(57)【要約】【課題】表示特性向上とコスト低減の両立を図ること、また、特に今後必要とされる高精細あるいは大画面対応に有効な方法を提供する。【解決手段】静電吸引方式の第１インクジェット１４とめっき処理装置１７により補助電極となる金属電極（符号２：図１参照）を並行ライン状に形成後、金属電極の間に同じく静電吸引方式の第２インクジェット２０により透明導電性インクを吐出し、両側の金属電極によりインクの流出をせき止めつつ、透明電極（符号１：図１参照）を形成する。【選択図】図２
2006091691.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、前記金属電極を液体吐出法により形成することを特徴とする電極パターンの形成方法。
【請求項２】
複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、めっき触媒を含有する液体を液体吐出法により基材上に吐出してめっき触媒パターンを形成後、少なくとも前記めっき触媒パターンにめっき液を接触させて無電解めっき法により前記金属電極を形成後、前記金属電極の長手方向に沿って透明導電性インクを液体吐出法により前記基材上に吐出して前記透明電極を形成することを特徴とする電極パターンの形成方法。
【請求項３】
複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、金属粒子を含有する液体を液体吐出法により基材上に吐出して金属粒子パターンを形成後、少なくとも前記金属粒子パターンにめっき触媒液を接触させ、前記金属粒子を前記めっき触媒に置換してめっき触媒パターンを形成後、少なくとも前記めっき触媒パターンにめっき液を接触させて無電解めっき法により前記金属電極を形成後、前記金属電極の長手方向に沿って透明導電性インクを液体吐出法により前記基材上に吐出して前記透明電極を形成することを特徴とする電極パターンの形成方法。
【請求項４】
複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、導電性粒子を含有する液体を液体吐出法により基材上に吐出して導電性パターンを形成しこれを乾燥定着させた後、少なくとも前記導電性パターンにめっき液を接触させて前記導電性パターンを電極として電気めっきすることにより、前記金属電極を形成後、前記金属電極の長手方向に沿って透明導電性インクを液体吐出法により前記基材上に吐出して前記透明電極を形成することを特徴とする電極パターンの形成方法。
【請求項５】
前記基材の電極形成面の端部全周又は前記金属電極の長手方向に添うこととなる両端部に前記めっき液を規制する堰又は撥水層を形成した上で、前記めっき液を接触させる工程を実施することを特徴とする請求項２、請求項３又は請求項４に記載の電極パターンの形成方法。
【請求項６】
前記液体吐出法が静電吸引方式の液体吐出装置により行われることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法。
【請求項７】
前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法。
【請求項８】
前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が８μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法。
【請求項９】
前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が４μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法。
【請求項１０】
前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が１μｍ未満０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ワードプロセッサーやパーソナルコンピューターなどのＯＡ機器に使用される代表的な液晶表示装置のサイズと走査線数は、それぞれ対角で２０数ｃｍ、行側４８０本、列側６４０本である。また、カラー表示の場合には、列側の走査線数は６４０×３本になる。ＳＴＮ単純マトリクス型表示の場合には、上記の走査線本数に対応した透明電極が基板上にストライプ状に配列されている。
