(57)【要約】【課題】受動素子（特に、抵抗素子）が内蔵された配線基板において、配線基板に形成された抵抗体の抵抗値増大を防ぎつつ、印刷にて形成される抵抗体の抵抗値精度を維持することが可能な抵抗体内蔵配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】抵抗体内蔵配線基板１００は、両面配線基板１０の両面に絶縁層３１を介して配線パターン４１ａ及びパッド電極４１ｂが形成された４層配線基板に抵抗素子７０ａが内蔵された抵抗体内蔵配線基板である。抵抗素子７０ａは、配線パターン４１ａの先端部の素子電極４１ｃ間に抵抗体７１が形成されており、素子電極４１ｃの上面と抵抗体７１との間にはニッケル系合金薄膜５１ｃが形成されており、配線パターン４１ａ及びパッド電極４１ｂの表面が粗面化されている。【選択図】図１
2006156746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に少なくとも配線パターンと、抵抗体及び素子電極からなる抵抗素子とが形成された配線基板であって、
前記抵抗体と前記素子電極との間に接触抵抗軽減のためのニッケル合金系薄膜が設けられ、前記配線パターンの表面は粗面化されていることを特徴とする抵抗体内蔵配線基板。
【請求項２】
少なくとも以下の（ａ）〜（ｇ）工程を具備することを特徴とする抵抗素子内蔵配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁層上に導体層を形成する工程。
（ｂ）前記導体層上にニッケル合金系薄膜を形成する工程。
（ｃ）前記ニッケル合金系薄膜上にレジストパターンを形成する工程。
（ｄ）前記レジストパターンをマスクにして、ニッケル合金系薄膜及び導体層をエッチングする工程。
（ｅ）前記レジストパターンを剥離し、ニッケル合金系薄膜が形成された配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｆ）前記素子電極間に抵抗体を形成する工程。
（ｇ）前記抵抗体をマスクにしてニッケル合金系薄膜を除去し、前記配線パターン表面を粗面化処理する工程。
【請求項３】
少なくとも以下の（ａ）〜（ｄ）の工程を具備することを特徴とする抵抗素子内蔵配線基板の製造方法。
（ａ）絶縁層上に配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｂ）前記配線パターン及び素子電極上にニッケル合金系薄膜を形成する工程。
（ｃ）前記素子電極間に抵抗体を形成する工程。
（ｄ）前記抵抗体をマスクにしてニッケル合金系薄膜を除去し、前記配線パターン表面を粗面化処理する工程。
【請求項４】
前記絶縁層と導体層との間にめっき抵抗層を形成したことを特徴とする請求項2または３に記載の抵抗素子内蔵配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は受動素子が内蔵された各種電子機器の配線基板に係わり、さらに詳しくは抵抗体内蔵配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近のプリント配線板もしくはインターポーザーの薄型化、高密度化に伴い、受動素子をプリント配線板に内蔵した受動素子内蔵多層プリント配線板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
以下、従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法について説明する。
【０００４】
図１２（ａ）〜（ｆ）及び図１３（ｇ）〜（ｉ−２）に、従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法の製造工程の一例を示す。
まず、絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ、２１ｂが形成された両面配線基板１０の両面に絶縁層３１を形成し、絶縁層３１の所定位置にレーザー加工等によりビア用孔３２を形成する（図１２（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）参照）。
【０００５】
次に、無電解銅めっき等により絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成し、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行い、所定厚の導体層４１及びビア４２を形成する（図１２（ｄ）参照）。
次に、導体層４１上にフォトレジストを塗布して感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン６１及び６２を形成する（図１２（ｅ）参照）。
【０００６】
次いで、塩化第２鉄等の腐食液を用いて、レジストパターン６１及び６２をマスクにして導体層４１をエッチングし、レジストパターン１３を専用の剥離液で剥離し、絶縁層３１上に配線パターン４１ａ及びパッド電極４１ｂを形成する（図１２（ｆ）及び（ｇ）参照）。
【０００７】
次に、配線パターン４１ａの先端電極上に、耐酸化性金属を含むポリマーペースト、例えば、銀系ペーストをスクリーン印刷し、銀電極５４及び５５を形成する（図１２（ｈ−１）及び（ｈ−２）参照）。
次いで、銀電極５４間に抵抗体ペーストを印刷し抵抗体７５を、銀電極５５間に抵抗体ペーストを印刷し、抵抗体７６を形成し、抵抗体内蔵配線基板を作製するというものである（図１２（ｉ−１）及び（ｉ−２）参照）。
ここでは、温度や湿度の負荷による抵抗体と銅電極との接触面の腐食が理由とされている抵抗体の抵抗値増大を防ぐために、配線パターン４１ａの先端電極上に上記銀系ペーストの様な耐酸化性金属を含むペーストからなる銀電極形成している。
【０００８】
上記したような抵抗体内蔵配線基板の製造方法では、配線パターン４１ａの先端電極上のみに銀系ペーストを形成する場合は、熱硬化後の膜厚が１５〜２５μｍ厚の銀電極５４及び５５を形成するため、膜厚のバラツキが大きく、また、更に、絶縁層３１と銀電極５４及び５５との段差が大きいため、抵抗体の印刷形状、膜厚制御が悪くなり、抵抗体の抵抗値バラツキが大きくなり、更には、スクリーン版、スキージの劣化も早くなるといった問題がある。
