(57)【要約】  【課題】  開口率及び歩留りを向上して高精細化が可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。  【解決手段】  光を反射する反射電極４２及び光を透過する透明電極４１から成る画素電極１０を設けた画素基板４と、画素電極１０に対向する対向電極２３を設けた対向基板５との間に液晶６を封入し、反射電極４２の反射光または透明電極４１の透過光により照明して画像を表示する液晶表示装置１において、画素基板４は、反射電極４２の上層を形成して光を着色するとともに反射電極４２上に形成される開口部４３ａを有する着色層４３と、着色層４３の上層を成して開口部４３ａ内に連続して配されるとともに反射電極４２上方の液晶６層の厚みを狭めるマルチギャップ部４４とを有して、マルチギャップ部４４及び着色層４３の上に透明電極４１を配して構成され、開口部４３ａの周縁よりも内側に配されるとともに透明電極４１と反射電極４２とを導通させるコンタクトホール４４ａをマルチギャップ部４４に設けた。【選択図】      図１
2006030951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を反射する反射電極及び光を透過する透明電極から成る画素電極を設けた画素基板と、前記画素電極に対向する対向電極を設けた対向基板との間に液晶を封入し、前記反射電極の反射光または前記透明電極の透過光により照明して画像を表示する液晶表示装置において、
前記画素基板は、前記反射電極の上層を形成して光を着色するとともに前記反射電極上に形成される開口部を有する着色層と、前記着色層の上層を成して前記開口部内に連続して配されるとともに前記反射電極上方の液晶層の厚みを狭めるマルチギャップ部とを有して、前記マルチギャップ部及び前記着色層の上に前記透明電極を配して構成され、前記開口部の周縁よりも内側に配されるとともに前記透明電極と前記反射電極とを導通させるコンタクトホールを前記マルチギャップ部に設けたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記着色層及び前記マルチギャップ部が樹脂から成ることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射電極の下層に配される透明樹脂層を有し、前記反射電極は前記透明樹脂層と接したＩＺＯ膜を有する積層膜から成ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
光を反射する反射電極及び光を透過する透明電極から成る画素電極を設けた画素基板と、前記画素電極に対向する対向電極を設けた対向基板との間に液晶を封入し、前記反射電極の反射光または前記透明電極の透過光により照明して画像を表示する液晶表示装置の製造方法において、
前記画素基板に前記反射電極を形成する反射電極形成工程と、光を着色するとともに前記反射電極上に形成される開口部を有した着色層を前記反射電極の上層に形成する着色層形成工程と、前記反射電極上方の液晶層の厚みを狭めるマルチギャップ部を前記開口部内を含む前記着色層の上層に形成するマルチギャップ部形成工程と、前記マルチギャップ部及び前記着色層の上層に前記透明電極を形成する透明電極形成工程とを有し、
前記開口部の周縁よりも内側の前記マルチギャップ部に設けられるとともに前記透明電極と前記反射電極とを導通させるコンタクトホールを、前記マルチギャップ部形成工程で前記マルチギャップ部と同時に形成したことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射電極の下層に配される透明樹脂層を有し、前記反射電極は前記透明樹脂層と接したＩＺＯ膜を有する積層膜から成ることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射電極と透明電極を有し、透過光及び反射光により照明する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は薄型で低消費電力であるため、パーソナルコンピュータ等のＯＡ機器、電子手帳や携帯電話機等の携帯情報端末機器、カメラ一体型ＶＴＲなどに広く用いられている。このような液晶表示装置には、画素電極にＩＴＯ等の透明導電性薄膜を用いた透過型と画素電極に金属などの反射電極を用いた反射型とがある。
【０００３】
透過型の液晶表示装置は、バックライトで照明して表示を行うために、明るくて高コントラストを有する表示を行うことができるが、消費電力が大きくなる。一方、反射型の液晶表示装置は、周囲の光により照明するためバックライトを使用しないので消費電力を小さくできるが、周囲の明るさによってコントラストが低下する問題がある。このため、周囲の光を反射して照明するとともにバックライトの光により照明することのできる半透過型の液晶表示装置が実用化されている。
