(57)【要約】  【課題】  表示領域外側の額縁幅が３．５ｍｍ以下である液晶表示装置において、生産性の低下を来すことなく、ＴＦＴ基板のコンタクトホールとＣＦ基板の対向電極膜との間に挟まった導電性異物によってリークが発生することのないようにする。  【解決手段】  平面視において、ＴＦＴ基板１の表示領域外側に形成されたコンタクトホール４ａと、ＣＦ基板２に形成された対向電極膜２４とが重ならないようにする。ここで、導電性異物に起因する短絡を完全に防止する観点からは、平面視においてコンタクトホール４ａの外周から５００μｍ以上離れた位置に対向電極膜２４を形成するのが好ましい。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域外側の額縁幅が３．５ｍｍ以下である液晶表示装置において、
平面視において、一方の基板の表示領域外側に形成されたコンタクトホールと、もう一方の基板に形成された導電膜とが重ならないようにしたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
平面視において、前記コンタクトホールの外周から５００μｍ以上離れた位置に導電膜が形成されている請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、より詳細にはノート型パソコンまたはディスプレイなどに用いられる額縁の狭い液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の一般的な液晶パネルは、ＴＦＴ素子を有するＴＦＴ基板とカラーフィルターを有するＣＦ基板とをシール材によって貼り合わせ、望みのサイズに分断した後に２つの基板間に液晶材を注入してなる。図５に従来の液晶パネルの断面図を示す。この図のように、ＴＦＴ基板１は、ガラス基板１１上にゲート配線１２、絶縁層１３、ソース配線１４を形成し、その上に層間絶縁層１５を介して画素電極（ＩＴＯ膜）１６が形成されてなる。そして、その上には配向膜１７が形成されている。一方、ＣＦ基板２は、ガラス基板２１に赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルター２３が規則正しく形成され、各カラーフィルター間の隙間には、遮光のためのブラック・マトリックス（ＢＭ）２２が形成されている。さらにその上に対向電極膜２４と配向膜２５が形成されてなる。そしてこのＴＦＴ基板１とＣＦ基板２とが不図示のシール部材っで貼り合わされ、基板間に液晶材７が注入されている。
【０００３】
図６に示すように、ＴＦＴ基板１には、ゲート配線１２とソース配線１４とが互いに交差した表示領域１０が設けられている。そしてゲート配線１２とソース配線１４とは表示領域１０を越えて延出形成され、その外側の端子領域に設けられた端子パッド１８，１９を介してゲート配線１２にゲート電圧が入力され、ソース配線１４にソース電圧が入力される。一方、ＣＦ基板２には、ガラス基板２１のほぼ全面に対向電極膜２４が形成され、対向電極膜２４の外周部の所々には張出部２４１が形成されている。ＣＦ基板２とＴＦＴ基板１とが貼り合わされたときに、ＴＦＴ基板１上に設けられたＩＴＯパッド部上に塗布されたコモンペースト３とこの張出部２４１とが接触し、これによりＣＦ基板２の対向電極膜２４はＴＦＴ基板１と電気的に接続することになる。この対向電極膜２４の張出部２４１は、コモンペースト３をＴＦＴ基板１に塗布する際の精度誤差を考慮して裕度を持って形成しておく必要がある。
【０００４】
一方、近年の表示画面の大型化が進んでいるが、表示画面が大きくなるのとは反対に、装置の外形寸法は小型化する傾向にある。加えて、画面表示の高精細化のために表示画素数が増加し配線数が飛躍的に増加している。このため従来よりも狭くなった装置の端子領域に多くの端子パッドを形成しなければならず、端子パッドの間隔が非常に狭くなり、これに伴い額縁領域に形成される、端子パッドと接続する配線の間隔も狭くなってきた。
【０００５】
