(57)【要約】【課題】  ファインパターンの回路形成が可能で、Au-Sn共晶時の導体のポリイミド層への沈み込みを防止できるＣＯＦ用銅張積層板を提供する。【解決手段】  銅箔上にポリイミド層が設けられた銅張積層板であって、ポリイミド層は厚みが５〜20μｍであり、銅箔上に溶液状態で塗布、乾燥及び硬化して得られたものであり、350℃で非熱可塑的特性を示し、銅箔は厚みが5〜50μmであり、表面粗度が0.5〜1.5μｍであり、Mo、Co、Ni又はZnから選ばれる１種以上の金属で処理された金属処理層と、クロメート処理層並びにシランカップリング剤処理層とを有し、銅−ポリイミド間の常温における180°ピール強度が0.6kN/m以上であるCOF用銅張積層板、及びこれを加工して得られるCOF用キャリアテープ。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔上にポリイミド層が設けられた銅張積層板であって、ポリイミド層は銅箔上に溶液状態で塗布、乾燥及び硬化して得られたものであり、350℃で非熱可塑的特性を示し、また、銅箔のポリイミド積層面の表面粗度（Rz）が0.5〜1.5μｍの範囲にあり、銅−ポリイミド間の常温における180°ピール強度が0.6kN／m以上であることを特徴とするCOF用銅張積層板。
【請求項２】
ポリイミド層が単層である請求項１記載のCOF用銅張積層板。
【請求項３】
銅箔が無粗化電解銅箔であって、銅箔のポリイミド積層側の面が、モリブデン、コバルト、ニッケル及び亜鉛からなる群れから選ばれる１種以上の金属で処理された金属処理層と、クロメート処理層並びにシランカップリング剤処理層とを有する請求項１又は２記載のCOF用銅張積層板。
【請求項４】
金属処理層が、亜鉛とニッケルを必須とする合金層である請求項３記載のCOF用銅張積層板。
【請求項５】
銅箔の厚みが５〜20μｍの範囲にあり、かつポリイミド層の厚みが5〜50μmの範囲にある請求項１〜４いずれか記載のCOF用銅張積層板。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか記載のCOF用銅張積層板を加工して得られるCOF用キャリアテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、COF（Chip on Film）用銅張積層板及びこれを加工して得られるCOF用キャリアテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
COFは、半導体ＩＣをフィルム状の配線板の上に搭載した複合部品のことである。多くの場合、COFはより大きなリジッド配線板やディスプレイ板に接続して使用されている。そして、フィルム状の配線板は、ポリイミド等の有機ポリマーフィルムと銅箔を積層した銅張積層板から作られる。
【０００３】
フィルム状の配線板は、銅張積層板の銅箔面上に感光性樹脂層を積層し、所望の配線パターンに対応した露光を行い、必要な部分の感光性樹脂を光硬化させ、現像により、未露光部分の感光性樹脂を除去した後、エッチングにより硬化レジストに覆われていない基板の被覆銅層を除去したり、めっきにより硬化レジストに覆われていない部分にめっき金属を析出させる。最後に、剥離により、硬化レジストを除去して、所望の導体パターンを有する配線板を得るというような方法が採用される。感光性樹脂を積層する方法としては、液状レジストを塗布、乾燥する方法や感光性樹脂フィルムをラミネートする方法がある。
【０００４】
COF用の銅張積層板としては、主にポリイミド樹脂フィルムに銅をスパッタして得られるポリイミド銅張積層板が使用されてきた。スパッタ方式の場合、金属層のピンホールにより歩留まりが悪化しやすいため、ピンホールがないポリイミド銅張積層板が望まれている。ピンホールがない銅張積層板としては、圧延銅箔や電解銅箔とポリイミドを積層したものがある。この積層板はキャスティングやラミネート方式により銅箔上にポリイミドを積層して得られるが、接着力等を向上するために、熱可塑性ポリイミド層を金属箔上に形成するものもある。
【０００５】
一方、チップ実装は、ACF、NCP、超音波接合など低温で実装する方式から、Au-Au接合、Au-Sn接合など３００℃以上の高温で実装する方式があるが、COFやTABラインでの実装方式や、チップと配線の接続信頼性の点から、Au-Au接合、Au-Sn接合が多く採用されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４-２０７６７０号公報
【特許文献２】特開２００４-１５３１９４号公報
【特許文献３】特開２００４-１２８３３７号公報
【特許文献４】特開２００４-３１６８５号公報
【特許文献５】特開２００１-３１５２５６号公報
【特許文献６】特開２００３-７１９８４号公報
【特許文献７】特開２００３-２３０４６号公報
【０００７】
特許文献１には、COF用フレキシブルプリント配線板であって、絶縁層の半導体チップが実装される側とは反対側の面上に、シラン化合物、シリカゾル等の離型剤層を設けた例が記載されている。特許文献２には、COF用の配線板の製造方法であって、パターニングを行うフォトリソグラフィー工程の後に絶縁層に離型剤層を形成する工程を具備する方法が記載されている。そして、この絶縁層が、導体層にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布又は熱圧着された熱可塑性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたものであることが記載されている他、絶縁層が、熱圧着された熱硬化性樹脂層及び絶縁フィルムにより形成されたものであることについても記載されている。
【０００８】
特許文献３には、COFの製造方法であって、絶縁テープの表面に絶縁性樹脂の塗布を行う樹脂塗布工程と、半導体素子を絶縁性樹脂の上から加圧して配線パターン上に圧接させる半導体素子圧接工程と、絶縁性樹脂を硬化させて半導体素子を配線パターン上に圧接による電気的に接続された状態で固着する樹脂硬化工程とを備える方法が記載されている。特許文献４には、COFフィルムキャリアテープの製造方法であって、絶縁層の導電層とは反対側に補強フィルムを貼り付けて熱圧着する工程と、幅方向両側の領域にスプロケットホールを形成する工程と、補強フィルムと絶縁層との熱圧着を再度行う工程と、導電層上にレジストパターンを形成してエッチングすることにより配線パターンを形成すると共に複数のスプロケットホールの周囲にダミー配線を形成する工程とを具備する方法が記載されている。
【０００９】
特許文献５には、HDD用、COF用等に用いられるフレキシブル金属箔張積層板であって、金属箔と熱可塑性ポリイミド層と耐熱性ベースフィルムとを包含し、熱可塑性ポリイミド層が１５０〜３００℃以下のガラス転移温度と１％以下の吸水率を有する熱可塑性ポリイミドであり、耐熱性ベースフィルムが３５０℃以上のガラス転移温度と２％以下の吸水率とを併せ有する熱可塑性ポリイミドフィルムをそれぞれ用いたものが記載されている。特許文献６には、非熱可塑性ポリイミド層の少なくとも片面に熱可塑性ポリイミド層が形成され、熱可塑性ポリイミド層の表面に銅箔が積層されたポリイミド銅張積層板であって、熱可塑性ポリイミドと接合する銅箔の厚みが５μm以下であるポリイミド銅張積層板が記載されており、これがCOF用等に用いられることが記載されている。特許文献７には、銅箔に特徴を有するCOF用銅張積層板が記載されている。
【００１０】
