(57)【要約】【課題】  製造コストを抑え、小型化が可能な光回路構造および光モジュールを提供すること。【解決手段】  クラッドとコアとを有する導波路と、クラッドに形成され、接着剤が供給されたフィルタ挿入溝２１と、フィルタ挿入溝２１と所定の距離だけ離れて配置され、所定の領域から接着剤が流出するのを抑制する手段としての溝２２を備える。【選択図】  図２
2006330280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッドとコアとを有する導波路と、
前記クラッドに形成され、樹脂が供給された領域と、
該樹脂が供給された領域と所定の距離だけ離れて配置され、所定の領域から前記樹脂が流出するのを抑制する抑制手段であって、前記所定の領域は、該抑制手段を含んだ領域と前記樹脂が供給された領域との間の領域である抑制手段と
を備えることを特徴とする光回路構造。
【請求項２】
前記抑制手段は、前記コアに達しないように前記クラッドに形成された、少なくとも１つ以上の第１の凹部であることを特徴とする請求項１記載の光回路構造。
【請求項３】
前記抑制手段は、前記クラッドに前記コアに達しないように形成された少なくとも１つ以上の第２の凹部をさらに有し、
前記第１の凹部は溝であり、
前記少なくとも１つ以上の溝の端の近傍に、前記第２の凹部が配置されていることを特徴とする請求項２に記載の光回路構造。
【請求項４】
前記抑制手段は、前記クラッドに前記コアに達しないように形成された少なくとも１つ以上の第２の凹部をさらに有し、
前記第１の凹部は溝であり、
前記少なくとも１つ以上の溝のうちの少なくとも１つ以上は、前記第２の凹部に連結されていることを特徴とする請求項２記載の光回路構造。
【請求項５】
前記抑制手段は、前記クラッドに形成された、少なくとも１つ以上の凸部であることを特徴とする請求項１記載の光回路構造。
【請求項６】
前記樹脂は、アサーマル樹脂であり、
前記樹脂が供給された領域には、第３の凹部が形成されており、該第３の溝には、前記アサーマル樹脂が供給されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光回路構造。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の光回路構造と、
光学ベンチとを備え、
前記光回路構造は、複数のノッチ構造を有し、
前記光学ベンチは、前記複数のノッチ構造にそれぞれ嵌合する、複数の凹部を有し、
前記複数のノッチ構造と前記複数の凹部とを嵌合することにより、前記光回路構造が前記光学ベンチにパッシブアライメント実装されたことを特徴とする光モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光回路構造およびその製造方法に関し、より詳細には、光回路（例えば、平面型光回路など）における樹脂（例えば、接着剤など）の広がりの実装への影響を軽減する光回路構造および光モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、高度情報化に伴い大容量の情報を伝達したいという要望から、高速で大容量の情報が伝達可能な光通信システムが注目されている。このような光通信システムにおいて、高速で大容量な通信網を構築する伝送媒体として光ファイバが用いられており、この光ファイバを大容量化するための技術として、ＷＤＭ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ）技術が注目されている。
【０００３】
このＷＤＭでは、一本の光ファイバに個々に異なる波長の光信号を多重化させていることから、特に、光信号の送受信機（トランシーバ）において、異なる波長の光信号を合波・分波する手段が必要となる。このような合波・分波手段の一例として、誘電体多層膜フィルタ等の波長選択フィルタが用いられており、特許文献１には、この波長選択フィルタの導波路基板上への実装が開示されている。
【０００４】
このような、波長選択フィルタの導波路基板への実装の一例では、接着剤によって波長選択フィルタを導波路基板への固定を行っている。
【特許文献１】特開平１１−２５８４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記接着剤は粘性が高くないため、すなわち流動性が高いため、広がる性質があり、接着剤によって固定されたフィルタ近傍に他の素子（フィルタ、波長板、半導体素子、電極等）がある場合、広がった接着剤はそれら他の素子に到達することがある。その結果、他の素子に悪影響を及ぼす可能性がある。このような接着剤の広がりによる他の素子への影響を軽減するために、素子同士を十分離すことが考えられるが、これでは素子面積の増大を招いてしまい、デバイスの小型化が困難になり、またコストアップに繋がってしまう。
【０００６】
また、デバイスの低価格化という課題に答えるため、光学ベンチを用いたパッシブアライメント実装が多く提案されている。この方法は、フィルタを載せたＰＬＣ上に第１の凹凸を形成し、光学ベンチにそれら第１の凹凸に嵌合する第２の凹凸を形成し、位置合わせを行う方法である。
【０００７】
このような方法では、ＰＬＣについてフィルタが形成された面をひっくり返して光学ベンチに実装する場合、ＰＬＣと光学ベンチとの間の隙間は狭くなるため、ＰＬＣ上の接着剤が予期せぬところ（例えば、ＰＬＣのフィルタが形成された面における、ひっくり返して光学ベンチに実装する際に、光学ベンチの平面部と対向する領域等）に付着していると、位置合わせができなくなる。よって、ＰＬＣの予期せぬところに付着した接着剤を除去する工程を新たに設けなくてはならず、製造時間の長期化や製造コストの増大に繋がってしまう。
【０００８】
これは、嵌合によりＰＬＣと光学ベンチとを接続する実装方法に限らず、ＰＬＣ等の光回路の所望の面をひっくり返して光学ベンチ等の他の部材に実装する場合にはいずれの方法でも問題となる。
【０００９】
また上記パッシブアライメント実装の場合、フィルタをＰＬＣに接着させるために用いた接着剤がＰＬＣ上に形成された凹凸部（光学ベンチの凹凸部に嵌合させる部材）まで広がり、該凹凸部に付着すると窪みが狭くなったり凸部が広くなったりして、ＰＬＣの凹凸部と光学ベンチの凹凸部との嵌合が十分に行えなくなる可能性がある。
【００１０】
さて、光の合波・分波手段として、ＡＷＧ（Ａｒｒａｙｅｄ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｇｒａｔｉｎｇ）も広く用いられている。このＡＷＧには、ＡＷＧを構成する石英ガラスの有する若干の屈折率の温度依存性による、透過中心波長の温度依存性があり、この温度依存性を補償するために、ペルチェ素子やヒータ等を設ける必要がある。このような温度補償素子を設けると、製造コストの増大やデバイスの大型化に繋がるので、ＡＷＧのアサーマル化（温度無依存化）が求められている。
【００１１】
図１（ａ）は、従来のアサーマルＡＷＧの一例を示す図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の拡大部分Ｘを示す図であり、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ’線切断断面図である。
【００１２】
