(57)【要約】      （修正有）【課題】  セラミック基板上に、電子部品の高密度実装に適した微細な表層導体パターンを高精度に形成すること。【解決手段】  銀系材料で構成された内層導体パターンを有し、焼成処理を経たセラミック層５ａ〜５ｅからなるコア基板６の両主面に、銅系材料で構成された表層導体パターンを有するセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂを積層し、これを非酸化性雰囲気中、９００〜１０００度で焼成する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銀系材料で構成された内層導体パターンを有し、焼成処理を経たセラミック基板の少なくとも一方主面に、銅系材料で構成された表層導体パターンを有するセラミックグリーンシートを積層し、これを非酸化性雰囲気中で焼成する、セラミック多層基板の製造方法。
【請求項２】
前記内層導体パターンが形成された複数の第１セラミックグリーンシートを積層、焼成してなる前記セラミック基板の両主面に、前記表層導体パターンが形成された第２セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
を有する、請求項１に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとをほぼ同組成の材料で作製する、請求項２に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２セラミックグリーンシートを多層セラミックグリーンシートとする、請求項２または３に記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項５】
前記セラミック基板の表面には導体ペーストの印刷による内層回路導体が形成されており、前記多層セラミックグリーンシートには、前記セラミック基板と前記セラミックグリーンシートとの導通を図ることを目的とした導体ペーストの印刷による表層導体パターンを有する、請求項１乃至４のいずれかに記載のセラミック多層基板の製造方法。
【請求項６】
前記セラミック基板には酸化ルテニウムを含む抵抗体が焼き付けられており、前記セラミックグリーンシートを積層する前に、前記抵抗体をトリミング調整する、請求項１乃至５のいずれかに記載のセラミック多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックパッケージ、配線基板等に用いるセラミック多層基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に対する小型化、高機能化、高信頼化、低コスト化への要求は極めて大きく、これに応じて半導体ＩＣ等のチップ部品は、高密度集積化、高速化の方向へ発展している。これに伴って、配線基板、パッケージ等のセラミック基板に対しても、高精度化、高信頼化、高密度配線化等が要求されている。
【０００３】
一般的に、セラミック多層基板は、
（１）セラミック材料の調合、混合工程
（２）セラミックグリーンシートの成形工程
（３）ビアホールの形成工程
（４）導体パターンの形成工程
を経て作製した複数のグリーンシートを積層、圧着した後、焼成することによって作製される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特に、焼成時にセラミックグリーンシートは１５％ほど収縮するため、この収縮率を高精度に管理することが重要であり、また、予め収縮を想定して表層導体パターンを形成することが必要である。しかしながら実際には、±０．２〜±０．５％程度の歪み（焼成歪み）の発生が避け難く、特に、セラミック基板表層に設ける表層導体パターン（表層導体回路）には、例えば１００ｍｍ角のセラミック基板で±０．２〜±０．５ｍｍ程度の位置ずれが生じてしまう。
【０００５】
即ち、焼成歪みや位置ずれが生じると、半導体ＩＣのベアチップ実装やその半田形成の際には、セラミック多層基板と各種実装部品との間で接続不良が発生し、実装部品の特性が不安定になることがある。これに対して、位置決め（アライメント）の回数を増やすことによって位置ずれを低減できるが、生産性が低下することは避けられない。
【０００６】
また、焼成処理後のセラミック基板上に導体パターンを印刷し、これを焼き付けて表層回路導体を形成するといった対策もあるが、一般に、内層回路導体を有するセラミック多層基板は、その主面に数十〜数百μｍのうねりを持っており、それゆえにファインライン等の表層回路導体を高精度に印刷することが困難である。さらに、焼成後のセラミック基板はセラミックグリーンシートに比べて、吸水性、即ち溶剤の浸透性に劣るため、同様に、表層回路導体の高精度印刷が難しい。
【０００７】
本発明は、上述した問題を解決するものであり、その目的は、セラミック基板上に表層導体パターンを高精度に形成する、セラミック多層基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
