(57)【要約】【課題】処理液を送液する際の応答性を確保しつつ、処理液の脈動を抑制する。【解決手段】基板処理装置のレジスト用ポンプからスリットノズルに向かう送液配管６３に、脈動防止機構６４を設ける。脈動防止機構６４は、送液配管６３の一部として機能する本体部６４０と、外力によって変形する膜部材６４１と、気体圧力を調整するレギュレータ６４２とを備える。本体部６４０内に膜部材６４１を取り付け、その内部に空気を封入する。また、諸条件（例えば、塗布条件や周辺環境条件）に応じて、レギュレータ６４２によって内部に封入された空気の圧力を調整する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を塗布する基板処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、
処理液が流れる流路と、
前記流路の一部を構成し、処理液を吐出するポンプと、
前記流路のうち、前記ポンプから下流側に設けられる脈動防止機構と、
前記ポンプから吐出された処理液を、前記保持手段に保持された基板に向けて吐出するスリットノズルと、
前記スリットノズルと前記基板とを相対的に移動させる移動手段と、
を備え、
前記脈動防止機構が、
前記流路内の処理液と所定の気体とを隔てる可撓性の隔壁部材と、
前記所定の気体の圧力を調整する圧力制御手段と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
処理液を送液する送液システムであって、
処理液が流れる流路と、
前記流路の一部を構成し、処理液を所定の方向に吐出するポンプと、
前記流路のうち、前記ポンプから下流側に設けられる脈動防止機構と、
を備え、
前記脈動防止機構が、
前記流路内の処理液と所定の気体とを隔てる可撓性の隔壁部材と、
前記所定の気体の圧力を調整する圧力制御手段と、
を有することを特徴とする送液システム。
【請求項３】
請求項２に記載の送液システムであって、
前記流路の一部を構成するとともに、前記ポンプから吐出される処理液を導く送液配管を備え、
前記脈動防止機構は、前記送液配管に設けられていることを特徴とする送液システム。
【請求項４】
請求項２に記載の送液システムであって、
前記脈動防止機構は、前記ポンプに設けられていることを特徴とする送液システム。
【請求項５】
請求項２に記載の送液システムであって、
前記ポンプから吐出された処理液を外部に吐出させるノズルを備え、
前記脈動防止機構は、前記ノズルに設けられていることを特徴とする送液システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶用ガラス角形基板、半導体ウエハ、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板（以下、単に「基板」と称する）等の表面に処理液を塗布する技術に関する。より詳しくは、処理液を塗布する際に、高精度に処理液を送液する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の製造工程では、フォトレジストなどの処理液を基板の表面に塗布する基板処理装置が用いられる。このような基板処理装置では、スリット状の吐出部を有するスリットノズルに処理液を送液して、これにより基板の表面に向けて処理液を吐出して塗布処理（スリットコート）を行うものや、前述のスリットコートを行ってから基板を回転させる塗布処理（スリット＆スピンコート）を行うものが知られている。
【０００３】
スリットノズルに処理液を送液する機構としては、一般にポンプ（シリンジポンプ、ベローズポンプ、ギアポンプ、ダイヤフラムポンプ、あるいはチューブポンプなど）を用いる場合と、一定圧力にて処理液を送液する場合（圧送型）が考えられる。スリットコート（またはスリット＆スピンコート）を行う基板処理装置では、スリットノズルの移動速度と、処理液の送液速度とによって、基板の表面に塗布される薄膜の膜厚が決定される。また、基板の製造工程においては膜厚の均一性が特に要求される。したがって、このような基板処理装置では送液時の定流量性が重要となるため、定流量性が最も得られやすいシリンジポンプを用いた基板処理装置が提案されている。
【０００４】
図８は、シリンジポンプ１００を用いて、処理液を送液する機構を示す概略側面図である。なお、図８において、基板Ｗは、基板処理装置に保持された状態を示すものではなく、図示の都合上、平面図として示している。また、Ｄ３方向は基板Ｗの表面に対する方向として示すものである。
【０００５】
従来の基板処理装置は、図８において図示しない処理液ボトルと、シリンジポンプ１００とを供給配管を介して連通接続し、バルブ１０８を開閉制御することにより供給配管を開閉する。また、シリンジポンプ１００とスリットノズル１１０とを、吐出配管を介して連通接続し、バルブ１０９を開閉制御することにより吐出配管を開閉する。
【０００６】
シリンジポンプ１００は、主に処理液を貯留するための構成として、本体部１０１および摺動部１０２を備える。また、処理液を動かす機構として、ピストン１０３、回転モータ（サーボモータやステッピングモータなど）１０４、送りネジ１０５、スライド部１０６、およびガイド１０７を備える。
【０００７】
シリンジポンプ１００では、回転モータ１０４により送りネジ１０５が回転することにより、図示しないハーフナットを介してスライド部１０６がガイド１０７に沿って移動する。スライド部１０６の移動方向は、回転モータ１０４の回転方向によって、図８に示すＤ１方向またはＤ２方向のいずれかとなる。
【０００８】
