(57)【要約】      （修正有）【課題】      補助容量を設けることにより画素容量を実質的に大きくして、表示品質の低下を防止する。【解決手段】  素子基板とカラーフィルタ基板を導通部材を有するシール部材を介して貼り合わす。素子基板には、ＹドライバＩＣ、それに接続された走査線、樹脂散乱層、反射層、絶縁層、画素電極等を形成する。カラーフィルタ基板には着色層、走査電極等を形成する。素子基板の、反射表示領域の樹脂散乱層上には、反射層を形成する。反射層上には透明な絶縁層、その上に画素電極を形成する。素子基板の額縁領域に走査線を形成し、その終端部はシール部材内まで延在し、その上に反射層の一端部が、その上にＩＴＯが夫々形成され、ＩＴＯは導通部材で走査電極に電気的に接続される。即ちシール部材内にて上下電極を導通している。これにより反射層及び走査電極に同一の電位を印加でき、画素電極と反射層の間の絶縁層を誘電体とする補助容量が形成される。【選択図】    図１
2006171500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板と対向基板の間に液晶を備える液晶装置であって、
前記素子基板は、
信号線と、
前記信号線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子から延出してなる導電膜と、
少なくとも前記信号線の一部を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ前記液晶内に入射された光を反射する反射層よりなる第１容量電極と、
前記第１容量電極上に設けられた誘電体層と、
前記誘電体層上に設けられ、前記導電膜と接続された画素電極よりなる第２容量電極と、を備え、
前記第１容量電極は、第２容量電極と平面的に重なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記対向基板には走査線が設けられており、
前記走査線は前記第１容量電極に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
素子基板と対向基板の間に液晶を備える液晶装置であって、
前記素子基板は、
信号線及び走査線と、
前記信号線と前記走査線の交点に対応して設けられたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子から延出してなる導電膜と、
少なくとも信号線若しくは走査線の一部を覆う絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられ前記液晶内に入射された光を反射する反射層よりなる第１容量電極と、
前記第１容量電極上に設けられた誘電体層と、
前記誘電体層上に設けられ、前記導電膜と接続された画素電極よりなる第２容量電極と、を備え、
前記第１容量電極は、第２容量電極と平面的に重なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記対向基板には対向電極が設けられており、
前記対向電極は前記第１容量電極に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
配線を有する素子基板と走査電極を有する対向基板とを備え、前記素子基板と前記対向基板の間に液晶を備える液晶装置であって、
前記素子基板は、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された導電膜と、
前記導電膜の一部及び前記スイッチング素子を覆うように形成された絶縁層と、
前記絶縁層の一部上に形成され前記液晶内に入射された光を反射する反射層よりなる第１容量電極と、
前記導電膜の一部、前記絶縁層及び前記反射層を覆うように形成された誘電体層と、
前記誘電体層上に形成された画素電極よりなる第２容量電極と、を備え、
前記画素電極は、前記導電膜の前記絶縁層及び前記誘電体層により覆われていないコンタクト部に接続されており、
前記反射層は前記走査電極の延在する方向と同方向に延在していると共に、前記反射層の一端側は上下導通部において前記配線及び前記走査電極に電気的に接続されており、
前記第１容量電極は、第２容量電極と平面的に重なっていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
前記素子基板は、サブ画素領域内において前記反射層が形成された反射領域に隣接する位置に透過領域を有し、
前記画素電極は前記透過領域に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記絶縁層は前記反射層上に凹凸を形成する散乱層であることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記誘電体層は、前記反射領域に対応する前記液晶の層厚と前記透過領域に対応する前記液晶の層厚を変える液晶層厚調整層であることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記上下導通部は導通部材を有し、
前記反射層と前記走査電極は前記導通部材を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記導通部材と前記反射層の間には他の導電膜が設けられていることを特徴とする請求項９に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記反射層と前記他の導電膜の間には導電性を有する層間膜を備えていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記反射層は、前記走査電極と略平行に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記画素電極の各々は前記サブ画素領域内に形成されており、
前記サブ画素領域は反射領域と透過領域を有し、
前記反射層は前記走査電極の延在方向に列をなす複数の前記画素電極の各反射領域を横断するように延在していることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項１４】
前記配線を通じて前記反射層及び前記走査電極に対して同一の電位を印加する駆動回路を備えていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を表示するための表示部に液晶装置が用いられている。そのような液晶装置として、透過型表示及び反射型表示の両方の表示モードを有し、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等の二端子型スイッチング素子を備える半透過反射型の液晶装置が知られている。そのような液晶装置では、例えば、相互に対向する２枚の基板のうち一方の基板には反射膜、その上にカラーフィルタ、及びその上方に走査線が夫々形成され、他方の基板にはデータ線、二端子型スイッチング素子及び画素電極が夫々形成され、両基板間に液晶が封入されている。
【０００３】
かかる液晶装置において反射型表示がなされる場合、液晶装置に入射した外光は、カラーフィルタが形成されている領域を通過して、そのカラーフィルタの下側にある反射膜により反射され、再びカラーフィルタ等を通過して表示画面上に出射する。これにより、所定の色相及び明るさを呈する表示画像が観察者により視認される。そのような半透過反射型の液晶装置の一例が特許文献１に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−５７６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の液晶装置は、近年益々高精細化してきており、これにより画素電極の面積が微細化して画素電極の容量が減少し、例えば、コントラストなどの表示品質の低下、焼き付き、歩留まり及び信頼性などの低下を招来する虞がある。
【０００６】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、補助容量を設けることにより画素容量を実質的に大きくして表示品質の低下を防止し、高品位な表示画像を得ることが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの観点では、素子基板と対向基板の間に液晶を備える液晶装置において、前記素子基板は、信号線と、前記信号線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子から延出してなる導電膜と、少なくとも前記信号線の一部を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記液晶内に入射された光を反射する反射層よりなる第１容量電極と、前記第１容量電極上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられ、前記導電膜と接続された画素電極よりなる第２容量電極と、を備え、前記第１容量電極は、第２容量電極と平面的に重なっていることを特徴とする液晶装置。
【０００８】
上記の液晶装置は、素子基板と対向基板の間に液晶を備えて構成される。素子基板は、信号線（データ線）、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子などのスイッチング素子、クロム等からなる導電膜、アクリル樹脂等からなる絶縁層、アルミニウム等からなる反射層としての第１容量電極、アクリル樹脂等からなる誘電体層、及びＩＴＯ等からなる画素電極としての第２容量電極を備えている。スイッチング素子は信号線に電気的に接続されている。導電膜はスイッチング素子から延出してなる。絶縁層は少なくとも信号線の一部を覆っている。反射層よりなる第１容量電極は、絶縁層上に設けられている。ここで、反射層は、光を反射する反射板としての機能と、誘電体層に容量を形成する電極（第１容量電極）としての機能を兼ね備えている。反射層を第１容量電極として機能させるには、例えばドライバＩＣや電源ＩＣなどから反射層に信号を印加することにより実現できる。誘電体層は、絶縁層と同様の材料にて形成されている。画素電極よりなる第２容量電極は、誘電体層上に設けられ、導電膜と電気的に接続されている。以上のように、この液晶装置は、ＴＦＤ素子などの二端子素子を有するアクティブマトリクス方式の液晶装置である。このような構成を有する液晶装置は、反射層たる第１容量電極を備えているので、その部分において反射型表示を行うことができる。好適な例では、前記絶縁層を、前記反射層上に凹凸を形成する散乱層とすることができる。これにより、反射層上には、その散乱層の凹凸を反映した凹凸が形成される。よって、反射型表示の際に、その反射層において反射された光が適度に散乱される。
