(57)【要約】【課題】  干渉計からのビームの光路上に配される反射素子の面形状の影響を受けることなく、試料台の投影光学系の光軸に沿う方向の位置決めを正確に行うことが可能な位置決め装置を提供する。【解決手段】  位置決め装置は、ＸＹ平面内を移動可能な可動部７と、可動部に対して移動可能な試料台８と、ビーム２１，２２を用いてＺ軸方向における試料台８の位置情報を計測する干渉計２０とを備える。位置決め装置は、上記位置情報と、ビームが照射される反射素子２７，２８，３０，３７の面形状に関する補正情報とに基づいて、Ｚ軸方向に関して試料台８を位置決めする。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定平面内を移動可能な可動部と、
前記可動部に支持され前記可動部に対して試料を保持して移動可能な試料台と、
ビームを用いて前記所定平面に直交する方向における前記試料台の位置情報を計測する干渉計と、
前記位置情報と前記ビームが照射される反射素子の面形状に関する補正情報とに基づいて前記試料台を位置決めする駆動系と、を有することを特徴とする位置決め装置。
【請求項２】
前記ビームの光路上には、前記試料台に固設される第１反射素子と、静止物体に固設される第２反射素子とが配され、
前記補正情報は、前記第１反射素子の面形状に関する情報と、前記第２反射素子の面形状に関する情報とを含むことを特徴とする請求項１に記載の位置決め装置。
【請求項３】
前記ビームの光路上にはさらに、前記第１反射素子及び前記第２反射素子のそれぞれに前記ビームを導くための第３反射素子が配され、
前記補正情報はさらに、前記第３反射素子の面形状に関する情報を含むことを特徴とする請求項２に記載の位置決め装置。
【請求項４】
前記第３反射素子は、前記可動部に固設されることを特徴とする請求項３に記載の位置決め装置。
【請求項５】
前記補正情報は、前記干渉計を用いて計測されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の位置決め装置。
【請求項６】
前記ビームの光路上において、前記位置情報の計測時と前記補正情報の計測時との間で、前記ビームの光路を変化させるための光学素子の配置の有無を切り換えることを特徴とする請求項５に記載の位置決め装置。
【請求項７】
前記ビームは、前記位置情報の計測時において、前記試料台に固設される第１反射素子に照射される第１ビームと、静止物体に固設される第２反射素子に照射される第２ビームとを含み、
前記光学素子は、前記補正情報の計測時において、前記第１ビームの光路または前記第２ビームの光路を変化させることを特徴とする請求項６に記載の位置決め装置。
【請求項８】
前記可動部は、前記補正情報の計測時において、前記第１反射素子の延設方向または前記第２反射素子の延設方向に移動し、
前記光学素子は、前記補正情報の計測時において、前記第１ビーム及び前記第２ビームのうちの一方のビームの照射位置を、前記可動部の移動に伴う他方のビームの照射位置の移動軸上にシフトさせることを特徴とする請求項７に記載の位置決め装置。
【請求項９】
前記第２反射素子は、前記補正情報の計測時のみに、前記第１ビームが照射される補助鏡を含むことを特徴とする請求項８に記載の位置決め装置。
【請求項１０】
パターンが形成されたマスクを位置決め可能なマスク位置決め装置と、前記パターンを投影露光する投影光学系と、前記パターンが転写される基板を位置決め可能な基板位置決め装置とを有する露光装置において、
前記マスク位置決め装置と前記基板位置決め装置との少なくとも一方が請求項１から請求項９のいずれかに記載の位置決め装置を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記投影光学系の光軸は、前記所定平面に直交する方向と平行であることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の露光装置を用いて所定のパターンを物体上に形成するリソグラフィ工程を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、液晶表示素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド、その他の微細なデバイスを製造するためのフォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置、及びその露光装置に好適に用いられる位置決め装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイス製造のためのフォトリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下、これらを総称する場合は、マスクという）に形成されたパターンをウエハ又はガラスプレート等の基板上に転写する露光装置が用いられる。
【０００３】
露光装置としては、マスクのパターンを基板上の複数のショット領域（露光領域）に順次転写するステップ・アンド・リピート方式の露光装置（いわゆるステッパ）や、マスクと基板とを一次元方向に同期移動してマスクのパターンを基板上の各ショット領域に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ）などがある。
【０００４】
この種の露光装置では、露光前及び露光中に焦点合わせが行われるが、感光性材料（フォトレジスト）が塗布された基板の焦点合わせの方法として、いわゆるオートフォーカスセンサを用いた方式が知られている。
【０００５】
オートフォーカスセンサによる焦点合わせは、投影光学系が設置された架台に光学的センサである投光器及び受光器を固定し、投光器から基板表面に斜めに光を照射し、この基板表面からの反射光を受光器で受光することで、基板表面の高さ（投影光学系の光軸方向の位置）を検出する。そして、その信号で基板ステージに設けられた複数のアクチュエータ（Ｚアクチュエータ）によって、基板を保持する試料台の光軸方向の位置（Ｚ軸方向の位置）を制御して投影光学系の焦点に基板表面を合わせるものである。
