(57)【要約】【課題】  ノズルの高密度化と、それに伴う微細ピッチ配線の形成を実現可能にして高解像度化が図れるようにした液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を得る。【解決手段】  インクジェット記録ヘッド３２は、インクプール室３８が、振動板４８（圧電素子４６）を間に置いて圧力室５０の反対側（上側）に設けられている。換言すれば、インクプール室３８と圧力室５０の間に振動板４８（圧電素子４６）が配置され、インクプール室３８と圧力室５０が同一水平面上に存在しないように構成されている。このように、インクプール室３８と圧力室５０が同一水平面上に存在しないようにすることで、圧力室５０を互いに近接して配設することができるので、圧力室５０毎に設けられるノズル５６を高密度に配設することができる。【選択図】          図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出するノズルと、
前記ノズルと連通し、液体が充填される圧力室と、
前記圧力室の一部を構成する振動板と、
前記圧力室へ液体流路を介して供給する液体をプールする液体プール室と、
前記振動板を変位させる圧電素子と、
を有する液滴吐出ヘッドにおいて、
前記振動板を間に置いて前記圧力室と反対側に前記液体プール室を設けるとともに、前記圧電素子を液体から隔離する隔離室が前記液体プール室内に設けられたことを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
前記隔離室と連通し隔離室内の圧力を大気と略同一にする連通路が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
前記連通路が、前記液体プール室の隔壁の内部に設けられ前記隔離室と連通する第１連通路と、前記第１連通路と連通すると共に液体プール室の天板に設けられ外部と連通する第２連通路と、で構成されたことを特徴とする請求項２に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
前記連通路が、前記振動板及び前記圧電素子を貫通し前記隔離室と連通する第３連通路と、前記第３連通路と連通すると共に前記圧力室が形成された流路基板に設けられ外部と連通する第４の連通路と、で構成されたことを特徴とする請求項２に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項５】
前記液体プール室にプールされた液体の圧力波を緩和するエアダンパーが前記隔離室に設けられたことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項６】
前記圧電素子をマトリックス状に配置し、列単位で前記隔離室で隔離したことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項７】
前記圧電素子をマトリックス状に配置し、圧電素子毎に前記隔離室で隔離したことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項８】
前記圧電素子をマトリックス状に配置し、任意の圧電素子を前記隔離室で隔離したことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項９】
前記液体流路が設けられた樹脂プレートで前記隔離室が形成されたことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１０】
前記圧電素子を保護する保護膜が低透水性膜の一層であることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴を吐出するノズルと、ノズルと連通するとともに液滴が充填される圧力室と、圧力室の一部を構成する振動板と、圧力室へ液滴流路を介して供給する液体をプールする液体プール室と、振動板を変位させる圧電素子と、を有する液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、主走査方向に往復移動する液滴吐出ヘッド（以下、単に「記録ヘッド」という場合がある）の複数のノズルから選択的にインク滴を吐出し、副走査方向に搬送されて来る記録紙等の記録媒体に文字や画像等を印刷するインクジェット記録装置は知られている。
【０００３】
このようなインクジェット記録装置において、その記録ヘッドには圧電方式やサーマル方式等がある。例えば圧電方式の場合には、図５２、図５３で示すように、インクタンクからインクプール室３０２を経てインク３００が供給される圧力室３０４に、圧電素子（電気エネルギーを機械エネルギーに変換するアクチュエーター）３０６が設けられ、その圧電素子３０６が圧力室３０４の体積を減少させるように凹状に撓み変形して中のインク３００を加圧し、圧力室３０４に連通するノズル３０８からインク滴３００Ａとして吐出させるように構成されている。
【０００４】
このような構成の記録ヘッドにおいて、近年では、低コストで小型でありながら、高解像度な印刷が可能とされることが求められている。この要求に応えるためには、ノズルを高密度に配設することが必要となるが、現状の記録ヘッドでは、図示するように、ノズル３０８の隣に（ノズル３０８とノズル３０８の間に）インクプール室３０２が設けられているため、ノズル３０８を高密度に配設することにも限界があった。
【０００５】
また、記録ヘッドには、所定の圧電素子に電圧を印加する駆動ＩＣを設けるが、従来は、図５４で示すように、ＦＰＣ（フレキシブルプリント配線基板）３１０で実装していた。つまり、圧電素子３０６の上面の金属電極表面に、ＦＰＣ３１０に形成したバンプ３１２を接合することによって接続していた。このＦＰＣ３１０には駆動ＩＣ（図示省略）が実装されているため、この段階で圧電素子３０６と駆動ＩＣが電気的に接続されることになる。
【０００６】
また、記録ヘッドの外部表面に設けられた電極端子と、駆動ＩＣが実装された実装基板上の電極端子をワイヤーボンディング法で接続するという方法がある（例えば、特許文献１参照）。更に、記録ヘッドの外部表面に設けられた電極端子に駆動ＩＣを接合して接続した後、その記録ヘッドに設けられた引き出し配線の電極端子にＦＰＣを接合して接続するという方式がある（例えば、特許文献２参照）。
【０００７】
何れの場合も、ピッチが微細（例えば、１０μｍピッチ以下）な配線を形成することができないため、ノズル密度が高くなると、実装基板やＦＰＣのサイズが大きくなり、小型化を阻害したり、コストをアップさせたりする問題がある。また更に、ノズル密度が高くなった場合には、所望の抵抗値を有する配線を引き回せないという問題がある。つまり、配線密度の制限によるノズル高密度化の限界がある。
【特許文献１】特開平２−３０１４４５号公報
【特許文献２】特開平９−３２３４１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は、このような問題点に鑑み、ノズルの高密度化と、それに伴う微細ピッチ配線の形成を実現可能にして高解像度化が図れるようにした液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、液滴を吐出するノズルと、前記ノズルと連通し、液体が充填される圧力室と、前記圧力室の一部を構成する振動板と、前記圧力室へ液体流路を介して供給する液体をプールする液体プール室と、前記振動板を変位させる圧電素子と、を有する液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板を間に置いて前記圧力室と反対側に前記液体プール室を設けるとともに、前記圧電素子を液体から隔離する隔離室が前記液体プール室内に設けられたことを特徴としている。
【００１０】
請求項１に記載の発明では、振動板を間に置いて圧力室と反対側に液体プール室を設けることで、圧力室を互いに近接して配設することができるので、圧力室毎に設けられるノズルを高密度に配設することができる。また、圧電素子から引き出す金属配線の形成に、半導体プロセスのホトリソグラフィー技術を用いることで、１０μmピッチ以下の微細配線を形成することができ、更に、圧電素子の近傍で駆動ＩＣと接続することで、配線長を短くすることができる（配線の低抵抗化に寄与できる）。つまり、これらの構成により、実用的な配線抵抗値で、ノズルの高密度化に対応できる。したがって、高解像度化を実現することができる。
【００１１】
また、液体プール室内に隔離室を設け、該隔離室によって圧電素子を液体から隔離することで、圧電素子には液体による拘束力が負荷されない。このため、該拘束力によって圧電素子の撓み変形が阻害されることはない。また、隔離室によって圧電素子を液体から隔離することで、圧電素子を液体の侵食から保護することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記隔離室と連通し隔離室内の圧力を大気と略同一にする連通路が設けられたことを特徴としている。
【００１３】
例えば、圧電素子が配設された圧電素子基板と圧力室が設けられた流路基板を接合させるとき加熱処理が行われるが、この際、隔離室内の空気が膨張し、隔離室を構成する部材間でいわゆるリーク経路が形成される場合がある。
【００１４】
しかし、請求項２に記載の発明において、隔離室内の圧力を大気と略同一にする連通路を設けることで、加熱処理によって隔離室内の空気が膨張することはなく、隔離室の内外での圧力差の発生を抑え、リーク経路の形成を防止することができる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記連通路が、前記液体プール室の隔壁の内部に設けられ前記隔離室と連通する第１連通路と、前記第１連通路と連通すると共に液体プール室の天板に設けられ外部と連通する第２連通路と、で構成されたことを特徴としている。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記連通路が、前記振動板及び前記圧電素子を貫通し前記隔離室と連通する第３連通路と、前記第３連通路と連通すると共に前記圧力室が形成された流路基板に設けられ外部と連通する第４の連通路と、で構成されたことを特徴としている。
【００１７】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記液体プール室にプールされた液体の圧力波を緩和するエアダンパーが前記隔離室に設けられたことを特徴としている。
【００１８】
請求項５に記載の発明では、圧電素子の撓み変形によって圧力室が加圧され、圧力室と連通するノズルから液滴が吐出されるとき、液体流路を介して液体プール室内へ伝達される液体の圧力波は、隔離室に設けられたエアダンパーによって緩和される。
【００１９】
このように、液体プール室にプールされた液体の圧力波を緩和するエアダンパーを隔離室に設けることで、天板にエアダンパーを設ける必要がなくなる。このため、天板にエアダンパーを設けるための開口を形成させる必要がなく、天板の配線形成エリアを広くとることができる。
【００２０】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子をマトリックス状に配置し、列単位で前記隔離室で隔離したことを特徴としている。
【００２１】
圧力室と液体プール室を連通させる液体流路は、マトリックス状に配置された圧電素子の列と列の間に設けられているため、請求項６に記載の発明では、圧電素子を列単位で隔離室によって隔離することで、エアダンパーの面積を広くとることができ、より大きなダンパー効果を得られる。
