(57)【要約】【課題】  適切な洗浄時間で洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供する。【解決手段】  熱処理装置１の制御部１００は、昇温用ヒータ１６を制御して反応管２内を所定の温度に加熱した状態で、処理ガス導入管１７からクリーニングガスを供給して装置内部に付着した付着物を除去するとともに、メインバルブ２１の開度を制御しつつ、ポンプ２２を駆動させて反応管２内のガスを装置外部に排出する。制御部１００は、反応管２から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を赤外センサ２７により測定させ、測定した濃度が所定濃度になるまで、この処理を実行する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
所定の温度に加熱された反応室内にクリーニングガスを供給して装置内部をクリーニングするクリーニング工程を備え、
前記クリーニング工程では、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定し、該濃度が所定濃度になるまで装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項２】
前記クリーニング工程では、赤外センサにより前記所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項３】
前記赤外センサは、前記所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを検出部に入射して所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項２に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項４】
前記クリーニング工程では、前記赤外センサのセルを少なくとも１５０℃に加熱し、前記所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項２または３に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項５】
前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項６】
前記反応室から排出された排ガスの少なくとも一部を採取する採取工程をさらに備え、
前記クリーニング工程では、前記採取工程で採取した排ガスの少なくとも一部に含まれる所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項７】
前記クリーニングガスに、フッ素、フッ化水素、三フッ化塩素、アンモニア、塩素、または、これらの混合ガスを含むガスを用いる、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項８】
前記装置内部に付着した付着物は、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートであり、
前記所定のガスは、四フッ化珪素、四塩化珪素、三フッ化窒素、四塩化チタン、四フッ化チタン、四フッ化タングステン、六フッ化タングステン、四フッ化アルミニウム、四塩化ハフニウム、または、四フッ化ハフニウムである、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
【請求項９】
被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に、装置内部に付着した付着物を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記反応室に接続され、該反応室内のガスを排出する排出手段と、
前記加熱手段を制御して反応室内を所定の温度に加熱した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去するように前記クリーニングガス供給手段を制御するとともに、前記排出手段を制御して反応室内のガスを排出し、装置内部をクリーニングするクリーニング制御手段と、
を備え、
前記排出手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、
前記クリーニング制御手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を前記測定部により測定させ、該測定した濃度が所定濃度になるまで、前記加熱手段、前記クリーニングガス供給手段及び前記排出手段を制御して装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項１０】
前記測定部は、赤外センサである、ことを特徴とする請求項９に記載の薄膜形成装置。
【請求項１１】
前記赤外センサは、前記所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを検出部に入射する光学フィルタを備える、ことを特徴とする請求項１０に記載の薄膜形成装置。
【請求項１２】
前記赤外センサは、前記反応室から排出された排ガスを導入するセルを少なくとも１５０℃に加熱する加熱部を備える、ことを特徴とする請求項１０または１１に記載の薄膜形成装置。
【請求項１３】
前記排出手段は、前記反応室に接続された排出路と、当該排出路に介設されたポンプとを備え、
前記測定部は、前記ポンプより上流側の前記排出路に介設されている、ことを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【請求項１４】
前記排出手段は、
前記反応室に接続された排出路と、
前記排出路に介設され、前記排出路を開閉するメインバルブと、
前記メインバルブを跨ぐように、一端がメインバルブの上流側の排出路に接続され、他端がメインバルブの下流側の排出路に接続されたバイパス路と、
前記バイパス路に介設され、前記バイパス路を開閉するサブバルブと、
をさらに備え、
前記測定部は、前記バイパス路に介設され、前記サブバルブを開放することにより前記バイパス路に供給された、前記反応室から排出された排ガスの少なくとも一部に含まれる所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【請求項１５】
