(57)【要約】【課題】光学特性を改善したアクティブマトリックス駆動方式液晶ディスプレイパネルを提供する。【解決手段】上記課題を解決するために、ゲートライン信号が通過した後に降下する液晶素子への印加電圧を復旧するため、当該ピクセル中の電荷蓄積キャパシタの電荷蓄積量の変動を調整する。この電荷量の調整は二つのスイッチング素子を用いてコモンラインを上述の電荷蓄積キャパシタのコモン電極側に接続することにより可能となる。一つのスイッチング素子はゲートライン信号により作動して印加電圧はコモンライン電圧に等しく、もう一つのスイッチング素子は次のゲートライン信号により作動して一旦減少した電荷蓄積量を次のコモンライン電圧を利用して補充する。半透過型液晶ディスプレイパネルまたはカラー液晶ディスプレイパネルではピクセル単位で同様に電荷蓄積量を調整する。【選択図】図９
2006350335.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データラインとゲートラインとの交点部近くにスイッチングトランジスタを有し、当該トランジスタのゲート電極がゲートラインに接続し、又当該トランジスタのソース電極がデータラインに接続され、さらに当該トランジスタのドレイン電極が画素の画素電極に接続され、当該画素電極側には電荷蓄積キャパシタが画素に並列に接続された構造をもつピクセル（以下、同様の構造をもつユニットを単に「ピクセル」と称する。）がマトリックス状に複数配置されたアクティブマトリックス基板を用いた液晶ディスプレイパネルに発生するフィードスルー電圧降下を復旧する方法であって、
当該トランジスタの“オン”作動により当該電荷蓄積キャパシタに蓄積された電荷蓄積量のうち当該トランジスタの“オフ”作動後に一部失われる電荷蓄積量を補充することを特徴とするフィードスルー電圧降下を復旧する方法。
【請求項２】
ゲートライン（ｍ）、データライン（ｎ）に位置する前記ピクセル（以下、位置座標を単に（ｍ、ｎ）と表記する。）を構成する電荷蓄積キャパシタの画素と接続されていない側の電極（以下、「コモン電極」と称する。）にスイッチング素子Ａ及びスイッチング素子Ｂを接続し、下記工程Ａ及び工程Ｂを実施して当該電荷蓄積キャパシタへの電荷蓄積量を補充する請求項１に記載のフィードスルー電圧降下を復旧する方法。
工程Ａ：  スイッチング素子Ａをゲートライン（ｍ）の信号により“オン”作動させ、当該電荷蓄積キャパシタのコモン電極をコモンラインと接続する工程。
工程Ｂ：  スイッチング素子Ｂを共通のデータライン（ｎ）上における次のピクセル（ｍ＋１，ｎ）のゲートライン（ｍ＋１）の信号により“オン”作動させ、当該電荷蓄積キャパシタのコモン電極をコモンライン１と接続する工程。
【請求項３】
前記工程Ｂで電荷蓄積キャパシタに印加される電圧を前記工程Ａで電荷蓄積キャパシタに印加される電圧よりも高くして前記電荷蓄積量への補充を実施する請求項１又は請求項２に記載のフィードスルー電圧降下を復旧する方法。
【請求項４】
前記電荷蓄積キャパシタとは別にコモン電極がゲートライン（ｍ＋１）に接続された１以上の電荷蓄積キャパシタを前記ピクセル（ｍ、ｎ）に用いて前記電荷蓄積量への補充を実施する請求項１〜請求項３のいずれかに記載のフィードスルー電圧降下を復旧する方法。
【請求項５】
同一のゲートラインと交差しているデータラインの交点内に配置されている複数のピクセルのうちから任意に選択された１以上のピクセルを対象として前記電荷蓄積量への補充を実施する請求項１〜請求項４のいずれかに記載のフィードスルー電圧降下を復旧する方法。
【請求項６】
前記ピクセルはサブピクセルを含んだものであり、当該ピクセル単位で前記電荷蓄積量への補充を実施する請求項１〜請求項５のいずれかに記載のフィードスルー電圧降下を復旧する方法。
【請求項７】
液晶ディスプレイパネルの温度を参照して電荷蓄積キャパシタに印加される電圧を調整し前記電荷蓄積量への補充を実施する請求項１〜請求項６のいずれかに記載のフィードスルー電圧降下を復旧する方法。
【請求項８】
フィードスルー電圧降下を復旧する機能を有する液晶ディスプレイパネルであって、
スイッチングトランジスタのオン作動により電荷蓄積キャパシタに蓄積された電荷蓄積量のうち当該トランジスタのオフ作動後に一部失われる電荷蓄積量を補充する機能を有するピクセルを配置したアクティブマトリックス基板を用いたことを特徴とする液晶ディスプレイパネル。
【請求項９】
前記アクティブマトリックス基板に配置されたピクセル（ｍ、ｎ）を構成する電荷蓄積キャパシタのコモン電極には以下の機能を有するスイッチング素子Ａ及びスイッチング素子Ｂが接続していることを特徴とする請求項８に記載の液晶ディスプレイパネル。
スイッチング素子Ａ：ゲートライン信号がゲートライン（ｍ）を通過するときに“オン”作動し、ゲートライン（ｍ）と当該電荷蓄積キャパシタとを接続する機能。
スイッチング素子Ｂ：ゲートライン信号がゲートライン（ｍ＋１）を通過するときに“オン”作動し、ゲートライン（ｍ＋１）と当該電荷蓄積キャパシタとを接続する機能。
【請求項１０】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）は前記電荷蓄積キャパシタとは別にコモン電極がゲートライン（ｍ＋１）に接続した１以上の電荷蓄積キャパシタを並列配置したものである請求項８又は請求項９に記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）がアクティブマトリックス基板内から任意に選択された一部分に配置された請求項８〜請求項１０のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）が透過領域用サブピクセルと反射領域用サブピクセルを含んだ半透過型液晶ディスプレイパネルである請求項８〜請求項１１のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）がＲ、Ｇ、Ｂ用サブピクセルを含んだカラー液晶ディスプレイパネルである請求項８〜請求項１１のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記スイッチング素子Ｂが温度補償用電圧調整器に接続していることを特徴とする請求項８〜請求項１３のいずれかに記載の液晶ディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件発明は、液晶ディスプレイパネルの光学特性の改善方法及び光学特性を改善した液晶ディスプレイパネルに関する。特に、フィードスルー電圧降下を復旧させることにより光学特性を改善した液晶ディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
