(57)【要約】【課題】基板のモリブデン膜にモリブデン酸アンモニウム塩のようなパーティクルを発生させずに、モリブデン膜にシランカップリング処理してその表面を適度に疎水化することが可能な電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】表面にモリブデン膜を有する基板を加熱したプレート上に設置し、メチルトリエトキシシランのような液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングして気相状態で前記モリブデン膜表面に導入することによりシランカップリング処理する工程と、前記モリブデン膜にフォトレジスト膜を形成する工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。【選択図】    図３
2006156466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にモリブデン膜を有する基板を加熱したプレート上に設置し、下記化１に示す一般式（Ｉ）の液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングして気相状態で前記モリブデン膜表面に導入することによりシランカップリング処理する工程と、
前記モリブデン膜にフォトレジスト膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【化１】
2006156466.tif 000005
ただし、式中のＲ1、Ｒ2はメチル基またはエチル基を示す。
【請求項２】
前記シランカップリング剤は、メチルトリメトキシシランであることを特徴とする請求項１記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記フォトレジストは、ノボラック系フォトレジストであることを特徴とする請求項１または２記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記フォトレジスト膜にフォトリソグラフィーを適用することにより前記モリブデン膜上にフォトレジストパターンを形成する工程と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記モリブデン膜を選択的にエッチング除去してパターニングする工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３いずれか記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記モリブデン膜は、前記基板上にモリブデン膜とアルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜とモリブデン膜とをこの順序で積層した配線材料膜の最上層に位置するもので、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記モリブデン膜を含む配線材料膜を選択的にエッチング除去することにより三層構造の信号線を形成することを特徴とする請求項４記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置や半導体装置のような電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイス、例えば液晶表示装置の製造において、表面にモリブデン膜とアルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜とモリブデン膜とをこの順序で積層した配線材料膜を有する基板を用意し、この配線材料膜のモリブデン膜表面にフォトレジスト膜を形成し、さらにリソグラフィーによりフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンをマスクとして前記モリブデン膜を含む配線材料膜を選択的にエッチング除去することにより三層構造の信号線を形成することが知られている。
【０００３】
前記配線材料膜のモリブデン膜は、親水性を示すために、フォトレジスト膜との密着力が劣り、ピンホールやレジスト膜の剥れ等の問題が生じる。
【０００４】
