(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体の微細化が進み、ウエハをよりクリーンにする必要がある。又、バツヂ処理においてウエハ自動洗浄装置のフツトプリントをより小さくし、洗浄効果をより高める必要がある。【解決手段】装置全体をクリーン窒素ガス雰囲気下にして、自然酸化膜の発生を抑えると共に、、薬液の使用量を必要最小限とした。又、装置全体は三槽に抑え、フツトプリントを小さくした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ洗浄プロセス技術装置全体をクリーンＮ２ガス雰囲気内にしてロードロツク機構とします第一槽内においてＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とＨ２Ｏの混合液を使用します液温は７０℃〜８０℃位いです終了後混合液はすべて回収タンクに収納します  完了後ウエハを含めた槽内全体を上からスプレー式でホツト超純水で洗浄します  すべてタレ流しとしますその後１００℃以上の超純水を槽内全体に注入します  一部オーバフローです１００℃以上のホツト超純水で洗浄後ウエハは第二槽内に移動します第二槽内においてＯ３水とＨＦ水の混合液を使用しますＯ３水の濃度５ＰＰＭ以上  ＨＦ水の濃度０．１％以上です  第一槽と同じ方式で洗浄します第二槽終了後第三槽に移動します第三槽はファイナル洗浄と乾燥です第三槽内には合成石英槽があります合成石英槽内にはＨＦ水（濃度０．０５％以上）が入っていますその中にウエハを収納しますウエハをファイナル洗浄した後、ＨＦ水をクイックドレーンで回収タンクに収納します  その後  加圧  減圧  加熱方式で乾燥させます  もちろんこの時は第三槽内は完全密閉状態です加圧  減圧を１回以上やって乾燥します加圧時は第三槽内１．５気圧〜１．９気圧減圧時は第三槽内０．１気圧以下ガスはホツトＮ２ガスプラス水素ラジカル０．１％位いを使用しますウエハ面の温度を２００℃〜２４０℃にして水分を完全に気化させると同時に差圧で水分を除去します
【請求項２】
上記第三槽によるファイナル洗浄及び乾燥方式
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【０００１】〔発明の属する技術分野〕今後、半導体はより微細化になっていきますと同時にウエハを今まで以上にクリーンにする．ウエハ自動洗浄装置をより小さくしたい  各半導体メーカーの共通した見解です
【０００２】〔従来の技術〕バツヂ処理においてＲＣＡ洗浄方式又は乾燥も含めて槽が４以上である
【０００３】〔発明が解決しようとする課題〕装置全体のフツトブリントをいかに小さくするよりクリーンにウエハを洗浄するか特に自然酸化膜の発生防止及び除去をするか
【０００４】〔課題を解決する手段〕薬液の種類をいかに少なくすると同時に洗浄効果をいかにハイレベルにするかであるＳＣＩ（ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）とＯ３水ＨＦ水である洗浄効果を高める為にＯ３水とＨＦ水の混合液を使用する装置全体をクリーンＮ２ガス雰囲気にしました．
【０００５】〔作用〕装置の中に酸素があると自然酸化膜の発生の原因になります装置全体をクリーンＮ２ガス雰囲気にしてロードロツク機構にします１００％近くクリーンＮ２ガス内でウエハを処理しますＳＣＩ（ＮＨ４ＯＨ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｈ２Ｏ）の作用の件  これは半導体メーカーのプロセス技術者にとって常識になっていますつまりＳＣＩでパーテイクル除去  有機物除去です１００℃以上の超純水を使用するのは常温又は７０℃位いのホツト超純水にくらべて  はるかに洗浄効果が良いからです常温の超純水プラス超音波だとデザインルールが０．