(57)【要約】【課題】ＬＩＴＩを用いた転写工程において転写層が劣化するのを防止することができ，段差が存在する部分でも，転写を良好に行うことができるレーザ照射装置を提供すること。【解決手段】本発明に係るレーザ照射装置は，パターニング用レーザ発生器２１１と，予熱用レーザ発生器２１２とを備える。パターニング用レーザ発生器２１１から発生する高強度のレーザビーム２４０を利用することによって，転写層１５３が劣化するのを防止することができると同時に，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５で予熱することによって，アクセプタ基板１６０の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができるという利点がある。【選択図】図２Ａ
2006231407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターニング用レーザ発生器と；
予熱用レーザ発生器と；
を備えることを特徴とする，レーザ照射装置。
【請求項２】
前記パターニング用レーザ発生器の下方に配置されるパターニングされたマスクと，前記パターニングされたマスクの下方に配置されるプロジェクションレンズとをさらに備えることを特徴とする，請求項１に記載のレーザ照射装置。
【請求項３】
前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えることを特徴とする，請求項２に記載のレーザ照射装置。
【請求項４】
前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるパターニングされたマスクと，前記パターニングされたマスクの下方に配置されるプロジェクションレンズとをさらに備えることを特徴とする，請求項２に記載のレーザ照射装置。
【請求項５】
前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は，互いに異なる波長のレーザビームを発生させることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ照射装置。
【請求項６】
前記パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有することを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ照射装置。
【請求項７】
前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器から各々発生するレーザビームは，照射される領域において互いに重なる部分を有することを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載のレーザ照射装置。
【請求項８】
アクセプタ基板上にドナー基板をラミネーションする段階と；
パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器を備えたレーザ照射装置を用いて，前記ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，前記ドナー基板を前記アクセプタ基板上に転写させる段階と；
を備えることを特徴とする，レーザ熱転写法。
【請求項９】
前記レーザ照射装置は，前記パターニング用レーザ発生器の下方に配置されるパターニングされたマスクと，前記パターニングされたマスクの下方に配置されるプロジェクションレンズとをさらに備えることを特徴とする，請求項８に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１０】
前記レーザ照射装置は，前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えることを特徴とする，請求項９に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１１】
前記レーザ照射装置は，前記予熱用レーザ発生器の下方に配置されるパターニングされたマスクと，前記パターニングされたマスクの下方に配置されるプロジェクションレンズとをさらに備えることを特徴とする，請求項９に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１２】
前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は，互いに異なる波長のレーザビームを発生させることを特徴とする，請求項８〜１１のいずれかに記載のレーザ熱転写法。
【請求項１３】
前記パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有することを特徴とする，請求項８〜１２のいずれかに記載のレーザ熱転写法。
【請求項１４】
前記パターニング用レーザ発生器及び前記予熱用レーザ発生器は，照射される領域において互いに重なる部分を有するように，前記レーザビームを各々発生させることを特徴とする，請求項８〜１３のいずれかに記載のレーザ熱転写法。
【請求項１５】
前記ドナー基板は，ベース基板と，前記ベース基板上に位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ）と，前記光熱変換層上に位置する転写層とを備えることを特徴とする，請求項８〜１４に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１６】
前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記光熱変換層の温度を前記転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇させることを特徴とする，請求項１５に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１７】
前記ドナー基板は，前記光熱変換層と前記転写層との間に位置するバッファ層をさらに備えることを特徴とする，請求項１５に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１８】
