(57)【要約】【課題】半導体デバイスに均一なＣＤを提供するためのフォトマスクの製作方法を提供する。【解決手段】フォトマスクを透過または反射された０次光を測定し、ウェーハ上に非均一なＣＤを補正する方法である。該フォトマスクは、ウェーハＣＤが均一になるように、フォトマスクの０次光を均一に変える。該フォトマスクは、フォトマスクの背面に位相グレーティングを形成するか、フォトマスクに陰影成分を注入し、フォトマスクの透過率が変わりうる。【選択図】図１
2006350352.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の領域を備える基板を提供する段階と、
前記基板に光を照射する段階と、
前記基板の各領域に対して光源の相互作用と関連した光学的成分を検出する段階と、
前記少なくとも１つの領域の光学的成分と関連した光学的パラメータを変更する段階と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製作方法。
【請求項２】
前記光学的成分は、基板を透過した透過度であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板上に構造体を形成する段階であることを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項４】
前記構造体は、周期的グレーティングであることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項５】
前記構造体は、非周期的グレーティングであることを特徴とする請求項３に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項６】
前記非周期的グレーティングは基板内にランダムに配列されたグルーブ（溝）であることを特徴とする請求項５に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項７】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の特性を変更させる段階を含むことを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項８】
前記基板の特性を変更させる段階は、前記基板に陰影成分を形成する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項９】
前記基板の特性を変更させる段階は、前記基板の背面に物質を蒸着する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１０】
前記基板の特性を変更させる段階は、基板内にイオンを注入する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１１】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板に構造体を形成し、前記基板の特性を変化させる段階を含むことを特徴とする請求項２に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１２】
前記光学的成分は、基板の反射度であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１３】
前記光学的パラメータは、反射度であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１４】
前記光学的パラメータは、屈折指数であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１５】
前記光学的パラメータは、吸収係数であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１６】
前記光学的パラメータは、位相であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１７】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域の表面に位相変換構造体を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１８】
前記位相変換構造体は、位相グレーティングであることを特徴とする請求項１７に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項１９】
所定領域に形成された前記位相変換構造体の特性は、その領域の検出された透過度と関連することを特徴とする請求項１７に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２０】
前記位相変換構造体の特性は、基板に形成されたグルーブパターンの密度で決定されることを特徴とする請求項１９に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２１】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域に陰影成分を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２２】
前記陰影成分を形成する段階は、所定領域にレーザを照射し、その領域の透過度を変化させる段階を含むことを特徴とする請求項２１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２３】
前記各領域で検出された照射光は、０次光であることを特徴とする請求項１に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２４】
複数の領域を備える基板を提供する段階と、
前記基板に光を照射する段階と、
前記基板の各領域に対する照射光の透過度を検出する段階と、
前記少なくとも１つの領域の透過度と関連した光学的パラメータを変更する段階とを含み、
前記各領域で検出された照射光は、０次光であることを特徴とするフォトマスクの製作方法。
【請求項２５】
前記光学的パラメータを変更する段階は、基板上に構造体を形成する段階を含むことを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２６】
前記構造体は、周期的グレーティングであることを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２７】
前記構造体は、非周期的グレーティングであることを特徴とする請求項２５に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２８】
