(57)【要約】【課題】  パルスレーザ光を用いて、部材の所定位置を除去するレーザ加工において、発生する気化ダストが部材表面に再付着することを抑制する。【解決手段】  パルスレーザ光Ｌを部材７の表面に照射して被照射部６ｂを除去するレーザ加工において、パルスレーザ光のパルス幅を１０ピコ秒以下に選定する。また、パルスレーザ光Ｌの照射によって部材７に与えるエネルギーの密度を、１パルスあたり０．１Ｊ／ｃｍ２以下に選定する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザ光を部材表面に照射して上記部材表面の被照射部を除去することによって、上記部材表面を所定の形状に加工するレーザ加工方法であって、
上記パルスレーザ光のパルス幅を１０ピコ秒以下に選定することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
上記パルスレーザ光の照射によって上記部材に与えるエネルギーの密度を、１パルスあたり０．１Ｊ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
上記パルスレーザ光が照射される上記部材の雰囲気圧力を、１０００Ｐａ以下に選定することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
上記部材の、少なくとも、上記パルスレーザ光が照射される被照射部の雰囲気を、局所排気によって減圧することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
上記部材が、第１の材料層と、該第１の材料層に比して、より小さなエネルギー密度のパルスレーザ光照射によって除去がなされる第２の材料層とを有し、
上記パルスレーザ光の照射によって、上記第２の材料層のみを除去することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
上記第２の材料層が、配線部材を構成することを特徴とする請求項５に記載のレーザ加工方法。
【請求項７】
上記第２の材料層が、単体金属と、該単体金属を含む合金と、上記単体金属を含む多層膜とのうち、いずれか１つを有することを特徴とする請求項５に記載のレーザ加工方法。
【請求項８】
上記第２の材料層が、少なくとも、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のいずれか１つを含むことを特徴とする請求項５に記載のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パルスレーザ光を部材表面に照射して被照射部を除去し、部材表面を所定の形状に加工するレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体デバイスの製造や、液晶ディスプレイ及び有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイなどの映像デバイスの製造においては、製造に用いるフォトマスクの形状や、デバイスを構成する薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）基板の配線等のパターン形成、或いはそのパターン形状を修正するための微細加工、例えば微細パターンにおいて本来分離されるべきパターン間が分離されずに短絡状態（以下短絡部という）となっている場合における短絡部の分離加工等が必要とされている。近年、半導体デバイスや映像デバイスを構成する配線などの部材は急速に微小化、複雑化が進んでいることから、微細加工の重要性は益々高まっている。
【０００３】
この微細加工手段として、対象となる部材の所定位置を、パルスレーザ光の照射によって除去するレーザ加工技術を挙げることができる。このレーザ加工技術においては、パルスレーザの照射によって被照射部の温度を上昇させ、溶融及び気化させることによって被照射部の部材材料のみを選択的に除去し、部材を所望の形状とすることが行われてきた。
【０００４】
しかし、従来のレーザ加工技術では、溶融した部材材料が被照射部周辺に飛散することから、飛散した部材材料が周辺部に再付着して溶融状のダストが形成されてしまう。
また、従来のレーザ加工に用いるレーザ光のパルス幅は、１パルスあたりのエネルギーの最大値が比較的小さくとも加工を行える程度に十分長く、例えばナノ秒オーダーとされていたため、この長い照射時間の間に、エネルギーの大部分が被照射部周辺の溶融に費されてしまい、形成した孔や凹部の周縁部が変形して盛り上がるなどの不都合が生じていた。
