(57)【要約】【課題】スイッチングの切り替え点である閾値としたい圧力Ｐ1に対応する静電容量Ｃ1を正確に検出することができ、しかも圧力Ｐ1以上で連続的に圧力を検出すること。【解決手段】ガラス基板１１には、島状体１２ａ，１２ｂが埋設されている。主面１１ａ上には、島状体１２ａと電気的に接続するように電極１３ａが形成されており、島状体１２ｂと電気的に接続するように電極１３ｂが形成されている。主面１１ｂ上には、島状体１２ａと電気的に接続するように電極１４が形成されている。主面１１ｂ上には、感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。空間部１６ｃであって主面１１ｂ上の電極１４の外側には、導電性柱状体１５が設けられている。感圧ダイヤフラム１６ａの空間部１６ｃ側の表面には、導電性柱状体１５と対面するように電極パッド１７が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上の電極と該電極に対向する感圧ダイヤフラムとの間の静電容量の変化により圧力変化を検出する静電容量型圧力センサであって、
相互に対向する一対の主面を有する第１基板と、前記第１基板の一方の主面上に設けられた電極と、前記第１基板との間に空間を有するように前記電極と所定の間隔をおいて位置し、被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラムを有する、前記一方の主面上に設けられた第２基板と、前記空間内に設けられ、前記感圧ダイヤフラムが所定の圧力を受けて変位した位置で前記感圧ダイヤフラムと電気的に接続されるスイッチ手段と、を具備することを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
前記スイッチ手段は、前記空間内の第１基板上の前記電極外の領域に設けられた導電性柱状体と、前記感圧ダイヤフラムの前記空間側に設けられた導電部とにより構成されることを特徴とする請求項１記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項３】
前記電極用の端子及び前記感圧ダイヤフラム用の端子が前記第１基板の他方の主面上に設けられたことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項４】
前記基板の一対の主面の両方で部分的に露出するように前記第１基板に埋め込まれた接続部材を有し、前記電極と前記電極用の端子、及び、前記感圧ダイヤフラムと前記感圧ダイヤフラム用の端子が、それぞれ前記接続部材を介して電気的に接続されたことを特徴とする請求項３記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項５】
前記第１基板がガラスで構成され、前記第２基板がシリコンで構成されたことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ。
【請求項６】
前記接続部材が前記第１基板と陽極接合されたシリコンであることを特徴とする請求項５記載の静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量型圧力センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、自動車のタイヤには、タイヤの圧力を検出するための圧力センサが搭載されている。この圧力センサとしては、圧電素子を用いたピエゾ型圧力センサと静電容量型圧力センサがある。このなかで、消費電力が少なく、しかも温度に関して安定である静電容量型圧力センサが最近注目されている。
【０００３】
この静電容量型圧力センサは、可動電極である感圧ダイヤフラムを有する基板と、固定電極を有する基板とを、感圧ダイヤフラムと固定電極との間に所定の間隔を有するように接合することにより構成されている。この静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラムに圧力が加わると感圧ダイヤフラムが変形し、これにより感圧ダイヤフラムと固定電極との間隔が変わる。この間隔の変化により感圧ダイヤフラムと固定電極との間の静電容量が変化し、この静電容量の変化を利用して圧力の変化を検出する。
【０００４】
このような静電容量型圧力センサを圧力スイッチとして用いることが行われている。例えば、上記構成の静電容量型圧力センサの感圧ダイヤフラムの一方の面にかかる圧力と他方の面にかかる圧力との圧力差に閾値を設け、その閾値でオン−オフを行う圧力スイッチがある。
【０００５】
