(57)【要約】【課題】バンプ電極を含めたＩＣの総厚さ寸法のばらつきを適正に管理することにより、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との電気的な接続部分の信頼性を向上することのできる電気光学装置および電子機器を提供すること。【解決手段】導電粒子１５０を含む異方性導電膜１５を介しての圧着により、透明基板２０に形成されている複数の端子２７に対して、駆動用ＩＣ１３の各バンプ電極１３０を実装するにあたって、バンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを、圧着前の導電粒子１５０の平均粒径未満に管理する。【選択図】図４
2006186393.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に半導体チップが実装されてなり、前記半導体チップは複数のバンプ電極を、前記基板は複数の端子をそれぞれ含み、前記複数のバンプ電極が前記複数の端子の各々に電気的に接続されてなる半導体チップの実装構造において、
前記半導体チップは導電粒子を含む異方性導電膜を介して前記基板に圧着されており、前記バンプ電極を含む前記半導体チップの総厚さ寸法は、前記複数のバンプ間でばらつきがあり、前記ばらつきが、前記導電粒子の平均粒径未満であることを特徴とする半導体チップの実装構造。
【請求項２】
電気光学物資を保持する基板に形成された複数の端子に、駆動用半導体チップの複数のバンプ電極がそれぞれ電気的に接続された電気光学装置において、
前記駆動用半導体チップは導電粒子を含む異方性導電膜を介して前記基板に圧着されており、前記バンプ電極を含む前記駆動用半導体チップの総厚さ寸法は、前記複数のバンプ間でばらつきがあり、前記ばらつきが、前記導電粒子の平均粒径未満であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ（以下、ＩＣという。）が異方性導電膜によって基板上に実装された半導体チップの実装構造、及び電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フェイスダウンボンディングタイプのＩＣを異方性導電膜（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ／１５）を用いてＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）実装する方法は、ファインピッチへの対応が可能であるとともに、多接点を一括して電気的に接続できるので、液晶装置などといった電気光学装置において、電気光学物質を保持する基板上に駆動用ＩＣを実装するのに適している。
【０００３】
この異方性導電膜では、樹脂粒子の表面が金属で被覆された導電粒子が樹脂中分散しており、図３（Ａ）に示すように、ＩＣ実装領域２６に所定の大きさの異方性導電膜１５を残した後、図３（Ｂ）に示すように、圧着ヘッド９を用いて駆動用ＩＣ１３を基板側に熱圧着すると、図３（Ｃ）に示すように、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極１３０と基板側の端子２７との間において、異方性導電膜１５に含まれている導電粒子１５０が潰れ、この潰れた導電粒子１５０によって、バンプ電極１３０と端子２７とが電気的に接続する。
【０００４】
このような実装を行う際、図４（Ａ）に示すように、１つの駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法がｔ１の薄い部分と、総厚さ寸法がｔ２の厚い部分とがある場合、総厚さ寸法がｔ１の薄い部分と総厚さ寸法がｔ２の厚い部分とでは、各々のバンプ電極１３０と導通されるべき端子１３０までの距離が異なることから、導電粒子１５０の大きさが小さいと総厚さ寸法がｔ１の薄い部分を端子１３０と導通させることができないと考えられる。しかしながら、実際にはこのような問題はほとんど生じない。
【０００５】
その理由として、まず、圧着する際に、総厚さ寸法がｔ１の薄い部分と総厚さ寸法がｔ２の厚い部分とでは各々の端子との間に介在する導電粒子１５０に加わる力が異なるため、導電粒子１５０は、図４（Ｂ）に示すように、バンプ電極１３０を介して加わった力の大きさに応じて、総厚さ寸法がｔ１の薄い部分では軽く潰れる一方、総厚さ寸法がｔ２と厚い部分では激しく潰れるので、総厚さ寸法のばらつきＲが導電粒子１３０の潰れ具合により補正される。