(57)【要約】【課題】  レーザ熱転写工程中に装置内の気体雰囲気を調節することによって、有機電界発光表示装置の寿命及び発光効率特性を向上させるレーザ熱転写方法を提供する。【解決手段】  本発明によるレーザ熱転写方法は、ドナー基板及び基板を用意する段階と、前記転写用ドナー基板の転写層を前記基板と対向するように、前記基板上に転写層をパターニングする段階と、前記パターニングされた基板の転写層をアニーリングする段階とを備え、各段階を真空状態下で行う。【選択図】      図１
2006066375.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に転写層を有するドナー基板を用意する段階と、
前記転写層が転写される被転写基板を用意する段階と、
前記ドナー基板の前記転写層と前記被転写基板とが対向するように接触させると共に、レーザ光を照射して前記被転写基板側に前記転写層を転写する段階と、
その後、前記被転写基板の前記転写層をアニーリングする段階と、
を備えたことを特徴とするレーザ熱転写方法。
【請求項２】
前記各段階は、真空状態下で行うことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項３】
前記真空状態は、１０−２Ｔｏｒｒ以下の真空度を有することを特徴とする請求項２に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項４】
前記転写層は、低分子有機材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項５】
前記ドナー基板は、フレーミングされたものであることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項６】
前記転写層を転写する前に、前記ドナー基板の前記転写層の表面と、前記被転写基板の表面と、をラミネーションする段階を付加したことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項７】
前記転写層は、有機電界発光素子に形成される発光層であることを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項８】
前記アニーリングは、不活性気体の雰囲気で行うことを特徴とする請求項１に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項９】
前記アニーリングは、前記不活性気体の雰囲気中の水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項８に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１０】
前記アニーリングは、前記不活性気体の雰囲気中の酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項８に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１１】
前記アニーリングは、前記転写層のガラス転移温度以下の温度で行うことを特徴とする請求項８に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１２】
表面に転写層を有するドナー基板を用意する段階と、
前記転写層が転写される被転写基板を用意する段階と、
前記ドナー基板の前記転写層と前記被転写基板とが対向するように接触させると共に、レーザ光を照射して前記被転写基板側に前記転写層を転写する段階と、
その後、前記転写層を不活性気体の雰囲気でアニーリングする段階と、
を備えることを特徴とするレーザ熱転写方法。
【請求項１３】
前記アニーリングは、前記不活性雰囲気中の水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１４】
前記アニーリングは、前記不活性雰囲気中の酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１５】
前記アニーリングは、前記転写層のガラス転移温度以下の温度で行うことを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１６】
前記ドナー基板は、フレーミングされたものであることを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１７】
前記転写層を転写する前に、前記ドナー基板の前記転写層の表面と、前記被転写基板の表面と、をラミネーションする段階を付加したことを請求項１２に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１８】
前記転写層は、有機電界発光素子に形成される発光層であることを特徴とする請求項１２に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項１９】
表面に転写層を有するドナー基板を用意する段階と、
前記転写層が転写される被転写基板を用意する段階と、
不活性気体の雰囲気中で、前記ドナー基板の前記転写層と前記被転写基板とが対向するように接触させ且つ前記ドナー基板の裏面側からレーザ光を照射して前記被転写基板側に前記転写層を転写する段階と、