データラインとゲートラインとの交点部近くにスイッチングトランジスタを有し、当該トランジスタのゲート電極がゲートラインに接続し、又当該トランジスタのソース電極がデータラインに接続され、さらに当該トランジスタのドレイン電極が画素の画素電極に接続され、当該画素電極側には画素に並列に電荷蓄積キャパシタが接続された構造をもつピクセルがマトリックス状に複数配置されたアクティブマトリックス基板を用いた液晶ディスプレイ（以下、「ＬＣＤ」：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｉｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙと称する）パネルでは、ピクセル（ｍ、ｎ）においてはデータライン（ｎ）と交差するゲートライン（ｍ）の信号がＨ−状態（Ｖｇｈ）からＬ−状態（Ｖｇｌ）にシフトした後も、コモンラインとの間で画素に印加されている電圧を適正時間保持していることが好ましい。この電圧は、上記基本的な回路構成を示す図１を単位ユニットとする各ピクセル全体の有する電荷蓄積容量により保持される。そして電荷の一部はコモンラインに接続している側のコモン電極とスイッチング素子経由データライン（ｎ）に接続している画素電極で液晶物質を挟んだ構造を有する画素にも保存されている。本件出願の各図においてはこの画素及びその電荷蓄積容量をＣｌｃで示している。そして、スイッチング素子には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を採用することが多いため、以下本件出願における説明の理解を容易にするために画素Ｃｌｃの駆動用に用いるスイッチング素子にはＴＦＴを用いていることとし、スイッチング素子を「ＴＦＴ−Ｓ」と称する。このＴＦＴ−Ｓはゲートラインに接続されているゲート電極、データラインと接続されているドレイン電極、そして画素電極と接続されている画素電極とで構成されている。また、電荷蓄積キャパシタＣｓｔはピクセル全体の電荷蓄積容量を増加する機能を持ち、画素Ｃｌｃを最適に駆動する電圧設定になるよう適切に電荷蓄積容量が設定されていて画素と並列に接続されている。そして、図１においてはもう一つのキャパシタＣｇｓがＴＦＴ−Ｓと並列に接続されているが、これはＴＦＴ−Ｓ自身がゲート電極・ドレイン電極間に有している寄生容量を表している。。
【０００３】
まず、図１に示す等価回路を用いた場合について、実際の動作とこれに係わる問題点を説明する。この例におけるゲートライン（ｍ−１）に与えられる信号レベルの推移ａ、ゲートライン（ｍ）に与えられる信号レベルの推移ｂ、ゲートライン（ｍ＋１）に与えられる信号レベルの推移ｃ、データライン（ｎ）に与えられる信号レベルの推移ｄと結果として得られる画素（Ｃｌｃ）の電圧レベルの推移ｅを図２に示した。このように２段階の電圧レベルを有する矩形パルス信号のＶｇｈをゲートライン（ｍ）に与えると、これを受けＴＦＴ−Ｓが“オン”になる。その後電圧レベルがＶｇｌに変化するとＴＦＴ−Ｓは“オフ”になり前記ＴＦＴ−Ｓの寄生容量Ｃｇｓが発生するのである。すると電荷蓄積キャパシタＣｓｔ及び画素Ｃｌｃに寄生容量Ｃｇｓが加わったピクセル内全体の電荷蓄積容量に対してそれまで蓄積されていた電荷蓄積量の再配分が発生し、結果として画素に対しては電圧降下を引き起こしてしまうのである。詳細は後述するが、この時画素Ｃｌｃに発生する電圧降下ΔＶｆは電荷蓄積量の再配分の状況から以下の数１で表わされる。
【０００４】
【数１】
2006350335.tif 000003
【０００５】
この画素Ｃｌｃに対する電圧降下ΔＶｆが、いわゆるフィードスルー電圧降下である。フィードスルー電圧降下の発生は画素Ｃｌｃ自身に印加される電圧が最適条件から降下することであり、白黒のＬＣＤパネルのコントラスト及びカラーＬＣＤパネルのγ曲線形状に大きな影響を与えるものとして極力小さくし、またパネル内でのばらつきを小さくする試みがなされている。
【０００６】
特許文献１にはゲートライン信号の矩形パルスの立ち下がり部分を緩やかにして電圧降下を復旧する技術が開示されている。この様な技術対応の理解が容易になるよう図３に示す等価回路を採用し、特許文献１とは異なるが図３に示す等価回路に三段階の電圧レベルを有するパルス波形を用いた場合にゲートライン信号の波形が画素電圧にどのように影響するかを例示して解説する。この等価回路では電荷蓄積キャパシタＣｓｔのコモン電極は、コモンラインではなく隣接するゲートライン（ｍ−１）に接続している。
【０００７】
この例におけるゲートライン（ｍ−１）に与えられる信号レベルの推移ａ、ゲートライン（ｍ）に与えられる信号レベルの推移ｂ、ゲートライン（ｍ＋１）に与えられる信号レベルの推移ｃ、データライン（ｎ）に与えられる信号レベルの推移ｄ及び画素（Ｃｌｃ）の電圧レベルの推移ｅを図４に示す。ゲートライン（ｍ）の信号がＶｇｌからＶｇｈに変化するとＴＦＴ−Ｓが“オン”作動して画素に電圧が印加されて画素と電荷蓄積キャパシタに電荷が蓄積され、画素電圧は上昇する。しかし、その後ゲートライン（ｍ）の信号はＶｇｌからＶｇｃに変化するためＴＦＴ−Ｓが“オフ”作動し、フィードスルー電圧降下が発生する。そしてゲートライン（ｍ＋１）の信号がＶｇｌからＶｇｈに変化する時、ゲートライン（ｍ−１）の信号はＶｇｃからＶｇｌに変化し、画素電圧は第一段階引き上げられる。そして次にゲートライン（ｍ）の信号がＶｇｃからＶｇｌに変化する時、画素電圧は第二段階に更に引き上げられ、その結果フィードスルー電圧降下は一部が復旧する。この方式を用いるときに設定されるＶｇｃは、Ｖｇｈ、Ｖｇｌ、Ｃｓｔ及びＣｇｓを用い以下の数２で表わされることになる。
【０００８】
【数２】
