(57)【要約】【課題】エッチング停止層を使用する選択的エッチング法【解決手段】干渉測定変調器のようなＭＥＭＳ装置の製造は、犠牲層４６とミラー層３８との間のエッチング停止層４４を使用することによって改善される。エッチング停止は犠牲層とミラー層との望ましくないオーバーエッチングを減少させることができる。エッチング停止層４４はまた障壁層、緩衝層、および／またはテンプレート層としても機能することができる。【選択図】図７
2006091852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
犠牲層と、
前記犠牲層の上の金属ミラー層と、
前記犠牲層と前記金属ミラー層との間の均一層と
を具備するリリースされない干渉測定変調器。
【請求項２】
前記犠牲層は非晶質シリコン、ゲルマニウムおよびモリブデンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項１記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項３】
前記均一層はエッチング停止層からなる請求項２記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項４】
前記エッチング停止層は酸化シリコン、非晶質シリコン、窒化シリコン、ゲルマニウム、チタン、およびタングステンの少なくとも１つを有する材料からなる請求項３記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項５】
前記犠牲層はゲルマニウムおよびモリブデンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項３記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項６】
前記犠牲層は非晶質シリコンからなり、前記均一層はチタンおよびタングステンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項３記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項７】
前記均一層は、前記金属ミラー層から前記犠牲層内への金属の拡散を遅らせる拡散障壁層を具備する請求項２記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項８】
前記拡散障壁層は酸化シリコン、窒化シリコン、チタン、およびタングステンからなるグループから選択された１つの材料を具備する請求項７記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項９】
前記均一層は前記犠牲層の結晶学的配向が前記金属ミラー層の類似の結晶学的配向を形成しないように実質上保護する緩衝層を具備する請求項２記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項１０】
前記緩衝層は酸化シリコンおよび窒化シリコンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項９記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項１１】
前記均一層は前記金属ミラー層の結晶学的配向と実質上同種である結晶学的配向を有するテンプレート層を具備する請求項２記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項１２】
前記テンプレート層はチタンおよびタングステンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項１１記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項１３】
前記金属ミラー層はアルミニウムからなる請求項１記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項１４】
前記金属ミラー層はＡｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ、およびＡｌ−Ｎｄから選択された少なくとも１つのアルミニウム合金からなる請求項１３記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項１５】
前記均一層は約１００Å乃至約７００Åの範囲内の厚みを有する請求項１記載のリリースされない干渉測定変調器。
【請求項１６】
第１のミラー層の上に犠牲層を堆積し、
前記犠牲層の上にエッチング停止層を堆積し、
前記エッチング停止層の上に第２のミラー層を堆積し、
前記犠牲層を除去して前記第２のミラー層の下にある前記エッチング停止層の一部分を露出する
ことを具備する干渉測定変調器を製造する方法。
【請求項１７】
前記第２のミラー層の下にある前記エッチング停止層の前記部分を選択的に除去することをさらに具備する請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記第２のミラー層の下にある前記エッチング停止層の前記部分を選択的に除去することは腐食液が前記第２のミラー層を除去するレートよりも少なくとも約１０倍速いレートで前記エッチング停止層の前記部分を除去する前記腐食液を使用して前記エッチング停止層の前記部分をエッチングすることを具備する請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記犠牲層を除去することは腐食液が前記エッチング停止層を除去するレートよりも少なくとも約１０倍速いレートで前記犠牲層を除去する前記腐食液を使用して前記犠牲層をエッチングすることを具備する請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
前記腐食液はＸｅＦ2からなる請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記犠牲層は非晶質シリコン、ゲルマニウムおよびモリブデンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項１６記載の方法。
【請求項２２】
前記エッチング停止層は酸化シリコン、非晶質シリコン、窒化シリコン、ゲルマニウム、チタン、およびタングステンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項１６記載の方法。
【請求項２３】
第１のミラー層の上に犠牲層を堆積し、
前記犠牲層の上にエッチング停止層を堆積し、
前記エッチング停止層の上に第２のミラー層を堆積し、
前記エッチング停止層を露出するように前記第２のミラー層の一部分を除去し、それによって前記エッチング停止層の露出された部分および前記エッチング停止層の露出されなかった部分、前記第２のミラー層の残りの部分の下にある前記エッチング停止層の前記露出されなかった部分を形成する
ことを具備する干渉測定変調器を製造する方法。
【請求項２４】
前記エッチング停止層の前記露出された部分を除去することをさらに具備する請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記第２のミラー層の前記残りの部分の下にある前記エッチング停止層の前記部分を露出するように前記犠牲層を選択的に除去することをさらに具備する請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記第２のミラー層の前記残りの部分の下にある前記エッチング停止層を選択的に除去することをさらに具備する請求項２５記載の方法。
【請求項２７】
請求項２６記載の方法によって製造された干渉測定変調器。
【請求項２８】
