(57)【要約】【課題】  ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適なボンディング部のピッチＰの配置状況を特定する。【解決手段】  外径がＤのキャピラリを用いてステッチ幅Ａのボンディング部としてボンディングワイヤをボンディングパッドに接続し、キャピラリの施工のばらつきをＣとしたとき、ボンディング部のピッチＰを、（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）より大きくする。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工必要幅Ｆのボンディング部としてボンディングワイヤをボンディングパッドに接続し、機械施工のばらつきをＣとしたとき、前記ボンディング部のピッチＰを、（Ｆ＋Ｃ）より大きくしたことを特徴とするボンディング構造。
【請求項２】
外径がＤのキャピラリを用いてステッチ幅Ａのボンディング部としてボンディングワイヤをボンディングパッドに接続し、キャピラリの施工のばらつきをＣとしたとき、前記ボンディング部のピッチＰを、（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）より大きくしたことを特徴とするボンディング構造。
【請求項３】
一端が固定されたボンディングワイヤの他端をボンディング部としてボンディングパッドに接続し、ボンディングワイヤの中央部におけるぶれとボンディングワイヤの径との合計寸法をＥとしたとき、前記ボンディング部のピッチＰを、合計寸法Ｅの２倍の値から一端側の固定ピッチの寸法を減じた値を超える寸法としたことを特徴とするボンディング構造。
【請求項４】
一端が固定されたボンディングワイヤの他端を、外径がＤのキャピラリを用いてステッチ幅Ａのボンディング部としてボンディングパッドに接続し、キャピラリの施工のばらつきをＣとし、ボンディングワイヤの中央部におけるぶれとボンディングワイヤの径との合計寸法をＥとしたとき、
前記ボンディング部のピッチＰを、
（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）より大きくし、且つ、
合計寸法Ｅの２倍の値から一端側の固定ピッチの寸法を減じた値を超える寸法とした
ことを特徴とするボンディング構造。
【請求項５】
請求項１〜４の何れかにおいて、少なくとも前記ボンディングパッドの前記ボンディングワイヤと接続する表面が金からなることを特徴とするボンディング構造。
【請求項６】
請求項１〜４の何れかにおいて、前記ボンディングワイヤの一端は、アクチュエータ装置の駆動部を駆動するための駆動ＩＣの端子部に接続されていることを特徴とするボンディング構造。
【請求項７】
基板の一方面側に設けられる振動板と、該振動板を介して設けられる下電極、圧電体層及び上電極からなる複数の圧電素子と、前記圧電素子を駆動させる駆動ＩＣと、前記下電極に接続されるボンディングパッドとを具備するアクチュエータ装置であって、請求項１〜６の何れかに記載のボンディング構造によってボンディングパッドにボンディングワイヤが接続されることを特徴とするアクチュエータ装置。
【請求項８】
請求項７に記載のアクチュエータ装置と、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成され、前記アクチュエータ装置を一方の面に具備した流路形成基板とを備えていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ボンディングパッドに接続されるボンディングワイヤのボンディング構造に関し、振動板と圧電素子とを備えたアクチュエータ装置への適用、特に、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電体層の変位によりインク滴を吐出させる液体噴射ヘッドに適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
電圧を印加することにより変位する圧電素子を具備するアクチュエータ装置は、例えば、液滴を噴射する液体噴射ヘッド等に搭載される。このような液体噴射ヘッドとしては、例えば、ノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドが知られている。そして、インクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータ装置を搭載したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータ装置を搭載したものの２種類が実用化されている。
【０００３】
ここで、後者のインクジェット式記録ヘッドとしては、圧力発生室が形成された流路形成基板に接合される基板、例えば、リザーバ形成基板に駆動ＩＣが搭載され、各圧電素子から引き出されたリード電極の端子部と駆動ＩＣとをワイヤボンディングを用いたボンディングワイヤにより電気的に接続する構造が採用されている（例えば、特許文献１参照）。このようなインクジェット式記録ヘッドの製造において行われるワイヤボンディングは、キャピラリを用いて、駆動ＩＣの端子部に接続配線の一端を接続した後に、そのボンディングワイヤの他端をリード電極の端子部であるボンディングパッドに接続することで行われる。
【０００４】
