(57)【要約】【課題】有機溶剤を用いた基板処理において、乾燥性能を低下させることなくレジスト膜の溶解を抑制する。【解決手段】基板Ｗの浸漬中に第１の気体吐出部５６５および第２の気体吐出部５６６から窒素ガスを吐出し、ケーシング５６０内から不要な酸素や水蒸気を排除しておく。そして、純水から基板Ｗを引き揚げつつ、第２の気体吐出部５６６からＩＰＡ蒸気を吐出する。引き揚げられる基板Ｗには、直接的にＩＰＡ蒸気が吹き付けられるので、基板Ｗの表面にＩＰＡが効率よく凝縮する。このため、乾燥性能を低下させることなく、供給するＩＰＡの濃度を低下させることができ、基板Ｗ表面に形成されたレジスト膜の溶解を防止することができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室の内部において、処理槽に貯留した純水に基板を浸漬して洗浄した後、純水から基板を引き揚げて基板を乾燥する基板処理方法であって、
純水に基板を浸漬しつつ、前記処理室内における前記処理槽上方の中心部空間および上部空間に向けて不活性ガスを吐出する第１の工程と、
純水から基板を引き揚げつつ、基板に向けて有機溶剤を吐出する第２の工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法であって、
前記第２の工程においては、基板の左右から水平に有機溶剤を吐出することを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理方法であって、
前記第２の工程においては、基板を保持する保持部材と基板との接触部分に直接的に吹き付くように、有機溶剤を吐出することを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれかに記載の基板処理方法であって、
前記第２の工程の後に、前記処理室の中心部空間および上部空間に向けて不活性ガスを吐出する第３の工程をさらに備えることを特徴とする基板処理方法。
【請求項５】
処理室の内部において、基板に対して洗浄と乾燥とを行う基板処理装置であって、
純水を貯留する処理槽と、
前記処理槽に貯留された純水に基板を浸漬するとともに、純水から基板を引き揚げる引き揚げ手段と、
前記引き揚げ手段による基板の引き揚げ経路である前記処理室内における中心部空間へ向けて、不活性ガスを吐出した後に有機溶剤を吐出する第１の吐出手段と、
前記処理室内の上部空間へ向けて、不活性ガスを吐出する第２の吐出手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記第１の吐出手段は、前記引き揚げ経路の左右から水平に気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の基板処理装置であって、
前記第１の吐出手段から吐出される不活性ガスを加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項５から７までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記引き揚げ手段は、基板に部分的に接触して基板を保持する保持部材を有し、
前記第１の吐出手段は、引き揚げ途中の基板と前記保持部材との接触部分に直接的に吹き付くように、有機溶剤を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項５から８までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記処理槽内の純水に基板を浸漬させつつ、前記第１の吐出手段と前記第２の吐出手段とから不活性ガスを吐出させ、その後、純水から基板を引き揚げつつ、前記第１の吐出手段から有機溶剤を吐出させる制御手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板に対して洗浄および乾燥を行う基板処理技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の製造工程においては、薬液処理後の基板に対して洗浄および乾燥が行われる。特に、近年では、純水による洗浄を行った後、有機溶剤であるＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を用いて基板を乾燥させる処理が多く採用されている。