また、各々のバンプ電極１３０と端子２７との間には複数の導電粒子１５０が介在しており（図４（Ｂ）では、便宜上、各々のバンプ電極１３０と端子２７との間に導電粒子が１つしかないように示してある）、複数の導電粒子１５０が積層しているため、などが考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが近年の電気光学装置では、画素の高密度化などに伴なって電極パターンの数が増大していく傾向にあり、それに伴ない、端子２７およびバンプ電極１３０の面積は、小さくなる傾向にある。その結果、バンプ電極１３０と端子２７との間に介在する導電粒子１５０の数が少なくなるため、各々のバンプ電極１３０と端子２７との間に介在する導電粒子１５０がバンプ電極１３０と端子２７とを導通させるまで積層しにくくなる。また、導電粒子１５０が十分に積層されないと総厚さ寸法のばらつきＲの補正は導電粒子１５０の潰れ具合に大きく左右されるが、導電粒子１５０の潰れ具合による総厚さ寸法のばらつきＲの補正にも限界があるので、１つの駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲが電気的な接続不良として表面化しやすくなる。
【０００７】
そこで、駆動用ＩＣ１３を製造する際、バンプ電極１３０を研磨して、バンプ電極１３０を含めた駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを可能な限り小さくする方法が考えられるが、このような管理方法では、駆動用ＩＣ１３の製造コストが著しく増大するという問題点がある。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、バンプ電極を含めたＩＣの総厚さ寸法のばらつきを適正に管理することにより、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との電気的な接続部分の信頼性を向上することのできる半導体チップの実装構造、電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明では、基板に半導体チップが実装されてなり、前記半導体チップは複数のバンプ電極を、前記基板は複数の端子をそれぞれ含み、前記複数のバンプ電極が前記複数の端子の各々に電気的に接続されてなる半導体チップの実装構造において、前記半導体チップは導電粒子を含む異方性導電膜を介して前記基板に圧着されており、前記バンプ電極を含む前記半導体チップの総厚さ寸法は、前記複数のバンプ間でばらつきがあり、前記ばらつきが、前記導電粒子の平均粒径未満であることを特徴とする。また、電気光学物資を保持する基板に形成された複数の端子に、駆動用半導体チップの複数のバンプ電極がそれぞれ電気的に接続された電気光学装置において、前記駆動用半導体チップは導電粒子を含む異方性導電膜を介して前記基板に圧着されており、前記バンプ電極を含む前記駆動用半導体チップの総厚さ寸法は、前記複数のバンプ間でばらつきがあり、前記ばらつきが、前記導電粒子の平均粒径未満であることを特徴とする。
【００１０】
本願発明者が繰り返し行った実験結果によれば、バンプ電極を含むＩＣの総厚さ寸法のばらつきが、圧着前の導電粒子の平均粒径（圧着後、潰れていない導電粒子の平均粒径）未満となるように管理すれば、ＩＣの総厚さ寸法にばらつきがあっても、バンプ電極と端子との間にある導電粒子が適正に潰れることによって十分、吸収、補正できるので、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との間に電気的な接続不良が発生しないという結果が得られた。それ故、圧着前の異方性導電膜に含まれている導電粒子の平均粒径を考慮して、１つのＩＣ内においてバンプ電極を含めた総厚さ寸法のばらつきを管理すれば、この寸法ばらつきを過剰なレベルにまで圧縮せずとも、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との電気的な接続部分の信頼性を向上することができる。
【００１１】
本発明において、電気光学装置において駆動用ＩＣを実装する際には、導電粒子の平均粒径が約５μｍのものが多用されており、この場合には、前記バンプ電極を含む前記ＩＣの総厚さ寸法のばらつきは４μｍ以下にすることが好ましい。
本発明において、前記電気光学物質は、例えば、一対の基板間に封入された液晶であり、当該一対の基板のうちの少なくとも一方の基板に前記ＩＣが実装されている。
【００１２】
本発明において、電気光学装置では、液晶などの電気光学物質がガラス基板や石英基板に保持されているので、このような基板に対してＩＣが実装される。
【００１３】
本発明において、前記端子は、該端子が形成されている基板上に半導体プロセスにより形成された薄膜と同時形成されてなることが好ましい。このような構成によれば、基板側の端子は、半導体プロセスで形成されたものであるため、膜厚にばらつきがほとんどない。それ故、ＩＣ側の厚さ寸法のばらつきについてのみ管理すれば、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子とを確実に電気的に接続することができる。
