(57)【要約】【課題】  液状材料が膜パターン形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。【解決手段】  基板１の面を撥液化処理し、液状材料の液滴４を、レジスト膜９を形成する領域２の周縁部に配置し、周縁帯膜７ａを形成する。次に、基板１の面を親液化処理し、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液状材料を充填して中央膜８を形成し、周縁帯膜７ａと中央膜８とで、レジスト膜９を形成する。絶縁膜も同様に形成する。回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイスは、上記方法で形成された膜を備え、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置、回路基板、表面弾性波発振装置を備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、膜パターンを所定の形状に形成する膜パターン形成方法であって、
前記基板の面を撥液性に処理する撥液化工程と、
前記膜パターンを形成する第１の領域の周縁領域に、前記膜パターンを構成する材料を含む液状体の液滴を配置して、配置された前記液滴からなる周縁帯を形成し、当該周縁帯が乾燥又は硬化した周縁帯膜を形成する周縁形成工程と、
前記基板の面を親液性に処理する親液化工程と、
前記周縁帯膜に囲まれた第２の領域に前記液滴を配置して、前記第２の領域に前記液状体を充填する充填工程と、を有することを特徴とする膜パターン形成方法。
【請求項２】
前記周縁形成工程と前記親液化工程との間に、前記周縁帯を乾燥または硬化させて周縁帯膜を形成する膜化工程をさらに有することを特徴とする、請求項１に記載の膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記膜化工程における前記周縁帯を乾燥または硬化させる処理は、前記周縁帯に熱を加える処理又は前記周縁帯に光を照射する処理であることを特徴とする、請求項２に記載の膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記撥液化工程においては、
前記基板の前記膜パターンを形成する面の水に対する接触角を６０度以上にすることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記親液化工程においては、
前記基板の前記膜パターンを形成する面の水に対する接触角を３０度以下にすることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項６】
前記撥液化工程は、
前記基板面に対して親液化処理または撥液化処理を実行する予備処理工程と、
前記予備処理工程において前記親液化処理を実行した場合には前記撥液化処理を実行し、前記予備処理工程において前記撥液化処理を実行した場合には前記親液化処理を実行することで、前記膜パターンを形成する面の水に対する接触角を、所定の接触角以上に調整する調整処理工程と、を有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法。
【請求項７】
前記撥液化処理する工程が、前記基板の表面にフッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を形成する工程であることを特徴とする、請求項６に記載の膜パターン形成方法。
【請求項８】
前記撥液化処理する工程が、フルオロカーボン系化合物を反応ガスとして用いて前記基板の表面をプラズマ処理する工程であることを特徴とする、請求項６に記載の膜パターン形成方法。
【請求項９】
前記撥液化処理する工程が、フッ素を含有する高分子化合物を前記基板の表面に塗布し撥液膜を形成する工程であることを特徴とする、請求項６に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１０】
前記親液化処理する工程が、前記基板の表面に紫外線を照射する工程であることを特徴とする、請求項６に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１１】
前記親液化処理する工程が、酸素を反応ガスとして用いて前記基板の表面をプラズマ処理する工程であることを特徴とする、請求項６に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１２】
前記親液化処理する工程が、前記基板の表面を酸又はアルカリ処理する工程であることを特徴とする、請求項６に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１３】
前記周縁帯は、前記液滴が互いに接触して１列に連なっていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１４】
前記周縁形成工程と前記膜化工程とを交互に複数回実行し、積層された前記周縁帯膜を形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１５】
前記周縁形成工程で使用される前記液状体の粘性は、前記充填工程で使用される前記液状体の粘性より高いことを特徴とする、請求項１に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１６】
前記周縁形成工程で吐出される前記液滴１滴あたりの体積は、前記充填工程で吐出される前記液滴１滴あたりの体積より小さいことを特徴とする、請求項１に記載の膜パターン形成方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とする膜パターン。
【請求項１８】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とするレジスト膜。
【請求項１９】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とする絶縁膜。
【請求項２０】
表面弾性波デバイスの表面の陽極酸化処理を実施しない部分に、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いてレジスト膜を形成する工程と、
前記表面弾性波デバイスの表面に、前記陽極酸化処理を実行する工程と、を有することを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載のレジスト膜を形成後、陽極酸化を実行して形成されたことを特徴とする表面弾性波デバイス。
【請求項２２】
請求項１８に記載のレジスト膜を形成後、エッチングを実行して形成されたことを特徴とする表面弾性波デバイス。
【請求項２３】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜との間を絶縁するための絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
基板上に形成された導電性膜の上に請求項１９に記載の絶縁膜が形成され、当該絶縁膜の上に導電性膜又は半導電性膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて、導電性膜相互間を絶縁する絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２６】
基板上に請求項１９に記載の絶縁膜が形成され、当該絶縁膜の上に導電性膜が形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２７】
請求項２１または２２に記載の表面弾性波デバイスを備えることを特徴とする表面弾性波発振装置。
【請求項２８】
請求項１７に記載の膜パターンを備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２９】
請求項２４に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３０】
請求項２６に記載の回路基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３１】
請求項２７に記載の表面弾性波発振装置、または請求項２８乃至３０に記載の電気光学装置のいずれか一つを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターン形成方法、当該膜パターン形成方法を用いて製造された膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに当該膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜のいずれかを備えた、回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に、導体からなる膜パターン（以下、「配線膜」という。）が配置された回路配線と、配線膜を覆う絶縁膜などの膜パターンと、が積層されて形成された半導体装置や、回路基板、表面弾性波デバイスなどが知られている。また、これらの装置を製造する過程において、レジスト膜などの膜パターンが形成され使用されていることが知られている。膜パターンの効率的な形成方法として、特許文献１に記載されたような、液体状の膜材料（流動体）の液滴を液滴吐出ヘッドから吐出し、着弾した液状材料（膜材料）から溶媒を除いて乾燥させたり、液状材料を硬化させたりすることで、膜パターンを形成する、所謂インクジェット方式が知られている。
【０００３】
膜パターンは、目的とする機能により規定される平面形状及び厚さに形成されることが必要である。インクジェット方式では、例えば特許文献２に記載されたように、基板上に所定の平面形状の膜パターン形成領域を囲むようにバンクを配置することによって、形成する膜パターンの形状と同じ平面形状の凹部を形成する。この凹部に向けて液状材料の液滴を吐出すると、着弾した液状材料は、バンクによって膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制されることから、液状材料を膜パターン形成領域に充分充填させることができる。また、液状材料が充填された領域の平面形状は、バンクによって区切られた領域の形状となる。凹部に充填された液状材料を乾燥又は硬化させることによって、所定の形状及び厚さの膜パターンが形成される。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【特許文献２】特開２００４−１０３４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、膜パターン形成領域を囲むようにバンクを配置するためには、膜パターン形成領域とバンク形成領域とが必要であり、膜パターンを形成するために必要な面積が増加するという課題があった。また、膜パターン自体を形成する工程及び膜パターン自体の製造装置の他に、バンクを形成するための工程及び製造装置が別途必要であるという課題もあった。
【０００６】
そこで、本発明は、膜パターン形成領域以外の余分な面積を必要とせずに、着弾した液状材料が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法、膜パターン、レジスト膜、及び絶縁膜、並びに回路基板、半導体装置、表面弾性波デバイス、表面弾性波発振装置、電気光学装置、及び電子機器を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による膜パターン形成方法は、基板上に、膜パターンを所定の形状に形成する膜パターン形成方法であって、基板面を撥液性に処理する撥液化工程と、膜パターンを形成する第１の領域の周縁領域に、膜パターンを構成する材料を含む液状体の液滴を配置して、配置された液滴からなる周縁帯を形成し、当該周縁帯が乾燥又は硬化した周縁帯膜を形成する周縁形成工程と、基板面を親液性に処理する親液化工程と、周縁帯膜に囲まれた第２の領域に液滴を配置して、第２の領域に液状体を充填する充填工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の方法によれば、周縁形成工程によって、第１の領域の周縁領域に液滴からなる周縁帯が形成され、周縁帯膜が形成される。周縁帯を形成する液滴は、第１の領域の周縁部に配置され、配置された位置から第１の領域の外側方向及び内側方向の両方向に濡れ広がる。ところで、第１の領域の全域に連続して液滴を配置するような方法では、第１の領域の周縁領域と当該周縁領域に連続する第２の領域とに連続して液滴が配置されることから、周縁領域に配置された液滴は、続いて第２の領域に配置された液滴が濡れ広がろうとする力を受けて、着弾した位置から第１の領域の外側方向にのみ濡れ広がる。従って、最初に周縁部にのみ液滴を配置することで、第１の領域の全域に連続して液滴を配置する方法に比べて、第１の領域の外周に配置された液滴の着弾位置からの外側方向への濡れ広がりを小さくすることができる。
【０００９】
加えて、周縁形成工程に先立って、基板面を撥液性に処理する撥液化工程を実施することで、第１の領域の周縁部に配置された液滴は、基板面に濡れ広がり難くなる。液滴の濡れ広がり面積が小さいため、厚さは厚くなる。従って、撥液化工程を実施することで、撥液化工程を実施しない基板面に比べて、第１の領域の外周に配置された液滴の着弾位置からの外側方向への濡れ広がりをより小さくすることができる。それと共に、形成される周縁帯膜を厚くすることができる。
【００１０】
また、周縁帯膜は、基板面より盛上っており、第２の領域を囲む壁のように形成され、第２の領域に充填された液状体は、壁状の周縁帯膜によって、第１の領域の外に流出することを阻止されることから、第２の領域に液状体を充分に充填することができる。
【００１１】
さらに、充填工程に先立って、基板面を親液性に処理する親液化工程を実施することで、第２の領域に配置された液滴は、基板面に濡れ広がり易くなる。容易に濡れ広がるため、液滴は粒状の形状は維持され難く、平坦に広がり易い。従って、親液化工程を実施することで、親液化工程を実施しない基板面に比べて、第２の領域に配置された液滴が隅々まで濡れ広がるようにすることができると共に、形成される膜パターンを平坦化することができる。
【００１２】
この場合、膜パターン形成方法は、周縁形成工程と親液化工程との間に、周縁帯を乾燥または硬化させて周縁帯膜を形成する膜化工程をさらに有することが好ましい。
【００１３】
乾燥又は硬化されて固化した状態の周縁帯膜は、第２の領域に配置された液滴が濡れ広がろうとする力を受けても、移動や変形することはなく、第２の領域を囲むより強固な壁となる。このことから、第２の領域に充填された液状体が第１の領域の外に流出することをより確実に抑制することができる。
【００１４】
この場合、膜パターン形成方法は、膜化工程における周縁帯を乾燥または硬化させる処理は、周縁帯に熱を加える処理又は周縁帯に光を照射する処理であることが好ましい。
【００１５】
温度を上昇させたり光を照射したりすることで、溶剤の乾燥を促進したり、硬化の反応時間を短縮したりすることができ、温度を上昇させたり光を照射することを実行しない場合に比べて、より効率良く液状の周縁帯から固体状の周縁帯膜を形成することができる。
【００１６】
この場合、膜パターン形成方法は、撥液化工程においては、基板の膜パターンを形成する面の水に対する接触角を６０度以上にすることが好ましい。
【００１７】
水に対する接触角が６０度以上の面は、配置された液状体に濡れ難いため、配置された液滴は、濡れ広がり面積が小さくなると共に、厚さが厚くなる。従って、基板面の水に対する接触角が６０度以上にすることで、第１の領域の外周に配置された液滴の外側方向への濡れ広がりをより小さくすることができると共に、形成される周縁帯膜を厚くすることができる。
【００１８】
この場合、膜パターン形成方法は、親液化工程においては、基板の膜パターンを形成する面の水に対する接触角を３０度以下にすることが好ましい。
【００１９】
水に対する接触角が３０度以下の面は、配置された液状体に対する濡れ性が良好であり、第２の領域に配置された液状体が良好に濡れ広がる。容易に濡れ広がるため、液滴は粒状の形状は維持され難く、平坦に広がり易い。従って、水に対する接触角を３０度以下にすることで、第２の領域に配置された液滴が隅々まで濡れ広がるようにすることができると共に、形成される膜パターンを平坦化することができる。
【００２０】
この場合、膜パターン形成方法は、撥液化工程は、基板面に対して親液化処理または撥液化処理を実行する予備処理工程と、予備処理工程において親液化処理を実行した場合には撥液化処理を実行し、予備処理工程において撥液化処理を実行した場合には親液化処理を実行することで、膜パターンを形成する面の水に対する接触角を、所定の接触角以上に調整する調整処理工程と、を有することが好ましい。
【００２１】
