(57)【要約】【課題】真空処理特性、製品品質及び良品率の向上によるコスト低下を達成することができる電子写真感光体の製造方法を提供すること。【解決手段】電子写真感光体の製造方法として、堆積膜の形成に先立ち非成膜ガスに高周波電力を印加し、応容器内にプラズマを形成し、次いでプラズマを維持した状態で非成膜ガスから堆積膜形成用ガスに切り替える工程を有し、高周波電力は、少なくとも１つの高周波電極に対して同時に供給する高周波電力が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波を少なくとも２つ含み、該周波数範囲における電力値の上位２つの高周波をそれぞれ第１の高周波（周波数ｆ１、電力Ｐ１）と第２の高周波（周波数ｆ２、電力Ｐ２）としたときに、下記条件を満たす。      ｆ２＜ｆ１  …（Ａ）      ０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９  …（Ｂ）【選択図】図１
2006091102.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な反応容器内に円筒状基体を設置し、該円筒状基体上に珪素を母体とする非単結晶膜で形成される堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記堆積膜の形成に先立ち非成膜ガスに高周波電力を印加し、該反応容器内にプラズマを形成し、次いでプラズマを維持した状態で非成膜ガスから堆積膜形成用ガスに切り替える工程を有し、高周波電力は、少なくとも１つの高周波電極に対して同時に供給する高周波電力が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波を少なくとも２つ含み、該周波数範囲における電力値の上位２つの高周波をそれぞれ第１の高周波（周波数ｆ１、電力Ｐ１）と第２の高周波（周波数ｆ２、電力Ｐ２）としたときに、下記条件を満たし、
ｆ２＜ｆ１  …（Ａ）
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９  …（Ｂ）
更に、非成膜ガスから堆積膜形成用ガスの切り替えに際し、該反応容器内の内圧の最大変動率を設定内圧に対して±１５％以内に制御することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記反応容器が誘電体材料と導電性材料で構成され、該反応容器の外部に複数の高周波電極を有し、該反応容器に接続した排気手段により該反応容器内を大気雰囲気から真空状態に排気する工程を有することを特徴とする請求項１記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記高周波電力の印加電力を該加熱工程から堆積膜を形成するまで同一電力を連続して印加することを特徴とする請求項１又は２記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記高周波電力の印加電力を堆積膜の形成開始時よりも該加熱工程に印加する高周波電力が高いことを特徴とする請求項１又は２記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記非成膜ガスがＨｅ、Ｈ2 、Ｎ2 、Ａｒの何れかのガス又はこれらの内の２つ以上の混合ガスであることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基体上に堆積膜、取り分け機能性膜、特に電子写真感光体に用いられる堆積膜の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真用感光体、半導体デバイス、画像入力ラインセンサー、撮影デバイス、光起電力デバイス等を形成するための真空処理方法には、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、プラズマエッチング法等、高周波電力により生成されるプラズマを用いた堆積膜形成法が知られており、そのための装置も数多く実用化されている。
【０００３】
例えば、プラズマＣＶＤ法を用いた堆積膜形成方法、つまり、高周波電力のグロー放電により原料ガスのプラズマを生成し、その分解種を基板上に堆積させることによって堆積膜を形成する方法がある。この方法を用いた場合、例えば、原料ガスにシランガスを用いることで、アモルファスシリコン（以下、「ａ−Ｓｉ」と記す）薄膜の形成方法が知られており、その製造装置も各種提案されている。
