(57)【要約】【課題】  絶縁化処理に対して十分な密着強度を有する保護膜を備えた絶縁化処理前基板、および基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法、さらに当該製造方法によって製造された弾性表面波振動子、弾性表面波装置、電子機器を提供すること。【解決手段】  基板の製造方法が、基体１１の表面の導電性を有する部位の一部に第１の機能液を付与して乾燥させ、周状の隔壁部３３を有する第１の保護層３１を形成する工程と、該隔壁部によって囲まれた領域に第２の機能液を付与して乾燥させ、第２の保護層３２を形成し、基体１１の表面に第１の保護層３１と第２の保護層３２とを有する保護膜３０を形成する工程と、基体１１および保護膜３０を有する絶縁化処理前基板１２（図１０（ａ））の表面に絶縁化処理を施す工程（図１０（ｂ））と、保護膜３０を剥離する工程とを含んでいる。【選択図】      図１０
2006217309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面の導電性を有する部位の一部が絶縁化処理されるのを防ぐための保護膜を備えた絶縁化処理前基板であって、
表面に導電性を有する部位を含む基体と、
前記基体表面上に前記導電性を有する部位の一部を覆う状態に配置された保護膜とを備え、
前記保護膜は、周状の隔壁部を有する第１の保護層、および前記周状の隔壁部によって囲まれた領域を埋めて配置された第２の保護層を有することを特徴とする絶縁化処理前基板。
【請求項２】
請求項１に記載の絶縁化処理前基板であって、
前記第１の保護層は、
前記周状の隔壁部と、
前記周状の隔壁部と一体に形成され、該周状の隔壁部に囲まれた領域に配置された下地膜とからなることを特徴とする絶縁化処理前基板。
【請求項３】
請求項２に記載の絶縁化処理前基板であって、
前記第１の保護層における前記周状の隔壁部の高さが、前記下地膜の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることを特徴とする絶縁化処理前基板。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の絶縁化処理前基板であって、
前記第１の保護層と前記第２の保護層は、同一の材料からなることを特徴とする絶縁化処理前基板。
【請求項５】
請求項４に記載の絶縁化処理前基板であって、
前記第１の保護層の材料および前記第２の保護層の材料はレジストであることを特徴とする絶縁化処理前基板。
【請求項６】
基体表面の導電性を有する部位の一部を除く領域を絶縁化処理することにより基板を製造する基板の製造方法であって、
表面に導電性を有する部位を含む基体上に第１の機能液を付与する第１の工程と、
前記第１の機能液を乾燥させて、前記基体上に、周状の隔壁部を有する第１の保護層を形成する第２の工程と、
前記隔壁部によって囲まれた領域に第２の機能液を付与する第３の工程と、
前記第２の機能液を乾燥させて第２の保護層を形成し、前記基体上に、前記第１の保護層と前記第２の保護層とを有する保護膜を、前記導電性を有する部位の一部を覆う状態で形成する第４の工程と、
前記基体と前記保護膜とを含む絶縁化処理前基板の表面に絶縁化処理を施す第５の工程と、
前記保護膜を剥離する第６の工程と
を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の機能液は、沸点が１７０℃以上かつ２５０℃以下である溶媒を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の工程の前に、前記基体を加熱する工程を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか一項に記載の基板の製造方法であって、
前記絶縁化処理は、陽極酸化法による処理を含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項６から８のいずれか一項に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の保護層は、
前記周状の隔壁部と、
前記周状の隔壁部と一体に形成され、前記隔壁部に囲まれた領域に配置された下地膜と
からなることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の保護層における前記周状の隔壁部の高さが、前記下地膜の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項６または８に記載の基板の製造方法であって、
前記基体を加熱する工程は、前記基体を３０℃以上、かつ１２０℃以下の温度に加熱することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項６または８に記載の基板の製造方法であって、
前記基体を加熱する工程は、前記基体を４０℃以上、かつ６０℃以下の温度に加熱することを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項６から１３のいずれか一項に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の機能液と前記第２の機能液は、同一の材料からなることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の基板の製造方法であって、
前記第１の機能液および前記第２の機能液はレジストを含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項６から１５のいずれか一項に記載の基板の製造方法を包含した弾性表面波振動子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の製造方法を用いて製造された弾性表面波振動子。
【請求項１８】
請求項１７に記載の弾性表面波振動子を備えた弾性表面波装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の弾性表面波装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面の導電性を有する部位の一部が絶縁化処理されるのを防ぐための保護膜を備えた絶縁化処理前基板、およびこの絶縁化処理前基板を絶縁化処理して行う基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法、さらにはこの製造方法によって製造された弾性表面波振動子、弾性表面波装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Surface Acoustic Wave、以下では「ＳＡＷ」と略すことがある）を電気的に駆動あるいは検出するために用いられる弾性表面波振動子は、水晶片などの圧電体の表面上に、アルミニウムなどの薄膜によって交差指電極（Interdigital transducer、以下では「ＩＤＴ」と略す）、反射器、導通パッドを形成して製造される。このような弾性表面波振動子においては、ＩＤＴの表面に導電性異物が付着すると、周波数が変動したり、安定した共振特性が得られなくなるなどの不具合が生じる。このため、ＩＤＴの表面は、絶縁物質で覆われていることが望ましい。一方、導通パッドは、外部配線を接続するための部位であるので、その表面は絶縁物質で覆われずに導電性を保っていることが望ましい。
【０００３】
こうした要件を満たす弾性表面波振動子を製造するための技術として、特許文献１に示される技術が知られている。この技術は、フォトリソグラフィー法を利用して、導通パッド上に陽極酸化に対する保護膜としてのレジスト膜を形成し、ＩＤＴの表面および反射器の表面のみに陽極酸化による酸化膜を形成するものである。この後レジスト膜を剥離すれば、ＩＤＴおよび反射器の表面が絶縁物質である酸化膜で覆われている一方、導通パッドの表面はアルミニウム薄膜が露出した状態である弾性表面波振動子が得られる。
【０００４】
