(57)【要約】【課題】  高い電子放出特性を有する電界放出デバイスの製造方法および電界放出デバイスを提供する。【解決手段】  本発明の電界放出デバイスの製造方法は、ＣＮＴ膜から電子を放出するフィールドエミッションディスプレイの製造方法であって、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８を浸漬し、基板８の主表面８ａ上のいずれかの領域において主表面８ａに対して垂直な方向にメッキ液１２を流すことにより、ＣＮＴ膜を主表面８ａ上に形成する。【選択図】        図２
2006085935.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出材料を含む電子放出膜から電子を放出する電界放出デバイスの製造方法であって、
カーボンナノチューブよりなる前記電子放出材料を含むメッキ液中に基板を浸漬し、前記基板の主表面上のいずれかの領域において前記主表面に対して垂直な方向に前記メッキ液を流すことにより、前記電子放出膜を前記主表面上に形成する、電界放出デバイスの製造方法。
【請求項２】
電子放出材料を含む電子放出膜から電子を放出する電界放出デバイスの製造方法であって、
カーボンナノチューブよりなる前記電子放出材料を含むメッキ液中に基板を浸漬し、前記メッキ液中に気泡を発生させ、前記基板の主表面上のいずれかの領域において前記主表面に対して垂直な方向に前記気泡を移動させることにより、前記電子放出膜を前記主表面上に形成する、電界放出デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記メッキ液に超音波を加えながら前記電子放出膜を形成する、請求項１または２に記載の電界放出デバイスの製造方法。
【請求項４】
電子放出材料を含む電子放出膜から電子を放出する電界放出デバイスの製造方法であって、
カーボンナノチューブよりなる前記電子放出材料を含むメッキ液中に基板を浸漬することにより、前記電子放出膜を前記基板の主表面上に電気メッキにより形成する電気メッキ工程を備え、
前記電気メッキに用いられる電極の主表面には突起部が形成されており、前記基板の前記主表面と前記電極の前記主表面とが対向するように前記電極を配置することにより前記電気メッキ工程が行なわれる、電界放出デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記電極の前記突起部は、エッチング、印刷、インクジェット、もしくは溶融バンプのいずれかの方法で形成されている、請求項４に記載の電界放出デバイスの製造方法。
【請求項６】
電子放出材料を含む電子放出膜から電子を放出する電界放出デバイスの製造方法であって、
カーボンナノチューブよりなる電子放出材料と疎水性粒子とを含むメッキ液中に基板を浸漬することにより、前記電子放出膜を前記主表面上に形成する、電界放出デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記疎水性粒子は、ポリテトラフルオロエチレン、炭化シリコン、および窒化ホウ素よりなる群から選ばれる少なくとも１種以上の物質よりなる、請求項６に記載の電界放出デバイスの製造方法。
【請求項８】
電子放出材料を含む電子放出膜から電子を放出する電界放出デバイスの製造方法であって、
カーボンナノチューブよりなる電子放出材料を含む無電解メッキ液を加熱した基板の主表面上に噴霧することにより、前記電子放出膜を前記主表面上に形成する、電界放出デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記電子放出膜を形成した後、前記電子放出膜をウエットエッチングする、請求項１〜８のいずれかに記載の電界放出デバイスの製造方法。
【請求項１０】
電子放出材料を含む電子放出膜から電子を放出する電界放出デバイスであって、
前記電子放出膜は疎水性物質を含んでいる、電界放出デバイス。
【請求項１１】
前記疎水性物質は、ポリテトラフルオロエチレン、シリコンカーバイト、および窒化ホウ素よりなる群から選ばれる少なくとも１種以上の物質よりなる、請求項１０に記載の電界放出デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界放出デバイスの製造方法および電界放出デバイスに関し、より特定的には、高い電子放出特性を有する電界放出デバイスの製造方法および電界放出デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）は導電性があり、かつ、極めて鋭利な先端形状をもつことから、適当な形状に配列させ、その先端に高い電界を集中させることで電子放出源としての利用が期待されている。ＣＮＴを電子放出源として利用するためには、電子放出のためのＣＮＴのカソード電極を形成する必要がある。
【０００３】
ＣＮＴはチューブ直径が数ｎｍ〜数十ｎｍの極めて小さなサイズなのに対し、長軸の長さは数十〜数百μｍの長さとなるため、長軸／直径が数千〜数万の比となっている。ＣＮＴを電子放出源として利用する際には、チューブ先端の数ｎｍの部分から電子を放出させることになる。そこで、いかにＣＮＴの先端の配列を制御して、高い効率で電子放出が可能なカソード面を形成するかが重要である。高い電子放出特性を得るためには、ＣＮＴが均等に分散して、基板の主表面に対して垂直な方向（アノード方向、電子放出方向）を向いている必要がある。また、ＣＮＴに高い電界を印加するために十分な導電パスが存在することも必須となる。
【０００４】
従来のＣＮＴ電極を形成する技術がいくつか開示されている。たとえば、グリコールエーテルなどの有機溶剤にセルローズなどの樹脂を溶解したビヒクル中にＣＮＴを分散させて導電性ペーストを作製し、この導電性ペーストを用いてスクリーン印刷により基板上にパターンを形成した後、所定の温度で焼成することで、蛍光表示管のアノード電極を形成する技術が開示されている（特許文献１参照）。
【０００５】
しかし、特許文献１に開示された技術において、ビヒクル中でＣＮＴを均一に分散させることは難しかった。このため、ＣＮＴが均一に分散したアノード電極を形成することは難しかった。また、ビヒクル中の溶媒成分は印刷面の表面から徐々に乾燥していくため、ＣＮＴの先端は印刷面の中に埋没してしまう。また、導電性ペーストを塗布する際に基板に対して平行な方向に力が加わるので、その力の方向に沿ってＣＮＴが並びやすい。このため、ＣＮＴの先端をアノード方向に配向させることは難しく、十分な電子放出特性を得ることができなかった。また、印刷などの工程ではペースト成分として用いられる各種有機成分を必ず熱処理除去しなければならないため、この熱処理によりＣＮＴ本体の電子放出特性が低下しやすかった。
