(57)【要約】【課題】  パターン形成材料の消費を抑制しつつ、精密なパターン形成を実現することのできるオフセット印刷方法を提供すること。【解決手段】  第１の凹版１０の凹部１１にインキ２５を充填して、第１の凹版１０にシリコーンブランケットのインキ受理面２０を押し当てることにより、凹部１１内のインキをインキ受理面２０に転移させた後、インキ受理面２０に、第２の凹版１５を押し当てることにより、インキ受理面２０に転移したインキパターン２６を第２の凹版の凹部１６の形状に合わせてトリミングし、次いで、インキ受理面２０上に残存したインキパターン２７を被印刷体である基板３０上に転写する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の凹版の凹部にインキを充填して、前記第１の凹版にシリコーンブランケットのインキ受理面を押し当てることにより、前記凹部内のインキを前記インキ受理面に転移させた後、
前記インキ受理面に、凹部にインキが充填されていない第２の凹版を押し当てることにより、前記インキ受理面に転移したインキパターンを前記第２の凹版の凹部の形状に合わせてトリミングし、
次いで、前記インキ受理面上に残存したインキパターンを被印刷体に転写することを特徴とする、オフセット印刷方法。
【請求項２】
前記第１の凹版および前記第２の凹版が異なる凹版であることを特徴とする、請求項１に記載のオフセット印刷方法。
【請求項３】
前記第１の凹版および前記第２の凹版が同一の凹版であることを特徴とする、請求項１に記載のオフセット印刷方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成材料の消費を抑制しつつ、精密なパターン形成を実現することのできるオフセット印刷方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品の電極基板における電極パターンやフラットパネルディスプレイにおけるカラーパターンなどの極めて微細なパターンを、極めて高い精度でもって形成することが求められる用途においては、主として、フォトリソグラフィー法が採用されている。
しかし、フォトリソグラフィー法によれば、一旦、基板の表面全体にパターン形成材料の膜を形成し、パターンに相当する部分以外を露光および現像によって除去することでパターンが形成されるところ、基板表面に占めるパターン部分の割合は極めてわずかであることから、パターン形成材料の大部分が無駄になる。特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電極基板では、非常に高価な感光性銀ペーストを用いて電極パターンを形成することから、フォトリソ法を採用することによって、材料コストが高くなるという問題が顕著に現れる。しかも、フォトリソ法には、露光、現像などを実行する製造装置に対して極めて高い精度やクリーン度が要求されることや、現像処理時に多量に発生する廃液を処分する必要があることから、コスト的に不利である。さらに、現像処理時に発生する廃液は有害であることから、環境への負荷の観点からも好ましくない。
【０００３】
一方、製造コストの低減を目的として、電極パターンの形成にオフセット印刷法を採用することが提案されている。しかし、オフセット印刷に用いられる印刷用ブランケットはインキの溶剤と常時接触することから、パターンの印刷形成を繰り返した場合に、経時的に膨潤して、表面の濡れ特性が大きく変動する。その結果、例えば、パターンの線幅が増大する、凹版表面の微小な汚れまでも印刷用ブランケット上に転写される、印刷用ブランケットから被印刷体への転写性が低下する、といった、安定したパターン形成を阻害する問題が発生する。インキの溶剤に、印刷用ブランケットの表面を膨潤させにくい溶剤を使用すれば、印刷用ブランケット表面の濡れ特性の変化を抑制できるものの、この場合、印刷用ブランケットのインキ受理性が低下することから、高い印刷精度を維持するためには、若干の膨潤が必要になる。それゆえ、例えば、生産性の向上を目的として連続印刷を実施したときには、パターン形成の安定性が損なわれるという問題が避けられない。