【０００４】
このような堆積膜形成装置により高品質な堆積膜の形成が行われているが、更なる品質向上のためにプラズマ形成方法に関する改良が進められている。
【０００５】
例えば、加熱用ガスを用いたプラズマにより基体を加熱するとともに、プラズマを維持したまま堆積膜形成ガスに切り替えることにより基体上に堆積膜を形成する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。又、非成膜ガスにより被処理物を所定の温度までプラズマ加熱する加熱工程の後に、該加熱工程よりも周波数の高い高周波電力を所定の原料ガスに供給することにより被処理物に真空処理を施す方法が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
更に、複数の電極を設けたプラズマ処理装置で不活性ガスによりプラズマを発生させプラズマが安定した後に不活性ガスから所定の反応ガスに切り替える技術に関して開示されている（例えば、特許文献３参照）。又、不活性ガス導入後、選択した上昇速度以下でＲＦ電力をフルパワーまで印加し、実質的にフルパワーに至った後に反応物ガスに切り替える方法が開示されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−３３５９４２号公報
【特許文献２】特開２００１−３１４７５５号公報
【特許文献３】特開平８−１６５５８４号公報
【特許文献４】特開平９−２６０３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述した従来の真空処理方法、真空処理装置によれば、良好な堆積膜形成、即ち真空処理を行うことができる。しかしながら、真空処理を用いる製品の品質に対する市場の要求レベルは日々高まっており、この要求に応えるべく、より高品質の製品が生産可能な真空処理方法、真空処理装置が求められるようになっている。
【０００９】
例えば、プラズマＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ装置を用いた電子写真用感光体作製の場合、電子写真装置のコピースピード向上、装置の小型化及び低価格化等に対する市場の要求は非常に高く、それらの要求を実現するためには、感光体特性（具体的には、帯電能、感度等）の向上、或は生産時の良品率向上が不可欠なものとなっている。
【００１０】
又、近年、その普及が目覚しいデジタル電子写真装置やカラー電子写真装置においては、文字原稿のみならず、写真、絵、デザイン画等のコピーも頻繁になされるため、感光体の光メモリー低減も従来以上に強く求められるようになっている。このような感光体特性の向上を目指し、電子写真用感光体の形成条件や積層構成の最適化もなされているが、同時に、電子写真用感光体を形成する装置及び方法の改善も強く求められている。
【００１１】
このような状況下において、真空処理方法、真空処理装置においても、未だ改善の余地が残されているのが現状である。例えば、これまでの真空処理方法や真空処理装置の改善は、堆積膜形成工程を中心に進められており、この堆積膜形成工程に先立ってなされる基体加熱等の前工程や、堆積膜形成工程の後になされる基体冷却等の後工程、或はそれらの工程を総合的に捉えた真空処理工程については、依然として改善すべき点が多く残されている。
【００１２】
例えば、堆積膜形成工程に先立ってなされる非成膜ガス（以後、基体加熱用ガスと記す）を用いた基体加熱工程に関しては、単に基体を所定の温度に昇温すれば良いという考え方が一般的であった。このため、基体加熱工程における改善は、温度制御の高精度化、昇温時間の短縮化、装置の低コスト化を如何に図るか、といった観点からなされたものが多く、処理特性向上という観点からの基体加熱方法や基体加熱機構の改善、更にはそれら基体加熱方法、基体加熱機構と堆積膜形成工程との適合性の改善については未だ多くの改善点が残されている。
【００１３】
更に、堆積膜形成工程においてプラズマ放電の初期の放電状態により反応容器内部のプラズマに接する部位に堆積する堆積膜の密着性が左右されるため、電子写真感光体を作製した場合、画像上に白点或いは黒点等の画像欠陥を引き起こす球状突起等の構造欠陥が発生してしまうため、前記プラズマ放電の初期放電状態を制御して堆積膜の密着性を改善する手段が求められている。
【００１４】