【０００６】
しかし、このようなオートフォーカス系は基板表面を被検出面とするため、オートフォーカス系の計測点に基板が位置しない範囲にステージが移動した場合（例えば、スキャン露光において基板の周縁部に近いショットを外側から露光する場合など）又は基板が基板ステージ上に搭載されていない場合に、試料台のＺ方向位置を検出することができない。Ｚアクチュエータにも駆動量を検出する検出器があるので、その計測値によってステージ移動面基準の試料台位置を求めることができるが、基準となる投影光学系からの距離を直接計測するものでないため誤差が大きい。
【０００７】
また、近年の高精度化の要求により、より応答が速く分解能が高い検出系が必要とされている。そこで、試料台の投影光学系の光軸方向の位置を直接計測するレーザ干渉計（Ｚ干渉計）を露光装置に設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。これによれば、基板が載置されていない場合や基板が存在しない範囲にステージが移動した場合であっても試料台のＺ軸方向の位置を正確に計測することができるとともに、応答速度の向上が図られる。
【特許文献１】特開２００１−１６０５３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、干渉計等の計測システムでは、干渉計から射出される光を反射素子で反射させて試料台の方向に向けるとともに、試料台に固設された反射素子で反射したその光を用いて試料台のＺ軸方向の位置計測を行っている。そのため、光路上に配される反射素子が部分的に曲がっていたり、局所的に凹凸があったりすると、位置計測に誤差が生じるおそれがある。
【０００９】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、干渉計からのビームの光路上に配される反射素子の面形状の影響を受けることなく、試料台の投影光学系の光軸に沿う方向の位置決めを正確に行うことが可能な位置決め装置、及びこれを備えた露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、実施の形態に示す図１〜図８に対応付けした以下の構成を採用している。（但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。）
【００１１】
本発明の位置決め装置は、所定平面内を移動可能な可動部（７）と、前記可動部に支持され前記可動部に対して試料（５）を保持して移動可能な試料台（８）と、ビーム（２１，２２）を用いて前記所定平面に直交する方向における前記試料台の位置情報を計測する干渉計（２０）と、前記位置情報と前記ビームが照射される反射素子の面形状に関する補正情報とに基づいて前記試料台を位置決めする駆動系（９ａ，９ｂ，９ｃ、１７、１８）と、を有することを特徴とする。
【００１２】
この位置決め装置では、干渉計で計測される試料台の位置情報に加え、ビームが照射される反射素子の面形状に基づく補正情報を用いて試料台の位置決めを行うことから、その反射素子の面形状の影響による誤差を補正し、試料台の位置決めを正確に行うことが可能となる。
【００１３】
上記の位置決め装置において、前記ビーム（２１，２２）の光路上には、前記試料台（８）に固設される第１反射素子（３７）と、静止物体に固設される第２反射素子（３０）とが配され、前記補正情報は、前記第１反射素子の面形状に関する情報と、前記第２反射素子の面形状に関する情報とを含む構成とすることができる。
また、前記ビーム（２１，２２）の光路上にはさらに、前記第１反射素子（３７）及び前記第２反射素子（３０）のそれぞれに前記ビームを導くための第３反射素子（２７，２８）が配され、前記補正情報はさらに、前記第３反射素子の面形状に関する情報を含む構成とすることができる。
この場合、例えば、前記第３反射素子（２７，２８）は、前記可動部（７）に固設される。
すなわち、ビームの光路上に複数の反射素子が配される場合、補正情報が、複数の反射素子のそれぞれの面形状に関する情報を含むことにより、試料台の位置決めが正確に行われる。
【００１４】
ここで、前記補正情報は、前記干渉計（２０）を用いて計測すると、装置構成の簡素化、あるいは補正情報の正確性を高めることができる。
【００１５】
この場合、前記ビーム（２１，２２）の光路上において、前記位置情報の計測時と前記補正情報の計測時との間で、前記ビームの光路を変化させるための光学素子（４０，４１，４２）の配置の有無を切り換えることができる。
これにより、干渉計を用いて、複数の反射素子のそれぞれの面形状に関する情報を得ることが可能となる。
【００１６】
具体的には、前記ビーム（２１，２２）は、前記位置情報の計測時において、前記試料（８）台に固設される第１反射素子（３７）に照射される第１ビーム（２２）と、静止物体に固設される第２反射素子（３０）に照射される第２ビーム（２１）とを含み、前記光学素子（４０，４１，４２）は、前記補正情報の計測時において、前記第１ビームの光路または前記第２ビームの光路を変化させることができる。
【００１７】
この場合、前記可動部（８）は、前記補正情報の計測時において、前記第１反射素子（３７）の延設方向または前記第２反射素子（３０）の延設方向に移動し、前記光学素子（４０，４１，４２）は、前記補正情報の計測時において、前記第１ビーム（２２）及び前記第２ビーム（２１）のうちの一方のビームの照射位置を、前記可動部の移動に伴う他方のビームの照射位置の移動軸上にシフトさせるように構成することができる。
なお、前記第２反射素子は、前記補正情報の計測時のみに、前記第１ビーム（２２）が照射される補助鏡（４５）を含んでもよい。
第１ビームまたは第２ビームの光路を変化させることにより、複数の反射素子のそれぞれに対して第１ビームと第２ビームとを照射するが可能となる。所定の反射素子に両ビームを照射しながら、その照射位置を反射素子の延設方向に移動させることにより、その反射素子の面形状に関する情報を得ることができる。
