(57)【要約】【課題】  安価な湿式エッチングによって容易に加工可能であり、かつＥＳＲを効果的に低減可能な導体層を備えた誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  誘電体薄膜４０の上面に第１の貴金属層５１を形成して熱処理を行い、その後に第１の貴金属層５１上に第１の卑金属層５２を形成する。第１の貴金属層５１と第１の卑金属層５２とを相互拡散させて第１の導体層５０とすることにより、第１の導体層５０を容易に湿式エッチングできる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、該第１の基板上に形成された第２の導体層と、該第２の導体層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された第１の導体層と、を備えた誘電体薄膜キャパシタであって、
前記第１の導体層は貴金属および卑金属を含有する合金または混合物であることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ。
【請求項２】
第２の基板と、該第２の基板上に形成された第２の導体層と、該第２の導体層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された第１の導体層と、を備えた誘電体薄膜キャパシタであって、
前記第１の導体層は貴金属および卑金属を含有する合金または混合物であるとともに、前記第２の導体層は貴金属および卑金属を含有する合金または混合物であることを特徴とする誘電体薄膜キャパシタ。
【請求項３】
前記貴金属はＰｔであることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の誘電体薄膜キャパシタ。
【請求項４】
前記卑金属はＣｕであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のうちいずれか一項に記載の誘電体薄膜キャパシタ。
【請求項５】
第１の基板上に第２の導体層を形成する第２の導体層形成工程と、
前記第２の導体層上に誘電体薄膜を形成する成膜工程と、
前記誘電体薄膜上に第１の貴金属層を形成する第１の貴金属層形成工程と、
酸素雰囲気中で前記誘電体薄膜の結晶化温度以上の温度で熱処理を行う焼成工程と、
前記第１の貴金属層上に第１の卑金属層を形成する第１の卑金属層形成工程と、
前記第１の貴金属層と前記第１の卑金属層とを相互拡散させて第１の導体層を形成する第１の導体層形成工程と、
を含むことを特徴とする誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項６】
第１の基板上に第２の貴金属層を形成する第２の貴金属層形成工程と、
前記第２の貴金属層上に誘電体薄膜を形成する成膜形成工程と、
前記誘電体薄膜上に第１の貴金属層を形成する第１の貴金属層形成工程と、
酸素雰囲気中で前記誘電体薄膜の結晶化温度以上の温度で熱処理を行う焼成工程と、
前記第１の貴金属層上に第１の卑金属層を形成する第１の卑金属層形成工程と、
前記第１の貴金属層と前記第１の卑金属層とを相互拡散させて第１の導体層を形成する第１の導体層形成工程と、
前記第１の導体層を、接着層を介して第２の基板に接合して接合体を形成する接合体形成工程と、
前記接合体から前記第１の基板を除去する基板除去工程と、
前記第２の貴金属層上に第２の卑金属層を形成する第２の卑金属層形成工程と、
前記第２の貴金属層と前記第２の卑金属層とを相互拡散させて第２の導体層を形成する第２の導体層形成工程と、
を含むことを特徴とする誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項７】
前記第１の貴金属層はＰｔまたはＰｔを主成分とする合金もしくは混合物であることを特徴とする請求項５あるいは請求項６に記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項８】
前記第２の貴金属層はＰｔまたはＰｔを主成分とする合金もしくは混合物であることを特徴とする請求項６に記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項９】
