(57)【要約】【課題】回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供する。【解決手段】フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損欠陥部１３２Ａ，１３２Ｂに対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法により除去する。【選択図】図４
2006085200.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、
エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法により除去することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。
【請求項２】
フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、
エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をＦＩＢ修正法により除去することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。
【請求項３】
フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、
エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法とＦＩＢ修正法により除去することを特徴とするフォトマスク欠損欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造におけるリソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に用いられるフォトマスクの回路パターン部の欠損欠陥の修正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在のフォトマスクにおける回路パターン部の欠損欠陥の修正は、以下のように行われている。
【０００３】
（１）まず、ＦＩＢ（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  ｓｙｓｔｅｍｓ）修正法について説明する。
【０００４】
図７に示すように、ＦＩＢ修正装置は、プロセスガス銃１、イオン源２、電子銃３を有しており、膜形成方法は、イオン源２からＧａ（ガリウム）イオンビーム４を放出させながら、プロセスガス銃１からピレンガス５を放出させる。ピレンガス５は、Ｇａイオンビーム４に接触することにより、重合（化学反応）し、イオンビームの照射領域６にＣ（カーボン）の薄膜７を形成する。なお、８はレンズである。
【０００５】
なお、電子銃３から放出される電子は、イオン源２から放出されるＧａイオンビーム４が、絶縁物のガラス基板に照射されることから、ビームのドリフト（位置ずれ）があり、電子により電気的に中和を行い、イオンビームのドリフトを抑制するために照射している。
【０００６】
（２）次に、レーザ修正法による修正装置について説明する。
【０００７】
図８に示すように、このレーザＣＶＤ修正装置は、レーザ１１、プロセスガス銃１２を有しており、膜形成方法は、レーザ１１の照射領域１４にプロセスガス１３（Ａｒ＋ＣＨ4 ）を放出し、光ＣＶＤにより、Ｃｒ（クロム）薄膜１５を形成する。
【０００８】
上記したように、これらの修正技術は、回路パターン部の欠損欠陥部にＧａイオンビーム、またはレーザを照射することで欠損欠陥部の修正が可能となる。
【０００９】
また、レーザ修正法において、プロセスガス１３を放出せずに、レーザ１１を照射することで回路パターン部の除去を行うことができる。
【特許文献１】なし
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記（１）のＦＩＢ修正技術は、フォトマスクにイオンビームを照射することにより、回路パターン部を形成するＣｒからの２次イオンと透過部であるガラス基板からのＳｉの２次イオンが発生する。そして、このＣｒ、Ｓｉ２次イオンの種類と個数を各イオン検出用のチャネルトロンにより検出し、検出されたデータを増幅し、コンピュータに取り込むことで、フォトマスクのイメージ像を作成するようにしている。
【００１１】
しかしながら、このＦＩＢ修正技術においては、以下の問題点がある。
【００１２】
（Ａ）回路パターン部に欠損欠陥が存在する場合、欠損欠陥部が完全なガラス基板の材質（Ｓｉの２次イオンの検出が可能）であれば、イメージ像において、欠損欠陥部が確認可能であるが、欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン欠陥）においては、チャネルトロンの検出分解能力、及び画像処理の分解能力の限界により、イメージ像における欠損欠陥部の確認が難しい。
【００１３】
（Ｂ）フォトマスク上に存在する欠陥サイズに関する品質要求が６４Ｍｂ  ＤＲＡＭにおいては、０．３〜０．３５μｍ、２５６Ｍｂ  ＤＲＡＭにおいては、０．２５〜０．２μｍレベルの微小欠陥サイズが要求されている。
【００１４】
しかしながら、画像処理の分解能力の限界により、微小サイズの欠陥部の確認が難しい。
【００１５】
なお、このＦＩＢ修正装置のイメージ像における欠陥部のサイズは、≧０．５μｍレベルまでは確認可能である。
【００１６】
次に、上記（２）のレーザ修正装置は、（１）のＦＩＢ修正装置で用いる画像イメージとは違い、光学顕微鏡を用い、観察照明方式として反射光、透過光を使用する。
【００１７】
この観察方式では、回路パターン部の欠損欠陥を直接観察することが可能であり、ＦＩＢ修正装置における課題である欠損欠陥部にＣｒ薄膜が存在する場合（ハーフトーン欠陥）においても、反射光及び透過光を用いることで確認することができる。
【００１８】
しかしながら、このレーザ修正装置においては、以下の問題点がある。
【００１９】
（Ａ）光源にＮｄ：ＹＡＧレーザ（λ：５３２ｎｍ）を用いていること、及び光ＣＶＤによるＣｒ蒸着方法を用いるために、Ｃｒの最小蒸着領域は、数ミクロン以上である。つまり、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着することができない。
【００２０】
（Ｂ）光ＣＶＤによるＣｒ蒸着方法により形成されたＣｒ薄膜は、透過部のガラス基板との密着性が悪いため、回路パターン部の欠損欠陥部に形成したＣｒ薄膜が、フォトマスクの洗浄プロセス時に剥がれてしまう。
【００２１】
本発明は、上記問題点を除去し、回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔１〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法により除去するようにしたものである。
【００２３】
〔２〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をＦＩＢ修正法により除去するようにしたものである。
【００２４】
〔３〕フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法とＦＩＢ修正法により除去するようにしたものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