【００２２】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子をマトリックス状に配置し、圧電素子毎に前記隔離室で隔離したことを特徴としている。
【００２３】
請求項７に記載の発明では、圧電素子毎に隔離室で隔離することで、複数の圧電素子を一つの隔離室で隔離する場合と比較して、隔離室の面積が狭い分、隔離室の強度を高くすることができる。このため、金属配線を被覆保護する樹脂保護膜を隔離室の側壁として利用し、フィルム等で樹脂保護膜の上面を架け渡すだけでエアダンパーを構成することができる。従って、隔離室を補強するための側壁等を別途形成する必要がない。
【００２４】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜５の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子をマトリックス状に配置し、任意の圧電素子を前記隔離室で隔離したことを特徴としている。
【００２５】
請求項８に記載の発明では、任意の圧電素子を隔離室で隔離することで、液体プール室内における圧電素子の位置によって圧電素子の撓み変形量を変えることも可能となる。例えば、液体プール室内において、外側に配置された圧電素子を隔離室で隔離し、該隔離室にエアダンパーを設けることで、隔離室内の圧電素子に対応するノズルの液体吐出特性を向上させることができ、液体プール室内の内側に配置された圧電素子と略同等の振動特性（液体吐出特性）を得ることができる。
【００２６】
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記液体流路が設けられた樹脂プレートで前記隔離室が形成されたことを特徴としている。
【００２７】
請求項９に記載の発明では、液体プール室と圧力室とを連通させる液体流路が設けられた樹脂プレートで隔離室を形成することで、圧電素子毎に隔離室で隔離する場合等と比較して、隔離室を大きくすることができる。つまり、エアダンパーの面積を大きくすることができるため、隔離室内の圧電素子に対応するノズルの振動特性（液体吐出特性）を向上させることができる。
【００２８】
請求項１０に記載の発明は、請求項１〜９の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電素子を保護する保護膜が低透水性膜の一層であることを特徴としている。
【００２９】
請求項１０に記載の発明では、圧電素子を保護する保護膜を低透水性膜としている。低透水性膜は、水分透過性が低くなる条件で圧電素子に着膜するため、水分が圧電素子の内部に侵入して信頼性不良（いわゆるＰＺＴ膜内の酸素を還元することにより生ずる圧電特性の劣化）となることを防止できる。
【００３０】
一方、隔離室によって圧電素子は液体から隔離されているため、隔離室内において、低透水性膜を液体による侵食から保護するための樹脂膜が不要となる。圧電素子の上方は、圧電素子の変位阻害の抑制効果が高くなるので、隔離室内において、樹脂膜を不要とすることで、圧電素子の変位阻害が防止される。
【００３１】
請求項１１に記載の発明は、液体吐出装置において、請求項１〜１０の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドを備えたことを特徴としている。
【発明の効果】
【００３２】
以上、何れにしても本発明によれば、ノズルの高密度化と、それに伴う微細ピッチ配線の形成が実現可能となって高解像度化が図れる液滴吐出ヘッド及び液滴吐出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態を図面に示す実施例を基に詳細に説明する。なお、記録媒体は記録紙Ｐとして説明をする。また、記録紙Ｐのインクジェット記録装置１０における搬送方向を副走査方向として矢印Ｓで表し、その搬送方向と直交する方向を主走査方向として矢印Ｍで表す。また、図において、矢印ＵＰ、矢印ＬＯが示されている場合は、それぞれ上方向、下方向を示すものとし、上下の表現をした場合は、上記各矢印に対応しているものとする。
【００３４】
まず、最初にインクジェット記録装置１０の概要を説明する。図１で示すように、インクジェット記録装置１０は、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの各インクジェット記録ユニット３０（インクジェット記録ヘッド３２）を搭載するキャリッジ１２を備えている。このキャリッジ１２の記録紙Ｐの搬送方向上流側には一対のブラケット１４が突設されており、そのブラケット１４には円形状の開孔１４Ａ（図２参照）が穿設されている。そして、その開孔１４Ａに、主走査方向に架設されたシャフト２０が挿通されている。
【００３５】
また、主走査方向の両端側には、主走査機構１６を構成する駆動プーリー（図示省略）と従動プーリー（図示省略）が配設されており、その駆動プーリーと従動プーリーに巻回されて、主走査方向に走行するタイミングベルト２２の一部がキャリッジ１２に固定されている。したがって、キャリッジ１２は主走査方向に往復移動可能に支持される構成である。
【００３６】
また、このインクジェット記録装置１０には、画像印刷前の記録紙Ｐを束にして入れておく給紙トレイ２６が設けられており、その給紙トレイ２６の上方には、インクジェット記録ヘッド３２によって画像が印刷された記録紙Ｐが排出される排紙トレイ２８が設けられている。そして、給紙トレイ２６から１枚ずつ給紙された記録紙Ｐを所定のピッチで副走査方向へ搬送する搬送ローラー及び排出ローラーからなる副走査機構１８が設けられている。
【００３７】
その他、このインクジェット記録装置１０には、印刷時において各種設定を行うコントロールパネル２４と、メンテナンスステーション（図示省略）等が設けられている。メンテナンスステーションは、キャップ部材、吸引ポンプ、ダミージェット受け、クリーニング機構等を含んで構成されており、吸引回復動作、ダミージェット動作、クリーニング動作等のメンテナンス動作を行うようになっている。
【００３８】
また、各色のインクジェット記録ユニット３０は、図２で示すように、インクジェット記録ヘッド３２と、それにインクを供給するインクタンク３４とが一体に構成されたものであり、インクジェット記録ヘッド３２の下面中央のインク吐出面３２Ａに形成された複数のノズル５６（図３参照）が、記録紙Ｐと対向するようにキャリッジ１２上に搭載されている。したがって、インクジェット記録ヘッド３２が主走査機構１６によって主走査方向に移動しながら、記録紙Ｐに対してノズル５６から選択的にインク滴を吐出することにより、所定のバンド領域に対して画像データに基づく画像の一部が記録される。
【００３９】
そして、主走査方向への１回の移動が終了すると、記録紙Ｐは、副走査機構１８によって副走査方向に所定ピッチ搬送され、再びインクジェット記録ヘッド３２（インクジェット記録ユニット３０）が主走査方向（前述とは反対方向）に移動しながら、次のバンド領域に対して画像データに基づく画像の一部が記録されるようになっており、このような動作を複数回繰り返すことによって、記録紙Ｐに画像データに基づく全体画像がフルカラーで記録される。
【００４０】
以上のような構成のインクジェット記録装置１０において、次にインクジェット記録ヘッド３２について詳細に説明する。
（第１実施の形態）
図３はインクジェット記録ヘッド３２の構成を示す概略平面図であり、図４は図３のＸ−Ｘ線概略断面図である。この図３、図４で示すように、インクジェット記録ヘッド３２には、インクタンク３４と連通するインク供給口３６が設けられており、そのインク供給口３６から注入されたインク１１０は、インクプール室３８に貯留される。
【００４１】
インクプール室３８は天板４０と隔壁４２とによって、その容積が規定されており、インク供給口３６は、天板４０の所定箇所に複数、列状に穿設されている。また、天板４０よりも内側のインクプール室３８内には、圧力波を緩和する樹脂膜製エアダンパー４４（後述する感光性ドライフィルム９６）が設けられている。
【００４２】
天板４０の材質は、例えばガラス、セラミックス、シリコン、樹脂等、インクジェット記録ヘッド３２の支持体になり得る強度を有する絶縁体であれば何でもよい。また、天板４０には、後述する駆動ＩＣ６０へ通電するための金属配線９０が設けられている。この金属配線９０は、樹脂膜９２で被覆保護されており、インク１１０による侵食が防止されるようになっている。
【００４３】
隔壁４２は樹脂（後述する感光性ドライフィルム９８）で成形され、インクプール室３８を矩形状に仕切っている。また、インクプール室３８は、圧電素子４６と、その圧電素子４６によって上下方向に撓み変形させられる振動板４８を介して、圧力室５０と上下に分離されている。つまり、圧電素子４６及び振動板４８が、インクプール室３８と圧力室５０との間に配置される構成とされ、インクプール室３８と圧力室５０とが同一水平面上に存在しないように構成されている。
【００４４】
したがって、圧力室５０を互いに接近させた状態に配置することが可能であり、ノズル５６をマトリックス状に高密度に配設することが可能となっている。また、このような構成にしたことにより、キャリッジ１２の主走査方向への１回の移動で、広いバンド領域に画像を形成することができるので、その走査時間が短くて済む。すなわち、少ないキャリッジ１２の移動回数及び時間で記録紙Ｐの全面に亘って画像形成を行う高速印刷が実現可能となっている。
【００４５】
圧電素子４６は、マトリックス状に配置され（図５（Ａ）、（Ｂ）参照）、圧力室５０毎に振動板４８の上面に接着されている。振動板４８は、ＳＵＳ等の金属で成形され、少なくとも上下方向に弾性を有し、圧電素子４６に通電されると（電圧が印加されると）、上下方向に撓み変形する（変位する）構成になっている。なお、振動板４８は、ガラス等の絶縁性材料であっても差し支えはない。圧電素子４６の下面には一方の極性となる下部電極５２が配置され、圧電素子４６の上面には他方の極性となる上部電極５４が配置されている。そして、この上部電極５４に駆動ＩＣ６０が金属配線８６により電気的に接続されている。
【００４６】
また、圧電素子４６は、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０で被覆保護されている。圧電素子４６を被覆保護している低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０は、水分透過性が低くなる条件で圧電素子４６に着膜するため、水分が圧電素子４６の内部に侵入して信頼性不良となること（いわゆるＰＺＴ膜内の酸素を還元することにより生ずる圧電特性の劣化）を防止できる。なお、下部電極５２と接触する金属（ＳＵＳ等）製の振動板４８は、低抵抗なＧＮＤ配線としても機能するようになっている。
【００４７】
更に、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面は、樹脂膜８２で被覆保護されている。これにより、インク１１０による侵食の耐性が確保されるようになっている。また、金属配線８６も、樹脂保護膜８８で被覆保護され、インク１１０による侵食が防止されるようになっている。
【００４８】
また、圧電素子４６の上方は、樹脂膜８２で被覆保護され、樹脂保護膜８８が被覆されない構成になっている。樹脂膜８２は、柔軟性がある樹脂層であるため、このような構成により、圧電素子４６（振動板４８）の変位阻害が防止されるようになっている（上下方向に好適に撓み変形可能とされている）。つまり、圧電素子４６上方の樹脂層は、薄い方がより変位阻害の抑制効果が高くなるので、樹脂保護膜８８を被覆しないようにしている。さらに、樹脂保護膜８８の上面には、圧電素子４６に対面するようにして、圧力波を緩和する樹脂膜製エアダンパー４４（後述する感光性ドライフィルム９６）が設けられている。
