(57)【要約】【課題】半導体チップ２０の強度を高める。【解決手段】液晶表示パネル１は、回路が形成された回路面２２と、回路面２２の裏側に形成されて回路を有しない裏面２３とを有する半導体チップ２０と、半導体チップ２０が回路面２２において実装されたガラス基板１０とを備えている。そして、半導体チップ２０は、裏面２３にのみ樹脂３０が塗布されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面とを有する半導体チップと、
上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置であって、
上記半導体チップは、上記裏面にのみ樹脂が塗布されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面と、該裏面に隣接する複数の側面とを有する半導体チップと、
上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置であって、
上記半導体チップは、上記裏面と、上記側面の少なくとも一部とに樹脂が塗布されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
上記基板には、上記半導体チップに電気的に接続されたフレキシブル回路基板が設けられ、
上記樹脂は、上記フレキシブル回路基板に接触しない状態で、上記半導体チップに塗布されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１つにおいて、
上記樹脂は、エポキシ系樹脂である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１つにおいて、
上記樹脂の２５℃における硬化前の粘性率ηは、０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面とを有する半導体チップと、
上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置の製造方法であって、
上記半導体チップを上記基板に実装した後に、上記裏面にのみ樹脂を塗布する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面と、該裏面に隣接する複数の側面とを有する半導体チップと、
上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置の製造方法であって、
上記半導体チップを上記基板に実装した後に、上記裏面と、上記側面の少なくとも一部とに樹脂を塗布する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
上記基板に対し、フレキシブル回路基板を設けて上記半導体チップに電気的に接続した後に、上記樹脂を、上記フレキシブル回路基板に接触しないように上記半導体チップに塗布する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６〜８の何れか１つにおいて、
上記樹脂は、エポキシ系樹脂である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６〜９の何れか１つにおいて、
上記樹脂の２５℃における硬化前の粘性率ηは、０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＯＧ実装された半導体チップを有する半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、例えば液晶表示装置等において、ベアチップである半導体チップをガラス基板に直接に実装することにより（Chip On Glass bonding：ＣＯＧ実装）、液晶表示装置を駆動するためのドライバＩＣを形成することが知られている。
【０００３】
ＣＯＧ実装としては、半導体チップを、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介してガラス基板の表面に搭載するフェースダウン方式が一般に知られている。フェースダウン方式の半導体チップは、その下面が回路パターンを有する回路面に構成されている。そして、上記回路面は、ＡＣＦを介してガラス基板上の回路に接続されるようになっている。上記半導体チップがＣＯＧ実装されたガラス基板は、例えば携帯電話等の電子機器に搭載される。
【０００４】
ところで、従来より、半導体チップに保護層を設けることが知られている（例えば、特許文献１，２等参照）。
【０００５】
特許文献１の半導体チップには、その少なくとも側面に、樹脂により構成された保護層が設けられている。また、特許文献２の半導体チップには、基板に実装される前に補強部材である樹脂が予め設けられている。そして、半導体チップを基板に実装した後に補強部材を加熱して加圧することにより、半導体チップは、補強部材によりなる保護層によって覆われる。こうして、従来の半導体チップは、保護層により外部から加わる衝撃力を吸収できるようにして、外的な力が加わるのを低減している。