【０００９】
特に、この液晶装置では、第１容量電極が第２容量電極と平面的に重なっている。このため、この液晶装置の駆動時に、ドライバＩＣや電源ＩＣなどから第１容量電極たる反射層に対して信号を印加することにより、誘電体層において補助容量が形成される。よって、この液晶装置では、第２容量電極と液晶の間に形成される画素容量に補助容量が付加されるので、その分、画素容量を実質的に増加することができる。
【００１０】
好適な例では、前記素子基板は、サブ画素領域内において前記反射層が形成された反射領域に隣接する位置に透過領域を有し、前記画素電極は前記透過領域に形成されている。これにより、サブ画素内の透過領域において透過型表示を行うことができる。また、前記誘電体層を、前記反射領域に対応する前記液晶の層厚と前記透過領域に対応する前記液晶の層厚を変える液晶層厚調整層（マルチギャップ層）とすることができる。これにより、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることができる。
【００１１】
上記の液晶装置の一態様では、前記対向基板には走査線が設けられており、前記走査線は前記第１容量電極に接続されている。
【００１２】
この態様によれば、第１容量電極たる反射層は、対向基板に形成された走査線と電気的に接続されている。よって、この液晶装置の駆動時に、ドライバＩＣや電源ＩＣから第１容量電極たる反射層と、走査電極に対して夫々同一の電位を印加することができる。これにより、誘電体層において補助容量が形成され、画素容量を実質的に増加することができる。
【００１３】
本発明の他の観点では、素子基板と対向基板の間に液晶を備える液晶装置において、前記素子基板は、信号線及び走査線と、前記信号線と前記走査線の交点に対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子から延出してなる導電膜と、少なくとも信号線若しくは走査線の一部を覆う絶縁層と、前記絶縁層上に設けられ前記液晶内に入射された光を反射する反射層よりなる第１容量電極と、前記第１容量電極上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上に設けられ、前記導電膜と接続された画素電極よりなる第２容量電極と、を備え、前記第１容量電極は、第２容量電極と平面的に重なっている。
【００１４】
上記の液晶装置では、素子基板と対向基板の間に液晶を備えて構成される。素子基板は、信号線（データ線）及び走査線、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子などのスイッチング素子、クロム等からなる導電膜、アクリル樹脂等からなる絶縁層、アルミニウム等からなる反射層としての第１容量電極、アクリル樹脂等からなる誘電体層、及びＩＴＯ等からなる画素電極としての第２容量電極を備えている。スイッチング素子は信号線と走査線の交点に対して設けられている。導電膜はスイッチング素子から延出してなる。絶縁層は少なくとも信号線若しくは走査線の一部を覆っている。反射層よりなる第１容量電極は、絶縁層上に設けられている。ここで、反射層は、光を反射する反射板としての機能と、誘電体層に容量を形成する電極（第１容量電極）としての機能を兼ね備えている。反射層を第１容量電極として機能させるには、例えばドライバＩＣや電源ＩＣなどから反射層に信号を印加することにより実現できる。誘電体層は、絶縁層と同様の材料にて形成されている。画素電極よりなる第２容量電極は、誘電体層上に設けられ、導電膜と電気的に接続されている。以上のように、この液晶装置は、ＴＦＴ素子などの三端子素子を有するアクティブマトリクス方式の液晶装置である。このような構成を有する液晶装置は、反射層たる第１容量電極を備えているので、その部分において反射型表示を行うことができる。好適な例では、前記絶縁層を、前記反射層上に凹凸を形成する散乱層とすることができる。これにより、反射層上には、その散乱層の凹凸を反映した凹凸が形成される。よって、反射型表示の際に、その反射層において反射された光が適度に散乱される。
【００１５】
特に、この液晶装置では、第１容量電極が第２容量電極と平面的に重なっている。このため、この液晶装置の駆動時に、ドライバＩＣや電源ＩＣなどから第１容量電極たる反射層に対して信号を印加することにより、誘電体層において補助容量が形成される。よって、この液晶装置では、第２容量電極と液晶の間に形成される画素容量に補助容量が付加されるので、その分、画素容量を実質的に増加することができる。
【００１６】
好適な例では、前記素子基板は、サブ画素領域内において前記反射層が形成された反射領域に隣接する位置に透過領域を有し、前記画素電極は前記透過領域に形成されている。これにより、サブ画素内の透過領域において透過型表示を行うことができる。また、前記誘電体層を、前記反射領域に対応する前記液晶の層厚と前記透過領域に対応する前記液晶の層厚を変える液晶層厚調整層（マルチギャップ層）とすることができる。これにより、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることができる。
【００１７】
上記の液晶装置の一態様では、前記対向基板には対向電極が設けられており、前記対向電極は前記第１容量電極に接続されている。
【００１８】
この態様によれば、第１容量電極たる反射層は、対向基板に形成された対向電極と電気的に接続されている。よって、この液晶装置の駆動時に、ドライバＩＣや電源ＩＣから第１容量電極たる反射層と、対向電極に対して夫々同一の電位を印加することができる。これにより、誘電体層において補助容量が形成され、画素容量を実質的に増加することができる。
【００１９】
本発明の他の観点では、配線を有する素子基板と走査電極を有する対向基板とを備え、前記素子基板と前記対向基板の間に液晶を備える液晶装置において、前記素子基板は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された導電膜と、前記導電膜の一部及び前記スイッチング素子を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の一部上に形成された反射層よりなる第１容量電極と、前記導電膜の一部、前記絶縁層及び前記反射層を覆うように形成された誘電体層と、前記誘電体層上に形成された画素電極よりなる第２容量電極と、を備え、前記画素電極は、前記導電膜の前記絶縁層及び前記誘電体層により覆われていないコンタクト部に接続されており、前記反射層は前記走査電極の延在する方向と同方向に延在していると共に、前記反射層の一端側は、上下導通部において前記配線及び前記走査電極に電気的に接続されており、前記第１容量電極は、第２容量電極と平面的に重なっている。
【００２０】
上記の液晶装置は、配線（引き回し配線）を有する素子基板と、走査電極を有する対向電極とを備え、両基板間に液晶を備えて構成される。素子基板は、ＴＦＤ素子等のスイッチング素子、導電膜、絶縁層、反射層よりなる第１容量電極、誘電体層及び画素電極よりなる第２容量電極を備えている。絶縁層は、導電膜の一部上及びスイッチング素子を覆うように形成されている。絶縁層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性及び透明性を有する材料が好ましい。第１容量電極たる反射層は絶縁層の一部上に形成されている。反射層の材料としては、例えばアルミニウムなどの材料が好ましい。誘電体層は、導電膜の一部、絶縁層、反射層を覆うように形成されている。誘電体層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性及び透明性を有する材料が好ましい。第２容量電極たる画素電極は、誘電体層上に形成されている。画素電極の材料としては、例えばＩＴＯなどの透明性を有する材料が好適である。この画素電極は、導電膜の絶縁層及び誘電体層により覆われていないコンタクト部に接続されており、スイッチング素子と電気的に接続されている。以上のように、この液晶装置は、ＴＦＤ素子などの二端子素子を有するアクティブマトリクス方式の液晶装置である。
【００２１】
このような構成を有する液晶装置では、反射層は走査電極の延在する方向と同方向に延在している。前記反射層は前記走査電極と略平行に形成するのが好ましい。そして、その反射層の一端側は、上下導通部において配線及び走査電極に電気的に接続されており、第１容量電極は、第２容量電極と平面的に重なっている。また、好適な例では、この液晶装置は、前記配線を通じて前記反射層及び前記走査電極に対して同一の電位（走査信号）を印加する駆動回路（ドライバＩＣ）を備えている。
【００２２】
したがって、この液晶装置の駆動時に、駆動回路から配線を介し、第１容量電極たる反射層と走査電極に対して同一の電位を印加することができる。これにより、第２容量電極たる画素電極と、第１容量電極たる反射層の間に位置する誘電体層に補助容量が形成される。即ち、反射層は、光を反射する反射板としての機能と、補助容量を形成する電極（第１容量電極）としての機能を兼ね備えている。よって、この液晶装置では、第２容量電極と液晶との間に形成される画素容量に補助容量が付加されるため、その分、画素容量を実質的に増加することができる。ここで、画素容量に対する補助容量の大きさは、一般的な静電容量の式に基づき、例えば反射層の面積や、誘電体層の誘電率及び厚さ等を適宜変えることにより調整することができる。これにより、設計仕様に応じて、画素容量と補助容量を夫々所望の関係に設定することができる。
【００２３】
ところで、近年の高精細パネルを有する液晶装置では、所望する表示画像を得るために誘電率の高い液晶を用いたり、或いは素子基板と対向基板の間隔（セルギャップ）を小さくしたりする等の対策を施している。しかし、誘電率の高い液晶を用いた液晶装置では、同じ画像を表示し続けると、いわゆる焼き付きという表示欠陥が生じることがある。
【００２４】
この点、この液晶装置では、上記のように補助容量が付加された分、画素容量が実質的に大きくなっている。このため、この液晶装置では、設計仕様に応じて、画素容量と補助容量の合計容量を低減させることなく、その両者の配分を変えることにより当該画素容量を小さくすることができる。換言すれば、この液晶装置では、誘電率の低い液晶を用いたり、或いはセルギャップを大きくすることができる。これにより、焼き付きなどの表示欠陥が生じるのを防止でき、歩留まりの向上を図ることができる。
【００２５】
