(57)【要約】【課題】基板を切断する周辺に熱膨張及び衝撃波が全く発生しないフェムト秒レーザーを用いて切断することで、消耗費用を減らせるようにしたフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法を提供する。【解決手段】本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法は、基板１００をステージ上に整列する段階、このステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザー２０１を照射して切断する段階とを備えることを特徴とする。【選択図】  図６
2006130557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をステージ上に整列する段階、
前記ステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザーを照射して切断する段階と
を備えることを特徴とするフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【請求項２】
前記ステージは、移動可能なステージを用いることを特徴とする請求項１に記載のフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【請求項３】
前記フェムト秒レーザーは、フェムト秒レーザーの発信器から発生したフェムト秒レーザーを集光レンズを介して集束して、前記ステージに固定された基板の切断する部分に照射することを特徴とする請求項１に記載のフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【請求項４】
前記フェムト秒レーザーの発信器からフェムト秒レーザーを発生する時、前記フェムト秒レーザーと同一の軸上にＣＣＤカメラで切断位置を確認する段階をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載のフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【請求項５】
前記フェムト秒レーザーの発信器から発生したフェムト秒レーザーの強度及び密度などを調整する段階をさらに備えることを特徴とする請求項３に記載のフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【請求項６】
前記フェムト秒レーザーの発信器は固定し、前記ステージを一方向に移動させながら前記基板を切断することを特徴とする請求項３に記載のフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【請求項７】
前記ステージは固定し、前記フェムト秒レーザーの発信器を一方向に移動させながら前記基板を切断することを特徴とする請求項３に記載のフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【請求項８】
前記基板を切断する時、切断状況を作業者が確認できるようにモニタリングする段階をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に係り、特に、生産性を向上させるようにフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報通信分野の急速な発展に伴い、所望の情報を表示するディスプレイ産業の重要性が次第に増加しており、現在まで情報ディスプレイ装置のうちＣＲＴディスプレイは、多様な色相を表示することができ、画面明度にも優れているという長所のため、今まで多く使われてきた。
【０００３】
しかし、大型、携帯用、高解像度のディスプレイに対する欲求のため、重量及び体積が大きいＣＲＴディスプレイの代わりに、平板ディスプレイの開発が切実に要求されている。
このような平板ディスプレイは、コンピューターモニターから航空機や宇宙船などに用いられるディスプレイに至るまでその応用分野が広くかつ多様である。
【０００４】
現在生産中、或いは既に開発された平板ディスプレイとしては、液晶表示装置(ＬＣＤ)、電界発光ディスプレイ(ＬＥＤ)、電界放出ディスプレイ(ＦＥＤ)、プラズマディスプレイ(ＰＤＰ)などがある。
【０００５】
上記のような平板ディスプレイは、一般に大規模の集積回路などの半導体チップのように、脆性基板上に多数個をマトリックス状で形成して、基板を各素子単位で切断分離する工程を経て製造される。
【０００６】
