(57)【要約】【課題】  ＴＦＴ基板の生産性を向上させる。【解決手段】  １枚のガラス基板１０から複数枚のＴＦＴ基板２０を形成する場合に、個片化前の各ＴＦＴ基板２０のロット番号や検査結果等の二次元データコードが書き込まれた個片情報識別用素子３０を、その表示領域２００外に形成する。個片情報識別用素子３０には、表面に識別電極を有するＴＦＴと有しないか有していても透明化されているＴＦＴとを適当にマトリクス配置して二次元データコードが形成されている。この二次元データコードは、ＴＦＴ基板２０の形成が完了した後に形成することもできる。これにより、各ＴＦＴ基板２０の個片化後もその情報を容易に取得できると共に、情報管理設備の簡素化、調査時間の短縮化を図ることが可能になる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板において、
それぞれ画素電極に接続された複数の薄膜トランジスタがマトリクス状に形成された表示領域と、
前記表示領域外に設けられ複数のトランジスタがマトリクス状に形成された素子と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記素子は、前記複数のトランジスタのうちの一部のトランジスタの各表面と他のトランジスタの各表面とに性質の異なる膜を有し、前記一部のトランジスタと前記他のトランジスタとがマトリクス状に形成されて二次元データコードを構成していることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
一の基板から個片化される薄膜トランジスタ基板の製造方法において、
個片化前の薄膜トランジスタ基板が形成される基板上で前記薄膜トランジスタ基板の表示領域外に、駆動時に通電される膜が各表面に形成された複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程と、
前記複数のトランジスタのうちの一部のトランジスタの各表面に形成されている前記膜を除去または透明化する工程と、
を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記複数のトランジスタのうちの前記一部のトランジスタの各表面に形成されている前記膜を除去または透明化する工程においては、
前記複数のトランジスタを電解液に浸漬し、前記一部のトランジスタを駆動して前記一部のトランジスタの前記膜に通電することによって、前記一部のトランジスタの前記膜を電気化学的に除去または透明化することを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記個片化前の薄膜トランジスタ基板が形成される前記基板上で前記薄膜トランジスタ基板の前記表示領域外に、駆動時に通電される前記膜が各表面に形成された前記複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程においては、
それぞれ駆動時に前記膜に電荷が蓄積される構造を有する前記複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうちの前記一部のトランジスタの各表面に形成されている前記膜を除去または透明化する工程においては、
前記一部のトランジスタを駆動して前記一部のトランジスタの前記膜に通電することによって前記一部のトランジスタの前記膜に電荷を蓄積させた後、前記複数のトランジスタを電解液に浸漬して前記一部のトランジスタの前記膜を電気化学的に除去または透明化することを特徴とする請求項３記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ基板およびその製造方法に関し、特に１枚の基板から複数形成される薄膜トランジスタ基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に液晶表示装置に搭載される液晶パネルは、ガラス基板等の透明絶縁性基板の上に画素電極や画素電極を駆動する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，ＴＦＴ）等が形成されたＴＦＴ基板と、同じくガラス基板等の上に画素電極やカラーフィルタ（ＣＦ）が形成されたＣＦ基板等の対向基板との間に液晶層が挟まれた構造を有している。近年では、携帯電話用をはじめ各種中・小型製品の開発が進み、このような液晶パネルに用いられるＴＦＴ基板は、１枚のマザーガラス基板上に複数形成しそれを切断して個片化する、いわゆる多面取りによって得られている。
【０００３】
複数のＴＦＴ基板を１枚のマザーガラス基板から多面取りによって得る場合には、通常、各ＴＦＴ基板を個片に切断した後でもそれぞれのロット番号や製造履歴等を調査できるよう、切断前に各ＴＦＴ基板に二次元データコード等の識別コードが付される。このような識別コードは、最近では、例えばＴＦＴ基板表面に液晶シャッター等の専用の露光機を用いて形成される。
【０００４】
