(57)【要約】【課題】駆動シーケンスに応じて単一のゲート線を介して複数のサブゲート線をスイッチングし、該複数のサブゲート線がゲート線を共用することを可能とするＬＣＤのゲートスイッチ装置を提供する。【解決手段】本発明はａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置を提供する。該ゲートスイッチ装置は複数のサブゲート線のスイッチングに適合し、且つディスプレイの両縁部の空間に設けられて、ａ−ＳｉＴＦＴスイッチを低インピーダンスとしている。また、スイッチングの駆動タイミングに応じて、前記複数のサブゲート線は、単一のゲート線を共用することが可能となっている。これにより、コストを削減するとともに製造工程での困難性を低減している。【選択図】図１
2006330682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート線に適合され、複数のサブゲート線をスイッチングするためのＬＣＤのゲートスイッチ装置であって、
複数の第１のスイッチと、
複数の第２のスイッチとを備え、
前記第１のスイッチの各々は、スイッチング信号を受け取るための第１端部と第２端部とを有し、
前記第１のスイッチの各々の前記第１端部は前記ゲート線に接続され、前記第１のスイッチの各々の前記第２端部は、対応する前記サブゲート線に一対一で接続され、
前記スイッチング信号は、前記第１端部と前記第２端部との電気的接続部をオンまたはオフし、
前記第２のスイッチの各々は、反転スイッチング信号を受け取るための第３端部と第４端部とを有し、
前記第２のスイッチの各々の第３端部は、対応する前記第１のスイッチの前記第２端部に一対一で接続され、前記第２のスイッチの各々の前記第４端部は第１の電圧レベルに接続され、
前記反転スイッチング信号は、前記第３端部と前記第４端部との間の電気的接続部をオンまたはオフすることを特徴とする、ＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項２】
前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとが、それぞれＴＦＴである、請求項１のＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項３】
前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとが、ディスプレイパネルを取り囲む縁辺部内の両縁部に設けられている、請求項１または２のＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項４】
前記ゲート線はゲート信号を供給し、該ゲート信号に必要とされる導通期間が、前記スイッチング信号のそれぞれの導通期間よりも長い、請求項１乃至３のＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項５】
前記スイッチング信号が時分割導通信号であり、前記スイッチング信号の内の一つのスイッチング信号のみがオンされた際、その他のすべてのスイッチング信号はオフされる、請求項１乃至４のＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項６】
前記スイッチング信号の各々がオンされ次のスイッチング信号がオンされる間の時間には間隔が設けられている、請求項１乃至５のＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項７】
前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとが、ａ−ＳｉＴＦＴである、請求項１乃至６のＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項８】
前記第１の電圧レベルが、Ｌレベルである、請求項１乃至７に記載のＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項９】
ＬＣＤゲートドライバと単一のゲート線とに適合されて複数のサブゲート線をスイッチングするためのａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置であって、
複数のａ−ＳｉＴＦＴスイッチを備え、
前記ａ−ＳｉＴＦＴスイッチの各々は、スイッチング信号を受け取るための第１端部と第２端部とを有し、
