(57)【要約】【課題】  はんだ付けの効率を向上させることができるレーザ加熱装置を提供することを目的とする。【解決手段】  光軸センタ７を中心にレーザ光Ｌを出射する出射部８を有するワット級ワンチップ半導体レーザ９と、ワット級ワンチップ半導体レーザ９の前方に光軸センタ７を中心として配置されている非球面レンズ１０を備え、出射部８から非球面レンズ１０の焦点位置Ｎまでの距離Ｌ１と非球面レンズ１０の焦点位置Ｎから集光部Ｍまでの距離Ｌ２を変化させることによりＦ値を変化させ、このＦ値の非球面レンズ１０を使用することにより、集光部Ｍにおけるスロー方向の幅を変化させることができるため、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌの形状を所望の形状に変形させることができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。【選択図】          図２
2006035247.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ４〜Ｆ９であるとともに開口数が０．３以上で、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源より出射されたファースト方向におけるレーザ光を集光する非球面レンズ
を備え、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザのファースト方向およびスロー方向の非点隔差を利用することにより、レーザ光の集光部におけるレーザ光の形状を所望の形状に変化させること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項２】
スロー方向発光幅を１００μｍとする３Ｗ以上の前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
Ｆ値をＦ７〜Ｆ９とする前記非球面レンズ
を備え、
前記非球面レンズを前記光軸センタ上で位置調整することにより、前記集光部におけるレーザ光の形状を、スロー方向において集光幅が３００μｍ以上とすること
を特徴とする請求項１に記載のレーザ加熱装置。
【請求項３】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ４〜Ｆ９であるとともに開口数が０．３以上で、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源より出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートする第１非球面レンズと、
前記第１非球面レンズの前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ１０〜Ｆ５０であり、前記第１非球面レンズによりコリメートされたファースト方向におけるレーザ光を集光するとともに、スロー方向におけるレーザ光をコリメートする第２非球面レンズ
を備えていること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項４】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ４〜Ｆ９であるとともに開口数が０．３以上で、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源より出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートする非球面レンズと、
前記非球面レンズの前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ１０〜Ｆ５０であり、前記非球面レンズによりコリメートされたファースト方向におけるレーザ光を集光するとともに、スロー方向におけるレーザ光をコリメートするシリンドリカルレンズ
を備えていること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項５】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第１光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記第１光軸センタと直交する方向に配置され、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第２光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記第１光軸センタを中心として配置され、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光をコリメートする第１非球面レンズと、
前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記第２光軸センタを中心として配置され、前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光をコリメートする第２非球面レンズと、
前記第１非球面レンズおよび前記第２非球面レンズの前方に、前記第１光軸センタと前記第２光軸センタとの交点を中心として配置され、前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光を反射するプリズムと、
前記プリズムの前方に第１光軸センタを中心として配置され、前記プリズムからのレーザ光を集光する集光レンズ
を備え、
前記レーザ光の集光部に、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光と前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光により、十字形状に集光すること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項６】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第１光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記第１光軸センタと直交する方向に配置され、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第２光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源および前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に、前記第１光軸センタと前記第２光軸センタとの交点を中心として配置され、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光と前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光を加算するプリズムと、
前記プリズムの前方に第１光軸センタを中心として配置され、前記プリズムで加算されたレーザ光を集光する非球面レンズ
を備え、
前記レーザ光の集光部に、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光と前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光により、十字形状に集光すること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項７】
前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の出射部から前記プリズムまでの距離を第１距離とし、
前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の出射部から前記プリズムまでの距離を第２距離とし、
前記第１距離と前記第２距離の大きさをそれぞれ変化させることにより、前記レーザ光の集光部において所望の十字形状を形成すること
を特徴とする請求項６に記載のレーザ加熱装置。
【請求項８】
前記非球面レンズが有する所定のＦ値に、前記光軸センタ上における前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の出射部から前記非球面レンズまでの距離をあわせ、
前記光軸センタを中心として、距離が調整された位置に配置された前記非球面レンズと前記集光部との間で、前記非球面レンズ側に配置されている第１シリンドリカルレンズと、
前記光軸センタを中心として、距離が調整された位置に配置された前記非球面レンズと前記集光部との間で、前記集光部側に配置されている第２シリンドリカルレンズ
を備え、
前記第１シリンドリカルレンズおよび前記第２シリンドリカルレンズを前記光軸センタ上で位置調整することにより、前記集光部におけるレーザ光の形状を所望の形状に変化されること
を特徴とする請求項６に記載のレーザ加熱装置。
【請求項９】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を、上下方向に複数有する１ワット以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の各出射部の前方にそれぞれの前記光軸センタを中心として配置され、各出射部から出射されたファースト方向におけるレーザ光を集光する複数のｆａｓｔレンズと、
前記光軸センタを中心として、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と前記レーザ光の集光部との略中央に位置する場所に配置され、ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の各出射部から出射されたスロー方向におけるレーザ光を集光する第１シリンドリカルレンズ
を備えていること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項１０】
前記光軸センタを中心として、前記ｆａｓｔレンズと前記第１シリンドリカルレンズとの間に配置され、前記第１シリンドリカルレンズより大きなＦ値を有する第２シリンドリカルレンズを備え、
前記第２シリンドリカルレンズを前記光軸センタ上で位置調整することにより、前記集光部におけるレーザ光の形状を所望の形状に変化されること
を特徴とする請求項９に記載のレーザ加熱装置。
【請求項１１】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有し、前後方向に複数配置されるとともに、左右方向に少なくとも１列配置されている１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記各ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前記光軸センタを中心としてそれぞれ配置され、前記各ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートする複数の非球面レンズと、
前記各非球面レンズからのレーザ光をそれぞれ加算するレーザ光加算手段と、
前記レーザ光加算手段で加算されたレーザ光を集光する集光レンズ
を備えていること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項１２】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、左右方向に配置され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する複数の出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源のセンターラインを中心として配置され、前記複数の出射部からそれぞれ出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートするｆａｓｔレンズと、
前記ｆａｓｔレンズの前方に前記センターラインを中心として配置され、前記ｆａｓｔレンズによりコリメートされた前記複数の出射部からそれぞれ出射されたレーザ光を加算するレーザ光加算器と、
前記レーザ光加算器の前方に前記センターラインを中心として配置され、前記レーザ光加算器で加算されたレーザ光を集光する集光レンズ
を備えていること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項１３】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、左右方向および上下方向に配置され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する複数の出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源のセンターラインを中心として配置され、上下方向に複数設けられ、前記複数の出射部からそれぞれ出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートするｆａｓｔレンズと、
前記ｆａｓｔレンズの前方に前記センターラインを中心として配置され、前記ｆａｓｔレンズによりコリメートされた前記複数の出射部からそれぞれ出射されたレーザ光を加算するレーザ光加算器と、
前記レーザ光加算器の前方に前記センターラインを中心として配置され、前記レーザ光加算器で加算されたレーザ光を集光する集光レンズ
を備えていること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【請求項１４】
ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、
５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、上下方向に配置され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する複数の出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、
前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の複数の出射部からそれぞれ出射されるレーザ光を集光する非球面レンズを保持するレンズ保持部と、
前記レンズ保持部に取り付けられ、前記非球面レンズからのレーザ光の反射調整を行う反射体保持部
を備え、
前記反射体保持部は、前記非球面レンズからのレーザ光を反射する反射体と、前記反射体を支持する反射体載置台と、前記反射体載置台の傾斜調整を行う傾斜調整用セットビスを具備していること
を特徴とするレーザ加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば半導体レーザから出射されたレーザ光を集光し、この集光したレーザ光によりはんだ付けや樹脂接合および溶接などの加熱処理を行うレーザ加熱装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザ光を用いた非接触な加熱処理を行う装置としてレーザ加熱装置があり、たとえば特許文献１に開示されている。
このレーザ加熱設備（レーザ加熱装置）は、複数のレーザダイオードを積み重ねてなるレーザダイオードモジュール（半導体レーザアレイ）と、レーザダイオードモジュールに電力を供給する電源と、レーザダイオードモジュールを備える複数のレーザダイオードが出射するレーザ光を視準化する第１光学系（コリメートレンズ）と、視準化されたレーザ光を集光する第２光学系（集光レンズ）により構成されている。
【０００３】
この構成により、レーザダイオードから出射されたレーザ光はコリメートレンズにより視準化され、この視準化されたレーザ光は集光レンズにより集光される。