【００２６】
〔１〕請求項１記載の発明によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、
（ａ）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で修正する必要がない。
【００２７】
（ｂ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてレーザ修正装置（レーザによる修正法）を用いることができる。
【００２８】
（ｃ）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００２９】
（ｄ）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００３０】
〔２〕請求項２記載の発明によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、上記〔１〕と同様の効果を奏することができる。
【００３１】
〔３〕請求項３記載の発明によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、上記〔１〕と同様の効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明のフォトマスク欠損欠陥修正方法は、フォトマスクにおける回路パターン部に存在するパターンエッジ欠損欠陥修正方法において、エッジ欠損欠陥部に対してエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にＦＩＢ修正法によりカーボン遮光膜を形成し、正常な光透過部のカーボン遮光膜をレーザ修正法により除去する。
【実施例】
【００３３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３４】
従来のフォトマスクにおける回路パターン部の欠損欠陥部における修正方法としては、ＦＩＢ修正装置、及びレーザ修正装置のいずれかを使用していたが、本発明の修正方法は、ＦＩＢ修正装置の利点である（１）欠損欠陥部の修正精度がレーザ修正装置と比較して優れている点と、（２）Ｃ（カーボン）膜の性質が、レーザ修正装置によるＣｒ薄膜と比較して耐洗浄性に優れている点を用いることと、また、レーザ修正装置の利点である、光学顕微鏡による観察方法を採用し、回路パターン部の欠損欠陥部の観察（検出）がＦＩＢ修正装置と比較して優れている点を利用した欠損欠陥部の修正方法を採っている。
【００３５】
まず、本発明の第１参考例について説明する。
【００３６】
図１は本発明の第１参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００３７】
図１（ａ）は回路パターン部１０１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１０２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１０２のサイズは、Ｘが０．３μｍ、Ｙが０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、エッジ欠損欠陥部とは、回路パターン部のエッジを含んだパターン部にＣｒが存在しない領域のことである。
【００３８】
そこで、図１（ｂ）に示すように、レーザ修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、エッジ欠損欠陥部１０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、エッジ欠損欠陥部１０２とは別に新規独立欠損欠陥部１０３を作製する。この新規独立欠損欠陥部１０３のサイズは、Ｘを０．８μｍ、Ｙを１．３μｍとした。
【００３９】
なお、この新規独立欠損欠陥部のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の形状に影響が無い形状（回路パターン部１０１のエッジを含まない等）であればよい。
【００４０】
次いで、図１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部１０１に存在するエッジ欠損欠陥部１０２と新規独立欠損欠陥部１０３上に、カーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域（ＦＩＢ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ａｒｅａ）１０４を決定する。
【００４１】
ここで、このＦＩＢ堆積領域１０４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及びカーボン膜堆積領域を設定した部分である。なお、この参考例においては、ＦＩＢ堆積領域１０４の設定は、回路パターン部１０１に存在するエッジ欠損欠陥部１０２と新規独立欠損欠陥部１０３を一回で修正可能な設定としたが、各欠損欠陥部について修正領域の設定を行っても構わない。
【００４２】
次に、図１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１０５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００４３】
図１（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１０１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００４４】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製する。
【００４５】
（Ｂ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と新規独立欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００４６】
このように、第１参考例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の近傍に新規独立欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００４７】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置で行えることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００４８】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００４９】
次に、本発明の第２参考例について説明する。
【００５０】
図２は本発明の第２参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００５１】
図２（ａ）に示すように、回路パターン部１１１のエッジに欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１１２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１１２のサイズは、Ｘが０．３μｍ、Ｙが０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。
