(57)【要約】【課題】  生産性が良く、安価な非可逆回路素子を提供する。【解決手段】  本発明の非可逆回路素子は、平板状のフェライト部材６と、第１，第２，第３の中心導体７，８，９と、この中心導体上に配置された磁石２と、磁石２の上面を覆う第１のヨーク１と、第１のヨーク１とで磁気閉回路を構成する第２のヨーク３とを備え、第２のヨーク３には、この第２のヨーク３の一部で形成されるアース端子４を有し、このアース端子４の領域は、第２のヨーク３が酸化された半田流出防止部５によって形成されたため、半田流出防止部５の形成は、従来の半田レジスト膜に比して、製造工程が少なくなって、生産性が良く、安価なものが得られる。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石の上面を覆うように配置された第１のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークとを備え、前記第２のヨークには、この第２のヨークの一部で形成されるアース端子を有し、このアース端子の領域は、前記第２のヨークの外面に、前記第２のヨークが酸化された半田流出防止部によって形成されたことを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記第２のヨークは、底板と、この底板から折り曲げられた側板を有し、前記アース端子が前記底板と前記側板に跨って形成されると共に、前記半田流出防止部が前記底板と前記側板に跨って形成されたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記第２のヨークは、底板と、この底板と面一状態に延びる前記アース端子を有し、前記半田流出防止部が前記底板に形成されたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記半田流出防止部がレーザ光によって形成されたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンテナ共用器等に適用されるアイソレータやサーキュレータからなる非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５は従来の非可逆回路素子の分解斜視図、図６は従来の非可逆回路素子の下面図であり、次に、従来の非可逆回路素子の構成を図５、図６に基づいて説明すると、従来の非可逆回路素子は、箱形の第１のヨーク５１と、この第１のヨーク５１内に配置された四角板状の磁石５２と、第１のヨーク５１に結合されたＵ字状の第２のヨーク５３を有する。
【０００３】
そして、第２のヨーク５３は、底板５３ａと、第２のヨーク５３の一部で形成されるアース端子５４を有し、このアース端子５４は、底板５３ａから面一状態に延びる突片５４ａと、この突片５４ａから上方に折り曲げられた曲げ部５４ｂとで構成されている。
【０００４】
また、従来の非可逆回路素子は、インサートモールド成型によって第２のヨーク５３と一体化された樹脂ケース５５と、この樹脂ケース５５内に収納されたフェライト部材５６と、このフェライト部材５６上に、１２０度の間隔で、一部が互いに交叉した状態となった金属板からなる三つの中心導体５７と、樹脂ケース５５の上面に配置され、中心導体５７のポート部５７ａが接続されたチップ型のコンデンサ５８を有する。
【０００５】
そして、樹脂ケース５５が第２のヨーク５３に一体化された時、第２のヨーク５３の底板５３ａの下面と、アース端子５４の突片５４ａの下面は、樹脂ケース５５から露出した状態にあると共に、第２のヨーク５３の底板５３ａとアース端子５４の突片５４ａの境部には、半田レジスト膜５９が設けられて、アース端子５４から底板５３ａへの半田の流出を防止して、従来の非可逆回路素子が構成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００６】
このような従来の非可逆回路素子は、ここでは図示しないが、第２のヨーク５３の下面が外部機器のマザー基板上に載置され、アース端子５４がマザー基板に設けられた配線パターンに半田付けされて、半田レジスト膜５９によって、アース端子５４から底板５３ａへの半田の流出を防止している。
【０００７】
しかし、従来の非可逆回路素子は、半田の流出防止に半田レジスト膜５９が使用されているため、半田レジスト膜５９を形成すためには、マスクの製作、印刷、露光、或いはエッチング等の多数の工程を必要とし、生産性が悪く、コスト高になる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２４４０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来の非可逆回路素子は、半田の流出防止に半田レジスト膜５９が使用されているため、半田レジスト膜５９を形成すためには、マスクの製作、印刷、露光、或いはエッチング等の多数の工程を必要とし、生産性が悪く、コスト高になるという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は生産性が良く、安価な非可逆回路素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石の上面を覆うように配置された第１のヨークと、前記フェライト部材の下面側に配置され、前記第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークとを備え、前記第２のヨークには、この第２のヨークの一部で形成されるアース端子を有し、このアース端子の領域は、前記第２のヨークの外面に、前記第２のヨークが酸化された半田流出防止部によって形成された構成とした。