このように、集光されたレーザ光により、合焦点に置かれている被加熱物に対して半田付けや溶接などの加熱処理を行うことができる。
【特許文献１】特開２００２−９３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来のレーザ加熱設備（レーザ加熱装置）の構成によると、レーザダイオードモジュールから出射された複数のレーザ光は、集光レンズにより長ライン状に集光され、実際の樹脂接合や金属接合を行うために必要な形状に変形することができなかったため、様々なサイズや形状を有する被加熱物に対して対応することができず、被加熱物に対して行う半田付けや溶接などの加熱処理に時間を要することとなり、はんだ付けの効率が低くなるという問題がある。
【０００５】
そこで本発明は、レーザ光の集光部の形状を所望の形状に変形させることにより、はんだ付けの効率を向上させることができるレーザ加熱装置を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した目的を達成するために、本発明の請求項１記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ４〜Ｆ９であるとともに開口数が０．３以上で、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源より出射されたファースト方向におけるレーザ光を集光する非球面レンズを備え、前記ワット級ワンチップ半導体レーザのファースト方向およびスロー方向の非点隔差を利用することにより、レーザ光の集光部におけるレーザ光の形状を所望の形状に変化させることを特徴としたものである。
【０００７】
また、請求項２記載のレーザ加熱装置は、請求項１に記載の発明であって、スロー方向発光幅を１００μｍとする３Ｗ以上の前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、Ｆ値をＦ７〜Ｆ９とする前記非球面レンズを備え、前記非球面レンズを前記光軸センタ上で位置調整することにより、前記集光部におけるレーザ光の形状を、スロー方向において集光幅が３００μｍ以上とすることを特徴としたものである。
【０００８】
そして、請求項３記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ４〜Ｆ９であるとともに開口数が０．３以上で、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源より出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートする第１非球面レンズと、前記第１非球面レンズの前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ１０〜Ｆ５０であり、前記第１非球面レンズによりコリメートされたファースト方向におけるレーザ光を集光するとともに、スロー方向におけるレーザ光をコリメートする第２非球面レンズを備えていることを特徴としたものである。
【０００９】
さらに、請求項４記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ４〜Ｆ９であるとともに開口数が０．３以上で、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源より出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートする非球面レンズと、前記非球面レンズの前方に前記光軸センタを中心として配置され、Ｆ値がＦ１０〜Ｆ５０であり、前記非球面レンズによりコリメートされたファースト方向におけるレーザ光を集光するとともに、スロー方向におけるレーザ光をコリメートするシリンドリカルレンズを備えていることを特徴としたものである。
【００１０】
しかも、請求項５記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第１光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記第１光軸センタと直交する方向に配置され、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第２光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記第１光軸センタを中心として配置され、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光をコリメートする第１非球面レンズと、前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記第２光軸センタを中心として配置され、前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光をコリメートする第２非球面レンズと、前記第１非球面レンズおよび前記第２非球面レンズの前方に、前記第１光軸センタと前記第２光軸センタとの交点を中心として配置され、前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光を反射するプリズムと、前記プリズムの前方に第１光軸センタを中心として配置され、前記プリズムからのレーザ光を集光する集光レンズを備え、前記レーザ光の集光部に、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光と前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光により、十字形状に集光することを特徴としたものである。
【００１１】
また、請求項６記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第１光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記第１光軸センタと直交する方向に配置され、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、第２光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有する１Ｗ以上の第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源および前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に、前記第１光軸センタと前記第２光軸センタとの交点を中心として配置され、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光と前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光を加算するプリズムと、前記プリズムの前方に第１光軸センタを中心として配置され、前記プリズムで加算されたレーザ光を集光する非球面レンズを備え、前記レーザ光の集光部に、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光と前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたレーザ光により、十字形状に集光することを特徴としたものである。
【００１２】
そして、請求項７記載のレーザ加熱装置は、請求項６に記載の発明であって、前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の出射部から前記プリズムまでの距離を第１距離とし、前記第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の出射部から前記プリズムまでの距離を第２距離とし、前記第１距離と前記第２距離の大きさをそれぞれ変化させることにより、前記レーザ光の集光部において所望の十字形状を形成することを特徴としたものである。
【００１３】
さらに、請求項８記載のレーザ加熱装置は、請求項６に記載の発明であって、前記非球面レンズが有する所定のＦ値に、前記光軸センタ上における前記第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の出射部から前記非球面レンズまでの距離をあわせ、前記光軸センタを中心として、距離が調整された位置に配置された前記非球面レンズと前記集光部との間で、前記非球面レンズ側に配置されている第１シリンドリカルレンズと、前記光軸センタを中心として、距離が調整された位置に配置された前記非球面レンズと前記集光部との間で、前記集光部側に配置されている第２シリンドリカルレンズを備え、前記第１シリンドリカルレンズおよび前記第２シリンドリカルレンズを前記光軸センタ上で位置調整することにより、前記集光部におけるレーザ光の形状を所望の形状に変化されることを特徴としたものである。
【００１４】
しかも、請求項９記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を、上下方向に複数有する１ワット以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の各出射部の前方にそれぞれの前記光軸センタを中心として配置され、各出射部から出射されたファースト方向におけるレーザ光を集光する複数のｆａｓｔレンズと、前記光軸センタを中心として、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源と前記レーザ光の集光部との略中央に位置する場所に配置され、ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の各出射部から出射されたスロー方向におけるレーザ光を集光する第１シリンドリカルレンズを備えていることを特徴としたものである。
【００１５】
また、請求項１０記載のレーザ加熱装置は、請求項９に記載の発明であって、前記光軸センタを中心として、前記ｆａｓｔレンズと前記第１シリンドリカルレンズとの間に配置され、前記第１シリンドリカルレンズより大きなＦ値を有する第２シリンドリカルレンズを備え、前記第２シリンドリカルレンズを前記光軸センタ上で位置調整することにより、前記集光部におけるレーザ光の形状を所望の形状に変化されることを特徴としたものである。
【００１６】
そして、請求項１１記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する出射部を有し、前後方向に複数配置されるとともに、左右方向に少なくとも１列配置されている１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記各ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前記光軸センタを中心としてそれぞれ配置され、前記各ワット級ワンチップ半導体レーザ光源から出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートする複数の非球面レンズと、前記各非球面レンズからのレーザ光をそれぞれ加算するレーザ光加算手段と、前記レーザ光加算手段で加算されたレーザ光を集光する集光レンズを備えていることを特徴としたものである。
【００１７】
さらに、請求項１２記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、左右方向に配置され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する複数の出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源のセンターラインを中心として配置され、前記複数の出射部からそれぞれ出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートするｆａｓｔレンズと、前記ｆａｓｔレンズの前方に前記センターラインを中心として配置され、前記ｆａｓｔレンズによりコリメートされた前記複数の出射部からそれぞれ出射されたレーザ光を加算するレーザ光加算器と、前記レーザ光加算器の前方に前記センターラインを中心として配置され、前記レーザ光加算器で加算されたレーザ光を集光する集光レンズを備えていることを特徴としたものである。
【００１８】
しかも、請求項１３記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、左右方向および上下方向に配置され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する複数の出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の前方に前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源のセンターラインを中心として配置され、上下方向に複数設けられ、前記複数の出射部からそれぞれ出射されたファースト方向におけるレーザ光をコリメートするｆａｓｔレンズと、前記ｆａｓｔレンズの前方に前記センターラインを中心として配置され、前記ｆａｓｔレンズによりコリメートされた前記複数の出射部からそれぞれ出射されたレーザ光を加算するレーザ光加算器と、前記レーザ光加算器の前方に前記センターラインを中心として配置され、前記レーザ光加算器で加算されたレーザ光を集光する集光レンズを備えていることを特徴としたものである。
【００１９】
また、請求項１４記載のレーザ加熱装置は、ワークディスタンスを２０ｍｍ以上として、物質を溶解させる長方形のレーザ光を出射するレーザ加熱装置であって、５０〜５００μｍのスロー方向発光幅、および０．５〜５μｍのファースト方向発光幅に形成され、上下方向に配置され、光軸センタを中心にレーザ光を出射する複数の出射部を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ光源と、前記ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の複数の出射部からそれぞれ出射されるレーザ光を集光する非球面レンズを保持するレンズ保持部と、前記レンズ保持部に取り付けられ、前記非球面レンズからのレーザ光の反射調整を行う反射体保持部を備え、前記反射体保持部は、前記非球面レンズからのレーザ光を反射する反射体と、前記反射体を支持する反射体載置台と、前記反射体載置台の傾斜調整を行う傾斜調整用セットビスを具備していることを特徴としたものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明のレーザ加熱装置は、出射部から非球面レンズの焦点位置までの距離と、非球面レンズの焦点位置から集光部までの距離を変化させることによりＦ値を変化させ、このＦ値の非球面レンズを使用することにより、集光部におけるスロー方向の幅を変化させることができ、集光部におけるレーザ光の形状を所望のライン形状に変形させることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に、本発明の各実施の形態におけるレーザ加熱装置について、図面を参照しながら説明する。なお、レーザ加熱装置からレーザ光を出射する方向を前方向、この前方向とは逆の方向を後方向、これらの前後方向Ｘと水平面上で直角な方向を左右方向Ｙとする。また上下方向をＺとする。また、レンズ保持部の先端から集光部までの距離（作動距離）をワークディスタンス（以下、ＷＤという）とする。
（実施の形態１）
以下に、本発明の実施の形態１におけるレーザ加熱装置について、図面を参照しながら説明する。
【００２２】
図１に本発明の実施の形態１におけるレーザ加熱装置の構成を示す。
