(57)【要約】【課題】本発明は、電子機器の表示部に用いられる液晶表示装置に関し、良好な表示特性の得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】液晶表示装置は薄膜トランジスタ２０のソース電極２２に電気的に接続された制御容量電極２６と、制御容量電極に電気的に接続された蓄積容量電極１９と、制御容量電極２６に電気的に接続された直結部１６と、制御容量電極２６に絶縁膜３１を介して対向配置され、直結部１６と分離して形成された容量結合部１７とを備えた画素電極と、直結部１６と容量結合部１７との間隙に形成され、蓄積容量電極１９に保護膜３１を介して対向配置され、容量結合部１７上の液晶の配向不良を改善するダミーの容量結合部１５とを有している。【選択図】図２
2006330137.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された液晶と、
前記液晶に含有された重合性成分が光または熱により重合して形成されたポリマー層と、
一方の前記基板上に形成されたゲートバスラインと、
前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された制御容量電極と、
前記制御容量電極に電気的に接続された蓄積容量電極と、
前記制御容量電極に電気的に接続された直結部と、前記制御容量電極に絶縁膜を介して対向配置され、前記直結部と分離して形成された容量結合部とを備えた画素電極と、
前記直結部と前記容量結合部との間隙に形成され、前記蓄積容量電極に前記絶縁膜を介して対向配置され、前記容量結合部上の液晶の配向不良を改善するダミーの容量結合部と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記直結部と前記容量結合部との前記間隙に前記蓄積容量電極及び前記ゲートバスラインにほぼ平行に形成された蓄積容量バスラインが形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記容量結合部と前記ダミーの容量結合部にはほぼ同一の電圧が印加されること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記蓄積容量電極は、前記基板面法線方向に見て前記蓄積容量バスラインと重複する領域の外側にも形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記ダミーの容量結合部は、前記基板面法線方向に見て前記蓄積容量電極と重複する領域の外側にも形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関し、特に液晶に含有したモノマー等の重合性成分を重合させることによって液晶の配向を規制する液晶表示装置に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、テレビ受像機やパーソナル・コンピュータのモニタ装置等として用いられるようになっている。これらの用途では、表示画面をあらゆる方向から見ることのできる広い視野角が求められている。広視野角の得られる液晶表示装置として、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ：マルチドメイン垂直配向）方式の液晶表示装置が知られている。ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、一対の基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶と、液晶分子を基板面にほぼ垂直に配向させる垂直配向膜と、液晶分子の配向方位を規制する配向規制用構造物とを有している。配向規制用構造物としては、線状突起や電極の抜き部（メインスリット）が用いられる。電圧が印加されたときの液晶分子は、配向規制用構造物の延びる方向に垂直な方向に傾斜する。配向規制用構造物を用いて液晶分子の配向方位の互いに異なる複数の領域を１画素内に設けることにより、広い視野角が得られる。
【０００３】
ところが、ＭＶＡ方式の液晶表示装置では、比較的幅の太い線状突起やメインスリットが画素領域内に設けられるため、配向規制用構造物を有さないＴＮモード等の液晶表示装置に比べて画素の開口率が低下してしまい、高い光透過率が得られないという問題がある。
【０００４】
上記の問題を解決するために、バスラインに平行または垂直に延びる十字状の線状電極と、十字状の線状電極から斜めに分岐して直交４方向に延びる複数のストライプ状電極と、隣り合うストライプ状電極間に形成された微細スリットとを有する画素電極を備えたＭＶＡ方式の液晶表示装置がある。電圧が印加されたときの液晶分子は、画素電極の電極エッジ部に生じる斜め電界により、微細スリットの延びる方向に平行な方向に傾斜する。このＭＶＡ方式の液晶表示装置では、幅の太い線状突起やメインスリットが画素領域内に設けられないので、開口率の低下が抑制される。しかし、ストライプ状電極および微細スリットによる配向規制力は線状突起やメインスリットによる配向規制力より弱いため、液晶の応答時間が長く、また指押し等により配向の乱れが生じ易いという問題が生じ得る。
