(57)【要約】【課題】画素電極の形状を特に工夫することなく、ドット反転駆動を行った場合に比べてより高速の初期転移を実現することができる液晶装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶装置は、初期転移時に、任意の第１行の全ての画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、前記任意の第１行と列方向に隣接する第２行の複数の画素電極に対しては、任意の１個の画素電極の両隣の２個の画素電極の電圧が前記１個の画素電極の電圧に比べてともに高いか、またはともに低くなるような電圧を印加する電圧印加動作を、表示領域の少なくとも一部にあたる複数の電極画素に対して行う。【選択図】図４
2006330693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、
前記転移の際に、
任意の第１行に対応する複数の画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、
前記第１行と列方向に隣接する第２行の複数の画素電極のうち、任意の１個の画素電極の両隣の２個の画素電極に、前記１個の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記マトリクス状に配列する複数の画素電極のうち、少なくとも一部に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、
前記転移の際に、
互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、第１行の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加し、かつ、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、
前記転移の際に、
互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、一方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて高く、かつ、他方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて低い電圧を印加するとともに、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記電圧印加動作において前記第１行の画素電極と前記第２行の画素電極とで、所定の基準電位に対して逆極性の電圧を印加するとともに、各行の画素電極に印加する電圧の極性を単位時間毎に反転させる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記電圧印加動作において前記第１行の画素電極と前記第２行の画素電極とで、所定の基準電位に対して同極性の電圧を印加するとともに、各行の画素電極に印加する電圧の極性を単位時間毎に反転させる
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記転移の際における電圧印加動作の後、前記複数の画素電極の各々に対して、所定の基準電位に対して階調に応じた電圧をそれぞれ印加する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記電圧印加動作において印加される全ての電圧が前記閾値電圧以上とされた
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記電圧印加動作が、前記表示領域の全ての複数の画素電極に対して行われる
ことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、
前記転移の際に、
任意の第１行の複数の画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、前記第１行と列方向に隣接する第２行に、自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極が１つおきに生じるような電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、
前記転移の際に、
全ての行において１行中の複数の画素電極に対して異なる電圧を印加するとともに、同じ行について自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極が１つおきに生じ、かつ、同じ列について自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極が１つおきに生じるような電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、
前記転移の際に、
全ての行において１行中の複数の画素電極に対して異なる電圧を印加するとともに、
１行の全ての画素電極に対して自身の周囲を周回する等電位線を有する行と、１行の全ての画素電極に対して自身の周囲を周回する等電位線を有しない行とが交互に生じるような電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上である
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
少なくとも一組の画素電極間の電圧は、前記液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせる
ことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１３】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置の駆動方法であって、
前記転移の際に、
任意の第１行に対応する複数の画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、
前記第１行と列方向に隣接する第２行の複数の画素電極のうち、任意の１個の画素電極の両隣の２個の画素電極に、前記１個の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記マトリクス状に配列する複数の画素電極のうち、少なくとも一部に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上に設定した
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１４】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置の駆動方法であって、
前記転移の際に、
互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、第１行の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加し、かつ、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上に設定した
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１５】
一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置の駆動方法であって、
前記転移の際に、
互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、一方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて高く、かつ、他方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて低い電圧を印加するとともに、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、
前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上に設定した
ことを特徴とする液晶装置の駆動方法。
【請求項１６】
少なくとも一組の画素電極間の電圧は、前記液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせる
ことを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれか一項に記載の液晶装置の駆動方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の液晶装置を備えた
