(57)【要約】【課題】  製造効率を低下させることがなく、かつ、水素拡散防止の機能が確保できる水素拡散防止膜を備え、微細化しても水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリを提供する。【解決手段】  下部電極１０１ｃ、下部電極１０１ｃの上面に設けられた強誘電体膜１０１ｂ、強誘電体膜１０１ｂの上面に設けられた上部電極１０１ａを有するキャパシタ１０１、キャパシタ１０１と所定の間隔ｄを隔て、かつ、キャパシタ１０１を包囲して設けられる包囲部材１０３、キャパシタ１０１と包囲部材１０３との間に生じる空間を含む包囲空間３０３によって成形され、この包囲空間３０３にあって強誘電体膜１０１ｂへの水素拡散を防止する水素拡散防止部材１０５とを強誘電体メモリに設ける。【選択図】  図１
2006066672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極、該下部電極の上面に設けられた強誘電体膜、該強誘電体膜の上面に設けられた上部電極を有する強誘電体キャパシタと、
前記強誘電体キャパシタと所定の間隔を隔て、かつ、前記強誘電体キャパシタを包囲して設けられるキャパシタ包囲部材と、
前記強誘電体キャパシタと前記キャパシタ包囲部材との間に生じる空間を含む包囲空間によって成形され、該包囲空間にあって前記強誘電体膜への水素拡散を防止する水素拡散防止部材と、
を備えることを特徴とする強誘電体メモリ。
【請求項２】
前記包囲部材の高さが前記強誘電体キャパシタよりも高く、前記包囲空間は、前記強誘電体キャパシタ上の空間を含むことを特徴とする請求項１に記載の強誘電体メモリ。
【請求項３】
強誘電体キャパシタを有する強誘電体メモリの製造方法であって、
後に前記強誘電体キャパシタが形成される面である形成面上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、
前記成膜工程で成膜された絶縁膜をパターニングし、前記形成面上の所定の空間を包囲する包囲部材を形成する包囲部材形成工程と、
前記包囲部材によって包囲された形成面上に下部電極、該下部電極の上面に設けられた強誘電体膜、該強誘電体膜の上面に設けられた上部電極を有する強誘電体キャパシタを形成するキャパシタ形成工程と、
前記包囲部材と前記強誘電体キャパシタとの間の生じた空間を少なくとも含む包囲空間に水素拡散防止部材を形成する水素拡散防止部材形成工程と、
を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。
【請求項４】
強誘電体キャパシタを有する強誘電体メモリの製造方法であって、
下部電極、該下部電極の上面に設けられた強誘電体膜、該強誘電体膜の上面に設けられた上部電極を有する強誘電体キャパシタを、強誘電体キャパシタの形成面上に形成するキャパシタ形成工程と、
前記強誘電体キャパシタが形成された前記形成面上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、
前記成膜工程で成膜された絶縁膜をパターニングし、前記強誘電体キャパシタを包囲する包囲部材を形成する包囲部材形成工程と、
前記包囲部材と前記強誘電体キャパシタとの間の生じた空間を少なくとも含む包囲空間に水素拡散防止部材を形成する水素拡散防止部材形成工程と、
を含むことを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。
【請求項５】
前記水素拡散防止部材形成工程は、前記水素拡散防止部材を液体状の金属化合物によって形成することを特徴とする請求項３または４に記載の強誘電体メモリの製造方法。
【請求項６】
前記水素拡散防止部材形成工程は、液体状の金属化合物を前記形成面上に塗布または噴霧することによって前記包囲空間内に導入し、焼成することによって前記水素拡散防止部材を形成することを特徴とする請求項５に記載の強誘電体メモリの製造方法。
【請求項７】
液体状の前記金属化合物は、アルミニウムの有機化合物を含むことを特徴とする請求項３から６のいずれか１つに記載の強誘電体メモリの製造方法。
【請求項８】
液体状の前記金属化合物は、アルミニウムの水酸化物を含むことを特徴とする請求項３から６のいずれか１つに記載の強誘電体メモリの製造方法。
【請求項９】
液体状の前記金属化合物は、酸化アルミニウムの水和物の水溶液を含むことを特徴とする請求項３から６のいずれか１つに記載の強誘電体メモリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体メモリ、強誘電体メモリの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、強誘電体部材をキャパシタに用いた強誘電体キャパシタを持った強誘電体メモリが実用化されている。強誘電体メモリは、不揮発性であって、しかも、半導体不揮発性メモリであるフラッシュメモリなどの書き換え時間を大幅に短縮することができる。また、フラッシュメモリよりも多数の回数書き換えが可能である等の特長を有する。
