(57)【要約】【課題】  金属支持層側から電子部品を実装することができながら、実装された電子部品の静電破壊を防止することのできる、配線回路基板を提供すること。【解決手段】  金属支持基板２の上に、導電性樹脂層３、ベース絶縁層４、導体パターン５およびカバー絶縁層６を順次形成した後、金属支持基板２の各磁気ヘッド側接続端子８との対向部分に、各第１開口部１１および各第２開口部１２より大きな１つの開口として第３開口部１３を形成した後、導電性樹脂層３およびベース絶縁層４に、各磁気ヘッド側接続端子８に対応してそれぞれ同形の第２開口部１２および第１開口部１１を形成する。この回路付サスペンション基板１では、金属支持層２の第３開口部１３から磁気ヘッド２１を実装すれば、磁気ヘッド２１を導電性樹脂層３の裏面に載置した状態で、磁気ヘッド２１の各端子２２と各磁気ヘッド側接続端子８とを電気的に接続できる。【選択図】    図２
2006186281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層と、前記金属支持層の表面と接触するように、前記金属支持層の上に形成される導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、端子部を含む導体パターンとを備え、
前記絶縁層、前記導電性樹脂層および前記金属支持層には、前記端子部を露出させるために、それらの厚み方向を貫通する開口部が、それらの厚み方向において重なるように、それぞれ形成されており、
前記金属支持層の開口部は、前記導電性樹脂層の表面が露出され、かつ、前記絶縁層および前記導電性樹脂層の開口部を含むように、前記絶縁層および前記導電性樹脂層の開口部に対して、大きく形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
前記導電性樹脂層は、カーボン粒子を含むポリイミド樹脂から形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記導電性樹脂層は、１０5〜１０11Ω／□の表面抵抗値を有していることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
金属支持層を用意する工程、
前記金属支持層の上に、導電性樹脂層を直接形成する工程、
前記導電性樹脂層の上に、絶縁層を形成する工程、
前記絶縁層の上に、端子部を含む導体パターンを形成する工程、
前記金属支持層において、前記端子部に対応する部分を含む開口部を形成する工程、
前記導電性樹脂層および前記絶縁層において、前記端子部に対応する部分を含む開口部を、前記金属支持層の開口部よりも小さく形成する工程
を含んでいることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法、詳しくは、ハードディスクドライブの磁気ヘッドを実装する回路付サスペンション基板などの配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板に電子部品を実装する場合に、その実装工程において帯電した静電気によって、電子部品が静電破壊することがある。
特に、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板は、金属支持基板の上に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層が順次積層されているものであって、ＭＲヘッドやＧＭＲヘッドのような超薄膜の磁気ヘッドが実装されるが、それら磁気ヘッドは、静電気に対して非常に弱く、静電破壊を生じ易い。
【０００３】
そのため、例えば、ベース層と、そのベース層の上に形成された導体回路と、その導体回路を被覆するカバー層と、ベース層の下側およびカバー層の上側に形成された導電ポリマー層とからなる積層体と、ステンレス層とが、ステンレス層がベース層の下側と対向する状態で、接着剤層を介して貼着されたヘッドサスペンションアッセンブリ用フレキシブルプリント回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、例えば、ステンレス層と、そのステンレス層の上に形成されたベース層と、そのベース層の上に形成された導体回路と、その導体回路を被覆するカバー層と、ステンレス層の下側およびカバー層の上側に形成された導電ポリマー層とを備えるヘッドサスペンションアッセンブリ用フレキシブルプリント回路基板が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００３−２０４１３０号公報
