(57)【要約】【課題】絶縁層を薄層化して積層数を増加した場合にも、絶縁層間の密着不良並びに焼成時の内部欠陥を防止できる積層電子部品素体の製造方法を提供する。【解決手段】第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程Ａと、絶縁層の所定箇所に、第１の支持体及び絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程Ｂと、絶縁層の上に、貫通孔の開口を塞ぐようにして第２の支持体に保持された絶縁シートを貼着させる工程Ｃと、第１の支持体の他方主面側から、絶縁シートの貫通孔内に導電層を形成し、絶縁シートと絶縁層と導電層とから成る複合シートを形成する工程Ｄと、複合シートから第１の支持体を剥離した後、第１の支持体を剥離した複合シートを被積層体に積層し、しかる後第２の支持体を剥離する工程Ｅと、を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法。【選択図】図２
2006185975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、第２の支持体に保持された絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートから前記第１の支持体を剥離した後、前記第１の支持体を剥離した前記複合シートを被積層体に積層し、しかる後前記第２の支持体を剥離する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法。
【請求項２】
絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、第２の支持体に保持された絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートから前記第一および第２の支持体を剥離した後、前記第一および第２の支持体から剥離した前記複合シートを被積層体に積層する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法。
【請求項３】
絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートから前記第１の支持体を剥離した後、前記複合シートを被積層体に積層する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法。
【請求項４】
絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートを被積層体に積層した後、前記第１の支持体を剥離する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法。
【請求項５】
前記導電層がダイコート法、スプレーコート法のいずれかにより形成することを特徴とする請求項１〜４に記載の積層電子部品素体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層セラミックコンデンサ等の積層電子部品素体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、高密度化に伴い、積層電子部品の小型、高機能化が求められている。代表的な積層電子部品である積層セラミックコンデンサ１０としては図６に示すような、複数枚の絶縁シート２４を積層してなる積層体１１内部で、隣接する絶縁シート２４間に導電層２６を介在させるとともに、積層体１１の側面から主面にかけて、導電層２４の一端に接続される外部電極１２を被着させた構造のものが知られており、小型、高容量化の要求に答えるために、積層体１１を構成する絶縁シート２４、導電層２６等の薄層化及び多層化がより進められている。
【０００３】
このような薄層化及び多層化に伴い、特に導電層（導体材料）２６の厚みが製品のできばえに大きく影響するようになってきている。すなわち、導電層２６が形成されている部分と形成されていない部分との間で導電層２６の厚みによる段差が発生し、積層されることで累積し、導電層２６の周囲の絶縁シート２４同士の密着が弱くなり、焼成時のデラミネーションやクラックなどの内部欠陥が発生しやすくなるという問題点があった。
【０００４】
このような問題点を解決する為に、図７に示すような、（ａ）第１の支持体３２上に、導電層３６及び絶縁層３１をスクリーン印刷により形成する工程と、（ｂ）導電層３６及び絶縁層３１を第２の支持体３５上に形成した絶縁シート３４上に転写し導電層３６と絶縁層３１と絶縁シート３４とから成る複合シート３７を形成する工程と、（ｃ）第１の支持体３２を剥離する工程と、（ｄ）複合シート３７を被積層体３８に転写する工程と、（ｅ）第２の支持体３５を剥離する工程とを順次繰り返すことにより、大型積層体を形成し、さらに大型積層体から抽出した積層体を焼成することにより積層セラミック電子部品を製造する方法が、特開２００１−２４４１１７号公報に開示されている（特許文献１参照）。なお被積層体とは絶縁シート或は／且つ複合シートあるいは複数積層した複合シートを示す。
