(57)【要約】【課題】ドライバ回路で発生する振動が基板支持構造を介して放熱器で増幅されることを抑制すること。【解決手段】第１基板（３）と、第１基板（３）に複数位置で支持される第２基板（２）と、第２基板（２）の一方側面に接合するプラズマディスプレイ駆動回路（６）と、第２基板（２）の他方側面に機械的に且つ熱的に接合する放熱器（１）とから構成されている。プラズマディスプレイ駆動回路（６）は、画面表示用の駆動パルスを生成するゲートドライバ（１４）に電圧を供給するコンデンサ（１８又は２２）を有している。放熱器（１）は、複数の放熱用フィン（８）を備えている。複数の放熱用フィン（８）のうちの隣り合う２つの放熱用フィン（８，８）の間の複数のピッチ（Ａ，Ｂ）は不揃いに設計されている。不等ピッチのフィンは、その増幅の極端化を緩和する。共振的増幅が起こる場合にも、共振点が複数化され増幅度合いが緩和される。【選択図】          図１
2006091621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に複数位置で支持される第２基板と、
前記第２基板の一方側面に接合するプラズマディスプレイ駆動回路と、
前記第２基板の他方側面に機械的に且つ熱的に接合する放熱器とを供え、
前記プラズマディスプレイ駆動回路は、画面表示用の駆動パルスを生成するゲートドライバに電圧を供給するコンデンサを備え、
前記放熱器は、複数の放熱用フィンを備え、
前記複数の前記放熱用フィンのうちの隣り合う２つの放熱用フィンの間の複数のピッチは不揃いに設計されている
プラズマ表示装置。
【請求項２】
前記放熱用フィンは１次元的に配列され、
前記放熱器はそれぞれに複数である放熱用フィンからなる複数のフィン群を備え、
前記フィン群は、第１部分フィン群と第２部分フィン群とから形成され、
前記第１部分フィン群の前記放熱用フィンは共通の第１ピッチで配列され、
前記第２部分フィン群の前記放熱用フィンは共通の第２ピッチで配列され、
前記第１ピッチと前記第２ピッチは互いに異なる
請求項１のプラズマ表示装置。
【請求項３】
前記第１ピッチと前記第２ピッチは、前記１次元の線上で交互に現れる
請求項２のプラズマ表示装置。
【請求項４】
前記コンデンサの基準振動周波数の２倍高調波に対応して前記放熱器から放散される音波の音圧が低減される
請求項１のプラズマ表示装置。
【請求項５】
前記基準振動周波数の３倍高調波に対応して前記放熱器から放散される音波の音圧が低減される
請求項１のプラズマ表示装置。
【請求項６】
前記コンデンサは積層セラミックで形成されている
請求項１のプラズマ表示装置。
【請求項７】
前記複数の前記放熱用フィンの根元はそれぞれに共通の本体に結合し、
前記複数の前記放熱用フィンのうちの任意の隣り合う２つの放熱用フィンの根元の間の間隔は２ｍｍより大きい
請求項２のプラズマ表示装置。
【請求項８】
前記プラズマディスプレイ駆動回路の基本維持周波数が２５０ｋＨｚである場合に、前記基準振動周波数の高調波の振動音が低減する
請求項１のプラズマ表示装置。
【請求項９】
前記放熱器は、複数位置で前記第１基板にアンカーピンにより結合される
請求項１〜８から選択される１請求項のプラズマ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマ表示装置に関し、特に、駆動回路の中のコンデンサが生成する振動が放熱器に伝播するプラズマ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイは、ブラウン管式ＴＶ又はブラウン管式モニタと異なって、奥行きが薄く形成されている。このような薄型設計のプラズマディスプレイでは、駆動回路を形成する回路基板は、薄型設計要請と経済性の点で、実装部品数を削減することが求められ、ハイブリッドＩＣ化が望まれている。
【０００３】