【００１４】
本発明において、前記ＩＣは、例えば、前記電気光学物質を駆動するための電極パターンに信号を供給する駆動用ＩＣである。このような異方性導電膜を用いた実装は、多接点を一括して電気的に接続できるので、駆動用ＩＣを実装するのに適している。
【００１５】
このように構成した電気光学装置は、電子機器の表示部として用いられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
【００１７】
（全体構成）
図１および図２はそれぞれ、本発明を適用した電気光学装置の斜視図、および分解斜視図である。なお、図１および図２には、電極パターンおよび端子などを模式的に示してあるだけであり、実際の電気光学装置では、より多数の電極パターンや端子が形成されている。
【００１８】
図１および図２において、本形態の電気光学装置１は、パッシブマトリクス型のカラー液晶パネル１′を備えており、所定の間隙を介してシール材３０によって貼り合わされた矩形のガラスなどからなる一対の透明基板間にシール材３０によって液晶封入領域３５が区画されているとともに、この液晶封入領域３５内には、電気光学物質としての液晶が封入されている。ここでは、前記一対の透明基板のうち、液晶封入領域３５内で縦方向に延びる複数列の第１の電極パターン４０が形成されている方の基板を第１の透明基板１０とし、液晶封入領域３５内で横方向に延びる複数列の第２の電極パターン５０が形成されている方の基板を第２の透明基板２０とする。
【００１９】
ここに示す電気光学装置１は透過型であり、照明装置４をバックライトとして所定の表示を行なう。このため、第２の透明基板２０の外側表面には偏光板６１が貼られ、第１の透明基板１０の外側表面には偏光板６２が貼られている。なお、図示を省略するが、第２の透明基板２０には、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する領域に、赤、緑、青のカラーフィルタが形成され、これらのカラーフィルタの表面側に絶縁性の平坦化膜（図示せず）、第２の電極パターン５０、および配向膜がこの順に形成されている。これに対して、第１の透明基板１０には、第１の電極パターン４０および配向膜（図示せず）がこの順に形成されている。この電気光学装置１において、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０は、いずれもＩＴＯ膜によって形成されている。
【００２０】
電気光学装置１では、外部との間での信号の入出力、および基板間の導通のいずれを行うにも、第１の透明基板１０および第２の透明基板２０の同一方向に位置する各基板辺１０１、２０１付近において第１の透明基板１０および第２の透明基板２０のそれぞれに形成されている第１の端子形成領域１１および第２の端子形成領域２１が用いられる。第２の透明基板２０としては、第１の透明基板１０よりも大きな基板が用いられ、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを貼り合わせたときに第１の透明基板１０の基板辺１０１から第２の透明基板２０が張り出す部分２５に、駆動用ＩＣ１３（半導体チップ）の実装領域２６が形成されており、ここに駆動用ＩＣ１３がフェイスダウンボンディングによりＣＯＧ実装されている。
【００２１】
（実装領域の構成）
この部分での実装構造について、詳しくは後述するが、異方性導電膜を第２の透明基板２と駆動用ＩＣ１３との間に挟んだ上で、それらを加熱圧着することによって行われる。ここで、実装領域２６には、以下に説明する多数の端子２７が形成され、これらの端子２７に対して、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極が電気的に接続される。
【００２２】
まず、第２の透明基板２０では、ＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０が実装領域２６まで延びており、その端部によって、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極が電気的に接続される端子２７が形成されている。
【００２３】
第２の透明基板２０の第２の端子形成領域２１は、駆動用ＩＣ１３より基板辺２０１の側に位置する部分に入出力端子２８（パネル側端子）が形成され、これらの入出力端子２８にはフレキシブル基板２９が接続されている。入出力端子２８の各々から実装領域２６に向けては、ＩＴＯ膜からなる配線パターンが延びており、これらの配線パターンの端部によって、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極と電気的に接続される端子２７が形成されている。