【０００４】
特許文献１には半透過型の液晶表示装置が開示されている。図２１はこの液晶表示装置を示す断面図である。液晶表示装置１は表示パネル２の背面にバックライト３を備えている。表示パネル２は画素基板４と対向基板５との間に液晶６が封入されている。画素基板４はガラス基板３１上にベースコート膜３２が形成されている。
【０００５】
ベースコート膜３２上にはゲートＧ、ソースＳ、ドレインＤを有したＴＦＴ素子を構成する半導体層３３が形成される。半導体層３３の上層にはゲート絶縁膜３５が形成され、ゲート絶縁膜３５上にゲート電極３６が形成される。ゲート電極３６上には層間絶縁膜３７が形成され、層間絶縁膜３７に設けたコンタクトホール３７ａを介してソースＳ及びドレインＤにそれぞれ導通するソース電極３８及びドレイン電極３９が形成される。
【０００６】
層間絶縁膜３７上には透明樹脂層４０が形成され、透明樹脂層４０上に透明電極４１が形成される。透明電極４１はＩＴＯ等から成り、透明樹脂層４０に設けたコンタクトホール４０ａを介してドレイン電極３９に導通する。透明電極４１上には所定部分にアルミニウム等から成る反射電極４２が形成される。透明電極４１及び反射電極４２によりマトリクス状に配列された画素電極１０が形成される。画素電極１０は反射電極４２から成る反射部１０ａと、反射部１０ａを除く部分の透明電極４１から成る透過部１０ｂとを有している。
【０００７】
対向基板５は光を着色するカラーフィルターを構成する着色層２２がガラス基板２１上に形成される。着色層２２の上層にはＩＴＯ等から成る対向電極２３が形成されている。また、透明電極４１及び対向電極２３上には液晶６を配向する配向膜（不図示）が設けられている。
【０００８】
上記構成の液晶表示装置１において、バックライト３を点灯するとバックライト３の出射光が透過部１０ｂを透過して表示パネル２を照明する。バックライト３の消灯時には周囲の光が表示パネル２に入射し、反射部１０ａで反射して表示パネル２を照明する。これにより、画像を視認することができる。また、着色層２２には反射部１０ａに対向する部分に開口部２２ａが設けられている。開口部２２ａによって反射照明時の明度を確保するようになっている。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−１１１９０２号公報（第５頁−第１２頁、第２図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来の液晶表示装置１によると、表示パネル２の高精細化に伴い、製造工程中の熱や膜応力によるガラス基板２１、３１の収縮によって、画素基板４に設けられる画素電極１０と対向基板５に設けられる着色層２２との位置合せが困難になっている。これにより、液晶表示装置１の開口率の低下や歩留りの低下を招く問題があった。
【００１１】
本発明は、開口率及び歩留りを向上して高精細化が可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために本発明は、光を反射する反射電極及び光を透過する透明電極から成る画素電極を設けた画素基板と、前記画素電極に対向する対向電極を設けた対向基板との間に液晶を封入し、前記反射電極の反射光または前記透明電極の透過光により照明して画像を表示する液晶表示装置において、
前記画素基板は、前記反射電極の上層を形成して光を着色するとともに前記反射電極上に形成される開口部を有する着色層と、前記着色層の上層を成して前記開口部内に連続して配されるとともに前記反射電極上方の液晶層の厚みを狭めるマルチギャップ部とを有して、前記マルチギャップ部及び前記着色層の上に前記透明電極を配して構成され、前記開口部の周縁よりも内側に配されるとともに前記透明電極と前記反射電極とを導通させるコンタクトホールを前記マルチギャップ部に設けたことを特徴としている。
【００１３】
この構成によると、画素基板には反射電極、着色層、マルチギャップ部、透明電極が順に積層され、対向基板には一面に対向電極が形成される。マルチギャップ部には着色層の開口部内に配置されるコンタクトホールが形成され、コンタクトホールの側壁が開口部に充填されたマルチギャップ部から成る。透明電極はコンタクトホールを介して反射電極に導通する。
【００１４】
また本発明は、上記構成の液晶表示装置において、前記着色層及び前記マルチギャップ部が樹脂から成ることを特徴としている。
【００１５】
また本発明は、上記構成の液晶表示装置において、前記反射電極の下層に配される透明樹脂層を有し、前記反射電極は前記透明樹脂層と接したＩＺＯ膜を有する積層膜から成ることを特徴としている。この構成によると、反射電極は最下層のＩＺＯ膜の上に反射膜を形成して構成される。