このようなことから、特許文献１、２には基板表面（例えば遮光層）にヘキサメチルジシラザン［ＨＭＤＳ：（ＣＨ3）3−ＳｉＮＨＳｉ−（ＣＨ3）3］のシランカップリング剤を塗付してシランカップリング処理を施してその基板表面を疎水化し、フォトレジストとの密着性を向上することが記載されている。すなわち、前記ＨＭＤＳは外界の水分と加水分解反応を起こしてトリメチルシラノールとアンモニアに分解する。トリメチルシラノールは、そのシラノール基が基板表面とシランカップリング結合して基板表面がシラノール以外のＳｉに結合されたメチル基で覆われる。このため、基板の表面が疎水化して、フォトレジストとの密着力が向上される。
【０００５】
しかしながら、基板表面に前述したモリブデン膜が形成されている場合には、次のような問題を生じる。すなわち、前述したようにＨＭＤＳと水との加水分解反応によりアンモニアが生成されると、このアンモニアはモリブデンとの化学反応によりモリブデン酸アンモニウム塩を生成する。このアンモニウム塩は微小なパーティクルとなるため、液晶表示装置や半導体装置の製造歩留りを低下させる一因となる。
【０００６】
また、前記特許文献１、２にはＳｉに酸基等を有する長鎖アルキル基を結合した前記ＨＭＤＳ以外のシランカップリング剤を溶剤で希釈し、浸漬法または回転塗付法により基板表面をカップリング処理することが記載されている。
【０００７】
ところで、表面に種々の膜を有する基板においてその表面にシランカップリング剤で処理を施す場合、その膜に浸漬法または回転塗付法などによりシランカップリング剤を過剰に被覆、結合させると、この後に形成されるフォトレジスト膜を前記膜に対して強固に密着できるものの、逆に例えば湿式処理でフォトレジストパターンを剥離除去する際にその密着力の強さに起因してレジスト残渣が生じる虞がある。
【０００８】
このようなことから、液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングし、気相状態で加熱された基板表面に導入し、適切な量のシランカップリング剤を基板表面に結合させ、適度な基板表面の疎水化によりフォトレジスト膜の密着性を向上すると共に、その後の湿式処理で容易にフォトレジストパターンを剥離除去することが行われている。
【０００９】
前記特許文献１、２に記載されたＳｉに酸基等を有する長鎖アルキル基を結合したシランカップリング剤は沸点が高いため、この液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングして気相状態で基板表面に導入する際、基板温度を高めて十分なシランカップリング反応を行うことが要求される。しかしながら、基板温度を高くすることはその基板の材料等から制約されるため、基板表面にシランカップリング剤を均一に結合させることが困難になる。その結果、基板表面の疎水化が不十分になってフォトレジスト膜の密着性を向上させることが困難になる。
【特許文献１】特開平９−５４４２１号公報
【特許文献２】特開平９−５４４４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングして気相状態で基板のモリブデン膜に導入し、シランカップリング処理する際、基板のモリブデン膜にモリブデン酸アンモニウム塩のようなパーティクルを発生させずに、モリブデン膜にシランカップリング処理してその表面を適度に疎水化することが可能な電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によると、
表面にモリブデン膜を有する基板を加熱したプレート上に設置し、下記化２に示す一般式（Ｉ）の液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングして気相状態で前記モリブデン膜表面に導入することによりシランカップリング処理する工程と、
前記モリブデン膜にフォトレジスト膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法が提供される。
【化２】
2006156466.tif 000003
ただし、式中のＲ1、Ｒ2はメチル基またはエチル基を示す。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、パーティクルの存在しないモリブデン膜にフォトレジスト膜を良好に密着させることが可能な電子デバイスの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態に係る電子デバイスの製造方法を詳細に説明する。
【００１４】
まず、表面にモリブデン膜を有する基板を加熱プレート上に設置し、下記化３に示す一般式（Ｉ）の液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングして気相状態で前記モリブデン膜表面に導入することによりシランカップリング処理する。このとき、シランカップリング剤はＳｉに結合した−ＯＲ2が加水分解されてシラノール基を生成し、加熱プレートで加熱されたモリブデン膜にカップリング結合してモリブデン膜の表面を適度に疎水化する。