また、スクリーン印刷では、配線パターン４１ａの先端電極上のみを正確に覆うことは困難であるため、銀電極５４及び５５の電極間距離にバラツキが発生し、結果として抵抗値
のバラツキが大きくなるといった問題があった。
【０００９】
さらに、抵抗体の抵抗値精度を上げるために、トリミングを行う方法があるが、トリミング前の抵抗値を全ての抵抗体に対して目標値よりも小さく、かつ、目標値の１／２以上の抵抗値に設計することが要求されるため、従来の製造方法より得られる抵抗値バラツキでは、設計が難しく、また、トリミング時間も長くなる。更には、トリミングの割合が多くなると、抵抗体に温湿度によるクラックが発生するといた問題があった。
【特許文献１】特開平１１−３４０６３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は上記問題点に鑑み考案されたもので、受動素子（特に、抵抗素子）が内蔵された配線基板において、配線基板に形成された抵抗体の抵抗値増大を防ぎつつ、印刷にて形成される抵抗体の抵抗値精度を維持することが可能な抵抗体内蔵配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記課題を達成するために、まず請求項１においては、絶縁層上に少なくとも配線パターンと、抵抗体及び素子電極からなる抵抗素子とが形成された配線基板であって、前記抵抗体と前記素子電極との間に接触抵抗軽減のためのニッケル合金系薄膜が設けられ、前記配線パターンの表面は粗面化されていることを特徴とする抵抗体内蔵配線基板としたものである。
【００１２】
また、請求項２においては、少なくとも以下の（ａ）〜（ｇ）の工程を具備することを特徴とする抵抗素子内蔵配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁層上に導体層を形成する工程。
（ｂ）前記導体層上にニッケル合金系薄膜を形成する工程。
（ｃ）前記ニッケル合金系薄膜上にレジストパターンを形成する工程。
（ｄ）前記レジストパターンをマスクにして、ニッケル合金系薄膜及び導体層をエッチングする工程。
（ｅ）前記レジストパターンを剥離し、ニッケル合金系薄膜が形成された配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｆ）前記素子電極間に抵抗体を形成する工程。
（ｇ）前記抵抗体をマスクにしてニッケル合金系薄膜を除去し、前記配線パターン表面を粗面化処理する工程。
【００１３】
また、請求項３においては、少なくとも以下の（ａ）〜（ｄ）の工程を具備することを特徴とする抵抗素子内蔵配線基板の製造方法としたものである。
（ａ）絶縁層上に配線パターン及び素子電極を形成する工程。
（ｂ）前記配線パターン及び素子電極上にニッケル合金系薄膜を形成する工程。
（ｃ）前記素子電極間に抵抗体を形成する工程。
（ｄ）前記抵抗体をマスクにしてニッケル合金系薄膜を除去し、前記配線パターン表面を粗面化処理する工程。
【００１４】
さらにまた、請求項４においては、前記絶縁層と導体層との間にめっき抵抗層を形成したことを特徴とする請求項２または３に記載の抵抗素子内蔵配線基板の製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の抵抗素子内蔵配線基板は、抵抗体と素子電極との間に接触抵抗軽減のためのニッケル合金系薄膜が設けられているので、抵抗体の環境変化（特に、温湿度変化）による抵抗値変化を防止でき、抵抗体と素子電極との接続信頼性を向上させることが出来る。
また、本発明の抵抗体内蔵配線基板の製造方法によると、接触抵抗軽減のためのニッケル合金系薄膜は、通常１５〜２５μｍ厚の銅電極上に、めっきにより厚さ０.１から１μｍ程度設けるだけなので、従来と比較し、抵抗体の印刷形状、膜厚制御が良くなる。
さらに、本発明の製造方法によるニッケル系合金薄膜の電極間距離は、配線パターンの素子電極形成時の電極間距離とほとんど変わりなく、電極間距離の精度が良いため、抵抗体のバラツキが小さくなる。
また、配線パターンの素子電極段差が高くならないので、スクリーン版、スキージの寿命が伸びる。
また、抵抗値のバラツキが小さいため、対トリミングに対しての設計がし易く、トリミング時間も短くなる。更には、トリミング長が短くなるため、抵抗体の温湿度に対する信頼性が良くなる。。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の抵抗体内蔵配線基板及びその製造方法の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の請求項１に係る抵抗体内蔵配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【００１７】
図１（ａ）に示す抵抗体内蔵配線基板１００は、両面配線基板１０の両面に絶縁層３１を介して配線パターン４１ａ及びパッド電極４１ｂが形成された４層配線基板に抵抗素子７０ａが内蔵された抵抗体内蔵配線基板である。
抵抗素子７０ａは、配線パターン４１ａの先端部の素子電極４１ｃ間に抵抗体７１が形成されており、素子電極４１ｃの上面と抵抗体７１との間にはニッケル系合金薄膜５１ｃが形成されており、配線パターン４１ａ及びパッド電極４１ｂの表面が粗面化されている。
【００１８】
図１（ｂ）に示す抵抗体内蔵配線基板２００は、両面配線基板１０の両面に絶縁層３１を介して配線パターン４３ａ及びパッド電極４３ｂが形成された４層配線基板に抵抗素子７０ｂが内蔵された抵抗体内蔵配線基板である。
抵抗素子７０ｂは、配線パターン４３ａの先端部の素子電極４３ｃ間に抵抗体７２が形成されており、素子電極４３ｃと抵抗体７２との間にはニッケル系合金薄膜５２ａが形成されており、配線パターン４１ａの表面が粗面化されている。
この場合、素子電極４３ｃの上面及び側面にニッケル系合金薄膜５２ａが形成されているのが特徴で、抵抗体７２と素子電極４３ｃとは直接接触しない構造になっている。
【００１９】
