(57)【要約】  【課題】  チップサイズが比較的小型で抵抗値が比較的低く、且つめっきにより抵抗膜が形成されるチップ抵抗器において、基板の反りや割れを防止することができるチップ抵抗器の製造方法、集合基板及びチップ抵抗器を提供する。  【解決手段】  個々のチップ抵抗器となる区画を縦横に複数有するシート状の集合絶縁基板上に抵抗膜を形成した後、各区画毎に分割することによりチップ抵抗器を得るチップ抵抗器の製造方法において、抵抗膜１５を集合絶縁基板１１Ａの表裏面にめっきにより表裏同時に形成する工程と、シート状の集合絶縁基板を短冊状に分割する工程と、短冊状基板１１Ｂの表裏面の抵抗膜を並列に導通する端面電極１８を形成する工程と、短冊状基板を個々のチップに分割する工程とを有することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々のチップ抵抗器となる区画を縦横に複数有するシート状の集合絶縁基板上に抵抗膜を形成した後、各区画毎に分割することによりチップ抵抗器を得るチップ抵抗器の製造方法において、
前記抵抗膜を前記集合絶縁基板の表裏面にめっきにより表裏同時に形成する工程と、
前記シート状の集合絶縁基板を短冊状に分割する工程と、
前記短冊状基板の表裏面の抵抗膜を並列に導通する端面電極を形成する工程と、
前記短冊状基板を個々のチップに分割する工程とを有するチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
無電解めっき法、電気めっき法、あるいは無電解めっきと電気めっきとを積層する方法の何れかの方法により前記抵抗膜を形成することを特徴とする請求項１に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
個々のチップ抵抗器となる区画を縦横に複数有するシート状の集合絶縁基板であって、めっきにより該基板の表裏両面に同時に抵抗膜が形成されたものである集合基板。
【請求項４】
前記抵抗膜が、無電解めっき法による抵抗膜、電気めっき法による抵抗膜、あるいは無電解めっきと電気めっきとを積層する方法により形成された抵抗膜のうちの何れかである請求項３に記載の集合基板。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の集合基板を使用し、前記集合基板を短冊状に分割することによって形成される分割面に、前記表裏面の抵抗膜を導通する端面電極を有し、前記短冊状の基板を個々に分割することにより形成されたチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器の製造方法、集合基板及びチップ抵抗器に関し、さらに詳細には、比較的小型で抵抗値が低く且つめっきにより抵抗膜が形成されるチップ抵抗器の製造方法と、その製造過程において得られる集合基板と、この集合基板から製造されるチップ抵抗器に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器を製造するための従来方法としては、例えば、特開平１０−７０００１号公報（特許文献１）に記載されたものを挙げることができる。特許文献１に記載された製造方法では、分割される予定の複数の区画を縦横に有するシート状の集合絶縁基板を使用し、この集合基板における各区画に対し、（1）一対の表電極を基板の表面に形成し、（2）表電極間にＡｇ-Ｐｄ系抵抗膜等による下地層を形成し、（3）この下地層上にめっきによる抵抗膜を形成し、（4）絶縁基板の裏面に一対の裏面電極を形成し、（5）めっき抵抗膜を覆う保護層を形成し、（6）集合基板を短冊状に分割した後に、（7）分割面に端面電極を形成し、（8）短冊状の絶縁基板を個々のチップ抵抗器サイズに分割し、（9）電極とめっき抵抗膜の露出している部分にめっき層を形成している。
【０００３】
