(57)【要約】【課題】  ノイズの発生が少なく、耐久性に優れ、素早い位置移動が可能であり、任意の特性曲線が得られ、かつ、構造が極めて簡単な非接触式可変抵抗器を提供すること。【解決手段】  本発明に係る非接触式可変抵抗器１０は、軟磁性材料からなる第１ヨーク１２と、軟磁性材料からなり、かつ、その先端及び開放端がそれぞれ第１ヨーク１２の先端及び開放端に対向するように配置された第２ヨーク１４と、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端に設けられ、かつ、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端に発生する磁界変化を電圧変化、電流変化、電気抵抗変化又はインピーダンス変化として出力する磁気変換素子１６と、第１ヨーク１２及び／又は第２ヨーク１４と磁極との距離が増減するように、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４と接触させることなく、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４に対して相対的に移動する永久磁石１８とを備えている。【選択図】  図１
2006073711.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性材料からなる第１ヨークと、
軟磁性材料からなり、かつ、その先端及び開放端がそれぞれ前記第１ヨークの先端及び開放端に対向するように配置された第２ヨークと、
前記第１ヨーク及び前記第２ヨークの先端に設けられ、かつ、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークの先端に発生する磁界変化を電圧変化、電流変化、電気抵抗変化又はインピーダンス変化として出力する磁気変換素子と、
前記第１ヨーク及び／又は前記第２ヨークと磁極との距離が増減するように、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークと接触させることなく、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークに対して相対的に移動する永久磁石とを備えた非接触式可変抵抗器。
【請求項２】
前記第１ヨーク及び前記第２ヨークは、同一平面上にあり、かつ、その開放端から先端に向かうに伴い、前記第１ヨーク−前記第２ヨーク間の距離が漸増又は漸減するようにその形状が定められ、
前記永久磁石は、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークの先端側から開放端側に向かって又は開放端側から先端側に向かって、相対的に移動するものである請求項１に記載の非接触式可変抵抗器。
【請求項３】
前記磁気変換素子は、ホール素子、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、フラックスゲート（ＦＧ）素子、又は、磁気インピーダンス効果（ＭＩ）素子である請求項１又は２に記載の非接触式可変抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触式可変抵抗器に関し、さらに詳しくは、手動操作によって電気抵抗を任意に増減させることが可能な非接触式可変抵抗器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のスライド式可変抵抗器は、電気抵抗線と、電気抵抗線上を接触しながら移動する接触子とを備えている。このスライド式可変抵抗器において、確実な抵抗変化を得るためには、接触子の圧力を高くし、電気抵抗線と接触子とを確実に接触させる必要がある。しかしながら、接触子の圧力が高くなると、電気抵抗線の摩耗が加速され、耐久性に劣るという問題がある。電気抵抗線が摩耗すると、ノイズ発生の原因となると同時に、接触子の移動量に伴う電気抵抗変化（特性曲線）が変化してしまう。
【０００３】
一方、楽器などのミキサに使用されるスライド式可変抵抗器は、微妙なスライド感覚を必要とするので、素早い位置移動が可能であることが望ましい。そのためには、接触子の圧力は、軽い方が好ましい。また、接触子の圧力の軽減は、電気抵抗線の摩耗を抑制する上でも有効である。しかしながら、接触子の圧力が小さくなると、機械的な振動によって接触子が電気抵抗線から離れ、ノイズ発生の原因となる。そのため、接触子の圧力軽減は、ノイズ低減と相反関係にあり、常に問題となっていた。
【０００４】
さらに、ある種の分野では、接触子の移動量に伴う電気抵抗変化（特性曲線）が直線的に変化するものだけではなく、反比例的、指数関数的、あるいは、対数関数的に変化する可変抵抗器が望まれている。しかしながら、従来のスライド式可変抵抗器は、その構造上、接触子の移動量に伴う電気抵抗変化（特性曲線）が比較的単純なものに限られるという問題がある。