前記測定部は、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定する、ことを特徴とする請求項９乃至１４のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【請求項１６】
前記クリーニングガスは、フッ素、フッ化水素、三フッ化塩素、アンモニア、塩素、または、これらの混合ガスを含むガスを含むガスである、ことを特徴とする請求項９乃至１５のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【請求項１７】
前記装置内部に付着した付着物は、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートであり、
前記所定のガスは、四フッ化珪素、四塩化珪素、三フッ化窒素、四塩化チタン、四フッ化チタン、四フッ化タングステン、、六フッ化タングステン、四フッ化アルミニウム、四塩化ハフニウム、または、四フッ化ハフニウムである、ことを特徴とする請求項９乃至１６のいずれか１項に記載の薄膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置に関し、詳しくは、被処理体、例えば、半導体ウエハに薄膜を形成することにより装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の処理により、被処理体、例えば、半導体ウエハに窒化珪素膜等の薄膜を形成する薄膜形成処理が行われている。このような薄膜形成処理では、例えば、以下のようにして半導体ウエハに薄膜が形成される。
【０００３】
まず、熱処理装置の反応管内をヒータにより所定のロード温度に加熱し、複数枚の半導体ウエハを収容したウエハボートをロードする。次に、反応管内をヒータにより所定の処理温度に加熱するとともに、排気ポートから反応管内のガスを排気し、反応管内を所定の圧力に減圧する。反応管内が所定の温度及び圧力に維持されると、処理ガス導入管から反応管内に成膜用ガスを供給する。反応管内に成膜用ガスが供給されると、例えば、成膜用ガスが熱反応を起こし、熱反応により生成された反応生成物が半導体ウエハの表面に堆積して、半導体ウエハの表面に薄膜が形成される。
【０００４】
ところで、薄膜形成処理によって生成される反応生成物は、半導体ウエハの表面だけでなく、装置内部、例えば、反応管の内壁や各種の治具等にも堆積（付着）してしまう。この反応生成物が熱処理装置内に付着した状態で薄膜形成処理を引き続き行うと、やがて、反応生成物が剥離してパーティクルを発生しやすくなる。そして、このパーティクルが半導体ウエハに付着すると、製造される半導体装置の歩留りを低下させてしまう。
【０００５】
このため、薄膜形成処理を複数回行った後、ヒータにより所定の温度に加熱した反応管内にクリーニングガス、例えば、フッ素と含ハロゲン酸性ガスとの混合ガスを供給して、反応管の内壁等の熱処理装置内に付着した反応生成物を除去（ドライエッチング）する熱処理装置の洗浄方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開平３−２９３７２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような熱処理装置の洗浄においては、その洗浄時間が長すぎると反応管等を構成する材料、例えば、石英が削れたり、クラックが発生する等のダメージを受けてしまう。さらに、反応管にクラックが発生すると、クラックから石英粉が剥がれ落ちやすく、パーティクル発生の原因となってしまう。また、クリーニングガスの使用量が増大してしまう。一方、洗浄時間が短すぎると装置内に付着した反応生成物を完全に除去することができない。このため、熱処理装置の洗浄時間を適切に管理する必要がある。
【０００７】
熱処理装置の洗浄時間を管理する方法としては、例えば、クリーニングレートにより管理する方法と、温度モニタにより管理する方法とがある。
【０００８】
クリーニングレートにより管理する方法は、反応生成物のクリーニングレートに基づいて熱処理装置の洗浄時間を算出し、この算出した洗浄時間だけ熱処理装置を洗浄する方法である。しかし、この方法では、熱処理装置内に付着した反応生成物の膜厚が一定でなかった場合、洗浄時間の管理が難しくなってしまう。また、異なる膜質のクリーニングレートをその都度把握する必要がある。
【０００９】
温度モニタにより管理する方法は、洗浄時に発生する反応熱（熱処理装置内に付着した反応生成物とクリーニングガスとの反応熱）を利用するものであり、例えば、温度センサにより装置内を温度モニタし、反応生成物とクリーニングガスとの反応が終了したか否かを判別する方法である。しかし、この方法では、反応生成物とクリーニングガスとの反応の過程が温度センサを設置した箇所しか見えない。また、石英もクリーニングガスとの反応により反応熱を発生することから、反応生成物とクリーニングガスとの反応熱のみを温度モニタすることができない。このように、熱処理装置を適切な洗浄時間で洗浄することは困難であった。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、適切な洗浄時間で洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、装置内部に付着した付着物を除去するとともに、装置内部の部材が受けるダメージを低減することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
さらに、本発明は、クリーニングガスの使用量を抑え、装置内部に付着した付着物を除去することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
また、本発明は、パーティクルの発生を抑制することができる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点にかかる薄膜形成装置の洗浄方法は、
薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
所定の温度に加熱された反応室内にクリーニングガスを供給して装置内部をクリーニングするクリーニング工程を備え、
前記クリーニング工程では、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定し、該濃度が所定濃度になるまで装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする。
【００１２】
