(57)【要約】  【課題】  粒状シリコン結晶等の粒状結晶の製造方法において、結晶性の高い粒状結晶を安定して作製すると同時に、均一な大きさの粒状結晶を低コストで、連続して製造すること。  【解決手段】  坩堝１のノズル部３から結晶材料の融液４を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液８を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶を製造する粒状結晶の製造方法において、融液４に圧力６を印加して排出するとともに、その圧力を排出開始時に高くし、その後に低くする。安定な柱状の融液７を形成するとともに、柱状の融液７の粒状の融液８への分裂を促進し、大きな粒径の粒状の融液８の形成を抑制することができることにより、均一な大きさの粒状結晶を安定して作製することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝のノズル部から結晶材料の融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶を製造する粒状結晶の製造方法において、前記融液に圧力を印加して排出するとともに、その圧力を排出開始時に高くし、その後に低くすることを特徴とする粒状結晶の製造方法。
【請求項２】
前記圧力を排出開始後に漸次低くすることを特徴とする請求項１に記載の粒状結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は粒状結晶の製造方法に関し、特に光電変換装置に好適に用いられる粒状シリコン結晶の製造等に用いる粒状結晶の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池については現在、性能面での変換効率の向上、資源の有効利用の促進、および製造コストの低減等の市場ニーズを捉えた開発が展開されているが、その市場ニーズに適う有望な太陽電池の一つとして、粒状シリコン結晶を用いた光電変換素子を用いたものがある。
【０００３】
その粒状シリコン結晶の原料としては、単結晶シリコンを粉砕した結果として発生するシリコンの微小粒子や、流動床法によって気相合成された高純度シリコン等が用いられる。そして、それら原料をサイズあるいは重量により分別した後、赤外線あるいは高周波コイルを用いて容器内で再度溶融し、その融液を粒状にして自由落下させることで凝固させるとともに球状化させて結晶化することによって、粒状シリコン結晶が作製される（例えば、特許文献１，特許文献２および特許文献４を参照。）。または、シリコンの微小粒子を同じく高周波プラズマ加熱溶融により溶融し凝固させて球状化させ結晶化する方法も用いられている。また、溶融したシリコンを飛散させて粒子状の結晶にする方法（特許文献３を参照。）もある。
【０００４】
なお、粒状の融液の自由落下により作製される粒状結晶のうち、形状がティア（水滴）状の粒子は、それを構成する結晶粒子が３〜５個程度以下の結晶粒で構成された高い結晶性を持つものとなると言われている。
【特許文献１】国際公開第99／22048号公報
【特許文献２】特開平５−78115号公報
【特許文献３】米国特許第4188177号明細書
【特許文献４】米国特許第6432330号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、以上のような粒状結晶の製造方法では、原料の重量の均一化や結晶中の不純物量の制御が難しいといった問題点がある。特に、原料の重量のバラツキはそのまま製造される粒状結晶の大きさに反映されるので、重量の不均一な原料からは、太陽電池向けの粒状シリコン結晶に有効な大きさに対応する重量のシリコン原料の粒子を粉砕や分級等の手法で効率よく得ることは困難であるという問題点もある。
【０００６】
また、そのように粉砕や分級された原料に所望の特性を有する半導体材料とするべく一定の不純物を添加するためには、例えば粉砕前の原料を作製する段階で不純物を添加する方法や、粉砕後に気相中で不純物を拡散して添加する方法等がある。しかし、いずれの場合であっても、粉砕する工程において粉砕メディアからの不要な不純物が混入するコンタミ（汚染）が生じることから工程が複雑になり、また高価な設備を用いる必要性があるためにコスト増加が避けられないという問題点がある。
【０００７】
