(57)【要約】【課題】  レジストを選択的に塗布するインクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法、弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波デバイスを提供する。【解決手段】  弾性表面波素子片１０の製造方法は、圧電基板１２上に金属を成膜して、すだれ状電極１４および前記すだれ状電極１４に接続するパッド１８を形成する工程と、インクジェットヘッドを用いてレジストの液滴を前記パッド１８上に塗布してレジストパターンを形成する工程と、前記すだれ状電極１４上にパッシベーション膜２４を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程とを備えた構成である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストの吐出口が横方向に複数並べられたインクジェットヘッドに対して圧電基板を縦方向に移動させ、
前記圧電基板上のマスクを形成する部分に前記突出口からレジストの液滴を塗布し、
前記圧電基板上に直接描画によりレジストパターンを形成する、
ことを特徴とするインクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法。
【請求項２】
前記レジストの液滴を塗布する前に、レジストの濡れ拡がりを向上させる処理を前記圧電基板に施すことを特徴とする請求項１に記載のインクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法。
【請求項３】
圧電基板上に金属を成膜して、すだれ状電極および前記すだれ状電極に接続するパッドを形成する工程と、
インクジェットヘッドを用いてレジストの液滴を前記パッド上に塗布してレジストパターンを形成する工程と、
前記すだれ状電極上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を備えたことを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項４】
前記パッシベーション膜は、前記金属を陽極酸化して形成することを特徴とする請求項３に記載の弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項５】
圧電基板上にすだれ状電極およびこのすだれ状電極に接続するパッドを形成する工程と、
前記すだれ状電極および前記パッド上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記すだれ状電極の上側にあるパッシベーション膜の表面にインクジェットヘッドを用いてレジストの液滴を塗布しレジストパターンを形成する工程と、
前記パッドの上側にあるパッシベーション膜をエッチングする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を備えたことを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項６】
前記パッシベーション膜は、絶縁性材料を成膜して形成することを特徴とする請求項５に記載の弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項７】
前記レジストの液滴を塗布する工程の前に、前記レジストが塗布される箇所に前記レジストの濡れ拡がりを向上させる処理を施す工程を備えたことを特徴とする請求項３ないし６のいずれかに記載の弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項８】
請求項３ないし７のいずれかに記載の製造方法を使用して製造した弾性表面波素子片をパッケージに搭載したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法、弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波デバイスに係り、特にインクジェット方式を使用してレジストパターンを形成する方法を利用する弾性表面波素子片の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性表面波（ＳＡＷ）素子片の製造において、圧電基板上に設けられるすだれ状電極や反射器等の電極パターンはフォトリソグラフィ技術を利用して形成されていた。この電極パターンの形成は、次に説明するような工程で行われていた。まず圧電基板上に電極パターンとなる金属が成膜された後、フォトレジストが金属膜上に塗布される。このフォトレジストの塗布は、スピンコート法やスプレーコート法、スキャンコート法によって行われる。そして目的とする電極パターンに応じたフォトマスクを使用してフォトレジストを感光させ、フォトレジストに感光部分と非感光部分を形成する。
【０００３】