図１（ａ），図１（ｂ）に示すように、レーザ光の集光部に向けて物質を溶解させるレーザ光を出射するレーザ加熱装置１は、アルマイト処理されたアルミニウム合金（Ａｌ合金）により形成されているホルダー本体２Ａとホルダー本体２Ａの上部に搭載されるホルダカバー２Ｂとから形成されているホルダー２と、ホルダー本体２Ａの内面のうち、左右側面および下面に設けられている熱伝導絶縁シート３と、ホルダカバー２Ｂの下面に設けられているインジニウムシート（以下、Ｉｎシートという）４と、各熱伝導絶縁シート３およびＩｎシート４と当接して設けられているヒートシンク（銅ブロック）５と、ヒートシンク５の前面に固定ネジ６により固定され、レーザ光Ｌを光軸センタ７を中心に出射する出射部８を有する１Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザ（ＬＤ）（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）９と、ホルダー２の前方において光軸センタ７を中心として配置され、ワット級ワンチップ半導体レーザ９の出射部８から出射されたファースト方向におけるレーザ光Ｌを集光させる非球面レンズ（非球面凸レンズ）１０と、非球面レンズ１０を保持し、非球面レンズ１０の前方に位置する場所に可視光カットフィルタ１１Ａが設けられているレンズ保持部１１と、ヒートシンク５に接続されているプラス電源ライン１２Ａと、ヒートシンク５に接続されている第１マイナス電源ライン１２Ｂと、ワット級ワンチップ半導体レーザ９に接続されている第２マイナス電源ライン１２Ｃを有する電力用ケーブル１２と、ヒートシンク５に内蔵され、ワット級ワンチップ半導体レーザ９の温度を測定するサーミスタ（温度センサの一例）１３Ａと、このサーミスタ１３Ａに接続されているサーミスタ用ケーブル（温度センサ用ケーブルの一例）１３と、ワット級ワンチップ半導体レーザ９から出射されるレーザ光Ｌの戻光を検知するフォトダイオード（光センサ）１４Ａと、このフォトダイオード１４Ａに接続されているフォトダイオード用ケーブル（光センサ用ケーブルの一例）１４と、ホルダカバー２Ｂの各角部に上下方向Ｚに設けられ、ホルダー２を取り付け板１５などに取り付ける取付ネジ１６などから構成されている。なお、各ケーブル１２，１３，１４をホルダー２内に挿入する際、ホルダー２における各ケーブル１２，１３，１４の挿入部分には黒色シール材１７が設けられ、各ケーブル１２，１３，１４が固定されている。
【００２３】
なお、ワット級ワンチップ半導体レーザ９に形成されている出射部８は、スロー方向の発光幅が０．５ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍに形成されている。また、上記非球面レンズ１０は、開口数ＮＡが０．３とされている。
【００２４】
また、上記レンズ保持部１１は調整手段（図示せず）を具備しており、この調整手段により光軸センタ７上における非球面レンズ１０の位置を、前後方向に位置調整可能としている。
【００２５】
以下に、上記した実施の形態１における作用を、図２を参照しながら説明する。
図２（ａ）に示すように、レンズ保持部１１に配置される非球面レンズ１０のＦ値は、
Ｆ＝（Ｌ１×Ｌ２）／（Ｌ１＋Ｌ２）      ・・・（１）
Ｌ１；出射部８から非球面レンズ１０の焦点位置Ｎまでの距離
Ｌ２；非球面レンズ１０の焦点位置Ｎから集光部Ｍまでの距離
により求めることができる。
【００２６】
ここで、Ｌ１＝１０ｍｍ、Ｌ２＝４０ｍｍとしたとき、Ｆ＝（１０×４０）／（１０＋４０）＝８となるため、Ｆ８の非球面レンズ１０が使用される。
そして、上記Ｆ８の非球面レンズ１０を使用した場合、集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２は、
Ｈ２＝｛（Ｌ２−Ｆ）／Ｆ｝Ｈ１      ・・・（２）
Ｈ１；出射部８におけるスロー方向の発光幅
により求めることができる。なお、｛（Ｌ２−Ｆ）／Ｆ｝は倍率を示す。
【００２７】
ここで、Ｈ１＝０．５ｍｍのとき、Ｈ２＝｛（４０−８）／８｝０．５＝４×０．５＝２ｍｍとなる。
また、集光部Ｍにおけるファースト方向の幅ｈ２は、出射部８におけるファースト方向の発光幅ｈ１である１μｍに上記倍率を掛けたものとなるため、４μｍとなる。
【００２８】
このように、出射部８から非球面レンズ１０の焦点位置Ｎまでの距離Ｌ１と、非球面レンズ１０の焦点位置Ｎから集光部Ｍまでの距離Ｌ２を調整して、レンズ保持部１１に配置される非球面レンズ１０のＦ値を適宜定めることにより、非球面レンズ１０から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２が適宜変化されるため、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌのライン形状が変形される。
【００２９】
また、上記ワット級ワンチップ半導体レーザ９として、スロー方向発光幅を１００μｍとする３Ｗ以上のワット級ワンチップ半導体レーザを使用するとともに、非球面レンズ１０として、Ｆ値をＦ７〜Ｆ９とする非球面レンズを使用し、この非球面レンズを、レンズ保持部１１の調整手段により光軸センタ上で前後方向に位置調整することにより、ＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおけるレーザ光の形状を、スロー方向において集光幅が３００μｍ以上のライン状または正方形状に変形させることができる。また、上記と同様に位置調整を行い、ファースト方向およびスロー方向において、収差の利用によりデフォーカスして、集光部Ｍにおけるレーザ光の形状の縦横比（左右方向Ｙにおける長さと上下方向Ｚにおける長さの比）を調整することにより、もしくはファースト方向およびスロー方向の非点隔差を利用することにより、集光部Ｍにおけるレーザ光の形状を丸型ないし楕円型に変形させることができる。
【００３０】
また、例えばレンズ保持部１０内に、光軸センタ７を中心として出射部８側から順に、コリメートレンズ、ＰＢＳプリズム、およびＦ値が２５以上の非球面レンズ（平凸レンズ）を設けるとともに、ＰＢＳプリズムの上方に集光レンズ、およびＣＣＤカメラを設けると、出射部８から出射されたファースト方向におけるレーザ光Ｌは、コリメートレンズでコリメートされ、ＰＢＳプリズムを介した後、非球面レンズにて集光される。このとき、レーザ光Ｌの戻光は、ＰＢＳプリズムで反射され、集光レンズによりＣＣＤカメラに集光される。これにより、レーザ光Ｌの集光部をＣＣＤカメラにより確認することができる。なお、コリメートレンズ、非球面レンズ、および集光レンズは、各レンズの非球面部がＰＢＳプリズム側となるように配置されている。
【００３１】
以上のように実施の形態１によれば、出射部８から非球面レンズ１０の焦点位置Ｎまでの距離Ｌ１と非球面レンズ１０の焦点位置Ｎから集光部Ｍまでの距離Ｌ２を変化させることによりＦ値を変化させ、このＦ値の非球面レンズ１０を使用することにより、集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２を変化させることができ、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌの形状を所望の形状に変形させることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを容易に行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【００３２】
また、実施の形態１によれば、開口数ＮＡが０．３の非球面レンズ１０が使用されているため、ロスけられ、すなわちレーザ光Ｌが非球面レンズ１０から漏れる割合を１割前後に抑えることができる。
【００３３】
なお、実施の形態１では、ワット級ワンチップ半導体レーザ９の出射部８は、スロー方向の発光幅が０．５ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、出射部８のスロー方向の発光幅が０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が０．５μｍ〜５μｍのワット級ワンチップ半導体レーザ９を使用してもよい。
【００３４】
また、実施の形態１では、非球面レンズ１０は、レンズの明るさを示すＦ値がＦ８、開口数ＮＡが０．３とされていたが、Ｆ値はＦ４〜Ｆ９の範囲であればよく、また開口数ＮＡは０．３以上であればよい。
（実施の形態２）
以下に、本発明の実施の形態２におけるレーザ加熱装置について、図面を参照しながら説明する。
【００３５】
本発明の実施の形態２におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態２におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズ構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【００３６】
図３に示すように、レンズ保持部（図示せず）には、上記ワット級ワンチップ半導体レーザ９の前方に光軸センタ７を中心として配置され、Ｆ値がＦ８であるとともに開口数ＮＡが０．３で、ワット級ワンチップ半導体レーザ９より出射されたファースト方向およびスロー方向におけるレーザ光Ｌをコリメートする第１非球面レンズ２１と、第１非球面レンズ２１の前方に光軸センタ７を中心として配置され、Ｆ値がＦ１４．５で、第１非球面レンズ２１によりコリメートされたファースト方向におけるレーザ光Ｌを集光する第２非球面レンズ２２が設けられている。
【００３７】
なお、ワット級ワンチップ半導体レーザ９に形成されている出射部８は、スロー方向の発光幅が０．５ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされている。
また、各非球面レンズ２１，２２は、互いの非球面部２１Ａ，２２Ａが向かい合うように配置されている。
【００３８】
以下に、上記した実施の形態２における作用を、図３を参照しながら説明する。
まず、上記第１非球面レンズ２１と上記第２非球面レンズ２２の合成Ｆ値は、
Ｆ＝（Ｆ１×Ｆ２）／（Ｆ１＋Ｆ２−ｄ）      ・・・（３）
Ｆ１；第１非球面レンズ２１のＦ値
Ｆ２；第２非球面レンズ２２のＦ値
ｄ；第１非球面レンズ２１の焦点位置Ｎ１と第２非球面レンズ２２
の焦点位置Ｎ２との距離
により求めることができる。
【００３９】
よって、ｄ＝８ｍｍとしたとき、Ｆ＝（８×１４．５）／（８＋１４．５−８）＝８となるため、第１非球面レンズ２１と第２非球面レンズ２２の合成Ｆ値は８となる。
そして、この合成Ｆ値を下記式（４）に代入すると、集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２は、
Ｈ２＝｛（Ｌ２−Ｆ）／Ｆ｝Ｈ１      ・・・（４）
Ｈ１；出射部８におけるスロー方向の発光幅
Ｌ２；第２非球面レンズ２２の焦点位置Ｎ２から集光部Ｍまでの距離
により求めることができる。なお、｛（Ｌ２−Ｆ）／Ｆ｝は倍率を示す。
【００４０】
ここで、Ｌ２＝３０ｍｍとしたとき、Ｈ２＝｛（３０−８）／８｝０．５＝２．７５×０．５＝１．３７５ｍｍとなり、また集光部Ｍにおけるファースト方向の幅ｈ２は、出射部８におけるファースト方向の発光幅ｈ１である１μｍに上記倍率を掛けたものとなるため、２．７５μｍとなる。
【００４１】
このように、第１非球面レンズ２１と第２非球面レンズ２２の合成Ｆ値、および第２非球面レンズ２２の焦点位置Ｎ２から集光部Ｍまでの距離Ｌ２を調整することにより、第２非球面レンズ２２から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２が適宜変化されるため、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌのライン形状が変形される。
【００４２】
以上のように実施の形態２によれば、第１非球面レンズ２１の焦点位置Ｎ１と第２非球面レンズ２２の焦点位置Ｎ２との距離ｄと、第２非球面レンズ２２の焦点位置Ｎ２から集光部Ｍまでの距離Ｌ２を変化させることにより、集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２を変化させることができ、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌの形状を所望のライン形状に変形させることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを容易に行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【００４３】
なお、実施の形態２では、ワット級ワンチップ半導体レーザ９の出射部８は、スロー方向の発光幅が０．５ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、出射部８のスロー方向の発光幅は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が０．５μｍ〜５μｍのワット級ワンチップ半導体レーザ９を使用してもよい。
【００４４】
また、実施の形態２では、第１非球面レンズ２１は、レンズの明るさを示すＦ値がＦ８、開口数ＮＡ０．３とされていたが、Ｆ値はＦ４〜Ｆ９、開口数ＮＡは０．３以上であればよい。
【００４５】
また、実施の形態２では、第２非球面レンズ２２は、明るさを示すＦ値がＦ１４．５とされていたが、Ｆ値はＦ３〜Ｆ５０であればよい。
（実施の形態３）
以下に、本発明の実施の形態３におけるレーザ加熱装置について、図面を参照しながら説明する。
【００４６】
本発明の実施の形態３におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態３におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズ構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【００４７】
図４に示すように、レンズ保持部（図示せず）には、上記ワット級ワンチップ半導体レーザ９の前方に光軸センタ７を中心として配置され、Ｆ値がＦ８であるとともに開口数ＮＡが０．３で、ワット級ワンチップ半導体レーザ９より出射されたファースト方向におけるレーザ光Ｌをコリメートする非球面レンズ３１と、非球面レンズ３１の前方に光軸センタ７を中心として配置され、Ｆ値がＦ４０で、非球面レンズ３１によりコリメートされたファースト方向におけるレーザ光Ｌを集光するとともに、スロー方向におけるレーザ光Ｌをコリメートするシリンドリカルレンズ３２が設けられている。
【００４８】
なお、ワット級ワンチップ半導体レーザ９に形成されている出射部８は、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされている。
また、非球面レンズ３１およびシリンドリカルレンズ３２は、互いの非球面部３１Ａ，３２Ａが向かい合うように配置されている。
【００４９】
以下に、上記した実施の形態３における作用を、図４，図５を参照しながら説明する。
まず、加工点Ｐにおけるスロー方向の幅Ｈ２は、
Ｈ２＝｛（Ｌ２−Ｆ）／Ｆ｝Ｈ１      ・・・（５）
Ｌ２；非球面レンズ３１の焦点位置Ｎ１から加工点Ｐまでの距離
Ｆ；非球面レンズ３１のＦ値
Ｈ１；出射部８におけるスロー方向の発光幅
により求めることができる。
【００５０】
よって、例えばＬ２＝５０ｍｍとしたとき、Ｈ２＝｛（５０−８）／８｝０．１＝０．５２５≒０．５２ｍｍとなり、また、Ｌ２＝４５ｍｍとしたとき、Ｈ２＝｛（４５−８）／８｝０．１＝０．４６２５≒０．４６ｍｍとなる。
【００５１】
ここで、加工点Ｐにおけるレーザ光Ｌの形状を正方形スポットとするためには、加工点Ｐにおけるファースト方向の幅ｈ２を、加工点Ｐにおけるスロー方向の幅Ｈ２と同一としなければならない、すなわちＨ２＝ｈ２としなければならない。
【００５２】
このとき、ファースト方向における相似式は、
ｈ２：（Ｌ２−Ｆ２−ｄ）＝Ｄ：Ｆ２      ・・・（６）
ｈ２；加工点Ｐにおけるファースト方向の幅
Ｆ２；シリンドリカルレンズ３２の焦点位置Ｎ２から集光部Ｍまでの
距離
ｄ；非球面レンズ３１の焦点位置Ｎ１からシリンドリカルレンズ３
