(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置において、計測ターゲットのパフォーマンスを最適化すること。【解決手段】放射線ビームを提供する照明システムと、照明システムからの放射線ビームの断面に製品デバイスのフィーチャを表す製品パターンを付与する製品パターン化デバイスを支持する支持構造と、放射線ビームの断面に、計測ターゲットを表す計測ターゲット・パターンを付与する計測ターゲット・パターン化デバイスとを有するリソグラフィ装置が提供される。製品パターン化デバイスと計測ターゲット・パターン化デバイスは分離されている。投影システムが、基板テーブルに保持された基板上のターゲット部分に、製品パターン化デバイスおよび計測ターゲット・パターン化デバイスによってパターン化された放射線を投射する。計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラが、製品パターンとは別個に計測ターゲット・パターンを調整する。【選択図】図３
2006032956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線ビームを提供する照明システムと、
前記放射線ビームを、製品デバイスのフィーチャを表す製品パターンでパターン化する製品パターン化デバイスと、
前記放射線ビームを、少なくとも１つの計測ターゲットを表す計測ターゲット・パターンでパターン化する計測ターゲット・パターン化デバイスと、
前記計測ターゲット・パターンを、前記製品パターンとは別個に調整する計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラと、
前記製品パターン化デバイスおよび前記計測ターゲット・パターン化デバイスを、それらが互いに分離されるように支持する支持構造と、
前記製品パターン化デバイスおよび前記計測ターゲット・パターン化デバイスによってパターン化された前記放射線を基板のターゲット部分に投射する投影システムと
を有するリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、前記製品パターンが実施された後に前記計測ターゲット・パターンを調整する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記製品パターン化デバイスおよび前記計測ターゲット・パターン化デバイスのうちの少なくとも一方が、個々に制御可能なエレメントのアレイを有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
複数のマスクを保管するマスク保管デバイスと、
選択されたマスクを前記マスク保管デバイスから提供するマスク保管デバイス・コントローラと
をさらに有し、
前記製品パターン化デバイスおよび前記計測ターゲット・パターン化デバイスのうちの少なくとも一方が、前記複数のマスクのうちの少なくとも１つを有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、既にパターン化された基板の検査から得られる情報に基づいて前記計測ターゲットを調整する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記情報を前記計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラに提供するために、前記既にパターン化された基板を検査する計測ターゲット検査デバイスをさらに有している請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、複数の計測ターゲットを有する計測ターゲット・パターンを提供する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記複数の計測ターゲットのうちの２以上の計測ターゲットが、前記基板上の異なるターゲット部分に配置される請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記異なるターゲット部分が異なるダイを含む請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、少なくとも１つの所定の規格に対応した計測ターゲットを提供する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの計測ターゲットが、一次構造および少なくとも１つの二次構造を有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記二次構造が、前記一次構造とは異なる形態を有している請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記二次構造が、前記一次構造より短い特性長スケールを有している請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記一次構造が格子を有している請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記計測ターゲット・パターン化デバイスは、計測ターゲットに対応する前記放射線ビーム、および前記計測ターゲットのための保護構造に対応するパターンをパターン化する請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記保護構造が前記計測ターゲットの少なくとも１つのコピーを有している請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
放射線ビームを供給する照明システムと、
前記放射線ビームをパターン化するための個別に制御可能な複数のエレメントのアレイを制御する制御システムと、
パターン化されたビームを基板のターゲット部分に投射する投影システムと
を有するリソグラフィ装置において、
前記制御システムが、形成する製品デバイスのフィーチャを表す製品パターン・データを含む第１のデータ・ファイルを受け取ること、および
前記制御システムが、計測ターゲット・パターンおよび前記基板上の意図する計測ターゲット位置を表す計測ターゲット・データを含む第２のデータ・ファイルを受け取ること
を特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記製品パターン・データおよび前記計測ターゲット・データの解析に基づいて計測ターゲットのパフォーマンスを検出する計測ターゲット検証および適合デバイスをさらに有している請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記検出したパフォーマンスに基づいて前記計測ターゲット・データを調整し、それによって改良した計測ターゲットを提供する計測ターゲット検証および適合デバイスをさらに有している請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
製品パターン化デバイスを使用して放射線ビームを製品パターンにパターン化するステップと、
計測ターゲット・パターン化デバイスを使用して前記放射線ビームを計測ターゲット・パターンにパターン化するステップと、
前記製品パターン化デバイスおよび前記計測ターゲット・パターン化デバイスによってパターン化された前記放射線を基板のターゲット部分に投射するステップと、
前記基板上に生成された前記計測ターゲット・パターンを、現像および処理プロセスの後で検査するステップと、
前記検査ステップに基づいて、前記計測ターゲット・パターン化デバイスに送信する制御データを更新するステップと
を含む計測ターゲット最適化方法。
【請求項２１】
製品パターン化デバイスを使用して放射線ビームを製品パターンにパターン化するステップと、
計測ターゲット・パターン化デバイスを使用して前記放射線ビームをターゲット・パターンにパターン化するステップと、
前記製品パターン化デバイスおよび前記計測ターゲット・パターン化デバイスによってパターン化されたパターン・ビームを基板のターゲット部分に投射するステップと、
前記製品パターンを変更することなく前記計測ターゲットを独立して変更するために、前記製品パターン化デバイスとは別個に前記計測ターゲット・パターン化デバイスを制御するステップと
を含むデバイス製造方法。
【請求項２２】
１つまたは複数の計測ターゲットを形成するために基板を第１のパターンに露光するステップを含む第１の露光と、
前記基板に形成された前記１つまたは複数の計測ターゲットの潜像を検査し、そこから改良露光設定のセットを得るステップと、
１つまたは複数の製品デバイス・フィーチャを形成するために前記基板を第２のパターンに露光するステップを含む第２の露光と
を含むデバイス製造方法であって、
前記第２の露光が前記改良露光設定のセットを使用して実行されるデバイス製造方法。
【請求項２３】
前記潜像が、パターン化された放射線への露光後であり且つレジスト層にそれ以外の処理または現像を施す前に、前記基板上の前記レジスト層に残される検出可能パターンを表している請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２４】
前記第１の露光および前記第２の露光が、同じ基板の同じレジスト層に対して実行される請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２５】
前記露光設定が、画像倍率、画像平行移動、画像焦点および放射線強度のうちの少なくとも１つを含む請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２６】
前記第１のパターンが計測ターゲットのみを含む請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２７】
前記第２のパターンが製品デバイス・フィーチャのみを含む請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２８】
前記第１のパターンが第１の計測ターゲット・セットを含み、前記第２のパターンが前記第１のセットとは異なる第２の計測ターゲット・セットを含む請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分に所望のパターンを適用するためのマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）、フラット・パネル・ディスプレイ、および微細構造を要する他のデバイスの製造に使用することができる。従来のリソグラフィ装置では、マスクあるいはレチクルとも呼ばれるパターン化手段（パターニング手段）を使用して、ＩＣ（もしくは他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成し、このパターンを、放射線感光材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコン・ウェハもしくはガラス・プレート）上の（例えば１つまたは複数のダイ部分を含む）ターゲット部分に結像（イメージング）する。パターン化手段は、マスクの代わりに、回路パターンを生成する個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを有していてもよい。例えばパターン化手段は、それらに限定されないが、空間光変調器、ディジタル・ミラー・デバイス、回折格子光弁、液晶ディスプレイなどの反射型もしくは透過型コントラスト・デバイスであってもよい。
