(57)【要約】    【課題】  高い精度でヘッド・ジンバル・アセンブリ（ＨＧＡ）の静的姿勢を修正する。    【解決手段】  ＨＧＡの初期姿勢１８１から最終予想姿勢１８４までの最短経路を構成するベクトル群を形成する。ベクトル群は、ＨＧＡにレーザ光を単位照射したときに様々な静的姿勢の変化量を与える複数の変位ベクトルで形成される。初期姿勢から目標姿勢に向かって目標姿勢に最も近い予想姿勢を与える変位ベクトルを順次選択しながら変位ベクトルを合成していく。ベクトル群に含まれる変位ベクトルに関連する照射位置に、変位ベクトルの個数に相当する単位照射を行う。単位照射後の静的姿勢を実測し、変位ベクトルを修正して、新たな最短経路を構成するベクトル群を形成して、精度の高い姿勢修正を行う。【選択図】      図１１
2006085790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクと該磁気ディスクにアクセスするヘッド／スライダを搭載したヘッド・ジンバル・アセンブリと該ヘッド・ジンバル・アセンブリを回動可能に支持するキャリッジとを含む磁気ディスク装置を製造する方法であって、
前記ヘッド・ジンバル・アセンブリに設定した複数の照射位置のそれぞれにレーザ光を単位照射したときの前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの静的姿勢の変化に相当する複数の変位ベクトルを提供するステップと、
前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの初期姿勢から前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの目標姿勢の許容範囲にある第１の最終予想姿勢までの最短経路を構成する第１のベクトル群を形成し、該第１のベクトル群に含まれる変位ベクトルに関連する照射位置に対する照射回数を計算する第１の計算ステップと、
前記第１の計算ステップで計算した前記照射回数の単位照射を対応する前記照射位置に行う第１の照射ステップと、
前記第１の照射ステップの後に測定した前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの照射後姿勢が前記目標姿勢の許容範囲に入っていない場合に前記照射後姿勢と前記最終予想姿勢に基づいて前記第１のベクトル群に含まれる前記変位ベクトルを修正する変位ベクトル修正ステップと、
少なくとも前記修正された変位ベクトルを使用して前記照射後姿勢から前記目標姿勢の許容範囲にある第２の最終予想姿勢までの最短経路を構成する第２のベクトル群を形成し、該第２のベクトル群に含まれる変位ベクトルに関連する照射位置に対する照射回数を計算する第２の計算ステップと、
前記第２の計算ステップで計算した前記照射回数の単位照射を対応する前記照射位置に行う第２の照射ステップと
を有する磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項２】
前記変位ベクトルが、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの静的ピッチ角と静的ロール角の成分で構成される請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記照射位置が前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの４カ所に設定され、前記各照射位置にレーザ光を単位照射したときの４つの変位ベクトルの静的ピッチ角と静的ロール角の正負の組み合わせが相互に異なっている請求項２記載の製造方法。
【請求項４】
前記レーザ光の単位照射が、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリのディンプル・コンタクト・ポイントを通過し前記ヘッド／スライダの長手方向の軸に垂直な線に平行な平行線に沿って照射する一列のレーザ光ビームの照射である請求項１記載の製造方法。
【請求項５】
前記一列のレーザ光ビームの照射を、ビーム・スポットを断続的に照射して行う請求項４記載の製造方法。
【請求項６】
前記変位ベクトルが、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリと同一構造の複数のヘッド・ジンバル・アセンブリにレーザ光を単位照射して実測した複数の変位ベクトルを代表する共通変位ベクトルである請求項１記載の製造方法。
【請求項７】
前記照射位置を、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリのヘッド／スライダ側の面に２カ所とロード・ビーム側の面に２カ所設けた請求項１記載の製造方法。
【請求項８】
前記照射位置を、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリのディンプル・コンタクト・ポイントを通過し前記ヘッド／スライダの長手方向の軸に垂直な垂直線が通過する請求項１記載の製造方法。
【請求項９】
前記照射位置を、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリを構成するフレキシャ・アセンブリのフレキシャ・タングを支持するアームに設けた請求項１記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の計算ステップが、前記第１のベクトル群に含まれるいずれかの変位ベクトルと前記各変位ベクトルを合成した複数の予想姿勢の中から前記目標姿勢に最も近い予想姿勢を構成するいずれかの変位ベクトルを選択するステップを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項１１】
