切断分離した後、ＭＲハイト加工を行った状態のものである。バー部材１０の各ＴＭＲヘッド１０ａは、ＴＭＲ読出しヘッド素子と、インダクティブ書込みヘッド素子と、このＴＭＲ読出しヘッド素子に電気的に接続されている１対の端子パッド１０ｂと、インダクティブ書込みヘッド素子に電気的に接続されている１対の端子パッド１０ｃとを備えている。
【００２６】
検査装置１１は、数十ＭＨｚまでの広帯域、例えば８０ＭＨｚまで測定可能な装置である。具体的には、ＴＭＲ読出しヘッド素子用の１対の端子パッド１０ｂに電気的に接触可能な１対のプローブ１１ａと、この１対のプローブ１１ａに電気的に接続されており、通常使用電圧より高い一定の電圧を供給する定電圧回路１１ｂと、１対のプローブ１１ａに電気的に接続されており、ＴＭＲヘッド素子を流れる電流の値を測定する広帯域の電流測定回路１１ｃと、電流測定回路１１ｃに電気的に接続されており、測定した電流値を表す電流測定回路１１ｃのアナログ出力をデジタル信号に変換する広帯域のＡ／Ｄ変換器１１ｄと、Ａ／Ｄ変換器１１ｄに電気的に接続されており、そのデジタル信号を継続的に入力してＴＭＲヘッド素子の出力電圧を求め、閾値と比較することにより、そのＴＭＲヘッド素子の良否を判別すると共に、定電圧回路１１ｂ及びＡ／Ｄ変換器１１ｄの動作を制御するデジタルコンピュータ１１ｅとを備えている。
【００２７】
図２は、本実施形態における検査装置１１の処理動作を説明するフローチャートである。
【００２８】
まず、バー部材１０の良否の評価を行うＴＭＲヘッド素子の端子パッド１０ｂに１対のプローブ１１ａを電気的に接触させ、この状態で、定電圧回路１１ｂより、磁気ディスク装置の使用環境下においてＴＭＲ素子に印加される通常使用電圧より高い、例えば２５０ｍＶ以上であり、しかもＴＭＲヘッド素子にダメージを与える電圧例えば４００ｍＶより低い、定電圧をＴＭＲヘッド素子に印加開始する（ステップＳ１）。この場合、ＴＭＲヘッド素子を流れるセンス電流によって生じる磁場の影響を抑止するため、ＴＭＲヘッド素子のフリー層の磁化方向に直流外部磁場を印加してＢＨＮが発生しないようにしておくことが望ましい。
【００２９】
次いで、電流測定回路１１ｃによってＴＭＲヘッド素子を流れる電流の値を測定し、その値をコンピュータ１１ｅに入力してＴＭＲヘッド素子の出力電圧値を算出する（ステップＳ２）。出力電圧値は、ＴＭＲヘッド素子の抵抗値と測定した電流とから容易に算出できる。
【００３０】
この算出した出力電圧値を、あらかじめ定めた閾値と比較する（ステップＳ３）。この場合の閾値としては、パルスノイズが存在しないベースライン出力のピーク値の例えば１．２倍程度の値が用いられる。ただし、１．２という数値は単なる一例であり、これ以外の数値であってももちろん良い。また、閾値として、正常なベースライン出力のピーク値に依存しない値を用いても良い。
【００３１】
出力電圧値が閾値以上である場合は、パルスノイズが発生していると判断してそのＴＭＲヘッド素子が不良品であると評価する（ステップＳ５）。一方、出力電圧値が閾値未満の場合は、次のステップＳ４へ進み、この検査を開始してから所定時間経過したかどうか判別する。この場合の所定時間とは、例えば５秒間程度のかなり短い時間である。
【００３２】
所定時間経過していない場合はステップＳ２の測定及び計算処理、ステップＳ３の比較判別処理を繰り返して行う。所定時間経過した場合は、次のステップＳ６へ進み、そのＴＭＲヘッド素子が良品であると評価する（ステップＳ６）。
【００３３】
次いで、バー部材１０の他のＴＭＲヘッド素子について、同様の評価を順次行う。
【００３４】
図３はこのような評価対象となるＴＭＲ読出しヘッド素子の構造の一例を浮上面（ＡＢＳ）と直交する方向から見た断面図であり、図４はこのＴＭＲ読出しヘッド素子をＡＢＳ方向から見た断面図である。
【００３５】
これらの図に示すように、ＴＭＲ読出しヘッド素子のＴＭＲ層部分は、下部シールド層（ＮｉＦｅ）３０上にバッファ層（Ｔａ／ＮｉＦｅ）３１を介して、反強磁性層（ＰｔＭｎ１５０Å）３２、ピン層（ＣｏＦｅ２０Å／Ｒｕ８Å／ＣｏＦｅ３０Å）３３、バリア層（Ａｌ５．７５Å−Ｏｘ）３４、フリー層（ＣｏＦｅ２０Å／ＮｉＦｅ３０Å）３５、キャップ層（Ｔａ）３６を順次積層した構造を有しており、その上に、金属ギャップ層３７を介して上部シールド層３８が積層されている。ＴＭＲ層部分のトラック幅方向には、バイアス層３９が形成されている。ＴＭＲ層の積層順序はこの逆であっても良い。
【００３６】
次に、前述した図２の処理動作によって、このようなＴＭＲヘッド素子の良否評価を行える根拠について説明する。
【００３７】
