(57)【要約】【課題】  可動部を、接触している固定部から離れ易くし、作動不良になり難くする。【解決手段】  マイクロアクチュエータは、固定部と、これに対して移動し得るように設けられ薄膜で構成された梁部１３とを備える。固定部は、基板１１と、基板１１から立ち上がる立ち上がり部１５ｂ及び平面部１５ａを持つように形成された薄膜部材１５を含む。固定電極１６が平面部１５ａに設けられる。梁部１３は、固定電極１６と対向するように可動電極１４を有する。電極１４，１６間の静電力により、梁部１３が平面部１５と接触する。平面部１５ａの高さＨが３μｍ以上に設定される。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定部と、前記固定部に対して移動し得るように設けられ薄膜で構成された可動部とを備え、
前記固定部は、第１の電極部を有し、
前記可動部は、前記第１の電極部との間の電圧により前記第１の電極部との間に静電力を生じ得る第２の電極部を有し、
前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの前記第１の電極部の付近の領域である第１の領域が、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の少なくとも大部分の領域である第２の領域に比べて、前記可動部側に３μｍ以上突出したことを特徴とするマイクロアクチュエータ。
【請求項２】
前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、
前記薄膜部材の前記平面部の領域が、前記第１の領域を形成し、
前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に空隙が形成されたことを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項３】
前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、
前記薄膜部材の前記平面部の領域が、前記第１の領域を形成し、
前記基板とは異なる材料が、前記薄膜部材により覆われるように、前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に存在することを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項４】
前記固定部は基板を含み、
前記基板に凹凸が形成され、
前記基板の凸部に対応する前記固定部の領域が、前記第１の領域を形成し、
前記基板の凹部に対応する前記固定部の領域が、前記第２の領域を形成することを特徴とする請求項１記載のマイクロアクチュエータ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のマイクロアクチュエータと、前記可動部に設けられた光学素子と、を備えたことを特徴とする光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載のマイクロアクチュエータと、前記可動部に設けられたミラーと、を備えたことを特徴とする光スイッチ。
【請求項７】
固定部と、前記固定部に対して移動し得るように設けられ薄膜で構成された可動部とを備え、
前記固定部及び前記可動部は、それぞれ前記可動部の移動に応じて接離する接点部を有し、
前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの前記固定部の前記接点部の付近の領域である第１の領域が、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の少なくとも大部分の領域である第２の領域に比べて、前記可動部側に３μｍ以上突出したことを特徴とするマイクロスイッチ。
【請求項８】
前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、
前記薄膜部材の前記平面部の領域が、前記第１の領域を形成し、
前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に空隙が形成されたことを特徴とする請求項７記載のマイクロスイッチ。
【請求項９】
前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、
前記薄膜部材の前記平面部の領域が、前記第１の領域を形成し、
前記基板とは異なる材料が、前記薄膜部材により覆われるように、前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に存在することを特徴とする請求項７記載のマイクロスイッチ。
【請求項１０】
前記固定部は基板を含み、
前記基板に凹凸が形成され、
前記基板の凸部に対応する前記固定部の領域が、前記第１の領域を形成し、
前記基板の凹部に対応する前記固定部の領域が、前記第２の領域を形成することを特徴とする請求項７記載のマイクロスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロアクチュエータ、これを用いた光学装置及び光スイッチ、並びに、マイクロスイッチに関するものである。前記光学装置及び光スイッチは、例えば、光通信装置や光伝送装置等で用いることができるものである。また、前記マイクロスイッチは、例えば、高周波信号をオンオフするＲＦスイッチ（ＲＦＭＥＭＳなどと呼ばれる場合もある。）として用いることができるものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシニング技術の進展に伴い、種々の分野においてマイクロアクチュエータの重要性が高まっている。マイクロアクチュエータが用いられている分野の一例として、例えば、光通信などに利用され光路を切り替える光スイッチを挙げることができる。このような光スイッチの一例として、下記の特許文献１〜３に開示された光スイッチを挙げることができる。
【０００３】
マイクロアクチュエータは、固定部と、被駆動体（光スイッチの場合は、ミラー）が搭載され被駆動体を固定部に対して移動させる可動部とを備えている。可動部は薄膜で構成されている。可動部が片持ち梁構造を持つタイプのマイクロアクチュエータ（例えば、特許文献１の図８や、特許文献２の図２６、図３６〜図４０）や、可動部が両持ち構造を持つタイプのマイクロアクチュエータ（例えば、特許文献２の図２〜図４や、特許文献３の図１０、図１１）が知られている。これらのマイクロアクチュエータでは、可動部は、弾性部（例えば、片持ち梁構造を持つタイプのマイクロアクチュエータでは梁部を構成する板ばね部、両持ち構造を持つタイプのマイクロアクチュエータではフレクチュア部）を有している。
【０００４】