【００１８】
本発明の露光装置は、パターンが形成されたマスク（１）を位置決め可能なマスク位置決め装置（１ａ）と、前記パターンを投影露光する投影光学系（３）と、前記パターンが転写される基板（５）を位置決め可能な基板位置決め装置（４）とを有する露光装置において、前記マスク位置決め装置と前記基板位置決め装置との少なくとも一方が上記の位置決め装置を有することを特徴とする。
この場合、前記投影光学系（３）の光軸（ＡＸ）は、前記所定平面に直交する方向と平行となるように設定することができる。
【００１９】
この露光装置では、位置決めを正確に行うことが可能な位置決め装置を用いていることから、微細なパターンを高精度で基板に露光転写することができ、品質の良好なマイクロデバイス等を製造することが可能である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の位置決め装置によれば、干渉計からのビームの光路上に配される反射素子の面形状の影響を受けることなく、試料台の投影光学系の光軸に沿う方向の位置決めを正確に行うことができる。
【００２１】
本発明の露光装置によれば、微細なパターンを高精度で基板に露光転写することができ、品質の良好なマイクロデバイス等を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
まず、本発明が適用可能な露光装置の全体構成について図１を参照して説明する。
【００２３】
図１は本発明の実施形態に係る露光装置の全体構成の概略を示す図である。図１に示す露光装置は、図１中の投影光学系３に対してマスク１（レチクル）と基板５（ウエハ）とを相対的に同期移動させつつ、マスク１に形成されたパターンを、基板ステージ４に搭載された基板５に逐次転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。
【００２４】
なお、以下の説明においては、図１中に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸が基板５表面に対して平行となるように設定され、Ｚ軸が基板５表面に対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、本実施形態では、マスク１及び基板５を同期移動させる方向（スキャン方向）をＹ方向に設定している。
【００２５】
照明装置２の光源２ａは、露光用の照明光をパルス光で作るもので、たとえば波長２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザ光源からの紫外パルス光、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光源からの紫外パルス光、ＹＡＧレーザ光源からのパルスレーザを高調波に変換した紫外線等が使用できる。
【００２６】
光源２ａから射出された光は、照明光学系２ｂを介してマスク１を均一に照明する。詳細な図示は省略するが、照明光学系２ｂでは、光源２ａからの光はロータリーシャッターを介してビーム整形光学系に照射され、ビーム整形光学系を射出した照明光は、オプチカルインテグレータとして機能するフライアイレンズ系に入射し、その射出側には多数の２次光源像が全体としてほぼ正方形または円形の領域内に均一に分布する。フライアイレンズ系の射出側には、２次光源像の実効的な形状を、輪帯、小円形、通常円形、４開口等に変更する複数の照明σ（シグマ）絞りを搭載した絞り切り換え部材が配置され、この切り換え部材はモータによって所望の照明σ絞りに切り換えられるように駆動される。
【００２７】
そして、照明σ絞りを透過した照明光は、例えば、反射率がほば１０％以下のビームスプリッタを透過してミラーで反射されてリレーレンズ系に入射し、マスク１上での照明領域の形状や位置を決定する可動レチクルブラインドを均一な照度分布となって照射する。レチクルブラインドの開口を透過した照明光は、リレーレンズ系、ミラーおよびメインコンデンサーレンズ系等を介して、マスク１の回路パターン領域を均一な強度分布で照射する。
【００２８】
マスク１は、不図示のマスクホルダを介してマスクステージ１ａ上においてＸＹ平面に平行に保持されている。マスク１には、転写すべき回路パターンが形成されており、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置の場合は、パターン領域全体のうちＹ方向に沿って長辺を有し、かつＸ方向に沿って短辺を有する矩形状（スリット状）のパターン領域が照明される。なお、マスクステージ１ａは、駆動系の作用によりマスク面（ＸＹ平面）に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標は、マスクステージ１ａに設けられた鏡（移動鏡：図示せず）を用いた干渉計によって計測され且つ位置制御される。
【００２９】
マスク１に形成されたパターンからの光は、投影光学系３を介して感光性の基板５上にマスクパターン像を形成する。基板５は基板テーブル８を介して基板ステージ４上においてＸＹ平面に平行に吸着保持されている。そして、マスク１上での矩形状の照明領域に光学的に対応するように、基板５上ではＹ方向に沿って長辺を有し且つＸ方向に沿って短辺を有する矩形状の露光領域にパターン像が形成される。
【００３０】
なお、本例の投影光学系３は、ジオプトリック系（屈折系）であるが、カタジオプトリック系（反射屈折系）や反射系も使用できることはいうまでもない。また、投影光学系３は、所定の気温（例えば、２５℃）、所定の大気圧（例えば、１気圧）の下で露光用照明光の波長に関して最良に収差補正されており、かかる条件下においてマスク１と基板５とは互いに共役になっている。また、露光用照明光は、ケラー照明であり、投影光学系３の瞳面の中心に光源像として結像されている。なお、投影光学系３は複数のレンズ等の光学素子を有し、その光学素子の硝材としては露光用照明光の波長に応じて石英、蛍石等の光学材料から選択されている。
【００３１】