２の焦点位置Ｎ２までの距離
Ｄ；非球面レンズ３１におけるレーザ光Ｌのファースト方向の最大
幅
となり、上記式（６）は、ｈ２×Ｆ２＝（Ｌ２−Ｆ２）Ｄ−ｄＤと変形され、この式より
ｄ＝｛（Ｌ２−Ｆ２）Ｄ−ｈ２×Ｆ２｝／Ｄ      ・・・（７）
が導き出される。
【００５３】
ここで、Ｌ２＝５０ｍｍ、Ｆ２＝４０ｍｍ、Ｄ＝６ｍｍのとき、加工点Ｐにおけるレーザ光Ｌの形状として、上記で算出された一辺が０．５２ｍｍの正方形スポット、すなわちｈ２＝Ｈ２＝０．５２ｍｍの正方形スポットを形成する際、非球面レンズ４１の焦点位置Ｎ１からシリンドリカルレンズ３２の焦点位置Ｎ２までの距離ｄは、上記式（７）より、ｄ≒６．８ｍｍとされる。
【００５４】
また、上記と同様の条件であるＬ２＝５０ｍｍ、Ｆ２＝４０ｍｍ、Ｄ＝６ｍｍのとき、加工点Ｐにおけるレーザ光Ｌの形状として、上記で算出された一辺が０．４６ｍｍの正方形スポット、すなわちｈ２＝Ｈ２＝０．４６ｍｍの正方形スポットを形成する際、非球面レンズ３１の焦点位置Ｎ１からシリンドリカルレンズ３２の焦点位置Ｎ２までの距離ｄは、上記式（７）より、ｄ≒１．２ｍｍとされる。
【００５５】
このように、加工点Ｐに形成したい正方形スポットの一辺の長さ（幅）を予め設定し、非球面レンズ３１の焦点位置Ｎ１からシリンドリカルレンズ３２の焦点位置Ｎ２までの距離ｄを調整することにより、加工点Ｐに所望の大きさの正方形スポットが得られる。
【００５６】
以上のように実施の形態３によれば、図５に示すように、エポキシ基板３３上に設けられたランド３４の加工物３５に対して加工を行う際、集光部Ｍが加工物３５（加工点Ｐ）の手前に生成されるよう調整し、正方形スポット（正方形状）に形成された加工点Ｐを加工物３５に対して照射することにより、加工物３５に対して最適なはんだ付けが行われるとともに、エポキシ基板３３には加工点Ｐの後方にデフォーカスされたレーザ光Ｌが照射されるため、エポキシ基板３３を焦がすことなく加工物３５に対して最適なはんだ付けを行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【００５７】
なお、実施の形態３では、ワット級ワンチップ半導体レーザ９の出射部８は、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、出射部８のスロー方向の発光幅は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が０．５μｍ〜５μｍのワット級ワンチップ半導体レーザ９を使用してもよい。
【００５８】
また、実施の形態３では、非球面レンズ３１は、レンズの明るさを示すＦ値がＦ８、開口数ＮＡが０．３とされていたが、Ｆ値はＦ４〜Ｆ９、開口数ＮＡは０．３以上であればよい。
【００５９】
また、実施の形態３では、シリンドリカルレンズ３２は、明るさを示すＦ値がＦ４０とされていたが、Ｆ値はＦ１０〜Ｆ５０であればよい。
（実施の形態４）
以下に、本発明の実施の形態４におけるレーザ加熱装置について、図面を参照しながら説明する。
【００６０】
本発明の実施の形態４におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態４におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズ構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【００６１】
図６に示すように、本実施の形態４のレーザ加熱装置は、前後方向Ｘにおける前方向へ第１光軸センタ４１Ｂを中心としてレーザ光Ｌ１を出射する第１ワット級ワンチップ半導体レーザ（第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）４１と、第１光軸センタ４１Ｂと直交する方向、すなわち左右方向Ｙに配置され、左右方向Ｙおける左方向へ第２光軸センタ４２Ｂを中心としてレーザ光Ｌ２を出射する第２ワット級ワンチップ半導体レーザ（第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）４２と、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１のレーザ出射方向における前方に第１光軸センタ４１Ｂを中心として配置され、レーザ光Ｌ１をコリメートする第１非球面レンズ４３と、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ４２のレーザ出射方向における前方に第２光軸センタ４２Ｂを中心として配置されている第２非球面レンズ４４と、第１非球面レンズ４３および第２非球面レンズ４４のレーザ出射方向における前方に、第１光軸センタ４１Ｂと第２光軸センタ４２Ｂとの交点を中心として配置され、レーザ光Ｌ１とレーザ光Ｌ２を加算するＰＢＳプリズム（偏光ビームスプリッターともいう）（プリズムの一例）４５と、ＰＢＳプリズム４５のレーザ出射方向における前方に第１光軸センタ４１Ｂを中心として配置され、前記ＰＢＳプリズム４５からのレーザ光Ｌ１，Ｌ２を集光する集光レンズ４６などにより構成されている。
【００６２】
なお、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１は、出射部４１Ａのファースト方向が左右方向Ｙとなるよう配置され、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ４２は、出射部４２Ａのスロー方向（偏光方向）が前後方向Ｘとなるよう配置されている。
【００６３】
また、上記各ワット級ワンチップ半導体レーザ４１，４２に形成されている出射部４１Ａ，４２Ａは、それぞれスロー方向の発光幅が０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が０．５μｍ〜５μｍとされている。
【００６４】
以下に、上記した実施の形態４における作用を、図６を参照しながら説明する。
第１非球面レンズ４３の焦点位置をＮ１、第２非球面レンズ４４の焦点位置をＮ２、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１の出射部４１Ａから焦点位置Ｎ１までの距離をｆ１、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ４２の出射部４２Ａから焦点位置Ｎ２までの距離をｆ２とする。
【００６５】
ここで、第１非球面レンズ４３および第２非球面レンズ４４のＦ値がＦ＝ｆ１＝ｆ２となるよう、第１非球面レンズ４３を第１光軸センタ４１Ｂ上で前後動させるとともに、第２非球面レンズ４４を第２光軸センタ４２Ｂ上で前後動させる。
【００６６】
これにより、図６（ａ）に示すように、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１から出射されるレーザ光Ｌ１のファースト方向（左右方向Ｙ）において、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１から出射されたレーザ光Ｌ１は、ファースト方向でフォーカス調整されてコリメートされ、コリメートされた状態で集光レンズ４６を介して集光部Ｍに到達する。また、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ４２から出射されたレーザ光Ｌ２は、ＰＢＳプリズム４５で反射された後、コリメートされた状態で集光レンズ４６を介して集光部Ｍに到達する。
【００６７】
また、図６（ｂ）に示すように、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１から出射されるレーザ光Ｌ１のスロー方向（上下方向）において、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１から出射されたレーザ光Ｌ１は、集光レンズ４６でコリメートされる。また、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ４２から出射されたレーザ光Ｌ２は、ファースト方向でフォーカス調整されてコリメートされ、ＰＢＳプリズム４５で反射された後、集光レンズ４６で集光される。
【００６８】
これにより、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ１は、スロー方向においてコリメートされるとともに、ファースト方向において集光され、また集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ２は、（レーザ光Ｌ１の）スロー方向において集光されるとともに、（レーザ光Ｌ１の）ファースト方向においてコリメートされるため、集光部Ｍにおいて正十字形スポットが得られる。
【００６９】
また、距離ｆ１＝Ｆ，距離ｆ２＞Ｆとした場合、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ１は、スロー方向においてコリメートされるとともに、ファースト方向において集光され、また集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ２は、（レーザ光Ｌ１の）スロー方向において集光されるとともに、（レーザ光Ｌ１の）ファースト方向において拡散されるため、集光部Ｍにおいて上下方向に長い十字形スポットが得られる。
【００７０】
また、距離ｆ１＞Ｆ，距離ｆ２＝Ｆとした場合、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ１は、スロー方向において拡散されるとともに、ファースト方向において集光され、また集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ２は、（レーザ光Ｌ１の）スロー方向において集光されるとともに、（レーザ光Ｌ１の）ファースト方向においてコリメートされるため、集光部Ｍにおいて左右方向に長い十字形スポットが得られる。
【００７１】
このように、距離ｆ１，ｆ２を適宜変化させることにより、集光レンズ４６から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍには、ライン幅が１０〜５０μｍ、ライン長が１００〜５００μｍの十字形スポットが形成される。
【００７２】
以上のように実施の形態４によれば、集光部Ｍにおいて十字形スポットを得ることができ、照射中心を容易に判断することができるため、加工対象物に対して最適なはんだ付けを行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【００７３】
また、実施の形態４によれば、図７に示すように、加工対象物Ａ，Ｂの接合を行う際、照射ずれについて余裕の程度を増すことができるため、照射中心Ｓがずれている場合でも密度の高いレーザ光で加工対象物Ａ，Ｂを加熱することができる。
【００７４】
また、実施の形態４によれば、集光レンズ４６のＦ値を変えることにより、集光部におけるスポットサイズやＷＤを容易に変更することができ、また距離ｆ１，ｆ２をそれぞれ異なる値とすることにより、集光部Ｍにおける十字形スポットのアスペクト比を容易に変更することができる。
（実施の形態５）
以下に、本発明の実施の形態５におけるレーザ加熱装置について、図面を参照しながら説明する。
【００７５】
本発明の実施の形態５におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態５におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズ構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【００７６】
図８に示すように、本実施の形態５のレーザ加熱装置は、前後方向Ｘにおける前方向へ第１光軸センタ５１Ｂを中心としてレーザ光Ｌ１を出射する第１ワット級ワンチップ半導体レーザ（第１ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）５１と、第１光軸センタ５１Ｂと直交する方向、すなわち左右方向Ｙに配置され、左右方向Ｙにおける左方向へ第２光軸センタ５２Ｂを中心としてレーザ光Ｌ２を出射する第２ワット級ワンチップ半導体レーザ（第２ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）５２と、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１および第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２のレーザ出射方向における前方に、第１光軸センタ５１Ｂと第２光軸センタ５２Ｂとの交点を中心として配置され、レーザ光Ｌ１とレーザ光Ｌ２を加算するＰＢＳプリズム（偏光ビームスプリッターともいう）（プリズムの一例）５３と、ＰＢＳプリズム５３のレーザ出射方向における前方に第１光軸センタ５１Ｂを中心として配置され、ＰＢＳプリズム５３で加算されたレーザ光Ｌ１，Ｌ２を集光する丸凸非球面レンズ（非球面レンズの一例）５４などにより構成されている。また、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１と第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２との間には、０．１ｍｍ厚の絶縁体５５が設けられている。
【００７７】
なお、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１は、出射部５１Ａのファースト方向が左右方向Ｙとなるよう配置され、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２は、出射部５２Ａのスロー方向が前後方向Ｘとなるよう配置されている。
【００７８】
また、上記各ワット級ワンチップ半導体レーザ５１，５２に形成されている出射部５１Ａ，５２Ａは、それぞれスロー方向の発光幅が０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が０．５μｍ〜５μｍとされている。
【００７９】
以下に、上記した実施の形態５における作用を、図８を参照しながら説明する。
丸凸非球面レンズ５４の焦点位置をＮ１、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ４１の出射部５１Ａから焦点位置Ｎ１までの距離をＬ１、焦点位置Ｎ１から集光部Ｍまでの距離をＬ２とする。
【００８０】
図８（ａ）に示すように、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されるレーザ光Ｌ１のファースト方向（左右方向Ｙ）において、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されたレーザ光Ｌ１は、丸凸非球面レンズ５４で集光される。また、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２から出射されたレーザ光Ｌ２は、ＰＢＳプリズム５３で反射、すなわちレーザ光Ｌ１と加算された後、コリメートされた状態で丸凸非球面レンズ５４を介して集光部Ｍに到達する。
【００８１】
また、図８（ｂ）で示すように、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されるレーザ光Ｌ１のスロー方向（上下方向Ｚ）において、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されたレーザ光Ｌ１は、コリメートされた状態でＰＢＳプリズム５３および丸凸非球面レンズ５４を介して集光部Ｍに到達する。また、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２から出射されたレーザ光Ｌ２は、ＰＢＳプリズム４５で反射、すなわちレーザ光Ｌ１と加算された後、丸凸非球面レンズ５４で集光される。