この後、現像液にフォトレジスト全体を曝すことで感光部分および非感光部分のいずれか一方を溶解させて、目的の電極パターンに応じたレジストパターンを得る。次にレジストパターンを利用して金属膜をエッチングし、その後レジストパターンを除去すると、圧電基板上に目的の電極パターンが得られる。
【０００４】
そしてフォトリソグラフィを用いてＳＡＷ素子片の電極パターンを形成することについて開示されたものとして、例えば特許文献１〜３が挙げられる。特に特許文献３に開示された発明は、インクジェット法を用いてフォトレジストを塗布するものであり、圧電素子片の一部分を除いてフォトレジストを塗布した後、フォトレジストに対する露光・現像を行うことによって目的のレジストパターンを形成している。
【特許文献１】特開２０００−２７８０６７号公報
【特許文献２】特開２００１−１６８６６７号公報
【特許文献３】特開平１１−１７７３６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
フォトレジストを塗布する場合、一般的にスピンコート法が使用されているが、この方法では圧電基板上に塗布したフォトレジストのほとんどがスピンアウトされて排出されてしまい、フォトレジストの使用効率が極めて悪くなっていた。またスピンコート法以外のスプレーコート法やスキャンコート法等のいずれの場合であってもフォトレジストの使用効率は悪くなっていた。
【０００６】
また圧電基板上に塗布されたフォトレジストに目的とする電極パターンを形成するためには、その電極パターンに応じたフォトマスクが必要になる。そして電極パターンはＳＡＷ素子片の種類によって形状が異なるので、フォトマスクはＳＡＷ素子片の種類毎に必要になり、多種のフォトマスクを作製し管理しなければならない。したがってフォトマスクの作製・管理に掛かるコストが製品の製造原価を押し上げる要因のひとつとなっていた。
【０００７】
またＳＡＷ素子片の電極パターンの材料は、一般的にアルミニウムが使用されている。このアルミニウムは、アルカリにも酸にも反応して腐食される性質を持つ。ところでフォトレジストの現像液はアルカリ系の溶液なので、電極パターンが現像液によって腐食され、ＳＡＷ素子片の品質がフォトレジストの現像工程で悪化されることがある。したがって電極パターンが腐食されると、電極パターンの線幅が変わり、ＳＡＷ素子片の共振周波数が変化して、その製品に許容される範囲を外れる原因となっていた。
【０００８】
本発明は、レジストを選択的に塗布するインクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法、弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
図８は弾性表面波素子片の説明図であり、図８（ａ）は概略平面図、同図（ｂ）は一部分を拡大した断面図である。ＳＡＷ素子片１は、圧電基板６上にすだれ状電極２、このすだれ状電極２と導通するパッド３、およびすだれ状電極２の両端に反射器４を備えたものである。このパッド３は、ＳＡＷ素子片１が搭載されるパッケージ（不図示）に設けられたパッド電極等（不図示）にワイヤまたはバンプを介して電気的に接続されるものである。そして微細な加工が施されているすだれ状電極２上には、導電性を有する異物５等が付着して短絡故障するのを防ぐために、絶縁性の保護膜（パッシベーション膜）が形成される場合がある。このパッシベーション膜は、例えば酸化アルミニウムや酸化シリコン、窒化シリコン等である。ところでパッシベーション膜が形成される場合、すだれ状電極２と共にパッド３上にもパッシベーション膜が形成されると、ワイヤボンディングやフリップチップボンディングが施されるときに導通不良を起こしてしまう可能性が高い。このためパッシベーション膜が形成される場合、パッド３の上面を露出させるために、電極パターン上にレジストパターンが必要な箇所と、必要でない箇所が存在することになる。そしてレジストパターンは、フォトレジストを基板全体に塗布した後に露光・現像を行って必要な箇所のみに形成させることができるが、上述したようにフォトレジストの使用効率が悪く、電極パターンの形状に応じて多くのフォトマスクが必要になり、またフォトレジストの現像液によって電極パターンが腐食されるという課題が生じることになる。本発明は、特に、必要箇所のみにレジストの液滴を塗布してレジストパターンを形成することにより、上述した課題を解決するものである。
【００１０】
