(57)【要約】【課題】保護フィルムを用いて封止膜の損傷を防止する表示装置の製造を容易にすること。【解決手段】本発明の表示装置の製造方法は、基板２０の一主面上に複数の表示素子をそれぞれが含むとともに互いから離間した複数の素子群２２２７を形成する工程と、素子群２２２７のそれぞれの上に封止膜３を形成する工程と、封止膜３を形成する工程の後に、基板２０の上記主面に、保護フィルム５の一主面に複数の素子群２２２７に対応して互いから離間した複数の接着剤層４を設けてなる接着剤付き保護フィルムを、接着剤層４間の間隙が素子群２２２７間の間隙と向き合うように貼り付ける工程と、接着剤付き保護フィルムを貼り付けたまま、素子群２２２７間の間隙及び接着剤層４間の間隙の双方に対向した割断ライン１０１に沿って基板２０を割断する工程とを含んだことを特徴とする。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一主面上に複数の表示素子をそれぞれが含むとともに互いから離間した複数の素子群を形成する工程と、
前記複数の素子群のそれぞれの上に封止膜を形成する工程と、
前記封止膜を形成する工程の後に、前記基板の前記主面に、保護フィルムの一主面に前記複数の素子群に対応して互いから離間した複数の接着剤層を設けてなる接着剤付き保護フィルムを、前記複数の接着剤層間の間隙が前記複数の素子群間の間隙と向き合うように貼り付ける工程と、
前記接着剤付き保護フィルムを貼り付けたまま、前記複数の素子群間の間隙及び前記複数の接着剤層間の間隙の双方に対向した割断ラインに沿って前記基板を割断する工程とを含んだことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
基板の一主面上に複数の表示素子をそれぞれが含むとともに互いから離間した複数の素子群を形成する工程と、
前記複数の素子群のそれぞれの上に封止膜を形成する工程と、
前記封止膜を形成する工程の後に、前記複数の素子群上にそれらに対応して互いから離間した複数の接着剤層をそれぞれ形成する工程と、
前記基板の前記主面に前記複数の接着剤層を介して保護フィルムを貼り付ける工程と、
前記保護フィルムを貼り付けたまま、前記複数の素子群間の間隙及び前記複数の接着剤層間の間隙の双方に対向した割断ラインに沿って前記基板を割断する工程とを含んだことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護フィルムを貼り付ける工程の後に、前記保護フィルムを前記複数の接着剤層間の切断ラインに沿って切断する工程をさらに含んだことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置の主要部である有機ＥＬ素子は、水分や酸素に晒されると、陰極の酸化や陰極と有機物層との界面剥離を容易に生じる。そのため、有機ＥＬ表示装置では、例えば、アレイ基板の有機ＥＬ素子を形成した面に封止膜を成膜することなどによって、有機ＥＬ素子を封止している。
【０００３】
ところで、このような有機ＥＬ表示装置は、通常、以下の方法により製造する。まず、大判の絶縁基板上に各種素子や配線などを形成する。次に、上記のように有機ＥＬ素子を封止する。その後、これを割断することにより、複数の有機ＥＬ表示装置を得る。
【０００４】
この方法では、割断時などに封止膜が損傷するのを防止すべく、封止膜の成膜直後に、これに接着剤付き保護フィルムを貼り付けることがある。この場合、割断前の絶縁基板には、予め各有機ＥＬ表示装置に対応した寸法に切断した接着剤付き保護フィルムを貼り付けてもよいが、絶縁基板と保護フィルムとの位置合わせなどの観点では、割断前の絶縁基板とほぼ対応した寸法の接着剤付き保護フィルムを貼り付け、これを割断時に各有機ＥＬ表示装置に対応した寸法に切断することが有利であると考えられる。
【０００５】
しかしながら、本発明者は、本発明を為すに際し、絶縁基板に貼り付けた接着剤付き保護フィルムは切断し難いことを見出している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、保護フィルムを用いて封止膜の損傷を防止する表示装置の製造を容易にすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１側面によると、基板の一主面上に複数の表示素子をそれぞれが含むとともに互いから離間した複数の素子群を形成する工程と、前記複数の素子群のそれぞれの上に封止膜を形成する工程と、前記封止膜を形成する工程の後に、前記基板の前記主面に、保護フィルムの一主面に前記複数の素子群に対応して互いから離間した複数の接着剤層を設けてなる接着剤付き保護フィルムを、前記複数の接着剤層間の間隙が前記複数の素子群間の間隙と向き合うように貼り付ける工程と、前記接着剤付き保護フィルムを貼り付けたまま、前記複数の素子群間の間隙及び前記複数の接着剤層間の間隙の双方に対向した割断ラインに沿って前記基板を割断する工程とを含んだことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第２側面によると、基板の一主面上に複数の表示素子をそれぞれが含むとともに互いから離間した複数の素子群を形成する工程と、前記複数の素子群のそれぞれの上に封止膜を形成する工程と、前記封止膜を形成する工程の後に、前記複数の素子群上にそれらに対応して互いから離間した複数の接着剤層をそれぞれ形成する工程と、前記基板の前記主面に前記複数の接着剤層を介して保護フィルムを貼り付ける工程と、前記保護フィルムを貼り付けたまま、前記複数の素子群間の間隙及び前記複数の接着剤層間の間隙の双方に対向した割断ラインに沿って前記基板を割断する工程とを含んだことを特徴とする表示装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、保護フィルムを用いて封止膜の損傷を防止する表示装置の製造が容易になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様または類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、本発明の第１態様に係る方法で製造可能な有機ＥＬ表示装置の例を概略的に示す断面図である。図１では、有機ＥＬ表示装置１を、その表示面，すなわち前面または光出射面，が上方を向き、背面が下方を向くように描いている。
【００１２】
この有機ＥＬ表示装置１は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した上面発光型の有機ＥＬ表示装置であり、アレイ基板２と、その前面上に形成された封止膜３とを含んでいる。
【００１３】
アレイ基板２は、例えば、ガラス基板などの絶縁基板２０を含んでいる。この絶縁基板２０の前面側の主面上では、複数の画素がマトリクス状に配列している。各画素は、例えば、一対の電源端子間で直列に接続された駆動制御素子２１及び有機ＥＬ素子２２と、画素スイッチ（図示せず）とを含んでいる。駆動制御素子２１は、その制御端子が画素スイッチを介して映像信号線（図示せず）に接続されており、映像信号線から供給される映像信号に対応した大きさの電流を有機ＥＬ素子２２へ出力する。また、画素スイッチの制御端子は走査信号線（図示せず）に接続されており、走査信号線から供給される走査信号によりＯＮ／ＯＦＦが制御される。なお、これら画素には、他の構造を採用することも可能である。
【００１４】
基板２０上には、アンダーコート層２３として、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。アンダーコート層２３上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層２１１、例えばＴＥＯＳ（TetraEthyl OrthoSilicate）などを用いて形成され得るゲート絶縁膜２１２、及び例えばＭｏＷなどからなるゲート電極２１３が順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）を構成している。この例では、これらＴＦＴは、駆動制御素子２２及び画素スイッチのＴＦＴとして利用している。また、ゲート絶縁膜２１２上には、ゲート電極２１３と同一の工程で形成可能な走査信号線（図示せず）がさらに設けられている。
【００１５】
ゲート絶縁膜２１２及びゲート電極２１３上には、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯxなどからなる層間絶縁膜２４が設けられている。
【００１６】
層間絶縁膜２４上には、ソース・ドレイン電極２５、反射層２８、及び図示しない映像信号線が設けられている。ソース・ドレイン電極２５は、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有しており、層間絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース・ドレインに電気的に接続されている。映像信号線や反射層２８は、ソース・ドレイン電極２５と同一の工程で形成することができる。
【００１７】
ソース・ドレイン電極２５、反射層２８及び映像信号線は、例えばＳｉＮxなどからなるパッシベーション膜２６で埋め込まれている。
【００１８】
パッシベーション膜２６上には、第１電極２２１が互いから離間して並置されている。第１電極２２１は、パッシベーション膜２６に設けられた貫通孔を介してドレイン電極２５に電気的に接続されている。第１電極２２１は、この例では光透過性の陽極である。第１電極２２１は、光反射性であってもよい。この場合、反射層２８は不要である。
