(57)【要約】      （修正有）【課題】実現コストが低い複合材料ウェーハの製造方法及び製造された複合材料ウェーハの少なくとも一部を含む電子的、光電子的または光学的部品を提供する。【解決手段】初期ドナー基板１に所定分離領域４を形成する工程と、ハンドル基板２に初期ドナー基板１を取り付ける工程と、ハンドル基板２上へ初期ドナー基板１の層６を転移して複合材料ウェーハ１０を形成するために所定分離領域４においてドナー基板１を取り外す工程を備える。取外し工程後に、初期ドナー基板１の厚さを少なくとも部分的に回復するためにドナー基板の残余部９上に層１２を堆積し、初期ドナー基板１として堆積層１２を有するドナー基板を再使用する。【選択図】図１
2006140445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）初期ドナー基板（１）を設ける工程と、
ｂ）前記初期ドナー基板（１）に所定分離領域（４）を形成する工程と、
ｃ）ハンドル基板（２）に前記初期ドナー基板（１）を取り付ける工程と、
ｄ）前記初期ドナー基板（１）の層（６）を前記ハンドル基板（２）上に転移して複合材料ウェーハ（１０）を形成するために、前記所定分離領域（４）において前記ドナー基板（１）を取り外す工程と、
を備える複合材料ウェーハの製造方法において、
ｅ）前記初期ドナー基板（１）の厚さを少なくとも部分的に回復するために、前記取り外し工程後、前記ドナー基板の残余部（９）上に層（１２）を堆積する工程と、
ｆ）前記堆積層（１２）を有する前記ドナー基板（１）を工程ａ）における前記初期ドナー基板（１）として再使用する工程と、
を備えることを特徴とする複合材料ウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記工程ｅ）を実行する前に前記工程ａ）〜工程ｄ）を少なくとも２回繰り返す工程において、
繰り返される工程ａ）において、前記取り外したドナー基板の残余部を初期ドナー基板（１）として再使用する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記工程ａ）〜工程ｄ）は、前記初期ドナー基板（１）が所定最低厚さに達するまで繰り返される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記工程ｅ）における前記層（１２）は、ホモエピタキシャルに堆積される請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記工程ｅ）において、前記ホモエピタキシャル層（１２）はＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥまたはＭＢＥ方法を使用して設けられ、それにより、前記初期ドナー基板（１）における転位密度と比較して前記ホモエピタキシャル層（１２）における転位密度の改善、特に１×１０７／ｃｍ２未満の転位密度、特に１×１０６／ｃｍ２未満を達成する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記工程ｅ）は、ドナー基板の残余部（９）の、取外しが起きた表面（１１）とは反対側の表面（１５）上に前記層（１２）を設ける工程を備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記工程ｅ）に先立ち、特に酸化物及び／または窒化物層を使用して取外しが起きた前記表面側（１１）に保護膜（３０）を設ける工程を備える請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記層（１２）を有する前記ドナー基板（１）を初期ドナー基板（１）として再使用することに先立ち、前記保護膜（３０）を除去する工程を更に備える請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記工程ｅ）において、前記層を設ける前記ドナー基板の残余部（９）の表面側（１１、１５）を研磨及び／または洗浄する工程を更に備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ドナー基板（１）は、ＧａＮ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＡｌＮまたはダイヤモンドのグループ一つである請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ハンドル基板（２）は、単結晶または多結晶材料であり、特にＳｉ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ、ＡｌＮのグループの一つである