【００２４】
第２の端子形成領域２１において、駆動用ＩＣ１３より液晶封入領域３５の側に位置する部分は、第１の透明基板１０の側との基板間導通用に用いられるので、第１の透明基板１０との重なり部分に、複数の基板間導通用端子７０が形成されている。これらの基板間導通用端子７０の各々から実装領域２６に向けては、ＩＴＯ膜からなる配線パターンが延びており、これらの配線パターンの端部によって、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極と電気的に接続される端子２７が形成されている。
【００２５】
また、第１の透明基板１０において、第１の端子形成領域１１は、第２の透明基板２０の側との基板間導通に用いられるので、第２の透明基板２０との重なり部分には、複数の基板間導通用端子６０が形成されている。これらの基板間導通用端子６０は、いずれもＩＴＯ膜からなる第１の電極パターン４０の端部によって構成されている。
【００２６】
従って、第１の透明基板１０と第２の透明基板２０とを、基板間導通剤を含有するシール材３０で貼り合わせて基板間で基板間導通用端子６０、７０同士を導通させるとともに、第２の透明基板２０に駆動用ＩＣ１３およびフレキシブル基板２９を実装した以降、第２の透明基板２０の入出力端子２８から駆動用ＩＣ１３に所定の信号を入力すれば、駆動用ＩＣ１３から出力された信号は、第１の電極パターン４０および第２の電極パターン５０に供給されるので、第１の電極パターン４０と第２の電極パターン５０との交点に相当する画素を各々駆動することができる。
【００２７】
（駆動用ＩＣ１３の実装構造）
図３（Ａ）〜（Ｃ）は、図１に示す電気光学装置において、異方性導電膜を用いて駆動用ＩＣを実装する様子を示す工程断面図である。図４は、図１に示す電気光学装置において、異方性導電膜を用いて駆動用ＩＣを実装した様子を示す説明図である。なお、異方性導電膜において、電極と端子との間には複数の導電粒子が介在するが、図４（Ｂ）では、便宜上、電極と端子との間に１つの導電粒子のみを表してある。
【００２８】
図１に示す電気光学装置を製造するにあたって、バンプ電極を含む駆動用ＩＣの総厚さ寸法のばらつきと、工程能力指数との関係を示すグラフである。
【００２９】
このような電気光学装置１を構成するにあたって、駆動用ＩＣ１３を実装するのに用いた異方性導電膜では、弾性変形可能な樹脂粒子の表面が金属で被覆された導電粒子が、エポキシ樹脂などといった熱硬化性樹脂、あるいは熱可塑性樹脂中に分散している。このため、図３（Ａ）に示すように、ステージ８上において、第２の透明基板２０のＩＣ実装領域２６に所定の大きさの異方性導電膜１５を残した後、図３（Ｂ）に示すように、圧着ヘッド９を用いて駆動用ＩＣ１３を基板側に熱圧着すると、図３（Ｃ）に示すように、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極１３０と端子２７との間において、異方性導電膜１５に含まれている導電粒子１５０が潰れ、潰れた導電粒子１５０によって、バンプ電極１３０と端子２７とが電気的に接続する。
【００３０】
このような実装を行う際、基板側の端子２７は、いずれも第２の透明基板２０に半導体プロセスによりＩＴＯ膜からなる第２の電極パターン５０を形成する際、これらの第２の電極パターン５０と同時形成されたものであるため、膜厚にばらつきはほとんどない。
【００３１】
これに対して、図４（Ａ）に示すように、駆動用ＩＣ１３では、バンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法がｔ１の薄い部分と、総厚さ寸法がｔ２の厚い部分とが発生しやすく、このようなばらつきがあると、個々のバンプ電極１３０に加わる力がばらつく。それでも、導電粒子１５０は、図４（Ｂ）に示すように、バンプ電極１３０を介して加わった力の大きさに応じて、総厚さ寸法がｔ１の薄い部分では軽く潰れる一方、総厚さ寸法がｔ２の厚い部分では激しく潰れるので、ある程度のばらつき（駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲ）を吸収、補正できる。また、バンプ電極１３０および端子２７が大きければ、それらの間で導電粒子１５０が積層して電気的な接続が行われるので、駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲをある程度は吸収、補正できる。但し、電気光学装置１では、画素の高密度化などに伴なって端子２７の数が増大しているので、端子２７およびバンプ電極１３０については、小さくなる傾向にある。その結果、バンプ電極１３０と端子２７との間に介在する導電粒子１５０の数が少なくなるため、１つの駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲが電気的な接続不良として表面化しやすい。