前記予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，前記バッファ層の温度を前記転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇させることを特徴とする，請求項１７に記載のレーザ熱転写法。
【請求項１９】
前記アクセプタ基板上には，有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられていることを特徴とする，請求項１５〜１８のいずれかに記載のレーザ熱転写法。
【請求項２０】
前記転写層は，有機物質よりなることを特徴とする，請求項１９に記載のレーザ熱転写法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，レーザ照射装置及びレーザ熱転写法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，平板表示素子である有機電界発光素子は，アノード電極と，カソード電極と，アノード電極とカソード電極との間に介在する有機膜層とを含む。このような有機電界発光素子は，有機膜層，特に，発光層を構成する物質によって，高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子とに分けられる。
【０００３】
かかる有機電界発光素子においてフルカラー化を具現するためには，発光層をパターニングしなければならない。発光層をパターニングするための方法として，低分子有機電界発光素子の場合，シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ  ｍａｓｋ）を使用する方法が挙げられ，高分子有機電界発光素子の場合，インクジェットプリント（ｉｎｋ−ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）またはレーザによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ；以下，ＬＩＴＩという）が挙げられる。これらのうちＬＩＴＩは，有機膜層を微細にパターニングすることができ，大面積に使用することができ，高解像度に有利であるという長所があるだけでなく，インクジェットプリントがウェット工程であるのに対して，ＬＩＴＩは，ドライ工程であるという長所がある。
【０００４】
このようなＬＩＴＩは，レーザを用いた転写方法であって，これを利用して有機膜層などを形成するためには，少なくとも光源，基板及びドナー基板を必要とする。光源としては，レーザ照射装置から生じるレーザビームを利用する。関連従来技術が，特許文献１，特許文献２，特許文献３及び特許文献４に開示されている。
【０００５】
図１は，従来技術に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【０００６】
図１を参照すれば，所定の素子が設けられたアクセプタ基板１６０上に，ドナー基板１５０がラミネーションされている。ドナー基板１５０は，ベース基板１５１と，ベース基板１５１に接して位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ；Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ  Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）１５２と，光熱変換層１５２に接して位置する転写層１５３とから構成される。
【０００７】
この際，ドナー基板１５０上に照射される光源として，レーザ照射装置１００から発生するレーザビームを使用する。
【０００８】
レーザ照射装置１００は，レーザ発生器１１０と，パターニングされたマスク１２０と，プロジェクションレンズ１３０とを備えている。
【０００９】
レーザ発生器１１０を用いてベース基板１５１の所定領域にレーザビーム１４０を照射する。この際，レーザ発生器１１０から発生するレーザビーム１４０は，パターニングされているマスク１２０を通過し，通過したレーザビーム１４０は，プロジェクションレンズ１３０により屈折し，ベース基板１５１上に照射される。マスク１２０のパターニングされていない部分では，レーザビーム１４０が遮断される。
【００１０】
ベース基板１５１の所定領域に照射されたレーザビーム１４０は，光熱変換層１５２に吸収され，熱エネルギーに変換される。吸収された熱エネルギーにより光熱変化層１５２からガスが発生し，これにより，光熱変換層１５２が膨らむ。膨らんだ光熱変化層１５２は，転写層１５３をアクセプタ基板１６０上に密着させる。密着された転写層１５３は，ドナー基板１５０内の結合が切り離され，アクセプタ基板１６０上に転写される。
【００１１】
【特許文献１】韓国特許出願第１９９８−５１８４４号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９９８，０８５号明細書
【特許文献３】米国特許第６，２１４，５２０号明細書
【特許文献４】米国特許第６，１１４，０８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
この時，伝達された熱エネルギーにより転写層１５３の温度が過度に高く上昇すると，転写層１５３の劣化が生じることがある。これを防止するために，高強度のレーザビームを使用すれば，転写層１５３が劣化するのを防止することはできるが，アクセプタ基板１６０の段差が形成されている部分では，転写層が結合されず，転写がされていない部分が発生するようになる。これをエッジオープン不良（ｅｄｇｅ  ｏｐｅｎ），または未転写不良という。これは，レーザビームが短時間に照射されるので，光熱変換層１５２の温度がまだ十分に上昇しておらず，容易に変形しないからである。