プラズマディスプレイを駆動するハイブリッドＩＣ１０１は、図１０に示されるように、ハイブリッドＩＣアルミ基板１０２に実装されている。ハイブリッドＩＣアルミ基板１０２は、実装用ピン１０３により、ハイブリッドＩＣ実装基板１０４に固定されている。ハイブリッドＩＣ１０１は、ハイブリッドＩＣアルミ基板１０２のハイブリッドＩＣ実装基板１０４に対向する面の側（仮に、下側といわれる）に配置されている。放熱器１０５は、ハイブリッドＩＣアルミ基板１０２の上面に熱的に接合している。放熱器１０５は、多くのフィン１０６から形成されている。多数のフィン１０６は、互いに合同的に同形である。多数のフィン１０６のうちの隣り合う任意の２つのフィンの間の間隔（ピッチ）は、一定距離Ａに設計されている。
【０００４】
ハイブリッドＩＣ１０１は、図１１に示されるような駆動回路を形成している。その駆動回路には、ＰＤＰ電極を直接に駆動するトーテムポール構成のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１０７とローサイドＭＯＳＦＥＴ１０８をドライブするゲートドライバ１０９が内蔵されている。トーテムポール構成の１組のＭＯＳＦＥＴに対応する１組のゲートドライバ１０９は、ハイサイドゲートドライバ１１０とローサイドゲートドライバ１１１とから構成されている。ハイサイドゲートドライバ１１０とローサイドゲートドライバ１１１には、ロジック維持パルス信号１１２が入力される。このように入力されるロジック維持パルス信号１１２を中耐圧ＦＥＴ（２５０Ｖ〜６００Ｖ）のゲート駆動動作に必要である電圧レベル（１２Ｖ〜１５Ｖ）に変換するために、１５Ｖ程度の電源電圧が必要である。ハイサイドゲートドライバ１１０をＧＮＤ電位から浮かせてフローティング状態で動作させるために、ブート・ストラップ回路が設けられる。このブート・ストラップ回路は、１μＦ程度の容量値のコンデンサ１１３とコンデンサ１１３に充電する電圧を高電圧に引き上げて乗せるダイオード１１４とで形成されている。
【０００５】
ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１０７とローサイドＭＯＳＦＥＴ１０８は、ＰＤＰ電極１１４をパルス駆動する。そのパルス駆動によりパルスの急激な充放電動作が繰り返される際に、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１０７とローサイドＭＯＳＦＥＴ１０８のゲート容量の存在のため、電源ライン波形がパルス列に合わせて電圧降下が発生する。このような電圧降下を防止するために、ゲートドライバ１０９の電源ラインに１μＦ程度の容量値のデカップリング用コンデンサ１１５が介設されている。
【０００６】
ハイブリッドＩＣ化のために、コンデンサ１１３とデカップリング用コンデンサ１１５は、実装密度の向上と低廉品で設計する必要のために、チップの積層セラミックコンデンサが用いられる。１つのハイブリッドＩＣにはＩＣ化されるゲートドライバ１０９は７〜８組が存在し、既述の積層セラミックコンデンサは１４〜１６個が存在する。
【０００７】
プラズマディスプレイモジュールの発光時には、大きな発光ピーク電流がハイサイド（Ｎチャンネル）ＭＯＳＦＥＴ１０７とローサイド（Ｎチャンネル）ＭＯＳＦＥＴ１０８と図示されていないその他のＭＯＳＤＦＥＴ、ダイオードのようなパワー半導体部品とに流れて、ハイブリッドＩＣ１０１は発熱する。その発熱による熱を放散させるために、既述の放熱器１０５が設けられている。
【０００８】