予備処理工程において、親液化処理を実施することで、基板面を当該親液化処理で可能な最も親液性側に処理する。最も親液性側に処理することで、予備処理工程後の基板面の接触角は、一定の値となることから、予め測定することで、予備処理工程後の基板面の接触角を既知とすることができる。次に、調整処理工程において、撥液化処理することで接触角を増加させる。予備処理工程後の既知の接触角から接触角を増加させることで、所望の接触角を実現し易くなる。同様に、予備処理工程において、撥液化処理を実施することで、基板面を当該撥液化処理で可能な最も撥液性側に処理する。次に、調整処理工程において、親液化処理することで接触角を減少させる。予備処理工程後の既知の接触角から接触角を減少させることで、所望の接触角を実現し易くなる。
【００２２】
この場合、膜パターン形成方法は、撥液化処理する工程が、基板の表面にフッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を形成する工程であることが好ましい。
【００２３】
膜パターンを形成する面に撥液性の層が形成され、当該面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００２４】
この場合、膜パターン形成方法は、撥液化処理する工程が、フルオロカーボン系化合物を反応ガスとして用いて基板の表面をプラズマ処理する工程であることが好ましい。
【００２５】
膜パターンを形成する面が撥液性側に改質され、当該面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００２６】
この場合、膜パターン形成方法は、撥液化処理する工程が、フッ素を含有する高分子化合物を基板の表面に塗布し撥液膜を形成する工程であることが好ましい。
【００２７】
膜パターンを形成する面に撥液性の膜が形成され、当該面の接触角を撥液性側に調整することができる。
【００２８】
この場合、膜パターン形成方法は、親液化処理する工程が、基板の表面に紫外線を照射する工程であることが好ましい。
【００２９】
膜パターンを形成する面が親液性側に改質され、当該面の接触角を親液性側に調整することができる。
【００３０】
この場合、膜パターン形成方法は、親液化処理する工程が、酸素を反応ガスとして用いて基板の表面をプラズマ処理する工程であることが好ましい。
【００３１】
膜パターンを形成する面が親液性側に改質され、当該面の接触角を親液性側に調整することができる。
【００３２】
この場合、膜パターン形成方法は、親液化処理する工程が、基板の表面を酸又はアルカリ処理する工程であることが好ましい。
【００３３】
膜パターンを形成する面に親液性の層が形成され、当該面の接触角を親液性側に調整することができる。
【００３４】
この場合、膜パターン形成方法によって形成される周縁帯は、液滴が互いに接触して１列に連なっていることが好ましい。
【００３５】
周縁帯の占める面積を小さくできることから、狭い第１の領域であっても周縁帯を形成することができる。また、周縁帯を形成するのに要する時間を短縮することができる。
【００３６】
この場合、膜パターン形成方法は、周縁形成工程と膜化工程とを交互に複数回実行し、積層された周縁帯膜を形成することが好ましい。
【００３７】
周縁帯膜の高さをより高くすることができ、第２の領域により多くの液状体を充填することができることから、より厚い膜パターンを形成することができる。
【００３８】
この場合、周縁形成工程で使用される液状体の粘性は、充填工程で使用される液状体の粘性より高いことが好ましい。
【００３９】
液滴の着弾位置からの広がりを抑制し、より高い周縁帯又は周縁帯膜を形成するためには、液状体の粘性が大きいことが好ましい。一方、液状体を領域の全域に充填するためには、液状体の粘性が小さいことが好ましい。従って、液状体の粘性は双方を満足する値にすることが必要である。周縁形成工程で使用される液状体の粘性を、充填工程で使用される液状体の粘性より大きくすることで、周縁形成工程で使用される液状体は、液状体を領域の全域に充填するために、液状体の粘性を小さくすることは不要となり、双方の工程で同一の粘性の液状体を使用する方法に比べて、粘性がより大きい液状体を用いることが可能となる。同様に、充填工程で使用される液状体は、より高い周縁帯又は周縁帯膜を形成するために、液状体の粘性を大きくすることは不要となり、粘性がより小さい液状体を用いることが可能となる。
【００４０】
この場合、周縁形成工程で吐出される液滴１滴あたりの体積は、充填工程で吐出される液滴１滴あたりの体積より小さいことが好ましい。
【００４１】
液滴の体積が大きいほど、着弾した液滴の濡れ広がる面積は大きくなる。液滴の着弾位置からの広がりを抑制するためには、液滴の体積が小さいことが好ましい。一方、液状体を領域に効率良く充填するためには、液滴の体積が大きいことが好ましい。従って、液滴の体積は双方を満足する値にすることが必要である。周縁形成工程で吐出される液滴の体積を、充填工程で吐出される液滴の体積より小さくすることで、周縁形成工程で吐出される液滴は、液状体を領域に効率良く充填するために液滴の体積を大きくすることは不要となり、双方の工程で同一の体積の液滴を使用する方法に比べて、体積がより小さい液滴にすることが可能となる。同様に、充填工程で吐出される液滴は、液滴の着弾位置からの広がりを抑制するために、液滴の体積を小さくすることが不要となり、体積がより大きい液滴にすることが可能となる。このように、液滴の着弾位置からの広がりを抑制し易い液滴の体積と、効率良く充填し易い液滴の体積とを選択して、余分な広がりが小さい膜パターンを効率良く形成することができる。
【００４２】
本発明の膜パターンは、前記請求項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とする。
【００４３】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成されたことから、必要な部分を充分覆うと共に、不要な部分を覆うことが抑制された好適なパターン形状及び厚さの膜パターンを実現できる。
【００４４】
本発明のレジスト膜は、前記請求項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とする。
【００４５】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成されたことから、必要な部分を充分覆うと共に、不要な部分を覆うことが抑制された好適なパターン形状及び厚さのレジスト膜を実現することができる。
【００４６】
本発明の絶縁膜は、前記請求項に記載の膜パターン形成方法を用いて形成したことを特徴とする。
【００４７】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成されたことから、必要な部分を充分覆うと共に、不要な部分を覆うことが抑制された好適なパターン形状及び厚さの絶縁膜を実現することができる。
【００４８】
本発明の表面弾性波デバイスの製造方法は、表面弾性波デバイスの表面の陽極酸化処理を実施しない部分に、前記請求項に記載の膜パターン形成方法を用いてレジスト膜を形成する工程と、表面弾性波デバイスの表面に、陽極酸化処理を実行する工程と、を有することを特徴とする。
【００４９】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成されたことから、陽極酸化被処理面に影響を及ぼさないと共に、陽極酸化処理から非処理面を保護する、好適な平面形状及び厚さのレジスト膜を実現することができる。これにより、好適な陽極酸化被処理面及び陽極酸化非処理面を有する好適な表面弾性波デバイスを実現することができる。
【００５０】
本発明の表面弾性波デバイスは、前記請求項に記載のレジスト膜を形成後、陽極酸化を実行して形成されたことを特徴とする。
【００５１】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成されたことから、陽極酸化被処理面に影響を及ぼさないと共に、陽極酸化処理から非処理面を保護する、好適な平面形状及び厚さのレジスト膜を実現することができる。これにより、好適な陽極酸化被処理面及び陽極酸化非処理面を有する好適な表面弾性波デバイスを実現することができる。
【００５２】
本発明の表面弾性波デバイスは、前記請求項に記載のレジスト膜を形成後、エッチングを実行して形成されたことを特徴とする。
【００５３】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成されたことから、膜のエッチングで除去する部分を覆うことがないと共に、膜のエッチングで除去しない部分を保護する、好適な平面形状及び厚さのレジスト膜を実現することができる。これにより、エッチングによって形成された好適な膜パターンを有する、好適な表面弾性波デバイスを実現することができる。
【００５４】
本発明の半導体装置の製造方法は、前記請求項のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜との間を絶縁するための絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【００５５】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成され、必要な部分を充分覆うと共に、不要な部分を覆うことが抑制された好適なパターン形状及び厚さの絶縁膜を有することから、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜の間の好適な絶縁が実現された好適な半導体装置を製造できる半導体装置の製造方法を実現することができる。
【００５６】
本発明の半導体装置は、基板上に形成された導電性膜の上に前記請求項に記載の絶縁膜が形成され、当該絶縁膜の上に導電性膜又は半導電性膜が形成されていることを特徴とする。
【００５７】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成され、必要な部分を充分覆うと共に、不要な部分を覆うことが抑制された好適なパターン形状及び厚さの絶縁膜を有することから、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜の間の好適な絶縁が実現された高性能の半導体装置を実現することができる。
【００５８】
本発明の回路基板の製造方法は、前記請求項のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて、導電性膜相互間を絶縁する絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする。
【００５９】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成され、必要な部分を充分覆うと共に、不要な部分を覆うことが抑制された好適なパターン形状及び厚さの絶縁膜を有することから、導電性膜相互間の好適な絶縁が実現された好適な回路基板を製造できる回路基板の製造方法を実現することができる。
【００６０】
本発明の回路基板は、基板上に前記請求項に記載の絶縁膜が形成され、当該絶縁膜の上に導電性膜が形成されていることを特徴とする。
【００６１】
着弾した液状体が膜パターン形成領域から流出したり、膜パターン形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定のパターン形状及び厚さの膜パターンを形成することができる、膜パターン形成方法を用いて形成され、必要な部分を充分覆うと共に、不要な部分を覆うことが抑制された好適なパターン形状及び厚さの絶縁膜を有することから、導電性膜相互間の好適な絶縁が実現された高性能の回路基板を実現することができる。
【００６２】
本発明の表面弾性波発振装置は、前記請求項に記載の表面弾性波デバイスを備えることを特徴とする。
【００６３】
好適な陽極酸化被処理面及び陽極酸化非処理面を有する好適な表面弾性波デバイス、又は好適なエッチングレジスト膜を用いたエッチングによって形成された好適な膜パターンを有する好適な表面弾性波デバイスを有する、好適な表面弾性波発振装置を実現することができる。
【００６４】
本発明の電気光学装置は、前記請求項に記載の膜パターンを備えることを特徴とする。
【００６５】
好適なパターン形状及び厚さの膜パターンを備えることから、膜パターンによって実現すべき機能を実現できる、高性能の電気光学装置を実現することができる。
【００６６】
本発明の電気光学装置は、前記請求項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする。
【００６７】
導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜の間の好適な絶縁が実現された高性能の半導体装置を備えることから、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜の間の好適な絶縁が実現された高性能の電気光学装置を実現することができる。
【００６８】
本発明の電気光学装置は、前記請求項に記載の回路基板を備えることを特徴とする。
【００６９】
導電性膜相互間の好適な絶縁が実現された高性能の回路基板を備えることから、導電性膜相互間の好適な絶縁が実現された高性能の電気光学装置を実現することができる。
【００７０】
本発明による電子機器は、前記請求項に記載の表面弾性波発振装置、または電気光学装置のいずれか一つを備えることを特徴とする。
【００７１】
本発明の構成によれば、好適な表面弾性波発振装置、又は高性能の電気光学装置を搭載したことから、高性能の電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７２】
以下、本発明に係る膜パターン形成方法の一実施形態について、図面を参照して、説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００７３】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式平面図である。図２は、本実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式断面図である。図１に示した基板１は、例えば、表面弾性波デバイスの水晶基板である。図１（ａ）に破線で示した領域２にレジスト膜９を形成する場合を例に挙げて説明する。領域２が、第１の領域に相当し、レジスト膜９が、レジスト膜及び膜パターンに相当する。
【００７４】
最初に、図２（ａ）に示したように、基板１の面に親液化処理を実行して、領域２を含む面に親液性膜１０を形成する。次に図２（ｂ）に示したように、基板１の面に撥液化処理を実行して、親液性膜１０の親液性を緩和して撥液性膜１１を形成する。親液性膜１０及び撥液性膜１１の厚さは、分子１層程度の厚さである。次に、図２（ｃ）に示したように、液滴吐出ヘッド３からレジスト膜９を形成する液状材料（液状体）を液滴４として吐出して、基板１の面上に着弾させる。着弾した液滴４は、基板１の面の液状材料に対する濡れ性によって形状が規定される液粒６となって、基板１上に配置される。親液化処理を実行して、親液性膜１０を形成する工程が、予備処理工程に相当し、撥液化処理を実行して、親液性膜１０の親液性を緩和して撥液性膜１１を形成する工程が、調整処理工程に相当する。液状材料が液状体に相当する。
【００７５】
親液化処理や撥液化処理は、基板１上に配置される液滴４（液状材料）に対する接触角（濡れ性）を親液方向又は撥液方向にシフトさせる処理であって、処理後の接触角は、実施される親液化処理又は撥液化処理、及び処理前の接触角に依存する。しかし、同一の材料からなる基板面であっても、置かれた環境などの違いによって、接触角が異なる場合があり、処理前の接触角は同一の材料からなる基板面であっても異なる場合がある。予備処理工程は、次の調整処理工程で接触角をシフトさせて目的の接触角に調整するために、調整処理工程前の接触角を一定の値にする工程である。本実施形態の予備処理工程は、親液性膜１０を形成する工程であって、例えば水に対する接触角が、０度から１０度の範囲の一定値、例えば１０度になるように処理する。親液化処理の詳細は、後述する。
【００７６】
上記したように、基板１の面上に着弾した液滴４である液粒６の形状は、基板１の面の液状材料に対する濡れ性によって規定される。例えば、固形分としてフェノール−ノボラック樹脂を２０パーセント含む液状材料は、水に対する接触角が３０度以下の面では良好に濡れ広がり、１０ナノグラム程度の液粒６は広く濡れ広がって粒状の形状ではなくなり、高さの測定が困難である。液粒６の形状を、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に充分な厚みに液状材料を充填できるような高さの周縁帯膜７ａを形成することができるような形状にするためには、基板１の面は液状材料に対する接触角が、大きいことが好ましく、水に対する接触角で６０度以上、より好ましくは８０度以上であることが好ましい。撥液性膜１１を形成する工程では、例えば水に対する接触角が、８０度になるように処理する。撥液化処理の詳細は、後述する。