前記ａ−ＳｉＴＦＴスイッチの各々の前記第１端部は前記ゲート線に接続され、
前記スイッチング信号は前記第１端部と前記第２端部とをオンまたはオフし、
ＬＣＤの表示域を取り囲むＬＣＤの縁辺部の二つの縦列である両縁部の空間は、前記複数のａ−ＳｉＴＦＴスイッチを収容するために用いられていることを特徴とする、ａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項１０】
前記ゲート線が、ゲート信号を供給して複数の方形波信号を発生し、該方形波信号の数が、前記ａ−ＳｉＴＦＴスイッチの数に対応する、請求項９のａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項１１】
前記スイッチング信号が時分割導通信号であり、前記スイッチング信号の内の一つのスイッチング信号のみがオンされた際、その他のすべてのスイッチング信号はオフされる、請求項９または１０のａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【請求項１２】
前記スイッチング信号の各々のターンオンシーケンスは、対応する前記ゲート信号がオン電圧レベルとなった後でのみ前記スイッチング信号のうちの一つのスイッチング信号がオン電圧レベルとなり、前記複数のスイッチング信号のうちの最後のスイッチング信号がオフ電圧レベルとなった後でのみ前記ゲート信号がオフ電圧レベルとなるように構成されており、発生した前記サブゲート線の信号は、対応する前記ゲート信号と前記スイッチング信号との時間領域における交点である、請求項９乃至１１のａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のゲートスイッチ装置に関し、特に、アモルファスシリコンＬＣＤ（ａ−ＳｉＬＣＤ）のゲートスイッチ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）は、液晶の原理とメカニズムとに基づき構成されるディスプレイである。液晶は通常、液体のように自由に流動可能であるが、液晶内の分子はある一定のパターンに配列しているので、その光学特性は不安定であり、且つ電界や温度、圧力等の外部条件による影響を受け易い。液晶の光電子効果は、このような外部条件の変化によりもたらされている。
【０００３】
ＬＣＤは、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式との二つの駆動方式に分類される。この内、アクティブマトリクス方式のＬＣＤでは、ＭＯＳＦＥＴ−ＬＣＤ（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタＬＣＤ）やＴＦＴ−ＬＣＤ（薄膜トランジスタＬＣＤ）等に代表される三電極構造とすることができる。
【０００４】
アクティブマトリクス方式を採用したすべてのＬＣＤにおいて、ＴＦＴ−ＬＣＤは最も多くの可能性を備えており、そのＴＦＴ−ＬＣＤの分野では、アモルファスシリコンＴＦＴ（ａ−ＳｉＴＦＴ）と低温ポリシリコンＴＦＴ（ＬＴＰＳ  ＴＦＴ）との二つの技術が高度に発展した。実際、ＴＦＴ−ＬＣＤは幅広い用途に適用され、例えば電卓、時計、ゲーム機器、一般的な電気製品、携帯型電子辞書、ワードプロセッサ、ノート型パソコン、ワークステーションやフラットパネルプラズマテレビ等に適用されている。
【０００５】
一方、従来技術において高解像度ＴＦＴ−ＬＣＤを構成する際、そのドライバに必要とされるチャネル数は多く、結果として製造コストの増大を招いている。また、そのような高解像度ＴＦＴ−ＬＣＤのドライバ内での接触点の増加は、製造工程での組み立てを困難なものとしている。
【０００６】
そこで、上述の問題点を解決すべく、従来のＬＴＰＳ  ＴＦＴの駆動システムでは、電子が十分に高速で移動することから、ＴＦＴをスイッチとして用いている。この駆動システムのソースドライバは、スイッチング機能を有するとともに、共通したソース線信号を出力するように構成されているので、ＩＣ駆動用の各出力チャネルは、複数のＬＣＤデータ線を異なる時分割で駆動することが可能となっている。そのため、必要とされるソースドライバのチャネル数が減少するので、製造コストを抑えることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図７は、従来のＬＴＰＳ  ＬＣＤのアクティブマトリクス回路を示す模式図で、図中、ゲートドライバ５００を左側に示し、ソースドライバ５１０を下側に示す。