(57)【要約】【課題】メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができるプラズマ分解装置を提供する。【解決手段】本発明に係るプラズマ分解装置は、被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸し、上流から順に複数設けられたプラズマ発生用の電極板４４，４８と、処理ガスと反応する添加ガスを、互いに異なる電極板４４，４８の相互間に供給する複数の添加ガス供給手段５０と、複数の添加ガス供給手段５０それぞれ毎に設けられた複数のバルブ５２と、複数のバルブ５２それぞれを制御する制御部６０とを具備する【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸し、上流から順に複数設けられたプラズマ発生用の電極板と、
前記被処理ガスと反応する添加ガスを、互いに異なる前記電極板上の空間に供給する複数の添加ガス供給手段と、
前記複数の添加ガス供給手段それぞれ毎に設けられた複数のバルブと、
を具備するプラズマ分解装置。
【請求項２】
被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸するプラズマ発生用の電極板と、
前記電極板表面の中央部近傍の空間に、前記被処理ガスと反応する添加ガスを供給する添加ガス供給手段と、
を具備するプラズマ分解装置。
【請求項３】
被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸するプラズマ発生用の電極板と、
前記電極板が生成するプラズマの密度が最も高い空間又はその近傍に、前記被処理ガスと反応する添加ガスを供給する添加ガス供給手段と、
を具備するプラズマ分解装置。
【請求項４】
前記被処理ガスは六フッ化硫黄であり、前記添加ガスは水を含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のプラズマ分解装置。
【請求項５】
前記六フッ化硫黄は、フッ化タングステンとともに前記流路を流れる請求項４に記載のプラズマ分解装置。
【請求項６】
前記被処理ガスは、半導体装置の反応容器から排出された排気ガスであり、前記フッ化タングステンは、前記反応容器でタングステンがエッチングされることにより生成する請求項５に記載のプラズマ分解装置。
【請求項７】
前記添加ガス供給手段は、
前記電極板の内部に設けられ、該内部を延伸する空洞部と、
前記電極板の表面に設けられ、前記空洞部に接続する開口部と、
を具備する請求項１〜６のいずれか一項に記載のプラズマ分解装置。
【請求項８】
前記添加ガス供給手段は、前記複数の電極板の相互間に延伸する配管である請求項１〜６のいずれか一項であるプラズマ分解装置。
【請求項９】
半導体基板上に形成されたタングステン膜がエッチングされる反応容器と、
前記反応容器にエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記反応容器内を排気する排気用配管と、
前記排気用配管内に設けられたプラズマ分解装置と、
を具備し、
前記プラズマ分解装置は、
被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸し、上流から順に複数設けられたプラズマ発生用の電極板と、
前記被処理ガスと反応する添加ガスを、互いに異なる前記電極板の表面上の空間に供給する複数の添加ガス供給手段と、
前記複数の添加ガス供給手段それぞれ毎に設けられた複数のバルブと、
を具備する半導体製造設備。
【請求項１０】
半導体基板上に形成されたタングステン膜を、エッチングガスを用いて反応容器内でエッチングしつつ、前記反応容器内を、排気用配管を用いて排気し、
前記排気用配管内に設けられたプラズマ分解装置を用いて、排気されたガス内に含まれている未反応の前記エッチングガスを分解する、半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマ分解装置は、
前記排気用配管中に延伸し、上流から順に設けられたプラズマ発生用の複数の電極板と、
前記被処理ガスと反応する添加ガスを、互いに異なる前記電極板上の空間に供給する複数の添加ガス供給手段と、
前記複数の添加ガス供給手段それぞれ毎に設けられた複数のバルブと、
を具備し、
所定の時間が経過した後に、開いている前記バルブを変更することにより、前記排気用配管内における前記添加ガスが供給される前記電極板の相互間を変更する半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板上に形成されたタングステン膜がエッチングされる反応容器と、
前記反応容器にエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記反応容器内を排気する排気用配管と、
前記排気用配管内に設けられたプラズマ分解装置と、
を具備し、
前記プラズマ分解装置は、
被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸するプラズマ発生用の電極板と、
前記電極板表面の中央部近傍の空間に、前記被処理ガスと反応する添加ガスを供給する添加ガス供給手段と、
を具備する半導体製造設備。  
【請求項１２】