【００５２】
次に、図２（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、エッジ欠損欠陥部１１２の面積値に対して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損欠陥部１１２に重複させた位置に照射し、エッジ欠損欠陥部１１２サイズより広領域の新規エッジ欠損欠陥部１１３を作製する。この新規エッジ欠損欠陥部１１３のサイズは、Ｘを２．０μｍ、Ｙを３．０μｍとした。
【００５３】
なお、この新規エッジ欠損欠陥部１１３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部１１１の形状に影響が無い形状（回路パターン部１１１のエッジを含まない等）であればよい。
【００５４】
図２（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部１１１に存在する新規エッジ欠損欠陥部１１３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１１４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１１４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状及び領域を設定した部分である。
【００５５】
次いで、図２（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１１５にカーボン膜を１３００Å形成した。
【００５６】
なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００５７】
図２（ｅ）は修正終了後の回路パターン部１１１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１１１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００５８】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エッジ欠損欠陥部を作製する。
【００５９】
（Ｂ）新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００６０】
このように、第２参考例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部と重複する位置に新規エッジ欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００６１】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００６２】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００６３】
次に、本発明の第３参考例について説明する。
【００６４】
図３は本発明の第３参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００６５】
図３（ａ）に示すように、回路パターン部１２１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１２２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１２２のサイズは、Ｘが０．３μｍ、Ｙが０．３μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。
【００６６】
次いで、図３（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、回路パターン部１２１のエッジ欠損欠陥部１２２に対してＮｄ：ＹＡＧレーザをエッジ欠損欠陥部１２２と接触する位置に照射し、エッジ欠損欠陥部１２２の元サイズに対して、欠損欠陥部１２２を拡大させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域１２３のサイズは、Ｘを１．０μｍ、Ｙを０．５μｍとした。
【００６７】
なお、この拡大させた欠損欠陥部１２２のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部１２１の形状に影響が無い形状（回路パターン部１２１のエッジを含まない等）であばよい。
【００６８】
図３（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１２１に存在するエッジ欠損欠陥部１２２上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１２４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１２４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００６９】
次いで、図３（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域１２５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、この修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００７０】
図３（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１２１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１２１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【００７１】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の領域（サイズ、面積）を拡大させる。
【００７２】
（Ｂ）拡大させた新規エッジ欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【００７３】
このように、第３参考例によれば、回路パターン部のエッジ欠損欠陥部の元サイズに対して、エッジ欠損欠陥部領域を拡大させることにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【００７４】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることにより、エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００７５】
（３）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００７６】
次に、本発明の第１実施例について説明する。
【００７７】
図４は本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００７８】