ただし、強誘電体メモリの強誘電体膜は、水素と相互作用してメモリに利用される特性が劣化することでも知られている。半導体の製造工程では、一般的に水素終端処理がなされる。強誘電体メモリの水素による特性劣化は、この水素終端処理中において発生する。
【０００３】
強誘電体キャパシタの水素終端処理における特性劣化を防止するための従来技術として、強誘電体キャパシタを水素拡散防止膜で覆うものがある（例えば特許文献１）。図６は、この従来技術を説明するための図である。図示したように、従来技術では、強誘電体キャパシタ６０１の上部に水素拡散防止膜６００として酸化アルミニウム膜を形成する。
このような従来技術によれば、水素雰囲気中の水素が強誘電体キャパシタ６００の内部に拡散することを防ぎ、強誘電体メモリの水素還元による特性の劣化を防ぐことができる。なお、従来技術では、水素拡散防止膜は、スパッタリング法やＣＶＤ（Chemical vapor deposition）法によって形成されている。
【特許文献１】特開２００１−２８４５４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、強誘電体メモリは、近年、ますます微細化される傾向にある。強誘電体メモリが微細化されるにあたっては、水素拡散防止膜の膜厚も薄くすることが望ましい。ただし、水素拡散防止膜の水素拡散防止機能は、膜の厚さに比例する。このため、強誘電体メモリの微細化にあたっては、水素拡散防止の機能を維持できる厚さであって、かつ、可能な限り薄い膜を成膜する技術が要求される。
【０００５】
しかしながら、従来の強誘電体メモリの製造に使用されているスパッタリング法は、短時間で成膜が可能という特長を有するものの、厚さが一様な膜を得ることが難しいという欠点がある。
すなわち、スパッタリング法は、膜材料を一方向から堆積させて膜を生成するため、体積方向の膜厚が厚く、この方向と異なる方向の膜厚がより薄くなる傾向がある。このため、スパッタリング法で薄膜を得る場合、膜の比較的薄い箇所で水素拡散防止の機能が失われる可能性が生じる。このようなスパッタリング法の欠点は、強誘電体メモリが微細化されて被膜すべきキャパシタのアスペクト比が大きくなった場合に顕著になる。
【０００６】
一方、ＣＶＤ法は、スパッタリング法よりも膜厚を高い精度で制御でき、厚さが一様な膜を得ることができる。ただし、ＣＶＤ法によって膜厚が一様な薄膜を成膜する場合、膜の成膜速度は、スパッタリング法と比べて低下する。このため、ＣＶＤ法は、水素拡散防止膜の成膜に用いられた場合に成膜のスループットを低下させ、ひいては強誘電体メモリの製造効率を低下させるおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記した点に鑑みてなされたものであり、強誘電体メモリの製造効率を低下させることがなく、かつ、水素拡散防止の機能が確保できる水素拡散防止膜を備え、このために微細化しても水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリ及び強誘電体メモリの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するため、本発明の強誘電体メモリは、下部電極、該下部電極の上面に設けられた強誘電体膜、該強誘電体膜の上面に設けられた上部電極を有する強誘電体キャパシタと、前記強誘電体キャパシタと所定の間隔を隔て、かつ、前記強誘電体キャパシタを包囲して設けられるキャパシタ包囲部材と、前記強誘電体キャパシタと前記キャパシタ包囲部材との間に生じる空間を含む包囲空間によって成形され、該包囲空間にあって前記強誘電体膜への水素拡散を防止する水素拡散防止部材と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
このような発明によれば、強誘電体キャパシタの周囲に水素拡散防部材を備えた強誘電体メモリを提供することができる。このような強誘電体メモリは、強誘電体キャパシタへの水素の拡散を防止し、強誘電体メモリの特性の低下を防ぐことができる。
また、このような発明では、水素拡散防止部材を強誘電体キャパシタとキャパシタ包囲部材との間に生じた空間を含む包囲空間によって成形すると共に、この包囲空間に配置することができる。このため、本発明は、キャパシタの側面にも水素拡散防止部材を容易に形成でき、微細化した場合にもキャパシタを覆う水素拡散防止部材の厚さを充分に厚くできる。