【０００３】
通常、１枚の基板には、順次露光される隣接ターゲット部分の回路網が含まれている。公知のリソグラフィ装置としては、各露光期間にパターンをターゲット部分に露光することによって各ターゲット部分を照射するステッパがある。他の公知のリソグラフィ装置としては、パターンを投影ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査ながら、基板をこの方向に平行に、あるいは逆平行に同期走査することによって各ターゲット部分を照射するスキャナがある。
【０００４】
計測ターゲット（ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ  ｔａｒｇｅｔ）は、一般に、基板に書き込まれるパターンの一部を形成してもよいタイプのターゲットを指すものであるが、この計測ターゲットは、製造中のデバイスの機能または構造的な形態に直接的には実際に寄与していない。通常、計測ターゲットの機能は、例えば投影システムに対する基板のアライメント、オーバレイおよび／または結像特性の検証などといった製造プロセス自体のアスペクトを容易にすることである。したがって計測ターゲットは、リソグラフィ装置またはリソグラフィ装置内に関連づけられた「オフライン」計測装置に使用されるアライメントマークおよびターゲットを含むことができる。オフラインとは、通常、基板をパターン化するために使用するメイン・リソグラフィ・プロセスからは独立して別の時間に処理するように設計された計測装置を意味しており、一方、インライン計測とは、同じ時間および／または同じ位置で実行されるプロセスを意味している。この説明の目的のために、上記アライメントマークおよびターゲットのための保護構造は、それ自体が複数のタイプの計測ターゲットであるとして理解されねばならない。
【０００５】
マスクベースのシステムを使用している一実施例では、通常、実際にマスクを製造する前に計測ターゲットを定義しなければならない。例えばオーバレイの性能（パフォーマンス）に関して、その計測ターゲット・デザインの製造条件が最適ではないことが判明した場合、改良型計測ターゲット・デザインを実施するためには、それが可能になるまでの間に新しいマスクもしくは複数のマスクのセットを製造しなければならず、そのために新しい計測ターゲット・デザインの潜在能力を評価する速度が拘束され、コストの増加を顧客にもたらしている。
【０００６】
マスクベースのシステムあるいはマスクレス・システムのいずれかを使用している他の実施例では、露光すべきバッチ内の基板と基板の間の変動は、１つの基板からインラインで引き出される計測情報が次の基板の特性を正確に表さないことを意味する。このような状況においては、第１の基板の検査に基づく第２の基板のための露光設定値のセットは、もはや最適ではないことになる。この問題は、計測ターゲットを最適露光設定値でもう一度プリントすることができるように、計測ターゲットを検査した後で各基板をリワーク（補整）することによって解決できるが、このリワーク・プロセスは装置の効率を低下させ、また複雑な基板処理装置を必要とする。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
したがって計測ターゲットの性能（パフォーマンス）をリソグラフィ・デバイス内で最適化することができるシステムおよび方法が必要である。加えて、あるいは別法として、製品設計が終了した後であっても計測ターゲットの選択に柔軟性を付与することができるシステムおよび方法が必要である。さらに加えて、あるいは別法として、基板の特性がバッチ内で変化した時に露光設定値を提供するための有効なシステムが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施例によれば、放射線ビームを提供するように構成された照明システムと、製品パターン化デバイスを支持するように構成された支持構造と、計測ターゲット・パターン化デバイスとを有するリソグラフィ装置が提供される。製品パターン化デバイスは、照明システムから出された放射線ビームの断面に、形成する製品デバイスのフィーチャを表した製品パターンを付与することができる。計測ターゲット・パターン化デバイスは、照明システムから出された放射線ビームの断面に、少なくとも１つの計測ターゲットを表した計測ターゲット・パターンを付与することができる。製品パターン化デバイスは、計測ターゲット・パターン化デバイスから分離されている。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構成された基板テーブルと、製品パターン化デバイスおよび計測ターゲット・パターン化デバイスによってパターン化された放射線を基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムと、製品パターンとは無関係に計測ターゲット・パターンを調整することができる計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラとをさらに有している。
【０００９】
計測ターゲット・パターンを制御するための独立したデバイスを有するこの実施例の場合、製品パターンを変更することなく計測ターゲットを更新することができる。この構造により、場合によってはマスクレス・リソグラフィ・システムの高価なレチクル・セットあるいは大量のデータ・セットの中に具現化された製品パターンを置き換えまたは改変することなく、計測ターゲット・パターン、位置等を頻繁に変更することができる。様々な実施例では、計測ターゲットのデザイン変更は、（１）インライン計測の考慮、（２）オフライン計測の考慮、および／または（３）計測ターゲット・デザインプロジェクトからの新しい見識、が動機になっている。
【００１０】
一実施例では、計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、製品パターンが完成した後で計測ターゲット・パターンを調整するように構成することができる。露光直前に、この「最後の瞬間」を計測ターゲット・パターンに付与することにより、インラインまたは「リアルタイム」最適化を含む、計測ターゲットを有効に最適化するための機会が著しく広くなる。計測ターゲットの最適化は、フィードバック・ループによって、例えばパターン化および加工処理の済んだ基板の検査によって得られるデータによって達成することができる。より一般的には、この構成は、計測ターゲットをプリントおよび位置決めするための選択肢および柔軟性を付与する。
【００１１】
一実施例では、製品パターン化デバイスおよび計測ターゲット・パターン化デバイスのうちの少なくともいずれか一方は、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを有していてもよい。このようなアレイを計測ターゲット・パターンに使用することにより、従来の反射型もしくは透過型マスクと比較すると、例えば柔軟性が増し、更新速度が速くなる。所与の計測ターゲット（および詳細には計測ターゲットと関連づけられた二次構造（サブストラクチャー））が如何に良好に機能するかを事前に予測することは多くの場合困難である。したがって計測ターゲットの総合的なデザイン変更に続いて、新しい計測ターゲットのパフォーマンスを最適化するために、その新しい計測ターゲットのパラメータの微調整がしばしば必要である。この実施例の一実施例によれば、この微調整は、毎回新しいマスクを生成することなく実施することができる。
【００１２】
一実施例では、同じ目的に役立つ個々に制御可能な複数のエレメントのアレイは、異なる複数のマスクのセットの中に具現化された複数の計測ターゲット・パターンとは対照的に、常に１つの位置に固定されるという利点を有している。したがって本発明によるこの実施例は、計測ターゲット・パターンを変更する毎に所定の位置から物理的に移動させなければならない複数のマスクのセットより優れた精度を達成することができる。
【００１３】
また一実施例では、製品パターン化デバイスおよび／または計測ターゲット・パターン化デバイスがマスクを有していてもよい。このような構成に適応するために、リソグラフィ装置は、複数のマスクを保管することができるマスク保管デバイスと、選択されたマスクをマスク保管デバイスからリソグラフィ・デバイス内の結像位置へ移送するように構成されたマスク保管デバイス・コントローラとをさらに有することができる。これらのマスクによって、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイに勝る複数の利点が提供され、また特定の状況によってはこれらのマスクのほうがより適している場合がある。例えば、計測ターゲット・パターンは製品ターゲット・パターンと比較して相対的に単純であるため、複雑な制御要求事項を有する比較的高価な、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを、比較的単純で置換可能な計測ターゲット・レチクル・セットで十分である計測ターゲット・パターンに用いることは正当ではないかもしれない。とりわけ固定マスクが製品パターン化デバイスに使用される一実施例では、マスクを使用してスループット率をより高くすることができる。
【００１４】
一実施例では、計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、既に結像されている基板の検査から得られる情報に基づいて計測ターゲットを調整するように構成することができる。このフィードフォワード・ステップをループに組み込むことにより、計測ターゲットを効果的に更新することができる。
【００１５】
一実施例では、リソグラフィ装置は、基板上の計測ターゲットを検査し、且つその検査結果を自動的に計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラに提供することができる計測ターゲット検査デバイスをさらに有していてもよい。そして計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは新しい基板をプリントすることができ、この新しい基板は計測ターゲットをさらに洗練するために引き続き検査される。一般に、検査に先立って、計測ターゲットでパターン化された基板を処理する必要があるので、検査ステップは通常、主投影ビーム光路の外側で実行される。
【００１６】