【００１９】
パッシベーション膜２６には、さらに、隔壁絶縁層２７が設けられている。この隔壁絶縁層２７には、第１電極２２１に対応した位置に貫通孔が設けられている。隔壁絶縁層２７は、例えば、有機絶縁層であり、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００２０】
隔壁絶縁層２７の貫通孔内で露出した第１電極２２１上には、発光層を含んだ有機物層２２２が設けられている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、または青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。この有機物層２２２は、発光層以外の層をさらに含むことができる。例えば、有機物層２２２は、第１電極２２１から発光層への正孔の注入を媒介する役割を果たすバッファ層をさらに含むことができる。また、有機物層２２２は、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００２１】
隔壁絶縁層２７及び有機物層２２２上には、光透過性の第２電極２２３が設けられている。第２電極２２３は、この例では、各画素共通に連続して設けられた陰極である。第２電極２２３は、パッシベーション膜２６及び隔壁絶縁層２７に設けられたコンタクトホール（図示せず）を介して、映像信号線と同一の層上に形成された電極配線に電気的に接続されている。それぞれの有機ＥＬ素子２２は、これら第１電極２２１、有機物層２２２、及び第２電極２２３で構成されている。
【００２２】
第１電極２２１上には、光透過性絶縁層である封止膜３が形成されている。封止膜３は、外部から有機ＥＬ素子２２などへの水分等の侵入を防ぐとともに、平坦な表面を提供する役割を果たす。この封止膜３は、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの気相堆積法を用いてＳｉＮxなどの無機誘電体を第２電極２２３上に堆積させることにより得られる。或いは、この封止膜３は、例えば、第２電極２２３上に樹脂を塗布し、それにより得られる塗膜を硬化させることでも形成することができる。
【００２３】
封止膜３には、接着剤層４を介して、光透過性の保護フィルム５が貼り付けられている。これら接着剤層４及び保護フィルム５は、後述するように、主として、有機ＥＬ表示装置１の製造過程で封止膜３を損傷から保護する目的で使用する部材である。したがって、接着剤層４及び保護フィルム５は、最終製品からは除去されていてもよい。
【００２４】
また、接着剤層４及び保護フィルム５は、最終製品から除去されていなくてもよい。保護フィルム５には、完成した有機ＥＬ表示装置１の封止膜３を損傷から保護する役割や、外部から有機ＥＬ素子２２などへの水分等の侵入を防ぐ役割を担わせることができる。さらに、保護フィルム５として、偏光フィルムなどのように付加的な機能を有するものを使用することもできる。
【００２５】
この有機ＥＬ表示装置１は、例えば、以下の方法により製造することができる。  
図２乃至図６は、本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。図７は、図４の構造を概略的に示す平面図である。
【００２６】
なお、図２乃至図６では、各有機ＥＬ表示装置１の有機ＥＬ素子２２と隔壁絶縁層２７とを１つの素子群２２２７として纏めて描いている。また、図２乃至図６では、アレイ基板２を構成している部材としては、絶縁基板２０及び素子群２２２７のみを描き、これら以外は省略している。さらに、図７では、保護フィルム５側から見た図４の構造を描いている。
【００２７】
この方法では、まず、一主面にアンダーコート層２３が設けられるとともに複数の有機ＥＬ表示装置１に対応した寸法の絶縁基板２０を準備する。次に、アンダーコート層２３上に、各有機ＥＬ表示装置１の駆動制御素子２１や画素スイッチなどとして使用するＴＦＴ、各種配線、層間絶縁膜２４、ソース・ドレイン電極２５、反射層２８、パッシベーション膜２６などを形成する。
【００２８】
その後、パッシベーション膜２６上に、各有機ＥＬ表示装置１の第１電極２２１を形成する。これら第１電極２２１は、パッシベーション膜２６に設けた貫通孔を介してドレイン電極２５に電気的に接続する。
【００２９】
次いで、パッシベーション膜２６上に、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて、各有機ＥＬ表示装置１の隔壁絶縁層２７を形成する。それぞれの隔壁絶縁層２７には、第１電極２２１に対応した位置に貫通孔を設ける。また、それぞれの隔壁絶縁層２７は、その周囲全体でパッシベーション膜２６と封止膜３とが接触できるように、有機ＥＬ表示装置１よりも小さな寸法に形成する。