【０００５】
そこでこの問題を解決するために、従来から種々の提案がなされている。例えば、特許文献１には、固定体に発光素子と受光素子とを固定し、発光素子と受光素子との間に、二等辺三角形状のスリットを有する移動体を移動させ、スリットを通過する光量の変化を電気信号に変換し、演算処理装置を用いて電気信号を所定の出力信号に変換する手動可変調整器が開示されている。同文献には、変位対電気量の変換が非接触で行われるので、ノイズの発生を軽減することができる点、及び、移動体の移動量に対して直線的に変化する電気信号を、演算処理装置を用いて任意の特性パターンを有する出力信号に変換できる点が記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１７４２５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示されている手動可変調整器は、光量変化から得られる電気信号を、演算処理装置を用いて出力信号に変換しているので、目的とする特性曲線を得るためには、複雑な演算を必要とするという問題がある。また、比較的大きな移動体を摘み具を介して移動させる必要があるので、素早い位置移動が難しく、微妙なスライド感覚を必要とする用途には不向きである。
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、ノイズの発生が少なく、耐久性に優れ、かつ、素早い位置移動が可能な非接触式可変抵抗器を提供することにある。
また、本発明が解決しようとする他の課題は、任意の特性曲線が得られ、しかも、構造が極めて簡単な非接触式可変抵抗器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明に係る非接触式可変抵抗器は、軟磁性材料からなる第１ヨークと、軟磁性材料からなり、かつ、その先端及び開放端がそれぞれ前記第１ヨークの先端及び開放端に対向するように配置された第２ヨークと、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークの先端に設けられ、かつ、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークの先端に発生する磁界変化を電圧変化、電流変化、電気抵抗変化又はインピーダンス変化として出力する磁気変換素子と、前記第１ヨーク及び／又は前記第２ヨークと磁極との距離が増減するように、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークと接触させることなく、前記第１ヨーク及び前記第２ヨークに対して相対的に移動する永久磁石とを備えていることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１０】
先端及び開放端がそれぞれ対向するように配置された第１ヨーク及び第２ヨークとの距離が増減するように、永久磁石を相対的に移動させると、永久磁石から第１ヨーク及び第２ヨークに流れ込む磁束が変化する。そのため、第１ヨーク及び第２ヨークの先端に磁気変換素子を配置すれば、磁束の変化を電圧変化、電流変化、電気抵抗変化又はインピーダンス変化として取り出すことができる。また、永久磁石は、第１ヨーク及び第２ヨークと接触させることなく移動させるので、ノイズの発生が少なく、耐久性に優れ、かつ、素早い位置移動も可能である。さらに、ヨークの形状を変えるだけで任意の特性曲線が得られ、構造も極めて単純になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明の一実施の形態について詳細に説明する。図１（ａ）及び図１（ｂ）に、それぞれ、本発明の一実施の形態に係る非接触式可変抵抗器の分解斜視図、及び、そのＡ−Ａ’線断面図を示す。図１において、非接触式可変抵抗器１０は、第１ヨーク１２と、第２ヨーク１４と、磁気変換素子１６と、永久磁石１８とを備えている。
【００１２】
第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４は、ベース板２０上に固定され、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端には、磁気変換素子１６が固定されている。
永久磁石１８は、スライド部材２２の下面に設けられた突起２２ａの内部に固定されている。また、スライド部材２２の上部には、スライド部材２２を第１ヨーク及び第２ヨーク１４の先端側から開放端側に向かって又は開放端側から先端側に向かって（図１中、矢印Ｂ方向に沿って）、手動でスライドさせるための摘み２２ｂが設けられている。
