(57)【要約】【課題】  基板処理装置で用いられるプログラムの作成負荷を軽減することができるとともにデータ管理を容易に行うことができるデータのデータ構造等を提供する。【解決手段】  レチクルを介してウェハのショット領域を露光する露光装置で用いられるデータのデータ構造であって、レチクル及びウェハのデータが格納されるレチクルデータセクションＳＥ１及びウェハ基本データセクションＳＥ２、ショット領域の配置及び内部構成のデータが格納されるウェハマップレイアウトセクションＳＥ３及び露光ショットレイアウトセクションＳＥ４、ウェハのマークに関するデータ及びその計測条件のデータが格納されるアライメントマークパラメータセクションＳＥ５及び計測パラメータセクションＳＥ６、露光時の補正処理のデータ及び露光手順が格納される露光時補正パラメータセクションＳＥ７及びシーケンスパラメータセクションＳＥ８に区分されている。【選択図】  図３
2006186254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク及び基板の各々に形成されたマークの計測結果に基づいて前記マスクと前記基板との相対的な位置合わせを行い、前記マスクに露光光を照射して前記マスクのパターンを投影光学系を介して前記基板上に設定された複数の区画領域に投影露光する露光装置を備える基板処理装置で用いられるデータのデータ構造であって、
前記マスクに関するデータが格納される第１データ領域と、
前記基板に関するデータが格納される第２データ領域と、
前記基板上における前記区画領域の配置に関するデータが格納される第３データ領域と、
前記区画領域の内部構成に関するデータが格納される第４データ領域と、
前記マークに関するデータが格納される第５データ領域と、
前記マークの計測条件に関するデータが格納される第６データ領域と、
前記基板の露光時に前記露光装置で行われる補正処理に関するデータが格納される第７データ領域と、
前記露光時の露光手順に関するデータが格納される第８データ領域と
の少なくとも１つ又は複数が組み合わされたことを特徴とするデータ構造。
【請求項２】
前記露光時における露光状態を示すデータが格納される第９データ領域と、
露光された前記基板に対する各種計測結果を示すデータが格納される第１０データ領域と、
前記露光時の露光状態を評価するための各種パラメータが格納される第１１データ領域と、
前記露光状態の評価結果を示すデータが格納される第１２データ領域と
の少なくとも１つ又は複数が更に組み合わされたことを特徴とする請求項１記載のデータ構造。
【請求項３】
前記データ領域には、前記データ領域内のデータ又は前記データ領域間のデータを参照可能とする識別子を示すデータが格納されることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のデータ構造。
【請求項４】
前記第１データ領域に格納されるデータは、前記マスクの名称を示すデータ、前記マスクの種類を示すデータ、前記マスクの位置合わせ方法を示すデータ、前記マスクの識別検査モードを示すデータ、前記マスクに付着する異物の検査条件を示すデータ、及び前記露光時に用いるマスクの識別子を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のデータ構造。
【請求項５】
前記第２データ領域に格納されるデータは、前記基板の大きさを示すデータ、前記基板の種類を示すデータ、前記基板の外形形状を示すデータ、前記基板の外形的特徴部分を示すデータ、前記基板の露光制限領域を示すデータ、及び前記投影光学系の像面に対する前記基板の合わせ込みを制限する領域を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のデータ構造。
【請求項６】
前記第３データ領域に格納されるデータは、前記基板上における前記区画領域の配列方向を示すデータ、前記区画領域の位置偏差を示すデータ、前記区画領域の配列間隔を示すデータ、中心に位置する区画領域の行列番号を示すデータ、及び前記区画領域の行列番号を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のデータ構造。
【請求項７】
前記第４データ領域に格納されるデータは、前記区画領域内に配置される前記マークの座標を示すデータ、前記区画領域内における露光対象領域を示すデータ、及び前記区画領域内における前記露光対象領域の位置偏差を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のデータ構造。
【請求項８】
前記第５データ領域に格納されるデータは、前記マークの種類を示すデータ、前記マークの構造を示すデータ、前記マークの中心位置の偏差を示すデータ、及び前記マークを計測して得られる信号形状を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のデータ構造。
【請求項９】
前記第６データ領域に格納されるデータは、前記マークを計測して得られる計測信号に対する信号処理アルゴリズムを示すデータ、前記マークの位置情報を求める位置情報算出方法を示すデータ、前記基板上における前記区画領域の配列を求めるために用いる前記マークを特定するデータ、及び前記マークの位置情報から前記区画領域の配列を求める演算アルゴリズムを示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のデータ構造。
【請求項１０】
前記第７データ領域に格納されるデータは、前記露光時における前記露光光の露光量補正量を示すデータ、前記投影光学系の像面に対する前記基板の位置ずれ補正量を示すデータ、前記投影光学系の像面に対する前記基板の合わせ込み補正量を示すデータ、及び前記マスクと前記基板との相対的な位置合わせ補正量を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載のデータ構造。
【請求項１１】
前記第８データ領域に格納されるデータは、前記第１データ領域から前記第７データ領域の少なくとも１つのデータ領域に格納されたデータを参照する前記識別子を含むことを特徴とする請求項３記載のデータ構造。
【請求項１２】
前記露光装置は、前記マスクと前記基板とを同期移動させつつ前記露光光により前記マスクのパターンを逐次前記基板上に転写するものであり、
前記第９データ領域に格納されるデータは、前記基板の表面位置及び姿勢の少なくとも一方の制御誤差を示すデータ、前記マスクと前記基板との同期移動誤差を示すデータ、及び前記露光光の露光量制御誤差を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２記載のデータ構造。
【請求項１３】
前記第１０データ領域に格納されるデータは、露光された前記基板の計測条件を示すデータ、露光された前記基板の露光状態を評価する評価条件を示すデータ、前記基板上における前記ショット領域の配置を示すデータ、前記ショット領域内に配置される前記マークの座標を示すデータ、並びに計測データの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２記載のデータ構造。
【請求項１４】
前記第１１データ領域に格納されるパラメータは、前記投影光学系の像面に対する前記基板の位置関係を評価するパラメータ、前記基板の移動誤差を評価するパラメータ、前記マスクの回転量を評価するパラメータ、前記投影光学系の収差を評価するパラメータ、及び前記基板上に露光される前記パターンの位置精度を評価するパラメータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２記載のデータ構造。
【請求項１５】
前記第１２データ領域に格納されるデータは、前記投影光学系の像面に対する前記基板の位置関係の評価結果を示すデータ、前記基板の移動誤差の評価結果を示すデータ、前記マスクの回転量の評価結果を示すデータ、前記投影光学系の収差の評価結果を示すデータ、及び前記基板上に露光される前記パターンの位置精度の評価結果を示すデータの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２記載のデータ構造。
【請求項１６】
マスク及び基板の各々に形成されたマークの計測結果に基づいて前記マスクと前記基板との相対的な位置合わせを行い、前記マスクに露光光を照射して前記マスクのパターンを投影光学系を介して前記基板上に設定された複数の区画領域に投影露光する露光装置を備える基板処理装置で用いられるデータのデータ構造であって、
前記露光装置で行われる露光処理の処理パラメータが格納される第１区分領域と、
前記基板に関するデータ、前記基板上における前記区画領域の配置に関するデータ、及び前記区画領域の内部構成に関するデータが格納される第２区分領域と、
前記露光処理の手順に関するデータが格納される第３区分領域と
を有することを特徴とするデータ構造。
【請求項１７】
前記第１区分領域には、前記マスクに関するデータ、前記マークに関するデータ、前記マークの計測条件に関するデータ、及び前記基板の露光時に前記露光装置で行われる補正処理に関するデータの少なくとも１つが格納されることを特徴とする請求項１６記載のデータ構造。
【請求項１８】
前記第３区分領域に格納されるデータは、第１区分領域及び第２区分領域に格納されたデータを参照する識別子を含むことを特徴とする請求項１６又は請求項１７記載のデータ構造。
【請求項１９】
請求項１から請求項１８の何れか一項に記載のデータ構造が記録されたことを特徴とするコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【請求項２０】
請求項１から請求項１８の何れか一項に記載のデータ構造をコンピュータ読取り可能な記録媒体に記録する記録処理を有することを特徴とするプログラム。
【請求項２１】
請求項１から請求項１５の何れか一項に記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に格納されたデータを読み込む読込処理と、
前記読込処理によって読み込まれたデータを用いて所定の処理を実行する実行処理と
を有することを特徴とするプログラム。
【請求項２２】
前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込む書込処理を有することを特徴とする請求項２１記載のプログラム。
【請求項２３】
露光光をマスクに照射して基板を露光する露光装置で用いられるプログラムであって、
請求項１から請求項１５の何れか一項に記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に記録されたデータを読み込む読込処理と、