【００７７】
図１（ｂ）に示したように、液粒６は、領域２の周縁部に互いに部分的に重なるような間隔で１列に配置する。互いに部分的に重なった液粒６は一体になり、領域２の周縁部に帯状の周縁帯６ａが形成される。次に、図２（ｄ）に示したように、周縁帯６ａが乾燥又は硬化して周縁帯膜７ａとなる。自然乾燥又は自然硬化に時間がかかる場合には、周縁帯６ａを乾燥させる処理や、周縁帯６ａの硬化を促進させる処理を実施する。
【００７８】
周縁帯６ａを乾燥させる処理は、例えば熱を加えて溶媒を蒸発させる。周縁帯６ａの硬化を促進させる処理は、例えば液状材料が光硬化性の材料であれば、周縁帯６ａに光を照射することで、硬化を促進させる。具体例としては、例えば基板１を加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。
【００７９】
次に、図２（ｅ）に示したように、周縁帯膜７ａが形成された基板１の面に親液化処理を実行して、親液性膜１０を形成する。上記したように、基板１の面上に着弾した液滴４である液粒６の形状は、基板１の面の液状材料に対する濡れ性によって規定される。例えば、固形分としてフェノール−ノボラック樹脂を２０パーセント含む液状材料は、水に対する接触角が３０度以下の面では良好に濡れ広がり、１０ナノグラム程度の液粒６は広く濡れ広がって粒状の形状ではなくなる。液粒６がより良好に濡れ広がるようにするためには、基板１の面は液状材料に対する接触角が、小さいことが好ましく、水に対する接触角で３０度以下、より好ましくは１０度以下であることが好ましい。親液化処理を実行して、親液性膜１０を形成する工程では、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。この親液化処理を実行する工程が、親液化工程に相当する。
【００８０】
次に、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液滴４を吐出し、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液粒６即ち液状材料を充填する。水に対する接触角が、３０度以下の面に着弾した液滴４は良好に濡れ広がるため、図２（ｃ）に示したような形状の液粒６が形成されることはなく、図２（ｆ）に示したように、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液状材料が濡れ広がって充填され、中央膜８が形成される。中央膜８を形成する液状材料は、液滴４が粒状形状ではなく平板状に濡れ広がっている。さらに、平板状に濡れ広がった上に着弾した液滴４は、平板状に濡れ広がった液滴４間の隙間を埋めるように濡れ広がり、中央膜８の表面は、平坦になり易い。
【００８１】
図１（ｃ）及び図２（ｇ）に示したように、充填されて中央膜８を構成する液状材料が乾燥又は硬化することで中央膜８ａが形成され、周縁帯膜７ａと中央膜８ａとで、レジスト膜９が形成される。充填された液状材料の自然乾燥又は自然硬化に時間がかかる場合には、周縁帯６ａと同様に、乾燥させる処理又は硬化を促進させる処理を実施する。液状材料が乾燥又は硬化して固化すると、液状状態より体積が減少する場合は、中央膜８ａの厚みは周縁帯膜７ａより薄くなる。
【００８２】
なお、図１（ｃ）では、液滴４を吐出して充填したことを表すために、中央膜８ａを形成する液状材料を粒状形状に描いてあるが、図２（ｆ）に示すように、着弾した液滴４は一体になり、中央膜８はほぼ均一な厚みの一つ膜になり、乾燥又は硬化した中央膜８ａもまた均一な厚みの一つ膜になっている。
【００８３】
次に、レジスト膜９を形成する基板１の面の前記した適切な接触角を得るための表面処理方法について説明する。まず、基板１の表面に撥液化処理を施す方法について説明する。撥液化処理の方法の一つとしては、基板の表面に、有機分子膜などからなる自己組織化膜を形成する方法が挙げられる。基板表面を処理するための有機分子膜は、一端側に基板に結合可能な官能基を有し、他端側に基板の表面を撥液性等に改質する（表面エネルギーを制御する）官能基を有すると共に、これらの官能基を結ぶ炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖を備えており、基板に結合して自己組織化して分子膜、例えば単分子膜を形成するものである。
【００８４】
自己組織化膜とは、基板など下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、該直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。即ち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性等を付与することができる。
【００８５】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いた場合には、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
【００８６】
自己組織化膜を形成する化合物としては、例えば、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下、「ＦＡＳ」と表記する）を挙げることができる。使用に際しては、一つの化合物を単独で用いるのも好ましいが、２種以上の化合物を組み合せて使用してもよい。
【００８７】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ(4-n)で表される。ここで、ｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子等の加水分解基である。また、Ｒはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ3）（ＣＦ2）ｘ（ＣＨ2）ｙの（ここで、ｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでも良いし、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板１（ガラス、シリコン）等の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板と結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ3）等のフルオロ基を有するため、基板等の下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００８８】
有機分子膜などからなる自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板１とを同一の密閉容器中に入れておき、室温の場合は２〜３日程度の間放置すると基板上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板上に形成される。原料化合物と基板１とを同一の密閉容器中に入れて放置し自己組織化膜を形成する工程が、基板の表面にフッ素を含有する有機分子からなる有機薄膜を形成する工程に相当する。
【００８９】
以上に述べたのは、気相からの自己組織化膜の形成法であるが、液相からも自己組織化膜は形成可能である。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板１を浸積し、洗浄、乾燥することで基板上に自己組織化膜が得られる。原料化合物を含む溶液中に基板１を浸積し、洗浄することで自己組織化膜を形成する工程が、フッ素を含有する高分子化合物を基板の表面に塗布し撥液膜を形成する工程に相当する。
【００９０】
撥液化処理の他の方法として、常圧でプラズマ照射する方法が挙げられる。プラズマ処理に用いるガス種は、基板の表面材質等を考慮して種々選択できる。例えば、４フッ化メタン（テトラフルオロメタン）、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等のフルオロカーボン系ガスを処理ガスとして使用できる。この場合、基板の表面に、撥液性のフッ化重合膜を形成することができる。四フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）の処理条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。ＣＦ4プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置についての詳細は、後述する。
【００９１】
次に、基板１の表面に親液化処理を施す方法について説明する。前記した適切な接触角よりも高い撥液性を有する基板１の表面には、親液化処理を施すことにより撥液性を緩和する。親液化処理としては、波長が１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法が挙げられる。これにより、撥液性の膜を、部分的に、しかも全体としては均一に破壊して、撥液性を緩和することができる。この場合、撥液性の緩和の程度は紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することもできる。
【００９２】
親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするＯ2プラズマ処理が挙げられる。Ｏ2プラズマ処理は、基板Ｐに対してプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射する。Ｏ2プラズマ処理の条件の一例として、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの相対移動速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃である。これにより、撥液性の膜を、部分的に、しかも全体としては均一に変質させて撥液性を緩和することができる。Ｏ2プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置についての詳細は、後述する。
【００９３】
親液化処理のさらに他の方法としては、基板１をオゾン雰囲気に曝す処理が挙げられる。これにより、撥液性の膜を、部分的に、しかも全体としては均一に変質させて、撥液性を緩和することができる。この場合、撥液性の緩和の程度は、照射出力、距離、時間等によって調整することができる。
【００９４】
親液化処理のさらに他の方法としては、基板１を酸又はアルカリ処理する方法が挙げられる。基板１の表面を、酸又はアルカリ処理することで、基板１の表面に形成されている撥液性の膜を部分的に分解させて、撥液性を緩和することができる。部分的な分解は、処理される基板１の表面全体としては均一に起こり、表面全体の撥液性を緩和することができる。
【００９５】
本実施形態においては、撥液化処理方法として、四フッ化メタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を実施し、親液化処理方法として、波長が約２５０ｎｍの紫外光を照射する方法を実施している。なお、紫外光を照射する親液化処理方法では、被処理面が親液性側に改質されるのであって、新に親液性の膜が形成されるものではないが、上記した親液性膜１０は、改質された面も含む概念である。同様に、ＣＦ4プラズマ処理法は、被処理面が撥液性側に改質されるのであって、新に撥液性の膜が形成されるものではないが、上記した撥液性膜１１は、改質された面も含む概念である。
【００９６】
次に、本発明に係るデバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置について説明する。このデバイス製造装置としては、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することによりデバイスを製造する液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。図３は、液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
【００９７】
図３に示すように、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、基板１を支持する基板ステージ２２と、ベース１２と基板ステージ２２との間に介在し、基板ステージ２２を移動可能に支持する第１移動装置（移動装置）１４と、基板ステージ２２に支持されている基板１に対して液状材料の液滴を吐出可能な液滴吐出ヘッド３と、液滴吐出ヘッド３を移動可能に支持する第２移動装置１６と、液滴吐出ヘッド３の液滴の吐出動作を制御する制御装置２３とを備えている。更に、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２上に設けられている重量測定装置としての電子天秤（不図示）と、キャッピングユニット２５と、クリーニングユニット２４とを有している。また、第１移動装置１４及び第２移動装置１６を含む液滴吐出装置ＩＪの動作は、制御装置２３によって制御される。
【００９８】
第１移動装置１４はベース１２の上に設置されており、Ｙ方向に沿って位置決めされている。第２移動装置１６は、２本の支柱１６ａを用いてベース１２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の後部１２ａにおいて取り付けられている。第２移動装置１６のＸ方向（第２の方向）は、第１移動装置１４のＹ方向（第１の方向）と直交する方向である。ここで、Ｙ方向はベース１２の前部１２ｂと後部１２ａ方向に沿った方向である。これに対してＸ方向はベース１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ方向はＸ方向及びＹ方向に垂直な方向である。
【００９９】
第１移動装置１４は、例えばリニアモータによって構成され、２本のガイドレール１４ａと、このガイドレール１４ａに沿って移動可能に設けられているスライダー１４ｂとを備えている。このリニアモータ形式の第１移動装置１４のスライダー１４ｂは、ガイドレール１４ａに沿ってＹ方向に移動して位置決め可能である。
【０１００】
また、スライダー１４ｂはＺ軸回り（θＺ）用のモータ１４ｃを備えている。このモータ１４ｃは、例えばダイレクトドライブモータであり、モータ１４ｃのロータは基板ステージ２２に固定されている。これにより、モータ１４ｃに通電することでロータと基板ステージ２２とは、θＺ方向に沿って回転して基板ステージ２２をインデックス（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移動装置１４は、基板ステージ２２をＹ方向（第１の方向）及びθＺ方向に移動可能である。
【０１０１】
基板ステージ２２は基板１を保持し、所定の位置に位置決めするものである。また、基板ステージ２２は不図示の吸着保持装置を有しており、吸着保持装置が作動することにより、基板ステージ２２の穴２２ａを通して基板１を基板ステージ２２の上に吸着して保持する。
【０１０２】
第２移動装置１６はリニアモータによって構成され、支柱１６ａに固定されたコラム１６ｂと、このコラム１６ｂに支持されているガイドレール１６ｃと、ガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動可能に支持されているスライダー１６ｄとを備えている。スライダー１６ｄはガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド３はスライダー１６ｄに取り付けられている。
【０１０３】
液滴吐出ヘッド３は、揺動位置決め装置としてのモータ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄを有している。モータ１８ａを作動すれば、液滴吐出ヘッド３は、Ｚ軸に平行に上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）である。モータ１８ｂを作動すると、液滴吐出ヘッド３は、Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能である。モータ１８ｃを作動すると、液滴吐出ヘッド３は、Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モータ１８ｄを作動すると、液滴吐出ヘッド３は、Ｚ軸回りのα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第２移動装置１６は、液滴吐出ヘッド３をＸ方向（第１の方向）及びＺ方向に移動可能に支持するとともに、この液滴吐出ヘッド３をθＸ方向、θＹ方向、θＺ方向に移動可能に支持する。
