(57)【要約】【課題】  高品質で性能ばらつきの少ない有機電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】  一対の電極間に、少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有する蒸着材料を脱ガス処理する工程と、該脱ガス処理後に該蒸着材料を加熱して蒸着する工程と、を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有する蒸着材料を脱ガス処理する工程と、該脱ガス処理後に該蒸着材料を加熱して蒸着する工程と、を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【請求項２】
前記脱ガス処理する工程と前記蒸着する工程との間に、前記蒸着材料が大気下にさらされないことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【請求項３】
前記脱ガス処理する工程における蒸着材料の温度が、前記蒸着する工程における蒸着材料の温度と同じかまたは低いことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【請求項４】
前記３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【請求項５】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【化１】
2006140059.tif 000133
（一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、Ｌ14、Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11〜Ｌ14間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に単結合または二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。）
【請求項６】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が下記一般式（ＩＩ）で表されることを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【化２】
2006140059.tif 000134
（一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子またはＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合または連結基を表す。すなわち、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群およびＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。）
【請求項７】
前記３座以上の配位子が環状配位子であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【請求項８】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体が下記一般式（ＩＩＩ）で表されることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【化３】
2006140059.tif 000135
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有しても良い金属イオンを表す。）
【請求項９】
前記３座以上の配位子を有する金属錯体中の金属イオンが白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、および銅イオンの群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【請求項１０】
一対の電極間に少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該少なくとも一層の有機層は、請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法を用いて形成されることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の製造方法を用いて形成されたことを特徴とする有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気エネルギーを光に変換して発光できる有機電界発光素子（以下、「発光素子」、または「ＥＬ素子」ともいう。）の製造方法に関し、またそれにより得られた有機電界発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、種々の表示素子に関する研究開発が活発であり、中でも有機電界発光（ＥＬ）素子は、低電圧で高輝度の発光を得ることができるため、有望な表示素子として注目されている。
一般に有機電界発光素子は、発光層もしくは発光層を含む複数の有機層を挟んだ対向電極から構成されており、陰極から注入された電子と陽極から注入された正孔が発光層において再結合し、生成した励起子からの発光を利用するもの、又は前記励起子からエネルギー移動によって生成する他の分子の励起子からの発光を利用するものである。
【０００３】
従来、有機電界発光素子の有機層の形成技術として真空蒸着法が知られている。真空蒸着法は、真空槽内で蒸発源と成膜用基板とを適当に組み合わせて蒸着材料を蒸着して、薄膜を形成するものである。ここで、蒸発源は蒸着材料、加熱源、及び収納容器をその構成要素とする意味で用いる。
蒸発源（加熱源）を作る手段も様々考えられており、比較的電気抵抗の高い金属容器（金属ボート）に電流を流し、その発熱により原料を蒸発させる、いわゆる抵抗加熱蒸着法が知られている。また、原料に直接電子ビームやレーザービームを照射し、そのエネルギーで原料を蒸発させる、いわゆる電子ビーム・レーザービーム蒸着法等も知られている。中でも抵抗加熱を用いた成膜方法（抵抗加熱蒸着法）は、成膜装置の構成が簡便であり、低価格で良質の薄膜形成を実現できることから広く普及している。
【０００４】
大気中の水素、水、一酸化炭素、二酸化炭素等の吸着物質が、蒸着材料を合成後又は蒸着に使用するまでの間に、蒸着材料、ルツボ等に付着する。基板や蒸着材料等の真空装置内への設置や、真空装置内の洗浄等のために、真空蒸着装置の真空状態を破ったりした場合にも同様に該吸着物質が付着する。
該吸着物質が有機薄膜発光素子内に混入すると、有機薄膜発光素子の電極から発光層へ注入される電子・正孔の注入効率の低下や、薄膜の化学変化を招く。その結果として、吸着物質の有機薄膜発光素子内への混入は、有機薄膜発光素子の輝度の低下等を引き起こす。
【０００５】
前記吸着物質を除去するために、例えば、有機薄膜発光素子の作製では、真空蒸着装置による有機薄膜成膜前に、蒸着源の脱ガス（ガス出し、デガスと呼ばれることもある）を行うための加熱、保温、冷却作業を行ってきた。あらかじめ真空装置外で脱ガス処理した材料を真空装置内に自動供給することが開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
ルツボ内の蒸着材料の溶湯に供給蒸着材料を還元雰囲気中で加熱溶融し脱ガスしつつ供給する手法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
特に、有機電界発光素子の有機薄膜の作製では、有機材料の特性上、蒸気圧が高く分解、変性しやすいことにより、加熱により蒸着材料が分解や変性してしまい、輝度の低下、駆動耐久性の低下、輝度ムラ、ドット欠陥、リーク電流の発生等が生じやすく、蒸着材料を変性させずに、十分に脱ガスする技術が求められている。
【特許文献１】特開２００４−２２３２６号公報
【特許文献２】特開平５−２５５８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記のように、高品質な有機電界発光素子を安定に製造することのできる、有機電界発光素子の製造方法の開発が強く望まれていた。
【０００８】
本発明は、高品質で性能ばらつきの少ない有機電界発光素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、前記実情に鑑み鋭意研究を行ったところ、上記課題を解決しうることを見出し本発明を完成した。
即ち、本発明は下記手段により達成されるものである。
【００１０】
＜１＞  一対の電極間に、少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法であって、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有する蒸着材料を脱ガス処理する工程と、該脱ガス処理後に該蒸着材料を加熱して蒸着する工程と、を有する有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００１１】
＜２＞  前記脱ガス処理する工程と前記蒸着する工程との間に、前記蒸着材料が大気下にさらされないことを特徴とする上記＜１＞に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００１２】
＜３＞  前記脱ガス処理する工程における蒸着材料の温度が、前記蒸着する工程における蒸着材料の温度と同じかまたは低いことを特徴とする上記＜１＞又は＜２＞に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００１３】
＜４＞  前記３座以上の配位子が、鎖状配位子であることを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００１４】
＜５＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が下記一般式（Ｉ）で表されることを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００１５】
【化１】
2006140059.tif 000002
【００１６】
（一般式（Ｉ）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、Ｌ14、Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11、Ｌ14間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に単結合または二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。）
【００１７】
＜６＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が下記一般式（ＩＩ）で表されることを特徴とする上記＜５＞に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００１８】
【化２】
2006140059.tif 000003
【００１９】
（一般式（ＩＩ）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子またはＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合または連結基を表す。すなわち、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群およびＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群はそれぞれ三座の配位子である。ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。）
【００２０】
＜７＞  前記３座以上の配位子が環状配位子であることを特徴とする上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００２１】
＜８＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体が下記一般式（ＩＩＩ）で表されることを特徴とする上記＜７＞に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００２２】
【化３】
2006140059.tif 000004
【００２３】
（一般式（ＩＩＩ）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、の炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有しても良い金属イオンを表す。）
【００２４】
＜９＞  前記３座以上の配位子を有する金属錯体中の金属イオンが白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、および銅イオンの群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする上記＜１＞〜＜８＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法。
【００２５】
＜１０＞  一対の電極間に少なくとも一層の有機層を有する有機電界発光素子の製造方法であって、該少なくとも一層の有機層は、上記＜１＞〜＜９＞のいずれか１項に記載の有機電界発光素子の有機層の製造方法を用いて形成されることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【００２６】
＜１１＞  上記＜１０＞に記載の有機電界発光素子の製造方法を用いて形成されたことを特徴とする有機電界発光素子。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、高い発光効率を示し、かつ耐久性にも優れた有機電界発光素子を長時間安定的に製造することのできる有機電界発光素子の有機層の製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、前記製造方法により得られる有機層を含む、高い発光効率を示し、かつ耐久性にも優れた有機電界発光素子の製造方法を提供することができる。
さらに、前記有機電界発光素子の製造方法により得られる有機電界発光素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の有機電界発光素子の有機層の製造方法は、３座以上の配位子を有する金属錯体（以下、「本発明の金属錯体」ともいう。）を少なくとも一種含有する蒸着材料を脱ガス処理する工程と、該脱ガス処理工程後に該蒸着材料を加熱して蒸着する工程と、を有することを特徴とする。
該工程を含むことにより、高品質で性能ばらつきの少ない有機電界発光素子の有機層の製造方法を提供することができる。
該有機層の製造方法は、脱ガス処理する工程、蒸着工程の他に、公知のその他の工程を含むことができる。
【００２９】
本発明の有機電界発光素子の有機層の製造方法、該有機層を有する有機電界発光素子の製造方法、及び該有機電界発光素子について、該有機層の製造工程及び発光素子の要素の説明を通じて、以下に詳細に説明する。
【００３０】
本発明の有機電界発光素子の有機層の製造方法は、前記蒸着工程より前に脱ガス処理する工程を有する必要がある。
【００３１】
−脱ガス処理工程−
本発明の脱ガス処理する工程とは、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種含有する蒸着材料を蒸着する工程より前に、該蒸着材料や収納容器（ルツボ）を加熱することにより、該蒸着材料やルツボに吸着した水素、水、一酸化炭素、二酸化炭素等の吸着物質や、蒸着材料の不純物を気化させて除去する工程である。
本発明においては、工程の簡便化の観点から、脱ガス処理する工程と蒸着する工程とを同一真空装置内で行うことができる。
また、蒸着材料が大気下にさらされないことが好ましいが、大気下にさらされなければ、脱ガス処理する工程を行う真空装置と蒸着する工程を行う真空装置が異なっていても良く、その場合は、その２つの真空装置間を真空搬送室等で接続して蒸着材料が大気にさらされないように搬送すればよい。
【００３２】
前記同一真空装置内で脱ガス処理工程と蒸着工程を行う具体的な例としては、例えば、真空装置内に設置された蒸着材料の充填されたルツボと蒸着される基板の間に可動シャッターを設置し、該シャッターを閉め、真空ポンプにより減圧下とした状態で、蒸着材料を所望の温度と時間加熱し、脱ガス処理を行う。このとき発生したガスは真空ポンプにより系外に排出される。
【００３３】
前記脱ガス処理工程と蒸着工程とが異なる真空装置内で行われる具体的な例としては、例えば、脱ガス処理工程に用いられる真空装置と蒸着工程に用いられる真空装置が、真空搬送室で接続されており、脱ガス処理用の蒸着装置内で、上記と同様の脱ガス処理工程を行った後、蒸着材料を大気下にさらすことなく、脱ガス処理用の真空装置から蒸着工程用の真空装置内に搬送される。
【００３４】
脱ガス処理の際の蒸着材料の温度は、脱ガスが十分行われれば、特に制限はないが、蒸着材料の分解の観点で、蒸着材料の蒸着温度と同じか、または低いことが好ましい。脱ガス処理工程の時間は、蒸着材料の量や、吸着物質あるいは不純物の量により異なるが、脱ガスが十分行われる時間で行われる。例えば、脱ガスの十分行われたかどうかは、真空装置内に設置した真空計で判断することができる。すなわち、脱ガス処理工程中はガスが発生するため、真空装置内の圧力は上昇する。圧力上昇が終われば、脱ガスが十分行われたと判断することができる。
前記加熱は、後述の蒸着工程の加熱と同様の方法を採用することができ、好ましい方法も同様である。
【００３５】
脱ガス処理工程における真空度は、用いる蒸着材料、加熱等の条件に応じて脱ガスが効率的に行われれば特に限定されるものではないが、１０-2Ｐａ〜１０-7Ｐａが好ましく、中でも、１０-3Ｐａ〜１０-7Ｐａが特に好ましい。
前記脱ガス処理工程において要求される真空度は、真空装置内の蒸着材料を加熱する前であっても、また、加熱後の脱ガス処理中でも、その後であっても特に限定されるものではない。
【００３６】
脱ガス処理工程は、更に脱ガス処理を効率的に行うためにその他の手段を講じることができる。
その他の手段としては特に限定されるものではなく、例えば、前記蒸着材料の攪拌等が挙げられる。
【００３７】
−蒸着工程−
本発明における有機電界発光素子の有機層の製造方法は、該有機層を蒸着法により成膜する。
蒸着法とは、一般的には、通常高真空下（１０-2Ｐａ以下）において物質を加熱蒸発させ、気体状となった物質をターゲット（基板）上に付着成膜する真空蒸着法のことであるが、本明細書でいう蒸着法は、さらに広い意味で、蒸着技術すべてを含むものとし、例えば、ターゲット表面上での化学反応により膜を形成するＣＶＤ法等も、本発明における蒸着法の範囲内とする。
蒸着法の詳細についてはオーム社刊、「新判・真空ハンドブック」（株式会社アルバック編）の第８章に記載されている。
【００３８】
本発明における蒸着工程とは、加熱等により収納容器中の前記蒸着材料を蒸発させて、前記基板上に製膜する工程を言う。
該加熱等とは、蒸着材料を蒸発させる方法であれば特に限定されるものではなく、加熱する方法、及び加熱以外の方法等が挙げられる。
【００３９】
前記蒸着材料を蒸発させる加熱方法としては、抵抗加熱法、高周波加熱法、電子ビーム加熱法、レーザー加熱法などがあるが、簡便さ（低コスト、簡単な装置で行える）の点で、抵抗加熱法が好ましい。これらの加熱方法は、前記収納容器を加熱した間接加熱であっても、また、蒸着材料を直接加熱するいずれの方法であってもよいが、収納容器を加熱した間接加熱であることが好ましい。
【００４０】
また、前記加熱以外の方法で材料を蒸発させる方法としてスパッタリング法、イオンプレーティング法、分子線エピタキシ法などがあり、目的により使い分けることができる。
前記加熱温度としては、用いられる蒸着材料にも因るが、一般的に、１００℃〜１０００℃が挙げられ、１００℃〜５００℃が好ましい。
【００４１】
２種以上の物質の混合物で膜形成する場合には、１つの収納容器に複数の物質の混合物を入れて蒸発させてもよいが、この方法では蒸発気体中の物質組成を一定に保つのが難しく、別々の蒸発源から同時に分子を飛ばす方法が一般的であり、本発明においても後者が好ましい。
【００４２】
蒸着法で作成した有機層は、スピンコート法やインクジェット法に代表される湿式成膜法で作成した場合に比べて、溶媒やバインダ等に由来する不純物や酸素、水分を含まないため発光輝度や駆動耐久性の点で優れ、また既設の下層を溶媒により溶解する心配もなく、所望の膜厚の均一な発光層薄膜を容易に得ることができる。
【００４３】
さらに、蒸着時にマスキングを施すことにより、画素毎に異なる発光材料、ホスト材料を用いて異なる発光特性を持たせることができ、精細高画質のフルカラーディスプレイを作製するのに適している。
【００４４】
−その他の工程−
前記有機電界発光素子の有機層の製造方法において、前記その他の工程としては、特に限定されるものではなく、公知の蒸着材料設置工程、基板搬送設置工程等を必要に応じて採用することができる。
【００４５】
前記蒸着材料設置工程とは、蒸着材料を真空蒸着装置内に所望の位置に設置する工程を言い、脱ガス処理工程、蒸着工程の前に行う工程である。
本発明における前記蒸着材料は、３座以上の配位子を有する金属錯体を少なくとも一種有する材料であり、該金属錯体についての詳細は後述する。
該真空蒸着装置は後述の真空蒸着が可能な装置であれば特に限定されるものではなく、公知の装置が適宜選択されて用いることができる。
前記蒸着材料は、いずれの形態で設置されても良いが、収容容器に入れて設置することが好ましい。
該蒸着材料の収納容器とは、蒸着材料を収納でき、かつ蒸着するために用いられる後述の加熱方法又は加熱以外の方法等を用いることが出来るものであれば、容器の形状や材質には特に制限はなく、また、収納容器と該方法等の装置が同一であっても別々であっても良い。
収納容器の例としては、融点の高いタングステン、タンタル、モリブデン等の金属材料を薄板状に加工して、電気抵抗を高くした金属板、いわゆる金属ボートや、セル型ルツボがあげられる。
セル型ルツボの例としては、例えば、Ｋセル（クヌンセンセル）と呼ばれるルツボがあげられる。Ｋセルは、加熱コイルの内側に例えば窒化ボロン製のルツボが配置され、ルツボの内部に適量の蒸着材料が収容される。ルツボの外側にはその温度を正確に管理するためのタンタルなどで作られた熱遮蔽板が設けられ、ルツボの下側には熱電対が設けられている。加熱コイルに電流を流すと、ルツボが加熱され、蒸着材料が蒸発する。
【００４６】
前記基板搬送設置工程とは、前記蒸着される基板を真空蒸着装置内の所定の位置に搬送し、設置する工程を言い、前記蒸着材料設置後、前記脱ガス処理前に行われる。
該搬送としては、大気圧下での手動搬送、遠隔操作による搬送、あるいは自動搬送により基板を搬送して設置しても良く、また、真空下での遠隔操作による搬送あるいは自動搬送で基板を設置しても良いが、量産の観点から、真空下で遠隔操作および／又は自動搬送により所定の位置に基板を搬送し設置することが好ましい。該遠隔操作及び自動搬送の方法は、特に限定されず、公知の方法を適宜用いることが出来る。
【００４７】
次に、本発明中の３座以上の配位子を有する金属錯体について詳細に説明する。
該金属錯体において金属イオンに配位する原子は特に限定されないが、酸素原子、窒素原子、炭素原子、または硫黄原子が好ましく、酸素原子、窒素原子、又は炭素原子がより好ましく、窒素原子又は炭素原子が更に好ましい。
【００４８】
金属錯体中の金属イオンは、特に限定されないが、イリジウムイオン、白金イオン、レニウムイオン、タングステンイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、オスミウムイオン、希土類イオン（例えば、ユーロピウムイオン、カドリニウムイオン、テルビウムイオン）、パラジウムイオン、銅イオン、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、ニッケルイオン、鉛イオン、アルミニウムイオンが好ましい。
【００４９】
本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体としては、３座以上６座以下の配位子を有する金属錯体がより好ましく、３座または４座の配位子を有する金属錯体がさらに好ましく、４座の配位子を有する金属錯体が特に好ましい。
【００５０】