【０００５】
これに対し、従来用いられてきたナノ秒オーダーのパルスレーザ光に比してパルス幅の小さい、パルス幅がピコ秒オーダーの短パルス幅レーザ光を、部材に照射して被照射部の温度を沸点以上に上昇させ、気化ないし蒸発させて除去することにより、所望の孔や凹部を形成する加工方法が提案された。
【０００６】
この短パルス幅レーザによる加工によれば、溶融状ダストの発生は抑制されたものの、被照射部から除去された気化ダストが、雰囲気中で冷やされたり、雰囲気中の気体分子に衝突して拡散を阻害されたりすることによって、液化もしくは固化して周辺部に再付着してしまうという新たな問題が生じた。
これに対し、対象部材の被照射部に蒸散用気体を吹き付けながらパルスレーザ光照射を行う構成によるレーザ加工装置や、真空中でパルスレーザ光照射を行う構成によるレーザ加工装置が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開2001-207267号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、パルスレーザ光によるレーザ加工を行う雰囲気圧力を低下させるのみでは、被照射部の周辺で発生するダストの再付着を、必ずしも十分に低減できない場合がある。
すなわち、雰囲気圧力の低下によって、発生した気化ダストが被照射部近傍にとどまる傾向を低減させるのみでは、既に発生した気体ダストを被照射部近傍から引き離すことはできるものの、気体ダストが最終的に部材表面から遠ざかるとは限らず、気化ダストが被照射部以外の部材表面近傍に移動して冷却されることによって、部材表面に再付着してしまうなどの問題が生じる。
【０００８】
このような気化ダストの再付着の発生は、加工の信頼性にも影響を及ぼすだけでなく、特に再付着がレーザ光の被照射部から離れた位置で生じる場合には、再度のレーザ加工が必要となった再付着位置の確認や特定にも煩雑な作業が必要となるため、上述した半導体デバイスや映像デバイスなどの量産性も低下するため、深刻な問題となる。
【０００９】
本発明は、パルスレーザ光を部材表面に照射して被照射部を除去し、部材表面を所定の形状に加工するレーザ加工方法における上述の諸問題の解決を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明によるレーザ加工方法は、パルスレーザ光を部材表面に照射して上記部材表面の被照射部を除去することによって、上記部材表面を所定の形状に加工するレーザ加工方法であって、上記パルスレーザ光のパルス幅を１０ピコ秒以下に選定することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、上記レーザ加工方法において、上記パルスレーザ光の照射によって上記部材に与えるエネルギーの密度を、１パルスあたり０．１Ｊ／ｃｍ２以下とすることを特徴とする。
また、本発明は、上記レーザ加工方法において、上記パルスレーザ光が照射される上記部材の雰囲気圧力を、１０００Ｐａ以下に選定することを特徴とする。
また、本発明は、上記レーザ加工方法において、上記部材の、少なくとも、上記パルスレーザ光が照射される被照射部の雰囲気を、局所排気によって減圧することを特徴とする
また、本発明は、上記レーザ加工方法において、上記部材が、第１の材料層と、該第１の材料層に比して、より小さなエネルギー密度のパルスレーザ光照射によって除去がなされる第２の材料層とを有し、上記パルスレーザ光の照射によって、上記第２の材料層のみを除去することを特徴とする。
また、本発明は、上記レーザ加工方法において、上記第２の材料層が、配線部材を構成することを特徴とする。
また、本発明は、上記レーザ加工方法において、上記第２の材料層が、単体金属と、該単体金属を含む合金と、上記単体金属を含む多層膜とのうち、いずれか１つを有することを特徴とする。
また、本発明は、上記レーザ加工方法において、上記第２の材料層が、少なくとも、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）のいずれか１つを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によるレーザ加工方法によれば、パルスレーザ光を部材表面に照射して上記部材表面の被照射部を除去するレーザ加工において、パルスレーザ光のパルス幅を１０ピコ秒以下に選定することから、従来の、例えばナノ秒オーダーのパルスレーザ光では微細加工が困難とされてきた部材に対してもレーザ加工による微細加工が可能とされ、加工部周縁の盛り上がりの低減も図られる。したがって、高精度微細加工が可能とされる。
