(57)【要約】【課題】  研磨パッドに対する研削性を確保しながらも、長期に亙って安定したドレッシング性能を得る。【解決手段】  多数のダイヤモンド砥粒の中から、他の面よりも結晶方位１１１面の占める面積比率が大きいダイヤモンド砥粒の含有率が他の群よりも高い一群のダイヤモンド砥粒を選別し、この一群のダイヤモンド砥粒をメッキ液に分散してこのメッキ液中に浸漬された基材１の表面２に鍍着することにより、この基材１の表面２に鍍着された多数のダイヤモンド砥粒のうち、結晶方位１１１面ａが基材１の表面２と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒Ａ１，Ａ２，Ａ４〜Ａ６，Ａ８，Ａ９の割合を６５〜９５％の範囲とし、かつダイヤモンド砥粒の結晶方位１１１面ａのＸ線反射強度を２５００ＣＰＳ以上とする。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面に多数のダイヤモンド砥粒が鍍着されてなるＣＭＰコンディショナであって、これらのダイヤモンド砥粒のうち、結晶方位１１１面が上記基材の表面と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒の割合が６５〜９５％の範囲とされ、かつ上記ダイヤモンド砥粒の結晶方位１１１面のＸ線反射強度が２５００ＣＰＳ以上であることを特徴とするＣＭＰコンディショナ。
【請求項２】
上記ダイヤモンド砥粒の結晶方位１１１面のＸ線反射強度が、結晶方位１１０面のＸ線反射強度に対して１０〜２３０倍の範囲であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰコンディショナ。
【請求項３】
上記一群のダイヤモンド砥粒の粒度が＃８０〜＃５００の範囲とされていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＣＭＰコンディショナ。
【請求項４】
上記基材表面に画成される互いに等しい大きさの複数の領域ごとに、上記ダイヤモンド砥粒が略等しい数ずつ鍍着されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のＣＭＰコンディショナ。
【請求項５】
上記複数の領域は、上記基材表面から一段突出させられていることを特徴とする請求項４に記載のＣＭＰコンディショナ。
【請求項６】
多数のダイヤモンド砥粒の中から、他の面よりも結晶方位１１１面の占める面積比率が大きいダイヤモンド砥粒の含有率が他の群よりも高い一群のダイヤモンド砥粒を選別し、この一群のダイヤモンド砥粒をメッキ液に分散して該メッキ液中に浸漬された基材の表面に鍍着することを特徴とするＣＭＰコンディショナの製造方法。
【請求項７】
上記多数のダイヤモンド砥粒を振動台上に分散して振動を与えることにより、上記一群のダイヤモンド砥粒を転動させて上記他の群のダイヤモンド砥粒から選別することを特徴とする請求項６に記載のＣＭＰコンディショナの製造方法。
【請求項８】
上記基材表面に、上記ダイヤモンド砥粒を鍍着するのに先立って、互いに等しい大きさの複数の穴部を有するマスキングを被覆することを特徴とする請求項６または請求項７に記載のＣＭＰコンディショナの製造方法。
【請求項９】
上記マスキングを被覆した上記基材表面に下地メッキを施した後に、上記ダイヤモンド砥粒を鍍着することを特徴とする請求項８に記載のＣＭＰコンディショナの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の研磨を行うＣＭＰ（化学機械的研磨）装置の研磨パッドのドレッシング（目立て）に用いられるＣＭＰコンディショナおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のＣＭＰコンディショナとしては、例えば特許文献１に、ＣＭＰコンディショナの基材の表面に凸状突起を有するメッキ層が設けられ、この凸状突起にダイヤモンド砥粒が１つずつ、メッキによって固着すなわち鍍着されて分散配置されたものが提案されている。また、特許文献２には、シリコンウエハ等の研削そのものに用いるダイヤモンド砥石として、列状に同一の結晶方位を有する複数個の作用面が平坦な角柱ダイヤモンドチップまたはダイヤモンド原石をベース（基材）に鍍着したものも提案されており、さらに特許文献３には、研磨パッドに接触する複数のほぼ正八面体のダイヤモンド砥粒を、その各々の研磨パッドと対向する接触面が該研磨パッドと平行となるように配置したＣＭＰコンディショナが提案されている。
【特許文献１】特開２００２−３２６１６５号公報
【特許文献２】特開平１１−１５６７２８号公報
【特許文献３】特開２０００−８４８３１号公報
【０００３】
ところが、上記特許文献１記載のＣＭＰコンディショナにおいては、ダイヤモンド砥粒の切れ刃となる尖った先端がすべて上記メッキ層表側の作用面に垂直な方向を向くように鍍着されているので、ドレッシング当初は優れた切れ味を有して高いドレッシング性能が得られるものの、砥粒の摩耗によってこの尖った切れ刃の切れ味が早期に失われてしまうため、コンディショナ寿命は著しく短縮される結果となる。
【０００４】