このため図７に示すように、ＣＦ基板２の対向電極膜２４の対向領域に、ＴＦＴ基板上の斜め配線部１４１の両端に形成されているコンタクトホール４ａが位置することがあった。ここでコンタクトホール４ａの概説図を図８に示す。このコンタクトホール４ａは、最下層のゲート配線１２の一部を露出するように、絶縁層１３、ソース配線１４、絶縁層１５を貫通した穴であって、その穴はＩＴＯ膜５で覆われている。これにより斜め配線部１４１（図７に図示）は、ゲート配線１２とソース配線１４の２つの配線によって電気信号を伝えることができようになり、ゲート配線１２及びソース配線１４の双方が断線しない限り電気信号が伝えられ、斜め配線部１４１（図７に図示）での断線不良が効果的に防止される。
【０００６】
ところが、図９に示すように、前記構造のコンタクトホール４ａがＣＦ基板２の対向電極膜２４の対向領域に位置していると、製造工程に起因する金属削りクズなどの導電性異物６がコンタクトホール４ａと対向電極膜２４との間に挟まった場合にこの部分で短絡が生じて配線が焼き付き、表示不良が生じる。
【０００７】
ＴＦＴ基板１とＣＦ基板２との間の導電性異物６によるリークを防止する方法として、例えば特許文献１では、一方の基板の配線層を絶縁膜で被覆して、配線層と対向電極膜との間の導電性異物によるリークを防止する技術が提案されている。
【特許文献１】ＷＯ９８／０９１９１公報（特許請求の範囲、第５頁−第７頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の提案技術では配線層の表面に絶縁膜を形成するため、従来の生産工程に新たな工程を追加しなければならず生産性の低下が予想される。また特許文献１で提案されている技術は、表示領域における導電性異物に起因するリークの防止を目的とするものであって、非表示領域におけるＴＦＴ基板のコンタクトホールとＣＦ基板の対向電極膜との導電性異物に起因するリークを防止するものではない。
【０００９】
本発明はこのような従来の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は生産性の低下を来すことなく、ＴＦＴ基板のコンタクトホールとＣＦ基板の対向電極膜との間に挟まった導電性異物によってリークが発生することのない液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため本発明の液晶表示装置では、表示領域外側の額縁幅が３．５ｍｍ以下である液晶表示装置において、平面視において、一方の基板の表示領域外側に形成されたコンタクトホールと、もう一方の基板に形成された導電膜とが重ならないようにした。なお、本発明における「額縁幅」とは、図４に示すように、表示領域と端子領域との間の幅をいうものとする。
【００１１】
ここで、導電性異物に起因する短絡を完全に防止する観点からは、平面視においてコンタクトホールの外周から５００μｍ以上離れた位置に導電膜を形成するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の液晶表示装置では、一方の基板の表示領域外側に形成されたコンタクトホールと、もう一方の基板に形成された導電膜とが平面視において重ならないようにしたので、コンタクトホールと導電膜との間に異物の挟まって生じる短絡を有効に抑えることができる。これにより表示不良が抑えられ、液晶表示装置の歩留りが向上する。
【００１３】
平面視において、前記コンタクトホールの外周から５００μｍ以上離れた位置に導電膜を形成するようにすると、導電性異物に起因する短絡を完全に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明に係る液晶表示装置について図に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施形態に何ら限定されるものではない。
【００１５】
図１は、本発明の液晶表示装置の一実施形態を示すＴＦＴ基板の表示領域外側の平面図である。このＴＦＴ基板１の外周縁の端子領域には複数の端子パッド１９が所定間隔で形成されている。そしてこの端子パッド１９に表示領域から延出形成された配線１４が、屈折しながらコンタクトホール４ａ，４ｂを介して接続している。平面視において、一連のコンタクトホール４ａの間に、ＣＦ基板２に形成されている対向電極膜（導電膜、破線および着色で図示）２４の張出部２４１が入り込むための領域が確保されている。そして、ＴＦＴ基板１とＣＦ基板２とが貼り合わされたときに、対向電極膜２４の張出部２４１がこの領域に位置する。
【００１６】
