(57)【要約】【課題】  膜パターンを形成する材料が無駄に消費されることを抑制できると共に、後工程において、不良品を良品と区別し易くすることができる、膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現する。【解決手段】  本発明による膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置は、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２の接続電極面に向けてレジスト膜材料の液滴を吐出することで、レジスト膜８３を形成する際に、不良であるＳＡＷパターン５２が形成された区画においては、レジスト膜８３を形成しない、又は不良マークを形成する。弾性表面波発振装置は、当該方法、製造方法、又は液滴吐出装置を用いて製造された弾性表面波デバイスを備え、電子機器は、当該弾性表面波発振装置を備える。【選択図】  図１１
2006231143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、デバイスパターンが形成された基板に対向させ、前記デバイスパターンの形成領域に向けて前記液滴を吐出することで、前記基板上に前記液状材料から成る膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、
前記基板上に形成された前記デバイスパターンが良品であるか否かの良否情報を取得する情報取得ステップと、
当該良否情報に基づいて第１描画パターンデータを生成する生成ステップと、
当該第１描画パターンデータに基づいて、前記基板に向けて前記液滴を吐出することで、前記第１描画パターンデータによって規定される前記膜パターンを形成する描画ステップと、を有することを特徴とする、膜パターン形成方法。
【請求項２】
液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、デバイスパターンが形成された基板に対向させ、前記デバイスパターンの形成領域に向けて前記液滴を吐出することで、前記基板上に前記液状材料から成る膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、
前記基板上に形成された前記デバイスパターンが良品であるか否かの情報に基づいて生成された第２描画パターンデータを取得する描画パターンデータ取得ステップと、
当該第２描画パターンデータに基づいて、前記基板に向けて前記液滴を吐出することで、前記第２描画パターンデータによって規定される前記膜パターンを形成する描画ステップと、を有することを特徴とする、膜パターン形成方法。
【請求項３】
前記第１又は第２描画パターンデータで規定される前記膜パターンにおいて、良品でない前記デバイスパターンが形成された領域に形成される前記膜パターンの不良対応部は、
良品である前記デバイスパターンが形成された前記領域に形成される前記膜パターンの良品対応部と異なることを特徴とする、請求項１又は２に記載の膜パターン形成方法。
【請求項４】
前記不良対応部は、膜パターンを形成しない空白部であることを特徴とする、請求項３に記載の膜パターン形成方法。
【請求項５】
前記不良対応部は、前記不良対応部が形成された前記領域に形成されている前記デバイスパターンが良品でないことを表示する不良マークであることを特徴とする、請求項３に記載の膜パターン形成方法。
【請求項６】
液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、前記弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて前記液滴を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成る膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記基板上に形成された前記弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの良否情報を取得する情報取得ステップと、
当該良否情報に基づいて第１描画パターンデータを生成する生成ステップと、
当該描画パターンデータに基づいて、前記ウェハに向けて前記液滴を吐出することで、前記第１描画パターンデータによって規定される前記膜パターンを形成する描画ステップと、を有することを特徴とする、弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項７】
液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、前記弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて前記液滴を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成る膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記基板上に形成された前記弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの情報に基づいて生成された第２描画パターンデータを取得する描画パターンデータ取得ステップと、
当該第２描画パターンデータに基づいて、前記ウェハに向けて前記液滴を吐出することで、前記第２描画パターンデータによって規定される前記膜パターンを形成する描画ステップと、を有することを特徴とする、弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第１又は第２描画パターンデータで規定される前記膜パターンにおいて、良品でない前記弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される前記膜パターンの不良対応部は、良品である前記弾性表面波デバイスパターンが形成された前記領域に形成される前記膜パターンの良品対応部と異なることを特徴とする、請求項６又は７に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記不良対応部は、膜パターンを形成しない空白部であることを特徴とする、請求項８に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記不良対応部は、前記不良対応部が形成された前記領域に形成されている前記弾性表面波デバイスパターンが良品でないことを表示する不良マークであることを特徴とする、請求項８に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記膜パターンは、前記ウェハ面を処理する前に当該処理を実行しない非処理面を覆うために形成するレジスト膜であることを特徴とする、請求項６乃至１０のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記処理は、前記弾性表面波デバイスパターンの櫛歯状電極面に酸化膜を形成する陽極酸化処理であり、
前記塗布禁止領域は、前記酸化膜を形成する前記櫛歯状電極面であることを特徴とする、請求項６乃至１１のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記非処理面は、前記弾性表面波デバイスを電気的に接続するための電極である接続電極を含む領域であることを特徴とする、請求項６乃至１２のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記不良マークを前記レジスト膜材料で形成することを特徴とする、請求項１１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記不良マークを前記非処理面に形成することを特徴とする、請求項１４に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１６】
導電性材料から成る前記液滴を前記櫛歯状電極面に向けて吐出して、前記不良マークを、前記櫛歯状電極面に形成することを特徴とする、請求項１２に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１７】
請求項６乃至１６のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法を用いて製造したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする弾性表面波発振装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の弾性表面波発振装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、前記液滴吐出ヘッドと前記ウェハとを相対的に移動させると共に、前記弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて前記液滴を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成る膜パターンを形成する液滴吐出装置であって、
前記ウェハ上に形成された前記弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの良否情報を取得する情報取得部と、
当該良否情報に基づいて第１描画パターンデータを生成する描画パターン生成部と、
当該第１描画パターンデータに基づいて、前記ウェハに向けて前記液滴を吐出させる液滴吐出制御部と、を備えることを特徴とする、液滴吐出装置。
【請求項２１】
液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、前記液滴吐出ヘッドと前記ウェハとを相対的に移動させると共に、前記弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて前記液滴を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成る膜パターンを形成する液滴吐出装置であって、
前記基板上に形成された前記弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの情報に基づいて生成された第２描画パターンデータを取得する情報取得部と、
当該第２描画パターンデータに基づいて、前記ウェハに向けて前記液滴を吐出させる液滴吐出制御部と、を備えることを特徴とする、液滴吐出装置。
【請求項２２】
前記描画パターン生成部は、良品でない前記弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される前記膜パターンの不良対応部は、良品である前記弾性表面波デバイスパターンが形成された前記領域に形成される前記膜パターンの良品対応部と異なるような前記膜パターンを規定する前記第１描画パターンデータを形成することを特徴とする、請求項２０に記載の液滴吐出装置。
【請求項２３】
前記描画パターン生成部は、前記不良対応部は、膜パターンを形成しない空白部であるような前記膜パターンを規定する前記第１描画パターンデータを形成することを特徴とする、請求項２２に記載の液滴吐出装置。
【請求項２４】
前記描画パターン生成部は、前記不良対応部は、前記不良対応部が形成された前記領域に形成されている前記デバイスパターンが良品でないことを表示する不良マークであるような前記膜パターンを規定する前記第１描画パターンデータを形成することを特徴とする、請求項２２に記載の液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置、並びに当該形成方法、製造方法、又は液滴吐出装置を用いて製造された弾性表面波デバイス、当該弾性表面波デバイスを備えた弾性表面波発振装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に形成されたデバイスパターンの所定の領域を選択的に処理するために、所定の領域（以降「処理対象領域」と表記する）以外の領域（以降「非処理領域」と表記する）を覆う膜パターンを形成し、基板の全面を処理しても膜パターンに覆われた非処理領域は処理されないようにすることで、所定の処理対象領域のみを選択的に処理する方法が行われている。非処理領域を覆う膜パターンを形成する方法としては、基板面の全域を覆う保護膜を形成し、フォトエッチングなどで処理対象領域を覆う保護膜を除去して、非処理領域を覆う膜パターンを形成する方法が行われている。この方法では処理対象領域の保護膜をエッチングして除去する際に、処理対象領域の面がエッチング剤の影響を受けることがあった。例えば、基板の処理対象領域に含まれる表面に形成された電極膜が、エッチング剤によって侵食される場合があった。エッチング剤の影響を排除する方法として、特許文献１に記載されたように、エッチング剤に侵され難い処理を行う方法が提案されている。
