(57)【要約】【課題】  ボイドの発生を抑制して、電気抵抗特性のばらつきを低減することが可能なＰＴＣサーミスタの製造方法を提供すること。【解決手段】  ＰＴＣサーミスタの製造方法は、積層工程（Ｓ１１３）、第１の熱圧着工程（Ｓ１１５）、及び第２の熱圧着工程（Ｓ１１７）を備える。積層工程（Ｓ１１３）では、結晶性高分子樹脂に導電性粒子が分散された抵抗体素地シートと、内部電極用の導電性シートとを含む積層体を得る。第１の熱圧着工程（Ｓ１１５）では、積層体を結晶性高分子樹脂の軟化点より低い第１の温度で加熱し且つ第１の圧力にて加圧して熱圧着する。第２の熱圧着工程（Ｓ１１７）では、第１の熱圧着工程にて熱圧着された積層体を結晶性高分子樹脂の軟化点より高い第２の温度で加熱し且つ第１の圧力よりも低い第２の圧力にて加圧して熱圧着する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性高分子樹脂に導電性粒子が分散された抵抗体素地シートと、内部電極用の導電性シートとを含む積層体を得る積層工程と、
前記積層体を前記結晶性高分子樹脂の軟化点より低い第１の温度で加熱し且つ第１の圧力にて加圧して熱圧着する第１の熱圧着工程と、
前記第１の熱圧着工程にて熱圧着された前記積層体を前記結晶性高分子樹脂の軟化点より高い第２の温度で加熱し且つ前記第１の圧力よりも低い第２の圧力にて加圧して熱圧着する第２の熱圧着工程と、を備えることを特徴とするＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項２】
前記第１の温度は、前記結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜６０℃低い温度であることを特徴とする請求項１に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項３】
前記第２の温度は、前記結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜１００℃高い温度であることを特徴とする請求項１に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項４】
前記第１の圧力は、２０〜２００ＭＰａの圧力であることを特徴とする請求項１に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項５】
前記第２の圧力は、１０ＭＰａ以下の圧力であることを特徴とする請求項１に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
【請求項６】
前記抵抗体素地シートを、前記結晶性高分子樹脂及び前記導電性粒子に溶剤を加えて混合して調合したスラリーを基体に塗布した後に乾燥させて得られることを特徴とする請求項１に記載のＰＴＣサーミスタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＰＴＣサーミスタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＴＣ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタとして、結晶性高分子樹脂に導電性粒子が分散された抵抗体層と、抵抗体層を挟んで互いに対向するように位置する内部電極とを備えたＰＴＣサーミスタ（以下、必要に応じて「Ｐ−ＰＴＣサーミスタ」という。）が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
特許文献１には、次のようなＰＴＣサーミスタの製造方法が開示されている。まず、結晶性高分子樹脂に導電性粒子が分散された抵抗体素地シートと、内部電極用の金属箔とを積層し、熱圧着する。次に、シート状の圧着体を、金属箔が露出するようにチップ状に切断して、サーミスタ素子を得る。次に、サーミスタ素子の両端部に金属箔と電気的に接続するように外部電極を形成する。
【特許文献１】特開２０００−３１１８０１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に記載されたＰＴＣサーミスタの製造方法では、次のような問題が生じる。
【０００５】
近年、電子機器分野においては、鉛を含有しない、いわゆる鉛フリーのハンダが主流となりつつある。鉛フリーのハンダを用いる場合、リフロー工程に要する温度は従来の鉛ハンダの場合よりも高く、２６０℃程度にまで達する場合があるとされている。したがって、鉛フリーのハンダを用いた電子機器においては、ＰＴＣサーミスタが高温に晒される傾向にある。