さらに、ベース板２０の上部は、カバー部材２４で覆われている。カバー部材２４の上面には、摘み２２ｂが移動する範囲に渡ってスリット２４ａが設けられている。
【００１３】
第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４は、それぞれ、その先端及び開放端が対向するように（すなわち、ヨークの先端に対して、ヨークの他端（開放端）が同じ側に来るように）配置されている。また、図１に示す例においては、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４は、互いに同一平面上にある。
【００１４】
第１ヨーク１２は、Ｌ字型を呈し、縦長部分の幅は、長手方向の位置によらず一様になっている。一方、第２ヨーク１４は、同じくＬ字型を呈しているが、縦長部分の平面形状は、ほぼ直角三角形状になっている。そのため、ヨークの開放端側から先端側に向かうに伴い、第１ヨーク１２−第２ヨーク１４間距離は、直線的に短くなっている。さらに、第２ヨーク１４は、その外側の側端と第１ヨーク１２の外側の側端とがほぼ平行になるように配置されている。
【００１５】
なお、図１に示す第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の形状は、単なる例示である。第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の形状は、非接触式可変抵抗器１０の出力特性と相関があり、これを適宜最適化することによって、出力特性を任意に変化させることができる。この点については、後述する。
【００１６】
第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４は、いずれも、軟磁性材料からなる。第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４には、一般に、同一材料を用いるが、互いに異なる材料を用いても良い。
第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４に使用する軟磁性材料としては、具体的には、パーマロイ（４０〜９０％Ｎｉ−Ｆｅ合金）、センダスト（Ｆｅ７４Ｓｉ９Ａｌ１７）、ハードパーム（Ｆｅ１２Ｎｉ８２Ｎｂ６）、Ｃｏ８８Ｎｂ６Ｚｒ６アモルファス合金、(Ｃｏ９４Ｆｅ６)７０Ｓｉ１５Ｂ１５アモルファス合金、ファインメット（Ｆｅ７５．６Ｓｉ１３．２Ｂ８．５Ｎｂ１．９Ｃｕ０．８）、ナノマックス（Ｆｅ８３ＨＦ６Ｃ１１）、Ｆｅ８５Ｚｒ１０Ｂ５合金、Ｆｅ９３Ｓｉ３Ｎ４合金、Ｆｅ７１Ｂ１１Ｎ１８合金、Ｆｅ７１．３Ｎｄ９．６Ｏ１９．１ナノグラニュラー合金、Ｃｏ７０Ａｌ１０Ｏ２０ナノグラニュラー合金、Ｃｏ６５Ｆｅ５Ａｌ１０Ｏ２０合金等がある。
【００１７】
磁気変換素子１６は、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端側に設けられる。磁気変換素子１６は、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端に発生する磁界変化を電圧変化、電流変化、電気抵抗変化又はインピーダンス変化（以下、これらを総称して「電気的変化」という）として出力するためのものである。
このような機能を有する素子としては、具体的には、ホール素子、磁気抵抗効果（ＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、フラックスゲート（ＦＧ）素子、磁気インピーダンス効果効果（ＭＩ）素子等がある。本発明においては、上述したいずれの素子であっても、磁気変換素子１６として用いることができる。
【００１８】
永久磁石１８は、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４に対して相対的に移動させることによって第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４に流入する磁束を変化させ、これによって磁気変換素子１６に作用する磁界強度を変化させるためのものである。そのためには、永久磁石１８は、第１ヨーク１２及び／又は第２ヨーク１４と磁極との距離が増減するように移動させる必要がある。また、耐久性を向上させ、かつ、素早い位置移動を可能とするためには、永久磁石１８は、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４と接触させることなく移動可能であることが望ましい。
【００１９】