【００４９】
一方、駆動ＩＣ６０は、隔壁４２で規定されたインクプール室３８の外側で、かつ天板４０と振動板４８との間に配置されており、振動板４８や天板４０から露出しない（突出しない）構成とされている。したがって、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。
【００５０】
また、その駆動ＩＣ６０の周囲は樹脂材５８で封止されている。この駆動ＩＣ６０を封止する樹脂材５８の注入口４０Ｂは、図６で示すように、製造段階における天板４０において、各インクジェット記録ヘッド３２を仕切るように格子状に複数個穿設されており、後述する圧電素子基板７０と流路基板７２とを結合（接合）後、樹脂材５８によって封止された（閉塞された）注入口４０Ｂに沿って天板４０を切断することにより、マトリックス状のノズル５６（図３参照）を有するインクジェット記録ヘッド３２が１度に複数個製造される構成になっている。
【００５１】
また、この駆動ＩＣ６０の下面には、図４、図７で示すように、複数のバンプ６２がマトリックス状に所定高さ突設されており、振動板４８上に圧電素子４６が形成された圧電素子基板７０の金属配線８６にフリップチップ実装されるようになっている。したがって、圧電素子４６に対する高密度接続が容易に実現可能であり、駆動ＩＣ６０の高さの低減を図ることができる（薄くすることができる）。これによっても、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。
【００５２】
また、図３において、駆動ＩＣ６０の外側には、バンプ６４が設けられている。このバンプ６４は、天板４０に設けられる金属配線９０と、圧電素子基板７０に設けられる金属配線８６とを接続しており、当然ながら、圧電素子基板７０に実装された駆動ＩＣ６０の高さよりも高くなるように設けられている。
【００５３】
したがって、インクジェット記録装置１０の本体側から天板４０の金属配線９０に通電され、その天板４０の金属配線９０からバンプ６４を経て金属配線８６に通電され、そこから駆動ＩＣ６０に通電される構成である。そして、その駆動ＩＣ６０により、所定のタイミングで圧電素子４６に電圧が印加され、振動板４８が上下方向に撓み変形することにより、圧力室５０内に充填されたインク１１０が加圧されて、ノズル５６からインク滴が吐出する構成である。
【００５４】
インク滴を吐出するノズル５６は、圧力室５０毎に１つずつ、その所定位置に設けられている。圧力室５０とインクプール室３８とは、圧電素子４６を回避するとともに、振動板４８に穿設された貫通孔４８Ａを通るインク流路６６と、圧力室５０から図４において水平方向へ向かって延設されたインク流路６８とが連通することによって接続されている。このインク流路６８は、インクジェット記録ヘッド３２の製造時に、インク流路６６とのアライメントが可能なように（確実に連通するように）、予め実際のインク流路６６との接続部分よりも少し長めに設けられている。
【００５５】
以上のような構成のインクジェット記録ヘッド３２において、次に、その製造工程について、図８乃至図１３を基に詳細に説明する。図８で示すように、このインクジェット記録ヘッド３２は、圧電素子基板７０と流路基板７２とを別々に作成し、両者を結合（接合）することによって製造される。そこで、まず、圧電素子基板７０の製造工程について説明するが、圧電素子基板７０には、流路基板７２よりも先に天板４０が結合（接合）される。
【００５６】
図９（Ａ）で示すように、まず、貫通孔７６Ａが複数穿設されたガラス製の第１支持基板７６を用意する。第１支持基板７６は撓まないものであれば何でもよく、ガラス製に限定されるものではないが、ガラスは硬い上に安価なので好ましい。この第１支持基板７６の作製方法としては、ガラス基板のブラスト加工およびフェムト秒レーザー加工や、感光性ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ株式会社製ＰＥＧ３Ｃ）を露光・現像する等が知られている。
【００５７】
そして、図９（Ｂ）で示すように、その第１支持基板７６の上面（表面）に接着剤７８を塗布し、図９（Ｃ）で示すように、その上面に金属（ＳＵＳ等）製の振動板４８を接着する。このとき、振動板４８の貫通孔４８Ａと第１支持基板７６の貫通孔７６Ａとは重ねない（オーバーラップさせない）ようにする。なお、振動板４８の材料として、ガラス等の絶縁性基板を用いても差し支えない。
【００５８】
ここで、振動板４８の貫通孔４８Ａは、インク流路６６の形成用とされる。また、第１支持基板７６に貫通孔７６Ａを設けるのは、後工程で薬液（溶剤）を第１支持基板７６と振動板４８との界面に流し込むためで、接着剤７８を溶解して、その第１支持基板７６を振動板４８から剥離するためである。更に、第１支持基板７６の貫通孔７６Ａと振動板４８の貫通孔４８Ａとを重ねないようにするのは、製造中に使用される各種材料が第１支持基板７６の下面（裏面）から漏出しないようにするためである。
【００５９】
次に、図９（Ｄ）で示すように、振動板４８の上面に積層された下部電極５２をパターニングする。具体的には、金属膜スパッタ（膜厚５００Å〜３０００Å）、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（エッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。この下部電極５２が接地電位となる。次に、図９（Ｅ）で示すように、下部電極５２の上面に、圧電素子４６の材料であるＰＺＴ膜と上部電極５４を順にスパッタ法で積層し、図９（Ｆ）で示すように、圧電素子４６（ＰＺＴ膜）及び上部電極５４をパターニングする。
【００６０】
具体的には、ＰＺＴ膜スパッタ（膜厚３μｍ〜１５μｍ）、金属膜スパッタ（膜厚５００Å〜３０００Å）、ホトリソグラフィー法によるレジスト形成、パターニング（エッチング）、酸素プラズマによるレジスト剥離である。下部および上部の電極材料としては、例えば圧電素子であるＰＺＴ材料との親和性が高く、耐熱性がある、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｔ等が挙げられる。
【００６１】
その後、図９（Ｇ）で示すように、上面に露出している下部電極５２と上部電極５４の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層し、更に、その低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面に、耐インク性と柔軟性を有する樹脂膜８２、例えばポリイミド系、ポリアミド系、エポキシ系、ポリウレタン系、シリコーン系等の樹脂膜を積層して、それらをパターニングすることで、圧電素子４６と金属配線８６を接続するための開口８４（コンタクト孔）を形成する。
【００６２】
具体的には、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）法にてダングリングボンド密度が高い低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を着膜する、感光性ポリイミド（例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７５２０）を塗布・露光・現像することでパターニングを行う、ＣＦ4系ガスを用いたＲｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（ＲＩＥ）法で上記感光性ポリイミドをマスクとしてＳｉＯｘ膜をエッチングする、という加工を行う。なお、ここでは低透水性絶縁膜としてＳｉＯｘ膜を用いたが、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘＮｙ膜等であってもよい。
【００６３】
次いで、図９（Ｈ）で示すように、開口８４内の上部電極５４と樹脂膜８２の上面に金属膜を積層し、金属配線８６をパターニングする。具体的には、スパッタ法にてＡｌ膜（厚さ１μｍ）を着膜する、ホトリソグラフィー法でレジストを形成する、塩素系のガスを用いたＲＩＥ法にてＡｌ膜をエッチングする、酸素プラズマにてレジスト膜を剥離する、という加工を行い、上部電極５４と金属配線８６（Ａｌ膜）とを接合する。なお、図示しないが、下部電極５２の上にも開口８４が設けられ、上部電極５４と同様に金属配線８６と接続されている。
【００６４】
そして更に、図９（Ｉ）で示すように、金属配線８６及び樹脂膜８２の上面に樹脂保護膜８８（例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７３２０）を積層してパターニングする。この樹脂保護膜８８は、樹脂膜８２と同種の樹脂材料で構成される。また、このとき、圧電素子４６の上方で、金属配線８６がパターニングされていない部位には、樹脂保護膜８８を積層しないようにする（樹脂膜８２のみが積層されるようにする）。
【００６５】
ここで、圧電素子４６の上方（樹脂膜８２の上面）に樹脂保護膜８８を積層しないのは、振動板４８（圧電素子４６）の変位（上下方向の撓み変形）が阻害されるのを防止するためである。また、圧電素子４６の上部電極５４から引き出す（上部電極５４に接続される）金属配線８６が樹脂製の保護膜８８で被覆されると、その樹脂保護膜８８は、金属配線８６が積層される樹脂膜８２と同種の樹脂材料で構成されているため、金属配線８６を被覆するそれらの接合力が強固になり、界面からのインク１１０の侵入による金属配線８６の腐食を防止することができる。
【００６６】
なお、この樹脂保護膜８８は、隔壁４２（感光性ドライフィルム９８）とも同種の樹脂材料となっているため、この隔壁４２（感光性ドライフィルム９８）に対する接合力も強固になっている。したがって、その界面からのインク１１０の侵入がより一層防止される構成である。また、このように、同種の樹脂材料で構成されると、それらの熱膨張率が略等しくなるので、熱応力の発生が少なくて済む利点もある。
【００６７】
図９（Ｊ）で示すように、樹脂保護膜８８の上面に、マトリックス状に配置された各圧電素子４６に対面するように感光性ドライフィルム９６（例えば、日立化成工業株式会社製Ｒａｙｔｅｃ  ＦＲ−５０２５：２５μｍ厚）を露光・現像によりパターニングする（架設する）。この感光性ドライフィルム９６が圧力波を緩和するエアダンパー４４となる。
【００６８】
次に、図９（Ｋ）で示すように、金属配線８６にバンプ６２を介して駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装する。このとき、駆動ＩＣ６０は、予め半導体ウエハプロセスの終りに実施されるグラインド工程にて、所定の厚さ（７０μｍ〜３００μｍ）に加工されている。駆動ＩＣ６０が厚すぎると、隔壁４２のパターニングやバンプ６４の形成が困難になったりする。
【００６９】
駆動ＩＣ６０を金属配線８６にフリップチップ実装するためのバンプ６２の形成方法には、電界メッキ、無電界メッキ、ボールバンプ、スクリーン印刷等が適用できる。こうして、圧電素子基板７０が製造され、この圧電素子基板７０に、例えばガラス製の天板４０が結合（接合）される。なお、以下の図１０では、説明の便宜上、配線形成面を下面として説明するが、実際の工程では上面になる。
【００７０】
ガラス製天板４０の製造においては、図１０（Ａ）で示すように、天板４０自体が支持体となる程度の強度を確保できる厚み（０．３ｍｍ〜１．５ｍｍ）を持っているので、別途支持体を設ける必要がない。まず、図１０（Ｂ）で示すように、天板４０の下面に金属配線９０を積層してパターニングする。具体的には、スパッタ法にてＡｌ膜（厚さ１μｍ）を着膜する、ホトリソグラフィー法でレジストを形成する、塩素系のガスを用いたＲＩＥ法にてＡｌ膜をエッチングする、酸素プラズマにてレジスト膜を剥離する、という加工である。