【００１６】
また本発明は、光を反射する反射電極及び光を透過する透明電極から成る画素電極を設けた画素基板と、前記画素電極に対向する対向電極を設けた対向基板との間に液晶を封入し、前記反射電極の反射光または前記透明電極の透過光により照明して画像を表示する液晶表示装置の製造方法において、
前記画素基板に前記反射電極を形成する反射電極形成工程と、光を着色するとともに前記反射電極上に形成される開口部を有した着色層を前記反射電極の上層に形成する着色層形成工程と、前記反射電極上方の液晶層の厚みを狭めるマルチギャップ部を前記開口部内を含む前記着色層の上層に形成するマルチギャップ部形成工程と、前記マルチギャップ部及び前記着色層の上層に前記透明電極を形成する透明電極形成工程とを有し、
前記開口部の周縁よりも内側の前記マルチギャップ部に設けられるとともに前記透明電極と前記反射電極とを導通させるコンタクトホールを、前記マルチギャップ部形成工程で前記マルチギャップ部と同時に形成したことを特徴としている。
【００１７】
この構成によると、画素基板には反射電極、着色層、マルチギャップ部、透明電極が順に積層される。反射電極形成工程では成膜及びパターニング等により反射電極が形成され、着色層形成工程では成膜及びパターニング等により開口部を有する着色層が形成される。マルチギャップ部形成工程では所定の材料が成膜により着色層の上層に形成されるとともに開口部内に充填される。そして、パターニングによりコンタクトホールを有するマルチギャップ部が形成される。透明電極形成工程では所定の材料がマルチギャップ部及び着色層の上に成膜されるとともにコンタクトホールを介して反射電極上に成膜される。
【００１８】
また本発明は、上記構成の液晶表示装置の製造方法において、前記反射電極の下層に配される透明樹脂層を有し、前記反射電極は前記透明樹脂層と接したＩＺＯ膜を有する積層膜から成ることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によると、着色層及びマルチギャップ部を画素基板側に設けたので、画素基板と対向基板との位置合せのずれによる開口率の低下や歩留りの低下を防止して液晶表示装置の高精細化を図ることができる。また、マルチギャップ部が着色層の上層を成して開口部内に連続して配され、開口部の周縁の内側にコンタクトホールを設けている。これにより、マルチギャップ部の形成時に同時にコンタクトホールを形成できるため製造工数削減を図ることができる。また、コンタクトホール内に着色層とマルチギャップ部の段部が形成されないので、透明電極の導通不良削減を図るとともに反射照明時の開口率をより向上することができる。更に、開口部内にコンタクトホールが配されるので高精細化した際の着色面積の減少を防止して彩度の低下を防止することができる。
【００２０】
また本発明によると、着色層及びマルチギャップ部が樹脂から成るので、上層を透明電極で覆うことにより液晶の変質を防止することができる。
【００２１】
反射電極の最下層がＩＺＯから成るので、下層の透明樹脂層との密着性を向上して膜波がれを防止し、反射電極とドレイン電極とのコンタクト不良を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１、図２は一実施形態の液晶表示装置の要部を示す側面断面図及び平面図である。説明の便宜上、前述の図２１に示す従来例と同様の部分には同じ符号を付している。液晶表示装置１は表示パネル２の背面にバックライト３を備えている。表示パネル２は画素基板４と対向基板５との間に液晶６が封入されている。画素基板４は硼けい酸ガラス等から成るガラス基板３１上にベースコート膜３２が形成されている。
【００２３】
ベースコート膜３２上にはゲートＧ、ソースＳ、ドレインＤを有したＴＦＴ素子を構成する半導体層３３が形成される。半導体層３３の上層にはゲート絶縁膜３５が形成され、ゲート絶縁膜３５上にゲート電極３６が形成される。ゲート電極３６上には層間絶縁膜３７が形成され、層間絶縁膜３７に設けたコンタクトホール３７ａを介してソースＳ及びドレインＤにそれぞれ導通するソース電極３８及びドレイン電極３９が形成される。
【００２４】
層間絶縁膜３７上には透明樹脂層４０が形成され、透明樹脂層４０上の所定部分に反射電極４２が形成される。反射電極４２の下面に接する透明樹脂層４０には、微細な凹凸から成る凹凸部４０ｂが形成されている。これにより、光を所定の角度範囲に散乱させ、効率良く周囲光を利用することができるようになっている。
【００２５】