【０００３】
しかし、特許文献１に記載されたような方法は、基板面に対して実施するべき処理を実行するためにさらに別の処理を実行する方法である。そのため、例えば弾性表面波デバイスのように、基板の表面に形成された電極膜の厚さの微小な変化が装置の特性に影響を与える装置においては、当該別の処理を実行することで、装置の特性が変化するという弊害が生ずる可能性があった。このような弊害がない方法として、特許文献２に記載されたようなインクジェット方式で、非処理領域にのみ選択的に保護膜の膜パターンを形成する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２７８０６７号公報
【特許文献２】特開２００４−１６９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、基板上に形成されたデバイスパターンの中には不良品が存在する場合があるにもかかわらず、インクジェット方式においても、基板上に形成されたデバイスパターンの全てに対して一律に膜パターンを形成することから、不良品に対しても良品と同様の膜パターンが形成されていた。不良品に対しても良品と同様の膜パターンが形成されることで、不良品に対して膜パターンを形成する材料が無駄になると共に、不良品に対して膜パターンを形成する無駄な工程による工程時間の増加があるという課題があった。また、不良品であっても、外観上の違いが判り難いものは、誤って良品として扱われる可能性があり、不良品に対しても良品と同様の膜パターンが形成されると、後工程において、より不良品を良品と区別し難くなるという課題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、膜パターンを形成する材料が無駄に消費されることを抑制できると共に、後工程において、不良品を良品と区別し易くすることができる、膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明による膜パターン形成方法は、液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、デバイスパターンが形成された基板に対向させ、デバイスパターンの形成領域に向けて液滴を吐出することで、基板上に液状材料から成る膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、基板上に形成されたデバイスパターンが良品であるか否かの良否情報を取得する情報取得ステップと、良否情報に基づいて第１描画パターンデータを生成する生成ステップと、第１描画パターンデータに基づいて、基板に向けて液滴を吐出することで、第１描画パターンデータによって規定される膜パターンを形成する描画ステップとを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の膜パターン形成方法によれば、各デバイスパターンの良否情報に基づいて生成された第１描画パターンデータに基づいて液滴を吐出することで、良品のデバイスパターンについては、膜パターンを形成すると共に、不良のデバイスパターンについては、良品のデバイスパターンとは異なる膜パターンを形成することや、膜パターンを形成しないことができる。即ち、形成された膜パターンによって、不良のデバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【０００９】
本発明による膜パターン形成方法は、液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドをデバイスパターンが形成された基板に対向させ、デバイスパターンの形成領域に向けて液滴を吐出することで、基板上に液状材料から成る膜パターンを形成する膜パターン形成方法であって、当該基板上に形成されたデバイスパターンが良品であるか否かの情報に基づいて生成された第２描画パターンデータを取得する描画パターンデータ取得ステップと、第２描画パターンデータに基づいて、基板に向けて液滴を吐出することで、第２描画パターンデータによって規定される膜パターンを形成する描画ステップとを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の膜パターン形成方法によれば、各デバイスパターンの良否情報に基づいて生成された第２描画パターンデータに基づいて液滴を吐出することで、良品のデバイスパターンについては、膜パターンを形成すると共に、不良のデバイスパターンについては、良品のデバイスパターンとは異なる膜パターンを形成することや、膜パターンを形成しないことができる。即ち、形成された膜パターンによって、不良のデバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００１１】
この場合、第１又は第２描画パターンデータで規定される膜パターンにおいて、良品でないデバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンの不良対応部は、良品であるデバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンの良品対応部と異なることが好ましい。
【００１２】
この膜パターン形成方法によれば、不良のデバイスパターンが形成された領域においては、良品のデバイスパターンが形成された領域において形成される膜パターンと同じ膜パターンは形成されない。このため、不良のデバイスパターンと良品のデバイスパターンとで、当該デバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンが異なることから、形成された膜パターンによって、不良のデバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００１３】
この場合、膜パターン形成方法は、不良対応部が、膜パターンを形成しない空白部であることが好ましい。
【００１４】
この膜パターン形成方法によれば、不良のデバイスパターンが形成された領域には膜パターンは形成しないため、当該領域に向けての液滴吐出を実行しないことから、不良のデバイスパターンに対して膜パターンを形成する無駄な材料消費及び時間消費を抑制することができる。また、不良のデバイスパターンにおいては、良品のデバイスパターンにおいて形成される膜パターンが形成されないため、膜パターンの有無によって不良のデバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００１５】
この場合、膜パターン形成方法は、不良対応部が、不良対応部が形成された領域に形成されているデバイスパターンが良品でないことを表示する不良マークであることが好ましい。
【００１６】
この膜パターン形成方法によれば、不良のデバイスパターンが形成された領域については、不良であることを示す不良マークが形成され、後工程において、不良マークによって不良のデバイスパターンを良品と区別し易くすることができる。
【００１７】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて液滴を吐出することで、ウェハ上に液状材料から成る膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、基板上に形成された弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの良否情報を取得する情報取得ステップと、当該良否情報に基づいて第１描画パターンデータを生成する生成ステップと、当該描画パターンデータに基づいてウェハに向けて液滴を吐出することで、第１描画パターンデータによって規定される膜パターンを形成する描画ステップとを有することを特徴とする。
【００１８】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法によれば、各弾性表面波デバイスパターンの良否情報に基づいて生成された第１描画パターンデータに基づいて液滴を吐出することで、良品の弾性表面波デバイスパターンについては、膜パターンを形成すると共に、不良の弾性表面波デバイスパターンについては、良品の弾性表面波デバイスパターンとは異なる膜パターンを形成することや、膜パターンを形成しないことができる。即ち、形成された膜パターンによって、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００１９】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて液滴を吐出することで、ウェハ上に液状材料から成る膜パターンを形成する弾性表面波デバイスの製造方法であって、基板上に形成された弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの情報に基づいて生成された第２描画パターンデータを取得する描画パターンデータ取得ステップと、当該第２描画パターンデータに基づいて、ウェハに向けて液滴を吐出することで、第２描画パターンデータによって規定される膜パターンを形成する描画ステップとを有することを特徴とする。
【００２０】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法によれば、各弾性表面波デバイスパターンの良否情報に基づいて生成された第２描画パターンデータに基づいて液滴を吐出することで、良品の弾性表面波デバイスパターンについては、膜パターンを形成すると共に、不良の弾性表面波デバイスパターンについては、良品の弾性表面波デバイスパターンとは異なる膜パターンを形成することや、膜パターンを形成しないことができる。即ち、形成された膜パターンによって、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００２１】
この場合、第１又は第２描画パターンデータで規定される膜パターンにおいて、良品でない弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンの不良対応部は、良品である弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンの良品対応部と異なることが好ましい。
【００２２】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域においては、良品の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域において形成される膜パターンと同じ膜パターンは形成されない。このため、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品の弾性表面波デバイスパターンとで、当該弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンが異なることから、形成された膜パターンによって、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００２３】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、不良対応部が、膜パターンを形成しない空白部であることが好ましい。