【００１３】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，ＬＩＴＩを用いた転写工程において転写層が劣化するのを防止することができ，アクセプタ基板の段差が存在する部分でも，転写を良好に行うことができる，新規かつ改良されたレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，パターニング用レーザ発生器と，予熱用レーザ発生器と，を備えることを特徴とする，レーザ照射装置が提供される。また，上記予熱用レーザ発生器は，パターニング用レーザ発生器に対し，レーザービームのスキャン方向前方に配設されてもよい。
【００１５】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，アクセプタ基板を用意する段階と，アクセプタ基板上にドナー基板をラミネーションする段階と，パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器を備えたレーザ照射装置を用いて，ドナー基板の所定領域にレーザビームを照射し，ドナー基板をアクセプタ基板上に転写させる段階とを備えることを特徴とする，レーザ熱転写法が提供される。
【００１６】
また，レーザ照射装置は，パターニング用レーザ発生器の下方に配置されるパターニングされたマスクと，パターニングされたマスクの下方に配置されるプロジェクションレンズとをさらに備えてもよい。
【００１７】
また，レーザ照射装置は，予熱用レーザ発生器の下方に配置されるビームシェイピング装置をさらに備えてもよい。
【００１８】
また，レーザ照射装置は，予熱用レーザ発生器の下方に配置されるパターニングされたマスクと，パターニングされたマスクの下方に配置されるプロジェクションレンズとをさらに備えてもよい。
【００１９】
また，パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器は，互いに異なる波長のレーザビームを発生させてもよい。
【００２０】
また，パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームは，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームよりさらに大きい強度を有してもよい。
【００２１】
また，パターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器は，照射される領域において互いに重なる部分を有するように，各々レーザビームを発生させてもよい。
【００２２】
ドナー基板は，ベース基板と，ベース基板上に位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ）と，光熱変換層上に位置する転写層とを備えてもよい。
【００２３】
また，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，光熱変換層の温度を転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇させてもよい。
【００２４】
また，ドナー基板は，光熱変換層と転写層との間に位置するバッファ層をさらに備えてもよい。
【００２５】
また，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームは，バッファ層の温度を転写層のガラス転移温度（Ｔｇ）以下まで上昇させてもよい。
【００２６】
また，アクセプタ基板上には，有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられてもよい。
【００２７】
また，転写層は，有機物質より構成されてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上説明したように本発明によるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法によれば，ＬＩＴＩを用いた転写工程において，転写層が劣化するのを防止することができると同時に，アクセプタ基板の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３０】
（第１の実施形態）
まず，本発明の第１の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図２Ａ及び図２Ｂは，本発明の第１実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【００３１】
図２Ａを参照すれば，アクセプタ基板１６０上にドナー基板１５０がラミネーションされている。ドナー基板１５０は，アクセプタ基板１６０全体を覆うことができる程度の大きさを有することが好ましいが，必要に応じて，アクセプタ基板１６０より小さい大きさを有するものを使用してもよい。
【００３２】
アクセプタ基板１６０上には，有機電界発光素子を構成する所定の素子が設けられている。すなわち薄膜トランジスタと，その上に位置する平坦化膜と，該平坦化膜上に位置する画素電極とが設けられることができる。
【００３３】
ドナー基板１５０は，有機電界発光素子用ドナー基板である。すなわちベース基板１５１と，ベース基板１５１に接して位置する光熱変換層（ＬＴＨＣ；Ｌｉｇｈｔ−Ｔｏ−Ｈｅａｔ  Ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ）１５２と，光熱変換層１５２に接して位置する転写層１５３とから構成されることができる。
【００３４】
ベース基板１５１は，透明性高分子よりなる。このような高分子には，ポリエチレン，テレフタレートのようなポリエステル，ポリアクリル，ポリエポキシ，ポリエチレン，ポリスチレンなどを使用することができる。
【００３５】
光熱変換層１５２は，光源，すなわちレーザビームを吸収し，熱に変換する層であって，レーザビーム吸収物質が含まれている有機膜，金属，又はこれらの複合層のうち１つを使用して構成されることができる。
【００３６】
光熱変換層１５２に隣接する位置にガス生成層（図示せず）を形成することができる。ガス生成層は，光または熱を吸収すれば，分解反応を起こして窒素ガスや水素ガスなどを放出することによって，転写エネルギーを提供する役目をし，四硝酸ペンタエリスリット（ＰＥＴＮ），トリニトロトルエン（ＴＮＴ）などから選択された物質よりなることができる。ガス生成層は，光熱変換層１５２から熱を伝達されなければならないので，光熱変換層１５２の上部又は下部に隣接して配置されたり，光熱変換層１５２を構成する物質と混合して，１つの層を構成することができる。