なお、従来は、例えば、識別コードの視認性やそれを付したときの作業性を考慮し、各ＴＦＴ基板の表示領域や端子領域を除く余白部分に、基板両面から認識可能な個別番号やロット番号を認識文字やバーコードとして作り込むようにした提案もなされている（特許文献１参照）。
【０００５】
また、ＴＦＴ基板の識別方法としては、このほかにも、例えば、ガラス基板上に、画素電極やＴＦＴが形成された画素アレイ部とその信号線および走査線の各駆動回路を形成すると共に、それら各駆動回路からの出力を利用して識別信号を取り出す識別信号出力回路を形成し、各ＴＦＴ基板を識別する方法が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特許第２７３４１８３号公報
【特許文献２】特開２００２−３５８０２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記のようなＴＦＴ基板の識別方法には、次に示すような問題点もある。
例えば、露光機を使って各ＴＦＴ基板に識別コードを付す方法の場合、特に大型のマザーガラス基板から多数の中・小型製品を面取りするような場合には、個片化前の各ＴＦＴ基板に対する識別コードの露光時間がボトルネックとなり、タクトタイムに大きな影響を与えていた。しかし、仮に各ＴＦＴ基板に識別コードを付さないこととすると、個片化した後にそのロット番号や製造履歴を調査することは非常に困難になってしまう。
【０００７】
また、製品の検査結果やその他製造過程で発生する付加情報は、一般的には製造データシート等の紙面上で管理されたり製造ラインのホストコンピュータでデータ管理されたりする。そのため、各ＴＦＴ基板を個片化した後に識別コードが確認できたとしても、検査結果等は、識別コードを基に紙面で辿っていったりコンピュータを使って検索したりする必要があった。
【０００８】
また、ガラス基板上に画素アレイ部と共に駆動回路や識別信号出力回路を形成する場合には、一般的にガラス基板上の構造が複雑になるほど断線や短絡等の不具合は生じやすくなるので、ロット番号等を容易に調査することができるようになる反面、歩留まりが低下してしまう可能性がある。
【０００９】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、簡易かつ正確に識別可能で、効率的に歩留まり良く形成することのできるＴＦＴ基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では上記課題を解決するために、基板上にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板において、それぞれ画素電極に接続された複数のＴＦＴがマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域外に設けられ複数のトランジスタがマトリクス状に形成された素子と、を有することを特徴とするＴＦＴ基板が提供される。
【００１１】
このようなＴＦＴ基板によれば、その表示領域外に、複数のトランジスタがマトリクス状に形成された素子が設けられる。この素子には、例えばこのようにマトリクス配置されている各トランジスタに適当な信号を入力することにより、ＴＦＴ基板のロット番号や検査結果等のデータコードを書き込むことができる。そのため、そのデータコードを用いてＴＦＴ基板を識別することが可能になる。さらに、表示領域と素子とを別の領域に形成することにより、素子へのデータコードの書き込みを表示領域のＴＦＴ形成後に行うことも可能になる。
【００１２】
また、本発明では、一の基板から個片化されるＴＦＴ基板の製造方法において、個片化前のＴＦＴ基板が形成される基板上で前記ＴＦＴ基板の表示領域外に、駆動時に通電される膜が各表面に形成された複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程と、前記複数のトランジスタのうちの一部のトランジスタの各表面に形成されている前記膜を除去または透明化する工程と、を有することを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法が提供される。
【００１３】
このようなＴＦＴ基板の製造方法によれば、ＴＦＴ基板の表示領域外に、表面に所定の膜が形成されたトランジスタをマトリクス配置し、その一部のトランジスタに形成されている膜については除去または透明化する。これにより、トランジスタのマトリクス配置内には、表面に膜を有するものと有しないものとが形成され、その有無によってデータコードの形成が可能になる。ＴＦＴ基板の個片化後も、このデータコードを用いることによって各ＴＦＴ基板を識別することが可能になる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、ＴＦＴ基板の表示領域外に、複数のトランジスタをマトリクス状に配置するようにした。これにより、その複数のトランジスタを用いてＴＦＴ基板に固有のデータコードを形成することができるので、ＴＦＴ基板を簡易かつ正確に識別することができるようになる。また、露光機等を用いた場合に比べてデータコードの形成が容易になる。これにより、ＴＦＴ基板を効率的に歩留まり良く形成することが可能になる。
