(57)【要約】  【課題】  メッシュ構造の電源配線を容易に行い、電源配線ネットワークのインピーダンス特性や、ノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行うことを目的とする。  【解決手段】  第１の電源配線群の電源配線Ｗ１２１およびＷ１２１と、交差あるいは直交する第２の電源配線群の電源配線Ｗ２２１およびＷ２１２とを備え、各電源配線の端部が外部に露出する電源セルＣ１００を、メッシュ構造の電源配線を形成するように配置することにより、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができる。また、電源配線幅が異なる数種類の電源セルを有し、ノイズ遮断特性や電源配線インピーダンスを評価して最適な電源配線幅の電源セルを用いてメッシュ構造の電源配線を形成するように配置することにより、メッシュ構造の電源配線を容易に行い、電源配線ネットワークのインピーダンス特性や、ノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行うことができる。【選択図】    図２
2006140363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源セルを介してメッシュ構造の電源配線を行う半導体集積回路であって、
前記電源セルが、
１または２以上の電位の電源配線より成る第１の電源配線群と、
１または２以上の電位の電源配線より成り前記第１の電源配線群と交差する第２の電源配線群と、
同電位である前記第１の電源配線群の電源配線および前記第２の電源配線群の電源配線を電気的に接続するビアと
を有し、前記第１の電源配線群および前記第２の電源配線群の配線端部は前記電源セルの端部に位置し、
複数の前記電源セルを前記電源セルの同電位の電源配線が電気的に接続するように互いに隣接させて配置することによりメッシュ構造の電源配線を形成することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記メッシュ構造の電源配線を形成する電源セルのうち前記第２の電源配線群が不要な領域に配置する電源セルは前記第１の電源配線群のみを有することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記第１の電源配線群と前記第２の電源配線群が互いに垂直に交差することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記電源セルの前記第１の電源配線群が任意の電源配線幅を有し、第１の電源配線群の電源配線幅が異なる電源セルを任意に組み合わせて配置することによりメッシュ構造の電源配線を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記電源セルの前記第２の電源配線群が任意の電源配線幅を有し、第２の電源配線群の電源配線幅が異なる電源セルを任意に組み合わせて配置することによりメッシュ構造の電源配線を形成することを特徴とする請求項１または請求項４のいずれかに記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記電源セルに対して前記第１の電源配線群に平行して配線された１または２以上の信号配線から成る第１の信号配線群を付加することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記電源セルに対して前記第２の電源配線群に平行して配線された１または２以上の信号配線から成る第２の信号配線群を付加されることを特徴とする請求項１または請求項６のいずれかに記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記電源セルが前記電源配線群の電位差にカップリングキャパシタンスを設けることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項９】
前記電源セルに対して第１の電源配線群の電源配線と、前記電源配線と同電位の第２の電源配線群の電源配線の間に、導通状態と非導通状態とを電気的に切り替えることを可能とするスイッチを備えることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
前記電源セルに備えたスイッチが、
前記第１の電源配線群の電源配線の電位と、前記第２の電源配線群の電源配線の電位の差が生じたときに前記スイッチを導通状態へと制御することを特徴とする請求項９記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
前記メッシュ構造の電源配線を形成するセルの一部が通常動作用のセルとなった場合に、前記通常セルが隣接する電源セルの接続を要する電源配線を配線処理により電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体集積回路の設計方法であって、
メッシュ構造の電源配線を形成するために前記電源セルを初期配置する工程と、
電源配線ネットワークのノイズ遮断特性が所定の値を満たすかを評価する工程と、
ノイズ遮断特性の悪い箇所の電源セルを抽出する工程と、
前記抽出した電源セルをノイズ遮断特性が良化する電源配線幅の電源セルに置き換える工程と