インクジェット式記録ヘッドでは、実装部品の小型化や振動子の高密度化が図られており、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線も高密度化が求められている。ボンディングワイヤを斜めに張る場合、部品を小さくするためには大きな角度で配置することが好ましく、振動子の高密度化の点からもボンディングワイヤのピッチを高密度化することが好ましい。
【０００５】
このため、従来から、ボンディングワイヤを斜めに張って小型化を図る技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。しかし、従来の技術では、最適なピッチや角度に関しては規定されておらず、最適な配置状況の特定が望まれているのが実情である。また、従来の技術では、ボンディング点を千鳥状に配置して隣接するワイヤとの接触を防止することでピッチを狭くしている。しかし、実装部品の小型化の点を考えると、ボンディング点は一直線上に配置されることが好ましい。
【０００６】
尚、上述した問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドだけでなく、ＬＳＩやＩＣ等の半導体素子を用いたボンディングワイヤの接続構造を有するデバイスなど
においても同様に存在する。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１６０３６６号公報（第３頁、第２図）
【特許文献２】特開２００３−３１６１０号公報（第１図、第４図、第５図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適な配置状況を特定したボンディング構造を提供することを課題とする。
【０００９】
また、本発明はこのような状況に鑑みてなされたもので、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適な配置状況を特定したボンディング構造を採用したアクチュエータ装置及び液体噴射ヘッドを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、加工必要幅Ｆのボンディング部としてボンディングワイヤをボンディングパッドに接続し、機械施工のばらつきをＣとしたとき、前記ボンディング部のピッチＰを、（Ｆ＋Ｃ）より大きくしたことを特徴とするボンディング構造にある。
本発明の第１の態様では、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適なボンディング部のピッチＰの配置状況を特定することができる。
【００１１】
上記課題を解決する本発明の第２の態様は、外径がＤのキャピラリを用いてステッチ幅Ａのボンディング部としてボンディングワイヤをボンディングパッドに接続し、キャピラリの施工のばらつきをＣとしたとき、前記ボンディング部のピッチＰを、（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）より大きくしたことを特徴とするボンディング構造にある。
第２の態様では、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適なボンディング部のピッチＰの配置状況を特定することができる。
【００１２】
上記課題を解決する本発明の第３の態様は、一端が固定されたボンディングワイヤの他端をボンディング部としてボンディングパッドに接続し、ボンディングワイヤの中央部におけるぶれとボンディングワイヤの径との合計寸法をＥとしたとき、前記ボンディング部のピッチＰを、合計寸法Ｅの２倍の値から一端側の固定ピッチの寸法を減じた値を超える寸法としたことを特徴とするボンディング構造にある。
第３の態様では、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適なボンディング部のピッチＰの配置状況を特定することができる。
【００１３】
上記課題を解決する本発明の第４の態様は、一端が固定されたボンディングワイヤの他端を、外径がＤのキャピラリを用いてステッチ幅Ａのボンディング部としてボンディングパッドに接続し、キャピラリの施工のばらつきをＣとし、ボンディングワイヤの中央部におけるぶれとボンディングワイヤの径との合計寸法をＥとしたとき、前記ボンディング部のピッチＰを、（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）より大きくし、且つ、合計寸法Ｅの２倍の値から一端側の固定ピッチの寸法を減じた値を超える寸法としたことを特徴とするボンディング構造にある。
第４の態様では、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化することができる最適なボンディング部のピッチＰの配置状況を特定することができる。
【００１４】
本発明の第５の態様は、第１〜４のいずれかの態様において、少なくとも前記ボンディングパッドの前記ボンディングワイヤと接続する表面が金からなることを特徴とするボンディング構造にある。
第５の態様では、金からなるボンディングパッドを用いることで、金からなるボンディングワイヤを最適な配置状況に特定して確実に接合することができる。
【００１５】
本発明の第６の態様は、第１〜４のいずれかの態様において、前記ボンディングワイヤの一端は、アクチュエータ装置の駆動部を駆動するための駆動ＩＣの端子部に接続されていることを特徴とするボンディング構造にある。
第６の態様では、一端が駆動ＩＣ側に接続されたボンディングワイヤを最適な配置状況に特定して確実に接合することができる。