【００１５】
また、このようなＴＦＴ基板を用いることにより、液晶パネルや液晶表示装置の高品質化および生産性の向上を図ることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を、１枚のマザーガラス基板から個片化して複数のＴＦＴ基板を形成する場合を例に、図面を参照して詳細に説明する。
なお、以下の説明では、ガラス基板上に形成された個片化前のＴＦＴ基板のほか、それをそのガラス基板から個片化したときに得られる各個片を、「ＴＦＴ基板」と呼ぶ場合がある。
【００１７】
図１は個片化前のガラス基板上の平面模式図の一例、図２はＴＦＴ基板の要部断面模式図である。
図１に示すように、透明絶縁性基板である１枚のガラス基板１０上には、個片化前の複数（ここでは９個）のＴＦＴ基板２０が形成されている。ガラス基板１０上の個片化前の各ＴＦＴ基板２０の表示領域２００近傍にはそれぞれ、対応するＴＦＴ基板２０のデータコードが書き込まれた個片情報識別用素子３０が形成されている。各個片情報識別用素子３０はそれぞれ、対応する個片化前のＴＦＴ基板２０が個片化されたときの個片の領域内に形成されている。また、ガラス基板１０上の縁部には、その適当な位置に、各個片情報識別用素子３０が電気的に接続された信号入力端子４０が形成されている。
【００１８】
ここで、まず、ＴＦＴ基板２０について説明する。
ガラス基板１０に形成されるＴＦＴ基板２０は、図２に示すように、画素ごとにＴＦＴ部２０ａと蓄積容量部２０ｂを備え、このような画素がマトリクス状に多数配置されて表示領域２００が構成されている。
【００１９】
ＴＦＴ基板２０の各ＴＦＴ部２０ａには、ガラス基板１０上にゲート配線２１ａが形成され、このゲート配線２１ａの表面を覆うようにして絶縁膜２２が形成されている。この絶縁膜２２は、ＴＦＴ部２０ａにおいてはゲート絶縁膜として機能する。さらに、このＴＦＴ部２０ａの絶縁膜２２上には、ＴＦＴのチャネル領域となる動作半導体膜２３ａが形成され、この動作半導体膜２３ａ上には、そのチャネル領域を後のエッチングから保護するエッチングストッパ膜２４ａが形成されている。このような構造上に、エッチングストッパ膜２４ａ上の一部を除き、活性層膜２５ａを介してソース・ドレイン配線２６ａが形成されている。なお、上記エッチングストッパ膜２４ａは、この活性層膜２５ａおよびソース・ドレイン配線２６ａを成膜後にエッチングでパターニングする際の保護膜として機能する。このような構造上のほぼ全面に保護膜２７が形成され、ＴＦＴが構成されている。そして、その表面の所定領域には、保護膜２７の一部に設けられたコンタクトホール２７ａを介してソース・ドレイン配線２６ａに電気的に接続された画素電極２８が形成されて、ＴＦＴ部２０ａが構成されている。
【００２０】
ＴＦＴ基板２０の各蓄積容量部２０ｂには、ガラス基板１０上に蓄積容量配線２１ｂが形成されており、ＴＦＴ部２０ａのゲート配線２１ａと同様、絶縁膜２２でその表面が覆われている。そして、この蓄積容量部２０ｂの絶縁膜２２上には、動作半導体膜２３ｂ、活性層膜２５ｂ、中間電極２６ｂが順に積層されている。さらに、その上層には、ＴＦＴ部２０ａと同様、保護膜２７と、この保護膜２７の一部に設けられたコンタクトホール２７ｂを介して中間電極２６ｂに電気的に接続された画素電極２８が形成されて、蓄積容量部２０ｂが構成されている。
【００２１】
続いて、個片情報識別用素子３０について説明する。
図３は図１のＡ部拡大模式図、図４は図３のＢ−Ｂ断面模式図である。
各ＴＦＴ基板２の近傍にそれぞれに対応して形成される各個片情報識別用素子３０は、図３に示すように、ガラス基板１０の上に複数のＴＦＴ３０ａがマトリクス状に配置された構造を有している。ただし、後述のように、各ＴＦＴ３０ａの表面には、遮光性の膜が形成されている場合と、その膜が除去または透明化されている場合とがあり、それらの配置によって対応するＴＦＴ基板２０の二次元データコードが構成されている。
【００２２】
各ＴＦＴ３０ａは、図４に示すように、上記図２に示したＴＦＴ基板２０のＴＦＴ部２０ａと同様のトランジスタ構造を有している。すなわち、個片情報識別用素子３０のＴＦＴ３０ａは、ガラス基板１０上にゲート配線３１が形成されており、このゲート配線３１上にゲート絶縁膜として機能する絶縁膜３２が形成されている。そして、この絶縁膜２２上には、チャネル領域となる動作半導体膜３３が形成され、この動作半導体膜３３上には、エッチングストッパ膜３４、活性層膜３５、ソース・ドレイン配線３６、保護膜３７が形成されている。
【００２３】
このような構成の各ＴＦＴ３０ａには、その最上層に保護膜３７のコンタクトホール３７ａを介してソース・ドレイン配線３６に電気的に接続された識別電極３８が前述の遮光性の膜として形成されているもの（図４参照）と、後述のような方法によってその識別電極３８が除去または透明化されているものとの２種類の形態が存在する。これらを適当に配置することにより、固有の二次元データコードを持った個片情報識別用素子３０が形成される。なお、除去または透明化する処理を行う前には、すべてのＴＦＴ３０ａに識別電極３８が形成されている。