既述のチップ積層セラミックコンデンサ１１３，１１５は、充放電を繰り返す間に、圧電効果により振動する。チップ積層セラミックコンデンサ１１３，１１５は、図１２に示されるように、実装用基板１１６に実装されている。チップ積層セラミックコンデンサ１１３，１１５の両隅の電極１１７は、実装用基板１１６の挿入パッドに半田部分１１８で結合している。チップ積層セラミックコンデンサ１１３，１１５は、誘電体層１１９の積み上げにより形成されている。両側の電極１１７に交流電圧が印加されると、チップ積層セラミックコンデンサ１１３，１１５の中で電気的エネルギーの一部が機械的エネルギーに変換されて、チップ積層セラミックコンデンサ１１３，１１５に振動が発生する。印加されるその電圧が直流又は正弦波に近くノイズ、歪みがない波形であれば、そのような伸縮運動は生じないが、既述のドライバーの駆動回路では印加される電圧にはノイズが乗っていてその波形は歪んでおり、その伸縮運動を回避することは困難である。
【０００９】
図１３はコンデンサ１１３のゲートドライバ１０９に対する電源の充放電によるパルス電流波形を示し、図１４はゲートドライバ１０９の電源ラインにノイズが乗って歪んでいる電圧波形（ＭＯＳドライバ電源ラインをＡＣ結合で見る電圧波形：セラミックコンデンサの両端印加電圧波形）を示している。ノイズによりこのように歪む波形の電圧が印加されるセラミックコンデンサ１１３，１１５の振動は、図１５（ｂ）に示されるように、面内方向振動１２０と面直角方向振動１２１を基板１１６に対して誘起する。図１５（ａ）は、実装用基板１１６の無振動時の原形を示している。
【００１０】
実装用基板１１６は、図１０のハイブリッドＩＣアルミ基板１０２に同じであり、又は、同体（一体）である。コンデンサ１１３とデカップリング用コンデンサ１１５に誘起される３次元的振動は、実装用ピン１０３とハイブリッドＩＣ実装基板１０４とハイブリッドＩＣアルミ基板１０２とから形成される共振系には、又は、これに放熱器１０５が含まれる共振系には、共振的な又は非共振的な振動が発生する。熱を放散させる目的で設計されている放熱器１０５のフィン１０６は、結果的に拡声的な振動体になっている。フィン１０６の集合は、可聴音帯域で振動音を増幅し、熱とともに音を放散する。
【００１１】
このような振動音は、プラズマディスプレイの駆動動作に伴って、そのディスプレイの背面側に配置されているプリント基板側から耳障りな騒音（いわゆる”ジー”音）として聞こえる。放熱目的の放熱器１０５は、熱抵抗を下げるために空気に触れる熱放散面が可能な限りに広く設計されているので、セラミックコンデンサで発生する振動音は、拡音的に放熱器１０５から放出される。パワーハイブリッドＩＣはその回路の集積化が更に進んでいて、放熱器にはその熱抵抗が一層に小さいことが求められている。このような傾向は、騒音量を一層に増大させている。特に、２ｋＨｚ付近の振動音が強く増幅されて放熱器から放出され、プラズマディスプレイモジュールから放出される異音のレベルがますます大きくなる傾向が見られる。
【００１２】
放熱器は、オーディオアンプに関して知られている（参考：後掲特許文献１）。公知のこのような放熱器では、オーディオ出力の特定の周波数との共鳴により再生音が歪む欠点を解消するために、そのフィン形状と間隔を異ならせる改良が行われている。このような改良は、特定の共振周波数でその共振のＱ値が高くないので、音響的なフィードバック作用が軽減されその歪みが減少する点で優れている。
【００１３】
プラズマディスプレイの表示用ドライバ回路で発生する振動が基板支持構造を介して放熱器で増幅されることを抑制することが求められる。特に、放熱器の拡声構造を改善することが望まれる。
【００１４】
【特許文献１】実開昭６３−１８７３４３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の課題は、ドライバ回路で発生する振動が基板支持構造を介して放熱器で増幅されることを抑制するプラズマ表示装置を提供することにある。