【０００５】
そこで、上記の画素構成を有する液晶表示装置には、光または熱により重合可能な重合性成分（モノマーやオリゴマー）を液晶に混入しておき、電圧を印加して液晶分子が傾斜した状態で重合性成分を重合させることによって液晶分子の傾斜方向を記憶させるポリマー配向支持（ＰＳＡ；Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術が導入されている（例えば特許文献１参照）。ＰＳＡ技術を用いた液晶表示装置では、液晶分子の傾斜方向を記憶するポリマー層が液晶と配向膜との界面に形成されるため、強い配向規制力が得られる。したがって、液晶の応答時間が短く、液晶分子を微細スリットの延びる方向に平行な方向に確実に傾斜させることができ、指押し等によっても配向の乱れが生じ難いＭＶＡ方式の液晶表示装置を実現できる。
【０００６】
ところで、ＭＶＡ方式のように液晶分子を基板に垂直に配向させる垂直配向型の液晶表示装置では、液晶の複屈折性を主に利用して光のスイッチングが行われる。一般に垂直配向型の液晶表示装置では、表示画面の法線方向に進む光とそれより斜めの方向に進む光との間で複屈折により生じる位相差が異なるため、程度の差はあるが画面の斜め方向では全階調において階調輝度特性（γ特性）が設定値からずれてしまう。したがって、液晶への印加電圧に対する透過率特性（Ｔ−Ｖ特性）は表示画面の法線方向と斜め方向とで異なるため、画面法線方向のＴ−Ｖ特性を最適に調整しても、斜め方向から見るとＴ−Ｖ特性が歪んで画面の色が白っぽく変化してしまうという現象がある。この現象は白っ茶け（Ｗａｓｈ  Ｏｕｔ）と呼ばれている。
【０００７】
白っ茶けを改善する手段として、いわゆる容量結合ＨＴ法（ハーフトーン・グレースケール法）を用いた液晶表示装置が提案されている。図６は容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置の画素構成を示している。図６に示すように、容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置では、画素領域がスイッチング素子（例えばＴＦＴ２０：薄膜トランジスタ）と電気的に接続された画素電極（直結部）１６の形成された副画素Ａと、ＴＦＴ２０と電気的に絶縁され、かつＴＦＴ２０のソース電極２２と等電位になる制御容量電極２６との間に静電容量を形成する画素電極（容量結合部）１７の形成された副画素Ｂとに分割されている。容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置では、画素電極に直結部と容量結合部とを設けることにより、液晶の配向方向を方位角方向だけでなく、極角方向にも分割させることができ、画素内に異なるγ特性を有することで斜め方向での複屈折による位相差の正面とのズレを抑えることが可能となり、白っ茶けを軽減できる。
【０００８】
しかし、図６に示す画素構成の容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置では、ＴＦＴ２０のソース電極２２にコンタクトホール２４を介して接続された画素電極１６の形成された副画素Ａと、ソース電極２２と容量により接続された画素電極１７の形成された副画素Ｂとの境界領域で所望の配向とは大きく異なる配向不良領域（液晶ドメイン）が発生するため、液晶表示装置の輝度・応答速度・白っ茶けを著しく劣化させる問題がある。
【０００９】
そこで、液晶表示装置の輝度・応答速度・白っ茶けを改善する手段として、図７に示すように、画素領域が蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９を挟んで、スイッチング素子（例えばＴＦＴ２０：薄膜トランジスタ）と電気的に接続された画素電極（直結部）１６の形成された副画素Ａと、ＴＦＴ２０と電気的に絶縁され、かつＴＦＴ２０のソース電極２２と等電位になる制御容量電極２６との間に静電容量を形成する画素電極（容量結合部）１７の形成された副画素Ｂとに分割される容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置が提案されている。
【００１０】
図７は画素領域が蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９を挟んで副画素Ａと副画素Ｂとに分割される容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置の画素構成を示し、図８は図７のＡ−Ａ線で切断した断面を示している。図７および図８に示すように、液晶表示装置の各画素領域は蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９を挟んで副画素Ａと副画素Ｂとに分割される。副画素Ａに形成された画素電極１６は蓄積容量電極１９上の保護膜（絶縁膜）３１を開口して形成されたコンタクトホール２４を介してＴＦＴ２０のソース電極２２と電気的に接続される。
【００１１】
