(57)【要約】【課題】  薄膜形成領域の断面全域に機能液を充填することにより、形成される薄膜の機能を実現するために充分な断面積と必要な断面形状を有する薄膜を形成することができる、薄膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。【解決手段】  薄膜パターン形成方法は、第１の薄膜を構成する材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する処理を行うステップと、第２の薄膜の一部を取り除いて、第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、凹部に吐出された機能液を乾燥させて第１の薄膜を形成するステップとを有する。半導体装置の回路配線は、上記薄膜パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。【選択図】  図５
2006140451.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、
前記第２の薄膜の表面に、前記機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップと、
前記第２の薄膜の一部を取り除いて、前記第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、
前記凹部に向けて前記機能液を吐出するステップと、
前記凹部に吐出された前記機能液を乾燥させて前記第１の薄膜を形成するステップと、を有することを特徴とする薄膜パターン形成方法。
【請求項２】
前記基板上に、第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、前記凹部に向けて前記機能液を吐出するステップと、の間に、前記第２の薄膜を焼成するステップを更に有することを特徴とする、請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記第２の薄膜を、前記基板上に形成するステップでは、
前記第２の薄膜を形成する材料として、前記機能液に対する接触角が４０°未満である材料を使用することを特徴とする、請求項１又は２に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記撥液化処理を行うステップでは、
前記機能液に対する前記第２の薄膜の前記表面の接触角を、４０°以上にすることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記第２の薄膜の表面に、前記機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、前記第２の薄膜の表面をプラズマ処理するステップであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記プラズマ処理は、少なくともフッ素を含有するガスを含むガスを処理ガスとして用いることを特徴とする、請求項５に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項７】
前記第２の薄膜の表面に、前記機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、前記第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料からなる薄膜を形成するステップであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項８】
前記第２の薄膜の表面に、前記機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、前記第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料を付着させるステップであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項９】
前記第２の薄膜の表面に、前記機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、前記第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料を結合させるステップであることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項１０】
前記第１の薄膜は、半導体装置のソース電極またはソース配線の少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項１１】
前記第１の薄膜は、ＴＦＴのドレイン電極であることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項１２】
前記第１の薄膜は、半導体装置のゲート配線またはゲート電極の少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項１３】
前記第１の薄膜は、電気光学装置の画素電極であることを特徴とする、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の薄膜パターン形成方法を用いて形成された前記第１の薄膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の薄膜パターン形成方法を用いて形成された前記第１の薄膜を有することを特徴とする、電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜パターン形成方法、及び当該薄膜パターン形成方法を用いて製造された薄膜を備えた半導体装置、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、前記半導体装置は、基板上に、導体からなる薄膜（以下、「配線膜」という。）が配置された回路配線と、回路配線を覆う絶縁膜などの薄膜と、半導体からなる薄膜と、が積層されて形成されている。薄膜の効率的な形成方法として、特許文献１に記載されたような、薄膜材料などを溶質として含む機能液の液滴を液滴吐出ヘッドから吐出し、着弾した機能液を乾燥させて溶媒を除き薄膜を形成する、所謂インクジェット方式が知られている。インクジェット方式では、薄膜は、基板上に薄膜形成領域を囲むようにバンクを形成し、このバンクに囲まれた凹部に向けて機能液を吐出し、凹部に着弾した機能液を乾燥させて薄膜を形成することによって、薄膜の機能により規定されるパターン形状に形成される。
【０００３】
凹部に着弾するように吐出された機能液の液滴は、凹部に入ることが望ましいが、一部はバンクの上面にかかることがある。機能液が、バンクの上面には付着せず、凹部に流れ込むようにするためには、機能液に対して、バンクの上面は撥液性に、凹部は、その底面も側面も親液性にすることが好ましい。凹部を親液性にする方法として、特許文献２に記載されたような、凹部を、親液性を付与する親液性処理剤により、表面処理する方法や、特許文献３に記載されたような、凹部を形成した後、エネルギー線を照射することによって、親液性を制御する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開平９−２０３８０３号公報
【特許文献３】特開平９−２３０１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２の方法では、親液化処理剤は凹部の底に溜まるため、凹部の底面は親液化されるが、凹部の側面は、親液化処理剤が充分付着し難いため、親液化され難い。したがって、バンク上面に撥液性を付与したバンクにあっては、バンクの側面でもある凹部の側面は、バンクの上面と同じく撥液性になる。また、特許文献３の方法では、凹部のみを選択的に処理することは困難であり、撥液性であることが望ましいバンクの上面も、同時に親液化される。親液性となったバンクの上面をさらに撥液化処理すると、バンクの側面である凹部の側面も同時に撥液化される。
【０００６】
図２０は、基板の上に形成されたバンクによって形成された凹部に向けて、機能液を吐出し、配線膜を形成する場合の、凹部内の機能液の様態を示す摸式断面図である。図２０（ａ）及び（ｂ）は、バンク上面５０７が機能液５１１に対して撥液性を有し、凹部の底面及び側面５０６が機能液５１１に対して親液性を有するバンク５０４で形成された凹部に向けて機能液が吐出された状態を示す。一方、図２０（ｃ）及び（ｄ）は、バンク上面５０７及び側面５０９が機能液５１６に対して撥液性を有し、凹部の底面が機能液５１６に対して親液性を有するバンク５０８で形成された凹部に向けて機能液が吐出された状態を示す。
【０００７】
半導体層５０２の上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層５０３が形成されている。凹部の底面及び側面が機能液に対して親液性の場合は、図２０（ａ）に示すように、機能液５１１は、バンク上面５０７からは弾かれて、薄膜形成領域であり、その底面及び側面が親液性である凹部に溜まっている。凹部に入りきらない機能液５１１は、バンク上面５０７からは弾かれることから、バンク上面５０７の方には流れ出すことはないため、凹部に溜まった機能液５１１の表面は盛り上っている。機能液５１１を乾燥させると、図２０（ｂ）に示すように、接合層５０３を充分覆う形状の電極５１２と、凹部の隅まで充填されて充分な断面積を有する配線膜５１４が得られる。
【０００８】
一方、凹部の側面が機能液に対して撥液性の場合は、図２０（ｃ）に示すように、機能液５１６は、バンク上面５０７及び側面５０９からは弾かれて、薄膜形成領域である凹部底面に盛り上っており、凹部の断面には、機能液で満たされない隙間ができている。機能液５１６を乾燥させると、図２０（ｄ）に示すように、凹部の側面近くが薄くなり、接合層５０３の上を充分に覆うことができない形状の電極５１７や、凹部の底面に不均一に形成されて充分な断面積が得られない配線膜５１８が形成される。さらに、凹部の幅がさらに狭い場合には、近接して対向している側面が双方とも機能液を弾くことによって、機能液が凹部に流入することを妨げるということが起こることから、機能液が凹部に入ることができず、薄膜が全く形成できない可能性もある。凹部の一部にのみ形成される薄膜の断面形状を、充填されない部分を考慮して必要な形状となるように調整することは、殆ど不可能である。
【０００９】
このように、凹部の側面がバンクの上面と同じ撥液性になることに起因して、凹部に形成する薄膜の必要な膜厚や断面形状が得られないという課題があった。また、細密な薄膜は形成し難いという課題もあった。
【００１０】
そこで、本発明は、薄膜形成領域である凹部の断面全域に機能液を充填することにより、凹部に形成される薄膜の機能を実現するために充分な断面積と必要な断面形状を有する薄膜を形成することができる、薄膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による薄膜パターン形成方法は、基板上に、第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を、形成するステップと、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップと、第２の薄膜の一部を取り除いて、第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、凹部に吐出された機能液を乾燥させて第１の薄膜を形成するステップと、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の方法によれば、第２の薄膜の表面に、第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液に対して撥液性となる撥液処理を行うことによって、第２の薄膜の上面を撥液性にする。一方、第２の薄膜を第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液に対して親液性を有する材料で形成し、第２の薄膜の表面を撥液処理した後に凹部を形成することによって、凹部の側面を親液性にする。凹部を形成する第２の薄膜の上面が撥液性であることと、凹部の側面が親液性であることから、凹部に向けて機能液が吐出されると、凹部から外れて第２の薄膜の上面にかかった機能液は、撥液性を有する第２の薄膜の上面で弾かれて凹部に流れ込む。また、凹部内の機能液は、親液性を有する凹部の側面が機能液に濡れることによって、凹部全体に充填される。これにより、薄膜に必要な膜厚及び断面積に対応した断面形状を有する凹部を形成して、凹部全体に充填された機能液を乾燥させることで、必要な膜厚及び断面積を持つ薄膜を形成することができる。即ち、薄膜の実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び断面積を有する薄膜を形成することができる。