【特許文献１】特開２００１−２４４２８１号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０７３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ユーザは、上記従来の半導体チップが搭載された携帯電話等の電子機器を、不意に手元から落下させてしまうことがある。このような場合には、上記保護層を設けていたとしても、上記半導体チップは破損してしまい、例えば表示不良等を引き起こしてしまうという問題がある。
【０００７】
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＣＯＧ実装された半導体チップを有する半導体装置及びその製造方法に対し、半導体チップの強度を可及的に高めることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち、本発明者らは、半導体チップである半導体チップが実装された半導体装置について鋭意研究を重ねた結果、半導体チップの裏面には、約１０μｍ以下の微小なクラックが搬送時等の僅かな衝撃等によっても生じ易く、その微小なクラックを起点として亀裂が発生し、半導体チップの破損に至っているという事実を見出した。
【０００９】
そこで、上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面とを有する半導体チップと、上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置であって、上記半導体チップは、上記裏面にのみ樹脂が塗布されている。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置は、回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面と、該裏面に隣接する複数の側面とを有する半導体チップと、上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置であって、上記半導体チップは、上記裏面と、上記側面の少なくとも一部とに樹脂が塗布されている。
【００１１】
上記基板には、上記半導体チップに電気的に接続されたフレキシブル回路基板が設けられ、上記樹脂は、上記フレキシブル回路基板に接触しない状態で、上記半導体チップに塗布されていてもよい。
【００１２】
上記樹脂は、エポキシ系樹脂であることが好ましい。
【００１３】
上記樹脂の２５℃における硬化前の粘性率ηは、０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓであることが望ましい。
【００１４】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面とを有する半導体チップと、上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置の製造方法であって、上記半導体チップを上記基板に実装した後に、上記裏面にのみ樹脂を塗布する。
【００１５】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路が形成された回路面と、該回路面の裏側に形成されて回路を有しない裏面と、該裏面に隣接する複数の側面とを有する半導体チップと、上記半導体チップが上記回路面において実装された基板とを備えた半導体装置の製造方法であって、上記半導体チップを上記基板に実装した後に、上記裏面と、上記側面の少なくとも一部とに樹脂を塗布する。
【００１６】
上記基板に対し、フレキシブル回路基板を設けて上記半導体チップに電気的に接続した後に、上記樹脂を、上記フレキシブル回路基板に接触しないように上記半導体チップに塗布するようにしてもよい。
【００１７】
上記樹脂は、エポキシ系樹脂であることが好ましい。
【００１８】
上記樹脂の２５℃における硬化前の粘性率ηは、０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓであることが望ましい。
【００１９】
−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
【００２０】
回路が形成されていない半導体チップの裏面には、微小なクラックが極めて生じ易い。本発明では、この微小クラックが生じ易い裏面にのみ樹脂を塗布するようにしたので、微小クラックの内部に樹脂を浸透させて硬化させることが可能になる。その結果、上記微小クラックを起点とする亀裂の発生が防止されるため、半導体チップの破損を防止することが可能となる。
【００２１】
また、樹脂を、基板に設けられたフレキシブル回路基板に接触しない状態で、半導体チップに塗布することにより、フレキシブル回路基板に加わる衝撃力が直接に半導体チップに伝わらないので、半導体チップの破損防止をさらに図ることが可能となる。