また、一般的な液晶装置では、遮光性を有するクロム膜又はタンタル膜等を用いて補助容量を形成している。これに対し、この液晶装置では、透明性を有する画素電極と反射層の間に位置する、透明性を有する誘電体層において補助容量を形成するようにしている。よって、その位置は非表示領域となることはなく、その位置において適切に反射型表示をすることができる。これにより、開口率の低下を防止できる。
【００２６】
好適な例では、前記上下導通部は、例えば複数の金属粒子などの導通部材を有し、前記反射層と前記走査電極とを前記導通部材を介して電気的に接続することができる。また、前記導通部材と前記反射層の間には、例えばＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などからなる他の導電膜を設けることができる。さらに、より一層、反射層と他の導電膜と上下導通を図るために、反射層と導電膜との間に導電性を有する層間膜、例えばモリブデンタングステンなどを介在させてもよい。また、その目的を達するため、これに代えて、他の導電膜は反射層と反応し難い材料、例えばＩＺＯ（indium zinc oxide）にて形成するか、その逆に反射層は他の導電膜と反応し難い材料にて形成するようにしても構わない。
【００２７】
上記の液晶装置の一態様では、前記素子基板は、サブ画素領域内において前記反射層が形成された反射領域に隣接する位置に透過領域を有し、前記画素電極は前記透過領域に形成されている。これにより、サブ画素内の透過領域において透過型表示を行うことができる。
【００２８】
好適な例では、前記画素電極の各々はサブ画素領域内に形成されており、前記サブ画素領域は反射領域と透過領域を有し、前記反射層は前記走査電極の延在方向に列をなす複数の前記画素電極の各反射領域を横断するように延在している。
【００２９】
この態様によれば、画素電極の各々はサブ画素領域内に形成されている。サブ画素領域は反射領域と透過領域を有しているので、反射領域において反射型表示を、透過領域において透過型表示を夫々行うことができる。この態様では、反射層を走査電極の延在方向に列をなす複数の画素電極の各反射領域を横断するように延在させることができる。
【００３０】
好適な例では、前記絶縁層を、前記反射層上に凹凸を形成する散乱層とすることができる。これにより、反射層上には、その散乱層の凹凸を反映した凹凸が形成される。よって、その反射層において反射された光が適度に散乱される。また、この態様において、また、前記誘電体層を、前記反射領域に対応する前記液晶の層厚と前記透過領域に対応する前記液晶の層厚を変える液晶層厚調整層（マルチギャップ層）とすることができる。これにより、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることができる。
【００３１】
また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。本発明の実施形態は、反射コントラストの向上等を図るため、素子基板側に、主として、反射層、その上にオーバーコート層及びその上に画素電極を夫々形成する一方、カラーフィルタ基板側にストライプ状の走査電極及び着色層等を形成し、反射層と着色層とを分離した構成にする。そのような構成を前提とし、本実施形態では、特に、反射層を、走査電極の延在方向に延在するように且つその走査電極と略平行になるように形成して、その反射層の一端側と走査電極の一端側とをシール部材内の導通部材にて電気的に接続する。そして、その液晶表示装置の駆動時に、当該反射層と当該走査電極とに同一の電位を印加することにより、画素電極と反射層の間にオーバーコート層を誘電体とする補助容量を形成する。これにより、画素電極の容量を実質的に大きくして、表示品位の低下が生じるのを防止する。
【００３３】
[液晶表示装置の構成]
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置１００は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域の液晶層の厚さよりも小さく設定され、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置である。さらに、本発明の液晶表示装置は、画素電極とデータ線及びＴＦＤ素子とが樹脂散乱層にて絶縁された、いわゆるオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置である。
【００３４】
図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。図３は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の透過表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図を示す。
【００３５】
まず、図２を参照して、画素電極１０の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明し、続いて、図３を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明する。そして、その後、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成について説明する。
【００３６】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。好適な例では、液晶層４の誘電率は、例えば、約６程度に設定することができる。この枠状のシール部材３には、複数の金属粒子などの導通部材７が混入されている。
【００３７】
下側基板１の内面上には、適宜の間隔をおいてデータ線３２が、また、サブ画素領域ＳＧ毎にＴＦＤ素子２１が夫々形成されている。下側基板１、データ線３２及びＴＦＤ素子２１の内面上には、表面上に微細な凹凸を有する樹脂散乱層２５が形成されている。樹脂散乱層２５の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。樹脂散乱層２５等の内面上には、データ線３２の延在する方向と略直交する方向に延在する、略ストライプ状の反射層５が形成されている。反射層５の一端側（以下、「接続部５ｘ」とも呼ぶ）は、シール部材３内まで延在しており、後述する走査線３１の接続部３１ｘと重なり合っている。このため、反射層５は、走査線３１と電気的に接続されている。一方、反射層５の他端側は、有効表示領域Ｖと額縁領域３８の境界部分まで延在している。反射層５には樹脂散乱層２５の微細な凹凸が反映されており、反射層５の内面上には微細な凹凸が形成されている。反射層５は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜により形成することができる。また、シール部材３内に位置する反射層５の接続部５ｘ上には、画素電極１０と同一の工程にて形成される、ＩＴＯからなる導電膜９が形成されている。
【００３８】
樹脂散乱層２５及び反射層５の内面上には、樹脂散乱層２５と略同様の材料からなるオーバーコート層２６（誘電体層）が形成されている。好適な例では、オーバーコート層２６の誘電率は約３程度に設定することができる。このオーバーコート層２６は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から反射層５などを保護する機能を有する。オーバーコート層２６の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に画素電極１０が形成されている。画素電極１０等の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００３９】
また、下側基板１の内面上の左右周縁部には走査線３１（配線又は引き回し配線）が形成されている。走査線３１の一端部はシール部材３内まで延在しており、その走査線３１の一端部（接続部３１ｘ）はシール部材３内に位置する反射層５及び導電膜９を介して導通部材７と電気的に接続されている。
【００４０】
一方、上側基板２の内面上であって且つ画素電極１０と対向する位置には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を特定する場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を特定する場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００４１】
また、各サブ画素領域ＳＧの間には、隣接するサブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素領域ＳＧから他方のサブ画素領域ＳＧへの光の混入を防止するため黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが可能である。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。
【００４２】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有する。オーバーコート層１８の内面上には、ストライプ状の形状をなすＩＴＯなどからなる透明電極（走査電極）８が形成されている。走査電極８は、反射層５の延在する方向と同方向に延在している。この走査電極８の一端はシール部材３内に延在しており、そのシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。
【００４３】
走査電極８の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。また、走査電極８の内面上には、フォトリソグラフィー等の方法にて形成され、柱状の形状をなすフォトスペーサ２７が形成されている。フォトスペーサ２７は、反射表示領域における液晶層４の厚さを一定の厚さＤ１に保持している。フォトスペーサの材料としては、例えば、アクリル膜、ポリイミド膜のような感光性を有する熱硬化型の樹脂材料や、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料からなるものが好ましい。
【００４４】
下側基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１３及び偏光板１４が配置されており、上側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１１及び偏光板１２が配置されている。また、偏光板１４の下側には、バックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００４５】
カラーフィルタ基板９２の走査電極８（走査線）と素子基板９１の反射層５とは、各々シール部材３内に位置する導電膜９及び導通部材７を介して上下導通している。