【００１３】
さらに、幅が狭い凹部であっても、側面が撥液性であった従来の凹部で起こり易かった、近接して対向している側面どうしが機能液を弾くことに起因して、機能液が凹部に流入することを妨げられるということが起こり難い。このことによって、幅の狭い凹部であっても機能液を充填することが可能であり、より細密な平面形状の薄膜パターンを形成し易くすることができる。
【００１４】
この場合、薄膜パターン形成方法は、基板上に、第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、の間に、第２の薄膜を焼成するステップを更に有することが好ましい。
【００１５】
この方法によれば、焼成前の第２の薄膜は、例えば薄膜材料液の溶媒などの微量の残留物質を含んでおり、焼成後の第２の薄膜に比べて、第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液に含まれる物質と例えば互いに溶融しあうなどの反応をおこしやすい。この方法によれば、第２の薄膜に形成された凹部に機能液が入る前に、第２の薄膜が焼成されており、凹部に機能液を吐出した後で焼成を行う方法に比べて、第１の薄膜を構成する薄膜材料を含む機能液と第２の薄膜との反応を起こりにくくすることができる。
【００１６】
この場合、薄膜パターン形成方法は、第２の薄膜を基板上に形成するステップでは、第２の薄膜を形成する材料として、機能液に対する接触角が４０°未満である材料を使用することが好ましい。
【００１７】
この方法によれば、第２の薄膜に形成された凹部の側面の機能液に対する接触角は、４０°未満となる。溝状の凹部に注入された機能液は、底面及び側面が機能液に濡れて濡れ広がったり、底面及び側面が機能液をはじいて濡れ広がり難くなったりする。機能液が注入された溝状の凹部の側面の機能液に対する接触角が４０°未満であると、凹部の底面が親液性であり機能液に濡れ易い場合であっても、底面に先行して側面が濡れることで機能液が濡れ広がることが確認されている。第２の薄膜を形成する材料の、第１の薄膜を形成する薄膜材料を含む機能液に対しての接触角が４０°未満であることによって、第２の薄膜を形成する材料がそのまま露出している凹部の側面を、機能液に対して親液性にすることができる。
【００１８】
この場合、第２の薄膜の表面の撥液化処理を行うステップでは、機能液に対する第２の薄膜の表面の接触角を、４０°以上にすることが好ましい。
【００１９】
この方法によれば、第２の薄膜の上面の、第１の薄膜を形成する薄膜材料を含む機能液に対しての接触角が４０°以上であることによって、第２の薄膜の上面を、第２の薄膜上面の機能液を弾いて凹部に流れ込むようにするのに充分な撥液性にすることができる。
【００２０】
この場合、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、第２の薄膜の表面をプラズマ処理するステップであることが好ましい。
【００２１】
この方法によれば、第２の薄膜の表面が撥液性側に改質され、当該面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００２２】
この場合、プラズマ処理は、少なくともフッ素を含有するガスを含むガスを処理ガスとして用いることが好ましい。
【００２３】
この方法によれば、第２の薄膜の表面にフッ素原子が結合することで第２の薄膜の表面が撥液性側に改質され、当該面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００２４】
第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料からなる薄膜を形成するステップであることが好ましい。
【００２５】
この方法によれば、第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料から成ることで撥液性を有する薄膜が形成され、第２の薄膜の表面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００２６】
この場合、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料を付着させるステップであることが好ましい。
【００２７】
この方法によれば、フッ素化合物又はフッ素を含有する材料が第２の薄膜の表面に付着する。フッ素化合物又はフッ素を含有する材料はフッ素原子を含むことで撥液性を有しており、当該化合物又は材料が付着した第２の薄膜の表面が撥液性側に改質され、当該面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００２８】
この場合、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する撥液化処理を行うステップは、第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料を結合させるステップであることが好ましい。
【００２９】
この方法によれば、フッ素化合物又はフッ素を含有する材料が第２の薄膜の表面に結合する。フッ素化合物又はフッ素を含有する材料はフッ素原子を含むことで撥液性を有しており、当該化合物又は材料が結合した第２の薄膜の表面が撥液性側に改質され、当該面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００３０】
この場合、第１の薄膜は、半導体装置のソース電極またはソース配線の少なくともいずれか一つであることが好ましい。
【００３１】
この方法によれば、半導体層の上に形成されるソース電極の膜を、第２の薄膜の凹部の側面の際まで、均一な厚さの膜にすることができる。半導体装置である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））のソース電極とドレイン電極とは、半導体層に対して接触し電子の授受を行う接触部が、半導体層の上に形成されている。ソース電極とドレイン電極とは、半導体層の上に形成された第２の薄膜で形成されたバンクで隔てられていることにより、直接導通することはなく、半導体層を介して接合されている。ソース電極とドレイン電極とは、電子の流路であるため、電子が流れる方向に直交する方向の断面は、必要な量の電子を流せるだけの充分な面積があることが好ましい。特に、半導体層に対して接触し電子の授受を行う接触部の近傍は、必要な量の電子を流せるだけの充分な面積があることが好ましい。第２の薄膜の凹部の側面の際まで均一な厚さの膜にすることができることにより、ソース電極の接触部の近傍のソース電極形状を、容易に必要な量の電子を流せる断面形状にすることができる。
【００３２】
また、この方法によれば、ソース配線を形成するための凹部内の機能液は、親液性を有する凹部の側面が機能液に濡れることによって、凹部全体に充填される。凹部全体に充填された機能液を乾燥させることによって、均一な膜厚で、充分な断面積を持つソース配線膜を形成することができる。さらに、幅の狭い凹部であっても機能液を充填することが可能であり、より細密なソース配線を形成し易くすることができる。
【００３３】
この場合、第１の薄膜は、ＴＦＴのドレイン電極であることが好ましい。
【００３４】
この方法によれば、半導体層の上に形成されるドレイン電極の膜を、第２の薄膜の凹部の側面の際まで、均一な厚さの膜にすることができる。半導体装置である薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とは、半導体層に対して接触し電子の授受を行う接触部が、半導体層の上に形成されている。ドレイン電極とソース電極とは、半導体層の上に形成された第２の薄膜で形成されたバンクで隔てられていることにより、直接導通することはなく、半導体層を介して接合されている。ドレイン電極とソース電極とは、電子の流路であるため、電子が流れる方向に直交する方向の断面は、必要な量の電子を流せるだけの充分な面積があることが好ましい。特に、半導体層に対して接触し電子の授受を行う接触部の近傍は、必要な量の電子を流せるだけの充分な面積があることが好ましい。第２の薄膜の凹部の側面の際まで均一な厚さの膜にすることができることにより、ドレイン電極の接触部の近傍ドレイン電極形状を、容易に必要な量の電子を流せる断面形状にすることができる。
【００３５】
この場合、第１の薄膜は、半導体装置のゲート配線またはゲート電極の少なくともいずれか一つであることが好ましい。
【００３６】
この方法によれば、ゲート配線及びゲート電極を形成するための凹部内の機能液は、親液性を有する凹部の側面が機能液に濡れることによって、凹部全体に充填される。凹部全体に充填された機能液を乾燥させることによって、均一な膜厚で、充分な断面積を持つゲート配線膜及びゲート電極膜を形成することができる。さらに、幅の狭い凹部であっても機能液を充填することが可能であり、より細密なゲート配線及びゲート電極を形成し易くすることができる。
【００３７】
この場合、記第１の薄膜は、電気光学装置の画素電極であることが好ましい。
【００３８】
この方法によれば、画素電極を形成するための凹部内の機能液は、親液性を有する凹部の側面が機能液に濡れることによって、凹部全体に充填される。凹部全体に充填された機能液を乾燥させることによって、均一な膜厚を持つ高性能の画素電極膜を形成することができる。
【００３９】
本発明の半導体装置は、前記した請求項に記載の薄膜パターン形成方法を用いて形成された第１の薄膜を、有することを特徴とする。
【００４０】
本発明の構成によれば、半導体装置は、薄膜を形成する領域である凹部を形成するための第２の薄膜の上面を撥液性に、第２の薄膜の凹部の側面を親液化することができ、それによって、凹部内に充分な断面積と必要な断面形状の薄膜を形成することができる薄膜パターン形成方法を用いて形成されたことから、薄膜の実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び断面積を実現した薄膜を有する。故に、半導体装置を構成する薄膜が、実現すべき機能を実現できる、高性能の半導体装置を実現することができる。
【００４１】
本発明による電気光学装置は、前記した請求項に記載の薄膜パターン形成方法を用いて形成された第１の薄膜を有することを特徴とする。
【００４２】
本発明の構成によれば、電気光学装置を構成する画素電極が、均一な膜厚を持つ高性能の画素電極膜であるため、高性能の電気光学装置を実現することができる。
【００４３】
本発明による電気光学装置は、前記した請求項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする。
【００４４】
本発明の構成によれば、半導体装置を構成する薄膜が、実現すべき機能を実現できる、高性能の半導体装置を備えるため、実現すべき機能を実現できる、高性能の電気光学装置を実現することができる。
【００４５】
本発明による電子機器は、前記した請求項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００４６】
本発明の構成によれば、実現すべき機能を実現できる、高性能の電気光学装置を搭載したため、実現すべき機能を実現できる、高性能の電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
以下、本発明に係る薄膜パターン形成方法の一実施形態について、図面を参照して、説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００４８】
（第１の実施形態）