ゲートドライバ５００は、ＴＦＴゲートをオン／オフするタイミング制御と協調したアドレス信号を順次供給して、そのＴＦＴのオン／オフを制御する。これにより、ソースドライバ５１０によって供給されたグレーレベルデータの電圧は蓄積コンデンサをチャージすることができ、その蓄積コンデンサ内に蓄積したグレーレベルデータ電圧は貯蓄される。さらに、蓄積コンデンサ内のグレーレベルデータ電圧は転送または読み取られてＬＣＤ素子の電圧値となる。以上により、ＴＦＴ、蓄積コンデンサ及びＬＣＤ素子を有する画素ユニットでの表示プロセスが完了する。
【０００８】
ＬＴＰＳ  ＬＣＤでは、ポリシリコンＴＦＴの卓越した導電特性により、ソースドライバ５１０の共通出力チャネルを利用して、本来のソース出力チャネルの数を三分の二に減少させ、本来のソース出力チャネルの三分の一のみを残している。
【０００９】
しかしながら上述したａ−ＳｉＴＦＴ−ＬＣＤでは、ａ−ＳｉＴＦＴがオンとなった際にａ−ＳｉＴＦＴのインピーダンスは非常に高くなり易いので、ＴＦＴの幅を拡大してそのインピーダンスを低下させなくてはならない。したがって、トランジスタの寸法が増大して画素ユニット数が減少してしまうという不都合があった。とりわけ高画質のａ−ＳｉＬＣＤを提供する際には、そのような構成は重大な欠点となる。そのため、従来の構成ではスイッチとして機能するに値しないばかりか、構成そのものや大量生産工程を複雑化させてしまうという問題があった。
【００１０】
そこで本発明は、駆動シーケンスに応じて単一のゲート線を介して複数のサブゲート線をスイッチングし、該複数のサブゲート線がゲート線を共用することを可能とするＬＣＤのゲートスイッチ装置を提供することを第１の目的としている。
【００１１】
また本発明は、駆動シーケンスに応じてゲート線を介して複数のサブゲート線をスイッチングするとともに、ＬＣＤの辺縁部の両縁部に低インピーダンスのａ−ＳｉＴＦＴスイッチを設けることで、複数のサブゲート線がゲート線を共用可能としたａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置を提供することを第２の目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記した課題を解決するために、本発明は、ゲート線に適合され、複数のサブゲート線をスイッチングするためのＬＣＤのゲートスイッチ装置であって、複数の第１のスイッチと、複数の第２のスイッチとを備え、前記第１のスイッチの各々は、スイッチング信号を受け取るための第１端部と第２端部とを有し、前記第１のスイッチの各々の前記第１端部は前記ゲート線に接続され、前記第１のスイッチの各々の前記第２端部は、対応する前記サブゲート線に一対一で接続され、前記スイッチング信号は、前記第１端部と前記第２端部との電気的接続部をオンまたはオフし、前記第２のスイッチの各々は、反転スイッチング信号を受け取るための第３端部と第４端部とを有し、前記第２のスイッチの各々の第３端部は、対応する前記第１のスイッチの前記第２端部に一対一で接続され、前記第２のスイッチの各々の前記第４端部は第１の電圧レベルに接続され、前記反転スイッチング信号は、前記第３端部と前記第４端部との間の電気的接続部をオンまたはオフすることを特徴とする。
【００１３】
以下は、本発明のＬＣＤのゲートスイッチ装置の好適な実施形態（１）〜（７）である。相互に矛盾が生じない限り、これらの組み合わせは本発明の好適な実施形態のうちの一つである。
【００１４】
（１）前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとは、それぞれＴＦＴである。
【００１５】
（２）前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとは、ディスプレイパネルを取り囲む縁辺部内の両縁部に設けられている。
【００１６】
（３）前記ゲート線はゲート信号を供給し、該ゲート信号に必要とされる導通期間は、前記スイッチング信号のそれぞれの導通期間よりも長い。
【００１７】
（４）前記スイッチング信号は時分割導通信号であり、前記スイッチング信号の内の一つのスイッチング信号のみがオンされた際、その他のすべてのスイッチング信号はオフされる。
【００１８】