そして、このような課題を解決するために、本発明に係るインクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法は、レジストの吐出口が横方向に複数並べられたインクジェットヘッドに対して圧電基板を縦方向に移動させ、前記圧電基板上のマスクを形成する部分に前記突出口からレジストの液滴を塗布し、前記圧電基板上にレジストパターンを形成する、ことを特徴としている。この場合、前記圧電基板上には弾性表面波素子片の電極パターンが形成されており、前記電極パターン上に直接描画により前記レジストを選択的に塗布することができる。また電極パターン上にパッシベーション膜を形成しておき、前記パッシベーション膜上に前記レジストを選択的に塗布することもできる。インクジェットヘッドからインク（レジスト）を圧電基板上に塗布する場合、レジストは、マスクが必要な部分のみに塗布され、不必要な部分には塗布されない。またレジストは、必要とされる量だけインクジェットヘッドから吐出される。したがって目的とするレジストパターンをインクジェットによる印刷方式によって直接描画することができる。なお直接描画は、マスクを必要とする箇所にレジストを選択的に塗布し、塗布されたレジストの溶剤を気化させることによってレジストパターンを形成することであり、フォトリソグラフィのようにレジストの露光・現像作業を必要としないので、レジストパターンの形成工程を簡略化することができる。
【００１１】
また前記レジストの液滴を塗布する前に、レジストの濡れ拡がりを向上させる処理を前記圧電基板に施すことを特徴としている。これにより塗布されたレジストが弾かれることがなくなり、目的とするレジストパターンを形成することができる。
【００１２】
また本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法は、圧電基板上に金属を成膜して、すだれ状電極および前記すだれ状電極に接続するパッドを形成する工程と、インクジェットヘッドを用いてレジストの液滴を前記パッド上に塗布してレジストパターンを形成する工程と、前記すだれ状電極上にパッシベーション膜を形成する工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、を備えたことを特徴としている。これにより製造された弾性表面波素子片は、すだれ状電極の表面がパッシベーション膜で覆われるので、すだれ状電極同士の短絡を防ぐことができる。またパッドの表面がパッシベーション膜から露出しているので、パッドに電気的接続手段を施して導通を取ることができる。
【００１３】
またレジストはパッド上のみに塗布されるので、少ないレジストの使用量でレジストパターンを形成することができる。すなわちレジストの使用効率を向上させることができる。さらにレジストパターンをインクジェットによる印刷方式で直接描画できるので、露光・現像処理を必要としない。したがってインクジェット方式では、レジストパターンの形成工程を簡略化および低コスト化することができ、且つすだれ状電極が現像液に触れることがないので、すだれ状電極の腐食を防ぐことができる。
【００１４】
また前記パッシベーション膜は、前記金属を陽極酸化して形成することを特徴としている。これによりすだれ状電極の表面にパッシベーション膜を形成することができ、且つパッドの表面をパッシベーション膜から露出させることができる。
【００１５】
また圧電基板上にすだれ状電極およびこのすだれ状電極に接続するパッドを形成する工程と、前記すだれ状電極および前記パッド上にパッシベーション膜を形成する工程と、前記すだれ状電極の上側にあるパッシベーション膜の表面にインクジェットヘッドを用いてレジストの液滴を塗布しレジストパターンを形成する工程と、前記パッドの上側にあるパッシベーション膜をエッチングする工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、を備えたことを特徴としている。これにより製造された弾性表面波素子片は、すだれ状電極の表面がパッシベーション膜で覆われるので、すだれ状電極同士の短絡を防ぐことができる。またパッドの表面がパッシベーション膜から露出しているので、パッドに電気的接続手段を施して導通を取ることができる。
【００１６】
またレジストはすだれ状電極の上側にあるパッシベーション膜の表面のみに塗布されるので、少ないレジストの使用量でレジストパターンを形成することができる。したがってレジストの使用効率を向上させることができる。さらにレジストパターンをインクジェットによる印刷方式で直接描画できるので、露光・現像処理を必要としない。したがってインクジェット方式では、レジストパターンの形成工程を簡略化および低コスト化することができ、且つすだれ状電極が現像液に触れることがないので、すだれ状電極の腐食を防ぐことができる。
【００１７】
また前記パッシベーション膜は、絶縁性材料を成膜して形成することを特徴としている。これによりすだれ状電極の周囲にパッシベーション膜を形成することができ、且つパッドの表面をパッシベーション膜から露出させることができる。
【００１８】
また前記レジストの液滴を塗布する工程の前に、前記レジストが塗布される箇所に前記レジストの濡れ拡がりを向上させる処理を施す工程を備えたことを特徴としている。これにより塗布されたレジストが弾かれることがなくなり、目的とするレジストパターンを形成することができる。
【００１９】
