(57)【要約】【課題】この発明は傾斜して搬送される基板を所定の温度に加熱された剥離液に均一に加熱して処理できるようにした基板の処理装置を提供することにある。【解決手段】搬送される基板の表面を所定温度に加熱された処理液によって処理する基板の処理装置であって、  基板を表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する搬送手段１と、搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向上側となる表面に処理液を供給する表面用ノズル１４と、搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向下側となる裏面に上記処理液を供給する分岐管１６とを具備する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される基板の表面を所定温度に加熱された処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に上記処理液を供給する第１の給液手段と、
上記搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向下側となる裏面の上部に上記処理液を供給する第２の給液手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
【請求項２】
上記搬送手段によって搬送される基板の裏面側には、上記第２の給液手段によって基板の裏面の上部に供給された処理液を基板の裏面に沿って流れるようガイドするガイド部材が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項３】
上記ガイド部材には、上記基板の裏面に沿って流れる処理液に抵抗を与える抵抗部材が設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板の処理装置。
【請求項４】
上記第１の給液手段は、上記基板の上下方向に沿って所定間隔で配置された複数のノズル体であって、各ノズル体から上記基板の表面に供給される処理液の供給量は流量制御弁によって制御されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項５】
上記第１の給液手段と上記第２の給液手段には同じ処理液が供給されることを特徴とする請求項１記載の基板の処理装置。
【請求項６】
搬送される基板の表面を所定温度に加熱された処理液によって処理する基板の処理方法であって、
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する工程と、
搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と、
搬送される基板の傾斜方向下側となる裏面の上部に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
【請求項７】
上記基板の裏面の上部に供給された処理液を、この基板の裏面に沿って流れるようガイドする工程を有することを特徴とする請求項６記載の基板の処理方法。
【請求項８】
上記基板の裏面に沿って流れる処理液を、抵抗部材により流れ速度を低下させて流す工程を有することを特徴とする請求項７記載の基板の処理方法。
【請求項９】
上記基板の表面と裏面とに同じ処理液を流すことを特徴とする請求項７記載の基板の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板の表面を所定の温度で加熱された処理液によって処理する基板の処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられるガラス製の基板には回路パターンが形成される。基板に回路パターンを形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成されたマスクを介して光を照射する。
【０００３】
つぎに、レジストの光が照射されない部分或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが除去された部分をエッチングし、エッチング後にレジストを除去するなどの一連の工程を複数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成する。
【０００４】
このようなリソグラフィープロセスにおいては、上記基板に現像液、エッチング液或いはエッチング後にレジストを除去する剥離液などによって基板を処理する工程、さらに洗浄液によって洗浄する工程があり、洗浄後には基板に付着残留した洗浄液を除去する乾燥工程が必要となる。