【０１０４】
このように、図３の液滴吐出ヘッド３は、スライダー１６ｄにおいて、Ｚ軸方向に直線移動して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド３の液滴吐出面３Ｐは、基板ステージ２２側の基板１に対して正確に位置あるいは姿勢をコントロールすることができる。なお、液滴吐出ヘッド３の液滴吐出面３Ｐには液滴を吐出する複数のノズルが設けられている。
【０１０５】
電子天秤（不図示）は、液滴吐出ヘッド３のノズルから吐出された液滴の一滴の重量を測定して管理するために、例えば、液滴吐出ヘッド３のノズルから、５０００滴分の液滴を受ける。電子天秤は、この５０００滴の液滴の重量を５０００の数字で割ることにより、一滴の液滴の重量を正確に測定することができる。この液滴の測定量に基づいて、液滴吐出ヘッド３から吐出する液滴の量を最適にコントロールすることができる。
【０１０６】
クリーニングユニット２４は、液滴吐出ヘッド３のノズル等のクリーニングを製造工程中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことができる。キャッピングユニット２５は、液滴吐出ヘッド３の液滴吐出面３Ｐが乾燥しないようにするために、デバイスを製造しない待機時にこの液滴吐出面３Ｐにキャップをかぶせるものである。
【０１０７】
液滴吐出ヘッド３が第２移動装置１６によりＸ方向に移動することで、液滴吐出ヘッド３を電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５の上部に選択的に位置決めさせることができる。つまり、製造作業の途中であっても、液滴吐出ヘッド３をたとえば電子天秤の位置に移動することで、液滴の重量を測定できる。また液滴吐出ヘッド３をクリーニングユニット２４上に移動することで、液滴吐出ヘッド３のクリーニングを行うことができる。液滴吐出ヘッド３をキャッピングユニット２５の上に移動して、液滴吐出ヘッド３の液滴吐出面３Ｐにキャップを取り付けることで乾燥を防止する。
【０１０８】
つまり、これら電子天秤、クリーニングユニット２４、およびキャッピングユニット２５は、ベース１２上の後端側で、液滴吐出ヘッド３の移動経路直下に、基板ステージ２２と離間して配置されている。基板ステージ２２に対する基板１の給材作業及び排材作業はベース１２の前端側から行われるため、これら電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５により作業に支障を来すことはない。
【０１０９】
図３に示すように、基板ステージ２２のうち、基板１を支持する以外の部分には、液滴吐出ヘッド３が液滴を捨打ち或いは試し打ち（予備吐出）するための予備吐出エリア（予備吐出領域）２７が、クリーニングユニット２４と分離して設けられている。この予備吐出エリア２７は、図３に示すように、基板ステージ２２の後端部側においてＸ方向に沿って設けられている。この予備吐出エリア２７は、基板ステージ２２に固着され、上方に開口する断面凹字状の受け部材と、受け部材の凹部に交換自在に設置されて、吐出された液滴を吸収する吸収材とから構成されている。
【０１１０】
次に、液滴吐出装置の液滴の吐出技術について説明する。液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【０１１１】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。このうち、ピエゾ方式は、液状材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないなどの利点を有する。本実施形態では、液状材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料の一滴の量は例えば１〜３００ナノグラムである。
【０１１２】
図４は、ピエゾ方式による液滴の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドの模式図である。図４において、液状材料を収容する液体室３１（圧力室）に隣接してピエゾ素子３２が設置されている。液体室３１には液体供給系３４が接続されており、この液体供給系３４を介して液体室３１内に液状材料が供給される。ピエゾ素子３２は、駆動回路３３に接続されており、駆動回路３３を介して印加される電圧に応じて伸長する。ピエゾ素子３２が伸長すると、液体室３１が変形してその中の液状材料が加圧され、液状材料がノズル３６から液滴として吐出される。
【０１１３】
液滴吐出ヘッド３には、上述したノズル３６が列状に複数配置されており、制御装置２３は、ピエゾ素子への印加電圧の制御、すなわち駆動信号を制御することにより、複数のノズル３６のそれぞれに対して、液状材料の吐出制御を行う。具体的には、制御装置２３は、ノズル３６から吐出される液滴の体積や、単位時間あたりに吐出する液滴の数、液滴同士の距離などを変化させることができる。例えば、列状に並ぶ複数のノズルの中のうち、液滴を吐出するノズルを選択的に使用することにより、複数の液滴同士の距離を変化させることができる。
【０１１４】
図５は、ピエゾ素子に与える駆動信号の例と、駆動信号に対応するノズル内の液状材料の状態を示す模式図である。以下、この図５に基づいて、体積の異なる３種類の液滴である、微小ドット、中ドット、大ドットを吐出する原理について説明する。図５において、駆動波形［Ａ］は駆動信号発生回路が生成する基本波形である。波形［Ｂ］は基本波形のＰａｒｔ１で形成されていて、メニスカス（液体の凹凸面）を揺動させノズル開口近傍の増粘した液体を拡散し、微小な液滴の吐出不良を未然に防止するために用いられる。Ｂ１はメニスカスが静定している状態であり、Ｂ２はピエゾ素子に緩やかに充電することで液体室（圧力室）の体積を拡張しメニスカスを僅かノズル内に引き込む動作を示している。
【０１１５】
波形［Ｃ］は基本波形のＰａｒｔ２で形成されていて、微小ドットの液滴を吐出する波形である。まず静定している状態（Ｃ１）から急激にピエゾ素子を充電してメニスカスを素早くノズル内に引き込む（Ｃ２）。次に一旦引き込まれたメニスカスが再びノズルを満たす方向に振動を開始するタイミングに併せて液体室を僅か縮小（Ｃ３）させることにより微小ドットの液滴が飛翔する。放電を途中休止した後の２度目の放電（Ｃ４）は吐出動作後のメニスカスやピエゾ素子の残留信号を制振させるとともに液滴の飛翔形態を制御する役目を果たしている。
【０１１６】
波形［Ｄ］は基本波形のＰａｒｔ３で形成されていて、中ドットを吐出する波形である。静定状態（Ｄ１）から緩やかに大きくメニスカスを引き込み（Ｄ２）、メニスカスが再びノズルを満たす方向に向かうタイミングに合わせて急激に液体室を収縮（Ｄ３）させることで中ドットの液滴が吐出される。Ｄ４ではピエゾ素子に充電／放電することでメニスカスやピエゾ素子の残留振動を制振させている。波形［Ｅ］は基本波形のＰａｒｔ２とＰａｒｔ３とを組み合わせて形成されていて、大ドットの液滴を吐出するための波形である。まず、Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３に示す過程で微小ドットの液滴を吐出し、微小ドット吐出後に僅かに残留するメニスカスの振動がノズル内を液体で満たすタイミングに合わせて中ドットを吐出する波形をピエゾ素子に印加する。Ｅ４，Ｅ５の過程で吐出される液滴は中ドットよりも大きい体積であり、先の微小ドットの液滴と合わせてさらに大きい大ドットの液滴が形成される。このように駆動信号を制御することにより、微小ドット、中ドット、大ドットの体積の異なる３種類の液滴を吐出することができる。
【０１１７】
次に、撥液化処理の方法であるＣＦ4プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置と、親液化処理の方法であるＯ2プラズマ処理に用いるプラズマ処理装置とについて説明する。ＣＦ4プラズマ処理とＯ2プラズマ処理とは、基本的に同様のプラズマ処理装置を用いて実行することができる。
【０１１８】
図６は、ＣＦ4プラズマ処理又はＯ2プラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図である。図６に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極である試料テーブル４０とを有している。試料テーブル４０は試料である基板Ｐを支持しつつＹ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されているとともに、放電発生部４４を囲むように誘電体部材４５が設けられている。誘電体部材４５は放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４２の中央にはＸ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４８を介してガス導入口４９に接続している。
【０１１９】
ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源４１から電極４２に所定の電圧が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そして、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、放電領域を通過する基板Ｐの表面全体が連続的に処理される。
【０１２０】
Ｏ2プラズマ処理を実行する場合は、前記所定ガスは、処理ガスである酸素（Ｏ2）と、大気圧近傍の圧力下で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ2）等の不活性ガスとを混合したものである。
【０１２１】
第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）領域２にレジスト膜９を形成する際に、最初に領域２の周縁部に帯状の周縁帯膜７ａを形成し、次に、周縁帯膜７ａ内に液状材料を充填してレジスト膜９を形成する。周縁帯膜７ａ内に液状材料を充填するときに、充填された液状材料は、壁状の周縁帯膜７ａによって、領域２の外に流出することを阻止されることから、液状材料を充分に充填することができる。
【０１２２】
（２）領域２にレジスト膜９を形成する際に、最初に領域２の周縁部に帯状の周縁帯膜７ａを形成し、次に、周縁帯膜７ａの内側に液状材料を充填してレジスト膜９を形成する。周縁帯膜７ａは、内側に充填された液状材料からの力を受けても動くことはないため、領域２の全体に連続して液状材料を配置する方法にくらべて、領域２の外側方向への濡れ広がりを小さくすることができる。
【０１２３】
（３）周縁帯６ａの自然乾燥又は自然硬化に時間がかかる場合には、周縁帯６ａを乾燥させる処理や、周縁帯６ａの硬化を促進させる処理を実施する。周縁帯６ａを乾燥又は硬化した状態の周縁帯膜７ａは、領域２を囲むより強固な壁となり、領域２に充填された液状材料が領域２の外に流出することをより確実に抑制することができる。
【０１２４】
（４）撥液化処理を実行することで、周縁帯６ａを形成するときの基板１の面は、水に対する接触角で例えば８０度に調整されることから、液状材料を充分な厚さに充填できるような高さの周縁帯膜７ａを形成することができる。
【０１２５】
（５）撥液化処理を実行する前に、基板１の面に親液化処理を実行して、領域２を含む面に親液性膜１０を形成し、例えば水に対する接触角が、０度から１０度の範囲の一定値、例えば１０度になるように処理する。これにより、撥液化処理を開始する時点での基板１の面の液状材料に対する接触角がほぼ同一に揃えられるため、撥液化処理後の接触角の基板１内におけるばらつきを抑制することができる。同時に、撥液化処理後の液状材料に対する接触角の基板１間におけるばらつきも抑制することができる。
【０１２６】
（６）周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液滴４を吐出し、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に液状材料を充填する前に、親液化処理を実行して、例えば水に対する接触角が、３０度以下になるように処理する。水に対する接触角が、３０度以下の面に着弾した液滴４は良好に濡れ広がるため、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に隙間無く液状材料を充填することができる。また、良好に濡れ広がった液滴４は平板状になり、液滴４が撥液性の面で濡れ広がることなく粒状形状になる場合に比べて、中央膜８ａの表面をより平坦にすることができる。
【０１２７】
（７）周縁帯膜７ａを形成するための液粒６は、領域２の周縁部に互いに部分的に重なるような間隔で１列に配置する。液粒６を互いに部分的に重なるような間隔で配置することで、隙間のない壁状の周縁帯膜７ａを形成することができる。また、互いに部分的に重なって液粒６間の距離が小さくなることから、外周の凹凸の周期が小さくなり、凹凸が小さい外周形状を形成することができる。また、液粒６を１列に配置することで、周縁帯膜７ａの占める面積を小さくできることから、領域２が狭い領域であっても周縁帯膜７ａを形成することができる。また、周縁帯膜７ａを形成するのに要する時間を短縮することができる。
【０１２８】
（８）液滴吐出装置ＩＪの液滴吐出ヘッド３は、複数のノズルのそれぞれについて前記した吐出制御を独立して行うことが可能である。そのため、容易に、液滴４を基板１上の任意の位置に着弾させることができる。従って、領域２の正確な周縁部に液滴４を着弾させて、正確な形状の領域２を形成できるように、周縁帯膜７ａを形成することができる。
【０１２９】
（９）液滴吐出ヘッド３は、吐出する液滴の体積を容易に変化させることができることから、周縁帯膜７ａの形成などに最も適した体積の液滴４を吐出して、効率良く膜パターンを形成することができる。
【０１３０】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る膜パターン形成方法の第２の実施形態について説明する。本実施形態では、表面弾性波発振装置の一例であるＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子を構成するＳＡＷ共振片にレジスト膜を形成する方法について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第１の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。
【０１３１】
最初に、ＳＡＷ共振子６０（図８参照）について説明する。ＳＡＷ共振子６０は、ハウジングにＳＡＷ共振片５１を封入して形成される（図８参照）。図７は、ＳＡＷ共振片の一例を示す斜視図である。図７に示したＳＡＷ共振片５１は、水晶、リチウムタンクレート、リチウムニオブベートなどの圧電体を矩形にカットしたものを基体（チップ）として構成されている。本実施形態の圧電体のチップ５２は、平らな長方形にカットされており、その表面（主面）５３の中央に１組の電極５４ａおよび５４ｂによって交叉指電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）５５が構成されている。また、このＩＤＴ５５の長手方向の両側に格子状の反射器５６ａおよび５６ｂが形成されている。ＩＤＴ５５を形成する１組の電極５４ａおよび５４ｂは、一方の反射器５６ａの外側、すなわち、チップ５２の縁側を通って、チップ５２の端部５２ａに導かれ、若干面積の広くなった接続ランド５７ａおよび５７ｂが形成されている。
【０１３２】
電極５４ａ，５４ｂ、反射器５６ａ，５６ｂおよび接続ランド５７ａ，５７ｂは、導電性の素材、例えば、金、アルミニウム、アルミニウム銅合金などが通常用いられ、加工およびコストの点からアルミニウム系の素材が最も多く用いられている。図７に破線で示した領域５９ａ，５９ｂは、後述する陽極酸化レジスト膜を形成する領域であり、第１の実施形態で説明した領域２に相当し、第１の領域に相当する。ＳＡＷ共振片５１が、表面弾性波デバイスに相当する。
【０１３３】
ＳＡＷ共振子６０は、ＳＡＷ共振片５１の主面５３の弾性表面波によって共振周波数を得ているため、ＳＡＷ共振片５１をＳＡＷ共振子６０のハウジングに固定することが、共振周波数に影響を及ぼすことが確認されている。共振周波数に及ぼす影響は、固定方法によって異なり、共振周波数の変化が少ないＳＡＷ共振片５１の取付方法としては、ＳＡＷ共振片５１の一端を固定する、いわゆる片持ちマウントが、採用されている。
【０１３４】