ここで、図５は、以上のように形成されたチップ抵抗器の断面図であり、このチップ抵抗器５０は、絶縁基板５１の表裏にそれぞれ形成された各一対の表電極５２及び裏電極５３と、表面下地層５４（下地抵抗膜）と、表面下地層５４上のめっきによる表面めっき抵抗膜５５と、表面保護層５６と、端面電極５７と、電極の露出面を覆う電極めっき層５８とを有するものである。また図６は上記製造方法における（4）工程後の状態を示す断面図である。図６に示したように、従来のチップ抵抗器製造方法では、表面のみに表面下地層５４と表面めっき抵抗膜５５とを形成しているため、場合によっては、めっきの応力による基板反りＡが発生することがあった。
【０００４】
なお、本出願人において公知技術を調査した結果、上記の特許文献１に加えて、下記の特許文献も見出された。特許文献１〜６には、抵抗膜がめっきにより形成されたチップ抵抗器が記載されており、特許文献７及び８には、抵抗膜が基板の表裏面に形成されたチップ抵抗器が記載されている。
【特許文献１】特開平１０−７０００１号公報
【特許文献２】特開昭６０−１１５２０１号公報
【特許文献３】特開平０６−１２００１３号公報
【特許文献４】特開平０８−１３８９０２号公報
【特許文献５】特開平０９−３２０８０６号公報
【特許文献６】特開２００１−１５５９０１号公報
【特許文献７】特開昭５５−１２０１０１号公報
【特許文献８】特開平１１−１９１５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のチップ抵抗器のサイズは、例えば、５.０ｍｍ×２．５ｍｍ、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ、３．２ｍｍ×２．５ｍｍなどであり、このようなサイズのチップ抵抗器は多くの場合に厚さが０．５ｍｍ程度の基板が使用されている。このような厚さ０．５ｍｍ程度の集合基板は、たとえ、表面めっき抵抗膜が形成されても、めっき応力による基板反りが発生しない。
【０００６】
しかしながら、電子機器の小型化や高密度実装化が進むに伴ない、チップ抵抗器の更なる小型化も要求されるようになっており、例えば、１.０ｍｍ×０．５ｍｍ程度のチップ抵抗器の基板厚さは０．２５ｍｍ〜０．３ｍｍであり、このように薄い基板に集合基板の状態でめっき抵抗膜を形成する場合には、めっき応力による基板反りが発生してしまう。
【０００７】
また絶縁基板に分割溝が設けられている場合には、基板反りが大きくなるうえ、別工程における処理で割れてしまう可能性もある。
【０００８】
さらに、めっき抵抗膜を無電解めっき法により形成した場合には、無電解めっき液におけるめっき応力の調整が困難であるため、基板の反りが発生しやすい。一方、電気めっき法によりめっき抵抗膜を形成する場合には、めっき液におけるめっき応力の調整がなされているため、或る程度の基板反りは解消可能であるが、全てのめっき液におけるめっき応力の調整はなされていないため、使用する絶縁基板とのめっき応力の整合がとれていない場合や、チップ抵抗器の基板が薄い場合は絶縁基板の反りが発生してしまう。
【０００９】
また、さらなる低抵抗化を目的として、めっき抵抗膜を厚く形成した場合や、めっき抵抗膜を複数層積層した場合にも、絶縁基板の反りを助長する原因となる。
【００１０】
本発明は、上記従来の問題を解決するものであり、その課題は、チップサイズが比較的小型で抵抗値が比較的低く、且つめっきにより抵抗膜が形成されるチップ抵抗器において、基板の反りや割れを防止することができるチップ抵抗器の製造方法、集合基板及びチップ抵抗器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記課題は下記の手段によって解決される。
【００１２】
（１）個々のチップ抵抗器となる区画を縦横に複数有するシート状の集合絶縁基板上に抵抗膜を形成した後、各区画毎に分割することによりチップ抵抗器を得るチップ抵抗器の製造方法において、前記抵抗膜を前記集合絶縁基板の表裏面にめっきにより表裏同時に形成する工程と、前記シート状の集合絶縁基板を短冊状に分割する工程と、前記短冊状基板の表裏面の抵抗膜を並列に導通する端面電極を形成する工程と、前記短冊状基板を個々のチップに分割する工程とを有するチップ抵抗器の製造方法。
