(57)【要約】【課題】  本発明は、半導体製造装置内において、パーティクルの発生を抑制することが可能な、均熱治具を支持するための石英治具、及びそれを備える半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】  上記課題を解決するため、本発明の石英治具は、半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置の内部に備えられ、エピタキシャル成長時に、半導体ウェーハを載置するサセプターの温度を均一に保ち、該サセプターの上面と略同一平面上に上面が位置する均熱治具を支持するための石英治具であって、少なくとも当該均熱治具と接触する部分が透明石英にて構成されてなることを特徴とする。【選択図】        図１
2006066432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置の内部に備えられ、エピタキシャル成長時に、半導体ウェーハを載置するサセプターの温度を均一に保ち、該サセプターの上面と略同一平面上に上面が位置する均熱治具を支持するための石英治具であって、
少なくとも当該均熱治具と接触する部分が透明石英にて構成されてなることを特徴とする石英治具。
【請求項２】
不透明石英にて構成される核部と、透明石英にて構成され、且つ当該核部をその表面が露出しないように被覆する表層部と、を有することを特徴とする請求項１に記載の石英治具。
【請求項３】
前記半導体製造装置の内部に搬入出される半導体ウェーハの搬送経路上に当たる部分が切り欠かれた形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の石英治具。
【請求項４】
前記半導体製造装置の内部に成長ガスを導入するためのガス供給口の近傍に当たる部分が切り欠かれた形状であることを特徴とする請求項１または２に記載の石英治具。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれか１項に記載の石英治具を備えてなることを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置の内部に備えられ、エピタキシャル成長時に、半導体ウェーハを載置するサセプターの温度を均一に保ち、該サセプターの上面と略同一平面上に上面が位置する均熱治具を支持するための石英治具、及びそれを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンエピタキシャルウェーハや半導体デバイスを製造する半導体製造装置としては、例えば、石英チャンバー内に収められたシリコン単結晶ウェーハをチャンバー外部のランプやヒーターから放射された輻射熱によって加熱するとともに、チャンバー内にトリクロロシラン等のシリコンソースガスやドーパントガスを含んだ水素ガスを主成分とする原料ガスを流すことによってウェーハ表面に所望のエピタキシャル層を成長させるＣＶＤ装置が従来より用いられている。
【０００３】
半導体製造装置（ＣＶＤ装置１１）を用いてシリコン単結晶ウェーハの主表面に薄膜を成長させる手順を、図１を参照して説明する。まず、炭化珪素等からなるサセプター１が載置されたサセプター支持治具１０を下降させる。このとき、ＣＶＤ装置１１はウェーハの投入温度、すなわち６５０℃に設定されている。シリコン単結晶ウェーハ２は、図示しない搬送装置により紙面に垂直な方向からＣＶＤ装置１１内に搬入され、サセプター１の上面に形成された座繰り部内に載置される。図示しない搬入出口が密閉された後、サセプター１の上面が該サセプター１の周囲を囲繞する均熱治具３の上面と略同一平面上に位置するまでサセプター支持治具１０は上昇する。
【０００４】