【００１０】
このため、本発明の強誘電体メモリは、強誘電体メモリを微細化しても水素拡散防止部材の水素拡散防止機能が確保でき、微細であって、かつ水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリを提供することができる。
また、本発明の強誘電体メモリは、前記包囲部材の高さが前記強誘電体キャパシタよりも高く、前記包囲空間は、前記強誘電体キャパシタ上の空間を含むことを特徴とする。
【００１１】
このような発明によれば、強誘電体キャパシタの上面にも水素拡散防止部材を形成することができる。このため、強誘電体キャパシタの全体を水素拡散防止部材で覆い、より確実に強誘電体キャパシタの誘電体膜に対する水素の拡散を防止することができる。
また、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、強誘電体キャパシタを有する強誘電体メモリの製造方法であって、後に前記強誘電体キャパシタが形成される面である形成面上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程で成膜された絶縁膜をパターニングし、前記形成面上の所定の空間を包囲する包囲部材を形成する包囲部材形成工程と、前記包囲部材によって包囲された形成面上に下部電極、該下部電極の上面に設けられた強誘電体膜、該強誘電体膜の上面に設けられた上部電極を有する強誘電体キャパシタを形成するキャパシタ形成工程と、前記包囲部材と前記強誘電体キャパシタとの間の生じた空間を少なくとも含む包囲空間に水素拡散防止部材を形成する水素拡散防止部材形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１２】
このような発明によれば、強誘電体キャパシタの周囲に水素拡散防部材を備える強誘電体メモリの製造方法を提供することができる。このような強誘電体メモリの製造方法は、強誘電体キャパシタへの水素の拡散を防止し、強誘電体メモリの特性の低下を防ぐことができる強誘電体メモリを製造することができる。
また、このような発明では、水素拡散防止部材を強誘電体キャパシタとキャパシタ包囲部材との間に生じた空間を含む包囲空間に形成することができる。このため、本発明は、キャパシタの側面にも水素拡散防止部材を容易に形成でき、微細化した場合にもキャパシタを覆う水素拡散防止部材の厚さを充分に厚くできる強誘電体メモリを製造することができる。
【００１３】
このため、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、強誘電体メモリを微細化しても水素拡散防止部材の水素拡散防止機能が確保でき、微細であって、かつ水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリを製造することができる。
また、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、強誘電体キャパシタを有する強誘電体メモリの製造方法であって、下部電極、該下部電極の上面に設けられた強誘電体膜、該強誘電体膜の上面に設けられた上部電極を有する強誘電体キャパシタを、強誘電体キャパシタの形成面上に形成するキャパシタ形成工程と、前記強誘電体キャパシタ及び前記形成面上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程で成膜された絶縁膜をパターニングし、前記強誘電体キャパシタを包囲する包囲部材を形成する包囲部材形成工程と、前記包囲部材と前記強誘電体キャパシタとの間の生じた空間を少なくとも含む包囲空間に水素拡散防止部材を形成する水素拡散防止部材形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
このような発明によれば、強誘電体キャパシタの周囲に水素拡散防部材を備える強誘電体メモリの製造方法を提供することができる。このような強誘電体メモリの製造方法は、強誘電体キャパシタへの水素の拡散を防止し、強誘電体メモリの特性の低下を防ぐことができる強誘電体メモリを製造することができる。
また、このような発明では、水素拡散防止部材を強誘電体キャパシタとキャパシタ包囲部材との間に生じた空間を含む包囲空間に形成することができる。このため、本発明は、キャパシタの側面にも水素拡散防止部材を容易に形成でき、微細化した場合にもキャパシタを覆う水素拡散防止部材の厚さを充分に厚くできる強誘電体メモリを製造することができる。
【００１５】
