(57)【要約】【課題】投影光学系の汚染を回避することの可能なリソグラフィシステムおよびリソグラフィ製造方法を提供する。【解決手段】リソグラフィ装置は放射線ビームのその断面にパターンを与えてパターン化放射線ビームを形成することの可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持を備える。投影システムは基板の目標部分にパターン化放射線ビームを投影するように構成されている。第一真空環境には該投影システムを、第二真空環境には該パターニングデバイス支持を含み、セパレータが第一真空環境と第二真空環境とを分ける。該セパレータは第一真空環境からパターニングデバイスに、かつ／またはこれと逆に投影ビームを通過させる開口を有する。パターニングデバイスはセパレータの開口をほぼシールするシールの少なくとも部分を形成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線ビームのその断面にパターンを与えてパターン化放射線ビームを形成することの可能なパターニングデバイスを支持するように構成された支持と、基板の目標部分にパターン化放射線ビームを投影するように構成された投影システムと、該投影システムを含んだ第一真空環境と、該パターニングデバイス支持を含んだ第二真空環境と、第一真空環境と第二真空環境とを分けるセパレータとから成るリソグラフィ装置であって、該セパレータは第一真空環境からパターニングデバイスに、かつ／またはこれと逆に投影ビームを通過させる開口を有しており、ここで該パターニングデバイスはセパレータの開口をほぼシールするシールの少なくとも部分を形成することを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２】
支持はセパレータから特定の少しの距離をあけてパターニングデバイスを支持し、セパレータの上記の開口をシールするように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
支持はシールの少なくとも部分を形成し、セパレータの開口をシールすることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
支持は、セパレータのシーリング部分から特定の少しの距離をあけて配置されるシーリング部分を有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
上記の投影ビームの寸法をコントロールするブレードが、上記のパターニングデバイスとセパレータの開口間に少なくとも部分的に伸長しており、該ブレードは、シーリングの少なくとも部分を提供して、セパレータの開口をほぼシールすることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
上記の少なくとも１つのブレードは、セパレータのシーリング部分から少しの距離をあけて配置され、セパレータの開口を少なくとも部分的にシールすることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
少なくとも１つの上記のブレードは、パターニングデバイスおよび／または支持から少しの距離をあけて配置されて、セパレータの開口を少なくとも部分的にシールすることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
少なくとも１つの小さなギャップが上記のパターニングデバイスと上記のセパレータ間にまたがり、該ギャップのサイズはギャップの外側からの水および／または炭化水素のガスコンダクタンスを制限し得るほど小さいものであり、また、セパレータの開口につながるギャップ内側方向に、該ギャップの該外側は第二真空環境につながることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
上記のパターニングデバイスおよび上記のセパレータは協働して上記セパレータの上記開口をほぼシールするように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
上記の支持と上記のセパレータは協働して上記セパレータの上記開口をほぼシールするように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
パターニングデバイスを特定方向に比較的長い距離を移動させるように配置されたレチクルステージアクチュエーションモジュールはほぼ上記の第二真空環境に配置されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
上記のシールは、第二真空環境から第一真空環境へのコンダクタンスが約１００Ｌ／ｓよりも低くなるように配置され、ここで該コンダクタンスは水および／または炭化水素のコンダクタンスであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
上記のシールは、第二真空環境から第一真空環境へのコンダクタンスが約２０Ｌ／ｓよりも低くなるように配置され、ここで該コンダクタンスは水および／または炭化水素のコンダクタンスであることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
使用中、上記シールの少なくとも部分はセパレータに対し移動することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
少しの距離は１ｍｍ未満であることを特徴とする請求項２、４、６、または７,に記載の装置。
【請求項１６】
第二真空環境における水蒸気の部分圧は約１０−５ｍｂａｒ、もしくはこれ以下であり、かつ／または第二真空環境における炭化水素の部分圧が約１０−７ｍｂａｒ、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
第二真空環境の総圧力は約１０−２ｍｂａｒ、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
第一真空環境の総圧力は第二真空環境の総圧力とほぼ同じであり、該総圧力は好ましくは約１０−２ｍｂａｒ、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
第一真空環境１における水蒸気の部分圧は約１０−７ｍｂａｒ、もしくはこれ以下であって、かつ／または第一真空環境における炭化水素の部分圧は約１０−９ｍｂａｒ、もしくはこれ以下であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
第一真空チャンバと、セパレータにより第一真空チャンバと分離した第二真空チャンバとを配備するリソグラフィ装置において、第一真空チャンバは基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影する投影システムを含み、第二真空チャンバは投影システムの視野内でパターニングデバイスを支持および移動させる支持を含むことを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項２１】