前記選択するステップを前記初期姿勢から前記第１の最終予想姿まで繰り返し、前記ベクトル群を構成した変位ベクトルの個数を前記照射位置毎に積算するステップを含む請求項１０記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の照射ステップが、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリのディンプル・コンタクト・ポイントを通過し前記ヘッド／スライダの長手方向の軸に垂直な垂直線に平行な複数の平行線に沿って複数の単位照射をするステップを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項１３】
前記変位ベクトル修正ステップが、前記初期姿勢と前記照射後姿勢の差と前記初期姿勢と前記第１の最終予想姿勢の差との比の値を計算するステップを含む請求項１記載の製造方法。
【請求項１４】
磁気ディスクと該磁気ディスクにアクセスするヘッド／スライダを搭載したヘッド・ジンバル・アセンブリと該ヘッド・ジンバル・アセンブリを回動可能に支持するキャリッジとを含む磁気ディスク装置を製造する方法であって、
前記ヘッド・ジンバル・アセンブリに設定した複数の照射位置のそれぞれにレーザ光を単位照射したときの前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの静的姿勢の変化に相当する複数の変位ベクトルを提供するステップと、
前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの初期姿勢から前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの目標姿勢に向かう最短経路の途中にある中間予想姿勢までの経路を構成する第１のベクトル群を所定の個数の前記変位ベクトルで形成し、該第１のベクトル群に含まれる変位ベクトルに関連する照射位置に対する照射回数を計算する第１の計算ステップと、
前記第１の計算ステップで計算した前記照射回数の単位照射を対応する前記照射位置に行う第１の照射ステップと、
前記中間予想姿勢と前記第１の照射ステップの後に測定した前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの照射後姿勢に基づいて前記第１のベクトル群に含まれる前記変位ベクトルを修正する変位ベクトル修正ステップと、
少なくとも前記修正された変位ベクトルを使用して前記照射後姿勢から前記目標姿勢の許容範囲にある最終予想姿勢までの最短経路を構成する第２のベクトル群を形成し、該第２のベクトル群に含まれる変位ベクトルに関連する照射位置に対する照射回数を計算する第２の計算ステップと、
前記第２の計算ステップで計算した前記照射回数の単位照射を対応する前記照射位置に行う第２の照射ステップと
を有する磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項１５】
前記変位ベクトル修正ステップが、前記初期姿勢と前記照射後姿勢の差と前記初期姿勢と前記中間予想姿勢の差との比の値を計算するステップを含む請求項１４記載の製造方法。
【請求項１６】
磁気ディスクと該磁気ディスクにアクセスするヘッド／スライダを搭載したヘッド・ジンバル・アセンブリと該ヘッド・ジンバル・アセンブリを回動可能に支持するキャリッジとを含む磁気ディスク装置を製造する方法であって、
前記ヘッド・ジンバル・アセンブリのディンプル・コンタクト・ポイントを通過し前記ヘッド／スライダの長手方向の軸に垂直な垂直線が通過する４カ所に設定した照射位置のそれぞれにレーザ光を単位照射したときの前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの静的姿勢の変化に相当する４つの変位ベクトルを提供するステップと、
前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの初期姿勢から前記ヘッド・ジンバル・アセンブリの目標姿勢の許容範囲にある最終予想姿勢までの最短経路を構成するベクトル群を該ベクトル群に含まれるいずれかの変位ベクトルと前記各変位ベクトルを合成した複数の予想姿勢の中から前記目標姿勢に最も近い予想姿勢を構成するいずれかの前記変位ベクトルを選択して形成するステップと、
前記ベクトル群に含まれる変位ベクトルに関連する照射位置に対する照射回数を前記４カ所の照射位置毎に積算するステップと、
前記積算した照射回数の単位照射を対応する前記照射位置に前記垂直線に平行な複数の平行線に沿って行う照射ステップと
を有する磁気ディスク装置の製造方法。
【請求項１７】
前記レーザ光の単位照射が、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリのディンプル・コンタクト・ポイントを通過し前記ヘッド／スライダの長手方向の軸に垂直な垂直線に平行な平行線に沿って照射する一列のレーザ光ビームの照射である請求項１６記載の製造方法。
【請求項１８】
前記４カ所の照射位置を、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリを構成するフレキシャ・タングを支持するアームのヘッド／スライダ側の面に２カ所とロード・ビーム側の面に２カ所設けた請求項１６記載の製造方法。
【請求項１９】
前記４カ所の照射位置を、前記ヘッド・ジンバル・アセンブリを構成するフレキシャ・アセンブリのフレキシャ・タングを支持するアームに設けた請求項１６記載の製造方法。
【請求項２０】
前記変位ベクトルが静的ピッチ角と静的ロール角の成分で構成され、前記４つの変位ベクトルの静的ピッチ角と静的ロール角の正負の組み合わせが相互に異なっている請求項１６記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ディスク装置の製造方法に関し、さらには、運動性能に優れたヘッド・ジンバル・アセンブリを備える磁気ディスク装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置のサスペンション・アセンブリに取り付けられたヘッド／スライダは、回転する磁気ディスクの表面に発生した空気流から空気軸受面が浮力を受けて、磁気ディスクの表面から僅に浮上しながら所定のトラックに移動する。ヘッド／スライダが、ヘッドと磁気ディスク表面との間隔を常に所定の範囲に維持できる良好な運動性能を備えるためには、浮上する前のヘッド／スライダの磁気ディスク表面に対する姿勢である静的姿勢が理想的な値にできるだけ近いことが重要な要素である。ヘッド／スライダの静的姿勢は、一般にサスペンション・アセンブリの長手方向の軸の周りでの回転角度である静的ロール角（以下、ＲＳＡ（roll static attitude）という。）と、ディンプル・コンタクト・ポイント（以下、ＤＣＰという。）を通過し、サスペンション・アセンブリの長手方向の軸に垂直な方向の軸の周りでの回転角度である静的ピッチ角（以下、ＰＳＡ（pitch static attitude）という。）で定義されている。静的姿勢を理想的な姿勢に近づけるために、従来は、サスペンション・アセンブリにヘッド／スライダを取り付けたヘッド・ジンバル・アセンブリ（以下、ＨＧＡという。）に、機械的に曲げや捻りを加えてＰＳＡおよびＲＳＡを修正していた。さらに、レーザ光照射によるＰＳＡおよびＲＳＡの修正方法も存在していた。
【０００３】
特許文献１は、レーザ光照射によるサスペンションの姿勢制御システムを開示する。特許文献１の発明では、様々のリニア補正ラインについて、ライン番号、ライン始点、ライン角、レーザ強度、ショット間隔、ショット回数の条件を設定し、各条件の組み合わせでサンプルにレーザ照射したときに実際に変形したピッチング角、ローリング角を測定してリニア補正テーブルを作成する。続いて、実際のワーク補正段階では、リニア補正テーブルを検索して同文献の図１２に示すような測定角度から補正後に目標角に最も近くなる補正ラインを逐次探して作成した補正レシピに従って、レーザ照射を行いサスペンションの姿勢を修正する。
【０００４】
特許文献２は、レーザ照射領域に所定の長さおよび形状のレーザ光を照射して、サスペンションの荷重曲げ部および角度調整部の折り曲げを精度よく行う技術を開示する。特許文献２の発明では、レーザ光による熱変形量をレーザ照射領域ごとに予め取得しておくために、レーザ光の照射と荷重曲げ部の変位との関係を実験的あるいはシミュレーションにより取得しておく。その具体例として、レーザ光の照射形状をキャラクタとしてデータ・ベースに登録している。
【特許文献１】特開２００２−７４６３０号公報
【特許文献２】特開２００４−８２１６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、記録密度の向上に伴ってヘッド／スライダの浮上高さ（フライ・ハイト）が一層低くなり、ヘッドの浮上高さを所定範囲に維持するためにヘッド・ジンバル・アセンブリに要求される静的姿勢の精度は一層厳しくなってきている。従って、従来の機械的な修正方法やレーザ光の照射による修正方法では、静的姿勢に対する要求を満たすことが困難になりつつある。また、大量生産するためにはできるだけ簡単で精度の高い修正方法が望まれている。
【０００６】
そこで本発明の目的は、運動性能に優れたＨＧＡを備える磁気ディスク装置の製造方法を提供することにある。さらに本発明の目的は、簡素な方法でかつ高い精度でＨＧＡの静的姿勢を理想的な値に修正することができる磁気ディスク装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、磁気ディスクと該磁気ディスクにアクセスするヘッド／スライダを搭載したＨＧＡとＨＧＡを回動可能に支持するキャリッジとを含む磁気ディスク装置を製造する方法にかかり、ＨＧＡの静的姿勢を修正する技術に特徴がある。静的姿勢をＰＳＡとＲＳＡで定義するとき、変位ベクトルはＨＧＡに設定した複数の照射位置のそれぞれにレーザ光を単位照射したときのＰＳＡとＲＳＡの変位量が成分として与えられる。単位照射に対するＰＳＡ、ＲＳＡの変位量は、姿勢修正をするために必要な照射回数の範囲において線形であり、複数の変位ベクトルを合成してレーザ光の単位照射による静的姿勢の変位を予想することができる。
【０００８】
ＨＧＡを組み立てた時点での静的姿勢である初期姿勢は、たとえ製造公差の範囲に入っていたとしても、理想的な静的姿勢である目標姿勢に近い値に修正する必要がある。各照射位置に対する単位照射の照射回数の合計をできるだけ少なくした方が、修正時間が短縮して生産量の増大を図ることができ、品質的にもＨＧＡに必要以上の熱的ストレスをかけることがないので望ましい。従って、各照射位置に対する単位照射の回数を全照射回数が最小になるように決定する。全照射回数を最小にするために、初期姿勢から目標姿勢の許容範囲までの最短経路を構成するベクトル群を複数の変位ベクトルを合成して形成する。
【０００９】
変位ベクトルは通常ある値のＰＳＡ成分とＲＳＡ成分を有しており、各照射位置に対してレーザ光の単位照射をすると、ＨＧＡのＰＳＡとＲＳＡは同時に変化する。また、目標姿勢の許容範囲はＰＳＡとＲＳＡの両方に設定される。初期姿勢から目標姿勢に向かう最短経路のベクトル群を形成するために、初期姿勢と各変位ベクトルを合成して変位ベクトルの数に応じた複数の予想姿勢を計算し、その中で目標姿勢に最も近い予想姿勢を構成するいずれかの変位ベクトルを選択する。続いて、選択した変位ベクトルの終点と各変位ベクトルを合成して変位ベクトルの数に応じた複数の予想姿勢を計算し、その中で目標姿勢に最も近い予想姿勢を構成するいずれかの変位ベクトルを選択する手順を最終予想姿勢まで繰り返す。
【００１０】