【００３０】
次に、各第１電極２２１上に、発光層を含んだ有機物層２２２を形成する。有機物層２２２の材料として低分子化合物を使用する場合、有機物層２２２は、例えば、有機物層２２２に対応した開口が設けられたマスクを用いた真空蒸着法などの蒸着法により形成する。また、有機物層２２２の材料として高分子化合物を使用する場合、有機物層２２２は、例えば、インクジェット法により形成する。
【００３１】
続いて、隔壁絶縁層２７及び有機物層２２２上に、各有機ＥＬ表示装置１の第２電極２２３を形成する。それぞれの第２電極２２３は、その周囲全体でパッシベーション膜２６と封止膜３とが接触できるように、有機ＥＬ表示装置１よりも小さな寸法に形成する。第２電極２２３には、単層構造或いは多層構造を採用することができる。
【００３２】
その後、有機ＥＬ素子２２及び隔壁絶縁層２７上に、各有機ＥＬ表示装置１の封止膜３を形成する。ここでは、一例として、封止膜３は、プラズマＣＶＤを用いてＳｉＮxを堆積させることにより形成することとする。
【００３３】
封止膜３は、隔壁絶縁層２７よりも僅かに大きな寸法に形成し、隔壁絶縁層２７の周囲全体でパッシベーション膜２６と接触させる。これにより、パッシベーション膜２６と封止膜３とで有機ＥＬ素子２２及び隔壁絶縁層２７を密閉する。以上のようにして、図２の構造を得る。
【００３４】
次に、図３に示す接着剤付き保護フィルムを準備する。この接着剤付き保護フィルムは、保護フィルム５と、その一主面に設けられた複数の接着剤層４とを含んでいる。保護フィルム５としては、複数の有機ＥＬ表示装置１に対応した寸法，例えば割断前の絶縁基板２０に対応した寸法，を有しているものを使用する。接着剤層４は、それぞれ封止膜３とほぼ等しい寸法とし、保護フィルム５上の封止膜３に対応した位置に互いから離間させて配置する。
【００３５】
次いで、接着剤層４が封止膜３の正面に位置するように絶縁基板２０と接着剤付き保護フィルムとを位置合わせする。続いて、図４及び図７に示すように、接着剤付き保護フィルムを、絶縁基板２０の封止膜４を形成した面に貼り付ける。
【００３６】
その後、図４及び図７に示すように、封止膜３や接着剤層４から離間した位置に割断ライン１０１を定め、これら割断ライン１０１に沿って絶縁基板２０を割断する。これにより、図５に示す構造を得る。
【００３７】
絶縁基板２０の割断は、例えば、以下の方法により行う。まず、スクライバを用いて、絶縁基板２０の背面に、割断ライン１０１に沿ってスクライブラインを形成する。次いで、基板表裏を反転させ、保護フィルム５側からスクライブラインに沿って局所的な圧力を加える。これにより、スクライブラインから厚さ方向にクラックを拡大させ、絶縁基板２０とともにその上の各種薄膜を分断する。
【００３８】
続いて、図５に示すように、封止膜３や接着剤層４から離間した位置に切断ライン１０２を定め、これら切断ライン１０２に沿って保護フィルム５を切断する。これにより、図６に示す構造を得る。保護フィルム５の切断には、例えば、切削加工やレーザ加工を利用する。
【００３９】
さらに、必要に応じて、封止膜３から接着剤付き保護フィルムを剥離する。以上のようにして、有機ＥＬ表示装置１を完成する。
【００４０】
この方法では、接着剤層４は、保護フィルム５の一主面全体に設ける訳ではなく、保護フィルム５の一主面のうち封止膜４に対応した部分にのみ設ける。加えて、絶縁基板２０は、接着剤層４から離間した割断ライン１０１に沿って割断する。そのため、割断した絶縁基板２０同士が接着剤層４を介して繋がったままとなることがない。
【００４１】
また、この方法では、保護フィルム５は、接着剤層４から離間した切断ライン１０２に沿って切断する。そのため、切断した保護フィルム５同士が接着剤層４を介して繋がったままとなることがない。  
しかも、切削工具の刃が接着剤層４に触れることがないため、比較的小さな力で保護フィルム５を切断することができるとともに、刃のメンテナンスが容易になる。
【００４２】
さらに、この方法では、ＯＬＢ（Outer Lead Bonding）パッドなどへの接着剤の付着をマスクなどを用いることなく防止することができる。  
すなわち、本態様の方法を利用すると、有機ＥＬ表示装置１の製造が容易になる。
【００４３】
次に、本発明の第２態様について説明する。第２態様は、図４の構造を得る方法が異なること以外は、第１態様と同様である。
【００４４】
図８及び図９は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図である。  
この方法では、まず、第１態様で説明したのと同様の方法により、図２の構造を得る。
【００４５】