【００７１】
そして、図１０（Ｃ）で示すように、金属配線９０が形成された面に樹脂膜９２（例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７３２０）を積層してパターニングする。なお、このとき、一部の金属配線９０には、バンプ６４を接合するため、樹脂膜９２を積層しないようにする。
【００７２】
次に、図１０（Ｄ）で示すように、天板４０の金属配線９０が形成された面に、ホトリソグラフィー法でレジストをパターニングする。金属配線９０が形成されていない面は、保護用レジスト９４で全面を覆う。ここで、保護用レジスト９４を塗布するのは、次のウエット（ＳｉＯ2）エッチング工程で、天板４０が金属配線９０を形成した面の裏面からエッチングされるのを防止するためである。なお、天板４０に感光性ガラスを用いた場合には、この保護用レジスト９４の塗布工程を省略することができる。
【００７３】
次いで、図１０（Ｅ）で示すように、天板４０にＨＦ溶液によるウエット（ＳｉＯ2）エッチングを行い、その後、保護用レジスト９４を酸素プラズマにて剥離する。
【００７４】
そして次に、図１０（Ｆ）で示すように、樹脂膜９２に感光性ドライフィルム９８（１００μｍ厚）を積層して露光・現像によりパターニングする。この感光性ドライフィルム９８がインクプール室３８を規定する隔壁４２となる。なお、隔壁４２は、感光性ドライフィルム９８に限定されるものではなく、樹脂塗布膜（例えば、化薬マイクロケム社のＳＵ−８レジスト）としてもよい。このときには、スプレー塗布装置にて塗布し、露光・現像をすればよい。
【００７５】
そして最後に、図１０（Ｇ）で示すように、樹脂膜９２が積層されていない金属配線９０にバンプ６４をメッキ法等で形成する。このバンプ６４が駆動ＩＣ６０側の金属配線８６と電気的に接続するため、図示するように、感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）よりもその高さが高くなるように形成されている。
【００７６】
こうして、天板４０の製造が終了したら、図１１（Ａ）で示すように、この天板４０を圧電素子基板７０に被せて、両者を熱圧着により結合（接合）する。すなわち、感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）を感光性樹脂層である樹脂保護膜８８に接合し、バンプ６４を金属配線８６に接合する。
【００７７】
このとき、感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）の高さよりもバンプ６４の高さの方が高いので、感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）を樹脂保護膜８８に接合することにより、バンプ６４が金属配線８６に自動的に接合される。つまり、半田バンプ６４は高さ調整が容易なので（潰れやすいので）、感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）によるインクプール室３８の封止とバンプ６４の接続が容易にできる。
【００７８】
隔壁４２とバンプ６４の接合が終了したら、図１１（Ｂ）で示すように、駆動ＩＣ６０に封止用樹脂材５８（例えば、エポキシ樹脂）を注入する。すなわち、天板４０に穿設されている注入口４０Ｂ（図６参照）から樹脂材５８を流し込む。このように樹脂材５８を注入して駆動ＩＣ６０を封止すると、駆動ＩＣ６０を水分等の外部環境から保護できるとともに、圧電素子基板７０と天板４０との接着強度を向上させることができ、更には、後工程でのダメージ、例えば、できあがった圧電素子基板７０をダイシングによってインクジェット記録ヘッド３２に分割する際の水や研削片によるダメージを回避することができる。
【００７９】
次に、図１１（Ｃ）で示すように、第１支持基板７６の貫通孔７６Ａから接着剤剥離溶液を注入して接着剤７８を選択的に溶解させることで、その第１支持基板７６を圧電素子基板７０から剥離処理する。これにより、図１１（Ｄ）で示すように、天板４０が結合（接合）された圧電素子基板７０が完成する。そして、この状態から、天板４０が圧電素子基板７０の支持体となる。
【００８０】
一方、流路基板７２は、図１２（Ａ）で示すように、まず、貫通孔１００Ａが複数穿設されたガラス製の第２支持基板１００を用意する。第２支持基板１００は第１支持基板７６と同様、撓まないものであれば何でもよく、ガラス製に限定されるものではないが、ガラスは硬い上に安価なので好ましい。この第２支持基板１００の作製方法としては、ガラス基板のフェムト秒レーザー加工や、感光性ガラス基板（例えば、ＨＯＹＡ株式会社製ＰＥＧ３Ｃ）を露光・現像する等が知られている。
【００８１】
そして、図１２（Ｂ）で示すように、その第２支持基板１００の上面（表面）に接着剤１０４を塗布し、図１２（Ｃ）で示すように、その上面（表面）に樹脂基板１０２（例えば、厚さ０．１ｍｍ〜０．５ｍｍのアミドイミド基板）を接着する。そして次に、図１２（Ｄ）で示すように、その樹脂基板１０２の上面を金型１０６に押し付け、加熱・加圧処理する。その後、図１２（Ｅ）で示すように、金型１０６を樹脂基板１０２から離型処理することにより、圧力室５０やノズル５６等が形成される流路基板７２が完成する。
【００８２】
こうして、流路基板７２が完成したら、図１３（Ａ）で示すように、圧電素子基板７０と流路基板７２とを熱圧着により結合（接合）する。そして次に、図１３（Ｂ）で示すように、第２支持基板１００の貫通孔１００Ａから接着剤剥離溶液を注入して接着剤１０４を選択的に溶解させることで、その第２支持基板１００を樹脂基板１０２から剥離処理する。
【００８３】
その後、図１３（Ｃ）で示すように、第２支持基板１００が剥離された面を、アルミナを主成分とする研磨材を使用した研磨処理又は酸素プラズマを用いたＲＩＥ処理することにより、表面層が取り除かれ、ノズル５６が開口される。そして、図１３（Ｄ）で示すように、そのノズル５６が開口された下面に撥水剤としてのフッ素材１０８（例えば、旭ガラス社製のＣｙｔｏｐ）を塗布することにより、インクジェット記録ヘッド３２が完成し、図１３（Ｅ）で示すように、インクプール室３８や圧力室５０内にインク１１０が充填可能とされる。
【００８４】
以上、何れにしても、このインクジェット記録ヘッド３２を構成する圧電素子基板７０及び流路基板７２は、常に硬い支持基板７６、１００上でそれぞれ製造され、かつ、それらの製造工程において、支持基板７６、１００がそれぞれ不要となった時点で、各支持基板７６、１００が取り除かれるという製造方法が採用されているので、極めて製造しやすい構成となっている。なお、製造された（完成した）インクジェット記録ヘッド３２は、天板４０によって支持されるので（天板４０が支持体とされるので）、その剛性は確保される。
【００８５】
以上のようにして製造されるインクジェット記録ヘッド３２を備えたインクジェット記録装置１０において、次に、その作用を説明する。まず、図１及び図２に示すインクジェット記録装置１０に印刷を指令する電気信号が送られると、給紙トレイ２６から記録紙Ｐが１枚ピックアップされ、副走査機構１８により、所定の位置へ搬送される。
【００８６】
一方、インクジェット記録ユニット３０では、すでにインクタンク３４から図４に示すインク供給口３６を介してインクジェット記録ヘッド３２のインクプール室３８にインク１１０が注入（充填）され、インクプール室３８に充填されたインク１１０は、インク流路６６、６８を経て圧力室５０へ供給（充填）されている。そして、このとき、ノズル５６の先端（吐出口）では、インク１１０の表面が圧力室５０側に僅かに凹んだメニスカスが形成されている。
【００８７】
そして、キャリッジ１２に搭載されたインクジェット記録ヘッド３２が主走査方向に移動しながら、複数のノズル５６から選択的にインク滴を吐出することにより、記録紙Ｐの所定のバンド領域に、画像データに基づく画像の一部を記録する。
【００８８】
すなわち、駆動ＩＣ６０により、所定のタイミングで、所定の圧電素子４６に電圧を印加し、振動板４８を上下方向に撓み変形させて（面外振動させて）、圧力室５０内のインク１１０を加圧し、所定のノズル５６からインク滴として吐出させる。
【００８９】
こうして、記録紙Ｐに画像データに基づく画像の一部が記録されたら、副走査機構１８により、記録紙Ｐを所定ピッチ搬送させ、上記と同様に、インクジェット記録ヘッド３２を主走査方向に移動しながら、再度複数のノズル５６から選択的にインク滴を吐出することにより、記録紙Ｐの次のバンド領域に、画像データに基づく画像の一部を記録する。
【００９０】
そして、このような動作を繰り返し行い、記録紙Ｐに画像データに基づく画像が完全に記録されたら、副走査機構１８により、記録紙Ｐを最後まで搬送し、排紙トレイ２８上に記録紙Ｐを排出する。これにより、記録紙Ｐへの印刷処理（画像記録）が完了する。
【００９１】
ここで、このインクジェット記録ヘッド３２は、インクプール室３８が、振動板４８（圧電素子４６）を間に置いて圧力室５０の反対側（上側）に設けられている。換言すれば、インクプール室３８と圧力室５０の間に振動板４８（圧電素子４６）が配置され、インクプール室３８と圧力室５０が同一水平面上に存在しないように構成されている。
【００９２】
このように、インクプール室３８と圧力室５０が同一水平面上に存在しないようにすることで、圧力室５０を互いに近接して配設することができるので、圧力室５０毎に設けられるノズル５６を高密度に配設することができる。
【００９３】
また、圧電素子４６から引き出す金属配線８６の形成に、半導体プロセスのホトリソグラフィー技術を用いることで、１０μmピッチ以下の微細配線を形成することができ、更に、圧電素子４６の近傍で駆動ＩＣ６０と接続することで、配線長を短くすることができる（配線の低抵抗化に寄与できる）。つまり、これらの構成により、実用的な配線抵抗値で、ノズル５６の高密度化に対応できる。したがって、高解像度化を実現することができる。
【００９４】
また、インクプール室３８内に隔離室１１２を設け、該隔離室１１２によって圧電素子４６をインク１１０から隔離することで、圧電素子４６にはインク１１０による拘束力が負荷されない。このため、該拘束力によって圧電素子４６の撓み変形が阻害されることはない。また、隔離室１１２によって圧電素子４６をインク１１０から隔離することで、圧電素子４６をインク侵食から保護することができる。
【００９５】
一方、圧電素子４６の撓み変形によって圧力室５０が加圧され、圧力室５０と連通するノズル５６からインク滴としてインク１１０が吐出されるとき、インク流路６６を介してインクプール室３８内へ伝達されるインク１１０の圧力波は、隔離室１１２に設けられたエアダンパー４４によって緩和される。
【００９６】
このように、インクプール室３８にプールされたインク１１０の圧力波を緩和するエアダンパー４４を隔離室１１２に設けることで、天板４０にエアダンパー４４を設ける必要がなくなる。このため、天板４０にエアダンパー４４を設けるための開口を形成させる必要がなく、天板４０の配線形成エリアを広くとることができる(配線幅を広くできるため、より低抵抗な配線を形成できる)。
【００９７】
また、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、各圧電素子４６毎に隔離室１１２で隔離することで、複数の圧電素子４６を一つの隔離室１１２で隔離する場合と比較して、隔離室１１２の面積が狭い分、隔離室１１２の強度を高くすることができる。
【００９８】