図５〜図７は、記録媒体からの磁場や外部交流磁場を印加していない状態で、互いに異なるＴＭＲヘッド素子の出力電圧を広帯域の測定器で測定した結果をそれぞれ表すグラフである。横軸は時間（μｓｅｃ）、縦軸はアンプによるＴＭＲヘッド素子出力を増幅した後の出力電圧（ｍＶ）である。この場合、ＴＭＲヘッド素子への印加電圧は、磁気ディスク装置の使用環境下においてＴＭＲヘッド素子に印加される通常使用電圧である１５０ｍＶより高い、３００ｍＶである。
【００３８】
このように、通常使用電圧より高い電圧を印加し、フリー層の磁化方向への外部直流磁場を印加するがその他の外部磁場を全く印加していない状態で、数十ＭＨｚの帯域まで測定可能な広帯域の測定器によってＴＭＲヘッド素子の出力を測定すると、図５のＴＭＲヘッド素子においては、ほぼ一定のベースライン出力が観察される。これに対して、図６のＴＭＲヘッド素子においては、５μｓｅｃという非常に短い期間であってもパルスノイズがときどき発生しており、図７のＴＭＲヘッド素子においては、この非常に短い期間内でパルスノイズが多発している。
【００３９】
パルスノイズが発生するＴＭＲヘッド素子であるかどうかを実際に判別するには、測定したＴＭＲヘッド素子の出力電圧の絶対値が、所定の閾値以上であるかどうか、例えば図５の出力電圧のピーク電圧をＶｐとすると例えば１．２Ｖｐなる閾値以上であるかどうか、を判別する。
【００４０】
これらＴＭＲヘッド素子について、印加電圧を徐々に上げて耐電圧試験を行うと、図５のＴＭＲヘッド素子においては破壊電圧が約７００ｍＶと高く、これに対して、図６及び図７のＴＭＲヘッド素子においては破壊電圧が約４００ｍＶと低かった。従って、パルスノイズの発生しない図５のＴＭＲヘッド素子は、バリア層が正常であり、信頼性の高い良品であると評価でき、パルスノイズの発生した図６及び図７のＴＭＲヘッド素子は、バリア層にピンホールが生じているであろうために、信頼性が低い不良品であると評価できた。
【００４１】
複数のＴＭＲヘッド素子について、同様の耐電圧試験を行うと、図８に示すように、集団Ａ及び集団Ｂとに２極化した分布を有している。ただし、図８において、横軸はヘッド素子抵抗値、縦軸は破壊電圧をそれぞれ表している。
【００４２】
集団Ａに含まれるＴＭＲヘッド素子Ａ１〜Ａ５は、その破壊電圧が約７００ｍＶであるから信頼性の高い良品と評価され、集団Ｂに含まれるＴＭＲヘッド素子Ｂ１〜Ｂ５はその破壊電圧は約４００ｍＶと低いから信頼性が低い不良品であると評価される。
【００４３】
このように、本実施形態によれば、ＴＭＲヘッド素子に関する信頼性を調べその良否の評価を極めて容易にかつ短時間に行うことが可能である。しかも、その場合、素子破壊が発生させることなく信頼性を評価できるので、ＴＭＲヘッド素子の良否の選別処理が可能となる。特に本実施形態では、ＴＭＲヘッド素子に通常使用電圧より高い電圧を印加しているため、極めて短い時間でＴＭＲヘッド素子に関する信頼性の確認を行うことができ、量産に非常に有効である。
【００４４】
上述した実施形態では、通常使用電圧より高い電圧として３００ｍＶをＴＭＲヘッド素子に印加しているが、どの程度の電圧を印加すれば短時間でＴＭＲヘッド素子に関する信頼性の評価を行えるかを確かめた。表１は、４４個のＴＭＲヘッド素子サンプルについて、印加電圧を１５０ｍＶ、２００ｍＶ、２５０ｍＶ、３００ｍＶ、３５０ｍＶとしたときの５秒間のパルスノイズ発生の有無を前述の方法で判別し、その後、印加電圧をさらに上昇させて耐電圧試験を行った結果を表している。ただし、耐電圧特性が「低」とされているサンプルは素子破壊電圧が約４００ｍＶのものであり、「高」とされているサンプルは素子破壊電圧が約７００ｍＶのものである。
【００４５】
いずれの印加電圧でもパルスノイズが生じるサンプルは耐電圧特性が低く、これはバリア層にピンホールを有するＴＭＲヘッド素子である。印加電圧が１５０ｍＶ、２００ｍＶの場合にパルスノイズが生じないサンプルであっても、耐電圧特性の低いものが存在する。しかしながら、印加電圧が２５０ｍＶ以上でパルスノイズ無しのサンプルは必ず耐電圧特性が高くなっている。従って、印加電圧を２５０ｍＶ以上、好ましくは約３００ｍＶとすれば、ＴＭＲヘッド素子に関する信頼性の評価を短時間でかつ確実に行うことができる。
【００４６】
【表１】
2006032840.tif 000003
【００４７】
図９は表１の内容をまとめ、パルスノイズ発生有り無しのサンプルの頻度を表した図である。
【００４８】