【０００３】
このような基板の処理においては、まず、密閉されたケーシング内において、処理槽内の純水に基板を浸漬して洗浄を行う。そして、純水から引き揚げた基板の周囲にＩＰＡ蒸気を供給し、その後、ケーシング内を減圧する。ＩＰＡ蒸気は基板の表面に凝縮して基板に付着している純水と置換し、それが純水とともに気化することにより、基板の表面を乾燥させる。
【０００４】
このような従来の基板処理装置の構成は、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−８７３００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、基板の表面にレジスト膜が形成されている場合、つまり、親水性の基板を用いた場合、ＩＰＡ等の有機溶剤には、このレジスト膜を溶解させる作用がある。このため、上記した従来の方法でレジスト塗布後の基板を処理すると、基板表面に凝縮させるＩＰＡによって、基板表面のレジスト膜を溶解してしまうという問題があった。
【０００７】
この問題は、ケーシング内に供給するＩＰＡ蒸気の濃度を下げることにより、ある程度抑制できるが、ＩＰＡ蒸気の濃度を下げると、乾燥性能が低下して乾燥不良が発生しやすくなる。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、有機溶剤を用いた基板処理において、乾燥性能を低下させることなく、基板の表面に形成されたレジスト膜の溶解を抑制できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、処理室の内部において、処理槽に貯留した純水に基板を浸漬して洗浄した後、純水から基板を引き揚げて基板を乾燥する基板処理方法であって、純水に基板を浸漬しつつ、前記処理室内における前記処理槽上方の中心部空間および上部空間に向けて不活性ガスを吐出する第１の工程と、純水から基板を引き揚げつつ、基板に向けて有機溶剤を吐出する第２の工程と、を備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法であって、前記第２の工程においては、基板の左右から水平に有機溶剤を吐出することを特徴とする。
【００１１】
請求項３に係る発明は、請求項１または２に記載の基板処理方法であって、前記第２の工程においては、基板を保持する保持部材と基板との接触部分に直接的に吹き付くように、有機溶剤を吐出することを特徴とする。
【００１２】
請求項４に係る発明は、請求項１から３までのいずれかに記載の基板処理方法であって、前記第２の工程の後に、前記処理室の中心部空間および上部空間に向けて不活性ガスを吐出する第３の工程をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項５に係る発明は、処理室の内部において、基板に対して洗浄と乾燥とを行う基板処理装置であって、純水を貯留する処理槽と、前記処理槽に貯留された純水に基板を浸漬するとともに、純水から基板を引き揚げる引き揚げ手段と、前記引き揚げ手段による基板の引き揚げ経路である前記処理室内における中心部空間へ向けて、不活性ガスを吐出した後に有機溶剤を吐出する第１の吐出手段と、前記処理室内の上部空間へ向けて、不活性ガスを吐出する第２の吐出手段と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項６に係る発明は、請求項５に記載の基板処理装置であって、前記第１の吐出手段は、前記引き揚げ経路の左右から水平に気体を吐出することを特徴とする。