このような構造欠陥は、堆積膜形成前から被処理物上に付着したダスト等の異物を起源として成長したものの他、堆積膜形成途中に装置内に形成された堆積膜が、膜中の内部応力により微小な膜剥れが発生し、放電空間内に膜片となって拡散、その一部が基体上に付着したものが起源として成長したものが存在する。そのため、成膜前の基体は厳密に洗浄され、クリーンルーム等のダスト管理された環境で反応容器内に運搬することにより、基体にダストが付着することを極力避けるようにしてきた。又、反応容器内に形成された堆積膜が剥れるのを防止するために、反応容器内壁や反応容器内の構成部品等の表面に対して、粗面化する処理や、表面エネルギーの大きいセラミック材で被覆する処理等を施してきた。しかし、部材の粗面化処理は広範囲を均一に粗面化することが難しいため、部分的な膜剥れが発生する場合があった。
【００１５】
本発明の目的は、上記課題を解決し、堆積膜形成工程のみならず、その前後の工程をも含めた総合的見地から改善を図り、真空処理特性、製品品質及び良品率の向上によるコスト低下を達成することができる電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明は、減圧可能な反応容器内に円筒状基体を設置し、該円筒状基体上に珪素を母体とする非単結晶膜で形成される堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記堆積膜の形成に先立ち非成膜ガスに高周波電力を印加し、該反応容器内にプラズマを形成し、次いでプラズマを維持した状態で非成膜ガスから堆積膜形成用ガスに切り替える工程を有し、高周波電力は、少なくとも１つの高周波電極に対して同時に供給する高周波電力が１０ＭＨｚ以上２５０ＭＨｚ以下の高周波を少なくとも２つ含み、該周波数範囲における電力値の上位２つの高周波をそれぞれ第１の高周波（周波数ｆ１、電力Ｐ１）と第２の高周波（周波数ｆ２、電力Ｐ２）としたときに、下記条件を満たし、
ｆ２＜ｆ１  …（Ａ）
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９  …（Ｂ）
更に、非成膜ガスから堆積膜形成用ガスの切り替えに際し、該反応容器内の内圧の最大変動率を設定内圧に対して±１５％以内に制御することを特徴とする。
【００１７】
本発明者等は前記目的を達成すべく鋭意検討を行った結果、電子写真感光体の作製過程において、基体上に堆積膜を形成するプラズマ放電初期状態に関して複数の異なる周波数を同時に印加した場合、所定の電力を供給するまでの時間帯において異なる周波数の高周波電力のバランスが不安定となり、プラズマ自体も不安定となることが判明した。
【００１８】
このような状態で形成された反応容器内のプラズマに接する部位に堆積する堆積膜は粗膜となり、密着性が悪く微小な剥れが発生し易い膜となる。
【００１９】
上記堆積膜形成初期での放電安定性に関して検討を進めた結果、堆積膜形成初期の放電状況、具体的には、堆積膜形成を開始する際の放電状態を一定にする制御方法として、予めプラズマを生起しておき、そのプラズマを維持したまま、堆積膜形成用原料ガスの供給を開始し、堆積膜形成を始めることで、堆積膜形成初期の放電状態を一定とすることが可能となることが判明した。
【００２０】
具体的には、堆積膜形成前に、基体加熱用ガスを供給しつつ、高周波電力を導入し、プラズマを生起する。次いで、高周波電力を導入したまま、基体加熱用ガスと堆積膜形成用原料ガスを入れ替えることで、一旦生起したプラズマを一定に維持したまま、堆積膜形成を開始することができることを見出した。
【００２１】
又、前記基体加熱用ガスと堆積膜形成用原料ガスの入れ替えの間、反応容器内部の圧力を設定内圧に対しる最大変動率を±１５％以内に制御することでプラズマ状態のばらつきは、実質的に無くすることができることを見出した。
【００２２】
更に、高周波電力の導入方法に関して、基体加熱工程から堆積膜形成工程間での印加電力を一定に保つことが放電の安定性に効果が見られることが判明した。又、プラズマの安定性は高周波電力の印加電力が高いほど安定であるため、基体加熱工程の高周波電力の印加電力を堆積膜形成時の高周波印加電力よりも高く設定し、プラズマ生起してプラズマを維持したまま堆積膜形成まで印加電力を減衰させることにより放電の安定性も更に向上することが判明した。
【００２３】
実際に、この手順に従って堆積膜形成を開始すると、球状突起の発生頻度が低減し、又、その再現性も大幅に向上されることを確認した。
