(57)【要約】【課題】マスクレス・リソグラフィ・システム内のデータ経路内で使用可能な帯域幅をより効率的に使用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法を提供すること。【解決手段】一連の放射線のサブビームとして放射線のビームを投影するように構成された投影システムと、要求ドーズ・パターンを基板上で形成するために、放射線のサブビームを変調するように構成された個別に制御可能な要素のアレイとを含むリソグラフィ装置。要求ドーズ・パターンは、少なくとも隣接する局所露光部が実質的に異なる時間で結像され、また各局所露光部が放射線のサブビームの１つによって生成される一連の局所露光部から時間の経過につれて構築される。本リソグラフィ装置はまた、データを変換するように構成されたラスタライザ・デバイス、また、個別に制御可能な要素のアレイを制御するのに適した制御信号を構築するように構成されたデータ操作デバイスをも含む。【選択図】図３
2006186371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一連の放射線のサブビームとして放射線のビームを基板上に投影するように構成された投影システムと、
要求ドーズ・パターンを前記基板上で実質的に形成するように、前記放射線のサブビームを変調するように構成された個別に制御可能な要素のアレイであって、前記要求ドーズ・パターンが、少なくとも隣接する局所露光部が実質的に異なる時間で結像される、また各局所露光部が前記放射線のサブビームの１つによって生成される一連の局所露光部から時間の経過につれて構築される、個別に制御可能な要素のアレイと、
前記要求ドーズ・パターンを定義するデータを、パターン内の対応する一続きの点において要求ドーズを表す一続きのデータに変換するように構成されたラスタライザ・デバイスと、
前記一続きのデータを受け取り、そこから、前記個別に制御可能な要素のアレイを制御するのに適した制御信号を構築するように構成されたデータ操作デバイスであって、前記要求ドーズ・パターンを再現するように、各局所露光部について所望のサブビーム強度を計算するように構成され、前記計算が、各局所露光部について、前記基板上の前記局所露光部の周りのある領域内の前記要求ドーズ・パターンを含むコンテキスト情報に基づくものであり、前記データ操作デバイスが、
前記一続きのデータの少なくとも一部分を含む前記コンテキスト情報の少なくとも一部分を記憶するように構成されたメモリ・バッファと、
前記メモリ・バッファによって提供された前記コンテキスト情報に基づいて、前記複数の隣接する局所露光部について前記所望のサブビーム強度を計算するように構成された所望のサブビーム強度計算デバイスとを含む、データ操作デバイスと
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記所望のサブビーム強度計算デバイスによって実施された計算の結果を記憶するように構成された第２のメモリ・バッファと、
実質的に関連する局所露光部が結像される順序で所望のサブビーム強度が前記個別に制御可能な要素のアレイに供給されるような形で、前記制御信号を前記記憶された結果から構築するように構成されたデータ再順序付けデバイスとをさらに備える請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記メモリ・バッファ内で記憶されている前記一続きのデータの前記一部分のサイズが、前記所望のサブビーム強度計算デバイス内で使用される前記コンテキスト情報の量によって決定される請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記所望のサブビーム強度計算デバイスが、前記投影システムに対する前記基板の移動の方向に垂直な方向に沿って定義された前記局所露光部の行内の前記局所露光部のうち少なくとも２つについて前記所望のサブビーム強度を計算してから、前記行内の前記少なくとも２つの局所露光部の第１のものが結像されるように構成される請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記所望のサブビーム強度計算デバイスが、前記投影システムに対する前記基板の移動の方向に垂直な方向に沿って定義された、前記データ操作デバイスが処理する前記パターンの一部分の前記局所露光部の行全体について前記所望のサブビーム強度を計算してから、前記行全体の第１の局所露光部が結像されるように構成される請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記メモリ・バッファがシフト・レジスタを備える請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記データ操作デバイスが、結像中に前記制御信号を計算するように構成され、前記メモリ・バッファが、結像中に前記データ操作デバイスにとってアクセス可能である請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
デバイス製造方法であって、
一連の放射線のサブビームとして放射線のビームを基板上に投影するステップと、
要求ドーズ・パターンを前記基板上で実質的に形成するように、個別に制御可能な要素のアレイを用いて前記放射線のサブビームを変調するステップであって、前記要求ドーズ・パターンが、少なくとも隣接する局所露光部が実質的に異なる時間で結像される、また各局所露光部が前記放射線のサブビームの１つによって生成される一連の局所露光部から時間の経過につれて構築されるステップと、
前記要求ドーズ・パターンを定義するデータを、パターン内の対応する一続きの点において要求ドーズを表す一続きのデータに変換するステップと、
データ操作デバイス部で前記一続きのデータを受け取るステップと、
前記データ操作デバイス部で、前記個別に制御可能な要素のアレイを制御するのに適した制御信号を構成するステップと、
前記データ操作デバイス部で、前記要求ドーズ・パターンを再現するように、各局所露光部について所望のサブビーム強度を計算するステップであって、前記計算が、各局所露光部について、前記基板上の前記局所露光部の周りのある領域内の前記要求ドーズ・パターンを含むコンテキスト情報に基づくものであり、前記データ操作デバイスが、
前記一続きのデータの少なくとも一部分を含む前記コンテキスト情報の少なくとも一部分を記憶するように構成されたメモリ・バッファと、
前記メモリ・バッファによって提供された前記コンテキスト情報に基づいて、前記複数の隣接する局所露光部について前記所望のサブビーム強度を計算するように構成された所望のサブビーム強度計算デバイスとを含むステップと
を含む方法。
【請求項９】
