(57)【要約】    【課題】基板に対して安定したレジストパターンを形成することができ、かつ、パーティクルが発生しにくいレジストパターン形成方法を提供すること。    【解決手段】送り台１によって基板Ｗが送り出されるとともに、第１ローラ２および第１ブランケットローラ４が回転される。また、第１レジストポット６から第１ブランケットローラ４の外周面にカラーレジスト１１が供給される。第１ローラ２には、樹脂材料が露出する親レジスト領域２２が形成されているため、第１ブランケットローラ４に供給されたカラーレジスト１１は、第１ローラ２に選択的に転移され、第１ローラ２の下方まで送り出された基板Ｗに転写される。同様にして、第２レジストポット７に溜められたカラーレジスト１２が、第２ブランケットローラ５および第２ローラ３を介して基板Ｗに転写される。これにより、基板Ｗの表面に一定の膜厚のレジストパターンが転写される。【選択図】            図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジストパターンを形成するための方法であって、
樹脂製の印刷用基材の表面に、前記基板上に形成すべきレジストパターンに対応する転写パターンを有するとともにレジストが付着し易い親レジスト領域と、この親レジスト領域を取り囲むとともに当該親レジスト領域に比較して前記レジストが付着し難い撥レジスト領域とのパターンを形成するパターン形成工程と、
前記親レジスト領域および撥レジスト領域のパターンが形成された印刷用基材の表面にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、
前記印刷用基材の表面のレジストを前記基板の表面に転写する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項２】
前記印刷用基材は、親レジスト性樹脂材料からなり、
前記パターン形成工程は、
前記印刷用基材の表面に、前記樹脂材料よりも親レジスト性の低い撥レジスト性表面層を形成するための撥レジスト処理を施す撥レジスト処理工程と、
前記撥レジスト処理が施された印刷用基材の表面に対して、前記撥レジスト性表面層を前記転写パターンに合わせて選択的に除去し、前記印刷用基材を構成する樹脂材料を前記撥レジスト性表面層から選択的に露出させることにより、前記親レジスト領域のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法。
【請求項３】
前記基板の表面に対して、前記印刷用基材の親レジスト領域よりも親レジスト性を高めるための親レジスト処理を施す親レジスト処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載のレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板上にレジストパターンを形成する方法に関する。基板としては、半導体ウエハやフラットディスプレイ用ガラス基板などが挙げられる。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハやフラットディスプレイ用ガラス基板の表面へのレジストパターンの形成は、従来から、フォトリソグラフィ工程に依存してきた。しかし、フォトリソグラフィ工程は、多数の工程を要し、所要時間が長いため生産性が悪く、また、大面積の基板上への微細パターンの形成に必ずしも適していない。そこで、下記特許文献１、２および３に見られるように、印刷技術を用いたレジストパターンの形成が検討されるようになってきている。
【特許文献１】特開平８−２３４０１３号公報
【特許文献２】特開２００１−３２６４４８号公報
【特許文献３】特開平７−２４０５２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、水無平板印刷法のような一般的な印刷技術において用いられる印刷版は、主としてアルミニウムを材料として構成されているうえ、撥油性を得るための表面処理のために、シリコーン系のコーティング剤が適用されるのが一般的である。
したがって、一般的な印刷技術をそのままレジストパターンの形成に転用すれば、アルミニウム製の印刷版が基板と接触するときに、基板を傷つけるおそれがある。さらに、アルミニウムは展性が大きいため、印刷版表面の精度にばらつきが生じやすく、レジストの塗布精度が低下しやすい。また、アルミニウムが酸化する可能があるため、アルミニウムの酸化によるレジスト形成精度の劣化やパーティクルの発生等が懸念される。むろん、アルミニウムによる基板の金属汚染の問題も避けられない。なお、パーティクルとは、微小な異物粒子のことをいい、典型的には数ナノメートルの径を有する微粒子のことを指す。