スライド部１０６がＤ１方向に移動すれば、ピストン１０３は本体部１０１から退出する。これによって、本体部１０１の内容積が増加して、本体部１０１内の処理液が減圧される。このときバルブ１０８を開放しておけば、処理液ボトル内の処理液がシリンジポンプ１００に向けて吸引される。また、このときバルブ１０９を閉鎖しておけば、スリットノズル１１０内の処理液が吐出配管側からシリンジポンプ１００側に逆流することはない。シリンジポンプ１００が処理液を吸引している間（あるいはピストン１０３が静止状態にある間）は、スリットノズル１１０から処理液が吐出されることはない。
【０００９】
一方、スライド部１０６がＤ２方向に移動すれば、スライド部１０６がピストン１０３を本体部１０１内に進出させる。これによって、本体部１０１の内容積が減少して、本体部１０１内の処理液が加圧される。このときバルブ１０８を閉鎖しておけば、シリンジポンプ１００内の処理液が処理液ボトルに向けて逆流することはない。また、このときバルブ１０９を開放しておけば、本体部１０１内の処理液が吐出配管側からスリットノズル１１０に向けて送液される。シリンジポンプ１００内の処理液がスリットノズル１１０に送液されている間は、スリットノズル１１０から処理液が吐出される。
【００１０】
従来の基板処理装置は、スリットノズル１１０から処理液を吐出させている間に、スリットノズル１１０と基板Ｗとを相対的に移動させて、スリットノズル１１０によって基板Ｗの表面をＤ３方向に走査する。これによって、基板Ｗの表面に処理液を薄膜状に塗布する。
【００１１】
ところが、シリンジポンプ１００では、回転モータ１０４の回転により送りネジ１０５を介してスライド部１０６を移動させるので、移動中のスライド部１０６は微小に振動しており、この振動がピストン１０３に伝播する。また、ピストン１０３が移動する際にも、摺動部１０２とピストン１０３との間で振動が発生する。このようにピストン１０３が移動中に振動すると、シリンジポンプ１００から送液される処理液が脈動するため、図８に示すように、基板Ｗに塗布された薄膜には、塗布方向（Ｄ３方向）に垂直な方向に沿ったスジ状の塗布ムラが生じるという問題がある。
【００１２】
先述のように、スリットノズルを用いて塗布処理を行う基板処理装置では、基板Ｗの表面に形成される薄膜の均一性が要求される。したがって、従来より、この問題を解決するための技術が提案されており、例えば、特許文献１，２に記載されている。
【００１３】
特許文献１に記載されている技術は、ピストンとスライダ部との間にコイルバネを装着して、脈動をコイルバネで吸収する構成となっている。一方、特許文献２に記載されている技術は、シリンジポンプとスリットノズルとの間に脈動防止器を設ける構成となっている。
【００１４】
【特許文献１】特開平８−１７３５３４号公報
【特許文献２】特開平５−０３１４３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところが、特許文献１に記載されている技術では、回転モータなどの駆動系で発生する脈動を抑制することはできるが、ピストンと摺動部との間で発生する振動は吸収することができず、脈動による塗布ムラが依然として発生するという問題があった。
【００１６】
また、応答性の低下が著しく、応答性を確保するためにコイルバネを堅くすると、脈動抑制効果が低下しすぎるという問題があった。なお、応答性が低下すると、塗布開始部分における薄膜の膜厚を適切に制御することができず、薄膜端部に塗布ムラを生じる。
【００１７】
特許文献２に記載されている技術においても、脈動防止装置における圧力損失が比較的大きく、応答性が低下するという問題があった。特許文献２に記載されている技術は、磁気テープなどのように連続した被塗布物に対してはある程度有効であるが、枚葉の被塗布物（基板Ｗ）に対しては、特許文献１と同様に塗布開始部分における膜厚のバラツキを制御できない。
【００１８】
また、これらの構成では、応答性の調整が容易でなく、処理液の種類や基板の製造条件に応じて、適切な応答性を確保しずらいという問題もあった。
【００１９】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、送液時における処理液の脈動を抑制して、塗布ムラを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上記の課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に処理液を塗布する基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、処理液が流れる流路と、前記流路の一部を構成し、処理液を吐出するポンプと、前記流路のうち、前記ポンプから下流側に設けられる脈動防止機構と、前記ポンプから吐出された処理液を、前記保持手段に保持された基板に向けて吐出するスリットノズルと、前記スリットノズルと前記基板とを相対的に移動させる移動手段とを備え、前記脈動防止機構が、前記流路内の処理液と所定の気体とを隔てる可撓性の隔壁部材と、前記所定の気体の圧力を調整する圧力制御手段とを有することを特徴とする。
【００２１】
また、請求項２の発明は、処理液を送液する送液システムであって、処理液が流れる流路と、前記流路の一部を構成し、処理液を所定の方向に吐出するポンプと、前記流路のうち、前記ポンプから下流側に設けられる脈動防止機構とを備え、前記脈動防止機構が、前記流路内の処理液と所定の気体とを隔てる可撓性の隔壁部材と、前記所定の気体の圧力を調整する圧力制御手段とを有することを特徴とする。