前記一続きのデータの少なくとも一部分を含む前記コンテキスト情報の少なくとも一部分を記憶するステップをさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記メモリ・バッファによって提供された前記コンテキスト情報に基づいて、前記複数の隣接する局所露光部について前記所望のサブビーム強度を計算するステップをさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法を使用して形成されたフラット・パネル・ディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板（たとえば、加工物、物体、ディスプレイなど）の標的部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、たとえば、集積回路（ＩＣ）、フラット・パネル・ディスプレイ、及び微細構造を含む他のデバイスの製造時に使用することができる。従来のリソグラフィ装置では、選択可能にマスク又はレチクルと呼ばれるパターン形成手段を使用し、ＩＣ（又は、他のデバイス）の個々の層に対応する回路パターンを生成することができ、このパターンを、感放射線性材料（たとえば、レジスト）の層を有する基板（たとえば、シリコン・ウェハ又はガラス板）上の（たとえば、ダイの一部、１つのダイ、又はいくつかのダイを含む）標的部分上に結像することができる。パターン形成手段は、マスクの代わりに、回路パターンを生成する個別に制御可能な要素のアレイを含むことができる。そのようなアレイを使用するリソグラフィ・システムは、概してマスクレス・システムとして説明される。
【０００３】
一般に、単一の基板は、連続して露光される、隣接する標的部分のネットワークを含むことになる。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で標的部分上に露光することによって各標的部分が照射されるステッパと、所与の方向（「走査」方向）でビームを介してパターンを走査し、一方、この方向に平行又は逆平行で基板を同期走査することによって各標的部分が照射されるスキャナとが含まれる。
【０００４】
基板上で生み出される製品パターンは、たとえばＧＤＳ  ＩＩ（Ｇｒａｐｈｉｃ  Ｄｅｓｉｇｎ  Ｓｙｓｔｅｍ  ＩＩ）フォーマットに従って、ベクトル設計パッケージを使用して定義することができる。マスクレス・システムでは、そのような設計パッケージからの出力ファイルを処理し、他の処理段階を含むことができるデータ経路を介して、個別に制御可能な要素のアレイに送られる制御信号を導出する。その制御信号は、個別に制御可能な要素のアレイによってパターン形成される放射線の各フラッシュについてそのアレイの各要素の切替えを管理するための情報を含む（典型的なストローブ周波数は、この応用例の場合、５０ｋＨｚの領域内にある）。そのようなボリュームのデータを転送するために必要とされる帯域幅は、非常に大きなものとなる可能性がある。データ経路内で行われる（出力ファイルと個別に制御可能な要素のアレイとの）データ変換や最適化処理によってその状況は悪化した。これらのデータ処理ステップは、（大量のデータをオフラインで記憶しなければならないことを回避するために、また、装置条件の変化に対して応答を可能にするために）結像中にしばしば実施され、個別に制御可能な要素のアレイに送信されるデータの諸部分に対するアクセスを必要とする。上述のデータ処理に対処するために、高速処理手段、及び他の高帯域幅接続をデータ経路内に組み込むことが必要とされ、コスト、及び／又は（ａｎｄ／ｏｒ）、要求イメージを基板に書き込むことができる速度及び精度に対する制限がさらに増大する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、マスクレス・リソグラフィ・システム内のデータ経路内で使用可能な帯域幅をより効率的に使用するリソグラフィ装置及びデバイス製造方法が求められている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施例によれば、投影システムと、個別に制御可能な要素のアレイと、ラスタライザ・デバイスと、データ操作デバイスとを含むリソグラフィ装置が提供される。投影システムは、一連の放射線のサブビームとして放射線のビームを基板上に投影するように構成される。個別に制御可能な要素のアレイは、要求ドーズ・パターンを基板上で実質的に形成するように、放射線のサブビームを変調するように構成される。要求ドーズ・パターンは、少なくとも隣接する局所露光部（ｌｏｃａｌｉｚｅｄ  ｅｘｐｏｓｕｒｅ）が実質的に異なる時間で結像される、また各局所露光部が放射線のサブビームの１つによって生成される一連の局所露光部から時間の経過につれて構築される。ラスタライザ・デバイスは、要求ドーズ・パターンを定義するデータを、パターン内の対応する一続きの点において要求ドーズを表す一続きのデータに変換するように構成される。データ操作デバイスは、その一続きのデータを受け取り、そこから、その個別に制御可能な要素のアレイを制御するのに適した制御信号を構築するように構成される。データ操作デバイスは、要求ドーズ・パターンを再現するように、各局所露光部について所望のサブビーム強度を計算するように構成される。その計算は、各局所露光部について、基板上の局所露光部の周りのある領域内の要求ドーズ・パターンを含むコンテキスト情報に基づくものである。データ操作デバイスは、その一続きのデータの一部分を記憶するように構成されたメモリ・バッファを含む。データ操作デバイスはまた、メモリ・バッファによって提供されたコンテキスト情報に基づいて、複数の隣接する局所露光部について所望のサブビーム強度を計算するように構成された所望のサブビーム強度計算デバイスをも含む。
【０００７】
他の実施例によれば、一連の放射線のサブビームとして放射線のビームを基板上に投影するステップと、要求ドーズ・パターンを基板上で実質的に形成するように、個別に制御可能な要素のアレイを用いて放射線のサブビームを変調するステップとを含むデバイス製造方法が提供される。要求ドーズ・パターンは、少なくとも隣接する局所露光部が実質的に異なる時間で結像される、また各局所露光部が放射線のサブビームの１つによって生成される一連の局所露光部から時間の経過につれて構築される。本方法は、要求ドーズ・パターンを定義するデータを、パターン内の対応する一続きの点において要求ドーズを表す一続きのデータに変換するステップと、データ操作デバイス部でその一続きのデータを受け取るステップと、そのデータ操作デバイス部で、その個別に制御可能な要素のアレイを制御するのに適した制御信号を構成するステップと、そのデータ操作デバイス部で、要求ドーズ・パターンを再現するように、各局所露光部について所望のサブビーム強度を計算するステップとをさらに含む。その計算は、各局所露光部について、基板上の局所露光部の周りのある領域内の要求ドーズ・パターンを含むコンテキスト情報に基づくものである。データ操作デバイスは、その一続きのデータの一部分を記憶するように構成されたメモリ・バッファを含む。データ操作デバイスはまた、メモリ・バッファによって提供されたコンテキスト情報に基づいて、複数の隣接する局所露光部について所望のサブビーム強度を計算するように構成された所望のサブビーム強度計算デバイスをも含む。
