(57)【要約】【課題】  塗布膜の均一化と処理液の消費量の抑制を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供すること。【解決手段】  被処理基板Ｇと第１の処理液供給手段とを相対移動して、基板の表面上に所定間隔をおいた複数の位置に処理液を連続して供給した後、被処理基板Ｇの表面中央部に処理液を点状に供給し、この状態で被処理基板Ｇを回転して処理液同士を連続させて一体化する。これにより、処理液の使用量を少なくすることができると共に、塗布膜の均一性の向上を図ることができる。【選択図】    図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面上に所定間隔をおいた複数の位置に処理液を連続して供給する第１の処理液供給工程と、
上記被処理基板の表面中央部に処理液を点状に供給する第２の処理液供給工程と、
上記被処理基板を回転して上記処理液同士を連続させて一体化する塗布膜平坦化工程と、
を有することを特徴とする塗布処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の塗布処理方法において、
上記第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、上記第２の処理液供給工程に使用することを特徴とする塗布処理方法。
【請求項３】
請求項１記載の塗布処理方法において、
上記第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、上記第２の処理液供給工程に使用し、更に余剰した処理液を処理液供給源に戻すことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項４】
請求項１記載の塗布処理方法において、
上記塗布膜平坦化工程を、密閉状態において行うことを特徴とする塗布処理方法。
【請求項５】
被処理基板を保持する基板保持手段と、
上記被処理基板の表面上の所定間隔をおいた複数の位置に処理液を供給する第１の処理液供給手段と、
上記被処理基板の表面上の中央部に処理液を供給する第２の処理液供給手段と、
上記基板保持手段と上記第１の処理液供給手段とを相対的に平行移動する移動手段と、
上記基板保持手段を回転させて上記被処理基板の表面上に供給された上記処理液同士を連続させて一体化する回転手段と、
を具備することを特徴とする塗布処理装置。
【請求項６】
被処理基板を保持する基板保持手段と、
上記被処理基板の表面上の所定間隔をおいた複数の位置に処理液を供給する第１の処理液供給手段と、
上記被処理基板の表面上の中央部に処理液を供給する第２の処理液供給手段と、
上記基板保持手段と上記第１の処理液供給手段とを相対的に平行移動する移動手段と、
上記基板保持手段を回転させて上記被処理基板の表面上に供給された上記処理液同士を連続させて一体化する回転手段と、
上記第１の処理液供給手段と処理液供給源とを接続する主管路と、
上記主管路に介設されるポンプと、
上記主管路における上記ポンプの二次側と、上記第２の処理液供給手段とを接続する分岐管路と、
上記第１の処理液供給手段、第２の処理液供給手段及び上記ポンプを選択的に制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする塗布処理装置。
【請求項７】
請求項６記載の塗布処理装置において、
上記処理液供給源と上記ポンプの二次側とを接続し、開閉弁を介設する戻り管路を更に具備すると共に、上記開閉弁を上記制御手段により制御することを特徴とする塗布処理装置。
【請求項８】
請求項５又は６記載の塗布処理装置において、
上記基板保持手段を収容する収容容器と、この収容容器を密閉する蓋体と、上記収容容器を回転する回転手段と、を更に具備することを特徴とする塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、塗布処理方法及び塗布処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）基板等の被処理基板の表面にレジスト液等の処理液を塗布する塗布処理方法及び塗布処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、被処理基板としての液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）基板等（以下に基板という）に処理液としてのレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してレジスト膜に転写し、これを現像処理する一連の処理が施されている。
【０００３】
従来、上記塗布・現像処理において、基板にレジスト液等の処理液を塗布する方法として、基板を水平面上に高速回転させ、基板の中心部にレジスト液を供給（滴下）し、基板の遠心力により基板全体に塗布せしめ、余分なレジスト液を遠心力で振り切り除去する、いわゆる「スピンコート法」が使用されていた。