【００８２】
これにより、丸凸非球面レンズ５４から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ１は、スロー方向においてコリメートされるとともに、ファースト方向において集光され、また集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌ２は、（レーザ光Ｌ１の）スロー方向において集光されるとともに、（レーザ光Ｌ１の）ファースト方向においてコリメートされるため、集光部Ｍにおいて正十字形スポットが得られる。
【００８３】
したがって、例えば丸凸非球面レンズ５４のＦ値をＦ８、距離Ｌ１を９．５ｍｍ、距離Ｌ２を５０ｍｍとした場合、集光部Ｍには、ライン幅が５．３μｍ、ライン長が５３０μｍの十字形スポットが形成される。
【００８４】
また、出射部５２ＡからＰＢＳプリズム５３までの距離をｄ１、出射部５１ＡからＰＢＳプリズム５３までの距離をｄ２とすると、距離ｄ１および距離ｄ２の大きさを変化させることにより、集光部Ｍにおける十字形スポットの左右方向Ｙおよび上下方向Ｚの長さ（サイズ）を変化させることができる。
【００８５】
また、図８（ｃ），図８（ｄ）に示すように、上記丸凸非球面レンズ５４が有する所定のＦ値に、光軸センタ５１Ｂ上における第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１の出射部５１Ａから丸凸非球面レンズ５４までの距離をあわせ、その位置に丸凸非球面レンズ５４を配置し、また、光軸センタ５１Ｂを中心として、距離が調整された位置に配置された丸凸非球面レンズ５４と集光部Ｍとの間で、丸凸非球面レンズ５４側に第１シリンドリカルレンズ５６を配置するとともに、光軸センタ５１Ｂを中心として、距離が調整された位置に配置された丸凸非球面レンズ５４と集光部Ｍとの間で、集光部Ｍ側に第２シリンドリカルレンズ５７を配置する。
【００８６】
なお、各シリンドリカルレンズ５６，５７は、各非球面部５６Ａ，５７Ａが丸凸非球面レンズ５４側を向くように配置され、また第１シリンドリカルレンズ５６と第２シリンドリカルレンズ５７は、９０度尾根方向が異なっている、すなわち第１シリンドリカルレンズ５６を９０度回転させた状態で第２シリンドリカルレンズ５７が配置されている。
【００８７】
このとき、図８（ｃ）で示すように、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されるレーザ光Ｌ１のファースト方向（左右方向Ｙ）において、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されたレーザ光Ｌ１は、丸凸非球面レンズ５４でコリメートされた後、第２シリンドリカルレンズ５７で集光される。また、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２から出射されたレーザ光Ｌ２は、ＰＢＳプリズム５３で反射、すなわちレーザ光Ｌ１と加算され、コリメートされた状態で丸凸非球面レンズ５４，第１シリンドリカルレンズ５６を介した後、第２シリンドリカルレンズ５７で集光される。
【００８８】
また、図８（ｄ）で示すように、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されるレーザ光Ｌ１のスロー方向（上下方向Ｚ）において、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１から出射されたレーザ光Ｌ１は、ＰＢＳプリズム５３および丸凸非球面レンズ５４を介した後、第１シリンドリカルレンズ５６で集光される。また、第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２から出射されたレーザ光Ｌ２は、ＰＢＳプリズム５３で反射されて、丸凸非球面レンズ５４でコリメートされた後、第１シリンドリカルレンズ５６で集光される。
【００８９】
ここで、第１シリンドリカルレンズ５６および第２シリンドリカルレンズ５７を光軸センタ５１Ｂ上で位置調整することにより、すなわち光軸センタ５１Ｂ上を前後方向に移動させることにより、集光部Ｍにおける十字形スポットの左右方向Ｙおよび上下方向Ｚの長さ（サイズ）を変化させることができ、したがって集光部Ｍにおけるレーザ光の形状を所望の十字形スポットに変化させることができる。
【００９０】
なお、第１ワット級ワンチップ半導体レーザ５１および第２ワット級ワンチップ半導体レーザ５２はそれぞれ、ヒートシンク（図示せず）に固定されており、これらのヒートシンクを、ホルダー本体２Ａの前部および後部に設けられている調整具（例えば、ネジ等）（図示せず）により前後方向Ｘおよび左右方向Ｙに移動させることにより、各ヒートシンクを所望の位置へ移動させることができる。
【００９１】
以上のように実施の形態５によれば、集光部Ｍにおいて所望の十字形スポットを得ることができ、照射中心を容易に判断することができるため、加工対象物に対して最適なはんだ付けを行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【００９２】
また、実施の形態５によれば、図７に示すように、加工対象物Ａ，Ｂの接合を行う際、照射ずれについて余裕の程度を増すことができるため、照射中心Ｓがずれている場合でも密度の高いレーザ光で加工対象物Ａ，Ｂを加熱することができる。
（実施の形態６）
以下に、本発明の実施の形態６におけるレーザ加熱装置について、図面を参照しながら説明する。
【００９３】
本発明の実施の形態６におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態６におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズ構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【００９４】
図９に示すように、０．５ｍｍのスロー方向発光幅、および１μｍのファースト方向発光幅に形成され、光軸センタ７を中心にレーザ光を出射する出射部８を、上下方向Ｚに２つ（複数）有するスタックＬＤ６３（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）と、レンズ保持部（図示せず）内において、スタックＬＤ６３の前方に光軸センタ７を中心として上下方向Ｚにそれぞれ配置され、各出射部８から出射されたファースト方向におけるレーザ光Ｌを集光する２つ（複数）のｆａｓｔレンズ６１と、光軸センタ７を中心として、スタックＬＤ６３と集光部Ｍとの略中央に位置する場所に配置され、スタックＬＤ６３の欠く出射部８から出射されたスロー方向におけるレーザ光Ｌを集光する第１シリンドリカルレンズ６２が設けられている。
【００９５】
以下に、上記した実施の形態６における作用を、図９を参照しながら説明する。
図９（ａ）に示すように、レンズ保持部１１に配置される第１シリンドリカルレンズ６２のＦ値は、
Ｆ＝（Ｌ１×Ｌ２）／（Ｌ１＋Ｌ２）      ・・・（１）
Ｌ１；出射部８から第１シリンドリカルレンズ６２の焦点位置Ｎまでの距
離
Ｌ２；第１シリンドリカルレンズ６２の焦点位置Ｎから集光部Ｍまでの距
離
により求めることができる。
【００９６】
ここで、例えばＬ１＝４０ｍｍ、Ｌ２＝４０ｍｍとしたとき、Ｆ＝（４０×４０）／（４０＋４０）＝２０となるため、Ｆ２０の第１シリンドリカルレンズ６２が使用される。
そして、上記Ｆ２０の第１シリンドリカルレンズ６２を使用した場合、集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２は、
Ｈ２＝｛（Ｌ２−Ｆ）／Ｆ｝Ｈ１      ・・・（２）
Ｈ１；出射部８におけるスロー方向の発光幅
により求めることができる。なお、｛（Ｌ２−Ｆ）／Ｆ｝は倍率を示す。
【００９７】
ここで、Ｈ１＝０．５ｍｍのとき、Ｈ２＝｛（４０−２０）／２０｝０．５＝１×０．５＝０．５ｍｍとなる。
また、集光部Ｍにおけるファースト方向の幅ｈ２は、出射部８におけるファースト方向の発光幅ｈ１である１μｍに上記倍率を掛けたものとなるため、１μｍとなる。
【００９８】
このように、出射部８から第１シリンドリカルレンズ６２の焦点位置Ｎまでの距離Ｌ１と、第１シリンドリカルレンズ６２の焦点位置Ｎから集光部Ｍまでの距離Ｌ２を調整して、レンズ保持部１１に配置される第１シリンドリカルレンズ６２のＦ値を適宜定めることにより、第１シリンドリカルレンズ６２から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２が適宜変形されるため、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌのライン形状が変形される。
【００９９】
また、図９（ｃ），図９（ｄ）に示すように、光軸センタ７を中心として、ｆａｓｔレンズ６１と第１シリンドリカルレンズ６２との間に、第１シリンドリカルレンズ６２より大きなＦ値（Ｆ１０〜Ｆ５０）を有する第２シリンドリカルレンズ６４を配置する。
【０１００】
なお、第２シリンドリカルレンズ６４は、非球面部６４Ａがｆａｓｔレンズ６１側を向くように配置されている。
このとき、図９（ｃ）に示すように、スタックＬＤ６３から出射されるスロー方向におけるレーザ光は、ｆａｓｔレンズ６１および第２シリンドリカルレンズ６４を介した後、第１シリンドリカルレンズ６２でライン状に集光される。
【０１０１】
また、図９（ｄ）に示すように、スタックＬＤ６３から出射されるファースト方向における一方のレーザ光Ｌ１は、光軸センタ７と平行にならない状態でｆａｓｔレンズ６１でコリメートされた後、第２シリンドリカルレンズ６４で集光される。また、もう一方のレーザ光Ｌ２は、光軸センタ７と平行な状態でｆａｓｔレンズ６１でコリメートされた後、第２シリンドリカルレンズ６４で集光される。
【０１０２】
このように、ｆａｓｔレンズ６１のアライメント（位置調整）がずれていて、上記一方のレーザ光Ｌ１の光軸６５がずれている場合でも、第２シリンドリカルレンズ５７を光軸センタ７上で位置調整することにより、すなわち光軸センタ７上を前後方向に移動させることにより、レーザ光Ｌ１を集光部Ｍに集光させることができるとともに、集光部Ｍにおけるレーザ光の形状を所望の形状（例えば、ライン状，矩形形状など）に変化させることができる。
【０１０３】
なお、第１シリンドリカルレンズ６２として、例えばＦ値が２０の第１シリンドリカルレンズを使用した場合、Ｌ１＝Ｌ２＝４０ｍｍとなり、ＷＤを２５ｍｍ以上とした集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２を、出射部８におけるスロー方向の発光幅Ｈ１（例えば、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ）にすることができる。
【０１０４】
以上のように実施の形態６によれば、出射部８から第１シリンドリカルレンズ６２の焦点位置Ｎまでの距離Ｌ１と第１シリンドリカルレンズ６２の焦点位置Ｎから集光部Ｍまでの距離Ｌ２を変化させることによりＦ値を変化させ、このＦ値の第１シリンドリカルレンズ６２を使用することにより、集光部Ｍにおけるスロー方向の幅Ｈ２を変化させることができるため、集光部Ｍにおけるレーザ光Ｌの形状を所望のライン形状に変形させることができるとともに、スタックＬＤ６３から出射される複数のレーザ光Ｌを集光部Ｍに集光させ、集光部Ｍにおける集光度（レーザ光のパワー）を高めることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを短時間（高速）で容易に行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【０１０５】
なお、実施の形態６では、スタックＬＤ６３における各ワット級ワンチップ半導体レーザ９の出射部８は、スロー方向の発光幅が０．５ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、出射部８のスロー方向の発光幅は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発行幅は０．５μｍ〜５μｍのワット級ワンチップ半導体レーザ９を使用してもよい。
【０１０６】
また、実施の形態６では、第１シリンドリカルレンズ６２は、レンズの明るさを示すＦ値がＦ２０とされていたが、Ｆ値はＦ１０〜Ｆ５０の範囲であればよい。
（実施の形態７）
次に、図１０に本発明の実施の形態７におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態７におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズおよびレーザ光源の構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【０１０７】
図１０（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態７のレーザ加熱装置は、ホルダー本体２Ａの下面に設けられている熱伝導絶縁シート３の上面におけるセンターライン３Ａ上に一列に形成され、レーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を垂直上方に向いた光軸センタ７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃを中心に出射するワット級ワンチップ半導体レーザ（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃを備えているヒートシンク７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃと、各ヒートシンク７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃの上方において各光軸センタ７１Ａ，７１Ｂ，７１Ｃを中心として配置され、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃから出射されたファースト方向におけるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３をコリメートするＦ７の非球面レンズ７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃと、各非球面レンズ７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃの上方に設けられている銅ステップミラー（レーザ光加算手段の一例）７５（詳細は後述する）と、銅ステップミラー７５の前方に設けられ、銅ステップミラー７５で反射された各レーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を集光させるＦ１５の集光レンズ７７から構成されている。
【０１０８】
上記銅ステップミラー７５には、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａから出射されるレーザ光Ｌ１を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー７６Ａと、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ｂから出射されるレーザ光Ｌ２を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー７６Ｂと、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ｃから出射されるレーザ光Ｌ３を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー７６Ｃが形成されている。
【０１０９】