【化３】
2006156466.tif 000004
ただし、式中のＲ1、Ｒ2はメチル基またはエチル基を示す。
【００１５】
前記基板としては、例えば電子デバイスが液晶表示装置である場合、ガラス基板が用いられ、電子デバイスが半導体装置である場合、半導体基板が用いられる。
【００１６】
前記モリブデン（Ｍｏ）膜は、例えば前記基板上にモリブデン膜とアルミニウム膜もしくはアルミニウム合金膜とモリブデン膜とをこの順序で積層した配線材料膜の最上層として適用される。
【００１７】
前記加熱プレートは、８０〜１２０℃の温度にすることが好ましい。加熱プレートの温度を８０℃未満にすると、シランカップリング剤をモリブデン膜表面に均一にカップリング結合することが困難になる。一方、加熱プレートの温度が１２０℃を超えると、モリブデン膜を有する基板に熱的な悪影響を及ぼす虞がある。
【００１８】
前記一般式（Ｉ）で表されるシランカップリング剤は、具体的にはメチルトリエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシランを挙げることができる。中でも、メチルトリエトキシシランはカップリング反応によりモリブデン膜を適度に疎水化することが可能であるために好ましい。
【００１９】
前記バブリングに用いられる不活性ガスとしては、例えば窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等を挙げることができる。このようなバブリング手段は、例えば気化器内にシランカップリング剤液体（常温で）を収容し、この気化器内のシランカップリング剤液体に不活性ガスを導入する方法を採用でき、シランカップリング剤は気相状態で不活性ガスに随伴して気化器から放出される。この気化器から放出された気相状態のシランカップリング剤は不活性ガスと共に加熱プレートで加熱（例えば８０〜１２０℃）された基板のモリブデン膜表面に導入され、自身が加水分解されてシラノール結合され、同時にそのモリブデン膜にカップリング結合されてシランカップリング処理がなされる。
【００２０】
次いで、前記モリブデン膜にフォトレジスト膜を形成する。このとき、モリブデン膜の表面は適度に疎水化されているため、フォトレジスト膜が良好に密着される。つづいて、このフォトレジスト膜を露光、現像する、いわゆるフォトリソグラフィーによりフォトレジストパターンをモリブデン膜表面に形成する。
【００２１】
前記フォトレジストとしては、例えば東京応化社商標名：ＴＦＲ−９７０ＰＭのようなノボラック系フォトレジストを用いることができる。
【００２２】
前記フォトレジストとしては、ノボラック系フォトレジストの他に化学増幅型レジストを用いることができる。化学増幅型レジストは，一般に露光部分で酸発生剤から酸が発生し、その後に行う加熱処理時に酸が増幅する。ポジ型では現像時に酸発生部が除去され，ネガ型では酸発生部以外が除去される。化学増幅型レジストは、露光エネルギーが小さい場合でもレジストをパターニングできる特徴を有する。ただし、周りの環境に酸やアルカリ性の成分が存在すると、パターン形状が影響され易い。例えば、ポジ型の化学増幅型レジストの場合には周囲雰囲気中にアンモニア等のアルカリ性成分が存在すると、露光時に発生する酸が中和されるため、現像時にレジスト膜表面が除去され難くなってレジストパターンの形状がひさし状になる問題を生じる。このため、基板上に化学増幅型レジスト膜を形成するに先立ってアンモニアを生成するＨＭＤＳで表面にモリブデン膜を有する基板をシランカップリング処理することは化学増幅型レジストの露光、現像のメカニズムを損なうことから適用が困難になる。本発明に用いるシランカップリング剤で表面にモリブデン膜を有する基板をシランカップリング処理する際にアンモニアが発生しないため、化学増幅型レジストをその露光、現像のメカニズムを損なうことなく、前記基板のモリブデン膜に適切に密着させることが可能になる。
【００２３】
前記フォトリソグラフィーにおいて、露光前および現像後にそれぞれベーク（プリベーク、ポストベーク）処理を施すことを許容する。
【００２４】