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【０００９】
このように多段階の電圧を有する波形をゲートラインに適用することはフィードスルー電圧降下の復旧に有効ではあるが、画素電圧を第二段階に更に引き上げるための第三段階のゲートライン信号は、電荷蓄積キャパシタＣｓｔがゲートラインに接続している図３に示した等価回路の時だけ有効で、電荷蓄積キャパシタＣｓｔがコモンラインに接続している図１に示した基本的な等価回路ではこの方法は適用できず、特許文献１が開示するようにゲートライン信号の波形調整用インバーターなどの設置が必要となる。
【００１０】
そして、特許文献２には各ピクセルを構成するＴＦＴ−Ｓが有する寄生容量をその座標位置に対応した電荷蓄積容量に設計し、意識的に変化させることでフィードスルー電圧降下の影響を回避する技術が開示されているが、設計及び作り込みは困難である。
【００１１】
【非特許文献１】初めての液晶ディスプレイ  （１０８−１１１：２００４  ４月２０日発行）
【特許文献１】特開平０６−１１００３５号公報
【特許文献２】特開２００１−０７５１２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本件発明は、フィードスルー電圧降下の復旧方法及びその方法によりフィールドスルー電圧降下を減少させた液晶ディスプレイパネルを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本件発明に係るＬＣＤパネルは片面に配したパネルとその対面に配したパネルとの間に複数の画素を有しており、当該画素がアクティブマトリックス方式で駆動されて画像を表示する。そこで、本件発明の理解を容易にするために、基本的な駆動方式となる構成を説明しておく。図１に示すように、画像表示の単位要素である各ピクセルは基本的にはＴＦＴ−Ｓ、コモンラインに接続されるコモン電極とＴＦＴ−Ｓを経てデータラインに接続される画素電極とに挟まれた液晶層で構成されている画素Ｃｌｃ、そして片側の電極が前記画素電極に接続されている電荷蓄積キャパシタＣｓｔとで構成されている。そして、この構成から明らかなように電荷蓄積キャパシタＣｓｔの画素電極とコモン電極との間に印加される電圧は画素Ｃｌｃに印加されている電圧と等しくなっている。前述の如くゲートライン信号が到達してＴＦＴ−Ｓが“オン”作動すると、コモン電極と画素電極間にはゲートライン電圧が印加されて画素と電荷蓄積キャパシタに電荷が蓄積されるが、ＴＦＴ−Ｓの有している寄生容量Ｃｇｓは機能していない。しかし、ゲートライン信号が通過してＴＦＴ−Ｓが“オフ”作動するとＴＦＴ−Ｓの有している寄生容量Ｃｇｓが機能し、これに起因して当該ピクセル内に蓄積されている電荷蓄積量の再配分（移動）が生じ、画素及び電荷蓄積キャパシタの保有する電荷蓄積量は減少する。そして、画素及び電荷蓄積キャパシタの保有する電荷蓄積量の減少は電荷蓄積容量Ｃｌｃ及びＣｓｔが一定であるため電圧降下の原因となり、フィードスルー電圧降下が発生するのである。以下本件発明に係るフィードスルー電圧降下の復旧方法について説明する。
【００１４】
本件発明は、データラインとゲートラインとの交点部近くにＴＦＴ−Ｓを有し、当該ＴＦＴ−Ｓタのゲート電極がゲートラインに接続し、又当該ＴＦＴ−Ｓのソース電極がデータラインに接続され、さらに当該ＴＦＴ−Ｓのドレイン電極が画素の画素電極に接続され、当該画素電極側には電荷蓄積キャパシタが画素に並列に接続された構造をもつピクセルがマトリックス状に複数配置されたアクティブマトリックス基板を用いた液晶ディスプレイパネルに発生するフィードスルー電圧降下を復旧する方法であって、当該ＴＦＴ−Ｓの“オン”作動により当該電荷蓄積キャパシタに蓄積された電荷蓄積量のうち当該ＴＦＴ−Ｓの“オフ”作動後に一部失われる電荷蓄積量を補充することを特徴とするフィードスルー電圧降下を復旧する方法を提供する。
【００１５】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）を構成する当該電荷蓄積キャパシタの画素と接続されていない側の電極（以下、「コモン電極」と称する。）にスイッチング素子Ａ（以下、「ＴＦＴ−Ａ」と称する。）及びスイッチング素子Ｂ（以下、「ＴＦＴ−Ｂ」と称する。）を接続し、下記工程Ａ及び工程Ｂを実施して当該電荷蓄積キャパシタへの電荷蓄積量を補充することも好ましい。
工程Ａ：  ＴＦＴ−Ａをゲートライン（ｍ）の信号により“オン”作動させ、当該電荷蓄積キャパシタのコモン電極をコモンラインと接続する工程。
工程Ｂ：  ＴＦＴ−Ｂを共通のデータライン（ｎ）上における次のピクセル（ｍ＋１，ｎ）のゲートライン（ｍ＋１）の信号により“オン”作動させ、当該電荷蓄積キャパシタのコモン電極を次のコモンライン１と接続する工程。
【００１６】
前記工程Ｂで電荷蓄積キャパシタに印加される電圧を前記工程Ａで電荷蓄積キャパシタに印加される電圧よりも高くして前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。
【００１７】
前記電荷蓄積キャパシタとは別にコモン電極がゲートライン（ｍ＋１）に接続された１以上の電荷蓄積キャパシタを前記ピクセル（ｍ、ｎ）に用いて前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。
【００１８】
同一のゲートラインと交差しているデータラインの交点内に配置されている複数のピクセルのうちから任意に選択された１以上のピクセルを対象として前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。
【００１９】
前記ピクセルはサブピクセルを含んだものであり、当該ピクセル単位で前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。
【００２０】
ＬＣＤパネルの温度を参照して電荷蓄積キャパシタに印加される電圧を調整し、前記電荷蓄積量への補充を実施してフィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。
【００２１】
