(57)【要約】【課題】フリップチップ実装法を利用して、光変調器素子の最適の密封実装、容易な電気信号伝達および光学特性維持のための光変調器モジュールパッケージを提供する。【解決手段】外部から入射する入射光を変調するマイクロミラー、前記マイクロミラーの少なくとも一方の側から離間され、外部から入力される電気信号を前記マイクロミラーに伝達する上部金属パッド、および前記マイクロミラーを取り囲むように前記マイクロミラーと前記上部金属パッド間に形成される上部密封パッドを下面に含む光変調器素子と、前記光変調器素子の上部金属パッドに対応する位置に形成される下部金属パッド、および前記光変調器素子の上部密封パッドに対応する位置に形成される下部密封パッドを上面に含む光透過性カバーとを含む。【選択図】図２Ｂ
2006251782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から入射する入射光を変調するマイクロミラー、前記マイクロミラーの少なくとも一方の側から離間され、外部から入力される電気信号を前記マイクロミラーに伝達する上部金属パッド、および前記マイクロミラーを取り囲むように前記マイクロミラーと前記上部金属パッド間に形成される上部密封パッドを下面に含む光変調器素子と、
前記光変調器素子の上部金属パッドに対応する位置に形成される下部金属パッド、および前記光変調器素子の上部密封パッドに対応する位置に形成される下部密封パッドを上面に含む光透過性カバーと
を備えてなる
ことを特徴とするフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージ。
【請求項２】
前記光透過性カバーに接続される前記光変調器素子の周辺に形成され、外部から入力される電気信号によって前記光変調器素子に駆動電圧を提供する少なくとも一つの駆動集積回路と、
前記光透過性カバーの下面に付着され、入射光が入射するように、孔が形成されているプリント基板と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージ。
【請求項３】
前記光変調器素子の上部金属パッドと前記光透過性カバーの下部金属パッド間の接続、および前記光変調器素子の上部密封パッドと前記光透過性カバーの下部密封パッド間の接続のなかで少なくとも一つの接続はソルダーボールを利用してなされることを特徴とする、請求項１記載のフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージ。
【請求項４】
前記光変調器素子の上部金属パッドと前記光透過性カバーの下部金属パッド間の接続、および前記光変調器素子の上部密封パッドと前記光透過性カバーの下部密封パッド間の接続のなかで少なくとも一つの接続は異方性伝導フィルムを利用してなされることを特徴とする請求項１記載のフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光変調器モジュールパッケージに係り、より詳しくは、フリップチップ実装法を利用して、光変調器素子と駆動集積回路間の電気信号伝達を容易にし、光変調器素子の特性を維持する密封実装機能を同時に満足させる、フリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近、ＭＥＭＳ（Micro Electro-Mechanical System）法を利用した多くの応用と製品が開発されて、実生活に用いられている。
【０００３】
このようなＭＥＭＳ製品は大部分動く構成品を持っており、マイクロメートル（micrometer；μｍ）水準の微細な構造によって、質量によるエネルギーより表面エネルギーがもっと大きい影響を及ぼしている。
【０００４】
したがって、安定的で信頼性ある製品性能のために、作動構造の動きを機械的および化学的外部要因から保護しなければならないし、表面エネルギーに影響を及ぼし得る要因から隔離させなければならない。このような技術的要求を満足するために、ＭＥＭＳ素子の気密性パッケージング（hermetic packaging）に関して研究されてきた。
【０００５】
現在、ＭＥＭＳ素子のなかで、反射回折型光変調器は、駆動集積回路を同一の素子に集積するよりは、駆動集積回路を他の素子に製作してハイブリッド形態にモジュール化することが、収率やコスト面で有利であるから、ハイブリッド形態に製作されてきている。
【０００６】
このような光変調器素子は、光を利用するという特性上、一般素子とは違い、既存のモジュール化構造および工程をそのまま利用することができなく、多くの部分が特殊化しなければならない。特に、光変調器素子は、活性素子の動作構造上、湿気に脆弱であるため、密封実装環境が必要である。また、コンパクトなモジュール構造を製作し、外部との信号連結を容易にするためには、光変調器素子を駆動する集積素子を素子に集積するか、あるいは同一のハウジング内に一緒に装着することが有利である。
【０００７】
