(57)【要約】【課題】  熱処理法を利用してより高保磁力の媒体を実現する。【解決手段】  非磁性基板上に磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、少なくともＣｏを主成分とする磁性層と、金属含有層とを積層し、その積層膜を加熱処理することにより磁気記録層を形成する。【選択図】              図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、少なくともＣｏを主成分とする磁性層と金属含有層とを積層し、その積層膜を加熱処理することにより磁気記録層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
金属含有層が、純金属膜または合金膜であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
金属含有層を、磁性層の上、もしくは下、または上下に積層することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
金属含有層が、原子半径が１．６０  オングストローム以下であり、融点が２５００℃以下であり、かつＣｏと合金化する際の生成エンタルピーが負の値をとり、かつその値が−４０ｋＪ／ｍｏｌｅ以下である元素を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
金属含有層が、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｃ、Ｖ、Ｙからなる群から選ばれる何れか一種を含有する層であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
磁性層が、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金らなる群から選ばれるいずれか一種であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
加熱処理の最高到達温度が５００℃以下であることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
加熱処理を１×１０−３Ｐａ以下の高真空下で行うことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
加熱処理を３０℃／秒以上の急速熱アニールにより行うことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
非磁性基板上に磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は磁性結晶粒子とそれの間を埋める非磁性物質から構成され、該磁性結晶粒子はＣｏとＣｒを含み、非磁性物質はＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれるいずれか一種の元素を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記非磁性物質が、Ｃｏとの反応により形成した非晶質物質からなることを特徴とする請求項１０に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記磁性結晶粒子の平均直径が１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記非磁性物質の厚さが、１ｎｍ〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１５】
前記非磁性物質の磁性結晶粒子近傍部分がＣｏリッチ組成であることを特徴とする請求項１１から請求項１４のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１６】
前記磁気記録層の厚さが２０ｎｍの際の垂直保持力が５５，３０００A／ｍ（７，０００Ｏｅ）以上であることを特徴とする請求項１１から請求項１５のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１７】
請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体並びにそれを用いた磁気記録再生装置に関する。特に高い保磁力を有する高密度記録媒体およびこれを用いた磁気記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フロッピー（登録商標）ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大されその重要性が増すとともに、これらの装置やこれに用いられる磁気記録媒体について、高記録密度への対応が図られてきた。例えば、磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、記録・再生ヘッドとしてＭＲヘッドやＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドの使用やデジタル信号エラー修正技術としてＰＲＭＬ(Partial Response Maximum Likelifood )技術の導入以来、記録密度の増加はさらに激しさを増し、最近では１年に６０％ものペースで増加を続けている。