【００１５】
請求項７に係る発明は、請求項５または６に記載の基板処理装置であって、前記第１の吐出手段から吐出される不活性ガスを加熱する加熱手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項８に係る発明は、請求項５から７までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記引き揚げ手段は、基板に部分的に接触して基板を保持する保持部材を有し、前記第１の吐出手段は、引き揚げ途中の基板と前記保持部材との接触部分に直接的に吹き付くように、有機溶剤を吐出することを特徴とする。
【００１７】
請求項９に係る発明は、請求項５から８までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理槽内の純水に基板を浸漬させつつ、前記第１の吐出手段と前記第２の吐出手段とから不活性ガスを吐出させ、その後、純水から基板を引き揚げつつ、前記第１の吐出手段から有機溶剤を吐出させる制御手段をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１〜９に記載の発明によれば、基板の純水への浸漬中にあらかじめ処理室内の中心部空間および上部空間を迅速に不活性ガスで満たし、処理室内全体にわたって不要な酸素や水蒸気を排除しておくことができる。そして、純水から引き揚げられる基板に対し直接的に有機溶剤の蒸気を吹き付け、基板の表面に有機溶剤を効率よく凝縮させることができる。このため、乾燥性能を低下させることなく、供給する有機溶剤の蒸気の濃度を低下させることができ、基板の表面に形成されたレジスト膜の溶解を防止することができる。
【００１９】
特に、請求項２，６に記載の発明によれば、基板の左右から水平に有機溶剤の蒸気を吹き付けることができる。したがって、基板に最も近い位置から効率よく有機溶剤の蒸気を吹き付けることができる。また、純水の液面に有機溶剤の蒸気が直接的に当たることもない。
【００２０】
特に、請求項７に記載の発明によれば、基板に対して、加熱した不活性ガスを吹き付けることができる。このため、窒素ガスの熱エネルギが基板に蓄えられ、有機溶剤および純水の気化を促進することができる。
【００２１】
特に、請求項３，８に記載の発明によれば、純水が除去されにくい基板と保持部材との接触部分にも気体を吹き付けることができる。このため、接触部分に付着した水滴も吹き飛ばされ、または気化されて、良好に除去される。
【００２２】
特に、請求項６に記載の発明によれば、基板表面に残存する有機溶剤の蒸気や純水を、迅速に気化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２４】
＜１．基板処理装置１の全体構成＞
まず、多機能処理部５６を含む基板処理装置１の全体構成について説明する。図１は、基板処理装置１の全体構成を示す斜視図である。
【００２５】
基板処理装置１は、未処理の基板を収納したカセットＣを搬入する搬入部２と、搬入後のカセットＣを載置してカセットＣから基板を取り出す取出部３と、基板に洗浄処理等を行う処理部５と、処理後の基板をカセットＣに収納する収納部７と、処理済みの基板を収納したカセットＣを搬出する搬出部８とを備えている。また、基板処理装置１の前面側（基板の搬送方向に向かって右手側）には、取出部３から収納部７にわたって搬送機構９が配置されている。搬送機構９は、一対の回転可能なハンド９１，９２によって基板を把持しつつ横行移動し、取出部３と、処理部５と、収納部７との間で基板を搬送する。
【００２６】
