(57)【要約】【課題】  効率的にかつ高精度に半導体ウェハを劈開することができる半導体ウェハの劈開装置及び方法を提供する。【解決手段】  半導体ウェハ10の所定位置に基準辺11Aと斜辺11Bとを有するV型の切欠11をレーザ切断により形成する。次に、このウェハ10のうち、基準辺11Aの延長線よりも劈開により除去される側を押圧して、実質的に基準辺11Aの延長線に沿ってウェハ10を劈開する。切欠11の形状をV型とすることで、脆性材料であっても適正な劈開を容易に行うことができる。また、切欠11の形成にレーザ切断を用いることで、劈開に必要な切欠11を正確に、かつウェハ10の損傷を生じることなく形成することができる。【選択図】図2
2006066643.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体のウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠を形成するレーザ出射ユニットと、
このウェハのうち、基準辺の延長線よりも劈開により除去される側を押圧して、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する押圧機構とを有することを特徴とする半導体ウェハの劈開装置。
【請求項２】
半導体のウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠を形成するレーザ出射ユニットと、
基準辺と斜辺の交差部分に対して切断負荷を付与することで、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する割断機構とを有することを特徴とする半導体ウェハの劈開装置。
【請求項３】
劈開に伴うウェハの除去屑を回収する回収機構を有することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウェハの劈開装置。
【請求項４】
半導体ウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠をレーザ切断により形成する工程と、
このウェハのうち、基準辺の延長線よりも劈開により除去される側を押圧して、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの劈開方法。
【請求項５】
半導体ウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠をレーザ切断により形成する工程と、
基準辺と斜辺の交差部分に対して切断負荷を付与することで、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する工程とを有することを特徴とする半導体ウェハの劈開方法。
【請求項６】
半導体ウェハが、周期律表III〜V族の元素の化合物半導体材料であることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体ウェハの劈開方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの劈開装置及び方法に関するものである。特に、GaAsなどの脆性材料を欠損することなく劈開してオリエンテーションフラット面（OF面）を形成することができる半導体ウェハの劈開装置及び方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
周期律表III〜V族半導体のウェハは、例えばHB法（水平ブリッジマン法）、LEC法（液体封止チョクラルスキー法）、VB法（垂直ブリッジマン法）、VGF法（垂直温度勾配法）によって製造された単結晶インゴットを用いて作製される。
【０００３】
このようなインゴットから、結晶方位の基準となるOF面が形成されたウェハを得る方法を図5と図6に基づいて説明する。ここでは、HB法で得られたインゴットの場合とそれ以外の方法で得られたインゴットの場合とに分けて説明する。
【０００４】
HB法で得られたインゴットの断面は、図5に示すように、角部が丸みを帯びた三角形に構成されている。このインゴットをスライスしてウェハ10とし、そのウェハにOF面を形成する。具体的には、まずウェハ10の一方の斜辺における底辺側に近接した位置にダイヤモンドカッターを用いて傷15をつける（図5A）。次に、この傷15を基準にして手で割断し、自然劈開面を形成する（図5B）。そして、自然劈開面を基準として、ウェハの周縁部を研削で除去し、ほぼ円形のウェハを形成する（図5C）。その場合、自然劈開面をそのままOF面12として利用する場合と、自然劈開面と平行に研削して新たにOF面を形成する場合の両方がある。