図４（ａ）に示すように、回路パターン部１３１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１３２が存在している。このエッジ欠損欠陥部のサイズは左部欠損欠陥部１３２ＡがＸは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１３２ＢがＸは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００７９】
次いで、図４（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１３１に存在するエッジ欠損欠陥部１３２Ａ，１３２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１３３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１３３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００８０】
次いで、図４（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、サイズが、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１３４）。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００８１】
図４（ｄ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域１３５に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域は、Ｘを２．０μｍ、Ｙを４．０μｍとした。なお、Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照射領域は、正常な回路パターン部を考慮すれば、サイズ、形状についての制約はない。
【００８２】
図４（ｅ）は、エッジ欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部１３１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１３１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。なお、１３４Ａは欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域を示している。
【００８３】
上記したように、この実施例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【００８４】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対してのみ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にする。
【００８５】
このように、第１実施例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部をＦＩＢ修正装置で修正する必要がない。
【００８６】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてレーザ修正装置（レーザによる修正）を用いることができる。
【００８７】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【００８８】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【００８９】
次に、本発明の第２実施例について説明する。
【００９０】
図５は本発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【００９１】
図５（ａ）に示すように、回路パターン部１４１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１４２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１４２のサイズは、左部欠損欠陥部１４２ＡがＸは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１４２ＢがＸは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【００９２】
次いで、図５（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１４１に存在するエッジ欠損欠陥部１４２Ａ，１４２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１４３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１４３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【００９３】
次いで、図５（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、サイズが、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１４４）。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【００９４】
図５（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対してのみＧａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）１４５にする。このスパッタエッチング領域は、Ｘを２．０μｍ、Ｙを２．５μｍとした。
【００９５】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｇａイオンビームを照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な光透過部（ガラス面部）領域に影響がなく、かつ正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残らないサイズ、形状にするように設定した。
【００９６】
図５（ｅ）は修正終了後の回路パターン部１４１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１４１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。なお、１４４Ａは欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域を示している。
【００９７】
上記したように、この実施例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【００９８】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対してのみ、Ｇａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）にする。
【００９９】
このように、第２実施例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を新規に形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能になる。