特許文献１〜３に開示された各光スイッチでは、それぞれミラーの支持構造は異なるものの、いずれの光スイッチにおいても、可動部におけるミラー支持基板板となる部分にその面と垂直にミラーが搭載されている。そして、これらの光スイッチでは、ミラーがマイクロアクチュエータにより駆動されて上下方向に移動し、ミラーが入射光路に進出した時に光がそのミラーで反射される一方、ミラーが入射光路から退出した時に光が直進することにより、出射光路が切り替えられる。また、これらの光スイッチでは、可動部の弾性部の弾性力に抗してミラーを下側（固定部側）に保持する（すなわち、ミラーが入射光路から退出した状態で保持する）ために静電力を用い、この静電力を発生させるための固定電極及び可動電極が固定部及び可動部にそれぞれ設けられている。この静電力が与えられなくなると、可動部の弾性部の弾性力によって、ミラーは上方に移動して保持されて入射光路に進出する。
【０００５】
特許文献１〜３に開示された各光スイッチで用いられているマイクロアクチュエータでは、可動部が片持ち構造及び両持ち構造のいずれを持つタイプであっても、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの固定電極の付近の領域と、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の領域とは、実質的に同一の高さを有している。
【０００６】
また、下記の非特許文献１には、前述したマイクロアクチュエータと同様の可動部が片持ち梁構造を持つタイプのマイクロアクチュエータを用いたＲＦスイッチ（ＲＦＭＥＭＳ）が開示されている。このＲＦスイッチでは、固定部に固定電極及び固定接点部が設けられる一方、可動部に可動電極及び可動接点部が設けられ、可動部の移動により固定接点部と可動接点部とが接離する。このＲＦスイッチでは、固定電極と可動電極との間に静電力を発生させることで、可動部の弾性部の弾性力に抗して可動部が固定部側に保持されて、固定接点部と可動接点部とが接触して電気的に接続した状態に保持される。この静電力が与えられなくなると、可動部の弾性部の弾性力によって、可動部が上方に移動して保持されて、可動接点部が固定接点部から離れて両者間の電気的な接続が遮断される。
【０００７】
このＲＦスイッチでは、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの固定電極の付近の領域と、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの固定接点部の付近の領域と、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の領域とは、それぞれ実質的に同一の高さを有している。
【特許文献１】特開２００１−１４２００８号公報
【特許文献２】国際公開第０３／０６０５９２号パンフレット
【特許文献３】特開２００１−４２２３３号公報
【非特許文献１】「テレコム分野でのＭＥＭＳ技術の利用」，ＣＹＢＥＲＮＥＴ ＮＥＷＳ，サイバネットシステム株式会社、Ｆａｌｌ ２０００，ｎｏ．９５，ｐ．１７−１９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前述した特許文献１〜３に開示されているマイクロアクチュエータでは、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの固定電極の付近の領域と、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の領域とが、実質的に同一の高さを有しているので、固定電極の可動電極との間の静電力により可動部が固定部側に保持されたときに、可動部が固定部における可動部との対向領域のうちの固定電極の付近の領域に接触するのみならず、可動部が固定部における可動部との対向領域のうちの他の領域にも接触してしまう。したがって、可動部と固定部との間の接触面積が大きくならざるを得ない。このため、可動部が固定部に貼り付いて離れなくなってしまうような事態が生じ易く、作動不良になり易かった。
【０００９】
同様に、前述した非特許文献１に開示されているＲＦスイッチでは、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの固定電極の付近の領域と、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの固定接点部の付近の領域と、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の領域とが、それぞれ実質的に同一の高さを有しているので、固定接点部と可動接点部とが接触して電気的に接続した状態に保持されたときに、可動部が、固定部における可動部との対向領域のうちの固定接点部の付近の領域に接触するのみならず、固定部における可動部との対向領域のうちの他の領域にも接触してしまう。したがって、可動部と固定部との間の接触面積が大きくならざるを得ない。このため、可動部が固定部に貼り付いて離れなくなってしまうような事態が生じ易く、作動不良になり易かった。
【００１０】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、可動部が、接触している固定部から離れ易くなって、作動不良になり難いマイクロアクチュエータ、並びに、これを用いた光学装置及び光スイッチを提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、可動部が、接触している固定部から離れ易くなって、作動不良になり難いマイクロスイッチを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様によるマイクロアクチュエータは、固定部と、前記固定部に対して移動し得るように設けられ薄膜で構成された可動部とを備え、前記固定部は第１の電極部を有し、前記可動部は、前記第１の電極部との間の電圧により前記第１の電極部との間に静電力を生じ得る第２の電極部を有し、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの前記第１の電極部の付近の領域である第１の領域が、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の少なくとも大部分の領域である第２の領域に比べて、前記可動部側に３μｍ以上突出したものである。
【００１３】
この第１の態様では、前記突出量は、３μｍ以上であればよいが、５μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることが更に好ましく、１５μｍ以上であることがより一層好ましい。
【００１４】
