(57)【要約】【課題】  画素面積を拡大し、表示特性を向上させた電気光学装置、そのような電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】  データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含む電気光学装置において、画素電極のうち、データ線に沿って隣接するか、又は、データ線に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させることを特徴とする。【選択図】  図２
2006091062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含む電気光学装置において、
前記画素電極のうち、前記データ線に沿って隣接する二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含む電気光学装置において、
前記画素電極のうち、前記データ線に沿って斜め方向に隣接する二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子が、素子第１電極及び素子第２電極からなるＴＦＤ素子であって、前記共有させる電極を素子第１電極とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子は、互いに逆方向に接続される二つの素子から構成されてなるバックトゥバック構造を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
それぞれの前記画素電極における、前記データ線とスイッチング素子との接続箇所から、前記スイッチング素子と画素電極との接続箇所までの電流経路の長さを等しくすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記電気光学装置が半透過反射型の電気光学装置である場合に、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域が配置され、前記スイッチング素子を、前記反射領域に配置してあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記反射領域における前記電気光学材料層の層厚と透過領域における前記電気光学材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層が反射領域に形成され、
当該絶縁層は、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、前記隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含むとともに、前記データ線に沿って隣接するか、又は、前記データ線に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させた電気光学装置の製造方法において、
基板上に、前記隣接する二つの画素電極に対応したスイッチング素子に共有させるために、隣接する二つの画素にまたがって素子第１電極を形成する工程と、
前記素子第１電極の一部と重なるように、それぞれの画素に対応する前記素子第２電極を形成する工程と、
前記素子第２電極と電気的に接続されるように、それぞれの画素に対応する前記画素電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜７に記載されたいずれかの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。特に、画素面積の拡大を図り、表示特性を向上させた電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気光学装置の一態様である液晶表示装置は、それぞれ電極が形成された一対の基板を対向配置するとともに、それぞれの電極の交差領域である複数の画素に印加する電圧を選択的にオン、オフさせることによって、当該画素領域の液晶材料を通過する光を変調させ、画像や文字等の像を表示させている。また、近年、高精細な画像表示を実現するために、ＴＦＤ素子（Thin Film Diode）やＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）等のスイッチング素子を介して駆動電圧を液晶素子に伝えるアクティブマトリクス型構造の液晶表示装置が使用されている。
【０００３】
かかるアクティブマトリクス型構造の液晶表示装置に使用される素子基板として、ＴＦＤ素子を備えた素子基板は、並列配置された複数のデータ線に対して、それぞれの画素ごとにＴＦＤ素子を介して画素電極が電気的に接続されている（例えば、特許文献１参照）。
また、この場合、図１４に示すように、それぞれの画素における画素電極６６３の形状やスイッチング素子６６９の接続箇所が同一になるように構成されている。
【特許文献１】特開２００３−２７０６２７号公報  （図１３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された電気光学装置は、それぞれの画素毎に、スイッチング素子の接続領域を確保しているために、画素間領域の面積が比較的大きくなることにより、画素電極、すなわち画素面積が小さくなるという問題が見られた。特に、画素設計の高精細化が進み、それぞれのデータ線の間隔が小さくなっているために、かかる画素面積への影響は大きくなっている。
【０００５】
