(57)【要約】【課題】入射放射線ビームの特性に対して変更を減じるパルス変調器を提供する。【解決手段】第一光軸に沿って放射線の入力パルスを受取るように構成され、さらに、第二光軸に沿って放射線の１つ以上の対応する出力パルスを放射するように構成されたパルス変調器を提供する。このパルス変調器は、第一光軸に沿って配置され、かつ入力パルスを第一パルス部分と第二パルス部分に分割するように構成され、さらに第一パルス部分を第二光軸に沿って導くように構成された分割器と、所定の分離間隔をおいて互いに向き合って配置されており、かつ第二パルス部分を受取り、第二部分を第二光軸に沿って向け直しするように構成された、所定の曲率半径を有する第一および第二鏡とから成る。パルス変調装置を通過する第二部分の光パスが第一部分の光パスよりも長く、また、分離間隔が曲率半径よりも小さい。【選択図】図４ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一光軸に沿って放射線の入力パルスを受取るように構成され、さらに、第二光軸に沿って放射線の１つ以上の対応する出力パルスを放射するように構成されたパルス変調器において、該パルス変調器は、
−  第一光軸に沿って配置され、かつ、入力パルスを第一パルス部分と第二パルス部分に分割するように構成され、さらに、第一パルス部分を第二光軸に沿って導くように構成された分割器と、
−  所定の分離間隔をおいて互いに向き合って配置されており、かつ、第二パルス部分を受取って、第二部分を第二光軸に沿ってリダイレクトするように構成された、所定の曲率半径を有する第一および第二鏡と、を含み、前記パルス変調装置を通過する第二部分の光パスは第一部分のそれよりも長く、そして、前記分離間隔は曲率半径よりも小さいことを特徴とするパルス変調装置。
【請求項２】
分離間隔と曲率半径との差は０．１ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のパルス変調器。
【請求項３】
第二部分は各鏡に２回入射することを特徴とする請求項１に記載のパルス変調器。
【請求項４】
分割器はビームスプリッタであることを特徴とする請求項１に記載のパルス変調器。
【請求項５】
放射線の波長は、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、および５−２０ｎｍの範囲のうちの１つから選択されることを特徴とする請求項１に記載のパルス変調器。
【請求項６】
放射線は１９３ｎｍであり、分割器はＣａＦ２からなるビームスプリッタであることを特徴とする請求項５に記載のパルス変調器。
【請求項７】
時間積分二乗係数は１．５よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のパルス変調器。
【請求項８】
パルス変調器の第一光軸が、前のパルス変調器の第二光軸と一致するようにカスケードに配置された、請求項１に記載の２つ以上のパルス変調器を含むパルス変調装置。
【請求項９】
時間積分２乗係数は２よりも大きいことを特徴とする請求項８に記載のパルス変調器。
【請求項１０】
各パルス変調器の分離間隔と曲率半径との差は０．１ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項８に記載のパルス変調装置。
【請求項１１】
各パルス変調器における放射線の第二部分はパルス変調器の各鏡に２回入射することを特徴とする請求項８に記載のパルス変調装置。
【請求項１２】
全パルス変調器の第一鏡は共通の第一鏡であり、全パルス変調器の第二鏡は共通の第二鏡であることを特徴とする請求項８に記載のパルス変調装置。
【請求項１３】
共通の第一および第二鏡の分離間隔と曲率半径との差は０．１ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項１２に記載のパルス変調装置。
【請求項１４】
各パルス変調器における放射線の第二部分は各共通の鏡に２回入射することを特徴とする請求項１２に記載のパルス変調装置。
【請求項１５】
各パルス変調器が第一光軸に沿って放射線の入力パルスを受取るように構成され、さらに、第二光軸に沿って、放射線の１つ以上の対応する出力パルスを放射するように構成された２つのパルス変調器から成るパルス変調装置において、該パルス変調装置は、
入力パルスを第一パルス部分と第二パルス部分に分割するように構成され、さらに、第一パルス部分を第二分割器に導くように構成された第一分割器と、
所定の分離間隔をとって互いに向き合って配置されており、かつ、第一分割器から第二パルス部分を受取って、第二部分を第二分割器にリダイレクトするように構成され、パルス変調器を通過する第二部分の光パスが第一部分のそれよりも長くされた所定の曲率半径を有する第一および第二鏡と、
第一分割器からパルスを受取って、該パルスを第三および第四パルス部分に分割するように構成され、さらに、第二光（optical）に沿って第三パルス部分を導くように構成された第二分割器と、を含み、
第一および第二鏡が、第二分割器から第四パルス部分を受取って、第四部分を第二光軸に沿って向け直すように構成されており、それにより、パルス変調器を通過する第四部分の光パスが第三部分のそれよりも長いことを特徴とするパルス変調装置。
【請求項１６】
各パルス変調器の分割器がビームスプリッタであり、分割器の縦軸間の角度が約９０度であることを特徴とする請求項１５に記載のパルス変調装置。
【請求項１７】
分離間隔が曲率半径よりも小さいことを特徴とする請求項１５に記載のパルス変調器。
【請求項１８】
分離間隔と曲率半径との差が０．１ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項１５に記載のパルス変調器。
【請求項１９】
パターニングデバイスから基板にパターンを投影するように配置されたリソグラフィ装置であって、パターニングデバイスの照明における放射線ビームを調整するように構成された照明システムを含み、前記照明システムが放射線ビームのパルスを変調するように構成された請求項１に記載の１つ以上のパルス変調器を含むリソグラフィ装置。
【請求項２０】
第一光軸に沿って放射線の入力パルスを受取るように構成され、さらに、第二光軸に沿って、放射線の１つ以上の対応する出力パルスを放射するように構成されたパルス変調器であって、該パルス変調器は、
入力を第一パルス部分と第二パルス部分に分割するように構成され、さらに、両方のパルス部分を、所定の曲率半径を有する第一鏡に導くように構成された分割器を、含み、前記第一鏡が第二光軸に配置されかつ第二光軸に沿って配置された、出力パルスの通過可能な開口を有し、また、第一鏡が各パルス部分の第一部分を、第一鏡の曲率半径と等しい所定の曲率半径を有する第二鏡にリダイレクトするように配置されており、さらに、各パルス部分の第二部分を第二光軸に沿って１つ以上の出力パルスとして、第一鏡の開口を通過させるように配置されており、
第二鏡が、所定の分離間隔をおいて第一鏡と向き合って第二光軸上に配置され、第二部分の光パスを第一部分のそれよりも長くなるように構成されていることを特徴とするパルス変調器。
【請求項２１】
分離間隔が曲率半径よりも小さいことを特徴とする請求項２０に記載のパルス変調器。
【請求項２２】
分離間隔と曲率半径との差が０．１ｍｍよりも大きいことを特徴とする請求項２０に記載のパルス変調器。
【請求項２３】
分割器がリニアアキシコンから成ることを特徴とする請求項２０に記載のパルス変調器。