半導体基板上に形成されたタングステン膜を、エッチングガスを用いて反応容器内でエッチングしつつ、前記反応容器内を、排気用配管を用いて排気し、
前記排気用配管内に設けられたプラズマ分解装置を用いて、排気されたガス内に含まれている前記エッチングガスを分解する、半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマ分解装置内において、前記被処理ガスと反応する添加ガスを、プラズマ発生用の電極板の表面中央部近傍の空間に供給する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ分解装置、半導体製造設備及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができるプラズマ分解装置、半導体製造設備及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造設備から出る排気ガスには、温暖化効果が高いガス（例えば六フッ化硫黄）等、大気に放出されるべきでないガス（以下、被処理ガスと記載）が含まれる場合がある。この場合、排気ガスを大気に放出する前に被処理ガスを分解する必要がある。被処理ガスを分解する装置の一つに、プラズマ分解装置がある（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３２７１００５号公報（図３）
【０００３】
図６は、従来のプラズマ分解装置の一例を示す断面図である。このプラズマ分解装置は、排気ガスが排気される排気用配管１００に取り付けられている。詳細には、ベース電極１１０，１２０それぞれが、絶縁用のセラミック１１１を介して、排気ガスの流れ方向に沿う方向に排気用配管１００に取り付けられている。ベース電極１１０，１２０それぞれは、互いに向き合っている。ベース電極１１０には高周波が印加され、ベース電極１２０は接地されている。
【０００４】
ベース電極１１０，１２０それぞれには、複数の電極板１１２，１２２が設けられている。電極板１１２，１２２は、排気ガスの流れ方向と略直交する方向に、互い違いとなる位置に延伸している。電極板１１２，１２２それぞれには、排気ガスの流れをよくするために、孔１１２ａ，１２２ａが複数設けられている。そして、ベース電極１１０に高周波が印加されると、電極板１１２，１２２相互間にはプラズマが発生する。
【０００５】
排気ガスには、プラズマ分解装置に入る直前に、添加ガス供給配管１０１から、被処理ガスと反応する添加ガス（被処理ガスが六フッ化硫黄の場合は水）が添加される。これにより、被処理ガスはプラズマ中で添加ガスと反応し、分解される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
排気ガスには、被処理ガス以外の様々なガスが含まれており、これらのガスが、プラズマ処理装置中のプラズマ内で様々な反応を起こす。これらの反応によって、電極板に堆積物が生成することがある。電極板に導電性の堆積物が生成すると、堆積物によって電極板が互いの間でショートすることがある。最上流に位置する電極板は、排気ガス中の成分濃度が最も高い部分に位置するため、特に堆積物が生成しやすく、ショートが生じやすい。
【０００７】
従って、定期的にプラズマ分解装置のメンテナンスを行い、堆積物が電極板に一定量以上蓄積しないようにする必要がある。しかし、プラズマ分解装置のメンテナンスを行っている間は、半導体装置の製造設備を停止させる必要がある。このため、メンテナンスの間隔は長いのが好ましい。
【０００８】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができるプラズマ分解装置、半導体製造設備及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係るプラズマ分解装置は、被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸し、上流から順に複数設けられたプラズマ発生用の電極板と、
前記被処理ガスと反応する添加ガスを、互いに異なる前記電極板上の空間に供給する複数の添加ガス供給手段と、
前記複数の添加ガス供給手段それぞれ毎に設けられた複数のバルブとを具備する。
【００１０】
このプラズマ分解装置によれば、例えば一定時間が経過した後に、添加ガスが供給される空間（すなわち電極板の相互間）を切り替えることができるため、最も激しく反応が生じる空間を、一定時間が経過した後に切り替えることができる。このため、従来のプラズマ分解装置のように、特定の電極板に堆積物が集中することがない。従って、メンテナンスするべき量ほど堆積物が堆積するまでの時間が長くなり、メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができる。
【００１１】
本発明に係る他のプラズマ分解装置は、被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸するプラズマ発生用の電極板と、
前記電極板表面の中央部近傍の空間に、前記被処理ガスと反応する添加ガスを供給する添加ガス供給手段とを具備する。
【００１２】
