(57)【要約】【課題】半導体製品の製造の際に実施される処理の良否の評価を、作業員に負担を掛けることなく従来よりも正確かつ迅速に行う。【解決手段】チャンバー内で基板に対して加工処理を実施するときの様子が撮影されるように予めカメラを設置しておき、基板に対して加工処理が実施されているときのチャンバー内の様子を撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく加工処理が実施されたときの画像を、モデル画像として予め記憶手段に記憶させておき（＃１）、半導体製品の製造中に、チャンバー内で基板に対して加工処理が実施されているときの様子を撮影し（＃３）、ステップ＃３で得られた画像と記憶手段に記憶されているモデル画像とに基づいて、半導体製品の製造中におけるチャンバー内で実施されている加工処理の良否を評価する（＃４）。【選択図】図１６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する処理の良否を評価する、半導体製品の製造工程における処理評価方法であって、
前記基板に対して前記処理を実施するときの様子が撮影されるように予めカメラを設置しておき、
前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該処理が実施されたときの画像を、モデル画像として予め記憶手段に記憶させておき、
前記半導体製品の製造中に、前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影する第一のステップと、
前記第一のステップで得られた画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記処理の良否を評価する第二のステップと、
を実行することを特徴とする半導体製品の製造工程における処理評価方法。
【請求項２】
半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する処理の良否を評価する、半導体製品の製造工程における処理評価装置であって、
前記基板に対して前記処理を実施するときの様子が撮影されるように設置されたカメラによって撮影された画像を入力する画像入力手段と、
前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該処理が実施されたときの画像を、モデル画像として記憶しておく記憶手段と、
前記半導体製品の製造中に前記カメラによって撮影された、前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子の画像である製造時画像が、前記画像入力手段によって入力されると、入力された当該製造時画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記処理の良否を評価する、処理評価手段と、
を有することを特徴とする半導体製品の製造工程における処理評価装置。
【請求項３】
基板を加工して半導体製品を製造する半導体製品製造システムであって、
前記基板に対して所定の処理を実施するときの様子が撮影されるように設置されたカメラによって撮影された画像を入力する画像入力手段と、
前記基板に対して前記所定の処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該所定の処理が実施されたときの画像を、モデル画像として記憶しておく記憶手段と、
前記半導体製品の製造中に前記カメラによって撮影された、前記基板に対して前記所定の処理が実施されているときの様子の画像である製造時画像が、前記画像入力手段によって入力されると、入力された当該製造時画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記所定の処理の良否を評価する、処理評価手段と、
前記半導体製品の製造中における前記所定の処理が不良であると前記処理評価手段によって評価された場合に、当該所定の処理の処理条件を補正する、処理条件補正手段と、
を有することを特徴とする半導体製品製造システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製品を製造する際に実施する処理に関する評価を行うシステムおよび方法などに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製品の製造工程は、数多くの処理工程によって成り立っている。したがって、歩留まりを向上させるためには、不良品を解析して不良の発生要因を調べるよりも、半導体製品の製造中にリアルタイムで各処理工程が適切に行われているか否かを検証したほうが効果的である。
【０００３】
しかし、作業員にとって、処理の様子を観察して不良の発生の有無を判別するのは難しい。
【０００４】
そこで、特許文献１に記載されるような方法が提案されている。係る方法によると、ウェットエッチング処理が行われているときの被処理基板表面を撮影し、撮影によって得られた画像をモニターする。そして、その画像に応じて被処理基板の面内エッチング分布を算出する。これにより、作業員は、従来のように単に処理の様子を観察する場合よりも、不良の発生の有無を容易に判別することができる。
【特許文献１】特開２００４−６００１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載される方法によると、エッチング処理の不良を見つけ出すためには、作業員が面内エッチング分布の変化の様子を監視し続けなければならない。この監視の作業は、処理の様子を直接観察する場合よりは楽であるが、依然として、作業員にとって精神的および肉体的に大きな負担となっている。また、監視は作業員の経験および感覚に頼るところが大きいので、不良が発生しているのを見落としたり、不良が発生していないのに不良が発生したと誤認識したりすることがある。
【０００６】
処理中の画像を録画しておき、後から時間を掛けて不良の発生を見つけ出すことも考えられる。しかし、この方法では、不良の発生の発見が遅くなるので、歩留まりを向上させるのに効果的であるとは言い難い。
【０００７】
本発明は、このような問題点に鑑み、半導体製品の製造の際に実施される処理の良否の評価を、作業員に負担を掛けることなく従来よりも正確かつ迅速に行うことができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る処理評価方法は、半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する処理の良否を評価する、半導体製品の製造工程における処理評価方法であって、前記基板に対して前記処理を実施するときの様子が撮影されるように予めカメラを設置しておき、前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該処理が実施されたときの画像を、モデル画像として予め記憶手段に記憶させておき、前記半導体製品の製造中に、前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影する第一のステップと、前記第一のステップで得られた画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記処理の良否を評価する第二のステップと、を実行することを特徴とする。