【０００５】
一方、HB法以外の方法で得られたインゴットの断面は、図6に示すように、円形状に構成されている。このインゴットからウェハを作製するには、まずＸ線回折機を使ってインゴットの結晶方位を調べてインゴット周面に印を付ける（図6A）。次に、インゴットをスライスしてウェハ10とした後、印に沿ってダイヤモンドカッターを用いて印と直交する方向に傷15を付ける。続いて、この傷15を基準として手でウェハ10を劈開する。そして、自然劈開面を基準として、ウェハ10の周縁部を研削で除去し、OF面12を有するほぼ円形のウェハを形成する（図6B）。
【０００６】
以上の関連技術としては、HB法以外の方法で得られたインゴットからウェハを作製する技術として、特許文献1に記載のものがある。これは、インゴットの段階でＸ線回折機により結晶方位を調べ、OF面になるべき部分の側面を長手方向に研削し、その後インゴットをスライスしてウェハを形成する技術である。
【０００７】
その他の関連技術としては、特許文献2と特許文献3に記載の技術もある。特許文献2は、カッタでウェハにけがき線を形成する装置を開示している。この技術は、まず透明のダミーウェハにレーザ光を照射し、その照射位置を基準にカッタの位置決めを行う。次に、ダミーウェハを劈開するウェハに置き換え、位置決めされたカッタを移動させてウェハの裏面にけがき線を形成する。そして、けがき線に沿って手でウェハの劈開を行う。一方、特許文献3は、スクライブ条痕が形成されたウェハの支持の仕方を工夫することで、理想的な垂直劈開面に対して垂直方向に曲げ引張の最大主応力を作用させ、スクライブ条痕に沿って劈開を行う方法と装置とを開示している。
【０００８】
【特許文献１】特開平9-278595号公報
【特許文献２】特開2001-300869号公報
【特許文献３】特開平11-260764号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上記の従来技術では次のような問題があった。
【００１０】
(1)作業者のスキルにより劈開面の品質にばらつきが出る。
ダイヤモンドカッターを用いた技術では、傷の深さや劈開作業などの劈開条件が作業者のスキルに左右される。そのため、作業者によって劈開面の品質にばらつきが見られ、製品品質を安定させることが難しい。
【００１１】
(2)欠けや割れを生じることなく効率的にOF面を形成することが難しい。
特許文献1に記載の技術では、インゴットの状態でＸ線回折機にてインゴットの面方位を求め、その面が研削面となるように調整するが、この作業に時間を要する。また、脆くて割れやすい材質のインゴットを研削するので、送り速度を遅く、切り込み量を小さくして高精度に研削する必要があり、研削するのにも時間を要する。さらに、OF面を研削したインゴットを厚さ300〜500μm程度のウェハにスライスする際、折角研削したOF面が欠けたり割れたりする可能性もある。
【００１２】
(3)OF面の角度が所定の結晶方位に対してずれていると適切な劈開ができない。
ウェハから製造される高性能半導体レーザは、OF面の角度が結晶方位に対して0.02°以下の精度であれば電流／光変換効率が高揚し、製品歩留まりも向上すると言われている。特許文献２、３に記載の技術は、既にOF面が形成されていることを前提とし、そのOF面を基準として加工を行う技術である。そのため、OF面の角度がずれていると、結晶方位に適合した適切な劈開ができないことになる。
【００１３】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、その主目的は、効率的にかつ高精度に半導体ウェハを劈開することができる半導体ウェハの劈開装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、レーザ切断により劈開の起点となる所定形状の切欠を形成し、その切欠を利用して劈開を行うことで上記の目的を達成する。
【００１５】
本発明半導体ウェハの劈開装置は、次の２つのタイプがある。
【００１６】
第１の劈開装置は、半導体のウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠を形成するレーザ出射ユニットと、このウェハのうち、基準辺の延長線よりも劈開により除去される側を押圧して、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する押圧機構とを有することを特徴とする。