【００４６】
さて、本実施形態の液晶表示装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置１００に入射した外光は、図２に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶表示装置１００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層６、画素電極１０及びオーバーコート層２６等が形成されている領域を通過して、そのオーバーコート層２６の下側にある反射層５により反射され、再度オーバーコート層２６、画素電極１０及び着色層６等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４７】
次に、図３を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る直線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明する。なお、以下において、図２と同様の構成の部分については説明を省略又は簡略化する。
【００４８】
図３において、下側基板１の内面上には、適宜の間隔を置いてデータ線３２が形成されている。また、データ線３２の左右周縁部付近に位置する下側基板１の内面上、及びデータ線３２の内面上には、樹脂散乱層２５が形成されている。このため、データ線３２は樹脂散乱層２５にて覆われている。さらに、下側基板１の内面上には、サブ画素ＳＧ毎に画素電極１０が形成されていると共に、画素電極１０の左右周縁部は、樹脂散乱層２５の左右周縁部の内面上に形成されている。このため、画素電極１０とデータ線３２とは樹脂散乱層２５にて絶縁されている。なお、下側基板１に形成又は実装されるその他の構成要素は図２と同様であり、その説明を省略する。
【００４９】
一方、上側基板２の内面上であって且つ画素電極１０と対向する位置には、サブ画素領域ＳＧ毎に着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。各サブ画素領域ＳＧの間であって且つデータ線３２と対向する位置には、黒色遮光層ＢＭが形成されている。着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。オーバーコート層１８の内面上には、走査電極８が形成されている。なお、上側基板２に形成されるその他の構成要素は図２と同様であり、その説明を省略する。
【００５０】
さて、本発明の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図３に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより、所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００５１】
次に、図１、図４及び図５を参照して、本発明の素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の電極及び配線の構成について説明する。図４は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２及び図３における上方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図５は、カラーフィルタ基板９２を正面方向（即ち、図２及び図３における下方）から観察したときのカラーフィルタ基板９２の電極の構成を平面図として示す。また、図４及び図５において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００５２】
図１において、素子基板９１の画素電極１０と、カラーフィルタ基板９２の走査電極８との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図４において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００５３】
（電極及び配線構成）
先ず、図４を参照して、素子基板９１の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板９１は、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０、複数の走査線３１、複数のデータ線３２、ＹドライバＩＣ３３、ＸドライバＩＣ３４、複数の外部接続用端子３５、反射層５及び導電膜９を備えている。
【００５４】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図４において、素子基板９１の張り出し領域３６側の辺９１ａから反対側の辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、辺９１ｄから辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００５５】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００５６】
ＸドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に接続されている。一方、各ＹドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線３１に接続されている。これにより、各ＹドライバＩＣ３３は複数の走査線３１に走査信号を、ＸドライバＩＣ３４は複数のデータ線３２にデータ信号を夫々出力する。
【００５７】
複数のデータ線３２は、紙面縦方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に形成されている。各データ線３２は一定の間隔をおいて形成されている。また、各データ線３２は、適宜の間隔をおいて複数のＴＦＤ素子２１に電気的に接続されており、各ＴＦＤ素子２１は、コンタクト部としての機能を有する遮光性導電膜２８（図７を参照）を通じて、対応する各画素電極１０に電気的に接続されている。
【００５８】
複数の走査線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂと、その折れ曲がり部分３１ｂの終端部側に接続部３１ｘとを有して構成される。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に形成されている。また、各本線部分３１ａは、各データ線３２に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分３１ｂは、額縁領域３８内において、左右に位置するシール部材３内まで延在している。接続部３１ｘ（矩形状の領域）は、シール部材３内で反射層５の接続部５ｘに電気的に接続されている。
【００５９】
反射層５は、略ストライプ状の形状をなしている。即ち、反射層５は、走査電極８の延在する方向と同方向に延在しており、走査電極８と略平行になっている。また、反射層５は、走査電極８の延在方向に横列をなす複数の画素電極１０の各反射表示領域Ｅ１（図９等を参照）を横断するように延在している。一つの反射層５の左端部（接続部５ｘ）、及び、当該一つの反射層５にＹ方向に隣接する反射層５の右端部（接続部５ｘ）は、接続部３１ｘと略同一の面積を有し、上下導通部、即ちシール部材３内において走査線３１の接続部３１ｘ及び導電膜９と電気的に接続されている。各導電膜９は、接続部３１ｘと略同一の面積を有し、上下導通部、即ちシール部材３内で導通部材７に電気的に接続されている。
【００６０】
次に、カラーフィルタ基板９２の電極の構成について説明する。図５に示すように、カラーフィルタ基板９２には、Ｘ方向に延在するストライプ状の走査電極８が形成されている。各走査電極８の左端部又は右端部はシール部材３内まで延在していると共に、対応する各走査電極８の右端部又は左端部は有効表示領域Ｖと額縁領域３８の境界部分まで延在している。また、各走査電極８の左端部又は右端部は、図１及び図５に示すように、シール部材３内に混入された導通部材７と電気的に接続されている。
【００６１】
以上に述べた、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９２の各走査電極８は、素子基板９１の各データ線３２に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、走査電極８と画素電極１０とが重なり合う領域がサブ画素領域ＳＧを構成する。
【００６２】
また、カラーフィルタ基板９２の走査電極８（即ち、カラーフィルタ基板９２側の走査線）と、素子基板９１の走査線３１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その走査電極８と走査線３１とは、上下導通部、即ちシール部材３内の反射層５の接続部５ｘ、導電膜９及び導通部材７を介して上下導通している。つまり、走査電極８たるカラーフィルタ基板９２の各走査線と、素子基板９１の各走査線３１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。また、素子基板９１の各反射層５と、各走査線３１との導通は、同じく左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、カラーフィルタ基板９２の走査電極８、及び、素子基板９１の反射層５は、素子基板９１の走査線３１等を介して、紙面左右に夫々位置する各ＹドライバＩＣ３３に電気的に接続されている。
【００６３】
（等価回路の構成）
次に、図６を参照して、液晶表示装置１００の電気的な構成、即ち等価回路の構成について説明する。図６は、液晶表示装置１００の等価回路を示すブロック図である。図６に示されるように、液晶表示装置１００では、複数本の走査線３１及び走査電極８（以下、便宜上、単に「走査線」とも呼ぶ）が紙面縦方向に延在して形成される一方、複数本のデータ線３２が紙面横方向に延在して形成される。走査線とデータ線３２との各交差に対応して、１つのサブ画素領域ＳＧが形成される。また、液晶表示装置１００では、反射層５（補助容量電極）が走査線と同方向に延在して形成される。
【００６４】