【０００６】
なお、ＣＮＴの先端が印刷面の中に埋没してしまうという特許文献１の欠点を補う方法として、印刷後の表面にレーザーを照射してＣＮＴ表面を焼き飛ばす方法が開示されている（特許文献２参照）。しかし、レーザーを大きな面積のＣＮＴに照射することは現実的な方法ではなく、工業レベルで適用することができない。
【０００７】
一方、ＣＮＴを固定するためのカソード面をメッキ法により形成する技術が開示されている（たとえば特許文献３参照）。この技術では、金属メッキ面が基板方向に対して垂直に成長していくため、特許文献１の印刷法のように基板に平行方向の力を受けることがなく、ＣＮＴの先端をアノード方向に配向させる点では有利な方法である。また、メッキ法は機械部品やエポキシ基板などの大きな面積の部位に容易に金属膜を形成する方法として非常に有効である。
【特許文献１】特開２０００−６３７２６号公報
【特許文献２】特開平１１−３２９３１２号公報
【特許文献３】特開２００１−２８３７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献３に開示された技術では、メッキ液中に共存するＣＮＴを効率的にメッキ膜中に取り込むことが難しく、また、取り込んだＣＮＴの位置や向きに影響を与えることはできなかった。これについて以下に説明する。
【０００９】
ＣＮＴの表面はカーボンに起因する疎水性の性質を有するため、水溶液系であるメッキ液中で均一に分散させることが難しい。つまり、ＣＮＴが激しく凝集し、巨大なＣＮＴ繊維塊となってメッキ液底部に沈殿してしまうおそれがある。ＣＮＴを配向させるためには、まずＣＮＴを均一に分散させることが重要である。このため、ＣＮＴの先端をアノード方向に配向させることは難しく、十分な電子放出特性を得ることができなかった。
【００１０】
ここで、特許文献３には、電気メッキ処理によって金属メッキ層を形成することで、電気力線に沿ってＣＮＴを垂直方向に配向させ易くなるとの記載がある。しかし、ＣＮＴは電荷を持たないので、ＣＮＴが電気力線に沿って配向するとは考え難い。
【００１１】
したがって、本発明の目的は、高い電子放出特性を有する電界放出デバイスの製造方法および電界放出デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の電界放出デバイスの製造方法は、電子放出材料を含む電子放出膜から電子を放出する電界放出デバイスの製造方法であって、カーボンナノチューブよりなる電子放出材料を含むメッキ液中に基板を浸漬し、基板の主表面上のいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向にメッキ液を流すことにより、電子放出膜を前記主表面上に形成する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電界放出デバイスの製造方法および電界放出デバイスによれば、高い電子放出特性を有する電界放出デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図に基づいて説明する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、フィールドエミッションディスプレイの構造を示す断面図である。図１に示すように、電界放出デバイスとしてのフィールドエミッションディスプレイ１は、カソードパネル９０と、アノードパネル９９とを備えている。カソードパネル９０とアノードパネル９９とは互いに所定の距離を隔てて配置されている。
【００１６】
カソードパネル９０は、基板８と、カソード電極７と、電子放出膜としてのＣＮＴ膜６とを有している。たとえばホウ珪酸ガラスよりなる基板８の主表面８ａ上に、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）よりなるカソード電極７が形成されており、カソード電極７上にＣＮＴ膜６が形成されている。ＣＮＴ膜６は、電子放出材料としての複数のＣＮＴ６ａと、ＣＮＴ６ａを固定するための金属膜６ｂとよりなっている。ＣＮＴ膜６において、複数のＣＮＴ６ａの各々は、均一に分散して基板８の主表面に対してほぼ垂直に配列している。ＣＮＴ６ａは管状または棒状であり、ＣＮＴ６ａの直径は数ｎｍ〜数十ｎｍであり、ＣＮＴ６ａの長手方向の長さは数十〜数百μｍである。ＣＮＴ６ａの下端は金属膜６ｂによって固定されており、ＣＮＴ６ａの上端は金属膜６ｂからはみ出している。金属膜６ｂはたとえばニッケルよりなっている。なお、カソード電極７およびＣＮＴ膜６の両端部付近には、障壁４が形成されている。
【００１７】
一方、アノードパネル９９は、蛍光体層９３と、アノード電極９２と、ガラス基板９１とを有している。ガラス基板９１上（図１中下側）にアノード電極９２が形成されており、アノード電極９２上に所定のパターンの蛍光体層９３が形成されている。具体的には、蛍光体層９３として、青色を発光する蛍光体層９３Ｂと、緑色を発光する蛍光体層９３Ｇと、赤色を発光する蛍光体層９３Ｒとがアノード電極９２上に形成されている。
【００１８】
続いて、フィールドエミッションディスプレイ１の動作について説明する。カソード電極７に所定の大きさのマイナスの電位を与え、アノード電極９２に所定の大きさのプラスの電位を与えると、ＣＮＴ６ａの各々の先端から電子が放出される。放出された電子は、アノード電極９２に引き付けられ、図１中矢印の方向に飛散して蛍光体層９３に衝突する。その結果、衝突した電子のエネルギにより蛍光体層９３が励起こされて発光し、所望の画像を得ることができる。蛍光体層９３Ｂ，９３Ｇ，９３Ｒの発光の度合いは、基本的に、アノード電極９２とカソード電極７との各々に印加される電圧によって制御される。
【００１９】
次に、本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１のカソードパネル９０の製造方法について説明する。
【００２０】