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置およびその駆動方法、電子機器に関し、特にＯＣＢ（Optical Compensated Birefringence）モードの液晶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特に液晶テレビジョン等に代表される液晶装置の分野においては、近年、動画の画質向上を目的として応答速度の速いＯＣＢモードの液晶装置が脚光を浴びている。ＯＣＢモードにおいて、初期状態では液晶分子が２枚の基板間でスプレイ状に開いたスプレイ配向となっており、表示動作時には液晶分子が弓なりに曲がった状態（ベンド配向）になっている必要がある。これは、表示動作時にベンド配向の曲がりの度合いで透過率を変調するためである。ＯＣＢモードの液晶装置の場合、電源遮断時において液晶は初期状態のスプレイ配向であるため、電源投入時にある閾値電圧以上の電圧を液晶に印加することによって初期のスプレイ配向から表示動作時のベンド配向に液晶の配向状態を転移させる、いわゆる初期転移操作が必要となる。ここで、初期転移が十分になされないと表示不良が生じたり、所望の高速応答性が得られなかったりするため、これらの点を解決すべく下記の特許文献１、特許文献２の技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００２−３２８３９９号公報
【特許文献２】特開２００２−３５７８０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１、２では、相隣接する画素電極および画素電極（または、画素電極および配線）に互いに逆極性の電圧を印加する（ドット反転駆動）ことでこれらの間に横電界を発生させ、液晶にディスクリネーションを生じさせている。これにより、液晶中に転移核を発生しやすくすることでベンド配向への転移を高速に行っている。この方法は横電界により液晶分子が左右に回転することを転移核の発生に利用しているため、液晶分子の回転方向を制御することが重要である。そこで、例えば特許文献２では、隣接する画素電極および画素電極の間に横電界を発生させるとともに、画素電極の縁に突起を設けるなどして画素電極の形状を工夫し、回転方向を制御している。
【０００４】
しかしながら、例えばドット反転駆動のように隣接する画素電極の間に単に逆極性の電圧を印加しただけでは、未だベンド配向への転移が十分に高速であるとは言えず、ＯＣＢモードに必須の初期転移をより高速に実現することが望まれている。また、特許文献２のように画素電極の形状を変えた場合、開口率の低下や液晶分子の配向不良等の不具合が生じる恐れがある。特に画素面積が小さくなると、これらの問題は顕著に表れることになる。
【０００５】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、画素電極の形状を特に工夫することなく、ドット反転駆動を行った場合に比べてより高速の初期転移を実現することができる液晶装置およびその駆動方法を提供することを目的とする。また、このような液晶装置を備えたことで動画視認性に優れた表示が可能な電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、前記転移の際に、任意の第１行に対応する複数の画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、前記第１行と列方向に隣接する第２行の複数の画素電極のうち、任意の１個の画素電極の両隣の２個の画素電極に、前記１個の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記マトリクス状に配列する複数の画素電極のうち、少なくとも一部に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上であることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の他の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、前記転移の際に、互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、第１行の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加し、かつ、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上であることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明のさらに他の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、前記転移の際に、互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、一方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて高く、かつ、他方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて低い電圧を印加するとともに、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上であることを特徴とする。
なお、上記３つの本発明の液晶装置においては、少なくとも一組の画素電極間の電圧は、前記液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせるような電圧であることが好ましい。
【０００９】
ＯＣＢモードの初期転移については、上述したように既にいくつかの方法が提案されており、液晶分子がスプレイ配向からベンド配向に転移する際に、ツイスト配向を経由することで転移が円滑に進行することが知られている。特に、９０°以上のツイストが好ましい。その一つに、液晶分子の回転方向が異なる時計回りと反時計回りの２種類の領域を発生させ、それらの領域の境界において９０°以上のツイストを生じさせディスクリネーションを発生させる、という方法がある。そして、この領域のうち、転移に必要な閾値電圧以上が印加された領域が起点（これを転移核と呼ぶ）となってスプレイ配向からベンド配向に変化する。このことも既に周知のことである。
【００１０】
詳細は後の「発明を実施するための最良の形態」の項で説明するが、本発明者は、従来の初期転移の方法であるドット反転駆動でも液晶分子の回転方向が異なる２つの領域ができるものの、それと同時に液晶分子の回転方向が規定されない領域もできてしまい、その領域がスプレイ配向からベンド配向への配向変化を遅らせる原因となっていることを突き止めた。これに対して、本発明においては、マトリクス状に配列された複数の画素のうちの隣接する複数の画素電極に対して、上述したような大小関係の電圧を印加する電圧印加動作を行うと、ドット反転駆動のように液晶分子の回転方向が規定されない領域ができることがなくなる。したがって、液晶分子の回転方向が異なる２つの領域の境界にできる転移核によって初期転移を円滑に進行させることができ、初期転移に要する時間を短縮することができる。本発明のより詳細な作用についても後述する。
【００１１】
上記の本発明において、電圧印加動作において印加される全ての電圧が前記閾値電圧以上であることが望ましい。
液晶のスプレイ配向からベンド配向への転移にはある一定値以上の電圧（閾値電圧）が必要である。初期転移時には複数の画素電極に印加される複数の電圧のうちの一部が閾値電圧を超えさえすればその箇所に転移核が生じ、そこから転移が伝播してベンド配向が全体に広がっていく。しかしながら、転移の伝播に依存すればする程、表示領域全体が初期転移に到るまでの速度が遅くなる。したがって、電圧印加動作において印加される全ての電圧が閾値電圧以上であれば、本発明の長所を最大に生かすことができ、初期転移に要する時間をより短縮することができる。
【００１２】
また、電圧印加動作が、表示領域の全ての複数の画素電極に対して行われることが望ましい。
上述したように、表示領域内の一部の領域の複数の画素電極に対して本発明特有の電圧印加動作を適用すれば、転移の伝播により表示領域全体を初期転移に移行させることができるが、それでは初期転移の速度が遅くなる。そこで、表示領域の全ての複数の画素電極に対して上記の電圧印加動作を行えば、初期転移に要する時間をより短縮することができる。
【００１３】
また、上記３つの本発明の液晶装置のうち、最初の２つに対しては、電圧印加動作において前記第１行の画素電極と前記第２行の画素電極とで、所定の基準電位に対して逆極性の電圧を印加するとともに、各行の画素電極に印加する電圧の極性を単位時間毎に反転させる構成を採用してもよい。また、上記３つの本発明の液晶装置の全てに対し、電圧印加動作において前記第１行の画素電極と前記第２行の画素電極とで、所定の基準電位に対して同極性の電圧を印加するとともに、各行の画素電極に印加する電圧の極性を単位時間毎に反転させる構成を採用してもよい。