前記第１の卑金属層はＣｕまたはＣｕを主成分とする合金もしくは混合物であることを特徴とする請求項５あるいは請求項６に記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の卑金属層はＣｕまたはＣｕを主成分とする合金もしくは混合物であることを特徴とする請求項６に記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の導体層の一部を湿式エッチングにより除去する工程を含むことを特徴とする請求項５あるいは請求項６に記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の導体層の一部を湿式エッチングによって除去する工程を含むことを特徴とする請求項６に記載の誘電体薄膜キャパシタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜技法で成膜された誘電体薄膜を備えてなる誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタ法、ＭＯＤ法（有機金属分解法）、ゾルゲル法などの薄膜技法を用いて成膜されたチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）やチタン酸ストロンチウムバリウム（ＢＳＴ）などの誘電体薄膜を備えてなる誘電体薄膜キャパシタとして、特許文献１に記載された誘電体薄膜キャパシタがある。
【０００３】
この誘電体薄膜キャパシタは、基板上に下部電極（第２の導体層）を形成する工程と、下部電極上に誘電体膜を形成する工程と、誘電体膜を揮発成分が蒸発する温度より高くかつ誘電体が結晶化する温度より低い温度で仮焼成する工程と、上部電極（第１の導体層）を形成する工程と、誘電体が結晶化する温度以上の温度で本焼成する工程と、を含んでなる。
【０００４】
上部電極を形成した後に本焼成を行うため、上部電極は酸素雰囲気中の高温の本焼成に耐え得る物質である必要があり、具体的にはＰｔなどの貴金属やＲｕＯ2、ＩｒＯ2などの導電性酸化物が用いられる。
【０００５】
また、特許文献２には、基板上に設けた下部電極（第２の導体層）上に誘電体薄膜形成溶液を塗布して被膜を形成する被膜形成工程と、誘電体の結晶化温度未満の温度で誘電体被膜を加熱処理する仮焼成工程と、誘電体被膜上に仮電極を形成して加熱処理を行い誘電体被膜を結晶化させる工程と、仮電極を除去する工程と、を含んでなる誘電体薄膜の製造方法が記載されている。
【０００６】
そして、仮電極をＰｔ、誘電体薄膜をＰＺＴとしたときには、ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ：ＨＮＯ3＝４：４：１に調製した溶液を８５℃に熱した中に仮電極を形成した誘電体薄膜を浸漬することによって、誘電体薄膜をエッチングせずにＰｔをエッチングできることが記載されている。
【特許文献１】特開平８−７８６３６号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１，２に記載されているように、品質の良好な誘電体薄膜を得るためには、上部電極を形成した後に誘電体の結晶化温度以上の温度で本焼成を行う必要がある。そのため、上部電極は貴金属や導電性酸化物などの化学的に安定性の高い物質で形成される。
【０００８】
ところで、誘電体薄膜キャパシタにおいては外部の回路との接続の都合やその他の必要性によって上部電極をパターニングする必要が発生することが多い。このとき、上記のように上部電極は化学的に安定性が高いため、上部電極をエッチングするためには安価な湿式エッチングでは困難で、イオンミリングやＲＩＥ（反応成イオンエッチング）などの高価な装置を必要とする方法を取らざるを得なかった。そのため、誘電体薄膜キャパシタの製造コストが高騰する要因となっていた。
【０００９】
また、誘電体薄膜キャパシタの等価直列抵抗（ＥＳＲ）を低減するためには、上部電極として導電性のよい材料をできるだけ厚く形成することが好ましい。しかしながら、貴金属や導電性酸化物は必ずしも導電率が高くない上、高価であるため厚く形成することも経済的に困難であり、ＥＳＲの低減が難しいという問題もあった。
【００１０】
一方、特許文献２には、塩酸と硝酸を所定の割合で混合した溶液によってＰｔからなる仮電極を湿式エッチングできることが記載されている。しかし、本発明者らが実験したところによれば、誘電体薄膜としてＢＳＴを用いた誘電体薄膜キャパシタをこの溶液に浸漬すると、ＰｔのみならずＢＳＴもエッチングされてしまうことがわかった。よって、特許文献２に記載された方法では、誘電体薄膜として使用できる物質が限定されてしまうこととなり、特に、高い誘電率を得られることから誘電体薄膜キャパシタに多く用いられているＢＳＴを用いることができなくなってしまうという問題がある。