図１（ｃ）に示す抵抗体内蔵配線基板３００は、両面配線基板１０の両面に絶縁層３１を介して配線パターン４５ａ及びパッド電極４５ｂが形成された４層配線基板に抵抗素子７０ｃ及び抵抗素子８０が内蔵された抵抗体内蔵配線基板である。
抵抗素子７０ｃは、配線パターン４５ａの先端部の素子電極４５ｃ間に抵抗体７３が形成されており、素子電極４５ｃの上面と抵抗体７２との間には、ニッケル系合金薄膜５２ａが形成されており、配線パターン４５ａ及びパッド電極４５ｂの表面が粗面化されている。
抵抗素子８０は、パターン化された薄膜抵抗層８１ａの両端に素子電極４５ｄを形成して抵抗素子を形成したもので、絶縁層３１と導体層４５との間に薄膜抵抗層８１を形成するだけで、後工程のパターニング処理だけで、容易に高精度の抵抗素子が得られるようにしたものである。
【００２０】
図１（ｄ）に示す抵抗体内蔵配線基板４００は、両面配線基板１０の両面に絶縁層３１を介して配線パターン４３ａ及びパッド電極４３ｂが形成された４層配線基板に抵抗素子
７０ｄ及び抵抗素子８０が内蔵された抵抗体内蔵配線基板である。
抵抗素子７０ｄは、配線パターン４７ａの先端部の素子電極４７ｃ間に抵抗体７４が形成されており、素子電極４７ｃと抵抗体７４との間にはニッケル系合金薄膜５２ａが形成されており、配線パターン４７ａ及びパッド電極４７ｂの表面が粗面化されている。
この場合、素子電極４７ｃの上面及び側面にニッケル系合金薄膜５２ａが形成されているのが特徴で、抵抗体７４と素子電極４７ｃとは直接接触しない構造になっている。
抵抗素子８０は、パターン化された薄膜抵抗層８１ａの両端に素子電極４７ｄを形成して抵抗素子を形成したもので、絶縁層３１と導体層４７との間に薄膜抵抗層８１を形成するだけで、後工程のパターニング処理だけで、容易に高精度の抵抗素子が得られるようにしたものである。
また、上記抵抗体内蔵配線基板として４層の配線基板を例にして述べたが、配線基板の配線層の層数に限定されるものではない。
【００２１】
以下本発明の抵抗体内蔵配線基板の製造方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｅ）及び図３（ｆ）〜（ｊ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板１００の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ、２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製する（図２（ａ）参照）。
【００２２】
次に、両面配線板１０の両面に樹脂フィルムを積層、加熱する等の方法で絶縁層３１を形成する（図２（ｂ）参照）。
【００２３】
次に、レーザー加工等により孔明け加工して、絶縁層３１の所定位置にビア用孔３２を形成する（図２（ｃ）参照）。
【００２４】
次に、ビア用孔３２内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっき等により絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成する。さらに、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、所定厚の導体層４１及びビア４２を形成する（図２（ｄ）参照）。
【００２５】
次に、電解めっきにて、導体層４１上に約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５１を形成する（図２（ｅ）参照）。
続いて、ニッケル合金薄膜５１上にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、レジストパターン６１及び６２を形成する（図３（ｆ）参照）。
【００２６】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、ニッケル合金薄膜５１及び導体層４１を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングする（図３（ｇ）参照）。次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上に配線パターン４１ａ、素子電極４１ｃ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ａ、パッド電極４１ｂ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ｂを形成する（図３（ｈ）参照）。
ここで、配線パターン４１ａの先端部の抵抗体形成領域を素子電極４１ｃと呼ぶ。
【００２７】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４１ａ上のニッケル合金薄膜５１ａ間に、抵抗ペースト、例えばカーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７１を形成する（図３（ｉ）参照）。
【００２８】
次に、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出しているニッケル合金薄膜５１ａのみを除去して、配線パタ
ーン４１ａの先端部の素子電極４１ｃ上のニッケル合金薄膜５１ｃ間に抵抗体７１が形成された抵抗素子７０ａを有する本発明の抵抗体内蔵配線基板１００を得る（図３（ｊ）参照）。
ここで、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理する際に配線パターン４１ａ及びパッド電極４１ｂの表面が粗面化処理される。
【００２９】
図４（ａ）〜（ｆ）及び図５（ｇ）〜（ｊ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板２００の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ、２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製する（図４（ａ）参照）。