【００３２】
そこで、本形態では、バンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを、圧着前の導電粒子１５０の平均粒径未満に管理してある。例えば、平均粒径が約５μｍの導電粒子１５０を含む異方性導電膜１５を用いる場合、バンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲは、４μｍ以下に管理する。
【００３３】
このような基準は、繰り返し行った実験結果に基づいて決定されたものである。例えば、平均粒径が約５μｍの導電粒子１５０を含む異方性導電膜１５を用いて、バンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲが２μｍ、３μｍ、４μｍ、５μｍの駆動用ＩＣ１３をガラス基板からなる第２の透明基板２０にそれぞれ実装したとき、バンプ電極１３０と端子２７との間でいくつの導電粒子１５０が潰れた状態にあるかを規格値にして工程能力指数などを検討したところ、図５に示す結果が得られた。
【００３４】
図５は、バンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲと、工程能力指数との関係を示すグラフである。
【００３５】
図５に示すように、バンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲが２μｍ、３μｍ、４μｍであれば、十分、目標となる工程能力指数をクリアできるのに対して、ばらつきＲが５μｍであれば、不良品が発生するおそれがあるという結果が得られた。また、ばらつきＲが２μｍ、３μｍ、４μｍの場合には、バンブ電極１３０と端子２７との間において潰れた導電粒子１５０の数がゼロという結果が発生しなかったのに対して、ばらつきＲが５μｍの場合には、バンブ電極１３０と端子２７との間において潰れた導電粒子１５０の数がゼロという結果が発生した。
【００３６】
従って、圧着前の導電粒子１５０の平均粒径が、例えば、約５μｍである場合には、駆動用ＩＣ１３として、バンプ電極１３０を含む総厚さ寸法のばらつきＲが４μｍ以下のものを使用するなど、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極１３０を含む駆動用ＩＣ１３の総厚さ寸法のばらつきＲを、圧着前の導電粒子１５０の平均粒径未満に管理すれば、このようなばらつきについては、バンプ電極１３０と端子との間で導電粒子１５０が潰れることによって十分、吸収できる。それ故、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極１３０と第２の透明基板２０側の端子との間に電気的な接続不良が発生しない。
【００３７】
また、圧着前の異方性導電膜１５に含まれている導電粒子１５０の平均粒径を考慮して駆動用ＩＣ１３内においてバンプ電極１３０を含めた総厚さ寸法のばらつきＲを管理するので、総厚さ寸法のばらつきＲを過剰なレベルにまで圧縮しなくてよいので、過剰品質に起因するコストの増大を招くことなく、駆動用ＩＣ１３のバンプ電極１３０と基板側の端子との電気的な接続部分の信頼性を向上することができる。
【００３８】
（その他の実施の形態）
なお、上記形態は、電気光学装置として、パッシブマトリクスタイプの液晶装置を例に説明したが、これに限らず、例えば、アクティブマトリクスタイプの液晶装置において、石英基板などに駆動用ＩＣを実装するのに本発明を適用してもよい。
【００３９】
また、上記形態では、基板間導通構造を採用しているので、電気光学物質としての液晶を保持する２枚の基板の一方の基板に駆動用ＩＣを実装する例を説明したが、２枚の基板の各々に駆動用ＩＣを実装するのに本発明を適用してもよい。
【００４０】
（電子機器の実施形態）
図６は、本発明に係る電気光学装置（液晶装置）を各種の電子機器の表示装置として用いる場合の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、表示情報出力源７０、表示情報処理回路７１、電源回路７２、タイミングジェネレータ７３、そして液晶装置７４を有する。また、液晶装置７４は、液晶表示パネル７５及び駆動回路７６を有する。液晶装置７４および液晶表示パネル７５としては、前述した電気光学装置１、および液晶パネル１′を用いることができる。
【００４１】