ところが、ガラス、シリコン、セラミックなどの脆性基板の切断分離に用いられる方法としては、基板を高速回転する５０〜２００μｍ程度の厚さのダイアモンドブレードで切削し、基板に切断用溝を形成するダイシングと、０．６〜２ｍｍ程度の厚さを有するダイアモンドで作ったスクライビングフィールによって基板の表面に切断溝を形成して、基板の厚さ方向にクラックを発生させるスクライビングとの２つの方法が代表的である。
【０００７】
まず、ダイシングは、上述したように、スクライビングに比べて非常に薄いブレードを用いるものであるため、薄膜や表面に凸部が形成された基板を切断するにも適している。
【０００８】
ところが、ダイシングにおいては、ブレードが切削している領域で摩擦熱が発生し、切削は、この領域に冷却水を供給しながら行われるため、金属電極層及び金属端子などの金属部分を含んでいる平板ディスプレイにおいては決して好ましい方法とは言えない。
【０００９】
即ち、ダイシングによる場合は、ダイシング後に冷却水を完全に除去するのが実際に容易ではなく、冷却水の除去が不完全で残留水分があると、平板ディスプレイの金属部分に腐食が発生するおそれがある。また、ダイシングは、スクライビングに比べて切断時間が長く、ひいては生産性がよくないという問題もある。
【００１０】
これに対し、スクライビングは、冷却水が一切不必要なので、ダイシングによる場合より製品の収率が良好で、また、切断時間がダイシングに比べて短いため、生産性に優れているという利点を有している。
【００１１】
図１は、一般的な液晶表示装置を示す断面図である。
図１に示したように、透明な第１基板１０上の一定の領域に金属などの導電性物質からなるゲート電極１１が形成されており、ゲート電極１１を含む第１基板１０の全面にシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなるゲート絶縁膜１２が形成される。
【００１２】
次いで、ゲート電極１１の上部のゲート絶縁膜１２上には、非晶質シリコンからなるアクティブ層１３が形成されており、アクティブ層１３の両側端上に不純物がドーピングされた非晶質シリコンからなるオーミックコンタクト層１４が形成される。
【００１３】
次いで、オーミックコンタクト層１４の上部には、金属などの導電物質からなるソース及びドレイン電極１５、１６が形成されているが、ソース及びドレイン電極１５、１６は、ゲート電極１１と共に薄膜トランジスターＴをなす。
【００１４】
一方、図示してはいないが、ゲート電極１１はゲート配線と連結されており、ソース電極１５はデータ配線と連結されており、ゲート配線とデータ配線は互いに直交して画素領域を定義する。
【００１５】
次いで、ソース及びドレイン電極１５、１６を含む第１基板１０の全面には、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜、或いは有機絶縁膜からなる保護膜１７が形成されており、保護膜１７は、ドレイン電極１６の表面が所定の部分露出されるようにコンタクトホール１８を有している。
【００１６】
そして、保護膜１７の上部の画素領域には、透明導電物質からなる画素電極１９が形成されており、画素電極１９は、コンタクトホール１８を介してドレイン電極１６と連結される。
【００１７】
次いで、画素電極１９の上部には、ポリイミドなどの物質からなり、表面が一定の方向を有するように形成された第１配向膜２０が形成される。
【００１８】
ところで、第１基板１０の上部には、第１基板１０と一定の間隔を有して離隔し透明な第２基板３１が配置されている。
【００１９】
そして、第２基板３１の下部の薄膜トランジスターＴと対応する部分にはブラックマトリックス３２が形成されており、図示してはいないが、ブラックマトリックス３２は画素電極１９以外の部分も覆っている。
【００２０】
次いで、ブラックマトリックス３２の下部にはカラーフィルター３３が形成されており、カラーフィルター３３は、赤、緑、青の３つの色が順番に繰り返され、一つの色を一つの画素領域に対応させる。
【００２１】
次いで、カラーフィルター３３の下部には、透明な導電物質からなる共通電極３４が形成されており、共通電極３４の下部には、ポリイミドなどの物質からなって表面が一定の方向を有するように形成された第２配向膜３５が形成される。
そして、第１配向膜２０と第２配向膜３５との間には液晶層４０が注入される。
【００２２】
かかる液晶表示装置は、薄膜トランジスターと画素電極とを形成するアレイ基板の製造工程と、カラーフィルターと共通電極とを形成するカラーフィルター基板の製造工程、そして製造された両基板の配置と液晶物質の注入及び封止、そして偏光板の取り付けからなる液晶パネルの工程によって形成される。
【００２３】
図２は、一般的な液晶表示装置の製造工程を示す流れ図である。
図２に示したように、薄膜トランジスターを含む薄膜トランジスターアレイ基板と、カラーフィルターを含むカラーフィルター基板を用意する（Ｓ１）。