前記読込処理によって読み込まれたデータを用いて前記露光装置の各部を制御して前記基板を露光する露光処理と
を有することを特徴とするプログラム。
【請求項２４】
前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込む書込処理を有することを特徴とする請求項２３記載のプログラム。
【請求項２５】
請求項１から請求項１８の何れか一項に記載のデータ構造をコンピュータ読取り可能な記録媒体に記録するステップを有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２６】
請求項１から請求項１５の何れか一項に記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に格納されたデータを読み込むステップと、
読み込まれた前記データを用いて所定の処理を実行するステップと
を有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２７】
前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込むステップを有することを特徴とする請求項２６記載のデータ処理方法。
【請求項２８】
露光光をマスクに照射して基板を露光する露光装置で用いられるデータ処理方法であって、
請求項１から請求項１５の何れか一項に記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に記録されたデータを読み込むステップと、
読み込まれた前記データを用いて前記露光装置の各部を制御して前記基板を露光するステップと
を有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２９】
前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込むステップを有することを特徴とする請求項２８記載のデータ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置で用いられるデータのデータ構造及びデータ処理方法、記録媒体、並びにプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ（Charge Coupled Device：電荷結合素子）等）、薄膜磁気ヘッド、その他のデバイスは、基板処理装置を用いて基板に対して各種の処理を施すことにより製造される。基板処理装置が基板に対して施す処理は、例えば薄膜形成処理、フォトリソグラフィ処理、及び不純物の拡散処理等の処理があり、またこれらの処理を経た基板に形成された回路を検査・評価する処理がある。
【０００３】
上記のフォトリソグラフィ処理では、基板処理装置の一種である露光装置を用いて、マスクのパターンを投影光学系を介して感光剤が塗布された基板上のショット領域に投影露光する露光処理が行われる。この露光処理においては、予めオペレータ等が露光処理の処理手順及び露光パラメータを記録した露光レシピファイルを作成しておき、この露光レシピを露光装置に読み込ませて露光レシピに従った露光処理を露光装置に行わせる。また、露光装置が露光レシピに従って行った露光処理の露光結果は露光結果ファイルに記録され、また露光時に露光装置で計測された各種計測結果及び露光処理の評価結果は計測結果ファイル及び評価結果ファイルにそれぞれ記録される。
【０００４】
オペレータによる露光レシピの作成誤りがあると、露光装置においてオペレータの意図通りの露光処理が行われないため不良の発生に直結する。このため、例えば以下の特許文献１には、オペレータによる露光レシピの作成誤りによる不良の発生を防止して作業の効率化を図る手法が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１００５８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来は上述した露光レシピファイル、露光結果ファイル、計測結果ファイル、及び評価結果ファイル等の各種ファイルは、記録されるデータのデータ定義及びデータ構造に一貫性が無く、ファイル形式について統一したルールが定められていなかった。このため、各ファイルに記録されているデータの構造はファイル毎に固有のものになっており、ファイルの作成処理、ファイルからのデータの読み出し処理、及びファイルへのデータの書き込み処理をファイル毎に適したものとする必要があり、プログラムの作成に要する負荷が増大しているという問題があった。
【０００６】
また、上記の各種ファイルに記録されるデータはファイル毎に独立している訳ではなく、他のファイルの記録を行う際に用いられることがある。例えば、上記の評価結果ファイルに記録される露光処理の評価結果を求めるには、露光レシピファイルの一部のデータ（例えば、基板の大きさ、ショット領域の配列等を示すデータ等）が必要になる。従来はこれらのファイルのデータ構造等に一貫性がなかったため、例えば露光レシピファイルに記録されたデータを評価ファイルのデータ形式に変換するための変換プログラムが別途必要であり、これによってもプログラムの作成に要する負荷が増大するという問題があった。また、ファイルのデータ構造等に一貫性がないために、記録するデータが冗長になってファイルのサイズが増大し、データ管理の負担も増大するという問題もあった。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、基板処理装置で用いられるプログラムの作成負荷を軽減することができるとともにデータ管理を容易に行うことができ、更には記録すべきデータの量を削減することができるデータのデータ構造及びデータ処理方法、記録媒体、並びにプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点によるデータ構造は、マスク（Ｒ）及び基板（Ｗ）の各々に形成されたマークの計測結果に基づいて前記マスクと前記基板との相対的な位置合わせを行い、前記マスクに露光光（ＥＬ）を照射して前記マスクのパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して前記基板上に設定された複数の区画領域に投影露光する露光装置（１１）を備える基板処理装置で用いられるデータのデータ構造であって、前記マスクに関するデータが格納される第１データ領域（ＳＥ１）と、前記基板に関するデータが格納される第２データ領域（ＳＥ２）と、前記基板上における前記区画領域の配置に関するデータが格納される第３データ領域（ＳＥ３）と、前記区画領域の内部構成に関するデータが格納される第４データ領域（ＳＥ４）と、前記マークに関するデータが格納される第５データ領域（ＳＥ５）と、前記マークの計測条件に関するデータが格納される第６データ領域（ＳＥ６）と、前記基板の露光時に前記露光装置で行われる補正処理に関するデータが格納される第７データ領域（ＳＥ７）と、前記露光時の露光手順に関するデータが格納される第８データ領域（ＳＥ８）との少なくとも１つ又は複数が組み合わされたことを特徴としている。
この発明によると、露光装置を備える基板処理装置で用いられるデータが、第１データ領域〜第８データ領域の区分に従って扱われる。
ここで、本発明の第１の観点によるデータ構造は、前記露光時における露光状態を示すデータが格納される第９データ領域（ＳＥ９）と、露光された前記基板に対する各種計測結果を示すデータが格納される第１０データ領域（ＳＥ１０）と、前記露光時の露光状態を評価するための各種パラメータが格納される第１１データ領域（ＳＥ１１）と、前記露光状態の評価結果を示すデータが格納される第１２データ領域（ＳＥ１２）との少なくとも１つ又は複数が更に組み合わされたことを特徴としている。
この発明によると、上記の第１データ領域〜第８データ領域の区分に加え、上記の第９データ領域〜第１２データ領域の区分に従って、基板処理装置で用いられるデータが扱われる。
本発明の第２の観点によるデータ構造は、マスク（Ｒ）及び基板（Ｗ）の各々に形成されたマークの計測結果に基づいて前記マスクと前記基板との相対的な位置合わせを行い、前記マスクに露光光（ＥＬ）を照射して前記マスクのパターンを投影光学系（ＰＬ）を介して前記基板上に設定された複数の区画領域に投影露光する露光装置（１１）を備える基板処理装置で用いられるデータのデータ構造であって、前記露光装置で行われる露光処理の処理パラメータが格納される第１区分領域（ＳＥ１００）と、前記基板に関するデータ、前記基板上における前記区画領域の配置に関するデータ、及び前記区画領域の内部構成に関するデータが格納される第２区分領域（ＳＥ２００）と、前記露光処理の手順に関するデータが格納される第３区分領域（ＳＥ３００）とを有することを特徴としている。
この発明によると、上記の第１区分領域〜第３区分領域の区分に従って、基板処理装置で用いられるデータが扱われる。
本発明の記録媒体は、上記の何れかに記載のデータ構造が記録されたことを特徴としている。
本発明の第１の観点によるプログラムは、上記の何れかに記載のデータ構造をコンピュータ読取り可能な記録媒体に記録する記録処理を有することを特徴としている。
本発明の第２の観点によるプログラムは、上記の何れかに記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に格納されたデータを読み込む読込処理と、前記読込処理によって読み込まれたデータを用いて所定の処理を実行する実行処理とを有することを特徴としている。
ここで、本発明の第２の観点によるプログラムは、前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込む書込処理を有することを特徴としている。
本発明の第３の観点によるプログラムは、露光光（ＥＬ）をマスク（Ｒ）に照射して基板（Ｗ）を露光する露光装置（１１）で用いられるプログラムであって、上記の何れかに記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に記録されたデータを読み込む読込処理と、前記読込処理によって読み込まれたデータを用いて前記露光装置の各部を制御して前記基板を露光する露光処理とを有することを特徴としている。
ここで、本発明の第３の観点によるプログラムは、前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込む書込処理を有することを特徴としている。
本発明の第１の観点によるデータ処理方法は、上記の何れかに記載のデータ構造をコンピュータ読取り可能な記録媒体に記録するステップを有することを特徴としている。
