(57)【要約】【課題】  基板上の自発光素子を直接封止材料で覆う封止構造を採用した自発光パネルの製造方法において、パネルの生産性を悪化させない製造方法を提供する。【解決手段】  自発光素子領域形成工程Ａと封止部材形成工程Ｂとを独立して行い、自発光素子領域形成工程Ａにて自発光素子領域を形成した基板と、封止部材形成工程Ｂにて封止材料の層を形成した封止基板とを封止工程Ｃにて貼り合わせる。表示領域形成工程Ａでは、前処理工程（Ｓ１）後に、自発光素子形成工程を経る（Ｓ２）。封止部材形成工程Ｂでは、封止部材を個々の封止基板毎の大きさに形成した（Ｓ３）後、これらの封止部材上に封止材料を付着させる（Ｓ４）。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、一対の電極間に挟持された発光層を含む自発光素子からなる自発光素子領域を形成する工程と、
前記自発光素子を封止する封止基板を前記自発光素子領域に応じた大きさに形成し、該封止基板上に封止材料を付着する工程と、
前記基板と前記封止基板とを貼り合わせて、前記自発光素子領域を前記封止材料で覆うことで前記自発光素子の封止を行う工程とを有することを特徴とする自発光パネルの製造方法。
【請求項２】
前記自発光素子領域は前記基板上に複数形成され、前記基板と前記封止基板とを貼り合わせた後に、前記基板を前記自発光素子領域毎に分割・切断することを特徴とする請求項１に記載された自発光パネルの製造方法。
【請求項３】
複数の前記封止基板を位置決め部材に支持した後、一括して前記基板に貼り合わせることを特徴とする請求項２に記載された自発光パネルの製造方法。
【請求項４】
前記自発光素子を前記封止基板側に光を取り出すように形成し、前記封止基板及び前記封止材料を透明材料で形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載された自発光パネルの製造方法。
【請求項５】
前記自発光素子は有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載された自発光パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自発光パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）パネルに代表される自発光パネルは、携帯電話や薄型テレビ、情報端末等のディスプレイは勿論のこと、車載用機能表示、例えばスピードメータ等のインパネや電化製品の機能表示部、フィルム状ディスプレイへの応用、屋外案内表示または照明への応用が期待され、盛んに開発・研究が進められている。
【０００３】
このような自発光パネルは基板上に自発光素子を複数又は単数配置して形成されるものであり、自発光素子としては、有機ＥＬ素子の他に、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）、ＦＥＤ（Field Emission Display）等の発光素子を挙げることができる。
【０００４】
自発光素子の構造は、有機ＥＬ素子を例にすると、アノード（陽極、正孔注入電極）とカソード（陰極、電子注入電極）との間に有機層（発光層を含み、低分子又は高分子有機材料からなる層）を挟み込んだ構造になっており、アノード，カソードの両電極間に電圧を印加することにより、アノードから有機層内に注入・輸送された正孔とカソードから有機層内に注入・輸送された電子が再結合して、この有機層（発光層）内での再結合によって所望の発光が得られるものである。
【０００５】
このような自発光パネルにおいては、自発光素子の発光特性を維持するために、自発光素子を外気から遮断する封止構造が一般に採用されている。特に有機ＥＬパネルでは、有機層及び電極が大気中の水分や酸素に曝されると有機ＥＬ素子の発光特性が劣化することから、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止手段を設けることが現状の開発段階では不可欠になっている。
【０００６】
有機ＥＬパネルの封止構造としては、有機ＥＬ素子の周囲に乾燥剤を配備できる封止空間を形成する構造が一般に採用されてきたが、パネルの更なる薄型化や基板上の有機ＥＬ素子に対して基板と逆側から光を取り出すトップエミッション方式の採用が検討されるようになり、基板上の有機ＥＬ素子を直接封止材料で覆う構造が開発されている。
【０００７】
図１,図２は、このような封止構造を採用した従来例を説明する説明図であって、基板上に自発光素子を形成した領域（自発光素子領域）を複数形成した多面取り基板によって生産性の向上を図った有機ＥＬ表示装置の製造方法を示す説明図である。
【０００８】
