(57)【要約】【課題】  高温・高湿下での保存信頼性が高く、高温動作が安定し、機械特性良好で、生産性の高い、高速・高密度の光記録が可能な光記録媒体の提供。【解決手段】  案内溝を有する基板上に、少なくとも光記録層、Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層を有する光記録媒体において、記録トラック方向における光反射層の平均的な結晶粒子の長さＬａｇと記録されるマークの１ビット長Ｌｂｉｔが次の関係を満足することを特徴とする光記録媒体。              Ｌａｇ≦Ｌｂｉｔ【選択図】        図１
2006085878.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
案内溝を有する基板上に、少なくとも光記録層、Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層を有する光記録媒体において、記録トラック方向における光反射層の平均的な結晶粒子の長さＬａｇと、記録されるマークの１ビット長Ｌｂｉｔが、次の関係を満足することを特徴とする光記録媒体。
Ｌａｇ≦Ｌｂｉｔ
【請求項２】
案内溝を有する基板上に、少なくとも光記録層、Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層を有する光記録媒体において、温度８０℃相対湿度８５％の高温高湿環境下で３００時間保存後に、記録トラック方向における光反射層の平均的な結晶粒子の長さＬａｇと、記録されるマークのチャンネルビット長Ｌｂｉｔが、次の関係を満足することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
Ｌａｇ≦Ｌｂｉｔ
【請求項３】
Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層が、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
光反射層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む薄膜上に積層されることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【請求項５】
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む薄膜が、光記録層であることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。
【請求項６】
Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む薄膜が、光記録層と光反射層との間に位置する中間層であることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光を照射することにより情報の記録が可能であるＭＯ、ＰＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、Ｂｌｕ−ｒａｙ等の高速記録に利用できる光記録媒体に関する。特に、ＤＶＤ−ＲＯＭと同等以上の大容量の高密度な光記録媒体に関する。更には、二層以上の多層記録層を有する超大容量の光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザー光を照射することにより、情報の記録が可能な光記録媒体として、ＭＯ、ＰＤ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、Ｂｌｕ−ｒａｙ等が商品化されている。これらの光記録媒体では、より多くの情報をより速く記録できるようにするため、更なる記録の高密度化や高線速度化が期待されており、その解決策として、Ａｇ系光反射層の採用が検討されている。
Ａｇを光記録媒体の光反射層として利用すると、以下のようなメリットが期待される。（１）広い波長領域でのディスク反射率の増大による再生能力の向上
（２）Ａｇの光学特性に起因する信号振幅の増大による再生能力の向上
（３）相変化ディスクの光反射層の場合、より冷却速度の速い層構造によるオーバーライ
ト性能の向上
（４）相変化ディスクの光反射層の場合、より冷却速度の速い層構造による記録可能線速
度範囲の拡大
（５）高いスパッタ効率による生産性の向上
（６）スパッタ製膜時間の短縮による熱応力の低減（ディスク機械特性の改善）
これらＡｇのメリットを確保するためには、Ａｇ固有の物性を効果的に発現させるために、純度９５原子％以上のＡｇを用いることが望ましい。
【０００３】
一方、Ａｇを光記録媒体の光反射層として利用する場合には、以下のような課題があった。
（１）高温高湿下で腐食し易い。
（２）硫黄や塩素によって腐食し易い。
（３）下地との膜密着力が小さい。
（４）高温高湿下でＡｇの結晶粒径が増大する。
（５）結晶粒径が大きくなり易く、高密度記録の際には再生信号のノイズとなる。
（６）生産プロセス条件に対する特性への影響が大きい。
Ａｇの腐食を抑制する方法としてはＡｇの合金化が提案されており、特許文献１のＡｇＣｕ、特許文献２のＡｇＭｇ、特許文献３のＡｇＯＭ（Ｍ：Ｓｂ、Ｐｄ、Ｐｔ）、特許文献４のＡｇＰｄＣｕなどが知られている。また、特許文献５には、熱伝導率をコントロールするために、ＡｇにＴｉ、Ｖ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃを含有させることが開示されている。
しかし、これらの材料系を実際に光反射層に用いて、ＤＶＤ＋Ｒディスク、ＤＶＤ＋ＲＷディスクを作製し、これらの光記録媒体の８０℃８５％ＲＨでのアーカイバル高温保存信頼性を評価したところ、３００時間の保存でエラーの急増が認められ、上記の開示材料では充分な保存信頼性が得られなかった。
【０００４】
反射層の腐食を抑える手段としては、従来から、反射層表面に紫外線硬化樹脂層を形成することが行われている。例えば、特許文献６には、樹脂のガラス転移温度を４５℃以上にすることで、樹脂の吸水による皺が無くなり、Ａｌ反射層の腐食を回避できることが開示されている。しかし本発明者等の実験では、上記公報に開示されたガラス転移温度８０℃の樹脂を用いても、Ａｇ系光反射層の場合には腐食或いは再生エラーの増大を生じた。