即ち、本発明は、銀系材料で構成された内層導体パターンを有し、焼成処理を経たセラミック基板の少なくとも一方主面に、銅系材料で構成された表層導体パターンを有するセラミックグリーンシートを積層し、これを非酸化性雰囲気中で焼成する、セラミック多層基板の製造方法に係るものである。
【０００９】
また、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、前記内層導体パターンが形成された複数の第１セラミックグリーンシートを積層、焼成してなる前記セラミック基板の両主面に、前記表層導体パターンが形成された第２セラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する工程と、  前記積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとをほぼ同組成の材料で作製することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、前記第２セラミックグリーンシートを多層セラミックグリーンシートとすることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、前記セラミック基板の表面には導体ペーストの印刷による内層回路導体が形成されており、前記多層セラミックグリーンシートには、前記セラミック基板と前記セラミックグリーンシートとの導通を図ることを目的とした導体ペーストの印刷による表層導体パターンを有することを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明のセラミック多層基板の製造方法は、前記セラミック基板には酸化ルテニウムを含む抵抗体が焼き付けられており、前記セラミックグリーンシートを積層する前に、前記抵抗体をトリミング調整することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のセラミック多層基板の製造方法によれば、銀系材料で構成された内層導体パターンを有し、焼成処理を経たセラミック基板（以下、コア基板と称することがある。）の少なくとも一方主面に、銅系材料で構成された表層導体パターンを有するセラミックグリーンシートを積層し、これを非酸化性雰囲気中で焼成するので、前記コア基板は後段の焼成時には実質的に収縮せず、前記コア基板と前記セラミックグリーンシートとの間のアンカー効果によって前記セラミックグリーンシートの面方向の収縮が抑制され、焼成歪みや位置ずれの少ない、高精度の表層導体パターンを形成できる。
【００１５】
なお、本発明のセラミック多層基板の製造方法において、前記表層導体パターンとは、セラミック多層基板の表面及び／又は裏面に形成された接続用ランド等の導体パターン（表層回路導体）、ビアホールを含む。また、前記コア基板は、単層セラミック基板であってもよいし、多層セラミック基板であってもよい。また、前記コア基板は内層回路導体の有無を問わない。さらに、前記セラミック多層基板は、半導体ＩＣ等の実装部品搭載用のセラミック基板やセラミックパッケージ等を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明のセラミック多層基板の製造方法を実施の形態例に従って説明する。
〔第１の実施の形態〕
まず、図１〜図５を参照に、本発明による第１の実施の形態を説明する。
【００１７】
セラミック材料として、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＳｉＯ2系のガラス複合材料である低温焼結セラミック材料（ＢＡＳ材料）を用意する。これを有機バインダと共に混合した後、シート状に成形して、セラミックグリーンシートを作製する。
【００１８】
次いで、図１に示すように、セラミックグリーンシート１ａにビアホール用の孔を開け、銀を主成分とする導体ペーストを埋め込み、ビアホール３ａ及び３ｂを形成し、さらに、導体ペーストのスクリーン印刷によって、内層回路導体２ａ及び２ｂを形成する。同様にして、内層回路導体２ｃ、ビアホール３ｃ及び３ｄを有するセラミックグリーンシート１ｂ、内層回路導体２ｄ及び２ｅを有するセラミックグリーンシート１ｃ、内層回路導体２ｆ及び２ｇ、ビアホール３ｅを有するセラミックグリーンシート１ｄ、内層回路導体２ｈ、２ｉ、２ｊ、２ｋ及び２ｌ、ビアホール３ｆ及び３ｇを有するセラミックグリーンシート１ｅをそれぞれ作製し、これらのセラミックグリーンシートを積み重ねる。なお、セラミックグリーンシート１ａ〜１ｅは前記第１セラミックグリーンシートに相当する。また、内層回路導体２ａ〜２ｌ及びビアホール３ａ〜３ｇは前記内層導体パターンに相当する。
【００１９】
次いで、得られた積層体を圧着した後、９００度〜１０００度で同時焼成すると、図２に示すように、セラミック層５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ及び５ｅからなるコア基板６が得られる。ここで、焼成前のセラミックグリーンシート１ａ〜１ｅの幅方向の長さをＬ１とすると、焼成後のセラミックグリーンシート、即ちセラミック層５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ及び５ｅの幅方向の長さは、長さＬ１に比べて約１５％収縮したＬ２となる。なお、図示しないが、長手方向や厚み方向の長さも同様に収縮する。