図８及び図９は、リードを用いてＳＡＷ共振片を片持ちマウントしたＳＡＷ共振子の概略構造を示す断面図である。図９は、図８にＶ１−Ｖ１で示した断面の断面図である。このＳＡＷ共振子６０では、筒形で一方が開口となった金属製のケース６１の中にＳＡＷ共振片５１が収納されており、金属製のケース６１の開口には、いわゆるハーメチック端子６２が嵌め込まれて、これによってケース６１に密封されている。このハーメチック端子６２は、ガラス部６３の外周に金属環６４が設けられたものであり、ガラス部６３を２本のリード６５が貫通している。そして、これらのリード６５のケース６１内のリード端６５ｃ，６５ｃがＳＡＷ共振片５１の接続ランド５７ａ，５７ｂにそれぞれ接続されており、これらのリード６５を介してハーメチック端子６２（以降リード６５も含めてプラグ体と呼ぶ）によりＳＡＷ共振片５１はケース６１内に片持ちマウントされている。
【０１３５】
リード端６５ｃ，６５ｃは、接続ランド５７ａ，５７ｂに固着剤６６によって固着されており、この固着剤６６は電気的な導通を得るために半田や導電性接着剤が用いられる。リード端６５ｃ，６５ｃと接続ランド５７ａ，５７ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要である。また、ケース６１およびプラグ体の金属環６４には、ケース内の気密性を保持できるようにプラグメッキ６７およびケースメッキ６８が施されており、これらのメッキがシール材として機能を果たす。
【０１３６】
図９に示したように、ＳＡＷ共振片５１は、一点鎖線で表記したケース６１の中心軸６９に対し主面５３が傾くようにリード６５と接続されて、中心軸６９とＳＡＷ共振片５１とが交差するようになっている。ＳＡＷ共振片５１をこのようにマウントすると、リード６５をプラグ体の中心に設けてもＳＡＷ共振片５１はケース６１の略中央にマウントできるので、ＳＡＷ共振片５１とケース６１の内面６１ａとの間に十分な隙間を確保できる。このような隙間を設けることによって、ケース６１内にＳＡＷ共振片５１を組み入れる際にケース６１とＳＡＷ共振片５１とが接触することはなく、ケース６１とＳＡＷ共振片５１とが接触することでＳＡＷ共振片５１の発振を不安定にする可能性を排除できる。また、ケース６１にＳＡＷ共振片５１が触れてゴミが発生するといったトラブルも抑制できる。
【０１３７】
ＳＡＷ共振片５１を傾ける角度は、ＳＡＷ共振片５１が中心軸６９と平行な位置から、チップ５２の接続ランドを設けてない側の端面５８ｄが中心軸６９と交差する程度の範囲までとすることが望ましい。リード端６５ｃは固着剤６６によって接続ランド５７ａ，５７ｂと導通しており、接続ランド５７ａ，５７ｂとは直接接触しなくとも良いので、マウント角度を設けることは容易である。中心軸６９に対してＳＡＷ共振片５１を傾けるためには、ＳＡＷ共振片５１とリード端６５ｃとは平行に接着し、リード６５を中心軸６９に対して傾けても良く、リード端６５ｃを所定の角度で切断または潰し、この切断面または潰し面を用いて接続ランド５７ａ，５７ｂと連結しても良い。
【０１３８】
このように、ＳＡＷ共振片５１を片持ちマウントして、ケース６１などのハウジングから浮かして支持して、ＳＡＷ共振片５１の周囲に空間を設け、ＳＡＷ共振片５１か周囲の環境から影響を受け難くしてある。ところが、ＳＡＷ共振片５１の周囲に形成された空間がＳＡＷ共振片５１を封入する際に混入する可能性のあるＳＵＳ片あるいは半田くずなどの異物の移動可能なスペースとなってしまう。そして、このような異物がＳＡＷ共振片５１の電極、例えば、ＩＤＴ５５やＩＤＴ５５と接続ランド５７ａ，５７ｂとを結ぶ電極に食い込む可能性がある。特に、ＩＤＴ５５はミクロンオーダーの精度で配置されているため、電極間に上記のような導電性の異物が存在するとショートの原因となり、ＳＡＷ共振子６０の安定した動作が損なわれる。しかし、このような異物の多くはミクロンオーダーの小さなものであり、混入を完全に防ぐのは困難である。さらに、ＳＡＷ共振子６０は様々な用途に用いられ、実装中や運搬中の衝撃、あるいは実装された角度などによってこのような異物が移動してしまうので、ＳＡＷ共振子６０を組み立てたり、実装する段階で上記のようなトラブルを完全に防止することは難しい。
【０１３９】
異物によるトラブルを防止するために、例えば、ＩＤＴ５５などを酸化けい素などによってコーディングすることも可能である。しかし、チップ上にコーティング層を形成することは共振周波数の変動やＱ値の低下に繋がり、片持ちマウントした効果が損なわれてしまう。ところで、アルミニウム系の電極の表面に自然に形成される酸化膜は導電性が小さく、絶縁膜として機能させることができ、これらによってショートを防止することができる。しかし、自然に形成される酸化膜は厚みが１０〜３０オングストロームと薄いため強度が不足し、落下等の衝撃によって移動する異物から電極を完全に保護することは困難である。そこで、ＳＡＷ共振片５１のアルミニウム系電極を陽極酸化することによって、膜厚が２８０オングストローム前後、あるいはこれより厚い酸化膜を電極の表面に形成し、異物によるトラブルを防止するようにしている。
【０１４０】
図１０は、複数のＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図である。図１０に示すような圧電体のウェハ７０に複数のＳＡＷパターン７１が形成された状態のものを用いて陽極酸化を行う。本例では、ＩＤＴ５５を構成する一対の電極５４ａおよび５４ｂのうち、一方の電極のみに陽極酸化を施すようにしている。このため、ウェハ７０には、ＳＡＷパターン７１に加え、ＳＡＷパターン７１の一方の電極５４ｂを繋ぐ接続線７２と、陽極酸化用の電源と接続するターミナル７３とを設けてある。
【０１４１】
図１１は、陽極酸化を行う装置の概要を示す模式図である。槽７５の中には、陽極酸化液７９が入っており、クリップ７６でウェハ７０のターミナル７３を保持してウェハ７０を陽極酸化液７９に浸す。そして、電源７７からウェハ７０側を陽極として電流を流す。電源７７には陽極酸化液７９に浸された陰極７８も接続されている。陽極酸化によって、例えば、無孔性の酸化膜を形成する。そのためには、陽極酸化液７９としては燐酸塩の水溶液又はほう酸塩の水溶液の混合液を用いる。この他に、クエン酸塩やアジピン酸塩などの中性近傍の塩の水溶液を用いることができる。また、液温は、多孔性の被膜となるのを避けるため室温程度が望ましく、例えば、ほう酸塩の水溶液を用いた場合は２０〜３０℃程度が望ましい。
【０１４２】
このような条件下で陽極酸化を行うことで、印加電圧に略比例した膜厚の酸化膜を電極の表面に形成することができる。酸化膜の膜厚を制御し、さらに電流投入時に流れる電流を一定以下と制御するために、プロセス用の電源として定電圧・定電流電源を用いることが望ましい。また、電極のうち、接続ランド５７ｂに相当する部分では、前記したようにリード端６５ｃ，６５ｃと接続ランド５７ａ，５７ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要であり、接続ランド５７ａ，５７ｂには酸化膜が形成されないことが望ましい。そこで、接続ランド５７ｂに相当する部分にはレジスト膜を形成して、酸化膜の厚みの増加を防止する。
【０１４３】
次に、本実施形態のＳＡＷ共振片５１の製造工程について説明する。図１２は、ＳＡＷ共振片の製造工程の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１では、水晶のブロックからウェハ７０（図１０参照）の基板となる板状のウェハ基板を切り出す。次に、ステップＳ２では、切り出したウェハ基板を洗浄する。次に、ステップＳ３では、ウェハ基板の主面に、例えば蒸着などによってアルミニウム系の素材からなる薄膜である電極膜を形成する。
【０１４４】
次に、ステップＳ４では、親液化処理を実行し、電極膜面の水に対する接触角が、０度から１０度の範囲の一定値、例えば１０度になるように処理する。次に、ステップＳ５では、水に対する接触角を１０度にした電極膜面に撥液化処理を実行し、電極膜面の水に対する接触角を６０度以上、例えば８０度に調整する。
【０１４５】
次に、ステップＳ６では、液状のエッチングレジスト材料を電極膜上に吐出する。吐出方法は、第１の実施形態で説明した方法を用いる。液滴吐出ヘッド３（図３参照）からエッチングレジスト材料の液滴を吐出し、ＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂ（図７参照）などの形状の周縁部に着弾させ、エッチングレジスト材料から成る周縁帯を形成する。次に、ステップＳ７では、第１の実施形態で説明したように、乾燥時間が長いエッチングレジスト材料を使用することで、次のステップを実行するまでに周縁帯が充分乾燥しない場合には、乾燥処理を実行し、周縁帯膜を形成する。乾燥時間が短いエッチングレジスト材料を使用する場合には、乾燥処理は実行しなくても良い。
【０１４６】
次に、ステップＳ８では、周縁帯膜が形成された電極膜面に親液化処理を実行し、電極膜面の水に対する接触角を３０度以下、例えば１０度に調整する。
【０１４７】
次に、ステップＳ９では、周縁帯膜に囲まれた領域にエッチングレジスト材料の液滴を吐出し、エッチングレジスト材料を充填し、中央膜を形成する。エッチングレジスト材料を乾燥又は硬化させて、周縁帯膜と中央膜から成り、ＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂ（図７参照）などの形状を有するエッチングレジスト膜が形成される。第１の実施形態で説明したように、乾燥時間が長いエッチングレジスト材料を使用することで、次のステップを実行するまでに中央膜が充分乾燥しない場合には、乾燥処理を実行し、中央膜を形成する。
【０１４８】
次に、ステップＳ１０では、電極膜をエッチングして、ＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂなどを形成する。次に、ステップＳ１１では、ＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂなどの上のエッチングレジスト膜を剥離する。
【０１４９】
次に、ステップＳ１２では、ステップＳ４と同様に、ウェハ基板面に親液化処理を実行し、ＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂなどが形成された面の水に対する接触角が、０度から１０度の範囲の一定値、例えば１０度になるように処理する。次に、ステップＳ１３では、ステップＳ５と同様に、水に対する接触角を例えば１０度にしたウェハ基板面に撥液化処理を実行し、ウェハ基板面の水に対する接触角を６０度以上、例えば８０度に調整する。
【０１５０】
次に、ステップＳ１４では、液状の陽極酸化レジスト材料を、接続ランド５７ａ，５７ｂ（図７参照）を覆うように、領域５９ａ，５９ｂ（図７参照）に吐出する。吐出方法は、第１の実施形態で、説明した方法を用いる。液滴吐出ヘッド３（図３参照）から陽極酸化レジスト材料の液滴を吐出し、最初に、領域５９ａ，５９ｂの周縁部に着弾させ、陽極酸化レジスト材料から成る周縁帯を形成する。
【０１５１】
次に、ステップＳ１５では、第１の実施形態で説明したように、乾燥時間が長い陽極酸化レジスト材料を使用することで、次のステップを実行するまでに周縁帯が充分乾燥しない場合には、乾燥処理を実行し、周縁帯膜を形成する。乾燥時間が短い陽極酸化レジスト材料を使用する場合には、乾燥処理は実行しなくても良い。
【０１５２】
次に、ステップＳ１６では、周縁帯膜が形成されたウェハ基板面に親液化処理を実行し、ウェハ基板面の水に対する接触角を３０度以下、例えば１０度に調整する。
【０１５３】
次に、ステップＳ１７では、周縁帯膜に囲まれた領域に陽極酸化レジスト材料の液滴を吐出し、陽極酸化レジスト材料を充填し、中央膜を形成する。陽極酸化レジスト材料を乾燥又は硬化させて、周縁帯膜と中央膜から成り、接続ランド５７ａ，５７ｂを覆う陽極酸化レジスト膜が形成される。第１の実施形態で説明したように、乾燥時間が長い陽極酸化レジスト材料を使用することで、次のステップを実行するまでに中央膜が充分乾燥しない場合には、乾燥処理を実行し、中央膜を形成する。乾燥時間が短い陽極酸化レジスト材料を使用する場合には、乾燥処理は実行しなくても良い。
【０１５４】
陽極酸化レジスト材料としては、フェノール樹脂等が一般的であり、特にノボラック系が好ましい。モノマーの状態で塗布した後、露光により重合させて硬化してもよいし、あらかじめ重合したポリマー状態で溶媒に溶解させた溶液を塗布してもよい。また、耐陽極酸化性を有するポリマーであれば、構造は何ら限定されるものではなく、あらゆる樹脂を適用可能である。具体的には、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリビニル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリアミドおよびポリカーボネート等のポリマーが挙げられる。また、これらのモノマーが、開始剤あるいはモノマー自身が熱または光等の刺激により重合反応を引き起こしてポリマーを形成するものであれば、同様に液状材料として使用することができる。
【０１５５】
溶媒についても同様に、ポリマーあるいはモノマーを可溶な溶媒であれば何ら限定されるものではない。具体的にはプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、４−メチル−２−ペンタノン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル、１−メトキシ−２−アセトキシプロパン（ＰＥＧＭＥＡ）、２−メトキシエトキシエタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどの極性化合物、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトールなどのエーテル系化合物、さらにメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、α−テルピネオールなどのアルコール類を例示できる。工業用のシンナー等は多くのポリマーに適用可能である。
【０１５６】
次に、ステップＳ１８では、陽極酸化を実施して、ＩＤＴ５５の表面に電極保護膜としての酸化膜を形成する。陽極酸化の方法は、第１の実施形態において図１０及び図１１に基づいて説明した方法を用いる。
【０１５７】
次に、ステップＳ１９では、接続ランド５７ａ，５７ｂを覆っている陽極酸化レジスト膜を剥離する。次に、ステップＳ２０では、ウェハ７０をチップの形に切断して、ＳＡＷ共振片５１を形成する。ステップＳ２０を実行して、ＳＡＷ共振片５１の製造工程を終了する。
【０１５８】
第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）着弾した液状エッチングレジスト材料の液滴が電極形成領域から流出したり、電極形成領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、所定の電極形状及び厚さのエッチングレジスト膜を形成することができる。したがって、正確な形状のＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂなどの電極を形成することができる。
【０１５９】
（２）着弾した液状陽極酸化レジスト膜材料が接続ランド５７ａ，５７ｂ形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、正確に接続ランド５７ａ，５７ｂを覆うと共に、充分な厚さの陽極酸化レジスト膜を形成することができる。従って、接続ランド５７ａ，５７ｂに近接位置に設けられ、陽極酸化処理されることが必要なＩＤＴ５５を覆うことなく、接続ランド５７ａ，５７ｂを覆う陽極酸化レジスト膜を形成することができる。
【０１６０】
（３）着弾した液状陽極酸化レジスト膜材料が接続ランド５７ａ，５７ｂ形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、正確に接続ランド５７ａ，５７ｂを覆うと共に、充分な厚さの陽極酸化レジスト膜を形成することができる。従って、陽極酸化レジスト膜の形状を規定するためのバンクなどは不要であり、接続ランド５７ａ，５７ｂに近接した位置に設けられ、陽極酸化処理されることが必要なＩＤＴ５５をバンクなどで覆うことなく、陽極酸化レジスト膜を形成することができる。
【０１６１】
（４）エッチングレジスト材料の液滴を吐出し、ＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂなどの形状の周縁部に着弾させる前に撥液化処理を実行することで、周縁帯を形成するときの電極膜の面は、水に対する接触角が例えば８０度に調整される。これにより、液状エッチングレジスト材料を充分な厚さに充填できるような充分な高さの周縁帯膜を形成することができる。
【０１６２】