このように、磁気記録媒体については今後更に高記録密度化を達成することが要求されており、そのために磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比）、高分解能を達成することが要求されている。これまで広く用いられてきた長手磁気記録方式においては、線記録密度が高まるにつれて隣接する記録磁区同士がお互いの磁化を弱めあおうとする自己減磁作用が支配的になるため、それを避けるために磁気記録層をどんどん薄くして形状磁気異方性を高めてやる必要がある。
【０００３】
その一方で、磁気記録層の膜厚を薄くしていくと、磁区を保つためのエネルギー障壁の大きさと熱エネルギーの大きさが同レベルに近づいてきて、記録された磁化量が温度の影響によって緩和される現象（熱揺らぎ現象）の影響が無視できなくなり、これが線記録密度の限界を決めてしまうといわれている。
このような中、長手磁気記録方式の線記録密度改良に答える技術として最近ではＡＦＣ(Anti Ferro Coupling )媒体が提案され、長手磁気記録で問題となる熱磁気緩和の問題を回避しようという努力がなされている。
そのような中、今後一層の面記録密度を実現するための有力な技術として注目されているのが垂直磁気記録技術である。従来の長手磁気記録方式が媒体を面内方向へ磁化させるのに対し、垂直磁気記録方式では媒体面に垂直な方向に磁化させることを特徴とする。このことにより、長手磁気記録方式で高線記録密度を達成する妨げとなる自己減磁作用の影響を回避することができ、より高密度記録に適していると考えられている。また一定の磁性層膜厚を保つことができるため、長手磁気記録で問題となっている熱磁気緩和の影響も比較的少ないと考えられている。
【０００４】
高密度磁気記録媒体の磁性層の形成方法として、ジルコニウムまたはハフニウム等を含む酸化物層と磁性層との混合層を形成後、熱処理を行う方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながらこの方法は、酸化物を用いたグラニュラー構造の磁性膜に関する技術である（例えば、非特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２０００−７９０６６号公報
【非特許文献１】大内  一弘  東北大学博士論文（１９８４年）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように優れた特徴をもつ垂直磁気記録媒体であるが、媒体の高保磁力化は長手磁気記録媒体の場合と同様に重要である。そして、さらに一層の高保磁力を実現する方法が望まれている。
本発明は垂直磁気記録媒体の形成において熱処理法を利用してより高保磁力の媒体を実現しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明は、以下に掲げた
（１）非磁性基板上に磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体の製造方法であって、少なくともＣｏを主成分とする磁性層と金属含有層とを積層し、その積層膜を加熱処理することにより磁気記録層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法、
（２）金属含有層が、純金属膜または合金膜である（１）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（３）金属含有層を、磁性層の上、もしくは下、または上下に積層する（１）または（２）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（４）金属含有層が、原子半径が１．６０  オングストローム以下であり、融点が２５００℃以下であり、かつＣｏと合金化する際の生成エンタルピー
が負の値をとり、かつその値が−４０ｋＪ／ｍｏｌｅ以下である元素を含む（１）から（３）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（５）金属含有層が、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｃ、Ｖ、Ｙからなる群から選ばれる何れか一種を含有する層である（１）から（４）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（６）磁性層が、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＣｒＮｉＰｔ、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔＴａ系合金らなる群から選ばれるいずれか一種である（１）から（５）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（７）加熱処理の最高到達温度が５００℃以下であるこ（１）から（６）の何れか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（８）加熱処理を１×１０−３Ｐａ以下の高真空下で行う（１）から（７）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（９）加熱処理を３０℃／秒以上の急速熱アニールにより行う（１）から（８）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（１０）（１）から（９）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法を用いて製造した垂直磁気記録媒体、