【０００６】
抵抗体素地シートと金属箔とを熱圧着して得られたシート状の圧着体（サーミスタ素子）の内部に空気が僅かでも残っていると、ＰＴＣサーミスタが高温に晒された際にボイドが発生してしまう。このようにボイドが発生すると、ＰＴＣサーミスタの電気抵抗値が変化し、その特性にバラツキが生じることとなる。特に、抵抗体素地シートを、結晶性高分子樹脂及び導電性粒子に溶剤を加えて混合して得られたスラリーをシート状に成形した後に乾燥させる方法（以下、必要に応じて「湿式法」という。）により得る場合、溶剤の蒸発により抵抗体素地シートに無数のポアが存在することとなり、当該ポアに空気が残り易い。ボイドが発生する要因としては、圧着体（サーミスタ素子）の内部に残った空気が膨張する、あるいは、分散して存在していた空気が抵抗体層の軟化により移動して集まること等が考えられる。
【０００７】
本発明の目的は、ボイドの発生を抑制して、特性のばらつきを低減することが可能なＰＴＣサーミスタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るＰＴＣサーミスタの製造方法は、結晶性高分子樹脂に導電性粒子が分散された抵抗体素地シートと、内部電極用の導電性シートとを含む積層体を得る積層工程と、積層体を結晶性高分子樹脂の軟化点より低い第１の温度で加熱し且つ第１の圧力にて加圧して熱圧着する第１の熱圧着工程と、第１の熱圧着工程にて熱圧着された積層体を結晶性高分子樹脂の軟化点より高い第２の温度で加熱して且つ第１の圧力よりも低い第２の圧力にて加圧して熱圧着する第２の熱圧着工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るＰＴＣサーミスタの製造方法では、抵抗体素地シートと導電性シートとを含む積層体は、第１の熱圧着工程において、結晶性高分子樹脂の軟化点より低い第１の温度で加熱され且つ第１の圧力にて加圧されて熱圧着される。これにより、積層体内に存在する空気が当該積層体から追い出されることとなる。そして、第２の熱圧着工程において、第１の熱圧着工程にて熱圧着された積層体が結晶性高分子樹脂の軟化点より高い第２の温度で加圧され且つ第１の圧力よりも低い第２の圧力にて加圧されて熱圧着される。これにより、抵抗体素地シートと導電性シートとが十分に熱圧着され、抵抗体素地シートと導電性シートとが剥離するのを防ぐことができる。したがって、積層体内に存在する空気が当該積層体から追い出されているので、ＰＴＣサーミスタが高温に晒された場合でも、ボイドの発生を抑制して、特性のばらつきを低減することができる。
【００１０】
また、第１の温度は、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜６０℃低い温度であることが好ましい。この場合、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００１１】
また、第２の温度は、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜１００℃高い温度であることが好ましい。この場合、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００１２】
また、第１の圧力は、２０〜２００ＭＰａの圧力であることが好ましい。この場合、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００１３】
また、第２の圧力は、１０ＭＰａ以下の圧力であることが好ましい。この場合、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００１４】
また、抵抗体素地シートは、結晶性高分子樹脂及び導電性粒子に溶剤を加えて混合して調合したスラリーを基体に塗布した後に乾燥させて得られることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ボイドの発生を抑制して、特性のばらつきを低減することが可能なＰＴＣサーミスタの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明に係るＰＴＣサーミスタの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１７】
まず、図１に基づいて、本実施形態に係るＰＴＣサーミスタ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの断面構成を示す図である。
【００１８】