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、電気光学装置における素子基板において、所定方向に隣接する画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させることにより、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。すなわち、本発明は、スイッチング素子を備えた電気光学装置において、素子を構成する電極の一部を共有させることにより、画素間領域の面積をできるだけ小さくして、画素面積を拡大させた電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、そのような電気光学装置の製造方法、さらに、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含む電気光学装置であって、画素電極のうち、データ線に沿って隣接するか、又は、データ線に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させることを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、所定方向に隣接する二つの画素におけるスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させて形成することにより、スイッチング素子の形成領域を小さくすることができ、画素電極を大きくして、画素面積を拡大させることができる。したがって、画像表示の明るさを向上させた電気光学装置を提供することができる。
【０００７】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、スイッチング素子が、素子第１電極及び素子第２電極からなるＴＦＤ素子であって、共有させる電極を素子第１電極とすることが好ましい。
このように構成することにより、電極の一部を容易に共有させることができるとともに、共有させる素子第１電極の形状等を変えることにより、素子の特性の向上を図ることができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、スイッチング素子は、互いに逆方向に接続される二つの素子から構成されてなるバックトゥバック構造を有することが好ましい。
このように構成することにより、画素面積の拡大を図るとともに、焼き付きや残像等の発生を抑えて、表示特性をより向上させることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、それぞれの画素電極における、データ線とスイッチング素子との接続箇所から、スイッチング素子と画素電極との接続箇所までの電流経路の長さを等しくすることが好ましい。
このように構成することにより、それぞれの画素電極にデータ信号を送る電流の抵抗値の均一化を図ることができるため、表示特性の低下を防止することができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学装置が半透過反射型の電気光学装置である場合に、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域が配置され、スイッチング素子を、反射領域に配置してあることが好ましい。
このように構成することにより、透過型表示における表示特性を低下させることなく、画素面積を拡大させることができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、反射領域における電気光学材料層の層厚と透過領域における電気光学材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層が反射領域に形成され、当該絶縁層は、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、それぞれの画素面積を拡大させるとともに、マルチギャップ構造を形成するための絶縁層の段差に起因する配向不良の発生を少なくして、反射型表示又は透過型表示のいずれであっても、表示特性をさらに向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の別の態様は、データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含むとともに、データ線に沿って隣接するか、又は、データ線に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させた電気光学装置の製造方法であって、基板上に、隣接する二つの画素電極に対応したスイッチング素子に共有させるために、隣接する二つの画素にまたがって素子第１電極を形成する工程と、素子第１電極の一部と重なるように、それぞれの画素に対応する素子第２電極を形成する工程と、素子第２電極と電気的に接続されるように、それぞれの画素に対応する画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
すなわち、素子第１電極を形成する際に、所定方向に隣接する二つの画素にまたがらせて形成することにより、当該隣接する画素に対応したスイッチング素子の一部として共有させることができる。したがって、素子の形成領域を小さくする一方、画素面積の拡大を図り、表示特性を向上させた電気光学装置を効率的に製造することができる。
【００１３】
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。
すなわち、画素面積の拡大を図った電気光学装置を備えているために、表示される画像の表示特性が向上した電子機器を効率的に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１５】
［第１実施形態］