前記エッチング停止層を露出するように前記第２のミラー層の前記部分を除去することは腐食液が前記エッチング停止層を除去するレートよりも少なくとも約１０倍速いレートで前記第２のミラー層を除去する前記腐食液を使用して前記第２のミラー層をエッチングすることを具備する請求項２３記載の方法。
【請求項２９】
前記腐食液は水溶性の酸からなる請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記犠牲層は非晶質シリコン、ゲルマニウムおよびモリブデンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項２３記載の方法。
【請求項３１】
前記エッチング停止層は酸化シリコン、非晶質シリコン、窒化シリコン、ゲルマニウム、チタン、およびタングステンから選択された少なくとも１つの材料からなる請求項３０記載の方法。
【請求項３２】
請求項２３記載の方法によって製造されたリリースされない干渉測定変調器。
【請求項３３】
第１のミラー層の上に、非晶質シリコン、ゲルマニウムおよびモリブデンから選択された少なくとも１つの材料からなる犠牲層を堆積し、
前記犠牲層の上に、約１００Å乃至約７００Åの範囲内の厚みを有し、酸化シリコン、非晶質シリコン、窒化シリコン、ゲルマニウム、チタン、およびタングステンから選択された少なくとも１つの材料からなる薄い均一層を堆積し、
前記薄い均一層の上に、Ａｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ、およびＡｌ−Ｎｄから選択された少なくとも１つの金属からなる第２のミラー層を堆積し、
前記薄い均一層を露出するように前記第２のミラー層の一部を除去し、それによって前記薄い均一層の露出された部分および前記薄い均一層の露出されなかった部分、前記第２のミラー層の残りの部分の下にある前記薄い一質層の前記露出されなかった部分を形成し、
前記第２のミラー層の前記残りの部分の下にある前記薄い均一層の前記予め露出されなかった部分を露出するように前記犠牲層を除去する
ことを具備する干渉測定変調器を製造する方法。
【請求項３４】
請求項１６記載の方法によって形成された干渉測定変調器。
【請求項３５】
前記均一層は前記犠牲層および前記金属ミラー層の少なくとも１つに関連して薄い層を具備する請求項１記載のリリースされない干渉測定変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明の分野は超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
超小型電気機械システム（ＭＥＭＳ）は、超小型機械エレメント、アクチュエータ、および電子機器を含む。超小型機械エレメントは、堆積(deposition)、エッチング、および／または回路基板および／または堆積された材料層の部品をエッチングするか、あるいは電気装置および電気機械装置を形成するように層を付加する他の超小型機械処理を使用して作り出されることができる。１つのタイプのＭＥＭＳ装置は干渉測定変調器(interferometric  modulator)と呼ばれる。干渉測定変調器は１対の導電プレートを備えてもよく、その１つまたは両方は全部または部分において透明および／または反射形であり、そして適切な電気信号の適用についての関連動作が可能である。１プレートは回路基板上に堆積された固定層を備えてもよく、他のプレートはギャップによって固定層から分離された金属膜を備えてもよい。そのような装置は広範な適用範囲を有し、そしてそれらの特徴が既存の製品を改良することにおいてそしてまだ開発されていなかった新製品の創出において活用され得るように、これらのタイプの装置の特性を使用するおよび／または変更することは、この分野において有益であろう。
【発明の開示】
【０００３】
[発明の概要]
ここで記述されたシステム、方法および装置は、各々いくつかの局面を有し、その中のどの１つも単独でその妥当な属性に関して責めを負うことはない。この発明の範囲を限定すること無く、それの顕著な特徴はここで簡単に検討されるであろう。この検討を考察した後で、そして特にタイトル“好適な実施例の詳細な説明”のセクションを読んだ後には、人はこの中に記述された種々の実施の形態がいかに他の方法および表示装置を超える利点を提供するかを理解するであろう。
【０００４】
１局面は犠牲層(sacrificial  layer)、犠牲層の上の金属ミラー層、および犠牲層と金属ミラー層との間のエッチング停止層を含むリリースされない(unreleased)干渉測定変調器を提供する。１実施形態では、犠牲層は非晶質シリコン、ゲルマニウムおよび／またはモリブデンを含む。１実施形態では、エッチング停止層は酸化シリコン、非晶質シリコン、窒化シリコン、ゲルマニウム、チタン、および／またはタングステンを含む。任意の特定の干渉測定変調器では、犠牲層を形成するために使用される材料は一般にエッチング停止層を形成するために使用される材料とは異なる。
【０００５】
１局面は、第１のミラー層の上に犠牲層を堆積すること、犠牲層の上にエッチング停止層を堆積すること、およびエッチング停止層の上に第２のミラー層を堆積することを含む干渉測定変調器を製作する方法を提供する。第２のミラー層の一部分はその後エッチング停止層を露出するように取り除かれ、それによってエッチング停止層の露出された部分およびエッチング停止層の露出されなかった部分を形成する。エッチング停止層の露出されなかった部分は第２のミラー層の残りの部分の下にある。種々の実施形態はそのような方法によって製作された(リリースされない干渉測定変調器を含む)干渉測定変調器を提供する。
【０００６】
もう１つの局面は、第１のミラー層の上に犠牲層を堆積すること、犠牲層の上にエッチング停止層を堆積すること、エッチング停止層の上に第２のミラー層を堆積すること、および第２のミラー層の下にあるエッチング停止層の一部分を露出するように犠牲層を取り除くことを含む干渉測定変調器を製作する方法を提供する。１実施形態では、犠牲層は腐食液(etchant)がエッチング停止層を取り除くレートよりも少なくとも約５倍速いレートで犠牲層を取り除く腐食液を使用して取り除かれる。
【０００７】
もう１つの局面は、第１のミラー層の上に犠牲層を堆積することを含む干渉測定変調器を製作する方法を提供する。犠牲層は非晶質シリコン、ゲルマニウムおよび／またはモリブデンを含む。この方法はさらに犠牲層の上にエッチング停止層を堆積することを含む。エッチング停止層は酸化シリコン、非晶質シリコン、窒化シリコン、ゲルマニウム、チタン、および／またはタングステンを含む。任意の特定の処理フローでは、犠牲層を形成するために使用された材料はエッチング停止層を形成するために使用された材料と実質上異なる。この方法はエッチング停止層の上に第２のミラー層を堆積することをさらに含む。第２のミラー層はＡｌ、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ、およびＡｌ−Ｎｄのような金属を含む。この方法はエッチング停止層を露出するように第２のミラー層の一部分を取り除くことをさらに含み、それによってエッチング停止層の露出された部分およびエッチング停止層の露出されなかった部分を形成する。エッチング停止層の露出されなかった部分は第２のミラー層の残りの部分の下にある。この方法は第２のミラー層の残りの部分の下にあるエッチング停止層の以前露出されなかった部分を露出するように犠牲層を取り除くことをさらに含む。
【０００８】
これらのおよび他の局面は下記により詳細に記述される実施形態から、よりよく理解されるであろう。
【０００９】
この発明のこれらのおよび他の特徴は今、発明を図示することを意図し、そして発明を限定することがない好ましい（スケールすることのない）実施形態の図面を参照して記述されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