【０１００】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができる。
【０１０１】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１０２】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１０３】
次に、本発明の第３実施例について説明する。
【０１０４】
図６は本発明の第３実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１０５】
図６（ａ）に示すように、回路パターン部１５１のエッジ部に欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部１５２が存在している。このエッジ欠損欠陥部１５２のサイズは左部欠損欠陥部１５２Ａのサイズは、Ｘは０．３μｍ、Ｙは０．３μｍ、右部欠損欠陥部１５２Ｂのサイズは、Ｘは０．２５μｍ、Ｙは０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては、検出不可能な欠陥部である。
【０１０６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部１５１に存在するエッジ欠損欠陥部１５２Ａ，１５２Ｂ上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域１５３を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域１５３とは、ＦＩＢ修正装置において、イメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【０１０７】
次いで、図６（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、サイズが、Ｘは５．５μｍ、Ｙは２．５μｍ、膜厚は１３００Åのカーボン膜を形成した（カーボン膜堆積領域１５４）。このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において、露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１０８】
図６（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、回路パターン部１５１のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域１５５にＧａイオンビームを照射する。
【０１０９】
図６（ｅ）に示すように、回路パターン部１５１のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域１５５に堆積されたカーボン膜をスパッタエッチングし、正常な光透過部（ガラス面部）にする。このスパッタエッチング領域１５５は、各サイズ共にＸを０．４μｍ、Ｙを２．５μｍとした。
【０１１０】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｇａイオンビームを照射するスパッタエッチング領域１５５は、カーボン膜を形成していない正常な光透過部（ガラス面部）領域に影響がないサイズ、形状にするように設定した。
【０１１１】
図６（ｆ）に示すように、正常な光透過部（ガラス面部）のカーボン膜が残留している領域１５６、かつ回路パターン部１５１のエッジ近傍部にダメージを与えない領域に、レーザ修正装置を用いてＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域１５６のカーボン膜を除去する。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域のサイズは、Ｘを１．６μｍ、Ｙを６．０μｍとした。
【０１１２】
なお、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成した領域に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを照射する領域は、カーボン膜を形成していない正常な回路パターン部１５１の領域に影響がないサイズ、形状にするように設定した。
【０１１３】
図６（ｇ）は修正終了後の回路パターン部１５１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観測した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部１５１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１１４】
上記したように、この実施例では、
（Ａ）回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上と正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜を形成する。
【０１１５】
（Ｂ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜を形成した領域に対して回路パターン部のエッジ近傍部のみに、Ｇａイオンビームを照射し、カーボン膜をスパッタエッチングする。
【０１１６】
（Ｃ）正常な光透過部（ガラス面部）に、カーボン膜が残留している領域に対し、かつ回路パターン部のエッジ部にダメージを与えない領域にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、正常な光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域を除去する。
【０１１７】
このように、第３実施例によれば、回路パターン部に存在するエッジ欠損欠陥部上、及び周辺部に新たな残留欠陥部を形成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能なエッジ欠損欠陥部を修正することが可能になる。
【０１１８】
（２）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置とレーザ修正装置を用いることができる。
【０１１９】
（３）エッジ欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものになる。
【０１２０】
（４）回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１２１】
次に、回路パターン部の内部に独立して存在する欠損欠陥（孤立欠損欠陥）部の修正方法について説明する。
【０１２２】
図９は本発明の第４参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１２３】
図９（ａ）に示すように、回路パターン部２０１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２０２を有する。この孤立欠損欠陥部２０２のサイズは、Ｘが０．３μｍ、Ｙが０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２０２とは、回路パターン部２０１のエッジ部を含まないパターン部にＣｒが存在しない領域のことである。