図１に示す例において、永久磁石１８は、スライド部材２２の下面に設けられた突起２２ａ内に固定されている。永久磁石１８は、Ｎ極又はＳ極の一方が第１ヨーク１２側に向き、他方が第２ヨーク１４側に向くように配置されている。
スライド部材２２は、コの字型を呈し、両端のＬ字型に折れ曲がった部分は、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の側端に摺動可能に係止されている。従って、摘み２２ｂをつかんでスライド部材２２を長手方向に沿って移動させると、永久磁石１８を矢印Ｂ方向に沿って移動させることができる。
【００２０】
永久磁石１８の材質は、特に限定されるものではなく、種々の材料を用いることができる。永久磁石１８に用いられる材料としては、具体的には、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｌ合金（アルニコ）、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｃｏ合金、希土類磁石合金（例えば、ＳｍＣｏ５、Ｎｄ２Ｆｅ１４Ｂなど）等がある。
【００２１】
なお、図１に示す例において、第１ヨーク１２、第２ヨーク１４及び永久磁石１８は、いずれもほぼ同一表面上にあるが、これらは、必ずしも、同一平面上にある必要はない。また、第１ヨーク１２及び第２ヨークは、互いに非対称になっているが、対称の形状を有するものでも良い。さらに、永久磁石１８を移動させる代わりに、永久磁石１８を固定し、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４を移動させるようにしても良い。
要は、永久磁石１８を第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４に対して相対的に移動させることによって、永久磁石１８と第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４との距離を増減させ、これによって第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端に発生する磁界を変化させることできればよい。従って、このような機能を奏するように、第１ヨーク１２、第２ヨーク１３及び永久磁石１８の空間配置、第１ヨーク１２及び第２ヨークの形状、永久磁石１８の移動方向等を定めるのが好ましい。
【００２２】
図２に、磁気変換素子１６周辺の拡大斜視図を示す。上述した各種磁気変換素子１６を用いて磁界変化を電気的変化として出力するためには、その種類に応じて、磁界の印加方向を最適化する必要がある。
【００２３】
例えば、磁気変換素子１６がホール素子１６ａである場合、図２（ａ）に示すように、電流Ｉは、ホール素子１６ａの面内方向に流し、磁界Ｈは、電流Ｉが流れる面に対して垂直方向に作用させる必要がある。このように磁界Ｈを作用させると、周知のように、電流Ｉ方向及び磁界Ｈ方向に対して垂直方向に電位差ＶＨ（ホール電圧）が発生する。このホール電圧ＶＨを出力信号として取り出す。従って、ホール素子１６ａは、図２（ｂ）に示すように、電流Ｉが流れる面と、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端面とが平行となるように、ヨーク先端に配置する必要がある。
【００２４】
また、例えば、磁気変換素子１６が磁気抵抗効果（ＭＲ）素子１６ｂである場合、図２（ｃ）に示すように、電流Ｉは、薄膜状のＭＲ素子１６ｂの面内方向に流し、磁界Ｈは、薄膜状のＭＲ素子１６ｂの面内方向であって、電流方向に対して垂直方向に作用させる必要がある。このように磁界Ｈを作用させると、電流方向の電気抵抗が変化する。
この場合、ＭＲ素子１６ｂに定電流を流すと、両端の電圧Ｖが変化するので、これを出力信号として取り出すことができる。また、ＭＲ素子１６ｂを用いてブリッジ回路を組み、ブリッジ回路の両端に定電圧を印加した状態でＭＲ素子１６ｂに磁界Ｈを作用させると、磁界Ｈの大きさに応じて、ブリッジ回路の中点電位が変化する。これを出力信号として取り出すこともできる。
【００２５】
従って、図２（ｄ）に示すように、基板（例えば、ポリイミド基板）２６表面に対して平行にＭＲ素子１６ｂを固定し、これを、電流Ｉ方向と磁界Ｈ方向とが互いに垂直になるように、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端側の端面に固定する必要がある。
あるいは、図２（ｅ）に示すように、ＭＲ素子１６ｂが固定された基板２６を、電流方向Ｉと磁界方向Ｈとが互いに垂直になるように、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端側側面に固定しても良い。
なお、図示はしないが、磁気変換素子１６が巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子である場合も、同様である。