したがって、カラー表示の場合、列側の走査電極１本のサイズは幅が約１００μｍ、長さが約２０ｃｍになる。しかも、走査線数が増加し高密度化するに従って透明電極の低抵抗化が要求され、透明電極の抵抗値が高い場合には単純マトリクス型表示方式に固有の表示クロストークが発生し易くなる。
【０００３】
従来、低抵抗透明電極としては酸化インジウム（以下「ＩＴＯ」という）が多く使用されている。尚、このＩＴＯを使用し、ＩＴＯの膜厚を２０００オングストロームに設計した場合には、１本の走査電極の抵抗値は約２０ｋΩとなる。
したがって、走査電極のＩＴＯの抵抗をさらに下げるためには、ＩＴＯの膜厚を増加させる必要があるが、ＩＴＯ電極の膜厚は製作工程上や信頼性の面から上限が約３０００オングストロームである。
このため、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、ＮｉなどのようなＩＴＯに比較して抵抗値がほぼ２桁低い金属をＩＴＯ電極の端部に接触させて形成する方法が従来から多く提案されている。
例えば、特許文献１では、透明電極をスクリーン印刷法により高抵抗なＩＴＯ電極を形成後、そのＩＴＯ電極の端部に抵抗値が低い金属をフォトリソグラフィーあるいはメタルマスクを利用し電極を形成する方法にて低抵抗化及び高生産性が提案されている。
【０００４】
通常、ＩＴＯを形成する方法としては、大規模かつ高価な装置を使用するＤＣマグネトロンスパッタ方法が多く利用されている。この方法は、抵抗値を低減することができる点では効果的であるが、走査線数の多い表示装置用としては上記の抵抗ではまだ不十分である。そこで、一つの対応策として、特許文献１記載の発明のようにＩＴＯよりも抵抗値の低い金属電極を抵抗低減用の補助電極として用いることが従来から提案されている。
【特許文献１】特開平８−６０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、補助電極によって抵抗値の低減を図る場合には、表示特性は向上（表示クロストークの低減化）するものの、金属電極の形成工程が加わるために、製造コストが高くなるという問題点があった。この課題に対し、特許文献１のような提案がされているがまだ充分な生産性が得られていない。
【０００６】
本発明は以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであって、複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法において、新たな方法を提供し、表示特性向上とコスト低減の両立を図ることを課題とする。また、特に今後必要とされる高精細あるいは大画面対応に有効な方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するための請求項１記載の発明は、複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、前記金属電極を液体吐出法により形成することを特徴とする電極パターンの形成方法である。
【０００８】
請求項２記載の発明は、複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、めっき触媒を含有する液体を液体吐出法により基材上に吐出してめっき触媒パターンを形成後、少なくとも前記めっき触媒パターンにめっき液を接触させて無電解めっき法により前記金属電極を形成後、前記金属電極の長手方向に沿って透明導電性インクを液体吐出法により前記基材上に吐出して前記透明電極を形成することを特徴とする電極パターンの形成方法である。
【０００９】
請求項３記載の発明は、複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、金属粒子を含有する液体を液体吐出法により基材上に吐出して金属粒子パターンを形成後、少なくとも前記金属粒子パターンにめっき触媒液を接触させ、前記金属粒子を前記めっき触媒に置換してめっき触媒パターンを形成後、少なくとも前記めっき触媒パターンにめっき液を接触させて無電解めっき法により前記金属電極を形成後、前記金属電極の長手方向に沿って透明導電性インクを液体吐出法により前記基材上に吐出して前記透明電極を形成することを特徴とする電極パターンの形成方法である。
【００１０】