【特許文献１】特開平８−８２５６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の静電容量型圧力センサを用いた圧力スイッチにおいては、図７に示すように、圧力に対する静電容量の変化が漸近的である。すなわち、ある圧力で急激に静電容量が変化することがない。このため、閾値としたい圧力Ｐ1をそれに対応する静電容量Ｃ1で検出しようとしても、Ｃ1の僅かな誤差ΔＣ1でＰ1が大きく変わってしまう（ΔＰ1）。このため、従来の圧力スイッチでは、正確なスイッチングを行うことができない。
【０００７】
一方、固定電極と感圧ダイヤフラムとの接触の有無でオン信号、オフ信号を取り出す圧力スイッチがあるが、この場合は両電極の接触でショートするので、電極の接触後の圧力を検出することができない。すなわち、電極が接触すると静電容量が急激に零になるので閾値Ｐ1の検出は可能であるが、圧力Ｐ1より高い圧力での圧力検出ができない。
【０００８】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、スイッチングの切り替え点である閾値としたい圧力Ｐ1に対応する静電容量Ｃ1を正確に検出することができ（Ｐ1の誤差を小さく）、しかも圧力Ｐ1以上で連続的に圧力を検出することができる静電容量型圧力センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第１基板上の電極と該電極に対向する感圧ダイヤフラムとの間の静電容量の変化により圧力変化を検出する静電容量型圧力センサであって、相互に対向する一対の主面を有する第１基板と、前記第１基板の一方の主面上に設けられた電極と、前記第１基板との間に空間を有するように前記電極と所定の間隔をおいて位置し、被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラムを有する、前記一方の主面上に設けられた第２基板と、前記空間内に設けられ、前記感圧ダイヤフラムが所定の圧力を受けて変位した位置で前記感圧ダイヤフラムと電気的に接続されるスイッチ手段と、を具備することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、スイッチ手段を備えているので、所定の閾値圧力で静電容量がゼロ近傍から急激に上昇する（圧力が下がってくる場合には、急激に降下する）。これにより、閾値圧力を確実に検出することが可能となる。また、閾値圧力より高い圧力の領域では、通常の静電容量型圧力センサとして動作する。このような静電容量型圧力センサは、測定する圧力範囲の下限でのスイッチング機能（静電容量が大きく変化する）を備えているので、圧力範囲の下限を閾値にすることにより、その圧力範囲の下限を正確に検出することが可能である。
【００１１】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記スイッチ手段は、前記空間内の第１基板上の前記電極外の領域に設けられた導電性柱状体と、前記感圧ダイヤフラムの前記空間側に設けられた導電部とにより構成されることが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、導電性柱状体と導電部とが接触／非接触することによりオン／オフする。これにより、導電性柱状体と導電部とによりスイッチが構成される。導電部を設けることにより、導電性柱状体と感圧ダイヤフラムとが接触したときの接触抵抗を下げることができる。
【００１３】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記電極用の端子及び前記感圧ダイヤフラム用の端子が前記第１基板の他方の主面上に設けられたことが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、電極用の端子及び前記感圧ダイヤフラム用の端子が同一面上に位置するので、接続の際に配線基板などに搭載するだけで良く、配線基板などへの接続が容易となる。
【００１５】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記第１基板の一対の主面両方で部分的に露出するように前記第１基板に埋め込まれた接続部材を有し、前記電極と前記電極用の端子、及び、前記感圧ダイヤフラムと前記感圧ダイヤフラム用の端子が、それぞれ前記接続部材を介して電気的に接続されたことが好ましい。
【００１６】