【００２４】
更に、電子写真感光体の特性面においては、堆積膜形成工程に先立ってなされる基体加熱工程において、プラズマを生起することで、反応容器壁面及び反応容器内部の部材表面の吸着水分等の真空処理時に不純物として混入し得る物質（不純物源）がプラズマに曝され、プラズマのイオン衝撃により部材壁面から空間中に吐き出され、排気手段により反応容器外に排気されるため電子写真感光体に対する不純物混入量を低減し特性向上が可能となった。
【００２５】
イオン衝撃による不純物減の除去効果は高周波電力の印加電力が高いほど効果的であることから、高周波電力は堆積膜形成工程の印加電力よりも基体加熱工程の印加電力を高く設定することがより効果的である。この場合、基体加熱工程から堆積膜形成工程に移行するガス入れ替え工程では高周波電力の印加電力を連続して直線的に変化させても良く、段階的に変化させても良いが、プラズマの安定性を損なわない範囲で変化させることが必要である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、堆積膜形成工程のみならず、その前後の工程をも含めた総合的見地から改善を図り、真空処理特性、製品品質及び良品率の向上によるコスト低下を達成することができる電子写真感光体の製造方法を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２８】
図１（ａ），（ｂ）は本発明の電子写真感光体の製造方法における基体加熱工程から堆積膜形成工程に移行するガス入れ替え工程での基体加熱用ガス、堆積膜形成原料ガス、内圧、高周波電力の変化パターンを示す模式図である。
【００２９】
次に、本発明の実施の形態を図２に示す。図２は本発明を用いたアモルファスシリコン感光体製造装置の一例を示した概略図であり、図２（ａ）は概略断面図、図２（ｂ）は図２（ａ）の切断線Ａ−Ａ’に沿う概略断面図である。
【００３０】
図２の装置は導電性材料から成る底面２１６及び蓋２１５で減圧可能に構成された誘電体材料から成る円筒形の反応容器２０２の底面２１６には排気口２０７が設けられ、排気口２０７は排気管２１７に接続され、該排気管２１７の他端は不図示の排気装置に接続されている。反応容器２０２の中心部に、堆積膜の形成される１本の円筒状基体２０１が基体支持体２０６に載置された状態で配置されている。
【００３１】
異なる周波数の高周波電源２０８，２０９から高周波電力をマッチングボックス２０５を介した後、高周波電極２０４より反応容器２０２内に高周波電力を供給する構成となっている。
【００３２】
使用される高周波マッチングボックス２０５は、高周波電源２０８，２０９と負荷の整合を取ることができるものであれば如何なる構成のものであっても好適に使用できる。又、整合を取る方法としては、自動的に調整されるものが感光体製造時の煩雑さを避けるために好適であるが、手動で調整されるものであっても本発明の効果に影響はない。
【００３３】
又、高周波マッチングボックス２０５が配置される位置に関しては整合が取れる範囲において、どこに設置しても何ら問題はないが、高周波マッチングボックス２０５から高周波電極２０４間の配線のインダクタンスを出来るだけ小さくするような配置とした方が広い負荷条件で整合を取ることが可能になるため望ましい。
【００３４】
電力分岐板２１３は、実質的に電磁波を閉じ込めるシールド２１４内にシールド２１４とは電気的に絶縁された状態で設置されている。即ち、絶縁体を介して、反応装置に固定されている構成となっている。更に、放電初期の真空処理安定性を向上するために、電力分岐板２１３と高周波電極２０４の接続にはコンデンサーを介して接続しても良い。
【００３５】
高周波電極２０４から放出される高周波電力を反応容器２０２に効率良く導入するために、円筒形の反応容器２０２の側壁には誘電体であるセラミックスが用いられている。具体的なセラミックス材料としては、アルミナ、二酸化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ジルコン、コージェライト、ジルコン−コージェライト、酸化珪素、酸化ベリリウムマイカ系セラミックス等が挙げられる。これらのうち、真空処理時の不純物混入抑制、耐熱性等の点からアルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素が好ましい。
【００３６】