近年ではさらに、保護膜としてのレジストを、インクジェット法によって導通パッド上にのみ選択的に付与する手法が提案されている。この手法によれば、レジストの使用量を削減することができる。また、レジストを現像する工程を省略できることからフォトマスクが不要であり、製造コストを抑えることができる。さらに、アルミニウム薄膜の表面がレジスト現像液によって劣化する不具合を回避することもできる。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３３０８８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、インクジェット法によってレジストを付与すると、レジスト膜の厚さが不足してしまう傾向がある。特にレジスト膜の外縁部の厚さが不足すると、陽極酸化工程においてレジスト膜の外周側から導通パッドとレジスト膜との界面に陽極酸化液が染み込み、レジスト膜が配置された領域にも一部酸化膜が形成されてしまうという課題がある。また、レジスト膜の中央部の厚さが不足すると、この部位の陽極酸化液に対する強度（密着強度）が十分に確保できず、陽極酸化中にレジスト膜の中央部の一部が剥がれてしまうことがある。この場合も、本来酸化膜を形成すべきでない領域に一部酸化膜が形成されてしまう。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有する保護膜を備えた絶縁化処理前基板を提供することにある。また、本発明の目的の一つは、表面の導電部のうち所望の領域のみを絶縁化処理することが可能な基板の製造方法、弾性表面波振動子の製造方法を提供することにある。さらに、本発明の目的の一つは、高い信頼性を有する弾性表面波振動子、弾性表面波装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による絶縁化処理前基板は、表面の導電性を有する部位の一部が絶縁化処理されるのを防ぐための保護膜を備えた絶縁化処理前基板であって、表面に導電性を有する部位を含む基体と、前記基体表面上に前記導電性を有する部位の一部を覆う状態に配置された保護膜とを備え、前記保護膜は、周状の隔壁部を有する第１の保護層、および前記周状の隔壁部によって囲まれた領域を埋めて配置された第２の保護層を有することを特徴とする。上記構成によって得られる効果の一つは、前記保護膜が前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有することである。このため、例えば前記基体を絶縁化処理液に浸漬して前記基体の表面に絶縁化処理を施す際、基体の表面と保護膜との間に絶縁化処理液が染み込み難い。また、この絶縁化処理を施す際に保護膜の一部が剥がれることがない。
【０００９】
前記第１の保護層は、前記周状の隔壁部と、前記周状の隔壁部と一体に形成され、該周状の隔壁部に囲まれた領域に配置された下地膜とからなっていてもよい。さらに、前記保護膜における前記周状の隔壁部の高さは、前記下地膜の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることが望ましい。上記構成によって得られる効果の一つは、前記保護膜が前記基体の表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有することである。このとき保護膜は、隔壁部および下地膜を有する第１の保護層と、該第１の保護層の下地膜に重ねて配置された第２の保護層とからなる。この構成によれば、例えば前記基体を絶縁化処理液に浸漬して前記基体の表面に絶縁化処理を施す際、第１の保護層と第２の保護層との隙間に絶縁化処理液が染み込んだとしても、基体表面には絶縁化処理液が到達しない。
【００１０】
ここで、前記第１の保護層と前記第２の保護層は、同一の材料からなっていてもよい。上記構成によって得られる効果の一つは、基板の製造装置を簡素化することができ、かつ基板の製造工程を短縮できることである。
【００１１】
また、前記第１の保護層の材料および前記第２の保護層の材料はレジストであってもよい。上記構成によって得られる効果の一つは、前記保護膜が所定の手法を用いることで容易に剥離できることである。
【００１２】
本発明による基板の製造方法は、基体表面の導電性を有する部位の一部を除く領域を絶縁化処理することにより基板を製造する基板の製造方法であって、表面に導電性を有する部位を含む基体上に第１の機能液を付与する第１の工程と、前記第１の機能液を乾燥させて、前記基体上に、周状の隔壁部を有する第１の保護層を形成する第２の工程と、前記隔壁部によって囲まれた領域に第２の機能液を付与する第３の工程と、前記第２の機能液を乾燥させて第２の保護層を形成し、前記基体上に、前記第１の保護層と前記第２の保護層とを有する保護膜を、前記導電性を有する部位の一部を覆う状態で形成する第４の工程と、前記基体と前記保護膜とを含む絶縁化処理前基板の表面に絶縁化処理を施す第５の工程と、前記保護膜を剥離する第６の工程とを含むことを特徴とする。この製造過程で前記基体上に形成される保護膜は、周状の隔壁部を有する第１の保護層を含んでいるため、例えば前記基体を絶縁化処理液に浸漬して前記基体の表面に絶縁化処理を施す際、基体の表面と保護膜との間に絶縁化処理液が染み込み難い。また、前記周状の隔壁部に囲まれた領域には第２の保護層が配置されているため、保護膜全体にわたって十分な膜の厚さが確保され、絶縁化処理を施す際に保護膜の一部が剥がれることがない。
【００１３】
上記方法によって得られる効果の一つは、前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有する保護膜を用いることによって、前記基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板が容易に得られることである。
【００１４】
ここで、前記第１の機能液は、沸点が１７０℃以上かつ２５０℃以下である溶媒を含んでいてもよい。溶媒の沸点が１７０℃以上かつ２５０℃以下である第１の機能液は、乾燥させる際に周状の隔壁部が形成されやすい。このような第１の機能液を用いることによって、上記基板の製造過程においてより容易に前記周状の隔壁部を有する第１の保護層を形成することができる。
【００１５】
前記第１の工程の前には、前記基体を加熱する工程を含んでいてもよい。加熱された基体上に第１の機能液を付与すると、この第１の機能液を乾燥させる際に周状の隔壁部が形成されやすい。このため、このような加熱工程を含んだ基板の製造方法によっても、その製造過程においてより容易に前記周状の隔壁部を有する第１の保護層を形成することができる。
【００１６】
また、前記絶縁化処理は、陽極酸化法による処理を含んでいてもよい。陽極酸化法によれば、前記基体表面の導電性を有する部位のうち前記保護膜が配置されない領域に、確実に絶縁化処理を施すことが可能である。陽極酸化法による絶縁化処理工程を含んだ上記製造方法によれば、前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有する保護膜を用いることによって、前記基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板が容易に得られる。
【００１７】
ここで、前記第１の保護層は、前記周状の隔壁部と、前記周状の隔壁部と一体に形成され、該周状の隔壁部に囲まれた領域に配置された下地膜とからなっていてもよい。このとき保護膜は、保護膜形成領域全体にわたって配置された第１の保護層と、該第１の保護層に重ねて配置された第２の保護層とからなる。この構成によれば、前記基体表面に絶縁化処理を施す際、第１の保護層と第２の保護層との隙間に絶縁化処理のための液体が染み込んだとしても、基体表面にはこの液体が到達しない。
【００１８】
さらに、前記第１の保護層における前記周状の隔壁部の高さは、前記下地膜の厚さの２倍以上、かつ１０倍以下であることが望ましい。
【００１９】
上記方法によって得られる効果の一つは、前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有する保護膜を用いることによって、前記基体表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理された基板が容易に得られることである。
【００２０】