図（ａ）において、アサーマルＡＷＧ２００は、１つの導波路からなる入出力導波路２０１、該入出力導波路２０１に接続されたスラブ導波路２０２、該スラブ導波路２０２に接続された、光路長が互いに異なるアレイ導波路２０３、該アレイ導波路２０３に接続されたスラブ導波路２０４、該スラブ導波路に接続された、複数の導波路からなる入出力導波路２０５を備えている。
【００１３】
図１（ａ）において、アレイ導波路１（アレイ導波路２０３）は、複数の導波路コア２とクラッド３とを有している。クラッド３には、アレイ導波路１の長手方向に対して略垂直方向に、アサーマル溝４が導波路コア２を貫通するように形成されている。アサーマル溝４には、アサーマル樹脂としてのシリコーン５が充填されており、このシリコーン５の充填により、アレイ導波路１を構成する石英ガラスの有する温度依存性を補償している。このとき、図１（ｂ）、（ｃ）に示されるように、シリコーン５はアサーマル溝４に収まりきれず、アサーマル溝４から広がっている。
【００１４】
また、クラッド３には、アレイ導波路１の長手方向に対して略垂直方向に、溝６が導波路コア２を貫通するように形成されている。溝６には波長板７が嵌め込まれており、接着剤８によって固定されている。このとき、接着剤８についてもシリコーン５と同様に波長板７から広がっている。
【００１５】
このようなアサーマルＡＷＧを作製する際、まず、アレイ導波路１のクラッド３に対して、ダイシングなどによりアサーマル溝４を形成し、該アサーマル溝４にシリコーン５を充填する。チップ特性確認後、シリコーン５充填の状態でダイシングにより溝６を形成して、該溝に波長板７を挿入し、接着剤８にて波長板７を固定する。
【００１６】
しかしながら、シリコーン５充填の状態で波長板７を挿入する際、波長板を挿入する溝６を形成する際に用いるダイシング刃がシリコーン５に接触することがある。この接触により、シリコーン５への機械的ダメージが発生し、この機械的ダメージでシリコーン５が剥離したり、光学特性、信頼性の劣化を招いてしまう。
【００１７】
このような問題を解決するために、従来では、１）波長板７用の溝６とアサーマル溝４とを十分離すことによって、上記ダイシング刃によるダメージを回避していた。または、２）溝６を形成する前に、一度シリコーン５を剥離・洗浄してから、溝６を形成し、波長板７を挿入した後に、再度シリコーン５を充填することで、ダイシング刃のダメージを回避していた。
【００１８】
しかしながら、１）では、溝６とアサーマル溝４とを十分離して形成すると、その分光回路は大きくなってしまい、デバイスの大型化に繋がってしまう。また、２）では、一度シリコーン５を剥離・洗浄し、波長板７を挿入後、再度、シリコーン５を充填するため、複雑な工程を要してしまい、製造コストが増加し、コスト増に繋がってしまう。
【００１９】
上述の他に、半導体レーザ（ＬＤ）、電極等の部材や、機能性ポリマーを保護するための樹脂や、基板の平面部に部材を固定するために用いられる接着剤等についても、樹脂の広がりは問題となる。
【００２０】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、製造コストを抑え、小型化が可能な光回路構造および光モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１記載の発明は、クラッドとコアとを有する導波路と、前記クラッドに形成され、樹脂が供給された領域と、該樹脂が供給された領域と所定の距離だけ離れて配置され、所定の領域から前記樹脂が流出するのを抑制する抑制手段であって、前記所定の領域は、該抑制手段を含んだ領域と前記樹脂が供給された領域との間の領域である抑制手段とを備えることを特徴とする。
【００２２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記抑制手段は、前記コアに達しないように前記クラッドに形成された、少なくとも１つ以上の第１の凹部であることを特徴とする。
【００２３】
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記抑制手段は、前記クラッドに前記コアに達しないように形成された少なくとも１つ以上の第２の凹部をさらに有し、前記第１の凹部は溝であり、前記少なくとも１つ以上の溝の端の近傍に、前記第２の凹部が配置されていることを特徴とする。
【００２４】
請求項４記載の発明は、請求項２記載の発明において、前記抑制手段は、前記クラッドに前記コアに達しないように形成された少なくとも１つ以上の第２の凹部をさらに有し、前記第１の凹部は溝であり、前記少なくとも１つ以上の溝のうちの少なくとも１つ以上は、前記第２の凹部に連結されていることを特徴とする。
【００２５】
請求項５記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記抑制手段は、前記クラッドに形成された、少なくとも１つ以上の凸部であることを特徴とする。
【００２６】
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の発明において、前記樹脂は、アサーマル樹脂であり、前記樹脂が供給された領域には、第３の凹部が形成されており、該第３の溝には、前記アサーマル樹脂が供給されていることを特徴とする。
【００２７】
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の光回路構造と、光学ベンチとを備え、前記光回路構造は、複数のノッチ構造を有し、前記光学ベンチは、前記複数のノッチ構造にそれぞれ嵌合する、複数の凹部を有し、前記複数のノッチ構造と前記複数の凹部とを嵌合することにより、前記光回路構造が前記光学ベンチにパッシブアライメント実装されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように、本発明によれば、所定の領域から樹脂が流出するのを抑制するようにしたので、複雑な工程を用いなくても、樹脂が供給された領域の近傍に他の部材を適切に設けることが可能となるので、製造コストを抑え、かつ小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下で説明する図面で、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。  
（第１の実施形態）  
本実施形態は、光回路に形成された溝に樹脂（例えば、接着剤）により、所望の部材（例えば、誘電体多層膜フィルタ）を固定する場合に、該固定に用いた樹脂が所定の領域から外の領域へ流出するのを軽減させる。
【００３０】
図２（ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係る、樹脂の流出を軽減させる構成を示す図である。  
図２（ａ）では、誘電体多層膜フィルタ（以下、単に「フィルタ」とも呼ぶ）を挿入するためのフィルタ挿入溝２１が形成されており、フィルタはフィルタ挿入溝２１に挿入されてから接着剤で固定される。また、フィルタ挿入溝２１から所定の距離に矩形上の、樹脂広がり抑制溝としての溝２２がフィルタ挿入溝２１に対して略平行に形成されている。このように溝２２を形成することによって、フィルタの固定に用いられた接着剤は溝２２に落ち込み、それ以上外の領域への接着剤の広がりを防止ないし軽減することができる。