本発明の第２の態様によるマイクロアクチュエータは、前記第１の態様において、前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、前記薄膜部材の前記平面部の領域が前記第１の領域を形成し、前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に空隙が形成されたものである。
【００１５】
本発明の第２の態様によるマイクロアクチュエータは、前記第１の態様において、前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、前記薄膜部材の前記平面部の領域が、前記第１の領域を形成し、前記基板とは異なる材料が、前記薄膜部材により覆われるように、前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に存在するものである。
【００１６】
本発明の第４の態様によるマイクロアクチュエータは、前記第１の態様において、前記固定部は基板を含み、前記基板に凹凸が形成され、前記基板の凸部に対応する前記固定部の領域が、前記第１の領域を形成し、前記基板の凹部に対応する前記固定部の領域が、前記第２の領域を形成するものである。
【００１７】
本発明の第５の態様による光学装置は、前記第１乃至第４のいずれかの態様によるマイクロアクチュエータと、前記可動部に設けられた光学素子と、を備えたものである。
【００１８】
本発明の第６の態様による光スイッチは、前記第１乃至第４のいずれかの態様によるマイクロアクチュエータと、前記可動部に設けられたミラーと、を備えたものである。
【００１９】
本発明の第７の態様によるマイクロスイッチは、固定部と、前記固定部に対して移動し得るように設けられ薄膜で構成された可動部とを備え、前記固定部及び前記可動部は、それぞれ前記可動部の移動に応じて接離する接点部を有し、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの前記固定部の前記接点部の付近の領域である第１の領域が、前記固定部における前記可動部との対向領域のうちの他の少なくとも大部分の領域である第２の領域に比べて、前記可動部側に３μｍ以上突出したものである。
【００２０】
この第７の態様では、前記突出量は、３μｍ以上であればよいが、５μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることが更に好ましく、１５μｍ以上であることがより一層好ましい。
【００２１】
本発明の第８の態様によるマイクロスイッチは、前記第７の態様において、前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、前記薄膜部材の前記平面部の領域が前記第１の領域を形成し、前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に空隙が形成されたものである。
【００２２】
本発明の第９の態様によるマイクロスイッチは、前記第７の態様において、前記固定部は、基板と、該基板から立ち上がる立ち上がり部及び前記基板と略平行な平面部を持つように１層以上の薄膜で形成された薄膜部材と、を含み、前記薄膜部材の前記平面部の領域が、前記第１の領域を形成し、前記基板とは異なる材料が、前記薄膜部材により覆われるように、前記薄膜部材の前記平面部と前記基板との間に存在するものである。
【００２３】
本発明の第１０の態様によるマイクロスイッチは、前記第７の態様において、前記固定部は基板を含み、前記基板に凹凸が形成され、前記基板の凸部に対応する前記固定部の領域が、前記第１の領域を形成し、前記基板の凹部に対応する前記固定部の領域が、前記第２の領域を形成するものである。
【００２４】
前記第７乃至第１０の態様によるマイクロスイッチは、例えばＲＦスイッチとして用いることができるが、他の用途に用いてもよい。
【００２５】
前記第１乃至第１０の態様において、前記可動部は、例えば、片持ち梁構造を有していてもよいし、両持ち梁構造を有していてもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、可動部が、接触している固定部から離れ易くなって、作動不良になり難いマイクロアクチュエータ、並びに、これを用いた光学装置及び光スイッチを提供することができる。
【００２７】
また、本発明は、可動部が、接触している固定部から離れ易くなって、作動不良になり難いマイクロスイッチを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明によるマイクロアクチュエータ、これを用いた光学装置及び光スイッチ、並びに、マイクロスイッチについて、図面を参照して説明する。
【００２９】
［第１の実施形態］
【００３０】
図１は、ミラー２が光路Ｋに進出した状態における本発明の第１の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。図３は、ミラー２が光路Ｋから退出した状態における本発明の第１の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。図４は、図３中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。説明の便宜上、図１乃至図４に示すように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する。また、Ｘ軸方向のうち矢印の向きを＋Ｘ方向と呼び、その反対の向きを−Ｘ方向と呼び、Ｙ軸方向及びＺ軸方向についても同様とする。ＸＹ平面は基板１１の面と平行となっている。これらの点は、後述する各図についても同様である。
【００３１】
本実施の形態による光学装置としての光スイッチは、マイクロアクチュエータ１と、これにより駆動される光学素子としてのミラー２とを備えている。
【００３２】
マイクロアクチュエータ１は、シリコン基板やガラス基板等の基板１１と、脚部１２と、Ｚ軸方向から見た平面視でＸ軸方向と平行な２辺及びＹ軸方向と平行な２辺を有する長方形状の板状の梁部１３と、梁部１３の一部をなす可動電極１４と、薄膜部材１５と、薄膜部材１５の一部をなす固定電極１６とを備えている。
【００３３】
梁部１３の固定端（−Ｘ方向の端部）は、基板１１上のＳｉＮ膜（シリコン窒化膜）２１、Ａｌ膜からなる配線パターン２２、ＳｉＮ膜２３、及び脚部１２を介して、基板１１に機械的に接続されている。梁部１３の＋Ｘ方向の端部は自由端となっている。したがって、本実施の形態では、梁部１３は片持ち梁となっており、梁部１３が、片持ち梁構造を持つ可動部を構成している。梁部１３は、Ｚ軸方向に撓み得る板ばね部となっている。また、本実施の形態では、基板１１、ＳｉＮ膜２１，２３、配線パターン２２及び薄膜部材１５が、固定部を構成している。
【００３４】
本実施の形態では、梁部１３の自由端側の上部には、被駆動体としてのＡｕ、Ｎｉ又はその他の金属からなるミラー２が設けられている。
【００３５】
