(57)【要約】【課題】ブラックマトリックスなどのエッチングの工程に入る前にマイクロレンズ基板の表裏両面に透明膜で不純物に対するバリア性を持たせることができるマイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板及びこれを用いた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】ベースガラス基板２に、マイクロレンズ３が形成されたカバーガラス基板４を接着材５にて接合した構造体６を生成する工程と、この工程で生成された前記構造体６の表裏両面に透明膜８，７を形成する工程と、を備えたものである。【選択図】  図１
2006330331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガラス基板に、マイクロレンズが形成された第２のガラス基板を、接着材にて接合した構造体を生成する工程と、
この工程で生成された前記構造体の表裏両面に透明膜を形成する工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロレンズ基板の製造方法。
【請求項２】
前記透明膜を形成する工程は、エッチング及び／又は洗浄処理を行う工程の前に設けられることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【請求項３】
前記透明膜を形成する工程においては、前記構造体の一方の面に前記透明膜を形成した後、連続して前記構造体の他方の面に前記透明膜を形成することを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズ基板の製造方法。
【請求項４】
第１のガラス基板に、マイクロレンズが形成された第２のガラス基板を、接着材にて接合して成る構造体の表裏両面に、透明膜を形成したことを特徴とするマイクロレンズ基板。
【請求項５】
請求項４に記載のマイクロレンズ基板を含む対向基板と、
該対向基板に対向して配置される電気光学装置用基板と、
前記対向基板と前記電気光学装置用基板の間に配置された電気光学物質と、
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
前記電気光学装置用基板には、スイッチング素子が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板及びこれを用いた電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像をスクリーン上に投影する投射型表示装置が知られている。このような投射型表示装置では、その画像形成に主として液晶パネルが用いられている。この液晶パネルは、例えば、液晶を駆動するＴＦＴ基板とこれに対向配置される対向基板とが、液晶層を介して接合された構成となっている。
【０００３】
このような構成の液晶パネルの中には、光の利用効率を高め、より明るい画面とするべく、液晶パネル用対向基板の各画素に対応する位置に多数の微小なマイクロレンズを設けたものが知られている。これにより、高い光の利用効率を有する液晶パネルを得ている。マイクロレンズ及びその上下の近辺の周辺層を含めたものをマイクロレンズ基板と称する。
【０００４】
マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネル、及び投射型表示装置に関する先行技術には、例えば特許文献１がある。
【０００５】
特許文献１において、マイクロレンズ基板は、透明基板上に設けられたマイクロレンズ形成層と、該マイクロレンズ形成層上に形成された中間層と、該中間層上に形成されたバリア層とを有している。中間層は、例えば、バリア層の密着性を向上するために設けられている。この中間層は省略されていてもよい。バリア層は例えばＳｉＯ２で構成され、透明基板やマイクロレンズ形成層中の金属などの不純物が液晶中に溶出したり或いは液晶層中の不純物がマイクロレンズ形成層中に移行したりするのを防止するために設けられている。
【特許文献１】特開２００３−１７７２１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、特許文献１に示されるようなバリア層は透明でかつ不純物に対するバリア性を有するものであるが、液晶パネルの製造工程においては、上記の少なくとも透明基板，マイクロレンズ形成層及びバリア層から成るマイクロレンズ基板が完成された後、その後の液晶パネル製造のプロセス、例えばブラックマトリックス（ＢＭと略記）と呼ばれる遮光膜の形成加工を行う工程で、エッチング及び洗浄処理を行うと、透明基板及びマイクロレンズ形成層中の金属などの不純物がマイクロレンズ基板の一面側からエッチング溶液に溶出し、そのエッチング溶液などがマイクロレンズ基板の他面側に回り込んで汚染したり、透明基板及びマイクロレンズ形成層中に移行する不具合があった。
【０００７】
そこで、本発明は上記の問題に鑑み、ブラックマトリックスなどの形成時において、エッチング処理に入る前にマイクロレンズ基板の表裏両面に不純物に対するバリア性を持たせることができるマイクロレンズ基板の製造方法、マイクロレンズ基板及びこれを用いた電気光学装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によるマイクロレンズ基板の製造方法は、第１のガラス基板に、マイクロレンズが形成された第２のガラス基板を、接着材にて接合した構造体を生成する工程と、この工程で生成された前記構造体の表裏両面に透明膜を形成する工程と、を備えたものである。
【０００９】