従来の光変調器素子の密封性パッケージングには、金属の融着接合法を用いるソルダリング（soldering）方式が通常に広く使われている。
【０００８】
図１は従来の光変調器素子パッケージの断面図で、特許文献１に開示されている。
【０００９】
図１に示すように、特許文献１に開示された光変調器素子パッケージは、カバー１２２およびパッシベーション層１１４にそれぞれ形成された半田付け可能物質１２０、１２４がソルダー１２６を通じてパッケージングされている。このようなソルダリング方式は、ＭＥＭＳ製品の優れた気密性を確保することができ、優れた信頼性を保障した。
【００１０】
しかし、価格競争力、収率、工程性および小型化などの側面で、光変調器素子およびモジュールの大きさが小さくなり、これによって光変調器素子と外部の駆動集積回路間の電気信号連結構造および方法、密封構造の変形に対する必要性が大きくなった。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第６，３０３，９８６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
前記問題点を解決するための本発明の技術的課題は、フリップチップ実装法を利用して、光変調器素子の最適の密封実装、容易な電気信号伝達および光学特性維持のための光変調器モジュールパッケージを提供して、電気的相互連結（inter-connection）および密封実装を単一工程でなそうとする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明のフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージは、外部から入射する入射光を変調するマイクロミラー、前記マイクロミラーの少なくとも一方の側から離間され、外部から入力される電気信号を前記マイクロミラーに伝達する上部金属パッド、および前記マイクロミラーを取り囲むように前記マイクロミラーと前記上部金属パッド間に形成される上部密封パッドを下面に含む光変調器素子と、前記光変調器素子の上部金属パッドに対応する位置に形成される下部金属パッド、および前記光変調器素子の上部密封パッドに対応する位置に形成される下部密封パッドを上面に含む光透過性カバーとを備えてなることを特徴としている。
【００１４】
本発明の好ましい一実施形態によれば、前記光透過性カバーに接続される前記光変調器素子の周辺に形成され、外部から入力される電気信号によって前記光変調器素子に駆動電圧を提供する少なくとも一つの駆動集積回路と、前記光透過性カバーの下面に付着され、入射光が入射するように、孔が形成されているプリント基板とをさらに備えることができる。
【００１５】
本発明の他の好ましい一実施形態によれば、前記光変調器素子の上部金属パッドと前記光透過性カバーの下部金属パッド間の接続、および前記光変調器素子の上部密封パッドと前記光透過性カバーの下部密封パッド間の接続のなかで少なくとも一つの接続はソルダーボールを利用してなされることができる。
【００１６】
本発明のさらに他の好ましい一実施形態によれば、前記光変調器素子の上部金属パッドと前記光透過性カバーの下部金属パッド間の接続、および前記光変調器素子の上部密封パッドと前記光透過性カバーの下部密封パッド間の接続のなかで少なくとも一つの接続は、素子の撓みおよびバンプ高さ不均一を克服して安定的な性能を提供し得る異方性伝導フィルムまたは非伝導性フィルムを利用してなされることができる。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージは、フリップチップ実装法を利用して、電気的信号連結と同時に光変調器素子を密封実装することにより、外部環境から光変調器素子を保護し、外部との電気信号伝達を容易にし、光変調器素子の光学的特性を維持する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面に基づいて、本発明によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージを詳細に説明する。
【００１９】
図２Ａは本発明の第１実施例によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージの平面図、図２Ｂは図２ＡのＡ−Ａ’線に沿って取った本発明の第１実施例によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージの断面図、図３Ａは本発明の第１実施例による光変調器素子の底面図、図３Ｂは図３ＡのＢ−Ｂ’線に沿って取った本発明の第１実施例による光変調器素子の断面図、図４Ａは本発明の第１実施例による光透過性カバーの平面図、図４Ｂは図４ＡのＣ−Ｃ’線に沿って取った本発明の第１実施例による光透過性カバーの断面図、図５は本発明の第１実施例よって光透過性カバーに光変調器素子を付着する過程を示す断面図である。
【００２０】