【特許文献１】特開２００１−２４４１１７号公報（８頁、図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記製造方法によれば、図８に示すように導電層３６、絶縁層３１の分岐領域である境界部分においてスクリーン印刷特有の端面がダレるということに起因した空隙部Ｖが発生するために、積層による段差を完全に解消することが困難であるという問題があった。また前記製造方法では、通常、絶縁層３１を形成するスクリーン印刷の精度が３０〜２００μｍあり、このような印刷の位置ずれのために、図９に示すように、絶縁層３１の一部が導電層３６上に乗り上げてしまい、あるいは逆に導電層３６の一部が絶縁層３１に乗り上げてしまい、段差を助長する結果を招いてしまうという問題があった。
【０００６】
さらには、積層電子部品の低コスト化の要求に応えるために、製造工程においては大型積層体の大面積化が行われており、このため、ますます印刷による位置ずれが顕在化されるという問題を有していた。
【０００７】
本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、絶縁シートを薄層化して積層数を増加した場合にも、積層時の段差の累積を防止し、絶縁シート間の密着不良並びに焼成時の内部欠陥を防止できる積層電子部品素体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の積層電子部品素体の第１の請求項に関する製造方法は、  絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、第２の支持体に保持された絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートから前記第１の支持体を剥離した後、前記第１の支持体を剥離した前記複合シートを被積層体に積層し、しかる後前記第２の支持体を剥離する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法である。
【０００９】
また、請求項２の発明は、絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、第２の支持体に保持された絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートから前記第一および第２の支持体を剥離した後、前記第一および第２の支持体から剥離した前記複合シートを被積層体に積層する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法である。
【００１０】
さらに、請求項３の発明は、絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートから前記第１の支持体を剥離した後、前記複合シートを被積層体に積層する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法である。
【００１１】
請求項４の発明は、絶縁層、絶縁シートおよび導体層が積層されて成る被積層体に、複合シートを積層一体してなる積層電子部品素体の製造方法であって、
第１の支持体の一方主面に、絶縁層を形成する工程ａと、
前記絶縁層の所定箇所に、前記第１の支持体及び前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程ｂと、
前記絶縁層の表面に前記貫通孔の開口を塞ぐようにして、絶縁シートを貼着させる工程ｃと、
前記第１の支持体の他方主面側から、前記絶縁シートの前記貫通孔内に導電層を形成し、前記絶縁シートと前記絶縁層と前記導電層とから成る複合シートを形成する工程ｄと、
前記複合シートを被積層体に積層した後、前記第１の支持体を剥離する工程ｅと、
を具備することを特徴とする積層電子部品素体の製造方法である。
【００１２】
さらにまた本発明の積層電子部品素体の製造方法は、導電層がダイコート法、スプレーコート法のいずれかにより形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の積層電子部品素体の製造方法によれば、第１の支持体及び絶縁層を貫通する貫通孔を形成した後、絶縁層表面に、絶縁シートまたは絶縁シートが被着された第２の支持体を貫通孔を塞ぐようにして貼着させ、しかる後第１の支持体の他方主面の貫通孔領域に導電層を形成し、必要に応じて第２の支持体を剥離して絶縁シートと絶縁層と導電層から成る複合シートを形成することから、絶縁層と導電層が重なって段差を生じることはなく、その結果、複合シートを複数積層した場合においても、密着性の低下をまねくことが無く、内部欠陥の発生を防止できるという効果が得られる。
