(57)【要約】【課題】電気光学装置の基板表面を、プラズマを用いてエッチングする際、基板表面が金属汚染されることを容易かつ早急に、並びに低コストで防ぐことができる電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】金属部材が配設された装置内にプラズマガスを導入してプラズマを発生させ、前記装置内に配設された基板の表面に前記プラズマを被着させて該基板表面をエッチングする本処理工程を有する電気光学装置の製造方法において、前記本処理工程と、前記基板表面が前記エッチングにより金属汚染されるのを防止する前工程とを有し、前記前処理工程では、前記基板表面に形成された薄膜と同じ物質が表面に塗布された基板を投入し、該基板の表面に、前記プラズマを被着させて前記物質を少なくとも１回エッチングすることにより、前記金属部材に前記物質を被覆させることを特徴とする。【選択図】図２
2006066493.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部材が配設された装置内にガスを導入してプラズマを発生させ、表面に薄膜が形成された電気光学装置用の基板を前記装置内に載置し、前記基板表面に前記プラズマを照射して該基板表面をエッチングするエッチング処理工程を有する電気光学装置の製造方法において、
前記エッチング処理工程の前に、前記薄膜と同じ物質で表面が覆われた基板を投入し、該基板の表面に、前記プラズマを照射して前記物質をエッチングすることにより、該エッチングにより拡散された前記物質で前記金属部材の表面を被覆する前処理工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記前処理工程では、前記エッチング後に、前記エッチングにより前記金属部材から拡散され前記基板表面に被着した金属の量を測定し、該金属の量が所定値以下となるまで前記薄膜と同じ物質で表面が覆われた基板を投入して前記エッチングを行うことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記前処理工程は、前記装置内をクリーニングした後、行われることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属部材は、鉄、ニッケル、クロムのいずれか、またはこれらの金属の合金から形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属部材は、前記プラズマを発生させる電極を前記装置内にて固定する部材であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属部材は、前記装置内に前記基板を搬入搬出する基板搬入搬出口に設けたゲート部材であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属部材は、前記基板を前記装置内にて固定するクランプ部材の昇降部材であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記物質は、レジスト材であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造工程において、電気光学装置用の基板の表面に形成された薄膜を、プラズマを用いてエッチングする工程を有する電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の製造工程において石英（ＳｉＯ２）等の基板（以下、単に基板と称す）または該基板上に成膜された酸化膜等の各種薄膜のエッチング工程に、プラズマガスを用いてドライエッチングを行う手法が周知である。
【０００３】
詳しくは、エッチング装置のチャンバ内の上側と下側に配設された一対の電極（以下、上側を上部電極、下側を下部電極と称す）の内、下部電極上に基板を戴置し、上部電極と下部電極との間にプラズマガスを導入して、前記電極間に真空破壊を起こさせることによりプラズマを発生させ、その結果生成されたイオンやラジカル等の活性種の放電により、基板または基板上に形成された薄膜をドライエッチングする手法が一般に知られている。
【０００４】
ところで、チャンバ内には、例えば基板を固定するクランプ部材を昇降させる昇降部材や、下部電極をチャンバ内にて固定する部材や、チャンバの基板搬入搬出口に設けたゲート部材等、ステンレス鋼から形成された部材が配設されている。
【０００５】
しかしながら、ステンレス鋼を含む金属部材には、プラズマによってドライエッチングされやすいものがあるため、このような金属部材にプラズマが被着してしまうと、基板または基板上に形成された薄膜のみならず、ステンレス鋼までもが、ドライエッチングされてチャンバ内に拡散してしまい、基板表面に、ステンレス鋼であればそれを構成する金属元素である鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）が付着、残留し、基板表面が金属汚染されてしまうといった問題があった。
【０００６】