【００３０】
次に、両面配線板１０の両面に樹脂フィルムを積層、加熱する等の方法で絶縁層３１を形成する（図４（ｂ）参照）。
【００３１】
次に、レーザー加工等により孔明け加工して、絶縁層３１の所定位置にビア用孔３２を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００３２】
次に、ビア用孔３２内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっき等により絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成し、さらに、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、所定厚の導体層４３及びビア４４を形成する（図４（ｄ）参照）。
【００３３】
次に、導体層４３上にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、導体層４３上にレジストパターン６１及び６２を形成する（図４（ｅ）参照）。
【００３４】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、導体層４３を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングする（図４（ｆ）参照）。
次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上に配線パターン４３ａ、素子電極４３ｃ及びパッド電極４３ｂを形成する（図５（ｇ）参照）。
ここで、配線パターン４３ａの先端部の抵抗体形成領域を素子電極４３ｃと呼ぶ。
【００３５】
次に、無電解めっきにて、配線パターン４３ａ及びパッド電極４３ｂ上に、約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５２及び５３を形成する（図５（ｈ）参照）。
【００３６】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４３ａ上のニッケル合金薄膜５２間に、抵抗ペースト、例えばカーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７２を形成する（図５（ｉ）参照）。
【００３７】
次に、ニッケル合金薄膜５２及び５３を硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出している合金薄膜５２及び５３のみを除去して、配線パターン４３ａの先端部の素子電極４３ｃ上のニッケル合金薄膜５２ａ間に抵抗体７２が形成された抵抗素子７０ｂを有する本発明の抵抗体内蔵配線基板２００を得る（図５（ｊ）参照）。
ここで、ニッケル合金薄膜５２を硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理する際に配線パターン４３ａ及びパッド電極４３ｂの表面が粗面化処理される。
【００３８】
図６（ａ）〜（ｆ）、図７（ｇ）〜（ｊ）及び図８（ｋ）〜（ｎ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板３００の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ、２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製する（図６（ａ）参照）。
【００３９】
次に、両面配線板１０の両面に樹脂フィルムを積層、加熱する等の方法で絶縁層３１を形成する。さらに、絶縁層３１上に無電解めっきを行い、絶縁層３１上にニッケル−リン合金からなる約０．５μｍ厚の薄膜抵抗層８１を形成する（図６（ｂ）参照）。
【００４０】
次に、レーザー加工等により孔明け加工して、絶縁層３１及び薄膜抵抗層８１の所定位置にビア用孔３３を形成する（図６（ｃ）参照）。
【００４１】
次に、ビア用孔３３内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっき等により絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成し、さらに、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、所定厚の導体層４５及びビア４６を形成する（図６（ｄ）参照）。
【００４２】
次に、電解めっきにて、導体層４５上に約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５１を形成する（図６（ｅ）参照）。
続いて、ニッケル合金薄膜５１上にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ニッケル合金薄膜５１上にレジストパターン６１及び６２を形成する（図６（ｆ）参照）。
【００４３】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、ニッケル合金薄膜５１、導体層４５及び薄膜抵抗層８１を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングする（図７（ｇ）参照）。
次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上にパターン化された薄膜抵抗層８１ａ、配線パターン４５ａ、素子電極４５ｃ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ａと、パッド電極４５ｂ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ｂを形成する（図７（ｈ）参照）。
ここで、配線パターン４５ａの先端部の抵抗体形成領域を素子電極４５ｃと呼ぶ。
【００４４】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４５ａ上のニッケル合金薄膜５１ａ間に、抵抗ペースト、例えばカーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７３を形成する（図７（ｉ）参照）。