第１実施形態は、データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含む電気光学装置であって、画素電極のうち、データ線に沿って隣接するか、又は、データ線に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させた電気光学装置である。
以下、図１〜図９を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、カラーフィルタ基板３０、及びスイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９を備えた素子基板６０を用いた液晶表示装置１０を例に採って説明する。
【００１６】
１．電気光学装置の基本構造
まず、図１を参照して、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置１０の基本構造、すなわち、セル構造や配線等について具体的に説明する。ここで、図１は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の概略断面図である。
かかる液晶表示装置１０は、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する素子基板６０を備えた液晶表示装置１０であって、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて適宜取付けて使用される。
また、液晶表示装置１０は、ガラス基板等を基体６１とする素子基板６０と、ガラス基板等を基体３１とするカラーフィルタ基板３０とが対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。また、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部（図示せず）を介して液晶材料２１を注入した後、封止材（図示せず）にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０との間に液晶材料２１が充填されている。
【００１７】
また、素子基板における基体６１の内面、すなわち、カラーフィルタ基板３０に対向する表面上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極６３が形成され、カラーフィルタ基板３０における基体３１の内面、すなわち、素子基板６０に対向する表面上には、ストライプ状に配置された複数の走査電極３３が形成されている。また、画素電極６３は、ＴＦＤ素子６９を介してデータ線６５に対して電気的に接続されるとともに、もう一方の走査電極３３は、導電性粒子を含むシール材２３を介して素子基板６０上の引回し配線（図示せず）に対して電気的に接続されている。このように構成された画素電極６３と走査電極３３との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として表示領域を構成することになる。したがって、所望の画素に対して電圧を印加することにより、当該画素の液晶材料２１に電界を発生させ、表示領域全体として文字、図形等の画像を表示させることができる。
【００１８】
また、素子基板６０は、カラーフィルタ基板３０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部６０Ｔを有し、この基板張出部６０Ｔ上には、データ線６５、引回し配線（図示せず）及び、独立して形成された複数の配線からなる外部接続用端子６７が形成されている。
そして、データ線６５又は引回し配線（図示せず）の端部には、液晶駆動回路等を内蔵した駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されている。さらに、外部接続用端子６７のうちの表示領域側の端部にも、駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されているとともに、他方の端部には、フレキシブル回路基板９３が実装されている。
【００１９】
２．素子基板
（１）基本構成
次に、図２〜図４を参照して、本発明の電気光学装置としての液晶表示装置１０に使用される素子基板６０について、詳細に説明する。ここで、図２（ａ）は、素子基板６０の概略平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＡＡ断面を矢印方向に見た断面図である。また、図３は、素子基板６０の変形例を示し、図４は、素子基板６０におけるそれぞれの画素における電流経路を示している。なお、それぞれ配向膜や偏光板等については適宜省略されている。
素子基板６０は、図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、基本的に、ガラス基板等からなる基体６１と、データ線６５と、スイッチング素子としての所定構造のＴＦＤ素子６９と、画素電極６３と、から構成されている。また、画素電極６３上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜７５が形成されている。さらに、素子基板６０の外面には、位相差板（１／４波長板）７７及び偏光板７９が配置されている。
【００２０】
（２）データ線
素子基板６０上のデータ線６５は、図２（ａ）に示すように、複数の配線が並列したストライプ状に構成されている。また、図示しないが、ドライバ等の実装領域側の辺に対して垂直方向に延びる辺側には、導電性粒子を含むシール材を介してカラーフィルタ基板３０上の走査電極３３と電気的に接続される引回し配線が設けられている。
かかるデータ線６５や引回し配線は、製造工程の簡略化及び電気抵抗の低下の観点から、後述するスイッチング素子の形成と同時に形成されるため、例えば、タンタル層、酸化タンタル層、及びクロム層が順次形成されて構成されている。
【００２１】
（３）画素電極