【０００８】
本発明の他の実施例、特徴、利点、並びに本発明の様々な実施例の構造及び動作について、以下、添付の図面を参照しながら詳しく述べる。
【０００９】
本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を例示し、説明と共に、さらに本発明の原理を説明するように、また当業者が本発明を作成し使用することができるように働く。
【００１０】
次に、本発明について、添付の図面を参照しながら述べる。図面では、同じ参照番号が、同一の又は機能的に同様の要素を示す可能性がある。
【実施例】
【００１１】
概要及び用語
本文中では、集積回路（ＩＣ）の製造時におけるリソグラフィ装置の使用を具体的に参照する可能性があるが、本明細書で述べられているリソグラフィ装置には、たとえば、ＤＮＡチップ、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）、光微小電気機械システム（ＭＯＥＭＳ）、集積光学系、磁区メモリ用のガイド及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ流体／マクロ流体デバイスなどの製造など、他の応用分野があり得ることを理解されたい。そのような代替応用例の文脈において、本明細書における「ウェハ」又は「ダイ」という用語のどのような使用も、それぞれより一般的な用語である「基板」又は「標的部分」と同義と見なすことができることを、当業者なら理解するであろう。本明細書で参照されている基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（たとえば、一般に、レジストの層を基板に付着し、露光されたレジストを現像するツール）、又は測定若しくは検査ツール内で処理することができる。適用可能な場合、本明細書における開示は、そのような、また他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを作成するために複数回処理することができ、その結果、本明細書で使用される基板という用語は、すでに複数の処理済みの層を含む基板を指すこともあり得る。
【００１２】
本明細書で使用される「個別に制御可能な要素のアレイ」という用語は、パターン形成された断面を入来放射線ビームに与えるために使用することができ、その結果、所望のパターンを基板の標的部分内で作成することができる任意のデバイスを指すように広く解釈すべきである。また、「ライト・バルブ」及び「空間光変調器（ＳＬＭ）」という用語をもこの文脈で使用することができる。そのようなパターン形成デバイスの諸実施例について、以下で述べる。
【００１３】
プログラム可能なミラー・アレイは、粘弾性制御層及び反射表面を有するマトリクス・アドレス可能な表面を備えることができる。そのような装置の背景にある基本原理は、たとえば、反射表面のアドレスされたエリアが入射光を回折光として反射し、一方、アドレスされないエリアが入射光を非回折光として反射することである。
【００１４】
適切な空間フィルタを使用すると、そのフィルタは、その回折光を濾波し、基板に到達する非回折光を残すことができる。このようにして、マトリクス・アドレス可能な表面のアドレッシング・パターンに従って、ビームがパターン形成される。別法として、非回折光を反射されたビームから濾波し、基板に到達する回折光を残すことができることは理解されよう。回折光微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのアレイをも対応する形で使用することができる。各回折光ＭＥＭＳデバイスは、入射光を回折光として反射するグレーティングを形成するように互いに変形することができる複数の回折リボンを含むことができる。
【００１５】
他の代替実施例は、小さな鏡の行列構成を使用するプログラム可能なミラー・アレイを含むことができ、小さな鏡のそれぞれは、適切な局所電界を印加することにより、又は圧電始動手段を使用することにより、軸の周りで個々に傾斜させることができる。この場合も、鏡はマトリクス・アドレス可能であり、その結果、アドレスされた鏡は、アドレスされない鏡に対して異なる方向で入来放射線ビームを反射することになる。このようにして、反射されたビームは、マトリクス・アドレス可能な鏡のアドレッシング・パターンに従ってパターン形成される。必要とされるマトリクス・アドレッシングは、適切な電子手段を使用して実施することができる。
【００１６】
上述の状況のどちらも、個別に制御可能な要素のアレイは、１つ又は複数のプログラム可能なミラー・アレイを備えることができる。本明細書で参照されているミラー・アレイに関するさらなる情報は、たとえば、米国特許第５，２９６，８９１号及び米国特許第５，５２３，１９３号、並びにＰＣＴ特許出願ＷＯ９８／３８５９７及びＷＯ９８／３３０９６から収集することができ、これらは、その全文を参照により本明細書に組み込む。プログラム可能なＬＣＤアレイをも使用することができる。そのような構造の一実施例は、米国特許第５，２２９，８７２号にあり、これは、その全文を参照により本明細書に組み込む。
【００１７】
たとえば、フィーチャのプリバイアス（ｐｒｅ−ｂｉａｓｉｎｇ  ｏｆ  ｆｅａｔｕｒｅｓ）、光学近接補正機能（ｏｐｔｉｃａｌ  ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ  ｆｅａｔｕｒｅｓ）、位相変動技法（ｐｈａｓｅ  ｖａｒｉａｔｉｏｎ  ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ）、及び複数の露光技法が使用される場合、個別に制御可能な要素のアレイ上で「表示」されたパターンは、基板に属する、又は基板上の層に最終的に転写されるパターンと実質的に異なる可能性がある。同様に、基板上で最終的に生成されるパターンは、個別に制御可能な要素のアレイ上で任意のある瞬間に形成されたパターンに対応しない可能性がある。これは、基板の各部上で形成される最終的なパターンが所与の時間又は所与の露光回数にわたって構築され、その間に個別に制御可能な要素のアレイ上のパターン及び／又は基板の相対位置が変化する構成の場合とすることができる。
【００１８】