すなわち、前者の構成はいわゆるライン反転駆動と呼ばれるものであり、後者の構成はいわゆるフレーム反転駆動と呼ばれるものである。具体的には、これらライン反転駆動やフレーム反転駆動を行うことで本発明の電圧印加動作の実現が可能である。
また、上記３つの本発明の液晶装置においては、前記転移の際における電圧印加動作の後、前記複数の画素電極の各々に対して、所定の基準電位に対して階調に応じた電圧をそれぞれ印加する構成が好ましい。
【００１４】
本発明の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、前記転移の際に、任意の第１行の複数の画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、前記第１行と列方向に隣接する第２行に、自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極が１つおきに生じるような電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上であることを特徴とする。
【００１５】
本発明の他の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、前記転移の際に、全ての行において１行中の複数の画素電極に対して異なる電圧を印加するとともに、同じ行について自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極が１つおきに生じ、かつ、同じ列について自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極が１つおきに生じるような電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上であることを特徴とする。
【００１６】
本発明のさらに他の液晶装置は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置であって、前記転移の際に、全ての行において１行中の複数の画素電極に対して異なる電圧を印加するとともに、１行の全ての画素電極に対して自身の周囲を周回する等電位線を有する行と、１行の全ての画素電極に対して自身の周囲を周回する等電位線を有しない行とが交互に生じるような電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上であることを特徴とする。
なお、上記３つの本発明の液晶装置においては、少なくとも一組の画素電極間の電圧は、前記液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせるような電圧であることが好ましい。
【００１７】
上記３つの本発明の液晶装置は、先に記載した本発明の液晶装置が隣接する画素電極への印加電圧の大小関係で表現したものであったのに対し、等電位線の形状で表現したものであり、実質的な作用は全く同一である。したがって、これら本発明の液晶装置においても、初期転移の速度が速くなり、初期転移に要する時間を短縮できる、という効果が得られる。
【００１８】
本発明の液晶装置の駆動方法は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置の駆動方法であって、前記転移の際に、任意の第１行に対応する複数の画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、前記第１行と列方向に隣接する第２行の複数の画素電極のうち、任意の１個の画素電極の両隣の２個の画素電極に、前記１個の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記マトリクス状に配列する複数の画素電極のうち、少なくとも一部に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上に設定したことを特徴とする。
【００１９】
本発明の他の液晶装置の駆動方法は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置の駆動方法であって、前記転移の際に、互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、第１行の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加し、かつ、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べて、ともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上に設定したことを特徴とする。
【００２０】
本発明のさらに他の液晶装置の駆動方法は、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列され、前記一対の基板間に挟持された液晶の配向状態を初期状態のスプレイ配向からベンド配向へと転移させて表示を行うＯＣＢモードの液晶装置の駆動方法であって、前記転移の際に、互いに隣接する２つの行と互いに隣接する２つの列とで構成される任意の４個の画素電極に対して、第１行の２個の画素電極と第２行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士で比較したときに、第２行の画素電極に、一方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて高く、かつ、他方の列に位置する第１行の画素電極への印加電圧に比べて低い電圧を印加するとともに、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士で比較したときに、第２列の画素電極に、第１列の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか、または、ともに低い電圧を印加する電圧印加動作を、前記表示領域の少なくとも一部にあたる複数の画素電極に対して行い、前記電圧印加動作において印加される電圧のうちの少なくとも一部と、前記一対の基板のうち、他方の基板に形成された電極の電圧との差が、スプレイ配向からベンド配向への転移に必要な閾値電圧以上に設定したことを特徴とする。
なお、上記３つの本発明の液晶装置においては、少なくとも一組の画素電極間の電圧は、前記液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせるような電圧であることが好ましい。
【００２１】
これら本発明の液晶装置の駆動方法によれば、液晶分子の回転方向が規定されない領域ができないため、液晶分子の回転方向が異なる２つの領域の境界にできる転移核によって初期転移を円滑に進行させることができる。その結果、初期転移の速度が速くなり、初期転移に要する時間を短縮することができる。
また、本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を備えたことを特徴とする。本発明によれば、上記本発明の液晶装置を備えたことによって動画視認性に優れた表示が可能な電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
＜第１の実施の形態＞
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶装置について説明する。
第１実施形態に係る液晶装置は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」と略記する）を画素スイッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の表示装置である。
【００２４】
図１は、この液晶装置を、各構成要素とともに対向基板の側から見た平面図であり、図２は、図１におけるＨ− Ｈ’線に沿って破断した断面図である。なお、図１および図２において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、縮尺を異ならせてある。
【００２５】
図１および図２に示されるように、本実施形態に係る液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入されている。液晶５０は、正の誘電率異方性を有し、初期状態ではスプレイ配向を呈する一方、表示動作時にはベンド配向を呈するＯＣＢモードである。