本実施形態の薄膜パターン形成方法は、基板上に導電性膜である配線膜で形成された配線パターンを形成する、配線パターン形成方法である。本実施形態の配線パターン形成方法は、最初に、基板上にバンクを形成することで、バンクに囲まれた凹部であって、薄膜パターン形状と同一の平面形状を有する凹部を形成する。次に、液滴吐出法により液滴吐出ヘッドの吐出ノズルから導電性微粒子を含む配線パターン（配線膜）形成用インク（機能液）の液滴を凹部に向けて吐出し、基板上に導電性膜である配線膜で形成された配線パターンを形成する。配線膜が第１の薄膜に相当し、配線パターンが薄膜パターンに相当する。
【００４９】
まず、使用するインク（機能液）について説明する。液体材料である配線パターン形成用機能液は導電性微粒子を分散媒に分散した分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、及びニッケルのうちの少なくともいずれか１つを含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。
【００５０】
分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００５１】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法により機能液を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、機能液のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、機能液の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００５２】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴吐出法を用いて機能液を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部が機能液の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００５３】
配線パターンが形成される基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００５４】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００５５】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液体材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
【００５６】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
【００５７】
図１は液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。図１において、液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５とを備えている。
【００５８】
ステージ７はこの液滴吐出装置ＩＪにより機能液を配置される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００５９】
液滴吐出ヘッド１は複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含む機能液が吐出される。
【００６０】
Ｘ軸方向駆動軸４にはＸ軸方向駆動モータ２が接続されている。Ｘ軸方向駆動モータ２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
【００６１】
Ｙ軸方向ガイド軸５は基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向に移動する。
【００６２】
制御装置ＣＯＮＴは液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。更に、制御装置ＣＯＮＴは、Ｘ軸方向駆動モータ２に対して液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給するとともに、Ｙ軸方向駆動モータ３に対してステージ７のＹ軸方向への移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
【００６３】
クリーニング機構８は液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものであって、図示しないＹ軸方向駆動モータを備えている。このＹ軸方向駆動モータの駆動により、クリーニング機構８はＹ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００６４】
ヒータ１５はここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された機能液に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００６５】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｙ軸方向を走査方向、Ｙ軸方向と直交するＸ軸方向を非走査方向とする。したがって、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルは、非走査方向であるＸ軸方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１では、液滴吐出ヘッド１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド１の角度を調整することでノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節可能としてもよい。
【００６６】
図２はピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための模式断面図である。図２において、液体材料（配線パターン形成用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることによりピエゾ素子２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００６７】
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて製造される装置の一例である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））について説明する。図３は、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ１個を含む一部分の概略構成を示した平面図である。図４（ａ）は、ＴＦＴの断面図であり、図４（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図である。
【００６８】
図３に示すように、ＴＦＴ３０を有するＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート配線１２と、ソース配線１６と、ドレイン電極１４と、ドレイン電極１４に電気的に接続する画素電極１９とを備えている。ゲート配線１２はＸ軸方向に延びるように形成され、その一部がＹ軸方向に延びるように形成されている。そして、Ｙ軸方向に伸びるゲート配線１２の一部がゲート電極１１として用いられている。なお、ゲート電極１１の幅はゲート配線１２の幅よりも狭くなっている。そして、このゲート配線１２が、本実施形態の配線パターン形成方法で形成される。また、Ｙ軸方向に伸びるように形成されたソース配線１６の一部は幅広に形成されており、このソース配線１６の一部がソース電極１７として用いられている。
【００６９】
図４に示すように、ゲート配線１２及びゲート電極１１は、基板Ｐの上に設けられたバンクＢの間に形成されている。ゲート配線１２及びゲート電極１１並びにバンクＢは、絶縁膜２８に覆われており、絶縁膜２８の上に、半導体層である活性層６３と、ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４と、バンクＢ１とが形成されている。活性層６３は、概ねゲート電極１１に対向する位置に設けられており、活性層６３のゲート電極１１に対向する部分がチャネル領域とされている。活性層６３上には、接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、ソース電極１７は接合層６４ａを介して、ドレイン電極１４は接合層６４ｂを介して、活性層６３と接合されている。ソース電極１７及び接合層６４ａと、ドレイン電極１４及び接合層６４ｂとは、活性層６３上に設けられたバンク６７によって、互いに絶縁されている。ゲート配線１２は、絶縁膜２８によって、ソース配線１６と絶縁されており、ゲート電極１１は、絶縁膜２８によって、ソース電極１７及びドレイン電極１４と絶縁されている。ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４とは、絶縁膜２９で覆われている。絶縁膜２９のドレイン電極１４を覆う部分には、コンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介してドレイン電極１４と接続する画素電極１９が、絶縁膜２９の上面に形成されている。
【００７０】
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて、ＴＦＴ３０のゲート配線の配線パターンを形成する過程について説明する。図５は、本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る配線パターンの形成方法では、基板上に薄膜形成領域を囲むようにバンクを形成し、上述した配線パターン形成用機能液をバンクに囲まれた凹部に配置し、基板上に配線膜を形成することで、配線パターンを形成する。
【００７１】
ステップＳ１は、基板上にバンクを形成するためのバンク膜を形成する、バンク膜形成工程であり、次のステップＳ２は、バンク膜の表面に撥液性を付与する撥液化処理工程であり、次のステップＳ３は、ゲート配線パターンの形状に応じた凹部を形成するようにバンク膜をエッチングする凹部形成工程である。また、次のステップＳ４は、撥液性を付与されたバンク間に機能液を配置する機能液配置工程であり、次のステップＳ５は、機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程であり、次のステップＳ６は、機能液に含まれる導電性微粒子が有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行う焼成工程である。バンク膜が、第２の薄膜に相当する。
【００７２】
以下、各ステップの工程毎に詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。最初に、ステップＳ１のバンク膜形成工程について説明する。図６は、バンクを形成する手順の一例を示す模式断面図である。バンク膜形成工程では、まず、バンクの形成材料を塗布する前に表面改質処理として、基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクＢと基板Ｐとの密着性を向上する密着層であるＨＭＤＳ層３２が基板Ｐ上に形成される。
【００７３】
バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、バンクの形成材料を塗布する。基板ＰのＨＭＤＳ層３２の上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料が塗布されて、図６（ａ）に示すようなバンク膜３１が形成される。
【００７４】
本実施形態の配線パターンの形成方法のバンク膜形成工程では、バンク膜３１（バンクＢ）の形成材料として、機能液に対して親液性を有する材料が用いられる。機能液に対して親液性を有する材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や感光性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、機能液に対して親液性を有するバンク形成材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。