本件発明はフィードスルー電圧降下を復旧する機能を有するＬＣＤパネルであって、ＴＦＴ−Ｓの“オン”作動により電荷蓄積キャパシタに蓄積された電荷蓄積量のうち当該ＴＦＴ−Ｓの“オフ”作動後に一部失われる電荷蓄積量を補充する機能を有するピクセルを配置したアクティブマトリックス基板を用いたことを特徴とするＬＣＤパネルを提供する。
【００２２】
前記アクティブマトリックス基板に配置されたピクセル（ｍ、ｎ）を構成する電荷蓄積キャパシタのコモン電極には以下の機能を有するＴＦＴ−Ａ及びＴＦＴ−Ｂが接続したＬＣＤパネルであることも好ましい。
ＴＦＴ−Ａ：ゲートライン信号がゲートライン（ｍ）を通過するときに“オン”作動し、ゲートライン（ｍ）と当該電荷蓄積キャパシタとを接続する機能。
ＴＦＴ−Ｂ：ゲートライン信号がゲートライン（ｍ＋１）を通過するときに“オン”作動し、ゲートライン（ｍ＋１）と当該電荷蓄積キャパシタとを接続する機能。
【００２３】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）は前記電荷蓄積キャパシタとは別にコモン電極がゲートライン（ｍ＋１）に接続した１以上の電荷蓄積キャパシタを並列配置したものであるＬＣＤパネルであることも好ましい。
【００２４】
前記ピクセルがアクティブマトリックス基板内から任意に選択された一部分に配置されたＬＣＤパネルであることも好ましい。
【００２５】
前記ＬＣＤパネルは、前記ピクセル（ｍ、ｎ）が透過領域用サブピクセルと反射領域用サブピクセルを有する半透過型ＬＣＤパネルであることも好ましい。
【００２６】
前記ＬＣＤパネルは、前記ピクセル（ｍ、ｎ）がＲ、Ｇ、Ｂ用サブピクセルを有するカラーＬＣＤパネルであることも好ましい。
【００２７】
前記ＬＣＤパネルは、前記ＴＦＴ−Ｂが温度補償用電圧調整器に接続したアクティブマトリックス基板を用いてなるＬＣＤパネルであることも好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本件発明によりフィードスルー電圧降下を減少させることができ、ＬＣＤパネルのフリッカや残像、焼き付きの発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図５〜図１３を参照しつつ本件発明をを実施するための最良の形態を明らかにする。
【００３０】
本件発明は、データラインとゲートラインとの交点部近くにＴＦＴ−Ｓを有し、当該ＴＦＴ−Ｓのゲート電極がゲートラインに接続し、又当該ＴＦＴ−Ｓのソース電極がデータラインに接続され、さらに当該ＴＦＴ−Ｓのドレイン電極が画素の画素電極に接続され、当該画素電極側には電荷蓄積キャパシタが画素に並列に接続された構造をもつピクセルが複数マトリックス状に配置されたアクティブマトリックス基板を用いたＬＣＤパネルに発生するフィードスルー電圧降下を復旧する方法であって、当該ＴＦＴ−Ｓの“オン”作動により当該電荷蓄積キャパシタに蓄積された電荷蓄積量のうち当該ＴＦＴ−Ｓの“オフ”作動後に一部失われる電荷蓄積量を補充することを特徴とするフィードスルー電圧降下を復旧する方法を提供する。
【００３１】
前述のように、図１に示すＬＣＤパネルの一般的な構造では各ピクセルは基本的にはＴＦＴ−Ｓ、コモンラインに接続されるコモン電極とＴＦＴ−Ｓを経てデータラインに接続される画素電極とに挟まれた液晶層から構成されている画素Ｃｌｃ、そして前記画素電極側に画素と並列に接続されている電荷蓄積キャパシタＣｓｔとで構成されており、ゲートライン信号が到達してＴＦＴ−Ｓが“オン”作動すると画素と電荷蓄積キャパシタＣｓｔとに電荷が蓄積され、この電荷蓄積キャパシタＣｓｔに印加される電圧は画素Ｃｌｃに印加されている電圧と等しく、蓄積電荷量は飽和になっている。そしてゲートライン信号が通過してＴＦＴ−Ｓが“オフ”作動すると蓄積している電荷がＴＦＴ−Ｓが有する寄生容量Ｃｇｓをも含むピクセル内のキャパシタに再配分される。すると、電荷蓄積キャパシタＣｓｔ及び画素Ｃｌｃに蓄積されていた電荷蓄積量は減少し、コモン電極と画素電極間には電圧降下、いわゆるフィードスルー電圧降下が発生するのである。すなわち、このフィードスルー電圧降下とは電荷蓄積キャパシタＣｓｔが有する電荷蓄積量の低下に起因して発生したものであるため、電荷を補充することにより電圧の復旧が可能になるのである。よって、当該ゲートライン（ｍ）を信号が通過した後、補助的に設けたラインを通じて電荷蓄積キャパシタＣｓｔを速やかに次のコモンラインと接続することにより電荷の速やかな補充が可能となり電圧降下を最小にすることができるのである。
【００３２】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）を構成する当該電荷蓄積キャパシタのコモン電極にＴＦＴ−Ａ及びＴＦＴ−Ｂを接続し、下記工程Ａ及び工程Ｂを実施して当該電荷蓄積キャパシタの電荷蓄積量を補充することも好ましい。
工程Ａ：  ＴＦＴ−Ａをゲートライン（ｍ）の信号により“オン”作動させ、当該電荷蓄積キャパシタのコモン電極をコモンラインと接続する工程。
工程Ｂ：  ＴＦＴ−Ｂを共通のデータライン（ｎ）上における次のピクセル（ｍ＋１，ｎ）のゲートライン（ｍ＋１）の信号により“オン”作動させ、当該電荷蓄積キャパシタのコモン電極を次のコモンライン１と接続する工程。
【００３３】
図５に示すように対象となるピクセル（ｍ、ｎ）に与えられたゲートライン信号はＴＦＴ−ＳおよびＴＦＴ−Ａを“オン”にして画素Ｃｌｃを作動させる。そして同時に電荷蓄積キャパシタＣｓｔをコモンラインと接続するのであるが、この信号が次のピクセル（ｍ＋１、ｎ）に移動してしまうとＴＦＴ−Ａは“オフ”になってＴＦＴ−Ｓの寄生容量が機能して電荷蓄積キャパシタＣｓｔ及び画素に蓄積された電荷蓄積量はその一部が失われ、フィードスルー電圧降下が発生するのである。しかし、次のピクセル（ｍ＋１、ｎ）に与えられたゲートライン信号がＴＦＴ−Ｂを“オン”にすることにより当該電荷蓄積キャパシタＣｓｔのみをコモンライン１に接続し、電荷蓄積キャパシタＣｓｔに蓄積されている電荷蓄積量をゲートライン信号が通過する前の電荷蓄積量レベルに補充するのである。この時のゲートライン（ｍ−１）に与えられる信号レベルの推移をａ、ゲートライン（ｍ）に与えられる信号レベルの推移をｂ、ゲートライン（ｍ＋１）に与えられる信号レベルの推移をｃ、データライン（ｎ）に与えられる信号レベルの推移をｄ、画素（Ｃｌｃ）の電圧レベルの推移をｅ、電荷蓄積キャパシタ（Ｃｓｔ）の電圧レベルの推移をｆとして図６に示す。この場合、ＴＦＴ−Ｂ経由で接続されるコモンライン１の接地電圧はＴＦＴ−Ａ経由で接続されたときのコモンラインの接地電圧と同一であるとは限らない。即ち、この時電荷蓄積キャパシタＣｓｔに印加される電圧をＴＦＴ−Ａ経由印加された電圧と比較すると高低いずれの方向にも変化しうるのではあるが、後述するように低下のレベルはフィードスルー電圧降下に比べてごくわずかであるため電荷蓄積キャパシタＣｓｔの電荷蓄積量をゲートライン信号が通過する前の電荷蓄積量レベルに補充することができるのである。