各サブ画素領域ＳＧにおいて、ＴＦＤ素子２１の容量ＣＴＦＤと画素電極１０の容量ＣＬＣ（画素容量ＣＬＣ）とは直列に接続されている。各画素容量ＣＬＣは、上記した走査線と画素電極１０との間に液晶層４を挟持した構成となっている。また、各サブ画素領域ＳＧ内には、本発明の特徴をなす補助容量ＣＯＶＣが形成されている。各補助容量ＣＯＶＣは、上記した反射層５と画素電極１０との間にオーバーコート層２６を挟持した構成となっている。サブ画素領域ＳＧ内において、画素容量ＣＬＣと補助容量ＣＯＶＣとは並列に接続されている。また、ＴＦＤ素子２１は、その一端がデータ線３２に接続される一方、その他端が遮光性導電膜２８（図示略）を介して画素電極１０に接続されて、走査線とデータ線３２との電位差にしたがってオンオフが制御される。
【００６５】
ＹドライバＩＣ３３は、走査線及び反射層５の駆動を担う。すなわち、ＹドライバＩＣ３３によって、１垂直走査期間において走査線及び反射層５が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された走査線及び反射層５には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の走査線及び反射層５には、非選択電圧の走査信号が供給される構成となっている。
【００６６】
また、ＸドライバＩＣ３４は、ＹドライバＩＣ３３により選択された走査線及び反射層５に位置する画素電極１０に対し、表示内容に応じたデータ信号を、それぞれ対応するデータ線３２を介して供給するものである。
【００６７】
そして、走査線とデータ線３２とに印加される電位差に基づきＴＦＤ素子２１の電流値が変化して、液晶層４が充放電される結果、当該液晶層４の表示状態、即ち非表示状態またはその中間表示状態に切り替えられる。これにより、液晶層４の表示動作が制御されることとなる。
【００６８】
（素子基板の構成）
次に、図７乃至図９を参照して、本発明の補助容量を有する素子基板９１の構成について説明する。図７は、図２及び図３における上方から観察したときの素子基板９１における１画素分のレイアウトを示す部分平面図である。なお、図７において、各データ線３２の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板９２側の走査電極８と対向する領域は、サブ画素領域ＳＧ（一点鎖線にて囲まれる領域）である。サブ画素領域ＳＧは、反射表示領域Ｅ１、遮光領域Ｅ３、及び透過表示領域Ｅ２により構成される。反射表示領域Ｅ１は、反射型表示を行う領域であり、Ｙ方向の長さＷ１とＸ方向の長さＷ２を有する矩形状の領域である。遮光領域Ｅ３は、画像表示に寄与しない領域であり、Ｙ方向の長さＷ４とＸ方向の長さＷ２を有する矩形状の領域である。遮光領域Ｅ３は、更に、Ｙ方向の長さＷ５とＸ方向の長さＷ２を有する矩形状のコンタクト領域Ｅ４を有する。透過表示領域Ｅ２は、透過型表示を行う領域であり、Ｙ方向の長さＷ３とＸ方向の長さＷ２を有する領域である。
【００６９】
図７において、下側基板１上には、Ｙ方向に且つ適宜の間隔をおいて直線状のデータ線３２が形成されている。下側基板１上の反射表示領域Ｅ１内には、ＴＦＤ素子２１が形成されている。下側基板１上の遮光領域Ｅ３には、クロム等の材料よりなる矩形状の遮光性導電膜２８が形成されている。遮光性導電膜２８は、主として、その上にテーパ−状に形成される樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６において光漏れを生じるのを防止する機能を果たす。そして、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８は電気的に接続されている。
【００７０】
ここで、図８（ａ）を参照して、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８の構成等について説明する。図８（ａ）は、図７における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った断面図である。なお、図８（ａ）では、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８の内面上に形成される要素、及び下側基板１の外面上に形成又は実装される要素は、便宜上図示を省略している。
【００７１】
図８（ａ）に示すように、ＴＦＤ素子２１は、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂより構成される。第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂは、ＴａＷ（タンタルタングステン）などからなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成されたＴａ２Ｏ５等からなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６は、データ線３２からＴ字状に分岐したものが用いられる。一方、後者の第２金属膜３３６は、遮光性導電膜２８に電気的に接続されている。
【００７２】
ここで、ＴＦＤ素子２１のうち、第１のＴＦＤ素子２１ａは、データ線３２の側からみると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第２のＴＦＤ素子２１ｂは、データ線３２の側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、第１のＴＦＤ素子２１ａとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２１ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２１ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１は、２つのＴＦＤを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。以上のように、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８は電気的に接続されている。
【００７３】
なお、図８（ａ）では、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６の一部と、遮光性導電膜２８とは共に下側基板１上に形成されており、それらは同一層にある。これに代えて、本発明では、図８（ｂ）に示すように、遮光性導電膜２８と、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６とが別々の層となるように構成しても構わない。即ち、図８（ｂ）に示すように、遮光性導電膜２８を、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６の一部上、及びその付近の下側基板１上に形成して、遮光性導電膜２８の一部分が当該第２金属膜３３６の一部分と重なり合うように構成しても構わない。ここで、図８（ａ）の構成によれば、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６と遮光性導電膜２８を同一の製造工程にて製造することができるのに対し、図８（ｂ）の構成によれば、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６を下側基板１上に形成した後に、その後工程で遮光性導電膜２８を形成する必要がある。よって、工数削減を図るという点からすると、前者の構成の方が後者の構成の方より望ましいといえる。
【００７４】
図７の平面図に戻り、下側基板１、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８等の上には各種の要素が形成されるが、理解を容易にするため、図９の断面図を参照して、その積層構造について説明する。図９は、図７における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った断面図であり、具体的には１つのサブ画素領域ＳＧ内の画素電極１０をＹ方向にて切断したときの断面図である。なお、図９では、説明の便宜上、素子基板９１に対向配置されるカラーフィルタ基板９２の断面図も示す。
【００７５】
下側基板１の外面上には、位相差板１３、偏光板１４、及びバックライト１５が配置されている。一方、下側基板１の内面上には、ＴＦＤ素子２１、遮光性導電膜２８、樹脂散乱層２５及び画素電極１０が形成されている。
【００７６】
具体的には、下側基板１上の反射表示領域Ｅ１内には、ＴＦＤ素子２１が形成されている。下側基板１上の遮光領域Ｅ３内には、遮光性導電膜２８が形成されている。黒色遮光層ＢＭに対応する下側基板１上、反射表示領域Ｅ１内に対応する下側基板１及びＴＦＤ素子２１の上、及び遮光性導電膜２８の一部の上には、表面上に微細な凹凸が形成された樹脂散乱層２５が形成されている。少なくとも遮光性導電膜２８上に位置する樹脂散乱層２５の周縁部はテーパ−状に形成されている。なお、反射表示領域Ｅ１の液晶層４を一定の厚さＤ１に保つため、樹脂散乱層２５は、約１〜２μｍ程度の厚さに設定するのが好ましい。樹脂散乱層２５上の反射表示領域Ｅ１内には、樹脂散乱層２５の微細な凹凸を反映した反射層５が形成されている。このため、反射型表示を行う際には、外光がその凹凸形状により適度に散乱した状態で反射されるため反射光が均一化される。また、反射層５は、図９において紙面手前側から紙面奥側に延在している。即ち、反射層５は、図７に示すように、走査電極８の延在する方向と同方向に延在するように、より好ましくは、当該走査電極８と略平行に延在するように形成されている。樹脂散乱層２５及び反射層５の上、並びに遮光性導電膜２８の領域の一部の上には、オーバーコート層２６が形成されている。なお、反射表示領域Ｅ１の液晶層４を一定の厚さＤ１に保つため、オーバーコート層２６は、約０.５〜２.５μｍ程度の厚さに設定するのが好ましい。少なくとも遮光性導電膜２８上に位置するオーバーコート層２６の周縁部はテーパ−状に形成されている。なお、透過表示領域Ｅ２側の遮光性導電膜２８上の他の一部、即ちコンタクト領域Ｅ４は、画素電極１０と接続するための領域となるため、そのコンタクト領域Ｅ４に対応する遮光性導電膜２８上には、樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６は形成されていない。
【００７７】
画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧ内に形成されている。具体的には、画素電極１０は、透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板１上、コンタクト領域Ｅ４に対応する遮光性導電膜２８上、遮光領域Ｅ３の一部に対応するオーバーコート層２６上、及び反射表示領域Ｅ１に対応するオーバーコート層２６上に形成されている。このため、画素電極１０は、コンタクト領域Ｅ４にてクロムなどの導電性を有する遮光性導電膜２８と電気的に接続されている。これにより、画素電極１０は、遮光性導電膜２８を介してデータ線３２及びＴＦＤ素子２１に電気的に接続されている。