そこで、特に上述のようなＣＭＰコンディショナにダイヤモンド砥粒を鍍着する際には、このダイヤモンド砥粒の結晶方位を上記特許文献２に記載のように揃えるようにするのが望ましく、取り分け特許文献３に記載のように正八面体のダイヤモンド砥粒の結晶面、すなわちダイヤモンド結晶の結晶方位１１１面が、研磨パッドと平行つまり基材表面と平行となるようにして、ドレッシングの際には研磨パッドに対向するこの結晶方位１１１面とその周りの他の面との稜線部を切刃として作用させることが、砥粒の摩耗による上記接触面の形状変化を抑えて長期に亙って安定したドレッシング性能を得る上で、より望ましいとされていた。ここで、このようなダイヤモンド砥粒の結晶方位を測定する方法としては、例えば極点測定法によってダイヤモンド砥粒の結晶面のＸ線反射強度を測定する方法が知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２のようにダイヤモンド砥粒の結晶方位を揃えて、特に特許文献３のようにほぼ正八面体のダイヤモンド砥粒各々の結晶方位１１１面を接触面として研磨パッドと平行となるように配置したＣＭＰコンディショナでは、この結晶方位１１１面について高いＸ線反射強度が得られて上述のようにドレッシング性能の安定化が図られはするものの、すべての砥粒がドレッシング当初から常に上記接触面による面接触でしか研磨パッドに接触しなくなるとともに、砥粒の切刃として作用する上記稜線部が鈍角化して切れ味が損なわれてしまうため、得られるドレッシング性能自体は決して高いものとはならない。従って、そのようなＣＭＰコンディショナでは、乏しいドレッシング性能で延々と研磨パッドをドレッシングするだけとなるため、パッドの研削性が損なわれてパッド洗浄不良すなわち目立て不足が生じ、ＣＭＰ装置において研磨される半導体ウェハにスクラッチ等の不良が発生するおそれがある。
【０００６】
さらに、特許文献２では１ｍｍ〜２ｍｍ角の角柱ダイヤモンドチップや１．５ｍｍ〜２ｍｍの三角形板状のダイヤモンド原石が砥粒として用いられ、また特許文献３でも５００μｍ〜３０００μｍと粒径の大きなダイヤモンド砥粒が用いられている。ところが、このように粒径の大きな砥粒すべてを、その接触面が上述のように研磨パッドに平行となるように鍍着したＣＭＰコンディショナでは、各砥粒の接触面自体の面積も大きくなるためにドレッシングの際に砥粒が研磨パッドを押圧する圧力が分散してしまい、パッド研削性が一層損なわれて洗浄不良によるスクラッチの発生が一層顕著となる。
【０００７】
また、このように粒径の大きなダイヤモンド砥粒では、結晶が十分に成長しているために特許文献２のような角柱や三角形板状のチップあるいは原石や特許文献３のようなほぼ正八面体状の砥粒が比較的得られやすく、またそのような形状に加工するのも比較的容易であるのに対し、粒径の小さなダイヤモンド砥粒においては結晶の成長が不均一で、個々の砥粒の表面積のうち、例えば上述の結晶方位１１１面の占める面積の比率が大きい略正八面体に近い形状のものから、結晶方位１００面の占める面積比率の大きい略正六面体に近いものまで、形状が様々である。
【０００８】
そして、市販の人工ダイヤモンド等にはこのような様々な形状のものが混在しているため、個々の砥粒の上記接触面の面積を小さくしようとして粒径の小さいダイヤモンド砥粒を用いると、これらのすべてを、例えば特許文献３のようにその結晶方位１１１面が研磨パッドと平行となるように結晶方位を揃えて鍍着するのは極めて困難となる。ちなみに、このような市販の人工ダイヤモンド砥粒をそのままメッキ液に分散して基材を浸漬し、その表面に電解メッキ等によりメッキ相を析出しつつダイヤモンド砥粒を固着することによって鍍着する、従来の一般的な電解メッキ法によるＣＭＰコンディショナの製造方法では、上記結晶方位１１１面に関しては１５００ＣＰＳ程度のＸ線反射強度が得られるに過ぎない。
【０００９】
また、特許文献２においては、まず接着剤を塗布した上記ベース上にピンセットまたは吸引式の保持具を用いてダイヤモンド砥粒を規則正しく並べることにより結晶方位を揃えて固着し、次いで余分な接着剤を除去した後に電気メッキによりメッキ被膜を成長させて鍍着するといった製造方法を採っている。しかしながら、こうして砥粒をピンセット等で１つずつベース上の固着するのは極めて非効率的であるうえ、上述のように１ｍｍ〜２ｍｍ程度の粒径の大きなダイヤモンドチップを並べる場合はまだしも、これより粒径の小さいダイヤモンド砥粒をこうして規則正しく並べることは極めて困難である。
【００１０】
一方、引用文献３に記載の製造方法では、上記ほぼ正八面体をなすダイヤモンド砥粒をメッキ液に浸漬した反転型の固定面に充填して仮固定し、次いで電鋳法等によって固着層を形成して台座に接合した後に、反転型を除去して上記ダイヤモンド砥粒を露出させることにより、反転型の上記固定面に密着した砥粒の結晶方位１１１面が接触面として研磨パッドと平行となるようにしている。しかるに、粒径が５００μｍ〜３０００μｍと大きくて正八面体に近い形状をなすダイヤモンド砥粒を用いたこの特許文献３では、上記結晶方位１１１面の面積も大きくなるため、比較的容易にこの結晶方位１１１面を反転型の固定面に密着するように仮固定して上記接触面として研磨パッドに平行とすることができるが、上述のように形状が様々な粒径の小さい市販のダイヤモンド砥粒をそのまま用いた場合には、上記従来の一般的なＣＭＰコンディショナの製造方法と同様となって、結晶方位１１１面に関して高いＸ線反射強度を得ることはできない。
【００１１】
本発明は、このような背景の下になされたもので、研磨パッドに対する研削性を確保しながらも、長期に亙って安定したドレッシング性能を得ることが可能なＣＭＰコンディショナおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決して、このような目的を達成するために、本発明のＣＭＰコンディショナは、基材の表面に多数のダイヤモンド砥粒が鍍着されてなるＣＭＰコンディショナであって、これらのダイヤモンド砥粒のうち、結晶方位１１１面が上記基材の表面と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒の割合が６５〜９５％の範囲とされ、かつ上記ダイヤモンド砥粒の結晶方位１１１面のＸ線反射強度が２５００ＣＰＳ以上であることを特徴とする。また、本発明のＣＭＰコンディショナの製造方法は、多数のダイヤモンド砥粒の中から、他の面よりも結晶方位１１１面の占める面積比率が大きいダイヤモンド砥粒（以下、主砥粒と称する。）の含有率が他の群よりも高い一群のダイヤモンド砥粒を選別し、この一群のダイヤモンド砥粒をメッキ液に分散して該メッキ液中に浸漬された基材の表面に鍍着することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