ＴＦＴ基板２のガラス基板１０上には蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８上には絶縁膜３０を介して蓄積容量電極１９が形成されている。蓄積容量電極１９には制御容量電極２６が電気的に接続されている。蓄積容量電極１９および制御容量電極２６上の基板全面には保護膜（絶縁膜）３１が形成されている。蓄積容量電極１９上の保護膜３１の一部を開口してコンタクトホール２４が形成され、コンタクトホール２４を介して長方形状の電極１６ｅが電気的に接続されている。長方形状の電極１６ｅには副画素Ａに形成された画素電極の一部である画素電極１６ｂが電気的に接続されている。
【００１２】
副画素Ｂには画素電極１７が形成されている。画素電極１７の一部は保護膜３１を介して制御容量電極２６と対向しており、保護膜３１を容量膜として制御容量電極２６との間に静電容量を形成している。
【００１３】
画素領域が蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９を挟んで副画素Ａと副画素Ｂとに分割される容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置では、液晶ドメインが蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９上に形成される。蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９は不透明な電極なので、蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９上の領域は表示に用いられない。表示に用いられない蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９上の領域に液晶ドメインが形成されるため、液晶表示装置の輝度・応答速度・白っ茶けが改善される。
【００１４】
ところで容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示装置では、直結部の液晶よりも容量結合部の液晶の方が印加される電圧は小さくなる。そのため、図８に示すように直結部と容量結合部との境界にできる液晶ドメインは、直結部の電界エネルギーが容量結合部の電界エネルギーよりも勝る（図中矢印で模式的に示している）ため、容量結合部側に近い領域で発生し、印加される電圧によっては、容量結合部上の領域にはみ出してしまう。液晶ドメインが容量結合部上の領域にはみ出した場合、容量結合部上の領域に形成された液晶ドメインが液晶表示装置の輝度・応答速度・白っ茶けを著しく劣化させる問題がある。
【００１５】
【特許文献１】特開２００３−１４９６４７号公報
【特許文献２】特開２００４−２７９９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された液晶と、前記液晶に含有された重合性成分が光または熱により重合して形成されたポリマー層と、一方の前記基板上に形成されたゲートバスラインと、前記ゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成されたドレインバスラインと、前記ゲートバスラインに電気的に接続されたゲート電極と、前記ドレインバスラインに電気的に接続されたドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのソース電極に電気的に接続された制御容量電極と、前記制御容量電極に電気的に接続された蓄積容量電極と、前記制御容量電極に電気的に接続された直結部と、前記制御容量電極に絶縁膜を介して対向配置され、前記直結部と分離して形成された容量結合部とを備えた画素電極と、前記直結部と前記容量結合部との間隙に形成され、前記蓄積容量電極に前記絶縁膜を介して対向配置され、前記容量結合部上の液晶の配向不良を改善するダミーの容量結合部とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００１８】
上記本発明の液晶表示装置において、前記直結部と前記容量結合部との前記間隙に前記蓄積容量電極及び前記ゲートバスラインにほぼ平行に形成された蓄積容量バスラインが形成されていることを特徴とする。
【００１９】
上記本発明の液晶表示装置において、前記容量結合部と前記ダミーの容量結合部にはほぼ同一の電圧が印加されることを特徴とする。
【００２０】
上記本発明の液晶表示装置において、前記蓄積容量電極は、前記基板面法線方向に見て前記蓄積容量バスラインと重複する領域の外側にも形成されていることを特徴とする。
【００２１】