【００１４】
また本発明は、上記積層電子部品素体の製造方法において、導電層をダイコート法、スプレーコート法のいずれかを用いて形成することから、導電層の表面が平坦となり、絶縁層と導電層との境界に空隙部が生じないので、積層した場合において密着性の低下をまねくことが無く、内部欠陥の発生を防止できるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１６】
代表的な積層電子部品として、積層セラミックコンデンサを用いて説明する。
【００１７】
図１は積層セラミックコンデンサの縦断面図である。この図で１（３１）は絶縁層、４（３４）は絶縁シート、６（３６）は導電層、１１は積層体、１２は外部電極を表し主にこれらで積層セラミックコンデンサが構成されている。なお、（３１）、（３４）、（３６）は従来の技術で説明した符号であり、以下では、符号１、４、６を用いて説明する。
【００１８】
積層体１１を構成する絶縁シート４、絶縁層１は、その材料が例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３等を主成分とする高誘電率の誘電体材料やＴｉＯ２等を主成分とする温度補償用の誘電体材料であり、その厚みが例えば１層あたり１μm〜３μmである。また積層体１１における絶縁シート４の積層数は、例えば２０層〜２０００層である。
【００１９】
導電層６は、積層体１１の内部で隣接する絶縁シート４層間に形成され、その材料は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属を主成分とする導体材料であり、その厚みが例えば０．５μm〜２μmである。なお絶縁シート４を介して対向する一対の導電層６は、対向する領域間で静電容量が形成され、その一端はそれぞれ積層体１１の異なる端面に導出される。
【００２０】
積層体１１の端面から主面にかけて被着される外部電極１２は、その材料としては例えば、導電率が高く半田に浸食されにくいＣｕ等の導体材料であり、その厚みが例えば５μｍ〜１０μｍに設定される。また外部電極１２は、端面に導出した導電層６の一端に接続され、積層体１１の内部で形成される静電容量と電気的に接続される。
【００２１】
なお、一般的には、外部電極１２の表面には、回路基板に半田で搭載される場合の耐熱性を向上するための厚みが１μｍ〜３μｍのＮｉ層や、半田が塗れやすくするための厚みが４μｍ〜５μｍの半田あるいはＳｎ層等（図１では図示せず）を被覆形成される。
【００２２】
次に、まず本発明の積層電子部品素体の第一の製造方法について図２を用いて説明する。なお、図面において、各符号は焼成の前後で区別しないことにする。
【００２３】
最初に、図２（ａ）に示すように、第１の支持体２の一方主面にセラミックスラリを塗布後乾燥することにより、絶縁層１となるセラミックグリーンシートを形成する（工程ａ）。
【００２４】
ここで、第１の支持体２としては、強度、平滑性、剥離性等を考慮してＰＥＴフィルム、ポリプロピレンフィルムなどが用いられ、また、絶縁層１を形成する方法としては、ダイコータ法やマイクログラビア印刷法などが挙げられる。
【００２５】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１の支持体２及び絶縁層１の両方を貫くように、貫通孔３を形成する。貫通孔３の形状、縦横の長さは即ち貫通孔３に形成される導電層６の形状に応じて縦横の長さを所定寸法となっている。一般的には形状は長方形で縦横の長さは０．８ｍｍ〜３．４ｍｍ×０．１ｍｍ〜１．２ｍｍである。このような貫通孔３は、レーザ光照射の場合、レーザの種類としてＣＯ２レーザ、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、あるいはエキシマレーザなどを使用して形成される。また、その他の方法としてドリル、パンチなどにより、貫通孔３を形成しても良い。（工程ｂ）
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁層１上に貫通孔３を塞ぐように第２の支持体５に保持された絶縁シート４を粘着させる。第２の支持体５としては、第１の支持体２に準じＰＥＴフィルム、ポリプロピレンフィルムなどが用いられる。（工程ｃ）