【００１１】
本発明は上記の問題に鑑みてなされたものであり、安価な湿式エッチングによって容易に加工可能であり、かつＥＳＲを効果的に低減可能な導体層を備えた誘電体薄膜キャパシタおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記問題点を解決するために本発明に係る誘電体薄膜キャパシタは、第１の基板と、該第１の基板上に形成された第２の導体層と、該第２の導体層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された第１の導体層と、を備えた誘電体薄膜キャパシタであって、前記第１の導体層は貴金属および卑金属を含有する合金または混合物であることを特徴とする。
【００１３】
第１の導体層を貴金属および卑金属を含有する合金または混合物とすることにより、卑金属用のエッチング液によって第１の導体層を容易に湿式エッチングすることができる。また、貴金属のみによって第１の導体層を形成する場合よりも材料が安価となるので、第１の導体層を厚く形成することができるようになり、等価直列抵抗の低減が可能となる。
【００１４】
第２の基板と、該第２の基板上に形成された第２の導体層と、該第２の導体層上に形成された誘電体薄膜と、該誘電体薄膜上に形成された第１の導体層と、を備えた誘電体薄膜キャパシタであって、前記第１の導体層は貴金属および卑金属を含有する合金または混合物であるとともに、前記第２の導体層は貴金属および卑金属を含有する合金または混合物であることを特徴とする。
【００１５】
第１の導体層に加えて第２の導体層も貴金属および卑金属を含有する合金または混合物とすることにより、卑金属用のエッチング液によって第２の導体層を容易に湿式エッチングすることができる。また、貴金属のみによって第２の導体層を形成する場合よりも材料が安価となるので、第２の導体層を厚く形成することができるようになり、等価直列抵抗をさらに低減することが可能となる。
【００１６】
本発明に係る誘電体薄膜キャパシタにおいては、前記貴金属はＰｔであることが好ましい。第１および第２の導体層に含有される貴金属としては、Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｐｄなどを用いることができるが、良好な誘電体薄膜を得る観点からはＰｔを用いることが好ましい。
【００１７】
また、前記卑金属はＣｕであることが好ましい。Ｃｕは導電率が高いため等価直列抵抗を低減できるうえ、腐食性の弱いエッチング液でもエッチング可能であり、ＢＳＴなどの誘電体薄膜を腐食させずに第１あるいは第２の導体層を湿式エッチングすることが可能となる。
【００１８】
本発明に係る誘電体薄膜キャパシタの製造方法は、第１の基板上に第２の導体層を形成する第２の導体層形成工程と、前記第２の導体層上に誘電体薄膜を形成する成膜工程と、前記誘電体薄膜上に第１の貴金属層を形成する第１の貴金属層形成工程と、酸素雰囲気中で前記誘電体薄膜の結晶化温度以上の温度で熱処理を行う焼成工程と、前記第１の貴金属層上に第１の卑金属層を形成する第１の卑金属層形成工程と、前記第１の貴金属層と前記第１の卑金属層とを相互拡散させて第１の導体層を形成する第１の導体層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
第１の貴金属層を形成した状態で焼成工程を行い、然る後に第１の卑金属層を形成し、第１の貴金属層と第１の卑金属層とを相互拡散させて第１の導体層を得ることにより、貴金属層形成後の焼成工程によって特性の良好な誘電体薄膜が得られるとともに、第１の導体層は第１の卑金属層を構成する卑金属をエッチングできるエッチング液を用いて容易に湿式エッチング可能となるから、加工コストの低減が可能となる。また、貴金属のみで第１の導体層を形成する場合に比べて材料が安価になるため、第１の導体層を厚く形成することが可能となって等価直列抵抗の低減が可能となる。
【００２０】