様々な実施例において、上で説明した最適化プロセスは、計測ターゲット・デザインの多数のフィーチャを扱うことができる。これらは、一次構造（主構造）、二次構造（副構造）、および計測ターゲット・セグメンテーションを含んでいてもよい。また後者の計測ターゲット・セグメンテーションには、アライメントマーク・セグメンテーション（これは走査方向に沿ったセグメンテーションを使用して異なる回折次数を生成し、それによってアライメントのために用いられる特定の次数の信号強度を強化するもの）、およびプロセス・セグメンテーション（ここでは計測ターゲットが走査方向に平行もしくは直角にセグメント化されているが、有効アライメント次数には無関係のセグメンテーション次元を有している）が含まれていてもよい。これは、生成される回折次数には影響しないけれども、アライメントマークをプロセスおよびデザイン・ルールと互換性のあるものにすることができる。
【００１７】
一実施例では、計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、複数の計測ターゲットを有する計測ターゲット・パターンを提供するように構成することができる。最適化を目的として計測ターゲットを試験する場合、多数の計測ターゲットを各基板に結像することができ、それにより露光基板毎に複数の試験を実施することができる。この実施例の場合、上記計測ターゲット検査デバイスは、新しい基板に適用すべき計測ターゲット・パターンを改善するために、計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラへの制御信号の送信に先立って、第１の基板上の複数の計測ターゲットの各々を試験するように構成することができる。
【００１８】
一実施例では、基板上の異なるターゲット部分に複数の計測ターゲットを配置することができる。この手法は、複数の計測ターゲットを配置するためのより広い範囲を提供する。多くの場合、特定のタイプの計測ターゲットの最適位置は、他の計測ターゲットの最適位置とは異なっており、例えば粗アライメントマークおよび精密アライメントマークの場合がそうである。
【００１９】
一実施例では、異なるダイに異なる計測ターゲットが書き込まれる。この手法により、個々のダイ上の計測ターゲットのために取って置く必要のある空間の量が著しく低減されるため、製品デバイス・フィーチャを配置するために利用することができるより広い空間を顧客にもたらすことができる。例えば上記粗アライメントマークおよび精密アライメントマークの場合、露光毎に（したがってダイ毎に）計測ターゲット・デザインを変更することができないと仮定すると、各々の露光が粗アライメントおよび精密アライメントのための２つのマークを備えていなければならず、空間が無駄に消費されることになる。製品パターンと計測ターゲット・パターンの両方を備えたマスクを必要とするデザインの場合、ダイ毎のこのような変更は、マスク全体の頻繁な交換なくしては不可能である。
【００２０】
一実施例では、計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラは、異なる製造者の規格に対応する計測ターゲットを提供することができる。この特徴により、使用者は、異なる製造者からのマシンを使用して個々の層を容易にプリントすることができる。この特徴がない場合、新しい計測ターゲットを使用して新しいブランドのマスクを生成することによってのみ、異なる製造者からのマシンを使用して個々の層を容易にプリントすることが可能である。また、この特徴により、このようなステップに関連する経費および時間の損失が回避される。
【００２１】
一実施例では、個々の製品フィーチャよりはるかに大きい計測ターゲットを使用することが有利であるが、このような計測ターゲットは、投影装置によって若干異なって結像され、計測ターゲットと製品フィーチャの間の不整列の原因になることがある。このような不整列によって生じる誤差は、計測ターゲット・パターンに二次構造を備えることによって小さくすることができる。この二次構造には、一次構造の形態とは異なる形態を持たせることができ、例えば製品フィーチャにより類似した形態を持たせることができる。詳細には、二次構造は、一次構造の特性長スケールよりはるかに短い特性長スケールを使用して構成することができる。二次構造は、製品様フィーチャ以外に、コンタクト・ホールおよび水平ラインもしくは垂直ラインを備えることも可能である。
【００２２】
上で考察した本発明の実施例は、従来技術のスキームにより可能であろうパラメータの範囲よりもさらに広い範囲で試験するという可能性を含む、これら二次構造のタイプおよびパラメータの極めて有効な最適化を提供する。
【００２３】
一実施例では、計測ターゲット・パターン化デバイスは、計測ターゲットに対応するパターン、および計測ターゲットのための保護構造に対応するパターンを放射線ビームに付与するように構成することができる。保護構造により、計測ターゲットの品質を低下させ、延いてはオーバレイ測定誤差を誘発し得る外部の原因による過度の機械的および／または化学的な腐食（例えば基板研磨段階の間の）が防止される。
【００２４】
一実施例では、周囲のフィーチャから一定のクリアランスが存在していることが望ましい。しかし、計測ターゲットが過剰に露光されると（例えば上で考察した機械的もしくは化学的な腐食に至るまで露光されると）、計測ターゲットが損傷しやすくなることが考えられる。より小さい計測ターゲットの場合、それらが個々のダイとダイの間のスクライブ・レーン（この領域は、個々の完成ダイにするために基板が最終的に切断されるレーンを表している）内に配置される場合であっても、それらの空間範囲がスクライブ・レーンの幅と比較して狭いため、危険（例えば放射線）に晒されることになる。他の実施例では、より大きい特定のタイプの計測ターゲット（例えばアライメントマーク）の場合はこの限りではない。計測ターゲットがダイの外側の基板の縁の周りに配置される実施例では、ほとんどのタイプの計測ターゲットが、何らかの形態の保護構造の恩恵を受けることができる。このような構造を備えることにより、計測ターゲットを配置するために利用することができる有効空間が広くなる。
【００２５】
一実施例では、保護構造は、計測ターゲットの複数のコピーを有していてもよく、これらは機能ターゲットから最適距離で配置されており、且つ互いに最適距離で配置されている。より一様にパターン化された表面を提供することを一般的な目的とした他のダミー構造を使用することも可能である。実際にどの構造が最も良好に機能するかを予測することは困難であり、したがって最適サイズおよび形状を決定するためには、何度も試行されることが望ましい。
【００２６】
様々な実施例では、製品パターン化デバイスと計測ターゲット・パターン化デバイスの間、あるいはそれらによってパターン化された放射線ビームのエレメントの間、もしくは計測ターゲット構造と基板自体の上のデバイス構造の間にクロストークが生じることがある。このクロストークは、基板のスクライブ・レーン内のクロストークを予期し得ない位置、あるいはクロストークが最小化される位置に計測ターゲットを配置することによって小さくすることができる（これは、プリントする製品パターンについての情報から推論することができる）。例えば特定のタイプの構造の計測ターゲットとのクロストークは、通常、計測ターゲットを製品デバイス・パターン内の同様の構造から離して配置することによって最小化することができる。
【００２７】
本発明の他の実施例によれば、投影放射線ビームを供給するように構成された照明システムと、投影ビームの断面にパターンを付与するように機能し、したがってパターン化された放射線ビームを提供する個別制御可能な複数のエレメントのアレイを制御するように構成された制御システムと、基板を保持するように構成された基板テーブルと、パターン化された放射線ビームを基板のターゲット部分に投射するように構成された投影システムとを有するリソグラフィ装置が提供される。制御システムは、形成する製品デバイスのフィーチャを表す製品パターン・データを含んだ第１のデータ・ファイルと、意図する計測ターゲット・パターンおよび基板上の意図する計測ターゲット位置のうちの少なくともいずれか１つを表す計測ターゲット・データを含んだ第２のデータ・ファイルを受け取るように構成されている。
【００２８】
この実施例により、基板にプリントすべき計測ターゲット・パターンを迅速且つ効果的に追加もしくは変更することができる。
【００２９】
一実施例では、計測ターゲット・パターンは、製品パターンには無関係に制御することができ、また他の方法で可能である以上により後段で変更することができる。実際、この実施例により、製品パターン自体が完成した後に計測ターゲットを変更することができ、この計測ターゲットの変更は、実際に基板を露光する直前に実行する最終プロセスとして残すことができる。
【００３０】
一実施例では、リソグラフィ装置は、製品パターン・データおよび計測ターゲット・パターン・データの解析に基づいて計測ターゲットの期待性能を決定し、且つこのようにして決定された期待性能に従って制御システムに更新計測ターゲット・データを提供することができる計測ターゲットの検証および適合デバイスをさらに有していてもよい。この実施例は、この実施例が可能にしているように、使用者に製品構造の詳細を事前に手動解析させることなく、新しい計測マークによる計測ターゲット・パターンの自動調整および最適状態への配置を可能にしており、したがって多額の経費を必要とすることなく速やかに計測ターゲットを変更することができる。計測ターゲット検証および適合デバイスは、リアルタイムで動作するように構成することができるため、新しい計測ターゲットをインラインで導入することができる。
【００３１】
本発明の他の実施例によれば、照明システムを使用して放射線ビームを提供するステップと、照明システムから得られる放射線ビームの断面に、形成する製品デバイスのフィーチャを表す製品パターンを付与するために製品パターン化デバイスを使用するステップと、照明システムから得られる放射線ビームの断面に、少なくとも１つの計測ターゲットを表す計測ターゲット・パターンを付与するために計測ターゲット・パターン化デバイスを使用するステップと、製品パターン化デバイスおよび計測ターゲット・パターン化デバイスによってパターン化された放射線を、基板のターゲット部分に投射するステップと、基板に生成された計測ターゲット・パターンを、現像および処理の後で検査するステップと、計測ターゲット・パターン化デバイスに送信する制御データを、検査に基づいて更新するステップとを含む計測ターゲット最適化方法が提供される。
【００３２】
本発明のさらに他の実施例によれば、照明システムを使用して放射線ビームを提供するステップと、照明システムから得られる放射線ビームの断面に、形成する製品デバイスのフィーチャを表す製品パターンを付与するために製品パターン化デバイスを使用するステップと、照明システムから得られる放射線ビームの断面に、少なくとも１つの計測ターゲットを表す計測ターゲット・パターンを付与するように計測ターゲット・パターン化デバイスを使用するステップと、製品パターン化デバイスおよび計測ターゲット・パターン化デバイスによってパターン化された放射線を、基板のターゲット部分に投射するステップと、製品パターンを変更することなく少なくとも１つの計測ターゲットを独立して変更することができるよう、製品パターン化デバイスとは別個に計測ターゲット・パターン化デバイスを制御するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。