基板ステージ４は定盤６上に設けられ、駆動制御ユニット１８の制御により投影光学系３の像面と平行なＸＹ平面に沿って２次元移動する。すなわち、基板ステージ４は、基板５を保持する試料台としての基板テーブル８と、定盤６上でＸＹ平面に沿って２次元移動される可動部としてのＸＹステージ７とを備え、ＸＹステージ７は、定盤６上でＹ方向に一定速度で移動するとともに、Ｘ方向、Ｙ方向にステップ移動する。
【００３２】
基板ステージ４（基板テーブル８）の一端には、移動鏡１５が取り付けられており、移動鏡１５の鏡面に対面してレーザ干渉計１６が設けられている。このレーザ干渉計１６によって基板ステージ４のＸ方向、Ｙ方向の位置、及びＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の周りの回転角がリアルタイムに計測されている。レーザ干渉計１６の計測結果及び主制御系１７からの制御情報に基づいて、駆動制御ユニット１８が基板ステージ４の走査速度、及び位置の制御を行う。
【００３３】
さらに、基板ステージ４には、基板５のＺ軸方向の位置（フォーカス位置）、並びにＸ軸及びＹ軸の周りの傾斜角を制御するＺレベリング機構も組み込まれている。すなわち、基板テーブル８は、Ｚ方向に変位する３つのアクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃを介してＸＹステージ７上に保持されている。
【００３４】
３つのアクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃは、一直線上にならないように分散配置される。また、主制御系１７からの制御情報に基づいて、駆動制御ユニット１８によって各アクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃの駆動量が制御される。３つのアクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃを同一の量だけ駆動することによって基板テーブル８をＺ方向に平行移動させることが可能であり、各駆動量を相違させることによって基板テーブル８をＸＹ平面に対して傾けることが可能である。３つのアクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃの駆動量を適切に制御することにより、基板５の表面をマスク１の投影像位置（パターン像の結像位置）に高精度に合焦させることができる。
【００３５】
基板５と投影光学系３との合焦状態は、オートフォーカスセンサ１０ａ，１０ｂによって検出される。オートフォーカスセンサ１０ａ，１０ｂは、投影光学系３の結像面に向けてピンホール又はスリット状の像を形成するための結像光束を、投影光学系３の光軸ＡＸに対して斜め方向から供給する送光光学系１０ａと、その結像光束の基板５表面での反射光束を受光する受光光学系１０ｂとを有し、これらは投影光学系３が設置された架台１１（コラム）に固定されている。
【００３６】
基板テーブル８のＺ方向の位置や姿勢に関する情報は、上記オートフォーカスセンサ１０ａ，１０ｂに加え、次に説明するＺ軸用のレーザ干渉計２０によって計測される。干渉計を用いた計測は、応答性や分解能に比較的優れるという利点がある。なお、主制御系１７の記憶部１９には、レーザ干渉計２０が照射される反射鏡の面形状に基づく補正情報が記憶される。また、本発明における位置決め装置は、可動部としてのＸＹステージ７、試料台としての基板テーブル８、及び駆動系としてのアクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃ、主制御系１７、駆動制御ユニット１８等を含んで構成される。
【００３７】
次に、レーザ干渉計２０を用いた基板テーブル８のＺ軸方向の位置計測方法について図２及び図３を参照して説明する。
図２は、レーザ干渉計２０を用いた基板テーブル８のＺ軸方向の位置計測方法を説明するための図、図３は、図２の要部構成を拡大して示す模式的な斜視図である。
【００３８】
図２及び図３において、レーザ干渉計２０は、不図示のレーザ光源を備え、このレーザ光源は波長が安定化された互いに偏光方向が直交する一対のレーザビームを射出する。なお、本実施形態においては、説明の便宜上、レーザ干渉計２０のレーザ光源から射出される一対のレーザビームのうち、基板テーブル８の位置情報の計測時において、後述する参照ミラー３０に対して照射される一方のレーザビームを参照光２１（Ｐ偏光成分、周波数成分Ｆ１）とし、基板テーブル８（後述する計測ミラー３７）に対して照射される他方のレーザビームを計測光２２（Ｓ偏光成分、周波数成分Ｆ２）と称するが、これらは逆であってもよい。
【００３９】
レーザー光源からのレーザビームは、偏光ビームスプリッタ２５に入射し、直交する偏光成分、すなわち２つの周波数成分（Ｐ偏光成分、Ｓ偏光成分）に分割される。
【００４０】
このうち、入射ビームのＰ偏光成分（参照光２１、周波数成分Ｆ１）は、偏光ビームスプリッタ２５を透過して、１／４波長板２６によって円偏光に変換されて水平（＋Ｙ軸方向）に進み、ＸＹステージ７に固設された第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８で順次反射され、両ミラーで所定角度ずつ折り曲げられて鉛直上方向（＋Ｚ軸方向）に射出される。そして、その参照光２１は、投影光学系３が設置された静止物体である架台１１（図１参照）に固設された参照ミラー３０に照射される。なお、参照ミラー３０は、Ｙ方向に延在して設けられ、第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８はそれぞれ、Ｘ方向に延在して設けられている。参照ミラー３０は、他の静止物体に固定されてもよく、また、その際に基板ステージ４や床等の振動から絶縁されるように設置してもよい。また、第１折り曲げミラー２７と第２折り曲げミラー２８の各反射面によってペンタプリズムと同様の効果が得られるようになっており、第１折り曲げミラー２７に入射する参照光２１、計測光２２と第２折り曲げミラー２８から出射した参照光２１、計測光２２とが各々常に直交する関係となる。なお、第１折り曲げミラー２７と第２折り曲げミラー２８は、それぞれ別体で形成されたものをＸＹステージ７に固定してもよいし、ＸＹステージ７の一部を反射面とする一体形成により構成してもよい。