相変化型光記録媒体では、記録層の上下にＺｎＳ・ＳｉＯ２（２０モル％）膜を形成することが効果的である。この材料は、熱膨張係数、光学定数、弾性率が、相変化型光記録媒体に適している。しかし、相変化型光記録媒体の高速記録のためにＡｇ系光反射層を用いる場合、ＺｎＳ・ＳｉＯ２上に直接Ａｇ系光反射層を積層すると、ＡｇとＺｎＳ・ＳｉＯ２のＳとが反応して反射層の腐食を生じることが知られている。
【０００５】
その対策として、特許文献７には、相変化型光記録媒体の保護層中の硫黄原子とＡｇ系光反射層との化学反応を防止するため、Ｔａ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｗ、Ｖ、Ｃ、Ｓｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ酸化物、Ａｌ酸化物、Ｔａ酸化物を用いた中間層を設けることが開示されており、その膜厚としては、耐食性を保持しＡｇ系光反射層の高熱伝導率を有効に利用するため４０ｎｍが好適であること、中間層膜厚１０〜５０ｎｍでは信号特性も８０℃８５％ＲＨの保存信頼性も問題無いことが記載されている。
しかし、本発明者等が、これらの材料を中間層として相変化型光記録媒体を作製したところ、中間層膜厚１０〜５０ｎｍでは、信号特性の中間層膜厚依存性が大きく、実用的な信号品質は得られなかった。また、温度の昇降速度１０℃／時間で、２５℃９５％ＲＨ１２時間と４０℃９５％ＲＨ１２時間との間での６回のヒートサイクル試験では、Ａｇ系光反射層が中間層から剥離するという問題も発生した。
即ち、本発明者等の検討結果では、中間層の形成により、保護層の硫黄とＡｇとの反応は抑制されるものの、中間層とＡｇ系光反射層の密着力は充分でなく、両層の膜密着力が高湿度や結露によって低下することが分った。これは、化学的に不活性な中間層を設けて相互拡散を抑制することによりＡｇ系光反射層の腐蝕を抑制した結果、中間層とＡｇ系光反射層の膜密着力、特に湿度による膜密着力の低下を抑えることが出来なくなったためと考えられる。
【０００６】
また、特許文献８〜１０には、Ａｇ又はＡｇ合金からなる光反射層の硫化防止層、即ち界面層として、ＧｅＮ、ＧｅＣｒＮ、ＳｉＣを用いることが開示されている。
また、特許文献１１には、反射放熱層と接触する上部誘電体保護層として、ＡｌＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＴａＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣａＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ、ＳｉＣを用いること、該上部誘電体保護層を多層としてもよいこと、上部誘電体層の合計膜厚を７〜６０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍとすることなどが開示されている。
しかしながら、本発明者等の検討結果によると、中間層の膜厚が１０ｎｍでは厚すぎて、初期信号特性及び９５％ＲＨ高湿度下での信頼性が充分でなかった。
また、ＺｎＳ・ＳｉＯ２膜とＡｇ又はＡｇ合金光反射膜との間の中間層の製膜条件が、ＡｇとＳの反応性に大きく影響することが分った。特にスパッタ製膜中の残存酸素や水蒸気による膜質の劣化に起因するパシベーション能力の低下が問題であり、中間層製膜時の残存酸素分圧が大きいと、Ａｇ又はＡｇ合金光反射膜を腐食することが分った。このように、中間層のパシベーション能力は、その製膜条件に左右されてしまい、製造プロセスの厳格な管理が必要であるが、現実には完璧な管理は容易でない。
【０００７】
光反射層と下地層との密着力を確保する方法としては、相変化型光記録媒体に用いられる光記録層と光反射層との間の保護層の開発過程で開示されている。
一般的な相変化型光記録媒体の層構成は、基板／下部保護層／光記録層／上部保護層／光反射層となっている。更に、必要に応じて、下部保護層と光記録層の間、光記録層と上部保護層の間、上部保護層と光反射層の間に中間層が形成される。これらの層構成において光反射層と隣接する上部保護層や中間層については、以下に述べるような諸々の技術が知られている。
特許文献１２には、光記録層の加熱に伴う熱変形又は蒸発を防止するために、上部保護層として種々の金属又は半金属の酸化物、硫化物、セレン化物、弗化物を用いることが開示されており、上部保護層の機械的強度及び耐候性を確保するために、メタクリル樹脂等の有機物保護層を積層することも開示されている。
特許文献１３には、光記録層の拡散防止用の下部保護層・上部保護層形成、光学的エンハンス効果のための光反射層形成による、基板／下部保護層／光記録層／上部保護層／光反射層の相変化型光記録媒体の基本構成が開示されている。また、上部保護層として種々の金属又は半金属の酸化物、硫化物、セレン化物、弗化物、窒化物、又はＣを用い、厚さを１〜５０ｎｍとすることが開示されており、更に下部保護層として、上部保護層と同様の材料を用いることも開示されている。
【０００８】
特許文献１４には、高感度、長寿命を目的として、上部保護層に種々の金属又は半金属の酸化物、弗化物、窒化物を用いることが開示されている。
特許文献１５には、下部保護層にＧｅＯｘを用いることが開示されており、光記録層に比べて屈折率を小さくし、光学的干渉効果を利用して感度向上及び基板への熱ダメージ低減を図ることが記載されている。
特許文献１６には、下部・上部保護層に要求される特性として、（１）使用波長領域で透明であること、（２）融点が比較的高いこと、（３）クラックを生じないことを挙げ、この要求に適した下部・上部保護層として、従来のＧｅＯ２やＳｉＯ２に代えて、２０００℃程度の耐熱性を確保でき、基板よりも屈折率を大きくして光学干渉効果による吸収率向上を図ることができるＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅを用いることが提案されている。