【００１３】
また、本発明によれば、パルスレーザ光の照射によって上記部材に与えるエネルギーの密度を、１パルスあたり０．１Ｊ／ｃｍ２以下としたことから、気化ダストの発生後に被照射部から引き離すばかりでなく、後述するように、気化ダストの再付着を抑制できるパルスレーザ照射を行うことが可能とされ、ダストの再付着が抑制される。
【００１４】
また、本発明によれば、上記レーザ加工方法において、上記パルスレーザ光が照射される上記部材の雰囲気圧力を、１０００Ｐａ以下に選定したことから、気化ダストの再付着を更に抑制することができ、最終的に得る半導体デバイスや映像デバイスの量産を効率良く行うことも可能とされるなど、本発明によれば、重要かつ多くの効果をもたらすことができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明するが、本発明は、この実施の形態に限られるものでない。
【００１６】
図１Ａ及び図１Ｂは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法を実施するのに好適なレーザ加工装置の一例の構成を示す概略構成図と、このレーザ加工装置を構成する局所排気装置の、概略底面図である。
この実施の形態において、レーザ加工装置１は、少なくとも、パルスレーザ光源２と、局所排気装置３と、支持台４とを有する。少なくとも局所排気装置３及び支持台４は、例えば共通のチャンバー（図示せず）内に配置される。
【００１７】
この実施の形態において、局所排気装置３は、図１Ａに示すように、例えばその中心部にレーザ光Ｌの透過孔３９を有し、これを中心にその周囲に、圧縮した窒素を支持台４に向けて噴射することによって局所排気装置３を静圧浮上させる圧縮ガス供給手段３１と、支持台４に向けて噴射された圧縮ガスを外気とともにリング状吸引溝３６から排気する排気手段３２と、後述するパルスレーザ光の被照射部に近接する局所排気部３７にパージガスを供給するパージガス供給手段３３と、局所排気部３７の減圧状態を安定に維持するために排気を行う局所排気手段３４と、圧縮ガス供給手段３１からの圧縮ガスの供給路及び通気孔を構成するリング状の圧縮ガス供給路３１ａ及びその開口部に配置された多孔質通気手段３５とを有する。
【００１８】
局所排気装置３の、レーザ光Ｌの光路を形成する透過孔３９には、所要の深さ位置に、気密的に封止されてレーザ光Ｌを透過する透明窓３８が配置される。
この構成によって、吸引溝３６によって囲まれた領域内で透明窓３８と部材７の配置部との間の空間部に局所排気部３７が形成される。
【００１９】
支持台４の上面には、局所排気装置３に対向して、第１及び第２の材料層５及び６を有する部材７が配置される。この実施の形態においては、部材７の、第１の材料層５がＴＦＴ基板であり、第２の材料層６が第１の材料層５に比して小さなエネルギー密度のパルスレーザ光照射によって除去がなされるパターン化された配線部材であって、この配線部材の不完全パターンの短絡部６ａに対して修正加工を行う場合である。
【００２０】
第１の材料層５を形成する材料としては、例えばＳｉＯ２によるガラスなどが挙げられる。一方、第２の材料層６を形成する材料としては、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）などの金属のうち、少なくともいずれか１つを有することが好ましく、その構成としては、上述の単体金属のほか、この金属を少なくとも１つ含む合金や多層膜等が挙げられる。
【００２１】
この実施の形態では、まず、支持台４上に、短パルス幅レーザ光Ｌの照射対象となる部材７を載置した後、局所排気装置３の下へと移動させる。このとき、予め圧縮ガス供給手段３１によって、例えば０．２ＭＰａの圧縮窒素を圧縮ガス供給路３１ａ及び多孔質通気手段３５を経て噴射するとともに、排気手段３２からの排気を開始して、局所排気装置３を十分安定して静圧浮上させることによって、移動してきた部材７との衝突回避を図るとともに後述するように部材７の配置部の雰囲気を１０００Ｐａ以下としておくことが好ましい。
【００２２】