【０００４】
しかし、この「スピンコート法」においては、基板全体にレジスト液を広げるために不要な部分までレジスト液を塗布することになり、多量なレジスト液を必要とするという問題があった。
【０００５】
この問題を解決するために、基板を保持する基板保持手段と、基板表面上の所定間隔を隔てた複数の位置に処理液を供給する処理液供給手段と、を相対的に平行移動させて、基板の表面上に所定間隔隔てた複数の位置に処理液を供給し、基板を回転して処理液同士をつなげて一体化する塗布方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
この塗布処理方法によれば、「スピンコート法」に比べてレジスト液の使用量を少なくすることができる。
【特許文献１】特開平１１−３３３３５６号公報（特許請求の範囲、段落番号０１６３〜０１６７、図１９、図２０）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特開平１１−３３３３５６号公報に記載の技術においては、基板の表面上に所定間隔隔てた複数の位置に処理液を供給し、基板を回転して処理液同士をつなげて一体化するため、基板の中央部には遠心力が働きにくいので、基板中央部にすじ状のむらが生じる問題があった。したがって、基板中央部のすじ状のむらを無くして塗布膜を均一にするには、塗布膜の全体を厚くする必要があり、そのため、処理液の供給量を多くしなければならない。特に、近年、大型化の傾向にある基板の塗布処理においては、処理液の消費量を極力抑える必要がある。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、塗布膜の均一化と処理液の消費量の抑制を図れるようにした塗布処理方法及び塗布処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、この発明の塗布処理方法は、被処理基板の表面上に所定間隔をおいた複数の位置に処理液を連続して供給する第１の処理液供給工程と、  上記被処理基板の表面中央部に処理液を点状に供給する第２の処理液供給工程と、  上記被処理基板を回転して上記処理液同士を連続させて一体化する塗布膜平坦化工程と、を有することを特徴とする（請求項１）。
【００１０】
請求項１記載の塗布処理方法において、上記第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、上記第２の処理液供給工程に使用する方が好ましい（請求項２）。また、上記第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、上記第２の処理液供給工程に使用し、更に余剰した処理液を処理液供給源に戻すようにしてもよい（請求項３）。
【００１１】
また、上記塗布膜平坦化工程は、上記被処理基板を回転して上記処理液同士を連続させて一体化できれば外気に晒された状態で行っても差し支えないが、好ましくは密閉状態において行う方がよい（請求項４）。
【００１２】
請求項５記載の塗布処理装置は、請求項１記載の塗布処理方法を具現化するもので、  被処理基板を保持する基板保持手段と、  上記被処理基板の表面上の所定間隔をおいた複数の位置に処理液を供給する第１の処理液供給手段と、  上記被処理基板の表面上の中央部に処理液を供給する第２の処理液供給手段と、  上記基板保持手段と上記第１の処理液供給手段とを相対的に平行移動する移動手段と、  上記基板保持手段を回転させて上記被処理基板の表面上に供給された上記処理液同士を連続させて一体化する回転手段と、を具備することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６記載の塗布処理装置は、請求項２記載の塗布処理方法を具現化するもので、請求項５記載の塗布処理装置に加えて、更に、上記第１の処理液供給手段と処理液供給源とを接続する主管路と、  上記主管路に介設されるポンプと、  上記主管路における上記ポンプの二次側と、上記第２の処理液供給手段とを接続する分岐管路と、  上記第１の処理液供給手段、第２の処理液供給手段及び上記ポンプを選択的に制御する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【００１４】
請求項７記載の塗布処理装置は、請求項３記載の塗布処理方法を具現化するもので、請求項６記載の塗布処理装置に加えて、更に、上記処理液供給源と上記ポンプの二次側とを接続し、開閉弁を介設する戻り管路を更に具備すると共に、上記開閉弁を上記制御手段により制御することを特徴とする。
【００１５】
請求項８記載の塗布処理装置は、請求項４記載の塗布処理方法を具現化するもので、上記基板保持手段を収容する収容容器と、この収容容器を密閉する蓋体と、上記収容容器を回転する回転手段と、を更に具備することを特徴とする。