第一真空チャンバと第二真空チャンバに伸長した、放射線の投影ビームを伝達するための開口をさらに有し、ここで該開口はパターニングデバイスと平行に伸長した１つ以上の小さなギャップによって第二真空チャンバからシールされることを特徴とする請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
第一真空チャンバと、第二真空チャンバと、そして、第一真空チャンバと第二真空チャンバ間にてパターニングデバイスの視野内に伸長した開口をほぼシールする移動シールとを備えた、パターニングデバイスからのパターンを基板に投影するように配置されたリソグラフィ投影装置。
【請求項２３】
投影システムを含んだ第一真空環境は特定の第一圧力に保持され、パターニングデバイスの支持を行う支持を含んだ第二真空環境は特定の第二圧力に保持され、ここで該パターニングデバイスは第一真空環境と第二真空環境に伸長する開口の近くで少なくとも部分的に保持され、その開口をシールすることを特徴とする、基板に放射線のパターン化ビームを投影することを含むデバイス製造方法。
【請求項２４】
パターニングデバイスにより放射線のビームをパターン化し、そして、放射線のパターン化されたビームを投影システムにより基板に投影することから成るデバイス製造方法において、投影システムを含んだ第一真空チャンバはパターニングデバイスの支持を含んだ第二真空チャンバとは離されており、また、放射線ビームは少なくとも１つの開口を通って第一真空チャンバからパターニングデバイスに、そしてパターニングデバイスから第一真空チャンバに送られ、また、少なくとも１つの開口がシールによってほぼシールされることを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項２５】
パターニングデバイスにより放射線ビームをパターン化し、そして投影システムにより基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影することから成る、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法において、該投影システムの少なくとも部分を含む該装置の第一部分は第一真空環境に配置され、また、該装置の第二部分は第二真空環境に配置され、そしてパターニングデバイス表面の少なくとも部分は、第一真空環境と第二真空環境間に伸長する開口をシールするのに用いられることを特徴とする、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項２６】
請求項２７の方法に従って製造されるデバイス。
【請求項２７】
上記投影システムの少なくとも部分を含む該装置の第一部分は第一真空環境に配置され、該装置の第二部分は第二真空環境に配置され、また、パターニングデバイス表面の少なくとも部分は、第一真空環境と第二真空環境間に伸長する開口をシールするのに用いられ、この時、プロセッサによる実行時に、パターニングデバイスによる放射線ビームのパターン形成と、投影システムによる基板の目標部分へのパターン化ビームの投影とを可能にするプログラムインストラクションのシーケンスにより符号化されるコンピュータ読取り可能媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はリソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は基板に、通常は基板の目標部分に、所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この例において、マスクあるいはレチクルにも相当するパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用される。そして、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つまたは複数のダイの部分から成る）にこのパターンを転写することが可能である。パターン転写は一般的に基板上に設けられた放射線感光材料（レジスト）の層に結像することでなされる。一般的に、シングル基板は、順次パターン化される近接目標部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置には、全体パターンを目標部分に１回の作動にて露光することにより各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向（「スキャニング」方向）にパターンを投影ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行にスキャニングすることにより各目標部分が照射される、いわゆるスキャナーとが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板への転写もまた可能である。
【０００３】
米国特許番号第６，３３３，７７５号において、レチクルの粒子汚染、および光学表面の炭素汚染をコントロールする複数の圧力ゾーンを有するリソグラフィ装置についての記載がなされており、詳細は当該文献を参照されたい。既知のシステムにおいては異なる圧力に維持される様々なコンパートメントを含む真空装置を備える。コンパートメントの１つにレチクルステージが入ったレチクルゾーンがある。レチクルゾーンの下に投影光学装置の入った光学系ゾーンが配備される。そしてレチクル計測トレイがレチクルゾーンと光学系ゾーンとを分けている。レチクルゾーンは約１００ｍＴｏｒｒ未満の真空圧力、好ましくは約３０ｍＴｏｒｒの真空圧力に維持される。光学系ゾーンは約５ｍＴｏｒｒ未満の真空圧力に維持される。シールアセンブリはレチクル計測トレイの外周におけるガス制限シールを可能にする。レチクル計測トレイの中心には開口が設けられており、それを通って光ビームが出入射する。使用中、この開口を通り約２００Ｌ／ｓ（毎秒当たりのリットル）のガスがレチクルゾーンから光学系ゾーンに流れる。
【０００４】
既知の装置において、レチクルステージはレチクルゾーンに保持され、部分的に投影光学系から離される。ゆえに、同一真空環境にレチクルステージおよび投影光学系が配置された装置と比較し、比較的少数の構成要素を含む光学系ゾーンの容積は比較的小さい。従って光学系ゾーンを比較的早く所望の真空レベルにポンプダウンすることが可能である。
【０００５】
既知のリソグラフィ装置の欠点は、比較的多量の汚染が依然該開口を通りレチクルゾーンから光学系ゾーンに達し得ることである。例えば、微粒子、炭化水素および／または水といったような汚染は光学系のオペレーションを妨げ、それ自体光学系を悪化させる。それによりそれぞれのデバイス製造方法を妨害し、その製造方法によって製造されるデバイスを比較的高価なものにし、かつ／もしくはその品質を低下させる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の態様において、投影光学系の汚染を回避し得るリソグラフィシステムを提供する。
【０００７】
本発明の態様において、投影光学系の汚染を回避し得るリソグラフィ製造方法を提供する。