変位ベクトルが合成された最短経路のベクトル群は、初期姿勢を目標姿勢に修正するために各照射位置に対して必要とする単位照射の回数を与える。変位ベクトルは、通常、同一構造の複数のＨＧＡを実測して得た複数の変位ベクトルの平均値である共通変位ベクトルを使用する。大量生産を行う場合には、製造にかかる個々のＨＧＡの変位ベクトルをあらかじめ実測しておくことは、生産量の低下を招くために好ましくない。一方、製造にかかる個々のＨＧＡを実測したデータで求めた変位ベクトルを使用しないで形成した最短経路のベクトル群から単位照射の照射回数を計算してレーザ光を照射すると、単位照射に対する当該ＨＧＡの実際の変位とベクトル群を構成する変位ベクトルとの間に差があるため、目標姿勢の許容範囲に修正することが困難な場合がある。
【００１１】
本発明では、レーザ光を照射した後の照射後姿勢が目標姿勢の許容範囲に入っていないとき、初期姿勢に対する照射後姿勢および第１の最終予想姿勢の関係から変位ベクトルを修正する。そして修正された変位ベクトル、または修正された変位ベクトルと修正前の変位ベクトルを使って、照射後姿勢から目標姿勢の許容範囲にある第２の最終予想姿勢までの最短経路を構成する第２のベクトル群を形成する。第２のベクトル群には、ＨＧＡへの実際のレーザ光照射のデータで修正された変位ベクトルが含まれるので、第１のベクトル群に基づくレーザ光の照射より最終予想姿勢に対する照射後姿勢の精度が向上する。
【００１２】
本発明において第２のベクトル群を求めるタイミングには２つの態様がある。第１の態様では、修正前の変位ベクトルだけを合成した第１のベクトル群で目標姿勢の許容範囲にある第１の最終予想姿勢までの最短経路を形成し、各照射位置に対する照射回数を計算して実際にレーザ光を照射する。照射後姿勢が許容範囲に入らない場合に、最終予想姿勢と照射後姿勢に基づいて変位ベクトルを修正して、少なくとも修正された変位ベクトルを含む第２のベクトル群で照射後姿勢から目標姿勢の許容範囲にある第２の最終予想姿勢までの最短経路を形成する。
【００１３】
第２の態様では、所定の個数の修正前の変位ベクトルだけからなる第１のベクトル群で中間予想姿勢までの最短経路を形成し、各照射位置に対する照射回数を計算して実際にレーザ光を照射する。照射後姿勢が許容範囲に入らない場合に、中間予想姿勢と照射後姿勢に基づいて変位ベクトルを修正して、少なくとも修正された変位ベクトルを含む第２のベクトル群で照射後姿勢から目標姿勢の許容範囲にある第２の最終予想姿勢までの最短経路を形成する。中間予想姿勢は、あらかじめ初期姿勢から中間予想姿勢までの変位ベクトルの個数を設定して定める。
【００１４】
第１の態様では、第１の最終予想姿勢が目標姿勢の許容範囲に入るように第１のベクトル群を形成するため、レーザ光の最初の照射で照射後姿勢が目標姿勢の許容範囲に入る可能性がある。たとえ最初の照射で目標姿勢の許容範囲に入らなくても次のレーザ光の照射は修正された変位ベクトルに基づいて行うので、第２の最終予想姿勢に対する照射後姿勢の精度は向上する。
【００１５】
第２の態様では、修正前の変位ベクトルの個数を設定して中間予想姿勢を任意の位置に設定することができる。中間予想姿勢と照射後姿勢との間に差が出るのは第１の態様と同じであるが、中間予想姿勢から最終予想姿勢までの最短経路を構成する第２のベクトル群は修正された変位ベクトルを含むので、第２のベクトル群から計算した照射条件で照射するとその間での照射後姿勢の精度が向上する。つまり、中間予想姿勢から最終予想姿勢までの修正された変位ベクトルを使用して形成する最短経路の長さが第１の態様に比べて長くなるように中間予想姿勢の位置を設定すれば、姿勢修正のための全照射回数を、第１の態様において第２のベクトル群を形成する場合と比較して少なくすることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、運動性能に優れたＨＧＡを備える磁気ディスク装置の製造方法を提供することができた。さらに本発明により、簡素な方法でかつ高い精度でＨＧＡの静的姿勢を理想的な値に修正する磁気ディスク装置の製造方法を提供することができた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１は、本発明の実施の形態に係る磁気ディスク装置１０の概略構成を示す平面図である。ベース１１は、ヘッド・スタック・アセンブリ（以下、ＨＳＡという。）１３、磁気ディスク１５、ランプ１７、及びコネクタ１９等を収納し、ベース・カバー（図示せず。）と共に密閉空間を形成する。磁気ディスク１５は、スピンドル・ハブ（図示せず。）に１枚または２枚以上が積層された状態で固定され、スピンドル軸２１を中心に下部に設けたスピンドル・モータ（図示せず。）で矢印１６の方向に回転する。各磁気ディスク１５の少なくとも一面にはデータを記録する磁性層が形成されている。
【００１８】
ＨＳＡ１３は、キャリッジ２３とＨＧＡ１００で構成され、ボイル・コイル・モータ（以下、ＶＣＭという。）でピボット軸２５を中心に回動する。キャリッジ２３は、ＨＧＡ１００を取り付けるアクチュエータ・アーム２７と、ボイス・コイル（図示せず。）を保持するコイル・サポート２９を含んでいる。コイル・サポート２９とボイス・コイルを覆うようにボイル・コイル・ヨーク３１がベース１１に取り付けられている。ボイス・コイル・ヨーク３１の裏側には永久磁石であるボイス・コイル・マグネット（図示せず。）が貼り付けられている。ボイス・コイル、ボイス・コイル・マグネット、およびボイス・コイル・ヨーク３１はＶＣＭの構成要素となる。
【００１９】
本実施の形態に係る磁気ディスク装置１０は、ＨＧＡ１００の先端にマージ・リップ３３を備え、磁気ディスク１５が回転を停止する前に、マージ・リップ３３をランプ１７の退避面まで摺動させてヘッド／スライダを磁気ディスク１５の表面上から退避させるいわゆるロード・アンロード方式を実現している。ただし本発明は、ロード・アンロード方式の磁気ディスク装置の製造方法に限定するものではなく、コンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置に適用することも可能である。
【００２０】
