(57)【要約】【課題】  光源の光量の利用効率を向上させるとともに、迷光の発生を抑制し安定した記録信号または再生信号あるいはトラッキング誤差信号を検出することができ、部品点数を削減し組み立てが容易な光ピックアップ装置を提供することを目的とする。【解決手段】  情報記録媒体上に記録された情報を再生または情報を記録するために用いられる光ピックアップ装置であって、３以上の発光点をもつ同一固体である光源と、前記光源から出射されたビームを前記情報記録媒体上に集光する集光手段とを備える。これにより、光源の光量の利用効率を向上させ、迷光の発生を抑制できる。【選択図】  図１
2006085783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体上に記録された情報を再生または情報を記録するために用いられる光ピックアップ装置であって、３以上の発光点をもつ同一固体である光源と、前記光源から出射されたビームを前記情報記録媒体上に集光する集光手段とを備えたことを特徴とする、光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、前記発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、前記第１ないし第３発光点は、前記情報記録媒体での集光位置の並び方向がトラック接線に対して平行な直線上になるように配置され、かつ情報の記録または再生するためのメインビームが出射される前記第１発光点は、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームが出射される前記第２、第３発光点の間に配置されることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、前記発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、前記第１ないし第３発光点は、前記情報記録媒体での集光位置の並び方向がトラック接線に対して傾いた線上になるように配置され、かつ情報の記録または再生するためのメインビームが出射される前記第１発光点は、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームが出射される前記第２、第３発光点の間に配置されることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、前記発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームが出射される前記第２、第３発光点は、前記情報記録媒体での集光位置の並び方向がトラック接線に対して平行な直線上になるように配置され、かつ情報の記録または再生するためのメインビームが出射される前記第１発光点は、前記サブビームの前記集光位置に対して前記情報記録媒体の半径方向にずらした位置になるように前記第２、第３発光点の間に配置されることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
隣接する各前記発光点の中心間距離の少なくとも１つをｂ、各前記発光点に対応する前記情報記録媒体でのビームスポットのスポット間距離をｃ、前記集光手段において、前記情報記録媒体側の焦点距離をｆ１、前記光源側の焦点距離をｆ２、ｆ２をｆ１で除した値をｆ３としたとき、０．５≦ｂ／（ｆ３×ｃ）≦１．５の関係を満たすことを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、情報の記録または再生するためのメインビームの光量は、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームの光量よりも大きく、前記サブビームの光量はそれぞれ等しいことを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
前記情報記録媒体は、円盤状記録媒体であって、前記光源から出射される３以上のビームは、前記情報記録媒体の半径方向に対して平行になるように、前記光源は配置されていることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記情報記録媒体は、円盤状記録媒体であって、前記光源から出射される３以上のビームは、前記情報記録媒体の半径方向に対して垂直になるように、前記光源は配置されていることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
情報記録媒体上に記録された情報の記録または再生するために用いられる光ピックアップ装置であって、３以上の発光点をもつ同一固体である光源と、前記光源から出射されたビームを前記情報記録媒体上に集光する集光手段と、前記情報記録媒体上で反射されたビームを受光する受光素子とを備え、前記光源と前記受光素子は、集積配置されていることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
前記光源は、所定の物質を積層して形成された半導体レーザ素子であって、前記発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、前記第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが同一であるよう同一基板上に形成されていることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項１１】
前記光源は、所定の物質を積層して形成された半導体レーザ素子であって、前記発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、前記第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームを出射する第２発光点において最も大きく、かつ前記サブビームを出射する第３発光点において最も小さくなるよう同一基板上に形成されていることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項１２】
前記光源は、所定の物質を積層して形成された半導体レーザ素子であって、前記発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、前記第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが、情報の記録または再生するためのメインビームを出射する第１発光点において最も大きくなるか、最も小さくなるかのいずれかであるよう同一基板上に形成されていることを特徴とする、請求項１記載の光ピックアップ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置に関し、特定的には、情報記録媒体上に光を集光し、反射光を受光することにより情報記録媒体上に記録された情報を再生または情報を記録するために用いられる光ピックアップ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記録媒体として、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｋ）およびＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｋ）などの光ディスクが用いられており、これらは、映像、音声、文書など各種データを記録または再生する高密度・大容量の記録媒体として広く使用されている。光ディスク装置では、レーザを利用した光ピックアップ装置により、情報の再生は、ビームが情報記録媒体上に集光され、情報記録媒体に集光されることによって生じた反射光が光検知器に照射されることにより行なわれる。また、情報の記録は、ビームが情報記録媒体上に集光され、情報記録媒体に集光されることにより行なわれる。近年、光ディスク装置全体の小型化および薄型化が要求され、それに伴い光ピックアップ装置についても小型化および薄型化が求められている。小型化および薄型化の要求に答える一例として、ホログラム素子を用いた光ピックアップ装置が存在する（例えば、特開２００１−１４７１７号公報参照）。