【０００９】
前記処理評価方法を半導体製造システムに適用することができる。そして、前記処理評価方法による評価結果を、半導体製造システムにおける処理をより好適に実施するためにフィードバックすることができる。すなわち、前記半導体製品の製造中における処理が前記処理評価方法によって「不良あり」と評価された場合に、当該処理の処理条件を補正し、当該処理を行う処理装置を制御する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、半導体製品の製造の際に実施される処理の良否の評価を、作業員に負担を掛けることなく従来よりも正確かつ迅速に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
図１は半導体製品製造システム１００の全体的な構成を示す図、図２はＩＣチップを製造する工程の例を示す図、図３はエッチング装置２Ｆの構成の例を示す図、図４は制御装置１のハードウェア構成の例を示す図、図５は制御装置１の機能的構成の例を示す図である。
【００１２】
半導体製品製造システム１００は、ＩＣ（Integrated Circuit）チップ、液晶ディスプレイのＴＦＴアレイ部、イメージセンサー、またはアモルファル太陽電池などの半導体製品を製造するＣＩＭ（Computer Integrated Manufacturing）であって、図１に示すように、制御装置１、製造ラインＭＬ、および通信回線３などによって構成される。製造ラインＭＬは、複数の処理装置２およびコンベアＣＹなどによって構成される。
【００１３】
半導体製品は、多数の工程の処理をウェハーＷＦに施すことによって製造される。例えば、ＩＣチップを製造する場合の前工程においては、主に図２に示すような処理が順に施される。すなわち、まず、研磨処理などが施されたウェハーＷＦに薄膜５１を成膜する（丸数字１）。成膜されたウェハーＷＦにフォトレジスト５２を塗布する（丸数字２）。予め作成された設計図に基づいてウェハーＷＦに露光することによって回路のマスクパターンを転写する（丸数字３）。
【００１４】
感光された部分以外のフォトレジスト５２を除去する（丸数字４）。ただし、これは、フォトレジスト５２としてネガ型レジストを用いた場合であって、ポジ型レジストを用いた場合は、感光された部分のフォトレジスト５２を除去する。フォトレジスト５２が除去された部分をエッチングし、ウェハーＷＦにマスクパターンを形成する（丸数字５）。ウェハーＷＦに残っているフォトレジスト５２を剥離して取り除く（丸数字６）。そのほか、これらの処理の前後に、必要に応じて、洗浄処理、乾燥処理、焼きしめ処理、および不純物導入処理などが適宜行われる。
【００１５】
丸数字１〜６の一連の処理によって、ＩＣチップ１層目の回路が形成される。そして、この一連の処理を必要に応じて繰り返し行うことによって、回路の層が積み重ねられてＩＣが形成され、ＩＣチップを製造するための前工程が完了する。
【００１６】
ＩＣチップ以外の半導体製品も、ウェハーＷＦに対して多数の種類の処理を施すことによって製造される。
【００１７】
図１に戻って、製造ラインＭＬには、上に述べた各工程の処理を施すための様々な処理装置２が設けられている。例えば、処理装置２として、チャンバー内のガスをプラズマ化して化学反応によって薄膜５１をウェハーＷＦに成膜するＰ−ＣＶＤ（Plasma Chemical vapor deposition）装置２Ａ、スパッタリング法によって薄膜５１をウェハーＷＦに成膜するスパッター装置２Ｂ、フォトレジストをウェハーＷＦに塗布するフォトレジスト塗布装置２Ｃ、マスクパターンをウェハーＷＦに転写するステッパー２Ｄ、現像処理を行う現像機（ディベロッパー）２Ｅ、エッチングを行うエッチング装置２Ｆ、およびフォトレジスト５２をウェハーＷＦから剥離する剥離装置２Ｇなどが設けられている。
【００１８】
これらの処理装置２は、制御装置１と通信回線３を介して接続されており、制御装置１からの制御命令に従って各々が行うべき処理をウェハーＷＦに対して施す。コンベアＣＹも制御装置１と接続されており、制御装置１からの制御命令に従って、ある工程の処理が施されたウェハーＷＦを、次の工程の処理を行うための処理装置２に運搬する。これらの工程の処理の中で、同じ処理装置２が複数の工程の処理を担当する場合もある。
【００１９】
以下、これらの処理装置２によって実施される処理のうちの、特に、ウェットエッチング方式かつ枚葉式ののエッチング装置２Ｆによって実施されるエッチング処理および乾燥処理の良否を評価する場合を例に説明する。以下、ウェットエッチングを単に「エッチング」と記載する。
【００２０】
図３に示すように、エッチング装置２Ｆは、コントローラ２Ｆ１、通信装置２Ｆ２、第一洗浄室ＣＲ１、エッチング室ＣＲ２、第二洗浄室ＣＲ３、第一乾燥室ＣＲ４、および第二乾燥室ＣＲ５などによって構成される。
【００２１】
第一洗浄室ＣＲ１は、本エッチング装置２Ｆに搬送されてきたウェハーＷＦを洗浄する。エッチング室ＣＲ２は、洗浄されたウェハーＷＦに対してエッチング処理を実施する。第二洗浄室ＣＲ３は、エッチング処理が施されたウェハーＷＦを洗浄する。第一乾燥室ＣＲ４は、洗浄されたウェハーＷＦを回転させることによってウェハーＷＦの表面の水滴を取り除く。つまり、ウェハーＷＦをスピン乾燥させる。第二乾燥室ＣＲ５は、チャンバー内を高温にすることによってウェハーＷＦの表面の水滴を蒸発させる。つまり、ウェハーＷＦを高温乾燥させる。
【００２２】
なお、スピン乾燥と高温乾燥とを１つの処理工程として１つのチャンバーで行うようにエッチング装置２Ｆを構成することもできるが、本実施形態では、スピン乾燥および高温乾燥をそれぞれ独立したチャンバーで実施するエッチング装置２Ｆを例に説明する。
【００２３】
これら５つの処理室（チャンバー）には、ウェハーＷＦに対してそれぞれの処理を施すための装置が設けられている。さらに、エッチング室ＣＲ２および第二乾燥室ＣＲ５には、それぞれ、カメラＣＭ２およびカメラＣＭ５が設置されている。ただし、カメラＣＭ２の設置位置、撮影方向、および撮影範囲などは、ウェハーＷＦに対してエッチング処理が施されている様子を撮影することができるように設定されている。カメラＣＭ５の設置位置、撮影方向、および撮影範囲などは、高温乾燥の処理が施された後のウェハーＷＦを撮影することができるように設定されている。カメラＣＭ２として、デジタルビデオカメラなどの連続撮影可能な撮像装置が用いられる。カメラＣＭ５については、処理後のウェハーＷＦが撮影できればよいので、デジタルカメラなどが用いられる。