【００１６】
上記課題を解決する本発明の第７の態様は、基板の一方面側に設けられる振動板と、該振動板を介して設けられる下電極、圧電体層及び上電極からなる複数の圧電素子と、前記圧電素子を駆動させる駆動ＩＣと、前記下電極に接続されるボンディングパッドとを具備するアクチュエータ装置であって、第１〜６のいずれかの態様に記載のボンディング構造によってボンディングパッドにボンディングワイヤが接続されることを特徴とするアクチュエータ装置にある。
第７の態様では、下電極側のボンディングパッドに対してボンディングワイヤを最適な配置状況に特定して確実に接合することができる。
【００１７】
上記課題を解決する本発明の第８の態様は、第７の態様のアクチュエータ装置と、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成され、前記アクチュエータ装置を一方の面に具備した流路形成基板とを備えていることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
第８の態様では、ボンディングワイヤを用いたデバイスの配線を高密度化してボンディングパッドの幅を狭くすることができ、ノズル開口を高密度に配列できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１には本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドを示す分解斜視、図２には図１中の平面視及び断面視を示してある。
【００１９】
液体噴射ヘッドを構成する流路形成基板１０は、本実施形態では、シリコン単結晶基板からなり、その一方面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる弾性膜５０が形成されている。この流路形成基板１０には、その他方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁１１によって区画された圧力発生室１２が形成されている。また、各列の圧力発生室１２の長手方向外側には、後述するリザーバ形成基板３０に設けられるリザーバ部３２と連通し、各圧力発生室１２の共通の液体室となるリザーバ１００を構成する連通部１３が形成されている。また、連通部１３は、液体供給路１４を介して各圧力発生室１２の長手方向一端部とそれぞれ連通されている。また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２の液体供給路１４とは反対側で連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接着剤や熱溶着フィルム等を介して固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。
【００２０】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．４μｍの絶縁体膜５５が形成されている。さらに、この絶縁体膜５５上には、厚さが例えば、約０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０を圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。
【００２１】
なお、上述した例では、圧電素子３００の下電極膜６０、弾性膜５０及び絶縁体膜５５が振動板として作用する。また、圧電素子３００の上電極膜８０の長手方向一端部近傍から流路形成基板１０の圧力発生室１２の端部近傍まで引き出された引き出し配線として、例えば、金（Ａｕ）又はアルミニウム（Ａｌ）の配線金属層と当該金の下側にチタンタングステン（ＴｉＷ）、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）などの密着性金属層を設けてなるリード電極９０が延設されている。
【００２２】
そして、このリード電極９０の先端部で金からなる端子部９０ａは、貫通孔３３で後述する駆動ＩＣ１１０とボンディングワイヤ１２０を介して電気的に接続されている。
【００２３】
このような圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、リザーバ１００の少なくとも一部を構成するリザーバ部３２を有するリザーバ形成基板３０が接着剤３５を介して接合されている。このリザーバ部３２は、本実施形態では、リザーバ形成基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の幅方向に亘って形成されており、上述のように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通の液体室となるリザーバ１００を構成している。
【００２４】
また、リザーバ形成基板３０の圧電素子３００に対向する領域には、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３１が設けられている。さらに、リザーバ形成基板３０のリザーバ部３２と圧電素子保持部３１との間の領域には、リザーバ形成基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられている。そして、各圧電素子３００から引き出された引き出し配線であるリード電極９０は、その端部近傍が貫通孔３３内で露出されている。なお、このようなリザーバ形成基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２５】