また、本発明に係る誘電体薄膜キャパシタの製造方法は、第１の基板上に第２の貴金属層を形成する第２の貴金属層形成工程と、前記第２の貴金属層上に誘電体薄膜を形成する成膜工程と、前記誘電体薄膜上に第１の貴金属層を形成する第１の貴金属層形成工程と、酸素雰囲気中で前記誘電体薄膜の結晶化温度以上の温度で熱処理を行う焼成工程と、前記第１の貴金属層上に第１の卑金属層を形成する第１の卑金属層形成工程と、前記第１の貴金属層と前記第１の卑金属層とを相互拡散させて第１の導体層を形成する第１の導体層形成工程と、前記第１の導体層を、接着層を介して第２の基板に接合して接合体を形成する接合体形成工程と、前記接合体から前記第１の基板を除去する基板除去工程と、前記第２の貴金属層上に第２の卑金属層を形成する第２の卑金属層形成工程と、前記第２の貴金属層と前記第２の卑金属層とを相互拡散させて第２の導体層を形成する第２の導体層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００２１】
第２の貴金属層と第２の卑金属層とを相互拡散させて第２の導体層を得ることにより、第２の導体層は第２の卑金属層を構成する卑金属をエッチングできるエッチング液を用いて容易に湿式エッチング可能となるから、加工コストの低減が可能となる。また、貴金属のみで第２の導体層を形成する場合に比べて材料が安価になるため、第２の導体層を厚く形成することが可能となって等価直列抵抗の低減が可能となる。
【００２２】
本発明に係る誘電体薄膜キャパシタの製造方法においては、前記第１および第２の貴金属層はＰｔまたはＰｔを主成分とする合金もしくは混合物であることが好ましい。貴金属としてはＡｕ，Ｐｔ，Ｒｕ，Ｐｄなどを用いることができるが、良好な誘電体薄膜を得る観点からはＰｔを用いることが好ましい。
【００２３】
また、前記第１および第２の卑金属層はＣｕまたはＣｕを主成分とする合金もしくは混合物であることが好ましい。Ｃｕは導電率が高いため等価直列抵抗を低減できるうえ、腐食性の弱いエッチング液でもエッチング可能であり、ＢＳＴなどの誘電体薄膜を腐食させずに第１あるいは第２の導体層を湿式エッチングすることが可能となる。
【００２４】
さらにまた、前記第１の導体層の一部を湿式エッチングにより除去する工程、あるいは前記第２の導体層の一部を湿式エッチングによって除去する工程を含むことにより、本発明はより実効有らしめられる。
【発明の効果】
【００２５】
このように本発明によれば、貴金属と卑金属とを相互拡散させて第１および第２の導体層を形成するようにしているため、第１および第２の導体層を安価な湿式エッチングによってパターニングすることが可能となって製造コストが低減される。また、貴金属のみによって第１および第２の導体層を形成する場合と比較して材料コストが安価になるため、第１および第２の導体層の厚みを厚く形成することが可能となり、等価直列抵抗を効果的に低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下において、添付図面を参照しつつ本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例１】
【００２７】
図１および図３は第１の実施例に係る誘電体薄膜キャパシタを示す断面工程図である。
【００２８】
まず、表面にＳｉＯ2からなるＳｉ酸化膜（不図示）が形成されたＳｉ単結晶からなる第１の基板１０を用意し、モル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝７：３：１０に調製されたチタン酸ストロンチウムバリウム（ＢａＳｒＴｉＯ3，以下ＢＳＴと省略する）のＭＯＤ原料溶液をスピンコートで塗布し乾燥させる。さらにＲＴＡ（高速昇温熱処理）装置を用いて酸素雰囲気中６５０℃で３０分間の熱処理を行い、ＢＳＴからなる厚さ６０ｎｍの密着層２１を形成する。原料溶液の塗布と乾燥は、所望の膜厚が得られるまで複数回繰り返してもよい。
【００２９】
密着層２１としては、ＢＳＴのほかにＴｉ，Ｃｒなどを用いることも可能である。また、密着層２１を形成せずに後述する第２の導体層形成工程を行ってもよい。
【００３０】
さらに、密着層２１の形成方法も上述のＭＯＤ法（有機金属分解法）に限らず、スパッタ法やＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）、ゾルゲル法などによって形成してもよい。
【００３１】
次に、スパッタ法によって図１（ａ）に示すように厚み２μｍのＰｔからなる第２の導体層３０を形成する。第２の導体層３０の厚みは所望のＥＳＲ特性に合わせて適宜設定すればよい。第２の導体層３０としてはＰｔに限らずＡｕ，Ｐｄ，Ｒｈなどを用いることも可能であるがＰｔが好ましい。