本発明のこのような方法によれば、マイクロレンズ基板にはその両面に透明膜が形成されるので、その後の工程（例えばブラックマトリックス形成などのエッチング工程）においてガラス基板や樹脂に含まれる金属などの不純物が溶出し、エッチング溶液などのエッチャントを介して、マイクロレンズ基板の反対面のガラス基板側に回り込んで汚染を与える惧れを無くすことができる。つまり、マイクロレンズ基板両面の透明膜が保護膜となって、マイクロレンズ基板内部から外部への汚染物質の溶出や、マイクロレンズ基板外部から内部への汚染物質の侵入を防ぐことが可能となる。
【００１０】
本発明において、前記透明膜を形成する工程は、エッチング及び／又は洗浄処理を行う工程の前に設けられることが好ましい。
【００１１】
このような方法によれば、例えばブラックマトリックス形成などのウエットエッチング工程に入る前に、マイクロレンズ基板両面に透明膜が形成されていれば、ウエットエッチング処理時の強酸液への浸漬によってマイクロレンズ基板内部のガラス材などから金属などの不純物が溶出してくるのを防止でき、マイクロレンズ基板の汚染を防ぐことができる。
【００１２】
本発明において、前記透明膜を形成する工程においては、前記構造体の一方の面に前記透明膜を形成した後、連続して前記構造体の他方の面に前記透明膜を形成することが好ましい。
【００１３】
本発明によるマイクロレンズ基板は、第１のガラス基板に、マイクロレンズが形成された第２のガラス基板を、接着材にて接合して成る構造体の表裏両面に、透明膜を形成したことを特徴とする。
【００１４】
本発明のこのような構成によれば、マイクロレンズ基板両面の透明膜が保護膜となって、マイクロレンズ基板内部から外部への汚染物質の溶出や、マイクロレンズ基板外部から内部への汚染物質の侵入を防ぐことが可能となる。
【００１５】
本発明による電気光学装置は、前記マイクロレンズ基板を含む対向基板と、該対向基板に対向して配置される電気光学装置用基板と、前記対向基板と前記電気光学装置用基板の間に配置された電気光学物質と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
本発明のこのような構成によれば、マイクロレンズ基板を構成するガラス材などから電気光学物質への汚染物の溶出を防止できるので、高品質で高寿命の電気光学装置を提供することが可能となる。
【００１７】
本発明において、前記電気光学装置用基板には、スイッチング素子が形成されていることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 
【実施例１】
【００１９】
図１は本発明の実施例１のマイクロレンズ基板の構成を示す側断面図である。
【００２０】
図１に示すように、マイクロレンズ基板１は、第１のガラス基板であるベースガラス基板２に、画素毎にマイクロレンズ３が形成された第２のガラス基板であるカバーガラス基板４を、樹脂製の接着材５にて接合して成る構造体６の裏表両面にそれぞれ、透明膜７，８を形成して構成されている。
【００２１】
なお、カバーガラス基板４に形成される略半球面状の１つ１つのレンズをマイクロレンズと呼び、これらが複数配列されたものをマイクロレンズアレイ（ＭＬＡ）と呼ぶ。また、このようなマイクロレンズアレイが形成されたカバーガラス基板４に、ガラス材とは屈折率の異なる接着材５を用いてベースガラス基板２を貼りつけ、更にカバーガラス基板４のガラス厚を適宜調整してなる基板の表裏両面にそれぞれ上述の透明膜７，８を形成したものをマイクロレンズ基板と呼ぶことにする。
【００２２】
ガラス基板２，４としては例えばネオセラムまたはソーダガラスが用いられる。また、透明膜７，８としては例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）が用いられる。
【００２３】
なお、上記マイクロレンズ基板１の裏面（図示下面）の透明膜７は、その後に行われる工程においてカバーガラス基板４からそれに含まれる金属不純物がその表面（図示下面）に溶出するのを防止するためのパッシベーション膜（保護膜）として機能する。透明膜８は、マイクロレンズ基板１の用途として、マイクロレンズ基板１を、液晶表示装置に用いるマイクロレンズ付き対向基板に用いる際に、後述する遮光膜（ＢＭ）の形成工程などにおけるエッチング処理にてエッチャントに混入した汚染物質がベースガラス基板２の表面側（図示上面）に回り込んで汚染するのを防止するために設けられている。
【００２４】
このようなマイクロレンズ基板１を製造するには、マイクロレンズが形成された第２のガラス基板（カバーガラス基板）を、ベースガラス基板に樹脂製の接着材にて接合して、レンズ構造体を生成する工程と、この工程で生成された前記構造体の表裏両面に透明膜を形成する工程とが、少なくとも必要となる。
【００２５】
マイクロレンズ基板１を、液晶表示装置に用いるマイクロレンズ付き対向基板に用いる際には、マイクロレンズ基板１の一面（図示下面）の透明膜７上に遮光膜（ＢＭ）が、マイクロレンズアレイを構成する画素単位のマイクロレンズ３の周囲に遮光可能に成膜され、更にそれに重ねてインジウムティンオキサイド（ＩＴＯと略記）による透明電極膜を成膜し、更にその上に液晶層に接して液晶の配向を決めるための配向膜を形成することによって、対向基板２０（図５参照）として構成される。遮光膜（ＢＭ）としては、クロム（Ｃｒ）膜が成膜される。
【００２６】
ベースガラス基板２，接着材５及びカバーガラス基板４から成る構造体６の裏表両面に透明膜７，８を形成する方法には、スパッタリング等を行う同一の装置で構造体６の裏表両面に連続的に成膜する連続成膜の方法でも、或いは構造体６の裏表両面に一面ずつ成膜する単独成膜の方法であってもよい。連続成膜方法の方が、洗浄が不要となり生産性が上がるメリットがある。
【００２７】
ここで、連続成膜をするには、固定治具が構造体６の側面を保持した状態でスパッタリングを行う装置内に構造体６を搬入し、その後構造体６の一方の面に対応してターゲットが配置された状態で透明膜を成膜し、次いで固定治具が構造体６の側面を保持した状態で固定治具を回転させ、構造体６の他方の面をターゲットに対応させた状態で透明膜を成膜することで、同一の装置で構造体６の裏表両面に透明膜を連続的に成膜することができる。