さらに、リザーバ形成基板３０上には、各圧電素子３００を駆動するための駆動ＩＣ１１０が設けられている。この駆動ＩＣ１１０の各端子部１１１には、ボンディングワイヤ１２０の一端が接続され、第１ボンディング部２０１とされている。ボンディングワイヤ１２０の他端は、ボンディングパッドであるリード電極９０の端子部９０ａに接続され、第２ボンディング部２０２（後述する図４参照）とされている。なお、ボンディングワイヤ１２０のワイヤ径は、例えば、φ２０μｍの金（Ａｕ）からなるボンディングワイヤ１２０を用いた。
【００２６】
図１、図２に示すように、このようなリザーバ形成基板３０上には、コンプライアンス基板４０が接合されており、コンプライアンス基板４０のリザーバ１００に対向する領域の液体導入口以外の領域は、厚さ方向に薄く形成された可撓部４３となっており、リザーバ１００は、可撓部４３により封止されている。この可撓部４３により、リザーバ１００内にコンプライアンスを与えている。
【００２７】
ここで、駆動ＩＣ１１０の端子部１１１と、リード電極９０の端子部９０ａとをボンディングワイヤ１２０で接続するワイヤボンディング構造について図３乃至図５に基づいて説明する。
【００２８】
図３には本発明の一実施形態に係るワイヤボンディング構造を示す要部断面、図４には本発明の一実施形態に係るワイヤボンディング構造を示す要部平面、図５にはキャピラリの状況を示す断面を示してある。なお、図中のボンディングワイヤ１２０の径やキャピラリ１３０の外径の表示は、説明をわかりやすくするために、割合等は実際の状態と異なった状態で示してある。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、ボンディングワイヤ１２０の一端は、ワイヤボンディング装置を構成するキャピラリ１３０に挿通された状態で保持されており、駆動ＩＣ１１０の端子部１１１にボールボンディングにより第１ボンディング部２０１とされて接続されている。このボールボンディングによる接続方法としてはボンディングワイヤ１２０の先端を溶融することで球体を形成し、この球体を駆動ＩＣ１１０の端子部１１１に押しつけることで行われる。
【００３０】
次に、図３（ｂ）に示すように、ボンディングパッドであるリード電極９０の端子部９０ａにボンディングワイヤ１２０の他端を接続する。このとき、ボンディングワイヤ１２０を加熱すると共に超音波を印加しながらキャピラリ１３０によってボンディングワイヤ１２０をリード電極９０の端子部９０ａに押圧することで、ステッチ幅（Ａ：図４参照）を有する第２ボンディング部２０２（図４、図５参照）とされて接続されている。そして、第２ボンディング部２０２のステッチ幅Ａ、キャピラリ１３０の外径Ｄ及びキャピラリ１３０の施工のばらつきＣに基づいて、第２ボンディング部２０２のピッチＰが設定される。
【００３１】
第２ボンディング部２０２のステッチ幅Ａは、加熱温度を高くすると共に超音波を大きくすることにより広くなる。また、荷重を大きくすると固定力が強くなって超音波による振幅が抑えられてステッチ幅Ａは狭くなる。また、低温のボンディングのため、温度には限界があり超音波による影響が最も大きくなる。これらの要素のバランスを考慮して必要な固定力が得られるステッチの加工必要幅Ｆ、即ち、ステッチ幅Ａが決められる。
【００３２】
キャピラリ１３０の施工のばらつきＣは、ステージのばらつき、ステッチ幅Ａのばらつき、オペレータの誤差が影響し、それぞれの平均を取って合計したものを施工のばらつきＣの最大値としている。
【００３３】
第２ボンディング部２０２のピッチＰは、キャピラリ１３０の径や種々の加工条件に基づいて決められるステッチの加工必要幅Ｆの寸法と、機械施工のばらつきＣの寸法との合計寸法より大きく設定される。つまり、
ピッチＰ＞（Ｆ＋Ｃ）
となる。
【００３４】
具体的には、図４に示すように、外径Ｄのキャピラリ１３０を用いてステッチ幅Ａの第２ボンディング部２０２とした場合、キャピラリ１３０の施工のばらつきをＣとして、ステッチ幅Ａの１／２の寸法と、外径Ｄの１／２の寸法と、ばらつきＣの寸法を合計した寸法よりも大きく設定される。つまり、
ピッチＰ＞（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）
となる。この関係を満たした最小値が第２ボンディング部２０２の最小ピッチとなる。
【００３５】
このため、第２ボンディング部２０２の最小ピッチを設定することができ、第２ボンディング部２０２のピッチＰを可能な限り小さくしてヘッドの小型化を図ることが可能になる。
【００３６】
一方、ボンディングワイヤ１２０は一端が駆動ＩＣ１１０（図３参照）の端子部１１１（図３参照）に接続され、他端がリード電極９０の端子部９０ａに接続されている。ボンディングワイヤ１２０は端部の高さが異なり所定の長さを有しているため、ボンディングワイヤ１２０にはぶれが存在する。ぶれにより隣接するボンディングワイヤ１２０が接触するとショートする事故につながるため、第２ボンディング部２０２のピッチＰは、ボンディングワイヤ１２０のぶれを考慮して設定される。
【００３７】
図６、図７に基づいてぶれを考慮した第２ボンディング部２０２のピッチＰの設定状況を説明する。図６にはぶれを説明する概念、図７にはボンディング部の座標とぶれの関係を表す概念を示してある。
【００３８】