【００３１】
なお、溝２２の形状は、上記矩形に限定されるものではなく、円形、楕円形、三角形、正方形等、溝を形成できる形状であればいずれであっても良い。また、フィルタ挿入溝２１と溝２２との間の領域に傾斜を形成し、フィルタ挿入溝２１から溝２２へと接着剤の流動を促進するようにしても良い。また、フィルタ挿入溝２１と溝２２との間の距離は、光回路の設計に応じて設定すればよい。すなわち、フィルタ挿入溝２１に近接して他の素子を設けたい場合や、パッシブアクティブ実装にあってはノッチ構造を設けたい場合には、それら他の部材を設けたい場所に応じて、フィルタ挿入溝２１と溝２２との間の距離を設定すればよい。
【００３２】
本明細書において、「他の部材」とは、対象となる、樹脂により固定される部材や樹脂を充填する部材以外の部材であり、例えば、フィルタ、波長板、半導体素子、電極等の素子であり、また、ノッチ構造等の凸部や溝や窪みなどの凹部である。
【００３３】
また、溝２２の長手方向のサイズについても、光回路の設計に応じて設定すればよい。すなわち、フィルタ挿入溝２１からの接着剤が他の部材に到達しないようなサイズであればよい。さらに、溝２２の数は、フィルタ挿入溝２１を挟んで一個ずつに限定されず、複数個ずつ形成するようにしても良く、個数の組み合わせもいずれであっても良い。すなわち、設けられる溝の個数は、少なくとも一個以上であればよいのである。また、フィルタ挿入溝２１に対して、片側のみに溝を設けるようにしても良い。なお、溝２２を複数個設ける場合は、該複数個の溝が周期構造となるように形成しても良いし、ランダムに形成しても良い。このように、形成された溝が周期構造であると、溝の幅や深さの均一化を計ることができるので好ましい。  また、溝２２中に樹脂がある場合に樹脂が必ず溝２２を形成する壁の上端まで到達する条件を考慮すると、溝２２の幅ｈと深さＷとの関係は、２ｈｓｉｎθ＞Ｗ（θ；樹脂の、溝との接触角）を満たすように設定するのが望ましい。
【００３４】
さらに、フィルタ挿入溝２３と溝２２との間の領域および溝２２の少なくとも一方に対して、用いられる樹脂（ここでは、接着剤）に対して親和性が高くなるような表面処理、すなわち、上記領域が樹脂に対して濡れ性が高くなるような表面処理を行っても良い。好ましくは、フィルタ挿入溝２３と溝２２との間の領域よりも溝２２の方が、用いられる樹脂（ここでは、接着剤）に対する接触角が小さくなるような表面処理が好ましい。
【００３５】
このような溝２２は、ダイシングやエッチング等によって作製できる。
【００３６】
本実施形態では、上述のように、接着剤の流出を軽減するために溝を用いているが、それに限定されず、窪み状のものなど、接着剤を流し込むことによって接着剤の流出を軽減できる、凹状のものであればいずれの形状であっても良い。
【００３７】
さらに、本実施形態では、接着剤の流出を軽減するための凹部を形成した光回路に、導波路コアが埋め込まれており、上記凹部が導波路コアを横切って形成される場合は、上記凹部は、埋め込まれた導波路コア付近に達さない深さで形成する。ただし、上記凹部が導波路コアを横切って形成されない場合は、この限りでない。
【００３８】
また、図２（ｂ）では、フィルタを挿入するためのフィルタ挿入溝２３が形成されており、フィルタはフィルタ挿入溝２３に挿入されてから接着剤で固定される。また、フィルタ挿入溝２３から所定の距離に矩形上の壇２４がフィルタ挿入溝２３に対して形成されている。このように壇２４を形成することによって、フィルタの固定に用いられた接着剤は壇２４によってせき止められ、それ以上外の領域への接着剤の広がりを防止ないし軽減することができる。
【００３９】
壇２４についても、溝２２と同様に、壇の形状、フィルタ挿入溝との間の距離、壇のサイズ、壇の個数を設定すればよい。
【００４０】
このような壇２４は、レジストやポリマー等の有機物によって作製できる。また、壇を形成したい部分を残すようにエッチングすることによって作製することができる。
【００４１】
また、フィルタ挿入溝２３と壇２４との間の領域に対して、用いられる樹脂（ここでは、接着剤）に対して親和性が高くなるような表面処理、すなわち、上記領域が樹脂に対して濡れ性が高くなるような表面処理を行っても良い。また、壇２４に対して、例えば、プラズマ照射等を行って、用いられる樹脂（溶剤）をはじくようにする表面処理を行っても良い。上記２つの表面処理を組み合わせても良い。
【００４２】
また、壇を別個に設ける場合は、その材料として、用いられる樹脂（溶剤）を弾くような材料（該樹脂の接触角を大きくするような材料）を用いて壇２４を設けるようにしても良い。
【００４３】
本実施形態では、上述のように、接着剤の流出を軽減するために壇を用いているが、それに限定されず、コ状のもの、山状のものなど、接着剤をせき止めることによって接着剤の流出を軽減できる、凸状のものであればいずれの形状であっても良い。
【００４４】
なお、本実施形態では、溝２２や壇２４は、フィルタ挿入溝に対して略平行に形成されているがこれに限定されない。本実施形態では、溝２２や壇２４にて接着剤の流出を抑制することが重要であるので、適切に接着剤の流出を抑制できればいずれの配置であっても良い。
【００４５】
このように、本実施形態では、所定の領域から外の領域への樹脂（ここでは、接着剤）の流出を抑制させる手段として、溝２２または壇２４を用いている。この溝２２は、所定の領域から外の領域へ流出しようとする樹脂を落とし込むことによって樹脂の広がりを抑制するためのものであり、壇２４は、所定の領域から外の領域へ流出しようとする樹脂をせき止めることによって樹脂の広がりを抑制するためのものである。よって、溝２２や壇２４によって、接着剤等の樹脂を望ましくない所に存在させないようにすることができる。すなわち、樹脂を、樹脂の存在を許容する領域の外に流出するのを軽減することが可能となる。よって、フィルタ挿入溝２１の近傍に、接着剤の影響を受けることなく他の部材を設けることができるようになり、光回路の小型化、低コスト化を図ることが可能となる。
【００４６】
このような、「樹脂の存在を許容する領域」とは、光回路の設計に応じて決められるものであって、溝や壇とフィルタ挿入溝との間の距離、溝や壇の形状やサイズ、フィルタ挿入溝と他の部材との間の距離、用いる樹脂の粘性等によって決められるものである。
【００４７】
上記望ましくない所には、樹脂が存在することによって、樹脂によって固定された所望の部材が形成された、光回路の面をひっくり返して、光学ベンチに実装（パッシブアライメント実装）する場合の、該実装への精度を著しく低下する領域を含む。すなわち、樹脂が存在することによって、その樹脂が障害となり、実装面の張り合わせが上手くいかない領域を含む。
【００４８】
また、上記望ましくない所として、他の部材自身や、他の部材を囲んで存在する該部材を固定するために用いた樹脂（例えば、接着剤）、あるいは、溝から広がって存在するアサーマル樹脂、ＶＯＡ（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｔｔｅｎｕａｔｏｒ）やＡＷＧのクロストークを低減させるため等に用いる遮光剤を含む樹脂や、機能性ポリマー等も含む。
【００４９】
なお、本明細書において、「樹脂の存在」とは、樹脂が硬化等によって光回路に付着しているような状態であっても、また、流動性が高い状態であっても、または上記硬化された状態と流動性が高い状態との間の状態であっても、樹脂がその場所に「ある」、ということを指す。