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）５３が形成されている。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路２０１および外部回路実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿ってそれぞれ形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿った領域には、走査線駆動回路１０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、表示領域４０の両側に設けられた走査線駆動回路１０４の間を接続するための複数の配線１０５が設けられている。また、対向基板２０の角部においては、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための導通材１０６が２箇所配設されている。
【００２６】
図３は、液晶装置１００の電気的な構成を示す図である。
この図に示されるように、本実施形態では７６８行の走査線３ａが図においてそれぞれ水平方向に延在する一方、１０２４列のデータ線６ａが図において垂直方向に延在している。そして、これらの走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に対応して、それぞれ画素６０が設けられている。したがって、本実施形態において、画素６０は、縦７６８行×横１０２４列のマトリクス状に配列することになる。このように画素６０がマトリクス状に配列する領域が表示領域４０である。
なお、本実施形態では、走査線３ａが延在する水平方向を「行方向」と、データ線６ａが延在する垂直方向を「列方向」と、それぞれ便宜的に呼ぶことにする。
【００２７】
画素６０においては、ｎチャネル型のＴＦＴ３０のソースがデータ線６ａに接続されるとともに、そのドレインが画素電極９に接続される一方、ゲートが走査線３ａに接続されている。画素電極９は、図２に示されるように、ＴＦＴアレイ基板１０に形成される一方、対向基板２０には、すべての画素電極９に対向するようにコモン電極２５が設けられる。このため、画素６０毎に、画素電極９とコモン電極２５との間で液晶５０を挟持した液晶容量５５が構成されることになる。
【００２８】
ところで、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の対向面には、配向膜（図示省略）がそれぞれ形成されとともに、本実施形態ではいずれの配向膜に対し行方向にラビング処理が施されている。このため、基板面の配向膜付近に位置する液晶分子は、その長軸が行方向に沿ってそれぞれ配向する。一方、基板同士の中間付近に位置する液晶分子は、電圧無印加状態にあれば、基板面の配向膜付近に位置する液晶分子の配向方向と連続性を保つように配向するため、平面方向でみれば行方向に沿って、断面方向でみれば基板面方向とほぼ平行に配向する（スプレイ配向）。後述する表示モードにおいては、ＴＦＴアレイ基板１０から対向基板２０までにかけて、液晶分子を弓なりの対称形状に配向させ、つまり、基板間の中心に向かうにつれて基板面と垂直方向となるような状態（ベンド配向）が前提となる。このため、ＯＣＢモードの液晶を用いる場合には、液晶分子を初期状態のスプレイ配向からベンド配向に転移させる必要がある。
本実施形態では、後述する転移モードにおいて、各画素電極に対して所定のパターンで電圧を印加することにより、液晶分子をスプレイ配向から効率良くベンド配向に転移させる。そして、ベンド配向への転移後において、階調に応じた電圧を液晶容量５５に印加・保持させると、当該液晶容量５５は、保持した電圧の実効値に応じて単位時間当たりにおける透過光量が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００２９】
なお、コモン電極２５には、時間的に一定の電圧ＬＣcomが、上述した実装端子２０２および導通材１０６を経由して印加される。本実施形態においては、電圧ＬＣcomについては５Ｖとしている。
また、画素６０毎に、蓄積容量１７が設けられている。この蓄積容量１７は、液晶容量５５と電気的に並列となるように、ＴＦＴ３０のドレイン（画素電極９）と、一定の電位、例えば接地電位Ｇndに保たれた容量線３ｂとの間に電気的に介挿されている。
【００３０】
走査線駆動回路１０４は、１、２、３、…、７６８行目の走査線３ａに、それぞれ走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ７６８を供給するものである。なお、走査線駆動回路１０４は、図１において表示領域４０の両側に配置しているが、これは、走査線の一端側と他端側とで走査信号の遅延が生じないようにするためである。このため、電気的にみれば、図３に示されるように、表示領域４０の片側に１個で配置する構成と等価である。
データ線駆動回路２０１は、１、２、３、…、１０２４列目のデータ線６ａに、それぞれデータ信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、…、Ｓ１０２４を供給するものである。
【００３１】
説明の便宜上、１、２、３、…、７６８行目の走査線３ａのうち、互いに隣接する（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）行目の走査線の３行にそれぞれ供給される走査信号を、一般的にＧ（ｎ＋１）、Ｇ（ｎ＋２）、Ｇ（ｎ＋３）行と表記する。ここで、（ｎ＋１）、（ｎ＋２）、（ｎ＋３）は、いずれも本実施形態では、１以上７６８以下の整数である。
同様に、１、２、３、…、１０２４列目のデータ線６ａのうち、互いに隣接する（ｍ＋１）、（ｍ＋２）、（ｍ＋３）列目のデータ線の３列にそれぞれ供給されるデータ信号を、一般的にＳ（ｍ＋１）、Ｓ（ｍ＋２）、Ｓ（ｍ＋３）行と表記する。ここで、（ｍ＋１）、（ｍ＋２）、（ｍ＋３）は、いずれも本実施形態では１以上１０２４以下の整数である。
また、第１実施形態では、画素電極への書込極性を走査線に対応する行毎に反転する行（ライン）反転方式として説明する。
【００３２】
なお、本実施形態において電圧の基準は接地電位Ｇndであるが、書込極性の基準は、コモン電極２５に印加される電圧ＬＣcom（＝５Ｖ）である。換言すれば、本実施形態では、データ信号について限っていえば、電圧ＬＣcomよりも高位側を正極性とし、低位側を負極性としている。ただし、後述するようにコモン電極２５に印加する電圧ＬＣcomを、データ信号の振幅中心である書込極性の基準電位と異ならせて設定する場合がある。
【００３３】
次に、液晶装置１００の動作について説明する。
この液晶装置１００は、電源投入直後から所定の時間経過するまで転移モードとして初期転移動作を実行し、これにより液晶分子をスプレイ配向からベンド配向に転移させ、しかる後、表示モードに移行して表示動作を実行する。
そこでまず、液晶装置１００における転移モードについて説明する。転移モードにおいて、走査線駆動回路１０４は、図４に示されるように、各フレームにわたって、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ７６８を水平走査期間Ｈ毎に順次排他的にＨレベルとする。
データ線駆動回路２０１は、転移モードにおいて、まず次のようなデータ信号を供給する。すなわち、あるフレーム（ｉフレームとする）において、データ線駆動回路２０１は、１行目の走査線が選択されて走査信号Ｇ１がＨレベルとなる水平走査期間Ｈにおいて、すべてのデータ信号を正極性の１０Ｖとする。ここで、走査信号Ｇ１がＨレベルになると、１行目の走査線３ａに対応する１行分の画素６０においては、ＴＦＴ３０が導通（オン）状態になるので、データ線６ａに供給されたデータ信号の電圧が画素電極９に印加される。このため、１行目の画素１行分の画素電極９には、すべて１０Ｖの電圧が印加される。すべての画素電極９に対向するコモン電極２５への印加電圧ＬＣcomは、５Ｖで時間的に一定であるので、１行目のすべての液晶容量５５には、コモン電極２５の電位を基準でみると、すべて＋５Ｖの電圧が保持されることになる。
なお、図４において、データ信号において縦方向の電圧スケールは、走査信号の電圧スケールよりも拡大してある（後述する同様の図面においても同様である）。
【００３４】
次に、データ線駆動回路２０１は、走査信号Ｇ２がＨレベルになると、データ信号Ｓ（ｍ＋１）を０Ｖ、データ信号Ｓ（ｍ＋２）を３Ｖ、データ信号Ｓ（ｍ＋３）を０Ｖというように、負極性の０Ｖ、３Ｖを列毎に交互にデータ線６ａに印加する。このため、２行目の画素１行分の画素電極９には、列毎に交互に０Ｖ、３Ｖの電圧が印加されるので、２行目の画素１行分の液晶容量５５には、電圧−５Ｖ、−２Ｖが列毎に交互に保持されることになる。