まず、本発明のＣＭＰコンディショナの製造方法において、多数のダイヤモンド砥粒から選別されてメッキ液中に分散される上記一群のダイヤモンド砥粒には、個々の砥粒においてその表面積全体に対し全ての結晶方位１１１面の占める面積の比率が結晶方位１１１面以外の他の面全ての占める面積比率よりも大きい上記主砥粒が、上記多数のダイヤモンド砥粒中の残りのダイヤモンド砥粒全てによって構成される他の群よりも高い含有率で含まれており、このような主砥粒が基材表面に接地して鍍着される際には、各主砥粒がより安定した姿勢をとろうとして、上記他の面よりも面積比率の大きい結晶方位１１１面の１つが基材表面に略平行に密着しようとする傾向が強くなる。ここで、ダイヤモンド結晶の結晶方位１１１面は上述のように正八面体の面構造をなすように配置されるので、このダイヤモンド砥粒の基材表面側に密着した上記結晶方位１１１面の反対側には、これと平行な他の１つの結晶方位１１１面が、やはり基材表面と略平行に基材表面表側を向いて配向されることとなる。
【００１４】
ただし、市販の人工ダイヤモンド等においては様々な形状のものが混在しているのは上述した通りであり、上記一群のダイヤモンド砥粒の中にも、上記主砥粒以外の砥粒が、上記他の群よりは低い含有率であるものの混入する可能性はあり、そのような砥粒は、結晶方位１１１面以外の面積比率の大きい結晶面が基材表面側に密着して接地し、これとは反対側のやはり結晶方位１１１面以外の結晶面が表側を向くように配向される傾向が強くなる。また、メッキ液に分散された一群のダイヤモンド砥粒の中でも、一部の主砥粒は他の結晶面が基材表面表側に向けられて鍍着される一方で、主砥粒以外の砥粒でも結晶方位１１１面が表面表側に向けられて鍍着されるものもあり、そしてこのようにいずれかの結晶面が表側に向けられる以外に、結晶面同士の稜線部が表側に突き出すように向けられて鍍着される砥粒もある。
【００１５】
しかしながら、こうして鍍着される上記一群のダイヤモンド砥粒のうち、上述のように結晶方位１１１面が基材表面に略平行に表側に向けられるものと、結晶方位１１１面以外の他の結晶面が表側に向けられるものと、これら以外の上記稜線部が突き出されるものとの割合は、例えば上記一群のダイヤモンド砥粒中における主砥粒の含有率を選別の際に調整したりすることにより、概ね制御することが可能である。そして、少なくともこの一群のダイヤモンドにおける主砥粒の含有率が他の群より高いことから、市販人工ダイヤモンドを単にメッキ液に分散して鍍着しただけのものよりは、結晶方位１１１面が基材表面と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒の割合を大きくすることができる。
【００１６】
従って、例えばこのような製造方法によって製造される本発明のＣＭＰコンディショナでは、上述のように基材の表面に鍍着される多数のダイヤモンド砥粒のうち、結晶方位１１１面が上記基材の表面と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒の割合を６５〜９５％の範囲と、上記特許文献１や従来の一般的な製造方法によって製造されたものよりは十分に大きく、しかしながら特許文献２のようにすべての砥粒の結晶方位が揃えられて、特に特許文献３のように各々の結晶方位１１１面がすべて研磨パッドと平行となるように配置されたものよりは小さくすることができる。
【００１７】
その一方で、残りの鍍着されたダイヤモンド砥粒は、他の結晶面が基材表面表側に向けられたものと、そして結晶面同士の稜線部が表側に突き出されたものとで構成されることとなるので、このうち後者のダイヤモンド砥粒の突き出た稜線部を切刃として作用させることができて研磨パッドの研削性を確保することができる。従って、本発明のＣＭＰコンディショナによれば、上述のように大きな割合で鍍着された基材表面と略平行な結晶方位１１１面を有するダイヤモンド砥粒により、長期に亙って安定したドレッシング性能を得ることができてコンディショナ寿命の延長を図りながらも、上記稜線部を突き出して鍍着されたダイヤモンド砥粒によって高い研磨レートでＣＭＰ装置の研磨パッドをドレッシングすることができ、パッドの洗浄不良によるスクラッチ等が半導体ウェハに生じたりするのを確実に防止することが可能となる。
【００１８】
ここで、この結晶方位１１１面が基材表面と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒の割合が上記範囲を下回ると、他の結晶面や上記稜線部が基材表面表側に向けられるダイヤモンド砥粒の割合が多くなって、ドレッシング性能の長期に亙る安定化を図ることができなくなるおそれが生じる。その一方で、逆に上記範囲を上回るほど結晶方位１１１面が基材表面と略平行とされて表側に配向されたダイヤモンド砥粒の割合が多くなりすぎると、ドレッシング性能は安定するものの高い研磨レートは得られず、研磨パッド研削性が損なわれてスクラッチ等が発生するおそれが生じるので、本発明のＣＭＰコンディショナにおいては、上記結晶方位１１１面が基材表面と略平行に配向されて鍍着されるダイヤモンド砥粒の割合を６５〜９５％の範囲としている。さらに、こうして構成されたＣＭＰコンディショナによれば、結晶方位１１１面が基材表面に略平行に配向されて表側を向く砥粒の割合が、特許文献１や従来のＣＭＰコンディショナに比べて多いため、この結晶方位１１１面に関して高いＸ線反射強度を得ることができるが、上記と同様の理由から、このダイヤモンド砥粒の結晶方位１１１面のＸ線反射強度は２５００ＣＰＳ以上とされる。
【００１９】
なお、ドレッシング性能の一層の長期安定化を図りつつ研磨パッドの研削性の劣化を確実に防ぐには、このダイヤモンド砥粒の結晶方位１１１面のＸ線反射強度は、他の結晶面、例えば結晶方位１１０面のＸ線反射強度に対しては１０〜２３０倍の範囲であることが望ましい。また、本発明のＣＭＰコンディショナにおいて基材表面に鍍着される多数のダイヤモンド砥粒とは、そのうち結晶方位１１１面が基材表面と略平行に配向されるダイヤモンド砥粒の割合が上記範囲となりうる数の砥粒であって、理論上は、砥粒の粒度が＃１００の場合は２５個／ｍｍ２以上、砥粒の粒度が＃２００の場合は９７個／ｍｍ２以上、砥粒の粒度が＃３２５の場合は２０１個／ｍｍ２以上であればよいが、実際にはコンディショナの基材表面の大きさや研磨パッドの種類、必要とされるドレッシング性能等に応じて、これよりも多くのダイヤモンド砥粒が鍍着される。