【００５０】
さらに、本実施形態では、接着剤で固定されるものとしてフィルタを用いているが、これに限定されず、波長板などでも良い。本実施形態では、接着剤等の樹脂により部材の固定の際に、樹脂の流出を抑制することが重要であって、固定の対象となる部材はいずれであっても良い。このとき、樹脂による部材の固定の際に、溝を形成し該溝に部材をはめ込む必要がない部材であれば、部材の挿入用の溝を設けなくても良いことは言うまでもない。具体的には、形成すべき導波路上に、樹脂を滴下し、該滴下した樹脂上に部材を配置することによって部材を固定する場合等である。このとき、部材が配置された領域からはみ出た樹脂の広がりを上記手段によって抑制するのである。
【００５１】
図３は、本実施形態に係る、誘電体多層膜フィルタを有するＰＬＣの上面図である。  
図３において、ＰＬＣ３１には、接着剤によりフィルタ３２がＰＬＣ３１に略垂直になるように固定されている。また、フィルタ３２から所定の距離には、壇３３が３個ずつ形成されている。さらに、ＰＬＣ３１の４隅にはそれぞれ、光学ベンチに適切にパッシブアライメント実装できるようにノッチ構造３４を有している。
【００５２】
このように、壇３３がフィルタ３２に用いられた接着剤に対してダムとして機能し、接着剤がノッチ構造３４に到達するのを抑制することができる。その結果として、ＰＬＣ３１の光学ベンチへのパッシブアライメント実装の位置合わせ精度が増し、歩留まりを向上することが可能となる。また、壇３３の個数を多くすることによって、接着剤のノッチ構造３４への流出をより抑制することが可能となる。
【００５３】
図４（ａ）は、図３のＢ−Ｂ’線切断断面図であり、図４（ｂ）〜（ｄ）は、図３の壇３３の代わりに溝や、壇と溝との組み合わせを用いた場合の、Ｂ−Ｂ’線切断断面図である。
【００５４】
本実施形態では、図４（ｃ）および（ｄ）に示すように、壇と溝とを組み合わせるようにしても良い。図４（ｃ）は、壇と溝との組み合わせをＰＬＣ３１によって形成した形態を示す図であり、図４（ｄ）は、壇と溝とを別の部材、すなわち、溝はＰＬＣ３１にて形成し、壇はＰＬＣとは別個の部材にて形成した形態を示す図である。
【００５５】
また、本実施形態では、フィルタ挿入溝２１（２３）と溝２２（壇２４）と間に新たに窪みを設けるようにしても良い。図５（ａ）は、フィルタ挿入溝２１と溝２２との間に窪み２５を形成した構成を示す図であり、図５（ｂ）は、フィルタ挿入溝２３と壇２４との間に窪み２５を形成した構成を示す図である。
【００５６】
このように、溝２２または壇２４の端近傍から、フィルタ挿入溝に向かって窪み２５を形成することによって、該窪みにも樹脂は流れ込み、接着剤等の樹脂の流出の抑制はさらに向上する。また、この窪み２５の位置を制御することによって、溝２２や壇２４の長手方向の長さを制御することが可能となる。この制御は、特に、局所的に樹脂の流出を抑えたい場合等に有効である。
【００５７】
なお、図５（ａ）において、溝２２と窪み２５とは別個の凹部であるが、溝２２の一部と窪み２５の一部とを連通することによって同一の凹部としても良い。溝２２と窪み２５とが別個である形態と、同一である形態との組み合わせであっても良い。また、図５（ｂ）において、壇２４と窪み２５とは所定の距離離れて設けられているが、窪み２５の壁の一面と、壇２４の一面とがほぼ同一の面に含まれるように、壇２４と窪み２５とを設けるようにしても良い。壇２４と窪み２５とを所定の距離離れて設ける形態と、窪み２５の壁の一面と、壇２４の一面とがほぼ同一の面に含まれるような形態との組み合わせであっても良い。
【００５８】
図６は、図３に示した誘電体多層膜フィルタを有するＰＬＣに窪みを、壇が形成された領域の内側に形成した構成の上面図である。  
図６において、壇３３の端近傍からフィルタ３２に向かって窪み３５が形成されている。同図に示すように、窪み３５を４つ設けることによって、ＰＬＣ３１の側壁や裏面へと接着剤が流出することを抑制することができる。また、窪み３５に接着剤が流れ込むので、壇３３にてせき止め切れない接着剤の量を低減することができる。よって、ノッチ構造３４への接着剤の流出の抑制をさらに向上することができる。
【００５９】
本実施形態では、接着剤等の樹脂を望ましくない所に流出するのを軽減するために、複数の浅い溝を配置するようにしても良い。このとき、複数の溝は周期構造を有していることが望ましい。図７（ａ）は、本実施形態に係る、浅い溝を周期的に配置することによって樹脂の流出を軽減させる構成を示す図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＣ−Ｃ’線切断断面図であり、図７（ｃ）は、図７（ａ）の浅い溝の周期構造７２の形状をｖ字状にした場合の、Ｃ−Ｃ’線切断断面図である。
【００６０】
図７（ａ）において、フィルタ挿入溝７１の長手方向両脇には、浅い溝の周期構造７２が形成されている。浅い溝の周期構造７２を構成する溝のそれぞれは、図７（ｂ）に示すように、矩形状である。また、浅い溝の周期構造７２のそれぞれの溝の深さは、用いられる樹脂（ここでは、接着剤）の接触角を大きくできる程度の深さに設定されている。このように設定された浅い溝の周期構造７２に接着剤が流れ込むと、接着剤が望ましくない所へと（図７（ａ）では矢印方向Ｐ）流出するのを軽減することができる。
【００６１】
なお、本実施形態では、浅い溝の周期構造７２の断面構造は矩形状に限定されるものではなく、例えば、図７（ｃ）に示すようなｖ字形状等、対象となる樹脂の接触角を大きくできるような形状であればいずれの形状であっても良い。
【００６２】
また、浅い溝の周期構造７２の端に、窪みを新たに設けることも有用である。図８（ａ）は、本実施形態に係る、浅い溝の周期構造の端に窪みを設けた構成を示す図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）の構成を適用したＰＬＣの上面図であり、図８（ｃ）は、図８（ｂ）のＤ−Ｄ’線切断断面図である。
【００６３】
図８（ａ）において、浅い溝の周期構造７２の端には、窪み７３が形成されている。
また、浅い溝の周期構造７２を構成する溝の長手方向に略平行に、溝７４が形成されている。
【００６４】
このように、窪み７３を形成することによって、フィルタ挿入溝７１にフィルタを固定する際に用いた接着剤が浅い溝の周期構造７２の各溝に流れ込み、その流れ込んだ接着剤は毛細管現象によって窪み７３に流れ込むことになる。このとき、浅い溝の周期構造７２を越えて矢印方向Ｐに流出してしまった接着剤については、窪み７４に流れ込む。よって、望ましくない所への接着剤の流出をさらに軽減することができ、かつ、毛細管現象によって浅い溝の周期構造７２に流れ込んだ接着剤は窪み７３に流れ込むので、浅い溝の周期構造７２上には接着剤はほとんど残らないようになる。よって、該構成を適用された光回路上にはほとんど接着剤が残らないようになるので、パッシブアライメント実装を行う場合には、残った接着剤を除去する工程を行わなくても、精度良くパッシブアライメント実装を行うことができる。
【００６５】