上記本発明の液晶表示装置において、前記ダミーの容量結合部は、前記基板面法線方向に見て前記蓄積容量電極と重複する領域の外側にも形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の一実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図５を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスラインおよびドレインバスラインと、画素毎に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）および画素電極とを備えたＴＦＴ基板２を有している。また、液晶表示装置は、カラーフィルタ（ＣＦ）や共通電極が形成されてＴＦＴ基板２に対向配置された対向基板４を有している。両基板２、４は、それらの対向面の外周部に形成されたシール材を介して貼り合わされている。両基板２、４間には、負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶が封止され、不図示の液晶層が形成されている。
【００２４】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが接続されている。これらの駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。ＴＦＴ基板２のＴＦＴ素子形成面と反対側の面には偏光板８７が配置され、対向基板４の共通電極形成面と反対側の面には、偏光板８６が偏光板８７に対しクロスニコルに配置されている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が配置されている。
【００２５】
図２は本実施の形態による液晶表示装置の画素の構成を示し、図３は図２のＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置の断面構成を示している。図２および図３に示すように、液晶表示装置のＴＦＴ基板２は、透明絶縁基板（例えば、ガラス基板）１０上に形成された複数のゲートバスライン１２と、絶縁膜３０を介してゲートバスライン１２に交差して形成された複数のドレインバスライン１４とを有している。ゲートバスライン１２およびドレインバスライン１４により囲まれた画素領域を横切って、ゲートバスライン１２に並列して延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。ゲートバスライン１２およびドレインバスライン１４の交差位置近傍には、画素毎に配置されるスイッチング素子としてＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０のドレイン電極２１は、ドレインバスライン１４に電気的に接続されている。またゲートバスライン１２の一部は、ＴＦＴ２０のゲート電極として機能している。ドレインバスライン１４上およびＴＦＴ２０上の基板全面には保護膜（絶縁膜）３１が形成されている。保護膜３１上の基板全面には液晶分子を基板面にほぼ垂直に配向させる不図示の配向膜が形成されている。配向膜と液晶層との界面には、液晶分子の配向方位を制御する不図示のポリマー層が形成されている。
【００２６】
画素領域内にはＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続され、ドレインバスライン１４に平行に延びる制御容量電極２６が形成されている。また、画素領域内の蓄積容量バスライン１８上には絶縁膜３０を介して蓄積容量電極（中間電極）１９が形成され、絶縁膜３０を容量膜として蓄積容量バスライン１８との間に蓄積容量（静電容量）を形成している。図３に示すように、蓄積容量電極１９は基板面法線方向に見て蓄積容量バスライン１８よりも所定の幅ｄ１だけ副画素Ａおよび副画素Ｂに突出して形成されている。すなわち蓄積容量電極１９は基板面法線方向に見て蓄積容量バスライン１８と重複する領域の外側にも形成されている。制御容量電極２６と蓄積容量電極１９は同層に形成され、電気的に接続されている。
【００２７】
本実施例による液晶表示装置の各画素領域は、蓄積容量バスライン１８を挟んで対向して配置された副画素Ａと副画素Ｂとを有している。副画素Ａには第１の画素電極（直結部）１６が形成され、副画素Ｂには画素電極１６から分離された第２の画素電極（容量結合部）１７が例えば第１の画素電極１６と同一材料で同層に形成されている。
【００２８】
副画素Ａに形成された画素電極１６は、ゲートバスライン１２にほぼ平行に延びる線状電極１６ａと、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びる線状電極１６ｂとを有している。線状電極１６ａと線状電極１６ｂとは保護膜３１を介して制御容量電極２６と対向して配置されている。また画素電極１６は、線状電極１６ａまたは１６ｂから斜めに分岐し、副画素Ａ内で直交４方向にストライプ状に延びる複数の線状電極１６ｃと、隣り合う線状電極１６ｃ間に形成された微細スリット１６ｄとを有している。線状電極１６ｃの幅ｌは例えば６μｍであり、微細スリット１６ｄの幅ｓは例えば３．５μｍである。微細スリット１６ｄの延伸方位は、図中右方向（線状電極１６ａと平行な方向）を０°とした場合４５°，１３５°，２２５°，３１５°である。また画素電極１６は蓄積容量電極１９の一部と保護膜３１を介して対向して配置された長方形状の電極１６ｅを有している。蓄積容量電極１９上にはコンタクトホール２４が形成され、画素電極１６はコンタクトホール２４を介して蓄積容量電極１９および制御容量電極２６およびソース電極２２に電気的に接続されている。