【００２４】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域には膜パターンは形成しないため、当該領域に向けての液滴吐出を実行しないことから、不良の弾性表面波デバイスパターンに対して膜パターンを形成する無駄な材料消費及び時間消費を抑制することができる。また、不良の弾性表面波デバイスパターンにおいては、良品の弾性表面波デバイスパターンにおいて形成される膜パターンが形成されないため、膜パターンの有無によって不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００２５】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、不良対応部が、不良対応部が形成された領域に形成されている弾性表面波デバイスパターンが良品でないことを表示する不良マークであることが好ましい。
【００２６】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域には、不良であることを示す不良マークが形成され、後工程において、不良マークによって、不良の弾性表面波デバイスパターンを良品と、区別し易くすることができる。
【００２７】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法における膜パターンは、ウェハ面を処理する前に当該処理を実行しない非処理面を覆うために形成するレジスト膜であることが好ましい。
【００２８】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンにおいては、非処理面にレジスト膜が形成されないことから、非処理面が処理され、外観によって良品と区別し易くなるとともに、機能検査においても、より良品と区別され易くすることができる。
【００２９】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法における処理は、弾性表面波デバイスパターンの櫛歯状電極面に酸化膜を形成する陽極酸化処理であり、塗布禁止領域は、酸化膜を形成する櫛歯状電極面であることが好ましい。
【００３０】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンにおいては、良品の弾性表面波デバイスパターンでは陽極酸化されない領域が陽極酸化されて酸化膜が形成されることから、不良の弾性表面波デバイスパターンを、外観によって良品と区別し易くするとともに、機能検査においても、より良品と区別し易くすることができる。
【００３１】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法における非処理面は、弾性表面波デバイスを電気的に接続するための電極である接続電極を含む領域であることが好ましい。
【００３２】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンにおいては、接続電極にレジスト膜が形成されないことから、接続電極面が処理され、不良の弾性表面波デバイスパターンを、外観によって良品と区別し易くするとともに、機能検査においても、より良品と区別し易くすることができる。
【００３３】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、不良マークをレジスト膜材料で形成することが好ましい。
【００３４】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良マークを形成する材料が、良品の弾性表面波デバイスパターンに形成するレジスト膜を形成するレジスト膜材料と同じであることから、レジスト膜を形成するためにレジスト膜材料液滴を吐出する吐出ヘッドを用いて、効率良く不良マークを形成することができる。
【００３５】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、不良マークを非処理面に形成することが好ましい。
【００３６】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンにおける不良マークを形成する位置が、良品の弾性表面波デバイスパターンにおける非処理面、即ち膜パターンを形成する位置と同じであって、不良マークを形成する際の経路が、膜パターンを形成する際の経路とほぼ同一になることから、不良マークを形成する際の経路を別途設けることなく、不良の弾性表面波デバイスパターンに、良品の弾性表面波デバイスパターンに形成するレジスト膜とは異なる不良マークを形成することができる。
【００３７】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、導電性材料から成る液滴を櫛歯状電極面に向けて吐出して、不良マークを、櫛歯状電極面に形成することが好ましい。
【００３８】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、櫛歯状電極面に塗布された導電性材料によって、櫛歯状電極を構成する電極間が短絡することで、不良の弾性表面波デバイスがより確実に不良品となることから、後工程の検査において、不良の弾性表面波デバイスが誤って良品と判定される可能性を低減することができる。
【００３９】
本発明の弾性表面波デバイスは、前記請求項のいずれかに記載の弾性表面波デバイスの製造方法を用いて製造したことを特徴とする。
【００４０】
本発明によれば、不良の弾性表面波デバイスを良品と区別し易い弾性表面波デバイスの製造方法を用いて製造したことから、良品の中に不良品が混入する可能性を抑制でき、信頼性の高い弾性表面波デバイスを実現することができる。
【００４１】
本発明の弾性表面波発振装置は、前記した請求項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする。
【００４２】
本発明によれば、信頼性の高い弾性表面波デバイスを有する、信頼性の高い弾性表面波発振装置を実現することができる。
【００４３】
本発明による電子機器は、前記した請求項に記載の弾性表面波発振装置を備えることを特徴とする。
【００４４】
本発明の構成によれば、信頼性の高い弾性表面波発振装置を搭載したことから、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【００４５】
本発明による液滴吐出装置は、液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、液滴吐出ヘッドとウェハとを相対的に移動させると共に、弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて液滴を吐出することで、ウェハ上に液状材料から成る膜パターンを形成する液滴吐出装置であって、ウェハ上に形成された弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの良否情報を取得する情報取得部と、当該良否情報に基づいて第１描画パターンデータを生成する描画パターン生成部と、当該第１描画パターンデータに基づいて、ウェハに向けて液滴を吐出させる液滴吐出制御部と、を備えることを特徴とする。
【００４６】
本発明の液滴吐出装置によれば、各弾性表面波デバイスパターンの良否情報に基づいて生成された描画パターンデータに基づいて液滴を吐出することで、良品の弾性表面波デバイスパターンについては、膜パターンを形成すると共に、不良の弾性表面波デバイスパターンについては、良品の弾性表面波デバイスパターンとは異なる膜パターンを形成することや、膜パターンを形成しないことができる。即ち、形成された膜パターンによって、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００４７】
本発明による液滴吐出装置は、液状材料の液滴を吐出する液滴吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、液滴吐出ヘッドとウェハとを相対的に移動させると共に、弾性表面波デバイスパターンの形成領域に向けて液滴を吐出することで、ウェハ上に液状材料から成る膜パターンを形成する液滴吐出装置であって、基板上に形成された弾性表面波デバイスパターンが良品であるか否かの情報に基づいて生成された第２描画パターンデータを取得する情報取得部と、当該第２描画パターンデータに基づいて、ウェハに向けて液滴を吐出させる液滴吐出制御部と、を備えることを特徴とする。
【００４８】
本発明の液滴吐出装置によれば、各弾性表面波デバイスパターンの良否情報に基づいて生成された第２描画パターンデータに基づいて液滴を吐出することで、良品の弾性表面波デバイスパターンについては、膜パターンを形成すると共に、不良の弾性表面波デバイスパターンについては、良品の弾性表面波デバイスパターンとは異なる膜パターンを形成することや、膜パターンを形成しないことができる。即ち、形成された膜パターンによって、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００４９】
この場合、液滴吐出装置の描画パターン生成部は、良品でない弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンの不良対応部は、良品である弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される膜パターンの良品対応部と異なるような膜パターンを規定する第１描画パターンデータを形成することが好ましい。
【００５０】
この液滴吐出装置によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域においては、良品の弾性表面波デバイスパターンにおいて形成される膜パターンと同じ膜パターンは形成されない。このため、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品の弾性表面波デバイスパターンとで、形成される膜パターンが異なることから、形成された膜パターンによって、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００５１】
この場合、液滴吐出装置の描画パターン生成部は、不良対応部は、膜パターンを形成しない空白部であるような膜パターンを規定する第１描画パターンデータを形成することが好ましい。
【００５２】
この液滴吐出装置によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域には膜パターンは形成しないため、当該領域に向けての液滴吐出を実行しないことから、不良の弾性表面波デバイスパターンに対して膜パターンを形成する無駄な材料消費及び時間消費を抑制することができる。また、不良の弾性表面波デバイスパターンにおいては、良品の弾性表面波デバイスパターンにおいて形成される膜パターンが形成されないため、膜パターンの有無によって不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【００５３】
この場合、液滴吐出装置の描画パターン生成部は、不良対応部が、不良対応部が形成された領域に形成されているデバイスパターンが良品でないことを表示する不良マークであるような膜パターンを規定する第１描画パターンデータを形成することが好ましい。
【００５４】
この液滴吐出装置によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンについては、当該弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に、不良であることを示す不良マークが形成され、後工程において、不良の弾性表面波デバイスパターンを良品と、不良マークによって区別し易くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５５】
以下、本発明に係る膜パターン形成方法、弾性表面波デバイスの製造方法、及び液滴吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器の一実施形態について、図面を参照して、説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００５６】
（第１の実施形態）