【００４５】
次に、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出しているパターン化されたニッケル合金薄膜５１ａのみを除去して、配線パターン４５ａの先端部の素子電極４５ｃ上のニッケル合金薄膜５１ｃ間に抵抗体７３が形成された抵抗体内蔵配線基板を作製する（図７（ｊ）参照）。
ここで、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理する際に配線パターン４５ａ及びパッド電極４５ｂの表面が粗面化処理される。
【００４６】
次に、抵抗素子７０ｃが形成された抵抗体内蔵配線基板の両面にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層６３及び６４を形成し（図８（ｋ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、配線パターン４５ａ上の所定位置に開口部６３ａを形成する（図８（ｌ）参照）。
【００４７】
次に、開口部６３ａ内に露出した配線パターン４５ａのみを選択エッチングして、開口
部６３ａ内の薄膜抵抗層８１を露出させる（図８（ｍ）参照）。
さらに、専用の剥離液で、感光層６３及び６４を剥離処理することにより、配線パターン４５ａの先端部の素子電極４５ｃ上のニッケル合金薄膜５１ｃ間に抵抗体７３が形成された抵抗素子７０ｃと、パターン化された薄膜抵抗層８１ａの両端に素子電極４５ｄが形成された抵抗素子８０ａとが内蔵された本発明の抵抗体内蔵配線基板３００を得る（図８（ｎ）参照）。
【００４８】
図９（ａ）〜（ｆ）、図１０（ｇ）〜（ｊ）及び図１１（ｋ）〜（ｎ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板４００の製造方法の一実施例を示す模式構成断面図である。
まず、絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ、２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製する（図９（ａ）参照）。
【００４９】
次に、両面配線板１０の両面に樹脂フィルムを積層、加熱する等の方法で絶縁層３１を形成し、無電解めっきにて、絶縁層３１上に約０．５μｍ厚の薄膜抵抗層８１を形成する（図９（ｂ）参照）。
【００５０】
次に、レーザー加工等により孔明け加工して、絶縁層３１及び薄膜抵抗層８１の所定位置にビア用孔３３を形成する（図９（ｃ）参照）。
【００５１】
次に、ビア用孔３３内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっき等により薄膜抵抗層８１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成し、さらに、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、所定厚の導体層４７及びビア４８を形成する（図９（ｄ）参照）。
【００５２】
次に、導体層４７上にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、導体層４７上にレジストパターン６１及び６２を形成する（図９（ｅ）参照）。
【００５３】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、導体層４７及び薄膜抵抗層８１を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングする（図９（ｆ）参照）。
次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上にパターン化された薄膜抵抗層８１ａ及び配線パターン４７ａと、パッド電極４７ｂを形成する（図１０（ｇ）参照）。
ここで、配線パターン４７ａの先端部の抵抗体形成領域を素子電極４７ｃと呼ぶ。
【００５４】
次に、電解めっきにて、配線パターン４７ａ及びパッド電極４７ｂの上面及び側面を覆うように、約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５２及び５３を形成する（図１０（ｈ）参照）。
【００５５】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４７ａ及びニッケル合金薄膜５２間に、抵抗ペースト、例えばカーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７４を形成する（図１０（ｉ）参照）。
【００５６】
次に、ニッケル合金薄膜５２及び５３を硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出している合金薄膜５２及び５３のみを除去して、配線パターン４７ａの先端部の素子電極４７ｃ上のニッケル合金薄膜５２ａ間に抵抗体７４が形成された抵抗素子７０ｄを有する抵抗体内蔵配線基板を作製する（図１０（ｊ）参照）。
ここで、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理する際に配線パターン４７ａ及びパッド電極４７ｂの表面が粗面化処理
される。
【００５７】
次に、抵抗素子７０ｄが形成された抵抗体内蔵配線基板の両面にドライフィルムをラミネートする等の方法で感光層６３及び６４を形成し（図１１（ｋ）参照）、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、配線パターン４７ａ上の所定位置に開口部６３ａを形成する（図１１（ｌ）参照）。
【００５８】
次に、開口部６３ａ内に露出した配線パターン４７ａのみを選択エッチングして薄膜抵抗層８１を露出させる（図８（ｍ）参照）。
さらに、専用の剥離液で、感光層６３及び６４を剥離処理することにより、配線パターン４７ａの先端部の素子電極４７ｃ上のニッケル合金薄膜５２ａ間に抵抗体７４が形成された抵抗素子７０ｄと、パターン化された薄膜抵抗層８１ａの両端に素子電極４７ｄが形成された抵抗素子８０ｂとが内蔵された本発明の抵抗体内蔵配線基板４００を得る（図１１（ｎ）参照）。