【００２０】
一方、本発明の製造方法においても、多数のダイヤモンド砥粒とは、例えば上記本発明のＣＭＰコンディショナを製造する場合に、仮に選別前の多数のダイヤモンド砥粒が全て上記主砥粒であって、これらが全て上記一群のダイヤモンド砥粒として選別され、しかもこの一群のダイヤモンド砥粒全てが基材表面に鍍着されるとすれば、理論上は上記と同様の粒度に対する単位面積当たりの個数以上であればよいが、実際にはやはりこれよりも多くのダイヤモンド砥粒から上記一群のダイヤモンド砥粒が選別される。そして、この多数のダイヤモンド砥粒、特に市販の人工ダイヤモンドのような砥粒の中から、上述のように主砥粒の含有率が他の群よりも高い一群のダイヤモンド砥粒を選別するには、例えば砥粒１つ１つの形状等を拡大鏡や顕微鏡で確認しながら選り分けてゆくことも可能ではあるが非効率的であるので、上記多数のダイヤモンド砥粒を振動台上に分散して振動を与えることにより、上記一群のダイヤモンド砥粒を転動させて上記他の群のダイヤモンド砥粒から選別するのが望ましい。
【００２１】
すなわち、結晶方位１１１面以外の他の結晶面、例えば結晶方位１００面は上述のように正六面体の面構造配置をとるため、このような他の面の占める面積比率が大きいダイヤモンド砥粒に振動を与えると、砥粒が転動してもこの他の面が振動台の上面に面接触したところで安定してそれ以上転がったりし難くなる。ところが、これに対して、結晶方位１１１面は正八面体の面構造の配置をとるために、粒径が同じならば個々の結晶方位１１１面の面積は小さく、砥粒自体も、面の数が無限大となる球形により近い形状となるので、このような結晶方位１１１面の占める面積比率が他の面より大きい主砥粒は、一旦この結晶方位１１１面が振動台上面に面接触しても振動を与え続けることによって転動し易い。従って、上記多数のダイヤモンド砥粒に振動を与えながら、転動して他の群から分離されたものを回収することにより、上記主砥粒を他の群よりも高い含有率となるように選別して、確実かつ容易に上記一群のダイヤモンド砥粒を得ることができる。
【００２２】
さらに、このように振動を与えて上記一群のダイヤモンド砥粒を選別する場合には、上記主砥粒がこの一群のダイヤモンド砥粒中に含まれる含有率を、砥粒の粒度あるいは粒径（平均粒径）と振動が与えられる時間とにより、上述のように概ね制御することができる。言い換えれば、粒径の小さな砥粒でも振動時間を調整することにより、一群のダイヤモンド砥粒中における主砥粒の含有率を他の群よりも高いほぼ所定の含有率に制御することができるので、これに伴い、かかる粒径の小さな一群のダイヤモンド砥粒を鍍着して製造されるＣＭＰコンディショナにおいても、基材表面に結晶方位１１１面が略平行に配向されて鍍着されるダイヤモンド砥粒の割合を、上述のような範囲に制御することが可能となる。
【００２３】
従って、特にこのような製造方法によって製造される本発明のＣＭＰコンディショナでは、砥粒の粒径を、例えば特許文献２の１ｍｍ〜２ｍｍあるいは１．５ｍｍ〜２ｍｍや特許文献３の５００μｍ〜３０００μｍより小さくしても、上述のような効果を確実に奏功することができ、その上で粒径が小さくなることにより、結晶方位１１１面が基材表面と略平行された個々のダイヤモンド砥粒において、基材表面表側に向けられる結晶方位１１１面の面積も小さくなるので、ドレッシングの際に砥粒が研磨パッドを押圧する圧力が分散してしまうのを防ぐことが可能となる。このため、そのような本発明のＣＭＰコンディショナによれば、この結晶方位１１１面が基材表面と略平行に表側に向けられたダイヤモンド砥粒によってもパッド研削性の向上が図られるので、より高いパッド研磨レートを長期に亙って維持することができ、実用上工具寿命に優れたコンディショナを提供することが可能となる。
【００２４】
なお、こうして砥粒の粒径を小さくする場合でも、これが例えば特許文献２、３の粒径などに比べて十分に小さくなければ、このような効果を確実に奏功することができなくなるおそれがある。ただし、その一方で、この砥粒の粒径が小さくなりすぎても、これに伴い基材表面表側に向けられる結晶方位１１１面の面積も小さくなることによって却って砥粒の摩耗による研削性の劣化が早期に生じてしまったり、あるいは砥粒自体が脱落しやすくなったりして、上述のような優れた工具寿命を必ずしも得ることができなくなるおそれが生じる。このため、上記砥粒の大きさは、ドレッシングされるパッドの種類等に応じた研磨レートなどにもよるが、粒度において＃８０〜＃５００の範囲、粒径（平均粒径）にして２５０〜３０μｍの範囲とされるのが望ましい。
【００２５】
一方、本発明の製造方法にあっては、上記基材表面に、上記一群のダイヤモンド砥粒を鍍着するのに先立って、互いに等しい大きさの複数の穴部を有するマスキングを被覆することにより、この穴部内には、その内径よりも小さな粒径のダイヤモンド砥粒しか鍍着されなくなるので、万一メッキ液に分散される上記一群のダイヤモンド砥粒中に粒径の極端に大きな砥粒が混入したとしても、かかる砥粒が基材表面に鍍着されるのを避けることができる。このため、このような粒径の大きな砥粒によって研磨パッドが徒に傷つけられてしまうような事態が生じるのを防ぐことができる。
【００２６】
そして、穴部内に鍍着される砥粒は、上述のように安定した姿勢をとろうとして面積比率の大きい結晶面を基材表面に密着させて接地する傾向が強いので、結果的に各穴部内には粒径に応じた略等しい数ずつのダイヤモンド砥粒が鍍着されることとなる。従って、このようにして製造されるＣＭＰコンディショナにおいては、上記穴部に対応して基材表面に画成される互いに等しい大きさの複数の領域ごとに、上記ダイヤモンド砥粒が略等しい数ずつ鍍着されることとなり、すなわち穴部の大きさと砥粒の大きさとに基づいて上記各領域に鍍着される砥粒の数をも制御することが可能となるので、上述のような研磨パッドの種類等に応じた適正な研磨レートを確実に維持できるとともに、基材表面全体にわたって均一なドレッシング性能を得ることが可能となる。