搬入部２は、カセット移載ロボットＣＲ１を備えている。カセット移載ロボットＣＲ１は、水平移動、昇降移動、および垂直軸周りの回転運動を行い、カセットステージ２ａ上に載置されたカセットＣを取出部３へ移動させる。
【００２７】
取出部３は、昇降移動する一対のホルダ３ａ，３ｂを備える。各ホルダ３ａ，３ｂの上面にはガイド溝が刻設されており、カセットＣ中の複数の基板を起立姿勢で支持することができる。各基板の表裏面は基板の搬送方向に平行となる。取出部３にカセットＣが載置され、ホルダ３ａまたは３ｂが上昇すると、カセットＣから基板が取り出される。カセットＣから取り出された基板は、搬送機構９の搬送ロボットＴＲに受け渡され、処理部５へ搬送される。
【００２８】
処理部５は、薬液槽を備えた薬液処理部５２と、水洗槽を備えた水洗処理部５４と、多機能処理部５６とを有している。薬液処理部５２と水洗処理部５４の後方には、浸漬機構５５が配置されている。浸漬機構５５は、上下方向および横方向に移動可能なリフタヘッドＬＨ１を備えており、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を、薬液槽へ浸漬し、薬液処理部５２と水洗処理部５４との間で移動させ、水洗槽へ浸漬する。また、多機能処理部５６には、リフタ５６３が配置されている。リフタ５６３は上下方向に移動可能なリフタヘッド５６３ａを備えており、搬送ロボットＴＲから受け取った基板を、多機能処理部５６内で昇降移動させる。
【００２９】
収納部７は、取出部３と同様の構造を有し、昇降移動する一対のホルダ７ａ，７ｂによって、搬送ロボットＴＲから処理済みの基板を受け取り、カセットＣへ収納する。
【００３０】
カセット搬出部８は、カセット搬入部２と同様の構造を有し、移動自在のカセット移載ロボットＣＲ２によって、収納部７上に載置された一対のカセットをカセットステージ８ａ上に移載する。
【００３１】
＜２．多機能処理部５６の構成＞
続いて、多機能処理部５６の詳細な構成について説明する。図２は、多機能処理部５６を基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。図３は、多機能処理部５６を基板Ｗと垂直な平面で切断した縦断面図である。
【００３２】
図２〜３に示したように、多機能処理部５６は、主としてケーシング５６０、シャッタ５６１、処理槽５６２、リフタ５６３、リフタ駆動部５６４、第１の気体吐出部５６５、および第２の気体吐出部５６６を備えている。
【００３３】
ケーシング５６０は、上面に基板搬出入口ＴＯを備え、底面には排気用の配管５６０ｂを備えている。基板搬出入口ＴＯの周囲にはシール部材５６０ａが固着されており、シャッタ５６１が閉じたときにはケーシング５６０内は気密状態となる。
【００３４】
シャッタ５６１は、図示しないレールやモータ等を備えた駆動機構によってスライド移動し、基板搬出入口ＴＯを開閉する。
【００３５】
処理槽５６２は、フッ酸（ＨＦ）または純水を貯留する。処理槽５６２に貯留されたこれらの液体に基板Ｗを浸漬することにより、エッチング処理や洗浄処理を行う。処理槽５６２の外側面の上端には外槽５６２ａが設けられており、処理槽５６２から溢れ出た液体は外槽５６２ａに流入し、回収用の配管５６２ｂに回収される。また、処理槽５６２の底部には、配管５６２ｂに回収された液体を処理槽５６２へ帰還させるための配管５６２ｃと、処理槽５６２内の液体を急速に排出するための配管５６２ｄと、処理槽５６２へ液体を供給するための配管５６２ｅとが連結されている。
【００３６】
リフタ５６３は、リフタヘッド５６３ａと保持板５６３ｂとの間に、３本の保持棒５６３ｃを備えている。各保持棒５６３ｃには、図示しない多数の保持溝が刻設されており、基板Ｗは、保持溝に周縁部を保持される。
【００３７】