【００２４】
コントローラ２Ｆ１は、制御装置１から受信した指令などに基づいて、これら５つの処理室に設けられている各装置、通信装置２Ｆ２、およびカメラＣＭ２、ＣＭ５を制御する。通信装置２Ｆ２は、制御装置１と通信を行うために用いられる。
【００２５】
図１に戻って、制御装置１は、図４に示すように、ＣＰＵ１ａ、ＲＡＭ１ｂ、ＲＯＭ１ｃ、ハードディスク１ｄ、および各種インタフェースなどによって構成されており、処理装置２およびコンベアＣＹなどの制御のために用いられる。
【００２６】
ハードディスク１ｄには、図５に示すような処理装置制御部１０１、画像データ受信部１０２、処理良否評価部１０３、好適レシピ抽出部１０４、およびデータベース管理部１０５などの機能を実現するためのプログラムおよびデータがインストールされている。これらのプログラムおよびデータは、必要に応じてＲＡＭ１ｂにロードされ、ＣＰＵ１ａによって実行される。制御装置１として、ワークステーションまたはパーソナルコンピュータなどが用いられる。
【００２７】
図６はデータベース管理部１０５が管理するデータベースなどの例を示す図、図７はレシピデータベースＲＢｆ２の例を示す図、図８は補正情報データベースＨＢ１の例を示す図、図９は補正情報データベースＨＢ２の例を示す図である。
【００２８】
次に、図５に示す制御装置１の各部および図３に示すエッチング装置２Ｆの各部の処理内容について詳細に説明する。
【００２９】
図５のデータベース管理部１０５は、図６に示すように、レシピデータベースＲＢ、補正情報データベースＨＢ（ＨＢ１、ＨＢ２、…）、およびモデル画像データベースＭＢなどのデータベースを記憶し管理している。
【００３０】
レシピデータベースＲＢは、各処理装置２で実施される処理ごとに１つずつ設けられている。例えば、図３で説明した５つの処理を行うエッチング装置２Ｆの場合は、第一洗浄室ＣＲ１ないし第二乾燥室ＣＲ５におけるそれぞれの処理のためのレシピデータベースＲＢとして、レシピデータベースＲＢｆ１〜ＲＢｆ５が設けられている。
【００３１】
「レシピ」とは、処理装置２における製法、処置方法、または配合法などを意味する。つまり、処理装置２が処理を行う際の、チャンバー内の温度または真空度、使用する気体の種類、ガス流量、または温度、使用する液体の種類、流量、または温度、加圧する電圧、所定の動作の回数または速度、または電源の出力周波数などに関する種々の事項の設定条件である。半導体製品製造システム１００で製造される半導体製品には、１つの処理ごとにどのような設定条件の下で処理を行うのが好適であるかのを示すレシピが用意されている。以下、このような好適なレシピをその半導体製品の「標準レシピ」と記載する。
【００３２】
レシピデータベースＲＢには、半導体製品製造システム１００で製造される種々の半導体製品の標準レシピの内容を示すレシピ情報７が格納されている。また、これ以外にも、環境の様々な変化に対処するために、各設定条件の値を様々に組み合わせた多数のレシピのレシピ情報７が格納されている。例えば、エッチング室ＣＲ２のレシピデータベースＲＢｆ２には、図７に示すようなレシピ情報７２が格納されている。
【００３３】
レシピ情報７２において、「レシピＩＤ」は、そのレシピ情報７２を他のレシピ情報７２と識別するための識別情報である。「搬送速度」は、チャンバー内に処理対象のウェハーＷＦを搬送する際の速度を示している。「搖動スピード」および「搖動回数」は、それぞれ、エッチング処理時に処理対象のウェハーＷＦを搖動させる速さおよび回数を示している。「シャワー噴出流量」は、エッチング処理時にチャンバー内に送り込むエッチング液（薬液）の流量を示している。「エッチング時間」は、エッチング処理を実行する時間の長さを示している。
【００３４】
図６の補正情報データベースＨＢ１には、図８に示すように、補正用データＨＤＴが格納されている。この補正用データＨＤＴは、エッチング室ＣＲ２でのエッチング処理の際に不良が発生した場合にその不良がなくなるようにレシピつまり処理条件を補正するために用いられる。
【００３５】
「気泡オーバ数」および「波の異常の有無」は、発生した不良の状態を示している。不良の状態は、図５の処理良否評価部１０３によって求められる。これについては、後に説明する。
【００３６】
「シャワー噴出流量」ないし「第二洗浄室純水洗浄時間」までの各フィールドの値は、「気泡オーバ数」および「波の異常の有無」に示されるような状態の不良が発生した場合に、その不良をなくすために各チャンバー内における処理条件をどのように補正すればよいのかを示している。「シャワー噴出流量」および「搖動回数」は、それぞれ、エッチング室ＣＲ２におけるエッチング処理の際のエッチング液の流量および搖動回数の条件を示している。「第一洗浄室純水吐出量」および「第一洗浄室純水洗浄時間」は、それぞれ、第一洗浄室ＣＲ１における洗浄処理の際の純水の流量および洗浄時間を示している。「第二洗浄室純水吐出量」および「第二洗浄室純水洗浄時間」は、それぞれ、第二洗浄室ＣＲ３における洗浄処理の際の純水の流量および洗浄時間を示している。
【００３７】
図６の補正情報データベースＨＢ２には、図９に示すように、補正用データＨＤＵが格納されている。この補正用データＨＤＵは、第二乾燥室ＣＲ５での高温乾燥処理の結果、ウォータスポットまたはウォータマーカなどと呼ばれる、水滴が蒸発した跡（以下、「水滴跡」と記載する。）が、ウェハーＷＦに現れるという不良が発生した場合に、その不良がなくなるようにレシピつまり処理条件を補正するために用いられる。
【００３８】
「水滴跡オーバ数」は、発生した不良の状態を示している。不良の状態は、図５の処理良否評価部１０３によって求められる。これについては、後に説明する。「第二洗浄室純水吐出量」ないし「純水温度」までの各フィールドの値は、「水滴跡オーバ数」に示されるような状態の不良が発生した場合に、その不良をなくすために第一乾燥室ＣＲ４における処理条件をどのように補正すればよいのかを示している。「第二洗浄室純水吐出量」は、第二洗浄室ＣＲ３での洗浄処理時にチャンバー内に送り込む純水の流量を示している。「スピン回転速度」および「Ｎ２温度」は、それぞれ、第一乾燥室ＣＲ４でのスピン乾燥処理時における、処理対象のウェハーＷＦを回転させる際の回転速度およびチャンバー内の窒素ガスの温度を示している。
【００３９】
なお、補正情報データベースＨＢ１、ＨＢ２に格納される補正用データＨＤＴ、ＨＤＵは、実験的に求められる。
【００４０】
図６のモデル画像データベースＭＢには、モデル画像データ８Ｍが格納されている。「モデル画像」とは、模範的にまたは理想的にウェハーＷＦに対する処理が実施されたときのチャンバー内の様子を撮影して得られた動画像である。モデル画像は、エッチング処理の不良について評価するために参照される。よって、モデル画像を「リファレンス画像」と呼ぶこともできる。