【０００３】
図１２（ａ）は、特許文献１に記載された従来の光ピックアップ装置の概略断面図である。Ｘ方向は情報記録媒体２０６の集光位置でのトラック接線方向、Ｙ方向は情報記録媒体２０６の半径方向、Ｚ方向は光軸方向に相当する。同図に示す光ピックアップ装置は、半導体レーザ素子２０１と、回折素子２０３と、集光手段２０５と、ホログラム素子２０４と、光検出器２０２とを含んで構成される。半導体レーザ素子２０１は光源である。回折素子２０３は、半導体レーザ素子２０１から出射されたビームを＋１次光、−１次光および０次光の３つのビームに分ける。０次光はメインビームと呼ばれ、主に情報記録媒体２０６の再生信号を得るために用いられる。また、±１次光はサブビームと呼ばれ、トラックに対する集光位置のずれを示すトラッキング誤差信号を得るために用いられる。集光手段２０５は、回折素子２０３から出射したビームを集光し、情報記録媒体２０６上の記録面に集光する。ホログラム素子２０４は、情報記録媒体２０６上で反射されたビームを回折し、光検知器２０２の受光面上へ導く。光検知器２０２は、入射したビームの強度に応じた信号を出力する。
【０００４】
半導体レーザ素子２０１から情報記録媒体２０６に向けて出射されたビームは、回折素子２０３により３つのビームに回折される。なお、±１次光は図１２（ａ）におけるＹ軸方向に回折されるので図面上では０次光と区別されずに記載している。回折素子２０３により回折された３つのビームは、集光手段２０５によって情報記録媒体２０６上の記録面に集光される。情報記録媒体２０６で反射されたビームは、入射したビームと逆向きの経路で伝搬し、集光手段２０５を透過後、ホログラム素子２０４により回折される。ホログラム素子２０４により回折されたビームは光検出器２０２に入射する。
【０００５】
なお、図１２（ｂ）に示すように、回折素子２０３には、メインビームを通過させるための第１領域と、サブビームを通過させるための第２格子領域を有し、メインビームの光量を上げるために第１領域は無格子としている。
【特許文献１】特開２００１−１４７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された光ピックアップ装置において、±１次光を形成するために回折素子を使用していたことから、±１次光を所定の光量にするためには半導体レーザ素子２０１の発光能力を増加させる必要があった。メインビームの光量が少なくなると、情報記録媒体１０６に記録された情報の再生または記録品質が低下し、サブビームの光量が少なくなると、トラッキング誤差信号のＳ／Ｎ比が劣化する。
【０００７】
また、特許文献１に記載されている光ピックアップ装置において、±１次光を形成するために回折素子を使用していたため、同時に不必要な回折光が発生し、その光が迷光となっていた。そして、このような不必要な迷光が光検出器２０２に入射し、記録信号または再生信号あるいはトラッキング誤差信号のＳ／Ｎ比が劣化する原因となっていた。
【０００８】
そこで本発明の目的は、光ピックアップ装置において、光源の光量の利用効率を向上させるとともに、迷光の発生を抑制し安定した記録信号または再生信号あるいはトラッキング誤差信号を検出することのできる信頼性の高い光ピックアップ装置を提供することにある。
【０００９】
また本発明の目的は、部品点数を削減し組み立てが容易な光ピックアップ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、情報記録媒体上に記録された情報を再生または情報を記録するために用いられる光ピックアップ装置であって、３以上の発光点をもつ同一固体である光源と、光源から出射されたビームを情報記録媒体上に集光する集光手段とを備えるものである。
【００１１】
請求項１に記載の発明に従えば、光源の光量の利用効率を向上させることができ、さらに、不必要な回折光が発生せず迷光を抑制することができるので、安定した記録信号または再生信号あるいはトラック誤差信号を検出することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、情報記録媒体での集光位置の並び方向がトラック接線に対して平行な直線上になるように配置され、かつ情報の記録または再生するためのメインビームが出射される第１発光点は、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームが出射される第２、第３発光点の間に配置されることを特徴としている。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、情報記録媒体での集光位置の並び方向がトラック接線に対して傾いた線上になるように配置され、かつ情報の記録または再生するためのメインビームが出射される第１発光点は、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームが出射される第２、第３発光点の間に配置されることを特徴としている。
【００１４】
請求項３に記載の発明に従えば、光源の回転調整を省略することができ、組み立てを簡易化することができる。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームが出射される第２、第３発光点は、情報記録媒体での集光位置の並び方向がトラック接線に対して平行な直線上になるように配置され、かつ情報の記録または再生するためのメインビームが出射される第１発光点は、サブビームの集光位置に対して情報記録媒体の半径方向にずらした位置になるように第２、第３発光点の間に配置されることを特徴としている。
【００１６】
請求項４に記載の発明に従えば、情報記録媒体に記録する際、サブビームの形成位置は記録済み領域を通過することになり、良好なトラック誤差信号を検出することができる。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、隣接する各発光点の中心間距離の少なくとも１つをｂ、各発光点に対応する情報記録媒体でのビームスポットのスポット間距離をｃ、集光手段において、情報記録媒体側の焦点距離をｆ１、光源側の焦点距離をｆ２、ｆ２をｆ１で除した値をｆ３としたとき、０．５≦ｂ／（ｆ３×ｃ）≦１．５の関係を満たすことを特徴としている。
【００１８】
請求項５に記載の発明に従えば、集光手段において、光源から出射される３つのビームの強度分布を同程度にすることができ、良好な記録または再生信号あるいはトラッキング誤差信号を得ることができる。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、情報記録媒体は、円盤状を有し、周方向にトラックが配列される情報記録媒体であって、情報の記録または再生するためのメインビームの光量は、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームの光量よりも大きく、サブビームの光量はそれぞれ等しいことを特徴としている。
【００２０】
請求項６に記載の発明に従えば、トラッキング誤差信号をバランスよく調整することができる。
【００２１】
請求項７に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、情報記録媒体は、円盤状記録媒体であって、光源から出射される３以上のビームは、情報記録媒体の半径方向に対して平行になるように、光源は配置されていることを特徴としている。
【００２２】
請求項７に記載の発明に従えば、３以上の複数トラックを同時に記録または再生することができる。
【００２３】
