(57)【要約】【課題】多連ヒートシンクと多連リードフレームとの機械的な結合を安定に維持しながら、これら多連ヒートシンクおよび多連リードフレームの好適な小型化を可能とすることのできるヒートシンク付き多連リードフレームを提供する。【解決手段】ヒートシンク付き多連リードフレームは、インナーリード２を形成する一部が半導体チップと一体にモールドされるリードフレーム１ａが複数の半導体チップの数分だけ配列形成されてなる多連リードフレーム１に、半導体チップが載置されるヒートシンク２１を複数の半導体チップの数分だけ備える多連ヒートシンク２０が結合部を介して結合される。多連ヒートシンク２０は、ヒートシンク２１の各々が互いにヒートシンク支持部２２を介して連結されるとともに、多連リードフレーム１の最外周部に設けられた４つの結合部を介して同多連リードフレーム１に結合される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリードを形成する一部が半導体チップと一体にモールドされるリードフレームが複数の半導体チップの数分だけ配列形成されてなる多連リードフレームに、前記半導体チップが載置されるヒートシンクを前記複数の半導体チップの数分だけ備える多連ヒートシンクが結合部を介して結合されてなるヒートシンク付き多連リードフレームにおいて、
前記多連ヒートシンクは、前記ヒートシンクの各々が互いにヒートシンク支持部を介して連結されてなるとともに、前記多連リードフレームの最外周部に設けられた少なくとも２つの結合部を介して同多連リードフレームに結合されてなる
ことを特徴とするヒートシンク付き多連リードフレーム。
【請求項２】
前記多連ヒートシンクの前記ヒートシンク支持部は、前記ヒートシンクの各々よりも肉薄に形成されてなる
請求項１に記載のヒートシンク付き多連リードフレーム。
【請求項３】
前記多連ヒートシンクの前記ヒートシンク支持部は、前記ヒートシンクの各々を千鳥状に連結する態様で設けられてなる
請求項１または２に記載のヒートシンク付き多連リードフレーム。
【請求項４】
前記結合部は、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその両側部の各２点に設けられてなる
請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒートシンク付き多連リードフレーム。
【請求項５】
前記結合部は、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその先端の両側部および後端の両側部の４点に設けられてなる
請求項４に記載のヒートシンク付き多連リードフレーム。
【請求項６】
前記結合部は、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその両側部の各１点に設けられてなる
請求項１〜３のいずれか一項に記載のヒートシンク付き多連リードフレーム。
【請求項７】
前記結合部は、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその両側部の各１点に点対称にて設けられてなる
請求項６に記載のヒートシンク付き多連リードフレーム。
【請求項８】
前記多連リードフレームの前記結合部には貫通孔が設けられるとともに、前記ヒートシンク支持部の前記多連リードフレームとの結合部には選択的に前記貫通孔に挿入される凸部が設けられてなり、前記多連リードフレームに対する前記多連ヒートシンクの結合が、前記貫通孔に挿入された凸部の塑性変形加工によって行われてなる
請求項１〜７のいずれか一項に記載のヒートシンク付き多連リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、放熱構造を備える半導体装置の製造に用いられるヒートシンク付きリードフレームに関し、特にこれらリードフレームが複数個の半導体装置の数分だけ配列形成されているヒートシンク付き多連リードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）パッケージ等の半導体装置では、その小型化および高集積化といった要求の高まりとともに、例えば半導体装置の多ピン化やファインピッチ化が進み、またこれに対応してリードフレームの各リードの幅やそのピッチの微細化が求められている。このようなタイプのＩＣパッケージとしては、例えば表面実装型のＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等がある。
【０００３】