【請求項２４】
分割器が幾何（geometrical）分割器から成ることを特徴とする請求項２０に記載のパルス変調器。
【請求項２５】
放射線ビームのパルスを変調するように構成された請求項２０に記載の１つ以上のパルス変調器を具備し、かつ、パターニングデバイスの照明における放射線ビームを調整するように構成された照明システムから成る、パターニングデバイスから基板にパターンを投影するように配置されたリソグラフィ装置。
【請求項２６】
照明システムがさらにビーム送出部を含み、パルス変調器が前記ビーム送出部に配置されることを特徴とする請求項２５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２７】
第一光軸に沿って放射線の入力パルスを受取るように構成され、さらに、第二光軸に沿って、放射線の１つ以上の対応する出力パルスを放射するように構成されたパルス変調器であって、該パルス変調器は、
入力を第一パルス部分と第二パルス部分に分割するように構成され、さらに、第一パルス部分を出力パルスとしてパルス変調器から導くように構成された分割器と、
第二パルス部分を受取って、第二部分を出力パルスとしてパルス変調器からリダイレクトするように構成された遅延パスと、を含み、第二部分の光パスが第一部分のそれよりも長くされ、出力放射線ビームの発散度が入力放射線ビームの発散度とほぼ同じであることを特徴とするパルス変調器。
【請求項２８】
第一光軸に沿って放射線の入力パルスを受取るように構成され、さらに、第二光軸に沿って、放射線の１つ以上の対応する出力パルスを放射するように構成されたパルス変調器であって、該パルス変調器は、
入力を第一パルス部分と第二パルス部分に分割するように構成され、さらに、第一パルス部分を出力パルスとしてパルス変調器から導くように構成された分割器と、
第二パルス部分を受取って、第二部分を出力パルスとしてパルス変調器からリダイレクトするように構成された遅延パスと、を含み、第二部分の光パスが第一部分のそれよりも長く、また、前記遅延パスが第二光軸とほぼ平行であることを特徴とするパルス変調器。
【請求項２９】
第一光軸に沿って放射線の入力パルスを受取るように構成され、さらに、第二光軸に沿って、放射線の１つ以上の対応する出力パルスを放射するように構成されたパルス変調器であって、該パルス変調器は、
入力を第一パルス部分と第二パルス部分に分割するように構成され、さらに、第一パルス部分を第一出力パルス部分としてパルス変調器から導くように構成された分割器と、
第二パルス部分を受取って、第二部分を第二出力パルス部分としてパルス変調器からリダイレクトするように構成された遅延パスと、を含み、第二部分の光パスが第一部分のそれよりも長く、また、パルス変調装置の出力において、第一出力パルス部分と第二出力パルス部分間の空間的オーバラップがほぼゼロであることを特徴とするパルス変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パルス変調器、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は基板に、通常は基板の目標部分に、所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ投影装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。この例において、マスクあるいはレチクルにも相当するパターニングデバイスは、ＩＣの個々の層に形成される回路パターンを生成するために使用される。そして、基板（例えばシリコンウェハ）上の目標部分（例えば１つまたは複数のダイの部分を含む）にこのパターンを転写することが可能である。パターン転写は一般的に基板上に設けられた放射線感光材料（レジスト）の層に結像することでなされる。一般的に、シングル基板は、順次パターン化される近接目標部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置には、全体パターンを目標部分に１回の作動にて露光することにより各目標部分が照射されるステッパと、所定の方向（「スキャニング」方向）にパターンを投影ビーム下で徐々にスキャニングし、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは逆平行にスキャニングすることにより各目標部分が照射されるスキャナと、を含む。パターンを基板上にインプリントすることによって、パターニングデバイスから基板への転写もまた可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置は、製造の困難な、大きく高価なレンズ素子を具備する。一般的に、リソグラフィ装置にパルス形状の放射線を供給するためにエキシマレーザが使用される。高価なレンズ素子は、無数のそれら高強度紫外線パルスに起因する劣化を免れない。レーザからのパルス強度（ｃｍ２当たりの光パワー（エネルギー／時間）、すなわちｍＪ／ｎｓ／ｃｍ２）が増すことにより光損傷が増すことが知られている。こうしたレーザからの典型的パルス長は約２０ｎｓであり、よって５ｍＪのレーザパルスは約０．２５ｍＪ／ｎｓ（０．２５ＭＷ）のパルスパワー強度を有する。パルス幅を変えることなくパルスエネルギーを１０ｍＪに増すと、パルスパワーは約０．５ｍＪ／ｎｓに倍増する結果となり、これはレンズ素子の使用可能ライフタイムを著しく短縮する。
【０００４】
リソグラフィ装置にて使用するパルスストレッチ構成が米国特許出願第２００４／０１３６４１７号において提案されている。この出願では、パルス長を実質的に約２０ｎｓから５０ｎｓ以上に増し、光劣化率を低減して、光損傷の問題を回避している。
【０００５】
米国特許出願第２００４／０１３６４１７号によるパルスストレッチ装置を図３および図１６に示している。すなわち、６０Ｒ／４０Ｔビームスプリッタ１０が、入射放射線ビーム１００の約６０パーセントを、４つの集束ミラー２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、および２０Ｄにより形成される遅延パス４０内に反射する。ビーム１００の各パルスの４０パーセントの透過部分は、出射ビーム１１０の、対応するストレッチパルスの第一サブパルスとなる。反射されたビームはビームスプリッタ１０により、該反射された部分の焦点をポイント３０に合わせる鏡２０Ａに導かれる。そこでビームは拡張し、鏡２０Ｂに反射する。該鏡２０Ｂは拡張ビームを平行ビームに変え、これを鏡２０Ｃに導く。該鏡２０Ｃはそのビームの焦点を再びポイント３０に合わせる。このビームは次に鏡２０Ｄに反射し、該鏡２０Ｄは、２０Ｂと同じように拡張ビームを光平行ビームに変え、それをビームスプリッタ１０に返す。ここで、第一反射光の６０パーセントは、このパルスの第一透過部分と完全に一致して出射ビーム１１０に反射し、第二サブパルスとなる。第一反射ビームの４０パーセントはビームスプリッタ１０を透過して、出射放射線ビーム１１０に追加の小さなサブパルスを作り出す第一反射ビームのパスに正確に従う。反射係数およびパス長を設定することにより、結果の出射パルスは約２０ｎｓから約５０ｎｓに伸ばされる。
【０００６】
しかし、実際、既知のパルスストレッチ装置は、パルス変調器を挿入した後に、時間をかけて実地に装置をグレードアップする、かなりの再較正をリソグラフィ装置に必要とするといった欠点を有する。さらに、一定間隔での較正を必要とすることから、信頼性が低下する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