１実施形態は上部ミラー層と犠牲層との間のエッチング停止層の使用を含む干渉測定変調器を製作するための方法を提供する。リリースされないおよびリリースされた干渉測定変調器の両者はこの方法を使用して製造することができる。エッチング停止は犠牲層と上部ミラー層との望ましくないオーバーエッチングを減少させるために使用されることができる。エッチング停止層はまた障壁層(barrier  layer)、緩衝層(buffer  layer)、および／またはテンプレート層(template  layer)としても機能することができる。
【００１１】
以下の詳細な説明はこの発明のある特定の実施形態に向けられる。しかしながら、この発明は多数の異なる方法において具体化されることができる。この説明では、参照は全体を通して同じ部品が同じ数字で表される図面に対してなされる。以下の記述から明白になるであろうように、この実施形態は画像が、動き（例えば、ビデオ）又は静止（例えば、静止画像）のどちらであるか、およびテキスト的または絵画的のどちらかを表示するように構成される任意の装置、および／またはそのような装置を製作するための過程において実施されることができる。より詳しくは、この実施形態が移動電話機、無線装置、個人データアシスタント（ＰＤＡ）、手持ち式または携帯型コンピュータ、ＧＰＳ受信器／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ(camcorder)、ゲームコンソール、腕時計、クロック、計算機、テレビモニタ、平面形ディスプレイ、コンピュータモニタ、自動車ディスプレイ（例えば、走行距離計ディスプレイ、等）、コックピット制御および／またはディスプレイ、カメラビューのディスプレイ(例えば、車内の背景カメラのディスプレイ)、電子写真、電子広告掲示板または看板、プロジェクタ、建造物、パッケージング(packaging)、および美的構成（例えば、一片の宝石上の映像のディスプレイ）のような、しかしこれには限定されない、種々様々な電子装置内かまたはこれと関連して実施され得ることが予期される。この中に記述されたものと同様な構造のＭＥＭＳ装置は、電子交換装置内のような非表示アプリケーション内でも使用されることができる。
【００１２】
干渉計使用ＭＥＭＳディスプレイエレメントを具備する１つの干渉測定変調器ディスプレイの実施形態が図１に図示される。これらの装置では、画素は明または暗のどちらかの状態にある。明（“オン”または“開”）状態では、ディスプレイエレメントは大部分の入射可視光をユーザに反射する。暗（“オフ”または“閉”）状態にある時は、ディスプレイエレメントはほとんどの入射可視光をユーザに反射しない。この実施形態によれば、“オン”および“オフ”状態の光反射率特性は反対であってもよい。ＭＥＭＳ画素は、黒白に加えてカラー表示を可能として、主に選択された色で反射されるように構成されることができる。
【００１３】
図１は可視式ディスプレイの一連の画素内の２つの隣接画素を描写する等角(isometric)ビューであり、ここにおいて各画素はＭＥＭＳ干渉測定変調器を具備する。いくつかの実施形態では、干渉測定変調器ディスプレイはこれらの干渉計変調器の行／列アレイを具備する。各干渉測定変調器は、少なくとも１つの可変寸法を有する共振光空洞(resonant  optical  cavity)を形成するように互いに可変で制御可能な距離で配置された一対の反射層を含む。１つの実施形態では、反射層の１つは２つの位置の間を移動させられることができる。この中で弛緩状態(relaxed  state)と呼ばれる、第１の位置では、可動層(movable  layer)は固定された部分反射層から比較的大きい距離で配置される。第２の位置では、可動層は部分反射層に、より密に隣接して配置される。２つの層から反射する入射光は、各画素について全反射(overall  reflective)または非反射状態のどちらかを生成して、可動反射層の位置により建設的にまたは破壊的に干渉する。
【００１４】
図１における画素アレイの描写された部分は２つの隣接した干渉測定変調器１２ａおよび１２ｂを含む。左側上の干渉測定変調器１２ａでは、可動で高度の反射層３８ａが固定の部分反射層３２ａから所定の距離で弛緩位置内に図示される。右側上の干渉測定変調器１２ｂでは、可動で高度の反射層３８ｂが固定の部分反射層３２ｂに隣接した作動位置内に図示される。
【００１５】
固定層３２ａ，３２ｂは導電性で、部分的に透明で、そして部分反射性であり、そして、例えば、透明基板３１上にクロームおよびインジウム錫酸化物(indium-tin-oxide)の各々の１つまたはそれ以上の層を堆積することによって形成されることができる。層は平行ストリップ(parallel  strip)にパターン化され、そしてさらに下記されるようにディスプレイ装置内で行電極を形成してもよい。可動層３８ａ，３８ｂは、堆積された金属層またはポスト６０の頂上に堆積された（行電極３２ａ，３２ｂと直交する）層、およびポスト６０の間に堆積された介在(intervening)犠牲材の一連の平行ストリップとして形成されてもよい。犠牲材がエッチングされる時に、変形可能金属層(deformable  metal  layer)３８ａ，３８ｂは限定されたギャップ１９によって固定導電性／部分反射性金属層３２ａ，３２ｂから分離される。アルミニウムのような高導電性で反射性の材料は変形可能層として使用されることができ、そしてこれらのストリップはディスプレイ装置内で列電極を形成できる。
【００１６】
印加電圧無しで、空洞１９は層３８ａ，３２ａの間を維持し、そして変形可能層は図１における画素１２aによって図示されたように機械的に弛緩状態にある。しかしながら、電位差が選択された行と列とに印加される時には、対応する画素での行および列電極の交差で形成されたキャパシタが充電となり、そして静電力は両電極を互いに引っ張る。もしも電圧が十分高ければ、可動層は変形され、そして固定層(この図には図示されない誘電材が、短絡を避けて分離距離を制御するように固定層３２a，３２b上に堆積されてもよい)に対して押し付けられる。この性質は印加電位差の極性には無関係に同じである。この方法では、反射性対非反射性の画素状態を制御できる行／列作動は従来のＬＣＤおよび他のディスプレイ技術において使用されるものに多くの点で類似している。
【００１７】
図２乃至５はディスプレイアプリケーションにおいて干渉測定変調器のアレイを使用するための１つの例示的な手順とシステムとを図示する。図２はこの発明の局面を組み込むことができる電子装置の１つの実施形態を図示しているシステムブロック図である。例示的な実施形態では、電子装置はＡＲＭ、ＰｅｎｔｉｕｍR、ＰｅｎｔｉｕｍIIR、ＰｅｎｔｉｕｍIIIR、ＰｅｎｔｉｕｍIVR、ＰｅｎｔｉｕｍRＰｒｏ、８０５１、ＭＩＰＳR、Ｐｏｗｅｒ  ＰＣR、ＡＬＰＨＡR（なお、上付きＲは実際には○で囲まれているが、便宜上単に上付きＲで表示している。）のような任意の汎用のシングルまたはマルチチップのマイクロプロセッサか、あるいはディジタル信号プロセッサ、マイクロコントローラ、またはプログラマブルゲートアレイのような任意の専用のマイクロプロセッサであってもよいプロセッサ２１を含む。この分野では伝統的であるように、プロセッサ２１は１つまたはそれ以上のソフトウェアモジュールを実行するように構成されてもよい。運用システムを実行することのほかに、プロセッサは、ウェブブラウザ、電話アプリケーション、ｅメールプログラム、または任意の他のソフトウェアアプリケーションを含む、１つまたはそれ以上のソフトウェアアプリケーションを実行するように構成されてもよい。
【００１８】