【０００８】
本発明の態様において、リソグラフィ装置によって、および／あるいはリソグラフィ製造方法によって製造される、比較的安価かつ／あるいは高品質なデバイスを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様に基づき、リソグラフィ装置はパターニングデバイスを支持するように構成された支持を配備する。該パターニングデバイスは、放射線ビームのその断面にパターンを与え、パターン化放射線ビームを形成する。該装置はまた、基板の目標部分にパターン化放射線ビームを投影するように構成された投影システムと、投影システムを含んだ第一真空環境と、パターニングデバイス支持を含んだ第二真空環境と、そして、第一真空環境と第二真空環境とを分けるセパレータを含む。セパレータは、第一真空環境からパターニングデバイスに、そして／またはこれとは逆に、投影ビームを通過させる開口を有する。パターニングデバイスは、セパレータの開口をほぼシールするシールの少なくとも部分を形成する。
【００１０】
ゆえに投影システムの汚染は比較的良好に回避され、システムのダウンタイムの低減、光学系のライフタイムの向上、装置性能の向上、および上に記載の装置により製造されるデバイスの改善を可能にする。少なくとも、レチクルはセパレータの投影ビーム開口のシーリングに使用され、それによって第一真空環境の汚染を著しく減じる。特に、このようにして第一真空環境における水および炭化水素のレベルを比較的低くすることができ、それによって投影システムの汚染を回避する。
【００１１】
本発明の態様に基づき、第一真空チャンバと、第一真空チャンバとは分離した第二真空チャンバとを配備するリソグラフィ装置を提供する。第一真空チャンバは、基板の目標部分にパターン化されたビームを投影する投影システムを含む。第二真空チャンバは投影システムの視野内でパターニングデバイスを支持および移動する支持を含む。
【００１２】
本発明の態様に基づき、デバイスの製造における上に記載の装置の使用法を提供する。
【００１３】
本発明の態様に基づき、デバイスの製造における上に記載の装置の使用法を提供し、ここでパターニングデバイスは少なくとも第一位置と第二位置間を走査され、放射線ビームにパターンを与える。
【００１４】
本発明の態様に基づき、基板に放射線のパターン化ビームを投影することを含むデバイス製造方法が提供される。投影システムを含んだ第一真空環境は特定の第一圧力に保たれる。パターニングデバイスの支持を行う支持を含んだ第二真空環境は特定の第二圧力に保たれる。パターニングデバイスは、第一真空環境と第二真空環境に伸長する開口の近くで少なくとも部分的に保持され、その開口をシールする。これもまた上述の長所を導くものである。
【００１５】
本発明の態様に基づき、デバイス製造方法が提供される。該方法は、パターニングデバイスにより放射線のビームをパターン化し、そして、放射線のパターン化されたビームを投影システムにより基板に投影することを含む。投影システムを含んだ第一真空チャンバは、パターニングデバイスの支持を含んだ第二真空チャンバと離される。放射線ビームは少なくとも１つの開口を通って第一真空チャンバからパターニングデバイスに、そしてパターニングデバイスから第一真空チャンバに送られる。そして少なくとも１つの開口がシールによってほぼシールされる。
【００１６】
本発明の態様に基づき、デバイス製造方法において、投影システムを含んだ第一真空チャンバは、パターニングデバイスの支持を含んだ第二真空チャンバと離される。投影ビームは少なくとも１つの開口を通り、第一真空チャンバからパターニングデバイスに、そしてパターニングデバイスから第一真空チャンバに送られて、投影システムにより基板に投影される。
【００１７】
本発明の態様に基づき、リソグラフィ装置を用いるデバイス製造方法は、パターニングデバイスにより放射線ビームをパターン化し、そして投影システムにより基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影することを含む。少なくとも投影システムの部分を含む該装置の第一部分は第一真空環境に配置される。装置の第二部分は第二真空環境に配置され、パターニングデバイス表面の少なくとも部分は第一真空環境と第二真空環境に伸長する開口をシールするのに用いられる。
【００１８】
本発明の態様に基づき、デバイス製造方法には、基板を提供し、照明システムを用いて放射線の投影ビームを供給し、パターニングデバイスを用いて投影ビームのその断面にパターンを与え、基板の目標部分に放射線のパターン化ビームを投影することを含む。投影システムの部分を含んだ該装置の少なくとも第一部分は第一真空環境に配置される。該装置の少なくとも第二部分は第二真空環境に配置される。パターニングデバイス表面の少なくとも部分は、第一真空環境と第二真空環境に伸長する開口をシールするのに用いられる。
【００１９】
本発明の態様に基づき、上記の装置および／または上記の方法を用いて製造されたデバイスを提供する。
【００２０】
本発明の態様に基づき、デバイス製造方法の実行のためにリソグラフィ装置を制御するように配置された、コンピュータ、コンピュータプログラム、および／またはコンピュータプログラム製品が提供される。
【００２１】
本発明の態様に基づき、コンピュータ読取り可能媒体が提供される。該媒体は、プロセッサによる実行時に、パターニングデバイスによる放射線ビームのパターン形成と、投影システムによる基板の目標部分へのパターン化ビームの投影とをリソグラフィ装置にさせることの可能な、プログラムインストラクションのシーケンスにより符号化される。投影システムの少なくとも部分を含む該装置の第一部分は第一真空環境に配置される。装置の第二部分は第二真空環境に配置され、パターニングデバイス表面の少なくとも部分は第一真空環境と第二真空環境に伸長する開口をシールするのに用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。本装置は、放射線ビームＢ（例えばＵＶ放射線あるいはＤＵＶ放射線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一ポジショナＰＭに連結を行った支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジスト塗布ウェハ）を保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確に基板の位置決めを行うように構成された第二ポジショナＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡにより投影ビームＢに与えられたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＳとにより構成される。
【００２３】
照明システムには、放射線の誘導、成形、あるいは調整を行う、屈折、反射、磁気、電磁、静電、また他のタイプの光学部品、もしくはこれらの組み合わせといったような様々なタイプの光学部品が含まれる。
【００２４】