次いで、前記フォトレジストパターンをマスクとしてモリブデン膜を例えば湿式エッチングにより選択的に除去してパターニングする。具体的には、モリブデン膜がモリブデン膜／アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜／モリブデン膜の三層構造配線材料膜の最上層の膜である場合、前記選択的なエッチングにより例えば信号線を形成する。ひきつづき、フォトレジストパターンを例えば湿式法により剥離する。このとき、フォトレジストパターンは適度に疎水化されたモリブデン膜に形成され、適切な強度で密着されているため、レジスト残渣を生じることなく、容易に除去される。この後、常法に従って電子デバイスを製造する。
【００２５】
前記湿式エッチングは、例えば硝酸、酢酸およびリン酸の混酸（広田電子工業社商標名：ＣＭＫ−２０１）等の混酸を用いて行うことができる。
【００２６】
前記フォトレジストパターンの湿式法による剥離は、例えばアルカノールアミン、グライコール等を用いて行うことができる。このような剥離液は、ナガセ電子化学社商品名：Ｎ−３２１が知られている。
以上説明したように、本発明の実施形態によれば表面にモリブデン膜を有する基板を加熱プレート上に設置し、液体のシランカップリング剤を不活性ガスでバブリングして気相状態で前記モリブデン膜表面に導入してシランカップリング処理する際、カップリング剤として一般式（Ｉ）に示すようにＳｉに結合した−Ｒ1基が短鎖のメチル基またはエチル基で、比較的低沸点であるため、前記加熱プレートによる基板上のモリブデン膜の温度を８０〜１２０℃の比較的低温に加熱することによって、Ｓｉに結合した−ＯＲ2が加水分解されてシラノール基を生成し、モリブデン膜に均一なカップリング結合がなされる。その結果、モリブデン膜の表面を適度に疎水化することができる。また、シランカップリング剤は例えばメチルトリエトキシシランのような一般式（Ｉ）で表され、アミノ基を含まないため、従来のようにシランカップリング剤としてヘキサメチルジシラザンを用いる場合のようなパーティクルの原因になるモリブデン酸アンモニウム塩の生成を回避できる。
【００２７】
したがって、シランカップリング処理後の疎水化されたモリブデン膜表面にフォトレジスト膜を形成することによって、フォトレジスト膜の密着性を向上できる。
【００２８】
このようなフォトレジスト膜にフォトリソグラフィーを適用し、モリブデン膜表面にフォトレジストパターンを形成し、このフォトレジストパターンをマスクとしてモリブデン膜を選択的にエッチング除去することによって、過度なサイドエッチングを招くことなく、そのフォトレジストパターンに忠実にパターンニングすることができる。
【００２９】
さらに、パターニング後のフォトレジストパーンをレジスト残渣を生じることなく容易に剥離除去することができる。
【００３０】
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【００３１】
（実施例１）
ガラス基板表面にモリブデン（Ｍｏ）をスパッタにより成膜して厚さ３００ｎｍのＭｏ膜を形成した。つづいて、このモリブデン膜を純水洗浄し、乾燥した後、このガラス基板を加熱プレート上に設置した。ひきつづき、気化器内に収容した液体のメチルトリメトキシシラン［ＣＨ3−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3、信越化学工業社製商標名；ＫＢＭ−１３］に窒素ガスを供給してバブリングし、メチルトリメトキシシランを気相状態で加熱プレートにより８０℃に加熱された基板表面のＭｏ膜に導入し、シランカップリング処理を施した。このとき、メチルトリメトキシシランはアミノ基を含まず、水分との反応でアンモニアを生成しないため、パーティクルの原因になるアンモニウム塩が生成されなかった。
【００３２】
（実施例２）
シランカップリング剤としてメチルトリエトキシシラン［ＣＨ3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3、信越化学工業社製商標名；ＫＢＥ−１３］を用いた以外、実施例１と同様な方法によりガラス基板のＭｏ膜にシランカップリング処理を施した。このとき、メチルトリエトキシシランはアミノ基を含まず、水分との反応でアンモニアを生成しないため、パーティクルの原因になるアンモニウム塩が生成されなかった。
【００３３】
（比較例１）
シランカップリング剤としてヘキサメチルジシラザン［ＨＭＤＳ：（ＣＨ3）3−ＳｉＮＨＳｉ−（ＣＨ3）3］を用いた以外、実施例１と同様な方法によりガラス基板のＭｏ膜にシランカップリング処理を施した。このとき、ＨＭＤＳは水と反応してアンモニアを生成し、さらにモリブデンと反応してモリブデン酸アンモニウム塩のパーティクルが生成された。
【００３４】
実施例１，２および比較例１によるシランカップリング処理後のモリブデン膜表面における水との接触角を測定した。その結果を図１に示す。