【００３２】
次に、モル比でＢａ：Ｓｒ：Ｔｉ＝７：３：１０に調製されたＢＳＴのＭＯＤ原料溶液をスピンコートで塗布し乾燥させる。所望の膜厚を得られるまで塗布と乾燥を適宜繰り返した後、ＲＴＡ装置を用いて酸素雰囲気中６５０℃で３０分間の熱処理（１回目の熱処理）を行い、図１（ｂ）に示すように第１の導体層３０の上面に誘電体薄膜４０を形成する。
【００３３】
このとき、誘電体薄膜４０はＢＳＴが未だ結晶化していない所謂前駆体膜の状態でも、すでに結晶化した状態であってもよい。本発明者らが実験したところによれば、１回目の熱処理を結晶化温度以上の温度で行い、ＢＳＴが比較的小さな結晶を形成した状態とすることにより、後述する２回目の熱処理後の誘電体薄膜の誘電率が高くなることがわかっている。ここでは、使用したＢＳＴの結晶化温度がおよそ５５０℃であることを確認しているので、１回目の熱処理によってＢＳＴが比較的小さな結晶を形成した状態となっている。
【００３４】
次に、図１（ｃ）に示すように、スパッタ法により厚み５０ｎｍのＰｔからなる第１の貴金属層５１を形成する。第１の貴金属層５１は後述するように第１の卑金属層と相互拡散したときに卑金属の導電率を大きく低下させないようにＰｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｈや、それらの合金などで形成されることが好ましい。誘電体層の特性を向上させる観点からはＰｔを用いることが特に好ましい。
【００３５】
また、形成方法はスパッタ法に限定されるものではなく、蒸着法などでもよい。
【００３６】
次に、ＲＴＡ装置を用いて酸素雰囲気中８００℃で３０分間の２回目の熱処理を行い、誘電体薄膜４０の誘電率を上昇させる（焼成工程）。誘電率を十分に上昇させるため、２回目の熱処理は酸素雰囲気において誘電体薄膜４０の結晶化温度よりも十分に高い温度で行うことが好ましく、具体的には酸素雰囲気中５００℃以上の熱処理を行うことが好ましい。
【００３７】
次に、図３（ｄ）に示すように、スパッタ法により厚み２μｍのＣｕからなる第１の卑金属層５２を形成する。第１の卑金属層５２としてはＣｕやＮｉ，Ａｌなど任意の卑金属やＣｕ−Ａｕ合金などの卑金属を主成分とする合金を用いることができるが、導電率が高く湿式エッチングの容易なＣｕを用いることが特に好ましい。第１の卑金属層５２の厚みは所望のＥＳＲ特性に合わせて適宜設定すればよい。また、湿式エッチングを容易ならしめるため、第１の貴金属層５１の膜厚は２００ｎｍ以下とすることが好ましく、第１の卑金属層５２の膜厚は第１の貴金属層５１の概ね１０倍以上であることが好ましい。
【００３８】
第１の貴金属層５１と第１の卑金属層５２との組み合わせは、相互拡散した後に導電率が低下しにくく、かつ、腐食性の低いエッチング液で容易にエッチングできる組み合わせとすることが好ましく、ＰｔとＣｕの組み合わせが好適である。
【００３９】
次に、窒素雰囲気中３５０℃で６０分間の熱処理を行い、Ｐｔからなる第１の貴金属層５１とＣｕからなる第１の卑金属層５２とを相互拡散させ、図１（ｅ）に示すように第１の導体層５０を形成する。相互拡散は第１の卑金属層５２の酸化を防ぐために無酸素雰囲気で行うことが好ましく、窒素雰囲気やＡｒ雰囲気で行うことが好ましい。これにより第１の導体層５０はＰｔとＣｕの合金ないしは混合物の状態となっている。
【００４０】
次に、第１の導体層５０の上面にスピンコートによってレジストを塗布して、露光・現像を行い、図２（ｆ）に示すようにレジストパターン６１を形成する。
【００４１】
次に、図２（ｇ）に示すように、塩化第二鉄（ＦｅＣｌ3）水溶液を用いて、レジストパターン６１によって保護されていない部分の第１の導体層５０をエッチングする。本実施例においては、第１の卑金属層５２としてＣｕを用いているため、Ｃｕのエッチング液として公知の塩化第二鉄水溶液によって第１の導体層５０をエッチングすることができる。
【００４２】
なお、塩化第二鉄水溶液は誘電体薄膜４０を構成するＢＳＴを溶解しないことをあらかじめ実験で確認している。
【００４３】
第１の卑金属層５２としてＣｕを用いた場合、第１の導体層５０をエッチングするエッチング液としては塩化第二鉄溶液の他に塩化第二銅（ＣｕＣｌ2）水溶液や酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）の混合溶液などを用いることができる。
【００４４】