前記パターニングされた基板の転写層を不活性気体の雰囲気でアニーリングする段階と、を備えることを特徴とするレーザ熱転写方法。
【請求項２０】
前記アニーリングは、前記不活性気体中の水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２１】
前記アニーリングは、前記不活性気体中で酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２２】
前記アニーリングは、前記転写層のガラス転移温度以下の温度で行うことを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２３】
前記ドナー基板は、フレーミングされたものであることを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２４】
前記転写層を転写する前に、前記ドナー基板の前記転写層の表面と、前記被転写基板の表面と、をラミネーションする段階を付加したことを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２５】
前記転写層は、有機電界発光素子に形成される発光層であることを特徴とする請求項１９に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２６】
前記転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、及び電子注入層よりなる群から選ばれた１つ以上の層を含むことを特徴とする請求項２５に記載のレーザ熱転写方法。
【請求項２７】
ドナー基板に転写層を形成する段階と、
被転写基板上に、少なくとも、アレイ状に配置された画素電極、それぞれの前記画素電極に接続されたスイッチング素子、及び前記スイッチング素子に接続された配線を形成する段階と、
前記ドナー基板の前記転写層を前記被転写基板側の前記画素電極の表面にラミネーションした後、レーザ光を照射して前記被転写基板側に前記転写層を転写する段階と、
その後、前記転写層をアニーリングする段階と、
アニーリングされた前記転写層の表面側に接合する対向電極を形成する段階と、
を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記各段階は、真空状態で行われることを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記アニーリングは、不活性気体の雰囲気で行うことを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記転写層を転写する段階は、不活性気体の雰囲気で行うことを特徴とする請求項２７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記アニーリングは、前記不活性気体中の水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項２９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記アニーリングは、前記不活性気体の雰囲気中の酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことを特徴とする請求項２９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記アニーリングは、前記転写層のガラス転移温度以下の温度範囲で行うことを特徴とする請求項２９に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置の製造方法、及びそれに用いるレーザ熱転写方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットディスプレイの開発が益々進んでいる。とりわけ、有機電界発光表示装置は、応答速度が１ｍｓ（ミリ秒）以下と高速の応答速度を有することや、消費電力が低いことや、自発光デバイスであるため視野角が制限される問題がないことなどの利点がある。このため、表示装置のサイズに関わらず、動画像表示媒体として有利である。また、低温製作が可能であると共に、既存の半導体製造技術を土台にして製造工程が簡単であるため、今後次世代のフラットディスプレイとして注目されている。
【０００３】
ところで、有機電界発光表示装置の製造方法は、発光層に使用する有機材料や製造工程によって、大きく、湿式工程を使用する高分子型素子と、蒸着工程を使用する低分子型素子とに分けられる。
【０００４】
高分子の有機材料でなる発光層や、低分子の有機材料でなる発光層のパターニング方法として、インクジェットプリント方法がある。この場合、発光層以外の有機層の材料が制限されるという問題点があり、基板上にインクジェットプリントのための構造を形成しなければならないという煩雑さがある。また、蒸着工程により発光層をパターニングの場合、金属マスクの使用に起因して大型の表示素子（表示装置）の製作に適さないという問題がある。
【０００５】
そこで、前述のようなパターニングの方法に代替できる技術として、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ：Laser Induced Thermal Imaging）が最近開発されている。
