(57)【要約】【課題】異なる基板にある高周波用半導体部品間の信号伝送特性を向上させるための半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくともプリント配線基板１０と、インターポーザ２０と、高周波伝送用基板間接続基板３０と、高速伝送用半導体チップ４０とから構成されており、高周波伝送用基板間接続基板３０は、インターポーザ２０の上部にはんだボール５１にてＢＧＡ実装されている。高速伝送用半導体チップ４０は、それぞれインターポーザ２０に実装されている。高周波伝送用基板間接続基板３０のＢＧＡはんだボール用パッド径をＣφ、インターポーザ２０のＢＧＡはんだボール用パッド径をＩφとしたとき、Ｃφ＜Ｉφなる関係が満たされていることを特徴とする。【選択図】図１
2006186002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともプリント配線基板と、インターポーザと、高周波伝送用基板間接続基板と、高速伝送用半導体チップからなる半導体装置において、前記インターポーザと前記高周波伝送用基板間接続基板とはＢＧＡ接続されており、前記高周波伝送用基板間接続基板のＢＧＡはんだボール用パッド径をＣφ、前記インターポーザのＢＧＡはんだボール用パッド径をＩφとしたとき、
Ｃφ＜Ｉφなる関係が満たされていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記高周波伝送用基板間接続基板の伝送路の形態が、ＭＳＬ、ＳＬ、片面グランド付ＣＰＷ及び両面グランド付ＣＰＷから選ばれる少なくとも１種の伝送路形態で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記高周波伝送用基板間接続基板がフレキシブル基板からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なるプリント配線基板に設けられた高周波用半導体部品間の高周波信号伝送特性の向上を目的とした半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現状、ミリ波や光電子デバイスの高周波用半導体部品とプリント配線基板間の信号の受け渡しを担っているインターポーザにはプラスチックやセラミックが使われている。インターポーザとプリント配線板の接続方法には主にＱＦＰ（Quad Flat Package）に代表されるワイヤーボンディング接続、ＰＧＡ（Pin Grid Array）接続、ＢＧＡ（Ball Grid Array）接続が使われている。
【０００３】
これらの接続部はインターポーザやプリント配線基板上の配線のようにインピーダンスコントロールがされていない。
ワイヤーボンディング接続は、リードフレームとワイヤー部の誘導性に起因する高周波インピーダンスが無視できなくなり、その結果、高周波信号の伝送特性の劣化をもたらすことが問題となっている。
また、ＰＧＡ接続は、ＰＧＡのピンの受け皿としてプリント配線板にスルーホールを設けており、このスルーホールがスタブとなって高周波信号伝送を困難なものにしている。
【０００４】
これに対して、ＢＧＡ接続は、ワイヤーボンディング接続のような誘導性に起因する高周波インピーダンスの影響は小さく、ＰＧＡ接続のようなスタブの形成を回避することができる。ＢＧＡ接続は上記3つの接続方法の中で最も高周波信号伝送に適した接続方法であり、近年、ＢＧＡ実装方式が高周波信号伝送に用いられる主たる実装方式となっている。
【０００５】
インターポーザに使用している基板材料はプラスチィックやセラミックで、これらの材料は半導体チップのような半導体部品に比べ、温度変化による膨張もしくは収縮の度合いが大きい。インターポーザ内では、半導体部品を実装した付近で熱膨張が抑制され、それ以外の個所との熱膨張の度合いが変わる。
これによって、熱サイクル試験において、インターポーザには高温で半導体部品側に反るような力が、低温でプリント配線板側に反るような力が働く。
ＢＧＡはんだボール用パッドとＢＧＡはんだボールの接続強度がないと、ＢＧＡはんだボール部で剥がれやクラックが発生してしまう問題があり、現状これを回避するために、ＢＧＡはんだボール用パッド径を６００μｍφ、1ｍｍピッチ程度で配置し、パッドとボールの密着強度を高くしている。
【０００６】
ＢＧＡはんだボール用パッドは隣接する導体（例えば、グランド用導体）と容量性結合をすることで、伝送線路の特性インピーダンスを局部的に低下させる原因となる。
その結果、高周波信号伝送においてパッド部が反射点となり、伝送特性の劣化をもたらす問題がある。
【０００７】
図７（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、プリント配線基板１００上にインターポーザ２００をはんだボール接続した従来の半導体装置の構造を示す説明図である。
プリント配線基板１００とインターポーザ２００とがはんだボール５１で接続された接続部Ｃの拡大図を図７（ｃ）に示す。
パッド２０２とその上部の電源用導体２０５との間、信号用パッド１０４ａとその下部のグランド用導体１０２との間で、それぞれ容量性結合を起こしている。
【０００８】
この容量性結合対策として、はんだボール用パッドと容量性結合を起こす導体をくりぬき、はんだボール用パッドと他の導体との容量性結合をできるだけ低減させることで、高周波信号を伝送する際の反射損失を抑制する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−２９９３７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記したように、ＢＧＡはんだボール用パッドは隣接する導体（例えば、グランド用導体）との容量性結合によって、伝送線路の特性インピーダンスを局部的に低下させる原因となる。その結果、高周波信号に対してパッド部が反射点となり、異なる基板にある高周波用半導体部品間の高周波信号伝送の劣化をもたらすという問題がある。