最初に、本発明に係る弾性表面波デバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置の一例である液滴吐出装置について説明する。この液滴吐出装置は、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することにより弾性表面波デバイスの基板上に膜パターンを形成するインクジェット装置である。図１は、液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
【００５７】
図１において、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、弾性表面波デバイスを形成するウェハ１（図７参照）を支持する基板ステージ２２と、ベース１２と基板ステージ２２との間に介在し、基板ステージ２２を移動可能に支持する第１移動装置（移動装置）１４と、基板ステージ２２に支持されているウェハ１に対して液状材料の液滴を吐出可能な液滴吐出ヘッド２（図２参照）と、複数の液滴吐出ヘッド２を保持するヘッドユニット３（図２参照）を移動可能に支持する第２移動装置１６と、液滴吐出ヘッド２の液滴の吐出動作を制御する液滴吐出制御部２３とを備えている。更に、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２上に設けられている重量測定装置としての電子天秤（不図示）と、キャッピングユニット２５と、クリーニングユニット２４とを有している。また、第１移動装置１４及び第２移動装置１６を含む液滴吐出装置ＩＪの動作は、液滴吐出制御部２３によって制御される。
【００５８】
第１移動装置１４はベース１２の上に設置されており、Ｙ方向に沿って位置決めされている。第２移動装置１６は、２本の支柱１６ａを用いてベース１２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の後部１２ａにおいて取り付けられている。第２移動装置１６のＸ方向（第２の方向）は、第１移動装置１４のＹ方向（第１の方向）と直交する方向である。ここで、Ｙ方向はベース１２の前部１２ｂと後部１２ａ方向に沿った方向である。これに対してＸ方向はベース１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ方向はＸ方向及びＹ方向に垂直な方向である。
【００５９】
第１移動装置１４は、駆動部が例えばリニアモータによって構成され、２本のガイドレール１４ａと、このガイドレール１４ａに沿って移動可能に設けられているスライダー１４ｂとを備えている。このスライダー１４ｂは、ガイドレール１４ａに沿ってＹ方向に移動して位置決め可能である。
【００６０】
また、スライダー１４ｂはＺ軸回り（θＺ）用のモータ１４ｃを備えている。このモータ１４ｃは、例えばダイレクトドライブモータであり、モータ１４ｃのロータは基板ステージ２２に固定されている。これにより、モータ１４ｃに通電することでロータと基板ステージ２２とは、θＺ方向に沿って回転して基板ステージ２２をインデックス（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移動装置１４は、基板ステージ２２をＹ方向（第１の方向）及びθＺ方向に移動可能である。
【００６１】
基板ステージ２２はウェハ１を保持し、所定の位置に位置決めするものである。また、基板ステージ２２は不図示の吸着保持装置を有しており、吸着保持装置が作動することにより、基板ステージ２２の穴２２ａを通してウェハ１を基板ステージ２２の上に吸着して保持する。
【００６２】
第２移動装置１６は、駆動部が例えばリニアモータによって構成され、支柱１６ａに固定されたコラム１６ｂと、このコラム１６ｂに支持されているガイドレール１６ｃと、ガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動可能に支持されているスライダー１６ｄとを備えている。スライダー１６ｄはガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動して位置決め可能であり、ヘッドユニット３はスライダー１６ｄに取り付けられている。
【００６３】
ヘッドユニット３は、揺動位置決め装置としてのモータ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄを介してスライダー１６ｄに取り付けられている。モータ１８ａを作動すれば、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｚ軸に平行に上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）である。モータ１８ｂを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能である。モータ１８ｃを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モータ１８ｄを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｚ軸回りのα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第２移動装置１６は、ヘッドユニット３をＸ方向（第１の方向）及びＺ方向に移動可能に支持するとともに、このヘッドユニット３をＸ軸回り方向、Ｙ軸回り方向、Ｚ軸回り方向に揺動可能に支持する。
【００６４】
このように、図１のヘッドユニット３に保持された液滴吐出ヘッド２は、スライダー１６ｄにおいて、Ｘ軸方向に直線移動して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐは、基板ステージ２２側のウェハ１に対して正確に位置あるいは姿勢をコントロールすることができる。なお、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐには液滴を吐出する複数の吐出ノズル４が設けられている（図２（ｂ）参照）。
【００６５】
電子天秤（不図示）は、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズルから吐出された液滴の一滴の重量を測定して管理するために、例えば、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズルから、５０００滴分の液滴を受ける。電子天秤は、この５０００滴の液滴の重量を５０００の数字で割ることにより、一滴の液滴の重量を正確に測定することができる。この液滴の測定量に基づいて、液滴吐出ヘッド２から吐出する液滴の量を最適にコントロールすることができる。
【００６６】
クリーニングユニット２４は、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズル等のクリーニングを製造工程中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことができる。キャッピングユニット２５は、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐが乾燥しないようにするために、デバイスを製造しない待機時にこの液滴吐出面２Ｐにキャップをかぶせるものである。
【００６７】
液滴吐出ヘッド２が第２移動装置１６によりＸ方向に移動することで、液滴吐出ヘッド２を電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５の上部に選択的に位置決めさせることができる。つまり、製造作業の途中であっても、液滴吐出ヘッド２をたとえば電子天秤の位置に移動することで、液滴の重量を測定できる。また液滴吐出ヘッド２をクリーニングユニット２４上に移動することで、液滴吐出ヘッド２のクリーニングを行うことができる。液滴吐出ヘッド２をキャッピングユニット２５の上に移動して、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐにキャップを取り付けることで乾燥を防止する。
【００６８】
つまり、これら電子天秤、クリーニングユニット２４、およびキャッピングユニット２５は、ベース１２上の後端側で、液滴吐出ヘッド２の移動経路直下に、基板ステージ２２と離間して配置されている。基板ステージ２２に対するウェハ１の給材作業及び排材作業はベース１２の前端側から行われるため、これら電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５により作業に支障を来すことはない。
【００６９】
図１に示すように、基板ステージ２２のうち、ウェハ１を支持する以外の部分には、液滴吐出ヘッド２が液滴を捨打ち或いは試し打ち（予備吐出）するための予備吐出エリア（予備吐出領域）２７が、クリーニングユニット２４と分離して設けられている。この予備吐出エリア２７は、図１に示すように、基板ステージ２２の後端部側においてＸ方向に沿って設けられている。この予備吐出エリア２７は、基板ステージ２２に固着され、上方に開口する断面凹字状の受け部材と、受け部材の凹部に交換自在に設置されて、吐出された液滴を吸収する吸収材とから構成されている。
【００７０】
次に、液滴吐出装置の液滴の吐出技術について説明する。液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ２程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００７１】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。このうち、ピエゾ方式は、液状材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないなどの利点を有する。本実施形態では、液状材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【００７２】
次に、液滴吐出ヘッド２、及び複数の液滴吐出ヘッド２を保持するヘッドユニット３の構造について説明する。図２（ａ）は、ヘッドユニットの平面図、図２（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの平面図であり、図３（ａ）は、液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視図であり、図３（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの吐出ノズル部の詳細構造を示す液滴吐出ヘッドの断面図である。
【００７３】
ヘッドユニット３は、図２（ａ）に示すように互いに同じ構造を有する複数の液滴吐出ヘッド２を保持している。ここで、図２（ａ）は、ヘッドユニット３を基板ステージ２２側から観察した図である。ヘッドユニット３には６個の液滴吐出ヘッド２からなる列が、それぞれの液滴吐出ヘッド２の長手方向がＸ軸方向に対して角度をなすように２列配置されている。また、液状材料を吐出するための液滴吐出ヘッド２は、図２（ｂ）に示すように、それぞれが液滴吐出ヘッド２の長手方向に延びる２つの吐出ノズル列６、６を有している。１つの吐出ノズル列６は、それぞれ１８０個の吐出ノズル４が一列に並んだ列のことであり、この吐出ノズル列６、６の方向に沿った吐出ノズル４の間隔は、約１４０μｍである。２つの吐出ノズル列６、６間で吐出ノズル４はそれぞれ半ピッチ（約７０μｍ）ずれた位置に配置されている。各液滴吐出ヘッド２は吐出ノズル４がＸ軸方向に一定ピッチで連続するように配置されており、液滴吐出ヘッド２のＸ軸方向に対する角度を調整すれば、ピッチを変えることができる。
【００７４】
この液滴吐出ヘッド２及び吐出ノズル４の配列パターンは一例であり、各種の基板に対し液滴吐出ヘッド２を専用部品とすれば、当該基板に合致した吐出ノズルの配設をすれば良い。あるいは、６個の液滴吐出ヘッド２の列を一つの液滴吐出ヘッドで構成しても良い。すなわち、液滴吐出ヘッド２の個数や列数、さらに配列パターンは任意に設定できる。いずれにしても、１２個の液滴吐出ヘッド２の全吐出ノズル４によるドットが、Ｘ軸方向において連続していればよい。
