(57)【要約】【課題】  部分的に積層する導電層と絶縁層とをペーストを用いた同時焼成によって形成する方法において、絶縁層内の気孔やピンホールの発生を防止する。【解決手段】  基板上に導電体ペーストを用いて導電層前駆体パターンを形成し、次いで、誘電体ペーストを用いて誘電層前駆体パターンを形成した後、両ペーストに含まれる樹脂成分の分解温度以上で、誘電体ペーストのガラス微粒子の焼結開始温度未満の温度領域で保持し、両パターン中の樹脂成分を分解除去した後、誘電体ペーストのガラス微粒子の焼結開始温度以上で軟化点未満の温度領域まで昇温して保持し、導電層前駆体パターンのガラス微粒子と導電体微粒子、及び、誘電層前駆体パターンのガラス微粒子同士を焼結する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも樹脂成分と導電体微粒子とガラス微粒子とからなる導電体ペーストを用いて導電層前駆体パターンを形成する工程と、
少なくとも樹脂成分とガラス微粒子とからなる誘電体ペーストを用いて、上記導電層前駆体パターンの少なくとも一部を覆う誘電層前駆体パターンを形成する工程と、
上記導電層前駆体パターンと誘電層前駆体パターンとを同時に焼成する焼成工程とを有する、少なくとも一部で導電層と誘電層とが積層する積層体の形成方法であって、
上記焼成工程において、焼成温度を上記樹脂成分の分解温度以上であって、誘電体ペーストのガラス微粒子の焼結開始温度未満の温度領域にて所定の時間保持した後、
該ガラス微粒子の焼結開始温度以上、軟化点未満の温度領域にて焼成を行うことを特徴とする積層体の形成方法。
【請求項２】
上記導電体ペーストが感光性ペーストである請求項１に記載の積層体の形成方法。
【請求項３】
上記導電体ペーストが導電体微粒子として銀微粒子を含有する請求項１または２に記載の積層体の形成方法。
【請求項４】
基板上に複数の電子放出素子と、絶縁層を介して互いに交差し、該電子放出素子をマトリクス配線する複数の下配線と上配線とを有する電子源の製造方法であって、上記下配線と絶縁層とを、請求項１〜３のいずれかに記載の積層体の形成方法により形成することを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項５】
基板上に複数の電子放出素子と、絶縁層を介して互いに交差し、該電子放出素子をマトリクス配線する複数の下配線と上配線とを有する電子源と、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を有する画像形成部材とを備えた画像表示装置の製造方法であって、上記電子源を請求項４に記載の電子源の製造方法により製造することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層を介して上下配線が交差するマトリクス配線を備えた電子源の、下配線及び絶縁層からなる積層体の形成方法に関し、さらには、該形成方法を適用した電子源及び画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子放出素子を用いてなる平板型の画像表示装置においては、高精細化により電子放出素子に給電を行う配線を高精度に形成する必要がある一方、大面積化により配線の低抵抗化が要求され、より厚膜の配線をより高精細に精度良く基板上に作り込む方法が要求されている。
【０００３】
このような厚膜の配線を高精度に形成する方法として、感光性ペーストを用いた方法が挙げられる。これは、感光性樹脂成分、導電体微粒子、ガラス微粒子等からなる感光性ペーストを基板上に成膜し、露光、現像して所望のパターンの導電層前駆体とした後、焼成することによって樹脂成分を分解除去し、導電層を形成する方法である。また、この方法は、感光性ペーストから導電性微粒子を除いて同様の工程を経ることにより、絶縁層の形成にも適用することができる。
【０００４】
しかしながら、感光性ペーストを用いて厚膜の配線を形成した場合、露光時の露光量不足や焼成持の体積収縮により、配線パターンのエッジ部においてエッジカールが生じてしまう。この様子を図９に示す。図中、９１は基板、９２は感光性ペースト、９３はマスク、９４は露光部、９５は焼成後の配線パターンである。図９に示すように、絶縁性の基板９１上に全面にネガ型の感光性ペースト９２を厚膜に成膜し〔図９（ａ）〕、マスク９３を介して露光し〔図９（ｂ）〕、現像して露光部９４を残し〔図９（ｃ）〕、該露光部９４を焼成して配線パターン９５〔図９（ｄ）〕を得る。