【０００４】
これらの問題に対し、特許文献１〜３には、シリコーンブランケットの全面にインキをベタ塗りして、膜形成した後、印刷パターンに対応した凹部を有する凹版を押し当てることによって、上記インキ膜から印刷パターンに相当する部分以外のインキを除去し、こうして、シリコーンブランケット上に所望のパターンに対応するインキパターンを形成した上で、これを被印刷体上に転写する方法が提案されている。
【特許文献１】特開平１１−５８９２１号公報
【特許文献２】特開平１１−１９８３３７号公報
【特許文献３】特開２０００−２８９３２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１〜３に記載の方法によれば、シリコーンブランケットの全面に形成されたインキ膜の大部分が、凹版を押し当てることによって除去されることから、パターン形成材料に無駄が生じるという点において、従来のフォトリソグラフィー法となんら変わるところがなく、材料コストが高くなるという問題を解決することができない。なお、例えば、ＰＤＰの電極パターンのように、パターンの形成材料が非常に高価である場合には、シリコーンブランケット上から除去されたインキを回収して、再利用することも考えられるが、パターン形成材料として再利用するには極めて高い精製度が要求されるために実用的でなく、材料コストの軽減を図ることは困難である。
【０００６】
本発明の目的は、パターン形成材料の消費を抑制しつつ、精密なパターン形成を実現することのできるオフセット印刷方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明は、
（１）  第１の凹版の凹部にインキを充填して、前記第１の凹版にシリコーンブランケットのインキ受理面を押し当てることにより、前記凹部内のインキを前記インキ受理面に転移させた後、
前記インキ受理面に、凹部にインキが充填されていない第２の凹版を押し当てることにより、前記インキ受理面に転移したインキパターンを前記第２の凹版の凹部の形状に合わせてトリミングし、
次いで、前記インキ受理面上に残存したインキパターンを被印刷体に転写することを特徴とする、オフセット印刷方法、
（２）  前記第１の凹版および前記第２の凹版が異なる凹版であることを特徴とする、前記（１）に記載のオフセット印刷方法、
（３）  前記第１の凹版および前記第２の凹版が同一の凹版であることを特徴とする、前記（１）に記載のオフセット印刷方法、
を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のオフセット印刷方法によれば、たとえ、連続印刷の実施などによって、シリコーンブランケットがインキの溶剤で膨潤した場合であっても、印刷用ブランケットの膨潤に伴う印刷形状の乱れを修正することができ、高精度の印刷パターンを安定して形成することができる。
印刷用ブランケットの表面がインキの溶剤で膨潤すると、経時的に、印刷パターンの線幅が広くなる現象が見られるが、この現象は、印刷版から印刷用ブランケットへのインキの転移時に発生するものであって、印刷用ブランケットから被印刷体へのインキの転移時には、インキパターンの形状にほとんど変化が生じない。すなわち、印刷パターンの形状の良否は、印刷ブランケット上でほぼ決定される。それゆえ、上記のとおり、シリコーンブランケットにインキパターンを転移させた後、そのパターン形状をトリミングして、線幅を整えることによって、最終的に印刷形成されるパターンの印刷精度を極めて優れたものとすることができる。
【０００９】
本発明のオフセット印刷方法において、第１の凹版を用いてシリコーンブランケット上に形成されるインキパターンは、第２の凹版によってトリミングされる部分が含まれること以外は、概ね、最終的に印刷形成されるインキパターンの形状と等しいものである。それゆえ、印刷用ブランケットの表面全体にインキ膜を形成する、上述の方法に比べて、パターン形成材料の消費を大幅に抑制することができ、パターン形成の低コスト化を図ることができる。
【００１０】