また、こうした表面実装型の半導体装置には、併せて放熱性が良好であることも要求されており、例えばヒートシンクのような放熱構造を併せ備えるものがある。そして従来、このようにヒートシンクを備えるＱＦＰの半導体装置の製造に用いられるリードフレームとしては、例えば特許文献１に記載されているものが知られている。この特許文献１に記載されているリードフレームは、こうした半導体装置を製造するリードフレームが複数個の半導体装置の数分だけ配列されている多連リードフレームである。図８は、この特許文献１に記載されている多連リードフレームを、半導体装置の製造工程で用いるヒートシンクおよび半導体チップとともに分解斜視図で示したものである。この図８を参照して、こうした多連リードフレームの構造、およびこれを用いる半導体装置の製造工程の一例についてその概略を説明する。
【０００４】
図８に示されるように、多連リードフレーム１０１は、単位リードフレーム１０１ａが一方向に一列に配列されて構成されている。この単位リードフレーム１０１ａは、複数のインナーリード１０２および各インナーリード１０２と連結されるアウターリード１０３を保持するためのリード群保持枠（フレーム部）１０５を備えている。このリード群保持枠１０５は略正方形の枠状に組まれた４本のレールからなり、その枠内には半導体ペレット８０が配置されるためのスペース１０７が設けられている。そして、上記アウターリード１０３は、これら各レールの内周辺に等間隔に配設されており、各レールからそれぞれ直角に突設されている。また、これらと連結されるインナーリード１０２は上記スペース１０７に対して放射状に配設されるとともにその内側の先端は同スペース１０７に対向する各辺が略一直線上に揃えられており、また上記各アウターリード１０３間にはダム・バー（タイバー部）１０４が直角に架設されている。そして、各単位リードフレーム１０１ａ間に配設されるレール１０５ａには、後述する多連ヒートシンク組立体１２０と結合するための一対の結合部１０６が設けられている。この結合部１０６は、同図８に示されるようなコ字形状孔１０６ａおよび舌片１０６ｂからなる。
【０００５】
次に、このような多連リードフレーム１０１が、半導体装置の製造に用いられる際に機械的に接合される多連ヒートシンク組立体１２０について説明する。この多連ヒートシンク組立体１２０も、単位ヒートシンク組立体１２０ａが一方向に一列に配列されて構成されている。この単位ヒートシンク組立体１２０ａは、中央に半導体ペレット８０が載置される略正方形のヒートシンク１２１を備え、このヒートシンク１２１を保持するヒートシンク保持枠１２３を備えている。そして、このヒートシンク保持枠１２３も略正方形の枠状に組まれた４本のレールからなり、上記ヒートシンク１２１は、その四隅と上記レールとを連結するヒートシンク吊りバー１２２により吊持されている。
【０００６】
一方、上記各ヒートシンク組立体１２０ａ間に配設されるレール１２３ａには、上述した多連リードフレーム１０１の結合部１０６に対応する態様で、一対の段差部１２４が形成されるとともに、これら段差部１２４に透孔１２６が設けられている。そして、これら多連リードフレーム１０１と多連ヒートシンク組立体１２０とは上下に重ね合わせられ、多連リードフレーム１０１のスペース１０７と多連ヒートシンク組立体１２０のヒートシンク１２１とが、重なりあう態様で一体化される。すなわちこの際、多連リードフレーム１０１のコ型形状孔１０６ａと多連ヒートシンク組立体１２０の段差部１２４とが付き合わされて、コ型形状孔１０６ａの舌片１０６ｂが段差部１２４の透孔１２６に挿入された後、上記舌片１０６ｂが屈曲（塑性変形）される。これによって、これら多連リードフレーム１０１と多連ヒートシンク組立体１２０との機械的な結合が図られる。ちなみに図９は、こうして形成されるヒートシンク付き多連リードフレームを一般化してその平面構造を示したものである。
【０００７】
このように多連リードフレーム１０１と多連ヒートシンク組立体１２０とが結合された後、図８に示されるように、上記各ヒートシンク１２１にそれぞれ半導体ペレット８０が載置され、この半導体ペレット８０とインナーリード１０２とのワイヤボンディングが行われる。その後、半導体ペレット８０はインナーリード１０２、ヒートシンク１２１の一部と共々、樹脂により封止された後、上記インナーリード１０２およびヒートシンク吊りバー１２２が切断されて、最終的に半導体装置が形成される。
【特許文献１】特開平９−３１２３７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように、上記特許文献１に記載されている多連リードフレーム１０１と多連ヒートシンク組立体１２０とは、多連リードフレーム１０１に設けられた舌片１０６ｂが、多連ヒートシンク組立体１２０に設けられた透孔１２６に挿入され、さらにこの舌片１０６ｂが屈曲（塑性変形）されることで機械的に結合されている。
【０００９】