支持構造はパターニングデバイスを支持する（すなわちパターニングデバイスの重量を支える）。支持構造は、パターニングデバイスの位置、リソグラフィ装置の設計、かつ、例えば、パターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かといったような他の条件に基づく方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造には、パターニングデバイスを保持する目的に、機械、真空、静電、または他のクランプ技術が使用され得る。支持構造は、例えば、その要求に応じて、固定されるか、あるいは可動式であるフレームもしくはテーブルであろう。支持構造はパターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に配置可能にする。本明細書において使用する「レチクル」あるいは「マスク」なる用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなされる。
【００２５】
本文において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを作り出すべく、投影ビームの断面にパターンを与えるために使用可能なデバイスに相当するものとして広義に解釈されるべきである。投影ビームに与えられたパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいは所謂アシストフィーチャを含む場合、基板の目標部分における所望のパターンとは必ずしも完全には一致しないことを注記する。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路といったような、目標部分に作り出されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００２６】
パターニングデバイスは透過型か反射型である。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラム可能ミラーアレイ、およびプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラム可能ミラーアレイの例では、入射の放射線ビームを異なる方向に反射させるよう、小さなミラーのマトリクス配列を用い、その各々は個々に傾けられている。傾向ミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射線ビームにパターンを与える。
【００２７】
本文に使用する「投影システム」なる用語は、使用される露光放射線に適した、もしくは浸液の使用または真空の使用といったような他のファクタに適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、あるいはこれらの組み合わせを含めた様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本文において「投影レンズ」なる用語がどのように使用されていても、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされる。
【００２８】
ここで示しているように、この装置は反射タイプ（例えば反射マスクを使用する）である。あるいは、該装置は透過タイプの（例えば透過マスクを使用する）ものも可能である。
【００２９】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）の基板テーブル、あるいはこれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」マシンにおいて追加のテーブルが並行して使用され得る。もしくは、１つ以上のテーブルが露光に使用されている間、予備工程が他の１つ以上のテーブルで実行され得る。
【００３０】
リソグラフィ装置もまた、投影システムと基板間のスペースを充填するよう、例えば水といったような比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも部分が覆われるタイプのものである。浸液は、例えばマスクと投影システム間といった、リソグラフィ装置の他のスペースにも用いられる。液浸技術は投影システムの開口数を増す目的に従来技術において周知のものである。本文において使用する「液浸」なる用語は、基板のような構造を液体に沈下させねばならないことを意味するのでなく、露光中、投影システムと基板間に液体が配置されていることのみを意味する。
【００３１】
図1を参照に説明すると、照明装置ＩＬは放射線源ＳＯから放射線のビームを受け取る。この放射線源とリソグラフィ装置は、例えばソースがエキシマレーザである場合、別々の構成要素である。こうしたケースでは、放射線源がリソグラフィ装置の一部を構成するとはみなされず、放射線ビームは、例えば適した誘導ミラーかつ／またはビームエキスパンダを備えるビーム配給システムＢＤにより、放射線源ＳＯから照明装置ＩＬに進む。別のケースにおいては、例えば放射線源が水銀ランプである場合、放射線源はリソグラフィ装置に統合された部分である。放射線源ＳＯおよび照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム配給システムＢＤと共に、放射線システムとみなされる。
【００３２】
照明装置ＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調整する調整装置ＡＤを備える。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の少なくとも外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒに相当する）が調整可能である。さらに、照明装置ＩＬは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するよう、投影ビームを調整するために使用可能である。
【００３３】
投影ビームＢは支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射線ビームＢはマスクＭＡを横断して基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせる投影システムＰＳを通過する。第二位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば干渉計、リニアエンコーダ、あるいは容量センサ）により、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一ポジショナＰＭおよび他の位置センサＩＦ１は、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用され得る。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、位置決め手段ＰＭの部分を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールにて行われる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結されるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされる。図示のような基板アライメントマークが専用目標部分を占めるが、これらは目標部分間のスペースに配置されても良い（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている）。同様に、１つ以上のダイがマスクＭＡに配備される状況において、マスクアライメントマークはダイ間に配置される。