始めに、基板８の主表面にたとえばスパッタ法によりＩＴＯよりなるカソード電極７を形成する。次に、以下の方法によりカソード電極７上にＣＮＴ膜６を形成する。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態１におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。図２を参照して、メッキ漕１１内における基板支持台１３の両側には、噴流装置１５ａ，１５ｂが互いに対向するように配置されている。噴流装置１５ａ，１５ｂの各々は、メッキ漕１１の外部に設置された噴流制御部１６と電気的に接続されている。このメッキ漕１１内の基板支持台１３上に、カソード電極７が形成された基板８を配置する。続いて、多数のＣＮＴ１８を含むメッキ液１２をメッキ漕１１内に注入する。ここで、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２は、メッキ液１２中にＣＮＴ１８を添加して攪拌することにより作製される。また、ＣＮＴ１８をメッキ液１２中に分散させるための分散剤をメッキ液１２にさらに添加してもよい。このようにして、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８が浸漬される。なお、メッキ液１２をメッキ漕１１内に注入した後で、基板８を基板支持台１３に配置してもよい。
【００２２】
次に、噴流装置１５ａ，１５ｂの各々からメッキ液１２を噴出させながら、メッキを行なう。これにより、メッキ液１２に含まれる金属イオンが還元反応を起こし、カソード電極７上に金属膜６ｂとして析出する。金属膜６ｂは、主表面８ａ対して垂直な方向にレイヤー・バイ・レイヤーで成長する。図３は、基板の主表面付近におけるメッキ液の流れを模式的に示す図である。なお、図３では、金属膜６ｂの成長途中の状態を示している。図３に示すように、噴流装置１５ａ，１５ｂの各々から噴出されたメッキ液１２は、基板８の主表面８ａ上の中央部において衝突した後で、基板８の主表面８ａに対して垂直な方向（図３中上方向）へ流れる。ＣＮＴ１８はメッキ液１２の流れに沿うように移動するので、主表面８ａに垂直な方向へＣＮＴ１８も流れる。その結果、メッキ液１２に沿うように流れるＣＮＴ１８が、成長する金属膜６ｂ内に取り込まれ、主表面８ａに対して垂直な方向に配列したＣＮＴ６ａを含むＣＮＴ膜６が得られる。
【００２３】
ＣＮＴ膜６を形成した後で、メッキ漕１１から基板８を取り出し、塩酸水溶液に基板８を一定時間浸漬する。これにより、金属膜６ｂの表面がウエットエッチングされ、金属膜６ｂの表面にＣＮＴ６ａの先端部分が露出する。なお、金属膜６ｂのウエットエッチングは本発明の必須の工程ではなく、省略されてもよい。その後、カソード電極７およびＣＮＴ膜６の両側に障壁４を形成し、本実施の形態におけるカソードパネル９０が完成する。
【００２４】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法は、ＣＮＴ膜６から電子を放出するフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法であって、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８を浸漬し、基板８の主表面８ａ上のいずれかの領域において主表面８ａに対して垂直な方向にメッキ液１２を流すことにより、ＣＮＴ膜６を主表面８ａ上に形成する。
【００２５】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法によれば、メッキ液１２に含まれるＣＮＴ１８が、メッキ液１２の流れに沿うように移動し、基板８の主表面８ａに対して垂直な方向に流れる。また、メッキ液１２の流れによりＣＮＴ１８が均一に分散される。これにより、レイヤー・バイ・レイヤーで成長する金属膜６ｂ中に、主表面８ａに対して垂直な方向を向いた状態でＣＮＴ１８が取り込まれる。その結果、均一に分散したＣＮＴ６ａが主表面８ａに対して垂直な方向に配列し、高い電子放出特性を有するフィールドエミッションディスプレイ１が得られる。
【００２６】
上記製造方法においては、ＣＮＴ膜６を形成した後、ＣＮＴ膜６をウエットエッチングする。これにより、電子放出に寄与するＣＮＴ６ａの上端を金属膜６ｂから露出させることができる。その結果、ＣＮＴ６ａから電子が放出しやすくなる。また、大面積のＣＮＴ膜に対しても適用することができる。
【００２７】
なお、本実施の形態では基板８の両側に２つの噴流装置１５ａ，１５ｂが配置されている場合について示した。しかし、本発明はこのような場合の他、図４に示すように、基板８の周囲を３つ以上、たとえば４つの噴流装置１５ａ〜１５ｄが取り囲んでおり、噴流装置１５ａ〜１５ｄの各々が基板８へ向かってメッキ液１２を噴出するような構成であってもよい。要は、基板の主表面上のいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向にメッキ液が流れる状態になればよい。このような状態は、基板およびメッキ漕のサイズ、噴流の強さ、基板と噴流装置との位置関係などのパラメータを適当にすることで実現される。ここで、「基板の主表面上のいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向にメッキ液が流れる状態」とは、基板の主表面から、主表面に形成される電子放出材料を含む膜（図１におけるＣＮＴ膜６）の表面までの距離範囲におけるいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向にメッキ液が流れる状態を意味している。なお、メッキ流は、基板８の主表面８ａ上の中央部での流速が５０ｃｍ3／ｍｉｎ以上であることが好ましく、基板８の主表面８ａ上の中央部でメッキ流同士が衝突したときに乱流が発生しない程度の流速であることが好ましい。
【００２８】
（実施の形態２）
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１のカソードパネル９０の製造方法では、以下の方法によりカソード電極７上にＣＮＴ膜６を形成する。
【００２９】
図５は、本発明の実施の形態２におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。図５を参照して、メッキ漕１１内における基板支持台１３の両側には、バブリング装置２５ａ，２５ｂが互いに対向するように配置されている。バブリング装置２５ａ，２５ｂの各々は、メッキ漕１１の外部に設置されたバブリング制御部２６と電気的に接続されている。このメッキ漕１１内の基板支持台１３上に、カソード電極７が形成された基板８を配置する。続いて、多数のＣＮＴ１８を含むメッキ液１２をメッキ漕１１内に注入する。このようにして、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８が浸漬される。