ＰＴＣサーミスタ１は、略直方体形状の素子１０と、外部電極２１，２３とを備えている。素子１０は、当該素子１０における積層方向に平行且つ互いに対向するように位置する一対の側面１０ａ，１０ｂを有している。素子１０は、複数の抵抗体層１１と、複数の内部電極１３，１５と、複数の絶縁体層１７とを含んでいる。素子１０は、抵抗体層１１と内部電極１３，１５とが交互に積層し、さらに、絶縁体層１７で挟み込むようにして構成されている。したがって、素子１０では、内部電極１３，１５は、抵抗体層１１を挟んで互いに対向するように位置することとなる。素子１０は、一対の側面１０ａ，１０ｂを除く側面が絶縁体層１９で覆われている。
【００１９】
抵抗体層１１は、結晶性高分子樹脂と、当該結晶性高分子樹脂に分散された導電性粒子とを含有している。抵抗体層１１は、一定の温度範囲において、その電気抵抗値が温度の上昇と共に急激に増大する、いわゆる「正の抵抗−温度特性」を有する。結晶性高分子樹脂としては、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリエチレンオキサイド（ＰＥＯ）、ポリスチレン等が挙げられる。導電性粒子としては、炭化タングステン（ＷＣ）等の金属炭化物、ニッケル（Ｎｉ）等の金属粉末、カーボンブラック等の導電性炭素材料が挙げられる。
【００２０】
一方の内部電極１３は、他方の側面１０ｂよりも内側から一方の側面１０ａに露出するように伸びている。すなわち、一方の内部電極１３の他方の側面１０ｂ側の端は、他方の側面１０ｂから所定の長さ離れて位置している。一方の内部電極１３は、他方の側面１０ｂに露出していない。他方の内部電極１５は、一方の側面１０ａよりも内側から他方の側面１０ｂに露出するように伸びている。すなわち、他方の内部電極１５の一方の側面１０ａ側の端は、一方の側面１０ａから所定の長さ離れて位置している。他方の内部電極１５は、一方の側面１０ａに露出していない。他方の内部電極１５は、素子１０における積層方向から見て、その一部が一方の内部電極１３に重なるように位置している。内部電極１３，１５として、銀（Ａｇ）、ニッケル、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）等の金属材料が挙げられる。
【００２１】
絶縁体層１７は、結晶性高分子樹脂を含有している。絶縁体層１７は、導電性粒子を分散させておらず、電気絶縁性を有している。絶縁体層１７が含有する結晶性高分子樹脂は、抵抗体層１１が含有する結晶性高分子樹脂と同じであってもよく、異なっていてもよい。なお、絶縁体層１７は、導電性粒子が微量に含まれていても、絶縁抵抗が十分に大きいものであればよい。
【００２２】
外部電極２１，２３は、素子１０の一対の側面１０ａ，１０ｂにそれぞれ設けられている。外部電極２１，２３は、側面１０ａ，１０ｂのそれぞれを覆うように形成されている。外部電極２１，２３は、それぞれの側面１０ａ，１０ｂにおいて、当該側面１０ａ，１０ｂに露出する内部電極１３，１５と電気的に接続される。これにより、外部電極２１，２３は、内部電極１３，１５を一層おきに交互に電気的に接続することとなる。
【００２３】
続いて、図１〜図７に基づいて、上述した構成のＰＴＣサーミスタ１の製造方法について説明する。図２は、本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するためのフロー図である。図３〜図７は、本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するための図である。
【００２４】
まず、結晶性高分子樹脂、導電性粒子、及び溶剤を準備し、結晶性高分子樹脂及び導電性粒子に溶剤を加えて混合し、第１のスラリーを調合する（ステップＳ１０１）。結晶性高分子樹脂、導電性粒子、及び溶剤の混合には、例えばボールミル等を用いる。本実施形態では、結晶性高分子樹脂としてポリフッ化ビニリデンを用い、導電性粒子として炭化タングステンを用いる。溶剤には、アセトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の有機溶剤が挙げられる。この工程では、調合した第１のスラリーのフィルトレーション（ろ過）を行うようにしてもよい。
【００２５】
次に、調合した第１のスラリーを、ドクターブレード法等の公知の方法により、基体（例えば、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルム）Ｂ１上に塗布した後、乾燥して厚さ２０μｍ以下程度の膜Ｍ１を形成する（図３（ａ）参照）。こうして得られた膜Ｍ１を基体Ｂ１から剥離し、所望の形状に切断して抵抗体素地シートを作製する（ステップＳ１０３）。得られた抵抗体素地シートは、結晶性高分子樹脂に導電性粒子が分散された状態となっている。乾燥は、例えば、６０〜８０℃で１分程度行うことが好ましい。