サセプター１が当該位置まで上昇したら、石英チャンバー６の外部に配置されている加熱装置９により、石英チャンバー６の内部は数百℃〜１２００℃程度、例えば１１００℃〜１１８０℃まで加熱される。加熱装置９から放出される輻射光には波長が約２〜３μｍの赤外光が含まれているが、この波長の光は石英チャンバー６の上下面を構成する透明石英製のチャンバー天板６ａ、チャンバー底板６ｂには吸収されず透過するので、該チャンバー６を加熱することなくシリコン単結晶ウェーハ２やサセプター１に到達し、それらに吸収されることによってウェーハやサセプターは加熱される。なお、加熱装置９としては、例えば、ハロゲンランプやヒーター、赤外線ランプ等が使用される。また、ＣＶＤ装置１１内はこのとき水素ガス雰囲気であり、この水素ガスによりシリコン単結晶ウェーハの主表面に存在する自然酸化膜がエッチングされ除去される。
【０００５】
このＣＶＤ装置１１では、サセプター１を囲繞する均熱治具３が配置されている。均熱治具３の材質は、炭化珪素、または炭素、または炭素基材に炭化珪素をコーティングした材料のいずれかからなり、サセプター１と略同じ材質である。そのため、加熱装置９からの輻射光によってサセプター１と同程度の温度にまで加熱される。このような均熱治具３がない場合、加熱されたサセプター１の外周部から放熱が起こり、サセプター１の外周部に温度低下が生じてサセプター１内部の温度差が大きくなるが、サセプター１と略同じ温度にまで加熱される均熱治具３がサセプター１を囲繞することにより、サセプター１の外周部からの放熱が抑制され、サセプター１内部の温度差が小さくなり、ウェーハ２全体を均一な温度に保つことが容易となる。
【０００６】
この均熱治具３は石英治具４により支持される。このとき均熱治具３の熱が石英治具４に伝導して放散することを防ぐため、材質としては不透明石英が用いられる。石英治具４の材質が不透明石英であれば、熱伝導度が低く、放熱の際均熱治具３から放出される赤外線を反射するため、均熱治具３からの放熱を好適に防ぐことができる。
【０００７】
上記のようなサセプター１、均熱治具３を用いてサセプター１上のシリコン単結晶ウェーハ２を加熱し、ＣＶＤ装置内の温度が成長温度（例えば１０６０℃〜１１５０℃程度）になったら、成長ガス供給口７から上述したような原料ガスを石英チャンバー６内に供給する。そして、原料ガス中のシリコンソースガスやドーパントガスは熱により分解し、ガス中のシリコン原子や、ボロンやリン等の不純物原子がシリコン単結晶ウェーハ２の主表面のシリコンと結合してシリコンエピタキシャル層が成長する。
【０００８】
シリコンエピタキシャル層の成長が終了したら、加熱装置９による加熱を停止し、ＣＶＤ装置内を取り出し温度（例えば投入温度と同じ６５０℃程度）まで降温する。そして、サセプター１はシリコンエピタキシャルウェーハ２とともにサセプター支持治具１０により下降される。その後、シリコンエピタキシャルウェーハ２は、図示しない搬送装置によりサセプター２上からＣＶＤ装置１１外へ搬出される。以上のような各工程を繰り返すことにより、複数のシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
【０００９】
【特許文献１】特開平７−８６１７８号公報
【特許文献２】特開平８−１０２４４７号公報
【特許文献３】特開平１０−２５６１６１号公報
【特許文献４】特開２００１−１０２３１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上記のようなエピタキシャル成長の際には、ＣＶＤ装置１１の内部に設置されている治具等の表面にシリコン副生成物が成長する。成長したシリコン副生成物は、加熱・冷却等による治具の膨張・収縮によって治具表面から剥離してパーティクルとなる。このパーティクルがウェーハの主表面に付着すると、エピタキシャル層の結晶欠陥を誘起する。この結晶欠陥は半導体素子の良品収率低下及び電気特性に影響を及ぼすことが判明しているため、可能な限り結晶欠陥を少なくすることが求められている。
【００１１】