【００２４】
このように、個片情報識別用素子３０ごと、そのＴＦＴ３０ａのマトリクス配置内で識別電極３８を有するものと、有しないかあるいは有していても透明化されているものとを、適当にマトリクス状に配置することにより、各個片情報識別用素子３０に対応するＴＦＴ基板２０の二次元データコードを形成することができるようになっている。
【００２５】
続いて、信号入力端子４０について説明する。
図５は図１のＣ部拡大模式図、図６は図５のＤ−Ｄ断面模式図、図７は図５のＥ−Ｅ断面模式図である。
【００２６】
ガラス基板１０上の縁部に形成される信号入力端子４０は、図５に示すように、信号入力用のコード等が接続可能なゲート信号入力端子４０ａおよびデータ信号入力端子４０ｂから構成されている。このうち、ゲート信号入力端子４０ａは、ゲート信号ラインＧＬを介して個片情報識別用素子３０のゲート配線３１に電気的に接続されており、一方、データ信号入力端子４０ｂは、データ信号ラインＤＬを介して個片情報識別用素子３０のソース・ドレイン配線３６に電気的に接続されている。
【００２７】
このゲート信号入力端子４０ａおよびデータ信号入力端子４０ｂは、ガラス基板１０上に同時に形成することができる。ゲート信号入力端子４０ａは、図６に示すように、ガラス基板１０上に、ゲート信号ラインＧＬに接続されたゲート配線４１、絶縁膜４２、保護膜４７が形成され、画素電極４８が保護膜４７および絶縁膜４２に形成されたコンタクトホール４７ａを介してゲート配線４１に電気的に接続されている。データ信号入力端子４０ｂは、図７に示すように、ガラス基板１０上に、データ信号ラインＤＬに接続された絶縁膜４２、動作半導体膜４３、活性層膜４５、ソース・ドレイン配線４６、保護膜４７が形成され、画素電極４８が保護膜４７のコンタクトホール４７ｂを介してソース・ドレイン配線４６に電気的に接続されている。
【００２８】
なお、便宜上、図５には、一の個片情報識別用素子３０に対応した信号入力端子４０を図示している。また、ガラス基板１０上の信号入力端子４０の形成位置は、後述のように、個片情報識別用素子３０の識別電極３８に対して行われる処理を考慮して設定されている。
【００２９】
また、図５および図３には、ゲート信号ラインＧＬおよびデータ信号ラインＤＬをガラス基板１０の外部に図示したが、実際には外部に露出しない形で形成されている。後述する図８および図１２についても同様とする。
【００３０】
このようにガラス基板１０上にＴＦＴ基板２０と共に形成される個片情報識別用素子３０の基本構造（すべてのＴＦＴ３０ａに識別電極３８が形成されている状態の構造）、および信号入力端子４０は、ガラス基板１０上にＴＦＴ基板２０を形成しながらそれと同時にそのガラス基板１０上に形成することができる。ここで、その形成方法の一例の概略を上記図２，図４，図６および図７を参照して説明する。
【００３１】
まず、ガラス基板１０上に所定金属のメタル層を形成してパターニングを行い、ＴＦＴ基板２０のゲート配線２１ａと蓄積容量配線２１ｂを形成すると共に、個片情報識別用素子３０のＴＦＴ３０ａのゲート配線３１および信号入力端子４０のゲート配線４１を形成する。なお、その際は、ＴＦＴ３０ａのゲート配線３１とゲート信号入力端子４０ａのゲート配線４１とを接続するゲート信号ラインＧＬも併せて形成する。
【００３２】
次いで、形成した各配線を覆うように全面に窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等を形成し、絶縁膜２２，３２，４２を一括して形成する。
次いで、全面にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等を形成してパターニングを行い、ＴＦＴ部２０ａ、蓄積容量部２０ｂ、ＴＦＴ３０ａ、データ信号入力端子４０ｂの各領域にそれぞれ、動作半導体膜２３ａ，２３ｂ，３３，４３を一括して形成する。
【００３３】
次いで、再びＳｉＮ膜等を形成し、ＴＦＴ基板２０のＴＦＴ部２０ａと個片情報識別用素子３０のＴＦＴ３０ａの各領域にそれぞれ、エッチングストッパ膜２４ａ，３４を一括して形成する。
【００３４】
次いで、全面に、不純物をドープしたａ−Ｓｉ層とメタル層を順に形成してパターニングを行い、ＴＦＴ部２０ａには活性層膜２５ａとソース・ドレイン配線２６ａを、蓄積容量部２０ｂには活性層膜２５ｂと中間電極２６ｂを、ＴＦＴ３０ａには活性層膜３５とソース・ドレイン配線３６を、データ信号入力端子４０ｂには活性層膜４５とソース・ドレイン配線４６を、一括して形成する。なお、その際は、ＴＦＴ３０ａのソース・ドレイン配線３６とデータ信号入力端子４０ｂのソース・ドレイン配線４６とを接続するデータ信号ラインＤＬも併せて形成する。
【００３５】