前記非周期グレーティングは、基板内にランダムなグルーブパターンを備えることを特徴とする請求項２７に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項２９】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の特性を変化させる段階を含むことを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３０】
前記基板の特性を変更させる段階は、前記基板に陰影成分を形成する段階を含むことを特徴とする請求項２９に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３１】
前記基板の特性を変更させる段階は、前記基板の背面に物質を蒸着する段階を含むことを特徴とする請求項２９に記載フォトマスクの製作方法。
【請求項３２】
前記基板の特性を変更させる段階は、基板内にイオンを注入する段階を含むことを特徴とする請求項２９に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３３】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板に構造体を形成し、前記基板の特性を変化させる段階を含むことを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３４】
前記光学的パラメータは、反射度であることを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３５】
前記光学的パラメータは、屈折指数であることを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３６】
前記光学的パラメータは、吸収係数であることを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３７】
前記光学的パラメータは、位相であることを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３８】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域の表面に位相変換構造体を形成する段階を含むことを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項３９】
前記位相変換構造体は、位相グレーティングであることを特徴とする請求項３８に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項４０】
所定領域に形成された前記位相変換構造体の特性は、その領域の検出された透過度と関連することを特徴とする請求項３８に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項４１】
前記位相変換構造体の特性は、基板に形成されたグルーブパターンの密度で決定されることを特徴とする請求項４０に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項４２】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域に陰影成分を形成する段階を含むことを特徴とする請求項２４に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項４３】
前記陰影成分を形成する段階は、所定領域にレーザを照射し、その領域の透過度を変化させる段階を含むことを特徴とする請求項４２に記載のフォトマスクの製作方法。
【請求項４４】
複数の領域を備える基板を提供する段階と、
前記基板に光を照射する段階と、
前記基板の各領域に対して光源の相互作用と関連した光学的成分を検出する段階と、
前記フォトマスクを利用してウェーハ上に形成されるパターンＣＤが実質的に均一になるように、前記少なくとも１つの領域の光学的成分と関連した光学的パラメータを変更する段階と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製作方法。
【請求項４５】
複数の領域を備える基板を提供する段階と、
前記基板に光を照射する段階と、
前記基板の各領域に対して光源の相互作用と関連した光学的成分を検出する段階と、
前記検出された光学的成分を利用し、前記少なくとも１つの領域の透過度と関連した光学的パラメータを変更する段階と、
を含むことを特徴とするフォトマスクの製作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク及びフォトマスクを製作して利用する方法に係り、さらに具体的には、均一な微小寸法（ＣＤ：Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）を有する半導体デバイスを形成するためのフォトマスク及びフォトマスクを製作して利用する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトマスクは、半導体ウェーハのような基板上に高集積された電子回路を製作するのに利用される微細なパターンを備える高精度のプレートである。フォトマスクは、一般的に、一方の面にＣｒのような不透明物質のパターン層を備える平坦なガラスまたは石英のような透明な物質の試片により形成される。
【０００３】
フォトリソグラフィ工程は、電子回路が形成される基板またはウェーハ上に、フォトマスクパターンのイメージを転写する段階を含む。フォトリソグラフィ工程において、前記基板または前記基板に関連したフォトマスクを反復的に移動させることにより、フォトマスクのイメージをウェーハ上に何回も反復的に転写させる方法を「ステッピング」といい、前記フォトマスクを「レチクル」と称する。
【０００４】
理想的には、所定ＣＤを有するフォトマスク上のパターンは、前記ウェーハ上でも同一なＣＤを有するパターンを生成できることが望ましい。しかし、一般的なマスクまたはレチクルを利用してウェーハ上にパターンを形成すると、ウェーハ上に形成されたパターンの均一度は、フォトマスクの露光工程のみならず、それ以外のさまざまな要因により影響を受ける。
【０００５】
