(57)【要約】【課題】通常の薄膜形成装置を用いて圧電薄膜デバイスを形成する場合、異なる層材料を同一装置で形成することは、音響反射膜などの薄膜層の安定作成上問題があるため行うことができない。そのため異なる材料の薄膜層を形成することは、異なる層の種類分の必要な設備を増加させる事になる。また、異なる薄膜層の成膜条件を管理するため、必要な管理項目を増大させる事になる。【解決手段】圧電薄膜デバイスにおいて、上記圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、上記音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層とが同一の材料で形成され、且つ同一の材料で各々の層を形成する際の温度が、圧電層形成時の温度より音響反射層形成時の温度が高い圧電薄膜デバイス及びその製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に形成された少なくとも一層以上の圧電層と、該圧電層には複数の導電層を有し、該基板と該圧電層との間に複数の音響反射層を積層した音響反射層群を有する圧電薄膜デバイスにおいて、
該圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、該音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層とが同一の材料で形成され、且つ該圧電層と同一の材料で形成した該音響反射層が、圧電層形成の温度より高い温度で形成した音響反射層であること特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項２】
請求項１記載の圧電薄膜デバイスにおいて、該圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、該音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層を形成する同一の材料が、酸化亜鉛又は酸化亜鉛を主成分とする材料であることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の圧電薄膜デバイスにおいて、同一の材料で形成する際の圧電層形成時の温度が２００℃を越えない温度であることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項４】
請求項１、請求項２又は請求項３記載の圧電薄膜デバイスにおいて、複数の該導電層のうち少なくとも一層が、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造で形成されていることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項５】
請求項４記載の圧電薄膜デバイスにおいて、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層がＡｕ（１１１）面に優先配向していることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項６】
請求項４記載の圧電薄膜デバイスにおいて、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層がＡｕ（１１１）面に優先配向し、且つＡｕ（１１１）面を中心に、そのロッキングカーブの半値幅が３°以下であることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項７】
請求項４、請求項５又は請求項６に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層が５０℃を越えない温度で形成されていることを特徴とする圧電薄膜デバイス。
【請求項８】
基板と、該基板上に形成された少なくとも一層以上の圧電層と、該圧電層には複数の導電層を形成し、該基板と該圧電層との間に複数の音響反射層を積層した音響反射層群を形成する圧電薄膜デバイスの製造方法において、
該圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、該音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層とが同一の材料で形成し、且つ同一の材料で形成する際の温度が、圧電層形成時の温度より音響反射層形成時の温度を高くすることを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、該圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、該音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層を形成する同一の材料が、酸化亜鉛又は酸化亜鉛を主成分とする材料で形成することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、同一の材料で形成する際の圧電層形成時の温度を、２００℃を越えない温度とすることを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１１】