また本発明に係る弾性表面波デバイスは、上述した特徴を有する製造方法を使用して製造した弾性表面波素子片をパッケージに搭載したことを特徴としている。この場合、弾性表面波デバイスは、弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタを構成することができ、また弾性表面波共振子を発振させる回路等をパッケージに搭載させると共に、回路と弾性共振子とを電気的に接続させて弾性表面波発振器を構成することができる。また弾性表面波発振器には、電圧制御回路や温度補償回路を搭載することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明に係るインクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法、弾性表面波素子片の製造方法および弾性表面波デバイスの最良の実施形態について説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る弾性表面波素子片の説明図であり、図１（ａ）は概略平面図、図１（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線における概略断面図である。第１の実施形態に係る弾性表面波（ＳＡＷ）素子片１０は、圧電基板１２上に一対のすだれ状電極（ＩＤＴ）１４が設けられた構成である。各ＩＤＴ１４ａ，１４ｂは複数の電極指１６を有し、この電極指１６の一端同士が接続された構成である。そして各ＩＤＴ１４ａ，１４ｂが電極指１６を交互に噛み合わせることにより、一対のＩＤＴ１４が形成される。また各ＩＤＴ１４ａ，１４ｂは、圧電基板１２上に設けられたパッド１８に電気的に接続されている。このパッド１８は、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング等の電気的接続手段が施される電極となる。さらにＩＤＴ１４の電極指１６の噛み合わせに沿う方向のＩＤＴ１４の両端に反射器２０が設けられている。このようなＩＤＴ１４、パッド１８および反射器２０から構成される電極パターン２２は、アルミニウムやアルミニウム合金等の金属材料を用いて形成されている。そしてＩＤＴ１４の表面には、パッシベーション膜２４が設けられている。このパッシベーション膜２４は、ＩＤＴ１４上に導電性を有する異物が付着した場合でもＩＤＴ１４同士の短絡を防止する絶縁性の保護膜である。なお図１（ａ）では、ＩＤＴ１４の破線部分にパッシベーション膜２４が形成されていることを示している。
【００２１】
次に、インクジェットヘッド３０について説明する。図２はインクジェットヘッド３０の説明図であり、図２（ａ）は概略正面断面図、図２（ｂ）は概略側面断面図である。インクジェットヘッド３０には、下方に向けてレジストの微小な液滴を吐出させる複数の吐出口３４がライン状に配設されている。この吐出口３４は、ノズル３６を介してレジストを溜めておくインク室３８に接続されている。インク室３８の隔壁の外側には、インク室３８を膨張・圧縮させるピエゾ素子４０が設けられている。またインク室３８は、上部に設けられたレジスト供給通路４２を介してレジストの供給源となるタンク（不図示）と接続されている。このレジストは、ノズル３６および吐出口３４を通過して微小な液滴として吐出されるために粘度等が調整されたものである。なお従来用いられていたレジストは、インクジェット方式に用いられることを想定していないため、インクジェットヘッドから吐出させることができなかった。したがってインクジェットヘッド３０から吐出されるレジストは、粘度等が調整されたものである。
【００２２】
またインクジェットヘッド３０の下方には、レジストの吐出口３４が並べられた方向と交差する方向、すなわち横方向に並べられた吐出口３４に対して縦方向に移動する搬送手段（不図示）が設けられている。この搬送手段は、圧電基板１２を載置して、インクジェットヘッド３０の下方を移動するものであり、例えばローラコンベア、Ｘ−Ｙテーブル等で構成されればよい。なお実施形態によっては、圧電基板１２を固定して、この圧電基板１２の上方をインクジェットヘッド３０が移動する構成であってもよい。
【００２３】
次に、インクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法およびＳＡＷ素子片１０の製造方法について説明する。まず圧電基板１２上に電極パターン２２の材料となる金属を成膜する。この後、フォトリソグラフィによって電極パターン２２を形成する。具体的には、電極パターン２２は、金属膜上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストに対して露光・現像を行うことによってフォトレジストのレジストパターンを形成し、レジストパターンが形成されていない箇所の金属膜をエッチングする工程を行うことによって形成される。
【００２４】