【特許文献２】特開２００３−２０３４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、上記した回路付サスペンション基板において、金属支持基板側から磁気ヘッドを実装する場合には、金属支持基板を開口して、ベース絶縁層を露出させ、その露出したベース絶縁層の表面に、磁気ヘッドを載置するので、静電破壊を防止するためには、その露出したベース絶縁層の表面に、特許文献１や特許文献２に記載される導電ポリマー層のような導電性樹脂層を設けることが必要となる。
【０００６】
しかし、特許文献１に記載されるフレキシブルプリント回路基板において、ステンレス層側から磁気ヘッドを実装するためにステンレス層を開口しても、接着剤層が露出するので、その接着剤層を除去する必要がある。しかし、接着剤層は、導電ポリマー層およびベース層と積層方向に連続しており、接着剤層のみを選択的に除去することは困難である。
一方、ステンレス層に接着剤層を積層して、これを予め開口した後に、積層体に貼着すれば、接着剤層のみを選択的に除去する必要はなくなるが、積層体とステンレス層との高度の位置合わせが要求されるため、却って、上記より製造が困難となる。
【０００７】
さらに、特許文献１に記載されるフレキシブルプリント回路基板では、積層体とステンレス層とを貼着するための接着剤層に起因して、耐薬品性や耐熱性の観点から制約を受ける。
また、特許文献２に記載されるフレキシブルプリント回路基板において、ステンレス層側から磁気ヘッドを実装するためにステンレス層を開口する場合には、そのステンレス層の下側に形成されている導電ポリマー層も、ステンレス層とともに除去されてしまうので、ベース層の表面には、導電ポリマー層がなくなり、静電破壊の防止ができなくなる。
【０００８】
本発明の目的は、金属支持層側から電子部品を実装することができながら、実装された電子部品の静電破壊を防止することのできる、配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、金属支持層と、前記金属支持層の表面と接触するように、前記金属支持層の上に形成される導電性樹脂層と、前記導電性樹脂層の上に形成される絶縁層と、前記絶縁層の上に形成され、端子部を含む導体パターンとを備え、前記絶縁層、前記導電性樹脂層および前記金属支持層には、前記端子部を露出させるために、それらの厚み方向を貫通する開口部が、それらの厚み方向において重なるように、それぞれ形成されており、前記金属支持層の開口部は、前記導電性樹脂層の表面が露出され、かつ、前記絶縁層および前記導電性樹脂層の開口部を含むように、前記絶縁層および前記導電性樹脂層の開口部に対して、大きく形成されていることを特徴としている。
【００１０】
また、本発明の配線回路基板では、前記導電性樹脂層は、カーボン粒子を含むポリイミド樹脂から形成されていることが好適であり、また、前記導電性樹脂層は、１０5〜１０11Ω／□の表面抵抗値を有していることが好適である。
本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持層を用意する工程、前記金属支持層の上に、導電性樹脂層を直接形成する工程、前記導電性樹脂層の上に、絶縁層を形成する工程、前記絶縁層の上に、端子部を含む導体パターンを形成する工程、前記金属支持層において、前記端子部に対応する部分を開口する工程、前記導電性樹脂層および前記絶縁層において、前記端子部に対応する部分を、前記金属支持層の開口部よりも小さく開口する工程を含んでいることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線回路基板において、金属支持層には、導電性樹脂層の表面が露出され、かつ、絶縁層および導電性樹脂層の開口部を含む開口部が、形成されている。そのため、金属支持層の開口部から電子部品を実装すれば、その電子部品を導電性樹脂層の表面に対向させた状態で、端子部と電気的に接続することができる。その結果、金属支持層側から電子部品を実装することができながら、実装された電子部品の静電破壊を有効に防止することができる。
【００１２】
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、金属支持層に、端子部に対応する部分を含む開口部を形成した後、導電性樹脂層および絶縁層に、端子部に対応する部分を含む開口部を金属支持層の開口部よりも小さく形成するのみで、上記した配線回路基板を、生産効率よく製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す平面図である。