本発明の他の課題は、特に、放熱器の拡声構造を改善するプラズマ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によるプラズマ表示装置は、第１基板（３）と、第１基板（３）に複数位置で支持される第２基板（２）と、第２基板（２）の一方側面に接合するプラズマディスプレイ駆動回路（６）と、第２基板（２）の他方側面に機械的に且つ熱的に接合する放熱器（１）とから構成されている。プラズマディスプレイ駆動回路（６）は、画面表示用の駆動パルスを生成するゲートドライバ（１４）に電圧を供給するコンデンサ（１８又は２２）を有している。放熱器（１）は、複数の放熱用フィン（８）を備えている。複数の放熱用フィン（８）のうちの隣り合う２つの放熱用フィン（８，８）の間の複数のピッチ（Ａ，Ｂ）は不揃いに設計されている。
【００１７】
複数の放熱用フィンが等ピッチで配列されている場合には、多様な周波数成分を持つ音波には、増幅的に拡声作用を受ける周波数帯域が存在する。その増幅は共振的増幅でなくても、耳障りな周波数の音波の強度が他の周波数の音波の強度より突出的に大きくなる。等ピッチのフィンは、その増幅を極端化する。本発明の不等ピッチのフィンは、その増幅の極端化を緩和する。共振的増幅が起こる場合にも、共振点が複数化され増幅度合いが緩和される。
【００１８】
放熱用フィン（８）は１次元的に配列される。放熱器（１）はそれぞれに複数である放熱用フィン（８）からなる複数のフィン群を形成する。フィン群は、第１部分フィン群と第２部分フィン群とから形成される。更に多い部分群に分割されることは好ましい。第１部分フィン群の放熱用フィンは共通の第１ピッチ（Ａ）で配列され、第２部分フィン群の放熱用フィンは共通の第２ピッチ（Ｂ）で配列される。第１ピッチ（Ａ）と第２ピッチ（Ｂ）は当然に互いに異なる。共振現象が起きる場合には、共振点が複数化される。
【００１９】
第１ピッチと第２ピッチは、１次元の線上で交互に現れることが、設計の際の振動解析を容易にする点で好ましい。共振周波数は、基準振動周波数の倍数として現れ、ピッチの交互の変化は、その振動解析を容易にする。
【００２０】
このような解析から、コンデンサ（１８，２２）の基準振動周波数（例示：６６０Ｈｚ）の２倍高調波に対応して放熱器（１）から放散される音波の音圧が低減される設計が容易である。基準振動周波数の３倍高調波に対応して放熱器から放散される音波の音圧が低減される設計が容易である。基準振動周波数、駆動信号周波数（２５０ｋＨｚ以下）のような周波数は、国際標準又は各地域の地域標準により固定されていて、共振増幅を抑制するためには、フィンのピッチ構造は簡素に設計され、あらゆる周波数（連続スペクトラム）に対応して設計する必要はなく、ピッチはランダムでないことが好ましく、ある程度の規則性を付与されることがかえって有利である。
【００２１】
コンデンサは積層セラミックで形成されることが普通であり、そのコンデンサの振動周波数は、国際標準又は地域標準で固定されている。
【００２２】
複数の放熱用フィン（８）の根元はそれぞれに共通の本体（７）に結合している。複数の放熱用フィンのうちの任意の隣り合う２つの放熱用フィンの根元の間の間隔は２ｍｍより大きい。この２ｍｍは、フィン強度の点で重要である。フィン強度が小さい場合には、増幅が大きくなる。
【００２３】
放熱器（１）が複数位置で第１基板（３）にアンカーピンにより結合されることは、公知技術の振動増幅を緩和する利益を踏襲し、本発明の効果を相乗的に高くする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によるプラズマ表示装置は、プラズマディスプレイの面特に背面の駆動回路が取り付けられているプリント基板から発生する騒音のレベルを不等ピッチの放熱面から放散させることにより低減することができる。不等ピッチは、放熱器固有の固有周波数の振動レベルを低減することにより、パワーパルス駆動による容量の充放電動作により発生する基本維持パルスによる振動とその高調波成分の振動と固有周波数振動の間で引き起こされる機械共振による振動音のレベルが増加することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明によるプラズマ表示装置の実現態は、図に対応して、詳細に記述される。