【０００４】
また、印刷版の表面には、電子バイアスの製造工程においては排除されるべきシリコーン系材料がコーティングされているため、シリコーン系材料の剥離または脱落によりパーティクルが発生したり、シリコーン汚染の問題が避けられなかったりする。また、シリコーン系材料は膜厚が数μｍ以上あり、バラツキが大きいので、レジスト膜のムラが発生しやすい。
【０００５】
この発明は、かかる背景のもとになされたもので、基板に対して安定したレジストパターンを形成することができ、かつ、パーティクルが発生しにくいレジストパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための請求項１に記載の発明は、基板（Ｗ）上にレジストパターンを形成するための方法であって、樹脂製の印刷用基材（２，３，９）の表面に、前記基板上に形成すべきレジストパターンに対応する転写パターンを有するとともにレジストが付着し易い親レジスト領域（２２，３２，９２）と、この親レジスト領域を取り囲むとともに当該親レジスト領域に比較して前記レジストが付着し難い撥レジスト領域（２１，３１，９１）とのパターンを形成するパターン形成工程と、前記親レジスト領域および撥レジスト領域のパターンが形成された印刷用基材の表面にレジストを塗布するレジスト塗布工程と、前記印刷用基材の表面のレジストを前記基板の表面に転写する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法である。
【０００７】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素などを表す。以下、この項において同じ。
この発明によれば、印刷用基材の表面に親レジスト領域と撥レジスト領域とのパターンが形成されているので、印刷用基材の表面全体にレジストを塗布すると、撥レジスト領域がレジストを反発して、親レジスト領域に選択的にレジストが付着することになる。すなわち、親レジスト領域を所望の転写パターンに形成しておけば、印刷用基材の表面全体にレジストを塗布することで、印刷用基材表面にレジストによる転写パターンが形成される。そして、そのレジストを基板の表面に転写することで、基板の表面に所望のレジストパターンを形成することができる。
【０００８】
また、印刷用基材が樹脂製であるため変形しにくく、その表面に一定の膜厚でレジストを塗布することができる。よって、基板の表面に一定の膜厚のレジストを転写することができる。また、印刷用基材が樹脂製であるため、金属汚染の問題がなく、かつ、パーティクルが発生しにくい。しかも、樹脂製の印刷用基材では、シリコーン系のコーティング剤を用いることなく撥レジスト性表面を得ることができるから、シリコーン汚染の問題を回避でき、また、シリコーンコーティングに起因するパーティクルの問題もない。
【０００９】
なお、前記基板（Ｗ）は、その表面に、レジスト塗布領域（Ｔ）を規定する畝部（Ｆ）を有するものであってもよい。前記畝部の一例は、表示装置用のカラーフィルタに設けられるブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜（たとえば、格子状のもの）である。
このようにすれば、基板の表面にレジストを転写（塗布）する際に、所定のレジスト塗布領域にレジストを確実に転写することができる。
【００１０】
また、前記印刷用基材は、板状の印刷版（９）の形態を有していてもよく、また、円筒状の印刷版（２，３）の形態を有していてもよい。また、前記印刷用基材の板厚は、機械的強度を確保するために、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍであることが好ましい。
前記印刷用基材が円筒状印刷版（２，３）の形態を有する場合には、前記レジスト塗布工程は、前記円筒状印刷版に接するブランケットローラ（４，５）の表面にレジストを塗布する工程と、前記ブランケットローラの表面から前記円筒状印刷版の表面にレジストを転写させる工程とを含むことが好ましい。
【００１１】
このようにすれば、ブランケットローラから必要なレジストのみが円筒状印刷版の表面に転写されるので、レジストの消費量を最小に抑えることができ、コストを削減することができる。また、円筒状印刷版を用いれば、装置全体のフットプリントを小さくすることができる。
また、前記基板の例としては、半導体基板（半導体ウエハ）、フラットディスプレイパネル用ガラス基板を挙げることができる。
【００１２】
また、前記レジストは、顔料を含有したカラーレジストであってもよい。
また、前記転写パターンとは、基板上に形成すべきレジストパターンの鏡像パターンである。