次いで、全面に保護膜２７を形成した後、ＴＦＴ部２０ａ、蓄積容量部２０ｂ、ゲート信号入力端子４０ａおよびデータ信号入力端子４０ｂにはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極膜で画素電極２８，４８を形成し、ＴＦＴ３０ａにはアルミニウム（Ａｌ）やモリブデン（Ｍｏ）等で識別電極３８を形成する。
【００３６】
以上の方法により、ガラス基板１０上に、ＴＦＴ基板２０、個片情報識別用素子３０の基本構造、および信号入力端子４０が形成される。そして、このように個片化前のＴＦＴ基板２０の形成まで終了した段階で、個片情報識別用素子３０ごと、適当な位置のＴＦＴ３０ａの識別電極３８を除去または透明化する処理を行うことにより、各個片情報識別用素子３０にそれに対応するＴＦＴ基板２０の二次元データコードが書き込まれる。
【００３７】
続いて、個片情報識別用素子３０への二次元データコードの書き込み方法について説明する。
図８から図１０は二次元データコードの書き込み方法の説明図であって、図８は二次元データコードが書き込まれた個片情報識別用素子の一例の平面模式図、図９は識別電極の処理工程の説明図、図１０は識別電極の処理工程で個片情報識別用素子に入力する信号波形の一例を示す図である。
【００３８】
個片情報識別用素子３０は、二次元データコードの書き込み前は、上記のように各ＴＦＴ３０ａに識別電極３８が形成され、その基本構造が形成されている。そして、適当な位置のＴＦＴ３０ａの識別電極３８を除去または透明化することにより、図８に示すように、識別電極３８の有無あるいは透明度の違いによって二次元データコードが形成される。
【００３９】
二次元データコードを形成するための識別電極３８の処理は、図９に示すように、まず、ＴＦＴ基板２０、個片情報識別用素子３０の基本構造、および信号入力端子４０が形成されたガラス基板１０を、信号入力端子４０に信号入力コード５０を接続した状態で、電解液５１の入った電解液槽５２に浸漬する。その際は、ＴＦＴ基板２０と個片情報識別用素子３０は電解液５１に浸漬させるが、信号入力端子４０は電解液５１に浸漬させないようにする。したがって、信号入力端子４０は、あらかじめこの浸漬処理を考慮した位置に形成しておくことを要する。
【００４０】
そして、このように電解液５１に浸漬させた状態のまま、信号入力端子４０に適当な電圧を印加することにより、電流が流れた識別電極３８が電解液５１中での電食反応によって電気化学的に除去または透明化される。
【００４１】
例えば、図８に示したように、ゲート配線３１が接続されているゲート信号ラインＧＬ１とソース・ドレイン配線３６が接続されているデータ信号ラインＤＬ１，ＤＬ３，ＤＬ４，ＤＬ６との交差位置に存在するＴＦＴ３０ａの識別電極３８を除去または透明化しようとする場合には、各信号ラインにそれぞれ、時間（ｔ）に対して図１０に示すような波形の電圧信号を入力するようにする。すなわち、ゲート信号ラインＧＬ１がオン状態（電圧ＶｇＯＮ）のときに、データ信号ラインＤＬ１，ＤＬ３，ＤＬ４，ＤＬ６をオン状態（電圧ＶｄＯＮ）にし、残りのデータ信号ラインＤＬ２，ＤＬ５はオフ状態（電圧０）とする。それにより、電流が流れた識別電極３８のみが、電解液５１中での電食反応によって除去または透明化されるようになる。
【００４２】
そして、これと同様の処理を他のゲート信号ラインＧＬ２〜ＧＬ６についても行うことにより、一の個片情報識別用素子３０につき、識別電極３８の有無あるいは透明度の違いにより、対応するＴＦＴ基板２０の二次元データコードを形成する。さらに、ガラス基板１０上の他の個片情報識別用素子３０についても同様の処理を行うことにより、最終的にガラス基板１０上に形成されているすべてのＴＦＴ基板２０の二次元データコードを形成する。
【００４３】
形成された二次元データコードは、識別電極３８がそのまま残っている部分と除去または透明化されている部分、すなわち識別電極３８と露出した状態または視認可能な状態になっている保護膜３７との反射率の差を利用し、光学的な読み取り装置を用いて読み取ることができる。
【００４４】
このように、各個片情報識別用素子３０の二次元データコードは、電解液５１中での電食を利用して電気化学的に形成され、専用の露光機を用いた場合に比べて二次元データコードを効率的に形成することができ、１枚のガラス基板１０から複数枚形成されるＴＦＴ基板２０の生産性を向上させることができる。
【００４５】
さらに、上記の例では、ガラス基板１０上に個片情報識別用素子３０をＴＦＴ基板２０の形成と同時に形成し、それを電解液５１に浸漬して二次元データコードを形成するようにした。すなわち、この場合、個片情報識別用素子３０への二次元データコードの書き込みは、個片化前のＴＦＴ基板２０の形成が終了した後に行われる。それにより、各個片情報識別用素子３０には、ロット番号は勿論、プロセス条件や検査結果等、ＴＦＴ基板２０の形成過程やその形成前後に得られる様々な情報を書き込むことができる。また、書き込まれた各種情報を示す二次元データコードは、各ＴＦＴ基板２０を個片化した後に光学的に読み取られる。したがって、ＴＦＴ基板２０の形成に伴う情報管理設備の簡素化、調査時間の短縮化を図ることが可能になる。