請求項８、請求項９又は請求項１０記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、複数の該導電層のうち少なくとも一層をＡｕ層とＴｉ層の積層構造で形成することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、Ａｕ層とＴｉ層が積層で形成した該導電層をＡｕ（１１１）面に優先配向して形成することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層がＡｕ（１１１）面に優先配向し、且つＡｕ（１１１）面を中心に、そのロッキングカーブの半値幅が３°以下とすることを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。
【請求項１４】
請求項１１、請求項１２又は請求項１３に記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層を、５０℃を越えない温度で形成することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電薄膜デバイス及びその製造方法に関するものであり、特に多層の音響反射膜を用いた音響多層膜型の圧電薄膜デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータや通信機器などの電子機器は、電子部品の一つである振動子より得られる規則的な信号（高周波信号）に基づいて様々な処理が行われている。また、これらの電子機器においては、振動子の特定の振動モードを利用した周波数フィルタも用いられている。このように電子機器に利用されている振動子（振動素子として圧電材料を使用している場合は圧電振動子という）には、従来より、水晶などの圧電材料を平板状に加工して得られる圧電素板が用いられており、水晶を圧電材料として用いた水晶振動子では、その基本共振周波数を高くするためには、水晶による圧電素板の厚みを薄くすればよい。例えば、水晶において厚みすべり振動モードを励振するＡＴカット水晶素板の場合では、その素板の厚みを２５μｍ程度とすることで、約６７ＭＨｚの基本波共振周波数が得られる。
【０００３】
しかしながら、これ以上のより高い基本共振周波数（例えば数百ＭＨｚ以上）を得るためには、更に圧電素板の板厚をより薄くすることになるが、板厚が薄いほど機械加工が困難となり、また、実用的な機械強度が得られない。このような高周波に対応するデバイスとしては弾性表面波を利用したＳＡＷデバイス（Surface Acoustic Wave Device）が用いられているが、これと比較すると、より高周波化（超高周波化）に対応可能である圧電薄膜デバイスが注目されており、そのうち、基板の上に多層の音響反射層を介して圧電層を設けた、音響多層膜（ＳＭＲ（Solidly Mounted Resonator））型の圧電薄膜デバイスが開発されている（非特許文献１）。
【０００４】
近年、通信システムの超高周波帯への移行が進められているなかで、圧電薄膜デバイスのうち例えば圧電薄膜振動子は、超高周波帯で安定に動作させることが可能な超高周波用弾性波素子として注目されている。ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子は、基板の上に音響インピーダンスの異なる２種類の薄膜層（λ／４）を交互に積層した音響反射層の上に、λ／２の厚さの圧電層を形成したものである。
【０００５】
この構成によれば、圧電層は、多層の音響反射層により基板から音響的に切り離され、Ｑ値の高い共振を得ることが可能になる。また、圧電層の下面全域が音響反射層により固定されているので、安定した動作が可能となる。また、音響多層膜型の圧電薄膜振動子に、ＳｉＯ２の薄膜を付加して温度特性を改善する技術が提案されている（非特許文献２）。また、新たな膜を付加することなく、温度特性を改善する技術も提案されている。
【０００６】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