しかしながら、上記特許文献１に記載されている多連リードフレーム１０１では、こうした結合部１０６が各単位リードフレーム１０１a毎に設けられるかたちとなるため、各単位リードフレーム１０１a間に配設されるレール１０５aには、こうした結合部１０６を形成するための十分なスペースの確保が必要になる。すなわち、多連リードフレーム１０１のリード群保持枠１０５の大型化が避けられないものとなり、さらにこれと結合される多連ヒートシンク組立体１２０の大型化も避けられないものとなっている。
【００１０】
しかもこの場合、上記多連リードフレーム１０１と結合される多連ヒートシンク組立体１２０にも、各ヒートシンク組立体１２０a間に配設されるレール１２３aに上記結合部１０６と対応する透孔１２６の配設が必要となるため、この意味でも、こうした多連ヒートシンク組立体１２０の大型化が避けられないものとなっている。
【００１１】
この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、多連ヒートシンクと多連リードフレームとの機械的な結合を安定に維持しながら、これら多連ヒートシンクおよび多連リードフレームの好適な小型化を可能とすることのできるヒートシンク付き多連リードフレームを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、インナーリードを形成する一部が半導体チップと一体にモールドされるリードフレームが複数の半導体チップの数分だけ配列形成されてなる多連リードフレームに、前記半導体チップが載置されるヒートシンクを前記複数の半導体チップの数分だけ備える多連ヒートシンクが結合部を介して結合されてなるヒートシンク付き多連リードフレームとして、前記多連ヒートシンクを、前記ヒートシンクの各々が互いにヒートシンク支持部を介して連結される構造とするとともに、該構造を有する多連ヒートシンクを、前記多連リードフレームの最外周部に設けられた少なくとも２つの結合部を介して同多連リードフレームに結合することとした。
【００１３】
ヒートシンク付き多連リードフレームとしてのこのような構造によれば、まずは多連ヒートシンク自体、前述したヒートシンク保持枠等が不要となることからその小型化が図られる。しかも、このような多連ヒートシンクが多連リードフレームの最外周部に設けられた少なくとも２つの結合部を介して同多連リードフレームに結合されることで、多連リードフレーム側にも上記結合部を確保するための余分なスペースが不要となり、その小型化が可能となる。すなわちこのような構造により、多連リードフレームに多連ヒートシンクが結合されたヒートシンク付き多連リードフレーム自体の好適な小型化が図られるようになる。
【００１４】
また、このような構造において、請求項２に記載の発明によるように、前記多連ヒートシンクの前記ヒートシンク支持部を、前記ヒートシンクの各々よりも肉薄に形成することとすれば、半導体装置の製造に際し、上記多連リードフレームと多連ヒートシンクとの間で熱膨張差が生じるような場合であれ、この肉薄に形成されたヒートシンク支持部の弾性変形を通じて、このような熱膨張差も好適に緩和、吸収されるようになる。
【００１５】
また、請求項３に記載の発明によるように、このヒートシンク支持部が前記ヒートシンクの各々を千鳥状に連結する態様で設けられる構造も、上記熱膨張差の緩和、吸収に有効であり、特にこの構造が上記請求項２に記載の発明の構造と併用される場合には、こうした熱膨張差の緩和、吸収効果について、より高い効果が期待されるようになる。
【００１６】
また、これらの構造においては、前記結合部の配設態様によってもその作用効果は微妙に変化する。
例えば、請求項４に記載の発明によるように、前記結合部を、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその両側部の各２点に設ける構造とすれば、多連リードフレームに対する多連ヒートシンクのより強固な結合が得られ、しかもこの場合、特に請求項５に記載の発明によるように、前記結合部を、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその先端の両側部および後端の両側部の４点に設ける構造とすれば、例えば当該ヒートシンク付き多連リードフレームとしての搬送時における反り等も好適に抑制されるようになる。
【００１７】
他方、請求項６に記載の発明によるように、前記結合部を、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその両側部の各１点に設ける構造とすれば、上述した熱膨張差に対する耐性がさらに高められるようになり、特に請求項７に記載の発明によるように、前記結合部を、前記多連リードフレームの配列方向に沿ってその両側部の各１点に点対称にて設ける構造とすれば、上記搬送時等における安定性も併せて確保されるようになる。
【００１８】