請求項８に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、情報記録媒体は、円盤状記録媒体であって、光源から出射される３以上のビームは、情報記録媒体の半径方向に対して垂直になるように、光源は配置されていることを特徴としている。
【００２４】
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、情報記録媒体上に記録された情報を再生または情報を記録するために用いられる光ピックアップ装置であって、３以上の発光点をもつ同一固体である光源と、光源から出射されたビームを情報記録媒体上に集光する集光手段と、情報記録媒体上で反射されたビームを受光する受光素子とを備え、光源と受光素子は、集積配置されていることを特徴としている。
【００２５】
請求項９に記載の発明に従えば、部品点数を削減することができる。また、光源と受光素子の位置調整はあらかじめ行なわれるので、組み立てが容易な光ピックアップ装置を実現できる。
【００２６】
請求項１０に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、光源は、所定の物質を積層して形成された半導体レーザ素子であって、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが同一であるよう同一基板上に形成されていることを特徴としている。
【００２７】
請求項１１に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、光源は、所定の物質を積層して形成された半導体レーザ素子であって、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームを出射する第２発光点において最も大きく、かつサブビームを出射する第３発光点において最も小さくなるよう同一基板上に形成されていることを特徴としている。
【００２８】
請求項１１に記載の発明に従えば、光源の回転調整を省略することができ、組み立てを簡易化することができる。
【００２９】
請求項１２に記載の発明は、請求項１に記載の光ピックアップ装置において、光源は、所定の物質を積層して形成された半導体レーザ素子であって、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが、情報の記録または再生するためのメインビームを出射する第１発光点において最も大きくなるか、最も小さくなるかのいずれかであるよう同一基板上に形成されていることを特徴としている。
【００３０】
請求項１２に記載の発明に従えば、情報記録媒体に記録する際、サブビームの形成位置は記録済み領域を通過することになり、良好なトラック誤差信号を検出することができる。
【発明の効果】
【００３１】
以上のように、本発明の光ピックアップ装置によれば、光源を３以上の発光点をもつ同一固体とすることにより、回折素子を用いることなく、０次光および±１次光と同等の役割を有した３つの光を形成することができる。このような構成により、光源の光量を上げることなく光量の利用効率を向上させることができる。
【００３２】
また、本発明の光ピックアップ装置によれば、迷光の発生を抑制することにより、再生信号または記録信号あるいはトラック誤差信号のＳ／Ｎ比を向上させることができるので、信頼性の高い光ピックアップ装置を実現できる。
【００３３】
また、本発明の光ピックアップ装置によれば、回折素子を使用することなくメインビームおよびサブビームの３つのビームを形成することができるので、部品点数を削減し組み立てが容易な光ピックアップ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（実施の形態１）
以下に図面を参照して本発明の実施の形態における光ピックアップ装置について説明する。
【００３５】
図１（ａ）は、実施の形態１における光ピックアップ装置の概略断面図である。本実施の形態１において、情報を再生または記録される情報記録媒体１０６は、回転可能な円盤状の光ディスクであり、例えばＣＤなどである。情報記録媒体１０６上の記録面には、ピットと呼ばれる微小な窪みの記録マークによって情報が記録されている。さらに、ピットの列であるトラックが、情報記録媒体１０６の記録面の周方向に配置されている。図１（ａ）におけるＸ方向は情報記録媒体１０６の集光位置でのトラック接線方向、Ｙ方向は情報記録媒体１０６の半径方向、Ｚ方向は光軸方向に相当する。ｆ１は、対物レンズ１０５ａの焦点距離、ｆ２は、コリメータレンズ１０５ｂの焦点距離を示す。
【００３６】
光ピックアップ装置は、半導体レーザ素子１０１と、集光手段１０５と、ホログラム素子１０４と、光検出器１０２とを含んで構成される。半導体レーザ素子１０１は、３つの発光点を有する同一固体の光源であって、情報記録媒体１０６に記録された信号を記録または再生するメインビームを出射する第１発光点と、トラッキング誤差信号を検出するためのサブビームを出射する第２、第３発光点を有している。集光手段１０５は、半導体レーザ素子１０１から出射されたビームを平行光に変換するコリメータレンズ１０５ｂと、情報記録媒体１０６上の記録面に集光させる対物レンズ１０５ａとを有する。ホログラム素子１０４は、情報記録媒体１０６上で反射されたビームを回折し、２つの光検出器１０２の受光面上へ導く。２つの光検出器１０２は、それぞれ１つの光検出器上にメインビームを受光する領域とサブビームを受光する領域とを有しており、ホログラム素子１０４により回折されたビームを受光する。さらに、２つの光検出器１０２に接続された図示しない演算素子により、情報記録媒体１０６の記録または再生信号およびトラッキング誤差信号が生成される。
【００３７】
半導体レーザ素子１０１から光軸方向であるＺ軸方向に向かって、順次、ホログラム素子１０４、コリメータレンズ１０５ｂ、対物レンズ１０５ａの集光面上に情報記録媒体１０６が配置される。また、半導体レーザ素子１０１のＸ軸方向両側には、光検出器１０２が設けられている。
【００３８】
半導体レーザ素子１０１が出射する３つのビームは、コリメータレンズ１０５ｂにより平行光に変換された後、対物レンズ１０５ａにより情報記録媒体１０６上の記録面に集光される。情報記録媒体１０６上で反射した３つのビームは、対物レンズ１０５ａにより再集光され、平行光に変換された後、ホログラム素子１０４に入射する。ホログラム素子１０４に入射した３つの光は、光検出器１０２上のメインビーム領域およびサブビーム領域にそれぞれ適切に入射するよう回折される。
【００３９】
図１（ｂ）は、情報記録媒体１０６上の記録面に集光された３つのビームスポットの位置関係を示した模式図である。符号ｂは、隣接するビームスポットとの中心間距離を示している。Ｘ軸と平行な一列に並んだビームスポットのうち、中央のビームスポットは、半導体レーザ素子１０１の第１発光点から出射されたメインビームにより形成され、両端のビームスポットは、第２、第３発光点から出射されたサブビームにより形成される。
【００４０】
図１（ｃ）は、半導体レーザ素子１０１の３つの発光点の位置関係を示した模式図である。符号ｃは、隣接する発光点との中心間距離を示している。３つの各発光点は、ＸＹ平面上でＸ軸と平行な一列に並んで配置されている。中央の発光点は、メインビームが出射される第１発光点であり、両端の発光点は、サブビームが出射される第２、第３発光点である。図１（ｂ）で示したように、情報記録媒体１０６上に集光された３つのビームスポットが、Ｘ軸と平行な一列になるように半導体レーザ素子１０１の各発光点は配置されている。
【００４１】
このような構成により、半導体レーザ素子１０１により０次光および±１次光と同等の役割を有した３ビームが形成され、情報記録媒体１０６の記録信号および再生信号あるいはトラック誤差信号を得ることができる。これにより、回折素子１０３による不必要な回折光が発生せず、半導体レーザ素子１０１の発光能力を上げることなく、メインビームおよびサブビームの光量の利用効率を向上させることができる。