【００１３】
（２）無電解めっき法、電気めっき法、あるいは無電解めっきと電気めっきとを積層する方法の何れかの方法により前記抵抗膜を形成することを特徴とする（１）に記載のチップ抵抗器の製造方法。
【００１４】
（３）個々のチップ抵抗器となる区画を縦横に複数有するシート状の集合絶縁基板であって、めっきにより該基板の表裏両面に同時に抵抗膜が形成されたものである集合基板。
【００１５】
（４）前記抵抗膜が、無電解めっき法による抵抗膜、電気めっき法による抵抗膜、或いは無電解めっきと電気めっきとを積層する方法により形成された抵抗膜のうちの何れかである（３）に記載の集合基板。
【００１６】
（５）上記（３）または（４）に記載の集合基板を使用し、前記集合基板を短冊状に分割することによって形成される分割面に、前記表裏面の抵抗膜を導通する端面電極を有し、前記短冊状の基板を個々に分割することにより形成されたチップ抵抗器。
【発明の効果】
【００１７】
上記（１）に記載のチップ抵抗器の製造方法では、めっきによる抵抗膜を集合基板の表裏両面同時に形成することにより、めっき応力を集合基板の表裏で相殺するので、チップ抵抗器の小型化に伴ない基板が薄くなっても、集合基板の反りを防止することができて、歩留まりを向上させることができる。また端面電極により表裏面のめっきによる抵抗膜を並列に接続する工程により、従来技術と比べて低抵抗のチップ抵抗器を製造することが可能になるとともに、同じ抵抗値を得る場合、従来技術と比較してめっきによる抵抗膜を薄くできるため、めっき時間の短縮が図れる。
【００１８】
無電解めっき法で抵抗膜を形成する場合、従来方法ではめっき応力の調整が困難で集合基板はめっき応力を受けざるを得なかったが、上記（２）に記載のチップ抵抗器の製造方法では、めっき応力を集合基板の表裏で相殺し、集合基板の反りを防止することができる。一方、電気めっき法で抵抗膜を形成する場合には、めっき応力の調整が完全でなかったり、絶縁基板が薄くても、上記（２）の製造方法によれば、めっき応力を集合基板の表裏で相殺し、集合基板の反りを防止することができる。
また無電解めっき法による抵抗膜と電気めっき法による抵抗膜とを積層し、厚い抵抗膜を形成する場合であっても、上記（２）に記載のチップ抵抗器の製造方法によれば、集合基板の反りを防止することができる。このようにめっき抵抗膜を厚く形成することにより、比較的低い抵抗値のチップ抵抗器を製造することが可能であり、端面電極により並列に接続されている場合には、従来方法によるチップ抵抗器と比較して、所望の抵抗値を得るための表裏面それぞれのめっき抵抗膜を薄くできるため、めっき時間の短縮が可能である。
【００１９】
上記（３）に記載の集合基板では、上記（１）の製造方法と同様な効果が得られる。
すなわち、めっきによる抵抗膜が表裏両面同時に形成されるので、めっき応力を相殺することが可能になり、チップ抵抗器の小型化に伴ない基板を薄くしても、基板の反りを防止することができて、チップ抵抗器製造時の歩留まりを向上させることができる。
【００２０】
上記（４）に記載の集合基板では上記（２）と同様な効果が得られる。また上記（５）に記載のチップ抵抗器では、上記（１）又は（２）と同様な効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明は下記の実施形態に限定されるものではない。
【００２２】