反射電極４２はアルミニウム等の光を反射する導電体から成り、透明樹脂層４０に設けたコンタクトホール４０ａを介してドレイン電極３９に導通する。反射電極４２の上層には着色層４３が形成される。着色層４３は感光性着色樹脂から成り、光を着色するカラーフィルターを構成する。着色層４３には反射電極４２の直上に開口部４３ａが設けられる。開口部４３ａによって反射照明時の明度を確保することができる。
【００２６】
着色層４３の上層には反射電極４２の上方を覆う樹脂から成るマルチギャップ部４４が設けられる。この時、マルチギャップ部４４は着色層４３上から連続して開口部４３ａ内にも充填される。マルチギャップ部４４の上層にはマルチギャップ部４４及び着色層４３を覆う透明電極４１が形成される。透明電極４１はＩＴＯやＩＺＯ等から成り、マルチギャップ部４４に設けられたコンタクトホール４４ａを介して反射電極４２と導通する。コンタクトホール４４ａは着色層４３の開口部４３ａの周縁よりも内側に設けられ、コンタクトホール４４ａの側壁がマルチギャップ部４４から成っている。
【００２７】
透明電極４１及び反射電極４２によりマトリクス状に配列された画素電極１０が形成される。画素電極１０は反射電極４２から成る反射部１０ａと、反射部１０ａを除く部分の透明電極４１から成る透過部１０ｂとを有している。尚、マルチギャップ部４４は反射電極１０ａの上方の液晶６の厚みを、透過部１０ｂの上方の液晶６の厚みの約１／２に狭くする。これにより、液晶６を通過する光の光路長を反射部１０と透過部１０ｂとで略等しくして光学的なロスを低減することができる。
【００２８】
マルチギャップ部４４の上層にはフォトスペーサ４５が形成される。フォトスペーサ４５によって各画素の反射部１０ａ上の液晶６の厚みを均一にするようになっている。
【００２９】
対向基板５は硼けい酸ガラス等から成るガラス基板２１上にＩＴＯやＩＺＯ等から成る対向電極２３が形成されている。また、透明電極４１及び対向電極２３上には液晶６を配向する配向膜（不図示）が設けられている。
【００３０】
次に、画素基板４の製造工程を図３〜図１６を参照して説明する。尚、透明樹脂層４０よりも下層の形成工程は従前と同様であるので省略する。図３、図４は透明樹脂層４０を形成する透明樹脂層形成工程を示している。図３に示すように、ソース電極３８、ドレイン電極３９及び層間絶縁膜３７上には絶縁体から成る透明樹脂５０が１〜３μｍ好ましくは２μｍの厚みで塗布等により形成される。そして、図４に示すように、フォトリソグラフィーによってコンタクトホール４０ａ及び凹凸部４０ｂを形成する。
【００３１】
図５、図６は反射電極４２を形成する反射電極形成工程を示している。図５に示すように、透明樹脂層４０上にはアルミニウム等の導電性の導電膜５２をスパッタ法により積層する。導電膜５２上にはレジストが塗布され、フォトリソグラフィーによって所定形状のレジストパターンを形成する。次にウエットエッチングまたはドライエッチングによって不要領域の導電膜５２を除去し、図４に示すように反射電極４２が形成される。
【００３２】
反射電極４２は最下層がＩＺＯから成る積層膜により形成してもよい。導電膜５２がアルミニウム等の単層膜により形成すると、下層の透明樹脂層４０との密着性が弱くなる。このため、反射電極４２の膜剥がれが生じ、反射電極４２とドレイン電極３９とのコンタクト不良が増加する。図７に示すように、反射電極４２を下層がＩＺＯ膜６１で上層がアルミニウム膜６３の積層膜により形成すると、ＩＺＯ膜６１と透明樹脂層４０との密着性が高いため膜剥がれを防止できる。
【００３３】
反射電極４２がアルミニウムの単層膜から成る場合と、ＩＺＯ膜６１とアルミニウム膜６３との積層膜から成る場合のコンタクト不良の不良率を比較実験を行った。その結果、単層膜の場合は最大８５％の不良率になり、最下層がＩＺＯ膜６１の場合は０％の不良率になった。従って、最下層にＩＺＯ膜６１を設けることによりコンタクト不良を防止し、液晶表示装置の歩留りを向上することができる。
【００３４】
また、図８に示すように、反射電極４２を下層から順にＩＺＯ膜６１、モリブデン膜６２、アルミニウム膜６３から成る３層膜にしても同様にコンタクト不良を防止することができる。アルミニウム膜６３に替えてＩＺＯ膜を上層に設けた３層膜でもよい。また、図９に示すように、反射電極４２を下層から順にＩＺＯ膜６１、モリブデン膜６２、アルミニウム膜６３、ＩＺＯ膜６４から成る４層膜にしても同様にコンタクト不良を防止することができる。ＩＺＯ膜６４を上層に設けると後述する着色層形成工程で使用される現像液から導電膜５２を保護することができるのでより望ましい。
【００３５】
図１０、図１１は着色層４３を形成する着色層形成工程を示している。図１０に示すように、反射電極４２及び透明樹脂層４０上には、感光性樹脂組成物に顔料を分散させた感光性着色樹脂膜５３が塗布等により成膜される。感光性着色樹脂膜５３の厚みは１〜３μｍに形成され、好ましくは約１．５μｍに形成される。
【００３６】