１つの実施形態では、プロセッサ２１はまたアレイコントローラ２２と通信するように構成される。１つの実施形態では、アレイコントローラ２２は画素アレイ３０に信号を供給する行ドライバ回路２４と列ドライバ回路２６とを含む。図１内に図示されたアレイの断面図は図２では線１-１によって示される。ＭＥＭＳ干渉測定変調器に関して、行／列作動プロトコルは図３に図示されたこれらの装置のヒステリシス特性を利用できる。例えば、可動層を弛緩状態から作動状態に変形させるのに１０ボルト電位差を必要とする可能性がある。しかしながら、電圧がその値から減少される時には、可動層は電圧降下が１０ボルト以下に戻るようにその状態を維持する。図３の例示的な実施形態では、可動層は２ボルト以下の電圧降下まで完全に弛緩はしない。このように、図３に図示された例では約３乃至７ボルトの電圧範囲があり、そこには装置が弛緩または作動状態のどちらかで安定する印加電圧のウインドーが存在する。これはこの中では“ヒステリシスウインドー”または“安定性(stability)ウインドー”と呼ばれる。図３のヒステリシス特性を有している表示アレイに関して、行／列作動プロトコルは、行ストロービング(row  strobing)の間、作動されるべきであるストロボされた行内の画素は約１０ボルトの電圧差に曝されるように、そして弛緩されるべきである画素は０ボルトに接近した電圧差に曝されるように設計されることができる。ストロボ(strobe)の後、行ストロボがそれらをその状態に置くどんな状態にもとどまるように、画素は約５ボルトの定常状態の電圧差に曝される。書き込まれた後に、各画素はこの例では３-７ボルトの“安定性ウインドー”内の電位差を調べる。この特徴は図１に図示された画素設計を作動または弛緩のどちらの先在状態(pre-existing  state)でも同じ印加電圧条件下で安定にする。作動または弛緩のいずれかの状態にある干渉測定変調器の各画素は、本質的に固定および移動反射層によって形成されたキャパシタであるので、この安定状態はほとんど電力浪費のないヒステリシスウィンドー内の電圧で保たれることができる。もしも印加電位が固定されるならば、画素内には本質的に電流は流れない。
【００１９】
典型的なアプリケーションでは、表示フレームは第１行内の望ましいセットの作動画素に従って列電極のセットを断定することによって作り出されることができる。行パルスはその後、断定された列ラインに相当する画素を作動して、行１電極に印加される。断定されたセットの列電極はその後第２行内の望ましいセットの作動画素に相当するように変更される。パルスはその後、断定された列電極に従って行２内の適切な画素を作動して、行２電極に印加される。行１画素は行２パルスによって動かされず、そしてそれらが行１パルスの間中設定された状態にとどまる。これはフレームを生成するために連続様式内の全シリーズの行について繰り返されてもよい。一般に、フレームは、ある望ましいフレーム数／秒でこの処理を絶えず繰り返すことによって新表示データでリフレッシュされ、および／または更新される。表示フレームを生成するために画素アレイの行および列電極を駆動するための種々様々なプロトコルは周知でもあり、そして本発明と一緒に使用されてもよい。
【００２０】
図４および５は図２の３×３アレイ上に表示フレームを作り出すための１つの可能性のある作動プロトコルを図示する。図４は図３のヒステリシスカーブを示している画素について使用されることができる可能性のあるセットの列および行電圧レベルを図示する。図４の実施形態では、画素を作動することは、適切な列を−Ｖbiasに、そして適切な行を＋ΔＶにセットすることを含み、これらはそれぞれ−５ボルトおよび＋５ボルトに対応してもよい。画素をリリースすることは、適切な列を＋Ｖbiasに、そして適切な行を同じ＋ΔＶにセットすること、画素の全域で０ボルト電位差を生成することによって達成される。行電圧がゼロボルトに保たれるこれらの行では、列が＋Ｖbias、または−Ｖbiasのいずれにあるかには無関係に、画素はそれらが最初にあったどちらの状態でも安定である。
【００２１】
図５Ｂは図５Ａに図示された表示配列という結果になるであろう図２の３×３アレイに印加された一連の行および列信号を示すタイミング図であり、ここで作動画素は非反射性である。図５Ａに図示されたフレームを書き込むのに先立って、画素は任意の状態にあることができ、そしてこの例では、すべての行は０ボルトにあり、そしてすべての列は＋５ボルトにある。これらの印加電圧で、すべての画素はそれらの目下の作動または弛緩状態において安定している。
【００２２】
図５Ａフレームでは、画素（１，１）、（１，２）、（２，２）、（３，２）および（３，３）が作動される。これを達成するために、行１についての“ラインタイム”の間、列１および２は−５ボルトにセットされ、そして列３は＋５ボルトにセットされる。すべての画素が３−７ボルトの安定性ウィンドー内にとどまるので、これは任意の画素の状態を変えない。行１はその後０から５ボルトまで行き、そして０に戻るパルスでストロボされる。これは（１，１）および（１，２）画素を作動させ、そして（１，３）画素を弛緩させる。アレイ内の他のいずれの画素も影響されない。行２を所望のようにセットするために、列２は−５ボルトにセットされ、そして列１および３は＋５ボルトにセットされる。行２に印加されたと同じストロボはその後画素（２，２）を作動させ、そして画素（２，１）および（２，３）を弛緩させるであろう。再び、アレイの他のいずれの画素も影響されない。行３は同様に列２および３を−５ボルトに、そして列１を＋５ボルトにセットすることによってセットされる。行３ストロボは行３画素を図５Ａに示されるようにセットする。フレームを書き込んだ後、行電位は０であり、そして列電位は＋５または−５ボルトのどちらかにとどまることができ、そして表示はその後図５Ａの配列で安定である。同じ手順が十数または数百の行列のアレイについて使用され得ることは認識されるであろう。行および列作動を実行するために使用されたタイミング、シーケンス、および電圧レベルは上に概略を述べられた一般原則内で広く変更され得ること、そして上の例は例示的に過ぎず、そして任意の作動電圧法が本発明で使用され得ることもまた認識されるであろう。
【００２３】
上に述べられた原理に従って動作する干渉測定変調器の構造の詳細は広く変更されてもよい。例えば、図６Ａ−６Ｃは移動ミラー構造(moving  mirror  structure)の３つの異なる実施形態を図示する。図６Ａは図１の実施形態の断面図であり、ここで反射材３８のストリップは拡張サポート６０上に直交して堆積される。図６Ｂでは、可動反射材３８は反射材３８のコーナーでだけサポート６０に、テザー(tether)３３で付加される。図６Ｃでは、可動反射材３８は変形可能層４０からのテザーによって吊られる。反射材３８のために使用された構造設計および材料は光学特性に関して最適化され得るので、そして変形可能層４０のために使用された構造設計および材料は所望の機械的特性に関して最適化され得るので、この実施形態は利益を有する。種々のタイプの干渉測定装置の製造は、例えば、米国公開の出願第２００４／００５１９２９号を含む、種々の公開文書に記述されている。種々様々な既知の技術は一連の材料堆積、パターン化およびエッチング工程を含む上記の構造を製造するのに使用されることができる。
【００２４】
図７は犠牲層４６、犠牲層４６の上の上部金属ミラー層３８および犠牲層４６と上部金属ミラー層３８との間の(uniform  layer)４４を具備するリリースされない干渉測定変調器７０の１実施形態を図示する断面図である。薄い均一層４４の厚みは典型的に約１００Å乃至約７００Åの範囲内にある。ある実施形態では、薄い均一層４４の厚みは約３００Å乃至７００Åの範囲内にある。図示された実施形態では、上部ミラー層３８はアルミニウムである。他の実施形態では、上部ミラー層３８はアルミニウムを具備し、従って、例えば、Ａｌ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｔｉ、またはＡｌ−Ｎｄのようなアルミニウム合金であってもよい。犠牲層４６は図示された実施形態ではモリブデンを具備する。他の適当な犠牲材は非晶質シリコン（“ａ−Ｓｉ”）およびゲルマニウムを含む。図７では、薄い均一層４４は酸化シリコン（ＳｉＯx、例えば、ＳｉＯ2）を具備するが、しかし薄い均一層４４は酸化シリコンの代わりにあるいはそれに加えて窒化シリコン（ＳｉxＮy、例えば、ＳｉＮ）、ａ−Ｓｉ、チタン、ゲルマニウムおよびタングステンを具備してもよい。薄い均一層４４は犠牲層４６および金属ミラー層３８の両者とは異なる材料で形成される。好ましくは、犠牲層４６、金属ミラー層３８および薄い均一層４４の組立のために使用される材料は、より詳細に下記されるように、エッチング選択性、拡散への抵抗（拡散障壁(diffusion  barrier)）、結晶学的影響への障壁、および結晶学的テンプレーティングのような確実な望ましい効果を引き起こすように、互いとの組み合わせにおいて選択される。