また、第１の卑金属層５２としてＮｉを用いた場合には、第１の導体層５０をエッチングするエッチング液として塩化第二鉄溶液や塩化第二銅溶液を用いることができる。
【００４５】
次に、レジストパターン６１を除去し、スピンコートでレジストを塗布して露光・現像を行い、図２（ｈ）に示すようにレジストパターン６２を形成する。
【００４６】
次に、レジストパターン６２によって保護されていない部分の誘電体薄膜４０を質量比でフッ酸（ＨＦ）：硝酸（Ｈ2ＮＯ3）：水（Ｈ2Ｏ）＝１：１：１００に調製した混合溶液によってエッチングし、さらにレジストパターン６２を除去する。
【００４７】
これにより、図２（ｉ）に示すように、第２の導体層３０が表面に露出した引出し部３３が形成され、本発明の誘電体薄膜キャパシタが完成する。
【実施例２】
【００４８】
次に本発明の第２の実施例について説明する。第１の実施例と共通する部分については適宜説明を省略する。図３ないし図５は第２の実施例に係る誘電体薄膜キャパシタを示す断面工程図である。
【００４９】
まず、表面にＳｉ酸化膜が形成された単結晶Ｓｉからなる第１の基板１０を用意し、スパッタ法によって厚み５０ｎｍのＴｉ−Ｓｉ−Ｏ系酸化物からなる密着層２２を形成する。
【００５０】
次に、スパッタ法によって厚み５０ｎｍのＰｔからなる第２の貴金属層３１を形成する。第２の貴金属層３１としてはＰｔ，Ａｕ，Ｐｄ，Ｒｕなどを用いることができる。
【００５１】
次に、モル比でＢａ：Ｓｔ：Ｔｉ＝７：３：１０に調製されたＭＯＤ原料溶液を塗布し、乾燥後、ＲＴＡ装置を用いて酸素雰囲気中６５０℃で３０分間の熱処理を行い（１回目の熱処理）、誘電体薄膜４０を形成する。
【００５２】
次に、スパッタ法によって厚み５０ｎｍのＰｔからなる第１の貴金属層５１を形成する。
【００５３】
次に、ＲＴＡ装置を用いて酸素雰囲気中８００℃で３０分間の熱処理を行い（２回目の熱処理）、誘電体薄膜４０の誘電率を上昇させる（図３（ａ））。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、スパッタ法により厚み３μｍのＣｕからなる第１の卑金属層５２を形成する。
【００５５】
次に、窒素雰囲気中３５０℃で６０分間の熱処理を行うことによって第１の貴金属層５１と第１の卑金属層５２とを相互拡散させ、図３（ｃ）に示すように第１の導体層５０を形成する。
【００５６】
次に、第１の導体層５０の上面にスピンコートによってレジストを塗布し、露光・現像を行ってレジストパターンを形成する。塩化第二鉄溶液を用いてレジストパターンによって保護されていない部分の第１の導体層５０を除去した後、レジストパターンを除去する（図３（ｄ））。
【００５７】
次に、ガラス転移点（Ｔｇ）がおよそ２５０℃の熱可塑性の液状ポリイミド樹脂をスピンコートによって塗布し、窒素雰囲気中３００℃で１時間の熱処理を行い、図３（ｅ）に示すように接着層７１を形成する。接着層７１の厚みはおよそ７μｍとした。
【００５８】
次に、低温焼成セラミックスからなる第２の基板８０を用意し、ガラス転移点がおよそ２５０℃の熱可塑性の液状ポリイミド樹脂をスピンコートによって塗布し、窒素雰囲気中３００℃で１時間の熱処理を行い、図４（ｆ）に示すように接着層７２を形成する。接着層７２の厚みはおよそ７μｍとした。
【００５９】
次に、接着層７１と接着層７２とを対向させ、圧力０．５ＭＰａ、３００℃、１時間の条件で真空加熱圧着を行い、接着層７１，７２同士を接着することによって第２の基板８０を接合して、図４（ｇ）に示すように接合体１００を形成する。
【００６０】
次にこの接合体１００をホットプレート上で１３０℃に加熱してから２０℃の水に浸漬して冷却する。これを数回繰り返すことにより、密着層２２と第２の貴金属層３１との界面で剥離が生じ、図４（ｈ）に示すように第２の基板８０を取り外すことができた。
【００６１】
すなわち、Ｓｉからなる第１の基板１０の線膨張係数が２．６×１０-6／Ｋであるのに対して低温焼成セラミックスからなる第２の基板８０の線膨張係数は８．０×１０-6／Ｋであるため、両者の線膨張係数の差により、加熱と冷却を繰り返すことによって熱応力が発生し、接合体１００は第１の基板１０側を凸にして反った状態となる。このとき、密着強度が最も弱い密着層２２と第２の貴金属層３１との界面に引き剥がし応力が集中して剥離が生じる。
【００６２】