特許文献１７〜１８には、下部・上部保護層に要求される特性として、（１）使用波長領域で透明であること、（２）融点が動作する温度より高いこと、（３）機械的強度が高いこと、（４）化学的に安定なこと、（５）適当な熱定数（熱伝導率、比熱）を持っていることを挙げ、特に下部保護層・中間層に比べて、機械的特性及び熱的特性の改善とオーバーライト性能の向上を目指している。そして、これらの要求を満たす下部保護層・中間層として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ等の結晶質カルコゲン化物とＳｉＯ２、ＧｅＯ２、ＳｎＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＴｅＯ２等のガラス物質の混合物を用いることが提案されており、ガラス物質が２０モル％前後で記録パワーが低減し、その結果として熱ダメージが低減することでオーバーライト性能が向上するとしている。
【０００９】
特許文献１９には、下部・上部保護層にＺｎＳとＳｉＯｘ（ｘ＝１〜１．８）の混合物を用いることが開示されており、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物に比べて、熱伝導率の低減による感度の向上、及びＳｉ／ＳｉＯ２の粒界緩和による内部応力低減に基く耐熱衝撃性が改善されオーバーライト性能の向上が図られるとしている。
特許文献２０には、記録層の両側の層が、熱伝導率の小さいＺｒＯ２やＳｉＯ２の保護層と熱伝導率の大きい保護層の組み合わせが、トラッキングノイズ低減に効果的であることが開示されている。
特許文献２１には、ＺｎＳ−ＳｉＯ２系の保護層の８０℃９５％ＲＨの高温高湿信頼性の改善、記録層により近い熱膨張係数とすることによる耐熱性の確保を目的として、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＩｎＳ群とＴａ２Ｏ５、Ｃｕ２Ｏ、ＷＯ３、ＭｏＯ３、ＣｅＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＯ群の混合物からなる保護層が提案されている。
【００１０】
特許文献２２には、高温高湿度信頼性の確保、オーバーライト性能の向上、記録感度の向上を目的として、下部保護層にＺｎＳ・ＳｉＯ２（２５モル％未満）、中間層にＺｎＳ・ＳｉＯ２（２５モル％以上）を用いることが提案されている。
特許文献２３には、オーバーライト特性の向上を目的として、上部保護層にＡｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＺｎＳ、反射層にＡｕ、Ａｇ、Ａｌを用い、上部保護層と反射層の膜厚最適化による急冷構造が提案されている。
特許文献２４には、光記録媒体の急冷構造を実現するために、上部保護層に熱伝導率の大きいＢＮ、ＡｌＮ、ＳｉＣを用いることが提案されている。
特許文献２５には、上部保護層に熱伝導率の大きいＴａ酸化物、Ｔａ窒化物、かつ光反射層に熱伝導率の大きいＡｇを用いることが提案されている。
特許文献２６には、光記録層の両面にＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯのバリヤ層を形成し、光記録層と下部保護層及び上部保護層との化学反応、合金化による変質を抑制することでオーバーライト性能の向上を図ることが提案されている。
【００１１】
以上のように、これまで多くの中間層や下部保護層用の材料開発、層構成の開発が行われてきた。その結果、光記録層一層タイプの相変化型光記録媒体の実用的な層構成として、基板／下部保護層／光記録層／上部保護層／光反射層／樹脂層の急冷構造が採用されており、必要に応じて、下部保護層と光記録層の間、光記録層と上部保護層の間、上部保護層と光反射層の間に中間層が設けられている。実用的な各層の厚さは、下部保護層が５０〜１２０ｎｍ、記録層が１０〜２０ｎｍ、上部保護層が７〜４０ｎｍ、光反射層の厚さが１２０〜２００ｎｍ、中間層が２〜８ｎｍである。実用化されている各層の材料としては、下部保護層及び中間層がＺｎＳ・ＳｉＯ２（２０モル％）、記録層がＧｅＳｂＴｅ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、反射層がＡｌＴｉ、ＡｌＴａ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ、ＡｇＮｄＣｕ、中間層がＧｅＮ、ＧｅＣｒ、Ｓｉ、ＳｉＣ、Ｔａ２Ｏ５が知られている。
しかし、ＤＶＤ４倍速以上の高速で良好に高密度記録できる相変化型光記録媒体を安定に製造するためには、従来の光記録媒体の急冷構造や材料では対応できなくなってきており、より確実な対策が望まれる。
【００１２】
そのような対応策の一つとして硫黄や塩素などのＡｇとの反応活性の高い元素を含む材料を上部保護層に用いないことが考えられる。
例えば特許文献２７には、保存信頼性が高く記録再生特性が良好な相変化型光記録媒体を実現するため、上部保護層のターゲット材料として、酸化セリウムと他の酸化物を含有する物質を用いることが開示されている。しかし反射層にＡｇ又はＡｇ合金を用い、上部保護層に硫黄や塩素を殆ど含まない材料を用いて高速記録再生可能な相変化型光記録媒体を作成する際の種々の問題点については全く言及されておらず、上部保護層の結晶性、特に記録又は書き換え後の結晶性が記録特性に与える影響についても全く記載がない。
また、Ａｇの結晶粒子の大きさが増大することを抑制する方法として、Ｐｄ、Ｎｄなどの添加によって、結晶粒子の粒径拡大を抑制することが知られている。
しかし、上記方法では、Ａｇの腐食、Ａｇと下地との密着力、Ａｇ粒子の粗大化を抑制することができなかった。特に、８０℃８５％ＲＨ環境下での高温保存後のＡｇと下地との密着力は充分ではなかった。
【００１３】
【特許文献１】特開昭５７−１８６２４４号公報
【特許文献２】特開平７−３３６３号公報
【特許文献３】特開平９−１５６２２４号公報
【特許文献４】特開２０００−２８５５１７号公報
【特許文献５】特許第２７４９０８０号公報
【特許文献６】特開２００１−２２２８４２号公報
【特許文献７】特開平１１−２３８２５３号公報
【特許文献８】特開平９−８３４２９８号公報