【０００５】
図９（ｄ）に示すように、エッジカールを有する配線パターン９５を部分的に覆うように絶縁層を積層した場合、上方に延びたカール部が絶縁層形成材料によって下方に押さえ込まれ、その際、基板９１側に気泡を巻き込んでしまい、絶縁層内に空隙を形成してしまう。このような空隙を内包する絶縁層では、上下配線間の絶縁性が低下し、場合によってはショートを発生する恐れがある。また、これらの配線を気密性を有する表示パネルから外部への引き出し配線として用いた場合には、表示パネルの気密性を損なうことになる。
【０００６】
このようなエッジカールの問題を解消する方法として、特許文献１には、配線パターンとして感光性ペーストを成膜してパターニングした後、焼成する前に、絶縁層となる感光性ペーストを成膜してパターニングし、配線パターンと絶縁層パターンとを同時に焼成する方法が開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−１３３６８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１に開示された方法では、配線パターンと絶縁層パターンとを同時に焼成するため、配線のエッジカールの発生を防止すると同時に、焼成工程数を減らすことができるという利点があるものの、当該方法においても、絶縁層内に気孔やピンホールが発生する場合があり、上下配線の絶縁や気密性の維持という点では一層の向上が望まれていた。
【０００９】
本発明の課題は、少なくとも一部で積層する導電層と誘電層とをペーストを用いて同時焼成して形成する方法において、絶縁層内における気孔やピンホールの発生を防止することにある。さらには、該形成方法を厚膜の配線形成工程に適用した、信頼性の高い電子源、画像表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第一は、基板上に、少なくとも樹脂成分と導電体微粒子とガラス微粒子とからなる導電体ペーストを用いて導電層前駆体パターンを形成する工程と、
少なくとも樹脂成分とガラス微粒子とからなる誘電体ペーストを用いて、上記導電層前駆体パターンの少なくとも一部を覆う誘電層前駆体パターンを形成する工程と、
上記導電層前駆体パターンと誘電層前駆体パターンとを同時に焼成する焼成工程とを有する、少なくとも一部で導電層と誘電層とが積層する積層体の形成方法であって、
上記焼成工程において、焼成温度を上記樹脂成分の分解温度以上であって、誘電体ペーストのガラス微粒子の焼結開始温度未満の温度領域にて所定の時間保持した後、
該ガラス微粒子の焼結開始温度以上、軟化点未満の温度領域にて焼成を行うことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第二は、基板上に複数の電子放出素子と、絶縁層を介して互いに交差し、該電子放出素子をマトリクス配線する複数の下配線と上配線とを有する電子源の製造方法であって、上記下配線と絶縁層とを、上記本発明の積層体の形成方法により形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第三は、基板上に複数の電子放出素子と、絶縁層を介して互いに交差し、該電子放出素子をマトリクス配線する複数の下配線と上配線とを有する電子源と、上記電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を有する画像形成部材とを備えた画像表示装置の製造方法であって、上記電子源を本発明第二の電子源の製造方法により製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の積層体の形成方法によれば、絶縁層内に気孔やピンホールを発生させることなく、導電層と誘電層とを同時に焼成するため、焼成工程が１工程省略され、工程にかかるエネルギー及び基板にかかる負担が削減される。特に、導電層に銀を用いる場合、焼成工程によって銀が基板へ拡散するという問題が発生するが、本発明では従来よりも焼成工程数が減るため、基板への銀の拡散作用が低減する。さらにまた、導電層の形成に感光性ペーストを用いた場合でも、エッジカールの発生が防止されるため、マトリクス配線の形成に適用した際に、上下配線間でのショートの発生が防止される。