なお、ヒートシンク付き多連リードフレームとしての上述した構造において、請求項８に記載の発明によるように、前記多連リードフレームの前記結合部には貫通孔を設けるとともに、前記ヒートシンク支持部の前記多連リードフレームとの結合部には選択的に前記貫通孔に挿入される凸部を設け、前記多連リードフレームに対する前記多連ヒートシンクの結合を、前記貫通孔に挿入された凸部の塑性変形加工、いわゆる「かしめ加工」によって行うこととすれば、こうした結合も容易、且つ的確に実現されるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施の形態）
以下、この発明にかかるヒートシンク付き多連リードフレームの第１の実施の形態について、図１〜図５を参照して説明する。図１は、この実施の形態にかかるヒートシンク付き多連リードフレームの一例として、ヒートシンクおよびリードフレームが、半導体装置３個分だけ配列形成されているヒートシンク付き３連リードフレームの平面構造を示したものである。すなわち図１に示されるように、この実施の形態にかかるヒートシンク付き多連リードフレームも、単位リードフレーム１ａが半導体装置３個分だけ配列形成されている多連リードフレーム１と、ヒートシンク２１がヒートシンク支持部２２を介して半導体装置３個分だけ配列形成されている多連ヒートシンク組立体（多連ヒートシンク）２０とからなる。そしてこれら多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体２０とが、結合部を介して一体に結合される構造からなる。
【００２０】
図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を示したものである。図２に示されるように、上記多連リードフレーム１の多連ヒートシンク組立体２０との結合部には貫通孔６が設けられており、多連ヒートシンク組立体２０の多連リードフレーム１との結合部２４には、上記貫通孔６に挿入される凸部２６が設けられている。そして、それぞれの貫通孔６に挿入された凸部２６に、かしめ加工（塑性変形加工）が施されることで、これら多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体２０とが機械的に結合されている。
【００２１】
次に、図３および図４に、こうしたヒートシンク付き多連リードフレームを構成する多連リードフレーム１および多連ヒートシンク組立体２０の平面構造をそれぞれ示し、それぞれの構造について詳述する。
【００２２】
このうち図３に示されるように、この実施の形態にかかる多連リードフレーム１は、単位リードフレーム１ａが３個分配列されて構成されている。こうした多連リードフレーム１には、例えば銅系材料（銅または銅合金）やアルミニウム系材料（アルミニウムまたはアルミニウム合金）等からなる薄板が用いられ、打ち抜きプレス加工やエッチング加工等により一体に成形される。そして後述する半導体ペレットとのワイヤボンディングを好適に行うために例えばニッケルまたは銀等を用いためっき加工によりめっき被膜が披着されている。そして各単位リードフレーム１ａは、複数のインナーリード２および各インナーリード２と連結されるアウターリード３を保持するために枠状に組まれた４本のレールを備え、こうしたレールが多連状に連結されてフレーム部５が形成されている。各単位リードフレーム１ａの上記枠内には、半導体ペレットが配置されるためのスペース７が設けられている。そして、上記アウターリード３は、これら各レールの内周辺に等間隔に配設されており、各レールからそれぞれ直角に突設されている。また、これらと連結されるインナーリード２は、上記スペース７に対して放射状に配設されるとともに、その内側の先端は同スペース７に対向する各辺が略一直線上に揃えられており、また上記各アウターリード３間にはタイバー部４が直角に架設されている。そして、こうした多連リードフレーム１のフレーム部５のうち、多連リードフレーム１の配列方向に沿ってその先端の両側部および後端の両側部の４点には、後述する多連ヒートシンク組立体２０との結合部となる貫通孔６が設けられている。
【００２３】
一方、図４に示されるように、上記多連リードフレーム１と結合される多連ヒートシンク組立体２０は、単位ヒートシンク組立体（単位ヒートシンク）２０ａがヒートシンク支持部２２を介して３個分配列されて構成されている。各単位ヒートシンク組立体２０ａは、中央に半導体ペレットが載置されるヒートシンク２１を備え、このヒートシンク２１は、その４隅に連結されているヒートシンク支持部２２により支持されている。こうした多連ヒートシンク組立体２０には銅系材料（銅または銅合金）やアルミニウム系材料（アルミニウムまたはその合金）、鉄系材料等の熱伝導性に優れる材料からなる板材が用いられ、打ち抜きプレス加工等により一体に成形されている。そして、特にこのような成形に際しては、上記各ヒートシンク支持部２２は、上記ヒートシンク２１の各々よりも肉薄となるように形成されている。ちなみに、上記各ヒートシンク２１において半導体ペレットが載置される側の表面には、後述するペレットボンディングを好適に行うために例えばニッケルまたは銀等を用いためっき加工によりめっき被膜が披着されている。そして上記ヒートシンク支持部２２は連結部２３を介してそれぞれ隣接する単位ヒートシンク組立体２０ａと多連状に連結されている。こうした多連ヒートシンク組立体２０のうち、多連ヒートシンク組立体２０の配列方向に沿ってその先端および後端に配設されるヒートシンク支持部２２には、上記多連リードフレーム１の結合部に対応する態様で結合部２４が形成されており、各結合部２４には凸部２６が設けられている。