前記クリーニング工程では、赤外センサにより前記所定のガスの濃度を測定することが好ましい。
【００１３】
前記赤外センサは、前記所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを検出部に入射して所定のガスの濃度を測定することが好ましい。
【００１４】
前記クリーニング工程では、前記赤外センサのセルを少なくとも１５０℃に加熱し、前記所定のガスの濃度を測定することが好ましい。
【００１５】
前記クリーニング工程では、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定することが好ましい。
【００１６】
前記反応室から排出された排ガスの少なくとも一部を採取する採取工程をさらに備えてもよい。この場合、前記クリーニング工程では、例えば、前記採取工程で採取した排ガスの少なくとも一部に含まれる所定のガスの濃度を測定する。
【００１７】
前記クリーニングガスとしては、例えば、フッ素、フッ化水素、三フッ化塩素、アンモニア、塩素、または、これらの混合ガスを含むガスが用いられる。前記装置内部に付着した付着物としては、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートがある。この場合、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素、四塩化珪素、三フッ化窒素、四塩化チタン、四フッ化チタン、四フッ化タングステン、六フッ化タングステン、四フッ化アルミニウム、四塩化ハフニウム、または、四フッ化ハフニウムがある。
【００１８】
この発明の第２の観点にかかる薄膜形成装置は、
被処理体が収容された反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱手段と、
前記反応室内に、装置内部に付着した付着物を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給手段と、
前記反応室に接続され、該反応室内のガスを排出する排出手段と、
前記加熱手段を制御して反応室内を所定の温度に加熱した状態で、当該反応室内にクリーニングガスを供給して前記付着物を除去するように前記クリーニングガス供給手段を制御するとともに、前記排出手段を制御して反応室内のガスを排出し、装置内部をクリーニングするクリーニング制御手段と、
を備え、
前記排出手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定する測定部を有し、
前記クリーニング制御手段は、前記反応室から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を前記測定部により測定させ、該測定した濃度が所定濃度になるまで、前記加熱手段、前記クリーニングガス供給手段及び前記排出手段を制御して装置内部をクリーニングする、ことを特徴とする。
【００１９】
前記測定部としては、例えば、赤外センサがある。前記赤外センサは、前記所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを検出部に入射する光学フィルタを備えることが好ましい。
【００２０】
前記赤外センサは、前記反応室から排出された排ガスを導入するセルを少なくとも１５０℃に加熱する加熱部を備えることが好ましい。
【００２１】
前記排出手段は、例えば、前記反応室に接続された排出路と、当該排出路に介設されたポンプとを備えている。この場合、前記測定部は、前記ポンプより上流側の前記排出路に介設されていることが好ましい。
【００２２】
前記排出手段は、前記反応室に接続された排出路と、前記排出路に介設され、前記排出路を開閉するメインバルブと、前記メインバルブを跨ぐように、一端がメインバルブの上流側の排出路に接続され、他端がメインバルブの下流側の排出路に接続されたバイパス路と、前記バイパス路に介設され、前記バイパス路を開閉するサブバルブと、をさらに備えていてもよい。この場合、前記測定部は、例えば、前記バイパス路に介設され、前記サブバルブを開放することにより前記バイパス路に供給された、前記反応室から排出された排ガスの少なくとも一部に含まれる所定のガスの濃度を測定する。
【００２３】
前記測定部は、前記付着物と前記クリーニングガスとの反応により生成される所定のガスの濃度を測定することが好ましい。
【００２４】
前記クリーニングガスとしては、例えば、フッ素、フッ化水素、三フッ化塩素、アンモニア、塩素、または、これらの混合ガスを含むガスがある。前記装置内部に付着した付着物としては、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートがある。この場合、前記所定のガスとしては、例えば、四フッ化珪素、四塩化珪素、三フッ化窒素、四塩化チタン、四フッ化チタン、四フッ化タングステン、六フッ化タングステン、四フッ化アルミニウム、四塩化ハフニウム、または、四フッ化ハフニウムがある。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、適切な洗浄時間で洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態にかかる薄膜形成装置の洗浄方法及び薄膜形成装置について、図１に示すバッチ式縦型熱処理装置１の場合を例に説明する。
【００２７】
図１に示すように、熱処理装置１は、長手方向が垂直方向に向けられた略円筒状の反応管２を備えている。反応管２は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。
【００２８】
反応管２の上端には、上端側に向かって縮径するように略円錐状に形成された頂部３が設けられている。頂部３の中央には、反応管２内のガスを排気するための排気口４が設けられ、排気口４には排気管５が気密に接続されている。排気管５には、後述するメインバルブ２１、ポンプ２２などの圧力調整機構が配設された排気配管２０が接続されており、圧力調整機構により反応管２内が所望の圧力（真空度）に制御される。
【００２９】
反応管２の下方には、蓋体６が配置されている。蓋体６は、耐熱及び耐腐食性に優れた材料、例えば、石英により形成されている。また、蓋体６は、図示しないボートエレベータにより上下動可能に構成されている。そして、ボートエレベータにより蓋体６が上昇すると、反応管２の下方側（炉口部分）が閉鎖され、ボートエレベータにより蓋体６が下降すると、反応管２の下方側（炉口部分）が開口される。