【０００６】
このレーザ熱転写法とは、光源から出るレーザを熱エネルギーに変換し、この熱エネルギーにより、パターン形成物質（転写層）を対象基板に転写させて、パターンを形成する方法である。この方法では、転写層が形成されたドナー基板と、光源、及び被写体としての被転写基板が必要である。このレーザ熱転写法は、ドナーフィルム（ドナー基板）が、アクセプタとしての被転写基板を覆った状態（対向面が接合された状態）で、ドナーフィルム及び被転写基板をステージ上に配置、固定させた状態で転写させている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般的に、前述の転写層は有機材料でなり、酸素や水蒸気に対して非常に敏感な特性を持つ。すなわち、酸素や水蒸気にこの転写層が晒されると、転写層が劣化しやすく寿命が低下したり、この転写層が発光層を含む場合、発光効率及び発光寿命が低下する問題を有する。したがって、この転写層を有機電界発光表示装置の発光層に用いた場合、有機電界発光表示装置の寿命及び発光効率特性に悪影響を及ぼすという問題点があった。
【０００８】
そこで、本発明は、製造工程中の気体雰囲気を調節することによって、有機電界発光表示装置の寿命及び発光効率特性を向上させるレーザ熱転写方法及び有機電界発光表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の特徴は、レーザ熱転写方法であって、表面に転写層を有するドナー基板を用意する段階と、転写層が転写される被転写基板を用意する段階と、ドナー基板の転写層と被転写基板とが対向するように接触させると共に、レーザ光を照射して被転写基板側に転写層を転写する段階と、その後、被転写基板の前記転写層をアニーリングする段階と、を備えることを要旨とする。
【００１０】
本発明の第２の特徴は、レーザ熱転写方法であって、表面に転写層を有するドナー基板を用意する段階と、転写層が転写される被転写基板を用意する段階と、ドナー基板の転写層と被転写基板とが対向するように接触させると共に、レーザ光を照射して被転写基板側に転写層を転写する段階と、その後、転写層を不活性気体の雰囲気でアニーリングする段階と、を備えることを要旨とする。
【００１１】
この発明の第３の特徴は、レーザ熱転写方法であって、表面に転写層を有するドナー基板を用意する段階と、転写層が転写される被転写基板を用意する段階と、不活性気体の雰囲気中で、ドナー基板の転写層と被転写基板とが対向するように接触させ且つレーザ光を照射して被転写基板側に転写層を転写する段階と、パターニングされた基板の転写層を不活性気体の雰囲気でアニーリングする段階と、を備えることを要旨とする。
【００１２】
この発明の第４の特徴は、ドナー基板に転写層を形成する段階と、被転写基板上に、少なくとも、アレイ状に配置された画素電極、それぞれの画素電極に接続されたスイッチング素子、及びこれら画素電極やスイッチング素子に接続された配線を形成する段階と、ドナー基板の転写層を被転写基板側の画素電極の表面にラミネーションした後、被転写基板側に転写層を転写する段階と、その後、転写層をアニーリングする段階と、アニーリングされた転写層の表面側に接合する対向電極を形成する段階と、を備えることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係るレーザ熱転写方法によれば、各段階を真空状態下で行うことによって、又は、転写層を不活性気体の雰囲気でアニーリングすることによって、転写層が酸素や水蒸気などの気体に晒されて劣化することを防止できる。このため、被転写基板に転写された転写層の寿命を改善することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、被転写基板側の画素電極及び転写された転写層を、酸素や水蒸気などの気体から保護することができ、製造された有機電界発光表示装置の発光層を含む有機層（転写層）の寿命を改善することができ、信頼性の高い有機電界発光表示装置が実現可能となる。
【００１５】
また、転写時の雰囲気に関わらず、転写された転写層（有機層）をアニーリングすることによって、転写層に残存していた気体を除去することができ、アニーリング過程中に酸素や水蒸気の分圧を調節することによって、転写層の特性をさらに向上させることができる。さらに、転写工程及びアニーリング工程の全過程を不活性気体の雰囲気で行い、酸素や水蒸気の分圧を調節することによって、転写層の寿命特性をさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明に係るレーザ熱転写方法及び有機電界発光表示装置の製造方法の詳細を図面に示す実施の形態に基づいて説明する。但し、図面は模式的なものであり、各材料層の厚みやその比率などは現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
（電界発光表示装置の製造方法）
図１を用いて有機電界発光表示装置の製造方法の概略の流れを説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るレーザ熱転写方法を適用した有機電界発光表示装置の製造方法の概略示すフローチャートである。
【００１８】