リフタ駆動部５６４は、サーボモータ５６４ａと、タイミングベルト５６４ｂと、シャフト５６４ｃとを備えている。タイミングベルト５６４ｂは、サーボモータ５６４ａに連結され、サーボモータ５６４ａの駆動により回転運動する。また、シャフト５６４ｃは、下端がタイミングベルト５６４ｂに、上端がリフタヘッド５６３ａに、それぞれ連結されている。したがって、サーボモータ５６４ａの駆動により、タイミングベルト５６４ｂとシャフト５６４ｃとを介して、リフタ５６３が昇降移動する。
【００３８】
リフタ５６３の昇降移動により、基板Ｗは、処理槽５６２内の浸漬位置Ｐ１と、処理槽５６２上方の乾燥位置Ｐ２と、搬送ロボットＴＲとの受け渡し位置Ｐ３との間を移動する。リフタ５６３は、基板Ｗを浸漬位置Ｐ１から引き揚げる引き揚げ手段として機能する。
【００３９】
第１の気体吐出部５６５は、２本の気体吐出管５６５ａを備えている。２本の気体吐出管５６５ａは、それぞれケーシング５６０の内部側面にブラケットを介して取り付けられている。２本の気体吐出管５６５ａには、それぞれケーシング５６０の内側に向けて水平に気体を吐出する複数の気体吐出口Ｂ１が設けられている。気体吐出管５６５ａは、処理槽５６２の上面（処理槽５６２に液体を満たしたときの液面）より少しだけ高い位置に取り付けられるので、基板Ｗの引き揚げ経路に向けて気体を吐出することになる。また、基板Ｗが引き揚げられるときには、基板Ｗに向けて直接的に気体を吹き付け、特に、基板Ｗの周縁部と保持棒５６３ｃとの接触部分に直接的に気体を吹き付けることになる。
【００４０】
第２の気体吐出部５６６も、２本の気体吐出管５６６ａを備えている。２本の気体吐出管５６６ａは、上記気体吐出管５６５ａの少しだけ上方のケーシング５６０の内部側面に取り付けられる。２本の気体吐出管５６６ａには、それぞれケーシング５６０の上部空間に向けて鉛直に気体を吐出する複数の気体吐出口Ｂ２が設けられている。
【００４１】
図４は、多機能処理部５６に関係する配管等の構成を示した模式図である。配管５６２ｂには三方弁Ｖ１、ポンプＰおよびフィルタＦが介挿されており、その先は配管５６２ｃに連結されている。また、三方弁Ｖ１の他のポートには配管５６２ｂｃが連結されている。配管５６２ｂｃの他端は配管５６２ｄに合流し、配管５６２ｄのその先にはバルブＶ２が介挿されている。このような構成において、三方弁Ｖ１を制御すると、処理槽５６２から溢れた処理液を排液ラインへ排出する状態と、濾過して処理槽５６２へ帰還させる状態とに切り替えることができる。
【００４２】
配管５６２ｅは２本の配管に分岐し、その一方はバルブＶ３を介してＨＦ供給源５６７ｂへ、他方はバルブＶ４を介して純水供給源５６７ｃへ、それぞれ連結されている。したがって、バルブＶ３，Ｖ４を制御することにより、ＨＦと純水とが選択的に処理槽５６２へ供給される。
【００４３】
配管５６０ｂは、バルブＶ５およびエアポンプＡＰを介して、施設内の排気ラインに連結されている。したがって、バルブＶ５およびエアポンプＡＰを制御することにより、ケーシング５６０内の雰囲気を排出し、ケーシング５６０内が減圧される。
【００４４】
第１の気体吐出部５６５の気体吐出管５６５ａに連結された配管５６５ｃは、バルブＶ６を介して気体供給源５６７ｄに連結されている。また、第２の気体吐出部５６６の気体吐出管５６６ａに連結された配管５６６ｃも、バルブＶ７を介して気体供給源５６７ｄに連結されている。したがって、バルブＶ６，Ｖ７を制御することにより、気体吐出管５６５ａと気体吐出管５６６ａとへ選択的に気体が供給され、気体吐出管５６５ａ，５６６ａの一方または両方から、ケーシング５６０内へ気体が吐出する。
【００４５】
気体供給源５６７ｄは、窒素供給源Ｓ１から窒素ガスを２通りの経路で送り出せる構成となっている。そのうち一方の経路にはＩＰＡ供給源Ｓ２が介挿されており、当該経路を選択した場合には、窒素ガスとともにＩＰＡ蒸気が送り出される。気体供給源５６７ｄでは、配管途中に介挿されたバルブＶ８，Ｖ９，Ｖ１０を制御することにより、いずれかの経路を選択可能となっている。
【００４６】