集積回路のＣＤの不均一度は、多様な形態で不具合を生じさせる。例えば、ＣＤの不均一度は、シングルウェーハの全面にわたって発生しうる。すなわち、所定領域に製造された回路の位置とは関係なく、ウェーハの互いに異なる領域に回路が異なって形成されてしまうのである。その結果、同じウェーハに互いに異なるＣＤを有する多重回路ダイが形成されてしまう。ＣＤの不均一度の他の形態としては、互いに異なるＣＤを有する同じフォトマスクを同じ工程ステップで利用して生成された互いに異なるウェーハの不均一度（ｗａｆｅｒ−ｔｏ−ｗａｆｅｒ  ｎｏｎ−ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）である。ＣＤの不均一度のさらに他の形態としては、ダイ内部の不均一度（ｉｎｔｒａ−ｄｉｅ  ｎｏｎ−ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）である。前記不均一度は、シングル回路またはダイ内部の異なる領域が互いに異なるＣＤを有するのである。
【０００６】
集積密度がだんだんと上昇するにつれ、個別的のチップダイ内の集積されるデバイスのサイズがだんだんと縮小されている。前記のようなデバイスサイズの縮小の結果、半導体デバイスを製造するにあたり、ダイ内部のＣＤの不均一度が主要な不良の原因になっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、ＣＤの不均一度、特に、ダイ内部のＣＤの不均一度を実質的に低下させることができる半導体ウェーハのような基板に回路を生成するためのフォトマスク、フォトマスクの製作方法、フォトマスクを利用する方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の本発明の目的を達成するために、一見地による本発明は、フォトマスクの製作方法を提示する。前記方法によれば、複数の領域を備える基板を準備する。前記基板に光を照射した後、前記基板の各領域に対して光源の相互作用と関連した光学的成分を検出する。前記少なくとも１つの領域の光学的成分と関連した光学的パラメータを変更する。
【０００９】
一実施形態として、前記光学的成分は、基板を透過した透過度でありうる。前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板上に構造体を形成する段階でありうる。前記構造体は、周期的グレーティングまたは非周期的グレーティングでありうる。前記非周期的グレーティングは、基板内にランダムに配列されたグルーブパターンでありうる。
【００１０】
また、前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の特性を変更させる段階でありうる。前記基板の特性は、前記基板に陰影成分を形成するか、または前記基板の背面に物質を蒸着するか、または基板内にイオンを注入することにより変更される。
【００１１】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板に構造体を形成し、前記基板の特性を変化させる段階を含むことができる。
【００１２】
また、前記光学的成分は、基板の反射度でありうる。
【００１３】
前記光学的パラメータは、基板の反射率であるか、または屈折指数、吸収係数、または位相などになりうる。
【００１４】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域の表面に位相変換構造体を形成することである。前記位相変換構造体は、位相グレーティングでありうる。所定領域に形成された前記位相変換構造体の特性は、その領域の検出された透過度と関連しうる。前記位相変換構造体の特性は、基板に形成されたグルーブパターンの密度と決定されうる。
【００１５】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域に陰影成分を形成する段階を含むことができる。前記陰影成分を形成する段階は、所定領域にレーザを照射し、その領域の透過度を変化させる段階を含むことができる。
【００１６】
前記各領域で検出された照射光は、０次光である。
【００１７】
本発明の他の見地によるフォトマスクの製作方法は、複数の領域を備える基板を準備する。前記基板に光を照射した後、前記基板の各領域に対する照射光の透過度を検出する。前記少なくとも１つの領域の透過度と関連した光学的パラメータを変更する段階を含み、前記各領域で検出された照射光は、０次光である。
【００１８】
前記光学的パラメータを変更する段階は、基板上に構造体を形成することである。前記構造体は、周期的グレーティングであるか、または非周期的グレーティングであり、前記構造体が非周期グレーティングである場合、前記非周期グレーティングは、基板内にランダムに形成されたグルーブパターンでありうる。
【００１９】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の特性を変化させる段階でありうる。前記基板の特性を変更させる段階は、前記基板に陰影成分を形成するか、または前記基板の背面に物質を蒸着するか、または基板内にイオンを注入する段階を含むことができる。
【００２０】
また、前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板に構造体を形成し、前記基板の特性を変化させる段階を含む。前記光学的パラメータは、反射度であるか、または屈折指数、吸収係数または位相でありうる。
【００２１】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域の表面に位相変換構造体を形成する段階を含むことができる。前記位相変換構造体は、位相グレーティングでありうる。前記所定領域に形成された前記位相変換構造体の特性は、その領域の検出された透過度と関連しており、前記位相変換構造体の特性は、基板に形成されたグルーブパターンの密度で決定される。
【００２２】
前記光学的パラメータを変更する段階は、前記基板の少なくとも１領域に陰影成分を形成する段階を含むことができ、前記陰影成分を形成する段階は、所定領域にレーザを照射し、その領域の透過度を変化させる段階を含むことができる。
【００２３】
また、本発明の他の見地によれば、複数の領域を備える基板を準備した後、前記基板に光を照射する。その後、前記基板の各領域に対して光源の相互作用と関連した光学的成分を検出し、前記フォトマスクを利用してウェーハ上に形成されるパターンＣＤが実質的に均一になるように、前記少なくとも１つの領域の光学的成分と関連した光学的パラメータを変更する。
【００２４】