【００２７】
なお、上記一群のダイヤモンド砥粒を電解メッキによって基材表面に鍍着する場合には、上記マスキングとして絶縁性のものを用いることにより、このマスキングの表面にメッキ相が析出したり砥粒が鍍着されたりすることはないので、マスキングで基材表面を被覆したままのＣＭＰコンディショナによって研磨パッドのドレッシングを行うことも可能となる。勿論、こうして絶縁性のマスキングを基材表面に被覆してダイヤモンド砥粒を鍍着した後に、基材表面からマスキングを剥離してもよい。
【００２８】
さらに、上述のような穴部を有するマスキングで基材表面を被覆して砥粒を鍍着する本発明の製造方法では、このマスキングを被覆した基材表面に下地メッキを施した後に上記ダイヤモンド砥粒を鍍着することにより、この下地メッキの層の厚さ分だけダイヤモンド砥粒は穴部内で基材表面から一段突出した位置に鍍着されることとなる。従って、このようにして製造される本発明のＣＭＰコンディショナでは、穴部によって画成される上記複数の領域が基材表面から一段突出させられて、その上に上記一群のダイヤモンド砥粒が鍍着されることとなるため、特に上述のようにマスキングを剥離して使用する場合には、この突出した領域の間の空間を介してドレッシングの際に発生する研削屑を円滑に排出するとともに基材表面全体に研削液を満遍なく行き渡らせることができ、一層効率的なドレッシングを促すことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
図１ないし図５は、本発明のＣＭＰコンディショナの製造方法の一実施形態を説明するものであり、このうち特に図４および図５は、それぞれこの実施形態の製造方法によって製造された本発明のＣＭＰコンディショナの実施の形態を示すものである。本実施形態の製造方法においては、まずステンレス等の金属材料よりなる基材１を円盤状に加工し、その一方の円形面をこの基材１の表面２として機械加工により平滑に仕上げる。次いで、この表面２に、アクリル等の絶縁性材料よりなるマスク加工したドライフィルムを貼り付けるなどして、図１に示すように互いに等しい大きさの複数の穴部３が形成されたマスキング４を被覆する。ここで、上記穴部３は、マスキング４を貫通するように形成された例えば円形穴であって、格子状あるいは千鳥状等の配置をなして等間隔に形成されいる。
【００３０】
こうしてマスキング４が施された基材１には、前処理が施される。この前処理では、まず基材１を酸系の脱脂液槽に浸漬して洗浄し、次いで純水によって水洗を行い、さらに水切りをした後、Ｎｉ電着を可能とするためのシード形成となるストライクメッキを行う。このストライクメッキは、基材１をＮｉメッキ液中に浸漬して高電流密度で１μｍ〜５μｍ程度の薄いストライクメッキ層（図示略）を表面２に形成するものであり、ただしこのストライクメッキ層は、絶縁性のマスキング４によって被覆された部分には形成されずに、表面２のうちＮｉメッキ液中に露出する上記穴部３内の部分にのみ形成される。
【００３１】
次いで、このように前処理が施された基材１は、再び純水によって洗浄された後に水切りされ、下地メッキが施される。すなわち、この下地メッキ処理では、基材１を陰極に接続して上記表面２が上向きとなるようにスルファミン酸Ｎｉ液（メッキ液）に浸漬し、同じくこのスルファミン酸Ｎｉ液液中に浸漬された陽極との間で電流を流すことにより、図２に示すように基材１の表面２のうち、やはり上記マスキング４で被覆された部分を除いて、穴部３内の表面２上に形成された上記ストライクメッキ層の上に下地Ｎｉメッキ層５が形成される。この下地Ｎｉメッキ層５は、その厚さが１０μｍ〜２０μｍと上記ストライクメッキ層よりも厚く、マスキング４の厚さよりは薄くされたものであって、各穴部３内に形成される下地Ｎｉメッキ層５同士の厚さは互いに略等しくされ、またその上面は基材１の表面と略平行とされる。
【００３２】
そして、所定の厚さの下地Ｎｉメッキ層５が形成されたなら、メッキ液としての上記スルファミン酸Ｎｉ液にダイヤモンド砥粒を分散して、該メッキ液に浸漬された基材１の表面２のうち、マスキング４で被覆された以外の上記下地Ｎｉメッキ層５の上にこのダイヤモンド砥粒を鍍着するのであるが、このとき本実施形態ではこのダイヤモンド砥粒として、多数のダイヤモンド砥粒の中から、上記主砥粒が他の群よりも高い含有率で含まれるように一群のダイヤモンド砥粒を選別し、この一群のダイヤモンド砥粒を上記メッキ液に分散して基材１の表面２に鍍着する。さらに本実施形態では、このような一群のダイヤモンド砥粒を選別するのに、上記多数のダイヤモンド砥粒を振動台上に分散して振動を与えることにより転動させ、この一群のダイヤモンド砥粒を他の群のダイヤモンド砥粒から選別するようにしている。
【００３３】
この振動台は、例えば外周側から内周側に向かうに従い断面階段状をなして段階的に下方に落ち込んでゆく擂り鉢型の凹部を有して、水平振動が与えられるようになされたものであり、この凹部の上側の平坦な階段面に、所定の粒度の市販の人工ダイヤモンド砥粒を分散して振動を与える。すると、このような比較的粒径の小さい市販の人造ダイヤモンドに含まれる様々な形状の砥粒のうち、結晶方位１１１面以外の他の面が占める面積比率の大きいダイヤモンド砥粒、例えば結晶方位１００面の面積比率の大きい砥粒は、この結晶方位１００面が正六面体の面構造をとることからより正六面体に近い形状となるため、振動によって転動しても、いずれかの結晶方位１００面が振動台の上記平坦な階段面に面接触して載置されたところでそれ以上は転がり難くなり、そのまま凹部上側に残されることになる。
【００３４】