【００７８】
かかる構成を有する素子基板９１において、反射層５と画素電極１０の間にはオーバーコート層２６を誘電体とする補助容量ＣＯＶＣが形成されていると共に、画素電極１０と走査電極８の間には液晶層４を誘電体とする画素容量ＣＬＣが形成されている。
【００７９】
次に、素子基板９１における１つのサブ画素ＳＧと、それに対向するカラーフィルタ基板９２の構成及びその要素との位置関係等について説明する。
【００８０】
上側基板２の外面上には位相差板１１及び偏光板１２が配置されている。一方、上側基板２の内面上には、着色層６及び黒色遮光層ＢＭが形成されている。具体的には、着色層６は、画素電極１０に対応する位置に形成されている。黒色遮光層ＢＭは、画素電極１０の周囲、換言すれば相隣接するサブ画素領域ＳＧの間に形成されている。着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上にはオーバーコート層１８が形成されていると共に、オーバーコート層１８の内面上には走査電極８が形成されている。反射表示領域Ｅ１に対応する走査電極８の内面上には、フォトスペーサ２７が形成されている。
【００８１】
そして、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とがシール部材３（図２及び図３を参照、図示略）を介して貼り合わされた状態では、液晶層４は、そのフォトスペーサ２７により一定の厚さに保持されている。具体的には、反射表示領域Ｅ１では、液晶層４が一定の厚さＤ１に保持されていると共に、透過表示領域Ｅ２では、液晶層４が一定の厚さＤ２（＞Ｄ１）に保持されており、これによりマルチギャップが形成されている。
【００８２】
以上の構成を有する、１つのサブ画素領域ＳＧにおいては、透過表示領域Ｅ２において透過型表示がなされると共に、反射表示領域Ｅ１において反射型表示がなされる。但し、遮光性導電膜２８は遮光性を有するクロム等にて形成されているため、遮光性導電膜２８が形成された遮光領域Ｅ３では表示はなされない。一般的に、遮光領域Ｅ３など、樹脂散乱層２５やオーバーコート層２６がテーパー状に形成される領域では、液晶の配向異常などによる光抜けが生じる可能性がある。この点、本実施例ではそのようなテーパー形状を有する部分を遮光性導電膜２８上に配置しているので、光抜けを防止することができるという利点を有する。また、一般的に反射層５の端部は剥がれやすいという性質を有するが、本実施例において反射層５はオーバーコート層２６により覆われているので、反射層５の端部の剥がれを防止することもできる。
【００８３】
図７の平面図に戻り、切断線Ｘ５−Ｘ６に沿った断面の積層構造について図１０を参照して説明する。図１０は、データ線３２付近の断面構成を示す。
【００８４】
下側基板１の内面上には、データ線３２が形成されている。データ線３２上、及びその左右周縁部付近の下側基板１上には、樹脂散乱層２５が形成されている。このため、データ線３２は樹脂散乱層２５にて覆われている。かかる領域に形成される樹脂散乱層２５の左右周縁部の上には、１つの画素電極１０ａの左周縁部、及び、それにデータ線３２を挟んで隣接する画素電極１０ｂの右周縁部が形成されている。このため、画素電極１０ａ及び１０ｂは樹脂散乱層２５を介してデータ線３２と絶縁されている。
【００８５】
次に、上記の適当な図面等を参照して、本発明の液晶表示装置１００の作用効果について説明する。
【００８６】
特に、本発明の液晶表示装置１００では、素子基板９１において、反射層５を、カラーフィルタ基板９２の走査電極８の延在する方向と同方向に延在するように形成し、さらに当該反射層５上にマルチギャップを形成するためのオーバーコート層２６を形成するようにしている。そして、本実施形態では、上下導通部、即ちシール部材３内において、反射層５の右端部又は左端部に形成された接続部５ｘと、走査線極８とを導電膜９及び導通部材７を介して電気的に接続している。また、本実施形態では、当該接続部５ｘ及び当該走査電極８を、ＹドライバＩＣ３３に接続された走査線３１に電気的に接続するようにしている。
【００８７】
したがって、本発明の液晶表示装置１００の駆動時に、ＹドライバＩＣ３３側から走査線３１等を介し、反射層５と走査電極８に対して同一の電位を印加することができる。これにより、画素電極１０と反射層５の間においてオーバーコート層２６を誘電体とする補助容量ＣＯＶＣが形成される。即ち、反射層５は補助容量電極としての機能を備えている。よって、この液晶表示装置１００では、画素容量ＣＬＣに補助容量ＣＯＶＣが付加されるため、その分、画素容量ＣＬＣを実質的に増加することができる。ここで、画素容量ＣＬＣに対する補助容量ＣＯＶＣの大きさは、一般的な静電容量の式に基づき、例えば反射層５の面積や、オーバーコート層２６の誘電率及び厚さ等を適宜変えることにより調整することができる。これにより、液晶表示装置１００の各種形態や設計仕様に応じて、画素容量ＣＬＣと補助容量ＣＯＶＣを夫々所望の関係に設定することができる。
【００８８】
ところで、近年の高精細パネルを有する液晶表示装置では、所望する表示画像を得るために誘電率の高い液晶を用いたり、或いはセルギャップを小さくしたりする等の対策を施している。しかし、誘電率の高い液晶を用いた液晶表示装置では、同じ画像を表示し続けると、いわゆる焼き付きという表示欠陥が生じることがある。
【００８９】
この点、本発明の液晶表示装置１００では、上記のように画素容量ＣＬＣに補助容量ＣＯＶＣが付加された分、画素容量ＣＬＣが実質的に大きくなっている。このため、この液晶表示装置１００では、設計仕様に応じて、画素容量ＣＬＣと補助容量ＣＯＶＣの合計容量を低減させることなく、その両者の配分を変えることにより当該画素容量ＣＬＣを小さくすることができる。換言すれば、この液晶表示装置１００では、誘電率の低い液晶を用いたり、或いはセルギャップを大きくすることができる。これにより、焼き付きなどの表示欠陥が生じるのを防止でき、歩留まりの向上を図ることができる。
【００９０】
また、一般的な液晶表示装置では、遮光性を有するクロム膜又はタンタル膜等を用いて補助容量を形成している。これに対し、本発明の液晶表示装置１００では、透明性を有する画素電極１０と反射層５の間に位置する、透明性を有するオーバーコート層２６において補助容量ＣＯＶＣを形成するようにしている。よって、その位置、即ち反射表示領域Ｅ１が非表示領域となることはなく、その反射表示領域Ｅ１において適切に反射型表示をすることができる。これにより、開口率の低下を防止できる。
【００９１】
さらに、本発明の液晶表示装置１００は、以下の作用効果をも奏する。
【００９２】
まず、比較例として、反射層の上に着色層を形成してなる素子基板を有する液晶表示装置では、反射型表示の際、その内部に入射した外光は、次のような経路に従って進行する。かかる液晶表示装置内に入射した外光は、着色層等が形成された領域を通過して、その下に形成された反射層にて反射され、再び着色層等を通過して観察者に至る。しかし、このような液晶表示装置では、そのような経路にしたがって外光が進行することにより、着色層の屈折率の影響により、反射率が低下する（換言すれば、光の取り出し効率が悪くなる）などして、反射コントラスト等の反射特性が低下してしまう現象が起こる。
【００９３】
これに対して、本発明の液晶表示装置１００では、素子基板９１側に反射層５を形成し、対向するカラーフィルタ基板９２側に着色層６を形成して、反射層５と着色層６を分離させた構成にしている。このため、液晶表示装置１００において反射型表示をした場合、外光が図２に示す経路Ｒに従って進行したとしても、着色層６による光の屈折率の変化は少なく、反射率が低下するのを防止することができる。よって、反射コントラスト等の反射特性の向上を図ることができる。
【００９４】
また、本発明の液晶表示装置１００では、図２、図３、図９及び図１０などに示すように、素子基板９１において、画素電極１０と、データ線３２等とが樹脂散乱層２５にて絶縁されている。換言すれば、素子基板９１は、いわゆるオーバーレイヤー構造をなしている。よって、データ線３２と画素電極１０との間に寄生容量が生じるのを防止することができ、縦クロストークが生じるのを防止できる。また、上記の構造により、画素電極１０の左右周縁部を、それに隣接する各データ線３２にできる限り近づけた状態で、当該画素電極を形成することができる。よって、開口率の向上を図ることができる。
【００９５】
また、比較例として、いわゆるオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置では、一般に、絶縁層（本発明の樹脂散乱層２５やオーバーコート層２６に相当）にコンタクトホールを形成して、そのコンタクトホールの位置において画素電極とデータ線及びＴＦＤ素子とを電気的に接続する。かかる液晶表示装置では、コンタクトホールが形成された領域分だけ開口率が低下する。
【００９６】
これに対して、本発明の液晶表示装置１００では、図９に示すように、特に素子基板９１において、テーパ−状に形成された樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６の遮光領域Ｅ３（マルチギャップテーパ―遮光領域）を効果的に利用して、画素電極１０とコンタクト領域Ｅ４（遮光性導電膜２８の領域Ｅ４）とを接続し、これにより当該画素電極１０とデータ線３２及びＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するようにしている。よって、上記のようにコンタクトホールを形成しない分、開口率の向上を図ることができる。
【００９７】
また、比較例として、ＴＦＤ素子を有する液晶表示装置では、一般に、画素電極の領域の一部分を除去して、その部分にＴＦＤ素子を配置し、そのＴＦＤ素子を介して当該画素電極とデータ線とを電気的に接続する構成が採用される。
【００９８】
これに対して、本発明の液晶表示装置１００では、図９に示すように、素子基板９１においてＴＦＤ素子２１を反射層５と重なる位置に形成している。よって、上記のように画素電極１０の領域の一部を除去する必要がなく、その分、開口率の向上を図ることができる。
【００９９】
また、本発明の液晶表示装置１００では、素子基板９１において、テーパ−状に形成された樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６の遮光領域Ｅ３（マルチギャップテーパ―遮光領域）の下側に遮光性導電膜２８を形成するようにしている。これにより、その遮光領域Ｅ３において光抜けが生じるのを防止することができ、高品位な表示画像を得ることができる。