また、前記レジストが油系レジストである場合には、前記親レジスト領域（２２，３２，９２）は、親油性領域であり、前記撥レジスト領域（２１，３１，９１）は、前記親油性領域よりも親油性の低い撥油性領域である。
【００１３】
また、前記レジストが水系レジストまたは有機溶剤系レジストの場合には、前記親レジスト領域（２２，３２，９２）は、親水性領域であり、前記撥レジスト領域（２１，３１，９１）は、前記親水性領域よりも親水性の低い撥水性領域である。
請求項２に記載の発明は、前記印刷用基材（２，３，９）は、親レジスト性樹脂材料からなり、前記パターン形成工程は、前記印刷用基材の表面に、前記樹脂材料よりも親レジスト性の低い撥レジスト性表面層（２３，３３）を形成するための撥レジスト処理を施す撥レジスト処理工程と、前記撥レジスト処理が施された印刷用基材の表面に対して、前記撥レジスト性表面層を前記転写パターンに合わせて選択的に除去し、前記印刷用基材を構成する樹脂材料を前記撥レジスト性表面層から選択的に露出させることにより、前記親レジスト領域のパターンを形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載のレジストパターン形成方法である。
【００１４】
この発明によれば、印刷用基材は、親レジスト性樹脂材料からなるので、樹脂材料を撥レジスト性表面層から選択的に露出させることで、容易に親レジスト領域のパターンを形成することができる。そして、その親レジスト領域にレジストを付着させてレジストの転写パターンを形成することができる。
一般に、樹脂材料は、親水性および親油性を有する。そこで、油系レジストを用いるときには、印刷用基材を樹脂材料で構成するとともに、その表面に撥油処理を施し、この撥油処理によって形成された撥油性表面層を所望の転写パターンに応じて選択的に除去すればよい。また、水系または有機溶剤系レジストを用いるときには、印刷用基材を樹脂材料で構成するとともに、その表面に撥水処理を施し、この撥水処理によって形成された撥水性表面層を所望の転写パターンに応じて選択的に除去すればよい。
【００１５】
なお、親油性および親水性を有する樹脂材料としては、たとえば、ポリイミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）およびＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等のポリマーが強度面で適しており、かつ溶剤に対する濡れ性も良好である。ただし、ポリイミドは加水分解する性能があるため、洗浄や長期使用の面からはＰＥＴまたはＰＥＮが好ましい。
【００１６】
また、撥レジスト処理としては、レジストが油系レジストである場合には、印刷用基材に対してプラズマ処理またはスパッタ処理等により樹脂の終端基をフッ素基に置換するフッ化処理等の表面改質処理や、表面に撥油性を有する薄膜をコーティングする処理が挙げられる。
また、撥レジスト性表面層を除去する方法としては、たとえば、レーザーを用いた直接描画により撥レジスト性表面層を転写パターンに合わせて削ることが挙げられる。
【００１７】
このようにレーザーにより撥レジスト性表面層を除去すれば、たとえば、１０μｍ以下の分解能で撥レジスト性表面層を除去することができる。
請求項３に記載の発明は、前記基板（Ｗ）の表面に対して、前記印刷用基材（２，３，９）の親レジスト領域（２２，３２，９２）よりも親レジスト性を高めるための親レジスト処理を施す親レジスト処理工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載のレジストパターン形成方法である。
【００１８】
この発明によれば、基板の表面は、印刷用基材の親レジスト領域に比べて親レジスト性が高められるので、印刷用基材の親レジスト領域に付着したレジストを、容易に基板に転写させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態にかかるレジストパターン形成方法を説明するための図である。
レジストパターンを形成する装置には、基板Ｗを送るための送り台１と、送り台１の上方に設けられた第１ローラ２および第２ローラ３と、これらの第１ローラ２および第２ローラ３の上方にそれぞれ設けられた第１ブランケットローラ４および第２ブランケットローラ５と、これらの第１ブランケットローラ４および第２ブランケットローラ５の上方にそれぞれ設けられた第１レジストポット６および第２レジストポット７とが備えられている。
【００２０】
基板Ｗは、たとえば、半導体ウエハであって、そのレジスト転写面に遮光膜Ｆのパターンが形成されている。遮光膜Ｆは、表示装置用のカラーフィルタに設けられるブラックマトリクスと称せられる格子状の膜である。そして、この遮光膜Ｆにより、基板Ｗ上には、複数のレジスト塗布領域Ｔが区画されている。