本発明の第２の観点によるデータ処理方法は、上記の何れかに記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に格納されたデータを読み込むステップと、読み込まれた前記データを用いて所定の処理を実行するステップとを有することを特徴としている。
ここで、本発明の第２の観点によるデータ処理方法は、前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込むステップを有することを特徴としている。
本発明の第３の観点によるデータ処理方法は、露光光（ＥＬ）をマスク（Ｒ）に照射して基板（Ｗ）を露光する露光装置（１１）で用いられるデータ処理方法であって、上記の何れかに記載のデータ構造が記録された記録媒体から、前記第１データ領域から前記第８データ領域の少なくとも１つのデータ領域に記録されたデータを読み込むステップと、読み込まれた前記データを用いて前記露光装置の各部を制御して前記基板を露光するステップとを有することを特徴としている。
ここで、本発明の第３の観点によるデータ処理方法は、前記記録媒体に記録されたデータ構造の前記第９データ領域から前記第１２データ領域の少なくとも１つのデータ領域にデータを書き込むステップを有することを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、露光処理で行われる露光処理及びその他の基板処理装置で行われる各種処理において、使用するデータのデータ構造を統一化することができるという効果がある。この結果として、上記の第１データ領域〜第８データ領域単位でのデータの組み合わせが可能になり、更には識別子を用いることで各データ領域内又は各データ領域間で識別子を用いてデータの参照が可能になる。これにより、基板処理装置で用いられるデータを扱うプログラムの作成負担を軽減することができる。また、これらのデータ構造を他の形式のデータに変換するプログラムも共通化することもでき、外部システムとのデータ連携を強化することができる。併せて、プログラムサイズ及びデータ構造を記録するファイルの容量を削減することができるとともに、データ管理の負荷を軽減することができる。この結果として、データ管理を容易に行うことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による基板処理装置で用いられるデータのデータ構造及びデータ処理方法、記録媒体、並びにプログラムについて詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による基板処理装置を備える基板処理システムの構成を示すブロック図である。図１に示す通り、基板処理システム１は、本発明の一実施形態による基板処理装置としての露光装置１１、トラック１２、レーザ１３、インライン計測器１４及びオフライン計測器１５、装置支援システム１６、並びに通信ネットワーク１７を含んで構成される。
【００１１】
装置支援システム１６は、サーバ１６ａ、端末装置１６ｂ、及びリモート端末装置１６ｃを含んで構成される。また、通信ネットワーク１７は、第１のネットワーク１７ａ、第２のネットワーク１７ｂ、及びネットワーク１７ｃを含んで構成される。尚、基板処理システム１は、複数の基板処理ラインを備えており、露光装置１１、トラック１２、レーザ１３、及びインライン計測器１４は、例えば各ラインに対応して複数設けられている。また、オフライン計測器１５は、それらの製造ラインとは別に複数設けられている。
【００１２】
まず、基板処理システム１の各部の構成について順に説明する。露光装置１１−ｉ（ｉ＝１〜ｎ）（以後、単に露光装置１１と表す）は、マスクとしてのレチクル上に形成された所望のパターンの像を感光材料が塗布された基板としてのウェハ上に投影し、ウェハ上にそのパターンを転写する。本実施形態において、露光装置１１は画像処理によりウェハの所定の基準となるパターンを検出するオフアクシス方式のアライメント光学系を有する露光装置である。
【００１３】
図２は、露光装置の概略構成を示す図である。図２に示す露光装置１１は、半導体素子を製造するための露光装置であり、マスクとしてのレチクルＲと基板としてのウェハＷとを同期移動させつつ、レチクルＲに形成されたパターンを逐次ウェハＷ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影型の露光装置である。尚、以下の説明においては、必要であれば図中にＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。このＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＺ軸が紙面に対して平行となるよう設定され、Ｙ軸が紙面に対して垂直となる方向に設定されている。図中のＸＹＺ座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直上方向に設定される。また、露光時におけるレチクルＲ及びウェハＷの同期移動方向（走査方向）はＹ方向に設定されているものとする。
【００１４】
図２に示す露光装置１１は、レチクルＲ上のスリット状（矩形状又は円弧状）の照明領域を均一な照度を有する露光光ＥＬで照明する不図示の照明光学系と、マスクとしてのレチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲのパターンの像をフォトレジストが塗布されたウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬと、基板としてのウェハＷを保持するウェハステージＷＳＴと、これらの制御系とを含んで構成されている。
【００１５】
上記の不図示の照明光学系は、光源ユニット、オプティカル・インテグレータを含む照度均一化光学系、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等（何れも不図示）を含んで構成されている。この照明光学系の構成等については、例えば特開平９−３２０９５６に開示されている。ここで、上記の光源ユニットとしては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、若しくはＦ２レーザ光源（波長１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ光源（波長１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ光源（波長１２６ｎｍ）等の紫外レーザ光源、銅蒸気レーザ光源、ＹＡＧレーザの高調波発生光源、固体レーザ（半導体レーザ等）の高調波発生装置、又は水銀ランプ（ｉ線等）等も使用することができる。
【００１６】
レチクルステージＲＳＴは、照明光学系の下方（−Ｚ方向）に水平に配置されたレチクル支持台（定盤）２１の上面上を走査方向（Ｙ方向）に所定ストロークで移動可能なレチクル走査ステージ２２と、このレチクル走査ステージ２２上に載置され、レチクル走査ステージ２２に対してＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＺ方向）にそれぞれ微小駆動可能なレチクル微動ステージ２３とを備えている。このレチクル微動ステージ２３上にレチクルＲが真空吸着又は静電吸着等により保持される。尚、図示は省略しているが、複数のレチクルＲを収納するレチクルライブラリ、及びレチクルライブラリからレチクルステージＲＳＴ上に搬送されるレチクルＲに埃塵等の異物の付着の有無を検査する異物検査装置も設けられている。
【００１７】
上記レチクル微動ステージ２３上の一端には移動鏡２４が設けられており、レチクル支持台２１上にはレーザ干渉計（以下、レチクル干渉計という）２５が配置されている。レチクル干渉計２５から射出されたレーザ光は移動鏡２４の鏡面に照射され、その反射光と参照光との干渉光をレチクル干渉計２５が受光することによって、レチクル微動ステージ２３のＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸回りの回転方向（θＸ，θＹ，θＺ方向）の位置が検出される。実際のレチクル微動ステージ２３上には、Ｘ軸用の反射鏡、２個のＹ軸用の反射鏡が固定され、これに対応してレチクル干渉計２５も複数設けられているが、図２ではこれらを代表して移動鏡２４、レチクル干渉計２５として図示している。尚、レチクルステージＲＳＴは、レチクルＲを保持するレチクルテーブルの微動機構（ボイスコイルモータ等のアクチュエータ）が組み込まれた可動体を、例えばリニアモータで走査方向（Ｙ方向）に一次元駆動する構成でもよい。また、レチクル微動ステージ２３（又はレチクルテーブル）の端面を鏡面加工して上記の移動鏡２４の鏡面の代わりに用いても良い。
【００１８】
上述のレチクル干渉計２５により検出されたレチクル微動ステージ２３の位置情報（又は速度情報）は、装置全体の動作を統轄制御する主制御系４０に供給される。主制御系４０は、レチクル走査ステージ２２駆動用のリニアモータ、レチクル微動ステージ２３駆動用のボイスコイルモータ等を含むレチクル駆動装置２６を介してレチクル走査ステージ２２及びレチクル微動ステージ２３の動作を制御する。
【００１９】
上述した投影光学系ＰＬは、複数の屈折光学素子（レンズ素子）を含んで構成され、物体面（レチクルＲ）側と像面（ウェハＷ）側の両方がテレセントリックで所定の縮小倍率β（βは例えば１／４，１／５等）を有する屈折光学系が使用されている。この投影光学系ＰＬの光軸ＡＸの方向は、ＸＹ平面に直交するＺ方向とされている。尚、投影光学系ＰＬが備える複数のレンズ素子の硝材は、露光光ＥＬの波長に応じて、例えば石英又は蛍石が用いられる。また、本実施形態では、レチクルＲに形成されたパターンの倒立像をウェハＷ上に投影する投影光学系ＰＬを例に挙げて説明するが、勿論パターンの正立像を投影するものであっても良い。
【００２０】
ウェハステージＷＳＴは、投影光学系ＰＬの下方（−Ｚ方向）に配置されており、ウェハＸＹ駆動ステージ２８、支点２９ａ〜２９ｃ、ウェハテーブル３０、及びウェハホルダ３１を含んで構成されている。ウェハＸＹ駆動ステージ２８は、ウェハ支持台（定盤）２７の上面（基準平面）上をＸ方向及びＹ方向に移動可能に構成されており、このウェハＸＹ駆動ステージ２８上にＺ方向に伸縮自在な３個の支点２９ａ〜２９ｃが設けられている。これら３つの支点２９ａ〜２９ｃは、例えばウェハウェハテーブル３０の中心に関して各々が互いに１２０°の角度をなすように配置されている。支点２９ａ〜２９ｃは、例えばロータリーモータ及びカムを使用する方式、積層型圧電素子（ピエゾ素子）、又はボイスコイルモータ（ここではボイスコイルモータとする）等を使用して構成される。
【００２１】