対向電極膜２４の張出部２４１は通常は左右対称形状であるが、このような通常の形状では平面視においてコンタクトホール４ａと重なる場合には、コンタクトホール４ａと重なる部分を切り欠いた形状とし、コンタクトホール４ａと対向電極膜２４とが平面視において重ならないようにした。このとき、図２に示すように平面視で、コンタクトホール４ａの外周と対向電極膜２４との間（図２のＸ，Ｙ）を５００μｍ以上離すことが推奨される。これによりコンタクトホール４ａと対向電極膜２４との間での導電性異物による短絡が確実に防止できるからである。
【００１７】
図３に他の実施形態を示す。図３の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板１に形成されているコンタクトホール４ａとの重なりをなくすため、ＣＦ基板２の対向電極膜２４の張出部２４１の右側部を、コンタクトホール４ａの外周から５００μｍ以上離れるように切り欠いてある。
【００１８】
このような形状の対向電極膜２４をＣＦ基板２に形成するには、例えば次のようにすればよい。まず、ＢＭ層をガラス基板上に形成する。ＢＭ層となるＣｒ層をスパッタ装置によってガラス基板上に全面形成し、その上にフォトレジスト（ネガ型）を塗布する。そして、所定パターンの孔が形成されたフォトマスクを載せて紫外線を照射し、フォトレジストを硬化させる。次に、紫外線が照射されなかったレジスト軟化部分を現像液にて除去し現像を行う。その後、不要のＣｒをエッチング液にて除去（ウエットエッチング）、あるいは減圧下でのガス放電により反応させてガス状にいて除去（ドライエッチング）する。そして、硬化したフォトレジストを剥離液で取り除き、ガラス基板上にＢＭ層を形成する。
【００１９】
次に、ＢＭ層を形成したガラス基板に、赤色（Ｒ）の着色剤を全面に塗布した後、その上にフォトレジスト（ネガ型）を塗布する。そして、マスクを載せて紫外線を照射する。次に、紫外線が照射されなかった軟化部分のレジストをアルカリ液で除去する。このとき、その部分の着色層も同時に除去される。その後フォトレジストを剥離して所定のＲ画素パターンを得る。同様の工程を繰り返して、Ｇ画素パターンとＢ画素パターンとを形成する。
【００２０】
次に、カラーフィルター層の上に直接又はオーバーコート層の上にスパッタ装置などによって対向電極膜を形成する。この対向電極膜は液晶画素の共通電極として機能するためカラーフィルター層の全面に形成するが、前述の通り、ＴＦＴ基板の表示領域外側に形成されたコンタクトホールに対向する部分には対向電極膜は形成しないようにする。このような形状の対向電極膜を形成するには、形成したい対向電極膜の形状部分を開口部とした金属製のマスクをＣＦ基板にあてた状態でスパッタリングを行えばよい。対向電極膜の膜厚としては１０００〜２０００Å程度が好ましい。
【００２１】
そして、ＣＦ基板の対向電極膜の上に配向膜を形成する。配向膜の形成は、ポリイミド樹脂などを溶剤に溶かし、精密なゴム板などでガラス基板面に印刷するか、あるいはスピンナ法によって塗布することによって行う。配向膜の膜厚としては５００〜１０００Å程度が好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る液晶表示装置のＴＦＴ基板の部分拡大平面図である。
【図２】図１のＴＦＴ基板の拡大図である。
【図３】他の実施形態を示すＴＦＴ基板の拡大図である。
【図４】本発明における額縁領域を示すＴＦＴ基板の平面図である。
【図５】液晶表示装置の一例を示す垂直断面図である。
【図６】液晶表示装置の概説斜視図である。
【図７】従来の液晶表示装置のＴＦＴ基板の部分拡大図である。
【図８】コンタクトホールの垂直断面図である。
【図９】対向電極膜とコンタクトホールとの間に導電性異物が挟まったときの垂直断面図である。
【符号の説明】
【００２３】
１    ＴＦＴ基板
２    ＣＦ基板
３    コモンペースト
１０    表示領域
４ａ，４ｂ    コンタクトホール
１９    端子パッド
２４    対向電極膜（導電膜）
１４１    斜め配線部
２４１    張出部
２４２    切り欠き部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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