(57)【要約】【課題】  大容量の電流を流すのに充分な厚みを確保することができるデバイスの製造方法、デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、さらには有機エレクトロルミネッセンス装置を提供すること。【解決手段】  基板上に導電パターン１２，１３及び半導体素子１４を形成する工程と、導電パターン１２，１３及び半導体素子１４を含む基板上に第１の絶縁層３０を形成する工程と、第１の絶縁層３０に対して、導電パターン１１，１２に対応した位置に開口部３０ａ，３０ｂを形成する工程と、無電解めっきにより、開口部３０ａ，３０ｂに対応する導電パターン１２，１３上にめっき金属５１，５２を積層させる工程と、基板１０ａ上にめっき金属５１，５２を覆うように第２の絶縁層６０を形成する工程と、第２の絶縁層６０上に有機エレクトロルミネッセンス素子２９を形成する工程とを備えることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された導電パターンを備えるデバイスの製造方法であって、
前記基板上に前記導電パターンを形成する工程と、
前記導電パターン上を含む前記基板上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層に対して、前記導電パターンに対応した位置に開口部を形成する工程と、
無電解めっきにより、前記開口部にめっき金属を積層させる工程とを備えることを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記開口部を形成する工程において、前記開口部のパターンをなす凸部が形成された成形型を用い、前記凸部を前記絶縁層に押圧することにより、前記絶縁層に前記開口部を形成することを特徴とする請求項１に記載のデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記成形型に形成された開口部の幅が、前記導電パターンの幅と同等であることを特徴とする請求項２に記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のデバイスの製造方法により製造されたことを特徴とするデバイス。
【請求項５】
基板上に導電パターン及び半導体素子を形成する工程と、
前記導電パターン及び前記半導体素子を含む基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、
前記第１の絶縁層に対して、前記導電パターンに対応した位置に開口部を形成する工程と、
無電解めっきにより、前記開口部に対応する前記導電パターン上にめっき金属を積層させる工程と、
前記基板上に前記めっき金属を覆うように第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程とを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電パターン上に積層させためっき金属によって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電力を供給する電力供給線を形成することを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
前記開口部を形成する工程において、前記開口部のパターンをなす凸部が形成された成形型を用い、前記凸部を前記第１の絶縁層に押圧することにより、前記第１の絶縁層に前記開口部を形成することを特徴とする請求項５または請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記成形型に形成された開口部の幅が、前記導電パターンの幅と同等であることを特徴とする請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
前記成形型として、凸部を有するものを用い、該凸部を前記第１の絶縁層に押圧することにより、前記半導体素子と前記有機エレクトロルミネッセンス素子とを電気的に接続するコンタクトホールを前記開口部と同時に形成することを特徴とする請求項７または請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の絶縁層を形成した後、前記第２の絶縁層に対して平坦面を有する他の成形型を押圧することにより、前記第２の絶縁層の表面を平坦化する工程を備えることを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】
前記他の成形型として、凸部を有するものを用い、該凸部を前記第２の絶縁層に押圧することにより、前記第２の絶縁層に隔壁部を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項５から請求項１１のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスの製造方法、デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子回路または集積回路などに使われる導電パターンを有するデバイスの製造には、スパッタリング法または真空蒸着法等が用いられている。これらの方法では、配線基板の表面に、Ａｌ，Ｃｕ等の金属導電材料を成膜した後、配線基板をフォトリソグラフィ法により、予め導電膜を形成した基板上にレジスト等の感光材を塗布する。そして、回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射した後、現像を行い、レジストパターンに応じて導電膜をエッチングすることで薄膜の導電パターンを形成するものである。