本発明における金属錯体の配位子は鎖状、又は、環状であることが好ましく、中心金属（例えば、後述する一般式（II）で表される化合物の場合であればＭ11を表す。）に窒素で配位する含窒素へテロ環（例えば、ピリジン環、キノリン環、ピロール環など）を少なくとも一つ有することが好ましい。該含窒素ヘテロ環としては、含窒素６員ヘテロ環であることがより好ましい。
【００５１】
金属錯体の配位子が鎖状であるとは、金属錯体の配位子が環状構造をとらないことを意味する（例えば、ターピリジル配位子など。）。また、金属錯体の配位子が環状であるとは、金属錯体中の複数の配位子が互いに結合して、閉じた構造形成することを意味する（例えば、フタロシアニン配位子、クラウンエーテル配位子など。）。
【００５２】
本発明における金属錯体が有する配位子が鎖状配位子である場合、該金属錯体は、以下に詳述する一般式（I）又は一般式（II）で表される化合物であることが好ましい。
【００５３】
先ず、一般式（I）で表される化合物について説明する。
【００５４】
【化４】
2006140059.tif 000005
【００５５】
一般式（I）中、Ｍ11は金属イオンを表し、Ｌ11〜Ｌ15はそれぞれＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ11とＬ14との間に原子群がさらに存在して環状配位子を形成することは無い。Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。Ｙ11、Ｙ12、Ｙ13はそれぞれ連結基、単結合、または二重結合を表す。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。ｎ11は０〜４を表す。
【００５６】
一般式（I）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（I）中、Ｍ11は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、白金イオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、白金イオン、イリジウムイオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。
【００５７】
一般式（I）中、Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14は、それぞれ独立に、Ｍ11に配位する配位子を表す。Ｌ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14に含まれ、かつ、Ｍ11に配位する原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、又は炭素原子が好ましく、窒素原子、酸素原子、又は炭素原子がより好ましい。
【００５８】
Ｍ11とＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14でそれぞれ形成される結合は、それぞれ独立に、共有結合であってもイオン結合であっても配位結合であってもよい。本発明における配位子とは、説明の便宜上、配位結合のみならず他のイオン結合、共有結合により形成された場合においても用いるものとする。
Ｌ11、Ｙ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、及びＬ14から成る配位子は、アニオン性配位子（少なくとも一つのアニオンが金属と結合する配位子）であることが好ましい。アニオン性配位子中のアニオンの数は、１〜３が好ましく、１、２がより好ましく、２がさらに好ましい。
【００５９】
Ｍ11に炭素原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては、特に限定されないが、それぞれ独立にイミノ配位子、芳香族炭素環配位子（例えばベンゼン配位子、ナフタレン配位子、アントラセン配位子、フェナントラセン配位子など）、ヘテロ環配位子（例えばチオフェン配位子、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えばキノリン配位子、ベンゾチアゾール配位子など）およびこれらの互変異性体）が挙げられる。
【００６０】
Ｍ11に窒素原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、含窒素へテロ環配位子（例えば、ピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、及び、これらの互変異性体（なお、本発明では通常の異性体以外に次のような例も互変異性体と定義する。例えば、後述する化合物（２４）の５員ヘテロ環配位子、化合物（６４）の末端５員ヘテロ環配位子、化合物（１４５）の５員ヘテロ環配位子もピロール互変異性体と定義する。）など、アミノ配位子（アルキルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノなどが挙げられる。）、アリールアミノ配位子（例えばフェニルアミノなどが挙げられる。）、アシルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ配位子（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ配位子など）が挙げられる。これらの配位子はさらに置換されていてもよい。
【００６１】
Ｍ11に酸素原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルコキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ配位子（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ配位子（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル配位子（例えばケトン配位子、エステル配位子、アミド配位子など）、エーテル配位子（例えばジアルキルエーテル配位子、ジアリールエーテル配位子、フリル配位子など）などが挙げられる。
【００６２】
Ｍ11に硫黄原子で配位するＬ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＬ14としては特に限定されないが、それぞれ独立に、アルキルチオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ配位子（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ配位子（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル配位子（例えばチオケトン配位子、チオエステル配位子など）、又はチオエーテル配位子（例えばジアルキルチオエーテル配位子、ジアリールチオエーテル配位子、チオフリル配位子など）などが挙げられる。これらの置換配位子は更に置換されてもよい。
【００６３】
Ｌ11及びＬ14は、それぞれ独立に、芳香族炭素環配位子、アルキルオキシ配位子、アリールオキシ配位子、エーテル配位子、アルキルチオ配位子、アリールチオ配位子、アルキルアミノ配位子、アリールアミノ配位子、アシルアミノ配位子、含窒素へテロ環配位子（例えばピリジン配位子、ピラジン配位子、ピリミジン配位子、ピリダジン配位子、トリアジン配位子、チアゾール配位子、オキサゾール配位子、ピロール配位子、イミダゾール配位子、ピラゾール配位子、トリアゾール配位子、オキサジアゾール配位子、チアジアゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、ベンズオキサゾール配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体など）が好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、アリールアミノ配位子、並びにピリジン配位子、ピラジン配位子、イミダゾール配位子、又は、それらを含む縮配位子体（例えば、キノリン配位子、キノキサリン配位子、ベンズイミダゾール配位子など）、又は、これらの互変異性体がより好ましく、芳香族炭素環配位子、アリールオキシ配位子、アリールチオ配位子、又はアリールアミノ配位子がさらに好ましく、芳香族炭素環配位子、又はアリールオキシ配位子が特に好ましい。
【００６４】
Ｌ12及びＬ13は、それぞれ独立に、Ｍ11と配位結合を形成する配位子が好ましく、Ｍ11と配位結合を形成する配位子としては、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズピロールなど）、及び、これらの互変異性体がより好ましく、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）がさらに好ましく、ピリジン環、及び、ピリジン環を含む縮環体（例えば、キノリン環など）が特に好ましい。
【００６５】
一般式（I）中、Ｌ15はＭ11に配位する配位子を表す。Ｌ15は１〜４座の配位子が好ましく、１〜４座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜４座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ11、Ｙ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、Ｌ14で形成される４座配位子が好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えばピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）、Ｌ11、Ｙ12、Ｌ12、Ｙ11、Ｌ13、Ｙ13、Ｌ14で形成される４座配位子がより好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）、ピリジン配位子を含有するモノアニオン性２座配位子（例えば、ピコリン酸配位子、２−（２−ヒドロキシフェニル）−ピリジン配位子など）がさらに好ましく、１，３−ジケトン配位子（例えば、アセチルアセトン配位子など）が特に好ましい。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。但し、Ｌ15はＬ11及びＬ14の両方と結合して環状配位子を形成することはない。
【００６６】
一般式（I）中、Ｙ11、Ｙ12、及びＹ13は、それぞれ独立に、連結基、単結合、または二重結合を表す。連結基としては、特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、珪素原子連結基、又は、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。また、Ｙ11、Ｙ12、又はＹ13が連結基である場合、Ｌ11とＹ12、Ｙ12とＬ12、Ｌ12とＹ11、Ｙ11とＬ13、Ｌ13とＹ13、Ｙ13とＬ14の間の結合は、それぞれ独立に、単結合又は二重結合を表す。
【００６７】
Ｙ11、Ｙ12、及びＹ13は、それぞれ独立に、単結合、二重結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましい。Ｙ11は、単結合、アルキレン基がより好ましく、アルキレン基がさらに好ましい。Ｙ12及びＹ13は、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
【００６８】
Ｙ12、Ｌ11、Ｌ12、及びＭ11で形成される環、Ｙ11、Ｌ12、Ｌ13、及びＭ11で形成される環、Ｙ13、Ｌ13、Ｌ14、及びＭ11で形成される環は、それぞれ環員数４〜１０が好ましく、環員数５〜７がより好ましく、環員数５又は６がさらに好ましい。
【００６９】
一般式（I）中、ｎ11は０〜４を表す。Ｍ11が配位数４の金属の場合、ｎ11は０であり、Ｍ11が配位数６の金属の場合、ｎ11は１、２が好ましく、１がより好ましい。Ｍ11が配位数６でｎ11が１の場合Ｌ15は２座配位子を表し、Ｍ11が配位数６でｎ11が２の場合Ｌ15は単座配位子を表す。Ｍ11が配位数８の金属の場合、ｎ11は１〜４が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ11が配位数８でｎ11が１の場合Ｌ15は４座配位子を表し、Ｍ11が配位数８でｎ11が２の場合Ｌ15は２座配位子を表す。ｎ11が複数のときは、複数のＬ15は同じであっても異なっていてもよい。
【００７０】
次に、一般式（II）で表される化合物について説明する。
【００７１】
【化５】
2006140059.tif 000006
【００７２】
一般式（II）中、ＭX1は金属イオンを表す。ＱX11〜ＱX16はＭX1に配位する原子またはＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。ＬX11〜ＬX14は単結合、二重結合または連結基を表す。
すなわち、一般式（II）においては、ＱX11−ＬX11−ＱX12−ＬX12−ＱX13からなる原子群、及びＱX14−ＬX13−ＱX15−ＬX14−ＱX16からなる原子群が、それぞれ三座の配位子を形成する。
また、ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
【００７３】
一般式（II）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（II）中、ＭX1は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されないが、１価〜３価の金属イオンが好ましく、２価又は３価の金属イオンがより好ましく、３価の金属イオンがさらに好ましい。具体的には、白金イオン、イリジウムイオン、レニウムイオン、パラジウムイオン、ロジウムイオン、ルテニウムイオン、銅イオン、ユーロピウムイオン、ガドリニウムイオン、テルビウムイオンが好ましく、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンがより好ましく、イリジウムイオンがさらに好ましい。
【００７４】
ＱX11〜ＱX16は、ＭX1に配位する原子又はＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す。
ＱX11〜ＱX16がＭX1に配位する原子を表す場合、その具体的な原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、リン原子、硫黄原子などが挙げられ、好ましくは窒素原子、酸素原子、硫黄原子、リン原子であり、より好ましくは窒素原子、酸素原子である。
ＱX11〜ＱX16がＭX1に配位する原子を含んだ原子群を表す場合、ＭX1に炭素原子で配位するものとしては、例えば、イミノ基、芳香族炭化水素環基（ベンゼン、ナフタレンなど）、ヘテロ環基（チオフェン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）およびこれらを含む縮合環、およびこれらの互変異性体が挙げられる。
【００７５】
ＭX1に窒素原子で配位するものとしては、例えば、含窒素ヘテロ環基（ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、チアゾール、オキサゾール、ピロール、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾールなど）、アミノ基（アルキルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばメチルアミノ）、アリールアミノ基（例えばフェニルアミノ）などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、イミノ基などが挙げられる。これらの基はさらに置換されていてもよい。
【００７６】
ＭX1に酸素原子で配位するものとしては、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）、カルボニル基（例えばケトン基、エステル基、アミド基など）、エーテル基（例えばジアルキルエーテル基、ジアリールエーテル基、フリル基など）などが挙げられる。
【００７７】
ＭX1に珪素原子で配位するものとしては、アルキルシリル基（好ましくは炭素数３〜３０であり、たとえば、トリメチルシリル基などが挙げられる。）、アリールシリル基（好ましくは炭素数１８〜３０であり、例えば、トリフェニルシリル基などが挙げられる。）等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。
【００７８】
ＭX1に硫黄原子で配位するものとしては、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、チオカルボニル基（例えばチオケトン基、チオエステル基など）、チオエーテル基（例えばジアルキルチオエーテル基、ジアリールチオエーテル基、チオフリル基など）などが挙げられる。
【００７９】
ＭX1にリン原子で配位するものとしては、ジアルキルホスフィノ基、ジアリールホスフィノ基、トリアルキルホスフィン、トリアリールホスフィン、ホスフィニン基等があげられる。これらの基はさらに置換されてもよい。
【００８０】
ＱX11〜ＱX16で表される原子群として好ましくは、ＭX1に、炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ジアルキルホスフィノ基であり、より好ましくは炭素原子で配位する芳香族炭化水素環基、炭素原子で配位する芳香族ヘテロ環基、窒素原子で配位する含窒素芳香族ヘテロ環基である。
ＭX1とＱX11〜ＱX16との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
【００８１】
一般式（II）中、ＬX11〜ＬX14は、単結合、二重結合、又は連結基を表す。連結基としては特に限定されないが、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子から選択される原子を含んで構成される連結基が好ましい。該連結の具体例を下記に示すが、これらに限定されることはない。
【００８２】
【化６】
2006140059.tif 000007
【００８３】
これらの連結基はさらに置換されてもよく、置換基としては下記一般式（２）におけるＲ21〜Ｒ24で表される置換基として挙げたものが適用でき、好ましい範囲も同様である。ＬX11〜ＬX14として好ましくは、単結合、ジメチルメチレン基、ジメチルシリレン基である。
【００８４】
前記一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、以下に挙げる、一般式（１）、一般式（２）、一般式（３）、及び一般式（４）で表される各化合物である。
一般式（１）で表される化合物について説明する。
【００８５】
【化７】
2006140059.tif 000008
一般式（１）
【００８６】
一般式（１）中、Ｍ21は金属イオンを表し、Ｙ21は連結基、単結合、または二重結合を表す。Ｙ22、Ｙ23はそれぞれ単結合または連結基を表す。Ｑ21、Ｑ22はそれぞれ含窒素ヘテロ環を形成する原子群を表し、Ｑ21で形成される環とＹ21の間の結合およびＱ22で形成される環とＹ21の間の結合は、単結合または二重結合を表す。Ｘ21、Ｘ22は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子を表す。Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ21及びＲ22並びにＲ23及びＲ24は各々結合して環を形成してもよい。Ｌ25はＭ21に配位する配位子を表す。ｎ21は０〜４の整数を表す。
【００８７】
一般式（１）について詳細に説明する。
一般式（１）中、Ｍ21は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００８８】
Ｑ21、Ｑ22は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ21に配位する窒素を含む環）を形成する原子群を表す。Ｑ21、Ｑ22で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。
【００８９】
Ｑ21、Ｑ22で形成される含窒素ヘテロ環としては、好ましくは、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ベンズアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環など）及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）及び、これらの互変異性体であり、さらに好ましくは、ピリジン環、及び、その縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。
【００９０】
Ｘ21、Ｘ22は、それぞれ独立に、酸素原子、硫黄原子、置換または無置換の窒素原子であり、酸素原子、硫黄原子、置換された窒素原子がより好ましく、酸素原子、硫黄原子がさらに好ましく、酸素原子が特に好ましい。
【００９１】
Ｙ21は、前記一般式（Ｉ）におけるＹ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９２】
Ｙ22、Ｙ23は、それぞれ独立に、単結合、連結基を表し、単結合が好ましい。連結基としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
【００９３】
Ｙ22又はＹ23として表される連結基としては、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン連結基が好ましく、カルボニル連結基、アルケニレン連結基がより好ましく、カルボニル連結基がさらに好ましい。
【００９４】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、
【００９５】
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【００９６】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
【００９７】
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、
【００９８】
リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
【００９９】
Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、及びＲ24は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、Ｒ21とＲ22またはＲ23とＲ24が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、Ｒ21とＲ22又はＲ23とＲ24が結合して環構造（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましい。
【０１００】
Ｌ25は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０１】
ｎ21は前記一般式（Ｉ）におけるｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０２】
一般式（１）において、Ｑ21、Ｑ22が形成する環がピリジン環のとき、Ｙ21は連結基を表す金属錯体であること、Ｑ21、Ｑ22が形成する環がピリジン環で、Ｙ21が単結合または二重結合で、Ｘ21、Ｘ22が硫黄原子、置換または無置換の窒素原子を表す金属錯体であること、或いは、Ｑ21、Ｑ22が形成する環が含窒素ヘテロ５員環、または、窒素原子を２つ以上含む含窒素６員環を表す金属錯体であることが好ましい。
【０１０３】
前記一般式（１）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（１−Ａ）で表される化合物である。
【０１０４】
【化８】
2006140059.tif 000009
【０１０５】
一般式（１−Ａ）について説明する。
一般式（１−Ａ）中、Ｍ31は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０６】
