(57)【要約】【課題】  バンプ電極の形成におけるバンプ高さのばらつきを低減する。【解決手段】  複数の細長い長方形の開口部２ｃがその配列方向を斜めに横切る同一の方向に長く延在して形成されている印刷用マスク２を準備し、この印刷用マスク２の複数の開口部２ｃそれぞれの延在方向と、スキージの進行方向Ｓとの成す角度が複数の開口部２ｃ全てに対して同一となるようにスキージを進行させて複数の開口部２ｃに半田ペーストを埋め込むことにより、複数の開口部２ｃに埋め込まれる前記半田ペーストの量を均一にすることができ、その結果、半導体基板の複数の電極上に形成される半田バンプの大きさのばらつきを低減できる。【選択図】  図４
2006140364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の複数の電極それぞれに対応して複数の細長い開口部が形成された印刷用マスクであって、前記複数の開口部それぞれは、前記複数の開口部の配列方向に対してこの配列方向を斜めに横切る方向に長く延在して形成されていることを特徴とする印刷用マスク。
【請求項２】
複数の素子形成領域を有する半導体基板上の各素子形成領域における複数の電極それぞれに対応して複数の細長い開口部が形成された印刷用マスクであって、前記素子形成領域における前記複数の開口部は、前記素子形成領域の各辺に沿った配列で形成されており、さらに前記複数の開口部それぞれは、前記複数の開口部の配列方向に対してこの配列方向を斜めに横切る同一の方向に長く延在して形成されていることを特徴とする印刷用マスク。
【請求項３】
（ａ）複数の細長い開口部が形成されており、かつ前記複数の細長い開口部それぞれは、前記複数の開口部の配列方向に対してこの配列方向を横切る方向に長く延在して形成された印刷用マスクを準備する工程と、
（ｂ）半導体基板上の複数の電極と前記複数の開口部それぞれとが対応するように前記半導体基板上に前記印刷用マスクを配置する工程と、
（ｃ）前記印刷用マスク上に半田ペーストを塗布した後、前記複数の開口部それぞれの延在方向と、前記半田ペーストを塗るスキージの進行方向との成す角度が前記複数の開口部全てに対して同一となるように前記スキージを進行させて、前記スキージによって前記複数の開口部に前記半田ペーストを埋め込む工程と、
（ｄ）前記半導体基板上から前記印刷用マスクを取り外して、前記印刷用マスクの開口部内の前記半田ペーストを前記半導体基板上のそれぞれの電極上に配置する工程と、
（ｅ）前記半導体基板上の複数の電極上に配置された前記半田ペーストを加熱溶融して前記電極上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項４】
（ａ）複数の細長い開口部が形成されており、かつ前記複数の細長い開口部は、半導体基板上の複数の素子形成領域それぞれの各辺に沿った配列で形成されており、さらに前記複数の開口部それぞれは、前記複数の開口部の配列方向に対してこの配列方向を斜めに横切る同一の方向に長く延在して形成された印刷用マスクを準備する工程と、
（ｂ）半導体基板上の複数の電極と前記複数の開口部それぞれとが対応するように前記半導体基板上に前記印刷用マスクを配置する工程と、
（ｃ）前記印刷用マスク上に半田ペーストを塗布した後、前記複数の開口部それぞれの延在方向と、前記半田ペーストを塗るスキージの進行方向との成す角度が前記複数の開口部全てに対して同一となるように前記スキージを進行させて、前記スキージによって前記複数の開口部に前記半田ペーストを埋め込む工程と、
（ｄ）前記半導体基板上から前記印刷用マスクを取り外して、前記印刷用マスクの開口部内の前記半田ペーストを前記半導体基板上のそれぞれの電極上に配置する工程と、
（ｅ）前記半導体基板上の複数の電極上に配置された前記半田ペーストを加熱溶融して前記電極上に半田バンプを形成する工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
【請求項５】
（ａ）複数の細長い開口部が形成されており、かつ前記複数の細長い開口部それぞれは、前記複数の開口部の配列方向に対してこの配列方向を横切る方向に長く延在して形成された印刷用マスクを準備する工程と、