このプラズマ分解装置によれば、添加ガスは電極板表面の中央部の近傍に供給される。電極板中央部の近傍はプラズマの密度が高いため、堆積物が生成しても、この堆積物の一部はエッチングされる。このため、堆積物の堆積レートが遅くなり、メンテナンスするべき量ほど堆積物が堆積するまでの時間が長くなる。従って、メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができる。
【００１３】
本発明に係る他のプラズマ分解装置は、被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸するプラズマ発生用の電極板と、
前記電極板が生成するプラズマの密度が最も高い空間又はその近傍に、前記被処理ガスと反応する添加ガスを供給する添加ガス供給手段とを具備する。
【００１４】
前記被処理ガスが六フッ化硫黄である場合、前記添加ガスは、例えば水を含む。この場合、六フッ化硫黄は、フッ化タングステンとともに前記流路を流れていてもよい。フッ化タングステンは水と反応し、堆積物であるタングステンを生成するが、メンテナンスするべき量ほどタングステンが堆積するまでの時間が長くるため、メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができる。なお、前記被処理ガスが、半導体装置の反応容器から排出された排気ガスである場合、前記フッ化タングステンは、例えば前記反応容器でタングステンがエッチングされることにより生成する。
【００１５】
前記添加ガス供給手段は、前記電極板の内部に設けられ、該内部を延伸する空洞部と、前記電極板の表面に設けられ、前記空洞部に接続する開口部とを具備してもよい。また、前記添加ガス供給手段は、前記複数の電極板相互間に延伸する配管であってもよい。
【００１６】
本発明に係る半導体製造設備は、半導体基板上に形成されたタングステン膜がエッチングされる反応容器と、
前記反応容器にエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記反応容器内を排気する排気用配管と、
前記配管内に設けられたプラズマ分解装置と、
を具備し、
前記プラズマ分解装置は、
被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸し、上流から順に複数設けられたプラズマ発生用の電極板と、
前記被処理ガスと反応する添加ガスを、互いに異なる前記電極板の相互間に供給する複数の添加ガス供給手段と、
前記複数の添加ガス供給手段それぞれ毎に設けられた複数のバルブとを具備する。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成されたタングステン膜を、エッチングガスを用いて反応容器内でエッチングしつつ、前記反応容器内を、排気用配管を用いて排気し、
前記排気用配管内に設けられたプラズマ分解装置を用いて、排気されたガス内に含まれている前記エッチングガスを分解する、半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマ分解装置は、
前記排気用配管中に延伸し、上流から順に設けられたプラズマ発生用の複数の電極板と、
前記被処理ガスと反応する添加ガスを、互いに異なる前記電極板上の空間に供給する複数の添加ガス供給手段と、
前記複数の添加ガス供給手段それぞれ毎に設けられた複数のバルブと、
を具備し、
所定の時間が経過した後に、開いている前記バルブを変更することにより、前記排気用配管内における前記添加ガスが供給される前記電極板の相互間を変更するものである。
【００１８】
本発明に係る半導体製造設備は、半導体基板上に形成されたタングステン膜がエッチングされる反応容器と、
前記反応容器にエッチングガスを供給するエッチングガス供給手段と、
前記反応容器内を排気する排気用配管と、
前記配管内に設けられたプラズマ分解装置と、
を具備し、
前記プラズマ分解装置は、
被処理ガスの流路中に該流路と交わる方向に延伸するプラズマ発生用の電極板と、
前記電極板表面の中央部の近傍に、前記被処理ガスと反応する添加ガスを供給する添加ガス供給手段とを具備する。
【００１９】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成されたタングステン膜を、エッチングガスを用いて反応容器内でエッチングしつつ、前記反応容器内を、排気用配管を用いて排気し、
前記排気用配管内に設けられたプラズマ分解装置を用いて、排気されたガス内に含まれている前記エッチングガスを分解する、半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマ分解装置内において、前記被処理ガスと反応する添加ガスを、プラズマ発生用の電極板の表面中央部近傍の空間に供給するものである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、第１の実施形態に係る半導体製造設備の構成を説明する為の概略図である。この半導体製造設備は、シリコン基板に形成されたタングステン膜をエッチングするためのものである。
【００２１】
エッチングされるタングステン膜は、シリコン基板に形成された層間絶縁膜上、及びこの層間絶縁膜に形成された接続孔中それぞれに、例えばＣＶＤ法を用いて形成されている。そして、図１に示す半導体製造設備によって、層間絶縁膜上に位置するタングステン膜が除去されることにより、接続孔にタングステンプラグが埋め込まれる。