また、それぞれのデータ線６５には、スイッチング素子６９を介して画素電極６３が電気的に接続されている。また、画素電極６３は、それぞれのデータ線６５の間にマトリクス状に配置されている。
かかる画素電極６３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電材料を用いて形成することができる。
【００２２】
（４）スイッチング素子
また、データ線６５と画素電極６３とを電気的に接続するスイッチング素子６９としては、二端子型非線形素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子や、三端子型非線形素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子が典型的であるが、本実施形態に係る液晶表示装置１０は、上述のとおり、ＴＦＤ素子を備えている。かかるＴＦＤ素子６９は、一般的に、タンタル（Ｔａ）合金からなる素子第１電極７１、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）からなる絶縁膜７２、及びクロム（Ｃｒ）からなる素子第２電極７３、７４が順次積層されたサンドイッチ構造を有している。
また、ＴＦＤ素子６９は、互いに逆方向に接続される二つの素子から構成されてなるバックトゥバック構造を有する、第１のＴＦＤ素子及び第２のＴＦＤ素子から構成されていることが好ましい。すなわち、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、素子第１電極７１及び素子第２電極７３、７４の両端子間に印加されると導通状態となるように構成されていることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、正負対称なパルス波形を使用することができ、液晶表示装置等における液晶材料の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶材料の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれ、二個のＴＦＤ素子を逆向きに直列接続することにより、正負対称なパルス波形を使用することができるためである。
【００２３】
（５）電極の共有
また、本実施形態の液晶表示装置１０においては、所定方向に隣接する二つの画素電極６３に対応したスイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９を構成する電極の一部を共有させてあることを特徴とする。例えば、図２（ａ）に示す例では、データ線６５に沿って隣接する二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を共有させて構成されている。
このように構成することにより、所定方向に隣接する画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を、同じ画素間領域にまとめて配置することができる。したがって、ＴＦＤ素子６９を配置するための画素間領域を小さくすることができるために、画素電極６３を大きくして、画素面積を拡大することができる。
【００２４】
このような電極の一部を共有させたＴＦＤ素子の構成例としては、図２（ａ）に示す例以外にも、図３（ａ）〜（ｂ）に示すような構成が挙げられる。
すなわち、図２（ａ）は、データ線６５に沿って隣接する二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を、データ線６５に沿って二画素にまたがって配置するとともに、当該素子第１電極７１を共有させて構成した例である。
また、図３（ａ）は、データ線６５に沿って隣接する二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を、それらの二つの画素電極６３間に、データ線６５に直交する方向に配置するとともに、当該素子第１電極７１を共有させて構成した例である。
さらに、図３（ｂ）は、データ線６５に沿って斜め方向に隣接する二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を、データ線６５をはさんで両側にまたがって配置するとともに、当該素子第１電極７１を共有させて構成した例である。
【００２５】
より具体的には、図１４に示すように、従来の素子基板６６０においては、データ線６６５に沿って配列された画素電極６６３の間隙すべてに、ＴＦＤ素子６６９の形成領域が存在する。そして、すべての画素電極６６３に対応して素子第１電極６７１及び素子第２電極６７４がそれぞれ設けられており、隣接する画素間でのクロストークの問題を解消する必要性からも、ＴＦＤ素子６６９の形成領域として、画素電極６６３等と所定距離だけ離して、画素間領域を確保する必要がある。特に、ある特定の画素電極６６３に接続するＴＦＤ素子６６９を配置するために、当該画素電極６６９だけでなく、隣接する画素電極６６３についても一部削るように変形させて、ＴＦＤ素子６６９の形成領域を確保する必要がある。したがって、それぞれの画素電極６６３において、データ線６６５に近接する角部を２箇所変形させる必要があるために、画素電極６６３が小さくなって、その分、画素面積が減少している。
一方で、図２（ａ）に示すように構成した場合であっても、それぞれの画素電極６３におけるＴＦＤ素子６９との接続箇所については、従来の構成と同様に削られて変形されている。しかし、データ線６５に沿って配列された画素電極６３の間隙において、一つおきにのみＴＦＤ素子６９の形成領域が配置されているために、従来の構成と比較すると、隣接する画素電極に接続するＴＦＤ素子の形成領域を確保するための変形箇所をなくすることができる。したがって、それぞれの画素電極６３において、ＴＦＤ素子６９の接続箇所を１箇所変形させれば足りることになる。よって、図１４（ａ）に示す従来の構成における、隣接する画素電極に接続するＴＦＤ素子の形成領域を確保するための変形箇所がなくなっている分、画素面積の拡大が図られている。