を有し、ノイズ遮断特性が所定の値を満たすまでノイズ遮断特性評価から電源セル置き換え工程を繰り返すことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
【請求項１３】
請求項４または請求項５のいずれかに記載の半導体集積回路の設計方法であって、
メッシュ構造の電源配線を形成するために前記電源セルを初期配置する工程と、
電源配線インピーダンスが所定の値を満たすかを評価する工程と、
電源配線インピーダンスの高い箇所の電源セルを抽出する工程と、
前記抽出した電源セルを電源配線インピーダンスが低下する電源配線幅の電源セルに置き換える工程と
を有し、電源配線インピーダンスが所定の値を満たすまで電源配線インピーダンス評価から電源セル置き換え工程を繰り返すことを特徴とする半導体集積回路の設計方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メッシュ構造の電源配線を有する半導体集積回路およびその設計方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体集積回路の電源配線は、複数の単独配線を半導体集積回路上に引き回すことにより、構成されていた。特にメッシュ構造を持った電源配線は複数の配線レイヤを用いてメッシュ構造を作成し、さらに補強の必要な部分に配線を加えるという手法で行なわれていた（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−３２１５５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の半導体集積回路における電源配線は、電源配線１本１本それぞれを引くことにより実現しているため、特にメッシュ構造の電源配線等では、電源配線の実現そのものに手間がかかるという問題点があった。また、電源配線ネットワークのインピーダンス特性や、ノイズ特性の評価を行いその結果による最適化を施すことが困難であるという問題点がある。
【０００４】
以上の問題点を解決するために、本発明の半導体集積回路の電源配線ならびに電源配線設計方法は、メッシュ構造の電源配線を容易に行い、電源配線ネットワークのインピーダンス特性や、ノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行なうことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体集積回路は、電源セルを介してメッシュ構造の電源配線を行う半導体集積回路であって、前記電源セルが、１または２以上の電位の電源配線より成る第１の電源配線群と、１または２以上の電位の電源配線より成り前記第１の電源配線群と交差する第２の電源配線群と、同電位である前記第１の電源配線群の電源配線および前記第２の電源配線群の電源配線を電気的に接続するビアとを有し、前記第１の電源配線群および前記第２の電源配線群の配線端部は前記電源セルの端部に位置し、複数の前記電源セルを前記電源セルの同電位の電源配線が電気的に接続するように互いに隣接させて配置することによりメッシュ構造の電源配線を形成することを特徴とする。
【０００６】
請求項２記載の半導体集積回路は、請求項１記載の半導体集積回路において、前記メッシュ構造の電源配線を形成する電源セルのうち前記第２の電源配線群が不要な領域に配置する電源セルは前記第１の電源配線群のみを有することを特徴とする。
【０００７】
請求項３記載の半導体集積回路は、請求項１記載の半導体集積回路において、前記第１の電源配線群と前記第２の電源配線群が互いに垂直に交差することを特徴とする。
請求項４記載の半導体集積回路は、請求項１記載の半導体集積回路において、前記電源セルの前記第１の電源配線群が任意の電源配線幅を有し、第１の電源配線群の電源配線幅が異なる電源セルを任意に組み合わせて配置することによりメッシュ構造の電源配線を形成することを特徴とする。
【０００８】
請求項５記載の半導体集積回路は、請求項１記載または請求項４記載の半導体集積回路において、前記電源セルの前記第２の電源配線群が任意の電源配線幅を有し、第２の電源配線群の電源配線幅が異なる電源セルを任意に組み合わせて配置することによりメッシュ構造の電源配線を形成することを特徴とする。
【０００９】
請求項６記載の半導体集積回路は、請求項１記載の半導体集積回路において、前記電源セルに対して前記第１の電源配線群に平行して配線された１または２以上の信号配線から成る第１の信号配線群を付加することを特徴とする。
【００１０】
請求項７記載の半導体集積回路は、請求項１または請求項６のいずれかに記載の半導体集積回路において、前記電源セルに対して前記第２の電源配線群に平行して配線された１または２以上の信号配線から成る第２の信号配線群を付加されることを特徴とする。
【００１１】
請求項８記載の半導体集積回路は、請求項１記載の半導体集積回路において、前記電源セルの前記電源配線群の電位差にカップリングキャパシタンスを設けることを特徴とする。
請求項９記載の半導体集積回路は、請求項１記載の半導体集積回路において、前記電源セルに対して第１の電源配線群の電源配線と、前記電源配線と同電位の第２の電源配線群の電源配線の間に、導通状態と非導通状態とを電気的に切り替えることを可能とするスイッチを備えることを特徴とする。
【００１２】