このため、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、強誘電体メモリを微細化しても水素拡散防止部材の水素拡散防止機能が確保でき、微細であって、かつ水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリを製造することができる。
また、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、前記水素拡散防止部材形成工程が、前記水素拡散防止部材を液体状の金属化合物によって形成することを特徴とする。
【００１６】
このような発明によれば、水素拡散防止部材を効率的に形成でき、強誘電体メモリ製造のスループットが低下することを防ぐことができる。
また、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、前記水素拡散防止部材形成工程が、液体状の金属化合物を前記形成面上に塗布または噴霧することによって前記包囲空間内に導入し、焼成することによって前記水素拡散防止部材を形成することを特徴とする。
【００１７】
このような発明によれば、キャパシタ包囲部材と強誘電体キャパシタとの間に水素拡散防止部材の材料を簡易、かつ隙間なく導入し、強誘電体キャパシタを水素拡散防止部材で覆うことができる。このため、水素拡散防止部材が強誘電体キャパシタに水素が拡散することを確実に防ぎ、充分に水素拡散防止の機能を果たすことができる。
また、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、液体状の前記金属化合物が、アルミニウムの有機化合物を含むことを特徴とする。
【００１８】
このような発明によれば、水素拡散防止部材として、高い水素拡散防止機能を有し、かつ、強誘電体キャパシタの動作に影響しない部材を用いて水素拡散防止部材を形成することができる。
また、本発明の強誘電体メモリの製造方法は、液体状の前記金属化合物が、アルミニウムの水酸化物を含むことを特徴とする。
【００１９】
このような発明によれば、水素拡散防止部材として、高い水素拡散防止機能を有し、かつ、強誘電体キャパシタの動作に影響しない部材を用いて水素拡散防止部材を形成することができる。
また、本発明の強誘電体メモリは、液体状の前記金属化合物が、酸化アルミニウムの水和物を含むことを特徴とする。
【００２０】
このような発明によれば、水素拡散防止部材として、高い水素拡散防止機能を有し、かつ、強誘電体キャパシタの動作に影響しない部材を用いて水素拡散防止部材を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図を参照して本発明に係る強誘電体メモリ、強誘電体メモリの製造方法の実施形態１、実施形態２を説明する。
【００２２】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１の強誘電体メモリを示した図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は上面図である。実施形態１の強誘電体メモリは、基板上に形成された半導体素子１上にキャパシタ１０１を備えている。キャパシタ１０１は、下部電極１０１ｃ、下部電極１０１ｃの上面に設けられた強誘電体膜１０１ｂ、強誘電体膜１０１ｂの上面に設けられた上部電極１０１ａを有する強誘電体キャパシタである。
【００２３】
また、実施形態１の強誘電体メモリは、キャパシタ１０１と所定の間隔ｄを隔て、かつ、キャパシタ１０１を包囲して設けられる包囲部材１０３と、キャパシタ１０１と包囲部材１０３との間に生じる空間を含む包囲空間３０３によって成形され、この包囲空間３０３にあって強誘電体膜１０１ｂへの水素拡散を防止する水素拡散防止部材１０５とを備えている。
【００２４】
図１に示した構成では、包囲部材１０３は、シリコン酸化膜、あるいはシリコン窒化膜等の絶縁膜である。実施形態１では、絶縁膜をＣＶＤ法によって成膜するものとした。
また、水素拡散防止部材１０５は、液体状の金属化合物をキャパシタ１０１と包囲部材１０３との間に導入し、焼成して形成される。
すなわち、実施形態１の強誘電体メモリは、キャパシタ１０１と所定の間隔ｄを隔て、かつキャパシタ１０１を包囲するように包囲部材１０３を設けている。このため、キャパシタ１０１と包囲部材１０３との間に空間（包囲空間）３０３が生じる。実施形態１は、この包囲空間３０３に金属化合物を噴霧することによって導入する。このような成膜方法は、ＬＳＭＣＤ（Liquid Source Misted Chemical Deposition）と呼ばれる周知の技術である。導入された金属化合物は、焼成されて水素拡散防止部材１０５を形成する。
【００２５】