また、本発明のさらに他の見地によれば、複数の領域を備える基板を準備した後、前記基板に光を照射する。前記基板の各領域に対して光源の相互作用と関連した光学的成分を検出した後、前記検出された光学的成分を利用し、前記少なくとも１つの領域の透過度と関連した光学的パラメータを変更する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の方法は、反復的なウェーハ測定を進める代わりに、フォトマスク自体の特性、例えば、０次光の透過度または反射度の少なくともいずれか一方を測定してウェーハの全体ＣＤ分布を測定できる。本発明は、ウェーハ工程及びウェーハ上のＣＤを測定せずとも、フォトマスクの０次光の強度分布を利用して透過度の補正量を算出することにより、フォトマスクを補正するのに要求される補正時間を短縮することができる。また、本発明は、ウェーハＣＤが単に０次光強度を測定することにより、ウェーハＣＤが予測及び補正されるために、１次光をキャプチャするための開口径レンズ及び大型ミラーが要求されない。それにより、半導体素子の製造コストを節減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下の実施形態で、いずれか一層が他の層、あるいは基板上に形成されるとするとき、その層は、他の層あるいは基板上に形成されるか、または基板と他の層との間に第３の層が介在されうる。
【００２７】
一般的に、ウェーハ上のＣＤ不均一度は、多様な不良ソースから発生しうる。かかる不良ソースとしては、露光装備、ウェーハ基板、ウェーハ製造工程、マスクまたはレチクル並びにそれ以外のソースなどがありえる。かかる不良ソースは、ラン・ツー・ラン（ｒｕｎ  ｔｏ  ｒｕｎ）、すなわち、他の生産工程により加工処理された複数のウェーハのグループ、ウェーハ・ツー・ウェーハ（ｗａｆｅｒ  ｔｏ  ｗａｆｅｒ）、すなわち、単一工程を遂行した互いに異なる複数のウェーハ、イントラウェーハ、すなわち、シングルウェーハ、及びイントラダイ、すなわち、ウェーハの同一ダイ内のＣＤ均一度に影響を受ける。本発明は、マスクまたはレチクル上の不良ソースを自主的に補正し、イントラダイのＣＤ不均一度を緩和させる。
【００２８】
一般的に、フォトリソグラフィ露光源、すなわち、光の空間分布不良、マスクまたはレチクル上のＣＤ不正確度、及びマスクの透過度変化は、イントラダイのＣＤ不均一度に影響を及ぼす。特に、イントラダイＣＤ不均一度不良は、前記露光装備の露光源の空間分布、マスクのＣＤ不正確度またはマスクの透過度のような複数の問題点が複合的に組み合わさって発生する。
【００２９】
典型的に、露光装置の光源の空間分布不良は、マスクのＣＤ不正確度及びマスクの透過度変化に比べてさらに大きな影響を及ぼす。しかし、光源の空間分布についての影響は、露光装備の多様な補償方法を介して改善されているために、順次減少している。一方、ＣＤ不正確度及びフォトマスクの透過度に対するマスク自らの影響は、半導体デバイスのサイズが縮小されることにより、順次増大している。このために、本発明の目的は、フォトマスク自体の不良の影響を減少させるところにある。
【００３０】
典型的に、フォトマスクのＣＤは、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）方式またはＯＣＤ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）方式を利用して測定される。前記ＳＥＭ方式は、フォトマスク上に電子ビームを直接的に照射し、前記フォトマスク表面から放出された二次電子をキャプチャしてフォトマスクのＣＤを測定する。上記のＳＥＭ方式は、測定エラーのような固有の問題点が発生し、パターンＣＤが局部的に異なることにより、測定の有効性及び信頼性を高めるためには、複数のパターンＣＤを測定することが要求される。しかし、前記のような複数のパターンＣＤ測定は、生産効率の低下を誘発する。また、生産効率低下を防止するためのパターンＣＤ測定数を制限すれば、適切な測定有効性及び信頼性のＣＤ測定結果を得るのに困難を招く。
【００３１】
ＯＣＤ方式は、フォトマスクパターンからの反射量をキャプチャし、フォトマスクのＣＤを測定する。しかし、前記ＯＣＤ方式は、フォトマスクから透過された光がウェーハ（または、処理される基板）上のフォトレジストに伝達されねばならないために、いくつかの慢性的な不正確性を有する。また、前記ＯＣＤ方式は、単にライン及びスペースパターンのＣＤを測定するだけに利用されるので、あらゆるフォトマスク上の多様なパターンのＣＤを測定できない。
【００３２】
フォトマスクの誤ったＣＤを補償し、またはウェーハのＣＤ均一度を改善するための一般的な方法は、ウェーハ上の形成されたパターンのＣＤを基にして行う。すなわち、ウェーハのＣＤ不良は、フォトマスクの補正を決定するために測定される。ウェーハ上に形成されたパターンの測定ＣＤ、露光エネルギーの変化によるウェーハ上に形成されたパターンＣＤ及びＣＤ補正量のような多様なファクタは、一般的な方法に適用するのに要求される。かかる一般的な接近において、ウェーハ上のパターンＣＤの測定が完了した後、フォトマスクの所定領域の透過度を低下させるなどの制御により補償される。かようなフォトマスクの透過度低下は、フォトマスクの背面、例えば、遮光パターンが形成される面の背面に一つ、またはそれ以上の回折格子を形成するか、またはフォトマスク基板の一枚、またはそれ以上に光学的ディフェクトを形成することによって行われる。
【００３３】
かかる一般的な方法で要求されるＣＤ補正は、一般的にウェーハ上の複数のパターンを形成し、ウェーハ上のパターンＣＤを何回も測定する工程後に算術化される。補正領域が決定される必要があり、それぞれの領域に要求された補正量は、算術化されねばならない。かかるウェーハＣＤの測定、補正決定及び計算は、前記叙述された理由により困難であり、長時間がかかってしまう。
【００３４】
本発明で、フォトマスクの誤ったＣＤは、フォトマスクを透過した０次光の強度を調節することにより、仮想のイメージを形成して補償できる。本発明は、露光エネルギーのような露光条件に関連しないフォトマスク自体の誤ったＣＤを補償する方法を提供する。本発明の方法は、ウェーハ上のＣＤ測定を要求しない。
【００３５】
本発明によれば、フォトマスクの誤ったＣＤの補償、またはウェーハ上でＣＤ均一度を改善する方法は、フォトマスクにより透過された０次光の強度分布に根拠をおく。０次光の強度分布は、本発明による０次光透過度測定装置、すなわち、密度計（ｄｅｎｓｉｔｏｎｍｅｔｅｒ）により測定されうる。もしフォトマスクを透過した０次光の強度が本発明により均一にされるならば、フォトマスクにより処理されるウェーハのＣＤもまた均一になるであろう。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態を説明するための上位レベルのフローチャートである。図１を参照すれば、ステップ１０で、石英またはガラスのような物質から作られた透明基板、及びクロムのような不透明な物質から形成されたパターンを具備するフォトマスクを準備する。ステップ２０で、入射光の強度を表す成分を測定する。ステップ３０で、フォトマスクのＣＤを補償する。
