(57)【要約】【課題】所定量の合成樹脂を確実かつ容易に塗布することができ、半導体素子の積層高さのばらつきを低減させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】基板の上面に半導体素子４を搭載し、その後半導体素子４上に半導体素子７の長手方向が半導体素子４の長手方向と直交するように半導体素子７を搭載する。半導体素子４上に半導体素子７を搭載した後、半導体素子７上にオーバーハング長さＬが２００μｍ以上となるような大きさに形成されたスペーサ１３を搭載し、その後半導体素子７の上面に合成樹脂１５を塗布する。合成樹脂１５は、スペーサ１３の上面が露出するように半導体素子７の上面に塗布される。合成樹脂１５を塗布した後、スペーサ１３上に半導体素子１０の長手方向が半導体素子４の長手方向と揃うように半導体素子１０を搭載する。その後、合成樹脂１５がスペーサ１３と半導体素子１０との間に介在しないようにオーバーハング領域に合成樹脂１５を充填する。【選択図】図１
2006066816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の対向する縁部に第１のボンディングパッドがそれぞれ形成された第１の半導体素子を、基板上に搭載する工程と、
上面の対向する縁部に第２のボンディングパッドがそれぞれ形成された第２の半導体素子を、前記第１の半導体素子上であり、かつ前記第１のボンディングパッド間の領域に搭載する工程と、
オーバーハング長さが２００μｍ以上となる大きさのスペーサを前記第２の半導体素子上に搭載する工程と、
前記スペーサの上面が露出するように合成樹脂を前記第２の半導体素子上に塗布する工程と、
厚さが１００μｍ以下であり、かつ上面の対向する縁部に第３のボンディングパッドがそれぞれ形成された第３の半導体素子を、前記スペーサ上であり、かつ前記第２のボンディングパッド間の領域に搭載する工程と、
前記合成樹脂が前記スペーサと前記第３の半導体素子との間に介在しないように前記第３の半導体素子の下方に存在するオーバーハング領域に前記合成樹脂を充填する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記スペーサは、複数搭載されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ボンディングパッドを有する基板と、
上面の対向する縁部にボンディングパッドがそれぞれ形成され、前記基板上に搭載された第１の半導体素子と、
前記基板のボンディングパッドと前記第１の半導体素子のボンディングパッドとに接続された第１のボンディングワイヤと、
上面の対向する縁部にボンディングパッドがそれぞれ形成され、前記第１の半導体素子上であり、かつ前記第１の半導体素子のボンディングパッド間の領域に搭載された第２の半導体素子と、
前記基板のボンディングパッドと前記第２の半導体素子のボンディングパッドとに接続された第２のボンディングワイヤと、
上面の対向する縁部にボンディングパッドがそれぞれ形成され、前記第２の半導体素子上であり、かつ前記第２の半導体素子のボンディングパッド間の領域に搭載された第３の半導体素子と、
前記基板のボンディングパッドと前記第３の半導体素子のボンディングパッドとに接続された第３のボンディングワイヤと、
前記第２の半導体素子と前記第３の半導体素子との間に位置し、オーバーハング長さが２００μｍ以上となる大きさに形成されたスペーサと、
前記スペーサと前記第３の半導体素子との間に介在しないように前記第３の半導体素子の下方に存在するオーバーハング領域に充填された合成樹脂と、
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記スペーサは、複数搭載されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
第３の半導体素子上には、上面の対向する縁部にボンディングパッドがそれぞれ形成された少なくとも１以上の半導体素子が搭載されていることを特徴とする請求項３又は４記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体産業の発展から極めて薄い半導体素子が開発されており、このような半導体素子を基板上に積層して、１つの半導体装置を形成する技術が注目されている。このような半導体装置は、半導体素子の集積度を向上させることができるという利点を有する。
【０００３】
基板上に同じサイズの半導体素子を積層する場合、下層の半導体素子のボンディングパッドに接続されたボンディングワイヤと上層の半導体素子が干渉してしまうことから、図１３（ａ）に示されるように基板上１０１に互い違いに半導体素子１０２〜１０４を積層することが提案されている。