図１（ａ）〜（ｈ）は本発明のチップ抵抗器の製造方法における各工程を示す断面図である。図１（ａ）はアルミナセラミック等からなる集合絶縁基板１１Ａであり、基板分割用の溝１２を有するものである。チップ抵抗器の小型化により、集合絶縁基板は厚さが薄くなり、めっき応力による反りが生じ易くなる。すなわち、従来方法でチップ抵抗器を製造した場合には、チップ抵抗器のサイズが１００５サイズ（１．０ｍｍ×０．５ｍｍ、基板厚さ０．２５ｍｍ〜０．３ｍｍ）用の集合絶縁基板からめっき応力による反りで不具合の発生が増加する傾向があり、また図１（ａ）のように基板分割用の溝１２を有する集合絶縁基板１１Ａは、さらに、めっき応力の影響を受け易いものであった。本発明は、これらの不具合を無くすべく為されたものである。
【００２３】
最初に、図１（ｂ）に示したように、集合絶縁基板１１Ａの表裏両面に電極１３を形成する。本工程において、表裏両面の電極１３は、その有無や材質が特に上記形態に限定されるものではないが、例えば、下地層をＰｄ−Ａｇ系厚膜によって形成した場合、電極部の抵抗値低減のために、Ａｇ系厚膜により形成することが効果的である。
なお、後の工程における下地層が、Ｐｄ−Ａｇ系厚膜以外の材質である場合、表裏両面の電極１３は、Ａｇ系厚膜やその他材質の薄膜が使用可能であり、または特開平８−１３８９０２号公報に記載されているように表裏両面電極に該当する電極を省略しても良く、あるいは特開２００１−１５５９０１号公報に記載されているように、めっき抵抗体の上面に重なるように形成することも可能である。
【００２４】
次に、図１（ｃ）に示したように、集合絶縁基板１１Ａの表裏両面に形成された電極１３間に下地層１４を形成する。本工程において、下地層１４の材質は特に限定されるものではないが、例えば、Ｐｄ−Ａｇ系厚膜を含む各種厚膜や、ＮｉＣｒスパッタ膜などを含む各種薄膜、Ｐｄ活性化層等がある。下地層の作用としては、無電解めっきにより抵抗膜を形成する場合に、密着力を向上させるために必要であり、電気めっきにより抵抗膜を形成する場合、下地層が電流を流す導体となる。
【００２５】
次に、集合絶縁基板１１Ａの表裏両面において、めっき抵抗膜を形成しない箇所にレジスト膜（図示せず）を形成する。
【００２６】
次に、図１（ｄ）に示したように、集合絶縁基板１１Ａの表裏両面の下地層１４上に、表裏同時にめっき抵抗膜１５を形成する。本工程を終了した後の集合絶縁基板１１Ａの状態を示す断面図が図２である。本工程において、めっき抵抗膜１５の材質は特に限定されるものではないが、例えば、Ｎｉ−Ｗ−Ｐ無電解めっきを使用すれば、抵抗値が低く、ＴＣＲ（抵抗温度係数）が小さいチップ抵抗器を得ることができる。以上のように、めっき抵抗膜１５を表裏同時に形成することにより、表裏面に作用するめっき応力は相殺される。また本工程により、従来の製造方法で発生していた障害、すなわち、集合絶縁基板１１Ａの反りは防止することが可能になった。
なお、表裏両面に形成するめっき抵抗膜１５は、上記のＮｉ−Ｗ−Ｐ無電解めっきの他に、Ｎｉ系やＣｕ系などを含む各種金属や合金による無電解めっき、電気めっき、または無電解めっきと電気めっきとの組み合わせが使用可能である。例えば、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｐ、Ｎｉ−Ｒｅ−Ｐ、Ｎｉ−Ｂなどが使用可能である。
【００２７】
次に、集合絶縁基板１１Ａの表裏両面のレジスト膜（図示せず）を剥離除去する。
【００２８】
次に、図１（ｅ）に示したように、表裏両面のめっき抵抗膜１５の上に保護層１６を形成する。この保護層１６は、従来から知られているように、めっき抵抗膜１５を保護するためのものであり、ガラスや樹脂により形成することができる。
【００２９】
次に、図１（ｆ）に示したように、集合絶縁基板を短冊状に分割する。
【００３０】
次に、図１（ｇ）に示したように、短冊状に分割した絶縁基板１１Ｂの端面に、表裏両面のめっき抵抗膜を導通する端面電極１８を形成する。このような端面電極１８は、従来から知られているように、外部との接続を確保するためのものであり、その目的の他、表裏両面の抵抗体を並列に接続する機能を有するものである。
【００３１】
次に、短冊状の絶縁基板１１Ｂを個々のチップ抵抗器２０に分割する。