本明細書で使用される「放射線」及び「ビーム」という用語は、（たとえば、波長４０８、３５５、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍを有する）紫外線（ＵＶ）及び（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する）極紫外線（ＥＵＶ）、並びに、イオン・ビーム又は電子ビームなど粒子ビームを含む、あらゆるタイプの電磁放射線を包含する。
【００１９】
本明細書で使用される「投影システム」という用語は、たとえば、使用される露光放射線に対して、或いは、浸漬流体の使用又は真空の使用など他の要因に対して適切なように、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系を含む様々なタイプの投影システムを包含すると広く解釈すべきである。本明細書における「レンズ」という用語のどの使用も、「投影システム」というより一般的な用語と同義と見なすことができる。
【００２０】
照明システムはまた、放射線の投影ビームを誘導する、形作る、又は制御するために、屈折構成要素、反射構成要素、カタディオプトリック光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素を包含することができ、そのような構成要素もまた下記で、集合的又は単数で「レンズ」と称される可能性がある。
【００２１】
本リソグラフィ装置は、２つ（たとえば、デュアル・ステージ）以上の物体（又は基板）テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとすることができる。そのような「複数ステージ」機では、追加テーブルを同時に使用することができ、或いは、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に、１つ又は複数のテーブルに対して準備ステップを実施することができる。
【００２２】
本リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（たとえば水）に基板が浸漬されるタイプのものとすることができる。また、浸漬液は、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえば、プログラム可能なマスク（すなわち、制御可能な要素のアレイ）と投影システムの最初の要素との間に、且つ／又は投影システムの最初の要素と基板の間に適用することができる。液浸技法は、投影システムの開口数を増大するために、当技術分野で周知である。
【００２３】
さらに、本装置は、流体と、基板の照射された部分との間の相互作用を可能にするために（たとえば、化学薬品を基板に選択的に添着するために、或いは基板の表面構造を選択的に修正するために）、流体処理セルを備えることができる。
【００２４】
リソグラフィ装置
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ投影装置１００を概略的に示す。装置１００は、少なくとも放射システム１０２と、個別に制御可能な要素のアレイ１０４と、物体テーブル１０６（たとえば、基板テーブル）と、投影システム（レンズ）１０８とを含む。
【００２５】
放射システム１０２は、放射線のビーム１１０（たとえば、ＵＶ放射）を供給するために使用することができ、この特定の場合には、放射線源１１２をも備える。
【００２６】
個別に制御可能な要素のアレイ１０４（たとえば、プログラム可能なミラー・アレイ）は、パターンをビーム１１０に適用するために使用することができる。一般に、個別に制御可能な要素のアレイ１０４の位置は、投影システム１０８に対して固定することができる。しかし、代替の構成では、個別に制御可能な要素のアレイ１０４は、投影システム１０８に対して正確に位置決めするために、位置決めデバイス（図示せず）に接続することができる。本明細書では、個別に制御可能な要素１０４は、（たとえば、個別に制御可能な要素の反射性アレイを有する）反射タイプのものである。
【００２７】
物体テーブル１０６は、基板１１４（たとえば、レジスト・コーティング済みシリコン・ウェハ又はガラス基板）を保持するための基板ホルダ（具体的に図示せず）を備えることができ、物体テーブル１０６は、基板１１４を投影システム１０８に対して正確に位置決めするために位置決めデバイス１１６に接続することができる。
【００２８】
投影システム１０８（たとえば、石英及び／又はＣａＦ２レンズ系、或いは、そのような材料製のレンズ要素、又はミラー系を備えるカタディオプトリック系）は、ビーム・スプリッタ１１８から受け取られたパターン形成済みビームを、基板１１４の標的部分１２０（たとえば、１つ又は複数のダイ）上に投影するために使用することができる。投影システム１０８は、個別に制御可能な要素のアレイ１０４のイメージを基板１１４上に投影することができる。別法として、投影システム１０８は、個別に制御可能な要素のアレイ１０４の諸要素がシャッタとして動作する２次線源のイメージを投影することができる。投影システム１０８はまた、下記でより詳しく論じるように、２次線源を形成するために、また、マイクロスポットを基板１１４上に投影するために、マイクロ・レンズ・アレイ（ＭＬＡ）をも備えることができる。
【００２９】
線源１１２（たとえば、周波数が３倍にされたＮｄ：ＹＡＧレーザ）は、放射線のビーム１２２を生成することができる。ビーム１２２は、直接に、又は、たとえばビーム・エキスパンダなど条件付けデバイス１２６を横切った後で照明システム（イルミネータ）１２４内に送られる。イルミネータ１２４は、ズームを設定し、ビーム１２２のスポット・サイズを調整するための調整デバイス１２８を備えることができる。さらに、イルミネータ１２４は、一般に、スポット・ジェネレータ１３０及びコンデンサ１３２など、様々な他の構成要素を含むことになる。たとえば、スポット・ジェネレータ１３０は、それだけには限らないが、屈折又は回折グレーティング、セグメント化されたミラー・アレイ、導波路などとすることができる。このようにして、個別に制御可能な要素のアレイ１０４上に入射するビーム１１０は、その断面において所望のズーム、スポット・サイズ、均一性、及び強度分布を有する。
【００３０】
図１に関して、線源１１２は、リソグラフィ投影装置１００のハウジング内にある可能性があることに留意されたい。代替実施例では、線源１１２はまた、リソグラフィ投影装置１００から離すことができる。この場合、放射線ビーム１２２は、（たとえば、適切な誘導ミラーの助けにより）装置１００内に導かれることになる。これらの状況は共に、本発明の範囲内で企図されていることを理解されたい。
【００３１】