請求項１０記載の半導体集積回路は、請求項９記載の半導体集積回路において、前記電源セルに備えたスイッチが、前記第１の電源配線群の電源配線の電位と、前記第２の電源配線群の電源配線の電位の差が生じたときに前記スイッチを導通状態へと制御することを特徴とする。
【００１３】
請求項１１記載の半導体集積回路は、請求項１記載の半導体集積回路において、前記メッシュ構造の電源配線を形成するセルの一部が通常動作用のセルとなった場合に、前記通常セルが隣接する電源セルの接続を要する電源配線を配線処理により電気的に接続することを特徴とする。
【００１４】
請求項１２記載の半導体集積回路の設計方法は、請求項４または請求項５に記載の半導体集積回路の設計方法であって、メッシュ構造の電源配線を形成するために前記電源セルを初期配置する工程と、電源配線ネットワークのノイズ遮断特性が所定の値を満たすかを評価する工程と、ノイズ遮断特性の悪い箇所の電源セルを抽出する工程と、前記抽出した電源セルをノイズ遮断特性が良化する電源配線幅の電源セルに置き換える工程とを有し、ノイズ遮断特性が所定の値を満たすまでノイズ遮断特性評価から電源セル置き換え工程を繰り返すことを特徴とする。
【００１５】
請求項１３記載の半導体集積回路の設計方法は、請求項４または請求項５に記載の半導体集積回路の設計方法であって、メッシュ構造の電源配線を形成するために前記電源セルを初期配置する工程と、電源配線インピーダンスが所定の値を満たすかを評価する工程と、電源配線インピーダンスの高い箇所の電源セルを抽出する工程と、前記抽出した電源セルを電源配線インピーダンスが低下する電源配線幅の電源セルに置き換える工程とを有し、電源配線インピーダンスが所定の値を満たすまで電源配線インピーダンス評価から電源セル置き換え工程を繰り返すことを特徴とする。
【００１６】
以上により、メッシュ構造の電源配線を容易に行い、電源配線ネットワークのインピーダンス特性や、ノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の半導体集積回路は、第１の電源配線群および第１の電源配線群と交差あるいは直交する第２の電源配線群とを備え、各電源配線の端部が外部に露出する電源セルを、メッシュ構造の電源配線を形成するように配置することにより、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができる。
【００１８】
本発明の半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法は、電源配線幅が異なる数種類の電源セルを有し、ノイズ遮断特性や電源配線インピーダンスを評価して最適な電源配線幅の電源セルを用いてメッシュ構造の電源配線を形成するように配置することにより、メッシュ構造の電源配線を容易に行い、電源配線ネットワークのインピーダンス特性や、ノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は実施の形態１における電源セルの構成を示す図である。
【００２０】
図１において、Ｗ１１１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１１２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２１１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２１２は第２の電源配線群の電位２の配線、ＶＩＡはそれぞれ同電位の電源配線を電気的に接続するビアである。図１（ａ）に示すＣ１００は電源セルであり、電源セルＣ１００の向かい合う２辺にそれぞれ第１の電源配線群の電位１の配線Ｗ１１１と第１の電源配線群の電位２の配線Ｗ１１２を形成し、これらの配線と交差するように第２の電源配線群の電位１の配線Ｗ２１１と第２の電源配線群の電位２の配線Ｗ２１２を平行に形成している。この時、各配線の端部は隣接して配置された電源セルＣ１００の同種の配線と電気的に接続するように電源セルの端部に位置するように形成される。図１（ｂ）に示すＣ１０１は電源セルであり、Ｃ１００の第２の電源配線群とＶＩＡを省き、メッシュ構造の電源配線の内第１の電源配線群のみを形成する構成である。
【００２１】
また、図２は実施の形態１における電源セルを用いて構成した半導体集積回路を表す図である。
図２において、Ｗ１２１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１２２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２２１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２２２は第２の電源配線群の電位２の配線、Ｗ３２１は第３の電源配線群の電位１の配線、Ｗ３２２は第３の電源配線群の電位２の配線、ＶＩＡはそれぞれ同電位の電源配線を電気的に接続するビアを示し、図２中のＣ１００は図１に示した電源セルであることを示している。図２のように、電源配線がメッシュ構造に形成されるように電源セルＣ１００およびＣ１０１を任意に隣接して配置することですなわち、第１の電源配線群の電位１の配線Ｗ１２１は第２の電源配線群の電位１の配線Ｗ２２１を経て第３の電源配線群の電位１の配線Ｗ３２１と電気的に接続され、同様に電位２の配線Ｗ１２２,Ｗ２２２,Ｗ３２２同士も相互に接続される。
【００２２】