【００１７】
第２の劈開装置は、半導体のウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠を形成するレーザ出射ユニットと、基準辺と斜辺の交差部分に対して切断負荷を付与することで、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する割断機構とを有することを特徴とする。
【００１８】
一方、本発明半導体ウェハの劈開方法も、次の２つのタイプがある。
【００１９】
第１の劈開方法は、半導体ウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠をレーザ切断により形成する工程と、このウェハのうち、基準辺の延長線よりも劈開により除去される側を押圧して、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
第２の劈開方法は、半導体ウェハの所定位置に基準辺と斜辺とを有するV型の切欠をレーザ切断により形成する工程と、基準辺と斜辺の交差部分に対して切断負荷を付与することで、実質的に基準辺の延長線に沿ってウェハを劈開する工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
いずれの構成においても、切欠の形状をV型とすることで、脆性材料であっても基準辺に沿った適正な劈開を容易に行うことができる。また、切欠の形成にレーザ切断を用いることで、劈開に必要な切欠を正確に、かつウェハの損傷を生じることなく形成することができる。
【００２２】
以下、本発明装置及び方法をより詳しく説明する。
【００２３】
本発明装置または本発明方法では、代表的には、ウェハをウェハホルダに設置し、このウェハにレーザ出射ユニットからレーザ光を照射して切欠の形成を行う。
【００２４】
ここで用いるレーザの種類は、ウェハの切欠形成が可能なものであればよい。具体例としては、YAGレーザやCO2レーザが挙げられる。特に、パルスレーザを用いることが好ましい。パルスレーザは、レーザ光を極わずかな時間間隔で点滅させながらウェハの切断を行うため、脆性材料が切断対象でも割れや欠けが生じにくい。その発振周波数は、YAGパルスレーザの場合、150〜500パルス／秒の範囲が好適である。
【００２５】
レーザの出力は、切断対象の材質、サイズ、速度に合わせて適宜選択すれば良いが、YAGパルスレーザの場合、20〜150W程度が好適である。より実用的には、30W以上の出力があれば、容易にウェハに切欠を形成することができる。
【００２６】
レーザによる切断速度は、加工の効率性を考慮すれば速い方が好ましいが、30mm／秒以下とすることが好ましい。一般に、半導体ウェハは脆性で割れやすく、特に周期律表III〜V族の元素の化合物半導体材料からなるウェハはより割れやすいため、30mm／秒以下の速度で加工することにより、ウェハの損傷を抑制することができる。実用的な加工速度は10mm／秒程度である。
【００２７】
上記のレーザ出射ユニットは、通常、アシストガスの供給機構も具えている。一般に、レーザ切断は、集光したレーザ光を試料に直接照射して試料を溶融させ、溶融試料をアシストガスで吹き飛ばすことにより切断を行う。アシストガス供給機構は、代表的にはガスボンベとガス圧調整器とから構成され、所定の圧力でアシストガスをレーザ照射箇所に供給する。
【００２８】
アシストガスの具体例としては、酸素や窒素が挙げられる。窒素の場合、溶融されたウェハを吹き飛ばすことの他、ウェハの酸化を抑制することもできる。アシストガスの供給圧力は、5〜7kg/cm2程度が好適である。この供給圧力が低すぎると、溶融金属を吹き飛ばすことができず、逆に高すぎると脆性なウェハが割れてしまうことがある。
【００２９】
一方、ウェハホルダは、ウェハを保持できる構成であれば何でも良い。例えば、真空吸着プレートを利用することが挙げられる。このプレートによれば、真空吸着によりウェハを傷つけることなくプレート上に確実に保持することができると共に、ウェハの取り外しも容易に行なうことができる。
【００３０】