【００４１】
モデル画像データ８Ｍは、半導体製品を製造する工程の中の所定の処理ごとに準備される。例えば、本実施形態のエッチング装置２Ｆ（図３参照）に関しては、エッチング処理のモデル画像データ８Ｍが準備される。ただし、同じ処理装置２における同じ種類の処理であっても、その処理を実施する際に使用するレシピ情報７（すなわち、処理条件）が異なれば、処理中のチャンバー内の様子も異なる場合がある。また、同じレシピ情報７を用いても処理対象（すなわち、製造目的である半導体製品）が異なれば処理中のチャンバー内の様子も異なる場合がある。そこで、モデル画像データ８Ｍは、同じ種類の処理であっても、処理対象およびレシピ情報７の組合せごとにそれぞれモデル画像データ８Ｍを準備しておくのが望ましい。
【００４２】
モデル画像データ８Ｍは、次のような手順で準備される。例えば、半導体製品Ｘが製造の目的物であり、「レシピＩＤ＝ＡＺ２」であるレシピ情報７２に示される条件が処理条件である場合の、エッチング装置２Ｆのエッチング室ＣＲ２におけるエッチング処理のモデル画像データ８Ｍを準備するものとする。まず、本エッチング処理の１つ前までの処理が半導体製品Ｘの製造のために施されたウェハーＷＦを用意する。
【００４３】
「レシピＩＤ＝ＡＺ２」であるレシピ情報７２に示される処理条件で、エッチング処理を開始する。これと同時にエッチング室ＣＲ２に設けられたカメラＣＭ２によってエッチング室ＣＲ２の中の様子の撮影を開始する。撮影は、所定の時間（例えば、エッチング処理が終了するまでの間）継続して行う。撮影速度（１秒当たりの撮影のフレーム数）は、後に説明するエッチング処理の良否の評価のための画像分析ができる程度であればよい。撮影速度は、実験的に設定される。なお、撮影速度が毎秒数フレーム程度である場合は、カメラＣＭ２として、デジタルカメラを用いてもよい。
【００４４】
エッチング処理が施されたウェハーＷＦの品質を検査する。一定以上の品質があった場合は、今回のエッチング処理の様子を撮影して得られた動画像（各フレームの画像）を、モデル画像として採用する。複数回撮影を行い、もっとも品質が高かったときの画像を採用してもよい。このモデル画像は、後に説明するように、エッチング処理時のエッチング液の水面の波の発生具合に関する異常を検出するために用いられる。そこで、各フレーム（コマ）から気泡の画像を削除する画像処理を施しておく。
【００４５】
そして、このモデル画像を所定の画像フォーマットのデータに変換することによってモデル画像データ８Ｍを生成し、モデル画像データベースＭＢに格納しておく。このとき、他のモデル画像データ８Ｍと識別するために、半導体製品Ｘの識別子、使用したレシピ情報７の識別子、および本エッチング処理の識別子などを対応付けておく。
【００４６】
また、モデル画像データ８Ｍの各フレームに写っている気泡の個数を計数し、その計数結果をモデル気泡データ８ＫＨとしてそのモデル画像データ８Ｍに対応付けてモデル画像データベースＭＢに格納しておく。
【００４７】
一方、一定以上の品質が得られなかった場合は、使用するレシピ情報７２を必要に応じて変更するなどして、一定以上の品質が得られるまで、もう一度上に説明したエッチング処理および撮影などをやり直す。なお、このような場合は、標準レシピとして使用するレシピ情報７２を見直す必要がある。
【００４８】
図５に戻って、処理装置制御部１０１は、各処理装置２およびコンベアＣＹの制御を次のように行う。製造目的の半導体製品の工程表に従って、ある処理が施されたウェハーＷＦが次の処理のための処理装置２またはチャンバーに搬送されるように、コンベアＣＹを制御する。例えば、図３の第一洗浄室ＣＲ１で洗浄処理が施されたウェハーＷＦを次のエッチング室ＣＲ２に運搬し、そのエッチング室ＣＲ２でエッチング処理が施されたウェハーＷＦを次の第二洗浄室ＣＲ３に搬送し、…というように運搬作業が実行されるようにコンベアＣＹを制御する。また、処理装置２の制御は、各処理装置２に、処理の実行命令を示す信号とともに各処理のためのレシピ情報７を送信することによって行う。
【００４９】
半導体製品製造システム１００の運転を開始してしばらくは、各処理装置２を、標準レシピのレシピ情報７に基づいて処理が実施されるように制御する。そして、もしも、いずれかの処理に不良があることが発見されたら、その不良をなくすことができるレシピのレシピ情報７に基づいて処理装置２を制御する。つまり、処理条件を補正して処理装置２を制御する。これについては、後に説明する。
【００５０】
各処理装置２では、制御装置１の処理装置制御部１０１から送信されてきた命令に従って、１つ前の処理が施されたウェハーＷＦに対して処理が施される。例えば、図３のエッチング装置２Ｆにおいては、コントローラ２Ｆ１は、第一洗浄室ＣＲ１ないし第二乾燥室ＣＲ５で所定の処理が実施されるように、これらのチャンバー内の各装置を、制御装置１から送信されて来た５種類のレシピ情報７に従って制御する。
【００５１】
また、エッチング室ＣＲ２で実施されるエッチング処理の様子を所定の期間撮影するようにカメラＣＭ２を制御する。撮影の開始のタイミングは、エッチング処理の開始時にしておく。つまり、前に説明したモデル画像データ８Ｍを生成するための撮影のタイミングと同じにしておく。撮影速度、撮影時間、撮影方向、撮影倍率などの撮影条件も、モデル画像データ８Ｍを生成するための撮影の場合と同じにしておく。さらに、高温乾燥の処理が施された後のウェハーＷＦの表面を撮影するようにカメラＣＭ５を制御する。
【００５２】
カメラＣＭ２によって得られた動画像のデータは、処理時画像データ８Ｓとして通信装置２Ｆ２によって制御装置１に送信される。カメラＣＭ５によって得られた画像のデータは、処理後画像データ８Ｅとして制御装置１に送信される。
【００５３】
図１０はエッチング良否評価処理の流れの例を説明するフローチャート、図１１は互いに対応するフレームのモデル画像ＭＧおよび処理時画像ＳＧの例を示す図、図１２は気泡を検知する方法の例を説明するための図、図１３は気泡を検知する他の方法の例を説明するための図、図１４は水滴跡良否評価処理の流れの例を説明するフローチャート、図１５は好適レシピ抽出処理の流れの例を説明するフローチャートである。
【００５４】
制御装置１において、図５の画像データ受信部１０２は、エッチング装置２Ｆから送信された処理時画像データ８Ｓおよび処理後画像データ８Ｅを受信する処理を行う。
【００５５】
画像データが受信されると、処理良否評価部１０３は、その処理時画像データ８Ｓおよび図６のモデル画像データベースＭＢに格納されているモデル画像データ８Ｍに基づいて、エッチング装置２Ｆのエッチング室ＣＲ２で行われたエッチング処理の良否の評価を、図１０に示すような手順で行う。
【００５６】