一般的に、スパッタ方式で得られるポリイミド積層板の場合、熱可塑性樹脂層を必要としないため、３００℃以上のチップ実装時に金属配線がポリイミド層に沈み込むという現象は起こらないが、上記のような問題がある。銅箔にポリイミド層を塗布又は圧着等により積層する場合は、銅箔とポリイミド層間の接着力を高めるためには、熱可塑性のポリイミドを用いることが一般に必要とされ、沈み込み現象等の問題がある。特に、COF製造工程におけるAu-Sn共晶を用いるフリップチップ実装の場合は、高温、高圧にさらされるため、熱変形を起こし、導体がポリイミド層に沈み込む問題があった。そこで、ポリイミド樹脂又はその前駆体溶液を、塗布法（キャスティング法ともいう）を採用して積層板を製造する際、銅箔を粗化し、アンカー効果を発揮させて、熱可塑性のポリイミドを用いることなく接着強度を上げる方法も提案されている。しかし、この方法は、COF用材料はファインパターンの回路形成が要求されるが、これを阻害するという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、ファインパターンの回路形成が可能で、Au-Sn共晶時の導体のポリイミド層への沈み込みを防止できるCOF用銅張積層板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、銅箔上にポリイミド層が設けられた銅張積層板であって、ポリイミド層は銅箔上に溶液状態で塗布、乾燥及び硬化して得られたものであり、350℃で非熱可塑的特性を示し、また、銅箔のポリイミド積層面の表面粗度（Rz）が0.5〜1.5μｍの範囲にあり、銅−ポリイミド間の常温における180°ピール強度が0.6kN／m以上であることを特徴とするCOF用銅張積層板である。また、本発明は、上記COF用銅張積層板を加工して得られるCOF用キャリアテープである。
【００１３】
ここで、ポリイミド層が単層であることはCOF用銅張積層板の製造を容易にする。また、銅箔が無粗化電解銅箔であって、銅箔のポリイミド積層側の面が、モリブデン、コバルト、ニッケル及び亜鉛からなる群れから選ばれる１種以上の金属で処理された金属処理層と、クロメート処理層並びにシランカップリング剤処理層とを有することは、ポリイミド層と銅箔の接着強度を高めるために有利である。そして、上記金属処理層が、亜鉛とニッケルを必須とする合金層であることは、より高い接着強度を与える。更に、銅箔の厚みが５〜20μｍの範囲にあり、かつポリイミド層の厚みが５〜５０μｍの範囲にあると、COF用キャリアテープとしての使用性が向上する。
【００１４】
以下、本発明を更に説明する。
COF用銅張積層板は、銅箔とポリイミド層とからなり、銅箔は片面側にあっても、両面側にあってもよい。
【００１５】
ポリイミド層が、単層又は複数層からなることができるが、単層であればその製造が容易である。複数層からなる場合は、銅箔との接着強度を高めるための薄いポリイミド層を接着面側に有し、高温で高弾性を示す厚いポリイミド層を表面側に有する構成が好ましい。この場合の厚み比は、1：2〜1：100の範囲がよい。そして、ポリイミド層は350℃、好ましくは400℃で非熱可塑的特性を示す。なお、ポリイミド層が複数層からなる場合は、いずれのポリイミド層も上記特性を示す。ここで、非熱可塑的特性とは、貯蔵弾性率が0.5GPa以上を示すものをいう。貯蔵弾性率が高過ぎると接着性の低下傾向が見られるので、上記条件で3.0GPa以下を示すものが望ましい。以下、本発明で使用する非熱可塑的特性を示すポリイミド（層）を、非熱可塑性ポリイミド（層）又は単にポリイミド（層）ともいう。
【００１６】
本発明のCOF用銅張積層板は、銅箔上にポリイミド又はポリイミドの前駆体の溶液を塗布し、乾燥、硬化してポリイミド層を形成することにより製造される。両面に銅箔を有する積層板は、このポリイミド層の表面に銅箔（ポリイミド層を有してもよい）を熱圧着することにより製造される。
【００１７】
非熱可塑ポリイミド層を形成する非熱可塑ポリイミドは、特に制限はないが、特定のジアミンと特定のテトラカルボン酸二無水物から合成されるポリイミドが好ましく利用できる。かかるジアミンとして、ｏ-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、m-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノフェニルエーテル、3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3'-ジアミノジフェニルエーテル、4,4'-ジアミノ-ビフェニル、4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、アルキル基やアルコキシ基等の置換基を有してもよい4,4'-ジアミノ-ベンズアニリド等が挙げられる。これらは、単独又は２種類以上使用してもよい。また、その他のジアミンと併用することもできるが、上記のジアミン成分の使用量は70モル%以上であることが好ましい。