【００７５】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、それぞれの液滴吐出ヘッド２は、振動板３３と、ノズルプレート３４とを、備えている。振動板３３と、ノズルプレート３４との間には、液状材料タンク（図示省略）から孔３７を介して供給される材料液が常に充填される液たまり３５が位置している。また、振動板３３と、ノズルプレート３４との間には、複数のヘッド隔壁３１が位置している。そして、振動板３３と、ノズルプレート３４と、１対のヘッド隔壁３１とによって囲まれた部分がキャビティ３０である。キャビティ３０は吐出ノズル４に対応して設けられているため、キャビティ３０の数と吐出ノズル４の数とは同じである。キャビティ３０には、１対のヘッド隔壁３１間に位置する供給口３６を介して、液たまり３５から材料液が供給される。
【００７６】
振動板３３上には、それぞれのキャビティ３０に対応して、振動子３２が位置する。振動子３２は、ピエゾ素子３２ｃと、ピエゾ素子３２ｃを挟む１対の電極３２ａ、３２ｂとから成る。この１対の電極３２ａ、３２ｂに駆動電圧を与えることで、対応する吐出ノズル４から液状材料が液滴となって吐出される。
【００７７】
上記した液滴吐出制御部２３（図１参照）は、ピエゾ素子３２ｃへの印加電圧の制御、すなわち駆動信号を制御することにより、複数の吐出ノズル４のそれぞれに対して、液状材料の吐出制御を行う。具体的には、液滴吐出制御部２３は、吐出ノズル４から吐出される液滴の体積や、単位時間あたりに吐出する液滴の数、液滴同士の距離などを変化させることができる。例えば、列状に並ぶ複数の吐出ノズル４の中から、液滴を吐出させる吐出ノズル４を選択的に使用することにより、複数の液滴同士の距離を変化させることができる。なお、吐出ノズル４のそれぞれから吐出される液滴の体積は、１ｐｌ〜３００ｐｌ（ピコリットル）の間で可変である。
【００７８】
図４は、ピエゾ素子３２ｃに与える駆動信号の例と、駆動信号に対応する吐出ノズル内の液状材料の状態を示す模式図である。以下、この図４に基づいて、体積の異なる３種類の液滴である、微小ドット、中ドット、大ドットを吐出する原理について説明する。図４において、駆動波形［Ａ］は駆動信号発生回路が生成する基本波形である。波形［Ｂ］は基本波形のＰａｒｔ１で形成されていて、メニスカス（液体の凹凸面）を揺動させ吐出ノズル４開口近傍の増粘した液体を拡散し、微小な液滴の吐出不良を未然に防止するために用いられる。Ｂ１はメニスカスが静定している状態であり、Ｂ２はピエゾ素子３２ｃに緩やかに充電することでキャビティ３０（圧力室）の体積を拡張しメニスカスを僅か吐出ノズル４内に引き込む動作を示している。
【００７９】
波形［Ｃ］は、基本波形のＰａｒｔ２で形成されていて、微小ドットの液滴を吐出する波形である。まず静定している状態（Ｃ１）から急激にピエゾ素子３２ｃを充電してメニスカスを素早く吐出ノズル４内に引き込む（Ｃ２）。次に一旦引き込まれたメニスカスが再び吐出ノズル４を満たす方向に振動を開始するタイミングに併せてキャビティ３０を僅か縮小（Ｃ３）させることにより微小ドットの液滴が飛翔する。放電を途中休止した後の２度目の放電（Ｃ４）は吐出動作後のメニスカスやピエゾ素子の残留信号を制振させるとともに液滴の飛翔形態を制御する役目を果たしている。
【００８０】
波形［Ｄ］は、基本波形のＰａｒｔ３で形成されていて、中ドットを吐出する波形である。静定状態（Ｄ１）から緩やかに大きくメニスカスを引き込み（Ｄ２）、メニスカスが再び吐出ノズル４を満たす方向に向かうタイミングに合わせて急激にキャビティ３０を収縮（Ｄ３）させることで中ドットの液滴が吐出される。Ｄ４ではピエゾ素子に充電／放電することでメニスカスやピエゾ素子の残留振動を制振させている。波形［Ｅ］は基本波形のＰａｒｔ２とＰａｒｔ３とを組み合わせて形成されていて、大ドットの液滴を吐出するための波形である。まず、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３に示す過程で微小ドットの液滴を吐出し、微小ドット吐出後に僅かに残留するメニスカスの振動が吐出ノズル４内を液体で満たすタイミングに合わせて中ドットを吐出する波形をピエゾ素子３２ｃに印加する。Ｅ４、Ｅ５の過程で吐出される液滴は中ドットよりも大きい体積であり、先の微小ドットの液滴と合わせてさらに大きい大ドットの液滴が形成される。このように駆動信号を制御することにより、微小ドット、中ドット、大ドットの体積の異なる３種類の液滴を吐出することができる。
【００８１】
次に、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子３８（図６参照）について説明する。ＳＡＷ共振子３８は、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０（図５参照）を封入し、接着剤４１で接着し、ボンディングワイヤ４２で導通させて形成される（図６参照）。ＳＡＷ共振子３８が、弾性表面波発振装置に相当し、ＳＡＷ共振片４０が、弾性表面波デバイスに相当する。
【００８２】
図５は、ＳＡＷ共振片の一例を示す平面図である。図５に示したＳＡＷ共振片４０は、水晶、リチウムタンクレート、リチウムニオブベートなどの圧電体を矩形にカットしたものを基体（チップ）として構成されている。本実施形態の圧電体のチップ４３は、平らな長方形にカットされており、その表面（主面）４３ａの中央に１組の電極４４ａおよび４４ｂによって交叉指電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）４４が構成されている。また、このＩＤＴ４４の長手方向の両側に格子状の反射器４６ａおよび４６ｂが形成されている。チップ４３の長手方向の縁に沿って、ＩＤＴ４４を形成する１組の電極４４ａおよび４４ｂとそれぞれ繋がった導通用のボンディングランド４５ａおよび４５ｂが、電極４４ａおよび４４ｂと同じ素材を用いて形成されており、このボンディングランド４５ａ，４５ｂにワイヤーボンディングすることによって電気的な接続が得られるようになっている。交叉指電極（ＩＤＴ）４４が、櫛歯状電極に相当し、ボンディングランド４５ａ，４５ｂが、接続電極に相当する。
【００８３】
電極４４ａ，４４ｂ，反射器４６ａ，４６ｂおよびボンディングランド４５ａ，４５ｂは、導電性の素材、例えば、金、アルミニウム、アルミニウム銅合金などが通常用いられ、加工およびコストの点からアルミニウム系の素材が最も多く用いられている。図５に破線で示した領域４７ａ，４７ｂは、後述する陽極酸化レジスト膜を形成する領域であり、形成領域に相当する。
【００８４】
図６は、ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図である。上述したように、ＳＡＷ共振子３８は、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０を封入して形成されている。ハウジング３９は、ＳＡＷ共振片４０を支持するための金属部３９ｂと、ＳＡＷ共振片４０を封止するケース３９ａと、封止ガラス３９ｃとで構成されている。ＳＡＷ共振片４０は、これを支持するための金属部３９ｂに接着剤４１で固着されており、ケース３９ａと金属部３９ｂとで形成される空間内に窒素雰囲気中で抵抗溶接などによって封止されている。ＳＡＷ共振片４０と電気的な接続を得るためのリード４９が金属部３９ｂの中の絶縁部すなわち封止ガラス３９ｃを貫通しており、これらのリード４９はＳＡＷ共振片４０上のボンディングランド４５ａ，４５ｂとボンディングワイヤ４２によって電気的に接続されている。
【００８５】
このように、ＳＡＷ共振片４０の周囲に空間を設け、ＳＡＷ共振片４０が周囲の環境から影響を受け難くしてある。ところが、ＳＡＷ共振片４０の周囲に形成された空間がＳＡＷ共振片４０を封入する際に混入する可能性のあるＳＵＳ片あるいは半田くずなどの異物の移動可能なスペースとなってしまう。そして、このような異物がＳＡＷ共振片４０の電極、例えば、ＩＤＴ４４に食い込む可能性がある。ＩＤＴ４４はミクロンオーダーの精度で配置されているため、電極間に上記のような導電性の異物が存在するとショートの原因となり、ＳＡＷ共振子３８の安定した動作が損なわれる。しかし、このような異物の多くはミクロンオーダーの小さなものであり、混入を完全に防ぐのは困難である。さらに、ＳＡＷ共振子３８は様々な用途に用いられ、実装中や運搬中の衝撃、あるいは実装された角度などによってこのような異物が移動してしまうので、ＳＡＷ共振子３８を組み立てたり、実装する段階で上記のようなトラブルを完全に防止することは難しい。
【００８６】
異物によるトラブルを防止するために、例えば、ＩＤＴ４４などを酸化けい素などによってコーディングすることも可能である。しかし、チップ上にコーティング層を形成することは共振周波数の変動やＱ値の低下に繋がり、ＳＡＷ共振子３８の性能が損なわれてしまう。ところで、アルミニウム系の電極の表面に自然に形成される酸化膜は導電性が小さく、絶縁膜として機能させることができ、これらによってショートを防止することができる。しかし、自然に形成される酸化膜は厚みが１０〜３０オングストロームと薄いため強度が不足し、落下等の衝撃によって移動する異物から電極を完全に保護することは困難である。そこで、ＳＡＷ共振片４０のアルミニウム系電極を陽極酸化することによって、膜厚が２８０オングストローム前後、あるいはこれより厚い酸化膜を電極の表面に形成し、異物によるトラブルを防止するようにしている。
【００８７】
図７は、複数のＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図である。図７に示すような圧電体のウェハ５１に複数のＳＡＷパターン５２が形成された状態で陽極酸化を行う。ＩＤＴ４４を構成する一対の電極４４ａおよび４４ｂに陽極酸化を施すため、ウェハ５１には、ＳＡＷパターン５２に加え、陽極酸化用の電源と接続するターミナル（図示省略）と、ターミナルとＩＤＴ４４の一方の電極４４ａ及び４４ｂとを繋ぐ接続線（図示省略）と、を設けてある。陽極酸化を行うことで、印加電圧に略比例した膜厚の酸化膜を電極の表面に形成することができる。
【００８８】
また、電極のうち、ボンディングランド４５ａ，４５ｂに相当する部分では、ボンディングワイヤ４２とボンディングランド４５ａ，４５ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要であり、ボンディングランド４５ａ，４５ｂには酸化膜が形成されないことが望ましい。そこで、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う領域４７ａ，４７ｂにはレジスト膜を形成して、酸化膜の厚みの増加を防止する。レジスト膜は、前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、領域４７ａ，４７ｂにレジスト膜材料を吐出することで形成する。レジスト膜を形成する領域４７ａ，４７ｂが、膜パターンを形成する塗布領域に相当し、酸化膜を形成する対象であって、レジスト膜材料が付着することが好ましくない電極４４ａ及び４４ｂが、液状材料が付着することが禁止された塗布禁止領域に相当する。
【００８９】
ウェハ５１上のＳＡＷパターン５２は、ボンディングランド４５ａ，４５ｂが図７に示したＷ軸方向に直線状に並ぶと共に、ボンディングランド４５ａ，４５ｂのＷ軸方向の延長上に、ＩＤＴ４４が位置しないように配置されている。なお、図７に示したウェハ５１は、ウェハ５１上に形成されたＩＤＴ４４とボンディングランド４５ａ，４５ｂとの位置関係を明示するために、１枚のウェハ５１上に４０個のＳＡＷパターン５２が形成できるものを示している。
【００９０】
次に、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆うレジスト膜８３（図１１参照）を形成し、不良のＳＡＷパターン５２が形成された区画に不良マークを形成する工程について説明する。最初に液滴吐出装置ＩＪの本実施形態の当該工程を実行するための機能的全体構成について説明する。図８は、本実施形態を実現する液滴吐出装置の機能的全体構成を示す機能ブロック図である。
【００９１】