【００４１】
参照ミラー３０にて−Ｚ軸方向に反射された参照光２１は、第２折り曲げミラー２８及び第１折り曲げミラー２７で順次反射され、再び１／４波長板２６を通ることで、元の偏光方向とは直交する方向の直線偏光に変換される。そして、参照光２１は、偏光ビームスプリッタ２５に入射し、今度は反射してコーナーキューブプリズム３１に入射する。
【００４２】
コーナーキューブプリズム３１において、参照光２１は、光軸が平行にシフトされる。コーナーキューブプリズム３１から射出された参照光２１は、偏光ビームスプリッタ２５で反射して、再び１／４波長板２６によって円偏光に変換され、参照ミラー３０に向かう。今度も光軸が平行にシフトした以外は上記と全く同じ経路を辿り、再び帰還した参照光２１は、１／４波長板２６によって元の入射ビームと同じ偏光方向（Ｐ偏光）になって偏光ビームスプリッタ２５を通過し、不図示の光電変換装置に入射する。
【００４３】
一方、入射ビームのＳ偏光成分（計測光２２、周波数成分Ｆ２）は、偏光ビームスプリッタ２５によって、まず反射され、折り曲げミラー３５によって９０°折り曲げられ、１／４波長板３６によって円偏光に変換されて水平（＋Ｙ軸方向）に進み、ＸＹステージ７に固設された第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８で順次反射され、両ミラーで所定角度ずつ折り曲げられて鉛直上方向（＋Ｚ軸方向）に射出される。そして、その計測光２２は、試料台である基板テーブル８に固設された計測ミラー３７に照射される。計測ミラー３７は、Ｘ方向に延在して設けられている。
【００４４】
計測ミラー３７にて−Ｚ軸方向に反射された計測光２２は、第２折り曲げミラー２８及び第１折り曲げミラー２７で順次反射され、再び１／４波長板３６を通ることで、元の偏光方向とは直交する方向の直線偏光に変換される。そして、計測光２２は、折り曲げミラー３５によって９０°折り曲げられた後、偏光ビームスプリッタ２５を今度は透過して、コーナーキューブプリズム３１に入射する。
【００４５】
コーナーキューブプリズム３１において、計測光２２は、光軸が平行にシフトされる。コーナーキューブプリズム３１から射出された計測光２２は、偏光ビームスプリッタ２５で反射して、再び１／４波長板３６によって円偏光に変換され、基板テーブル８（計測ミラー３７）に向かう。今度も光軸が平行にシフトした以外は上記と全く同じ経路を辿り、再び帰還した計測光２２は、１／４波長板３６によって元の入射ビームと同じ偏光方向（Ｓ偏光）になって偏光ビームスプリッタ２５で反射し、不図示の光電変換装置に入射する。
【００４６】
光電変換装置の内部では、偏光子によって両偏光成分（参照光２１、計測光２２）を干渉させ、その干渉光が光電素子で検出され、周波数がＦ２−Ｆ１の電気信号に変換されて、不図示の位相検出手段に送られる。この位相検出手段は、レーザ光源から送られてきた基準信号と測定信号との間の絶対位相差を検出する位相計である。すなわち、光電変換装置にて光電変換された干渉光は、Ｆ２−Ｆ１のビート周波数に、参照ミラー３０と計測ミラー３７との間隔（距離）の変動にともなって生じるドップラー効果分の周波数変化ΔＦ（ｔ）を加えた周波数を有する測定信号として光電変換装置から位相検出手段へ入力される。一方、レーザー光源からは、周波数Ｆ１の光（参照光２１）と周波数Ｆ２の光（計測光２２）を干渉して得られたＦ２−Ｆ１のビート周波数を有する信号が基準信号として位相検出手段に入力される。そして、位相検出手段において、基準信号と測定信号との位相差が検出され、その位相差の変化分を積算することで、参照ミラー３０と計測ミラー３７との間隔の変化分に比例した信号が求められる。すなわち、参照ミラー３０と計測ミラー３７との間隔が変動すると、絶対位相もこれに比例して変化することから、絶対位相差からこれらの間隔の変動分を測定することができる。
【００４７】
ここで、本実施形態では、前述したように、レーザ干渉計２０から射出されるレーザビーム（参照光２１、計測光２２）の光路上に複数の反射素子（折り曲げミラー２７，２８、参照ミラー３０、計測ミラー３７）が配され、また、可動部であるＸＹステージ７は、ＸＹ平面に沿って２次元移動する。ＸＹステージ７がＸ方向に移動すると、折り曲げミラー２７，２８及び計測ミラー３７の反射面において、参照光２１及び計測光２２の照射位置がＸ方向に移動し、また、ＸＹステージ７がＹ方向に移動にすると、参照ミラー３０における参照光２１の照射位置がＹ方向に移動する。そのため、各反射素子（折り曲げミラー２７，２８、参照ミラー３０、計測ミラー３７）が部分的に曲がっていたり、局所的に凹凸があったりすると、レーザ干渉計２０によるＺ方向の位置計測に誤差が生じるおそれがある。
【００４８】
そこで、本実施形態では、各反射素子（折り曲げミラー２７，２８、参照ミラー３０、計測ミラー３７）の反射面の形状に関する補正情報を予め計測しておき、その補正情報を用いてレーザ干渉計２０によって計測される基板テーブル８のＺ方向の位置情報に対して補正を行う。この補正された位置情報を用いることにより、基板テーブル８をＺ方向に関して正確に位置決めすることが可能となる。本実施形態では、レーザ干渉計２０を用いて上記補正情報の計測を行う。補正情報の計測は、他の計測手段を用いて行ってもよいが、実際の位置情報の計測に用いる光学系を用いることにより、装置構成の簡素化、並びに補正精度の向上が図られる。
【００４９】
以下に、レーザ干渉計２０を用いた補正情報の計測方法及びその補正情報を用いた位置情報の補正方法について図４〜図６を参照して説明する。補正情報の計測は、参照ミラー３０、計測ミラー３７、及び折り曲げミラー２７，２８のそれぞれに対して行う。
【００５０】
（参照ミラーの面形状の計測）