（５）撥液化処理を実行する前に、電極膜の面に親液化処理を実行して、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。これにより、撥液化処理を開始する時点での電極膜の面の液状エッチングレジスト材料に対する接触角がほぼ同一に揃えられるため、撥液化処理後の接触角の電極膜面内におけるばらつきを抑制することができる。同時に、撥液化処理後の電極膜面の液状エッチングレジスト材料に対する接触角の、異なるウェハ基板間におけるばらつきも抑制することができる。
【０１６３】
（６）周縁帯膜に囲まれた領域内にエッチングレジスト材料の液滴を吐出し、周縁帯膜に囲まれた領域内に液状エッチングレジスト材料を充填する前に、親液化処理を実行して、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。水に対する接触角が、３０度以下の面に着弾した液滴は良好に濡れ広がるため、周縁帯膜に囲まれた領域内に隙間無く液状エッチングレジスト材料を充填することができる。また、良好に濡れ広がった液状エッチングレジスト材料は平板状になり、エッチングレジスト膜の表面をより平坦にすることができる。
【０１６４】
（７）陽極酸化レジスト材料の液滴を吐出し、接続ランド５７ａ，５７ｂを含む領域５９ａ，５９ｂの周縁部に着弾させる前に撥液化処理を実行することで、周縁帯を形成するときのウェハ基板の電極形成面は、水に対する接触角が例えば８０度に調整される。これにより、液状陽極酸化レジスト材料を充分な厚さに充填できるような充分な高さの周縁帯膜を形成することができる。
【０１６５】
（８）撥液化処理を実行する前に、ウェハ基板の電極形成面に親液化処理を実行して、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。これにより、撥液化処理を開始する時点でのウェハ基板の電極形成面の液状陽極酸化レジスト材料に対する接触角がほぼ同一に揃えられるため、撥液化処理後の接触角のウェハ基板面内におけるばらつきを抑制することができる。同時に、撥液化処理後のウェハ基板面の液状エッチングレジスト材料に対する接触角の、異なるウェハ基板間におけるばらつきも抑制することができる。
【０１６６】
（９）周縁帯膜に囲まれた領域内に陽極酸化レジスト材料の液滴を吐出し、周縁帯膜に囲まれた領域内に液状陽極酸化レジスト材料を充填する前に、親液化処理を実行して、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。水に対する接触角が、３０度以下の面に着弾した液滴は良好に濡れ広がるため、周縁帯膜に囲まれた領域内に隙間無く液状陽極酸化レジスト材料を充填することができる。また、良好に濡れ広がった液状陽極酸化レジスト材料は平板状になり、陽極酸化レジスト膜の表面をより平坦にすることができる。
【０１６７】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る膜パターン形成方法の第３の実施形態について説明する。本実施形態では、回路基板における絶縁膜を形成する方法について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第１の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。
【０１６８】
本実施形態の回路基板８０（図１４（ｄ）参照）は、両面基板８２（図１４（ａ）参照）の回路配線の上に絶縁膜を設けることで、３層の配線パターンを形成する。図１３は、回路基板を形成する過程の一例を示すフローチャートである。図１４は、本実施形態に係る回路基板を形成する過程の一例を示す回路基板の部分模式図である。
【０１６９】
最初に、図１４（ａ）に示したような、基板８１に回路配線８３，８４や、ランドを含むスルーホール８６などを形成した両面基板８２を形成する。回路配線８４の一端にはランド８４ａが形成されている。スルーホール８６は、基板８１の回路配線８３などを形成した面と反対側の面に形成された第１配線パターン（図示省略）に含まれる回路配線に接続している。回路配線８３，８４を含む配線パターンを、第２配線パターンと表記する。
【０１７０】
図１３のステップＳ２１では、回路配線８３，８４や、スルーホール８６のランド部に液状の導電材料を吐出して、配線パターンの形状を描画する。吐出方法は、第１の実施形態で、図１及び図２に基づいて説明した方法を用いる。液状の導電材料は、例えばＡｇ，Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，パラジウム、Ｎｉ，Ｗ−ｓｉ，導電性ポリマーなどを含む材料が好適に採用可能である。
【０１７１】
次に、ステップＳ２２では、必要に応じて乾燥処理を実施した後、焼成工程を実施する。乾燥処理は、分散媒の除去及び膜厚確保のために実施するもので、例えば基板Ｐを加熱する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって実施することもできる。乾燥処理後の乾燥膜は、有機銀化合物の場合、導電性を得るために熱処理を行い、有機銀化合物の有機分を除去し銀粒子を残留させる必要がある。そのため、吐出工程後の基板には熱処理又は光処理による焼成工程が実施される。なお、図示省略した第１配線パターンについても、ステップＳ２１及びステップＳ２２と同様の過程を実行することで、形成することができる。
【０１７２】
次に、ステップＳ２３では、回路配線８３，８４や、スルーホール８６のランド部が形成された両面基板８２の面に親液化処理を実行し、水に対する接触角が、０度から１０度の範囲の一定値、例えば１０度になるように処理する。次に、ステップＳ２４では、水に対する接触角を例えば１０度にした両面基板８２の面に撥液化処理を実行し、両面基板８２の面の水に対する接触角を６０度以上、例えば８０度に調整する。
【０１７３】
次に、ステップＳ２５では、図１４（ｂ）に示したように、絶縁膜９２（図１４（ｃ）参照）を形成する領域の周縁部に絶縁膜の液状材料の液滴を吐出して、絶縁膜９２の周縁部を描画する。周縁部は、ランド８４ａを覆わないように開ける穴を形成するランド周縁部８７と、スルーホール８６を覆わないように開ける穴を形成する穴周縁部８８と、絶縁膜９２の外周縁部８９とである。
【０１７４】
次に、ステップＳ２６では、液状絶縁膜材料の乾燥時間が長く、次のステップを実行するまでにランド周縁部８７と穴周縁部８８と外周縁部８９とが充分乾燥しない場合には、乾燥処理を実行する。ランド周縁部８７と穴周縁部８８と外周縁部８９とが、周縁帯膜に相当する。
【０１７５】
次に、ステップＳ２７では、ランド周縁部８７と穴周縁部８８と外周縁部８９とが形成された両面基板８２の面に親液化処理を実行し、両面基板８２の面の水に対する接触角を３０度以下、例えば１０度に調整する。
【０１７６】
次に、ステップＳ２８では、絶縁膜９２のベタ部９１を描画する。図１４（ｃ）に示したように、ランド周縁部８７と、穴周縁部８８と、外周縁部８９とに囲まれた領域に絶縁膜の液状材料の液滴を吐出して充填させることで、ベタ部９１を描画する。ランド周縁部８７と、穴周縁部８８と、外周縁部８９と、ベタ部９１とで、絶縁膜９２が形成される。なお、図１４（ｃ）では、液滴を吐出して充填したことを表すために、ベタ部９１を形成する液状材料を粒状形状に描いてあるが、着弾した液滴は一体になり、ベタ部９１はほぼ均一な厚みの一つ膜になっている。
【０１７７】
次に、ステップＳ２９では、絶縁膜９２にＵＶ光を照射し、ステップＳ３０では、加熱処理を実施する。ステップＳ２９及びステップＳ３０によって、乾燥され硬化した、絶縁膜９２が形成される。
【０１７８】
次に、ステップＳ３１では、ステップＳ２１と同様に、液状の導電材料を吐出して、配線パターンの形状を描画する。次に、ステップＳ３２では、ステップＳ２２と同様に、必要に応じて乾燥処理を実施した後、焼成工程を実施する。ステップＳ３１及びステップＳ３２を実行することで、図１４（ｄ）に示したような、回路配線９４，９６を含む第３配線パターンが形成される。回路配線９４は、絶縁膜９２によって回路配線８３と絶縁されると共に、穴周縁部８８に囲まれた開口部で、スルーホール８６と導通している。回路配線９６は、絶縁膜９２によって回路配線８３と絶縁されると共に、ランド周縁部８７に囲まれた開口部で、ランド８４ａと導通している。ステップＳ３２を実行して、３層の配線パターンを形成して回路基板８０を形成する過程を終了する。
【０１７９】
第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）穴周縁部８８を形成することで、ベタ部９１を形成する液状絶縁膜材料がスルーホール８６に流入することを防止することができる。従って、スルーホール８６の直近まで絶縁膜を形成することが可能で、互いに近接したスルーホール８６と回路配線８３とのうちスルーホール８６を覆わず、回路配線８３を覆う絶縁膜９２を形成することができる。
【０１８０】
（２）ランド周縁部８７を形成することで、ベタ部９１を形成する液状絶縁膜材料がランド８４ａを覆うことを防止することができる。従って、ランド８４ａの直近まで絶縁膜を形成することが可能で、互いに近接したランド８４ａと回路配線８３とのうちランド８４ａを覆わず、回路配線８３を覆う絶縁膜９２を形成することができる。
【０１８１】
（３）絶縁膜材料の液滴を吐出してランド周縁部８７と穴周縁部８８と外周縁部８９とを形成する位置に着弾させる前に撥液化処理を実行することで、周縁部を形成するときの両面基板８２の面は、水に対する接触角が例えば８０度に調整される。これにより、液状絶縁膜材料を充分な厚さに充填できるような、充分な高さの周縁部を形成することができる。
【０１８２】
（４）撥液化処理を実行する前に、両面基板８２の面に親液化処理を実行して、水に対する接触角が、例えば１０度になるように処理する。これにより、撥液化処理を開始する時点での両面基板８２の面の液状絶縁膜材料に対する接触角がほぼ同一に揃えられるため、撥液化処理後の接触角の両面基板８２面内におけるばらつきを抑制することができる。同時に、撥液化処理後の両面基板８２面の液状絶縁膜材料に対する接触角の、異なる両面基板８２間におけるばらつきも抑制することができる。
【０１８３】
（５）周縁部に囲まれた領域内に絶縁膜材料の液滴を吐出し、周縁部に囲まれた領域内に液状絶縁膜材料を充填する前に、親液化処理を実行して、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。水に対する接触角が、３０度以下の面に着弾した液滴は良好に濡れ広がるため、周縁部に囲まれた領域内に隙間無く液状絶縁膜材料を充填することができる。また、良好に濡れ広がった液状絶縁膜材料は平板状になり、絶縁膜９２のベタ部９１の表面をより平坦にすることができる。
【０１８４】
（第４の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、第１の実施形態で説明した薄膜パターン形成方法を用いて形成された絶縁膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））を備えた液晶表示装置である。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第１の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。
【０１８５】
図１５は本実施形態に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１６は図１５のＨ−Ｈ'線に沿う断面図である。図１７は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図であり、図１８は、液晶表示装置の画素部分の拡大平面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【０１８６】
図１５及び図１６において、本実施形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、対をなすＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であるシール材１５２によって貼り合わされ、このシール材１５２によって区画された領域内に液晶１５０が封入、保持されている。シール材１５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の封入された液晶１５０に対向する面には複数の画素１００ａ（図１７参照）が構成されており、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０２が形成されている。ＴＦＴ１０２が、半導体装置に相当する。対向基板１２０の封入された液晶１５０に対向する面には、画素１００ａに対向するように複数の対向電極１２１が形成されている。
【０１８７】
シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【０１８８】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶１５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置される（図示省略）。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板１２０において、ＴＦＴアレイ基板１１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１８９】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域には、前記したように複数の画素１００ａが配置されている。図１７に示すように、画像表示領域には、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）１０２が形成されており、画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを供給するデータ線１０６ａがＴＦＴ１０２のソースに電気的に接続されている。データ線１０６ａに書き込む画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線１０６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ１０２のゲートには走査線１０３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１０３ａにパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【０１９０】
画素電極１１９はＴＦＴ１０２のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ１０２を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線１０６ａから供給される画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極１１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、図１６に示す対向基板１２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持された画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１１９と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１６０が付加されている。例えば、画素電極１１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量１６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１９１】
次に、半導体装置の一例であるＴＦＴ１０２について説明する。図１８は、ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴを１個含む一部分の概略構成を示した平面図である。図１９は、図１８に示したＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ近傍の断面図であり、図１９（ａ）は、ＴＦＴの断面図であり、図１９（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図である。
【０１９２】
図１８に示すように、ＴＦＴ１０２を有するＴＦＴアレイ基板１１０上には、ゲート配線１１２と、ソース配線１１６と、ドレイン電極１１４と、ドレイン電極１１４に電気的に接続する画素電極１１９とを備えている。ゲート配線１１２はＸ軸方向に延びるように形成され、その一部がＹ軸方向に延びるように形成されている。そして、Ｙ軸方向に延びるゲート配線１１２の一部がゲート電極１１１として用いられている。なお、ゲート電極１１１の幅はゲート配線１１２の幅よりも狭くなっている。また、Ｙ軸方向に延びるように形成されたソース配線１１６の一部がＸ軸方向に延びるように形成されており、ソース電極１１７として用いられている。ゲート配線１１２及びゲート電極１１１と、ソース配線１１６、ソース電極１１７及びドレイン電極１１４との間には、絶縁膜１２８が形成されている。絶縁膜１２８が、絶縁膜及び膜パターンに相当する。