【００４２】
さらに、半導体レーザ素子１０１により３ビームを形成することができるので、迷光の発生を抑制し、Ｓ／Ｎ比が良好な記録信号および再生信号あるいはトラック誤差信号を得ることができる。
【００４３】
また、図１において、対物レンズ１０５ａの焦点距離をｆ１、コリメータレンズ１０５ｂの焦点距離をｆ２、ｆ２をｆ１で除した値をｆ３とし、隣接する各発光点の中心間距離の少なくとも１つをｂ、各発光点に対応する情報記録媒体１０６でのビームスポットのスポット間距離をｃとしたとき、これらの値の関係は以下の関係式（１）で表される。
０．５≦ｂ／（ｆ３×ｃ）≦１．５                      （１）
ここで、ｂ／（ｆ３×ｃ）が０．５以下であれば、情報記録媒体１０６上に形成される３つのビームスポットにおいて、隣接するビームスポットとの分離ができなくなり、適切な信号が得られない。また、ｂ／（ｆ３×ｃ）が１．５以上であれば、対物レンズ１０５ａにより情報記録媒体１０６上に集光されるビームの波面収差が大きくなり、記録または再生信号あるいはトラッキング誤差信号は劣化する。
【００４４】
したがって、本実施の形態の光ピックアップ装置を、式（１）を満たすような構成にすることにより、半導体レーザ素子１０１から出射される３つのビーム強度のピークを対物レンズ１０５ａにおいて同位置にすることができ、良好な記録または再生信号あるいはトラッキング誤差信号を得ることができる。
【００４５】
また、本実施の形態の光ピックアップ装置において、メインビームの光量はサブビームの光量よりも大きく、サブビームの光量はそれぞれ等しくすることにより、トラッキング誤差信号をバランスよく調整することができる。したがって、良好なトラッキング誤差信号を得ることができ、集光位置の位置決めを高精度に行うことができる。
【００４６】
図６（ａ）は本実施の形態の半導体レーザ素子１０１を示す断面図、図６（ｂ）〜（ｇ）はこの半導体レーザ素子１０１の製造工程図である。半導体レーザ素子１０１は、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが同一であるよう同一基板上に形成されている。詳細には、図６（ａ）に示すように、半導体レーザ素子１０１は、基板６０１と、ｎ型バッファ層６０２と、ｎ型クラッド層６０３と、活性層６０４と、ｐ型クラッド層６０５と、ｐ型エッチングストップ層６０６と、ｐ型クラッド層６０７と、ｐ型中間層６０８と、ｎ型電流ブロック層６１３と、ｐ型コンタクト層６１４と、ｐ側電極６１５と、ｎ側電極６１６とを備える。ｐ型エッチングストップ層６０６の上に、ｐ型クラッド層６０７と、ｐ型中間層６０８とが、リッジ型ストライプ形状となるように３ヶ所に分けられて形成されている。リッジ構造の側面およびｐ型エッチングストップ層６０６の上に、ｎ型電流ブロック層６１３が形成されている。
【００４７】
半導体レーザ素子１０１は、横モードの安定した３つのビームを同一固体から出射するために、リッジ型ストライプ形状を有している。図６（ａ）に示すＡはメインビームが出射される第１発光点であり、両端のＢ，Ｃはサブビームが出射される第２、３発光点である。また、半導体レーザ素子の共振器方向の両端面は、Ｚｎを固相拡散させた不純物拡散領域であり、端面窓構造としている。
【００４８】
以上の構成により、ｐ側電極６１５およびｎ側電極６１６から順方向電圧を加えると、ｐ型クラッド層６０５から活性層６０４のｐ型領域へ正孔が注入され、ｎ型クラッド層６０３から活性層６０４のｎ型領域へ電子が注入される。その際、正孔と電子の再結合により流れる電流は、ｎ型電流ブロック層６１３により、それぞれのリッジ内部に制限される。これにより、それぞれのリッジ内部でのみビームが放出される。その後、放出されたビームは、両端面の間を往復しながら増幅し、レーザ発振が生じる。リッジ形状の幅を大きくすることにより、活性層６０４に注入される電流量が増加するため、出射光量は大きくなる。一方、リッジ形状の幅を狭くすることにより、出射光量は小さくなる。したがって、メインビームが出射されるＡについては、リッジ形状の幅を大きくし、サブビームが出射されるＢ、Ｃは、リッジ形状の幅を小さくすればよい。
【００４９】
図６（ｂ）〜図６（ｇ）は、半導体レーザ素子１０１の製造工程図である。図６（ａ）と同じ参照符号は同じ構成要素を示す。図６（ｂ）は、薄膜を形成する成膜工程を示す。ｎ型ＧａＡｓ基板（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 ）６０１上にｎ型ＧａＡｓ（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：０．５μｍ）バッファ層６０２、ｎ型（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．２×１０18／ｃｍ3 、膜厚：２．０μｍ）６０３、活性層（Ｓｉドープ、膜厚：９２ｎｍ）６０４、ｐ型（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：５．０×１０17／ｃｍ3 、膜厚：１７５ｎｍ）６０５、ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 エッチングストップ層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：１０ｎｍ）６０６、ｐ型（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：１．１×１０18／ｃｍ3 、膜厚：１．０μｍ）６０７、ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ中間層（Ｚｎドープ、膜厚：１００ｎｍ）６０８、ｐ型ＧａＡｓ層（Ｚｎドープ、膜厚：３００ｎｍ）６０９を、基板６０１側からこの順番で、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）により成長させる。
【００５０】
続いて、端面窓構造部作製工程を行う。積層構造の上面にＺｎＯ膜６１０をスパッタ法により形成させ、その上面に有機レジスト膜を塗布した後、Ｚｎを選択的拡散するための数１０μｍ幅のストライプをフォトリソグラフィー法によりＺ方向に形成する。そして、ストライプ外のＺｎＯ膜６１０およびｐ型ＧａＡｓ層６０９をウェットエッチングにより除去し、ｐ型中間層６０８を露出させる。そして、上記ストライプを覆うように積層構造上面に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜６１１を形成させる。その後、アニールによりＺｎＯ膜６１０を拡散源として、ｐ型ＧａＡｓ層６０９上面から基板６０１へ向かう方向に、ｎ型クラッド層６０３に達する深さにまでＺｎを固相拡散させる。これにより、図６（ｃ）に示すように、半導体レーザ素子の出射端面の窓構造部としての機能を果たす不純物拡散領域が形成される。
【００５１】
その後、図６（ｄ）および（ｅ）に示すように、エッチング除去工程を行う。ＳｉＮ膜６１１およびＺｎＯ膜６１０をフッ酸などのエッチング速度が適切なエッチャントを用いて除去した後、さらに、硫酸と過酸化水素水との混合液を用いて、ｐ型ＧａＡｓ層６０９を除去する。そして、露出したｐ型中間層６０８の上に、ＳｉＯ2 膜６１２を堆積させ、その上に有機レジスト膜を塗布したあと、３つのストライプは、フォトリソグラフィー法によりＺ方向に形成される。次いで、ウェットエッチングを行うことにより、ＳｉＯ2 膜６１２は、３つのストライプパターンとしてＺ方向に形成される。この際、中央のストライプ幅を両端のストライプ幅よりも広くなるように形成する。
【００５２】