先ず、図１に示すように、有機電界発光表示装置において、アレイ状に配置された画素電極や、それぞれの画素電極のスイッチングを行うスイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）や、これら薄膜トランジスタに接続されるマトリクス状のゲートライン，ソースラインなどの配線を備えた被転写基板（以下、アクセプタ基板という。）を用意する（ステップａ）。
【００１９】
また、有機電界発光表示装置の有機発光層（正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層、及び電子注入層よりなる群から選ばれた１つ以上の層を含む）となる転写層をパターン形成した転写用基板としてのドナー基板を用意する（ステップｂ）。
【００２０】
次に、上述のドナー基板の転写層と、アクセプタ基板の所定の層（画素電極を含む領域）とが対向するように合わせる。このように合わせた状態のドナー基板及びアクセプタ基板を、レーザ照射装置にセットする。そして、レーザ照射装置からレーザ照射を行うことにより、転写層をドナー基板から離脱させてアクセプタ基板の所望の領域に熱転写させて（ステップｃ）、転写層をアクセプタ基板側にパターニングする。
【００２１】
その後、このように転写層が形成されたアクセプタ基板とドナー基板とを分離させ、アクセプタ基板をアニーリングする（ステップｄ）。
【００２２】
そして、アクセプタ基板をアニーリングした後、転写層が形成されたアクセプタ基板の上に、有機層（転写層に加えて有機発光層を構成する有機材料層）、又は対向電極を形成し、対向電極を形成したアクセプタ基板の上面を覆うように封止材で封止する（ステップｅ）。このようにして有機電界発光表示装置の製造が終了する。
【００２３】
以上、有機電界発光表示装置の製造方法の概略を説明したが、以下、図２乃至図４を用いて具体的な製造方法を説明する。なお、図２乃至図４は、上述した各段階（工程）に対応する断面図である。
【００２４】
（ドナー基板）
図２は、ドナー基板１００を示す断面図である。図２に示すように、ドナー基板１００は、後に剥離されるベース基板１１０上に複数の層が形成された構造を有している。
【００２５】
本実施の形態では、ベース基板１１０の上に、順次、光熱変換層１２０、バッファ層１３０、転写層１４０がそれぞれ所定の膜厚で積層されている。
【００２６】
光熱変換層１２０は、レーザ照射によりレーザ光を熱に変換してベース基板１１０からバッファ層１３０及び転写層１４０を剥離し易くする機能を有する。
【００２７】
ベース基板１１０は、フレーミングされた組み立て構造や枠組み構造であってもよく、可撓性或いは柔軟性を有する材質、又は堅固な材質の材料を用いて作製することができる。なお、このベース基板１１０は、板厚が薄すぎると、ハンドリング操作が難しくなり、逆に、板厚が厚すぎれば、重量が重くなって搬送性が悪くなるという問題が発生し得るので、ベース基板１１０の厚さは、２０μｍ〜２００μｍの範囲であることが好ましい。
【００２８】
上述したように、光熱変換層１２０は、レーザ照射装置で照射されたレーザを熱エネルギーに変換させる役目を果たし、変換した熱エネルギーにより、転写層１４０と光熱変換層１２０間の接着力を変化させる（接着力を低下させる）ことによって、転写層１４０をアクセプタ基板側へ転写し易くしている。
【００２９】
なお、バッファ層１３０は、転写物質（転写層１４０）の損傷を防止すると共に、この転写層１４０とベース基板１１０との接着力を效果的に調節するために、光熱変換層１２０と転写層１４０との間に介在させている。
【００３０】
上述したように、転写層１４０は、有機電界発光装置の発光層を構成するものであり、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層、及び電子注入層よりなる群から選ばれた１つをさらに含むものであってもよい。また、この転写層１４０は、低分子有機膜であってもよい。
【００３１】
（アクセプタ基板）
図３は、転写層１４０が転写される側のアクセプタ基板（ＴＦＴ基板を含む）２００の単位画素部分を示す断面図である。図３に示すように、例えば、ガラス、セラミックなどの絶縁性材料でなるＴＦＴ基板２１０上に、下地絶縁膜（バッファ層）２２０が形成されている。この下地絶縁膜２２０の上には、各画素領域の近傍に、例えばアモルファスシリコンなどでなる半導体層２３０がパターニングされている。
【００３２】
そして、下地絶縁膜２２０及び半導体層２３０が形成された領域の上には、ゲート絶縁膜２４０が形成されている。半導体層２３０の直上に形成されたゲート絶縁膜２４０の上には、ゲート電極（ゲートライン）２５０が形成されている。また、ゲート絶縁膜２４０及びゲート電極２５０の上には、層間絶縁膜２６０が形成されている。半導体層２３０のゲート電極２５０を挟む位置の上に積層されたゲート絶縁膜２４０及び層間絶縁膜２６０には、それぞれコンタクトホールを介して、ソース電極２７０ａとドレイン電極２７０ｂとが形成されている。これら半導体層２３０、ゲート絶縁膜２４０、ゲート電極２５０、ソース電極２７０ａ、及びドレイン電極２７０ｂなどから、薄膜トランジスタＥが構成されている。なお、ソース電極２７０ａは、マトリクス状に形成されるソースラインに接続されている。
【００３３】