なお、上記各ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃはそれぞれ、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ、ファースト方向の発光幅が１μｍとされている。
以下に、上記した実施の形態７における作用を、図１０を参照しながら説明する。
【０１１０】
ファースト方向において、各ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３はそれぞれ、各非球面レンズ７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃでコリメートされる。そして、このコリメートされたレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は、銅ステップミラー７５の各４５度ミラー７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃで前方へ反射、すなわち加算された後、集光レンズ７７で急速に集光され、集光部Ｍにおいて点状となる。
【０１１１】
なお、図１０（ｃ）に示すように、集光レンズ７７の平面部７７Ａにおいて、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａから出射されたレーザ光Ｌ１は上方部分Ａに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ｂから出射されたレーザ光Ｌ２は中央部分Ｂに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ｃから出射されたレーザ光Ｌ３は下方部分Ｃに位置する。
【０１１２】
また、スロー方向において、各ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３はそれぞれ、各非球面レンズ７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃを透過して各４５度ミラー７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃで前方へ反射、すなわち加算された後、集光レンズ７７で徐々に集光され、集光部Ｍにおいてライン状となる。
【０１１３】
これにより、集光レンズ７７から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを向上させたライン状のレーザ光を得ることができる。
【０１１４】
以上のように実施の形態７によれば、集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを高めたライン状のレーザ光を得ることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを短時間（高速）で行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【０１１５】
なお、実施の形態７では、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃは、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、スロー方向の発光幅は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅は０．５μｍ〜５μｍのワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃを使用してもよい。
【０１１６】
また、実施の形態７では、ワット級ワンチップ半導体レーザ７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃを備えたヒートシンク７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃが前後方向Ｘに３つ配置されていたが、前後方向Ｘに３つ以上配置してもよい。このとき、銅ステップミラー７５には、前後方向Ｘに並べられた数に相当する４５度ミラーを備える必要がある。
（実施の形態８）
次に、図１１に本発明の実施の形態８におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態８におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズおよびレーザ光源の構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【０１１７】
図１１に示すように、本実施の形態８のレーザ加熱装置は、ホルダー本体２Ａの下面に設けられている熱伝導絶縁シート３の上面における前後方向Ｘに、レーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を垂直上方に向いた光軸センタ８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄを中心に出射するワット級ワンチップ半導体レーザ（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄを備えているヒートシンク８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ，８３Ｄと、各ヒートシンク８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ，８３Ｄの上方において各光軸センタ８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ，８１Ｄを中心として配置され、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄから出射されたファースト方向におけるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４をコリメートするＦ７の非球面レンズ８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ，８４Ｄと、各非球面レンズ８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ，８４Ｄの上方に設けられている銅ステップミラー（レーザ光加算手段の一例）８５（詳細は後述する）と、銅ステップミラー８５で反射された各レーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４を集光させるＦ２５のアクロマートレンズ（集光レンズの一例）８６から構成されている。
【０１１８】
上記銅ステップミラー８５には、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ｂから出射されるレーザ光Ｌ２を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー８５Ｂと、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ｄから出射されるレーザ光Ｌ４を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー８５Ｄが形成されており、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａから出射されるレーザ光Ｌ１を前方へ反射、すなわち加算させる第１ＰＢＳプリズム８７と、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ｃから出射されるレーザ光Ｌ３を前方へ反射、すなわち加算させる第２ＰＢＳプリズム８８と、第１ＰＢＳプリズム８７と４５度ミラー８５Ｂとの間に設けられ、４５度ミラー８５Ｂで反射されたレーザ光Ｌ２の偏光面を回転させる１／２波長板８９と、第２ＰＢＳプリズム８８と４５度ミラー８５Ｄとの間に設けられ、４５度ミラー８５Ｄで反射されたレーザ光Ｌ４の偏光面を回転させる１／２波長板９０が設けられている。
【０１１９】
なお、上記各ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄはそれぞれ、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ、ファースト方向の発光幅が１μｍとされている。
【０１２０】
以下に、上記した実施の形態８における作用を、図１１を参照しながら説明する。
ファースト方向において、各ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４はそれぞれ、各非球面レンズ８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ，８４Ｄでコリメートされ、このコリメートされたＬ１，Ｌ３はそれぞれ、第１ＰＢＳプリズム８７，第２ＰＢＳプリズム８８で前方へ反射、すなわち加算され、またコリメートされたＬ２，Ｌ４はそれぞれ、４５度ミラー８５Ｂ，８５Ｄで前方へ反射、すなわち加算され、１／２波長板８９，９０で偏光面が回転され、第１ＰＢＳプリズム８７，第２ＰＢＳプリズム８８を通過する。そして、第１ＰＢＳプリズム８７，第２ＰＢＳプリズム８８および４５度ミラー８５Ｂ，８５Ｄで反射、すなわち加算されたレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４はそれぞれ、アクロマートレンズ８６で急速に集光され、集光部Ｍにおいて点状となる。
【０１２１】
なお、図１１（ｃ）に示すように、アクロマートレンズ８６の平面部８６Ａにおいて、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａ，８２Ｂから出射されたレーザ光Ｌ１，Ｌ２は上方部分Ａに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ｃ，８２Ｄから出射されたレーザ光Ｌ３，Ｌ４は中央部分Ｂに位置する。
【０１２２】
また、スロー方向において、各ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４はそれぞれ、各非球面レンズ８４Ａ，８４Ｂ，８４Ｃ，８４Ｄを透過して第１ＰＢＳプリズム８７，第２ＰＢＳプリズム８８および４５度ミラー８５Ｂ，８５Ｄで反射、すなわち加算され同様に、アクロマートレンズ８６で徐々に集光され、集光部Ｍにおいてライン状となる。
【０１２３】
これにより、アクロマートレンズ８６から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを向上させたライン状のレーザ光を得ることができる。
【０１２４】
以上のように実施の形態８によれば、集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを高めたライン状のレーザ光を得ることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを短時間（高速）で行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【０１２５】
なお、実施の形態８では、銅ステップミラー８５に形成されている４５度ミラー８５Ｂ，８５Ｄにより、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ｂから出射されるレーザ光Ｌ２、およびワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ｄから出射されるレーザ光Ｌ４を反射させていたが、４５度ミラー８５Ｂ，８５Ｄを備えた銅ステップミラー８５に代わりプリズムミラーを設けて、レーザ光Ｌ２，Ｌ４を反射させてもよい。
【０１２６】
また、実施の形態８では、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄは、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、スロー方向の発光幅は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅は０．５μｍ〜５μｍであればよい。
【０１２７】
また、実施の形態８では、ワット級ワンチップ半導体レーザ８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃ，８２Ｄを備えたヒートシンク８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ，８４Ｄが前後方向Ｘに４つ配置されていたが、前後方向Ｘに４つ以上配置してもよい。このとき、銅ステップミラー８５には、前後方向Ｘに並べられたヒートシンクに応じて、４５度ミラー，１／２波長板，ＰＢＳプリズムを備える必要がある。
（実施の形態９）
次に、図１２に本発明の実施の形態９におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態９におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズ、およびレーザ光源の構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【０１２８】
図１２に示すように、本実施の形態９のレーザ加熱装置は、ホルダー本体２Ａの下面に設けられている熱伝導絶縁シート３の上面におけるセンターライン３Ａに対して左右二列に形成され、センターライン３Ａの（レーザ出射方向を向いて左側）一方側に設けられ、レーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３を垂直上方に向いた光軸センタ９１Ａ，９１Ｂ，９１Ｃを中心に出射するワット級ワンチップ半導体レーザ（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃを備えているヒートシンク９３Ａ，９３Ｂ，９３Ｃと、センターライン３Ａの（レーザ出射方向を向いて右側）他方側に設けられ、レーザ光Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６を垂直上方に向いた光軸センタ９１Ｄ，９１Ｅ，９１Ｆを中心に出射するワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆを備えているヒートシンク９３Ｄ，９３Ｅ，９３Ｆと、各ヒートシンク９３の上方において各光軸センタ９１を中心として配置され、各ワット級ワンチップ半導体レーザ９２から出射されたファースト方向における各レーザ光ＬをコリメートするＦ７の非球面レンズ９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９４Ｄ，９４Ｅ，９４Ｆと、各非球面レンズ９４の上方に設けられている銅ステップミラー（レーザ光加算手段の一例）９５（詳細は後述する）と、銅ステップミラー９５で反射された各レーザ光Ｌを集光させるＦ１５の集光レンズ９７から構成されている。
【０１２９】
上記銅ステップミラー９５には、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａ，９２Ｄから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ４を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー９６Ａと、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｂ，９２Ｅから出射されるレーザ光Ｌ２，Ｌ５を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー９６Ｂと、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｃ，９２Ｆから出射されるレーザ光Ｌ３，Ｌ６を前方へ反射、すなわち加算させる４５度ミラー９６Ｃが形成されている。