入射放射線ビームの特性に対して変更を減じるパルス変調器を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の態様に従って、請求項１が提供される。さらなる有利な実施形態を従属請求項に明記する。
本発明の実施例についての詳細説明を、添付の図面を参照に、例示の方法においてのみ行うものとし、ここで一致する参照符合はその対応一致する部分を示す。
【実施例】
【０００９】
図１は、本発明の独自の実施形態に基づくリソグラフィ投影装置を示したものである。本装置は、
−  放射線ビームＢ（例えばＵＶ放射線あるいはＤＵＶ放射線）を調整するように構成され、さらに、ビーム送出部システムＢＤを介してソースＳＯから放射線を受取るように構成された照明装置ＩＬと、ここで、ソースＳＯと照明装置ＩＬ間のあるポイントで、放射線は、リソグラフィ装置にて用いる放射線を調整するパルスストレッチ装置５０を通過する。
−  パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確にパターニングデバイスの位置決めを行うように構成された第一ポジショナＰＭに連結を行った支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
−  基板（例えばレジスト塗布ウェハ）を保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに基づいて正確に基板の位置決めを行うように構成された第二ポジショナＰＷに連結を行った基板テーブル（例えばウェハテーブル）ＷＴと、
−  パターニングデバイスＭＡにより投影ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つあるいはそれ以上のダイから成る）に投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズ）ＰＳとにより構成されている。
【００１０】
パターニング手段の前の、ソースＳＯ、ビーム送出部ＢＤ、および照明装置ＩＬへの放射線経路の分割はある程度任意である。これは、技術的フューチャに関連するか、あるいは部品および装置が異なる製造者より供給されるという事実に関係する。例えば、（現状のレーザソースの場合が実際にそうであるように）ソースＳＯとリソグラフィ装置が異なる製造者から供給されるか、もしくは（現状の水銀ランプを有するＵＶシステムが実際にそうであるように）ソースＳＯはリソグラフィ装置内に統合される。便宜上、「照明システム」なる用語は、図１の例において、パターニング手段の前の光路に配置された部品および装置の集まりを表現するのに使用されており、従い照明システムはソースＳＯ、ビーム送出部ＢＤ、および照明装置ＩＬから成る。
【００１１】
照明システムは、放射線の誘導、成形、あるいは制御を行う、例えば屈折、反射、磁気、電磁、静電、あるいは他のタイプの光学部品、あるいはその組合せといった、様々なタイプの光学部品を含む。
【００１２】
リソグラフィ装置において、照明システムは、投影の必要なパターニング手段の構造に適合する照明瞳（例えばラインあるいはコンタクトホール）を作り出す機能を有する。照明装置ＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調整する調整装置ＡＤを備える。一般的に、照明装置の瞳面における強度分布の少なくとも外部かつ／あるいは内部放射範囲（一般的にそれぞれ、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒに相当する）が調整可能である。さらに、照明装置ＩＬは一般的に積分器ＩＮおよびコンデンサＣＯといったような、他のさまざまな構成要素を備える。照明装置は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有するよう、投影ビームを調整するために使用可能である。
【００１３】
可能な照明瞳の断面を図１４aに示している。システムの光軸に対して対称に、放射線の４つの同じポール１０３が作り出されて、配置されている。瞳中心は放射線を含まず、ポール１０３は交差配置されている。照明瞳は放射線ビームに配置される光学素子および屈折光学素子（ＤＯＥ）により、従来の方法にて形成される。図１４ａには、ＸとＹに所定の寸法を有した放射線ビームの矩形断面も示している。放射線ビーム断面の対称により、それぞれがほぼ同じポール幅（ＰＷ）を有する４つのポール１０３を作り出す。ここでは対称に示しているが、ソースＳＯにレーザを使用する場合のように、ビーム断面は非対称もあり得る。ビームが予定のプロファイルを有するとき、照明システムは、非対称放射線ビームと連動するよう、かつ所望の照明瞳を作り出すように設計され得ることから、これは一般に問題ではない。
【００１４】
支持構造はパターニングデバイスを支持する（すなわちパターニングデバイスの重量を支える）。支持構造は、パターニングデバイスの位置、リソグラフィ装置の設計、かつ、例えば、パターニングデバイスが真空環境に保持されているか否かといったような他の条件に基づく方法でパターニングデバイスを保持する。支持構造には、パターニングデバイスを保持する目的に、機械、真空、静電、または他のクランプ技術が使用され得る。支持構造は、例えば、その要求に応じて、固定されるか、あるいは可動式であるフレームもしくはテーブルであろう。支持構造はパターニングデバイスを例えば投影システムに対して所望の位置に配置可能にする。本明細書において使用する「レチクル」あるいは「マスク」なる用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義とみなされる。
【００１５】
本文において使用する「パターニングデバイス」なる用語は、基板の目標部分にパターンを作り出すべく、投影ビームの断面にパターンを与えるために使用可能なデバイスに相当するものとして広義に解釈されるべきである。投影ビームに与えられたパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャあるいは所謂アシストフィーチャを含む場合、基板の目標部分における所望のパターンとは必ずしも完全には一致しないことを注記する。一般に、投影ビームに与えられるパターンは、集積回路といったような、目標部分に作り出されるデバイスの特別な機能層に相当する。
【００１６】
パターニングデバイスは透過型か反射型である。パターニングデバイスの例には、マスク、プログラム可能ミラーアレイ、およびプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。プログラム可能ミラーアレイの例では、入射の放射線ビームを異なる方向に反射させるよう、小さなミラーのマトリクス配列を用い、その各々に傾斜を個々にもうけている。傾斜ミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射線ビームにパターンを与える。
【００１７】
本文に使用する「投影システム」なる用語は、使用される露光放射線に適した、もしくは浸液の使用または真空の使用といったような他のファクタに適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システム、および静電光学システム、あるいはこれらの組み合わせを含めた様々なタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本文において「投影レンズ」なる用語がどのように使用されていても、より一般的な用語である「投影システム」と同義とみなされる。