放熱器１は、図１に示されるように、第１基板２、特にアルミ製の基板に固着的に支持され、第１基板２に対して熱的に結合し又は接合している。第１基板２は、第２基板３に実装用ピン４により支持されている。第１基板２は、複数の点領域（実装用ピン４と接合する接合点領域）を除いて、第２基板３に対して浮いた状態で支持されている。第１基板２の下側面（第１基板２の第２基板３に対向する面の側）には、ハイブリッドＩＣ構造層５が固着されている。ハイブリッドＩＣ構造層５には、後述されるプラズマディスプレイ駆動回路（ドライバ）６が含まれている。
【００２６】
放熱器１は、本体７と本体７に一体に結合し本体７から突出的に立ち上がる複数のフィン８とから形成されている。多数のフィン８として、互いに合同形状であるフィンが例示されている。多数のフィン８は、それぞれに、鏡面対称に形成されることが望ましい。多数のフィン８は、１本の線上に配置され、特に１直線上に配列されている。それぞれのフィン８は、放熱面（熱輻射面又は熱伝達面）９を有している。フィン８の立ち上がり高さは可能な限り高く設計され、且つ、放熱面９の面積は可能な限り広く設計されている。多数のフィン８は、それぞれに基準面１１を有している。
【００２７】
隣り合う任意の２つのフィン８の基準面間距離（フィンピッチ）は、複数通りに設計されている。その複数通りとして、２通りが図に例示されている。隣り合う任意の２つのフィン８のフィンピッチは、Ａ又はＢ（Ａ＜Ｂ）に設計されている。任意のフィンピッチＡに隣り合うフィンピッチはＢである。任意のフィンピッチＢに隣り合うフィンピッチはＡである。このように２通りのフィンピッチＡ，Ｂは互いに交互に配列されている。放熱面９の根元部位の厚み（ピッチ規定方向厚み）は、１ｍｍ〜２ｍｍに設計されている。この厚みがより薄い場合には、フィン自体が振動源になる。フィンピッチＡは１０ｍｍに設計され、フィンピッチＢは１２ｍｍに設計されている。根元部位の厚みの１ｍｍ〜２ｍｍは、根元の強度確保とフィン枚数の確保の点から定められている。隣り合う根元の間の間隔は、２ｍｍ以上であることが好ましい。隣り合う根元の間の間隔が２ｍｍより狭い場合には、対流と輻射による熱放散を抑制し、隣り合う根元の間の間隔が２ｍｍより広い場合には、枚数の低減を招く。
【００２８】
プラズマディスプレイ駆動回路６は、図２に示されるような駆動回路を形成している。その駆動回路には、ＰＤＰ電極を直接に駆動するトーテムポール構成のハイサイドＭＯＳＦＥＴ１２とローサイドＭＯＳＦＥＴ１３をドライブするゲートドライバ１４を形成している。トーテムポール構成の１組のＭＯＳＦＥＴに対応する１組のゲートドライバ１４は、ハイサイドゲートドライバ１５とローサイドゲートドライバ１６とから構成されている。ハイサイドゲートドライバ１５とローサイドゲートドライバ１６には、ロジック維持パルス信号１７が入力される。このように入力されるロジック維持パルス信号１７を中耐圧ＦＥＴ（２５０Ｖ〜６００Ｖ）のゲート駆動動作に必要である電圧レベル（１２Ｖ〜１５Ｖ）に変換するために、１５Ｖ程度の電源電圧が必要である。ハイサイドゲートドライバ１５をＧＮＤ電位から浮かせてフローティング状態で動作させるために、ブート・ストラップ回路が設けられる。このブート・ストラップ回路は、１μＦ程度の容量値の第１コンデンサ１８と第１コンデンサ１８に充電する電圧を高電圧に引き上げて乗せるダイオード１９とで形成されている。
【００２９】
ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１２とローサイドＭＯＳＦＥＴ１３は、ＰＤＰ電極２１をパルス駆動する。そのパルス駆動によりパルスの急激な充放電動作が繰り返される際に、ハイサイドＭＯＳＦＥＴ１２とローサイドＭＯＳＦＥＴ１３にゲート容量が存在するため、電源ライン波形がパルス列に合わせて電圧降下が発生する。このような電圧降下を防止するために、ゲートドライバ１４の電源ラインに１μＦ程度の容量値の第２コンデンサ（デカップリング用コンデンサ）２２が介設されている。