上記のレーザ出射ユニットとウェハホルダは、通常、相対的に移動可能に構成される。例えば、レーザ出射ユニットをX-Yテーブルで支持して、レーザ光をX方向およびY方向に移動自在に構成しておく。もちろん、ウェハホルダだけ或いはレーザ出射ユニットとウェハホルダの両方をX-Yテーブルで支持して移動自在に構成しても良いが、切断時に排出されるウェハの除去屑を後述する回収機構で回収するため、レーザ出射ユニットだけをX-Yテーブルで移動自在に構成する方が機構を簡略化できる。その他、必要に応じて、ウェハホルダに昇降機構を設けてもよい。
【００３１】
以上のレーザ切断によりウェハに切欠を形成する。この切欠は基準辺と斜辺とを有するV型とする。V型の切欠を形成することで、基準辺に沿った劈開を可能にし、基準辺と交差する方向への劈開を抑制して、高精度のウェハの劈開を行なうことができる。
【００３２】
基準辺は、劈開する結晶方向に沿った方向となるように形成する。基準辺の向きは、HB法のインゴットから得たウェハでは三角形状のウェハの底辺における直線部と平行な方向とし、HB法以外のインゴットから得たウェハではＸ線回折機で予め面方位を求めて印をつけておき、その印に合わせた向きとすればよい。基準辺の長さは5mm以上とすることが好ましい。5mm以上の長さの基準辺を持つ切欠を形成することで、この基準辺に沿った劈開をより確実に行うことができる。基準辺の長さの上限は、例えば劈開後に周縁研削して除去される領域内に切欠の基準辺を形成できる長さであればよい。
【００３３】
基準辺と斜辺との角度は15〜85°が好ましい。この角度が15°未満では、レーザで切欠を形成した際、ウェハの裏面（レーザの出射側と反対側）にバリができることがあり、基準辺と斜辺とで形成される角部を鋭角に形成することが難しい。逆に85°を超えると、基準辺に沿ってウェハを劈開することが難しい。より好ましい切欠の角度は15〜70°である。
【００３４】
上述した切欠を形成した後、押圧機構または割断機構により実質的に切欠の基準辺に沿ってウェハの劈開を行う。
【００３５】
押圧機構は、ウェハのうち、基準辺の延長線よりも劈開により除去される側を押圧するものであればよい。例えば、先端が研磨された平坦なプレートを昇降可能に構成し、このプレートをウェハの所定位置に押し付けて劈開を行う押圧機構が挙げられる。プレートで押圧されたウェハは、まず基準辺と斜辺の交差部分に微細なクラックが生じ、そのクラックが進展することで基準辺に沿った劈開面が得られる。
【００３６】
割断機構は、基準辺と斜辺の交差部分に対して切断負荷を付与するものであればよい。例えば、ウェハホルダに直線状に形成された溝と、その溝に沿ってスライド可能な刃部とを有する割断機構を用いる。このウェハホルダ上において、溝と基準辺が沿うようにウェハを設置する。その状態で、刃部を切欠の基準辺と斜辺の交差部分に当て、溝に沿って刃部をスライドすることで、前記交差部分に切断負荷を作用させる。そして、この切断負荷により、切欠の角部に生じたクラックを進展させてウェハの劈開を行えばよい。
【００３７】
さらに、本発明装置は、劈開に伴うウェハの除去屑を回収する回収機構を有することが好ましい。例えば、GaAsの切断・劈開を行うと、亜砒酸やGaAs粉塵が発生するので、これらの除去屑を回収して除害することが好ましい。例えば、ウェハホルダの下方にホッパ状の回収口を形成して、その回収口から除去屑を吸引・捕集し、ホッパにつながる除害装置で除害する。除害装置は、例えば公知のものを利用すれば良い。
【００３８】
本発明装置または方法における劈開対象のウェハには特に制限はなく、種々の方法により作製されたウェハが挙げられる。例えば、HB法（水平ブリッジマン法）、LEC法（液体封止チョクラルスキー法）、VB法（垂直ブリッジマン法）、VGF法（垂直温度勾配法）によって製造された単結晶インゴットをスライスして得たウェハが挙げられる。
【００３９】
特に、脆性材料である周期律表III〜V族の元素の化合物半導体材料からなるウェハの劈開に好適である。より具体的には、GaAs、InP、GaNなどからなるウェハが挙げられる。
【００４０】
本発明装置または方法で加工できるウェハの厚さは、レーザの出力などを適宜設定すれば、特に限定されない。実用的には、厚さ0.15〜1.0mm程度のウェハの加工に好適に利用できる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明劈開装置または劈開方法によれば、次の効果を奏することができる。
【００４２】
(1)レーザの照射により、作業者のスキルに依存することなく、V型の切欠を形成でき、かつ切欠の基準辺に沿って正確にウェハの劈開を行なうことができる。
【００４３】