【００１０】
また、ＢＧＡはんだボール用パッドと容量性結合を起こす導体を削除する方法は、パッド部の容量成分を低減することは可能となるが、パッド径以上の導体層を数層削除する必要があり、高密度設計には向かないという問題がある。例えば、容量性結合を単純に4分の1にするためには、パッドのある層（最下層）に隣接する2層（最下層から2番目の層と3番目の層）の導体層で、パッドと容量性結合していると考えられる大きさ（例えばパッドの2倍の直径を持つ円）分導体を削除する必要がある。
【００１１】
本発明は、上記問題点に対して考案されたもので、異なる基板にある高周波用半導体部品間の信号伝送特性を向上させるための半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、少なくともプリント配線基板と、インターポーザと、高周波伝送用基板間接続基板と、高速伝送用半導体チップからなる半導体装置において、前記インターポーザと前記高周波伝送用基板間接続基板とはＢＧＡ接続されており、前記高周波伝送用基板間接続基板のＢＧＡはんだボール用パッド径をＣφ、前記インターポーザのＢＧＡはんだボール用パッド径をＩφとしたとき、Ｃφ＜Ｉφなる関係が満たされていることを特徴とする半導体装置としたものである。
【００１３】
また、請求項２においては、前記高周波伝送用基板間接続基板の伝送路の形態が、ＭＳＬ、ＳＬ、片面グランド付ＣＰＷ及び両面グランド付ＣＰＷの中から選ばれる少なくとも１種の伝送路形態で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置としたものである。
【００１４】
さらにまた、請求項３においては、前記高周波伝送用基板間接続基板がフレキシブル基板からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体装置は、高周波伝送用基板間接続基板のＢＧＡはんだボール用パッド径がインターポーザのＢＧＡはんだボール用パッド径よりも小さくなっているため、高周波半導体部品間の伝送線路での信号の反射による損失を低減することができ、半導体部品間の高周波伝送信号の劣化を防止することができる。
また、フレキシブル基板を使用することで、伝送路部にたるみをもたせることができ、温度変化による基板間接続基板の基板長方向に生じる膨張や収縮から来るはんだボールとパッド間の応力を解消することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に図面を用いて本発明の実施の形態につき説明する。
図１（ａ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示す部分上面図を、図1（ｂ）は、図１（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図を、図1（ｃ）は、図1（ｂ）のＣ部を拡大した模式構成断面図をそれぞれ示す。
本発明の半導体装置は、少なくともプリント配線基板１０と、インターポーザ２０と、高周波伝送用基板間接続基板３０と、高速伝送用半導体チップ４０とから構成されており、インターポーザ２０がプリント配線基板１０に実装されており、高周波伝送用基板間接続基板３０は、インターポーザ２０の上部にはんだボール５１にてＢＧＡ実装されている。高速伝送用半導体チップ４０は、それぞれインターポーザ２０に実装されている（図１（ａ）及び（ｂ）参照）。
【００１７】
インターポーザ２０の信号用導体２５とグランド用導体２２は、それぞれ高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２とグランド用導体３５にはんだボール５１にて接続されている。
ここで、高周波伝送用基板間接続基板３０のＢＧＡはんだボール用パッド径をＣφ、インターポーザ２０のＢＧＡはんだボール用パッド径をＩφとしたとき、Ｃφ＜Ｉφなる関係が満たされており、高周波伝送用基板間接続基板３０のＢＧＡはんだボール用パッドと信号用導体、グランド用導体との間で発生する容量性結合を極力減らすようにして、高周波伝送信号の劣化を防止している。
【００１８】
図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｄ）は、図１（ｂ）の高周波伝送用基板間接続基板３０をＢ−Ｂ’線で切断した請求項２に係る高周波伝送用基板間接続基板３０の伝送路形態の一例を示す模式構成断面図である。
図２（ａ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２とグランド用導体３５の伝送路形態は単線伝送路のＭＳＬ（マイクロストリップライン）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい特性インピーダンスＺ0になるよう、信号用導体３２の線幅を作成する。
【００１９】
図２（ｂ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２とグランド用導体３５の伝送路形態は単線伝送路のＭＳＬ（マイクロストリップライン）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい特性インピーダンスＺ0になるよう、信号用導体３２の線幅を作成する。
【００２０】
図２（ｃ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２とグランド用導体３５とグランド用導体３２ｃとグランド用導体３２ｄの伝送路形態は単線伝送路の片面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい特性インピーダンスＺ0になるよう、信号用導体３２の線幅を作成する。