【非特許文献１】K.M.Lakin,etal.Development of Miniature  Filters for Wireless Applications, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol.43, No.12, p2933, December 1995.
【非特許文献２】K.M.Lakin,etal. Temperature Compensated Bulk Acoustic Thin Film Resonator, IEEE Ultrasonics Symposium paper 3H-2, October 24,2000.
【０００７】
このような音響多層膜型の圧電薄膜デバイスの構造は、従来のダイアフラム型に対して、大気開放のための空隙構造を作成するために立体的な加工が必要ない。また、圧電膜、導電膜といった薄膜を単独で形成する必要が無く、外的ストレス及び膜内部応力といったデバイスを破壊する外力及び内力に対して強靭な構造を持っている。このように音響多層膜型の圧電薄膜デバイスは、無線通信用のデバイスとして優れた特性を有している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このように音響多層膜型の圧電薄膜デバイスは非常にすぐれた特性を有しているが、基板への音響波の漏洩を防止するために、基板と振動部（圧電層と導電層）の間に複数層の音響反射層を形成する必要がある。つまり圧電層と導電層以外に複数層の音響反射層が必要となる。
【０００９】
通常の薄膜形成装置を用いて圧電薄膜デバイスを形成する場合、異なる層材料を同一装置で形成することは、薄膜層の安定作成上問題があるため行うことができない。そのため異なる材料の薄膜層を形成することは、異なる層の種類分の必要な設備を増加させる事になる。また、異なる薄膜層の成膜条件を管理するため、必要な管理項目を増大させる事になる。
【００１０】
そこで、発明者は、圧電層と音響反射層を同一の材料で構成する音響多層膜型の圧電薄膜デバイス及びその製造方法の開発を行った。しかし、単に圧電層と音響反射層を同一材料とすることでは種々の問題が生じ、優れた共振特性を得ることが困難であった。例えばＺｎＯなど圧電層と同じ材料を、音響反射層を構成する高音響インピーダンス層に用いた場合、音響振動が加わると高音響インピーダンス層において圧電効果が生じ、そのために電荷を発生してしまい損失となる。
【００１１】
そこで、製造条件、製造手段又は薄膜物性等によって、圧電層と音響反射層を同一材料で作製でき、且つ高性能な共振特性を有する音響多層膜型の圧電薄膜デバイスを作製することが本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る圧電薄膜デバイスは、基板と、この基板上に形成された少なくとも一層以上の圧電層と、この圧電層には複数の導電層を有し、基板と圧電層との間に複数の音響反射層を積層してなる音響反射層群を有する圧電薄膜デバイスにおいて、
上記圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、上記音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層とが同一の材料で形成され、且つ該圧電層と同一の材料で形成する該音響反射膜が、該圧電層形成時の温度より高い温度で形成されていることを特徴とする圧電薄膜デバイスである。
【００１３】
又、上記記載の圧電薄膜デバイスにおいて、圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層を形成する同一の材料が、酸化亜鉛又は酸化亜鉛を主成分とする材料であることを特徴とする圧電薄膜デバイスでもある。
【００１４】
更に、上記二段落に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、同一の材料で形成する際の圧電層形成時の温度が２００℃を越えない温度であることを特徴とする圧電薄膜デバイスでもある。
【００１５】
更にまた、上記三段落に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、複数の該導電層のうち少なくとも一層がＡｕ層とＴｉ層の積層構造であることを特徴とする圧電薄膜デバイスでもある。
【００１６】
又、上記段落に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の導電層がＡｕ（１１１）面に優先配向していることを特徴とする圧電薄膜デバイスでもある。
【００１７】
更に、段落（００１２）に記載の圧電薄膜素子において、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層がＡｕ（１１１）面に優先配向し、且つＡｕ（１１１）面を中心に、そのロッキングカーブの半値幅が３°以下であることを特徴とする圧電薄膜デバイスでもある。