図１は、下記特許文献１，２に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図であり、パネル基板Ｊ１の平面図を表す。パネル基板Ｊ１上の表示領域Ｊ２に発光素子を形成し、パネル基板Ｊ１上の外部電極領域Ｊ３に外部電極（不図示）を形成した後、外部電極領域Ｊ３に被覆部Ｊ５（特許文献１ではマスクパターン、特許文献２では保護膜）を形成し、パネル基板Ｊ１の表示領域Ｊ２上に封止樹脂Ｊ４を塗布して、パネル基板Ｊ１と封止基板（不図示）とを封止樹脂Ｊ４を介して貼り合わせたものである。
【０００９】
また、図２（ａ）,（ｂ）は、特許文献３，４に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法であり、それぞれパネル基板Ｊ１１，封止基板Ｊ１４の平面図を表す。パネル基板Ｊ１１上の表示領域Ｊ１２に発光素子を形成し、パネル基板Ｊ１１上の外部電極領域Ｊ１３Ａに外部電極Ｊ１３を形成した後、図２（ｂ）に示すように、封止基板Ｊ１４に封止樹脂の広がりを抑制する抑制部Ｊ１６（特許文献３では凸状の防護壁、特許文献４では凹状の逃げ部）を形成し、パネル基板Ｊ１１の表示領域Ｊ１２上に封止樹脂Ｊ５を塗布して、パネル基板Ｊ１１と封止基板Ｊ１４とを封止樹脂Ｊ１５を介して貼り合わせたものである。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１８７９６９号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１１７５号公報
【特許文献３】特開２００３−１７８８６６号公報
【特許文献４】特開２００４−１１１１１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
前述した従来技術のように、基板上に形成された自発光素子（有機ＥＬ素子）を直接封止材料（封止樹脂）で覆うものでは、自発光素子が形成された基板（以下、素子側基板という）に対して封止材料を塗布する工程が加わることになるので、素子側基板に対する工程が増えることでパネルの生産性が悪化する問題が生じる。
【００１２】
また、基板に形成された自発光素子上に封止材料の層を形成するので、封止基板の貼り合わせ前に封止材料に対して脱泡等の処理を施すことが困難になり、自発光素子に対する封止効果が充分に得られないという問題もある。
【００１３】
更には、硬化前の封止樹脂の塗布範囲を精度良く制御することは困難であり、特許文献１,２に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法では、図１に示すように、封止樹脂Ｊ４が被覆部Ｊ５上にまで拡大して必要以上に封止樹脂Ｊ４を使用して無駄が多くなると共に、完全に表示領域Ｊ２を封止樹脂Ｊ４で覆うことができない場合が生じる。また、被覆部Ｊ５を形成、除去するための工程が別途必要となるので、更に素子側基板に対する工程が増えてパネルの生産性が悪化するという問題点があった。
【００１４】
また、上記特許文献３,４に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法では、基板Ｊ１１上に塗布する封止樹脂Ｊ１５の適量を見極めることが難しく、封止樹脂Ｊ１５が少量である場合は、基板と封止基板との間に空隙が生じ、充分な封止を行うことができず、封止樹脂Ｊ１５が多量となった場合は、封止樹脂Ｊ１５が抑制部Ｊ１６を越えて、外部電極上にまで封止樹脂が拡大し、抑制部Ｊ１６の機能を充分に果たすことができなくなるという問題があった。
【００１５】
本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、基板上の自発光素子を直接封止材料で覆う封止構造を採用した自発光パネルの製造方法において、パネルの生産性を悪化させない製造方法を提供すること、貼り合わせ工程前に封止材料に対して脱泡等の処理を行って確実な封止性能を得ること、また、個々の自発光素子領域からのはみ出しを抑えて封止材料を精度良く付着でき、封止材料を無駄に使用することがなく、封止材料によって自発光素子領域を確実に覆うことができること、等が本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
このような目的を達成するために、本発明による自発光パネルの製造方法は、以下の独立請求項に係る構成を少なくとも具備するものである。
【００１７】
［請求項１］基板上に、一対の電極間に挟持された発光層を含む自発光素子からなる自発光素子領域を形成する工程と、前記自発光素子を封止する封止基板を前記自発光素子領域に応じた大きさに形成し、該封止基板上に封止材料を付着する工程と、前記基板と前記封止基板とを貼り合わせて、前記自発光素子領域を前記封止材料で覆うことで前記自発光素子の封止を行う工程とを有することを特徴とする自発光パネルの製造方法。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図３は本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する説明図（フロー図）である。この製造方法は、自発光素子領域形成工程Ａ、封止部材形成工程Ｂ、貼り合わせ封止工程Ｃからなる。