【００２１】
図２（ｄ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２とグランド用導体３５と信号用導体３２ｃと信号用導体３２ｄとグランド用導体３８の伝送路形態は単線伝送路の両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい特性インピーダンスＺ0になるよう、信号用導体３２の線幅を作成する。
【００２２】
図３（ａ）〜（ｄ）は、図１（ｂ）の高周波伝送用基板間接続基板３０をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。
図３（ａ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂとグランド用導体３５の伝送路形態は差動伝送路のＭＳＬ（マイクロストリップライン
）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい差動特性インピーダンスＺdiffになるよう、信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂの線幅を作成する。
【００２３】
図３（ｂ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂとグランド用導体３５とグランド用導体３８の伝送路形態は差動伝送路のＳＬ（ストリップライン）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい差動特性インピーダンスＺdiffになるよう、信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂの線幅を作成する。
【００２４】
図３（ｃ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂとグランド用導体３５とグランド用導体３２ｃとグランド用導体３２ｄの伝送路形態は差動伝送路の片面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい差動特性インピーダンスＺdiffになるよう、信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂの線幅を作成する。
【００２５】
図３（ｄ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０の信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂとグランド用導体３５とグランド用導体３２ｃとグランド用導体３２ｄとグランド用導体３８の伝送路形態は差動伝送路の両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい差動特性インピーダンスＺdiffになるよう、信号用導体３２ａと信号用導体３２ｂの線幅を作成する。
【００２６】
上記したように、本発明の半導体装置は、インターポーザを高周波伝送用基板間接続基板にてＢＧＡ接続することにより、高周波伝送用基板間接続基板上部にＩＣチップがない構造でＢＧＡはんだボール接続が可能となり、インターポーザの熱膨張によるはんだボール部の剥がれやクラックの影響が少ない構造となる。よって、狭ピッチのＢＧＡはんだボールの使用が可能となり、従来のＢＧＡはんだボールで問題となっている、はんだボール用パッドと上部導体間で生じる容量成分の増大による特性インピーダンスＺ0の不連続の影響を低減することができ、高周波伝送が可能となる。
【００２７】
図４（ａ）は、本発明の半導体装置の他の実施例を示す部分上面図を、図４（ｂ）は、図４（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図を、図４（ｃ）は、図1（ｂ）のＤ部を拡大した模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００２８】
本発明の半導体装置は、少なくともプリント配線基板１０と、インターポーザ２０と、高周波伝送用基板間接続基板３０ａと、高速伝送用半導体チップ４０とから構成されており、インターポーザ２０がプリント配線基板１０に実装されており、インターポーザ２０とプリント配線基板１０とは、フレキシブル基板にて作製され高周波伝送用基板間接続基板３０ａにてＢＧＡ実装されている。高速伝送用半導体チップ４０は、それぞれインターポーザ２０に実装されている（図４（ａ）及び（ｂ）参照）。
ここでは、高周波伝送用基板間接続基板３０ａがフレキシブル基板にて作製されているため、高周波伝送用基板間接続基板３０ａの自由な形でのＢＧＡ接続が可能となる。
【００２９】
インターポーザ２０の信号用導体２５とグランド用導体２２は、それぞれ基板間高周波伝送用接続基板３０ａの信号用導体３２とグランド用導体３５にはんだボール５１にて接続されている。
ここで、高周波伝送用基板間接続基板３０ａのＢＧＡはんだボール用パッド径をＣφ、インターポーザ２０のＢＧＡはんだボール用パッド径をＩφとしたとき、Ｃφ＜Ｉφなる関係が満たされており、高周波伝送用基板間接続基板３０ａのＢＧＡはんだボール用パッドと信号用導体、グランド用導体との間で発生する容量性結合を極力減らすようにして、高周波伝送信号の劣化を防止している。
【００３０】
図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｄ）は、図４（ｂ）の高周波伝送用基板間接続基板３０ａをＢ−Ｂ’線で切断した請求項２に係る高周波伝送用基板間接続基板３０ａの伝送形態の一例を示す模式構成断面図である。