【００２４】
そして、このように図３、図４のそれぞれに示される多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体２０とは、上記多連リードフレーム１のスペース７と上記多連ヒートシンク組立体２０のヒートシンク２１とが重なりあう態様で上下に重ね合わせられる。そして、上述したように、上記多連ヒートシンク組立体２０に設けられている凸部２６が上記多連リードフレーム１に設けられている貫通孔６に挿入された後、かしめ加工が施されることで一体に結合される。
【００２５】
次に、こうしたヒートシンク付き多連リードフレームを利用した半導体装置の製造方法について図５（ａ）および図５（ｂ）を参照して説明する。
図５（ａ）は、図１のヒートシンク付き多連リードフレームの一部を拡大して示したものである。図５（ａ）に示されるように単位リードフレーム１ａの中央に配設されるヒートシンク２１の上には、半導体ペレット（図示略）が載置され、こうした半導体ペレットの電極パッドと周囲に突設されている各インナーリード２との間でワイヤボンディングが施され、上記半導体ペレットと上記多連リードフレーム１との電気的な接続が図られる。この状態で、例えば適宜の金型などを用いて、図５（ａ）に一点鎖線で示される樹脂モールド領域Ｍに、例えばエポキシ樹脂などからなる樹脂を充填した後、これを熱硬化等により硬化させる。これにより、上記多連リードフレーム１を形成するインナーリード２の一部が上記半導体ペレットと一体にモールドされて樹脂封止される。
【００２６】
図５（ｂ）は、さらに図５（ａ）の領域Ｚを拡大して示したものであり、樹脂封止後の構造を示している。なおこの図５（ｂ）では、簡略化するために、図５（ａ）で示したヒートシンク支持部２２を省略して示している。この図５（ｂ）に示されるように、モールド樹脂７０により半導体ペレットと上記インナーリード２の一部とが封止され、上記多連リードフレーム１は上記半導体ペレットと電気的に接続される。次いで、上記多連リードフレーム１を形成するアウターリード３間に架設されるタイバー部４を、隣接する各アウターリード３間で切断し、さらにこれらアウターリード３をフレーム部５との間で切断する。また、図示しないヒートシンク支持部２２（図５（ａ））についても、モールド樹脂７０との境目で切断する。すなわち、最終的に図５（ｂ）に斜線で示されるリード部７２がモールド樹脂７０から導出するかたちで残留して半導体装置が得られる。
【００２７】
以上説明したように、この実施の形態にかかるヒートシンク付き多連リードフレームによれば、以下に列記するような効果が得られるようになる。
（１）上記多連ヒートシンク組立体２０は、上記ヒートシンク２１の各々が互いにヒートシンク支持部２２を介して連結されるとともに、上記多連リードフレーム１の最外周部に、上記多連リードフレーム１の配列方向に沿ってその先端の両側部および後端の両側部の４点に設けられる結合部を介して上記多連リードフレーム１と結合される構造とした。これにより、多連ヒートシンク組立体２０にヒートシンク保持枠等が不要となることから、その小型化を図ることができるようになる。また、また、結合部を多連リードフレーム１の最外周部に設けることにより、上記多連リードフレーム１側にも各単位リードフレーム毎にこうした結合部を確保するための余分なスペースが不要となるため、その小型化を図ることができるようになる。すなわちこのような構造により、ヒートシンク付き多連リードフレーム自体の好適が小型化を図ることができるようになる。
【００２８】
（２）上記多連リードフレーム１および上記多連ヒートシンク組立体２０のこうした小型化により、上記多連リードフレーム１に用いられる板材、および上記多連ヒートシンク組立体２０に用いられる板材のより効率のよい板取りが可能ともなる。
【００２９】
（３）上記多連ヒートシンク組立体２０のヒートシンク支持部２２は、上記ヒートシンク２１の各々よりも肉薄に形成することとした。これにより、半導体装置の製造に際し、上記多連リードフレーム１と上記多連ヒートシンク組立体２０との間で熱膨張差が生じるような場合であれ、ヒートシンク支持部２２の弾性変形を通じて、このような熱膨張差を好適に緩和、吸収することができるようになる。