【０００４】
しかしながら、半導体素子１０２〜１０４を互い違いに積層する場合には、半導体素子１０４の縁部下方には空洞領域が形成される。この空洞領域が所定以上存在すると、半導体素子１０４の縁部にボンディングワイヤを接続する際のボンディング加重により、半導体素子１０４の割れや半導体素子１０４が撓んでしまうことによるボンディング不良が発生してしまうので、現在、図１３（ｂ）に示されるように空洞領域には、合成樹脂１０５が充填されている。ここで、空洞領域への合成樹脂１０５の充填方式としては、半導体素子１０４を積層した後に合成樹脂１０５を充填するアンダーフィル方式と、予め空洞領域となる部分に合成樹脂１０５を塗布した後、半導体素子１０４を積層し、加圧して空洞領域に合成樹脂１０５を充填するポッティング方式、及び半導体素子１０４の裏面全面に合成樹脂１０５を塗布した後、半導体素子１０４を搭載し、加圧して空洞領域に合成樹脂１０５を充填する方式（例えば、特許文献１参照。）が挙げられる。
【特許文献１】特開２００３−２１８３１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、アンダーフィル方式では、高さが約１００μｍ程度の空洞領域にボイドなく充填するのは困難である。また、ディスペンスノズルを使用して合成樹脂１０５を空洞領域に圧入するが、この際にボンディングワイヤへのディスペンスノズルの接触、或いは合成樹脂１０４によるボンディングワイヤの薙ぎ倒しが懸念される。
【０００６】
ポッティング方式では、空洞領域となる部分が非常に狭いので、合成樹脂１０５の塗布量が調節し難い。ここで、ポッティング方式は半導体素子１０４に圧力を加えて合成樹脂１０５を流動させる必要があるが、塗布量が多すぎると、半導体素子１０２から合成樹脂１０５がはみ出してしまい、基板１０１のボンディングパッドが汚染されてしまい、ボンディングができなくなってしまう。また、塗布量が少な過ぎると、充分な充填をすることができず、パッケージング後のパッケージクラックの原因となりかねない。
【０００７】
特許文献１のような方式では、半導体素子１０３と半導体素子１０４との間に合成樹脂１０５が存在しているので、加圧量により半導体素子１０２〜１０４の積層高さが変化し、半導体素子１０２〜１０４の積層高さがばらついてしまう。なお、特許文献１では、半導体素子と半導体素子との間にスペーサを介在させているが、スペーサと半導体素子との間に合成樹脂が存在しているので、同様の問題が生じる。
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。即ち、所定量の合成樹脂を確実かつ容易に塗布することができ、半導体素子の積層高さのばらつきを低減させることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一の態様によれば、上面の対向する縁部に第１のボンディングパッドがそれぞれ形成された第１の半導体素子を、基板上に搭載する工程と、上面の対向する縁部に第２のボンディングパッドがそれぞれ形成された第２の半導体素子を、前記第１の半導体素子上であり、かつ前記第１のボンディングパッド間の領域に搭載する工程と、オーバーハング長さが２００μｍ以上となる大きさのスペーサを前記第２の半導体素子上に搭載する工程と、前記スペーサの上面が露出するように合成樹脂を前記第２の半導体素子上に塗布する工程と、厚さが１００μｍ以下であり、かつ上面の対向する縁部に第３のボンディングパッドがそれぞれ形成された第３の半導体素子を、前記スペーサ上であり、かつ前記第２のボンディングパッド間の領域に搭載する工程と、前記合成樹脂が前記スペーサと前記第３の半導体素子との間に介在しないように前記第３の半導体素子の下方に存在するオーバーハング領域に前記合成樹脂を充填する工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、ボンディングパッドを有する基板と、上面の対向する縁部にボンディングパッドがそれぞれ形成され、前記基板上に搭載された第１の半導体素子と、前記基板のボンディングパッドと前記第１の半導体素子のボンディングパッドとに接続された第１のボンディングワイヤと、上面の対向する縁部にボンディングパッドがそれぞれ形成され、前記第１の半導体素子上であり、かつ前記第１の半導体素子のボンディングパッド間の領域に搭載された第２の半導体素子と、前記基板のボンディングパッドと前記第２の半導体素子のボンディングパッドとに接続された第２のボンディングワイヤと、上面の対向する縁部にボンディングパッドがそれぞれ形成され、前記第２の半導体素子上であり、かつ前記第２の半導体素子のボンディングパッド間の領域に搭載された第３の