【００１８】
ここで示しているように、この装置は透過タイプ（例えば透過マスクを使用する）である。あるいは、該装置は反射タイプの（例えば上記に相当するタイプのプログラム可能ミラーアレイを使用する、あるいは反射マスクを使用する）ものも可能である。
【００１９】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）の基板テーブル、あるいはこれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものである。このような「多段」マシンにおいて追加のテーブルが並行して使用され得る。もしくは、１つ以上のテーブルが露光に使用されている間、予備工程が他の１つ以上のテーブルで実行され得る。
【００２０】
リソグラフィ装置は、投影システムと基板間のスペースを充填するよう、例えば水といったような比較的高い屈折率を有する液体によって基板の少なくとも部分が覆われるタイプのものも可能である。浸液は、例えばマスクと投影システム間といった、リソグラフィ装置の他のスペースにも用いられる。液浸技術は投影システムの開口数を増す目的に従来技術において周知のものである。本文において使用する「液浸」なる用語は、基板のような構造を液体に沈下させねばならないことを意味するのでなく、露光中に投影システムと基板間に液体が配置されていることのみを意味する。
【００２１】
図1を参照に説明すると、照明装置ＩＬは放射線源ＳＯから放射線のビームを受け取る。この放射線源とリソグラフィ装置は、例えばソースがエキシマレーザである場合、別々の構成要素である。こうしたケースでは、放射線源がリソグラフィ装置の一部を構成するとはみなされず、放射線ビームは、例えば適した誘導ミラーかつ／またはビームエキスパンダから成るビーム配給システムＢＤにより、放射線源ＳＯから照明装置ＩＬに進む。図２ａに示すように、これはソースＳＯとリソグラフィ装置６０を別々のスペースに配置するフレキシビリティをもたらす。一般にリソグラフィ装置は、環境下の粒子数を低く維持するのにかなりの努力がはらわれるクリーンルーム内に配置され、ソースＳＯは、かなり低いレベルの清浄度に維持されるサービス領域に配置される。図２ｂに示すように、低いフロアをサービスエリアに使用し、そこにソースＳＯを配置することも可能である。
【００２２】
照明システムは図３に示すようにソースＳＯ近傍に配置されるパルス変調器５０を具備する。パルス変調器を図１０ａに示しており、入力および結果の出力パルスの略図をそれぞれ図１０ｂと図１０ｃに示している。
【００２３】
４つの平面鏡２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄが、各鏡面の中心を結ぶ線が矩形を成すように配置されている。各鏡は、その縦軸が矩形の各面と約４５度の角度をなすように方向が合わせられている。ビームスプリッタ１０が、矩形の面の１つにその中心がくるように配置され、スプリッタの縦軸は矩形の面と４５度の角度をなす。ビームスプリッタ１０はさらに、該スプリッタの中心が光軸にあって、該スプリッタの縦軸が光軸とも４５度の角度をなすように配置されている。
【００２４】
作動中、パルス変調器は入射パルス１００を受取って、それを入射パルス１００のピーク強度よりも低いピーク強度を有する１つ以上の出力パルス１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃに分割する。放射線の入射パルス１００は光軸に沿ってパルス変調器に入る。ビームスプリッタ１０はパルスを、ビームスプリッタに反射する第一部分と、ビームスプリッタを透過する第二部分とに分割する。第一部分は矩形の各面に沿って各鏡２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに反射してスプリッタに戻る。第二部分は光軸に沿って出力パルス１１０Ａとしてパルス変調器５０を離れる。スプリッタ１０により、第一部分はスプリッタ１０に反射する第三部分と、スプリッタ１０を透過する第四部分に分割される。第三部分は、遅延パス４０の周りをトラベルする余分な距離により第二部分１１０Ａよりも後に、出力パルス１１０Ｂとして光軸に沿ってパルス変調器５０を離れる。第四部分は矩形の面に沿って同一遅延パス４０に沿ってトラベルし、スプリッタに戻り、そこで再び分割される。このサイクルはパルスエネルギーがなくなるまで繰り返される。
【００２５】
例えば、６０Ｒ／４０Ｔ（６０％反射／４０％透過）ビームスプリッタ１０が使用され、かつスプリッタ１０と鏡２０でわずかな損失が想定される場合、第一部分は入射の放射線パルス１００の６０パーセントに相当する。第二部分は入射パルス１００のピーク強度の約４０パーセントで第一出力パルス１１０Ａとしてパルス変調器５０から出る。第三部分は、入力パルス１００のピーク強度の約３６パーセントで第二出力パルス１１０Ｂとしてパルス変調器５０を離れる。入射の放射線パルス１００の約２４パーセントに相当する第四部分は、図１０ｃに示す１１０Ｃを含むいくつかの小さい出力パルスとしてパルス変調器５０を離れる。
【００２６】
出力パルス１１０Ａ、１１０Ｂ、１１０Ｃ間のタイム・セパレーションは、遅延パス４０の長さ、すなわち、スプリッタ１０の第一面１０Ａと第二面１０Ｂ間をパルスがトラベルする距離に影響される。この距離は、オーバラップ、近接、あるいは分離する出力パルスを作り出すように選択され得る。入力パルスに関する、かつ互いに関する出力パルスの相対強度はビームスプリッタの反射／透過の比率に影響される。実際、鏡およびスプリッタの損失も、それほどではないが相対強度に影響を与える。出力パルス１１０は空間的には分離されない、−パルス変調器５０は、出力パルスが光軸に沿って放射されるように設計される。
【００２７】
よってパルス変調器の基本の構成要素はスプリッタ１０と遅延パス４０である。多くの場合、遅延部分を出力１１０に導くために再結合装置も必要とされる。図１０ａに示すように、ビームスプリッタ１０は、スプリット面１０Ａあるいは１０Ｂ、および再結合面１０Ｂの両方を提供する。
【００２８】
実際に、入力パルスの形状は単純な階段関数よりも複雑であり、出力パルス列は有効パルス幅の計算を困難にする。次の公式を用いると「時間積分２乗」（ＴＩＳ）パルス長の算出がより簡単である。
【数１】
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ストレッチの程度を示すために、パルス変調器に対してＴＩＳ係数を算出することが可能である。
ＴＩＳ係数＝ＴＩＳｏｕｔ／ＴＩＳｉｎ
【００２９】