【００２５】
上部金属ミラー層３８および薄い均一層４４はポスト６０によってガラス基板３１からスペースをとられる。リリースされない干渉測定変調器７０はまたガラス基板３１上の電極層３２を含む。電極層３２はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ)または亜鉛錫酸化物（ＺＴＯ）のような透明金属フィルムを備えてもよい。（クロームのような）下部金属ミラー層３４および（ＳｉＯ2のような）誘電体層３６が電極層３２の上に形成される。電極層３２、下部金属ミラー層３４および酸化物層３６はともに光を部分伝送して部分反射する光スタック(optical  stack)５０と呼ばれることができる。薄い均一層４４は他のリリースされない干渉測定変調器構成、例えば、図６Ａおよび６Ｂに図示された干渉測定変調器という結果になる構成に含まれてもよい。
【００２６】
（犠牲層４６と金属ミラー層３８との間の薄い均一層４４のような）金属ミラー層と犠牲層との間の薄い均一層の存在は（それのアレイを含み）干渉測定変調器を製作するための種々の手順の１つまたはそれ以上の局面を有意に改善することができ、および／または結果としての干渉測定変調器自身の１つまたはそれ以上の品質を改善できることがわかった。例えば、薄い均一層４４は、図６Ｃに図示された一般型の干渉測定変調器のアレイを製作することの前後関係において図８−９を参照して下記されるようにエッチング停止層として備えるかまたは機能することができる。図示された実施形態の視野内で、この分野の技術者は同様のエッチング停止層が、他のタイプの空間的光変調器と同様に、図６Ａ−６Ｂに図示された一般型の干渉測定変調器を含む、他のＭＥＭＳ装置を製造するために使用されることができることを理解するであろう。従って、図８−９を参照して下記された処理が特定の工程、シーケンスおよび材料を指すことができる一方で、そのような詳細は実例の目的のためであり、そして他の工程、シーケンスおよび／または材料が使用されてもよいことが理解される。
【００２７】
図８Ａ−８Ｃはリリースされない干渉測定変調器のアレイを製造するための処理における初期工程を図示する断面図であり、(干渉測定変調器を形成するために犠牲層の除去によるリリースは図９を参照して下記で検討される)。図８−９では、最終構成を示す図９Ｈに表示されるように、干渉測定変調器１００，１１０，１２０の各々が酸化物層３６と上部金属ミラー層３８ｃとの間に異なる距離を有している３個の干渉測定変調器１００（赤部分画素）、１１０（緑部分画素）および１２０（青部分画素）のアレイの構成が図示されるであろう。カラーディスプレイは結果としての画像内の各画素を形成するために３個（またはそれ以上）の変調器エレメントを使用することによって形成されることができる。各干渉測定変調器空洞（例えば、図９Ｈ内の空洞７５，８０，８５）の寸法は干渉および結果としての色の性質を決定する。色画素を形成することの１つの方法は、各々異なるサイズの、例えば、この実施形態に示されるように赤、緑および青に対応する３つの異なるサイズの、空洞を有する、干渉測定変調器のアレイを構成することである。空洞の干渉特性はそれらの寸法によって直接影響される。これらの一様でない空洞寸法を作り出すために、結果としての画素反射光が３原色の各々に対応するように、複数の犠牲層が下記に記述されるように形成されてもよい。黒および白画素の使用と同様に、他の色の組み合わせも可能である。
【００２８】
図８Ａは透明基板３１上にインジウム錫酸化物電極層３２を堆積し、その後電極層３２上に第１のミラー層３４を堆積することによって形成された光スタック３５を図示する。図示された実施形態では、第１のミラー層３４はクロームを備える。モリブデンおよびチタンのような他の反射性金属も第１のミラー層３４を形成するために使用されることができる。図８−９では、電極層３２および第１のミラー層３４は単一層３２，３４として示されるが、第１のミラー層３４が図７に示されるような電極層３２上に形成されることは理解される。透明基板３１の視認面３１ａは基板３１の第１のミラー層３４および電極層３２から反対側にある。ここに示されない処理では、電極および金属ミラー層３２，３４は電極列、行あるいはディスプレイ設計によって必要となるような他の有用な形状を形成するためにパターン化され、そしてエッチングされる。図８Ａに示されるように、光スタック３５も金属層３２の上に、典型的に電極および金属ミラー層３２，３４がパターン化され、そしてエッチングされた後に形成された酸化物誘電体層３６を含む。
【００２９】
図８Ａはさらに、光スタック３５の上に(従って酸化物誘電体層３６、第１のミラー層３４および電極層３２の上に)モリブデンを堆積することによって形成された第１の画素犠牲層４６ａを図示する。モリブデンは第１の画素犠牲層４６ａを形成するようにエッチングされ、それにより結果としての緑および青干渉測定変調器１１０，１２０（図９Ｈ）内に結局含まれるであろう酸化物誘電体層３６の一部分３６ａを露出する。第１の画素犠牲層４６ａの厚みは（下記されるような続いて堆積された層の厚みとともに）結果としての干渉測定変調器１００内の類似の空洞７５（図９Ｈ）のサイズに影響を及ぼす。
【００３０】
図８Ｂ−８Ｃは酸化物誘電体層３６の露出部３６ａおよび第１の画素犠牲層４６ａの上に堆積、マスキングおよびパターン化によって第２の画素犠牲層４６ｂを形成することを図示する。第２の画素犠牲層４６ｂは好ましくは第１の画素犠牲層４６ａと同じ犠牲材（この実施形態ではモリブデン）を備える。第２の画素犠牲層４６ｂはパターン化され、そして結果としての青干渉測定変調器１２０（図９Ｈ）内に結局含まれるであろう酸化物誘電体層３６の一部３６ｂを露出するために図８Ｃに図示されるようにエッチングされる。第３の画素犠牲層４６ｃはその後図８Ｄに図示されるように酸化物誘電体層３６の露出された部分３６ｂおよび第２の画素犠牲層４６ｂの上に堆積される。その厚みが結果としての干渉測定変調器１００，１１０，１２０(図９Ｈ)内の３個のすべての空洞７５，８０，８５のサイズに影響を及ぼすので、この実施形態では第３の画素犠牲層４６ｃはパターン化されるかまたはエッチングされる必要はない。３個の堆積された画素犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃは必然的に同じ厚みを持たない。
【００３１】
図８Ｅは第３の画素犠牲層４６ｃの上に酸化物（例えば、ＳｉＯ2）を堆積することによってエッチング停止層４４を形成することを図示し、第2のミラー層３８を形成するために酸化物エッチング停止層４４の上にアルミニウム含有金属を堆積することによってフォローされる。図示された実施形態では、第２のミラー層３８もまた１電極として機能する。第2のミラー層３８は好ましくはエッチング停止層４４が堆積されると直ちに、またはそのすぐ後に堆積される。１実施形態では、第２のミラー層３８はエッチング停止層４４を堆積した後直ちに、好ましくは同じ堆積室(deposition  chamber)内にそして真空を弱めること無しに、エッチング停止層４４の上に堆積され、第２のミラー層３８の表面の酸化を減少させる結果となる。エッチング停止層４４の厚みは約１００Å乃至約７００Åの範囲内に、好ましくは約１００Å乃至約３００Åの範囲内にあってもよい。エッチング停止層４４が拡散障壁でもある実施形態に関して、エッチング停止層の厚みは好ましくは約３００Åから約７００Åまでの範囲内にある。前の記述は図８−９に図示された種々の層の製造に関して、ある典型的な材料を参照しているが、例えば、図７を参照して上述されたように、他の材料も使用され得ることは理解されるであろう。