【００１９】
自発光素子領域形成工程Ａは、自発光素子が形成される基板（素子側基板）に対して、前処理工程Ｓ１（基板準備、下部電極及び引出配線パターン形成、絶縁膜パターン形成、陰極隔壁形成、基板洗浄等の工程）が施され、更に、例えば発光層を含む有機層及び上部電極の成膜を含み、一対の電極間に挟持された発光層を含む自発光素子を形成する工程（自発光素子形成工程）Ｓ２が施される。
【００２０】
この工程は、従来から知られた自発光素子の形成工程を採用することができる。有機ＥＬ素子の場合には、低分子有機材料を真空蒸着にて成膜する方法、高分子有機材料を印刷法にて成膜する方法、予め形成した有機ＥＬフィルムをレーザで基板側に転写させるレーザ熱転写法等を採用することができる。
【００２１】
封止部材形成工程Ｂは、素子側基板と貼り合わせられ自発光素子の封止を行う封止基板を、自発光素子領域に応じた大きさに形成する封止基板形成工程Ｓ３、形成された封止基板上に封止材料を付着する封止材料付着工程Ｓ４が施される。
【００２２】
その後に、素子側基板と封止基板を貼り合わせて自発光素子領域を封止材料で覆うことで自発光素子の封止を行う工程（貼り合わせ封止工程Ｃ）が施される。そして、基板上に複数の自発光素子領域が形成されたものでは、基板を各自発光素子領域毎に切断・分割する工程が施され、最終的に形成されたパネルに対してパネル検査工程等が施されることになる。
【００２３】
このような自発光パネルの製造方法によると、自発光素子領域に応じた大きさに形成された封止基板側に封止材料を付着させた後に自発光素子領域が形成された基板と封止基板を貼り合わせて自発光素子を封止させるので、素子側基板に対する形成工程に影響を与えることなく、自発光素子を直接封止材料で覆う封止を行うことができる。これによって、生産性の高いパネル形成を行うことが可能になる。
【００２４】
また、貼り合わせ工程前に封止基板側に封止材料を付着させることで、素子側基板に形成された自発光素子に関係なく封止材料に対して脱泡等の処理を施すことができ、その後は単純に素子側基板と封止基板を貼り合わせればよいので、封止材料によって確実な封止性能を確保することができる。
【００２５】
更には、封止材料の付着量を封止基板の大きさによって規定することができるので、素子側基板や封止基板に特に細工を施さなくても、単純に素子側基板と封止基板を貼り合わせるだけで封止材料を精度良く付着させることができると共に、封止材料を無駄なく付着させることができる。また、封止基板上に均一な封止材料の層を形成することで、確実に自発光素子領域を封止材料で覆うことができる。
【００２６】
以下、図４〜図６を用いて、有機ＥＬ素子からなる有機ＥＬパネルを例にして本発明の実施形態に係る製造方法について更に詳細に説明する。
【００２７】
図４（ａ）,（ｂ）は、前述した自発光素子領域形成工程Ａによって形成された基板１の一例を示す斜視図と断面図（同図（ｂ）が同図（ａ）におけるＸ−Ｘ断面図）である。前処理工程Ｓ１では、基板１上に下部電極２及び引出電極３を成膜及びパターニングした後、絶縁膜４を成膜して下部電極２上に発光領域の開口部を区画するようにパターニングする。
【００２８】
具体的には、下部電極２として透明基板（例えばＩＴＯ）をスパッタ法等で１５０ｎｍ程度に成膜し、必要に応じて、表面の凹凸を平滑化させるために研磨工程や化学エッチング工程を施した後、下部電極２のパターン及び外部との駆動回路と接続させるための引出電極３のパターンに合わせたレジストを露光,現像し、塩化第二鉄溶液等をエッチャントとしてパターニングを行い、下部電極２及び引出電極３をそれぞれ形成する。引出電極３としては、ＩＴＯ上に銀,クロム,アルミニウム等の低抵抗金属を積層させることが好ましい。
【００２９】
次いで、基板１を洗浄し、絶縁膜４であるポリイミド前駆体を塗布・露光・現像を行う。現像後に２００℃、２時間ベーキング処理を施し、下部電極２上に発光領域が開口した絶縁膜４のパターンを形成する。更に、この絶縁膜４上に、必要に応じて逆テーパー形状の陰極隔壁を形成する。成膜工程Ｓ２に支持基板１を搬入する前にＵＶ照射により、基板１表面の洗浄が行われる。図示の例では、一枚の多面取り（大判）基板に複数の自発光素子領域５を形成する例を示している。
【００３０】