【０１２４】
次いで、図９（ｂ）に示すように、レーザ修正装置（ＤＲＳ−II：Ｑｕａｎｔｒｏｎｉｘ製、及びＳＬ４５３Ｃ：日本電気製）を用いて、孤立欠損欠陥部２０２の近傍にＮｄ：ＹＡＧレーザを照射し、孤立欠損欠陥部２０２とは別に新規孤立欠損欠陥部２０３を作製する。この新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズは、Ｘを１．５μｍ、Ｙを１．０μｍとした。
【０１２５】
なお、新規孤立欠損欠陥部２０３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部２０１の形状に影響が無い形状（回路パターン部２０１のエッジを含まない等）であればよい。
【０１２６】
次いで、図９（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部２０１に存在する孤立欠損欠陥部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域２０４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２０４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。なお、この参考例においては、この修正領域の設定は、回路パターン部２０１に存在する孤立欠損欠陥部２０２と新規孤立欠損欠陥部２０３を一回で修正可能な設定としたが、各欠損欠陥部について修正領域の設定を行っても構わない。
図９（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２０５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１２７】
図９（ｅ）は、孤立欠損欠陥部の修正終了後の回路パターン部２０１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２０１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１２８】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規欠損欠陥部を作製する。
【０１２９】
（Ｂ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１３０】
このように、第４参考例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の近傍に新規欠損欠陥部を作製することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１３１】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものとなる。
【０１３２】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１３３】
次に、本発明の第５参考例について説明する。
【０１３４】
図１０は本発明の第５参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１３５】
図１０（ａ）に示すように、回路パターン部２１１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２１２を有する。この孤立欠損欠陥部２１２のサイズは、Ｘが０．３μｍ、Ｙが０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部２１２とは、回路パターン部２１１のエッジ部を含まないパターン部において、Ｃｒが存在しない領域のことである。
【０１３６】
次に、図１０（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２１２の面積値に対して広領域のＮｄ：ＹＡＧレーザを、孤立欠損欠陥部２１２に重複させた位置に照射し、孤立欠損欠陥部２１２サイズより広領域の新規孤立欠損欠陥部２１３を作製する。この新規欠損欠陥部２１３は、Ｘが１．５μｍ、Ｙが１．０μｍとした。
【０１３７】
なお、新規孤立欠損欠陥部２１３のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部の形状に影響が無い形状（回路パターン部２１１のエッジを含まない等）であればよい。
【０１３８】
次いで、図１０（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置（ＳＩＲ−１０００：セイコー電子工業製）を用いて、回路パターン部２１１に存在する新規孤立欠損欠陥部２１３上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域領域２１４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２１４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【０１３９】
次に、図１０（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２１５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１４０】
図１０（ｅ）に示すように、修正終了後の回路パターン部２１１′を光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、回路パターン部２１１′の遮光イメージを観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２１１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１４１】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置に新規欠損欠陥部を作製する。
【０１４２】
（Ｂ）新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１４３】
このように、第５参考例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部と重複する位置に新規欠損欠陥部を作成することにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１４４】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものとなる。
【０１４５】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１４６】
次に、本発明の第６参考例について説明する。
【０１４７】
図１１は本発明の第６参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【０１４８】
図１１（ａ）に示すように、回路パターン部２２１は内部に独立して存在する孤立欠損欠陥部２２２を有する。この孤立欠損欠陥部２２２のサイズは、Ｘが０．３μｍ、Ｙが０．２５μｍであり、ＦＩＢ修正装置のイメージ像においては検出不可能な欠陥部である。ここで、この孤立欠損欠陥部とは、回路パターン部のエッジ部を含まないパターン部において、Ｃｒが存在しない領域のことである。