【００１８】
かかる特定のテトラカルボン酸二無水物として、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸等が挙げられる。これらは、単独又は二種類以上使用してもよい。また、その他のテトラカルボン酸二無水物と併用することもできるが、上記特定のテトラカルボン酸二無水物の使用量は70モル%以上であることが好ましい。
【００１９】
更に、非熱可塑ポリイミド層を形成する非熱可塑ポリイミドとして、市販の非熱可塑性ポリイミドフィルムの中間体であるポリイミド溶液又はその前駆体溶液が使用できる。例えば、宇部興産株式会社のユーピレックス（登録商標）S、SGA、SN、東レ・デュポン株式会社のカプトン（登録商標）H、V、EN、鐘淵化学工業株式会社のアピカル（登録商標）AH、NPI、HP等の中間体が挙げられる。
【００２０】
ポリイミド層の厚みは、格別な制限はないが、2〜100μm、好ましくは5〜50μmが適する。
【００２１】
本発明で使用する銅箔は、銅又は銅を90％以上含む銅合金からなり、その厚みには格別な制限はないが、3〜30μm、好ましくは5〜20μmが適する。銅箔は、電解銅箔であっても、圧延銅箔であってもよいが、電解銅箔が好ましく使用される。そして、この銅箔は粗化処理されていないものが適する。
【００２２】
銅箔の表面（ポリイミド層と接する面をいう）は、ポリイミド層との接着性を改善するため、表面処理することが好ましい。この表面処理は、銅箔の表面に金属処理層、クロメート処理層及びシランカップリング剤処理層を順次設けることにより行うことが好ましい。
【００２３】
金属処理層を設ける方法は、銅箔の表面にMo、Co、Ni及びZnから選ばれる少なくとも1種の金属、好ましくはZnとNiの両者を必須とする金属を付着させる。この付着量は、金属として1〜50μg/cｍ2、好ましくは5〜50μg/cｍ2程度である。ZnとNiの両者を必須とする場合は、Znを1〜5μg/cｍ2、Niを1〜15μg/cｍ2とし、Ni/(Ni+Zn)比を0.70以上とすることがよい。金属を付着させる方法としては、電気又は化学メッキ法、真空又は化学蒸着法等の公知の方法が使用できる。
【００２４】
クロメート処理層を設ける方法は、重クロム酸ナトリウム溶液に金属処理層を設けた銅箔を浸漬し、電流を流す陰極処理等の公知の方法が使用できる。シランカップリング剤処理層を設ける方法は、クロメート処理層設けた銅箔に、3-グリドキシプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤含有溶液をスプレー法等で塗布し、これを乾燥する等の公知の方法が使用できる。
【００２５】
本発明で使用する銅箔表面（表面処理された場合は、表面処理後の表面をいう）は、粗度（Rz）が0.5〜1.5μmの範囲にある。表面粗度（Rz）がこの範囲より小さいと良好な接着強度を得られないなどの問題があり、大きいと微細配線の形成が困難となるなどの問題が生じやすい。
【００２６】
本発明のCOF用銅張積層板は、銅箔表面に非熱可塑性ポリイミド又は前駆体の溶液（以下、ワニスともいう）を塗布し、乾燥、硬化する方法で製造できる。ワニスを塗布する方法としては、ダイコーター、コンマコータ、ロールコータ、グラビアコータ、カーテンコーター、スプレーコーター等の公知の方法が採用できる。この場合、必要により多層に塗布することができる。塗布したワニスを乾燥、硬化する方法は、通常の加熱乾燥炉が利用できる。乾燥炉の雰囲気としては、空気、イナートガス（窒素、アルゴン）等が利用できる。乾燥、硬化の温度としては、60〜400℃程度の温度範囲が好適に利用される。硬化はポリイミド前駆体がポリイミドとなるまで行う。なお、銅箔厚みを薄くする必要がある場合は、エッチング処理等により銅箔の一部を一様な厚みで除去して、銅箔厚みを所定の厚みとする。