この回路付サスペンション基板１は、ハードディスクドライブの磁気ヘッド２１（図２参照）を実装して、その磁気ヘッド２１を、磁気ヘッド２１と磁気ディスク（図示せず）とが相対的に走行する時の空気流に抗して、磁気ディスクとの間に微小な間隔を保持しながら支持するものであり、磁気ヘッド２１とリード・ライト基板（図示せず）とを接続するための導体パターン５が一体的に形成されている。
【００１４】
この回路付サスペンション基板１は、図２に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成された導電性樹脂層３と、導電性樹脂層３の上に形成されたベース絶縁層４と、ベース絶縁層４の上に形成された導体パターン５と、導体パターン５を被覆するように、ベース絶縁層４の上に形成されたカバー絶縁層６とを備えている。なお、図１では、カバー絶縁層６が省略されている。
【００１５】
金属支持基板２は、図１において、長手方向に延びる薄板からなり、その先端部には、磁気ヘッド２１を実装するためのジンバル７が形成されている。なお、金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、１８〜３０μｍであり、その幅は、例えば、５０〜５００ｍｍ、好ましくは、１２５〜３００ｍｍである。
導電性樹脂層３は、図２に示すように、金属支持基板２の表面およびベース絶縁層４の裏面と接触するように、金属支持層２の上に直接形成されている。この導電性樹脂層３は、金属支持基板２とベース絶縁層４との間のすべてにわたって設けられている。導電性樹脂層３の厚みは、例えば、０．５〜５μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。また、この導電性樹脂層３は、１０5〜１０11Ω／□、好ましくは、１０8〜１０11Ω／□の表面抵抗値を有している。表面抵抗値が、これより小さいと、磁気ヘッド２１の誤作動を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電破壊を防止することが困難となる場合がある。
【００１６】
ベース絶縁層４は、金属支持基板２における導体パターン４が形成される部分を含む所定のパターンとして形成されている。ベース絶縁層４の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１２μｍである。
導体パターン５は、図１に示すように、端子部としての磁気ヘッド側接続端子８と、外部側接続端子９と、磁気ヘッド側接続端子８および外部側接続端子９を接続する複数（４つ）の配線１０とを一体的に備えている。
【００１７】
複数の配線１０は、金属支持基板２の長手方向に沿って延び、その幅方向（長手方向に直交する方向）において、互いに間隔を隔てて並列配置されている。導体パターン４の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。また、各配線１０の幅は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍであり、各配線１０間の間隔は、例えば、５〜５００μｍ、好ましくは、１０〜２００μｍである。
【００１８】
磁気ヘッド側接続端子８は、金属支持基板２の先端部に配置され、各配線１０に対応して、それぞれ（４つ）設けられている。各磁気ヘッド側接続端子８は、各配線１０の先端部から連続して、平面視略矩形状のランドとして一体的に形成されており、金属支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この磁気ヘッド側接続端子８には、磁気ヘッド２１の端子２２（図２参照）が電気的に接続される。
【００１９】
なお、各磁気ヘッド側接続端子８の長さ（配線１０の長手方向の長さ）は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍに設定され、その幅（配線１０の幅方向における長さ）は、例えば、２０〜５００μｍ、好ましくは、５０〜２００μｍに設定されている。また、各磁気ヘッド側接続端子８間の間隔は、例えば、５０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍに設定されている。
【００２０】
外部側接続端子９は、金属支持基板２の後端部に配置され、各配線１０に対応して、それぞれ（４つ）設けられている。各外部側接続端子９は、各配線１０の後端部から連続して、平面視略矩形状のランドとして一体的に形成されており、金属支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。この外部側接続端子９には、リード・ライト基板の端子（図示せず）が電気的に接続される。
【００２１】