これらの問題点を解決する粒状結晶の製造方法として、原料へ一定の添加量となるように添加する微量不純物を予め調合して坩堝の中で一旦溶融し、その融液を容器から液滴として垂らして排出して，落下中に凝固させて粒子化すると同時に結晶化する方法がある。しかしながら、このようにして製造されるシリコン粒子は径が１ｍｍを超えるような大きさの粒子となり、その結晶性を上げるためには、得られたシリコン粒子を再溶融するプロセスが必要となるが、そのプロセスは、例えば一旦作製した球状のシリコン粒子の表面へ酸化皮膜を形成するといった工夫をすると同時に内部を溶融させ、その後の冷却工程においても良好な結晶性を得るのに十分な冷却の温度プロファイルの制御を必要とするプロセスであるので、そのプロセス条件を安定に維持管理して良好な結晶性の粒状シリコン結晶を得ることが困難なものであるという問題点がある。しかも、シリコン粒子を１個ずつ時間をかけて作製しており、その生産性は極めて低いものであるという問題点もある。すなわち、大量の粒状シリコン結晶を必要とする太陽電池を形成するための粒状シリコン結晶の製造方法としては不向きなものであるという問題点がある。
【０００８】
本発明は以上のような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、太陽電池向けに用いられる粒状シリコン結晶を製造するのに好適な、その粒状シリコン結晶を安定して所望の大きさで高効率に作製することができると同時に、高い結晶性をもった粒状シリコン結晶を低コストで製造可能な粒状結晶の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の粒状結晶の製造方法は、坩堝のノズル部から結晶材料の融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶を製造する粒状結晶の製造方法において、前記融液に圧力を印加して排出するとともに、その圧力を排出開始時に高くし、その後に低くすることを特徴とするものである。
【００１０】
また、本発明の粒状結晶の製造方法は、上記構成において、前記圧力を排出開始後に漸次低くすることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の粒状結晶の製造方法によれば、坩堝のノズル部から結晶材料の融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状結晶を製造する粒状結晶の製造方法において、前記融液に圧力を印加して排出するとともに、その圧力を排出開始時に高くし、その後に低くすることから、結晶材料の融液に圧力を印加して排出するとき、排出開始時には、表面張力が大きい結晶材料の融液の表面を破ってノズル部のノズル孔から排出するためには、例えば表面張力が水よりも10倍大きいシリコンの場合では0.3ＭＰａ以上の高い圧力が必要であり、一方、その後に低くすることにより、アトマイズ効果による排出された融液の粒状への分裂が促進されるので、作製される粒状結晶の径が小さくなり、例えば500μｍ以上の大径の粒状結晶の形成を抑制することができ、粒状結晶を安定して所望の大きさで高効率に作製することができる。
【００１２】
また、融液の排出開始後に圧力を低くすることにより結晶材料の融液がノズル部のノズル孔を通過する速度を遅くすることができ、そうすると、排出される融液とノズル孔の壁面との境界層が厚くなり、ノズル孔の壁面からのノズル部を形成するカーボン等の材料の溶出を抑えることができるので、坩堝のノズル部のノズル孔の磨耗を防ぐことができる。さらに、溶出したカーボン等のノズル部の材料が粒状の融液の内部で凝縮して、粒状結晶に転位等の結晶欠陥を誘起するのを防ぐことができるので、高い結晶性をもった粒状結晶を低コストで製造することができる。
【００１３】
また、本発明の粒状結晶の製造方法によれば、前記圧力を排出開始後に漸次低くするときには、排出開始後に急激に圧力を落とすことによるいわゆるオーバーシュート現象によって、連続して排出されていた融液の流れが途中で消滅するというようなことがないので、粒状結晶をより安定して量産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の粒状結晶の製造方法を添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明の粒状結晶の製造方法に用いる粒状結晶作製用の坩堝の実施の形態の一例を示す断面図である。図１において、１は坩堝、２は坩堝１の本体部材、２ａは本体部材２のうちの内壁部材、２ｂは本体部材２のうちの外壁部材、３はノズル部、３ａはノズル孔、４は結晶材料の融液、５は結晶材料の融液４の表面、７は柱状の融液、８は粒状の融液である。また、６は結晶材料の融液４の表面５にガス等によって印加される圧力を示している。