Ｚ31、Ｚ32、Ｚ33、Ｚ34、Ｚ35、及びＺ36は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられ、また、Ｚ31とＺ32、Ｚ32とＺ33、Ｚ33とＺ34、Ｚ34とＺ35、Ｚ35とＺ36が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよく、Ｚ31とＴ31、Ｚ36とＴ38が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成してもよい。
【０１０７】
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。
【０１０８】
Ｔ31、Ｔ32、Ｔ33、Ｔ34、Ｔ35、Ｔ36、Ｔ37、及びＴ38は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子がより好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられ、また、Ｔ31とＴ32、Ｔ32とＴ33、Ｔ33とＴ34、Ｔ35とＴ36、Ｔ36とＴ37、Ｔ37とＴ38が連結基を介して結合し、縮環（例えばベンゾ縮環など）を形成しても良い。
【０１０９】
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アリール基、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子がより好ましく、アリール基、ハロゲン原子がさらに好ましく、アリール基が特に好ましい。
【０１１０】
Ｘ31、Ｘ32は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＸ21、Ｘ22と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１１】
一般式（２）で表される化合物について説明する。
【０１１２】
【化９】
2006140059.tif 000010
【０１１３】
一般式（２）中、Ｍ51は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１４】
Ｑ51、Ｑ52は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＱ21、Ｑ22と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１５】
Ｑ53、Ｑ54は、それぞれ独立に、含窒素へテロ環（Ｍ51に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ53、Ｑ54で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（２９）のヘテロ５員環配位子など）、チアゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（３０）のヘテロ５員環配位子など）、オキサゾール誘導体の互変異性体（例えば、下記例示化合物（３１）のヘテロ５員環配位子など）が好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体、チアゾール誘導体の互変異性体がより好ましく、ピロール誘導体の互変異性体、イミダゾール誘導体の互変異性体がさらに好ましく、ピロール誘導体の互変異性体が特に好ましい。
【０１１６】
Ｙ51は前記一般式（Ｉ）におけるＹ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１７】
Ｌ55は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１８】
ｎ51は前記ｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１９】
Ｗ51、Ｗ52は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、無置換の炭素原子、窒素原子が好ましく、無置換の炭素原子がより好ましい。
【０１２０】
一般式（３）で表される化合物について説明する。
【０１２１】
【化１０】
2006140059.tif 000011
【０１２２】
一般式（３）中、ＭA1、ＱA1、ＱA2、ＹA1、ＹA2、ＹA3、ＲA1、ＲA2、ＲA3、ＲA4、ＬA5、ｎA1は、前記一般式（１）におけるＭ21、Ｑ21、Ｑ22、Ｙ21、Ｙ22、Ｙ23、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｌ25、ｎ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１２３】
前記一般式（３）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（３−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（３−Ａ）で表される化合物について説明する
【０１２４】
【化１１】
2006140059.tif 000012
【０１２５】
一般式（３−Ａ）中、Ｍ61は、前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１２６】
Ｑ61、Ｑ62は、それぞれ独立に、環を形成する基を表す。Ｑ61、Ｑ62で形成される環としては特に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、チオフェン環、イソチアゾール環、フラン環、イソオキサゾ−ル環、及び、その縮環体が挙げられる。
【０１２７】
Ｑ61、Ｑ62で形成される環は、好ましくは、ベンゼン環、ピリジン環、チオフェン環、チアゾール環、及び、その縮環体であり、ベンゼン環、ピリジン環、及び、その縮環体がより好ましく、ベンゼン環、及び、その縮環体がさらに好ましい。
【０１２８】
Ｙ61は前記一般式（Ｉ）におけるＹ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１２９】
Ｙ62、Ｙ63は、それぞれ独立に、連結基または単結合を表す。連結基としてはとくに限定されないが、例えば、カルボニル連結基、チオカルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、酸素原子連結基、窒素原子連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
【０１３０】
Ｙ62、Ｙ63は、それぞれ独立に、単結合、カルボニル連結基、アルキレン連結基、アルケニレン基が好ましく、単結合、アルケニレン基がより好ましく、単結合がさらに好ましい。
【０１３１】
Ｌ65は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１３２】
ｎ61は前記一般式（Ｉ）におけるｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１３３】
Ｚ61、Ｚ62、Ｚ63、Ｚ64、Ｚ65、Ｚ66、Ｚ67、及びＺ68は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられ、また、Ｚ61とＺ62、Ｚ62とＺ63、Ｚ63とＺ64、Ｚ65とＺ66、Ｚ66とＺ67、Ｚ67とＺ68が連結基を介して結合し、縮環（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成しても良い。Ｑ61、Ｑ62で形成される環がそれぞれＺ61、Ｚ68と連結基を介して結合し、環を形成してもよい。
【０１３４】
前記炭素上の置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基、ハロゲン原子が好ましく、アルキルアミノ基、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、アリール基、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましく、縮環（例えばベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が特に好ましい。
【０１３５】
一般式（３−Ｂ）で表される化合物について説明する。
【０１３６】
【化１２】
2006140059.tif 000013
【０１３７】
一般式（３−Ｂ）中、Ｍ71は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１３８】
Ｙ71、Ｙ72、Ｙ73は、それぞれ独立に、前記一般式（３−Ａ）におけるＹ62と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１３９】
Ｌ75は前記一般式（Ｉ）におけるＬ15と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４０】
ｎ71は前記一般式（Ｉ）におけるｎ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４１】
Ｚ71、Ｚ72、Ｚ73、Ｚ74、Ｚ75、及びＺ76は、それぞれ独立に、置換または無置換の炭素原子、窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。炭素上の置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21で説明した基が挙げられる。また、Ｚ71とＺ72、Ｚ73とＺ74が連結基を介して結合し、環（例えばベンゼン環、ピリジン環）を形成してもよい。Ｒ71〜Ｒ74は前記一般式（１）におけるＲ21〜Ｒ24の置換基と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４２】
前記一般式（３−Ｂ）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（３−Ｃ）で表される化合物について説明する。
【０１４３】
【化１３】
2006140059.tif 000014
【０１４４】
一般式（３−Ｃ）中、ＲC1、ＲC2は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、置換基としては、前記一般式（１）におけるＲ21ないしＲ24の置換基として説明したアルキル基、アリール基を表す。ＲC3、ＲC4、ＲC5、及びＲC6が表す置換基も前記一般式（１）におけるＲ21ないしＲ24の置換基と同義である。ｎC3、ｎC6は０〜３の整数、ｎC4、ｎC5は０〜４の整数を表し、ＲC3、ＲC4、ＲC5、ＲC6をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲC3、ＲC4、ＲC5、ＲC6は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。ＲC3、ＲC4、ＲC5、ＲC6は、好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、ハロゲン原子である。
【０１４５】
一般式（４）で表される化合物について説明する。
【０１４６】
【化１４】
2006140059.tif 000015
【０１４７】
一般式（４）中、ＭB1、ＹB2、ＹB3、ＲB1、ＲB2、ＲB3、ＲB4、ＬB5、ｎB3、ＸB1、ＸB2は、前記一般式（１）におけるＭ21、Ｙ22、Ｙ23、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｌ25、ｎ21、Ｘ21、Ｘ22とそれぞれ同義であり好ましい範囲も同様である。
ＹB1は連結基を表し、前記一般式（１）におけるＹ21と同様のであり、好ましくは１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数２〜８のメチレン基を表す。
ＲB5、ＲB6は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、置換基としては前記一般式（１）におけるＲ21ないしＲ24の置換基として説明したアルキル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。ただし、ＹB1はＲB5またはＲB6と連結することはない。ｎB1、ｎB2は、それぞれ独立に、０ないし１の整数を表す。
【０１４８】
前記一般式（４）で表される化合物の好ましい形態は、下記一般式（４−Ａ）で表される化合物である。
一般式（４−Ａ）で表される化合物について説明する
【０１４９】
【化１５】
2006140059.tif 000016
【０１５０】
一般式（４−Ａ）中、ＲD3、ＲD4は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、ＲD1、ＲD2はそれぞれ置換基を表す。ＲD1、ＲD2、ＲD3、及びＲD4が表す置換基としては、前記一般式（４）におけるＲB5、ＲB6が表す置換基と同義であり、好ましい範囲も同様である。ｎD1、ｎD2は０〜４の整数を表し、ＲD1、ＲD2をそれぞれ複数個有する場合、複数個のＲD1、ＲD2は同じであっても異なってもよく、連結して環を形成してもよい。ＹD1は１，２位で置換したビニル基、フェニレン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環または炭素数１〜８のメチレン基を表す。
【０１５１】
本発明における３座配位子を有する金属錯体の好ましい形態は、下記一般式（５）で表される化合物である。
一般式（５）で表される化合物について説明する。
【０１５２】
【化１６】
2006140059.tif 000017
【０１５３】
一般式（５）中、Ｍ81は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５４】
Ｌ81、Ｌ82、及びＬ83は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＬ11、Ｌ12、Ｌ14と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５５】
Ｙ81、Ｙ82は、それぞれ独立に、前記一般式（Ｉ）におけるＹ11、Ｙ12と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５６】
Ｌ85はＭ81に配位する配位子を表す。Ｌ85は１〜３座の配位子が好ましく、１〜３座のアニオン性配位子がより好ましい。１〜３座のアニオン性配位子としては特に限定されないが、ハロゲン配位子、Ｌ81、Ｙ81、Ｌ82、Ｙ82、Ｌ83で形成される３座配位子が好ましく、Ｌ81、Ｙ81、Ｌ82、Ｙ82、Ｌ83で形成される３座配位子がより好ましい。Ｌ85が金属を介さずにＬ81、Ｌ83と連結することはない。配位座の数、及び配位子の数が、金属の配位数を上回ることはない。
【０１５７】
ｎ81は０〜５を表す。Ｍ81が配位数４の金属の場合、ｎ81は１であり、Ｌ85は単座配位子を表す。Ｍ81が配位数６の金属の場合、ｎ81は１〜３が好ましく、１、３がより好ましく、１がさらに好ましい。Ｍ81が配位数６でｎ81が１の場合Ｌ85は３座配位子を表し、Ｍ81が配位数６でｎ81が２の場合Ｌ85は単座配位子１つと２座配位子１つを表し、Ｍ81が配位数６でｎ81が３の場合Ｌ85は単座配位子を表す。Ｍ81が配位数８の金属の場合、ｎ81は１〜５が好ましく、１、２がより好ましく、１がより好ましい。Ｍ81が配位数８でｎ81が１の場合Ｌ85は５座配位子を表し、ｎ81が２の場合Ｌ85は３座配位子１つと２座配位子１つを表し、ｎ81が３の場合Ｌ85は３座配位子１つと単座配位子２つ、または、２座配位子２つと単座配位子１つを表し、ｎ81が４の場合Ｌ85は２座配位子１つと単座配位子３つを表し、ｎ81が５の場合Ｌ85は単座配位子５つを表す。ｎ81が複数のときは、複数のＬ85は同じであっても異なっていてもよい。
【０１５８】
前記一般式（５）の好ましい形態は、前記一般式（５）のＬ81、Ｌ82、Ｌ83が炭素原子でＭ81に配位する芳香族炭素環またはヘテロ環、または窒素原子でＭ81に配位する含窒素ヘテロ環を表し、Ｌ81、Ｌ82、Ｌ83のうち少なくとも一つが含窒素ヘテロ環である。これら炭素原子で配位する芳香族炭素環、ヘテロ環および窒素原子で配位する含窒素ヘテロ環は前記一般式（Ｉ）で説明したＭ11に炭素原子で配位する配位子および窒素原子で配位する例が挙げられ、好ましい範囲も同様である。Ｙ81、Ｙ82は好ましくは単結合ないしはメチレン基を表す。
前記一般式（５）で表される化合物の他の好ましい形態は、下記一般式（５−Ａ）で表される化合物、及び下記一般式（５−Ｂ）で表される化合物である。
先ず、一般式（５−Ａ）で表される化合物について説明する。
【０１５９】
【化１７】
2006140059.tif 000018
【０１６０】
一般式（５−Ａ）中、Ｍ91は前記一般式（５）におけるＭ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６１】
Ｑ91、Ｑ92は含窒素へテロ環（Ｍ91に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ91、Ｑ92で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、例えば、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）及び、これらの互変異性体が挙げられる。
【０１６２】
Ｑ91、Ｑ92で形成される含窒素ヘテロ環は、好ましくは、ピリジン環、ピラゾール環、チアゾール環、イミダゾール環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環、ベンズチアゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環など）、及び、これらの互変異性体であり、より好ましくはピリジン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）、及び、これらの互変異性体、さらに好ましくは、ピリジン環、及び、それらを含む縮環体（例えば、キノリン環など）であり、特に好ましくはピリジン環である。
【０１６３】
Ｑ93は含窒素へテロ環（Ｍ91に配位する窒素を含む環）を形成する基を表す。Ｑ93で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環の互変異性体、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロールなど）が好ましく、ピロール環の互変異性体及びピロール環を含む縮環体（例えばベンズピロールなど）の互変異性体がより好ましい。
【０１６４】
Ｗ91、Ｗ92は、それぞれ独立に、前記一般式（２）におけるＷ51、Ｗ52と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６５】
Ｌ95は前記一般式（５）におけるＬ85と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６６】
ｎ91は前記一般式（５）におけるｎ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６７】
一般式（５−Ｂ）で表される化合物について説明する。
【０１６８】
【化１８】
2006140059.tif 000019
【０１６９】
一般式（５−Ｂ）中、Ｍ101は、前記一般式（５）におけるＭ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１７０】
Ｑ102は、前記一般式（１）におけるＱ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１７１】
Ｑ101は前記一般式（５−Ａ）におけるＱ91と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１７２】
Ｑ103は芳香環を形成する基を表す。Ｑ103で形成される芳香環としては特に限定されないが、ベンゼン環、フラン環、チオフェン環、ピロール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、ナフタレン環など）が好ましく、ベンゼン環及びベンゼン環を含む縮環体（例えば、ナフタレン環など）がより好ましく、ベンゼン環が特に好ましい。
【０１７３】
Ｙ101、Ｙ102は、それぞれ独立に、前記一般式（１）におけるＹ22と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１７４】
Ｌ105は前記一般式（５）におけるＬ85と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１７５】
ｎ101は前記一般式（５）におけるｎ81と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１７６】
Ｘ101は前記一般式（１）におけるＸ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１７７】
本発明における三座配位子を有する金属錯体の他の好ましい態様は、前記一般式（II）で表される化合物であるが、前記一般式（II）で表される化合物のうち、より好ましくは下記一般式（Ｘ２）で表される化合物であり、更に好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
先ず、一般式（Ｘ２）で表される化合物について説明する。
【０１７８】
【化１９】
2006140059.tif 000020
【０１７９】
一般式（Ｘ２）中、ＭX2は金属イオンを表す。ＹX21〜ＹX26はＭX2に配位する原子を表し、ＱX21〜ＱX26は、それぞれＹX21〜ＹX26と共に芳香環もしくは芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。ＬX21〜ＬX24は単結合、二重結合または連結基を表す。ＭX2とＹX21〜ＹX26との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
【０１８０】
一般式（Ｘ２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｘ２）中、ＭX2は、前記一般式（II）におけるＭX1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹX21〜ＹX26はＭX2に配位する原子を表す。ＹX21〜ＹX26とＭX2との結合は配位結合でも共有結合でもよい。ＹX21〜ＹX26としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子、りん原子、ケイ素原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。ＱX21〜ＱX26は、それぞれＹX21〜ＹX26を含んで芳香族炭化水素環または芳香族ヘテロ環を形成する原子群を表す。この場合に形成する芳香族炭化水素環、芳香族ヘテロ環としては、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、チオフェン環、フラン環が挙げられ、好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、トリアゾール環であり、さらに好ましくはベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピラゾール環、トリアゾール環であり、特に好ましくはベンゼン環、ピリジン環である。これらはさらに縮環を有していても置換基を有していても良い。
【０１８１】
ＬX21〜ＬX24は前記一般式（II）におけるＬX11〜ＬX14と同義であり好ましい範囲も同様である。
【０１８２】
前記一般式（II）で表される化合物は、さらに好ましくは下記一般式（Ｘ３）で表される化合物である。
一般式（Ｘ３）について説明する。
【０１８３】
【化２０】
2006140059.tif 000021
【０１８４】
一般式（Ｘ３）中、ＭX3は金属イオンを表す。ＹX31〜ＹX36は、炭素原子、窒素原子、リン原子を表す。ＬX31〜ＬX34は単結合、二重結合または連結基を表す。ＭX3とＹX31〜ＹX36との結合は、それぞれ配位結合でも共有結合でもよい。
【０１８５】
ＭX3は前記一般式（II）におけるＭX1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹX31〜ＹX36はＭX3に配位する原子を表す。ＹX31〜ＹX36とＭX3との結合は配位結合でも共有結合でも良い。ＹX31〜ＹX36としては、炭素原子、窒素原子、りん原子が挙げられ、好ましくは炭素原子、窒素原子である。ＬX31〜ＬX34は前記一般式（II）におけるＬX11〜ＬX14と同義であり好ましい範囲も同様である。