（１１）非磁性基板上に磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体であって、前記磁気記録層は磁性結晶粒子とそれの間を埋める非磁性物質から構成され、該磁性結晶粒子はＣｏとＣｒを含み、非磁性物質はＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂから選ばれるいずれか一種の元素を含む垂直磁気記録媒体、（１２）前記非磁性物質が、Ｃｏとの反応により形成した非晶質物質からなる（１１）に記載の垂直磁気記録媒体、
（１３）前記磁性結晶粒子の平均直径が１０ｎｍ以下であるこ（１１）または（１２）に記載の垂直磁気記録媒体、
（１４）前記非磁性物質の厚さが、１ｎｍ〜５ｎｍであるこ（１１）から（１３）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体、
（１５）前記非磁性物質の磁性結晶粒子近傍部分がＣｏリッチ組成であるこ（１１）から（１４）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体、
（１６）前記磁気記録層の厚さが２０ｎｍの際の垂直保持力が５５３０００A／ｍ（７０００Ｏｅ）以上であるこ（１１）から（１５）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体、
（１７）（１０）から（１）６のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体を用いた磁気記録再生装置、
の各発明を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、高保磁力を持った垂直磁気記録媒体を、低温、短時間の熱処理により容易に得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の垂直磁気記録媒体は、基板上にＣｏ系磁性層および金属含有層の混合層を加熱処理して形成した磁気記録層を設けたものである。本発明の垂直磁気記録媒体の断面構造を図１に示す。本発明の垂直磁気記録媒体１は、基板２上にシード層３及び下地層４を介してＣｏ系の磁性層５を順次積層し、さらに磁性層５の上に金属含有層６を形成した後表面を保護層７で覆って構成してある。
本発明の垂直磁気記録媒体１における基板２は非磁性体からなり、円盤状の形状を有する。材質としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、ソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、カーボンなど任意のものを用いることができる。ただし、本発明の性格上、そのプロセスには加熱処理が含まれるので、Ａｌ合金基板などの金属基板あるいは樹脂基板などはその融点が比較的低いので、その適用には限界がある。ガラス、シリコンなどの高融点基板がより好ましい。
非磁性からなる基板２は、平均表面粗さＲａが０．８ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以下であることが、ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から望ましい。  また、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下（より好ましくは０．２５ｎｍ以下）であるのが、ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。
【０００９】
本発明において、加熱処理前の磁性層および金属含有層の混合層に含まれる磁性層には、任意のＣｏ系合金磁性材料を用いることができる。例えば、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒなどや、これらのＣｏ合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂ、などの元素やＳｉＯ２ 等の化合物を加えたもの、例えばＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔＢ等のＣｏを主成分とする合金磁性材料系を使用できる。
本発明では磁性層はＰｔ、Ｃｏを含むＣｏＣｒＰｔ系材料が特に高保磁力を発生しやすいので好ましい。膜厚は最終的に垂直磁気記録層膜厚として適当な膜厚に設定することになるが、通常５ｎｍから３０ｎｍ程度である。また、磁性層に各種酸化物、たとえばＳｉＯ２ 、Ｃｒ２Ｏ３などを含有させたものも提案されているが、これらの材料を使用することも可能である。しかし、酸化物の存在は必ずしも本発明においては必須ではなく、本発明は特には非磁性酸化物を含む磁性層は想定していない。
【００１０】