ビーム１１０は、その後、ビーム・スプリッタ１１８を使用して導かれた後で、個別に制御可能な要素のアレイ１０４を横切る。ビーム１１０は、個別に制御可能な要素のアレイ１０４によって反射されて投影システム１０８を通過し、投影システム１０８は、ビーム１１０を基板１１４の標的部分１２０上に集束する。
【００３２】
物体テーブル１０６は、位置決めデバイス１１６（また、任意選択で、ビーム・スプリッタ１４０を介して干渉ビーム１３８を受け取る、ベース・プレート１３６上の干渉測定デバイス１３４）の助けにより、様々な標的部分１２０をビーム１１０の経路内で位置決めするように、正確に移動することができる。個別に制御可能な要素のアレイ１０４用の位置決めデバイスは、使用される場合、たとえば走査中に、ビーム１１０の経路に対して、個別に制御可能な要素のアレイ１０４の位置を正確に補正するために使用することができる。一般に、物体テーブル１０６の移動は、図１には明示的に示されていないが、ロング・ストローク・モジュール（粗い位置決め）及びショート・ストローク・モジュール（細かい位置決め）の助けにより実現される。また、同様なシステムを使用し、個別に制御可能な要素のアレイ１０４を位置決めすることができる。必要とされる相対移動を実現するために、別法として／追加としてビーム１１０を移動可能とし、一方、物体テーブル１０６及び／又は個別に制御可能な要素のアレイ１０４が固定位置を有することができることは理解されよう。
【００３３】
この実施例の代替構成では、基板１１４が物体テーブル１０６の上で移動可能な状態で、物体テーブル１０６を固定とすることができる。これが行われる場合、物体テーブル１０６は、平坦な最上面上に多数の開口を備え、その開口を介してガスが共有され、基板１１４を支持することが可能であるガス・クッションを提供する。これは、従来、空気ベアリング構成と呼ばれる。基板１１４は、基板１１４をビーム１１０の経路に対して正確に位置決めすることが可能である１つ又は複数のアクチュエータ（図示せず）を使用して、物体テーブル１０６の上で移動される。別法として、基板１１４は、開口を介したガスの通過を選択的に開始及び停止することによって、物体テーブル１０６の上を移動させることができる。
【００３４】
本発明によるリソグラフィ装置１００は、本明細書では、基板上のレジストを露光するためのものとして述べられているが、本発明は、この使用に限定されず、レジストレス・リソグラフィにおいて使用するために、装置１００を使用し、パターン形成済みビーム１１０を投影することができることは理解されよう。
【００３５】
図の装置は、５つのモードで使用することができる。
１．ステップ・モード：個別に制御可能な要素のアレイ１０４上のパターン全体が標的部分１２０上に１回（すなわち、１回の「フラッシュ」）で投影される。次いで、物体テーブル１０６は、パターン形成済みビーム１１０によって照射される異なる標的部分１２０について異なる位置に、Ｘ及び／又はＹ方向で移動される。
２．走査モード：本質的にステップ・モードと同じであるが、所与の標的部分１２０が１回の「フラッシュ」で露光されない。その代わりに、個別に制御可能な要素のアレイ１０４は、所与の方向（いわゆる「走査方向」、たとえばｙ方向）に速度ｖで移動可能であり、その結果、パターン形成済みビーム１１０は個別に制御可能な要素のアレイ１０４全体にわたって走査させられる。それと共に、物体テーブル１０６は、同方向又は反対方向に速度Ｖ＝Ｍｖで同時に移動される。この式でＭは、投影システム１０８の倍率である。このようにして、解像度を損なうことなく、比較的大きな標的部分１２０を露光することができる。
３．パルス・モード：個別に制御可能な要素のアレイ１０４が本質的に静止したまま保たれ、パターン全体が、パルス放射システム１０２を使用して、基板１１４の標的部分１２０上に投影される。物体テーブル１０６は、本質的に一定の速度で移動され、その結果、パターン形成済みビーム１１０は、基板１１４全体にわたってラインを走査する。個別に制御可能な要素のアレイ１０４上のパターンは、放射システム１０２のパルス間で必要に応じて更新され、パルスは、連続する標的部分１２０が基板１１４上の必要とされる位置で露光されるように調時される。したがって、パターン形成済みビーム１１０は、基板１１４の帯について完全なパターンを露光するように、基板１１４全体にわたって走査することができる。このプロセスは、完全な基板１１４がラインごとに露光されるまで繰り返される。
４．連続走査モード：本質的にパルス・モードと同じであるが、実質的に一定の放射システム１０２が使用され、個別に制御可能な要素のアレイ１０４上のパターンは、パターン形成済みビーム１１０が基板１１４全体にわたって走査し、それを露光したとき更新される。
５．ピクセル・グリッド結像モード：基板１１４上で形成されるパターンは、アレイ１０４上に導かれる、スポット・ジェネレータ１３０によって形成されたスポットをその後で露光することによって実現される。露光されたスポットは、実質的に同じ形状を有する。基板１１４上では、スポットが実質的にグリッドでプリントされる。一実施例では、スポット・サイズは、プリントされたピクセル・グリッドのピッチより大きいが、露光スポット・グリッドよりはるかに小さい。プリントされるスポットの強度を変えることにより、パターンが実現される。露光フラッシュ間では、スポット群全体にわたる強度分布が変わる。
【００３６】
上述の使用モード又は全く異なる使用モードに対する組合せ及び／又は変形形態をも、使用することができる。
【００３７】
結像系
図２は、本発明の諸実施例による、個別に制御可能な要素のアレイ１０４の一構成を示す。図の構成によれば、アレイ１０４内の要素のグループ群は、「スーパーピクセル」１０として共に結像される。しかし、スーパーピクセルを使用するのではなく、単一のピクセルを別々に結像することも依然として本発明の範囲内にある。各（スーパー）ピクセル１０は、放射線のサブビーム３５を生成し、サブビーム３５は、説明を簡単にするために、２つの簡単なレンズ３１及び３２からなり、その２つの間に開口絞り３３が位置して示されている光学系３０を通過する。この位置における開口絞り３３は、基板１１４に到達する望ましくない放射線のレベルを低減するために必要である。各（スーパー）ピクセル１０からの放射線は、光学系３０を通過した後で、マイクロレンズ・アレイ１６内のマイクロレンズ１５上に入射し、マイクロレンズ・アレイ１６は、各サブビーム３５を、基板１１４の表面部で、局所領域又は「スポット」（２０ａ〜２０ｄ）上に集束する。スーパーピクセル１０のための典型的な構成が図に示されており、５×５個の要素の方形グリッドを含む。こうして形成されたスポット・グリッド２０内のスポットそれぞれの強度は、各（スーパー）ピクセル１０を構成する個別に制御可能な要素のアレイ１０４内の要素の傾斜を制御することによって、入射レーザ光の各フラッシュについて制御される。
【００３８】