図２（ａ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０ａの信号用導体３２とグランド用導体３５の伝送路形態はＭＳＬ（マイクロストリップライン）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい特性インピーダンスＺ0になるよう、信号用導体３２の線幅を作成する。
【００３１】
また、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すＳＬ（ストリップライン）、片面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）及び両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）の伝送路形態の単線伝送路は、上記記載した内容と同じなのでここでは省略する。
【００３２】
また、図３（ａ）〜（ｄ）に示すＭＳＬ（マイクロストリップライン）、ＳＬ（ストリップライン）、片面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）及び両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）の伝送路形態の差動伝送路は、上記記載した内容と同じなのでここでは省略する。
【００３３】
図５（ａ）は、本発明の半導体装置の他の実施例を示す模式構成断面図を、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＥ部を拡大した模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００３４】
本発明の半導体装置は、少なくともプリント配線基板１０と、インターポーザ２０と、高周波伝送用基板間接続基板３０ｂと、高速伝送用半導体チップ４０と、ドーターボード６０ａ及びドーターボード６０ｂとから構成されており、ドーターボード６０ａ及びドーターボード６０ｂがソケット６１にてプリント配線基板１０に、インターポーザ２０はドーターボード６０ａ及びドーターボード６０ｂにそれぞれ実装されており、高速伝送用半導体チップ４０はそれぞれインターポーザ２０に実装されている。
対向する形で配置されたドーターボード６０ａとドーターボード６０ｂのインターポーザ２０とは、フレキシブル基板にて作製された高周波伝送用基板間接続基板３０ｂにてＢＧＡ実装されている（図５（ａ）参照）。
ここでは、高周波伝送用基板間接続基板３０ｂがフレキシブル基板にて作製されているため、高周波伝送用基板間接続基板３０ｂの自由な形でのＢＧＡ接続が可能となる。
【００３５】
インターポーザ２０の信号用導体２５とグランド用導体２２は、それぞれ高周波伝送用基板間接続基板３０ｂの信号用導体３２とグランド用導体３５にはんだボール５１にて接続されている。
ここで、高周波伝送用基板間接続基板３０ｂのＢＧＡはんだボール用パッド径をＣφ、インターポーザ２０のＢＧＡはんだボール用パッド径をＩφとしたとき、Ｃφ＜Ｉφなる関係が満たされており、高周波伝送用基板間接続基板３０ｂのＢＧＡはんだボール用パッドと信号用導体、グランド用導体との間で発生する容量性結合を極力減らすようにして、高周波伝送信号の劣化を防止している。
【００３６】
図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｄ）は、図５（ａ）の高周波伝送用基板間接続基板３０ｂをＢ−Ｂ’線で切断した請求項２に係る高周波伝送用基板間接続基板３０ｂの伝送形態の一例を示す模式構成断面図である。
図２（ａ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０ｂの信号用導体３２とグランド用導体３５の伝送路形態はＭＳＬ（マイクロストリップライン）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい特性インピーダンスＺ0になるよう、信号用導体３２の線幅を作成する。
【００３７】
また、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すＳＬ（ストリップライン）、片面グランド付ＣＰＷ（
コプレーナ・ウェブガイド）及び両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）の伝送路形態の単線伝送路は、上記記載した内容と同じなのでここでは省略する。
【００３８】
また、図３（ａ）〜（ｄ）に示すＭＳＬ（マイクロストリップライン）、ＳＬ（ストリップライン）、片面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）及び両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）の伝送路形態の差動伝送路は、上記記載した内容と同じなのでここでは省略する。
【００３９】
図６（ａ）は、本発明の半導体装置の他の実施例を示す模式構成断面図を、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＦ部を拡大した模式構成断面図をそれぞれ示す。
【００４０】
本発明の半導体装置は、少なくともプリント配線基板１０と、インターポーザ２０と、高周波伝送用基板間接続基板３０ｃと、高速伝送用半導体チップ４０と、ドーターボード６０ａ及びドーターボード６０ｂとから構成されており、ドーターボード６０ａ及びドーターボード６０ｂがソケット６１にてプリント配線基板１０に、インターポーザ２０はドーターボード６０ａ及びドーターボード６０ｂにそれぞれ実装されており、高速伝送用半導体チップ４０は、それぞれインターポーザ２０に実装されている。ドーターボード６０ｂに実装されたインターポーザ２０とドーターボード６０ａとはフレキシブル基板にて作製された高周波伝送用基板間接続基板３０ｃにてＢＧＡ実装されている（図６（ａ）参照）。