このことで示される通り、電源セルの端部まで形成された各配線は電源セルの配置により電気的に接続されるので、配線処理を施すことなく電源配線のメッシュ構造が形成されることとなり、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができる。
（実施の形態２）
図３は実施の形態２における電源セルの構成を示す図である。
【００２３】
図３において、Ｗ１３１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１３２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２３１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２３２は第２の電源配線群の電位２の配線、ＶＩＡはそれぞれ同電位の電源配線を電気的に接続するビアであり、これらで構成される電源セルをＣ１３０とする。この電源セルＣ１３０は図１に示した電源セルＣ１００と異なり電源配線群が直交している。実施の形態１の場合と同様に、電源配線がメッシュ構造に形成されるように電源セルＣ１３０およびＣ１０１を配置することで、電源セルの端部まで形成された各配線が電気的に接続されるので、配線処理を施すことなく電源配線のメッシュ構造が形成されるので、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができる。
（実施の形態３）
図４は実施の形態３における電源セル１の構成を示す図、図５は実施の形態３における電源セル２の構成を示す図、図６は実施の形態３における電源セル１，電源セル２を用いて構成した半導体集積回路を表す図を示す。
【００２４】
図４において、Ｗ１４１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１４２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２４１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２４２は第２の電源配線群の電位２の配線、ＶＩＡは同電位間の電源配線どうしを接続するビア、これらで構成される電源セル１をＣ１４１とし、構造は電源セルＣ１３０と同様である。同じく図５において、Ｗ１５１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１５２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２５１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２５２は第２の電源配線群の電位２の配線、ＶＩＡは同電位間の電源配線どうしを接続するビア、これらで構成される電源セル２をＣ１４２とする。図４で示される電源セル１−Ｃ１４１と図５で示される電源セル２−Ｃ１４２の大きな違いは、第２の電源配線群の配線幅が電源セル２−Ｃ１４２の方が太いことである。
【００２５】
図６において、Ｗ１６１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１６２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２６１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２６２は第２の電源配線群の電位２の配線、Ｗ３６１は第３の電源配線群の電位１の配線、Ｗ３６２は第３の電源配線群の電位２の配線、ＶＩＡはそれぞれ同電位の電源配線どうしを接続するビア、Ｃ１４１は図４に示した電源セル１、Ｃ１４２は図５に示した電源セル２を示す。
【００２６】
図６に示す半導体集積回路は、電源配線がメッシュ構造に形成されるように電源セルＣ１４１，Ｃ１４２およびＣ１０１を隣接して配置することで、電源セルの端部まで形成された各配線が電気的に接続され、配線処理を施すことなく電源配線のメッシュ構造が形成されるので、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができる。
【００２７】
また、Ｃ１４１とＣ１４２は第２の電源配線群の配線幅が異なるものの、セルを相互に入れ替えても第２の電源配線群の配線は途切れることなく接続され続ける構成であるため、セルを相互に入れ替えることが可能であり、電源配線ネットワークのインピーダンス特性やノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行うことができる。
ここで、第２の電源配線群の配線幅が異なる構成について説明したが、第１の電源配線群の配線幅が異なる構成としても同様の効果を得ることができる。
（実施の形態４）
図７は実施の形態４における電源セルの構成を示す図である。
【００２８】
図７において、Ｗ１７１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１７２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２７１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２７２は第２の電源配線群の電位２の配線、Ｓ１７０は１本以上の信号配線からなる第１の信号配線群の配線、ＶＩＡは同電位の配線どうしを接続するビア、これらにより構成される電源セルをＣ１７０としている。電源セルＣ１７０は既に説明した電源セルに対して第１の信号配線群の配線Ｓ１７０を追加した構成であり、第１の電源配線群と、第１の信号配線群Ｓ１７０は平行に配線された電源セルとなっている。