このため、金属配線８６を被覆保護する樹脂保護膜８８を隔離室１１２の側壁として利用し、樹脂保護膜８８の上面に感光性ドライフィルム９６を架設するだけでエアダンパー４４を構成することができる。従って、隔離室１１２を補強するための側壁等を別途形成する必要がない。但し、隔離室１１２の構成によっては、図１４（Ｋ）、（Ｌ）に示すように、隔離室１１２に側壁１１４を設けても勿論良い。
【００９９】
このように、隔離室１１２に側壁１１４を設ける場合、図９（Ｉ）の後に、図１４（Ｊ）に示すように、樹脂保護膜８８の上面に感光性ドライフィルムを積層して露光・現像によりパターニングを行い、隔離室１１２の側壁１１４を形成する。
【０１００】
なお、この側壁１１４は、感光性ドライフィルムに限定されるものではなく、樹脂塗布膜（例えば、化薬マイクロケム社のＳＵ−８レジスト）としてもよい。このときには、スプレー塗布装置にて塗布し、露光・現像を行う。
【０１０１】
そして、隔離室１１２の側壁１１４を形成した後、図１４（Ｋ）で示すように、図９（Ｊ）と同様、側壁１１４の上面に、感光性ドライフィルム９６を露光・現像によりパターニングし、図１４（Ｌ）に示すように、図９（Ｋ）と同様、金属配線８６にバンプ６２を介して駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装する。
【０１０２】
その他、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、インク流路６６と連通可能なインク流路１１８が設けられ、圧電素子４６に対面する位置に感光性ドライフィルム１２０が架設された樹脂プレート１２２を用い、インク流路１１８の先端面及び樹脂プレート１２２の周縁部に設けられた立壁１２２Ａの先端面を樹脂保護膜８８に熱接合して該樹脂プレート１２２に隔離室１２４を形成しても良い。
【０１０３】
このように、インク流路６６と連通可能なインク流路１１８が設けられた樹脂プレート１２２で隔離室１２４を形成することで、圧電素子４６毎に隔離室１２４で隔離する場合等と比較して、隔離室１２４を大きくすることができる。つまり、エアダンパー４４の面積を大きくすることができるため、隔離室１２４内の圧電素子４６に対応するノズル５６の振動特性（インク吐出特性）を向上させることができる。
【０１０４】
また、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示すように、圧力室５０とインクプール室３８を連通させるインク流路６６は、マトリックス状に配置された圧電素子４６の列と列の間に設けられているため、圧電素子４６を列単位で隔離室１２６によって隔離することで、エアダンパーの面積を広くとることができ、より大きなダンパー効果を得られる。
【０１０５】
さらに、図示はしないが、任意の圧電素子を隔離室で隔離することで、インクプール室内における圧電素子の位置によって圧電素子の撓み変形量を変えることも可能となる。例えば、インクプール室内において、外側に配置された圧電素子を隔離室で隔離し、該隔離室にエアダンパーを設けることで、隔離室内の圧電素子に対応するノズルのインク吐出特性を向上させることができ、インクプール室内の内側に配置された圧電素子と略同等の振動特性（インク吐出特性）を得ることができる。
【０１０６】
また、本形態では、隔離室１１２によって圧電素子４６をインク１１０から隔離することができるため、図１７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、隔離室１１２内において、低透水性膜８０をインク１１０による侵食から保護するための樹脂膜８２が不要となる。圧電素子４６の上方は、圧電素子４６の変位阻害の抑制効果が高くなるので、隔離室１１２内において、樹脂膜８２を不要とすることで、圧電素子４６の変位阻害が防止される。
【０１０７】
また、圧電素子４６に電圧を印加する駆動ＩＣ６０は、振動板４８と天板４０との間に配設され、振動板４８や天板４０より外部へ露出しない（突出しない）構成とされている（インクジェット記録ヘッド３２内に内蔵されている）。したがって、インクジェット記録ヘッド３２の外部に駆動ＩＣ６０を実装する場合に比べて、圧電素子４６と駆動ＩＣ６０の間を接続する金属配線８６の長さが短くて済み、これによって、金属配線８６の低抵抗化が実現されている。
【０１０８】
つまり、実用的な配線抵抗値で、ノズル５６の高密度化、即ちノズル５６の高密度なマトリックス状配設が実現されており、これによって、高解像度化が実現可能になっている。しかも、その駆動ＩＣ６０は、振動板４８に圧電素子４６等が形成されてなる圧電素子基板７０上にフリップチップ実装されているので、高密度の配線接続が容易にでき、更には駆動ＩＣ６０の高さの低減も図れる（薄くできる）。したがって、インクジェット記録ヘッド３２の小型化も実現される。
【０１０９】
具体的には、従来のＦＰＣ方式による電気接続では、ノズル解像度は６００ｎｐｉ（ｎｏｚｚｌｅ  ｐｅｒ  ｐｉｔｃｈ）が限界であったが、本発明の方式では、容易に１２００ｎｐｉ配列が可能となった。また、サイズについては、６００ｎｐｉのノズル配列を例にとって比較した場合、ＦＰＣを用いなくて済むため、１／２以下にすることが可能となった。
【０１１０】
また、この駆動ＩＣ６０の周囲の隙間を、樹脂材５８で埋めることで、天板４０と圧電素子基板７０の接合強度が増し、更には、その樹脂材５８によって駆動ＩＣ６０が封止されるため、水分等の外部環境から駆動ＩＣ６０を保護することができる。更には、後工程でのダメージ、例えば、できあがった圧電素子基板をダイシングによってインクジェット記録ヘッドに分割する際の水や研削片によるダメージを回避することができる。
【０１１１】
また、圧電素子４６と駆動ＩＣ６０とを接続する圧電素子基板７０上の金属配線８６が、樹脂保護膜８８によって被覆されているので、インク１１０による金属配線８６の腐食を防止することができる。しかも、その金属配線８６を挟むようにして被覆する樹脂保護膜８８と樹脂膜８２とが同種の樹脂材料とされているので、熱膨張率が略等しく、これによって、熱応力の発生も少ない。
【０１１２】
ところで、例えば、図１１（Ａ）で示すように、天板４０を圧電素子基板７０に被せて、両者を熱圧着により結合（接合）するとき、隔離室１１２内の空気が膨張し、隔離室１１２を構成する樹脂保護膜８８とエアダンパー４４との間でいわゆるリーク経路が形成される場合がある。
【０１１３】
このため、該リーク経路の形成を防止する目的で、隔離室１１２と外気とを予め連通させ隔離室１１２の内外での圧力差の発生を抑えるという方法が適用される。以下このような場合の実施形態を説明する。
（第２の実施形態）
例えば、図１８〜図２０に示すように（なお、図１８では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、隣り合う少なくとも二つの圧電素子４６（図１８（Ａ）では列単位だが行単位でも良い）を一組として、この二つの圧電素子４６をＥ型形状を成す樹脂保護膜８８で囲むようにする。この場合、圧電素子４６同士は中壁部８８Ａで仕切るようにしている。
【０１１４】
また、圧電素子基板７０の行方向において隣り合う樹脂保護膜８８同士の間には間隔を設け、各隔離室１１２の一端部を連通させて連通領域２０４を設ける。そして、この連通領域２０４の延長線上に位置する隔壁４２の内部には、連通路（第１連通路）２０６を設け、連通領域２０４を経て隔離室１１２と連通させる。
【０１１５】
一方、樹脂膜９２及び天板４０側には、連通路２０６に対応する位置に連通路（第２連通路）２０８を設け、連通路２０６と連通路２０８を連通させる。これにより、隔離室１１２と大気を連通させることができ、隔離室１１２内の圧力を大気と略同一にしている。
【０１１６】
なお、図１８の（Ａ）は、隔離室１１２、樹脂保護膜８８、連通領域２０４、連通路２０６及び後述する溝部２１０等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図であり、図１９は図１８（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図２０は図１８（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１１７】
ここで、隣り合う圧電素子４６同士は、樹脂保護膜８８の中壁部８８Ａで仕切られているため、一方の圧電素子４６の撓み変形により他方の圧電素子４６が影響を受けることはない。
【０１１８】
また、さらに、図１８（Ａ）において圧電素子基板７０の行方向に沿って連設された隔壁４２の下部に位置する連通領域２０４の底面に、樹脂膜８２及び低透水性絶縁膜８０に渡って溝部２１０を設け、圧電素子基板７０の行方向に沿って、圧電素子基板７０を貫通させることで、圧電素子基板７０の行方向で隣り合う連通領域２０４同士を連通させる共に、連通領域２０４を介して隔離室１１２を大気とを連通させている。これにより、隔離室１１２の内外での圧力差の発生を抑え、樹脂保護膜８８とエアダンパー４４との間でリーク経路の形成を防止することができる。
【０１１９】
このような構成のインクジェット記録ヘッド３２において、次に、その製造工程について、図２１乃至図２４を基に詳細に説明する。
【０１２０】
なお、第１実施の形態と略同一の内容については説明を省略する。また、ここでは、図１８のＢ−Ｂ断面において図示する。
【０１２１】
図２１（Ａ）、（Ｂ）は図９（Ａ）、（Ｂ）と同じであり、貫通孔７６Ａが複数穿設されたガラス製の第１支持基板７６を用意し、第１支持基板７６の上面（表面）に接着剤７８を塗布する。
【０１２２】
そして、図２１（Ｃ）で示すように、その上面に金属（ＳＵＳ等）製の振動板４８を接着する。ここで、インク流路６６を形成するため図９（Ｃ）では貫通孔４８Ａが図示されているが、図２１（Ｃ）では、図１８のＢ−Ｂ断面図であるため、図示されない。
【０１２３】
次に、図２１（Ｄ）で示すように、振動板４８の上面に積層された下部電極５２をパターニングした後、図２１（Ｅ）で示すように、下部電極５２の上面に、圧電素子４６の材料であるＰＺＴ膜と上部電極５４を順にスパッタ法で積層し、図２１（Ｆ）で示すように、圧電素子４６（ＰＺＴ膜）及び上部電極５４をパターニングする。
【０１２４】
その後、図２１（Ｇ）で示すように、上面に露出している下部電極５２と上部電極５４の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層し、更に、その低透水性絶縁膜８０の上面に、耐インク性と柔軟性を有する樹脂膜８２を積層して、それらをパターニングする。このとき、隔離室１１２と連通させるための溝部２１０及び圧電素子４６と金属配線８６を接続するための開口８４（図９（Ｈ）参照）を形成する。なお、ここでは、図１８のＢ−Ｂ断面図であるため、開口８４は図示されない。
【０１２５】
次いで、図２１（Ｈ）で示すように、開口８４（図９（Ｈ）参照）内の上部電極５４と樹脂膜８２の上面に金属膜を積層し、金属配線８６をパターニングして、上部電極５４と金属配線８６（Ａｌ膜）とを接合する。
【０１２６】
そして更に、図２１（Ｉ）で示すように、金属配線８６及び樹脂膜８２の上面に樹脂保護膜８８を積層してパターニングした後、図２１（Ｊ）で示すように、樹脂保護膜８８の上面に、感光性ドライフィルム９６を互いに架け渡すようにしてして露光・現像によりパターニングする。
【０１２７】
この感光性ドライフィルム９６が圧力波を緩和するエアダンパー４４となる。ここで、このエアダンパー４４は、後述する天板４０を圧電素子基板７０に接合させるとき隔壁４２の中心部に相当する位置に、貫通孔２１２を設けるようにする。そして、図２１（Ｋ）で示すように、バンプ６２を介して金属配線８６に駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装し、圧電素子基板７０が製造される。