【００３７】
密度計は、半導体素子の製造装置でマスクパターンの密度を直接的に測定するか、または読み出すのに利用される装置である。マスクのパターン領域でのパターン密度は、密度計を利用して互いに比較、測定される。
【００３８】
図２は、本実施形態による密度計を利用し、フォトマスクを透過した光を測定する動作を説明するためのブロックダイアグラムである。
【００３９】
図２を参照し、光源４０は、コンデンサレンズ４２に光を照射する。コンデンサレンズ４２を透過した光４９は、表面にクロムのような遮断パターン５０が形成された石英またはガラスのような透明物質からなる透明基板４８を具備するフォトマスク４６の表面にぶつかる。光４９は、フォトマスク４６を透過する。このとき、０次光５６は、対物レンズ５２にぶつかり、対物レンズ５２のサイズは、０次光より大きい次数の光５８がレンズ５２上にぶつからないようにその口径が選択される。対物レンズ５２により集光された０次光は、前記レンズ５２により０次光の強度を測定するフォト検出器またはスペクトロメータ５４に送られる。
【００４０】
図２の密度計は、さらに大きい次数の光を集光させ、かかる光をウェーハ上に送る大口径対物レンズを備えるウェーハ露光システム（スキャニングシステム）とは異なる。一般的なウェーハ露光システムとは対照的に、本発明で利用される密度計は、単に０次光だけを検出する。すなわち、一般的にウェーハスキャニングシステムは、０次光だけではなく、一次光、時には二次光までキャプチャする大口径レンズを使用するが、本発明の密度計は、大口径レンズを要求しない。本発明の小口径レンズ５２は、単に０次光をキャプチャするのに利用され、光が透過する領域は、一次光及び二次光のような０次光以上の光がなく、単に０次光だけが測定システム５４を透過するほどに小さい。
【００４１】
また、密度計の入射光の入射角は、０゜である。しかし、スキャニングシステムの入射角は、０゜ないし１０゜ほどの範囲である。従って、密度計システムは、スキャニングシステムと照明条件が異なる。フォトマスクを介した透過量測定は、可変になるＴ（透過度：ΔＴ）により表される。０次光の透過度は、Ｔ０と表示される。一般的に、ΔＴ／ΔＣＤ、すなわち、フォトマスクの与えられた領域でのＣＤ変化による透過率の変化は、０゜ないし１０゜の入射角では２％以内の間で変化される。
【００４２】
図３は、光の入射角に対するＣＤ変化による透過度変化率（ΔＴ／ΔＣＤ）を示すグラフである。図面で、四角形で上部に表示された曲線は、入射角がパターンに対して垂直である場合であり、菱形（回転された四角形）で表示されたグラフは、入射角がパターンに対して水平である場合を表す。図３の２つの曲線は、入射角に対する透過度変化率の変化が２％以内であるということを示している。すなわち、密度計システムで、０次光の透過度は、照明条件の変化と関係なくスキャニングシステムの０次光透過率と非常に似ている。
【００４３】
図４Ａ及び図４Ｂは、互いに異なるＣＤを有するフォトマスクのパターン領域についての仮想イメージを表す。図４Ａは、フォトマスクのパターン領域の４つの形態のＣＤを図示したものである。例を挙げて説明すれば、領域３２ａは、最も小さなＣＤを有し、領域３２ｂは領域３２ａより大きいＣＤを有し、領域３２ｃは領域３２ｂより大きいＣＤを有し、領域３２ｄは最も大きいＣＤを有する。例えば領域３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄそれぞれは、１５０ｎｍ、２００ｎｍ、２５０ｎｍ及び３００ｎｍのＣＤを有する。図４Ｂは、図４Ａのフォトマスクを透過した０次光の強度を示す。このとき、透過した０次光は、図２の密度計により検出される。図４Ａ及び図４Ｂに図示されているように、ＣＤが大きいほど０次光の透過度も高い。すなわち、ＣＤが漸進的に増大する前記領域３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄは、それぞれ上昇する０次光透過率強度３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃ，３２０ｄを有する。従って、検出された０次光の透過率強度は、０次光の強度を検出することにより、ＣＤと関連しているということが分かり、これにより、フォトマスクの各領域のＣＤに対する補正を決定できる。すなわち、誤った、または不均一なＣＤを有するフォトマスクの複数の領域は、前記領域を介した０次光強度の調節により補償及び補正されうる。
【００４４】
図４Ａは、レチクルを形成した直後の光度分布を示している。レチクルは、遮光パターンと透明パターンとを備える。前記遮光パターンは、ＣｒまたはＭｏＳｉのような不透明物質から形成され、透明パターンは、石英から形成される。図面符号３７ａ及び３７ｂは、レチクルを形成した直後の高い強度領域及び低い強度領域を表す。領域３７ａ，３７ｂは、高い空間的頻度をもって周期的に配列する。従って、各領域にパターンを形成するために、高い口径数の光学システムが必要である。しかし、前記０次光測定システムは、非常に低い開口率を有するので、たとえ領域３７ａ，３７ｂにパターンを形成できるとしても、相対的に低い空間的頻度を有する該当領域３２０ａ，３２０ｂでパターンが形成され難い。すなわち、前記領域３７ａ，３７ｂは、個別的に分離されていないように見える。ただ、図４Ｂの３２０ｂのように包括的に変調された領域で表示されうる。従って、０次光測定システムの低い解像力により、個別的な領域３７ａ，３７ｂは、見られないとしても、領域３２０ａ，３２０ｂ間の包括的なＣＤ差は、光度のそれぞれの高さによって示されうる。
【００４５】
図５Ａ及び図５Ｂは、露光ドーズ量の変化により、フォトマスクを透過した０次光の透過度と、フォトマスクを利用して形成されたウェーハパターンによるＣＤとの関係を示すイメージである。図５Ａ及び図５Ｂは、フォトマスクを透過した０次光の実際の測定に根拠をおいており、密度計により検査されたものである。露光ドーズの変化は、フォトマスクの露光量により具現される。図５Ａは、露光ドーズの変化により、フォトマスクを透過した実際の０次光透過率を表した透過均一度マップを示す。図５Ｂは、ＳＥＭを利用して測定されたウェーハＣＤの実際の測定値を利用して発生した透過率均一度マップを示す。ここで、前記ウェーハＣＤ測定は、透過率と解釈され、図５Ａと比較して図示される。上記の比較は、フォトマスクについての実際フォトマスク透過率は、ウェーハＣＤを根拠にして発生する透過均一度マップとよく一致するということを示す。従って、図５Ａ及び図５Ｂは、フォトマスクを透過した０次光と、フォトマスクを利用して生成されたウェーハＣＤとの関係を示している。それらは、フォトマスクにより透過された０次光の強度が均一であるならば、はなはだしくは、フォトマスクのＣＤが均一ではなくとも、ウェーハＣＤが均一であるということを表す。かかる関係は、本発明でウェーハの均一なＣＤを生成するために、フォトマスクの特定領域の０次光透過度を変えるのに利用される。