入力部６１から、製造するＳＡＷ共振片４０の情報である機種データや、各ウェハ５１毎の情報であるワーク固有データや、吐出作業開始指令などが入力される。入力部６１は、例えばキーボードのように、操作者が直接操作してデータを入力する装置でもよいし、例えばフレキシブルディスクドライブのように、記憶媒体からデータを読取る装置でも良いし、ホスト装置などと接続する入出力装置であってもよい。また、これらの装置を複数備える構成でもよい。入力部６１から入力された情報は、液滴吐出装置ＩＪ全体の駆動を制御する吐出装置制御部６８の入力データ制御部６２に送られる。入力データ制御部６２に送られた情報は、それぞれの情報の内容に拠って、記憶部６３やパターン生成部６４などに送られる。
【００９２】
記憶部６３には、不良マーク記憶部６３ａと、共通データ記憶部６３ｂと、ワーク固有データ記憶部６３ｃとが設けられている。不良マーク記憶部６３ａには、予め入力された不良マークの形状データである不良マークデータが記憶されている。共通データ記憶部６３ｂには、製造するＳＡＷ共振片４０の機種毎の形状データや、ＳＡＷパターン５２を形成するウェハ５１の寸法形状データや、ウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置データなどの機種固有のデータである機種データが記憶されている。ワーク固有データ記憶部６３ｃには、製造するＳＡＷ共振片４０の製造ロット毎のウェハ５１の枚数や、各ウェハ５１毎の不良のＳＡＷパターン５２の位置情報などのワーク固有データが記憶されている。
【００９３】
パターン生成部６４には、不良マークパターン生成部６４ａと、不良マーク描画パターン生成部６４ｂと、基本描画パターン生成部６４ｃと、描画パターン生成部６４ｄとが設けられている。不良マークパターン生成部６４ａは、不良マークパターンを生成する。不良マークパターンは、製造するＳＡＷ共振片４０に対応した大きさの不良マークの形状データである。不良マークパターンは、不良マークの形状データである不良マークデータと、製造するＳＡＷ共振片４０の機種の機種データの中の形状データとから、製造するＳＡＷ共振片４０に対応した大きさに生成する。
【００９４】
不良マーク描画パターン生成部６４ｂは、不良マーク描画パターン又は描画削除位置パターンを生成する。不良マーク描画パターンは、各ウェハ５１毎の不良マークの描画パターンデータであり、描画削除位置パターンは、ウェハ５１上の不良のＳＡＷパターン５２が位置する区画を描画しない区画に指定するデータである。不良マーク描画パターンは、機種データの中のウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置データと、ワーク固有データの中のウェハ５１毎の不良のＳＡＷパターン５２の位置情報と、から得られる、ウェハ５１上の不良のＳＡＷパターン５２の位置する区画に、不良マークパターン生成部６４ａで生成された不良マークパターンをはめ込むことで生成する。描画削除位置パターンは、機種データの中のウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置データと、ワーク固有データの中のウェハ５１毎の不良のＳＡＷパターン５２の位置情報と、から得られる、ウェハ５１上の不良のＳＡＷパターン５２の位置する区画を、膜パターンを形成しない区画に指定することで生成する。不良マーク描画パターンを生成する場合と、描画削除位置パターンを生成する場合の違いについては、後述する。
【００９５】
基本描画パターン生成部６４ｃは、基本描画パターンを生成する。基本描画パターンは、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２が全て良品である場合の描画パターンデータである。基本描画パターンは、機種データの中のＳＡＷ共振片４０の形状データとウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置の情報とから、生成される。
【００９６】
描画パターン生成部６４ｄは、描画パターンデータを生成する。描画パターンデータは、各ウェハ５１に対応して形成する膜パターンを規定するデータである。描画パターンデータは、不良マーク描画パターン生成部６４ｂで生成された不良マーク描画パターン又は描画削除位置パターンと、基本描画パターン生成部６４ｃで生成された、基本描画パターンとから、生成される。生成された描画パターンデータは、液滴吐出制御部２３に送られる。描画パターン生成部６４ｄで形成される描画パターンデータが、第１描画パターンデータに相当する。
【００９７】
液滴吐出制御部２３は、描画パターンデータに基づいて、液滴吐出ヘッド２（図２参照）や第１移動装置１４や第２移動装置１６（図１参照）などの液滴吐出機構部６７を、液滴吐出機構駆動回路６６を介して駆動することで、描画パターンデータによって規定される膜パターンを形成する。即ち、ウェハ５１上の良品のＳＡＷパターン５２が形成された区画には、所定の膜パターンを形成する。ウェハ５１上の不良のＳＡＷパターン５２が形成された区画には、膜パターンを全く形成しないか、不良マークを形成する。
【００９８】
次に、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２の良否に応じて膜パターンを形成する工程について説明する。図９は、ウェハ上に形成されたＳＡＷパターンの良否に応じて膜パターンを形成する工程を示すフローチャートである。入力部６１からレジスト膜形成指令が入力されると、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２の良否に応じて膜パターンを形成する工程、即ち、良品のＳＡＷパターン５２が形成された区画には、ボンディングランドを覆うレジスト膜を形成し、不良のＳＡＷパターンが形成された区画には、膜パターンを全く形成しないか、不良マークを形成する工程が開始される。レジスト膜形成指令では、不良マーク描画仕様も併せて指示される。不良マーク描画仕様では、膜パターンを形成するか否か、即ち膜パターンを全く形成しないか不良マークを形成するか、及び膜パターンを形成する場合には膜パターンとしてどの不良マークを描画し、形成するかが指示される。
【００９９】
ステップＳ１では、レジスト膜を形成するＳＡＷ共振片４０の、ここで処理対象とする機種の機種データを入力する。機種データには、ＳＡＷパターン５２の形状データ、ウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置データなどの情報が含まれ、ウェハ５１上でのＩＤＴ４４の形成位置、ボンディングランド４５ａ，４５ｂの形成位置などの情報が得られる。なお、機種データは予め入力して、共通データ記憶部６３ｂに記憶しておき、ステップＳ１では、例えば機種コードなど、処理対象の機種を特定できるデータのみを入力してもよい。
【０１００】
次に、ステップＳ２では、基本描画パターンを生成する。基本描画パターンは、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２が全て良品である場合に、ウェハ５１上に形成された全てのＳＡＷパターン５２のボンディングランド４５ａ，４５ｂを含む領域４７ａ，４７ｂに向けて液滴を吐出する描画パターンデータである。基本描画パターンは、ステップＳ１で入力した機種データの中のＳＡＷ共振片４０の形状データとウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置の情報とから、生成される。
【０１０１】
次に、ステップＳ３では、処理対象にしている製造ロットのワーク固有データを入力する。ワーク固有データには、製造ロットに含まれるウェハ５１の枚数や、各ウェハ５１毎の不良のＳＡＷパターン５２の位置情報や、各ウェハ５１の投入順序情報などが含まれる。ワーク固有データが、デバイスパターンが良品であるか否かの良否情報に相当し、ワーク固有データを入力するステップＳ３が、情報取得ステップに相当する。
【０１０２】
次に、ステップＳ４では、指示された不良マーク描画仕様では、不良マークを描画する設定になっているか否かを判定する。不良マークを描画する設定の場合（ステップＳ４でＹＥＳ）は、ステップＳ５に進む。不良マークを描画しない、即ち不良のＳＡＷパターン５２の部分にはなにも描画しない設定の場合（ステップＳ４でＮＯ）は、ステップＳ８に進む。
【０１０３】
ステップＳ４の次に、ステップＳ５では、パターン生成部６４が、不良マーク記憶部６３ａに記憶された不良マークデータの中から、不良マーク描画仕様で指定された不良マークの不良マークデータを読み込む。不良マークデータは、不良マークの形状データであり、予め作成して、不良マーク記憶部６３ａに記憶させておく。
【０１０４】
次に、ステップＳ６では、不良マークパターンを生成する。不良マークパターンは、ステップＳ５で読み込んだ不良マークデータと、ステップＳ１で入力した機種データのＳＡＷパターン５２の形状とから形成される、現在の処理対象の機種に対応した、不良マークの描画パターン形状のデータである。
【０１０５】
次に、ステップＳ７では、不良マーク描画パターンを生成する。不良マーク描画パターンは、ウェハ５１上に形成する不良マークの位置及び形状を示すデータである。不良マーク描画パターンは、ステップＳ１で入力した機種データの中のウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置データと、ステップＳ３で入力したワーク固有データの中のウェハ５１毎の不良のＳＡＷパターン５２の位置情報と、から得られる、現在処理対象としているウェハ５１上の不良のＳＡＷパターン５２の位置する区画に、ステップＳ６で生成した不良マークパターンを、はめ込むことで生成する。なお、現在の処理対象のウェハ５１が、処理対象の製造ロットの中のどのウェハ５１であるかは、ワーク固有データに含まれる各ウェハ５１の投入順序情報に拠って判断する。
【０１０６】
ステップＳ４の次に、ステップＳ８では、ウェハ５１上の不良のＳＡＷパターン５２が形成された区画を描画しない区画に指定するデータである、描画削除位置パターンを生成する。描画削除位置パターンは、ステップＳ１で入力した機種データの中のウェハ５１上のＳＡＷパターン５２の形成位置データと、ステップＳ３で入力したワーク固有データの中の、ウェハ５１毎の不良のＳＡＷパターン５２の位置情報と、から得られる、ウェハ５１上の不良のＳＡＷパターン５２の位置する区画について、当該区画を描画しない区画に指定することで、生成する。なお、次の処理対象のウェハ５１が、処理対象のロットの中のどのウェハ５１であるかは、ワーク固有データに含まれる各ウェハ５１の投入順序情報に拠って判断する。
【０１０７】
ステップＳ７又はステップＳ８の次に、ステップＳ９では、今回処理対象とするウェハ５１に形成する膜パターンを規定する描画パターンデータを生成する。描画パターンデータは、ステップＳ２で生成した基本描画パターンデータと、ステップＳ７で生成した不良マーク描画パターンデータとから、又は、ステップＳ２で生成した基本描画パターンデータと、ステップＳ８で生成した描画削除位置パターンとから、生成する。
【０１０８】
次に、ステップＳ１０では、ステップＳ９で生成した描画パターンデータに従って、ウェハ５１に向けてレジスト材料の液滴を吐出する描画を実行する。ウェハ５１上の描画パターンデータによって規定される位置に着弾したレジスト材料の液滴が乾燥して、良品であるＳＡＷパターン５２のボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆うレジスト膜８３（図１１参照）が形成され、不良のＳＡＷパターン５２が形成された区画に不良マークが形成される。描画を実行するステップＳ１０が、描画ステップに相当する。
【０１０９】
次に、ステップＳ１１では、現在の処理対象の製造ロットの処理が終了したか否かを判定する。製造ロットの処理が終了したか否かは、処理したウェハ５１の枚数が、ワーク固有データに含まれるウェハ５１の枚数に達したか否かで判定する。現在の処理対象の製造ロットの処理が終了していない場合（ステップＳ１１でＮＯ）は、ステップＳ１２に進む。
【０１１０】