【００１４】
よって、本発明の積層体の形成方法を適用した電子源及び画像表示装置の製造方法においては、高精細なマトリクス配線を高精度に歩留まり良く形成して、信頼性の高い電子源及び画像表示装置がより安価に提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明により形成される積層体は、絶縁性の基板上に所定のパターンの導電層と、該導電層の少なくとも一部を覆う所定のパターンの誘電層とからなる。特に、本発明の形成方法は、導電層が５μｍを超える厚膜の場合に好適に用いられる。具体的には、電子放出素子を用いてなる画像表示装置の電子源基板のマトリクス配線の形成に好ましく適用される。該マトリクス配線は、複数本の下配線及び上配線が絶縁層を介して互いに交差しており、本発明の積層体の形成方法は、基板に接する下配線とその上に配置する絶縁層からなる積層体の形成に適用される。
【００１６】
本発明において用いられる導電体ペーストは、少なくとも樹脂成分と導電体微粒子とガラス微粒子からなり、必要に応じて溶媒等を添加した混練物である。また、誘電体ペーストは、少なくとも樹脂成分とガラス微粒子からなり、必要に応じて溶媒等を添加した混練物である。導電体微粒子としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｕ等の金属微粒子が一般的であり、ガラス微粒子としては導電体ペースト、誘電体ペーストのいずれにもＰｂＯ系やＢｉＯ系のガラス微粒子が用いられる。また、導電体ペースト、誘電体ペーストのいずれにおいても、樹脂成分としては一般的に用いられている低温で分解しやすいエチルセルロース等の非感光性の樹脂材料を用いることもできるが、本発明においては、導電層のエッジカールの問題が防止されるため、アクリル系の感光性樹脂を好ましく用いることができる。ペーストの成膜方法には、スクリーン印刷法、スリットコータ法、ロールコータ法等を用いることができ、塗膜は１〜２００μｍの厚さで形成される。スクリーン印刷法では、成膜と同時に所定のパターンにパターニングすることができるが、それ以外の方法で成膜した場合には、フォトリソグラフィーやサンドブラストなどにより所定のパターンにパターニングする。これらの方法を適用して、導電体ペースト、誘電体ペーストを成膜、パターニングし、適宜乾燥させて導電層前駆体パターンと誘電層前駆体パターンからなる前駆体積層体を形成し、該前駆体積層体を同時に焼成して導電層と誘電層とを得る。
【００１７】
本発明は上記前駆体積層体を焼成する温度に特徴を有する。図１に、本発明に係る焼成工程の温度プロファイルを示す。
【００１８】
先ず、樹脂成分の分解温度（Ｔ１）以上であって、誘電体ペースト中のガラス微粒子の焼結開始温度（Ｔ２）未満の温度領域まで時刻０〜ｔ１間で昇温し、当該温度領域でｔ１〜ｔ２間保持する（第１工程）。この時、導電体ペーストと誘電体ペーストで分解温度の異なる樹脂成分を用いている場合には、高い方の樹脂成分の分解温度以上とする。この温度領域では、誘電層前駆体パターン中のガラス微粒子の焼結が進まないため、樹脂成分の分解によって誘電層前駆体パターン中に生じた空隙が埋まらず、該誘電層前駆体パターンに覆われた部分の導電層前駆体パターン中の樹脂成分が分解するために必要な空気を該空隙を介して供給することができる。また、該空隙は、樹脂成分の分解生成物を外部へ速やかに排出するための通路の役割も果たす。尚、０〜ｔ１は特に制限はないが、工程時間を短縮する上で可能な限り短い方が望ましい。
【００１９】
次に、ｔ２〜ｔ３間に誘電体ペースト中のガラス微粒子の焼結開始温度（Ｔ２）以上で、該ガラス微粒子の軟化点未満（Ｔ３）の温度領域まで昇温し、ｔ３〜ｔ４間保持する（第２工程）。この段階で誘電層前駆体パターン中のガラス微粒子同士の焼結が始まる。この時点で誘電層前駆体パターン中にはガラス微粒子しか残っていないため、焼結が進んで緻密な膜が形成されていく。即ち、空隙が全て埋められて気孔やピンホールのない絶縁層が得られる。さらに、当該温度領域がガラス微粒子の軟化点未満であるため、形状の鈍化や特に基板面内方向のさらなる収縮を抑制して、緻密化により内部の空隙が消滅した時点での形状をほぼ維持することができる。尚、ｔ３〜ｔ４は、上記膜の緻密化が得られる時間であれば特に制限は無いが、工程時間を短縮する上で可能な限り短い方が望ましい。