【００２７】
このようにして得られた本発明のCOF用銅張積層板は、銅-ポリイミド層間の接着強度が、常温、180°ピール強度として、0.6kN/m以上である必要がある。好ましいピール強度範囲は、0.8〜2.0kN/mの範囲である。このようなピール強度は、上記したようなポリイミドから適当なポリイミドを選択すかるか、銅箔又は銅箔の表面処理条件から適当な銅箔又は処理条件を選択することによって得ることができる。ここで、180°ピール強度は具体的には実施例に記載の条件によって測定される。
【００２８】
COF用銅張積層板から、COF用フィルムキャリアテープを製造する方法は、公知の方法を適宜選択使用することができる。例えば、COF用銅張積層板を所定幅のフィルムに切断し、フィルムの両側にはスプロケットを設けたのち、銅箔面側に感光性樹脂層を設け、所定の回路が得られるようなマスクを通して露光し、次いで、エッチング処理して、未露光部分又は露光部分のいずれかを除去する。次に、残った樹脂層をレジストとして露出した銅箔をエッチング処理して回路パターンを形成し、その後レジストを除去することによりCOF用フィルムキャリアテープとするなどの方法がある。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、ピンホールが無く、Au-Au接合あるいはAu-Sn接合によるチップ実装時でも配線ずれが少ないCOF用の銅張り積層板を提供できる。必要によっては、アンダーフィル充填が可能となるCOF用の銅張り積層板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は、ICチップをCOF用フィルムキャリアテープに実装する例を示す概念図であり、ICチップ1の金メッキされたバンブ2が、COF用フィルムキャリアテープのポリイミド層3上に形成されている回路4（COF用銅張積層板の銅箔を回路加工して得られ、錫メッキ等がされていてもよい）に接合する状態を示す。この際、350〜400℃程度の高温で熱圧着されるため、圧着部のポリイミド層3厚みが当初厚みT1から、T2に沈み込むことになる。この厚みの差T1-T2を可及的に小さくすることが望まれている。
【実施例】
【００３１】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
実施例に用いられる略語は、次の通りである。
PMDA：無水ピロメリット酸
BPDA：3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸
m-TB：4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル
BAPP：2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン
DAPE：4,4'-ジアミノジフェニルエーテル
MABA：4,4'-ジアミノ-2'-ジメトキシ-ベンズアニリド
DMAc：ジメチルアセトアミド
【００３２】
合成例1
DMAc425gに、m-TB21.78g(102.63×10-3mol)及びDAPE13.70g(68.42×10-3mol)を1Lのセパラブルフラスコの中で撹拌しながら溶解させた。次に、PMDA29.55g(135.49×10-3mol)とBPDA9.96g(33.87×10-3mol)をこの溶液に少しずつ投入して、重合反応を行い、高粘度のポリイミド前駆体溶液Aを得た。
【００３３】
合成例２
DMAc110.5kgに、MABA6651.3g(25.85mol)およびDAPE3450.9g(17.23mol)を130Lのステンレス容器の中で撹拌しながら溶解させた。次に、PMDA9266.2g(42.48mol)をこの溶液に少しずつ投入して、重合反応を行い、高粘度のポリイミド前駆体溶液Bを得た。