上述の基板の製造方法において前記基体を加熱する工程は、前記基体を３０℃以上、かつ１２０℃以下の温度に加熱することが好ましい。より望ましくは、前記基体を４０℃以上、かつ６０℃以下の温度に加熱する。基体をこのような範囲に含まれる温度に加熱することによって、第１の機能液を好適な高さの隔壁部を有する状態で乾燥して第１の保護層を形成することができる。上記方法によって得られる効果の一つは、前記保護膜が前記基体表面に施される絶縁化処理に対して十分な強度（密着強度）を有することである。
【００２１】
ここで、前記第１の機能液と前記第２の機能液は、同一の材料からなっていてもよい。上記構成によって得られる効果の一つは、基板の製造装置を簡素化することができ、かつ基板の製造工程を短縮できることである。
【００２２】
また、上述の基板の製造方法において用いる前記機能液は、レジストを含んでいてもよい。上記方法によって得られる効果の一つは、前記保護膜が所定の手法を用いることで容易に剥離できることである。
【００２３】
本発明は、様々な態様で実現することができ、例えば、弾性表面波振動子の製造方法として実現することができる。また、この弾性表面波振動子の製造方法によって製造された弾性表面波振動子は、前記基体表面の導電性を有する部位のうち前記保護膜によって絶縁化処理から保護された部位において外部配線を容易かつ確実に接続することができる。一方、前記基体表面の導電性を有する部位のうち絶縁化処理が施された部位に導電性異物等が付着しても不具合が発生しない。このため、上述の弾性表面波振動子の製造方法によって製造された弾性表面波振動子は、高い信頼性を有する。また、この弾性表面波振動子を備える弾性表面波装置および電子機器は、高い信頼性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２５】
（Ａ．弾性表面波振動子）
図６（ｃ）は、本発明による基板の製造方法を用いて製造される弾性表面波振動子の模式斜視図であり、図１０（ｃ）は、図６（ｃ）中のＢ−Ｂ線でこの弾性表面波振動子を切断したときの側断面図である。弾性表面波振動子１は、水晶片１０と、アルミニウム薄膜からなる導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３と、アルミニウム酸化膜からなる絶縁層４０とからなる。ここで、図６（ｃ）中の斜線部は、絶縁層４０が形成された領域を示す。なお、導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３が、本発明における「基体表面の導電性を有する部位」に対応する。
【００２６】
水晶片１０は、水晶ウェハ５０（図５参照）を直方体状にカットして作られる圧電体である。水晶片１０の表面には、２つの櫛歯が互い違いに入り込んで向かい合わされたような形状をもつ一対のＩＤＴ２２が配置されている。ＩＤＴ２２には、これと一繋がりのアルミニウム薄膜で形成された導通パッド２１が接続されている。導通パッド２１は、外部配線（不図示）を接続するための部位である。導通パッド２１の大きさのオーダーは、一辺が数百μｍ程度であるのが一般的である。また、ＩＤＴ２２を挟むようにして一対の反射器２３が配置されている。反射器２３は、ＩＤＴ２２および導通パッド２１と同一のアルミニウム薄膜形成プロセスによって形成される。
【００２７】
外部配線から導通パッド２１を介してＩＤＴ２２に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生して弾性表面波が励振され、水晶片１０上を伝搬していく。この弾性表面波は反射器２３によって繰り返し反射され、水晶片１０上には弾性表面波の定常波が立つ。このように、弾性表面波振動子１は、弾性表面波の反射を利用して弾性表面波エネルギーを閉じ込める共振器として機能する。
【００２８】
上述の機構を有する弾性表面波振動子１は、ＩＤＴ２２の表面または反射器２３の表面に異物が付着すると、周波数が変動したり、安定した共振特性が得られなくなるなどの不具合が発生する。また、一対のＩＤＴ２２間が導電性異物によってショートすると、弾性表面波振動子としての機能自体が得られなくなる。これらの不具合を回避するために、ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面の一部は、アルミニウム薄膜の表面を酸化することによって形成された絶縁層４０で覆われている。絶縁層４０は、ＩＤＴ２２の表面および反射器２３の表面を覆うことで、ＩＤＴ２２または反射器２３の配置された領域に導電性異物等が付着した際に上述の不具合が発生するのを防ぐ。
【００２９】
（Ｂ．製造装置）
図１を参照しながら、弾性表面波振動子１の製造に用いる製造装置２について説明する。以下では、表面にアルミニウム薄膜からなる導通パッド２１、ＩＤＴ２２、反射器２３、接続線５２、およびターミナル５３とを有する水晶ウェハ５０（図５参照）を「基体１１」と表記する。基体１１は、水晶ウェハ５０の表面に１２個のＳＡＷパターン５１が形成されてなる。ＳＡＷパターン５１のそれぞれは、導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３を含んでおり、１つのＳＡＷパターンが１つの弾性表面波振動子１に対応する。なお、本実施形態では、説明の便宜上ＳＡＷパターン５１の数を１２としたが、実際の基体１１は、水晶ウェハ５０の大きさおよび製造する弾性表面波振動子１の大きさに応じて、さらに多数のＳＡＷパターン５１を有するのが一般的である。
【００３０】
図１に示す製造装置２は、基体１１の表面の所定の領域に絶縁層４０を形成して、複数の弾性表面波振動子１を含む基板を製造するための装置である。製造装置２は、基体１１の表面を洗浄する洗浄装置３１０と、基体１１を加熱する加熱装置３２０と、基体１１の表面の所定の領域に液状の材料である第１の保護材料３１Ａ（図９（ｂ）参照）を付与する液滴吐出装置３３１と、基体１１上の第１の保護材料３１Ａを乾燥させて第１の保護層３１を形成する乾燥装置３４１と、基体１１の表面の所定の領域に液状の材料である第２の保護材料３２Ａ（図９（ｄ）参照）を付与する液滴吐出装置３３２と、基体１１上の第２の保護材料３２Ａを乾燥させて第２の保護層３２を形成する乾燥装置３４２と、導通パッド２１およびＩＤＴ２２の表面を陽極酸化して、導通パッド２１およびＩＤＴ２２の表面のうち第１の保護層３１および第２の保護層３２からなる保護膜３０（図１０（ａ）参照）が形成されていない領域に絶縁層４０を形成する陽極酸化装置３５０と、保護膜３０を基体１１上から剥離する剥離装置３６０と、を備えている。
【００３１】
さらに製造装置２は、洗浄装置３１０、加熱装置３２０、液滴吐出装置３３１、乾燥装置３４１、液滴吐出装置３３２、乾燥装置３４２、陽極酸化装置３５０、剥離装置３６０の順番に基体１１を搬送する搬送装置３００も備えている。
【００３２】
なお、第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａが、それぞれ本発明における「第１の機能液」および「第２の機能液」に対応する。第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａは、後述する液状の材料１１１（図２、図３参照）の一種である。
【００３３】
（Ｃ．液滴吐出装置の全体構成）
次に、図２を用いて液滴吐出装置３３１の全体構成について説明する。図２に示す液滴吐出装置３３１は、基本的には液状の材料１１１（第１の保護材料３１Ａ）を吐出するためのインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置３３１は、液状の材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、支持部１０４ａと、を備えている。なお、もう一つの液滴吐出装置３３２の構造および機能は、吐出する材料が第２の保護材料３２Ａであることを除けば液滴吐出装置３３１の構造および機能と基本的に同じであるので、液滴吐出装置３３２の構造および機能の説明は省略する。
【００３４】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図３参照）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状の材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状の材料１１１が供給される。