【００３５】
図１から明らかのように実施例１、２によりシランカップリング処理されたモリブデン膜は水との接触角が適切で、表面が疎水化されることがわかる。
【００３６】
（実施例３）
ガラス基板表面にＭｏ，Ａｌ，Ｍｏを順次スパッタ成膜してとＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造膜を形成した。つづいて、この三層構造膜のＭｏ膜をＵＶ／Ｏ3の洗浄、純水リンス、１２０℃のベークを施した。
【００３７】
次いで、ガラス基板を加熱プレート上に設置した。つづいて、気化器内に収容した液体のメチルトリメトキシシラン［ＣＨ3−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3、信越化学工業社製商標名；ＫＢＭ−１３］に窒素ガスを供給してバブリングし、メチルトリメトキシシランを気相状態で加熱プレートにより８０℃に加熱された基板表面のＭｏ膜に導入し、シランカップリング処理を施した。
【００３８】
次いで、シランカップリング処理したＭｏ膜表面にノボラック系のフォトレジスト
（東京応化社商標名：ＴＦＲ−９７０ＰＭ）を塗付、乾燥して例えば厚さ１μｍのフォトレジスト膜を形成した。このフォトレジスト膜を１２０℃でポストベークした後、露光装置（キャノン社製商標名：ＰＬＡ）で３０ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露光し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムハイドライドオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液で現像処理してフォトレジストパターンを形成した後、１２０℃でポストベークを行った。つづいて、このフォトレジストパターンをマスクとして前記Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造膜を２５℃の硝酸、酢酸およびリン酸の混酸で選択的に湿式エッチングすることにより三層構造のパターンを形成した。
【００３９】
（実施例４）
シランカップリング剤としてメチルトリエトキシシラン［ＣＨ3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3、信越化学工業社製商標名；ＫＢＥ−１３］を用いた以外、実施例３と同様な方法によりガラス基板上にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造のパターンを形成した。
【００４０】
（比較例２）
シランカップリング剤としてヘキサメチルジシラザン［ＨＭＤＳ：（ＣＨ3）3−ＳｉＮＨＳｉ−（ＣＨ3）3］を用いた以外、実施例３と同様な方法によりガラス基板上にＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造のパターンを形成した。
【００４１】
実施例３，４および比較例２による三層構造のパターン形成でのサイドエッチング量を測定した。その結果を図２に示す。なお、図２には参照例１としてシランカップリング処理を施さないＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造膜を実施例３と同様な方法でそのパターンを形成した際のサイドエッチング量を記載した。
【００４２】
図２から明らかなようにＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造膜のＭｏ膜表面をメチルトリメトキシシランでシランカップリング処理した実施例３では、パターン形成時のサイドエッチング量がシランカップリング未処理の参照例１、ＨＭＤＳでシランカップリング処理した比較例２に比べて抑制できることがわかる。これは、実施例３のようにＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造膜のＭｏ膜表面をメチルトリメトキシシランでシランカップリング処理することによって、この後のフォトレジスト膜の形成においてそのフォトレジスト膜がＭｏ膜に適度な強さで密着しているために起因する。
【００４３】
また、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造膜のＭｏ膜表面をメチルトリエトキシシランでシランカップリング処理した実施例４では、パターン形成時のサイドエッチング量が実施例３に比べてより一層抑制できることがわかる。