続いて、リッジ型ストライプ形状形成工程を図６（ｆ）に示す。エッチング除去工程で形成されたストライプ形状のＳｉＯ2 膜６１２をマスクとして、酢酸系エッチャントを用いてｐ型中間層６０８をリッジ形状に除去する。そして、硫酸系エッチャントにより、ｐ型クラッド層６０７をｐ型エッチングストップ層６０６に達するまで除去する。硫酸系エッチャントを用いることにより、ｐ型クラッド層６０７を選択的に除去することができる。なお、ｐ型中間層６０８とｐ型クラッド層６０７からなるリッジ型ストライプ形状の幅を変化させるには、それらの上面にあるＳｉＯ2 膜６１２のストライプ幅を変化させればよい。ただし、高出力半導体レーザ素子、特にＡｌＧａＩｎＰ系の赤色レーザにおいては、ストライプ幅を一定以上広げるとキンクレベルが低下し、実効的な最大出力が制限されることになるので、注意してＳｉＯ2 膜６１２のストライプ幅を設定する必要がある。
【００５３】
そして最後に、電流ブロック層、コンタクト層および電極層形成工程を行う。図６（ｆ）に示すように、ＳｉＯ2 膜６１２の３本のストライプ形状を残したまま、ｐ型クラッド層６０７のリッジ側部およびｐ型エッチングストップ層６０６の表面に、ｎ型Ａｌ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ電流ブロック層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：５．０×１０17 ／ｃｍ3  、膜厚：３００ｎｍ）６１３を選択成長させる。続いて、図６（ｇ）に示すように、フッ酸系エッチャントを用いてＳｉＯ2 膜６１２を除去したあと、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：５．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：３．０μｍ）６１４を形成させる。最後に、ｐ側電極６１５はｐ型コンタクト層６１４の上面に、ｎ側電極６１６はｎ型ＧａＡｓ基板６０１の下面に、それぞれ蒸着により形成させる。以上の工程により、本実施の形態で用いられる半導体レーザ素子１０１を得ることができる。
【００５４】
以上のように、リッジ型ストライプ形状を有した半導体レーザ素子１０１は、それぞれのストライプ幅を異なるようにすれば、出射光量の調整を行うことができる。
【００５５】
次に、出射光量を調整する別の方法として、端面コート膜厚を調整した半導体レーザ素子１０１について図７（ａ）〜（ｈ）に示す。図７（ａ）は、半導体レーザ素子１０１の上断面図、図７（ｂ）〜（ｈ）は製造工程図を示している。半導体レーザ素子１０１は、図６の半導体レーザ素子１０１と基本的に構成は同じであるが、次に示す点で異なる。
【００５６】
図７（ａ）より、３つのストライプ幅は等しく、共振器の片側端面には、ＳｉＯ2 膜７０８ａが形成されている。さらに、メインビームが出射される中央のストライプの共振器端面には、α―Ｓｉ：Ｈ（水素添加アモルファスシリコン膜）７０８ｂ、ＳｉＯ2 膜７０８ｃ、α―Ｓｉ：Ｈ（水素添加アモルファスシリコン膜）７０８ｄを有する誘電体膜が、共振器端面から順次形成されている。この構成により、中央のストライプにおける共振器端面の反射率は、両端のストライプにおける共振器端面の反射率と比べて高くなる。したがって、両端のストライプ端面から出射されるレーザと比べて出射光量の大きなビームが、中央のストライプ端面より出射されることになる。
【００５７】
図７（ｂ）〜（ｈ）は、製造工程図を示す。まず、図７（ｂ）および（ｃ）に示すように、バー状半導体作製工程を行う。半導体レーザ素子基板７０１にスクライバーでスクライプ傷をつけて、その傷を起点にして、レーザ共振器長間隔ごとにへき開を行う。この半導体レーザ素子は、３つの発光点を有しており、ｐ側電極７０２、ｎ側電極７０３まで形成されている。これにより、図７（ｃ）に示すように、半導体レーザ素子基板７０１上に形成された各半導体層の接合面に対して垂直な１組のへき開面、すなわち共振器端面が形成されたバー状半導体レーザ素子７０４が作製される。
【００５８】
続いて、誘電体膜堆積工程を行う。これにより、反射率は制御され、共振器端面は保護される。まず、図７（ｄ）に示すように、バー状半導体レーザ素子７０４は、誘電体膜が堆積される共振器端面の一方を上方に向けた状態で治具７０５に設置される。その際、バー状半導体レーザ素子７０４は、間隔を設けて設置され、その間にスペーサ７０６が設置される。これにより、バー状半導体レーザ素子７０４の位置はスペーサ７０６により固定され、また、バー状半導体レーザ素子７０４の側面に設けられた電極に誘電体膜が堆積するのを防ぐことができる。次に、バー状半導体レーザ素子７０４が設置された治具７０５は、図示のしないＥＣＲスパッタリング装置内の試料ホルダー上に設置される。そして、図７（ｅ）に示すように、露出している共振器端面は、プラズマクリーニングにより洗浄された後、ＳｉＯ2 膜７０７からなる低反射率の端面コーティング膜が形成される。そして、未だ誘電体膜が形成されていない、もう一方の共振器端面に誘電体膜を堆積させる工程を図７（ｆ）に示す。上記と同一の処理を洗浄まで行なった後、共振器端面には、ＳｉＯ2 膜７０８ａ、α―Ｓｉ：Ｈ（水素添加アモルファスシリコン膜）７０８ｂ、ＳｉＯ2 膜７０８ｃ、α―Ｓｉ：Ｈ（水素添加アモルファスシリコン膜）７０８ｄを有する誘電体膜が順次形成される。この４層の誘電体膜により反射率は、９０％の高反射を実現することができる。
【００５９】
最後に、コーティング膜除去工程を行う。端面コーティングが施されたバー状半導体レーザ素子７０４をＥＣＲスパッタリング装置から取り出した後、図７（ｇ）に示すように、高反射率の端面コーティング７０８上にレジストパターン７０９を形成する。そして、レジストパターン７０９をマスクとして、３つのストライプパターン７１０のうち、両端のストライプパターンの共振器端面に形成されている薄膜コーティングを除去するため、端面近傍のＳｉＯ2 膜７０８ａが露出するまでエッチングを行う。そして、レジストパターン７０９を除去した後、図７（ｈ）に示すように、バー状半導体レーザ素子７０４をさらに分割する。以上の工程により、メインビームが出射される中央ストライプの共振器端面の一方に、高反射率の膜厚コーティングが施された半導体レーザ素子１０１が得られる。
【００６０】
なお、本実施の形態において、反射率の調整は、高反射率の端面コーティング膜をエッチング除去することにより行なったが、低反射率の端面コーティング膜をエッチング除去することによって反射率を調整してもよい。
【００６１】
なお、本実施の形態では、必要な膜厚を得るためにエッチングを行なったが、中央部に必要以上の膜が堆積されないように、リフトオフ法を用いても同様の効果が得られる。
【００６２】
（実施の形態２）
図２（ａ）は、本発明の第２の実施例である光ピックアップ装置の概略断面図である。図１（ａ）と同じ参照符号は同じ構成要素を示す。実施の形態２における光ピックアップ装置は、実施の形態１における光ピックアップ装置と次に示す点で異なる。
【００６３】
図２（ｃ）は、半導体レーザ素子１１１の３つの発光点の位置関係を示した模式図である。図２（ｃ）において、中央の発光点は、メインビームが出射される第１発光点であり、両端の発光点は、サブビームが出射される第２、第３発光点である。実施の形態１とは異なり、半導体レーザ素子１１１の３つの各発光点は、ＸＹ平面上で、Ｘ軸に対して傾いた線上になるように配置されている。図２（ｂ）に示すように、各発光点から出射されたビームが情報記録媒体１０６上に形成するビームスポットは、実施の形態１と同様に、Ｘ軸と平行な一列に並んだ線上に形成される。
【００６４】