ところが、これに対して、砥粒の表面積のうちこのような他の面よりも結晶方位１１１面の占める面積の比率が大きい主砥粒は、この結晶方位１１１面が正八面体の面構造をとるために、例えば上述のような正六面体の面構造をとる結晶方位１００面の占める割合の大きい砥粒よりは振動によって転がり易く、すなわちいずれかの結晶方位１１１面が振動台の階段面に面接触して載置されても、さらに振動を与えることで比較的容易に転動してしまう。従って、このような主砥粒は、振動を与え続けることで凹部の外周上側の階段面から順次転がり落ちて内周下側の階段面へと降下してゆき、最終的に擂り鉢型の凹部の底に集められて凹部上側に残された砥粒から分けられるので、このような砥粒を回収することにより、多数のダイヤモンド砥粒の中から一群のダイヤモンド砥粒を他の群のダイヤモンド砥粒に対して選別し、かつ、この一群のダイヤモンド砥粒において主砥粒が含まれる含有率を、上記他の群よりも高くすることができるのである。
【００３５】
さらに、こうして選別された一群のダイヤモンド砥粒中における主砥粒の含有率は、砥粒の粒度と該一群のダイヤモンド砥粒を選別する際の振動時間とによって概ね制御することができる。すなわち、与えられる振動の周期や振幅等にもよるが、同じ振動台で同じ振動を与えた場合には、粒度の小さい砥粒ほど主砥粒が転動し易くなり、また振動時間が長いほど主砥粒をより確実に転動させて他の砥粒から分離させることができるので、選別された一群のダイヤモンド砥粒中の主砥粒の含有率を高くすることができる。そして、このような粒度および振動時間と選別された一群のダイヤモンド砥粒中の主砥粒の含有率との関係は実験的に求めることが可能であるので、基材１の表面２に鍍着するダイヤモンド砥粒の粒度に応じて振動時間を調整することにより、主砥粒が略所定の含有率とされた一群のダイヤモンド砥粒を選別することが可能となるのである。なお、この砥粒の粒度は＃８０〜＃５００の範囲（平均粒径にして２５０〜３０μｍの範囲）内で所定の粒度に設定されるのが望ましい。
【００３６】
こうして選別された一群のダイヤモンド砥粒を上記メッキ液に分散すると、砥粒はメッキ液中で浮遊しながら沈降し、図３に示すように基材１の表面２においてマスキング４の穴部３内に形成された下地Ｎｉメッキ層５上に接地するが、こうして接地するダイヤモンド砥粒中の主砥粒の割合は、一群のダイヤモンド砥粒中の主砥粒の上記含有率と略等しくなる。なお、図３では説明のため、他の面よりも結晶方位１１１面ａの占める面積比率が大きい上記主砥粒Ａ１〜Ａ９全てを、この結晶方位１１１面ａによる面構造がなす正八面体の側面視形状に基づいて、鈍角部を結ぶ対角線が引かれた菱形で示しているが、特に粒径の小さい市販人工ダイヤモンドにおいては、このように正八面体に近い形状のもの、すなわち該結晶方位１１１面が正三角形状をなすものから、この結晶方位１１１面の占める面積比率が大きくても、例えば互いに平行な一対の八角形の結晶方位１１１面を有してその周りに他の結晶面が配された算盤玉状のものなど、様々な形状に変形したものまでが上記主砥粒として含まれているのは上述した通りである。
【００３７】
また、この図３では、下地Ｎｉメッキ層５上に接地した一群のダイヤモンド砥粒のうち上記主砥粒Ａ１〜Ａ９以外の他の砥粒Ｂ１〜Ｂ３全てを、結晶方位１００面の占める面積比率の大きいもので代表して、この結晶方位１００面ｂによる面構造がなす正六面体の側面視形状に基づき正方形で示してあるが、この主砥粒以外の他の砥粒についても、このように結晶方位１００面の比率の大きい正六面体に近い形状のものから、これよりも変形したもの、そしてさらにこれら結晶方位１１１面や結晶方位１００面以外の他の結晶面、例えば結晶方位１１０面が占める面積比率の大きいものなど、様々な形状の砥粒までが含まれることとなる。さらに、こうして砥粒をメッキ液に分散すると、基材１の表面２のうち上記下地Ｎｉメッキ層５以外のマスキング４上にも主砥粒や他の砥粒が接地して付着するが、これらの砥粒については、図３では図示を省略してある。
【００３８】
このような主砥粒Ａ１〜Ａ９および他の砥粒Ｂ１〜Ｂ３は、個々の砥粒が下地Ｎｉメッキ層５上に接地する際に安定した姿勢をとろうとするため、その大部分が面積比率の大きい結晶面を下地Ｎｉメッキ層５の上面に密着させるように、すなわち主砥粒は図３に示す主砥粒Ａ１，Ａ２，Ａ４〜Ａ６，Ａ８，Ａ９のように結晶方位１１１面ａを下地Ｎｉメッキ層５上面に密着させ、また他の例えば結晶方位１００面の占める面積比率の大きい砥粒は、図３に示す砥粒Ｂ１，Ｂ３のようにこの結晶方位１００面ｂを下地Ｎｉメッキ層５上面に密着させて載置させられる。ところが、メッキ液中に分散される多数の砥粒のうち一部には、例えば図３の主砥粒Ａ３，Ａ７や他の砥粒Ｂ２のように、砥粒の結晶面同士の稜線部、すなわち結晶面以外の角部を基材１の表面２の表側（図１〜図５において上側）に向けるようにして接地するものもある。
【００３９】
また、図示は略するが、主砥粒の中でも面積比率の大きい結晶方位１１１面以外の結晶面が下地Ｎｉメッキ層５の上面に接地してこれとは反対側の結晶方位１１１面以外の面が表面２表側に向けられるものもあれば、逆に主砥粒以外の砥粒でも面積比率が小さくなる結晶方位１１１面が下地Ｎｉメッキ層５上面に接地して反対側の結晶方位１１１面が表側向きとなるものもある。さらには、上述のように特に粒径の小さいダイヤモンド砥粒は様々な形状をとることから、いずれかの結晶面が下地Ｎｉメッキ層５上面に密着して接地した砥粒でも、この結晶面の反対側が結晶面同士の稜線部となって基材１の表面２表側に突き出すようにされるものもある。
【００４０】
ただし、こうして基材１の表面２上（本実施形態では、さらにマスキング４の穴部３内の上記下地Ｎｉメッキ層５上）に接地する砥粒のうち、図３の主砥粒Ａ１，Ａ２，Ａ４〜Ａ６，Ａ８，Ａ９のように結晶方位１１１面ａを基材１の表面２と平行に表側に向けたものと、砥粒Ｂ１，Ｂ３のように結晶方位１００面ｂ等の他の結晶面を表面２と平行に表側に向けたものと、さらに主砥粒Ａ３，Ａ７や砥粒Ｂ２のように結晶面同士の稜線部を表側に向けたものとの割合は、メッキ液に分散される上記一群のダイヤモンド砥粒が結晶方位１１１面の占める面積比率の大きい主砥粒の含有率の高いものとされ、かかる主砥粒は上述のような安定した姿勢を散りやすいことから、図３に示したように結晶方位１１１面ａを基材１の表面２と略平行に表側に向けたものの割合が多くなる。しかも、これら３種の砥粒の割合は、上述のように一群のダイヤモンド砥粒中における主砥粒の含有率を制御することにより、この含有率に応じて概ね調整することが可能であり、本実施形態の製造方法ではこのうち結晶方位１１１面ａが基材１の表面２と略平行とされたものの割合が６５〜９５％の範囲となるようにされている。