【００３４】
本記載の装置は次のモードにおける少なくとも１つのモードにおいて使用され得る。
【００３５】
１．ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に維持されており、投影ビームに与えられた全体パターンが１回の作動（すなわちシングル静的露光）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光可能となる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル静的露光にて結像される目標部分Ｃのサイズが制限される。
【００３６】
２．スキャンモードにおいて、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同時走査される（すなわちシングル動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性により判断される。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル動的露光における目標部分の幅（非走査方向における）が制限される。一方、走査動作長が目標部分の高さ（走査方向における）を決定する。
【００３７】
３．他のモードにおいて、マスクテーブルＭＴは、プログラム可能パターニング手段を保持し、基本的に静止状態が維持される。そして、基板テーブルＷＴは、放射線ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、移動あるいは走査される。このモードにおいては、一般にパルス放射線ソースが用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各運動後、もしくは走査中の連続的放射線パルスの間に、要求に応じて更新される。この稼動モードは、上述のようなタイプのプログラム可能ミラーアレイといった、プログラム可能パターニング手段を使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００３８】
上に述べた使用モードを組み合わせたもの、かつ／または変更を加えたもの、あるいはそれとは全く異なる使用モードもまた使用可能である。
【００３９】
図２は、レチクルゾーン１０２、投影光学系ゾーン１０１、およびウェハゾーン１９９を含むリソグラフィ装置を図示したものである。
【００４０】
光学系ゾーン１０１は照明装置ＩＬとさらに投影光学システムＰＳを含む。ウェハゾーン１９９はウェハステージＷＳと、ウェハＷを搬送するウェハハンドラＷＨを含む。
【００４１】
レチクルゾーン１０２は、レチクルハンドラＲＨ、レチクル支持構造ＭＴ、レチクルステージアクチュエータモジュールＭＴ−ＡＣＴ、ＲＥＭＡブレードＲＥＢ、およびレチクルステージ測定フレームＲＳ−ＭＦを含む。レチクルステージショートストロークモジュールおよびロングストロークモジュールの両方を備えた第一位置決め装置ＰＭは、例えば、レチクル支持構造ＭＴとレチクルアクチュエータモジュールＭＴ−ＡＣＴとの統合部分である。レチクルハンドラＲＨは装置に、かつ装置よりレチクルＭＡを搬送する役割を有する。また、レチクルステージ計測システムの位置決めセンサＩＦ１がレチクルゾーン１０２に配設されている。
【００４２】
レチクル支持構造は、光学系ゾーン１０１に配置された光学系に対し、Ｙ方向に少なくとも所望する距離だけレチクルＭＡを走査するように配置されている。ここでマスクテーブルＭＴの動作は第一位置決め装置ＰＭのロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）により成される。ロングストロークモジュールはＹ方向のみの動作が可能であるに対し、ショートストロークモジュールは６自由度の位置決めが可能である。
【００４３】
ＲＥＭＡブレードであるＲＥＢは露光寸法のサイズの幅を制限する役割を有する。このようなブレードＲＥＢの構成および機能は一般的にリソグラフィの分野において公知である。
【００４４】
所望の場合、追加および／または他の光学機能をレチクルＭＡおよび投影光学系ＰＳ間に配備することが可能である。
【００４５】
レチクルゾーン１０２内にＲＥＭＡブレードアクチュエーションモジュールＲＥ−ＡＣＴが配備される。このアクチュエーションモジュールはＲＥＭＡブレードＲＥＢの位置を調節する役割を有し、露光フィールドの所望の走査スリットを可能にする。
【００４６】
レチクルステージ計測フレームＲＳ−ＭＦもまたレチクルゾーン１０２内に配置される。図２に示すように、この計測フレームＲＳ−ＭＦは、照明装置ＩＬからレチクルＭＡに、また、レチクルＭＡから投影システムＰＳに投影ビームＰＢを通過させるように配置される。
【００４７】
図２において薄い影で示しているように、レチクルゾーン１０２と光学系ゾーン１０１は同一真空環境にあって、使用中は比較的低圧力にある。またレチクルゾーン１０２と光学系ゾーン１０１の両方はほぼ同一の水蒸気および炭化水素の部分圧を有する。１つ以上の真空ポンプＶ１、Ｖ２が配設されて、光学系ゾーン１０１およびレチクルゾーン１０２を特定の真空レベルに低圧化させ、この中で真空を維持する。
【００４８】
ウェハゾーン１９９は（ソースとして）、水および炭化水素について照明装置／光学系よりもより高い部分真空環境を有し、これを濃い影で示している。
【００４９】
図２の装置の機能は、図１の装置に関して上記において述べた機能とほぼ同様である。図２の装置の欠点は、レチクルゾーン１０２および光学系ゾーン１０１を含む低圧領域が比較的大きく、そのためこの領域を所望の真空レベルに低圧化するのが比較的困難であり、かつ時間のかかるものとなることである。特に、光学系ゾーン１０１から水および／または炭化水素を取り除くのに比較的大きな努力を要し、また、ポンプ容量が大きいことでレチクルゾーンコンパートメント１０２からの多量のガス放出が必要となる。
【００５０】
図３は、本発明の実施形態に従った装置を図示したものである。図４および図５はこの実施形態の部分をより詳細に示したものである。図３−図５の装置には、使用中、第一真空環境１に第一圧力を提供する第一真空チャンバ１１が設けられている。第一チャンバ１１には投影システムとさらに照明システムＩＬを含む。照明システムＩＬは放射線ビームをコンディショニングするように構成されており、投影システムはパターン化された放射線ビームを基板Ｗの目標部分に投影するように構成されている。使用中に第二圧力の第二真空環境２を有する第二真空チャンバ１２も設けられている。第二チャンバ１２は、放射線ビームのその断面にパターンを与え、パターン化放射線ビームを形成することの可能なレチクルＭＡを支持するように構成されたレチクル支持と、第一真空環境１と第二真空環境２とを分離するセパレータ構成（すなわちセパレータ）３を含む。セパレータ構成３は、第一真空環境１からパターニングデバイスＭＡに、またこれとは逆に投影ビームＰＢを通過させる投影ビーム開口４を有する。