【００１６】
請求項１，５記載の発明によれば、被処理基板の表面上に所定間隔をおいた複数の位置に処理液を連続して供給して、被処理基板の全域の表面上に処理液を供給する第１の処理液供給工程の後、被処理基板の表面中央部に処理液を点状に供給し（第２の処理液供給工程）、その後、被処理基板を回転することにより、遠心力が作用して処理液同士を連続させて一体化させることができる。この際、被処理基板の中心部における遠心力は小さいため、処理液同士の一体化は不十分となるが、中心部に供給された処理液がカバーして基板の表面上には処理液による塗布膜が均一に平坦化される。
【００１７】
請求項２，６記載の発明によれば、第１の処理液供給手段から被処理基板の表面に供給されて第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、被処理基板の表面中央部に処理液を点状に供給する第２の処理液供給工程に使用することができる。
【００１８】
請求項３，７記載の発明によれば、第１の処理液供給手段から被処理基板の表面に供給されて第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、被処理基板の表面中央部に処理液を点状に供給する第２の処理液供給工程に使用した後、更に余剰した処理液を処理液供給源に戻すことができる。
【００１９】
請求項４，８記載の発明によれば、塗布膜平坦化工程を密閉状態で行うことにより、収容容器外のパーティクル等の巻き込みや気流の乱れ等の外気の影響を受けることなく塗布膜を形成することができる。
【発明の効果】
【００２０】
（１）請求項１，５記載の発明によれば、被処理基板の表面上に所定間隔をおいた複数の位置に処理液を連続して供給して、被処理基板の全域の表面上に処理液を供給する第１の処理液供給工程の後、被処理基板の表面中央部に処理液を点状に供給し（第２の処理液供給工程）、その後、被処理基板を回転することにより、遠心力が作用して処理液同士を連続させて一体化させ、この際、被処理基板の中心部に供給された処理液がカバーして基板の表面上に均一に平坦化された塗布膜することができる。したがって、処理液の使用量を少なくすることができると共に、均一な塗布膜を形成することができる。
【００２１】
（２）請求項２，６記載の発明によれば、第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、第２の処理液供給工程に使用することができるので、上記（１）に加えて更に処理液の有効利用を図ることができる。また、第１の処理液供給工程の後に、引き続いて第２の処理液供給工程を行うことができるので、スループットの向上が図れる。また、第１の処理液供給手段と第２の処理液供給手段とを同一の処理液供給源に接続することにより、装置の小型化が図れる。
【００２２】
（３）請求項３，７記載の発明によれば、第１の処理液供給手段から被処理基板の表面に供給されて第１の処理液供給工程に使用する処理液の余剰分を、被処理基板の表面中央部に処理液を点状に供給する第２の処理液供給工程に使用した後、更に余剰した処理液を処理液供給源に戻すことにより、上記（１），（２）に加えて更に処理液の有効利用を図ることができる。
【００２３】
（４）請求項４，８記載の発明によれば、塗布膜平坦化工程を密閉状態で行うことにより、収容容器外のパーティクル等の巻き込みや気流の乱れ等の外気の影響を受けることなく塗布膜を形成することができるので、上記（１）〜（３）に加えて更に精度の向上が図れると共に、装置の信頼性の向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る塗布処理装置をＬＣＤ基板のレジスト塗布・現像処理システムにおけるレジスト塗布処理装置に適用した場合について説明する。
【００２５】
上記レジスト塗布・現像処理システムは、図１に示すように、複数の被処理基板であるＬＣＤ基板Ｇ（以下に基板Ｇという）を収容するカセットＣを載置する搬入出部１と、基板Ｇにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイス部３とを具備しており、処理部２の両端にそれぞれ搬入出部１及びインターフェイス部３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システムの長手方向をＸ方向、平面視においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００２６】