まず、解析の対象である画像のフレームの番号を示す変数（ｘ）を「１」にリセットし、気泡の発生具合の異常および波の発生具合の異常のフレーム数をカウントするカウンタＣＴ１、ＣＴ２を「０」にリセットしておく（＃１０１）。
【００５７】
受信した処理時画像データ８Ｓに対応するモデル画像データ８Ｍをモデル画像データベースＭＢの中から抽出する（＃１０２）。つまり、処理時画像データ８Ｓの動画像が撮影されたときに実施された処理の種類、処理条件（使用されたレシピ情報７）、および製造の目的の半導体製品に対応するモデル画像データ８Ｍを抽出する。例えば、半導体製品Ｘを製造する目的で、「レシピＩＤ＝ＡＺ２」のレシピ情報７２に示される処理条件下で、エッチング装置２Ｆのエッチング室ＣＲ２でエッチング処理が実施されたときの処理時画像データ８Ｓを受信した場合は、その半導体製品Ｘの識別子、そのレシピ情報７２の識別子、および本エッチング処理の識別子と対応付けられているモデル画像データ８Ｍを抽出する。図１１に示すように、処理時画像データ８Ｓの動画像の各フレームおよび抽出したモデル画像データ８Ｍの各フレームを、時系列に配列する。このとき、撮影開始時のフレームを第一フレームとし、それ以降のフレームを順に、第二フレーム、第三フレーム、…、第Ｎフレームとする。以下、処理時画像データ８Ｓの１枚のフレームに写っている画像を「処理時画像ＳＧ」と記載し、モデル画像データ８Ｍの１枚のフレームに写っている画像を「モデル画像ＭＧ」と記載する。また、モデル画像データ８Ｍとともに、そのモデル画像データ８Ｍに対応するモデル気泡データ８ＫＨも抽出しておく。
【００５８】
処理時画像データ８Ｓの第ｘフレーム（ここでは、第一フレーム）の処理時画像ＳＧに写っている気泡の個数、位置、およびサイズを検出する（＃１０３）。これらを検出する方法として、例えば次の２種類の方法のうちのいずれかが用いられる。
【００５９】
第一の方法は、図１２（ａ）に示すように処理時画像ＳＧの水平方向に連続する１ライン上の画素の輝度値を抽出し、図１２（ｂ）のグラフに示すような画素値の水平方向の変化を求める。そして、所定の間隔の画素間における輝度値の変化量が所定の値以上である部分に気泡があると判別する。このとき、その気泡の位置も認識しておく。または、輝度値が所定の値以下である部分に気泡があると判別してもよい。このような水平方向の輝度値の検出を、処理時画像ＳＧの上端のラインから下方へと順に走査するように繰り返す。これにより、処理時画像ＳＧの中のどの位置の画素に気泡が写っているかが検出される。また、気泡が写っている画素の連続している数に基づいて、気泡のサイズも算出することができる。
【００６０】
そして、検出された気泡を計数し、その個数を各気泡の位置およびサイズとともに記憶しておく。ただし、サイズが所定の値以下である気泡は、後の加工処理の良否にほとんど影響を与えないか、またはカメラＣＭ２の撮像素子で発生したノイズである（つまり、実際にはその位置には気泡が発生していない）、と考えられる。そこで、このような気泡は、無視することとする。
【００６１】
第二の方法は、処理時画像ＳＧの中から気泡の画像領域だけを抽出し、気泡を検出する。すなわち、図１３に示すように、エッチング処理が開始される前の、気泡が発生していない状態の画像（標準画像ＳＧＸ）を予め用意しておく。処理時画像ＳＧと標準画像ＳＧＸとの差分を取る。これにより、気泡だけが写っている差分画像ＳＧＹが得られる。この差分画像ＳＧＹを二値化するなどして、「０」または「１」だけで表される白黒画像ＳＧＺを得る。この白黒画像ＳＧＺから画素値が「１」である画素の塊の位置、大きさ、および個数を求めることによって、気泡が検出される。なお、第一の方法の場合と同様に、所定サイズ以下の気泡は無視する。
【００６２】
フローチャートに戻って、ステップ＃１０２で抽出されたモデル気泡データ８ＫＨに示される第ｘフレーム（ここでは、第一フレーム）の気泡の個数とステップ＃１０３で検出された気泡の個数とを比較する（＃１０４）。そして、前者に所定の個数を加算した値を閾値とし、後者がその閾値以上であった場合は（＃１０４でＹｅｓ）、そのフレームのシーンの気泡の発生具合に異常があると判別し、カウンタＣＴ１に「１」を加算する（＃１０５）。閾値未満であった場合は（＃１０４でＮｏ）、異常はないと判別し、加算は行わない。
【００６３】
ステップ＃１０７の、モデル画像ＭＧの波の発生具合と処理時画像ＳＧの波の発生具合との比較処理をより正確に行うために、ステップ＃１０３で検出された気泡の位置およびサイズに基づいて処理時画像ＳＧから気泡の画像を削除しておく（＃１０６）。
【００６４】
気泡を削除した処理時画像ＳＧおよびこれと同じフレーム番号（ここでは、第一フレーム）のモデル画像ＭＧをマッチングし、両者の波の発生具合の差異を検出する（＃１０７）。例えば、処理時画像ＳＧの一番左端の波の上端を表す画素と処理時画像ＳＧのそれとが重なるように、両画像を重ね合わせる。この波のペアから右方向にある波同士の重なり具合を検知する。そして、画素のずれが所定の間隔以上である波のペアを検知した場合は（＃１０８でＹｅｓ）、そのフレームのシーンの波の発生具合に異常があったと判別し、カウンタＣＴ２に「１」を加算する（＃１０９）。検知しなかった場合は（＃１０８でＮｏ）、異常はなかったと判別し、カウンタＣＴ２への加算は行わない。
【００６５】
次のフレームのモデル画像ＭＧおよび処理時画像ＳＧに比較対象を変更し（＃１１０）、気泡および波の発生具合の良否の判別を、最後のフレーム（第Ｎフレーム）まで繰り返し行う（＃１０３〜＃１０９、＃１１１でＮｏ）。
【００６６】
そして、最後のフレーム（第Ｎフレーム）についての判別が終わったら（＃１１１でＹｅｓ）、カウンタＣＴ１、ＣＴ２の値に基づいて、処理時画像データ８Ｓの動画像の撮影が行われたときのエッチング処理が良好であったか否かを評価する（＃１１２）。本実施形態では、カウンタＣＴ１、ＣＴ２の値をそれぞれの閾値と比較し、いずれか一方でも閾値以上になった場合は（＃１１２でＹｅｓ）、今回のエッチング処理は良好でない、すなわち、異常が発生している、と評価する（＃１１４）。両方とも閾値未満であった場合は（＃１１２でＮｏ）、今回のエッチング処理は良好であったと判別する（＃１１３）。
【００６７】
例えば、カウンタＣＴ１の閾値が「フレーム数の３分の１」であると設定され、カウンタＣＴ２の閾値が「フレーム数の２分の１」であると設定されている場合は、「ＣＴ１≧Ｎ／３  または  ＣＴ２≧Ｎ／２」であれば、今回のエッチング処理は良好でないと評価される。
【００６８】
図１０の処理と並行して、処理良否評価部１０３は、エッチング装置２Ｆから送信されて来た処理後画像データ８Ｅに基づいて、水滴跡の残り具合の良否の評価を、例えば図１４に示すような手順で行う。
【００６９】