また、石英チャンバー６の内壁にシリコン副生成物が成長した場合には、石英チャンバー６の熱伝導度を変化させてしまい、目的の処理条件が得られなくなる可能性が出てくるため、シリコン副生成物は定期的に除去する必要がある。このため、上記のようなシリコンエピタキシャルウェーハの製造工程を１回以上（例えば５回）行ったら、石英チャンバー６の内部に、ガス供給口７から定期的に塩酸ガス等のエッチングガスを導入し、シリコン副生成物を除去する方法が行われている。このとき、エッチングガスはシリコン副生成物だけでなく、石英チャンバー６内の各部材、例えば、均熱治具３や石英治具４、チャンバー天板６ａ、チャンバー側壁６ｃ等もエッチングしてしまうため、長期間の使用によりこれらの各部材は劣化していく。特に、石英治具４やチャンバー側壁６ｃ等の不透明石英製の部材は、内部に有する微細な気泡のため、密度が小さく、エッチングによる劣化が進行しやすい。そして、劣化により気泡が露出すると、気泡間の石英がエッチングにより大量に脱離してパーティクル汚染の原因となってしまう。なお、所定の期間あるいは所定の枚数のシリコンエピタキシャルウェーハを製造した後に石英チャンバー６、及びその内部の治具を解体し、酸性溶液（例えばフッ酸と硝酸の混合水溶液等）で洗浄を行い、シリコン副生成物の除去を行うこともあるが、この場合も同様の問題が生じる。
【００１２】
特許文献１によれば、ＣＶＤ装置内の治具の一つである原料供給ノズルに付着するシリコン副生成物の成長を防止するために、原料ガス供給ノズルのノズル基部を不透明石英で、ノズル先端部を透明石英で構成することを提案している。しかし、この構成では、不透明石英からなるノズル基部がエッチングガスに曝露されるため、シリコン副生成物のエッチングはできてもノズル基部の劣化を防止することはできないという問題がある。
【００１３】
特許文献２によれば、ＣＶＤ装置等で用いられる石英治具として、ウェーハとの接触部にサンドブラスト処理を施した透明石英を用いることにより、副生成物の剥離によるパーティクルの発生を防止するという方法が提案されている。しかしながら、サンドブラスト処理では石英粉末を石英治具に吹き付けるため、この石英粉末が石英治具に付着する可能性がある。このように付着した石英粉末はＣＶＤ装置内部における加熱・冷却による石英治具の膨張・収縮のため、石英治具から剥離し、新たなパーティクル汚染の原因になるおそれがある。
【００１４】
特許文献３によれば、ＣＶＤ装置の石英製治具の表面を熱処理することにより該表面の改質を行い、表面劣化を防止する方法が提案されている。しかし、このような表面改質法では、治具の極表層が透明化されるにすぎないため、水素ガスやエッチングガスにより表面が侵食された場合、改質されていない不透明石英部分がむき出しになり、劣化が促進するという問題がある。また、表面に成長した副生成物が剥離するときに治具の極表層の石英を共に剥離させてしまい、劣化を早めるという問題もある。
【００１５】
特許文献４では、バッチ式熱処理装置における保温体に、表面に気泡がない平滑な石英板を用いることにより、保温体表面への不純物の付着を防止している。しかしながら、この石英板は２枚の薄い石英板の一方の面に金属膜を形成し、該２枚の石英板の金属膜が形成された面同士を接触させ、バーナー等で熔着することにより製造する必要があり、非常に煩瑣な工程を経なければならない上、金属膜を形成する蒸着機のような装置を準備する必要がある。
【００１６】
本発明は、上記の問題点に鑑みて為されたものであり、半導体製造装置内において、パーティクルの発生を抑制することが可能な、均熱治具を支持するための石英治具、及びそれを備える半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段・発明の効果】
【００１７】
本発明者らが鋭意調査を重ねた結果、半導体製造装置内において発生するパーティクルは、石英治具の表面に成長したシリコン副生成物が剥離したものと、石英治具の劣化によって石英自体が脱離したものであることを見出した。すなわち、半導体製造装置によるエピタキシャル成長過程で、装置内の治具表面にシリコン副生成物が成長し、かかるシリコン副生成物が加熱・降温による治具の膨張・収縮によって剥離してパーティクルとなる場合と、かかるシリコン副生成物とともに、内部に微小かつ高密度の気泡を有する不透明石英製の治具から微細な石英が脱離してパーティクルとなる場合とがある。また、シリコン副生成物を除去するためにエッチングガスを半導体製造装置内に導入する操作を繰り返すと、内部に微小かつ高密度の気泡を有する不透明石英製の治具は急速な劣化を起こしやすく、石英の脱離がさらに増長されることとなる。