【００４１】
さらに、本実施形態では、互いに等しい大きさの複数の穴部３を有するマスキング４が基材１の表面２に被覆されて、この穴部３内に形成された下地Ｎｉメッキ層５上に所定の粒度の砥粒が接地することにより、各穴部３には略同数ずつの砥粒が収容されることとなる。すなわち、円形の穴部３の直径が、砥粒の平均粒径以上で２倍程度までの大きさなら穴部３内には砥粒が１つずつ収容されて上記下地Ｎｉメッキ層５に接地することとなり、平均粒径の２〜３倍程度までの大きさなら、図３に示すように略２つずつの砥粒が穴部３内に収容されて下地Ｎｉメッキ層５上に接地することとなる。ただし、たとえ穴部３の直径が砥粒の粒径の２倍以上でも、先に１つの砥粒が穴部３内の中央に接地してしまうと次の砥粒は接地し難くなる一方、粒径の小さい砥粒同士が１つの穴部３に集中すると３つ以上の砥粒が収容されることもあることから、必ずしも全ての穴部３に同数の砥粒が収容されていなくてもよい。
【００４２】
次に、こうしてメッキ液中に分散した上記一群の砥粒が基材１の表面２上に接地したなら、さらに基材１に電流を流すことにより、図４に示すように砥粒と下地Ｎｉメッキ層５との接触部周辺に１０μｍ〜２０μｍ程度の厚さのＮｉメッキ層６を成長させて砥粒を固定し、すなわち鍍着する。ただし、このとき絶縁性のマスキング４上にＮｉメッキ層６が成長することはなく、従ってこのマスキング４上に付着した砥粒が固定されることもない。そして、このようにＮｉメッキ層６で砥粒が固定された基材１は、上記メッキ液から引き上げられて純水洗浄されることにより、上記マスキング４上に付着していた砥粒等の余剰なダイヤモンド砥粒が取り除かれ、次いで砥粒を分散していないメッキ液（スルファミン酸Ｎｉ液）に浸漬されて電流を流すことにより、さらにＮｉメッキ層６が成長してこのＮｉメッキ層６に砥粒が埋め込まれる。
【００４３】
このようにしてＮｉメッキ層６が所定の厚さまで成長したところで、基材１をメッキ液から引き上げて水洗、乾燥することにより当該製造方法を終了とし、図４に示したままのＣＭＰコンディショナを製造するようにしてもよいが、引き続き基材１を無電解メッキ槽に浸漬して、電解メッキよりもＮｉメッキの成長が早い無電解メッキにより上記Ｎｉメッキ層６の上にさらにＮｉメッキ層を成長させ、ダイヤモンド砥粒の突き出し量の調整を行うようにしてもよい。さらに、こうして突き出し量調整をしただけのものや、図４に示したところで製造を終了としたものでは、基材１の表面２がマスキング４で被覆されたままであるので、このマスキング４を剥離することにより、図５に示すようにマスキング４の上記穴部３が空けられた位置に対応して基材１の表面２に画成される互いに等しい大きさの複数の領域Ｌが下地Ｎｉメッキ層５によってこの表面２から一段突出させられ、各領域Ｌごとに、ダイヤモンド砥粒が略等しい数ずつ鍍着されたＣＭＰコンディショナを製造するようにしてもよい。
【００４４】
従って、このようにして製造された本発明の一実施形態のＣＭＰコンディショナでは、図４に示したマスキング４が被覆されたままのもの、および図５に示したマスキング４を剥離したもののいずれにおいても、その基材１の表面２に鍍着されたダイヤモンド砥粒のうち、結晶方位１１１面がこの基材１の表面２と略平行に配向されたダイヤモンド砥粒の割合が６５〜９５％の範囲とされる。ここで、図６および図７は、このようにして製造された実施形態のＣＭＰコンディショナと従来の一般的な製造方法により製造されたＣＭＰコンディショナとで鍍着されたダイヤモンド砥粒のＸ線反射強度を測定したものであるが、本実施形態では図６に示すように結晶方位１１１面のＸ線反射強度が２５００ＣＰＳ以上で結晶方位１１０面のＸ線反射強度の約１３倍とされていたのに対し、従来のＣＭＰコンディショナでは図７に示すように結晶方位１１１面のＸ線反射強度が１７００ＣＰＳ程度で結晶方位１１０面に対しても約７倍程度でしかなかった。
【００４５】
このように、上記構成のＣＭＰコンディショナにおいては、結晶方位１１１面が基材１の表面２と略平行に配向されるダイヤモンド砥粒の割合が６５〜９５％と、上記従来のＣＭＰコンディショナよりも高く、しかも結晶方位１１１面のＸ線反射強度が２５００ＣＰＳ以上とされているため、長期に亙って安定したドレッシング性能を得ることができる一方、全ての砥粒の結晶方位１１１面が表面２と平行すなわちＣＭＰ装置の研磨パッドと平行とされたものではないので、この結晶方位１１１面が表面２と平行に鍍着された砥粒以外の砥粒のうち、結晶面同士の稜線部を表面２の表側に突き出して鍍着された砥粒により、この稜線部を切刃として作用させて、得られる上記ドレッシング性能自体の向上を図ることができる。すなわち、こうして得られた高いドレッシング性能を長期に亙って安定して維持することが可能となるので、コンディショナの長寿命化を図りながらも、ＣＭＰ装置において研磨パッドの研削性を損なうことない高い研磨レートを維持することができ、パッドの洗浄不良によるスクラッチなどの発生を確実に防ぐことが可能となる。
【００４６】
ここで、結晶方位１１１面が基材１の表面２と略平行に配向されるダイヤモンド砥粒の割合が上記範囲を上回ると、切刃として作用する上記稜線部を表面２の表側に突き出して着される砥粒の割合が相対的に少なくなり、上述のような高い研磨レートおよびドレッシング性能を得ることができなくなる。その一方で、この割合が上記範囲を下回ったり、結晶方位１１１面のＸ線反射強度が２５００ＣＰＳを下回ったりすると、逆に稜線部が表側に突き出した砥粒や寿命延長に寄与しない結晶方位１００面や１１０面等の他の結晶面が表面２と平行とされた砥粒の割合が多くなり、短時間で研磨レートが極端に低下してコンディショナの交換を余儀なくされる。なお、より確実にこのような問題が生じるのを防いで上述の効果を奏功するには、この結晶方位１１１面が基材１の表面２と略平行とされた砥粒の割合は、上記範囲のうちでも７０〜９０％とされるのが望ましく、また結晶方位１１１面のＸ線反射強度は、結晶方位１１０面のＸ線反射強度に対し約１０〜２３０倍とされるのが望ましい。