予め用意しておいた水滴跡のないウェハーＷＦの表面の画像と処理後画像データ８Ｅに示される高温乾燥処理後のウェハーＷＦの表面の画像とを重ね合わせる（図１４の＃１２１）。両画像の差分を求めることによって、水滴跡だけの画像を生成する（＃１２２）。その画像に写っている水滴跡を計数する（＃１２３）。その個数が閾値以上であった場合は（＃１２４でＹｅｓ）、水滴跡がウェハーＷＦの表面に残り過ぎているので不良である、と評価する（＃１２６）。閾値未満であった場合は（＃１２４でＮｏ）、良好であると評価する（＃１２５）。
【００７０】
図５に戻って、好適レシピ抽出部１０４は、いずれかの処理装置２の処理において不良が発生したと処理良否評価部１０３によって評価された場合に、その不良をなくして好適な処理結果が得られるようにするための処理条件つまりレシピ情報７を、図１５に示すような手順で判別して抽出する。
【００７１】
例えば、エッチング装置２Ｆのエッチング処理において不良が発生していると処理良否評価部１０３によって評価された場合は、好適レシピ抽出部１０４は、まず、そのエッチング処理の不良の状態を求める（＃１３１）。すなわち、波の発生具合に異常があったか否かおよび気泡が閾値よりもどれだけ多く発生したかを求める。前者については、図１０の処理によって最終的に求められたカウンタＣＴ２の値から求められる。後者については、例えば、各フレームについてステップ＃１０３で検出された気泡の個数と閾値との差の平均値を算出すればよい。
【００７２】
求められた不良の状態に対応する補正用データＨＤＴを、図８の補正情報データベースＨＢ１から抽出する（＃１３２）。例えば、発生した気泡と閾値との差が７個、かつ、波の異常あり、という状態の不良であった場合は、「気泡オーバ数＝５〜１０」かつ「波の異常の有無＝有」の補正用データＨＤＴを抽出する。
【００７３】
抽出した補正用データＨＤＴに基づいて、レシピデータベースＲＢｆ１〜ＲＢｆ３から次のようなレシピのレシピ情報７を抽出する（＃１３３）。
【００７４】
レシピデータベースＲＢｆ２から、シャワー噴出流量および搖動回数がそれぞれ抽出された補正用データＨＤＴの「シャワー噴出流量」および「搖動回数」に示される値であり、かつ、他の項目の条件（搬送速度、搖動スピード、エッチング時間など）の値が現在の処理条件の値と同じである、レシピのレシピ情報７を抽出する。つまり、現在の処理条件を補正用データＨＤＴの「シャワー噴出流量」および「搖動回数」に示される値に変更可能なレシピ情報７を抽出する。
【００７５】
例えば、現在の処理条件が「レシピＩＤ＝ＡＺ２」のレシピ情報７（図７参照）に示される条件であって、ステップ＃１３２で抽出された補正用データＨＤＴが「気泡オーバ数＝５〜１０」かつ「波の異常の有無＝有」の補正用データＨＤＴであったとする。この場合は、「シャワー噴出流量」および「搖動回数」をそれぞれ「１３５〜１８０」および「３〜４」の範囲の値に補正する必要がある。かつ、それ以外の項目の処理条件は「レシピＩＤ＝ＡＺ２」のレシピ情報７に示される値のままに保つ必要がある。そこで、これらの要件を満たす「レシピＩＤ＝ＡＸＡ」のレシピ情報７を抽出する。
【００７６】
同様に、レシピデータベースＲＢｆ１から、純水吐出量および純水洗浄時間がそれぞれ補正用データＨＤＴの「第一洗浄室純水吐出量」および「第一洗浄室純水洗浄時間」に示される値であり、かつ、他の項目の条件の値は現在の処理条件の値と同じである、レシピのレシピ情報７を抽出する。このレシピ情報７は、第一洗浄室ＣＲ１での洗浄処理のために用いられる。レシピデータベースＲＢｆ３から、純水吐出量および純水洗浄時間がそれぞれ補正用データＨＤＴの「第二洗浄室純水吐出量」および「第二洗浄室純水洗浄時間」に示される値であり、かつ、他の項目の条件の値は現在の処理条件の値と同じである、レシピのレシピ情報７を抽出する。このレシピ情報７は、第二洗浄室ＣＲ３での洗浄処理のために用いられる。
【００７７】
また、ウェハーＷＦの表面に残った水滴跡に関する不良が発生していると処理良否評価部１０３によって評価された場合も、エッチング処理の不良の場合と同様の手順でレシピ情報７を抽出する。すなわち、まず、発生した不良の状態を求める（＃１３１）。ここでは、ウェハーＷＦに残った水滴跡と閾値との差（以下、「水滴跡オーバ数」と記載する。）を求める。補正情報データベースＨＢ２（図９参照）から、その水滴跡オーバ数に対応する補正用データＨＤＵを抽出する（＃１３２）。
【００７８】
そして、抽出した補正用データＨＤＵに基づいて、レシピデータベースＲＢｆ３、ＲＢｆ４から次のようなレシピのレシピ情報７を抽出する（＃１３３）。レシピデータベースＲＢｆ３から、純水吐出量を補正用データＨＤＵの「第二洗浄室純水吐出量」の値に変更可能なレシピ情報７を抽出する。このレシピ情報７は、第二洗浄室ＣＲ３での洗浄処理のために用いられる。レシピデータベースＲＢｆ４から、スピン回転速度、Ｎ２温度、および純水温度をそれぞれ補正用データＨＤＵの「スピン回転速度」、「Ｎ２温度」、および「純水温度」の値に変更可能なレシピ情報７を抽出する。このレシピ情報７は、第一乾燥室ＣＲ４でのスピン乾燥処理のために用いられる。
【００７９】
図５に戻って、好適レシピ抽出部１０４によって抽出されたレシピ情報７は、不良の発生が検知された後の、エッチング装置２Ｆなどの処理装置２の制御のために用いられる。つまり、不良をなくすための好適なレシピ情報７が、制御の補正のためにフィードバックされる。
【００８０】
図１６は半導体製品製造システム１００の全体的な処理の流れの例を説明するフローチャートである。次に、ある半導体製品を製造する際の半導体製品製造システム１００の処理の流れを、図１６のフローチャートを参照して説明する。
【００８１】
予め、不良が発生しなかったときのエッチング処理の様子を撮影してモデル画像データ８Ｍを生成しておく（＃１）。半導体製品製造システム１００の運転を開始する（＃２）。このとき、製造対象の半導体製品に対応する標準レシピに基づいて各処理装置２の制御を開始する。
【００８２】
エッチング装置２Ｆのエッチング室ＣＲ２で実施されている処理の様子および第二乾燥室ＣＲ５での処理後のウェハーＷＦの撮影を行う（＃３）。
【００８３】
撮影によって得られた動画像のデータ（処理時画像データ８Ｓ）の各フレームの画像と予め準備しておいたモデル画像データ８Ｍの各フレームの画像とを比較するなどして、エッチング処理の良否を評価する（＃４）。評価の手順は、前に図１０で説明した通りである。これと並行して、処理後画像データ８Ｅに基づいて、ウェハーＷＦに残った水滴跡に関する良否を評価する（＃５）。評価の手順は、前に図１４で説明した通りである。
【００８４】
不良があると評価された場合は（＃６でＹｅｓ）、それを補正するのに好適なレシピを抽出する（＃７）。抽出の手順は、前に図１５で説明した通りである。そして、抽出したレシピに基づいて各処理装置２を制御する（＃８）。つまり、好適なレシピを、処理条件の補正のためにフィードバックする。
【００８５】
上記のステップ＃３〜＃８の処理は、目的の半導体製品の製造が終了するまで繰り返し行われる（＃９でＮｏ）。