上記搬入出部１は、カセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送機構５を備えており、この搬入出部１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構５は搬送アーム５ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路６上を移動可能であり、搬送アーム５ａによりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬入出が行われるように構成されている。
【００２７】
上記処理部２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿って搬入出部１側からインターフェイス部３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１、第１の熱的処理ユニットセクション１６、レジスト処理ユニット１３及び第２の熱的処理ユニットセクション１７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイス部３側から搬入出部１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション１７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５及び第３の熱的処理ユニット１８が配列されている。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２が設けられている。この場合、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）１２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００２８】
なお、第１の熱的処理ユニットセクション１６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）１１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット１３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送機構３３が設けられている。
【００２９】
また、第２の熱的処理ユニットセクション１７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット１３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット１４側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送機構３６が設けられている。
【００３０】
また、第３の熱的処理ユニットセクション１８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）１４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７，３８の間に第３の搬送機構３９が設けられている。
【００３１】
なお、インターフェイス部３には、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１と、周辺露光装置（ＥＥ）とタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）を積層して設けた外部装置ブロック４２と、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３及び第４の搬送機構４４が配設されている。
【００３２】
このように構成されるインターフェイス部３において、第２の搬送機構３６によって搬送される基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１へ搬送され、第４の搬送機構４４によって外部装置ブロック４２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで、第４の搬送機構４４により露光装置４に搬送されて、基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によっては、バッファーステージ（ＢＵＦ）４３に基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。そして、露光終了後、基板Ｇは第４の搬送機構４４により外部装置ブロック４２のタイトラ（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて、基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４１に載置され、再び処理部２に搬送されるように構成されている。
【００３３】