このような方法で形成された導電パターンは、電気光学装置として、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと称する。）表示パネルにも適用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１に記載の有機ＥＬ表示パネルは、画素スイッチング回路としてＴＦＴを有するＴＦＴ駆動基板を備えており、このＴＦＴ駆動基板は透明基板を基本構成としている。この透明基板の一方の面には、ＴＦＴ，走査線、信号線等の配線（導電パターン）、その他の電気素子等が形成されている。
また、インクジェット法を用いて金属微粒子を厚く積むことにより金属配線を形成する方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照。）。このように、インクジェット法を用いた場合、抵抗を下げるために金属微粒子を高温で焼成することによって、良好な導電性を有する金属配線を得ている。
【特許文献１】特開２００３−３４７０４８号公報
【非特許文献１】「日経  エレクトロニクス」、２００４年１月１６日、ｐ．１０２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、有機ＥＬ表示パネルに設けられた有機ＥＬ素子は電流駆動であり、特に大画面では高輝度な画像を得るために、大容量の電流を流す必要が生じる。しかしながら、上記のスパッタリング法等によりＡｌ，Ｃｕ等の導電パターンが形成されたデバイスや有機ＥＬ素子に、大容量の電流を流すと、上記の膜厚では導電パターンに大きな負荷がかかり、破損，損傷してしまうおそれがあり、充分な電流を供給することは困難である。また、インクジェット法では、抵抗を下げるために金属微粒子を高温で焼成しなければならないが、ＴＦＴ素子等の半導体素子の耐熱性から焼成温度を高温にするのは困難である。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、大容量の電流を流すのに充分な厚みを確保することができるデバイスの製造方法、デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、さらには有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明のデバイスの製造方法は、基板上に形成された導電パターンを備えるデバイスの製造方法であって、前記基板上に前記導電パターンを形成する工程と、前記導電パターン上を含む前記基板上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層に対して、前記導電パターンに対応した位置に開口部を形成する工程と、無電解めっきにより、前記開口部にめっき金属を積層させる工程とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明に係るデバイスの製造方法では、基板上に導電パターンを形成した後、さらに絶縁層を形成し、導電パターンに対応した位置に開口部を形成する。そして、この開口部から露出した導電パターン上に、めっき金属を積層させる。すなわち、導電パターンの膜厚を厚くすることにより、大容量の電流を流すのに充分な厚みを確保することができる。
【０００８】
本発明のデバイスの製造方法は、前記開口部を形成する工程において、前記開口部のパターンをなす凸部が形成された成形型を用い、前記凸部を前記絶縁層に押圧することにより、前記絶縁層に前記開口部を形成することが好ましい。
【０００９】
本発明に係るデバイスの製造方法では、絶縁層に成形型を押圧し、成形型を取り除くことにより、開口部に相当する凹部が導電パターン上に形成される。したがって、例えば、フォトリソグラフィ等を用いない簡易な方法により、導電パターン上に開口部を形成することができるため、工程の簡略化による製造コストの低減を達成することが可能となる。
【００１０】
本発明のデバイスの製造方法は、前記成形型に形成された開口部の幅が、前記導電パターンの幅と同等であることが好ましい。
本発明に係るデバイスの製造方法では、開口部の幅が導電パターンの幅と同等であるため、より多くのめっき金属を導電パターン上に積層させることができるため、さらに、電流を多く流すことが可能となる。
【００１１】
本発明のデバイスは、上記のデバイスの製造方法により製造されたことを特徴とする。
本発明に係るデバイスでは、上記デバイスの製造方法を用いることにより、導電パターンに大容量の電流を流すことができるため、大容量の電流を必要とするデバイスに用いるのに好適である。
【００１２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に導電パターン及び半導体素子を形成する工程と、前記導電パターン及び前記半導体素子を含む基板上に第１の絶縁層を形成する工程と、前記第１の絶縁層に対して、前記導電パターンに対応した位置に開口部を形成する工程と、無電解めっきにより、前記開口部に対応する前記導電パターン上にめっき金属を積層させる工程と、前記基板上に前記めっき金属を覆うように第２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、基板上に導電パターン及び半導体素子を形成した後、さらに第１の絶縁層を形成し、導電パターンに対応した位置に開口部を形成する。この開口部から露出した導電パターン上に、めっき金属を積層させる。このめっき金属を覆うように第２の絶縁層を形成し、この第２の絶縁層上に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する。したがって、有機エレクトロルミネッセンス素子に大容量の電流を流すことが可能な充分な厚みを確保することができるので、大容量の電流を必要とする大型の有機エレクトロルミネッセンス装置を製造することが可能になる。さらに、従来のようなインクジェット法に比べ、高温にする必要がなく、導電パターンの抵抗を下げることが可能となる。