（５）前記スイッチング信号の各々がオンされ次のスイッチング信号がオンされる間の時間には間隔が設けられている。
【００１９】
（６）前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとは、ａ−ＳｉＴＦＴである。
【００２０】
（７）前記第１の電圧レベルは、Ｌレベルである。
【００２１】
また、上記した課題を解決するために、本発明は、ＬＣＤゲートドライバと単一のゲート線とに適合されて複数のサブゲート線をスイッチングするためのａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置であって、複数のａ−ＳｉＴＦＴスイッチを備え、前記ａ−ＳｉＴＦＴスイッチの各々は、スイッチング信号を受け取るための第１端部と第２端部とを有し、前記ａ−ＳｉＴＦＴスイッチの各々の前記第１端部は前記ゲート線に接続され、前記スイッチング信号は前記第１端部と前記第２端部とをオンまたはオフし、ＬＣＤの表示域を取り囲むＬＣＤの縁辺部の二つの縦列である両縁部の空間は、前記複数のａ−ＳｉＴＦＴスイッチを収容するために用いられていることを特徴とする。
【００２２】
以下は、本発明のａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置の好適な実施形態（１）〜（３）である。相互に矛盾が生じない限り、これらの組み合わせは本発明の好適な実施形態のうちの一つである。
【００２３】
（１）前記ゲート線は、ゲート信号を供給して複数の方形波信号を発生し、該方形波信号の数は、前記ａ−ＳｉＴＦＴスイッチの数に対応する。
【００２４】
（２）前記スイッチング信号は時分割導通信号であり、前記スイッチング信号の内の一つのスイッチング信号のみがオンされた際、その他のすべてのスイッチング信号はオフされる。
【００２５】
（３）前記スイッチング信号の各々のターンオンシーケンスは、対応する前記ゲート信号がオン電圧レベルとなった後でのみ前記スイッチング信号のうちの一つのスイッチング信号がオン電圧レベルとなり、前記複数のスイッチング信号のうちの最後のスイッチング信号がオフ電圧レベルとなった後でのみ前記ゲート信号がオフ電圧レベルとなるように構成されており、発生した前記サブゲート線の信号は、対応する前記ゲート信号と前記スイッチング信号との時間領域における交点である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明では、上述したゲートスイッチ装置がａ−ＳｉＬＣＤに用いられているので、ドライバの出力ゲート線の本数を低減することができる。また、前記両縁部は、ゲートスイッチ装置の低インピーダンスａ−ＳｉＴＦＴスイッチを収容する空間を提供している。さらに、ＩＣ駆動用の時分割の駆動シーケンスを供給してＬＣＤゲートスイッチ装置をスイッチングしている。そのため、単一のゲート線を介して複数のサブゲート線をスイッチングすることが可能となり、コストを節約するとともに、製造上の困難性を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施例において、ａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置は、ＬＣＤの表示域を取り囲み且つ該ａ−ＳｉＬＣＤを収容するためのより大きな空間を有する両縁部に設けられている。そして、スイッチングを用いた信号制御により、ゲートドライバから供給されるゲート信号は多数のタイミングに分割され、複数のサブゲート線信号は、単一の信号出力用のゲート線を共用することが可能となっている。ただし、ゲートスイッチ装置を設置する部分は上述した縁部に限るものではなく、非表示部分でさえあればＬＣＤ内のいかなる部分もゲートスイッチ装置の収容部として用いることができる。
【００２８】
以下、本発明を図１乃至図６に示した実施例に沿って詳細に説明する。なお、添付図面は、本発明の一層の理解を可能とするために含めたものであり、同図面は、本明細書に組み込まれると同時に、本明細書の一部を構成している。そして図面は本発明の実施例を図示し、発明の詳細な説明と合まって、この発明の原理を説明する役割を果す。
【実施例１】
【００２９】
図１は、アモルファスＬＣＤのアクティブマトリクス回路を模式的に示す図であり、枠状の破線部が本発明の実施例に係るゲートスイッチ装置１２０を示している。
【００３０】