【００１８】
更にまた、上記三段落に記載の圧電薄膜デバイスにおいて、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層が５０℃を越えない温度で形成されていることを特徴とする圧電薄膜デバイスでもある。
【００１９】
本発明に係る圧電薄膜デバイスの製造方法は、基板と、この基板上に形成された少なくとも一層以上の圧電層と、この圧電層には複数の導電層を形成し、基板と圧電層との間に複数の音響反射層を積層してなる音響反射層群を形成する圧電薄膜デバイスの製造方法において、
前記圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、上記音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層とが同一の材料で形成され、且つ同一の材料で各々の層を形成する際の温度が、圧電層形成時の温度より音響反射層形成時の温度を高くすることを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法である。
【００２０】
又、前記記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、圧電層のうち少なくとも一つの圧電層と、音響反射層のうち少なくとも一つの音響反射層を形成する同一の材料が、酸化亜鉛又は酸化亜鉛を主成分とする材料で形成すること特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法でもある。
【００２１】
更に、前記二段落に記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、同一の材料で形成する際の圧電層形成時の温度を、２００℃を越えない温度とすることを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法でもある。
【００２２】
更にまた、前記三段落に記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、複数の該導電層のうち少なくとも一層をＡｕ層とＴｉ層の積層構造で形成したことを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法でもある。
【００２３】
又、前記段落に記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の導電層をＡｕ（１１１）面に優先配向して形成することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法でもある。
【００２４】
更に、段落（００１２）に記載の圧電薄膜素子の製造方法において、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層をＡｕ（１１１）面に優先配向して形成し、且つＡｕ（１１１）面を中心に、そのロッキングカーブの半値幅が３°以下となるように形成することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法でもある。
【００２５】
更にまた、前記三段落に記載の圧電薄膜デバイスの製造方法において、Ａｕ層とＴｉ層の積層構造の該導電層を、５０℃を越えない温度で形成することを特徴とする圧電薄膜デバイスの製造方法でもある。
【発明の効果】
【００２６】
以上、本発明に係る圧電薄膜デバイス及びその製造方法によれば、同一の材料で作成された少なくとも一つの圧電層と少なくとも一つの音響反射層において、圧電層に用いる層の形成温度を、反射層に用いる層の形成温度より低温で形成することにより、高性能な共振特性を有する音響多層膜型の圧電薄膜デバイスを作製することが可能となる。更に、導電層にＡｕ／Ｔｉ層を用いることで、更に高性能な圧電薄膜デバイスを提供することが可能となる効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付した各図面に従って本発明の実施形態を説明する。なお、各図において説明を明りょうにするため図面の一部を図示していない。又、図面内の各寸法も一部誇張して図示しており、各図において同一の符号は同様の対象を示すものとする。
【実施例】
【００２８】
図１に本発明の圧電薄膜デバイスの一つである圧電薄膜振動子１の模式図を示す。この図１を使用して順を追って本発明の実施の形態を、実施例を元に説明する。
【００２９】