【００２６】
また、フラックスゲート（ＦＧ）素子は、図示はしないが、直線状の２つの高透磁率磁芯を平行に配置し、かつ、励磁コイルに交流を流して互いに反平行に交流磁化させたものである。検出コイルは、２つの高透磁率磁芯を囲むように配置される。この２つの高透磁率磁芯に対して平行に外部磁界が作用すると、２つの高透磁率磁芯に流れる磁束が変化する。この磁束の変化量を検出コイルの誘起起電力の変化量として取り出す。従って、磁気変換素子１６として、ＦＧ素子を用いる場合には、図示はしないが、２つの高透磁率磁芯と磁界Ｈ方向とが平行になるように、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の間に固定する必要がある。
【００２７】
また、磁気インピーダンス効果（ＭＩ）素子は、円柱状軟磁性体の端面から高周波電流を直接通電した場合において、外部磁界Ｈが高周波電流と同一方向から作用することによって、電流の実質的通路断面積である表皮深さが外部磁界Ｈにより変化するため抵抗値が変化する。さらに、透磁率が変化することによりインダクタンスも変化するので、結果として外部磁界Ｈに対して大きなインピーダンス変化として現れる。従って、磁気変換素子１６として、ＭＩ素子を用いる場合には、図示はしないが、ＭＩ素子に流れる高周波電流と磁界Ｈ方向が同一となるように、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の間に固定する必要がある。
【００２８】
図３（ａ）に、磁気変換素子１６としてホール素子１６ａを用いた場合の回路図の一例を示す。図３（ａ）において、ホール素子１６ｂの上下端には、所定の電流を流すための定電圧回路３２が接続される。また、ホール素子１６ａの左右端には、ホール電圧ＶＨを検出し、かつ、増幅するための差動増幅回路３４が接続される。さらに、差動増幅回路３４は、増幅率可変回路３６に接続されている。
【００２９】
定電圧回路３２を介してホール素子１６ａに所定の電流を流し、この状態でホール素子１６ａに外部磁界Ｈが作用すると、外部磁界Ｈに大きさに応じてホール電圧ＶＨが変動する。このホール電圧ＶＨを差動増幅回路３４で検出し、これを増幅して増幅率可変回路３６に出力する。増幅率可変回路３６においては、ホール電圧ＶＨの変化に対応して入力信号を増幅させ、増幅された信号を出力する。
【００３０】
また、図３（ｂ）に、磁気変換素子１６としてブリッジ回路１６ｃを用いた場合の回路図一例を示す。図３（ｂ）において、ブリッジ回路１６ｃは、２個のＭＲ素子１６ｂ、１６ｂと、２個の参照抵抗３８、３８からなる。各ＭＲ素子１６ｂ、１６ｂは、それぞれ、磁界感応方向が互いに平行になるように配置されている。ブリッジ回路１６ｃの一端には、定電圧電源（Ｖ）４０が接続され、その他端は、アースされている。また、ブリッジ回路１６ｃの２個の中点は、それぞれ、差動増幅回路３４に接続されている。さらに、差動増幅回路３４は、増幅率可変回路３６に接続されている。
【００３１】
ブリッジ回路１６ｃの両端に定電圧を印加し、この状態でＭＲ素子１６ｂ、１６ｂに外部磁界Ｈが作用すると、外部磁界Ｈの大きさに応じて、ブリッジ回路１６ｃの中点電位が変動する。この中点電位の差を差動増幅回路３４で検出し、これを増幅して増幅率可変回路３６に出力する。増幅率可変回路３６においては、中点電位の変動に対応して入力信号を増幅させ、増幅された信号を出力する。
【００３２】
磁気変換素子１６として他の素子を用いた場合も同様であり、検出された電気的変化を、差動増幅回路などを用いて増幅し、これを制御信号として出力させればよい。
【００３３】
次に、ヨークの形状と出力特性について説明する。図４に、非接触型可変抵抗器１０の平面図を示す。幅が一様である第１ヨーク１２と、直角三角形状の平面形状を有する第２ヨーク１４との間において、永久磁石１８をｘ０からｘ１まで移動させると、永久磁石１８−第１ヨーク１２間距離は、ｌ１〜ｌ'１の間で変化する。同様に、永久磁石１８−第２ヨーク１４間距離は、ｌ２〜ｌ'２の間で変化する。磁石センサー間距離をｌ（＝ｌ１＋ｌ２）とおくと、磁石センサー間距離ｌが短くなるに伴い、ヨーク先端に発生する磁界強度は大きくなる。
【００３４】
例えば、ストローク（＝ｘ１−ｘ０）を１００ｍｍとし、このストロークで磁石センサ間距離ｌが２〜１０ｍｍまで変化するように、第２ヨーク１４に傾斜を付けた場合、ヨーク先端の磁界強度は、図５に示すように、磁石センサー間距離ｌが増加するに伴い、下に凸の曲線を描いて減少する。これは、磁界の強さは、一般に、距離の自乗に反比例して減衰するためである。