【００２２】
また、請求項３の発明は、請求項２の発明に係る送液システムであって、前記流路の一部を構成するとともに、前記ポンプから吐出される処理液を導く送液配管を備え、前記脈動防止機構は、前記送液配管に設けられていることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項４の発明は、請求項２の発明に係る送液システムであって、前記脈動防止機構は、前記ポンプに設けられていることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項５の発明は、請求項２の発明に係る送液システムであって、前記ポンプから吐出された処理液を外部に吐出させるノズルを備え、前記脈動防止機構は、前記ノズルに設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１ないし５に記載の発明は、脈動防止機構が、流路内の処理液と所定の気体とを隔てる可撓性の隔壁部材と、所定の気体の圧力を調整する圧力制御手段とを有することにより、処理液の脈動の抑制と、吐出の応答性とのバランスを調整することができる。
【００２６】
請求項４に記載の発明では、脈動防止機構は、ポンプに設けられていることにより、部品点数を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の好適な実施の形態について、添付の図面を参照しつつ、詳細に説明する。
【００２８】
＜１．  第１の実施の形態＞
図１は、本発明の実施の形態に係る基板処理装置１の概略を示す斜視図である。なお、図１において、図示および説明の都合上、Ｚ軸方向が鉛直方向を表し、ＸＹ平面が水平面を表すものとして定義するが、それらは位置関係を把握するために便宜上定義するものであって、以下に説明する各方向を限定するものではない。以下の図についても同様である。
【００２９】
基板処理装置１は、本体２と制御部８とに大別され、液晶表示装置の画面パネルを製造するための角形ガラス基板を被処理基板（以下、単に「基板」と称する）９０としており、基板９０の表面に形成された電極層などを選択的にエッチングするプロセスにおいて、基板９０の表面に処理液としてのレジスト液を塗布する塗布処理装置として構成されている。したがって、この実施の形態では、スリットノズル４１はレジスト液を吐出するようになっている。なお、基板処理装置１は、液晶表示装置用のガラス基板だけでなく、一般に、フラットパネルディスプレイ用の種々の基板に処理液を塗布する装置として変形利用することもできる。
【００３０】
本体２は、基板９０を載置して保持するための保持台として機能するとともに、付属する各機構の基台としても機能するステージ３を備える。ステージ３は直方体形状を有する例えば一体の石製であり、その上面（保持面３０）および側面は平坦面に加工されている。
【００３１】
ステージ３の上面は水平面とされており、基板９０の保持面３０となっている。保持面３０には図示しない多数の真空吸着口が分布して形成されており、基板処理装置１において基板９０を処理する間、基板９０を吸着することにより、基板９０を所定の水平位置に保持する。また、保持面３０には、図示しない駆動手段によって上下に昇降自在な複数のリフトピンＬＰが、適宜の間隔をおいて設けられている。リフトピンＬＰは、基板９０を取り除く際に基板９０を押し上げるために用いられる。
【００３２】
保持面３０のうち基板９０の保持エリア（基板９０が保持される領域）を挟んだ両端部には、略水平方向に平行に伸びる一対の走行レール３１が固設される。走行レール３１は、架橋構造４の両端部の最下方に固設される図示しない支持ブロックとともに、架橋構造４の移動を案内（移動方向を所定の方向に規定）し、架橋構造４を保持面３０の上方に支持するリニアガイドを構成する。
【００３３】
本体２の保持面３０において、保持エリアの（−Ｘ）方向側には、開口３２が設けられている。開口３２はスリットノズル４１と同じくＹ軸方向に長手方向を有し、かつ該長手方向長さはスリットノズル４１の長手方向長さとほぼ同じである。
【００３４】
図１においては図示を省略しているが、開口３２の下方の本体２の内部には、スリットノズル４１の状態を正常化するための予備塗布機構や、待機中のスリットノズル４１の乾燥を抑制するための待機ポッドなどが設けられている。待機ポットは、レジスト用ポンプ６１（図２）からレジスト液が排出される際にも使用される。
【００３５】
ステージ３の上方には、このステージ３の両側部分から略水平に掛け渡された架橋構造４が設けられている。架橋構造４は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部４０と、その両端を支持する昇降機構４３，４４とから主に構成される。
【００３６】
ノズル支持部４０には、スリットノズル４１が取り付けられている。図１においてＹ軸方向に長手方向を有するスリットノズル４１には、スリットノズル４１へレジスト液を供給するレジスト供給機構６（図２）が接続されている。
【００３７】
スリットノズル４１は、基板９０の表面を走査しつつ、供給されたレジスト液を基板９０の表面の所定の領域（以下、「レジスト塗布領域」と称する。）に吐出することにより、基板９０にレジスト液を塗布する。なお、レジスト塗布領域とは、基板９０の表面のうちでレジスト液を塗布しようとする領域であって、通常、基板９０の全面積から、端縁に沿った所定幅の領域を除いた領域である。
【００３８】