また、本発明のオフセット印刷方法によれば、シリコーンブランケット上にインキパターンを形成するのにあたって、印刷版として凹版を使用していることから、凹版の凹部の深さを適宜調節することで、印刷形成するパターンに求められる膜厚に応じたインキパターンを１回の印刷で形成することができる。また、印刷用ブランケットとしてシリコーンブランケットを使用していることから、シリコーンブランケットから被印刷体へのインキパターンの転写時に、インキの分断やそれに伴う印刷形状の劣化が生じるのを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のオフセット印刷方法では、第１の凹版（以下、「印刷用凹版」ということがある。）を用いて、シリコーンブランケット上へのインキパターンの転移が実行され、第２の凹版（以下、「トリミング用凹版」ということがある。）を用いて、シリコーンブランケット上に転移されたインキパターンのトリミング処理（すなわち、所定の線幅を超える部分のインキを取り去る、いわゆる縁取り処理）が実行される。
【００１２】
本発明のオフセット印刷方法に用いられる第１の凹版は、シリコーンブランケットのインキ受理面にインキパターンを形成するために用いられる凹版である。第１の凹版の形成材料については、特に限定されるものではないが、例えば、４２アロイ、ステンレスなどの金属や、ソーダライムガラス、ノンアルカリガラスなどのガラスが挙げられる。第１の凹版に対して、優れた耐久性が要求される場合には、金属製の凹版を用いることが好ましく、極めて高度な寸法精度を要求される場合には、凹部の加工性が良好なソーダライムガラス、ノンアルカリガラスなどのガラスを用いることが好ましい。また、特に優れた耐久性を求められる場合には、凹版の表面に硬質クロムメッキを施すことが好ましい。
【００１３】
第１の凹版において、凹部の形状（パターン）は、印刷により形成するインキパターン（以下、「印刷パターン」という。）において要求される線幅（以下、「要求線幅」という。）に応じて設定されるものである。
本発明においては、第１の凹版からシリコーンブランケットへとインキを転移した後で、シリコーンブランケット上のインキパターンの線幅を調整するトリミング処理が施されることから、第１の凹版における凹部の線幅は、印刷パターンの要求線幅以上に設定することが好ましい。とりわけ、第１の凹版における凹部の線幅は、印刷パターンの要求線幅に対して、１００〜１５０％の範囲で設定することが好ましく、１００〜１３０％の範囲で設定することがより好ましい。なお、第１の凹版における凹部の線幅が、印刷パターンの要求線幅に比べて極めて広い場合には、トリミング処理によって除去されるインキの量が多くなることから、パターン形成材料の消費量を抑制するという本発明の作用効果上、好ましくない。
【００１４】
第１の凹版における凹部の深さは、印刷パターンの形状（厚み）などに応じて適宜設定されるものであって、特に限定されるものではないが、通常、３〜４０μｍであり、好ましくは、５〜２０μｍである。
第１の凹版の凹部は、これに限定されるものではないが、例えば、エッチングによって形成することが好ましい。
【００１５】
本発明のオフセット印刷方法に用いられる第２の凹版は、シリコーンブランケットのインキ受理面に形成されたインキパターンに対して、トリミング処理を施すために用いられる凹版である。この第２の凹版（トリミング用凹版）は、後述するように、上記第１の凹版（印刷用凹版）とは別の凹版であってもよく、第１の凹版（印刷用凹版）と同じものであってもよい。
【００１６】
第２の凹版の形成材料については、特に限定されるものではなく、第１の凹版の形成材料として例示したものと同様のものが挙げられる。
第２の凹版において、凹部の形状（パターン）は、印刷により形成するインキパターンにおいて要求される線幅（印刷パターンの要求線幅）に応じて設定されるものである。また、凹部の線幅は、印刷パターンの要求線幅に応じて適宜設定されるものである。
【００１７】