請求項４記載の発明は、複数本の透明電極を備え、前記透明電極の長手方向に沿った両端部の片方に添う金属電極を前記両端部の片方又は前記両端部に備えた電極パターンの形成方法であって、導電性粒子を含有する液体を液体吐出法により基材上に吐出して導電性パターンを形成しこれを乾燥定着させた後、少なくとも前記導電性パターンにめっき液を接触させて前記導電性パターンを電極として電気めっきすることにより、前記金属電極を形成後、前記金属電極の長手方向に沿って透明導電性インクを液体吐出法により前記基材上に吐出して前記透明電極を形成することを特徴とする電極パターンの形成方法である。
【００１１】
請求項５記載の発明は、前記基材の電極形成面の端部全周又は前記金属電極の長手方向に添うこととなる両端部に前記めっき液を規制する堰又は撥水層を形成した上で、前記めっき液を接触させる工程を実施することを特徴とする請求項２、請求項３又は請求項４に記載の電極パターンの形成方法である。
【００１２】
請求項６記載の発明は、前記液体吐出法が静電吸引方式の液体吐出装置により行われることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法である。
【００１３】
請求項７記載の発明は、前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法である。
【００１４】
請求項８記載の発明は、前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が８μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法である。
【００１５】
請求項９記載の発明は、前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が８μｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法である。
【００１６】
請求項１０記載の発明は、前記金属電極を形成するための液体吐出法の実施に用いられる液体吐出装置に備えられた液体を吐出するノズルの内径が１μｍ未満０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一に記載の電極パターンの形成方法。である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、金属電極を液体吐出法により形成するので、液体吐出装置を適用することができ、従来にない生産性を得ることができ、表示特性向上とコスト低減の両立を図ることができる。
特に、金属電極を液体吐出法とめっき法により形成した後に、金属電極の長手方向に沿って透明導電性インクを吐出して透明電極を形成することにより、フォトリソグラフィー技術を用いることなく、金属電極を生産性及び精度良く形成し、透明電極のエッジを金属電極により規制して金属電極と同様な高精度で安定して形成することできる。
静電吸引式の液体吐出装置によれば、より高精細な電極パターンが形成できる。
以上により、今後必要とされる高精細あるいは大画面対応に有効な方法を構成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明の一実施の形態につき図面を参照して説明する。以下は本発明の一実施形態であって本発明を限定するものではない。
【００１９】
図１に、本実施形態において形成される電極パターンの平面図(a)及び断面図(b)を示した（図中の寸法は下記実施例のものである。）。
図１に示すように本実施形態において形成される電極パターンには、基材１０上に、複数本の透明電極１，１，・・・が並列して形成され、各透明電極１の両端部のそれぞれに低抵抗化のための補助電極である金属電極２，２が形成される。透明電極１の長手方向と、金属電極２の長手方向は一致する。すなわち、透明電極１と金属電極２とは並行する。
【００２０】
また、金属電極２は透明電極１の長手方向に沿った両端部の片方に添うものである。すなわち、金属電極２は透明電極１の片方の端部に接触しており、間を空けていない。本実施形態においては、このような金属電極２を透明電極１の長手方向に沿った両端部にそれぞれ形成するが、金属電極２を透明電極１の長手方向に沿った両端部の片方にのみ形成してもよい。
【００２１】
透明電極１を介さずに隣り合う金属電極２，２の間には、スペース３が設けられる。
透明電極１の幅は金属電極２の幅より大きく形成される。スペース３の幅は透明電極１の幅より小さく形成される。
【００２２】