【００３３】
本発明のさらに他の実施例によれば、１つまたは複数の計測ターゲットを形成するために基板を第１のパターンに露光するステップと、前記基板に形成された前記１つまたは複数の計測ターゲットの潜像を検査するステップと、検査結果から、改良した露光設定のセットを得るステップとを含む第１の露光と、１つまたは複数の製品デバイス・フィーチャを形成するために前記基板を第２のパターンに露光するステップを含む第２の露光とを含むデバイス製造方法であって、前記改良した露光設定のセットを使用して前記第２の露光が実行されることを特徴とするデバイス製造方法が提供される。
【００３４】
本発明の他の実施例、特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施例の構造および動作について、以下、添付の図面を参照して詳細に説明する。
【００３５】
本明細書に組み込まれ、且つ本明細書の一部を形成している添付の図面は、本発明を示したものであり、以下の説明と協同して本発明の原理をさらに説明するとともに、当業者による本発明の構築および使用を可能にしている。
【００３６】
以下、本発明について添付の図面を参照して説明する。添付の図において、同じ参照番号は、全く同じエレメントもしくは機能的に類似したエレメントを表している。
【実施例】
【００３７】
（概説および用語）
本明細書は、リソグラフィ装置の、とりわけ集積回路（ＩＣ）の製造における使用について言及しているが、本明細書において説明するリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導および検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していてもよいことを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」あるいは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」あるいは「ターゲット部分」という用語の同義語と見なし得ることが当業者には理解されよう。本明細書において言及されている基板は、例えばトラック（例えば、典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光済みレジストを現像するツール）、あるいは計測または検査ツール内で、露光前もしくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよびその他の基板処理ツールに適用することができる。また基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書に使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００３８】
本明細書に使用されている「放射線」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射線（例えば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍもしくは１２６ｎｍの放射線）、極紫外（ＥＵＶ）放射線（例えば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射線）、およびイオン・ビームあるいは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射線が包含される。
【００３９】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、例えば使用する露光放射線に適した、あるいは液浸液の使用もしくは真空の使用などの他の要因に適した屈折光学系、反射光学系およびカタディオプトリック光学系を始めとする様々なタイプの投影システムが包含されるものとして広義に解釈されたい。本明細書における「レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００４０】
本明細書に使用されている「パターン化手段」という用語は、放射線ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板のターゲット部分にパターンを生成するために使用することができる手段を意味するものとして広義に解釈されたい。また、放射線ビームに付与されるパターンは、基板のターゲット部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。通常、放射線ビームに付与されるパターンは、ターゲット部分に生成されるデバイス、例えば集積回路内の特定の機能層に対応している。
【００４１】
パターン化手段は、透過型であってもよく、あるいは反射型であってもよい。パターン化手段の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイおよびプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィの分野においてよく知られており、バイナリ、交互位相シフトおよび減衰位相シフトなどのマスク・タイプ、および様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例では、マトリックス状に配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射線ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができるため、この方法によって反射ビームがパターン化される。パターン化手段のいずれの実施例においても、支持構造には、例えば必要に応じて固定もしくは移動可能にすることができて、尚且つパターン化手段を例えば投影システムに対して確実に所望の位置に配置することができるフレームもしくはテーブルを使用してもよい。本明細書における「レチクル」あるいは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化手段」という用語の同義語と見なすことができる。
【００４２】
また、照明システムには、投影放射線ビームを導き、整形し、あるいは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネントおよびカタディオプトリック光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントが包含され、このようなコンポーネントについても、以下、集合的もしくは個々に「レンズ」と呼ぶ。
【００４３】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（例えばデュアル・ステージ）以上の基板テーブル（および／または複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「マルチ・ステージ」マシンの場合、追加のテーブルを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間に１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００４４】
またリソグラフィ装置は、基板が比較的屈折率の大きい液体中（例えば水中）に浸され、それにより投影システムの最終エレメントと基板の間の空間が充填されたタイプの装置であってもよい。またリソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影システムの第１のエレメントの間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることでよく知られている。
【００４５】
またリソグラフィ装置は、（例えば化学薬品を基板に選択的に添加し、あるいは基板の表面構造を選択的に修正するために）流体と基板の照射部分の間の相互作用を可能にする流体処理セルを備えることができる。
【００４６】
（例示的リソグラフィ・システム）
図１は、本発明の特定の一実施例によるリソグラフィ装置１００を略図で示したものである。リソグラフィ装置は、放射線源１０２、照明システム１０４、第１の支持構造１０６、基板テーブル１０８および投影システム１１０を有している。
【００４７】
照明システム１０４（例えばイルミネータ）は、例えば紫外（ＵＶ）放射線もしくは極紫外（ＥＵＶ）放射線を含む放射線ビーム１１２を提供する。イルミネータ１０４は、放射線源１０２から放射線ビームを受け取る。
【００４８】
第１の支持構造１０６（例えばマスク・テーブル）は、パターン化手段１１４（例えばマスク）を支持しており、パターン化手段１１４を投影システム１１０に対して正確に位置決めするための第１の位置決め手段１１６に接続されている。
【００４９】
基板テーブル１０８（例えばウェハ・テーブル）は、基板１１８（例えばレジスト被覆ウェハ）を保持しており、基板１１８を投影システム１１０に対して正確に配置する第２の位置決め手段１２０に接続されている。
【００５０】
投影システム１１０（例えば反射型投影レンズ）は、パターン化手段１１４を介して放射線ビーム１１２に付与されたパターンを基板１１８のターゲット部分１２２（Ｃ）（例えば１つまたは複数のダイ）上に結像している。
【００５１】
この実施例では、リソグラフィ装置１００は、反射型（例えば反射型マスクもしくは上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用したもの）の装置である。別法としては、リソグラフィ装置１００は、透過型（例えば透過型マスクを使用した）タイプの装置であってもよい。
【００５２】
一実施例では、放射線源１０２およびリソグラフィ装置１００を個別の構成要素とすることができる。例えば放射線源１０２がプラズマ放電源である場合、放射線源１０２はリソグラフィ装置１００の一部を形成しているとは見なされず、放射線ビーム１１２は通常、放射線コレクタ（図示せず）を使用して放射線源１０２からイルミネータ１０４へ引き渡される。放射線コレクタは、例えば、それらに限定されるものではないが、適切な集光ミラーおよび／またはスペクトル純度フィルタを有していてもよい。
【００５３】
それ以外の、例えば放射線源１０２が水銀灯である場合には、放射線源１０２は装置１００と一体に構成することができる。
【００５４】
一実施例では、放射線源１０２およびイルミネータ１０４は、放射線システムと呼ぶことができる。
【００５５】
イルミネータ１０４は、放射線ビーム１１２の角度強度分布を調整する調整手段（図示せず）を備えることができる。通常、イルミネータ１０４のひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部および／または内部ラジアル範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれている）は調整が可能である。イルミネータ１０４は、所望の一様な強度分布をその断面に有する放射線ビーム１１２と呼ばれる調節済みの放射線ビームを提供している。
【００５６】