【０１９３】
図１９に示すように、ゲート配線１１２及びゲート電極１１１は、基板Ｐの上に設けられたバンクＢの間に形成されている。ゲート配線１１２及びゲート電極１１１並びにバンクＢの上には、絶縁膜１２８が形成されており、絶縁膜１２８の上に、半導体層である活性層１６３と、ソース配線１１６と、ソース電極１１７と、ドレイン電極１１４とが形成されている。活性層１６３は、概ねゲート電極１１１に対向する位置に設けられており、活性層１６３のゲート電極１１１に対向する部分がチャネル領域とされている。活性層１６３上には、バンク１６７と、バンク１６７よって、互いに絶縁されている２ヵ所の接合層１６４とが積層されており、ソース電極１１７及びドレイン電極１１４は、それぞれ接合層１６４を介して、活性層１６３と接合されている。ソース電極１１７と、ドレイン電極１１４とは、活性層１６３上に設けられたバンク１６７によって、互いに絶縁されている。また２ヵ所の接合層１６４も、活性層１６３上に設けられたバンク１６７によって、互いに絶縁されている。ゲート配線１１２は、絶縁膜１２８によって、ソース配線１１６と絶縁されており、ゲート電極１１１は、絶縁膜１２８によって、ソース電極１１７及びドレイン電極１１４と絶縁されている。ソース配線１１６と、ソース電極１１７と、ドレイン電極１１４とは、絶縁膜１２９で覆われている。絶縁膜１２９のドレイン電極１１４を覆う部分には、コンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介してドレイン電極１１４と接続する画素電極１１９が、絶縁膜１２９の上面に形成されている。
【０１９４】
絶縁膜１２８は、バンクＢの溝にゲート配線１１２及びゲート電極１１１が形成された後、図１６に示した平面形状に形成される。絶縁膜１２８を形成する方法は、第１の実施形態で、図１及び図２に基づいて説明した方法を用いる。
【０１９５】
最初に、基板Ｐのゲート配線１１２及びゲート電極１１１が形成された面に親液化処理を実行して、水に対する接触角が、０度から１０度の範囲の一定値、例えば１０度になるように処理する（図２（ａ）参照）。次に、水に対する接触角が例えば１０度となった面に撥液化処理を実行して、親液性を緩和して撥液性にする（図２（ｂ）参照）。周縁帯膜に囲まれた領域内に充分な厚みに液状絶縁膜材料を充填できるような高さの周縁帯膜を形成することができるようにするためには、基板Ｐの面の接触角は、大きいことが好ましく、水に対する接触角で６０度以上、より好ましくは８０度以上であることが好ましい。本実施形態の撥液化処理を実行する工程では、例えば水に対する接触角が、８０度になるように処理する。
【０１９６】
次に、液滴吐出ヘッド３（図３参照）から絶縁膜の液状材料の液滴を吐出し、絶縁膜１２８を形成する領域の周縁部に着弾させ、絶縁膜材料から成る周縁帯膜を形成する。第１の実施形態で説明したように、液状絶縁膜材料の乾燥時間特性によっては、乾燥処理を実施する。
【０１９７】
次に、周縁帯膜が形成された基板Ｐの面に親液化処理を実行して、基板Ｐの面を親液性にする。着弾した液滴がより良好に濡れ広がるようにするためには、基板Ｐの面の接触角は、小さいことが好ましく、水に対する接触角で３０度以下、より好ましくは１０度以下であることが好ましい。本実施形態の親液化処理を実行する工程では、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。この親液化処理を実行する工程が、親液化工程に相当する。
【０１９８】
次に、周縁帯膜に囲まれた領域に液状絶縁膜材料の液滴を吐出し、液状絶縁膜材料を充填する。液状絶縁膜材料を乾燥させて、絶縁膜１２８を形成する。液状絶縁膜材料の乾燥時間が速く、次の工程までに充分に乾燥が進行して絶縁効果のある膜が形成できる場合には、乾燥工程を省略してもよい。
【０１９９】
上記本実施形態では、ＴＦＴ１０２を液晶表示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに応用が可能である。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機または有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ１０２を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料を液状材料とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することもできる。本発明におけるデバイス（電気光学装置）の範囲にはこのような有機ＥＬデバイスをも含むものである。
【０２００】
なお、本発明に係るデバイス（電気光学装置）としては、上記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【０２０１】
第４の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）着弾した液状絶縁膜材料が所定の絶縁膜形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、ゲート配線１１２とゲート電極１１１との、ソース配線１１６、ソース電極１１７及びドレイン電極１１４と重なる部分を、正確に覆うと共に、充分な絶縁効果が得られる厚みを有する絶縁膜１２８を形成することができる。
【０２０２】
（２）着弾した液状絶縁膜材料が所定の絶縁膜形成領域から流出したり、領域外に濡れ広がったりすることを抑制して、絶縁膜形成領域に隣接しており、光が通過することから絶縁膜が形成されることが好ましくない領域に絶縁膜１２８が形成されることを抑制することができる。
【０２０３】
（３）絶縁膜材料の液滴を吐出して絶縁膜１２８の周縁部を形成する位置に着弾させる前に撥液化処理を実行することで、周縁部を形成するときの基板Ｐの面は、水に対する接触角が例えば８０度に調整される。これにより、液状絶縁膜材料を充分な厚さに充填できるような、充分な高さの周縁部を形成することができる。
【０２０４】
（４）撥液化処理を実行する前に、基板Ｐの面に親液化処理を実行して、水に対する接触角が、例えば１０度になるように処理する。これにより、撥液化処理を開始する時点での基板Ｐの面の液状絶縁膜材料に対する接触角がほぼ同一に揃えられるため、撥液化処理後の接触角の基板Ｐ面内におけるばらつきを抑制することができる。同時に、撥液化処理後の基板Ｐ面の液状絶縁膜材料に対する接触角の、異なる基板Ｐ間におけるばらつきも抑制することができる。
【０２０５】
（５）周縁部に囲まれた領域内に絶縁膜材料の液滴を吐出し、周縁部に囲まれた領域内に液状絶縁膜材料を充填する前に、親液化処理を実行して、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。水に対する接触角が、３０度以下の面に着弾した液滴は良好に濡れ広がるため、周縁部に囲まれた領域内に隙間無く液状絶縁膜材料を充填することができる。また、良好に濡れ広がった液状絶縁膜材料は平板状になり、絶縁膜１２８の表面をより平坦にすることができる。
【０２０６】
（６）ゲート配線１１２とソース配線１１６との絶縁、及びゲート電極１１１とソース電極１１７及びドレイン電極１１４との絶縁を好適に行える絶縁膜１２８を備え、好適な絶縁が実現された高性能のＴＦＴ１０２を実現することができる。
【０２０７】
（７）好適な絶縁が実現された高性能のＴＦＴ１０２を備え、好適な絶縁が実現された高性能の液晶表示装置１００を実現することができる。
【０２０８】
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態に係る電子機器について説明する。本実施形態の電子機器は、第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子、又は第３の実施形態で説明した回路基板、又は第４の実施形態で説明した液晶表示装置を備えた電子機器である。本実施形態の電子機器の具体例について説明する。
【０２０９】
図２０（ａ）は、電子機器の一例である携帯電話の一例を示した斜視図である。図２０（ａ）において、携帯電話６００は、第４の実施形態で説明した液晶表示装置１００を備えた液晶表示部６０１を備えている。また、携帯電話６００には、第３の実施形態で説明した回路基板が内蔵されており、回路基板には、通信回路の構成部品として第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子が実装されている。
【０２１０】
図２０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２０（ｂ）において、携帯型情報処理装置７００は、情報処理装置筐体７０３を有し、キーボードなどの入力部７０１と、第４の実施形態で説明した液晶表示装置１００を備えた液晶表示部７０２とを備えている。また、情報処理装置筐体７０３には、第３の実施形態で説明した回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子が実装されている。
【０２１１】
図２０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２０（ｃ）において、腕時計型電子機器８００は、第４の実施形態で説明した液晶表示装置１００を備えた液晶表示部８０１を備えている。また、腕時計型電子機器８００には、第３の実施形態で説明した回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子が実装されている。
【０２１２】
図２０（ａ）から（ｃ）に示す電子機器は、前記した実施形態の液晶表示装置１００を備えたものであり、膜パターンの実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び適切な平面形状を有する薄膜を形成することができる膜パターン形成方法を用いて形成された膜パターンを有することにより、高性能が得られるＴＦＴ１０２を備えている。本実施形態の電子機器は液晶表示装置１００を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０２１３】
第５の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）膜パターンの実現すべき機能を実現するのに充分な膜厚及び適切な平面形状を有する薄膜を形成することができる膜パターン形成方法を用いて形成された膜パターンを有することにより、高性能が得られる液晶表示装置１００、回路基板８０、又はＳＡＷ共振子６０を備えるため、高性能の携帯電話６００や、携帯型情報処理装置７００や、腕時計型電子機器８００を実現することができる。
【０２１４】
（第６の実施形態）
次に、本発明に係る膜パターン形成方法の第６の実施形態について説明する。本実施形態で使用する液滴吐出方法や液滴吐出装置や、撥液化処理や親液化処理などは、第１の実施形態における液滴吐出方法や液滴吐出装置や撥液化処理や親液化処理と、基本的に同一である。第１の実施形態とは異なる周縁帯膜の形成方法についてのみ説明する。
【０２１５】
図２１は、本実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式平面図である。図２２は、本実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式断面図である。図２１に示した基板１４１は、例えば、表面弾性波デバイスの水晶基板である。図２１（ａ）に破線で示した領域１４２にレジスト膜１４９を形成する場合を例に挙げて説明する。領域１４２が、第１の領域に相当し、レジスト膜１４９が、膜パターンに相当する。
【０２１６】
最初に、図２２（ａ）に示したように、基板１４１の面に親液化処理を実行して、領域１４２を含む面に親液性膜１０を形成する。次に図２２（ｂ）に示したように、基板１４１の面に撥液化処理を実行して、親液性膜１０の親液性を緩和して撥液性膜１１を形成する。親液性膜１０及び撥液性膜１１の厚さは、分子１層程度の厚さである。親液化処理を実行して、親液性膜１０を形成する工程が、予備処理工程に相当し、撥液化処理を実行して、親液性膜１０の親液性を緩和して撥液性膜１１を形成する工程が、調整処理工程に相当する。
【０２１７】
次に、液滴吐出ヘッド３からレジスト膜１４９を形成する液状材料を液滴４として吐出して（図２（ｃ）参照）、基板１４１の面上に着弾させる。着弾した液滴４は、図２２（ｃ）に示したように、基板１４１の面と液状材料との濡れ性によって形状が規定される液粒６となって、基板１４１上に配置される。図２１（ｂ）に示したように、液粒６は、領域１４２の周縁部に互いに部分的に重なるような間隔で２列に配置する。互いに部分的に重なった液粒６は一体になり、領域１４２の周縁部に帯状の周縁帯６ａが形成される。次に、図２２（ｄ）に示したように、周縁帯６ａが乾燥又は硬化して周縁帯膜１４４ａとなる。自然乾燥又は自然硬化に時間がかかる場合には、周縁帯６ａを乾燥させる処理や、周縁帯６ａの硬化を促進させる処理を実施する。周縁帯６ａを乾燥させる処理や周縁帯６ａの硬化を促進させる処理は、第１の実施形態で説明した方法と同様の方法を用いて実施することができる。
【０２１８】
親液化処理や撥液化処理は、接触角（濡れ性）を親液方向又は撥液方向にシフトさせる処理であって、処理後の接触角は、実施される親液化処理又は撥液化処理、及び処理前の接触角に依存する。ところで、同一の材料からなる基板面であっても、置かれた環境などの違いによって、接触角が異なる場合があり、処理前の接触角は同一の材料からなる基板面であっても異なる場合がある。予備処理工程は、次の調整処理工程で接触角をシフトさせて目的の接触角に調整するために、調整処理工程前の接触角を一定の値にする工程である。本実施形態の予備処理工程は、親液性膜１０を形成する工程であって、例えば水に対する接触角が、０度から１０度の範囲の一定値、例えば１０度になるように処理する。親液化処理の方法は、第１の実施形態で説明した方法を用いることができる。
【０２１９】
前述したように、基板１４１の面上に着弾した液滴４である液粒６の形状は、基板１４１の面の液状材料に対する濡れ性によって規定される。例えば、固形分としてフェノール−ノボラック樹脂を２０パーセント含む液状材料は、水に対する接触角が３０度以下の面では良好に濡れ広がり、１０ナノグラム程度の液粒６は広く濡れ広がって粒状の形状ではなくなり、高さの測定が困難である。液粒６の形状を、より高い周縁帯膜１４４ａを形成することができるような形状にするためには、基板１４１の面の接触角は、大きいことが好ましく、水に対する接触角では６０度以上、より好ましくは８０度以上であることが好ましい。撥液性膜１１を形成する工程では、例えば水に対する接触角が、８０度になるように処理する。撥液化処理の方法は、第１の実施形態で説明した方法を用いることができる。
【０２２０】
次に、図２１（ｃ）及び図２２（ｄ）に示したように、周縁帯膜１４４ａの上に液滴４を配置し、周縁帯膜１４４ａの上に液粒６を連ねた周縁帯６ａを形成する。周縁帯膜１４４ａの上に積層されるように形成された周縁帯６ａは徐々に乾燥又は硬化して、周縁帯膜１４４ａと一体になり、周縁帯膜１４７ａが形成される。
【０２２１】
次に、図２２（ｅ）に示したように、周縁帯膜１４７ａが形成された基板１４１の面に親液化処理を実行して、親液性膜１０を形成する。上記したように、基板１４１の面上に着弾した液滴４である液粒６の形状は、基板１４１の面の液状材料に対する濡れ性によって規定される。例えば、固形分としてフェノール−ノボラック樹脂を２０パーセント含む液状材料は、水に対する接触角が３０度未満の面では良好に濡れ広がり、１０ナノグラム程度の液粒６は広く濡れ広がって粒状の形状ではなくなる。液粒６がより良好に濡れ広がるようにするためには、基板１４１の面の液状材料に対する接触角は、小さいことが好ましく、水に対する接触角では３０度以下、より好ましくは１０度以下であることが好ましい。親液化処理を実行して、親液性膜１０を形成する工程では、例えば水に対する接触角が、１０度になるように処理する。この親液化処理を実行する工程が、親液化工程に相当する。
【０２２２】
次に、周縁帯膜１４７ａに囲まれた領域内に液滴４を吐出し、周縁帯膜１４７ａに囲まれた領域内に液粒６即ち液状材料を充填する。水に対する接触角が、３０度以下の面に着弾した液滴４は良好に濡れ広がるため、図２２（ｃ）に示したような形状の液粒６が形成されることはなく、図２２（ｆ）に示したように、周縁帯膜１４７ａに囲まれた領域内に液状材料が濡れ広がって充填され、中央膜１４８が形成される。中央膜１４８を形成する液状材料は、液滴４が粒状形状ではなく平板状に濡れ広がっている。さらに、平板状に濡れ広がった上に着弾した液滴４は、平板状に濡れ広がった液滴４間の隙間を埋めるように濡れ広がり、中央膜１４８の表面は、平坦になり易い。