【００２２】
上記樹脂は、エポキシ系の樹脂や、粘性率ηが２５℃において０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓであることが好ましい。このことにより、樹脂を裏面の微小クラックに確実に浸透させることが可能となる。ここで、粘性率ηが０．５Ｐａ・ｓよりも大きい場合には、微小クラックに十分に浸透させることができないため、微小クラックを起点とする亀裂の発生を防止できない。一方、粘性率ηが０．１Ｐａ・ｓよりも小さい場合には、樹脂を裏面等の所定の領域にとどめることができず、樹脂の塗布領域を制御することが困難となる。したがって、樹脂の２５℃における粘性率ηの範囲は、上述のように、０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００２３】
ところで、半導体チップの裏面は、基板への実装の際に、所定の保持機構によって保持される。しかし、基板に実装される前の上記裏面に樹脂が予め塗布されていると、保持機構により半導体チップを確実に保持することが難しい。これに対し、本発明に係る半導体装置の製造方法のように、半導体チップを基板に実装した後に、樹脂を裏面に塗布することによって、半導体チップを確実に保持した状態で実装することが可能となる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、微小クラックが生じ易い半導体チップの裏面にのみ樹脂を塗布するようにしたので、微小クラックの内部に樹脂を浸透させて硬化させることが可能になる。その結果、微小クラックを起点とする亀裂の発生を防止して、半導体チップの破損を防止することができる。つまり、半導体チップの強度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２６】
《発明の実施形態１》
図１及び図２は、本発明に係る半導体装置及びその製造方法の実施形態１を示している。図１は、半導体装置である液晶表示パネル１の一部を拡大して示す平面図であり、図２は、図１におけるII−II線断面図である。
【００２７】
液晶表示パネル１は、図２に示すように、表示のための画素がマトリクス状に配置されたアクティブマトリクス基板２と、アクティブマトリクス基板２に対向して配置された対向基板３と、対向基板３とアクティブマトリクス基板２との間に設けられた液晶層４とを備えている。
【００２８】
アクティブマトリクス基板２は、絶縁性基板であるガラス基板１０と、ガラス基板１０における液晶層４とは反対側の表面に設けられた偏光板１１とを備えている。ガラス基板１０の液晶層４側には、それぞれ図示を省略するが、スイッチング素子である薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor：以下、ＴＦＴと称する）と、格子状に形成されると共にＴＦＴに接続されたゲート配線及びソース配線と、ＴＦＴのドレイン電極に接続された画素電極とが設けられている。上記ゲート配線及びソース配線の端部は、引き出し配線（図示省略）により、表示に寄与しない領域であるアクティブマトリクス基板２の額縁領域１２に引き出されている。
【００２９】
アクティブマトリクス基板２の額縁領域１２には、複数のパネル側端子１６，１７，１８が設けられている。パネル側端子１６，１７は、後述の半導体チップ２０が接続され、パネル側端子１８には、後述のＦＰＣ２１が接続されるようになっている。パネル側端子１６は、上記引き出し配線に形成されている。
【００３０】
対向基板３は、絶縁性基板であるガラス基板１３と、ガラス基板１３における液晶層４とは反対側の表面に設けられた偏光板１４とを備えている。ガラス基板１３には、図示省略のカラーフィルタや遮光膜であるブラックマトリクスが形成されている。また、液晶層４は、シール部材１５により、上記対向基板３とアクティブマトリクス基板２との間の隙間に封入されている。
【００３１】
上記アクティブマトリクス基板２の額縁領域１２には、ベアチップである半導体チップ２０と、フレキシブル回路基板（以下、ＦＰＣと称する）２１とが実装されている。また、ガラス基板１０には、額縁領域１２を遮光する遮光テープ９が貼り付けられている。
【００３２】
半導体チップ２０は、アクティブマトリクス基板２のガラス基板１０に対し、フリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ２０は、例えば板状（言い換えれば、直方体状）に形成されており、回路が形成された回路面２２と、回路面２２の裏側に形成されて回路を有しない裏面２３と、裏面２３に隣接する複数の側面２６とを有している。回路面２２には導電性のバンプ２４が複数形成されている。
【００３３】