【０１８６】
前記一般式（I）、一般式（II）、及び一般式（５）で表される化合物の具体例としては、特願２００４−１６２８４９号明細書に記載の化合物（１）〜化合物（２４２）（以下に構造を示す。）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１８７】
【化２１】
2006140059.tif 000022
【０１８８】
【化２２】
2006140059.tif 000023
【０１８９】
【化２３】
2006140059.tif 000024
【０１９０】
【化２４】
2006140059.tif 000025
【０１９１】
【化２５】
2006140059.tif 000026
【０１９２】
【化２６】
2006140059.tif 000027
【０１９３】
【化２７】
2006140059.tif 000028
【０１９４】
【化２８】
2006140059.tif 000029
【０１９５】
【化２９】
2006140059.tif 000030
【０１９６】
【化３０】
2006140059.tif 000031
【０１９７】
【化３１】
2006140059.tif 000032
【０１９８】
【化３２】
2006140059.tif 000033
【０１９９】
【化３３】
2006140059.tif 000034
【０２００】
【化３４】
2006140059.tif 000035
【０２０１】
【化３５】
2006140059.tif 000036
【０２０２】
【化３６】
2006140059.tif 000037
【０２０３】
【化３７】
2006140059.tif 000038
【０２０４】
【化３８】
2006140059.tif 000039
【０２０５】
【化３９】
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【０２０６】
【化４０】
2006140059.tif 000041
【０２０７】
【化４１】
2006140059.tif 000042
【０２０８】
【化４２】
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【０２０９】
【化４３】
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【０２１０】
【化４４】
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【０２１１】
【化４５】
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【０２１２】
【化４６】
2006140059.tif 000047
【０２１３】
（本発明における金属錯体の合成方法）
本発明における金属錯体〔前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（５−Ａ）、及び（５−Ｂ）、並びに前記一般式（ＩＩ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物〕は、種々の手法で合成できる。
例えば、配位子、またはその解離体と金属化合物を溶媒（例えば、ハロゲン系溶媒、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒、ニトリル系溶媒、アミド系溶媒、スルホン系溶媒、スルホキサイド系溶媒、水などが挙げられる）の存在下、もしくは、溶媒非存在下、塩基の存在下（無機、有機の種々の塩基、例えば、ナトリウムメトキサイド、ｔ−ブトキシカリウム、トリエチルアミン、炭酸カリウムなどが挙げられる）、もしくは、塩基非存在下、室温以下、もしくは加熱し（通常の加熱以外にもマイクロウェーブで加熱する手法も有効である）得ることができる。
【０２１４】
本発明の金属錯体を合成する際の反応時間は反応原料の活性により異なり、特に限定されないが、１分以上５日以下が好ましく、５分以上３日以下がより好ましく、１０分以上１日以下がさらに好ましい。
【０２１５】
本発明の金属錯体合成の反応温度は反応の活性により異なり、特に限定されないが、０℃以上３００℃以下が好ましく、５℃以上２５０℃以下がより好ましく、１０℃以上２００℃以下がさらに好ましい。
【０２１６】
本発明の金属錯体は、目的とする錯体の部分構造を形成している配位子を適宜選択することで、前記一般式（Ｉ）、（１）、（１−Ａ）、（２）、（３）、（３−Ａ）、（３−Ｂ）、（３−Ｃ）、（４）、（４−Ａ）、（５）、（５−Ａ）、及び（５−Ｂ）、並びに前記一般式（ＩＩ）、（Ｘ２）、及び（Ｘ３）で表される化合物で表される化合物は合成できる。
例えば、一般式（１−Ａ）で表される化合物を合成する際は、６，６'−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２'−ビピリジル配位子またはその誘導体（例えば、２，９−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−１，１０−フェナントロリン配位子、２，９−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン配位子、６，６'−ビス（２−ヒドロキシ−５−tert−ブチルフェニル）−２，２'−ビピリジル配位子など）などを、金属化合物に対し、好ましくは０．１当量〜１０当量、より好ましくは０．３当量〜６当量、さらに好ましくは０．５当量〜４当量加えて合成できる。一般式（１−Ａ）で表される化合物の合成方法において、反応溶媒、反応時間、反応温度の各々は、上記本発明の金属錯体の合成方法で述べた事項と同様である。
【０２１７】
６，６'−ビス（２−ヒドロキシフェニル）−２，２'−ビピリジル配位子の誘導体は種々の公知の方法を用いて合成することができる。
例えば、２，２'−ビピリジル誘導体（例えば、１，１０−フェナントロリンなど）とアニソール誘導体（例えば、４−フルオロアニソールなど）をJournal of Organic Chemistry, 741, 11,（1946）に記載の方法で反応させることにより合成することができる。また、ハロゲン化された２，２'−ビピリジル誘導体（例えば、２，９−ジブロモ−１，１０−フェナントロリンなど）と２−メトキシフェニルボロン酸誘導体など（例えば、２−メトキシ−５−フルオロフェニルボロン酸など）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Journal of Organic Chemistry, 741, 11,（1946）に記載の方法、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことにより合成することができる。また、２，２'−ビピリジルボロン酸誘導体（例えば６，６'−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロリル）−２，２'−ビピリジルなど）とハロゲン化されたアニソール誘導体（例えば２−ブロモアニソールなど）を出発物質として鈴木カップリング反応を行った後、メチル基を脱保護する（Journal of Organic Chemistry, 741, 11,（1946）に記載の方法、または、ピリジン塩酸塩中で加熱するなどの方法を用いる）ことによっても合成することができる。
【０２１８】
本発明における金属錯体の配位子が前述の通り環状配位子である場合、該金属錯体は、下記一般式（III）で表される化合物であることが好ましい。
【０２１９】
以下、下記一般式（III）で表される化合物について説明する。
【０２２０】
【化４７】
2006140059.tif 000048
【０２２１】
一般式（III）中、Ｑ11は含窒素へテロ環を形成する原子群を表し、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13はそれぞれ置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、ＭY1は更に配位子を有しても良い金属イオンを表す。
【０２２２】
一般式（III）中、Ｑ11は、Ｑ11が結合する炭素原子２つとこれらの炭素原子に直接結合している窒素原子とを含んで、含窒素へテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ11で形成される含窒素へテロ環の環員数としては特に限定されないが、環員数１２〜２０が好ましく、環員数１４〜１６がより好ましく、環員数１６がさらに好ましい。
【０２２３】
Ｚ11、Ｚ12、及びＺ13はそれぞれ独立に、置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ11、Ｚ12、及びＺ13の組合せとしては、Ｚ11、Ｚ12、及びＺ13の少なくとも１つが窒素原子であることが好ましい。
【０２２４】
炭素原子上の置換基としては、例えば、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【０２２５】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、
【０２２６】
アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、
【０２２７】
アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、
【０２２８】
カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、
【０２２９】
スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、
【０２３０】
シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。
これらの置換基の中でも、炭素原子上の置換基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子が好ましく、より好ましくはアリール基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはフェニル基、フッ素原子である。
【０２３１】
窒素原子上の置換基としては、前記炭素原子上の置換基として例示した置換基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【０２３２】
一般式（III）中、ＭY1は配位子を更に有してもよい金属イオンを表し、他に配位子を有さない金属イオンがより好ましい。
【０２３３】
ＭY1で表される金属イオンとしては特に限定されないが、２価または３価の金属イオンが好ましい。２価または３価の金属イオンとしては、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、鉛イオン、アルミニウムイオン、イリジウムイオン、ユーロピウムイオンが好ましく、コバルトイオン、マグネシウムイオン、亜鉛イオン、パラジウムイオン、ニッケルイオン、銅イオン、白金イオン、鉛イオンがより好ましく、銅イオン、白金イオンがさらに好ましく、白金イオンが特に好ましい。ＭY1は、Ｑ11に含まれる原子と結合していても結合していなくてもよく、結合している方が好ましい。
【０２３４】
ＭY1が、さらに有していてもよい配位子としては、特に限定されないが、単座、もしくは、２座の配位子が好ましく、２座の配位子がより好ましい。配位する原子としては、特に限定されないが、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、炭素原子、りん原子が好ましく、酸素原子、窒素原子、炭素原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましい。
【０２３５】
前記一般式（III）で表される化合物の好ましい例は、下記一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物、又はそれらの互変異性体である。
一般式（III）で表される化合物はとしては、一般式（ａ）及び一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｂ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましい。
また、一般式（III）で表される化合物としては、一般式（ｃ）または一般式（ｇ）で表される化合物も好ましい。
一般式（ｃ）で表される化合物としては、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｆ）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｅ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｄ）で表される化合物またはその互変異性体がさらに好ましい。
【０２３６】
一般式（ｇ）で表される化合物としては、一般式（ｈ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｊ）で表される化合物またはその互変異性体が好ましく、一般式（ｈ）で表される化合物またはその互変異性体、一般式（ｉ）で表される化合物またはその互変異性体がより好ましく、一般式（ｈ）表される化合物またはその互変異性体がさらに好ましい。
【０２３７】
以下、一般式（ａ）〜（ｊ）で表される化合物について詳細に説明する。
【０２３８】
【化４８】
2006140059.tif 000049
【０２３９】
一般式（ａ）で表される化合物について説明する。
一般式（ａ）中、Ｚ21、Ｚ22、Ｚ23、Ｚ24、Ｚ25、Ｚ26、Ｍ21はそれぞれ対応する前記一般式（ＩＩＩ）におけるＺ11、Ｚ12、Ｚ13、Ｚ11、Ｚ12、Ｚ13、Ｍ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２４０】
Ｑ21、Ｑ22はそれぞれ含窒素へテロ環を形成する基を表す。Ｑ21、Ｑ22で形成される含窒素ヘテロ環としては特に限定されないが、ピロール環、イミダゾール環、トリアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えばベンズピロール）、及び、これらの互変異性体（例えば、後述の一般式（ｂ）において、Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46が置換している含窒素５員環はピロールの互変異性体と定義する）が好ましく、ピロール環及びピロール環を含む縮環体（例えば、ベンズピロール）がより好ましい。
【０２４１】
Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23、Ｘ24は、それぞれ独立に、置換または無置換の、炭素原子又は窒素原子を表し、無置換の、炭素原子、窒素原子が好ましく、窒素原子がより好ましい。
【０２４２】
一般式（ｂ）で表される化合物について説明する。
【０２４３】
【化４９】
2006140059.tif 000050
【０２４４】
一般式（ｂ）中、Ｚ41、Ｚ42、Ｚ43、Ｚ44、Ｚ45、Ｚ46、Ｘ41、Ｘ42、Ｘ43、Ｘ44、Ｍ41は前記一般式（ａ）におけるＺ21、Ｚ22、Ｚ23、Ｚ24、Ｚ25、Ｚ26、Ｘ21、Ｘ22、Ｘ23、Ｘ24、Ｍ21と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２４５】
Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46はそれぞれ独立に水素原子、または前記一般式（III）におけるＺ11又はＺ12上の置換基として例示したアルキル基、アリール基、Ｒ43とＲ44またはＲ45とＲ46が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基が好ましく、アルキル基、アリール基、Ｒ43とＲ44またはＲ45とＲ46が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がより好ましく、Ｒ43とＲ44またはＲ45とＲ46が結合して環構造（例えば、ベンゾ縮環、ピリジン縮環など）を形成する基がさらに好ましい。
【０２４６】
Ｒ43、Ｒ44、Ｒ45、Ｒ46はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。置換基としては前記一般式（III）におけるＺ11又はＺ12について炭素原子上の置換基で説明した基が挙げられる。
【０２４７】
一般式（ｃ）で表される化合物について説明する。
【０２４８】
【化５０】
2006140059.tif 000051
【０２４９】
一般式（ｃ）中、Ｚ101、Ｚ102、Ｚ103はそれぞれ独立に置換又は無置換の、炭素原子又は窒素原子を表す。Ｚ101、Ｚ102、Ｚ103の少なくとも一つが窒素原子であることが好ましい。
【０２５０】
Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104はそれぞれ独立に単結合または連結基を表す。連結としては特に限定されないが、例えば、カルボニル連結基、アルキレン基、アルケニレン基、アリーレン基、ヘテロアリーレン基、含窒素ヘテロ環連結基、酸素原子連結基、アミノ連結基、イミノ連結基、カルボニル連結基、及び、これらの組み合わせからなる連結基などが挙げられる。
【０２５１】
Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104はそれぞれ独立に単結合、アルキレン基、アルケニレン基、アミノ連結基、イミノ連結基が好ましく、単結合、アルキレン連結基、アルケニレン連結基、イミノ連結基がより好ましく、単結合、アルキレン連結基がさらに好ましい。
【０２５２】
Ｑ101、Ｑ103はそれぞれ独立にＭ101に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、りん原子で配位する基、酸素原子で配位する基、または、硫黄原子で配位する基を表す。
【０２５３】
Ｍ101に炭素原子で配位する基としては、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する６員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で配位するアリール基、炭素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、炭素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で配位するアリール基がさらに好ましい。
【０２５４】
Ｍ101に窒素原子で配位する基としては、窒素原子で配位する含窒素５員環へテロアリール基、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で配位する含窒素６員環へテロアリール基がより好ましい。
【０２５５】
Ｍ101にりん原子で配位する基としては、りん原子で配位するアルキルホスフィン基、りん原子で配位するアリールホスフィン基、りん原子で配位するアルコキシホスフィン基、りん原子で配位するアリールオキシホスフィン基、りん原子で配位するヘテロアリールオキシホスフィン基、りん原子で配位するホスフィニン基、りん原子で配位するホスホール基が好ましく、りん原子で配位するアルキルホスフィン基、りん原子で配位するアリールホスフィン基がより好ましい。
【０２５６】
Ｍ101に酸素原子で配位する基としては、オキシ基、酸素原子で配位するカルボニル基が好ましく、オキシ基がさらに好ましい。
【０２５７】
Ｍ101に硫黄原子で配位する基としては、スルフィド基、チオフェン基、チアゾール基が好ましく、チオフェン基がより好ましい。
【０２５８】
Ｑ101、Ｑ103はＭ101に炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基、酸素原子で配位する基が好ましく、炭素原子で配位する基、窒素原子で配位する基がより好ましく、炭素原子で配位する基がさらに好ましい。
【０２５９】
Ｑ102はＭ101に窒素原子で配位する基、りん原子で配位する基、酸素原子で配位する基、または、硫黄原子で配位する基を表し、窒素原子で配位する基がより好ましい。
【０２６０】
Ｍ101は前記一般式（Ｉ）におけるＭ11と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２６１】
一般式（ｄ）で表される化合物について説明する。
【０２６２】
【化５１】
2006140059.tif 000052
【０２６３】
一般式（ｄ）中、Ｚ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｌ201、Ｌ202、Ｌ203、Ｌ204、Ｍ201はそれぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ101、Ｚ102、Ｚ103、Ｚ101、Ｚ102、Ｚ103、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212はそれぞれ置換または無置換の炭素原子又は窒素原子を表し、置換または無置換の炭素原子が好ましい。
【０２６４】
一般式（ｅ）で表される化合物について説明する。
【０２６５】
【化５２】
2006140059.tif 000053
【０２６６】
一般式（ｅ）中、Ｚ301、Ｚ302、Ｚ303、Ｚ304、Ｚ305、Ｚ306、Ｚ307、Ｚ308、Ｚ309、Ｚ310、Ｌ301、Ｌ302、Ｌ303、Ｌ304、Ｍ301は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ204、Ｚ206、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ210、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２６７】
一般式（ｆ）で表される化合物について説明する。
【０２６８】
【化５３】
2006140059.tif 000054
【０２６９】
一般式（ｆ）中、Ｚ401、Ｚ402、Ｚ403、Ｚ404、Ｚ405、Ｚ406、Ｚ407、Ｚ408、Ｚ409、Ｚ410、Ｚ411、Ｚ412、Ｌ401、Ｌ402、Ｌ403、Ｌ404、Ｍ401は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
Ｘ401、Ｘ402はそれぞれ独立に酸素原子、置換又は無置換の窒素原子、硫黄原子を表し、酸素原子、置換窒素原子が好ましく、酸素原子がより好ましい。
【０２７０】
一般式（ｇ）で表される化合物について説明する
【０２７１】
【化５４】
2006140059.tif 000055
【０２７２】
一般式（ｇ）中、Ｚ501、Ｚ502、Ｚ503、Ｌ501、Ｌ502、Ｌ503、Ｌ504、Ｑ501、Ｑ502、Ｑ503、Ｍ501は、それぞれ対応する前記一般式（ｃ）におけるＺ101、Ｚ102、Ｚ103、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｑ101、Ｑ103、Ｑ102、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２７３】
一般式（ｈ）で表される化合物について説明する。
【０２７４】
【化５５】
2006140059.tif 000056
【０２７５】
一般式（ｈ）中、Ｚ601、Ｚ602、Ｚ603、Ｚ604、Ｚ605、Ｚ606、Ｚ607、Ｚ608、Ｚ609、Ｚ610、Ｚ611、Ｚ612、Ｌ601、Ｌ602、Ｌ603、Ｌ604、Ｍ601は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２７６】
一般式（ｉ）で表される化合物について説明する。
【０２７７】
【化５６】
2006140059.tif 000057
【０２７８】
一般式（ｉ）中、Ｚ701、Ｚ702、Ｚ703、Ｚ704、Ｚ705、Ｚ706、Ｚ707、Ｚ708、Ｚ709、Ｚ710、Ｌ701、Ｌ702、Ｌ703、Ｌ704、Ｍ701はそれぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ204、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２７９】
一般式（ｊ）で表される化合物について説明する。
【０２８０】
【化５７】
2006140059.tif 000058
【０２８１】
