(57)【要約】【課題】荷電粒子が照射されることによる劣化を防止または抑制し得るステンシルマスク、信頼性の高い半導体基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供すること。【解決手段】ステンシルマスク１は、イオンビーム５０１を照射して、該照射されたイオンビーム５０１により半導体基板２を処理するときに、半導体基板２におけるイオンビーム５０１が照射される上面２１側に設置されて用いられるものである。このステンシルマスク１は、半導体基板２に照射されるイオンビーム５０１の照射パターンに対応した開口５２が形成されたマスク本体５と、マスク本体５のイオンビーム５０１が照射される上面５１側に積層され、イオンビーム５０１からマスク本体５を保護するレジスト膜４とを備え、開口５２の縁部５２１付近におけるレジスト膜４の厚さが、開口５２の内側に向って漸減している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子を照射して、該照射された荷電粒子により被処理体を処理するときに、該被処理体における前記荷電粒子が照射される面側に設置されて用いられるステンシルマスクであって、
前記被処理体に照射される前記荷電粒子の照射パターンに対応した開口が形成されたマスク本体と、
前記マスク本体の前記荷電粒子が照射される面側に積層され、前記荷電粒子から前記マスク本体を保護する保護膜とを備え、
前記開口の縁部付近における前記保護膜の厚さが、前記開口の内側に向って漸減していることを特徴とするステンシルマスク。
【請求項２】
前記保護膜における前記開口の内周面は、前記マスク本体の法線方向に対し傾斜している請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項３】
前記保護膜は、前記マスク本体に対して交換可能である請求項１または２に記載のステンシルマスク。
【請求項４】
前記保護膜は、レジスト材料で構成されている請求項１ないし３のいずれかに記載のステンシルマスク。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のステンシルマスクを設置した状態で、該ステンシルマスクの保護膜側から荷電粒子を照射し、前記開口を通過して照射された荷電粒子により処理されたことを特徴とする半導体基板。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項７】
請求項６に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステンシルマスク、半導体基板、電子デバイスおよび電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ（例えば、ＩＣ（Integrated Circuits）チップやＬＳＩ（Large Scaled IC）チップ）を製造する工程には、半導体基板（シリコン基板）にイオン注入（イオンドーピング）を行うことにより、当該半導体基板の表面に、Ｐ型またはＮ型半導体領域（以下、単に「半導体領域」という）を形成する工程（不純物拡散工程）がある。
この工程では、まず、半導体基板におけるイオンビーム（荷電粒子）が照射される面側、すなわち、半導体領域が形成される面側に、ステンシルマスクを設置する。次に、このステンシルマスクを設置した状態で、イオンビームを照射して、半導体基板に処理を施す、すなわち、半導体基板に半導体領域を形成する。
【０００３】
このように用いられるステンシルマスクは、半導体基板に形成される半導体領域の形状に対応した開口を有するマスク本体（シリコン薄膜）と、イオンビームからマスク本体を保護する保護膜（シリコン窒化膜）とを備えている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、このような構成のステンシルマスクは、半導体基板にイオンビームが照射されるに伴って、保護膜も同様にイオンビームが照射されて、当該保護膜が膨張する。この膨張した保護膜により、開口の大きさが小さくなったり、マスク本体（ステンシルマスク）が変形したり（歪んだり）して、半導体基板に形成される半導体領域の形状（大きさ）が変形（変化）する等のステンシルマスクが使用困難な状態（例えば、）となる、すなわち、ステンシルマスクが劣化するという問題があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０３８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、荷電粒子が照射されることによる劣化を防止または抑制し得るステンシルマスク、信頼性の高い半導体基板、電子デバイスおよびこれを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のステンシルマスクは、荷電粒子を照射して、該照射された荷電粒子により被処理体を処理するときに、該被処理体における前記荷電粒子が照射される面側に設置されて用いられるステンシルマスクであって、
前記被処理体に照射される前記荷電粒子の照射パターンに対応した開口が形成されたマスク本体と、
前記マスク本体の前記荷電粒子が照射される面側に積層され、前記荷電粒子から前記マスク本体を保護する保護膜とを備え、
前記開口の縁部付近における前記保護膜の厚さが、前記開口の内側に向って漸減していることを特徴とする。