【００３０】
（４）上記多連リードフレーム１の結合部には貫通孔６を設けるとともに、上記ヒートシンク支持部２２の上記多連リードフレーム１との結合部には選択的に上記貫通孔６に挿入される凸部２６を設け、上記多連リードフレーム１に対する上記多連ヒートシンク組立体２０の結合を、上記貫通孔６に挿入された凸部２６のかしめ加工により行うこととした。これにより、これら多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体２０との強固な結合を、容易かつ的確に実現することができるようになる。
【００３１】
（第２の実施の形態）
図６に、この発明にかかるヒートシンク付き多連リードフレームの第２の実施の形態を示す。
【００３２】
図６に示されるように、この第２の実施の形態では、上記多連リードフレーム１の上記多連リードフレーム１の配列方向に沿ってその両側部の各１点に上記多連ヒートシンク組立体３０との結合部となる貫通孔６が点対称に設けられている。一方、上記多連ヒートシンク組立体３０は、互いに隣接するヒートシンク３１がヒートシンク支持部２２を介して連結されており、こうしたヒートシンク支持部２２が連結部３３を介して多連状に連結されている。こうした連結部３３のうち、上記多連ヒートシンク組立体３０の配列方向に沿ってその両側部の各１点には、上記多連リードフレーム１の結合部（貫通孔６）に対応する態様で結合部３４が形成されており、各結合部３４には凸部３６が設けられている。そして、これら多連リードフレーム１に設けられている貫通孔６と上記多連ヒートシンク組立体２０に設けられている凸部３６とを介して、先の第１の実施の形態で示した態様で機械的に結合される。なお、その他の構造は先の第１の実施の形態と同様である。
【００３３】
以上説明したこの第２の実施の形態によっても、先の第１の実施の形態の上記（１）〜（４）と同等もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようになる。
【００３４】
（５）上記結合部を、上記多連リードフレーム１の配列方向に沿ってその両側部の各１点に点対称にて設ける構造とした。これにより、半導体装置の製造に際し、上記多連リードフレーム１と上記多連ヒートシンク組立体３０との間で熱膨張差が生じるような場合であれ、こうした熱膨張差に対する耐性がさらに高められ、より好適にその吸収、緩和を行うことができるようになる。また、こうしたヒートシンク付き多連リードフレーム１としての搬送時における安定性も併せて確保することができるようになる。
【００３５】
（第３の実施の形態）
図７に、この発明にかかるヒートシンク付き多連リードフレームの第３の実施の形態を示す。
【００３６】
図７に示されるように、上記多連ヒートシンク組立体４０のうち、多連ヒートシンク組立体４０の配列方向に沿ってその先端および後端に配設されるヒートシンク支持部４２には、上記多連リードフレーム１の結合部に対応する態様で計４点に結合部４４が形成されており、各結合部４４には凸部４６が設けられている。そして、この第３の実施の形態においても先の第１の実施の形態と同様に、これら多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体４０との結合が強固に維持されている。ここで、この実施の形態の多連ヒートシンク組立体４０では、各ヒートシンク４１を支持し、且つ互いに隣接するヒートシンク４１と連結するヒートシンク支持部４２が、連結部４３を介して千鳥状に連結されている。
【００３７】
以上説明したこの第３の実施の形態によっても、先の第１の実施の形態の（１）〜（４）と同等もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようにもなる。
【００３８】
（６）上記ヒートシンク支持部４２が上記ヒートシンク４１の各々を千鳥状に連結する態様で設けることとした。これにより、多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体４０との結合が安定に維持された状態で、多連ヒートシンク組立体４０としての弾性が高められることから、上記多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体との間における熱膨張差の緩和、吸収効果がさらに高められるようになる。
【００３９】
（その他の実施の形態）
なお、この発明にかかるヒートシンク付き多連リードフレームは、上記各実施の形態として示した構造に限らず、これらを適宜変更した、以下に例示する態様にて実施することもできる。
【００４０】