【００７５】
また、バンク膜３１（バンクＢ）の形成材料として、有機質の材料を用いることもできる。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００７６】
バンク形成材料の親液性の程度は、機能液の接触角が４０°未満であることが好ましい。接触角が４０°以上である場合、後述する溝部３４（図６（ｅ）参照）の形状によっては、親液性が充分ではない可能性がある。より詳細には、溝状の凹部に注入するべく滴下された機能液は、底面及び側面が機能液に濡れて濡れ広がったり、底面及び側面が機能液をはじいて濡れ広がり難くなったりする。機能液が注入された溝状の凹部の側面の機能液に対する接触角が４０°未満であると、凹部の底面が親液性であり機能液に濡れ易い場合であっても、底面に先行して側面が濡れることで機能液が濡れ広がることが確認されている。バンク形成材料の接触角が４０°未満であれば、後述する溝部３４の側面は機能液に対する接触角が４０°未満となり、滴下された機能液は溝部３４に濡れ広がり易くなる。
【００７７】
次に、ステップＳ２の撥液化処理工程について説明する。撥液化処理工程では、バンク膜３１に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ6やＳＦ5ＣＦ3などのガスも用いることができる。
【００７８】
図７はＣＦ4プラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図７に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。
【００７９】
ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの上に形成されたバンク膜３１の表面全体が連続的に処理される。
【００８０】
前記所定ガスは、処理ガスである四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ2）等の不活性ガスとを混合したものである。四フッ化炭素がフッ素を含有するガスに相当し、四フッ化炭素と、不活性ガスとを混合した所定ガスがスフッ素を含有するガスを含むガスに相当する。
【００８１】
このような撥液化処理を行うことにより、図６（ｂ）に示したように、バンク膜３１の表面には、これを構成する樹脂中にフッ素基が導入された撥液処理層３７が形成され、機能液に対して高い撥液性が付与される。撥液処理層３７の撥液性の程度は、機能液の接触角が４０°以上であることが好ましい。接触角が４０°未満の場合、バンクＢの上面に機能液が残存し易くなる。より詳細には、溝状の凹部に注入するべく滴下された機能液は、底面及び側面が機能液に濡れて濡れ広がったり、底面及び側面が機能液をはじいて濡れ広がり難くなったりする。機能液が注入された溝状の凹部の側面の機能液に対する接触角が４０°未満であると、凹部の底面が親液性であり機能液に濡れ易い場合であっても、底面に先行して側面が濡れることで機能液が濡れ広がることが確認されている。バンクＢの上面の接触角が４０°未満であれば、滴下された機能液はバンクＢの上面に濡れ広がり、後述する溝部３４には入り難くなる。
【００８２】
次に、ステップＳ３の凹部形成工程について説明する。凹部形成工程では、フォトリソグラフィ法を用いて、バンク膜３１の一部を取り除き、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３４を形成する。最初に、ステップＳ１のバンク膜形成工程で形成されたバンク膜３１の上にレジスト層を塗布する。次に、バンク形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することにより、図６（ｃ）に示したように、バンク形状に合わせたレジスト３８を残す。最後に、エッチングして、レジスト３８に覆われた以外の部分のバンク膜３１を除去し、さらに、レジスト３８を除去する。これにより、図６（ｄ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３４が形成される。
【００８３】
基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、図６（ｅ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３４の底部３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３２が除去され、基板Ｐが露出する。配線パターンが形成される基板Ｐとして用いられるガラスや石英ガラスは、機能液に対して親液性を有しており、基板Ｐが露出した底部３５は、機能液に対して親液性となる。
【００８４】
これにより、図６（ｅ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３４が形成されて、ステップＳ３の凹部形成工程が終了する。凹部形成工程で形成された、バンクＢ、Ｂの上面には、上記した撥液化処理工程で形成された撥液処理層３７が形成されており、バンクＢの上面は、機能液に対して、撥液性となっている。対照的に、凹部である溝部３４の側面であり、バンクＢの側面でもある側面３６は、機能液に対して、親液性を有するバンク膜３１の形成材料が直接露出しており、機能液に対して、親液性となっている。上記したように、底部３５は機能液に対して親液性となっており、溝部３４は、親液性の側面３６及び底部３５で構成されている。
【００８５】
次に、ステップＳ４の機能液配置工程について説明する。図８は、機能液を配置する手順と、配置された機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順の一例を示す模式図である。機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成用機能液の液滴が基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に配置される。ここでは、導電性材料として有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた有機銀化合物からなる機能液を吐出する。機能液配置工程では、図８（ａ）に示すように、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成用材料を含む機能液を液滴にして吐出する。液滴吐出ヘッド１は、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４に向け、機能液の液滴を吐出して溝部３４内に機能液を配置する。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。
【００８６】
本実施形態では、バンクＢ、Ｂ間の溝部３４の幅Ｗ（ここでは、溝部３４の開口部における幅）はインク（機能液）の液滴の直径Ｄとほぼ同等に設定されている。液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００８７】
このような液滴を液滴吐出ヘッド１から吐出し、溝部３４内に配置すると、液滴はその直径Ｄが溝部３４の幅Ｗとほぼ同等であることから、図８（ｂ）に二点鎖線で示すようにその一部がバンクＢ、Ｂ上に乗ることがある。ところが、バンクＢ、Ｂの表面が撥液性となっていることから、これらバンクＢ、Ｂ上に乗った機能液部分がバンクＢ、Ｂからはじかれ、更には毛細管現象によって溝部３４内に流れ落ちることにより、図８（ｂ）の実線で示すように機能液３９の殆どが溝部３４内に入り込む。
【００８８】
また、溝部３４内に吐出され、あるいはバンクＢ、Ｂから流れ落ちた機能液は、底部３５及び側面３６が親液性であることから濡れ拡がり易くなっており、これによって機能液はより均一に溝部３４内を埋め込むようになる。
【００８９】
次に、ステップＳ５の中間乾燥工程について説明する。基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行なうこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。中間乾燥工程が終了すると、図８（ｃ）に示すように、配線パターンを形成する配線膜である回路配線膜３３が形成される。この回路配線膜３３によって形成される配線パターンは、図３及び図４に示したゲート配線１２及びゲート電極１１である。
【００９０】
一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜３３の厚さが、必要な膜厚に達しない場合には、この中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う。回路配線膜３３が形成された上に機能液を配置すると、図８（ｄ）に示すように、溝部３４に入りきらない機能液３９は、バンクＢの上面が撥液性であるため、はじかれて溝部３４の上に盛り上った状態となる。再び中間乾燥工程を行って溝部３４内及び溝部３４の上に盛り上った機能液３９を乾燥させることにより、図８（ｅ）に示すように、機能液の液滴が積層され、膜厚の厚い回路配線膜３３が形成される。なお、一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜３３の厚さと、必要な膜厚とから、中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う繰返し数を、適当に選ぶことにより、必要な膜厚を得ることができる。また、必要により異なる機能液を積層して形成しても良い。
【００９１】
次に、ステップＳ６の焼成工程について説明する。中間乾燥工程後の乾燥膜は、有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【００９２】
熱処理及び／又は光処理は通常大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中、または水素などの還元雰囲気中で行なうこともできる。熱処理及び／又は光処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して適宜決定される。本実施形態では、吐出されパターンを形成した機能液に対して、大気中クリーンオーブンにて２８０〜３００℃で３００分間の焼成工程が行われる。例えば、有機銀化合物の有機分を除去するには、約２００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上２５０℃以下で行なうことが好ましい。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。
【００９３】
第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクＢの形成材料として、機能液に対して親液性を有する材料を使用する。これによって、形成されたバンクＢの側面であり溝部３４の側面である側面３６を親液性にする。側面３６を親液性にすることによって、溝部３４に入った機能液が溝部３４全体に充填され易くすることができ、機能液を乾燥させた回路配線膜３３が、溝部３４全体に充填された断面形状となるようにすることができる。
【００９４】
（２）バンク膜３１に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。これによって、バンク膜３１をエッチングして形成する、回路配線膜３３を形成するための溝部３４を囲むバンクＢの上面を、機能液に対して撥液性にする。バンクＢの表面が撥液性となっていることから、バンクＢ上に乗った機能液部分がバンクＢからはじかれ、溝部３４内に流れ落ちるようにすることができる。
【００９５】
（３）基板Ｐに形成したバンク膜３１の表面を撥液化する処理を実施した後に、バンク膜３１をエッチングして、バンクＢ及び溝部３４を形成する。これによって、形成されたバンクＢの側面であり溝部３４の側面である側面３６は、撥液化処理されることなく、形成材料の親液性が維持されるようにすることができる。側面３６を親液性にすることによって、溝部３４に入った機能液が溝部３４全体に充填され易くすることができ、機能液を乾燥させた回路配線膜３３が、溝部３４全体に充填された断面形状となるようにすることができる。
【００９６】