【００２９】
副画素Ｂに形成された画素電極１７は、ゲートバスライン１２にほぼ平行に延びる線状電極１７ａと、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びる線状電極１７ｂとを有している。線状電極１７ａと線状電極１７ｂとは保護膜３１を介して制御容量電極２６と対向して配置されており、保護膜３１を容量膜として制御容量電極２６との間に静電容量を形成している。また画素電極１７は線状電極１７ｂから斜めに分岐して延びる複数の線状電極１７ｃと、隣り合う線状電極１７ｃ間に形成された微細スリット１７ｄとを有している。線状電極１７ｃおよび微細スリット１７ｄの幅は、線状電極１６ｃおよび微細スリット１６ｄの幅とほぼ同じである。微細スリット１７ｄの延伸方位は、図中右方向（線状電極１７ａと平行な方向）を０°とした場合４５°，１３５°，２２５°，３１５°である。
【００３０】
長方形状の電極１６ｅと画素電極１７との間隙には、長方形状の電極１６ｅおよび画素電極１７と分離して長方形状の電極であるダミーの容量結合部１５が形成されている。ダミーの容量結合部１５は画素電極１６および画素電極１７と同一の材料で同層に形成される。また、ダミーの容量結合部１５は保護膜３１を介して蓄積容量電極１９の一部および制御容量電極２６の一部と対向して配置されている。
【００３１】
図３に示すように、ダミーの容量結合部１５は基板面法線方向に見て蓄積容量電極１９よりも所定の幅ｄ２だけ副画素Ｂ側に突出して形成されている。すなわちダミーの容量結合部１５は基板面法線方向に見て蓄積容量電極１９と重複する領域の外側にも形成されている。また、ダミーの容量結合部１５の蓄積容量バスライン１８の延びる方向（図中左右方向）と平行な辺の幅は蓄積容量電極１９の蓄積容量バスライン１８の延びる方向と平行な辺の幅よりも大きい。ダミーの容量結合部１５は保護膜３１を容量膜として蓄積容量電極１９および制御容量電極２６との間に静電容量を形成する。また、ダミーの容量結合部１５と画素電極（容量結合部）１７とにはほぼ同一の電圧が印加される。
【００３２】
一方、対向基板４は、ガラス基板１１上に形成された不図示のＣＦ樹脂層を有している。各画素には、赤色、緑色、青色のいずれか１色のＣＦ樹脂層が形成されている。ＣＦ樹脂層上の基板全面には、透明導電膜からなる共通電極４１が形成されている。共通電極４１上の全面には、液晶分子８を基板面にほぼ垂直に配向させる不図示の配向膜が形成されている。配向膜と液晶層との界面には、不図示のポリマー層がＴＦＴ基板２側のポリマー層と同様に形成されている。ポリマー層は、例えば液晶層に所定の電圧を印加した状態で、液晶が含有するモノマー等の重合性成分を光または熱により重合させることによって形成される。液晶の配向方位はポリマー層により微細スリットの延伸方向に規定される。電圧無印加時では液晶は基板面にほぼ垂直に配向する。
【００３３】
本実施の形態による液晶表示装置によれば、直結部の画素電極１６と容量結合部の画素電極１７との蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９上の間隙にダミーの容量結合部１５を設けることで容量結合部（副画素Ｂ）へ配向不良領域（液晶ドメイン）がはみ出すのを抑制することができる。直結部の画素電極１６とダミーの容量結合部１５との境界に形成される液晶ドメインは、直結部の画素電極１６の電界エネルギーがダミーの容量結合部１５の電界エネルギーよりも勝る（図３中矢印で模式的に示している）ため、ダミーの容量結合部１５側に近い領域で発生し、印加される電圧によっては、ダミーの容量結合部１５上の領域にはみ出してしまう。しかしダミーの容量結合部１５は不透明な電極の蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９上に形成されており、バックライトからの光が透過せず表示には用いられないため、液晶ドメインが液晶表示装置の輝度・応答速度・白っ茶けを劣化させるのを抑制できる。
【００３４】
また、容量結合部の画素電極１７とダミーの容量結合部１５との境界に形成される液晶ドメインは、両者の電界エネルギーが同じである（図中矢印で模式的に示している）ため、両者の境界部に安定して存在するので、液晶ドメインの発生箇所を規定することができる。
【００３５】
ところで、モノマーを重合させるためには液晶層に電圧を印加する必要があるが、液晶層に電圧を印加する方法にはドレインバスライン１４と共通電極４１間に電圧を印加する方法と、蓄積容量バスライン１８と共通電極４１間に電圧を印加する方法がある。ドレインバスライン１４と共通電極４１間に電圧を印加する方法は通常の液晶を駆動させる方法と同じ方法であるため、特殊な設計は不要であるが、一方でドレインバスライン１４近傍においてドレインバスライン１４からの漏れ電界により液晶の配向が乱され、所望の液晶の配向が得られないかつ透過率等が蓄積容量バスライン１８と共通電極４１間に電圧を印加する方法よりも劣るという問題がある。
【００３６】