基板表面が金属汚染されてしまい、次工程で行われる基板表面の剥離、洗浄等によっても基板表面の金属元素が除去出来ない場合は、さらに次工程で薄膜が成膜された後、上記金属元素が異常成長してしまう場合があり、その結果、基板の素子性能が低下し、歩留まりが低下してしまう場合がある。よって、基板表面の金属汚染は低減させる必要がある。
【０００７】
このような事情に鑑み、例えば特許文献１では、チャンバ内に配設される金属部品を、ドライエッチングされ難い部材であるアルミアルマイト等のアルミ合金により形成することで、基板表面の金属汚染を防止する技術の提案がなされている。
【０００８】
加えて、アルミ合金またはステンレス鋼から形成された金属部品の表面を、シリカ系皮膜及び高純度アルミナ皮膜で被覆することにより、アルミ合金またはステンレス鋼から金属元素が拡散するのを防ぎ、基板表面の金属汚染を防止する技術の提案がなされている。
【特許文献１】特開２００２−３５９２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１においては、例えばチャンバ内に、ドライエッチングされ易い金属部品が配設されている場合、プラズマを用いたエッチングを行うには、金属部品をアルミ合金から形成された部材に変更しなくてはならず、容易かつ早急にプラズマを用いたドライエッチングを行うことが困難である。
【００１０】
また、アルミ合金またはステンレス鋼から形成された金属部品の表面を、シリカ系皮膜及び高純度アルミナ皮膜で被覆するに際し、シリカ皮膜で覆う際は、スプレー等により塗布を行い、高純度アルミナ皮膜で被覆する際は、溶射により行っている。
【００１１】
よって、金属部品の表面を、シリカ系皮膜及び高純度アルミナ皮膜で覆うには、基板の成膜工程、及び基板または基板上に成膜された各種薄膜のドライエッチング工程とは、別工程で行わなければならず、容易かつ早急にプラズマを用いたドライエッチングを行うことが困難である。また、別途、シリカ皮膜及び高純度アルミナ皮膜を用意する必要があるため、基板製造コストが高くなってしまうといった問題があった。
【００１２】
本発明は上記問題点に着目してなされたものであり、その目的は、基板表面を、プラズマを用いてエッチングする際、基板表面が金属汚染されることを容易かつ早急に、並びに低コストで防ぐことができる電気光学装置の製造方法を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置の製造方法は、金属部材が配設された装置内にガスを導入してプラズマを発生させ、表面に薄膜が形成された電気光学装置用の基板を前記装置内に載置し、前記基板表面に前記プラズマを照射して該基板表面をエッチングするエッチング処理工程を有する電気光学装置の製造方法において、前記エッチング処理工程の前に、前記薄膜と同じ物質で表面が覆われた基板を投入し、該基板の表面に、前記プラズマを照射して前記物質をエッチングすることにより、該エッチングにより拡散された前記物質で前記金属部材の表面を被覆する前処理工程を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置に用いる基板をエッチングするプロセスと同一のプロセスにより、金属部材が基板表面に付着することを防止することができるため、容易にエッチング後の基板表面の金属汚染を防止することができるという効果を有する。よって、製造時の電気光学装置の歩留まりを向上させることができるという効果を有する。
【００１５】
また、電気光学装置に用いる基板をエッチングする際に用いる薄膜と同一の物質を用いて金属部材が基板表面に付着することを防止することができるため、低コストにて、エッチング後の基板表面の金属汚染を防止することができるという効果を有する。
【００１６】
また、前記前処理工程では、前記エッチング後に、前記エッチングにより前記金属部材から拡散され前記基板表面に被着した金属の量を測定し、該金属の量が所定値以下となるまで前記薄膜と同じ物質で表面が覆われた基板を投入して前記エッチングを行うことを特徴とする。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、金属部材に物質を被覆させる工程は、エッチング後の基板表面の金属汚染が所定値以下となるまで行われることにより、確実に金属部材が基板表面に付着することを防止することができるため、容易にエッチング後の基板表面の金属汚染を防止することができるという効果を有する。
【００１８】
さらに、前記前処理工程は、前記装置内をクリーニングした後、行われることを特徴とする。
【００１９】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、金属部材に物質を被覆させる工程は、前記装置内をクリーニングした後に行われることにより、確実に金属部材が電気光学装置に用いる基板の表面に付着することを防止することができるため、容易にエッチング後の基板表面の金属汚染を防止することができるという効果を有する。
【００２０】
また、前記金属部材は、鉄、ニッケル、クロムのいずれか、またはこれらの金属の合金から形成されていることを特徴とする。