第２の凹版における凹部の深さは、特に限定されるものではないが、トリミング処理時にシリコーンブランケット上のインキパターンの厚みを減少させるという事態が生じるのを防止するためにも、印刷パターンに要求されるインキ膜の厚みよりも若干大きく設定することが好ましい。
第２の凹版の凹部は、これに限定されるものではないが、例えば、エッチングによって形成することが好ましい。
【００１８】
本発明のオフセット印刷方法に用いられるシリコーンブランケットとしては、オフセット印刷に使用される種々のシリコーンブランケットが挙げられる。具体的には、本発明においては、少なくともインキ受理面をなす部分にシリコーンゴムからなる層を有するオフセットブランケットを採用することができる。
シリコーンブランケットの表面硬さは、インキ受理面の表面が硬すぎると、転写時の変形が小さくなってインキ転移性の低下を招くおそれが生じ、逆に、柔らかすぎると、転写時の変形が大きくなって印刷精度の低下を招くおそれが生じることから、ＪＩＳ  Ａ硬度で２０〜７０の範囲で設定することが好ましく、３０〜６０の範囲で設定することが好ましい。
【００１９】
また、シリコーンブランケットのインキ受理面の表面粗さは、これに限定されるものではないが、１０点平均粗さＲｚで１．０以下に設定することが好ましく、０．５μｍ以下に設定することがより好ましい。
シリコーンブランケットは、転写時の変形を適度な範囲に設定するという観点から、これに限定されるものではないが、インキ受理面をなすシリコーンゴム層の厚みを１．５ｍｍ以下に設定するのが好ましい。
【００２０】
上記シリコーンゴム層を形成するシリコーンゴムとしては、これに限定されるものではないが、未硬化時に液状またはペースト状であるシリコーンゴムが好ましい。かかるシリコーンゴムを用いることで、シリコーンゴム層の硬化時に、セルフレベリングによってインキ受理面を平滑化させることができる。それゆえ、高精度のパターン形成により一層好適な、表面粗さが極めて小さいシリコーンブランケットを形成する上で有利である。
【００２１】
本発明のオフセット印刷方法に用いられるインキは、印刷により形成するインキパターン（印刷パターン）の種類に応じて選択されるものであって、特に限定されるものではない。なお、インキの具体例としては、例えば、ＰＤＰの前面板における電極パターンを形成する場合には、銀粉末などの金属粉末を含有する導電性インキペーストが、液晶カラーフィルタのカラーフィルタ層を形成する場合には、顔料などの着色剤を含有するインキペーストが、それぞれ使用される。
【００２２】
次に、本発明のオフセット印刷方法の具体的工程を示す図面を参照しつつ、本発明について詳細に説明する。
図１（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係るオフセット印刷方法の一工程例を示す模式的説明図である。
本発明に係るオフセット印刷方法では、まず、印刷用凹版である第１の凹版１０の凹部１１にインキ２５を充填し、この第１の凹版１０にシリコーンブランケットのインキ受理面２０を押し当てることによって、凹部１１内に充填されたインキ２５をインキ受理面２０に転移させる（図１（ａ））。
【００２３】
こうしてシリコーンブランケット上に形成されたインキパターン（トリミング処理前のインキパターン）２６は、通常、その線幅ＷＰが、第１の凹版の凹部１１の線幅Ｗ１よりも広くなる（図１（ｂ））。なお、インキパターン２６の線幅ＷＰが、凹部１１の線幅Ｗ１よりも広くなる程度は、インキ受理面２０がインキ３０の溶剤によって膨潤している程度によって変動する。
【００２４】
そこで、次に、シリコーンブランケットのインキ受理面２０に、トリミング用凹版である第２の凹版１５を押し当てることによって、インキ受理面２０に形成されたインキパターン２６を、第２の凹版の凹部１６の形状に合わせてトリミングする（図１（ｃ））。ここで、インキ受理面２０に押し当てる前の第２の凹版１５は、その凹部１６にインキが充填されていない状態であることを要する。
【００２５】