【００４４】
（実施例５）
まず、図３の（Ａ）に示すようにガラス基板１表面にスパッタにより例えば厚さ０．４μｍのモリブデン合金（Ｍｏ合金）膜を成膜し、このＭｏ合金膜をパターニングしてガラス基板１表面にゲート電極２を形成した。つづいて、このゲート電極２を含むガラス基板１表面に例えば厚さ１００ｎｍのＴＥＯＳからなるゲート絶縁膜３を形成した。例えば厚さ１００ｎｍの多結晶シリコン膜をＣＶＤ法により成膜し、この多結晶シリコン膜をパターニングして前記ゲート電極２に対向するゲート絶縁膜３表面に活性層４を形成した。ひきつづき、この活性層に不純物（例えばｎ型不純物のリン）を選択的にイオン注入してｎ型のソース、ドレイン領域５、６を形成した。
【００４５】
次いで、図３の（Ｂ）に示すように活性層４を含むゲート絶縁膜３表面にスパッタによりＭｏ，Ａｌ，Ｍｏをこの順序で成膜し、Ｍｏ膜（厚さ５０ｎｍ）７／Ａｌ膜（厚さ４００ｎｍ）８／Ｍｏ膜（厚さ５０ｎｍ）９の三層構造の配線材料膜１０を形成した。この配線材料膜１０のＭｏ膜をＵＶ／Ｏ3の洗浄、純水リンス、１２０℃のベークを施した。つづいて、ガラス基板１を加熱プレート（図示せず）上に設置した。ひきつづき、気化器内に収容した液体のメチルトリエトキシシラン［ＣＨ3−Ｓｉ−（ＯＣ2Ｈ5）3、信越化学工業社製商標名；ＫＢＥ−１３］に窒素ガスを供給してバブリングし、メチルトリエトキシシランを気相状態で加熱プレートにより８０℃に加熱された基板１上の配線材料膜１０のＭｏ膜９に導入し、シランカップリング処理を施した（図３の（Ｃ）図示）。
【００４６】
次いで、図３の（Ｄ）に示すようにシランカップリング処理した配線材料膜１０のＭｏ膜９表面にノボラック系のフォトレジスト（東京応化社商標名：ＴＦＲ−９７０ＰＭ）を塗付、乾燥して例えば厚さ１μｍのフォトレジスト膜１１を形成した。このフォトレジスト膜１１を１２０℃でポストベークした。つづいて、フォトレジスト膜１１を露光装置（キャノン社製商標名：ＰＬＡ）で３０ｍＪ／ｃｍ2の露光量で露光し、２．３８％のＴＭＡＨ水溶液で現像処理してフォトレジストパターン１２を形成した後、１２０℃でポストベークを行った。ひきつづき、このフォトレジストパターン１２をマスクとして前記Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの配線材料膜１０を２５℃の硝酸、酢酸およびリン酸の混酸（広田電子工業社商標名：ＣＭＫ−２０１）で選択的に湿式エッチングすることにより前記ソース、ドレイン領域５、６にそれぞれＭｏ膜７を介してオーミック接続された信号線としてのソース、ドレイン配線１３、１４を形成した（図４の（Ｅ）図示）。
【００４７】
次いで、フォトレジストパターン１２をナガセ電子化学社商品名：Ｎ−３２１の剥離液で湿式剥離、除去した。このとき、図４の（Ｆ）に示すようにソース、ドレイン配線１３、１４表面にレジスト残渣が認められなかった。つづいて、図４の（Ｇ）に示すようにゲート絶縁膜３表面に一端が前記ドレイン配線１４に延出して接続され、他端が画素（図示せず）と一体的に接続されたＩＴＯ配線１５を形成した後、例えばＳｉＮからなる保護膜１６を形成することにより液晶表示装置を製造した。
【００４８】
得られた液晶表示装置は、フォトレジストパターン１２に忠実で高精度のＭｏ膜７／Ａｌ膜８／Ｍｏ膜９の三層構造のソース、ドレイン配線１３、１４が形成され、かつそれらソース、ドレイン配線１３、１４のＭｏ膜９表面へのパーティクルの発生も認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例１，２および比較例１によるシランカップリング処理後のモリブデン膜表面における水との接触角を示す線図。
【図２】実施例３，４、比較例２および参照例１による三層構造のパターン形成でのサイドエッチング量を示す線図。
【図３】実施例５における液晶表示装置の製造工程を示す断面図。
【図４】実施例５における液晶表示装置の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
【００５０】
１…ガラス基板、２…ゲート電極、３…ゲート絶縁膜、５…ソース領域、６…ドレイン領域、７、９…Ｍｏ膜、８…Ａｌ膜、１０…配線材料膜、１１…フォトレジスト膜、１２…フォトレジストパターン、１３…ソ−ス配線、１４…ドレイン配線、１５…ＩＴＯ配線、１６…保護膜。
【図１】
2006156466.tif 000006
【図２】
2006156466.tif 000007
【図３】
2006156466.tif 000008
【図４】
2006156466.tif 000009