梁部１３は、下側のＳｉＮ膜２４と中間のＡｌ膜２５と上側のＳｉＮ膜２６とが積層された３層の薄膜で、構成されている。ただし、梁部１３は、図２に示すように、部分的に、下側のＳｉＮ膜２４と上側のＳｉＮ膜２６とが積層された２層の薄膜で構成されている。Ａｌ膜２５の自由端側の部分が可動電極１４となっており、Ａｌ膜２５の残りの部分は、可動電極１４に対する配線パターンとなっている。この配線パターンを介して、可動電極１４を所望の電位にすることができる。
【００３６】
梁部１３は、図１に示すように、可動電極１４と固定電極１６との間に静電力が発生していない状態において、膜２４〜２６の応力によって、前記固定端側から前記自由端側に向かう方向に沿って全体的に上方（基板１１と反対側、＋Ｚ側）に湾曲している。
【００３７】
本実施の形態では、脚部１２は、梁部１３を構成するＳｉＮ膜２４，２６及びＡｌ膜２５がそのまま連続して延びることによって構成されている。Ａｌ膜２５は、脚部１２においてＳｉＮ膜２４に形成された開口を介して配線パターン２２に電気的に接続されている。
【００３８】
薄膜部材１５は、梁部１３における可動電極１４の付近の領域と対向し基板１１と略平行な平面部１５ａと、ＳｉＮ膜２１，２３を介して基板１１から立ち上がる立ち上がり部１５ｂと、を有している。本実施の形態では、薄膜部材１５はＸ軸方向から見てアーチ状をなし、立ち上がり部１５ｂは、平面部１５ａの＋Ｙ側端部及び−Ｙ側端部をそれぞれＳｉＮ膜２１，２３を介して基板１１に機械的に接続している。平面部１５ａとＳｉＮ膜２３との間には、空隙Ｇが形成されている。平面部１５ａは、下側のＳｉＮ膜２７と中間のＡｌ膜２８と上側のＳｉＮ膜２９とが積層された３層の薄膜で、構成されている。立ち上がり部１５ｂは、図２及び図４に示すように、平面部１５ａを構成するＳｉＮ膜２７，２９及びＡｌ膜２８がそのまま連続して延びることによって、あるいは、平面部１５ａを構成するＳｉＮ膜２７，２９がそのまま連続して延びることによって、構成されている。Ａｌ膜２８及びＳｉＮ膜２９は、ＳｉＮ膜２３上にも延びている。Ａｌ膜２８における平面部１５ａを構成している部分が固定電極１６となっており、Ａｌ膜２８の残りの部分は、固定電極１６に対する配線パターンとなっている。この配線パターンを介して、固定電極１６を所望の電位にすることができる。
【００３９】
図２に示す薄膜部材１５の平面部１５ａの高さＨは、３μｍ以上に設定されている。梁部１３における可動電極１４付近の領域が、図３に示すように薄膜部材１５の平面部１５ａに接触したときに、梁部１３が固定部に接触する領域の面積を比較的大きく低減させるためには、高さＨを、５μｍ以上に設定することが好ましく、１０μｍ以上に設定することが更に好ましく、１５μｍ以上に設定することがより一層好ましい。高さＨを十分に高くすれば、梁部１３における可動電極１４付近の領域が薄膜部材１５の平面部１５ａに接触したときに、梁部１３における可動電極１４付近の領域以外の領域を固定部に接触しないようにすることができる。
【００４０】
例えば、梁部１３の固定端から自由端までの長さを４００μｍとし、高さＨをおおよそ２０μｍとし、脚部１２の高さ（すなわち、梁部１３の固定端のＺ軸方向位置）を薄膜部材１５の平面部１５ａの上面の高さより数μｍ高くし、薄膜部材１５の平面部１５ａのＸ軸方向の幅Ｗを８０μｍとする。
【００４１】
可動電極１４と固定電極１６との間に電圧（駆動信号）を印加すると、両者の間に静電力が作用し、梁部１３のバネ力（内部応力）に抗して、梁部１３の可動電極１４付近が基板１１側へ引き寄せられて、それに伴い梁部１３が変形する。そして、梁部１３の可動電極１４付近が薄膜部材１５の平面部１５ａに当接した位置で停止し、それによりミラー２が基板１１へ近接した位置へ移動した状態となる。図３及び図４は、この状態を示している。一方、可動電極１４と固定電極１６との間に電圧を印加しないと、両者の間に静電力が作用しなくなり、梁部１３のバネ力によって、図１及び図２に示す状態に戻り、ミラー２は基板１１から離れた元の上方位置へ戻る。
【００４２】
そして、本実施の形態による光スイッチでは、図１及び図３に示す入射光を入射させることで、出射光路を切り替える。図１及び図３において、Ｋは、ミラー２の進出位置に対する入射光の光路の断面を示している。図１に示す状態では、ミラー２が入射光の光路に進出して、入射光を反射させる。なお、入射光の入射角度は、このときに所望の角度でミラー２により反射されるように設定される。一方、図３に示す状態では、ミラー２が入射光の光路から退出し、入射光はミラー２で反射されることなくそのまま通過する。このようにして、入射光が反射される状態とそのまま通過される状態とに切り替えられる。
【００４３】
前述したように、本実施の形態では、静電力のみによって駆動される。もっとも、本発明では、特許文献２の図２６、図３６〜図４０に開示されている光スイッチと同様に、静電力のみならずローレンツ力を併用し得るように構成してもよい。
【００４４】
次に、本実施の形態による光スイッチの製造方法の一例について、図５乃至図７を参照して説明する。図５乃至図７は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図１に対応している。
【００４５】
まず、シリコン基板１１上にＳｉＮ膜２１を形成した後に、Ａｌ膜を成膜し、このＡｌ膜を配線パターン２２の形状にパターニングする。次いで、この状態の基板上に、ＳｉＮ膜２３を形成する（図５（ａ））。
【００４６】
次に、薄膜部材１５に応じた領域に、犠牲層としてのレジストパターン３１を形成する。このとき、レジストは、スプレー塗布装置により、例えばおよそ２０μｍの厚さに塗布される。次いで、ＳｉＮ膜２７を成膜した後、レジストパターン３１を跨ってブリッジ状をなすようにＳｉＮ膜２７をパターニングする（図５（ｂ））。そして、この状態の基板上にＡｌ膜２８を成膜した後に、このＡｌ膜２８を、レジストパターン３１の上面からＳｉＮ膜２３上に延在するようにパターニングすることで、固定電極１６及びこれに対する配線パターンを形成する。さらに、ＳｉＮ膜２９を形成してパターニングする（図５（ｃ））。
【００４７】
引き続いて、この状態の基板上の全面に、犠牲層としてのレジスト３２を比較的厚く塗布する（図６（ａ））。このように、ＳｉＮ膜２９を含めて全体を覆うように厚く形成するので、その表面は平坦となる。必要に応じて、ＣＭＰ装置等を用いて平坦化してもよい。
【００４８】
その後、脚部１２に応じた開口部３２ａをレジスト３２に形成した後、ＳｉＮ膜２４を成膜し、このＳｉＮ膜２４を、梁部１３及び脚部１２の形状にパターニングする（図６（ｂ））。次いで、開口部３２ａの底のＳｉＮ膜２３，２４を除去してコンタクトホールを設けた後、Ａｌ膜２５を成膜し、このＡｌ膜２５をパターニングすることで、可動電極１４及びこれに対する配線パターンを形成する（図６（ｃ））。
【００４９】