【００３４】
そして、前記工程Ｂで電荷蓄積キャパシタに印加される電圧を前記工程Ａで電荷蓄積キャパシタに印加される電圧よりも高くして前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。前述のように、電荷蓄積キャパシタに補充される電荷蓄積量やフィードスルー電圧降下の復旧に要する時間も変動しうるのであるが、これは工程Ｂで印加する電圧の影響を受けているのである。即ち、後述するように、工程Ｂで印加される電圧が工程Ａで印加された電圧に対しあるレベルを超えていることがフィードスルー電圧降下を速やかに、そしてその全てを復旧するためにはより好ましいのである。
【００３５】
前記電荷蓄積キャパシタとは別にコモン電極がゲートライン（ｍ＋１）に接続された１以上の電荷蓄積キャパシタを前記ピクセル（ｍ、ｎ）に用いて前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。基本構成では図５に示すようにＴＦＴ−Ａを経由してコモンラインに接続された電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１は電荷補充を受けて画素の経時的な電圧降下を抑制し、ＴＦＴ−Ｂを経由して電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１への電荷補充することによりフィードスルー電圧降下を復旧するのである。しかし、図７に示すように更にゲートライン（ｍ＋１）に接続された電荷蓄積キャパシタＣｓｔ２を有していることによりＴＦＴ−Ｂを経由した電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１への電荷補充と同時に電荷蓄積キャパシタＣｓｔ２も電荷補充を受けることになり、フィードスルー電圧降下の復旧効果を高めることができるのである。
【００３６】
同一のゲートラインと交差しているデータラインの交点内に配置されている複数のピクセルのうちから任意に選択された１以上のピクセルを対象として前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。例えば図８に示すように、フィードスルー電圧降下がＬＣＤパネルの光学特性に影響しない部位または光学特性に配慮しなくても良い部位が存在しているのであれば、その部分には適用する必要はなく、コモンラインと接続しておけばよいのである。
【００３７】
すなわち、電荷蓄積キャパシタに蓄積されている電荷量のゲートライン信号が通過する前の電荷蓄積量への補充は図８に示す構成にするなどしてＬＣＤパネルの左右いずれか片側だけを対象として実施したり、図９に示すように左右両側から駆動してＬＣＤパネル全体またはＬＣＤパネルの中央部を除く左右の特定範囲を対象として実施することも可能である。前述のように特性改善が必要なＬＣＤパネル面内の部位に限定して適用することが省エネルギーになるのではあるが、パネルサイズが大きい場合などには面内のばらつきが小さくなるよう全面に対して適用することが推奨されるのである。
【００３８】
そして、半透過型ＬＣＤパネルに適用する場合には透過領域用サブピクセルと反射領域用サブピクセルでは使用する画素が異なるため、必要とされるフィードスルー電圧降下への対応を必要とされるレベルが異なっている。よって、それぞれの画素であるＣＴおよびＣＲに対応する電荷蓄積キャパシタの電荷蓄積容量もＣｓｔ１とＣｓｔ２と最適な電荷蓄積容量に設定しておき、個別の電荷蓄積キャパシタへ必要相当量の電荷を補充してやることが好ましいのである。
【００３９】
また、カラーＬＣＤパネルでは各Ｒ、Ｇ、Ｂに対応するサブピクセル毎に必要とされるフィードスルー電圧降下への対応レベルが異なるため、配置される電荷蓄積キャパシタの電荷蓄積容量もＣｓｔｒ、Ｃｓｔｇ、Ｃｓｔｂと最適な電荷蓄積容量に設定しておき、個別の電荷蓄積キャパシタへ必要相当量の電荷を補充するのが好ましいのである。
【００４０】
前記ピクセルはサブピクセルを含んだものであり、当該ピクセル単位で前記電荷蓄積量への補充を実施し、フィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。前述のように、サブピクセルを有する半透過型ＬＣＤパネルやカラーＬＣＤパネルでは既に特性バランスを考慮した設計で作り込まれているため、サブピクセル単位でフィードスルー電圧降下を復旧する必要はないのである。
【００４１】
ＬＣＤパネルの温度を参照して電荷蓄積キャパシタに印加される電圧を調整し、前記電荷蓄積量への補充を実施してフィードスルー電圧降下を復旧することも好ましい。ＬＣＤパネルはその設置されている環境の温度によっても特性が変動しうるものであるため、前述の機能により最適化された場合であっても使用雰囲気温度の影響までは補正することはできない。従って、図１２に示すように温度補償機能のみを実施することも特性を改善し安定化させる上で好ましいのである。
【００４２】
本件発明はフィードスルー電圧降下を復旧する機能を有するＬＣＤパネルであって、ＴＦＴ−Ｓの“オン”作動により当該電荷蓄積キャパシタに蓄積された電荷のうち当該ＴＦＴ−Ｓの“オフ”作動後に一部失われる電荷蓄積量を補充する機能を有するピクセルを配置したアクティブマトリックス基板を用いたことを特徴とするＬＣＤパネルを提供する。
【００４３】