ステップＳ１１の次に、ステップＳ１２では、指示された不良マーク描画仕様では、不良マークを描画する設定になっているか否かを判定する。不良マークを描画する設定の場合（ステップＳ１２でＹＥＳ）は、ステップＳ７に進み、ステップＳ７からステップＳ１１を繰返す。不良マークを描画しない、即ち不良のＳＡＷパターン５２の部分にはなにも描画しない設定の場合（ステップＳ１２でＮＯ）は、ステップＳ８に進み、ステップＳ８からステップＳ１１を繰返す。
【０１１１】
ステップＳ１１で、現在の処理対象の製造ロットの処理が終了したと判定した場合（ステップＳ１１でＹＥＳ）は、ウェハ５１上に形成されたＳＡＷパターン５２の良否に応じて膜パターンを形成する工程、即ち、良品のＳＡＷパターン５２が形成された区画には、ボンディングランドを覆うレジスト膜を形成し、不良のＳＡＷパターンが形成された区画には、膜パターンを全く形成しないか、不良マークを形成する工程を終了する。
【０１１２】
次に、描画パターンデータ及び不良マークの例について説明する。図１０は描画パターンデータを概念的に示す模式図であり、図１１は、レジスト膜及び不良マークが形成されたウェハを示す平面図である。ウェハ５１上におけるＳＡＷパターン５２が形成された区画のＷ軸方向の並びを行と表記し、図１１の上から行Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，‥と表記し、Ｖ軸方向の並びを列と表記し、図１１の左から列Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，‥と表記する。各区画は、Ｌｎ行とＭｍ列の交点の区画を、区画ＬｎＭｍと表記する。図１０に示した描画パターンデータ７２についても同様に表記する。
【０１１３】
描画パターンデータ７２には、ウェハ５１に対して描画パターンデータ７２を位置決めするための位置決めマーク（図１０（ａ），（ｂ）では図示省略）と、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆うレジスト膜８３（図１１参照）を描画するためのパターン形状７３と、不良マーク８４（図１１参照）などを描画するための不良マークパターン７４などとが形成される。
【０１１４】
図１０（ａ）に示した描画パターンデータ７２ａは、区画Ｌ２Ｍ２，Ｌ２Ｍ３，Ｌ３Ｍ６，Ｌ４Ｍ１に形成されたＳＡＷパターン５２が不良であるウェハ５１に描画するための描画パターンデータ７２の例である。良品のＳＡＷパターン５２が形成された区画に対応する描画パターンデータ７２ａの区画には、パターン部７３ａ，７３ｂからなる、パターン形状７３が形成されている。なお、不良マークの形状を例示するために、描画パターンデータ７２は、１枚のウェハ５１に対して、形状の異なる４つの不良マークを形成する構成とした。
【０１１５】
形成されたＳＡＷパターン５２が不良のＳＡＷパターン５２である区画Ｌ２Ｍ３には、「−」形状の不良マーク部７４ａ，７４ｂから成る、不良マークパターン７４が形成されている。同様の区画Ｌ２Ｍ２には、区画の中央に「Ｘ」形状の不良マーク部が形成された不良マークパターン７６が形成されている。区画Ｌ３Ｍ６には、区画の隅側に「Ｘ」形状の不良マーク部が形成された不良マークパターン７８が形成されており、区画Ｌ４Ｍ１には、「Ｘ」形状の不良マーク部７７ａ，７７ｂから成る、不良マークパターン７７が形成されている。
【０１１６】
図１０（ｂ）に示した描画パターンデータ７２ｂは、区画Ｌ２Ｍ３に形成されたＳＡＷパターン５２が不良であるウェハ５１に描画する描画パターンデータ７２の例であって、不良のＳＡＷパターン５２が形成された区画には描画しない場合の描画パターンデータ７２の例である。良品のＳＡＷパターン５２が形成された区画に対応する描画パターンデータ７２ｂの区画には、描画パターンデータ７２ａと同様に、パターン部７３ａ，７３ｂからなる、パターン形状７３が形成されている。不良のＳＡＷパターン５２が形成された区画Ｌ２Ｍ３には、パターン形状が形成されていない。
【０１１７】
図１１（ａ）に示したウェハ５１ａは、区画Ｌ２Ｍ２，Ｌ２Ｍ３，Ｌ３Ｍ６，Ｌ４Ｍ１に形成されたＳＡＷパターン５２が不良であるウェハ５１に、レジスト膜８３と、不良マーク８４などとが形成された例である。ウェハ５１ａには、図１０（ａ）で説明した描画パターンデータ７２ａに基づいて液滴を吐出することで形成された、レジスト膜８３と、不良マーク８４，８６，８７，８８とが形成されている。形成されたＳＡＷパターン５２が良品である区画には、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆うレジスト膜８３ａ，８３ｂ（合わせてレジスト膜８３と表記する）が、形成されている。
【０１１８】
形成されたＳＡＷパターン５２が不良のＳＡＷパターン５２である区画Ｌ２Ｍ３では、「−」形状の不良マーク８４ａ，８４ｂ（合わせて不良マーク８４と表記する）が、それぞれボンディングランド４５ａ，４５ｂの上に形成されている。同様の区画Ｌ２Ｍ２では、ＳＡＷパターン５２のＩＤＴ４４の上に、「Ｘ」形状の不良マーク８６が形成されている。区画Ｌ３Ｍ６では、区画Ｌ３Ｍ６のＳＡＷパターン５２から外れた隅側の位置に「Ｘ」形状の不良マーク８８が形成されており、区画Ｌ４Ｍ１では、「Ｘ」形状の不良マーク８７ａ，８７ｂ（合わせて不良マーク８７と表記する）が、それぞれボンディングランド４５ａ，４５ｂの上に形成されている。
【０１１９】
図１１（ｂ）に示したウェハ５１ｂは、区画Ｌ２Ｍ３に形成されたＳＡＷパターン５２が不良であるウェハ５１に、レジスト膜８３が形成された例である。ウェハ５１ｂは、図１０（ｂ）で説明した描画パターンデータ７２ｂに基づいて液滴を吐出することで形成され、良品のＳＡＷパターン５２が形成された区画には、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆うレジスト膜８３ａ，８３ｂが、形成されている。形成されたＳＡＷパターン５２が不良のＳＡＷパターン５２である区画Ｌ２Ｍ３には、レジスト膜８３は、形成されていない。
【０１２０】
レジスト膜８３を形成する陽極酸化レジスト材料としては、フェノール樹脂等が一般的であり、特にノボラック系が好ましい。モノマーの状態で塗布した後、露光により重合させて硬化してもよいし、あらかじめ重合したポリマー状態で溶媒に溶解させた溶液を塗布してもよい。また、耐陽極酸化性を有するポリマーであれば、構造は何ら限定されるものではなく、あらゆる樹脂を適用可能である。具体的には、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリビニル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリアミドおよびポリカーボネート等のポリマーが挙げられる。また、これらのモノマーが、開始剤あるいはモノマー自身が熱または光等の刺激により重合反応を引き起こしてポリマーを形成するものであれば、同様に液状材料として使用することができる。
【０１２１】
溶媒についても同様に、ポリマーあるいはモノマーを可溶な溶媒であれば何ら限定されるものではない。具体的にはプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、４−メチル−２−ペンタノン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル、１−メトキシ−２−アセトキシプロパン（ＰＥＧＭＥＡ）、２−メトキシエトキシエタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどの極性化合物、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトールなどのエーテル系化合物、さらにメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、α−テルピネオールなどのアルコール類を例示できる。工業用のシンナー等は多くのポリマーに適用可能である。
【０１２２】
レジスト膜８３が形成されたウェハ５１に陽極酸化処理を実施して、ＩＤＴ４４の表面に電極保護膜としての酸化膜を形成する。次に、レジスト膜８３を剥離する。次に、ウェハ５１をチップの形に切断して、ＳＡＷ共振片４０を形成する。前述したように、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０（図５参照）を封入し、接着剤４１で接着し、ボンディングワイヤ４２で導通させて、ＳＡＷ共振子３８が形成される（図６参照）。
【０１２３】
以上説明した、第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）ウェハ５１ａにおいて、形成されたＳＡＷパターン５２が不良のＳＡＷパターン５２である区画Ｌ２Ｍ２，Ｌ２Ｍ３，Ｌ３Ｍ６，Ｌ４Ｍ１には、レジスト膜８３が形成されず、不良マーク８４，８６，８７，８８が形成されている。不良のＳＡＷパターン５２については、当該ＳＡＷパターン５２が形成された区画に形成された不良マークによって、後工程において、不良のＳＡＷパターン５２を良品と区別し易くすることができる。
【０１２４】
また、不良マーク８４，８６，８７，８８は、レジスト膜８３より表面の面積が小さいことから、形成するのに必要なレジスト材料を少なくすることができる。
【０１２５】
（２）ウェハ５１ｂにおいて、形成されたＳＡＷパターン５２が不良のＳＡＷパターン５２である区画Ｌ２Ｍ３には、レジスト膜８３が形成されていない。不良のＳＡＷパターン５２については、当該ＳＡＷパターン５２が形成された区画にレジスト膜８３が形成されていないことで、後工程において、不良のＳＡＷパターン５２を良品と区別し易くすることができる。
【０１２６】
また、不良のＳＡＷパターン５２について、レジスト膜８３を形成しないことで、必要なレジスト材料を少なくすることができる。
【０１２７】
（３）不良マーク８４と不良マーク８７とは、レジスト膜８３を形成するボンディングランド４５ａ，４５ｂの上に形成されている。不良マーク８４と不良マーク８７を形成する位置がレジスト膜８３を形成する位置と同じであることから、不良マーク８４と不良マーク８７とを形成する際の液滴吐出ヘッド２の相対移動経路を、レジスト膜８３を形成する際の相対移動経路とほぼ同じにすることができる。従って、不良マーク８４と不良マーク８７とを形成するために、新たな相対移動経路を構成することを必要とせずに、不良マーク８４と不良マーク８７とを形成するためのレジスト材料の吐出を、実行することができる。
【０１２８】
（４）不良マーク８４，８６，８７，８８は、レジスト膜８３を形成するレジスト膜材料で形成される。従って、不良マーク８４，８６，８７，８８を形成するために専用の装置を設けることを必要とせず、レジスト膜８３を形成する吐出ヘッドを用いることができる。また、不良マーク８４，８６，８７，８８を形成する作業は、レジスト膜８３を形成する作業と並行して、又はレジスト膜８３を形成する作業と連続して実施することができる。
【０１２９】
（５）不良のＳＡＷパターン５２については、当該ＳＡＷパターン５２が形成された区画に形成された不良マークによって、後工程において、不良のＳＡＷパターン５２を良品と区別し易くすることができることから、不良のＳＡＷパターン５２を有するＳＡＷ共振片４０が誤って良品と判断され、不良のＳＡＷ共振片４０が良品の中に混入する可能性を低減することができ、信頼性の高いＳＡＷ共振片４０を実現することができる。
【０１３０】
（６）信頼性の高いＳＡＷ共振片４０を備えることで、信頼性の高いＳＡＷ共振子３８を実現することができる。
【０１３１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。本実施形態の電子機器は、第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子を備えた電子機器である。本実施形態の電子機器の具体例について説明する。
【０１３２】
図１２（ａ）は、電子機器の一例である携帯電話の一例を示した斜視図である。携帯電話６００は、液晶表示部６０１を備えている。また、携帯電話６００には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、通信回路の構成部品として、第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子３８が実装されている。
【０１３３】