【００２０】
次いで、図３に示すように、コア基板６の一方主面には、表層回路導体８ａ、８ｂ、８ｃ及び８ｄ、ビアホール９ａ及び９ｂを有するセラミックグリーンシート７ａをラミネートし、他方主面には、表層回路導体８ｅ及び８ｆ、ビアホール９ｃ及び９ｄを有するセラミックグリーンシート７ｂをラミネートして積層体１０を形成する。セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂの材料としては、前記第１セラミックグリーンシートとほぼ同組成のＢＡＳ材料を用い、表層回路導体及びビアホール用の導体材料には、銅を主成分とする材料を用いる。なお、セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂは、前記第２セラミックグリーンシートに相当する。
【００２１】
また、セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂとコア基板６とは、有機バインダ等の接着剤を介して接合する。或いは、セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂをコア基板６に積層した後、熱圧着等によって接合してもよい。
【００２２】
次いで、得られた積層体１０を例えばＮ2等の非酸化性雰囲気中、９００度〜１０００度で焼成すると、図４に示すように、セラミック層５ａ〜５ｅ、１１ａ及び１１ｂからなるセラミック多層基板１２が得られる。ここで、焼成前のセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂは厚みＴ１を有しているが、焼成後のセラミックグリーンシート、即ちセラミック層１１ａ及び１１ｂは厚みＴ２となり、幅方向及び長手方向を含む面方向には実質的に収縮しないので、厚みＴ２は、厚みＴ１に比べて６０％程度収縮することになる。
【００２３】
次いで、図５に示すように、上述した工程を経て作製したセラミック多層基板１２の一方主面１３上に半導体ＩＣ１５やチップコンデンサ１６等の実装部品を搭載すれば、ハイブリッドＩＣ等のセラミック多層モジュール１８が作製される。なお、ここでは、セラミック多層基板１２の一方主面１３にのみ実装部品を搭載したが、他方主面１４上に実装部品を搭載してもよい。
【００２４】
本実施の形態は、焼成処理を経たセラミック基板（即ちコア基板）６の両主面に、表層回路導体８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ及び８ｆが形成されたセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂを積層、接合した後、これを焼成するものであり、コア基板６はセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂの焼成時には実質的に収縮しないので、コア基板６の奏するアンカー効果によってセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂの面方向の収縮はほとんど生じない。従って、位置決めの回数を大幅に増やすことなく、簡易な構成で、焼成歪みや位置ずれが少なく高精度の表層回路導体８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ及び８ｆを効率よく形成でき、ひいては電子部品の実装時や半田形成の際の接続不良が少なく、優れた安定性を発揮するセラミック多層モジュールが得られる。
【００２５】
即ち、部品実装のために高精度が必要な表層及び／又は裏層は、焼成によって面方向に収縮しないので、焼成による歪みを抑制し、極めて高精度の表層導体パターンを形成でき、表層導体パターンの歪みは実質的に印刷ずれによる歪みや積層ずれによる歪みのみになり、種々の要因による歪みを総じて±０．０５％程度に抑えることができる。従って、配線基板やパッケージの小型化にも十分に対応でき、セラミック基板の高精度化、高信頼化、高密度配線化が達成される。
【００２６】
また、セラミックグリーンシート上に表層導体パターンを形成しているので、特にコア基板が種々の内層回路導体を有する多層基板の場合であっても、表層導体パターンの形成は表面のうねりに直接に影響されず、また、セラミックグリーンシートは焼成後のセラミック基板に比べて、吸水性、即ち溶剤の浸透性に優れているため、にじみやかすれ等が少なく、高精度の表層導体パターンを印刷できる。
【００２７】
また、本実施の形態においては、セラミックグリーンシート１ａ〜１ｅとセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂをほぼ同組成の材料で構成しているので、セラミックグリーンシート１ａ〜１ｅとセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂとの接着性が優れており、また、各セラミックグリーンシート構成成分の相互拡散による基板特性の劣化がほとんど生じない。