半導体素子と、前記基板のボンディングパッドと前記第３の半導体素子のボンディングパッドとに接続された第３のボンディングワイヤと、前記第２の半導体素子と前記第３の半導体素子との間に位置し、オーバーハング長さが２００μｍ以上となる大きさに形成されたスペーサと、前記スペーサと前記第３の半導体素子との間に介在しないように前記第３の半導体素子の下方に存在するオーバーハング領域に充填された合成樹脂と、を具備することを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一の態様による半導体装置の製造方法によれば、スペーサを第２の半導体素子上に搭載するので、合成樹脂を第２の半導体素子上に塗布することができ、所定量の合成樹脂を確実かつ容易に塗布することができる。また、合成樹脂がスペーサと第３の半導体素子との間に介在しないようにオーバーハング領域に合成樹脂を充填するので、半導体素子の積層高さのばらつきを低減させることができる。本発明の他の態様の半導体装置によれば、オーバーハング領域に合成樹脂が充填されているとともにスペーサと第３の半導体素子との間に合成樹脂が介在していないので、半導体素子の割れやボンディング不良を低減し、積層高さのばらつきを低減した半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は本実施の形態に係る半導体装置の模式的な垂直断面図であり、図２は本実施の形態に係る封止樹脂を取り除いた状態の半導体装置の模式的な平面図である。
【００１３】
図１及び図２に示されるように、半導体装置１は、基板２を備えている。基板２は、上面の所定の箇所に配置されたボンディングパッド２ａを備えており、基板２の下面には、基板２と他の基板とを電気的に接続するための複数の半田ボール３が形成されている。
【００１４】
基板２上には、厚さが１００μｍ以下の半導体素子４（第１の半導体素子）が搭載されている。半導体素子４は、長方形状に形成されている。半導体素子４上面における対向する縁部にはそれぞれ２つづつボンディングパッド４ａが形成されており、ボンディングパッド２ａとボンディングパッド４ａはボンディングワイヤ５（第１のボンディングワイヤ）により接続されている。半導体素子４は、熱可塑性樹脂から構成された接着層６により基板２に固定されている。
【００１５】
半導体素子４上におけるボンディングパッド４ａ間の領域には、厚さが１００μｍ以下の半導体素子７が搭載されている。半導体素子７は、長方形状に形成されている。ここで、半導体素子７は長手方向が半導体素子４の長手方向と直交するように半導体素子４上に搭載されている。半導体素子７上面における対向する縁部にはそれぞれ２つづつボンディングパッド７ａが形成されており、ボンディングパッド２ａとボンディングパッド７ａはボンディングワイヤ８（第２のボンディングワイヤ）により接続されている。半導体素子７は、熱可塑性樹脂から構成された接着層９により半導体素子４に固定されている。
【００１６】
半導体素子７上におけるボンディングパッド７ａ間の領域には、厚さが１００μｍ以下の半導体素子１０（第３の半導体素子）が搭載されている。半導体素子１０は、長方形状に形成されている。ここで、半導体素子１０は長手方向が半導体素子４の長手方向と揃うように半導体素子７上に搭載されている。半導体素子１０上面における対向する縁部にはそれぞれ２つづつボンディングパッド１０ａが形成されていおり、ボンディングパッド２ａとボンディングパッド１０ａはボンディングワイヤ１１（第３のボンディングワイヤ）により接続されている。半導体素子１０は、熱可塑性樹脂から構成された接着層１２により次に説明するスペーサ１３に固定されている。
【００１７】
半導体素子７と半導体素子１０との間には、厚さが１００μｍ以下のスペーサ１３が介在している。スペーサ１３は、スペーサ１３の端面からスペーサ１３の上面に搭載されている半導体素子１０のボンディングパッド１０ａの中心までの距離（オーバーハング長さＬ）が２００μｍ以上となるような大きさに形成されている。
【００１８】
スペーサ１３は、弾性率が１００〜１０００ＧＰａであって、線膨張係数が１．００×１０４〜１．００×１０６（ｐｐｍ／℃）である物質から構成されていることが好ましい。このような物質としては、例えば弾性率が１７０ＧＰａ（２５℃）であって、線膨張係数が１．２５×１０５（ｐｐｍ／℃）であるＳｉが挙げられる。スペーサ１３は、熱可塑性樹脂から構成された接着層１４により半導体素子７に固定されている。
【００１９】