（４）溝部３４内に有る、ゲート配線１２及びゲート電極１１を形成するための機能液は、親液性を有する溝部３４の側面３６が機能液に濡れることによって、溝部３４全体に充填される。溝部３４全体に充填された機能液を乾燥させることによって、均一な膜厚で、充分な断面積を持つゲート配線１２及びゲート電極１１を形成することができる。
【００９７】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る薄膜パターン形成方法の第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態で形成した配線パターンの上にさらに回路配線を形成する配線パターンの形成方法について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出法や液滴吐出装置や、製造する半導体装置などは、第１の実施形態における液滴吐出法や液滴吐出装置や半導体装置と、基本的に同一である。
【００９８】
図９は、本実施形態に係る配線パターンの形成方法の一例を示すフローチャートである。本実施形態に係る配線パターンの形成方法では、基板上にバンクを形成することで、バンクに囲まれた凹部であって、薄膜パターン形状と同一の平面形状を有する凹部を形成し、第１の実施形態で説明した配線パターン形成用機能液を凹部に配置し、基板上に配線膜を形成することで、配線パターンを形成する。
【００９９】
ステップＳ２１は、半導体層である活性層などを形成する、活性層形成工程であり、次のステップＳ２２は、基板上にバンクを形成するためのバンク膜を形成する、バンク膜形成工程である。次のステップＳ２３は、バンク膜の表面に撥液性を付与する撥液化処理工程であり、次のステップＳ２４は、ゲート配線パターンの形状に応じた凹部を形成するようにバンク膜をエッチングする凹部形成工程である。次のステップＳ２５は、撥液性を付与されたバンク間に機能液を配置する機能液配置工程であり、次のステップＳ２６は、機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程であり、次のステップＳ２７は、機能液に含まれる導電性微粒子が機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行う焼成工程である。
【０１００】
以下、各ステップの工程毎に詳細に説明する。本実施形態では、第１の実施形態で形成したゲート配線の配線パターンの上に、ソース配線及びドレイン電極などの配線パターンを形成する。図１０は、半導体層を形成し、さらにバンクを形成する手順の一例を示す模式図である。
【０１０１】
ステップＳ２１の活性層形成工程では、図１０（ａ）に示すように、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜（絶縁膜２８）、半導体層である活性層６３、接合層６４の連続成膜を行う。絶縁膜２８として窒化シリコン膜、活性層６３としてアモルファスシリコン膜、接合層６４としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、基本骨格の主鎖に主成分として珪素を含有し、側鎖に炭化水素などの構造を有するシリカガラス系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。
【０１０２】
次に、ステップＳ２２のバンク膜形成工程について説明する。バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、バンクの形成材料を塗布する。基板Ｐの絶縁膜２８の上に、活性層６３及び接合層６４を覆うことができる高さにバンクの形成材料が塗布されて、図１０（ｂ）に示すようなバンク膜７１が形成される。
【０１０３】
本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクの形成材料として、バンク膜形成工程では、バンク膜７１の形成材料として、機能液に対して親液性を有する材料が用いられる。機能液に対して親液性を有する材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や感光性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、機能液に対して親液性を有するバンク形成材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。バンク形成材料の親液性の程度は、機能液の接触角が４０°未満であることが好ましい。接触角が４０°以上である場合、後述する溝部７４（図１０（ｃ）参照）の形状によっては、親液性が充分ではない可能性がある。
【０１０４】
次に、ステップＳ２３の撥液化処理工程について説明する。撥液化処理工程では、バンク膜７１に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ4プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ6やＳＦ5ＣＦ3などのガスも用いることができる。ＣＦ4プラズマ処理には、第１の実施形態において図７を参照して説明したプラズマ処理装置を用いることができる。
【０１０５】
このような撥液化処理を行うことにより、図１０（ｂ）に示したように、バンク膜７１の表面には、これを構成する樹脂中にフッ素基が導入された撥液処理層７７が形成され、機能液に対して高い撥液性が付与される。撥液処理層７７の撥液性の程度は、機能液の接触角が４０°以上であることが好ましい。接触角が４０°未満の場合、バンクＢの上面に機能液が残存し易くなる。
【０１０６】
次に、ステップＳ２４の凹部形成工程について説明する。凹部形成工程では、フォトリソグラフィ法を用いて、バンク膜７１の一部を取り除き、バンクＢ１及びバンクＢ２と、バンクＢ１及びバンクＢ２に囲まれた凹部である溝部７４を形成する。最初に、ステップＳ２２のバンク膜形成工程で形成されたバンク膜７１の上にレジスト層を塗布する。次に、バンク形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施しレジストを露光・現像することにより、図１０（ｂ）に示したように、バンク形状に合わせたレジスト７８を残す。最後に、エッチングして、レジスト７８に覆われた以外の部分のバンク膜７１を除去し、さらに、レジスト７８を除去する。
【０１０７】
これにより、図１０（ｃ）に示すように、バンクＢ１及びバンクＢ２に囲まれた凹部である溝部７４が形成されて、ステップＳ２４の凹部形成工程が終了する。凹部形成工程で形成された、バンクＢ１及びバンクＢ２の上面には、上記した撥液化処理工程で形成された撥液処理層７７が形成されており、バンクＢ１及びバンクＢ２の上面は、機能液に対して、撥液性となっている。対照的に、凹部である溝部７４の側面であり、バンクＢ１の側面でもある側面７６は、機能液に対して、親液性を有するバンク膜７１の形成材料が直接露出しており、機能液に対して、親液性となっている。同様に、凹部である溝部７４の側面であり、バンクＢ２の側面でもある側面７９は、機能液に対して、親液性を有するバンク膜７１の形成材料が直接露出しており、機能液に対して、親液性となっている。なお、絶縁膜２８の表面である底面７５及び活性層６３、接合層６４は機能液に対して親液性となっており、溝部７４は、親液性の側面７６，７９、活性層６３、接合層６４及び底面７５で構成されている。
【０１０８】
次に、ステップＳ２５の機能液配置工程について説明する。図１１は、インク（機能液）を配置する手順と、配置された機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順の一例を示す模式図である。機能液配置工程では、上記した液滴吐出装置ＩＪによる液滴吐出法を用いて、配線パターン形成用機能液の液滴がバンクＢ１及びＢ２で形成された凹部に配置される。ここでは、導電性材料として有機銀化合物を用い、溶媒（分散媒）としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた有機銀化合物からなる機能液を吐出する。機能液配置工程では、液滴吐出ヘッド１から配線パターン形成用材料を含む機能液を液滴にして吐出する。液滴吐出ヘッド１は、バンクＢ１及びＢ２で形成された溝部７４に向け、機能液の液滴を吐出して溝部７４内に機能液を配置する。このとき、液滴が吐出される配線パターン形成予定領域（すなわち溝部７４）はバンクＢ１及びＢ２に囲まれているので、液滴が所定位置以外に拡がることを阻止できる。
【０１０９】
バンクＢ１，Ｂ２間の溝部７４の幅（ここでは、溝部７４の開口部における幅）はインク（機能液）の液滴の直径Ｄとほぼ同等に設定されている。なお、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【０１１０】
このような液滴を液滴吐出ヘッド１から吐出し、溝部７４内に配置すると、液滴はその直径Ｄが溝部７４の幅とほぼ同等であることから、図１１（ａ）に二点鎖線で示すようにその一部がバンクＢ１，Ｂ２上に乗ることがある。ところが、バンクＢ１，Ｂ２の表面が撥液性となっていることから、これらバンクＢ１，Ｂ２上に乗った機能液部分がバンクＢ１，Ｂ２からはじかれ、更には毛細管現象によって溝部７４内に流れ落ちることにより、図１１（ａ）の実線で示すように機能液８１の殆どが溝部７４内に入り込む。溝部７４に入りきらない機能液は、バンクＢ１，Ｂ２の上面が撥液性であるため、はじかれて溝部７４の上に盛り上った状態となる。
【０１１１】
また、溝部７４内に吐出され、あるいはバンクＢ１，Ｂ２から流れ落ちた機能液は、底面７５及び側面７６が親液性であることから濡れ拡がり易くなっており、これによって機能液はより均一に溝部７４内に充填される。
【０１１２】
次に、ステップＳ２６の中間乾燥工程について説明する。基板Ｐに液滴を吐出した後、分散媒の除去及び膜厚確保のため、必要に応じて乾燥処理をする。ステップＳ２６の中間乾燥工程は、第１の実施形態におけるステップＳ５の中間乾燥工程と基本的に同一である。ステップＳ２６の中間乾燥工程によって、図１１（ｂ）に示すように、配線パターンを形成する配線膜である回路配線膜７３が形成される。本実施形態において、回路配線膜７３によって形成される配線パターンは、図３及び図４に示したソース配線１６、ソース電極１７及びドレイン電極１４である。
【０１１３】
一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜７３の厚さが、必要な膜厚に達しない場合には、この中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う。なお、一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜７３の厚さと、必要な膜厚とから、中間乾燥工程と上記機能液配置工程とを繰り返し行う繰返し数を、適当に選ぶことにより、必要な膜厚を得ることができる。また、必要により異なる機能液を積層して形成しても良い。
【０１１４】
次に、ステップＳ２７の焼成工程について説明する。中間乾燥工程後の乾燥膜は、有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理及び／又は光処理が施される。
【０１１５】
ステップＳ２７の焼成工程は、第１の実施形態におけるステップＳ６の焼成工程と基本的に同一である。ステップＳ２７の焼成工程によって、乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。以上の工程により吐出工程後の乾燥膜は微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜に変換される。
【０１１６】
次に、バンクＢ２を取り除き、さらに、接合層６４をエッチングして、ソース電極１７に接合する接合層６４ａと、ドレイン電極１４に接合する接合層６４ｂと、に分離する。バンクＢ２が取り除かれた部分と、接合層６４がエッチングされて取り除かれた部分とに、ソース電極１７と、ドレイン電極１４とを絶縁するバンク６７を形成する。また、ソース電極１７及びドレイン電極１４を配置した溝部７４を埋めるように絶縁膜２９が配置される。以上の工程により、バンクＢ１とバンク６７と絶縁膜２９からなる平坦な上面が形成される。なお、バンク６７と絶縁膜２９とを同じ材料で形成し、溝部７４を埋めるように絶縁膜２９を配置することによって、ソース電極１７と、ドレイン電極１４との絶縁を行っても良い。また、バンク膜７１を形成する前に、予め接合層６４をエッチングして、ソース電極１７に接合する接合層６４ａと、ドレイン電極１４に接合する接合層６４ｂと、に分離しておいても良い。