一般式（ｊ）中、Ｚ801、Ｚ802、Ｚ803、Ｚ804、Ｚ805、Ｚ806、Ｚ807、Ｚ808、Ｚ809、Ｚ810、Ｚ811、Ｚ812、Ｌ801、Ｌ802、Ｌ803、Ｌ804、Ｍ801、Ｘ801、Ｘ802は、それぞれ対応する前記一般式（ｄ）、（ｃ）、（ｆ）におけるＺ201、Ｚ202、Ｚ203、Ｚ207、Ｚ208、Ｚ209、Ｚ204、Ｚ205、Ｚ206、Ｚ210、Ｚ211、Ｚ212、Ｌ101、Ｌ102、Ｌ103、Ｌ104、Ｍ101、Ｘ401、Ｘ402と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０２８２】
一般式（III）で表される化合物の具体例としては、特願２００４−８８５７５記載の化合物（２）〜化合物（８）、化合物（１５）〜化合物（２０）、化合物（２７）〜化合物（３２）、化合物（３６）〜化合物（３８）、化合物（４２）〜化合物（４４）、化合物（５０）〜化合物（５２）、及び、化合物（５７）〜化合物（１５４）（以下に構造を示す。）が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０２８３】
【化５８】
2006140059.tif 000059
【０２８４】
【化５９】
2006140059.tif 000060
【０２８５】
【化６０】
2006140059.tif 000061
【０２８６】
【化６１】
2006140059.tif 000062
【０２８７】
【化６２】
2006140059.tif 000063
【０２８８】
【化６３】
2006140059.tif 000064
【０２８９】
【化６４】
2006140059.tif 000065
【０２９０】
【化６５】
2006140059.tif 000066
【０２９１】
【化６６】
2006140059.tif 000067
【０２９２】
【化６７】
2006140059.tif 000068
【０２９３】
【化６８】
2006140059.tif 000069
【０２９４】
【化６９】
2006140059.tif 000070
【０２９５】
【化７０】
2006140059.tif 000071
【０２９６】
【化７１】
2006140059.tif 000072
【０２９７】
【化７２】
2006140059.tif 000073
【０２９８】
【化７３】
2006140059.tif 000074
【０２９９】
【化７４】
2006140059.tif 000075
【０３００】
【化７５】
2006140059.tif 000076
【０３０１】
【化７６】
2006140059.tif 000077
【０３０２】
さらに、本発明における金属錯体の好ましい例としては、下記一般式（Ａ−１）、下記一般式（Ｂ−１）、下記一般式（Ｃ−１）、下記一般式（Ｄ−１）、下記一般式（Ｅ−１）、及び下記一般式（Ｆ−１）で表される各化合物が挙げられる。
一般式（Ａ−１）について説明する。
【０３０３】
【化７７】
2006140059.tif 000078
【０３０４】
一般式（Ａ−１）中、ＭA1は金属イオンを表す。ＹA11、ＹA14、ＹA15およびＹA18は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹA12、ＹA13、ＹA16およびＹA17はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14は連結基を表し、これらの連結基は、同一構造であっても異なる構造であっても良い。ＱA11、ＱA12はＭA1に共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３０５】
一般式（Ａ−１）で表される化合物について、詳細に説明する。
ＭA1は金属イオンを表す。金属イオンとしては特に限定されることはないが、２価の金属イオンが好ましく、Ｐｔ2+、Ｐｄ2+、Ｃｕ2+、Ｎｉ2+、Ｃｏ2+、Ｚｎ2+、Ｍｇ2+、Ｐｂ2+が好ましく、Ｐｔ2+、Ｃｕ2+がより好ましく、Ｐｔ2+が特に好ましい。
ＹA11、ＹA14、ＹA15およびＹA18は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹA11、ＹA14、ＹA15およびＹA18として好ましくは、炭素原子である。
ＹA12、ＹA13、ＹA16およびＹA17はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＹA12、ＹA13、ＹA16およびＹA17として好ましくは、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子である。
ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14は二価の連結基を表す。ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基としては、それぞれ独立に単結合のほか、炭素、窒素、珪素、硫黄、酸素、ゲルマニウム、リン等で構成される連結基であり、より好ましくは、単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、酸素原子、硫黄原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、さらに好ましくは単結合、置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、置換珪素原子、二価の芳香族炭化水素環基、二価の芳香族ヘテロ環基であり、特に好ましくは、単結合、置換または無置換のメチレン基である、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基としては、例えば以下のものが挙げられる。
【０３０６】
【化７８】
2006140059.tif 000079
【０３０７】
ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基は、さらに置換基を有していてもよい。導入可能な置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【０３０８】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、
【０３０９】
ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【０３１０】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、
【０３１１】
スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、
【０３１２】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、
【０３１３】
ウレイド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、
【０３１４】
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。
【０３１５】
これらの置換基は更に置換されてもよい。置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、ヘテロ環基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基、フッ素原子である。
【０３１６】
ＱA11、ＱA12はＭA1に共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。ＱA11、ＱA12はそれぞれ独立にＭA1に炭素原子で結合する基、窒素原子で結合する基、珪素原子で結合する基、リン原子で結合する基、酸素原子で結合する基、硫黄原子で結合する基が好ましく、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子で結合する基がより好ましく、炭素原子、窒素原子で結合する基がさらに好ましく、炭素原子で結合する基が特に好ましい。
【０３１７】
炭素原子で結合する基としては、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する六員環へテロアリール基が好ましく、炭素原子で結合するアリール基、炭素原子で結合する含窒素五員環へテロアリール基、炭素原子で結合する含窒素六員環へテロアリール基がより好ましく、炭素原子で結合するアリール基が特に好ましい。
【０３１８】
窒素原子で結合する基としては、置換アミノ基、窒素原子で結合する含窒素へテロ五員環へテロアリール基が好ましく、窒素原子で結合する含窒素へテロ五員環へテロアリール基が特に好ましい。
【０３１９】
リン原子で結合する基としては、置換ホスフィノ基が好ましい。珪素原子で結合する基としては、置換シリル基が好ましい。酸素原子で結合する基としてはオキシ基、硫黄原子で結合する基としてはスルフィド基が好ましい。
【０３２０】
前記一般式（Ａ−１）で表される化合物は、より好ましくは一般式（Ａ−２）、一般式（Ａ−３）、又は一般式（Ａ−４）で表される化合物である。
【０３２１】
【化７９】
2006140059.tif 000080
【０３２２】
一般式（Ａ−２）中、ＭA2は金属イオンを表す。ＹA21、ＹA24、ＹA25およびＹA28は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹA22、ＹA23、ＹA26およびＹA27はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA21、ＬA22、ＬA23、ＬA24は連結基を表す。ＺA21、ＺA22、ＺA23、ＺA24、ＺA25およびＺA26はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３２３】
【化８０】
2006140059.tif 000081
【０３２４】
一般式（Ａ−３）中、ＭA3は金属イオンを表す。ＹA31、ＹA34、ＹA35およびＹA38は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹA32、ＹA33、ＹA36およびＹA37はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA31、ＬA32、ＬA33、ＬA34は連結基を表す。ＺA31、ＺA32、ＺA33およびＺA34はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３２５】
【化８１】
2006140059.tif 000082
【０３２６】
一般式（Ａ−４）中、ＭA4は金属イオンを表す。ＹA41、ＹA44、ＹA45およびＹA48は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹA42、ＹA43、ＹA46およびＹA47はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬA41、ＬA42、ＬA43、ＬA44は連結基を表す。ＺA41、ＺA42、ＺA43、ＺA44、ＺA45およびＺA46はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸA41、ＸA42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０３２７】
一般式（Ａ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭA2、ＹA21、ＹA24、ＹA25、ＹA28、ＹA22、ＹA23、ＹA26、ＹA27、ＬA21、ＬA22、ＬA23、ＬA24はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺA21、ＺA22、ＺA23、ＺA24、ＺA25およびＺA26はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺA21、ＺA22、ＺA23、ＺA24、ＺA25およびＺA26として好ましくはそれぞれ独立に置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３２８】
一般式（Ａ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭA3、ＹA31、ＹA34、ＹA35、ＹA38、ＹA32、ＹA33、ＹA36、ＹA37、ＬA31、ＬA32、ＬA33、ＬA34はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺA31、ＺA32、ＺA33、およびＺA34はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺA31、ＺA32、ＺA33、およびＺA34として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３２９】
一般式（Ａ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭA4、ＹA41、ＹA44、ＹA45、ＹA48、ＹA42、ＹA43、ＹA46、ＹA47、ＬA41、ＬA42、ＬA43、ＬA44はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中のＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺA41、ＺA42、ＺA43、ＺA44、ＺA45およびＺA46はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺA41、ＺA42、ＺA43、ＺA44、ＺA45およびＺA46として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸA41、ＸA42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸA41、ＸA42として好ましくはそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０３３０】
一般式（Ａ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０３３１】
【化８２】
2006140059.tif 000083
【０３３２】
【化８３】
2006140059.tif 000084
【０３３３】
【化８４】
2006140059.tif 000085
【０３３４】
【化８５】
2006140059.tif 000086
【０３３５】
【化８６】
2006140059.tif 000087
【０３３６】
【化８７】
2006140059.tif 000088
【０３３７】
【化８８】
2006140059.tif 000089
【０３３８】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｂ−１）で表される化合物である。
【０３３９】
【化８９】
2006140059.tif 000090
【０３４０】
一般式（Ｂ−１）中、ＭB1は金属イオンを表す。ＹB11、ＹB14、ＹB15およびＹB18は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹB12、ＹB13、ＹB16およびＹB17はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14は連結基を表す。ＱB11、ＱB12はＭB1に共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３４１】
一般式（Ｂ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−１）中、ＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14、ＱB11、ＱB12は、それぞれ対応する、一般式（Ａ−１）中における、ＭA1、ＹA11、ＹA14、ＹA15、ＹA18、ＹA12、ＹA13、ＹA16、ＹA17、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14、ＱA11、ＱA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０３４２】
一般式（Ｂ−１）で表される化合物は、より好ましくは、下記一般式（Ｂ−２）、一般式（Ｂ−３）、又は一般式（Ｂ−４）で表される化合物である。
【０３４３】
【化９０】
2006140059.tif 000091
【０３４４】
一般式（Ｂ−２）中、ＭB2は金属イオンを表す。ＹB21、ＹB24、ＹB25およびＹB28は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹB22、ＹB23、ＹB26およびＹB27はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB21、ＬB22、ＬB23、ＬB24は連結基を表す。ＺB21、ＺB22、ＺB23、ＺB24、ＺB25およびＺB26はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３４５】
【化９１】
2006140059.tif 000092
【０３４６】
一般式（Ｂ−３）中、ＭB3は金属イオンを表す。ＹB31、ＹB34、ＹB35およびＹB38は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹB32、ＹB33、ＹB36およびＹB37は、それぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB31、ＬB32、ＬB33、ＬB34は連結基を表す。ＺB31、ＺB32、ＺB33およびＺB34は、それぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３４７】
【化９２】
2006140059.tif 000093
【０３４８】
一般式（Ｂ−４）中、ＭB4は金属イオンを表す。ＹB41、ＹB44、ＹB45およびＹB48は、それぞれ独立に炭素原子または窒素原子を表す。ＹB42、ＹB43、ＹB46およびＹB47はそれぞれ独立に置換または無置換の炭素原子、置換または無置換の窒素原子、酸素原子、硫黄原子を表す。ＬB41、ＬB42、ＬB43、ＬB44は連結基を表す。ＺB41、ＺB42、ＺB43、ＺB44、ＺB45およびＺB46はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸB41、ＸB42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０３４９】
一般式（Ｂ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−２）中、ＭB2、ＹB21、ＹB24、ＹB25、ＹB28、ＹB22、ＹB23、ＹB26、ＹB27、ＬB21、ＬB22、ＬB23、ＬB24はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺB21、ＺB22、ＺB23、ＺB24、ＺB25およびＺB26は、それぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺB21、ＺB22、ＺB23、ＺB24、ＺB25およびＺB26として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３５０】
一般式（Ｂ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−３）中、ＭB3、ＹB31、ＹB34、ＹB35、ＹB38、ＹB32、ＹB33、ＹB36、ＹB37、ＬB31、ＬB32、ＬB33、ＬB34はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺB31、ＺB32、ＺB33、およびＺB34はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺB31、ＺB32、ＺB33、およびＺB34として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０３５１】
一般式（Ｂ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｂ−４）中、ＭB4、ＹB41、ＹB44、ＹB45、ＹB48、ＹB42、ＹB43、ＹB46、ＹB47、ＬB41、ＬB42、ＬB43、ＬB44はそれぞれ対応する、一般式（Ｂ−１）中のＭB1、ＹB11、ＹB14、ＹB15、ＹB18、ＹB12、ＹB13、ＹB16、ＹB17、ＬB11、ＬB12、ＬB13、ＬB14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺB41、ＺB42、ＺB43、ＺB44、ＺB45およびＺB46はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺB41、ＺB42、ＺB43、ＺB44、ＺB45およびＺB46として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸB41、ＸB42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸB41、ＸB42として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０３５２】
一般式（Ｂ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０３５３】
【化９３】
2006140059.tif 000094
【０３５４】
【化９４】
2006140059.tif 000095
【０３５５】
【化９５】
2006140059.tif 000096
【０３５６】
【化９６】
2006140059.tif 000097
【０３５７】
【化９７】
2006140059.tif 000098
【０３５８】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、一般式（Ｃ−１）で表される化合物である。
【０３５９】
【化９８】
2006140059.tif 000099
【０３６０】
一般式（Ｃ−１）中、ＭC1は金属イオンを表す。ＲC11、ＲC12は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、または互いに連結することの無い置換基を表す。ＲC13、ＲC14は、それぞれ独立に、水素原子、互いに連結して五員環を形成する置換基、または互いに連結することの無い置換基を表す。ＧC11、ＧC12は、それぞれ独立に、窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。ＬC11、ＬC12は連結基を表す。ＱC11、ＱC12はＭC1に共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３６１】
一般式（Ｃ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−１）中、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＱC11、ＱC12はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭA1、ＬA11、ＬA12、ＱA11、ＱA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧC11、ＧC12は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは窒素原子、無置換の炭素原子であり、より好ましくは窒素原子である。
ＲC11、ＲC12はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲC11、ＲC12は互いに連結して五員環を形成してもよい。ＲC13、ＲC14はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲC13、ＲC14は互いに連結して五員環を形成してもよい。
【０３６２】
ＲC11、ＲC12、ＲC13およびＲC14で表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、