ＩＰＡ供給源Ｓ２は、ヒータＨ１の熱により液体ＩＰＡを熱し、ＩＰＡ蒸気を発生させる。したがって、ヒータＨ１の強度を制御することにより、窒素ガス（キャリアガス）中に含有させるＩＰＡ蒸気の濃度を変えることができる。
【００４７】
窒素供給源Ｓ１と上記２経路の分岐点との間には、窒素ガスを加熱するヒータＨ２が介挿されている。ヒータＨ２を動作させることにより、ケーシング５６０内へ供給する窒素ガスが加熱される。なお、窒素供給源Ｓ１から供給される窒素ガスは、水分を含まない乾燥気体である。
【００４８】
また、多機能処理部５６は、制御部５６７ａを備えている。制御部５６７ａは、上記した三方弁Ｖ１、バルブＶ２〜Ｖ１０、ポンプＰ、エアポンプＡＰ、フィルタＦ、ヒータＨ１，Ｈ２等と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。
【００４９】
＜３．多機能処理部５６における処理手順＞
次に、多機能処理部５６における処理手順について説明する。多機能処理部５６においては、フッ酸（ＨＦ）を用いたエッチング処理や、水洗処理や、乾燥処理等が行われるが、ここでは、エッチング処理が終了した後の、水洗処理から乾燥処理までの流れについて説明する。また、処理対象となる基板は、親水性の基板であり、予め他装置においてレジスト塗布処理が施されており、その表面にレジストが形成されている。
【００５０】
なお、以下に説明する処理は、制御部５６７ａが三方弁Ｖ１，バルブＶ１〜Ｖ１０、ポンプＰ、エアポンプＡＰ、フィルタＦ、ヒータＨ１，Ｈ２等を制御することにより進行する。
【００５１】
図５〜図１０は、多機能処理部５６における各段階の処理の様子を示した図である。これらの各図では、窒素ガスの吐出を白塗りの矢印で示し、窒素ガスをキャリアガスとしたＩＰＡ蒸気の吐出をハッチング付きの矢印で示している。
【００５２】
まず、図５のように、基板Ｗを処理槽５６２内に位置させ、純水により水洗を行う。純水は、処理槽５６２の底部から供給され、上部から外槽５６２ａへ溢れ出て、配管５６２ｂ（図４参照）へ流れ出る。溢れ出た純水は濾過して配管５６２ｃ（図４参照）から処理槽５６２へ帰還させる。
【００５３】
このとき、第１の気体吐出部５６５および第２の気体吐出部５６６から窒素ガスを吐出し、ケーシング５６０内の雰囲気を窒素ガスで置換する。第１の気体吐出部５６５はケーシング５６０の中心部の空間（基板Ｗの引き揚げ経路）へ向けて、第２の気体吐出部５６６はケーシング５６０の上部の空間へ向けて、それぞれ窒素ガスを吐出する。このため、ケーシング５６０内の空気は上部から順に窒素ガスに置換され、底部の配管５６０ｂ（図４参照）へ効率よく排出される。また、第１の気体吐出部５６５と第２の気体吐出部５６６の両方から窒素ガスを吐出しているため、単位時間あたりの窒素ガスの供給量自体も多く、ケーシング５６０内全体は迅速に窒素ガスに置換される。
【００５４】
このように、水洗中にケーシング５６０内を窒素ガスで満たしておくことにより、後続の乾燥処理において乾燥不良の発生を低減させることができる。特に、ケーシング５６０内から酸素を排除しておくことにより、基板Ｗ表面におけるウォーターマークの発生を抑制することができる。また、ケーシング５６０内から水蒸気を排除しておくことにより、基板Ｗの乾燥時間を短縮することができる。
【００５５】
ケーシング５６０内が窒素ガスで満たされると、気体供給源５６７ｄ（図４参照）のバルブＶ８を閉じるとともにバルブＶ９，Ｖ１０を開き、図６のように、第１の気体吐出部５６５および第２の気体吐出部５６６からＩＰＡ蒸気を吐出する。これにより、ケーシング５６０内は、窒素ガス雰囲気中にＩＰＡ蒸気が含まれる状態となる。ここでも、第１の気体吐出部５６５と第２の気体吐出部５６６との両方からＩＰＡ蒸気を吐出しているため、ケーシング５６０内には効率よくＩＰＡ蒸気が供給される。
【００５６】