【０１１７】
溝部７４を埋めるように配置された絶縁膜２９のドレイン電極１４を覆う部分にコンタクトホールを形成するとともに、上面上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）１９を形成し、コンタクトホールを介してドレイン電極１４と画素電極１９とを接続する。第１の実施形態で説明したようにゲート配線を形成し、本実施形態で説明したようにソース配線と、ドレイン電極１４とを形成することで、ＴＦＴ３０を有するＴＦＴアレイ基板１０が製造される。
【０１１８】
第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクＢ１，Ｂ２の形成材料として、機能液に対して親液性を有する材料を使用する。これによって、形成されたバンクＢ１，Ｂ２の側面であり溝部７４の側面である側面７６，７９を親液性にする。側面７６，７９を親液性にすることによって、溝部７４に入った機能液が溝部７４全体に充填され易くすることができ、機能液を乾燥させた回路配線膜７３が、溝部７４全体に充填された断面形状となるようにすることができる。
【０１１９】
（２）バンク膜７１に対して撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。これによって、回路配線膜７３を形成するための溝部７４を囲むバンクＢ１，Ｂ２の上面を、機能液に対して撥液性にする。バンクＢ１，Ｂ２の表面が撥液性となっていることから、バンクＢ１，Ｂ２の上面に乗った機能液部分がバンクＢ１，Ｂ２上面のからはじかれ、溝部７４内に流れ落ちるようにすることができる。
【０１２０】
（３）形成したバンク膜７１の表面を撥液化する処理を実施した後に、バンク膜７１をエッチングして、バンクＢ１，Ｂ２及び溝部７４を形成する。これによって、形成されたバンクＢ１，Ｂ２の側面であり溝部７４の側面である側面７６，７９は、撥液化処理されることなく、形成材料の親液性が維持されるようにすることができる。側面７６，７９を親液性にすることによって、溝部７４に入った機能液が溝部７４全体に充填され易くすることができ、機能液を乾燥させた回路配線膜７３が、溝部７４全体に充填された断面形状となるようにすることができる。
【０１２１】
（４）溝部７４内に有る、ソース電極１７及びドレイン電極１４を形成するための機能液は、親液性を有する溝部７４の側面７９が機能液に濡れることによって、バンクＢ２の際まで充填される。バンクＢ２の際まで充填された機能液を乾燥させることによって、バンクＢ２の際まで均一な膜厚で、充分な断面積を持つソース電極１７及びドレイン電極１４を形成することができる。即ち、接合層６４ａ，６４ｂを介して活性層６３と接合する部分近傍のソース電極１７及びドレイン電極１４を、均一な膜厚で、充分な断面積を持つ導電膜にすることができる。
【０１２２】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、第１の実施形態及び第２の実施形態で説明した薄膜パターン形成方法を用いて形成された回路配線を有するＴＦＴを備えた液晶表示装置である。
【０１２３】
図１２は本実施形態に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１３は図１２のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図１４は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図で、図１５は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【０１２４】
図１２及び図１３において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。
【０１２５】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【０１２６】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置される（図示省略）。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１２７】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図１４に示すように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１２８】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１３に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１２９】
図１５はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であって、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、上記実施形態の回路配線の形成方法によりゲート配線６１がガラス基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に形成されている。
【０１３０】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層である活性層６３が積層されている。このゲート配線部分に対向する活性層６３の部分がチャネル領域とされている。活性層６３上には、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、チャネル領域の中央部における活性層６３上には、チャネルを保護するためのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲート絶縁膜６２、活性層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジスト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニングされる。
【０１３１】
さらに、接合層６４ａ，６４ｂ及びＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極１９も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパターニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上にそれぞれバンク６６…を突設し、これらバンク６６…間に上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、銀化合物の液滴を吐出することでソース線、ドレイン線を形成することができる。
【０１３２】
なお、上記実施形態では、ＴＦＴ３０を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、当該薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料を機能液とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【０１３３】
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０１３４】
半導体装置を形成する以外の他の実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態について説明する。図１６に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行うようになっている。上記アンテナ回路４１２が、上記実施形態に係る配線パターン形成方法によって形成されている。
【０１３５】
第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）薄膜の実現すべき機能を実現するのに必要な膜厚及び断面積に対応した断面形状を有する凹部を形成して、凹部全体に充填された機能液を乾燥させることで、必要な膜厚及び断面積を持つ薄膜を形成することができる。即ち、薄膜の実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び断面積を有する薄膜を形成することができる薄膜パターン形成方法を用いて形成された回路配線を有することにより、高性能が得られるＴＦＴ３０を備えるため、高性能の液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１３６】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態に係る電子機器について説明する。本実施形態の電子機器は、第３の実施形態で説明した液晶表示装置を備えた電子機器である。本実施形態の電子機器の具体例について説明する。
【０１３７】
図１７（ａ）は電子機器の一例である携帯電話の一例を示した斜視図である。図１７（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部を示している。
【０１３８】
図１７（ｂ）はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１７（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部を示している。
【０１３９】
図１７（ｃ）は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１７（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示部を示している。
【０１４０】
図１７（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上述した実施形態の液晶表示装置を備えたものであり、薄膜の実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び断面積を有する薄膜を形成することができる薄膜パターン形成方法を用いて形成された回路配線を有することにより、高性能が得られるＴＦＴ３０を備えている。本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１４１】
第４の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）薄膜の実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び断面積を有する薄膜を形成することができる薄膜パターン形成方法を用いて形成された回路配線を有することにより、高性能が得られるＴＦＴ３０を備えることにより、高性能の液晶表示装置１００を備えるため、高性能の携帯電話６００や、情報処理装置７００や、時計８００を実現することができる。
【０１４２】
（第５の実施形態）
次に、本発明に係る薄膜パターン形成方法の第５の実施形態について説明する。本実施形態は、第１の実施形態で説明した配線パターン形成方法の別の一例であって、本実施形態の薄膜パターン形成方法を用いて、第２の実施形態で説明した回路配線パターンの上に重ねて回路配線パターンを形成することも、第１の実施形態で説明した配線パターン形成方法と同様に実施することができる。また、本実施形態の薄膜パターン形成方法を用いて、第２の実施形態で説明した液晶表示装置も、第１の実施形態で説明した配線パターン形成方法と同様に形成することができる。
【０１４３】
本実施形態で使用する液滴吐出法や液滴吐出装置や、製造する半導体装置などは、第１の実施形態における液滴吐出法や液滴吐出装置や半導体装置と、基本的に同一である。第１の実施形態と異なる、バンク膜形成工程（ステップＳ１）、撥液化処理工程（ステップＳ２）、及び凹部形成工程（ステップＳ３）（図５参照）についてのみ説明する。
【０１４４】