そして、上記半導体チップ２０は、回路面２２が下方へ向けられてフェイスダウンされた状態で、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）２８を介して、ガラス基板１０に実装されている。ＡＣＦ２８は、図２に示すように、半導体チップ２０の回路面２２とガラス基板１０との間に充填されると共に、ガラス基板１０上で下方へ向かって裾広がり状に形成されている。バンプ２４は、ＡＣＦ２８を介して上記パネル側端子１６，１７にそれぞれ接続されている。
【００３４】
ＦＰＣ２１の回路面２７には、銅箔端子２５が形成されている。そして、ＦＰＣ２１は、回路面２７が下方へ向けられた状態で、ＡＣＦ２９を介して上記パネル側端子１８に接続されている。ＡＣＦ２９は、ＦＰＣ２１における半導体チップ２０側の側面において、下方へ向かって裾広がり状に形成されている。こうして、ＦＰＣ２１は、パネル側端子１７，１８を介して半導体チップ２０に電気的に接続されている。
【００３５】
ＦＰＣ２１の銅箔端子２５からパネル側端子１８を介して出力された信号は、パネル側端子１７及びバンプ２４を介して半導体チップ２０に入力される。続いて、半導体チップ２０からバンプ２４及びパネル側端子１６を介して出力された信号は、引き出し配線を介してゲート配線及びソース配線へ出力される。その結果、各ＴＦＴが画素毎に駆動されて、画像表示が行われる。
【００３６】
そして、上記半導体チップ２０は、裏面２３にのみ樹脂３０が塗布されている。樹脂３０は、シリコン系、アクリル系及びウレタン系等の樹脂ではなく、例えばエポキシ系樹脂であることが好ましい。具体的には、エポテック３０１−２（Epoxy Technology,Inc.の商品）を適用した。また、樹脂３０の硬化前の粘性率ηは、０．１Ｐａ・ｓ（３０ｒｐｍ、２５℃）以上、且つ０．５Ｐａ・ｓ（３０ｒｐｍ、２５℃）以下であることが好ましい。
【００３７】
次に、液晶表示パネルの製造方法について説明する。
【００３８】
本実施形態の製造方法は、パネル本体製造工程と、半導体チップ実装工程と、ＦＰＣ実装工程と、樹脂塗布工程とを具備している。
【００３９】
パネル本体製造工程では、まず、予め形成されたアクティブマトリクス基板２と対向基板３とをスペーサ（図示省略）を介して互いに貼り合わせる。続いて、アクティブマトリクス基板２と対向基板３との間に液晶層４を充填してシール部材１５により封止する。
【００４０】
次に、半導体チップ実装工程とＦＰＣ実装工程とを行う。半導体チップ実装工程では、半導体チップ２０の裏面２３を搬送機器の吸着ヘッド（図示省略）によって吸着保持した状態で、額縁領域１２における所定の実装位置に搬送する。続いて、半導体チップ２０をアクティブマトリクス基板２のガラス基板１０にＡＣＦ２８を介してフリップチップ実装する。このことにより、半導体チップ２０を、パネル側端子１６及び引き出し配線等を介して各画素のＴＦＴに接続する。一方、ＦＰＣ実装工程では、ＦＰＣ２１を、上記ガラス基板１０にＡＣＦ２９を介して実装し、ＦＰＣ２１を半導体チップ２０に電気的に接続する。
【００４１】
その後、樹脂塗布工程では、ガラス基板１０に実装された半導体チップ２０に対し、その裏面２３にのみ液状の樹脂３０を塗布する。樹脂３０の塗布は、例えばディスペンサ等を用いることが好ましい。そして、樹脂３０を硬化させることにより、液晶表示パネル１を製造する。
【００４２】
−実施形態１の効果−
半導体チップ２０の裏面２３には、その搬送時の僅かな衝撃によっても、図１及び図２に示すように、微小クラック３１が生じ易い。ここで、微小クラック３１の径は、約１０μｍ以下の大きさである。本実施形態では、この微小クラック３１が生じ易い裏面２３にのみエポキシ系の樹脂３０を塗布し、その樹脂３０の２５℃における粘性率ηが、不等式０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓを満たすようにしたので、図３に拡大して示すように、微小クラック３１の内部に樹脂３０を確実に浸透させて硬化させることができる。その結果、微小クラック３１を起点とする亀裂の発生を防止できるため、半導体チップ２０の破損を防止することができる。言い換えれば、半導体チップ２０の強度を高めることができる。
【００４３】
ここで、樹脂３０の粘性率ηが０．５Ｐａ・ｓよりも大きい場合（η＞０．５Ｐａ・ｓ）には、微小クラック３１に十分に浸透させることができないため、微小クラック３１を起点とする亀裂の発生を防止できない。一方、樹脂３０の粘性率ηが０．１Ｐａ・ｓよりも小さい場合（η＜０．１Ｐａ・ｓ）には、樹脂３０を裏面２３上の領域にとどめることができず、樹脂３０の塗布領域を制御することが困難となる。したがって、樹脂３０の２５℃における粘性率ηの範囲は、上述のように、０．１Ｐａ・ｓ≦η≦０．５Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００４４】
これに対し、従来のように、外部から加わる衝撃力を吸収するための保護層を半導体チップに設けたものでは、その保護層に衝撃力を吸収する程度の弾性が必要である。その結果、保護層の硬化前の粘性率も大きくする必要がある。しかし、粘性率が大きいと、本実施形態のように硬化前の樹脂３０を微小クラック３１に十分に浸透させることができず、微小クラック３１を起点とする亀裂の発生による半導体チップ２０の破損を防止することができない。