スポット・グリッド２０内のスポットの分離は、３００ミクロン程度のものであり、これは、典型的には３ミクロン程度である典型的なＣＤ（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｄｉｍｅｎｓｉｏｎｓ）（結像することができる最も小さいフィーチャの尺度）よりはるかに大きい。局所露光部のより密集したパターン、すなわち「露光後スポット・グリッド」は、周期的にフラッシュするレーザ源を使用し、矩形スポット・グリッドの軸の１本２２を走査軸Ｙに対して小さな角度だけオフセットさせて、走査方向Ｙに沿って基板を移動することによって達成される（図３参照）。論じられている実施例によれば、レーザは、５０ｋＨｚでフラッシュするように構成され、基板は、毎秒６２．５ｍｍの速度で移動される。その結果、局所露光部が１．２５ミクロンだけＹ方向で分離される。走査方向Ｙに垂直なＸ方向における分離は、スポット・グリッドが走査軸Ｙに対してなす角度によって決まる。（これらの値、並びに他の実施例で提供されている値は、限定ではなく例として提供されている。）
【００３９】
その構成が図３で概略的に示されており、基板１１４上で均一なドーズ・マップ又はパターンを生成するように構成されたスポット・グリッドについてのある時のスナップショットを表す。塗り潰された円は、ある所与の時間におけるスポット・グリッド内のスポットそれぞれの位置を表し、一方、白抜きの円は、より早い時に書き込まれたスポットを表す（すなわち、露光後スポット・グリッド内の、「局所露光部」とも呼ばれる「露光後スポット」を表す）。見やすくするために重なり合いなしで示されているが、各スポットの強度プロフィルは、通常、その隣接部と重なり合うように構成されるはずである。基板１１４は、図では、ページに対して固定されて保持されている投影システム１０８及びスポット・グリッドに対して、Ｙ軸に沿って上向きに移動しつつある。Ｙ軸に対する軸２２の角度は、見やすくするために誇張されており、作業用装置には、はるかに小さな角度を使用することができる（それに応じて、スポット分離２４対スポット分離２６の比率もまた、この実施例に示されているものよりはるかに高くなるはずである）。スポット２０ａ〜２０ｄは、図２で同じように採番された、しかし軸２２に沿って見た集束ビームに対応する。
【００４０】
本発明の一実施例に従って使用されるレーザ・モードは、ＴＥＭ００であり、光学系を介して基板１１４までずっと維持されるガウス形状の強度プロフィルが得られる。しかし、他のレーザ・モードや強度プロフィルを使用することもできる。あるパターンの連続的な強度は、隣接するスポットが重なり合うように構成することによって達成される。上述のように、述べられている実施例による最も近いスポット分離は、１．２５ミクロンであり、それぞれに関連するガウシアンの典型的な標準偏差は、約０．７５ミクロンになることになる。
【００４１】
この実施例によれば、スポット４１及びスポット４２など、Ｙ方向で隣接スポットであるスポットは、レーザ・ビームの周期（０．０２ｍｓ）によって分離された、比較的間隔の近い時間で結像される。一方、スポット４３及びスポット４４など、Ｘ方向で隣接スポットであるスポットは、全く異なる時間で結像される。たとえば、スポット・グリッド内のスポット間の分離が３２０ミクロンである場合、Ｘ方向にある次の隣接スポットを露光するために、１．２５マイクロメートルの露光後スポット距離で２５６回のフラッシュが必要とされることになる。
【００４２】
上述のように、データ経路に沿ってアレイ１０４に制御信号が送信される。そのデータ経路は、リソグラフィ装置のユーザによって要求された放射線のドーズ・マップ又はパターンを信号に変換するように働き、その信号が、アレイ１０４に、基板１１４上で要求ドーズ・マップを生成させることになる。このプロセスを実施するために、そのデータ経路は、図４に示されているデータ操作デバイス５０を含む処理装置を含み、データ操作デバイス５０は、要求パターンの、ある（通常、部分的に処理された）バージョンを含む入来データ・ストリームを解析し、必要な信号をアレイ１０４に、又はアレイ１０４に渡す前にデータ・ストリームをさらに処理するデバイスに出力するように構成される。データ操作デバイス５０の機能の一部は、（たとえば、基板１１４に対して点からなるグリッド上で定義することができる）要求ドーズ・マップの各ピクセルについて、アレイ１０４のどのスーパーピクセルをどの程度始動することが必要とされるか判断することを含む。データ操作デバイス５０は、基板１１４上で作成される局所露光部のそれぞれについて、最適なサブビーム強度を効率的に計算する。次いで、要求ドーズ・マップは、スポット・グリッドが基板１１４の表面全体にわたって移動したとき生成されるその一連の局所露光部から時間の経過につれて構築される。各スーパーピクセルにより、レーザの各フラッシュについて基板グリッド要素の１つより大きな、基板１１４上の面積の（不均一な）照明が引き起こされ、その結果、所望のサブビーム強度は、各局所露光部について、その局所露光部を囲む領域内でどんなドーズ・マップが要求されているかに依存することになることによって、アレイ１０４に最適なサブビーム強度を提供するプロセスは複雑である。
【００４３】
要求ドーズ・マップは、基板１１４上のグリッド位置のそれぞれ１つのところで、必要とされるドーズを表す要素を含む列ベクトルとして表すことができる。要求ドーズ・マップ内のグリッド位置は、計測フレーム座標系内でそれらの座標に対して指定することができる、すなわちｘＭＦ，ｙＭＦとなる。上述のように、この要求ドーズ・マップは、アレイ１０４内のスーパーピクセルに由来する露光後スポットの集まりから構築すべきものである。これらのスポットのそれぞれは、それらの強度の横断面空間依存性（ｃｒｏｓｓ−ｓｅｃｔｉｏｎａｌ  ｓｐａｔｉａｌ  ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ）を説明する、ある種の点広がり関数を有することになる。さらに、スポットを集束するために使用されるマイクロレンズ・アレイ内の不整により、スポットそれぞれの位置が、スポット・グリッド内の予想位置から変動することになる。スポット位置とスポット点広がり関数形状とを共に、較正データ記憶デバイス５２を介してデータ操作デバイス５０に入力することができる。
【００４４】
このようにしてイメージを形成するプロセスは、ピクセル・グリッド結像と呼ばれる。数学的には、要求ドーズ・マップは、各スポット部での必要とされる強度の、可能な露光後スポットすべてにわたる和に、各スポットについて点広がり関数を乗じたものに等しくなるように設定される。これは、以下の式として書くことができる。
【数１】
2006186371.tif 000003