本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記第１基板がガラスで構成され、前記第２基板がシリコンで構成されたことが好ましい。また、本発明の静電容量型圧力センサにおいては、前記接続部材が前記第１基板と陽極接合されたシリコンであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、固定電極を有する第１基板と、被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラムを有する第２基板との間の空間内に、感圧ダイヤフラムが所定の圧力を受けることにより感圧ダイヤフラムと電気的に接続するスイッチ手段を有するので、スイッチングの切り替え点である閾値としたい圧力Ｐ1に対応する静電容量Ｃ1を正確に検出することができ（Ｐ1の誤差を小さく）、しかも圧力Ｐ1以上で連続的に圧力を検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本発明の一実施の形態に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。また、図２は、図１に示す静電容量型圧力センサの平面図である。本実施の形態では、第１基板がガラス基板であり、第２基板がシリコン基板である場合について説明する。
【００１９】
図中１１はガラス基板を示す。ガラス基板１１は、互いに対向する一対の主面１１ａ，１１ｂを有する。ガラス基板１１には、シリコンや金属のような導電部材で構成された島状体１２ａ，１２ｂが埋設されている。島状体１２ａは、固定電極との間の接続部材であり、島状体１２ｂは、可動電極との間の接続部材である。島状体１２ａ，１２ｂは、ガラス基板１１の両主面でそれぞれ露出している。
【００２０】
ガラス基板１１の主面１１ａ上には、島状体１２ａの一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３ａが形成されており、島状体１２ｂの一方の露出部分と電気的に接続するように電極１３ｂが形成されている。電極１３ａは後述する固定電極１４用の端子であり、電極１３ｂは後述する可動電極である感圧ダイヤフラム１６ａの端子である。これらの電極１３ａ，１３ｂが同一の主面１１ａ上に設けられていることにより、接続の際に配線基板などに搭載するだけで良く、配線基板などへの接続が容易となる。また、ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、島状体１２ａの他方の露出部分と電気的に接続するように固定電極である電極１４が形成されている。
【００２１】
ガラス基板１１の主面１１ｂ上には、可動電極である感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６が接合されている。感圧ダイヤフラム１６ａは、シリコン基板１６の両面からエッチングなどによりそれぞれ凹部を形成することにより設けられている。シリコン基板１６のガラス基板接合面側の凹部は、少なくとも電極１４を収容できる大きさを有しており、シリコン基板１６をガラス基板１１に接合することにより、空間部（ギャップ）１６ｃを構成する。すなわち、シリコン基板１６の凹部の側面１６ｂと感圧ダイヤフラム１６ａとにより空間部１６ｃを構成する。これにより、感圧ダイヤフラム１６ａと電極１４との間に所定の間隔が設けられ、感圧ダイヤフラム１６ａと電極１４との間に静電容量が発生する。なお、図中１６ｄは、シリコン基板１６のガラス基板接合面と反対側の凹部におけるテーパ面を示す。
【００２２】
ガラス基板１１の主面１１ｂとシリコン基板１６との界面は、高い密着性を有することが好ましい。ガラス基板１１の主面１１ｂ上にシリコン基板１６を搭載して、陽極接合処理を施すことにより、密着性を高くすることができ、両者の接合を確実にすることができる。これにより、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１の主面１１ｂとの間で構成する空間部１６ｃ内の気密性を高く保つことができる。なお、陽極接合処理とは、所定の温度（例えば４００℃以下）で所定の電圧（例えば３００Ｖ〜１ｋＶ）を印加することにより、シリコンとガラスとの間に大きな静電引力が発生して、界面で化学結合を起こさせる処理をいう。このような陽極接合を効率良く行うために、ガラス基板１１のガラス材料としては、少なくともナトリウムを含むガラス材料（例えばパイレックス（登録商標）ガラス）であることが好ましい。
【００２３】
ガラス基板１１の主面１１ｂ、シリコン基板１６の凹部側面１６ｄ及び感圧ダイヤフラム１６ａで構成される空間部１６ｃ内には、導電性柱状体１５が設けられている。具体的には、導電性柱状体１５は、図２から分かるように、空間部１６ｃであって主面１１ｂ上の電極１４の外側に設けられている。この導電性柱状体１５は、円盤形状を有する電極１４の外側に、電極１４から所定の間隔をおいてリング状に設けられている。本実施の形態においては、導電性柱状体１５はリング状に連続して設けられているが、本発明においては、導電性柱状体１５は、電極１４から所定の間隔をおいて、電極１４の周りに複数個設けても良い。この場合、導電性柱状体１５の作用を発揮させることを考慮すると、できるだけ多く設けることが好ましい。