また、層間絶縁膜２６０、ソースライン（ソース電極２７０ａ）、及びドレイン電極２７０ｂの上には、平坦化層（平坦化絶縁膜）２８０が形成されている。この平坦化層２８０の上には、多数の薄膜トランジスタＥのそれぞれのドレイン電極２７０ｂにビアホールを介して接続された画素電極２９０がパターニングされている。平坦化層２８０の上には、それぞれの画素電極２９０の周縁部以外のみを露出させるように形成された絶縁膜（画素定義膜）２９５が積層されている。
【００３４】
なお、ＴＦＴ基板２１０上に形成した下地絶縁膜２２０は、半導体層２３０へ不純物が侵入することを防止する目的、及び半導体層２３０を堆積させ易くための目的でされている。
【００３５】
上述したように、ソース電極２７０ａ及びドレイン電極２７０ｂを形成するには、平坦化層２８０にビアホールを形成してドレイン電極２７０ｂを露出させるようにする。また、平坦化層２８０を形成する前に、外部の湿気や不純物から下部層を保護し且つエッチング工程時に下部層を保護するために、無機保護層を形成してもよい。ビアホールが形成された平坦化層２８０上に導電材料膜を積層しパターニングすることで、画素電極２９０を形成することができる。画素電極２９０上に画素電極２９０の大部分を露出させる絶縁膜（画素定義膜）２９５を形成し、それぞれの画素電極２９０において転写層（有機発光材料層）１４０が形成されるべき領域を定義する。
【００３６】
（レーザ熱転写方法）
図４は、レーザ熱転写工程を示す単位画素に対する断面図である。図４に示すように、図３に示したアクセプタ基板２００と、図２に示したドナー基板１００とを対応するように重ね合わせ、転写層１４０を転写（パターニング）しようとする領域にレーザ６００の照射を行う。
【００３７】
このレーザ照射工程を行う前に、ドナー基板１００とアクセプタ基板２００とに対してラミネーション工程を施すことができる。このラミネーション工程により、ドナー基板１００と基板２００が密着、固定される。このように、ラミネーションのための加圧工程を施すことによって、ドナー基板１００とアクセプタ基板２００との間の気泡（バブル）を除去できるため、このラミネーション工程を行うことが好ましい。
【００３８】
次に、レーザ６００の照射後、レーザ６００が照射された領域は、互いに密着した転写層１４０ａ（図４参照。）と、画素電極２９０との間の接着力が、バッファ層１３０と転写層１４０間の接着力に比べて大きくなるようになり、レーザ６００が選択的に照射された領域の転写層１４０ａは、バッファ層１３０から剥離されて、画素電極２９０上に転写層１４０ａがパターニング（転写）される。このようにパターニングされた転写層１４０ａは、画素電極２９０の形状に応じてストライプ形状やデルタ形状でパターニングされることができる。すなわち、画素領域のストライプ配置やデルタ配置に適した形状の発光層を形成することが可能となる。その後、アクセプタ基板２００とドナー基板１００とを剥離する。
【００３９】
アクセプタ基板２００上に転写層１４０ａをパターニング（転写）することは、１０−２Ｔｏｒｒ（ＳＩ単位では、１３３．３２×１０−２Ｐａ）以下の真空中で行うことが好ましい。なお、この転写層１４０ａは、低分子有機材料であってもよい。
【００４０】
また、このような転写工程において、これらの基板を真空状態下におくことによって、パターニング過程中にアクセプタ基板２００上の画素電極２９０及び転写層１４０ａに外部から汚染物が浸入することを防止できる。これにより、有機発光層となる有機層を含む転写層１４０ａの劣化を抑制でき、発光寿命を向上させることができる。
【００４１】
その後、パターニングされたアクセプタ基板２００の転写層１４０をアニーリングする。このアニーリングは、不活性気体の雰囲気で行うことが好ましい。
【００４２】
また、不活性気体の雰囲気で行う場合に、不活性気体内で水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。さらに、不活性気体の雰囲気で行う場合に、不活性気体内で酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。その理由は、アニーリング工程が行われるアニール装置内が不活性気体の雰囲気であっても、外部から浸入する酸素や水蒸気を完全に遮断することは難しいためであり、アニーリング工程が行われる装置内において上記の水蒸気や酸素の流入量を上記のように調節することが好ましい。
【００４３】
（その他の実施の形態）
また、本発明に係るレーザ熱転写方法の他の実施の形態として、アクセプタ基板２００上に転写層１４０ａをパターニング（転写）する工程中の雰囲気に関わらず、パターニングされたアクセプタ基板２００の転写層１４０ａを不活性気体の雰囲気でアニーリングしてもよい。そして、転写層１４０ａは、低分子有機層であってもよい。
【００４４】
このように不活性気体の雰囲気でアニーリングする際には、不活性気体内で水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。加えて、不活性気体の雰囲気でアニーリングする際には、不活性気体内で酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。
【００４５】