投影ビームＢは支持構造（例えばマスクテーブルＭＴ）に保持されたパターニングデバイス（例えばマスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターン形成される。放射線ビームＢはマスクＭＡを横断して基板Ｗの目標部分Ｃ上にビームＰＢの焦点を合わせる投影システムＰＳを通過する。第二位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計、リニアエンコーダ、あるいは容量センサ）により、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路における異なる目標部分Ｃに位置を合わせるために正確に運動可能である。同様に、第一ポジショナＰＭおよび他の位置センサ（図１には明示しておらない）は、例えばマスクライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後に、あるいは走査運動の間に放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするために使用され得る。一般的に、マスクテーブルＭＴの運動は、位置決め手段ＰＭの部分を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）にて行われる。同様に、基板テーブルＷＴの運動は第二ポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールにて行われる。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴはショートストロークアクチュエータのみに連結されるか、あるいは固定される。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせされる。図示のような基板アライメントマークが専用目標部分を占めるが、これらは目標部分間のスペースに配置される。（これらはスクライブレーンアライメントマークとして知られている。）同様に、１つ以上のダイがマスクＭＡに配備される状況において、マスクアライメントマークはダイ間に配置される。
【００３０】
本記載の装置は次のモードにおける少なくとも１つのモードにおいて使用可能である。
１．  ステップモードにおいて、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に維持されており、投影ビームに与えられた全体パターンが１回の作動（すなわちシングル静的露光）で目標部分Ｃに投影される。次に基板テーブルＷＴがｘ方向および／あるいはｙ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光可能となる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル静的露光にて結像される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．  スキャンモードにおいて、投影ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴは同時走査される（すなわちシングル動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）および像反転特性により判断される。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズにより、シングル動的露光における目標部分の幅（非走査方向における）が制限される。一方、走査動作長が目標部分の高さ（走査方向における）を決定する。
３．  他のモードにおいて、マスクテーブルＭＴは、プログラム可能パターニング手段を保持し、基本的に静止状態が維持される。そして、基板テーブルＷＴは、放射線ビームに与えられたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、移動あるいは走査される。このモードにおいては、一般にパルス放射線ソースが用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各運動後、もしくは走査中の連続的放射線パルスの間に、要求に応じて更新される。この稼動モードは、上述のようなタイプのプログラム可能ミラーアレイといった、プログラム可能パターニング手段を使用するマスクレスリソグラフィに容易に適用可能である。
【００３１】
上に述べた使用モードを組み合わせたもの、かつ／または変更を加えたもの、あるいはそれとは全く異なる使用モードもまた使用可能である。
【００３２】
パルス変調器の第二実施例を図４ａに示している。２つの凹面鏡２５Ａおよび２５Ｂが、その反射面が互いに向き合うように配置されている。これらの鏡は、各鏡２５の曲率半径にほぼ等しい所定の距離（分離間隔）だけ離れている。各鏡２５は鏡軸に対称に配置されており、各鏡の縦軸は鏡軸に垂直になるように配置される。鏡軸に平行な第二軸は、鏡軸から所定の距離をおいて、各鏡２５の表面に連接する。
【００３３】
ビームスプリッタ１０は、スプリッタ１０の縦軸が第二軸と４５度の角度をなすように、第二軸に沿って配置される。また、ビームスプリッタ１０の中心は光軸に配置され、光軸と第二軸は垂直である。
【００３４】
パルス変調器は第一実施例と同様の方法にて作動する。作動中、入力パルス１１０は光軸に沿ってパルスに入る。
【００３５】
光遅延パス４０は２つの鏡２５Ａと２５Ｂにより形成される。例えば、その各々は、約１８００ｍｍの光キャビティ長によって分かれた、約１８００ｍｍという大きな曲率半径を有する直径１００ｍｍの球面鏡である。ビームスプリッタ１０は入射ビーム１００と４５度の角度をなし、また、ビームスプリッタ１０は、入射放射線１００の部分が遅延パス４０に反射されるよう、かつ、遅延パス４０を出る放射線が、パルス変調器から射出され、出力放射線ビーム１１０となるように配置される。例えば、６０Ｒ／４０Ｔビームスプリッタ１０が使用される場合、ビームスプリッタ１０は入射放射線ビーム１００の約６０パーセントを遅延パス４０に反射する。ビーム１００の各パルスの４０パーセントの透過部分は、出射ビーム１１０における対応するストレッチドパルスの第一サブパルスとなる。反射されたビームはビームスプリッタ１０によって鏡２５Ａに導かれ、該鏡２５は反射部分をミラー２０Ｂに導き、この鏡は次にそれをビームスプリッタ１０に返す。ここで、第一反射光の６０パーセントは出射ビーム１１０におけるこのパルスの第一透過部分と完全に一致して反射され、第二サブパルスとなる。第一反射ビームの４０パーセントはビームスプリッタ１０を透過し、出射放射線ビーム１１０に追加の小さなサブパルスを作り出す第一反射ビームのパスに正確に従う。
【００３６】
ビームスプリッタの透過／反射係数を設定することにより、かつ、パス長を変えることにより、結果の出射パルスは異なる程度にストレッチされる。例えば、７．２ｍの遅延パス４０および５０Ｒ／５０Ｔビームスプリッタ１０により、ＴＩＳ７０ｎｓの入射パルス１００は、１１０ｎｓのＴＩＳの出射ビーム１１０のパルスにストレッチされる。
【００３７】
入射放射線ビームの特性に対して変更を減じるパルス変調器を作ることが望ましい。これらの特性は、パルス当たりのエネルギー、ビームサイズ、発散度、および偏光を含む。パルスごとのエネルギーは高反射率（＞９８％）を有する鏡と、低損失（＜２％）のビームスプリッタを使用することにより、高率（＞８０％）に維持される。固有の複屈折がほとんどないＣａＦ２ビームスプリッタの応力フリーマウントを使用することにより偏光が維持される。ビームサイズは、キャビティ遅延ループ４０の単一の倍率により、かつ発散度を低く維持することにより一定に保たれる。
【００３８】
