(57)【要約】【課題】  リサーフ構造を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】  ｎ型半導体領域１及びｎ−型半導体領域２ａが形成された半導体基板１００に、熱拡散法によってｐ型不純物を所定の深さまで拡散させ、ｎ−型半導体領域２及びｐ型半導体領域３ａを形成する。そして、ｐ型半導体領域３ａを所定の厚さだけ研磨することにより、ｐ型半導体領域３を形成する。【選択図】  図３
2006073710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された第１導電型の第１の半導体領域の一方の主面、または、所定の表面領域に第２導電型の不純物を拡散させる不純物拡散工程と、
前記第２導電型の不純物を拡散させた半導体基板を前記第１の半導体領域の一方の主面側から切削または研磨し、リサーフ層として機能する第２導電型の第２の半導体領域を形成する第２の半導体領域形成工程と、
を備える、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記不純物拡散工程では、前記第２導電型の不純物を熱拡散させる、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の半導体領域形成工程では、第２導電型の所定の不純物濃度を有する面が表面に露出するように切削または研磨する、ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記不純物拡散工程では、前記第２導電型の不純物を拡散させる領域を制限するためのマスクを形成するマスク形成工程をさらに備える、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の一方の主面、または、一方の主面の所定の表面領域に形成され、リサーフ層として機能する第２導電型の第２の半導体領域と、
を備える半導体基板を有し、
前記第２の半導体領域は、前記第１の半導体領域の一方の主面、または、所定の表面領域に第２導電型の不純物を拡散させ、該拡散させた半導体基板を前記第１の半導体領域の一方の主面側から切削または研磨することにより形成されている、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第２の半導体領域は、第２導電型の不純物を熱拡散させ、該熱拡散させた半導体基板を前記第１の半導体領域の一方の主面側から切削または研磨することにより形成されている、ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板は、
前記第２の半導体領域の所定の表面領域に形成され、該第２の半導体領域よりも不純物濃度の高い第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の所定の表面領域に前記第２の半導体領域を包囲するように形成された第１導電型の第４の半導体領域と、
をさらに備える、ことを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体基板は、
前記第１の半導体領域の所定の表面領域に形成され、前記第２の半導体領域よりも不純物濃度の高い第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の所定の表面領域に前記第２の半導体領域を包囲するように形成された第１導電型の第４の半導体領域と、
をさらに備え、
前記第２の半導体領域は、前記第３の半導体領域を包囲するように形成されている、ことを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、耐圧、例えば、逆方向耐圧を向上させることが求められている。このため、半導体基板表面の主電流が流れる活性領域の周囲にフィールドリミッティングリング（ＦＬＲ：Field Limiting Ring）などを形成したり、リサーフ構造を形成することによって、半導体装置の耐圧を向上させる方法が提案されている。
【０００３】
このような半導体装置の耐圧を向上させる耐圧構造として、リサーフ構造を形成する場合、その構造上、ＦＬＲを形成する場合よりも耐圧構造に要する面積を小さくすることができる。このため、そのチップサイズを小さくすることができる。
【０００４】
ところで、リサーフ構造は、半導体基板に不純物を添加する不純物添加工程により形成される。不純物添加工程としては、例えば、特許文献１に示すように、イオン注入法が広く用いられている。この理由は、イオン注入法は、注入する不純物量を比較的容易に制御することができるので、不純物濃度が低く、かつ、薄いリサーフ層の形成に適しているためである。