【００３２】
図９Ａ−９Ｈは図８に図示された処理工程に続く種々の後の工程を図示する断面図である。図９Ａでは、第２のミラー層３８（この実施形態ではアルミニウムをからなる）はパターン化され、そして金属の除去のための適切なエッチ化学を使用してエッチングされた。そのようなエッチ化学はこの分野の技術者には既知であり、例えば、ＰＡＮエッチ（水性(aqueous)の燐酸／酢酸／硝酸）は金属を取り除くことに好適であり得る。第２のミラー層３８の残りの部分３８ｃはマスク（図示せず）によって保護され、従ってエッチングの間取り除かれない。第２のミラー部分３８ｃを形成するための第２のミラー層３８のエッチングの間、エッチング停止層４４は下にある第３の犠牲層４６ｃをエッチングされることから保護する。部分３８ｃを形成するための第２のミラー層３８のエッチングはエッチング停止層４４の部分４４ｂを露出する。エッチング停止層４４の露出されない部分４４ａは残りの第２のミラー部３８ｃの下にある。エッチング停止層４４の露出された部分４４ｂはその後、残りの金属ミラー層３８cの下にある部分４４ａが残るように、第３の犠牲層４６ｃを除去しない、異なるエッチ液（例えば、フッ化水素酸(ＨＦ)エッチ）を使用するさらなるエッチングによって取り除かれる（図９Ｂ）。
【００３３】
このように、図９Ａはエッチング停止層４４を露出するように第２のミラー層３８の一部分を除去することを図示し、それによってエッチング停止層４４の露出された部分４４ｂとエッチング停止層の露出されなかった部分４４ａとを形成する。エッチング停止層４４の露出されなかった部分４４ａは第２のミラー層３８の残りの部分３８ｃの下にある。エッチング停止層４４の露出された部分４４ｂはその後下にある第３の犠牲層４６ｃを露出するように取り除かれる。代わりの実施形態では、第２のミラー層３８およびエッチング停止層４４は同じ腐食液、例えば、ＨＦを使用して取り除かれる。もう１つの代わりの実施形態では、薄い均一層４４は後の段階で、例えば、犠牲層が取り除かれる時に取り除かれる。
【００３４】
図９Ｂはパターン化された第２のミラー層３８ｃおよび第３の犠牲層４６ｃの上の第４の犠牲層４６ｄの構造を図示する。図９Ｃは第４の犠牲層４６ｄをパターン化およびエッチングすることによってポストホール５４ｂおよびコネクタホール５４ａを形成することを図示する。図９Ｄでは、平坦化材(planarization  material)４２がポストホール５４ｂおよびコネクタホール５４ａを埋めるためにオプションとして適用される。平坦化材の例は、これには限定されないが、酸化シリコン、窒化シリコン、有機材（例えば、エポキシ材、アクリル材、およびビニールベースの化学材）、およびシリコンまたは金属含有の有機材を含む。１実施形態では、種々のポリイミド、低ｋ材(low-k  materials)、およびスピンオン・ガラス(spin-on  glasses)が使用されることができる。図９Ｅは平坦化材４２および第４の犠牲層４６ｄの上に金属のようなフレキシブルな材料を堆積することによってメカニカルフィルム（可撓性または変形可能な層）４０を形成することを図示しており、リリースされない干渉測定変調器９０（図９Ｆ）のアレイを形成するためにメカニカル層(mechanical  layer)４０をパターン化およびエッチングすることによってフォローされる。１実施形態（図示せず）では、平面化材４２は使用されず、このケースではポストホール５４ｂおよびコネクタホール５４ａはメカニカル層４０を形成するために使用された材料で埋められてもよい。
【００３５】
図９Ｇは空洞７５，８０，８５を形成するために犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを取り除くことを示しており、それによりミラー層３８の残りの部分３８ｃの下にあるエッチング停止層４４の部分４４ａを露出する。図示された実施形態では、ガス状(gaseous)または蒸気質の(vaporous)ＸｅＦ2がモリブデン犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄを取り除くための腐食液として使用される。ＸｅＦ2はＦ2およびＨＦのようなフッ素含有ガスの源泉として機能することができ、従ってＦ2またはＨＦは好ましい犠牲材用の腐食液としてＸｅＦ2の代わりにまたはそれに加えて使用されることができることが理解される。犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃの除去によって露出される（第2のミラー層３８ｃの下にある）エッチング停止層４４ａは、犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのエッチングの間、第2のミラー層３８ｃを保護する。平坦化材４２は腐食液によって取り除かれず、従ってポスト６０（図９Ｈ）を形成するために残される。第2のミラー層３８ｃの下にあるエッチング停止層４４ａはその後それ自身、図９Ｈに図示されたような適切なエッチ化学的性質（例えば、ＳＦ6プラズマ・エッチ）を使用しているエッチングによって取り除かれ、それにより第2のミラー層３８ｃのミラー面３８ｄを露出する。代わりの実施形態では、エッチング停止層４４ａおよび犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄは同じ腐食液を使用して取り除かれる。例えば、非常に薄いＳｉＯ2エッチング停止層はモリブデン犠牲層を取り除くために使用されたＸｅＦ2腐食液によって取り除かれることができる。
【００３６】
図９Ｈと８Ｅとの比較は、空洞７５（図９Ｈ）のサイズが３層の犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃおよびエッチング停止層４４の合成された厚みに相当することを図示する。同様に、空洞８０のサイズは２層の犠牲層４６ｂ，４６ｃおよびエッチング停止層４４の合成された厚みに相当し、そして空洞８５のサイズは犠牲層４６ｃおよびエッチング停止層４４の合成された厚みに相当する。このように、空洞７５，８０，８５の寸法は４層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４４の種々の合成された厚みに従って変化し、干渉測定変調器１００，１１０，１２０の１アレイ内に赤、緑および青のような３つの異なる色を表示するという結果になる。
【００３７】
犠牲層４６、金属ミラー層３８および薄い均一層４４の製造に用いられる材料はある望ましい効果を引き起こすように好ましくは互いに共同して選択される。犠牲層４６がａ−Ｓｉまたはゲルマニウムからなり、そして金属ミラー層３８がアルミニウムのような金属からなる１実施形態では、薄い均一層４４は好ましくは約１００Å乃至約７００Åの範囲内の厚みを有し、そして好ましくはチタンおよびタングステンから成るグループから選択された材料からなる。犠牲層４６がモリブデンからなり、そして金属ミラー層３８がアルミニウムのような金属からなる１実施形態では、薄い均一層４４は好ましくは約１００Å乃至約７００Åの範囲内の厚みを有し、そして好ましくは酸化シリコン（ＳｉＯx）、非晶質シリコン、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、ゲルマニウム、チタンおよびタングステンから成るグループから選択された材料を具備する。