上記レジスト処理ユニット１３は、この発明に係るレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０と、このレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０によって基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器（図示せず）内で減圧乾燥する減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１と、基板Ｇの周縁部のレジストを除去するエッジリムーバ１００とを具備している。レジスト処理ユニット１３において、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０でレジストが塗布された基板Ｇは、一対の搬送アーム２２により減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１に搬入され、この減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１で乾燥処理されるようになっている。また、減圧乾燥処理装置（ＶＤ）２１と熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４との間、及び熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２とレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２０との間には、それぞれ搬送アーム２２と同様な一対の搬送アーム（図示せず）が配設されている。
【００３４】
レジスト塗布処理装置２０は、図２ないし図４に示すように、基板Ｇを吸着保持する水平回転及び昇降可能な基板保持手段であるスピンチャック５０と、このスピンチャック５０及びスピンチャック５０によって保持された基板Ｇを包囲し、上端部が開口する有底円筒状の収容容器である水平回転可能な回転カップ６０と、この回転カップ６０の上端開口部を閉塞する昇降可能な蓋体６１と、回転カップ６０の外周を包囲するように固定配置されるドレンカップ６２と、ドレンカップ６２の外方に互いに平行に配置された一対のガイドレール７３間に摺動自在に架設される門形フレーム７４に装着される第１の処理液供給手段である第１のレジスト供給ノズル７１（以下に第１のノズル７１という）と、ドレンカップ６２の外方に配設されたノズルアーム７５の駆動により、基板Ｇの中心部上方に移動する第２の処理液供給手段である第２のレジスト供給ノズル７２（以下に第２のノズル７２という）と、を具備している。
【００３５】
上記スピンチャック５０は、鉛直方向に延在する回転軸５１がスプライン軸受け５２によって鉛直方向に摺動すなわち昇降自在に支承され、下端部が昇降手段である昇降シリンダ５３に連結されて昇降可能に形成されている。この場合、回転軸５１は、固定カラー５４の内周面にベアリング５５ａを介して回転可能に装着される回転内筒５６の内周面に嵌着されるスプライン軸受け５２に摺動可能に連結されている。スプライン軸受け５２には、従動プーリ５７ａが装着されており、従動プーリ５７ａには、回転手段である駆動モータ５８の駆動軸５８ａに装着された駆動プーリ５８ｂとの間にタイミングベルト５９ａが掛け渡されている。したがって、駆動モータ５８の駆動によってタイミングベルト５９ａを介して回転軸５１が回転してスピンチャック５０が水平回転される。また、回転軸５１の下部側は、図示しない筒体内に配設されており、筒体内において回転軸５１は、バキュームシール部５１ａを介して昇降シリンダ５３に連結されている。
【００３６】
回転カップ６０は、上記固定カラー５４の外周面にベアリング５５ｂを介して装着される回転外筒６８を介して取り付けられており、回転カップ６０の底部６０ａとスピンチャック５０の下面との間には、シール用のＯリング６３が介在されてスピンチャック５０が下降してＯリング６３に密接した状態で気密が保持されるようになっている。また、回転外筒６８に装着される従動プーリ５７ｂと上記駆動モータ５８に装着される駆動プーリ５８ｂに掛け渡されるタイミングベルト５９ｂによって駆動モータ５８からの駆動が回転カップ６０に伝達されて回転カップ６０が水平回転されるように構成されている。この場合、従動プーリ５７ｂの直径は、回転軸５１に装着された従動プーリ５７ａの直径と同一に形成され、同一の駆動モータ５８にタイミングベルト５９ａ，５９ｂが掛け渡されているので、回転カップ６０とスピンチャック５０とは同期回転する。なお、固定カラー５４と回転内筒５６及び回転外筒６８との対向面にはラビリンスシール６４が介在されて、回転時に下部の駆動系から回転カップ内に下部の駆動系から回転カップ内にゴミが侵入するのを防止している。
【００３７】