上式で、Ｉｎは、スポットｎについての必要とされる個々の露光後スポット強度を表し、ＰＳＦｎ（（ｘＭＦ−ｘｎ），（ｙＭＦ−ｙｎ））は、点広がり関数（スポットｎのロケーションｘＭＦ，ｙＭＦでのドーズ分布）を表し、ｘｎ及びｙｎは、個々の露光後スポットの位置を示し、Ｄ（ｘＭＦ，ｙＭＦ）は、要求ドーズ・マップを表す。
【００４５】
データ操作デバイス５０は、以下の問題、すなわち、要求ドーズ・マップと（較正データとして提供される）点広がり関数情報が与えられると、要求ドーズ・マップを可能な限り正確に結像するために実現することが必要とされる個々の露光後スポット強度（又は、対応する所望のサブビーム強度）は何かを解決するように構成される。データ操作デバイス５０は、要求パターンが定義される各グリッド点について、そのグリッド点の領域内のいくつかの露光後スポットについて、露光後スポット強度に関するデータを受け取り、解析しなければならない。この情報は、順にグリッド点の領域内の要求パターンから導出される。一般に、要求パターン内の任意の所与のグリッド点について「コンテキスト半径（ｃｏｎｔｅｘｔ  ｒａｄｉｕｓ）」を定義することができる。「コンテキスト半径」は、どのように問題のグリッド点部の所望のパターンを特定の精度で達成するか判断するとき考慮される要求パターンの領域を定義する。必要とされるコンテキスト半径のサイズは、その露光後スポット・グリッドについての点広がり関数の形状及び位置の（完璧に定義されたグリッド位置からの）偏移によって決まることになる。そのサイズは、典型的には、点広がり関数の標準偏差の数倍になるように選ばれることになり、したがって数ミクロンを越えて延在する可能性がある。
【００４６】
典型的な応用例では、基板に書き込まれるフィーチャの数は非常に多く、要求ドーズ・パターン全体を表すデータは、アレイ１０４に供給するデータ経路内のハードウェアにとって任意の一時に使用可能なものではないことになる。図４に示されているように、ユーザによって入力された所望のパターンを記述的に表現したもの４００を、基板１１４上で形成される一続きの局所露光部に実質的に対応する一続きのデータ（下記でさらに述べるように、必ずしも局所露光部が実際に生成されることになる同じ一続きではない）に変換するラスタライザ・デバイス４１０が提供される。ラスタ化された要求ドーズ・パターンを表すデータは、要求パターンすべてが基板１１４上に書き込まれるまで、データ経路７０を介して、ラスタライザ４１０によって、ある時間にわたって徐々に転送される。データ経路７０内の破線部分は、パターン形成プロセスの他の側面を扱う他のデータ操作デバイスを含む可能性がある区間を表す。上述のように、任意の一時に所与のサブビームについて適用するための所望のサブビーム強度は、注目の局所露光部の位置の周りのコンテキスト領域内で、要求ドーズ・パターンを入力として取って計算される。このデータは、ラスタ化された一続きのデータから得られる。隣接する、又は近くの点についての計算は、同様の（すなわち、重なり合う）コンテキスト情報を必要とすることになるが、これらの点は（特に、走査方向に垂直な方向にある隣接するスポットである点について）様々な時点で結像されるため、この情報はデータ経路に沿って数回送られる傾向があり、大きなデータ帯域幅を必要とし、装置が動作することができる速度を制限することになる。
【００４７】
図４は、隣接する点（又は、コンテキスト半径に対して近くの点）についてのコンテキスト情報の重なり合う性質を利用し、必要とされる帯域幅全体を削減することができる、本発明の一実施例による構成を示す。ラスタライザ４１０によって一続きのデータとして転送された要求ドーズ・マップの少なくとも一部分を記憶するように構成された（たとえば、ＲＡＭなど揮発性メモリを備える）第１のメモリ・バッファ６０と、第１のメモリ・バッファ６０に接続され、露光後スポット・グリッド内の各局所露光部（すなわち、露光後スポット）について所望の（たとえば、最適な）放射線強度を計算するように構成された所望のサブビーム強度計算デバイス６２とを備えるデータ操作デバイス５０が提供される。メモリ・バッファ６０は、その後でデータが吐き出される（たとえば、書き込まれる）設定された時間の間、データがデータ操作デバイス５０に到達したときデータを記憶する。メモリ・バッファ６０は、ラスタライザ４１０からデータ経路７０に沿って数回送る必要なしに、重なり合うコンテキスト情報を複数回得ることができる手段を提供する。（ラスタライザ４１０から送られたデータの所与のブロックを記憶することができる周期を決定する）メモリ・バッファ６０のサイズは、基板上の所与の点についての要求ドーズ・パターン・データが、コンテキスト情報として重要である限り（すなわち、問題の点における要求パターンによって影響を受ける可能性がある点について、所望のサブビーム強度をアレイ１０４に出力するために計算デバイスを取る限り）計算デバイス６２にとって使用可能であるように選ぶことができる。したがって、そのサイズは、要求ドーズ・パターン上のコンテキスト半径又は領域のサイズによって決まる。
【００４８】
データ操作デバイスは、計算デバイス６２によって計算された所望の局所露光部強度を記憶するように構成された（たとえば、ＲＡＭなど揮発性メモリを備える）第２のメモリ・バッファ６４と、アレイの適切な要素を適切な時に始動するために必要な情報をアレイ１０４に提供するように、計算デバイス６２によって出力された結果から制御信号を構築するように構成されたデータ再順序付けデバイス６６とをさらに備えることができる。
【００４９】
２重バッファ構成は、露光後スポット・グリッド強度を、局所露光部が実際に基板上で生成される順序によって示すのではなく、最適な方法で計算することを可能にするので有利である。この態様は、露光後スポット・グリッド強度情報を計算後に再順序付けすることを可能にする第２のメモリ・バッファ６４によって達成され、計算が実施される方法においてより柔軟性を与える。これは、コンテキスト情報を再使用することができる効率を改善し、必要とされる帯域幅をさらに削減し、また第１のメモリ・バッファ６０の必要とされるサイズをも削減し、そこからデータを抽出することができる効率をも改善する。
【００５０】
図５及び図６は、コンテキスト情報を扱うための代替の構成を示す。図５は、要求ドーズ・パターンを定義することができる点を表す、点８０のグリッドを示す。円８２及び８３は、たとえば、走査方向Ｙにある、又は走査方向に垂直な隣接する局所露光部を表す。上述のように、スポット８２及び８３のそれぞれに関連する実際の放射線ドーズ分布は、不均一に延び、重なり合うことになる。見やすくするために、互いに接触する白抜きの円を使用し、局所露光部の中心を示し、また、露光部８２と８３の間のある位置で他の局所露光部が心合せされない意味でこれらが最も近い隣接局所露光部であることを示している。ここでは最も近い隣接スポットが示されているが、データ操作デバイスは、複数の隣接する局所露光部について所望のサブビーム強度を計算するように構成される。本文脈における「隣接する」は、何らかの共用コンテキスト情報があり、したがって１つ又は複数のバッファを含むことで省力（ｓａｖｉｎｇｓ）が行われる局所露光部のグループについてサブビーム強度が計算されることを単に意味する。