【００１６】
坩堝１は、円筒状の本体部材２と、この本体部材２の底部に取り付けられる円板状のノズル部３とで構成される。
【００１７】
坩堝１の本体部材２は、結晶材料の融液４、例えばシリコンの融液４との反応を抑えるための内壁部材２ａと、この内壁部材２ａの外側に配設される外壁部材２ｂとから構成される。この外壁部材２ｂは、内壁部材３ａを内側に保持して本体部材２の強度を確保するために設けられる。この内壁部材２ａおよび外壁部材２ｂは、例えば鋳込み成形法やホットプレス法等で緻密化された焼結体で形成されている。
【００１８】
外壁部材２ｂは、結晶材料の融液４を形成するための温度での強度を、例えば半導体材料のシリコンを溶融する温度である1460℃付近での強度を考慮して、酸化アルミニウム，炭化珪素，グラファイト，窒化ホウ素，窒化珪素等で形成される。中でも加工のしやすさの点ではホットプレス法で緻密化して焼結したグラファイトが適する。なお、グラファイトで形成する場合には、加工した後にその純度を上げるために、酸による洗浄を行なうとよい。
【００１９】
また、内壁部材２ａは、外壁部材２ｂと同じ材料で形成すればよいが、加工が容易である点やコストが低い点に加え、結晶材料の融液４に直接接触している部材であるため、結晶材料の融液４との反応性、例えばシリコンとの反応を抑える点を考慮して、石英で形成するのが最も好ましい。
【００２０】
これら内壁部材２ａと外壁部材２ｂとは、例えば内壁部材２ａの外側および外壁部材２ｂの内側にそれぞれネジ山およびネジ溝を設けて組み立てるとよい。
【００２１】
坩堝１の本体部材２の先端側にはノズル孔３ａを有するノズル部材３が設けられている。つまり、円筒状の本体部材２の先端に別体に融液を排出するためのノズル孔３ａを有するノズル部３を設け、このノズル部材３を坩堝１の本体部材２の底部内側に配設したものである。このノズル部３は、炭化珪素，ダイヤモンド，酸化アルミニウム，立方晶窒化ボロン等からなる。この各材料にはそれぞれの単結晶あるいは多結晶が用いられる。
【００２２】
また、ノズル部３は、結晶材料の融液４を粒状の融液８となるように排出するためのノズル孔３ａを有している。このノズル部３に設けられるノズル孔３ａは複数設けてもよい。その場合にはノズル孔３ａの数だけ生産性の向上が図れるようになるため、製造上のメリットは大きい。ノズル部３へのノズル孔３ａの加工は、機械加工あるいはレーザ加工あるいは超音波加工により孔の下端部の内径が例えば100μｍ程度の所定の値になるように管理して行なう。
【００２３】
このような坩堝１は、内壁部材１ａ，外壁部材１ｂおよびノズル部６を所定の形状に加工した後に、酸洗浄，水洗，乾燥を行ない、外壁部材１ｂの底部にノズル部６を配置し、外壁部材１ｂの内側にノズル部６の上から内壁部材１ａをセットして組み立てる。
【００２４】
以上のように坩堝１を本体部材２およびノズル部３の別部材で構成して、それを組み立てることができる構造にすることで、ノズル孔３ａが磨耗した場合にはノズル部３のみを差し替えて使用し続けることが可能となり、高価な坩堝１の本体部材２は繰り返して使用することができる。
【００２５】
このような坩堝１にシリコン等の結晶材料の原料を投入して、誘導加熱または抵抗加熱ヒータ（図示せず）で坩堝１および内部の結晶材料を加熱して、結晶材料の原料全体を溶融させて融液４とする。そして、結晶材料の融液４の状態が安定したら、融液４の表面５にアルゴンガス等の不活性ガスを用いて圧力６を印加して、例えば0.3ＭＰａで加圧して、シリコンの融液４をノズル部材３のノズル孔３ａから押し出すことにより、シリコンの融液４の排出を開始して、柱状の融液７として排出し、次いで分離させて多数の粒状の融液８にする。そして、本発明の粒状結晶の製造方法においては、多数の粒状の融液８にシリコンが噴出しだしたら、シリコンの融液４に印加する圧力６を排出開始時よりも低く、例えば0.1ＭＰａに落とす。このように、結晶材料の融液４に圧力６を印加して坩堝１のノズル部３のノズル孔３ａから排出するとともに、その圧力６を排出開始時に高くし、その後に低くするように印加する圧力６を制御することにより、柱状の融液７の安定な形成を行なうとともに柱状の融液７から粒状の融液８への分裂を促進することができるので、粒状の融液８の大きさを制御することができ、さらに、結晶材料の融液４とノズル孔３ａの壁面との境界層を厚くすることができ、ノズル孔３ａの壁面からのカーボン等のノズル部３を形成する材料の溶出を抑えることができるので、ノズル部３のノズル孔３ａの磨耗をも制御することが可能となる。