【０００５】
従来、基板に対して上述した一連の処理を行う場合、上記基板は軸線を水平にして配置された搬送ローラによって水平な状態でそれぞれの処理チャンバに順次搬送し、各チャンバで上述したそれぞれの処理を行うようにしている。
【０００６】
ところで、最近では液晶表示装置に用いられるガラス製の基板が大型化及び薄型化する傾向にある。そのため、基板を水平搬送すると、搬送ローラ間における基板の撓みが大きくなるため、各処理チャンバでの処理が基板の板面全体にわたって均一に行えなくなるということが生じる。
【０００７】
しかも、基板が大型化すると、その基板を搬送する搬送ローラが設けられた搬送軸が長尺化するとともに、基板上に供給される処理液が増大し、基板上の処理液の量に応じて上記搬送軸に加わる荷重が大きくなるから、搬送軸の撓みが増大する。そのため、基板は単に自重によって撓むだけでなく、搬送軸とともに撓むから、そのことによっても均一な処理が行えなくなるということがある。  
そこで、最近では基板の撓みを少なくするために、基板を所定の角度で傾斜させて搬送しながら、処理するということが実用化されつつある。
【０００８】
ところで、基板を処理液としての剥離液で処理する場合、レジストの剥離効果を高めるために、剥離液を７０〜８０度に加熱して供給するということが行われている。基板を水平に搬送する場合には、基板の回路パターンが形成される表面（上面）に供給された剥離液はその表面に滞留するため、基板の温度が剥離液の温度とほぼ同じ温度に維持される。それによって、レジストの剥離を効率よく行うことが可能となる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述したように基板を所定の角度で傾斜させて搬送する場合、傾斜方向の上側となる表面に所定温度に加熱された剥離液を供給しても、その剥離液は基板の表面の上端から下端に沿って速い速度で流れ落ちてしまう。しかも、基板のたわみを少なくするために、傾斜角度を大きくすればする程、剥離液は基板の表面から短時間で流れ落ちてしまう。
【００１０】
このように、剥離液が基板の表面から早い速度で流れ落ちてしまうと、基板は剥離液によって温度上昇し難くなる。そのため、剥離液によるレジストの除去を効率よく確実に行うことができないということが生じる。
【００１１】
そこで、基板の表面の上下方向に沿って複数のノズル体を所定間隔で配置し、各ノズル体から処理液を供給することで、基板を上下方向に沿って温度上昇させることができるようにすることが考えられている。
【００１２】
しかしながら、基板の表面に上下方向に沿って配置された複数のノズル体から処理液を供給すると、各ノズル体から供給された処理液は基板の表面の下部に行くにつれて流量が多くなる。そのため、基板は上部よりも下部の方が温度上昇し、上下方向が均一な温度で加熱されなくなるから、その温度差に応じて処理液による処理も不均一になるということがあった。
【００１３】
この発明は、基板を傾斜させて搬送する場合に、この基板を処理液によって上下方向に温度差が生じることなく均一に加熱して処理することができるようにした基板の処理装置及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明は、搬送される基板の表面を所定温度に加熱された処理液によって処理する基板の処理装置であって、
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する搬送手段と、
この搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に上記処理液を供給する第１の給液手段と、
上記搬送手段によって搬送される基板の傾斜方向下側となる裏面の上部に上記処理液を供給する第２の給液手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置にある。
【００１５】
上記搬送手段によって搬送される基板の裏面側には、上記第２の給液手段によって基板の裏面の上部に供給された処理液を基板の裏面に沿って流れるようガイドするガイド部材が設けられていることが好ましい。
【００１６】
上記ガイド部材には、上記基板の裏面に沿って流れる処理液に抵抗を与える抵抗部材が設けられていることが好ましい。
【００１７】
上記第１の給液手段は、上記基板の上下方向に沿って所定間隔で配置された複数のノズル体であって、各ノズル体から上記基板の表面に供給される処理液の供給量は流量制御弁によって制御されることが好ましい。
【００１８】
上記第１の給液手段と上記第２の給液手段には同じ処理液が供給されることが好ましい。
【００１９】
この発明は、搬送される基板の表面を所定温度に加熱された処理液によって処理する基板の処理方法であって、