【特許文献１】特開２００４−３１５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、イオン注入法によりリサーフ層を形成するためには、高価な製造装置と高い製造技術とが必要であり、リサーフ構造を有する半導体装置を容易に製造することは困難であった。また、スキャニング方式であるため、スループットが悪くなってしまうという問題がある。さらに、生産処理能力の向上及びコストダウンを図ることが困難であった。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リサーフ構造を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、生産処理能力の向上及びコストダウンを図ることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点にかかる半導体装置の製造方法は、
半導体基板に形成された第１導電型の第１の半導体領域の一方の主面、または、所定の表面領域に第２導電型の不純物を拡散させる不純物拡散工程と、
前記第２導電型の不純物を拡散させた半導体基板を前記第１の半導体領域の一方の主面側から切削または研磨し、リサーフ層として機能する第２導電型の第２の半導体領域を形成する第２の半導体領域形成工程と、
を備える、ことを特徴とする。
【０００８】
前記不純物拡散工程では、前記第２導電型の不純物を熱拡散させることが好ましい。
【０００９】
前記第２の半導体領域形成工程では、第２導電型の所定の不純物濃度を有する面が表面に露出するように切削または研磨することが好ましい。
【００１０】
前記不純物拡散工程では、前記第２導電型の不純物を拡散させる領域を制限するためのマスクを形成するマスク形成工程をさらに備えていてもよい。
【００１１】
本発明の第２の観点にかかる半導体装置は、
第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の一方の主面、または、一方の主面の所定の表面領域に形成され、リサーフ層として機能する第２導電型の第２の半導体領域と、
を備える半導体基板を有し、
前記第２の半導体領域は、前記第１の半導体領域の一方の主面、または、所定の表面領域に第２導電型の不純物を拡散させ、該拡散させた半導体基板を前記第１の半導体領域の一方の主面側から切削または研磨することにより形成されている、ことを特徴とする。
【００１２】
前記第２の半導体領域は、第２導電型の不純物を熱拡散させ、該熱拡散させた半導体基板を前記第１の半導体領域の一方の主面側から切削または研磨することにより形成されていることが好ましい。
【００１３】
前記半導体基板は、
前記第２の半導体領域の所定の表面領域に形成され、該第２の半導体領域よりも不純物濃度の高い第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の所定の表面領域に前記第２の半導体領域を包囲するように形成された第１導電型の第４の半導体領域と、
をさらに備えていてもよい。
【００１４】
前記半導体基板は、
前記第１の半導体領域の所定の表面領域に形成され、前記第２の半導体領域よりも不純物濃度の高い第２導電型の第３の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の所定の表面領域に前記第２の半導体領域を包囲するように形成された第１導電型の第４の半導体領域と、
をさらに備え、
前記第２の半導体領域は、前記第３の半導体領域を包囲するように形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、リサーフ構造を有する半導体装置を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態にかかる半導体装置及び半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。本実施の形態では、半導体装置として、リサーフ構造を有する高耐圧ダイオードを用いた場合を例に本発明を説明する。図１は、本実施の形態の高耐圧ダイオードの構成を示す図である。なお、本実施の形態では、第１導電型がｎ型の場合を例に本発明を説明する。
【００１７】
図１に示すように、高耐圧ダイオードは、半導体基板１００と、第１の絶縁膜６と、主電極としての第１の電極７と、第２の電極８と、第３の電極９と、第２の絶縁膜１０と、を備えている。
【００１８】