また、上述のように、浅い溝の周期構造７２、窪み７３、溝７４によって、望ましくない所への接着剤の流出が抑制されているので、各ノッチ構造７５へと接着剤が広がるのが防止ないしは軽減されることになり、パッシブアライメント実装において、位置合わせ精度が向上し、歩留まりを上げることができる。
【００６６】
本実施形態では、浅い溝の周期構造７２、窪み７３、溝７４を作製する際に、マイクロローディング効果を利用することによって、同一の工程で浅い溝の周期構造７２、窪み７３、溝７４を作製することが可能となり、製造時間の短縮化、低コスト化を図ることが可能となる。
【００６７】
なお、図８（ａ）〜（ｂ）では、浅い溝の周期構造７２を構成する各溝は、窪み７３に対して所定の距離離れて設けられているが、上記溝の少なくとも１つを、窪み７３に連結するようにしても良い。このとき、樹脂はフィルタ挿入溝７１から矢印方向Ｐに向かって流れることを考慮すると、最もフィルタ挿入溝７１側に形成されている溝は少なくとも窪み７３に連結することが好ましい。すなわち、最もフィルタ鼠入溝７１側の溝を含む、少なくとも１つ以上の溝を窪み７３に連結することが好ましい。
【００６８】
本実施形態では、浅い溝の周期構造７２から外への接着剤の流出を軽減するための手段として溝７４に限らす、図９（ａ）〜（ｄ）に示すように、壇７６を用いても良い。図９（ａ）では、窪み７３と壇７６とは所定の距離離れて設けられているが、図９（ｄ）に示すように、突起部７８を有するコ状の壇７７を、突起部７８の窪み側の面が、窪み７３の窪みを形成する壁の突起部７８側の面とほぼ同一の面になるように設けても良い。このように配置することで、壇７６に到達し、壇７６のエッジを伝わった樹脂は、突起部７８を介して窪み７３へと落ち込む。よって、樹脂の流出をさらに抑制することが可能となる。なお、角７９を９０°以下の鋭角に設定することによって、突起部７８へと伝わる樹脂の流出をさらに抑制することが可能となる。上述のコ状の壇７７は、浅い溝の周期構造７２や窪み７３との組み合わせだけでなく、壇を単独に用いる場合にも有効である。
【００６９】
以下で、本実施形態に係る光回路構造を光学ベンチにパッシブアライメント実装することによって、トランシーバ等の光モジュールを作製することについて説明する。  
図１０は、本実施形態に係るパッシブアライメント実装に適合したＰＬＣの構成図である。  
図１０において、ＰＬＣ１００は、Ｙ字分岐した導波路コア１０２を埋め込んだクラッド１０１を備えている。クラッド１０１には、導波路コア１０２のＹ字分岐部を横切り、かつ導波路コア１０２を貫通するようにフィルタ挿入溝１０３が形成されている。このフィルタ挿入溝１０３にはフィルタ１０４が挿入されており、接着剤によって固定されている。また、フィルタ挿入溝１０３の長手方向両側には、所定の距離に壇１０５ａおよび１０５ｂが形成されている。このとき所定の領域は、壇１０５ａとフィルタ挿入溝１０３（フィルタ１０４）との間の領域、および段１０５ｂとフィルタ挿入溝１０３（フィルタ１０４）との間の領域となる。
【００７０】
また、ＰＬＣ１００の４隅近傍には、ノッチ構造１０６が形成されており、このノッチ構造１０６が光学ベンチに設けられたアライメント溝に嵌合することによって、パッシブアライメント実装は実施される。
【００７１】
図１０では、壇１０５ａおよび１０５ｂによって、上記所定の領域から外の領域へと接着剤が流出するのが抑制されているので、ノッチ構造１０６へと到達する接着剤の量を軽減することが可能となる。よって、ＰＬＣ１００と光学ベンチとのパッシブアライメント実装において、位置合わせ精度が向上し、歩留まりを上げることができる。
【００７２】
また、本実施形態では、図１１に示すように壇を設けるようにしても良い。図１１では、クラッド１０１に対して、壇１１１およびノッチ構造１１２を残すようにエッチングを行うことによって、クラッド１０１から壇１１１およびノッチ構造１１２を形成している。
【００７３】
なお、図１０および１１には、１つのフィルタ１０４を形成しているが、これに限定されない。すなわち、フィルタの個数や、搭載する部材は光回路の設計に応じて設定すればよい。このとき、光回路に固定する部材についてそれぞれ、壇や溝を設けて、所定の領域から接着剤の流出を抑制すればよいのである。
【００７４】
図１２は、本実施形態に係る、ＰＬＣを光学ベンチにパッシブアライメント実装する様子を示す図である。  
図１２において、光学ベンチ１２０は、収容溝１２１および４つのアライメント溝１２２が形成されている。なお、図１２において、光学ベンチ１２０には、収容溝１２１およびアライメント溝１２２のみを示しているが、受光素子など他の部材を備えていてもよい。収容溝１２１の幅は、ＰＬＣ１００のフィルタ１０４が形成されている面をひっくり返してＰＬＣ１００を光学ベンチ１２０に実装する際、フィルタ１０４、壇１０５ａおよび１０５ｂを全て収容するような幅に設定されている。ＰＬＣ１００の所定の領域（壇１０５ａとフィルタ挿入溝１０３との間の領域、および段１０５ｂとフィルタ挿入溝１０３との間の領域）から外への領域へは接着剤の流出が抑制されており、このとき、上記所定の領域は実装時に光学ベンチ１２０の収容溝１２１に収容されるので、ＰＬＣ１００の余計な所に付着した接着剤による、実装への阻害を減少することができる。また、ＰＬＣ１００のノッチ構造１０６への接着剤の流出も抑制されているので、パッシブアライメント実装時の位置合わせ精度を増すことができ、歩留まりを向上することが可能となる。
【００７５】
なお、ＰＬＣ１００において壇１１５ａおよび１１５ｂの代わりに、溝を用いる場合には、光学ベンチ１２０の収容溝１２１は、ＰＬＣ１００のフィルタ１０４を収容する大きさであれば良い。
【００７６】
（第２の実施形態）  
本実施形態は、光回路に形成された溝に樹脂（例えば、シリコーン等のアサーマル樹脂）を充填する場合に、該溝の近傍に固定された他の部材や、該部材を固定するために用いた接着剤へと上記樹脂が広がるのを軽減させる。
【００７７】
図１３は、本実施形態に係る、アサーマルＡＷＧの一例を示す図であり、図１３（ａ）は、本実施形態に係るアサーマルＡＷＧの上面図であり、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＦ−Ｆ’線切断断面図であり、図１３（ｃ）は、図１３（ａ）の溝１３６の代わりに壇を用いた場合の、Ｆ−Ｆ’線切断断面図である。
【００７８】
図１３（ａ）において、ＡＷＧは、アレイ導波路１３１を備えており、該アレイ導波路１３１は、複数の導波路コア１３２とクラッド１３３とを有している。クラッド１３３には、アレイ導波路１３１の長手方向に対して略垂直方向に、アサーマル溝１３４が導波路コア１３２を貫通するように形成されている。アサーマル溝１３４には、アサーマル樹脂としてのシリコーン１３５が充填されており、このシリコーン１３５の充填により、アレイ導波路１を構成する石英ガラスの有する温度依存性を補償している。
【００７９】
アサーマル溝１３４の波長版挿入溝（後述）側には、アレイ導波路１３１の長手方向に対して略垂直方向に、樹脂広がり抑制溝としての浅い溝１３６が３つ形成されている。すなわち、浅い溝の周期構造を形成している。また、溝１３６に対して略垂直方向であって、アサーマル溝１３４側にアサーマル溝１３４を挟むように２つの窪み１３７が形成されている。なお、窪み１３７については、設けなくても良い。
【００８０】