図１において、ゲートドライバ１００の単一の出力チャネルＧｉ（ｉ＝１〜ｎ）は、ｍ個のサブゲート線を駆動することができる。制御線から供給されるスイッチング信号（ＯＥ１、ＯＥ２、…ＯＥｍ）は、それぞれ複数のＡ−ＳｉＴＦＴスイッチ（Ｔ１、Ｔ２、…Ｔｍ）をスイッチングする。また、そのＡ−ＳｉＴＦＴスイッチは、第１のサブゲート線Ｌ１、第２のサブゲート線Ｌ２、…第ｍサブゲート線Ｌｍを駆動する。
【００３１】
ａ−ＳｉＴＦＴ（Ｔｎ１、Ｔｎ２…Ｔｎｍ）は一般的に限られた空間の画素ユニット内に設置されることから、そのａ−ＳｉＴＦＴは小型にせざるを得ない。そのため、オンにした際に高インピーダンスとなる。その結果、ここでのスイッチはゲート全体の負荷を駆動することが可能である必要があるので、数百万オームのインピーダンスが効果的なａ−ＳｉＴＦＴのスイッチングを阻害することとなる。
【００３２】
本発明の実施例では、ａ−ＳｉＴＦＴ（例えば、Ｔｎ１、Ｔｎ２…Ｔｎｍ）はＬＣＤの両縁部に設けられている。このようなＬＣＤの縁部は十分なスペースを有することから、低インピーダンス化するために必要とされる幅／長さの比を有するａ−ＳｉＴＦＴとするのに好適である。これにより、スイッチングする際の電力消費量を低減することができる。
【００３３】
次に、本発明の実施例に係るゲートスイッチ装置の作用を図１及び図２を参照して詳細に説明する。図２は、本発明の実施例に係るアモルファスＬＣＤのゲートスイッチ装置を駆動するための模式的なタイミングチャートである。
【００３４】
図１において、スイッチング信号ＯＥ１が、Ｔ１で示すａ−ＳｉＴＦＴをオンする。すると、ゲートドライバ１００からのゲート線Ｇ１の出力信号によりサブゲート線Ｌ１が駆動され、多数のａ−ＳｉＴＦＴのうちの第１の列のａ−ＳｉＴＦＴ（例えば、Ｔｎ１）が蓄積コンデンサをチャージする。そして、予め設定された導通期間を経た後、ゲート線Ｇ１は低レベルへと変化する。したがって、サブゲート線Ｌ１の電圧も低レベルへとプルダウンされてａ−ＳｉＴＦＴ  Ｔ１を閉じるとともに、データをブロックする。
【００３５】
その後、スイッチング信号ＯＥ２は、Ｔ２で示すａ−ＳｉＴＦＴをオンにして、ゲートドライバ１００からのゲート線Ｇ１の出力信号によってサブゲート線Ｌ２が駆動される（ここで、Ｇ１はＨレベルにある）。次に、多数のａ−ＳｉＴＦＴのうちの第１の列のａ−ＳｉＴＦＴ（例えば、Ｔｎ２）が蓄積コンデンサをチャージして、データをブロックする上述した動作が繰り返される。
【００３６】
そして最後に、スイッチング信号ＯＥｍは、Ｔｍで示すａ−ＳｉＴＦＴスイッチをオンにして、ゲートドライバ１００からのゲート線Ｇ１の出力信号によりサブゲート線Ｌｍが駆動されて、画素ユニットがチャージされる。
【００３７】
図２は、本発明の実施例に係るアモルファスＬＣＤのゲートスイッチ装置を駆動するための模式的なタイミングチャートである。
【００３８】
図２において、ＯＥ１、ＯＥ２、及びＯＥ３はスイッチング信号を示し、Ｇ１、Ｇ２、及びＧ３はゲート線とその信号とを示す。また、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ２１、Ｌ２２、及びＬ２３は、サブゲート線とその信号とを示す。サブゲート線Ｌ１〜Ｌ３及びＬ２１〜Ｌ２３はスイッチング信号により制御され、定電圧ＶＧＧ（Ｈレベル）を順次出力してゲートを駆動する。画素ユニットがチャージされると、サブゲート線はＶＥＥ（Ｌレベル）の状態に戻り、画素ユニットのグレーレベル電圧が保持される。
【００３９】
ゲート線Ｇ１が駆動された後、スイッチング信号ＯＥ１はＶＧＧ´へとプルアップされる（ここで、定電圧ＶＧＧ´は通常、ＶＧＧよりも高い）。そして、ゲート線Ｇ１がオフされると、サブゲート線Ｌ１の信号も同様にＶＥＥ（Ｌレベル）へとプルダウンされ、スイッチング信号ＯＥ１がＶＥＥ´にプルダウンされる（スイッチがオフされた際のＬレベル電圧）。以上のようなタイミングにより、画素ユニット内のａ−ＳｉＴＦＴにおける誤動作を防止することができる。
【００４０】
ゲート線Ｇ１は、三つの一連の方形波を一組として発生することができる。その一組の三つの方形波は、それぞれスイッチング信号ＯＥ１の方形波２１０と、スイッチング信号ＯＥ２の方形波２２０と、スイッチング信号ＯＥ３の方形波２３０とに対応する。
【００４１】