したがって、アニーリングにより、転写された転写層１４０（有機層）に残存していたアルゴン及び窒素のような不活性気体を除去することができる。また、アニーリング過程中に酸素や水蒸気の分圧を調節することによって、転写層（有機層）１４０ａの特性をさらに向上させることができる。これにより、転写層１４０ａの寿命が改善され、有機電界発光表示装置の発光特性を向上させすることができる。
【００４６】
また、本発明のさらに他の実施の形態として、アクセプタ基板２００上に転写層１４０ａをパターニングすることは、不活性気体の雰囲気で行ってもよい。この場合、転写層１４０ａは低分子有機材料であってもよい。
【００４７】
このように不活性気体の雰囲気でパターニングする場合には、不活性気体内で水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。加えて、不活性気体の雰囲気でパターニングする場合に、不活性気体内で酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。したがって、不活性気体の雰囲気で酸素や水蒸気の分圧を調節することによって、パターニング過程中にアクセプタ基板２００上の画素電極２９０及び転写層１４０ａを保護することができ、これにより、発光層を含む有機層の寿命を向上させることができる。
【００４８】
この実施の形態においても、転写層１４０ａが形成されたアクセプタ基板２００を不活性気体の雰囲気でアニーリングすることができる。
【００４９】
このように不活性気体の雰囲気でアニーリングする場合は、不活性気体内で水蒸気の濃度を１０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。加えて、不活性気体の雰囲気でアニーリングする場合には、不活性気体内で酸素の濃度を５０ｐｐｍ以下に調節して行うことが好ましい。
【００５０】
したがって、アニーリングにより、転写層１４０ａに残存していたアルゴン及び窒素のような不活性気体を除去することができる。また、アニーリング過程中に酸素や水蒸気の分圧を調節することによって、転写層１４０ａの特性をさらに向上させることができる。これにより、有機発光層としての転写層１４０ａの寿命が改善され、有機電界発光表示装置の特性を向上させることができる。
【００５１】
上記の実施の形態及びその他の実施の形態では、いずれも、転写層１４０ａの保護のために、不活性気体の雰囲気でアニーリングする際にガラス転移温度以下の温度で行うことが好ましい。
【００５２】
上述したいずれの実施の形態においても、転写層１４０ａを形成した後は、対向電極を形成して封止することにより有機電界発光表示装置の製造を完了できる。
【００５３】
図５は、本発明の実施の形態に係る有機電界発光表示装置の特性を示すグラフであり、時間による輝度の変化率を示す図である。
【００５４】
図５に示すように、１は、窒素（Ｎ２）雰囲気中で転写層（発光層）１４０ａをパターニング（転写）した後、アニーリングした場合の輝度の変化を示すものであり、２は、真空状態で転写層（発光層）１４０ａをパターニングした後、アニーリングした場合の輝度の変化を示すものであり、３は、一般空気の雰囲気で転写層（発光層）１４０ａをパターニングした後、アニーリングした場合の輝度の変化を示すものである。また、４及び５は、アニーリングをしないものであり、４は、一般空気中の雰囲気で転写層（発光層）１４０ａをパターニングしたものである。
【００５５】
転写層１４０ａを転写層させた後、アニーリングした有機電界発光表示装置の輝度特性１、２、３を見ると、転写層１４０ａの転写時の雰囲気に拘わらず、１０００時間が経過しても、初期輝度の５０％以上が維持されることが分かる。すなわち、アニーリングした発光層は、アニーリングしない転写層（発光層）１４０ａより寿命特性がさらに向上することが分かる。
【００５６】
また、Ｎ２雰囲気でパターニングした後、アニーリングすることは、真空状態でパターニングしたものとほぼ同様の寿命特性を示す。したがって、本発明の実施の形態に係る製造方法にて製造された有機電界発光表示装置は、従来の有機電界発光表示装置に比べて寿命特性が大幅に向上することが分かる。
【００５７】
上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の実施の形態に係るレーザ熱転写方法を用いた有機電界発光表示装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】本発明の実施の形態に係るドナー基板を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係るアクセプタ基板の単位画素を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係るレーザ熱転写工程における単位画素領域を示した断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る製造方法にて製造された有機電界発光表示装置と比較例の特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５９】
１００  ドナー基板
２００  アクセプタ基板
１４０、１４０ａ  転写層
２９０  画素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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