送り台１は、水平方向に延びる部材であって、上方に載置された基板Ｗを水平方向に送り出すことができる。
【００２１】
第１ローラ２は、ポリイミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）またはＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の樹脂材料で形成される略円筒状の部材であって親油性および親水性、特に、親油性を有している。また、第１ローラ２は、送り台１による基板Ｗの送り方向と直交する方向に延びており、基板Ｗの表面と平行な軸線θ１まわりに回転可能とされている。また、第１ローラ２の外周面には、撥レジスト領域２１および親レジスト領域２２のパターンが形成されている。
【００２２】
撥レジスト領域２１は、第１ローラ２の外周面の全面に所定の方法で撥レジスト性表面層を形成し、その撥レジスト性表面層を選択的に除去することにより、第１ローラ２の外周面に残った撥レジスト性表面層の部分である。また、親レジスト領域２２は、撥レジスト性表面層が選択的に除去されることにより第１ローラ２の樹脂材料が露出した部分である。
【００２３】
第２ローラ３は、第１ローラ２と同じく、ポリイミド、ＰＥＴまたはＰＥＮ等の樹脂材料で形成される略円筒状の部材であって親油性および親水性、特に、親油性を有している。また、第２ローラ３は、送り台１による基板Ｗの送り方向と直交する方向に延びていて、第１ローラ２に対して基板Ｗの送り方向下流側に配置されており、基板Ｗの表面と平行な軸線θ２まわりに回転可能とされている。また、第２ローラ３の外周面には、撥レジスト領域３１および親レジスト領域３２のパターンが形成されている。
【００２４】
撥レジスト領域３１は、第１ローラ２の場合と同じく、第２ローラ３の外周面の全面に所定の方法で撥レジスト性表面層を形成し、その撥レジスト性表面層を選択的に除去することにより、第２ローラ３の外周面に残った撥レジスト性表面層の部分である。また、親レジスト領域３２は、撥レジスト性表面層が選択的に除去されることにより第２ローラ３の樹脂材料が露出した部分である。
【００２５】
なお、図１においては、便宜上第１ローラ２および第２ローラ３を構成する樹脂材の厚みは図示されていないが、第１ローラ２および第２ローラ３は、たとえば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍの厚みの板状樹脂材で構成されている。
第１ブランケットローラ４は、略円筒状の部材であって、第１ローラ２の親油性および親水性に比べて低い親油性および親水性（特に、親油性）を有している。また、第１ブランケットローラ４は、第１ローラ２の上方において第１ローラ２の軸方向に延びており、軸線θ１と平行な軸線θ３まわりに回転可能とされている。また、軸線θ３は、軸線θ１と同一の鉛直面上に位置している。第１ブランケットローラ４および第１ローラ２の各外周面は、極近接しており、第１ブランケットローラ４の外周面上のレジストを第１ローラ２の外周面上に転移（転写）させることができるようになっている。
【００２６】
第２ブランケットローラ５は、略円筒状の部材であって、第２ローラ３の親油性および親水性に比べて低い親油性および親水性（特に、親油性）を有している。また、第２ブランケットローラ５は、第２ローラ３の上方において第２ローラ３の軸方向に延びており、軸線θ２と平行な軸線θ４まわりに回転可能とされている。また、軸線θ４は、軸線θ２と同一の鉛直面上に位置している。第２ブランケットローラ５および第２ローラ３の各外周面は、極近接しており、第２ブランケットローラ５の外周面上のレジストを第２ローラ３の外周面上に転移させることができるようになっている。
【００２７】
第１レジストポット６には、顔料を含有した油系のカラーレジスト１１が溜められており、その下端の吐出口が、第１ブランケットローラ４の上部外周面に対向している。そして、第１ブランケットローラ４が回転するのに応じて、吐出口から第１ブランケットローラ４の外周面に一定量のカラーレジスト１１が供給される。第１ブランケットローラ４の表面は親油性であるので、第１ブランケットローラ４の外周面全体にカラーレジスト１１が塗布される。
【００２８】
第２レジストポット７にも同様に、顔料を含有した油系のカラーレジスト１２が溜められており、その下端の吐出口が、第２ブランケットローラ５の上部外周面に対向している。そして、第２ブランケットローラ５が回転するのに応じて、吐出口から第２ブランケットローラ５の外周面に一定量のカラーレジスト１２が供給される。第２ブランケットローラ５の表面は親油性であるので、第２ブランケットローラ５の外周面全体にカラーレジスト１２が塗布される。なお、カラーレジスト１２は、第１レジストポット６に溜められているカラーレジスト１１と色が異なるものである。