【００３８】
１実施形態では、薄い均一層４４は金属ミラー層３８から犠牲層４６への金属の拡散を遅らせる拡散障壁層として具備するかまたは機能する。拡散は金属ミラー層と犠牲層との間の境界をぼんやりさせ勝ちなので、そのような拡散はしばしば望ましくなく、処理の間エッチングの選択性を減少させ、そして結果としての干渉測定変調器内のミラー品質を引き下げる結果となることが分かった。薄い均一層４４が拡散障壁層として具備するかまたは機能する；犠牲層４６がａ−Ｓｉ、ゲルマニウムおよびモリブデンから成るグループから選択された材料からなる；そして金属ミラー層３８がアルミニウムからなる１実施形態では、薄い均一層／障壁層４４は好ましくは酸化シリコン（ＳｉＯx）、窒化シリコン（ＳｉxＮy）、チタンおよびタングステンから成るグループから選択された材料からなる。薄い均一層／障壁層４４は好ましくは約３００Å乃至約７００Åの範囲内の厚みを有する。好ましい実施形態では、薄い均一層４４はエッチング停止層および障壁層の両者として具備するかまたは機能する。
【００３９】
１実施形態では、薄い均一層４４は犠牲材４６の結晶学的配向を金属ミラー層３８の類似の結晶学的配向を生成することから本質的に防ぐ緩衝層として具備するかまたは機能する。犠牲層を形成するために使用されるいくつかの材料は堆積および／または次の処理工程後の結晶学的配向を表示することが分かった。例えば、モリブデンは、モリブデン原子の結晶格子間隔が原因となる任意の特定の表面上に結晶学的配向（典型的に体心立方体(body  centered  cubic)）を有する結晶性の材料である。金属ミラー層３８がモリブデン犠牲層４６上に直接堆積される時には、堆積金属は、類似の結晶学的配向を金属層３８内に生成している、基礎的なモリブデンの結晶学的配向に従う傾向にある可能性がある。結果としての堆積された金属層の格子間隔はしばしば基礎的なモリブデンがないであろう時とは異なっており、そして多くの場合、堆積された金属層は結果として機械的に引っ張られる。犠牲層の除去では、金属原子の堆積された(as-deposited)格子間隔は、ある場合には金属層の寸法を変更し、そして望ましくない歪み(warping)を引き起こして、その金属の自然の格子間隔に緩めてもよい。
【００４０】
薄い均一層４４が緩衝層として具備するかまたは機能する実施形態について、薄い均一層／緩衝層４４は好ましくは非晶質であるかまたは基礎的な犠牲層４６と同じ格子間隔を持たない。金属原子はむしろ基礎的な犠牲層４６上よりも薄い均一層／緩衝層上に堆積し、そして緩衝層は犠牲層４６の結晶学的配向を金属ミラー層３８の類似の結晶学的配向を生成することから本質的に防ぐ。薄い均一層４４が緩衝層として具備するかまたは機能する；犠牲層４６がゲルマニウムおよびモリブデンから成るグループから選択された材料からなる；そして金属ミラー層３８がアルミニウムからなる１実施形態では、薄い均一層／緩衝層４４は好ましくは酸化シリコン（ＳｉＯx）および窒化シリコン（ＳｉxＮy）から成るグループから選択された材料からなる。薄い均一層／緩衝層４４は好ましくは約１００Å乃至約７００Åの範囲内の厚みを有する。好ましい実施形態では、薄い均質層４４はエッチング停止層および緩衝層の両者として具備するかまたは機能する。
【００４１】
１実施形態では、薄い均質層４４は金属ミラー層の結晶学的配向と本質的に同じである結晶学的配向を有するテンプレート層として具備するかまたは機能する。上で検討されたように、堆積金属は金属層内の類似の結晶学的配向を生成し、下にある層の結晶学的配向にフォローし勝ちである可能性がある。この傾向は、薄い均一層４４としての使用について、金属層に分け与えることが望ましいであろう結晶学的配向を有する材料を選択することによって常に有利となることができる。そのような材料で形成された薄い均一層４４はこのように、次に堆積された金属ミラー層３８内に本質的に同じ結晶学的配向を生成する結晶学的テンプレートとして機能する。薄い均一層４４がまたテンプレート層として具備するかまたは機能する；犠牲層４６がａ−Ｓｉ、ゲルマニウムおよびモリブデンから成るグループから選択された材料からなる；そして金属ミラー層３８がアルミニウムからなる１実施形態では、薄い均一層／テンプレート層４４は好ましくは、チタンおよびタングステンから成るグループから選択された材料からなる。薄い均一層／テンプレート層４４は好ましくは約１００Å乃至約７００Åの範囲内の厚みを有する。好ましい実施形態では、薄い均一層４４はエッチング停止層およびテンプレート層の両者として具備するかまたは機能する。
【００４２】
この中に記述された干渉測定変調器およびそれのアレイを製造するために使用された処理工程は、好ましくはある望ましい効果を引き起こすように犠牲層４６、金属ミラー層３８および薄い均一層４４の製造のために使用された材料と共同して選択される。例えば、図９Ａを参照して上述された１つの実施形態では、部分３８ｃを形成するために第２のミラー層３８のエッチングの間、エッチング停止層４４は下にある第３の犠牲層４６ｃをエッチングされることから保護する。図９Ｇを参照して上述されたもう１つの実施形態では、犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃの除去によって露出される（第２のミラー層３８ｃの下にある）エッチング停止層４４ａは犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのエッチングの間第２のミラー層３８ｃを保護する。このように、エッチング停止層は犠牲層および／またはミラー層をいずれか他の層の除去の間エッチングされることから保護することができる。そのようなエッチングの間、エッチングされている材料は好ましくはエッチング停止層が取り除かれるレートよりも少なくとも約１０倍速い、好ましくは少なくとも約２０倍速いレートで取り除かれる。このように、例えば、図９Ａを参照して、部分３８ｃを形成するための第２のミラー層３８のエッチングの間、第２のミラー層３８内のアルミニウムは好ましくは、エッチング停止層４４内の酸化物が腐食液によって取り除かれるレートよりも少なくとも約１０倍速い、そしてもっと望ましくは少なくとも約２０倍速いレートでその腐食液によって取り除かれる。同様に、図９Ｇを参照して、犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄのエッチングの間、犠牲層４６ａ，４６ｂ，４６ｃ，４６ｄ内のモリブデンは好ましくは、エッチング停止層４４内の酸化物がＸｅＦ2腐食液によって取り除かれるレートよりも少なくとも約10倍速い、そしてもっと望ましくは少なくとも約２０倍速いレートでそのＸｅＦ2腐食液によって好ましくは取り除かれる。
【００４３】
図９Ｇ−９Ｈを参照して、第2のミラー部３８ｃの下にあるエッチング停止層４４の部分４４ａは第２のミラー部３８ｃのミラー面３８ｄを露出するようにミラー面３８ｄへのダメージを最小にする方法でエッチングすることによって選択的に取り除かれることができる。腐食液は好ましくは、エッチング停止層４４の部分４４ａをその腐食液が第２のミラー部３８ｃを取り除くレートよりも少なくとも約１０倍速い、もっと望ましくは少なくとも約２０倍速いレートで取り除く。部分４４ａの除去のために使用されたエッチ化学的性質は好ましくは犠牲層４６の除去のために使用されたエッチ化学的性質とは異なっている。例えば、リリースされない干渉測定変調器９０（図９Ｆ）全体からのモリブデン犠牲層４６の除去は、望ましい程度の除去を達成するために、特に厚い部分またはあまり近付けない領域ではＸｅＦ2によるオーバーエッチングを含んでもよい。第２のミラー部３８ｃの下にあるエッチング停止層４４の部分４４ａが無い時は、そのようなオーバーエッチングはミラー面３８ｄにダメージを与えるという結果になるであろう。したがって、第１の腐食液はエッチング停止層４４の部分４４ａに比例して犠牲層４６を選択的に取り除くために使用されること、そして第２の腐食液は第２のミラー部３８ｃに比例して部分４４ａを選択的に取り除くために使用されることがむしろ選ばれる。部分４４ａは薄く、そして比較的均一なので、オーバーエッチングの必要がなく、そしてミラー面３８ｄへのダメージは最小にされることができる。