本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて、第１の実施形態と同様のＴＦＴ３０のゲート配線の配線パターンを形成する過程について説明する。本実施形態に係る配線パターンの形成方法の工程は、第１の実施形態において、図５のフローチャートを参照して説明した各工程と基本的に同一である。即ち、基板上にバンクを形成することで、バンクに囲まれた凹部であって、薄膜パターン形状と同一の平面形状を有する凹部を形成し、上述した配線パターン形成用機能液を凹部に配置し、基板上に配線膜を形成することで、配線パターンを形成する。
【０１４５】
第１の実施形態で説明したように、ステップＳ１は、基板上にバンクを形成するためのバンク膜を形成する、バンク膜形成工程であり、次のステップＳ２は、バンク膜の表面に撥液性を付与する撥液化処理工程であり、次のステップＳ３は、ゲート配線パターンの形状に応じた凹部を形成するようにバンク膜をエッチングする凹部形成工程である。また、次のステップＳ４は、撥液性を付与されたバンク間に機能液を配置する機能液配置工程であり、次のステップＳ５は、機能液の液体成分の少なくとも一部を除去する中間乾燥工程であり、次のステップＳ６は、機能液に含まれる導電性微粒子が有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行う焼成工程である。バンク膜が、第２の薄膜に相当する。
【０１４６】
以下、各ステップの工程毎に本実施形態の方法を詳細に説明する。本実施形態では基板Ｐとしてガラス基板が用いられる。最初に、ステップＳ１のバンク膜形成工程について説明する。図１８は、本実施形態における、バンクを形成する手順の一例を示す模式断面図である。バンク膜形成工程では、まず、バンクの形成材料を塗布する前に表面改質処理として、基板Ｐに対してＨＭＤＳ処理が施される。ＨＭＤＳ処理は、ヘキサメチルジシラサン（（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ（ＣＨ3）3）を蒸気状にして塗布する方法である。これにより、バンクＢと基板Ｐとの密着性を向上する密着層であるＨＭＤＳ層３３２が基板Ｐ上に形成される。
【０１４７】
バンクは仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はフォトリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、フォトリソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、バンクの形成材料を塗布する。基板ＰのＨＭＤＳ層３３２の上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料が塗布されて、図１８（ａ）に示すようなバンク膜３３１が形成される。
【０１４８】
本実施形態の配線パターンの形成方法では、バンクの形成材料として、バンク膜形成工程では、バンク膜３３１（バンクＢ）の形成材料として、機能液に対して親液性を有する材料が用いられる。機能液に対して親液性を有する材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や感光性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、機能液に対して親液性を有するバンク形成材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。
【０１４９】
また、バンク膜３３１（バンクＢ）の形成材料として、有機質の材料を用いることもできる。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。あるいは、無機骨格（シロキサン結合）を主鎖に有機基を持った材料でもよい。
【０１５０】
次に、バンク膜３３１を焼成して、バンク膜３３１中に残っている機能液の分散媒を強制的に除去する。
【０１５１】
バンク形成材料の親液性の程度は、機能液の接触角が４０°未満であることが好ましい。接触角が４０°を越える場合、後述する溝部３３４（図１８（ｄ）参照）の形状によっては、親液性が充分ではない可能性がある。より詳細には、溝状の凹部に注入するべく滴下された機能液は、底面及び側面が機能液に濡れて濡れ広がったり、底面及び側面が機能液をはじいて濡れ広がり難くなったりする。機能液が注入された溝状の凹部の側面の機能液に対する接触角が４０°未満であると、凹部の底面が親液性であり機能液に濡れ易い場合であっても、底面に先行して側面が濡れることで機能液が濡れ広がることが確認されている。バンク形成材料の接触角が４０°未満であれば、後述する溝部３３４の側面は機能液に対する接触角が４０°未満となり、滴下された機能液は溝部３３４に濡れ広がり易くなる。
【０１５２】
次に、第１の実施形態における図５のステップＳ２に相当する、本実施形態における撥液化処理工程について説明する。撥液化処理の方法の一つとしては、バンク膜３３１の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を、図１８（ｂ）に示す撥液性膜３３７のように形成する方法が挙げられる。バンク膜３３１の表面を処理するための有機分子膜は、一端側にバンク膜３３１に結合可能な官能基を有し、他端側にバンク膜３３１の表面を撥液性等に改質する（表面エネルギーを制御する）官能基を有すると共に、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、バンク膜３３１に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜である撥液性膜３３７を形成するものである。
【０１５３】
自己組織化膜とは、基板など下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性等を付与することができる。
【０１５４】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【０１５５】
自己組織化膜を形成する化合物としては、例えば、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下、「ＦＡＳ」と表記する）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組み合せて使用してもよい。
【０１５６】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ(4-n)で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子等の加水分解基である。また、Ｒはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ3）（ＣＦ2）ｘ（ＣＨ2）ｙの（ここで、ｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、バンク膜３３１等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合でバンク膜３３１と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ3）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【０１５７】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物とバンク膜３３１が形成された基板Ｐとを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。原料化合物とバンク膜３３１が形成された基板Ｐとを同一の密閉容器中に入れて放置し自己組織化膜を形成する工程が、第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料を結合させるステップ、又は第２の薄膜の表面にフッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を形成するステップに相当する。
【０１５８】
以上に述べたのは、気相からの自己組織化膜の形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を含む溶液中にバンク膜３３１が形成された基板Ｐを浸積し、洗浄、乾燥することで、バンク膜３３１上に自己組織化膜が得られる。原料化合物を含む溶液をバンク膜３３１上に塗布することでも、バンク膜３３１上に自己組織化膜が得られる。原料化合物を含む溶液中にバンク膜３３１が形成された基板Ｐを浸積し、洗浄することで自己組織化膜を形成する工程や、原料化合物を含む溶液をバンク膜３３１上に塗布することで自己組織化膜を形成する工程が、第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料を結合させるステップ、又は第２の薄膜の表面にフッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を形成するステップに相当する。
【０１５９】
次に、第１の実施形態における図５のステップＳ３に相当する、本実施形態における凹部形成工程について説明する。凹部形成工程では、フォトリソグラフィ法を用いて、バンク膜３３１の一部を取り除き、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３３４を形成する。最初に、バンク形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施しバンク膜３３１を露光することにより、図１８（ｃ）に示したように、溝部３３４の形状に合わせた被露光部３３８を形成する。被露光部３３８には、撥液性膜３３７が露光した被露光部３３８ａと、バンク膜３３１が露光した被露光部３３８ｂとが含まれる。次に、現像（エッチング）して、被露光部３３８を除去する。これにより、図１８（ｄ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３３４が形成される。
【０１６０】
基板Ｐ上にバンクＢ、Ｂが形成されると、フッ酸処理が施される。フッ酸処理は、例えば２．５％フッ酸水溶液でエッチングを施すことでバンクＢ、Ｂ間のＨＭＤＳ層３３２を除去する処理である。フッ酸処理では、バンクＢ、Ｂがマスクとして機能し、図１８（ｅ）に示すように、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３３４の底部３３５にある有機物であるＨＭＤＳ層３３２が除去され、基板Ｐが露出する。配線パターンが形成される基板Ｐとして用いられるガラスや石英ガラスは、機能液に対して親液性を有しており、基板Ｐが露出した底部３３５は、機能液に対して親液性となる。
【０１６１】
これにより、図１８（ｅ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３３４が形成されて、凹部形成工程が終了する。凹部形成工程で形成された、バンクＢ、Ｂの上面には、上記した撥液化処理工程で形成された撥液性膜３３７が形成されており、バンクＢの上面は、機能液に対して、撥液性となっている。対照的に、凹部である溝部３３４の側面であり、バンクＢの側面でもある側面３３６は、機能液に対して、親液性を有するバンク膜３３１の形成材料が直接露出しており、機能液に対して、親液性となっている。上記したように、底部３３５は機能液に対して親液性となっており、溝部３３４は、親液性の側面３３６及び底部３３５で構成されている。
【０１６２】
ここで説明したバンク膜形成工程、撥液化処理工程、凹部形成工程、及び第１の実施形態で説明したバンク膜形成工程（図５ステップＳ１）、撥液化処理工程（図５ステップＳ２）、及び凹部形成工程（図５ステップＳ３）における、バンク膜３１，３３１の形成処理、バンク膜３１，３３１の焼成処理、撥液化処理、撥液性膜３３７の焼成処理、凹部形成のための露光処理は、上述した順番以外の順番で実施してもよい。上述した順番異なる順番で実施する例を、図１９を参照して説明する。
【０１６３】
図１９は、本実施形態における、図１８に示した手順とは異なる、バンクを形成する手順の一例を示す模式断面図である。最初に、バンクＢと基板Ｐとの密着性を向上する密着層であるＨＭＤＳ層３３２が基板Ｐ上に形成される。次に、バンクの形成材料を塗布する。基板ＰのＨＭＤＳ層３３２の上にバンクの高さに合わせてバンクの形成材料が塗布されて、図１９（ａ）に示すようなバンク膜３３１が形成される。次に、バンク膜３３１を焼成して、バンク膜３３１中に残っている機能液の分散媒を強制的に除去する。