次に、第２の貴金属層３１の上面（密着層２２と接していた面）に、図４（ｉ）に示すようにスパッタ法により厚み３μｍのＣｕからなる第２の卑金属層３２を形成する。第２の卑金属層３２としては、ＣｕのほかにＮｉやＡｌなどの卑金属やＣｕ−Ａｕ合金などを用いてもよいが、導電率が高く湿式エッチングの容易なＣｕを用いることが特に好ましい。
【００６３】
また、第２の卑金属層３２の厚みは所望のＥＳＲ特性に合わせて適宜設定すればよい。相互拡散後に湿式エッチングを容易ならしめるため、第２の貴金属層３１の膜厚は２００ｎｍ以下とすることが好ましく、第２の卑金属層の膜厚は第２の貴金属層の概ね１０倍以上であることが好ましい。
【００６４】
次に、窒素雰囲気中３００℃で１時間の熱処理を行い、第２の貴金属層３１と第２の卑金属層３２とを相互拡散させ、図５（ｊ）に示すように第２の導体層３０を得る。相互拡散は第２の卑金属層３２の酸化を防ぐために無酸素雰囲気で行うことが好ましく、窒素雰囲気やＡｒ雰囲気で行うことが好ましい。
【００６５】
次に、第２の導体層３０上にスピンコートによってレジストを塗布して、露光・現像を行い、図５（ｋ）に示すようにレジストパターン６３を形成する。
【００６６】
次に塩化第二鉄水溶液を用いて、レジストパターン６３によって保護されていない部分の第２の導体層３０をエッチングする。本実施例においては、第２の卑金属層３２としてＣｕを用いているため、Ｃｕのエッチング液として公知の塩化第二鉄水溶液によって第２の導体層３０をエッチングすることができる。
【００６７】
また、第２の卑金属層３２としてＮｉを用いた場合には、第２の導体層３０をエッチングするエッチング液として塩化第二鉄水溶液や塩化第二銅水溶液を用いることができる。
【００６８】
次に、レジストパターン６３を除去し、スピンコートでレジストを塗布して露光・現像を行い、図５（ｌ）に示すようにレジストパターン６４を形成する。
【００６９】
次に、レジストパターン６４によって保護されていない部分の誘電体薄膜４２を質量比でフッ酸：硝酸：水＝１：１：１００に調製した混合溶液によってエッチングし、レジストパターン６４を除去する。
【００７０】
これにより、第１の導体層５０が表面に露出した引出し部５３が形成され、図５（ｍ）に示す本発明の誘電体薄膜キャパシタが完成する。
【００７１】
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更を加えてもよいことは言うまでもない。例えば、上記実施例ではＭＯＤ法によって誘電体薄膜を形成しているが、ゾルゲル法やスパッタ法などの他の周知の方法によって形成してもよい。スパッタ法を用いる場合、第１の基板を３００℃程度に加熱してスパッタ法によって誘電体薄膜を形成し、第１の導体層を形成した後に酸素雰囲気中８００℃で焼成を行ったり、第１の基板を３００℃程度に加熱してスパッタ法によって誘電体薄膜を形成してから８００℃の熱処理を行い、第１の導体層を形成した後に酸素雰囲気中８００℃で焼成を行う、などの方法で形成すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施例に係る誘電体薄膜キャパシタを示す断面工程図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る誘電体薄膜キャパシタを示す断面工程図である。
【図３】本発明の第２の実施例に係る誘電体薄膜キャパシタを示す断面工程図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る誘電体薄膜キャパシタを示す断面工程図である。
【図５】本発明の第２の実施例に係る誘電体薄膜キャパシタを示す断面工程図である。
【符号の説明】
【００７３】
１０    第１の基板
２１，２２    密着層
３０    第２の導体層
３１    第２の貴金属層
３２    第２の卑金属層
４０    誘電体薄膜
５０    第１の導体層
５１    第１の貴金属層
５２    第１の卑金属層
６１，６２，６３，６４    レジストパターン
７１，７２    接着層
８０    第２の基板
１００    接合体
【図１】
2006066541.tif 000003
【図２】
2006066541.tif 000004
【図３】
2006066541.tif 000005
【図４】
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【図５】
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