【０３６３】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル、アントラニルなどが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素数０〜３０、より好ましくは炭素数０〜２０、特に好ましくは炭素数０〜１０であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１０であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシ、２−エチルヘキシロキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、
【０３６４】
ヘテロ環オキシ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルオキシ、ピラジルオキシ、ピリミジルオキシ、キノリルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、
【０３６５】
アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜３０、より好ましくは炭素数２〜２０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜３０、より好ましくは炭素数７〜２０、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、
【０３６６】
アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜２０、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばピリジルチオ、２−ベンズイミゾリルチオ、２−ベンズオキサゾリルチオ、２−ベンズチアゾリルチオなどが挙げられる。）、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、
【０３６７】
ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは炭素数１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子であり、具体的にはイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、チエニル、ピペリジル、モルホリノ、ベンズオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリル、カルバゾリル基、アゼピニル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる。）、シリルオキシ基（好ましくは炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは炭素数３〜２４であり、例えばトリメチルシリルオキシ、トリフェニルシリルオキシなどが挙げられる。）などが挙げられる。
【０３６８】
ＲC11、ＲC12、ＲC13およびＲC14で表される置換基として好ましくは、アルキル基、アリール基、ＲC11とＲC12、ＲC13とＲC14が互いに結合して五員環を形成する基であり、特に好ましくはＲC11とＲC12、ＲC13とＲC14が互いに結合して五員環を形成する基である。
【０３６９】
一般式（Ｃ−１）で表される化合物は、より好ましくは一般式（Ｃ−２）で表される化合物である。
【０３７０】
【化９９】
2006140059.tif 000100
【０３７１】
一般式（Ｃ−２）中、ＭC2は金属イオンを表す。
ＹC21、ＹC22、ＹC23およびＹC24は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC21、ＧC22は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC21、ＬC22は連結基を表す。ＱC21、ＱC22はＭC2に共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０３７２】
一般式（Ｃ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−２）中、ＭC2、ＬC21、ＬC22、ＱC21、ＱC22、ＧC21、ＧC22はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）におけるＭC1、ＬC11、ＬC12、ＱC11、ＱC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、好ましい範囲も同様である。
ＹC21、ＹC22、ＹC23およびＹC24は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
【０３７３】
一般式（Ｃ−２）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｃ−３）、一般式（Ｃ−４）又は一般式（Ｃ−５）で表される化合物である。
【０３７４】
【化１００】
2006140059.tif 000101
【０３７５】
一般式（Ｃ−３）中、ＭC3は金属イオンを表す。
ＹC31、ＹC32、ＹC33およびＹC34は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC31、ＧC32は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC31、ＬC32は連結基を表す。ＺC31、Ｚ C32、Ｚ C33、Ｚ C34、Ｚ C35およびＺ C36はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３７６】
【化１０１】
2006140059.tif 000102
【０３７７】
一般式（Ｃ−４）中、ＭC4は金属イオンを表す。
ＹC41、ＹC42、ＹC43およびＹC44は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC41、ＧC42は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC41、ＬC42は連結基を表す。ＺC41、ＺC42、ＺC43およびＺC44はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０３７８】
【化１０２】
2006140059.tif 000103
【０３７９】
一般式（Ｃ−５）中、ＭC5は金属イオンを表す。
ＹC51、ＹC52、ＹC53およびＹC54は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＧC51、ＧC52は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＬC51、ＬC52は連結基を表す。ＺC51、Ｚ C52、Ｚ C53、Ｚ C54、Ｚ C55およびＺ C56はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸC51、ＸC52はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０３８０】
一般式（Ｃ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−３）中、ＭC3、ＬC31、ＬC32、ＧC31、ＧC32はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−１）における、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺC31、ＺC32、ＺC33、ＺC34、ＺC35およびＺC36はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺC31、ＺC32、ＺC33、ＺC34、ＺC35およびＺC36として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
【０３８１】
一般式（Ｃ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｃ−４）中、ＭC4、ＬC41、ＬC42、ＧC41、ＧC42は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺC41、ＺC42、ＺC43、およびＺC44はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺC41、ＺC42、ＺC43、およびＺC44として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
【０３８２】
一般式（Ｃ−５）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭC5、ＬC51、ＬC52、ＧC51、ＧC52は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）における、ＭC1、ＬC11、ＬC12、ＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺC51、ＺC52、ＺC53、ＺC54、ＺC55およびＺC56はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺC51、ＺC52、ＺC53、ＺC54、ＺC55およびＺC56として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸC51、ＸC52はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸC51、ＸC52として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０３８３】
一般式（Ｃ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０３８４】
【化１０３】
2006140059.tif 000104
【０３８５】
【化１０４】
2006140059.tif 000105
【０３８６】
【化１０５】
2006140059.tif 000106
【０３８７】
【化１０６】
2006140059.tif 000107
【０３８８】
【化１０７】
2006140059.tif 000108
【０３８９】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｄ−１）で表される化合物である。
【０３９０】
【化１０８】
2006140059.tif 000109
【０３９１】
一般式（Ｄ−１）中、ＭD1は金属イオンを表す。
ＧD11、ＧD12は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。ＪD11、ＪD12、ＪD13およびＪD14は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＬD11、ＬD12は連結基を表す。
【０３９２】
一般式（Ｄ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−１）中、ＭD1、ＬD11、ＬD12はそれぞれ対応する一般式（Ａ−１）中における、ＭA1、ＬA11、ＬA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＧD11、ＧD12は、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪD11、ＪD12、ＪD13およびＪD14は、これらが結合している原子群と共に、含窒素へテロ五員環を形成するのに必要な原子群を表す。
【０３９３】
一般式（Ｄ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｄ−２）、一般式（Ｄ−３）、又は一般式（Ｄ−４）で表される化合物である。
【０３９４】
【化１０９】
2006140059.tif 000110
【０３９５】
一般式（Ｄ−２）中、ＭD2は金属イオンを表す。
ＧD21、ＧD22は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹD21、ＹD22、ＹD23およびＹD24は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸD21、ＸD22、ＸD23およびＸD24は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−を表す。
ＲD21、ＲD22およびＲD23は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬD21、ＬD22は連結基を表す。
【０３９６】
【化１１０】
2006140059.tif 000111
【０３９７】
一般式（Ｄ−３）中、ＭD3は金属イオンを表す。
ＧD31、ＧD32は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹD31、ＹD32、ＹD33およびＹD34は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸD31、ＸD32、ＸD33およびＸD34は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD31−、−Ｃ（ＲD32）ＲD33−を表す。
ＲD31、ＲD32およびＲD33は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬD31、ＬD32は連結基を表す。
【０３９８】
【化１１１】
2006140059.tif 000112
【０３９９】
一般式（Ｄ−４）中、ＭD4は金属イオンを表す。
ＧD41、ＧD42は、それぞれ独立に窒素原子、置換または無置換の炭素原子を表す。
ＹD41、ＹD42、ＹD43およびＹD44は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸD41、ＸD42、ＸD43およびＸD44は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD41−、−Ｃ（ＲD42）ＲD43−を表す。ＲD41、ＲD42およびＲD43は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＬD41、ＬD42は連結基を表す。
【０４００】
一般式（Ｄ−２）について詳細に説明する。
ＭD2、ＬD21、ＬD22、ＧD21、ＧD22は、一般式（Ｄ−１）におけるＭD1、ＬD11、ＬD12、ＧD11、ＧD12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹD21、ＹD22、ＹD23およびＹD24は、それぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表し、好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。
ＸD21、ＸD22、ＸD23およびＸD24は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−を表し、好ましくは硫黄原子、−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−であり、より好ましくは−ＮＲD21−、−Ｃ（ＲD22）ＲD23−であり、さらに好ましくは−ＮＲD21−である。
ＲD21、ＲD22およびＲD23は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。ＲD21、ＲD22およびＲD23で表される置換基としては、アルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシル等が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニル等が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニル等が挙げられる。）、
【０４０１】
アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチル等が挙げられる。）、置換カルボニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、メトキシカルボニル、フェニルオキシカルボニル、ジメチルアミノカルボニル、フェニルアミノカルボニル、等が挙げられる。）、置換スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシル等が挙げられる。）、
【０４０２】
ヘテロ環基（脂肪族ヘテロ環基、芳香族ヘテロ環基がある。好ましくは、酸素原子、硫黄原子、窒素原子のいずれかを含み、好ましくは炭素数１〜５０、より好ましくは炭素数１〜３０、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばイミダゾリル、ピリジル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、トリアゾリル基等が挙げられる。）等が挙げられる。ＲD21、ＲD22およびＲD23は好ましくはアルキル基、アリール基、芳香族ヘテロ環基であり、より好ましくは、アルキル基、アリール基であり、さらに好ましくはアリール基である。
【０４０３】
一般式（Ｄ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−３）中、ＭD3、ＬD31、ＬD32、ＧD31、ＧD32は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−１）におけるＭD1、ＬD11、ＬD12、ＧD11、ＧD12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸD31、ＸD32、ＸD33およびＸD34はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＸD21、ＸD22、ＸD23およびＸD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＹD31、ＹD32、ＹD33およびＹD34はそれぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹD21、ＹD22、ＹD23およびＹD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４０４】
一般式（Ｄ−４）について詳細に説明する。
一般式（Ｄ−４）中、ＭD4、ＬD41、ＬD42、ＧD41、ＧD42は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−１）におけるＭD1、ＬD11、ＬD12、ＧD11、ＧD12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＸD41、ＸD42、ＸD43およびＸD44は、それぞれ対応する一般式（Ｄ−２）におけるＸD21、ＸD22、ＸD23およびＸD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹD41、ＹD42、ＹD43およびＹD44は、それぞれ対応する、一般式（Ｄ−２）におけるＹD21、ＹD22、ＹD23およびＹD24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４０５】
一般式（Ｄ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０４０６】
【化１１２】
2006140059.tif 000113
【０４０７】
【化１１３】
2006140059.tif 000114
【０４０８】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｅ−１）で表される化合物である。
【０４０９】
【化１１４】
2006140059.tif 000115
【０４１０】
一般式（Ｅ−１）中、ＭE1は金属イオンを表す。ＪE11、ＪE12は五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＧE11、ＧE12、ＧE13およびＧE14は、それぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹE11、ＹE12、ＹE13およびＹE14はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０４１１】
一般式（Ｅ−１）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−１）中、ＭE1は一般式（Ａ−１）におけるＭA1と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＧE11、ＧE12、ＧE13およびＧE14は一般式（Ｃ−１）におけるＧC11、ＧC12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＪE11、ＪE12は、一般式（Ｄ−１）におけるＪD12〜ＪD14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＹE11、ＹE12、ＹE13およびＹE14はそれぞれ対応する、一般式（Ｃ−２）におけるＹC21〜ＹC24と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４１２】
一般式（Ｅ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｅ−２）、又は一般式（Ｅ−３）で表される化合物である。
【０４１３】
【化１１５】
2006140059.tif 000116
【０４１４】
一般式（Ｅ−２）中、ＭE2は金属イオンを表す。ＧE21、ＧE22、ＧE23およびＧE24はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹE21、ＹE22、ＹE23、ＹE24、ＹE25およびＹE26はそれぞれ独立に、窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
ＸE21およびＸE22は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲE21−、−Ｃ（ＲE22）ＲE23−を表す。ＲE21、ＲE22およびＲE23は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
【０４１５】
【化１１６】
2006140059.tif 000117
【０４１６】
一般式（Ｅ−３）中、ＭE3は金属イオンを表す。ＪE31、ＪE32はそれぞれ独立に五員環を形成するのに必要な原子群を表す。ＧE31、ＧE32  、ＧE33およびＧE34はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＹE31、ＹE32、ＹE33、ＹE34、ＹE35およびＹE36はそれぞれ独立に窒素原子、置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸE31およびＸE32は、それぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、−ＮＲE31−、−Ｃ（ＲE32）ＲE33−を表す。ＲE31、ＲE32およびＲE33は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表す。
【０４１７】
一般式（Ｅ−２）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−２）中、ＭE2、ＧE21、ＧE22、ＧE23、ＧE24、ＹE21、ＹE22、ＹE23、ＹE24は、それぞれ対応する一般式（Ｅ−１）におけるＭE1、ＧE11、ＧE12、ＧE13、ＧE14、ＹE11、ＹE12、ＹE13、ＹE14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸE21、ＸE22は一般式（Ｄ−２）におけるＸD21、ＸD22と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４１８】
一般式（Ｅ−３）について詳細に説明する。