【００１４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記導電パターン上に積層させためっき金属によって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子に電力を供給する電力供給線を形成することが好ましい。
【００１５】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、電力供給線の膜厚が厚くなるため、より多くの電流を電力供給線に流すことができるので、有機エレクトロルミネッセンス素子を充分な電流により安定して駆動させることが可能となる。
【００１６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記開口部を形成する工程において、前記開口部のパターンをなす凸部が形成された成形型を用い、前記凸部を前記第１の絶縁層に押圧することにより、前記第１の絶縁層に前記開口部を形成することが好ましい。
【００１７】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、第１の絶縁層に成形型を押圧し、成形型を取り除くことにより、開口部に相当する凹部が導電パターン上に形成される。したがって、簡易な方法により、導電パターン上に開口部を形成することができるため、工程の簡略化による製造コストの低減を達成することが可能となる。
【００１８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記成形型に形成された開口部の幅が、前記導電パターンの幅と同等であることが好ましい。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、開口部の幅が導電パターンの幅と同等であるため、導電パターン上により多くのめっき金属を積層させることができるため、さらに、電流を多く流すことが可能となる。
【００１９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記成形型として、凸部を有するものを用い、該凸部を前記第１の絶縁層に押圧することにより、前記半導体素子と前記有機エレクトロルミネッセンス素子とを電気的に接続するコンタクトホールを前記開口部と同時に形成することが好ましい。
【００２０】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、第１の絶縁層に成形型の凸部を押圧し、成形型を取り除くことにより、半導体素子と有機エレクトロルミネッセンス素子とを電気的に接続するコンタクトホールが形成される。すなわち、成形型を押圧するだけで、開口部と同時にコンタクトホールを形成することができるため、別途フォトリソグラフィ等により形成する必要がないので、工程の簡略化による製造コストの低減を達成することが可能となる。
【００２１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記第２の絶縁層を形成した後、前記第２の絶縁層に対して平坦面を有する他の成形型を押圧することにより、前記第２の絶縁層の表面を平坦化する工程を備えることが好ましい。
【００２２】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、第２の絶縁層に他の成形型を押圧し、成形型を取り除くことにより、基板の表面を確実に平坦化でき、その上に形成する有機エレクトロルミネッセンス素子においても、段差の発生を抑えることができる。したがって、表示ムラ等が生じ難く、表示品質の高い有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することが可能となる。
【００２３】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、前記他の成形型として、凸部を有するものを用い、該凸部を前記第２の絶縁層に押圧することにより、前記第２の絶縁層に隔壁部を形成する工程を備えることが好ましい。
【００２４】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法では、第２の絶縁層に他の成形型の凸部を押圧し、他の成形型を取り除くことにより、隔壁部を形成することができる。したがって、隔壁部に囲まれた領域に有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する際、例えば、インクジェット装置等による液滴吐出法を用いた場合、吐出された液滴が意図しない場所に濡れ広がる不具合を解消することが可能となる。
【００２５】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、上記に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
【００２６】
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス装置では、上記有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法を用いることにより、導電パターンに大容量の電流を流すことができるため、充分な電流により高輝度であるとともに、安定して駆動させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２８】