参照ミラー３０の面形状の計測時においては、まず、図４（ａ）に示すように、計測光２２が参照ミラー３０に照射される位置まで、ＸＹステージ７を−Ｘ軸方向に移動させる。これにより、図４（ｂ）に示すように、参照ミラー３０の反射面上に、参照光２１と計測光２２とのそれぞれが照射される。なお、基板ステージ４におけるＸＹステージ７、第１・第２折り曲げミラー２７、２８、基板テーブル８、及び計測ミラー３７の各寸法は、基板ステージ４が−Ｘ軸側に移動して参照光２１、計測光２２の照射位置が第１・第２折り曲げミラー２７、２８の＋Ｘ軸側端部に位置する際には図４に示す状態となるよう、予め設定されているものとする。つまり、基板テーブル８（計測ミラー３７）の＋Ｘ軸側端部は、ＸＹステージ７（第１、第２折り曲げミラー２７、２８）の＋Ｘ軸側端部よりも−Ｘ軸側に位置するように設定されている。
【００５１】
続いて、ＸＹステージ７のＸ方向の位置を一定位置に保った状態で、ＸＹステージ７をＹ方向に所定量ずつステップ移動させる。ステップ量は、参照ミラー３０の反射面上における参照光２１と計測光２２とのＹ方向の間隔Ｈａ（図４（ｂ）参照）と同じである。また、参照ミラー３０の反射面上における参照光２１の２つの照射位置の間隔と、計測光２２の２つの照射位置との間隔とは、等しいものとする。このとき、ステップ移動ごとのレーザ干渉計２０のそれぞれの計測値を記録していく。参照光２１と計測光２２とを用いて得られるＺ方向の位置情報は、参照ミラー３０の反射面の部分的な曲がりを示す。ステップ移動ごとに計測される位置情報を積算していくことにより、参照ミラー３０の面形状に関する情報（曲がり、真直度誤差）を得ることができる。
【００５２】
（計測ミラーの面形状の計測）
計測ミラー３７の面形状の計測時においては、まず、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、レーザ干渉計２０からのビーム（参照光２１、計測光２２）の光路上に、ビームの光路を変化させるための光学素子（折り曲げミラー４０，４１、ビームシフタ４２）を配置する。
【００５３】
具体的には、ＸＹステージ７（図２参照）に固設された第１折り曲げミラー２７と１／４波長板２６，３６との間において、参照光２１の光路上に折り曲げミラー４０を配置する。折り曲げミラー４０で折り曲げられた参照光２１は、折り曲げミラー４１でビームシフタ４２に向けて折り曲げられ、これにより、参照光２１の光軸が＋Ｘ軸方向にシフトされる。Ｘ方向にシフトした参照光２１は、ビームシフタ４２に入射し、光軸が−Ｚ軸方向にシフトされる。これにより、図５（ａ）に示すように、第１折り曲げミラー２７の反射面上における参照光２１の照射位置が、通常の位置計測時における計測光２２の移動軸上、すなわち計測光２２に対してＸ方向に所定間隔離れた座標位置かつ同じＹ座標位置にシフトし、図５（ｃ）に示すように、計測ミラー３７の反射面上に、参照光２１と計測光２２とのそれぞれが略一列に並んだ状態で照射される。
【００５４】
続いて、ＸＹステージ７のＹ方向の位置を一定位置に保った状態で、ＸＹステージ７をＸ方向に所定量ずつステップ移動させる。ステップ量は、計測ミラー３７の反射面上における参照光２１と計測光２２とのＸ方向の間隔Ｈｂ（図５（ｃ）参照）と同じである。このとき、ステップ移動ごとのレーザ干渉計２０のそれぞれの計測値を記録していく。参照光２１と計測光２２とを用いて得られるＺ方向の位置情報は、計測ミラー３７の反射面の部分的な曲がりを示す。ステップ移動ごとに計測される位置情報を積算していくことにより、計測ミラー３７の面形状に関する情報（曲がり、真直度誤差）を得ることができる。
【００５５】
なお実際には、この計測時において、第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８の反射面上を、参照光２１及び計測光２２がＸ方向に移動する。そのため、ここで計測される情報は、計測ミラー３７の面形状に関する情報に加え、第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８の面形状に関する情報を含むものとなる。またこのとき、第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８の面形状に関しては、通常の位置計測時における計測光２２の移動軸上の領域しか計測されていない。そのため、次に説明する「折り曲げミラーの面形状の計測」によって、第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８の反射面における参照光２１の移動軸上の領域の面形状を計測する。
【００５６】
（折り曲げミラーの面形状の計測）
折り曲げミラー２７，２８の面形状の計測時においては、まず、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、レーザ干渉計２０からのビーム（参照光２１、計測光２２）の光路上に、ビームの光路を変化させるための光学素子（折り曲げミラー４０，４１、ビームシフタ４２）を配置する。
【００５７】
具体的には、ＸＹステージ７（図２参照）に固設された第１折り曲げミラー２７と１／４波長板２６，３６との間において、計測光２２の光路上に折り曲げミラー４０を配置する。折り曲げミラー４０で折り曲げられた計測光２２は、折り曲げミラー４１でビームシフタ４２に向けて折り曲げられ、これにより、計測光２２の光軸が＋Ｘ軸方向にシフトされる。Ｘ方向にシフトした計測光２２は、ビームシフタ４２に入射し、光軸が＋Ｚ軸方向にシフトされる。これにより、図６（ａ）に示すように、第１折り曲げミラー２７の反射面上における計測光２２の照射位置が、通常の位置計測時における参照光２１の移動軸上、すなわち参照光２１に対してＸ方向に所定間隔離れた座標位置かつ同じＹ座標位置にシフトする。
【００５８】