次に、パージガス供給手段３３からアルゴンガスを５０ｃｃｍ導入するとともに、局所排気手段３４によって最終的に行うレーザ光Ｌの照射における被照射部となる部材７の所定位置の雰囲気、すなわち局所排気部３７を十分減圧するとともに、局所排気装置３と部材７との間の剛性を確保する。
この実施の形態において、部材７の所定位置の雰囲気すなわち局所排気部３７は、局所排気装置３内の透明窓３８から支持台４上に載置された部材７までの高さを有し、かつ吸引溝３６が形成する同心環に比して内側に、略円筒状空間として形成されると考えられる。
【００２３】
なお、ここで剛性とは、局所排気装置３と部材７を構成する例えば基板５との間の吸着力であり、剛性が充分でない場合には、局所排気装置３の基板５に対する高さつまりギャップの安定性が不十分となるとか、局所排気装置３の機械的もしくは力学的な安定性が不十分になるなどの問題が生じることから、この剛性を充分に確保しておくことが望ましい。
【００２４】
次に、局所排気装置３の透明窓３８を通してレーザ照射部を観察しながら、支持台４を移動させて、部材７に形成された短絡部６ａが最終的に短パルス幅レーザ光Ｌの被照射部６ｂとなるよう、所望の位置に移動させる。その後、局所排気手段３４による局所排気部３７に対する局所排気を継続しながら、パルスレーザ光源２から短パルス幅レーザ光Ｌを出射する。この短パルスレーザ光Ｌを、ミラー２１によって光路を選定し、レンズ２２によって集光して、局所排気装置３の透明窓３８を経て短絡部６ａに照射する。
【００２５】
図１Ｃは、本発明によるレーザ加工方法によって表面形状の加工を行った部材の一例の状態を示す模式図である。
パルスレーザ光源２から出射された短パルスレーザ光により、図１Ｃに示すように、部材７上の短絡部６ａを除去することができる。
【００２６】
パルスレーザ光においては、そのパルス幅が小さいほど短い時間にエネルギーが集中されることから、１パルスあたりのエネルギーの最大値が向上するため、より小さなパルス幅のレーザ光によって照射を行う場合には、従来に比して小さいエネルギー密度でも、短時間のうちに加工を行うことが可能とされる。また、この加工方法によれば、１パルスあたりのレーザ照射時間が短いことから、１パルスあたりのレーザ光照射時間が短縮されるため、レーザ光によって被照射部に発生する熱の、周辺部への拡散の抑制も図られる。
【００２７】
したがって、短パルス幅レーザ光Ｌのパルス幅は、上述の部材７を構成する第１及び第２の材料層５及び６の少なくとも一方に材料に熱が発生することが１０ピコ秒以下で回避できることから、１０ピコ秒以下に選定することが好ましい。
また、第１の材料層５を除去することなく第２の材料層６のみの所定位置を選択的に除去する場合や、パルスレーザ光源２とミラー２１及びレンズ２２などの消耗及すなわち短寿命化を抑制することが必要な場合などには、１パルスあたりのエネルギーの最大値を適度に抑制するために、レーザ光Ｌのパルス幅Ｌを極端に小さくすることなく、例えば２ピコ秒以上に選定することが好ましい。
【００２８】
なお、上述したレーザ加工装置によって部材７に対するレーザ加工を行う場合、短パルスレーザ光の照射前のみならず、照射中にパージガス供給手段３３からのパージガス供給を行うこともできるが、本発明によるレーザ加工方法によるレーザ加工においては、必ずしも短パルスレーザ光の照射中におけるパージガス供給を行わなくとも良い。
【００２９】
すなわち、従来は、透明窓３８の局所排気部３７側の面において、レーザ照射中に発生する気化ダストの付着などによる汚れが発生しやすいことから、汚れが発生するたびに煩雑な清浄化作業すなわちメンテナンスにかかる労力を軽減するために、気化ダストが発生するレーザ光照射時に、図１Ａに矢印で示すように例えば透明窓３８に向けてパージガスの供給を行うことによって、発生した気化ダストが透明窓３８の表面に到達し難い状態を形成して気化ダストの付着の低減を図っていたが、本発明によるレーザ加工方法による場合には、照射中のパージガスの供給によらなくとも透明窓３８の表面における気化ダストの付着が発生し難いことが確認されたため、レーザ光照射中におけるパージガス供給を行わなくとも、メンテナンスにかかる労力及び負担の低減が図られる。
【００３０】
図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法の説明に供する、加工対象部材の拡大断面図である。