【００２１】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、金属部材がエッチング後に前記金属部材は、前記エッチング後に、電気光学装置に用いる基板の表面を汚染する鉄、ニッケル、クロムのいずれか、またはこれらの金属の合金からから形成されていたとしても、金属部材を変更することなく、低コストにて、エッチング後の電気光学装置に用いる基板表面の金属汚染を防止することができるという効果を有する。
【００２２】
さらに、前記金属部材は、前記プラズマを発生させる電極を前記装置内にて固定する部材であることを特徴とし、また、前記金属部材は、前記装置内に前記基板または前記ダミー基板を搬入、搬出する基板搬入搬出口に設けたゲート部材であることを特徴とし、さらに、前記金属部材は、前記基板または前記ダミー基板を前記装置内にて固定するクランプ部材の昇降部材であることを特徴とする。
【００２３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、装置内の配設されたプラズマを発生させる電極を該装置内にて固定する部材、ゲート部材及びクランプ部材の昇降部材が、エッチング後に、電気光学装置に用いる基板の表面を汚染する鉄、ニッケル、クロムのいずれか、またはこれらの金属の合金からから形成されていたとしても、電極固定部材、ゲート部材及びクランプ部材を変更することなく、低コストにて、エッチング後の基板表面の金属汚染を防止することができるという効果を有する。
【００２４】
また、前記物質は、レジスト材であることを特徴とする。
【００２５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、電気光学装置に用いる基板をエッチングする際に用いるレジストを用いて金属部材が電気光学基板表面に付着することを防止することができるため、新たに材料を用意することなく、低コストにて、エッチング後の基板表面の金属汚染を防止することができるという効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。先ず、図４〜図６を参照にして電気光学装置の構成の概略を説明する。
【００２７】
図４は石英基板を用いて構成した電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図である。図５は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図４のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。
【００２８】
図４及び図５に示したように、電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置１００は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。
【００２９】
該基板に対して各種膜の成膜工程、レジスト形成工程、エッチング工程、レジスト剥離工程の繰返しによって、ＴＦＴ基板等の素子基板１１０が形成される。同様に、素子基板１１０よりも若干小さいサイズの電気光学装置用基板に対して各種膜の成膜工程、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程、レジスト剥離工程の繰返しによって、対向基板１２０が形成される。
【００３０】
図４及び図５に示すように、素子基板１１０と対向基板１２０とは対向配置され、素子基板１１０と対向基板１２０との間に液晶１５０が封入されている。素子基板１１０上には画素を構成する画素電極等がマトリクス状に配置される。
【００３１】
画素領域においては、複数本の走査線１０３ａと複数本のデータ線１０６ａとが交差するように配線され、走査線１０３ａとデータ線１０６ａとで区画された領域に画素電極１０９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１０３ａとデータ線１０６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ１３０が設けられ、このＴＦＴ１３０に画素電極１０９ａが接続される。
【００３２】
ＴＦＴ１３０は走査線１０３ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線１０６ａに供給された画像信号が画素電極１０９ａに供給される。この画素電極１０９ａと対向基板１２０に設けられた対向電極１２１との間の電圧が液晶１５０に印加される。また、画素電極１０９ａと並列に蓄積容量１７０が設けられており、蓄積容量１７０によって、画素電極１０９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量１７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００３３】