図２に、本実施形態の電極パターンの形成方法を実施する製造ラインの概要図を示した。本実施形態においては、基材１０をロールに巻かれる帯状のフレキシブルなシート部材としている。以下に、本実施形態の電極パターンの形成工程につき説明する。
【００２３】
概要としては、基材１０がアンワインダー９から繰り出され、金属電極形成工程、透明電極形成工程を経て、ワインダー１１に巻き取られる形となる。
本実施形態においては、金属電極２の形成に生産性の高いめっき法を用いるため、品質の安定化を図るために、金属電極２を形成した後に透明電極１を形成するという順序が重要となる。更に述べると、逆に透明電極１を形成した後にめっき法により金属電極２を形成すると、透明電極１へのめっき付着抑制が難しく、透明電極として開口率面での品質安定性を損なう。
【００２４】
まず、金属電極形成工程を実施する。
本工程には、第１インクジェット１４を適用する。第１インクジェット１４は、静電吸引方式のものであり、第１インクジェット１４下で基材１０を支持する支持ロール１５を対向電極としている。
また、第１インクジェット１４は、図３に示すノズルパターンを有する。図３に、ヘッドチップのノズル吐出口が開口する端面の部分図を示した（図中の寸法は下記実施例のものである。）。ノズル吐出口５，５，・・・は、図１に示した金属電極２，２，・・・と同一ピッチで配置されている。
【００２５】
第１インクジェット１４には、単一のヘッドチップ４によるラインヘッド又は複数のヘッドチップ４を連ねたラインヘッドが構成され、基材１０の幅方向のほぼ端から端まで上記ピッチでノズル吐出口５，５，・・・を配置している。第１インクジェット１４のラインヘッドは固定しておき、基材１０を搬送することによってパターンを長く形成する。
【００２６】
支持ロール１５に電圧を印加し、ノズル吐出口５と基材１０と間のギャップを一定に保持して基材１０を搬送しつつ、第１インクジェット１４から静電吸引力によりめっき触媒含有インクを基材１０上に吐出し、基材１０の搬送方向に平行にめっき触媒パターンをライン描画する。本実施形態では、めっき触媒としてパラジウム（Ｐｄ）を使用する。
【００２７】
次に、ドライヤー１６によりめっき触媒パターンを乾燥定着させる。
【００２８】
次に、無電解めっき処理装置１７により、めっき触媒パターンのパラジウム（Ｐｄ）にＣｕめっき処理し、厚膜化を図る事で、金属電極２を形成する。これにより低抵抗の金属電極２を低コストで高効率に形成することが可能となる。
【００２９】
無電解めっき処理装置１７では、Ｃｕめっき液を基材１０に接触させてＣｕめっきを形成する。続いて、ＵＳ洗浄装置１８により超音波をのせた純水を基材１０の表面に接触させて洗浄し、ドライヤー１９で基材１０の表面の水分を乾燥させる。
【００３０】
ここで、無電解めっき処理装置１７の詳細につき図４を参照して説明する。
基材１０の幅方向の両端、すなわち両側端にはめっき液フローガイド５０が付与される。めっき液フローガイド５０は、めっき液４０を規制する堰又は撥水層により構成され、基材１０を無電解めっき処理装置１７に流す前に形成しておく。
【００３１】
めっき液タンク３３からフィルター３２を通り、ポンプ３１によりめっき液供給ダイコーター３０からめっき液４０が基材１０の表面に供給される。めっき液４０は基材１０の表面に接触して下方に流れ落ちる。
重力により下方に流れためっき液４０は、エアーナイフ３５で基材１０から分離され、めっき液ガイド３６を経由し、めっき回収槽３４へ送られる。
【００３２】
次に、透明電極形成工程を実施する。透明電極形成工程では、先に形成された金属電極２，２間（スペース３を除く）に透明電極１をストライプ状に形成する。
本工程には、第２インクジェット２０を適用する。第２インクジェット２０は、静電吸引方式のものであり、第２インクジェット２０下で基材１０を支持する支持ロール１３を対向電極としている。
また、第２インクジェット２０は、図５に示すノズルパターンを有する。図５に、ヘッドチップのノズル吐出口が開口する端面の部分図を示した（図中の寸法は下記実施例のものである。）。ノズル吐出口７，７，・・・は、図１に示した透明電極１，１，・・・と同一ピッチで配置されている。
【００３３】
第２インクジェット２０には、単一のヘッドチップ６によるラインヘッド又は複数のヘッドチップ６を連ねたラインヘッドが構成され、基材１０の幅方向のほぼ端から端まで上記ピッチでノズル吐出口７，７，・・・を配置している。各ノズル吐出口７を先に形成された金属電極２，２間（スペース３を除く）の中央に対向配置して第２インクジェット２０のラインヘッドは固定しておき、基材１０を搬送することによってパターンを長く形成する。