【０１４９】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、レーザ修正装置を用いて、孤立欠損欠陥部２２２に対して、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを孤立欠損欠陥部２２２と接触する位置に照射し、孤立欠損欠陥部２２２の元サイズに対して、欠損欠陥部を拡大させる。このＮｄ：ＹＡＧレーザの照射領域２２３のサイズは、Ｘが０．５μｍ、Ｙが０．５μｍとした。
【０１５０】
なお、拡大させた孤立欠損欠陥部２２２のサイズ及び形状については、ＦＩＢイメージ像における検出可能なサイズ、修正可能なサイズ、及び回路パターン部２２１の形状に影響が無い形状（回路パターン部２２１のエッジを含まない等）であればよい。
【０１５１】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、回路パターン部２２１に存在する拡大させた孤立欠損欠陥部２２２上にカーボン膜を形成するＦＩＢ堆積領域２２４を決定する。ここで、このＦＩＢ堆積領域２２４とは、ＦＩＢ修正装置においてイメージ像上でカーボン膜を形成する形状、及び領域を設定した部分である。
【０１５２】
次に、図１１（ｄ）に示すように、ＦＩＢ修正装置を用いて、カーボン膜堆積領域２２５にカーボン膜を１３００Å形成した。なお、このＦＩＢ修正においては、カーボン膜を１３００Å形成したが、形成するカーボン膜は、リソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）において露光する光源を遮断可能とする薄膜であれば問題はない。
【０１５３】
図１１（ｅ）は、修正終了後の回路パターン部２２１′の遮光イメージを光学顕微鏡（ニコン製）の透過光を用いて、観察した結果である。ここで、光学顕微鏡の光源は、水銀ランプを使用し、かつ変調フィルタにより波長λを３６５ｎｍ近傍にしている。観察結果では、回路パターン部２２１′に欠損欠陥部が無いものと同等な遮光イメージであることが確認された。
【０１５４】
上記したように、この参考例では、
（Ａ）回路パターン部の孤立欠損欠陥部の領域（サイズ、面積）を拡大させる。
【０１５５】
（Ｂ）拡大させた新規欠損欠陥部上に遮光膜を形成する。
【０１５６】
このように、第６参考例によれば、回路パターン部の孤立欠損欠陥部の元サイズに対して、欠損欠陥部領域を拡大させることにより、
（１）ＦＩＢ修正装置のイメージ像において、検出（確認）不可能な欠損欠陥部の検出と位置確認が可能になる。
【０１５７】
（２）回路パターン部の微小な欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができることにより、欠損欠陥部の修正膜がカーボン膜になることで、欠陥修正部が耐洗浄性に優れたものとなる。
【０１５８】
（３）回路パターン部の微小な欠損欠陥部の修正方法として、現有修正装置を適用できるという利点を有する。
【０１５９】
なお、本発明は、更に以下のような利用形態を有する。
【０１６０】
第１、第２、第３参考例では、フォトマスクにおける回路パターン修正方法を例に説明したが、回路パターン修正技術は、フォトマスクの修正技術を液晶パネルの配線パターン修正、形成技術に適用可能である。
【０１６１】
なお、新規欠損欠陥部の作製方法に、Ｎｄ：ＹＡＧレーザを用いたが、機械的剥離方法（回路パターン部の膜に損傷を与える）方法、及び化学処理（エッチング）等を代用することでも適用可能である。
【０１６２】
遮光膜にカーボン膜を用いたが、光ＣＶＤ方式によるＣｒ膜、及び塗料（インク等）を使用することで、遮光することが可能な物質であれば、それらの適用も可能である。
【０１６３】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明のフォトマスク欠損欠陥修正方法は、半導体製造におけるリソグラフィ工程の露光装置（ステッパー等）に用いられるフォトマスクの回路パターン部の欠損欠陥の修正方法に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明の第１参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図２】本発明の第２参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図３】本発明の第３参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図５】本発明の第２実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図７】従来のＦＩＢ修正装置の構成図である。
【図８】従来のレーザ修正装置の構成図である。
【図９】本発明の第４参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図１０】本発明の第５参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【図１１】本発明の第６参考例のフォトマスク欠損欠陥修正工程を示す図である。
【符号の説明】
【０１６６】
１０１，１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，２０１，２１１，２２１    回路パターン部
１０１′，１１１′，１２１′，１３１′，１４１′，１５１′，２０１′，２１１′，２２１′    修正終了後の回路パターン部
１０２，１１２，１２２，１３２，１４２，１５２    欠損欠陥（エッジ欠損欠陥）部
１０３    新規独立欠損欠陥部
１０４，１１４，１２４，１３３，１４３，１５３，２０４，２１４，２２４    ＦＩＢ堆積領域
１０５，１１５，１２５，１３４，１４４，１５４，２０５，２１５，２２５    カーボン膜堆積領域
１１３    新規エッジ欠損欠陥部
１２３，２２３    Ｎｄ：ＹＡＧレーザの照射領域
１３２Ａ，１４２Ａ，１５２Ａ    左部欠損欠陥部
１３２Ｂ，１４２Ｂ，１５２Ｂ    右部欠損欠陥部
１３４Ａ，１４４Ａ    欠損欠陥修正のための最終カーボン膜堆積領域
１３５    光透過部にカーボン膜を形成した領域
１４５    光透過部（ガラス面部）
１５５    回路パターン部のエッジ近傍部のみのＦＩＢエッチング領域（スパッタエッチング領域）
１５６    光透過部（ガラス面部）にカーボン膜が残留している領域
２０２，２１２，２２２    孤立欠損欠陥部
２０３，２１３    新規孤立欠損欠陥部
【図１】
2006085200.tif 000003
【図２】
2006085200.tif 000004
【図３】
2006085200.tif 000005
【図４】
2006085200.tif 000006
【図５】
2006085200.tif 000007
【図６】
2006085200.tif 000008
【図７】
2006085200.tif 000009
【図８】
2006085200.tif 000010
【図９】
2006085200.tif 000011
【図１０】
2006085200.tif 000012
【図１１】
2006085200.tif 000013