また、クラッド１３３には、アレイ導波路１３１の長手方向に対して略垂直方向に、波長板挿入溝１３８が導波路コア１３２を貫通するように形成されている。波長板挿入溝１３８には波長板１３９が嵌め込まれており、接着剤１４０によって固定されている。このとき、接着剤１４０は、波長板１３９から広がっている。
【００８１】
シリコーン１３５についても、接着剤１４０と同様に広がっているが、図１３（ａ）および（ｂ）に示されるように、アサーマル溝１３４に充填しきれずに広がってしまうシリコーン１３５は、溝１３６に流れ込むと、毛細管現象により、溝１３６の長手方向に急速に広がるため、溝１３６に垂直な方向、すなわち、波長版１３９側へのシリコーン１３５の流出を軽減することが可能となる。従って、シリコーンをアサーマル溝１３４に滴下してシリコーン１３５を形成した後に、ダイシングによって波長板挿入溝１３８を形成する場合であっても、ダイシング刃によるシリコーン１３５への機械的ダメージを回避できる。つまり、波長板１３９とアサーマル溝１３４とが近接した場合であっても、シリコーン１３５とダイシング刃との接触を防ぐことが可能となる。
【００８２】
すなわち、アサーマル溝１３４と波長板挿入溝１３８とを十分離す必要が無くなるので、装置の小型化を実現できる。また、光学特性に影響なく、樹脂（ここでは、シリコーン）の除去工程と、再塗布、ベーク工程を省くことが可能となり、製造時間の短縮化、低コスト化を図ることができる。
【００８３】
なお、本実施形態では、溝１３６の数は３つに限定されるものではなく、少なくとも１つ以上あればよい。
【００８４】
また、本実施形態では、シリコーンの流出を抑制するための手段として溝１３６に限定されるものではなく、図１３（ｃ）に示すように、壇１４１を設けても良いし、溝と壇との組み合わせを用いても良い。
【００８５】
また、本実施形態では、溝１３６を光回路の端面まで形成しても良いし、形成しなくても良い。溝１３６を光回路の端面まで形成しない場合は、毛細管現象によって溝１３６の長手方向に広がるシリコーンが、光回路の側壁や裏面に漏れるのを防ぐないしは軽減することができるのでより好ましい形態である。
【００８６】
本実施形態では、図１９に示すように、溝１３６の端に、ダムとして機能する窪み１９１を形成しても良い。このように溝１３６の端に窪みを形成することによって、上記と同様に、毛細管現象によって溝１３６の長手方向に広がるシリコーンは窪みに流れ落ちることになり、それらシリコーンが光回路の側壁や裏面に漏れるのを防ぐないしは軽減することができる。また、図２０に示すように、アサーマル溝を挟むように配置され、かつその一部に溝１３６が接続されている窪み２０１（図１９の窪み１３７と窪み１９１とを連結した形態の溝）を設けるようにしても良い。
【００８７】
なお、全ての溝と窪みを接続した場合には、窪みに溜まる樹脂の量が増えてきた場合に、全ての溝構造に樹脂が浸透してしまい、逆に樹脂の広がりを招く場合が見られるため、樹脂塗布領域に最も近い溝のうち１、２本のみを窪みに接続するように形成する事も有効な手段である。
【００８８】
図１４（ａ）は、本実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝とダムとして機能する窪みとの接続の様子を示す図であり、図１４（ｂ）は、図１４（ａ）のＧ−Ｇ’線切断断面図である。また、図１４（ｃ）は、本実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝の各々溝に別個の窪みを接続する様子を示す図である。
【００８９】
図１４（ａ）において、樹脂広がり抑制溝１４２の端には、窪み１４３が形成されている。このような構成において、樹脂広がり抑制溝１４２を広がってきた樹脂１４４は、窪み１４３に流れ込むことになるが、図１４（ｂ）に示すように、樹脂広がり抑制溝１４２と窪み１４３との接続部に急峻な段差がある場合において、樹脂１４４の粘性や表面張力が高い場合は、図１４（ｂ）に示すように、窪み１４３に樹脂１４４が有効に広がらない場合がある。
【００９０】
なお、図１４（ａ）では、１つの窪みに対して、全ての溝が連結されている構成を示しているが、これに限定されない。すなわち、図１４（ｃ）に示すように、樹脂広がり抑制溝１４２の各々に、窪み１５５ａ、１５５ｂ、１５５ｃをそれぞれ接続するようにしてもよい。
【００９１】
そこで、図１５（ａ）および（ｂ）に示すように、樹脂広がり抑制溝１５１と窪み１５３との接続部の段差が急峻でなくなるように、該接続部近傍にテーパ状であるスロープ部１５２を設け、かつ該スロープ１５２を窪み１５３に近づくにつれてテーパ部が広がるようにしても良い。このように、スロープ部１５２を設けることによって、図１５（ｂ）に示すように、樹脂１５４を有効に窪み１５３に流し込むことができる。なお、本実施形態では、スロープ部１５２は、テーパ状であるが、テーパ状でなくても良い。
【００９２】
なお、図１５（ａ）では、１つの窪みに対して、全ての溝が連結されている構成を示しているが、これに限定されない。すなわち、図１５（ｃ）に示すように、スロープ部１５２の各々に、窪み１５６ａ、１５６ｂ、１５６ｃをそれぞれ接続するようにしてもよい。
【００９３】
また、図１６に示すように、アサーマル溝を挟む２組のそれぞれの樹脂広がり抑制溝の一方端に窪みを接続し、上記２組の樹脂広がり抑制溝の他方端同士を、溝にて連結する構成も有効である。
【００９４】
図１６において、アサーマル溝１６１の三方を囲むように、樹脂広がり抑制溝１６２が形成されている。また、樹脂広がり抑制溝１６２の両端には、スロープ部１６３が形成されており、スロープ部１６３のテーパ部の最も広くなっている部分は、窪み１６４に接続されている。このような構成により、シリコーン１６５の広がりを局所に抑えることが可能となる。
【００９５】
なお、図１６（ａ）では、１つの窪みに対して、全ての溝が連結されている構成を示しているが、これに限定されない。すなわち、図１６（ｂ）に示すように、スロープ部１６２の各々に、窪み１６６ａ〜１６６ｆをそれぞれ接続するようにしてもよい。
【００９６】
本実施形態では、１つの窪みに１つの溝を連結する形態と、１つの窪みに複数の溝を連結する形態との組み合わせであっても良い。
【００９７】
以上の説明においては、光回路の一例として、アサーマルAWGを取り上げたが、本技術は波長フィルタや分散補償器などのPLCにより形成される光集積回路に対しても、樹脂広がりを抑える事ができ有効である。
【００９８】
（第３の実施形態）  
本実施形態では、第１および第２の実施形態で説明した、光回路を製造する方法の一例について説明する。  
本実施形態において、光回路に溝や窪みを形成する手段として様々な手段があるが、エッチングやダイシングにより、光回路に溝や窪み等の凹部を形成することができる。エッチングによって光回路に複数の凹部を形成する場合、マイクロローディング効果を利用することが有効である。
【００９９】
図１７は、本実施形態に係る、フィルタ挿入溝および浅い周期の溝構造を有する光回路構造を作製する方法を示す図である。  