発散度に寄与するものが少なくとも３つある。すなわち、ソースＳＯからの放射線（例えばレーザ）の発散度、ソースＳＯからの放射線に照射される回折光学素子ＤＯＥ、および所定の形状およびサイズの照明瞳を作り出すために制御される照明装置における光学素子である。レーザの発散度はＤＯＥ素子からの瞳にコンボリュートされて照明瞳をゆがめることがある。光軸を横断する方向の発散度の差は通常Ｘ、Ｙと呼ばれる。これらは、図１４ｂに示すように照明瞳の対称をこわすことから不利である。図１４ｂは、ＹよりもＸにおいて多く発散することが可能な照明瞳を示している。トップおよびボトムポールのポール幅（ＰＷ）が増すだけでなく、左右のポール形状が歪む。前述のように、照明瞳は通常パターニング手段のフューチャに適合するように選択される。大きな偏差は基板の像の品質低下を意味する。
【００３９】
図４ｂに示すように、６０パーセントの反射部分は、それがビームスプリッタ１０を再びヒットする前に、ディアボロ形カーブでキャビティ長を４回トラベルする。近軸近似において、この光キャビティは安定している。すなわち、ディアボロ形の遅延ループ４０をトラベルする放射線は、同一角度でビームスプリッタ１０の同一位置に戻る。実際には、この近軸近似は維持せず、従い、放射線は同一角度では戻らない。角度のこの変化はビームの発散度に変化を生じ、前述の説明のように基板上の結像品質の低下をまねく。
【００４０】
キャビティ長Ｄが近軸共振条件からわずかにデチューンされる（すなわちＤ＝Ｆ）と、角度、よって発散度は一定に保たれる。図１３は、鏡間の距離（Ｄ）が変わる際の、発散度（ＤＶ）と横断面ＸおよびＹの関係を示している。距離Ｄが共振条件１０１よりも少ないとき、発散度ＤＶの最少量は１０２にて生じる、すなわち発散度ＤＶの量はほぼゼロである。この例において、鏡２５Ａおよび２５Ｂは１８１１．４ｍｍの曲率半径Ｆを有する、すなわち鏡間の予定の最適距離１０１は１８１１．４ｍｍになると予期されるが、図１３のグラフでは鏡１０２間の最適距離が１８１０．７ｍｍとなることを示している。これは−０．７ｍｍの差である。
【００４１】
発散度のこの最小化によりパルス変調器を光学的に「透明」にする。すなわち、既存のソースとリソグラフィ装置間にパルス変調器を付加することで、レーザの再アライメントを必要とせず、また装置も必要としない。
【００４２】
図１６に示す構成のように多数の鏡を配備する既知の構成では、マニピュレータがパルス変調器を位置合わせする必要があり、多くの場合、アライメントを維持するために動作中に能動的処理を必要とする。これは複雑さを増すことになり、結果的に信頼性を低下させる。図４ａから４ｃのパルスストレッチ装置のさらなる長所は、図１６に関連して詳述しているように、既知のパルス変調器における４つの鏡２０ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄに比較して、２つだけの鏡２５Ａ、２５Ｂしか使用しないことである。
【００４３】
これは、本発明による放射線のアライメントが相当にシンプルなものとなり、そのライフタイムにわたりより安定した状態を維持することを意味する。ソースＳＯが別のスペース、あるいは異なるフロアに配置されているといった場合のように、ソースＳＯとリソグラフィ装置の距離がかなり離れている場合、これは特に重要である、すなわち放射線ビームがリソグラフィ装置に入射するとき、ソースＳＯ近傍の小さなシフトあるいは発散度が増幅エラーとなる。
【００４４】
光パスにアクティブ「ステアリング」ミラーを配備し、残りのビームの外乱をさらに最小限にすることが望ましい。これらはパルス変調器内の好都合な位置に配置されるか、もしくはソースとリソグラフィ装置間のビームデリバリＢＤの好都合なポイントに配置される。
【００４５】
使用される放射線は強力に酸素に吸収される波長を有する、−これは、１９３ｎｍから１５７ｎｍのより短いＤＵＶ波長に特に当てはまる。ゆえに、ビーム減衰が空気よりもかなり低い窒素といったようなガスによって放射線ビームパスを包囲することが望ましい。ビームデリバリＢＤあるいはパルスストレッチ装置５０といったエンクロージャにおけるパージシステムは、ガスのソース、エンクロージャと制御手段に連結する供給弁を備え、例えばエンクロージャへのガスの一定流量を可能にする。エンクロージャはまた、エンクロージャ内の圧力検出器と、そしてさらなる制御手段を配備して、エンクロージャ内を一定の圧力に維持する。
【００４６】
ビームスプリッタ１０にアクチュエータを配備し、それによりビームスプリッタ１０の放射線ビーム１００への出入移動を可能にすることが有利である。これは、要求に応じて、パルス変調器のインとアウトの切換えを可能にする。
【００４７】
図４ａは、放射線が鏡間を４回トラベルする遅延パスを示しているが、放射線が鏡間を４回以上通過し、パルスストレッチ装置のサイズをあまり変えずに、遅延パス４０を増すように本発明を修正することも容易に可能である。
【００４８】
ビームスプリッタ１０は次の技術のうちの１つを使用して、入射放射線ビーム１００を分割あるいは分配する。
・  前述のように、例えば６０Ｒ／４０Ｔビームスプリッタキューブを使用する、エネルギーによる。
・  図１１に示したような偏光といった、入射放射線の特性による。このパルス変調器において、入射放射線ビーム１００は偏光により２つの部分に分割される、−１つの偏光は遅延されずパルス変調器を通過できるが、もう一方の偏光は、最終的に第一偏光と再結合する前に、それを屈折することで遅延パス４０を通って遅延され、両方の偏光からなる出射放射線ビーム１１０を作りだす。
・  図１２に示したような（幾何学的）位置による。ここで、適切なリフレクタ２８を入射放射線ビーム１００の部分に挿入することによりビームの部分が遅延パス４０に導かれる。出射放射線ビーム１１０は遅延部分および遅延されない部分からなる。この構成は再結合面を必要としない。
【００４９】
第二実施例を図５ａおよび図５ｂに示している。第一ビームスプリッタ１０Ａが入射のパルス化放射線ビーム１００のパスに配置されている。２つのほぼ平面の鏡２５Ａ、２５Ｂにより第一光遅延パス４０Ａが形成されている。第一ビームスプリッタ１０Ａは、入射放射線ビーム１００の部分を第一遅延パス４０Ａに反射するように配置されており、それにより入射放射線ビーム１００の部分は第二ビームスプリッタ１０Ｂに送られ、それにより第一遅延パス４０Ａから出る放射線が第二ビームスプリッタ１０Ｂに反射する。
【００５０】
第二光遅延パス４０Ｂが同じの２つの鏡２５Ａ、２５Ｂにより形成される。第二ビームスプリッタ１０Ｂは、第一ビームスプリッタ１０Ａからの放射線の部分が第二遅延パス４０Ｂに反射するように配置されており、それにより第一ビームスプリッタ１０Ａからの放射線の部分はパルス変調器から出力放射線ビーム１１０に送られ、それにより第二遅延パス４０Ｂから出る放射線も出力放射線ビーム１１０に反射する。
【００５１】
このように同じ鏡と追加のビームスプリッタ１０Ａ、１０Ｂを使用して、２つ以上の遅延パス４０Ａ、４０Ｂを形成することが可能である。遅延パス４０Ａ、４０Ｂを追加することで、パルスストレッチ装置のサイズに著しい影響を与えることなく、入力放射線パルス１００の全体ストレッチを増す。例えば、７．２ｍの２つの遅延パス４０Ａ、４０Ｂと２つの５０Ｒ／５０Ｔビームスプリッタにより、ＴＩＳ７０ｎｓの入力パルス１００は、１５０ｎｓのＴＩＳの出射ビーム１１０のパルスにストレッチされる。同様に、７．２ｍの（図６に示すような）第三遅延パス４０Ｃおよび第三５０Ｒ／５０Ｔビームスプリッタの追加により、出射パルス１１０のＴＩＳを１８０ｎｓに増す。これは、それ自身の鏡を有するカスケードパルス変調器に代わり、スペースの節約を可能にし、また、遅延パスが交差することなく、いくつかの遅延パスが同じ鏡間にて作り出され得ることは当業者にとって明らかである。