ここで、薄膜トランジスターアレイ基板は、薄膜を蒸着してパターニングする過程を複数回繰り返すことで形成されるが、薄膜のパターニング時に用いられるマスクの数が工程数を代表し、現在、マスクの数を減少させて製造費用を減らすための研究が活発に行われている。
【００２４】
一方、カラーフィルター基板は、画素領域以外の部分で光漏れが発生することを防止するためのブラックマトリックスと、赤、緑、青のカラーフィルター及び共通電極を順次形成することで成される。カラーフィルターは色染め法、印刷法、顔料分散法、展着法などによって形成されるが、現在、カラーフィルターの形成に用いられる一般的な方法は顔料分散法である。
【００２５】
次いで、各基板に液晶分子の初期配列方向を決定するための配向膜を形成する（Ｓ２）。
ここで、上記配向膜の形成は高分子薄膜を塗布し、配向膜を一定の方向に配列させる工程からなる。一般に配向膜にはポリイミド系の有機物質が主に用いられ、配向膜を配列させる方法としてはラビング方法が用いられる。
【００２６】
また、ラビング方法は、ラビング布を用いて配向膜を一定の方向に擦るもので、配向処理が容易で大量生産に適合し、配向が安定してプレチルトアングルの制御が容易であるという長所がある。
【００２７】
一方、最近は偏光した光を用いて配向する光配向方法が開発され用いられている。
【００２８】
次に、両基板のうち何れかの基板にシールパターンを形成するが(Ｓ３）、シールパターンは画像が表現される領域の外郭に位置し、液晶を注入するためのギャップを形成し、注入された液晶の漏洩を防止する役割を果す。
【００２９】
ここで、前記シールパターンは、熱硬化性樹脂を一定のパターンで形成することで成され、シールパターン形成方法としては、スクリーンマスクを用いたスクリーン印刷法と、ディスペンサーを用いたシールディスペンサー法とがある。
【００３０】
現在、工程上便宜性の大きいスクリーン印刷法が主に用いられているが、マスクと配向膜の接触による不良誘発や、基板の大きさが大きくなることによりスクリーンマスクの対応が難しいという短所があり、次第にシールディスペンサー法に変更されている。
【００３１】
次いで、薄膜トランジスターアレイ基板とカラーフィルター基板との間の間隔を精密で均一に維持するために、両基板のうち何れかの基板に一定の大きさのスペーサーを散布する（Ｓ４）。
【００３２】
ここで、スペーサーの散布方式は、アルコールなどにスペーサーを混合して噴射する湿式散布法と、スペーサーのみを散布する乾式散布法とに分けることができ、乾式散布は静電気を用いる静電散布法と、気体の圧力を用いる除電散布法とに分けられるが、液晶表示装置は静電気に弱い構造を有するので、除電散布法が主に用いられる。
【００３３】
次に、液晶表示装置の両基板、つまり薄膜トランジスターアレイ基板とカラーフィルター基板を配置し、シールパターンを加圧硬化して貼り合わせる（Ｓ５）。この際、各基板の配向膜が互いに向き合い、画素電極とカラーフィルターとが一対一に対応するように配置する。
【００３４】
次に、両基板をそれぞれの液晶パネルに切断して分離する（Ｓ６）。
【００３５】
一般に液晶表示装置は、一枚の基板上に一つの液晶表示装置となる液晶パネルを複数個形成し、各液晶パネルに分離することで、製造効率を向上させ、製造費用を減少させることができる。
【００３６】
ここで、液晶パネルの切断工程は、ガラス基板より硬度の高いダイアモンド材質のスクライビングフィールによって基板の表面にクラックを形成するスクライブ工程と、クラックが形成された部分にブレーキバーを位置させた後、所定の圧力を加えてクラックが形成された方向に基板を分離するブレーキ工程とからなる。
【００３７】
次いで、両基板の配向膜の間に液晶を注入する（Ｓ７）。液晶の注入は液晶パネルの内外の圧力差を用いた真空注入法が主に用いられる。ここで、液晶パネルの内部に液晶が注入された時、液晶中の微細な空気滴によって液晶パネルの内部で気泡が形成され、不良が発生することがある。したがって、これを防止するために、液晶を長時間真空に放置して、気泡を除去する脱泡過程が必要である。
【００３８】
液晶の注入が完了すると、液晶パネルの注入口から液晶が流れ出ないように注入口をシーリングする。通常、ディスペンサーを用いて注入口に紫外線の硬化樹脂を塗布した後、紫外線を照射して硬化させることで注入口をシーリングする。
【００３９】
次に、このような方法で形成された液晶パネルの外側にそれぞれ偏光板を取り付けた後、駆動回路を連結すると液晶表示装置が完成する（Ｓ８）。
【００４０】
以下、添付の図面を参照して、従来技術に係る基板の切断装置及びこれを用いた基板の切断方法を説明する。
【００４１】
図３は、従来技術に係るスクライブ装置を示す概略的な構成図である。