【００２６】
また、図３（ａ）に示すように構成した場合には、素子第１電極７１を共有させたＴＦＤ素子６９をそれぞれ接続する画素電極６３の間隙において、素子第１電極７１がデータ線６５に直交する方向に配置されている。そのために、データ線６５に直交する方向に大きく削られているものの、もともと非表示領域であった画素間領域をできる限り利用してＴＦＤ素子６９が形成されているために、従来の構成のように、データ線６５に沿った方向にはそれほど削られていない。また、図２（ａ）の例と同様に、データ線６５に沿って配列された画素電極６３の間隙において、一つおきにのみＴＦＤ素子６９の形成領域が配置されているために、それぞれの画素電極６３において、ＴＦＤ素子６９の接続箇所を１箇所変形させれば足りることとなる。
したがって、図３（ａ）の例では、図１４（ａ）に示す従来の構成と比較して、もともと非表示領域であった画素間領域を有効利用してＴＦＤ素子６９が形成されているとともに、隣接する画素電極に接続するＴＦＤ素子の形成領域を確保するための変形箇所がなくなっている分、画素面積の拡大が図られている。
【００２７】
さらに、図３（ｂ）に示すように構成した場合には、共有させる素子第１電極７１が、データ線６５と直交する方向に、データ線６５の両側にまたがって配置されている。また、それぞれの素子第１電極７１や素子第２電極７４と、画素電極６３との電気絶縁性を確保する必要性から、ある特定の画素電極６３に接続するＴＦＤ素子６９を配置するために、当該画素電極６３だけでなく、ＴＦＤ素子６９と接続されない、隣接する画素電極も削られて変形している。ただし、かかるＴＦＤ素子６９は、もともと非表示領域であった画素間領域をできる限り利用して形成されているために、従来の構成のように、データ線６５に沿った方向にはそれほど削られていない。また、図２（ａ）や図３（ａ）の例と同様に、データ線６５に沿って配列された画素電極６３の間隙において、一つおきにのみＴＦＤ素子６９の形成領域が配置されている。
したがって、図３（ｂ）の例では、それぞれの画素電極６３において、当該画素電極６９に接続されるＴＦＤ素子６９の形成領域、及び隣接する画素電極に接続されるＴＦＤ素子の形成領域をそれぞれ確保するために、２箇所変形させる必要があるものの、もともと非表示領域であった画素間領域を有効利用してＴＦＤ素子６９が形成されている分、結局のところ、図１４（ａ）に示す従来の構成と比較して、画素面積の拡大が図られている。
【００２８】
なお、図２（ａ）、及び図３（ａ）〜（ｂ）に示すように構成した素子基板における、それぞれの画素の開口率を測定したところ、図２（ａ）に示す構成では６４．４９％、図３（ａ）に示す構成では６４．７４％、図３（ｂ）に示す構成では６５．０６％であった。これに対し、図１３に示すような、従来の構成の素子基板における画素の開口率は６３．８３％であった。
したがって、スイッチング素子６９における電極の一部を共有させて構成することにより、従来の構成と比較して、それぞれ０．７〜１．３％程度、画素の開口率が拡大されていることが理解される。
【００２９】
また、ＴＦＤ素子６９を構成する電極の一部を共有させるにあたり、図４に示すように、それぞれの画素電極６３における、データ線６５とＴＦＤ素子６９との接続箇所から、ＴＦＤ素子６９と画素電極６３との接続箇所までの電流経路の長さＬ１、Ｌ２を等しくすることが好ましい。
この理由は、それぞれの画素に対してデータ信号を送信する電流の体積抵抗の値の均一化を図り、表示特性を向上させることができるためである。
したがって、それぞれの画素に対する電流の体積抵抗の値を均一化しつつ、画素面積の拡大を図るためには、図２（ａ）や図３（ｂ）に示すような構成とすることが好ましい。
【００３０】
一方で、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９を構成する電極の一部を共有させた場合に、従来と同程度の画素面積を確保しつつ、素子６９を構成する電極の大きさや形状の設計の自由度を高めることもできる。
すなわち、図５（ａ）に示すように、隣接する画素電極６３に対応するＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を共有させる際に、データ線６５と素子６９との接続箇所から、素子６９とそれぞれの画素電極６３との接続箇所までの電流経路の長さが等しくなるように、素子第１電極７１を変形させることができる。
また、図５（ｂ）〜（ｄ）に示すように、素子第１電極７１や素子第２電極７３の大きさや形状を変えることにより、スイッチング素子６９の機械的特性や、電気的安定性を向上させたりすることもできる。
【００３１】
なお、本実施形態においては二端子型非線形素子であるＴＦＤ素子を備えた液晶表示装置を例に採って説明しているが、これに制限されるものではない。例えば、三端子型非線形素子であるＴＦＴ素子を備えた液晶表示装置であっても、所定方向に隣接する画素電極に対応したＴＦＴ素子を構成するソース電極（ソース領域）を共有させることにより、同様に、画素面積の拡大を図り、画像表示における明るさを向上させることができる。
【００３２】
３．カラーフィルタ基板
また、図１に示すように、素子基板６０と対向するカラーフィルタ基板３０は、一例として、ガラス基板等からなる基体３１と、遮光膜３９と、着色層３７と、絶縁層４０と、走査電極３３と、から構成されている。また、走査電極３３上には、液晶材料の配向性を制御するための配向膜４５を備えるとともに、走査電極３３等が形成されている面とは反対側の面に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）４７及び偏光板４９が配置されている。