次に、この状態の基板上にＳｉＮ膜２６を成膜し、このＳｉＮ膜２６を、梁部１３及び脚部１２の形状にパターニングする（図７（ａ））。
【００５０】
その後、この状態の基板の全面に犠牲層となるレジスト３３を厚塗りし、レジスト３３を露光、現像してミラー２が成長される領域をレジスト３３に形成した後、電解メッキによりミラー２となるべきＡｕ、Ｎｉ又はその他の金属を成長させる（図７（ｂ））。このミラー製造工程は、特許文献３に開示されているミラー製造工程と同様である。最後に、レジスト３１〜３３をプラズマアッシング法等により除去する。これにより、本実施の形態による光スイッチが完成する。
【００５１】
本実施の形態では、前述したように、薄膜部材１５が設けられ、その平面部１５ａの高さＨが３μｍ以上に設定されている。これにより、固定部における可動部（本実施の形態では、梁部１３）との対向領域のうちの固定電極１６の付近の領域（本実施の形態では、薄膜部材１５の平面部１５ａの上面領域）が、前記対向領域のうちの他の領域に比べて、梁部１３側に３μｍ以上突出するように、設定されている。
【００５２】
したがって、本実施の形態によれば、梁部１３における可動電極１４付近の領域が、図３に示すように薄膜部材１５の平面部１５ａに接触したときに、梁部１３における可動電極１４付近の領域以外に固定部に接触する領域が、低減するかあるいはなくなる。特に、高さＨが十分に高ければ、梁部１３における可動電極１４付近の領域以外の領域は、固定部に対して全く接触しなくなる。図３及び図４はこの状態を示している。このため、本実施の形態によれば、梁部１３が、接触している固定部から離れ易くなって、作動不良になり難くなる。
【００５３】
ここで、本実施の形態による光スイッチと比較される比較例による光スイッチについて、図８乃至図１１を参照して説明する。
【００５４】
図８は、ミラー２が光路Ｋに進出した状態における比較例による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。図９は、図８中のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。図１０は、ミラー２が光路Ｋから退出した状態における比較例による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。図１１は、図１０中のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図である。図８乃至図１１は、図１乃至図４にそれぞれ対応している。図８乃至図１１において、図１乃至図４中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００５５】
この比較例が前記第１の実施の形態と異なる所は、薄膜部材１５が取り除かれ、その代わりに、固定電極１６がＳｉＮ膜２１，２３間に形成されている点と、この固定電極１６の高さに合わせて、脚部１２が低く構成されている点のみである。
【００５６】
この比較例では、固定部における梁部１３との対向領域のうちの固定電極１６の付近の領域は、固定電極１６の膜厚分だけ、前記対向領域のうちの他の領域に比べて、梁部１３側に突出する。しかしながら、固定電極１６は、Ａｌ膜の薄膜で構成されていることから、その膜厚はどんなに厚いとしてもサブミクロン程度であるため、固定部における梁部１３との対向領域のうちの固定電極１６の付近の領域と、前記対向領域のうちの他の領域とは、実質的に同一の高さを有していると言える。
【００５７】
したがって、この比較例によれば、梁部１３における可動電極１４付近の領域が、図１０及び図１１に示すようにＳｉＮ膜２３に接触したときに、梁部１３における他の領域とＳｉＮ膜２３との間に吸着力（例えば、金箔が平面部に対して生ずる吸着力と同様の吸着力）が作用して、梁部１３における当該他の領域も、図１０及び図１１に示すようにＳｉＮ膜２３に接触して貼り付いてしまう。このため、梁部１３と固定部との間の接触面積が大きくなってしまう。このため、可動部が固定部に貼り付いて離れなくなってしまうような事態が生じ易く、作動不良になり易い。
これに対し、本実施の形態では、梁部１３における可動電極１４付近の領域が、図３に示すように薄膜部材１５の平面部１５ａに接触したときに、梁部１３における他の領域とこれに対向する固定部との間の距離が大きいので、両者の間に吸着力が作用しないかあるいはその吸着力が小さくなる。よって、両者の間が接触しないかあるいはその接触面積が小さくなる。このため、本実施の形態によれば、梁部１３が、接触している固定部から離れ易くなって、作動不良になり難くなるのである。
【００５８】
［第２の実施形態］
【００５９】
図１２は、本発明の第２の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。図１３は、図１２中のＥ−Ｅ’線に沿った概略断面図である。図１２及び図１３は、図１及び図２にそれぞれ対応している。図１２及び図１３において、図１及び図２中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００６０】
本実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる所は、以下に説明する点のみである。前記第１の実施の形態では、薄膜部材１５の平面部１５ａとＳｉＮ膜２３との間に空隙Ｇが形成されているのに対し、本実施の形態では、その空隙Ｇに相当する箇所に、レジスト３１がそのまま残っている。
【００６１】
第１の実施形態では、薄膜部材１５がアーチ状をなすため、レジスト３１は、最終的に除去される。これに対し、本実施の形態においては、薄膜部材１５が上下を逆にしたようなカップ状をなし、レジスト３１の周囲が立ち上がり部１５ｂにより完全に覆われているため、レジスト３１が残留する。
【００６２】
なお、本実施の形態では、ＳｉＮ膜２９は、脚部１２の下部等にも延在している。
【００６３】
本実施の形態によれば、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。また、本実施の形態によれば、薄膜部材１５の内側にレジスト３１が存在し空隙Ｇがないので、薄膜部材１５がレジスト３１によって補強され、梁部１３が接触するときの機械的強度が増大するという利点も得られる。
【００６４】
ここでは、空隙Ｇに相当する箇所に配置する材料をレジスト３１としたが、本発明では、これに限らず、例えば、レジスト３１の代わりにシリコン酸化膜などの無機物質を用いてもよい。
【００６５】
［第３の実施の形態］
【００６６】
図１４は、本発明の第３の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図であり、図１に対応している。図１４において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００６７】