【００２９】
このことにより、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができると共に、例えばシールドの必要な信号に対して第１の信号配線群の配線Ｓ１７０を用いることで、第１の信号配線群の配線Ｓ１７０が電源配線間に隣接して配線されているためにシールド効果を得られ、電源配線を有効に利用した配線が可能となる。
（実施の形態５）
図８は実施の形態５における電源セルの構成を示す図である。
【００３０】
図８において、Ｗ１８１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１８２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２８１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２８２は第２の電源配線群の電位２の配線、Ｓ１８１は１本以上の信号配線からなる第２の信号配線群の配線１、Ｓ１８２は１本以上の信号配線からなる第２の信号配線群の配線２、ＶＩＡは同電位の配線どうしを接続するビア、これらにより構成される電源セルをＣ１８０としている。電源セルＣ１８０は既に説明した電源セルに対して第２の信号配線群の配線を追加した構成であり、第２の電源配線群と、第２の信号配線群は平行に配線された電源セルとなっている。
【００３１】
このことにより、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができると共に、例えばシールドの必要な信号に対して第２の信号配線群の配線を用いることで、第２の信号配線群の配線が電源配線間に隣接して配線されているためにシールド効果を得られ、電源配線を有効に利用した配線が可能となる。
（実施の形態６）
図９は実施の形態６における電源セルの構成を示す図である。
【００３２】
図９において、Ｗ１９１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１９２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ２９１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ２９２は第２の電源配線群の電位２の配線、Ｓ１９１は１本以上の信号配線からなる第１の信号配線群の配線１、Ｓ２９１は１本以上の信号配線からなる第２の信号配線群の配線１、Ｓ２９２は１本以上の信号配線からなる第２の信号配線群の配線２、ＶＩＡは同電位の配線どうしを接続するビア、これらにより構成される電源セルをＣ１９０としている。電源セルＣ１９０は実施の形態４の第１の信号配線群Ｓ１７０と実施の形態５の第２の信号配線群Ｓ１８１とを同時に備える構成であり、第１の電源配線群と、第１の信号配線群は平行に配線され、また第２の電源配線群と第２の信号配線群は平行に配線された電源セルとなっている。
【００３３】
このことにより、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができると共に、例えばシールドの必要な信号に対して第１または第２の信号配線群の配線を用いることで、第１または第２の信号配線群の配線が電源配線間に隣接して配線されているためにシールド効果を得られ、電源配線を有効に利用した配線が可能となる。
（実施の形態７）
図１０は実施の形態７における電源セルの構成を示す図である。
【００３４】
図１０において、Ｗ１１０１は第１の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１１０２は第１の電源配線群の電位２の配線、Ｗ１２０１は第２の電源配線群の電位１の配線、Ｗ１２０２は第２の電源配線群の電位２の配線、ＣＡＰ１０００は電位１と電位２の配線間につながるカップリングキャパシタ、ＶＩＡは同電位の電源配線間を接続するビアを示し、これらで構成される電源セルをＣ１０００とする。電源セルＣ１０００は既に説明した電源セルに対して電源配線の電位１と電位２の間にカップリングキャパシタＣＡＰ１０００を付加した構成である。
【００３５】
このＣ１０００を用いた半導体集積回路は、メッシュ構造の電源配線を容易に行うことができると共に、カップリングキャパシタの効果を利用し、電源ラインの安定化をも可能とする半導体集積回路が実現できる。
（実施の形態８）
図１１は実施の形態８における電源セルの構成を示す図である。
【００３６】