【００４７】
また、本実施形態では、こうして基材１の表面２に鍍着されるダイヤモンド砥粒の粒度が＃８０〜＃５００の範囲内とされており、従って結晶方位１１１面がこの表面２と略平行とされた砥粒の表面２表側を向いて研磨パッドに接触する結晶方位１１１面の面積自体を小さくすることができるので、ドレッシングの際にコンディショナがパッドを押圧する圧力が分散されるのを防ぐことができ、一層高い研磨レートを長期に亙って維持することが可能となる。ここで、この粒度が＃８０を下回って砥粒の粒径が大きくなるとこのような効果を得ることができず、逆に粒度が＃５００を上回るほど砥粒が微細になると、砥粒の研磨パッドに接触する部分が鋭くなりすぎて摩耗が生じ易くなったり、砥粒が脱落しやすくなったりして、却って研磨レートが早期に低下するおそれが生じる。
【００４８】
一方、このようなＣＭＰコンディショナを製造する上記製造方法では、多数のダイヤモンド砥粒の中から、この結晶方位１１１面の占める面積比率の大きい上記主砥粒を、より高い含有率となるように選別して一群のダイヤモンド砥粒とし、これをメッキ液中に分散して基材１の表面２に鍍着させているので、上述のような優れた効果を奏するＣＭＰコンディショナを比較的容易に、しかしながら確実に製造することが可能となる。そして、さらに上記実施形態の製造方法では、こうして一群のダイヤモンド砥粒を選別するのに、上記多数のダイヤモンド砥粒に振動を与えることにより上記主砥粒を転動させて分離しており、この一群のダイヤモンド砥粒における主砥粒の含有率を制御して、引いてはＣＭＰコンディショナにおける結晶方位１１１面が基材１の表面２と平行とされる砥粒の上記割合も一層確実に上記範囲となるように調整することが可能となるので、このような優れたＣＭＰコンディショナを効率的に製造することもできる。
【００４９】
また、本実施形態の製造方法では、互いに等しい大きさの複数の穴部３があけられたマスキング４を基材１の表面２に被覆した上で、上記一群のダイヤモンド砥粒を鍍着しており、こうして製造されたＣＭＰコンディショナにおいては、この穴部３に対応した領域Ｌに、穴部３の大きさと粒度（粒径）とに応じた互いに略等しい数ずつの砥粒が鍍着されることとなる。すなわち、上記製造方法では、コンディショナの表面２において、所望の位置に所望の数の砥粒が、たとえ複数個ずつでもより確実に鍍着されるようにコントロールすることが可能となるので、こうして製造されたＣＭＰコンディショナでは、本実施形態のように穴部３および領域Ｌが格子状や千鳥状に等間隔に配置されている場合には、研磨パッドに対して各砥粒を均等に作用させてパッド全面を満遍なく均一にドレッシングすることができる。これは、図４に示したマスキング４が被覆されたままのコンディショナを使用する場合でも同様である。なお、パッドの種類等によっては、逆に穴部３や領域Ｌを不等間隔に配置したりしてもよい。
【００５０】
さらに、本実施形態では、こうして表面２を穴部３のあいたマスキング４で被覆した基材１に、まず下地メッキを施した後、メッキ液に砥粒を分散して鍍着するようにしており、この下地メッキによって穴部３内の表面２上には下地Ｎｉメッキ層５が形成されて砥粒はその上面に鍍着されることとなる。従って、このように製造されたＣＭＰコンディショナでは、図４に示したようにマスキング４が被覆されたままで使用する場合でも、このマスキング４の表面から砥粒を確実に突出させてパッドの研磨を行うことが可能である一方、図５に示したようにマスキング４を剥離して使用する場合には、砥粒が鍍着された上記領域Ｌが基材１の表面２から一段突出することとなって、隣接する領域Ｌ同士の間に大きな空間を確保することができる。このため、ドレッシング時にはこの空間を介して研磨により発生した切屑を排出するとともに研削液を表面２内側の領域Ｌの砥粒に供給することが可能となり、さらに優れたドレッシング性能をより長期に亙って得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のＣＭＰコンディショナの製造方法の一実施形態を説明する、マスキング４が施された基材１の表面２の断面図である。
【図２】図１に示す基材１に下地メッキを施した状態を示す図である。
【図３】図２に示す基材１の表面２に一群のダイヤモンド砥粒が接地した状態を示す図である。
【図４】図３に示す状態からＮｉメッキ層６を成長させた、本発明のＣＭＰコンディショナの一実施形態を示す図である。
【図５】図４に示す状態からマスキング４を剥離した、本発明のＣＭＰコンディショナの他の実施形態を示す図である。
【図６】図５に示す実施形態のＣＭＰコンディショナにおけるダイヤモンド砥粒のＸ線反射強度を測定した結果を示す図である。
【図７】従来の一般的な方法によって製造されたＣＭＰコンディショナにおけるダイヤモンド砥粒のＸ線反射強度を測定した結果を示す図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  基材
２  基材１の表面
３  穴部
４  マスキング
５  下地Ｎｉメッキ層
６  Ｎｉメッキ層
Ｌ  基材１の表面２に画成される領域
Ａ１〜Ａ９  他の面よりも結晶方位１１１面の占める面積比率が大きいダイヤモンド砥粒（主砥粒）
ａ  結晶方位１１１面
Ｂ１〜Ｂ３  他の面よりも結晶方位１００面の占める面積比率が大きいダイヤモンド砥粒
ｂ  結晶方位１１０面
【図１】
2006130586.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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