【００３４】
合成例３
DMAc17386gにBAPP1294.43g(3.153mol)を溶解させた後、この溶液に、PMDA708.49g(3.248mol)を投入して、重合反応を行い、高粘度のポリイミド前駆体溶液Cを得た。
【００３５】
各合成例で得られたポリイミド前駆体溶液を、耐熱ガラス板に、イミド転化後のフィルム厚みが40μmになるようにバーコートし、130℃で5min乾燥した。その後、真空恒温槽に投入して200℃で30min、300℃で30min、350℃で30min熱処理をして、ガラス板から引き剥がすことで、厚みが40μmのポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの示差走査熱量計分析（DSC）及び熱機械分析（TMA）でTgを測定し、動的熱機械測定（Dynamic Mechanical Analysis）で粘弾性測定を行った。
【００３６】
合成例１で得られたポリイミド前駆体溶液Aより得られるポリイミドAは、Tgは観察されず、350℃における貯蔵弾性率が1GPaの非熱可塑性ポリイミドであった。
合成例２で得られたポリイミド前駆体溶液Bより得られるポリイミドBは、Tgは観察されず、350℃における貯蔵弾性率が1GPaの非熱可塑性ポリイミドであった。
合成例３で得られたポリイミド前駆体溶液Cより得られるポリイミドCは、300℃から350℃の間にTgが観察され、350℃における貯蔵弾性率は0.1GPaの熱可塑性ポリイミドであった。
【００３７】
処理例１
平均厚さ18μｍの無粗化電解銅箔を準備し、その表面を30℃の希硫酸にて油成分と表面の酸化皮膜の除去を行った。更に、硫酸ニッケル、ピロリン酸亜鉛、ピロリン酸カリウムからなるめっき液を用い、銅箔面にニッケル−亜鉛合金層を電解させた。
【００３８】
処理例２
平均厚さ18μｍの無粗化電解銅箔を準備し、その表面を30℃の希硫酸にて油成分と表面の酸化皮膜の除去を行った。更に硫酸ニッケル、ピロリン酸亜鉛、ピロリン酸カリウム、硫酸コバルトからなるめっき液を用い、銅箔面にコバルト−ニッケル−亜鉛合金層を電解させた。
【００３９】
処理例３
平均厚さ18μｍの粗化電解銅箔を準備し、その表面を30℃の希硫酸にて油成分と表面の酸化皮膜の除去を行った。更に、硫酸ニッケル、ピロリン酸亜鉛、ピロリン酸カリウムからなるめっき液を用い、銅箔面にニッケル−亜鉛合金層を電解させた。
【００４０】
処理例４
更に、処理例1〜３で得られた金属処理層を形成した銅箔を、水洗し、無水クロム酸ナトリウム二水和物2g/l、pH値4、浴温度30℃の電解溶液を用いて、電流密度1A/dm2で5秒間、電解クロメート処理層を形成した。
【００４１】
処理例５
処理例４で得られた３種類のクロメート処理した銅箔を、水洗し、シランカップリング剤であるγ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン0.1ｗｔ％水溶液に10秒間浸漬後、直ちに80℃で乾燥し、シランカップリング剤処理層を形成した。得られた表面処理銅箔は、処理例1〜３で得られた金属処理層を形成した３種類の銅箔から得られたものであるので、順番に表面処理銅箔１、２、３という。
【００４２】
表面処理銅箔１〜３について、その表面粗度RzをJIS B 0601-1994「表面粗さの定義と表示」の５．１ 十点平均荒さの定義に基き、触針式表面粗度計KLAテンコール社製P-15にて、測定長0.8mm、測定速度20μm/秒、荷重2gにて測定した。その結果、表面処理銅箔１及び２のRzはいずれも0.8μｍであり、表面処理銅箔３のRzは2.5μｍであった。
【００４３】
実施例１
ポリイミド前駆体溶液Ａを、表面処理銅箔１に、イミド転化後のフィルム厚みが40μmになるようにバーコートした。その後、130℃で5min乾燥した。その後、これを真空恒温槽に投入して200℃で30min、300℃で30min、350℃で30min熱処理をして、ポリイミド層の厚みが40μmの銅張積層板を得た。この銅張積層板の銅箔表面を光学顕微鏡にて観察し、5μm以上のピンホール及びピンホールに起因する表面の凹みを計測した。その結果、ピンホール及び窪みの個数（ピンホール等の数という）は0個/cm2であった。