【００２８】
なお、構造体６は装置内において縦向きに固定されても、横向きに固定されてもよい。また、構造体６の両方の面に対応してターゲットが配置された状態であれば、構造体６の両方の面に同時に透明膜を成膜することができる。同時に透明膜を成膜する場合は、さらに生産性が上がるメリットがある。
【００２９】
次に、図２及び図３を参照して、上記のマイクロレンズ基板１の製造、及びその後に液晶表示装置を製造する際に行われる液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板２０の製造における製造工程(1)〜(11)を順を追って説明する。
【００３０】
(1)  画素パターンニング工程
厚さが約１．０mmのカバーガラス基板４の一面に、多数の画素に対応するようにレジスト１１をマトリックス状に多数形成する。
【００３１】
(2)  高温ポストベーク工程
工程(1)にて形成したレジスト１１を備えたカバーガラス基板４を高温にて焼成する。カバーガラス基板４の一面にマトリックス状に形成されたレジスト１１が加熱され、多数のレジスト１１の角部分を溶かして略半球面状に形成する。
【００３２】
(3)  ドライエッチング工程
工程(2)にて形成した略半球面形状を有した多数のレジスト１１を備えたカバーガラス基板４をドライエッチングする。このドライエッチングにより、レジスト１１及びカバーガラス基板４が同時に同程度のエッチング速度にてエッチングされ、その結果、ガラス材からなる多数のマイクロレンズ３がカバーガラス基板４の面上に形成される。マイクロレンズ３の形状は略半球面状となる。このとき、エッチングにより、ガラス厚は約５００μm程度に薄くなる。
【００３３】
(4)  カバーガラス接着工程
工程(3)にて形成されたマイクロレンズ３を備えたカバーガラス基板４を、ベースガラス基板２に対して樹脂製の接着材５を用いて接着する。ガラス基板４，２がネオセラムの場合、例えば、ガラス屈折率は１．５４、接着材屈折率は１．４０とされる。すなわち、ガラス屈折率＞接着材屈折率 とされ、このような屈折率の差を設けることと、前述の略半球面状のレンズ形状とで、光の集光率を高めるように設計される。
【００３４】
(5)  研削・研磨（カバーガラス）工程
工程(4)にて形成された構造体におけるカバーガラス基板4のガラス厚を研磨により研削し、焦点距離を調整する。これにより、ガラス厚を約２０〜３０μｍまで研磨する。
【００３５】
研磨プロセスは、粗ずり、研削（中仕上げ）、研磨（仕上げ）の順に行う。
【００３６】
(6)  透明膜形成工程
工程(5)にて形成された構造体６の裏表面にそれぞれＳｉＯ2の透明膜７，８を成膜する。これによってマイクロレンズ基板１が完成する。透明膜７，８は、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の気相成膜法などにより形成することができる。
【００３７】
次に述べる(7)以降の工程は、液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板としての製造工程である。
【００３８】
(7)  Ｃｒ膜成膜工程
工程(6)にて形成されたマイクロレンズ基板１の裏面側（図示下側）の透明膜７の面上に、遮光膜（ＢＭ）となるＣｒ膜９を成膜する。遮光膜（ＢＭ）となるＣｒ膜９は、対向基板側から入射した光を、該対向基板に液晶層を介して対向配置されるＴＦＴ基板上のトランジスタ（ＴＦＴ）に光を当てないための遮光機能を果たすものであり、後段の工程(9)，(10)によるエッチング工程及びレジスト剥離工程を経てＴＦＴ部分のみを遮光すべく格子状に形成した遮光膜となる。
【００３９】
Ｃｒ膜９は、例えば、気相成膜法（例えば蒸着、スパッタリング等）により形成することができる。Ｃｒ膜９の成膜後の膜厚は９０〜２００ｎｍである。
【００４０】
(8)  レジストパターニング工程
工程(7)にて形成されたＣｒ膜９上にマイクロレンズ３の周辺領域（即ち遮光予定領域）に対応した領域に、予めレジストパターン１２を格子状に形成する。これによって次工程(9)のウエットエッチング処理に備える。
【００４１】
(9)  ウエットエッチング工程
工程(8)にてレジストパターン１２が形成されたマイクロレンズ基板に対してエッチング溶液によるウエットエッチングを行う。このウエットエッチング処理によってマイクロレンズアレイの各マイクロレンズ３の周辺領域（即ち遮光予定領域）を除く各マイクロレンズ３の対応領域のＣｒ膜９を除去する。これによって、マイクロレンズアレイの各マイクロレンズ３に対応してＣｒ膜９に開口が形成される。この開口が形成されたＣｒ膜を遮光膜９ａとする。
【００４２】
エッチング溶液としては、硝酸系、又は過塩素酸系の強酸を用いる。このウエットエッチング工程では、マイクロレンズ基板を強酸に浸漬するため、ネオセラムガラス中の金属イオン（Ｌｉ＋,Ａｌ３＋）１０が表面へ溶出する可能性がある。しかし、工程(6)で形成した透明膜７，８によってガラス基板４，２は裏表両面が覆われた状態とされているので、ネオセラムガラス中の金属イオン（Ｌｉ＋, Ａｌ３＋）が表面へ溶出するのを防止することができる。
【００４３】
ウエットエッチング処理後は、通常、純水などによる洗浄処理が行われ、次工程へ移行する。
【００４４】
(10)  レジスト剥離工程
工程(9)によるウエットエッチング工程後、レジストパターン１２を剥離することによって、裏面側に遮光膜（ＢＭ）９ａが付加されたマイクロレンズ基板を得ることができる。
【００４５】
(11)  ＩＴＯ成膜工程