【００３５】
ステージ１０６は基体１１を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基体１１の位置を固定する機能も有する。
【００３６】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００３７】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００３８】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータまたはサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。
【００３９】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基体１１はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基体１１に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図３参照）は、ステージ１０６に固定された基体１１に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状の材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００４０】
制御部１１２は、液状の材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基体１１上に、液状の材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施形態では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００４１】
上記構成を有する液滴吐出装置３３１は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図３参照）を基体１１に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状の材料１１１を吐出する。
【００４２】
なお、インクジェット法で層、膜、またはパターンを形成するとは、液滴吐出装置３３１のような装置を用いて、所定の物体上に、層、膜、またはパターンを形成することである。
【００４３】
（Ｄ．ヘッド）
図３（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置３３１におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズル１１８の開口を規定するノズルプレート１２８と、を備えている。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間には、液たまり１２９が位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状の材料１１１が常に充填される。
【００４４】
また、振動板１２６とノズルプレート１２８との間には、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状の材料１１１が供給される。なお、本実施形態では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００４５】
さて、振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、それぞれの振動子１２４が位置する。振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂとを含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
【００４６】
本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４と、を含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つのヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００４７】
（Ｅ．制御部）
次に、制御部１１２の構成を説明する。図４に示すように、制御部１１２は、入力バッファメモリ２００と、記憶装置２０２と、処理部２０４と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とを備えている。入力バッファメモリ２００と処理部２０４とは相互に通信可能に接続されている。処理部２０４と、記憶装置２０２と、走査駆動部２０６と、ヘッド駆動部２０８とは、図示しないバスによって相互に通信可能に接続されている。
【００４８】
走査駆動部２０６は、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８と相互に通信可能に接続されている。同様にヘッド駆動部２０８は、ヘッド１１４と相互に通信可能に接続されている。
【００４９】
入力バッファメモリ２００は、液滴吐出装置３３１の外部に位置する外部情報処理装置（不図示）から、液状の材料１１１の液滴を吐出するための吐出データを受け取る。入力バッファメモリ２００は、吐出データを処理部２０４に供給し、処理部２０４は吐出データを記憶装置２０２に格納する。図４では、記憶装置２０２はＲＡＭである。
【００５０】
処理部２０４は、記憶装置２０２内の吐出データに基づいて、被吐出部に対するノズル１１８の相対位置を示すデータを走査駆動部２０６に与える。走査駆動部２０６はこのデータと、吐出周期と、に応じたステージ駆動信号を第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８に与える。この結果、被吐出部に対する吐出ヘッド部１０３の相対位置が変わる。一方、処理部２０４は、記憶装置２０２に記憶された吐出データに基づいて、液状の材料１１１の吐出に必要な吐出信号をヘッド１１４に与える。この結果、ヘッド１１４における対応するノズル１１８から、液状の材料１１１の液滴Ｄが吐出される。
【００５１】
制御部１１２は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、バスを含んだコンピュータである。したがって、制御部１１２の上記機能は、コンピュータによって実行されるソフトウェアプログラムによって実現される。もちろん、制御部１１２は、専用の回路（ハードウェア）によって実現されてもよい。
【００５２】
（Ｆ．液状の材料）
上述の「液状の材料１１１」とは、ヘッド１１４のノズル１１８から液滴Ｄとして吐出されうる粘度を有する材料をいう。ここで、液状の材料１１１が水性であると油性であるとを問わない。ノズル１１８から吐出可能な流動性（粘度）を備えていれば十分で、固体物質が混入していても全体として流動体であればよい。ここで、液状の材料１１１の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であるのが好ましい。粘度が１ｍＰａ・ｓ以上である場合には、液状の材料１１１の液滴Ｄを吐出する際にノズル１１８の周辺部が液状の材料１１１で汚染されにくい。一方、粘度が５０ｍＰａ・ｓ以下である場合は、ノズル１１８における目詰まり頻度が小さく、このため円滑な液滴Ｄの吐出を実現できる。なお、「液状の材料１１１」は、被吐出部に付与された後に固有の機能を果たすことから、「機能液」とも呼ぶ。
【００５３】