【００２９】
この装置を用いた基板Ｗへのレジストパターン形成方法の流れとしては、まず、送り台１によって基板Ｗが送り出されるとともに、第１ローラ２および第１ブランケットローラ４が回転される。そして、第１レジストポット６から第１ブランケットローラ４の外周面全体にカラーレジスト１１が塗布される。
第１ブランケットローラ４に供給されたカラーレジスト１１は、第１ローラ２の親レジスト領域２２に選択的に転移する。また、基板Ｗには、後述するように親油処理が施されているため、親レジスト領域２２に付着したカラーレジスト１１は、基板Ｗの親油性により、第１ローラ２の下方において基板Ｗに転写される。その後、同様にして、第２レジストポット７に溜められたカラーレジスト１２が、第２ブランケットローラ５および第２ローラ３を介して基板Ｗに転写される。このようにして、基板Ｗにカラーレジスト１１および１２の２色のレジストによるレジストパターンが形成される。
【００３０】
図２は、第１ローラ２および第２ローラ３に予め施される処理を説明するための図である。まず、第１ローラ２および第２ローラ３の外周面（表面）全体に撥油処理が施される。撥油処理としては、プラズマ処理やスパッタ処理等により樹脂の終端基をフッ素基に置換するフッ化処理等の表面改質処理や、表面に撥油性を有する薄膜（第１ローラ２および第２ローラ３に比べて親油性の低い薄膜。たとえば、フッ素樹脂（テフロン（登録商標））系の材料でＰＦＡ（パーフルオロアコキシエチレン、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）を蒸着では数ナノメートル〜数１００ナノメートル、コーティングでは数１０ミクロンメートル〜数１００ミクロンメートル）を形成する処理が挙げられる。このようにして、第１ローラ２および第２ローラ３には、それぞれ、撥油性表面層２３および３３が形成される（図２（ａ）参照）。
【００３１】
そして、第１ローラ２および第２ローラ３の外周面の撥油性表面層２３および３３は、たとえば、それぞれレーザーを用いた転写パターンの直接描画により削られて選択的に除去される。このとき、撥油性表面層２３および３３の除去部分は、それぞれ基板Ｗ上に形成すべきレジストパターンの鏡像パターンとなっており、たとえば、１０μｍ以下の分解能で形成可能である。これにより、第１ローラ２および第２ローラ３を構成する樹脂材料が選択的に露出する。こうして、第１ローラ２および第２ローラ３上に残った撥油性表面層２３および３３の部分が撥レジスト領域２１および３１となり、撥油性表面層２３および３３が除去された部分が親レジスト領域２２および３２となる。よって、親レジスト領域２２および３２は、レジストパターンの鏡像パターンとなっている（図２（ｂ）参照）。
【００３２】
撥レジスト領域２１および３１は、それぞれ撥油性表面層２３および３３が残った部分なので、撥油性を有している。親レジスト領域２２および３２は、それぞれ樹脂材料が露出した部分であるので、親油性を有している。また、第１レジストポット６および第２レジストポット７に溜められているカラーレジスト１１および１２は、油系のレジストである。よって、撥レジスト領域２１および３１は撥レジスト性を有し、親レジスト領域２２および３２は親レジスト性を有している。
【００３３】
このようにして、第１ローラ２の外周面には、カラーレジスト１１を反発する撥レジスト領域２１およびカラーレジスト１１を吸着する親レジスト領域２２が形成され、第２ローラ３の外周面には、カラーレジスト１２を反発する撥レジスト領域３１およびカラーレジスト１２を吸着する親レジスト領域３２が形成される。
よって、この第１ローラ２および第２ローラ３の外周面に油系のレジストが供給されると、レジストは親レジスト領域２２および３２に選択的に付着することになる（図２（ｃ）参照）。
【００３４】
このようにして処理を施した第１ローラ２および第２ローラ３が、図１に示すように、送り台１上に、それぞれ配置されることとなる。
一方、レジストパターンの形成対象である基板Ｗのレジスト転写面（上面）には、遮光膜Ｆが設けられるとともに、予め親油性を有するように処理が施される。詳しくは、基板Ｗに対して、プラズマ照射、ＵＶ（紫外線）処理、コロナ放電処理等による改質を行うといった処理が施される。これにより、基板Ｗのレジスト転写面は、第１ローラ２および第２ローラ３の親レジスト領域２２および３２に比べて親油性が高まるようになっている。
【００３５】