また、水素拡散防止部材１０５を形成する金属化合物としては、アルミニウムの有機化合物、アルミニウムの水酸化物、酸化アルミニウムの水和物の水溶液等を含むものが用いられる。金属化合物の例としては、Ｓｒ、Ｂｉ、Ｔａの少なくとも一つを含む有機化合物が挙げられる。また、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｔｉの少なくとも一つを含む有機化合物が挙げられる。さらに、アルミニウムの有機化合物としては、例えば、トリメチルアルミニウムがある。
【００２６】
次に、以上述べた実施形態１の強誘電体メモリの製造方法を説明する。
図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図３（ｄ）、（ｅ）は、実施形態１の強誘電体メモリを製造する方法を説明するための図である。図２（ａ）に示すように、実施形態１では、基板２上に半導体素子１が形成されている。半導体素子１には素子とキャパシタとを絶縁する絶縁層（図示せず）があって、絶縁層は平坦化工程によって平坦化されている。
【００２７】
次に、実施形態１では、平坦化された面上に例えばシリコン酸化膜でなる絶縁膜２０３を成膜する（図２（ａ））。絶縁膜２０３は、露光、エッチングの工程を経てパターニングされ、平坦化された面上の所定の空間を包囲する包囲部材１０３を形成する。包囲部材１０３が形成された面は、実施形態１の後の工程でキャパシタ１０１が形成される面であって、以降、形成面２０５と記す（図２（ｂ））。
【００２８】
包囲部材１０３となる絶縁膜２０３の厚さは、後に形成されるキャパシタ１０１よりもわずかに高く、例えば０．５μｍないし０．８μｍ程度が適当である。また、包囲部材によって包囲される形成面２０５のサイズは、キャパシタ１０１の形成領域よりも大きく、キャパシタ１０１との間隔ｄが０．２μｍ程度となるサイズに設定される。
次に、実施形態１では、包囲部材１０３によって包囲された形成面２０５上に下部電極となる下部電極膜２０１ｃ、強誘電体膜２０１ｂ、上部電極となる上部電極膜２０１ａをそれぞれ成膜する（図２（ｃ））。下部電極膜２０１ｃ、上部電極膜２０１ａには、例えば、Ｉｒ、Ｐｔを含む膜や、Ｉｒ、Ｐｔの酸化膜が用いられる。さらに、Ｉｒ、Ｐｔを含む膜、これらの酸化膜は、単層であっても積層しても電極の材料膜として使用できる。また、強誘電体膜２０１ｂとしては、例えば、ＰＺＴやＳＢＴ膜が用いられる。
【００２９】
次に、実施形態１では、図３（ｄ）に示すように、下部電極膜２０１ｃ、強誘電体膜２０１ｂ、上部電極膜２０１ａを露光、エッチングの工程によりパターニングする。パターニングされた下部電極膜２０１ｃ、強誘電体膜２０１ｂ、上部電極膜２０１ａは、キャパシタ１０１となる。
以上の工程終了後、包囲部材とキャパシタ１０１との間には空間３０１が生じる。実施形態１では、空間３０１を少なくとも含む包囲空間３０３に水素拡散防止部材１０５を形成する（図３（ｅ））。図３（ｅ）に示した構成では、空間３０１と、包囲部材１０３及びキャパシタ１０１の上の空間の一部が包囲空間３０３となる。このような構成によれば、水素拡散防止部材がキャパシタ１０１の周面と上面とを覆い、アニール雰囲気中の水素拡散を確実に防止することができる。
【００３０】
また、水素拡散防止部材１０５は、液体状の金属化合物によって形成される。実施形態１では、液体状の金属化合物として、アルミニウム有機化合物であるトリメチルアルミニウムを用いるものとした。トリメチルアルミニウムは、反応性が高いために通常ＬＳＭＣＤによって成膜され、酸素雰囲気中で焼成される。焼成の温度は１００〜７００℃である。また、水素拡散防止部材１０５をアルミニウム水酸化物や酸化アルミニウム水和物の水溶液で形成する場合、焼成温度は２００〜７００℃であり、特に３００〜５００℃が適当である。
【００３１】
以上述べた実施形態１は、キャパシタ１０１の周囲に水素拡散防部材１０５を形成し、キャパシタ１０１への水素の拡散を防止する。このため、実施形態１は、水素拡散によるキャパシタ１０１の特性の低下を防ぐことができる。
また、実施形態１では、水素拡散防止部材１０５をキャパシタ１０１と包囲部材１０３との間に生じた包囲空間３０３で成形すると共に、この包囲空間３０３内に設けることができる。このため、強誘電体メモリを微細化した場合、特にキャパシタ１０１の側面の膜厚を容易に厚くすることができる。したがって、強誘電体メモリを微細化してもキャパシタ１０１の全周面で水素拡散防止部材の水素拡散防止の機能が確保でき、微細でありながら水素拡散による特性劣化を防止できる強誘電体メモリ、強誘電体メモリの製造方法を提供することができる。
【００３２】