ウェハテーブル３０は、支点２９ａ〜２９ｃ上に載置されており、支点２９ａ〜２９ｃの伸縮量を制御することでＺ方向の微動（Ｘ軸回りの回転及びＹ軸回りの回転を含む）が可能である。ウェハテーブル３０上に設けられたウェハホルダ３１上にウェハＷが真空吸着又は静電吸着等により保持される。３個の支点２９ａ〜２９ｃは主制御系４０により制御される。支点２９ａ〜２９ｃを均等に伸縮させることにより、ウェハテーブル３０のＺ方向の位置を調整することができ、３個の支点２９ａ〜２９ｃの伸縮量を個別に調整することにより、ウェハテーブル３０のＸ軸及びＹ軸の回りの傾斜角を調整することができる。
【００２２】
ウェハテーブル３０上の一端には移動鏡３２が設けられており、ウェハステージＷＳＴの外部にはレーザ光を移動鏡３２の鏡面（反射面）に照射するレーザ干渉計（以下、ウェハ干渉計という）３３が設けられている。このウェハ干渉計３３は、移動鏡３２の鏡面にレーザ光を照射して得られる反射光と参照光との干渉光を受光することによって、ウェハテーブル３０のＸ方向及びＹ方向の位置、並びに姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸，Ｚ軸周りの回転θＸ，θＹ，θＺ）が検出される。実際の移動鏡３２はＸ軸に交差してＹ方向に沿って延びる鏡面を有するＸ軸用の移動鏡とＹ軸に交差してＸ方向に沿って延びる鏡面を有するＹ軸用の移動鏡とを含んで構成され、ウェハ干渉計３３はＸ軸用の移動鏡に対してレーザ光を照射するウェハ干渉計と、Ｙ軸用の移動鏡に対してレーザ光を照射するウェハ干渉計とを含んで構成される。ウェハ干渉計３３の検出結果は主制御系４０に供給される。
【００２３】
主制御系４０は、ウェハ干渉計３３の検出結果に基づいてウェハ駆動装置３４を介してウェハテーブル３０の位置及び姿勢を制御するとともに、装置全体の動作を制御する。また、ウェハ干渉計３３の検出結果により得られる座標により規定されるウェハ座標系と、レチクルＲ側のレチクル干渉計２５の検出結果により得られる座標により規定されるレチクル座標系との対応をとるために、図２に示す通り、ウェハテーブル３０上であってウェハホルダ３１の近傍には基準マーク板３５が固定されている。この基準マーク板３５上には各種基準マークが形成されている。これらの基準マークの中にはウェハテーブル３０の内部に導かれた照明光により裏側から照明されている基準マーク、即ち発光性の基準マークも設けられている。
【００２４】
本実施形態の露光装置１１は、レチクルＲの上方に配置され、基準マーク板３５上の基準マークとレチクルＲに形成された位置合わせ用マーク（レチクルアライメントマーク）とを同時に観察するためのレチクルアライメントセンサ３６ａ，３６ｂを備えている。これらのレチクルアライメントセンサ３６ａ，３６ｂの観察結果（計測結果）は、主制御系４０に供給される。レチクルアライメントセンサ３６ａ，３６ｂには、レチクルＲからの検出光を各々に導くための偏向ミラー３７ａ，３７ｂがそれぞれ移動自在に配置されている。これらの偏向ミラー３７ａ，３７ｂは、露光シーケンスが開始されると、主制御系４０からの指令のもとで、ミラー駆動装置３８ａ，３８ｂによりそれぞれ待避される。
【００２５】
また、投影光学系ＰＬのＹ方向の側面部には、ウェハＷ上に設定された区画領域（以下、ショット領域又はショットという）に付設されたアライメントマーク（ウェハアライメントマーク）を観察するための画像処理方式のオフ・アクシス・アライメントセンサ（以下、ウェハアライメントセンサという）３９が配置されている。ウェハアライメントセンサ３９の観察結果（計測結果）は、主制御系４０に供給される。ウェハアライメントセンサ３９の光学系の光軸は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと平行とされている。かかるウェハアライメントセンサ３９の詳細な構成は、例えば特開平９−２１９３５４号公報及びこれに対応する米国特許第５，８５９，７０７号等に開示されている。
【００２６】
更に、本実施形態の露光装置１１は、送光系４１ａ及び受光系４１ｂから構成され、投影光学系ＰＬに関してレチクルＲ上の照明領域と共役なウェハＷ上の露光スリット領域の内部及びその近傍に設定された複数の検出点でそれぞれウェハＷの表面のＺ方向（光軸ＡＸ方向）の位置を検出する多点ＡＦセンサ４１を投影光学系ＰＬの側方に備える。多点ＡＦセンサ４１は、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置及び姿勢（Ｘ軸，Ｙ軸周りの回転θＸ，θＹ：レベリング）を検出するものである。
【００２７】
主制御系４０は、図１に示した第１のネットワーク１７ａに接続されており、サーバ１６ａからネットワーク１７ａを介して送信される露光レシピに従って露光装置１１の各部を制御し、レチクルＲに形成されたパターンをウェハＷに転写する露光処理を行う。具体的には、レチクルアライメントセンサ３６ａ，３６ｂ及びウェハアライメントセンサ３９の計測結果に基づいてレチクルＲとウェハステージＷＳＴとの相対的な位置合わせを行う制御を行う。
【００２８】
また、主制御系４０は、ウェハアライメントセンサ３９でウェハＷ上に形成されたアライメントマークのうちの代表的なアライメントマーク数個（３〜９個程度）を計測した結果結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウェハＷ上の全ショット領域の配列座標を求める。そして、ウェハＷを露光する際には、レチクル駆動装置２６及びウェハ駆動装置３４を介してレチクルステージＲＳＴとウェハステージＷＳＴの同期移動を制御するとともに露光光ＥＬの露光量を制御し、更にはＡＦセンサ４１の検出結果に基づいてウェハＷのＺ方向における位置及び姿勢を制御する。
【００２９】
更に、主制御系４０は、露光時における露光処理結果を示す各種データを記録しておき、このデータをネットワーク１７ａを介してサーバ１６ａに送信する。主制御系４０が記録するデータとしては、例えば露光中のレチクル干渉計２５及びウェハ干渉計３３の検出結果、レチクルＲに形成されたレチクルアライメントマーク及びウェハＷに形成されたウェハアライメントマークの計測結果等がある。尚、このデータの詳細については後述する。
【００３０】
尚、本実施形態では、露光レシピがネットワーク１７ａを介して露光装置に送信される場合を例に挙げて説明するが、露光レシピファイルを記録媒体に記録しておき、この記録媒体に記録された露光レシピファイルを主制御装置４０に読み込ませるようにしても良い。ここで、露光レシピファイルが記録される記録媒体は、例えばフレキシブルディスク等の磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ（登録商標）−ＲＯＭ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク等が挙げられる。また、上記の露光処理結果を示す各種データは、ハードディスク等に一時的に記録される。
【００３１】
図１に戻り、トラック１２は、各ラインにおいてウェハＷを順次搬送する搬送系である。このトラック１２は、例えば基板処理システム１中の図示しないトラックサーバにより制御される。また、レーザ１３は、各ラインの露光装置１１に露光光を提供する光源である。インライン計測器１４は、露光装置１１、トラック１２、又はレーザ１３等の装置内に組み込まれたセンサであり、例えば装置雰囲気の温度、湿度、気圧等の情報を計測するセンサである。インライン計測器１４で計測されたデータは、装置支援システム１６のサーバ１６ａに出力される。オフライン計測器１５は、デバイスの製造ラインに直接は組み込まれていない計測ツールであり、例えば重ね合わせ計測装置や、線幅測定装置等である。
【００３２】
装置支援システム１６は、露光装置１１、トラック１２、レーザ１３、インライン計測器１４、及びオフライン計測器１５等の各種装置から通信ネットワーク１７を介して種々のデータを収集する。また、収集されたデータに基づいて基板処理システム１の各製造ラインのプロセスを制御することも可能である。そのために装置支援システム１６のサーバ１６ａは、まず、露光装置１１、トラック１２、レーザ１３、インライン計測器１４、及びオフライン計測器１５等の各装置よりデータを収集し、これをデータベースに保存し管理する。そして、その保存したデータをＣＲＴ（Cathode Ray Tube）又は液晶表示装置等の表示装置（図示省略）に表示し、又は保存したデータを用いて統計処理を行って露光装置１１又はラインの稼動状態、及び露光装置１１の露光状態の評価結果を表示装置に表示する。また、その結果に基づいて、各装置の自動補正制御、レポート作成・通知等の処理を行う。
【００３３】
装置支援システム１６の端末装置１６ｂは、例えば工場内においてオペレータがサーバ１６ａにアクセスするための端末装置である。端末装置１６ｂは、通信ネットワーク１７の第１のネットワーク１７ａに接続されており、第１のネットワーク１７ａを介してサーバ１６ａと接続される。尚、本実施形態では説明の簡単のために、端末装置１６ｂを用いてサーバ１６ａにアクセスする場合の説明を省略し、直接オペレータがサーバ１６ａを操作する場合を説明する。装置支援システム１６のリモート端末装置１６ｃは、例えば工場外のオフィスや、或いは露光装置１１のベンダーから、関係者がサーバ１６ａにアクセスするための端末装置である。リモート端末装置１６ｃは、第２のネットワーク１７ｂ、ゲート装置１７ｃ及び第１のネットワーク１７ａを介し、また、サーバ１６ａのインターフェイスの機能を用いてサーバ１６ａに接続される。以上が、装置支援システム１６の構成である。
【００３４】
通信ネットワーク１７は、基板処理システム１の各装置を接続するためのネットワークである。通信ネットワーク１７の第１のネットワーク１７ａは、例えば工場内の通信ネットワークであって、装置支援システム１６のサーバ１６ａ及び端末装置１６ｂ、露光装置１１、トラック１２、レーザ１３、インライン計測器１４及びオフライン計測器１５等を接続する。また、通信ネットワーク１７の第２のネットワーク１７ｂは、例えば工場外の通信ネットワークや、露光装置１１のベンダーが管理するネットワーク等である。図示の如く、第２のネットワーク１７ｂと第１のネットワーク１７ａとは、例えばファイアーウォール機能を有するゲート装置１７ｃにより接続される。
【００３５】
次に、以上説明した基板処理システム１で用いられるデータのデータ構造について説明する。図３は、露光装置１１で用いられる露光レシピの基本的なデータ構造を示す図である。図３に示す通り、露光レシピＲＥは複数のセクションに区分されている。具体的には、レチクルデータセクションＳＥ１、ウェハ基本データセクションＳＥ２、ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３、露光ショットレイアウトセクションＳＥ４、アライメントマークパラメータセクションＳＥ５、計測パラメータセクションＳＥ６、露光時補正パラメータセクションＳＥ７、及びシーケンスパラメータセクションＳＥ８に区分されている。