本実施の形態が前記第１の実施の形態と異なる所は、以下に説明する点のみである。本実施の形態では、基板１１に凹凸が形成されている。すなわち、基板１１には、梁部１３における可動電極１４の付近の領域と対向する位置に凸部１１ａが形成され、脚部１２に対応する位置に凸部１１ｂが形成され、凸部１１ａ，１１ｂの周囲に凹部１１ｃが形成されている。本実施の形態では、基板１１の凹部１１ｃに相当する箇所をエッチングにより除去することで、相対的に凸部１１ａ，１１ｂが形成されている。凸部１１ａ，１１ｂの上面の高さは互いに同一である。
【００６８】
本実施の形態では、凸部１１ａ，１１ｂ及び凹部１１ｃの全体に渡って、ＳｉＮ膜２１が形成されている。固定電極１６は、凸部１１ａ上にＳｉＮ膜２１を介して形成されている。また、配線パターン２２は、凸部１１ｂ上にＳｉＮ膜２１を介して形成されている。ＳｉＮ膜２３は、配線パターン２２に対するコンタクトホールを除いて、配線パターン２２、ＳｉＮ膜２１、固定電極１６、固定電極１６に対する配線パターン（図示せず）を覆っている。
【００６９】
本実施の形態では、凸部１１ａ上でのＳｉＮ膜２３の上面と凹部１１ｃでのＳｉＮ膜２３の上面との高さの差が、図２中の高さＨと同様に、３μｍ以上に設定されている。
【００７０】
以上によって、本実施の形態では、固定部における可動部（本実施の形態では、梁部１３）との対向領域のうちの固定電極１６の付近の領域（本実施の形態では、薄膜部材１５の平面部１５ａの上面領域）が、前記対向領域のうちの他の大部分の領域（凹部１１ｃに相当する領域）に比べて、梁部１３側に３μｍ以上突出するように、設定されている。なお、前記対向領域のうちの凸部１１ｂ上でのＳｉＮ膜２３の上面の領域Ｊは、前記対向領域のうちの固定電極１６の付近の領域と同じ高さを有しているが、その領域Ｊは、前記対向領域のうちのごく一部にすぎない。
【００７１】
したがって、本実施の形態によれば、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。また、基板１１の凸部１１ａ上に、ＳｉＮ膜２１，２３及び固定電極１６が形成されているので、梁部１３が接触するときの機械的強度が増大するという利点も得られる。
【００７２】
また、本実施の形態では、脚部１２が凸部１１ｂ上に配置されていることに伴い、凸部１１ｂの高さの分だけ、脚部１２が低く構成されている。これにより、梁部１３の固定端のＺ軸方向の位置と、凸部１１ａでのＳｉＮ膜２３の上面のＺ軸方向の位置との相対関係が、前記第１の実施の形態における、梁部１３の固定端のＺ軸方向の位置と、薄膜部材１５の平面部１５ｂの上面のＺ軸方向の位置との相対関係と同一になっている。本実施の形態によれば、このように脚部１２が低く構成されているので、脚部１２の機械的強度が増大するという利点も得られる。
【００７３】
もっとも、本発明では、図１５に示すように、凸部１１ｂの部分も凹部１１ｃとし、脚部１２を前記第１の実施の形態と同様に、高く構成してもよい。図１５は、本発明の第３の実施の形態による光スイッチの変形例を示す概略断面図であり、図１４に対応している。
【００７４】
ここで、第３の実施の形態による光スイッチの製造方法の一例について、図１６及び図１７を参照して説明する。図１６及び図１７は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図１４に対応している。
【００７５】
まず、基板１１として（１００）の面方位を有するシリコン基板を用い、基板１１上にシリコン酸化膜４１を形成し、基板１１上の凸部１１ａ，１１ｂに対応する領域を残すように、シリコン酸化膜４１をパターニングする（図１６（ａ））。
【００７６】
次に、シリコン酸化膜４１をマスクとして、基板１１に対してシリコンの異方性エッチングを行なう。なお、基板１１として、（１００）の面方位を有するシリコン基板を用いているので、ＫＯＨ又はＴＭＡＨによるウエットエッチングを行なえば、（１１１）面が残るように異方性エッチングが行なうことができる。例えば、およそ２０μｍの深さまで基板１１をエッチングする。次いで、シリコン酸化膜４１を除去した後、ＳｉＮ膜２１を形成する（図１６（ｂ））。
【００７７】
引き続いて、Ａｌ膜を形成してこれをパターニングすることで、配線パターン２２、固定電極１６及びこれに対する配線パターン（図示せず）を形成する。さらに、この状態の基板上に、ＳｉＮ膜２３を形成する（図１６（ｃ））。
【００７８】
その後、この状態の基板上の全面に、犠牲層としてのレジスト４２を比較的厚く塗布する。このように、全体を覆うように厚く形成するので、その表面は平坦となる。必要に応じて、ＣＭＰ装置等を用いて平坦化してもよい。次いで、脚部１２に応じた開口部４２ａをレジスト４２に形成した後、ＳｉＮ膜２４を成膜し、このＳｉＮ膜２４を、梁部１３及び脚部１２の形状にパターニングする（図１７（ａ））。
【００７９】
次に、開口部４２ａの底のＳｉＮ膜２３，２４を除去してコンタクトホールを設けた後、Ａｌ膜２５を成膜し、このＡｌ膜２５をパターンすることで、可動電極１４及びこれに対する配線パターンを形成する。さらに、この状態の基板上にＳｉＮ膜２６を成膜し、このＳｉＮ膜２６を、梁部１３及び脚部１２の形状にパターニングする（図１７（ｂ））。
【００８０】
図面には示していないが、その後、前述した図７（ｂ）に示す工程と同様に、この状態の基板の全面に犠牲層となるレジストを厚塗りし、このレジストを露光、現像してミラー２が成長される領域をこのレジストに形成した後、電解メッキによりミラー２となるべきＡｕ、Ｎｉ又はその他の金属を成長させる。最後に、レジスト４２及びミラー製造工程で形成したレジストをプラズマアッシング法等により除去する。これにより、本実施の形態による光スイッチが完成する。
【００８１】
［第４の実施形態］
【００８２】
図１８は、本発明の第４の実施形態によるマイクロスイッチを模式的に示す概略断面図である。図１９は、図１８中の薄膜部材５６を模式的に示す概略斜視図である。図２０は、図１８中の梁部５３を模式的に示す概略斜視図である。
【００８３】
本実施の形態によるマイクロスイッチは、シリコン基板やガラス基板等の基板５１と、脚部５２ａ，５２ｂと、Ｚ軸方向から見た平面視でＸ軸方向に延び薄膜で構成された帯板状の梁部５３と、梁部５３の一部をなす可動接点５４と、梁部５３の一部をなす可動電極５５ａ，５５ｂと、薄膜部材５６と、薄膜部材５６の一部をなす固定接点５７ａ，５７ｂと、基板５１上に形成された固定電極５８ａ，５８ｂとを備えている。
【００８４】
梁部５３の＋Ｘ方向の端部は、基板５１上のＳｉＮ膜５９、Ａｌ膜からなる配線パターン６０ａ、ＳｉＮ膜６１、及び脚部５２ａを介して、基板５１に機械的に接続されている。また、梁部５３の−Ｘ方向の端部は、ＳｉＮ膜５９、Ａｌ膜からなる配線パターン６０ｂ、ＳｉＮ膜６１、及び脚部５２ｂを介して、基板５１に機械的に接続されている。したがって、本実施の形態では、梁部５３は両持ち梁となっており、梁部５３が、両持ち梁構造を持つ可動部を構成している。梁部５３は、Ｚ軸方向に撓み得る板ばね部となっている。また、本実施の形態では、基板５１、ＳｉＮ膜５９，６１、配線パターン６０ａ，６０ｂ及び薄膜部材５６が、固定部を構成している。