まず、フィルタを形成すべき、導波路コア１７１を有するＰＬＣ１７０を用意する（図１７（ａ））。次いで、ＰＬＣ１７０上にフォトレジストをスピンコート等により塗布して、フォトレジスト膜１７２を形成する（図１７（ｂ））。次いで、ＰＬＣ１７０をホットプレート等に乗せて所定の時間ベイクした後、室温まで冷却する。次いで、フォトマスク上のパターンをフォトレジスト膜１７２に転写し、フォトレジスト膜１７２上のパターン以外のフォトレジストを除去することによって、フォトレジスト膜１７２上にフィルタ挿入用エッチングマスクパターン１７３および浅い溝の周期構造用エッチングマスクパターン１７４を形成する（図１７（ｃ））。このとき、フォトマスクのパターンを制御することによって、浅い溝の周期構造用エッチングマスクパターン１７４は、フィルタ挿入用エッチングマスクパターン１７３の幅よりも狭く形成されている。
【０１００】
次に、ドライエッチングやウェットエッチングにより、ＰＬＣ１７０をエッチングし、ＰＬＣ１７０上に残ったフォトレジスト膜１７２を除去することにより、フィルタ挿入溝１７５および浅い溝の周期構造１７６を有するＰＬＣが得られる（図１７（ｄ））。
【０１０１】
このように、マイクロローディング効果を利用することにより、一度のエッチングによって異なる深さの溝、すなわち、フィルタ挿入溝１７５および浅い溝の周期構造１７６を形成することができるので、製造時間の短縮化、低コスト化を図ることができ、製造上の負荷を軽減することができる。
【０１０２】
このとき、浅い溝の周期構造用エッチングマスクパターン１７４とフィルタ挿入用エッチングマスクパターン１７３との幅は、フィルタ挿入溝１７５が導波路コア１７１を貫通しても、浅い溝の周期構造１７６の各溝は、導波路コア１７１付近まで達さないように設定されている。
【０１０３】
溝形成時には、溝領域の樹脂に対する接触角を他の領域に比べて小さくする事が有効である。接触角を変えるには溝部分を除いた領域にレジスト等が存在する状態で、酸素プラズマなどを照射すれば良い。
【０１０４】
図１７では、フィルタ挿入溝１７５および浅い溝の周期構造１７６を一括して形成しているが、フィルタ挿入溝１７５を形成した後に、別プロセスにて、浅い溝の周期構造１７６を、溝の深さが光学特性に影響を及ぼさない深さでエッチングによって形成しても良い。
【０１０５】
また、ダイシングによって光回路に複数の凹部を形成する場合は、樹脂の流出を抑制する凹部を形成する場合は、凹部の深さが光学特性に影響を及ぼさない範囲で凹部を形成するようにダイシングを行う必要がある。この光学特性に影響を及ぼさない範囲を超えた深さで凹部を形成すると、光回路の損失や位相誤差等により素子特性が劣化し、歩留まりが低下する。具体的には、ダイシングにより形成する深さは、光回路のクラッド厚の１／３以下であることが好ましい。
【０１０６】
樹脂の流出を軽減するための手段として、クラッド上部に凸形状を形成する場合には、感光性を有するポリマーを塗布し、露光および現像ならびに必要に応じて熱などによる硬化処理を行い形成する方法が最も簡単な方法である。より高精度にパターンを作るには、クラッド層もしくはポリマー層をパターン化したレジストや金属膜などを用いてドライエッチング加工して作製を行う。ここで用いるポリマーとしては溶剤に対して撥水性のあるフッ素系の樹脂を用いる事が有効である。
【０１０７】
（第４の実施形態）  
図１８は、本実施形態に係る、非対称マッハツェンダー型干渉計を３段設けたラティス型光回路を示す図である。
【０１０８】
ラティス型光回路１８１において、光結合器１８３の入力ポートには入力導波路１８２が接続されており、出力ポートにはそれぞれ、アーム導波路１８４の一方端とアーム導波路１８５の一方端とが接続されている。アーム導波路１８４の他方端とアーム導波路１８５の他方端とはそれぞれ、光結合器１８６の入力ポートに接続されており、光結合器１８６の出力ポートにはそれぞれ、アーム導波路１８７の一方端とアーム導波路１８８の一方端とが接続されている。アーム導波路１８７の他方端とアーム導波路１８８の他方端とはそれぞれ、光結合器１８９の入力ポートに接続されており、光結合器１８９の出力ポートのそれぞれには、アーム導波路１９０の一方端とアーム導波路１９１の一方端とが接続されている。アーム導波路１９０の他方端とアーム導波路１９１の他方端とはそれぞれ、光結合器１９２の入力ポートに接続されており、光結合器１９２の出力ポートにはそれぞれ、出力導波路１９３が接続されている。上記各部材の接続は、それぞれ光学的な接続である。
【０１０９】
なお、アーム導波路１８４とアーム導波路１８５とは、所定の行路差を有するように、アーム導波路１８５の長さがアーム導波路１８４の長さよりも長く設定されている。同様に、所定の行路差を有するように、アーム導波路１８７とアーム導波路１８８の長さ、およびアーム導波路１９０とアーム導波路１９２の長さは設定されている。
【０１１０】
図１８から分かるように、ラティス型光回路１８１は、非対称型マッハツェンダー型干渉計を３段に連結した構成である。
【０１１１】
このような構成のラティス型光回路１８１において、第１のアーム導波路対（アーム導波路１８４、１８５）のいずれか一方にアサーマル溝を形成し、アサーマル樹脂を充填する場合、所定の領域から外の領域への樹脂（ここでは、アサーマル樹脂）の流出を抑制させる手段として、アサーマル溝の近傍に凹部や凸部を設けることが有効である。このように、凹部や凸部を設けることによって、アサーマル溝近傍に配置された電極等の他の部材へのアサーマル樹脂の流出を抑制することが可能となる。
【０１１２】
第２のアーム導波路対（アーム導波路１８７、１８８）のいずれか一方や第３のアーム導波路対（アーム導波路１９０、１９１）のいずれか一方にアサーマル溝を形成する場合は、同様に、所定の領域から外の領域への樹脂（ここでは、アサーマル樹脂）の流出を抑制させる手段として、アサーマル溝の近傍に凹部や凸部を設ければよい。
【０１１３】
なお、本実施形態では、ラティス型光回路として、３段の非対称マッハツェンダー型干渉計を設けた構成であるが、その数に限定されるものではなく、非対称マッハツェンダー型光干渉計をＮ段（Ｎ≧２）設けるようにしても良い。また、Ｎ＝１の場合、すなわち、非対称マッハツェンダー型干渉計を１段設けた場合でも、アーム導波路対の一方にアサーマル溝を形成する場合は、所定の領域から外の領域への樹脂（ここでは、アサーマル樹脂）の流出を抑制させる手段として、アサーマル溝の近傍に凹部や凸部を設けることができる。
【０１１４】
上述のように、本発明の一実施形態で重要なことは、光回路上で、樹脂が供給される領域からはみ出たり、流出した樹脂を、望ましくない領域へと流出するのを抑制することである。従って、光回路の構成は、本質ではなくいずれであっても良い。また、上述では、樹脂が供給される領域として、フィルタ挿入溝やアサーマル溝など凹部について説明したが、これに限定されない。
【０１１５】
例えば、樹脂を半導体レーザ（ＬＤ）や電極等の他の部材の保護膜として用いる場合は、保護膜としての樹脂を対象となる部材に対して上から覆うように滴下することがある。このとき滴下された樹脂は、保護膜として部材を覆うが、該部材から周囲の領域に広がる場合がある。よって、保護膜が形成される部材が、樹脂が供給される領域となる。このような保護膜を形成するものとしては、ＬＤや電極等の部材に限らず、光機能性ポリマー等の場合もある。
【０１１６】
光回路上に接着剤等の樹脂を形成し、該樹脂の上に部材を配置して該部材の接着を行う場合は、樹脂が供給される領域は、上記樹脂が形成される領域となる。
【０１１７】