【００１８】
そこで、半導体製造装置内の石英治具のうち、均熱治具と接するために高温になりやすく、シリコン副生成物が最も成長しやすい石英治具に着目し、次の発明をするに到った。
すなわち、本発明の石英治具は、半導体ウェーハの主表面上にエピタキシャル層を成長させる半導体製造装置の内部に備えられ、エピタキシャル成長時に、半導体ウェーハを載置するサセプターの温度を均一に保ち、該サセプターの上面と略同一平面上に上面が位置する均熱治具を支持するための石英治具であって、少なくとも当該均熱治具と接触する部分が透明石英にて構成されてなることを特徴とする。
【００１９】
かかる石英治具では、シリコン副生成物が最も成長しやすい部分である均熱治具との接触部分が透明石英とされている。透明石英は、不透明石英と比較して緻密で、内部に気泡がほとんど存在しないことから、シリコン副生成物と共に治具表面の石英が剥離する可能性や、シリコン副生成物を除去するためのエッチングガスに曝露されて気泡間の微小な石英がパーティクルとなって発塵する可能性を大幅に抑制できる。
【００２０】
次に、本発明の石英治具は、不透明石英にて構成される核部と、透明石英にて構成され、且つ当該核部をその表面が露出しないように被覆する表層部と、を有することが好ましい。このような構成にすることで、透明石英（表層部）によって石英治具の全ての表面にわたって上記の効果が得られることに加えて、均熱治具から赤外線等による放熱があっても、透明石英（表層部）の下層にある不透明石英（核部）が赤外線等を反射するので、均熱治具の温度を所望の温度に保持しやすくなる。
【００２１】
次に、本発明の石英治具は、上記半導体製造装置の内部に搬入出される半導体ウェーハの搬送経路上に当たる部分が切り欠かれた形状とすることができる。このように構成することで、ウェーハの搬入・搬出時において、ウェーハが通過する搬送経路の上部に石英治具が存在しないため、たとえ石英治具表面に成長したシリコン副生成物が剥離しても、パーティクルとなってウェーハの主表面に付着することを抑制することができる。
【００２２】
また、上記半導体製造装置の内部に成長ガスを導入するためのガス供給口の近傍に当たる部分が切り欠かれた形状とすることもできる。このように，エピタキシャル成長時にシリコン副生成物が成長しやすい部分であるガス供給口の近傍に石英治具が存在しないようにすれば、シリコン副生成物が石英治具の表面に成長するのを効果的に抑制することができる。
【００２３】
以上の石英治具を備える半導体製造装置によれば、上記の通り、均熱治具を支持する石英治具の表面に透明石英を用いているため、シリコン副生成物が剥離する際、治具表面の石英が一緒に脱離することを抑制できる。また、エッチングガスに石英治具が曝露されてエッチングされても微小な石英が脱離し、パーティクルとなってウェーハを汚染することを抑制できる。さらには、石英治具を上記のような切り欠いた形状とすることで、たとえシリコン副生成物が石英治具から剥離しても、ウェーハ表面に付着してウェーハを汚染することを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
図１に示すように、半導体製造装置１１の内部には、サセプター１、均熱治具３、石英治具４、石英チャンバー６、ガス供給口７、ガス排出口８、サセプター支持治具１０等の部品や治具が組み込まれている。このような半導体製造装置１１の内部にシリコン単結晶ウェーハ２を搬入し、該ウェーハ２の主表面にシリコンエピタキシャル層を成長させる場合、半導体製造装置１１の内部を所望の温度に昇温し、ガス供給口から成長ガスを導入する。これにより、シリコン単結晶ウェーハ２の主表面上にシリコンエピタキシャル層が成長するが、その際、サセプタ−１、均熱治具３、石英治具４、石英チャンバー６、ガス供給口７、ガス排出口８、サセプター支持治具１０の表面にも薄い多結晶シリコン層が成長し、シリコン副生成物となる。