１ミクロン以下においてウエハに対してダメージをあたえるから使用しませんＯ３水プラスＨＦ水の混合液で金属汚染物の除去  有機物除去及び自然酸化膜の除去です第三槽のファイナル洗浄及び乾燥において  第三槽内にファイナル洗浄用として合成石英槽を使用します合成石英槽の中にはＨＦ水が入っています  ウエハのファイナル洗浄用ですこれにより完全に自然酸化膜を除去する為です乾燥時にクリーンホツトＮ２ガスプラス水素ラジカル０．１％位いを使用するのはウエハを完全に乾燥させると同時に自然酸化膜の発生防止及びウエハ面を水素で終端させる為です加圧  減圧  加熱方式で乾燥させます  加圧時（１．５気圧〜１．９気圧）減圧時（０．１気圧以下）さきほどのガスによりウエハ面を２００℃〜２４０℃に加熱しますすべての水分が完全に気化しますそして加圧、減圧の差圧を活用して水分を完全に除去します
【０００６】〔実施例〕３００ミリウエハ１枚  クラス１０００のクリーンルームに２日間おいておきますパターン巾は０．１ミクロンでアスペクト比４です小さな石英槽があります  その中にはＳＣＩの薬液が入っていますテフロン製ピンセットで１枚  槽の中に入れます  時間は５分間ですＳＣＩの薬液比率はＮＨ４ＯＨ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２Ｏ＝１：１：５液温は７０℃です薬液処理合は薬液を回収タンクに収納します  その後ウエハ両面及び槽内部を１００℃位いのホツト超純水でハンドシャワーで上からブローしますすべてタレ流しです  約２０秒位いその後１００℃以上に超純水を入れます５分間  終了後テフロンピンセットでテフロン槽の中に入れますテフロン槽の中には事前にＯ３水とＨＦ水の混合液が入っていますＯ３水の濃度６ＰＰＭ  Ｈ水の濃度０．１％です  Ｏ３水プラスＨＦ水処理を終了したらＳＣＩと同じ方式で１００℃の超純水を使用して処理をしましたその後  ファイナル洗浄と乾燥ですＳＵＳ３１６ＬプラスＰＦＡコーテイングしたチャンバー内に入れます  チャンバー内には小さな合成石英槽が入っています合成石英槽の中にＨＦ水（０．１％）入っています  約７秒位い処理後加圧  減圧  加熱による乾燥ですもちろん  この時は合成石英槽の中にはＨＦ水はありません加圧時は１．８５気圧  減圧時は０．１気圧  ガスはクリーンホットＮ２ガスプラス水素ラジカル０．１％ですクリーンホツトＮ２ガスによりウエハ面の温度を２００℃になりました加圧  減圧を２回やりました乾燥後  各種コンタミが０．０７ミクロン以上で７個  但し端面から１ミリ以内の各種コンタミは省略自然酸化膜の発生  ほとんどなしあっても２Å〜３Å位いだと思われる
【０００７】〔発明の効果〕今までのバツヂ処理（２５枚又は５０枚同時処理）のウエハ自動洗浄装置にくらべて装置面積が小さくなりました必要最小限の薬液を使用しますのでランニングコスト面でも大いにプラスになりました
【図面の簡単な説明】
【図１】▲４▼搬送ロボツトが▲７▼３００ミリウエハ２５枚を取りだして▲１▼第一槽に収納します▲１▼第一槽で処理が終了したら▲４▼搬送ロボツトで▲２▼第二槽にウエハ２５枚移動します▲４▼搬送ロボツトが▲８▼３００ミリウエハ２５枚とりだして▲１▼第一槽の中に入れます▲２▼第二槽のウエハ２５枚処理終了後▲５▼搬送ロボツトで▲３▼第三槽に移動します▲１▼第一槽でウエハ２５枚処理終了後▲４▼搬送ロボツトで▲２▼第二槽に移動します▲４▼搬送ロボツトで▲９▼３００ミリウエハ２５枚をとりだして▲１▼第一槽に移動します▲３▼第三槽でファイナル洗浄及び乾燥を終了したウエハ２５枚は▲６▼搬送ロボツトで▲７▼フープカセツトに収納します
【符号の説明】
１    第一槽２    第二槽３    第三槽４    搬送ロボツト５    搬送ロボツト６    搬送ロボツト７    ３００ミリウエハ２５枚（フープカセツト）８    ３００ミリウエハ２５枚（フープカセツト）９    ３００ミリウエハ２５枚（フープカセツト）
【図１】
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