本発明によるレーザ加工方法によれば、例えば、波長３９０ｎｍ、パルス幅３ピコ秒の短パルス幅レーザ光を、パルスレーザ光源２に連結されたアッテネーター（図示せず）を調整することによるパワー設定を行って、短絡部６ａに複数回照射することによって選択的除去を行って凹部を形成することができる。
【００３１】
アッテネーターは、パルスレーザ光Ｌの光路上に例えば偏光板（図示せず）を設けた構成において、パルスレーザ光Ｌを例えば直線偏光とし、このパルスレーザ光Ｌの偏光方向に対する偏光板の角度を調整することによって、偏光板に入射した光が偏光板を透過できる量を調整し、パルスレーザ光Ｌのパワー設定がなされる。
なお、本発明によるレーザ加工方法においては、パワー設定に限られず、波長その他の条件は適宜選定し得る。また、図２ＢにＸで示す加工部６ｃの加工サイズも、この実施の形態では２０μｍ２とするが、これに限られない。
【００３２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明によるレーザ加工方法は、この実施の形態に限られるものではない。
例えば、この実施の形態では、第１及び第２の材料層５及び６からなる部材７の、第２の材料層６のみを一部選択的に除去する場合を例に説明したが、本発明によるレーザ加工方法はこれに限られず、部材７が単層もしくは３層以上である場合にも適用できるし、複数の層からなる部材７の所定位置を、短パルスレーザ光の照射によって、全層に渡って除去して孔を形成することも可能であるなど、種々の変更及び変形をなされうる。
【実施例】
【００３３】
次に、本発明の実施例について説明する。
図１に示したレーザ加工装置１を用い、ガラスよりなるＴＦＴ基板による第１の材料層５と、膜厚約５００μｍのアルミニウムによる第２の材料層６とを有する部材７の短絡部６ａに対し、加工サイズ２０μｍ２でパルス幅３ピコ秒の短パルス幅レーザ光を照射することにより、レーザ加工を行った。この実施例において、局所排気部３７は、局所排気装置３内の透明窓３８から支持台４上に載置された部材７までの高さを有し、かつ吸引溝３６が形成する同心環に比して内側に形成される、半径約２ｍｍの略円筒状空間である。
【００３４】
まず、レーザエネルギー密度と、加工部周辺におけるダスト数との関係について検討した結果について説明する。
図３Ａは、雰囲気圧力１０００Ｐａ、レーザエネルギー密度０．６３Ｊ／ｃｍ２でレーザ加工を行った部材表面の光学顕微鏡写真を示す。
加工部の周囲に、多量のダストが飛散していることが確認できる。光学顕微鏡で観察した結果、ダスト数は９７個であった。
【００３５】
図３Ｂは、雰囲気圧力１０００Ｐａ、レーザエネルギー密度０．１０Ｊ／ｃｍ２でレーザ加工を行った部材表面の光学顕微鏡写真を示す。
加工部の周囲のダストの量が、大幅に低減されていることが確認できる。光学顕微鏡で観察した結果、ダスト数は４６個であった。
【００３６】
図３Ｃは、雰囲気圧力１０００Ｐａ、レーザエネルギー密度０．０７Ｊ／ｃｍ２でレーザ加工を行った部材表面の光学顕微鏡写真を示す。
加工部の周囲のダストの量は、レーザエネルギー密度０．１０Ｊ／ｃｍ２のときと比較して更に低減されていることが確認できたが、光学顕微鏡で観察した結果、ダスト数は２９個であった。
【００３７】
図４は、上述の光学顕微鏡による測定結果を示す模式図である。この測定結果において、レーザエネルギー密度０．６３Ｊ／ｃｍ２からレーザエネルギー密度０．１０Ｊ／ｃｍ２にかけてのダスト減少傾向に比して、レーザエネルギー密度０．１０Ｊ／ｃｍ２からレーザエネルギー密度０．０７Ｊ／ｃｍ２にかけてのダスト減少傾向は緩やかになっていることが確認できることから、レーザエネルギー密度を、１パルスあたり０．１Ｊ／ｃｍ２以下に選定することにより、加工部周辺における気化ダストの再付着が大幅に抑制されると考えられる。
【００３８】
次に、局所排気部における雰囲気圧力と、加工部周辺におけるダスト数との関係について検討した結果について説明する。
図５Ａは、雰囲気圧力を大気圧と等しくし、レーザエネルギー０．０７Ｊ／ｃｍ２でレーザ加工を行った部材表面の光学顕微鏡写真を示す。加工部周囲に、多量のダストが飛散して再付着していることが確認できる。
【００３９】
図５Ｂは、雰囲気圧力を２７００Ｐａとし、レーザエネルギー０．０７Ｊ／ｃｍ２でレーザ加工を行った部材表面の光学顕微鏡写真を示す。加工部周囲に、かなり量が減っているものの、多くのダストが再付着して残存していることが確認できる。
【００４０】