（有機ＥＬ装置の第１実施形態）
まず、図１は本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置（有機ＥＬ装置）の第１実施形態について、その要部構成を示す断面模式図である。本実施の形態の有機ＥＬ装置１は、半導体基板３上に有機ＥＬ素子２９を備えた構成を具備している。
【００２９】
半導体基板３は、主にガラス基板１０ａと、該ガラス基板１０ａ上に形成され、有機ＥＬ素子２９と電気的に接続する所定形状の走査線１１，有機ＥＬ素子２９に電力を供給する電源パターン（導電パターン：電力供給線）１２及び後述する陰極２５と電気的に接続する陰極パターン（導電パターン）１３と、電源パターン１２及び陰極パターン１３上に積層されためっき金属５１，５２と、有機ＥＬ素子２９を駆動させるＴＦＴ（駆動素子）１４と、第１の樹脂膜３０及び第２の樹脂膜６０によって構成されている。またＴＦＴ１４は、導電性ペースト１５を介して走査線１１及び電源パターン１２接続されている。なお、導電性ペースト１５は、異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含むものである。
【００３０】
また、半導体基板３に設けられた第１の樹脂膜３０は、電源パターン１２及び陰極パターン１３上にめっき金属５１，５２を積層（成長させる）するための開口部３０ａ，３０ｂを形成する機能を有し、第２の樹脂膜６０は、めっき金属５１，５２等を覆う形にて形成され、当該半導体基板３の内面を平坦化する機能を有している。また、第１，第２の樹脂膜３０，６０には、コンタクトホール（導通用貫通孔）３０ｃ，６０ｃが形成されており、該コンタクトホール３０ｃ，６０ｃ内に形成されたバンプ（導通部）５３，６７によりＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２９とが電気的に接続されている。
【００３１】
有機ＥＬ素子２９は、半導体基板３に形成されたＴＦＴ１４と電気的に接続されてなる陽極２１と、正孔注入／輸送層２２と、発光層２３と、電子注入／輸送層２４と、陰極２５とを含んで構成されており、陽極２１で発生した正孔と陰極２５で発生した電子が発光層２３で結合することで、発光が生じるようになっている。なお、このような有機ＥＬ素子２９の詳細な構造は、公知技術が採用される。
【００３２】
更に、有機ＥＬ素子２９は封止剤２６によって封止され、該封止剤２６上にはカバーガラス２０が形成されている。また、有機ＥＬ素子２９は画素構成を有しており、１つの画素の周りには、該画素を取り囲む形にて隔壁部たるバンク２７が形成されている。バンク２７は、有機ＥＬ素子２９をインクジェット法にて形成する際に必要な部材であって、例えばアクリル樹脂等にて構成されている。
【００３３】
本実施形態では発光層２３から発した光を陰極２５側から取り出すトップエミッション構造を採用しているため、陰極２５にはバソクプロイン（ＢＣＰ）とセシウム（Ｃｓ）の共蒸着膜を用い、さらに導電性を付与するためにＩＴＯを積層するといった構造が採用されている。また、陽極２１側に発した光を陰極２５側から取り出せるように、陽極２１にはＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料や、Ａｌ／ＩＴＯ等の透光性材料と高反射率金属材料との積層構造が採用されている。
【００３４】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、図１に示す有機ＥＬ装置１の製造方法について説明する。本実施形態の有機ＥＬ装置１の製造方法は、半導体基板３を製造した後、有機ＥＬ素子２９を形成し、さらにこれを封止剤２６にて封止するとともにカバーガラス２０を被覆させるものである。以下、順を追って説明する。
【００３５】
（１．半導体基板の製造工程）
半導体基板３の製造工程においては、ＴＦＴ１４を備える素子基板４０（図２参照）を製造し、さらに走査線１１を有する配線基板１０（図３参照）を製造した後、素子基板４０のＴＦＴ１４を配線基板１０に転写する方法を採用している。
【００３６】
（１−１．素子基板の製造工程）
まず、図２を参照して、基礎基板（第１基板）４０ａ上にＴＦＴ１４を形成して素子基板４０を製造する工程について説明する。なお、ＴＦＴ１４の製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、詳細な説明を省略し、剥離層４１の形成について詳しく説明することとする。
【００３７】
はじめに、図２に示したような基礎基板４０ａを用意する。ここで、素子基板４０の土台となる基礎基板４０ａは、有機ＥＬ装置１の構成要素ではなく、ＴＦＴ製造工程と、貼り合わせ及び転写工程にのみに用いられる部材である。
【００３８】
基礎基板４０ａとしては、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましい。また、基礎基板４０ａの厚さには、大きな制限要素はないが、０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板４０ａの厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基板の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。
【００３９】