【００３０】
ハイブリッドＩＣ化のために、第１コンデンサ１８と第２コンデンサ２２は、実装密度の向上と低廉品で設計する必要のために、チップ積層セラミックコンデンサが用いられる。１つのハイブリッドＩＣにはＩＣ化されるゲートドライバ１４は７〜８組が存在し、既述のチップ積層セラミックコンデンサ１８，２２は１４〜１６個が存在する。
【００３１】
第１コンデンサ１８と第２コンデンサ２２が充放電を繰り返す間に圧電効果により振動することは、公知の技術に関して既述した通りであり、第１コンデンサ１８と第２コンデンサ２２は、図１５に示されるように、実装用基板１１６に実装されていて、既述の通りの３次元的振動を生成する。第１基板２は第２基板３に対して宙に浮くフローティング状態で第２基板３に支持され、プラズマディスプレイ駆動回路６に接合しプラズマディスプレイ駆動回路６で生成される振動が伝播される第１基板２は第２基板３とともに振動系を構造的に構成し、放熱器１は、その振動系に対して共振振動系を構成している。
【００３２】
プラズマディスプレイ駆動回路６の第１コンデンサ１８と第２コンデンサ２２に発生する振動は、プラズマディスプレイで表示されるソース信号がＮＴＳＣ信号である場合には、垂直周波数が６０Ｈｚ（厳密には、５９．９４Ｈｚ）であり、その他のＨＤＴＶも６０Ｈｚであり、１フィールド周波数は６０Ｈｚになっている。図３は、そのような振動を生成する振動原因であるフィールド構造を示している。１ＴＶフレームは、８つのフィールドＳＦ１〜ＳＦ８に分割されている。図３は、映像信号に基づく８ビット・２５６階調の階調表示を行うためのタイミングを示している。各フィールドは、書込期間Ｘと維持期間Ｙとから形成されている。書込期間Ｘでは、プラズマディスプレイのマトリックス状に並ぶ画素に、次に続く維持放電期間の放電の有無が記憶され、プラズマディスプレイパネルの一番上の行から順番にその書き込みが行われる。次に続く維持期間では、輝度の制御が維持パルス数の重みづけで実行される。維持パルス数に対応して放電期間が持続され、より多い維持パルス数はより高い輝度に対応する。
【００３３】
図３に示されるように、各フィールドの維持期間の放電パルス数は、２の０乗（＝１）〜２の８乗（＝１２８）のパルス数に規定されていて、それぞれに、１，２，４，８，１６，３２，６４，１２８に規定され、このような８段階のパルス数の組合せによる重みづけ制御により輝度が制御されている。最小輝度の１は、フィールドＳＦ１のサブフィールドの書込期間にのみ書き込むことによりパネルを光らせている。最大輝度は、フィールドＳＦ１〜ＳＦ８の全ての書込期間に書き込むことにより得られる。最近のプラズマディスプレイは、ハイビジョン表示、パソコンのＸＧＡグレード以上の高精細化が進んでいて、サブフィールド数は８から１１に増大している。１１サブフィールドの動作のためには、動作周波数が約２５０ｋＨｚであるロジック維持パルス信号１７がゲートドライバ１４に入力される。サブフィールド数の増加は、騒音のレベルを更に高くする。
【００３４】
このような動作信号に対応するハイサイドゲートドライバ１５とローサイドゲートドライバ１６の充放電は、ますます多く激しいノイズを生成し、図５と図６に示される電流波形と電圧波形を生成し、放熱器１に対して多様な周波数の振動を誘起する原因になっている。
【００３５】
ゲートドライバ１４の駆動が１１サブフィールド対応である場合には、基本振動周波数は６６０Ｈｚ（６０Ｈｚ×１１）であり、その後に２倍の高調波成分である１．２５ｋＨｚが続き、次に、３倍の高調波成分である１．９５〜２．０ｋＨｚが続き、更に、それ以上の高調波成分が続いて、多様な振動が振動系に対して生成される。このように生成される振動数は、可聴周波数帯域の上限である２０ｋＨｚまでの範囲にある。２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの範囲の周波数帯域は、人の耳に対して感度がよい帯域である。この帯域の振動音は、既述のように特に、”ジー”音といわれる不快音として嫌われる。図４は、レーザードップラー振動計を用いて計測される第１コンデンサ１８又は第２コンデンサ２２の振動数スペクトラム（単位：ｄＢＶ）を示している。