請求項１〜１０のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ハンドル基板（２）は、ガラスまたはセラミック材料である請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記工程ｃ）に先立ち、前記ドナー基板（１）に取り付けられる前記ハンドル基板（２）の表面（７）上に絶縁層、特にＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４、または導体層を設ける工程を更に備える請求項１〜１２のいずれか1項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項により製造された前記複合材料ウェーハの少なくとも一部を備える電子的、光電子的または光学的部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、請求項１の前提部分に係る複合材料ウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
文献ＵＳ２００３／０１５３１６３により、ＳｍａｒｔＣｕｔ（登録商標）技術を用いたドナー基板からハンドル基板への材料層の転移方法が知られている。公知の方法は、上記材料層が支持基板へ転移されるもとの第１ウェーハを接着することにより、上記ドナー基板を形成する工程を備える。ＵＳ  ２００３／０１５３１６３によれば、そのようなドナー基板の形成は、それが第１ウェーハの全部の厚さが消費されるまで、同じ初期第１ウェーハからの転移操作を数回繰り返すことを可能にするので、高価な材料層を転移するのに有利である。
【０００３】
しかし、この公知の方法は下記の問題を有する。ドナー基板が二つの接着されたウェーハから構成されているという事実のため、その厚さは、特に最初の数回の転移における厚さは、例えばシリコン・オン・インシュレータ・ウェーハを製造するＳｍａｒｔＣｕｔ技術工程のように標準工程におけるドナーウェーハの厚さより大抵は大幅に厚い。従って、転移工程の間に、ドナーウェーハをハンドリングおよび支持するために使用される装置は、増大した重量と厚さに特別に適したものである必要があるかまたは、上記支持基板はその厚さを特に減少する必要がある。しかし、どちらの可能性も非常にコストのかかる適合工程を必要とする。更に、製造工程の間に、ドナーウェーハの厚さは変化し、その程度は実行される転移の回数に依存する。その結果として、処理及びハンドリング装置は、変化する条件に対応するために特別に設計される必要がある。このように、装置は特別に設計される必要があるので、それだけますます高価になる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
それゆえ、現状技術の問題を克服する複合材料ウェーハの製造方法を提供して、複合材料ウェーハを、標準ウェーハ処理装置を使用して製造できるようにすることが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的は、請求項１に記載の複合材料ウェーハの製造方法により達成される。従って、本発明の方法は下記の、ａ）初期ドナー基板を設ける工程、ｂ）上記初期ドナー基板に所定分離領域を形成する工程、ｃ）ハンドル基板に上記初期ドナー基板を取り付ける工程、及びｄ）上記ドナー基板を上記所定分離領域で取り外し、それにより上記初期ドナー基板上の層を上記ハンドル基板上に転移して複合材料ウェーハを形成する工程を含むものにおいて、ｅ）上記取外し工程後、層を上記ドナー基板の残余部上に堆積して、少なくとも部分的に上記初期ドナー基板の厚さを回復して、ｆ）上記堆積層を有する上記ドナー基板を、工程ａ）における初期ドナー基板として再使用することを特徴とする。
【０００６】
本発明の方法で採用されているドナー基板は、追加支持基板に接着されないので、現状技術工程で採用されているものよりも薄い。更に、堆積層のためドナー基板の厚さはそれほど変化しないので、時間がかかり高価な適合装置や特別なハンドリング装置を必要とせずに、標準ウェーハ処理装置を採用できる。このように、本発明の工程は従来技術の工程よりも実現コストが低い。
【０００７】
上記ドナー基板の残余部を再使用する前に、ハンドル基板に取り付けられる前のドナー基板の残余部表面上で追加再調整工程を実行することもできる。この再調整は例えば、研磨により実行することもできる。
【０００８】
堆積工程ｅ）を実行する前に、少なくとも２回、工程ａ）〜工程ｄ）を繰り返すことは有利であり、繰り返す工程ａ）において、取り外した上記ドナー基板の残余部は初期ドナー基板として再使用される。工程数が少ないと、より速く、それゆえより安価な製造方法を実現するので、堆積の前に工程の一部を繰り返すことにより、工程の最適化をさらに可能にする。