【００２４】
シリコン基板１６の感圧ダイヤフラム１６ａの空間部１６ｃ側の表面には、導電性柱状体１５と対面するように導電部である電極パッド１７が設けられている。導電性柱状体１５と電極パッド１７との間には、所定の間隔が設けられている。これにより、導電性柱状体１５と電極パッド１７とが接触／非接触することによりオン／オフする。したがって、導電性柱状体１５と電極パッド１７とによりスイッチが構成される。
【００２５】
なお、本実施の形態においては、電極パッド１７を設けた場合について説明しているが、これは導電性柱状体１５と感圧ダイヤフラム１６ａとが接触したときの接触抵抗を下げるためであり、導電性柱状体１５と感圧ダイヤフラム１６ａとが接触する構成であれば、電極パッド１７を設けなくても良い。また、導電性柱状体１５や電極パッド１７を構成する材料としては、金属などの導電性材料を用いることができる。また、導電性柱状体１５の高さは、電極１４と感圧ダイヤフラム１６ａとを導通させないように、電極１４の厚さよりも高くする必要がある。
【００２６】
このような構成を有する静電容量型圧力センサにおいては、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１上の電極１４との間に所定の静電容量を有する。この静電容量型圧力センサに圧力がかかると、感圧ダイヤフラム１６ａが圧力に応じて変形して、感圧ダイヤフラム１６ａが変位する。そして、導電性柱状体１５と電極パッド１７との間の間隔が縮まって接触する。これにより、スイッチがオン状態となり、感圧ダイヤフラム１６ａが電極パッド１７、導電性柱状体１５、島状体１２ｂを介して電極１３ｂと電気的に接続する。このとき、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１上の電極１４との間の静電容量が急激に上昇する（図６参照）。
【００２７】
さらに、この静電容量型圧力センサに圧力がかかると、感圧ダイヤフラム１６ａが圧力に応じて変形し、感圧ダイヤフラム１６ａが変位する。このとき、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１上の電極１４との間の静電容量が変化する。その結果、この静電容量をパラメータとして、その変化を圧力変化とすることにより、圧力を検出することができる。
【００２８】
このように、本実施の形態における静電容量型圧力センサでは、図６において、圧力Ｐ1で静電容量がゼロから急激にＣ1に上昇する（圧力が下がってくる場合には、急激に降下する）。これにより、圧力Ｐ1を確実に検出することが可能となる。また、圧力Ｐ1より高い圧力の領域では、通常の静電容量型圧力センサとして動作する。このような静電容量型圧力センサは、測定する圧力範囲の下限でのスイッチング機能（静電容量が大きく変化する）を備えている。したがって、圧力範囲の下限を閾値にすることにより、その圧力範囲の下限を正確に検出することが可能である。例えば、このような静電容量型圧力センサをタイヤ圧のセンサとして使用した場合、空気漏れなどによるタイヤ圧の低下を検知することが可能となる。例えば、異常低圧で警告がなされるような構成にすることにより、タイヤ圧が閾値（Ｐ1）より低くなったときに、異常低圧を示す警告を発することが可能となる。
【００２９】
次に、本実施の形態のガラス基板を用いた静電容量型センサの製造方法について説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施の形態に係る静電容量型圧力センサのガラス基板側の製造を説明するための断面図である。また、図４（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施の形態に係る静電容量型圧力センサのシリコン基板側の製造を説明するための断面図である。
【００３０】
まず、図３（ａ）に示すように、ガラス基板１１に、例えばサンドブラスト処理を施すことにより、貫通穴１１ｃを形成する。次いで、図３（ｂ）に示すように、ガラス基板１１の貫通穴１１ｃに、例えばめっき処理を施すことにより、金属を埋め込んで島状体１２ａ，１２ｂを形成する。
【００３１】
次いで、図３（ｃ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ｂ上に、島状体１２ａと電気的に接続するように電極１４を形成する。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ｂ上に電極材料であるクロムを被着し、その上にレジスト膜を形成し、電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、その後残存したレジスト膜をマスクとして電極材料をエッチングした後に、残存したレジスト膜を除去する。このとき、エッチング液としては、例えば硝酸第二セリウム＋過塩素酸＋水を用いる。