半導体基板１００は、ｎ型半導体領域１と、第１の半導体領域としてのｎ−型半導体領域２と、第２の半導体領域としてのｐ型半導体領域３と、第３の半導体領域としてのｐ＋型半導体領域４と、第４の半導体領域としてのチャネルストッパ領域５と、を備えている。
【００１９】
ｎ型半導体領域１は、第１導電型である、ｎ型の半導体領域から構成されている。ｎ型半導体領域１は、例えば、１．０×１０１８ｃｍ−３〜１．０×１０２０ｃｍ−３程度の不純物濃度で、１００μｍ〜５００μｍ程度の厚さに形成されている。ｎ型半導体領域１は、半導体基板１００の下部に形成されており、その下面が半導体基板１００の下面を構成する。
【００２０】
ｎ−型半導体領域２は、ｎ型半導体領域１の一方の主面、例えば、上面に形成されている。ｎ−型半導体領域２は、ｎ型半導体領域１よりも相対的に不純物濃度の低い、ｎ−型の半導体領域から構成されている。ｎ−型半導体領域２は、例えば、１．０×１０１３ｃｍ−３〜５．０×１０１４ｃｍ−３程度の不純物濃度で、１０μｍ〜１００μｍ程度の厚さに形成されている。
【００２１】
ｐ型半導体領域３は、ｎ−型半導体領域２の一方の主面、例えば、上面に形成されている。ｐ型半導体領域３は、第２導電型である、ｐ型の半導体領域から構成され、不純物濃度が低く、かつ、薄い、いわゆるリサーフ層として機能するように形成されている。このため、ｐ型半導体領域３は、その表面の不純物濃度（表面濃度）が、５．０×１０１４ｃｍ−３〜１．０×１０１６ｃｍ−３程度、例えば、１×１０１５ｃｍ−３程度となるように形成されている。また、ｐ型半導体領域３は、１０μｍ〜５０μｍ程度の厚さに形成されている。このような表面濃度及び厚さのｐ型半導体領域３は、後述するように、例えば、熱拡散法によって、ｐ型不純物（例えば、ボロン）を半導体基板１００の上面から所定の深さまで拡散させた後、半導体基板１００の上面から所定の厚さだけ切削（研磨）することにより容易に形成される。
【００２２】
ｐ＋型半導体領域４は、ｐ型半導体領域３（半導体基板１００）の所定の表面領域に形成されている。ｐ＋型半導体領域４は、ｐ型半導体領域３よりも相対的に不純物濃度の高い、ｐ＋型の半導体領域から構成されている。ｐ＋型半導体領域４は、１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３程度の不純物濃度で、１μｍ〜５μｍ程度の厚さに形成されている。
【００２３】
チャネルストッパ領域５は、半導体基板１００の表面領域に、ｐ型半導体領域３を取り囲むように、ｐ＋型半導体領域４から所定距離を隔てて形成されている。チャネルストッパ領域５は、ｎ−型半導体領域２よりも相対的に不純物濃度の高い、Ｎ型の半導体領域から構成されている。チャネルストッパ領域５は、例えば、１×１０１７ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３程度の不純物濃度に形成されている。また、チャネルストッパ領域５は、ｐ型半導体領域３及びｐ＋型半導体領域４よりも厚く、例えば、２０μｍ〜８０μｍ程度の厚さに形成されている。このチャネルストッパ領域５は、チャネルストッパとしての機能を有する。
【００２４】
第１の絶縁膜６は、半導体基板１００のｐ＋型半導体領域４と、チャネルストッパ領域５と、ｐ型半導体領域３との上面に形成されている。第１の絶縁膜６は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などの絶縁膜から形成されている。
【００２５】
第１の電極７は、半導体基板１００（ｎ型半導体領域１）の他方の主面、例えば、下面に形成されている。第１の電極７は、例えば、アルミニウム、銅、ニッケルなどの金属からなる導体膜から構成されている。第１の電極７は、真空蒸着等により形成され、ｎ型半導体領域１に電気的に接続されている。
【００２６】
第２の電極８は、ｐ＋型半導体領域４の上面を覆うように、半導体基板１００の上面に形成されている。第２の電極８は、例えば、アルミニウム、銅、ニッケルなどの金属からなる導体膜から構成されている。第２の電極８は、真空蒸着等により形成され、ｐ＋型半導体領域４に電気的に接続されている。なお、第２の電極８は、図１に示すように、第１の絶縁膜６上の一部を覆っていてもよい。
【００２７】
第３の電極９は、チャネルストッパ領域５の上面を覆うように、半導体基板１００の上面に形成されている。第３の電極９は、例えば、アルミニウム、銅、ニッケルなどの金属からなる導体膜から構成されている。第３の電極９は、真空蒸着等により形成され、チャネルストッパ領域５に電気的に接続されている。なお、第３の電極９は、図１に示すように、第１の絶縁膜６上の一部を覆っていてもよい。