【特許文献９】特開平１０−２７５３６０号公報
【特許文献１０】特開２００２−２０３３３８号公報
【特許文献１１】特開２０００−３３１３７８号公報
【特許文献１２】特公昭５２−２７８３号公報
【特許文献１３】特公平４−６１７９１号公報
【特許文献１４】特開昭６０−１７９９５３号公報
【特許文献１５】特公平５−４５４３４号公報
【特許文献１６】特公平６−８７３２０号公報
【特許文献１７】特公平４−７４７８５号公報
【特許文献１８】特公平６−９０８０８号公報
【特許文献１９】特公平７−１１４０３１号公報
【特許文献２０】特許第２５１１９６４号公報
【特許文献２１】特許第２９１５１１２号公報
【特許文献２２】特許第２７８８３９５号公報
【特許文献２３】特開平５−６２２４４号公報
【特許文献２４】特開平５−１５１６１９号公報
【特許文献２５】特開２００２−３５２４７２号公報
【特許文献２６】特公平８−２７９８０号公報
【特許文献２７】特開２００３−１６６０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、高温・高湿下での保存信頼性が高く、高温動作が安定し、機械特性良好で、生産性の高い、高速・高密度の光記録が可能な光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題は次の１）〜６）の発明（以下、本発明１〜６という）によって解決される。
１）  案内溝を有する基板上に、少なくとも光記録層、Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層を有する光記録媒体において、記録トラック方向における光反射層の平均的な結晶粒子の長さＬａｇと、記録されるマークの１ビット長Ｌｂｉｔが、次の関係を満足することを特徴とする光記録媒体。
Ｌａｇ≦Ｌｂｉｔ
２）  案内溝を有する基板上に、少なくとも光記録層、Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層を有する光記録媒体において、温度８０℃相対湿度８５％の高温高湿環境下で３００時間保存後に、記録トラック方向における光反射層の平均的な結晶粒子の長さＬａｇと、記録されるマークのチャンネルビット長Ｌｂｉｔが、次の関係を満足することを特徴とする１）記載の光記録媒体。
Ｌａｇ≦Ｌｂｉｔ
３）  Ａｇを９５原子％以上含有する光反射層が、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４）  光反射層が、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む薄膜上に積層されることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
５）  Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む薄膜が、光記録層であることを特徴とする４）記載の光記録媒体。
６）  Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含む薄膜が、光記録層と光反射層との間に位置する中間層であることを特徴とする４）記載の光記録媒体。
【００１６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
これまでのＡｇ系光反射層を有する光記録媒体について鋭意検討した結果、次の（１）から（４）に起因するものが主だった課題であることが分った。
（１）Ａｇ系光反射層と、該反射層を積層する層の密着力
（２）Ａｇ系光反射層の耐候性
（３）Ａｇ系光反射層の結晶粒の凝集
（４）Ａｇ系光反射層の結晶粒径
上記（１）の具体的な課題は、ＤＶＤ＋Ｒなどの色素を光記録層とした光記録媒体の場合、Ａｇ系光反射膜と色素の密着力が充分でなく、光記録によって熱ダメージを受けた記録マーク部分が変質してしまい保存寿命が短くなることであった。また、ＤＶＤ＋ＲＷなどの相変化型光記録媒体の場合、Ａｇ系光反射膜と上部保護層又は上部保護層上の中間層との密着力が充分でなく、スパッタ製膜後の非晶質記録層を結晶化処理（初期化）や光記録によって熱ダメージを受けた部分が変質してしまい保存寿命が短くなることであった。
上記（２）の具体的な課題は、Ａｇ系光反射層の材料特性そのものに関わる本質的なものであり、光記録媒体の使用環境及び保管環境に存在するＨ２Ｓ、Ｃｌ２等の腐食性ガス、水蒸気等の腐食推進ガスとの化学反応によって保存寿命が短くなることであった。
上記（３）の具体的な課題は、光記録媒体への水分の浸入によってＡｇ原子（イオン）が凝集することで、微小空隙が発生することである。その微小空隙が、微小な記録マークの形状に影響を与えるような場合に問題となる。
上記（４）の具体的な課題は、Ａｇ系光反射層を構成する結晶の粒界が、光記録及び再生の際に信号のノイズを発生し、光記録媒体の光記録再生性能を低下させてしまうことである。
【００１７】
上記（３）及び（４）は、４０５ｎｍの青色の波長を利用した高密度な光記録を実現する場合に顕著な問題となる。
更に、これらＡｇ系光反射層の課題を解決し、生産プロセスの各種変動を吸収して安定に大量生産することができなかった。
生産プロセス上の課題としては、次の（イ）〜（ヘ）が抽出された。
（イ）基板の吸着水分量（好ましくは基板１枚あたり０．１ｇ以下）
（ロ）基板温度（好ましくは５０℃以下）
（ハ）光反射層のスパッタ条件（好ましくは残存水蒸気量５×１０−５ｍｂａｒ以下、
及び最適な圧力、ガス流量等）
（ニ）光反射層が積層される層のスパッタ条件（好ましくは残存水蒸気量５×１０−５
ｍｂａｒ以下、及び最適な圧力、ガス流量等）
（ホ）相変化型光記録媒体の場合、基板成形からスパッタまでの時間（好ましくは３分
以内）
（ヘ）相変化型光記録媒体の場合、光反射層製膜後から光記録層の結晶初期化までの時間
（好ましくは４８時間以下）
実際には、これら生産プロセスの要因は複雑に絡み合っていると考えられる。本発明の光記録媒体を生産するのに、生産プロセスを必ずしも上記条件で行う必要はないが、上記条件で行うことが好ましい。
【００１８】