【００５１】
図３において、参照符号ＰＳは投影システムの位置を示している。セパレータ構成３はさまざまな方法により配置かつ形成され得る。本実施形態において、レチクル計測フレームＲＳ−ＭＦはセパレータ構成３の少なくとも部分を提供するように配置されている。
【００５２】
図１の装置と同様に、図３−図５の本実施形態はさらに基板ホルダＷＨと、基板Ｗを保持するように構成された、ウェハステージＷＳにおける基板テーブルを配備する。該装置は、リソグラフィ装置を制御するように配置された、コンピュータ、コンピュータプログラム、あるいはコンピュータプログラム製品もまた配備する。このようなコントローラを図において参照符号ＣＯＮを箱で囲んで示している。
【００５３】
図４および図５に示すように、第一真空環境１の第一圧力を実現するため、１つ以上の第一真空ポンプＶ１が配設されている。また、第二真空環境２の第二圧力を実現するため、１つ以上の第二真空ポンプＶ２が配設されている。こうした真空ポンプＶ１、Ｖ２は当業者において周知であり、様々な方法にて装置に連結が可能である。プロセッサによる実行時、真空ポンプＶ１を有する第一真空環境１、および真空ポンプＶ２を有する第二真空環境２の真空をコントロールすることの可能なプログラムインストラクションのシーケンスにより符号化されたコンピュータ読取り可能媒体がコントローラＣＯＮに配備される。
【００５４】
図４および図５はレチクルＭＡの２つの異なる位置をそれぞれ示したものである。レチクル支持ＭＴは、Ｙ方向に少なくとも特定の距離だけパターニングデバイスＭＡを移動させるように配置されている。この目的に、レチクル支持ＭＴは第一位置決め装置ＰＭによりある距離を移動可能である。この距離は、特にレチクルＭＡのサイズによって、例えば０．０−０．４ｍの範囲である。図３−図７から分かるように、レチクル支持ＭＴは、使用中、レチクルＭＡが投影システムＰＳの投影システム視野内で走査されるようにレチクルＭＡを支持および移動するように配置される。
【００５５】
セパレータ構成３を様々な方法にて配置することが可能であり、また、例えば、真空チャンバ間に伸長する適切な隔壁等も含み得る。また、投影ビーム開口４が、セパレータ構成３を通ってレチクルＭＡの近くに伸長している。本実施形態において、この開口４は先細りの断面を有する。あるいは、装置は１つ以上の投影ビーム開口４を有する。
【００５６】
セパレータ構成３の外周は、シールアセンブリ６により装置の囲み７に対してシールされる。例えば、それぞれの箇所で第一真空環境１と第二真空環境２間のガス制限シールを可能にする、米国特許番号第６，３３３，７７５号に記載されているようなシールアセンブリと同様の、もしくは類似する様々な方法によりこれらのシールアセンブリ６を構成することが可能である。
【００５７】
本実施形態において、レチクルＭＡはシーリング構成（すなわちシール）の少なくとも部分を形成し、セパレータ構成３の投影ビーム開口４をほぼシールする。図４および図５から分かるように、各走査位置においてレチクルＭＡはシーリング構成の一部分を形成し、セパレータ構成３の投影ビーム開口４をほぼシールする。より詳細に述べると、レチクルＭＡおよびセパレータ構成３は、開口４を適切にシールするよう、特に、水および／または炭化水素汚染が第一真空環境１に伝わるのを回避するよう、もしくはこれを減じるよう、協働するように配置されている。ゆえに、レチクルＭＡは開口４をほぼシールするのに好都合に使用され、それにより第二真空環境およびレチクルＭＡの汚染を回避する。従い、比較的容易に、かつ比較的短時間に、特に水および／または炭化水素濃度に関して、第一真空環境は比較的低圧力に減圧され得る。
【００５８】
図４および図５において明確であるように、本実施形態において、レチクル支持ＭＴは、セパレータ構成３から特定の少しの距離をあけてレチクルＭＡを保持するように配置されて、セパレータ構成３の開口４をシールする。この少しの距離は、その開口をシールするため例えば約１ｍｍにすぎない。好ましくは、この距離は約０．３ｍｍ程度である。
【００５９】
さらに、レチクル支持ＭＴおよびセパレータ構成３は開口４をシールするため協働するようにも配置されている。従い、本実施形態において、レチクルＭＡの支持は、セパレータ構成３の開口４をほぼシールするシーリング構成の部分をも形成する。特に、レチクル支持構造ＭＴはセパレータ構成３のシーリング部分９の向かい側に特定の少しの距離をおいて配置されたシーリング部分８を有する。例えば、レチクル支持構造ＭＴのシーリング部分８は、横断Ｚ方向に計測して、セパレータ構成３のシーリング部分９からわずか約１ｍｍの距離をおき、セパレータ構成３の開口をシールする。シーリング部分８、９間の最少横断距離は好ましくはわずか約１ｍｍである。レチクルＭＡはレチクル支持構造ＭＴのシーリング部分８の囲いの中に保持されている。セパレータ構成３のシーリング部分９は、横断Ｚ方向に垂直であって、かつ、レチクルＭＡに平行な面である仮想Ｘ−Ｙ面において投影ビーム開口４を囲む。
【００６０】
一方側のレチクル支持構造ＭＴおよびもう一方側のレチクルＭＡと、もう一方のセパレータ構成３との間に少しの距離があるため、セパレータ構成３の投影ビーム開口４の上端部から見ると、比較的小さなスリット５が第一真空環境と第二真空環境２とを切り離している。これらの小さなスリット５はガス伝搬制限シールでもある。これらは、レチクルＭＡがレチクルステージ計測フレームＲＳ−ＭＦからの振動隔離にて保持され、それにより、第二真空環境２から第一真空環境のシーリングをレチクルＭＡがやはり補助するといった長所をもたらす。
【００６１】
実施形態において、装置はまた、投影ビームＰＢの寸法をコントロールするブレードＲＥＢを備える。図６および図７に示すように、そのようなブレードＲＥＢが、使用中、パターニングデバイスＭＡとセパレータ構成３の開口４との間に少なくとも部分的に伸長している。好ましくは、ブレードＲＥＢもまた、セパレータ構成３の開口４のシーリングの少なくとも部分を提供にすることで、これらのブレードＲＥＢも同様にシーリング部材として使用される。
【００６２】
図６および図７は、Ｘ方向およびＹ方向における投影ビームの形状をそれぞれコントロールするためにレチクルＭＡの近くに配置されたＸ−ＲＥＭＡブレードであるＲＥＢ−Ｘと、Ｙ−ＲＥＭＡブレードであるＲＥＢ−Ｙを図示したものである。本実施形態において、Ｚ方向に見て、Ｘ−ＲＥＭＡブレードのＲＥＢ−Ｘよりも、Ｙ−ＲＥＭＡブレードのＲＥＢ−Ｙの方がレチクルＭＡの近く配置されている。
【００６３】
シーリング構成を提供するため、Ｘ−ＲＥＭＡブレードのＲＥＢ−Ｘは、Ｚ方向に測って、セパレータ構成３のシーリング部分９から少しの距離１０ａをあけて配置されている。今述べた距離は、好ましくは約１ｍｍ未満であり、より好ましくは約０．３ｍｍ未満である。