前述のように、フィードスルー電圧降下はＴＦＴ−Ｓが“オン”作動することによりピクセル内に蓄積された電荷蓄積量がＴＦＴ−Ｓが“オフ”作動することによってＴＦＴ−Ｓに発生する寄生容量も含んだピクセル内のキャパシタ全体に再配分され、画素と電荷蓄積キャパシタの蓄積電荷量が減少することにより発生するのである。従って、ＴＦＴ−Ｓが“オフ”作動した後に寄生容量見合いの電荷蓄積量を全て補充できればフィードスルー電圧降下は完全に復旧でき、寄生容量見合いの電荷蓄積量が補充されなかった場合でも補充電荷量見合いの降下電圧が復旧できるため、画質が改善されたＬＣＤパネルとなるのである。
【００４４】
前記アクティブマトリックス基板に配置されたピクセル（ｍ、ｎ）を構成する電荷蓄積キャパシタのコモン電極には以下の機能を有するＴＦＴ−Ａ及びＴＦＴ−Ｂが接続されたＬＣＤパネルであることも好ましい。
ＴＦＴ−Ａ：ゲートライン信号がゲートライン（ｍ）を通過するときに“オン”作動し、ゲートライン（ｍ）と当該電荷蓄積キャパシタとを接続する機能。
ＴＦＴ−Ｂ：ゲートライン信号がゲートライン（ｍ＋１）を通過するときに“オン”作動し、ゲートライン（ｍ＋１）と当該電荷蓄積キャパシタとを接続する機能。
【００４５】
上記構成とすることにより、マトリックスを構成する画素Ｃｌｃや電荷蓄積キャパシタＣｓｔの形成時にその特性上のばらつきがあったとしても電圧降下が見られる時間を短縮した上に常に安定した電圧が得られることになり、ＬＣＤパネルのフリッカなどの現象が発生しにくいＬＣＤパネルとなるのである。
【００４６】
前記ピクセル（ｍ、ｎ）は前記電荷蓄積キャパシタとは別にコモン電極がゲートライン（ｍ＋１）に接続した１以上の電荷蓄積キャパシタを並列配置したものであるＬＣＤパネルであることも好ましい。当該電荷蓄積キャパシタＣｓｔの電荷蓄積容量は大きい程フィードスルー電圧降下のレベルを小さくできるのではあるが、ゲートライン信号の減衰にも配慮すると、後述するようにＬＣＤパネル全面に対して必要であるとは限らないため、必要部分にだけ適用したＬＣＤパネルとすることが好ましいのである。
【００４７】
前記ピクセルがアクティブマトリックス基板内から任意に選択された一部分に配置されたＬＣＤパネルであることも好ましい。最近の家庭用ディスプレイではワイド画面との切り替えが一般的になっており、ワイド画面は主に特に高精細な画像が得られるディジタル放送やハイビジョン映像に多い。従って従来サイズのパネルでは画面のうち上端又は下端には高品位対応の必要がない場合があり得、この場合には部分的な適用にとどめたＬＣＤパネルとすることで、生産コストの低減と省エネルギー対応ができるのである。
【００４８】
前記ＬＣＤパネルは透過領域と反射領域を有する半透過型ＬＣＤパネルであることも好ましい。半透過型ＬＣＤパネルではその視認性が透過領域と反射領域とのバランスで変動するものであり、最適に設計されたそれぞれの画素が最適に駆動される故に、視認性の良好なＬＣＤパネルなのである。
【００４９】
前記ＬＣＤパネルはＲ、Ｇ、Ｂ用サブピクセルを有するカラーＬＣＤパネルであることも好ましい。このカラーＬＣＤパネルも半透過型ＬＣＤパネルの場合と同様各画素が設計値に対して最適な特性を発揮するものとなり、現状では最も高品位が要求されるデジタルハイビジョン画像の観賞用としても十分用いうるものである。
【００５０】
前記ＬＣＤパネルは、前記ＴＦＴ−Ｂが温度補償用電圧調整器に接続しているアクティブマトリックス基板を用いたＬＣＤパネルであることも好ましい。ここで用いる電圧調整器は、前述の様なゲートライン（ｍ＋１）の信号を利用する方式を用いず電荷を補充するものであり、復旧後の画素電圧を使用環境の温度によって一律に調整して最適化することができる。すなわち、屋外で使用する場合などにはその場の温度環境に左右されずに最適な画像を得ることのできるＬＣＤパネルなのである。
【００５１】
以下本件発明に係る代表的なフィードスルー電圧降下の復旧方法について、図５に単一ピクセル（ｍ、ｎ）の基本構造とその前後のゲートライン（ｍ、ｍ＋１）及びデータライン（ｎ）を示し、当該ピクセルに与えられる信号レベルのタイミングに対応して変化する当該画素にかかる電圧レベル、及び電荷蓄積キャパシタの電圧レベルを図６に示して効果を具体的に説明する。
【００５２】
本件発明では、ＴＦＴ−Ｓが“オン”作動後に画素と画素に並列に配置された電荷蓄積キャパシタに蓄積された電荷蓄積量を、フィードスルー電圧降下の発生後に、ゲートラインから付与される信号レベルの変動を利用してＴＦＴ−Ｓの“オフ”作動後に補充して復旧している。アクティブマトリックス駆動方式の基本構成ではＣｌｃへの電荷蓄積量はＶｐｉｘｅｌ及びコモンライン間の電圧レベルＶｃｏｍにより決定される。本件発明を基本構成と比較すると、画素と並列に配置されている電荷蓄積キャパシタＣｓｔに印加される電圧は、図５に示す回路構成により、ＶｃｏｍとＶｃｏｍ１の間の変位を持っている。本件発明における一つの例ではゲートラインの信号がＬＣＤパネルの作動領域に到達する前にこれらの電圧のどちらを用いるかをＴＦＴ−Ａ及びＴＦＴ−Ｂを用いて制御している。
【００５３】
本件発明が提供する方法を用いると、図６で示されるように、ゲートライン（ｍ）の信号レベルが高レベルＶｇｈの時ゲートライン（ｍ＋１）ではＶｇｌ、そしてＴＦＴ−Ａ及びＴＦＴ−Ｓは“オン”の状態で、ＴＦＴ−Ｂは“オフ”の状態である。従って、Ｃｌｃに印加される電圧は（Ｖｄａｔａ−Ｖｃｏｍ）で、電荷蓄積キャパシタＣｓｔに印加される電圧も（Ｖｄａｔａ−Ｖｃｏｍ）である。また、電荷蓄積キャパシタＣｇｓに印加される電圧は（Ｖｄａｔａ−Ｖｇｈ）である。よって、上述したピクセル内のキャパシタの全てに蓄積されうる総電荷蓄積容量は以下の数３で表わされる。しかしこの時、ＴＦＴ−Ｓは“オン”の状態であるため、Ｃｇｓは“ゼロ”である。
【００５４】
【数３】
2006350335.tif 000005
【００５５】
ゲートライン（ｍ）の信号レベルがＶｇｈからＶｇｌに変化した後であってゲートライン（ｍ＋１）の信号レベルがＶｇｈに変化する前にＣｌｃ及びＣｓｔに印加される電圧はフィードスルー電圧降下△Ｖｆの影響を受けて（Ｖｄａｔａ−△Ｖｆ−Ｖｃｏｍ）となっている。そしてＴＦＴ−Ｓが“オフ”の状態になるためＣｇｓは寄生容量を発揮することになり、この時Ｃｇｓに印加される電圧は（Ｖｄａｔａ−△Ｖｆ−Ｖｇｌ）である。この時点での上述のキャパシタの総電荷蓄積量は以下の数４で表わされる。