一般式（Ｅ−３）中、ＭE3、ＧE31、ＧE32、ＧE33、ＧE34、ＹE31、ＹE32、ＹE33、ＹE34は、それぞれ対応する、一般式（Ｅ−１）におけるＭE1、ＧE11、ＧE12、ＧE13、ＧE14、ＹE11、ＹE12、ＹE13、ＹE14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＸE31、ＸE32は対応する、一般式（Ｅ−２）におけるＸE21、ＸE22と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
【０４１９】
一般式（Ｅ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０４２０】
【化１１７】
2006140059.tif 000118
【０４２１】
【化１１８】
2006140059.tif 000119
【０４２２】
本発明における金属錯体の内、好ましい化合物の一つは、下記一般式（Ｆ−１）で表される化合物である。
【０４２３】
【化１１９】
2006140059.tif 000120
【０４２４】
一般式（Ｆ−１）中、ＭF1は金属イオンを表す。ＬF11、ＬF12およびＬF13は連結基を表す。ＲF11、ＲF12、ＲF13およびＲF14は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表し、ＲF11とＲF12、ＲF12とＲF13、ＲF13とＲF14は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF11とＲF12、ＲF13とＲF14が形成する環は五員環である。ＱF11、ＱF12はＭF1に共有結合で結合する原子を含有する部分構造を表す。
【０４２５】
一般式（Ｆ−１）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−１）中、ＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＱF11、ＱF12はそれぞれ対応する、一般式（Ａ−１）におけるＭA1、ＬA11、ＬA12、ＬA13、ＱA11、ＱA12と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＲF11、ＲF12、ＲF13およびＲF14は、それぞれ独立に水素原子または置換基を表し、ＲF11とＲF12、ＲF12とＲF13、ＲF13とＲF14は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF11とＲF12、ＲF13とＲF14が形成する環は五員環である。ＲF11、ＲF12、ＲF13およびＲF14で表される置換基としては、それぞれ対応する一般式（Ｃ−１）におけるＲC11〜ＲC14で表される置換基として挙げたものが適用できる。ＲF11、ＲF12、ＲF13およびＲF14として好ましくは、ＲF11とＲF12、ＲF13とＲF14が互いに結合して五員環を形成する基もしくは、ＲF12とＲF13が互いに結合して芳香環を形成する基である。
【０４２６】
一般式（Ｆ−１）で表される化合物は、より好ましくは下記一般式（Ｆ−２）、一般式（Ｆ−３）、又は一般式（Ｆ−４）で表される化合物である。
【０４２７】
【化１２０】
2006140059.tif 000121
【０４２８】
一般式（Ｆ−２）中、ＭF2は金属イオンを表す。ＬF21、ＬF22およびＬF23は連結基を表す。ＲF21、ＲF22、ＲF23およびＲF24は置換基を表し、ＲF21とＲF22、ＲF22とＲF23、ＲF23とＲF24は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF21とＲF22、ＲF23とＲF24が形成する環は五員環である。ＺF21、ＺF22、ＺF23、ＺF24、ＺF25およびＺF26はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０４２９】
【化１２１】
2006140059.tif 000122
【０４３０】
一般式（Ｆ−３）中、ＭF3は金属イオンを表す。ＬF31、ＬF32およびＬF33は連結基を表す。ＲF31、ＲF32、ＲF33およびＲF34は置換基を表し、ＲF31とＲF32、ＲF32とＲF33、ＲF33とＲF34は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF31とＲF32、ＲF33とＲF34が形成する環は五員環である。ＺF31、ＺF32、ＺF33およびＺF34はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。
【０４３１】
【化１２２】
2006140059.tif 000123
【０４３２】
一般式（Ｆ−４）中、ＭF4は金属イオンを表す。ＬF41、ＬF42およびＬF43は連結基を表す。ＲF41、ＲF42、ＲF43およびＲF44は置換基を表し、ＲF41とＲF42、ＲF42とＲF43、ＲF43とＲF44は可能であれば互いに連結して環を形成してもよいが、ＲF41とＲF42、ＲF43とＲF44が形成する環は五員環である。ＺF41、ＺF42、ＺF43、ＺF44、ＺF45、およびＺF46はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＸF41、ＸF42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。
【０４３３】
一般式（Ｆ−２）で表される化合物について詳細に説明する。
ＭF2、ＬF21、ＬF22、ＬF23、ＲF21、ＲF22、ＲF23およびＲF24はそれぞれ対応する一般式（Ｆ−１）におけるＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＲF11、ＲF12、ＲF13およびＲF14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺF21、ＺF22、ＺF23、ＺF24、ＺF25およびＺF26はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺF21、ＺF22、ＺF23、ＺF24、ＺF25およびＺF26として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０４３４】
一般式（Ｆ−３）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−３）中、ＭF3、ＬF31、ＬF32、ＬF33、ＲF31、ＲF32、ＲF33およびＲF34はそれぞれ対応する、一般式（Ｆ−１）におけるＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＲF11、ＲF12、ＲF13およびＲF14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。ＺF31、ＺF32、ＺF33およびＺF34はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺF31、ＺF32、ＺF33およびＺF34として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
【０４３５】
一般式（Ｆ−４）で表される化合物について詳細に説明する。
一般式（Ｆ−４）中、ＭF4、ＬF41、ＬF42、ＬF43、ＲF41、ＲF42、ＲF43およびＲF44は一般式（Ｆ−１）におけるＭF1、ＬF11、ＬF12、ＬF13、ＲF11、ＲF12、ＲF13およびＲF14と同義であり、また好ましい範囲も同様である。
ＺF41、ＺF42、ＺF43、ＺF44、ＺF45およびＺF46はそれぞれ独立に窒素原子または置換もしくは無置換の炭素原子を表す。ＺF41、ＺF42、ＺF43、ＺF44、ＺF45およびＺF46として好ましくは置換もしくは無置換の炭素原子であり、より好ましくは無置換の炭素原子である。炭素原子に置換される置換基としては一般式（Ａ−１）におけるＬA11、ＬA12、ＬA13、ＬA14で表される二価の連結基の置換基としてあげたものが適用できる。
ＸF41、ＸF42はそれぞれ独立に酸素原子、硫黄原子、置換もしくは無置換の窒素原子を表す。ＸF41、ＸF42として好ましくは酸素原子、硫黄原子であり、より好ましくは酸素原子である。
【０４３６】
一般式（Ｆ−１）で表される化合物の具体例を以下に列挙するが、本発明はこれらの化合物に限定されることはない。
【０４３７】
【化１２３】
2006140059.tif 000124
【０４３８】
【化１２４】
2006140059.tif 000125
【０４３９】
【化１２５】
2006140059.tif 000126
【０４４０】
【化１２６】
2006140059.tif 000127
【０４４１】
【化１２７】
2006140059.tif 000128
【０４４２】
前記一般式（Ａ-1）〜（Ｆ−１）で表される化合物は公知の方法により合成することができる。
【０４４３】
次に、本発明の有機電界発光素子の構成に関して説明する。
本発明の有機電界発光素子は、基板上に設けられた、陽極、陰極の一対の電極間に、少なくとも一層の有機層を有して構成される。該有機層は少なくとも一層の発光層を含み、発光層以外の他の有機層としては、正孔輸送層、正孔注入層、電子注入層、電子輸送層などが挙げられ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の層構成が中でも好ましい。
また、これらの各層はそれぞれ他の機能を備えたものであってもよく、同層が積層されいてもよい。各層の形成には、それぞれ種々の材料を用いることができる。また、その他の層として保護層等を設けても良い。
【０４４４】
＜陽極＞
陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層などに正孔を供給するものであり、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物などを用いることができ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以上の材料である。
具体例としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、あるいは金、銀、クロム、ニッケル等の金属、さらにこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロールなどの有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられ、好ましくは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からＩＴＯが好ましい。
陽極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０４４５】
陽極は通常、上述した、ソーダライムガラス、無アルカリガラス、透明樹脂基板などの上に層形成したものが用いられる。ガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。透明樹脂基板としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルや、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、アリルジグリコールカーボネート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）、テフロン（登録商標）、ポリテトラフルオロエチレン−ポリエチレン共重合体等の高分子材料が挙げられる。
基板の厚みは、機械的強度を保つのに十分であれば特に制限はないが、ガラスを用いる場合には、通常０．２ｍｍ以上、好ましくは０．７ｍｍ以上のものを用いる。
陽極の作製には、材料によって種々の方法が用いられるが、例えば、ＩＴＯの場合、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、化学反応法（ゾルーゲル法など）、酸化インジウムスズの分散物の塗布などの方法で膜形成される。
陽極は、洗浄その他の処理により、素子の駆動電圧を下げたり、発光効率を高めることも可能である。例えばＩＴＯの場合、ＵＶ−オゾン処理、プラズマ処理などが効果的である。
【０４４６】
＜陰極＞
陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層などに電子を供給するものであり、電子注入層、電子輸送層、発光層などの負極と隣接する層との密着性やイオン化ポテンシャル、安定性等を考慮して選ばれる。
陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物、又はこれらの混合物を用いることができ、具体例としてはアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等）及びそのフッ化物又は酸化物、アルカリ土類金属（例えば、Ｍｇ、Ｃａ等）及びそのフッ化物又は酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金又はそれらの混合金属、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属、インジウム、イッテリビウム等の希土類金属等が挙げられ、好ましくは仕事関数が４ｅＶ以下の材料であり、より好ましくはアルミニウム、リチウム−アルミニウム合金又はそれらの混合金属、マグネシウム−銀合金又はそれらの混合金属等である。
陰極は、上記化合物及びそれらの混合物の単層構造だけでなく、上記化合物及びそれらの混合物を含む積層構造を採ることもできる。例えば、アルミニウム／フッ化リチウム、アルミニウム／酸化リチウムの積層構造が好ましい。
陰極の膜厚は、材料により適宜選択可能であるが、通常１０ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１００ｎｍ〜１μｍである。
陰極の作製には、電子ビーム法、スパッタリング法、抵抗加熱蒸着法、コーティング法、転写法などの方法が用いられ、金属を単体で蒸着することも、二成分以上を同時に蒸着することもできる。さらに、複数の金属を同時に蒸着して合金電極を形成することも可能であり、またあらかじめ調整した合金を蒸着させてもよい。
陽極及び陰極のシート抵抗は、低い方が好ましく、数百Ω／□以下が好ましい。
【０４４７】
＜有機層＞
本発明における有機層について説明する。
本発明の有機電界発光素子は、前述の製造方法を用いて製造される素子であり、少なくとも一層の発光層を含む有機層を有している。前述の通り、発光層以外に他の有機層を有していても良く、好ましく用いられる他の有機層としては、前記正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、及び電子注入層の他、電荷ブロック層、励起子ブロック層等の各層が挙げられる。
前記３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機層は、脱ガス処理後、蒸着法によって製造する必要があるが、中でも該有機層は発光層であることが好ましい。
該本発明の金属錯体を含有する有機層以外の有機層を構成する各層は、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、ディッピング、スピンコート法、ディップコート法、キャスト法、ダイコート法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等の湿式製膜法、転写法、印刷法等いずれによっても好適に成膜することができるが、中でも蒸着法が好ましい。
本発明における３座以上の配位子を有する金属錯体を含有する有機層中の該金属錯体の含有率は、特に限定されず用いることができるが、耐久性、発光効率の観点から全固形物質量に対して０．１質量％〜２０質量％が好ましく、１質量％〜１５質量％がより好ましく、２質量％〜１２質量％が特に好ましい。本発明の化合物を含む有機層が複数層である場合は、個々の層が前記範囲となることが耐久性、発光効率の点で好ましい。
【０４４８】
（発光層）
発光層は、電界印加時に、陽極、又は正孔注入層、正孔輸送層から正孔を受け取り、陰極、又は電子注入層、電子輸送層から電子を受取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。
本発明における発光層としては、より優れた性能を得るために、あるいは高濃度の発光材料中で凝集が起こり励起状態が無輻射失活する現象（濃度消光）を防ぐために、電荷輸送機能と発光機能を分離して、発光材料をドーパントとして電荷輸送材料（ホスト材料）中にドープする態様であることが好ましい。
【０４４９】
−電荷輸送材料（ホスト材料）−
発光層に適用されるホスト材料は、化合物を単独で用いることもできるが、複数の化合物を混合して使用しても良い。
ホスト材料としては、例えば、カルバゾールおよびその誘導体（例えば「アプライド  フィジックス  レターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）」、１９９９、第７４巻、第３号、ｐ．４４２に記載のもの）、トリベンゾアゼピンおよびその誘導体（特開平１０−５９９４３号、同１０−２１９２４１号、同１０−３１６８７５号、同１０−３２４６８０号、同１０−３３０３６５号、特開２００１−９７９５３号）、トリアゾールおよびその誘導体（米国特許第３１１２１９７号）、オキサゾールおよびその誘導体（米国特許第３２５７２０３号）、イミダゾールおよびその誘導体（特公昭３７−１６０９６号）、ポリアリールアルカンおよびその誘導体（米国特許第３６１５４０２号、同３８２０９８９号、同３５４２５４４号、特公昭４５−５５５号、同５１−１０９８３号、特開昭５１−９３２２４号、同５５−１７１０５号、同５６−４１４８号、同５５−１０８６６７号、同５５−１５６９５３号、同５６−３６６５６号）、ポリアリールベンゼノイドおよびその誘導体（特開平１０−２５５９８５号、特開２００２−２６０８６１号）、アリールアミンおよびその誘導体（米国特許第３５６７４５０号、同３１８０７０３号、同３２４０５９７号、同３６５８５２０号、同４２３２１０３号、同４１７５９６１号、同４０１２３７６号、特公昭４９−３５７０２号、同３９−２７５７７号、特開昭５５−１４４２５０号、同５６−１１９１３２号、同５６−２２４３７号、西独特許第１１１０５１８号）、スチリルアントラセンおよびその誘導体（特開昭５６−４６２３４号）、スチルベンおよびその誘導体（特開昭６１−２１０３６３号、同６１−２２８４５１号、同６１−１４６４２号、同６１−７２２５５号、同６２−４７６４６号、同６２−３６６７４号、同６２−１０６５２号、同６２−３０２５５号、同６０−９３４４５号、同６０−９４４６２号、同６０−１７４７４９号、同６０−１７５０５２号）、芳香族第三アミン化合物及びスチリルアミン化合物（特開昭６３−２９５６９５号、同５３−２７０３３号、同５４−５８４４５号、同５４−１４９６３４号、同５４−６４２９９号、同５５−７９４５０号、同５５−１４４２５０号、同５６−１１９１３２号、同６１−２９５５５８号、同６１−９８３５３号、特開平８−２３９６５５号、米国特許第４１２７４１２号）、芳香族ジメチリデン系化合物（特開平６−３３００３４号）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特許第３１８０７２９号、同４２７８７４６号、特開昭５５−８８０６４号、同５５−８８０６５号、同４９−１０５５３７号、同５５−５１０８６号、同５６−８００５１号、同５６−８８１４１号、同５７−４５５４５号、同５４−１１２６３７号、同５５−７４５４６号）、フェニレンジアミンおよびその誘導体（米国特許第３６１５４０４号、特公昭５１−１０１０５号、同４６−３７１２号、同４７−２５３３６号、特開昭５４−５３４３５号、同５４−１１０５３６号、同５４−１１９９２５号）、アミノ置換カルコンおよびその誘導体（米国特許第３５２６５０１号）、フルオレノンおよびその誘導体（特開昭５４−１１０８３７号）、ヒドラゾンおよびその誘導体（米国特許第３���１７４６２号、特開昭５４−５９１４３号、同５５−５２０６３号、同５５−５２０６４号、同５５−４６７６０号、同５５−８５４９５号、同５７−１１３５０号、同５７−１４８７４９号）、シラザンおよびその誘導体（米国特許第４９５０９５０号）、ポルフィリン系化合物（特開昭６３−２９５６９５号）、アントラキノジメタンおよびその誘導体及びアントロンおよびその誘導体（特開昭５７−１４９２５９号、同５８−５５４５０号、同６３−１０４０６１号、特開昭６１−２２５１５１号、同６１−２３３７５０号）、ジフェノキノンおよびその誘導体やチオピランジオキシドおよびその誘導体及びカルボジイミドおよびその誘導体（「ポリマー  プレプリンツ、ジャパン（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ）」、１９８８、第３７巻、第３号、ｐ．６８１）、フルオレニリデンメタンおよびその誘導体（特開昭６０−６９６５７号、同６１−１４３７６４号、同６１−１４８１５９号））、ジスチリルピラジンおよびその誘導体（「ケミストリー  レターズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ）」、１９９０、ｐ．１８９、特開平２−２５２７９３号、特開平５−１７８８４２号）、複素環テトラカルボン酸無水物およびその誘導体（「ジャパニーズ  ジャーナル  オブ  アプライド  フィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ  Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ）」、１９８８、２７巻、Ｌ２６９）、ポルフィリンやフタロシアニンおよびその誘導体（特開昭６３−２９５６９６５号）、８−キノリノールおよびその誘導体の金属錯体（「電子情報通信学会論文誌」、１９９０、Ｃ−２、ｐ．６６１）、ベンゾオキサゾールおよびその誘導体を配位子とする金属錯体、及びベンゾチアゾールおよびその誘導体を配位子とする金属錯体等が挙げられる。
【０４５０】
また、ホスト材料の三重項励起状態から発光材料へのエネルギー授受が効率的に行われるためには、ホスト材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル（Ｔ1レベル）は発光材料のＴ1レベルよりも高いことが好ましい。発光材料のＴ1レベルはその発光波長が短いほど高くなるので、短波な発光素子用の発光層では高Ｔ1のホスト材料が必要であるが、一方でＴ1はホスト材料の最高占有軌道（ＨＯＭＯ）と最低非占有軌道（ＬＵＭＯ）に関連し、これらは電荷の注入や輸送の能力に関わる（一般にＨＯＭＯとＬＵＭＯのエネルギー差が大きいほど電荷が注入されにくく、電気的に絶縁性が高くなる）ため、最適なＴ1レベルのホスト材料を選択することが重要である。
特に、発光極大波長が５００ｎｍ以下の青色発光素子用の発光層ホスト材料のＴ1レベルとしては、６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３４ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましい。
【０４５１】
本発明の発光層を構成する材料としては、蒸着法により形成するという観点から、分子量３０００以下の材料のみを含有することが好ましい。特に、ポリマーやオリゴマーといった高分子材料は揮発性が低く蒸着が難しい上に、材料自体が分子量分布を有しており、再現性の良い発光が得にくいため好ましくない。
分子量３０００超える高分子量化合物は高真空条件下においても加熱により蒸発させること自体が難しくなり真空蒸着による薄膜形成が困難の傾向となる。
特に、２００以上２０００以下の範囲外の物質を選択すると、分子量２００以下の低分子量化合物は揮発性が高すぎて真空蒸着に際して薄層形成することが難しく、分子量２０００超える高分子量化合物は高真空条件下においても加熱により蒸発させること自体が困難である傾向となるためである。
また、蒸着の容易性から、発光層を構成する材料はイオン性化合物ではなく、中性分子化合物であることが好ましい。
蒸着により形成された発光層薄膜は、剥離やピンホール等の欠陥が無い均一な非結晶性薄膜（アモルファス膜）であることが好ましく、経時や熱による再結晶化が起こると発光素子の性能変化や劣化に繋がるため、融点及びガラス転位温度（Ｔｇ）は、高いことが好ましい。発光層を構成する材料の融点としては、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上、さらに好ましくは２５０℃以上、Ｔｇは好ましくは７０℃以上、より好ましくは１００℃以上、さらに好ましくは１２０℃以上である。