上記シフトした計測光２２は、参照光２１と同様に、参照ミラー３０に向かうものの、参照光２１に比べて光軸がＸ方向にずれているため、参照ミラー３０から外れてしまう。そのため、参照ミラー３０の隣接位置に、通常の位置計測時には使用されず、補正情報の計測時のみに使用される補助参照ミラー４５が配設されている。この補助参照ミラー４５は、参照ミラー３０と同様に、静止物体である架台１１（図１参照）に固設されている。すなわち、図６（ｃ）に示すように、参照ミラー３０の反射面上に参照光２１が照射され、補助参照ミラー４５の反射面上に計測光２２が照射され、各光が略一列に並んだ状態となる。
【００５９】
続いて、ＸＹステージ７のＹ方向の位置を一定位置に保った状態で、ＸＹステージ７をＸ方向に所定量ずつステップ移動させる。ステップ量は、参照ミラー３０及び補助参照ミラー４５の反射面上における参照光２１と計測光２２とのＸ方向の間隔Ｈｃと同じである。このとき、ステップ移動ごとのレーザ干渉計２０のそれぞれの計測値を記録していく。参照光２１と計測光２２とを用いて得られるＺ方向の位置情報は、第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８の反射面上の部分的な曲がりを示す。ステップ移動ごとに計測される位置情報を積算していくことにより、第１折り曲げミラー２７及び第２折り曲げミラー２８の面形状（通常の位置計測時における参照光２１の移動軸上の領域）に関する情報（曲がり、真直度誤差）を得ることができる。
【００６０】
このようにして得られた面形状情報は、Ｘ方向、及びＹ方向について所定間隔ごとに計測したデータであることから、これにスプライン関数などのデータ補間を施し、これを基板テーブル８のＸ方向の座標位置、及びＹ方向の座標位置に対応する補正マップとして記憶部１９（図１参照）に記憶する。なお、参照ミラー３０の面形状の計測データから、Ｙ位置依存の補正マップがつくられる。また、計測ミラー３７の面形状の計測データと、折り曲げミラー２７，２８の面形状の計測データとからＸ位置依存の補正マップがつくられる。
【００６１】
基板テーブル８のＺ方向に関する位置情報の計測では、レーザ干渉計２０を用いて基板テーブル８のＺ方向の座標位置を計測するとともに、基板テーブル８のＸＹ座標（位置）に基づいてその計測データを上記の補正マップを用いて補正する。これにより、レーザ干渉計２０で使用するビームの光路上にある、反射素子の面形状の影響による誤差が補正され、基板テーブル８の正確なＺ座標位置が計測される。
【００６２】
なお、上記補正情報の計測時においては、計測対象の反射素子の正確な面形状データを得るために、基板テーブル８の姿勢がＸＹステージ７あるいは本体コラム（架台１１：図１参照）に対して適宜固定される。また、本体コラムの姿勢も適宜固定される。なお、ＸＹステージ７に対する基板テーブル８の姿勢は、Ｚレベリング機構（アクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃ）の駆動量をロックすることにより固定可能である。本体コラムに対する基板テーブル８の姿勢は、オートフォーカスセンサ１０ａ，１０ｂに基づいてＺレベリング機構（アクチュエータ（アクチュエータ９ａ，９ｂ，９ｃ）を制御することにより固定可能である。
【００６３】
また、上記補正情報の計測時においては、計測対象の反射素子の正確な面形状データを得るために、レーザ干渉計１６によって基板テーブル８のＸ座標、Ｙ座標が計測され、その計測結果に基づいて、ＸＹステージ７のＸ方向あるいはＹ方向への移動制御、並びに基板テーブル８のＸＹ平面内における回転角の制御が行われる。これらの制御に際しては、予めレーザ干渉計１６で使用する移動鏡１５の面形状が計測され、その補正情報が制御に反映されるのが好ましい。Ｘ、Ｙ位置計測用の移動鏡の面形状誤差の計測、及びそのデータを用いた位置補正には、特開２００２−３２８００７号公報に記載された技術を用いることができる。
【００６４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６５】
例えば、上記実施形態では、本発明に係る位置決め装置（Ｚ位置検出系）を基板ステージ４に適用した例について説明したが、マスクステージ１ａに適用してもよい。
また、補正情報の計測時にビームの光路を変化させるための光学素子（折り曲げミラー４０、４１、ビームシフタ４２）は、本実施形態で使用したものに限定されるものではなく、所定の位置にビームの光路を変えることができるようなものであればよい。さらに、これらの光学素子を、補正情報の計測時に自動的に所定のビームの光路上に配置できるようにするための駆動機構を設けてもよい。
【００６６】
また、上記実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置を例に挙げて説明したが、本発明はステップ・アンド・リピート方式の露光装置にも適用可能である。また、本実施形態の露光装置の照明光学系８０が備える光源は、超高圧水銀ランプ、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、又はＦ２レーザ（１５７ｎｍ）のみならず、Ｘ線や電子線などの荷電粒子線を用いることができる。例えば、電子線を用いる場合には電子銃として、熱電子放射型のランタンヘキサボライト（ＬａＢ６）、タンタル（Ｔａ）を用いることができる。
【００６７】
更に、光源としてＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイットリビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。例えば、単一波長レーザの発振波長を１．５１〜１．５９μｍの範囲内とすると、発生波長が１８９〜１９９ｎｍの範囲内である８倍高調波、又は発生波長が１５１〜１５９ｎｍの範囲内である１０倍高調波が出力される。
【００６８】