【０２２３】
図２１（ｄ）及び図２２（ｇ）に示したように、充填された液状材料が乾燥又は硬化して中央膜１４８ａが形成され、周縁帯膜１４７ａと中央膜１４８ａとで、レジスト膜１４９が形成される。充填された液状材料の自然乾燥又は自然硬化に時間がかかる場合には、周縁帯６ａと同様に、乾燥させる処理又は硬化を促進させる処理を実施する。液状材料が乾燥又は硬化して固化すると、液状状態より体積が減少する場合は、中央膜１４８ａの厚みは周縁帯膜１４７ａより薄くなる。
【０２２４】
なお、図２１（ｄ）では、液滴４を吐出して充填したことを表すために、中央膜１４８ａを形成する液状材料を粒状形状に描いてあるが、図２２（ｆ）に示すように、着弾した液滴４は一体になり、中央膜１４８はほぼ均一な厚みの一つ膜になり、乾燥又は硬化した中央膜１４８ａもまたほぼ均一な厚みの一つ膜になっている。
【０２２５】
第６の実施形態によれば、第１の実施形態で述べた効果（１）から（６）、（８）、及び（９）と同様の効果が得られる他、以下の効果が得られる。
（１）周縁帯膜１４４ａの上に周縁帯６ａを積層して周縁帯膜１４７ａを形成することから、周縁帯膜１４７ａの高さをより高くすることができる。周縁帯膜１４７ａに囲まれた領域により多くの液状材料を充填することができることから、より厚いレジスト膜１４９を形成することができる。
【０２２６】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態例について説明したが、本発明の実施形態は、前記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論であり、以下のように実施することもできる。
【０２２７】
（変形例１）前記実施形態では、周縁帯膜を形成する前に、親液化処理と撥液化処理とを実行して、周縁帯膜を形成する面を撥液性にしていたが、親液化処理と撥液化処理とを実行することは必須ではない。撥液処理のみで液状材料に対する適切な接触角（濡れ性）が得られれば、撥液化処理のみを実行してもよい。基板が、液状材料に対する適切な接触角の材料で形成されており、周縁帯膜を形成する面の液状材料に対する接触角が適切な接触角であれば、親液化処理と撥液化処理とを実行しなくてもよい。また、周縁帯膜を形成する面の液状材料に対する接触角が非常に大きい接触角の場合には、親液処理を実行して、撥液性を緩和して、接触角を小さくしてもよい。
【０２２８】
（変形例２）前記実施形態では、周縁帯膜を形成する前に、最初に親液化処理を実行し、次に撥液化処理を実行して、周縁帯膜を形成する面を撥液性にしていたが、最初に親液化処理を実行し、次に撥液化処理を実行することは必須ではない。最初に撥液化処理を実行することで、被処理面を液状材料に対する接触角が非常に大きい状態にし、次に親液化処理を実行して、撥液性を緩和して、接触角を小さい側に調整することで所定の接触角に調整してもよい。
【０２２９】
（変形例３）前記実施形態では、周縁帯膜７ａを形成するための液状材料と、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に充填し中央膜８を形成するための液状材料とは同一の液状材料であったが、同一であることは必須ではない。粘性が、周縁帯膜７ａを形成するための液状材料と中央膜８を形成するための液状材料とで、それぞれ異なるような液状材料を用いてもよい。周縁帯膜７ａを形成するための液状材料の粘性が、中央膜８を形成するための液状材料の粘性より大きくなるような、それぞれの液状材料を用いることもできる。
【０２３０】
液状材料を充分な厚さに充填できるような高さの周縁帯膜７ａを形成するためには、液状材料の粘性が高いことが好ましい。液状材料を領域内全体に一様に充填し、均一な中央膜８を形成するためには、液状材料の粘性が低いことが好ましい。周縁帯膜７ａを形成するための液状材料の粘性が、中央膜８を形成するための液状材料の粘性より大きくなるような、それぞれの液状材料を用いることにより、周縁帯膜７ａを形成するための液状材料は、均一な中央膜８を形成するために液状材料の粘性を低くするということが不要で、周縁帯膜７ａ及び中央膜８を同じ粘性の液状材料で形成する方法に比べて、より粘性が高い液状材料を用いることが可能となる。同様に、中央膜８を形成するための液状材料は、充分な厚さに充填できるような高さの周縁帯膜７ａを形成するために、液状材料の粘性を高くするということが不要で、より粘性が低い液状材料を用いることが可能となる。
【０２３１】
粘性が高い液状材料の液滴は、粘性が低い液状材料の液滴に比べて、着弾してから硬化するまでの間の変形量が小さい。このことから、周縁帯膜７ａを形成するための液状材料に、粘性が高い液状材料を用いることで、液滴によって形成される周縁帯膜７ａの膜厚をより厚くすることができる。それと共に、１個の液滴が広がる範囲が狭くなり、広がった液滴が連なった周縁帯膜７ａの外周の輪郭の凹凸を小さくすることができる。一方、粘性が低い液状材料の液滴は、粘性が高い液状材料の液滴に比べて、着弾してから硬化するまでの間の変形量が大きい。このことから、中央膜８を形成するための液状材料に、より粘性が低い液状材料を用いることで、着弾した液滴が容易に広がり、領域内全体に一様に充填されて、均一な中央膜８を形成することができる。
【０２３２】
（変形例４）前記実施形態では、周縁帯膜７ａを形成するための液滴と、周縁帯膜７ａに囲まれた領域内に配置し中央膜８を形成するための液滴とは同一の大きさであったが、同一の大きさであることは必須ではない。周縁帯膜７ａを形成するための液滴の体積を、中央膜８を形成するための液滴の体積より小さくしてもよい。
【０２３３】
液滴の体積が大きいほど、着弾した液滴の濡れ広がる面積は大きくなる。また、濡れ広がる面積が小さいほど外周の凹凸（図１（ｂ）参照）も小さくなり、膜パターンの輪郭を直線に近くすることができる。一方、液状材料を領域に効率良く充填するためには、液滴の体積が大きいことが好ましい。周縁帯膜７ａを形成するための液滴の体積を、中央膜８を形成するための液滴の体積より小さくすることで、周縁帯膜７ａを形成するための液滴は、効率良く充填するために、液滴の体積を大きくすることは不要で、周縁帯膜７ａ及び中央膜８を同じ体積の液滴を吐出して形成する方法に比べて、体積がより小さい液滴にすることが可能となる。同様に、中央膜８を形成するための液滴は、液滴の着弾位置からの広がりを抑制するために、液滴の体積を小さくすることが不要で、体積がより大きい液滴にすることが可能となる。このように、周縁帯膜７ａを形成するために好適な液滴の体積と、効率良く充填し易く中央膜８を形成するために好適な液滴の体積とを選択して、余分な広がりが小さく、外周の輪郭形状の凹凸が小さい周縁帯膜７ａを形成することができると共に、中央膜８を効率良く形成することができる。
【０２３４】
（変形例５）前記第６の実施形態では、周縁帯膜の高さをより高くするために、周縁帯膜１４４ａの上に周縁帯６ａを積層して２段積層の周縁帯膜１４７ａを形成していたが、積層する層数は２段に限らない。周縁帯６ａさらに積層してより高い周縁帯膜を形成してもよい。また、周縁帯膜１４４ａは、液粒６を２列に配置して形成しているが、２列に限らず、１列や３列以上でもよい。周縁帯膜１４４ａの上に積層する周縁帯６ａは、液粒６を１列に配置して形成しているが、１列に限らず、周縁帯膜１４４ａ上に積層できる範囲で、何列でもよい。
【０２３５】
（変形例６）前記実施形態では、周縁帯膜７ａを形成するための液粒６は、領域２の周縁部に互いに部分的に重なるような間隔で配置されていたが、液粒６が互いに部分的に重なることは必須ではない。周縁帯膜７ａの液状材料に対する濡れ性の程度によって、周縁帯膜７ａの隙間から液状材料が流出しない程度の隙間であれば、液粒６を互いに隙間を持たせて配置し、部分的に隙間があるような周縁帯膜７ａを形成してもよい。液粒６を互いに隙間を持たせて配置することで、必要な液滴４の吐出回数を減らして、周縁帯膜７ａを形成するための液粒６を配置するために要する時間を短縮することができる。
【０２３６】
（変形例７）前記実施形態では、液滴吐出装置ＩＪは、複数のノズルを有する１個の液滴吐出ヘッド３を備えていたが、液滴吐出装置ＩＪに備える液滴吐出ヘッド３は１個に限らない。液滴吐出装置ＩＪは、複数の液滴吐出ヘッド３を備える構成でもよい。複数の液滴吐出ヘッド３を備えることで、各液滴吐出ヘッド３から異なる液状材料を吐出することもできる。例えば、１つの液滴吐出ヘッド３からは、周縁帯膜７ａを形成するための表面張力の大きい液状材料を吐出し、他の液滴吐出ヘッド３からは、中央膜８を形成するための表面張力の小さい液状材料を吐出することができる。液滴吐出装置ＩＪに基板１をセットした状態で、異なる液状材料を吐出する工程を連続して実施できることから、ＳＡＷ共振子６０などを効率良く製造することができる。
【０２３７】
（変形例８）前記実施形態では、本発明の膜パターン形成方法を用いて、電極膜を選択的に覆うエッチングレジスト膜を形成し、電極膜をエッチングして、ＩＤＴ５５、反射器５６ａ，５６ｂ、接続ランド５７ａ，５７ｂなどの電極を形成していたが、電極を形成するために、電極膜及びエッチングレジスト膜を形成することは必須ではない。本発明の膜パターン形成方法を用いて、ＳＡＷ共振片５１上に直接電極膜の液状材料を吐出して、電極を形成してもよい。
【０２３８】
（変形例９）前記実施形態では、ＳＡＷ共振子は、ＳＡＷ共振片５１をケース６１に封入したＳＡＷ共振子６０であったが、ＳＡＷ共振子は、ＳＡＷ共振片５１の他に発振回路を含む構成でもよいし、ＳＡＷ共振片５１と発振回路とを同一ケース内に収容する構成でもよい。
【０２３９】
（変形例１０）前記実施形態の回路基板８０は、板状の基板８１の両面に回路配線を形成した両面基板８２の回路配線の上に絶縁膜を設けることで、３層の配線パターンを形成するものであったが、基板は板状の基板に限らない。フレキシブル基板のようなフィルム状の基板であってもよい。また、基板８１の両面に回路配線を形成することや、両面に回路配線を形成可能であることも必須ではない。基板は、液晶表示装置などの電気光学装置のガラス基板などであってもよく、本発明の回路基板及び回路基板の製造方法は、液晶表示装置などの電気光学装置にも適用できる。
【０２４０】
（変形例１１）前記実施形態では、周縁帯膜７ａが形成された基板面に対して親液化処理を実行していたが、被処理領域を選択的に親液化処理できる方法を使用して、周縁帯膜７ａに囲まれた領域のみを選択的に親液化処理してもよい。周縁帯膜７ａが撥液性であれば、周縁帯膜７ａに囲まれた領域に充填された液状材料は周縁帯膜７ａを乗り越え難くなり、周縁帯膜７ａに囲まれた領域により厚く液状材料を充填することができる。
【０２４１】
上記した実施形態および変形例から把握される技術的思想を以下に記載する。
（技術的思想１）  表面弾性波デバイス基板の表面に形成された導電性膜の所定の電極パターンを形成する部分に、前記請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いてエッチングレジスト膜を形成する工程と、前記導電性膜に対して、エッチング処理を実行し前記エッチングレジスト膜に覆われていない部分の前記導電性膜を除去して前記電極パターンを形成する工程と、を有することを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。
【０２４２】
（技術的思想２）  表面弾性波デバイス基板の表面に、前記請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて電極パターンを形成する工程、を有することを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。
【０２４３】
（技術的思想３）  表面弾性波デバイスの表面の陽極酸化処理を実施しない部分に、前記請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いてレジスト膜を形成する工程と、前記表面弾性波デバイスの表面に、前記陽極酸化処理を実行する工程と、を有することを特徴とする表面弾性波発振装置の製造方法。
【０２４４】
（技術的思想４）  前記請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の膜パターン形成方法を用いて、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜との間を絶縁するための絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【０２４５】
この方法によれば、電気光学装置を形成する半導体装置を、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜の間の好適な絶縁が実現された高性能の半導体装置とすることができることから、導電性膜相互間又は導電性膜と半導電性膜の間の好適な絶縁が実現された高性能の電気光学装置を実現することができる。第４の実施形態で説明した絶縁膜１２８が、絶縁膜に相当し、ゲート電極１１１、ゲート配線１１２、ドレイン電極１１４、ソース配線１１６、ソース電極１１７などが導電性膜に相当し、活性層１６３などが半導電性膜に相当する。
【０２４６】
（技術的思想５）  前記請求項に記載の親液化処理する工程が、前記基板の表面をオゾン雰囲気に曝す処理を行う工程であることを特徴とする、前記請求項に記載の膜パターン形成方法。
【図面の簡単な説明】
【０２４７】
【図１】第１の実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式平面図。
【図２】膜パターン形成方法を示す模式断面図。
【図３】液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図４】ピエゾ方式による液滴の吐出原理を説明するための液滴吐出ヘッドの模式図。
【図５】ピエゾ素子に与える駆動信号の例と、駆動信号に対応するノズル内の液状材料の状態を示す模式図。
【図６】プラズマ処理装置の概略構成図。
【図７】ＳＡＷ共振片の斜視図。
【図８】ＳＡＷ共振子の概略構造を示す断面図。
【図９】ＳＡＷ共振子の概略構造を示す断面図。
【図１０】複数のＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図。
【図１１】陽極酸化を行う装置の概要を示す模式図。
【図１２】ＳＡＷ共振片の製造工程の一例を示すフローチャート。
【図１３】回路基板を形成する過程の一例を示すフローチャート。
【図１４】回路基板を形成する過程の一例を示す回路基板の部分模式図。
【図１５】液晶表示装置を対向基板側から見た平面図。
【図１６】図１５のＨ−Ｈ’線に沿う液晶表示装置の断面図。
【図１７】液晶表示装置の画像表示領域における各種素子、配線等の等価回路図。
【図１８】液晶表示装置の画素部分の拡大平面図。
【図１９】（ａ）ＴＦＴの断面図。（ｂ）ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分の断面図。
【図２０】（ａ）携帯電話の斜視図。（ｂ）携帯型情報処理装置の斜視図。（ｃ）腕時計型電子機器の斜視図。
【図２１】第６の実施形態に係る膜パターン形成方法を示す模式平面図。
【図２２】膜パターン形成方法を示す模式断面図。
【符号の説明】
【０２４８】
１…基板、２…領域、３…液滴吐出ヘッド、４…液滴、６…液粒、６ａ…周縁帯、７ａ…周縁帯膜、８，８ａ…中央膜、９…レジスト膜、３２…ピエゾ素子、５１…表面弾性波デバイスとしてのＳＡＷ共振片、５２…チップ、５４ａ，５４ｂ…電極、５５…ＩＤＴ、５６ａ，５６ｂ…反射器、５７ａ，５７ｂ…接続ランド、５９ａ，５９ｂ…領域、６０…表面弾性波発振装置としてのＳＡＷ共振子、７９…陽極酸化液、８０…回路基板、８１…基板、８２…両面基板、８３，８４…回路配線、８４ａ…ランド、８６…スルーホール、８７…ランド周縁部、８８…穴周縁部、８９…外周縁部、９１…ベタ部、９２…絶縁膜、９４，９６…回路配線、１００…電気光学装置としての液晶表示装置、１００ａ…画素、１０２…半導体装置としてのＴＦＴ、１１１…ゲート電極、１１２…ゲート配線、１１４…ドレイン電極、１１６…ソース配線、１１７…ソース電極、１２８…絶縁膜、１４１…基板、１４２…領域、１４４ａ，１４７ａ…周縁帯膜、１４８，１４８ａ…中央膜、１４９…レジスト膜、６００…携帯電話、６０１…液晶表示部、７００…携帯型情報処理装置、７０２…液晶表示部、８００…腕時計型電子機器、８０１…液晶表示部、ＩＪ…液滴吐出装置、Ｐ…基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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