さらに、実施形態１では、包囲部材１０３の高さをキャパシタ１０１の高さよりもわずかに高く形成し、包囲部材１０３の上端からキャパシタ１０１の上面までの空間にも水素拡散防止防止部材１０５を形成している。このため、水素拡散防止部材１０５によってキャパシタ１０１を完全に覆い、水素の拡散を確実に防止することができる。
なお、実施形態１は、以上述べた構成に限定されるものではない。例えば、上記した構成では、液体状の金属化合物を噴霧、焼成して水素拡散防止部材１０５を形成している。しかし、水素拡散防止部材１０５の形成にあたって金属化合物は噴霧されるものに限定されるものでなく、形成面２０５上に塗布ことによって包囲空間内３０３に導入することもできる。
【００３３】
また、以上述べた実施形態１では、絶縁膜を矩形の平面視形状にくり抜くようにパターニングして包囲部材１０３を形成している。しかし、実施形態１は、このような構成に限定されるものではなく、包囲部材１０３がキャパシタ１０１を包囲するものであれば、絶縁膜をどのような形状にパターニングしてもよい。
また、実施形態１では、包囲部材１０３とキャパシタ１０１とが一定の距離ｄを隔てて設けられるよう構成した。しかし、実施形態１は、包囲部材１０３とキャパシタ１０１との間隔が一定の構成に限定されるものではなく、位置によって両者の間隔が変化するものであってもよい。
【００３４】
（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２について説明する。なお、実施形態２の説明において、実施形態１と同様の構成については同様の符号を付し、説明を一部略すものとする。
【００３５】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、図５（ｄ）、（ｅ）は、実施形態２の強誘電体メモリの製造方法を説明するための図である。図４（ａ）に示すように、実施形態２では、形成面２０５上に下部電極膜２０１ｃ、強誘電体膜２０１ｂ、上部電極膜２０１ａを成膜する。成膜された下部電極膜２０１ｃ、強誘電体膜２０１ｂ、上部電極膜２０１ａは、露光、エッチングの工程を経てパターニングされ、キャパシタ１０１を形成する（図４（ｂ））。さらに、実施形態２では、キャパシタ１０１及び形成面２０５上に絶縁膜２０３を成膜する（図４（ｃ））。
【００３６】
次に、実施形態２では、図５（ｄ）に示すように、絶縁膜２０３をパターニングし、包囲部材１０３を形成する。このとき、包囲部材１０３とキャパシタ１０１との間には空間３０１が生じる。実施形態２では、空間３０１を少なくとも含む包囲空間３０３に水素拡散防止部材１０５を形成する（図５（ｅ））。図５（ｅ）に示した構成では、空間３０１と、包囲部材１０３及びキャパシタ１０１の上の空間の一部が包囲空間３０３となる。
【００３７】
以上述べた実施形態２によれば、実施形態１で示した強誘電体メモリと同様の強誘電体メモリを実施形態１と異なる方法で製造することができる。このため、実施形態１の強誘電体メモリのプロセスの自由度を高めることができる。
また、実施形態２の強誘電体メモリの製造方法は、キャパシタ１０１を形成した後に絶縁膜を成膜してパターニングし、包囲部材１０３を形成している。このため、キャパシタ１０１の形成面２０５がキャパシタの形成前にエッチングプロセスによってダメージを受けることがない。このような実施形態２は、実施形態１よりもキャパシタ１０１に与えるプロセスのダメージを軽減できる点で有利な構成であるといえる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施形態１の強誘電体メモリを示した図である。
【図２】本発明の実施形態１の強誘電体メモリを製造する方法を説明するための図である。
【図３】本発明の実施形態１の強誘電体メモリを製造する方法を説明するための他の図である。
【図４】本発明の実施形態２の強誘電体メモリを製造する方法を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態１の強誘電体メモリを製造する方法を説明するための他の図である。
【図６】従来技術の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１  キャパシタ、１０１ａ  上部電極、１０１ｂ  強誘電体膜、１０１ｃ  下部電極
１０３  包囲部材、１０５  水素拡散防止部材、
２０１ａ  上部電極膜、２０１ｂ  強誘電体膜、２０１ｃ  下部電極膜
２０３  絶縁膜、２０５  形成面、３０１  空間、３０３  包囲空間
【図１】
2006066672.tif 000003
【図２】
2006066672.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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