これにより、荷電粒子が照射されることでステンシルマスクが劣化するのを防止または抑制することができる。
【０００７】
本発明のステンシルマスクでは、前記保護膜における前記開口の内周面は、前記マスク本体の法線方向に対し傾斜していることが好ましい。
これにより、荷電粒子が照射されることでステンシルマスクが劣化するのを確実に防止または抑制することができる。
本発明のステンシルマスクでは、前記保護膜は、前記マスク本体に対して交換可能であることが好ましい。
これにより、マスク本体（ステンシルマスク）を再使用することができる。
本発明のステンシルマスクでは、前記保護膜は、レジスト材料で構成されていることが好ましい。
これにより、開口の内周面が傾斜した保護膜を容易かつ確実に形成する（得る）ことができる。
【０００８】
本発明の半導体基板は、本発明のステンシルマスクを設置した状態で、該ステンシルマスクの保護膜側から荷電粒子を照射し、前記開口を通過して照射された荷電粒子により処理されたことを特徴とする。
これにより、被処理体において、所望の形状の処理領域を確実に形成することができる。
本発明の電子デバイスは、本発明の半導体基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明のステンシルマスク、半導体基板、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明のステンシルマスクが設置されたイオン注入装置の概略図、図２は、図１中の領域［Ａ］の拡大詳細断面図である。以下の説明では、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１０】
図１および図２に示すように、ステンシルマスク１は、イオン注入装置（イオン打込み装置）５００のステージ５０２に載置された半導体基板（被処理体）２の上側、すなわち、イオンビーム（荷電粒子）５０１が照射される上面２１側に設置される。このようにステンシルマスク１を設置した状態で、イオンビーム５０１を照射して、当該照射されたイオンビーム５０１により、半導体基板（シリコン基板）２が処理される。
【００１１】
まず、イオン注入装置５００について説明する。
図１に示すように、イオン注入装置５００は、イオン源５０３と、質量分析器５０４と、加速部５０５と、チャンバ（処理部）５０６とを備えている。
イオン注入装置５００では、まず、ガスをイオン源５０３で分解して、イオンを作る。その後、分離電磁石（図示せず）を有する質量分析器５０４で、必要なイオン（イオンビーム５０１）を取り出す（抽出する）。
【００１２】
イオンビーム５０１は、加速部５０５により、加速された後、チャンバ５０６内のステージ５０２に載置されている半導体基板２に照射する。
図２に示すように、ステンシルマスク１は、光不透過性を有するマスク本体５と、マスク本体５の上面５１に積層されたレジスト膜（保護膜）４とで構成されている。
マスク本体５は、板状をなしている。このマスク本体５には、マスク本体５を貫通する少なくとも１つ（本実施形態では、複数）の開口５２が設けられている。各開口５２は、半導体基板２に照射されるイオンビーム５０１の照射パターンに対応するように形成されている。これにより、半導体基板２の上面２１に、所望の形状の半導体領域２３（例えば、Ｐ型半導体領域やＮ型半導体領域）を形成することができる。
【００１３】
なお、マスク本体５を構成する主材料としては、特に限定されず、例えば、シリコン、ステンレス鋼、ガラス、アルミナ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、サファイアおよびダイヤモンドのうちの少なくとも１種を用いることができる。これにより、マスク本体５に各開口５２を形成（加工）するとき、それらの開口５２を容易かつ確実に形成することができる。
レジスト膜４は、イオンビーム５０１からマスク本体５（上面５１）を保護する保護膜として機能している。
【００１４】
レジスト膜４は、開口５２の縁部５２１付近における厚さが、開口５２の内側（中心軸５２２側）に向って漸減している。すなわち、レジスト膜４は、その開口４１の内周面４１１が、マスク本体５の法線方向（図２中の上下方向）に対し傾斜している。
図２に示すように、イオンビーム５０１がレジスト膜４に照射された際、当該レジスト膜４は、膨張する（図２中、二点鎖線で示す）が、前述したように開口４１の内周面４１１が傾斜していることにより、前記膨張したレジスト膜４’の内周面４１１’が、開口５２の内周面５２３よりも内側にはみ出る、すなわち、開口４１（開口５２）を覆うのを防止または抑制することができる。これにより、イオンビーム５０１が照射されることでステンシルマスク１が使用困難な状態となる、すなわち、ステンシルマスク１が劣化するのを防止または抑制することができる。
【００１５】
また、開口４１（開口５２）を覆うのを防止または抑制することができる、すなわち、開口４１の大きさが経時的に変化する（小さくなる）のを防止または抑制することができるため、半導体基板２を処理（製造）するとき、開口４１を通過したイオンビーム５０１による半導体基板２の半導体領域２３を、信頼性の高い形状（大きさ）とすることができる。
また、ステンシルマスク１の寿命を延ばすことができるため、例えば、イオン注入装置５００におけるステンシルマスク１の交換期間（ＭＴＢＦ（Mean Time Between Failure））を長く設定することができる。