【００２０】
焼結終了後はｔ４〜ｔ５間に速やかに降温する。
【００２１】
本発明にかかる焼成工程において、導電体ペースト中の導電体微粒子とガラス微粒子の焼結開始温度は、いずれも上記第２工程の温度領域にあることが望ましいが、仮に第１工程にあったとしても、導電体ペースト中に含まれる樹脂成分の分解温度が導電体微粒子とガラス微粒子の焼結開始温度よりも一般には低いため、誘電体ペースト中のガラス微粒子の焼結開始温度未満に導電体ペースト中の導電体微粒子及びガラス微粒子の焼結開始温度があれば良い。
【００２２】
次に、本発明の積層体の形成方法が適用される電子源、画像表示装置の製造方法について説明する。
【００２３】
本発明に係る電子源は、基板上に複数の電子放出素子と、絶縁層を介して互いに交差し、該電子放出素子をマトリクス配線する複数の上配線及び下配線を備えたもので、該下配線と該絶縁層とを本発明の積層体の形成方法により形成する。
【００２４】
かかる電子源を構成する電子放出素子の一例として、表面伝導型電子放出素子の構成例を図２に模式的に示す。図２（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面であり、図中、１は基板、２，３は素子電極、４は導電性膜、５は電子放出部である。また、他の例としては、「ＦＥ型」と称される電界放出型の電子放出素子や、「ＭＩＭ型」と称される金属／絶縁層／金属型の構成を有する電子放出素子を挙げることができる。
【００２５】
図７に、図２の電子放出素子を用いた電子源の構成例を模式的に示す。図中、１１は基板、１２は下配線、１２ａは下配線１２の焼成前の導電層前駆体パターン、１３は絶縁層、１３ａは絶縁層１３の焼成前の誘電層前駆体パターン、１４は上配線である。本例の電子源は、基板１１上に、複数の電子放出素子をマトリクス状に配線接続してなり、各電子放出素子の構成は図２と同様である。図７の電子源は、一対の素子電極２，３を有する電子放出素子をＸ方向及びＹ方向に行列状に複数個配し、同じ行に配された複数の電子放出素子の素子電極の一方２を、Ｘ方向の上配線１４に共通に接続し、同じ列に配された複数の電子放出素子の素子電極の他方３を、Ｙ方向の下配線１２に共通に接続したものも挙げられる。これは、いわゆる単純マトリクス配置である。
【００２６】
本発明の電子源の製造方法においては、下配線１２と絶縁層１３とを導電体ペーストと誘電体ペーストを用いてそれぞれパターニングした後、同時に焼成する。図７の電子源の製造工程を図３〜図７を用いて説明する。
【００２７】
絶縁性の基板１１を洗剤、純水及び有機溶剤により十分に洗浄後、一般的な真空蒸着技術、フォトリソグラフィ技術により、素子電極２，３を形成する（図３）。
【００２８】
基板１としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、青板ガラスにスパッタ法等によりＳｉＯ2を積層した積層体、アルミナ等のセラミックス及びＳｉ基板等を用いることができる。
【００２９】
素子電極２，３の材料としては、一般的導体材料を用いることができる。これは例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属或いは合金及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ2，Ｐｄ−Ａｇ等の金属或いは金属酸化物とガラス等から構成される印刷導体、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体材料等から適宜選択することができる。
【００３０】
次いで、前記した本発明の積層体の形成方法により、先ず、下配線１２を導電体ペーストを用いてパターニングして導電層前駆体パターン１２ａを形成し（図４）、さらに、これと交差して絶縁層１３を誘電体ペーストを用いてパターニングして誘電層前駆体パターン１３ａを形成し（図５）、同時に焼成して下配線１２と絶縁層１３を得る。