【００２２】
図１に示す半導体製造設備において、シリコン基板１はステージ１１上に載置される。ステージ１１と対向する位置には、電極１２が配置されている。ステージ１１は接地されており、電極１２は高周波電源１２ａに接続されている。ステージ１１及び電極１２は、反応容器１０内に配置されているが、反応容器１０の内部には、供給用配管２０を介して、エッチングガスである六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスが供給される。また、反応容器１０の内部は、排気用配管３０を介して排気ポンプ（図示せず）に接続されており、このポンプによって排気されている。
【００２３】
排気用配管３０を介して排気される排気ガスには、未反応の六フッ化硫黄ガスが含まれる。六フッ化硫黄ガスは温暖化効果が高いが、排気用配管３０に組み込まれたプラズマ分解装置４０によって分解される。このため、図１に示した半導体製造設備では、六フッ化硫黄ガスの排出が抑制される。
【００２４】
図２は、プラズマ分解装置４０の構成を説明する為の縦断面図である。プラズマ分解装置４０は、ベース電極４２，４６を有している。ベース電極４２，４６それぞれは、互いに向き合うように、かつ排気ガスの流れ方向に沿うように、絶縁用のセラミック３２を介して排気用配管３０に取り付けられている。ベース電極４２には、高周波電源４２ａから高周波が印加され、ベース電極４６は接地されている。
【００２５】
ベース電極４２，４６それぞれには、複数の電極板４４，４８が櫛歯状に設けられている。電極板４４，４８は、排気ガスの流れ方向と略直交する方向に、互い違いとなる位置に延伸している。ベース電極４２に高周波が印加されると、電極板４４，４８相互間にはプラズマが発生する。なお、電極板４４，４８それぞれには、排気ガスの流れをよくするために、貫通孔４４ｃ，４８ａが複数設けられている。
【００２６】
複数の電極板４４それぞれには、中空部（図示せず）が設けられている。これら中空部それぞれには、ベース電極４２を介して添加ガス供給配管５０が接続されており、添加ガス供給配管５０によって水蒸気及び酸素が供給される。添加ガス供給配管５０にはバルブ５２が設けられており、バルブ５２の開閉によって水蒸気及び酸素の供給が制御される。すべてのバルブ５２の開閉は、制御部６０によって制御されている。
【００２７】
電極板４４の中空部に供給された水蒸気及び酸素は、電極板４４の表面に形成された開口部を介して電極板４４上の空間に供給され、以下の（１）式に従って、プラズマ中で六フッ化硫黄ガスと反応する。
ＳＦ６＋３Ｈ２Ｏ＋ＹＯ２→６ＨＦ＋ＳＯＸ・・・（１）式
【００２８】
なお、排気ガス中には、タングステン膜のエッチングにより生成したフッ化タングステンが含まれる。フッ化タングステンは、以下の（２）式に従って、プラズマの中及び外の双方で水及び酸素と反応する。
２ＷＦ６＋６Ｈ２Ｏ→１２ＨＦ＋２Ｗ＋３Ｏ２・・・（２）式
（２）式に従って生成したタングステンは、水蒸気及び酸素を供給した電極板４４の表面に堆積する。
【００２９】
一方、制御部６０は、開いているバルブ５２を一定時間（例えば１０時間）ごとに切り替える。詳細には、まず、最上流の電極板４４に接続する添加ガス供給配管５０のバルブ５２を開き、他のバルブ５２を閉じる。一定時間経過すると、そのすぐ下流の電極板４４に接続する添加ガス供給配管５０のバルブ５２を開き、他のバルブ５２を閉じる。この動作を順次繰り返す。そして、最下流に位置する電極板４４に接続する添加ガス供給配管５０のバルブ５２を開いてから一定時間経過すると、このバルブ５２を閉じて、最上流に位置する電極板４４に接続する添加ガス供給配管５０のバルブ５２を開く。以下、制御部６０は、同様の制御を繰り返す。
【００３０】
このように、本実施形態では、水蒸気及び酸素を供給する電極板４４が順次切り替わるため、従来のプラズマ分解装置のように、最上流の電極板に堆積物が集中することがない。従って、メンテナンスするべき量ほど堆積物が堆積するまでの時間が長くなり、メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができる。
【００３１】
図３（Ａ）は電極板４４の平面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。これらの図に示すように、電極板４４の表面には貫通孔４４ｃ及び開口部４４ｂがそれぞれ一つ又は複数設けられている。貫通孔４４ｃは、上記したように、排気ガスの流れをよくするために設けられている。
【００３２】
開口部４４ｂは、電極板４４内部を延伸する配管状の空洞部４４ａに接続している。空洞部４４ａは、ベース電極４２及び絶縁リング４３を介して、添加ガス供給配管５０に接続している。開口部４４ｂは、電極板４４の中央部近傍（例えば電極板４４の中央から、電極板４４の幅の１／４ほど前後した領域内）に複数設けられている。
【００３３】
電極板４４の中央部近傍の空間はプラズマの密度が高いため、上記した（２）式に従ってタングステンが堆積しても、堆積したタングステンの一部は、未反応の六フッ化硫黄によってエッチングされる。このため、タングステンの電極板４４への堆積速度は低くなる。従って、メンテナンスするべき量ほど堆積物が堆積するまでの時間が長くなり、メンテナンスの間隔を従来と比べて長くすることができる。
【００３４】