図３に示したように、載置した基板Ｇを真空吸着手段によって固定する水平回転可能なテーブル５１と、テーブル５１をＹ方向（図面における上下方向）に移動可能にピボット支持する平行した一対の案内レール５２と、案内レール５２に沿ってテーブル５１を移動させるボールスクリュー５３と、Ｘ方向（図面における左右方向）に沿ってテーブル５１の上方に架設されるガイドバー５４と、ガイドバー５４をＸ方向にスライディング可能に設けられるスクライブヘッド５５と、スクライブヘッド５５をスライディングさせるモーター５６と、スクライブヘッド５５の下部に昇降移動が可能であると同時に、回転可能なように設置されるティップホルダー５７と、ティップホルダー５７の下端に回転可能に装着されるスクライビングフィール１とを含んで構成されている。
【００４２】
したがって、従来技術に係る基板の切断方法は、スクライビングフィール１の回転によって切断する基板に所定の深さのクラックを形成した後、ブレーキ装置に移送して、ブレーキバーで基板の表面に所定の深さで形成されたクラックに沿って加圧することで基板を切断している。
【００４３】
そして、図４及び図５は、それぞれ従来技術に係るスクライブ工程とブレーキ工程とを概略的に示す図面である。
図４に示したように、スクライビングフィール８２を基板８１の表面に接触し、約２．４０ｋｇｆ/ｃｍ３の圧力で回転させる。したがって、基板８１の表面のうちスクライビングフィール８２が通った所には所定の深さでクラック８３が発生する。
【００４４】
次に、基板８１の表面に所定の深さで発生したクラック８３に対して行う図５のブレーキ工程を経て基板８１を切断する。
即ち、図５に示したように、スクライブ工程でクラック８３が形成された基板８１上にブレーキバー８４を位置させる。
【００４５】
次いで、ブレーキバー８４のうち基板８１の表面と直接接触する部分Ａは、ウレタンゴムのように堅いが基板８１の表面にはスクラッチを与えない材質で形成される。
【００４６】
そして、ブレーキバー８４を基板８１に形成されたクラック８３に合わせ、瞬間的な圧力を加えると、クラック８３が拡張して基板８１が切断される。
また、上記のようにスクライブ及びブレーキ作業で基板の切断面及び角部を一定のメッシュを有した研磨砥石を用いてグラインディングする。
【００４７】
したがって、従来技術に係る基板の切断方法は、上述したように、スクライブ及びブレーキ段階を用いて基板に形成された複数個の液晶パネルを切断して、個々の液晶パネルに分離する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００４８】
しかしながら、上記のような従来技術に係る基板の切断方法には次のような問題があった。
【００４９】
即ち、基板を切断するためのスクライブ工程時に用いられるスクライビングフィールは、高価だが寿命が短いため、周期的に交換しなければならず、製造費用を増大させる。
【００５０】
本発明は、上記の問題点を解決するためのもので、基板を切断する周辺に熱膨張及び衝撃波が全く発生しないフェムト秒レーザーを用いて切断することで、消耗費用を減らせるようにしたフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００５１】
上記目的を達成するために、本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法は、基板をステージ上に整列する段階、このステージ上に整列された基板の切断する部分にフェムト秒レーザーを照射して切断する段階とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００５２】
本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法には次のような効果がある。
即ち、短いパルス幅と、パルス当たり高い尖頭出力を有しているため、基板の切断時に切断部の周辺に熱膨張及び衝撃波を全く発生させないフェムト秒レーザーを用いることで、従来のようにスクライビングフィールの使用による周期的な交換が必要なくなって、消耗費用を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
一般に、レーザーを用いた融削は、高精度精密部品の製作のために主に用いられており、短いパルスを用いると、周囲に与える熱的な損傷が少ないという長所を有するため、ナノ秒、つまり１０−９ｍ/ｓ単位のパルスを有するＹＡＧレーザーやエキシマレーザーなどを用いたレーザー加工機が提供されており、これは一般的にナノ秒レーザー加工機と呼ばれている。
【００５４】
このうち、酸化アルミニウムの人工的な結晶体を作り、レーザーが発生するようにするＹＡＧレーザーを用いた加工機の場合、加工された側壁が荒くなる傾向があり、赤外線系のＣＯ２レーザーは、加工部位にクレーターが作られる短所を有しているため、マイクロメーター単位以上の精密度を要求する微細な加工では使用上制約を受けている。