第２の凹版の凹部１６の線幅Ｗ２は、印刷により形成するインキパターンにおいて要求される線幅（印刷パターンの要求線幅）Ｗに応じて設定されていることから、トリミング処理を実行することによって、インキ受理面２０上でのトリミング処理後のインキパターン２７の線幅ＷＴを、印刷パターンの要求線幅Ｗに合わせることができる（図１（ｄ））。また、トリミング処理を実行することによって、例えば、インキ受理面２０上に付着した、凹版の非画線部の汚れに起因するインキ２９や、インキの垂れ、ドクター不良による非画線部の汚れなどによって生じた、いわゆる「ひげ」などが、シリコーンブランケットから被印刷物上へと転写されるのを防止することができる。
【００２６】
次いで、シリコーンブランケットのインキ受理面２０に保持された、トリミング処理後のインキパターン２７を、基板３０上に転写することによって、極めて高い印刷精度でもって、印刷パターン２８を形成することができる（図１（ｅ））。上述のとおり、印刷用ブランケットであるシリコーンブランケットから、被印刷体である基板上へのインキの転移時には、インキパターンの形状にほとんど変化が生じないことから、トリミング処理後のインキパターン２７の線幅ＷＴと同じ線幅Ｗで、基板上に印刷パターンを印刷形成することができる。
【００２７】
本発明のオフセット印刷方法においては、上述のとおり、第１の凹版と第２の凹版は、異なる凹版であってもよく、第１の凹版における凹部の線幅は、第２の凹版における対応する凹部の線幅以上であればよい。すなわち、印刷パターンの最終的な線幅は、トリミング処理を実行することで適宜調節できることから、第１の凹版の凹部の線幅は、最終的な印刷パターンの線幅よりも広くてよい。
【００２８】
一方、本発明のオフセット印刷方法においては、上述のとおり、第１の凹版と第２の凹版を同じ凹版とすることも可能である。これは、印刷パターンの線幅は、第１の凹版からシリコーンブランケット上へと転写された後に、シリコーンブランケット上において太くなることから、第１の凹版と第２の凹版が同じであっても、線幅が太くなった部分のトリミングが可能だからである。また、第１の凹版と第２の凹版を同じ凹版とすることにより、パターンの形成に使用する凹版が１つで済むことになり、印刷機のサイズをコンパクトなものにすることができる。
【００２９】
第１の凹版と第２の凹版が同じである場合には、初めに、凹版の凹部にインキを供給して、シリコーンブランケットにインキパターンを転移させた後、凹版の表面や凹部内からインキを除去した上で、シリコーンブランケット上のインキパターンに対して、上記凹版を押し当てればよい。
本発明のオフセット印刷方法において、連続印刷を実施した場合には、シリコーンブランケットの表面（インキ受理面）がインキの溶剤によって膨潤し、表面の濡れ性が変化して、印刷パターンの線幅が安定しないという問題が生じ得る。そこで、シリコーンブランケットの表面の濡れ性を安定させるために、ドライヤーなどを用いて加熱、乾燥させる手段をとることができる。なお、シリコーンブランケットの表面温度が高い状態で、印刷処理を実行した場合には、印刷精度が低下するなどの問題を生じることから、この場合には、インキ受理面を十分に冷却させるための処理を施すことが必要となる。
【００３０】
本発明のオフセット印刷方法において、トリミング処理によってシリコーンブランケットの表面から除去されたインキは、回収して、再利用することが可能である。この場合、パターン形成材料の無駄を省き、その使用効率を向上させることができる。
【実施例】
【００３１】
次に、本発明を実施例および比較例に基づいてより詳細に説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。
実施例１
下記の導電性ペーストインキ、第１の凹版、第２の凹版およびシリコーンブランケットを使用して、下記のプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の前面板の表面に、導電性パターンを印刷形成した。
【００３２】