【０１３０】
なお、上記各ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆはそれぞれ、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ、ファースト方向の発光幅が１μｍとされている。
【０１３１】
以下に、上記した実施の形態９における作用を、図１２を参照しながら説明する。
ファースト方向において、各ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６はそれぞれ、各非球面レンズ９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９４Ｄ，９４Ｅ，９４Ｆでコリメートされる。そして、これらコリメートされたレーザ光Ｌ１，Ｌ４は４５度ミラー９６Ａで、レーザ光Ｌ２，Ｌ５は４５度ミラー９６Ｂで、レーザ光Ｌ３，Ｌ６は４５度ミラー９６Ｃで前方へ反射、すなわち加算された後、集光レンズ９７で急速に集光され、集光部Ｍにおいて点状となる。
【０１３２】
なお、図１２（ｃ）に示すように、集光レンズ９７の平面部９７Ａにおいて、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａから出射されたレーザ光Ｌ１は左側上方部分Ａに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｂから出射されたレーザ光Ｌ２は左側中央部分Ｂに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｃから出射されたレーザ光Ｌ３は左側下方部分Ｃに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｄから出射されたレーザ光Ｌ４は右側上方部分Ｄに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｅから出射されたレーザ光Ｌ５は右側中央部分Ｅに位置し、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ｆから出射されたレーザ光Ｌ６は右側下方部分Ｆに位置する。
【０１３３】
また、スロー方向において、各ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆから出射されるレーザ光Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６はそれぞれ、各非球面レンズ９４Ａ，９４Ｂ，９４Ｃ，９４Ｄ，９４Ｅ，９４Ｆを透過し、レーザ光Ｌ１，Ｌ４は４５度ミラー９６Ａで、レーザ光Ｌ２，Ｌ５は４５度ミラー９６Ｂで、レーザ光Ｌ３，Ｌ６は４５度ミラー９６Ｃで前方へ反射、すなわち加算された後、集光レンズ９７で徐々に集光され、集光部Ｍにおいてライン状となる。
【０１３４】
これにより、集光レンズ９７から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを向上させたライン状のレーザ光を得ることができる。
【０１３５】
以上のように実施の形態９によれば、集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを高めたライン状のレーザ光を得ることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを短時間（高速）で行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【０１３６】
なお、実施の形態９では、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆは、スロー方向の発光幅が０．１ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、スロー方向の発光幅は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅は０．５μｍ〜５μｍのワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆを使用してもよい。
【０１３７】
また、実施の形態９では、ワット級ワンチップ半導体レーザ９２Ａ，９２Ｂ，９２Ｃ，９２Ｄ，９２Ｅ，９２Ｆを備えたヒートシンク９３Ａ，９３Ｂ，９３Ｃ，９３Ｄ，９３Ｅ，９３Ｆが前後方向Ｘに３つ、および左右方向Ｙに２つ配置されていたが、前後方向Ｘに３つ以上、左右方向Ｙに２つ以上配置してもよい。このとき、銅ステップミラー９５には、前後方向Ｘに並べられた数に相当する４５度ミラーを備える必要がある。
（実施の形態１０）
（１０−Ａ）
次に、図１３に本発明の実施の形態１０におけるレーザ加熱装置の構成を説明する。なお、本実施の形態１０におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズおよびレーザ光源の構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【０１３８】
図１３（ａ），（ｂ）に示すように、本実施の形態１０のレーザ加熱装置は、左右方向Ｙに配置され、光軸センタを中心にレーザ光Ｌを出射する複数の出射部を有するＬＤアレイ（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）１０１と、ＬＤアレイ１０１の前方にＬＤアレイ１０１のセンターライン１０１Ａを中心として配置され、ファースト方向におけるレーザ光Ｌをコリメートするｆａｓｔレンズ（シリンドリカルレンズ）１０２と、ｆａｓｔレンズ１０２の前方にセンターライン１０１Ａを中心として配置され、ｆａｓｔレンズ１０２によりコリメートされたレーザ光Ｌを加算するレーザ光加算器１０３と、レーザ光加算器１０３の前方にセンターライン１０１Ａを中心として配置され、レーザ光加算器１０３で加算されたレーザ光Ｌを集光する集光レンズ１０４などにより構成されている。
【０１３９】
なお、上記ＬＤアレイ１０１の出射部はそれぞれ、スロー方向の発光幅が０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が０．５μｍ〜５μｍとされている。
上記レーザ光加算器１０３は平行平板プリズムから形成されており、ＬＤアレイ１０１のレーザ光Ｌの出射方向における右側方（一側方）から出射されるレーザ光Ｌ１を下方向へ反射する第１反射板１１１と、第１反射板１１１により下方向に反射されたレーザ光Ｌ１を前方向へ反射する第２反射板１１２と、第２反射板１１２により前方向に反射されたレーザ光Ｌ１を中方向（左方）へ反射する第３反射板１１３と、第３反射板１１３により中方向へ反射されたレーザ光Ｌ１を前方向へ反射する第４反射板１１４とともに、ＬＤアレイ１０１のレーザ光Ｌの出射方向における左側方（他側方）から出射されるレーザ光Ｌ２を上方向へ反射する第５反射板１１５と、第５反射板１１５により上方向に反射されたレーザ光Ｌ２を前方向へ反射する第６反射板１１６と、第６反射板１１６により前方向に反射されたレーザ光Ｌ２を中方向（右方）へ反射する第７反射板１１７と、第７反射板１１７により中方向へ反射されたレーザ光Ｌ２を前方向へ反射する第８反射板１１８を有している。なお、レーザ加算器１０３の中心部には空洞部１１９が形成されており、ＬＤアレイ１０１の中央部から出射されるレーザ光Ｌ３を、そのまま前方向へ出射させている。
【０１４０】
以下に、上記した実施の形態１０における作用を、図１３を参照しながら説明する。
例えば、ＬＤアレイ１０１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、レーザ出射方向の右側方より出射されるレーザ光Ｌ１は、ｆａｓｔレンズ１０２を介してレーザ光加算器１０３に入射される。
【０１４１】
その後、このレーザ光Ｌ１は、図１３に示すように、第１反射板１１１により下方向に反射され、続いて第２反射板１１２により前方向へ反射される。前方向に反射されたレーザ光Ｌ１は、第３反射板１１３により中方向へ反射され、続いて第４反射板１１４により前方向へ反射された後、集光レンズ１０４で集光される。
【０１４２】
また、ＬＤアレイ１０１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、レーザ出射方向の左側方より出射されるレーザ光Ｌ２は、ｆａｓｔレンズ１０２を介してレーザ光加算器１０３に入射される。
【０１４３】
その後、このレーザ光Ｌ２は、図１３に示すように、第５反射板１１５により上方向に反射され、続いて第６反射板１１６により前方向へ反射される。前方向に反射されたレーザ光Ｌ２は、第７反射板１１７により中方向へ反射され、続いて第８反射板１１８により前方向へ反射された後、集光レンズ１０４で集光される。
【０１４４】
このように、ＬＤアレイ１０１より出射された複数のレーザ光Ｌ（Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３）は、レーザ光加算器１０３で加算された後、集光レンズ１０４によりライン状にさらに集光されるため、集光レンズ１０４から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちレーザ光Ｌのパワーを高めたライン状のレーザ光Ｌとなる。
（１０−Ｂ）
次に、図１４に示すように、ｆａｓｔレンズ１０２の前方にセンターライン１０１Ａを中心として配置されているレーザ光加算器１０３に代わり、左右方向Ｙにおけるセンターライン１０１Ａの左側方（一側方）で上下方向Ｚに１つずつ配置され、前後方向Ｘから前方に４５度傾いている第１反射ミラー（第１反射体の一例）１２１，第２反射ミラー（第２反射体の一例）１２２と、第１反射ミラー１２１および第２反射ミラー１２２の前側に隣接するとともに、センターライン１０１Ａの左側方（一側方）と右側方（他側方）に配置され、左右方向Ｙから前方に４５度傾いている第３反射ミラー（第３反射体の一例）１２３，第４反射ミラー（第４反射体の一例）１２４から構成されているレーザ光加算器１２５を備えている。
【０１４５】
以下に、上記したレーザ光加算器１２５を備えたレーザ加熱装置の作用を、図１４を参照しながら説明する。
例えば、ＬＤアレイ１０１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、レーザ出射方向の左側方より出射されるレーザ光Ｌ１は、ｆａｓｔレンズ１０２を介してレーザ光加算器１２５に入射される（図１４（ｃ）参照）。
【０１４６】
その後、左側方より出射されるレーザ光Ｌ１は、図１４（ａ），（ｂ），（ｃ），（ｄ）に示すように、第１反射ミラー１２１により上方向に反射され、続いて第２反射ミラー１２２により前方向へ反射される。前方向に反射されたレーザ光Ｌ１は、第３反射ミラー１２３により右方向へ反射され、続いて第４反射ミラー１２４により前方向へ反射された後、集光レンズ１０４で集光される。
【０１４７】
また、ＬＤアレイ１０１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、レーザ出射方向の右側方より出射されるレーザ光Ｌ２は、第４反射ミラー１２４の下方を通過して、集光レンズ１０４で集光される。
【０１４８】
このように、ＬＤアレイ１０１より出射された複数のレーザ光Ｌ（Ｌ１，Ｌ２）は、レーザ光加算器１２５で加算された後、図１４（ｅ）に示すように、集光レンズ１０４によりライン状にさらに集光されるため、集光レンズ１０４から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちレーザ光Ｌのパワーを高めたライン状のレーザ光Ｌとなる。
（１０−Ｃ）
次に、図１５に示すように、ｆａｓｔレンズ１０２の前方にセンターライン１０１Ａを中心として配置されているレーザ光加算器１０３，１２５に代わり、上下方向Ｚにおける最下方に配置されている第１三角ミラー（第１反射体）１３１と、第１三角ミラー１３１の上方に配置されている第２三角ミラー（第２反射体）１３２と、第２三角ミラー１３２の上方に配置されている第３三角ミラー（第３反射体）１３３と、第３三角ミラーの上方に配置されている第４三角ミラー（第４反射体）１３４と、第２三角ミラーの前方に配置されている第５三角ミラー（第５反射体）１３５と、第３三角ミラーの前方に配置されている第６三角ミラー（第６反射体）１３６第４三角ミラーの前方に配置されている第７三角ミラー（第７反射体）１３７と、第７三角ミラー１３７の右側に隣接して設けられている第８三角ミラー（第８反射体）１３８から構成されているレーザ光加算器１３９を備えている。
【０１４９】
以下に、上記したレーザ光加算器１３９を備えたレーザ加熱装置の作用を、図１５を参照しながら説明する。
例えば、ＬＤアレイ１０１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、レーザ光Ｌ１は、ｆａｓｔレンズ１０２を介してレーザ光加算器１３９に入射される。その後、図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、第１三角ミラー１３１により上方向に反射され、続いて第２三角ミラー１３２により前方向へ反射される。前方向に反射されたレーザ光Ｌ１は、第５三角ミラー１３５により右方向へ反射され、続いて第８三角ミラー１３８により前方向へ反射された後、集光レンズ１０４で集光される。
【０１５０】
また、ＬＤアレイ１０１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、レーザ光Ｌ２は、ｆａｓｔレンズ１０２を介してレーザ光加算器１３９に入射される。その後、図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、第１三角ミラー１３１により上方向に反射され、続いて第３三角ミラー１３３により前方向へ反射される。前方向に反射されたレーザ光Ｌ２は、第６三角ミラー１３６により右方向へ反射され、続いて第８三角ミラー１３８により前方向へ反射された後、集光レンズ１０４で集光される。
【０１５１】
また、ＬＤアレイ１０１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、レーザ光Ｌ３は、ｆａｓｔレンズ１０２を介してレーザ光加算器１３９に入射される。その後、図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すように、第１三角ミラー１３１により上方向に反射され、続いて第４三角ミラー１３４により前方向へ反射される。前方向に反射されたレーザ光Ｌ３は、第７三角ミラー１３７により右方向へ反射され、続いて第８三角ミラー１３８により前方向へ反射された後、集光レンズ１０４で集光される。
【０１５２】
このように、ＬＤアレイ１０１より出射された複数のレーザ光Ｌは、レーザ光加算器１３９で加算された後、集光レンズ１０４によりライン状にさらに集光されるため、集光レンズ１０４から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちレーザ光Ｌのパワーを高めたライン状のレーザ光Ｌとなる。
（１０−Ｄ）
次に、図１６に示すように、上記ＬＤアレイ１０１に代わり、左右方向Ｙおよび上下方向Ｚに配置され、光軸センタを中心にレーザ光Ｌを出射する複数の出射部を有する、すなわち上記ＬＤアレイ１０１を積層したスタックＬＤ（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源の一例）１４１と、ｆａｓｔレンズ（シリンドリカルレンズ）１０２に代わり、スタックＬＤ１４１の前方にセンターライン１０１Ａを中心として配置され、上下部分が水平にカットされ、そのカットされた部分同士が上下方向Ｚに３つ（複数）積層され、ファースト方向におけるレーザ光Ｌをコリメートするｆａｓｔレンズ（ロッドレンズ）１４２と、レーザ光加算器１０３，１２５，１３９に代わり、ｆａｓｔレンズ１４２の前方にセンターライン１０１Ａを中心として配置され、ｆａｓｔレンズ１４２によりコリメートされたレーザ光Ｌを集光するレーザ光加算器１４３を備えている。