【００１６】
また、レジスト膜４は、感光性樹脂で構成されているのが好ましい。この感光性樹脂としては、特に限定されず、例えば、ｏ−キノンジアジドノボラック樹脂およびポリイミドのうちの少なくとも１種を主成分とするポジ型（フォトレジスト用）のレジスト材料４２を用いることができる。このようなポジ型のレジスト材料４２は、光に照射されると溶解する性質を有している。
このような感光性樹脂（ポジ型のレジスト材料４２）をレジスト膜４の構成材料に用いることにより、後述するステンシルマスクの製造方法の第３の工程において、内周面４１１が傾斜したレジスト膜４を容易かつ確実に形成する（得る）ことができる。
【００１７】
また、ステンシルマスク１は、レジスト膜４がマスク本体５に対して交換することができるよう構成されているのが好ましい。換言すれば、ステンシルマスク１では、レジスト膜４をマスク本体５から除去し、その後、当該マスク本体５にレジスト膜４を再生させることができるのが好ましい。
同一のステンシルマスク１にイオンビーム５０１を複数回照射する、すなわち、半導体基板２の処理に同一のステンシルマスク１を複数回用いるのにしたがって、たとえレジスト膜４が過剰に膨張し、ステンシルマスク１が使用困難な状態となっても、レジスト膜４が交換可能であれば、マスク本体５（ステンシルマスク１）を再使用することができる。
【００１８】
以上のような構成のステンシルマスク１は、イオンビーム５０１により半導体基板２を処理するとき、イオンビーム５０１の照射側にレジスト膜４が配置される（位置する）ように、イオン注入装置５００のチャンバ５０６内に設置される（図２参照）。
この状態で、イオンビーム５０１を照射する。照射されたイオンビーム５０１は、開口５２を通過し、半導体基板２の上面２１に到達する。これにより、半導体基板２の上面２１に半導体領域２３が形成される。
【００１９】
なお、前述したように膨張したレジスト膜４’により開口５２が覆われる（小さくなる）のが防止されるため、所望の形状の半導体領域２３を確実に得ることができる。
次に、ステンシルマスク１の製造方法の一例について説明する。
図３〜図８は、それぞれ、ステンシルマスクの製造方法を順を追って説明するための図である。なお、図６は、図５中の領域［Ｂ］拡大詳細断面図となっている。
また、以下の説明では、図３〜図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２０】
［１］  レジスト材料供給工程（第１の工程）
図３に示すように、液状のレジスト材料４２が貯留された貯留槽１１を用意する。図４に示すように、貯留槽１１内にマスク本体５を浸漬させる（浸漬法）。これにより、マスク本体５の上面５１と、下面５３と、各開口５２の内周面５２３とにレジスト材料４２を容易かつ確実に接触させる（供給する）ことができる。
その後、図５に示すように、貯留槽１１内からマスク本体５を取り出す。このとき、マスク本体５の上面５１、下面５３および各開口５２の内周面５２３には、それぞれ、レジスト材料４２の層（レジスト材料層４３）が形成されることとなる。
【００２１】
［２］  紫外線照射工程（第２の工程）
図６に示すように、マスク本体５のレジスト膜４を形成する側と反対側、すなわち、マスク本体５の下側に、ＵＶランプ１２と、凸レンズ１３とを設置する。
また、凸レンズ１３は、ＵＶランプ１２から照射される紫外線（光）１２１の集光点（焦点）１２２が、マスク本体５の下面５３よりも下側、かつ、開口５２の中心軸５２２上に位置するように設置されている。これにより、紫外線（ＵＶ）１２１が中心軸５２２を中心に対称に広がる（照射される）ことができ、よって、開口４１の全周に渡って、傾斜角度θが一定となるような内周面４１１を形成することができる。
【００２２】
このような状態（図６に示す状態）でＵＶランプ１２から紫外線１２１を照射した際、マスク本体５に向けて広がるような紫外線１２１が照射される。これにより、レジスト材料層４３（レジスト材料４２）において、紫外線１２１に照射される部分（照射部４３１）と、紫外線１２１に照射されない部分（非照射部４３２）、すなわち、マスク本体５により陰となる部分とが形成される。なお、下面５３のレジスト材料層４３に紫外線１２１を照射するには、例えば、凸レンズ１３を取り去って、ＵＶランプから直接、紫外線１２１を照射してもよい。
【００２３】
また、マスク本体５の下面５３と、集光点１２２との距離（図６中、Ｌで示す長さ）を適宜設定する、すなわち、凸レンズ１３を他のレンズに交換することにより、開口５２の縁部５２１付近におけるレジスト膜４の厚さの漸減率、すなわち、レジスト膜４（開口４１）の内周面４１１の傾斜角度θを調整することができる。例えば、距離Ｌを大きく設定した場合、傾斜角度θが小さくなる、すなわち、内周面４１１が急な勾配をなす。また、距離Ｌを小さく設定した場合、傾斜角度θが大きくなる、すなわち、内周面４１１が緩やかな勾配をなす。
このように傾斜角度θの調整が可能であることにより、イオンビーム５０１が照射されることで内周面４１１（レジスト膜４）が膨張して、開口４１を覆うのを確実に防止または抑制することができ、よって、ステンシルマスク１の劣化を確実に防止または抑制することができる。
【００２４】
［３］  レジスト膜形成工程（第３の工程）