【００３０】
蓋体６の上部には、保温筒７が設けられている。保温筒７は、反応管２の炉口部分から反応管２内の温度が低下することを防止する抵抗発熱体からなる平面状のヒータ８と、このヒータ８を蓋体６の上面から所定の高さに支持する筒状の支持体９とから主に構成されている。
【００３１】
また、保温筒７の上方には、回転テーブル１０が設けられている。回転テーブル１０は、被処理体、例えば、半導体ウエハＷを収容するウエハボート１１を回転可能に載置する載置台として機能する。具体的には、回転テーブル１０の下部には回転支柱１２が設けられ、回転支柱１２はヒータ８の中央部を貫通して回転テーブル１０を回転させる回転機構１３に接続されている。回転機構１３は図示しないモータと、蓋体６の下面側から上面側に気密状態で貫通導入された回転軸１４を備える回転導入部１５とから主に構成されている。回転軸１４は回転テーブル１０の回転支柱１２に連結され、モータの回転力を回転支柱１２を介して回転テーブル１０に伝える。このため、回転機構１３のモータにより回転軸１４が回転すると、回転軸１４の回転力が回転支柱１２に伝えられて回転テーブル１０が回転する。
【００３２】
ウエハボート１１は、回転テーブル１０上に載置され、半導体ウエハＷが垂直方向に所定の間隔をおいて複数枚収容可能に構成されている。ウエハボート１１は、例えば、石英により形成されている。このように、ウエハボート１１が回転テーブル１０上に載置されているので、回転テーブル１０が回転するとウエハボート１１が回転し、この結果、ウエハボート１１内に収容された半導体ウエハＷが回転する。
【００３３】
反応管２の周囲には、反応管２を取り囲むように、例えば、抵抗発熱体からなる昇温用ヒータ１６が設けられている。この昇温用ヒータ１６により反応管２の内部が所定の温度に加熱され、この結果、半導体ウエハＷが所定の温度に加熱される。
【００３４】
反応管２の下端近傍の側面には、反応管２内に処理ガス（例えば、成膜用ガス、クリーニング用ガス）を導入する処理ガス導入管１７が挿通されている。処理ガス導入管１７は、図示しないマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を介して、図示しない処理ガス供給源に接続されている。成膜用ガスとしては、例えば、半導体ウエハＷ上に窒化珪素膜を形成する場合には、ヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）とアンモニア（ＮＨ３）との混合ガスがある。クリーニング用ガスは、熱処理装置１の内部に付着した付着物を除去可能なものであればよく、例えば、フッ素（Ｆ２）とフッ化水素（ＨＦ）と窒素（Ｎ２）との混合ガスがある。なお、図１では処理ガス導入管１７を一つだけ描いているが、本実施の形態では、反応管２内に導入するガスの種類に応じ、複数本の処理ガス導入管１７が挿通されている。具体的には、反応管２内に成膜用ガスを導入する成膜用ガス導入管と、反応管２内にクリーニング用ガスを導入するクリーニング用ガス導入管とが、反応管２の下端近傍の側面に挿通されている。
【００３５】
また、反応管２の下端近傍の側面には、パージガス供給管１８が挿通されている。パージガス供給管１８には、図示しないＭＦＣを介して図示しないパージガス供給源に接続されており、所望量のパージガスが反応管２内に供給される。
【００３６】
排気管５には、接合部１９を介して排気配管２０が気密に接続されている。排気配管２０には、その上流側から、メインバルブ２１と、ポンプ２２と、トラップ２３とが介設されている。
【００３７】
メインバルブ２１は、排気配管２０の開度を調整して、反応管２内及び排気配管２０内の圧力を所定の圧力に制御する。ポンプ２２は、排気配管２０、排気管５を介して反応管２内のガスを排気するとともに、反応管２内及び排気配管２０内の圧力を調整する。トラップ２３は、例えば、ディスクトラップ、水トラップ等からなり、排気ガス中の粒子、例えば、排気ガス内に含まれる反応生成物等を吸着する。また、排気配管２０には図示しない排気配管用ヒータが設けられており、排気配管用ヒータにより排気配管２０の温度が所定の温度に調節される。
【００３８】
また、排気配管２０には、バイパス管２４が設けられている。バイパス管２４は、メインバルブ２１を跨ぐように、一端がメインバルブ２１の上流側の排気配管２０に接続され、他端がメインバルブ２１の下流側の排気配管２０に接続されている。このバイパス管２４の径は、その排気流量（排気流量面積）が排気配管２０よりも小さくなるように設定されている。バイパス管２４には、その上流側から、サブバルブ２５と、ニードルバルブ２６と、赤外センサ２７とが介設されている。
【００３９】
サブバルブ２５は、バイパス管２４の開度を調整して、バイパス管２４内の圧力を所定の圧力に制御する。このサブバルブ２５を開放することにより、排気配管２０を流れるガスの一部がバイパス管２４に流れる。ニードルバルブ２６は、ニードルバルブ２６の両端の圧力差が予め定められた値となるように、その開度が予め調整されている。
【００４０】
赤外センサ２７は、ガスの種類によって固有の波長の赤外線を吸収する性質を利用し、排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定するセンサである。図２に赤外センサ２７の構成の一例を示す。図２に示すように、赤外センサ２７は、セル窓３１ａ，３１ｂが設けられたセル３２と、光源３３と、赤外センサ用ヒータ３４と、光学フィルタ３５と、赤外線検出器３６と、を備えている。
【００４１】
セル窓３１ａ，３１ｂは、赤外光ＩＲを透過するとともに、耐熱性、耐食性に優れた材料から構成されていることが好ましく、例えば、二フッ化バリウム（ＢａＦ２）から構成されていることが好ましい。セル３２は、バイパス管２４に接続されている。このため、測定対象である反応管２内から排出されたガスＧがバイパス管２４からセル３２に供給される。光源３３は、セル窓３１ａ側に設けられ、赤外光ＩＲを発生する。赤外センサ用ヒータ３４は、セル３２及びセル窓３１ａ，３１ｂを所定温度に加熱する。例えば、赤外センサ用ヒータ３４は、反応管２内から排出された副生成物のパウダーがセル３２及びセル窓３１ａ，３１ｂを付着することを防止するように、これらを少なくとも１５０℃に加熱する。
【００４２】