次に、成膜工程（自発光素子形成工程：Ｓ２）として、基板１を蒸着室に搬入し、下部電極２上の絶縁膜４をパターニングした開口位置に、ＣｕＰｃ等の正孔注入層を成膜し、その後、ＮＰＢ等の正孔輸送層、青色発光材料のＤＰＶＢｉ，緑色発光材料のＡｌｑ３，赤色発光材料のｔＢｕ−ＰＴＣ等の発光層を塗り分けて成膜、Ａｌｑ３等の電子輸送層、ＬｉＯ２等の電子注入層、Ａｌ等の上部電極６を順次成膜して、有機層７を形成する。基板１と下部電極２との間には、平坦化等を目的にした下地層を形成する場合もある。特に、下部電極２を基板１上に形成されたＴＦＴ等の駆動素子で駆動する場合には、基板１上に平坦化膜を介して下部電極２が形成されることになる。この成膜工程を経て、基板１上に複数の自発光素子領域５と引出配線３が形成される。
【００３１】
次に、図５は、図３に示す封止部材形成工程Ｂの一例について説明する図である。位置決めトレイ（位置決め部材）１０上に個々の自発光素子領域５毎の大きさに分割形成された封止基板１１を、図４に示す自発光素子領域５と同位置に配列するように支持する。そして、封止部材１３をこれら複数の封止基板１１上の全体に塗布部材（ディスペンサ等）１２を用いて均一に塗布する。この封止部材１３としては、熱硬化性又は光硬化性等の樹脂材料、エラストマー等が用いられる。塗布が完了した後には、封止材料１３中の気泡を除去する脱泡処理等の必要な処理を封止部材１３に対して施す。ここでは、封止材料１３を塗布する例を示したが、これに限らず、フィルム状の封止材料をラミネートすることで、封止材料１３を封止基板１１上に付着させるようにしてもよい。
【００３２】
そして、図６に示すように、封止基板１１上に付着させた封止材料１３と基板１上に形成した自発光素子領域５とを対面させて、基板１と封止基板１１との貼り合わせを行う。
【００３３】
この貼り合わせ工程Ｃの具体例を、図７（ａ）〜（ｃ）によって説明する。図７（ａ）は、図３で形成された基板１の自発光素子領域５と、図４で形成された封止基板の位置決めトレイ１０上の封止部材１３とがそれぞれ対向するように配備された状態を示している。そして、例えば、位置決めトレイ１０の設けたアライメントマークと基板１上に設けたアライメントマークとを合わせる等して封止される自発光素子領域５と封止基板１１との位置決めがなされ、その後に、基板１と封止基板１１とを近接させる。
【００３４】
そして、図７（ｂ）に示すように、封止基板１１上の封止部材１３を基板１の自発光素子領域５に密着させ、封止部材１３が自発光素子領域５全体を覆うように、基板１と位置決めトレイ１０とを所定の圧力Ｐで圧接する。この際の圧力Ｐは、封止部材１３の広がりを考慮して、封止部材１３が引出配線３に被らないように制御される。
【００３５】
その後、封止材料１３として熱硬化性樹脂を用いた場合には、封止基板１１（位置決めトレイ１０）の背後から加熱することで封止材料１３を硬化させる。そして、図７（ｃ）に示すように、位置決めトレイ１０を封止基板１１から離脱させる。
【００３６】
なお、図示の例では、位置決めトレイ１０に封止基板１１を位置決めして一括して貼り合わせる例を示したが、これに限らず、一枚の大きな基板１における多数の自発光素子領域５に対して、１個ずつ又は複数個ずつ（例えば横一列毎など）封止基板１１を貼り合わせるようにしてもよい。
【００３７】
図８は、本発明の製造方法によって製造された自発光パネル（有機ＥＬパネル）の実施例である。
【００３８】
ここでは、有機ＥＬ素子によって形成された表示面１００ａが基板１０１側に形成されたボトムエミッション方式の例を示しているが、これに限らず、封止基板１２１側から光を取り出すトップエミッション方式にすることもできる。このトップエミッション方式の場合には、有機ＥＬ素子を封止基板１２１側に光を取り出すように形成し、封止基板１２１及び封止材料１２３を透明材料で形成する。特に、トップエミッション方式にした場合には、封止材料１３の屈折率調整によって、光の出射経路の屈折率を均一化することが可能になり、封止基板１１側の出射開口と各有機ＥＬ素子の光出射面における開口との光学的なずれ、或いはカラー化を図った場合の色ずれの問題を解消することができる。
【００３９】
自発光素子領域５は、前述したように、下部電極３１と上部電極３２との間に発光層を含む有機層３３を挟持して基板１０１上に複数の有機ＥＬ素子を形成したものである。図示の例では、有機ＥＬ素子は、支持基板１０１上に酸化シリコン被覆層１０１Ａを形成し、その上に形成される下部電極３１をＩＴＯ等の透明電極からなる陽極に設定し、下部電極３１上に発光領域３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂを開放するように絶縁膜３４を形成して、発光領域３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂにおける下部電極３１上に、正孔輸送層３３ａ，発光層３３ｂ，電子輸送層３３ｃを積層させ、その上にＡｌ等の金属材料からなる上部電極３２を形成して、これを陰極に設定している。
【００４０】