そして、基礎基板４０ａ上に剥離層４１を形成する。剥離層４１は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離（「層内剥離」又は「界面剥離」ともいう）が生ずる材料からなるものである。即ち、一定の強度の光を照射することにより、構成物質を構成する原子又は分子における原子間又は分子間の結合力が消失し又は減少し、アブレーション（ablation）等を生じ、剥離を起こすものである。また、照射光の照射により、剥離層４１に含有されていた成分が気体となって放出され分離に至る場合と、剥離層４１が光を吸収して気体になり、その蒸気が放出されて分離に至る場合とがある。
【００４０】
剥離層４１の組成としては、例えば、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）が採用され、また、当該非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されていてもよい。水素が含有されていると、光の照射により、水素が放出されることにより剥離層２に内圧が発生し、これが剥離を促進するので好ましい。この場合の水素の含有量は、２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２〜２０％ａｔ％であることが更に好ましい。水素の含有量は、成膜条件、例えば、ＣＶＤ法を用いる場合には、そのガス組成、ガス圧力、ガス雰囲気、ガス流量、ガス温度、基板温度、投入するパワー等の条件を適宜設定することによって調整する。この他の剥離層材料としては、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００４１】
剥離層４１の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましく、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、２０ｎｍ〜１μｍ程度であるのが更に好ましい。剥離層４１の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層４１の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、また、剥離後に残された剥離層４１の残渣を除去するのに時間を要したりする。
【００４２】
剥離層４１の具体的な形成方法は、均一な厚みで剥離層４１を形成可能な方法であればよく、剥離層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等に適用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００４３】
特に剥離層４１の組成が非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）の場合には、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤやプラズマＣＶＤにより成膜するのが好ましい。また、剥離層４１をゾル−ゲル法によりセラミックを用いて成膜する場合や有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
そして、剥離層４１上に所定パターンのＴＦＴ１４を公知の技術により形成し、目的の素子基板４０を得るものとしている。
【００４４】
（１−２．配線基板の製造工程）
次に、図３に示す配線基板１０の製造工程について説明する。
まず、図３に示すようなガラス基板１０ａを用意し、該ガラス基板１０ａ上に走査線１１，電源パターン１２及び陰極パターン１３を形成する。これら走査線１１，電源パターン１２及び陰極パターン１３の形成方法としては、フォトリソフィ法等の公知技術が採用される。また、金属微粒子を溶剤に分散させた分散液を液滴吐出法（インクジェット法）を用いてガラス基板１０ａ上に形成してもよい。このような走査線１１，電源パターン１２及び陰極パターン１３を構成する材料としては、低抵抗材料を採用するのが好ましく、ＡｌやＡｌ合金（Ａｌ・Ｃｕ合金等）を用いることが好ましい。
【００４５】
なお、ガラス基板１０ａの表面には、下地絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）等を形成してもよい。また、図３では、走査線１１，電源パターン１２及び陰極パターン１３が１層のみ形成された構造について説明しているが、２層や３層構造であってもよい。また、配線材料は、ＡｌやＡｌ合金のみに限定することなく、Ａｌ等の低抵抗金属をＴｉやＴｉ化合物によって積層させたサンドイッチ構造でもよい。このようにすれば、Ａｌ配線に対するバリア性を高めることができる。
【００４６】
（１−３．ＴＦＴの転写工程）
次に、図４から図６を参照しつつ、上記の配線基板１０と素子基板４０とを貼り合わせて、ＴＦＴ１４を配線基板１０に転写し、半導体基板３を得る方法について説明する。
【００４７】
図４に示すように、素子基板４０のうちＴＦＴ１４側を配線基板１０に指向させ、且つＴＦＴ１４とガラス基板１０ａとの間に異方性導電粒子（ＡＣＰ）を含有する導電性ペースト１５を介在させて、素子基板４０と配線基板１０とを貼り合わせる。
【００４８】
次に、図５に示すように、導電性ペースト１５が塗布された部分のみを局所的に、且つ基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。これにより、剥離層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、剥離層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１４と基礎基板４０ａとの結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された領域において、ＴＦＴ１４から基礎基板４０ａを容易に取り外すことが可能となる。