図１１において、Ｗ１１１１は第１の電源配線群の電位１の配線で例えばＶＳＳに接続し、Ｗ１１１２は第１の電源配線群の電位２の配線で例えばＶＤＤに接続し、Ｗ１２１１は第２の電源配線群の電位１の配線で例えばＶＳＳに接続し、Ｗ１２１２は第２の電源配線群の電位２の配線で例えばＶＤＤに接続し、ＶＩＡは同電位の配線間を接続するビアである。これらの他に図１１に示したような、ソースを第２の電源配線群の電位２の配線Ｗ１２１２に、ドレインおよびゲートを第１の電源配線群の電位２の配線Ｗ１１１２に接続した構成のトランジスタのスイッチ回路を含む電源セルをＣ１１００とする。例えば図１１の電源セルでは、ＶＤＤの電源経路はトランジスタの回路を経るために、Ｗ１１１２の電位の状態によりＷ１２１２とＷ１１１２間の導通状態と非導通状態とを電気的に切り替えることが可能となる。したがって、電力供給源側に第２の電源配線群の電位２の配線Ｗ１２１２があり、電力消費回路側に繋がる第１の電源配線群の電位２の配線Ｗ１１１２が繋がっている場合、電力消費回路の電力消費が増大するとＷ１１１２の電位ＶＤＤが次第に下降し、Ｗ１２１２との電位差が生じるために、トランジスタ回路が導通しはじめＷ１１１２の電位は再びＷ１２１２と同等に保たれる。一方で、電力消費回路の電力消費が極めて小さい場合には、Ｗ１１１２とＷ１２１２間の電位差は生じず、電源配線Ｗ１１１２とＷ１２１２間は非導通状態が保たれる。この動作により、電力消費が大きくなったときに電流供給経路が構成される電源回路が実現できる。
【００３７】
以上の実施の形態１〜８では電源セルを全て隣接して配置したが、仮に電源セルを配置したい領域の一部分に通常のセルを配置する必要が生じても、その部分だけの配線処理を行うことにより電源配線のメッシュ構造が形成されるので、従来に比べればメッシュ構造の電源配線を容易に行うことができる。
【００３８】
また、以上の例では電源セルＣ１０１を用いて電源配線を形成したが、オープンな余分な電源配線が残るものの、各実施の形態で説明した電源セルＣ１０１以外の電源セルのみで電源配線を形成することもできる。
（実施の形態９）
図１２は本発明の半導体集積回路の電源配線設計方法を示すフローチャートである。
【００３９】
この手順では、あらかじめ実施の形態３で説明したような電源セルを複数種類用意しておき、メッシュ構造を有する電源配線を構成する電源セルの初期配置を行った後（Ｓ１）、電源配線ネットワークのノイズ遮断特性を評価して各電源配線ネットワークが所望のノイズ遮断特性を満たすかどうか判定する（Ｓ２）。次に、ノイズ遮断特性の悪い箇所の電源セルを抽出し（Ｓ３）、その電源セルを電源配線幅の異なるノイズ遮断特性が良化するほかの種類の電源セルに置き換え（Ｓ４）、再度ノイズ遮断特性を評価する（Ｓ２）。この特性が所望の値になるまでセルの置き換え→評価という一連の流れを繰り返し実行する。
【００４０】
また、電源配線ネットワークのノイズ遮断特性評価に替えて電源配線インピーダンス評価を行い、評価結果に基づいて電源配線インピーダンスが低下するように電源セルを置き換えても良い。
【００４１】
この設計方法は、実施の形態３で示したものと同様な構造を持つ電源セルを複数種類持つ場合に実行可能な設計方法であり、この手法により、電源配線幅の異なる複数種の電源セルを評価結果に応じて自由に選択して容易に設計できるので、半導体集積回路の電源配線を一旦行った後でもその電源配線特性を改善することが可能であり、メッシュ構造の電源配線を容易に行い、電源配線ネットワークのインピーダンス特性やノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、メッシュ構造の電源配線を容易に行い、電源配線ネットワークのインピーダンス特性やノイズ特性の評価結果に対応した最適化を容易に行うことができ、メッシュ構造の電源配線を有する半導体集積回路およびその設計方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施の形態１における電源セルの構成を示す図
【図２】実施の形態１における電源セルを用いて構成した半導体集積回路を表す図
【図３】実施の形態２における電源セルの構成を示す図
【図４】実施の形態３における電源セル１の構成を示す図
【図５】実施の形態３における電源セル２の構成を示す図
【図６】実施の形態３における電源セル１，電源セル２を用いて構成した半導体集積回路を表す図
【図７】実施の形態４における電源セルの構成を示す図
【図８】実施の形態５における電源セルの構成を示す図
【図９】実施の形態６における電源セルの構成を示す図
【図１０】実施の形態７における電源セルの構成を示す図
【図１１】実施の形態８における電源セルの構成を示す図
【図１２】本発明の半導体集積回路の電源配線設計方法を示すフローチャート
【符号の説明】
【００４４】
Ｗ１１１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１１２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２１１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２１２    第２の電源配線群の電位２の配線
ＶＩＡ    同電位の電源配線を電気的に接続するビア
Ｃ１００    電源セル
Ｃ１０１    電源セル
Ｗ１２１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１２２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２２１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２２２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｗ３２１    第３の電源配線群の電位１の配線