【００５６】
【数４】
2006350335.tif 000006
【００５７】
数３と数４との比較において、自己放電を考えなければ数３と数４は等しいため以下の数５が得られ、フィードスルー電圧降下△Ｖｆは以下の数６となる。
【００５８】
【数５】
2006350335.tif 000007
【００５９】
【数６】
2006350335.tif 000008
【００６０】
しかし、上記はフィードスルー電圧降下が発生したままの状態であって、ゲートライン（ｍ＋１）の信号レベルがＶｇｈに変化するとＴＦＴ−Ｂは“オン”の状態になる。そしてＶＣｓｔはＶｃｏｍ１となるため、この状態で電荷を補充した後の総電荷蓄積容量は以下の数７で表わされる。
【００６１】
【数７】
2006350335.tif 000009
【００６２】
上記によりフィードスルー電圧降下を全て復旧できたとすれば、Ｖｐｉｘｅｌ＝Ｖｄａｔａである。そこで数７と数３を比較して演算すると以下の数８が得られ、これからフィードスルー電圧降下を全て復旧するためのＶｃｏｍ１の値とＶｃｏｍとの関係である以下の数９が得られる。
【００６３】
【数８】
2006350335.tif 000010
【００６４】
【数９】
2006350335.tif 000011
【００６５】
上記経過をたどりピクセル（ｍ、ｎ）を構成する要素別に現われる信号レベルの推移を図６に示した。図６ｆに示されるＶＣｓｔがＶｃｏｍからＶｃｏｍ１に変化した後に各キャパシタへの電荷補充が開始され、各キャパシタの電荷蓄積容量が飽和になり画素電圧がＶｄａｔａに達するまで増加し続ける。
【実施例】
【００６６】
実施例では、フィードスルー電圧降下を復旧してＬＣＤパネルの特性を改善するために、電荷蓄積キャパシタとコモンラインとの間に印加する電圧を変化させることによって電荷蓄積キャパシタへの電荷補充が可能であることを代表的な実施形態を示し説明する。
【００６７】
＜実施形態１＞
第１の実施形態を図７に示す。ここでは、図５に示されている単一の電荷蓄積キャパシタＣｓｔに替えて、単一の画素に二つの電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１及びＣｓｔ２を使用する方式である。すなわち、電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１は図５の電荷蓄積キャパシタＣｓｔと同様の接続方式で用い、電荷蓄積キャパシタＣｓｔ２はゲートライン（ｍ＋１）に接続される。これにより、ゲートライン（ｍ＋１）の信号レベルがＶｇｌからＶｇｈに変化すると、電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１の電圧がＶｃｏｍからＶｃｏｍ１に変化し、同時に電荷蓄積キャパシタＣｓｔ２の電圧がＶｇｌからＶｇｈに変化することの両方により電荷蓄積キャパシタに電荷が補充されフィードスルー電圧降下が復旧できる。
【００６８】
＜実施形態２＞
第２の実施形態を図８に示す。ここでは、大面積のＬＣＤパネルで右側のフィードスルー電圧降下が左側のフィードスルー電圧降下と異なる場合の適用である。本件発明ではＬＣＤパネルの異なる側で、コモンラインとの間で異なる電圧を使用することが可能である。例えば、図に示されるように左側に配置されたピクセルにのみゲートライン（ｍ＋１）の信号を用いて電荷蓄積キャパシタに電荷の補充を行いＬＣＤパネルの左側だけでフィードスルー電圧降下の復旧を実行することができる。見ての通り、コモンラインとコモンライン１との接続切り換えがＬＣＤパネルの左側だけで実行される。従ってＬＣＤパネルの右側ではＣｌｃ及びＣｓｔはともに公知技術である図１のようにコモンラインに接続される。
【００６９】
＜実施形態３＞
第３の実施形態を図９に示す。ここでは、各ピクセルが透過領域用サブピクセルと反射領域用サブピクセルを持っている半透過型ＬＣＤパネルに適用している。よく知られているように、透過領域は透明電極を有し、反射領域は別途反射電極を有している。ここでは透明電極及びその電荷蓄積容量はＣＴ（ＴはＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔの頭文字）で表わされ、反射電極及びその電荷蓄積容量はＣＲ（ＲはＲｅｆｒｅｃｔｉｖｅの頭文字）で表わされており、それぞれが有する電荷蓄積容量が異なっているのが通例である。したがって、個々の領域はそれぞれの画素に対応した電荷蓄積容量に設定された電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１及びＣｓｔ２を、そして独自のＴＦＴ−Ｓに対応した寄生容量ＣｇｓそしてＣｓｔを有することになる。ここで用いている符号１は透過領域を表し、符号２は反射領域を表している。即ち、この例では電荷蓄積キャパシタＣｓｔ１及びＣｓｔ２をＴＦＴ−Ｂ経由ゲートライン（ｍ＋１）の信号で電圧を印加することにより電荷を補充し、フィードスルー電圧降下をそれぞれが最適値になるように復旧するのである。
【００７０】
＜実施形態４＞
第４の実施形態を図１０に示す。ここではカラーＬＣＤパネルに適用している。カラーＬＣＤパネルではピクセルは三個のカラーサブピクセル、Ｒ、Ｇ、Ｂに分かれており、ＴＦＴ−ＡとＴＦＴ−Ｂによりコモンラインとコモンライン１との接続切り換えが異なるサブピクセルの電荷蓄積キャパシタＣｓｔｒ、Ｃｓｔｇ、Ｃｓｔｂに対して実施され電荷が補充される。一般的には電荷蓄積キャパシタＣｓｔｒ、Ｃｓｔｇ、Ｃｓｔｂの電荷蓄積容量は三個のカラーサブピクセル、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応しそれぞれ異なる値となるように設計される。このように、各カラーサブピクセルに対する電圧値はそれぞれのサブピクセルの電荷蓄積キャパシタＣｓｔｒ、Ｃｓｔｇ、Ｃｓｔｂに電荷を補充することによって個別に復旧できる。Ｃｓｔｒ、Ｃｓｔｇ、Ｃｓｔｂ間の違いは、どのようなγ曲線にするかによって決定される。
【００７１】
＜実施形態５＞