【００３４】
支持ロール１３に電圧を印加し、ノズル吐出口７と基材１０と間のギャップを一定に保持して基材１０を搬送しつつ、第２インクジェット２０から静電吸引力により透明導電性インクを基材１０上の金属電極２，２間（スペース３を除く）に吐出し、基材１０の搬送方向に平行に透明電極パターンをライン描画する。
【００３５】
このライン描画時、透明導電性インクは、先に形成された金属電極２，２により両側から挟まれるように規制され、透明導電性インクが金属電極２，２間から流出することが抑制される。
したがって、基材１０の搬送距離あたりの透明導電性インクの吐出量に、ある程度のばらつきが生じても、透明導電性インクは金属電極２，２間で流動して平均化され、金属電極２，２間の領域内に過不足なく均一に充填され、かつ、はみ出すことが無い。
【００３６】
このように本実施形態においては、透明電極１の両側に金属電極２，２を設けて透明導電性インクの流れを規制するが、透明電極１の片側のみに金属電極２を設ける場合においても、透明導電性インクの表張、粘度を調整することでシャープなラインを形成可能である。
【００３７】
その後、基材１０を連続的にウエーブ搬送し、ドライヤー１２で連続加熱処理してストライプ状の透明電極１を固定し、図１に示した電極パターンを完成させる。
【００３８】
以上の実施形態においては、基材１０をロールに巻かれる帯状のフレキシブルなシート部材とし、一繋がりの基材１０を全工程の設備に跨らせて流し各工程を連続施工しているが、基材１０を前工程の設備から排出後、次工程の設備に流しても良い。また、基材１０として、ガラス基板等の不連続なもの、板状のものなどを適用しても良い。
【００３９】
また、他の実施形態として、上記実施形態の金属電極形成工程を次にように実施しても良い。
すなわち、金属粒子を含有する液体を第１インクジェット１４により基材１０上に吐出して金属粒子パターンを形成後、少なくとも前記金属粒子パターンにめっき触媒液を接触させ、前記金属粒子を前記めっき触媒に置換してめっき触媒パターンを形成する。その後は、上記実施形態と同様に、無電解めっき処理装置１７によりめっき触媒パターンにめっき液を接触させて金属電極２を形成する。
【００４０】
また、さらに他の実施形態として、上記実施形態の金属電極形成工程を次にように実施しても良い。
すなわち、導電性粒子を含有する液体を第１インクジェット１４により基材１０上に吐出して導電性パターンを形成しこれを乾燥定着させた後、無電解めっき処理装置１７に代え、電気めっき処理装置に通し、少なくとも前記導電性パターンにめっき液を接触させて前記導電性パターンを電極として電気めっきすることにより、金属電極２を形成する。
【実施例１】
【００４１】
次に、上記実施形態に従った一実施例を開示する。条件はすべて上記実施形態に従い、さらに次ぎのような条件とした。
【００４２】
図１に示すように、金属電極２の幅を１０μｍとし、隣り合う金属電極２間の間隔を、１００μｍと１０μｍとを交互に繰り返して構成し、１００μｍの方の間隔に透明電極１を形成し、１０μｍの方の間隔をスペース３とした。
基材１０の幅を３００ｍｍ、厚みを１２５μｍとした。
図３に示すように、第１インクジェット１４に備えられるヘッドチップ４のノズル吐出口５の内径を１０μｍ、ノズルピッチを、１１０μｍと２０μｍとを交互に繰り返して構成した。ノズルの厚みを１７５μｍ、ノズルの材質をポリイミド樹脂、ヘッドチップ４本体材質をシリコン（Ｓｉ）とした。
【００４３】
金属電極形成工程においては、支持ロール１５には電圧４００ｖを印加し、ヘッドチップ４を接地し、ノズル吐出口５と基材１０と間のギャップを５００μｍに保持した。
めっき触媒含有インクとして、下記処方のものを用いた。
触媒は、可溶性パラジウム塩  ２０ｗｔ％（Ｐｄ2＋濃度１．０ｇ/ｌ）
溶剤は、イソプロピルアルコール  １２ｗｔ％
グリセリン  ２０ｗｔ％
２−メチル  ２，４−ペンタンジオール  ５ｗｔ％
１，３−ブタンジオール  ３ｗｔ％
イオン交換水  ４０ｗｔ％
描画するめっき触媒パターンの幅を１０μｍ、厚みを０．０３μｍとした。
【００４４】
