(57)【要約】【課題】半導体ウェハのロット間に品質のバラツキがある場合でも、異常を早期発見でき、不良品の発生も最小限に抑えられ、かつ、装置の異常検出の精度が向上できる。【解決手段】この発明は、同一の複数の被処理物を、同一のドライエッチング装置１、２でそれぞれ処理する際に、データ処理部７が、その両装置１、２のドライエッチングに要するエッチング時間をそれぞれ検出する。さらに、データ処理部７は、その検出した２つのエッチング時間からその差を求め、求めた差を所定の判定値と比較し、その差が判定値を超えた場合に、ドライエッチング装置１、２が異常であると判定し、その旨の信号を出力する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができる半導体製造システムであって、
同一の複数の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置でそれぞれ同一処理する際に、その各半導体処理装置の処理時間をそれぞれ検出する処理時間検出手段と、
前記処理時間検出手段が検出した各処理時間に基づいてその差を算出する時間差算出手段と、
前記時間差算出手段の算出した処理時間差に基づき、前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定する異常判定手段と、
を備えていることを特徴とする半導体製造システム。
【請求項２】
被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができるとともに、前記各半導体処理装置は前記被処理物を処理した後に必要に応じてクリーニングできるようになっている半導体製造システムあって、
同一の複数の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置でそれぞれ同一処理した後に、その各半導体処理装置が同一のクリーニングする際の処理時間をそれぞれ検出する処理時間検出手段と、
前記処理時間検出手段が検出した各処理時間に基づいてその差を算出する時間差算出手段と、
前記時間差算出手段の算出した処理時間差に基づき、前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定する異常判定手段と、
を備えていることを特徴とする半導体製造システム。
【請求項３】
前記異常判定手段は、前記時間差算出手段の算出した処理時間差を所定の判定値と比較し、その処理時間差が前記判定値を超えた場合に、前記複数の半導体処理装置が異常であると判定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体製造システム。
【請求項４】
前記異常判定手段が前記複数の半導体処理装置が異常であると判定したときに、その旨を出力する出力手段を、さらに備えたことを特徴とする請求項１、請求項２、または請求項３に記載の半導体製造システム。
【請求項５】
前記被処理物は半導体ウェハであり、前記半導体処理装置はドライエッチング装置であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体製造システム。
【請求項６】
前記同一の複数の被処理物は、同一ロット内の半導体ウェハであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちのいずれか１の請求項に記載の半導体製造システム。
【請求項７】
被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができる半導体製造システムの異常検出方法あって、
同一の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置で並行して同一処理をするときに、その各半導体処理装置の処理に要する処理時間をそれぞれ検出し、
この検出した各処理時間に基づいてその差を求め、この求めた差に基づいて前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定するようにしたことを特徴とする半導体製造システムの異常検出方法。
【請求項８】
被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができるとともに、前記各半導体処理装置は前記被処理物を処理した後にクリーニングをするようになっている半導体製造システムの異常検出方法あって、
同一の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置でそれぞれ同一処理した後に、その各半導体処理装置が並行して同一のクリーニングの処理をするときに、その各クリーニングに要する処理時間をそれぞれ検出し、
この検出した各処理時間に基づいてその差を求め、この求めた差に基づいて前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定するようにしたことを特徴とする半導体製造システムの異常検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理物を半導体処理装置で処理し、集積回路や液晶表示素子などの半導体デバイスを製造する半導体製造システムおよびその異常検出方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体製造装置として、被処理物をプラズマ発光を用いてエッチング処理するとともに、エッチングの終点時間を検出する終点検出手段を備えたものが知られている（例えば特許文献１、特許文献２参照）。