【００３３】
また、カラーフィルタ基板３０に形成された遮光膜３９は、隣接する画素間において色材が混色することを防止して、コントラストに優れた画像表示を得るための膜である。
このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を重ね合わせることにより、遮光膜を形成することもできる。
【００３４】
また、遮光膜３９は、図６に示すように、スイッチング素子６９の形成領域と重なる位置にも形成されていることが好ましい。
この理由は、素子基板６０上のスイッチング素子６９部の光抜けが発生しないようにして、コントラストの低下を防止することができるためである。
なお、本発明の電気光学装置であれば、スイッチング素子６９と重なる位置に遮光膜３９を形成する際に、所定方向に隣接する画素に対応したスイッチング素子６９が近接しているために、遮光膜３９の面積を小さくすることができるとともに、簡易な形状として配置することができる。
【００３５】
また、着色層３７は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層３７の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
また、着色層３７の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００３６】
また、着色層３７上には、基板表面の平坦化を図るとともに、遮光膜３９等の導電性の材料からなる部材と走査電極３３と間の電気絶縁性を確保するために、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料からなる絶縁層４０が形成されている。
また、絶縁層４０の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査電極３３が形成されている。かかる走査電極３３は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されている。そして、この走査電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５が形成されている。
【００３７】
また、半透過反射型の液晶表示装置とする場合には、例えば、基体３１と遮光膜３９との間に光反射膜３５を形成することにより、反射領域Ｒを形成することができる。かかる光反射膜３５は、例えば、アルミニウム等の金属材料からなり、透過領域Ｔに対応した開口部３５ａが形成されている一方で、反射領域Ｒにおいては、太陽光等の外光を反射させて、反射型表示を可能にするための部材である。
また、半透過反射型の液晶表示装置において、後述するように、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域Ｒを配置する場合には、光反射膜３５は、例えば、図７（ａ）〜（ｃ）に示すようにパターニングされている。そして、透過領域Ｔも、隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に配置される場合には、図７（ｃ）に示すように、隣接する二つの画素Ｇにおける開口部３５ａが連続していることが好ましい。この理由は、開口部３５ａの形成が容易であって、光反射膜３５の存在領域が小さい分、画素Ｇの開口面積を拡大させやすいためである。
【００３８】
また、電気光学装置が半透過反射型の電気光学装置である場合に、図８（ａ）〜（ｂ）や図９（ａ）〜（ｂ）に示すように、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域Ｒが配置されるとともに、絶縁層４０が、隣接する画素の反射領域Ｒが連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してあることが好ましい。
この理由は、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔそれぞれにおけるリタデーションを最適化することができるとともに、隣接する画素において、反射領域Ｒ又は透過領域Ｔが隣接して配置されるために、電極の一部を共有させたＴＦＤ素子６９を、反射領域Ｒ又は透過領域Ｔいずれか同じ領域に形成することができるためである。また、このようなマルチギャップ構造とすることにより、一つの画素に含まれる絶縁層４０の段差部分を減少させて、液晶材料２１の配向不良を低減させることができるためである。
したがって、隣接する画素における素子部分の遮光処理や絶縁処理を容易にすることができるとともに、表示される画像の表示特性を向上させることができる。
【００３９】
また、このようにマルチギャップ段差を構成した場合には、図８（ｂ）や図９（ｂ）に示すように、スイッチング素子６９をそれぞれの画素における反射領域Ｒに配置してあることが好ましい。
この理由は、かかる素子６９を透過領域Ｔに配置すると、本来、電圧によって駆動しない領域にあるために、光抜けが発生して、コントラストが著しく低下する場合があるためである。逆に、反射領域Ｒにおいては、コントラストが、もともと透過領域Ｔと比較して若干低い傾向にあるために、光抜けによるコントラストへの影響が小さく、相対的に、透過領域Ｔに配置するよりも、表示特性への影響を小さくすることができる。
したがって、光反射膜３５が形成された反射領域Ｒに素子６９を配置することによって、かかる表示特性への影響を小さくすることができるとともに、素子６９が近接して配置されているために、簡易な形状での遮光膜の形成等が容易になる。