【００２６】
そして、結晶材料の融液４に印加する圧力６を以上のように制御することによってその大きさを所望の範囲内に制御されたシリコン等の粒状の融液８は、自由落下中に冷却されて凝固して、単結晶シリコンまたは少数の結晶粒からなる結晶シリコン等の粒状結晶となって回収容器に収容される。
【００２７】
このような坩堝１の結晶材料の融液４の表面５に印加する圧力６は、融液４に圧力６を印加して排出するとともに、その圧力６を排出開始時に高くすることが必要である。これは、溶融した結晶材料の融液４は表面張力が大きく、例えばシリコンの融液４では700〜740ｄｙｎ／ｃｍであり、表面張力が73ｄｙｎ／ｃｍである水の10倍に相当し、ノズル部３のノズル孔３ａから融液４を排出して柱状の融液７を形成するにはこの表面張力を打ち破る初期排出圧力として高い圧力６を印加することが必要であるためである。なおこのとき、もし印加する圧力６を徐々に大きくしていくと融液４の表面を確実に破ることが困難となってノズル孔３ａのノズル部３の外側に融液の溜まりを形成してしまい、安定して排出を開始することができなくなることがあるので、圧力６は一挙に印加するようにすることが好ましい。一方、この排出開始時に必要な高い圧力を維持したまま融液４の排出を継続すると、柱状の融液７の分裂が大きくなり、得られる粒状の融液８および粒状結晶の粒径が大きい方に分布して形成されてしまうこととなる。したがって、排出開始後には融液４に印加する圧力６は低い方が、望ましい粒径の粒状結晶が形成できるため好ましい。
【００２８】
そこで、本発明の粒状結晶の製造方法では、この両者の条件を満足するように、融液４の排出開始時に印加する圧力６は例えば0.3ＭＰａ以上に高くして、融液４の表面張力に逆らってノズル部３から融液４を排出して柱状の融液７を形成し、排出を開始して柱状の融液７が形成された後は、融液４に印加する圧力６を例えば0.1ＭＰａまで低くして、柱状の融液７の粒状の融液８へ分裂を促進する。これによって、本発明の粒状結晶の製造方法によれば、光電変換装置を形成するのに好ましい粒径の粒状結晶を安定して得ることができる。
【００２９】
なおこのとき、排出開始後の圧力を下げ過ぎると融液４の排出のモードが変わり、遂には排出そのものが停止してしまうことがあるために、融液４の安定した排出を維持するためには、例えば0.01ＭＰａ以上の圧力６を印加しておくことが必要である。
【００３０】
そして、このように圧力６を制御することにより、結晶材料の融液４がノズル孔３ａを通過する速度を遅くすることとなり、融液４とノズル孔３ａの壁面との境界層が厚くなり、ノズル孔３ａの壁面からの融液４へのノズル部３を形成する材料、例えばカーボンの溶出を抑えることができる。この結果、坩堝１のノズル部３のノズル孔３ａの磨耗を防ぐこともできる。さらに、溶出したノズル部３の材料が粒状の融液８の内部で凝縮して、粒状結晶に転位などの結晶欠陥を誘起するのを防ぐことができるので、高い結晶性をもった粒状結晶を低コストで製造することができる。
【００３１】
また、本発明の粒状結晶の製造方法において、融液４に印加する圧力６を一挙に下げてしまうと、柱状の融液７が形成されたノズル部３のノズル孔３ａの下側の液面がいわゆるオーバーシュート現象を起こし、融液４の排出に本来必要な圧力以下の状態となることにより、形成された柱状の融液７そのものが消滅してしまって粒状の融液８の排出が停止してしまうことがある。これを回避するためには、圧力６を排出開始後に漸次低くすることが有効である。
【００３２】
これに関して、融液４に印加する圧力６を低くするときの仕方を変化させたときの例を図３に線図で示す。図３において、横軸は時間（time、単位：ｓ）を、縦軸は印加する圧力６（pressure、単位：ＭＰａ）を表し、黒三角の点および特性曲線はＡパターンの様子を、黒四角の点および特性曲線はＢパターンの様子を、黒菱形の点および特性曲線はＣパターンの様子をそれぞれ示している。この図３に示したＡパターン（１秒後に一気に圧力６を低減した。）に対して、漸次圧力６を低減していくＢパターン（20秒かけて圧力６を低減した。）およびステップを置いて階段状に圧力６を低減していくＣパターンの方法を行なってみたところ、Ａパターンでは時々発生していた柱状の融液７の消滅状態は、ＢおよびＣパターンでは発生が見られず、粒状結晶の安定した生産を行なうことができた。
