(57)【要約】      （修正有）【課題】動作が安定し且つ高信頼性を有するＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）素子パッケージを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ素子パッケージは、ＭＥＭＳ活性素子１１０が片面に形成されている素子基板１００と、ＭＥＭＳ活性素子の電気的経路を提供し、且つＭＥＭＳ活性素子を外部から保護するためにＭＥＭＳ活性素子を多重に外囲する多重シーリングパッド２００と、多重シーリングパッドを介して素子基板と結合し、ＭＥＭＳ活性素子が位置するトレンチ３１０及び多重シーリングパッドが位置する部分にビアホール３２０が形成されるキャップ基板３００と、ビアホールを通じて多重シーリングパッドと電気的な接続をなすようにキャップ基板の片面に形成された外部電極パッド４００とを含む。【選択図】      図２
2006247833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ活性素子が片面に形成されている素子基板と、
前記ＭＥＭＳ活性素子の電気的経路を提供し、且つ前記ＭＥＭＳ活性素子を外部から保護するために前記ＭＥＭＳ活性素子を多重に外囲する多重シーリングパッドと、
前記多重シーリングパッドを介して前記素子基板と結合し、前記ＭＥＭＳ活性素子が位置するトレンチ及び前記多重シーリングパッドが位置する部分にビアホールが形成されるキャップ基板と、
前記ビアホールを通じて前記多重シーリングパッドと電気的な接続をなすように前記キャップ基板の片面に形成された外部電極パッドと、
を含むことを特徴とするＭＥＭＳ素子パッケージ。
【請求項２】
前記多重シーリングパッドは、前記ＭＥＭＳ活性素子の周りに所定の間隔をおいて配置されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ素子パッケージ。
【請求項３】
前記多重シーリングパッドは、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳ素子パッケージ。
【請求項４】
前記外部電極パッドは、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳ素子パッケージ。
【請求項５】
前記ビアホールの内周面には、前記多重シーリングパッドと前記外部電極パッドとを電気的に接続する接続メタルが形成されることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ素子パッケージ。
【請求項６】
前記接続メタルは、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることを特徴とする請求項５に記載のＭＥＭＳ素子パッケージ。
【請求項７】
前記素子基板と前記キャップ基板は同一材料からなることを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳ素子パッケージ。
【請求項８】
ａ）キャップ基板に多重シーリングラインを形成するステップと、
ｂ）前記キャップ基板の所定の領域にビアホールを形成するステップと、
ｃ）前記ビアホールが形成された前記キャップ基板の所定の領域にトレンチを形成するステップと、
ｄ）前記多重シーリングラインに多重シーリングパッドを形成するステップと、
ｅ）前記キャップ基板とＭＥＭＳ活性素子とが形成されている素子基板を前記多重シーリングパッドを用いて接合するステップと、
ｆ）前記ビアホールを露出させるために前記キャップ基板を所定の厚さにて研磨するステップと、
ｇ）前記ビアホールが露出した前記キャップ基板に外部電極パッドを形成するステップと、
を含むことを特徴とするＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記ａ）ステップは、ａ１）前記キャップ基板に多重シーリングラインを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ａ２）前記パターニングされた領域にＩＣＰエッチングによって複数の溝を形成するステップと、ａ３）前記ＰＲを除去するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記ｂ）ステップは、ｂ１）前記キャップ基板にビアホールを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ｂ２）前記パターニングされた領域にＩＣＰエッチングによって所定の深さのビアホールを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１１】
上記ｃ）ステップは、ｃ１）前記キャップ基板にトレンチを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ｃ２）前記パターニングされた領域にＲＩＥエッチングによって所定の深さのトレンチを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１２】
前記ｄ）ステップは、ｄ１）前記多重シーリングライン、ビアホール及びトレンチが形成された前記キャップ基板の上面全体にシードメタル層を蒸着するステップと、ｄ２）前記シードメタル層をパターニングして多重シーリングパッド及び接続メタルを形成するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１３】