スイッチング信号ＯＥ１、ＯＥ２及びＯＥ３は時分割信号であり、一度に一つのスイッチング信号のみがオンされる。また、スイッチング信号は導通期間を有しており、例えば、ゲート線信号Ｇ１がオン電圧レベルとなった後でのみスイッチング信号ＯＥ１はオン電圧レベルとなり、ゲート線信号Ｇ１がオフ電圧レベルとなった後でのみスイッチング信号ＯＥ１はオフ電圧レベルとなる。こうして発生したサブゲート線信号Ｌ１は、ゲート線信号Ｇ１とスイッチング信号ＯＥ１とが重なる点にある。
【００４２】
図３は、一般的な携帯電話に採用される駆動システムを示す。図３において、ソース線６３０とゲート線６２０とは、シングルチップドライバ６１０からの出力である。ゲート線６２０は、ガラスパネルの両側に配置され、制御点にゲート信号を送出する。
【００４３】
そのゲート線６２０の数が増加すればするほど、必要とされる縁部６５０の空間が増えることになり、追加的なコストが発生してしまう。しかしながら、例えば１７６ＲＧＢ×２４０（２４０本のゲート線）の解像度を有する本発明のゲートスイッチ装置では、三つのサブゲート線が一つのゲート線を共用する場合、１５７本のゲート線を節約できることになるので（２４０−２４０／３−３＝１５７）、ドライバＩＣのゲート線の本数と配線及び配線スペースに必要とされるコストとを減少させることができる。また、駆動用の配線数の削減に加え、製造工程での組立上の困難さをさらに低減することができるとともに、歩留まりを向上させ、且つ製造コストをさらに節約することができる。
【００４４】
図４は、デュアルパネル型携帯電話用の電気接続配線を示す。図４において、従来のＬＣＤにおける、９６ＲＧＢ×９６の解像度を有するバックパネルでは３８４本の配線が必要となる（９６×３＋９６＝３８４）。その３８４本の配線は、フレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）を介してバックパネル７３０に接続されているが、携帯電話のＦＰＣのサイズは限られているので、多数の配線を収容することは困難であり、そのような用途では、組立工程は難解なものとなる。
【００４５】
しかしながらそれと同じ用途に対して本発明のゲートスイッチ装置を用いた場合では、三つのサブゲート線が一つのゲート線を共用した際、ＦＰＣ上に配置されるゲート線の数は３２３本（９６×３＋９６／３＋３＝３２３）に減少する。そのため、ＦＰＣ上の二つの隣接するチャネル間の空間が広がり、ＦＰＣとバックパネルとの間の組立工程が簡易化される。
【００４６】
本発明の実施例のゲートスイッチ装置では、上記トランジスタにはａ−ＳｉＴＦＴが採用されている。ただし、これに限定されるものではなく、例えば低温ポリシリコンＴＦＴ（ＬＴＰＳ  ＴＦＴ）等の他の適当なＴＦＴを用いることができる。
【００４７】
以上のように、本発明の実施例に係るａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置では、一組のａ−ＳｉＴＦＴを別途、従来のａ−ＳｉＬＣＤに設けてゲートスイッチ装置を形成し、該ゲートスイッチ装置は、縁部または他の利用可能な空間に設けられていることを特徴としている。また、一組の単純なスイッチング信号を供給することにより、ゲート線を共用可能として必要とされるドライバからのゲートチャネルの本数を削減し、コストを節約することができる。
【実施例２】
【００４８】
次に、本発明の実施例２を、図５及び図６を参照して説明する。なお、上述した実施例１と同一乃至均等な構成部分については同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００４９】
本発明の他の実施例は、図１に示す枠状の鎖線部のゲートスイッチ装置１２０を、図５に示すように変更している。本発明の他の実施例に係るＬＣＤのゲートスイッチ装置の模式的な回路図である。図５に示すように、ａ−ＳｉＴＦＴＴ１、Ｔ２及びＴ３以外に、もう一組のａ−ＳｉＴＦＴ（符号ＴＧ１、ＴＧ２及びＴＧ３で示す）を追加している。また、上記スイッチング信号ＯＥ１、ＯＥ２、ＯＥ３は、反転信号（ＯＥ１１、ＯＥ１２及びＯＥ１３）とともに供給されている。
【００５０】
その反転信号ＯＥ１１、ＯＥ１２及びＯＥ１３がＨレベルにあると（即ち、スイッチング信号ＯＥ１、ＯＥ２及びＯＥ３がアクティブ）、ａ−ＳｉＴＦＴのＴＧ１、ＴＧ２及びＴＧ３はオンされて、サブゲート線Ｌ１、Ｌ２及びＬ３はＬレベルへとそれぞれプルダウンされる。これにより、ゲートスイッチ装置１２０に接続された画素ユニット内のａ−ＳｉＴＦＴ（例えばＴｎ１）を閉じることができる。
【００５１】