一方、対向基板１２０には、素子基板１１０のデータ線１０６ａ、走査線１０３ａ及びＴＦＴ１３０の形成領域に対向する領域、即ち各画素の非表示領域において第１遮光膜１２３が設けられている。この第１遮光膜１２３によって、対向基板２０側からの入射光がＴＦＴ１３０の図示しないチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域に入射することが防止される。第１遮光膜１２３上に、対向電極（共通電極）１２１が基板１２０全面に亘って形成されている。
【００３４】
素子基板１１０の画素電極１０９ａ上にはポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１１６が積層され、所定方向にラビング処理されている。また、対向基板１２０の対向電極１２１上にもポリイミド系の高分子樹脂からなる配向膜１２２が積層され、所定方向にラビング処理されている。
【００３５】
また、対向基板１２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜１４２が設けられている。遮光膜１４２は例えば遮光膜１２３と同一又は異なる遮光性材料によって形成されている。
【００３６】
遮光膜１４２の外側の領域に液晶を封入するシール材１４１が、素子基板１１０と対向基板１２０間に形成されている。シール材１４１は対向基板１２０の輪郭形状に略一致するように配置され、素子基板１１０と対向基板１２０を相互に固着する。シール材１４１は、素子基板１１０の１辺の一部において欠落しており、貼り合わされた素子基板１１０及び対向基板１２０相互の間隙には、液晶１５０を注入するための液晶注入口１７８が形成される。液晶注入口１７８より液晶が注入された後、液晶注入口１７８を封止材１７９で封止するようになっている。こうして、素子基板１１０と対向基板１２０との間に液晶１５０が封入される。
【００３７】
素子基板１１０のシール材１４１の外側の領域には、データ線駆動回路１６１及び実装端子６２が素子基板１１０の一辺に沿って設けられており、この一辺に隣接する２辺に沿って、走査線駆動回路１６３が設けられている。素子基板１１０の残る一辺には、画面表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路１６３間を接続するための複数の配線１６４が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、素子基板１１０と対向基板１２０との間を電気的に導通させるための導通材１６５が設けられている。
【００３８】
このように構成された液晶装置１００においては、所定のタイミングでデータ線１０６ａから供給される画像信号がＴＦＴ１３０によって画素電極１０９ａに書き込まれる。書き込まれた画素電極１０９ａと対向電極１２１との電位差に応じて液晶５０の分子集合の配向状態が変化して、光を変調し、階調表示を可能にする。
【００３９】
続いて、図１を参照して、液晶装置１００を製造するに際し用いる装置、詳しくは、液晶装置に用いる基板の表面をドライエッチングするドライエッチング装置の構成について説明する。尚、以下、説明上、素子基板１１０または対向基板１２０を単に基板２として説明する。
【００４０】
図１は、ドライエッチング装置の構成の概略を示す断面図である。尚、本実施の形態におけるドライエッチング装置１は、例えばフッ素系のプラズマを用いて、装置内であるチャンバ３０の内部３０ａに配設された基板２の表面２ａ及び表面２ａに成膜された図示しない酸化膜等の各種薄膜をドライエッチングする装置である。
【００４１】
図１に示すように、ドライエッチング装置１のチャンバ３０に、該チャンバ３０の内部３０ａにプラズマガスを導入する吸気口３０ｋと、ドライエッチング後の基板２から発生したパーティクルを、該チャンバ３０の内部３０ａからチャンバ３０外に排出する排気口３０ｈが形成されている。また、チャンバ３０に、基板２をチャンバ３０の内部３０ａに搬入、搬出する際の基板搬入搬出口４０ｅが形成されたゲート部材４０が配設されている。
【００４２】
さらに、チャンバ３０の内部３０ａであって、該内部３０ａの図中上側寄り及び下側寄りに、一対の電極（以下、上側に設けられたものを上部電極６、下側に設けられたものを下部電極７と称す）が配設されている。
【００４３】
一対の電極の内、一方の電極である下部電極７は、例えば円板状に形成されており、該下部電極７の上面７ａに、液晶装置１００に用いる、例えば石英（ＳｉＯ２）等から形成された円板状の基板２、または後述するダミー基板２０が戴置される。尚、基板２及び下部電極７は、円板状でなくとも良く、板状部材であればどのような形状であっても良い。また、基板２は、石英（ＳｉＯ２）に限らずシリコン（Ｓｉ）から形成されていても良い。
【００４４】
下部電極７は、アースシールド８０により、チャンバ３０の内部３０ａの底面に固定されている。詳しくは、アースシールド８０は、上端にフランジを有する略円筒状を有しており、内周面で下部電極７の外周を、上端のフランジ面で下部電極７の上面７ａの外周寄りを被覆することにより、下部電極７をチャンバ３０の内部３０ａの底面に固定する。尚、アースシールド８０は、下部電極７のアースとなっている。