【００３０】
次に、バブリング装置２５ａ，２５ｂの各々から基板８へ向けて気泡２７を発生させながら、メッキを行なう。バブリング装置２５ａ，２５ｂの各々から発生した気泡２７は、バブリング装置２５ａ，２５ｂの各々から基板８の主表面８ａ上の中央部まで（図５中横方向に）動いた後で、その浮力によって基板８の主表面８ａに対して垂直な方向（図５中上方向）へ動く。ＣＮＴ１８は気泡２７の動きに沿うように移動するので、主表面８ａに垂直な方向へＣＮＴ１８も流れる。その結果、気泡２７の動きに沿うように流れるＣＮＴ１８が、成長する金属膜６ｂ内に取り込まれ、主表面８ａに対して垂直な方向に配列したＣＮＴ６ａを含むＣＮＴ膜６が得られる。
【００３１】
ここで、メッキプロセスにおいては、メッキ液中に十分な酸素を送り込み、メッキ液の還元分解を抑制するために、メッキ液中に気泡を発生させることがある。本実施の形態においては、積極的に過剰な気泡を発生させ、かつ気泡の動きを制御する点で、メッキ液の還元分解を抑制することを目的とする場合と異なっている。
【００３２】
なお、その後のＣＮＴ膜６の処理は、実施の形態１の場合とほぼ同様であるので、その説明を省略する。
【００３３】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法は、ＣＮＴ膜６から電子を放出するフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法であって、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８を浸漬し、メッキ液１２中に気泡２７を発生させ、基板８の主表面８ａ上のいずれかの領域において主表面８ａに対して垂直な方向に気泡２７を移動させることにより、ＣＮＴ膜６を主表面８ａ上に形成する。
【００３４】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法によれば、メッキ液１２に含まれるＣＮＴ１８が、気泡２７の動きに沿うように移動し、基板８の主表面８ａに対して垂直な方向に流れる。また、気泡２７の流れによりＣＮＴ１８が均一に分散される。これにより、レイヤー・バイ・レイヤーで成長する金属膜６ｂ中に、主表面８ａに対して垂直な方向を向いた状態でＣＮＴ１８が取り込まれる。その結果、ＣＮＴ６ａが均一に分散して主表面８ａに対して垂直な方向に配列し、高い電子放出特性を有するフィールドエミッションディスプレイ１が得られる。
【００３５】
なお、本実施の形態では基板８の両側に２つのバブリング装置２５ａ，２５ｂが配置されている場合について示した。しかし、本発明はこのような場合の他、図４に示すように、基板８の周囲を３つ以上、たとえば４つのバブリング装置２５ａ〜２５ｄが取り囲んでおり、バブリング装置２５ａ〜２５ｄの各々が基板８へ向かって気泡２７を発生するような構成であってもよい。要は、基板の主表面上のいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向に気泡が流れる状態になればよい。このような状態は、基板およびメッキ漕のサイズ、気泡を放出する強さ、基板とバブリング装置との位置関係などのパラメータを適当にすることで実現される。ここで、「基板の主表面上のいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向に気泡が移動する状態」とは、基板の主表面から、主表面に形成される電子放出材料を含む膜（図１におけるＣＮＴ膜６）の表面までの距離範囲におけるいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向に気泡が移動する状態を意味している。なお、気泡２７は、基板８の主表面８ａ上の中央部での流速が５０ｃｍ3／ｍｉｎ以上であることが好ましく、基板８の主表面８ａ上の中央部に乱流が発生しない程度の流速であることが好ましい。
【００３６】
（実施の形態３）
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１のカソードパネル９０の製造方法では、以下の方法によりカソード電極７上にＣＮＴ膜６を形成する。
【００３７】
図６は、本発明の実施の形態３におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。図６を参照して、メッキ漕１１内における基板支持台１３の両側には、超音波発生装置３５ａ，３５ｂが互いに対向するように配置されている。超音波発生装置３５ａ，３５ｂの各々は、メッキ漕１１の外部に設置された超音波制御部３６と電気的に接続されている。このメッキ漕１１内の基板支持台１３上に、カソード電極７が形成された基板８を配置する。続いて、多数のＣＮＴ１８を含むメッキ液１２をメッキ漕１１内に注入する。このようにして、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８が浸漬される。
【００３８】
次に、超音波発生装置３５ａ，３５ｂの各々から超音波３７を発生させながら、メッキを行なう。図７は、基板の主表面付近におけるメッキ液の流れを模式的に示す図である。なお、図７では、金属膜６ｂの成長途中の状態を示している。図７に示すように、超音波発生装置３５ａ，３５ｂの各々から発生された超音波３７は、基板８に衝突する。そして、超音波３７のエネルギにより基板８の主表面８ａ上に気泡３８が発生する。気泡３８はその浮力により主表面８ａに対して垂直な方向（図７中上方向）へ動く。また、超音波３７は、そのエネルギにより基板８の主表面８ａ上にメッキ液１２の流れを生じさせる。メッキ液１２は、基板８の主表面８ａに対して垂直な方向へ流れる。ＣＮＴ１８は気泡３８の動きおよびメッキ液１２の流れに沿うように移動するので、主表面８ａに垂直な方向へＣＮＴ１８も流れる。その結果、気泡３８の動きおよびメッキ液１２の流れに沿うように流れるＣＮＴ１８が、成長する金属膜６ｂ内に取り込まれ、均一に分散して主表面８ａに対して垂直な方向に配列したＣＮＴ６ａを含むＣＮＴ膜６が得られる。
【００３９】
なお、その後のＣＮＴ膜６の処理は、実施の形態１の場合とほぼ同様であるので、その説明を省略する。
【００４０】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法では、メッキ液１２に超音波３７を加えながらＣＮＴ膜６を形成する。