【００３３】
融液４に印加する圧力６を漸次低くするときには、具体的には、ノズル部３の直下の柱状の融液７および粒状の融液８の状態をよく観測しながら、圧力６を低減したときに融液４の表面が非平衡状態にならないような条件を定めていくのが好ましい。
【００３４】
このようにして得られた粒状結晶は、結晶材料がシリコンである場合には、その粒状シリコン結晶は、それを光電変換素子として太陽電池を作製するために好適に使用される。したがって、溶解させる結晶材料がシリコンである場合には、その原料中に所望の半導体用不純物を含有させておくことが望ましい。例えば光電変換装置用途の粒状シリコン結晶の場合であれば、シリコンに、所望の抵抗値とするとともにｐ型またはｎ型を呈するものとするためのホウ素，アルミニウム，ガリウム，インジウム，リン，砒素，アンチモン等のドーパントを含有させる。中でも、ｐ型ドーパントとしては、シリコンに対する偏析係数が他の元素に比較して大きく１により近いという点やシリコン溶融時の蒸発係数が小さい点からは、ホウ素を用いることが望ましい。また、ホウ素濃度としては、結晶材料としてのシリコン原料に１×10１４〜10１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度添加するとよい。
【００３５】
なお、粒状結晶の大きさは、ノズル孔３ａの径や融液４の表面５に印加する圧力６の大きさ等によって、目的に応じて適宜設定されるが、通常はその大きさ（ほぼ球状であることからその粒径）は1500μｍ以下が望ましく、その形状が球に近いことが望ましい。ただし、粒状結晶の形状は球状に限られるものではなく、角部の丸まった立方体状や直方体状等、その他の形状であってもよい。粒状結晶の大きさが1500μｍを超えて大きくなる場合には、粒状の融液８の状態の時における形状を安定に保つことが難しくなり、球状となりにくく、得られた粒状結晶の光電変換装置への適用時等に問題となるとともに、固化時にサブグレインが生じ易く良好な結晶となり難いので望ましくない。他方、粒状結晶の大きさが１μｍ未満と小さい場合には、ノズル部３のノズル孔３ａからの結晶材料の融液４の排出後、粒状の融液８が落下していく管の内部で浮遊するため粒状の融液８同士が合体し易くなるので望ましくない。従って、粒状結晶の大きさは１μｍ〜1500μｍであることが望ましく、さらには10〜500μｍが望ましい。これによって粒状結晶同士の合体を抑制し、サブグレインの発生がない、球形状で良質な粒状結晶を作製することができる。
【００３６】
以上のような本発明の粒状結晶の製造方法によって作製された粒状シリコン結晶を用いた光電変換装置は、導電性基板の一主面、具体的には上面に、第１の導電型例えばｐ型の粒状シリコン結晶が多数個、その下部を導電性基板に接合され、粒状シリコン結晶の隣接するもの同士の間に絶縁物質を介在させるとともにそれら粒状シリコン結晶の上部を絶縁物質から露出させて配置されて、これら粒状シリコン結晶に第２の導電型例えばｎ型の半導体層および透光性導体層が順次設けられた構成となっている。なお、透光性導体層の上には所定のパターン形状の電極が形成され、この電極は、この光電変換装置を太陽電池として使用する際の集電電極として形成されるものであり、例えばフィンガー電極およびバスバー電極である。
【００３７】
そして、この光電変換装置によれば、その粒状シリコン結晶が本発明の粒状結晶の製造方法によって製造されたものであることから、好ましい粒径の分布の粒状結晶を形成することができ、光電変換装置に配設する粒子の全重量を低下させることにより光電変換装置の使用原材料を削減できる。また、粒状結晶中に取り込まれる周辺材料からの不純物の混入を低減することができ、それにより得られる高品質の粒状結晶により光電変換装置の変換効率を高めることができるので、低コストで変換効率の優れた光電変換装置を提供することができる。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明の粒状結晶の製造方法によって粒状結晶を製造した具体例について説明する。
【００３９】