【００３６】
レチクルデータセクションＳＥ１は、露光装置１１で用いるレチクルＲに関するデータが格納されるセクションであり、具体的にはレチクルＲの名称、レチクルＲのタイプ（種類）、レチクルＲをプリアライメントする際のプリアライメント方法、レチクルＲを識別する際の識別検査モード、レチクルＲに付着する異物を検査する際の検査条件、及び露光に用いるレチクルの識別子（ＩＤ）等を示すデータの１つ又は複数が格納される。
【００３７】
ウェハ基本データセクションＳＥ２は、ウェハＷに関するデータが格納されるセクションであり、具体的には露光を制限する露光制限領域、ウェハＷの外形的特徴部分であるオリエンテーションフラット（以下、オリフラという）が形成された方向、オリフラの長さ、ウェハＷのサイズ（大きさ）、ウェハＷのタイプ（種類）、ウェハＷの外形形状、及びＡＦセンサ４１の検出結果に基づいてウェハＷの表面を投影光学系ＰＬの像面に自動的に合わせ込む制御（オートフォーカス制御）を制限する領域であるフォーカスディスエーブルレンジ等を示すデータの１つ又は複数が格納される。
【００３８】
ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３は、ウェハＷ上に設定されるショット領域の配置に関するデータが格納されるセクションであり、具体的にはショット領域の配列方向であるカラム（列）・ロー（行）座標軸方向、グリッドシフト、グリッドピッチ、中心セルのカラム・ロー番号、セル有効範囲、ショット領域位置シフト、ショット領域のカラム・ロー座標等を示すデータの１つ又は複数が格納される。露光ショットレイアウトセクションＳＥ４は、ショット領域の内部構成に関するデータが格納されるセクションであり、具体的にはショット領域内に配置されるウェハアライメントマークのショット領域内の座標、ショット領域内の露光される領域であるショット露光エリア、及びショット露光エリアシフト等を示すデータの１つ又は複数が格納される。
【００３９】
アライメントマークパラメータセクションＳＥ５は、レチクルアライメントマーク及びウェハアライメントマークに関するデータが格納されるセクションであり、具体的には、アライメントマークの種類、アライメントマークを構成するマーク要素の配列ピッチ、アライメントマークのマーク幅、マーク幅許容値、アライメントマークの中心位置のずれ量であるマークセンターシフト、レチクルアライメントマーク又はウェハアライメントマークをレチクルアライメントセンサ３６ａ，３６ｂ又はウェハアライメントセンサ３９で計測した時に得られる信号波形、及び中心マーク長等を示すデータの１つ又は複数が格納される。
【００４０】
計測パラメータセクションＳＥ６は、レチクルアライメントセンサ３６ａ，３６ｂでレチクルアライメントマークを計測し、又はウェハアライメントセンサ３９でウェハアライメントマークを計測する際の計測条件に関するデータが格納されるセクションである。このセクションには、具体的にはレチクルアライメントマーク又はウェハアライメントマークの計測に用いる信号処理アルゴリズム、信号処理平均化ライン数、処理ゲート幅、スライスレベル、エッジ選択モード、エッジ検出方法、コントラストリミット、マルチマーク両端、結果許容値、画面数、照明波長、及びフォーカスオフセット等を示すデータの１つ又は複数が格納される。
【００４１】
ここで、上記の信号処理平均化ライン数は、レチクルアライメントマーク又はウェハアライメントマークがライン・アンド・スペースパターンであって、これらをＣＣＤ等の撮像素子で撮像する場合に、撮像素子の各走査線のうちの何本の走査線を用いて信号を平均化するかを指定するものである。また、上記の処理ゲート幅は、レチクルアライメントセンサ３６ａ，３６ｂ又はウェハアライメントセンサ３９から出力される信号のどの範囲を位置計測用に用いるかを指定するものである。また、上記のスライスレベルは、アライメントマークを構成するマーク要素の端部（エッジ）位置を検出するために設定される信号レベルである。
【００４２】
また、計測パラメータセクションＳＥ６には、サーチマージン、サーチマーク選択、及びサーチ信号形状等を示すデータの１つ又は複数が格納される。ここで、ウェハＷに形成されるウェハアライメントマークには、ウェハＷの位置を大まかに計測するために用いるサーチマークとウェハＷの位置を高精度に計測するために用いるファインマークとが設けられている。尚、ファインマークうちの特定のマークがサーチマークとして用いられることもある。上記のデータは、サーチマークに関するデータである。更に、計測パラメータセクションＳＥ６には、ＥＧＡ演算アルゴリズム、ＥＧＡ演算次数、ＥＧＡリジェクトリミット、及びＥＧＡ演算必要ショット数を示すデータの１つ又は複数が格納される。これらのデータは、ウェハＷ上に形成されたウェハアライメントマークのうちの代表的なウェハアライメントマーク数個（３〜９個程度）を計測した結果結果を用いて前述したＥＧＡ演算を行う際に用いられるデータである。尚、以下の説明では、ＥＧＡ演算に用いられるウェハアライメントマークをＥＧＡマークという場合もある。
【００４３】
露光時補正パラメータセクションＳＥ７は、ウェハＷの露光時に露光装置１１で行われる補正処理に関するデータが格納されるセクションであり、具体的には露光時における露光量ＥＬの補正量補正、投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷのＺ方向における位置ずれを補正するフォーカスオフセット補正、投影光学系ＰＬの像面に対してウェハＷの表面を合わせ込むレべリングオフセット補正、及びレチクルＲとウェハＷとの相対的な位置誤差を補正するアライメント補正等の補正量を示すデータの１つ又は複数が格納される。
【００４４】
シーケンスパラメータセクションＳＥ８は、ウェハＷの露光時の露光手順（露光シーケンス）に関するデータが格納されるセクションであり、上記のレチクルデータセクションＳＥ１〜露光時補正パラメータセクションＳＥ７に格納されるデータを参照するための識別子が格納される。つまり、このシーケンスパラメータセクションＳＥ８では、レチクルデータセクションＳＥ１〜露光時補正パラメータセクションＳＥ７に格納されるデータを参照する識別子の順序をもって露光シーケンスが規定されている。
【００４５】
次に、以上説明したデータ構造を有するデータの作成及び運用方法について説明する。図４は、基板処理システム１で用いられるデータの処理フローを示す図である。尚、ここでは、図４に示す通り、露光レシピが記録された露光レシピファイルＦ１を端末装置１６ｂによって作成し、露光装置１１が露光処理結果を露光結果ファイルＦ２に記録し、サーバ１６ａが露光されたウェハＷの計測結果を計測結果Ｆ３に記録するとともに露光結果を評価するデータを評価結果ファイルＦ４に記録する場合を例に挙げて説明する。
【００４６】
図４に示す通り、端末装置１６ｂには露光レシピＲＥ（露光レシピファイルＦ１）を作成するとともに、その内容を編集するレシピファイル作成・編集プログラムＰ１が実装されており、露光装置１１には露光レシピファイルＦ１の内容に基づいて露光装置１１の各部を制御するとともに、露光結果を露光結果ファイルＦ２に記録する露光処理プログラムＰ２が実装されている。また、サーバ１６ａには、オフライン計測器１５で計測された計測結果を計測結果ファイルＦ３に記録するとともに、露光結果ファイルＦ２及び計測結果ファイルＦ３に記録されたデータを用いてウェハＷの露光状態を評価・分析する評価・分析プログラムＰ３が実装されている。尚、ここで、オフライン計測器１５の計測結果が計測結果ファイルＦ３に記録される場合を例に挙げて説明するが、インライン計測器１４の計測結果も計測結果ファイルＦ３に記録される。インライン計測器１４の計測結果は、露光装置１１が収集して計測結果ファイルＦ３に記録しても良い。
【００４７】
上記構成において、まず、オペレータが端末装置１６ｂを操作してレシピファイル作成・編集プログラムＰ１を実行させて露光レシピＲＥを作成する。ここで、作成される露光レシピＲＥの基本的なデータ構造は図３に示した通りであるが、オペレータが露光レシピＲＥの内容を容易に把握することができ、且つ取り扱いを容易にするために、実際には更に３つのセクションに大区分された露光レシピＲＥが作成される。
【００４８】
図５は、実際に作成される露光レシピＲＥのデータ構造を示す図である。図５に示す通り、露光レシピＲＥは、処理条件セクションＳＥ１００、レイアウトセクションＳＥ２００、及びシーケンスセクションＳＥ３００に大きく区分されている。処理条件セクションＳＥ１００は露光装置１１で行われる露光処理の処理パラメータが格納されるセクションであり、レイアウトセクションＳＥ２００はウェハＷに関するデータ並びにウェハ上のショット領域の配置及び内部構造に関するデータが格納されるセクションであり、シーケンスセクションＳＥ３００は露光処理の手順に関するデータの識別子が格納されるセクションである。尚、シーケンスセクションＳＥ３００に格納される識別子により、露光処理の手順に関するデータが参照される。
【００４９】
また、シーケンスセクションＳＥ３００は、ウェハサーチシーケンスセクションＳＥ３１０、ＥＧＡシーケンスセクションＳＥ３２０、及びウェハ露光シーケンスセクションＳＥ３３０に小区分される。ウェハサーチシーケンスセクションＳＥ３１０は、ウェハＷに形成されたサーチマークの計測手順が格納されるセクションであり、ＥＧＡシーケンスセクションＳＥ３２０はファインマークの計測手順が格納されるセクションであり、ウェハ露光シーケンスセクションＳＥ３３０はウェハＷを実際に露光する際の処理手順が格納されるセクションである。これらの処理条件セクションＳＥ１００、レイアウトセクションＳＥ２００、及びシーケンスセクションＳＥ３００（ウェハサーチシーケンスセクションＳＥ３１０、ＥＧＡシーケンスセクションＳＥ３２０、及びウェハ露光シーケンスセクションＳＥ３３０）の各々には、図３に示す各セクションを単位として各種データが設定される。
【００５０】
図６は、処理条件セクションＳＥ１００に設定されるセクションの一例を示す図である。図６に示す例では、処理条件セクションＳＥ１００には、図３に示すレチクルデータセクションＳＥ１、アライメントマークパラメータセクションＳＥ５、計測パラメータセクションＳＥ６、及び露光時補正パラメータセクションＳＥ７が設定されている。アライメントマークパラメータセクションＳＥ５としてはサーチマークのパラメータを格納するセクションとＥＧＡマークのパラメータを格納する２つのセクションが設定されており、計測パラメータセクションＳＥ６としてはサーチマーク計測パラメータを格納するセクション、ＥＧＡマーク計測パラメータを格納するセクション、及びＥＧＡ演算パラメータを格納するセクションの３つのセクションが設定されている。また、露光時補正パラメータセクションＳＥ７としては、露光量補正パラメータを格納するセクション、フォーカスオフセット補正パラメータを格納するセクション、レベリングオフセット補正パラメータを格納するセクション、及びアライメント補正パラメータを格納するセクションが設定されている。