（ｂ）半導体基板上の複数の電極と前記複数の開口部それぞれとが対応するように前記半導体基板上に前記印刷用マスクを配置する工程と、
（ｃ）前記印刷用マスク上に半田ペーストを塗布した後、前記複数の開口部それぞれの延在方向と、前記半田ペーストを塗るスキージの進行方向との成す角度が前記複数の開口部全てに対して同一となるように前記スキージを進行させて、前記スキージによって前記複数の開口部に前記半田ペーストを埋め込む工程と、
（ｄ）前記半導体基板上から前記印刷用マスクを取り外して、前記印刷用マスクの開口部内の前記半田ペーストを前記半導体基板上のそれぞれの電極上に配置する工程と、
（ｅ）前記半導体基板上の複数の電極上に配置された前記半田ペーストを加熱溶融して前記電極上に半田バンプを形成する工程とを有し、
前記印刷用マスクの前記複数の開口部は、２００μｍピッチ以下、好ましくは１５０μｍピッチ以下で形成されていることを特徴とする半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、半田印刷における狭ピッチ化に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半田バンプ形成方法では、基板を、電極に対応したパターン孔が設けられたマスクプレートに対して位置合わせし、マスクプレートを基板に装着する。さらに、マスクプレート上にクリーム半田を塗布した後、マスクプレート上でスキージを摺動させることにより、パターン孔内にクリーム半田が印刷される。そして、マスクプレートと基板を分離することにより、パターン孔内のクリーム半田はパターン孔から抜け、電極上に供給される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２７４７０６号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
半導体基板（半導体ウエハ）の最上層の電極上に半田バンプを形成する方法の１つとして半田ペースト印刷方法が知られている。
【０００４】
前記半田ペースト印刷方法の手順について説明すると、まず、半導体基板上をステンレスなどのハードマスク（以降、単にマスクともいう）で覆い、バンプ形成したい電極上にのみ、円形や正方形のマスク開口（開口部）を配置する。その後、半田粒とフラックスが混合されて形成された半田ペーストをマスク上に塗布し、金属製または樹脂製のスキージで印刷する。その後、マスクを取り去ると電極上に半田ペーストが配置される。この状態で半導体基板を加熱すると半田粒が溶融し、電極上に半田バンプが形成される。
【０００５】
その後の実装基板への接続工程における組立容易性、組立歩留りおよび実装後の信頼性を確保するためには、半田バンプのある程度の高さを確保しつつ、高さばらつきの少ない均一な半田バンプを形成することが要求される。バンプ高さを高くするためには、マスクの開口部の寸法を大きくするかマスクの厚みを厚くして、半田ペーストを収容する開口部の容積を大きくすればよいが、マスクの開口部の寸法を大きくすると隣り合う電極との短絡が発生してバンプ不良に至る。また、マスクの厚みを厚くすると、マスクの開口部の内壁に半田ペーストが付着して開口部に半田ペーストが残留し、その結果、基板の電極上に配置される半田ペーストの量が不均一になり、半田バンプによるバンプ不良や高さばらつきを引き起こす原因となり得る。
【０００６】
近年、電極の狭ピッチ化が加速しており、円形や正方形などの等方的な開口形状では、所望のバンプ高さを得るための開口容積を確保できなくなってきている。
【０００７】
そこで、電極の形成されていない方向に開口形状を広げ、楕円形や長方形などの異方的な開口形状にすることにより、ペースト収容容積を確保し、所望の高さの半田バンプを形成している。その結果、マスクの開口形状は、電極列を略直角に横切る方向に対して延在するような形状になっている。
【０００８】