さらに、特許文献１に記載の半導体製造装置は、上記の終点検出手段の他に、比較手段と、異常信号出力手段とを設けている。そして、上記の比較手段は、エッチング終了直後のウェハのエッチング時間と、過去に正常にエッチング処理したウェハのエッチング時間とを比較し、この比較結果が所定の時間以上または以下の場合に、上記の異常信号出力手段は、上記の終点検出手段の機能が異常である旨の信号を出力するようになっている。
【特許文献１】特開平１１−２５１２９７号公報
【特許文献２】特開平９−３１２２７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の装置では、比較手段が、エッチング終了直後のウェハのエッチング時間と、過去に正常にエッチング処理したウェハのエッチング時間とを比較し、この比較結果が所定の時間以上または以下の場合に、すなわち比較結果が許容範囲に属しない場合に、異常と判定するようにしている。このため、異常を早期発見することが可能であり、不良品の発生も最小限（１枚）に抑えることができる。
【０００４】
しかし、特許文献１に記載の装置では、被処理物である半導体ウェハのロット間に差（品質のバラツキ）がある場合には、その差によって正常な終点検出時間のバラツキが大きく、異常の判定の際に使用する許容範囲を狭くすることができない。このため、装置の異常検出の精度が低くなるという不具合がある。
そこで、本発明の目的は、上記の点に鑑み、例えば被処理物である半導体ウェハのロット間に差があるような場合でも、異常を早期発見することが可能であり、不良品の発生も最小限に抑えることができ、かつ、装置の異常を高い精度で検出できる半導体製造システムおよびその異常検出方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決し、本発明の目的を達成するために、各発明は以下のように構成される。
すなわち、第１の発明は、被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができる半導体製造システムであって、同一の複数の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置でそれぞれ同一処理する際に、その各半導体処理装置の処理時間をそれぞれ検出する処理時間検出手段と、前記処理時間検出手段が検出した各処理時間に基づいてその差を算出する時間差算出手段と、前記時間差算出手段の算出した処理時間差に基づき、前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定する異常判定手段と、を備えている。
【０００６】
第２の発明は、被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができるとともに、前記各半導体処理装置は前記被処理物を処理した後に必要に応じてクリーニングできるようになっている半導体製造システムあって、同一の複数の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置でそれぞれ同一処理した後に、その各半導体処理装置が同一のクリーニングする際の処理時間をそれぞれ検出する処理時間検出手段と、前記処理時間検出手段が検出した各処理時間に基づいてその差を算出する時間差算出手段と、前記時間差算出手段の算出した処理時間差に基づき、前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定する異常判定手段と、を備えている。
【０００７】
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記異常判定手段は、前記時間差算出手段の算出した処理時間差を所定の判定値と比較し、その処理時間差が前記判定値を超えた場合に、前記複数の半導体処理装置が異常であると判定する。
第４の発明は、第１、第２、または第３の発明において、前記異常判定手段が前記複数の半導体処理装置が異常であると判定したときに、その旨を出力する出力手段を、さらに備えている。
【０００８】
第５の発明は、第１乃至第４のうちのいずれかの発明において、前記被処理物は半導体ウェハであり、前記半導体処理装置はドライエッチング装置である。
第６の発明は、第１乃至第５のうちのいずれかの発明において、前記同一の複数の被処理物は、同一ロット内の半導体ウェハである。
第７の発明は、被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができる半導体製造システムの異常検出方法あって、同一の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置で並行して同一処理をするときに、その各半導体処理装置の処理に要する処理時間をそれぞれ検出し、この検出した各処理時間に基づいてその差を求め、この求めた差に基づいて前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定するようにした。