【００２８】
また、セラミックグリーンシート１ａ〜１ｅ及びセラミックグリーンシート７ａ及び７ｂをＢＡＳ材料からなる低温焼結セラミック材料で作製し、内層導体パターン及び表層導体パターンを銅又は銀を主成分とした低融点金属で形成しており、銅や銀は比抵抗が小さいので、信号の伝送損失が少なく、高周波特性に優れたセラミック多層基板が得られる。また、銅は半田濡れ性にも優れ、低コストである。
【００２９】
また、本実施の形態において、コア基板６は内層回路導体を有しており、その主面には微細なうねりが生じることがあるので、セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂにはある程度の設計マージンを付与しておくことが望ましい。つまり、詳しくは後述するが、第２セラミックグリーンシート、即ち、セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂは単層であってもよいが、２層以上の多層シートであってもよい。
【００３０】
また、コア基板６における内層回路導体やビアホール等の内層導体パターンを銀系の材料で構成し、セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂにおける表層導体パターンを銅系の材料で構成しているので、コア基板の焼成時の雰囲気の厳密な管理が必要なく、また、表層導体パターンのマイグレーションも生じない。また、銀系の導体材料で内層回路導体等を形成したコア基板６の表面上にガラス粉末と酸化ルテニウム等からなる抵抗体を焼き付ければ、結果的に、耐高電圧の抵抗体を内蔵できる。
【００３１】
さらに、コア基板６に抵抗体、コンデンサパターン、コイルパターン等の受動素子を内蔵する場合、これらの受動素子をコア基板の状態でトリミング調整すれば、セラミックグリーンシート７ａ及び７ｂがトリミング調整後の回路素子の保護層の役割を果たし、通常の最表層からトリミングした場合に必要な信頼性確保のためのオーバーコート層が不要である。
〔第２の実施の形態〕
次に、図６〜図９を参照に、本発明による第２の実施の形態を説明する。
【００３２】
まず、図６に示すように、セラミック層２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ及び２１ｅを積層してなるコア基板２０を用意する。このコア基板２０は、上述の第１の実施の形態と同様に、ビアホール及び内層回路導体２２、２３、２４、２５…を形成したセラミックグリーンシートを積層し、圧着した後、焼成することによって作製する。なお、本実施の形態では、コア基板２０内に、内層回路導体として、コンデンサパターンＣ及びコイルパターンＬを設けた。また、内層回路導体２２、２４、２５…は、コア基板２０の焼成後にスクリーン印刷及び焼き付けによって形成してもよい。
【００３３】
また、コア基板２０とは別に、多層セラミックグリーンシート３０ａ及び３０ｂを用意する。多層セラミックグリーンシート３０ａは、表層回路導体３３及び３４を形成してなるセラミックグリーンシート３１ａと、セラミックグリーンシート３１ｂと、厚膜内部抵抗体３５を形成してなるセラミックグリーンシート３１ｃとからなるものである。また、多層セラミックグリーンシート３０ｂは、セラミックグリーンシート３２ａと、厚膜内部抵抗体３５を形成してなるセラミックグリーンシート３２ｂと、表層回路導体３６、３７及び３８を形成してなるセラミックグリーンシート３２ｃとからなるものである。なお、各セラミックグリーンシートには、図示しない所望の回路導体やビアホールが形成されている。また、多層セラミックグリーンシート３０ａ及び３０ｂは、本発明における前記第２セラミックグリーンシートに相当する。
【００３４】
次いで、コア基板２０の一方主面に多層セラミックグリーンシート３０ａを積層し、他方主面に多層セラミックグリーンシート３０ｂを積層した後、これを一括に圧着して、図７に示すような積層体４０を得る。即ち、積層体４０は、コア基板２０の一方主面に、セラミックグリーンシート３１ａ、３１ｂ及び３１ｃを順次積み重ね、他方主面に、セラミックグリーンシート３２ａ、３２ｂ及び３２ｃを順次積み重ねたものである。なお、コア基板２０と多層セラミックグリーンシート３０ａ及び３０ｂとは、接着剤を用いて接合してもよいし、熱圧着（熱プレス）によって接合してもよい。また、多層セラミックグリーンシート３０ａ及び３０ｂは、コア基板２０に積層する前に圧着してあってもよい。
【００３５】
次いで、積層体４０を所定の条件下で焼成して、図８に示すように、セラミック多層基板４５を得る。ここで、焼成前のセラミックグリーンシート３１ａ、３１ｂ及び３１ｃは、セラミック多層基板４５の面方向には実質的に収縮せず、厚み方向にのみ収縮して、それぞれセラミック層４２ａ、４２ｂ及び４２ｃとなる。また、焼成前のセラミックグリーンシート３２ａ、３２ｂ及び３２ｃも同様に、セラミック多層基板４５の面方向には実質的に収縮せず、厚み方向にのみ収縮して、それぞれセラミック層４３ａ、４３ｂ及び４３ｃとなる。即ち、セラミック層４２ａ、４２ｂ及び４２ｃからなるセラミック積層体層４１ａと、セラミック層４３ａ、４３ｂ及び４３ｃとからなるセラミック積層体層４１ｂとがコア基板２０上に形成されてなるセラミック多層基板４５が形成される。