【０００９】
工程ａ）〜工程ｄ）は、上記初期ドナー基板が所定最低の厚さになるまで繰り返すのが好適である。繰り返し数の上限は、例えば機械的強度のような基板の特性が劣化し始めるときのドナー基板の残余部の厚さによって決められるか、または適切に機能するためにはある最低の厚さを必要とするハンドリング装置の特性に関連して決めることができる。繰り返しにより、全体の工程を更に最適化でき、同時に、製造歩留まりだけでなく複合材料ウェーハの品質も同時に高く保つことができる。
【００１０】
一つの好ましい実施形態によれば、工程ｅ）の上記層はホモエピタキシャルに堆積できる。本発明の方法は、通常は結晶性材料であるような高価なドナー基板に対しては特に有利である。ドナー基板をその初期の厚さにまで、またはそれ以上にホモエピタキシャルに成長させることにより、ドナー基板を再使用できる回数が、上記初期ドナー基板の厚さを消費してしまうまでの回数を超えるので、上記工程は実際には、ドナー基板の入手可能性に依存しなくなる。この文書においては、ホモエピタキシャルとは堆積層が、初期ドナー基板の材料と同じ結晶学的特質を有する同じ材料であることを意味する。
【００１１】
工程ｅ）において、有機金属化学気相析出（ＭＯＣＶＤ）法、ハイブリッド気相エピタキシ（ＨＶＰＥ）法、または分子線エピタキシ（ＭＢＥ）法を使用してホモエピタキシャル層を設けることができ、それにより、初期ドナー基板における転位密度と比較してホモエピタキシャル層における転位密度の改善、特に１×１０７／ｃｍ２未満の転位密度、特に１×１０６／ｃｍ２未満を達成できると好ましい。
転位は成長中、あるレベルで途絶える傾向があり、そのため追加成長材料は、より低い転位密度を示す。このように、ドナー基板材料の品質は向上し、そのため転移層は市場で入手できる標準ドナー基板により達成される転移層と比較して、品質においてより良好である。
【００１２】
工程ｅ）が、取外しが起きた表面側と反対のドナー基板の残余部表面側上に層を設けることを含むことができれば有利である。極性ドナー基板が使用されるとき、つまり基板の二つの主表面が異なる特性を有することを意味するが、エピタキシャル成長は一つの表面上で良好に制御できるが、他の表面においてはそうではないことが通常である。材料複合ウェーハの転移層の自由表面は、マイクロ電子的または光電子的デバイスを作製するための更なる工程において必要となるであろう更なるエピタキシャル層において制御された成長を可能にする極性をもつ表面に対応すべきである。結果として、ハンドル基板の表面に取り付けられる側の転移層の表面は、第２極性を有することになる。従って、取外しが起きた側のドナー基板の残余部表面は、エピタキシャル成長をそれほど良好には制御できない極性を有する。従って、追加層の成長はこのように制御されたホモエピタキシャル成長が起こりやすい反対側表面で実行されるのが好ましく、その結果、成長層の品質が良好になる。
【００１３】
工程ｅ）の実行に先立ち、取外しが起きた側の表面に保護膜を、特に酸化物及び／または窒化物層を使用して設けることができることが好ましい。この保護膜は、特にウェーハの反対側表面上の層成長中にドナー基板の残余部を金属または粒子のような汚染物から保護するのが有利である。この保護膜は、複合材料ウェーハの品質を向上または維持するように働く。
【００１４】
本方法が、初期ドナー基板として層と共にドナー基板を再使用する前に、保護膜の除去工程を更に含むことができれば有利である。最終的には、付加的研磨または洗浄工程を除去工程に続けることができる。このように、ドナー基板の保護表面側をハンドル基板に取り付けるとき、再使用されるドナー基板の表面特性は、接着が達成でき、接着を達成される表面の品質が高いという結果になる。
【００１５】
工程ｅ）で上記層が設けられる側のドナー基板の残余部表面は、上記層の成長前に研磨及び／または洗浄できると有利である。これは成長層の品質を向上する。成長層がホモエピタキシャル層である場合には、今度はそれが製造工程における後の段階において転移層として使用されるので、その品質向上は特別の関心事である。
【００１６】
本方法は、窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはダイヤモンドのグループの一つであるドナー基板に対しては特に有利である。これらの基板は、電子的応用において重要な役割を果たし、良好な品質を合理的な価格で得ることは難しい。上記の方法をこの種類の材料に使用することにより、バルク材料それ自身に比べてより安価な良品質の材料複合ウェーハを実現することが可能になる。
【００１７】