【００２６】
また、結晶性高分子樹脂及び溶剤を準備し、結晶性高分子樹脂に溶剤を加えて混合し、第２のスラリーを調合する（ステップＳ１０５）。結晶性高分子樹脂及び溶剤の混合には、例えばボールミル等を用いる。溶剤には、アセトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、メチルエチルケトン等の有機溶剤を用いることができる。この工程では、調合した第２のスラリーのフィルトレーション（ろ過）を行うようにしてもよい。
【００２７】
次に、調合した第２のスラリーを、ドクターブレード法等の公知の方法により、基体（例えば、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルム）Ｂ２上に塗布した後、乾燥して厚さ２０μｍ以下程度の膜Ｍ２を形成する（図３（ｂ）参照）。こうして得られた膜Ｍ２を基体Ｂ２から剥離し、所望の形状に切断して絶縁体素地シートを作製する（ステップＳ１０７）。
【００２８】
また、金属材料、バインダー樹脂、及び溶剤等を準備し、金属材料にバインダー樹脂及び溶剤を加えて混合し、後述する導電性シートを作製するための導電性ペーストを調合する（ステップＳ１０９）。バインダー樹脂としては、有機バインダー樹脂（例えば、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂等）が挙げられる。溶剤としては、有機溶剤（例えば、アセトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、メチルエチルケトン等）が挙げられる。
【００２９】
次に、調合した導電性ペーストをドクターブレード法等の公知の方法により、基体（例えば、ポリエチレンテレフタレートからなるフィルム）Ｂ３上に塗布した後、乾燥して厚さ２０μｍ以下程度の膜Ｍ３を形成する（図３（ｃ）参照）。こうして得られた膜Ｍ３を基体Ｂ３から剥離し、所望の形状に切断して内部電極１３，１５用の導電性シートを作製する（ステップＳ１１１）。ここで、内部電極１３用の導電性シートＥＳ１及び内部電極１５用の導電性シートＥＳ２には、図４（ａ）及び（ｂ）にそれぞれ示されるように、当該導電性シートＥＳ１，ＥＳ２を切断面に露出させるための切断予定位置Ｃに沿って複数のスリットＳＬが形成されている。
【００３０】
抵抗体素地シートＲＳ、絶縁体素地シートＩＳ、及び導電性シートＥＳ１，ＥＳ２を得ると、図５に示されるように、各シートＲＳ，ＩＳ，ＥＳ１，ＥＳ２を所望の枚数ずつ所定の順序にて積層し、抵抗体素地シートＲＳ、絶縁体素地シートＩＳ、及び導電性シートＥＳ１，ＥＳ２を含む積層体Ｌを得る（ステップＳ１１３：積層工程）。本実施形態では、図５中下から、絶縁体素地シートＩＳ、抵抗体素地シートＲＳ、導電性シートＥＳ１、抵抗体素地シートＲＳ、導電性シートＥＳ２、抵抗体素地シートＲＳ、導電性シートＥＳ１、抵抗体素地シートＲＳ、絶縁体素地シートＩＳの順に積層される。
【００３１】
次に、積層体Ｌを結晶性高分子樹脂の軟化点より低い第１の温度で加熱し且つ第１の圧力にて加圧して熱圧着する（ステップＳ１１５：第１の熱圧着工程）。第１の温度は、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜６０℃低い温度であることが好ましい。第１の圧力は、２０〜２００ＭＰａの圧力であることが好ましい。ポリフッ化ビニリデンの軟化点は、一般に１２０〜１６０℃である。本実施形態で用いるポリフッ化ビニリデンの軟化点は１２６℃であることから、本実施形態では、積層体Ｌを８０℃で加圧し且つ４０ＭＰａの圧力で１５分間にわたり加圧して熱圧着する。
【００３２】
次に、熱圧着された積層体Ｌを結晶性高分子樹脂の軟化点より高い第２の温度で加熱し且つ第１の圧力よりも低い第２の圧力にて加圧して熱圧着する（ステップＳ１１７：第２の熱圧着工程）。第２の温度は、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜１００℃高い温度であることが好ましい。第２の圧力は、０ＭＰａより大きく且つ１０ＭＰａ以下の圧力であることが好ましい。本実施形態で用いるポリフッ化ビニリデンの軟化点は１２６℃であることから、本実施形態では、積層体Ｌを１５０℃で加圧し且つ５ＭＰａの圧力で１時間にわたり加圧して熱圧着する。
【００３３】