前記ｄ２）ステップは、ｄ３）前記トレンチが形成された領域が露出するように前記シードメタル層の上面にＰＲパターニングを施すステップと、ｄ４）前記パターニングされた領域に乾式エッチングによって前記トレンチに形成されたシードメタル層を除去するステップと、ｄ５）前記ＰＲを除去するステップとを含むことを特徴とする請求項１２に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１４】
前記ｄ１）ステップの蒸着は、スパッタリング方式によって施すことを特徴とする請求項１２に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１５】
前記ｄ１）ステップは、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎを１μｍ厚さにて蒸着することを特徴とする請求項１２に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１６】
前記ｅ）ステップは、前記ＭＥＭＳ活性素子が前記キャップ基板のトレンチに位置するように前記キャップ基板と前記素子基板を接合することを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１７】
前記ｆ）ステップで得られたキャップ基板の所定の厚さは４０μｍであることを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【請求項１８】
前記ｇ）ステップは、ｇ１）前記キャップ基板の上面にＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎを蒸着するステップと、ｇ２）外部電極パッドを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ｇ３）前記パターニングされた領域の前記ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎを乾式エッチングによって除去するステップと、ｇ４）前記ＰＲを除去するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載のＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ素子パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  System；マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）とは、半導体加工技術を用いてセンサー、マイクロアクチュエータ、ジャイロスコープ及び精密機械部品などを加工する微小電気機械システムを指す。よって、半導体技術が持つ精密加工性、製品間均一性、優れた生産性などが適用され、性能を向上し且つコストを下げる技術として認められている。
【０００３】
ＭＥＭＳ素子、例えば加速度センサーや角速度センサーまたは共振型ジャイロスコープなどのような素子は保護及び／または感度を高める目的にてパッケージされる。ＭＥＭＳ素子の製造技術の急速な発展により高密度及び小型化が実現され、これに伴ってパッケージに対しても小型化が要求されてきている。このような要求に応えるために、素子が存在するウエハー状態でパッケージを実施するウエハー・スケール・パッケージ（ＷＳＰ：Wafer  Scale  Package）が多く試みられている。
【０００４】
図１は、一般のＭＥＭＳ素子パッケージの一例を概略的に示す断面図である。同図に示すように、素子用基板１にはＭＥＭＳ活性素子２が形成されており、このＭＥＭＳ活性素子２を保護するための蓋用ガラス基板３が素子用基板１に結合されている。ＭＥＭＳ活性素子２は、一般にバネ構造物及びこれによって支持されるステージなどを備える。
また、素子用基板１の図左右両側には、ＭＥＭＳ活性素子２と電気的に接続される内部電極パッド４が形成されている。また、蓋用ガラス基板３には、ＭＥＭＳ活性素子２が位置する空間を提供するトレンチ部５が形成されており、この蓋用ガラス基板３と素子用基板１は、陽極接合されている。
【０００５】
また、蓋用ガラス基板３の両側にはビアホール６が形成されており、このビアホール６を通じて内部電極パッド４と接続される外部電極パッド７が形成されている。ここで、外部電極パッド７は、スパッタリング工程によって金属（通常は、Ａｌ）がビアホール６に充填されてなる。この外部電極パッド７は、図示しない回路基板の信号線とワイヤーまたはバンプなどによって接続される。
【０００６】
ところが、前述したような一般のＭＥＭＳ素子パッケージは、ガラス系の蓋用基板３とシリコーン系の素子用基板１とを陽極接合して結合する構造及び製造工程上、必然的に蓋用ガラス基板３の厚さが厚くなってしまい、ガラス基板３のビアホール６によるサイズの縮小には限界がある。すなわち、一般のＭＥＭＳ素子パッケージは、そのサイズが大きく且つ高さも高いため、これを適用する装置において占める容積が大きいことから、装置の小型化を阻害する結果をもたらす。
【０００７】