図２Ａおよび図２Ｂを参照すれば、本発明によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージは、光変調器素子１００、光透過性カバー２００、複数の駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄ、およびプリント基板４００を含んでなる。
【００２１】
光変調器素子１００は、光透過性カバー２００を通じて入射する入射光をマイクロミラー１１０で変調して回折光を出射する役目をする。
【００２２】
図３Ａおよび図３Ｂをより詳細に参照すれば、光変調器素子１００は、マイクロミラー１１０、上部金属パッド１２０、上部密封パッド１３０、リード線１４０、および絶縁層１５０、１６０を含んでなる。
【００２３】
マイクロミラー１１０は光変調器素子１００の下面に複数が規則的に形成されており、外部から入射する入射光を変調して回折光を出射する役目をする。
【００２４】
上部金属パッド１２０はマイクロミラー１１０の一方の側から離間され、外部から入力される電気信号をリード線１４０を通じてマイクロミラー１１０に伝達する役目をする。上部金属パッド１２０は、後に光透過性カバー２００の下部金属パッド２４０との接合力を向上させるために、Ａｕを主成分とする金属層であることが望ましく、光変調器素子１００とＡｕ層の接合力を向上させるために、Ｃｒ層を薄く形成してからＡｕ層を形成することがより望ましい。本実施例において、上部金属パッド１２０がマイクロミラー１１０当たり一つずつ形成されているが、電気信号の伝送量を増大させるために、マイクロミラー１１０の両側から離間することもできる。
【００２５】
上部密封パッド１３０は、複数のマイクロミラー１１０を取り囲むように、マイクロミラー１１０と上部金属パッド１２０との間に形成され、外部環境（特に、水分）からマイクロミラー１１０を密封する役目をする。上部密封パッド１３０は、後に光透過性カバー２００の下部密封パッド２５０との接合力を向上させるために、Ａｕを主成分とする金属層であることが望ましく、絶縁層１５０とＡｕ層の接合力を向上させるために、Ｃｒ層を薄く形成してからＡｕ層を形成することがより望ましい。
【００２６】
リード線１４０はマイクロミラー１１０と上部金属パッド１２０を連結するように形成され、上部金属パッド１２０から入力される電気信号をマイクロミラー１１０に伝達する役目をする。このリード線１４０は、マイクロミラー１１０の形成と同時に形成されることが望ましく、Ｐｔなどの金属層からなる。
【００２７】
絶縁層１５０はリード線１４０と上部密封パッド１３０間に形成されて絶縁を提供する役目をし、ＳｉＯ２などの酸化物質からなる。また、絶縁層１６０はリード線１４０の側壁に形成されることができる。
【００２８】
光透過性カバー２００は、上面に光変調器素子１００および複数の駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄが付着され、下面がプリント基板４００上に付着されている。光透過性カバー２００は、入射光が良好に通過するように、良質の光透過性物質（例えば、ガラス）で形成されることが望ましい。
【００２９】
また、光透過性カバー２００は、上面または下面が光を吸収するか、または乱反射することを防止するため、一面または両面に無反射コーティングが施されることが望ましい。
【００３０】
図４Ａおよび図４Ｂをより詳細に参照すれば、光透過性カバー２００は、第１回路パターン２１０、ワイヤーボンディングパッド２２０、第２回路パターン２３０、下部金属パッド２４０、下部密封パッド２５０、および駆動集積回路用下部パッド２６０を含んでなる。
【００３１】
第１回路パターン２１０は下部金属パッド２４０と駆動集積回路用下部パッド２６０間に形成され、駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄから出力される電気信号を下部金属パッド２４０を通じてマイクロミラー１１０に伝達する役目をする。第１回路パターン２１０は電気伝導性に優れた物質であれば、どんな物質であっても使うことができるが、下部金属パッド２４０間の接合力を向上させるために、Ａｕを主成分とする金属層であることが望ましく、光透過性カバー２００とＡｕ層の接合力を向上させるために、ＴｉＷ層を薄く形成してからＡｕ層を形成することがより望ましい。
【００３２】
ワイヤーボンディングパッド２２０は光透過性カバー２００の縁部に形成され、プリント基板４００のワイヤーボンディングパッド３１０にワイヤーボンディング３２０を通じて接続される。
【００３３】
第２回路パターン２３０は駆動集積回路用下部パッド２６０とワイヤーボンディングパッド２２０間に形成され、プリント基板４００からワイヤーボンディングパッド２２０を通じて入力される電気信号を駆動集積回路用下部パッド２６０に伝達する役目をする。
【００３４】