続いて、データ線駆動回路２０１は、走査信号Ｇ３がＨレベルになると、走査信号Ｇ１がＨレベルとなった水平走査期間Ｈと同様に、すべてのデータ信号を正極性の１０Ｖとする。これにより、３行目のすべての画素電極９には、１０Ｖの電圧が印加され、液晶容量５５には、＋５Ｖの電圧が保持されることになる。
データ線駆動回路２０１は、走査信号Ｇ４がＨレベルとなると、走査信号Ｇ２がＨレベルとなった水平走査期間Ｈと同様に、負極性の０Ｖ、３Ｖを列毎に交互にデータ線６ａに印加する。これにより、４行目のすべての画素電極９には、列毎に交互に０Ｖ、３Ｖの電圧が印加され、液晶容量５５には、電圧−５Ｖ、−２Ｖが列毎に交互に保持されることになる。
このｉフレームにおいて、以下同様な動作は、走査信号Ｇ７６８がＨレベルとなるまで繰り返される。
したがって、ｉフレームにおいては、奇数（１、３、５、…、７６７）行目の画素電極９には、すべて１０Ｖの電圧が印加される一方、偶数（２、４、６、…、７６８）行目の画素電極９には、列毎に０Ｖ、３Ｖの電圧が交互に印加されることになる。
【００３５】
次の（ｉ＋１）フレームにおいても、走査線駆動回路１０４は、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ７６８を水平走査期間Ｈ毎に順次排他的にＨレベルとする。また、データ線駆動回路２０１は、走査信号Ｇ１がＨレベルとなる水平走査期間Ｈにおいて、すべてのデータ信号を負極性の０Ｖとする。これにより、１行目の画素１行分において、画素電極９には、０Ｖの電圧が印加され、液晶容量５５には、−５Ｖの電圧が保持されることになる。
続いて、データ線駆動回路２０１は、走査信号Ｇ２がＨレベルになると、データ信号Ｓ（ｍ＋１）を１０Ｖ、データ信号Ｓ（ｍ＋２）を７Ｖ、データ信号Ｓ（ｍ＋３）を１０Ｖというように、正極性の１０Ｖ、７Ｖを列毎に交互にデータ線６ａに印加する。これにより、２行目の画素１行分において、画素電極９には、列毎に交互に１０Ｖ、７Ｖの電圧が印加され、液晶容量５５には、電圧＋５Ｖ、＋２Ｖが列毎に交互に保持されることになる。
この（ｉ＋１）フレームにおいて、以下同様な動作は、走査信号Ｇ７６８がＨレベルとなるまで繰り返される。
したがって、（ｉ＋１）フレームにおいては、奇数行目の画素電極９には、すべて０Ｖの電圧が印加される一方、偶数行目の画素電極９には、列毎に１０Ｖ、７Ｖの電圧が交互に印加されることになる。
【００３６】
このため、本実施形態では、同一の画素６０についてみると、ｉフレームと、（ｉ＋１）フレームとにおいて液晶容量５５に保持される電圧は、極性のみが互いに異なり、絶対値同士でみれば同一である。このため、転移モードにおいて複数フレームにわたってみたときに、各液晶容量５５に直流成分の印加が回避されて、液晶５０の劣化が防止される。
さらに、画素電極９に１０Ｖまたは０Ｖが印加された液晶容量における保持電圧の絶対値は５Ｖであり、画素電極９に３Ｖまたは７Ｖが印加された液晶容量における保持電圧の絶対値は２Ｖである。これらの絶対値の電圧は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で封入される液晶５０がベンド配向に転移するのに要する閾値電圧を超える電圧である。したがって、本実施形態によれば、転移モードにおいては、液晶容量５５で挟持される液晶５０がベンド配向に確実に転移することになる。
【００３７】
転移モードによってベンド配向に転移した後に、表示モードになると、表示内容に応じた電圧が各画素電極に書き込まれる。詳細には、走査線駆動回路１０４は、図５に示されるように、転移モードと同様に、各フレームにわたって走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、…、Ｇ７６８を水平走査期間Ｈ毎に順次排他的にＨレベルとするが、データ線駆動回路２０１は、Ｈレベルとなった走査線３ａに対応する画素６０に対し、階調に応じた電圧のデータ信号を供給する。
例えば、データ線駆動回路２０１は、あるフレーム（ｊフレームとする）において、（ｍ＋１）列目のデータ線６ａに供給するデータ信号Ｓ（ｍ＋１）の電圧を、走査信号Ｇ（ｎ＋１）がＨレベルとなったときには（ｎ＋１）行目の走査線３ａと（ｍ＋１）列目のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた負極性の電圧（図における↓）とし、走査信号Ｇ（ｎ＋２）がＨレベルとなったときには（ｎ＋２）行目の走査線３ａと（ｍ＋１）列目のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた正極性の電圧（図における↑）とする一方、次の（ｊ＋１）フレームにおいて、走査信号Ｇ（ｎ＋１）がＨレベルとなったときには（ｎ＋１）行目の走査線３ａと（ｍ＋１）列目のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた正極性の電圧（図における↑）とし、走査信号Ｇ（ｎ＋２）がＨレベルとなったときには（ｎ＋２）行目の走査線３ａと（ｍ＋１）列目のデータ線６ａとの交差に対応する画素の階調に応じた負極性の電圧（図における↓）とする。
なお、図５では、データ信号について、（ｍ＋１）列目のデータ線６ａに供給されるデータ信号Ｓ（ｍ＋１）で代表して説明したので、他については省略している。
【００３８】
次に、本実施形態において、転移モードの際に、図４に示されるようなデータ信号の電圧を印加する理由について説明する。
図６は、（ｎ＋１）行、（ｎ＋２）行および（ｎ＋３）行の３行と、（ｍ＋１）列、（ｍ＋２）列および（ｍ＋３）列の３列との交差に対応する計９個の画素６０の画素電極９に、ｉフレームにおいて印加される電圧等を示す図である。
すなわち、一般的に言えば、（ｎ＋２）行の全ての画素電極に互いに等しい電圧を印加するとともに、（ｎ＋２）行と隣接する（ｎ＋１）行および（ｎ＋３）行の複数の画素に対しては、１行中の任意の１つの画素電極に対して両隣の２個の画素電極への印加電圧が中央の１個の画素電極への印加電圧に比べてともに高いか（０Ｖが印加された画素電極を中心として見れば両隣がともに高い）、または、ともに低くなる（３Ｖが印加された画素電極を中心として見れば両隣がともに低い）ような電圧を印加することを意味する。
【００３９】
このとき、（ｎ＋２）行中で隣接する画素電極間を除く、他の全ての画素電極間で電位差が生じる。ここで、画素電極間の距離は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とのセルギャップよりも狭いので、電界の強さは、画素電極９とコモン電極２５との間よりも、画素電極９同士の間の方が強くなる。このため、本実施形態では、画素電極９の間における電界の強さは、画素電極９とコモン電極２５との間に閾値電圧を印加した場合よりも強くなるので、（ｎ＋２）行中で隣接する画素電極間を除いた他の全ての画素電極間で生じる電圧差は、液晶分子を面内で回転させる電圧、すなわち、画素電極の境界領域においてディスクリネーションを生じさせるのに十分な電圧である。
なお、図６および以降の同様の図面において、電界（電位差）が発生した画素電極間には矢印を付し、その矢印の向きは矢印の基端側が高電圧側、矢印の先端側が低電圧側を示す。
【００４０】
図７は、図６における（ｎ＋１）行および（ｎ＋２）行の６個の画素電極付近における液晶分子の動きを説明するための図である。ここで、図７を用いて液晶分子の動きを説明する前に、比較例として従来のドット反転駆動を採用したときに十分な高速応答性が得られない理由について考察する。
本実施形態の図７に対して、従来のドット反転駆動の一例に対応する図面が図２０である。図２０に示される例では、行毎および列毎に隣接する画素電極に対して０Ｖ、１０Ｖの電圧が交互に印加されている。図２０および以降の同様の図面では、等電位線を１点鎖線で示している。
電圧無印加時においては液晶分子がラビング方向に沿って行方向に沿って配向していたが、液晶分子が正の誘電率異方性を有しているので、電圧が印加されると、液晶分子が図２０に示されるように、電界の方向に沿って（換言すると、等電位線と直交する方向に）回転する。
【００４１】
ここで、図２０において、破線で示す円Ａ１，Ｂ１，Ｅ１，Ｆ１で囲んだ領域に着目すると、領域Ａ１，Ｆ１では、電圧無印加時に行方向を向いていたＡ点、Ｆ点近傍の液晶分子が、電圧印加時には行方向と液晶分子の長軸とのなす角が小さい方向から大きくなる方向に向けて回転し始めるので、矢印Ａ２，Ｆ２の向き（時計回り）に回転することになる。
一方、領域Ｂ１，Ｅ１では、電圧無印加時に行方向を向いていたＢ点、Ｅ点近傍の液晶分子が、電圧印加時には領域Ａ１，Ｆ１とは逆に矢印Ｂ２，Ｅ２の向き（反時計回り）に回転する。したがって、上述したように、互いに異なる回転方向を持つ領域Ａ１と領域Ｂ１との境界、および領域Ｅ１と領域Ｆ１との境界の領域Ｄ（ディスクリネーションの領域）の画素電極にかかる部分Ｄ１（斜線部）が転移核発生の起点となって、転移が開始する。