図８（ａ）は、本実施の形態で用いられる半導体レーザ素子１１１の断面図、図８（ｂ）〜（ｈ）は、半導体レーザ素子１１１の製造工程図である。半導体レーザ素子１１１は、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが、サブビームを出射する第２発光点において最も大きく、かつサブビームを出射する第３発光点において最も小さくなるよう同一基板上に形成されている。詳細には、図８（ａ）に示すように、半導体レーザ素子１１１は、ｎ型基板８０１と、ｎ型第１バッファ層８０２と、ｎ型エッチング制御層８０３とが、ＭＯＣＶＤ法により積層成長され、発光点ごとに３つに分けられた積層半導体層８１２ａ、８１２ｂ、８１２ｃが、同一の積層構造の上に形成されている。それぞれの半導体層は、ｎ型エッチング制御層８０３上にｎ型第２バッファ層８０４と、ｎ型クラッド層８０５と、活性層８０６と、第１のｐ型クラッド層８０７と、ｐ型エッチングストップ層８０８と、第２のｐ型クラッド層８０９と、ｐ型中間層８１０と、ｎ型電流ブロック層８１３と、ｐ型コンタクト層８１４と、ｐ側電極８１５と、ｎ側電極８１６とを備える。また、それぞれの積層半導体層において、ｐ型エッチングストップ層８０８の上に、第２のｐ型クラッド層８０９と、ｐ型中間層８１０とが、リッジ型ストライプ形状となるように形成され、リッジ構造の側面およびｐ型エッチングストップ層８０８の上には、ｎ型電流ブロック層８１３が形成されている。本実施の形態において、３つの発光点の基板底面からの高さは、ｎ型第２バッファ層８０４ａ、８０４ｂ、８０４ｃのそれぞれの膜厚を変化させることにより調整している。この構成により、図２（ｂ）で示したように、半導体レーザ素子１１１の３つの各発光点は、ＸＹ平面上で、Ｘ軸に対して傾いた線上となるように配置される。
【００６５】
図８（ｂ）〜（ｈ）は、半導体レーザ素子１１１の製造工程図である。まず、図８（ｂ）に示すように、成膜工程を行う。ｎ型ＧａＡｓ基板（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 ）８０１の上に、ｎ型ＧａＡｓ第１バッファ層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：０．５μｍ）８０２と、ｎ型ＧａＩｎＰエッチング制御層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：０．１μｍ）８０３と、ｎ型ＧａＡｓ第２バッファ層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：０．５μｍ）８０４ａと、ｎ型（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．２×１０18／ｃｍ3 、膜厚：２．０μｍ）８０５ａと、活性層（Ｓｉドープ、膜厚：９２ｎｍ）８０６ａと、第１のｐ型（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：５．０×１０17／ｃｍ3 、膜厚：１７５ｎｍ）８０７ａと、ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐエッチングストップ層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：１０ｎｍ）８０８ａと、第２のｐ型（Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐクラッド層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：１．１×１０18／ｃｍ3 、膜厚：１．０μｍ）８０９ａと、ｐ型Ｇａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ中間層（Ｚｎドープ、膜厚：１００ｎｍ）８１０ａを順次、ＭＯＣＶＤ法により積層成長させる。
【００６６】
図８（ｃ）は、第１の積層半導体層形成のためのＳｉＯ2 マスクパターン形成工程を示す。ＳｉＯ2 膜は、プラズマＣＶＤ法により、ｐ型中間層８１０ａの上に堆積され、その上面に有機レジスト膜を塗布した後、ストライプパターンをフォトリソグラフィー法によりＺ方向に形成する。そして、ストライプ外のＳｉＯ2 膜を除去するため、ウェットエッチングを行なった後、レジストパターンを除去し、ＳｉＯ2 マスクパターン８１１ａを形成させる。
【００６７】
続いて、図８（ｄ）に示すように、エッチング除去工程を行う。ＳｉＯ2 マスクパターン８１１ａをマスクとして、ＳｉＯ2 マスクパターン８１１ａ外の半導体層をｎ型第２バッファ層８０４ａに至るまでエッチングを行う。この際、エッチャントは、ＧａＡｓ系材料とＡｌＧａＩｎＰ系材料とを比較して、エッチング速度が、ＡｌＧａＩｎＰ系材料に対して速いエッチャントを用いる。例えば、塩酸を主成分とするエッチャントを用いるとよい。ｎ型第２バッファ層８０４ａに至るまでエッチングした後、エッチング速度がＧａＡｓ系材料とＡｌＧａＩｎＰ系材料とを比較して、エッチング速度が、ＧａＡｓ系材料に対して速いエッチャントを用いて、ｎ型第２バッファ層８０４ａのエッチングをｎ型エッチング制御層８０３に至るまで行う。これにより、第１の積層半導体層８１２ａが形成される。
【００６８】
さらに、第２の積層半導体層を形成するための成膜工程を行う。ＳｉＯ2 マスクパターン８１１ａを除去した後、ｎ型ＧａＡｓ第２バッファ層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：０．６μｍ）８０４ｂと、ｎ型クラッド層８０５ｂと、活性層８０６ｂと、第１のｐ型クラッド層８０７ｂと、ｐ型エッチングストップ層８０８ｂと、第２のｐ型クラッド層８０９ｂと、ｐ型中間層８１０ｂとを順次、ＭＯＣＶＤ法により積層成長させる。この際、第２の積層半導体層８１２ｂにおける発光点の基板底面からの高さは、第１の積層半導体層８１２ａのおける発光点高さよりも高くするため、ｎ型第２バッファ層８０４ｂの膜厚を厚くする。なお、ｎ型ＧａＡｓ第２バッファ層８０４ｂ以外の各層の膜厚、不純物種およびドーパント濃度は、図８（ｃ）で示したものと同じである。
【００６９】
図８（ｆ）は、ＳｉＯ2 マスクパターン形成工程を示す。第１の積層半導体層８１２ａ上に形成された新たな半導体層を除去するために、第１の積層半導体層８１２ａ外の半導体層上にＳｉＯ2 マスクパターン８１１ｂを形成させる。続けて、図８（ｄ）で示したものと同様の方法で、エッチング除去を行う。以上の工程により、図８（ｇ）で示すように第２の積層半導体層８１２ｂが形成される。
【００７０】
さらに、同様の方法で、図８（ｈ）で示すように、第３の積層半導体層８１２ｃが形成される。この際、第３の積層半導体層８１２ｃにおける基板からの発光点高さは、第２の積層半導体層８１２ｂにおける発光点高さよりも高くするため、ｎ型ＧａＡｓ第２バッファ層（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：１．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：０．７μｍ）８０４ｃの膜厚を厚くする。
【００７１】
３つの積層半導体層が形成された後、リッジ型ストライプ形状形成工程を行う。まず、各積層半導体層において、図示しないＳｉＯ2 ストライプパターンをマスクとして、第２のｐ型クラッド層８０９ａ、８０９ｂ、８０９ｃと、ｐ型中間層８１０ａ、８１０ｂ、８１０ｃをウェットエッチングにより除去する。これにより、リッジ形状が形成される。そして最後に、電流ブロック層、コンタクト層および電極層形成工程を行う。第２のクラッド層８０９ａ、８０９ｂ、８０９ｃのリッジ側部およびｐ型エッチングストップ層８０８ａ、８０８ｂ、８０８ｃの上面に、ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層８１３（Ｓｉドープ、ドーパント濃度：５．０×１０17／ｃｍ3 、膜厚：３００ｎｍ）を選択成長させる。続いて、フッ酸系エッチャントによりＳｉＯ2 ストライプパターンを除去した後、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層（Ｚｎドープ、ドーパント濃度：５．０×１０18／ｃｍ3 、膜厚：３．０μｍ）８１４を形成させる。そして、ｐ型コンタクト層８１４の上面にｐ側電極８１５を、ｎ型ＧａＡｓ基板８０１の下面にｎ側電極８１６を、それぞれ蒸着により形成させる。以上の工程により、半導体レーザ素子１１１が得られる。