【００４６】
なお、以上の説明では、個片情報識別用素子３０に接続された信号入力端子４０をガラス基板１０上の縁部１箇所に設ける構成としたが、これらを各個片ごとに設ける構成としてもよい。
【００４７】
図１１はＴＦＴ基板の一例の平面模式図、図１２は図１１のＦ部拡大模式図である。
図１１に示すＴＦＴ基板６０は、１枚のガラス基板上に複数形成されたものを個片化したうちの１枚である。このＴＦＴ基板６０には、図１１および図１２に示すように、表示領域６００外に個片情報識別用素子６１とこれに接続された信号入力端子６２が共に設けられている。そして、個片情報識別用素子６１の識別電極６３の配置により、二次元データコードが形成されている。
【００４８】
このようにＴＦＴ基板６０の各個片内に個片情報識別用素子６１および信号入力端子６２を共に設けた構成とすることにより、個片化後あるいはそれを用いて液晶パネルを形成した後でも、所定位置の識別電極６３の除去または透明化を行ってＴＦＴ基板６０の二次元データコードの書き込みが可能になる。
【００４９】
なお、このような構成の個片情報識別用素子６１および信号入力端子６２は、ガラス基板１０にＴＦＴ基板６０を形成しながらそれと同時に形成することが可能である。
また、図１３は個片情報識別用素子の別の形態の断面模式図の一例である。
【００５０】
図１３に示す個片情報識別用素子７０は、上記図２に示したＴＦＴ基板２０と同様、ガラス基板１０上にＴＦＴ部７０ａと蓄積容量部７０ｂが形成されたトランジスタ構造をマトリクス状に配置した構成を有している。
【００５１】
この個片情報識別用素子７０のＴＦＴ部７０ａには、ＴＦＴ基板２０のＴＦＴ部２０ａと同様、ゲート配線７１ａ、絶縁膜７２、動作半導体膜７３ａ、エッチングストッパ膜７４ａ、活性層膜７５ａ、ソース・ドレイン配線７６ａ、保護膜７７が形成されている。
【００５２】
また、この個片情報識別用素子７０の蓄積容量部７０ｂには、ＴＦＴ基板２０の蓄積容量部２０ｂと同様、蓄積容量配線７１ｂ、絶縁膜７２、動作半導体膜７３ｂ、活性層膜７５ｂ、中間電極７６ｂ、保護膜７７が形成されている。蓄積容量配線７１ｂは、例えばガラス基板１０のガードリング等、電気的な容量を持った金属層に接続されている。
【００５３】
ＴＦＴ部７０ａおよび蓄積容量部７０ｂの保護膜７７には、コンタクトホール７７ａ，７７ｂが形成されており、識別電極７８がこれらのコンタクトホール７７ａ，７７ｂを介してソース・ドレイン配線７６ａおよび中間電極７６ｂに接続された状態で形成されている。
【００５４】
このような構造を有する個片情報識別用素子７０は、上記図３および図４等に示した個片情報識別用素子３０と同様、ＴＦＴ基板２０を形成しながら信号入力端子４０と共にガラス基板１０上に形成することができる。そして、ガラス基板１０にＴＦＴ基板２０、個片情報識別用素子７０の基本構造（すべてのＴＦＴ部７０ａと蓄積容量部７０ｂの組に識別電極７８が形成されている状態の構造）、および信号入力端子４０が形成された状態で、上記図８から図１０に示したのと同様、個片情報識別用素子７０に対し、電解液中での電食を利用して二次元データコードの書き込みが行われる。
【００５５】
ただし、このような個片情報識別用素子７０の基本構造から二次元データコードを形成しようとする場合には、まず、電解液に浸漬させていない状態で、形成すべき二次元データコードに応じて信号入力端子４０から所定の電圧信号を、ゲート配線７１ａおよびソース・ドレイン配線７６ａにそれぞれ接続された所定の信号ラインに入力する。それにより、個片情報識別用素子７０内の所定位置の識別電極７８には電荷が蓄積されるようになる。この状態で電解液への浸漬を行うと、電荷が蓄積された識別電極７８でのみ電食反応が起こり、その識別電極７８が除去または透明化され、この個片情報識別用素子７０に所定の二次元データコードが書き込まれるようになる。
【００５６】
このような方法を用いると、電解液への浸漬の際、信号入力端子４０への信号入力コードの接続が不要になるので、より浸漬処理が行いやすくなる。さらに、電解液中での電圧印加も不要になり、電荷が蓄積されている識別電極７８でのみ電食反応が起こるので、識別電極７８への不要な通電を防止し、精度良く二次元データコードを形成することが可能になる。
【００５７】
なお、このような構成の個片情報識別用素子７０を、信号入力端子４０と共に各個片ごとに設けた構成とすることも可能である。
以上説明したように、１枚のガラス基板１０から複数枚のＴＦＴ基板２０，６０を形成する場合に、ＴＦＴ基板２０，６０の二次元データコードを示す個片情報識別用素子３０，６１，７０を、各ＴＦＴ基板２０，６０に対応して形成するようにした。個片情報識別用素子３０，６１，７０には、識別電極３８，６３，７８を有するトランジスタと、有しないか有していても透明化されているトランジスタとを、マトリクス状に配置し、その配置によって二次元データコードを形成する。
【００５８】