ＰＤＰの前面板には、幅約９２．０ｃｍ、高さ約５１．８ｃｍ、対角約１０５．６ｃｍ（４２インチ型）の高歪点ガラス板（旭硝子（株）製の「ＰＤ２００」）を使用した。導電性ペーストインキには、アクリル樹脂１００重量部に対して、銀粉末９００重量部、ガラスフリット５０重量部、酢酸ブチルカルビトール（溶剤）２００重量部を配合し、３本ロールにて分散、混合させたものを使用した。第１の凹版（印刷用凹版）には、ソーダライムガラス製基材の表面に、線幅８０μｍ、ピッチ３６０μｍ、深さ３０μｍの、ストライプ状の凹部が形成されたものを使用した。第２の凹版（トリミング用凹版）には、ソーダライムガラス製基材の表面に、線幅８０μｍ、ピッチ３６０μｍ、深さ２０μｍの、ストライプ状の凹部が形成されたものを使用した。シリコーンブランケットには、表面に、常温硬化型付加型シリコーンゴムを用いて形成された、ゴム硬度（ＪＩＳ  Ａ）４０、厚さ３００μｍ、１０点平均粗さ（Ｒｚ）０．１μｍのシリコーンゴム層を有するものを使用した。
【００３３】
導電性パターンの印刷形成は、まず、上記第１の凹版の凹部に上記導電性ペーストインキを充填し、これに、上記シリコーンブランケットのインキ受理面を押し当てることによって、上記凹部内のインキを上記インキ受理面に転移させた。次いで、上記インキ受理面に、上記第２の凹版を押し当てることによって、上記インキ受理面に転移したインキパターンを上記第２の凹版の凹部の形状に合わせてトリミングした。さらに、上記インキ受理面上に残存したインキパターンを、被印刷体であるＰＤＰの前面板上に転写させた。
【００３４】
次に、ＰＤＰの前面板に形成された導電性パターン（印刷パターン）を、５５０℃で１時間焼成することによって、ストライプパターン状の銀電極を得た。
ＰＤＰの前面板に対する導電性パターンの印刷形成を、連続印刷によって実施したところ、印刷枚数が増加するにつれて、シリコーンブランケット上に形成されるインキパターンの線幅に増加傾向がみられた。しかし、上記実施例１では、第２の凹版（トリミング用凹版）を用いたトリミング処理が実行されたことから、上記前面板に形成された印刷パターンは線幅が安定しており、前面板の面内で印刷精度を±１０μｍ以内に収めることができた。この印刷精度のレベルは、ＰＤＰパネルに実装する得うえで、全く問題のないレベルであった。
【００３５】
また、実施例１によれば、パターン形成材料である導電性ペーストインキの使用量を抑制することができ、しかも、印刷設備として、通常の凹版オフセット印刷機を使用することができたことから、導電性パターンの形成に要するコストを削減することができた。
実施例２
第２の凹版として、第１の凹版と同様のものを使用し、トリミング処理を実行するのに際して、第１の凹版の表面および凹部内に残存したインキを除去する洗浄処理を実行したこと以外は、実施例１と同様にして、ＰＤＰの前面板上に導電性パターンを形成した。
【００３６】
実施例２においても、連続印刷を実行すると、印刷枚数が増加するにつれて、シリコーンブランケット上に形成されるインキパターンの線幅に増加傾向がみられたものの、上述のトリミング処理を実行したことから、上記前面板に形成された印刷パターンの線幅を安定させることができ、前面板の面内で印刷精度を±１０μｍ以内に収めることができた。
また、実施例２によれば、実施例１の場合と同様に、導電性パターンの形成に要するコストを削減することができた。
【００３７】
比較例１
第２の凹版（トリミング用凹版）によるトリミング処理を実施しなかったこと以外は、実施例１と同様にして、ＰＤＰの前面板上に導電性パターンを形成した。
ＰＤＰの前面板に対する導電性パターンの印刷形成を、連続印刷によって実施したところ、印刷枚数が増加するにつれて、シリコーンブランケット上に形成されるインキパターンの線幅に増加傾向がみられた。比較例１では、上述のとおり、トリミング処理を実行しておらず、しかも、導電性パターンの印刷形成処理を繰り返すにあたって、シリコーンブランケットの表面を乾燥させる処理を実行しなかったことから、印刷を繰り返すにつれてパターンの線幅が顕著に増加して、印刷精度が低下した。
【００３８】
比較例１で得られたＰＤＰの前面板の印刷精度は、前面板を５００毎程度連続して印刷した時点において、既に、ＰＤＰパネルに実装すると点灯・表示不良を生じ得るレベル（±２０μｍ以上）にまで低下したため、安定した品質でＰＤＰの前面板を量産することができなかった。