【００３２】
次いで、図３（ｄ）に示すように、ガラス基板１１の主面１１ｂ上であって、電極１４の外側に導電性柱状体１５を形成する。このとき、導電性柱状体１５の高さは、電極１４の厚さよりも高くする。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ｂに電極材料であるアルミニウムを被着し、その上にレジスト膜を形成し、導電性柱状体形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、その後残存したレジスト膜をマスクとして電極材料をエッチングした後に、残存したレジスト膜を除去する。このとき、エッチング液としては、例えばリン酸＋酢酸＋水を用いる。
【００３３】
次いで、図４（ａ）に示すように、シリコン基板１６の一方の主面に空間部用の凹部１６ｅを形成する。シリコン基板１６の凹部１６ｅは、ガラス基板１１上の電極１４を囲繞できる程度に電極１４よりも大きく形成する。この場合、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）の２０％液を用いて、６０℃で５〜８分程度エッチングすることによりシリコン基板１６に凹部１６ｅを形成する。このときのエッチング条件は、凹部１６ｅの深さが導電性柱状体１５よりも大きくなるように設定する。
【００３４】
次いで、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板１６の他方の主面にテーパ面１６ｄを有する凹部１６ｆを形成する。この場合、例えばＴＭＡＨの２０％液を用いて、９０℃で３００分程度エッチングすることによりシリコン基板１６に凹部１６ｆを形成する。これにより、シリコン基板１６に感圧ダイヤフラム１６ａが形成される。
【００３５】
次いで、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板１６の凹部１６ｅ内の底面１６ｇ上であって、導電性柱状体１５に対応する位置に電極パッド１７を形成する。この場合、まず、シリコン基板１６の底面１６ｇ上に電極材料であるアルミニウムを被着し、その上にレジスト膜を形成し、電極パッド形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、その後残存したレジスト膜をマスクとして電極材料をエッチングした後に、残存したレジスト膜を除去する。このとき、エッチング液としては、例えばリン酸＋酢酸＋水を用いる。
【００３６】
なお、本実施の形態では、エッチングとしてウェットエッチングを用いた場合について説明しているが、エッチングとしてドライエッチングを用いても良い。また、本実施の形態では、シリコン基板１６に感圧ダイヤフラム１６ａを形成した後に電極パッド１７を設けるように説明しているが、シリコン基板１６に電極パッド１７を形成した後に感圧ダイヤフラム１６ａを設けても良い。
【００３７】
次いで、被測定圧力により変位する感圧ダイヤフラム１６ａを有するシリコン基板１６を、感圧ダイヤフラム１６ａが電極１４と所定の間隔をおいて位置するように、また、ガラス基板１１の導電性柱状体１５とシリコン基板１６の電極パッド１７とが対面するように、ガラス基板１１の主面１１ｂ上に接合して図１に示す静電容量型圧力センサを得る。このとき、両面にそれぞれ凹部１６ｅ，１６ｆを有するシリコン基板１６を、テーパ面１６ｄを有する凹部１６ｆが上になるように、すなわちテーパ面１６ｄを有しない凹部１６ｅがガラス基板１１と対面するようにしてガラス基板１１の主面１１ｂ上に載置し、陽極接合処理を施す。このとき、シリコン基板１６及びガラス基板１１に対して、約３５０℃以下の加熱下で約５００Ｖ程度の電圧を印加することにより行う。これによりシリコン基板１６とガラス基板１１との間の界面での密着性がより高くなり、空間部１６ｃの気密性を向上させることができる。
【００３８】
次いで、ガラス基板１１の主面１１ａ上に、島状体１２ａ，１２ｂとそれぞれ電気的に接続するように電極１３ａ，１３ｂを形成する。この場合、まず、ガラス基板１１の主面１１ａ上に電極材料であるアルミニウムを被着し、その上にレジスト膜を形成し、電極形成領域にレジスト膜が残るように、そのレジスト膜をパターニング（フォトリソグラフィー）し、その後残存したレジスト膜をマスクとして電極材料をエッチングした後に、残存したレジスト膜を除去する。このとき、エッチング液としては、例えばリン酸＋酢酸＋水を用いる。その後、接合後の基板をダイシング加工して静電容量型圧力センサチップを得る。