【００３２】
次に、図１（ｈ）に示したように、端面電極１８とめっき抵抗膜１５の露出部を覆う電極めっき層１９を形成すれば、チップ抵抗器２０が完成する。電極めっき層１９は、従来から知られているように、例えば、ＮｉめっきとＳｎめっきからなるめっき層、またはＣｕめっきとＮｉめっきとＳｎめっきからなるめっき層などを使用することができる。ＣｕめっきとＮｉめっきとＳｎめっきから構成されるめっき層は、抵抗体の抵抗値が小さく、電極１８の抵抗値の影響を最小限にするためにＣｕめっきが付加されたものである。
以上のように形成されたチップ抵抗器２０について、さらに理解を容易にするために、図３にチップ抵抗器２０の断面図を示した。なお、上記図１（ａ）〜（ｈ）及び図２においては、各構成が比較的細かいため断面部分の斜線を省略し、図面理解の容易化を図り、図３及び図４では各構成が比較的大きいので断面部分に斜線を付した。
【００３３】
次に、図４は異なる実施形態であるチップ抵抗器３０の断面図であり、このチップ抵抗器３０では、上記の図１（ｂ）に示したような表裏電極１３が設けられていない。
すなわち、チップ抵抗器３０は、絶縁基板３１の表裏両面に下地層３２が形成され、それぞれの下地層３２の上にめっき抵抗膜３３が設けられ、両端面に端面電極３４が形成され、めっき抵抗膜３３の上に保護層３５が設けられ、さらに、両側の端面電極３４と露出しためっき抵抗膜３３とを覆うために電極めっき層３６が設けられたものである。このチップ抵抗器３０においても、その製造工程では図１〜図３の実施形態と同様に、めっき抵抗膜３３を表裏両面で同時に形成するものである。
【００３４】
[実施例]
本発明による効果を検証するため、１．０ｍｍ×０．５ｍｍサイズのチップ抵抗器を形成するための集合絶縁基板を使用して実験した。この集合絶縁基板の厚さは０．２８ｍｍであり、表裏両面に分割のための溝を有する。下地抵抗膜として、Ａｇ−Ｐｄ系メタルグレーズ系ペーストにより厚膜を形成し、めっき抵抗膜として、Ｎｉ―Ｗ―Ｐを無電解めっきにより形成した。集合絶縁基板の反りは、基板端部と基板中央との差を測定した。
比較例として実施した従来の製造方法では、３ｍｍ〜４ｍｍ程度の反りが発生したが、本発明の製造方法では、集合絶縁基板の反りは０．５ｍｍ以下に抑えられ、その効果を確認することができた。また従来の製造方法では、チップ抵抗器の抵抗値が４０ｍΩ程度であったが、本発明の製造方法では、２０ｍΩ〜３０ｍΩ程度の抵抗値のチップ抵抗器が得られた。
また電気めっきによりめっき抵抗膜を形成した場合にも、本発明の製造方法では、同様に集合絶縁基板の反りが低減され、その効果を確認することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】（ａ）〜（ｈ）は本発明のチップ抵抗器の製造方法における各工程を示す断面図である。
【図２】本発明によるチップ抵抗器の集合基板を示す断面図である。
【図３】本発明によるチップ抵抗器を示す断面図である。
【図４】図３とは異なる実施形態のチップ抵抗器を示す断面図である。
【図５】従来技術によるチップ抵抗器の集合基板を示す断面図である。
【図６】従来技術によるチップ抵抗器を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１１Ａ  集合絶縁基板
１１Ｂ  短冊状の絶縁基板
１３  表裏両面の電極
１４  表裏両面の下地層
１５  めっき抵抗膜
１６  保護層
１８  端面電極
１９  電極めっき層
２０  チップ抵抗器
３０  チップ抵抗器
３１  絶縁基板
３２  下地層
３３  めっき抵抗膜
３４  端面電極
３５  保護層
３６  電極めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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