【０１５３】
なお、上記スタックＬＤ１４１の出射部はそれぞれ、スロー方向の発光幅が０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が１μｍとされている。
レーザ光加算器１４３は、ｆａｓｔレンズ１４２の前方に配置されている３つの平凸レンズ１４４Ａ，１４４Ｂ，１４４Ｃと、３つの平凸レンズ１４４Ａ，１４４Ｂ，１４４Ｃのうち、右側に設けられている平凸レンズ１４４Ａの後方に配置されている右方ウエッジプリズム１４５Ａと、３つの平凸レンズ１４４Ａ，１４４Ｂ，１４４Ｃのうち、左側に設けられている平凸レンズ１４４Ａの後方に配置されている左方ウエッジプリズム１４５Ｂから構成されている。
【０１５４】
以下に、上記したレーザ光加算器１４３を備えたレーザ加熱装置の作用を、図１６を参照しながら説明する。
例えば、スタックＬＤ１４１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、右側方より出射されたレーザ光Ｌ１は、ｆａｓｔレンズ１４２を介してレーザ光加算器１４３に入射される。その後、レーザ光Ｌ１は、図１６に示すように、平凸レンズ１４４Ａにより入射角が変わり、右方ウエッジプリズム１４５Ａを介して集光レンズ１０４に入射され、集光レンズ１０４で集光される。
【０１５５】
また、スタックＬＤ１４１から複数出射されたレーザ光Ｌのうち、左側方より出射されたレーザ光Ｌ２は、ｆａｓｔレンズ１４２を介してレーザ光加算器１４３に入射される。その後、レーザ光Ｌ２は、図１６に示すように、平凸レンズ１４４Ｃにより入射角が変わり、右方ウエッジプリズム１４５Ｂを介して集光レンズ１０４に入射され、集光レンズ１０４で集光される。
【０１５６】
このように、スタックＬＤ１４１より出射された複数のレーザ光Ｌは、レーザ光加算器１４３で加算された後、集光レンズ１０４によりライン状にさらに集光されるため、集光レンズ１０４から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちレーザ光Ｌのパワーを高めたライン状のレーザ光Ｌとなる。
【０１５７】
以上のように実施の形態１０によれば、レーザ光加算器１０３，１２５，１３９，１４３により、集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを高めたライン状のレーザ光を得ることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを短時間（高速）で容易に行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【０１５８】
なお、実施の形態１０では、左右方向Ｙに複数設けられ、レーザ光Ｌを出射する出射部を有するＬＤアレイ１０１が用いられていたが、拡大ラインビームを出射する１チップＬＤでもよい。
（実施の形態１１）
次に、本発明の実施の形態１１におけるレーザ加熱装置の構成を、図１７に基づいて説明する。なお、本実施の形態１１におけるレーザ加熱装置の構成は、上記実施の形態１と略同一であるため詳細な説明を省略し、異なる部分、すなわちレンズ保持部のレンズおよびレーザ光源の構成のみを説明する。また、上記実施の形態１と同一部材のものには同一番号を付す。
【０１５９】
図１７に示すように、本実施の形態１１のレーザ加熱装置は、レーザ光Ｌ１を光軸センタ７を中心に出射するワット級ワンチップ半導体レーザ（図示せず）の出射部８の１ｍｍ上方に、レーザ光Ｌ２を出射する上位出射部１５１が設けられている上位ワット級ワンチップ半導体レーザ（図示せず）と、ホルダー２の先端部に光軸センタ７を中心として配置され、内方保持体１５２Ａと外方保持体１５２Ｂを有するレンズ保持部１５２と、光軸センタ７を中心として配置され、レンズ保持部１５２の内方保持体１５２Ａにより保持されているＦ４の非球面レンズ１５３と、レンズ保持部１５２の外方保持体１５２Ｂに取り付けられ、外方保持体１５２Ｂの径より小さな径に形成されている第１空洞部１５５Ａと外方保持体１５２Ｂの径より大きな径に形成されている第２空洞部１５５Ｂを有し、レーザ光の反射調整を行うミラー保持部（反射体保持部の一例）１５５などから構成されている。
【０１６０】
上記ミラー保持部１５５は、第１空洞部１５５Ａから半径方向に形成され、レンズ保持部１５２と固定させるための第１固定用セットビス１５６を挿通させる３つ（複数）の第１挿通穴１５７と、第２空洞部１５５Ｂから半径方向に形成され、ミラー載置台１６４（後述する）の傾斜調整を行うための傾斜調整用セットビス１５８を挿通させる前後方向に２つ（複数）形成されている第２挿通穴１５９と、第２挿通穴１５９の間で、第１空洞部１５５Ａから半径方向に形成され、ミラー載置台１６４を固定するための第２固定用セットビス１６０を挿通させる第３挿通穴１６１と、第２空洞部１５５Ｂ内に配置され、第３挿通穴１６１から挿入された第２固定用セットビス１６０が挿入される第４挿通穴１６２が形成され、上位出射部１５１から出射されたレーザ光Ｌ２を反射するミラー（反射体の一例）１６３と、ミラー１６３を支持するミラー載置台（反射体載置台の一例）１６４を備えている。
【０１６１】
なお、上記ミラー１６３は、一端がミラー載置台１６４に載置され、他端が第１空洞部１５５Ａに載置されており、レーザ光Ｌ１，Ｌ２がそれぞれ、集光部Ｍで集光するように配置されている。
【０１６２】
また、出射部８および上位出射部１５１は、スロー方向の発光幅が０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅が１μｍとされている。
また、非球面レンズ１５３をレンズ保持部１５２内に保持させる際は、非球面レンズ１５３の非球面部が前方を向くよう、すなわち非球面部がレーザ光Ｌの出射方向を向くように載置する。
【０１６３】
以下に、上記本実施の形態１１におけるレーザ加熱装置の作用を、図１７を参照しながら説明する。
まず、各傾斜調整用セットビス１５８を上下動させてミラー載置台１６４を上下動させることにより、ミラー載置台１６４はレーザ光Ｌ２を集光部Ｍに反射させることができる角度となるよう適宜傾斜調整され、所望の傾斜位置に調整後、第２固定用セットビス１６０によりミラー載置台１６４をミラー保持部１５５に固定する。
【０１６４】
そして、ワット級ワンチップ半導体レーザの出射部８から出射されるレーザ光Ｌ１は、非球面レンズ１５３により集光される。
また、上位ワット級ワンチップ半導体レーザの上位出射部１５１から出射されるレーザ光Ｌ２は、非球面レンズ１５３により集光され、ミラー載置台１６４に載置されているミラー１６３により反射され、そして集光部Ｍで集光される。
【０１６５】
このように、出射部８から出射されるレーザ光Ｌ１が集光部Ｍで集光されるとともに、上位出射部１５１から出射されるレーザ光Ｌ２が、ミラー１６３で反射された後、集光部Ｍで集光されるため、非球面レンズ１５３から２０ｍｍ以上離れた位置に形成される集光部Ｍ、すなわちＷＤを２０ｍｍ以上とした集光部Ｍにおいて、集光度の高いライン状のレーザ光、すなわち高いパワーのライン状のレーザ光Ｌとなる。
【０１６６】
以上のように実施の形態１１によれば、ミラー１６３を有するミラー保持部１５５により、集光部Ｍにおいて、集光度の高い、すなわちパワーを高めたライン状のレーザ光を得ることができるため、フレキシブルプリント配線板用コネクタ（ＦＰＣ用コネクタ）や電子デバイス等の被加熱部に対して、多点同時はんだ付けを短時間（高速）で行うことができ、したがってはんだ付けの効率を向上させることができる。
【０１６７】
なお、実施の形態１１では、出射部８および上位出射部１５１は、スロー方向の発光幅が０．５ｍｍ，ファースト方向の発光幅が１μｍとされていたが、出射部８および上位出射部１５１のスロー方向の発光幅は０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍ、ファースト方向の発光幅は０．５μｍ〜５μｍのワット級ワンチップ半導体レーザを使用してもよい。
【０１６８】
また、実施の形態１１では、非球面レンズ１５３は、レンズの明るさを示すＦ値がＦ４とされていたが、Ｆ値はＦ４〜Ｆ９、開口数ＮＡは０．３以上であればよい。
【図面の簡単な説明】
【０１６９】
【図１】本発明の実施の形態１におけるレーザ加熱装置であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図２】同レーザ加熱装置のレンズ保持部であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】本発明の実施の形態２におけるレーザ加熱装置のレンズ配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図４】本発明の実施の形態３におけるレーザ加熱装置のレンズ配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図５】同レーザ加熱装置を用いて加工物に対して加工を行う際の側面図である。
【図６】本発明の実施の形態４におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図７】同レーザ加熱装置を用いて加工物に対して加工を行う際の側面図である。
【図８】本発明の実施の形態５におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は他の実施の形態５の配置を示す平面図、（ｄ）は他の実施の形態５の配置を示す側面図である。
【図９】本発明の実施の形態６におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は他の実施の形態６の配置を示す平面図、（ｄ）は他の実施の形態６の配置を示す側面図である。
【図１０】本発明の実施の形態７におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はＡ−Ａ断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態８におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はＡ−Ａ断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態９におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はＡ−Ａ断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１０（１０−Ａ）におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はＡ−Ａ断面図である。
【図１４】同（１０−Ｂ）におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はＡ−Ａ断面図、（ｄ）はＢ−Ｂ断面図、（ｅ）はＣ−Ｃ断面図である。
【図１５】同（１０−Ｃ）におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はＡ−Ａ断面図である。
【図１６】同（１０−Ｄ）におけるレーザ加熱装置のレンズおよびレーザ光源の配置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図１７】本発明の実施の形態１１におけるレーザ加熱装置のレンズ配置を示す図であり、（ａ）は側面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
【符号の説明】
【０１７０】
１                レーザ加熱装置
７                光軸センタ
８                出射部
９                ワット級ワンチップ半導体レーザ（ワット級ワンチップ半導体レーザ
光源）
１０              非球面レンズ
２１              第１非球面レンズ
２２              第２非球面レンズ
３１              非球面レンズ
３２              シリンドリカルレンズ
４１              第１ワット級ワンチップ半導体レーザ（第１ワット級ワンチップ半導
体レーザ光源）
４１Ｂ            第１光軸センタ
４２              第２ワット級ワンチップ半導体レーザ（第２ワット級ワンチップ半導
体レーザ光源）
４２Ｂ            第２光軸センタ
４３              第１非球面レンズ
４４              第２非球面レンズ
４５              ＰＢＳプリズム（プリズム）
４６              集光レンズ
５１              第１ワット級ワンチップ半導体レーザ（第１ワット級ワンチップ半導
体レーザ光源）
５１Ｂ            第１光軸センタ
５２              第２ワット級ワンチップ半導体レーザ（第２ワット級ワンチップ半導
体レーザ光源）
５２Ｂ            第２光軸センタ
５３              ＰＢＳプリズム（プリズム）
５４              丸凸非球面レンズ（非球面レンズ）
５６              第１シリンドリカルレンズ
５７              第２シリンドリカルレンズ
６１              ｆａｓｔレンズ
６２              第１シリンドリカルレンズ
６４              第２シリンドリカルレンズ
７１Ａ〜７１Ｃ    光軸センタ
７２Ａ〜７２Ｃ    ワット級ワンチップ半導体レーザ（ワット級ワンチップ半導体レーザ
光源）
７４Ａ〜７４Ｃ    非球面レンズ
７５              銅ステップミラー（レーザ光加算手段）
７７              集光レンズ
８１Ａ〜８１Ｄ    光軸センタ
８２Ａ〜８２Ｄ    ワット級ワンチップ半導体レーザ（ワット級ワンチップ半導体レーザ
光源）
８４Ａ〜８４Ｄ    非球面レンズ
８５              銅ステップミラー（レーザ光加算手段）
８６              アクロマートレンズ（集光レンズ）
９１Ａ〜９１Ｆ    光軸センタ
９２Ａ〜９２Ｆ    ワット級ワンチップ半導体レーザ（ワット級ワンチップ半導体レーザ
光源）
９４Ａ〜９４Ｆ    非球面レンズ
９５              銅ステップミラー（レーザ光加算手段）
９７              集光レンズ
１０１            ＬＤアレイ（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源）
１０１Ａ          センターライン
１０２            ｆａｓｔレンズ
１０３            レーザ光加算器
１０４            集光レンズ
１２５            レーザ光加算器
１３９            レーザ光加算器
１４１            スタックＬＤ（ワット級ワンチップ半導体レーザ光源）
１４２            ｆａｓｔレンズ
１４３            レーザ光加算器
１５１            出射部
１５２            レンズ保持部
１５３            非球面レンズ
１５５            ミラー保持部（反射体保持部）
１５８            傾斜調整用セットビス
１６３            ミラー（反射体）
１６４            ミラー載置台（反射体載置台）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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