【００３７】
転写層１５３は，アクセプタ基板１６０上にパターニングされる物質膜であって，有機物質よりなる。ドナー基板１５０を使用して有機電界発光素子を製造する場合，ドナー基板１５０は，正孔注入層用有機膜，正孔輸送層用有機膜，発光層用有機膜，正孔抑制層用有機膜，電子輸送層用有機膜及び電子注入層用有機膜よりなる群から選択される１種の単層膜または２種以上の多層膜構造を有する。さらに，有機膜は，高分子物質または低分子物質である。一方，転写層１５３は，押出，スピンコート，ナイフコート，真空蒸着及びＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）よりなる群から選択される１つの方法を使用して形成される。
【００３８】
光熱変換層１５２と転写層１５３との間には，バッファ層（図示せず）をさらに形成することができる。バッファ層は，転写パターン特性が向上するように，転写層１５３との接着力を制御する役目をする。
【００３９】
ドナー基板１５０は，上記ベース基板，光熱変換層，転写層，ガス生成層，及びバッファ層のみならず，多様な用途を有する層をさらに備えることができ，その用途に応じて，積層構造を変更して使用することができる。
【００４０】
アクセプタ基板１６０上にラミネーションされているドナー基板１５０の所定領域に，レーザビームを照射し，転写層１５３をアクセプタ基板１６０上に転写させる。
【００４１】
この際，ドナー基板１５０上に照射される光源として，レーザ照射装置２００から発生するレーザビームを使用する。
【００４２】
レーザ照射装置２００は，レーザ発生器２１０を備えている。本実施形態では，パターニング用レーザ発生器２１１と予熱用レーザ発生器２１２とを備えたレーザ発生器２１０を採用している。
【００４３】
パターニング用レーザ発生器２１１は，転写層１５３をドナー基板１５０から切り離して，アクセプタ基板１６０上に転写させ，所定のパターンを形成するのに必要なレーザビーム２４０を発生させる。したがって，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０の強度は，転写層１５３内の結合を切ることができる程度の強度を有する。
【００４４】
予熱用レーザ発生器２１２は，ドナー基板１５０を予熱させるレーザビーム２４５を発生させる。すなわち光熱変換層１５２やバッファ層を一定の温度まで予め加熱して，変形を容易にする。
【００４５】
予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５は，光熱変換層１５２により吸収され，熱に変換される。この際，発生する熱により光熱変換層１５２の温度が上昇するので，転写層１５３のガラス転移温度（Ｔｇ）まで上昇するようにレーザビーム２４５を照射する。ガラス転移温度とは，物質が軟化する温度を言い，ガラス転移は，高分子物質において起こる現象である。すなわち高分子物質は，ガラス転移温度以上の温度ではゴム状態のように作用し，ガラス転移温度以下の温度ではガラスのように堅く且つ壊れやすい状態に作用する。
【００４６】
したがって，転写層１５３のガラス転移温度まで温度が上昇した光熱変換層１５２から転写層１５３に熱が伝達され，転写層１５３は，変形が容易な状態に維持される。しかし，必ずしも光熱変換層１５２の温度を，転写層１５３のガラス転移温度まで上昇させる必要はなく，転写層１５３の変形が容易な場合には，転写層１５３のガラス転移温度以下の温度まで上昇させても構わない。
【００４７】
光熱変換層１５２と転写層１５３との間にバッファ層を形成する場合には，バッファ層の温度を転写層１５３のガラス転移温度まで上昇させる。
【００４８】
したがって，パターニング用レーザ発生器２１１から発生する高強度のレーザビーム２４０が照射されても，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５によりドナー基板１５０が容易に変形するので，アクセプタ基板１６０の段差が形成されている部分でも，転写を良好に行うことができる。
【００４９】
パターニング用レーザ発生器２１１の下方には，パターニングされたマスク２２０が配置されていて，マスク２２０の下方には，プロジェクションレンズ２３０が配置されている。
【００５０】
パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，パターニングされているマスク２２０を通過し，通過したレーザビーム２４０は，プロジェクションレンズ２３０により屈折し，ベース基板１５１上に照射される。マスク２２０のパターニングされてない部分では，レーザビーム２４０が遮断される。
【００５１】
予熱用レーザ発生器２１２の下方には，ビームシェイピング装置２３５が配置されている。ビームシェイピング装置２３５には，フライアイレンズ（ｆｌｙ  ｅｙｅ  ｌｅｎｓ）や円筒形レンズ（ｃｙｌｉｎｄｒｉｃａｌ  ｌｅｎｓ）などが設けられていてもよい。したがって，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，ビームシェイピング装置２３５を介して均一の強度を有するようになり，一定の形態，例えば，四角形または円形などの形態にシェイピングされる。
【００５２】
パターニング用レーザ発生器２１１及び予熱用レーザ発生器２１２は，各々ドナー基板１５０のベース基板１５１上にレーザビーム２４０，２４５を照射する。
【００５３】
予熱用レーザ発生器は，パターニング用レーザ発生器に対し，レーザービーム２４０，２４５のスキャン方向前方に配設される。これにより，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビーム２４５は，ドナー基板１５０を予め加熱し，パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビーム２４０が転写層１５３の温度を上昇させるのを容易にする。
【００５４】