カバー絶縁層６は、図２に示すように、各磁気ヘッド側接続端子８および複数の配線１０を被覆し、かつ、各外部側接続端子９が露出する開口部（図示せず）が形成されるように、ベース絶縁層４の上に所定のパターンとして形成されている。カバー絶縁層６の厚みは、例えば、２〜１５μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１では、各磁気ヘッド側接続端子８を、金属支持基板２側から露出させるために、ベース絶縁層４、導電性樹脂層３および金属支持基板２のそれぞれに、第１開口部１１、第２開口部１２および第３開口部１３が形成されている。
【００２２】
第１開口部１１は、ベース絶縁層４において、各磁気ヘッド側接続端子８との対向部分を、ベース絶縁層４の厚み方向を貫通するように、各磁気ヘッド側接続端子８に対応してそれぞれ開口することにより、複数（４つ）形成されている。各第１開口部１１は、図３に示すように、各磁気ヘッド側接続端子８の外形が、１０〜５０％縮小された底面視略矩形状に形成されており、金属支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。
【００２３】
第２開口部１２は、図２に示すように、導電性樹脂層３において、各磁気ヘッド側接続端子８との対向部分であって、各第１開口部１１と厚み方向において重なる部分を、導電性樹脂層３の厚み方向を貫通するように、各磁気ヘッド側接続端子８に対応してそれぞれ開口することにより、複数（４つ）形成されている。各第２開口部１２は、図３に示すように、各第１開口部１１と略同一の底面視略矩形状に形成されており、各第１開口部１１と連通するように、金属支持基板２の幅方向に沿って、互いに間隔を隔てて配置されている。
【００２４】
第３開口部１３は、金属支持基板２において、各磁気ヘッド側接続端子８との対向部分、つまり、各第１開口部１１および各第２開口部１２と厚み方向において重なる部分を含む、各第１開口部１１および各第２開口部１２より大きな１つの開口として、金属支持基板２の厚み方向を貫通するように、形成されている。この第３開口部１３は、各磁気ヘッド側接続端子８との対向部分を含む底面視略矩形状に形成されており、その長さ（配線１０の長手方向の長さ）は、例えば、３００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１０００μｍに設定され、その幅（配線１０の幅方向における長さ）は、例えば、３００〜２０００μｍ、好ましくは、５００〜１０００μｍに設定されている。
【００２５】
これによって、金属支持基板２に形成される第３開口部１３からは、図３に示すように、導電性樹脂層３の裏面と、その導電性樹脂層３に形成される複数の第２開口部１２が露出される。また、複数の第２開口部１２からは、ベース絶縁層４に形成される複数の第１開口部１１を介して、複数の磁気ヘッド側接続端子８の裏面（具体的には、次に述べるめっき層１４）が露出される。
【００２６】
また、この回路付サスペンション基板１には、上記のように、第３開口部１３、各第２開口部１２および各第１開口部１１から露出した各磁気ヘッド側接続端子８の裏面に、めっき層１４が形成されている。めっき層１４は、金めっき層やニッケルめっき層からなり、めっき層１４の厚みは、例えば、ニッケルめっき層である場合には、例えば、０．５〜５μｍ、金めっき層である場合には、例えば、０．０５〜３μｍである。
【００２７】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法を、図４〜図６を参照しつつ説明する。なお、図４〜図６では、図２に対応する断面として示している。
この方法では、まず、図４（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２としては、金属箔または金属薄板が用いられ、その金属としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などが用いられる。剛性、耐食性および加工性の観点から、好ましくは、ステンレス箔が用いられる。
【００２８】
次いで、この方法では、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板２の上に、接着剤層を介在させることなく、導電性樹脂層３を直接形成する。接着剤層の介在がなければ、接着剤層に起因する耐薬品性や耐熱性の制約から解放される。
導電性樹脂層３は、導電性粒子が、マトリックス樹脂（バインダー）に分散されてなり、導電性粒子としては、例えば、カーボン粒子、金属粒子、金属酸化物粒子などが用いられ、マトリックス樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、エポキシ樹脂などが用いられる。なお、導電性粒子の平均粒子径は、例えば、１０〜２００ｎｍ、好ましくは、２０〜１００ｎｍである。また、導電性粒子は、導電性樹脂層３（固形分）に対して、例えば、１０〜５０重量％、好ましくは、２０〜４０重量％含有されている。