また加熱処理前の磁性層と金属含有層との積層膜に含まれる金属含有層としては、純金属膜または合金膜を用いることができる。特に、原子半径が小さく、融点が低く、かつＣｏと合金化する際の生成エンタルピーΔＨＣｏ〜Ｘの絶対値が大きい金属元素、例えばハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、イットリウム（Ｙ）などを主成分とする材料が好ましい。
金属元素の条件を具体的に示すと、１気圧での融点が２５００℃以下、原子半径が１．６０オングストローム以下、Ｃｏ−Ｘの生成エンタルピーが負の値をとり、かつその値が−４０ｋＪ／ｍｏｌｅ以下であることが望ましい。上に挙げた各金属元素はいずれもこれらの条件を満たしている。
【００１１】
本願発明の垂直磁気記録媒体製造方法では、金属含有層を磁性層の上もしくは下、または上下両方に積層するが、各層は直接接触していることが好ましい。
これらの磁性層、金属層などの成膜には、直流スパッタリング法、高周波スパッタリング法などが利用されることが多い。積層膜を作製する際、基板を一定温度に加熱してもかまわない。  なお、磁性層の結晶構造を整えるために前記磁性層の下に下地層、シード層をおくことが多い。これは前記磁性層のＣｏ系合金がｈｃｐ結晶構造のうちｃ軸方向を基板面に対して垂直な方向にそろえるためのもので、それぞれ金属膜または金属合金膜が使われる。下地層としては同じｈｃｐ構造をとる金属膜たとえばＲｕ膜などが使われることが多い。また、シード層としてはＲｕがｃ軸を基板面に対し垂直な方向に配向するようなものであればよく、たとえばＴｉ膜などが利用できる。
【００１２】
また、図１に示した以外にも、下地層またはシード層の下に軟磁性材料膜からなる裏打ち層を付与することもある。これは垂直磁気記録ヘッドの記録磁界を効率よく導くために設けられるものであり、たとえばＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＣｏなどの軟磁性材料が広く用いられる。
熱処理する時間は一般に高温であれば短時間で済み、逆に低温であれば長時間を要するが、これら熱処理の条件については、使用する機器、基板材料等から決められる上限温度、求められる処理時間等により適宜選択することができる。一般には媒体の性能、形状を損なわない限り、短時間での処理が求められるのが普通である。
加熱に用いられるヒータの種類はランプ型ヒータ、カーボンコンポジット型ヒータ、シース型ヒータ等さまざまなものが利用できる。また、電気炉を利用したファーネスアニールも利用することが可能である。ただし、熱処理の環境としては高真空状態下での処理が、積層膜表面を酸化から防ぐという観点から望ましい。
【００１３】
熱処理によって媒体表面が酸化などの作用によって変質すること防ぐ目的から、一連の熱処理は１×１０−３Ｐａ以下の圧力下で行われることが望ましい。さらに望ましくは５×１０−４Ｐａ以下である。また同様の理由により熱処理の最高到達温度が５００℃以下とするのが好ましい。なお熱処理温度の下限は２００℃である。また、加熱の際の昇温速度は任意に選ぶことができるが、生産性の観点から速い方が有利である。具体的には３０℃／秒以上の昇温速度が望ましい。
ヒータの温度は加熱開始から終了まで同一温度ではなく、その熱源温度は室温から徐々に高まりやがて飽和するのが普通である。また、何枚も連続加熱処理する場合にはヒータのスイッチがオフになっている時間の温度は前回の加熱処理の影響を受けて室温にまで戻らず、ある一定の温度に安定することになる。このような処理機器の状況に応じてあらかじめ処理温度、時間を決定することが必要である。
【００１４】
本発明の垂直磁気記録媒体は、その磁性層が磁性結晶粒子とそれの間を埋める非磁性物質から構成され、磁性結晶粒子にはＣｏ、Ｃｒとを含み、非磁性物質にはＨｆ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｓｃ、Ｖ、Ｙから選ばれるいずれか１種の元素を含み、垂直磁気異方性を有することを特徴とする。特にその非磁性物質は、Ｃｏと析出元素が反応した非晶質物質からなることが好ましく、磁性結晶粒子の平均直径は１０ｎｍ〜５ｎｍの範囲内、非磁性物質の磁性結晶粒子近傍部分をＣｏリッチ組成とするのが好ましい。
【００１５】
本発明では、磁気記録装置の面記録密度を上げるために、媒体の記録トラックを物理的に分離させてトラック間の磁気的干渉を排除した、いわゆるディスクリートトラック磁気記録媒体も世に提唱されているが、本発明の方法はこれらディスクリート媒体の製造方法としても利用することができる。
図６は、上記構造の磁気記録媒体１０を用いた磁気記録再生装置の例を示すものである。ここに示す磁気記録再生装置は、先に説明した構造の磁気記録媒体１０と、磁気記録媒体１０を回転駆動させる媒体駆動部１１と、磁気記録媒体１０に情報を記録再生する磁気ヘッド１２と、ヘッド駆動部１３と、記録再生信号処理系１４とを備えている。記録再生信号処理系１４は、入力されたデータを処理して記録信号を磁気ヘッド１２に送ったり、磁気ヘッド１２からの再生信号を処理してデータを出力することができるようになっている。
【実施例】
【００１６】
（実施例）
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
結晶化ガラス基板を真空容器中にセットし、１×１０−４Ｐａまで排気した。さらにこの結晶化ガラス基板上に以下の通り膜を積層した。
１）    シード層；    Ｔｉ（２５ｎｍ）
２）    基板加熱；    ３５０℃
３）    下地層  ；    Ｒｕ  (５ｎｍ)