【００８６】
本実施形態によると、半導体製品の製造の際に実施される処理の良否の評価を、予め準備しておいた良好な処理の様子の画像と実際に製造しているときの処理の画像とを比較することによって行う。これにより、作業員に負担を掛けることなく従来よりも正確かつ迅速に行うことができる。
【００８７】
処理時画像データ８Ｓ、処理後画像データ８Ｅ、エッチング処理時のエッチング液に発生した気泡および波形に関するデータ、および高温乾燥処理後にウェハーＷＦに残った水滴跡に関するデータを履歴データとして蓄積しておいてもよい。半導体製品製造システム１００の開発者は、これらの履歴データを、不良の発生の傾向の分析調査など（データマイニング）のために用い、半導体製品製造システム１００の改良のために役立てることができる。
【００８８】
エッチング処理および高温乾燥処理などのウェハーＷＦに対する処理の評価は、処理時画像データ８Ｓおよび処理後画像データ８Ｅなどが制御装置１に入力されたら直ちにリアルタイムで実行するのが望ましい。しかし、直ちに実行することができない場合は、これらの画像データをハードディスク１ｄ（図４参照）に一時的にスワッピングしておき、実行可能になったらＲＡＭ１ｂにロードするようにしてもよい。
【００８９】
本実施形態では、モデル画像データ８Ｍ、処理時画像データ８Ｓ、および処理後画像データ８Ｅなどを通信回線３を介して制御装置１に入力したが、ＣＤ−ＲまたはＭＯなどのリムーバブルディスクを介して入力することも可能である。
【００９０】
本実施形態では、エッチング装置２Ｆにおけるエッチング処理および高温乾燥処理の評価を行ったが、本発明は、それ以外の処理の評価のためにも適用することができる。例えば、エッチング装置２Ｆの第一乾燥室ＣＲ４（図３参照）で行われたスピン乾燥処理の評価を行うこともできる。この場合は、スピン乾燥処理を実施した後のウェハーＷＦをカメラで撮影し、ウェハーＷＦに残っている水滴を画像から検知しその個数などに基づいて評価を行ってもよい。エッチング装置２Ｆ以外の処理装置２で実施される処理についても本発明を適用することができる。
【００９１】
図１７は不良事例画像データ８Ｂの例を示す図である。本実施形態では、高温乾燥処理の評価を、ウェハーＷＦに残った水滴跡の個数に基づいて行ったが、水滴跡の面積に基づいて行ってもよい。または、エッチング処理の評価を、処理時画像データ８Ｓをモデル画像データ８Ｍと比較することによって行ったが、図１７に示すような不良が発生した場合の処理の様子を撮影した画像のデータ（不良事例画像データ８Ｂ）をリファレンス画像のデータとして準備しておき、これと処理時画像データ８Ｓとを比較することによって行ってもよい。不良事例画像データ８Ｂと比較することによって、不良の原因を簡単に判別することができる。例えば、画像ＢＧａとほぼ一致する画像が処理時画像データ８Ｓに含まれていることが検知されれば、エッチング室ＣＲ２への搬入速度が速すぎることが不良の原因であると考えられる。画像ＢＧｂとほぼ一致する画像が検知されれば、シャワーの偏りが不良の原因であると考えられる。画像ＢＧｃとほぼ一致する画像が検知されれば、バブリングの異常が不良の原因であると考えられる。
【００９２】
その他、半導体製品製造システム１００、制御装置１、製造ラインＭＬ、処理装置２の全体または各部の構成、処理内容、処理順序などは、本発明の趣旨に沿って適宜変更することができる。
【００９３】
以上説明した実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する処理の良否を評価する、半導体製品の製造工程における処理評価方法であって、
前記基板に対して前記処理を実施するときの様子が撮影されるように予めカメラを設置しておき、
前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該処理が実施されたときの画像を、モデル画像として予め記憶手段に記憶させておき、
前記半導体製品の製造中に、前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影する第一のステップと、
前記第一のステップで得られた画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記処理の良否を評価する第二のステップと、
を実行することを特徴とする半導体製品の製造工程における処理評価方法。
（付記２）半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する処理の良否を評価する、半導体製品の製造工程における処理評価装置であって、
前記基板に対して前記処理を実施するときの様子が撮影されるように設置されたカメラによって撮影された画像を入力する画像入力手段と、
前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該処理が実施されたときの画像を、モデル画像として記憶しておく記憶手段と、
前記半導体製品の製造中に前記カメラによって撮影された、前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子の画像である製造時画像が、前記画像入力手段によって入力されると、入力された当該製造時画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記処理の良否を評価する、処理評価手段と、
を有することを特徴とする半導体製品の製造工程における処理評価装置。
（付記３）前記処理評価手段は、前記モデル画像と前記製造時画像との差異を求め、当該差異に基づいて前記処理の良否を評価する、
付記２記載の処理評価装置。
（付記４）前記記憶手段は、前記処理が実施されている期間における所定の時間帯の連続する複数枚のフレームの前記モデル画像を記憶し、
前記画像入力手段は、前記所定の時間帯の連続する複数枚のフレームの前記製造時画像を入力し、
前記処理評価手段は、時間的に互いに対応するフレームの前記モデル画像と前記製造時画像との差異を求め、当該差異が所定の値以上であるフレームの枚数を計数し、計数された枚数が少ないほど前記処理が良好であると評価する、
付記２記載の処理評価装置。
（付記５）前記処理はエッチング処理であって、
前記処理評価手段は、前記モデル画像および前記製造時画像のそれぞれに写っているエッチング液の水面の波または気泡の状態の差異に基づいて前記処理の良否を評価する、
付記３または付記４記載の処理評価装置。
（付記６）半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する乾燥処理の良否を評価する、半導体製品の製造工程における処理評価装置であって、
前記乾燥処理が実施された後の前記基板が写っている画像を入力する画像入力手段と、
入力された前記画像に写っている水滴跡を計数する水滴跡計数手段と、