ところが、半導体基板上の各素子形成領域における複数の電極の配列が、四角形の素子形成領域の各辺に沿っている場合（このような電極の配列を、以降、外周パッド配列ともいう）、複数の電極の配列は縦と横の配列となる。この状態でスキージを進行させて半田ペーストを塗ると、電極の縦列と横列とで、スキージの進行方向に対するマスクの開口形状が異なった状態となる。すなわち、縦列と横列とでスキージの進行方向に対して何れか一方の開口形状が縦長となり、何れか他方の開口形状が横長となる。スキージの進行によって半田ペーストをマスクの開口部に埋め込む際、スキージの進行方向に対する開口部の手前側の隅には半田ペーストが埋まりにくく、前記隅に空間部が形成される。この現象は、スキージの進行方向に対して縦長の開口部であっても、横長の開口部であっても何れの場合でも発生するが、ただし、スキージの進行方向に対して横長の開口部の方が縦長の開口部よりも横方向に長いため、前記手前側の隅に形成される空間部の領域も長く（大きく）なる。
【０００９】
したがって、スキージの進行方向に対して横長の開口部の方が縦長の開口部よりも埋まる半田ペーストの量が少なくなり、その結果、マスクを取り去った後に半導体基板の電極上に配置される半田ペーストの量も横長の開口部の方が縦長の開口部よりも少ない。これにより、縦長と横長、すなわち電極の縦列と横列とでそれぞれの電極上に配置される半田ペーストの量が異なるため、それぞれの電極上に形成される半田バンプの大きさにばらつきが発生し、その結果、バンプ高さにばらつきが生じることが問題である。
【００１０】
本発明の目的は、バンプ高さのばらつきを低減することができる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的は、安価なコストで狭ピッチ化に対応したバンプ形成を実現することができる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
すなわち、本発明は、半導体基板上の複数の電極それぞれに対応して複数の細長い開口部が形成されたものであり、前記複数の開口部それぞれは、前記複数の開口部の配列方向に対してこの配列方向を斜めに横切る方向に長く延在して形成されている。
【００１５】
また、本発明は、複数の細長い開口部が形成されており、かつ前記複数の細長い開口部それぞれは、前記複数の開口部の配列方向に対してこの配列方向を横切る方向に長く延在して形成された印刷用マスクを準備する工程と、半導体基板上の複数の電極と前記複数の開口部それぞれとが対応するように前記半導体基板上に前記印刷用マスクを配置する工程と、前記印刷用マスク上に半田ペーストを塗布した後、前記複数の開口部それぞれの延在方向と、前記半田ペーストを塗るスキージの進行方向との成す角度が前記複数の開口部全てに対して同一となるように前記スキージを進行させて、前記スキージによって前記複数の開口部に前記半田ペーストを埋め込む工程と、前記半導体基板上から前記印刷用マスクを取り外して、前記印刷用マスクの開口部内の前記半田ペーストを前記半導体基板上のそれぞれの電極上に配置する工程と、前記半導体基板上の複数の電極上に配置された前記半田ペーストを加熱溶融して前記電極上に半田バンプを形成する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
複数の細長い開口部それぞれが、これら複数の開口部の配列方向を斜めに横切る同一の方向に長く延在して形成されている印刷用マスクを用いて半導体基板の電極上に半田バンプを形成する際に、印刷用マスクの複数の開口部それぞれの延在方向と、スキージの進行方向との成す角度が複数の開口部全てに対して同一となるようにスキージを進行させて複数の開口部に半田ペーストを埋め込むことにより、複数の開口部全てに対して埋め込まれる半田ペーストの量を均一にすることができる。