また、一般のＭＥＭＳ素子パッケージは、ガラスからなる蓋用基板３を使うことで電極配線のためのビアホール６の形成工程及び外部電極パッド７の形成工程が非常に難しく、且つ手間がかかるため、歩留まりの低下及び生産性の低下をもたらすという問題がある。そして、一般のＭＥＭＳ素子パッケージは、陽極接合時における高温（通常、４６０℃）によってＭＥＭＳ活性素子２が変形または損傷するおそれがあり、蓋用ガラス基板３と素子用シリコーン基板１間の熱膨脹係数の差による基本ストレスを内在するという問題があった。
【０００８】
また、シリコーンからなる内部電極パッド４とアルミニウムなどの金属からなる外部電極パッド７による回路結線は、接触部での電気的接触抵抗と高周波のＲＦに対して非常に高いインダクタンスを発生させることによって大きな信号損失をもたらすため、素子の信頼性の低下という問題が生じ得る。
一方、既存のＳｎＰｂのような接合物質は、ウエハーとガラス間の接合時に側方に広がることがあり、この結果、パッケージの端を形成する上で均一性が落ちたり、不良が発生し易いという問題が起こっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであって、その目的としては、素子基板と同一材料からなるキャップ基板を使用することによって熱膨脹係数の差によるストレスを軽減し、製造工程が簡単であり、且つ小型化できるＭＥＭＳ素子パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、素子基板とキャップ基板とを接合するパッドを多重に配置することによって、シーリング強度を高め、安定したＭＥＭＳ素子パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明のまた他の目的は、同一材料または高い伝導度を持つ金属同士の接触よりなる回路結線構造を採用することによって、信号損失が最小化できるＭＥＭＳ素子パッケージ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するための本発明によるＭＥＭＳ素子パッケージは、ＭＥＭＳ活性素子が片面に形成されている素子基板と、上記ＭＥＭＳ活性素子の電気的経路を提供し、且つ上記ＭＥＭＳ活性素子を外部から保護するために上記ＭＥＭＳ活性素子を多重に外囲する多重シーリングパッドと、上記多重シーリングパッドを介して上記素子基板と結合し、上記ＭＥＭＳ活性素子が位置するトレンチ及び上記多重シーリングパッドが位置する部分にビアホールが形成されるキャップ基板と、上記ビアホールを通じて上記多重シーリングパッドと電気的な接続をなすように上記キャップ基板の片面に形成された外部電極パッドとを含むことを特徴とする。
【００１２】
上記多重シーリングパッドは、上記ＭＥＭＳ活性素子の周りに所定の間隔をおいて配置され、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることがよい。
また、上記外部電極パッドは、Ａｕからなることがよい。
さらに、上記ビアホールの内周面には、上記多重シーリングパッドと上記外部電極パッドとを電気的に接続する接続メタルが形成され、上記接続メタルは、Ａｕからなることがよい。
【００１３】
また、上記素子基板と上記キャップ基板は同一材料からなることがよい。
一方、上記目的を達成するための本発明によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法は、ａ）キャップ基板に多重シーリングラインを形成するステップと、ｂ）上記キャップ基板の所定の領域にビアホールを形成するステップと、ｃ）上記ビアホールが形成された上記キャップ基板の所定の領域にトレンチを形成するステップと、ｄ）上記多重シーリングラインに多重シーリングパッドを形成するステップと、ｅ）上記キャップ基板とＭＥＭＳ活性素子が形成されている素子基板を上記多重シーリングパッドを用いて接合するステップと、ｆ）上記ビアホールを露出させるために上記キャップ基板を所定の厚さにて研磨するステップと、ｇ）上記ビアホールが露出した上記キャップ基板に外部電極パッドを形成するステップとを含むことを特徴とする。
【００１４】
上記ａ）ステップは、ａ１）上記キャップ基板に多重シーリングラインを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ａ２）上記パターニングされた領域にＩＣＰエッチングによって複数の溝を形成するステップと、ａ３）上記ＰＲを除去するステップとを含む。
上記ｂ）ステップは、ｂ１）上記キャップ基板にビアホールを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ｂ２）上記パターニングされた領域にＩＣＰエッチングによって所定の深さのビアホールを形成するステップとを含む。
【００１５】
上記ｃ）ステップは、ｃ１）上記キャップ基板にトレンチを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ｃ２）上記パターニングされた領域にＲＩＥエッチングによって所定の深さのトレンチを形成するステップとを含む。
上記ｄ）ステップは、ｄ１）上記多重シーリングライン、ビアホール及びトレンチが形成された上記キャップ基板の上面全体にシードメタル層を蒸着するステップと、ｄ２）上記シードメタル層をパターニングして多重シーリングパッド及び接続メタルを形成するステップとを含む。ここで、上記ｄ２）ステップは、ｄ３）上記トレンチが形成された領域が露出するように上記シードメタル層の上面にＰＲパターニングを施すステップと、ｄ４）上記パターニングされた領域に乾式エッチングによって上記トレンチに形成されたシードメタル層を除去するステップと、ｄ５）上記ＰＲを除去するステップとを含むように構成できる。