所定の寸法に加工されたグラファイトで構成され、孔径150μｍφのノズル孔３ａをレーザ加工したノズル部材３を有する坩堝１を、ＡｒまたはＨｅ等の不活性ガス雰囲気に維持できる炉の中にセットして、坩堝１の全体の温度を1470℃に設定した。この坩堝１の内壁部材２ａの内部へ同じくＡｒガスによる不活性雰囲気に保たれた経路を通じて結晶材料としてシリコン原料を供給して完全に溶融させて、シリコンの融液４とした。そして、融液４の表面５にＡｒガスにより圧力６を印加して、ノズル部３のノズル孔３ａから粒状の融液８として排出して、粒状シリコン結晶の作製を行なった。
【００４０】
このとき、シリコン原料は18ｇをＡｒガスによる不活性雰囲気中で1470℃に維持した状態の坩堝１の内壁部材２ａの内部へ充填して溶融させた。この十分に溶融した状態の融液４に排出開始時に0.3ＭＰａの圧力６を印加して、ノズル孔３ａより粒状の融液８として排出させ、その１秒後に圧力６を0.1ＭＰａに低くして、残りの融液４の全量を排出するようにした。
【００４１】
このようにして作製した粒状結晶の粒度分布を求め、その結果を図２に線図で示すとともに、粒状結晶の製造の前後におけるノズル孔３ａの径寸法を測定した結果を表１に示す。なお、図２は本発明の粒状結晶の製造方法の実施例によって作製した粒状結晶の粒度分布の例を示す線図であり、図２において、横軸は粒径（単位：μｍ）を、縦軸は各粒径の粒状結晶の全体に対する重量割合（単位：％／μｍ）を表し、黒菱形の点および特性曲線は本発明の実施例の結果を、黒四角の点および特性曲線は比較例の結果を示している。なお、ここにおける粒度分布は、篩で分級し、その個数分布の比率から算出したものである。また、表１のノズル孔の径寸法の測定は、坩堝の内側および外側におけるノズル孔の孔径を、粒状結晶の製造を２回行なった前後について測定したものである。
【００４２】
なお、比較例として、排出開始時の圧力６を下げずに0.3ＭＰａのままで全量の融液４を排出した実験を行なった結果を表１および図２に併せて示した。
【表１】
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【００４３】
図２に示す結果より、本発明の実施例においては得られた粒状結晶の平均粒径の分布は400μｍにピークを持っているが、比較例では570μｍにピークがあり、全体に粒径が大きいほうに広がっている。したがって、融液４を排出する圧力６を排出開始後に低くするのに比例して、得られる粒状結晶の粒度分布が小さい方にシフトしていることが分かる。また、表１に示す結果より、本発明の実施例ではノズル孔３ａの孔径の変化が小さいのに較べ、比較例ではノズル孔３ａの磨耗が進み、孔径が大きくなってしまっていることが分かる。
【００４４】
以上の結果、本発明の粒状結晶の製造方法によれば、粒状シリコン結晶を安定して所望の大きさで高効率に作製することができると同時に、高い結晶性をもった粒状シリコン結晶を低コストで製造可能な粒状結晶の製造方法であることが確認できた。
【００４５】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることは何ら差し支えない。例えば、融液４に印加する圧力６を排出開始時に高くし、その後に低くして融液４の排出を続けるが、その排出の途中で再び圧力６を高めてもよく、それによれば、ノズル部３の下面に形成される融液の溜まりを取り除くとともに、ノズル孔３ａの詰まりを防ぐことができ、さらに安定した粒状結晶の製造を行なうことができるものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の粒状結晶の製造方法に用いる粒状結晶作製用の坩堝の実施の形態の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の粒状結晶の製造方法の実施例および比較例によって作製した粒状結晶の粒度分布の例を示す線図である。
【図３】融液に印加する圧力を低くするときの仕方を変化させたときの例を示す線図である。
【符号の説明】
【００４７】
１・・・坩堝
２・・・本体部材
２ａ・・・内壁部材
２ｂ・・・外壁部材
３・・・ノズル部材
３ａ・・・ノズル孔
４・・・結晶材料の融液
５・・・融液の表面
６・・・圧力
７・・・柱状の融液
８・・・粒状の融液
【図１】
2006036597.tif 000004
【図２】
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【図３】
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