【００４５】
また、仮に、ガラス基板１０に実装される前の裏面２３に樹脂３０が予め塗布されていると、搬送機器の吸着ヘッドにより半導体チップ２０の裏面２３を確実に吸着保持できないという問題もある。これに対し、本実施形態では、半導体チップ２０をガラス基板１０に実装するときに裏面２３には樹脂３０が未だ塗布されていないので、半導体チップ２０を確実に吸着保持した状態で実装することができる。
【００４６】
《発明の実施形態２》
図７は、本発明の実施形態２を示している。尚、図１〜図３と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００４７】
本実施形態では、樹脂３０が、半導体チップ２０の裏面２３と、半導体チップ２０の側面２６の少なくとも一部とに塗布されている。樹脂３０は、半導体チップ２０の側面２６に連続してＡＣＦ２８の表面にも塗布されている。ただし、樹脂３０は、ＦＰＣ２１に接触していない。
【００４８】
本実施形態の液晶表示パネル１を製造する場合には、上記実施形態１と同様に、パネル本体製造工程と、半導体チップ実装工程と、ＦＰＣ実装工程と、樹脂塗布工程とを行う。そして、樹脂塗布工程では、ガラス基板１０に実装された半導体チップ２０に対し、ＦＰＣ２１に接触しないように、上記裏面２３、側面２６及びＡＣＦ２８の表面に液状の樹脂３０を塗布する。
【００４９】
このようにしても、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。また、半導体チップ２０とＦＰＣ２１とが樹脂３０を介して接触していないので、ＦＰＣ２１に加わる衝撃力が直接に半導体チップ２０に伝わらない。したがって、半導体チップ２０の側面２６に樹脂３０が塗布されていても、ＦＰＣ２１に加わった衝撃力による半導体チップ２０の破損を防止できる。
【００５０】
（実施例）
次に、樹脂の塗布領域と半導体チップの強度との関係について実験した実施例について説明する。この実施例では、静圧試験、落下試験及び性能試験を行った。
【００５１】
まず、静圧試験では、測定機として、ＴＭＤ−１ＫＮ（エア・ブラウン株式会社製の商品）を用いた。測定機の模式的な側面図である図１０と、測定機の模式的な平面図である図１１とに示すように、上下に延びる一対の支柱４１の上に、半導体チップ２０が実装された液晶表示パネル１を架け渡して設置する。このとき、半導体チップ２０は、その裏面２３の長辺方向が、上記一対の支柱４１の一方から他方へ向かう方向に一致するように、配置されている。また、支柱４１と液晶表示パネル１との重なり幅ａは、それぞれ１．５ｍｍとした。
【００５２】
そして、治具４２を、半導体チップ２０の上方位置から下降させることにより、半導体チップ２０に静的荷重を加える。このとき、治具の降下速度を５ｍｍ／ｍｉｎとした。表１に、樹脂の塗布領域と、半導体チップ２０が破断したときの荷重（耐荷重）及び変位との関係を示す。
【００５３】
ここで、図５に示すように、半導体チップ２０の裏面２３の全面に樹脂３０を塗布し（以下、樹脂３０が塗布されたこの領域を、標準領域とも称する）、７０℃の温度条件下で３時間放置して硬化させたものを実施例１とする。また、図７に示すように、裏面２３だけでなく半導体チップ２０の全体を樹脂３０により覆うと共に、ガラス基板１０，１３の一部及びＦＰＣ２１の一部をもそれぞれ覆うように塗布し（以下、樹脂３０が塗布されたこれらの領域を、過多領域とも称する）、７０℃の温度条件下で３時間放置して硬化させたものを比較例１とする。また、図４に示すように、樹脂３０を全く塗布しないものを比較例２としている。
【００５４】
【表１】
2006140358.tif 000003
【００５５】
実施例１及び比較例１，２は、それぞれ５つのサンプルを用意して試験を行った。表１には、各サンプルの試験結果の最小値、平均値及び最大値をそれぞれ示している。
【００５６】
表１に示すように、標準領域に樹脂３０が塗布された実施例１は、耐荷重の平均値が１１．７Ｎであり、過多領域に樹脂３０が塗布された比較例１における耐荷重の平均値（１２．３Ｎ）よりも小さいものの、樹脂が塗布されない比較例２における耐荷重の平均値（７．７Ｎ）に比べて１．４倍以上の耐荷重を発揮していることが分かった。つまり、樹脂３０を裏面２３に塗布することにより、静荷重に対する強度が高められていることが確認された。
【００５７】
また、実施例１の破断時変位の平均値（０．３２ｍｍ）は、比較例１の変位の平均値（０．３２ｍｍ）、及び比較例２の変位の平均値（０．２８ｍｍ）よりも大きくなっていることが分かった。すなわち、樹脂３０を裏面２３に塗布することにより、半導体チップ２０の判断時における変位を１．２５倍程度に増大できることが確認された。
【００５８】