【００４５】
下部電極７の上面７ａに戴置された基板２の表面２ａのプラズマが被着される面以外、例えば外周よりに、例えばリング状を有するクランプ部材であるクランプリング５が戴置される。
【００４６】
クランプリング５は、フッ素系のプラズマに対して耐性のある物質、言い換えればフッ素系のプラズマによりドライエッチングされ難い物質、例えばアルミナセラミック（Ａｌ２Ｏ３）から形成されている。
【００４７】
尚、クランプ部材は、リング状に限らず、基板２の表面２ａのプラズマ被着面以外に戴置できる形状であれば、どのような形状であっても良い。また、クランプ部材は、アルミナセラミックに限らず、アルミアルマイトから形成されていても良く、さらには、フッ素系のプラズマによりドライエッチングされ難い物質であれば、どのようなものであってもよい。
【００４８】
クランプリング５は、基板２を下部電極７に対して押圧して固定するものである。クランプリング５は、該クランプリング５の下方に配設されたクランプリング昇降部材（以下、単に昇降部材と称す）６０によって図中上下方向に昇降される。
【００４９】
昇降部材６０は、リング状に形成された底部６０ａと、該底部６０ａの上面に複数形成され、先端がクランプリング５の底面に当接するよう上方に突出する伸縮自在な保持部６０ｔとを有している。
【００５０】
よって、昇降部材６０は、保持部６０ｔが、エア等により上下方向に伸縮することにより、該保持部６０ｔの先端が当接されているクランプリング５を上下方向に昇降させる。
【００５１】
次に、このように構成されたドライエッチング装置１を用いて、本発明の一実施の形態を示す液晶装置１００の製造方法、詳しくは、液晶装置１００に用いる基板のドライエッチング方法について説明する。
【００５２】
尚、本実施の形態は、チャンバ３０の内部３０ａに配設されたゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０は、フッ素系のプラズマ５０によりドライエッチングされると、該エッチングされた金属元素により、基板２の表面２ａを金属汚染してしまう金属部材、例えば、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）から構成されたステンレス鋼（以下、ＳＵＳ材と称す）から形成されている場合に適用される。
【００５３】
図２は、本発明の一実施の形態を示す基板のドライエッチング方法を示したフローチャート、図３は、図１のチャンバ内にダミー基板を配設し該ダミー基板の表面をプラズマを用いてドライエッチングした状態を示すドライエッチング装置の断面図である。
【００５４】
図２に示すように、先ず、ステップＳ１において、チャンバ３０の内部３０ａの汚れを取るため、チャンバ３０の内部３０ａが、ＷＥＴ（ウエット）クリーニングにより洗浄される。この際、チャンバ３０の内部３０ａに配設されたゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０も洗浄され、該ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０は、表面が露出される。
【００５５】
続くステップＳ２において、図３に示すように、チャンバ３０の内部３０ａに、ゲート部材４０の基板搬入搬出口４０ｅからダミー基板２０がロボットのアーム等により投入、即ち搬入され、下部電極７の上面７ａに戴置される。
【００５６】
次いで、戴置されたダミー基板２０の表面２０ａの外周寄りに、クランプリング５が戴置される。その後、クランプリング５は、該クランプリング５に先端が当接された昇降部材６０の保持部６０ｔの縮小動作を受けて、基板２を下部電極７に対して押圧して固定する。
【００５７】
その後、基板２の表面２ａまたは該表面２ａに成膜された薄膜をプラズマ５０を用いてドライエッチングする際の条件と同条件、かつ同一プロセスで、プラズマ５０を用いて、ダミー基板２０の表面２０ａに塗布されたフォトレジスト膜（以下、レジスト材と称す）９０をドライエッチングする前処理工程が行われる。尚、レジスト９０は、基板２の表面２ａをドライエッチングする際に用いられる物質である。
【００５８】
具体的には、上部電極６と下部電極７との間に、吸気口３０ｋからプラズマガスが導入され、既知の手段により、両電極間に高周波の電力が供給されることにより、両電極間が真空破壊される。その後、プラズマ５０が発生し、その結果生成されたイオンやラジカル等の活性種の放電により、レジスト材９０がドライエッチングされる。
【００５９】
このことにより、ドライエッチングされたレジスト材９０は、チャンバ３０内に拡散され、該チャンバ３０内に付着する。それと同時に、図３に示すように、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０の表面にも付着する。
【００６０】