【０００９】
第８の発明は、被処理物を同一の複数の半導体処理装置で処理して半導体デバイスを製造することができるとともに、前記各半導体処理装置は前記被処理物を処理した後にクリーニングをするようになっている半導体製造システムの異常検出方法あって、同一の被処理物を、前記同一の複数の半導体処理装置でそれぞれ同一処理した後に、その各半導体処理装置が並行して同一のクリーニングの処理をするときに、その各クリーニングに要する処理時間をそれぞれ検出し、この検出した各処理時間に基づいてその差を求め、この求めた差に基づいて前記複数の半導体処理装置の異常の有無を判定するようにした。
【００１０】
以上のような構成からなる本発明によれば、例えば被処理物である半導体ウェハのロット間に差（品質のバラツキなど）があるような場合でも、異常を早期発見することが可能であり、不良品の発生も最小限に抑えることができ、かつ、装置の異常を高い精度で検出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の半導体製造システムおよびその異常検出方法の実施形態について、図面を参照して説明する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態は、以下のような着想の下において具体化されたものである。
すなわち、例えば同一ロット内の半導体ウェハのように、同一の複数の被処理物を、例えば２つの同一の半導体処理装置でそれぞれ並行に同一処理（同一加工）する場合を想定する。この場合に、その２つの半導体処理装置の動作が正常であれば、その両半導体処理装置では、同一の処理に要する両処理時間の間のバラツキは小さいと考えられる。そこで、その両半導体処理装置の両処理時間の差を求め、この求めた差を用いれば、半導体処理装置の異常の有無が判定できると考えられ、この考えの下に第１実施形態は具体化したものである。
【００１２】
図１は、本発明の第１実施形態の構成を示すブロック図である。
この第１実施形態に係る半導体製造システムは、半導体処理装置として、図１に示すように、被処理物に対して同一のドライエッチング処理を行うことができる、少なくとも２つの同一のドライエッチング装置１、２を備えている。
この各ドライエッチング装置１、２は、チャンバ１１、２１をそれぞれ備え、チャンバ１１、１２内において、被処理物に対してプラズマ発光などを用いてそれぞれ同一のドライエッチング処理ができるようになっている。また、チャンバ１１、１２内は、ドライエッチング処理後などに必要に応じてクリーニング（清掃）ができるようになっている。
【００１３】
ここで、ドライエッチング装置１、２でドライエッチングされる被処理物は、後述のように、例えば同一ロット内の半導体ウェハである。
ドライエッチング装置１は、チャンバ１１内においてエッチング時に発生するプラズマ発光のうち、任意の波長の光の強度を検出し、その光強度に応じた電気信号を出力する検出器３と、この検出器３からの電気信号の大きさが所定値になったときにエッチングが終了である旨の終点検出信号を出力する終点判定部４とを含んでいる。
【００１４】
また、ドライエッチング装置２は、チャンバ２１内においてエッチング時に発生するプラズマ発光のうち、任意の波長の光の強度を検出し、その光強度に応じた電気信号を出力する検出器５と、この検出器５からの電気信号の大きさが所定値になったときにエッチングが終了である旨の終点検出信号を出力する終点判定部６とを含んでいる。
さらに、この第１実施形態は、図１に示すように、データ処理部７と、メモリ８と、制御部９と、出力部１０とを備えている。
【００１５】
データ処理部７は、後述のように、終点判定部４から出力される終点検出信号に基づいてドライエッチング装置１がドライエッチングに要したエッチング時間（処理時間）を検出するとともに、終点判定部６から出力される終点検出信号に基づいてドライエッチング装置２がドライエッチングに要したエッチング時間を検出するようになっている。
また、データ処理部７は、後述のように、その求めたドライエッチング装置１のエッチング時間とドライエッチング装置２のエッチング時間との差を求め、この求めたエッチング時間の差に基づいてドライエッチング装置１、２の異常の有無を判定し、ドライエッチング装置１、２が異常の場合には異常信号を制御部９に出力するようになっている。
【００１６】
メモリ８は、データ処理部７がデータ処理を行う際に必要なデータを予め格納するとともに、そのデータ処理の際に一時的にデータを格納するものである。
制御部９は、ドライエッチング装置１、２のチャンバ１１、１２において、ドライエッチング処理やクリーニング処理を行う際に、その処理に係る各部（図示せず）の制御を行うものである。ここで、その制御パラメータとしては、ガスの流量、高周波電源の電圧値、圧力、温度などがある。
【００１７】
また、制御部９は、データ処理部７から異常信号が出力された場合に、その旨を出力部１０に出力するとともに、ドライエッチング装置１、２が行う現在のエッチング処理を停止させたり、次のエッチング処理を停止させるようになっている。