半導体素子１０の下方におけるスペーサ１３の端面からスペーサ１３の上面に搭載されている半導体素子１０のボンディングパッド１０ａの中心までの空洞領域（オーバーハング領域）には、合成樹脂１５が充填されている。合成樹脂１５は、例えばエポキシ系の熱硬化性樹脂から構成することが可能である。ここで、スペーサ１３と半導体素子１０との間には、接着層１２が介在しているが、合成樹脂１５は介在していない。半導体素子４，７，１０等は、封止樹脂１６により封止されている。
【００２０】
このような半導体装置１は、以下のようにして形成することができる。図３は本実施の形態に係る半導体装置の製造工程の流れを示したフローチャートであり、図４（ａ）〜図７（ｂ）は本実施の形態に係る半導体装置１の製造状態を模式的に示した図である。
【００２１】
まず、図４（ａ）に示されるように、基板２の上面に半導体素子４を搭載する（ステップ１）。半導体素子４の下面には接着層６が形成されており、基板２の上面に半導体素子４を搭載することにより基板２に半導体素子４が固定される。
【００２２】
基板２の上面に半導体素子４を搭載した後、図４（ｂ）に示されるように、半導体素子４上におけるボンディングパッド４ａ間の領域に、半導体素子７の長手方向が半導体素子４の長手方向と直交するように半導体素子７を搭載する（ステップ２）。半導体素子７の下面には接着層９が形成されており、半導体素子４の上面に半導体素子７を搭載することにより半導体素子４に半導体素子７が固定される。
【００２３】
半導体素子４の上面に半導体素子７を搭載した後、図４（ｃ）に示されるように、基板２のボンディングパッド２ａと半導体素子４のボンディングパッド４ａとをボンディングワイヤ５により接続する（ステップ３）。
【００２４】
ボンディングワイヤ５をボンディングパッド２ａ，４ａに接続した後、図５（ａ）に示されるように、半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載する（ステップ４）。スペーサ１３の下面には接着層１４が形成されており、半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載することにより半導体素子７にスペーサ１３が固定される。
【００２５】
半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載した後、図５（ｂ）に示されるように、基板２のボンディングパッド２ａと半導体素子７のボンディングパッド７ａとをボンディングワイヤ８により接続する（ステップ５）。
【００２６】
ボンディングワイヤ８をボンディングパッド２ａ，７ａに接続した後、図５（ｃ）に示されるように、半導体素子７の上面にディスペンスノズルにより合成樹脂１５を塗布する（ステップ６）。合成樹脂１５は、スペーサ１３の上面が露出し、かつスペーサ１３の周囲を取り囲むように半導体素子７の上面に塗布される。
【００２７】
半導体素子７の上面に合成樹脂１５を塗布した後、図６（ａ）に示されるように、スペーサ１３上であり、かつボンディングパッド７ａ間の領域に、半導体素子１０の長手方向が半導体素子２の長手方向と揃うように半導体素子１０を搭載する（ステップ７）。半導体素子１０の下面には接着層１２が形成されており、スペーサ１３の上面に半導体素子１０を搭載することによりスペーサ１３に半導体素子１０が固定される。
【００２８】
スペーサ１３の上面に半導体素子１０を搭載した後、図６（ｂ）に示されるように、合成樹脂１５がスペーサ１３と半導体素子１０との間に介在しないように半導体素子１０側から加圧し、合成樹脂１５を流動させて、オーバーハング領域に合成樹脂１５を充填させる。また、合成樹脂１５を加熱して、合成樹脂１５を硬化させる（ステップ８）。
【００２９】
合成樹脂１５を硬化させた後、図６（ｃ）に示されるように、基板２のボンディングパッド２ａと半導体素子１０のボンディングパッド１０ａとをボンディングワイヤ１１により接続する（ステップ９）。
【００３０】
ボンディングワイヤ１１をボンディングパッド２ａ，１０ａに接続した後、図７（ａ）に示されるように、基板２の上面に封止樹脂１６を塗布し、封止樹脂１６により半導体素子２，７，１０等を封止する（ステップ１０）。その後、図７（ｂ）に示されるように、基板２の下面に半田ボール３を形成する（ステップ１１）。これにより、図１及び図２に示される半導体装置１が完成する。
【００３１】