なお、本発明の一実施形態に係る、樹脂が供給される領域に供給される樹脂は、接着剤、アサーマル樹脂、ＶＯＡやＡＷＧのクロストークを低減させるため等に用いる遮光剤を含む樹脂、光機能性ポリマー等が含まれる。この光機能性ポリマーには、ガスセンサや光センサとして機能するもの、電気光学効果を有し、変調機能を実現するもの等が含まれる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】（ａ）は、従来のアサーマルＡＷＧの上面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の拡大部分Ｘを示す図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＡ−Ａ’線切断断面図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂の流出を軽減させる構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る、誘電体多層膜フィルタを有するＰＬＣの上面図である。
【図４】（ａ）は、図３のＢ−Ｂ’線切断断面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、図３の壇の代わりに溝や、壇と溝との組み合わせを用いた場合の、Ｂ−Ｂ’線切断断面図である。
【図５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂の流出を軽減させる構成を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る、誘電体多層膜フィルタを有するＰＬＣの上面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、浅い溝を周期的に配置することによって樹脂の流出を軽減させる構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ’線切断断面図であり、（ｃ）は、（ａ）の浅い溝の周期構造の形状をｖ字状にした場合の、Ｃ−Ｃ’線切断断面図である。
【図８】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、浅い溝の周期構造の端に窪みを設けた構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）の構成を適用したＰＬＣの上面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＤ−Ｄ’線切断断面図である。
【図９】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、浅い溝の周期構造の端に窪みを設けた構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）の構成を適用したＰＬＣの上面図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＥ−Ｅ’線切断断面図であり、（ｄ）は、窪みと壇との配置の一例を示す図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係るパッシブアライメント実装に適合したＰＬＣの構成図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係るパッシブアライメント実装に適合したＰＬＣの構成図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る、ＰＬＣを光学ベンチにパッシブアライメント実装する様子を示す図である。
【図１３】（ａ）は、本発明の一実施形態に係るアサーマルＡＷＧの上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＦ−Ｆ’線切断断面図であり、（ｃ）は、（ａ）の溝の代わりに壇を用いた場合の、Ｆ−Ｆ’線切断断面図である。
【図１４】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝とダムとして機能する窪みとの接続の様子を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）のＧ−Ｇ’線切断断面図であり、（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝の各々溝に別個の窪みを接続する様子を示す図である。
【図１５】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝とダムとして機能する窪みとの接続の様子を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）のＨ−Ｈ’線切断断面図であり、（ｃ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝の各々溝に別個の窪みを接続する様子を示す図である。
【図１６】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝とダムとして機能する窪みとの接続の様子を示す図であり、（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る、樹脂広がり抑制溝の各々溝に別個の窪みを接続する様子を示す図である。
【図１７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係る、フィルタ挿入溝および浅い周期の溝構造を有する光回路構造を作製する方法を示す図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る、非対称マッハツェンダー型干渉計を３段設けたラティス型光回路を示す図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係るアサーマルＡＷＧの上面図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係るアサーマルＡＷＧの上面図である。
【符号の説明】
【０１１９】
２１、２３、７１、１０３    フィルタ挿入溝
２２、１３６、１４２、１５１、１６２    溝
２４、３３、７６、１０５ａ、１０５ｂ、１１１、１４１    壇
２５、３５、７３、７４、１３７、１４３、１５３、１６４    窪み
３１、１００    ＰＬＣ
３２、１０４    誘電体多層膜フィルタ
３４、７５、１０６、１１２    ノッチ構造
７２    浅い溝の周期構造
７７    コ状の壇
７８    突起部
１０１、１３３    クラッド
１０２、１３２    導波路コア
１２０    光学ベンチ
１２１    収容溝
１２２    アライメント溝
１３１    アレイ導波路
１３４、１６１    アサーマル溝
１３５、１６５    シリコーン
１３８    波長板挿入溝
１３９    波長板
１４０    接着剤
１４４、１５４    樹脂
１５２、１６３    スロープ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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