上記のような要求性能を満たすホスト材料としては、Ｔ1レベルが高く、結晶化が起こりにくく、励起状態の寿命が長く発光効率の高さが期待できるカルバゾール誘導体が最も好ましい。
【０４５２】
−発光材料−
本発明においては上述のように本発明の金属錯体を使用するが、単一化合物として用いても複数用いてよい。また、他の発光材料と併用して用いることもできる。併用してもよい発光材料は、一重項励起子から発光する蛍光発光性化合物、又は、三重項励起子から発光する燐光発光性化合物のいずれであってもよい。
本発明において併用して使用できる発光材料の例としては、ベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、縮合芳香族化合物、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサジン誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、スチリルアミン誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体やピロメテン誘導体の金属錯体、希土類錯体、イリジウムトリスフェニルピリジン錯体及び白金ポルフィリン錯体等の遷移金属錯体に代表される各種金属錯体等、ポリチオフェン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン等のポリマー化合物、有機シラン誘導体などの化合物等が挙げられる。
【０４５３】
発光層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、更に好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
発光層は単一層であっても複数層であってもよく、それぞれの発光層が異なる発光色で発光して、全体として例えば白色を発光してもよいし、単一の発光層から白色を発光してもよい。発光層が複数の場合、それぞれの発光層は単一材料で形成されていてもよいし、複数の化合物で形成されていてもよい。例えば、ホスト材料と発光材料とを含む混合系の場合であれば、ホスト材料は単一であっても複数種の混合であってもよい。発光材料も単一であっても複数種の混合であってもよい。
本発明における発光層中における３座以上の配位子を有する金属錯体の含有率は特に限定されず用いることができるが、耐久性、発光効率の観点から、全固形物質量に対して０．１質量％〜２０質量％が好ましく、１質量％〜１５質量％がより好ましく２質量％〜１２質量％が特に好ましい。
前記ホスト材料の含有率は特に限定されず用いることができるが、全固形物質量に対して、８０質量％〜９９．９質量％が好ましく、８５質量％〜９９質量％がより好ましく８８質量％〜９８質量％が特に好ましい。
【０４５４】
次に、本発明に好ましく用いられる他の有機層について説明する。
（正孔注入層、正孔輸送層）
正孔注入層、正孔輸送層に含まれる材料としては、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、陰極から注入された電子を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
正孔注入層、正孔輸送層を構成する材料としては、トリベンゾアゼピンおよびその誘導体、トリアゾールおよびその誘導体、オキサゾールおよびその誘導体、オキサジアゾールおよびその誘導体、イミダゾールおよびその誘導体、ポリアリールアルカンおよびその誘導体、ポリアリールベンゼンおよびその誘導体、アリールアミンおよびその誘導体、スチリルアントラセンおよびその誘導体、スチルベンおよびその誘導体、芳香族第三アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリデン系化合物、８−キノリノールおよびその誘導体の金属錯体、ピラゾリンおよびその誘導体、ピラゾロンおよびその誘導体、フェニレンジアミンおよびその誘導体、アミノ置換カルコンおよびその誘導体、フルオレノンおよびその誘導体、ヒドラゾンおよびその誘導体、シラザンおよびその誘導体、本発明の金属錯体及びポルフィリン系化合物の群から選択される１種以上であることが好ましい。これらの化合物の好ましい例は前記併用可能なホスト材料の項で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
【０４５５】
さらに、正孔輸送層が、燐光発光性化合物を含む発光層に隣接する層である場合には、発光層で生じた三重項励起子が正孔輸送層へ移動しないように正孔輸送材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル（Ｔ1レベル）は発光材料や発光層に含まれるホスト材料のＴ1レベルよりも高いことが好ましい。特に発光極大波長が５００ｎｍ以下の青色発光素子用の正孔輸送材料のＴ1レベルは６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３４ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましい。
上記物性値を満たす正孔輸送材料としては、特開２００２−１００４７６号公報に記載の正孔輸送材料が好ましく、好ましい範囲も同公報に記載のとおりである。
前記の化合物群のうちトリベンゾアゼピン誘導体は高Ｔ1で高い発光効率が期待でき、アリールアミン誘導体は高い安定性により耐久性向上が期待できるため、この両者から正孔輸送材料を選択することがより好ましい。
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等を添加することができる。
【０４５６】
正孔注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常０．２ｎｍ〜１μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜０．２μｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。
正孔輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
正孔注入層、正孔輸送層は上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
【０４５７】
前記本発明の金属錯体を含有するときの正孔注入層、正孔輸送層の形成方法としては、前記脱ガス処理工程及び蒸着法により形成するが、それを含有しないときは、特に限定されず、真空蒸着法以外に、ＬＢ法、前記正孔注入輸送材料を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法が用いることができる。
コーティング法の場合、該正孔注入輸送材料を樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂などが挙げられる。
【０４５８】
前記の層形成方法の中でも、正孔輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また正孔輸送層を蒸着法で設置する場合、正孔輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量３０００以下の低分子有機化合物及び／又は分子量３０００以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
【０４５９】
（電子注入層、電子輸送層）
電子注入層、電子輸送層に含まれる材料としては、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、陽極から注入された正孔を障壁する機能のいずれか有しているものであればよい。
【０４６０】
電子注入層、電子輸送層に用いうる材料の具体例としては、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、イミダゾール、フルオレノン、アントラキノジメタン、アントロン、ジフェニルキノン、チオピランジオキシド、カルボジイミド、フルオレニリデンメタン、ジスチリルピラジン、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン、８−キノリノールの金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、それらの誘導体、及び本発明の金属錯体等が挙げられる。これらの化合物の好ましい例は、前記ホスト材料の説明で述べた対応する化合物の例と同様のものを挙げることができる。
【０４６１】
また、本発明の有機電界発光素子は、陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を用いるのが好ましく、発光層に隣接してイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上の電子輸送層を用いるのがより好ましい。陰極と発光層の間にイオン化ポテンシャル５．９ｅＶ以上（より好ましくは６．０ｅＶ以上）の化合物を含有する層を設けることにより正孔が発光層を貫通して電子輸送層に流れ込むことによる発光効率低下や耐久性悪化を防止することができる。
【０４６２】
さらに、電子輸送層が、燐光発光性化合物を含む発光層に隣接する層である場合には、発光層で生じた三重項励起子が電子輸送層へ移動しないように電子輸送材料の最低三重項励起状態のエネルギーレベル（Ｔ1レベル）は発光材料や発光層ホスト材料のＴ1レベルよりも高いことが好ましい。特に発光極大波長が５００ｎｍ以下の青色発光素子用の正孔輸送材料のＴ1レベルは６２ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２５９ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３５５ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることが好ましく、６５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上（２７２ｋＪ／ｍｏｌ以上）、８０ｋｃａｌ／ｍｏｌ以下（３３４ｋＪ／ｍｏｌ以下）であることがより好ましい。
上記物性値を満たす他の電子輸送材料としては、特開２００２−１００４７６号公報に記載の電子輸送材料が挙げられ、その好ましい範囲も同公報に記載の通りである。
【０４６３】
その他として、必要に応じてカルバゾール、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマー、有機シラン、カーボン膜、及びそれらの誘導体等を添加することができる。
【０４６４】
電子注入層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常０．２ｎｍ〜１μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは１ｎｍ〜０．２μｍであり、さらに好ましくは２ｎｍ〜１００ｎｍである。
電子輸送層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常１ｎｍ〜５μｍの範囲のものが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜５００ｎｍである。
電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
前記本発明の金属錯体を含有するときの電子注入層、電子輸送層の形成方法としては、前記脱ガス処理工程及び蒸着法により形成するが、それを含有しないときは、特に限定されず、真空蒸着法以外に、ＬＢ法、前記電子注入輸送材料を溶媒に溶解又は分散させてコーティングする方法、インクジェット法、印刷法、転写法などが用いることができる。
コーティング法の場合、該電子注入輸送材料を樹脂成分と共に溶解又は分散することができ、樹脂成分としては例えば、正孔注入輸送層の場合に例示したものが適用できる。
前記の層形成方法の中でも、電子輸送層は蒸着法で設置されていることが好ましい。蒸着法で設置することにより、均一で一定の膜厚の薄膜が形成でき、耐久性も向上する傾向となる。
また、電子輸送層を蒸着法で設置する場合、電子輸送層の材料も発光層材料と同様に分子量３０００以下の低分子有機化合物及び／又は分子量３０００以下の低分子有機金属化合物からなることが好ましい。
【０４６５】
（保護層）
本発明の有機電界発光素子は、水分や酸素の進入を防止するために保護層を有してもよい。保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。
その具体例としては、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｕ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2等の金属酸化物、ＭｇＦ2、ＬｉＦ、ＡｌＦ3、ＣａＦ2等の金属フッ化物、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy などの窒化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
保護層の形成方法についても特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法を適用できる。
【０４６６】
＜封止＞
さらに、本発明の有機電界発光素子は、封止容器を用いて素子全体を封止してもよい。
また、封止容器と発光素子の間の空間に水分吸収剤又は不活性液体を封入してもよい。水分吸収剤としては、特に限定されることはないが、例えば、酸化バリウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、五酸化燐、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、塩化銅、フッ化セシウム、フッ化ニオブ、臭化カルシウム、臭化バナジウム、モレキュラーシーブ、ゼオライト、酸化マグネシウム等を挙げることができる。不活性液体としては、特に限定されることはないが、例えば、パラフィン類、流動パラフィン類、パーフルオロアルカンやパーフルオロアミン、パーフルオロエーテル等のフッ素系溶剤、塩素系溶剤、シリコーンオイル類が挙げられる。
【０４６７】
本発明の発光素子は、種々の公知の工夫により、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、基板表面形状を加工する（例えば微細な凹凸パターンを形成する）、基板・ＩＴＯ層・有機層の屈折率を制御する、基板・ＩＴＯ層・有機層の膜厚を制御すること等により、光の取り出し効率を向上させ、外部量子効率を向上させることが可能である。
【０４６８】
本発明の発光素子は、陽極側から発光を取り出す、いわゆる、トップエミッション方式であっても良い。
【０４６９】
本発明の有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等に好適に利用できる。
【０４７０】
本発明の有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に直流（必要に応じて交流成分を含んでもよい）電圧（通常２ボルト〜１５ボルト）、又は直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。本発明の有機電界発光素子の駆動方法については、特開平２−１４８６８７号、同６−３０１３５５号、同５−２９０８０号、同７−１３４５５８号、同８−２３４６８５号、同８−２４１０４７号の各公報、特許第２７８４６１５号公報、米国特許５８２８４２９号、同６０２３３０８号の各明細書、等に記載の駆動方法を適用することができる。
【０４７１】
本発明における有機電界発光素子の駆動耐久性は、特定の輝度における輝度半減時間により測定することができる。例えば、ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、直流電圧を有機電界発光素子に印加して発光させ、初期輝度２０００ｃｄ／ｍ2の条件で連続駆動試験をおこない、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2になった時間を輝度半減時間Ｔ（１／２）として、該輝度半減時間を従来発光素子と比較することにより求めることができる。本発明においてはこの数値を用いた。
この有機電界発光素子の重要な特性値として、外部量子効率がある。外部量子効率は、「外部量子効率φ＝素子から放出されたフォトン数／素子に注入された電子数」で算出され、この値が大きいほど消費電力の点で有利な素子と言える。
【０４７２】
また、有機電界発光素子の外部量子効率は、「外部量子効率φ＝内部量子効率×光取り出し効率」で決まる。有機化合物からの蛍光発光を利用する有機電界発光素子においては、内部量子効率の限界値が２５％であり、光取り出し効率が約２０％であることから、外部量子効率の限界値は約５％とされている。
【０４７３】
素子の外部量子効率としては、消費電力を下げられる点、駆動耐久性を上げられる点で、６％以上が好ましく、１２％以上が特に好ましい。
該外部量子効率の数値は、２０℃で素子を駆動したときの外部量子効率の最大値、もしくは、２０℃で素子を駆動した時の１００〜３００ｃｄ／ｍ 2  付近（好ましくは２００ｃｄ／ｍ2）での外部量子効率の値を用いることができる。
本発明においては、KEITHLEY製ソースメジャーユニット２４００型を用いて、直流定電圧をＥＬ素子に印加して発光させ、その輝度をトプコン社製輝度計ＢＭ−８を用いて測定し、２００ｃｄ／ｍ2における外部量子効率を算出した値を用いる。
【０４７４】
また、発光素子の外部量子効率は、発光輝度、発光スペクトル、電流密度を測定し、その結果と比視感度曲線から算出することができる。すなわち、電流密度値を用い、入力した電子数を算出することができる。そして、発光スペクトルと比視感度曲線（スペクトル）を用いた積分計算により、発光輝度を発光したフォトン数に換算することができる。これらから外部量子効率（％）は、「（発光したフォトン数／素子に入力した電子数）×１００」で計算することができる。
【０４７５】
本発明により製造された発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。
【実施例】
【０４７６】
本発明について実施例を用いて説明するが、これに限定されるものではない。
（比較例１）
＜サンプル１−１の作成＞
厚さ０．７ｍｍ、２．５ｃｍ角のガラス基板にＩｎ2Ｏ3含有率が９５質量％であるＩＴＯタ−ゲットを用いて、ＤＣマグネトロンスパッタ（条件：基材温度１００℃、酸素圧１×１０-3Ｐａ）により、透明陽極としてのＩＴＯ薄膜（厚み０．２μｍ）を形成した。ＩＴＯ薄膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。
次に、前記透明陽極を形成した基板を洗浄容器に入れ、ＩＰＡ洗浄した後、これにＵＶ−オゾン処理を３０分おこなった。
続いて、前記透明陽極を形成した基板を真空蒸着装置に設置し、この透明陽極上に銅フタロシアニンを真空蒸着法にて、０．５ｎｍ／秒の速度で膜厚１０ｎｍの正孔注入層を設けた。
その上に、４，４'，４"−トリス（２−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）を真空蒸着法にて０．５ｎｍ／秒の速度で膜厚４０ｎｍの正孔輸送層を設けた。
この上に発光層として、本発明の金属錯体ＥＭ−１（前記一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例の化合物（８３）に相当）、ホスト材料として化合物Ｈ−１および化合物Ｅ−１を真空蒸着法にて８／５０／４２の割合で共蒸着して、膜厚３０ｎｍの発光層を設けた。金属錯体の収納容器にはタングステン製の金属ボートを用い、抵抗加熱により加熱し、蒸着した。蒸着速度を０．１ｎｍ／秒となるように、温度を制御した。その時の温度は約２２０℃〜２７０℃の範囲であった。発光層の蒸着開始時の真空度は１×１０-4Ｐａであった。
【０４７７】
発光層の上に、電子輸送層中の電子輸送材料としてＢａｌｑ2を真空蒸着法にて０．５ｎｍ／秒の速度で膜厚１０ｎｍ蒸着し、その上に、電子輸送材料としてＡｌｑ3を真空蒸着法にて０．２ｎｍ／秒の速度で蒸着して膜厚３５ｎｍの電子輸送層を設けた。
さらにこの電子輸送層上にパタ−ニングしたマスク（発光面積が２ｍｍ×２ｍｍとなるマスク）を設置し、フッ化リチウムを真空蒸着法にて蒸着して１ｎｍの電子注入層を設けた。
この上にアルミニウムを真空蒸着法にて蒸着し０．１５μｍの陰極を設けた。
前記陽極及び陰極より、それぞれアルミニウムのリ−ド線を結線し、発光積層体を形成した。
【０４７８】
得られた発光積層体をアルゴンガスで置換したグロ−ブボックス内に入れ、乾燥剤を設けたステンレス製の封止缶および紫外線硬化型の接着剤（ＸＮＲ５５１６ＨＶ、長瀬チバ製）を用いて封止し、サンプル１−１を得た。
上記の銅フタロシアニンの蒸着から封止までの作業は、真空または窒素雰囲気下で行い、大気に暴露することなく素子作製を行った。
【０４７９】
【化１２８】
2006140059.tif 000129
【０４８０】
（実施例１）
＜サンプル１−２の作成＞
サンプル１−１の作成方法において、前記本発明の金属錯体EM-1の蒸着の前に、脱ガス処理を行った。脱ガス処理の間は基板に蒸着されないようにシャッターを用いて遮蔽し、真空計でモニターしながら徐々に蒸着材料を加熱し、真空装置内の圧力が上がり始めた温度で保持した。その時の温度はおよそ２００℃であった。圧力上昇が終わった後、加熱を停止し、真空度が１×１０-4Ｐａになるまで再度脱気して、脱ガス工程を終了した。以降、サンプル１−１と全く同様にして素子を作成し、サンプル１−２を得た。
【０４８１】
（比較例２）
＜サンプル２−１，２−２の作成＞
サンプル１−１，１−２の作成において、前記金属錯体ＥＭ−１の代わりにＦＩｒｐｉｃ（２座配位子錯体）を使用した以外は、サンプル１−１、１−２と同様に行い、サンプル２−１，２−２を得た。
【０４８２】
【化１２９】
2006140059.tif 000130
【０４８３】
［評価］
上記により得られた発光素子を用いて、以下の方法で評価を行った。
−外部量子効率−
作製した発光素子の発光スペクトルの波形は、浜松フォトニクス社製のマルチ・チャンネル・アナライザーＰＭＡ−１１を用いて測定した。この測定データより発光ピークの波長の値を求めた。更に、この発光スペクトルの波形と測定時の電流・輝度（２００ｃｄ／ｍ2）から外部量子効率を計算し、下記の基準に従い評価した。結果は、下記表１に記載した。
【０４８４】
［評価基準］
◎：１０％以上
○：５％以上１０％未満
△：３％以上５％未満
×：３％未満
【０４８５】
−駆動耐久性試験−
ＫＥＩＴＨＬＥＹ製ソ−スメジャ−ユニット２４００型を用いて、初期輝度３００ｃｄ／ｍ2になるように直流電圧を有機電界発光素子に印加し、連続駆動試験をおこない、輝度が１５０ｃｄ／ｍ2になった時間を輝度半減時間Ｔ（１／２）とした。該輝度半減時間を下記の評価基準に従い評価した。
【０４８６】
［評価基準］
◎：３００ｈｒ以上
○：１５０ｈｒ以上３００ｈｒ未満
△：１００ｈｒ以上１５０未満
×：１００ｈｒ未満
【０４８７】
−発光面状−
得られた素子の発光面状を目視で確認し、ダークスポットや輝点の発生の有無を評価した。
【０４８８】
【表１】
2006140059.tif 000131
【０４８９】
表１より明らかな通り、本発明の製造方法により得られた素子は、素子の発光効率が改良され、かつ駆動耐久性に優れ、かつ発光面状も良好である。それに対して、比較サンプル１−４では、脱ガス処理を行うことで、発光効率も、耐久性も悪化し、発光面状も悪化している。定かではないが、脱ガス処理により、発光材料が変性し、それが蒸着されたため、素子に影響したと思われる。
【０４９０】
（実施例２）
実施例１のサンプル１−２の作成において、前記金属錯体ＥＭ−１の代わりに下記本発明の金属錯体ＥＭ−２を使用した以外は、サンプル１−２同様にサンプル作成を行い、実施例１と同様にして評価を行ったところ、実施例１と同様に良好な結果を得た。
【０４９１】
【化１３０】
2006140059.tif 000132
【０４９２】
以上より、本発明により、本発明の金属錯体を用い、脱ガス処理を行うことにより高品質な有機電界発光素子を得ることが分かる。
れる。
【産業上の利用可能性】
【０４９３】
本発明の製造方法により得られた有機電界発光素子は、表示素子、ディスプレイ、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信等の分野に好適に使用できる。