工程(10)にて形成された遮光膜（ＢＭ）９ａの上に、透明電極膜１３としてのＩＴＯ膜を形成する。透明電極膜１３としてのＩＴＯ膜は、例えば、蒸着、スパッタリング等の気相成膜法などにより設けることができる。なお、ＩＴＯ成膜工程の後は、配向膜の形成を行うことによって、液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板２０が製造される。
【００４６】
以上の工程で、(8)〜(10)の遮光膜（ＢＭ）の形成工程は、液晶表示装置を構成する上でＴＦＴ基板側で完全に遮光できれば、無くてもよい。対向基板側に遮光膜（ＢＭ）を設けない構成とする場合は、工程(6)の後に、工程(6)によって形成されるマイクロレンズ基板１の裏面側(図示下側)の透明膜７の面上に透明電極膜としての透明電極膜１３を形成する工程がくることになる。
【００４７】
次に、上記の液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板２０を用いて構成される液晶表示装置の全体構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここでは、液晶表示装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリックス駆動方式の液晶表示装置を例にとる。
【００４８】
図４は、ＴＦＴ基板をその上に形成された各構成要素と共に、上述のマイクロレンズ付き対向基板から見た平面図であり、図５は、図４のＨ−Ｈ’断面図である。
【００４９】
図４及び図５において、本実施形態に係る液晶表示装置では、少なくともＴＦＴ，が素電極，透明電極膜及び配向膜を形成したＴＦＴ基板３０と、マイクロレンズ基板１（図１参照）に少なくとも配向膜（図示せず）を形成した対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴ基板３０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴ基板３０と対向基板２０とは、画像表示領域３０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００５０】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴ基板３０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴ基板３０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の液晶表示装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。但し、当該液晶表示装置が液晶ディスプレイや液晶テレビのように大型で等倍表示を行う液晶表示装置であれば、このようなギャップ材は、液晶層５０中に含まれてもよい。
【００５１】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域３０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜の一部又は全部は、ＴＦＴ基板３０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５２】
画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する周辺領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴ基板３０の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路１０４が、この一辺に隣接する２辺に沿って設けられている。更にＴＦＴ基板３０の残る一辺には、画像表示領域３０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間をつなぐための複数の配線１０５が設けられている。また、図４に示すように、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴ基板３０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴ基板３０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５３】
図５において、ＴＦＴ基板３０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極３１上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０には、前述したカバーガラス基板４、ベースガラス基板２等の他、対向電極としての透明電極膜（ＩＴＯ膜）１３が形成され、更に最上層部分（図５で、対向基板２０の下側表面）に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００５４】
尚、図４及び図５に示したＴＦＴ基板３０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶表示装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５５】
次に以上の如く構成された液晶表示装置における回路構成及び動作について図６を参照して説明する。図６は、液晶表示装置の画像表示領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図である。
【００５６】