計数された前記水滴跡の個数に基づいて前記乾燥処理の良否を評価する、処理評価手段と、
を有することを特徴とする半導体製品の製造工程における処理評価装置。
（付記７）基板を加工して半導体製品を製造する半導体製品製造システムであって、
前記基板に対して所定の処理を実施するときの様子が撮影されるように設置されたカメラによって撮影された画像を入力する画像入力手段と、
前記基板に対して前記所定の処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該所定の処理が実施されたときの画像を、モデル画像として記憶しておく記憶手段と、
前記半導体製品の製造中に前記カメラによって撮影された、前記基板に対して前記所定の処理が実施されているときの様子の画像である製造時画像が、前記画像入力手段によって入力されると、入力された当該製造時画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記所定の処理の良否を評価する、処理評価手段と、
前記半導体製品の製造中における前記所定の処理が不良であると前記処理評価手段によって評価された場合に、当該所定の処理の処理条件を補正する、処理条件補正手段と、
を有することを特徴とする半導体製品製造システム。
（付記８）基板を加工して半導体製品を製造する半導体製品製造システムであって、
前記基板に対して所定の処理を実施する処理装置と、
前記所定の処理を実施するときの様子が撮影されるように設置されたカメラと、
前記処理装置を制御する制御装置と、を有し、
前記制御装置には、
前記基板に対して前記所定の処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該所定の処理が実施されたときの画像を、モデル画像として記憶しておく記憶手段と、
前記半導体製品の製造中に前記カメラによって撮影された、前記基板に対して前記所定の処理が実施されているときの様子の画像を、製造時画像として入力する画像入力手段と、
前記製造時画像が入力されると、当該製造時画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記所定の処理の良否を評価する、処理評価手段と、
前記半導体製品の製造中における前記所定の処理が不良であると前記処理評価手段によって評価された場合に、当該所定の処理の処理条件を補正する、処理条件補正手段と、
が設けられ、
前記制御装置は、前記所定の処理の処理条件が補正された場合は、補正された当該処理条件に基づいて前記処理装置を制御する、
ことを特徴とする半導体製品製造システム。
（付記９）半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する加工処理の良否を評価するコンピュータに用いられるコンピュータプログラムであって、
前記基板に対して前記加工処理が実施されているときの様子を撮影して得られた画像のうちの、不良が発生することなく当該加工処理が実施されたときの画像を、モデル画像として記憶する記憶手段にアクセスする処理と、
前記半導体製品の製造中の、前記基板に対して前記加工処理が実施されているときの様子を撮影して得られた画像を入力する処理と、
入力された画像と前記記憶手段に記憶されている前記モデル画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記加工処理の良否を評価する処理と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
（付記１０）半導体製品を製造するために当該半導体製品の基となる基板に対して実施する処理について評価する、半導体製品の製造工程における処理評価方法であって、
前記基板に対して前記処理を実施するときの様子が撮影されるように予めカメラを設置しておき、
前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を予め前記カメラによって撮影して得られた画像のうちの、不良が発生した場合の当該処理が実施されたときの画像を、リファレンス画像として予め記憶手段に記憶させておき、
前記半導体製品の製造中に、前記基板に対して前記処理が実施されているときの様子を前記カメラによって撮影する第一のステップと、
前記第一のステップで得られた画像と前記記憶手段に記憶されている前記リファレンス画像とに基づいて、前記半導体製品の製造中における前記処理に不良がないか否かを評価する第二のステップと、
を実行することを特徴とする半導体製品の製造工程における処理評価方法。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、半導体製品の歩留まりを、作業員に負担を掛けることなく従来よりも向上させ、安価で高品質の半導体製品を提供するために好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】半導体製品製造システムの全体的な構成を示す図である。
【図２】ＩＣチップを製造する工程の例を示す図である。
【図３】エッチング装置の構成の例を示す図である。
【図４】制御装置のハードウェア構成の例を示す図である。
【図５】制御装置の機能的構成の例を示す図である。
【図６】データベース管理部が管理するデータベースなどの例を示す図である。
【図７】レシピデータベースの例を示す図である。
【図８】補正情報データベースの例を示す図である。
【図９】補正情報データベースの例を示す図である。
【図１０】エッチング良否評価処理の流れの例を説明するフローチャートである。
【図１１】互いに対応するフレームのモデル画像および処理時画像の例を示す図である。
【図１２】気泡を検知する方法の例を説明するための図である。
【図１３】気泡を検知する他の方法の例を説明するための図である。
【図１４】水滴跡良否評価処理の流れの例を説明するフローチャートである。
【図１５】好適レシピ抽出処理の流れの例を説明するフローチャートである。
【図１６】半導体製品製造システムの全体的な処理の流れの例を説明するフローチャートである。
【図１７】不良事例画像データの例を示す図である。
【符号の説明】
【００９６】
１００  半導体製品製造システム
１  制御装置（処理評価装置）
１０２  画像データ受信部（画像入力手段）
１０３  処理良否評価部（処理評価手段）
１０４  好適レシピ抽出部（処理条件補正手段）
ＣＭ２  カメラ
ＭＢ  モデル画像データベース（記憶手段）
ＭＧ  モデル画像
ＷＦ  ウェハー（基板）
ＳＧ  処理時画像（製造時画像）
【図１】
2006090901.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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