そして、図１１に示すように、感光性着色樹脂膜５３はフォトリソグラフィーによって所定形状にパターニングされ、着色層４３が形成される。この時、反射電極４２上には開口部４３ａが同時に形成される。尚、開口部４３ａの開口面積を変えると反射部１０ａ（図１参照）の明度及び彩度が変わるため、液晶表示装置１の使用目的に応じて開口面積が決められる。
【００３７】
図１２、図１３はマルチギャップ部４４を形成するマルチギャップ部形成工程を示している。図１２に示すように、着色層４３上には絶縁体から成る透明樹脂５４が塗布等により形成される。透明樹脂５４の厚みは液晶６（図１参照）の厚みの約１／２になっている。この時、透明樹脂５４は着色層４３から連続して開口部４３ａ内に充填され、反射電極４２上に積層される。
【００３８】
そして、図１３に示すように、フォトリソグラフィーによって所定形状のマルチギャップ部４４が形成される。同時に、開口部４３ａ内の透明樹脂５４にはコンタクトホール４４ａが形成される。マルチギャップ部４４を着色層４３の上層に設けることにより、コンタクトホール４４ａをマルチギャップ部４４と同時に形成して工数を削減することができる。
【００３９】
また、図１７に示すように、コンタクトホール４４ａが開口部４３ａからずれた位置に形成されると、コンタクトホール４４ａ内に着色層４３の平坦部４３ｂが形成される。平坦部４３ｂの上方には液晶６の厚みが厚い部分が生じるため、反射部１０ａの光路長が長くなる。これにより、光学的なロスが大きくなり、反射照明時の液晶表示装置１の開口率が低下する。
【００４０】
開口部４３ａのない部分にコンタクトホール４４ａを形成すると、マルチギャップ部４４を形成した後にコンタクトホール４４ａが着色層４３を貫通するように新たな工程を設ける必要があり工数が増加する。
【００４１】
また、着色層４３及びマルチギャップ部４４を貫通するコンタクトホールに段部が形成される場合が生じる。即ち、着色層４３を貫通させる際に現像速度のバラツキにより、マルチギャップ部４４の下端の孔径よりも着色層４３の上端の孔径が小さくなる場合（図１８参照）や大きくなる場合（図１９参照）が生じる。
【００４２】
図１８に示すように着色層４３の上端のコンタクトホールの孔径が小さいと、前述の図１７に示した場合と同様に着色層４３の平坦部４３ｂが形成され、液晶表示装置１の開口率が低下する。図１９に示すように着色層４３の上端の孔径が大きいと、後工程でコンタクトホール４４ａ内に成膜される透明電極４１の導通不良を招き、液晶表示装置１の歩留りが低下する。従って、開口部４３ａの周縁よりも内側にコンタクトホール４４ａを設けることにより、工数削減、歩留り向上及び開口率向上を図ることができる。
【００４３】
図１４は透明電極４１を形成する透明電極形成工程を示している。マルチギャップ部４４及び着色層４３上にはスパッタ法によりＩＴＯやＩＺＯ等から成る透明な導電膜５１が成膜される。導電膜５１上にはレジストが塗布され、所定形状のレジストパターンが形成される。そして、ウエットエッチングまたはドライエッチングによって不要領域の導電膜５１が除去される。これにより、透明電極４１が形成される。
【００４４】
透明電極４１を着色層４３及びマルチギャップ部４４の上層に設けることにより、樹脂から成る着色層４３及びマルチギャップ部４４を覆って液晶６の変質を防止することができる。
【００４５】
図１５、図１６はフォトスペーサ４５を形成するフォトスペーサ形成工程を示している。図１５に示すように、透明電極４１上には透明樹脂５５が塗布される。図１６に示すように、透明樹脂５５がフォトリソグラフィーによって所望のパターンに形成され、マルチギャップ部４４上にフォトスペーサ４５が形成される。これにより、反射部１０ａ（図１参照）の液晶６の厚みを均一にする。
【００４６】
上記構成の液晶表示装置１において、半導体素子３３のスイッチングによって画素電極１０と対向電極２３との間に電圧が印加され、各画素毎に液晶６に映像信号が書き込まれる。バックライト３を点灯するとバックライト３の出射光が透過部１０ｂを透過して表示パネル２を照明する。バックライト３の消灯時には周囲の光が表示パネル２に入射し、反射部１０ａで反射して表示パネル２を照明する。これにより、画像を視認することができる。
【００４７】
本実施形態によると、着色層４３を画素基板４に設けることにより画素基板４と対向基板５との位置合せのずれによる開口率の低下や歩留りの低下を防止して液晶表示装置１の高精細化を図ることができる。また、マルチギャップ部４４が着色層４３の上層を成して開口部４３ａ内に連続して配され、開口部４３ａの周縁の内側にコンタクトホール４４ａを設けている。これにより、マルチギャップ部４４の形成時に同時にコンタクトホール４４ａを形成できるとともに、コンタクトホール４４ａ内に着色層４３とマルチギャップ部４４の段部が形成されない。