【００５５】
即ち、上記加工は、光エネルギーを熱エネルギーに変換して行うレーザー熱加工で、結果的に加工された形状は壊れやすいため、精密加工が難しくなる。
【００５６】
一方、エキシマレーザーの場合、炭素原子の共有結合を切る光化学的な反応による昇華エッチングとなり、精密な加工が可能となるが、これはエキシマレーザー光が加工物の表面に放射されるとき、その部分がプラズマ放射及び衝撃ノイズと共に分散され、分解されるように隆削光分解(ablative  photo  decomposition)加工が実施されるので、吸熱蒸発加工になる。
【００５７】
しかし、エキシマレーザーのエネルギーは、原子の共有結合を切るのに全部使われるわけではなく、一部は熱エネルギーに変換されるが、高いエネルギー密度を有するため、その熱影響も相当な水準であるので、高い熱伝達率を有する金属、セラミック、シリコンのような鉱物と、低い光吸収率を有する石英及びガラスを加工するのが難しくなり、前者に比べて相対的に少ない熱エネルギーでも熱的変形は加工された製品の耐久性に影響を与える。
【００５８】
これに、パルス放射時間が１０−１５ｍ/ｓ帯のフェムト秒レーザーの場合、上記のような問題点を解決できる優れた特性を有している。これは１ピコ秒、つまり１×１０−１２ｍ/ｓ以下の極超短のパルス放射時間に発振するレーザーを用いると、レーザーエネルギーの発振密度は非常に大きいことによる。
【００５９】
一般に１ｍＪの光エネルギーを有して１００フェムト秒以下のパルス放射時間を有すると、レーザーのエネルギー密度は大略１０ギガワットの水準に至り、いかなる材質の加工も可能となる。
【００６０】
また、フェムト秒レーザーのように極超短のパルスレーザーを加工物に放射すると、材料の構成格子にマルチポーテント(multi  portent)現象が発生し、これによる原子の励起現象が起こっている間は、光子が周囲の構成格子に熱を伝達する時間より入射パルスが短いので、加工物が加工される間熱拡散による加工精密度の低下、材質の物理、化学的な変化と、加工物の加工部位が一部分溶融される問題点などが解決され、高精密度の加工実行が可能となる。
【００６１】
そればかりでなく、フェムト秒レーザーの加工時には加工による粒子の積層やクレーターなどの副産物がほとんど生産されず、従来に要求されていた超音波洗浄などの副産物の除去段階が必要ない。
【００６２】
また、高い熱伝達階数を有するか、少ない光吸収率を有する物質の加工が可能であり、２種類以上の相異した材料の加工と、多層に積層された複合材質を単一工程で加工するのが可能となる。
【００６３】
以下、添付の図面を参照して本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法をより詳細に説明する。
【００６４】
図６は本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法を説明するための概略的な構成図である。
まず、本発明に係るフェムト秒レーザーの発生装置は、図６に示したように、フェムト秒レーザー２０１を発生するフェムト秒レーザー発信器２００と、フェムト秒レーザーの発生器２００からフェムト秒レーザー２０１を切断しようとする基板１００に集束して出射する集光レンズ２１０とを含んで構成されている。
【００６５】
上記のように構成されたフェムト秒レーザーの発生装置で発生したフェムト秒レーザー２０１を基板１００に照射することで基板１００を切断する。
即ち、本発明に係るフェムト秒レーザー２０１は、短いパルス幅（約１５０ｆｓ）とパルス当たり高い尖頭出力を有しているため、基板１００の切断時に切断部の周辺に熱膨張および衝撃波を全く発生させない。
【００６６】
一方、フェムト秒レーザーは一般的なレーザーとは異なる特徴がある。
即ち、レーザーの特徴の一つの“単色性”が、フェムト秒レーザーでは成立せず、逆にそのスペクトルは相当な拡張を有する。
また、集光レンズ２１０を介して増幅したフェムト秒レーザーは、ピークパワーが今までのレーザーに比べて非常に高く、テラ（１０１２）ワットから最近はペタ（１０１５）ワットのピークパワーを有している。
【００６７】
また、Ｔ３レーザーと称するもので、レンズに集光のみすると光の密度を非常に高くすることができるので、実に一瞬の間に焦点付近に載せられた物質を高温のプラズマ状態に変える。
ここで、フェムトフェムト秒レーザーでは、特別なものを除いては、１パルス当たりパルスエネルギーはマイクロジュール（μＪ）程度を主に使用し、強くは場合に応じてミリジュール（ｍＪ）程度、平均出力としては１ワット程度を用いる。
【００６８】
そして、一般的なレーザーにより発生するプラズマもレーザー自身と作用してレーザーを吸収したり、物質を加熱したりするので、熱影響の拡大や加工の不安定性、効率低下など、多様な現象を引き起こす。