この際、ステップＳ１のクリーニングによって、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０は、表面が露出されているため、プラズマ５０により、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を形成するＳＵＳ材を構成する、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）もドライエッチングされ、チャンバ３０の内部３０ａに拡散される。その後、ステップＳ３に移行する。
【００６１】
ステップＳ３では、前処理工程であるプラズマ５０を用いたドライエッチング後のダミー基板２０の表面２０ａ上の金属汚染量、詳しくは、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）の量を、例えばＸ線装置にて測定し、その後、ステップＳ４に移行する。
【００６２】
ステップＳ４では、レジスト材９０がドライエッチングされたダミー基板２０が、基板搬入搬出口４０ｅからチャンバ３０外に搬出される。その後、ステップＳ５に移行する。
【００６３】
ステップＳ５では、ステップＳ３で測定した鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）の量が、規定値である基準量、例えば６×１０１０ｃｍ２以下であったか否かが判定される。即ち、ダミー基板２０の表面２０ａが金属汚染されていたか否かが判定される。
【００６４】
ダミー基板２０の表面２０ａが金属汚染されておれば、ステップＳ２に戻り、図３に示すように、レジスト材９０が、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を被覆し、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０自体がプラズマ５０によりドライエッチングされることがなくなるまで、即ちダミー基板２０の表面２０ａが金属汚染されなくなるまで、ステップＳ２〜ステップＳ５の前処理工程を繰り返す。
【００６５】
ダミー基板２０の表面２０ａ上に金属汚染がなければ、ステップＳ６に移行し、該ステップＳ６では、チャンバ３０の内部３０ａに、ゲート部材４０の基板搬入搬出口４０ｅから液晶装置１００に用いる基板２が搬入され、下部電極７の上面７ａに戴置され、その後上述したように、クランプリング５により、下部電極７に対し固定されステップＳ７に移行する。
【００６６】
最後に、ステップＳ７では、基板２の表面２ａまたは該表面２ａに成膜された薄膜がプラズマ５０により、上述した手法でドライエッチングされる本処理工程が行われる。尚、この際、レジスト材９０を用いることにより、上記薄膜が所定のパターンとなるようドライエッチングしてもよい。
【００６７】
また、ドライエッチング中、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０は、レジスト材９０により被覆されているため、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を形成するＳＵＳ材を構成する、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）が、プラズマ５０によりドライエッチングされ、基板２の表面に付着することがない。
【００６８】
このようにして基板２の表面２ａまたは該表面２ａに成膜された薄膜がドライエッチングされる。
【００６９】
このように、本発明の一実施の形態を示す液晶装置に用いる基板のドライエッチング方法においては、液晶装置１００に用いる基板２をドライエッチングする本処理工程に先立って、レジスト材９０が表面２０ａに塗布されたダミー基板２０の該レジスト材９０を、ＳＵＳ材から形成されたゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を被覆するまで、具体的には、ダミー基板２０の表面２０ａに金属汚染がなくなるまでドライエッチングする前処理工程を行った。その後、基板２の表面２ａまたは該表面２ａに成膜された薄膜をドライエッチングする本処理工程を行った。
【００７０】
よって、ドライエッチング装置１に、ドライエッチングされやすいＳＵＳ材から形成されたゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０が配設されていたとしても、基板２のドライエッチング後、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０がプラズマ５０によりドライエッチングされ、ＳＵＳ材を構成する鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）が、基板２の表面２ａに付着し、該表面２ａが金属汚染されてしまうことを確実に防止することができる。
【００７１】
このことから、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を形成する金属部材を変更することなくドライエッチングを行うことができるため、低コストであって容易かつ早急にドライエッチング後の基板の表面２ａの金属汚染を防ぐことができるので、基板の歩留まりを向上させることができる。