【００８５】
梁部５３は、その全体に渡って形成されたＳｉＮ膜６２と、ＳｉＮ膜６２の中央下側に形成されたＡｌ膜からなる可動接点５４と、ＳｉＮ膜６２の＋Ｘ側領域の上側に形成されたＡｌ膜からなる可動電極５５ａと、ＳｉＮ膜６２の−Ｘ側領域の上側に形成されたＡｌ膜からなる可動電極５５ｂとから構成されている。
【００８６】
本実施の形態では、脚部５２ａは、梁部５３を構成するＳｉＮ膜６２及び可動電極５５ａを構成するＡｌ膜がそのまま延びることによって構成されている。このＡｌ膜は、脚部５２ａにおいてＳｉＮ膜６１，６２に形成された開口を介して配線パターン６０ａに電気的に接続されている。同様に、脚部５２ｂは、梁部５３を構成するＳｉＮ膜６２及び可動電極５５ｂを構成するＡｌ膜がそのまま延びることによって構成されている。このＡｌ膜は、脚部５２ｂにおいてＳｉＮ膜６１，６２に形成された開口を介して配線パターン６０ｂに電気的に接続されている。
【００８７】
固定電極５８ａは、Ａｌ膜からなり、可動電極５５ａと対向する領域においてＳｉＮ膜５９，６１間に形成されている。固定電極５８ａは構成するＡｌ膜はそのまま固定電極５８ａの配線パターンとしても延びている。同様に、固定電極５８ｂは、Ａｌ膜からなり、可動電極５５ｂと対向する領域においてＳｉＮ膜５９，６１間に形成されている。固定電極５８ｂは構成するＡｌ膜はそのまま固定電極５８ｂの配線パターンとしても延びている。
【００８８】
したがって、本実施の形態では、固定電極５８ａ及び可動電極５５ａ間、並びに、固定電極５８ｂ及び可動電極５５ｂ間に電圧を印加すると、これらの間に生じた静電力によって、梁部５３のバネ力に抗して梁部５３を図１８中の一点鎖線で示すように移動させることができる。このように、本実施の形態では、駆動力として静電力を用いているが、本発明では、これに限定されるものではなく、ローレンツ力による駆動やその他の駆動力により駆動しても構わない。
【００８９】
薄膜部材５６は、梁部５３における可動接点５４の付近の領域と対向し基板１１と略平行な平面部５６ａと、ＳｉＮ膜５９，６１を介して基板５１から立ち上がる立ち上がり部５６ｂと、を有している。本実施の形態では、薄膜部材１５はＸ軸方向から見てアーチ状をなし、立ち上がり部５６ｂは、平面部５６ａの＋Ｙ側端部及び−Ｙ側端部をそれぞれＳｉＮ膜５９，６１を介して基板５１に機械的に接続している。平面部５６ａとＳｉＮ膜６１との間には、空隙Ｇ’が形成されている。平面部５６ａは、ＳｉＮ膜６３と、互いにＹ軸方向に間隔をあけてＳｉＮ膜６３上に形成されたそれぞれＡｌ膜からなる２つの固定接点５７ａ，５７ｂとから構成されている。立ち上がり部５６ｂは、平面部５６ａを構成するＳｉＮ膜６３がそのまま延びることによって構成されている。固定接点５７ａを構成するＡｌ膜は、一方の立ち上がり部５６ｂのＳｉＮ膜６３上を経てＳｉＮ膜６１上に延びて、固定接点５７ａの配線パターンとなっている。同様に、固定接点５７ａを構成するＡｌ膜は、他方の立ち上がり部５６ｂのＳｉＮ膜６３上を経てＳｉＮ膜６１上に延びて、固定接点５７ｂの配線パターンとなっている。これらの配線パターンを利用することで、固定接点５７ａ，５７ｂ間のオンオフ信号を得ることができるようになっている。
【００９０】
固定電極５８ａ及び可動電極５５ａ間、並びに、固定電極５８ｂ及び可動電極５５ｂ間に電圧を印加すると、これらの間に生じた静電力によって移動し、これにより、可動接点５４が２つの固定接点５７ａ，５７ｂに接触しこれらの間をショートさせて電流が流れるようになっている。一方、前記電圧を印加しないと、電極５８ａ，電極５５ａ間及び電極５８ｂ，５５ｂ間に静電力が作用しなくなり、梁部５３のバネ力によって、図１８中の実線で示す状態に戻り、可動接点５４が固定接点５７ａ，５７ｂから離れて、固定接点５７ａ，５７ｂ間が電気的に遮断される。本実施の形態によるマイクロスイッチをＲＦスイッチとして用いる場合、このようなスイッチング動作により高周波信号をオンオフさせればよい。もっとも、本実施の形態によるマイクロスイッチの用途は、ＲＦスイッチに限定されるものではなく、他の電気信号をオンオフしてもよい。
【００９１】
図１８に示す薄膜部材５６の平面部５６ａの高さＨ’は、３μｍ以上に設定されている。梁部５３における可動接点５４付近の領域が、図１８中の一点鎖線で示すように薄膜部材５６の平面部５６ａに接触したときに、梁部５３が固定部に接触する領域の面積を比較的大きく低減させるためには、高さＨ’を、５μｍ以上に設定することが好ましく、１０μｍ以上に設定することが更に好ましく、１５μｍ以上に設定することがより一層好ましい。高さＨ’を十分に高くすれば、梁部５３における可動接点５４付近の領域が薄膜部材５６の平面部５６ａに接触したときに、梁部１３における可動接点５４付近の領域以外の領域を固定部に接触しないようにすることができる。
【００９２】
次に、本実施の形態によるマイクロスイッチの製造方法の一例について、図２１及び図２２を参照して説明する。図２１及び図２２は、この製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図であり、図１８に対応している。
【００９３】
まず、基板１１上にＳｉＮ膜５９を形成した後に、Ａｌ膜を成膜し、このＡｌ膜を配線パターン６０ａ，６０ｂ、固定電極５８ａ，５８ｂ、固定電極５８ａ，５８ｂの配線パターンの形状にパターニングする。次いで、この状態の基板上に、ＳｉＮ膜６１を形成する（図２１（ａ））。
【００９４】
次に、薄膜部材５６に応じた領域に、犠牲層としてのレジストパターン７１を形成する。このとき、レジストは、スプレー塗布装置により、例えばおよそ２０μｍの厚さに塗布される。次いで、ＳｉＮ膜６３を成膜した後、レジストパターン７１を跨ってブリッジ状をなすようにＳｉＮ膜６３をパターニングする。そして、この状態の基板上にＡｌ膜を成膜した後に、このＡｌ膜を、レジストパターン７１の上面からＳｉＮ膜６１上に延在するようにパターニングすることで、固定接点５７ａ，５７ｂ及びこれらに対する配線パターンを形成する（図２１（ｂ））。
【００９５】
引き続いて、この状態の基板上の全面に、犠牲層としてのレジスト７２を比較的厚く塗布する。このように、全体を覆うように厚く形成するので、その表面は平坦となる。必要に応じて、ＣＭＰ装置等を用いて平坦化してもよい。次いで、この状態の基板上にＡｌ膜を成膜し、このＡｌ膜を可動接点５４の形状にパターニングする（図２２（ａ））。
【００９６】