４）    磁性層  ；    ６８Ｃｏ−１６Ｐｔ−１６Ｃｒ合金 (２０ｎｍまたは１０ｎｍ)
５）    金属含有層；  Ｈｆ、Ｔｉ、Ａｌのいずれか
６）    加熱処理；    定電力投入型ランプヒータ使用
７）    保護層  ；    Ｃ
【００１７】
基板上に直流スパッタリング法を用いてＴｉを２５ｎｍ成膜した後、その基板を３５０℃に加熱した上で、Ｒｕを５ｎｍ、６８Ｃｏ−１６Ｃｒ−１６Ｐｔ（組成比はａｔ％である。以下同様に表記する。）を２０ｎｍまたは１０ｎｍ成膜、さらに金属含有層を５ｎｍ成膜した後に、定電力型ランプヒータに２ｋＷの電力を投入した状態で一定時間熱処理を施した。熱処理時間は表１に示したようにサンプルごとに変化させた。熱処理を完了した後速やかにＣ保護層を５ｎｍ成膜した。一連のプロセスはすべて高真空状態下で行った。
このようにして作製したサンプル群について試料振動型磁力計（ＶＳＭ）を用いて、基板面に垂直な方向の保磁力を測定した。
表１および表２にサンプルの一覧と保磁力測定結果を示す。なお、１Ｏｅは約７９Ａ／ｍである。
【００１８】
【表１】
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【００１９】
【表２】
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【００２０】
また、垂直保持力Ｈｃの測定結果を図２〜図４に示した。
表１及び表２並びに図２ないし図５からわかるように、実施例２２〜実施例５５のように金属含有層材料としてチタンやアルミニウムを用いた場合には、垂直保磁力Ｈｃは熱処理時間が１０秒以上経過してから上昇をはじめる。また、その到達保磁力は磁性層膜厚が２０ｎｍのときで７２，０００Ｏｅ、１０ｎｍのときで５，６５０Ｏｅであった。
一方、実施例１〜実施例２１のように金属含有層材料としてハフニウムやジルコニウムを用いた場合は、熱処理時間６秒経過で垂直保磁力Ｈｃは上昇を始め、ハフニウムの場合磁性層膜厚２０ｎｍのときに１２秒後に８，６５０Ｏｅもの値に達した。また、磁性層膜厚１０ｎｍにおいても１０秒後に７，０００Ｏｅを得た。
【００２１】
（比較例）
一方、比較のため実施例で使用した材料系を従来から広く用いられている方法、すなわち、合金ターゲットを用いて基板加熱を行いながらスパッタリング法で成膜する方法で作製したサンプルの保磁力を測定し、実施例と同様に垂直保持力を測定して比較した。ここでは、実施例のベースとなった６８Ｃｏ−１６Ｐｔ−１６Ｃｒ、およびこれにＨｆ、Ｚｒを添加した材料、すなわち６８Ｃｏ−１６Ｐｔ−１４Ｃｒ−２Ｈｆ、６８Ｃｏ−１６Ｐｔ−１４Ｃｒ−４Ｈｆ、６８Ｃｏ−１６Ｐｔ−１４Ｃｒ−２Ｚｒ、６８Ｃｏ−１６Ｐｔ−１４Ｃｒ−４Ｚｒを使用した。基板加熱を行った以外は、実施例において使用したスパッタリング条件を採用した。基板加熱温度は実施例で保磁力が上昇しはじめた３５０℃に設定した。結果を表３に示した。
【００２２】
【表３】
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【００２３】
表３を見るとわかるように、基板加熱スパッタリング法を用いた場合は、同程度の温度で熱処理した実施例に比べて著しく低い保磁力しか得られなかった。
【００２４】
基板温度を別途測定したところ、上記実施例、比較例と同じ条件でアニールした場合、７秒後の温度は３５７℃、１０秒後の温度は３９２℃であった。したがって、金属含有層材料にハフニウム、ジルコニウムを用いた場合に媒体保磁力を増大させるのに必要な温度は、比較例に比べて明らかに低いことが実証された。これは金属含層材料の選定によって効果が異なることを示しているが、いずれにせよ本発明に記載の条件を満たす材料を金属含有層として使用し、熱処理を加えることにより、７，０００Ｏｅを超える保磁力をもつ垂直磁気記録媒体を容易に得ることができる。
【００２５】
このように、金属含有層材料としてハフニウム、ジルコニウム、チタン、アルミニウムを採用し、その積層膜を熱処理する本発明に記載の製造方法によって作製した垂直磁気記録媒体においては、より高い保磁力を比較的低温、短時間の熱処理によって実現することが容易であり、垂直磁気記録媒体製造に寄与するところ大である。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図２】アニール時間と垂直保持力との関係の一例を示す図である。
【図３】アニール時間と垂直保持力との関係の他の例を示す図である。
【図４】アニール時間と垂直保持力との関係の別の例を示す図である。
【図５】アニール時間と垂直保持力との関係のさらに他の例を示す図である。
【図６】磁気記録再生装置の例を示す図である。
【符号の説明】
【００２７】
１・・・・・・垂直磁気記録媒体、２・・・・・・基板、３・・・・・・シード層、４・・・・・・下地層、５・・・・・・磁性層、６・・・・・・金属含有層、７・・・・・・保護層、１０・・・・・・磁気記録媒体、１１・・・・・・媒体駆動部、１２・・・・・・磁気ヘッド、１３・・・・・・ヘッド駆動部、１４・・・・・・記録再生信号処理系
【図１】
2006085871.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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