【００２８】
第２の絶縁膜１０は、第１の絶縁膜６上に形成され、第２の電極８と第３の電極９との間を電気的に絶縁する。第２の絶縁膜１０は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ポリイミド（ＰＩ）膜などの絶縁膜から形成されている。
【００２９】
以上のような構成を有する本実施の形態の高耐圧ダイオードでは、ｎ−型半導体領域２の上面に、いわゆるリサーフ層として機能するｐ型半導体領域３が形成されている。このため、ｎ−型半導体領域２とｐ型半導体領域３との間に形成されるｐｎ結合に対して逆バイアスとなるように、第１の電極７と第２の電極８との間に逆方向電圧を印加し、印加した逆方向電圧の大きさを大きくしていくと、ｎ−型半導体領域２とｐ型半導体領域３との界面に形成されるｐｎ結合から、図２に示すように、空乏層が広がっていく。そして、逆方向電圧の大きさが所定の大きさに達すると、ｐ型半導体領域３が空乏層によって埋め尽くされる。この結果、電界集中が良好に緩和され、ダイオードの高耐圧化を実現することができる。
【００３０】
次に、上記した構成を有する高耐圧ダイオードの製造方法について説明する。なお、図３（ａ）〜図５（ｂ）は、高耐圧ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【００３１】
まず、ｎ型（ｎ−型）の半導体基板１００を用意する。次に、例えば、熱拡散法によって、ｎ型の不純物（例えば、リン）を半導体基板１００の下面から所定の深さまで拡散させる。これにより、図３（ａ）に示すように、半導体基板１００の下部（ｎ−型半導体領域２ａの下面）に、ｎ−型半導体領域２ａよりも不純物濃度の高いｎ型半導体領域１が形成される。
【００３２】
続いて、例えば、熱拡散法によって、ｐ型不純物（例えば、ボロン）を半導体基板１００の上面から所定の深さまで拡散させる。これにより、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１００の上部（ｎ−型半導体領域２ａの上面）にｐ型半導体領域３ａが形成される。この結果、ｎ型半導体領域１上に所定の厚さを有するｎ−型半導体領域２が形成され、ｎ−型半導体領域２上にｐ型半導体領域３ａが形成される。なお、熱拡散法では、複数枚の半導体基板１００を熱拡散炉に搬入して、同時に処理することが可能である。このため、図３（ｂ）に示す半導体基板１００を複数枚同時に形成することが可能である。
【００３３】
ところで、ｎ型半導体領域１及びｐ型半導体領域３ａを熱拡散法によって形成していることから、ｎ型半導体領域１及びｐ型半導体領域３ａが形成された状態における半導体基板１００の上面から下面までの不純物濃度は、熱拡散の拡散方程式に従うことになる。図６に熱拡散の拡散方程式に従った、半導体基板１００の上面から下面までの不純物濃度を示す。図６に示すように、ｎ型半導体領域１及びｐ型半導体領域３ａの不純物濃度は、熱拡散法によって不純物を拡散させた半導体基板１００の上面及び下面が最も高く、ｎ−型半導体領域２に近づくに従って小さくなる。
【００３４】
ここで、ｐ型半導体領域（３ａ）をリサーフ層として機能するためには、ｐ型半導体領域の表面濃度が所定の濃度、例えば、１×１０１５ｃｍー３であることが必要である。ｐ型半導体領域３ａの表面濃度は、図６に示すように、１×１０１５ｃｍー３より高い。そこで、ｐ型半導体領域３ａの表面濃度を１×１０１５ｃｍー３とすべく、図３（ｃ）に示すように、半導体基板１００（ｐ型半導体領域３ａ）の上面を所定の厚さだけ切削する。本実施の形態では、機械的研磨装置（例えば、バックグラインダー装置）を用いて切削（研磨）する。これにより、表面濃度が１×１０１５ｃｍー３である、リサーフ層として機能するｐ型半導体領域３を形成することができる。
【００３５】
なお、図６に示すような濃度プロファイルは、例えば、実験や理論計算等により、熱拡散法により各層を形成する際の処理条件（熱拡散の条件）等に基づいて作成される。そして、この濃度プロファイルから、例えば、実験や理論計算等により、各層を形成する際の処理条件（熱拡散の条件）から図６に示すような濃度プロファイルを作成し、作成した濃度プロファイルから半導体基板１００（ｐ型半導体領域３ａ）の上面を研磨（切削）する厚さが求められる。そして、求めた厚さとなるように研磨条件（研磨レート、研磨時間など）を決定し、決定した研磨条件に従って研磨処理を行うことにより、所定の表面濃度を有するｐ型半導体領域３を形成することができる。
【００３６】