【００５１】
図７は、レイアウトセクションＳＥ２００に設定されるセクションの一例を示す図である。図７に示す例では、ウェハ基本データセクションＳＥ２、ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３、及び露光ショットレイアウトセクションＳＥ４が設定されている。露光ショットレイアウトセクションＳＥ４としては、サーチマークのレイアウトを格納するセクション、ＥＧＡマークのレイアウトを格納するセクション、及びショット領域のレイアウトを格納するセクションが設定されている。
【００５２】
図８は、シーケンスセクションＳＥ３００に設定される識別子の一例を示す図である。尚、図８においては、識別子によって参照されるセクションを図示している。図８に示す例では、シーケンスセクションＳＥ３００のウェハサーチシーケンスセクションＳＥ３１０には、ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３、並びにサーチマークのレイアウトを格納する露光ショットレイアウトセクションＳＥ４、サーチマークパラメータを格納するアライメントマークパラメータセクションＳＥ５、及びサーチマーク計測パラメータを格納する計測パラメータセクションＳＥ６を参照するための識別子が設定される。
【００５３】
また、シーケンスセクションＳＥ３００のＥＧＡシーケンスセクションＳＥ３２０には、ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３、並びにＥＧＡマークのレイアウトを格納する露光ショットレイアウトセクションＳＥ４、ＥＧＡマークパラメータを格納するアライメントマークパラメータセクションＳＥ５、ＥＧＡ演算パラメータとＥＧＡマーク計測パラメータとをそれぞれ格納する計測パラメータセクションＳＥ６を参照するための識別子が設定される。更に、シーケンスセクションＳＥ３００のウェハ露光シーケンスセクションＳＥ３３０には、ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３、並びに露光量補正パラメータ、フォーカスオフセット補正パラメータ、レベリングオフセット補正パラメータ、及びアライメント補正パラメータを格納する露光時補正パラメータセクションＳＥ７を参照するための識別子が設定される。
【００５４】
露光レシピＲＥの作成が完了すると、作成された露光レシピＲＥは例えば端末装置１６ｂに露光レシピファイルＦ１として記録される。ここで、オペレータが端末装置１６ｂを操作して作成した露光レシピＲＥの送信指示を行うと、露光レシピファイルＦ１から露光レシピＲＥが読み出され、通信ネットワーク１７を介して露光装置１１に送信される。露光装置１１の主制御系４０が露光レシピＲＥを受信した後に、オペレータからの露光処理開始指示があると、主制御系４０の露光処理プログラムＰ２が露光レシピＲＥを読み込み、これによって露光装置１１で露光処理が開始される。
【００５５】
露光処理が開始されると、フォトレジストが塗布されたウェハＷが不図示のウェハローダにより搬送されてウェハホルダ３１上に保持されるとともに、所定のレチクルＲが不図示のレチクルローダにより搬送されてレチクルステージＲＳＴ上に保持される。ここで、ウェハホルダ３１上に保持されるウェハＷに関するデータは、露光レシピＲＥのレイアウトセクションＳＥ２００に設けられたウェハ基板データセクションＳＥ２に格納されている（図７参照）。また、レチクルステージＲＳＴ上に保持されるレチクルＲに関するデータは、露光処理セクションＳＥ１００のレチクルデータセクションＳＥ１に格納されている（図６参照）。ここで、レチクルデータセクションＳＥ１にレチクルＲに付着する異物を検査する際の検査条件が設定されている場合には、不図示の異物検査装置でレチクルＲに対する異物の付着の有無が検査された後で、レチクルステージＲＳＴ上に保持される。尚、以下に説明する露光処理の順序は、図５及び図８に示すシーケンスセクションＳＥ３００の設定により規定されている。
【００５６】
ウェハホルダ３１上に保持されたウェハＷにパターンが形成されていない場合には、主制御系４０はレチクル干渉計２５の検出結果をモニタしつつレチクル駆動装置２６を駆動してレチクルステージＲＳＴを走査開始位置に移動させる。また、露光レシピＲＥのレイアウトセクションＳＥ２００に設けられたウェハマップレイアウトセクションＳＥ３（図７参照）に格納されたデータに基づいてウェハ駆動装置３４を介してウェハステージＷＳＴを駆動し、最初に露光すべきショット領域が走査開始位置に配置されるようウェハステージＷＳＴをＸＹ面内で移動させる。
【００５７】
他方、ウェハホルダ３１上に保持されたウェハＷ上に既に他のパターンが形成されている場合には、主制御系４０はウェハステージＷＳＴを駆動してウェハＷをウェハアライメントセンサ３９の下方（−Ｚ方向）に配置し、ウェハアライメントセンサ３９を用いて、サーチマークの位置計測を行ってウェハＷの大まかな位置情報を得る。次に、ウェハＷ上の代表的なアライメントマーク（ＥＧＡマーク）数個（３〜９個程度）の位置計測を行う。ここで、ウェハＷ上に形成されているサーチマーク、及びＥＧＡ演算に用いるＥＧＡマークの形成位置等のデータは、レイアウトセクションＳＥ２００の露光ショットレイアウトセクションＳＥ４（図７参照）又は処理条件セクションＳＥ１００のアライメントマークパラメータセクションＳＥ５（図６参照）に格納されたデータで定義されている。マークの計測時において、主制御系４０は、処理条件セクションＳＥ１００の計測パラメータセクションＳＥ６（図６参照）に格納されたデータに規定される信号処理アルゴリズム等を用いて信号処理を行ってサーチマーク及びＥＧＡマークの位置情報を算出する。
【００５８】
上記の代表的なアライメントマークの計測を終えると、主制御系４０は、これらの計測結果と予め記録されている各ショット領域の設計値とを用いてＥＧＡ（エンハンスト・グローバル・アライメント）演算を行い、ウェハＷ上の全ショット領域の配列座標を求める。このとき、主制御系４０は、処理条件セクションＳＥ１００の計測パラメータセクションＳＥ６（図６参照）に格納されたＥＧＡ演算アルゴリズムを用いてＥＧＡ演算を行う。
【００５９】
上記のＥＧＡ演算によって得られたウェハＷ上におけるショット領域の座標値をベースライン量（投影光学系ＰＬを介した投影像の投影中心と、ウェハアライメントセンサ３９の計測視野中心との距離）で補正した座標値を求め、この補正した座標値を用いてウェハステージＷＳＴを駆動すればウェハＷ上の各ショット領域を投影光学系ＰＬの露光スリット領域に位置合わせすることができる。このため、主制御系４０は、まずＥＧＡ演算により得られたショット領域の座標値をベースライン量で補正した座標値を求め、この座標時に基づいてウェハステージＷＳＴを駆動して、最初に露光すべきショット領域を走査開始位置に配置する。また、ウェハステージＷＳＴとともに、レチクルステージＲＳＴも走査開始位置に配置する。
【００６０】
レチクルステージＲＳＴ及びウェハステージＷＳＴの走査開始位置への移動が完了すると、主制御系４０はレチクル駆動装置２６及びウェハ駆動装置３４を介してこれらのステージを加速させ、各々のステージが所定の速度に達して同期がとれてから、露光光源１から露光光ＥＬを射出させてレチクルＲを照明し、レチクルＲのパターンの像を投影光学系ＰＬを介してウェハＷ上に投影する。走査時には、露光スリット領域にレチクルＲの一部のパターン像が投影され、投影光学系ＰＬに対して、レチクルＲが−Ｙ方向（又は＋Ｙ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、ウェハＷが＋Ｙ方向（又は−Ｙ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動させる。
【００６１】
最初に露光すべきショット領域を露光している間、主制御系４０は多点ＡＦセンサ４１の計測結果に基づいて光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置制御及びウェハＷの姿勢制御を行う。また、露光レシピＲＥの処理条件セクションＳＥ１００に設けられた露光時補正パラメータセクションＳＥ７（図６参照）で露光量ＥＬの補正量補正、投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷのＺ方向における位置ずれを補正するフォーカスオフセット補正、投影光学系ＰＬの像面に対してウェハＷの表面を合わせ込むレべリングオフセット補正、及びレチクルＲとウェハＷとの相対的な位置誤差を補正するアライメント補正等の補正量を示すデータの何れかが設定されている場合には、このデータに従って補正を行いつつ露光処理を行う。以上の制御により、逐次ショット領域にレチクルＲのパターンが転写される。
【００６２】
露光中におけるレチクル干渉計２５及びウェハ干渉計３３の検出結果、多点ＡＦセンサ４１の計測結果、露光光ＥＬの露光量制御結果、並びに不図示の照明光学系に設けられるレチクルブラインドの制御結果等の露光時に得られた各種データは、露光処理プログラムＰ２によって図４に示す露光結果ファイルＦ２に記録される。このとき、露光結果ファイルＦ２には、図３に示すデータ構造は崩さずに露光レシピＲＥの全部又は一部が記録されるとともに、露光時に得られた各種データは露光結果セクションＳＥ９に格納される。つまり、本実施形態では、露光レシピファイルＦ１に記録された露光レシピＲＥのデータ構造の全部又は一部が露光結果ファイルＦ２に引き継がれることになる。このようにレシピＲＥの内容を引き継ぐのは、露光されたウェハＷの計測を行う場合、及びサーバ１６ａに設けられた評価・分析プログラムＰ３で露光結果を評価・分析する場合に、露光レシピＲＥのデータが必要になるからである。尚、ここでは、露光レシピＲＥのうちの図５に示すレイアウトセクションＳＥ２００に設定される各セクション（ウェハ基本データセクションＳＥ２、ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３、及び露光ショットレイアウトセクションＳＥ４）が引き継がれる場合を例に挙げて説明する。
【００６３】