光学フィルタ３５は、セル窓３１ｂ側に設けられ、セル窓３１ｂ（セル３２）を通過した赤外光ＩＲのうち特定の特性吸収帯域、すなわち、ガスＧ中の測定対象となる所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光を通過させ、赤外線検出器３６に入射する。赤外線検出器３６は、例えば、焦電形赤外検出器からなり、ガスＧが存在しない状態の信号の振幅から、ガスＧが存在する状態の信号の振幅の減少割合に基づいて、ガスＧに含まれる所定のガスの濃度を算出する。
【００４３】
本実施の形態の赤外センサ２７によれば、光源３３から発生した赤外光ＩＲは、ガスＧによりセル３２内で所定の波長の赤外線が吸収され、光学フィルタ３５でガスＧ中の測定対象となる所定のガスにより吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみが赤外線検出器３６に入射される。このため、赤外線検出器３６は、ガスＧ中の単一の測定対象成分の濃度のみを測定すればよく、その構成を簡単にすることができる。
【００４４】
ボートエレベータ、ヒータ８、回転機構１３のモータ、昇温用ヒータ１６、処理ガス導入管１７及びパージガス供給管１８に設けられたＭＦＣ、メインバルブ２１、ポンプ２２、トラップ２３、サブバルブ２５、ニードルバルブ２６、赤外センサ２７及び排気配管用ヒータ等には、制御部１００が接続されている。制御部１００は、マイクロプロセッサ、プロセスコントローラ等から構成され、熱処理装置１の各部の温度や圧力等を測定し、測定データに基づいて、上記各部に制御信号等を出力し、熱処理装置１の各部を図３及び図４に示すようなレシピ（タイムシーケンス）に従って制御する。
【００４５】
次に、熱処理装置１の洗浄方法について説明する。本実施の形態では、半導体ウエハＷ上に窒化珪素膜を形成することにより熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素を除去（洗浄）する場合を例に、図３及び図４に示すレシピを参照して熱処理装置１の洗浄方法について説明する。なお、本実施の形態では、熱処理装置１の内部に窒化珪素が付着する成膜処理についても説明する。また、以下の説明において、熱処理装置１を構成する各部の動作は、制御部１００により制御されている。
【００４６】
まず、成膜処理について、図３に示すレシピを参照して説明する。
【００４７】
昇温用ヒータ１６により反応管２内を所定のロード温度、例えば、図３（ａ）に示すように、３００℃に加熱する。また、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素（Ｎ２）を所定量供給した後、半導体ウエハＷが収容されたウエハボート１１を蓋体６（回転テーブル１０）上に載置し、図示しないボートエレベータにより蓋体６を上昇させ、ウエハボート１１を反応管２内にロードする。これにより、半導体ウエハＷを反応管２内に収容するとともに、反応管２を密閉する（ロード工程）。
【００４８】
次に、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２１の開度を制御しつつ、ポンプ２２を駆動させて反応管２内のガスを排気口４、排気管５、排気配管２０を介して装置外部に排出し、反応管２内の減圧を開始する。なお、成膜処理においては、反応管２内のガスがバイパス管２４に流れないように、サブバルブ２５を閉鎖することが好ましい。反応管２内のガスの排出は、反応管２内の圧力を所定の圧力、例えば、図３（ｂ）に示すように、１３．３Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）になるまで行う。また、昇温用ヒータ１６により反応管２内を所定の成膜温度、例えば、図３（ａ）に示すように、６００℃に加熱する。そして、この減圧及び加熱操作を、反応管２が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
【００４９】
また、回転機構１３のモータを制御して、回転テーブル１０を回転させ、ウエハボート１１を回転させる。これにより、ウエハボート１１に収容された半導体ウエハＷも回転し、半導体ウエハＷが均一に加熱される。
【００５０】
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管１８からの窒素の供給を停止する。そして、処理ガス導入管１７から処理ガスとしてのヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）を所定量、例えば、図３（ｄ）に示すように、０．１リットル／ｍｉｎ、アンモニア（ＮＨ３）を所定量、例えば、図３（ｅ）に示すように、１リットル／ｍｉｎを反応管２内に導入する。
【００５１】
反応管２内に導入されたヘキサクロロジシラン及びアンモニアは、反応管２内の熱により熱分解反応が起こり、半導体ウエハＷの表面に窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）が堆積される。これにより、半導体ウエハＷの表面に窒化珪素膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）が形成される（成膜工程）。
【００５２】
半導体ウエハＷの表面に所定厚の窒化珪素膜が形成されると、処理ガス導入管１７からのヘキサクロロジシラン及びアンモニアの供給を停止する。そして、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２１の開度を制御しつつ、ポンプ２２を駆動させて反応管２内のガスを排出する（パージ工程）。なお、反応管２内のガスを確実に排出するために、窒素の供給及び反応管２内のガスの排出を複数回繰り返すサイクルパージを行うことが好ましい。
【００５３】
そして、昇温用ヒータ１６により、反応管２内を、所定の温度、例えば、図３（ａ）に示すように、３００℃にするとともに、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素を所定量供給して、図３（ｂ）に示すように、反応管２内の圧力を常圧に戻す。最後に、図示しないボートエレベータにより蓋体６を下降させることにより、アンロードする（アンロード工程）。
【００５４】