本実施形態で用いる第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａは、上述の条件を満たす液状の材料１１１である。第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａは同一の材料であって、ともにレジストが含有されており、溶媒にはＮ−メチル−２−ピロリドンが使用されている。ヘッド１１４のノズル１１８から被吐出部に吐出された第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａを乾燥させると、溶媒が蒸発する。その結果、被吐出部にレジストからなる第１の保護層３１および第２の保護層３２が形成される。また、第１の保護層３１および第２の保護層３２は、レジスト剥離用の薬液を用いて剥離することができる。
【００５４】
第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａには、本実施形態で用いたＮ−メチル−２−ピロリドンの他にも、種々の溶媒を用いることができる。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノン、酢酸エチル、乳酸ブチルなどの極性化合物を例示できる。
【００５５】
また、保護材料３０Ａには、溶媒を含まない、いわゆる無溶媒系の材料を用いてもよい。具体的には、ポリメチルメタクリレート、ポリヒドロキシエチルメタクリレート、ポリシクロヘキシルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリジエチレングリコールビスアリルカーボネート、ポリカーボネートなどのアリル系樹脂、メタクリル樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアミド系樹脂、フッ素系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂などの熱可塑性または熱硬化性の樹脂が挙げられ、これらのうちの一種、または複数種を混合して用いることができる。
【００５６】
（Ｇ．基板の製造方法）
続いて、図１、および図５から図１１を参照しながら、上述の液滴吐出装置３３１，３３２を含む製造装置２を用いた弾性表面波振動子１の製造方法について説明する。
【００５７】
まず、公知の成膜技術とパターニング技術とを用いて、水晶ウェハ５０上に、アルミニウム薄膜からなる導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３を含むＳＡＷパターン５１と、接続線５２、およびターミナル５３を形成し、基体１１を製造する（図５参照）。導通パッド２１、ＩＤＴ２２、反射器２３、接続線５２、およびターミナル５３は、１回のアルミニウム薄膜形成工程によって同時に成膜することができる。基体１１が有する複数のＳＡＷパターン５１のうちの１つに着目したものが図６（ａ）であり、図６（ａ）中のＡ−Ａ線で基体１１を切断したときの断面図が図９（ａ）である。
【００５８】
ＳＡＷパターン５１が形成された基体１１は、図１に示す製造装置２に搬入され、搬送装置３００によって洗浄装置３１０に運ばれる。ここで、純水超音波洗浄法、あるいはＵＶ洗浄法等によって、基体１１の表面の洗浄を行う。
【００５９】
洗浄工程を経た基体１１は、搬送装置３００によって加熱装置３２０に運ばれる。基体１１は、ここで５０℃に加熱される。基体１１を加熱する方法は様々なものが考えられるが、ここでは、温度を設定可能な恒温槽の槽内温度を５０℃に設定し、この中に基体１１を一定時間放置する方法を用いている。
【００６０】
続いて、基体１１は、搬送装置３００によって液滴吐出装置３３１のステージ１０６に運ばれる。そして、図９（ｂ）に示すように、液滴吐出装置３３１は、基体１１上の後述する保護領域に第１の保護材料３１Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４の吐出部１２７から第１の保護材料３１Ａを吐出する。ここで、基体１１が上述の加熱装置３２０によって加熱されてから基体１１上に第１の保護材料３１Ａが吐出されるまでの時間は十分に短いので、第１の保護材料３１Ａが吐出されるときの基体１１の温度は、依然として約５０℃に保たれている。
【００６１】
基体１１上の保護領域のすべてに第１の保護材料３１Ａの層が形成された場合には、搬送装置３００が基体１１を乾燥装置３４１内に位置させる。そして、乾燥装置３４１は、基体１１上の第１の保護材料３１Ａを完全に乾燥させる。この乾燥には、基体１１を１２０℃の環境下に３０分間放置する方法を用いている。この過程で、第１の保護材料３１Ａ中の溶媒が蒸発し、図９（ｃ）に示すように、第１の保護材料３１Ａが吐出された領域に、第１の保護材料３１Ａ中に含まれるレジストからなる第１の保護層３１が形成される。こうして得られた第１の保護層３１は周状の隔壁部３３を有し、この隔壁部３３は、隔壁部３３と一体に形成された下地膜３４の厚さよりも高くなっている（図７参照）。ここで、本稿において「周状」とは、ある図形を囲む閉じた曲線または折れ線の形を呈していることを言う。
【００６２】
第１の保護層３１の隔壁部３３が下地膜３４の厚さよりも高くなる理由は、以下のように推測される。図１１（ａ）は、導通パッド２１上に付与された乾燥前の第１の保護材料３１Ａを示す。第１の保護材料３１Ａの上部には、第１の保護材料３１Ａ中の溶媒が気化した気体３５が多く存在している。よって、第１の保護材料３１Ａの周囲における溶媒の蒸気圧は、第１の保護材料３１Ａの側面付近に対して上部の方が高くなっている。このため、溶媒は、図１１（ｂ）中の矢印３６が示すように、主に第１の保護材料３１Ａの側面から気化していく。そして、第１の保護材料３１Ａ内の溶媒は、第１の保護材料３１Ａの側面近傍の領域３７から気化した溶媒を補填するように、領域３７へ向かって移動する（矢印３８）。この溶媒の移動の際に、第１の保護材料３１Ａに含有されているレジストも同時に領域３７へ向かって移動する（矢印３８）。このように、側面近傍の領域３７からの溶媒の気化と、領域３７への溶媒およびレジストの移動とからなるサイクルが、第１の保護材料３１Ａが乾燥するまで繰り返される。こうして、図１１（ｃ）に示すように、第１の保護材料３１Ａはレジストが領域３７に対応する隔壁部３３に偏った状態で乾燥し、結果として、図７に示すような周状の隔壁部３３が下地膜３４の厚さよりも高い第１の保護層３１が形成される。
【００６３】
ここで、図７（ａ）に示す隔壁部３３の高さａの、下地膜３４の厚さｂに対する比率ａ／ｂは、基体１１の温度や溶媒の沸点によって変化する。まず、基体１１の温度が高いと、比率ａ／ｂは大きくなる。これは、高温の基体１１上に付与された第１の保護材料３１Ａは、基体１１の温度とほぼ等しい温度に保たれるので、液体としての粘度が下がり、第１の保護材料３１Ａの乾燥までに上述のサイクルにおける矢印３８の移動速度が高まることに起因すると推測される。この結果、乾燥時におけるレジストの第１の保護材料３１Ａの隔壁部３３への偏りが大きくなるため、比率ａ／ｂが大きくなる。また、溶媒の沸点が高いときも、比率ａ／ｂは大きくなる。これは、溶媒の沸点が高いと、第１の保護材料３１Ａに含まれる溶媒が気化し難いため、第１の保護材料３１Ａの乾燥までに上述のサイクルにおける矢印３８の移動が行われる時間が増加することに起因すると推測される。この結果、乾燥時におけるレジストの第１の保護材料３１Ａの隔壁部３３への偏りが大きくなるため、比率ａ／ｂが大きくなる。
【００６４】
ここで、液滴吐出装置３３１によって第１の保護材料３１Ａが吐出されるべき保護領域、すなわち、保護膜３０が形成されるべき保護領域について、図６（ｂ）および図７を用いて説明する。図６（ｂ）は、第１の保護層３１が形成された状態の基体１１において１つのＳＡＷパターンに着目した図である。なお、図６（ｂ）中の斜線部は、第１の保護層３１が形成された領域を示す。図７（ｂ）は、図６（ｂ）中の導通パッド２１付近を拡大した図であり、図７（ａ）は、図７（ｂ）中のＣ−Ｃ線で基体１１を切断したときの断面図である。保護領域は、図６（ｂ）および図７において第１の保護層３１が形成されている領域に相当する。より詳細には、保護領域は、導通パッド２１の表面のうち、導通パッド２１の外縁部を除いた領域である。この領域は、前述したように外部配線を接続するための領域であって、後述する陽極酸化工程において絶縁層４０（図１０（ｃ）参照）を形成せずに表面の導電性を維持しておくことが好ましい領域であり、本発明における「（基体）表面の導電性を有する部位の一部」に相当する。
【００６５】