以上、第１の実施形態によれば、排気ガス中に含まれる六フッ化硫黄は、電極板４４の開口部４４ｂから供給される水蒸気及び酸素と反応し、分解する。このとき、排気ガス中に含まれるフッ化タングステンが水蒸気と反応するため、電極板４４にはタングステンが堆積する。しかし、水蒸気及び酸素を供給する電極板４４が、一定間隔ごとに切り替わるため、特定の電極板４４にタングステンが集中して堆積することが抑制される。従って、メンテナンスするべき量ほど堆積物が堆積するまでの時間が長くなり、メンテナンスの間隔が、従来と比べて長くなる。
【００３５】
また、開口部４４ｂは、電極板４４の中央部近傍に設けられているが、この中央部近傍ではプラズマ密度が高いため、堆積したタングステンの一部は、未反応の六フッ化硫黄によってエッチングされる。従って、タングステンの電極板４４への堆積速度は低くなり、メンテナンスの間隔が更に長くなる。
【００３６】
図４は、第２の実施形態に係る半導体製造設備に用いられるプラズマ分解装置４０の縦断面図である。本実施形態に係る半導体製造設備は、プラズマ分解装置４０の電極板４４及び添加ガス供給配管５０の構成を除いて、第１の実施形態と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３７】
本実施形態において、電極板４４には、水蒸気及び酸素を排気ガス中に供給するための中空部及び開口部が設けられていない。その代わりに、添加ガス供給配管５０が、ベース電極４２を貫いて排気ガスの流路内まで延伸しており、添加ガス供給配管５０の先端５０ａから直接水蒸気及び酸素が、排気ガスに供給される。なお、先端５０ａは、電極板４４それぞれの表面の中央部よりわずかにベース電極４２側に位置しており、この中央部近傍の空間に水蒸気及び酸素を供給する。また、ベース電極４２と添加ガス供給配管５０の間は、絶縁物（図示せず）により絶縁されている。
【００３８】
添加ガス供給配管５０は金属製（例えばステンレス製）であるが、排気ガスの流路に露出している部分は、セラミック等の絶縁物によりコーティングされている。このため、添加ガス供給配管５０がプラズマによりダメージを受けることが抑制される。また、添加ガス供給配管５０がプラズマに影響を与えることが抑制される。
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００３９】
図５は、第３の実施形態に係る半導体製造設備に用いられるプラズマ分解装置４０の縦断面図である。本実施形態に係る半導体製造設備は、プラズマ分解装置４０の添加ガス供給配管５０の先端５０ａの形状を除いて、第２の実施形態と同一の構成である。以下、第２の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４０】
本実施形態において、添加ガス供給配管５０は、電極板４４の表面の略中央部の上方まで延伸し、その後、先端５０ａが、排気用配管３０の上流側に向けて略９０°折れ曲がっている。
本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。
【００４１】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【００４２】
例えば、第1の実施形態において、すべての電極板４４に空洞部４４ａ及び開口部４４ｂを設ける必要はなく、例えば最上流側、中間部、及び最下流側それぞれに位置する電極板４４のみに設けられてもよい。この場合、空洞部４４ａ及び開口部４４ｂが設けられていない電極板４４には、添加ガス供給配管５０が接続されない。
また、第２及び第３の実施形態それぞれにおいても、添加ガス供給配管５０は、最上流側、中間部、及び最下流側それぞれに位置する電極板４４それぞれの上流側のみに設けられてもよい。
【００４３】
また、上記した実施例に係る半導体製造設備はタングステン膜をエッチングする設備であるが、他の設備であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１の実施形態に係る半導体製造設備の構成を説明する為の概略図。
【図２】プラズマ分解装置４０の構成を説明する為の縦断面図。
【図３】（Ａ）は電極板４４の平面図、（Ｂ）は図３（Ａ）のＡ−Ａ断面図。
【図４】第２の実施形態に係るプラズマ分解装置４０の縦断面図。
【図５】第３の実施形態に係るプラズマ分解装置４０の縦断面図。
【図６】従来のプラズマ分解装置の一例を示す断面図。
【符号の説明】
【００４５】
１０…反応容器、１１…ステージ、１２…電極、１２ａ，４２ａ…高周波電源、２０…供給用配管、３０，１００…排気用配管、３２…セラミック、４０…プラズマ分解装置、４２，４６，１１０，１２０…ベース電極、４３…絶縁リング、４４，４８，１１２，１２２…電極板、４４ａ…空洞部、４４ｂ…開口部、４４ｃ，４８ａ，１１２ａ，１２２ａ…貫通孔、５０，１０１…添加ガス供給配管、５０ａ…先端、５２…バルブ、６０…制御部
【図１】
2006247542.tif 000003
【図２】
2006247542.tif 000004
【図３】
2006247542.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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