高周波電源２０８，２０９は、各々の発振周波数の関係が、例えば高周波電源２０８が第１の高周波（周波数ｆ１、電力値Ｐ１）を供給する第１の高周波電源２０９が第２の高周波（周波数ｆ２、電力値Ｐ２）を供給する第２の高周波電源とした場合、
５０ＭＨｚ≦ｆ２＜ｆ１≦２５０ＭＨｚ
０．１≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．９
とすることで、堆積速度、特性、ムラ抑制の観点からバランスが最も好ましく、好適である。大面積で均一な膜堆積を高速に行うためには、上述したような範囲の２つの高周波を重畳する技術を使用することが最も好ましい。
【００３７】
又、第１の高周波電源にはｆ１よりも低く、ｆ２よりも高いカットオフ周波数特性を持つハイパスフィルターを設けても良い。又、同様に第２の高周波電源にはｆ２よりも高く、ｆ１よりも低いカットオフ周波数特性を持つローパスフィルターを設けても良い。それらの周波数選択性は高い方が、それぞれの高周波電源に回り込む他方の電力が小さくでき、より好ましい。
【００３８】
又、前記電力の範囲が、
０．２≦Ｐ２／（Ｐ１＋Ｐ２）≦０．７
の場合がより好ましく、更に電力比の上限がｆ２／ｆ１に設定することで、放電の安定性の点で最も好ましい。
【００３９】
又、前記周波数の範囲が、
０．５＜ｆ２／ｆ１≦０．９
の範囲に設定するのが、より高い定在波抑制効果を得られるのでより好ましい。
【００４０】
更に、図２に示した装置の量産型の装置を図３に示す。図３（ａ）は高周波電極を反応容器外に設置し、反応容器内に複数の円筒形基体３０１を設置する構成とした電子写真感光体の量産型製造装置、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【００４１】
図３に示す反応装置は、反応容器３０２内に６本の円筒状基体３０１が同一円周上に等間隔に設置される構成となっている。又、ガスを導入するガス導入管３０３が円筒状基体の配置円外の同一円周上等間隔に６本設置されている。
【００４２】
尚、図３に示す反応容器３０２の中心部に設けた、排気口３０７を同一円周上等間隔に取り囲むように円筒状基体３０１を複数本配置したこと以外は図２に示したと同様の構成である。
【００４３】
図４は本発明により作製される電子写真感光体の層構成を説明するための模式的構成図である。
【００４４】
図４（ａ）は基体４０１の上に電荷注入阻止層４０４、光導電層４０２、表面層４０３が順に積層された電子写真感光体である。光導電層４０２は、少なくとも水素を含むａ−Ｓｉから成り、表面層４０３は電子写真装置における顕像保持能力を有する。
【００４５】
図４（ｂ）は本発明による機能分離型の電子写真感光体を説明する模式図であり、基体４０１の上に光導電層４０２、表面層４０３が順に積層された電子写真感光体である。光導電層４０２は、水素を含むａ−Ｓｉから成り、電荷輸送層４０５及び電荷発生層４０６に機能分離されている。ここで、電荷輸送層４０５と電荷発生層４０６の位置関係は如何なるものであっても良く、機能分離を組成変化により行う場合には、その組成変化が連続的であっても良い。
【００４６】
次に、図２及び図３に示す装置を用いた場合の堆積膜形成の概略を図２の装置を例に、以下に説明する。
【００４７】
大気開放したセラミック材料から成る反応容器２０２内にアルミニウム材料から成る円筒状基体２０１を設置し、不図示の排気装置（例えば、真空ポンプ）により、排気口２０７を介して大気を排気管２１７へ、排気が行われ反応容器２０２内を排気する。続いて、ガス導入管２０３から実質的に非成膜性の加熱用ガスを反応容器２０２に供給する。このときの反応容器２０２内部の圧力は排気配管２１７に設けられた圧力調整バルブ２１８により排気配管２１７の開口度を調整することにより行う。
【００４８】
反応容器２０２内に供給される基体加熱用ガスの流量が所定の流量となり、且つ、反応容器２０２内の圧力が所定の値で安定した状態になったところでヒーター（不図示）により円筒状基体２０１を２００℃〜３００℃程度の所定の温度に加熱し、円筒状基体２０１が所定の温度で安定したのを確認した後、高周波電源２０８，２０９からマッチングボックス２０５を介して高周波電極２０４へ供給する。これにより、反応容器２０２内に高周波電力が導入され、反応容器２０２内にプラズマが生起され、このプラズマのエネルギーにより反応容器２０２内のプラズマに接する部材や反応容器２０２の壁面からイオン衝撃により不純物質が叩き出され排気される。
【００４９】