その結果、半導体基板の複数の電極上に形成される半田バンプの大きさのばらつきを低減することができ、半田バンプの高さのばらつきを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１９】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２０】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体製造方法で用いられる半導体基板の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示すＡ部の詳細の構造を示す部分拡大平面図、図３は本発明の実施の形態の半導体製造方法で用いられる印刷用マスクの構造の一例を示す平面図、図４は図３に示すＢ部の詳細の構造を示す部分拡大平面図、図５は本発明の実施の形態の半導体製造方法における半田ペースト印刷時のペースト埋込み前の状態の一例を示す断面図、図６は本発明の実施の形態の半導体製造方法における半田ペースト印刷時のペースト埋込み後の状態の一例を示す断面図、図７は本発明の実施の形態の半導体製造方法におけるマスク取り外し後の電極上での半田ペーストの構造の一例を示す断面図、図８は本発明の実施の形態の半導体製造方法における加熱リフロー後の半田バンプの構造の一例を示す断面図、図９は本発明の実施の形態の半導体製造方法の変形例を示す平面図である。
【００２３】
本実施の形態の半導体製造方法は、半導体製造工程において、半導体基板や半導体チップへの突起電極であるバンプ電極の形成方法であり、ここでは、主に、半導体基板上でその主面に設けられた複数の電極に対してバンプ電極を形成する方法について説明する。
【００２４】
図１に示すように、半導体基板である半導体ウエハ１の主面１ａには、複数の素子形成領域１ｂが区画形成されており、それぞれの素子形成領域１ｂは、四角形に形成されている。さらに、半導体ウエハ１の主面１ａの各素子形成領域１ｂには、図２に示すように半田バンプ搭載用の複数の電極１ｃが形成されている。この電極１ｃは、半導体ウエハ１の主面１ａの最上層に形成された電極１ｃであり、表面に露出した電極１ｃである。
【００２５】
図２に示す構造は、四角形に区画形成された各素子形成領域１ｂにおいて、複数の電極１ｃが素子形成領域１ｂそれぞれの各辺１ｄに沿ってその外周部に配列されている場合を示している。すなわち、図２に示す電極１ｃの配列は、外周パッド配列のものである。したがって、本実施の形態の半導体製造方法では、外周パッド配列の素子形成領域１ｂを有する半導体ウエハ１に対するバンプ電極の形成方法を説明する。
【００２６】
なお、本実施の形態での半導体製造方法における前記バンプ電極の形成方法は、半田印刷方法を用いるものである。半田印刷方法は、図３に示すような印刷用マスク２を用いて行うものであり、半導体ウエハ１上に印刷用マスク２を配置して印刷用マスク２の開口部２ｃに半田ペースト３を埋め込み、その後、印刷用マスク２を取り外すことにより、開口部２ｃに埋め込まれていた半田ペースト３を半導体ウエハ１の電極１ｃ上に配置させ、その後、半田ペースト３を加熱溶融させて電極１ｃ上に半田バンプ５を形成するものである。
【００２７】
本実施の形態の半田印刷方法で用いられる印刷用マスク２は、例えば、ステンレスなどの金属製のものであり、図３に示すように、半導体ウエハ１に比較してかなり大きなものである。印刷用マスク２は、金属製のマスク本体部２ａと、その外周部に形成された外枠２ｂとからなり、マスク本体部２ａのマスク地は、例えば、２０μｍ〜１００μｍ程度の厚さのものである。
【００２８】
さらに、印刷用マスク２のマスク本体部２ａには、半田バンプ５を形成する半導体ウエハ１の各素子形成領域１ｂにおける複数の電極１ｃに対応した位置に、図４に示すように複数の開口部２ｃが形成されている。すなわち、印刷用マスク２の複数の開口部２ｃは、半導体ウエハ１上の複数の電極１ｃに対して１対１に対応して各電極１ｃと同じ位置になるように形成されている。
【００２９】
また、本実施の形態の印刷用マスク２では、半導体チップの実装基板への接続工程における組立容易性、組立歩留りおよび実装後の信頼性を確保するために、半田バンプ５のある程度の高さを確保できるように、各開口部２ｃの形状が、電極１ｃが形成されていない中心方向に向かって広げられた形状、すなわち中心方向に向かった細長い異方的な開口形状となっている。
【００３０】
例えば、図４に示す例では、各開口部２ｃが、中心方向に向かった細長い長方形となっている場合であるが、中心方向に向かった細長い楕円などであってもよい。