ＨＧＡ１００およびアクチュエータ・アーム２７は、磁気ディスク１５の各記録面に対応するように積層構造として構成する。キャリッジ２３には中継端子部３５を備え、一端をヘッドに接続した配線トレース（図示せず。）と一端をコネクタ１９に接続したフレキシブル・プリント回路基板（以下、ＦＰＣという。）３７との接続を行う。
【００２１】
図２は、本発明の実施の形態に係るＨＧＡ１００の構成を説明する斜視図である。図２においては、マウント・プレート７９、２ピースで構成されるロード・ビームのアーム部７５ａとロード・ビームの固定部７５ｂ、ヒンジ７７、およびフレキシャ・アセンブリ１０１がサスペンション・アセンブリ１０３を構成し、サスペンション・アセンブリ１０３にヘッド／スライダ１５１を取り付けてＨＧＡ１００を構成している。ヘッド／スライダ１５１が磁気ディスク１５に対向する面は、適切な浮力を得るための形状的特徴を備えた空気軸受面（以下、ＡＢＳ（air bearing surface）という。）が形成されている。ロード・ビームの固定部７５ｂは、キャリッジ２３のアクチュエータ・アーム２７にマウント・プレート７９がスウェージ加工されて固定される。
【００２２】
ヒンジ７７は、ロード・ビームのアーム部７５ａとロード・ビームの固定部７５ｂを結合し、磁気ディスク１５とＨＳＡ１３がベース１１に取り付けられたときに、ロード・ビームのアーム部７５ａに対して磁気ディスク１５の表面に向かう押付荷重を付加するバネ構造となっている。アーム部７５ａには、フレキシャ・アセンブリ１０１が固定され、フレキシャ・アセンブリ１０１に取り付けられたヘッド／スライダ１５１は、ＡＢＳが空気流を受けたときピボット運動又はジンバル運動を行う。本実施の形態におけるフレキシャ・アセンブリ１０１は、配線一体型の構造を採用しており配線パターン１０５を備えている。
【００２３】
配線一体型フレキシャ・アセンブリ１０１は、ヘッド／スライダ１５１を支持するバネ構造体を構成する金属層と、配線パターンを構成する導体層と、金属層と導体層とを絶縁する絶縁体層を積層し、導体層の上に腐食防止のために適宜カバー層を設けたりメッキ処理を施したりして形成する。このような積層構造を備える配線一体型フレキシャ・アセンブリには、製造方法の相違により、アディティブ・タイプ、サブトラクティブ・タイプ、およびフレキシブル基板タイプの３つのタイプがある。
【００２４】
アディティブ・タイプは、フォトリソグラフィ技術を用いて各層を順番に積み上げていく方法である。サブトラクティブ・タイプは、金属層、絶縁体層、導体層、およびカバー層等で予め形成したシートをエッチングして所定の構造を形成する方法である。フレキシブル基板タイプは、絶縁体層、導体層、およびカバー層で所定の形状に形成したフレキシブル・プリント回路基板を金属層の上に貼り付ける方法である。本実施の形態にかかるフレキシャ・アセンブリ１０１はアディティブ・タイプであるが、本発明はいずれのタイプの配線一体型フレキシャ・アセンブリに適用することもできる。さらに本発明は、配線一体型フレキシャ・アセンブリに限らず、フレキシャとリード線が分離している形態のサスペンション・アセンブリにも適用することができる。配線パターン１０５は、絶縁体層と導体層とカバー層で構成され、導体層の一端がヘッド／スライダ１５１に形成されたスライダ・パッド（図示せず。）に接続され、導体層の他端が中継端子部３５でＦＰＣ３７に接続されている。
【００２５】
図３は、サスペンション・アセンブリ１０３の構造を説明するための図である。図３（Ａ）は、図２に示したサスペンション・アセンブリ１０３を拡大してロード・ビーム側から見た平面図で、図３（Ｂ）はヘッド／スライダ１５１の取り付け側から見た平面図である。図３（Ｂ）には、サスペンション・アセンブリ１０３を組み立てるためにフレキシャ・アセンブリ１０１およびヒンジ７７に設けたスポット溶接の位置を示す複数の溶接スポットを示している。さらに図３（Ｂ）には、ヘッド／スライダ１５１の取り付け場所であるフレキシャ・タング１０７が示されている。
【００２６】
フレキシャ・アセンブリ１０１はロード・ビームのアーム部７５ａに対して、溶接スポット１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの３カ所で固定しており、フレキシャ・タング１０７は、ロード・ビームのアーム部７５ａに直接固定しないで、ピボット運動をすることができる構造にしている。図３には、ＨＧＡ１００の静的姿勢を修正するためのレーザ光の４つの照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄが示されている。照射位置は、レーザ光を照射してフレキシャ・アセンブリに曲げ変形を加えてＨＧＡ１００の静的姿勢を修正するためにフレキシャ・アセンブリの金属層に設定した一定の面積を有する領域である。
【００２７】
照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、主アーム１０４ａ、１０４ｂ、副アーム１０６ａ、１０６ｂまたは支持アーム１０８ａ、１０８ｂの中から選択した場所に複数設定することができるが、本実施の形態では、照射位置を主アーム１０４ａ、１０４ｂ上に４カ所設定している。照射位置Ａ、Ｄは、ロード・ビーム側にあるフレキシャ・アセンブリ１０１の金属層の表面であり、照射位置Ｂ、Ｃは、ヘッド／スライダ１５１側にあるフレキシャ・アセンブリ１０１の金属層の表面である。照射位置の個数およびフレキシャ・アセンブリ上の位置は、本実施例に限らず、ＨＧＡの構造に応じて適切な位置に設定することができる。
【００２８】
図４は、ヘッド／スライダ１５１の取り付け方向から見たフレキシャ・アセンブリ１０１の先端側の拡大図で、図５はＨＧＡ１００の先端側の側面図である。本明細書においては、ＨＧＡ１００のマージ・リップ３３側を先端側といい、アクチュエータ・アーム２７側を支持端側ということにする。フレキシャ・アセンブリ１０１の先端側の溶接スポット１１２ａと支持端側の溶接スポット１１２ｂとの間には、金属層の一部であるフレキシャ・タング１０７が形成されている。フレキシャ・タング１０７には、溶接スポット１１２ａと１１２ｂとを結ぶフレキシャ・アセンブリ１０１の中心線上であってフレキシャ・タング１０７のほぼ中央に、ディンプル・コンタクト・ポイント（以下、ＤＣＰという。）１０９を定義している。