そして電極パターン２２には、表面の濡れ性を向上させる処理が施される。この処理は、電極パターン２２表面に後述するレジストが塗布された場合に、電極パターン２２表面とレジストとのなじみ具合を調整するものであり、予め実験等を行って処理条件を求めている。なお、この処理は、例えば洗浄処理等であればよい。
【００２５】
この後、インクジェット方式を用いて電極パターン２２上に選択的にレジストが塗布される。図３はレジストを選択的に電極パターン２２上へ塗布するときの説明図である。具体的には、圧電基板１２は前記搬送手段上に載置されており、前記搬送手段によって吐出口３４がライン状に並ぶ方向と交差する方向に移動される。そしてレジスト３２を塗布する箇所がインクジェットヘッド３０の吐出口３４の下方に来ると、インクジェットヘッド３０に設けられたピエゾ素子４０が所定の駆動パルスで駆動してインク室３８を膨張・圧縮させ、この内容積の変化に連動して吐出口３４からレジスト３２の液滴が吐出される。これによりレジスト３２は、電極パターン２２上に選択的に塗布される。本実施形態では、レジスト３２はパッド１８上に塗布される。なおレジスト３２を吐出している間も、前記搬送手段は所定の速さで移動し続けているので、塗布箇所の全体にレジスト３２が塗布される。そしてレジスト３２はパッド１８上に塗布されると濡れ広がり、電極パターン２２に沿ってパッド１８からＩＤＴ１４の方へ濡れ広がって行く。また塗布されたレジスト３２には表面張力が働くので、レジスト３２がパッド１８の側面に流れ出ることはなく、レジスト３２によってマスクの必要な箇所を覆うことが可能になる。そしてレジスト３２の溶剤が気化すると、レジスト３２の樹脂成分がパッド１８の上面を覆い、パッド１８上にレジストパターン４４が形成される。なおレジスト３２を塗布する作業を繰り返して、レジストパターン４４を厚く形成することも可能である。
【００２６】
この後、ＩＤＴ１４上にパッシベーション膜２４を形成する。このパッシベーション膜２４は、ＩＤＴ１４の表面を陽極酸化することにより形成される。図４は陽極酸化装置の説明図である。陽極酸化装置５０は酸化液槽５２および電源５４を備えており、酸化液槽５２にはＩＤＴ１４表面を陽極酸化させる酸化液５６が満たされている。この酸化液５６は、例えばリン酸塩やホウ酸塩等の水溶液であればよい。一方電源５４は電圧の調整手段（不図示）を有し、電源５４の陰極端子には電流計５８を介して陰極電極板６０が接続され、陽極端子には金属クリップ６２が接続されている。また電源５４の両端子間には、電圧計６４が接続されている。
【００２７】
そして金属クリップ６２に圧電基板１２上に形成されたＩＤＴ１４を接続して、圧電基板１２と陰極電極板６０とを酸化液５６に浸漬する。この後、電源５４をＯＮにして陽極酸化電圧を印加すると、ＩＤＴ１４が陽極酸化されてその表面に陽極酸化膜が形成される。なお陽極酸化膜は酸化アルミニウム膜であり、これがパッシベーション膜２４になる。
【００２８】
このようなＩＤＴ１４の陽極酸化が終了すると、パッド１８上のレジストパターン４４が除去される。このようにして製造されたＳＡＷ素子片１０は、パッシベーション膜２４がＩＤＴ１４の表面に形成され、またパッド１８の表面にワイヤボンディングやフリップチップボンディングを施して導通させることが可能になる。
【００２９】
このようにインクジェット方式を使用したレジストパターン４４の形成方法およびＳＡＷ素子片１０の製造方法では、インクジェットヘッド３０からレジスト３２を選択的に塗布することができるので、パッド１８上にレジストパターン４４を形成することができる。またパッド１８の大きさは、ＳＡＷ素子片１０の形状等にも依存するが、例えば小さいもので４０〜４５μｍ角程度の大きさであり、大きいものでも３００×２００μｍ程度の大きさしかないが、インクジェットヘッド３０からはレジスト３２の微小な液滴を塗布できるので、小さなパッド１８上にもレジスト３２を塗布することができる。さらに小さなレジスト３２の液滴を吐出させるために、インクジェットヘッド３０のノズル３６や吐出口３４を微小なものにしているが、レジスト３２の樹脂成分や溶剤成分を調整しているので、インクジェットヘッド３０からレジスト３２を吐出させることができる。
【００３０】
したがってレジストパターン４４が必要な箇所のみレジスト３２を塗布し、これを乾燥させるとレジストパターン４４を形成できるので、レジストパターン４４の形成工程を簡略化することができる。すなわち従来のフォトリソグラフィ工程のように、基板全体へのレジストの塗布、露光および現像を行う必要がない。またインクジェット方式で使用されるレジスト３２の量は、従来のフォトリソグラフィ工程で使用されるレジストの量の１／１０程度になるので、レジスト３２の使用量の削減によって低コスト化ができる。さらにインクジェット方式では、従来のフォトリソグラフィ工程のようにフォトマスクや現像液が不要なので、低コスト化できる。
【００３１】
またインクジェット方式では現像作業が必要ないので、現像液による電極パターン２２（アルミニウム）の腐食が発生することがない。したがってＳＡＷ素子片１０は、電極パターン２２の線幅が変化しないので、一定の共振周波数を出力することができる。