【００３１】
絶縁層１３上に上配線１４を形成する（図６）。上配線１４の形成方法としては特に限定されないが、例えば下配線１２と同様に導電体ペーストを用いた方法や、通常の真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等を用いても良い。
【００３２】
次いで、素子電極２，３間を連絡する導電性膜４を形成する。
【００３３】
導電性膜４としては、Ｎｉ、Ａｕ、ＰｄＯ、Ｐｄ、Ｐｔ等の導電材料をＲｓ（シート抵抗）が１×１０2〜１×１０7Ω／□の抵抗値を示す膜厚で形成したものが好ましく用いられる。尚Ｒｓは、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの膜の長さ方向に測定した抵抗Ｒを、Ｒ＝Ｒｓ（ｌ／ｗ）とおいたときに現れる値で、抵抗率をρとすればＲｓ＝ρ／ｔである。上記抵抗値を示す膜厚はおよそ５ｎｍ〜５０ｎｍの範囲にある。
【００３４】
導電性膜４の具体的な形成方法としては、例えば、基板１１上に設けられた素子電極２と素子電極３との間に、有機金属溶液を塗布して乾燥することにより、有機金属膜を形成する。尚、有機金属溶液とは、前記導電性膜材料のＰｄ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属を主元素とする有機金属化合物の溶液である。この後、有機金属膜を加熱焼成処理し、リフトオフ、エッチング等によりパターニングし、導電性膜４を形成する。また、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法、分散塗布法、ディッピング法、スピンナー法、インクジェット法等によって形成することも可能である。
【００３５】
続いて、素子電極２，３間にフォーミングと呼ばれる通電処理を、不図示の電源によりパルス状電圧或いは、昇電圧の印加により行い、導電性膜４の一部に間隙を形成する。尚、フォーミング処理は、適当な減圧雰囲気下にて行われることが好ましい。
【００３６】
フォーミングが終了した素子に活性化処理を施す。活性化処理は、炭素化合物ガスを含む雰囲気の適当な真空度のもとで、素子電極２，３間に電圧を印加することで行い、この処理により、雰囲気中に存在する炭素化合物から、炭素及び／または炭素化合物を主成分とするカーボン膜が導電性膜４上に堆積され、電子放出特性の向上が図られる。
【００３７】
活性化工程に用いる適当な炭素化合物としては、アルカン、アルケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン類、フェノール、カルボン、スルホン酸等の有機酸類等を挙げることができ、具体的には、メタン、エタン、プロパンなどＣnＨ2n+2で表される飽和炭化水素、エチレン、プロピレンなどＣnＨ2n等の組成式で表される不飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、メタノール、エタノール、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルアミン、エチルアミン、フェノール、ベンゾニトリル、トルニトリル、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等或いはこれらの混合物を使用できる。
【００３８】
以上のようにして、図７に示される電子源が作製される。
【００３９】
本発明による電子源は、該電子源の電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材を備えた画像形成部材と組み合わせて画像表示装置を構成することができる。画像形成部材として、電子によって可視光を発光する蛍光体を有するものを用いれば、テレビやコンピューターディスプレイとして用いられる表示パネルとすることができる。また、画像形成部材として、感光体ドラムを用い、電子線の照射によりこの感光体ドラムに形成される潜像をトナーを用いて現像できるようにすれば、コピー機やプリンターとすることができる。
【００４０】
図７に示した単純マトリクス配置の電子源を用いた画像表示装置の一例について、図８を用いて説明する。図８は、本発明の画像表示装置の表示パネルの一部を切り欠いて示す模式図である。