本実施の形態では、半導体素子７と半導体素子１０との間にスペーサ１３を介在させているので、所定量の合成樹脂１５を確実かつ容易に塗布することができる。即ち、半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載することにより、半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載しない場合に比べて、合成樹脂１５の塗布面積を拡大させることができる。具体的には、半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載しない場合には、半導体素子４の上面の露出している部分に合成樹脂１５を塗布しなければならないのに対して、半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載した場合には、半導体素子７の上面に合成樹脂１５を塗布することができる。従って、合成樹脂１５の塗布を拡大させることができる。これにより、広い領域で合成樹脂１５の塗布を行うことができるので、確実かつ容易に合成樹脂１５の塗布を行うことができる。また、本実施の形態では、スペーサ１３上に半導体素子１０を搭載する前に合成樹脂１５を塗布しているので、より容易に合成樹脂１５の塗布を行うことができる。なお、これらの結果、合成樹脂１５がオーバーハング領域に確実に充填されるので、パッケージング後のパッケージクラックを抑制することができる。
【００３２】
本実施の形態では、スペーサ１３と半導体素子１０との間に合成樹脂１５を介在させないので、半導体素子４，７，１０の積層高さのばらつきを低減させることができる。即ち、スペーサ１３の上面と半導体素子１０の下面との間に合成樹脂１５を介在させないことにより、半導体素子１０を加圧した場合であっても、半導体素子７と半導体素子１０との間の距離は、ほぼスペーサ１３の厚さ以下とはならない。これにより、半導体素子４，７，１０の積層高さのばらつきを低減させることができる。なお、半導体素子４，７，１０の厚さが８０μｍ以下のときに特に有効である。
【００３３】
本実施の形態では、オーバーハング領域に合成樹脂１５を充填させているので、ボンディングパッド１０ａにボンディングワイヤ１１を接続する際における半導体素子１０の割れ及びボンディング不良を低減させることができる。即ち、半導体素子の厚さとオーバーハング長さは図８に示される関係があり、図８のグラフに示されるように半導体素子が割れない領域（半導体素子割れ境界線の下側の領域）と撓みによるボンディング不良が発生しない領域（ボンディング不良境界線の下側の領域）との重複領域（ボンディング可能領域）内であれば、オーバーハング領域に合成樹脂１５を充填しなくてもスペーサ１３のみにより半導体素子１０の割れ及びボンディング不良を抑制することができる。しかしながら、それ以外の領域（ボンディング不可能領域）ではスペーサ１３のみでは半導体素子１０の割れやボンディング不良を抑制することは困難である。ここで、半導体素子の厚さが１００μｍであり、オーバーハング長さが２００μｍであるポイントは、ボンディング可能領域とボンディング不可能領域との境界付近にあるが、ボンディング不可能領域に存在する。それ故、半導体素子１０の割れ及びボンディング不良を低減させるには、オーバーハング領域に合成樹脂１５を充填させることが必要である。本実施の形態では、オーバーハング領域に合成樹脂１５を充填させているので、ボンディングパッド１０ａにボンディングワイヤ１１を接続する際における半導体素子１０の割れ及びボンディング不良を低減させることができる。なお、ストレスリリーフを行うことによりボンディング可能領域が拡大しているのは、以下の理由からである。通常、半導体素子の裏面は機械的に研削されているが、この研削を行うと半導体素子の裏面に傷が生じてしまう（ストレスリリーフ無し）。この傷は半導体素子の割れ等の原因となる。そこで、機械的な研削に代えて半導体素子の裏面をエッチングすることにより、半導体の裏面に生じる傷を低減させることができるので、ボンディング可能領域を拡大することができる（ストレスリリーフ有り）。
【００３４】
（第２の実施の形態）
以下、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態では、合成樹脂が所定領域以上流れないように合成樹脂を塞き止める塞き止部を形成した例について説明する。図９は本実施の形態に係る半導体装置の模式的な垂直断面図である。
【００３５】
図９に示されるように、半導体素子４の外周縁部には、加圧した際に合成樹脂１５が所定領域以上流れないように合成樹脂１５を塞き止める塞き止部２１が形成されている。塞き止部２１は、ボンディングパッド４ａの外側に形成されている。
【００３６】
このような塞き止部２１を備えた半導体装置１は、以下のようにして形成することができる。まず、第１の実施の形態と同様に、基板２の上面に半導体素子４を搭載し、半導体素子４の上面に半導体素子７を搭載し、ボンディングパッド２ａとボンディングパッド４ａとをボンディングワイヤ５により接続する。
【００３７】
ボンディングワイヤ５をボンディングパッド２ａ，４ａに接続した後、半導体素子７の上面にスペーサ１３を搭載する。その後、半導体素子４の上面が露出している部分の外周縁部に熱硬化性の合成樹脂を塗布し、加熱して塞き止部２１を形成する。塞き止部２１を形成した後、ボンディングパッド２ａとボンディングパッド７ａとをボンディングワイヤ８により接続する。