【００４１】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法によれば、超音波３７によって気泡３８およびメッキ液１２の流れが発生する。そして、メッキ液１２に含まれるＣＮＴ１８が、気泡３８の動きおよびメッキ液１２の流れに沿うように移動し、基板８の主表面８ａに対して垂直な方向に流れる。また、気泡３８の動きおよびメッキ液１２の流れによりＣＮＴ１８が均一に分散される。これにより、レイヤー・バイ・レイヤーで成長する金属膜６ｂ中に、主表面８ａに対して垂直な方向を向いた状態でＣＮＴ１８が取り込まれる。これにより、ＣＮＴ６ａが主表面８ａに対して垂直な方向に分散して配列する。また、超音波３７のエネルギには、ＣＮＴ１８をメッキ液１２中に分散させる働きもある。これにより、ＣＮＴ６ａが均一に分散したＣＮＴ膜６を得ることができる。以上により、高い電子放出特性を有するフィールドエミッションディスプレイ１が得られる。
【００４２】
なお、本実施の形態では基板８の両側に２つの超音波発生装置３５ａ，３５ｂが配置されている場合について示した。しかし、本発明はこのような場合の他、図４に示すように、基板８の周囲を３つ以上、たとえば４つの超音波発生装置３５ａ〜３５ｄが取り囲んでおり、超音波発生装置３５ａ〜３５ｄの各々が基板８へ向かって超音波３７を発生するような構成であってもよい。要は、基板の主表面上のいずれかの領域において主表面に対して垂直な方向にメッキ液および気泡が流れる状態になればよい。このような状態は、基板およびメッキ漕のサイズ、超音波の出力、基板と超音波発生装置との位置関係などのパラメータを適当にすることで実現される。
【００４３】
（実施の形態４）
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１のカソードパネル９０の製造方法では、以下の方法によりカソード電極７上にＣＮＴ膜６を形成する。
【００４４】
図８は、本発明の実施の形態４におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。図８を参照して、メッキ漕１１内の基板支持台１３上に、カソード電極７が形成された基板８を配置する。続いて、多数のＣＮＴ１８を含むメッキ液１２をメッキ漕１１内に注入する。このようにして、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８が浸漬される。
【００４５】
次に、基板８に形成されたカソード電極７にカソード端子４６を電気的に接続する。カソード端子４６は電源４７に電気的に接続されている。そして、基板８に対して平行にアノード電極４８を配置する。アノード電極４８はアノード端子４５を介して電源４７に電気的に接続されている。
【００４６】
ここで、基板８の主表面８ａに対向するアノード電極４８の主表面４８ａには、複数の突起部４９が形成されている。言い換えれば、突起部４９が形成されたアノード電極４８の主表面４８ａと基板８の主表面８ａとが対向するようにアノード電極４８を配置する。アノード電極４８の突起部４９は、たとえばエッチング、印刷、インクジェット、溶融バンプなどの方法を用いて形成することができる。突起部４９の形成条件を制御することで、突起部４９の直径を制御することができる。
【００４７】
この状態でアノード電極４８とカソード電極７との間に電圧を印加し、電気メッキによりＣＮＴ膜６を形成すると、突起部４９と対向した部分には、他の部分よりも高い電圧が印加されるので、金属膜６ｂの成長が促進される。メッキ液１２中に分散しているＣＮＴ１８は、突起部４９に対向した部分において優先して成長する金属膜６ｂ中に取り込まれる。その結果、表面に微細な突起部を有するＣＮＴ膜６が形成される。ＣＮＴ膜６の突起部の形状は、アノード電極４８の突起部４９の形状や、電気メッキ時の電流密度や、温度などにより制御することができる。
【００４８】
なお、その後のＣＮＴ膜６の処理は、実施の形態１の場合とほぼ同様であるので、その説明を省略する。
【００４９】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法は、ＣＮＴ膜６から電子を放出するフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法であって、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２中に基板８を浸漬することにより、ＣＮＴ膜６を基板８の主表面８ａ上に電気メッキにより形成する電気メッキ工程を備えている。電気メッキに用いられるアノード電極４８の主表面４８ａには突起部４９が形成されており、基板８の主表面８ａとアノード電極４８の主表面４８ａとが対向するようにアノード電極４８を配置することにより電気メッキ工程が行なわれる。
【００５０】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法によれば、アノード電極４８の突起部４９と対向する部分において金属膜６ｂの形成が促進され、ＣＮＴ１８は成長する金属膜６ｂ中に取り込まれる。その結果、表面に微細な突起を有するＣＮＴ膜６が得られる。表面に微細な突起を有するＣＮＴ膜６は、突起部から電子を放出しやすい。ＣＮＴ膜６の突起部の形状が電子放出に適した形状になるように、突起部４９の形状や、電気メッキ時の電流密度や、温度などを制御することにより、高い電子放出特性を有するフィールドエミッションディスプレイ１が得られる。また、ＣＮＴ膜６に突起が形成されることによってＣＮＴ膜６の表面積が増大するので、高い電子放出特性を有するフィールドエミッションディスプレイ１が得られる。
【００５１】
本実施の形態におけるアノード電極４８の突起部４９は、エッチング、印刷、インクジェット、もしくは溶融バンプのいずれかの方法で形成されている。これらの方法は、アノード電極４８の突起部４９の形状を制御しやすいので、ＣＮＴ膜６の突起部の形状を電子放出に適した形状にしやすくなる。
【００５２】
（実施の形態５）
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１のカソードパネル９０の製造方法では、ＣＮＴと疎水性粒子とを含むメッキ液中に、カソード電極７を形成した基板８を浸漬することにより、基板８の主表面８ａ上に形成されたカソード電極７上にＣＮＴ膜６がメッキにより形成される。疎水性粒子としては、たとえばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＳｉＣ（炭化シリコン）、もしくはＢＮ（窒化ホウ素）などが用いられる。なお、その後のＣＮＴ膜６の処理は、実施の形態１の場合とほぼ同様であるので、その説明を省略する。