図６に示すように、ボンディングワイヤ１２０のぶれは中心で最大となり、ぶれＥはボンディングワイヤ１２０の径とぶれ幅の合計の値となっている。このような状況で第２ボンディング部２０２のピッチＰを求める場合、図７に示すように、第１ボンディング部２０１及び施工後の第２ボンディング部２０２の座標値ａ、ｂ、ｃとキャピラリ１３０の外径Ｄを定数とした場合、接続する第２ボンディング部２０２の座標値ｄの最小値を求めることになる。
【００３９】
隣接するボンディングワイヤ１２０の中央の座標をそれぞれ（ａ／２、ｂ／２）、｛（ｃ＋ｄ）／２、ｂ／２｝としたとき、隣接するボンディングワイヤ１２０が接触しないためには、
｛（ｃ＋ｄ）／２｝−（ａ／２）＞（Ｄ／２）＋（Ｄ／２）
の関係を満足させればよい。つまり、ボンディングワイヤ１２０の中央部におけるぶれとボンディングワイヤの径との合計寸法をＥとしたとき、第２ボンディング部２０２のピッチＰを、合計寸法Ｅの２倍の値から第１ボンディング部２０１のピッチ（一端側の固定ピッチ）の寸法を減じた値を超える寸法とする。
【００４０】
具体的には、
ｄ＞２Ｄ＋ａ−ｃ
ｄ＞２Ｄ−（ｃ−ａ）
ｄ＞２Ｄ−（第１ボンディング部２０１のピッチ）
のいずれかの関係を満たした最小値が第２ボンディング部２０２の最小ピッチとなる。
【００４１】
このため、ぶれを考慮して第２ボンディング部２０２の最小ピッチを設定することができ、第２ボンディング部２０２のピッチＰを可能な限り小さくしてヘッドの小型化を図ることが可能になる。
【００４２】
また、前述した
ピッチＰ＞（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）
を満たすと共に
ｄ＞２Ｄ＋ａ−ｃ
ｄ＞２Ｄ−（ｃ−ａ）
ｄ＞２Ｄ−（第１ボンディング部２０１のピッチ）
のいずれかの関係を満たす場合の両方の関係を満足した最小値を第２ボンディング部２０２の最小ピッチとすることも可能である。
【００４３】
つまり、第２ボンディング部２０２の最小ピッチを設定するに際し、キャピラリ１３０の施工のばらつきをＣとし、ボンディングワイヤ１２０の中央部におけるぶれとボンディングワイヤ１２０の径との合計寸法をＥとしたとき、第２ボンディング部のピッチＰを、（Ｄ／２＋Ａ／２＋Ｃ）より大きくし、且つ、合計寸法Ｅの２倍の値から第１ボンディング部２０１のピッチを減じた値を超える寸法とすることも可能である。
【００４４】
なお、本実施形態では、駆動ＩＣ１１０の端子部１１１とリード電極９０の端子部９０ａとを、上述したワイヤボンディング構造により接続したボンディングワイヤ１２０で電気的に接続するようにしたが、液体噴射ヘッドのボンディングワイヤに接続される電極の全てに上述したワイヤボンディング方法及びボンディングワイヤの接続構造を適用することができる。リード電極９０の端子部９０ａ以外では、例えば、図示しないが下電極膜６０と駆動ＩＣ１１０とを接続するボンディングワイヤや、リザーバ形成基板３０の駆動ＩＣ１１０が設けられた面に形成された配線電極の端子部と駆動ＩＣ１１０の端子部とを接続するボンディングワイヤなどが挙げられる。
【００４５】
なお、本実施形態では、アクチュエータ装置、特に、液体噴射ヘッドに用いられるワイヤボンディング方法及びこれにより形成されたボンディングワイヤの接続構造を例示したが、特にこれに限定されず、ボンディングワイヤを用いる半導体デバイス等の他のデバイスにおいても本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、ボンディングパッドに接続されるボンディングワイヤのボンディング構造、振動板と圧電素子とを備えたアクチュエータ装置、特に、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板の表面に圧電素子を形成して、圧電体層の変位によりインク滴を吐出させる液体噴射ヘッドの分野で利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る液体噴射ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るワイヤボンディング構造の要部断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るワイヤボンディング構造の要部平面図である。
【図５】キャピラリの状況を示す断面図である。
【図６】ぶれを説明する概念図である。
【図７】ボンディング部の座標とぶれの関係を表す概念図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０  流路形成基板、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  リザーバ形成基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ６０  下電極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  ９０ａ  端子部、  １００  リザーバ、  １１０  駆動ＩＣ、  １１１  端子部、  １２０  ボンディングワイヤ、  １３０  キャピラリ、  ２０１  第１ボンディング部、  ２０２  第２ボンディング部、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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