【００６４】
また、Ｙ−ブレードＲＥＢ−Ｙが、レチクルＭＡおよびレチクル支持構造ＭＴのシーリング部分８から少しの距離１０ｂをあけて配置され、それぞれの箇所において、セパレータ構成３の開口４を少なくとも部分的にシールする。この今述べた距離もまた、Ｚ方向で測って、好ましくは約１ｍｍ程度であり、より好ましくはわずか約０．３ｍｍである。
【００６５】
ＸブレードとＹブレード間の最少距離１０ｃは、Ｚ方向で測って、好ましくは約１ｍｍ未満であり、より好ましくは約０．３ｍｍ未満である。
【００６６】
同一レベルにある複数のＲＥＭＡブレードは、１つの面に複数のブレードを有し、水平Ｘ−Ｙギャップを導く。
【００６７】
上記から分かるように、図３−図７に図示の実施形態の各々は、レチクルＭＡとセパレータ構成３間にまたがる１つ以上の小さなギャップ５、１０を有する。本実施形態において、レチクルＭＡの表面と、反対側のセパレータ構成と、任意のＲＥＭＡブレードＲＥＢとの間に１つ以上の小さなギャップがレチクルＭＡとほぼ平行に広がっている。好ましくは、ギャップ各々のサイズは、ギャップの外側からの水および／または炭化水素の流れを制限し得るほど小さい。セパレータ構成３の開口４につながるギャップの内側に対し、ギャップ外側は第二真空環境２につながる。このようなギャップによりレチクルステージの良好な振動分離が可能となり、かつ、特に水および／または炭化水素汚染に関し、第一真空チャンバ１１と第二真空チャンバ１２間の良好なシールも可能にする。
【００６８】
本実施形態において、レチクル支持構造ＭＴはほぼ第二真空環境２に配置される。ゆえに、レチクル支持構造ＭＴは光学系ゾーン１の外側に配置され、それにより、レチクル支持構造ＭＴから生じる汚染が投影システムＰＳに達するのを比較的良好に回避する。また、本実施形態において、レチクルステージアクチュエーションモジュールＭＴ−ＡＣＴを備えたレチクル位置決め装置ＰＭはほぼ第二真空環境２に配置される。図３に示すように、レチクルＭＡを処理するレチクル処理システムＲＨも同様に第二真空環境２に配置されることが望ましい。これは、低圧力である第一圧力に減圧させる量をさらに減じて、第一真空チャンバ１１からの、水および／または炭化水素の除去に関するポンピング時間を短縮させ、かつ／または真空レベルをより低減する。この目的において、参照符号ＩＦ１にて示されるレチクルステージ計測システムの位置決めセンサが第二真空環境２に配設される。
【００６９】
投影ビーム開口４を介した第二真空環境２から第一真空環境１へのガスコンダクタンスが約１００Ｌ／ｓよりも低くなるようにシーリング構成の配置がなされることが望ましい。例えば、投影ビーム開口４を介する上述のガスコンダクタンスが約２０Ｌ／ｓよりも低くなるように単純にシーリング構成の配置が可能である。ゆえに、第一真空環境１を所望の低圧力に維持することが可能であり、比較的汚染のない状態にすることができる。例えば、限定されない例として、シーリングギャップが高さ約１ｍｍ、長さ約２３ｍｍ、そして幅約４１６ｍｍであるとき、２２℃の水のコンダクタンスをわずか約９．３Ｌ／ｓにすることができる。
【００７０】
第一真空環境および／または第二真空環境は、第一真空環境および／第二真空環境の全圧力の主因である、例えばヘリウム、アルゴン、および／または同様のものといったような少なくとも１つの活性ガスを含む。水蒸気および炭化水素の部分圧は第一真空環境１の汚染を回避するため、総圧力よりもかなり低いことが望ましい。
【００７１】
上記から分かるように、シーリング構成により好ましくは第一真空チャンバ１２における炭化水素および水の部分圧を比較的低くする。好ましくは、第一真空環境１における水および／または炭化水素の部分圧は、第二真空環境２における水および／または炭化水素の部分圧よりも少なくとも約１００倍低い。
【００７２】
例えば、第二真空環境２における水の部分圧は、使用中において約１０−５ｍｂａｒ、あるいはこれ以下である。例えば第二真空環境２における水の部分圧は約１０−５ｍｂａｒから約１０−７ｍｂａｒの範囲である。また、第二真空環境２における炭化水素の部分圧は約１０−７ｍｂａｒ、あるいはこれ以下である。例えば第二真空環境２における炭化水素の部分圧は約１０−７ｍａｒから約１０−９ｍｂａｒの範囲である。従い、第一真空環境１における水の部分圧が約１０−７ｍｂａｒ、もしくはこれ以下であり、第一真空環境１における炭化水素の部分圧が約１０−９ｍｂａｒ、もしくはこれ以下になるようにシーリング構成の配置がなされる。
【００７３】
一実施形態において、第一真空環境１の総圧力は第二真空環境２の総圧力とほぼ同じである。従って第二真空チャンバから第一真空チャンバへの比較的高いガス流の発生を簡単な方法で回避することが可能である。例えば、第二真空環境２の総圧力は第一真空環境１の圧力の
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の範囲である。この範囲はもっと小さい場合もあり、例えば第一真空環境１の圧力の約プラスマイナス１０％である。
【００７４】
実施形態において、第一真空環境１の総圧力は第二真空環境２の総圧力よりも低い。例えば、第一真空環境１は、第二真空環境２の総圧力よりも少なくとも１．５倍低い総圧力を有し、好ましくは最少で１０倍低い総圧力を有する。このような圧力差を与えることで、第一真空チャンバ１１内の光学系の汚染はかなり回避される。このようにして第二真空チャンバ１２の真空要求およびそれぞれの真空構成はそれほど厳しいものとならない。
【００７５】
第二真空チャンバ１２におけるガスの総圧力は例えば約１０−２ｍｂａｒ、あるいはこれ以下である。さらに、第一真空チャンバ１２におけるガスの総圧力は例えば約１０−５ｍｂａｒ、あるいはこれ以下である。
【００７６】
上述の装置の構成により、該装置は投影ビーム開口４をほぼシールする可動シールを備える。ここでパターニングデバイスＭＡは単に可動シールの部分である。パターニングデバイスの支持を行う支持もまた可動シールの部分である。可動シールはセパレータ構成３に対して例えば０−４０ｃｍの範囲の距離を移動可能である。投影ビームＰＢの寸法をコントロールするコントロールブレードＲＥＢもまた投影ビーム開口４のシールの部分を形成する。
【００７７】
本発明に基づく装置の使用中、レチクルＭＡは少なくとも第一位置と第二位置間を走査され、放射線ビームＰＢにパターンを与える。特に、使用中、レチクルＭＡはセパレータ構成３の開口４に対して少なくとも第一位置と第二位置間を移動されて、レチクルＭＡ上で投影ビームを走査する。この使用法は、基板に放射線のパターン化ビームＰＢを投影することを含むデバイス製造作業も含み、よって第一真空環境１および第二真空環境２はそれぞれの圧力に保たれる。この方法において、パターニングデバイスＭＡは単純に開口４をシールするため投影ビーム開口４の近くに少しの距離をおいて保持される。好ましくは、レチクルＭＡは開口４の上端部に沿って走査されることで、走査工程の間、レチクルＭＡは開口４を常にカバーする。ここでまたレチクルＭＡはセパレータ構成３から少しの距離をおいて保持される。上述のレチクル支持により、かつ、投影ビームＰＢの寸法をコントロールする任意のコントロール部材ＲＥＢにより、使用中、投影ビーム開口４のシーリングも達せられる。特に、使用中、開口４は、レチクルＭＡと反対側のセパレータ構成と中間のコントロール部材ＲＥＢ間延在する１つ以上の小さな振動分離ギャップによりシールされる。