次に、基礎基板４０ａを貼合せ状態から剥離することで、基礎基板４０ａ上からＴＦＴ１４が除去されると共に、当該ＴＦＴ１４が配線基板１０に転写される。
以上のような転写工程を経て、ガラス基板１０ａ上にＴＦＴ１４が形成された構成の配線基板１０を得る。
【００４９】
（１−４．絶縁層の形成工程）
次に、図６から図９を参照して、絶縁層（第１の絶縁層）３０の形成方法について説明する。
まず、図６に示すように、配線基板１０の全面に、つまりＴＦＴ１４や走査線１１，電源パターン１２及び陰極パターン１３を完全に覆うように未硬化の絶縁層３１を塗布する。未硬化の絶縁材料としては、光硬化型の樹脂、或いは熱硬化型の樹脂のいずれであっても良く、本実施の形態では光硬化型のアクリル樹脂を採用している。なお、絶縁層３１の塗布法としては、スピンコート法等の液相法を採用している。
【００５０】
絶縁層３１を形成した後、絶縁層３１の上方から図７に示すような成形型５０を押し付けることによって絶縁層３１の表面に凹凸を形成する。ここで成形型５０とは、絶縁層３１に所定の表面形状を付与するための型（表面型）が形成されたものを意味するものであり、例えばガラスなどの紫外線透過材料で構成されている。具体的には、電源パターン１２，陰極パターン１３上に開口部３０ａ，３０ｂを形成するための凸部５０ａ，５０ｂと、走査線１１上にコンタクトホール３０ｃを形成するための凸部５０ｃと、凹部（その凹底面は平坦面となっている）５０ｄとが形成されたものである。なお、絶縁層３１を構成する材料が熱硬化型の樹脂である場合には、成形型５０をＮｉ電鋳等で形成することができる。また、凸部５０ａ，５０ｂの幅Ｌ，Ｍは、電源パターン１２，陰極パターン１３の幅Ｐ，Ｑと同等であり、凸部５０ａ，５０ｂの深さはＴＦＴ１４の厚みより若干深く形成されている。さらに、成形型５０が好適に剥離（抜き出し）できるように、凸部５０ａ，５０ｂ，５０ｃの側面にテーパが形成されている。
【００５１】
このような成形型５０を絶縁層３１に押圧することによって開口部３０ａ，３０ｂ及びコンタクトホール３０ｃに相当する凸部５０ａ，５０ｂ及び５０ｃが絶縁層３１の表面から絶縁層３１の底面まで達する。そして、ＵＶ光を照射し絶縁層３１を硬化させた後、成形型５０を絶縁層３１から抜くことにより凸部形状を絶縁層３１に転写させることができる。これによって、絶縁層３１に開口部３０ａ，３０ｂ及びコンタクトホール３０ｃを形成しつつ、凹部５０ｄの有する凹底面に対応した平坦面を付与した樹脂膜３０が形成される。ここで、成形型５０の凸部５０ａ，５０ｂ，５０ｃは、絶縁層３１の厚さを基板面内で一定の厚さにするための機能も担っている。
なお、成形型５０の表面（少なくとも絶縁層３１と接する面）に撥水処理等を施すことで、絶縁層３１からの剥離を容易にすることができる。
【００５２】
次に、図９に示すように、走査線１１，電源パターン１２及び陰極パターン１３上にめっき金属５１，５２及びバンプ５３を形成する。
本実施形態のめっき金属５１，５２及びバンプ５３は、無電解メッキ法を用いることによって形成される。まず、メッキ成長させるため、開口部３０ａ，３０ｂ及びコンタクトホール３０ｃから剥き出しとなった走査線１１，電源パターン１２，陰極パターン１３表面の濡れ性向上、及び残さを除去するために、フッ酸と硫酸を含有した水溶液中に含浸する。
【００５３】
その後、水酸化ナトリウムを含むアルカリ性水溶液に加温した中に浸漬し、表面の酸化膜を除去する。その後、ＺｎＯを含有したジンケート液中に浸漬してパッド表面をＺｎに置換する。その後、硝酸水溶液に浸漬し、Ｚｎを剥離し、再度ジンケート浴中に浸漬し、緻密なＺｎ粒子をＡｌ表面に析出させる。
その後、無電解Ｎｉメッキ浴に浸漬し、Ｎｉメッキを形成する。メッキ高さは２μｍ〜１０μｍ程度析出させる。ここで、メッキ浴は次亜リン酸を還元剤とした浴であるため、リン（Ｐ）が共析する。最後に置換Ａｕメッキ浴中に浸漬し、Ｎｉ表面をＡｕにする。Ａｕは０．０５μｍ〜０．３μｍ程度に形成する。Ａｕ浴はシアンフリータイプを用いて浸漬を行う。
【００５４】
このようにしてパッド上にＮｉ−Ａｕバンプが形成される。また、Ｎｉ−Ａｕバンプ上に、半田やＰｂフリー半田を、例えばＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系等の半田をスクリーン印刷やディッピング等で形成してバンプとしてもよい。なお、各化学処理の間には、水洗処理を行う。水洗槽はオーバーフロー構造あるいはＱＤＲ機構を有しており、最下面からＮ２バブリングを行う。バブリング方法は、テフロン（登録商標）のチューブ等に穴を開け、Ｎ２を出す方法や、焼結体等を通じてＮ２を出す。以上の工程により、短時間で十分効果のあるリンスを行うことができる。
このような一連の工程を経て、図９に示すように、それぞれのパターン１１，１２，１３上にめっき金属５１，５２及びバンプ５３が形成される。このようにして、電源パターン１２及び陰極パターン１３の膜厚が厚くなる。
【００５５】
（１−５．絶縁層の形成工程）
次に、図１０から図１２を参照して、絶縁層（第２の絶縁層）６０の形成方法について説明する。
まず、図１０に示すように、配線基板１０の全面に、つまりめっき金属５１，５２及びバンプ５３を完全に覆うように未硬化の絶縁層６１を塗布する。未硬化の絶縁材料及び塗布法としては、上述した絶縁層３０と同様である。
絶縁層６１を形成した後、絶縁層６１の上方から図１０に示すような成形型（他の成形型）６５を押し付けることによって絶縁層６１の表面を平坦化する。ここで成形型６５とは、平坦部６５ｄを有するとともに、図１１に示すような所定のバンク２７のパターン６０ａを形成するための凸部６５ａと、めっき金属５２上にコンタクトホール６０ｂを形成するための凸部６５ｂと、バンプ５３上にコンタクトホール６０ｃを形成するための凸部６５ｃとが形成されたものである。また、コンタクトホール６０ｂは、めっき金属５２と陰極２５とを電気的に接続するためのものであり、コンタクトホール６０ｃは、ＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２９とを電気的に接続するためのものである。