同図からも分かるように、印加電圧が１５０ｍＶ、２００ｍＶの場合、パルスノイズ発生無しのサンプルの頻度が耐電圧特性の高いサンプルの頻度を上回っており、パルスノイズ発生無しであっても耐電圧特性が低いものを含んでいることを示している。印加電圧が２５０ｍＶ以上であれば、パルスノイズ発生無しのサンプルの頻度が耐電圧特性の高いサンプルの頻度と一致しており、パルスノイズ発生の有無でほぼ完全にピンホールの有無の選別が可能となっているのが分かる。
【００４９】
図１０は、本発明の他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【００５０】
図１の実施形態においては、ＭＲハイト加工を行った後のバー部材の状態でＴＭＲヘッド素子の検査を行っているが、本実施形態では、バー部材から個々の磁気ヘッドスライダ１００に分離した状態でそのＴＭＲヘッド素子の１対の端子パッド１００ｂに１対のプローブ１０１ａを電気的に接触させて、検査を行う。検査装置の他の構成、動作及び作用効果は図１の実施形態の場合と同様である。
【００５１】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【００５２】
本実施形態では、磁気ヘッドスライダ１１０をサスペンション１１２に装着してなるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）の状態でＴＭＲヘッド素子に電気的に接続されている接続パッド１１２ａに１対のプローブ１１１ａを電気的に接触させて、検査を行う。検査装置の他の構成、動作及び作用効果は図１の実施形態の場合と同様である。
【００５３】
なお、上述した実施形態は、ＴＭＲヘッド素子の検査を行う場合について説明したが、本発明は、ＭＲＡＭの検査を行う場合にも同様に適用できることは明らかである。
【００５４】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施形態として、ＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成を概略的に説明する図である。
【図２】図１の実施形態における検査装置の処理動作を説明するフローチャートである。
【図３】図１の実施形態における各ＴＭＲ読出しヘッド素子の構造の一例をＡＢＳと直交する方向から見た断面図である。
【図４】図３のＴＭＲ読出しヘッド素子をＡＢＳ方向から見た断面図である。
【図５】記録媒体からの磁場や外部交流磁場を印加していない状態で、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧を広帯域の測定器で測定した結果を表すグラフである。
【図６】記録媒体からの磁場や外部交流磁場を印加していない状態で、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧を広帯域の測定器で測定した結果を表すグラフである。
【図７】記録媒体からの磁場や外部交流磁場を印加していない状態で、ＴＭＲヘッド素子の出力電圧を広帯域の測定器で測定した結果を表すグラフである。
【図８】複数のＴＭＲヘッド素子について耐電圧試験を行った結果を表すグラフである。
【図９】表１の内容をまとめ、パルスノイズ発生有り無しのサンプルの頻度を表した図である。
【図１０】本発明の他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態におけるＴＭＲヘッド素子の検査を行う構成の一部を概略的に説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  バー部材
１０ａ  ＴＭＲヘッド
１０ｂ、１０ｃ、１００ｂ  １対の端子パッド
１１  検査装置
１１ａ、１０１ａ、１１１ａ  １対のプローブ
１１ｂ  定電圧回路
１１ｃ  電流測定回路
１１ｄ  Ａ／Ｄ変換器
１１ｅ  デジタルコンピュータ
１００、１１０  磁気ヘッドスライダ
１１２  サスペンション
１１２ａ  １対の接続パッド
【図１】
2006032840.tif 000004
【図２】
2006032840.tif 000005
【図３】
2006032840.tif 000006
【図４】
2006032840.tif 000007
【図５】
2006032840.tif 000008
【図６】
2006032840.tif 000009
【図７】
2006032840.tif 000010
【図８】
2006032840.tif 000011
【図９】
2006032840.tif 000012
【図１０】
2006032840.tif 000013
【図１１】
2006032840.tif 000014