出力部１０は、表示器などからなり、データ処理部７から異常信号が出力された場合に、ドライエッチング装置１、２が何らかの異常である旨の表示がなされるようになっている。
【００１８】
次に、このような構成からなる第１実施形態の処理例について、図２のフローチャートを参照して説明する。
この処理例では、ドライエッチング装置１、２で処理する被処理物が、同一ロット内の半導体ウェハとして説明する。すなわち、被処理物が同一の半導体ウェハであり、この半導体ウェハをドライエッチング装置１、２で並行に同一のドライエッチング処理（同一加工）する場合について説明する。
【００１９】
いま、ドライエッチング装置１、２の各チャンバ１１、２１内に、同一の半導体ウェハがそれぞれ搬入されると、各チャンバ１１、２１では、その搬入された半導体ウェハに対して同一の条件で、例えばプラズマ発光を用いたドライエッチング処理をそれぞれ行う（ステップＳ１、Ｓ２）。そのドライエッチング処理の際には、その処理に係る各部（図示せず）の制御が制御部９により行われる。
【００２０】
ここで、上記のようにチャンバ１１、２１内においてドライエッチング処理を行うが、その処理の開始時に、制御部９はその旨をそれぞれデータ処理部７に通知する。データ処理部７に含まれるタイマ（図示せず）は、その通知に基づいて時間の計測を開始する。
上記のように、チャンバ１１、２１内で半導体ウェハのドライエッチング処理がそれぞれ開始されると、検出器３、５は、チャンバ１１、２１内において発生する各プラズマ発光のうち、任意の波長の光の強度を検出し、その光強度に応じた電気信号をそれぞれ終点判定部４、６に出力する。
【００２１】
終点判定部４は、この検出器３からの電気信号の大きさが所定値になったときにエッチングが終了である旨の終点検出信号をデータ処理部７に出力する（ステップＳ３）。データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、その旨を制御部９に通知するので、制御９はチャンバ１１によるエッチング処理を終了させる（ステップＳ５）。また、データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、タイマの計測時間に基づいて、ドライエッチング装置１がエッチング処理に要したエッチング時間を検出する（ステップＳ７）。
【００２２】
同様に、終点判定部６は、この検出器５からの電気信号の大きさが所定値になったときにエッチングが終了である旨の終点検出信号をデータ処理部７に出力する（ステップＳ４）。データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、その旨を制御部９に通知するので、制御９はチャンバ２１によるエッチング処理を終了させる（ステップＳ６）。また、データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、タイマの計測時間に基づいて、ドライエッチング装置２がエッチング処理に要したエッチング時間を検出する（ステップＳ８）。
【００２３】
次に、データ処理部７は、その検出された２つのエッチング時間の差を求め、この求めたエッチング時間の差を所定の判定値と比較する（ステップＳ１０）。
この比較の結果、そのエッチング時間の差が判定値を超える場合には、ドライエッチング装置１、２のうちのいずれかが異常（例えば塩素ガスの流量のずれなど）であると判定する。この場合には、データ処理部７は、異常である旨を制御部９に通知する。これにより、制御部９は、出力部１０にその旨の異常表示させるとともに、ドライエッチング装置１、２が次のエッチング処理を開始しないようにする（ステップＳ１１）。
【００２４】
一方、そのエッチング時間の差が判定値を超えない場合には、ドライエッチング装置１、２の双方が正常であると判定する。この場合には、データ処理部７は、正常である旨を制御部９に通知する。これにより、制御部９は、ドライエッチング装置１、２が次のエッチング処理を開始するようにする（ステップＳ１２）。
次に、上記のように、データ処理部７により算出されたチャンバ１１、２１の各エッチング時間（各終点時間）の一例を示すと、図３に示すようになる。図３は、チャンバ１１、２１のある時間毎の各エッチング時間をそれぞれ求めたものである。図４は、図３の各時間ごとのエッチング時間の差を求めたものである。
【００２５】
図３によれば、チャンバ１１のエッチング時間とチャンバ２１のエッチング時間とが、ある時刻まで略同じであるが、その後に徐々に差が広がるのがわかる（図４参照）。その差は、ドライエッチング装置１、２のいずれかに異常があるためと推定される。そこで、図４に示すように、その差と比較するために任意の判定値を設定すれば、その差と判定値によりドライエッチング装置１、２の異常の有無を判定できる。
【００２６】
次に、第１実施形態の被処理物の他の処理例について、図５を参照して説明する。
上記の処理例では、被処理物として同一のロット内の半導体ウェハを使用し、この半導体ウェハをチャンバ１１、２１で並行に同一のドライエッチング処理し、チャンバ１１、１２の各エッチング時間を求め、その求めた両エッチング時間に基づいてドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を判定するようにした。