【００７８】
上に述べたように、第一真空チャンバおよび第二真空チャンバに多様な圧力が用いられる。投影ビーム開口４のシーリングにより、第二真空環境２からほんのわずかの（仮にあったとしても）ガス流しかこの開口に達しない。そのようなガスの流れを図４および図５において矢印ｆで示している。また、矢印ｇで示すように、振動分離シーリングアセンブリ６を通って少量のガスが流れる。このような振動分離アセンブル６を、例えばフォイル、小さなギャップおよび同等のものによりシールすることが可能である。従い、第一真空環境１および第二真空環境２は互いに比較的良好に分離される。好ましくは、この分離は、第一真空環境１における水の部分圧が約１０−７ｍｂａｒ、もしくはこれ以下で、第一真空環境１における炭化水素の部分圧が約１０−９ｍｂａｒ、もしくはこれ以下である、といったことである。第二チャンバ２におけるこれらのガスの部分圧を、第一チャンバ１における部分圧よりも例えば少なくとも約１０倍高くできることが望ましい。
【００７９】
使用中、該装置の上述の操作は、コンピュータ、コンピュータプログラム、またはコンピュータプログラム製品によって少なくとも部分的に制御される。このようなコントローラＣＯＮは、例えば、投影ビーム開口４をほぼシールするために、該開口４に対するレチクルＭＡの位置決めをコントロールするように配置される等である。
【００８０】
本発明の装置の上述の構成により、投影システムの汚染は比較的良好に回避され、それにより、システムのダウンタイムの低減、光学系のライフタイムの向上、装置性能の向上、および、それにより製造されるデバイスの改善をもたらす。例えばＥＵＶ光学機能といったような光学的機能を有しない装置部分は好ましくは投影システムの光学系から離し、第一真空環境１の外側に配置される。ゆえに、そうした装置の放出ガスが、装置の光学系に影響を与えることがなくなるか、もしくは微々たる影響を与えるのみである。また、光学系ゾーン１は、比較的早く所望の真空レベルに、かつ／またはより低い真空圧レベルに減圧され得る。
【００８１】
リソグラフィ装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、本文に記載を行うリソグラフィ装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、他の用途においても使用可能であることは理解されるべきである。こうした代替的な用途において、本文に使用する「ウェハ」、「ダイ」なる用語は、それぞれ「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語と同義とみなされることは当該技術分野の専門家にとって明らかである。本文に記載の基板は、露光の前あるいは後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、あるいは、測定および／または検査ツールにて処理される。適用可能である場合、本開示はこうした基板処理ツールもしくは他の基板処理ツールに適用されうる。さらに、例えば多層ＩＣを作り出すために基板は２回以上処理される。ゆえに、本文に使用される基板なる用語はすでに複数の処理層を含んだ基板にも当てはまる。
【００８２】
上記において、光学リソグラフィの状況における本発明の実施形態の使用について詳細なる参照説明を行ったが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィといったような他の用途においても使用可能であり、可能とされる状況は光リソグラフィに限定されるものではない。インプリントリソグラフィにおいて、パターニングデバイスにおけるトポグラフィは基板に作り出されるパターンを形成する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されるレジストの層にプレスされる。それからレジストは電磁放射線、熱、圧力、もしくはこれの組み合わせを与えることでキュアされる。レジストがキュアされた後、パターニングデバイスはレジストにパターンを残してレジストから移動される。
【００８３】
本文において使用する「放射線」および「ビーム」なる用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍ前後の波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）（例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。
【００８４】
本状況における「レンズ」なる用語は、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはこれらの組み合わせに相当する。
【００８５】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明を他の方法においても具体化できることは理解されよう。例えば、本発明は、上に記載の方法を記述する機械読取り可能インストラクションの１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、もしくは、そのようなコンピュータプログラムを格納したデータ格納媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、あるいは光ディスク）の形態をとり得る。
【００８６】
上述の詳細説明は一例であって制限を行う意図ではない。従い、本提示の請求項の範囲を逸脱することなく、本記載の発明に修正を加えることも可能であることは当業者において明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
本発明の実施例についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとする。ここで、一致する参照符合はその対応一致する部分を示すものとする。
【図１】本発明の実施形態に従うリソグラフィ装置を図示したものである。
【図２】リソグラフィ装置の圧力ゾーンの略図である。
【図３】図１のリソグラフィ装置の圧力ゾーンの略図である。
【図４】レチクルが第一走査位置にある場合の、第一真空環境の第二真空環境からのシーリングを示した、図３の実施形態に従った装置の断面図である。
【図５】レチクルが第二走査位置にある場合の、第一真空環境の第二真空環境からのシーリングを示した、図３の実施形態に従った装置の断面図である。
【図６】さらにＲＥＭＡブレードを配備したリソグラフィ装置のさらなる実施形態詳細の断面図である。
【図７】図６におけるＱの部分の詳細である。
【図８】図６におけるＲＥＭＡブレード部分の底面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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