このように、熱拡散法と研磨処理とによりｐ型半導体領域３を形成する場合には、イオン注入法で用いるような高価な製造装置や高い製造技術が必要ない。これにより、高耐圧ダイオードを容易に製造することができる。また、この製造方法は、スキャニング方式でないため、スループットが悪くならない。さらに、高耐圧ダイオードの製造コストを低く抑えることができる。
【００３７】
また、ｐ型半導体領域３の形成において、マスク処理をする必要がなく、さらに、複数枚の半導体基板１００を同時に処理（バッチ式処理）することができるので、生産処理能力の向上及びコストダウンを図ることができる。
【００３８】
次に、例えば、熱拡散法又はイオン注入法により、ｐ型半導体領域３の所定の表面領域にｐ型不純物（例えば、ボロン）を拡散又は注入する。これにより、図４（ａ）に示すように、ｐ型半導体領域３の表面領域にｐ＋型半導体領域４が形成される。
【００３９】
また、例えば、熱拡散法又はイオン注入法により、ｐ型半導体領域３の所定の表面領域であって、ｐ型半導体領域３を取り囲むようにｐ＋型半導体領域４から所定距離を隔てた領域に、ｎ型不純物（例えば、リン）を拡散又は注入する。これにより、図４（ａ）に示すように、チャネルストッパ領域５が形成される。
【００４０】
なお、前述のように、イオン注入法は高価な製造装置と高い製造技術とを必要とするため、ｐ＋型半導体領域４及びチャネルストッパ領域５は、熱拡散法により形成することが好ましい。
【００４１】
次に、ＣＶＤ法等によって絶縁膜、例えば、シリコン酸化膜を、半導体基板１００の上面全体に形成する。そして、フォトリソグラフィ及びエッチング等により、シリコン酸化膜を所定形状にパターニングする。これにより、図４（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜６が形成される。
【００４２】
続いて、例えば、スパッタリング又は真空蒸着法等によって導体膜、例えば、アルミニウム膜を、半導体基板１００の下面全体に形成する。これにより、図４（ｃ）に示すように、半導体基板１００の下面に、主電極としての第１の電極７が形成される。
【００４３】
次に、例えば、スパッタリング又は真空蒸着法等によって導体膜、例えば、アルミニウム膜を第１の絶縁膜６を被覆するように、半導体基板１００の上面全体に形成する。これにより、図４（ｃ）に示すように、半導体基板１００の上面全体に導体膜８ａが形成される。そして、形成された導体膜８ａを、フォトリソグラフィ及びエッチング等によって所定形状にパターニングする。これにより、図５（ａ）に示すように、半導体基板１００の上面に、第２の電極８及び第３の電極９が形成される。
【００４４】
続いて、図５（ｂ）に示すように、ＣＶＤ法等によって絶縁膜、例えば、シリコン酸化膜１０ａを、第１の絶縁膜６、第２の電極８、及び、第３の電極９を被覆するように半導体基板１００の上面全体に形成する。そして、エッチバックにより、第２の電極８及び第３の電極９上のシリコン酸化膜１０ａを除去する。なお、第３の電極９上のシリコン酸化膜１０ａは除去しなくてもよい。これにより、第２の電極８と第３の電極９との間を電気的に分離する第２の絶縁膜１０が形成され、図１に示すように、高耐圧ダイオード（半導体装置）が完成する。
【００４５】
以上説明したように、本実施の形態によれば、熱拡散法によるｐ型不純物の拡散によってｐ型半導体領域３ａを形成した後、ｐ型半導体領域３ａを所定の厚さだけ研磨（切削）することによりｐ型半導体領域３が形成される。このため、イオン注入法で使用するような高価な装置や高い製造技術が必要なく、高耐圧ダイオードを容易に製造することができる。また、この製造方法は、スキャニング方式でないため、スループットが悪くならない。さらに、高耐圧ダイオードの製造コストを低く抑えることができる。
【００４６】
本実施の形態によれば、ｐ型半導体領域３の形成において、マスク処理をする必要がなく、さらに、複数枚の半導体基板１００を同時に処理（バッチ式処理）することができるので、生産処理能力の向上及びコストダウンを図ることができる。
【００４７】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００４８】
上記実施の形態では、ｐ型半導体領域３がｎ−型半導体領域２上の全面に形成されている場合を例に本発明を説明したが、例えば、図７に示すように、ｎ−型半導体領域２の所定の表面領域に形成されていてもよい。また、ｐ型半導体領域３はチャネルストッパ領域５に接触していなくてもよい。さらに、ｐ＋型半導体領域４は、ｐ型半導体領域３よりも深く、チャネルストッパ領域５よりも浅く形成されていてもよい。この場合にも、ｎ−型半導体領域２とｐ型半導体領域３及びｐ＋型半導体領域４との界面に形成されるｐｎ結合から、図８に示すように、空乏層が広がっていく。そして、逆方向電圧の大きさが所定の大きさに達すると、ｐ型半導体領域３が空乏層によって埋め尽くされる。この結果、電界集中が良好に緩和され、ダイオードの高耐圧化を実現することができる。