【実施例１】
【００５９】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
まず、ガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１の両面に銅箔を積層した両面銅張り積層板の両面に１０μｍ厚のドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、配線パターン２１ａ、２１ｂを形成し、両面配線板１０を作製した（図２（ａ）参照）。
【００６０】
次に、両面配線板１０の両面にエポキシ系の絶縁樹脂シートを真空加圧ラミネートし、絶縁層３１を形成した（図２（ｂ）参照）。
次に、レーザー加工により孔明け加工して、絶縁層３１の所定位置にビア用孔３２を形成した（図２（ｃ）参照）。
【００６１】
次に、ビア用孔３２内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっきにより絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成し、めっき下地導電層をカソードにして、電解銅めっきを行って、１５μｍ厚の導体層４１及びビア４２を形成した（図２（ｄ）参照）。
【００６２】
次に、硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、錯化剤（クエン酸ナトリウム）等から成るめっき液を用いて電解めっきを行い、導体層４１上に約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５１を形成した（図２（ｅ）参照）。
【００６３】
次に、ニッケル合金薄膜５１上に１０μｍ厚のドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ニッケル合金薄膜５１上にレジストパターン６１及び６２を形成した（図３（ｆ）参照）。
【００６４】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、ニッケル合金薄膜５１及び導体層４１を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングした（図３（ｇ）参照）。次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上に配線パターン４１ａ、素子電極４１ｃ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ａ、パッド電極４１ｂ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ｂを形成した（図３（ｈ）参照）。
【００６５】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４１ａ上のニッケル合金薄膜５１ａ間に、カーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７１を形成した（図３（ｉ）参照）。
【００６６】
次に、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出しているニッケル合金薄膜５１ａのみを除去して、配線パターン４１ａの先端部の素子電極４１ｃ上のニッケル合金薄膜５１ｃ間に抵抗体７１が形成された抵抗素子７０ａを有する本発明の抵抗体内蔵配線基板１００を得た（図３（ｊ）参照）。
【実施例２】
【００６７】
まず、実施例１と同様な工程で、ガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ及び２１ｂ、絶縁層３１、導体層４３及びビア４４が形成された配線基板を作製した（図４（ａ）〜（ｄ）参照）。
【００６８】
次に、導体層４３上に１０μｍ厚のドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、導体層４３上にレジストパターン６１及び６２を形成した（図４（ｅ）参照）。
【００６９】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、導体層４３を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングした（図４（ｆ）参照）。
次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上に配線パターン４３ａ、素子電極４３ｃ及びパッド電極４３ｂを形成した（図５（ｇ）参照）。
【００７０】
次に、硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、錯化剤（クエン酸ナトリウム）等からなるめっき液を用いて電解めっきを行い、配線パターン４３ａ及びパッド電極４３ｂ上に約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５２及び５３を形成した（図２（ｅ）参照）。
【００７１】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４３ａ上のニッケル合金薄膜５２間に、カーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７２を形成した（図５（ｉ）参照）。
【００７２】
次に、ニッケル合金薄膜５２及び５３を硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出している合金薄膜５２及び５３のみを除去して、配線パターン４３ａの先端部の素子電極４３ｃ上のニッケル合金薄膜５２ａ間に抵抗体７２が形成された抵抗素子７０ｂを有する本発明の抵抗体内蔵配線基板２００を得た（図５（ｊ）参照）。
【実施例３】
【００７３】