次に、図２（ｄ）に示すように、第１の支持体２の略全面及び第１の支持体２の貫通孔３から露出した絶縁シート２上に、導体材料を塗布し、内部電極となる導電層６を形成し、絶縁シート２、絶縁層１及び導電層６から構成される複合シート７を形成する。第１の支持体２の略全面及び第１の支持体２の貫通孔３から露出した絶縁シート４上に、導体材料を塗布する方法としてダイコート法、スプレーコート法などが挙げられる。
【００２６】
ダイコート法による塗布方法では、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の金属粉末に添加剤または樹脂、有機溶剤もしくは水を加えペーストを作成し、タンクよりダイコーターのスロッドダイにインキを導きヘッドノズルからペーストを吐出させ貫通孔３内の絶縁シート２表面に導電層６を形成する。なお塗布厚みはペースト粘度に応じて吐出量と成形スピードでコントロールする。
【００２７】
またスプレーコート法による塗布方法では、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ等の金属粉末に添加剤または樹脂、有機溶剤もしくは水を加えペーストを作成し、タンクよりスプレーガンにインキを導きノズル部分からペーストを噴出させ貫通孔３内の絶縁シート４の表面に導電層６を形成する。なお塗布厚みはペースト粘度、スプレー圧、塗布回数等を適宜変えコントロールする。
【００２８】
次に、図２（ｅ）に示すように、複合シート７から、第１の支持体２を剥離し、その後、前記第１の支持体２を剥離した前記複合シート７を、順次被積層体８に積層し、しかる後に、前記第２の支持体５を剥離する。これを繰り返して大型積層体９を形成する。
【００２９】
第１の支持体２を剥離する方法としては、導体材料が塗布された第１の支持体２上に粘着テープを当接させることにより、転写させる方法（ピーリング法）が挙げられる。このとき、剥離強度が絶縁シート４−第１の支持体２間より、第１の支持体２−粘着テープ間が大であることが必要である。また、確実に剥離するためには、剥離の角度θが鋭角になるように剥離することが望ましい。
【００３０】
また第１の支持体２を剥離した後の具体的な手順としては、下金型上に載置させた被積層体８と上金型との間に、第２の支持体５に裏打ちされた複合シート７を、第２の支持体５が上金型側となるように配置させた後、第２の支持体５を上金型で下金型側へ加圧加熱することにより、複合シート７を被積層体８に熱圧着する工程を繰り返すことにより、大型積層体９を形成する。
【００３１】
この後、この大型積層体９を各素子領域毎に切断して、未焼成状態の積層体１１を得る。
【００３２】
さらに、この未焼成状態の積層体１１を所定の雰囲気及び温度条件下で焼成して、積層体１１を得る。この積層体１１は、複数の複合シート７が積層されているとともに、一対の端面に導電層６が露出している。
【００３３】
次に、外部電極１２となる導体膜を積層体１１の一対の端面にディップ法により形成する。さらに、導体膜は、所定の雰囲気、温度、時間を加えて焼成、外部電極１２を形成する。そして、外部電極１２表面にＮｉメッキ／Ｓｎメッキを形成する。
【００３４】
このようにして、図１に示すような積層セラミックコンデンサ１０が得られる。
【００３５】
上述の積層セラミックコンデンサの製造方法において請求項２に示すように形成しても構わない。すなわち、その製造方法は工程ａ〜ｄまでは上述の製造方法と同様であるが工程ｅにおいて、第２の支持体５が複合シート７を被積層体８に積層する前に剥離しても構わない。その製造法の図３に示す。すなわち図３において、積層工程においては、第２の支持体５は存在しない。
【００３６】
また、上述の積層セラミックコンデンサの製造方法において請求項３、４に示すように形成しても構わない。すなわち、上述の製造方法では、第２の支持体５は絶縁シート４と一体化しているが、第２支持体５を省略して絶縁シート４のみを貫通孔３に被着しても構わない。その製造法の図４、５に示す。
【００３７】
この場合、第１の支持体２の剥離に関しては、複合シート７を被積層体８に積層する前や後に剥離しても構わない。
【００３８】
図４においては、第１の支持体２の剥離は、積層工程前に剥離して、複合シート７のみの状態で、複合シート７を被積層体８に積層している。図５においては、第１の支持体２が被着されていない複合シート７面を利用して、複合シート７を被積層体８に積層し、積層したのちに、第１の支持体２を剥離している。
【００３９】
これらの製造方法によれば、第１の支持体２及び絶縁層１を貫通する貫通孔３を形成した後、絶縁層１表面に絶縁シート４を、貫通孔３を塞ぐようにして貼着させ、しかる後第１の支持体２の他方主面の絶縁シート４の貫通孔領域に導電層６を形成し、絶縁シート４と絶縁層１と導電層６から成る複合シート７を形成することから、絶縁層１と導電層６が重なって段差を生じることはなく、その結果、複合シート７を複数積層した場合においても、密着性の低下をまねくことが無く、内部欠陥の発生を防止出来る効果が得られる。