以上のような成膜処理を複数回行うと、成膜処理によって生成される窒化珪素が、半導体ウエハＷの表面だけでなく、装置内部、例えば、反応管２の内壁、ウエハボート１１、排気口４、排気管５等にも堆積（付着）する。このため、成膜処理を所定回数行った後、本発明の熱処理装置１の洗浄方法を実行する。本実施の形態の熱処理装置１の洗浄方法では、クリーニング用ガス（Ｆ２、ＨＦ）を反応管２内に導入して、反応管２等に付着した窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）の除去（クリーニング）を行う。また、このクリーニングにおいては、反応管２内から排出されたガスに含まれる四フッ化珪素（ＳｉＦ４）の濃度を赤外センサ２７により測定し、このＳｉＦ４の濃度に基づいてクリーニングの終了（エンドポイント）を決定する。以下、熱処理装置１の洗浄方法について、図４に示すレシピを参照して説明する。
【００５５】
まず、昇温用ヒータ１６により反応管２内を所定のロード温度、例えば、図４（ａ）に示すように、３００℃に維持する。また、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素を所定量供給した後、半導体ウエハＷが収容されていないウエハボート１１を蓋体６上に載置し、図示しないボートエレベータにより蓋体６を上昇させ、ウエハボート１１を反応管２内にロードする（ロード工程）。
【００５６】
次に、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２１の開度を制御しつつ、ポンプ２２を駆動させて反応管２内のガスを排出し、反応管２を所定の圧力、例えば、図４（ｂ）に示すように、５３２００Ｐａ（４００Ｔｏｒｒ）に減圧する。また、昇温用ヒータ１６により反応管２内を所定のクリーニング温度、例えば、図４（ａ）に示すように、３００℃に加熱する。そして、この減圧及び加熱操作を、反応管２が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
【００５７】
反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管１８からの窒素の供給を停止する。そして、処理ガス導入管１７からクリーニング用ガスを反応管２内に導入する。本実施の形態では、フッ化水素（ＨＦ）を所定量、例えば、図４（ｄ）に示すように、２リットル／ｍｉｎと、フッ素（Ｆ２）を所定量、例えば、図４（ｅ）に示すように、２リットル／ｍｉｎと、希釈ガスとしての窒素を所定量、例えば、図４（ｃ）に示すように、８リットル／ｍｉｎと、からなるクリーニング用ガスを反応管２内に導入する。
【００５８】
導入されたクリーニング用ガスは反応管２内で加熱され、クリーニング用ガス中のフッ素が活性化、すなわち、反応性を有するフリーな原子を多数有した状態になる。この活性化されたフッ素が反応管２の内壁等に付着した窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）に接触することにより、反応管２等に付着した窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）がクリーニング用ガス（Ｆ２、ＨＦ）と次の反応式のように反応する。
【００５９】
（反応式）
Ｓｉ３Ｎ４＋４Ｆ２＋４ＨＦ→３ＳｉＦ４＋２Ｎ２＋２Ｈ２
【００６０】
この反応による生成物（ＳｉＦ４、Ｎ２、Ｈ２）が反応管２内から排気口４、排気管５、排気配管２０を介して装置外部に排出される。この結果、熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素が除去される（クリーニング工程）。
【００６１】
クリーニング工程においては、反応管２内から排出されたガスに含まれる所定のガス、本実施の形態では四フッ化珪素（ＳｉＦ４）の濃度を赤外センサ２７により測定し、この測定の結果、反応管２内から排出されたガス中に四フッ化珪素が含まれなくなると、反応管２等に付着した窒化珪素が除去されたものとして、クリーニング工程の終了（エンドポイント）を決定する。
【００６２】
このため、クリーニング工程では、クリーニング用ガスを反応管２内に導入し、反応管２等に付着した窒化珪素のクリーニングを開始するとともに、サブバルブ２５を開放して反応管２内から排出されたガスの一部を排気配管２０からバイパス管２４（赤外センサ２７）に導入する。これにより、反応管２内から排出されたガスが赤外センサ２７のセル３２内に供給され、四フッ化珪素の濃度が赤外センサ２７により測定される。
【００６３】
赤外センサ２７では、光源３３から発生した赤外光を、セル窓３１ａ、セル３２、セル窓３１ｂ、光学フィルタ３５を介して赤外線検出器３６に入射させ、この入射した赤外光を赤外線検出器３６で検出することにより四フッ化珪素の濃度を測定する。ここで、赤外センサ２７による測定においては、光源３３から発生した赤外光がセル窓３１ａを介してセル３２内に入射されると、反応管２内から排出されたガスに含まれる四フッ化珪素により所定の波長の赤外線が吸収される。この所定の波長が吸収された赤外線がセル窓３１ｂを介して光学フィルタ３５に入射されると、光学フィルタ３５により、入射された赤外光のうち、四フッ化珪素により吸収される波長帯域の赤外光のみが赤外線検出器３６に供給される。赤外線検出器３６は、四フッ化珪素が存在しない状態の信号の振幅から、四フッ化珪素が存在する状態の信号の振幅の減少割合に基づいて、四フッ化珪素の濃度を算出する。これにより、四フッ化珪素の濃度が赤外センサ２７により測定される。
【００６４】
図５に赤外センサ２７により四フッ化珪素の濃度を測定した結果を示す。図５では、反応管２の壁面に窒化珪素を５μｍ堆積させた場合について、前述のクリーニング工程と同一条件でクリーニングを行った。図５に示すように、四フッ化珪素の濃度は、クリーニング開始（図５の時間：２分）とほぼ同時に高くなり、約４５分後（図５の時間：４７分）にクリーニング前と同じになる。このため、クリーニング開始後４５分がクリーニング工程のエンドポイントとなる。
【００６５】
比較のため、従来の温度モニタによりクリーニング工程を管理する方法を用いて、同一条件でクリーニングを行った場合の装置内部の温度測定結果を図６に示す。図６に示すように、装置内の温度は、クリーニング開始（図６の時間：５分）から上昇し始め、約６０分後（図６の時間：６５分）にクリーニング前と同じになる。このため、従来の温度モニタにより管理する方法では、クリーニング開始後６０分がクリーニング工程のエンドポイントとなる。このように、従来の温度モニタにより管理する方法の方がエンドポイントが１５分長くなったのは、石英とクリーニングガスとの反応により発生する反応熱の影響等と考えられる。
【００６６】
本実施の形態のクリーニング工程後の反応管２内に窒化珪素が付着していないかを確認したところ、反応管２内には窒化珪素が付着していないことが確認できた。このため、クリーニング開始後４５分で反応管２内に付着した窒化珪素が完全に除去されていることが確認できた。