一方、蓄積容量バスライン１８と共通電極４１間に電圧を印加する方法では優れた液晶配向および表示特性が実現可能である。ただし蓄積容量バスライン１８と共通電極４１間に電圧を印加する方法を用いた場合、蓄積容量電極１９が基板面法線方向に見て蓄積容量バスライン１８よりも副画素Ａ側および副画素Ｂ側に突出して形成されるように液晶表示パネルを設計する必要がある。
【００３７】
蓄積容量バスライン１８と共通電極４１間に電圧を印加する方法では、モノマーを重合させる際に蓄積容量バスライン１８および共通電極４１間に印加された電圧は液晶層と蓄積容量とで容量比に応じて分配される。従って、蓄積容量バスライン１８が基板面法線方向に見て蓄積容量電極１９よりも副画素Ａ側および副画素Ｂ側に突出して形成されていると、モノマーを重合させる際に蓄積容量に印加される電圧が直結部および容量結合部上の液晶層に印加される電圧よりも大きくなるため、蓄積容量バスライン１８から液晶層への漏れ電界により液晶の配向が大きく乱されてしまう。従って、蓄積容量電極１９が基板面法線方向に見て蓄積容量バスライン１８よりも副画素Ａ側および副画素Ｂ側に突出して形成されるように設計して、蓄積容量バスライン１８からの漏れ電界を防ぐ必要がある。同様に、蓄積容量電極１９上に設けるダミーの容量結合部１５を基板面法線方向に見て蓄積容量電極１９と重複する領域の外側にも形成することで、モノマーを重合させる際の蓄積容量電極１９から容量結合部の液晶層への漏れ電界を防ぐことができ、良好な液晶配向を実現することができるポリマー層を形成することができる。
以下、本実施の形態による液晶表示装置について実験例を用いてより具体的に説明する。
【００３８】
（実験例）
図２に示す本実施の形態による画素構成の容量結合ＨＴ法を用いた液晶表示パネルと、比較のために図４に示すような蓄積容量バスライン１８および蓄積容量電極１９上にダミーの容量結合部１５を設けない画素構成の容量結合ＨＴ法を用いた従来の液晶表示パネルとをそれぞれ３組、合わせて６組用意した。液晶にはモノマーを含有し、負の誘電率異方性を有する液晶を用いた。
【００３９】
６組の液晶表示パネル毎に蓄積容量バスライン１８と共通電極４１間に２Ｖ、２．５Ｖ、３Ｖ、５Ｖ、７．５Ｖ、１０Ｖ、２０Ｖ、３０Ｖの８通りの交流電圧を印加し、６組の液晶表示パネルの印加電圧に対する液晶の配向性を調べた。
【００４０】
図５はそれぞれの液晶表示パネルの印加電圧と配向性との関係を示す表である。図５では、良好な配向性の得られた液晶表示パネルを「○」で表し、配向性が若干悪い液晶表示パネルを「△」で表し、配向性が悪い液晶表示パネルを「×」で表している。図５に示すように、印加電圧が増すほど従来の液晶表示パネル（従来例）では配向性が悪くなるが、本実施の形態による液晶表示装置（本発明）では印加電圧が増しても安定した均一配向が実現されていることがわかる。以上の実験により、直結部の画素電極１６と容量結合部の画素電極１７との間隙にダミーの容量結合部１５を設けることで良好な液晶配向が実現できることが分かった。
【００４１】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００４２】
また上記実施の形態では、対向基板４上にＣＦ樹脂層４０が形成された液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ＴＦＴ基板２上にＣＦ樹脂層が形成された、いわゆるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の画素の構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の画素の構成を示す図である。
【図５】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の印加電圧と配向性との関係を示す表である。
【図６】従来の液晶表示装置の画素の構成を示す図である。
【図７】従来の液晶表示装置の画素の構成を示す図である。
【図８】従来の液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
８ａ、８ｂ、８ｃ、８ｄ  液晶分子
１０、１１  ガラス基板
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１５  ダミーの容量結合部
１６、１７  画素電極
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｅ、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ  線状電極
１６ｄ、１７ｄ  微細スリット
１６ｅ  長方形状の電極
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２２  ソース電極
２４  コンタクトホール
２６  制御容量電極
３０  絶縁膜
３１  保護膜
４１  共通電極
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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