【００４４】
上記実施形態は本発明を限定するつもりはなく、そしてこの中に記述された方法は同様のエッチングプロファイルを有する２つの材料が、直近のエリア内で、そして選択的エッチングが望まれるエッチングに従って使用される任意の構造に適用されることができる。好ましくは、この中に記述された方法は、Ａｌ含有材とＭｏ含有材との組み合わせ間のエッチング選択性を増加させるために使用されることができる。いかなる構造上の制限または制約も負わされ(imposed)ないし、または意図されない。さらに、いかなる制限または制約も特定の構造シーケンスに負わされないし、または意図されない。
【００４５】
干渉測定変調器の製造に関してこの中に記述された方法は、フォトリソグラフィ、堆積（例えば、化学気相堆積（ＣＶＤ）のような“ドライ”法およびスピンコーティングのようなウェット法）、マスキング、エッチング（例えば、プラズマエッチングのようなドライ法およびウェット法）、等のような従前の半導体製造技術を使用してもよい。
【００４６】
種々の省略、追加および修正がこの発明の範囲から逸脱すること無しに上述された手順に行われてもよいことは、この分野の技術者によって認識されるであろうし、そして全てのそのような修正および変更は、添付されたクレームによって定義されたように、この発明の範囲内にあることを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１の干渉測定変調器の可動形反射層が弛緩位置にあり、そして第２の干渉測定変調器の可動形反射層が作動位置にある干渉測定変調器ディスプレイの１つの実施形態の一部分を描写する等尺図を示す図である。
【図２】３×３干渉測定変調器ディスプレイを組み込んでいる電子装置の１つの実施形態を示すシステムブロック図である。
【図３】図１の干渉測定変調器の１つの例示的な実施形態に関する可動ミラー位置対印加電圧を示す図である。
【図４】干渉測定変調器ディスプレイを駆動するのに使用されることができる１組の行および列電圧を示す図である。
【図５Ａ】図２の３×３干渉測定変調器ディスプレイに１フレームの表示データを書き込むのに使用されることができる行および列信号に関する１つの例示的なタイミングを示す図である。
【図５Ｂ】図２の３×３干渉測定変調器ディスプレイに１フレームの表示データを書き込むのに使用されることができる行および列信号に関する１つの例示的なタイミングを示す図である。
【図６Ａ】図１の装置の断面を示す図である。
【図６Ｂ】干渉測定変調器の１代案の実施形態の断面を示す図である。
【図６Ｃ】干渉測定変調器のもう１つの代案の実施形態の断面を示す図である。
【図７】リリースされない干渉測定変調器の１実施形態の断面図を示す図である。
【図８Ａ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態における初期の処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図８Ｂ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態における初期の処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図８Ｃ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態における初期の処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図８Ｄ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態における初期の処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図８Ｅ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態における初期の処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ａ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ｂ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ｃ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ｄ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ｅ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ｆ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ｇ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【図９Ｈ】干渉測定変調器のアレイを製造するための方法の１実施形態におけるあとの処理工程を図示する断面図を示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１２ａ，１２ｂ…干渉測定変調器、１９…ギャップ、２１…プロセッサ、２２…アレイコントローラ、２４…行ドライバ回路、２６…列ドライバ回路、３１…透明基板、３２ａ…固定の部分反射層、３３…テザー、３４…第１のミラー層、３８…上部金属ミラー層，第2のミラー層、３８ａ，３８ｂ…可動で高度の反射層、４４…薄い均一層（エッチング停止層）、４６…犠牲層、６０…ポスト、７０…干渉測定変調器
【図１】
2006091852.tif 000003
【図２】
2006091852.tif 000004
【図３】
2006091852.tif 000005
【図４】
2006091852.tif 000006
【図５Ａ】
2006091852.tif 000007
【図５Ｂ】
2006091852.tif 000008
【図６Ａ】
2006091852.tif 000009
【図６Ｂ】
2006091852.tif 000010
【図６Ｃ】
2006091852.tif 000011
【図７】
2006091852.tif 000012
【図８Ａ】
2006091852.tif 000013
【図８Ｂ】
2006091852.tif 000014
【図８Ｃ】
2006091852.tif 000015
【図８Ｄ】
2006091852.tif 000016
【図８Ｅ】
2006091852.tif 000017
【図９Ａ】
2006091852.tif 000018
【図９Ｂ】
2006091852.tif 000019
【図９Ｃ】
2006091852.tif 000020
【図９Ｄ】
2006091852.tif 000021
【図９Ｅ】
2006091852.tif 000022
【図９Ｆ】
2006091852.tif 000023
【図９Ｇ】
2006091852.tif 000024
【図９Ｈ】
2006091852.tif 000025
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９Ｃ】
2006091852.tif 000026
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９Ｈ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９Ｈ】
2006091852.tif 000027
【外国語明細書】
2006091852000001.pdf