【００６７】
また、反応管２の壁面に堆積した窒化珪素の厚さを１．５、２、３、４μｍのように変化させた場合についても同様に、本実施の形態の赤外センサ２７によるクリーニング工程を管理する方法、及び、従来の温度モニタによりクリーニング工程を管理する方法を用いたところ、窒化珪素の厚さを５μｍとした場合と同様の傾向を示すことが確認できた。
【００６８】
このように、赤外センサ２７によりクリーニング工程のエンドポイントを決定することにより、熱処理装置１を適切な洗浄時間で洗浄することができる。また、適切な洗浄時間で洗浄することができる（クリーニング時間を１５分間余分に行う必要がなくなる）ので、反応管２等の装置内部の部材が受けるダメージを低減することができ、パーティクルの発生を抑制することができる。また、クリーニングガスの使用量を抑えることができる。
【００６９】
クリーニング工程においては、赤外センサ用ヒータ３４により赤外センサ２７のセル窓３１ａ，３１ｂを少なくとも１５０℃に加熱することが好ましい。セル窓３１ａ，３１ｂを少なくとも１５０℃に加熱することにより、反応管２内から排出された副生成物のパウダーがセル窓３１ａ，３１ｂに付着することを防止できる。この結果、副生成物のパウダーの付着によるセル窓３１ａ，３１ｂの透過率の低下を防止することができ、赤外センサ２７の性能の低下を防止することができる。
【００７０】
熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素が除去されると、処理ガス導入管１７からのクリーニング用ガスの導入を停止する。そして、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２１の開度を制御しつつ、ポンプ２２を駆動させて反応管２内のガスを排出する（パージ工程）。
【００７１】
そして、パージガス供給管１８から反応管２内に窒素を所定量供給するとともに、メインバルブ２１の開度を制御しつつ、ポンプ２２を駆動させて、図４（ｂ）に示すように、反応管２内の圧力を常圧に戻す。また、昇温用ヒータ１６により反応管２内を所定の温度、例えば、図４（ａ）に示すように、３００℃に維持する。最後に、図示しないボートエレベータにより蓋体６を下降させることにより、アンロードする（アンロード工程）。
【００７２】
このような洗浄方法により熱処理装置１を洗浄した後、ボートエレベータにより蓋体６を下降させ、半導体ウエハＷが収容されたウエハボート１１を蓋体６上に載置することにより、熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素を除去した状態で、半導体ウエハＷ上に窒化珪素膜を形成する成膜処理を行うことが可能になる。
【００７３】
以上説明したように、本実施の形態によれば、赤外センサ２７によりクリーニング工程のエンドポイントを決定しているので、熱処理装置１を適切な洗浄時間で洗浄することができる。また、適切な洗浄時間で洗浄することができる（クリーニング時間を１５分間余分に行う必要がなくなる）ので、反応管２等の装置内部の部材が受けるダメージを低減することができ、パーティクルの発生を抑制することができる。また、クリーニングガスの使用量を抑えることができる。
【００７４】
本実施の形態によれば、反応管２内から排出されたガスに含まれる四フッ化珪素により吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを赤外線検出器３６に入射するので、赤外線検出器３６は、四フッ化珪素の濃度のみを測定すればよく、その構成を簡単にすることができる。
【００７５】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限られず、種々の変形、応用が可能である。以下、本発明に適用可能な他の実施の形態について説明する。
【００７６】
上記実施の形態では、反応管２内から排出された排ガスに含まれる所定のガスとして四フッ化珪素の場合を例に本発明を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、熱処理装置１の内部に付着した付着物（半導体ウエハＷのような被処理体に形成する薄膜）の種類、及び、クリーニングガスの種類に応じた所定のガスとなる。
【００７７】
被処理体に形成する薄膜は、窒化珪素膜の他、二酸化珪素（ＳｉＯ２）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、タングステン（Ｗ）膜、ＷＳｉＯ２膜、ポリシリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）膜、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ２）膜、窒化ハフニウムシリケート膜等であってもよい。この場合、熱処理装置１の内部に付着した付着物は、窒化珪素、二酸化珪素、窒化チタン、タングステン、ポリシリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、これらの副生成物等となる。また、クリーニングガスは、熱処理装置１の内部に付着した付着物を除去可能なものであればよく、例えば、フッ素、フッ化水素、三フッ化塩素、アンモニア、塩素、または、これらの混合ガスを含むガスであってもよい。
【００７８】
例えば、熱処理装置１の内部に付着した付着物が二酸化珪素（ＳｉＯ２）の場合には、クリーニングガスとして、フッ化水素を含むガス、フッ素とフッ化水素とを含むガス、フッ化水素とアンモニアを含むガスなどを用いることができる。この場合、測定するガスは、四フッ化珪素とすることが好ましい。
【００７９】
また、クリーニングガスとして、三フッ化塩素（ＣｌＦ３）を用いる場合、測定するガスは、被処理体に形成する膜の種類に応じて、次のようなガスとすることが好ましい。被処理体に窒化珪素膜（ＳｉＮ膜）や酸化珪素膜（ＳｉＯ膜）を形成する場合、測定するガスは、四フッ化珪素、四塩化珪素、または、三フッ化窒素（ＮＦ３）とすることが好ましい。被処理体に窒化チタン（ＴｉＮ）膜を形成する場合、測定するガスは、四塩化チタン（ＴｉＣｌ４）、四フッ化チタン（ＴｉＦ４）、または、三フッ化窒素（ＮＦ３）とすることが好ましい。被処理体にタングステン膜（Ｗ膜）を形成する場合、測定するガスは、四フッ化タングステン（ＷＦ４）とすることが好ましい。被処理体にＷＳｉＯ２膜を形成する場合、測定するガスは、四フッ化珪素、または、六フッ化タングステン（ＷＦ６）とすることが好ましい。