【００３１】
これにより、開口部２ｃの面積を大きくすることができるため、この開口部２ｃに埋め込まれる半田ペースト３の量を増やすことができる。その結果、半田バンプ５の高さを十分確保することができ、半導体チップの実装基板への接続工程における組立容易性、組立歩留りおよび実装後の信頼性を確保することができる。
【００３２】
さらに、本実施の形態の印刷用マスク２では、複数の開口部２ｃは、半導体ウエハ１上の電極１ｃと同様に、素子形成領域１ｂの各辺に沿った配列で形成されているとともに、それぞれの開口部２ｃは、前記複数の開口部２ｃの配列方向に対してこの配列方向を斜めに横切って、かつ中心に向かって同一の方向に細長く延在して形成されている。
【００３３】
例えば、図４に示す印刷用マスク２の例では、スキージの進行方向Ｓに対して、全ての細長い開口部２ｃが４５°傾斜して並んで形成されている。
【００３４】
これにより、本実施の形態の印刷用マスク２を用いて半田ペースト３を半導体ウエハ１の電極１ｃ上に形成する際には、複数の細長い開口部それぞれの延在方向と、スキージ４の進行方向との成す角度が複数の開口部全てに対して同一（例えば、図４に示す例では４５°）となるようにスキージ４（図５参照）を進行させて複数の開口部２ｃに半田ペースト３を埋め込むことにより、半導体ウエハ１上の複数の開口部２ｃ全てに対して埋め込まれる半田ペースト３の量を均一にすることができる。
【００３５】
次に、本実施の形態の半導体製造方法の詳細について説明する。
【００３６】
まず、複数の細長い長方形の開口部２ｃが形成され、かつ前記複数の細長い長方形の開口部２ｃは、半導体ウエハ１上の複数の素子形成領域１ｂそれぞれの各辺１ｄに沿った配列で形成されており、さらに前記複数の開口部２ｃそれぞれは、前記複数の開口部２ｃの配列方向に対してこの配列方向を斜めに横切る同一の方向に長く延在して形成された図４に示すような印刷用マスク２を準備する。
【００３７】
図４に示す印刷用マスク２の例では、スキージの進行方向Ｓに対して、全ての細長い開口部２ｃが４５°傾斜して並んで形成されている。
【００３８】
さらに、全ての開口部２ｃが、素子形成領域１ｂの中心に向かって、かつスキージの進行方向Ｓに対して同一の角度で傾斜して細長く延在しているため、半導体ウエハ１上でそれぞれの電極１ｃ上に半田ペースト３が配置された際にも、隣り合った電極１ｃ間で短絡しない程度の適切な間隔を維持することができ、したがって、半田溶融後の短絡の発生を防止できる。
【００３９】
これにより、半導体ウエハ１上の電極１ｃの狭ピッチ化にも対応させることができる。例えば、半導体ウエハ１上の電極１ｃのピッチが２００μｍピッチ以下、好ましくは１５０μｍピッチ以下であっても、図４に示す配列の開口部２ｃを有した印刷用マスク２を用いてバンプ形成を行うことができる。その際の印刷用マスク２の複数の開口部２ｃは、半導体ウエハ１の電極１ｃのピッチに対応して２００μｍピッチ以下、好ましくは１５０μｍピッチ以下で形成されている。
【００４０】
その後、半導体ウエハ１上の複数の電極１ｃと、印刷用マスク２の複数の開口部２ｃそれぞれとが対応するように、図３に示すように、半導体ウエハ１上に印刷用マスク２を配置する。これにより、図５に示すように、印刷用マスク２のそれぞれの開口部２ｃ内に、半導体ウエハ１の電極１ｃが配置された状態になる。
【００４１】
その後、印刷用マスク２上に半田ペースト３を塗布する。ここで、半田ペースト３は、図５に示すように半田粒３ａとフラックス３ｂとが混合されて形成されたものであり、その際に用いられる半田粒３ａの半田は、共晶半田の場合、例えば、すず３７％、鉛６３％の共晶半田などであり、鉛フリー半田の場合、例えば、銀３％、銅０.5％、すず９６.5％の鉛フリー半田などである。また、フラックス３ｂは、半田粒３ａの表面の酸化を防止して半田のぬれ性を向上させるものであり、例えば、ロジン系のペースト材などである。
【００４２】
半田ペースト３の塗布後、図４に示すように、複数の細長い開口部２ｃそれぞれの延在方向と、半田ペースト３を塗るスキージの進行方向Ｓとの成す角度が、複数の開口部２ｃ全てに対して同一となるように図５に示すようにスキージ４を進行させて印刷を開始する。なお、スキージ４は、例えば、金属製または樹脂製のへら部材である。