第５の実施形態を図１１に示す。ここでは、ＬＣＤパネルの左側のコモンライン電圧をＴＦＴ−Ａ及びＴＦＴ−Ｂにより制御してコモンラインとコモンライン１で接続を切り換え、ＬＣＤパネルの右側のコモンライン電圧はＴＦＴ−Ｃ及びＴＦＴ−Ｄにより制御してコモンラインとコモンライン２との接続を切り換える方式である。こうすることで、大画面の場合には片側制御時に発生するゲートライン信号の減衰の影響を小さくできるほか、中央部ではフィードスルー電圧降下の復旧が必要ない場合などの対応が容易になる。
【００７２】
＜実施形態６＞
第６の実施形態を図１２に示す。ここではＶｃｏｍ１を固定ではなく可変とした方式である。即ち、温度センサーを用いて電圧調整器を作動させＶｃｏｍ１のレベルを変化させている。一般的に、周囲の温度が変化すると液晶の効率も変化する。同等の効率を維持する目的で液晶の駆動電圧を調節するのである。温度センサーが周囲の温度変化を察知すると、その情報が電圧調整器に伝えられ、電圧調整器はこの情報に基づいて駆動電圧を調節するのである。
【００７３】
そして図１３には、上記説明の理解を更に助けるために図５に記載のものと同様の等価回路におけるピクセル（ｍ、ｎ）中の画素をコモン電極と画素電極を有している実体様で示した。図に見られるように、画素のコモン電極はコモンラインに接続されており、画素電極はＴＦＴ−Ｓ経由データラインと接続されている。画素電極はさらにＴＦＴ−Ｓのゲート電極（及び寄生容量Ｃｇｓ）経由ゲートラインに、そして電荷蓄積キャパシタＣｓｔとＴＦＴ−Ｂを経由してコモンライン１に接続されている。
【００７４】
本件発明では好ましい実施の形態を前述の通り開示したが、これらは決して本件発明を限定するものではなく、当該技術を熟知する者なら誰でも本件発明の精神と領域を脱しない範囲内で各種の変更や改編を加えることができる。従って本件発明の保護範囲は特許請求の範囲で指定した内容を基準とする。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本件発明はパルス波形信号における電圧変化に伴うコモン電極との間の電圧変動を利用して、フィードスルー電圧降下を改善する。パルス波形信号の有する電圧レベルの変化を利用する本件発明の方式によれば、ＬＣＤパネルの作動領域中の全ての、或いは一部のピクセル中の電荷蓄積キャパシタに印加される電圧を調節し、フィードスルー電圧降下の原因である画素駆動用のスイッチング素子が有している寄生容量見合いの電荷蓄積量を速やかに補充し、フィードスルー電圧降下を復旧することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】基本的なアクティブマトリックス構造を有するＬＣＤパネルの単一ピクセルの等価回路を示す図である。
【図２】図１に示す等価回路に係る各種信号レベル及び画素電圧の推移を示す図である。
【図３】別の先行文献が示すＬＣＤパネルの単一ピクセルの等価回路を示す図である。
【図４】図３に示す等価回路を採用し、ゲートラインに三段階の電圧レベルを有するパルス波形を用いた場合の各種信号レベル及び画素電圧の推移を示す図である。
【図５】本件発明におけるフィードスルー電圧降下を減少する基本概念を示した等価回路図の一例である。
【図６】図５に示す等価回路に係る各種信号レベル及び画素電圧の推移を示す図である。
【図７】本件発明の一つの実施態様であって、一つの画素に二つの電荷蓄積キャパシタを使用した例を示す等価回路図である。
【図８】本件発明の一つの実施態様であって、ＬＣＤパネルを構成するピクセルのうち選択されたピクセルに適用した例を示す等価回路図である。
【図９】本件発明の一つの実施態様であって、ＬＣＤパネルの左右両側から制御した例を示す等価回路図である。
【図１０】本件発明の一つの実施態様であって、半透過型ＬＣＤパネルの制御に適用した例を示す等価回路図である。
【図１１】本件発明の一つの実施態様であって、カラーＬＣＤパネルのサブピクセル制御に適用した例を示す等価回路図である。
【図１２】本件発明の一つの実施態様であって、温度補償機能を付加した例を示す等価回路図である。
【図１３】電圧をＬＣＤパネル中の画素にいかにして印加するかを示した単一ピクセルの概念図である。
【符号の説明】
【００７７】
Ｃｓｔ、Ｃｓｔ１、Ｃｓｔ２          電荷蓄積キャパシタ及びその有する電荷蓄積容量
Ｃｓｔｒ、Ｃｓｔｇ、Ｃｓｔｂ  
Ｃｌｃ、ＣＴ、ＣＲ                  液晶物質及びその有する電荷蓄積容量
Ｃｇｓ、Ｃｇｓ１、Ｃｇｓ２          ＴＦＴ−Ｓが有する寄生容量
ＴＦＴ−Ｓ、ＴＦＴ−ＳＲ，ＴＦＴ−ＳＴ                画素駆動用ＴＦＴ
ＴＦＴ−Ａ、ＴＦＴ−Ｂ、ＴＦＴ−Ｃ、ＴＦＴ−Ｄ        電圧印加用ＴＦＴ
Ｖｃｏｍ、Ｖｃｏｍ１、Ｖｃｏｍ２    コモンラインの接地電圧
ＶＣｓｔ                            電荷蓄積キャパシタの接地電圧
Ｖｄａｔａ                          データライン信号の接地電圧
Ｖｇｈ、Ｖｇｃ、Ｖｇｌ              ゲートライン信号の接地電圧
Ｖｐｉｘｅｌ                        画素の接地電圧
△Ｖｆ                              フィードスルー電圧降下
【図１】
2006350335.tif 000012
【図２】
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【図３】
2006350335.tif 000014
【図４】
2006350335.tif 000015
【図５】
2006350335.tif 000016
【図６】
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【図７】
2006350335.tif 000018
【図８】
2006350335.tif 000019
【図９】
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【図１０】
2006350335.tif 000021
【図１１】
2006350335.tif 000022
【図１２】
2006350335.tif 000023
【図１３】
2006350335.tif 000024