本発明の光記録媒体は、上記の生産プロセスを厳密に調整することで達成されるが、更に次の（ａ）（ｂ）によって、効果的に生産プロセスの変動に耐えうるＡｇ系光反射層を作製できるようになった。
（ａ）金属元素の添加による光反射層のＡｇ結晶粒子の微細化（本発明３に対応）、
（ｂ）Ａｇ系光反射層が積層される層に、Ｈ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏと侵入型化合物を形成でき
る金属を含有させることによる、Ａｇ系光反射層との密着力向上及びパシベーショ
ン能力の向上（本発明４〜６に対応）
Ａｇの粒径をより小さくする方法としては、Ａｇの凝集を防止するように異物を存在させながら製膜させることが重要となる。具体的には、光反射膜形成過程において、膜表面へのＡｇ原子あるいはクラスターの入射頻度と、その他の原子、分子、イオンあるいはクラスター等の入射頻度を制御することで小さくすることが可能となる。より具体的には、スパッタ製膜中の共存ガス（Ａｒ、Ｎ２、Ｏ２など）の流量を大きくして、膜表面への共存ガス入射頻度を大きくすることが効果的である。また、排気速度を小さくし製膜圧力を上げて製膜することにより、共存ガスの膜表面への入射頻度を大きくすることも効果的である。また、Ａｇの膜表面への入射頻度を小さくする方法として、製膜速度を小さくするために製膜スパッタ電力を低下させることが効果的である。更には、Ａｇ系光反射膜の製膜時の基板温度を下げることも効果的である。実際の製膜時には、これらの条件を調整して、Ａｇ粒子の大きさを制御することができる。
【００１９】
効果的なＡｇ粒子の微細化には、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔなどの異物を共存させて製膜することも効果的である。Ａｇ粒子が成長する際、粒界を構成する部分にはこれら添加物が多く含まれる。従って、これら添加物の存在によって、Ａｇ粒子の微細化が可能となる。これら金属の種類の選択及び添加量は、Ａｇ系光反射膜のスパッタ条件にも影響される。添加物を多く入れれば、Ａｇ粒子の微細化は容易になるが、Ａｇに期待される物性である高反射率、高熱伝導率が損なわれる。添加物を少なくすれば、Ａｇに期待される物性は確保されるものの、製膜条件に厳格な管理が要求される。
添加物の種類はＡｇ系光反射膜の製膜条件に左右される。Ａｇと合金化し易いＣｕ、Ｐｄ、Ｐｔであれば、Ａｇの物性を維持したまま微細化が図れる。しかし、Ａｇと合金を形成し易いため、粒径の微細化には製膜条件の管理が重要になる。一方、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗなどは、添加量が多いとＡｇの物性を大きく損なうが、製膜時に共存ガスを吸着し易く、粒界形成に有効に働き、Ａｇ結晶粒子の粗大化を抑制し、Ａｇ結晶粒子の微細化に効果的である。また、Ｙ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｓｎなどの添加物は、Ａｇより原子半径が大きく、Ａｇ粒子の結晶成長の抑制が可能となり、Ａｇの結晶粒径の微細化が可能となる。
【００２０】
本発明者等の検討結果から、Ａｇ系光反射膜の粒界ノイズが記録再生信号に与える影響を無視できる結晶粒径のレベルは、最小記録マークの１／３以下であった。この点について、考察した結果、我々の実験における最小記録マークの１／３は、記録するマークのチャンネルビットに対応していることが分った。チャンネルビットとは、光記録する際の情報の「０」、「１」に対応した最小単位のことであり、ＤＶＤ−ＲＯＭでは０．１３３μｍに対応するものである。つまり、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋Ｒ、ＤＶＤ＋ＲＷで本発明を実現するとすれば、記録トラック方向における光反射層の平均的な結晶粒子の長さＬａｇは、マークの１ビット長Ｌｂｉｔ（＝０．１３３μｍ）以下とする必要があることになる。Ａｇ系光反射層の結晶粒の大きさは、チャンネルビット長以下、結晶粒径のバラツキを考慮すると、望ましくはチャンネルビット長の２／３以下が望ましい。
【００２１】
また、光記録媒体に存在する案内溝が蛇行している場合、その蛇行（ウオブル）周期に比べて充分小さい粒径であることも重要である。光記録装置が光記録媒体の案内溝の蛇行を正確に読み取るためには、Ａｇ粒子の粒界をノイズとして読み取った場合、光記録媒体の正しいアドレスが読み取れなくなってしまう。特に、ピットを伴う案内溝を有する光記録媒体では、尚更読み取りが困難となってしまう。Ａｇ系光反射膜の結晶粒径と案内溝のウオブルとの関係では、１蛇行周期の１／１０以下のＡｇ系結晶粒径であることが望ましい。１蛇行の中で、１／１０の部分にノイズが入ったとしても、その蛇行の情報は補完できるためである。更に１蛇行周期の１／２０以下のＡｇ系結晶粒径であることが望ましい。１蛇行の中で、１／２０の部分にノイズが入ったとしても、蛇行の情報にとって、そのノイズは無視できるためである。また、ピットを伴う場合には、ピット間隔の１／１０以下、望ましくは１／２０以下のＡｇ結晶粒径とすることが望ましい。
【００２２】
相変化型光記録媒体のＡｇ系光反射層が積層される層に、Ｈ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏと侵入型化合物を形成できる金属を含有させることにより、Ａｇ系光反射層との密着力向上及びパシベーション能力を向上させることができる。本発明者等の実験結果から、基板表面に吸着する水分が、Ａｇ系光反射層と該反射層が積層される層の密着力に少なからず影響することが分っており、Ａｇ系光反射層が積層される層のパシベーション能力を向上させれば、Ａｇ系光反射層と該反射層が積層される層との密着力の向上も図れることが分っている。Ａｇ系光反射層は、通常、光記録層や中間層の上に積層されるので、これらの層に上記金属を含有させることが望ましい。