【００２５】
このとき、サセプタ−１と均熱治具３はその表面が炭化珪素であるため、シリコン副生成物と熱膨張係数が近く、シリコン副生成物がサセプタ−１や均熱治具３の表面から剥離する可能性は石英製の治具と比べてかなり低い。そのため、定期的にガス供給口７から導入される塩酸ガスによるエッチングで該表面からシリコン副生成物を除去することにより、シリコン副生成物の剥離を十分抑制することができる。
【００２６】
また、均熱治具３の上面とサセプター１の上面は図６に示すように、略同一平面上に存在し、その間の隙間も小さいため、成長ガスは均熱治具３やサセプター１のごく近傍を除き、均熱治具３やサセプター１より下方へはほとんど流れない。したがって、サセプター支持治具１０の表面にも非常に薄いシリコン副生成物が成長するだけなので、塩酸ガスによって定期的にシリコン副生成物を除去することにより、該副生成物の剥離を十分抑制することができる。
【００２７】
石英チャンバー６、ガス供給口７、ガス排出口８は石英製であり、熱伝導度が低い。そして、ウェーハと同程度の高温にまで加熱されるサセプタ−１や均熱治具３から離れているので、これらの治具は温度がそれほど高くならず、非常に薄いシリコン副生成物が成長するのみであるので、塩酸ガスによって定期的にシリコン副生成物を除去することにより、該副生成物の剥離を十分抑制することができる。したがって、石英チャンバー側壁６ｃやガス供給口７、ガス排出口８が不透明石英であっても成長するシリコン副生成物が薄いため、該副生成物と一緒に剥離する微小石英が少ない。さらに、塩酸ガスのエッチングの際には、エッチングを効率良く進めるため、やはり所望の温度に半導体製造装置１１内部を昇温するが、前述したようにこれらの治具は温度がそれほど高くならないため、塩酸ガスによる石英のエッチングもごくわずかしか進行せず、微小石英が脱離してパーティクルとなる可能性は低いものとなる。
【００２８】
一方、石英治具４は、高温に加熱される均熱治具３を支持しているため、均熱治具３と同程度の温度にまで加熱される。また、前述したように、成長ガスがサセプター１や均熱治具３の裏面側へ大量に回り込むことは少ないが、これらサセプター１や均熱治具３の裏面のごく近傍には成長ガスが回り込んでいる。そのため、石英治具４の側面や下面にはシリコン副生成物の成長が促進される。特に、均熱治具３と石英治具４の間の隙間はガスの流れが極めて遅いため、成長ガスが滞留しやすくシリコン副生成物の成長がさらに促進される。
【００２９】
石英治具４に成長するシリコン副生成物も塩酸ガス等により除去されるが、上述した理由によりの他の部品や治具に比べてシリコン副生成物の成長が速く、かつ、均熱治具３の裏面側に位置しているため、エッチングガスが流れにくい。特に、均熱治具３と石英治具４の間の隙間は流れにくい。そのため、シリコン副生成物が石英治具４の表面に残留しやすく、エピタキシャル成長過程における昇温・降温による石英治具４の膨張・収縮によりシリコン副生成物が剥離し、石英チャンバー６内における有力なパーティクル発生源となるおそれがある。また、シリコン副生成物が剥離する際には、石英治具４の表面の石英が該副生成物と結合していっしょに剥離することがあり、それにより石英治具４の劣化が進行する可能性がある。
【００３０】
上記不具合を抑制するため、塩酸ガス等のエッチングガスを大量に流し、石英治具４の表面に成長したシリコン副生成物を十分に除去することはできる。しかしながら、大量のエッチングガスは、石英治具４以外の石英治具、たとえば、石英チャンバー６やガス供給口７、ガス排出口８の劣化を促進してしまうため、半導体製造装置１１の部品や治具の交換頻度が高くなり、結果として装置の稼動効率を悪くする可能性がある。
【００３１】
さらに、石英治具４の表面が不透明石英である場合、エッチングガスを十分に流してシリコン副生成物を除去する際、石英治具４の表面のエッチングも進行して該治具４が劣化し、不透明石英の気泡間に存在する微小石英が露出して脱離して、パーティクルとなる可能性がある。
【００３２】