Ｗ３２２    第３の電源配線群の電位２の配線
Ｗ１３１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１３２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２３１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２３２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｃ１３０    電源セル
Ｗ１４１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１４２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２４１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２４２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｃ１４１    電源セル１
Ｗ１５１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１５２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２５１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２５２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｃ１４２    電源セル２
Ｗ１６１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１６２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２６１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２６２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｗ３６１    第３の電源配線群の電位１の配線
Ｗ３６２    第３の電源配線群の電位２の配線
Ｗ１７１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１７２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２７１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２７２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｓ１７０    第１の信号配線群の配線
Ｃ１７０    電源セル
Ｗ１８１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１８２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２８１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２８２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｓ１８１    第２の信号配線群の配線１
Ｓ１８２    第２の信号配線群の配線２
Ｃ１８０    電源セル
Ｗ１９１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１９２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ２９１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ２９２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｓ１９１    第１の信号配線群の配線
Ｓ２９１    第２の信号配線群の配線１
Ｓ２９２    第２の信号配線群の配線２
Ｃ１９０    電源セル
Ｗ１１０１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１１０２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ１２０１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１２０２    第２の電源配線群の電位２の配線
ＣＡＰ１０００    電位１と電位２の間に接続されたカップリングキャパシタ
Ｃ１０００    電源セル
Ｗ１１１１    第１の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１１１２    第１の電源配線群の電位２の配線
Ｗ１２１１    第２の電源配線群の電位１の配線
Ｗ１２１２    第２の電源配線群の電位２の配線
Ｃ１１００    電源セル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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