【００５２】
ビームの発散度に著しい影響を与える既知のパルス変調器において、カスケード可能なパルス変調器数はリソグラフィ装置において非常に制限されている。しかし、本発明を用いることで、多数のパルス変調器が直列に、かつ同一キャビティを用いて連結可能となる。リソグラフィ装置において２つ以上のパルス変調器を使用することも可能となる。先に述べたようにストレッチ量は、間接的に、パルス変調器の取付け可能なスペース量による。場合によっては、図７に示すように、例えば、ソースの近く（ビームデリバリＢＤの開始、ソースの下、ソースの最上部等）、露光装置の近く（例えばクリーンルームフロアの部分として天井に固定等）、あるいは露光装置の部分として（例えば露光装置の最上部）など、照明システムの異なる箇所にて、複数のパルス変調器５０を使用することが有利である。パルス変調器５０は、ソースＳＯ内の光生成の実際のポイントと、投影ビームがパターン化されるポイント間のどこでも配置可能であることは当業者において理解されよう。追加のパルス変調器５０におけるミラー損失によるパワー低下は、ソースＳＯのパワー出力を増すことで補正可能である。
【００５３】
ビームスプリッタ１０Ａ、１０Ｂにアクチュエータを配備して、放射線ビームへのビームスプリッタ１０Ａ、１０Ｂの出入移動を可能にすることが有利である。パルス変調器はインとアウトに切換されるか、もしくは、個々の遅延パス４０Ａ、４０Ｂを作動あるいは非作動にすることにより、ストレッチ量が選択され得る。
【００５４】
２つ以上のパルス変調器を直列（カスケード）配置することも可能であることは当業者にとって明らかである。ビームを分割するために当業者はビームスプリッタを使用することから、ビームスプリッタの有限厚は図１５ａに示すように放射線ビームにわずかな位置シフトを生じる、−各パルス変調器のビームスプリッタ１０Ａ、１０Ｂを互いに平行になるように配置すると、出射ビーム１００は入射ビーム１００に対し約４０ｍｍずつシフトする。
【００５５】
このシフトは、ビームスプリッタ１０Ａ、１０Ｂを互いにほぼ垂直になるように位置合わせすることによって減じられ得る。図１５ｂに示すように、ビームスプリッタ１０Ａにより生じるシフトは、ビームスプリッタ１０Ｂによる他方向のシフトによってほぼ補正され、出射ビーム１１０は入射ビーム１００と一致するように戻る。
【００５６】
第三実施例において、図８ｆに示すように屈曲点を有しないビームデリバリ装置ＢＤに組込み可能なパルスストレッチ装置が提供される。この発明は図８ａから図８ｆに図式化されている。パルス変調器は入射のパルス化放射線ビーム１００のパスに配置されるリニアアキシコン９０を備える。入射放射線ビーム１００は図６ｂに示すように矩形の強度分布を有する。光遅延パス４０は２つの鏡２７、２２によって形成される。鏡２７は図６ｅに示すように矩形の開口８０を有し、それにより、開口８０は入射の矩形ビーム１００とほぼ同一の寸法を有する。さらにリニアアキシコン９０は、入射放射線１００が鏡２７へと導かれる２つの部分１０５に分割されるように、かつ、該放射線１０５の第一部分が開口８０を通ってパルス変調器を離れ、出射放射線ビーム１１０に向かうように、そして該放射線１０５の第二部分が鏡２２に導かれるように配置される。鏡２２は、鏡２７からの放射線１０５の部分が開口８０に向け直され、よってパルス変調器から出射放射線ビーム１１０の部分１０６に向け直されるように配置される。
【００５７】
ソースＳＯからの入射ビーム１００はリニアアキシコン９０に入り、このリニアアキシコン９０は、２つの矩形部分１０５に、ビームデリバリＢＤのエッジへと放射線が集中するように放射線強度を再分配する。リニアアキシコン９０からの放射線が鏡２７に到達すると、放射線１０５の第一部分は開口８０を通過して出射放射線ビーム１１０の部分１０５を形成し、一部は遅延パスに従って戻り第二鏡２２に反射する。放射線のこの部分は鏡２２により、開口８０を通って鏡２７に導かれ、出射ビーム１１０の部分１０６を形成する。よってこの放射線の遅延された部分は、鏡２２と２８間の距離のほぼ２倍に等しい長さを余分にトラベルする。図６ｂは入射ビーム１００の断面を示しており、図６ｃはリニアアキシコン９０による分割後の放射線１０５の断面と、鏡２２に反射した後の放射線１０６を示しており、図６ｄは、遅延されていない部分１０５と遅延された部分１０６から成る出射放射線ビーム１１０を示している。明確にするためビームセグメント１０５と１０６とを分けているが、実際、これらのセグメントを互いに隣接配置するように鏡２２と２７を構成、配置することが可能であることを注記する。例えば、３メートル長のビームデリバリＢＤに配置される場合、この実施例では５０ｎｓの入射パルスを、６５ｎｓのＴＩＳのパルスにストレッチする。
【００５８】
本発明の他の実施例と同様の方法において、鏡２２および２７の曲率、およびこれらの距離は予想最適条件からデチューンされ、ビームの発散度を減じる。
【００５９】
この実施例ではビームを分割するためにリニアアキシコン９０を使用するが、前述のように幾何分割器も使用され得る。幾何分割器は、断面から見た際に、鋭角的な先端を有する２つの鏡面から成る。
【００６０】
この実施例の長所は、これのない場合のインストレーションと比較した場合でも、装置がほんの少ししか余分なスペースをとっていないということである。チップ製作者の関心にあるように、固定されたスペースに出来るだけ多くの装置を配設するのに、製造施設内のフロアスペースは非常に限定されている。さらには、サービスマンが作業を行うスペースを各装置周りに確保しておく必要がある。さまざまな設備のダクトのため、あるいはサービスエリアにおける制限された高さのために、天井高も制限される。ゆえに、既存の装置に適合可能なパルス変調器はかなり有利である。
【００６１】
第四実施例において、図９ｂに示すような屈曲点１２０を有するビームデリバリ装置ＢＤに組込み可能なパルスストレッチ装置が提供される。この発明は図９ａに図式化されており、また、折り曲げ鏡１２０から成る３つの屈曲点を追加する以外は、図８ａに示した実施例に類似する。これらは、放射線がトラベルする距離による発散度を補正するためのわずかな曲率を有するほぼ平面の鏡である。さらに、前述のように、アクティブ「ステアリング」を有する１つ以上の折り曲げ鏡を設け、残りのビームの外乱を補正可能にすることが有利である。
【００６２】
リソグラフィ装置の使用法に関して、本文ではＩＣの製造において詳細なる参照説明を行うものであるが、本文に記載を行うリソグラフィ装置は、集積光学装置、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった、他の用途においても使用可能であることは理解されるべきである。こうした代替的な用途において、本文に使用する「ウェハ」、「ダイ」なる用語は、それぞれ「基板」、「目標部分」といった、より一般的な用語と同義とみなされることは当業者において理解されよう。本文に記載の基板は、露光の前あるいは後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、あるいは、測定および／または検査ツールにて処理される。適用可能である場合、本開示はこうした基板処理ツールもしくは他の基板処理ツールに適用されうる。さらに、例えば多層ＩＣを作り出すために基板は２回以上処理される。ゆえに、本文に使用される基板なる用語はすでに複数の処理層を含んだ基板にも当てはまる。