【００２９】
ＤＣＰ１０９は、フレキシャ・タング１０７がロード・ビーム側（紙面の裏側に相当する。）でロード・ビームのアーム部７５ａに形成したディンプル８５（図５参照）に接触してピボット運動するための支点を提供する。図４では、ＤＣＰ１０９の位置を、ヘッド／スライダの取り付け面側から参照しているが、実際のＤＣＰは紙面の裏側にある。
【００３０】
先端側の支持領域１２０は、フレキシャ・アセンブリを構成する金属層の一部であり溶接スポット１１２ａでロード・ビームのアーム部７５ａにスポット溶接されている。溶接スポット１１２ａの近辺の縁部からは、帯状の一対の主アーム１０４ａ、１０４ｂが溶接スポット１１２ａと１１２ｂを結ぶ中心線に対して対称に支持端側に延びている。主アーム１０４ａ、１０４ｂは、フレキシャ・タング１０７の周囲を囲むように支持端側に延びており、一対の位置１２５ａ、１２５ｂで副アーム１０６ａ、１０６ｂと一体になって一対の支持アーム１０８ａ、１０８ｂを形成してフレキシャ・タング１０７のリーディング・エッジ１２３を支持している。主アーム１０４ａ、１０４ｂ、副アーム１０６ａ、１０６ｂ、支持アーム１０８ａ、１０８ｂは、フレキシャ・アセンブリを構成する金属層の一部である。
【００３１】
ここでリーディング・エッジ１２３とは、フレキシャ・タング１０７にヘッド／スライダ１５１を取り付けたときにヘッドが位置する側と反対側のフレキシャ・タングの端部をいう。フレキシャ・タング１０７のリーディング・エッジに対向する反対側の端部をトレイリング・エッジという。本明細書においては、リーディング・エッジ及びトレイリング・エッジという用語は、フレキシャ・タングに取り付けたヘッド／スライダ１５１に対しても用いるものとする。
【００３２】
本実施の形態に係るフレキシャ・アセンブリ１０１は、順回転の磁気ディスク装置に適応するものであり、図１において磁気ディスク１５はフレキシャ・タング１０７に対して支持端側から先端側に向かう矢印１６で示す方向に回転する。磁気ディスク表面に生じた粘性気流はヘッド／スライダ１５１のリーディング・エッジ側からヘッド／スライダのＡＢＳとディスク表面との間に入り込みトレイリング・エッジ側から出ていくように流れて、ヘッド／スライダ１５１に浮力を与える。
【００３３】
フレキシャ・アセンブリ１０１の金属層の一部である支持領域１２２は、溶接スポット１１２ｂでロード・ビームのアーム部７５ａにスポット溶接されている。溶接スポット１１２ｂの近辺から１対の副アーム１０６ａ、１０６ｂが先端側に向かって対称に延びている。フレキシャ・タング１０７には、フレキシャ・アセンブリ１０１を構成する絶縁体層の一部である複数のポリイミドの島状領域１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ、１２４ｄが付着している。島状領域は、フレキシャ・タング１０５の上にヘッド／スライダ１５１を接着剤で接着する際のヘッド／スライダ１５１の姿勢制御を目的としている。さらに、一対の配線パターン１０５ａ、１０５ｂが支持端側の支持領域１２２からフレキシャ・タング１０７のトレイリング・エッジ側までサスペンション・アセンブリ１０１の長手方向の中心線に平行に延びている。配線パターン１０５ａ、１０５ｂは、支持領域１２２では絶縁体層が金属層に付着しているが、支持領域１２２から分離したあとは、金属層の他の領域に付着することなくフレキシャ・タング１０７近くの支持アーム１０８ａ、１０８ｂまで延びている。
【００３４】
一対の配線パターン１０５ａ、１０５ｂは、それぞれ導体層が２本ずつに分かれており全体で４本のリード線を含んでいる。リード線の数は、ヘッドの構成に応じて適宜選択される。フレキシャ・タング１０７のトレイリング・エッジ側には、リード線をヘッド／スライダ１５１のトレイリング・エッジ側の側面に設けたスライダ・パッドに接続する際、リード線の端部を位置合わせするためのプラットフォーム１１４が形成されている。
【００３５】
図３に示した照射位置Ｃ、Ｂは、それぞれ位置１２５ａ、１２５ｂの近辺である。また、照射位置Ａ、Ｄはそれぞれ金属層の照射位置Ｃ、Ｂの裏側の面に存在する。照射位置として定義された一定の面積の領域を、ＤＣＰを通過しヘッド／スライダ１５１の長手方向の中心線に垂直な垂直線が通過する。ここに通過するとは、垂直線が照射位置の表面上にない場合でも垂直線の各照射位置に対する垂直投影が各照射位置を通過することをも意味している。
【００３６】
照射位置をこのような位置に設定すると、ヘッド／スライダ１５１はＤＣＰ１０９を中心にピボット運動をするため、レーザ光照射によりＨＧＡの静的姿勢を修正したときにＤＣＰ１０９を中心にしてピッチ方向およびロール方向に静的姿勢が変形するので修正効率がよい。また、静的姿勢の修正によってＤＣＰ１０９とディンプル８５の接触圧力が変化したり、ピボット運動に悪影響を与えるような歪みや応力を残したりすることが少なくなる。
【００３７】
次に、ＨＧＡ１００の静的姿勢について図６を参照して説明する。図６は、ＨＧＡ１００の側面を模式的に描いた図である。図６（Ａ）は、ＨＧＡ１００が、磁気ディスク１５が存在しないと想定したときに示す姿勢を示している。ロード・ビームの固定部７５ｂはキャリッジ２３のアクチュエータ・アーム２７（図１参照）に相当する治具に取り付けられている。ロード・ビームのアーム部７５ａはヒンジ７７を介してロード・ビームの固定部７５ｂに結合している。
【００３８】
マウント・プレート７９がスウェージ加工で固定されるアクチュエータ・アームの面と、磁気ディスク１５の表面との間の距離をＺ−Ｈｅｉｇｈｔという。図６（Ａ）においては、ＨＧＡ１００は治具に取り付けられており磁気ディスク１５が存在しないので、ヒンジ７７の弾力は完全に解放されており、ヘッド／スライダ１５１が磁気ディスク１５の仮想的な存在位置より下方に位置して安定している。ヒンジ７７にはあらかじめヘッド／スライダが図６（Ａ）に示すような位置にくるようにバイアス荷重をかけておく。