最初に圧電薄膜振動子１を形成するための基板２を準備する。本実施例においては、Ｓｉ（１１１）基板を使用する。また、このＳｉの基板２は高抵抗基板を用い、その比抵抗は１０００Ω／ｃｍ以上の抵抗値を持つ基板であり、その表面にはＳｉ熱酸化膜が目標とする共振周波数に応じた厚さで形成されている。尚、その他の基板の条件は、通常の半導体用Ｓｉ基板と同一とする。しかし、基板２の材料としてはＳｉに限定されるものでは無く、他に水晶基板、ガラス基板等の材料を用いることができる。好ましくは、絶縁材料が望まれるが、適切な絶縁処理を施すことにより、低抵抗Ｓｉ等の導電性のある基板も使用可能である。
【００３０】
この基板２を通常の半導体プロセスで用いるような洗浄工程を施す。その後、音響反射層群３を構成する各音響反射層３ａ及び３ｂを形成する。この音響反射層３ａ又は３ｂは、材料の密度と硬さにより決定される音響インピーダンスの異なる材料で構成されている。図２に音響反射層３ａ及び３ｂの模式図を示す。図２のように、音響インピーダンスが異なる膜層３ａ及び３ｂを交互に規則正しく形成することで、音響波の反射と透過の条件を満たすことにより、後述する圧電層で発生した音響エネルギーが、基板へ漏洩することなく、音響反射層と圧電層最上面の間に、エネルギーが閉じ込められ、高性能な圧電薄膜デバイスを作製することができる。
【００３１】
本発明においては、音響反射層の構造を図２の通り、高音響インピーダンス層３ｂと低音響インピーダンス層３ａの２層を用いた。構成は、基板側から低音響インピーダンス層３ａを形成し、その上に高音響インピーダンス層３ｂを形成する。この組み合わせを３〜４セット形成し、最後に低音響インピーダンス層３ａを形成し、音響反射層群３を完成させた。
【００３２】
本実施例においては、高音響インピーダンス層３ｂとして酸化亜鉛を使用し、低音響インピーダンス層３ａとして二酸化珪素を使用する。酸化亜鉛は、二酸化珪素の約２．５倍の音響インピーダンスを持っているため、この２種類の材料は、音響反射層群３を構成する層材料として使用可能である。また、酸化亜鉛は、水晶等の圧電材料と比較すると大きな電気機械結合係数を持つ優れた圧電材料である。この酸化亜鉛を圧電層４と音響反射層の一つの高音響インピーダンス層３ｂに使用できれば、製造設備の削減及び管理コストの低減が可能となる。
【００３３】
この音響反射層群３の上に、圧電層４に電圧を印加するための下部導電層５を形成する。本発明においては、Ａｕ層５ｂとＴｉ層５ａを積層して形成した導電層を用いた。Ｔｉ層は二酸化珪素とＡｕの接着力を向上させるために用いた。尚、下部導電層５の形成方法はリフトオフ方式を用い、導電層金属の成膜方法はエレクトロンビームを用いた蒸着法を用いた。本実施例では、以上の方法で下部導電層を作成したが、エッチング法及びスパッタを始めとする既知の方法を使用しても構わない。
【００３４】
この下部導電層５を覆うように圧電層４を形成する。本実施例では、音響反射層群３を構成する高音響インピーダンス層３ｂと同一の材料である酸化亜鉛を圧電層４として使用した。作成方法は、音響反射層３ａ及び３ｂを作成する方法と同様とした。
【００３５】
この圧電層４の上に、先に作成した下部導電層５と対になる上部導電層６を作成する。本実施例では、下部導電層と同様の方法で作成した。また上部導電層６の作成方法も、下部導電層５と同様に、既知の作成方法の使用を制限するものでは無い。また必要に応じて、下部導電層５をデバイス外部の端子に接続する必要がある場合や、下部導電層５と上部導電層６を電気的に接続する必要がある場合には、上部導電層６を形成する前に、圧電層４の一部を取り除くことがある。
【００３６】
また、酸化亜鉛は、負の周波数温度係数を持っているため周波数の温度特性が０ではない。それに対して二酸化珪素は酸化亜鉛とは逆に正の周波数温度係数を有している。そのため、酸化亜鉛と二酸化珪素を組み合わせることで、所望の周波数温度係数を持つ圧電薄膜デバイスを作成することが可能である。本実施例では、上部導電層６の上側、もしくは上部導電層６と圧電層４の間等に二酸化珪素の層を追加して形成する事により、周波数温度係数を調整した。
【００３７】
図３に、従来の方法で作成した音響多層膜型の圧電薄膜振動子の電気特性を示す。図３に示すとおり、所望の周波数に共振特性を僅かながら得ているものの、その性能は十分ではなく、振動子としての実用に耐え得るものではない。
【００３８】
図４に同一条件で作製したＡｕ／Ｔｉ層による下部導電層５上に、形成温度を変えて作製した酸化亜鉛の（０００２）面ピークのロッキングカーブの測定結果を示す。図４（ａ）は基板２の温度を２００℃とした状態で形成し、図４（ｂ）には基板２の温度を４００℃とした状態で形成した。この結果が示すとおり結晶性から判断すると図４（ｂ）の酸化亜鉛のほうが良好な薄膜である。次にこの薄膜を使用して作製した圧電薄膜振動子１の電気特性を図５（ａ）及び図５（ｂ）に示す。図４と同じく図５（ａ）は基板２の温度を２００℃で、図５（ｂ）は基板２の温度を４００℃で形成した酸化亜鉛を用いている。明らかに、低い温度（２００℃）で形成した酸化亜鉛を用いた圧電薄膜振動子１の電気特性のほうが良好であることを示している。