【００５３】
図９は、本発明の実施の形態５におけるＣＮＴ膜形成時の基板付近のＣＮＴの状態を示す模式図である。なお、図９では、金属膜６ｂの成長途中の状態を示している。図９を参照して、疎水性粒子５３がメッキ液１２中に添加されると、疎水性粒子５３はメッキ液１２中に均一に分散する。ＣＮＴ１８は疎水性であるため、同じ疎水性である疎水性粒子５３の表面に吸着する。ＣＮＴ１８は、疎水性粒子５３の表面に吸着した状態で、析出する金属膜６ｂ中に取り込まれる。これにより、ＣＮＴ６ａが均一に分散したＣＮＴ膜６を得ることができる。均一に分散したＣＮＴ６ａは塊状のＣＮＴよりも配向しやすいので、高い電子放出特性を有するフィールドエミッションディスプレイ１が得られる。なお、疎水性粒子５３が絶縁性物質であっても、ＣＮＴ６ａの周囲は導電性物質である金属膜６ｂで覆われているため、ＣＮＴ６ａからの電界放出に必要な導電パスは金属膜６ｂによって確保される。
【００５４】
本実施の形態おけるフィールドエミッションディスプレイ１の製造方法において、疎水性粒子５３は、ＰＴＦＥ、炭化シリコン、もしくは窒化ホウ素よりなっている。これらの物質は、溶液中に均一に分散する性質を有しているので、ＣＮＴ６ａをメッキ液１２中に均一に分散させる効果が特に大きい。
【００５５】
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１のＣＮＴ膜６には、ＰＴＦＥ、シリコンカーバイト、もしくは窒化ホウ素などよりなる疎水性物質が含まれている。
【００５６】
（実施の形態６）
本実施の形態におけるフィールドエミッションディスプレイ１のカソードパネル９０の製造方法では、カソード電極７を形成した基板８に所定の前処理を行ない、基板８を加熱した状態で、カソード電極７上にＣＮＴを含むメッキ液をスプレー塗布（噴霧）することにより、カソード電極７上にＣＮＴ膜６が無電解メッキにより形成される。なお、その後のＣＮＴ膜６の処理は、実施の形態１の場合とほぼ同様であるので、その説明を省略する。
【００５７】
図１０は、本発明の実施の形態６におけるＣＮＴ膜形成時の基板付近のＣＮＴの状態を示す模式図である。図１０を参照して、カソード電極７の表面には、メッキ液１２の微小な液滴が多数付着している。そして、これらの微細な液滴の各々の内部にはＣＮＴ１８が含まれている。ＣＮＴ１８が個々の液滴の内部に留まった状態で、メッキ液１２に含まれる金属イオンが還元反応を起こす。その結果、ＣＮＴ１８を取り込みながら金属膜６ｂが成長する。また、個々の液滴の内部では、金属膜６ｂの析出反応によりカソード電極７とメッキ液１２との界面に向かって激しい対流が生じ、またカソード電極７とメッキ液１２との界面から水素の気泡が生じる。これにより、メッキ液１２を激しく攪拌しながらＣＮＴ膜６を形成しているのと同様の状態になる。したがって、ＣＮＴ６ａが均一に分布したＣＮＴ膜６を形成することができ、高い電子放出特性を有するフィールドエミッションディスプレイ１が得られる。また、基板８上にスプレー噴霧することでＣＮＴ膜６を形成しているので、大面積のＣＮＴ膜６を容易に形成することができる。
【００５８】
なお、実施の形態１〜６においては、ＣＮＴを用いる場合について示したが、本発明ではこのような場合の他、ＣＮＴの代わりにフラーレンを用いてもよい。
【００５９】
また、実施の形態１〜３、および実施の形態５における金属膜６ｂのメッキ方法は、電気メッキでもよいし、無電解メッキでもよい。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００６１】
本願発明者らは、本発明の効果を確認すべく、以下の試験を行なった。始めに、フィールドエミッションディスプレイ１のカソードパネル９０である試料１〜試料１２を以下の製造方法により作製した。
【００６２】
試料１：実施の形態１の方法により製造した。具体的には、基板８として厚さ５ｍｍのホウ珪酸ガラスを準備し、ＩＴＯよりなるカソード電極７を基板８上に形成した。次に、カソード電極７に前処理を施した。具体的には、カソード電極７を酸および水で洗った後、Ｐｄ（パラジウム）触媒を付与し、再び水で洗った。そして、カソード電極７に前処理を施した基板８を、カソード電極７が形成された主表面８ａが上になるように、メッキ漕１１内の中央部に設けられた基板支持台１３に配置した。一方、無電解ニッケルメッキ液であるＩＣＰ−ニコロン（奥野製薬工業株式会社製）を準備し、この無電解ニッケルメッキ液に対して固形分濃度が０．５質量％となるように、中国フォーチューン社製のＣＮＴ１８を添加した。さらに、ノニオン系水溶分散剤であるデスパース２７０００（アビシア株式会社製）を１体積％だけ無電解ニッケルメッキ液に添加した。そして、これらを添加した無電解ニッケルメッキ液をスターラ攪拌し、多数のＣＮＴ１８を含むメッキ液１２を得た。次に、このメッキ液１２をメッキ漕１１に注入して８０度に加熱した後、噴流装置１５ａ，１５ｂを用いて攪拌を行なった。基板８の主表面８ａ上においてメッキ液１２が主表面８ａに対して垂直に流れるように、基板８の位置、メッキ液１２の噴流速度、およびメッキ液１２の噴流方向を調節した。メッキ液１２中に基板８を１０分間浸漬して無電解メッキを行なった後、取り出して水で洗った。これにより、厚さ０．８μｍのＣＮＴ膜６を形成した。取り出した基板８はニッケルメッキ膜（金属膜６ｂ）が表面に成長した銀色を呈していた。次に、ＣＮＴ膜６の表面をエッチングする目的で、０．１規定−塩酸水溶液に１０秒間ディッピングし、直ちに取り出して水で洗った。その後、光学顕微鏡で表面を観察すると、ニッケルメッキ膜中にＣＮＴ６ａと思われる黒色突起物が観察できた。また、エッチング処理前後でのニッケルメッキ膜の断面状態を観察したところ、エッチング処理により約０．３μｍの厚さのニッケルメッキ膜がエッチングされていた。以上のようにして、カソードパネル９０を製造した。
【００６３】