【００２９】
導電性樹脂層３を、金属支持基板２の上に直接形成するには、例えば、導電性粒子が分散されているマトリックス樹脂のワニス（例えば、ポリイミド樹脂前駆体（ポリアミック酸樹脂）溶液）を、金属支持基板２の表面に塗布し、乾燥後、必要により硬化する。
なお、マトリックス樹脂に、感光剤を配合させれば、金属支持基板２の表面に塗布して乾燥した後に、フォトマスクを介して露光後、現像する公知のフォト加工によって、ベース絶縁層４に対応する所定のパターンで、導電性樹脂層３を形成することができる。
【００３０】
感光剤としては、例えば、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン（ニフェジピン）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピリジン（Ｎ−メチル体）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジアセチル−１，４−ジヒドロピリジン（アセチル体）などのジヒドロピリジン誘導体が用いられる。感光剤の配合割合は、導電性樹脂層３（固形分）に対して、例えば、２０〜３０重量％である。
【００３１】
次いで、この方法では、図４（ｃ）に示すように、導電性樹脂層３の上に、ベース絶縁層４を形成する。
ベース絶縁層４は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂から形成される。好ましくは、耐熱性および耐薬品性の観点から、ポリイミド樹脂から形成される。
【００３２】
また、好ましくは、パターンの微細加工の容易性の観点から、感光性の合成樹脂から形成され、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂から形成される。
例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、導電性樹脂層３の上にベース絶縁層４を形成する場合には、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、導電性樹脂層３の表面に塗布し、乾燥して皮膜を形成する。次いで、この皮膜を、公知のフォト加工において、フォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、所定のパターンに形成する。その後、これを加熱して硬化することにより、導電性樹脂層３の上にベース絶縁層４を、所定のパターンとして形成する。
【００３３】
なお、上記した導電性樹脂層３およびベース絶縁層４の形成は、例えば、導電性粒子および感光剤が配合されているマトリックス樹脂の皮膜を形成した後、その皮膜の上に、導電性粒子が配合されず、感光剤のみが配合されているマトリックス樹脂の皮膜を形成し、これら２層の皮膜を、同時に、公知のフォト加工において、フォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、所定のパターンに形成した後、これを加熱して硬化することにより、導電性樹脂層３およびベース絶縁層４を同時に形成することもできる。
【００３４】
次いで、この方法では、図４（ｄ）に示すように、導体パターン５を形成する。導体パターン５は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などから形成される。導電性、廉価性および加工性の観点から、好ましくは、銅から形成される。
また、導体パターン５の形成は、サブトラクティブ法やアディティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。
【００３５】
サブトラクティブ法では、まず、ベース絶縁層４の全面に、必要により接着剤層を介して、金属箔を積層する。次いで、その金属箔の表面に、導体パターン５に対応するパターンで、エッチングレジストを形成する。エッチングレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により形成する。その後、エッチングレジストから露出する金属箔をエッチングした後、エッチングレジストをエッチングまたは剥離により除去する。
【００３６】