【００５１】
基板１１４上の局所露光部の中心点のコンテキスト半径内におけるコンテキスト情報を考慮して計算される強度で、局所露光部８２及び８３のそれぞれは生成することができる。局所露光部８２及び８３についてコンテキスト情報を形成する要求ドーズ・マップの領域は、それぞれ円８４及び８５として示されている。交わる領域は、共用コンテキスト情報を表し、含まれる点８６は、白抜きの円ではなく塗り潰された円として示されている。
【００５２】
本実施例によるデータ操作デバイス５０は、アレイ１０４によって必要とされる順序に従って、各スポットについて別々に強度を計算することを必要とするのではなく、複数の局所露光部を含む露光後スポット・グリッドの一部分をすべて１動作で計算することにより、コンテキスト・データ内のこの重なり合いを利用することができる。これは、制御信号としてアレイ１０４に送られる前にデータを再順序付けすることを可能にするメモリ・バッファ６４によって可能になる。共に処理される露光後スポットの集合は、共用コンテキスト情報を最もよく利用し、計算を実施することができる効率を最大化するように選ぶことができる。たとえば、シフト・レジスタ・メモリ・デバイスを使用し、要求ドーズ・マップの適切な部分を計算デバイス６２に提供する場合、スポットの行を１つずつ計算することを選ぶことが好都合である可能性がある。たとえば、この状況が図５に示されている。ここでは、ある露光後スポットから次の露光後スポットに移動して、考慮することを必要とする追加のコンテキスト情報は、コンテキスト半径全体に関連するものではなく、単に縮小された領域８７に関連するものであることがわかる。シフト・レジスタ機構は、計算を実施するために必要な情報を計算デバイス６２に提供するために、この追加のデータを、すでに記憶されているものに追加する好都合な方法を提供する。領域８８内に入るものなど後続のデータは、必要な場合、メモリ・デバイスからパージすることができる。この構成は、コンテキスト情報の不必要な再送信及び再書込みを回避する。
【００５３】
コンテキスト・データは、様々な形状のコンテキスト領域を使用して含ませることもできる。図６は、上記で論じたシフト・レジスタ機構を使用して、特によく実施することができる構成を示す。ここでは、図５の円形領域８４及び８５ではなく、矩形コンテキスト領域８９及び９０が使用される。矩形領域は、要求ドーズ・マップが定義されるグリッドの幾何形状によりよく対応するため、より容易に実施することができる。
【００５４】
この実施例に必要とされる、再順序付けすべきデータを記憶するためのメモリ・バッファ６４のサイズは、露光後スポット・グリッド内でいくつの点について制御信号を一度に計算すべきかによって決まることになる。行全体を計算すべきである場合、メモリ・バッファの深さは、マイクロレンズ・アレイの長さを走査速度で除したものに比例することになる。これは、その行の最初の局所露光部の生成と、その行の最後の局所露光部の生成との間で経過する時間を表す。
【００５５】
結論
本発明の様々な実施例について上記で述べたが、それらは例として示されているにすぎず、限定するものではないことを理解されたい。本発明の精神及び範囲から逸脱することなしに、本発明において形態及び細部に様々な変更を加えることができることを、当業者なら理解するであろう。したがって、本発明の広さ及び範囲は、上述の例示的な実施例のいずれかによって限定すべきでなく、添付の特許請求の範囲とその均等物だけに従って規定すべきである。
【００５６】
実施例のセクションは、主に特許請求の範囲を解釈するために使用すべきである。課題を解決するための手段及び要約のセクションは、本発明者によって企図されている、すべてではないが本発明の１つ又は複数の例示的な実施例について述べることができ、したがって特許請求の範囲を限定しないものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】本発明の一実施例による、個別に制御可能な要素のアレイ、マイクロレンズ・アレイ、及びそれによって形成されたスポット・グリッドの一部分の側面図である。
【図３】露光後スポット・グリッドの形成の図である。
【図４】データ経路内のデータ操作デバイスの図である。
【図５】隣接する局所露光部についてコンテキスト情報を使用するための構成の図である。
【図６】隣接する局所露光部についてコンテキスト情報を使用するための構成の図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０  スーパーピクセル
１５  マイクロレンズ
２０ａ  スポット
２０ｂ  スポット
２０ｃ  スポット
２０ｄ  スポット
２２  軸
２４  スポット分離
２６  スポット分離
３０  光学系
３１  レンズ
３２  レンズ
３３  開口絞り
３５  サブビーム
４１  スポット
４２  スポット
４３  スポット
４４  スポット
５０  データ操作デバイス
５２  較正データ記憶デバイス
６０  第１のメモリ・バッファ
６２  所望のサブビーム強度計算デバイス
６４  第２のメモリ・バッファ
６６  データ再順序付けデバイス
７０  データ経路
８０  点
８２  局所露光部
８３  局所露光部
８４  円形領域
８５  円形領域
８６  点
８７  領域
８８  領域
８９  矩形コンテキスト領域
９０  矩形コンテキスト領域
１６  マイクロレンズ・アレイ
１００  リソグラフィ投影装置
１０２  放射システム
１０４  個別に制御可能な要素のアレイ
１０６  物体テーブル
１０８  投影システム
１１０  ビーム
１１２  放射線源
１１４  基板
１１６  位置決めデバイス
１１８  ビーム・スプリッタ
１２０  標的部分
１２２  放射線のビーム
１２４  照明システム（イルミネータ）
１２６  条件付けデバイス
１２８  調整デバイス
１３０  スポット・ジェネレータ
１３２  コンデンサ
１３４  干渉測定デバイス
１３６  ベース・プレート
１３８  干渉ビーム
１４０  ビーム・スプリッタ
４００  ユーザによって入力された所望のパターン
４１０  ラスタライザ
【図１】
2006186371.tif 000004
【図２】
2006186371.tif 000005
【図３】
2006186371.tif 000006
【図４】
2006186371.tif 000007
【図５】
2006186371.tif 000008
【図６】
2006186371.tif 000009