試料２：実施の形態２の方法により製造した。具体的には、試料１の場合と同様の方法によりカソード電極７に前処理を施した基板８を、基板支持台１３に配置した。また、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ１８を含むメッキ液１２を作製し、メッキ漕１１に注入した。次に、メッキ液１２を８０度に加熱した後、バブリング装置２５ａ，２５ｂを用いて攪拌を行なった。基板８の主表面８ａ上において気泡２７が主表面８ａに対して垂直に動くように、基板８の位置、気泡２７を放出する強さ、および気泡２７の放出方向を調節した。メッキ液１２中に基板８を１０分間浸漬して無電解メッキを行なった後、取り出して水で洗った。これにより、厚さ０．６μｍのＣＮＴ膜６を形成した。その後、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ膜６の表面をエッチングした。以上のようにして、カソードパネル９０を製造した。
【００６４】
試料３：実施の形態３の方法により製造した。具体的には、試料１の場合と同様の方法によりカソード電極７に前処理を施した基板８を、基板支持台１３に配置した。また、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ１８を含むメッキ液１２を作製し、メッキ漕１１に注入した。次に、メッキ液１２を８０度に加熱した後、超音波発生装置３５ａ，３５ｂを用いて攪拌を行なった。基板８の主表面８ａ上において気泡３８およびメッキ液１２が主表面８ａに対して垂直に動くように、基板８の位置、超音波の出力、および超音波３７の発生方向を調節した。メッキ液１２中に基板８を１５分間浸漬して無電解メッキを行なった後、取り出して水で洗った。これにより、厚さ１．０μｍのＣＮＴ膜６を形成した。その後、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ膜６の表面をエッチングした。以上のようにして、カソードパネル９０を製造した。
【００６５】
試料４：実施の形態４の方法により製造した。具体的には、試料１の場合と同様の方法によりカソード電極７に前処理を施した基板８を、基板支持台１３に配置した。一方、電鋳メッキ用ニッケルメッキ液であるトップセリーナ７３Ｘ（奥野製薬工業株式会社製）を準備し、この電鋳メッキ用ニッケルメッキ液に対して固形分濃度が０．５質量％となるように、中国フォーチューン社製のＣＮＴ１８を添加した。さらに、ノニオン系水溶分散剤であるデスパース２７０００（アビシア株式会社製）を１体積％だけ電鋳メッキ用ニッケルメッキ液に添加した。そして、これらを添加した電鋳メッキ用ニッケルメッキ液をスターラ攪拌し、ＣＮＴ１８を含むメッキ液１２を得た。さらに、アノード電極４８として９９．５質量％の純度の銅板を準備し、この銅板にエッチング液である第二塩化鉄溶液をスプレー噴霧し、５分間放置した後水で洗い、アノード電極４８に突起部４９を形成した。次に、基板８にカソード端子４６を電気的に接続し、基板８の主表面８ａとアノード電極４８の突起部４９とが対向するように、基板８上にアノード電極４８を配置した。この状態でアノード端子４５とカソード端子４６との間に適当な電圧を印加し、１０分間電鋳メッキを行なった後、取り出して水で洗った。これにより、厚さ１．５μｍのＣＮＴ膜６を形成した。その後、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ膜６の表面をエッチングした。以上のようにして、カソードパネル９０を製造した。
【００６６】
試料５：実施の形態４の方法により製造した。具体的には、アノード電極４８としてニッケルメッキを施した鉄板を準備した、そして、この鉄板上に溶融した共晶はんだをインクジェット方式のノズルでランダムに噴出し、２００℃で熱処理することで、はんだバンプよりなる突起部４９を形成した。なお、電鋳メッキ時に使用するアノード電極４８が異なる以外は試料４とほぼ同様の方法で電鋳メッキを行った。これにより、厚さ１．０μｍのＣＮＴ膜６を形成した。その後、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ膜６の表面をエッチングした。以上のようにして、カソードパネル９０を製造した。
【００６７】
試料６：実施の形態５の方法により製造した。具体的には、試料１の場合と同様の方法によりカソード電極７に前処理を施した基板８を、基板支持台１３に配置した。また、ＰＴＦＥ固形分を１０体積％含むＰＴＦＥ分散メッキ用無電解ニッケルメッキ液である、トップニコジットＡＦ（奥野製薬工業株式会社製）を準備し、この無電解ニッケルメッキ液に対して固形分濃度が０．５質量％となるように、中国フォーチューン社製のＣＮＴ１８を添加した。さらに、ノニオン系水溶分散剤であるデスパース２７０００（アビシア株式会社製）を１体積％だけ無電解ニッケルメッキ液に添加した。そして、これらを添加したニッケルメッキ液をスターラ攪拌し、黒色のＣＮＴと白色のＰＴＦＥとが均等に分散した灰色のメッキ液１２を得た。次に、このメッキ液１２をメッキ漕１１に注入して、メッキ液１２中に基板８を１５分間浸漬して無電解メッキを行なった後、取り出して水で洗った。これにより、厚さ１．０μｍのＣＮＴ膜６を形成した。その後、光学顕微鏡で表面を観察すると、ニッケルメッキ膜中にＣＮＴ６ａとＰＴＦＥと思われる灰色突起物が観察できた。その後、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ膜６の表面をエッチングした。以上のようにして、カソードパネル９０を製造した。
【００６８】
試料７：ＰＴＦＥの代わりにＢＮ（ボロンナイトライド）を無電解ニッケルメッキ液に添加し、メッキ液１２を作製した。これ以外の製造方法は試料６の場合と同じであるのでその説明を省略する。
【００６９】
試料８：ＰＴＦＥの代わりにＳｉＣ（炭化シリコン）を無電解ニッケルメッキ液に添加し、メッキ液１２を作製した。これ以外の製造方法は試料６の場合と同じであるのでその説明を省略する。
【００７０】
試料９：実施の形態６の方法により製造した。具体的には、試料１の場合と同様の方法によりカソード電極７に前処理を施した基板８を準備した。次に、この基板８を８０℃に加熱し、試料１の場合と同様の方法で作製したメッキ液１２をカソード電極７の表面にスプレー塗布した。スプレー塗布は二流体ノズル方式の噴霧器を用いて行ない、カソード電極７の表面に対してメッキ液１２が均一に付着するように行なった。塗布されたメッキ液１２の液滴の内部では直ちに水素発泡を伴なう還元反応が生じ、ＣＮＴ１８が液滴の内部で激しく動いているのが確認できた。その後、基板８を水で洗い、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ膜６の表面をエッチングした。以上のようにして、カソードパネル９０を製造した。