基板Ｗ上へのレジストパターンの形成に際しては、上記のような処理が施された基板Ｗを送り台１によって送り出す一方で、第１ローラ２を基板Ｗを送り出す方向に回転させ、第１ブランケットローラ４を第１ローラ２の回転方向と逆方向に回転させる。次いで、レジストポット６から第１ブランケットローラ４の外周面にカラーレジスト１１を供給する。
【００３６】
第１ブランケットローラ４は親油性を有しているので、油系であるカラーレジスト１１は第１ブランケットローラ４の外周面全体に付着し、第１ブランケットローラ４とともに回転する。また、第１ローラ２を形成する樹脂材料は、第１ブランケットローラ４よりも親油性が高いため、第１ローラ２の外周面に対向する第１ブランケットローラ４上のカラーレジスト１１は、第１ローラの親レジスト領域２２に転移される。
【００３７】
このように、第１ローラ２および第１ブランケットローラ４が回転することで、第１ローラ２の親レジスト領域２２にカラーレジスト１１が付着する。そして、親レジスト領域２２に付着したカラーレジスト１１は、第１ローラ２が回転することで基板Ｗと対向する。
基板Ｗのレジスト転写面は、親レジスト領域２２に比べて親油性が高いため、基板Ｗのレジスト転写面に対向する第１ローラ２上のカラーレジスト１１は、基板Ｗに転写される。このとき、カラーレジスト１１は、遮光膜Ｆによって基板Ｗ上に区画されたレジスト塗布領域Ｔに付着する。また、第１ローラ２の親レジスト領域２２は、レジストパターンの鏡像パターンとされているので、基板Ｗ上には、所定のレジストパターンが形成されることになる。
【００３８】
このようにして、基板Ｗ上には、レジストポット６に溜められたカラーレジスト１１による所定のレジストパターンが形成される。この基板Ｗは、さらに、送り台１によって、第２ローラ３の下方へと送り出される。
第２ローラ３は、基板Ｗを送り出す方向に回転させられ、第２ブランケットローラ５は第２ローラ３の回転方向と逆方向に回転させられる。この状態で、第２レジストポット７から第２ブランケットローラ５の外周面全体にカラーレジスト１２が塗布される。
【００３９】
これにより、カラーレジスト１２が第２ブランケットローラ５から第２ローラ３に転移され、さらに、第２ローラ３上のカラーレジスト１２が基板Ｗに転写され、基板Ｗ上にレジストパターンが形成される。
こうして、基板Ｗ上には、カラーレジスト１１および１２の２色のカラーレジストによる所定のレジストパターンが形成される。
【００４０】
以上のように、この実施形態では、第１ローラ２の表面に撥レジスト領域２１および親レジスト領域２２が形成されており、第２ローラ３の表面に撥レジスト領域３１および親レジスト領域３２が形成されているので、第１ローラ２および第２ローラ３の外周面全体にカラーレジスト１１および１２を塗布することで、親レジスト領域２１および３１にカラーレジスト１１および１２が選択的に付着することになる。すなわち、親レジスト領域２１および３１が転写パターンとされているので、第１ローラ２および第２ローラ３の外周面全体にカラーレジスト１１および１２を塗布することで、第１ローラ２および第２ローラ３にカラーレジスト１１および１２の転写パターンが形成される。そして、そのカラーレジスト１１および１２を基板Ｗの表面に転写することで、基板Ｗの表面に所望のレジストパターンを形成することができる。
【００４１】
また、第１ローラ２および第２ローラ３は、樹脂材料で形成されているため、変形しにくく、その表面に一定の膜厚でカラーレジストを塗布することができる。よって、基板Ｗの表面に一定の膜厚のレジストを転写することができる。また、第１ローラ２および第２ローラ３が樹脂材料で形成されているため、金属汚染の問題がなく、かつ、パーティクルが発生しにくい。しかも、表面にシリコーン系のコーティング剤を塗布したりする必要がないので、シリコーン汚染やシリコーンコーティング剤に由来するパーティクルの問題を回避できる。
【００４２】
また、第１ローラ２および第２ローラ３を形成する樹脂材料は親レジスト性を有しているので、樹脂材料を撥レジスト性表面層２３および３３から選択的に露出させることで、容易に親レジスト領域２２および３２のパターンを形成することができる。そして、その親レジスト領域２２および３２にレジストを付着させてレジストの転写パターンを形成することができる。
【００４３】
また、第１ブランケットローラ４および第２ブランケットローラ５から必要なカラーレジスト１１および１２のみが第１ローラ２および第２ローラ３の外周面に転移されるので、カラーレジスト１１および１２の消費量を最小に抑えることができ、コストを削減することができる。また、印刷版として、第１ローラ２および第２ローラ３を用いるので、装置全体のフットプリントを小さくすることができる。
【００４４】
また、基板Ｗのレジスト転写面は、親レジスト領域２２および２３に比べて親レジスト性が高められるので、親レジスト領域２２および２３に付着したレジストを、容易に基板Ｗに転写させることができる。