下部金属パッド２４０は光透過性カバー２００に付着される光変調器素子１００の上部金属パッド１２０に対応する位置に形成され、駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄから出力される電気信号を光変調器素子１００に伝達する役目をする。下部金属パッド２４０は、光変調器素子１００の上部金属パッド１２０との接合力を向上させるために、Ａｕを主成分とする金属層であることが望ましい。
【００３５】
下部密封パッド２５０は光透過性カバー２００に付着される光変調器素子１００の上部密封パッド１３０に対応する位置に形成され、外部環境（特に、水分）から光変調器素子１００のマイクロミラー１１０を密封する役目をする。下部密封パッド２５０は、光変調器素子１００の上部密封パッド１３０との接合力を向上させるために、Ａｕを主成分とする金属層であることが望ましい。
【００３６】
駆動集積回路用下部パッド２６０は駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄのパッドに連結され、駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄに対して電気信号を入出力する通路の役目をする。
【００３７】
図５を参照すれば、本発明による光変調器モジュールパッケージは、光変調器素子１００の上部金属パッド１２０と光透過性カバー２００の下部金属パッド２４０を連結するフリップチップ実装法を利用することにより、光変調器素子１００と外部間の電気信号伝達が容易になることが分かる。
【００３８】
また、本発明による光変調器モジュールパッケージは、光変調器素子１００の上部密封パッド１３０と光透過性カバー２００の下部密封パッド２５０を連結するフリップチップ実装法を利用することにより、優れた気密性を確保して、外部環境から光変調器素子１００を保護し、光変調器素子１００の光学的特性を維持することができる。
【００３９】
再び図２Ａおよび図２Ｂを参照すれば、複数の駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄは、光透過性カバー２００に付着された光変調器素子１００の周辺に上部パッド３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃ、３１０ｄを通じてフリップチップ接続されており、外部から入力される電気信号によって光変調器素子１００に駆動電圧を提供する役目をする。本実施例において、四つの駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄが示されているが、必要によってその数は増減できるものである。
【００４０】
プリント基板４００は、光変調器素子１００に入射光が入射するように、孔（図示せず）が形成されており、内部に回路が形成されているので、駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄに電気信号を伝達する役目をする。この時、電気的接続は、プリント基板４００のワイヤーボンディングパッド３１０と駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄに連結されたワイヤーボンディングパッド２２０との間のワイヤーボンディング３２０を通じてなされる。
【００４１】
図６は本発明の第１実施例によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージの製造方法のフローチャート、図７Ａ〜図７Ｃは本発明の第１実施例による光変調器素子の製作段階の流れを示す断面図、図８Ａ〜図８Ｇは本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図、図９Ａおよび図９Ｂは本発明の第１実施例による光透過性カバーに光変調器素子を付着する段階の流れを示す断面図である。
【００４２】
図６に示すように、本発明によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージの製造方法において、光変調器素子の製作段階Ｓ１００、光透過性カバーの製作段階Ｓ２００、および光透過性カバーに光変調器素子を付着する段階Ｓ３００を含んでなり、光変調器素子の製作段階Ｓ１００および光透過性カバーの製作段階Ｓ２００は別々に進行することができる。
【００４３】
まず、光変調器素子の製作段階Ｓ１００をより詳細に説明すれば、図７Ａに示すように、マイクロミラー１１０および前記マイクロミラー１１０の少なくとも一方の側に連結されているリード線１４０を含む光変調器素子１００を提供する。
【００４４】
図７Ｂに示すように、リード線１４０の上部に、絶縁層１５０としてＳｉＯ２などの酸化物質層を形成する。この時、リード線１４０の側壁に絶縁層１６０をさらに形成することができる。ここで、リード線１４０の上部に形成される絶縁層１５０は、リード線１４０と後に形成される上部密封パッド１３０間の絶縁性を提供する。
【００４５】