【００３６】
図４に示されるスペクトラムの多様な周波数を持つ振動は、ハイブリッドＩＣ構造層５の中で生成され、ハイブリッドＩＣ構造層５の中で拡散され、ハイブリッドＩＣ構造層５を振動させる。ハイブリッドＩＣ構造層５の振動は第１基板２に伝播し、第２基板３に実装用ピン４を介して連成する第１基板２は放熱器１に対して振動源を構成している。第１基板２の振動は、放熱器１の本体７に伝播し、本体７の中の振動は多数のフィン８の集合体に伝播する。プラズマディスプレイに表示される絵柄が全白であれば、そのパネルに流れる電流の値は大きい。全白表示の電流値に対応する騒音レベルと全黒表示の電流値に対応する騒音レベルとの比較では、プラズマディスプレイモジュールの背面から１ｍで離隔する位置で、ＡＰ値によれば、１ｄＢ以上の差が観測される。
【００３７】
本発明の放熱器１の放熱フィン構造では、多数のフィン８は不等フィンピッチで配列され、共振的増幅度が公知の等フィンピッチ配列の共振的増幅度より小さく抑えられている。振動は、放熱器１の固体内部を伝播し、且つ、放熱面９に接合する大気の内部を伝播する。隣り合うフィンは、対向面間で伝播する音波の干渉により減衰する。その対向面間の複数の距離が等しくない場合には、干渉による増幅が抑えられ音波は減衰し、共振的増幅が大幅に抑制される。
【００３８】
図５と図６は、本発明による減衰効果と公知技術の増幅効果を対比するためのスペクトラムを示している。公知技術では、図６に示されるように、基本周波数（６６０Ｈｚ）に次いで、２ｋＨｚ〜３ｋＨｚの範囲で、機械的共振により盛り上がる振動周波数成分が強く現れている。このような現象は、公知技術の放熱器と本発明の放熱器のフィン高さと厚さがともに同じである場合の比較では、フィンピッチが等ピッチであれば、放熱器のより大きいサイズはより低い固有振動数に対応する。その固有振動数がゲートドライバ１４とローサイドゲートドライバ１６から生成される高調波の振動成分に一致し又はより近い場合に、機械共振が発生し、その周波数成分が基本周波数より大きくなって、音圧が大きくなることにより理解される。特に、２ｋＨｚ付近の振動音が強くなり、プラズマディスプレイモジュールから出る異音のレベル（騒音レベル）が大きくなりやすい。公知技術では、このような騒音増大を回避するために、図７と図８に示されるように、放熱器１０５の４隅で、ハイブリッドＩＣアルミ基板１０２又は放熱器１０５をハイブリッドＩＣ実装基板１０４に対してアンカーピン１２１でねじ止め固定し、更に、ハイブリッドＩＣ実装基板１０４を機器本体に半田づけで固定することにより、放熱器１０５の共振的振動を防止していた。しかし、公知技術は、その放熱器そのものが共振源になることに気づいていなかった。
【００３９】
本発明の不等ピッチフィン構造では、図５に示されるように、従来比較では、２ＫＨｚのところで、既述の通り、２ｄＢの減衰が見られる。これは、機械共振が起こりやすい２ｋＨｚの周波数帯域で、高調波振動が干渉により打ち消されるためである。
【００４０】