Ａｇ系光反射層が積層される層の密着力とパシベーション能力を満たすためには、表面の濡れ性を確保するための酸化物やパシベーション能力を確保するための、Ｈ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏと侵入型化合物を形成できる金属化合物が効果的である。これらを満足する材料として、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗの酸化物、窒化物、炭化物から選ばれた少なくとも一つの物質が効果的であり、中でも酸化物と炭化物を含有する層がより効果的である。更には、Ｔｉ及びＺｒから選ばれた元素の酸化物と炭化物を含有する層が、４０５ｎｍの短波領域でも光透過性が大きいことから更に効果的である。金属炭化物（ＭＣ）と金属酸化物（ＭＯ）の組成比ＭＣ：Ｍｏは、４：６〜９：１、より好ましくは５：５〜８：２が効果的である。金属炭化物の比率が高ければ、パシベーション能力は高くなるが光透過性が低下する。生産プロセスの条件制御の管理状態を考慮して、ＭＣ：ＭＯの比率を決めることができる。しかし、ＭＣ＝０ではパシベーション能力に欠ける。また、ＭＯ＝０では、膜密着力が不足する。
【００２３】
本発明の光記録媒体の層構成例を図１及び図２に示す。
図１は、本発明のＤＶＤ系相変化型光記録媒体の一例であり、蛇行した案内溝付情報基板上に、下部保護層、光記録層、上部保護層、Ａｇ系光反射層、樹脂層及び／又は接着層、カバー基板が、この順に形成されている。性能向上のために、必要に応じて、第１界面層、第２界面層、中間層が形成される。また、カバー基板側に逆順で、同様の相変化型光記録媒体を設け、二層型とすることもできる。
図２は、本発明のＤＶＤ系二層色素型光記録媒体の一例であり、案内溝付情報基板上に、色素記録層（Ｌ０）、Ａｇ系反射層、樹脂層及び／又は接着層を形成し、もう一方の案内溝付情報基板には逆順で、Ａｇ系光反射層、色素記録層（Ｌ１）を形成し、貼り合せた層構造をしている。本発明は、これらの層構成に限らず、Ａｇ系光反射層を有する種々の光記録媒体に適用される。
【００２４】
基板の材料は、通常ガラス、セラミックス或いは樹脂であり、樹脂基板が成型性、コストの点で好適である。樹脂の例としてはポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン系樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられるが、成型性、光学特性、コストの点で優れるポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂が好ましい。
但し、本発明の光記録媒体をＤＶＤ＋Ｒに応用する場合には、以下のような特定の条件が付与されることが望ましい。即ち、基板に形成される案内溝の幅が０．１０〜０．４０μｍ、好適には０．１５〜０．３５μｍ、案内溝の深さが１２０〜２００ｎｍ、好適には１４０〜１８０ｎｍとなっていることである。案内溝の蛇行の周期は、１周期が４．３μｍとなる。基板の厚さは０．５５〜０．６５ｍｍが好適であり、貼り合わせ後のディスクの厚さは、１．１〜１．３ｍｍが好適である。これらの基板溝によって、ＤＶＤ−ＲＯＭドライブでの再生互換性が向上する。
また本発明の光記録媒体をＤＶＤ＋ＲＷに応用する場合には、以下のような特定の条件が付与されることが望ましい。即ち、基板に形成される案内溝の幅が０．１０〜０．４０μｍ、好適には０．１５〜０．３５μｍ、案内溝の深さが１５〜４５ｎｍ、好適には２０〜４０ｎｍとなっていることである。案内溝の蛇行の周期は、１周期が４．３μｍとなる。基板の厚さは０．５５〜０．６５ｍｍが好適であり、貼り合わせ後のディスクの厚さは、１．１〜１．３ｍｍが好適である。これらの基板溝によって、ＤＶＤ−ＲＯＭドライブでの再生互換性が向上する。
【００２５】
相変化型光記録媒体の下部保護層の材料としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２などの酸化物；Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物；ＺｎＳ、ＴａＳ４などの硫化物；ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物；ダイヤモンド状カーボン；或いはそれらの混合物が挙げられる。中でも（ＺｎＳ）８５（ＳｉＯ２）１５、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０、（ＺｎＳ）７５（ＳｉＯ２）２５（何れもモル％）などのＺｎＳとＳｉＯ２を含んだ物質が好ましく、特に熱膨張変化、高温・室温変化の熱ダメージを伴う相変化型光記録層と基板の間に位置する下部保護層としては、光学定数、熱膨張係数、弾性率が最適化されている（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）が望ましい。
下部保護層の膜厚は、反射率、変調度や記録感度に大きく影響するので、下部保護層の膜厚に対してディスク反射率が極小値となる膜厚とすることが望ましい。この膜厚領域では記録感度が良好であり、熱ダメージのより小さいパワーで記録が可能になり、オーバーライト性能の向上が図られる。ＤＶＤの記録再生波長において良好な信号特性を得るためには、下部保護層に（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）を用いた場合、４５〜６５ｎｍとすることが好適である。４５ｎｍより薄いと、基板への熱ダメージが大きくなり、溝形状の変形が起こる。また、６５ｎｍより厚いと、ディスク反射率が高くなり、感度が低下する。
【００２６】
相変化型光記録媒体の上部保護層には、クラック発生の抑制に効果的な酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫、酸化ニオブ、窒化珪素、窒化アルミニウム、ＺｎＳなどの光記録媒体の製造に適したスパッタ速度を有する材料が望ましい。本発明では、これらの好適な材料を主成分として用いるが、ここでいう主成分とは５０モル％を超えることを意味する。本発明で用いる材料としては、膜の柔軟性という点で、２価の結合回転自由度の高い酸素によるネットワークが可能なＳｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｗの酸化物の添加が好ましい。しかし、これらの上部保護層材料においても、厚膜化すると膜自身の内部応力や光記録層及びＡｇ又はＡｇ合金反射層との間の熱応力によってクラックを発生し易い。