【００８０】
ＴＥＯＳ（Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５Ｏ）４）を用いて、半導体ウエハＷの表面に二酸化珪素を形成する場合、熱処理装置１の内部には、二酸化珪素や、炭素，水素，酸素等からなる副生成物が付着する。クリーニングガスとして、例えば、フッ化水素（ＨＦ）とアンモニア（ＮＨ３）とを含むガスを用い、測定するガスとして、例えば、エタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）とすることにより、赤外センサ２７によるクリーニング工程のエンドポイントを決定することができる。
【００８１】
また、熱処理装置１の内部に付着した付着物が酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、ハフニウムシリケート、または、窒化ハフニウムシリケートの場合、測定するガスとしては、例えば、四フッ化アルミニウム（ＡｌＦ４）、四塩化ハフニウム（ＨｆＣｌ４）、または、四フッ化ハフニウム（ＨｆＦ４）がある。
【００８２】
図７にクリーニング工程における赤外センサ２７によるエタノール（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）の濃度を測定した結果を示す。図７では、反応管２の壁面に二酸化珪素を５μｍ堆積させてクリーニングを行った。図７に示すように、エタノールの濃度は、クリーニング開始後に高くなり、約３５分後にクリーニング前と同じになる。このため、クリーニング開始後３５分がクリーニング工程のエンドポイントとなる。なお、図７において、エタノールの濃度のピークが２つあるのは、熱処理装置１の内部の複数箇所、例えば、２カ所に副生成物が堆積していたためであると考えられる。また、クリーニング後の反応管２内に二酸化珪素が付着していないかを確認したところ、反応管２内には二酸化珪素が付着していないことが確認できた。
【００８３】
上記実施の形態では、希釈ガスとしての窒素ガスを含む場合を例に本発明を説明したが、希釈ガスを含まなくてもよい。希釈ガスとしては、不活性ガスであることが好ましく、窒素ガスの他に、例えば、ヘリウムガス（Ｈｅ）、ネオンガス（Ｎｅ）、アルゴンガス（Ａｒ）が適用できる。
【００８４】
上記実施の形態では、クリーニング工程において、反応管２内から排出された排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度を連続的に測定した場合を例に本発明を説明したが、例えば、数分毎のように、断続的に測定してもよい。この場合、クリーニングが進むにつれて測定間隔が短くなるようにすることが好ましい。
【００８５】
上記実施の形態では、赤外センサ２７に光学フィルタ３５を設け、四フッ化珪素により吸収される赤外線の波長帯域の赤外光のみを赤外線検出器３６に入射する場合を例に本発明を説明したが、例えば、赤外センサ２７に光学フィルタ３５を設けなくてもよい。この場合にも、熱処理装置１を適切な洗浄時間で洗浄することができる。
【００８６】
上記実施の形態では、反応管２及び蓋体６が石英により形成されている場合を例に本発明を説明したが、例えば、炭化珪素（ＳｉＣ）により形成されていてもよい。
【００８７】
上記実施の形態では、排気配管２０にバイパス管２４を設け、このバイパス管２４に赤外センサ２７とが介設されている場合を例に本発明を説明したが、反応管２内から排出された排ガスに含まれる所定のガスの濃度を測定できればよく、例えば、バイパス管２４を設けずに、排気配管２０に赤外センサ２７を介設してもよい。また、ガスの濃度を測定する測定部は赤外センサの他、各種のセンサであってもよい。
【００８８】
上記実施の形態では、処理ガスの種類毎に処理ガス導入管１７が設けられている場合を例に本発明を説明したが、例えば、処理ガスを構成するガスの種類毎（フッ素、フッ化水素、ヘキサクロロジシラン、アンモニア、窒素の５本）に処理ガス導入管１７を設けてもよい。さらに、複数本から同じガスが導入されるように、反応管２の下端近傍の側面に、複数本の処理ガス導入管１７が挿通されていてもよい。この場合、複数本の処理ガス導入管１７から反応管２内に処理ガスが供給され、反応管２内に処理ガスをより均一に導入することができる。
【００８９】
上記実施の形態では、熱処理装置として、単管構造のバッチ式熱処理装置の場合を例に本発明を説明したが、例えば、反応管２が内管と外管とから構成された二重管構造のバッチ式縦型熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、枚葉式の熱処理装置に本発明を適用することも可能である。また、被処理体は半導体ウエハＷに限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本発明の実施の形態の熱処理装置を示す図である。
【図２】図１の赤外センサを示す図である。
【図３】成膜処理のレシピを示す図である。
【図４】洗浄処理のレシピを示す図である。
【図５】クリーニング工程での排ガスに含まれる四フッ化珪素の濃度と時間との関係を示すグラフである。
【図６】クリーニング工程での装置内部の温度と時間との関係を示すグラフである。
【図７】クリーニング工程での排ガスに含まれるエタノールの濃度と時間との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００９１】
１  熱処理装置
２  反応管
４  排気口
５  排気管
１１  ウエハボート
１６  昇温用ヒータ
１７  処理ガス導入管
１８  パージガス供給管
１９  接合部
２０  排気配管
２１  メインバルブ
２２  ポンプ
２３  トラップ
２４  バイパス管
２５  サブバルブ
２６  ニードルバルブ
２７  赤外センサ
３１ａ，３１ｂ  セル窓
３２  セル
３３  光源
３４  赤外センサ用ヒータ
３５  光学フィルタ
３６  赤外線検出器
１００  制御部
Ｗ  半導体ウエハ
【図１】
2006066540.tif 000003
【図２】
2006066540.tif 000004
【図３】
2006066540.tif 000005
【図４】
2006066540.tif 000006
【図５】
2006066540.tif 000007
【図６】
2006066540.tif 000008
【図７】
2006066540.tif 000009