その後、脚部５２ａ，５２ｂに応じた開口部７２ａ，７２ｂをレジスト７２に形成した後、ＳｉＮ膜６２を成膜し、このＳｉＮ膜６２を、梁部５３及び脚部５２ａ，５２ｂの形状にパターニングする。次いで、開口部７２ａ，７２ｂの底のＳｉＮ膜６１，６２を除去してコンタクトホールを設けた後、Ａｌ膜を成膜し、このＡｌ膜をパターンすることで、可動電極５５ａ，５５ｂ及びこれらに対する配線パターンを形成する（図２２（ｂ））。
【００９７】
最後に、レジスト７１，７２を除去する。これにより、本実施形態によるマイクロスイッチが完成する。
【００９８】
本実施の形態では、前述したように、薄膜部材５６が設けられ、その平面部５６ａの高さＨ’が３μｍ以上に設定されている。これにより、固定部における可動部（本実施の形態では、梁部５３）との対向領域のうちの固定接点５７ａ，５７ｂの付近の領域（本実施の形態では、薄膜部材５６の平面部５６ａの上面領域）が、前記対向領域のうちの他の領域に比べて、梁部５３側に３μｍ以上突出するように、設定されている。
【００９９】
したがって、本実施の形態によれば、梁部１３における可動電極１４付近の領域が、梁部５３における可動接点５４付近の領域が、図１８中の一点鎖線で示すように薄膜部材５６の平面部５６ａに接触したときに、梁部５３における可動接点５４付近の領域以外に固定部に接触する領域が、低減するかあるいはなくなる。特に、高さＨ’が十分に高ければ、梁部５３における可動接点５４付近の領域以外の領域は、固定部に対して全く接触しなくなる。図１８の一点鎖線はこの状態を示している。このため、本実施の形態によれば、梁部５３が、接触している固定部から離れ易くなって、作動不良になり難くなる。
【０１００】
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。
【０１０１】
例えば、前記第１乃至第３の実施の形態や図１５に示す変形例において、ミラー２は前述した構造によって梁部１３により支持されていたが、ミラー２を梁部１３により支持する支持構造は、前述した例に限定されるものではなく、例えば、特許文献２に開示された支持構造を採用してもよい。
【０１０２】
また、本発明では、例えば、特許文献２の図２２に開示された装置と同様に、前記第１乃至第３の実施の形態や図１５に示す変形例による光スイッチを、同一基板上にアレー化した光学装置としてもよい。
【０１０３】
また、前記第１乃至第３の実施の形態や図１５に示す変形例では、可動部が片持ち構造を有していたが、これに限らず、両持ち構造を持つように変形してもよい。
【０１０４】
さらに、前記第４の実施の形態では、可動部が両持ち構造を有していたが、これに限らず、片持ち構造を持つように変形してもよい。
【０１０５】
さらにまた、前記第１の実施の形態を変形して第２及び第３の実施の形態及び図１５に示す変形例を得たのと同様の変形を、前記第４の実施の形態に適用してもよい。
【０１０６】
また、本発明によるマイクロアクチュエータは、光スイッチのみならず他の種々の光学装置やその他の装置に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】ミラーが光路に進出した状態における本発明の第１の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【図３】ミラーが光路から退出した状態における本発明の第１の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図４】図３中のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による光スイッチの製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【図６】図５に引き続く各工程を示す図である。
【図７】図６に引き続く各工程を示す図である。
【図８】ミラーが光路に進出した状態における比較例による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図９】図８中のＣ−Ｃ’線に沿った概略断面図である。
【図１０】ミラーが光路から退出した状態における比較例による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図１１】図１０中のＤ−Ｄ’線に沿った概略断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図１３】図１２中のＥ−Ｅ’線に沿った概略断面図である。
【図１４】本発明の第３の実施の形態による光スイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態による光スイッチの変形例を示す概略断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態による光スイッチの製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【図１７】図１６に引き続く各工程を示す図である。
【図１８】本発明の第４の実施形態によるマイクロスイッチを模式的に示す概略断面図である。
【図１９】図１８中の薄膜部材を模式的に示す概略斜視図である。
【図２０】図１８中の梁部を模式的に示す概略斜視図である。
【図２１】本発明の第４の実施の形態によるマイクロスイッチの製造方法の各工程をそれぞれ模式的に示す概略断面図である。
【図２２】図１６に引き続く各工程を示す図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１  マイクロアクチュエータ
２  ミラー
１１，５１  基板
１２，５２ａ，５２ｂ  脚部
１３，５３  梁部
１４  可動電極
１５，５６  薄膜部材
１５ａ，５６ａ  平面部
１５ｂ，５６ｂ  立ち上がり部
１６  固定電極
５４  可動接点
５７ａ，５７ｂ  固定接点
【図１】
2006142451.tif 000003
【図２】
2006142451.tif 000004
【図３】
2006142451.tif 000005
【図４】
2006142451.tif 000006
【図５】
2006142451.tif 000007
【図６】
2006142451.tif 000008
【図７】
2006142451.tif 000009
【図８】
2006142451.tif 000010
【図９】
2006142451.tif 000011
【図１０】
2006142451.tif 000012
【図１１】
2006142451.tif 000013
【図１２】
2006142451.tif 000014
【図１３】
2006142451.tif 000015
【図１４】
2006142451.tif 000016
【図１５】
2006142451.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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