図１２（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、携帯型情報処理装置７００は、情報処理装置筐体７０３を有し、キーボードなどの入力部７０１と液晶表示部７０２とを備えている。また、情報処理装置筐体７０３には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子３８が実装されている。
【０１３４】
図１２（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。腕時計型電子機器８００は、液晶表示部８０１を備えている。また、腕時計型電子機器８００には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として、第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子３８が実装されている。
【０１３５】
第２の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）不良のＳＡＷ共振片４０が良品の中に混入する可能性を低減することができるＳＡＷ共振片の製造方法を用いて製造されたことにより信頼性の高いＳＡＷ共振片４０を備えることから信頼性の高いＳＡＷ共振子３８を備えるため、信頼性の高い携帯電話６００や、携帯型情報処理装置７００や、腕時計型電子機器８００を実現することができる。
【０１３６】
以上、添付図面を参照しながら、本発明に係る好適な実施形態の例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。以下のように実施することもできる。
【０１３７】
（変形例１）前記実施形態においては、液滴吐出装置ＩＪに、描画パターンデータを生成するパターン生成部６４を設け、液滴吐出装置ＩＪにおいて、描画パターンデータを生成していたが、液滴吐出装置において描画パターンデータを生成することは必須ではない。ＳＡＷパターンの良否情報に基づいて予め生成された描画パターンデータを液滴吐出装置ＩＪに入力して、入力した描画パターンデータに基づいて液滴吐出を実行しても、前記実施形態と同様の効果が得られる。予め生成され液滴吐出装置ＩＪに入力される描画パターンデータが、第２描画パターンデータに相当する。
【０１３８】
（変形例２）前記実施形態においては、形状が異なる４種類の不良マークを例示したが、不良マークの形状は例示した形状に限らない。良品のデバイスパターンに形成する膜パターン形状と異なる形状で、当該膜パターンより表面積が小さいものであればよい。
【０１３９】
（変形例３）前記実施形態においては、不良マークをレジスト材料で形成していたが、不良マークをレジスト材料以外の材料で形成してもよい。例えば、レジスト材料と異なる色調の材料を使用することで、形成する不良マークの形状が膜パターンの形状が同じであっても、両者を区別できるようにすることができる。この方法によれば、新に不良マークの描画形状を形成することが不要となる。また、例えば、ウェハ面や電極面の色調と異なる色調の材料を使用することで、形成する不良マークをより認識し易くすることもできる。不良マークをレジスト材料と異なる材料で形成することは、例えば、ヘッドユニットを構成する液滴吐出ヘッドの一部を不良マークの描画専用ヘッドとし、当該液滴吐出ヘッドにはレジスト材料と異なる材料を供給することで、実施することができる。
【０１４０】
（変形例４）前記実施形態においては、不良マークをレジスト材料で形成していたが、不良マークを導電性材料で形成してもよい。不良マーク８６を導電性材料で形成することにより、ＩＤＴ４４を構成する電極４４ａと電極４４ｂとを短絡して、当該ＩＤＴ４４を含むＳＡＷパターン５２を有するＳＡＷ共振片４０を確実に不良品にすることで、後工程で実施される検査において誤って良品であると判断されて、当該不良品が良品の中に混入する可能性を低減することができる。即ち、良品として出荷された製品が誤検査に起因する不良品である可能性を低減し、製品の信頼性を高めることができる。
【０１４１】
（変形例５）前記実施形態においては、予め複数の不良マークデータを作成し、使用する不良マークを選択していたが、不良マークデータを複数作成することも、使用する不良マークを選択することも、必須ではない。単一の不良マークを使用する方法であってもよい。また、前記実施形態においては、不良マークを形成するか否かを指定していたが、不良マークを形成する仕様、又はなにも形成しない仕様に固定された方法であってもよい。
【０１４２】
（変形例６）前記実施形態においては、入力された製造ロット毎のウェハ枚数と各ウェハの投入順とによって、処理する各ウェハを特定し、製造ロットの終了情報を得ていたが、処理するウェハを特定し、製造ロットの終了情報を得るのはこの方法に限らない。各ウェハに個別の識別情報を記録し、液滴吐出装置に当該識別情報を読み取り可能な読取装置を設け、セットされたウェハから識別情報を読み取ることで、セットされたウェハを特定し、製造ロットの終了情報を得る方法でもよい。
【０１４３】
（変形例７）前記実施形態では、液滴吐出ヘッド２は、それぞれ１８０個の吐出ノズル４からなる吐出ノズル列を２列備え、３６０個の吐出ノズル４を有していたが、液滴吐出ヘッドの有する吐出ノズルは、３６０個に限らず何個でもよい。また、吐出ノズル列も２列に限らない。
【０１４４】
（変形例８）前記実施形態では、液滴吐出ヘッド２における吐出ノズル４のピッチ間隔は１４０μｍであったが、吐出ノズル４のピッチ間隔は１４０μｍに限らず、液滴吐出対象などに対応して、適切な吐出ノズルピッチ間隔の液滴吐出ヘッドを選ぶことができる。
【０１４５】
（変形例９）前記実施形態では、ＩＤＴ４４を形成する１組の電極４４ａ，４４ｂの両方の電極に陽極酸化膜を形成していたが、ＩＤＴを形成する１組の電極の両方の電極に陽極酸化膜を形成することは必須ではない。一方の電極に陽極酸化膜を形成することでも、１組の電極間の短絡を抑制することができる。
【０１４６】
（変形例１０）前記実施形態では、ＳＡＷ共振片４０とリード４９とは、ボンディングワイヤ４２を介して電気的に接続されていたが、接続方法は、ボンディングワイヤを介する接続に限らない。ＳＡＷ共振片の接続端子とリードとを、半田や導電性接着剤を用いて直接固定してＳＡＷ共振片を支持すると共に、ＳＡＷ共振片の接続端子とリードとを電気的に接続する方法でもよい。
【０１４７】
上記した実施形態および変形例から把握される技術的思想を以下に記載する。
（技術的思想１）  前記第２描画パターンデータにおいて、良品でない前記弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に形成される前記膜パターンの不良対応部は、良品である前記弾性表面波デバイスパターンが形成された前記領域に形成される前記膜パターンの良品対応部とは異なることを特徴とする、請求項２１に記載の液滴吐出装置。
【０１４８】
この液滴吐出装置によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域においては、良品の弾性表面波デバイスパターンにおいて形成される膜パターンと同じ膜パターンは形成されない。このため、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品の弾性表面波デバイスパターンとで、形成される膜パターンが異なることから、形成された膜パターンによって、不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【０１４９】
（技術的思想２）  前記第２描画パターンデータにおいて、前記不良対応部は、膜パターンを形成しない空白部であることを特徴とする、技術的思想１に記載の液滴吐出装置。
【０１５０】
この液滴吐出装置によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンが形成された領域には膜パターンは形成しないため、当該領域に向けての液滴吐出を実行しないことから、不良の弾性表面波デバイスパターンに対して膜パターンを形成する無駄な材料消費及び時間消費を抑制することができる。また、不良の弾性表面波デバイスパターンにおいては、良品の弾性表面波デバイスパターンにおいて形成される膜パターンが形成されないため、膜パターンの有無によって不良の弾性表面波デバイスパターンと良品とを、区別し易くすることができる。
【０１５１】
（技術的思想３）  前記第２描画パターンデータにおいて、前記不良対応部は、前記不良対応部が形成された前記領域に形成されている前記デバイスパターンが良品でないことを表示する不良マークであることを特徴とする、技術的思想１に記載の液滴吐出装置。
【０１５２】
この液滴吐出装置によれば、不良の弾性表面波デバイスパターンについては、当該弾性表面波デバイスパターンが形成された領域に、不良であることを示す不良マークが形成され、後工程において、不良の弾性表面波デバイスパターンを良品と、不良マークによって区別し易くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１５３】
【図１】液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】（ａ）ヘッドユニットの平面図。（ｂ）液滴吐出ヘッドの平面図。
【図３】（ａ）液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視図。（ｂ）液滴吐出ヘッドの吐出ノズル部の詳細構造を示す断面図。
【図４】ピエゾ素子に与える駆動信号の例と、駆動信号に対応する吐出ノズル内の液状材料の状態を示す模式図。
【図５】ＳＡＷ共振片の一例を示す平面図。
【図６】ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図。
【図７】ＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図。
【図８】液滴吐出装置の機能的全体構成を示す機能ブロック図。
【図９】レジスト膜を及び不良マークを形成する工程を示すフローチャート。
【図１０】描画パターンデータを概念的に示す模式図。
【図１１】レジスト膜及び不良マークが形成されたウェハを示す平面図。
【図１２】（ａ）電子機器の一例である携帯電話の一例を示す斜視図。（ｂ）ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図。（ｃ）腕時計型電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【０１５４】
１，５１，５１ａ，５１ｂ…基板又はウェハとしてのウェハ、２…液滴吐出ヘッド、２Ｐ…液滴吐出面、３…ヘッドユニット、４…吐出ノズル、６…吐出ノズル列、２３…液滴吐出制御部、３２ｃ…ピエゾ素子、３３…振動板、３４…ノズルプレート、３８…弾性表面波発振装置としてのＳＡＷ共振子、３９…ハウジング、４０…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷ共振片、４４…ＩＤＴ、４４ａ，４４ｂ…電極、４５ａ，４５ｂ…ボンディングランド、４６ａ，４６ｂ…反射器、４７ａ，４７ｂ…塗布領域としての領域、５２…ＳＡＷパターン、６１…入力部、６２…入力データ制御部、６３…記憶部、６３ａ…不良マーク記憶部、６３ｂ…共通データ記憶部、６３ｃ…ワーク固有データ記憶部、６４…パターン生成部、６４ａ…不良マークパターン生成部、６４ｂ…不良マーク描画パターン生成部、６４ｃ…基本描画パターン生成部、６４ｄ…描画パターン生成部、６６…液滴吐出機構駆動回路、６７…液滴吐出機構部、６８…吐出装置制御部、７２，７２ａ，７２ｂ…描画パターンデータ、７３，７３ａ，７３ｂ…パターン形状、７４，７６，７７，７８…不良マークパターン、８３，８３ａ，８３ｂ…レジスト膜、８４，８６，８７，８８…不良マーク、６００…携帯電話、７００…携帯型情報処理装置、７０３…情報処理装置筐体、８００…腕時計型電子機器、ＩＪ…液滴吐出装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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