しかしながら、領域Ａ１と領域Ｅ１との境界および領域Ｂ１と領域Ｆ１との境界、すなわち楕円で囲んだ領域Ｃ１に着目すると、この領域は電圧無印加時に行方向を向いていた液晶分子の回転方向が瞬時には定まらない。この影響を受け、Ａ点、Ｂ点およびＥ点、Ｆ点付近の液晶分子の回転の遅延が生じる。この結果、領域Ｃ１における異なる回転方向の境界の形成にも遅延が生じるため、転移核の発生が遅くなり、このことが初期転移を十分に高速化できない原因となっている。
【００４２】
また、更なる比較例として、従来のライン反転駆動の一例に対応する図面が図２１である。図２１に示される例では、各行の全ての画素電極に対して０Ｖが印加され、それと隣接する行の全ての画素電極に対して１０Ｖの電圧が印加されている。この図で示されるライン反転駆動では、図２０で示した従来のドット反転駆動と等電位線の形状こそ異なるものの、液晶分子の挙動は図２０で示される例と似ており、やはり各行間の中央付近では転移核が生じにくく、初期転移を十分に高速化できない。
【００４３】
これらに対して、本実施形態によれば、図７に示されるように、（ｎ＋２）行の全ての画素電極に対して等しい電圧が印加されるとともに、（ｎ＋２）行と列方向に隣接する（ｎ＋１）行の画素電極および（ｎ＋３）行の画素電極（図７では省略）に着目すると、自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極（０Ｖが印加された画素電極）が１つおきに現れている。このため、図７に示されるように、破線で示した円Ａ３，Ｂ３で囲んだ２つの領域に着目すると、領域Ａ３では、電圧無印加時に行方向を向いていたＡ点近傍の液晶分子が、矢印Ａ４の向き（時計回り）に回転することになる。一方、領域Ｂ３では、電圧無印加時に行方向を向いていたＢ点近傍の液晶分子が、電圧印加時には領域Ａ３とは逆に矢印Ｂ４の向き（反時計回り）に回転する。
このため、上述したように、互いに異なる回転方向を持つ領域Ａ３と領域Ｂ３との境界の領域Ｄ（ディスクリネーションの領域）の画素電極にかかる部分Ｄ１（斜線部）が転移核発生の起点となり、転移が開始し、ベンド配向領域が拡大する。
すなわち、図７において、（ｎ＋１）行と（ｎ＋２）行との画素電極間の電圧、および（ｎ＋１）行の中心に位置する（ｍ＋２）列の画素電極とその両隣の（ｍ＋１）列、（ｍ＋３）列の画素電極との間の電圧は、互いに液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させる電圧、換言すれば、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせる電圧である。
【００４４】
ここまでは、図２０で示した従来のドット反転駆動の場合と同様であるが、本実施形態において、図２０と異なるのは、隣接する行間の等電位線に着目すると、行方向に直線的に延びる部分が存在せず、上に凸となるように湾曲している点にある。そのため、本実施形態では、液晶分子が行方向を向いたままであって回転方向が定まらないような場所（図２０における領域Ｃ１）が存在せず、行間の中央付近の液晶分子も必ず時計回り、反時計回りのいずれかの回転方向に回転しようとするので、図２０のドット反転駆動の場合と比べて、全体として転移核が生じやすくなる。
図６では、ｉフレームである場合について説明したが、（ｉ＋１）フレームでは、図６における電界の方向がすべて逆転するだけであって、その大きさは同じであるので、同様に転移核が生じやすくなる。
したがって、本実施形態の液晶装置によれば、画素電極の形状を特に工夫することなく、画素電極とコモン電極との間で挟持された液晶のみならず、行間に中央付近に位置する液晶についても初期転移に要する時間を短縮することが可能となるので、高速応答性を備えたＯＣＢモードの液晶装置を実現することができる。
【００４５】
なお、図６では、３行３列の９個の画素電極のみを取り出して図示したが、図示しない画素電極については、図６で示したパターンの繰り返しである。
また、実際の液晶分子は画素電極に対して非常に小さいが、図７、図２０および図２１においては液晶分子を説明のために拡大して示してある（後述する図１０、図１３、図１５においても同様である）。
さらに、第１実施形態では、走査線３ａの延在方向を行方向としてラビング方向に設定するとともに、転移モードにおいて第（ｎ＋２）行の画素電極９に対し１０Ｖ、０Ｖの電圧をフレーム毎に切り替えて印加したが、ラビング方向をデータ線６ａの延在方向に設定するとともに、図６に示される電圧パターンを時計回りに（または反時計回り）に９０度回転させたパターンの電圧を画素電極に印加しても良い。つまり、本発明において、行方向と列方向とは互いに相対的な概念であり、マトリクス配列における一方と他方との関係である。
【００４６】
＜第２の実施の形態＞
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶装置について説明する。
この第２実施形態に係る液晶装置の構成は、図１、図２および図３に示した第１実施形態と同様であり、転移モードにおいて画素電極９に印加する電圧パターンが相違するだけである。このため、第２実施形態では、転移モードにおいて画素電極９に印加する電圧パターンについてのみ説明することにする。
このため、第２実施形態では、転移モードにおいて印加する信号波形を示す図８、画素電極９に印加する電圧パターンを示す図９、および、液晶分子の挙動を示す図１０を参照して説明することにする。
【００４７】
図８および図９に示されるように、あるｉフレームにおいては、（ｎ＋１）行、（ｎ＋２）行および（ｎ＋３）行（これらを含む表示領域の全て）の全ての画素電極に正極性電圧を印加する。ただし、次の（ｉ＋１）フレームでは図８に示されるように、極性が反転し、全ての画素電極に負極性の電圧を印加する。すなわち、第２実施形態は、フレーム反転駆動である。
具体的には、ｉフレームにおいて（ｎ＋１）行および（ｎ＋３）行の画素電極に対しては、（ｍ＋１）列→（ｍ＋２）列→（ｍ＋３）列の順に６Ｖ、８Ｖ、６Ｖの電圧をそれぞれ印加する一方、（ｎ＋２）行の画素電極に対しては、この列の全てに１０Ｖの電圧を印加する。コモン電極２５の電圧が５Ｖであるから、上記の全ての電圧は正極性である。
【００４８】
第２実施形態では、各画素電極９に印加される電圧値が異なるものの、隣接する各画素電極への印加電圧の高低の関係は、図６に示した第１実施形態と全く同一である。
したがって、第２実施形態において、（ｎ＋１）行および（ｎ＋３）行の画素電極に６Ｖ、８Ｖを列毎に交互に印加し、（ｎ＋２）行の画素電極に１０Ｖを印加した場合に、図９に示されるように、画素電極間における電界を示す矢印の有無、および、矢印の向きは、第１実施形態と全く同一である。
すなわち、第２実施形態でも、（ｎ＋２）行の全ての画素電極に対して等しい電圧を印加するとともに、（ｎ＋２）行と列方向に隣接する（ｎ＋１）行および（ｎ＋３）行の複数の画素電極に対しては、１行中の任意の１つの画素電極の両隣の２個の画素電極の電圧が中央の１個の画素電極の電圧に比べてともに高いか、または、ともに低くなるような電圧を印加している。なお、これらの印加電圧は全てスプレイ配向からベンド配向への初期転移に必要な閾値電圧以上である。
【００４９】
したがって、図１０に示されるように、等電位線の形状が第１実施形態とほぼ同じである（実際には電圧値が異なるため、全く同一ではないが、ほぼ同じである、といって差し支えない）ので、液晶分子の挙動も第１実施形態と同じである。
このため、第２実施形態においても、ｉフレームにおいて画素電極に１０Ｖ、つまり、（ｉ＋１）フレームにおいて画素電極０Ｖが印加される行（図１０において（ｎ＋２）行）中で隣接する画素電極間を除く、他の全ての画素電極間で電位差が生じるので、これらの画素電極間で横電界が生じ、この横電界によって液晶分子が面内で回転しようとする。このとき、従来のドット反転駆動などと異なり、行間の中央付近の液晶分子も時計回り（Ａ６方向）、反時計回り（Ｂ６方向）のいずれかの回転方向に回転するため、転移核が生じやすくなり、初期転移を十分に高速化することができる。よって、第２実施形態のようなフレーム反転駆動を行った場合でも、画素電極の形状を特に工夫することなく、初期転移に要する時間を短縮することができ、高速応答性を備えたＯＣＢモードの液晶装置を実現することができる。
なお、本実施形態の場合も、図１０において、（ｎ＋１）行と（ｎ＋２）行の画素電極間の電圧、および（ｎ＋１）行の中心に位置する（ｍ＋２）列の画素電極とその両隣の（ｍ＋１）列、（ｍ＋３）列の画素電極との間の電圧は、液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせる電圧である。また、（ｉ＋１）フレームにおいては、電界方向の向きが逆転するだけであるので、説明は省略する。
【００５０】
＜第３の実施の形態＞