図６において、本実施形態における液晶表示装置の画像表示領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極３１と、当該画素電極３１をスイッチング制御するためのＴＦＴ３２とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線４２が当該ＴＦＴ３２のソースに電気的に接続されている。そして、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、各データ線４２に供給されるように構成されている。このようにデータ線４２に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線４２同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。
【００５７】
また、画素スイッチング用のＴＦＴ３２のゲートに走査線４１が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線４１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極３１は、ＴＦＴ３２のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３２を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線４２から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。画素電極３１を介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電位レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶表示装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極３１と対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０を付加する。走査線４１と並行して、蓄積容量７０の固定電位側容量電極を含むと共に定電位に固定された容量線３００が設けられている。
【００５８】
本発明の実施例によれば、例えばブラックマトリックスなどのエッチングの工程に入る前にマイクロレンズ基板の表裏両面にそれぞれ透明膜を設けるので、その後の工程において不純物に対するバリア性を持たせ、高品質のマイクロレンズ基板及び液晶表示装置を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、マイクロレンズ基板、液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板、液晶表示装置、及びこれを用いた投射型の液晶表示装置にも応用できるものである。さらに、本発明は透過型、反射型、および半透過型の電気光学装置に利用することができる。また、本発明にかかる電気光学装置は、パッシブマトリクス型の電気光学装置やアクティブマトリクス型の電気光学装置（例えば、トランジスタやＴＦＤ（薄膜ダイオード）をスイッチング素子として備えた電気光学パネル）に利用することができる。さらに、本発明にかかる電気光学装置は、液晶表示装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動表示装置、電子放出表示装置（Field Emission DisplayおよびSurface-Conduction Electron-Emitter Display等）、ＬＥＤ（ライトエミッティングダイオード）表示装置等のように、複数の画素毎に表示状態を制御可能な各種の電気光学装置に利用することができる。なお、電気光学装置の例として有機エレクトロルミネッセンス装置の場合は、電気光学物質としてエレクトロルミネッセンス層が配置される。
【００６０】
また、マイクロレンズについては対向基板に限らず、ＴＦＴなどの素子が形成された素子基板に設けることも可能である。
【００６１】
なお、本発明の電気光学装置を携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯型情報機器、携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、およびＰＯＳ端末機などの電子機器に広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の実施例１のマイクロレンズ基板の構成を示す側断面図。
【図２】図１に示すマイクロレンズ基板の製造、及び液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板の製造における製造工程を説明する断面図。
【図３】図１に示すマイクロレンズ基板の製造、及び液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板の製造における製造工程を説明する断面図。
【図４】液晶表示装置用のマイクロレンズ付き対向基板を用いて構成される液晶表示装置の全体構成を示す平面図。
【図５】図４のＨ−Ｈ’断面図。
【図６】液晶表示装置の画像表示領域を構成するマトリックス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路を示すブロック図。
【符号の説明】
【００６３】
１…マイクロレンズ基板、２…ベースガラス基板（第１のガラス基板）、３…マイクロレンズ、４…カバーガラス基板（第２のガラス基板）、５…接着材、６…構造体、７，８…透明膜、９ａ…遮光膜、１３…透明電極膜。
【図１】
2006330331.tif 000003
【図２】
2006330331.tif 000004
【図３】
2006330331.tif 000005
【図４】
2006330331.tif 000006
【図５】
2006330331.tif 000007
【図６】
2006330331.tif 000008