次に、熱圧着した積層体Ｌを、図６に示されるように、切断予定位置Ｃ及び当該切断予定位置Ｃに直交する切断予定位置（図示せず）で切断する（ステップＳ１１９）。これにより、チップ状に切断された素子１０が得られることとなる。抵抗体素地シートＲＳにより、抵抗体層１１が構成されることとなる。導電性シートＥＳ１，ＥＳ２により、内部電極１３，１５が構成されることとなる。絶縁体素地シートＩＳにより、絶縁体層１７が形成されることとなる。積層体Ｌの切断は、積層体Ｌを所定の温度に加熱した状態（例えば、９０℃程度で加熱した状態）で、所定の温度（例えば、１２０℃程度）に加熱したカッターで押し切りすることにより行う。切断して得られた素子１０同士が再付着している場合は、互いに再付着した素子１０同士を分離する工程を追加してもよい。
【００３４】
次に、得られた素子１０をバレル研磨する（ステップＳ１２１）。これにより、素子１０の角部が丸められることとなる。湿式のバレル研磨法を用いた場合には、素子１０を乾燥させる工程を追加してもよい。素子１０の乾燥プロセスとしては、例えば吸引乾燥を用いる。
【００３５】
次に、図７に示されるように、素子１０の側面に絶縁体層１９を形成する（ステップＳ１２３）。本実施形態において、積層体Ｌから切断された素子１０では、外部電極２１，２３を形成する側面１０ａ，１０ｂ以外の側面にも内部電極１３，１５が露出しているので、側面１０ａ，１０ｂ以外の側面に絶縁体層１９を形成する必要がある。絶縁体層１９の材料として、電気絶縁性を有する樹脂（例えば、レジスト樹脂等）が挙げられる。
【００３６】
次に、素子１０に外部電極２１，２３を形成する（ステップＳ１２５）。これにより、図１に示されたＰＴＣサーミスタ１が得られることとなる。外部電極２１，２３は、素子１０の側面１０ａ，１０ｂに銀を主成分とする電極ペーストを転写した後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっき材料には、例えばＮｉとＳｎ等を用いる。
【００３７】
以上のように、本実施形態では、抵抗体素地シートＲＳと導電性シートＥＳ１，ＥＳ２とを含む積層体Ｌは、第１の熱圧着工程において、結晶性高分子樹脂の軟化点より低い第１の温度で加熱され且つ第１の圧力にて加圧されて熱圧着される。これにより、積層体Ｌ内に存在する空気が当該積層体Ｌから追い出されることとなる。そして、第２の熱圧着工程において、第１の熱圧着工程にて熱圧着された積層体Ｌが結晶性高分子樹脂の軟化点より高い第２の温度で加圧され且つ第１の圧力よりも低い第２の圧力にて加圧されて熱圧着される。これにより、抵抗体素地シートＲＳと導電性シートＥＳ１，ＥＳ２とが十分に熱圧着され、抵抗体素地シートＲＳと導電性シートＥＳ１，ＥＳ２とが剥離するのを防ぐことができる。したがって、積層体Ｌ内に存在する空気が当該積層体Ｌから追い出されているので、ＰＴＣサーミスタ１がリフロー工程等により高温に晒された場合でも、ボイドの発生を抑制して、特性のばらつきを低減することができる。
【００３８】
抵抗体素地シートＲＳを、結晶性高分子樹脂及び導電性粒子に溶剤を加えて混合して得られたスラリーをシート状に成形した後に乾燥させる方法（以下、必要に応じて「湿式法」という。）により得る場合、溶剤の蒸発により抵抗体素地シートＲＳに無数のポアが存在することとなる。したがって、湿式法にて得られた抵抗体素地シートＲＳを用いて積層体Ｌを形成する場合、上記ポアに空気が残ることから、比較的大きなボイドが発生し易くなる。しかしながら、本実施形態では、上述したように第１の熱圧着工程にてポアに残っている空気が追い出されるので、湿式法にて得られた抵抗体素地シートＲＳを用いる場合でも、ボイドの発生を確実に抑制することができる。
【００３９】
本実施形態において、第１の温度は、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜６０℃低い温度である。第１の温度が、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０℃低い温度より高い場合には、抵抗体素地シートＲＳと導電性シートＥＳ１，ＥＳ２との熱圧着が実質的に進んでおり、空気が追い出し難くなる。第１の温度が、結晶性高分子樹脂の軟化点より６０℃低い温度より低い場合には、結晶性高分子樹脂が適度に軟化せず、空気が追い出し難くなる。したがって、第１の温度を結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜６０℃低い温度とすることにより、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００４０】