放射線ビーム１１２は、マスク・テーブル１０６上に保持されたマスク１１４に入射する。マスク１１４で反射した放射線ビーム１１２は、放射線ビームを基板１１８のターゲット部分Ｃに集束させる投影システム１１０を通過する。基板テーブル１０８は、第２の位置決め手段１２０および位置センサ１２４（例えば干渉デバイス）を使用して正確に移動させることができ、それにより、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射線ビーム１１２の光路内に配置することができる。同様に、第１の位置決め手段１１６および位置センサ１２６を使用して、例えばマスク・ライブラリから機械的に検索した後で、あるいは走査の最中に、マスク１１４を放射線ビーム１１２の光路に対して正確に配置することができる。通常、オブジェクト・テーブル１０６および１０８の移動は、位置決め手段１１６および１２０の一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）（図示せず）および短ストローク・モジュール（精密位置決め）（図示せず）を使用して実現されるが、ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブル１０６は、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。マスク１１４および基板１１８は、それぞれマスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。
【００５７】
様々な実施例では、装置１００は、ステップ・モード、走査モードあるいはその他のモードで使用することができ、以下、それらの実施例について説明するが、それらに限定されるものではない。
【００５８】
ステップ・モードでは、基本的にマスク・テーブル１０６および基板テーブル１０８が静止状態に維持され、放射線ビーム１１２に付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（つまり単一の静止露光）。次に、基板テーブル１０８がＸおよび／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００５９】
走査モード（スキャン・モード）では、放射線ビーム１１２に付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影しながら、マスク・テーブル１０６および基板テーブル１０８を同期走査させる（つまり単一の動的露光）。マスク・テーブル１０６に対する基板テーブル１０８の速度および方向は、投影システム１１０の倍率（縮小率）および画像（すなわちイメージ）の反転特性によって決定される。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一の動的露光におけるターゲット部分Ｃの幅（非走査方向の幅）が制限され、また走査運動の長さによってターゲット部分Ｃの高さ（走査方向の高さ）が決定される。
【００６０】
その他のモードでは、プログラム可能パターン化手段を保持するためにマスク・テーブル１０６が基本的に静止状態に維持され、放射線ビーム１１２に付与されたパターンをターゲット部分Ｃに投影しながら、基板テーブル１０８を移動もしくは走査させる。このモードでは通常、パルス放射線源１０２が使用され、走査中に基板テーブル１０８が移動される毎に、あるいは連続する放射線パルスと放射線パルスの間に、必要に応じてパターン化手段１１４が更新される。この動作モードは、パターン化手段１１４にプログラム可能パターン化手段、例えば、それに限定されるものではないが、上で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００６１】
上で説明した使用モードの組み合わせおよび／または変形形態、もしくは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００６２】
（製品パターン化手段およびターゲット・パターン化手段の例示的構造）
図２ａおよび図２ｂは、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置１００の１つまたは複数のマスク・テーブル１０６領域の近接図である。２つの代替構造が示されており、リソグラフィ装置１００は、例えばマスクである製品パターン化デバイス２、および同じく例えばマスクである計測ターゲット・パターン化デバイス３を備えている。
【００６３】
図２ａに示す一例示的構造では、マスク・テーブル１０６は、製品パターン化マスク１１４−１および１つまたは複数の計測ターゲット・パターン化マスク１１４−３を支持するように構成されている。
【００６４】
図２ｂに示す一例示的構造では、２つのマスク・テーブル１０６−１および１０６−２が使用されている。マスク・テーブル１０６−１は製品パターン化マスク１１４−１を支持し、マスク・テーブル１０６−２は計測ターゲット・パターン化マスク１１４−２を支持している。
【００６５】
パターン化マスク１１４−１、１１４−２および１１４−３は、照明システム１０４によって生成される放射線ビーム１１２の断面にパターンを付与するように構成されている。
【００６６】
図１には単一の放射線源１０２が示されているが、照明システム１０４は、複数の放射線源１０２を有することができ、複数の放射線源１０２を備えることにより、例えば製品パターン化マスク１１４−１および計測ターゲット・パターン化マスク１１４−２／１１４−３によってパターン化される個々の放射線ビーム１１２を原始的に提供することができる。製品パターン化マスク１１４−１を使用する一実施例では、これは製造中の製品の層中の機能フィーチャまたは構造フィーチャに対応しており、一方、ターゲット・パターン化マスク１１４−２および１１４−３の場合、パターンは、計測ターゲットに対応することになる。例えば計測ターゲットは、それらに限定されるものではないが、基板１１８上のパターン化済みの１つの層と他の層をアライメントするためのアライメントマークであってもよく、基板１１８自体を投影システム１１０に対してアライメントするためのアライメントマークであってもよく、あるいはその他の機能のためのものであってもよい。
【００６７】
図２ａおよび図２ｂに示す各構造の場合、１つまたは複数の計測ターゲット・パターン化マスク１１４−２および１１４−３は、製品パターン化マスク１１４−１とは無関係に動作させることができる（例えば交換など）。この構造により、計測ターゲット改良のためだけ個別手順の中でというよりはむしろ、製品様環境の中で（すなわち正規の製品製造ステージの１つにある間に）計測ターゲット・デザインを発達させることができる。図２ａおよび図２ｂに示すいずれの構造においても、計測ターゲット・パターン化マスクはマスク保管デバイス・コントローラ５と相互作用することができ、これがマスク保管デバイス７との間でマスクの交換を実行する。
【００６８】
（第２の例示的リソグラフィ装置）
図３は、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置３００を略図で示したものである。この実施例では、パターン化デバイス２および３は、放射線ビーム１１０にパターンを適用するための個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ６（例えばプログラム可能ミラー・アレイ、回折格子光弁、液晶ディスプレイ、ディジタル・ミラー・デバイスあるいは光コントラスト・デバイスもしくはパターン発生器）を有している。
【００６９】
装置３００は、少なくとも放射線システム３０２、パターン化デバイス２および３、オブジェクト・テーブル３０６（例えば基板テーブル）および投影システム（「レンズ」）３０８を有している。
【００７０】
放射線システム３０２を使用して、投影放射線（例えばＵＶ放射線）ビーム３１０を供給することができる。この特定の実施例では、放射線システム３０２はさらに放射線源３１２を有していてもよい。
【００７１】
パターン化デバイス２および３のアレイ（例えばプログラム可能ミラー・アレイ）を使用して、投影ビーム３１０にパターンを適用することができる。通常、パターン化デバイス２および３のアレイの位置は、投影システム３０８に対して固定することができるが、代替構造では、パターン化デバイス２および３のアレイは、パターン化デバイス２および３のアレイを投影システム３０８に対して正確に位置決めするための位置決めデバイス（図示せず）に接続することができる。図に示すように、パターン化デバイス２および３は、反射型（例えば個々に制御可能な複数のエレメントの反射型アレイを有するもの）のデバイスである。
【００７２】
オブジェクト・テーブル３０６は、基板３１４（例えばレジスト被覆シリコン・ウェハもしくはガラス基板）を保持するための基板ホルダ（図には特に示されていない）を有していてもよく、また基板３１４を投影システム３０８に対して正確に位置決めするための位置決めデバイス３１６に接続されていてもよい。
【００７３】
投影システム３０８（例えば水晶および／またはＣａＦ２レンズ系、あるいはこのような材料で構築されたレンズ・エレメントを備えたカタディオプトリック系、もしくはミラー系）を使用して、ビーム・スプリッタ３１８から受け取るパターン化されたビームを基板３１４のターゲット部分３２０（例えば１つまたは複数のダイ）に投射することができる。投影システム３０８は、パターン化デバイス２および３のアレイの画像を基板３１４に投影することができる。別法としては、投影システム３０８は、パターン化デバイス２および３のアレイのエレメントがシャッタとして作用する二次ソースの画像を投影することができる。また投影システム３０８は、二次ソースを形成し且つ基板３１４にマイクロスポットを投影するための微小レンズのアレイ（ＭＬＡ）を有していてもよい。
【００７４】
放射線源３１２（例えばエキシマ・レーザ）は、放射線ビーム３２２を生成することができる。放射線ビーム３２２は、照明システム（イルミネータ）３２４に直接供給され、あるいは例えばビーム・エキスパンダ３２６などの調節デバイス３２６を介して供給される。イルミネータ３２４は、放射線ビーム３２２の強度分布の外部および／または内部ラジアル範囲（一般に、それぞれσアウターおよびσインナーと呼ばれている）を設定するための調整デバイス３２８を有していてもよい。またイルミネータ３２４は通常、インテグレータ３３０およびコンデンサ３３２などの他の様々なコンポーネントを有している。この方法により、パターン化デバイス２および３のアレイに衝突する投影ビーム３１０の断面に、所望の一様な強度分布を持たせることができる。
【００７５】
図３に関して、放射線源３１２は、（放射線源３１２が例えば水銀灯の場合にしばしば見られるように）リソグラフィ投影装置３００のハウジング内に配置することができることに留意されたい。代替実施例では、放射線源３１２は、リソグラフィ投影装置３００から離して配置することも可能である。その場合、放射線ビーム３２２は（例えば適切な誘導ミラーを使用して）装置３００内に導かれることになる。この後者のシナリオは、放射線源３１２がエキシマ・レーザの場合にしばしば見られる。本発明の範囲にはこれらのシナリオの両方が意図されていることを理解されたい。