なお、図６（ｂ）および図７に示した保護領域は、外部配線を接続するという目的を達成するために最低限確保しておくべき領域であって、保護領域の取り得る範囲の上限を示すものではない。保護領域は、絶縁層４０を形成すべき領域にかからない範囲で広くとることもできる。例えば、導通パッド２１の領域を越えて、水晶ウェハ５０にかかっても良い。ただし、第１の保護材料３１Ａの使用量を抑えることができるという液滴吐出装置３３１を用いた第１の保護層３１の形成方法の利点を最大限に生かすためには、図６（ｂ）および図７に示すような領域を保護領域とすることが好ましい。
【００６６】
こうして保護領域に形成された第１の保護層３１は、図７に示すように、周状の隔壁部３３と、この隔壁部３３と一体に形成され、隔壁部３３に囲まれた領域に配置された平坦な下地膜３４とからなる。また、隔壁部３３は、下地膜３４の厚さよりも高くなっている。このように隔壁部３３の高さが十分確保された第１の保護層３１は、後述する陽極酸化工程において、第１の保護層３１の外周側から導通パッド２１と第１の保護層３１との界面に陽極酸化液が染み込むことがなく、陽極酸化に対して十分な強度（密着強度）を有する。
【００６７】
表面に第１の保護層３１が形成された基体１１は、搬送装置３００によって液滴吐出装置３３２のステージ１０６に運ばれる。そして、図９（ｄ）に示すように、液滴吐出装置３３２は、第１の保護層３１上の隔壁部３３に囲まれた領域に第２の保護材料３２Ａの層が形成されるように、ヘッド１１４の吐出部１２７から第２の保護材料３２Ａを吐出する。
【００６８】
第１の保護層３１上の隔壁部３３に囲まれた領域のすべてに第２の保護材料３２Ａの層が形成された場合には、搬送装置３００が基体１１を乾燥装置３４２内に位置させる。そして、乾燥装置３４２は、基体１１上の第２の保護材料３２Ａを完全に乾燥させる。この乾燥には、基体１１を１２０℃の環境下に３０分間放置する方法を用いている。この過程で、第２の保護材料３２Ａ中の溶媒が蒸発し、図１０（ａ）に示すように、第２の保護材料３２Ａが吐出されていた領域に、第２の保護材料３２Ａ中に含まれるレジストからなる第２の保護層３２が形成される。第１の保護層３１および第２の保護層３２をあわせたものが保護膜３０であり、以下では、表面に保護膜３０が形成され、かつ絶縁化処理を施す前の段階の基体１１を「絶縁化処理前基板１２」とも呼ぶ。
【００６９】
図８は、第１の保護層３１および第２の保護層３２からなる保護膜３０を有する基体１１の一部を示す。図８（ｂ）は、この基体１１の導通パッド２１付近を拡大した図であり、図８（ａ）は、図８（ｂ）中のＤ−Ｄ線で基体１１を切断したときの断面図である。保護膜３０は、前述の保護領域全体を覆って配置された第１の保護層３１と、第１の保護層３１の下地膜３４の上に、これを補強する形で配置された第２の保護層３２とからなり、全面にわたって十分な厚さを有する。このため、後述する陽極酸化工程において、下地膜３４が剥離し難い。また、後述する絶縁化処理工程において、万一第１の保護層３１と第２の保護層３２との隙間に陽極酸化液５５（図１２参照）が染み込んだとしても、この陽極酸化液５５は第１の保護層３１の表面で遮られて基体１１の表面には到達しないので、保護膜３０は依然として基体１１の表面を保護する機能を有する。
【００７０】
また、第１の保護層３１の隔壁部３３は、液滴吐出装置３３２によって第２の保護材料３２Ａが第１の保護層３１上に付与される際に、第２の保護材料３２Ａが保護領域外に流出するのを防ぐ役割も果たす。このため、液滴吐出装置３３２は、第２の保護材料３２Ａの吐出位置精度に関しては、隔壁部３３に囲まれた領域に第２の保護材料３２Ａを吐出し得る程度の精度を有していれば良い。
【００７１】
保護領域に第１の保護層３１および第２の保護層３２からなる保護膜３０が形成された基体１１（すなわち絶縁化処理前基板１２）は、搬送装置３００によって陽極酸化装置３５０に運ばれる。図１２に、陽極酸化装置３５０の模式図を示す。陽極酸化装置３５０は、槽５４、陽極酸化液５５、電源５６、陰極５７、およびクリップ５８からなる。槽５４の中には陽極酸化液５５が入っており、陽極酸化液５５には、電源５６の負極に接続された陰極５７が浸かっている。また、電源５６の正極はクリップ５８に接続されており、クリップ５８は、陽極酸化液５５に浸かった基体１１上のターミナル５３を保持している。基体１１上のターミナル５３は、図５に示すように、接続線５２、導通パッド２１、ＩＤＴ２２、および反射器２３と一体に形成されたアルミニウム薄膜である。ここで、基体１１上のすべてのＳＡＷパターン５１は、陽極酸化液５５に浸かっている。
【００７２】
このような構成の陽極酸化装置３５０において、電源５６から、陰極５７を陰極、基体１１側を陽極として電流を流すことによって、陽極酸化を行う。本実施形態では、陽極酸化によってアルミニウム薄膜の表面に無孔性の酸化膜を形成するために、陽極酸化液５５にはリン酸塩の水溶液またはホウ酸塩の水溶液の混合液を用いている。この他に、クエン酸塩やアジピン酸塩などの中性近傍の塩の水溶液を用いることもできる。また、液温は、多孔性の酸化膜となることを避けるため室温程度が望ましく、例えば、ホウ酸塩の水溶液を用いた場合は２０℃から３０℃程度が望ましい。
【００７３】
このような条件下で陽極酸化を行うことによって、図１０（ｂ）に示すように、ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面に、印加電圧に略比例した厚さのアルミニウム酸化膜からなる絶縁層４０が形成される。ただし、導通パッド２１の表面のうち、保護膜３０が形成されている領域、つまり保護領域は、陽極酸化液５５に触れていないため絶縁層４０が形成されない。このように、保護膜３０は、陽極酸化に対して導通パッド２１の表面を保護する。
【００７４】
保護膜３０の陽極酸化に対する密着強度は、第１の保護層３１における上述の比率ａ／ｂによって変化する。保護膜３０が陽極酸化に対して十分な密着強度を持つためには、比率ａ／ｂが２以上、かつ１０以下であることが望ましい。比率ａ／ｂが２以上であれば、保護膜３０の外縁部の厚さ（第１の保護層３１の隔壁部３３の高さ）が十分であるので、保護膜３０の外周側から導通パッド２１と保護膜３０との界面に陽極酸化液５５が染み込むことがない。よって、導通パッド２１の保護領域に絶縁層４０が形成されることがない。また、比率ａ／ｂが１０以下であれば、第１の保護層３１の下地膜３４がある程度の厚さｂを有している。このため、万一第１の保護層３１と第２の保護層３２との隙間に陽極酸化液５５が染み込んだとしても、この陽極酸化液は第１の保護層３１の表面で遮られて基体１１の表面には到達しないので、導通パッド２１の保護領域に絶縁層４０が形成されることがない。
【００７５】
発明者の実験によれば、前述の加熱装置３２０による基体１１の加熱工程において、基体１１の加熱温度が３０℃を下回ると、第１の保護層３１における前述の比率ａ／ｂが２未満になる場合があった。また、基体１１の加熱温度が１２０℃を上回ると、比率ａ／ｂが１０を超える場合があった。このため、加熱装置３２０による基体１１の加熱温度は、３０℃以上、かつ１２０℃以下であることが望ましい。さらに、基体１１の加熱温度が４０℃以上、かつ６０℃以下のとき、保護膜３０の陽極酸化に対する強度が最も高くなることが確認されている。本実施形態においては、加熱装置３２０による加熱工程において、基体１１は５０℃に加熱されているので、保護膜３０は陽極酸化に対して十分な強度を有している。具体的には、保護膜３０（第１の保護層３１）と導通パッド２１との界面に陽極酸化液５５が染み込んで保護領域の一部に絶縁層４０が形成されることがない。また第１の保護層３１の下地膜３４が一定の厚さを有しており、万一第１の保護層３１と第２の保護層３２との隙間に陽極酸化液５５が染み込んだとしても、この陽極酸化液は第１の保護層３１の表面で遮られて基体１１の表面には到達しない。こうして、基体１１上のすべての保護領域が陽極酸化から保護される。
【００７６】
ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面の一部に絶縁層４０が形成された基体１１は、搬送装置３００によって剥離装置３６０に運ばれる。剥離装置３６０は、所定の薬液を用いて基体１１上の保護領域に形成されたレジストからなる保護膜３０を剥離する。これによって、導通パッド上の保護領域は再び導電性を有するアルミニウムが露出した状態となり、外部配線の接続に好適な構成となる。なお、保護膜３０に使用するレジストの種類によっては、前述の加熱装置３２０による加熱工程において基体１１が１２０℃より高い温度に加熱されていると、剥離が困難になる場合がある。この点からも、加熱工程における基体１１の加熱温度は１２０℃以下であることが望ましい。
【００７７】
こうして、基体１１の表面のうち所定の範囲に絶縁層４０が形成された、複数の弾性表面波振動子１を含む基板が得られる。本実施形態の基板の製造方法によれば、下地膜３４の厚さより高い隔壁部３３を有する第１の保護層３１、およびこの隔壁部３３に囲まれた領域に配置された第２の保護層３２からなる保護膜３０を備えた絶縁化処理前基板１２を用いることによって、基板表面のうち所望の範囲のみが絶縁化処理されて絶縁層４０が形成された基板を製造することができる。
【００７８】
（Ｈ．弾性表面波振動子の製造方法）
上述の製造方法によって製造された基板を、それぞれが１つのＳＡＷパターン５１を含むような小片に分割することによって、図６（ｃ）および図１０（ｃ）に示す弾性表面波振動子１が得られる。この弾性表面波振動子１は、弾性表面波の反射を利用して弾性表面波エネルギーを閉じ込める共振器として機能する。この弾性表面波振動子１は、導通パッド２１上の保護領域が導電性を有するアルミニウムの露出した状態となっているため、外部配線を容易かつ確実に接続することができる。このため、外部配線との接続不良に起因する不具合が発生しにくい。また、ＩＤＴ２２の表面、反射器２３の表面、および導通パッド２１の表面の一部がアルミニウム薄膜の表面を酸化することによって形成された絶縁層４０で覆われているため、ＩＤＴ２２または反射器２３の配置された領域に導電性異物等が付着しても不具合が発生しない。このように、本実施形態の基板の製造方法を含む弾性表面波振動子の製造方法によれば、信頼性の高い弾性表面波振動子１を製造することができる。
【００７９】
また、本実施形態の基板の製造方法は、共振器として機能する弾性表面波振動子の製造方法の他にも、周波数選択機能を有する弾性表面波振動子を始めとする、種々の弾性表面波振動子の製造方法に適用することができる。
【００８０】
（Ｉ．弾性表面波装置）
上記の弾性表面波振動子１は、様々な装置に組み込んで弾性表面波装置として用いることができる。図１３は、上記の弾性表面波振動子１を組み込んだ弾性表面波装置としての発振器６０の模式図である。図１３（ａ）は、発振器６０の側断面図であり、図１３（ｂ）は、発振器６０の平断面図である。発振器６０は、パッケージ６１、基部６２、集積回路６３、配線６４、金属ワイヤ６５，６６、および弾性表面波振動子１からなる。基部６２の上面には、弾性表面波振動子１と、弾性表面波振動子１を駆動するための集積回路６３が実装されており、また、弾性表面波振動子１と集積回路６３とを電気的に接続するための配線６４がパターニングされている。弾性表面波振動子１と配線６４、および配線６４と集積回路６３は、それぞれ金線等からなる金属ワイヤ６５，６６によって電気的に接続されている。ここで、弾性表面波振動子１と金属ワイヤ６５は、導通パッド２１上のうちアルミニウムが露出した領域、すなわち保護領域において、ワイヤボンディング法によって接続されている。パッケージ６１は、基部６２、および基部６２上に配置された部品をすべて覆ってこれらを密封する。
【００８１】
本実施形態の発振器６０は、弾性表面波振動子１の導通パッド２１上の保護領域が導電性を有するアルミニウムの露出した状態となっているため、弾性表面波振動子１と金属ワイヤ６５とを容易かつ確実に接続することができる。このため、金属ワイヤとの接続不良に起因する不具合が発生しにくい。また、弾性表面波振動子１上のＩＤＴ２２および反射器２３が絶縁層４０によって覆われているので、仮にパッケージ６１内に導電性異物が混入しており、この導電性異物等がＩＤＴ２２または反射器２３に付着したとしても、不具合が発生しない。このように、弾性表面波装置に本実施形態の弾性表面波振動子を適用することによって、高い信頼性を実現することができる。
【００８２】
さらに、本実施形態の弾性表面波振動子は、発振器６０の他にも、周波数フィルタを始めとする種々の弾性表面波装置に適用することができる。
【００８３】
（Ｊ．電子機器）
続いて、上述の弾性表面波装置を電子機器に適用した例について説明する。図１４は、弾性表面波装置としての発振器６０を内部に組み込んだ携帯電話機５００の模式図である。この携帯電話機５００は、高い信頼性を有する発振器６０を備えるため、長期間にわたって好適な動作を維持することができる。本実施形態の弾性表面波装置は、携帯電話機５００の他にも、パーソナルコンピュータ、携帯型電子端末、時計等を始めとする種々の電子機器に適用することができる。
【００８４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【００８５】
（変形例１）
上述の実施形態は、隔壁部３３が下地膜３４の厚さより高い第１の保護層３１を形成するために、基体１１を加熱装置３２０で加熱する工程と、液滴吐出装置３３１を用いて基体１１上に第１の保護材料３１Ａを付与する工程とを含むが、これらの工程に代えて、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である第１の保護材料３１Ａを液滴吐出装置３３１を用いて基体１１上に付与する工程を含んでいてもよい。これは、基体１１の温度を高くすることの他に、第１の保護材料３１Ａの溶媒の沸点を高くすることによっても、比率ａ／ｂを大きくすることができることに基づく変形例である。発明者の実験によれば、基体１１を加熱しない場合でも、第１の保護材料３１Ａの溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である場合に、下地膜３４の厚さより高い隔壁部３３を有する第１の保護層３１を備えた、陽極酸化に対して十分な強度（密着強度）を持つ保護膜３０を形成できることが確認されている。
【００８６】
本変形例による基板の製造方法では、洗浄装置３１０で洗浄された基体１１は、加熱装置３２０による加熱工程を経ずに液滴吐出装置３３１に運ばれ、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である第１の保護材料３１Ａが付与される。この点を除くと、本変形例は、上述の実施形態と基本的に同じである。本変形例によれば、基体１１の加熱工程を省略できるので、基板の製造工程を短縮することができる。
【００８７】
なお、本変形例は、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である第１の保護材料３１Ａを用いた場合には、加熱装置３２０による加熱工程を省略しなければならない旨を示すものではない。加熱装置３２０によって基体１１を加熱してから、溶媒の沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下である第１の保護材料３１Ａを付与した場合は、下地膜３４の厚さより高い隔壁部３３を有する第１の保護層３１をより容易に形成することが可能である。
【００８８】
（変形例２）
上述の実施形態において、保護膜３０に含まれる第１の保護層３１は、周状の隔壁部３３と、この隔壁部３３と一体に形成された下地膜３４とからなるが、下地膜３４はなくてもよい。この変形例を図１５を用いて説明する。図１５は、保護領域の外縁部に配置された周状の隔壁部３３のみからなる第１の保護層３１と、この隔壁部に囲まれた領域を埋めるように配置された第２の保護層３２とからなる保護膜３０を表面に有する基体１１の一部を示したものである。図１５（ｂ）は、この基体１１の導通パッド２１付近の拡大図、図１５（ａ）は、図１５（ｂ）中のＥ−Ｅ線で基体１１を切断したときの断面図である。このように、下地膜がなく隔壁部３３のみからなる第１の保護層３１を有する保護膜３０も、陽極酸化工程において、第１の保護層３１の外周側から導通パッド２１と第１の保護層３１との界面に陽極酸化液５５が染み込むことがなく、陽極酸化に対して十分な強度（密着強度）を有する。
【００８９】