【００５６】
このような成形型６５を絶縁層６１に押圧し、上述したように、ＵＶ光を照射することによって、成形型５０を絶縁層３１に押圧したときと同様に、絶縁層６１にバンク２７のパターン６０ａ，コンタクトホール６０ｂ及びコンタクトホール６０ｃを形成しつつ、平坦部６５ｄにより平坦面を付与した樹脂膜６０が形成される。ここで、成形型６５の凸部６５ｂ，６５ｃは、絶縁層６１の厚さを基板面内で一定の厚さにするための機能も担っている。
【００５７】
また、成形型５０，６５の凸部５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，６５ｂ，６５ｃの断面形状がテーパのない矩形状に形成されていてもよい。さらに、回転可能なローラに巻回されたベルトに成形型５０，６５を取り付けて、ローラの回転に伴ってベルトを走査し、そして成形型５０，６５を環状に移動させながら、かつ、半導体基板３をコンベア等によって移動させながら、成形型５０，６５を絶縁層３１，６１に押圧させてよい。この場合、連続的に成形型５０，６５を移動させながら、成形型５０，６５を絶縁層３１，６１に押し付けることができるので、半導体基板３の大量生産が可能となる。
【００５８】
次に、図１２に示すように、コンタクトホール６０ｂ，６０ｃ内にバンプ６６，６７を形成する。
本実施形態のバンプ６６，６７は、無電解メッキ法を用いることによって形成される。バンプ６６，６７は、上記した無電解メッキ法により、めっき金属５１，５２及びバンプ５３の製造工程と同じ工程によって形成される。
【００５９】
（２．有機ＥＬ素子の形成工程及び封止工程）
有機ＥＬ素子２９の形成工程は、公知のインクジェット法を用いて行っている。
簡単に説明すると、図１３に示すように、まず、所定パターンを有するマスクにより絶縁層６０上に蒸着して、ＩＴＯ等の陽極２１を形成した後、バンク２７の表面に撥液処理を施す一方、陽極２１の表面に親液処理を施す。その後、図１４に示すように、バンク２７で囲まれた領域に正孔注入／輸送層２２と、発光層２３と、電子注入／輸送層２４とをインクジェット法で形成する。そして、電子注入／輸送層２４，バンク２７の全面を覆うとともに、バンプ６６と導通するような形状のマスクにてＩＴＯ等の陰極２５を形成する。続いて、これを封止剤２６にて封止し、さらにカバーガラス２０を形成して、図１に示した有機ＥＬ装置１を得るものとしている。
なお、陽極２１を構成する材料（ＩＴＯ等）をコンタクトホール６０ｃに沿ったビア形状とすることで、バンプ６７を省略することができる。
【００６０】
また、本実施形態では、高分子タイプのＥＬ素子を用いた場合について説明したが、例えばマスクスパッタにより成膜する低分子タイプのＥＬ素子を用いても良い。この場合、バンク形成、バンクの撥液処理、陽極の親液処理は不要となる。
【００６１】
このように、本実施形態では、有機ＥＬ素子２９に大容量の電流を流すことが可能な充分な厚みを確保することができるので、大容量の電流を必要とする大型の有機エレクトロルミネッセンス装置を製造することが可能になる。また、絶縁層６０の平坦化と、バンク２７の形成とを同時に行うことが可能な成形型６５を用いているため、工程の簡略化による製造コストの低減を達成することが可能となる。
【００６２】
（有機ＥＬ装置の第２実施形態）
次に、有機ＥＬ装置の第２実施形態について、図１５からを参照して説明する。なお、以下に説明する各実施形態において、上述した第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１と構成を共通とする箇所には同一符号を付けて、説明を省略することにする。
本実施形態に係る有機ＥＬ装置７０は、絶縁層６１を形成した後に使用する成形型が第１実施形態と異なる。
有機ＥＬ装置７０は、具体的には、図１５に示すように、バンク７８がバンプ７６を覆う形にて形成されている。
【００６３】
まず、図１６を参照して、絶縁層（第２の絶縁層）７４の形成方法について説明する。
絶縁層６１を形成した後、絶縁層６１の上方から成形型（他の成形型）７１を押し付けることによって絶縁層６１の表面を平坦化する。ここで成形型７１とは、平坦部７１ｃを有するとともに、めっき金属５２上にコンタクトホール７３ａを形成するための凸部７１ａと、バンプ５３上にコンタクトホール７３ｂを形成するための凸部７１ｂとが形成されたものである。また、コンタクトホール７３ａは、めっき金属５２と陰極２５とを電気的に接続するためのものであり、コンタクトホール７３ｂは、ＴＦＴ１４と有機ＥＬ素子２９とを電気的に接続するためのものである。
【００６４】
このような成形型７１を絶縁層６１に押圧し、第１実施形態と同様に、ＵＶ光を照射することによって、絶縁層６１にコンタクトホール７３ａ，７３ｂを形成しつつ、平坦部７１ｃにより平坦面を付与した樹脂膜７４が形成される。ここで、成形型７１の凸部７１ａ，７１ｂは、絶縁層６１の厚さを基板面内で一定の厚さにするための機能も担っている。
【００６５】
次に、図１９を参照して、絶縁層（第２の絶縁層）７９の形成方法について説明する。
まず、配線基板１０の全面に、つまり陽極２１及びバンプ７５を完全に覆うように未硬化の絶縁層７７を塗布する。絶縁層７７を形成した後、絶縁層７７の上方から成形型（他の成形型）７２を押し付けることによって絶縁層７７の表面を平坦化する。ここで成形型７２とは、平坦部７２ｃを有するとともに、所定のバンク７８のパターン７９ａを形成するための凸部７２ａと、バンプ７５上にコンタクトホール７９ｂを形成するための凸部７２ｂとが形成されたものである。また、コンタクトホール７９ｂは、バンプ７５と陰極２５とを電気的に接続するためのものでる。