【０１００】
また、本発明の液晶表示装置１００では、遮光領域Ｅ３に形成される遮光性導電膜２８を、反射率の高いアルミニウムではなく、反射率の低いクロム等にて形成している。よって、反射型表示がなされる際に、遮光性導電膜２８にて反射される光の量を抑制することができ、高品位な表示画像を得ることができる。
【０１０１】
また、本発明の液晶表示装置１００では、反射表示領域Ｅ１に樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６を形成して、透過表示領域Ｅ２にそれらの要素を形成しないことにより、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４を一定の厚さＤ１に設定している一方、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４を一定の厚さＤ２（＞Ｄ１）に設定している。即ち、本発明の液晶表示装置１００は、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層の厚さと透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層の厚さとを夫々最適に設定したマルチギャップの構造をなしている。よって、透過型表示及び反射型表示の双方において高品位な表示画像を得ることができる。
【０１０２】
[液晶表示装置の製造方法]
次に、図１１乃至図２１等を参照して、本発明の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。図１１は、液晶表示装置１００の製造方法のフローチャートを示す。
【０１０３】
先ず、図２、図３及び図５に示されるカラーフィルタ基板９２を既知の方法にて作製する（工程Ｓ１）。かかる工程Ｓ１では、液晶表示装置１００のパネル構造が完成したときに、反射表示領域Ｅ１（破線部分）に対応する走査電極８上の位置に既知の方法にてフォトスペーサが形成される。
【０１０４】
次に、素子基板９１を作製する（工程Ｓ２）。図１２は、素子基板の製造方法を示すフローチャートである。図１３乃至図１５、及び、図１６乃至図２１は、図１２における工程Ｐ１〜Ｐ５に夫々対応する平面図である。また、図１５は、図７に対応する平面図であるため、図１３乃至図１５の製造工程においては、対応する断面構成を把握するため図９等を適宜参照されたい。なお、図１４及び図１５では、便宜上、反射表示領域Ｅ１、透過表示領域Ｅ２、遮光領域Ｅ３、及びコンタクト領域Ｅ４の図示を省略するので、それらの領域の位置関係については、図１３を適宜参照されたい。図１６（ａ）乃至図２１（ａ）は、図１における破線領域Ｅ３０付近の製造工程を示す部分平面図である。図１６（ｂ）乃至図２１（ｂ）は、それぞれ図１６（ａ）乃至図２１（ａ）の各製造工程に対応する部分断面図であり、図２における破線領域Ｅ３１付近の製造工程を示す部分断面図である。なお、図１６乃至図２０において、一点鎖線にて囲まれる領域はシール部材３が形成される予定の領域３ｘ（シール部材形成予定領域３ｘ）を示していると共に、同図の平面図において二点差線にて囲まれる領域又は同図の断面図において二点差線より紙面右側は有効表示領域Ｖを示している。
【０１０５】
素子基板９１の製造方法について説明する。
【０１０６】
まず、ガラスやプラスチック等の材料からなる下側基板１上に、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８、並びに走査線３１を形成する（工程Ｐ１）。具体的には、図１３（ａ）に示すように、各データ線３２は、下側基板１上に適宜の間隔をおいて且つＹ方向に延在するように形成される。各ＴＦＤ素子２１は、反射表示領域Ｅ１に対応する下側基板１上に形成される。各遮光性導電膜２８は、透過表示領域Ｅ２（破線部分）と反射表示領域Ｅ１との間の領域、即ち遮光領域Ｅ３（破線部分）に対応する下側基板１上に形成される。図１３（ａ）には、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８が下側基板１上に形成された状態が示されている。
【０１０７】
また、図１６に示すように、各走査線３１の本線部分３１ａは、額縁領域３８に対応する下側基板１上に適宜の間隔をおいて且つＹ方向に延在するように形成される。各走査線３１の折れ曲がり部分３１ｂは、対応する上記の本線部分３１ａの終端部からＸ方向に延在するように形成される。各走査線３１の接続部３１ｘは、対応する上記の折れ曲がり部分３１の終端部からシール部材形成予定領域３ｘ内にかけて形成される。なお、シール部材３内において接続部３１ｘと他の要素との上下導通を確実にするため、当該接続部３１ｘは、ある程度の面積を有するように、例えば略矩形状に形成される。ここで、本線部分３１ａ、折れ曲がり部分３１ｂ及び接続部３１ｘは、工程Ｐ１において同時に形成される。図１６には、本線部分３１ａ、折れ曲がり部分３１ｂ及び接続部３１ｘから構成される走査線３１が下側基板１上に形成された状態が示されている。
【０１０８】
次に、シール部材形成予定領域３ｘの内側の領域に樹脂散乱層２５を形成する（工程Ｐ２）。具体的には、図１３（ｂ）及び図１７に示すように、下側基板１、走査線３１の本線部分３１ａ及び折れ曲がり部分３１ｂ、データ線３２、ＴＦＤ素子２１並びに遮光性導電膜２８の上に、感光性を有するアクリル樹脂などを均一の厚さ、例えば約１〜２μｍの厚さに塗布した後、露光、現像及びパターニングをして、その表面に多数の微細な凹凸を形成すると共に、透過表示領域Ｅ２及び遮光領域Ｅ３の一部の上に塗布された樹脂層を除去する。このとき、樹脂散乱層２５の周縁部はテーパ−状に形成されると共に、少なくとも遮光性導電膜２８のコンタクト領域Ｅ４（ハッチング領域）に形成された樹脂散乱層２５は除去される。図１３（ｂ）及び図１７には、樹脂散乱層２５が形成された状態が示されている。
【０１０９】
次に、反射層５を形成する（工程Ｐ３）。具体的には、図１４（ａ）及び図１８に示すように、各走査線３１の接続部３１ｘ及び樹脂散乱層２５の上に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属を蒸着法やスパッタリング法などによって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングすることにより略ストライプ状の反射層５を形成する。これにより、各反射層５は、横列をなす複数の画素電極１０の各反射表示領域Ｅ１をＸ方向に横断するように形成される（図１及び図２も参照）。また、各反射層５の接続部５ｘ（右端部又は左端部）は、シール部材形成予定領域３ｘ内の接続部３１ｘ上に重なるように形成される。これにより、各走査線３１の接続部３１ｘと、対応する各反射層５の接続部５ｘとが電気的に接続される。また、反射層５の表面には、樹脂散乱層２５の微細な凹凸が反映される。図１４（ａ）には、反射表示領域Ｅ１に対応する樹脂散乱層２５上に反射層５が形成された状態が示されていると共に、図１８には、各走査線３１の接続部３１ｘ上に反射層５の接続部５ｘが重なるように形成された状態が示されている。
【０１１０】
次に、シール部材形成予定領域３ｘの内側の領域にオーバーコート層２６を形成する（工程Ｐ４）。具体的には、コンタクト領域Ｅ４を除く遮光性導電膜２８の上、並びに反射表示領域Ｅ１に対応する樹脂散乱層２５及び接続部５ｘを除く反射層５の上に、感光性を有するアクリル樹脂などの絶縁膜を均一の厚さに塗布した後、所定のパターンに露光及び現像してパターニングして、オーバーコート層２６を形成する。このとき、オーバーコート層２６の周縁部はテーパ−状に形成される。なお、オーバーコート層２６の材料としては、例えば、約３程度の誘電率を有する絶縁材料を用いるのが好ましい。また、オーバーコート層２６を、接続部５ｘを除く反射層５の上に形成することにより、製造工程において反射層５のエッジが剥がれる等の不具合が生じるのを防止することができる。さらに、オーバーコート層２６を所定の厚さに形成することにより次の作用効果を有する。まず、樹脂散乱層２５と共に所望のマルチギャップを形成することが可能となる。即ち、液晶表示装置１００のパネル構造が完成したときに、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層の厚さが、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層の厚さより小さい所定厚さとなるように設定することができる。また、反射層５とオーバーコート層２６の間に形成される補助容量ＣＯＶＣを所望の大きさに設定することが可能となる。図１４（ｂ）及び図１９には、反射層５等の上にオーバーコート層２６が形成された状態が示されている。
【０１１１】
次に、画素電極１０及び導電膜９を形成する（工程Ｐ５）。具体的には、サブ画素領域ＳＧ内、具体的には透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板上、コンタクト領域Ｅ４に対応する遮光性導電膜２８上、遮光領域Ｅ３及び反射表示領域Ｅ１に対応するオーバーコート層２６の上、並びに、各反射層５の接続部５ｘの上に、夫々ＩＴＯなどからなる透明電極をスパッタリング法などによって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングする。これにより、各サブ画素領域ＳＧ内に略矩形状の画素電極１０を、各反射層５の接続部５ｘ上に導電膜９を夫々形成する。前者により、コンタクト領域Ｅ４において画素電極１０と遮光性導電膜２８とが電気的に接続されると共に、後者により、反射層５の接続部５ｘと導電膜９とが電気的に接続される。なお、シール部材３内において導電膜９と他の要素との上下導通を確実なものとするため、当該導電膜９は、走査線３１の接続部３１ｘ及び反射層５の接続部５ｘと略同一の面積を有するように形成するのが好ましい。図１５及び図２０には、各サブ画素領域ＳＧ内に画素電極１０が、各反射層５の接続部５ｘ上に導電膜９が夫々形成された状態が示されている。
【０１１２】
次に、その他の構成要素、具体的には位相差板１３、偏光板１４及びバックライト１５等を実装する（工程Ｐ６）。こうして、図２乃至図４に示される素子基板９１が作製される。
【０１１３】