【００６３】
上記において、光学リソグラフィの状況における本発明の実施形態の使用について詳細なる参照説明を行ったが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィといったような他の用途においても使用可能であり、可能とされる状況は光リソグラフィに限定されるものではないことは理解されるべきである。インプリントリソグラフィにおいて、パターニングデバイスにおけるトポグラフィは基板に作り出されるパターンを形成する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されるレジストの層にプレスされる。それからレジストは電磁放射線、熱、圧力、もしくはこれの組み合わせを与えることでキュアされる。レジストがキュアされた後、パターニングデバイスはレジストにパターンを残してレジストから移動される。
【００６４】
本文において使用する「放射線」および「ビーム」なる用語は、イオンビームあるいは電子ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、あるいは１２６ｎｍ前後の波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）（例えば５ｎｍ−２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、あらゆるタイプの電磁放射線を網羅するものである。
【００６５】
本状況における「レンズ」なる用語は、屈折、反射、磁気、電磁および静電光学部品を含む様々なタイプの光学部品のいずれか、またはこれらの組み合わせに相当する。
【００６６】
以上、本発明の実施形態を詳細に説明したが、本発明を他の方法においても具体化できることは理解されよう。例えば、必要に応じて、当業者は、放射線を分割する異なる方法を容易に用いることが出来る。パルス変調器を通過する放射線のパスを変えるために追加の鏡も使用され得る。
【００６７】
上述の詳細説明は一例であって制限を行う意図ではない。従い、本提示の請求項の範囲を逸脱することなく、本記載の発明に修正を加えることも可能であることは当業者において明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施形態に従うリソグラフィ装置を示したものである。
【図２ａ】ソースおよびリソグラフィ装置の可能な構成を示したものである。
【図２ｂ】ソースおよびリソグラフィ装置の可能な構成を示したものである。
【図３】リソグラフィ装置の照明システムに配置されるパルス変調器の構成を示したものである。
【図４ａ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図４ｂ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図４ｃ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図５ａ】本発明の実施形態に従う２つのカスケードパルス変調器から成るパルス変調器を示したものである。
【図５ｂ】本発明の実施形態に従う２つのカスケードパルス変調器から成るパルス変調器を示したものである。
【図６】本発明の実施形態に従う３つのカスケードパルス変調器から成るパルス変調器を示したものである。
【図７】リソグラフィ装置の照明システムにおける、本発明に従うパルス変調器の可能な位置を示したものである。
【図８ａ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図８ｂ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図８ｃ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図８ｄ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図８ｅ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図８ｆ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図９ａ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図９ｂ】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図１０ａ】パルス変調器を示したものである。
【図１０ｂ】パルス変調器を示したものである。
【図１０ｃ】パルス変調器を示したものである。
【図１１】ビーム分割が偏光に基づくパルス変調器における再結合装置としての第二ビームスプリッタの使用法を示したものである。
【図１２】本発明の実施形態に従う幾何ビーム分割を示したものである。
【図１３】２つの異なるビームデリバリ長における、鏡の分離間隔の変化によるビーム発散度への影響を示したものである。
【図１４ａ】リソグラフィ投影装置の照明瞳への、ビーム発散度の起りうる影響を示したものである。
【図１４ｂ】リソグラフィ投影装置の照明瞳への、ビーム発散度の起りうる影響を示したものである。
【図１５ａ】本発明の実施形態に従う異なるスプリッタ位置を示したものである。
【図１５ｂ】本発明の実施形態に従う異なるスプリッタ位置を示したものである。
【図１６】本発明の実施形態に従うパルス変調器を示したものである。
【図１】
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【図２ａ】
2006148115.tif 000005
【図２ｂ】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図８ｃ】
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【図８ｄ】
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【図８ｅ】
2006148115.tif 000019
【図８ｆ】
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【図９ａ】
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【図９ｂ】
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【図１０ａ】
2006148115.tif 000023
【図１０ｂ】
2006148115.tif 000024
【図１０ｃ】
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【図１１】
2006148115.tif 000026
【図１２】
2006148115.tif 000027
【図１３】
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【図１４ａ】
2006148115.tif 000029
【図１４ｂ】
2006148115.tif 000030
【図１５ａ】
2006148115.tif 000031
【図１５ｂ】
2006148115.tif 000032
【図１６】
2006148115.tif 000033
【外国語明細書】
2006148115000001.pdf