【００４０】
また、導電層をダイコート法、スプレーコート法のいずれかを用いて形成することから、導電層の表面が平坦となり、絶縁層と導電層との境界に空隙部が生じないので、積層した場合において密着性の低下をまねくことが無く、内部欠陥の発生を防止できる効果が得られる。
【００４１】
本発明者は、前記導電層６と絶縁層１の厚みの関係について、以下の実験を行ない、導電層６と絶縁層１の厚み差による内部欠陥発生状況を確認した。
【００４２】
なお、試料において導電層６の印刷方法としてはダイコート法（表１）、スプレーコート法（表２）のいずれかを用い、絶縁層１の形成方法としてはダイコート法を用いた。また、試料の積層数１００層として、試料数１００個について調べた。
【００４３】
なお、判定にあたり、良品「○」は欠陥試料が０／１００個であり、１つでも欠陥の試料があれば不良「×」とした。
【表１】
2006185975.tif 000003
【００４４】
【表２】
2006185975.tif 000004
【００４５】
その結果、絶縁層１厚みをＺｔ、導電層６厚みをＤｔと表した時、ダイコート法、スプレーコート法いずれもダイコート法の場合でも、０．６７Ｚｔ≦Ｄｔ≦１．５Ｚｔの関係で、絶縁層１の厚みと導電層６の厚みの関係を満足することで、密着不良並びに焼成時の内部欠陥を完全に無くす事が出来る。
【００４６】
またさらに本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。
【００４７】
例えば、上記実施の形態では、本発明の積層電子部品１０を積層セラミックコンデンサに適用した例を用いて説明したが、本発明は、積層型インダクタ、積層型圧電部品、回路基板、半導体部品など、さまざまな積層電子部品１０に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明および従来技術に説明した積層セラミックコンデンサ縦断面図である。
【図２】本発明の積層電子部品の製造方法を示す図であり、（ａ）は絶縁層形成工程、（ｂ）は貫通孔形成工程、（ｃ）は絶縁シート粘着工程、（ｄ）は導体層及び複合シート形成工程、（ｅ）は第１の支持体剥離及び積層及び第２の支持体剥離工程を示す概略断面図である。
【図３】本発明の積層電子部品の製造方法を示す図であり、（ａ）は絶縁層形成工程、（ｂ）は貫通孔形成工程、（ｃ）は絶縁シート粘着工程、（ｄ）は導体層及び複合シート形成工程、（ｅ）は第１の支持体及び第２の支持体剥離及び積層工程を示す概略断面図である。
【図４】本発明の積層電子部品の製造方法を示す図であり、（ａ）は絶縁層形成工程、（ｂ）は貫通孔形成工程、（ｃ）は絶縁シート粘着工程、（ｄ）は導体層及び複合シート形成工程、（ｅ）第１の支持体剥離及び積層工程を示す概略断面図である。
【図５】本発明の積層電子部品の製造方法を示す図であり、（ａ）は絶縁層形成工程、（ｂ）は貫通孔形成工程、（ｃ）は絶縁シート粘着工程、（ｄ）は導体層及び複合シート形成工程、（ｅ）は積層及び第１の支持体剥離工程の概略断面図である。
【図６】従来の積層セラミックコンデンサ縦断面図である。
【図７】従来の積層電子部品の製造方法を示す図であり、（ａ）絶縁層形成工程、（ｂ）絶縁シート粘着工程、（ｃ）第１の支持体剥離工程、（ｄ）積層工程、（ｅ）第２の支持体剥離工程  である。
【図８】従来の積層電子部品の製造方法における絶縁シート、絶縁層及び導電層の断面を示す図である。
【図９】従来の積層電子部品の製造方法における絶縁シート、絶縁層及び導電層の断面を示し、絶縁層印刷ずれの状態を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０・・・・・・・・積層セラミックコンデンサ（積層電子部品）
１１・・・・・・・・積層体
１、２１、３１・・・絶縁層
２、２２、３２・・・第１の支持体
３・・・・・・・・・貫通孔
４、２４、３４・・・絶縁シート
５、２５、３５・・・第２の支持体
６、２６、３６・・・導電層
７、３７・・・ ・・・複合シート
８、３８・・・・・・被積層体
９、３９・・・ ・・・大型積層体
１２・・・・・・ ・・外部電極
【図１】
2006185975.tif 000005
【図２】
2006185975.tif 000006
【図３】
2006185975.tif 000007
【図４】
2006185975.tif 000008
【図５】
2006185975.tif 000009
【図６】
2006185975.tif 000010
【図７】
2006185975.tif 000011
【図８】
2006185975.tif 000012
【図９】
2006185975.tif 000013