なお、図５は、第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の材料として、厚さ４ｍｍの熱処理を施したパーメンジュール（ＦｅＣｏ）を用い、永久磁石１８として、直径５ｍｍ、高さ１０ｍｍのＳｍＣｏ系焼結磁石を用いた場合の結果である。
【００３５】
一方、図６に、磁界強度とＭＲ素子１６ｂの抵抗値との関係の一例を示す。
図６に示すように、ＭＲ素子１６ｂは、磁界強度が大きくなるに伴い、抵抗値が下に凸の曲線を描いて減少する特性を示す。従って、このような特性を示すＭＲ素子１６ｂを、図４に示す形状を有する第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４の先端に固定すると、図７に示すように、磁石センサー間距離ｌが増減するに伴い、ＭＲ素子１６ｂの抵抗値はほぼ直線的に変化する。すなわち、両者を組み合わせることによって、ストロークの変化に伴い、抵抗値がほぼ直線的に変化する可変抵抗器が得られる。
【００３６】
これに対し、ホール素子１６ａは、図示はしないが、磁界強度の変化に伴い、ホール電圧ＶＨが直線的に変化するという性質を持つ。そのため、図４に示す形状を有する第１ヨーク１２及び第２ヨーク１４と、ホール素子１６ａとを組み合わせても、磁石センサー間距離ｌの変化（すなわち、ストロークの変化）に応じて直線的にホール電圧ＶＨを変化させることはできない。
しかしながら、図５に示す曲線の逆関数となるように、第２ヨーク１４の永久磁石１８側の形状に膨らみを持たせると、ストロークが増減するに伴い、ヨーク先端に発生する磁界強度を直線的に変化させることができる。そのため、このような形状を有するヨークとホール素子１６ａとを組み合わせると、ストロークの変化に応じて、直線的にホール電圧ＶＨが変化する可変抵抗器が得られる。
【００３７】
ストロークの変化に応じて、電気的変化を反比例的、指数関数的、あるいは、対数関数的に変化させる場合も同様であり、磁気変換素子１６の出力特性に応じて、第１ヨーク１２及び第２ヨークの形状を最適化すれば、任意の出力特性を有する非接触型可変抵抗器１０が得られる。
【００３８】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は、上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改変が可能である。
【００３９】
例えば、図４において、第２ヨーク１４の幅は、先端側に近づくにつれて単調に増加しているが、第２ヨーク１４の途中に平行部を設けても良い。第２ヨーク１４の途中に平行部を設けると、永久磁石１８が平行部にある間は、磁界が変化しないので、操作者は、摘みの位置を目視で確認しなくても、永久磁石１８が平行部にあることを容易に知ることができる。この方法は、本発明に係る非接触式可変抵抗器を音楽ミキサに応用する場合に特に有効である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明に係る非接触式可変抵抗器は、ラジオ、オーディオ、音楽ミキサ等の音響機器、テレビ、ビデオ等の画像機器、通信機器、照明機器等、各種電気機器用の可変抵抗器として使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施の形態に係る非接触式可変抵抗器の分解斜視図、図１（ｂ）は、そのＡ−Ａ’線断面図である。
【図２】ヨーク先端への磁気変換素子の取り付け方法の一例を示す図である。
【図３】図３（ａ）は、磁気変換素子としてホール素子を用いた場合の回路図の一例を示す図であり、図３（ｂ）は、磁気変換素子としてＭＲ素子を用いた場合の回路図の一例を示す図である。
【図４】ヨークの形状と、ストロークｘと、磁石センサー間距離ｌとの関係を示す図である。
【図５】図４に示す形状を有するヨークの磁石センサー間距離と磁界強度との関係を示す図である。
【図６】外部磁界の強度とＭＲ素子の抵抗値との関係を示す図である。
【図７】図４に示す形状を有するヨークと図６に示す特性を有するＭＲ素子とを組み合わせた非接触式可変抵抗器の磁石センサー間距離と抵抗値との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０    非接触式可変抵抗器
１２    第１ヨーク
１４    第２ヨーク
１６    磁気変換素子
１６ａ  ホール素子
１６ｂ  ＭＲ素子
１８    永久磁石
【図１】
2006073711.tif 000003
【図２】
2006073711.tif 000004
【図３】
2006073711.tif 000005
【図４】
2006073711.tif 000006
【図５】
2006073711.tif 000007
【図６】
2006073711.tif 000008
【図７】
2006073711.tif 000009