まず、実施例１と同様な工程で、ガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１１の両面に配線パターン２１ａ及び２１ｂが形成された両面配線板１０を作製した（図６（ａ）参照）。
【００７４】
次に、両面配線板１０の両面にエポキシ系の絶縁樹脂シートを真空加圧ラミネートし、絶縁層３１を形成した。さらに、絶縁層３１上硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、錯化剤（クエン酸ナトリウム）等からなるめっき液を用いて無電解めっきを行い、ニッケル−リン合金からなる０．５μｍ厚の薄膜抵抗層８１を形成した（図６（ｂ）参照）。
【００７５】
次に、レーザー加工により孔明け加工して、絶縁層３１及び薄膜抵抗層８１の所定位置にビア用孔３３を形成した（図６（ｃ）参照）。
【００７６】
次に、ビア用孔３３内のデスミア処理及び活性化処理を行って、無電解銅めっき等により絶縁層３１上及びビア用孔３２内にめっき下地導電層（特に、図示せず）を形成し、さらに、めっき下地導電層をカソードにして電解銅めっきを行って、１５μｍ厚の導体層４５とビア４６を形成した（図６（ｄ）参照）。
【００７７】
次に、硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、錯化剤（クエン酸ナトリウム）等からなるめっき液を用いて電解めっきを行い、導体層４５上に約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５１を形成した（図６（ｅ）参照）。
続いて、ニッケル合金薄膜５１上に１０μｍ厚のドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、ニッケル合金薄膜５１上にレジストパターン６１及び６２を形成した（図６（ｆ）参照）。
【００７８】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、ニッケル合金薄膜５１、導体層４５及び薄膜抵抗層８１を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングした（図７（ｇ）参照）。
次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上にパターン化された薄膜抵抗層８１ａ、配線パターン４５ａ、素子電極４５ｃ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ａと、パッド電極４５ｂ及びパターン化されたニッケル合金薄膜５１ｂを形成した（図７（ｈ）参照）。
【００７９】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４５ａ上のニッケル合金薄膜５１ａ間に、カーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７３を形成した（図７（ｉ）参照）。
【００８０】
次に、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出しているニッケル合金薄膜５１ａのみを除去して、配線パターン４５ａの先端部の素子電極４５ｃ上のニッケル合金薄膜５１ｃ間に抵抗体７３が形成された抵抗素子７０ｃを有する抵抗体内蔵配線基板を作製した（図７（ｊ）参照）。
【００８１】
次に、ニッケル合金薄膜５１ａを硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出しているニッケル合金薄膜５１ａのみを除去して、配線パターン４５ａの先端部の素子電極４５ｃ上のニッケル合金薄膜５１ｃ間に抵抗体７３が形成された抵抗体内蔵配線基板を作製した（図７（ｊ）参照）。
【００８２】
次に、抵抗体７３が形成された抵抗体内蔵配線基板の両面に１０μｍ厚のドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層６３及び６４を形成した（図８（ｋ）参照）。さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、配線パターン４５ａ上の所定位置に開口部６３ａを形成した（図８（ｌ）参照）。
【００８３】
次に、開口部６３ａ内に露出した配線パターン４５ａのみを過酸化水素−硫酸系溶液を用いて選択エッチングを行い、開口部６３ａ内の薄膜抵抗層８１を露出させた（図８（ｍ）参照）。
さらに、専用の剥離液で、感光層６３及び６４を剥離処理することにより、配線パターン４５ａの先端部の素子電極４５ｃ上のニッケル合金薄膜５１ｃ間に抵抗体７３が形成された抵抗素子７０ｃと、パターン化された薄膜抵抗層８１ａの両端に素子電極４５ｄが形成された抵抗素子８０ａとが内蔵された本発明の抵抗体内蔵配線基板３００を得た（図８（ｎ）参照）。
【実施例４】
【００８４】
まず、実施例３と同様な工程で、ガラス不織布にエポキシ樹脂を含浸させた絶縁基材１
１の両面に配線パターン２１ａ及び２１ｂ、絶縁層３１、薄膜抵抗層８１、導体層４７及びビア４８が形成された配線基板を作製した（図９（ａ）〜（ｄ）参照）。
【００８５】
次に、導体層４７上に１０μｍ厚のドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層を形成し、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、導体層４７上にレジストパターン６１及び６２を形成した（図９（ｅ）参照）。
【００８６】
次に、レジストパターン６１及び６２をマスクにして、導体層４７及び薄膜抵抗層８１を塩化第２銅溶液からなるエッチング液にてエッチングした（図９（ｆ）参照）。
次に、レジストパターン６１及び６２を専用の剥離液で剥離処理して、絶縁層３１上にパターン化された薄膜抵抗層８１ａ、配線パターン４７ａ及び素子電極４７ｃと、パッド電極４７ｂを形成した（図１０（ｇ）参照）。
【００８７】
次に、硫酸ニッケル六水和物、次亜リン酸ナトリウム、錯化剤（クエン酸ナトリウム）等からなるめっき液を用いて無電解めっきを行い、配線パターン４７ａ及びパッド電極４７ｂ上に、約０．５μｍ厚のニッケル合金薄膜５２及び５３を形成した（図１０（ｈ）参照）。