昇降機構４３，４４は、スリットノズル４１の両側に分かれて、ノズル支持部４０によりスリットノズル４１と連結されている。昇降機構４３，４４は主にＡＣサーボモータ４３ａ，４４ａおよび図示しないボールネジからなり、制御部８からの制御信号に基づいて、架橋構造４の昇降駆動力を生成する。これにより、昇降機構４３，４４は、スリットノズル４１を並進的に昇降させる。また、昇降機構４３，４４は、スリットノズル４１のＹＺ平面内での姿勢を調整するためにも用いられる。
【００３９】
架橋構造４の両端部には、ステージ３の両側の縁側に沿って、それぞれ固定子（ステータ）５０ａと移動子５０ｂおよび固定子５１ａと移動子５１ｂを備える一対のＡＣコアレスリニアモータ（以下、単に、「リニアモータ」と略する。）５０，５１が、それぞれ固設される。また、架橋構造４の両端部には、それぞれスケール部と検出子とを備えたリニアエンコーダ５２，５３が、それぞれ固設される。リニアエンコーダ５２，５３は、リニアモータ５０，５１の位置を検出する。これらリニアモータ５０，５１とリニアエンコーダ５２，５３とが主として、架橋構造４が走行レール３１に案内されつつステージ３上を移動するための移動機構を構成する。制御部８は、リニアエンコーダ５２，５３からの検出結果に基づいてリニアモータ５０，５１の動作を制御し、ステージ３上における架橋構造４の移動、つまりはスリットノズル４１による基板９０の走査を制御する。
【００４０】
図２は、主にレジスト供給機構６およびスリットノズル４１を示す図である。レジスト供給機構６は、レジスト液を貯留し供給するレジストボトル６０、レジスト液をスリットノズル４１に向けて送液するレジスト用ポンプ６１、レジストボトル６０から供給されるレジスト液をレジスト用ポンプ６１に導く流路となる供給配管６２、レジスト用ポンプから吐出されたレジスト液をスリットノズル４１に導く流路となる送液配管６３、および脈動防止機構６４を備える。
【００４１】
また、供給配管６２にはバルブ６５、送液配管６３にはバルブ６６がそれぞれ設けられており、制御部８からの制御信号により供給配管６２および送液配管６３をそれぞれ任意のタイミングで開閉することが可能とされている。
【００４２】
レジスト用ポンプ６１は、本体部６１０、ピストン６１１、および駆動機構６１２を備え、先述のようにレジストボトル６０からスリットノズル４１に向けてレジスト液を送液する機能を有している。
【００４３】
レジスト用ポンプ６１の本体部６１０は、シリンジ６１３、蓋部材６１４および摺動部６１５を備え、内部にレジスト液を貯留する。レジスト用ポンプ６１は、いわゆるシリンジポンプに分類されるポンプであるが、基板処理装置１に用いるポンプはシリンジポンプに限られるものではない。
【００４４】
シリンジ６１３は、両端が開放した略円筒状の中空構造を有しており、中心軸がＺ軸方向にほぼ沿うように配置される。シリンジ６１３のＺ軸方向の両端部には、シリンジ６１３の開放端を塞ぐように、それぞれ蓋部材６１４および摺動部６１５が固設される。このように、蓋部材６１４および摺動部６１５が配置されることによって、レジスト液を貯留する空間がシリンジ６１３の内部に形成される。また、シリンジ６１３の側面には吸引口６１３ａが設けられ、供給配管６２が連通接続される。なお、シリンジ６１３の材質としてはＳＵＳ（ステンレス）やガラスが用いられる。
【００４５】
蓋部材６１４には、蓋部材６１４を貫通するように吐出口６１４ａが設けられている。吐出口６１４ａは、蓋部材６１４の中央部に設けられており、蓋部材６１４の（−Ｚ）側の面は中央部の吐出口６１４ａに向けて傾斜した形状となっている。吐出口６１４ａには送液配管６３が連通接続される。また、摺動部６１５は、中央部に貫通孔が形成された部材であって、当該貫通孔を貫くようにピストン６１１が挿入される。
【００４６】
ピストン６１１は長軸がＺ軸方向に沿って配置される略円柱状の部材である。ピストン６１１の（＋Ｚ）側は、蓋部材６１４に迎合するように、中央部が突出した形状となっている。また、（−Ｚ）側は駆動機構６１２に連結されている。これによりピストン６１１は、駆動機構６１２によってＺ軸方向に進退する。さらに、ピストン６１１と摺動部６１５との間は、レジスト液が漏れ出さないように、例えばＯリングなどによってシールされている。
【００４７】
駆動機構６１２は、スライダ部６１６、ボールネジ６１７、一対のガイド６１８および回転モータ６１９を備え、主にピストン６１１をＺ軸方向に進退移動させるための直動駆動力を生成する。
【００４８】
スライダ部６１６は、ピストン６１１と連結されており、図示しないナット部にボールネジ６１７が螺入される。また、スライダ部６１６のＹ軸方向の両端部には、ガイド６１８が挿入されており、スライダ部６１６はガイド６１８によって移動方向がＺ軸方向となるように規定されている。
【００４９】
回転モータ６１９は、Ｚ軸に略平行な軸を中心とした回転駆動力を生成するモータであって、回転モータ６１９の回転方向および回転速度は制御部８によって制御される。回転モータ６１９は生成した回転駆動力をボールネジ６１７に伝達する。これにより、ボールネジ６１７は軸心周りに回転する。
【００５０】
先述のように、スライダ部６１６は一対のガイド６１８によって移動方向がＺ軸方向に規定されており、回転しないように支持されている。したがって、スライダ部６１６のナット部に螺入されたボールネジ６１７が回転モータ６１９によって回転すると、その回転方向に応じて、スライダ部６１６はガイド６１８に沿う方向（Ｚ軸方向）に移動する。
【００５１】
図２に示すように、脈動防止機構６４は、レジスト用ポンプ６１の二次側（より詳しくはバルブ６６とスリットノズル４１との間）に設けられている。図３は、主に脈動防止機構６４を示す図である。