【００３２】
なお上述したように、レジスト３２は、電極パターン２２上の選択箇所を被覆できればいいので感光性を必要とせず、感光性のない被覆用レジストを用いてもよい。
また上述した実施形態では、パッシベーション膜２４はＩＤＴ１４の表面のみに設けられているが、ＩＤＴ１４および反射器２０の表面にも設けられてもよい。
【００３３】
さらにＳＡＷ素子片１０の製造において、インクジェット方式を用いてレジストパターン４４を形成した場合と、フォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成した場合とを比較すると、パッシベーション膜２４が形成された箇所と形成されてない箇所との境界に違いが生じる。図５はインクジェット方式を用いてパッド上にレジストパターンを形成した場合と、フォトリソグラフィを用いてパッド上にレジストパターンを形成した場合との説明図であり、図５（ａ）はインクジェット方式を用いた場合の概略平面図、図５（ｂ）はフォトリソグラフィを用いた場合の概略平面図である。
【００３４】
インクジェット方式を用いた場合、レジストは、パッド１８上に塗布されるとパッド１８からＩＤＴへ向けて濡れ広がる。そして濡れ広がりが止まり、レジストが乾燥してレジストパターン４４が形成されると、レジストパターン４４の周縁部は直線にならず、にじんだようになっている。この後パッシベーション膜が形成されると、このパッシベーション膜の周縁部はレジストパターン４４周縁部のにじみ形状６６に倣うことになる。したがってパッシベーション膜の周縁部は、レジストパターン４４が除去されても前記にじみ形状６６が残ることになる。
【００３５】
これに対してフォトリソグラフィを用いた場合、レジストを塗布した後に露光・現像を施してレジストパターンを形成するので、レジストパターン４４の周縁部は直線６８になり、インクジェット方式のようなにじみ形状６６が生じることはない。したがってパッシベーション膜の周縁部は、レジストパターン４４周縁部の形状に倣って直線になる。
【００３６】
このようなパッシベーション膜の周縁部の形状の違いから、インクジェット方式を用いてレジストパターン４４を形成した場合と、フォトリソグラフィを用いてレジストパターン６７を形成した場合とを判別することができる。
【００３７】
次に、第２の実施形態について説明する。なお第２の実施形態では、第１の実施形態と同構成の部分には同番号を付し、その説明を省略または簡略する。図６は第２の実施形態に係る弾性表面波素子片の説明図であり、図６（ａ）は概略平面図、図６（ｂ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線における概略断面図である。第２の実施形態に係るＳＡＷ素子片７０は、圧電基板１２上にＩＤＴ１４、パッド１８および反射器２０からなる電極パターン２２が設けられた構成である。そしてＩＤＴ１４および反射器２０上には、これらを覆うようにしてパッシベーション膜２４が設けられている。
【００３８】
次に、インクジェット方式を使用したレジストパターンの形成方法およびＳＡＷ素子片７０の製造方法について説明する。まず圧電基板１２上に電極パターン２２となる金属を成膜した後、フォトリソグラフィによって電極パターン２２を形成する。そして圧電基板１２の表面全体にパッシベーション膜２４を形成する。具体的には、圧電基板１２上にパッシベーション膜２４となる絶縁性材料、例えば酸化シリコンや窒化シリコン、酸化アルミニウム等をスパッタや蒸着、気相成長等の方法により成膜すればよい。この後、パッシベーション膜２４には、表面の濡れ性を向上させる処理が施される。なお、この処理は、例えば洗浄処理等であればよい。
【００３９】
次に、インクジェット方式を用いてパッシベーション膜２４上に選択的にレジストが塗布される。図７はレジストを選択的にパッシベーション膜２４上へ塗布するときの説明図である。具体的には、圧電基板１２は前記搬送手段上に載置されており、前記搬送手段によってインクジェットヘッド３０に吐出口がライン状に並ぶ方向と交差する方向に移動される。そしてレジスト３２を塗布する箇所がインクジェットヘッド３０の吐出口の下方に来ると、吐出口からレジスト３２の液滴が吐出される。これによりレジスト３２は、パッシベーション膜２４上に選択的に塗布される。本実施形態では、レジスト３２はＩＤＴ１４および反射器２０の上側に設けられたパッシベーション膜２４の表面に塗布され、パッド１８の上側に設けられたパッシベーション膜２４の表面には塗布されない。なお前記搬送手段は、レジスト３２が吐出されている間も移動し続けているので、塗布箇所の全体にレジスト３２が塗布される。そしてパッシベーション膜２４上に塗布されたレジスト３２の溶剤が気化すると、レジスト３２の樹脂成分がパッシベーション膜２４上を覆い、レジストパターン７２が形成される。なおレジスト３２を塗布する作業を繰り返して、レジストパターン７２を厚く形成することも可能である。