(2)レーザの照射により切欠の形成を行うことで、脆性材料からなるウェハであっても欠けや割れを極力抑えてウェハの劈開を行なうことができる。
【００４４】
(3)レーザの照射による切欠の形成と、切欠を利用したウェハの劈開の各々を極短時間で行えるため、効率的にウェハの劈開を行なうことができる。
【００４５】
(4)予めOF面の形成されていないウェハに対してOF面を形成することも容易に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。ここではHB法で得られたGaAsのインゴットをスライスしたウェハを用意し、そのウェハを劈開してOF面を形成する場合を例として説明する。
【００４７】
（装置構成）
図１は本発明装置の模式構成図である。この装置は、レーザの照射を行うレーザ照射機構100と、ウェハ10を保持するウェハホルダ200と、ウェハの劈開を行う際に用いる押圧機構300と、ウェハ切断・劈開時の除去屑を回収する回収機構400とを具えている。
【００４８】
レーザ照射機構100は、レーザ発振器110、レーザ照射ユニット120およびレーザ照射ユニットを駆動するX-Yテーブルを有する。レーザ発振器110は、レーザ光を発振する箇所で、本例では、YAGパルスレーザの発振器を用いている。この発振器110は、レーザ照射位置確認用の可視レーザ光も発振する。発振器110で発振されたレーザ光は、光ファイバ130を介してレーザ照射ユニット120に伝送される。レーザ照射ユニット120は、レーザ光をレンズや放物面鏡で集光する集光光学部121と、集光されたレーザを垂直下方に照射するレーザノズル122とを具える。このレーザ照射ユニット120は、図示しないX-Yテーブルに支持され、レーザ光をX方向およびY方向に自在に移動させることができる。
【００４９】
また、このレーザ照射ユニット120には、アシストガス供給機構500が接続されている。アシストガス供給機構500は、ガスボンベ510と、ガスボンベ510から送られるアシストガスを所定の圧力としてレーザ照射ユニット120に供給するガス圧調整器（レギュレータ）520とを有する。レギュレータ520で所定の供給圧力に調整されたアシストガスは、レーザ照射ユニット120から鉛直下方に噴出され、レーザ光が照射されたウェハ10の溶融金属を吹き飛ばす。
【００５０】
一方、ウェハホルダ200は、切欠形成時にウェハ10を設置する箇所で、真空吸着プレートを有する。真空吸着プレートを用いることでウェハ10を損傷することなく確実に保持し、また保持状態から開放することができる。
【００５１】
また、押圧機構300は、先端が研磨されたプレート310と、プレート310をZ方向に駆動する昇降機構（図示せず）とを有する。後述するように、ウェハ10にはV型の切欠が構成され、その後にウェハの切欠近傍の所定位置を押圧機構300で押圧して、ウェハ10の劈開を行なう。
【００５２】
さらに、ウェハホルダ200の下方には、回収機構400が設けられている。この回収機構は、上部が広く開口し、下方に向かって径が小さくなる円錐台状のホッパ410と、ホッパ410につながる移送管420と、移送管420を通ってきた除去屑を収集して除害する除害装置430とから構成される。ウェハホルダ200上で切欠が形成された際、ウェハ10の一部が除去屑となってウェハホルダ200から落下する。この除去屑をホッパ410で受け、移送管420を介して除害装置430に吸引回収する。除害装置430では、亜砒酸やGaAsの有害物質を除害処理する。
【００５３】
（劈開方法）
以上の装置を用いてウェハの劈開を行う手順を図2および図3に基づいて説明する。
【００５４】
まず、照射位置確認用の可視レーザ光を発振して、希望する切断スタート位置に可視レーザ光が当たるようにウェハをウェハホルダ上にセットする。ここでのウェハ10は、図2(A)に示すように、角部が丸みを帯びた三角形に構成されている。
【００５５】
ウェハ10が適正な位置にセットできたら、ウェハ10を真空吸着プレートで吸着して保持する。図2(B)に示す破線で表した矩形部分が真空吸着プレートで吸着されている。
【００５６】
次に、ウェハ10の一方の斜辺における底辺側に近接した位置をスタート位置としてパルスレーザ光を所定の出力でウェハ10に照射し、X-Yテーブルを制御して所定の切欠11を形成する。
【００５７】
切欠11は、結晶方向に沿った基準辺11Aと、この基準辺11Aに交差する斜辺11Bとから構成されるV型とする。基準辺11Aは、三角形状のウェハ10の底辺における直線部と平行な線上に形成した。