上記加熱工程での反応容器２０２内の圧力、高周波電力、ガスの種類等の条件は、基板加熱温度及び加熱時間等に応じて適宜選択すればい良い。但し、高周波電力は円筒状基体２０１表面にダメージを与えない範囲で選択する必要がある。又、反応容器２０２内の圧力は、真空処理中における、プラズマに曝されない部分からの不純物の混入を抑制する、という観点から、可能な限り高い圧力とすることが好ましいが、一般的に圧力を高くするに伴ってプラズマ均一性が低下することから、基体の温度が不均一にならないように条件設定の際に注意する必要がある。ガスの種類に関しては、取り扱いの容易さ、コスト、円筒状基体２０１へのダメージ等を考慮すると、Ｈ2 、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎ2 等のガスを用いることが望ましく、その場合、２つ以上の混合ガスを用いても良い。特に、これらのガスのうち、Ｈ２
、Ｈｅは熱伝導性に優れているため、真空処理中のプラズマに曝されない部分からの不純物の混入を抑制する、という観点からこれらのガスを用いることが特に望ましい。
【００５０】
次に、加熱工程が所定の時間に達した時点で、図１（ａ）に示した様にプラズマを維持したまま連続的に加熱用ガスから堆積膜形成用原料ガスにガスの入れ替えを行う。このとき、内圧及び高周波電力は、図１（ｂ）に示すように、変動が少なくなるように保つことでプラズマ状態は安定したまま堆積膜形成工程に移行できる。
【００５１】
ガス入れ替え工程においては、圧力調整バルブ２１８により排気配管２１７の開口度を調整し、反応容器２０２内の圧力変動を少なく保てば良い。内圧変動を少なく保つ方法としては、例えば内圧モニター手段を設け圧力調整バルブ２１８と連動させガス入れ替えによるガス流量変化に応じて連続的又は段階的に排気配管２１７の開口度を調整する方法や、ガス入れ替え工程の一定時間毎に内圧が一定になるガス流量に対する排気配管２１７の開口度を予め設定し、段階的に排気配管２１７の開口度を調整する方法等があるが、内圧は設定内圧に対する最大変動率を±１５％以内に制御することが放電安定性を維持するために重要である。
【００５２】
このようにしてガスの入れ替えを終え、加熱工程で生起したプラズマを安定した状態で堆積膜形成工程に移行し、原料ガスを励起解離して円筒状基体２０１上に電荷注入阻止層及び／又は光導電層が所望の膜厚まで形成された後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止する。
【００５３】
次に、表面層を以下の手順で形成する。
【００５４】
反応容器２０２内を真空に引き上げ、表面層に必要な原料ガスを反応容器２０２内に導入する。原料ガスの流量が設定流量となり、又、反応容器２０２内の圧力が安定したのを確認した後、高周波電力を高周波電源２０８，２０９よりマッチングボックス２０５を介して高周波電極２０４へ供給する。
【００５５】
これにより、反応容器２０２内に高周波電力が導入され、反応容器２０２内にプラズマが生起し、原料ガスを励起解離して表面層が所望の膜厚まで形成された後、高周波電力の供給を止め、続いて原料ガスの供給を停止する。
【００５６】
堆積膜の形成中、回転軸２１０を介して円筒状基体２０１をモーター２１１により所定の速度で回転させることにより、円筒状基体２０１表面全周に亘って堆積膜が形成される。
【実施例１】
【００５７】
図２に示す構成の装置を用い、発振周波数が１０５ＭＨｚ（ｆ１）と６０ＭＨｚ（ｆ２）の２種類の周波数を重畳した高周波電力を電極２０４に供給し、直径φ８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表１に示す条件及び図１（ａ），（ｂ）のパターンで電子写真感光体を作製した。本実施例では、ガス入れ替え時の設定内圧１．３Ｐａに対し最大変動率が±１０％、±１２．５％、±１５％に制御した３本の電子写真感光体を作製した。
【００５８】
作製した５本の電子写真感光体を電子写真装置（評価用に改造したキヤノン製ｉＲ５０００）にセットして電位特性の評価を行った。その際、プロセススピード２６５ｍｍ／ｓｅｃ、前露光量（波長６６０ｎｍのＬＥＤ）４ｌｕｘ・ｓｅｃの条件で感度、残電を以下の方法で測定し更に電子写真感光体表面の球状突起数を顕微鏡を用いて以下の方法で測定した。
（感度評価）