【００６９】
しかし、フェムト秒レーザーの場合にはこの周辺の事情が変わる。
通常、レーザーのエネルギーを物質側で受け取るものは電子である。金属などの場合は、伝導帯にある自由電子、或いは光によって伝導帯に励起される電子である。この電子（電子界）がレーザーの振動電場によってエネルギーを受け取り、これが格子にある原子やイオン（格子界）と衝突して運動エネルギーを与え（温度が上昇して）、物質の状態が変わり（溶解したり蒸発したりする）、その結果加工される。
【００７０】
このように電子界から格子界にエネルギーが移動するのにかかる時間がフェムト秒単位であるので、フェムト秒レーザー加工では、レーザーエネルギーの吸収やその後の物質変化（加工）が時間的に分離される。
【００７１】
例えば、照射された物質を構成している原子がイオン化され、プラズマが発生する時間規模はパルス幅よりも長いので、このプラズマはレーザーとは相互作用しない。そして、照射部から熱がその周囲へ拡散する時間よりもパルス幅が短いため、レーザーのエネルギーは照射領域に局所的に存在して、その領域でのみ物質の状態変化を起こす。
【００７２】
したがって、本発明でフェムト秒レーザーを用いて基板を切断する時、切断しようとする部分の周辺には熱影響部がない切断が行われる。
即ち、本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法をより詳細に説明する。
【００７３】
まず、複数の液晶パネルが形成された母基板から単位液晶パネルに分離するために、切断する基板１００を移動可能なステージ（図示せず）上に位置させ、フェムト秒レーザーの発信器２００からフェムト秒レーザー２０１を発生する。
【００７４】
ここで、フェムト秒レーザーの発信器２００からフェムト秒レーザー２０１を発生する時、フェムト秒レーザーと同一の軸上にＣＣＤカメラ（図示せず）によって切断位置を確認し、基板１００の形状をディスプレイして、切断したい部分を正確に切断する。
【００７５】
次いで、フェムト秒レーザーの発信器２００から発生したフェムト秒レーザー２０１の強度及び密度などを調整する。
【００７６】
次いで、上記調整されたフェムト秒レーザーを集光レンズ２１０によって集束させ、切断面に照射し、制御部（図示せず）の信号に基づいてステージを移動させながら基板を一方向に切断する。ここで、ステージを移動せず、ステージは固定された状態でフェムト秒レーザーの発信器２００を一方向に移動させながら上記基板を切断することもできる。
【００７７】
一方、基板を切断する時、切断状況を作業者が確認できるように、モニタリング装置（図示せず）を別途に備えることもできる。
【００７８】
図７は、本発明に係るフェムト秒レーザーを用いて基板を切断した時の切断形状を示す写真である。
図７に示したように、フェムト秒レーザーを用いて基板１００を約４０μｍの幅で切断した時、切断部の周辺に熱膨張及び衝撃波が全く発生しないため、切断しようとする方向に沿って基板を均一に切断できる。
【００７９】
即ち、フェムト秒レーザーによる基板の切断は、切断しようとする切断部の周縁と側面モードのパッディングや堆積などがなく、きれいに切断される。
【００８０】
上記に説明した本発明は、上述した実施例及び添付の図面に限定されるものではなく、本発明の技術的な思想を外れない範囲内で様々な置換、変形及び変更が可能なことは本発明の属する技術分野で通常の知識を有するものには明白である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】一般的な液晶表示装置の断面図である。
【図２】一般的な液晶表示装置の製造工程を示す流れ図である。
【図３】従来技術に係るスクライブ装置の概略的な構成図である。
【図４】従来技術に係る基板の切断方法におけるスクライブ工程を説明するための図である。
【図５】従来技術に係る基板の切断方法におけるブレーキ工程を説明するための図である。
【図６】本発明に係るフェムト秒レーザーを用いた基板の切断方法を説明するための概略的な構成図である。
【図７】本発明に係るフェムト秒レーザーを用いて基板を切断した時の切断形状を示す写真である。
【符号の説明】
【００８２】
１００  基板        
２００  フェムト秒レーザーの発信器
２０１  フェムト秒レーザー
２１０  集光レンズ
【図１】
2006130557.tif 000003
【図２】
2006130557.tif 000004
【図３】
2006130557.tif 000005
【図４】
2006130557.tif 000006
【図５】
2006130557.tif 000007
【図６】
2006130557.tif 000008
【図７】
2006130557.tif 000009