【００３８】
ボンディングワイヤ８をボンディングパッド２ａ，７ａに接続した後、半導体素子７の上面に合成樹脂１５を塗布し、スペーサ１３の上面に半導体素子１０を搭載する。その後、半導体素子１０を加圧して、オーバーハング領域に合成樹脂１５で充填するとともに合成樹脂１５を加熱して、合成樹脂１５を硬化させる。その後、ボンディングパッド２ａとボンディングパッド１０ａとをボンディングワイヤ１１により接続する。
【００３９】
ボンディングワイヤ１１をボンディングパッド２ａ，１０ａに接続した後、封止樹脂１６により半導体素子４，７，１０等を封止し、その後基板２の下面に半田ボール３を形成する。これにより、図９に示される塞き止部２１を備えた半導体装置１が完成する。
【００４０】
本実施の形態では、半導体素子４の外周縁部に塞き止部２１を形成しているので、ボンディングパッド２ａとボンディングワイヤ１１とを接続する際のボンディング不良を抑制することができる。即ち、半導体素子４の外側に合成樹脂１５がはみ出してしまうと、基板２のボンディグパッド２ａを被覆してしまう可能性がある。ここで、合成樹脂１５を塗布する際には、ボンディングパッド２ａにはまだボンディングワイヤ１１が接続されていないので、ボンディングパッド２ａが合成樹脂１５により被覆されると、ボンディングパッド２ａとボンディングワイヤ１１とを確実に接続することができず、ボンディング不良となってしまう。これに対し、本実施の形態では、半導体素子４の外周縁部に塞き止部２１を形成しているので、加圧した際における半導体素子４外側への合成樹脂１５のはみ出しを抑制することができる。これにより、ボンディングパッド２ａが合成樹脂１５により被覆されず、確実にボンディングワイヤ１１をボンディングパッド２ａに接続することができる。それ故、ボンディング不良を抑制することができる。
【００４１】
本実施の形態では、ボンディングパッド４ａとボンディングワイヤ５とを接続した後に、塞き止部２１を形成しているので、ボンディングパッド４ａとボンディングワイヤ５とを接続する際のボンディング不良を抑制することができる。即ち、上述したように塞き止部２１は合成樹脂を塗布し、加熱することにより形成されるが、ボンディングパッド４ａとボンディングワイヤ５とを接続する前に、合成樹脂を塗布すると、ボンディングパッド４ａ上に合成樹脂が流れ、ボンディングパッド４ａが合成樹脂により被覆されてしまう可能性がある。これに対し、本実施の形態では、ボンディングパッド４ａとボンディングワイヤ５とを接続した後に、合成樹脂を塗布して塞き止部２１を形成しているので、ボンディングパッド４ａ上に合成樹脂が流れた場合であっても、ボンディング不良が引き起こされることはない。それ故、ボンディング不良を抑制することができる。
【００４２】
（第３の実施の形態）
以下、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態では、スペーサの形状や配置等のバリエーションについて説明する。図１０（ａ）〜図１１（ｂ）は、本実施の形態に係る封止樹脂等を取り除いた状態の半導体装置の模式的な平面図である。
【００４３】
図１０（ａ）〜図１１（ａ）に示されるように、スペーサ１３は複数配置されていてもよい。図１０（ａ）においては、スペーサ１３は直方体状に形成されており、ボンディングパッド７ａが存在する縁部に２つづつ配置されているとともに半導体素子７の中心に１つ配置されたものが図示されている。図１０（ｂ）においては、スペーサ１３は直方体状に形成されており、半導体素子７上に半導体素子１０の長手方向に沿って３つ配置されたものが図示されている。図１１（ａ）においては、スペーサ１３は直方体状に形成されており、半導体素子７の対角線上にそれぞれ２つづつ配置されたものが図示されている。図１１（ｂ）においては、スペーサ１３は円板状に形成されており、半導体素子７の中心に配置されたものが図示されている。
【００４４】
（第４の実施の形態）
以下、第４の実施の形態について説明する。本実施の形態では、半導体素子を５枚積層した例について説明する。図１２は本実施の形態に係る半導体装置の模式的な垂直断面図である。
【００４５】
図１２に示されるように、半導体素子１０上におけるボンディングパッド１０ａ間には、厚さが１００μｍ以下の半導体素子３１が搭載されている。半導体素子３１は、長方形状に形成されている。ここで、半導体素子３１は長手方向が半導体素子７の長手方向と沿うように半導体素子１０上に搭載されている。半導体素子３１上面における対向する縁部にはそれぞれ２つづつボンディングパッド（図示せず）が形成されており、ボンディングパッド２ａと半導体素子３１のボンディングパッドはボンディングワイヤ（図示せず）により接続されている。半導体素子３１は、熱可塑性樹脂から構成された接着層３２により半導体素子１０に固定されている。