上記基板を上記表面が傾斜方向上側となるよう所定の角度で傾斜させて搬送する工程と、
搬送される基板の傾斜方向上側となる上記表面に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と、
搬送される基板の傾斜方向下側となる裏面の上部に所定温度に加熱された処理液を供給する工程と
を具備したことを特徴とする基板の処理方法にある。
【００２０】
上記基板の裏面の上部に供給された処理液を、この基板の裏面に沿って流れるようガイドする工程を有することが好ましい。
【００２１】
上記基板の裏面に沿って流れる処理液を、抵抗部材により流れ速度を低下させて流す工程を有することが好ましい。
【００２２】
上記基板の表面と裏面とに同じ処理液を流すことが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、基板の表面だけでなく、裏面の上部にも処理液を供給するようにしたから、基板の表面を流れる処理液の流量が上部よりも下部の方が多くなっても、裏面の上部に供給された処理液によって、基板を上下方向にほぼ均一な温度に加熱することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、この発明の実施の形態を図面を参照して説明する。  
図１乃至図３はこの発明の第１の実施の形態を示し、図１は搬送手段１によって所定の角度、たとえば７５度の角度で傾斜して搬送される基板Ｗを示す斜視図である。上記搬送手段１は軸線を水平面に対して１５度の角度で傾斜させて配置された複数の駆動ローラ２を有する。駆動ローラ２は、図２に示すように駆動源３によって回転駆動される第１の取り付け軸４に取り付けられている。
【００２５】
上記基板Ｗの傾斜方向下側となる裏面側には、軸線を搬送される基板Ｗと平行、つまり７５度の角度で傾斜させて配置された複数の第２の取り付け軸５が基板Ｗの搬送方向に沿って所定間隔で、しかも上下端部をそれぞれ軸受６によって回転可能に支持されて設けられている。各第２の取り付け軸５にはそれぞれ軸方向に所定間隔で複数、この実施の形態では３つの支持ローラ７が上記第２の取り付け軸５に対して回転可能に設けられている。
【００２６】
上記基板Ｗは下端が上記駆動ローラ２の外周面に支持され、裏面が上記支持ローラ４によって支持される。つまり、基板Ｗは回路パターンが形成された表面を傾斜方向の上側にして所定の傾斜角度で傾斜して支持される。そして、上記駆動ローラ２を駆動源３によって回転駆動すれば、上記基板Ｗは支持ローラ７に支持されながら図１に矢印で示す駆動ローラ２の回転方向に搬送駆動されるようになっている。
【００２７】
上記搬送手段１によって搬送される基板Ｗの搬送路には、この基板Ｗの傾斜方向下側である裏面側に、一側面を基板Ｗの裏面と数ｍｍ、たとえば５ｍｍの間隔で平行に対向させて板状のガイド部材１１が設けられている。
【００２８】
上記ガイド部材１１は、耐薬品性を備えているとともに熱伝導率の低い（保温性の高い材料）材料、たとえば合成樹脂などによって上記基板Ｗよりも大きな矩形板状に形成されている。
【００２９】
上記ガイド部材１１には、図２と図３に示すように上記支持ローラ７と対応する箇所に、支持ローラ７が径方向の一部をガイド部材１１の裏面から基板Ｗ側に突出させる開口部１２が形成されている。それによって、基板Ｗは、ガイド部材１１の開口部１２から一部を突出させた支持ローラ７によって裏面が走行可能に支持される。
【００３０】
上記ガイド部材１１の上記基板Ｗの裏面と対向する一側面には、断面形状が台形状の複数の抵抗部材１３がガイド部材１１の上下方向に所定間隔で平行に離間し、かつ幅方向ほぼ全長にわたって設けられている。この実施の形態では、ガイド部材１１の幅方向に沿って同じ高さで形成された開口部１２の下側にそれぞれ上記抵抗部材１３が設けられている。
【００３１】
図２に示すように、７５度で傾斜して搬送される基板Ｗの傾斜方向の上側となる表面には、上下方向に所定間隔で配置された第１の給液手段としての複数の表面用ノズル体１４から処理液としての剥離液が供給される。処理液が剥離液の場合、その剥離液は所定の温度である７０〜８０度に加熱される。表面用ノズル体１４は、図１に鎖線で示すように基板Ｗの搬送方向の下流側となる上記ガイド部材１１の幅方向の一端部に対向する位置に上下方向に所定間隔、つまり上段、中段及び下段の３箇所に配置されている。
【００３２】
各表面用ノズル体１４には剥離液の給液管１５が接続されている。給液管１５は剥離液の給液源１９に第１の流量制御弁２１を介して接続されていて、この給液管１５からは第２の給液手段を構成する複数の分岐管１６（１つのみ図示）が分岐されている。なお、給液源１９は図示しないヒータを有し、内部に収容された処理液を所定の温度に加熱できるようになっている。