使用されるハンドル基板が単結晶または多結晶材料であり、特に砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、炭化珪素（ＳｉＣ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のグループのひとつであると好ましい。ドナー基板材料に類似の熱膨張係数を有するハンドル基板を使用することは好ましく、それにより、材料複合ウェーハの品質は更に向上する。更なるコスト削減のためには、単結晶材料に比べて多結晶材料を採用するのがより有利である。より一般的な場合において、ハンドル基板は珪素（Ｓｉ）、ガラス、またはセラミック材料によっても形成できる。
【００１８】
一つの変形例によれば、ハンドル基板には絶縁層、特に二酸化珪素（ＳｉＯ２）または窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）を設けることができ、またはドナー基板に取り付けられる側の表面上に導体膜を設けることができる。そのような追加層は、マイクロ電子デバイスまたは光電子デバイスにおける種々の応用に適する色々な複合材料ウェーハの種類を更に増加させる。
【００１９】
本発明はまた、上記の方法により製造された複合材料ウェーハの少なくとも一部分を備える電子デバイス、光電子デバイス、または光学デバイスにも関する。
【００２０】
本発明の具体的な実施形態は、添付図を参照しての、下記の詳細な記述により更に明らかになろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１と図２による本発明の複合材料ウェーハ製造方法の実施形態はＳｍａｒｔＣｕｔ技術に基づいている。しかし、複合材料ウェーハを製造するのに適し、所定分離領域を備えるいかなる他の工程もまた適用可能である。
【００２２】
図１のａは、例えば、所定サイズのウェーハのような、特に窒化ガリウム（ＧａＮ）、炭化珪素（ＳｉＣ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）またはダイヤモンドのような結晶性材料から製造される初期ドナー基板１を示している。これらの材料は、マイクロ電子及び光電子的適用において重要な役割を果たすが、製造するのが難しく、それゆえ、比較的高価となる。これが、本発明により、初期ドナー基板１を使用して、そのドナーの薄膜を、図１のｂに示す、より安価な材料のウェーハであるハンドル基板上に転移する理由である。ハンドル基板２は、初期ドナー基板の材料と同程度の熱膨張係数を有することが好ましい。例えば、ＧａＮの場合、適切な材料は砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、炭化珪素（ＳｉＣ）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であろう。これらのウェーハに対しては、材料は必ずしも単結晶である必要はなく、多結晶タイプのウェーハを使用することもできる。
【００２３】
一つの変形例において、図１のｄに示す接着工程に先立ち、ドナー基板１との接着が起きるハンドル基板２の表面７上に絶縁層、特に二酸化珪素（ＳｉＯ２）または窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、または導体層を設けることができる。
【００２４】
ドナー基板１の層をハンドル基板２上に転移可能とするために、初期ドナー基板１に所定分離領域を作製する必要がある。図１のｃに示すＳｍａｒｔＣｕｔ技術によれば、これは例えば、水素イオンまたは他の不活性ガスのような原子種を所定の線量及びエネルギーで注入することにより達成される。これにより、注入された原子種３により所定分離領域４がドナー基板１に作製される。所定分離領域４は実質的にドナー基板１の主表面５に平行である。この主表面５と所定分離領域４の間に、下記の工程の間にハンドル基板２上に転移される層６が作成される。
【００２５】
図１のｄは、ドナー基板１の主表面５をハンドル基板の主表面７の一つに接着することにより、ハンドル基板２へ初期ドナー基板１を取り付ける工程の次のステップを示している。接着に先立ち、接触する表面５と７は、それらが一緒に接着されるように準備されている。
【００２６】
ドナー・ハンドル複合物８はその後、炉（図示せず）の中に入れられ、所定分離領域が壊れ易くなるように熱せられ、それは最終的に、ハンドル基板２と転移層６から構成される複合材料ウェーハ１０からドナー基板１の残余部９を取外すという結果になる。熱的エネルギーを提供する代わりに、いかなる形態での別のエネルギー、例えば、機械的エネルギーまたは熱的エネルギーと機械的エネルギーの組み合わせを提供することによっても、壊れ易くし取外しを達成することができる。