図６は、本発明の他の実施例に係るアモルファスＬＣＤのゲートスイッチ装置を駆動するための模式的なタイミングチャートである。ゲート線Ｇ１（またはＧ２）信号が正のＨ電圧ＶＧＧを出力すると、スイッチング信号ＯＥ１〜ＯＥｍはスイッチを順次ＶＧＧ´レベルへとオンにする（ＶＧＧ´は通常、ＶＧＧより高い）。したがって、サブゲート線Ｌ１〜Ｌｍは、それぞれタイミングｔａ、ｔｂ、及びｔｃにおいて正のＨレベルＶＧＧを順次出力して、これによりソースから出力されたグレーレベル電圧は画素ユニットに書き込まれる。
【００５２】
一方、他の時間に対しては、スイッチング信号ＯＥ１〜ＯＥｍは、ＶＥＥ´Ｌレベルを順次出力する（ＶＥＥ´はスイッチをオフにするためのＬレベルである）。したがって、ａ−ＳｉＴＦＴのＴＧ１〜ＴＧｍはオンされて、サブゲート線信号Ｌ１〜ＬｍはＬレベルにプルダウンされる（負のＶＥＥ）。ここで、画素ユニットのグレーレベル電圧が保持されて水平線は完全に走査される。
【００５３】
ここで、ゲート線Ｇ１の導通期間４００は、スイッチング信号ＯＥ１、ＯＥ２，…ＯＥｍの導通時間（即ち、４１０、４２０、…４３０）よりも長い必要がある。つまり、ゲート線Ｇ１がオンになると、他のスイッチング信号ＯＥ１、ＯＥ２、…ＯＥｍは、時間区分内でスイッチングされなくてはならない。さらに、スイッチング信号ＯＥ１〜ＯＥｍは時分割信号であり、スイッチング信号ＯＥ１がオンされると、他のスイッチング信号ＯＥ２とＯＥｍとはオフされる。
【００５４】
また、スイッチング信号ＯＥ１の導通期間（方形波４１０）とスイッチング信号ＯＥ２の導通期間（方形波４２０）との間、及びスイッチング信号ＯＥ２の導通期間（方形波４２０）とスイッチング信号ＯＥ３の導通期間（方形波４３０）との間は、それぞれ間隔が設けられている。そのため、一度に一つのサブゲート線のみがオン可能となっている。
【００５５】
以上のように、本発明の実施例２に係るａ−ＳｉＬＣＤのゲートスイッチ装置は、上述した実施例１と同様、ＬＣＤ等の縁部または他の利用可能な空間に設けることができる。また、一組の単純なスイッチング信号を供給することにより、ゲート線を共用可能として必要とされるドライバからのゲートチャネルの本数を削減し、コストを節約することができる。
【００５６】
当業者であれば、本発明の範囲や精神から逸脱することなく本発明の構成に対して様々な改良や変更が可能であることは容易に理解することができる。上記記載の観点から、本明細書及びその実施例は例示的なものにすぎず、本発明の実際の範囲及び精神は、特許請求の範囲及びその均等物に示されていることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】アモルファスＬＣＤのアクティブマトリクス回路を模式的に示す図で、枠状の破線部が本発明の実施例に係るゲートスイッチ装置を示す。
【図２】本発明の実施例に係るアモルファスＬＣＤのゲートスイッチ装置を駆動するための模式的なタイミングチャート。
【図３】今日の一般的な携帯電話のＬＣＤに採用されている駆動システムを示す。
【図４】デュアルパネル型携帯電話用の電気接続配線を示す。
【図５】本発明の他の実施例に係るＬＣＤのゲートスイッチ装置の模式的な回路図。
【図６】本発明の他の実施例に係るアモルファスＬＣＤのゲートスイッチ装置を駆動するための模式的なタイミングチャート。
【図７】従来の低温ポリシリコンＬＣＤのアクティブマトリクス回路の模式図。
【符号の説明】
【００５８】
１００  ゲートドライバ
１２０  ゲートスイッチ装置
２１０、２２０、２３０  方形波
６１０  シングルチップドライバ
６２０  ゲート線
６３０  ソース線
６５０  縁部
Ｇ１、Ｇ２、…Ｇｎ  ゲート線
Ｌ１、Ｌ２、…Ｌｍ  サブゲート線
ＯＥ１、ＯＥ２、…ＯＥｍ  スイッチング信号
ＯＥ１１、ＯＥ１２、ＯＥ１３  反転信号
Ｔ１、Ｔ２、…Ｔｍ  ａ−ｓｉＴＦＴスイッチ
ＴＧ１、ＴＧ２、ＴＧ３  ａ−ＳｉＴＦＴ
Ｔｎ１、Ｔｎ２、…Ｔｎｍ  ａ−ＳｉＴＦＴ
【図１】
2006330682.tif 000003
【図２】
2006330682.tif 000004
【図３】
2006330682.tif 000005
【図４】
2006330682.tif 000006
【図５】
2006330682.tif 000007
【図６】
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【図７】
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