【００７２】
また、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を被覆するレジスト材９０は、基板２の表面２ａに成膜された薄膜を所定のパターンに形成するに際し用いる物質であることから、新たな物質を用意する必要がないため、低コストであって容易かつ早急にドライエッチング後の基板２の表面２ａの金属汚染を防ぐことができるので、基板の歩留まりを向上させることができる。
【００７３】
さらに、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を、レジスト材９０を用いて被覆するプロセスは、基板２の表面２ａまたは該表面２ａに成膜された薄膜をドライエッチングするプロセスと同一であることから、エッチングの際のプロセスを変更することなく、容易にドライエッチング後の基板２の表面２ａの金属汚染を防ぐことができるので、基板の歩留まりを向上させることができる。
【００７４】
以下、変形例を示す。本実施の形態においては、プラズマは、フッ素（Ｆ）系のプラズマガスを用いたフッ素系のプラズマを例に挙げて示したが。これに限らず、本実施の形態は、ハロゲン系のプラズマ、例えばＢｒ（臭素）、Ｉ（ヨウ素）、Ｃｌ（塩素）、Ａｔ（アスタチン）を適用しても本実施の形態と同様の効果を得るということは勿論である。
【００７５】
また、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０は、ＳＵＳ材から構成されているとして、本実施の形態を記載したが、プラズマによってドライエッチングされやすい合金から構成されていれば、ＳＵＳ材に限らず、鉄、ニッケル、クロムのいずれか、またはこれらの金属の合金から形成されていても本実施の形態と同様の効果を得ることができる。さらに本実施の形態が適用できる金属部材は、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０に限定されない。
【００７６】
また、本実施の形態においては、ゲート部材４０、昇降部材６０及びアースシールド８０を被覆する物質は、レジスト材であると示したが、これに限らず、基板２の表面２ａまたは該表面２ａに成膜された薄膜をドライエッチングする際に用いる物質で、金属汚染を防げるものであれば、どのようなものであっても構わないということは云うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明の製造方法によって、ドライエッチングされる基板は、液晶装置１００に限らず、一般に電気光学装置に適用できる。例を挙げると、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス装置、特に、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置等や、プラズマディスプレイ装置、ＦＥＤ（Field Emission Display）装置、ＳＥＤ(Surface-Conduction Electron-Emitter Display)装置、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置、薄型のブラウン管または液晶シャッター等を用いた小型テレビを用いた装置などに適用できる。
【００７８】
また、本発明は電気光学装置の製造方法に限らず、基板上に半導体素子が形成される半導体装置の製造方法であって、プラズマエッチングを行う工程を含む製造方法に適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】ドライエッチング装置の構成の概略を示す断面図。
【図２】本発明の一実施の形態を示す基板のドライエッチング方法を示したフローチャート。
【図３】図１のチャンバ内に配設されたダミー基板の表面をプラズマによってドライエッチングした状態を示すドライエッチング装置の断面図。
【図４】基板を用いて構成した液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図５】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図３のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図６】液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【符号の説明】
【００８０】
２…基板、２ａ…基板表面、５…クランプリング、２０…ダミー基板、２０ａ…ダミー基板の表面、３０…チャンバ、３０ａ…チャンバの内部、４０…ゲート部材、４０ｅ…基板搬入搬出口、５０…プラズマ、６０…昇降部材、８０…アースシールド、１００…液晶装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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