本実施形態において、第２の温度は、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜１００℃高い温度である。第２の温度が、結晶性高分子樹脂の軟化点より２０℃高い温度よりも低い場合には、抵抗体素地シートＲＳと導電性シートＥＳ１，ＥＳ２とを確実に熱圧着できなくなる懼れがある。第２の温度が、結晶性高分子樹脂の軟化点より１００℃高い温度よりも高い場合には、結晶性高分子樹脂が軟化し過ぎて、十分に加圧することができず、抵抗体素地シートＲＳと導電性シートＥＳ１，ＥＳ２とを確実に熱圧着できなくなる懼れがある。したがって、第２の温度を結晶性高分子樹脂の軟化点より２０〜１００℃高い温度とすることにより、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００４１】
本実施形態において、第１の圧力は、２０〜２００ＭＰａの圧力である。第１の圧力が、２０ＭＰａよりも低い場合、空気を十分に追い出せない懼れがある。第１の圧力が、２００ＭＰａよりも高い場合、抵抗体素地シートＲＳ内で導電性粒子が移動してしまうため、室温下での電気抵抗値が大きくなる懼れがある。したがって、第１の圧力を２０〜２００ＭＰａの圧力とすることにより、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００４２】
本実施形態において、第２の圧力は、１０ＭＰａ以下の圧力である。第２の圧力が、１０ＭＰａ以下の圧力よりも高い場合、積層体Ｌに歪が生じ、当該積層体Ｌから得られたＰＴＣサーミスタ１の電気抵抗値にバラツキが生じる懼れがある。したがって、第２の圧力を１０ＭＰａ以下の圧力とすることにより、上述したような効果を一層発揮することができる。
【００４３】
湿式法では、室温付近にて結晶性高分子樹脂が溶剤に溶解するので、これらを加熱する必要はない。したがって、導電性粒子が酸化しにくく、ＰＴＣサーミスタ１の特性の変化が抑制されることとなる。
【００４４】
ところで、本発明者等が抵抗体素地シートと導電性シートとの接着面の剥離強度を測定した。本実施形態に基づいて熱圧着した抵抗体素地シートと導電性シートとの接着面の剥離強度は１．９５Ｎであり、抵抗体素地シートと導電性シートとの界面で剥離は生じず、端部で折れるようにして破断した。これに対して、結晶性高分子樹脂の軟化点未満の温度で熱圧着とした抵抗体素地シートと導電性シートとの接着面の剥離強度は、０．９７Ｎであり、抵抗体素地シートと導電性シートとの界面で剥離が生じた。この測定結果から、本実施形態により抵抗体素地シートと導電性シートとが十分に熱圧着されることが確認された。
【００４５】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、抵抗体素地シートＲＳ（抵抗体層１１）と導電性シートＥＳ１，ＥＳ２（内部電極１３，１５）との積層数、積層状態等は、上述した実施形態に限られるものではない。導電性シートＥＳ１，ＥＳ２（内部電極１３，１５）間に複数の抵抗体素地シートＲＳ（抵抗体層１１）を積層してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの断面構成を示す図である。
【図２】本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するためのフロー図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するための図である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するための図である。
【図５】本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するための図である。
【図６】本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するための図である。
【図７】本実施形態に係るＰＴＣサーミスタの製造過程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
１…ＰＴＣサーミスタ、１０…素子、１１…抵抗体層、１３，１５…内部電極、２１，２３…外部電極、Ｂ１〜Ｂ３…基体、Ｃ…切断予定位置、ＥＳ１，ＥＳ２…導電性シート、ＩＳ…絶縁体素地シート、Ｌ…積層体、Ｍ１〜Ｍ３…膜、ＲＳ…抵抗体素地シート、Ｓ１１３…積層工程、Ｓ１１５…第１の熱圧着工程、Ｓ１１７…第２の熱圧着工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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