図７に示すように、照射部４３１（レジスト材料層４３）に除去剤１４を供給する（噴き付ける）。これにより、照射部４３１が現像（除去）され、よって、非照射部４３２が残ることとなる（図８参照）。すなわち、開口５２の縁部５２１付近における厚さが開口５２の中心軸２３側（内側）に向って漸減するレジスト膜４が、マスク本体５の上面５１に形成されることとなる。
【００２５】
以上のような工程を経ることにより、イオンビーム５０１が照射されることによる劣化を防止または抑制し得るステンシルマスク１を確実に製造する（得る）ことができる。
なお、前記［１］では、レジスト材料４２は、マスク本体５の上面５１と、下面５３と、各開口５２の内周面５２３とに供給されていたが、マスク本体５の少なくともレジスト膜４を形成する側の面（上面５１）に供給されていればよい。
【００２６】
マスク本体５のレジスト膜４を形成する側の面（上面５１）のみにレジスト材料４２を供給する場合、レジスト材料４２の供給量（使用量）を抑制することができる。また、マスク本体５の上面５１、下面５３および各開口５２の内周面５２３にレジスト材料４２を供給する場合、浸漬法、インクジェット法、ディスペンス法のような、レジスト材料４２を容易に供給する方法を用いることができる。
また、前記［２］では、紫外線１２１の集光点１２２を設定するのに限定されず、例えば、紫外線１２１の発光点を設定してもよい。
【００２７】
次に、半導体基板２を備える電子デバイス、すなわち、本発明の電子デバイスについて説明する。
以下では、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合を一例に説明する。
図９は、本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図９中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２８】
図９に示す表示装置（電気光学装置）３００は、透過型の液晶表示装置であり、表示パネル（表示部）２００と、半導体実装基板１００と、図示しないバックライトとを有している。
表示パネル２００は、枠状のシール材２３０を介して貼りあわされた第１パネル基板２２０と、第１パネル基板２２０に対向する第２パネル基板２４０と、これらで囲まれる空間に封入された液晶を含む液晶層２７０とを有している。
第１パネル基板２２０および第２パネル基板２４０は、それぞれ、例えば、ガラス基板で構成されている。これらのパネル基板２２０、２４０の液晶層２７０側の面には、それぞれ、例えばＩＴＯ等で構成される透明電極２１０、２５０が設けられている。これらの透明電極２１０、２５０を介して、液晶層２７０に電圧が印加される。
【００２９】
また、第１パネル基板２２０の下面および第２パネル基板２４０の上面（いずれも液晶層２７０と反対側の面）には、それぞれ、偏光板２６０、２８０が設けられている。
また、第１パネル基板２２０は、第２パネル基板２４０から張り出した部分（張出領域２０９）を有している。この張出領域２０９にまで、各透明電極２１０、２５０が延在して設けられている。
半導体実装基板（可撓性回路基板）１００は、配線基板２０と、この配線基板２０に実装された半導体チップＰとを有している。
【００３０】
半導体チップＰには、半導体基板２が内蔵されて（設置されて）いる。また、この半導体基板２（半導体領域２３）には、端子Ｐ３が電気的に接続されている。
配線基板２０は、可撓性を有する基板７の一方の面（図９中、上面）７１に配線パターン（リード）６０が形成され、その一端部（図９中、左側）において、配線パターン６０が下方を向くように長手方向の途中で折り曲げられている。
そして、この一端部において、配線パターン６０と張出領域２０９に延在する各透明電極２１０、２５０の端部とが、導電性粒子４１０を含む異方性導電性材料（異方性導電ペースト、異方性導電膜）４００を介して接続されている。
【００３１】
また、配線パターン６０の面方向の中央部には、配線パターン６０の端部により端子２０２が形成されており、この端子２０２に半導体チップＰの端子Ｐ３が接合（接続）されている。
これにより、各透明電極２１０、２５０と半導体チップＰとの電気的導通が得られている。
【００３２】
半導体チップＰは、表示パネル２００の駆動用ＩＣとして設けられており、各透明電極２１０、２５０への電圧の印加量、印加パターン等を制御する。この半導体チップＰの駆動制御により、表示パネル２００では、所望の情報（静止画および動画の双方を含む画像）が表示される。
なお、本発明の電子デバイスは、図示の表示装置３００への適用に限定されず、例えば、有機または無機ＥＬ表示装置、電気泳動表示装置等の他の表示装置、インクジェット記録ヘッド等の液滴吐出用ヘッド等に適用することもできる。
そして、このような電子デバイスを備える本発明の電子機器は、各種の電子機器に適用することができる。
【００３３】
以下、本発明の電子機器について、図１０〜図１２に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【００３４】
このパーソナルコンピュータ１１００は、表示ユニット１１０６が前述の表示装置３００を備えており、表示パネル（表示部）２００の表示面が表示ユニット１１０６の前面に向くよう配置されている。
図１１は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【００３５】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の表示装置３００を備えている。