【００４３】
さらに、図６に示すように、スキージ４によって半田ペースト３を塗って複数の開口部２ｃに半田ペースト３が埋め込まれるように開口部２ｃ上でスキージ４を通過させる。
【００４４】
スキージ４を所定の位置まで進行させて各開口部２ｃ内に半田ペースト３を埋め込んだ後、半導体ウエハ１上から印刷用マスク２を取り外して、印刷用マスク２の開口部２ｃ内の半田ペースト３を、図７に示すように、半導体ウエハ１上のそれぞれの電極１ｃ上に配置させる。すなわち、半導体ウエハ１上から印刷用マスク２を取り外すことにより、印刷用マスク２の開口部２ｃ内に埋め込まれていた半田ペースト３を半導体ウエハ１上のそれぞれの電極１ｃ上に付着させる。
【００４５】
その後、半導体ウエハ１上の複数の電極１ｃ上に配置された半田ペースト３をリフローなどで加熱溶融して、図８に示すように各電極１ｃ上に半田バンプ５を形成する。その際、半田粒３ａは、加熱されると溶融して電極１ｃ上にぬれ広がって丸くなりバンプ形状となる。
【００４６】
本実施の形態の印刷用マスク２および半導体製造方法によれば、複数の細長い開口部２ｃそれぞれが、これら複数の開口部２ｃの配列方向を斜めに横切る同一の方向に長く延在して形成されている印刷用マスク２を準備し、この印刷用マスク２上にスキージ４で半田ペースト３を塗布して半導体ウエハ１の電極１ｃ上に半田バンプ５を形成する際に、印刷用マスク２の複数の細長い開口部２ｃそれぞれの延在方向と、スキージ４の進行方向との成す角度が複数の開口部２ｃ全てに対して同一となるようにスキージ４を進行させて複数の開口部２ｃに半田ペースト３を埋め込むことにより、複数の開口部２ｃ全てに対して埋め込まれる半田ペースト３の量を均一にすることができる。
【００４７】
その結果、半導体ウエハ１上から印刷用マスク２を取り外した後の半導体ウエハ１の複数の電極１ｃ上に配置される半田ペースト３の量を全ての電極１ｃに対してほぼ均一にすることができ、これによって、半導体ウエハ１の複数の電極１ｃ上に形成される半田バンプ５の大きさのばらつきを低減することができる。したがって、半導体ウエハ１の複数の電極１ｃ上に形成される半田バンプ５の高さのばらつきを低減することができる。
【００４８】
また、印刷用マスク２における複数の細長い長方形の開口部２ｃそれぞれが、これら複数の開口部２ｃの配列方向を斜めに横切る同一の方向に長く延在して形成されており、さらに開口部２ｃの配列方向と同じ方向には開口部２ｃの面積は大きくしていないため、狭ピッチ化された電極１ｃに対しても隣り合った電極１ｃ間での短絡を発生させることなく電極１ｃ上に半田バンプ５を形成することが可能になる。
【００４９】
その結果、半田印刷方法での狭ピッチ化への対応が可能になるとともに、半田印刷方法で狭ピッチ化された複数の電極１ｃ上に半田バンプ５を形成した際にもバンプ高さのばらつきを低減することができる。
【００５０】
したがって、狭ピッチ化が図られた半導体ウエハ１の電極１ｃに対しても、半田印刷方法を用いて、高さのばらつきを低減したバンプ形成を実現することが可能になるため、安価なコストで狭ピッチ化に対応したバンプ形成を実現することができる。
【００５１】
これにより、携帯電話やパーソナルコンピュータなどの電子機器全般にわたる高密度フリップチップ実装製品を安価にすることを実現できる。
【００５２】
次に、本実施の形態の変形例の半導体製造方法について説明する。
【００５３】
図９は、変形例の半導体製造方法を示すものであり、複数の細長い長方形の開口部６ａが形成された印刷用マスク６（従来の印刷用マスク）を用いるものであり、この印刷用マスク６では、複数の長方形の開口部６ａがその配列方向を直角に横切る同一の方向に長く延在して形成されている。
【００５４】
このような印刷用マスク６を用いる場合でも、印刷用マスク６の複数の細長い開口部６ａそれぞれの延在方向と、スキージ４の進行方向との成す角度が複数の開口部６ａ全てに対して同一となるようにスキージ４を進行させて複数の開口部６ａに半田ペースト３を埋め込むことにより、複数の開口部６ａ全てに対して埋め込まれる半田ペースト３の量を均一にすることができる。