【００６６】
このような成形型７２を絶縁層７７に押圧し、第１実施形態と同様に、ＵＶ光を照射することによって、絶縁層７７にコンタクトホール７９ｂを形成しつつ、平坦部７２ｃにより平坦面を付与した樹脂膜７９が形成される。ここで、成形型７４の凸部７２ｂは、絶縁層７７の厚さを基板面内で一定の厚さにするための機能も担っている。
【００６７】
次に、有機ＥＬ素子の形成工程及び封止工程について説明する。
まず、バンク７８の表面に撥液処理を施す一方、陽極２１の表面に親液処理を施す。その後、図２０に示すように、バンク７８で囲まれた領域に正孔注入／輸送層２２と、発光層２３と、電子注入／輸送層２４とをインクジェット法で形成する。そして、電子注入／輸送層２４を覆うとともに、バンプ７５と導通するような形状のマスクにてＩＴＯ等の陰極２５を形成する。続いて、これを封止剤２６にて封止し、さらにカバーガラス２０を形成して、図１５に示した有機ＥＬ装置７０を得るものとしている。
なお、陽極２１を構成する材料（ＩＴＯ等）をコンタクトホール７３ｂに沿ったビア形状とすることで、バンプ７４を省略することができる。
【００６８】
このように、本実施形態では、平坦面の形成と、バンク７８との形成を別々の成形型７１，７２を用いることにより、バンク７８がバンプ７６を覆う形にて形成されることになる。このように、バンク７８がバンプ７６を覆うことで、陽極２１，発光層２３，陰極２５同士の短絡を確実に回避することが可能となる。
【００６９】
（電子機器）
次に、上記有機ＥＬ装置１あるいは有機ＥＬ装置７０を備えた電子機器の例について、図２１を用いて説明する。図２１は、携帯電話の斜視図である。上記有機ＥＬ装置は、携帯電話１０００の筐体内部に配置されている。そして、この携帯電話１０００からなる電子機器によれば、安価で信頼性の高い有機ＥＬ装置を備えた電子機器とすることができる。
【００７０】
なお、上記の方法で形成した有機ＥＬ装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、パーソナルコンピュータ用モニタ、ワードプロセッサ用モニタ、テレビ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置などの電子機器に適用することが可能である。
【００７１】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記各実施形態では、有機エレクトロルミネッセンス装置１，７０を用いて説明したが、これに限られることなく、導電パターンを備えるデバイスに適用することもできる。
また、ガラス基板１０ａ上にＴＦＴ１４を実装する方法として、素子基板４０にＴＦＴ１４を形成し、配線基板１０に転写させることにより行ったが、これに限られることなく、例えば、ダイボンド装置を利用することにより、配線基板１０にＴＦＴ１４を接合しても良い。または、ガラス基板１０ａ上にＴＦＴ１４を直接造り込んでも良い。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の有機ＥＬ装置の第１実施形態の要部構成を示す断面図。
【図２】図１の有機ＥＬ装置を製造するための素子基板の構成を示す断面図。
【図３】ＴＦＴの転写工程の態様を示す断面図。
【図４】レーザ光照射の工程を説明するための断面図。
【図５】基板の剥離工程を説明するための断面図。
【図６】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図７】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図８】開口部の形成工程を説明するための断面図。
【図９】めっき金属及びバンプの形成工程を説明するための断面図。
【図１０】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図１１】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図１２】バンプの形成工程を説明するための断面図。
【図１３】有機ＥＬ素子の形成工程を説明するための断面図。
【図１４】有機ＥＬ素子の形成工程を説明するための断面図。
【図１５】本発明の有機ＥＬ装置の第２実施形態の要部構成を示す断面図。
【図１６】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図１７】樹脂膜の形成工程を説明するための断面図。
【図１８】有機ＥＬ素子の陽極の形成工程を説明するための断面図。
【図１９】バンクの形成工程を説明するための断面図。
【図２０】有機ＥＬ素子の形成工程を説明するための断面図。
【図２１】本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７３】
１，７０…有機ＥＬ装置、１２…電源パターン（導電パターン：電力供給線）、１３…陰極パターン（導電パターン）、２７，７８…バンク（隔壁部）、３０ａ，３０ｂ…開口部、３０…第１の絶縁層、５０…成形型、５０ａ，５０ｂ…凸部、５１，５２…めっき金属、６０，７９…第２の絶縁層、６５…他の成形型、７１…第１の成形型（他の成形型）、７２…第２の成形型（他の成形型）、７９…絶縁層（第２の絶縁層）
【図１】
2006185789.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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