そこで、本発明では、図２に示すように、均熱治具３と接する石英治具４の上面の材質を透明石英とする。石英治具４の上面は均熱治具３と接するため、最も高温になりやすい。また、サセプター１と均熱治具３の間の隙間に近いため、成長ガスの濃度がより高く、しかも石英治具４の上面と均熱治具４の下面の隙間は成長ガスが非常に滞留しやすい。そのため、石英治具４の上面にはシリコン副生成物が最も成長しやすい。そこで、石英治具４の上面を透明石英とすれば、透明石英には気泡が存在せず、石英分子が緻密に配列されているので、シリコン副生成物の剥離が生じても石英治具４の上面の一部が一緒に脱離してしまうことを好適に防ぐことができる。また、塩酸等によるエッチングが行われても透明石英には気泡がほとんど存在しないため、不透明石英の気泡間に存在するような微小石英の脱離を好適に防ぐことができる。
【００３３】
また、図３に示すように、石英治具４は、上面だけでなく側面及び下面（すなわち、全ての表面）も透明石英とすることがより好ましい。すなわち、石英治具４を、不透明石英にて構成される核部と、透明石英にて構成される表層部と、を有するように構成することができる。石英治具４の表面のうち、もっともシリコン副生成物が成長しやすいのは、前述のとおり石英治具４の上面であるが、該治具４の側面も下面も他の治具や部品と比べて高温になりやすいので、シリコン副生成物の成長も促進される。したがって、これらの表面も透明石英とすれば、シリコン副生成物の剥離が生じても石英治具４の一部が一緒に剥離してしまうことを好適に防ぐことができる。また、塩酸等によるエッチングが行われても透明石英には気泡がほとんど存在しないため、不透明石英の気泡間に存在するような微小石英の脱離を好適に防ぐことができる。なお、不透明石英と透明石英の積層は、両者を重ね合せバーナーで熔着する等の公知の技術を用いればよい。
【００３４】
さらに、石英治具４は、従来のようなリング形状（図７参照）とすることもできるが、図４に示すように、石英治具４の一部を切り欠いた形状にして、ウェーハの搬送経路上に石英治具４が存在しないようにすることが好ましい。石英治具４をこのような形状にすることで、たとえ石英治具４からシリコン副生成物の剥離が発生しても、搬送中のウェーハの主表面にシリコン副生成物がパーティクルとして落下、付着することを抑制することができる。
【００３５】
このとき、搬送経路上だけでなく、シリコン副生成物が成長しやすい部分も切り欠いた石英治具４を用いてもよい。例えば、ガス供給口７の近傍は成長ガスの濃度が高く、該成長ガスが均熱治具３の裏面に回りこんで石英治具４の表面にシリコン副生成物が成長しやすい。したがって、ガス供給口７の周囲に位置する石英治具４の一部を切り欠いてもよい。あるいは、図５のような石英治具４にしてもよい。なお、上述してきた石英治具４は石英チャンバー側壁６Ｃに固定されている。
【００３６】
上記のような石英治具４を用いたＣＶＤ装置１１でサセプター１上に載置されたシリコン単結晶ウェーハ２の主表面にシリコンエピタキシャル成長を行えば、シリコンエピタキシャル層の表面上にパーティクルの付着が少ないシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。このときのシリコンエピタキシャル成長の条件は、上述したような公知の製造条件によればよい。
【００３７】
以上、本発明を枚葉式ＣＶＤ装置に適用した場合について説明したが、本発明は枚葉式のＣＶＤ装置に限らず、バッチ式のＣＶＤ装置等に対しても適用可能である。また、ＣＶＤ装置内のガスによるエッチングとして塩酸ガスを例に挙げたが、その他の還元性ガスにおいても同様の効果を奏することは言うまでもない。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