【００５２】
脈動防止機構６４は、本体部６４０、膜部材６４１およびレギュレータ６４２を備える。本体部６４０は、円筒管状の部材であって、その両端は送液配管６３に連通接続されている。すなわち、本体部６４０は送液配管６３の一部を構成するように配置されており、レジスト用ポンプ６１からスリットノズル４１に送液されるレジスト液の流路を構成する。
【００５３】
本体部６４０によって形成されるレジスト液の流路内には、膜部材６４１が固定されている。本体部６４０と膜部材６４１との間の空間には、図３に示すように空気（気体）が封入されている。すなわち、膜部材６４１は、封入された空気が流路内のレジスト液に混入しないように本体部６４０に密着固定されており、流路内のレジスト液と空気とを隔てる隔膜（隔壁）として機能する。
【００５４】
また、膜部材６４１は可撓性の部材であって、内外の圧力変化に応じて変形する材料で構成されている。膜部材６４１の材料としては、本実施の形態においてはＰＴＦＥ（Poly Tetra Fluoro Ethylen）を用いるが、薬剤に対する耐性が高く、可撓性のあるものであればどのような材料であってもよい。
【００５５】
このように、本体部６４０および膜部材６４１によって、流路内に、流路内のレジスト液と隔離された空間が形成され、当該空間に空気が閉じこめられた構造が形成されている。そして、閉じこめられた空気の圧力によって、通常時は膜部材６４１に微小の張力が加わっている。以下、このような構造を「脈動吸収構造」と称する。なお、脈動吸収構造は、主に内外を隔てる部材（殻部材）と、内部に充填される物質（充填物質）とで構成される。そして、殻部材は外力によって変形自在な可撓性のある隔壁部材（本実施の形態においては膜部材６４１）を有しており、その隔壁部材が流路内のレジスト液と接触していればよい。また、充填物質（本実施の形態においては空気）は、圧力によって体積変化する物質であればよい。例えば、殻部材の全てが隔壁部材で構成されてもよいし、充填物質として固体が使用される場合には、隔壁部材が充填物質で構成されていてもよい。
【００５６】
詳細な構造は省略するが、レギュレータ６４２は一般的な気圧調整装置であって、制御部８による制御が可能とされている。膜部材６４１の内部に封入されている空気の圧力は、レギュレータ６４２によって精密に調整することが可能とされている。なお、膜部材６４１の内部の空気圧力を、以下、単に「内圧」と略する。
【００５７】
本実施の形態における基板処理装置１では、脈動吸収構造の有する弾力性によってレジスト液の脈動を防止する。この脈動吸収構造の弾力性は内圧によって変化する。したがって、レギュレータ６４２によって内圧を調整することによって、脈動吸収構造の弾力性を調整することができる。
【００５８】
図１に戻って、制御部８は、プログラムに従って各種データを処理する演算部８０、プログラムや各種データを保存する記憶部８１を内部に備える。また、前面には、オペレータが基板処理装置１に対して必要な指示を入力するための操作部８２、および各種データを表示する表示部８３を備える。
【００５９】
制御部８は、図１においては図示しないケーブルにより本体２に付属する各機構と電気的に接続されている。制御部８は、操作部８２からの入力信号や、図示しない各種センサなどからの信号に基づいて、昇降機構４３，４４による昇降動作、リニアモータ５０，５１によるスリットノズル４１の走査動作などを制御する。
【００６０】
特に、制御部８は、駆動機構６１２、バルブ６５およびバルブ６６を制御する。すなわち、制御部８は、レジスト供給機構６によるスリットノズル４１へのレジスト液の供給動作（送液動作）を制御する。
【００６１】
また、制御部８は、レギュレータ６４２を制御して、レギュレータ６４２に膜部材６４１の内部の気圧を適切な値に調整させる。すなわち、制御部８は、塗布処理を行う際の諸条件に応じて、内圧を制御する。
【００６２】
なお、制御部８の構成のうち、記憶部８１の具体的例としては、データを一時的に記憶するＲＡＭ、読み取り専用のＲＯＭ、および磁気ディスク装置などが該当する。ただし、記憶部８１は、可搬性の光磁気ディスクやメモリーカードなどの記憶媒体、およびそれらの読み取り装置により代用されてもよい。また、操作部８２には、ボタンおよびスイッチ類（キーボードやマウスなどを含む。）などが該当するが、タッチパネルディスプレイのように表示部８３の機能を兼ね備えたものであってもよい。表示部８３には、液晶ディスプレイや各種ランプなどが該当する。
【００６３】
以上が、基板処理装置１の構成および機能についての説明である。次に、スリットノズル４１によるレジスト液の塗布動作について概説する。なお、特に断らない限り、以下の動作は、制御部８からの制御信号によって制御される。
【００６４】
基板処理装置１は、塗布処理を開始する前に、まず初期設定を行う。初期設定には、オペレータの作業を要する工程と、基板処理装置１が自動的に行う工程とが含まれる。前者の例としては、レジスト液の交換作業やスリットノズル４１の取り付け作業などが該当し、後者の例としては、レシピの読み出し（各種設定値の取得）などが該当する。
【００６５】
本実施の形態における基板処理装置１では、この初期設定において、内圧調整が行われる。具体的な処理としては、制御部８が記憶部８１に記憶されている設定値（適切な内圧値）を取得して、当該設定値となるようにレギュレータ６４２を制御することにより行われる。
【００６６】