最初に露光すべきショット領域の露光処理が終了すると、主制御系４０はウェハステージＷＳＴをステッピング移動させて次のショット領域を走査開始位置に移動させるとともにレチクルステージ３１を走査開始位置に移動させた後、これら両ステージの移動を開始させて各々が一定速度に達して同期が取れてからレチクルＲに露光光ＥＬを照射して露光を開始する。このときにも、主制御系４０は多点ＡＦセンサ４１の計測結果に基づいて光軸ＡＸ方向におけるウェハＷの表面位置制御及びウェハＷの姿勢制御を行いつつ露光を行う。また、主制御系４０の露光処理プログラムＰ２は、露光中におけるレチクル干渉計２５及びウェハ干渉計３３の検出結果並びに多点ＡＦセンサ４１の計測結果等を露光結果ファイルＦ２の露光結果セクションＳＥ９に記録する。以下、同様にしてウェハＷ上に設定された全てのショット領域に対する露光処理を終えると、ウェハホルダ３１上に保持されているウェハＷが不図示のウェハローダにより露光装置１１外に搬出されるとともに新たなウェハＷが搬送されてウェハホルダ３１上に保持され、同様の露光処理が繰り返される。
【００６４】
露光装置１１で記録された露光結果ファイルＦ２の内容は、通信ネットワーク１７を介してサーバ１６ａに送信されて不図示の記録装置に記録される。尚、露光装置１１が定期的に露光結果ファイルＦ２の内容をサーバ１６ａに送信するよう設定してもよく、又はサーバ１６ａが定期的に露光装置１１から露光結果ファイルＦ２の内容を収集するようにしても良い。オペレータがサーバ１６ａを操作して評価・分析プログラムＰ３を実行させると、評価・分析プログラムＰ３は不図示の記録装置に記録された露光ファイルＦ２の内容を読み出して所定の演算を行い、露光時の各種制御誤差（ウェハＷの露光状態を示す情報）をサーバ１６ａに設けられた不図示の表示装置に表示し、又はその制御誤差の発生原因を分析する。ここで、表示装置に表示される制御誤差は、各ショット領域の露光時におけるフォーカス制御誤差、レベリング制御誤差、同期精度誤差、露光量制御誤差、及びレチクルブラインドの制御誤差等がある。フォーカス制御誤差は投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷ表面のＺ方向における位置誤差であり、レベリング制御誤差は投影光学系ＰＬの像面に対するウェハＷ表面の合わせ込み誤差である。また、同期精度誤差は、レチクルＲとウェハＷとのＸ方向、Ｙ方向、及びＺ軸周りの回転方向における位置誤差である。
【００６５】
ウェハＷの露光処理を終えると、例えばオフライン計測器１５を用いて露光されたウェハＷの各種計測が行われる。この計測においては、まず露光結果ファイルＦ２に記録されたレイアウトセクションＳＥ２００に格納されているデータが読み出されて、計測結果ファイルＦ３に記録される。このように、各種の計測結果を記録する計測結果ファイルＦ３にも露光レシピＲＥのデータ一部（レイアウトセクションＳＥ２００）が引き継がれる。尚、露光レシピＲＥの全部を引き継ぐようにしても良い。尚、ここではサーバ１６ａに計測結果ファイルＦ３が作成されるとする。
【００６６】
次に、計測結果ファイルＦ３に記録されたレイアウトセクションＳＥ２００のデータが通信ネットワーク１７を介してオフライン計測器１５に送信され、このデータを用いて露光されたウェハＷの各種計測が行われる。ここで、例えば計測対象のウェハＷの外形の大きさ、及びウェハＷ上に設定されたショット領域の配列が分からないと所望の計測を行うことができない。このため、露光レシピＲＥのデータ一部（レイアウトセクションＳＥ２００）を計測結果ファイルＦ３に引き継いで各種計測に用いている。オフライン計測器１５の計測結果は通信ネットワーク１７を介してサーバ１６ａで収集され、サーバ１６ａの評価・分析プログラムＰ３は収集した結果を計測結果ファイルＦ３に記録する。このとき、測定結果ファイルＦ３には、計測結果ファイルＦ３に記録されたレイアウトセクションＳＥ２００とは別に設けられる計測結果セクションＳＥ１０に収集された計測結果を示すデータが記録される。
【００６７】
ここで、上記のオフライン計測器１５では、露光時におけるフォーカス評価計測、ウェハステージＷＳＴのステッピング評価計測、レチクルＲのローテーション評価計測、投影光学系ＰＬのディストーション（歪曲収差）評価計測、ウェハＷ上に露光されるパターンの位置精度を示すレジストレーション評価計測、露光パターン線幅計測等が行われ、その計測結果が計測結果セクションＳＥ１０に記録される。また、これらの計測結果とともに、露光されたウェハＷの計測条件を示すデータ、露光されたウェハＷの露光状態を評価する評価条件を示すデータ、ウェハＷ上におけるショット領域の配置を示すデータ、及びショット領域内に配置されるウェハアライメントマークの座標を示すデータを記録しても良い。
【００６８】
露光されたウェハＷの各種計測を終えてオペレータがサーバ１６ａを操作して所定の指示を行うと、計測結果ファイルＦ３に記録されたレイアウトセクションＳＥ２００に格納されているデータが読み出されて、評価結果ファイルＦ４に記録される。このように、評価結果ファイルＦ４にも露光レシピＲＥのデータ一部（レイアウトセクションＳＥ２００）が引き継がれる。尚、露光レシピＲＥの全部を引き継ぐようにしても良い。次に、評価結果ファイルＦ４に記録されたレイアウトセクションＳＥ２００のデータが評価・分析プログラムＰ３によって読み出され、このデータと計測結果ファイルＦ３の内容とを用いた各種計算・評価が行われる。
【００６９】
ここで行われる評価は、例えばフォーカス評価、ステッピング評価、レチクルローテーション評価、ディストーション評価、レジストレーション評価、及び露光パターン線幅評価である。上記のフォーカス評価では、露光されたウェハＷの計測結果に基づいて、投影光学系ＰＬに対する最良の結像位置（ベスト・フォーカス位置）、投影光学系ＰＬの像面傾斜量、レベリング制御の実施又は不実施時のウェハＷ表面傾斜量が算出される。また、上記のステッピング評価では、露光されたウェハＷの計測結果に基づいて、ウェハステージＷＳＴのステッピングずれの最大値、最小値、平均値、及び最小有意差（３σ値）が算出される。
【００７０】
上記のレチクルローテーション評価では、露光されたウェハＷの計測結果に基づいて、ウェハ上に設定された各ショット領域を露光する際のレチクルＲの回転量（レチクルローテーション）の最大値、最小値、平均値、及び最小有意差（３σ値）が算出される。また、上記のディストーション評価では、露光されたウェハＷの計測結果に基づいて、レチクルローテーション、投影光学系ＰＬの倍率誤差等の歪み成分が算出される。上記のレジストレーション評価では、露光されたウェハＷの計測結果に基づいて、重ね合わせずれ成分が算出される。ここで、算出される重ね合わせずれ成分は、ウェハステージＷＳＴの座標系及び各ショット領域に設定される座標系の偏差（オフセット）、線形伸縮（スケーリング）、直交度、回転（ローテーション）がある。また、上記の露光パターン線幅評価では、露光されたウェハＷの計測結果に基づいて、計測線幅の最大値、最小値、平均値、及び最小有意差（３σ値）が算出される。
【００７１】
以上の評価を終えると、サーバ１６ａの評価・分析プログラムＰ３は、評価時に用いた各種の評価パラメータ及び評価結果を評価結果ファイルＦ４に記録する。このとき、これらは、評価結果ファイルＦ４に記録されたレイアウトセクションＳＥ２００とは別に設けられるセクションに記録される。つまり、評価時に用いた評価パラメータが評価パラメータセクションＳＥ１１に格納され、評価結果が評価結果セクションＳＥ１２に格納される。尚、上記の評価パラメータは、予めオペレータによって入力されており、又は評価時にオペレータの操作により入力されるものである。
【００７２】
評価結果ファイルＦ４の作成が完了すると、オペレータがサーバ１６ａを操作して評価・分析プログラムＰ３に対して所定の指示をして算出された評価結果をサーバ１６ａに設けられた不図示の表示装置に表示させる。オペレータは、表示装置に表示された表示結果を参照し、その評価結果に基づいて端末装置１６ｂを操作して露光レシピＲＥ及びその他の露光処理に関係するパラメータを修正する。尚、修正された露光レシピＲＥ及び各種パラメータは露光レシピファイルＦ１に記録されて露光レシピファイルＦ１が更新される。尚、ここでは、サーバ１６ａに表示結果を表示させる場合を例に挙げて説明するが、オペレータが端末装置１６ｂを操作してサーバ１６ａの評価結果ファイルＦ４に記録された評価結果を端末装置１６ｂに表示させるようにしても良い。
【００７３】
露光レシピＲＥ及び各種パラメータの修正が終了し、オペレータが端末装置１６ｂを操作して修正した露光レシピＲＥの送信指示を行うと、修正された露光レシピＲＥが通信ネットワーク１７を介して露光装置１１に送信される。露光装置１１の主制御系４０が露光レシピＲＥを受信した後に、オペレータからの露光処理開始指示があると、主制御系４０の露光処理プログラムＰ２が露光レシピＲＥを読み込み、これによって修正された露光レシピＲＥに基づいた露光処理が露光装置１１で開始される。露光処理を終えると、この露光レシピＲＥを用いて露光されたウェハＷを再度計測するとともに評価を行って評価結果を求める。サーバ１６ａの評価・分析プログラムＰ３で求められる評価結果が所定の要求性能を満たすまで、以上の処理を繰り返す。
【００７４】
以上説明した通り、本実施形態のデータ構造においては、露光レシピＲＥを、処理条件セクションＳＥ１００、レイアウトセクションＳＥ２００、及びシーケンスセクションＳＥ３００に大きく区分しているため、オペレータが露光レシピＲＥの内容を容易に把握することができるとともに、露光レシピＲＥの取り扱いが容易になる。
【００７５】
また、本実施形態のデータ構造においては、露光装置１１で用いられる露光レシピＲＥをレチクルデータセクションＳＥ１、ウェハ基本データセクションＳＥ２、ウェハマップレイアウトセクションＳＥ３、露光ショットレイアウトセクションＳＥ４、アライメントマークパラメータセクションＳＥ５、計測パラメータセクションＳＥ６、露光時補正パラメータセクションＳＥ７、及びシーケンスパラメータセクションＳＥ８に区分している。また、露光処理で得られる露光結果が格納される露光結果セクションＳＥ９、露光されたウェハＷの計測結果が格納される計測結果セクションＳＥ１０、露光状態を評価する評価パラメータが格納される評価パラメータセクションＳＥ１１、及び露光状態の評価結果が格納される評価結果セクションＳＥ１２に区分している。
【００７６】
このため、露光処理、計測処理、及び評価処理からなる一連の処理においてデータ構造を統一化することができる。この結果として、セクション単位でのデータの組み合わせが可能になり、更には上述したシーケンスパラメータセクションＳＥ８のように各セクション内又は各セクション間で識別子を用いてデータの参照が可能になる。これにより、露光レシピファイルＦ１、露光結果ファイルＦ２、計測結果ファイルＦ３、及び評価結果ファイルＦ４に記録されたデータを読み出し、又はこれらにデータを書き込むプログラムの作成負担を軽減することができる。また、これらに記録されたデータを他の形式のデータに変換するプログラムも共通化することもでき、外部システムとのデータ連携を強化することができる。併せて、プログラムサイズ及び露光レシピファイルＦ１等のファイルサイズを削減することができるとともに、データ管理の負荷を軽減することができる。この結果として、データ管理を容易に行うことができる。