また、アディティブ法では、まず、ベース絶縁層４の全面に、種膜となる金属薄膜を形成する。金属薄膜は、クロム、ニッケル、銅およびこれらの合金などから、スパッタリング法などの薄膜形成法により形成する。次いで、金属薄膜の表面に、導体パターン５の反転パターンで、めっきレジストを形成する。めっきレジストは、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により形成する。その後、めっきレジストから露出するベース絶縁層４の表面に、導体パターン５を形成する。導体パターン５は、例えば、電解めっき、好ましくは、電解銅めっきにより形成する。その後、めっきレジストをエッチングまたは剥離により除去した後、導体パターン５から露出する金属薄膜を、エッチングにより除去する。
【００３７】
これによって、図１に示すように、導体パターン５は、各磁気ヘッド側接続端子８、各外部側接続端子９および複数の配線１０として、一体的に形成される。
次いで、この方法では、図５（ｅ）に示すように、ベース絶縁層４の上に、各磁気ヘッド側接続端子８および複数の配線１０を被覆し、各外部側接続端子９が露出する開口部（図示せず）が形成されるように、カバー絶縁層６を所定のパターンとして形成する。
【００３８】
カバー絶縁層６は、ベース絶縁層４と同様の合成樹脂から形成され、好ましくは、ポリイミド樹脂から形成される。また、好ましくは、感光性の合成樹脂から形成され、さらに好ましくは、感光性ポリイミド樹脂から形成される。
例えば、感光性ポリイミド樹脂を用いて、ベース絶縁層４の上にカバー絶縁層６を形成する場合には、まず、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニス（感光性ポリアミック酸樹脂溶液）を、導体パターン５を含むベース絶縁層４の表面に塗布し、乾燥して皮膜を形成する。次いで、この皮膜を、公知のフォト加工において、フォトマスクを介して露光し、その後、現像することにより、導体パターン５のうち、各磁気ヘッド側接続端子８および複数の配線１０が被覆され、各外部側接続端子９が露出する開口部（図示せず）が形成される所定のパターンに形成する。その後、これを加熱して硬化することにより、ベース絶縁層４の上にカバー絶縁層６を、各磁気ヘッド側接続端子８および複数の配線１０が被覆され、各外部側接続端子９が露出する開口部（図示せず）が形成される所定のパターンとして形成する。
【００３９】
なお、感光性の合成樹脂を用いない場合には、例えば、導体パターン５を含むベース絶縁層４の表面に、ドライフィルムを、融着または必要により接着剤層を介して貼着した後、プラズマやレーザによるドライエッチングまたはアルカリ水溶液を用いるウエットエッチングなどによって、各外部側接続端子９が露出する開口部が形成されるような、所定のパターンとして、カバー絶縁層６を形成する。
【００４０】
次いで、この方法では、図５（ｆ）〜図５（ｈ）に示すように、金属支持基板２に第３開口部１３を形成する。
金属支持基板２に第３開口部１３を形成するには、まず、図５（ｆ）に示すように、金属支持基板２の第３開口部１３を形成する部分以外を、エッチングレジスト１５によって被覆する。エッチングレジスト１５は、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により形成する。
【００４１】
次いで、図５（ｇ）に示すように、エッチングレジスト１５から露出する金属支持基板２をエッチングする。金属支持基板２のエッチングは、例えば、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
その後、図５（ｈ）に示すように、エッチングレジスト１５を、エッチングまたは剥離により除去する。これによって、金属支持基板２に、第３開口部１３が、上記した形状および配置において形成される。
【００４２】
次いで、この方法では、図６（ｉ）〜図６（ｋ）に示すように、導電性樹脂層３およびベース絶縁層４に、第２開口部１２および第１開口部１１を同時に形成する。
導電性樹脂層３およびベース絶縁層４に、第２開口部１２および第１開口部１１を同時に形成するには、まず、図６（ｉ）に示すように、第２開口部１２（および第１開口部１１）を形成する部分以外を、エッチングレジスト１６によって被覆する。エッチングレジスト１６は、ドライフィルムフォトレジストなどを用いて、露光および現像する公知のフォト加工により形成する。
【００４３】
次いで、図６（ｊ）に示すように、エッチングレジスト１６から露出する導電性樹脂層３、および、その導電性樹脂層３に連続するベース絶縁層４を連続してエッチングする。導電性樹脂層３およびベース絶縁層４のエッチングは、例えば、エッチング液としてモノエタノールアミンを含有する水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。導電性樹脂層３およびその導電性樹脂層３に連続するベース絶縁層４は、ともに合成樹脂から形成されているため、同時にエッチングされる。