陽極と陰極の設定に関しては、陽極側は陰極側より仕事関数の高い材料で構成され、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）等の金属膜やＩＴＯ、ＩＺＯ等の酸化金属膜等の透明導電膜が用いられる。逆に陰極側は陽極側より仕事関数の低い材料で構成され、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、希土類金属等、仕事関数の低い金属、その化合物、又はそれらを含む合金、ドープされたポリアニリンやドープされたポリフェニレンビニレン等の非晶質半導体、Ｃｒ２Ｏ３、ＮｉＯ、Ｍｎ２Ｏ５等の酸化物を使用できる。したがって、材料の選択によって下部電極３１を陰極に設定して、上部電極３２を陽極に設定することも当然可能であり、その場合には、有機層の積層順が前述した例とは逆になって、下部電極３１側から、電子輸送層、発光層、正孔輸送層が積層されることになる。ボトムエミッション方式にするかトップエミッション方式にするかは、光を取り出す側の電極を透明電極にするか否かで設定され、下部電極３１，上部電極３２をともに透明な材料により構成した場合には、光の放出側と反対の電極側に反射膜を設けた構成にすることもできる。
【００４１】
また、基板１０１上には引出配線４１が形成されており、上部電極３２の端部３２ａが引出配線４１に接続されている。引出配線４１は、下部電極３１と同材料，同工程で形成される第１の電極層４１ａが第１電極３１とは絶縁層３４で絶縁された状態でパターン形成されており、第１の電極層４１ａの上には、低抵抗配線部分を形成する第２の電極層４１ｂが形成されている。
【００４２】
ここでは、パッシブ駆動方式を前提にした自発光素子領域５を示しているが、これに限らずアクティブ駆動方式によって自発光素子領域５を構成することもできる。
【００４３】
そして、この自発光素子領域５を直接覆うように封止材料１２３の層が形成され、この封止材料１２３を介して基板１０１と封止基板１２１との貼り合わせがなされている。
【００４４】
有機層３３は、前述したように、正孔輸送層３３ａ，発光層３３ｂ，電子輸送層３３ｃの組み合わせが一般的であるが、正孔輸送層３３ａ，発光層３３ｂ，電子輸送層３３ｃはそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けても良く、正孔輸送層３３ａ，電子輸送層３３ｂについてはどちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層，電子注入層，ホールブロッキング層等の有機材料層を用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層３３ａ，発光層３３ｂ，電子輸送層３３ｃは従来の使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択可能である。
【００４５】
また、発光層３３ｂを形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）を呈するもの、三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）を呈するもののいずれであっても構わない。
【００４６】
また、この実施例では、有機ＥＬ素子からなる自発光素子部は、単色表示であっても複数色表示（例えば、図示のように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光色からなるもの）であっても良く、複数色表示を実現するためには、塗り分け方式を含むことは勿論のこと、白色や青色等の単色の発光機能層にカラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせた方式（ＣＦ方式、ＣＣＭ方式）、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射する等して複数発光を実現する方式（フォトブリーチング方式）、２色以上の単位表示領域を縦に積層し一つの単位表示領域を形成した方式（ＳＯＬＥＤ(transparent Stacked OLED)方式）等を採用することができる。
【００４７】
現在の材料開発、製造プロセスの開発状況では、フルカラーの表示パネルとしては、有機層３３の材料に低分子材料を用いたものが製品化されている。この際の有機層の構造としては、下部電極（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／上部電極（陽極）という層構造が採用されている。各層は共に単一の有機材料で形成することもできるし、複数の材料を混ぜ合わせたもの（混合層）、高分子バインダーの中に有機材料や無機材料の機能材料（電荷輸送機能，発光機能，電荷ブロッキング機能，光学機能等）を分散させたものにすることもできる。また各層には、上部電極など、上方に形成する層をスパッタ法により形成する際に、下層に形成する有機層がダメージを受けないようにバッファ機能を有する層を設けることもできる。また、成膜プロセスによる凹凸を防ぐために平坦化機能を設けることもできる。