ケーシング５６０内にＩＰＡ蒸気が十分に供給されると、リフタ駆動部５６４（図３参照）を駆動し、図７のように、処理槽５６２から基板Ｗを保持しているリフタ５６３を引き揚げる。このとき、第１の気体吐出部５６５からはＩＰＡ蒸気が吐出されている。第１の気体吐出部５６５の吐出方向は、基板Ｗの引き揚げ経路に向けられているため、引き揚げられる基板Ｗには、直接的にＩＰＡ蒸気が吹き付けられる。吹き付けられたＩＰＡ蒸気は基板Ｗの表面に凝縮し、純水とともに次第に気化する。
【００５７】
この処理では、このように基板Ｗに直接的にＩＰＡ蒸気を吹き付けるので、ＩＰＡ蒸気は基板Ｗ上に効率よく凝縮する。したがって、供給するＩＰＡ蒸気の濃度を低くしても十分な凝縮量を得ることができる。すなわち、乾燥性能を低下させることなく、供給するＩＰＡ蒸気の濃度を下げることができ、基板表面に形成されたレジストの溶解を抑制することができる。
【００５８】
一方、純水から引き揚げられる基板Ｗには、ＩＰＡ蒸気と同時に、キャリアガスである窒素ガスも吹き付けられている。乾燥気体である窒素ガスが基板Ｗに直接的に吹き付けられることにより、基板Ｗに凝縮したＩＰＡおよび純水は、迅速に気化する。このため、凝縮したＩＰＡが基板Ｗ表面に滞在する時間が短縮され、レジストの溶解をさらに抑制することができる。ヒータＨ２（図４参照）を動作させ、加熱した窒素ガスを供給した場合には、その熱エネルギが基板Ｗに蓄えられ、ＩＰＡおよび純水の気化をさらに促進することができる。
【００５９】
また、この処理では、基板Ｗに気体を直接的に吹きつけているので、基板Ｗ表面の純水自体を吹き飛ばして除去する効果も得ることができる。特に、純水が除去されにくい基板Ｗと保持棒５６３ｃとの接触部分にも吹き付けがされるので、このような接触部分に付着した水滴も吹き飛ばされ、または気化されて、良好に除去される。
【００６０】
また、第１の気体吐出部からの吐出量を、基板浸漬時よりも増加させるようにすれば、上記したＩＰＡの凝縮や、ＩＰＡおよび純水の気化や、水滴の吹き飛ばしを、さらに促進することができる。
【００６１】
なお、基板Ｗを引き揚げる時には、第２の気体吐出部５６６からの吐出は、継続していてもよいし、停止していてもよい。ただし、ケーシング５６０の上部空間には既にＩＰＡ蒸気が十分に供給されているので、ＩＰＡ消費量の節約という観点からは、停止していた方が望ましい。
【００６２】
基板Ｗの引き揚げが完了すると、バルブＶ２（図４参照）を開けて、図８のように処理槽５６２から純水の排水を開始する。このとき、第１の気体吐出部５６５からのＩＰＡ蒸気の吐出は継続する。これにより、引き揚げ途中に除去しきれなかった基板Ｗの表面の水滴を、ＩＰＡで置換する。
【００６３】
所定時間が経過した後、バルブＶ９，Ｖ１０（図４参照）を閉じるとともにバルブＶ７，Ｖ８（図４参照）を開き、図９のように、第１の気体吐出部５６５および第２の気体吐出部５６６から窒素ガスを吐出する。これにより、基板Ｗ表面に残存するＩＰＡおよび純水の気化を促進し、また、ケーシング５６０内からＩＰＡ蒸気および水蒸気を排除する。ここでは、ＩＰＡおよび純水を迅速に気化させるため、第１の気体吐出部５６５および第２の気体吐出部５６６の両方から窒素ガスを吐出している。
【００６４】
ケーシング５６０内が再び窒素ガスで満たされると、バルブＶ７（図４参照）を閉じて、図１０のように、第２の気体吐出部５６６からの窒素ガスの吐出を停止する。そして、エアポンプＡＰ（図４参照）を動作させ、ケーシング５６０内の雰囲気を強制的に排気する。これにより、ケーシング５６０内は減圧し、基板Ｗの表面に残存する純水が完全に気化して乾燥する。
【００６５】
最後に、シャッタ５６１を開いて大気開放し、リフタ５６３を受け渡し位置Ｐ３（図２参照）まで上昇させることにより基板Ｗをケーシング５６０外に取り出す。以上で、多機能処理部５６における一連の処理を終了する。
【００６６】
＜４．その他＞