図９は、図３に示されるタイムチャートを更に詳細化して示している。書込期間（アドレス期間）Ｘは、プラズマディスプレイの表示ライン数の１個について、書き込みすることができる最小走査パルス幅と走査するライン数（シングルスキャンの場合には、１回で７６８本）とで必要である時間を計算し、この時間に、プライミング（予備放電）期間、プライミング消去期間（プライミング回数が考慮される）、維持消去期間が加算される。その算出値を１フィールドの時間である１６．７ｍｓから引いた残りの値が総維持期間になり、この総維持期間の中に階調を決めるために必要であるサブフィールド数と、２の０乗〜２のＮ乗の数値で決まる維持パルス数による輝度の重みづけが考慮されて、基本維持周波数が決められる。基本維持周波数は、その他に、プラズマディスプレイのパネルに塗布する蛍光体材料の対周波数輝度飽和特性又は駆動回路の高速駆動に伴うＭＯＳＦＥＴ又はダイオードのパワー半導体のオン抵抗損失、スイッチング損失のような駆動能力が更に考慮されて定められる。参照記号Ｌは、走査ライン書込パルスを示している。
【００４１】
現状では、基本維持周波数は２５０ｋＨｚで設計されていて、高精細化されても基本維持周波数は直ちに倍以上に上がることはなく、既述の実現態の放熱器１のフィン形状は、基本維持周波数が振動による騒音レベル低減効果が確認されている２５０ＫＨｚを前提にしていることになり、基本維持周波数は２５０ｋＨｚ以下に限定され得る。
【００４２】
サブフィールド数が多くなる場合には、当然に、チップ積層セラミックコンデンサ１４，１６の基本振動周波数も増加する。仮に現在の１１サブフィールド数が３フィールド増加して、１４サブフィールドになる場合に、基本振動周波数は６０Ｈｚ×１４フィールド数（＝８４０Ｈｚ）になる。８４０Ｈｚの基本振動の高調波成分は、その２倍が１．６８ｋＨｚであり、その３倍が２．５２ｋＨｚになるが、同様に人の可聴周波数帯の振動が出ることに変わりはない。
【００４３】
本発明は、既述の実現態に見られるフィンピッチを１つ置きに交互に変化させて配置するアルミ放熱器１を使用する場合に、２〜４ｋＨｚ付近の周波数帯域で機械共振による振動を減らすことができるので、サブフィールド数又は信号の垂直周波数が変化する場合に対して改善効果が存在する。現在、垂直周波数が５０Ｈｚである欧州で放送されているＴＶ信号のＰＡＬ信号は、信号処理に余裕があるため、１３サブフィールドの動作をしていて、チップ積層セラミックコンデンサの基本維持周波数は、５０Ｈｚ×１３（＝６５０Ｈｚ）になっていて、振動数が６０ＨｚであるＨＤＴＶ信号表示と同じであり、振動スペクトラムに低減効果があることに変わりはない。
【００４４】
図８に示されるアンカーピン１２１の使用は、本発明においても有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、本発明によるプラズマ表示装置の実現態を示す断面図である。
【図２】図２は、本発明が適用される駆動回路を示す回路図である。
【図３】図３は、公知又は本発明の適用対象のフィールドを示すタイミング図である。
【図４】図４は、公知又は本発明の適用対象のスペクトラム図である。
【図５】図５は、本発明の効果を示すスペクトラム図である。
【図６】図６は、公知のスペクトラムを示すグラフである。
【図７】図７は、公知の基板構造を示す平面図である。
【図８】図８は、公知の基板構造を示す断面図である。
【図９】図９は、公知又は本発明の適用対象を示すタイミング図である。
【図１０】図１０は、公知の基板構造を示す断面図である。
【図１１】図１１は、公知の駆動回路を示す回路図である。
【図１２】図１２は、公知の積層コンデンサを示す断面図である。
【図１３】図１３は、公知の電流波形を示すグラフである。
【図１４】図１４は、公知の電圧波形を示すグラフである。
【図１５】図１５（ａ），（ｂ）は、基板振動を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…放熱器
２…第２基板
３…第１基板
６…プラズマディスプレイ駆動回路
８…放熱用フィン
１４…ゲートドライバ
１８…コンデンサ
２２…コンデンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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