ここでは、高周波伝送用基板間接続基板３０ｃがフレキシブル基板にて作製されているため、高周波伝送用基板間接続基板３０ｃの自由な形でのＢＧＡ接続が可能となる。
【００４１】
インターポーザ２０の信号用導体２５とグランド用導体２２は、それぞれ高周波伝送用基板間接続基板３０ｂの信号用導体３２とグランド用導体３５にはんだボール５１にて接続されている。
ここで、高周波伝送用基板間接続基板３０ｂのＢＧＡはんだボール用パッド径をＣφ、インターポーザ２０のＢＧＡはんだボール用パッド径をＩφとしたとき、Ｃφ＜Ｉφなる関係が満たされており、高周波伝送用基板間接続基板３０ｂのＢＧＡはんだボール用パッドと信号用導体、グランド用導体との間で発生する容量性結合を極力減らすようにして、高周波伝送信号の劣化を防止している。
【００４２】
図２（ａ）〜（ｄ）及び図３（ａ）〜（ｄ）は、図６（ａ）の高周波伝送用基板間接続基板３０ｃをＢ−Ｂ’線で切断した請求項２に係る高周波伝送用基板間接続基板３０ｃの伝送形態の一例を示す模式構成断面図である。
図２（ａ）に示す高周波伝送用基板間接続基板３０ｃの信号用導体３２とグランド用導体３５の伝送路形態はＭＳＬ（マイクロストリップライン）構造となっており、インターポーザ２０の伝送路と等しい特性インピーダンスＺ0になるよう、信号用導体３２の線幅を作成する。
【００４３】
また、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すＳＬ（ストリップライン）、片面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）及び両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）の伝送路形態の単線伝送路は、上記記載した内容と同じなのでここでは省略する。
【００４４】
また、図３（ａ）〜（ｄ）に示すＭＳＬ（マイクロストリップライン）、ＳＬ（ストリップライン）、片面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）及び両面グランド付ＣＰＷ（コプレーナ・ウェブガイド）の伝送路形態の差動伝送路は、上記記載した内容と同じなのでここでは省略する。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】（ａ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示す部分上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ｂ）のＣ部を拡大した模式構成断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、高周波伝送用基板間接続基板をＢ−Ｂ’線で切断した高周波伝送用基板間接続基板の伝送路形態の一例を示す模式構成断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、高周波伝送用基板間接続基板をＢ−Ｂ’線で切断した高周波伝送用基板間接続基板の伝送路形態の他の例を示す模式構成断面図である。
【図４】（ａ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示す部分上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ｂ）のＤ部を拡大した模式構成断面図である。
【図５】（ａ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示す模式構成断面図である。（ｂ）は、（ａ）のＥ部を拡大した模式構成断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の半導体装置の一実施例を示す模式構成断面図である。（ｂ）は、（ａ）のＦ部を拡大した模式構成断面図である。
【図７】（ａ）は、従来の半導体装置の一例を示す部分上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ｂ）のＧ部を拡大した模式構成断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０、１００……プリント配線基板
２０……インターポーザ
２１、３１、１０１……絶縁基材
２２、３２ｃ、３２ｄ、３５、３８、１０２、２０９……グランド用導体
２３、３３、３９、１０３、２０３、２０７、２１１……絶縁層
２４、３４、２０４、２０８、２１２……ビア
２５、３２、３２ａ、３２ｂ、１０４、２１３……信号用導体
２６、３６、１０４ａ、２０２……パッド
２７、３７、１０５、２０１、２１４……ソルダーレジスト
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ……高周波伝送用基板間接続基板
４０……高速伝送用半導体チップ
５１……はんだボール
６０ａ、６０ｂ……ドーターボード
６１……ソケット
２０５……電源用導体
２０６、２１０……ランド
【図１】
2006186002.tif 000003
【図２】
2006186002.tif 000004
【図３】
2006186002.tif 000005
【図４】
2006186002.tif 000006
【図５】
2006186002.tif 000007
【図６】
2006186002.tif 000008
【図７】
2006186002.tif 000009