【００１６】
また、上記ｄ１）ステップの蒸着は、スパッタリング方式によって施すことがよい。また、上記ｄ１）ステップは、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎを１μｍ厚さにて蒸着することがよい。
さらに、上記ｆ）ステップで得られたキャップ基板の所定の厚さは４０μｍであることがよい。
【００１７】
上記ｇ）ステップは、ｇ１）上記キャップ基板の上面にＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎを蒸着するステップと、ｇ２）外部電極パッドを形成するためのＰＲパターニングを施すステップと、ｇ３）上記パターニングされた領域の上記ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎを乾式エッチングによって除去するステップと、ｇ４）上記ＰＲを除去するステップとを含むことがよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によるＭＥＭＳ素子パッケージによれば、軽薄短小型のパッケージを提供することができるので、当該パッケージが適用される装置を小型化できる。
また、素子基板とキャップ基板の接合及びシーリング領域を多重に設けることによってシーリングの強度が強くなり、この結果、動作が安定し且つ高信頼性のパッケージを提供することができる。
【００１９】
また、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎを用いてシーリング及び電極を形成するによって別に内部電極を形成する必要がなくなり、この結果、パッケージ工数が減り、コストダウンを図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例によるＭＥＭＳ素子パッケージを説明することにする。
図２は、本発明の一実施の形態によるＭＥＭＳ素子パッケージの概略的な構造を示す図である。同図に示すように、ＭＥＭＳ素子パッケージは、素子基板１００と、多重シーリングパッド２００と、キャップ基板３００、及び外部電極パッド４００とを含む。素子基板１００及びキャップ基板３００としては、同一材料からなるシリコーンウエハーが使われる。
【００２１】
素子基板１００の上面中央部には、ＭＥＭＳ活性素子１１０が形成される。ＭＥＭＳ活性素子１１０は、一般に、弾性部材と、この弾性部材によって支持されるステージ、及びこのステージに対して駆動力を提供したりステージの変位を検知する電極とを含む。このようなＭＥＭＳ活性素子１１０は、本発明の技術的範囲を制限するものではない。また、素子基板１００には、ＭＥＭＳ活性素子１１０と電気的に接続されたリード線１１２が形成されている。
【００２２】
多重シーリングパッド２００は、ＭＥＭＳ活性素子１１０の周りに配置される。多重シーリングパッド２００は、ＭＥＭＳ活性素子１１０の電気的経路を提供し、また、素子基板１００とキャップ基板３００とを接合させＭＥＭＳ活性素子１１０を外部から保護するシーリングの役割を果たす。多重シーリングパッド２００は、ＡｕまたはＡｕ−Ｔｉｎからなることが好ましい。
【００２３】
図３に示すように、多重シーリングパッド２００は、ＭＥＭＳ活性素子１１０の周りに所定の間隔２１５をおいて配置される。同図に示すように、複数のシーリングパッドのそれぞれは、閉曲線を描いており、ＭＥＭＳ活性素子１１０を多重に外囲するように配置されている。このようにシーリングパッドを多重に配置することによって、シーリング強度が高まる効果が得られる。一方、本実施の形態では、多重シーリングパッド２００を四角の閉曲線を描くように配置しているが、必ずしもこれに限定されるものではなく、ＭＥＭＳ活性素子１１０を多重に外囲できる形態であればよい。例えば、円形状の閉曲線を描くように多重シーリングパッドを配置してもよい。多重シーリングパッド２００のうちＭＥＭＳ活性素子１１０と最も近接して配置されたシーリングパッド２１１はリード線１１２に接続され、最も遠く配置されたシーリングパッド２１３は連結部材３３０に接続される。一方、各シーリングパッド２１１、２１２、２１３は、キャップ基板３００の溝３０１に形成されたＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎと互いに電気的に接続される。
【００２４】
キャップ基板３００は、多重シーリングパッド２００を介して素子基板１００と結合される。上述したように、多重に配置された多重シーリングパッド２００によって接合力が強化される。一方、キャップ基板３００には、トレンチ３１０及びビアホール３２０が形成される。トレンチ３１０には、ＭＥＭＳ活性素子１１０が位置する。ビアホール３２０は、多重シーリングパッド２００の所定の部分に形成され、多重シーリングパッド２００を外部に電気的に接続可能にする。このために、ビアホール３２０の内周面には接続メタル３３０が形成され、その一端が多重シーリングパッド２００の最外郭のシーリングパッド２１３に接続される。接続メタル３３０は多重シーリングパッド２００と同一材料のＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることが好ましい。
【００２５】