【００３３】
各分岐管１６は上記ガイド部材６の上端部に幅方向に所定間隔で形成された開口部１８に第２の流量制御弁２２を介して接続されている。第１の流量制御弁２１と第２の流量制御弁２２は制御装置２３によって開度を設定できるようになっている。
【００３４】
それによって、所定の温度に加熱された剥離液は、基板Ｗの表面に供給されると同時に、上記開口部１８から基板Ｗの裏面とガイド部材１１との間の隙間１７、つまり基板Ｗの裏面上部にも供給される。つまり、基板Ｗの表面と裏面とに種類及び温度が同じ処理液がそれぞれ第１の流量制御弁２１と第２の流量制御弁２２によって設定された流量で供給される。
【００３５】
なお、この実施の形態では分岐管１６は給液管１５から３本分岐されていて、これらの分岐管１６は上記表面用ノズル１４よりも基板Ｗの搬送方向上流側に位置するよう上記ガイド部材１１の上部に接続されている。
【００３６】
上記隙間１７に供給された剥離液はこの隙間１７に充満し、図２に矢印で示すように基板Ｗの裏面上部から下部へと流れる。上記ガイド部材１１の基板Ｗの裏面に対向する一側面には幅方向に沿う複数の抵抗部材１３が上下方向に所定間隔で形成されている。それによって、基板Ｗの裏面に沿って流れる剥離液は、上記隙間１７に位置する上記抵抗部材１３の抵抗によって落下速度が低減される。
【００３７】
つまり、開口部１８から基板Ｗとガイド部材６とがなす隙間１７の上部に供給された剥離液は、この隙間１７が小さいことによって生じる表面張力と、抵抗部材１３の抵抗とによって上記隙間１７に比較的長い時間滞留しながら隙間１７の下端から流出するようになっている。
【００３８】
このように構成された処理装置によって基板Ｗの表面に付着したレジストを剥離処理する場合、搬送手段１によって基板Ｗがガイド部材６に対向する位置まで搬送されてきたならば、第１、第２の流量制御弁２１，２２が開放され、給液源１９の所定の温度に加熱された処理液が給液管１５を通じて複数の表面用ノズル１４及び分岐管１６が接続された開口部１８に供給される。
【００３９】
開口部１８に供給された処理液は、基板Ｗが搬送されてきてその裏面がガイド部材１１に対向し、これらの間に隙間１７が形成されると、この隙間１７に沿って流れる。つまり、剥離液はガイド部材１１が設けられていることで、上記隙間１７を形成する基板Ｗの裏面上部から下部に沿って流れることになる。
【００４０】
基板Ｗが搬送されてその搬送方向の先端部が表面用ノズル１４に対向すると、表面用ノズル１４から流出する剥離液は基板Ｗの表面を上方から下方へと流れる。基板Ｗの先端部が表面用ノズル１４に対向する位置まで搬送されてきた時点では、基板Ｗの搬送方向の先端部は上記隙間１７に供給された剥離液によって温度が上昇している。
【００４１】
そのため、表面用ノズル１４から基板Ｗの表面に供給される剥離液は、ガイド部材１１と基板Ｗとの隙間１７に供給された剥離液によって加熱された基板Ｗの表面に供給されることになるから、その剥離液は温度上昇した基板Ｗに有効に作用する。つまり、基板Ｗの表面に供給された剥離液は、この基板Ｗの表面を比較的速い速度で流れても、温度上昇した基板Ｗに対して確実に剥離作用を呈することになる。
【００４２】
上記隙間１７に供給された剥離液は、この隙間１７が狭いことによって生じる剥離液の表面張力及びガイド部材１１に設けられた抵抗部材１３による抵抗によって上記隙間１７に滞留する時間が長くなる。つまり、剥離液が隙間１７から流出する時間が長くなる。
【００４３】
剥離液が隙間１７に滞留する時間が長くなれば、隙間１７に供給された剥離液は基板Ｗを確実に温度上昇させることになる。そのため、基板Ｗの表面に供給された剥離液がその表面を速い速度で流れ落ちても、基板Ｗの表面を、この表面に供給された剥離液によって確実に剥離処理することが可能となる。
【００４４】
基板Ｗの表面には上下方向に沿って所定間隔で配置された３つの表面用ノズル１４から剥離液が供給される。そのため、基板Ｗの表面では上部よりも下部の方が処理液の流量が多くなるため、下部の方が上部よりも温度が高くなる虞がある。
【００４５】
しかしながら、基板Ｗの裏面の上部には、開口部１８に接続された分岐管１６から表面に供給される剥離液と同じ温度に加熱された剥離液が供給される。しかも、裏面上部に供給された剥離液は隙間１７を緩やかな速度で流れることになる。
【００４６】
したがって、基板Ｗの上部は、裏面に供給された剥離液と表面に供給された剥離液とによって加熱されるから、下部に流れる剥離液の量が多くなっても、上部とほぼ同じ温度に加熱される。それによって、基板Ｗは表面の上部と下部とに温度差が生じ難くなるから、剥離液によって上下方向をほぼ均一に処理されることになる。
【００４７】