上記蓋体６１は、中央上部に昇降軸６５が突設されており、この昇降軸６５を回転自在に支持する昇降アーム６６を介して蓋体昇降機構６７に連結されている。このように構成することにより、蓋体昇降機構６７の駆動により、昇降アーム６６を介して昇降軸６５が昇降して蓋体６１が回転カップ６０の上端開口部を開閉することができる。
【００３８】
また、第１のノズル７１と第２のノズル７２は、後述するように、同一の処理液供給源であるレジストタンク７０に接続されている。
【００３９】
上記第１のノズル７１は、基板Ｇの幅より若干長いパイプ状に形成されており、下面において適宜間隔をおいて複数のノズル孔（図示せず）が設けられている。このように形成される第１のノズル７１を装着する門形フレーム７４は、上記ガイドレール７３と平行に配設される移動手段例えばリニアモータ７６の可動部７６ａに連結されており、リニアモータ７６の駆動によって、第１のノズル７１とスピンチャック５０に保持された基板Ｇとが相対的に水平方向に平行に移動するようになっている（図３参照）。なお、図示しないが、第１のノズル７１を装着する門形フレーム７４に、第１のノズル７１を挟んで互いに平行な溶剤ノズルと気体ノズルが設けられている。
【００４０】
なお、ここでは、リニアモータ７６によって第１のノズル７１を水平移動する場合について説明したが、リニアモータ７６に代えて例えばボールねじ機構、あるいは、プーリとタイミングベルトからなるベルト式移動機構を用いてもよい。また、第１のノズル７１を固定してスピンチャック５０及び回転カップ６０を水平移動してもよく、あるいは、第１のノズル７１とスピンチャック５０及び回転カップ６０共水平移動させるようにしてもよい。
【００４１】
また、図５に示すように、上記第１のノズル７１とレジストタンク７０は、主管路８０を介して接続されており、主管路８０には、レジストタンク７０側からポンプ例えばダイアフラムポンプ８１とフィルタ８２が介設されている。また、主管路８０におけるダイアフラムポンプ８１及びフィルタ８２の二次側には、分岐管路８３を介して第２のノズル７２が接続されている。また、ダイアフラムポンプ８１及びフィルタ８２の二次側とレジストタンク７０は、開閉弁Ｖ３を介設する戻り管路８４を介して接続されている。
【００４２】
この場合、第１のノズル７１には第１の開閉弁Ｖ１が設けられ、第２のノズル７２には第２の開閉弁Ｖ２が設けられており、これら開閉弁Ｖ１，Ｖ２と開閉弁Ｖ３及びダイアフラムポンプ８１は制御手段例えば中央演算処理装置９０（以下にＣＰＵ９０という）に電気的に接続されている。そして、ＣＰＵ９０に予め記憶された情報に基づく制御信号によって開閉弁Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３及びダイアフラムポンプ８１が選択的に制御されるようになっている。また、ＣＰＵ９０は、上記昇降シリンダ５３，駆動モータ５８，リニアモータ７６，蓋体昇降機構６７及び第２のノズル７２の駆動手段７７に電気的に接続されており、ＣＰＵ９０からの制御信号に基づいて昇降シリンダ５３，駆動モータ５８，リニアモータ７６及びノズルアーム７５の駆動が制御されるようになっている。例えば、図６に示すように、ＣＰＵ９０からの制御信号に基づいて、ダイアフラムポンプ８１が作動し、塗布開始時点（ｔ１）で、第１のノズル７１の開閉弁Ｖ１が開放する。これと同時に、リニアモータ７６の駆動により第１のノズル７１が移動して、基板Ｇの一端から他端までレジスト液が供給（吐出）された時点（ｔ２）で開閉弁Ｖ１が閉じると共に、ダイアフラムポンプ８１が停止する。通常では、開閉弁Ｖ１を閉じてダイアフラムポンプ８１を停止した後、毎回のレジスト液の吐出量を一定にするために、次のレジスト液の供給（吐出）に備えて主管路８０内の開閉弁Ｖ１までの配管から余剰のレジスト液を一部抜き取る必要がある。この発明においては、この余剰のレジスト液を利用している。すなわち、開閉弁Ｖ１を閉じ、ダイアフラムポンプ８１を停止した後、第２のノズル７２の駆動手段７７の駆動によりノズルアーム７５が駆動して第２のノズル７２が基板Ｇの中心部に移動し、第２のノズル７２の開閉弁Ｖ２を開放して、第１の処理液供給工程に使用される余剰のレジスト液を基板Ｇの中心部に供給（滴下）した後、開閉弁Ｖ２を閉じる。更に、余剰のレジスト液がある場合は、戻り管路８４に介設された開閉弁Ｖ３が開放してレジストタンク７０内に戻される。これにより、１枚の基板Ｇの塗布処理に使用されるレジスト液は無駄なく有効に利用される。
【００４３】
一方、上記減圧乾燥処理装置２１は、基板Ｇを保持するステージ２３と、このステージ２３を昇降可能に駆動する基板昇降手段（図示せず）と、ステージ２３及び基板Ｇを収容する上部に開口部を有する有底矩形筒状の下部チャンバ２４と、下部チャンバ２４の上部開口部を開閉する上部チャンバ（図示せず）と、この上部チャンバを昇降可能に駆動する蓋体昇降手段（図示せず）と、を具備している。なお、下部チャンバ２４の各コーナ部には、４個の排気口２４ａが設けられ、これら排気口２４ａは図示しない排気ポンプに接続されている。そして、下部チャンバ２４の上部開口部を上部チャンバが閉塞した状態で、排気ポンプが駆動することによって処理空間内が所定の真空度に減圧されるように構成されている。