【００４０】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、データ線及び当該データ線に対してそれぞれスイッチング素子を介して接続された複数の画素電極を含む素子基板と、当該素子基板に保持された電気光学材料層と、を含むとともに、データ線に沿って隣接するか、又は、データ線に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させた電気光学装置の製造方法である。
そして、基板上に、隣接する二つの画素電極に対応したスイッチング素子に共有させるために、隣接する二つの画素にまたがって素子第１電極を形成する工程と、素子第１電極の一部と重なるように、それぞれの画素に対応する素子第２電極を形成する工程と、素子第２電極と電気的に接続されるように、それぞれの画素に対応する画素電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
以下、第２実施形態にかかる電気光学装置の製造方法として、第１実施形態の液晶表示装置１０の製造方法の一例を、図１０〜図１２を適宜参照しながら説明する。
【００４１】
１．カラーフィルタ基板の製造工程
カラーフィルタ基板３０は、図１０〜図１１に示すように、ガラス基板からなる基体３１における、表示領域に相当する箇所に、遮光膜３９、着色層３７、絶縁層４０、及び走査電極３３、配向膜４５等を順次形成することにより製造することができる。これらの反射層３５等の形成方法は特に制限されるものではなく、公知の方法により形成することができる。
ここで、本実施形態で製造する液晶表示装置１０に使用されるカラーフィルタ基板３０の製造工程には、第１実施形態で述べたように、リタデーションの最適化を図るために、反射領域に絶縁層４０を形成する工程を含んでいる。すなわち、図１０（ｄ）〜図１１（ａ）に示すように、着色層３７等が形成された基板上に、アクリル樹脂等の透明樹脂層４０Ｘを形成した後、所定形状にパターニングされたパターンマスク１２１を介して露光し、現像処理することにより、反射領域Ｒに対応した絶縁層４０を形成することができる。
【００４２】
２．素子基板の製造工程
（１）素子第１電極の形成
素子基板６０は、まず、図１２（ａ）に示すように、ガラス基板からなる基体６１上に、素子第１電極７１を形成する。この素子第１電極７１は、例えば、タンタル合金から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。このとき、素子第１電極７１の形成前に、第２のガラス基板６１に対する素子第１電極７１の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板６１から素子第１電極７１への不純物の拡散を効率的に抑制することができることから、基体６１上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。
このとき、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法においては、素子第１電極７１を、データ線６５に沿って隣接するか、又はデータ線６５に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９に共有させるために、隣接する二つの画素にまたがって形成することを特徴とする。
このように実施することにより、ＴＦＤ素子６９の形成領域を小さくする一方、画素電極６３を大きくすることができるため、それぞれの画素面積を拡大して、明るさ等の表示特性を向上させた電気光学装置を効率的に製造することができるためである。
【００４３】
次いで、図１２（ｂ）に示すように、素子第１電極７１の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜７２を形成する。より具体的には、素子第１電極７１が形成された基板を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、素子第１電極７１との間に所定電圧を印加して、素子第１電極７１の表面を酸化させることができる。
【００４４】
（２）素子第２電極及びデータ線の形成
次いで、再び、スパッタリング法等により、素子第１電極７１を含む基板上に、全面的に金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ法によって、パターニングすることにより、図１２（ｃ）に示すように、素子第２電極７３、７４及びデータ線６５を形成する。このようにして、ＴＦＤ素子６９及びデータ線６５を形成することができる。
【００４５】
（３）画素電極の形成
次いで、図１２（ｄ）に示すように、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、ＴＦＤ素子６９と電気的に接続された画素電極６３を形成する。
【００４６】
（４）配向膜の形成
次いで、図１２（ｅ）に示すように、画素電極６３等が形成された素子基板６０上に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜７５を形成することにより、素子基板６０を製造することができる。
【００４７】
３．貼り合わせ工程
次いで、図示しないものの、カラーフィルタ基板３０又は素子基板６０のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材２３を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板３０及び素子基板６０を貼り合わせて、セル構造を形成する。
【００４８】
４．後工程  
次いで、セル内に、シール材２３の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入した後、封止材等により封止する。