【００７６】
投影ビーム３１０は、続いて、ビーム・スプリッタ３１８を使用して導かれた後、パターン化デバイス２および３のアレイによって遮られる。パターン化デバイス２および３のアレイで反射した投影ビーム３１０は、投影ビーム３１０を基板３１４のターゲット部分３２０に集束させる投影システム３０８を通過する。
【００７７】
基板テーブル３０６は、位置決めデバイス３１６（およびビーム・スプリッタ３４０を介して干渉ビーム３３８を受け取る、ベース・プレート３３６上の任意選択の干渉測定デバイス３３４）を使用して正確に移動させることができ、それにより異なるターゲット部分３２０を投影ビーム３１０の光路中に配置することができる。用途として、パターン化デバイス２および３のアレイのための位置決めデバイスを使用して、例えば走査中に投影ビーム３１０の光路に対するパターン化デバイス２および３のアレイの位置を正確に修正することができる。通常、オブジェクト・テーブル３０６の移動は、図３には明確に示されていないが、長ストローク・モジュール（粗位置決め）および短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現される。同様のシステムを使用してパターン化デバイス２および３のアレイを配置することも可能である。別法／追加として投影ビーム３１０を移動可能にし、一方、オブジェクト・テーブル３０６および／またはパターン化デバイス２および３のアレイの位置を固定し、それにより必要な相対移動を提供することも可能であることが理解されよう。
【００７８】
この実施例の代替構成では、基板テーブル３０６を固定し、固定した基板テーブル３０６の上で基板３１４を移動させることができる。この構成の場合、基板テーブル３０６は、一番上の平らな表面に複数の開口を備え、その開口を通して、基板３１４を支持することができるガス・クッションを提供するためのガスが供給されることになる。これは従来、エア・ベアリング構造と呼ばれている。基板３１４は、基板３１４を投影ビーム３１０の光路に対して正確に位置決めすることができる１つまたは複数のアクチュエータ（図示せず）を使用して基板テーブル３０６の上で移動させることができる。別法として、開口を通るガスの通過を選択的に開始および停止することによって基板３１４を基板テーブル３０６の上を移動させてもよい。
【００７９】
本明細書において、本発明によるリソグラフィ装置３００は、基板上のレジストを露光するための装置として説明されているが、本発明はこの使用法に限定されないこと、またリソグラフィ装置３００を使用して、レジストレス・リソグラフィに使用するためにパターン化された投影ビーム３１０を投射することができることを理解されたい。
【００８０】
一実施例では、パターン化デバイス２および３の少なくともいずれか一方が個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを備えている。通常、パターン化デバイス２および３の位置は、投影システム３０８に対して固定することができるが、他の実施例では、投影システム３０８に対して固定する代わりに、少なくとも一方のパターン化デバイス２もしくは３を、投影システム３０８に対して正確に位置決めするための位置決め手段に接続することができる。
【００８１】
一実施例では、図３に示すように、計測ターゲット・パターン化デバイス６は、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを有している。ターゲット・パターン化デバイス６は、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ中の個々のエレメントの駆動状態を決定し、また必要に応じて変更することによって、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイによって表されるパターンを更新するように構成された計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラ１０に接続されている。
【００８２】
一実施例では、製品パターン化デバイス２は反射型マスク４を有しており、これはマスク・テーブルによって支持され、コントローラ８によって制御される。
【００８３】
また製品パターン化デバイス２は、一実施例では、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを有するように構成することができ、その場合、アイテム８は、計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラ１０と同様に機能する。
【００８４】
１つまたは複数の実施例では、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを用いていかなるプロセスからも独立して計測ターゲットをパターン化するステップが製品フィーチャをパターン化するために使用され、これは製品製造サイクルの中で達成されるスループットに影響を与えることなく、より効果的に計測ターゲットを更新することを可能にする。
【００８５】
通常、所与の計測ターゲットが実際に如何に良好に機能するかを事前に予測することは困難である。計測ターゲットの特性を微調整することによってパフォーマンスを改善することは可能であるが、そのためには、とりわけ計測ターゲットを変更する毎に新しいレチクル・セットを生成しなければならない場合、およびこれらのプロセスを実行するためにデバイス／製品製造プロセスを中断および／または遅らせなければならない場合に、通常、かなりの経費が必要であり、また、かなりの時間が失われることになる。本発明の１つまたは複数の実施例によれば、計測ターゲット・パターンと製品フィーチャ・パターンを分離し、またとりわけ個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを使用した場合に、計測ターゲット・パターンの変更プロセスを容易にすることによってこのような状況が改善される。
【００８６】
図４は、本発明の一実施例による計測ターゲット最適化フィードバック・ループを示したものである。図４には、フィードバック・ループ１８と相互作用するように構成された計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラ１０の配置が示されている。本発明の一実施例によるリソグラフィ装置１は、少なくとも１つの計測ターゲットを含んだパターンを基板Ｗにプリントするように構成されている。パターン化された基板Ｗは、処理ステーション２０を介して処理され、試験の準備を整えるために１つまたは複数の計測ターゲットが現像される。現像済みの基板Ｗは、基板搬送デバイス１９を使用して処理ステーション２０から検査位置へ移送され、計測ターゲットのパフォーマンスを試験して計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラ１０にフィードバックするように構成されたプローブ１４を使用して検査される。計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラ１０は、こうして受け取った情報に基づいて、計測ターゲット・パターン化デバイス３によって放射線ビームに付与されるパターンの変更を促すためにリソグラフィ装置１に送る修正を計算する。
【００８７】
この実施例では、更新された計測ターゲットを用いて現像した基板が同じ方法で試験され、計測ターゲットのパフォーマンスが許容可能な所定の範囲内に入るまでこのサイクルが継続される。このシステムの有効性は、標準設計タイプの計測ターゲットの最適化を可能にしているだけでなく、極めて多数に渡る試行が可能であるため、代替計測ターゲット・タイプのより広範囲に渡る評価を容易にしている。
【００８８】
（計測ターゲットの例示的配置）
図５は、本発明の一実施例による、基板上の異なるターゲット部分への異なるタイプの計測ターゲットの配置を示したものである。図５には、異なるタイプの計測ターゲット２２、２４、２５および２７が略図で示されているが、基板Ｗ上の異なるダイ２３には、実際には、ボックス、シェブロン（山型）、水平格子あるいは垂直格子などの様々なデザインが配置されている。
【００８９】
一実施例では、計測ターゲット２２、２４、２５および２７は、基板Ｗの周辺もしくはダイとダイの間のスクライブ・レーンに沿った計測ターゲット領域（例えば図７および図８にそれぞれ示す領域３５および３９）に制限することができる。
【００９０】
しかし他の実施例では、基板Ｗの表面全体により複雑な方法で計測ターゲット２２、２４、２５および２７を分布させることができる。
【００９１】
計測ターゲットは、さもなければ製品フィーチャのために使用することができる空間を占有する場合があるため、その数およびサイズは、空間を考慮して制限されている。しかしながら計測ターゲットは特定の最小サイズであることが望ましく、また複数の異なる計測ターゲット・デザインがプリントされることが望ましい。例えばクロストークの問題が最も小さい位置を見出すための試験のコンテキストにおいては、これは基板Ｗ毎により多くのデザインを評価することを可能にする。より一般的には、正確なリソグラフィに必要な様々な計測ステップを実行するためには多数の計測ターゲットが必要である。もう１つの理由は、異なるマシンによる異なる層のプリントを可能にするために、異なる多数の製造者からの計測ターゲット規格を含むことができることである。
【００９２】
本発明の様々な実施例は、計測ターゲットのための限られた空間の問題に対処している。例えば個々に制御可能な計測ターゲット・パターン化デバイス３によって、製品パターン化デバイス２により付与されるパターンを変更することなく、例えば１つのダイと隣接するダイの間で計測ターゲットを容易に変更することができる。したがって高スループットを維持することができ、また１つのダイと隣接するダイの間で計測ターゲットを変更する場合に、ダイとダイの間でターゲットの不必要な反復が回避されるため、使用する計測ターゲットの数を少なくすることなく空間が節約される。例えば粗アライメントマークと精密アライメントマークを別個に持つ必要がある場合、異なるダイの対応する領域にこれらのアライメントマークを配置することができる。その場合、製品および精密アライメントマークをプリントするための第１の露光ダイと、製品および粗アライメントマークをプリントするための第２の露光ダイの２つのタイプの露光ダイが存在することになる。計測マークが占有する面積は、いずれの場合においても同じであり、したがって空間が節約される。
【００９３】
図６は、本発明の一実施例による、一次構造および二次構造を有する計測ターゲット・デザインの一実施例を示したものである。有用と思われる様々なタイプの計測ターゲットが存在する。所与の計測ターゲットのパフォーマンスは、一次構造の他に二次構造を備えることによって改善することができる。図６は、このような構造の実施例の１つを示したもので、二次構造３０として製品様パターンが重畳した、垂直方向のライン２８からなる格子が一次構造として示されている。一実施例では、二次構造３０の相対長スケールは、図に示す説明を目的としたスケールよりはるかに短くすることができる。