上記のように、この多機能処理部５６では、純水から引き揚げられる基板Ｗに対して直接的にＩＰＡ蒸気を吹き付け、ＩＰＡ蒸気を効率よく凝縮するようにしている。このため、供給するＩＰＡ蒸気の濃度を低下させることができ、レジストの溶解を防止することができる。
【００６７】
また、基板Ｗに対して、ＩＰＡ蒸気とともにキャリアガスである窒素ガスを吹き付け、ＩＰＡおよび純水が迅速に気化されるようにしている。このため、凝縮したＩＰＡが基板Ｗ上に留まる時間を短縮することができ、レジストの溶解を防止することができる。
【００６８】
また、基板を純水から引き揚げる前に、ケーシング５６０内に効率よく窒素ガスを供給し、酸素や水蒸気を排除しておく。このため、基板を純水から引き揚げたあとには、基板Ｗの乾燥処理が迅速に完了し、レジストの溶解を防止することができる。また、ウォーターマーク等の乾燥不良も発生することがない。
【００６９】
なお、上記の多機能処理部５６では有機溶剤としてＩＰＡを用いたが、エタノールやメタノールなどの他の有機溶剤を用いてもよい。また、不活性ガスとして窒素ガスを用いたが、ヘリウムガスやアルゴンガスなどの他の不活性ガスを用いてもよい。
【００７０】
また、第２の気体吐出部５６６は、鉛直上方に向けて気体を吐出するものとしたが、厳密に鉛直上方を向いていなくても、ケーシング５６０の上部の空間に向けて気体を吐出するものであればよい。
【００７１】
また、第１の気体吐出部５６５も、ケーシング５６０の内側に向けて水平に吐出するものとしたが、厳密に水平でなくても、基板の引揚げ経路に向けて気体を吐出するものであればよい。たとえば、水平よりやや上方を向いていてもよい。
【００７２】
ただし、処理対象となる基板Ｗの表面にＢａｒｅＳｉとＳｉＯ２とがともに存在する場合には、第１の気体吐出部５６５の気体吐出管５６５ａの取り付け高さに注意する必要がある。気体吐出管５６５ａの取り付け位置が低すぎると、処理中に基板Ｗ上のＢａｒｅＳｉのエリアにＳｉＯ２の物質が付着して、欠陥となることが分かっている。これは、気体吐出管５６５ａから吐出されたＩＰＡ蒸気が処理槽５６２の液面を乱すことに起因して発生する欠陥であることが分かっている。処理槽５６２の上面（処理槽５６２に液体を満たしたときの液面）と気体吐出管５６５ａとの距離（図１１に示した距離ｄ）を、少なくとも５５ｍｍ以上離しておけば、このような欠陥は発生しない。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】多機能処理部を基板と平行な平面で切断した縦断面図である。
【図３】多機能処理部を基板と垂直な平面で切断した縦断面図である。
【図４】多機能処理部に関係する配管等の構成を示した模式図である。
【図５】多機能処理部における処理の様子を示した図である。
【図６】多機能処理部における処理の様子を示した図である。
【図７】多機能処理部における処理の様子を示した図である。
【図８】多機能処理部における処理の様子を示した図である。
【図９】多機能処理部における処理の様子を示した図である。
【図１０】多機能処理部における処理の様子を示した図である。
【図１１】第１の気体吐出部の気体吐出管の取り付け高さを示した図である。
【符号の説明】
【００７４】
１    基板処理装置
５６    多機能処理部
５６０    ケーシング
５６１    シャッタ
５６２    処理槽
５６３    リフタ
５６３ｃ    保持棒
５６４    リフタ駆動部
５６５    第１の気体吐出部
５６５ａ    気体吐出管
５６６    気体吐出部
５６６ａ    気体吐出管
５６７ａ    制御部
５６７ｄ    気体供給源
Ｂ１，Ｂ２    気体吐出口
Ｈ１，Ｈ２    ヒータ
Ｓ１    窒素供給源
Ｓ２    ＩＰＡ供給源
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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