また、上部保護層を多層化することによって上部保護層の界面を形成し、熱伝導を妨げて熱蓄積構造とすることで、光記録の感度向上が図れる。
上部保護層の膜厚は、４〜２４ｎｍが好適である。４ｎｍより薄いと、上部保護層の機能である蓄熱が充分にできなくなり、現存の半導体レーザーでの記録が困難になる。また２４ｎｍより厚くなると、先に述べたようにクラックを発生する。より望ましい膜厚は、８〜２０ｎｍである。
【００２７】
また、相変化型光記録媒体は、下部保護層／光記録層／上部保護層／光反射層がスパッタリングによる連続製膜によって製造されている。この際、最も製膜時間を必要とするのは、他の層に比べて膜厚が大きい下部保護層又は光反射層である。従って、ロスなく効率的に上部保護層を作製するために、下部保護層又は光反射層の製膜時間と同等か或いはそれよりも短い製膜時間で、所定の膜厚の上部保護層が形成できるような製膜条件が望まれる。下部保護層にＺｎＳＳｉＯ２、反射層にＡｇ又はＡｇ合金を用い、スパッタ時間７秒以下を目標とすると、上部保護層の製膜速度は少なくとも１ｎｍ／ｓ以上、好ましくは３ｎｍ／ｓ以上が必要である。
一方、４〜２４ｎｍの極力薄い膜を形成しようとした場合、あまり製膜速度が大きいと、スパッタリング製膜におけるプラズマの発生の立ち上がり時間の占める割合が大きくなり、ディスク毎の膜厚バラツキが大きくなり、ディスク特性としては感度のバラツキを大きくしてしまう。ディスク毎の上部保護層の膜厚バラツキを小さくするためには、限界製膜速度は１０ｎｍ／ｓ以下、好ましくは８ｎｍ／ｓ以下である。
【００２８】
更に、相変化型光記録媒体の製造プロセスにおける初期化条件、特にパワーマージンを確保するためには、上部保護層とＡｇ又はＡｇ合金を主成分とする光反射層との界面に、Ａｇ−Ｏ結合が形成されていることが効果的であった。Ａｇ−Ｏ結合はＸＰＳなどの分析方法で確認された。ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４を上部保護層に用いた場合でも、基板からの脱ガスや残像ガスから酸素が供給されるため、Ａｇ−Ｏ結合の形成が確認された。しかし、上部保護層に酸化物を用いた場合に比べてＡｇ−Ｏ結合量が相対的に少なく、初期化の際のパワーマージンが小さくなる傾向にあった。
本発明において、上部保護層上に、Ａｇ系光反射層が積層される場合には、先に述べたように、層の密着力とパシベーション能力を同時に満たすためには、表面の濡れ性を確保するための酸化物及び／又はパシベーション能力を確保するために、Ｈ、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏと侵入型化合物を形成できる金属化合物が効果的である。
【００２９】
相変化型光記録層材料としてはＳｂを６０〜９０原子％含む相変化物質が好適である。具体例としては、Ｓｂを６０〜９０原子％含むＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＧｅＳｂ、ＧｅＳｂＳｎ、ＧａＧｅＳｂ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧａＧｅＳｂＳｎ、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＧａＳｂＴｅなどが挙げられる。これらの相変化物質でＤＶＤ＋ＲＷ媒体を作製した場合の、Ｓｂ組成比とＤＶＤ互換或いはＣＤ互換を可能とする最小記録マークを記録できる時間の関係から、記録層のＳｂ量が６０原子％以上の場合に記録時間を短くできることが分っている。即ち、記録消去時の光記録層の溶融時間を短くすることができ、光記録層及び上部保護層の熱ダメージを低減できる。またＳｂ量が６０原子％以上の場合には、光記録媒体の溶融初期結晶化も高速でできるため、熱ダメージが低減される。更にＳｂ量が７０原子％以上では、初期化線速度を１０ｍ／ｓ以上にすることが可能であり、熱ダメージをより低減することができる。しかし、Ｓｂ量が９０原子％を超えると、種々の元素を添加したとしてもマークの高温高湿度信頼性が劣るため好ましくない。
【００３０】
相変化型光記録層の厚さは８〜１４ｎｍが望ましい。８ｎｍより薄いと、８０℃８５％ＲＨの高温高湿での記録マークの結晶化が早くなり寿命が問題となる。一方、１４ｎｍを超えると、光記録消去の際に熱の発生が大きくなり、上部保護層への熱ダメージが顕著になり、上部保護層のクラック発生を誘発してしまう。
相変化型光記録媒体の下部保護層、光記録層、上部保護層、Ａｇ又はＡｇ合金からなる光反射層の作製方法としては、スパッタ、プラズマＣＶＤ、プラズマ処理、イオンプレーティング、光ＣＶＤなどが利用できるが、光記録媒体の製造で汎用されているスパッタが有効である。その代表的作製条件は、圧力１０−２〜１０−４Ｐａ、スパッタ電力０．１〜５．０ｋＷ／２００ｍｍφ、製膜速度０．１〜５０ｎｍ／ｓである。
色素記録層としては、従来から知られているシアニン色素、アゾ色素、フタロシアニン色素、スクアリリウム色素等が利用される。金属錯体の場合には、Ａｇ系光記録媒体とのマッチングとして、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗから選ばれる少なくとも一つの元素を含むことが効果的である。
【００３１】
樹脂保護層としては、スピンコート法で作製した紫外線硬化型樹脂が好適である。厚さは３〜１５μｍが適当である。３μｍより薄いと、オーバーコート層上に印刷層を設ける場合にエラーの増大が認められることがある。一方、１５μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
ハードコート層を設ける場合には、スピンコート法で作製した紫外線硬化型樹脂が一般的である。厚さは２〜６μｍが適当である。２μｍより薄くすると、十分な耐擦傷性が得られない。６μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。その硬度は、布で擦っても大きな傷が付かない鉛筆硬度Ｈ以上とする必要がある。必要に応じて導電性の材料を混入させ、帯電防止を図って埃等の付着を防止することも効果的である。