【００２７】
図５に示す他の処理例は、その処理例を基本としながら、被処理物を製品Ａ、製品Ｂ・・・・というように複数の異なる製品をチャンバ１１、２１で処理する場合である。この場合には、製品Ａ、製品Ｂ・・・ごとに同じロット内の半導体ウェハを用意しておく。
そして、製品Ａを２つのチャンバ１１、２１で処理する場合には、製品Ａに係る同じロット内の半導体ウェハをチャンバ１１、２１で並行に同一のドライエッチング処理し、チャンバ１１、２１の各エッチング時間を求め、その求めた両エッチング時間に基づいてドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を判定する。この判定時には、所定の判定値を用いて判定することになる。
【００２８】
次に、製品Ｂを２つのチャンバ１１、２１で処理する場合には、製品Ｂに係る同じロット内の半導体ウェハをチャンバ１１、２１で並行に同一のドライエッチング処理し、チャンバ１１、２１の各エッチング時間を求め、その求めた両エッチング時間に基づいてドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を判定する。この判定時には、所定の判定値を用いて判定することになる。
【００２９】
以後、同様な処理を行うことにより、ドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を判定する。
従って、この他の処理例によれば、ドライエッチング装置１、２の処理条件が変わるたびに、それに応じてドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を確実に判定することができる。
【００３０】
以上説明したように、第１実施形態によれば、例えば被処理物である半導体ウェハのロット間に品質のバラツキなどがあるような場合でも、異常を早期に発見することが可能であり、不良品の発生も最小限（１枚）に抑えることができ、かつ、装置の異常検出の精度が良くなる。
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態は、以下のような着想の下において具体化されたものである。
【００３１】
すなわち、例えば同一ロット内の半導体ウェハのように、同一の複数の被処理物を、例えば２つの同一の半導体処理装置でそれぞれ並行に同一処理し、その処理後に、２つの半導体処理装置をそれぞれクリーニング（清掃）して現状回復させる場合を想定する。この場合に、その２つの半導体処理装置が正常であれば、その両半導体処理装置では、同一のクリーニングに要する両クリーニング時間の間のバラツキは小さいと考えられる。そこで、その両半導体処理装置の両クリーニング時間の差を求め、この求めた差を用いれば、半導体処理装置の異常の有無を判定できると考えられ、この考えの下に第２実施形態は具体化したものである。
【００３２】
この本発明の第２実施形態の具体的な構成は、図１に示す第１実施形態のブロック図と基本的に同様であり、データ処理部７のデータ処理例、および制御部９の制御例などが後述ように異なるので、その構成例については省略する。
次に、第２実施形態の処理例について、図６のフローチャートを参照して説明する。
この処理例では、ドライエッチング装置１、２で処理する被処理物が、同一ロット内の半導体ウェハとして説明する。すなわち、被処理物が同一の半導体ウェハであり、この半導体ウェハをドライエッチング装置１、２で並行に同一のドライエッチング処理（同一加工）をし、その処理の後に、必要に応じて同一のクリーニングを行う場合について説明する。
【００３３】
この場合には、ドライエッチング装置１、２の各チャンバ１１、２１内に、同一の半導体ウェハをそれぞれ搬入し、各チャンバ１１、２１では、その搬入された半導体ウェハに対して同一の条件でプラズマ発光を用いたドライエッチング処理をそれぞれ行う。ドライエッチング処理の際には、その処理に係る各部（図示せず）の制御が制御部９により行われる。また、そのエッチング処理の終了は、終点判定部４、６から出力される各終点検出信号に基づいて行われるものとする。
【００３４】
このようにして、各チャンバ１１、２１内において、１枚の半導体ウェハ、あるいは数枚の半導体ウェハの各処理が終了すると、各チャンバ１１、２１内の同一のクリーニングを開始する（ステップＳ２１、Ｓ２２）。クリーニングの際には、そのクリーニングに係る各部（図示せず）の制御が制御部９により行われる。
このように、チャンバ１１、２１内のクリーニングが開始されると、制御部９はクリーニングが開始された旨をデータ処理部７に通知する。データ処理部７に含まれるタイマは、その通知に基づいて時間の計測を開始する。
【００３５】
上記のように、チャンバ１１、２１内のクリーニングが開始されると、検出器３、５は、チャンバ１１、２１内において発生する各プラズマ発光のうち、任意の波長の光の強度を検出し、その光強度に応じた電気信号をそれぞれ終点判定部４、６に出力する。