次に、落下試験では、半導体チップが実装された液晶表示装置を有する携帯電話機を受け台に自由落下させ、上記半導体チップの割れ状態を顕微鏡で観察した。上記受け台には、厚さが５０ｍｍの硬木に厚さが２ｍｍのラバーを貼り付けたものを用いた。そして、受け台の上方１００ｃｍの高さ位置から上記携帯電話機を落下させ、５０回、１００回、１５０回、２００回、２５０回、及び３００回落下させた後に観察を行った。
【００５９】
ここで、標準領域に樹脂３０を塗布し、７０℃の温度条件下で２時間放置して硬化させたものを実施例２とする。また、標準領域に樹脂３０を塗布し、常温下で２日間放置して硬化させたものを実施例３とする。
【００６０】
また、図２及びその拡大平面図である図８に示すように、半導体チップ２０の裏面２３の一部に樹脂３０を塗布し（以下、樹脂３０が塗布されたこの領域を、最小領域とも称する）、７０℃の温度条件下で３時間放置して硬化させたものを実施例４とする。図８に示すように、実施例４では、長方形の裏面２３に対し、樹脂３０を、長辺方向の両端部からａ＝２〜３ｍｍ内側であって且つ短辺方向の両端部からｂ＝０．１〜０．２ｍｍ内側である領域に塗布した。
【００６１】
さらに、図６に示すように、半導体チップ２０の裏面２３の全面及び側面２６と、ＡＣＦ２８の表面とに樹脂３０を塗布し（以下、樹脂３０が塗布されたこの領域を、最大領域とも称する）、７０℃の温度条件下で３時間放置して硬化させたものを実施例５とする。
【００６２】
上記実施例１〜５及び比較例１，２について実験した結果を表２に示す。表２において、○印は破断しなかったことを示し、×印は破断したことを示す。尚、−印は実験を省略したことを示す。
【００６３】
【表２】
2006140358.tif 000004
【００６４】
実施例１〜５及び比較例１，２は、それぞれ５つ用意して試験を行った（サンプル番号：No.1〜No.5）。表２に示すように、樹脂３０が全く塗布されていない比較例２では、５０回落下させた時点で、全てのサンプルの半導体チップ２０が破断しており、過多領域に樹脂３０が塗布された比較例１では、１５０回落下させた時点で破断した半導体チップ２０が見られた。比較例１では、半導体チップ２０が、樹脂３０を介してＦＰＣ２１及びガラス基板１０，１３に繋がっているので、これらＦＰＣ２１及びガラス基板１０，１３に加わった外部からの衝撃力が樹脂３０を介して半導体チップ２０に伝わってしまう。その結果、半導体チップ２０が落下により比較的破断し易くなっていると考えられる。これに対し、実施例１〜５では、２５０回以上の落下に対する耐久性を発揮できることが分かった。
【００６５】
また、樹脂３０を最大領域に塗布した上記実施例５に対し、樹脂３０の塗布による表示の異常、又は消費電流の異常が生じるか否かを確認するために、性能試験を行った。試験は、次の５つの条件毎に１０回ずつ行った。（1）８０℃の高温度環境下で５００時間放置した後に試験する。（2）−３０℃のてい温度環境下で５００時間放置した後に試験する。（3）５０℃、９５％ＲＨの高湿度環境下で５００時間放置した後に試験する。（4）４０℃、９５％ＲＨの高湿度環境下で５００時間、黒表示動作させる。（5）−３０℃の冷温環境下に３０分間放置し、その後連続して８５℃の高温環境下に３０分間放置した後に試験する。上記（1）〜（5）の何れの条件で性能試験を行っても、樹脂３０の塗布による表示の異常、及び消費電流の異常は、見られなかった。つまり、半導体チップ２０に樹脂３０を塗布しても表示性能に異常は生じないということが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
以上説明したように、本発明は、ＣＯＧ実装された半導体チップを有する半導体装置及びその製造方法について有用であり、特に、半導体チップの強度を高める場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】アクティブマトリクス基板に実装された半導体チップを示す平面図である。
【図２】図１におけるII−II線断面図である。
【図３】半導体チップの裏面に生じた微小クラックを示す断面図である。
【図４】樹脂が塗布されていない比較例２を示す断面図である。
【図５】標準領域に樹脂が塗布された実施例１〜３を示す断面図である。
【図６】最大領域に樹脂が塗布された実施例５を示す断面図である。
【図７】過多領域に樹脂が塗布された比較例１を示す断面図である。
【図８】最小領域に樹脂が塗布された半導体チップを示す平面図である。
【図９】静圧試験装置を模式的に示す側面図である。
【図１０】静圧試験装置を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１      液晶表示パネル（半導体装置）
１０      ガラス基板
２０      半導体チップ
２１      ＦＰＣ（フレキシブル回路基板）
２２      回路面
２３      裏面
２６      側面
３０      樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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