さらに、カラーフィルタ基板及び素子基板それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）及び偏光板を配置したり、ドライバを実装したりするとともに、バックライト等とともに筐体に組み込むことにより、液晶表示装置を製造することができる。
【００４９】
［第３実施形態］
本発明に係る第３実施形態として、第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
【００５０】
図１３は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。また、図１３中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２０ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段２００は、表示情報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ２０４とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されていることが好ましい。
【００５１】
また、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２０ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、所定方向に隣接する画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させて、画素面積を拡大した電気光学装置を備えているために、明るく、優れた画像表示を実現できる電子機器とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明によれば、所定方向に隣接する画素電極に対応したスイッチング素子を構成する電極の一部を共有させて、画素面積の拡大を図ることができ、表示される画像における明るさ等の表示特性を向上させることができる。したがって、ＴＦＤ素子やＴＦＴ素子を備えた液晶表示装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器、電子放出素子を備えた装置（ＦＥＤ:Field Emission DisplayやＳＣＥＥＤ：Surface-Conduction Electron-Emitter Display）などに幅広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置の概略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ素子基板の概略平面図、及び概略断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ素子基板の変形例を示す平面図である（その１）。
【図４】素子第１電極を共有する隣接する画素における電流経路について説明するために供する図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ素子基板の変形例を示す平面図である（その２）。
【図６】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ遮光膜の配置について説明するために供する図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ光反射膜における開口部の配置例である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ絶縁層を備えたカラーフィルタ基板を示す断面図及び平面図である（その１）。
【図９】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ絶縁層を備えたカラーフィルタ基板を示す断面図及び平面図である（その２）。
【図１０】（ａ）〜（ｅ）は、カラーフィルタ基板の製造方法を説明するために供する図である（その１）。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、カラーフィルタ基板の製造方法を説明するために供する図である（その２）。
【図１２】（ａ）〜（ｅ）は、素子基板の製造方法を説明するために供する図である。
【図１３】第３実施形態の電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図１４】従来の電気光学装置に使用される素子基板の構成を説明する図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０：電気光学装置（液晶表示装置）、２３：シール材、３０：カラーフィルタ基板、３５：光反射膜、３５ａ：開口部、４０：絶縁層、４０Ｘ：透明樹脂層、６０：素子基板、６３：画素電極、６５：データ線、６９：スイッチング素子、７１：素子第１電極、７２：絶縁膜、７３・７４：素子第２電極、７５：配向膜
【図１】
2006091062.tif 000003
【図２】
2006091062.tif 000004
【図３】
2006091062.tif 000005
【図４】
2006091062.tif 000006
【図５】
2006091062.tif 000007
【図６】
2006091062.tif 000008
【図７】
2006091062.tif 000009
【図８】
2006091062.tif 000010
【図９】
2006091062.tif 000011
【図１０】
2006091062.tif 000012
【図１１】
2006091062.tif 000013
【図１２】
2006091062.tif 000014
【図１３】
2006091062.tif 000015
【図１４】
2006091062.tif 000016