感度の測定は、主帯電器の電流値１０００μＡの条件にて電子写真装置の現像器位置にセットした表面電位計（ＴＲＥＫ社のＭｏｄｅｌ  ３４４）の電位センサーにより像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射しない状態での感光体の表面電位を測定し、電子写真感光体の表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように主帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が５０Ｖ（明電位）となるようにし、そのときの露光量を感度とした。測定場所は電子写真感光体の長手方向の中心から、奥側１３０ｍｍ、奥側９０ｍｍ、中心、手前側９０ｍｍ、手前側１３０ｍｍの５箇所で測定した感度の平均値を求め、電子写真感光体の感度とした。
【００５９】
結果は比較例１と共に表３に示す。感度の評価は、比較例1 の感度を１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど感度が良好であることを示す。
（残留電位評価）
残留電位（残電）の測定は、電子写真感光体の表面電位が４００Ｖ（暗電位）になるように主帯電器の電流値を調整した後、像露光（波長６５５ｎｍの半導体レーザー）を１．５ｌｕｘ・ｓｅｃの光量で照射した時の電子写真感光体の表面電位を残電とした。測定場所は電子写真感光体の長手方向の中心から、奥側１３０ｍｍ、奥側９０ｍｍ、中心、手前側９０ｍｍ、手前側１３０ｍｍの５箇所で測定した残電の平均値を求め、電子写真感光体の残電とした。
【００６０】
結果は比較例１と共に表３に示す。残電の評価は、比較例１の残電を１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど残電が少なく良好であることを示す。
（球状突起数評価）
作製した電子写真感光体の表面を顕微鏡で観察した。周方向に９０度間隔で４方向を任意に選び、軸方向に２ｃｍ間隔で１７点、周方向４列の計６８点を選び、５０倍の視野にて直径がφ１０μｍ以上の球状突起の数をカウントし球状突起数の値とした。
【００６１】
結果は比較例１と共に表３に示す。球状突起の評価は、比較例１の球状突起数を１００とした相対比較である。従って、数値が小さいほど球状突起が少なく、良好であることを示す。
【００６２】
【表１】
2006091102.tif 000003
＜比較例１＞
図２に示す構成の装置を用い、発振周波数が１０５ＭＨｚ（ｆ１）と６０ＭＨｚ（ｆ２）の２種類の周波数を重畳した高周波電力を電極２０４に供給し、直径φ８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表２に示す条件で電子写真感光体を作製した。本比較例では、加熱工程では高周波電力は印加せずガス入れ替えを終えた後に高周波電力を印加した。
【００６３】
作製した電子写真感光体に対し感度、残留電位、球状突起数を実施例１と同様の方法で評価した。
【００６４】
実施例１及び比較例１の評価結果を表３に示す。
【００６５】
【表２】
2006091102.tif 000004
＜比較例２＞
実施例１において、ガス入れ替え時の設定内圧１．３Ｐａに対し最大変動率が±１７．５％、±２０％に制御した以外は実施例１と同様にして２本の電子写真感光体を作製した。
【００６６】
作製した電子写真感光体に対し感度、残留電位、球状突起数を実施例１と同様の方法で評価した。
【００６７】
実施例１、比較例１及び比較例２の評価結果を表３に示す。
【００６８】
【表３】
2006091102.tif 000005
以上の結果から、加熱工程でプラズマを生起することにより電子写真感光体の特性向上の効果が得られ、更に堆積膜形成工程に移行するガス入れ替え工程の内圧変動を少なくなるように制御することによりプラズマを安定して維持することが可能となり、堆積膜の密着性が向上し欠陥の少ない電子写真感光体が得られることが判明した。又、内圧変動に関しては設定内圧値に対する最大変化率を±１５％以内にすることが最も好ましいことも判明した。
【実施例２】
【００６９】
図２に示す構成の装置を用い、発振周波数が１０５ＭＨｚ（ｆ１）と６０ＭＨｚ（ｆ２）の２種類の周波数を重畳した高周波電力を電極２０４に供給し、直径φ８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表４に示す条件及び図１（ａ），（ｃ）のパターンとしで電子写真感光体を作製した。本実施例では、ガス入れ替え時の設定内圧２．６Ｐａに対し最大変動率が±１５％の範囲で制御した。