【０１６４】
次に、凹部形成工程の最初の工程である、フォトリソグラフィ法の露光工程を実施する。バンク形状（配線パターン形状）に合わせてマスクを施しバンク膜３３１を露光することにより、図１９（ｂ）に示したように、溝部３３４の形状に合わせた被露光部３３８ｂを形成する。次に、撥液化処理工程を実施する。撥液化処理としては、バンク膜３３１の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を、図１９（ｃ）に示す撥液性膜３３７のように形成する。次に、撥液性膜３３７を焼成して、撥液性膜３３７中に残留している機能液の分散媒を強制的に除去する。次に、現像して、被露光部３３８ｂを除去する。このとき、撥液性膜３３７の被露光部３３８ｂを覆う部分も被露光部３３８ｂと共に除去される。これにより、図１９（ｄ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３３４が形成される。最後に、バンクＢ、Ｂ間に形成された溝部３３４の底部３３５にあるＨＭＤＳ層３３２が除去され、図１９（ｅ）に示すように、バンクＢと、バンクＢに囲まれた凹部である溝部３３４が形成されて、凹部形成工程が終了する。
【０１６５】
バンクＢ及びバンクＢ間に形成された溝部３３４を形成するための、バンク膜３３１の形成、バンク膜３３１の焼成、撥液性膜３３７の形成、撥液性膜３３７の焼成、露光、及び現像、の各工程を実施する順番は、上述した順番が必須ではない。例えば、以下に記載する順番が実行可能である。
（１）バンク膜３３１の形成、バンク膜３３１の焼成、撥液性膜３３７の形成、露光、及び現像による溝部３３４の形成の順に実施。
（２）バンク膜３３１の形成、バンク膜３３１の焼成、撥液性膜３３７の形成、撥液性膜３３７の焼成、露光、及び現像による溝部３３４の形成の順に実施。
（３）バンク膜３３１の形成、撥液性膜３３７の形成、バンク膜３３１及び撥液性膜３３７の焼成、露光、及び現像による溝部３３４の形成の順に実施。
（４）バンク膜３３１の形成、バンク膜３３１の焼成、露光、撥液性膜３３７の形成、及び現像による溝部３３４の形成の順に実施。
（５）バンク膜３３１の形成、バンク膜３３１の焼成、露光、撥液性膜３３７の形成、撥液性膜３３７の焼成、及び現像による溝部３３４の形成の順に実施。
上記（１）の実施順序が、図１８を参照して説明した例における各工程の実施順序であり、（５）の実施順序が、図１９を参照して説明した例における各工程の実施順序である。各工程をどのような順序で実施するかは、例えば、焼成が必要であるか否か、描画する機能液に対して撥液化されたバンク膜表面が、現像液に対して撥液性か親液性かなどによって、適宜選択する。
【０１６６】
第１の実施形態で説明したバンク膜形成工程（図５ステップＳ１）、撥液化処理工程（図５ステップＳ２）、及び凹部形成工程（図５ステップＳ３）における、バンク膜３１の形成処理、バンク膜３１の焼成処理、バンク膜３１の撥液化処理、凹部形成のための露光処理は、上記（１）の順序で実施されているが、上記（３）又は（４）の順序で実施してもよい。
【０１６７】
第５の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）溝部３３４を形成する前に、バンク膜３３１を焼成することで、バンク膜３３１を焼成しない場合に比べて、溝部３３４の側面３３６が機能液と反応し難くすることができる。例えば機能液とバンクＢとが互いに溶解して混合部分が生じ、回路配線膜３３（図８参照）の特性が損なわれる可能性を小さくすることができる。
【０１６８】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明の実施形態は、前記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。
【０１６９】
（変形例１）上記実施形態では、バンクＢの間に形成された溝部に導電性膜を形成して配線パターンを形成したが、形成できる薄膜は導電性薄膜から成る配線パターンに限らない。例えば液晶表示装置において表示画像をカラー化するために用いられているカラーフィルタにも適用可能である。このカラーフィルタは、基板に対してＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の機能液（液体材料）を液滴として所定パターンで配置することで形成することができる。上述した実施形態と同様に、基板の上にカラーフィルタの形状に応じたバンクを形成し、このバンクによって形成された溝部に機能液を配置してカラーフィルタを形成することで、カラーフィルタを有する液晶表示装置を製造することができる。
【０１７０】
バンクの側面が親液性である、即ち側面が親液性である溝部に機能液を配置することで、バンク際の機能液がバンクに密着し、溝の内部の機能液が均等に配置されるようにすることができる。それにより、溝の内部の機能液を乾燥させてカラーフィルタを形成することで、バンクの際まで厚さが均一なカラーフィルタを形成することができる。カラーフィルタは、カラーフィルタを透過する光の特定の波長成分を遮断することで、光に色を付けるものであり、その厚さによって遮断する量が変わるため、カラーフィルタの厚さは、カラーフィルタの性能に影響を与える重要な要素である。従って、厚さが均一なカラーフィルタを形成することで、性能の良いカラーフィルタを実現することができる。
【０１７１】
（変形例２）上記実施形態では、バンクＢの間に形成された溝部に導電性膜を形成して配線パターンを形成したが、形成できる薄膜は導電性薄膜から成る配線パターンに限らない。本発明の薄膜パターン形成方法を適用して、上記実施形態に記載した絶縁膜２９や、画素電極１９を形成することもできる。更に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層である活性層６３、オーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４についても、ケイ素化合物、及びドーパント源を含有する液体材料を使用して形成することもできる。ケイ素化合物の具体的な例としては、シクロペンタシランなど、一個以上の環状構造をもったものに、紫外線を照射することによって光重合させた高次シランとしたものが挙げられる。また、ドーパント源の具体例としては、リンなどの５族元素あるいは、ホウ素などの３族元素を含有する物質が挙げられる。
【０１７２】
（変形例３）前記第１の実施形態においては、第５の実施形態で説明したバンクを焼成する工程を実施していないが、第５の実施形態と同様にバンクを焼成する工程を実施することができるのは勿論である。第５の実施形態と同様にバンクを焼成する工程を実施することで、第５の実施形態で説明した効果と同様の効果が実現できる。
【０１７３】
（変形例４）前記第５の実施形態においては、バンク膜３３１と結合する撥液性膜３３７を形成していたが、撥液性膜３３７がバンク膜３３１と結合することは必須ではない。パーフルオロアルキル基（Ｒｆ基）を含有するフッ素化合物をバンク膜３３１上に、単に付着させる方法であってもよい。撥液性膜３３７がバンク膜３３１上に単に付着していると、機能液を配置した後、比較的容易に、撥液性膜３３７を除去することができる。例えば、第２の実施形態で説明したような薄膜を積層する構造を形成する場合であって、絶縁膜２８の材料を含む機能液をバンクＢ等の上に塗布する場合には、撥液処理層３７に代えて単に付着している撥液性膜３３７を形成し、当該撥液性膜３３７を除去することで、バンクＢの表面を絶縁膜２８の材料を含む機能液に対して親液性にし易くすることができる。パーフルオロアルキル基を含有するフッ素化合物をバンク膜３３１上に、単に付着させる工程が、第２の薄膜の表面にフッ素化合物又はフッ素を含有する材料を付着させるステップ、又は第２の薄膜の表面にフッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を形成するステップに相当する。
【０１７４】
（変形例５）前記第５の実施形態においては、現像されたときに被露光部３３８が削除されるフォトエッチングの方法を一例にして説明したが、露光した部分が残り、露光しない部分が削除されるフォトエッチングの方法でも良いことは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明する模式断面図。
【図３】ＴＦＴアレイ基板の要部の概略構成を示した平面図。
【図４】（ａ）ＴＦＴの断面図。（ｂ）ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図。
【図５】第１の実施形態の配線パターンの形成方法を示すフローチャート。
【図６】バンクを形成する手順の一例を示す模式断面図。
【図７】プラズマ処理装置の概略構成図。
【図８】機能液を配置する手順と、機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順とを示す模式図。
【図９】第２の実施形態の配線パターンの形成方法を示すフローチャート。
【図１０】半導体層を形成し、さらにバンクを形成する手順の一例を示す模式図。
【図１１】機能液を配置する手順と、機能液を乾燥させて配線膜を形成する手順とを示す模式図。
【図１２】第３の実施形態における液晶表示装置を対向基板側から見た平面図。
【図１３】図１２のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図１４】液晶表示装置の等価回路図。
【図１５】液晶表示装置の部分拡大断面図。
【図１６】非接触型カード媒体の分解斜視図。
【図１７】第４の実施形態の電子機器の具体例を示す外観図。
【図１８】第５の実施形態のバンクを形成する手順の一例を示す模式断面図。
【図１９】第５の実施形態のバンクを形成する手順の他の一例を示す模式断面図。
【図２０】バンクによって形成された凹部に向けて、機能液を吐出し、配線膜を形成する場合の、従来の凹部内の機能液の様態を示す摸式断面図。
【符号の説明】
【０１７６】
１…液滴吐出ヘッド、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…ゲート電極、１２…ゲート配線、１４…ドレイン電極、１６…ソース配線、１７…ソース電極、１９…画素電極、２８，２９…絶縁膜、３０…ＴＦＴ、３１，３３１…バンク膜、３３…回路配線膜、３４，３３４…溝部、３５，３３５…底部、３６，３３６…側面、３７…撥液処理層、６３…活性層、６４，６４ａ，６４ｂ…接合層、６７…バンク、７１…バンク膜、７３…回路配線膜、７４…溝部、７５…底面、７６，７９…側面、７７…撥液処理層、１００…液晶表示装置、３３７…撥液性膜、３３８，３３８ａ，３３８ｂ…被露光部、６００…携帯電話、７００…情報処理装置、８００…時計、Ｂ，Ｂ１，Ｂ２…バンク、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｐ…基板。
【図１】
2006140451.tif 000003
【図２】
2006140451.tif 000004
【図３】
2006140451.tif 000005
【図４】
2006140451.tif 000006
【図５】
2006140451.tif 000007
【図６】
2006140451.tif 000008
【図７】
2006140451.tif 000009
【図８】
2006140451.tif 000010
【図９】
2006140451.tif 000011
【図１０】
2006140451.tif 000012
【図１１】
2006140451.tif 000013
【図１２】
2006140451.tif 000014
【図１３】
2006140451.tif 000015
【図１４】
2006140451.tif 000016
【図１５】
2006140451.tif 000017
【図１６】
2006140451.tif 000018
【図１７】
2006140451.tif 000019
【図１８】
2006140451.tif 000020
【図１９】
2006140451.tif 000021
【図２０】
2006140451.tif 000022