二次元データコードは、ＴＦＴ基板２０，６０の形成が完了した後に形成することができる。したがって、二次元データコードとしてロット番号のほか検査結果等の様々な情報を書き込むことができるため、各ＴＦＴ基板２０，６０がガラス基板１０から個片化された後でも、その情報を光学的に読み取って容易に取得することができる。その結果、ＴＦＴ基板２０，６０の生産性を高めると共に、その形成に伴う情報管理設備の簡素化、調査時間の短縮化を図ることが可能になる。
【００５９】
また、このようなＴＦＴ基板２０，６０を液晶パネルに用いることにより、その生産性や品質をより高めることが可能になる。さらに、そのような液晶パネルを液晶表示装置に用いることにより、その生産性の向上を図ることが可能になると共に、その高品質化を図ることが可能になる。
【００６０】
なお、以上の説明では、１枚のガラス基板から複数のＴＦＴ基板を形成する場合を例にして述べたが、１枚のガラス基板から１個のＴＦＴ基板を形成する場合にも、同様にして適用可能である。
【００６１】
また、以上の説明では、１枚のガラス基板上にＴＦＴ基板を形成しながらそれと同時に個片情報識別用素子および信号入力端子を形成するようにしたが、ＴＦＴ基板、個片情報識別用素子および信号入力端子をそれぞれ別工程で形成するようにしてもよい。この場合、個片情報識別用素子を構成するトランジスタは、ＴＦＴには限定されない。さらに、この場合には、個片情報識別用素子や信号入力端子は、ガラス基板上に直接形成しても、ガラス基板上層の保護膜等の絶縁膜上に形成してもよい。
【００６２】
（付記１）  基板上にＴＦＴが形成されたＴＦＴ基板において、
それぞれ画素電極に接続された複数のＴＦＴがマトリクス状に形成された表示領域と、
前記表示領域外に設けられ複数のトランジスタがマトリクス状に形成された素子と、
を有することを特徴とするＴＦＴ基板。
【００６３】
（付記２）  前記素子は、前記複数のトランジスタのうちの一部のトランジスタの各表面と他のトランジスタの各表面とに性質の異なる膜を有し、前記一部のトランジスタと前記他のトランジスタとがマトリクス状に形成されて二次元データコードを構成していることを特徴とする付記１記載のＴＦＴ基板。
【００６４】
（付記３）  前記膜は、光学的性質が異なることを特徴とする付記２記載のＴＦＴ基板。
（付記４）  前記表示領域外に前記複数のトランジスタを駆動する信号を入力するための端子を有することを特徴とする付記１記載のＴＦＴ基板。
【００６５】
（付記５）  前記素子は、駆動時に前記膜に電荷が蓄積されるようになっていることを特徴とする付記１記載のＴＦＴ基板。
（付記６）  一の基板から個片化されるＴＦＴ基板の製造方法において、
個片化前のＴＦＴ基板が形成される基板上で前記ＴＦＴ基板の表示領域外に、駆動時に通電される膜が各表面に形成された複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程と、
前記複数のトランジスタのうちの一部のトランジスタの各表面に形成されている前記膜を除去または透明化する工程と、
を有することを特徴とするＴＦＴ基板の製造方法。
【００６６】
（付記７）  前記複数のトランジスタのうちの前記一部のトランジスタの各表面に形成されている前記膜を除去または透明化する工程においては、
前記複数のトランジスタを電解液に浸漬し、前記一部のトランジスタを駆動して前記一部のトランジスタの前記膜に通電することによって、前記一部のトランジスタの前記膜を電気化学的に除去または透明化することを特徴とする付記６記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【００６７】
（付記８）  前記個片化前のＴＦＴ基板が形成される前記基板上で前記ＴＦＴ基板の前記表示領域外に、駆動時に通電される前記膜が各表面に形成された前記複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程においては、
それぞれ駆動時に前記膜に電荷が蓄積される構造を有する前記複数のトランジスタを形成し、
前記複数のトランジスタのうちの前記一部のトランジスタの各表面に形成されている前記膜を除去または透明化する工程においては、
前記一部のトランジスタを駆動して前記一部のトランジスタの前記膜に通電することによって前記一部のトランジスタの前記膜に電荷を蓄積させた後、前記複数のトランジスタを電解液に浸漬して前記一部のトランジスタの前記膜を電気化学的に除去または透明化することを特徴とする付記６記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【００６８】
（付記９）  前記個片化前のＴＦＴ基板が形成される前記基板上で前記ＴＦＴ基板の前記表示領域外に、駆動時に通電される前記膜が各表面に形成された前記複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程においては、
前記個片化前のＴＦＴ基板を個片化したときの個片内に前記複数のトランジスタを形成することを特徴とする付記６記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【００６９】