【００４１】
図８において、１５は図１に示した電子放出素子、１６はリアプレート、１８はガラス基板からなるフェースプレートで、フェースプレート１８の内面には蛍光膜１９とメタルバック２０等が形成されている。１７は支持枠、２１は高圧電源である。リアプレート１６、支持枠１７及びフェースプレート１８を、例えば１０-5Ｐａ程度の真空雰囲気中にて、封着して、外囲器が構成される。尚、電子源基板１１が十分な強度を有する場合には、リアプレート１６を用いず、該電子源基板１１と支持枠１７とを直接接着してもかまわない。
【００４２】
また、フェースプレート１８と電子源基板１１との間に、スペーサーと呼ばれる不図示の支持体を設置することにより、大面積パネルの場合にも大気圧に対して十分な強度を持つ外囲器を構成することもできる。
【００４３】
さらに、封着後の外囲器内の真空度を維持するために、封着の前後においてゲッター処理を行うことが好ましい。
【実施例】
【００４４】
（実施例１）
図３〜図７の工程に従って、電子源を作製した。
【００４５】
ガラス製の基板１１上にスパッタ成膜法によりＰｔ／Ｔｉ膜を３０ｎｍ／１０ｎｍの厚さで形成し、所望のパターンでレジストを形成後、ミリング法により不要な部分をエッチングし、縦×横＝３００μｍ×５０μｍの素子電極２と９５μｍ×１００μｍの素子電極３を１０μｍの間隔をあけて対向して設置した（図３）。本電極は縦×横＝６００μｍ×２００μｍピッチで、それぞれ７６８×３８４０対形成した。
【００４６】
次に、ＳＵＳ＃２００のスクリーン版を用いて電極作製済みの基板１１上にＡｇの感光性樹脂ペースト（導電体ペースト）をスクリーン印刷法で塗布し、１００℃で１５分ほど保持し、乾燥させた。塗膜は乾燥後の膜厚が１０μｍであった。該Ａｇの感光性樹脂ペースト膜の露光、現像を行い５０μｍの線幅に形成し、導電層前駆体パターン１２ａを形成した（図４）。
【００４７】
次にＳＵＳ＃１４５のスクリーン版を用いて該基板１１上にＰｂＯ系ガラスの感光性樹脂ペースト（誘電体ペースト）を塗布し、９０℃で１５分ほど保持し、乾燥させた。塗膜は基板１１上から測定して３５μｍ程度である。膜厚を稼ぐためにＰｂＯ系ガラスの感光性樹脂ペースト（誘電体ペースト）をＳＵＳ＃２００のスクリーン版を用いてもう一度塗布、乾燥を行い、トータル５０μｍの乾燥膜厚を得た。ＰｂＯ系の感光性樹脂ペーストを導電層前駆体パターン１２ａと直交するようなストライプパターンで５２０μｍ幅に露光、現像を実施し、誘電層前駆体パターン１３ａを形成した。該誘電層前駆体パターン１３ａには、幅方向のセンターに１００μｍ角の貫通孔が形成されていて貫通孔には電極２が露出している（図５）。
【００４８】
こうして形成された基板１１を焼成炉に投入し、１０℃／分の昇温レートで４２０℃まで昇温し、この温度で２０分間保持した後、１０℃／分の昇温レートで５００℃まで昇温し、１０分間保持した。その後、室温まで４０分で降下させ、下配線１２と絶縁層１３を得た。
【００４９】
本実施例において用いたＰｂＯ系の誘電体ペーストのガラス微粒子の軟化点は５１０℃、焼結開始温度は４８０℃、樹脂成分の分解温度は４００℃、Ａｇの導電体ペーストの樹脂成分の分解温度は４００℃である。さらに、形成された絶縁層１３上にストライプパターンに沿って、スクリーン印刷によって幅３００μｍのＡｇストライプパターンを印刷し、乾燥、焼成して上配線１４を形成し、配線基板を得た（図６）。
【００５０】
以上のように作製された配線基板に前述のようにして、素子電極２、３間に、電子放出部を有する導電性膜４を形成して、図７に示される電子源を作製した。
【００５１】
本実施例で作製された電子源は、下配線１２と絶縁層１３とをその焼成工程を分けて形成した従来の場合に比べて、下配線１２と上配線１４との間での絶縁性能はより良好であり、また、上下配線の材料としてＡｇを用いたが、素子電極２、３付近で検出されるＡｇの量もより少なかった。
【００５２】
また、本実施例で作製された電子源を用いた画像表示装置においても、表示性能の良好な信頼性の一層向上されたものであった。
【００５３】
（実施例２）