【００３９】
このようにして得られた静電容量型圧力センサに圧力がかかると、感圧ダイヤフラム１６ａが圧力に応じて変形して、導電性柱状体１５と電極パッド１７との間の間隔が縮まって接触する。これにより、スイッチがオン状態となり、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１上の電極１４との間の静電容量が急激に上昇する。さらに、この静電容量型圧力センサに圧力がかかると、感圧ダイヤフラム１６ａとガラス基板１１上の電極１４との間の静電容量が変化し、圧力を検出することができる。
【００４０】
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
図５に示す装置を用いて、図１に示す構成の静電容量型圧力センサ及び従来の静電容量型圧力センサにおける静電容量について調べた。図５は、静電容量型圧力センサの静電容量を測定するための装置の概略構成を示す図である。
【００４１】
図５に示す装置は、静電容量型圧力センサ２２を収容するチャンバ２１と、チャンバ２１内に供給する加圧ガスであるＮ2ガスの供給源であるＮ2ガス源２３と、静電容量型圧力センサ２２の可動電極及び固定電極に電気的接続して静電容量を測定するＬＣＲメータ２５とから主に構成されている。チャンバ２１とＮ2ガス源２３との間はガス供給管２４で連通しており、静電容量型圧力センサ２２とＬＣＲメータ２５との間は配線２６，２７で接続されている。
【００４２】
この装置内に図１に示す静電容量型圧力センサ及び従来の静電容量型圧力センサを個別に載置し、Ｎ2ガス源２３からの加圧ガスの供給量を変えて圧力を徐々に高くしながら静電容量の変化を調べた。図１に示す構成の静電容量型圧力センサにおける静電容量の変化を図６に示し、従来の静電容量型圧力センサにおける静電容量の変化を図７に示す。
【００４３】
図１に示す本発明に係る静電容量型圧力センサでは、図６に示すように、閾値圧力とされる圧力Ｐ1で静電容量が零から急激にＣ1に上昇する。また、圧力Ｐ1を超える圧力範囲で静電容量をパラメータとして圧力を検出することができる。一方、従来の静電容量型圧力センサでは、図７に示すように、圧力に対する静電容量の変化が漸近的である。このため、閾値圧力Ｐ1を正確に検出することができない。このように、本発明に係る静電容量型圧力センサが、閾値圧力Ｐ1を正確に検出する圧力センサとして、より優れていることが分かった。
【００４４】
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態で説明した数値や材質については特に制限はなく、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る静電容量型圧力センサの概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す静電容量型圧力センサの平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施の形態に係る静電容量型圧力センサのガラス基板側の製造を説明するための断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施の形態に係る静電容量型圧力センサのシリコン基板側の製造を説明するための断面図である。
【図５】静電容量型圧力センサの静電容量を測定するための装置の概略構成を示す図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る静電容量型圧力センサの静電容量と圧力との関係を示す特性図である。
【図７】従来の静電容量型圧力センサの静電容量と圧力との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
【００４６】
１１  ガラス基板
１１ａ，１１ｂ  主面
１１ｃ  貫通穴
１２ａ，１２ｂ  島状体
１３ａ，１３ｂ，１４  電極
１５  導電性柱状体
１６  シリコン基板
１６ａ  感圧ダイヤフラム
１６ｂ  側面
１６ｃ  空間部
１６ｄ  テーパ面
１６ｅ，１６ｆ  凹部
１６ｇ  底面
２１  チャンバ
２２  静電容量型圧力センサ
２３  Ｎ2ガス源
２４  ガス供給管
２５  ＬＣＲメータ
２６，２７  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006030102.tif 000005
【図４】
2006030102.tif 000006
【図５】
2006030102.tif 000007
【図６】
2006030102.tif 000008
【図７】
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