【００４０】
この後、レジストパターン７２が設けられていない箇所のパッシベーション膜２４をエッチングして、パッド１８の表面を露出させる。そしてエッチングが終了すると、パッシベーション膜２４上のレジストパターン７２が除去される。このようにして製造されたＳＡＷ素子片７０は、パッシベーション膜２４がＩＤＴ１４および反射器２０の周囲に形成され、またパッド１８の表面にワイヤボンディングやフリップチップボンディングを施して導通させることが可能になる。
【００４１】
このようにインクジェット方式を使用したレジストパターン７２の形成方法およびＳＡＷ素子片７０の製造方法では、インクジェットヘッド３０からレジスト３２を選択的に塗布することができるので、ＩＤＴ１４および反射器２０の上側に設けられたパッシベーション膜２４の表面にレジストパターン７２を形成することができる。これによりパッシベーション膜２４をエッチングすると、パッド１８の周囲にあるパッシベーション膜２４が除去されてパッド１８の表面を露出させることができ、またＩＤＴ１４と反射器２０をパッシベーション膜２４で覆うことができる。またレジストパターン７２が必要な箇所のみレジスト３２を塗布し、これを乾燥させるとレジストパターン７２が形成されるので、レジストパターン７２の形成工程を簡略化することができる。さらにインクジェット方式で使用されるレジスト３２の量は、従来のフォトリソグラフィ工程で使用されるレジストの量の１／１０程度になるので、レジスト３２の使用量の削減による低コスト化ができる。さらにインクジェット方式では、従来のフォトリソグラフィ工程のようにフォトマスクや現像液が不要なので、低コスト化できる。
【００４２】
なお上述した実施形態では、パッシベーション膜２４はＩＤＴ１４および反射器２０の周囲に設けられているが、ＩＤＴ１４の周囲にのみ設けられてもよい。この場合、レジスト３２は、ＩＤＴ１４の上側に設けられたパッシベーション膜２４の表面のみにインクジェットヘッド３０から塗布されればよい。
【００４３】
また第１の実施形態および第２の実施形態では、ＳＡＷ素子片１０，７０を圧電基板１２の状態で形成する方法を示したが、ＳＡＷ素子片１０，７０を圧電ウエハーの状態で形成することもできる。この場合、インクジェット方式を用いて形成したレジストパターン４４，７２を除去した後に、圧電ウエハーをチップ毎に切断してＳＡＷ素子片１０，７０を形成すればよい。
【００４４】
このようなＳＡＷ素子片１０，７０は、パッケージに搭載されてＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタを形成することができ、発振回路と共にパッケージに搭載されてＳＡＷ発振器を形成することができる。この場合、ＳＡＷ素子片１０，７０に設けられたパッド１８には、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング（電気的接続手段）が施されて、パッケージに設けられたパッド電極や発振回路と電気的に接続される。なおＳＡＷ発振器に搭載される発振回路は、外部からの制御電圧によって共振周波数を変える電圧制御回路や、ＳＡＷ素子片の周囲温度にかかわらず一定の共振周波数を出力するように周波数温度特性を補正する温度補償回路等を備えることができる。そしてＳＡＷ素子片１０，７０が搭載されているＳＡＷ共振子やＳＡＷ発振器、ＳＡＷフィルタ等のＳＡＷデバイスは、基準周波数源や周波数選択機能素子、角速度センサとして様々な電子機器に搭載されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】第１の実施形態に係る弾性表面波素子片の説明図である。
【図２】インクジェットヘッドの説明図である。
【図３】レジストを選択的に電極パターン上へ塗布するときの説明図である。
【図４】陽極酸化装置の説明図である。
【図５】インクジェット方式を用いてパッド上にレジストパターンを形成した場合と、フォトリソグラフィを用いてパッド上にレジストパターンを形成した場合との説明図である。
【図６】第２の実施形態に係る弾性表面波素子片の説明図である。
【図７】レジストを選択的にパッシベーション膜上へ塗布するときの説明図である。
【図８】弾性表面波素子片の説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０………弾性表面波（ＳＡＷ）素子片、１２………圧電基板、１４………すだれ状電極（ＩＤＴ）、１８………パッド、２２………電極パターン、２４………パッシベーション膜、３０………インクジェットヘッド、３２………レジスト、３４………吐出口、４４………レジストパターン、５０………陽極酸化装置、７０………ＳＡＷ素子片、７２………レジストパターン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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