【００４４】
その後、図６（ｋ）に示すように、エッチングレジスト１６を、エッチングまたは剥離により除去する。これによって、導電性樹脂層３に第２開口部１２が、ベース絶縁層４に第１開口部１１が、第３開口部１３よりも小さく、それぞれ上記した形状および配置において同時に形成される。
なお、上記の方法において、図５（ｇ）の工程において、エッチングにより、第３開口部１３を形成した後、図５（ｈ）の工程において、エッチングレジスト１５を除去せずに、図５（ｉ）の工程において、さらに、第２開口部１２を形成する部分以外の部分に、エッチングレジスト１６を形成して、その後、図６（ｊ）の工程において、第２開口部１２および第１開口部１１を同時に形成した後、図６（ｋ）の工程において、エッチングレジスト１５およびエッチングレジスト１６を除去するようにして、第３開口部１３、第２開口部１２および第１開口部１１を連続して形成することもできる。
【００４５】
次いで、この方法では、図６（ｌ）に示すように、カバー絶縁層６の開口部（図示せず）から露出した各外部側接続端子部９の表面と、第３開口部１３、各第２開口部１２および各第１開口部１１から露出した各磁気ヘッド側接続端子８の裏面とに、めっき層１４を形成する。めっき層１４は、例えば、金やニッケルなどの金属からなる。また、めっき層１４は、例えば、各外部側接続端子部９の表面および各磁気ヘッド側接続端子８の裏面以外をめっきレジストによって被覆した後、無電解めっきや電解めっきにより形成する。めっきレジストは、その後、エッチングまたは剥離により除去する。なお、めっき層１４は、ニッケルめっき層および金めっき層を順次積層することもできる。
【００４６】
そして、金属支持基板２を、ウエットエッチングなど公知の方法によって、ジンバル７の切り抜きとともに、外形加工し、洗浄および乾燥することにより、図１に示すような回路付サスペンション基板１を得る。
このようにして得られる回路付サスペンション基板１では、図３に示すように、各磁気ヘッド側接続端子８に対応する部分において、金属支持層２には、第３開口部１３が形成されており、その第３開口部１３内には、第２開口部１２および第１開口部１１を介して、各磁気ヘッド側接続端子８の裏面に形成されるめっき層１４が露出される。また、第３開口部１３内には、各めっき層１４の間を含むように、導電性樹脂層３の表面が露出される。そのため、金属支持層２の第３開口部１３から磁気ヘッド２１を実装すれば、その磁気ヘッド２１を導電性樹脂層３の裏面に載置した状態で、磁気ヘッド２１の各端子２２と各磁気ヘッド側接続端子８とを電気的に接続することができる。その結果、金属支持層２側から磁気ヘッド２を実装することができながら、実装された磁気ヘッド２の静電破壊を導電性樹脂層３によって有効に防止することができる。
【００４７】
また、上記のように回路付サスペンション基板１を製造すれば、金属支持層２に、第３開口部１３を形成した後、導電性樹脂層３およびベース絶縁層４に、第２開口部１２および第１開口部１１を同時に形成するのみで、上記した回路付サスペンション基板１を、生産効率よく製造することができる。
なお、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。これら、各種フレキシブル配線回路基板では、上記と同様に、ベース絶縁層、導体パターンおよびカバー絶縁層が順次積層されており、導体パターンの端子部に対応して、ベース絶縁層には、金属支持層としての補強板が積層されている。
【００４８】
また、上記した回路付サスペンション基板１の製造方法は、工業的には、例えば、ロールツーロール法などの公知の方法により、製造することができる。
【実施例】
【００４９】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
実施例１
幅３００ｍｍ、厚み２０μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持基板２を用意した（図４（ａ）参照）。
【００５０】
次いで、平均粒子径５０ｎｍのカーボン粒子（ワニス固形分に対して２５重量％）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン（ワニス固形分に対して５０重量％）を含有するポリイミド樹脂前駆体のワニスを、金属支持基板２の表面に塗布し、９５℃で７分間乾燥して皮膜を形成した。
さらに、カーボン粒子を含有しない以外は、上記と同一組成のポリイミド樹脂前駆体のワニスを、皮膜の表面に塗布し、９０℃で９０秒、次いで、１５０℃で９０秒乾燥して皮膜を形成した。
【００５１】