【００７１】
試料１０（比較例１）：静水の状態での無電解メッキによりＣＮＴ膜を形成した。具体的には、試料１の場合と同様の方法によりカソード電極に前処理を施した基板を、基板支持台に配置した。また、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴを含むメッキ液を作製し、メッキ漕に注入した。次に、メッキ液を８０度に加熱し、メッキ液中に基板を１５分間浸漬して、静水の状態（攪拌などを行なわない状態）で無電解メッキを行なった。その後、基板を取り出して水で洗った。その後、試料１の場合と同様の方法によりＣＮＴ膜６の表面をエッチングした。以上のようにして、カソードパネルを製造した。
【００７２】
試料１１（比較例２）：ＣＮＴの添加量を０．０５質量％に減らして、試料１０の場合と同様の方法によりＣＮＴを含むメッキ液を作製した。これ以外の製造方法は試料１０の場合と同じであるのでその説明を省略する。
【００７３】
試料１２（比較例３）：特許文献１に記載の方法に従って製造した。具体的には、４００℃で加熱除去できる樹脂を有機溶媒に溶解したビヒクル中にＣＮＴを添加して導電性ペーストを作製した。そして、この導電性ペーストを用いてスクリーン印刷により基板上にパターンを形成した後、温度５００℃で１時間焼成し、ＣＮＴ膜を形成した。以上のようにして、カソードパネルを製造した。
【００７４】
このようにして製造した試料１〜試料１２と、アノードパネルとを厚さ５００μｍのガラス製ギャップ材を挟んだ状態でクリップを用いて固定した。そして、これを真空チャンバ内に設置し、真空ポンプで真空チャンバ内を減圧した。次に、アノードパネルのアノード電極とカソード電極との間に電圧を徐々に印加して、印加電圧Ｖとアノード電流Ｉａとの関係を測定した。そして、アノード電流Ｉａが流れ始める電圧Ｖｓを評価した。試料１〜試料１２の各々の電子放出開始電圧Ｖｓを表１に示す。また、試料１および試料１２の印加電圧Ｖとアノード電流Ｉａとの関係を図１１に示す。
【００７５】
【表１】
2006085935.tif 000003
【００７６】
表１に示すように、試料１２（比較例３）の電子放出開始電圧Ｖｓが９．８Ｖであるのに対して、試料１〜試料９の電子放出開始電圧Ｖｓは２．３Ｖ〜４．８Ｖであった。特に試料１の電子放出開始電圧Ｖｓは２．３Ｖであった。なお、試料１０については、金属膜が成長する前にＣＮＴが塊状となって沈殿し、ＣＮＴが金属膜にほとんど取り込まれなかった。このため、試料１０からの電子放出は見られなかった。また、試料１１については、ＣＮＴの沈殿量は試料１０の場合よりも少なくなったものの、金属膜中に取り込まれるＣＮＴの量も少なくなり、金属膜と基板との間にＣＮＴが埋没していた。このため、試料１１からの電子放出は見られなかった。試料１０および試料１１のＣＮＴ膜の状態を図１２に示す。また、図１１を参照して、試料１および試料１２のいずれの場合でも、印加される電圧が電子放出開始電圧Ｖｓを超えると、電圧に比例してアノード電流Ｉａも増加し、所定の電圧でアノード電流Ｉａが飽和している。以上の結果により、本発明の製造方法によれば、高い電子放出特性を有する電界放出デバイスが得られることが分かる。
【００７７】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】フィールドエミッションディスプレイの構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。
【図３】本発明の実施の形態１における基板の主表面付近におけるメッキ液の流れを模式的に示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１〜３におけるＣＮＴ膜の他の形成方法を模式的に示す平面図である。
【図５】本発明の実施の形態２におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。
【図６】本発明の実施の形態３におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。
【図７】本発明の実施の形態３における基板の主表面付近におけるメッキ液の流れを模式的に示す図である。
【図８】本発明の実施の形態４におけるＣＮＴ膜の形成方法を示す模式図である。
【図９】本発明の実施の形態５におけるＣＮＴ膜形成時の基板付近のＣＮＴの状態を示す模式図である。
【図１０】本発明の実施の形態６におけるＣＮＴ膜形成時の基板付近のＣＮＴの状態を示す模式図である。
【図１１】試料１および試料１２の印加電圧Ｖとアノード電流Ｉａとの関係を示す図である。
【図１２】試料１０および試料１１のＣＮＴ膜の状態を示す模式図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  フィールドエミッションディスプレイ、４  障壁、６  ＣＮＴ膜、６ａ，１８  ＣＮＴ、６ｂ  金属膜、７  カソード電極、８  基板、８ａ  基板主表面、１１  メッキ漕、１２  メッキ液、１３  基板支持台、１５ａ，１５ｂ  噴流装置、１６  噴流制御部、２５ａ，２５ｂ  バブリング装置、２６  バブリング制御部、２７  気泡、３５ａ，３５ｂ  超音波発生装置、３６  超音波制御部、３７  超音波、３８  気泡、４５  アノード端子、４６  カソード端子、４７  電源、４８  アノード電極、４８ａ  アノード電極主表面、４９  突起部、５３  疎水性粒子、９０  カソードパネル、９１  ガラス基板、９２  アノード電極、９３，９３Ｂ，９３Ｇ，９３Ｒ  蛍光体層、９９  アノードパネル。
【図１】
2006085935.tif 000004
【図２】
2006085935.tif 000005
【図３】
2006085935.tif 000006
【図４】
2006085935.tif 000007
【図５】
2006085935.tif 000008
【図６】
2006085935.tif 000009
【図７】
2006085935.tif 000010
【図８】
2006085935.tif 000011
【図９】
2006085935.tif 000012
【図１０】
2006085935.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
2006085935.tif 000015