この銅張積層板を硫酸濃度5.0g/l、過酸化水素50g/l、銅濃度20g/lのエッチング液にて、全面を均一に１分間シャワーリングし、導体厚さ8.0μm、ポリイミド層の厚みが40μmのCOF用の銅張積層板を得た。
【００４４】
このCOF用の銅張積層板の銅箔を1mm幅の回路に加工し、ポリイミドからの180°引き
剥がし強さを測定したところ、1.0kN/mであった。更に、この回路を熱風オーブン中150℃、168時間処理した後でも、0.5kN/mであり、実用可能であることが確認された。
【００４５】
実施例２〜３及び比較例１〜４
表面処理銅箔の種類及びポリイミド前駆体溶液の種類を表１に示すものとした他は、実施例１と同様にしてCOF用の銅張積層板を得た。得られたCOF用の銅張積層板について、実施例１と同様な評価をした結果を表１に示す。なお、表１において、銅箔の種類は表面処理銅箔の種類を、ポリイミドの種類は、ポリイミド前駆体溶液の種類を示す。ピール強度の前は加熱処理前のピール強度を示し、後は150℃、168時間加熱処理後のピール強度を示す。また、微細加工性は50μmピッチ加工の精度を示す。変形量は後記する方法で試験した量を示す。
【００４６】
比較例５
市販のスパッタめっき法による無接着剤銅張積層板について、上記と同様な評価をした結果を表１に示す。なお、この無接着剤銅張積層板のポリイミド層を水33.5g、水酸化カリウム33.5g、エチレンジアミン11g、エチレングリコール22ｇからなる70℃の水溶液に3時間浸漬し、導体層を得て、ポリイミドとの界面となっていた導体層表面の粗度Rzを測定したところ、0.8μmであった。
【００４７】
【表１】
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【００４８】
実施例４
実施例１〜３で得た３種類の銅張積層板について、35mm幅にスリットした後にパンチングによりスプロケットホールを形成した。次に、フォトリソグラフィー法を用いて、ネガ型フォトレジストを塗布乾燥し、銅箔上にフォトレジスト層を形成し、50μmピッチのCOF用フォトマスクを介して露光、現像を行い、フォトレジスト層をパターニングした。続いて、フォトレジスト層パターンをマスクとして、銅箔層を塩化第二鉄水溶液にて溶解除去し、銅箔のパターンを形成した。更に、フォトレジスト層は塩基性の水溶液で除去した。得られた導体層パターンを観察したところ、短絡、断線、剥がれ等のない良好なフィルムキャリアテープが得られた。得られた回路を硫酸水溶液にて酸洗した後、シプレイ社製Tinposit LT-34にて錫メッキを施し、錫めっき済みフィルムキャリアテープを得た。
【００４９】
その後、フィルムキャリアテープのインナーリード部へ金バンプを有するICを実装した。実装は、フリップチップボンダー「TFC-2100」芝浦メカトロニクス(株)製を使用し、ボンディングヘッドツール温度は400℃、ステージ温度は100℃、接合圧力は1バンプ当たりの荷重が20gfになるように行った。
【００５０】
次にICを実装したCOFフィルムキャリアテープの断面を観察して、図１に示すT1（フィルム厚み）−T2（実装部フィルム厚み）＝T3（実装による樹脂変形量）として、測定した。本実施例では、いずれも変形量T3は1μmであり、インナーリードとバンプの接続状態は良好であった。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】ICチップをCOF用フィルムキャリアテープに実装する例を示す概念図
【符号の説明】
【００５２】
1：ICチップ1、2：バンブ、3：ポリイミド層、4：回路
【図１】
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