表示装置３００の表示パネル（表示部）２００は、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間において、その表示面が携帯電話機１２００の前面に向くよう配置されている。
図１２は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【００３６】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の表示装置３００の表示パネル（表示部）２００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示パネル２００は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【００３７】
また、ケース１３０２の正面側（図１２においては裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示パネル２００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００３８】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図１２に示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００３９】
なお、本発明の電子機器は、図１０のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１１の携帯電話、図１２のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００４０】
このように、前記電子デバイスや前記電子機器は、前述した信頼性の高い形状の半導体領域２３を有する半導体基板２を内蔵しているため、信頼性の高いものとなる。
以上、本発明のステンシルマスク、半導体基板、電子デバイスおよび電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、各構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
【００４１】
また、マスク本体は、光不透過性を有するものであるのに限定されず、例えば、光透過性を有するものであってもよい。
また、マスク本体は、単層構造であるのに限定されず、例えば、積層構造であってもよい。
また、レジスト膜の傾斜した内周面は、前述した製造工程を経ることにより形成されるのに限定されず、例えば、エッチング法を用いて形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明のステンシルマスクが設置されたイオン注入装置の概略図である。
【図２】図１中の領域［Ａ］の拡大詳細断面図である。
【図３】ステンシルマスクの製造方法を順を追って説明するための図である。
【図４】ステンシルマスクの製造方法を順を追って説明するための図である。
【図５】ステンシルマスクの製造方法を順を追って説明するための図である。
【図６】ステンシルマスクの製造方法を順を追って説明するための図である。
【図７】ステンシルマスクの製造方法を順を追って説明するための図である。
【図８】ステンシルマスクの製造方法を順を追って説明するための図である。
【図９】本発明の電子デバイスを表示装置に適用した場合の実施形態を示す断面図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００４３】
１……ステンシルマスク  ２……半導体基板  ２１……上面  ２３……半導体領域  ４、４’……レジスト膜  ４１……開口  ４１１、４１１’……内周面  ４２……レジスト材料  ４３……レジスト材料層  ４３１……照射部  ４３２……非照射部  ５……マスク本体  ５１……上面  ５２……開口  ５２１……縁部  ５２２……中心軸  ５２３……内周面  ５３……下面  ７……基板  ７１……面  １１……貯留槽  １２……ＵＶランプ  １２１……紫外線  １２２……集光点  １３……凸レンズ  １４……除去剤  ２０……配線基板  ６０……配線パターン  １００……半導体実装基板  ２００……表示パネル  ２０２……端子  ２０９……張出領域  ２１０……透明電極  ２２０……第１パネル基板  ２３０……シール材  ２４０……第２パネル基板  ２５０……透明電極  ２６０、２８０……偏光板  ２７０……液晶層  ３００……表示装置  ４００……異方性導電性材料  ４１０……導電性粒子  ５００……イオン注入装置  ５０１……イオンビーム  ５０２……ステージ  ５０３……イオン源  ５０４……質量分析器  ５０５……加速部  ５０６……チャンバ  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……メモリ  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ  Ｐ……半導体チップ  Ｐ３……端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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