【００４９】
このようなｐ型半導体領域３は、例えば、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示すように形成される。まず、図９（ａ）に示すように、ｐ型半導体領域３ａを形成する領域以外を被覆するマスク１１を半導体基板１００の上面に形成する。次に、前述と同様に熱拡散処理を施すことにより、図９（ｂ）に示すように、半導体基板１００の表面領域にｐ型半導体領域３ａを形成する。続いて、マスク１１を除去し、図９（ｃ）に示すように、ｐ型半導体領域３ａを所定の厚さだけ研磨することにより、ｐ型半導体領域３を形成する。その後、前述の図４（ａ）から図５（ｂ）に示す工程を実施することにより、高耐圧ダイオードを容易に製造することができる。
【００５０】
上記実施の形態では、熱拡散により熱拡散法によってｐ型不純物をｎ−型半導体領域２に拡散させる場合を例に本発明を説明したが、不純物をｎ−型半導体領域２に容易に拡散できれば、他の拡散方法であってもよい。
【００５１】
上記実施の形態では、ｎ型半導体領域１の上面にｎ−型半導体領域２が形成され、ｎ−型半導体領域２の表面領域にｐ型半導体領域３等が形成されている場合を例に本発明を説明したが、例えば、ｎ型半導体領域１の上面にｎ−型半導体領域２を設けずに、ｎ型半導体領域１の表面領域にｐ型半導体領域３等が形成されていてもよい。また、ｎ型半導体領域１が設けられていなくてもよい。この場合、例えば、図３（ａ）においてｎ型半導体基板を用い、前述の図３（ｂ）から図５（ｂ）に示す工程を実施することにより、高耐圧ダイオードを容易に製造することができる。
【００５２】
上記実施の形態では、第１導電型がｎ型の場合を例に本発明を説明したが、第１導電型をｐ型とし、各半導体領域の導電型を反転してもよい。
【００５３】
上記実施の形態では、半導体基板１００の厚さ方向に電流が流れる縦型構造を有する高耐圧ダイオードを例に本発明を説明したが、本発明は、電流が半導体基板の上面及び下面に対して平行に流れる横型構造を有する半導体装置にも適用することが可能である。
【００５４】
上記実施の形態では、シングルリサーフ構造を有する高耐圧ダイオードを例に本発明を説明したが、本発明は、他のリサーフ構造を有する半導体装置、例えば、いわゆるダブルリサーフ構造を有する半導体装置に適用することが可能である。
【００５５】
上記実施の形態では、高耐圧ダイオードを例に本発明を説明したが、本発明は、リサーフ構造を有する他の半導体装置、例えば、トランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、パワーＩＣ（Integrated Circuit）などに適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体装置の構成を示す図である。
【図２】図１に示す半導体装置に形成される空乏層を説明するための図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】図１に示す半導体装置の製造工程を示す図である。
【図５】図１に示す半導体装置の製造工程を示す図である。
【図６】図１に示す半導体装置を構成する半導体基板の上面から下面までの不純物濃度を示す図である。
【図７】本発明の他の実施の形態にかかる半導体装置の構成を示す図である。
【図８】図７に示す半導体装置に形成される空乏層を説明するための図である。
【図９】図７に示す半導体装置の製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１      ｎ型半導体領域
２      ｎ−型半導体領域
３      ｐ型半導体領域
４      ｐ＋型半導体領域
５      チャネルストッパ領域
６      第１の絶縁膜
７      第１の電極
８      第２の電極
９      第３の電極
１０    第２の絶縁膜
１００  半導体基板
【図１】
2006073710.tif 000003
【図２】
2006073710.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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