終点判定部４は、この検出器３からの電気信号の大きさが所定値になったときにクリーニングが終了である旨の終点検出信号をデータ処理部７に出力する（ステップＳ２３）。データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、その旨を制御部９に通知するので、制御９はチャンバ１１のクリーニングを終了させる（ステップＳ２５）。また、データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、タイマの計測時間に基づいて、ドライエッチング装置１がクリーニング処理に要したクリーニング時間を検出する（ステップＳ２７）。
【００３６】
同様に、終点判定部６は、この検出器５からの電気信号の大きさが所定値になったときにクリーニングが終了である旨の終点検出信号をデータ処理部７に出力する（ステップＳ２４）。データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、その旨を制御部９に通知するので、制御９はチャンバ２１によるクリーニングを終了させる（ステップＳ２６）。また、データ処理部７は、終点検出信号を受け取ると、タイマの計測時間に基づいて、ドライエッチング装置１がクリーニング処理に要したクリーニング時間を検出する（ステップＳ２８）。
【００３７】
データ処理部７は、その検出された２つのクリーニング時間の差を求め、この求めたクリーニング時間の差を所定の判定値と比較する（ステップＳ２９）。
この比較の結果、そのクリーニング時間の差が判定値を超える場合には、ドライエッチング装置１、２のうちのいずれかが異常（例えば酸素ガスの流量のずれなど）であると判定する。この場合には、データ処理部７は、異常である旨を制御部９に通知する。これにより、制御部９は、出力部１０にその旨の異常表示させるとともに、例えば、ドライエッチング装置１、２が次のエッチング処理を開始しないようにする（ステップＳ３１）。
【００３８】
一方、そのクリーニング時間の差が判定値を超えない場合には、ドライエッチング装置１、２の双方が正常であると判定する。この場合には、データ処理部７は、正常である旨を制御部９に通知する。これにより、制御部９は、例えば、ドライエッチング装置１、２が次のエッチング処理を開始するようにする（ステップＳ３２）。
以上説明したように、第２実施形態によれば、例えば被処理物である半導体ウェハのロット間に品質のバラツキなどがあるような場合でも、異常を早期の発見することが可能であり、不良品の発生も最小限に抑えることができ、かつ、装置の異常検出の精度が良くなる。
（その他）
第１実施形態では、被処理物として同一のロット内の半導体ウェハを使用し、この半導体ウェハをチャンバ１１、２１で並行に同一のドライエッチング処理し、チャンバ１１、１２の各エッチング処理時間をそれぞれ求め、その求めた両エッチング時間に基づいてドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を判定するようにした。
【００３９】
一方、第２実施形態では、被処理物として同一のロット内の半導体ウェハを使用し、この半導体ウェハをチャンバ１１、２１で並行に同一のドライエッチング処理し、その後にチャンバ１１、２１をクリーニグする際に、各クリーニング時間をそれぞれ求め、その求めた両クリーニング時間に基づいてドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を判定するようにした。
【００４０】
そこで、第１実施形態の処理と第２実施形態の処理とを組み合わせて、ドライエッチング装置１、２の異常検出の有無を判定するようにしても良い。
また、上記の実施形態では、半導体処理装置が２つの場合について説明したが、半導体処理装置が２つ以上の場合であっても良い。この場合には、その各半導体処理装置ごとに２以上のエッチング時間などが検出され、この検出に応じてその差も２以上となり、この求めた差に基づいて装置の異常を判定するようにすれば良い。
【００４１】
さらに、上記の実施形態では、半導体処理装置としてドライエッチング装置に場合について説明したが、本発明はドライエッチング装置の他に、半導体製造工程において、いわゆる終点検出が必要な装置であれば各種の装置に適用できる。
また、上記の例では、チャンバ１１、１２の制御を１つの制御部９で行うようにしたが、その制御を異なる２つの制御部でそれぞれ行うようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態の構成を示す図である。
【図２】第１実施形態の処理例を説明するフローチャートである。
【図３】データ処理部により検出される２つのチャンバの各エッチング時間の一例を示す図である。
【図４】図３の各エッチング時間の差を求めた図である。
【図５】第１実施形態の他の処理例を説明する説明図である。
【図６】本発明の第２実施形態の処理例を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００４３】
１、２・・・チャンバ、３、５・・・検出器、４、６・・・終点判定部、７・・・データ処理部、８・・・メモリ、９・・・制御部、１０・・・出力部、１１、２１・・・チャンバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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