図７Ｃに示すように、フォトリソグラフィー工程を利用して、リード線１４０の上部の絶縁層１５０に上部密封パッド１３０を形成し、リード線１４０に連結されるように、リード線１４０の外部に上部金属パッド１２０を形成する。ここで、上部密封パッド１３０および上部金属パッド１２０はＡｕを主成分とする金属層であることが望ましく、光変調器素子１００または絶縁層１５０、１６０とＡｕ層との接合力を向上させるために、Ｃｒ層を薄く形成してからＡｕ層を形成することが望ましい。
【００４６】
ついで、光透過性カバーの製作段階Ｓ２００をより詳細に説明すれば、図８Ａに示すように、スパッタリング（sputtering）工程を用いて、ガラスのような光透過性カバー２００の全面に約０．５μｍの厚さのＡｕ層を形成する。この時、光透過性カバー２００とＡｕ層間の接合力を向上させるために、ＴｉＷ層を薄く形成してからＡｕ層を形成することが望ましい。
【００４７】
図８Ｂに示すように、フォトリソグラフィー工程を利用して、光透過性カバー２００に形成されたＡｕ層に、回路パターン２１１および下部密封パッド２５１に対応するパターンを形成する。
【００４８】
図８Ｃに示すように、スパッタリング工程を利用して、パターンの形成された光透過性カバー２００の全面に、約０．１μｍの厚さのＡｕからなったシード層（seed layer）２０２を形成する。この時、光透過性カバー２００とシード層２０２間の接合力を向上させるために、ＴｉＷ層を薄く形成してからＡｕ層を形成することが望ましい。
【００４９】
図８Ｄに示すように、フォトレジスト（photoresist）２０３を利用して、光透過性カバー２００の全面に形成されたシード層２０２にメッキレジストパターン（plating resist pattern）を形成する。この時、フォトレジスト２０３が形成されない部分は下部金属パッドおよび下部密封パッドに対応する。
【００５０】
図８Ｅに示すように、電気メッキ工程を利用して、フォトレジスト２０３が形成されない部分にＡｕメッキ層２４３、２５３を形成する。この時、図８Ｃに示した過程で光透過性カバー２００の全面に形成されたシード層２０２がメッキ引込線として使用される。
【００５１】
図８Ｆに示すように、フォトレジスト２０３を除去する。
【００５２】
図８Ｇに示すように、光透過性カバー２００をエッチング液に浸漬させるエッチング工程によってシード層２０２を除去することにより、光透過性カバー２００に回路パターン２１０、下部金属パッド２４３、および下部密封パッド２５１、２５３などを形成する。
【００５３】
ついで、光透過性カバーに光変調器素子を付着する段階Ｓ３００をより詳細に説明すれば、図９Ａに示すように、光変調器素子の製作段階Ｓ１００で製作された光変調器素子１００と光透過性カバーの製作段階Ｓ２００で製作された光透過性カバー２００を整列させる。
【００５４】
図９Ｂに示すように、光変調器素子１００の上部金属パッド１２０と光透過性カバー２００の下部金属パッド２４０、そして光変調器素子１００の上部密封パッド１３０と光透過性カバー２００の下部密封パッド２５０を接合させる。
【００５５】
その後、光透過性カバー２００に複数の駆動集積回路３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄを付着させる工程、プリント基板４００に光透過性カバー２００を積層する工程、およびプリント基板４００と光透過性カバー２００との間にワイヤーボンディング３２０を行う工程などを行うことで、本発明による光変調器モジュールパッケージが製造される。
【００５６】
図１Ｃは本発明の第２実施例よってソルダーボールを利用して光透過性カバーに光変調器素子を付着する過程を示す断面図である。
【００５７】
図１０に示すように、本発明の第２実施例による光変調器素子１１００は、マイクロミラー１１１０、上部金属パッド１１２０、上部密封パッド１１３０、リード線１１４０および絶縁層１１５０、１１６０を含んでなり、光透過性カバー１２００は、回路パターン１２１０、下部金属パッド１２４０、および下部密封パッド１２５０を含んでなる。
【００５８】
本発明の第２実施例による光変調器モジュールパッケージは、ソルダーボール１２６０を利用して上下部密封パッド１１３０、１２５０間を連結することで、一層信頼性ある密封をなすことができる。また、ソルダーボール１２６０を利用して上下部金属パッド１１２０、１２４０間を連結することで、一層信頼性のある電気的接続をなすこともできる。
【００５９】
図１１は本発明の第３実施例よって異方性伝導フィルムを利用して光透過性カバーに光変調器素子を付着する過程を示す断面図である。
【００６０】
図１１に示すように、本発明の第３実施例による光変調器素子２１００は、マイクロミラー２１１０、上部金属パッド２１２０、上部密封パッド２１３０、リード線２１４０、および絶縁層２１５０、２１６０を含んでなり、光透過性カバー２２００は、回路パターン２２１０、下部金属パッド２２４０、および下部密封パッド２２５０を含んでなる。