（付記１０）  前記個片化前のＴＦＴ基板が形成される前記基板上で前記ＴＦＴ基板の前記表示領域外に、駆動時に通電される前記膜が各表面に形成された前記複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程においては、
前記基板上に前記個片化前のＴＦＴ基板を形成しながら同時に前記複数のトランジスタを形成していくことを特徴とする付記６記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【００７０】
（付記１１）  前記個片化前のＴＦＴ基板が形成される前記基板上で前記ＴＦＴ基板の前記表示領域外に、駆動時に通電される前記膜が各表面に形成された前記複数のトランジスタをマトリクス状に形成する工程においては、
前記基板上に前記複数のトランジスタと共に前記複数のトランジスタを駆動する信号を入力するための端子を形成することを特徴とする付記６記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【００７１】
（付記１２）  前記基板上に前記複数のトランジスタと共に前記複数のトランジスタを駆動する信号を入力するための前記端子を形成する際には、
前記個片化前のＴＦＴ基板を個片化したときの個片内に前記複数のトランジスタと前記端子とを形成することを特徴とする付記１１記載のＴＦＴ基板の製造方法。
【００７２】
（付記１３）  複数の個片化されるＴＦＴ基板が形成された基板において、
画素電極に接続されたＴＦＴがマトリクス状に形成された表示領域を備える複数のＴＦＴ基板と、
前記複数のＴＦＴ基板の前記表示領域外で前記複数のＴＦＴ基板を個片化したときの各個片内に設けられ、複数のトランジスタがマトリクス状に形成された素子と、
前記表示領域外に設けられ各前記素子の前記複数のトランジスタを駆動する信号を入力するための端子と、
を有することを特徴とする基板。
【００７３】
（付記１４）  前記端子は、前記表示領域外で前記複数のＴＦＴ基板を個片化したときの各個片内に設けられていることを特徴とする付記１３記載の基板。
（付記１５）  ＴＦＴ基板を用いた液晶パネルにおいて、
前記ＴＦＴ基板は、画素電極に接続されたＴＦＴがマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域外に設けられ複数のトランジスタがマトリクス状に形成された素子と、を有することを特徴とする液晶パネル。
【００７４】
（付記１６）  ＴＦＴ基板を用いた液晶表示装置において、
前記ＴＦＴ基板は、画素電極に接続されたＴＦＴがマトリクス状に形成された表示領域と、前記表示領域外に設けられ複数のトランジスタがマトリクス状に形成された素子と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】個片化前のガラス基板上の平面模式図の一例である。
【図２】ＴＦＴ基板の要部断面模式図である。
【図３】図１のＡ部拡大模式図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ断面模式図である。
【図５】図１のＣ部拡大模式図である。
【図６】図５のＤ−Ｄ断面模式図である。
【図７】図５のＥ−Ｅ断面模式図である。
【図８】二次元データコードが書き込まれた個片情報識別用素子の一例の平面模式図である。
【図９】識別電極の処理工程の説明図である。
【図１０】識別電極の処理工程で個片情報識別用素子に入力する信号波形の一例を示す図である。
【図１１】ＴＦＴ基板の一例の平面模式図である。
【図１２】図１１のＦ部拡大模式図である。
【図１３】個片情報識別用素子の別の形態の断面模式図の一例である。
【符号の説明】
【００７６】
１０  ガラス基板
２０，６０  ＴＦＴ基板
２０ａ，７０ａ  ＴＦＴ部
２０ｂ，７０ｂ  蓄積容量部
２１ａ，３１，４１，７１ａ  ゲート配線
２１ｂ，７１ｂ  蓄積容量配線
２２，３２，４２，７２  絶縁膜
２３ａ，２３ｂ，３３，４３，７３ａ，７３ｂ  動作半導体膜
２４ａ，３４，７４ａ  エッチングストッパ膜
２５ａ，２５ｂ，３５，４５，７５ａ，７５ｂ  活性層膜
２６ａ，３６，４６，７６ａ  ソース・ドレイン配線
２６ｂ，７６ｂ  中間電極
２７，３７，４７，７７  保護膜
２７ａ，２７ｂ，３７ａ，４７ａ，４７ｂ，７７ａ，７７ｂ  コンタクトホール
２８，４８  画素電極
３０，６１，７０  個片情報識別用素子
３０ａ  ＴＦＴ
３８，６３，７８  識別電極
４０，６２  信号入力端子
４０ａ  ゲート信号入力端子
４０ｂデータ信号入力端子
５０  信号入力コード
５１  電解液
５２  電解液槽
２００，６００  表示領域
ＧＬ，ＧＬ１〜ＧＬ６  ゲート信号ライン
ＤＬ，ＤＬ１〜ＤＬ６  データ信号ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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