印刷層は、耐擦傷性の確保、ブランド名などのレーベル印刷、インクジェットプリンタに対するインク受容層の形成などを目的としており、紫外線硬化型樹脂をスクリーン印刷法により形成するのが好適である。その厚さは、３〜５０μｍが適当である。３μｍより薄いと、層形成時にムラが生じてしまうし、５０μｍより厚くすると、内部応力が大きくなってしまい、ディスクの機械特性に大きく影響してしまう。
【００３２】
接着層には、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト接着剤、シリコーン樹脂などの接着剤を用いることができる。これらの材料は、オーバーコート層又は印刷層上に、材料に応じてスピンコート、ロールコート、スクリーン印刷法などの方法により塗布し、紫外線照射、加熱、加圧等の処理を行なって反対面のディスクと貼り合わせる。反対面のディスクは、同様の単板ディスクでも透明基板のみでも良く、反対面のディスクの貼り合わせ面については、接着層の材料を塗布してもしなくても良い。また、接着層としては、粘着シートを用いることもできる。
接着層の膜厚は、特に制限されるものではないが、材料の塗布性、硬化性、ディスクの機械特性の影響を考慮すると、５〜１００μｍ、好適には７〜８０μｍである。接着面の範囲も、特に制限されるものではないが、ＤＶＤ及び／又はＣＤ互換が可能な書き換え型ディスクに応用する場合、高速記録を可能とするためには、接着強度を確保するために、内周端の位置がφ１５〜４０ｍｍ、好適にはφ１５〜３０ｍｍであることが望ましい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、高温・高湿下での保存信頼性が高く、高温動作が安定し、機械特性良好で、生産性の高い、高速・高密度の光記録が可能な光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００３５】
実施例１
溝幅０．２５μｍ、溝深さ２７ｎｍ、ウオブル溝の周期４．２６μｍの案内溝を有する厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を射出成型し、その上に、下部保護層、第１界面層、光記録層、上部保護層、中間層、光反射層を順次スパッタリング法により積層した。下部保護層には厚さ５５ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）、第１界面層には厚さ４ｎｍのＳｉＯ２、光記録層には厚さ１２ｎｍのＧｅ５Ｇａ１０Ｓｂ７５Ｓｎ１０、上部保護層には厚さ８ｎｍの（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）、中間層には厚４ｎｍの（ＴｉＣ）７０（ＴｉＯ２）３０（モル％）、光反射層には厚さ１４０ｎｍのＴｉ−１．０原子％−純度９９．０原子％のＡｇの光反射層を用いた。
その結果、ポリカーボネート基板／（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）：５５ｎｍ／ＳｉＯ２：４ｎｍ／Ｇｅ５Ｇａ１０Ｓｂ７５Ｓｎ１０：１２ｎｍ／（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）：８ｎｍ／（ＴｉＣ）７０（ＴｉＯ２）３０（モル％）：４ｎｍ／Ｔｉ−１．０原子％−純度９９．０原子％のＡｇ：１４０ｎｍという層構成を形成した。
このとき、光反射層は、圧力５×１０−２ｍｂａｒ、スパッタ速度１００ｎｍ／ｓとし、比較的製膜速度を小さく抑え、共存ガスの膜表面への入射頻度を増大させた。
次いで、光反射層上に、室温粘度１２０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度１４９℃となる紫外線硬化型樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＳＤ３１８）をスピンコートして樹脂保護層を形成し、相変化型光記録媒体の単板ディスクを作成した。
次いで、ポリカーボネート製の貼り合わせ基板を、室温粘度４５０ｃｐｓ、硬化後のガラス転移温度が７５℃となる紫外線硬化型接着剤（日本化薬社製、ＤＶＤ００３）で貼り合わせて、相変化型光記録媒体を得た。
続いて、大口径ＬＤ（ビーム径７５μｍ×１μｍ）を有する日立コンピュータ機器社製初期化装置を用いて、線速度１１ｍ／ｓ、電力１３００ｍＷ、送り３８μｍ／ｒで、内周から外周に向けて、線速度一定で光記録層を全面結晶化した。初期化によって、Ａｇが剥離することはなかった。また、界面をＸＰＳによって分析すると、Ａｇ−Ｏと推察されるスペクトルが得られた。
【００３６】
次に、得られた相変化型光記録媒体に対し、パルステック社製の記録再生評価装置ＤＤＵ１０００を用いて、記録線速度１４ｍ／ｓ、波長６５７ｎｍ、ＮＡ０．６５、記録パワー１７〜２２ｍＷで、ＤＶＤ−ＲＯＭ再生可能なフォーマットでオーバーライト（ＤＯＷ）した。その結果、２０００回以上のオーバーライトでもジッター９％以下と良好であった。
次に、上記記録済みの相変化型光記録媒体を、８０℃８５％ＲＨで所定の時間保存した結果、２００時間保存後も劣化は認められなかった。
また、上記記録済み相変化型光記録媒体をＴＥＭ観察した結果、中間層の電子線回折は非晶質を示すハローパターンであった。ＳＥＭによる光反射層表面の観察から、Ａｇ結晶粒子の平均的な大きさは、０．１１μｍであり、チャンネルビット長０．１３３μｍより小さくなった。更に、８０℃８５％ＲＨ３００時間保存後も０．１１μｍであり、信頼性が良好であった。その結果、ノイズの小さな再生信号が獲得でき、エラーの増大も認められなかった。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成例を示す図。
【図２】本発明の光記録媒体の他の層構成例を示す図。
【図１】
2006085878.tif 000003
【図２】
2006085878.tif 000004