ここで、隔壁部３３は、外縁部のみでなく保護領域の内部にも配置することができる。図１６（ｂ）は、このような配置の一例を示した平面図であり、図１６（ａ）は、図１６（ｂ）中のＦ−Ｆ線で基体１１を切断したときの断面図である。図１６中の第１の保護層３１は、保護領域の外縁部と、この外縁部が囲む領域を二分する線上とに配置された、言わば「日」の字状の隔壁部３３を有し、下地膜は備えていない。そして、この第１の保護層３１と、第１の保護層３１の隔壁部３３に囲まれた領域を埋めるように配置された第２の保護層３２とによって、保護膜３０が構成されている。このような保護膜３０も、陽極酸化工程において、第１の保護層３１の外周側から導通パッド２１と第１の保護層３１との界面に陽極酸化液５５が染み込むことがなく、陽極酸化に対して十分な強度（密着強度）を有する。さらに、「日」の字状の隔壁部３３によって、第２の保護層３２が配置されるべき領域が細かく区分されているため、第２の保護層３２をより安定して形成することができる。
【００９０】
本変形例による基板の製造方法では、液滴吐出装置３３１を用いて第１の保護材料３１Ａを付与する際に、上述の隔壁部３３を形成すべき位置に付与し、その他の領域には付与しない。この製造方法によれば、乾燥装置３４１によって第１の保護材料３１Ａを乾燥させたときに、上述の隔壁部３３のみからなる第１の保護層３１が形成される。この点を除くと、本変形例は、上述の実施形態と基本的に同じである。
【００９１】
（変形例３）
上述の実施形態においては、アルミニウム薄膜の表面を絶縁化するための処理として陽極酸化法を用いたが、この絶縁化処理は、基体１１の表面に絶縁性を有する層を形成可能なものであればどのような方法を用いてもよい。例えば、陽極酸化法の他に、酸素などのガスが封入された処理室に基体１１を入れて加熱することによって基体１１の表面に酸化膜を形成する熱酸化法などを用いてもよい。このような絶縁化処理を含む基板の製造方法によっても、基板表面のうち所望の範囲のみに絶縁層４０が形成された基板を製造することができる。
【００９２】
（変形例４）
上述の実施形態においては、加熱装置３２０としての恒温槽によって基体１１を加熱したが、基体１１の加熱方法は、この他にも、基体１１に第１の保護材料３１Ａが付与されるときに基体１１が所定の温度に加熱されているものであればどのような手法であってもよい。例えば、液滴吐出装置３３１のステージ１０６に基体加熱手段を設置し、ステージ１０６に運ばれた基体１１がこの基体加熱手段によって加熱されるような方式を用いてもよい。また、液滴吐出装置３３１に、ステージ１０６の位置を加熱することが可能なランプ等の熱放射装置を設置し、ステージ１０６に運ばれた基体１１がこの熱放射装置によって加熱されるような方式を用いてもよい。このような加熱工程を含む基板の製造方法によっても、隔壁部３３が下地膜３４に対して相対的に厚い第１の保護層３１を有する保護膜３０を用いて、基板表面のうち所望の範囲のみに絶縁層４０が形成された基板を製造することができる。
【００９３】
（変形例５）
上述の実施形態は、加熱装置３２０によって基体１１を加熱する工程を含んでいたが、第１の機能液３１Ａを、隔壁を有する状態で乾燥することが可能な条件を満たしていれば、この加熱工程を省略することが可能である。上記条件の例としては、第１の機能液の溶媒に沸点が１７０℃以上、かつ２５０℃以下のものを用いること、第１の機能液の溶質に流動性が高いものを用いること、さらには、第１の機能液の乾燥を、第１の機能液の溶媒の蒸気圧が高い雰囲気下で行うか、雰囲気の対流が少ない環境下で行うこと、あるいはこれらの組み合わせ等を挙げることができる。
【００９４】
（変形例６）
上述の実施形態では、水晶ウェハ５０上にアルミニウム薄膜が形成された基体１１をもとに基板を製造したが、この他にも、表面に導電性を有する部位を有する基体であればどのような基体をもとに製造してもよい。例えば、表面に金属配線を有するシリコンウェハなどを基体として用いてもよい。このような基体を用いた場合でも、基板表面のうち所望の範囲のみに絶縁層が形成された基板を製造することができる。
【００９５】
（変形例７）
上述の実施形態では、２つの異なる液滴吐出装置３３１，３３２が、それぞれ第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａを吐出する。このような構成に代えて、１つの液滴吐出装置（例えば液滴吐出装置３３１）が、すべての液状の材料、すなわち第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａを吐出する構成でもよい。この場合、これら液状の材料は、液滴吐出装置３３１における別々のノズル１１８から吐出されてもよいし、液滴吐出装置３３１における１つのノズル１１８から吐出されてもよい。１つのノズル１１８からこれら２つの液状の材料が吐出される場合には、液状の材料を切り換える際に、タンク１０１からノズル１１８までの経路を洗浄する工程を追加すればよい。もっとも、第１の保護材料３１Ａおよび第２の保護材料３２Ａが同一である場合は、上述の洗浄工程は不要である。この場合は、基板の製造装置をさらに簡素化することができるとともに、基板の製造工程をより短縮することができる。
【００９６】
（変形例８）
上述の実施形態では、保護材料３１Ａ，３２Ａの付与には液滴吐出装置３３１，３３２を用いているが、これらに代えて、液状の材料を定量吐出することが可能な装置を用いてもよい。具体的には、シリンジに封入された液状の材料をピストンで押し出してノズルディスペンサーを介して吐出するディスペンサー等を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】基板の製造装置を示す模式図。
【図２】液滴吐出装置を示す模式斜視図。
【図３】液滴吐出装置におけるヘッドの一部を示し、（ａ）は模式斜視図、（ｂ）は側断面図。
【図４】液滴吐出装置における制御部の機能ブロック図。
【図５】ＳＡＷパターンを有する基体の模式平面図。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、基体の拡大斜視図、（ｃ）は、弾性表面波振動子の模式斜視図。
【図７】（ａ）および（ｂ）は、第１の保護層が形成された導通パッドの拡大図。
【図８】（ａ）および（ｂ）は、第１の保護層および第２の保護層からなる保護膜が形成された導通パッドの拡大図。
【図９】（ａ）から（ｄ）は、本発明の実施形態の基板の製造方法を説明する模式側面図。
【図１０】（ａ）から（ｃ）は、本発明の実施形態の基板の製造方法を説明する模式側面図。
【図１１】（ａ）から（ｃ）は、基体上に第１の保護層が形成される過程を説明する模式側面図。
【図１２】陽極酸化装置を示す模式図。
【図１３】本発明の実施形態の発振器を示し、（ａ）は側断面図、（ｂ）は平断面図。
【図１４】本発明の実施形態の携帯電話機の模式斜視図。
【図１５】（ａ）および（ｂ）は、隔壁部のみからなる第１の保護層を備えた保護膜が形成された導通パッドの拡大図。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は、隔壁部のみからなる第１の保護層を備えた保護膜が形成された導通パッドの拡大図。
【符号の説明】
【００９８】
１…弾性表面波振動子、２…製造装置、１０…水晶片、１１…基体、１２…絶縁化処理前基板、２１…基体表面の導電性を有する部位を構成する導通パッド、２２…基体表面の導電性を有する部位を構成するＩＤＴ、２３…基体表面の導電性を有する部位を構成する反射器、３０…保護膜、３１Ａ…第１の機能液としての第１の保護材料、３１…第１の保護層、３２Ａ…第２の機能液としての第２の保護材料、３２…第２の保護層、３３…隔壁部、３４…下地膜、４０…絶縁層、５０…水晶ウェハ、５１…ＳＡＷパターン、６０…弾性表面波装置としての発振器、３００…搬送装置、３１０…洗浄装置、３２０…加熱装置、３３１，３３２…液滴吐出装置、３４１，３４２…乾燥装置、３５０…陽極酸化装置、３６０…剥離装置、５００…電子機器としての携帯電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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