【００４６】
図６は、フォトマスクを透過した露光のドーズ量と、ウェーハパターンのＣＤから変換されたドーズ量との相関関係を説明するためのグラフである。図６のグラフは、フォトマスクを透過した光の実測ドーズ量が増加するほど、ウェーハパターンのＣＤ（透過度）に変換されて算出された露光量も増加する。
【００４７】
図７は、補正が行われる前、表面に一対のパターンを具備しているフォトマスク６０の透過強度のグラフ及び概略的なダイヤグラムを表す。図７を参照すれば、フォトマスク６０は、その上部表面に一対のパターンが形成されている基板６１を含む。第１パターン６７は、フォトマスク６０の第１領域Ｒ１に形成され、第２パターン６９は、フォトマスク６０の第２領域Ｒ２に形成される。第１パターン６７は、開口またはギャップ７３により分離された２つの不透明ライン７１，７２を備え、第２パターン６９もまた開口またはギャップ７６により分離された２つの不透明ライン７４，７５を備える。前記第１ギャップ７３は、第１幅ｄ１を有し、第２ギャップ７６は、第１幅ｄ１より２ωほど大きい第２幅ｄ２を有する。
【００４８】
図７で、フォトマスク６０の下部のグラフは、フォトマスク６０を透過した光の強度を表す。グラフの強度値は、０次光強度値を表す。前記強度グラフに図示されているように、第１領域Ｒ１のギャップ７３が小さいので、強度ピークもまた前記第２領域Ｒ２のグラフより小さい。また、第１領域Ｒ１のグラフは、平均値Ｌ１と関連しており、第２領域Ｒ２のグラフの平均値Ｌ２より低い。フォトマスク６０を利用してウェーハ上に形成されたパターンＣＤは、強度臨界値Ｉｔｈでの各ギャップについての強度グラフの幅により決定される。強度臨界値Ｉｔｈでの前記第２領域Ｒ２の強度曲線は、強度臨界値Ｉｔｈでの第１領域Ｒ１の強度曲線より大きく、これにより、フォトマスク６０の第２領域Ｒ２のパターン６９により形成されたウェーハパターンＣＤは、フォトマスク６０の第１領域Ｒ１のパターン６７により形成されたウェーハパターンＣＤより大きくなる。
【００４９】
ここで、前記ウェーハＣＤがフォトマスクのＣＤの変化により透過強度が変化されるということに注目せねばならない。前記で言及したように、マスク物質自体の透過度の変化、フォトマスクの相（界面）変化のような他の因子は、フォトマスクの透過強度に影響を及ぼす。かかるファクタにより発生したフォトマスク透過度の変化により誘発されたウェーハＣＤ不均一度を修正することも本発明に適用されうる。
【００５０】
図８は、本発明の一実施形態による補正を行った後、図７に図示された一対のパターンを備えるフォトマスクの概略図及び前記フォトマスクに相応する透過強度を表した図面である。本実施形態で、光学的ディフェクトのような暗影成分８０の配列により構成された暗影領域８２は、フォトマスク１６０の第２領域Ｒ２の透過率を下げるために、フォトマスク１６０の第２領域Ｒ２に形成される。暗影成分８０は、フォトマスク基板１６１に高いパワーレーザエネルギーまたはイオン注入方式を介して照射されて導入されうる。その結果、暗影成分８０により、フォトマスク基板物質の屈折指数ｎ、吸収係数ｋがフォトマスク物質の相を変化させ、フォトマスクの第２領域Ｒ２の透過度が低下する。フォトマスクの透過率を変化させるための暗影物質の使用方法は、米国特許公開２００４／０２１４０９４号公報に開示されており、前記公報に開示されている内容は、ここに統合されているということは、いうまでもない。
【００５１】
暗影領域８２により、図８のグラフに図示されているように、フォトマスク１６０の第２領域Ｒ２の透過強度が減少し、グラフの平均値は、前記第１領域Ｒ１の透過強度カーブの平均値とほぼ同一になる。その結果、強度臨界値Ｉｔｈでの第２領域の強度曲線の幅は、前記第１領域の強度曲線の幅と同一になる。従って、フォトマスク１６０の第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に対応するウェーハに形成されるパターンのＣＤは、均一になるであろう。
【００５２】
第２領域Ｒ２でのフォトマスクの透過度を変えるための他の方法もまた、本発明により利用されうるということは、いうまでもない。例えば、周期的であるか、または非周期的な位相グレーティングを、フォトマスクパターンが形成されている反対側の表面に形成できる。
【００５３】
図９は、本発明の他の実施形態による補正を行った後、図７に図示された一対のパターンを備えるフォトマスクの概略図、及び前記フォトマスクに相応する透過強度を表した図面である。本実施形態では、一定周期ではない位相グレーティング９０のような位相グレーティングをフォトマスクの第２領域Ｒ２の基板２６１の背面に形成し、フォトマスクの第２領域Ｒ２の透過度を下げる。また、前記位相グレーティング９０により、周期的な位相グレーティングが利用されうる。前記位相グレーティング９０は、基板２６１を透過した伝達光を相殺位相遅延させ、前記基板２６１を介して光学的パス長を変化させる。その結果、０次光の強度を実質的に低下させ、０次光以上の次数の光が支配的な光になり、透過度が低下する。かかるフォトマスクの透過度を変化させる位相グレーティングを利用する方法は、米国特許公開２００４／００６７４２２号公報に説明されており、前記内容は、ここに統合される。
【００５４】
図９のグラフで説明した通り、フォトマスク２６０の第２領域Ｒ２の透過強度は、前記位相グレーティングにより低下する。前記第２領域Ｒ２の透過強度グラフの平均値は、第１領域Ｒ１の透過強度グラフの平均値とほぼ同一になる。その結果、強度臨界値Ｉｔｈでの第２領域Ｒ２の強度グラフの幅は、第１領域の強度グラフの幅と同一になり、フォトマスク２６０の第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２に対応するウェーハに形成されるパターンのＣＤは、均一になるであろう。
【００５５】
従って、本発明によれば、フォトマスクの透過度が決定される。かかる決定は、フォトマスクのあらゆる領域で行われる。０次光透過度は、フォトマスクの各領域に対してなされ、前記０次光透過度を基にしたフォトマスクのマップが製作になる。それにより、各領域に行われる補正を指示する補正マップは、フォトマスクの０次光透過度と同一に製作される。それにより、フォトマスクにより処理されるウェーハ上の結果ＣＤは、均一になる。各領域に対する修正量は、各領域に作られる補正モードを限定するのに利用される。例えば、各領域に要求される補正量は、フォトマスクの背面に形成された位相グレーティングの周期または暗影成分の形態を決定する。
【００５６】