【００４８】
有機ＥＬ素子の構造としては、有機ＥＬ素子を複数積層させたもの（ＳＯＬＥＤ素子）、陽極と陰極の間に電荷発生層を介在させたもの（マルチフォトン素子）、有機層１層のみの素子構成のもの（各機能層を連続的に形成させ層境界をなくしたもの）等であっても良い。
【００４９】
以下、このような自発光パネルの製造方法の具体例を示すが、本発明は特にこれに限定されるものではない。
【００５０】
前処理工程：
ガラス製の基板１０１上に透明導電膜のインジウム錫酸化膜（ＩＴＯ）をスパッタ法にて成膜し、フォトリソグラフィ法にてパターニングすることで、陽極となる下部電極３１及び引出配線４１（第１の電極層４１ａ）のパターンを形成する。また、下部電極３１上に発光領域が開口するようにポリイミドによる絶縁膜３４をパターニングする。その後に、ＩＴＯ付きの基板１０１に対してＵＶオゾン洗浄が施される。
【００５１】
自発光素子形成工程（成膜工程）：
前処理工程の後、基板１０１を１０−４Ｐａまで真空排気した真空成膜装置内に搬入し、正孔注入層としてＣｕＰｃを５０ｎｍ積層し、次いで正孔輸送層としてＮＰＤを５０ｎｍ積層し、白色有機ＥＬ層を青発光層とオレンジ色発光層を積層させたものを用いる。先に青色ＥＬ発光層として、ＤＰＶＢｉのホスト材に１重量％ドーパントとしてＢＣｚＶＢｉを５０ｎｍ共蒸着し、Ａｌｑ３のホスト材に１重量％ドーパントとしてＤＣＭを５０ｎｍ共蒸着させる。その上部に電子輸送層としてＡｌｑ３を２０ｎｍ、陰極としてＡｌを１５０ｎｍ蒸着させる。
【００５２】
このような成膜工程の後、基板１０１側に発光検査工程を施し、その後、真空雰囲気からＮ２の不活性ガス雰囲気化にした封止室に基板１０１を搬入する。
【００５３】
封止部材形成工程：
ガラス製等の板材を自発光素子領域５に応じた大きさの所望の形状（長方形，正方形等）に切断・分割して、個々の封止基板１２１を形成する。そして、封止基板１２１の一面に前述した塗布等の方法で封止材料１２３の層を形成する。
【００５４】
貼り合わせ封止工程：
その後に、有機ＥＬ素子が形成された基板１０１と封止材料１２３の層で被覆された封止基板１２１とを互いに対向させ、有機ＥＬ素子が封止材料１２３に直接覆われるように基板１０１と封止基板１２１とを貼り合わせる。そして、基板１０１を加熱（７０℃程度）・加圧しながら封止材料１２３を硬化させることによって、有機ＥＬ素子の封止及び基板１０１と封止基板１２３との接合を完了させる。また、封止材料１２３による封止性能を高めるために、封止材料１２３の層の周りに封止シールを別途設けてもよい。
【００５５】
このような本発明の実施形態によると、基板上の自発光素子を直接封止材料で覆う封止構造を採用した自発光パネルの製造方法において、パネルの生産性を悪化させない製造方法を提供するができる。また、貼り合わせ工程前に封止材料に対して脱泡等の処理を行って確実な封止性能を得ることができる。さらに、個々の自発光素子に対し封止材料を精度良く付着でき、封止材料を無駄に使用することがなく、封止材料によって自発光素子領域を確実に覆うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】従来技術の説明図である。
【図２】従来技術の説明図である。
【図３】図３は本発明の一実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する説明図（フロー図）である。
【図４】本発明の実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する説明図である。
【図５】本発明の実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する説明図である。
【図６】本発明の実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する説明図である。
【図７】本発明の実施形態に係る自発光パネルの製造方法を説明する説明図である。
【図８】本発明の実施形態に係る製造装置によって製造された自発光パネル（有機ＥＬパネル）を示す説明図である。
【００５７】
１    基板
２    下部電極
３    引出電極
４    絶縁膜
５    自発光素子領域
６    上部電極
７    有機層
１１  封止基板
１３  封止材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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