無電解めっき処理装置１７においては、まず６０℃の純水を基材１０の表面に接触させて洗浄処理し、続いて６０℃のＣｕめっき液を基材１０に２分間接触させてＣｕめっきを０．４μｍ厚形成した。このとき、めっき液４０のフローを基材１０上で約３０μｍの厚みに調整した。続いて、ＵＳ洗浄装置１８で、１０００ｋｈｚの超音波をのせた６０℃の純水を基材１０の表面に接触させて洗浄し、ドライヤー１９においては６０℃、５分の条件で乾燥処理を施した。
【００４５】
図５に示すように、第２インクジェット２０に備えられるヘッドチップ６のノズル吐出口７の内径をφ５０μｍ、ピッチを１３０μｍとした。ノズルの厚みを５００μｍとし、ノズルの材質はポリイミド樹脂、ヘッドチップ６本体材質をシリコン（Ｓｉ）とした。
【００４６】
透明電極形成工程においては、支持ロール１３に電圧１ｋｖを印加し、ヘッドチップ６を接地し、ノズル吐出口７と基材１０との間のギャップを５００μｍに保持した。透明電極１を幅１００μｍ、膜厚０．２μｍに形成した。
透明導電性インクとして、住友大阪セメント製のスミセファインＳ−２００（１００ｃｐ）を使用した。
ドライヤー１２においては、１２０℃、１０分の条件で連続加熱処理を行った。
【００４７】
次に、上記条件で形成した本実施例の透明電極＋補助電極と従来型のＩＴＯとの比較結果を開示する。
低抵抗な液晶表示用の透明電極としては、従来からＩＴＯ電極が多く使用されており、その比抵抗は約２×１０-4Ω・ｃｍである。ここで、従来の低抵抗ＩＴＯ電極の幅、長さ、膜厚をそれぞれ１００μｍ、２０ｃｍ、２０００オングストロームとした場合と、本発明の透明電極（ＩＴＯ電極）１の比抵抗を約２×１０-2Ω・ｃｍ、幅、長さ、膜厚をそれぞれ１００μｍ、２０ｃｍ、１０００オングストロームとし、補助電極用の金属電極２の比抵抗を１．７２×１０-6Ω・ｃｍ、幅、長さ、膜厚をそれぞれ１０μｍ×２本、２０ｃｍ、２０００オングストロームとした場合の比較を表１に示す。
【００４８】
【表１】
2006091691.tif 000003
抵抗値は、電極の長さ、幅、膜厚をそれぞれＬ、Ｗ、Ｄとした場合に、次式（１）で表記される式（オームの法則）を用いて計算した。
式（１）：Ｒ＝ρＬ/（ＷＤ）
ここで、ρは電極固有の比抵抗である。また、ＩＴＯの抵抗がＲi 、補助電極の抵抗がＲm であるときの合成抵抗Ｒimは、次式（２）で表記される式を用いて計算した。
式（２）：Ｒｉｍ＝ＲｉＲｍ/（Ｒｉ＋Ｒｍ）
【００４９】
表１から明らかなように、透明電極１の抵抗値は高くなるものの、電極全体としての抵抗値は十分に低下する。よって本発明によれば、従来のＩＪパターニングによる方式で問題になる補助電極部重ね書きによる生産性ダウン及び高解像度パターン形成が困難である点又めっき方式によるフォトリソによるパターニングによるコスト高及びめっき液槽への浸漬によるクリーン化における問題より高品質化での難点があるという課題を解決し、かつ低コストで高解像度の透明電極形成が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態において形成される電極パターンの平面図(a)及び断面図(b)である。
【図２】本発明の一実施形態における製造ラインの概要図である。
【図３】本発明の一実施形態における第１インクジェットのヘッドチップの端面の部分図である。
【図４】本発明の一実施形態における無電解めっき処理装置の詳細図である。
【図５】本発明の一実施形態における第２インクジェットのヘッドチップの端面の部分図である。
【符号の説明】
【００５１】
１     透明電極
２     金属電極（補助電極）
３     スペース
４     ヘッドチップ
５     ノズル吐出口
６     ヘッドチップ
７     ノズル吐出口
９     アンワインダー
１０   基材
１１   ワインダー
１２   ドライヤー
１３   支持ロール
１４   第１インクジェット
１５   支持ロール
１６   ドライヤー
１７   無電解めっき処理装置
１８   ＵＳ洗浄装置
１９   ドライヤー
２０   第２インクジェット
３０   めっき液供給ダイコーター
３１   ポンプ
３２   フィルター
３３   めっき液タンク
３４   回収槽
３５   エアーナイフ
３６   めっき液ガイド
５０   めっき液フローガイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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