基板処理装置１における塗布処理では、脈動を抑制すると同時に、必要な応答性を確保することが、塗布ムラを抑制するために特に重要となる。脈動を抑制する度合いを「脈動抑制指数」、応答性の度合いを「応答指数」と便宜上定義すると、脈動抑制指数は内圧を低下させると向上し、応答指数は内圧を低下させると低下する。このように、基板処理装置１の脈動防止機構６４によってレジスト液の脈動を抑制しようとすれば、従来の装置と同様に応答性が犠牲となる。
【００６７】
一般に、必要とされる応答指数および脈動抑制指数は、処理する基板９０に要求される製品条件（例えば、パターンの許容誤差、レジスト液の種類、形成する膜の厚み、端部精度等）によって異なる。したがって、塗布処理においては、基板９０ごとに適切な応答指数および脈動抑制指数に調整されることが好ましい。
【００６８】
本実施の形態における基板処理装置１は、レギュレータ６４２が内圧を調整することによって、基板９０ごとに適切な応答指数および脈動抑制指数となるように調整することができる。
【００６９】
このように、基板処理装置１では初期設定において、レギュレータ６４２によって、処理する基板９０に応じた適切な応答指数および脈動抑制指数になるように内圧の調整が行われる。
【００７０】
なお、応答指数および脈動抑制指数は、送液速度（レジスト液の流量）、レジスト液の温度、外気圧等、塗布処理が行われるときの周辺条件によっても変化する。記憶部８１には、これらの諸条件に応じた適正な設定値が、予め実験等により求められ記憶されている。制御部８は、温度計、圧力計、流量計等の各種センサー出力値や、レシピ内容あるいはオペレータからの指示（マニュアル操作）等によって、これら諸条件を取得する。そして、制御部８は取得した諸条件に応じて、適正な設定値を読み出してレギュレータ６４２を制御する。
【００７１】
このように、基板処理装置１では、諸条件に応じて内圧を調整することができるため、応答指数を許容範囲に維持しつつ、脈動抑制指数を向上させることができる。したがって、このような調整を行うことのできない従来の装置に比べて、精度のよい塗布処理を行うことができる。特に、従来の装置では、脈動を抑制するために応答性が低下しすぎるという問題があったが、基板処理装置１はこれを適切に防止することができる。
【００７２】
また、脈動防止機構６４がレジスト用ポンプ６１の二次側に設けられているので、駆動機構６１２で発生する脈動のみならず、ピストン６１１とシリンジ６１３との間で発生する脈動も抑制することができる。
【００７３】
初期設定が終了すると、基板処理装置１は基板９０が搬送されてくるまで待機する。
【００７４】
基板処理装置１への基板９０の搬送は、オペレータまたは図示しない搬送機構が基板９０をリフトピンＬＰに受け渡すことにより行われる。リフトピンＬＰは、基板９０を受け取ると、下降を開始してステージ３内に埋没することにより、受け取った基板９０を保持面３０に載置する。これにより、基板９０がステージ３の保持面３０の所定位置に載置され、さらに吸着保持される。
【００７５】
基板９０が保持されると、リニアモータ５０，５１が、スリットノズル４１を塗布開始位置に移動させるとともに、昇降機構４３，４４が所定の高さにスリットノズル４１の高さを調節する。塗布開始位置とは、基板９０のレジスト塗布領域の（−Ｘ）側端辺にスリットノズル４１がほぼ沿う位置である。
【００７６】
これらの位置調整が完了次第、レジスト供給機構６がスリットノズル４１にレジスト液を供給する。具体的には、レジスト供給機構６は、制御部８からの制御信号に応じて、バルブ６５を閉鎖し、バルブ６６を開放した状態で、駆動機構６１２によってピストン６１１を（＋Ｚ）方向に移動させる。これにより、シリンジ６１３内のレジスト液が加圧されて、レジスト液は吐出口６１４ａからスリットノズル４１に向けて送液され供給される。
【００７７】
このとき、レジスト用ポンプ６１から吐出されるレジスト液には脈動が生じている。レジスト液の脈動とは、レジスト液の圧力変化が伝播することと言い換えることができ、このような圧力変化が伝播しないようにすれば、レジスト液の脈動は抑制され、スリットノズル４１からレジスト液が均一に吐出される。
【００７８】
脈動防止機構６４は、レジスト液の圧力が上昇した場合には、この圧力上昇によって膜部材６４１内の空気が圧縮され体積が減少する。すなわち、上流側で生じた圧力上昇は、膜部材６４１内の空気の収縮によって吸収される。これにより、脈動防止機構６４は、上流側の圧力上昇を下流側に伝播させないように抑制する。
【００７９】
一方、レジスト液の圧力が低下した場合は、この圧力低下によって膜部材６４１内の空気が膨張して体積が増加する。すなわち、上流側で生じた圧力低下は、膜部材６４１内の空気の膨張によって吸収される。これにより、脈動防止機構６４は、上流側の圧力低下を下流側に伝播させないように抑制する。
【００８０】
このようにして、レジスト用ポンプ６１から吐出され脈動した状態のレジスト液は、スリットノズル４１に供給される前に脈動防止機構６４を通過するため、脈動が抑制された状態でスリットノズル４１に供給される。したがって、スリットノズル４１は均一にレジスト液を吐出することができる。
【００８１】
レジスト供給機構６によるレジスト液の供給動作と並行して、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を所定の速さで（＋Ｘ）方向に移動させることにより、基板９０へのレジスト液の塗布、つまりは塗布処理が行われる。先述のように、スリットノズル４１からは均一にレジスト液を吐出させることができるので、基板処理装置１は、図８に示すようなスジ状の塗布ムラを抑制することができる。
【００８２】