【００７２】
以上のように、情報記録媒体１０６上に形成される各ビームスポットが適切な配置となるように、あらかじめ半導体レーザ素子１１１の各発光点の配置を調整することにより、半導体レーザ素子１１１の回転調整を省略することができる。したがって、組み立てが簡易化される。また、半導体レーザ素子の膜成長時における膜厚ばらつきは数％程度であることから、各発光点の配置は、高精度に調整される。
【００７３】
（実施の形態３）
図３（ａ）は、本発明の第３の実施例である光ピックアップ装置の概略断面図である。図１（ａ）と同じ参照符号は同じ構成要素を示す。実施の形態３における光ピックアップ装置は、実施の形態１における光ピックアップ装置と次に示す点で異なる。
【００７４】
図３（ｂ）は、情報記録媒体１０６上の記録面に集光された３つのビームスポットの位置関係を示した模式図である。３つのビームスポットのうち、中央のビームスポットは、半導体レーザ素子１２１の第１発光点から出射されたメインビームにより形成され、両端のビームスポットは、第２、第３発光点から出射されたサブビームにより形成される。実施の形態１とは異なり、サブビームにより形成された２つのビームスポットは、Ｘ軸と平行な直線上にあるが、メインビームにより形成されるビームスポットは、サブビームの形成位置よりも＋Ｙ軸の方向にずれた位置にある。
【００７５】
図３（ｃ）は、半導体レーザ素子１２１の３つの発光点の位置関係を示した模式図である。図３（ｃ）において、中央の発光点は、メインビームが出射される第１発光点であり、両端の発光点は、サブビームが出射される第２、第３発光点である。半導体レーザ素子１２１の第２、第３発光点は、ＸＹ平面上でＸ軸と平行な直線上に配置され、第１発光点は、第２、第３発光点が配置された直線に対して、＋Ｙ軸の方向にずれた位置に配置されている。このように、情報記録媒体１０６上に形成される各ビームスポットが適切な配置となるように、半導体レーザ素子１２１の各発光点の配置は調整される。
【００７６】
ところで、情報記録媒体１０６において上に情報の記録を行う際、最内周や記録初期のピット列では、より内側の記録マークは存在しないため、サブビームによる集光位置の位置決めをする際、良好なトラッキング誤差信号を得られない場合がある。
【００７７】
本実施の形態の構成によれば、情報記録媒体１０６上に情報の記録を行う際、第２、第３発光点から出射するサブビームが情報記録媒体１０６上に形成する集光位置は、情報記録媒体１０６の記録済み領域を通過することになる。したがって、良好なトラッキング誤差信号を得ることができ、集光位置の位置決めを高精度に行うことができる。
【００７８】
図９は、半導体レーザ素子１２１の断面図である。図８で示した半導体レーザ素子１１１の構成および製造方法はほぼ同様であるが、半導体レーザ素子１２１と次に示す点で異なる。半導体レーザ素子１２１は、発光点のうち隣接する３つの発光点を第１ないし第３発光点としたとき、第１ないし第３発光点は、基板底面からの高さが、第１発光点において最も大きくなるか、最も小さくなるかのいずれかであるよう同一基板上に形成されている。詳細には、中央の積層半導体層９１２ｂにおける第２バッファ層９０４ｂの膜厚は、両端の積層半導体層９１２ａ、９１２ｃにおける第２バッファ層９０４ａ、９０４ｃの膜厚と比較して厚くなっている。この構成により、第２、第３発光点は、ＸＹ平面上でＸ軸と平行な直線上に配置され、第１発光点は、第２、第３発光点が配置された直線に対して、＋Ｙ軸の方向にずれた位置に配置される。
【００７９】
なお、本実施の形態において、半導体レーザ素子１２１の第１発光点は、第２、第３発光点が配置された直線に対して、＋Ｙ軸の方向にずれた位置に配置されているが、−Ｙ軸の方向にずれた位置に配置しても同様の効果が得られる。
【００８０】
（実施の形態４）
図４（ａ）は、本発明の第４の実施例である光ピックアップ装置の概略断面図である。図１（ａ）と同じ参照符号は同じ構成要素を示す。実施の形態４における光ピックアップ装置は、実施の形態１における光ピックアップ装置と次に示す点で異なる。
【００８１】
本発明の第４の実施例である光ピックアップ装置は、図１（ａ）に示す実施の形態１における光ピックアップ装置の半導体レーザ素子の各発光点をＹＺ平面に設置し、さらにハーフミラー１０７を付加した点に特徴を有する。ハーフミラー１０７は、入射ビームの約半分を反射させ、残りは透過直進させる。
【００８２】
本実施の形態におけるピックアップ装置は、光検出器１０２からＺ軸方向に向かって、順次、ホログラム素子１０４、ハーフミラー１０７および半導体レーザ素子１３１、集光手段１０５を介して、情報記録媒体１０６が設置されている。
【００８３】
半導体レーザ素子１３１が出射する３つのビームは、ハーフミラー１０７により一部が反射された後、コリメータレンズ１０５ｂにより平行光に変換され、対物レンズ１０５ａにより情報記録媒体１０６上の記録面に集光される。情報記録媒体１０６上で反射したビームは、対物レンズ１０５ａにより再集光され、平行光に変換された後、ホログラム素子１０４に入射する。ホログラム素子１０４に入射したビームは回折され、光検出器１０２に導かれる。
【００８４】
図４（ｂ）に示すように、各発光点から出射されたビームが情報記録媒体１０６上に形成するビームスポットは、実施の形態１と同様に、Ｘ軸と平行な一列に並んだ線上に形成される。図４（ｃ）は、半導体レーザ素子１３１の３つの発光点の位置関係を示した模式図である。図４（ｃ）において、中央の発光点は、メインビームが出射される第１発光点であり、上下両端の発光点は、サブビームが出射される第２、第３発光点である。半導体レーザ素子１３１の第２、第３発光点は、ＹＺ平面上でＺ軸と平行な直線上に配置される。図４（ｂ）で示したように、情報記録媒体１０６上に集光された３つのビームスポットが、Ｘ軸と平行な一列に並んだ線上になるように半導体レーザ素子１３１の各発光点は配置されている。
【００８５】
このような構成によれば、情報記録媒体１０６の記録面と半導体レーザ素子１３１は、同一平面上に設置しなくても、情報記録媒体１０６上に形成されるビームスポットの位置関係に対応して半導体レーザ素子１３１の各発光点を設置することにより、実施の形態１と同様の効果に加え、光ピックアップ装置を小型化・薄型化することができる。
【００８６】
なお、本実施の形態の構成は、実施の形態１に限定されず、実施の形態２および３においても同様に実施が可能である。
【００８７】
また、図５に示すように、実施の形態１から４の光ピックアップ装置において、半導体レーザ素子、ホログラム素子１０４、光検知器１０２を同一ユニットに集積することにより、光ピックアップ装置の部品点数は削減され、小型化・薄型化される。また、半導体レーザ素子と光検知器を個別に配置する場合と比べて、組み立ては容易となる。
【００８８】
なお、実施の形態１から４において、メインビームとサブビームの強度比を任意に設計することにより、トラッキング誤差信号をバランスよく調整することができる。
【００８９】
なお、実施の形態１から４において、第２、第３発光点から出射される２つのサブビームの強度比を任意に設計することにより、トラッキング誤差信号のバランスを調整することができる。
【００９０】
なお、実施の形態１から４において、図１０に示すように、サブビームが出射される両端のストライプは、メインビームが出射される真ん中のストライプに対して傾くように導波路を形成することにより、３つの発光点をより近づけることができる。
【００９１】
なお、実施の形態１から４においては、ＡｌＧａＩｎＰ系の赤色半導体レーザに適用した例を示したが、これに限られることなく、例えばＧａＮ系の青色半導体レーザ等、他の半導体レーザに用いてもよい。
【００９２】