外部電極パッド４００は、接続メタル３３０の他端に接続されるようにキャップ基板３００の上面に形成される。外部電極パッド４００は、接続メタル３３０と同一材料のＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることが好ましい。
このような本発明によるＭＥＭＳ素子パッケージでは、多重シーリングパッド２００を適用することでシーリング強度が高まって、ＭＥＭＳ活性素子１１０を安定して保護することができる。そして、素子基板１００と同一材料からなるキャップ基板３００を採用することで軽薄短小化を成し遂げることができ、また、内部抵抗を低く維持する電気的信号経路を有するため、信号損失を軽減することができる。また、キャップ基板３００の外表面に外部電極パッド４００が形成されているため、ダイレクト接合方式でメインボードに実装でき、多数のパッケージを容易に積層することができる。
【００２６】
以下、図４Ａ〜図４Ｌを参照して、本発明の実施の形態によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法を説明することにする。本発明によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造方法は、一般の半導体の積層、パターニングなどの方法が適用されるので、具体的な工法に関する詳細は省略することにする。
まず、図４Ａ及び図４Ｂに示すように、キャップ基板３００に多重シーリングライン３０２を形成するためのエッチング工程を施す。図４Ａに示すように、キャップ基板３００の片面に多重シーリングラインを形成するためのフォトレジスト（ＰＲ）パターニング３５０を施す。そして、図４Ｂに示すように、パターニングされた所定の領域にプラズマエッチングの一種であるＩＣＰ（Inductively  Coupled  Plasma）エッチングを施してキャップ基板３００に所定の間隔にて配置された所定の厚さの溝３０１を多数形成する。このようにして形成された多数の溝３０１間、及び溝の周りの突出したキャップ基板３００の表面には、多重シーリングライン３０２が形成される。この多重シーリングライン３０２の表面には、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎが蒸着され、後述する多重シーリングパッド２００が形成される（図４Ｈ参照）。
【００２７】
次いで、図４Ｃ及び図４Ｄに示すように、キャップ基板３００にビアホール３２０を形成するためのエッチング工程を施す。図４Ｃに示すように、多重シーリングラインを形成するためのＰＲを除去した後、ビアホールの形成のためのＰＲパターニング３６０を施す。そして、図４Ｄに示すように、キャップ基板３００のパターニングされた領域にＩＣＰエッチングを施して所定の深さのビアホール３２０を形成する。このビアホール３２０には、後述する接続メタル３３０が形成される（図４Ｈ参照）。
【００２８】
次いで、図４Ｅ及び図４Ｆに示すように、キャップ基板３００にトレンチ３１０を形成するためのエッチング工程を施す。図４Ｅに示すように、ビアホールの形成のためのＰＲを除去した後、トレンチの形成のためのＰＲパターニング３７０を施す。そして、図４Ｆに示すように、キャップ基板３００のパターニングされた領域にＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）によって所定の深さのトレンチ３１０を形成する。このトレンチ３１０には、後述するＭＥＭＳ活性素子１１０が位置するようになる。
【００２９】
次いで、図４Ｇ及び図４Ｈに示すように、キャップ基板３００に多重シーリングパッド２００及び接続メタル３３０を形成する。図４Ｇに示すように、トレンチの形成のためのＰＲを除去した後、キャップ基板３００の上面の全体にスパッタリング方式によってシードメタル層２１０を蒸着する。このシードメタル層２１０は、ＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることが好ましい。Ａｕは、後述するウエハー接合の時、側方に広がり難いという性質をもっている。また、Ａｕ−ｔｉｎは、ウエハー接合の時、多重シーリングパッド２００の間に形成された溝３０１に接着される性質をもっている。既存のＳｎＰｂのような接合物質を用いた場合には、当該接合物質がウエハー接合の時に側方に広がることがあり、パッケージの端を形成する上で均一性を損ねる、不良が発生し易いという問題があったが、上述の構成とすることによりこのような問題点を解決することができる。
【００３０】
シードメタル層２１０は、多重シーリングラインに付着して多重シーリングパッド２００を形成し、ビアホール３２０の内面に付着して接続メタル３３０を形成する。図４Ｈに示すように、トレンチ３１０部位が露出するようにＰＲパターニング３８０を施した後、乾式エッチングによってトレンチ３１０に形成されたシードメタル層を除去する。その後、ＰＲを除去すれば、トレンチ３１０を除くキャップ基板３００の上面から多重シーリングパッド２００及び接続メタル３３０が外部に露出する。
【００３１】
次いで、図４Ｉに示すように、ＭＥＭＳ活性素子１１０を備えた素子基板１００を用意した後、多重シーリングパッド２００を用いて接合する。この時、ＭＥＭＳ活性素子１１０は、トレンチ３１０の空間内に位置し、多重シーリングパッド２００は、リード線１１２と接続する。このように、従来のガラス基板とシリコーン基板との接合ではなく、同一材料からなるシリコーン基板を接合するため、材料の相違に起因する熱膨脹係数の差によるストレスの発生といった従来技術における問題点を解決することができ、より安定したＭＥＭＳ素子パッケージを提供することができる。