【００７０】
作製した電子写真感光体を実施例１と同様の方法で感度、残電及び球状突起数の評価を行った。その結果を表５に示す。
【００７１】
【表４】
2006091102.tif 000006
【００７２】
【表５】
2006091102.tif 000007
以上の結果から高周波電力の印加電圧は加熱工程の印加電力を成膜工程の印加電力よりも高く設定することにより不純物源の除去がより効果的に促進され、電位特性の優れた電子写真感光体が得られることが判明した。
【実施例３】
【００７３】
図３に示す構成の装置を用い、発振周波数が１０５ＭＨｚ（ｆ１）と６０ＭＨｚ（ｆ２）の２種類の周波数を重畳した高周波電力を電極３０４に供給し、直径φ８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍのＡ〜Ｆ６本の円筒状アルミニウムシリンダー上に、表６に示す条件及び図１（ａ），（ｂ）のパターンで電子写真感光体を作製した。本実施例では、ガス入れ替え時の設定内圧１．３Ｐａに対し最大変動率を±１５％以内に制御して６本の電子写真感光体Ａ〜Ｆを同時に作製した。
【００７４】
作製した６本の電子写真感光体Ａ〜Ｆに対し実施例１と同様の方法で感度、残留電位、球状突起数の評価により電子写真感光体６本間のバラツキの評価を行った。
【００７５】
実施例３の評価結果を表７に示す。
【００７６】
【表６】
2006091102.tif 000008
【００７７】
【表７】
2006091102.tif 000009
以上の結果から、量産型の装置構成及び機能分離型の層構成においてもロット内バラツキの無い電子写真感光体を安定して量産することが可能であることが判明した。
【実施例４】
【００７８】
図２に示す構成の装置を用い、発振周波数が１０５ＭＨｚ（ｆ１）と６０ＭＨｚ（ｆ２）の２種類の周波数を重畳した高周波電力を電極２０４に供給し、直径φ８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍの円筒状アルミニウムシリンダー上に、表２に示す条件及び図１（ａ），（ｂ）に示すパターンの加熱工程に用いる加熱用ガスはＨｅ、Ｈ2 、Ｎ2 、Ａｒそれぞれのガスを用いた４本の電子写真感光体を作製した。本実施例では、ガス入れ替え時の設定内圧2.6 Ｐａに対し最大変動率が±15％の範囲で制御した。
【００７９】
作製した４本の電子写真感光体を実施例１と同様の方法で感度、残電及び球状突起数の評価を行った。その結果を表８に示す。
【００８０】
【表８】
2006091102.tif 000010
以上の結果から、プラズマ加熱に用いる加熱用ガスはＨｅ、Ｈ2 、Ｎ2 、Ａｒ何れでも良いが、特にＨｅ、Ｈ２
ガスを加熱工程に用いることが好ましいことが判明した。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の電子写真感光体の製造方法を模式的に示す図である。
【図２】本発明に係るＰＣＶＤ法を適用可能な製造装置の概略断面図である。
【図３】本発明係るＰＣＶＤ法を適用可能な量産型製造装置の概略断面図である。
【図４】本発明に係る電子写真感光体の一例を示す層構成の概略断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
２００，３００  真空処理装置
２０１，３０１  円筒状基体
２０２，３０２  反応容器
２０３，３０３  ガス導入管
２０４，３０４  高周波電極
２０５，３０５  マッチングボックス
２０６，３０６  基体支持体
２０７，３０７  排気口
２０８，３０８  第１の高周波電源
２０９，３０９  第２の高周波電源
２１０，３１０  回転軸
２１１，３１１  モーター
２１２，３１２  ギア
２１３，３１３  電力分岐部
２１４，３１４  シールド
２１５，３１５  蓋
２１６，２１６  底面
２１７，３１７  排気配管
２１８，３１８  圧力調整バルブ
４０１      基体
４０２      光導電層
４０３      表面層
４０４      電荷注入阻止層
４０５      電荷輸送層
４０６      電荷発生層
【図１】
2006091102.tif 000011
【図２】
2006091102.tif 000012
【図３】
2006091102.tif 000013
【図４】
2006091102.tif 000014