【００８８】
次に、スクリーン印刷にて、絶縁層３１上の配線パターン４７ａ上のニッケル合金薄膜５２間に、カーボンペーストを印刷し、加熱硬化して、抵抗体７４を形成した（図１０（ｉ）参照）。
【００８９】
次に、ニッケル合金薄膜５２及び５３を硫酸銅溶液、あるいはＣＺ処理液（蟻酸系処理液）にてエッチング処理して、露出している合金薄膜５２及び５３のみを除去して、配線パターン４７ａの先端部の素子電極４７ｃ上のニッケル合金薄膜５２ａ間に抵抗体７４が形成された抵抗体内蔵配線基板を作製する（図１０（ｊ）参照）。
【００９０】
次に、抵抗体７４が形成された抵抗体内蔵配線基板の両面に１０μｍ厚のドライフィルムフォトレジストをラミネートして感光層６３及び６４を形成した（図１１（ｋ）参照）。さらに、パターン露光、現像等の一連のパターニング処理を行って、配線パターン４７ａ上の所定位置に開口部６３ａを形成した（図１１（ｌ）参照）。
【００９１】
次に、開口部６３ａ内に露出した配線パターン４５ａのみを過酸化水素−硫酸系溶液を用いて選択エッチングを行い、開口部６３ａ内の薄膜抵抗層８１を露出させた（図８（ｍ）参照）。
さらに、専用の剥離液で、感光層６３及び６４を剥離処理することにより、配線パターン４７ａの先端部の素子電極４７ｃのニッケル合金薄膜５２ａ間に抵抗体７４が形成された抵抗素子７０ｄと、パターン化された薄膜抵抗層８１ａの両端に素子電極４７ｄが形成された抵抗素子８０ａとが内蔵された本発明の抵抗体内蔵配線基板４００を得た（図１１（ｎ）参照）。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明に係る抵抗体内蔵配線基板の一実施例を示す模式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板１００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図３】（ｆ）〜（ｊ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板１００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板２００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図５】（ｇ）〜（ｊ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板２００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図６】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板３００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図７】（ｇ）〜（ｊ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板３００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図８】（ｋ）〜（ｎ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板３００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図９】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板４００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図１０】（ｇ）〜（ｊ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板４００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図１１】（ｋ）〜（ｎ）は、本発明の抵抗体内蔵配線基板４００の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図１２】（ａ）〜（ｆ）は、従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【図１３】（ｇ）〜（ｉ−２）は、従来の抵抗体内蔵配線基板の製造方法における工程の一部を示す説明図である。
【符号の説明】
【００９３】
１０……両面配線基板
１１……絶縁基材
２１ａ、２１ｂ……配線パターン
３１……絶縁層
３２、３３……ビア用孔
４１、４３、４５、４７……導体層
４１ａ、４３ａ、４５ａ、４７ａ……配線パターン
４１ｂ、４３ｂ、４５ｂ、４７ｂ……パッド電極
４１ｃ、４３ｃ、４５ｃ、４７ｃ、４５ｄ、４７ｄ……素子電極
４２、４４、４６、４８……ビア
５１、５２……ニッケル合金薄膜
５１ａ、５１ｂ、５２ａ……パターン化されたニッケル合金薄膜
５１ｃ……素子電極上に形成されたニッケル合金薄膜
５４、５５……銀電極
６１、６２……レジストパターン
６３、６４……感光層
６３ａ……開口部
７１、７２、７３、７４、７５、７６……抵抗体
７０ａ、７０ｂ、７０ｃ、７０ｄ……抵抗素子
８０……抵抗素子
８１……薄膜抵抗層
８１ａ……パターン化された薄膜抵抗層
１００、２００、３００、４００……抵抗体内蔵配線基板
【図１】
2006156746.tif 000003
【図２】
2006156746.tif 000004
【図３】
2006156746.tif 000005
【図４】
2006156746.tif 000006
【図５】
2006156746.tif 000007
【図６】
2006156746.tif 000008
【図７】
2006156746.tif 000009
【図８】
2006156746.tif 000010
【図９】
2006156746.tif 000011
【図１０】
2006156746.tif 000012
【図１１】
2006156746.tif 000013
【図１２】
2006156746.tif 000014
【図１３】
2006156746.tif 000015