【０１２８】
一方、天板４０の製造において、図２２（Ａ）、（Ｂ）は、図１０（Ａ）、（Ｂ）と同じであり、天板４０の下面に金属配線９０を積層してパターニングする。そして、図２２（Ｃ）で示すように、金属配線９０が形成された面に樹脂膜９２を積層してパターニングする。ここで、後述する隔壁４２の中心部に相当する位置には、樹脂膜９２を積層しないようにして連通路２０８を構成する孔部２１４を設ける。
【０１２９】
次に、図２２（Ｄ）で示すように、天板４０の金属配線９０が形成された面に、ホトリソグラフィー法でレジストをパターニングするが、孔部２１４に相当する位置には、樹脂膜９２を積層しないようにする。また、金属配線９０が形成されていない面は、保護用レジスト９４で全面を覆う。
【０１３０】
次いで、図２２（Ｅ）で示すように、天板４０にＨＦ溶液によるウエット（ＳｉＯ2）エッチングを行い、その後、保護用レジスト９４を酸素プラズマにて剥離する。これにより、天板４０には孔部２１４と連通して連通路２０８を構成する孔部２１６が形成されることとなる。
【０１３１】
そして次に、図２２（Ｆ）で示すように、樹脂膜９２に感光性ドライフィルム９８（１００μｍ厚）を積層して露光・現像によりパターニングする。この感光性ドライフィルム９８がインクプール室３８を規定する隔壁４２となる。これにより、連通路２０８と連通路２０６が連通する。
【０１３２】
そして最後に、図２２（Ｇ）で示すように、樹脂膜９２が積層されていない金属配線９０にバンプ６４をメッキ法等で形成する。
【０１３３】
こうして、天板４０の製造が終了したら、図２３（Ａ）で示すように、この天板４０を圧電素子基板７０に被せて、両者を熱圧着により結合（接合）する。すなわち、感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）をエアダンパー４４に接合し、バンプ６４を金属配線８６に接合する。これにより、連通路２０８、２０６が貫通孔２１２を経て連通領域２０４と連通し、隔離室１１２が、連通領域２０４から貫通孔２１２及び連通路２０６、２０８を経て大気と連通することとなる。
【０１３４】
そして、隔壁４２とバンプ６４の接合が終了したら、図２３（Ｂ）で示すように、駆動ＩＣ６０に封止用樹脂材５８（例えば、エポキシ樹脂）を注入し、図２３（Ｃ）で示すように、第１支持基板７６の貫通孔７６Ａから接着剤剥離溶液を注入して接着剤７８を選択的に溶解させて、第１支持基板７６を圧電素子基板７０から剥離処理する。これにより、図２３（Ｄ）で示すように、天板４０が結合（接合）された圧電素子基板７０が完成する。
【０１３５】
次に、図２４（Ａ）で示すように、圧電素子基板７０と流路基板７２とを熱圧着により結合（接合）する。ここで、流路基板７２の製造方法においては、図１２（Ａ）〜（Ｅ）と同一であるため説明を省略する。
【０１３６】
そして次に、図２４（Ｂ）で示すように、第２支持基板１００の貫通孔１００Ａから接着剤剥離溶液を注入して接着剤１０４を選択的に溶解させて、第２支持基板１００を樹脂基板１０２から剥離処理する。
【０１３７】
その後、図２４（Ｃ）で示すように、第２支持基板１００が剥離された面にノズル５６を開口させる。そして、図２４（Ｄ）で示すように、そのノズル５６が開口された下面に撥水剤としてのフッ素材１０８を塗布することにより、インクジェット記録ヘッド２２０が完成し、図２４（Ｅ）で示すように、インクプール室３８や圧力室５０内にインク１１０が充填可能とされる。
【０１３８】
上記の実施形態では、隔壁４２の内部に、隔離室１１２と連通する連通路２０６を設け、樹脂膜９２及び天板４０に連通路２０６と連通する連通路２０８を設けて、隔離室１１２と大気とを連通させ、さらに、連通領域２０４の底面に、圧電素子基板７０の行方向に沿って、圧電素子基板７０を貫通する溝部２１０を設けて、隔離室１１２と大気とを連通させたが、隔離室１１２を大気と連通させることができれば良いため、これらのうちどちらか一方であっても良い。
【０１３９】
具体的には、図２５〜図２７に示すように（なお、図２５では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、隔壁４２の下部に位置する連通領域２０４の底面に、圧電素子基板７０の行方向に沿って圧電素子基板７０を貫通する溝部２１０を設け、該溝部２１０によってのみ隔離室１１２と大気とを連通させるようにしても良い。
【０１４０】
この場合、図１８〜図２０の場合と異なり、隔壁４２の内部には連通路２０６を設ける必要はなく、樹脂膜９２及び天板４０にも連通路２０８を設ける必要はない。これによれば、隔壁４２の内部を中空にする必要はないため、隔壁４２の強度は高くなる。
【０１４１】
ここで、図２５の（Ａ）は、隔離室１１２、樹脂保護膜８８、連通領域２０４及び溝部２１０等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図であり、図２６は図２５（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図２７は図２５（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１４２】
また、図２８〜図３０に示すように、隔壁４２の内部に隔離室１１２と連通する連通路２０６を設け、樹脂膜９２及び天板４０に連通路２０６と連通する連通路２０８を設けて隔離室１１２と大気とを連通させ、該連通路２０６、２０８によってのみ隔離室１１２と大気とを連通させるようにしても良い。
【０１４３】
ここで、図２８の（Ａ）は、隔離室１１２、樹脂保護膜８８、連通領域２０４及び連通路２０６等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図であり、図２９は図２８（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図３０は図２８（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１４４】
上記の実施形態では、連通路２０６、２０８による隔離室１１２と大気との連通及び溝部２１０による隔離室１１２と大気との連通のうちどちらか一方を適用させた例を示したが、これらの両方を適用させた上にさらに、図３１〜図３３に示すように（なお、図３１では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、隔壁４２の連通路２０６を圧電素子基板７０の行方向に沿って圧電素子基板７０を貫通する連通路２２２を設けても良い。
【０１４５】
ここで、図３１の（Ａ）は、隔離室１１２、樹脂保護膜８８、連通領域２０４、連通路２０６、２２２０等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図であり、図３２は図３１（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図３３は図３１（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１４６】
以上、本形態では、圧電素子基板７０側に大気と連通する連通路を設けたが、流路基板７２側に該連通路を設けても良い。以下、流路基板７２側に連通路を設けた場合について説明する。
（第３の実施形態）
例えば、図３４〜図３６（なお、図３４では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）に示すように、隣り合う少なくとも四つの圧電素子４６を一組として、この四つの圧電素子を、Ｅ型形状が連続した形状を成す樹脂保護膜８８で囲むようにすると共に、圧電素子４６同士を中壁部８８Ａで仕切るようにする。
【０１４７】
また、圧電素子基板７０の行方向において隣り合う樹脂保護膜８８同士の間には間隔を設け、各隔離室１１２の一端部を連通させて連通領域２２４を設ける。そして、隔壁４２の下部に位置する連通領域２２４の底面から、流路基板７２を構成する樹脂基板１０２へ向かって連通路２２６を垂下させた後、樹脂基板１０２の上面を互いに直交する方向（圧電素子基板７０の行方向及び列方向）に沿って外部まで連通する連通路（第４連通路）２２８、２３０を設けている。これにより、隔離室１１２内の圧力を大気と略同一にしている。
【０１４８】
ここで、図３４の（Ａ）は、隔離室１１２、樹脂保護膜８８、連通領域２２４、連通路２２８、２３０等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図であり、図３５は図３４（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図３６は図３４（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１４９】
このような構成のインクジェット記録ヘッド３２において、次に、その製造工程について、図３７乃至図３９を基に詳細に説明する。
【０１５０】
なお、第１実施の形態と略同一の内容については説明を省略する。また、ここでは、図３４のＢ−Ｂ断面において図示する。
【０１５１】
図３７（Ａ）で示すように、まず、貫通孔７６Ａが複数穿設されたガラス製の第１支持基板７６の上面（表面）に連通路２２８を構成する溝部２３２を形成する。
【０１５２】
そして、図３７（Ｂ）で示すように、その第１支持基板７６の上面に接着剤７８を塗布し、図３７（Ｃ）で示すように、その上面に金属（ＳＵＳ等）製の振動板４８を接着する。ここで、振動板４８には連通路２２８と連通する連通路２２６を構成する貫通孔４８Ａが設けられている。
【０１５３】
次に、図３７（Ｄ）で示すように、振動板４８の上面に積層された下部電極５２をパターニングする。このとき、貫通孔４８Ａと連通する貫通孔５２Ａを設ける。
【０１５４】
そして、図３７（Ｅ）で示すように、下部電極５２の上面に、圧電素子４６の材料であるＰＺＴ膜と上部電極５４を順にスパッタ法で積層し、図３７（Ｆ）で示すように、圧電素子４６（ＰＺＴ膜）及び上部電極５４をパターニングする。
【０１５５】
その後、図３７（Ｇ）で示すように、上面に露出している下部電極５２と上部電極５４の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層し、更に、その低透水性絶縁膜８０の上面に、耐インク性と柔軟性を有する樹脂膜８２を積層して、それらをパターニングすることで、隔離室１１２と連通する連通路２２６が完成する。また、このとき、圧電素子４６と金属配線８６を接続するための開口８４（図９（Ｈ）参照）を形成する。なお、ここでは、図３４のＢ−Ｂ断面図であるため、開口８４は図示されない。
【０１５６】
次いで、図３７（Ｈ）で示すように、開口８４（図９（Ｈ）参照）内の上部電極５４と樹脂膜８２の上面に金属膜を積層し、金属配線８６をパターニングして、上部電極５４と金属配線８６（Ａｌ膜）とを接合する。
【０１５７】
そして更に、図３７（Ｉ）で示すように、金属配線８６及び樹脂膜８２の上面に樹脂保護膜８８を積層してパターニングした後、図３７（Ｊ）で示すように、樹脂保護膜８８の上面に、感光性ドライフィルム９６を互いに架け渡すようにしてして露光・現像によりパターニングする。この感光性ドライフィルム９６が圧力波を緩和するエアダンパー４４となる。
【０１５８】
次に、図３７（Ｋ）で示すように、金属配線８６にバンプ６２を介して駆動ＩＣ６０をフリップチップ実装し、圧電素子基板７０が製造される。
【０１５９】
一方、ガラス製天板４０の製造方法においては、図１０（Ａ）〜（Ｇ）と同一であるため、説明を省略する。
【０１６０】