発生する各々のレーザビーム２４０，２４５は，互いに異なる波長を有することが好ましい。特に，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０の強度が，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５の強度よりさらに大きい。パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，転写層１５３内の結合を切るのに使われるので，ドナー基板１５０を予め加熱するのに使われるレーザビーム２４５より強度がさらに大きい。
【００５５】
図２Ｂは，ドナー基板上に照射されるレーザビームを示す図である。
【００５６】
図２Ｂを参照すれば，パターニング用レーザ発生器２１１から発生するレーザビーム２４０は，パターニングされたマスク２２０により一定のパターンを有するマルチビームであって，ベース基板１５１上に照射される。
【００５７】
他方，予熱用レーザ発生器２１２から発生するレーザビーム２４５は，ビームシェイピング装置２３５により四角形状を成す単一のレーザビーム２４５にシェイピングされ，照射される。
【００５８】
この際，レーザビーム２４０，２４５は，互いに重なる領域２４６を有する。レーザ照射装置２００は，矢印方向にスキャンしながら転写工程を進行するので，ドナー基板１５０を予熱すると同時に，転写層１５０をアクセプタ基板１６０上に転写させることができる。
【００５９】
レーザビーム２４０，２４５が互いに重なる領域を有しない場合，ドナー基板１５０を予熱した後，一定時間後にパターニングされるので，ドナー基板１５０の温度低下が生じることがある。
【００６０】
これにより，アクセプタ基板１６０上に，所望のパターンを有する層を転写させることができる。特に，アクセプタ基板１６０上に，有機電界発光素子を構成する画素電極が設けられている場合には，アクセプタ基板１６０上に有機発光層などを転写させることができる。
【００６１】
（第２の実施形態）
次に，本発明の第２の実施形態にかかるレーザ照射装置及びレーザ熱転写法について説明する。図３Ａ及び図３Ｂは，本発明の第２実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【００６２】
図３Ａを参照すれば，アクセプタ基板１６０上にドナー基板１５０がラミネーションされている。レーザ照射装置３００は，レーザ発生器３１０を備えている。
【００６３】
パターニング用レーザ発生器３１１の下方には，パターニングされたマスク３２０が配置されていて，マスク３２０の下方には，プロジェクションレンズ３３０が配置されている。
【００６４】
予熱用レーザ発生器３１２の下方には，パターニングされたマスク３２５が配置されていて，マスク３２５の下方には，プロジェクションレンズ３３５が配置されている。
【００６５】
パターニング用レーザ発生器３１１及び予熱用レーザ発生器３１２から発生するレーザビーム３４０，３４５は，パターニングされているマスク３２０，３２５を通過し，通過したレーザビーム３４０，３４５は，プロジェクションレンズ３３０，３３５により屈折し，ベース基板１５１上に照射される。マスク３２０，３２５のパターニングされていない部分では，レーザビーム３４０，３４５が遮断される。
【００６６】
本実施形態では，予熱用レーザ発生器３１２の下方に，パターニングされたマスク３２５及びプロジェクションレンズ３３５が配置されている。したがって，レーザビーム３４５をマルチビームで照射している。
【００６７】
図３Ｂを参照すれば，パターニング用レーザ発生器３１１から発生するレーザビーム３４０及び予熱用レーザ発生器３１２から発生するレーザビーム３４５がマルチビームで照射されていることが分かる。
【００６８】
この際，レーザビーム３４０，３４５は，互いに重なる領域３４６を有する。
【００６９】
本実施形態は，以上の事項を除いて，本発明の第１実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法と同様である。
【００７０】
以上説明したように，本発明の実施形態によれば，ＬＩＴＩを用いた転写工程においてパターニング用レーザ発生器及び予熱用レーザ発生器を備えたレーザ照射装置を利用する。パターニング用レーザ発生器から発生する高強度のレーザビームを利用することによって，転写層が劣化するのを防止することができると同時に，予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームで予熱することによって，アクセプタ基板の段差が存在する部分でもエッジオープン不良が発生することなく，転写を良好に行うことができるという利点がある。
【００７１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】従来技術に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施形態に係るレーザ照射装置及びレーザ熱転写法を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００７３】
１５０    ドナー基板
１５１    ベース基板
１５２    光熱変換層
１５３    転写層
１６０    アクセプタ基板
２００，３００    レーザ照射装置
２１０，３１０    レーザ発生器
２１１，３１１    パターニング用レーザ発生器
２１２，３１２    予熱用レーザ発生器
２２０，３２０，３２５    マスク
２３０，３３０，３３５    プロジェクションレンズ
２３５    ビームシェイピング装置
２４０，２４５，３４０，３４５    レーザビーム
２４６，３４６    パターニング用レーザ発生器から発生するレーザビームと予熱用レーザ発生器から発生するレーザビームが互いに重なる領域
【図１】
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【図２Ａ】
2006231407.tif 000004
【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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