【００７７】
尚、以上説明した実施形態では、図５〜図８に示す各セクションに区分された露光レシピＲＥが作成される場合を例に挙げて説明したが、大きく区分されたセクション（処理条件セクションＳＥ１００、レイアウトセクションＳＥ２００、及びシーケンスセクションＳＥ３００）内に設けられるセクションが変更され、又はこのセクションのデータが変更されることがある。例えば、図６に示す処理条件セクションＳＥ１００に設けられるセクションが変更され、又は処理条件セクションＳＥ１００に設けられる各セクションのデータが変更されることがある。
【００７８】
具体的には、ウェハアライメントセンサ３９でウェハＷに形成されたウェハアライメントマークを計測する場合に、スループット向上の観点から、サーチマークの計測が省略される場合がある。かかる場合には、アライメントマークパラメータセクションＳＥ５の１つとして設けられているサーチマークパラメータ、及び計測パラメータセクションＳＥ６の１つとして設けられているサーチマーク計測パラメータが省略される。また、ウェハＷ上に設定されるアライメントマークの信号処理アルゴリズムが変更されることもある。この変更に応じて、レシピファイル作成・編集プログラムＰ１、露光処理プログラムＰ２、及び評価・分析プログラムＰ３を変更するのは現実的ではない。このため、各セクション毎のデータ構造と各セクションに格納されるデータの定義とをテンプレートに登録しておき、このテンプレートをプログラムから参照するようにすれば、プログラムを変更することなくテンプレートの変更のみでデータ構造を自由に変更することができる。
【００７９】
尚、以上説明したデータ構造の実装に際しては、ＸＭＬ（Extensible Markup Language：拡張可能なマーク付け言語）を用いることが考えられる。ＸＭＬは一般的に普及している記述方法であって、前述のデータ構造を容易に実現できるとともに人間にとっても見易く比較的理解し易い。周知の通り、ＸＭＬはインターネットの標準としてＷ３Ｃより勧告されたメタ言語であって、開始タグ、終了タグ、空要素タグ等の複数のタグを用いて記述される。ここで、タグとは、要素の位置を明示して属性を収納するために記述される文字列をいう。例えば、要素“ABC”の開始タグは“<ABC>”と記述され、その終了タグは“</ABC>”と記述される。
【００８０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に制限されず、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態においては、露光装置でウェハＷを露光するときの処理結果を露光結果ファイルＦ２に記録するようにしていたが、基板処理装置として露光装置とともに他の装置が設けられる場合には、その装置で行われる処理結果を露光結果とともに露光結果ファイルに記録するようにしても良い。
【００８１】
また、上記実施形態における露光装置１１は、国際公開第９９／４９５０４号公報に開示されているような液浸法を用いる露光装置であってもよく、液浸法を用いない露光装置であってもよい。液浸法を用いる露光装置は、投影光学系ＰＬとウェハＷとの間を局所的に液体で満たす液浸露光装置、特開平６−１２４８７３号公報に開示されているような露光対象の基板を保持したステージを液槽の中で移動させる液浸露光装置、特開平１０−３０３１１４号公報に開示されているようなステージ上に所定深さの液体槽を形成し、その中に基板を保持する液浸露光装置の何れの露光装置であっても良い。
【００８２】
また、上記の露光装置は、半導体素子の製造に用いられてデバイスパターンを半導体ウェハ上へ転写する露光装置、液晶表示素子（ＬＣＤ）等を含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられてデバイスパターンをセラミックウェハ上へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置等の何れであっても良い。更には、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置等で使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウェハ等に回路パターンを転写する露光装置であっても良い。
【００８３】
次に、マイクロデバイスの製造方法について説明する。図９は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造工程の一例を示すフローチャートである。図９に示すように、まず、ステップＳ１０（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１１（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクル）を製作する。一方、ステップＳ１２（ウェハ製造ステップ）において、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。
【００８４】
次に、ステップＳ１３（ウェハ処理ステップ）において、ステップＳ１０〜ステップＳ１２で用意したマスクとウェハを使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によってウェハ上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１４（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１３で処理されたウェハを用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１４には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１５（検査ステップ）において、ステップＳ１４で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００８５】
図１０は、半導体デバイスの場合における、図９のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。図１０において、ステップＳ２１（酸化ステップ）においてはウェハの表面を酸化させる。ステップＳ２２（ＣＶＤステップ）においてはウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ２３（電極形成ステップ）においてはウェハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ２４（イオン打込みステップ）においてはウェハにイオンを打ち込む。以上のステップＳ２１〜ステップＳ２４のそれぞれは、ウェハ処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００８６】
ウェハプロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ２５（レジスト形成ステップ）において、ウェハに感光剤を塗布する。引き続き、ステップＳ２６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置）及び露光方法によってマスクの回路パターンをウェハに転写する。次に、ステップＳ２７（現像ステップ）においては露光されたウェハを現像し、ステップＳ２８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ２９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】本発明の一実施形態による基板処理装置を備える基板処理システムの構成を示すブロック図である。
【図２】露光装置の概略構成を示す図である。
【図３】露光装置１１で用いられる露光レシピの基本的なデータ構造を示す図である。
【図４】基板処理システム１で用いられるデータの処理フローを示す図である。
【図５】実際に作成される露光レシピＲＥのデータ構造を示す図である。
【図６】処理条件セクションＳＥ１００に設定されるセクションの一例を示す図である。
【図７】レイアウトセクションＳＥ２００に設定されるセクションの一例を示す図である。
【図８】シーケンスセクションＳＥ３００に設定される識別子の一例を示す図である。
【図９】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図１０】半導体デバイスの場合における、図９のステップＳ１３の詳細なフローの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００８８】
１１          露光装置
ＥＬ          露光光
Ｐ１          レシピファイル作成・編集プログラム
Ｐ２          露光処理プログラム
Ｐ３          評価・分析プログラム
ＰＬ          投影光学系
Ｒ            レチクル（マスク）
ＳＥ１        レチクルデータセクション（第１データ領域）
ＳＥ２        ウェハ基本データセクション（第２データ領域）
ＳＥ３        ウェハマップレイアウトセクション（第３データ領域）
ＳＥ４        露光ショットレイアウトセクション（第４データ領域）
ＳＥ５        アライメントマークパラメータセクション（第５データ領域）
ＳＥ６        計測パラメータセクション（第６データ領域）
ＳＥ７        露光時補正パラメータセクション（第７データ領域）
ＳＥ８        シーケンスパラメータセクション（第８データ領域）
ＳＥ９        露光結果セクション（第９データ領域）
ＳＥ１０      計測結果セクション（第１０データ領域）
ＳＥ１１      評価パラメータセクション（第１１データ領域）
ＳＥ１２      評価結果セクション（第１２データ領域）
ＳＥ１００    処理条件セクション
ＳＥ２００    レイアウトセクション
ＳＥ３００    シーケンスセクション
Ｗ            ウェハ（基板）
【図１】
2006186254.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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