【００３６】
さらに、セラミック多層基板４５の一方主面にて、ワイヤ５１を介して半導体ＩＣ５０と表層回路導体３３を接続し、また、実装部品５２と表層回路導体３４とを半田接続して、さらに他方主面にて表層回路導体３８に厚膜抵抗体５３を形成すると、図９に示すようなセラミック多層モジュール５４が得られる。
【００３７】
このように、本実施の形態においては、コア基板２０の両主面に、表層回路導体が形成されたセラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂを積層した後、これを焼成するので、コア基板２０は前記焼成時には実質的に収縮せず、コア基板２０とセラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂとの間のアンカー効果によってセラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂの面方向の収縮が抑制され、焼成歪みや位置ずれの少ない、高精度の表層回路導体を形成できる。つまり、焼成歪みや位置ずれによる各種実装部品の接続不良を抑制して、高い信頼性を有し、高密度配線化したセラミック多層モジュールが得られる。
【００３８】
また、本実施の形態において、セラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂは面方向には実質的に収縮しないので、セラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂ内に形成された導体パターンを高い位置精度で形成できる。つまり、特に高い位置精度が求められる導体パターンは、セラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂ内に形成することが望ましい。
【００３９】
なお、コア基板２０に、コンデンサパターンＣやコイルパターンＬ、さらにはマイクロストリップラインや内層厚膜抵抗体等を内蔵する場合、各種材料、コア基板厚及び焼成条件等にもよるが、コア基板２０表面に０〜０．３ｍｍ程度のうねりや反りを生じることがある。
【００４０】
ここで、うねりや反りが例えば０．１ｍｍの場合、その一方主面若しくは両主面に０．１ｍｍ厚未満のセラミックグリーンシートをラミネートすると、コア基板２０が割れてしまう。従って、このような場合、０．１ｍｍ厚以上（例えば０．２ｍｍ）の多層セラミックグリーンシートやセラミックグリーンシート圧着体を積層することによって、うねりや反りが吸収される。
【００４１】
つまり、本実施の形態のように、コア基板２０に各種受動部品を内蔵する場合、コア基板２０の一方主面若しくは両主面にラミネートするセラミックグリーンシートは、多層セラミックグリーンシート（即ち、セラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂ）で構成することが特に望ましい。さらに、この多層セラミックグリーンシートの厚みは０．１ｍｍ以上であることが望ましい。
【００４２】
また、コア基板２０とセラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂとをラミネートする際、その両面をシリコンゴム等のラバー若しくは弾性体で挟み込んで圧着すれば、コア基板２０表面のうねりや反りによる影響をさらに緩和できる。
【００４３】
なお、本実施の形態においては、コア基板２０にセラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂをラミネートしてなる積層体を焼成しているが、セラミックグリーンシート３１ａ、３１ｂ及び３１ｃと、セラミックグリーンシート３２ａ、３２ｂ及び３２ｃとをコア基板２０に１層ずつ順次ラミネートして、得られた積層体を圧着、焼成してもよい。
【００４４】
また、コア基板２０の焼成後に内層回路導体２２、２４、２５…となる導体ペーストを印刷し、この導体ペーストを焼き付ける前にセラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂをラミネートしてもよい。また、コア基板２０とセラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂとの導通をより向上させる目的で、セラミックグリーンシート圧着体３０ａ及び３０ｂの両主面に導体ペーストが印刷してあってもよい。
【００４５】
以上、本発明を実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではない。
【００４６】