そして、これら２層の皮膜を、同時に、フォトマスクを介して露光後、現像し、さらに、４２０℃で加熱硬化させることにより、厚み１．５μｍの導電性ポリイミド樹脂からなる導電性樹脂層３と、厚み８．５μｍのポリイミド樹脂からなるベース絶縁層４とを同時に形成した（図４（ｃ）参照）。
その後、ベース絶縁層４の表面に、アディティブ法によって、各磁気ヘッド側接続端子８、各外部側接続端子９および複数の配線１０からなる銅箔の導体パターン５を、厚み１０μｍで一体的に形成した（図４（ｄ）参照）。
【００５２】
次いで、感光性ポリイミド樹脂前駆体のワニスを、導体パターン５を含むベース絶縁層４の表面に塗布し、乾燥して皮膜を形成した後、フォトマスクを介して露光後、現像し、さらに、４２０℃で加熱硬化させることにより、各外部側接続端子９が露出する開口部が形成される、厚み３μｍのポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層６を形成した（図５（ｅ）参照）。
【００５３】
その後、金属支持基板２の第３開口部１３を形成する部分以外を、エッチングレジスト１５によって被覆した後（図５（ｆ）参照）、塩化第二鉄水溶液を用いてウエットエッチングすることにより、第３開口部１３を形成した（図５（ｇ）参照）。その後、エッチングレジスト１５を剥離により除去した（図５（ｈ）参照）。
そして、導電性樹脂層３の第２開口部１２を形成する部分以外を、エッチングレジスト１６によって被覆した後（図６（ｉ）参照）、モノエタノールアミンを含有する水酸化カリウム水溶液を用いてウエットエッチングすることにより、第２開口部１２および第１開口部１１を同時に形成した（図６（ｊ）参照）。その後、エッチングレジスト１６を剥離により除去した（図６（ｋ）参照）。
【００５４】
その後、カバー絶縁層６の開口部から露出した各外部側接続端子部９の表面と、第３開口部１３、各第２開口部１２および各第１開口部１１から露出した各磁気ヘッド側接続端子８の裏面とに、無電解金めっきによりめっき層１４を形成した（図６（ｌ）参照）。
そして、回路付サスペンション基板１をドライフィルムレジストで被覆し、塩化第二鉄溶液を用いて金属支持基板２をエッチングして、ジンバル６を切り抜くとともに外形加工し、これによって、回路付サスペンション基板１を得た。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す平面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の要部断面図である。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の要部底面図である。
【図４】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、金属支持基板の上に、導電性樹脂層を形成する工程、（ｃ）は、導電性樹脂層の上に、ベース絶縁層を形成する工程、（ｄ）は、ベース絶縁層の上に、導体パターンを形成する工程を示す。
【図５】図４に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｅ）は、ベース絶縁層の上に、カバー絶縁層を形成する工程、（ｆ）は、金属支持基板の第３開口部を形成する部分以外を、エッチングレジストによって被覆する工程、（ｇ）は、エッチングレジストから露出する金属支持基板をエッチングする工程、（ｈ）は、エッチングレジストを除去する工程を示す。
【図６】図５に続いて、図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す製造工程図であって、（ｉ）は、導電性樹脂層の第２開口部を形成する部分以外を、エッチングレジストによって被覆する工程、（ｊ）は、エッチングレジストから露出する導電性樹脂層およびそれに連続するベース絶縁層を連続してエッチングする工程、（ｋ）は、エッチングレジストを除去する工程、（ｌ）は、カバー絶縁層の開口部から露出した各外部側接続端子部の表面と、第３開口部、各第２開口部および各第１開口部から露出した各磁気ヘッド側接続端子の裏面とに、めっき層を形成する工程を示す。
【符号の説明】
【００５６】
１    回路付サスペンション基板
２    金属支持基板
３    導電性樹脂層
４    ベース絶縁層
５    導体パターン
８    磁気ヘッド側接続端子
１１  第１開口部
１２  第２開口部
１３  第３開口部
【図１】
2006186281.tif 000003
【図２】
2006186281.tif 000004
【図３】
2006186281.tif 000005
【図４】
2006186281.tif 000006
【図５】
2006186281.tif 000007
【図６】
2006186281.tif 000008