なお、基板Ｗは、半導体ウエハに限らず、フラットディスプレイパネル用ガラス基板であってもよい。
【００４５】
また、基板Ｗのレジスト転写面は、遮光膜Ｆを設けない構成とすることも可能である。
また、第１ローラ２および第２ローラ３は、たとえば、製造の段階で、樹脂材料に親油性材料が添加されたり、樹脂材料が改質されたりすることで、親油性が高められていてもよい。
また、第１レジストポット６および第２レジストポット７にはカラーレジスト１１および１２が溜められるとしたが、カラーレジスト以外のレジストが溜められてもよい。
【００４６】
また、第１レジストポット６および第２レジストポット７には、水系レジストまたは有機溶剤系レジストが溜められてもよい。この場合には、第１ローラ２および第２ローラ３の外周面（表面）に撥水性表面層を設け、この撥水性表面層を所望の転写パターンに応じて選択的に除去すればよい。また、この場合には、第１ブランケットローラ４および第２ブランケットローラ５が親水性を有していて、その親水性よりも高い親水性を第１ローラ２および第２ローラ３が有していることが望ましく、さらに、基板Ｗのレジスト転写面に、第１ローラ２および第２ローラ３に比べて親水性が高まるような親水処理が施されていることが望ましい。
【００４７】
また、上述の説明では、印刷用基材として、円筒状の第１ローラ２および第２ローラ３を用いたが、図３に示すように、板状の印刷版９を用いてもよい。
この印刷版９は、板状の部材であって樹脂材料で形成されている。そして、その上面に撥レジスト性を有する撥レジスト性表面層（図示せず）が形成され、レジストパターンに応じてその撥レジスト性表面層が選択的に除去されている。これにより、印刷版９に、撥レジスト性表面層が残った部分である撥レジスト領域９１と、撥レジスト性表面層が除去されて樹脂材料が露出する親レジスト領域９２とが形成される（図３（ａ）参照）。なお、撥レジスト性とは、レジストが油系レジストである場合には撥油性であって、レジストが水系レジストまたは有機溶剤系レジストである場合には撥水性である。
【００４８】
印刷版９にレジストを供給することで、親レジスト領域９２にレジストを選択的に付着させることができる（図３（ｂ）参照）。この状態で、親レジスト領域９２に比べて親レジスト性が高い転写ローラ１０を、印刷版９上を回転させながら移動させる。これにより、親レジスト領域９２に付着していたレジストが、転写ローラ１０の表面に転移（転写）される（図３（ｃ）参照）。なお、親レジスト性とは、レジストが油性レジストである場合には親油性であって、レジストが水性レジストまたは有機溶剤系レジストである場合には親水性である。
【００４９】
レジストが付着した転写ローラ１０は、基板Ｗ上を回転しながら移動させられる。基板Ｗのレジスト転写面には、転写ローラ１０に比べて親レジスト性が高くなるように親レジスト処理が施されており、基板Ｗと対向する転写ローラ１０上のレジストは、基板Ｗに転写される（図３（ｄ）参照）。
このとき、レジストは、遮光膜Ｆによって基板Ｗ上に区画されたレジスト塗布領域Ｔに付着する。また、印刷版９上の親レジスト領域９２は、レジストパターンとされているので、基板Ｗ上には、そのレジストパターンが形成されることになる。
【００５０】
なお、基板Ｗのレジスト転写面は、遮光膜Ｆを設けない構成であってもよい。
このようにして、基板Ｗ上には、所定のレジストパターンが形成される。また、基板Ｗ上に他のレジストパターンが形成される場合には、上述の手順がさらに繰り返される。これにより、基板Ｗ上に複数のレジストパターンが形成される。
この発明は、以上説明した実施形態に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】この発明の一実施形態にかかるレジストパターン形成方法を説明するための図である。
【図２】第１ローラおよび第２ローラに予め施される処理を説明するための図である。
【図３】この発明の他の実施形態にかかるレジストパターン形成方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５２】
２      第１ローラ
３      第２ローラ
４      第１ブランケットローラ
５      第２ブランケットローラ
９      印刷版
２１，３１，９１  撥レジスト領域
２２，３２，９２  親レジスト領域
２３，３３  撥油性表面層
Ｗ      基板
Ｔ      レジスト塗布領域
Ｆ      遮光膜
【図１】
2006251071.tif 000003
【図２】
2006251071.tif 000004
【図３】
2006251071.tif 000005