図５Ｃは、雰囲気圧力を１０００Ｐａとし、レーザエネルギー０．０７Ｊ／ｃｍ２でレーザ加工を行った部材表面の光学顕微鏡写真を示す。加工部周囲には、ダストは殆どみられず、再付着が大幅に抑制されていることが確認できる。
【００４１】
雰囲気圧力について、更に詳細に検討を行った結果について説明する。
図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法によって、雰囲気圧力１０００Ｐａ及び１００Ｐａで加工を行った部材の、電子顕微鏡写真である。
雰囲気圧力を１０００Ｐａより低くした場合には、例えば１００Ｐａにまで圧力を下げても、ダストの再付着に大きな差はみられなかった。
【００４２】
以上の検討結果より、雰囲気圧力を１０００Ｐａ以下に選定することによって、加工部周辺における気化ダストの再付着が大幅に抑制されると考えられる。
【００４３】
図７は、本発明によるレーザ加工方法における、短パルス幅レーザ光の１パルスあたりのエネルギーによる、加工部周縁の盛り上がり高さの測定結果を示す模式図である。
本発明による、短パルス幅レーザ光による加工においては、従来のナノ秒オーダーのパルスレーザでは５００ｎｍも生じていた加工部周縁の盛り上がりを抑制することができ、特にレーザエネルギー密度を１パルスあたり０．１Ｊ／ｃｍ２以下に選定した場合には、盛り上がり高さを２０ｎｍ程度にまで抑制することができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１Ａ〜図１Ｃは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法を実施するのに好適なレーザ加工装置の一例の構成を示す概略構成図と、このレーザ加工装置を構成する局所排気装置の概略平面図と、本発明によるレーザ加工方法によって表面形状の加工を行った部材の状態を示す模式図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法の説明に供する、加工対象部材の拡大断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法によって加工した部材の、短パルス幅レーザ光の１パルスあたりのエネルギーごとの光学顕微鏡写真である。
【図４】本発明によるレーザ加工方法における、短パルス幅レーザ光の１パルスあたりのエネルギーによる、ダスト数の測定結果を示す模式図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｃは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法によって加工した部材の、加工雰囲気圧力ごとの光学顕微鏡写真である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、それぞれ、本発明によるレーザ加工方法によって加工した部材の、加工雰囲気圧力ごとの電子顕微鏡写真である。
【図７】本発明によるレーザ加工方法における、短パルス幅レーザ光の１パルスあたりのエネルギーによる、加工部周縁の盛り上がり高さの測定結果を示す模式図である。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・レーザ加工装置、２・・・パルスレーザ光源、３・・・局所排気装置、４・・・支持台、５・・・第１の材料層、６・・・第２の材料層、６ａ・・・短絡部、６ｂ・・・被照射部、６ｃ・・・加工部、７・・・部材、２１・・・ミラー、２２・・・レンズ、３１・・・圧縮ガス供給手段、３１ａ・・・圧縮ガス供給路、３２・・・排気手段、３３・・・パージガス供給手段、３４・・・局所排気手段、３５・・・多孔質通気手段、３６・・・吸引溝、３７・・・局所排気部、３８・・・透明窓、３９・・・透過孔
【図１】
2006110593.tif 000003
【図３】
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【図６】
2006110593.tif 000005
【図７】
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【図２】
2006110593.tif 000007
【図４】
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【図５】
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