【００５８】
切欠形成時、レーザ光が照射された箇所は溶融され、レーザと同軸に噴射されるアシストガスにより溶融金属が吹き飛ばされることでウェハ10の切断が行なわれる。
【００５９】
次に、切欠近傍を押圧機構で押圧して、ウェハ10の劈開を行う。図3はウェハの切欠付近の拡大図である。ここでは、基準辺11Aよりも底辺側、つまり劈開により除去される側で、かつ基準辺11Aと斜辺11Bの交差箇所の近傍（図では黒丸で表示）を押圧機構で押圧する。
【００６０】
この押圧により、基準辺11Aに沿って図の左側から右側にクラックが進展し、同時にそのクラックはウェハ10の厚さ方向にも進展してウェハ10の劈開が行われ、自然劈開面が形成される。本例では、この自然劈開面をOF面12（図2(C)参照）とする。
【００６１】
劈開によりウェハ10の一部は除去片14（図2(C)参照）として分離され、そのままホッパ410に落下し、移送管420を通って除害装置430に回収される（図1参照）。
【００６２】
そして、図2(C)に示すように、ウェハ10の周縁部（一点鎖線で表示）を研削で除去し、ほぼ円形（実線で表示）のウェハを形成する。
【００６３】
（試験例）
上述した装置を用い、以下の条件でウェハへの切欠の形成と劈開とを行ってOF面を形成した。
【００６４】
レーザ種類：YAGパルスレーザ
レーザ出力：70W
発振周波数：200パルス／秒
アシストガスの供給圧力：6kg／cm2
切断速度：10mm／秒
ウェハの材質：GaAs
ウェハの厚み：0.8mm
基準辺の長さ：5mm
基準辺と斜辺との角度θ：30°
【００６５】
その結果、約3秒で切欠形成と劈開とを行なうことができ、結晶方位に沿った綺麗な自然劈開面が得られることを確認した。また、得られたOF面は、結晶方位に対して0.004°以下の精度であった。
【００６６】
（変形例）
以上の装置では、押圧機構を用いてウェハの劈開を行ったが、押圧機構の代わりに割断機構を用いてもよい。割断機構の模式構成図を図4に示す。この割断機構は、直線状の溝210が形成された平面状のウェハホルダ200と、この溝210に沿ってスライドする刃部220とを有する。ウェハ10の劈開を行う際、予め上述のレーザ切断により基準辺11Aと斜辺11Bとを有するV型の切欠11を形成しておく。劈開は、基準辺11Aが溝210に沿うようにウェハ10をウェハホルダ200上に設置し、その状態で刃部220を溝に沿って図の矢印の方向にスライドして、基準辺11Aと斜辺11Bとの交差部分に切断負荷を作用させることで行う。これにより、基準辺11Aと斜辺11Bとの交差部分にクラックが発生し、このクラックが刃部220のスライドに伴って進展されて、基準辺11Aに沿って劈開が行われる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、半導体ウェハを用いた半導体素子の製造分野において利用することができる。特に、脆性で劈開が難しい化合物半導体材料のウェハの劈開に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明装置の模式構成図である。
【図２】本発明方法の劈開手順を示す説明図である。
【図３】本発明方法でウェハに形成した切欠周辺の拡大図である。
【図４】本発明装置の変形例の模式構成図である。
【図５】従来の劈開方法を示す説明図である。
【図６】従来の劈開方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
10  ウェハ  11  切欠  11A  基準辺  11B  斜辺  12  OF面  14  除去片
15  傷
100  レーザ照射機構  110  レーザ発振器  120  レーザ照射ユニット
121  集光光学部  122  レーザノズル  130  光ファイバ  
200  ウェハホルダ  210  溝  220  刃部
300  押圧機構  310  プレート
400  回収機構  410  ホッパ  420  移送管  430  除害装置
500  アシストガス供給機構  510  ガスボンベ  520  ガス圧調整器
【図１】
2006066643.tif 000003
【図２】
2006066643.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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