例えば、ＢＡＳ材料からなるセラミックグリーンシート以外にも、例えば、Ａｌ2Ｏ3にガラス成分を混合せしめたガラス−セラミック複合系の低温焼結セラミック材料や、結晶化ガラス系の低温焼結セラミック材料、セラミック複合系の低温焼結セラミック材料を用いることができ、さらに、ＡｌＮ系やＳｉＣ系のセラミック材料、フェライト等の磁性体セラミック、チタン酸バリウム等の高誘電率セラミック等、任意のセラミック材料を適用できる。
【００４７】
また、内層導体パターンや表層導体パターン用の導体材料としては、銅や銀等の低融点金属以外にも、金、銀−パラジウム合金等の低融点金属を使用でき、また、セラミック材料の焼成温度にあわせて、タングステンやモリブデン等の高融点金属を使用してもよい。
【００４８】
また、実装部品の搭載方法は、ボールグリッドアレイ法やランドグリッドアレイ法等任意の実装方法を適用できる。また、本発明によるセラミック多層基板においては、表層導体パターンが高精度に形成されているので、微細な外部端子構造を有するピングリッドアレイ型セラミックパッケージやクアッドパッケージ等にも好適に使用できる。
【００４９】
また、表層導体パターン、内層導体パターンの形成はスクリーン印刷法に限定されるものではなく、微細加工技術を利用した種々の方法を適用できる。また、前記第１セラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとは必ずしも同組成のセラミックグリーンシートである必要はない。また、コア基板は、必要に応じて、高誘電率のセラミックグリーンシートと低誘電率のセラミックグリーンシートを積層するというように、異なる性質のセラミックグリーンシートを積層した多層基板であってもよく、この場合、コア基板の最表層に位置するセラミックグリーンシートと前記第２セラミックグリーンシートとはほぼ同組成の材料で構成することが望ましい。
【００５０】
また、前記第１セラミックグリーンシートの焼成と前記第２セラミックグリーンシートの焼成時の雰囲気はそれぞれ異なっていてもよく、内層導体ペースト、表層導体ペーストそれぞれの特性に合わせた雰囲気で焼成することができる。
【００５１】
本発明のセラミック多層基板の製造方法によれば、コア基板の少なくとも一方主面、望ましくは両主面に、表層導体パターンが形成されたセラミックグリーンシートを積層し、これを焼成するので、前記コア基板は後段の焼成時には実質的に収縮せず、前記コア基板の奏するアンカー効果によって前記セラミックグリーンシートの面方向の収縮が抑制され、焼成歪みや位置ずれが少なく、種々の電子部品の実装に適した高精度の表層導体パターンを形成できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の第１の実施の形態によるセラミック多層基板の製造方法を説明するための図面であり、内層導体パターンを有する複数のセラミックグリーンシートの概略断面図である。
【図２】同、焼成後のコア基板の概略断面図である。
【図３】同、コア基板にセラミックグリーンシートをラミネートした積層体の概略断面図である。
【図４】同、焼成後の積層体の概略断面図である。
【図５】同、実装部品を搭載したセラミック多層基板の概略断面図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態によるセラミック多層基板の製造方法を説明するための図面であり、コア基板及びグリーンシート圧着体の概略断面図である。
【図７】同、コア基板にグリーンシート圧着体をラミネートした積層体の概略断面図である。
【図８】同、焼成後の積層体の概略断面図である。
【図９】同、実装部品を搭載したセラミック多層基板の概略断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ…第１セラミックグリーンシート、
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｅ、２ｆ、２ｇ、２ｈ、２ｉ、２ｊ、２ｋ、２ｌ…内層回路導体、
３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ、３ｅ、３ｆ、３ｇ…ビアホール、
５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ…焼成後の第１セラミックグリーンシート、
６…セラミック基板（コア基板）、
７ａ、７ｂ…第２セラミックグリーンシート、
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ、８ｅ、８ｆ…表層回路導体、
９ａ、９ｂ、９ｃ、９ｄ…ビアホール、
１０…積層体、
１１ａ、１１ｂ…焼成後の第２セラミックグリーンリート、
１５…半導体ＩＣ、
１６…チップコンデンサ、
１８…セラミック多層モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2006140513.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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