本発明の一実施形態でのかかる決定は、修正領域を決定するためのコンピュータプログラム、及び各領域で要求された０次光透過度の修正量により行われる。本実施形態によれば、コンピュータプログラムは、以下で詳細に説明される図１４に図示された論理的フローを実行する。結果的に、実験例によれば、グロ−バルウェーハＣＤ不良は、前記プログラム実行により９２％以上補償される。
【００５７】
図１０は、本発明のフォトマスクの製作方法を説明するためのフローチャートである。図１０を参照すれば、ステップ２００で、フォトマスクを準備する。ステップ２０２で、フォトマスクを透過した０次光の強度分布を決定する。ステップ２０４で、フォトマスクの補正領域が決定され、各領域に対する０次光強度の補正量が算出される。ステップ２０６で、各領域に対するフォトマスクの透過度の補正量を算出する。ステップ２０８で、フォトマスク補正は、フォトマスクの背面に回折格子を形成するか、またはフォトマスク内部に暗影成分のような光学的ディフェクトを形成して行われ、フォトマスクの所定領域の０次光透過度を低下させる。
【００５８】
図１１は、本発明の一実施形態によるフォトマスクの製作方法のさらに詳細な論理的フローを説明するためのフローチャートである。図１１を参照すれば、ステップ３０１で、０次光透過度データ及びフォトマスクの設計データを入力する。ステップ３０２で、測定されたフォトマスクの透過度データを利用し、フォトマスクに対するパターンＣＤを算出する。ステップ３０３で、フォトマスクのパターンＣＤを利用し、ウェーハ上に形成される仮想イメージ及びそのＣＤを求める。ステップ３０４で、仮想イメージのＣＤと、設計パターンのＣＤとの差が許容範囲であるか否かを決定する。もし、そうであるなら、半導体製造工程に適用されるように出庫する。一方、そうではないならば、ステップ３０５のように、ウェーハのΔＣＤ（ＣＤ偏差分布）を０にするための補正マップをシミュレーションにより形成する。ステップ３０６で、前記補正マップにより、透過度調節及び補正が行われる。
【００５９】
図１２は、図１１のステップ３０５の論理的フローを説明する詳細フローチャートである。図１２を参照すれば、ステップ３０５１で、照明強度下降値を求める。前記マップをフォトマスクの各領域で要求される０次光透過度の照明強度下降値を説明する。ステップ３０５２で、かかる補正マップを得るためにシミュレーションを行う。
【００６０】
図１３は、図１２のステップ３０５１の論理的フローを説明する詳細フローチャートである。図１３を参照すれば、ステップ３０５１１で、ΔＣＤ、ドーズラチチュード（ｄｏｓｅ  ｌａｔｉｔｕｄｅ）のような変数が測定される。ステップ３０５１２で、各領域についての照明強度下降値は、ドーズラチチュードとΔＣＤとの積により計算される。
【００６１】
図１４は、本発明によるフォトマスクの製作方法についての一例の論理的フローを説明するためのフローチャートである。図１４を参照すれば、ステップ４０１で、フォトマスクの０次光透過度データ及び設計データが入力される。ステップ４０２で、フォトマスクのパターンＣＤは、測定された０次光透過度データを利用して算出される。ステップ４０３で、ウェーハ上に形成される仮想イメージ、及びそのＣＤを前記フォトマスクのパターンＣＤを利用して求める。ステップ４０４で、第１領域及び第２領域の０次光強度差を求めた後、ステップ４０５で、前記ステップ４０４で算出されたフォトマスクの領域の０次光強度差を利用して補正マップを形成する。ステップ４０６で、第１領域及び第２領域で、０次光透過度は、前記で形成された回折アレイのスワップ密度によって一致する。前記回折アレイは、回折格子内に一次元のライン及びスペースパターンの代わりに、ニ次元スワップが利用されうる。回折アレイを利用した強度下降効率は、スワップ密度のようなそのニ次元スワップの密度により決定される。かかる回折アレイは、スワップを含み、前記スワップ密度は、回折アレイの照明強度下降効率を決定する。
【００６２】
本実施形態では、透過型フォトマスクに対して説明したが、反射型フォトマスクにも適用されうる。図１５は、本発明による反射モードの密度測定を行うためのシステムの概略的なブロックダイアグラムである。約１３．５ｎｍの波長を有するＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）８０２ソースは、本発明のフォトマスク８００に光を照射する。前記フォトマスク８００は、表面にＳｉ／Ｍｏからなる多層構造物８０４が形成された透明な基板８０５を備える。前記多層構造物８０４の上部に、吸収パターン８０６が形成される。ＥＵＶ  ８０２は、フォトマスクの透光部（吸収パターン８０６の形成されていない基板部分）を貫通する。吸収パターン８０６により反射されたＥＵＶ部分８０８は、フォト検出器またはスペクトロメータ８１０に送られ、集結される。フォト検出器またはスペクトロメータ８１０で測定されることにより、本発明の密度分析を行う。
【００６３】
図１６は、図１５に図示された反射型フォトマスク８００の一実施形態を表した概略的なブロックダイアグラムである。図示されているように、フォトマスク８００は、透明基板８１５を備える。基板８１５は、低い熱膨脹係数（ＬＴＥＭ）を有する物質から形成され、１／４インチ厚に形成されうる。ＬＴＥＭ基板は、Ｔｉのドーピングされた溶融シリカにより作られるか、またはＵＬＥ（コーニング社製）、Ｚｅｒｉｄｙｒ（Ｓｃｏｔｔ社製）により作られうる。多層構造体８０４は、基板８１５上に形成され、前記多層構造体８０４は、それぞれ約６．７ｎｍ厚のＭｏ／Ｓｉ多層膜でありうる。キャッピング層８１２は、シリコン酸化膜から形成され、約３０ｎｍの厚さをもって前記多層構造体８０４の上部に形成される。吸収パターン８０６は、基板８１５、多層構造体８０４及びキャッピング層８１２の上部に形成される。前記吸収パターン８０６は、ＣｒまたはＴａにより作られうる。また、前記吸収パターン８０６と前記キャッピング層８１２との間にバッファパターン８１４が介在されうる。
【００６４】
図１７は、本発明によるウェーハＣＤ補正のための反射型フォトマスクの製造方法の論理的フローを説明するためのフローチャートである。図１７を参照し、ステップ６０１で、反射型フォトマスクを上記の方式により提供する。ステップ６０２で、反射型マスクの０次光反射度を測定した後、ステップ６０３で、前記ウェーハＣＤが均一になるように、前記反射型フォトマスクの反射度を補正する。
【００６５】