図１１に戻り、次に、複数の導通部材７が混入されたシール部材３を介して素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを貼り合わせてパネル構造を構成し、その後、シール部材３の図示しない開口から液晶を注入し、その開口を紫外線硬化性樹脂などの封止材によって封止する（工程Ｓ３）。尚、液晶材料としては、例えば、約６程度の誘電率を有するものを適用するのが好ましい。こうして、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とは、ほぼ規定の基板間隔（即ち、セルギャップ）となるように貼り合わせられる。即ち、これにより、図２、図３及び図９に示されるように、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４の厚さはＤ２に、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４の厚さはＤ１（＜Ｄ２）に夫々設定され、マルチギャップが形成される。また、図２１に示すように、カラーフィルタ基板９２の走査電極８と素子基板９１の走査線３１とは、シール部材３内において導通部材７、導電膜９、反射層５の接続部５ｘ、走査線３１の接続部３１ｘを介して電気的に接続される。
【０１１４】
次に、その他の構成要素を取り付けることにより（工程Ｓ４）、図１乃至図３に示される液晶表示装置１００が完成する。
【０１１５】
［変形例］
上記の実施形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子２１を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、ＴＦＤ素子２１の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスＴＦＴを用いることも可能である。図２２（ａ）に、アモルファスＴＦＴの断面図を示す。また、図２２（ｂ）は、アモルファスＴＦＴを本発明に適用したときの、図９における破線領域Ｅ１０の部分を拡大した断面図である。
【０１１６】
図２２（ａ）において、ＴＦＴ４５０は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極４０２の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜４０３が設けられている。ゲート絶縁膜４０３の上には、ゲート電極４０２に重なるようにａ−Ｓｉ層４０５が設けられている。ａ−Ｓｉ層４０５の上には、２つに分断されたｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａ、４０６ｂが設けられている。さらに、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａの上には図示しないソース線から分岐したソース電極４０８が設けられ、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ｂの上にはドレイン電極４０９が設けられている。ドレイン電極４０９の上には、遮光性導電膜２８が部分的に重なるように設けられている。
【０１１７】
本発明は、図２２（ｂ）に示すように、アクティブ素子として、上記のようなアモルファスＴＦＴのドレイン電極４０９と遮光性導電膜２８との接続部分にも適用することができる。これにより、ＴＦＴ４５０は、遮光性導電膜２８を介して画素電極１０及びデータ線３２に電気的に接続される。
【０１１８】
上記の実施形態では、アルミ二ウム等からなる反射層５の接続部５ｘ上に、ＩＴＯからなる導電膜９を形成して、当該接続部５ｘと当該導電膜９の上下導通を採るように構成した。これに代えて、本発明では、より一層、接続部５ｘと導電膜９の上下導通を図るために、反射層５の接続部５ｘと導電膜９との間に、導電性を有する層間膜、例えばモリブデンタングステンなどを介在させてもよい。また、本発明では、その目的を達するため、これに代えて、導電膜９を反射層５と反応し難い材料、例えばＩＺＯにて形成するか、その逆に反射層５を導電膜９と反応し難い材料にて形成するようにしても構わない。
【０１１９】
また、上記の実施形態では、走査電極８と反射層５とをシール部材３内の導通部材７を介して電気的に接続し、その両者にＹドライバＩＣ３３から同一の信号等を印加することにより、オーバーコート層２６に補助容量ＣＯＶＣを形成するようにした。これに限らず、本発明では、走査電極８と反射層５とを接続せず、ＹドライバＩＣ３３、他のドライバＩＣ（図示略）、或いは電源ＩＣ（図示略）から反射層５に対して直接信号を印加することにより、オーバーコート層２６に補助容量ＣＯＶＣを形成するようにしても構わない。
【０１２０】
また、上記の実施形態では、ＴＦＤ素子２１（又はＴＦＴ４５０）及び導電膜８上に、樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６を形成するようにしたが、これに限らず、本発明では、ＴＦＤ素子２１（又はＴＦＴ４５０）及び導電膜８上に、樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６を形成しないようにしても構わない。例えば、本発明では、ＴＦＤ素子２１（又はＴＦＴ４５０）及び導電膜６を、透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板１上に形成して、その両者と画素電極１０とを電気的に接続するようにしても構わない。
【０１２１】
［電子機器］
次に、本発明による液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【０１２２】
図２３は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【０１２３】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【０１２４】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１２５】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図２４を参照して説明する。
【０１２６】
まず、本発明に係る液晶表示装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図２４（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１２７】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図２４（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１２８】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図２４（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図２４（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【０１２９】
また、本発明は、液晶表示装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】本発明の液晶表示装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】本発明の液晶表示装置の反射表示領域に対応する断面図。
【図３】本発明の液晶表示装置の透過表示領域に対応する断面図。
【図４】本発明の素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図５】本発明のカラーフィルタ基板の電極の構成を示す平面図。
【図６】本発明の液晶表示装置の等価回路を示すブロック図。
【図７】素子基板における複数の画素電極等のレイアウトを示す部分平面図。
【図８】素子基板に形成されたＴＦＤ素子の構成を示す拡大断面図。
【図９】反射表示領域及び透過表示領域等を含む１つのサブ画素の切断面図。
【図１０】素子基板におけるデータ線付近の切断面図。
【図１１】本発明の液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１２】本発明の素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１３】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１４】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１５】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１６】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図及び断面図。
【図１７】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図及び断面図。
【図１８】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図及び断面図。
【図１９】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図及び断面図。
【図２０】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図及び断面図。
【図２１】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図及び断面図。
【図２２】ＴＦＴ素子を利用した液晶表示装置への適用例を示す。
【図２３】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図２４】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１３１】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ５  反射層、  ６  着色層、  ７  導通部材、  ８  走査電極、  ９  導電膜、  １０  画素電極、  ２１  ＴＦＤ素子、  ２５  樹脂散乱層、  ２６  オーバーコート層、  ２７  フォトスペーサ、  ３１  走査線、  ５ｘ、３１ｘ  接続部、  ３２  データ線、  ９１  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００  液晶表示装置
【図１】
2006171500.tif 000003
【図２】
2006171500.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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