【００３２】
次いで、図４Ｊに示すように、キャップ基板３００を所定の厚さにて研磨する。ここで、所定の厚さは、略４０μｍとすることができる。これによってビアホール３２０及びビアホール３２０に形成された接続メタル３３０が露出する。このような研磨は、研削、ラップ仕上げ、化学的機械研磨の順に進められる通常の工程であればよい。このように、ビアホール３２０を部分的に形成し、反対面を研磨することによって、工数及び工程コストの節減を図ることができる。
【００３３】
次いで、図４Ｋ及び図４Ｌに示すように、キャップ基板３００に外部電極パッド４００を形成する。図４Ｋに示すように、キャップ基板３００の上面の全体に金属物質４１０を蒸着する。この金属物質４１０は、多重シーリングパッド２００及び接続メタル３３０と同一材料のＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎからなることが好ましい。そして、外部電極パッドの形成のためのＰＲパターニング３９０を施す。
【００３４】
次いで、パターニングされた所定の領域のＡｕをエッチングによって除去しＰＲを除去すれば、図４Ｌに示すように、キャップ基板３００の上面には外部電極パッド４００が形成される。図示したように、外部電極パッド４００は、ビアホール３２０の接続メタル３３０と電気的に接続される。結局として、ＭＥＭＳ活性素子１１０は、リード線１１２、多重シーリングパッド２００及び接続メタル３３０を介して外部電極パッド４００と電気的に接続されるのである。
【００３５】
このように、ＭＥＭＳ活性素子１１０の電気的信号経路がＡｕまたはＡｕ−ｔｉｎの単一材料から構成されるため、相違する材料から構成されることによる接触抵抗の増大やインダクタンスの増大といった従来技術における問題を解消することができる。
以上では、本発明を例示的な方法にて説明したが、ここで使われた用語は、説明のためであって限定の意味で理解してはいけない。一方、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、当業者であれば、適用分野に応じて様々な修正及び変形が可能である。例えば、本発明によるパッケージは、ＭＥＭＳ素子だけでなく、その他、高集積半導体素子のパッケージにも適用可能である。よって、特に付言しない限り、本発明は、特許請求の範囲を逸脱することなく自由に実行できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】一般のＭＥＭＳ素子パッケージの概略的な構造図である。
【図２】本発明の一実施の形態によるＭＥＭＳ素子パッケージの概略的な構造図である。
【図３】図２のIII-III線から見た平面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｃ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｄ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｅ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｆ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｇ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｈ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｉ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｊ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｋ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【図４Ｌ】本発明の一実施の形態例によるＭＥＭＳ素子パッケージの製造工程図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００  素子基板
１１０  ＭＥＭＳ活性素子
２００  多重シーリングパッド
３００  キャップ基板
３１０  トレンチ
３２０  ビアホール
３３０  接続メタル
４００  外部電極パッド
【図１】
2006247833.tif 000003
【図２】
2006247833.tif 000004
【図３】
2006247833.tif 000005
【図４Ａ】
2006247833.tif 000006
【図４Ｂ】
2006247833.tif 000007
【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図４Ｉ】
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【図４Ｊ】
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【図４Ｋ】
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【図４Ｌ】
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