図１８は、図１７のステップ６０３を詳細に説明したフローチャートである。まず、ステップ６０３１で、０次光反射度データ及び反射型フォトマスクの設計データを入力する。ステップ６０３２で、前記反射型フォトマスクの測定された０次光反射度データにより、前記反射型フォトマスクの吸収パターンＣＤを算出する。ステップ６０３３で、前記反射型フォトマスクの吸収パターンＣＤを利用し、ウェーハに形成される仮想イメージを得る。ステップ６０３４で、仮想のイメージのＣＤと設計ＣＤとの差が許容範囲であるか否かを決定する。そうであるなら、本フローチャートを終える。そうではないならば、ステップ６０３５でのように、ΔＣＤが０に近づくようにシミュレーションを行う。ステップ６０３６で、補正マップによって照明強度調節部を形成する。照明強度調節部は、前記多層構造体または吸収パターンを透過する高パワーレーザビームを照射することにより、ＥＵＶレチクルまたはフォトマスクの反射度を調節するシステムである。前記ビームは、吸収パターンの物質の種類によって変化し、それにより、選択的にその反射度が変わることとなる。前記ビームは、多層構造体を加熱させて多層構造体の反射度を変えるのに利用されうる。
【００６６】
以上、本発明を望ましい実施形態を挙げて詳細に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で、当分野で当業者により、さまざまな変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明の半導体デバイスに均一なＣＤを提供するためのフォトマスク及びその製作方法は、例えば、半導体関連の技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態を説明するための上位レベルのフローチャートである。
【図２】本発明の実施形態による密度計を利用してフォトマスクを透過した光を測定する動作を説明するための概略的な機能ブロックダイアグラムである。
【図３】入射光に対するＣＤによる透過度変化率（ΔＴ／ΔＣＤ）を図示したものである。
【図４Ａ】互いに異なるＣＤを有するフォトマスクのパターン領域の仮想イメージを表した図面であり、フォトマスクの特定四ヵ所のパターン領域のＣＤを表したグラフである。
【図４Ｂ】互いに異なるＣＤを有するフォトマスクのパターン領域の仮想イメージを表した図面であり、図４Ａでのフォトマスクの各領域を透過した０次光強度を示す図面である。
【図５Ａ】露光量の変化に対し、フォトマスクの０次光の透過度と、フォトマスクを利用して形成されたウェーハパターンのＣＤとの関係を示す図面である。
【図５Ｂ】露光量の変化に対し、フォトマスクの０次光の透過度と、フォトマスクを利用して形成されたウェーハパターンのＣＤとの関係を示す図面である。
【図６】フォトマスクを透過した光のドーズ量と、ウェーハパターンのＣＤから変換されたドーズ量との相関関係を説明するためのグラフである。
【図７】補正が行われる前、表面に一対のパターンを具備しているフォトマスクの透過強度グラフ及び概略的なダイヤグラムを表すものである。
【図８】本発明の一実施形態による補正を行った後、図７に図示された一対のパターンを備えるフォトマスクの概略図及び前記フォトマスクに相応する透過強度を表した図面である。
【図９】本発明の他の実施形態による補正を行った後、図７に図示されたように一対のパターンを備えるフォトマスクの概略図及び前記フォトマスクに相応する透過強度の概略図である。
【図１０】本発明の一実施形態によるフォトマスク製作方法の論理的フローを説明したフローチャートである。
【図１１】本発明の他の実施形態によるフォトマスク製作方法のさらに詳細な論理的フローを説明したフローチャートである。
【図１２】図１１のステップ３０５の論理的フローを説明するための詳細フローチャートである。
【図１３】図１２のステップ３０５１の論理的フローを説明するための詳細フローチャートである。
【図１４】本発明にさらに他の実施形態によるフォトマスクの製作方法の論理的フローを説明するフローチャートである。
【図１５】反射モードで本発明による密度測定を行うための密度計システムの概略的なブロック図である。
【図１６】図１５に図示された反射型フォトマスクの一例を概略的に表したブロックダイアグラムである。
【図１７】本発明の一実施形態による補正されたウェーハＣＤを有する反射型フォトマスクの製作方法の論理的フローを説明するためのフローチャートである。
【図１８】図１７のステップ６０３を説明するための詳細フローチャートである。
【符号の説明】
【００６９】
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３７ａ，３７ｂ    映像、
４０    光源、
４２    コンデンサレンズ、
４６，６０，１６０，２６０，８００    フォトマスク、
４８，８０５，８１５    透明基板、
４９    レンズ透過光、
５０    遮断パターン、
５２    対物レンズ、
５４    フォト検出器またはスペクトロメータ、
５６    ０次光、
５８    ０次光より次数の大きい光、
６１，１６１，２６１    基板、
６７    第１パターン、
６９    第２パターン、
７１，７２，７３，７５    ライン、
７３    第１ギャップ、
７６    第２ギャップ、
８０    暗影成分、
８２    暗影領域、
９０    グレーティング、
３２０ａ，３２０ｂ，３２０ｃ，３２０ｄ    映像、
８０１    密度測定システム、
８０２    ＥＵＶ、
８０４    多層構造物、
８０ステップ６    吸収パターン、
８１２    キャッピング層、
８１４    バッファパターン、
ｄ１    第１幅、
ｄ２    第２幅、
Ｉｔｈ    強度臨海値、
Ｌ１，Ｌ２    平均値、
Ｒ１    第１領域、
Ｒ２    第２領域。
【図１】
2006350352.tif 000003
【図２】
2006350352.tif 000004
【図７】
2006350352.tif 000005
【図８】
2006350352.tif 000006
【図９】
2006350352.tif 000007
【図１０】
2006350352.tif 000008
【図１１】
2006350352.tif 000009
【図１２】
2006350352.tif 000010
【図１３】
2006350352.tif 000011
【図１４】
2006350352.tif 000012
【図１５】
2006350352.tif 000013
【図１６】
2006350352.tif 000014
【図１７】
2006350352.tif 000015
【図１８】
2006350352.tif 000016
【図３】
2006350352.tif 000017
【図４Ａ】
2006350352.tif 000018
【図４Ｂ】
2006350352.tif 000019
【図５Ａ】
2006350352.tif 000020
【図５Ｂ】
2006350352.tif 000021
【図６】
2006350352.tif 000022