【００３９】
従来、圧電層４用の酸化亜鉛についての報告は数多くあり、成膜条件によりその結晶性や圧電性の変化についての報告も数多く存在している。その中では、酸化亜鉛は形成温度を上げるとその結晶性が向上するといわれている。
【００４０】
しかし、図４及び図５の結果から、少なくとも酸化亜鉛を圧電層に使用した音響多層膜型の圧電薄膜振動子１においては、圧電層４の形成温度を上げれば、酸化亜鉛の結晶性が向上し、それに伴い圧電薄膜振動子１の電気特性が向上するとは単純には言えないことが判明した。
【００４１】
さらに詳細な検討によると、圧電薄膜振動子１の電気特性と酸化亜鉛形成温度の相関関係は、酸化亜鉛の下地となるＡｕ／Ｔｉ下部導電層５の状態に大きく影響されることが判明した。即ち、先に示した低温で形成した酸化亜鉛が良好な共振特性を示す事例は、酸化亜鉛の下地であるＡｕ／Ｔｉ下部導電層５においてＡｕ（１１１）面の配向の状態に強く影響されている。このＡｕ（１１１）面の配向が強いと、低温で形成した酸化亜鉛がより良好な共振特性を示す。特にＡｕ（１１１）面を中心としたロッキングカーブの半値幅が３°を下回る場合、特に良好な共振特性を有することが明らかになった。
【００４２】
さらに詳細な検討によると、圧電薄膜振動子１の電気特性と酸化亜鉛形成温度の相関関係は、酸化亜鉛の下地となるＡｕ／Ｔｉ下部導電層５の形成温度にも強い影響を受け、Ａｕ／Ｔｉ下部導電層５の形成時温度が低いと、低温で形成した圧電層４の酸化亜鉛がより良好な共振特性を示す。
【００４３】
尚、本実施例においては、音響反射層群３を構成する高音響インピーダンス層３ｂと圧電層４とに共通に使用する同一材料として、酸化亜鉛を使用したが、この材料を使用した第一の理由は、低音響インピーダンス層３ａとして、二酸化珪素を選定することにより、音響反射層群３及び圧電層４全て酸化物系の材料で統一できる点にある。つまり、共通材料として、酸化亜鉛が限定されることは無く、例えば、窒化アルミニウム等でも同等の効果が得られる。また、圧電層４に酸化亜鉛を使用する場合でも、低音響インピーダンス層３ａとして、酸化アルミニウム等の材料を選択するなど、本発明開示の作用効果を奏するのであればその組み合わせに制限は無い。また、上部及び下部導電層を構成する金属についても本実施例では少なくとも下部導電層５がＡｕ及びＴｉで形成された導電層を用いたが、他の導電層にはＡｌ，Ｍｏ，Ｗ又はＰｔ等の使用が可能であり材料を限定するものではない。また同様に本実施例では、酸化亜鉛、二酸化珪素は、いずれもＲＦマグネトロンスパッタ装置を使用し、一般に知られている成膜条件を用いて作製した。このＲＦマグネトロンスパッタ方式以外に、ＥＣＲスパッタ方式、ＣＶＤ方式等の使用が可能であり、作製方式、成膜条件等を制限するものでは無い。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明における圧電薄膜デバイス（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）の一実施形態の構成例を概略的に示す模式的な斜視図である。
【図２】図２は、本発明における圧電薄膜デバイス（ＳＭＲ型の圧電薄膜振動子）の一実施形態の構成例を概略的に示す模式的な部分断面図である。
【図３】図３は、従来の方法で作成した音響多層膜型の圧電薄膜振動子の電気特性を示す。
【図４】図４は、同一条件で作製したＡｕ／Ｔｉ層による下部導電層５上に、形成温度を変えて作製した酸化亜鉛の（０００２）面ピークのロッキングカーブを示し、図４（ａ）は２００℃で形成した際の酸化亜鉛の（０００２）面ピークのロッキングカーブであり、図４（ｂ）は４００℃で形成した際の酸化亜鉛の（０００２）面ピークのロッキングカーブを示す。
【図５】図５は、同一条件で作製したＡｕ／Ｔｉ層による下部導電層５上に、形成温度を変えて作製した圧電薄膜振動子の電気特性を示し、図４（ａ）は２００℃で形成した際の電気特性であり、図４（ｂ）は４００℃で形成した際の電気特性を示す。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・圧電薄膜デバイス（圧電薄膜振動子）
２・・・基板
３・・・音響反射膜群
３ａ・・・音響反射層（低音響インピーダンス層）
３ｂ・・・音響反射層（高音響インピーダンス層）
４・・・圧電層
５・・・下部導電層
５ａ・・・Ｔｉ層
５ｂ・・・Ａｕ層
【図１】
2006186831.tif 000003
【図２】
2006186831.tif 000004
【図３】
2006186831.tif 000005
【図４】
2006186831.tif 000006
【図５】
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