続いて、本発明の第３実施形態に係る液晶装置について説明する。
第３実施形態に係る液晶装置の構成についても、第１実施形態と同様であり、転移モードにおいて画素電極９に印加する電圧パターンが第１および第２実施形態と相違するだけである。このため、第３実施形態では、転移モードにおいて印加する信号波形および画素電極９に印加する電圧パターンについてのみについて、図１１乃至図１７を参照して説明することにする。
【００５１】
第１および第２実施形態では、具体例として（ｎ＋２）行がそうであったように、行方向に並ぶ全ての画素電極に対して等しい電圧（例えば１０Ｖ）が印加される行が存在していた。そして、これに隣接する上下の行の画素電極に対しては、同じ列方向に隣接する画素電極間で異なる電圧（例えば第１実施形態では（ｍ＋１）列で０Ｖと１０Ｖ、（ｍ＋２）列で３Ｖと１０Ｖ）がそれぞれ印加されていた。ところが、本発明はこれに限るものではなく、画素電極に等しい電圧が印加される行が存在しなくても成立する。これは、１行の中で行方向に隣接する２つの画素電極間で異なる電圧が印加され、１列の中で列方向に隣接する２つの画素電極間で異なる電圧が印加されることを意味する。したがって、以下では２行２列の隣接する４個の画素電極に着目し、この例について説明する。
【００５２】
２行２列の隣接する４個の画素電極において、行方向あるいは列方向で隣接する２つの画素電極間で異なる電圧が印加されたとき電圧の高低関係のパターンは、図１１で示されるように、２４＝１６通りのパターンが考えられる。ところが、これら１６通りのパターンの中には、その対称性から重複するパターンが含まれているので、実質的に異なるパターンは、図１１において（１）〜 （５）で示される５通りのパターンである。よって、以下ではこれら５通りのパターンについて考察する。
なお、矢印の表し方は図５等と同じであり、矢印の基端側が高電圧側、矢印の先端側が低電圧側を示している。また、第３実施形態はライン反転の場合を例にとっており、例えば（ｎ＋１）行を負極性、（ｎ＋２）行を正極性として考える。
【００５３】
まず、（１）のパターンについては、走査信号およびデータ信号を、図１２におけるｉフレームで示したような波形とすることで、図１３に示されるように、行方向に見たときには（ｎ＋１）行、（ｎ＋２）行ともに、（ｍ＋１）列の画素電極の電圧に対して（ｍ＋２）列の画素電極の電圧を高くする。さらに、列方向に見たときには（ｍ＋１）列、（ｍ＋２）列ともに、（ｎ＋１）行の画素電極の電圧に対して（ｎ＋２）行の画素電極の電圧の方が高くなっている。具体的には、ライン反転駆動を例にとると、（ｎ＋１）行（ｍ＋１）列の画素電極に０Ｖが、（ｎ＋１）行（ｍ＋２）列の画素電極に３Ｖが、（ｎ＋２）行（ｍ＋１）列の画素電極に８Ｖが、（ｎ＋２）行（ｍ＋２）列の画素電極に１０Ｖがそれぞれ印加される。
【００５４】
このように電圧が印加された場合の等電位線の様子を図１３に示すと、第１実施形態の図７と比較して、（ｎ＋２）行の隣接する画素電極間の等電位線の有無が異なるが、液晶分子の配向方向に対する影響という観点ではよく類似している。すなわち、領域Ａ７では液晶分子が矢印Ａ８の向き（時計回り）に回転する一方、領域Ｂ７では液晶分子が矢印Ｂ８の向き（反時計回り）に回転する。したがって、領域Ａ７と領域Ｂ７との境界の領域Ｄ（ディスクリネーションの領域）の画素電極にかかる部分Ｄ１（斜線部）が転移核発生の起点となり、転移が開始する。そして、隣接する行間の等電位線が湾曲しており、行間の中央付近の液晶分子も必ず時計回り、反時計回りのいずれかの回転方向に回転する。その結果、転移核が生じやすくなり、初期転移を十分に高速化することができる。
なお、図１３における（ｎ＋１）行と（ｎ＋２）行の画素電極間の電圧、および（ｎ＋１）行の中心に位置する（ｍ＋２）列の画素電極とその両隣の（ｍ＋１）列、（ｍ＋３）列の画素電極との画素電極との間の電圧は、液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの領域の境界においてディスクリネーションを生じさせる電圧である。また、（ｉ＋１）フレームにおいては、電界方向の向きが逆転するだけであるので、説明は省略する。
【００５５】
次に、（２）のパターンについては、図１４に示されるように、（ｎ＋２）行（ｍ＋１）列（左下）の画素電極、および、（ｎ＋２）行（ｍ＋３）列（右下）の画素電極において、電圧の高低関係がこのような矢印を満たすような電圧（１０Ｖよりも低く、かつ、０Ｖよりも低い電圧）をとることができない。
【００５６】
続いて（３）のパターンについては、例えば図１５に示されるように、行方向に見たときに（ｎ＋１）行では、（ｍ＋１）列の画素電極に印加された電圧に対して（ｍ＋２）列の画素電極への印加電圧の方が低く、（ｎ＋２）行では、（ｍ＋１）列の画素電極に印加された電圧に対して（ｍ＋２）列の画素電極への電圧の方が高くなっている。また、列方向に見たときに、（ｍ＋１）列、（ｍ＋２）列ともに、（ｎ＋１）行の画素電極に印加された電圧に対して、（ｎ＋２）行の画素電極への印加電圧の方が高くなっている。具体的には、（ｎ＋１）行（ｍ＋１）列の画素電極に３Ｖ、（ｎ＋１）行（ｍ＋２）列の画素電極に０Ｖ、（ｎ＋２）行（ｍ＋１）列の画素電極に８Ｖ、（ｎ＋２）行（ｍ＋２）列の画素電極に１０Ｖの電圧がそれぞれ印加される。
【００５７】
このように電圧が印加された場合の等電位線の様子は、同図に示されるように、隣接する行間の等電位線が行方向に略直線状に延びており、０Ｖが印加された画素電極と１０Ｖが印加された画素電極との周囲をそれぞれ周回している。この様子は、従来のドット反転駆動の図２０とやや類似しているおり、領域Ａ９，Ｂ１１では液晶分子が矢印Ａ１０，Ｂ１２の向き（時計回り）に回転する一方、領域Ａ１１，Ｂ９では液晶分子が矢印Ａ１２，Ｂ１０の向き（反時計回り）に回転する。
ところが、行間の中央付近の領域Ｃ９に着目すると、この領域では電圧無印加時にもともと行方向を向いていた液晶分子の回転方向が瞬時には定まらない。このため、領域Ａ９、Ｂ９およびＡ１１、Ｂ１１の液晶分子の回転の遅延が生じる。この結果、領域Ａ９−Ｂ９間、領域Ａ１１−Ｂ１１間の異なる回転方向の境界の形成にも遅延が生じるため、転移核の発生が遅くなり、初期転移を十分に高速化できない。
【００５８】
なお、（４）のパターンについては、図１６に示されるように、全ての画素電極において、電圧の高低関係がこのような矢印を満たすような電圧をとることができない。（５）のパターンについても、図１７に示されるように、（ｎ＋２）行（ｍ＋１）列（左下）の画素電極および（ｎ＋１）行（ｍ＋３）列（右下）の画素電極において、電圧の高低関係がこのような矢印を満たすような電圧（１０Ｖよりも低く、かつ、３Ｖよりも低い電圧）をとることができない。
【００５９】
以上をまとめると、初期転移を高速化できるのは、５通りのパターンのうち、（１）のパターンのみである。（１）のパターンの特徴は、電圧の高低関係で言えば、行方向と列方向に隣接する４個の画素電極に対して、（ｎ＋１）行の２個の画素電極と（ｎ＋２）行の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士の印加電圧を比較したときに、（ｎ＋１）行の画素電極の電圧に比べて（ｎ＋２）行の画素電極の電圧がともに高いか、ともに、低く、かつ、（ｍ＋１）列の２個の画素電極と（ｍ＋２）列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士の電圧を比較したときに（ｍ＋１）列の画素電極の電圧に比べて（ｍ＋２）列の画素電極の電圧がともに高いか、ともに、低くなるような電圧を印加することである。
また、等電位線の特徴で言えば、同じ行の複数の画素電極に対して自身の周囲を周回する等電位線を有するものが１つおきに発生し、かつ、同じ列の複数の画素電極に対して自身の周囲を周回する等電位線を有するものが１つおきに発生するような電圧を印加することである。簡単に言えば、自身の周囲を周回する等電位線を有する画素電極が行および列毎に交互に配列されるように電圧を印加することである。
【００６０】
このような電圧印加パターンを採用することによって、第１、第２実施形態以外のパターン、すなわち、行方向に隣接する２つの画素電極間で異なる電圧を印加し、かつ、列方向に隣接する２つの画素電極間で異なる電圧を印加した場合にも、画素電極の形状を特に工夫することなく、初期転移に要する時間を短縮することができ、高速応答性を備えたＯＣＢモードの液晶装置を実現することができる。
【００６１】
＜第４の実施の形態＞
本発明の第４実施形態に係る液晶装置について説明する。
第４実施形態に係る液晶装置の構成についても、第１実施形態と同様であり、転移モードにおいて画素電極９に印加する電圧パターンが他の実施形態と相違するだけである。このため、第４実施形態では、図１８に、転移モードにおいて印加する信号波形を示し、図１９に、画素電極９に印加する電圧パターンについて示して説明することにする。