【００１２】
また、第２の解決手段として、前記第２のヨークは、底板と、この底板から折り曲げられた側板を有し、前記アース端子が前記底板と前記側板に跨って形成されると共に、前記半田流出防止部が前記底板と前記側板に跨って形成された構成とした。
【００１３】
また、第３の解決手段として、前記第２のヨークは、底板と、この底板と面一状態に延びる前記アース端子を有し、前記半田流出防止部が前記底板に形成された構成とした。
また、第４の解決手段として、前記半田流出防止部がレーザ光によって形成された構成とした。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の非可逆回路素子は、平板状のフェライト部材と、このフェライト部材上に位置し、誘電体を挟んで上下方向の異なる面に設けられて、上下方向に一部が交叉する第１，第２，第３の中心導体と、この中心導体上に配置された磁石と、この磁石の上面を覆うように配置された第１のヨークと、フェライト部材の下面側に配置され、第１のヨークとで磁気閉回路を構成する第２のヨークとを備え、第２のヨークには、この第２のヨークの一部で形成されるアース端子を有し、このアース端子の領域は、第２のヨークの外面に、第２のヨークが酸化された半田流出防止部によって形成されたため、半田流出防止部は、第２のヨークを酸化させることによって形成でき、従来の半田レジスト膜に比して、製造工程が少なくなって、生産性が良く、安価なものが得られる。
【００１５】
また、第２のヨークは、底板と、この底板から折り曲げられた側板を有し、アース端子が底板と側板に跨って形成されると共に、半田流出防止部が底板と側板に跨って形成されたため、第２のヨークには、切り曲げされてなるアース端子が不要となって、加工性が良く、安価なものが得られる。
【００１６】
また、第２のヨークは、底板と、この底板と面一状態に延びるアース端子を有し、半田流出防止部が底板に形成されたため、半田流出防止部の形成領域を少なくできて、生産性が良く、安価なものが得られる。
【００１７】
また、半田流出防止部がレーザ光によって形成されたため、加工性が良くなる上に、既存の機器が使用できて、設備費の低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の非可逆回路素子の図面を説明すると、図１は本発明の非可逆回路素子に係る要部断面図、図２は本発明の非可逆回路素子に係り、第１のヨークと磁石を取り去った状態を示す平面図、図３は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第２のヨークを裏から見た斜視図、図４は本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係り、第２のヨークを裏から見た斜視図である。
【００１９】
次に、本発明の非可逆回路素子をアイソレータに適用した場合の構成を図１〜図４に基づいて説明すると、Ｕ字型、或いは箱形の磁性板（鉄板等）からなる第１のヨーク１は、正方形（四角形状）の上板１ａと、この上板１ａの辺から下方に折り曲げられた側板１ｂとを有する。
【００２０】
長方形状（四角形状）の磁石２は、第１のヨーク１内に位置した状態で、その上面が上板１ａの内面に接触した状態で、接着剤等の適宜手段によって第１のヨーク１に取り付けられている。
【００２１】
Ｕ字型、或いは箱形の磁性板（鉄板等）からなる第２のヨーク３は、四角形状の底板３ａと、この底板３ａの辺から上方に折り曲げられた側板３ｂと、底板３ａと側板３ａの一部で構成され、底板３ａと側板３ｂに跨って形成された複数のアース端子４を有する。
【００２２】
そして、図３に示すように、底板３ａと側板３ｂの外面であるアース端子４の外周部に設けられた半田流出防止部５によって、アース端子４の領域が形成され、この半田流出防止部５によって、アース端子４から底板３ａや側板３ｂへの半田の流出が防止されている。
また、半田流出防止部５は、レーザ光等によって、第２のヨーク３を酸化させて形成された酸化膜によって構成されている。
【００２３】
そして、この第２のヨーク３は、底板３ａが上板１ａと対向して配置された状態で、その側板３ｂが第１のヨーク１の側板１ｂと結合されて、磁気閉回路が形成される。
【００２４】
ＹＩＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｇａｒｎｅｔ）等からなる平板状のフェライト部材６は、磁石２に対向した状態で第２のヨーク３内に配置されている。
銅等の薄い導電板からなる第１、第２，第３の中心導体７，８，９は、金属板が打ち抜き等されて形成され、第１、第２，第３の中心導体７，８，９の一端部のそれぞれには、ポート部７ａ、８ａ、９ａが設けられ、他端部には、アース部７ｂ、８ｂ、９ｂが設けられている。
【００２５】
そして、これ等の第１，第２，第３の中心導体７，８，９は、フェライト部材６上において、誘電体（図示せず）を挟んで上下方向の異なる面に１２０度の間隔で設けられて、上下方向に一部が交叉して配置されると共に、第１，第２，第３の中心導体７，８，９のアース部７ｂ、８ｂ、９ｂは、底板３ａに接続されて、接地された状態となっている。
【００２６】
チップ型の第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、それぞれ絶縁体１０に設けられた第１の電極１１ａと、絶縁体１０を挟んで第１の電極１１ａに対向して設けられた第２の電極１１ｂを有する。
そして、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、フェライト部材４の外周に配置した状態で、第１の電極１１ａが底板３ａに接続されて接地された状態となる。
【００２７】
チップ型の抵抗器Ｒは、対向する端面側に設けられた一対の電極１２ａ、１２ｂを有し、この抵抗器Ｒは、第３のコンデンサＣ３の近傍に配置された状態で、一方の電極１２ａが底板３ａに接続されて、接地された状態となり、また、他方の電極１２ｂが底板３ａに絶縁された状態となっている。
【００２８】
そして、第１の中心導体７のポート部７ａは、第１のコンデンサＣ１の第２の電極１１ｂに接続され、また、第２の中心導体８のポート部８ａは、第２のコンデンサＣ２の第２の電極１１ｂに接続され、更に、第３の中心導体９のポート部９ａは、第３のコンデンサＣ３の第２の電極１１ｂと抵抗器Ｒの他方の電極１２ｂに接続されている。
【００２９】
このような構成によって、アイソレータからなる本発明の非可逆回路素子が形成されており、本発明の非可逆回路素子は、ここでは図示しないが、第２のヨーク３の下面が外部機器のマザー基板上に載置され、アース端子４がマザー基板に設けられた配線パターンに半田付けされて、半田流出防止部５によって、アース端子４の領域外への半田の流出が防止されて、本発明の非可逆回路素子が外部機器のマザー基板上に面実装されて組み込まれるようになっている。
【００３０】
また、図４は本発明の非可逆回路素子の第２実施例を示し、この第２実施例は、底板３ａと面一状態に突出する突片からなる複数のアース端子４を有し、このアース端子４は、突片部４ａと、この突片部４ａに繋がって、底板３ａ側に延びる延長部４ｂとで構成され、半田流出防止部５が底板３ａの突片部４ａの両脇から延長部４ｂの外周部に設けられて、アース端子４の領域が形成されている。
【００３１】
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、ここではその説明を省略する。
なお、第２実施例においては、ア−ス端子４に延長部４ｂを設けたもので説明したが、この延長部４ｂを無くして、突片部４ａの根本部に半田流出防止部５を設け、突片部４ａのみでアース端子４を形成しても良い。
【００３２】
また、上記実施例は、アイソレータに適用されたもので説明したが、抵抗器Ｒを無くしたサーキュレータに適用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の非可逆回路素子に係る要部断面図。
【図２】本発明の非可逆回路素子に係り、第１のヨークと磁石を取り去った状態を示す平面図。
【図３】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第２のヨークを裏から見た斜視図。
【図４】本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係り、第２のヨークを裏から見た斜視図。
【図５】従来の非可逆回路素子の分解斜視図。
【図６】従来の非可逆回路素子の下面図。
【符号の説明】
【００３４】
１：第１のヨーク
１ａ：上板
１ｂ：側板
２：磁石
３：第２のヨーク
３ａ：底板
３ｂ：側板
４：アース端子
４ａ：突片部
４ｂ：延長部
５：半田流出防止部
６：フェライト部材
７：第１の中心導体
７ａ：ポート部
７ｂ：アース部
８：第２の中心導体
８ａ：ポート部
８ｂ：アース部
９：第３の中心導体
９ａ：ポート部
９ｂ：アース部
Ｃ１：第１のコンデンサ
Ｃ２：第２のコンデンサ
Ｃ３：第３のコンデンサ
１０：絶縁体
１１ａ：第１の電極
１１ｂ：第２の電極
Ｒ：抵抗器
１２ａ：電極
１２ｂ：電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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