次に、図３８（Ａ）で示すように、天板４０を圧電素子基板７０に被せて、両者を熱圧着により結合（接合）する。すなわち、感光性ドライフィルム９８（隔壁４２）を感光性ドライフィルム９６に接合し、バンプ６４を金属配線８６に接合する。
【０１６１】
そして、隔壁４２とバンプ６４の接合が終了したら、図３８（Ｂ）で示すように、駆動ＩＣ６０に封止用樹脂材５８（例えば、エポキシ樹脂）を注入し、図３８（Ｃ）で示すように、第１支持基板７６の貫通孔７６Ａから接着剤剥離溶液を注入して接着剤７８を選択的に溶解させて、第１支持基板７６を圧電素子基板７０から剥離処理する。これにより、図３８（Ｄ）で示すように、天板４０が結合（接合）された圧電素子基板７０が完成する。
【０１６２】
次に、図３９（Ａ）で示すように、圧電素子基板７０と流路基板７２とを熱圧着により結合（接合）する。これにより、連通路２２８、２３０（図１８（Ａ）参照）が形成される。そして次に、図３９（Ｂ）で示すように、流路基板７２を構成する第２支持基板１００の貫通孔１００Ａから接着剤剥離溶液を注入して接着剤１０４を選択的に溶解させて、第２支持基板１００を樹脂基板１０２から剥離処理する。
【０１６３】
その後、図３９（Ｃ）で示すように、第２支持基板１００が剥離された面にノズル５６を開口させる。そして、図３９（Ｄ）で示すように、そのノズル５６が開口された下面に撥水剤としてのフッ素材１０８を塗布することにより、インクジェット記録ヘッド２３３が完成し、図３９（Ｅ）で示すように、インクプール室３８や圧力室５０内にインク１１０が充填可能とされる。
【０１６４】
なお、上記の実施形態では、各隔離室１１２の端部を連通させた連通領域２２４の底面に、連通路２２６を垂下させた後、樹脂基板１０２の上面を互いに直交する方向（圧電素子基板７０の行方向及び列方向）に沿って外部まで連通する連通路２２８、２３０を設けて隔離室１１２と大気とを連通させたが、これ以外にも、例えば、図４０〜図４２のように（なお、図４０では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、隔壁４２の下部に位置する連通領域２２４の底面に、直接樹脂基板１０２を貫通する連通路２３４を設けても良い。
【０１６５】
ここで、図４０の（Ａ）は、隔離室１１２、樹脂保護膜８８、連通領域２２４等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図であり、図４１は図４０（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図４２は図４０（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１６６】
また、図４３〜図４５のように（なお、図４３では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、隔壁４２の下部に位置する連通領域２２４の底面に、樹脂基板１０２を貫通するように連通路２３６を垂下させた後、樹脂基板１０２の下面を互いに直交する方向（圧電素子基板７０の行方向及び列方向）に沿って外部まで連通する連通路２３８、２４０を設けても良い。但し、この場合、樹脂基板１０２の下面には、フッ素材を塗布する代わりにポリイミド製のノズルプレート２４１を接着させる。
【０１６７】
ここで、図４３の（Ａ）は、隔離室１１２、樹脂保護膜８８、連通領域２２４、連通路２３８等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図であり、図４４は図４３（Ａ）のＡ−Ａ断面図、図４５は図４３（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【０１６８】
さらに、第２、第３の実施形態では、隣り合う複数の圧電素子４６を一組として、複数の圧電素子４６を略Ｅ型形状の樹脂保護膜８８で囲み、複数の隔離室１１２において一部が互いに連通する連通領域２０４、２２４を設けたが、各圧電素子４６に対して隔離室１１２を独立させても良いのは勿論のことである。
【０１６９】
また、さらに、図４６及び図４７に示すように（図４６は、隔離室１１２及び後述する連通路２４４、２４６等を示す平面図であり、図４７は図４６のＡ−Ａ断面図である。なお、図４６では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、各圧電素子４６に対して隔離室１１２を独立させた上、各隔離室１１２から連通路２４２を垂下させ、樹脂基板１０２の上面を圧電素子基板７０の列方向に沿って外部まで連通路２４４、２４６を連通させても良い。
【０１７０】
この場合、隔離室１１２を略Ｌ字状に形成し、隔離室１１２の端部に連通路２４２を設ける。そして、複数配置された隔離室１１２を圧電素子基板７０の列方向で二つに分け、一方では連通路２４２を連通路２４４と連通させ、他方では連通路２４２を連通路２４６と連通させても良い。
【０１７１】
また、図４８及び図４９に示すように（図４８は、隔離室１１２及び後述する連通路２４８、２５０等を示す平面図であり、図４７は図４６のＡ−Ａ断面図である。なお、図４８では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、各隔離室１１２から連通路２４２を垂下させ、該連通路２４２と連通し樹脂基板１０２の上面を圧電素子基板７０の列方向に沿う連通路２４８或いは２５０を形成すると共に、圧電素子基板７０の列方向の両端部で連通路２４８或いは連通路２５０から樹脂基板１０２の下面へ向かって垂下する連通路２５２を設けても良い。
【０１７２】
さらに、図５０及び図５１に示すように（図５０は、隔離室１１２及び後述する連通路２５４等を示す平面図であり、図５１は図５０のＡ−Ａ断面図である。なお、図５０では駆動ＩＣ９０及びバンプ６４の図示を省略している。）、各隔離室１１２の底面から直接樹脂基板１０２へ向けて垂下する連通路２５４を設けても良い。
【０１７３】
なお、本形態はあくまでも一実施例であり、加工の容易性、加工精度等を考慮の上、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。
【０１７４】
また、上記実施例のインクジェット記録装置１０では、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの各色のインクジェット記録ユニット３０がそれぞれキャリッジ１２に搭載され、それら各色のインクジェット記録ヘッド３２から画像データに基づいて選択的にインク滴が吐出されてフルカラーの画像が記録紙Ｐに記録されるようになっているが、本発明におけるインクジェット記録は、記録紙Ｐ上への文字や画像の記録に限定されるものではない。
【０１７５】
すなわち、記録媒体は紙に限定されるものでなく、また、吐出する液体もインクに限定されるものではない。例えば、高分子フィルムやガラス上にインクを吐出してディスプレイ用カラーフィルターを作成したり、溶接状態の半田を基板上に吐出して部品実装用のバンプを形成するなど、工業的に用いられる液滴噴射装置全般に対して、本発明に係るインクジェット記録ヘッド３２を適用することができる。
【０１７６】
また、上記実施例のインクジェット記録装置１０では、主走査機構１６と副走査機構１８を有するＰａｒｔｉａｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＰＷＡ）の例で説明したが、本発明におけるインクジェット記録は、これに限定されず、紙幅対応のいわゆるＦｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＦＷＡ）であってもよい。むしろ、本発明は、高密度ノズル配列を実現するのに有効なものであるため、１パス印字を必要とするＦＷＡには好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１７７】
【図１】インクジェット記録装置を示す概略斜視図である。
【図２】キャリッジに搭載されたインクジェット記録ユニットを示す概略斜視図である。
【図３】第１の実施形態のインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ線概略断面図である。
【図５】第１の実施形態の隔離室と圧電素子の関係を示す（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は図３のＸ−Ｘ線概略断面図である。
【図６】インクジェット記録ヘッドとして切断される前の天板を示す概略平面図である。
【図７】駆動ＩＣのバンプを示す概略平面図である。
【図８】インクジェット記録ヘッドを製造する全体工程の説明図である。
【図９−１】第１の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｆ）を示す説明図である。
【図９−２】第１の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ｇ）〜（Ｉ）を示す説明図である。
【図９−３】第１の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ｊ）〜（Ｋ）を示す説明図である。
【図１０−１】第１の実施形態による天板を製造する工程（Ａ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図１０−２】第１の実施形態による天板を製造する工程（Ｅ）〜（Ｇ）を示す説明図である。
【図１１−１】第１の実施形態による圧電素子基板に天板を接合する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図１１−２】第１の実施形態による圧電素子基板に天板を接合する工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図１２】第１の実施形態による流路基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｆ）を示す説明図である。
【図１３−１】第１の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図１３−２】第１の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ｃ）〜（Ｅ）を示す説明図である。
【図１４】図９−３に示す圧電素子基板を製造する工程の変形例（Ｊ）〜（Ｌ）を示す説明図である。
【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は、図５に示す隔離室と圧電素子の関係を示す変形例である。
【図１６】（Ａ）、（Ｂ）は、図５に示す隔離室と圧電素子の関係を示す変形例である。
【図１７】（Ａ）、（Ｂ）は、圧電素子の上方の構成が異なるインクジェット記録ヘッドを示す説明図である。
【図１８】（Ａ）は、第２の実施形態の隔離室、樹脂保護膜、連通領域等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図１９】図１８（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２０】図１８（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図２１−１】第２の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｆ）を示す説明図である。
【図２１−２】第２の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ｇ）〜（Ｉ）を示す説明図である。