【００３９】
図６（Ａ）では、説明の都合上磁気ディスク１５の片方の面に対応するＨＧＡだけを記載しているが、磁気ディスク１５の他方の面に対応するＨＧＡを描くとすれば、そのヘッド／スライダ１５１は磁気ディスク１５の仮想的存在位置より上方に位置して安定する。図６（Ｂ）は、磁気ディスク１５とＨＳＡ１３をベース１１に取り付け、磁気ディスク１５の回転が停止しているときのＨＧＡ１００の姿勢を示す。磁気ディスク１５の回転が停止しているときは、その表面に空気流が発生しないため、ヘッド／スライダ１５１は磁気ディスク１５の表面に着地している。
【００４０】
このとき、図６（Ａ）と対比すると明らかなように、ヘッド／スライダ１５１の位置は上側にシフトしており、ヒンジ７７が有している弾力がヘッド／スライダ１５１を磁気ディスク１５の表面に押し付ける（矢印７６の方向）。このようにヘッド／スライダ１５１を回転が停止している磁気ディスクの表面に押し付ける力を押付荷重という。
【００４１】
図６（Ｃ）は、ＨＧＡ１００のピッチ方向の静的姿勢を定義するＰＳＡを説明する図で、図６（Ｄ）は、ＨＧＡ１００のロール方向の静的姿勢を定義するＲＳＡを説明する図である。静的姿勢は、ヘッド／スライダ１５１が空気流の影響を受けない状態で測定したＰＳＡおよびＲＳＡで定義する。図６（Ｃ）では、ロード・ビームの固定部７５ｂと、ヘッド／スライダ１５１のＤＣＰ１０９に対応するＡＢＳ上の位置がＺ−Ｈｅｉｇｈｔの間隔になるようにマージ・リップ３３またはロード・ビーム７５ａに力を加えたときにヘッド／スライダ１５１が形成する姿勢を模式的に示した図である。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）と同じ方向の側面である。ＰＳＡ、ＲＳＡは、ＨＧＡ１００を磁気ディスク装置のベース１１に取り付けない状態で測定するが、図６（Ｃ）、図６（Ｄ）においては磁気ディスク１５を参考までに記載している。フレキシャ・タング１０７（図４）に固定されたヘッド／スライダ１５１は、ロード・ビームのアーム部７５ａに形成されたディンプル８５を中心にピッチ方向に傾斜して所定のピッチ角ＰＳＡ（度）を有している。図６（Ｃ）からは、フレキシャ・タング１０７やロード・ビームのアーム部７５ａは省略している。
【００４２】
ＰＳＡは、図６（Ｃ）に示すようにヘッド／スライダ１１３に力を加えないようにしながらＡＢＳ上のＤＣＰ１０９に対応する位置がＺ−Ｈｅｉｇｈｔの間隔になるように設定して測定する。このとき、ＤＣＰ１０９を通過しヘッド／スライダ１５１の長手方向の軸に垂直な軸を中心に回転するヘッド／スライダ１５１のＡＢＳが磁気ディスク１５の表面に対してなす角度がＰＳＡを構成する。ＰＳＡの符号は、ヘッド／スライダ１５１のリーディング・エッジ側が、トレイリング・エッジ側に対して磁気ディスク１５の表面から離れる方向の姿勢を保つ図８（Ｃ）の状態をプラスとし、近づく方向の姿勢を保つときマイナスとする。
【００４３】
図６（Ｄ）は、ＰＳＡが±０のときに図６（Ｃ）のヘッド／スライダ１５１をトレイリング・エッジ側（先端側）からみた図である。ＲＳＡは、ヘッド／スライダ１５１の位置をＰＳＡを測定する場合と同じ位置に設定して測定する。このときＤＣＰ１０９を中心にヘッド／スライダ１５１の長手方向の軸を中心に回転するヘッド／スライダ１５１のＡＢＳが、磁気ディスク１５の表面に対してなす角度がＲＳＡとなる。ＲＳＡの符号は、図６（Ｄ）に示す方向に回転する場合をプラスとし、逆方向に回転する場合をマイナスとする。ＡＢＳが磁気ディスク１５の表面に平行であればＰＳＡ、ＲＳＡは共に±０である。
【００４４】
ＰＳＡおよびＲＳＡが同時にある角度を有している場合のＰＳＡは、ＤＣＰ１０９を含みヘッド／スライダの長手方向の軸に並行でかつ磁気ディスク１５の表面に垂直な平面がＡＢＳと交差して形成するＡＢＳ上の直線と磁気ディスク１５の表面との角度となる。また、このときのＲＳＡは、ＤＣＰ１０９を含みヘッド／スライダの長手方向の軸に垂直でかつ磁気ディスク１５の表面に垂直な平面がＡＢＳと交差して形成するＡＢＳ上の直線と磁気ディスク１５の表面との角度となる。本実施の形態では、ＨＧＡ１００の目標姿勢は、ＰＳＡが＋１度であり、ＲＳＡは±０度である。
【００４５】
ヘッド／スライダ１５１のＡＢＳが、回転する磁気ディスク１５の表面に発生する粘性気流から浮力を受けて浮上するときの姿勢は動的姿勢という。動的姿勢のピッチ方向の角度の目標値は一般にＰＳＡとは異なる値となる。ヘッド／スライダ１５１が磁気ディスク１５の表面から僅かの間隔を保って浮上している間は、ヘッド／スライダ１５１がＤＣＰ１０９を中心にピボット運動をしながら磁気ディスク表面１５のうねりに追従して磁性層に対するヘッドの高さを所定の範囲に維持する。動的姿勢を所定の範囲に維持してピボット運動を適切に行うためには、ＨＧＡ１００の静的姿勢であるＰＳＡおよびＲＳＡがそれぞれできるだけ目標値に近い必要がある。ＨＧＡ１００を組み立てた状態では、一般に静的姿勢が理想的な目標値から離れているため、ＰＳＡおよびＲＳＡまたはそのいずれか一方を目標値に向けて修正する必要がある。
【００４６】
図７は、照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対するレーザ・ビームの照射方法を、照射位置Ｂを例にして説明する図である。照射位置Ｂの中心を示す中心線１５３は、ＤＣＰ１０９を通過し、ヘッド／スライダ１５１の長手方向の中心線に垂直な垂直線の照射位置Ｂの面に対する垂直投影である。照射位置Ｂは一定の面積の領域を有しており、中心線１５３が照射位置Ｂの領域を通過している。同様に他の照射位置Ａ、Ｃ、Ｄの領域も中心線１５３が通過する。
【００４７】