【００２７】
二つの製造物、つまり、複合材料ウェーハ１０と初期基板の残余部９は図１のｅと図１のｆに示されている。更なる処理に先立ち、材料複合ウェーハ１０に、例えば、研磨及び／または洗浄のような最終表面処理を施してもよい。
【００２８】
ドナー基板の残余部９（図１のｆ）は、初期ドナー基板１として再使用でき、工程が図１のａに示す工程で再スタートするか、図１のｆに関して下記に記述するように層を堆積してもよい。結局、再使用に先立ち、取外しが起きた表面１１は、例えば、図１のｃと図１のｄに示す下記の注入及び接着工程に先立つ研磨により復元される。このドナー基板の残余部９の繰り返し再使用は、数回、例えば、最大１０回繰り返すことができる。というのは、各層転移及び上記復元工程で約５μｍの厚さが除去される結果になり、ドナー基板１の体積から約５０μｍを除去すれば基板は壊れ易くなり、応用に適する転移層６の品質を保持する必要な度を超えるほどのものになるからである。
【００２９】
このように、いったんドナー基板残余部９の最低の厚さまたは、ハンドリング装置が工程の良好な機能を保証するために必要な最低の厚さに到達すると、本方法は図１のｇに示す工程を続ける、つまり、層１２がドナー基板の残余部９上に堆積される。堆積層１２の厚さは、初期ドナー基板１の厚さを少なくとも部分的に回復することを可能にし、その結果、図１のａに示すように、この復元されたドナー基板１４を初期ドナー基板１として再使用できる。
【００３０】
図２のａに示す一つの変形例によれば、堆積層１２’は、基板残余部９の取外しが起きた表面１１とは反対側の表面１５上に迅速に堆積することが可能な材料から構成されている。このように、本変形例によれば、ドナー基板の残余部９は更なる再使用のために十分な厚さにすぐに戻されるという事実が強調されている。このように、堆積層１２’の材料が初期ドナー基板９と同じであるということは必要でない。しかし、層１２’の材料が、ドナー基板９の一つと同じものとして選択されると、成長条件を、成長速度が最適化されるように選択することが可能である。この場合、追加層１２’の結晶品質は、転移層６としての後の使用に対しては十分ではない。この場合、いったん初期ドナー基板１が完全に消費されると、新しいドナー基板ウェーハ１を工程において導入する必要がある。
【００３１】
図２のｂに示す変形例によれば、堆積層１２’’は、ドナー基板残余部９と同じ材料から構成され、更に、層１２’’の結晶品質が少なくとも基板の残余部９のそれと匹敵するようにホモエピタキシャルに成長される。層１２’’は、表面１１上または表面１５上のどちらかに堆積されてもよい。この場合、堆積層１２’’もまた後に転移層６として機能できるので、新しいドナー基板１を本工程に導入する必要はない。ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥまたはＭＢＥを使用すれば、結晶品質においてドナー基板１の初期品質よりも良好な層１２’’を達成することさえ可能である。特に、初期ドナー基板の転位密度が典型的に大きいときは、１×１０７／ｃｍ２未満の転位密度を達成することができる。
【００３２】
図２のａの場合、復元ドナー基板１４とハンドル基板２の間の取付けは表面１１を介して起きる。図２のｂの場合、取付けは両者の表面を介して起こり得る。
【００３３】
図３は、図１のｇに示す工程が図３のａから図３のｃに示す工程により置き換えられた、本発明の製造方法の第２実施形態を示す。図１において採用されたものと同じ参照番号を有する要素と機能は対応しているので再び詳細説明はしないが、その内容は参照によりここに記載するものとする。
【００３４】
図３のａに示す製造工程によれば、取外しが起きたドナー基板の残余部９の表面１１上に、その表面１１を汚染または機械的損傷から保護するために保護膜３０を堆積する。適切な保護材料は二酸化珪素または窒化珪素（ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４）を含む。
【００３５】
図３のｂに示す工程において、層１２をドナー基板９残余部の反対側の表面側１５上に堆積する。この工程は、第１実施形態の図１のｇに関して説明及び記述したものと同一である。
【００３６】
図３のｃに示す下記の工程は、保護膜３０を除去することから構成されている。ドナー基板の残余部９と堆積層１２を備える復元されたドナー基板１４は、初期ドナー基板１として再使用される。結局、保護膜３０の除去の後には、表面１１の追加的研磨及び／または洗浄工程を続けることができる。
【００３７】
更なる変形例によれば、層１２の成長後、上記追加層１６の表面１６に、復元されたドナー基板１４のこの表面を図１のａから図１のｆに示す工程中に保護するために、更なる保護膜を設けることができる。