【００５５】
すなわち、図９に示す場合、従来のスキージの進行方向Ｔに対して、４５°傾斜させたスキージの進行方向Ｓとすることにより、印刷用マスク６の複数の細長い開口部６ａそれぞれの延在方向と、スキージの進行方向Ｓとの成す角度（ＰまたはＱ）が複数の開口部６ａ全てに対して同一とすることができ、その結果、複数の開口部６ａ全てに対して埋め込まれる半田ペースト３の量を均一にすることができる。
【００５６】
これにより、図４に示す印刷用マスク２を用いた場合と同様に、半導体ウエハ１の複数の電極１ｃ上に配置される半田ペースト３の量を全ての電極１ｃに対してほぼ均一にすることができ、その結果、半導体ウエハ１の複数の電極１ｃ上に形成される半田バンプ５の大きさのばらつきを低減することができる。
【００５７】
なお、印刷用マスク２や印刷用マスク６は、半導体ウエハ１に対して半田印刷を行って半導体ウエハ状態でバンプ電極を形成する際に用いられるものであるが、例えば、予め、半導体ウエハ１を半導体チップに個片化し、その後、半導体チップの表面電極に対応する開口が形成されたチップ対応印刷用マスクなどを用いて、個片化された半導体チップに対して半田バンプ５を形成する場合などにおいても、本実施の形態の半導体製造方法を適用することが可能である。
【００５８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５９】
例えば、前記実施の形態では、半導体ウエハ１の素子形成領域１ｂに外周パッド配列で複数の電極１ｃが配列されている場合を説明したが、素子形成領域１ｂにおけるパッド配列は、素子形成領域１ｂの中央付近を通って直線的に並んで配列されたセンタパッド配列の場合においても本実施の形態の半導体製造方法を適用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、半導体製造方法に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施の形態の半導体製造方法で用いられる半導体基板の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示すＡ部の詳細の構造を示す部分拡大平面図である。
【図３】本発明の実施の形態の半導体製造方法で用いられる印刷用マスクの構造の一例を示す平面図である。
【図４】図３に示すＢ部の詳細の構造を示す部分拡大平面図である。
【図５】本発明の実施の形態の半導体製造方法における半田ペースト印刷時のペースト埋込み前の状態の一例を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態の半導体製造方法における半田ペースト印刷時のペースト埋込み後の状態の一例を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態の半導体製造方法におけるマスク取り外し後の電極上での半田ペーストの構造の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態の半導体製造方法における加熱リフロー後の半田バンプの構造の一例を示す断面図である。
【図９】本発明の実施の形態の半導体製造方法の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体ウエハ（半導体基板）
１ａ  主面
１ｂ  素子形成領域
１ｃ  電極
１ｄ  辺
２  印刷用マスク
２ａ  マスク本体部
２ｂ  外枠
２ｃ  開口部
３  半田ペースト
３ａ  半田粒
３ｂ  フラックス
４  スキージ
５  半田バンプ
６  印刷用マスク
６ａ  開口部
Ｓ  スキージの進行方向
Ｔ  従来のスキージの進行方向
【図１】
2006140364.tif 000003
【図２】
2006140364.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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