【００６２】
第４実施形態では、図１８および図１９に示されるように、ｉフレームにおいて（ｎ＋１）行および（ｎ＋２）行の全ての画素電極に正極性の電圧を印加する。ただし、図１８に示されるように、この次の（ｉ＋１）フレームでは極性を反転して、全ての画素電極に負極性の電圧を印加する。すなわち、第４実施形態は、フレーム反転駆動である。具体的には、ｉフレームにおいて（ｎ＋１）行の画素電極に対し（ｍ＋１）列→（ｍ＋２）列の順に７Ｖ、８Ｖの電圧をそれぞれ印加する。一方、（ｎ＋２）行の画素電極に対しては、（ｍ＋１）列→（ｍ＋２）列の順に６Ｖ、１０Ｖの電圧をそれぞれ印加する。コモン電極２５の電圧は５Ｖであるから、上記の全ての電圧は正極性となる。
【００６３】
すなわち、この電圧印加パターンを一般的に言えば、任意の第１行（ｎ＋１行）の２個の画素電極と第２行（ｎ＋２行）の２個の画素電極とで同じ列に位置する画素電極同士の電圧を比較したときに、一方の列（ｍ＋２列）に位置する第１行の画素電極の電圧に比べて第２行の画素電極の電圧が高く、他方の列（ｍ＋１列）に位置する第１行の画素電極の電圧に比べて第２行の画素電極の電圧が低く、かつ、第１列の２個の画素電極と第２列の２個の画素電極とで同じ行に位置する画素電極同士の電圧を比較したときに第１列の画素電極の電圧に比べて第２列の画素電極の電圧がともに高いか、または、ともに低くなるような電圧を印加することである。
なお、これらの印加電圧は、液晶容量５５に挟持された液晶５０を、スプレイ配向からベンド配向への初期転移に必要な閾値電圧以上である。また、（ｉ＋１）フレームにおいては、電界方向の向きが逆転するだけであるので、説明は省略する。
【００６４】
したがって、図１９に示されるように、（ｎ＋２）行中の全ての画素電極間で電位差が生じるので、これらの全ての画素電極の間で自身の周囲を周回する等電位線が生じ、液晶分子が面内で回転しようとする。なお、（ｎ＋１）行中の全ての画素電極間では自身の周囲を周回する等電位線が発生せず、画素電極間で自身の周囲を周回する等電位線が生じる行と生じない行とが交互にできることになる。このとき、従来のドット反転駆動などと異なり、行間の中央付近の液晶分子も時計回り、反時計回りのいずれかの方向に回転するため、転移核が生じやすくなり、初期転移を十分に高速化することができる。よって、第４実施形態のようなフレーム反転駆動を行った場合でも、画素電極の形状を特に工夫することなく、初期転移に要する時間を短縮することができ、所望の高速応答性を備えたＯＣＢモードの液晶装置を実現することができる。
【００６５】
なお、第４実施形態においても、図１９において、（ｎ＋１）行と（ｎ＋２）行との画素電極間の電圧、および、（ｍ＋１）列と（ｍ＋２）列との画素電極間の電圧は、互い液晶分子の回転方向が異なる領域を発生させ、それらの画素電極領域の境界においてディスクリネーションを生じさせる電圧である。本実施形態は、画素電極間の電圧の大小関係だけで言えば、第３実施形態で検討した５通りのパターンのうち、（２）のパターンと同等である。つまり、第３実施形態ではライン反転駆動という制約を設けたため、（２）のパターンは実現不可能であったが、フレーム反転駆動を採用すれば（２）のパターンでも実現できるということになる。
【００６６】
また、各実施形態等では、コモン電極２５に印加する電圧ＬＣcomを、極性反転の基準電位と一致させていたが、ＴＦＴ３０がｎチャネル型である場合、当該ＴＦＴのゲート・ドレイン間の寄生容量に起因して、オンからオフ時にドレイン（画素電極９）の電位が低下する現象（プッシュダウン、突き抜け、フィールドスルーなどとも呼ばれる）が発生する。液晶の劣化を防止するため、液晶容量５５では交流駆動が原則であるので、高位側（正極性）と低位側（負極性）とで交互書き込みをするが、電圧ＬＣcomを極性反転の基準電位として交互書き込みをすると、プッシュダウンのために、液晶容量５５に保持される電圧の実効値は、負極性書込の方が正極性書込よりも大きくなってしまう。このため、ＴＦＴ３０がｎチャネル型であれば、液晶容量の電圧実効値が互いに等しくなるように、コモン電極２５に印加する電圧ＬＣcomを、データ信号の振幅中心電位よりも若干低めに設定する場合がある。
【００６７】
＜電子機器＞
以下、本発明の電子機器の一実施形態について、図２２を用いて説明する。
図２２は、上記実施形態の液晶装置を備えた携帯電話機の斜視図である。同図に示すように、携帯電話機１３００は、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、送話口１３０４とともに、上記実施形態の液晶装置からなる表示部１３０１を備えている。本実施形態によれば、上記実施形態の液晶装置が備えられるので、高速の初期転移が実現されて、ＯＣＢモードによる動画視認性に優れた表示が可能となる。
【００６８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記の実施形態で例示した電圧印加パターンの具体的な電圧値はほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。また、液晶装置の基本構成は特に限定されるものではなく、例えば画素スイッチング素子として、ＴＦＴではなく、薄膜ダイオード（Thin Film Diode）を用いた液晶装置においても、一対の基板のうち、一方の基板に複数の画素電極がマトリクス状に配列するので、本発明を適用することが可能である。
【００６９】
上述した説明では、表示領域４０の一部を代表させる意味で、（ｎ＋１）行、（ｎ＋２）行、（ｎ＋３）行と、（ｍ＋１）列、（ｍ＋２）列、（ｍ＋３）列との交差に対応する画素電極に印加する電圧印加パターンで説明し、他については、この電圧印加パターンの繰り返しとして説明したが、表示領域４０の一部の画素電極に対して上記電圧印加パターンを適用すれば、初期転移の高速化は一応可能ではある。ただし、表示領域４０におけるすべての画素電極に対して適用することが望ましい。
また、転移モードにおいて、ベンド配向への転移に要する閾値電圧以上である電圧が印加される画素電極９は、表示領域４０の一部であっても構わないが、表示領域４０のすべてであることが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図２】図１のＨ− Ｈ’線に沿う断面図である。
【図３】同液晶装置の回路構成を示すブロック図である。
【図４】同液晶装置の転移モードにおける信号波形を示す図である。
【図５】同液晶装置の表示モードにおける信号波形を示す図である。
【図６】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図７】転移モードにおける液晶分子の挙動を説明するための図である。
【図８】第２実施形態に係る液晶装置の転移モードにおける信号波形を示す図である。
【図９】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図１０】転移モードにおける液晶分子の挙動を説明するための図である。
【図１１】第３実施形態における印加電圧パターンの組み合わせを示す図である。
【図１２】同液晶装置における信号波形を示す図である。
【図１３】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図１４】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図１５】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図１６】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図１７】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図１８】第４実施形態に係る液晶装置における信号波形を示す図である。
【図１９】転移モードにおける各画素電極への印加電圧パターンを示す図である。
【図２０】従来のドット反転駆動による液晶分子の挙動を説明するための図である。
【図２１】従来のライン反転駆動による液晶分子の挙動を説明するための図である。
【図２２】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７１】
９…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、２５…コモン電極、３０…ＴＦＴ、１００…液晶装置、５０…液晶、５５…液晶容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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