レーザ光のビーム１５５を主アーム１０４ｂの表面に対してほぼ垂直な方向から中心線１５３に沿って照射していくと、主アーム１０４ｂは熱エネルギーを受けて図７に示すようにレーザ光の照射源の方向に曲がる性質がある。レーザ・ビームはパルス・レーザで生成し、光学レンズ機構を通じて照射位置の面に小さな口径のビーム・スポットを形成する。パルス・レーザのビームを中心線１５３に沿って始点スポット１５３から終点スポット１５９まで一定の速度で走査していくと、照射位置の表面に一定のスポット間隔でレーザ・エネルギーが断続的に照射される。始点スポット１５７から終点スポット１５９までの複数のスポットで構成される一列のレーザ光ビームの照射を単位照射または１回の照射という。
【００４８】
単位照射は、レーザ・ビームを照射位置の表面に断続的に照射する方法に限らず、レーザ・パルスのビーム・スポットが連続するように照射してもよく、パルス・レーザに代えて一定出力のレーザを連続的に照射してもよい。各照射位置に複数回の単位照射を行うと、単位照射の数に比例した大きさでＨＧＡ１００の静的姿勢が変化する。単位照射の回数を増加してより大きな静的姿勢の変位を得るには、中心線１５３に平行で近接する位置にある平行線１６１または平行線１６３に沿って、同様に単位照射を追加していく。さらに大きな変位を得るには、同様に中心線１５９を中心にして左右に単位照射の列を追加していく。一例としてレーザ・ビームのスポット径を１６μｍないし２０μｍ、スポット間隔およびビームの列間の間隔をそれぞれ２８μｍとして選択することができる。
【００４９】
静的姿勢の修正をしている間は、レーザ・パルスの出力を一定に維持しておき、各スポットに等しい照射時間を設定して供給するレーザ・エネルギーを等しくする。単位照射に対する静的姿勢の変位量を調整するには、レーザ・パルスの出力を調整したりスポット間隔を調整したりする。本発明の修正方法によれば、単位照射あたりの静的姿勢の変位量を小さくすれば、単位照射の照射回数は増大するが精度の高い姿勢修正を実現することができる。単位照射は、変位量が線形になるように選定された照射領域の中で行われる。
【００５０】
次に、図８〜図１１を参照してレーザ光の照射によるＨＧＡの静的姿勢を修正する方法を説明する。図８は、レーザ光の照射位置と照射量を決定してＨＧＡの静的姿勢を修正する方法を示すフローチャートである。図９は、各照射位置に対するレーザ光の単位照射の回数とＨＧＡの静的姿勢の変化に関する実測データである。図１０は、各照射位置にレーザ光を単位照射したときのＨＧＡの静的姿勢の変位量に相当する共通変位ベクトルを説明する図である。図１１は、最短経路を構成するように形成したベクトル群を説明する図である。本実施の形態では、最短経路を構成するように各照射位置に対するレーザ光の単位照射の回数をあらかじめコンピュータで計算し、効率的で精度の高い静的姿勢の修正を実現する。
【００５１】
ブロック２０１では、図３に示すようにＨＧＡ１００に対して４カ所のレーザ光の照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを設定する。さらに各照射位置に対する共通変位ベクトルＶ（Ａ）、Ｖ（Ｂ）、Ｖ（Ｃ）、Ｖ（Ｄ）を用意しておく。共通変位ベクトルは静的姿勢の修正にかかるＨＧＡ１００と同一構造の複数のＨＧＡに対して、照射位置、照射方法等の照射条件を同一にして実際の単位照射をしたときのそれぞれの照射位置に関する静的姿勢の変位量に相当する変位ベクトルを各ＨＧＡについて求め、それらの複数の変位ベクトルから求めた平均値や中央値等の代表値である。各ＨＧＡに関する変位ベクトルは、治具に固定したＨＧＡにレーザ光を単位照射する前の静的姿勢に対して、いずれか１カ所の照射位置にレーザ光を単位照射した後の静的姿勢の変化を測定し、当該照射位置に対する単位照射によるＰＳＡ、ＲＳＡの変化量であり各照射位置について固有の値となる。
【００５２】
図９は、ＨＧＡに設定した各照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対して、複数回のレーザ光の単位照射をしたときのＰＳＡ（度）の変化量（ΔＰＳＡ）とＲＳＡ（度）の変化量（ΔＲＳＡ）を実測した結果である。図９（Ａ）〜図９（Ｄ）のグラフは、横軸が単位照射の照射回数で、縦軸が照射前後で変化したＰＳＡ、ＲＳＡの角度を示している。また各グラフにおいてラインａはΔＰＳＡを示し、ラインｂはΔＲＳＡを示している。
【００５３】
図９（Ａ）〜（Ｄ）は、それぞれ照射位置Ａ〜Ｄに複数回の単位照射をしたときのＰＳＡとＲＳＡの変化量に対応している。これらのグラフでは、各照射位置に対して単位照射の回数を増加したときＰＳＡおよびＲＳＡがそれぞれ線形に変化している。よって、単位照射の回数を増大しても１回の単位照射当たりのＰＳＡ、ＲＳＡの変化量は変化しないので、各照射位置に対して設定した単位照射の回数に対して変化する静的姿勢の予想値を計算することができる。但し、いずれの照射位置でも単位照射に対してＰＳＡとＲＳＡが同時に変化するので、各照射位置に対する単位照射を最も少ない照射回数にして姿勢修正ができるように、以下に説明するアルゴリズムに基づいて行う。
【００５４】
変位ベクトルは、各照射位置に対する単位照射の照射回数に対して線形に変化するＰＳＡおよびＲＳＡの傾きを成分とする直交座標上のベクトルとして定義することができる。図１０は、複数のＨＧＡに対して図９に示すような実測データを得てそれぞれ変位ベクトルを計算し、各変位ベクトルの平均値を計算して求めた共通変位ベクトルＶ（Ａ）、Ｖ（Ｂ）、Ｖ（Ｃ）、Ｖ（Ｄ）を直交座標上に表示したものである。共通変位ベクトルＶ（Ｃ）は第（１）象限にあり、照射位置Ｃにレーザ光を単位照射したときに共にプラス方向に変化するＰＳＡとＲＳＡの変化量を成分とする。共通変位ベクトルＶ（Ｄ）は第（２）象限にあり、照射位置Ｄにレーザ光を単位照射したときにマイナス方向に変化するＰＳＡとプラス方向に変化するＲＳＡの変化量を成分とする。共通変位ベクトルＶ（Ａ）は第（３）象限にあり、照射位置Ａにレーザ光を単位照射したときに共にマイナス方向に変化するＰＳＡとