(57)【要約】【課題】  ドナー基板のベース基板を用意するに際して、前記ベース基板上に存在する汚染物を除去することによって、レーザ転写工程時において汚染物によるドナー基板の不良を防止し、前記ドナー基板を使用して製造される有機電界発光表示装置の欠陥を防止すること。【解決手段】  本発明に係る有機電界発光表示装置の製造方法は、ドナー基板のベース基板を用意する段階と、前記ベース基板を洗浄する段階と、前記洗浄されたベース基板上に転写層を形成する段階と、前記ドナー基板を画素電極が形成された基板と対向するようにして、前記転写層をパターニングする段階と、を備えることを特徴とする。  【選択図】  図２
2006066372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー基板のベース基板を用意する段階と、
前記ベース基板を洗浄する段階と、
前記洗浄されたベース基板上に転写層を形成する段階と、
前記ドナー基板を画素電極が形成された基板と対向するようにして、前記転写層をパターニングする段階と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記ベース基板を洗浄する段階前に、帯電器に通過させて静電気を除去する段階を備えることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記ベース基板を洗浄する段階は、湿式洗浄を使用することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記湿式洗浄を使用することは、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用することを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記ベース基板を洗浄する段階は、乾式洗浄を使用することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することを特徴とする請求項５に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記ベース基板を切断し、２次洗浄する段階をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記切断されたベース基板を洗浄する段階は、湿式洗浄を使用することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記湿式洗浄を使用することは、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用することを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記切断されたベース基板を洗浄する段階は、乾式洗浄を使用することを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することを特徴とする請求項１０に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記洗浄されたベース基板をフレーミングする段階をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記フレーミングされたベース基板を２次洗浄する段階をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記フレーミングされたベース基板を洗浄する段階は、湿式洗浄を使用することを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記湿式洗浄を使用することは、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用することを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記フレーミングされたベース基板を洗浄する段階は、乾式洗浄を使用することを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記転写層は、有機電界発光素子の発光層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層及び電子注入層よりなる群から選ばれた１つ以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
ベース基板を用意する段階と、
前記ベース基板を洗浄する段階と、
前記洗浄されたベース基板上に転写層を形成する段階と、を備えることを特徴とするドナー基板の製造方法。
【請求項２１】
前記ベース基板を洗浄する段階前に、帯電器に通過させて静電気を除去する段階を備えることを特徴とする請求項２０に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２２】
前記ベース基板を洗浄する段階は、湿式洗浄を使用することを特徴とする請求項２０に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２３】
前記湿式洗浄を使用することは、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用することを特徴とする請求項２２に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２４】
前記ベース基板を洗浄する段階は、乾式洗浄を使用することを特徴とする請求項２０に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２５】
前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することを特徴とする請求項２４に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２６】
前記ベース基板を切断し、２次洗浄する段階をさらに備えることを特徴とする請求項２０に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２７】
前記切断されたベース基板を洗浄する段階は、湿式洗浄を使用することを特徴とする請求項２６に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２８】
前記湿式洗浄を使用することは、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用することを特徴とする請求項２７に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項２９】
前記切断されたベース基板を洗浄する段階は、乾式洗浄を使用することを特徴とする請求項２６に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３０】
前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することを特徴とする請求項２９に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３１】
前記洗浄されたベース基板をフレーミングする段階をさらに備えることを特徴とする請求項２０に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３２】
前記フレーミングされたベース基板を２次洗浄する段階をさらに備えることを特徴とする請求項３１に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３３】
前記フレーミングされたベース基板を洗浄する段階は、湿式洗浄を使用することを特徴とする請求項３２に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３４】
前記湿式洗浄を使用することは、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用することを特徴とする請求項３３に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３５】
前記フレーミングされたベース基板を洗浄する段階は、乾式洗浄を使用することを特徴とする請求項３２に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３６】
前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することを特徴とする請求項３５に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３７】
前記転写層は、有機電界発光素子の発光層であることを特徴とする請求項２０に記載のドナー基板の製造方法。
【請求項３８】
前記転写層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層及び電子注入層よりなる群から選ばれた１つ以上の層をさらに含むことを特徴とする請求項３７に記載のドナー基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光表示装置の製造方法に関し、より詳細には、ベース基板の洗浄段階を経て製造されたドナー基板を使用する有機電界発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置の中で、有機電界発光表示装置は、応答速度が１ｍｓ以下と高速の応答速度を有し、消費電力が低く、自己発光するので、視野角に問題がなくて、装置のサイズに関わらず、動画像表示媒体として長所がある。また、低温製作が可能であり、既存の半導体工程技術を土台にして製造工程が簡単なので、今後次世代平板表示装置として注目されている。
【０００３】
前記有機電界発光表示装置は、有機電界発光素子に使用する材料と工程によって、大きく、湿式工程を使用する高分子型素子と、蒸着工程を使用する低分子型素子とに分けられる。
【０００４】
前記高分子型有機電界発光素子は、画素電極を含む基板上に、インクジェットプリント方法やスピンコート方法を使用して、発光層を含む有機層を積層し、対向電極を形成し、素子を製作する。
【０００５】
また、前記低分子型有機電界発光素子は、画素電極を含む基板上に、蒸着工程により発光層を含む有機層を積層し、対向電極を形成し、素子を完成する。
【０００６】
前記高分子又は低分子発光層のパターニング方法のうち、インクジェットプリント方法の場合、発光層以外の有機層の材料が制限的であり、基板上にインクジェットプリントのための構造を形成しなければならないという面倒さがある。
【０００７】
また、蒸着工程による発光層のパターニングの場合、金属マスクの使用に起因して大型素子の製作に難しさがある。
【０００８】
前述のようなパターニングの方法に代替できる技術として、レーザ熱転写法（ＬＩＴＩ:Laser Induced Thermal Imaging）が最近開発されている。
【０００９】
レーザ熱転写法とは、光源から出るレーザを熱エネルギーに変換し、この熱エネルギーにより、パターン形成物質を対象基板に転写させて、パターンを形成する方法を言い、このような方法のためには、転写層が形成されたドナー基板と、光源、及び被写体としての基板が必要である。
【００１０】
一般に、前記レーザ転写用ドナー基板は、ベース基板上に光熱変換層及び転写層を形成することによって製造される。従って、前記光熱変換層と転写層を保護し、効果的なレーザ熱転写工程を行うために、前記ベース基板は汚染されていないことが必要である。
【００１１】
図１は、前記ベース基板上に汚染が発生したことを示す写真である。汚染物Ａは、ベース基板の輸送過程や、ドナー基板の製造過程中に発生したものであって、前記汚染物Ａは、後続のレーザ転写工程時に発光層及び画素電極に残存することができる。このような汚染物Ａは、発光領域のスポットや画素の不良のような表示素子の欠陥を発生させることができ、これにより、前記表示素子の特性を低下させることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、ドナー基板のベース基板を用意するに際して、前記ベース基板上に存在する汚染物を除去することによって、レーザ転写工程時において汚染物によるドナー基板の不良を防止し、前記ドナー基板を使用して製造される有機電界発光表示装置の欠陥を防止することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、ドナー基板のベース基板を用意する段階と、前記ベース基板を洗浄する段階と、前記洗浄されたベース基板上に転写層を形成する段階と、前記ドナー基板を画素電極が形成された基板と対向するようにして、前記転写層をパターニングする段階と、を備えることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【００１４】
前記洗浄されたベース基板を切断し、２次洗浄する段階をさらに備えることができる。
【００１５】
前記洗浄されたベース基板をフレーミングする段階をさらに備えることができる。
【００１６】
また、上記目的を達成するために、本発明は、ベース基板を用意する段階と、前記ベース基板を洗浄する段階と、前記洗浄されたベース基板上に転写層を形成する段階と、を備えることを特徴とするドナー基板の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係るドナー基板の製造方法によれば、ドナー基板のベース基板上に存在する汚染物を除去することによって、レーザ転写工程中に汚染物によるドナー基板の不良を防止することができるという効果を奏する。従って、前記ドナー基板を使用して製造される有機電界発光表示装置は、画素領域の欠陥が改善されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好適な実施例を詳細に説明する。下記の実施例は、当業者に本発明の思想が十分に伝達され得るようにするために一例として提示されるものである。したがって、本発明は、下記の実施例に限らず、様々な変形が可能である。なお、図面において、層及び領域の長さ、厚さなどは、便宜のために誇張されて表現されることもできる。本明細書において、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
【００１９】
図２は、本発明の実施例に係るレーザ転写用ドナー基板の製造過程を示す流れ図である。
【００２０】
図面を参照すれば、本発明のレーザ転写用ドナー基板は、ベース基板を用意（ａ）し、前記ベース基板に存在する静電気を除去（ｂ）した後、前記静電気が除去されたベース基板を洗浄（ｃ）し、前記ベース基板上に層を蒸着し、ドナー基板を完成する過程を経る。
【００２１】
詳細に説明すれば、ベース基板を用意（ａ）する。
【００２２】
前記ベース基板は、シートタイプの形態を有することができる。前記シートタイプの形態を有するものは、金属及びガラスのような堅固な基板であってもよい。
【００２３】
また、前記ベース基板は、ロールタイプの形態を有することができる。前記ロールタイプの形態を有するものは、柔軟性あるフィルムであってもよい。
【００２４】
帯電器を使用して前記ベース基板の静電気を除去（ｂ）する。前記静電気の除去過程により、前記ベース基板上に存在する異物を一次的に除去することができる。
【００２５】
前記静電気を除去したベース基板を洗浄（ｃ）する。
【００２６】
前記ベース基板を洗浄することは、湿式洗浄を使用することができる。
【００２７】
前記湿式洗浄は、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用して行うことができる。例えば、前記ドナー基板の製造設備内に前記溶液が入っているバッチを設置し、ベース基板の移送中に前記パッチを通るようにして、前記湿式洗浄を行うことができる。
【００２８】
また、前記ベース基板を洗浄することは、乾式洗浄を使用することができる。
【００２９】
前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することができる。
【００３０】
前記ＣＯ２を利用する方式は、ＣＯ２固体であるドライアイスを昇華させると同時に、基板上に衝突させて、汚染物を除去することである。すなわち、前記ベース基板と衝突後に膨脹するドライアイスの物理的な力と熱力学的な力を利用した洗浄メカニズムであると言える。
【００３１】
前記レーザパルス波方式は、レーザパルス波を前記ドナー基板の転写層の表面に照射して、前記基板の表面に存在するパーティクルを除去するか、又は前記レーザパルス波を用いて前記ドナー基板周辺の空気を振動させることによって、パーティクルを浮遊させて、前記基板の表面に存在するパーティクルを除去することである。前記浮遊されたパーティクルは、ブロー又は吸入で除去することができる。
【００３２】
前記超音波方式は、超音波高速気体を前記ドナー基板の転写層の表面に噴射して、パーティクルを分離及び吸引除去することである。
【００３３】
従って、外部環境や工程進行過程により前記ベース基板の上部に存在していた汚染物は、前記湿式又は乾式洗浄により除去されることができる。これにより、レーザ転写工程時に発光層及び画素電極に残された汚染物が発生させた発光領域のスポットや画素の不良のような表示素子の欠陥を防止することができ、前記表示素子の特性を向上させることができる。
【００３４】
前記洗浄されたベース基板をフレームに取り付け（ｄ）、切断（ｅ）する段階を備えることができる。また、前記フレーミングされたベース基板を２次洗浄する段階（ｇ）をさらに備えることができる。前記２次洗浄前に、前記フレーミングされたベース基板の静電気を除去する段階（ｆ）を行うことができる。従って、静電気によって付着された汚染物を一次的に除去した後、２次洗浄段階に進入することができる。
【００３５】
前記フレーミングされたベース基板を２次洗浄（ｇ）することは、湿式洗浄を使用したり、又は乾式洗浄を使用することができる。前記湿式洗浄を使用することは、脱イオン水又はイソプロピルアルコールを使用することができる。また、前記乾式洗浄を使用することは、ＣＯ２を利用する方式、超音波方式、又はレーザパルス波方式を使用することができる。
【００３６】
従って、前記ベース基板の切断過程及びフレーミング過程により発生した汚染物は、上記の２次洗浄により除去されることができ、前記ベース基板は、さらに清潔な表面状態を有することができる。
【００３７】
前記フレーミング過程は、省略されてもよい。
【００３８】
すなわち、柔軟性あるロールタイプの場合には、洗浄後に切断過程を経ることなく、インライン工程（３）で転写層を蒸着（ｈ）することができる。
【００３９】
また、シートタイプの堅固な基板の場合には、フレーミング過程を経ることなく（５）、ベース基板を切断（ｅ）し、上記のような２次洗浄（ｇ）を行った後、転写層を蒸着（ｈ）することができる。
【００４０】
図３は、前記ドナー基板を使用してレーザ熱転写法を行うことを示す有機電界発光表示装置の単位画素に対する断面図である。
【００４１】
図面を参照すれば、上記の過程を経て完成されたベース基板１１０上に光熱変換層１２０を形成し、前記光熱変換層上に転写層１４０を形成することによって、ドナー基板１００が完成される。
【００４２】
前記光熱変換層１２０は、赤外線−可視光線領域の光を吸収する性質を有する光吸水性物質で形成する。レーザ光吸収物質が含まれている有機膜、金属及びこれらの複合層のいずれか１つである。
【００４３】
前記光熱変換層１２０は、前記レーザ照射装置で照射されたレーザを熱エネルギーに変換させる役目をし、前記熱エネルギーは、前記転写層１４０と前記光熱変換層１２０間の接着力を変化させることによって、前記転写層を被写体である基板上に転写する役目をする。
【００４４】
前記光熱変換層１２０上に転写層１４０を形成する。転写物質の損傷を防止し、前記転写層１４０と前記ドナー基板の接着力を效果的に調節するために、前記光熱変換層１２０と前記転写層１４０との間にバッファ層１３０を介在することができる。
【００４５】
前記転写層１４０は、有機電界発光素子の発光層であってもよい。
【００４６】
また、前記ドナー基板の転写層１４０は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層及び電子注入層よりなる群から選ばれた少なくとも１つの層をさらに含むことができる。
【００４７】
薄膜トランジスタ及び画素電極２９０が形成された基板上に、上記の洗浄段階を含む製造過程を経たドナー基板１００が位置する。
【００４８】
詳細に説明すれば、基板２１０上に、半導体層２３０、ゲート電極２５０、ソース電極２７０ａ及びドレイン電極２７０ｂよりなる薄膜トランジスタが形成されていて、前記薄膜トランジスタの前記ソース電極２７０ａ又は前記ドレイン電極２７０ｂに連結され、画素定義膜２９５により露出された画素電極２９０が形成されている。
【００４９】
前記ドナー基板１００上にレーザ３００転写工程を実施すれば、前記露出された画素電極２９０上に転写層１４０ａが転写されることによって、発光層がパターニングされる。
【００５０】
前記転写層１４０は、前記洗浄工程により汚染物が除去されたベース基板１１０上に形成されたので、上述した通り、有機電界発光表示装置の発光領域のスポットや画素の不良のような表示素子の欠陥を防止することができる。
【００５１】
以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施例及び添付された図面に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】ベース基板上に汚染が発生したことを示す写真である。
【図２】本発明の実施例に係るレーザ転写用ドナー基板の製造過程を示す流れ図である。
【図３】前記ドナー基板を使用してレーザ熱転写法を行うことを示す有機電界発光表示装置の単位画素に対する断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
Ａ  汚染物
１００  ドナー基板
２９０  画素電極
１４０  転写層
【図１】
2006066372.tif 000003
【図２】
2006066372.tif 000004
【図３】
2006066372.tif 000005