【００３８】
下記において、本発明の製造方法の適用を、転移ＧａＮ層を備える複合ウェーハの例を使用して詳細に説明する。下記において再び説明はしない変形例もまたいかなる場合でも適用でき、従ってここに参照により組み込まれている。
【００３９】
初期ドナー基板１として、ＧａＮウェーハが供給され、ハンドル基板として同一直径のＧａＡＳウェーハがハンドル基板２として設けられる。
【００４０】
ＧａＮウェーハは、その六方晶形において、極性主表面を有する。つまり、一つの表面はＧａ原子（下記では、Ｇａ表面）を表し、他の表面は、Ｎ原子（下記では、Ｎ表面）を表わす。ＧａＮ層の転移に対しては、自由表面としてＧａ表面を有することが要求され、従ってＧａＮウェーハのＮ表面がハンドル基板２に接着する。
【００４１】
転移工程の開始に先立ち、ＧａＮドナー基板１のＮ表面は、通常、２〜４μｍ以上拡がっている欠陥層を除去するために研磨される。この欠陥層は、ＧａＮウェーハの初期形成のために使用されたバッファー層から発生する。これは研磨により対処できる。しかし、例えば、ＷＯ  ０３／０１７３５７に開示されたような、この不具合がない他のＧａＮ基板が存在する。
【００４２】
所定分離領域４は、約１×１０１５ａｔ／ｃｍ２〜１×１０１８ａｔ／ｃｍ２の範囲の線量及び、約２０ｋｅＶ〜２００ｋｅＶの範囲のエネルギーでのＨイオンのイオン注入（図１のｃに示すような工程）により形成される。５×１０１６ａｔ／ｃｍ２の線量と、６０ｋｅＶのエネルギーでは、所定分離領域の深さは表面から約数百ｎｍである。注入に先立ち、ＧａＮ層の汚染を避け及び／または、ハンドル基板２への接着を支援する層を形成するために、保護膜（ＳｉＯ２またはＳｉ３Ｎ４）を堆積することができる。
【００４３】
工程１ｄによって、ＧａＮ基板１とハンドル基板ＧａＡｓ２は接着される。接着を達成するには、お互いに接触する、Ｎ表面を表わす表面５と表面７は、原子スケールにおいて平坦でなければならない。これは、ＧａＮ基板のＮ表面の適切な研磨により達成され、５μｍ×５μｍのサイズの走査面積において凹凸が０．３ｎｍＲＭＳ未満の平坦度が達成される。
【００４４】
ドナー・ハンドル複合物８はその後、炉に入れられ、約２００℃〜約５００℃の温度において約１〜６時間の熱処理を施すと、所定分離領域が脆弱となり取外しができる。または、刃先の導入のような機械的エネルギーまたは熱的及び機械的エネルギーの組み合わせを採用することもできる。
【００４５】
初期ＧａＮドナー基板１からの転移を例えば、２〜５回実行した後、ＧａＮドナー基板の残余部９はエピタキシャル反応炉に導入され、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥまたはＭＢＥ方法を使用して、Ｇａ表面１５上にＧａＮの層１２をエピタキシャルに堆積する。成長温度は、約７００℃〜１１００℃である。応用によっては、堆積層１２に、更に不純物を注入することもできる。堆積の合計の厚さは、最大数百μｍまで可能で、初期ＧａＮドナー基板１の初期の厚さを回復するように選択されれば理想的である。成長条件によっては、ＧａＮ層は、開始時の基板よりも、より良好なまたはより不良な転位密度で達成される。
【００４６】
もちろん、どの表面が現在、必要とされているかにより、ＧａまたはＮ表面に、十分な保護膜を設ける／除去することができる。Ｇａ表面の復元に加えて、適切なＣＭＰ及び／または洗浄工程を使用して、エピ準備工程を実行することができる。
【００４７】
いったんＧａＮ層１２が堆積すると、更なるＳｍａｒｔＣｕｔサイクルを、上記の工程を繰り返して実行できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一つの実施形態による複合材料ウェーハの製造方法を実行するための工程を模式的に示す図である。
【図２】ａとｂはそれぞれ二つの異なる種類の堆積層を有するドナー基板を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第２実施形態による複合材料ウェーハの製造方法を実行する工程を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１…ドナー基板、２…ハンドル基板、４…所定分離領域、５…主表面、６…転移層、７…主表面、８…ドナー・ハンドル複合物、９…ドナー基板残余部、１０…ウェーハ、１１…表面、１２…堆積層。１４…ドナー基板、３０…保護膜。
【図１】
2006140445.tif 000003
【図２】
2006140445.tif 000004
【図３】
2006140445.tif 000005
【外国語明細書】
2006140445000001.pdf