さらに、基板Ｗの表面に剥離液を供給する上下３つの表面用ノズル１４は第１の流量制御弁２１によってそれぞれ供給量を制御することができる。そのため、下部の表面用ノズル１４から供給される剥離液の供給量を、上部に位置する表面用ノズル１４から供給される供給量よりも少なくすれば、基板Ｗの上下方向の温度差をより一層、少なくすることが可能となる。
【００４８】
基板Ｗの表面と裏面とに同じ処理液、つまり剥離液を供給するようにしている。そのため、基板Ｗの表面と裏面とに供給された剥離液を、まとめて回収して再使用することができるから、便利である。
【００４９】
図４はこの発明のガイド部材１１に設けられる抵抗部材の変形例を示す第２の実施の形態である。この実施の形態に示された抵抗部材１３Ａは、ガイド部材１１の幅方向に対して複数に分割されている。このような抵抗部材１３Ａを用いれば、第１の実施の形態に示されたように、抵抗部材１３が幅方向全長にわたる長さに形成された場合に比べ、剥離液が落下する際に与える抵抗が小さくなる。
【００５０】
すなわち、基板Ｗとガイド部材１１との間の隙間１７を流れる剥離液に与える抵抗は、ガイド部材１１に設けられる抵抗部材の形状や隙間１７の大きさなどによって調整することが可能である。
【００５１】
また、ガイド部材１１に抵抗部材を設けて隙間を流れる剥離液に抵抗を与えるようにしたが、隙間を十分に小さくすることで、抵抗部材を設けなくても、隙間を流れる剥離液によって基板を所定の温度に温めることは可能である。
【００５２】
また、処理液として剥離液を例に上げたが、基板を加熱された剥離液以外の処理液で処理する必要があれば、剥離液以外の処理液の場合であっても、この発明を適用することができる。
【００５３】
なお、処理液としては剥離液以外に、たとえば現像液やエッチング液などを用いることがあり、現像液の場合には２３〜２５度、エッチング液の場合には３０〜６０度の温度に加熱して使用することで、処理効果を高めることができる。
【００５４】
基板の裏面側の隙間には、処理液として表面に供給する剥離液と同じ剥離液を供給するようにしたが、表面に供給される処理液と異なる種類の処理液、たとえば剥離液に比べて安価な処理液を供給するようにしてもよく、要は基板を裏面側から加熱することができる処理液であればよい。
【００５５】
図５はこの発明の第３の実施の形態を示す。この実施の形態は第１の実施の形態に示されたガイド部材１１を用いず、分岐管１６に第２の流量制御弁２２を介して第２の給液手段としての裏面用ノズル体２５を接続する。そして、この裏面用ノズル体２５によって搬送される基板Ｗの裏面上部に所定の温度に加熱された処理液としての剥離液を直接、供給するようにした。  
図５では裏面用ノズル体２５は１つしか示されていないが、裏面用ノズル体２５は１つでなく、基板Ｗの搬送方向に沿って所定間隔で複数配置されている。
【００５６】
このような構成によれば、搬送される基板Ｗの裏面上部には裏面用ノズル体２５によって所定の温度に加熱された剥離液が供給され、その剥離液によって基板Ｗの裏面上部が加熱される。基板Ｗの裏面上部に供給された剥離液は、一部が裏面の上部から下部に沿って流れるが、残りの剥離液は基板Ｗの裏面上部から落下してしまう。
【００５７】
一方、基板Ｗの表面には上下方向に所定間隔で配置された複数の表面用ノズル１４から剥離液が供給される。基板Ｗの表面に供給された剥離液は、その表面の上部から下部に流れることで、上部よりも下部の方が流量が多くなる。したがって、基板Ｗの表面は下部の方が上部よりも温度が高くなる。
【００５８】
しかしながら、基板Ｗの裏面上部には裏面用ノズル体２５から所定温度の剥離液が供給される。つまり、基板Ｗの裏面は下部よりも上部の方が高い温度に加熱されるから、基板Ｗの裏面の加熱状態が表面に反映される。その結果、基板Ｗの表面は、上下方向がほぼ同じ温度に加熱されることになるから、その表面に供給された剥離液によって均一な処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】この発明の第１の実施の形態を示し、搬送手段によってガイド部材の前面側を搬送される基板の正面図。
【図２】搬送手段によって搬送される基板および基板の裏面側に設けられるガイド部材の縦断面図。
【図３】ガイド部材の斜視図。
【図４】この発明の第２の実施の形態を示すガイド部材の斜視図。
【図５】この発明の第３の実施の形態を示す構成図。
【符号の説明】
【００６０】
１…搬送手段、２…駆動ローラ、３…駆動源、７…支持ローラ、１１…ガイド部材、１３…抵抗部材、１４…ノズル体（第１の給液手段）、１５…給液管、１６…分岐管（第２の給液手段）、１７…隙間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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