【図２１−３】第２の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ｊ）〜（Ｋ）を示す説明図である。
【図２２−１】第２の実施形態による天板を製造する工程（Ａ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図２２−２】第２の実施形態による天板を製造する工程（Ｅ）〜（Ｇ）を示す説明図である。
【図２３−１】第２の実施形態による圧電素子基板に天板を接合する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図２３−２】第２の実施形態による圧電素子基板に天板を接合する工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図２４−１】第２の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図２４−２】第２の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図２４−３】第２の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ｅ）を示す説明図である。
【図２５】（Ａ）は、第２の実施形態の変形例を示す隔離室、樹脂保護膜、連通領域等の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図２６】図２５（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２７】図２５（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図２８】（Ａ）は、第２の実施形態の他の変形例を示す隔離室、樹脂保護膜、連通領域等の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図２９】図２８（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３０】図２８（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３１】（Ａ）は、第２の実施形態の他の変形例を示す隔離室、樹脂保護膜、連通領域等の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図３２】図３１（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３３】図３１（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３４】（Ａ）は、第３の実施形態の隔離室、樹脂保護膜、連通領域等を示す平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図３５】図３４（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３６】図３４（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図３７−１】第３の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ａ）〜（Ｆ）を示す説明図である。
【図３７−２】第３の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ｇ）〜（Ｉ）を示す説明図である。
【図３７−３】第３の実施形態による圧電素子基板を製造する工程（Ｊ）〜（Ｋ）を示す説明図である。
【図３８−１】第３の実施形態による圧電素子基板に天板を接合する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図３８−２】第３の実施形態による圧電素子基板に天板を接合する工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図３９−１】第３の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ａ）〜（Ｂ）を示す説明図である。
【図３９−２】第３の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ｃ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図３９−３】第３の実施形態による圧電素子基板に流路基板を接合する工程（Ｅ）を示す説明図である。
【図４０】（Ａ）は、第３の実施形態の変形例を示す隔離室、樹脂保護膜、連通領域等の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図４１】図４０（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４２】図４０（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４３】（Ａ）は、第３の実施形態の他の変形例を示す隔離室、樹脂保護膜、連通領域等の平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＤ−Ｄ断面図、（Ｄ）は（Ａ）のＥ−Ｅ断面図、（Ｅ）は（Ａ）のＦ−Ｆ断面図である。
【図４４】図４３（Ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図４５】図４３（Ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４６】第２、第３の実施形態の変形例を示す隔離室及び連通路を示す平面図である。
【図４７】図４６のＡ−Ａ断面図である。
【図４８】図４６の変形例を示す隔離室及び連通路を示す平面図である。
【図４９】図４８のＡ−Ａ断面図である。
【図５０】図４６の他の変形例を示す隔離室及び連通路を示す平面図である。
【図５１】図５０のＡ−Ａ断面図である。
【図５２】従来のインクジェット記録ヘッドの構造を示す概略断面図である。
【図５３】従来のインクジェット記録ヘッドの構造を示す概略平面図である。
【図５４】（Ａ）、（Ｂ）は、従来のインクジェット記録ヘッドの構造を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【０１７８】
１０    インクジェット記録装置（液滴吐出装置）
３０    インクジェット記録ユニット
３２    インクジェット記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）
４０    天板
４４    エアダンパー
４６    圧電素子
４８    振動板
５０    圧力室
７２    流路基板
８０    低透水性膜
１０２  樹脂基板（流路基板）
１１２  隔離室
１２２  樹脂プレート
１２４  隔離室
１２６  隔離室
２０４  連通領域（連通路）
２０６  連通路（第１連通路）
２０８  連通路（第２連通路）
２１０  溝部（連通路）
２２０  インクジェット記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）
２２２  連通路
２２４  連通領域（連通路）
２２６  連通路（第３連通路）
２２８  連通路（第４連通路）
２３０  連通路（第４連通路）
２３２  溝部（連通路、第４連通路）
２３３  インクジェット記録ヘッド
２３４  連通路
２３６  連通路（第３連通路）
２３８  連通路（第４連通路）
２４０  連通路（第４連通路）
２４２  連通路（第３連通路）
２４４  連通路（第４連通路）
２４６  連通路（第４連通路）
２４８  連通路（第４連通路）
２５０  連通路（第４連通路）
２５２  連通路（第４連通路）
２５４  連通路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９−１】
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【図９−２】
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【図９−３】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１１−１】
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【図１１−２】
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【図１２】
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【図１３−１】
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【図１３−２】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１−１】
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【図２１−２】
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【図２１−３】
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【図２２−１】
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【図２２−２】
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【図２３−１】
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【図２３−２】
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【図２４−１】
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【図２４−２】
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【図２４−３】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７−１】
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【図３７−２】
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【図３７−３】
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【図３８−１】
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【図３８−２】
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【図３９−１】
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【図３９−２】
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【図３９−３】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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