スリットノズル４１が（＋Ｘ）方向に移動して、レジスト塗布領域の（＋Ｘ）側端辺に到達すると塗布処理が終了する。また、塗布処理が終了すると、リニアモータ５０，５１が架橋構造４を移動させることにより、スリットノズル４１は待機位置に復帰する。なお、待機位置とは、スリットノズル４１が処理を行わずに待機する位置であって、基板９０が搬出入される際に、基板９０とスリットノズル４１とが干渉しない位置である。
【００８３】
スリットノズル４１が待機位置に移動すると、ステージ３の保持面３０が基板９０の吸着を停止して、基板９０が装置外に搬出される。さらに、基板処理装置１は、続けて処理する他の基板９０が存在するか否かを判定し、他の基板９０が存在する場合は処理を繰り返す。一方、処理すべき他の基板９０が存在しない場合には処理を終了する。
【００８４】
以上のように、本実施の形態における基板処理装置１は、脈動防止機構６４が、流路内のレジスト液と空気とを隔てる可撓性の膜部材６４１と、空気の圧力を調整するレギュレータ６４２とを有することにより、レジスト液の脈動の抑制と、吐出の応答性とを容易に調整することができる。したがって、基板９０の製品条件や塗布処理時の周辺条件等に応じて、適切な応答性を確保しつつ、レジスト液の脈動を抑制することができる。
【００８５】
＜２．  第２の実施の形態＞
第１の実施の形態では、脈動吸収構造は送液配管６３に設けられていた。しかし、脈動吸収構造を設ける位置は上記実施の形態に示す位置に限られるものではない。脈動を発生させる原因となっているポンプ（レジスト用ポンプ）から下流側であればどこに設けられていてもよい。
【００８６】
図４は、このような原理に基づいて構成した第２の実施の形態におけるレジスト供給機構６ａを示す概略図である。なお、本実施の形態におけるレジスト供給機構６ａの構成のうち、第１の実施の形態におけるレジスト供給機構６と同様の構成には同符号を付す。また、図４において、レジスト供給機構６と同様の構成については、適宜図示を省略する。符号および図示については、以下の実施の形態においても同様に扱うものとする。
【００８７】
レジスト供給機構６ａは、レジスト用ポンプ６１ａと脈動防止機構６４ａとが一体的に構成されている。より詳しく言えば、脈動防止機構６４ａの脈動吸収構造がレジスト用ポンプ６１ａに設けられており、レギュレータ６４２がレジスト用ポンプ６１ａに接続されている。
【００８８】
レジスト用ポンプ６１ａは、レジスト液を貯留するシリンジ部分（第１の実施の形態におけるシリンジ６１３に相当する部分）が、（＋Ｚ）側に配置されるシリンジ６１３ｂと、（−Ｚ）側に配置されるシリンジ６１３ｃに分割されている。シリンジ６１３ｂとシリンジ６１３ｃとは、脈動防止機構６４ａの本体部６４０ａによって固定されている。これによって、レジスト用ポンプ６１ａのシリンジ６１３ｂ，６１３ｃおよび脈動防止機構６４ａの本体部６４０ａは一体の部材として形成されており、これらの部材が兼用されている。これによって、本実施の形態ではレジスト供給機構６ａにおける部品点数を減らすことができる。
【００８９】
また、シリンジ６１３ｂとシリンジ６１３ｃとの間には、脈動防止機構６４ａの膜部材６４１が設けられている。そして、本体部６４０ａと膜部材６４１との間の空間には空気が封入されており、第１の実施の形態と同様にレギュレータ６４２によって気圧の調整が可能とされている。
【００９０】
図４に示すように、本実施の形態における脈動吸収構造も、シリンジ６１３ｂ，６１３ｃによって形成されるレジスト液の流路内に設けられ、膜部材６４１は流路内のレジスト液に接触している。
【００９１】
なお、本実施の形態における基板処理装置１の動作は第１の実施の形態とほぼ同様であるため、説明を省略する。以下の実施の形態においても同様である。
【００９２】
以上のように、脈動防止機構６４ａ（脈動吸収構造）が、レジスト用ポンプ６１ａに設けられた構成によっても第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９３】
＜３．  第３の実施の形態＞
第２の実施の形態では、脈動吸収構造をポンプのシリンジに設ける例について説明したが、これに限られるものではない。
【００９４】
図５は、このような原理に基づいて構成した第３の実施の形態におけるレジスト供給機構６ｂを示す概略図である。
【００９５】
レジスト供給機構６ｂは、レジスト用ポンプ６１ｂと脈動防止機構６４ｂとが一体的に構成されている。すなわち、第２の実施の形態と同様、脈動吸収構造がレジスト用ポンプ６１ｂに設けられている。
【００９６】
レジスト用ポンプ６１ｂは、円盤状の蓋部材６１４ｂに脈動防止機構６４ｂの膜部材６４１が固定されている。すなわち、上記実施の形態における本体部６４０，６４０ａに相当する部材として蓋部材６１４ｂが利用される。そして、蓋部材６１４ｂと膜部材６４１との間の空間には空気が封入されており、脈動吸収構造が形成されている。
【００９７】
また、第１・第２の実施の形態と同様にレギュレータ６４２によって、膜部材６４１によってレジスト液と隔てられた空気（内封された空気）の圧力の調整が可能とされている。
【００９８】
以上のように、脈動防止機構６４ｂ（脈動吸収構造）が、蓋部材６１４ｂに設けられていても、膜部材６４１によって封入された構造がレジスト液の流路内（シリンジ６１３ｄ内）に存在するため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００９９】
＜４．  第４の実施の形態＞
脈動吸収構造をポンプに取り付ける位置は、第２・第３の実施の形態に示すものに限られるものではない。例えば、脈動吸収構造は、移動する部材に取り付けられていてもよい。