導電型ｐ型、直径２００ｍｍ、結晶方位＜１００＞のシリコン単結晶ウェーハを準備し、図１に示すような枚葉型ＣＶＤ装置に該ウェーハを投入した。このＣＶＤ装置の石英治具として、均熱治具と接する不透明石英の表面に厚さ１ｍｍの透明石英を溶着したリング状の治具（図２参照）を使用した。ＣＶＤ装置に投入されたシリコン単結晶ウェーハは１０５０℃に昇温され、原料ガスである水素希釈のトリクロロシランを石英チャンバー内に導入し、６μｍのシリコンエピタキシャル層をウェーハの主表面に成長させた。この処理を１０回繰り返した後、ＣＶＤ装置内のドライエッチングとして、塩酸ガスによるクリーニングを行った。以上の、シリコンウェーハ１０枚の処理とドライエッチング１回を連続して行った。
【００３９】
（実施例２）
実施例１で使用したものと同様のシリコン単結晶ウェーハを準備し、同じ条件で該ウェーハの主表面に対してシリコンエピタキシャル層を６μｍ成長させた。このとき、ＣＶＤ装置の石英治具として、不透明石英の全ての表面に厚さ１ｍｍの透明石英を溶着したリング状の治具（図３参照）を使用した。
【００４０】
（実施例３）
実施例１で使用したものと同様のシリコン単結晶ウェーハを準備し、同じ条件で該ウェーハの主表面に対してシリコンエピタキシャル層を６μｍ成長させた。このとき、ＣＶＤ装置の石英治具として、均熱治具と接する不透明石英の表面に厚さ１ｍｍの透明石英を溶着し、ウェーハの搬送経路上の石英治具部分を切り欠いた治具（図４参照）を使用した。
【００４１】
（実施例４）
実施例１で使用したものと同様のシリコン単結晶ウェーハを準備し、同じ条件で該ウェーハの主表面に対してシリコンエピタキシャル層を６μｍ成長させた。このとき、ＣＶＤ装置の石英治具として、均熱治具と接する不透明石英の表面に厚さ１ｍｍの透明石英を溶着し、図５に示したような形状の治具を使用した。
【００４２】
（比較例）
実施例１で使用したものと同様のシリコン単結晶ウェーハを準備し、同じ条件で該ウェーハの主表面に対してシリコンエピタキシャル層を６μｍ成長させた。このとき、ＣＶＤ装置の石英治具として、不透明石英が全面で露出した従来の治具（図６参照）を使用した。
【００４３】
以上の実施例に基づき、各実施例及び比較例において、合計３０００枚の処理を行った。この後、同様のシリコンウェーハを使用し、同様の連続処理を１００枚行ったときの、該１００枚のウェーハについて、パーティクルカウンター（ケーエルエー  テンコール社製ＳＰ−１）でシリコンエピタキシャルウェーハの主表面上のパーティクルをカウントし、パーティクルのカウント数について、０.１２μmのサイズにおける１００枚の平均値を算出した。結果として、従来の石英治具を用いた比較例におけるパーティクルカウント数の平均値を１として比較したグラフを図８に示す。本発明の石英治具を用いれば、パーティクル数は約１／５に減少していることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の半導体成長装置の概略断面図である。
【図２】本発明の石英治具の構造を示す概略断面図である。
【図３】本発明の石英治具の別の１例の構造を示す概略断面図である。
【図４】本発明の石英治具の別の１例の概略正面図である。
【図５】本発明の石英治具の別の１例の概略正面図である。
【図６】従来の石英治具の構造を示す概略断面図である。
【図７】サセプター、ウェーハ、均熱治具、石英治具の配置を示す概略正面図である。
【図８】実施例１〜４と従来例のパーティクル数を比較したグラフである。
【符号の説明】
【００４５】
１    サセプター
２    ウェーハ
３    均熱治具
４    石英治具
５    透明石英
６    石英チャンバー（６ａ，６ｂ，６ｃの総称）
６ａ  石英チャンバー天板
６ｂ  石英チャンバー底板
６ｃ  石英チャンバー側壁
７    ガス供給口
８    ガス排出口
９    加熱装置
１０  サセプター支持治具
１１  ＣＶＤ装置
１２  不透明石英
【図１】
2006066432.tif 000003
【図２】
2006066432.tif 000004
【図３】
2006066432.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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