実施例１と同様に基板１１上に素子電極２，３を形成した後、ＳＵＳ＃４００カレンダー加工のスクリーン版を用いて電極作製済みのガラス基板上にＡｕペースト（エチルセルソース樹脂を樹脂成分として使用）を線幅８０μｍでスクリーン印刷法で塗布し、１００℃で１０分ほど保持し乾燥させて導電層前駆体パターン１２ａを形成した（図４）。塗膜は乾燥後の膜厚が１３μｍであった。
【００５４】
次にＳＵＳ＃１４５のスクリーン版を用いて該基板１１上にＢｉＯ系ガラスの感光性樹脂ペースト（誘電体ペースト）を塗布し、９０℃で１５分ほど保持し乾燥させた。塗膜は基板１１上から測定して３５μｍ程度であった。膜厚を稼ぐためにＢｉＯ系ガラスの感光性樹脂ペースト（誘電体ペースト）をＳＵＳ＃２００のスクリーン版を用いてもう一度塗布し、乾燥させてトータル５０μｍの乾燥膜厚を得た。上記感光性樹脂ペースト（誘電体ペースト）を導電層前駆体パターン１２ａと直交するようなストライプパターンで５２０μｍ幅に露光、現像を実施し、誘電層前駆体パターン１３ａを形成した（図５）。該誘電層前駆体パターン１３ｂには、幅方向のセンターに１００μｍ角の貫通孔が形成されていて貫通孔には素子電極２が露出している。
【００５５】
こうして形成された基板を焼成炉に投入し、１０℃／分の昇温レートで４１０℃まで昇温し、この温度で２０分間保持した。次に、１０℃／分の昇温レートで４９０℃まで昇温し１０分間保持した。その後、室温まで４０分で降下させ、下配線１２と絶縁層１３を得た。
【００５６】
本実施例において用いたＢｉＯ系の誘電体ペーストのガラス微粒子の軟化点は５００℃、焼結開始温度は４７０℃、樹脂成分の分解温度は４００℃であり、Ａｕペーストの樹脂成分の分解温度は３６０℃である。さらに、形成された絶縁層１３上にストライプパターンに沿って、スクリーン印刷によって幅３００μｍのＡｇストライプパターンを印刷し、乾燥後、焼成して上配線１４を形成し、配線基板を得た（図６）。
【００５７】
以上のように作製された配線基板に前述のようにして、素子電極２、３間に、電子放出部を有する導電性膜４を形成して、図７に示される電子源を作製した。
【００５８】
本実施例で作製された電子源においても、下配線１２と絶縁層１３とをその焼成工程を分けて形成した従来の場合に比べて、下配線１２と上配線１４との間での絶縁性能はより良好であった。
【００５９】
また、本実施例で作製された電子源を用いた画像表示装置においても、表示性能の良好な信頼性の一層向上されたものであった。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明にかかる焼成工程の温度プロファイルである。
【図２】本発明による電子源を構成する電子放出素子の一例の構成を示す模式図である。
【図３】本発明の電子源の製造方法の一例の工程図である。
【図４】本発明の電子源の製造方法の一例の工程図である。
【図５】本発明の電子源の製造方法の一例の工程図である。
【図６】本発明の電子源の製造方法の一例の工程図である。
【図７】本発明による電子源の一例の構成を示す模式図である。
【図８】図７の電子源を用いてなる画像表示装置の一例の構成を示す図である。
【図９】従来の感光性ペーストを用いた厚膜の配線の形成工程を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  基板
２，３  素子電極
４  導電性膜
５  電子放出部
１１  基板
１２  下配線
１２ａ  導電層前駆体パターン
１３  絶縁層
１３ａ  絶縁層前駆体パターン
１４  上配線
１５  電子放出素子
１６  リアプレート
１７  支持枠
１８  フェースプレート
１９  蛍光膜
２０  メタルバック
２１  高圧電源
９１  基板
９２  感光性ペースト
９３  マスク
９４  露光部
９５  配線パターン
【図１】
2006073208.tif 000002
【図２】
2006073208.tif 000003
【図３】
2006073208.tif 000004
【図４】
2006073208.tif 000005
【図５】
2006073208.tif 000006
【図６】
2006073208.tif 000007
【図７】
2006073208.tif 000008
【図８】
2006073208.tif 000009
【図９】
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