次に、図８に示すように、各封止膜３上に接着剤層４を設ける。これら接着剤層４は、例えば、ディスペンサ方式やスクリーン印刷方式などで封止膜３上に接着剤を塗布することにより形成することができる。或いは、剥離紙などの上に設けた接着剤層４を、封止膜３上へと転写してもよい。
【００４６】
次いで、図９に示す保護フィルム５を、接着剤層４を介して封止膜３に貼り付ける。これにより、図４の構造を得る。
【００４７】
その後は、第１態様で図４乃至図７を参照しながら説明した工程を実施する。以上のようにして、有機ＥＬ表示装置１を完成する。
【００４８】
このように、本態様に係る方法は、図４の構造を得る方法が異なること以外は、第１態様と同様である。したがって、本態様によると、第１態様で説明したのと同様の効果を得ることができる。
【００４９】
第１及び第２態様において、保護フィルム５を封止膜３から剥離する場合、封止膜３や接着剤層４から切断ライン１０２までの距離は、切断後の保護フィルム５の端部を掴めるように長く設定してもよい。或いは、保護フィルム５を最終製品に残す場合、封止膜３や接着剤層４から切断ライン１０２までの距離は、保護フィルム５の剥離を防止するために短く設定してもよい。
【００５０】
保護フィルム５を封止膜３から剥離する場合、各封止膜３の上面全体を接着剤層４で被覆してもよく、或いは、各封止膜３の上面の一部のみを接着剤層４で被覆してもよい。すなわち、接着剤層４は、封止膜３と比較して、寸法がより小さくてもよい。
【００５１】
例えば、第１態様に係る方法では、接着剤層４が封止膜３よりも寸法が小さければ、接着剤層４と封止膜３とが等しい寸法を有している場合と比較して、絶縁基板２０と粘着剤付き保護フィルムとの位置合わせ精度の要求が低くなる。また、第２態様に係る方法では、接着剤層４が封止膜３よりも寸法が小さければ、接着剤層４と封止膜３とが等しい寸法を有している場合と比較して、絶縁基板２０と接着剤層４との位置合わせ精度の要求が低くなる。
【００５２】
保護フィルム５を封止膜３から剥離する場合、接着剤層４の材料としては、通常、比較的接着力の弱い粘着剤を使用する。他方、保護フィルム５を最終製品に残す場合、接着剤層４の材料としては、通常、熱や光などによって硬化するとともに比較的接着力の強い接着剤を使用する。
【００５３】
アレイ基板２の封止膜３の周縁との接触面は、パッシベーション膜２６の表面でなくてもよい。例えば、この接触面は、アンダーコート層２３の表面であってもよい。典型的には、先の接触面は無機絶縁体からなる。
【００５４】
上記の態様では、有機ＥＬ表示装置１を上面発光型としたが、有機ＥＬ表示装置１は下面発光型としてもよい。例えば、第２電極２２３を光反射性とするとともに、反射層２８を省略してもよい。
【００５５】
また、上述の態様では有機ＥＬ表示装置を例にとり説明したが、これに限定されず、複数の表示セルを対向する大型基板間に形成し、割断することにより個々に分断する表示装置全般に適用することができる。また、表示装置に限らず、他の分野においても適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１態様に係る方法で製造可能な有機ＥＬ表示装置の例を概略的に示す断面図。
【図２】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図３】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図４】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図５】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図６】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図７】図４の構造を概略的に示す平面図。
【図８】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【図９】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…有機ＥＬ表示装置、２…アレイ基板、３…封止膜、４…接着剤層、５…保護フィルム、２０…絶縁基板、２１…駆動制御素子、２２…有機ＥＬ素子、２３…アンダーコート層、２４…層間絶縁膜、２５…ソース・ドレイン電極、２６…パッシベーション膜、２７…隔壁絶縁層、２８…反射層、１０１…割断ライン、１０２…切断ライン、２１１…半導体層、２１２…ゲート絶縁膜、２１３…ゲート電極、２２１…第１電極、２２２…有機物層、２２３…第２電極、２２２７…素子群。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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