【０１００】
図６は、このような原理に基づいて構成した第４の実施の形態におけるレジスト供給機構６ｃを示す概略図である。
【０１０１】
本実施の形態におけるレジスト用ポンプ６１ｃのピストン６１１ａは、（＋Ｚ）方向の先端部に脈動防止機構６４ｃの膜部材６４１が取り付けられている。そして、ピストン６１１ａと膜部材６４１との間に空気を封入する空間が設けられ、脈動吸収構造が形成されている。すなわち、本実施の形態における脈動防止機構６４ｃでは、レジスト用ポンプ６１ｃが駆動されると、脈動吸収構造がそれに伴って移動する構造となっている。
【０１０２】
また、図６に示すように、ピストン６１１ａ内に配管が設けられており、これがレギュレータ６４２と接続されている。これによって、本実施の形態におけるレジスト供給機構６ｃにおいても、脈動防止機構６４ｃの内圧を調整できるようにされている。
【０１０３】
以上のように、脈動防止機構６４ｃ（脈動吸収構造）が、ピストン６１１ａに設けられていても、膜部材６４１によって封入された構造がレジスト液の流路内（シリンジ６１３内）に存在するため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１０４】
＜５．  第５の実施の形態＞
上記実施の形態では、脈動吸収構造を配管あるいはポンプに設ける例について説明したが、脈動吸収構造を配置する位置はこれに限られるものではない。
【０１０５】
図７は、このような原理に基づいて構成した第５の実施の形態におけるレジスト供給機構６ｄおよびスリットノズル４１を示す概略図である。なお、図７では、スリットノズル４１のＸＺ平面における断面を示している。
【０１０６】
図７に示すように、スリットノズル４１にはＹ軸方向にレジスト液を送液するためのチャンバが設けられている。このチャンバには図示しない供給口が設けられており、この供給口に送液配管６３が連通接続される。さらに、チャンバから（−Ｚ）方向にリップ空間が形成されており、リップ空間の（−Ｚ）側の開口部がスリットノズル４１の吐出口となっている。すなわち、チャンバおよびリップ空間はレジスト液の流路である。
【０１０７】
本実施の形態におけるレジスト供給機構６ｄでは、先述のチャンバの内面に、脈動防止機構６４ｄの膜部材６４１が取り付けられている。これにより、膜部材６４１は流路内のレジスト液と接する。
【０１０８】
そして、チャンバ内面と膜部材６４１との間に空気を封入する空間が形成されており、レギュレータ６４２と接続されている。したがって、本実施の形態における脈動防止機構６４ｄにおいても、レギュレータ６４２によって脈動防止機構６４ｄの内圧が調整できるようにされている。
【０１０９】
以上のように、脈動防止機構６４ｄが、スリットノズル４１に設けられていても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【０１１０】
＜６．  変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく様々な変形が可能である。
【０１１１】
例えば、脈動吸収構造は所定の位置に固定されていなくてもよい。
【０１１２】
また、脈動防止機構６４（６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ）の内圧の調整は、初期設定以外のタイミングで行ってもよい。例えば、所定枚数の基板９０を処理する毎に行ってもよいし、処理した基板９０を検査して、その処理結果をフィードバックして調整してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明に係る基板処理装置を示す斜視図である。
【図２】主に第１の実施の形態におけるレジスト供給機構およびスリットノズルを示す図である。
【図３】第１の実施の形態における脈動防止機構を示す図である。
【図４】第２の実施の形態におけるレジスト供給機構を示す概略図である。
【図５】第３の実施の形態におけるレジスト供給機構を示す概略図である。
【図６】第４の実施の形態におけるレジスト供給機構を示す概略図である。
【図７】第５の実施の形態におけるレジスト供給機構およびスリットノズルを示す図である。
【図８】従来の装置におけるレジスト液を供給する機構を説明する図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  基板処理装置
３  ステージ
３０  保持面
３１  走行レール（移動手段）
４１  スリットノズル
４３，４４  昇降機構（移動手段）
５０，５１  リニアモータ（移動手段）
６，６ａ，６ｂ，６ｃ，６ｄ  レジスト供給機構
６１，６１ａ，６１ｂ，６１ｃ  レジスト用ポンプ
６１１，６１１ａ  ピストン
６１３，６１３ｂ，６１３ｃ，６１３ｄ  シリンジ
６１４，６１４ｂ  蓋部材
６３  送液配管
６４，６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，６４ｄ  脈動防止機構
６４１  膜部材（隔壁部材）
６４２  レギュレータ（圧力制御手段）
８  制御部
９０  基板
【図１】
2006156655.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006156655.tif 000007
【図６】
2006156655.tif 000008
【図７】
2006156655.tif 000009
【図８】
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