【００９４】
一実施例では、計測ターゲットを使用してアライメントを行う場合、製品フィーチャの結像に使用する波長より長い波長で計測ターゲットを検査してもよく、それによって二次構造３０は不可視となり、二次構造３０が全体としての計測ターゲットの動作に有害な影響を与えることはない。しかしながら製品様フィーチャの存在は、形成するデバイスの実際の製品フィーチャと類似した方法で計測ターゲットが結像されることを確実にし、また投影システムの異なるシフトすなわち誤差の問題を抱えることはない。
【００９５】
図７は、本発明の一実施例による、スクライブ・レーン内に配置される計測ターゲットのための保護構造を示したものである。一実施例では、基板の隔離領域もしくはフィーチャの平均密度より著しく小さい領域に計測ターゲットを配置する場合、計測ターゲットは、化学的もしくは機械的に過度に腐食しやすくなる。図７はこの様子を示したもので、ダイ２３とダイ２３の間のスクライブ・レーン３５内に計測ターゲット３２が孤立している。図７の下の部分は、本発明の一実施例による、同じ計測ターゲット３６のコピーがターゲット３４を取り囲む構成でプリントすることによって、類似した計測ターゲット３４を保護する方法を示したものである。
【００９６】
この実施例では、計測ターゲットのコピーが示されているが、それは、計測ターゲットのコピーが保護構造の適用に関わる間接費を制限するための経済的に有利な手法であること、すなわち新しいタイプのマークを利用できるようにする必要がないことによるものである。
【００９７】
とりわけ製品パターンに変更を加えることなくこのような構造を生成することが可能である限り、代替構造を使用してもよいことを理解されたい。
【００９８】
一実施例では、保護構造はそのパフォーマンスを最適化するためにより広く改変されることができるように、専用の保護構造であることが望ましい。専用の構造は、例えばアイランド様構造ではなく、連続構造にすることができ、また保護する計測ターゲットを完全に取り囲むように構成することも可能である。
【００９９】
計測ターゲット・パターン化デバイス３と製品パターン化デバイス２を分離することによって、様々な構成を試験することができる。重要と考えられるパラメータには、周囲の構造、およびこれらの構造と保護すべき構造との間の分離の両方の形態が含まれている。計測ターゲットの保護と、適切に機能させるために計測ターゲットの周囲に十分な空間を残すこととの間のバランスを取る必要がある。
【０１００】
図８は、本発明の一実施例による、ダイと基板の縁の間の領域に配置される計測ターゲットのための保護構造を示したものである。図８には、ダイ２３の外側の基板の縁の周りの領域３９にプリントされた計測ターゲットの等価構造が示されている。この場合も、計測ターゲット３２は露光の対象になり、腐食しやすくなることが考えられる。一方、計測ターゲット３４は、クローン・マーク３６によって保護されている。
【０１０１】
一実施例では、隣接するパターン（故意に付加された保護構造または近傍の製品フィーチャのいずれか）は計測ターゲットを保護するように機能することができるが、もしクロストークが生じればパフォーマンスに対して負の影響もまた与える。この種のクロストークが問題になる場所を予測することは困難である。
【０１０２】
一実施例では、多数の異なる位置が計測ターゲットのタイプ毎に試行され、より望ましい位置が演繹によって決定される。
【０１０３】
一実施例では、製品パターン、および１つまたは複数の所望の計測ターゲット・パターンを解析し、意図する計測ターゲット位置が最適であるかどうかを決定するアプリケーションが提供される（例えばソフトウェア、ファームウェアもしくはその両方の中で実現される）。例えば、近傍の製品構造と計測ターゲットが最も異なる位置が好ましいようである。
【０１０４】
図９は、本発明の一実施例による、製品フィーチャとのクロストークを最小化するための計測ターゲットの配置を示したものである。図９はそのような意思決定（デシジョンメーキング）の単純な実施例を示しており、これは計測ターゲット・パターン化デバイス３に組み込むことができる。ここでは、ダイ２３の縁の近傍に垂直格子３８と水平格子４０の２つの製品構造が示されている。同様に配向された格子３８は、格子４０よりクロストーク効果の原因になり得るため、製品構造３８および４０を含む入力データ（例えばこれは、製品パターン化デバイス２へ送信されるデータ・セットから取り出してもよい）を受け取った計測ターゲット・パターン化デバイス３は、位置（ａ）ではなく位置（ｂ）に計測ターゲット４２を配置することになるであろう。
【０１０５】
図１０は、本発明の一実施例による、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイのための制御システムと、計測ターゲットの検証および適合デバイスとを有するリソグラフィ装置を示したものである。図１０には、製品デバイス構造および計測ターゲット構造の両方を基板Ｗ上にパターン化するための個々に制御可能な複数のエレメントの単一アレイ１７を有する本発明の代替態様による実施例が示されている。個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ１７は、そのアドレスと１つまたは複数の制御信号とに従って個々のエレメントを駆動することができる制御システム２９によって制御される。この実施例では、制御システム２９は、データ経路１３を介した製品パターン・コントローラ５からの、形成する製品デバイスのフィーチャを表す製品パターン・データを含んだ第１のデータ・ストリームと、データ経路１５ｃを介した、意図する計測ターゲット・パターンおよび／または前記基板上の意図する計測ターゲット位置を表す計測ターゲット・パターン・データを含んだ第２のデータ・ストリームの２つの別個のデータ・ストリームを含む制御信号を受け取るようになされている。
【０１０６】
この実施例の場合、所与の処理層に必要と思われる計測ターゲットの種類を知ることは可能ではあるけれども、個々の計測ターゲットが所与の製品パターンに対して如何に最良に機能を発揮するかについては事前には明確ではない。上で説明したように、製品パターン・データと計測ターゲット・パターン・データを分離することにより、提案されている計測ターゲット・デザインおよび基板上の位置（例えばデータ経路１５ａを介した計測ターゲット・パターン・コントローラ３１からの入力）を評価し、且つプリントする製品パターン（データ経路１３ａおよび１５ａを介して利用することができる関連データ）を考慮することによって、新しい種類の計測ターゲットの導入を容易にするために提供される計測ターゲット検証および適合デバイス７の実現を可能にしている。計測ターゲット検証および適合デバイス７は、必要であると判断すると、計測ターゲット・パターンまたは位置のいずれか一方、あるいはその両方に対する適切な修正を計算し、計算した修正をフィードバックとしてデータ経路１５ｂを介して送信する。計測ターゲットの期待パフォーマンスが許容可能範囲内であると計測ターゲット検証および適合デバイス７が判断すると、更新された計測ターゲット・パターン・データがデータ経路１５ｃを介して制御システム２９に送信される。この方法によれば、製品パターン化プロセスを中断することなく計測ターゲット・パターンをリアルタイムに更新することができる。またこの手法により、全く新しい計測ターゲットをリアルタイムで容易に効果的に導入することができる。
【０１０７】
本発明の実施例によれば、計測ターゲットは、製品パターンと同時に基板Ｗにプリントされる。計測ターゲットを製品パターンと同時にプリントすることにより、製品構造と計測ターゲットの間の適切な関係が保証される。もしマスク上の計測ターゲットがインライン計測技法（例えばスキャッタメトリ）を用いて使用可能であれば、計測ターゲットの「潜像」（すなわちそれ以外の一切の処理を基板に施すことなく露光放射線のみによって基板に形成された計測ターゲット・パターン）の検査に基づいて、計測情報（例えばオーバレイ値など）のフィードバック・ループを使用し、処理すべき次の基板に対する結像プロセスの誤差を修正することができる。実際には、この修正には、１つまたは複数のいわゆる「露光設定値」の修正が必要である。この露光設定値は、リソグラフィ装置のエレメント（例えば照明システム、パターン化手段および投影システムが含まれる）に関連づけられた、画像品質（これは計測ターゲットのインライン読出しによって示される）に影響する調整可能な任意のパラメータである。露光設定値は、例えば倍率、基板平面内における平行移動、焦点および放射線強度を始めとする多くの異なる方法でパラメータ化することができる。
【０１０８】
理想的な状況では、次の基板は、露光設定値の修正に使用された基板と全く同じような挙動を示す。実際、これはそうではなく、所与のバッチ内の基板は大きく変化する。これは、既に形成済みのデバイス層の不規則性によるものであり、あるいは他の構造的変動（例えば熱オフセットに起因する変動）によるものである。
【０１０９】
バッチ内における変動は、以下のプロセス・フローを使用することによって処理することができる。先ず基板を露光し、次に計測ターゲットを読み出し（インライン）、続いて基板をリワークし（製品フィーチャを再露光するように基板を準備するためのものであり、したがってこのリワークには、通常、露光済みのレジスト層を除去するステップが含まれる）、最後に最適露光設定値で基板を再露光する。この基板リワーク・ステップの必要性が生産性を著しく妨害し、また工場における基板の流れを著しく複雑にしている。
【０１１０】
本発明の一実施例によれば、計測ターゲットと製品フィーチャを別個にプリントすることができるシステムを使用して、より効率的な露光設定値の最適化が達成される。詳細には、この実施例は、製品フィーチャに対応するパターンがなく主にあるいはすべてが計測ターゲットからなる第１のパターンを基板にプリントするシステムを提供する。このステップの後の基板の大部分は、未露光のままである。次に、計測情報（オーバレイ値など）を測定するために計測ターゲットの潜像が検査される。「潜像」とは、パターン化された放射線を用いた露光の後に、レジストに何らかの処理（例えば露光後ベークなど）または現像を施す前に、基板のレジスト上で検出することができる画像を意味している。検査ステップで引き出された情報を参照することによってリソグラフィ装置の露光設定値が改善され、次に基板に対する一切のリワークを実行することなく製品フィーチャが基板に露光される（これが可能である理由は、製品フィーチャのための領域が計測ターゲット書込みステップの影響を受けていないことによるものである）。リワーク・ステップが回避されるため、生産性が著しく向上し、また基板処理装置を追加する必要が除去される。
【０１１１】