なお、実施の形態１から４において、情報記録媒体としてＣＤの使用例を示したが、その他ＤＶＤやＭＯ（Ｍａｇｎｅｔ−Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｄｉｓｋ）などの各種光ディスクを使用してもよい。
【００９３】
なお、実施の形態２から４において、実施の形態１で示したように、式（１）を満たすような光ピックアップ装置を構成することにより、良好な再生または記録信号もしくはトラッキング誤差信号を得ることができる。
【００９４】
なお、実施の形態１から４において、情報記録媒体に集光されるビームスポットの並び方向は、トラック接線方向に対して平行となる例を示したが、図１１に示すように、トラック接線方向に対して垂直でもよい。これにより、３トラックを同時に記録または再生することができる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明の光ピックアップ装置を用いることにより、ＣＤ、ＤＶＤ、ＭＯなどの光ディスクあるいは光カードを精度高く再生または記録する、ＣＤレコーダやＤＶＤレコーダなどの光ディスク装置を提供することができる。さらに、光ディスク装置を搭載したパソコンやカーナビゲーションシステム等においても使用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態１における光ピックアップ装置の概略断面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態１における情報記録媒体上の記録面に集光された３つのビームスポットの位置関係を示した模式図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態１における半導体レーザ素子の３つの発光点の位置関係を示した模式図
【図２】（ａ）は、本発明の実施の形態２における光ピックアップ装置の概略断面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態２における情報記録媒体上の記録面に集光されたスポットの配置を示した図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態２における半導体レーザ素子の３つの発光点の位置関係を示した模式図
【図３】（ａ）は、本発明の実施の形態３における光ピックアップ装置の概略断面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態３における情報記録媒体上の記録面に集光されたスポットの位置関係を示した模式図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態３における半導体レーザ素子の３つの発光点の位置関係を示した模式図
【図４】（ａ）は、本発明の実施の形態４における光ピックアップ装置の概略断面図であり、（ｂ）は、本発明の実施の形態４における情報記録媒体上の記録面に集光されたスポットの位置関係を示した模式図であり、（ｃ）は、本発明の実施の形態４における半導体レーザ素子の３つの発光点の位置関係を示した模式図
【図５】半導体レーザ素子、ホログラム素子、光検知器を同一ユニットに集積した光ピックアップ装置の概略断面図
【図６】図６（ａ）は、本発明の実施の形態１における半導体レーザ素子を示す断面図、図６（ｂ）〜（ｇ）は半導体レーザ素子の製造工程図
【図７】図７（ａ）は、本発明の実施の形態１における出射光量を調整する別の方法として、端面コート膜厚を調整した半導体レーザ素子を示す断面図、図６（ｂ）〜（ｇ）は、この半導体レーザ素子の製造工程図
【図８】図８（ａ）は、本発明の実施の形態２における半導体レーザ素子を示す断面図、図８（ｂ）〜（ｈ）は、半導体レーザ素子の製造工程図
【図９】図９は、本発明の実施の形態３における半導体レーザ素子を示す断面図
【図１０】図１０は、本発明における各発光点を接近させたときの上断面図および断面図
【図１１】図１１は、情報記録媒体上の記録面に集光されたスポットの位置関係を示した模式図
【図１２】図１２（ａ）は、従来の光ピックアップ装置の概略断面図であり、（ｂ）は、従来の光ピックアップ装置における回折格子を示す図
【符号の説明】
【００９７】
１０１、１１１、１２１、１３１  半導体レーザ素子
１０２  光検出器
１０３  回折素子
１０４  ホログラム素子
１０５  集光手段
１０５ａ  対物レンズ
１０５ｂ  コリメータレンズ
１０６  情報記録媒体
１０７  ハーフミラー
６０１  ｎ型ＧａＡｓ基板
６０２  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
６０３  ｎ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
６０４  活性層
６０５  ｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
６０６  ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5エッチングストップ層
６０７  ｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
６０８  ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層
６０９  ｐ型ＧａＡｓ層
６１０  ＺｎＯ膜
６１１  ＳｉＮ膜
６１２  ＳｉＯ2膜
６１３  ｎ型Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流ブロック層
６１４  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
６１５  ｐ側電極
６１６  ｎ側電極
７０１  基板
７０２  ｐ側電極
７０３  ｎ側電極
７０４  バー状半導体レーザ素子
７０５  治具
７０６  スペーサ
７０８  高反射率端面コーティング
７０７、７０８ａ、７０８ｃ  ＳｉＯ2膜
７０８ｂ、７０８ｄ  水素添加アモルファスシリコン膜
７０９  レジストパターン
７１０  ストライプパターン
８０１  ｎ型ＧａＡｓ基板
８０２  ｎ型ＧａＡｓ第１バッファ層
８０３  ｎ型ＧａＩｎＰエッチング制御層
８０４ａ、８０４ｂ、８０４ｃ  ｎ型ＧａＡｓ第２バッファ層
８０５ａ、８０５ｂ、８０５ｃ  ｎ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
８０６ａ、８０６ｂ、８０６ｃ  活性層
８０７ａ、８０７ｂ、８０７ｃ  第１のｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
８０８ａ、８０８ｂ、８０８ｃ  ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐエッチングストップ層
８０９ａ、８０９ｂ、８０９ｃ  第２のｐ型（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
８１０ａ、８１０ｂ、８１０ｃ  ｐ型Ｇａ0.5Ｉｎ0.5Ｐ中間層
８１１ａ、８１１ｂ、８１１ｃ  ＳｉＯ2マスクパターン
８１２ａ  第１の積層半導体層
８１２ｂ  第２の積層半導体層
８１２ｃ  第３の積層半導体層
８１３  ｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
８１４  ｐ型ＧａＡｓコンタクト層
８１５  ｐ側電極
８１６  ｎ側電極
９０４ａ、９０４ｂ、９０４ｃ  ｎ型ＧａＡｓ第２バッファ層
９１２ａ  第１の積層半導体層
９１２ｂ  第２の積層半導体層
９１２ｃ  第３の積層半導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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