【００４４】
なお、搬送アーム２２は、第１のノズル７１の移動手段と同様に上記ガイドレール７３と平行に配設されたリニアモータ７６Ａの可動部７６ａに連結されて、レジスト処理装置２０と減圧乾燥処理装置２１間を移動し得るように構成されている。
【００４５】
次に、レジスト処理装置２１における処理手順について、図７に示すフローチャート及び図８を参照して説明する。まず、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２の搬出部から搬送アーム（図示せず）によって搬送される基板Ｇをスピンチャック５０の上方に搬入すると、スピンチャック５０が上昇して基板Ｇを受け取る（ステップ７−１）。スピンチャック５０が上昇して基板Ｇを受け取った後、上記搬送アームは後退する。
【００４６】
次に、この状態で、リニアモータ７６が駆動して、第１のノズル７１を水平方向に移動させると共に、開閉弁Ｖが開放して第１のノズル７１のノズル孔から基板Ｇの表面上の一端から他端に渡って所定間隔をおいた複数の位置にレジスト液Ｒを連続して供給（吐出）する（ステップ７−２：第１の処理液供給工程）。つまり、第１の処理液供給工程では、複数の平行な直線状にレジスト液Ｒが供給されることになる。この際、レジスト液の供給に先立って、門形フレーム７４に装着された溶剤ノズル（図示せず）から溶剤例えばシンナーを供給することにより、基板Ｇの表面へのレジスト液のぬれ性が良好となる。
【００４７】
開放弁Ｖ１が閉じて第１の処理液供給工程を終えた後、第２のノズル７２の駆動手段７７が駆動してノズルアーム７５を駆動し、第２のノズル７２が基板Ｇの中心部に移動されると、開閉弁Ｖ２が開放して、主管路８０中に残留する余剰のレジスト液Ｒが基板Ｇの中心部に供給（滴下）される（ステップ７−３：第２の処理液供給工程）。この際、更に余剰のレジスト液がある場合は、開閉弁Ｖ２を閉じた後、開閉弁Ｖ３を開放して余剰のレジスト液をレジストタンク７０に戻す。
【００４８】
次に、蓋体昇降機構６７が駆動して蓋体６１が下降して回転カップ６０の上部開口部を閉塞する（ステップ７−４）。これにより、基板Ｇは密封状態におかれる。この状態で、駆動モータ５８が駆動してスピンチャック５０によって保持された基板Ｇが高速回転すると共に、回転カップ６０が高速回転して、基板Ｇの表面に供給（吐出・滴下）されたレジスト液Ｒの液膜を平坦化する（ステップ７−５：塗布膜平坦化工程）。その後、蓋体６１が開放され、スピンチャック５０が上昇した状態でスピンチャック５０の下方に搬送アーム２２が移動して、スピンチャック５０から基板Ｇを受け取って搬出する（ステップ７−６）。
【００４９】
この発明によれば、第２の処理液供給工程を追加したので、第１の処理液供給工程のレジスト液の液量を増やすことなく、遠心力が働きにくい基板Ｇの中心部にすじ状のむらが発生するのを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】この発明に係る塗布処理装置を適用したレジスト塗布・現像処理システムを示す概略平面図である。
【図２】上記レジスト塗布・現像処理システムにおけるレジスト処理ユニットを示す概略平面図である。
【図３】この発明に係る塗布処理装置を適用したレジスト塗布処理装置を示す概略斜視図である。
【図４】上記レジスト塗布処理装置を示す概略断面図である。
【図５】この発明における第１のノズルと第２のノズルを有する配管の概略構成図である。
【図６】この発明における第１のノズルから供給されるレジスト液の時間と圧力の関係を示すグラフである。
【図７】この発明に係る塗布処理装置の動作手順を示すフローチャートである。
【図８】この発明における第１の処理液供給工程、第２の処理液供給工程及び塗布膜平坦化工程を示す概略平面図及び要部断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
Ｇ  基板
５０  スピンチャック（基板保持手段）
６０  回転カップ（収容容器）
６１  蓋体
６７  蓋体昇降機構
７０  レジストタンク（処理液供給源）
７１  第１のノズル（第１の処理液供給手段）
７２  第２のノズル（第１の処理液供給手段）
７６  リニアモータ（移動手段）
７７  駆動手段
８０  主管路
８１  ダイアフラムポンプ
８３  分岐管路
８４  戻り管路
９０  ＣＰＵ（制御手段）
Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３  開閉弁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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