【００６１】
本発明の第３実施例による光変調器モジュールパッケージは、異方性伝導フィルム２２６０を利用して、上下部金属パッド２１２０、２２４０間、または上下部密封パッド２１３０、２２５０間を連結することで、光変調器素子２１００または光透過性カバー２２００に印加される荷重を減少させて、光変調器素子２１００または光透過性カバー２２００の破損を防止することができる。
【００６２】
他の望ましい実施例において、本発明による光変調器モジュールパッケージは光変調器素子２１００の上部金属パッド２１２０と光透過性カバー２２００の下部金属パッド２２４０間の接続が、素子の撓みまたはバンプ高さの不均一を克服して安定的な性能提供が可能な異方性伝導フィルムを利用してなすことができ、非伝導性フィルム（ＮＣＦ：Non Conductive Film）を利用してなすこともできる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来の光変調器素子パッケージの断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施例によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージの平面図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡ−Ａ’線に沿って取った本発明の第１実施例によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージの断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施例による光変調器素子の底面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＢ−Ｂ’線に沿って取った本発明の第１実施例による光変調器素子の断面図である。
【図４Ａ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの平面図である。
【図４Ｂ】図４ＡのＣ−Ｃ’線に沿って取った本発明の第１実施例による光透過性カバーの断面図である。
【図５】本発明の第１実施例よって光透過性カバーに光変調器素子を付着する過程を示す断面図である。
【図６】本発明の第１実施例によるフリップチップ実装法を利用した光変調器モジュールパッケージの製造方法のフローチャートである。
【図７Ａ】本発明の第１実施例による光変調器素子の製作段階の流れを示す断面図である。
【図７Ｂ】本発明の第１実施例による光変調器素子の製作段階の流れを示す断面図である。
【図７Ｃ】本発明の第１実施例による光変調器素子の製作段階の流れを示す断面図である。
【図８Ａ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図である。
【図８Ｄ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図である。
【図８Ｅ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図である。
【図８Ｆ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図である。
【図８Ｇ】本発明の第１実施例による光透過性カバーの製作段階の流れを示す断面図である。
【図９Ａ】本発明の第１実施例による光透過性カバーに光変調器素子を付着する段階の流れを示す断面図である。
【図９Ｂ】本発明の第１実施例による光透過性カバーに光変調器素子を付着する段階の流れを示す断面図である。
【図１０】本発明の第２実施例よってソルダーボールを利用して光透過性カバーに光変調器素子を付着する過程を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３実施例よって異方性伝導フィルムを利用して光透過性カバーに光変調器素子を付着する過程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１００  光変調器素子
１１０  マイクロミラー
１２０  上部金属パッド
１３０  上部密封パッド
１４０  リード線
１５０、１６０  絶縁層
２００  光透過性カバー
２０２  シード層
２０３  フォトレジスト
２１０  第１回路パターン
２１１  回路パターン
２２０、３１０  ワイヤーボンディングパッド
２３０  第２回路パターン
２４０  下部金属パッド
２５０、２５１  下部密封パッド
２６０  下部パッド
３００ａ、３００ｂ、３００ｃ、３００ｄ  駆動集積素子
３２０  ワイヤーボンディング
４００  プリント基板
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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