図１１ａおよび図１１ｂは、このような第１の露光パターンのデザイン方法を略図で示したもので、図１１ａには、ダイの周辺に４つの計測ターゲット５４を備えた、第１の露光後の単一ダイが示されており、図１１ｂには、これらのダイを基板Ｗの表面全体に分布させる方法が示されている。図１１ｂには、表されているすべてのダイが示されているが、第１の露光ステップではダイのサブセットのみをパターン化し、製品パターンと共にプリントする残りのダイに関連する計測ターゲットは、もっと後のステップに残しておくことが好ましい（また場合によっては、製品パターンの品質を評価するための最終検査ステップで使用されることが好ましい）。図１２ａおよび図１２ｂ（それぞれ図１１ａおよび図１１ｂに示す同じダイおよびダイの集合に対応している）は、第２の最適化露光（製品デバイス・フィーチャを含んだ露光）が実施された後に基板に露光されるパターンを示したものである。図１１および図１２には、形態が円形の基板Ｗが示されているが、基板Ｗは状況に応じて長方形（例えば本発明をフラット・パネル・ディスプレイの製造に適用する場合、基板Ｗは長方形であることが好ましい）あるいは適切な他の任意の形状にすることも可能である。
【０１１２】
実際的な理由から、最適露光設定値の初期決定に使用した計測ターゲットと同じ計測ターゲットに基づいて基板（製品画像が露光された後の基板）を最終検査することは適切ではない。その代わりに、他の視野もしくは同じ視野内の他の計測ターゲットを読み出しのために選択することができる。変動（上で言及したもの）のため、同じく第２の露光（すなわち製品構造を含んだ露光）にも、最終検査ステップで使用するための新しい計測ターゲットを含めることができる。
【０１１３】
図１３は、上記方法の実行に適した装置を示したものである。照明システム３２４は、投影ビーム３１０をビーム・スプリッタ３１８に向けて導いている。投影ビーム３１０は次に、投影システム３０８による基板Ｗのターゲット部分への投射に先立って、パターン化デバイス２および３で反射およびパターン化される。図１３に示す構造は、マスクレス・パターン化デバイスとの使用を意図したものであるが、本発明の範囲を逸脱することなく、マスクを使用した類似のシステム、例えば図２ａおよび図２ｂに示すようなシステムを使用することも可能である。
【０１１４】
計測ターゲットを使用した第１の露光後は、投影システム３０８の軸線の真下の位置Ａから位置Ｂへ基板Ｗを移動させることができ、それにより計測検査デバイス６０によるアクセスが可能になる。矢印６４は、位置ＡとＢの間の移行を示している。
【０１１５】
例えばスキャッタメトリによって動作させることができる計測検査デバイスは、基板Ｗ上の計測マークの潜像を検査するように構成されている。この検査の結果は、その特定の基板Ｗに対するリソグラフィ装置の結像パフォーマンスを改善するために、照明システム３２４、パターン化デバイス２、３および投影システム３０８（および計測に影響する可能性のある他のあらゆるコンポーネント）の露光設定値を如何に修正するかを計算するコントローラ６２内で解析される。リソグラフィ装置が多数の光学カラム（それぞれが別個のパターン化デバイスおよび投影システム等を備えていてもよい）を有している場合、例えば各カラムによって生成される計測ターゲットを検査することによって、複数の露光設定の組（光学カラム毎に１つの組）を最適化する必要があるかもしれない。このプロセスが完了すると、基板Ｗが露光位置Ａに戻され、最適化された露光設定を使用した実際の製品パターンの露光の準備が完了する。
【０１１６】
図１３に示す構造の場合、露光位置と計測位置の間で基板Ｗを移動させることを必要とする。しかし、基板Ｗが投影システム３０８の軸の真下の露光位置にある間に計測ターゲットの潜像を検査することができるように、投影システムの一部を形成する計測ターゲット検査デバイスもしくは投影装置に隣接して配置される計測ターゲット検査デバイスを提供することも可能である。
【０１１７】
この実施例によれば、基板毎に真の露光設定を最適化することができる（すなわち、所与の基板の最適化が、先行する基板上の計測ターゲットの計測値にではなく、その特定の基板上の計測ターゲットの計測値に基づいている）。これは、基板の特性がバッチ内で大きく変化する状況を処理する有効な方法である。より一般的には、この手法を使用して、基板の特性がバッチ内で変化しない場合であっても改良された最適化を提供することができ、且つ／またはコスト削減の目的で、基板の規則性に関連する公差を緩和させることができる。またこの構造によって基板毎の製品歩留りが向上する。
【０１１８】
他の利点は、新しい製品を開始する場合に「先送り」基板（後続する製品基板のための適切な露光パラメータを決定するために事前に送られる較正専用基板）がもはや不要であることである。最適露光設定値を決定するために必要な計測ターゲットの空間範囲および位置は、製品フィーチャのために利用することができる空間を大きく減少させることはない。
【０１１９】
（結論）
以上、本発明の様々な実施例について説明してきたが、以上の説明は単なる実施例を示すためのものに過ぎず、本発明を制限するものではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲を逸脱することなく、上で説明した実施の形態および細部に対して様々な変更を加えてもよいことが当業者には理解されよう。したがって本発明の広がりと範囲は、上で説明した例示的実施例の何物にも制限されることはなく、唯一、特許請求の範囲の各請求項およびそれらの等価物によってのみ定義されるものとする。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２ａ】本発明の一実施例による製品パターン化デバイスおよび計測ターゲット・パターン化デバイスの第１の例示的構造を有するリソグラフィ装置を示す図である。
【図２ｂ】本発明の一実施例による製品パターン化デバイスおよび計測ターゲット・パターン化デバイスの第２の例示的構造を有するリソグラフィ装置を示す図である。
【図３】計測ターゲット・パターン化デバイスが個々に制御可能な複数のエレメントのアレイを有している、本発明の一実施例による代替リソグラフィ構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施例による計測ターゲット最適化フィードバック・ループを示す図である。
【図５】本発明の一実施例による、基板上の異なるターゲット部分への異なるタイプの計測ターゲットの配置を示す図である。
【図６】本発明の一実施例による、一次構造および二次構造を備えた計測ターゲット・デザインの一実施例を示す図である。
【図７】本発明の一実施例による、スクライブ・レーン内に配置された計測ターゲットのための保護構造を示す図である。
【図８】本発明の一実施例による、ダイと基板の縁の間の領域に配置された計測ターゲットのための保護構造を示す図である。
【図９】本発明の一実施例による、製品フィーチャとのクロストークを最小化するための計測ターゲットの配置を示す図である。
【図１０】本発明の一実施例による、個々に制御可能な複数のエレメントのアレイのための制御システムと、計測ターゲットの検証および適合デバイスとを有するリソグラフィ装置を示す図である。
【図１１ａ】計測ターゲット・パターンのみを備えたダイを示す図である。
【図１１ｂ】計測ターゲット・パターンのみを備えたダイの集合を示す図である。
【図１２ａ】改良した露光設定による第２の露光後の、製品パターンおよび計測ターゲット・パターンを備えた図１１ａのダイを示す図である。
【図１２ｂ】改良した露光設定による第２の露光後の、製品パターンおよび計測ターゲット・パターンを備えた図１１ｂのダイの集合を示す図である。
【図１３】計測ターゲットのみをプリントし、計測ターゲットの潜像の検査から改良型露光設定を導き、続いて新しい露光設定を使用して製品パターンをプリントするように構成されたリソグラフィ装置を示す図である。
【符号の説明】
【０１２１】
１、１００  リソグラフィ装置
２  製品パターン化デバイス
３  計測ターゲット・パターン化デバイス
４  反射型マスク
５  マスク保管デバイス・コントローラ（製品パターン・コントローラ）
６、１７  個々に制御可能な複数のエレメントのアレイ（計測ターゲット・パターン化デバイス）
７  マスク保管デバイス（計測ターゲットの検証および適合デバイス）
８  コントローラ
１０  計測ターゲット・パターン化デバイス・コントローラ
１３、１３ａ、１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  データ経路
１４  プローブ
１８  フィードバック・ループ
１９  基板搬送デバイス
２０  処理ステーション
２２、２４、２５、２７、３２、３４、３６、４２、５４  計測ターゲット（クローン・マーク）
２３  ダイ
２８  垂直方向のライン
２９  制御システム
３０  二次構造
３１  計測ターゲット・パターン・コントローラ
３５、３９  計測ターゲット領域（スクライブ・レーン）
３８  垂直格子（製品構造）
４０  水平格子（製品構造）
６０  計測検査デバイス
６２  コントローラ
１０２、３１２  放射線源
１０４、３２４  照明システム（イルミネータ）
１０６、１０６−１、１０６−２  第１の支持構造（マスク・テーブル）
１０８、３０６  基板テーブル（オブジェクト・テーブル）
１１０、３０８  投影システム（レンズ）
１１２、３２２  放射線ビーム
１１４  パターン化手段（マスク）
１１４−１  製品パターン化マスク
１１４−２、１１４−３  計測ターゲット・パターン化マスク
１１６  第１の位置決め手段
１１８、３１４、Ｗ  基板
１２０  第２の位置決め手段
１２２、３２０  基板のターゲット部分
１２４、１２６  位置センサ
Ｍ１、Ｍ２  マスクアライメントマーク
Ｐ１、Ｐ２  基板アライメントマーク
３００  リソグラフィ投影装置
３０２  放射線システム
３１０  投影放射線ビーム（投影ビーム）
３１４  基板
３１６  位置決めデバイス
３１８、３４０  ビーム・スプリッタ
３２６  ビーム・エキスパンダ（調節デバイス）
３２８  放射線ビームの強度分布の外側および／または内側ラジアル範囲を設定するための調整デバイス
３３０  インテグレータ
３３２  コンデンサ
３３４  干渉測定デバイス
３３６  ベース・プレート
３３８  干渉ビーム
【図１】
2006032956.tif 000003
【図２ａ】
2006032956.tif 000004
【図２ｂ】
2006032956.tif 000005
【図３】
2006032956.tif 000006
【図４】
2006032956.tif 000007
【図５】
2006032956.tif 000008
【図６】
2006032956.tif 000009
【図７】
2006032956.tif 000010
【図８】
2006032956.tif 000011
【図９】
2006032956.tif 000012
【図１０】
2006032956.tif 000013
【図１１ａ】
2006032956.tif 000014
【図１１ｂ】
2006032956.tif 000015
【図１２ａ】
2006032956.tif 000016
【図１２ｂ】
2006032956.tif 000017
【図１３】
2006032956.tif 000018
【外国語明細書】
2006032956000001.pdf