表示情報出力源７０は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等といったメモリ、各種ディスク等といったストレージユニット、デジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ７３によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路７１に供給する。
【００４２】
表示情報処理回路７１は、シリアル−パラレル変換回路や、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等といった周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路７６へ供給する。駆動回路７６は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路、検査回路等を総称したものである。また、電源回路７２は、各構成要素に所定の電圧を供給する。
【００４３】
図７は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるモバイル型のパーソナルコンピュータを示している。ここに示すパーソナルコンピュータは、キーボード８１を備えた本体部８２と、液晶表示ユニット８３とを有する。液晶表示ユニット８３は、前述した電気光学装置１を含んで構成される。
【００４４】
図８は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機９０は、複数の操作ボタン９１と、液晶装置からなる電気光学装置１を有している。
【００４５】
以上説明したように、本発明では、ＩＣ内においてバンプ電極を含む総厚さ寸法のばらつきを、圧着前の導電粒子の平均粒径（圧着後、潰れていない導電粒子の平均粒径）未満となるように管理するので、ＩＣの厚さ寸法のばらつきについては、バンプ電極と端子との間で導電粒子が潰れることによって十分、吸収できる。従って、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との間に電気的な接続不良が発生しない。また、圧着前の異方性導電膜に含まれている導電粒子の平均粒径を考慮して、バンプ電極を含めたＩＣの総厚さ寸法のばらつきを管理するので、過剰品質に起因するコストの増大を招くことなく、ＩＣのバンプ電極と基板側の端子との電気的な接続部分の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明を適用した電気光学装置の斜視図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の分解斜視図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１に示す電気光学装置において、異方性導電膜を用いて駆動用ＩＣを実装する様子を示す工程断面図である。
【図４】図１に示す電気光学装置において、異方性導電膜を用いて駆動用ＩＣを実装した様子を示す説明図である。
【図５】図１に示す電気光学装置を製造するにあたって、バンプ電極を含む駆動用ＩＣの総厚さ寸法のばらつきと、工程能力指数との関係を示すグラフである。
【図６】本発明に係る電気光学装置を用いた各種電子機器の構成を示すブロック図である。
【図７】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としてのモバイル型のパーソナルコンピュータを示す説明図である。
【図８】本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器の一実施形態としての携帯電話機の説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  電気光学装置
１′  液晶パネル
４  照明装置
１０  第１の透明基板
１１  第１の端子形成領域
１３  駆動用ＩＣ（半導体チップ）
１５  異方性導電膜
２０  第２の透明基板
２１  第２の端子形成領域
２５  第２の透明基板が張り出す部分
２６  駆動用ＩＣの実装領域
２７  基板側の端子
２８  入出力端子
２９  フレキシブル基板
３０  シール材
３５  液晶封入領域
４０  第１の電極パターン
５０  第２の電極パターン
６０、７０  基板間導通用端子
６１、６２  偏光板
１０１、２０１  基板辺
１３０  バンプ電極
１５０  導電粒子
【図１】
2006186393.tif 000003
【図２】
2006186393.tif 000004
【図３】
2006186393.tif 000005
【図４】
2006186393.tif 000006
【図５】
2006186393.tif 000007
【図６】
2006186393.tif 000008
【図７】
2006186393.tif 000009
【図８】
2006186393.tif 000010