特に、発振波長を１．５４４〜１．５５３μｍの範囲内とすると、発生波長が１９３〜１９４ｎｍの範囲内の８倍高調波、即ちＡｒＦエキシマレーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られ、発振波長を１．５７〜１．５８μｍの範囲内とすると、発生波長が１５７〜１５８ｎｍの範囲内の１０倍高調波、即ちＦ２レ−ザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。また、発振波長を１．０３〜１．１２μｍの範囲内とすると、発生波長が１４７〜１６０ｎｍの範囲内である７倍高調波が出力され、特に発振波長を１．０９９〜１．１０６μｍの範囲内とすると、発生波長が１５７〜１５８μｍの範囲内の７倍高調波、即ちＦ２レーザ光とほぼ同一波長となる紫外光が得られる。この場合、単一波長発振レーザとしては例えばイットリビウム・ドープ・ファイバーレーザを用いることができる。
【００６９】
また、本発明は半導体素子の製造に用いられる露光装置だけではなく、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等にも適用することができる。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハなどに回路パターンを転写する露光装置にも本発明を適用できる。ここで、ＤＵＶ（遠紫外）光やＶＵＶ（真空紫外）光などを用いる露光装置では一般的に透過型レチクルが用いられ、レチクル基板としては石英ガラス、フッ素がドープされた石英ガラス、蛍石、フッ化マグネシウム、又は水晶などが用いられる。また、プロキシミティ方式のＸ線露光装置、又は電子線露光装置などでは透過型マスク（ステンシルマスク、メンブレンマスク）が用いられ、マスク基板としてはシリコンウェハなどが用いられる。なお、このような露光装置は、ＷＯ９９／３４２５５号、ＷＯ９９／５０７１２号、ＷＯ９９／６６３７０号、特開平１１−１９４４７９号、特開２０００−１２４５３号、特開２０００−２９２０２号等に開示されている。
また、例えば、特開平１０−１５４６５９号に開示されているように、基板上の液体を介してその基板に像を形成する液浸露光装置に本発明を適用してもよい。
【００７０】
また、本発明のステージは、露光装置に設けられるレチクルステージ及びウェハステージのみならず、物体を載置した状態で移動させる（１次元的な移動又は２次元的な移動に制限されない）ステージ装置を制御する場合一般について適用することが可能である。
【００７１】
また、本発明が適用される露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。尚、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００７２】
次に、上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図７は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。図７に示すように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウェハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
【００７３】
次に、ステップＳ１３（ウェハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００７４】
図８は、半導体デバイスの場合における、図８のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。図８において、ステップＳ２１（酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００７５】
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウェハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【００７６】
以上説明したマイクロデバイス製造方法においては、露光ステップ（ステップＳ２６）において前述した信号処理方法を用いてマスク及びウェハの位置情報が高い精度をもって測定されるため、ウェハ上に既に形成されているパターンとウェハ上に転写するパターンとの重ね合わせ精度を向上させることができ、結果的に最小線幅が０．１μｍ程度の高集積度のデバイスを歩留まり良く生産することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の全体構成の概略を示す図である。
【図２】レーザ干渉計を用いた基板テーブルのＺ軸方向の位置計測方法を説明するための図である。
【図３】図２の要部構成を拡大して示す模式的な斜視図である。
【図４】レーザ干渉計を用いた補正情報の計測方法を説明するための図である。
【図５】レーザ干渉計を用いた補正情報の計測方法を説明するための図である。
【図６】レーザ干渉計を用いた補正情報の計測方法を説明するための図である。
【図７】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図８】半導体デバイスの場合における、図７のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
ＡＸ…光軸、１…マスク、１ａ…マスクステージ、３…投影光学系、４…基板ステージ、５…基板（試料）、６…定盤、７…ＸＹステージ（可動部）、８…基板テーブル（試料台）、９ａ，９ｂ，９ｃ…アクチュエータ（駆動系）、１１…架台、１７…主制御系（駆動系）、１８…駆動制御ユニット（駆動系）、１９…記憶部、２０…レーザ干渉計、２１…参照光（第２ビーム）、２２…計測光（第１ビーム）、２７，２８…折り曲げミラー（第３反射素子）、３０…参照ミラー（第２反射素子）、３７…計測ミラー（第１反射素子）、４０，４１…折り曲げミラー（光学素子）、４２…ビームシフタ（光学素子）、４５…補助参照ミラー（補助鏡）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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