比較例２
シリコーンブランケットの乾燥処理を実施したこと以外は、比較例１と同様にして、ＰＤＰの前面板上に導電性パターンを形成した。
【００３９】
シリコーンブランケットの乾燥処理は、導電性パターンの印刷形成処理をＰＤＰの前面板１枚分繰り返す毎に実施した。乾燥処理は、シリコーンブランケットの表面に、１００℃の熱風を約２分間吹き当てることによって実施した。また、乾燥処理の実施後には、中空の鉄製ローラ（表面の十点平均粗さＲｚ０．１μｍ）をシリコーンブランケットの表面に当接させることにより、シリコーンブランケットを強制的に冷却させた。上記鉄製ローラは、内部に２３℃の水を流して冷却させながら、上記の冷却処理に使用した。
【００４０】
ＰＤＰの前面板に対する導電性パターンの印刷形成を、連続印刷によって実施したところ、印刷枚数が増加するにつれて、シリコーンブランケット上に形成されるインキパターンの線幅に増加傾向がみられた。比較例２では、シリコーンブランケットの乾燥処理を実行したものの、比較例１と同じく、トリミング処理を実行しなかったことから、印刷を繰り返すにつれてパターンの線幅が増加して、印刷精度が低下した。また、シリコーンブランケットの冷却処理に使用したステンレス製ローラの表面にはゴムや異物が付着し、このゴムや異物がシリコーンブランケットの表面に転写されるという現象が生したため、最終的に、ＰＤＰの前面板上に転移して、欠点が多発させるという問題が生じた。
【００４１】
比較例３
スクリーン印刷機を用いて、上記ＰＤＰの前面板の表面全体に、黒色の感光性ペースト（デュポン社製の商品名「フォーデル」）を均一に塗布して、乾燥させることにより、厚さ約５μｍの膜を形成した後、感光性銀ペースト（デュポン（株）製の登録商標「フォーデル」）を均一に塗布して、乾燥させることにより、厚さ約１０μｍの膜を形成した。なお、黒色の感光性ペーストと感光性銀ペーストとからなる膜の総厚みは、５５０℃で１時間焼成した後に、１０μｍとなるように調整した。次いで、露光・現像によって、線幅８０μｍ、ピッチ３６０μｍのストライプパターンを形成し、５５０℃で１時間焼成することによって、銀電極を得た。
【００４２】
比較例３では、比較的印刷精度の高いパターン形成を実現することができたものの、露光・現像処理を経てパターンを形成したことから、パターンの形成に要するコストが高くなるという問題が生じた。
比較例４
プラズマディスプレイの背面板（対角４２インチ）に、実施例１と同じ導電性銀ペーストをスクリーン印刷にて印刷し、線幅８０μｍ、ピッチ３６０μｍの印刷を実施した。
【００４３】
廃液や製造設備に要する費用は、実施例１と同様で、極めて低く抑えることができたものの、スクリーン印刷によって安定した線幅のパターンを安定して印刷することができなかった。また、印刷パターンには断線などが多発し、印刷精度も極めて低いという問題があった。印刷精度は、具体的には、前面板の面内で±５０μｍと極めて大きな値を示し、ＰＤＰ実装した場合には、電極の位置ずれが発生することから、実用化は困難であった。
【００４４】
本発明は、以上の記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した事項の範囲において、種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明のオフセット印刷方法の一工程例を示す模式的説明図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  第１の凹版（印刷用凹版）
１１  凹部
１５  第２の凹版（トリミング用凹版）
１６  凹部
２０  インキ受理面
２５  インキ
２６  インキパターン（トリミング処理前）
２７  インキパターン（トリミング処理後）
２８  印刷パターン
３０  基板（被印刷体）
Ｗ１  凹部１１の線幅
Ｗ２  凹部１６の線幅
ＷＰ  インキパターン２６の線幅
ＷＴ  インキパターン２７の線幅
Ｗ  印刷パターンの線幅
【図１】
2006110947.tif 000003