・上記各実施の形態では、結合部が上記多連リードフレーム１の配列方向に沿ってその両側部の４点あるいは２点に設けられる構造について例示したが、こうした結合部の配設態様はこれに限られない。要は、上記結合部を上記多連リードフレーム１の最外周部に設けることとすれば、結合部の数に限らず、少なくとも上記多連ヒートシンクの小型化を図ることができ、ひいてはヒートシンク付き多連リードフレームとしての小型化を図ることはできる。また、さらにこうした結合部を上記多連リードフレーム１の最外周部の少なくとも２点に設けることとすれば、これら多連リードフレームと多連ヒートシンク組立体との安定した結合を図ることはできる。
【００４１】
・上記各実施の形態では、多連リードフレーム１と多連ヒートシンク組立体２０、３０、４０との結合が、上記多連リードフレーム１に設けられる貫通孔６と上記多連ヒートシンク組立体２０、３０、４０に設けられる凸部２６、３６、４６との係合構造からなるとともに、上記凸部２６、３６、４６にかしめ加工が施されることとした。しかしながら、これらの機械的な結合が安定に維持されれば、結合態様はこれに限られない。例えば、先の図８および図９で例示したように、多連リードフレームに結合部としてコ型形状孔および舌片を設け、多連ヒートシンク組立体に結合部として貫通孔を設けるようにしてもよい。要はこうした結合が、少なくとも半導体装置が多連リードフレームを形成するインナーリードの一部とともに樹脂モールドされるまで安定に確保されればよく、嵌合や接着により結合を図るようにしてもよい。
【００４２】
・上記各実施の形態では、各ヒートシンク２１、３１、４１が隣接するヒートシンク２１、３１、４１と１本あるいは２本のヒートシンク支持部２２、３２、４２を介し、さらに連結部２３、３３、４３を介して連結されることとしたが、これらヒートシンク２１、３１、４１の連結態様はこれらに限られない。要は、上記多連ヒートシンクとしての剛性が維持されればよく、ヒートシンク支持部２２、３２、４２の形状や数およびこれらを連結する連結部２３、３３、４３の構造は任意である。
【００４３】
・上記各実施の形態では、多連リードフレーム１および多連ヒートシンク組立体２０が半導体装置３個分だけ配列形成される３連のヒートシンク付き多連リードフレームを例に説明したが、その配列数は任意である。
【００４４】
・上記各実施の形態では、ＱＦＰ構造の半導体装置の製造に利用されるヒートシンク付き多連リードフレームについて例示したが、この発明はその他任意の表面実装型の半導体装置の製造に利用されるヒートシンク付き多連リードフレームに適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明にかかるヒートシンク付き多連リードフレームの第１の実施の形態についてその平面構造を示す平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を示す断面図。
【図３】同実施の形態に用いられる多連リードフレームの平面構造を示す平面図。
【図４】同実施の形態に用いる多連ヒートシンク組立体の平面構造を示す平面図。
【図５】（ａ）は図１に示した同実施の形態のヒートシンク付き多連リードフレームを一部拡大して示す平面図。（ｂ）は（ａ）のさらにその一部の拡大図に対応して、同リードフレームが樹脂モールドされ、且つリード部がカットされた状態を模式的に示す拡大平面図。
【図６】この発明にかかるヒートシンク付き多連リードフレームの第２の実施の形態についてその平面構造を示す平面図。
【図７】この発明にかかるヒートシンク付き多連リードフレームの第３の実施の形態についてその平面構造を示す平面図。
【図８】従来の半導体装置の製造に用いられる多連リードフレームおよび多連ヒートシンクの斜視構造を半導体チップと併せて示す分解斜視図。
【図９】従来の一般的なヒートシンク付き多連リードフレームの平面構造を示す平面図。
【符号の説明】
【００４６】
１…多連リードフレーム、１ａ…単位リードフレーム、２…インナーリード、３…アウターリード、４…タイバー部、５…フレーム部、６…貫通孔、７…スペース、２０、３０、４０…多連ヒートシンク組立体、２０ａ…単位ヒートシンク組立体、２１、３１、４１…ヒートシンク、２２、３２、４２…ヒートシンク支持部、２３、３３、４３…連結部、２４、３４、４４…結合部、２６、３６、４６…凸部、７０…モールド樹脂、７２…リード部、８０…半導体ペレット、１０１…多連リードフレーム、１０１ａ…単位リードフレーム、１０２…インナーリード、１０３…アウターリード、１０４…ダム・バー、１０５…リード群保持枠、１０６…結合部、１０６ａ…コ字形状孔、１０６ｂ…舌片、１０７…スペース、１２０…多連ヒートシンク組立体、１２１…単位ヒートシンク組立体、１２２…ヒートシンク吊りバー、１２３、１２３ａ…ヒートシンク保持枠、１２４…段差部、１２６…透孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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