【００４８】
従って、工数削減及び導通不良防止による歩留り向上を図るとともに、反射照明時の明度を高くして開口率をより向上することができる。更に、開口部４３ａとコンタクトホール４４ａとを別の位置に設けると形成可能な最小の面積にしてもこれらの合計の面積が大きくなり、高精細化した際に着色面積が不足する。従って、開口部４３ａ内にコンタクトホール４４ａを配置して反射照明時の彩度の低下を防止することができる。
【００４９】
これにより、前述の図２１に示す従来例と比較して、反射照明時の表示パネル２の反射部１０ａの開口率が１０％から１４％に向上した。図２０は本実施形態の液晶表示装置１を反射照明時の色度測定を行った結果を示す色度図である。図中、Ａは本実施形態の色度を示し、Ｂは図２１に示す従来例の色度を示し、ＣはＮＴＳＣ信号の色度を示している。同図より明らかなように、本実施形態では開口率が向上しているため、従来例よりも明度及び彩度が向上する。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、液晶表示装置を用いたパーソナルコンピュータ等のＯＡ機器、電子手帳や携帯電話機等の携帯情報端末機器、カメラ一体型ＶＴＲ等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施形態の液晶表示装置を示す断面図
【図２】本発明の実施形態の液晶表示装置を示す平面図
【図３】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の透明樹脂層形成工程を示す断面図
【図４】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の透明樹脂層形成工程を示す断面図
【図５】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の反射電極形成工程を示す断面図
【図６】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の反射電極形成工程を示す断面図
【図７】本発明の実施形態の液晶表示装置の反射電極の詳細を示す断面図
【図８】本発明の実施形態の液晶表示装置の他の反射電極の詳細を示す断面図
【図９】本発明の実施形態の液晶表示装置の更に他の反射電極の詳細を示す断面図
【図１０】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の着色層形成工程を示す断面図
【図１１】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の着色層形成工程を示す断面図
【図１２】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程のマルチギャップ部形成工程を示す断面図
【図１３】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程のマルチギャップ部形成工程を示す断面図
【図１４】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の透明電極形成工程を示す断面図
【図１５】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程のフォトスペーサ形成工程を示す断面図
【図１６】本発明の実施形態の液晶表示装置の製造工程の透明電極形成工程を示す断面図
【図１７】本発明の実施形態の液晶表示装置の効果を説明する図
【図１８】本発明の実施形態の液晶表示装置の効果を説明する図
【図１９】本発明の実施形態の液晶表示装置の効果を説明する図
【図２０】本発明の実施形態の液晶表示装置の色度図
【図２１】従来の液晶表示装置を示す断面図
【符号の説明】
【００５２】
１    液晶表示装置
２    表示パネル
３    バックライト
４    画素基板
５    対向基板
６    液晶
１０    画素電極
２１、３１  ガラス基板
２３    対向電極
３３    半導体層
３５    ゲート絶縁膜
３６    ゲート電極
３７    層間絶縁膜
３８    ソース電極
３９    ドレイン電極
４０    透明樹脂層
４１    透明電極
４２    反射電極
４３    着色層
４３ａ  開口部
４４    マルチギャップ部
４４ａ  コンタクトホール
６１、６４    ＩＺＯ膜
６２    モリブデン膜
６３    アルミニウム膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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