【００４６】
半導体素子３１上におけるボンディングパッド間には、厚さが１００μｍ以下の半導体素子３３が搭載されている。半導体素子３３は、長方形状に形成されている。ここで、半導体素子３３は長手方向が半導体素子１０の長手方向と揃うように半導体素子３１上に搭載されている。半導体素子３３上面における対向する縁部には、それぞれ２つづつボンディングパッド３３ａが形成されており、ボンディングパッド２ａとボンディングパッド３３ａはボンディングワイヤ３４により接続されている。半導体素子３３は、熱可塑性樹脂から構成された接着層３５により次に説明するスペーサ３６に固定されている。
【００４７】
半導体素子３１と半導体素子３３との間には、厚さが１００μｍ以下のスペーサ３６が介在している。スペーサ３６は、スペーサ３６の端面からスペーサ３６の上面に搭載されている半導体素子３３のボンディングパッド３３ａの中心までの距離（オーバーハング長さＬ）が２００μｍ以上となるような大きさに形成されている。なお、スペーサ３６は、スペーサ１３と同様の材料から構成することが可能である。スペーサ３６は、熱可塑性樹脂から構成された接着層３７により半導体素子３３に固定されている。
【００４８】
半導体素子３３の下方におけるスペーサ３６の端面からスペーサ３６の上面に搭載されている半導体素子３３のボンディングパッド３３ａの中心までの空洞領域（オーバーハング領域）には、合成樹脂３８が充填されている。ここで、スペーサ３６と半導体素子３３との間には、接着層３５は介在しているが、合成樹脂３８は介在していない。なお、合成樹脂３８は、合成樹脂１５と同様の材料から構成することが可能である。
【００４９】
半導体素子４，７，１０，３１，３３等は、封止樹脂１６により封止されている。このような半導体装置１は、第１の実施の形態の手順と同様の手順を繰り返すことより形成することができる。
【００５０】
なお、本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１は第１の実施の形態に係る半導体装置の模式的な垂直断面図である。
【図２】図２は第１の実施の形態に係る封止樹脂を取り除いた状態の半導体装置の模式的な平面図である。
【図３】図３は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程の流れを示したフローチャートである。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造状態を模式的に示した図である。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造状態を模式的に示した図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造状態を模式的に示した図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は第１の実施の形態に係る半導体装置の製造状態を模式的に示した図である。
【図８】図８は半導体素子の厚さとオーバーハング長さの関係を示したグラフである。
【図９】図９は第２の実施の形態に係る半導体装置の模式的な垂直断面図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は第３の実施の形態に係る封止樹脂等を取り除いた状態の半導体装置の模式的な平面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は第３の実施の形態に係る封止樹脂等を取り除いた状態の半導体装置の模式的な平面図である。
【図１２】図１２は第４の実施の形態に係る半導体装置の模式的な垂直断面図である。
【図１３】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は従来の半導体装置の模式的な垂直断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１…半導体装置、２…基板、２ａ，４ａ，７ａ，１０ａ，３３ａ…ボンディングパッド、４，７，１０，３１，３３…半導体素子、５，８，１１，３４…ボンディングワイヤ、１３，３６…スペーサ、１５，３８…合成樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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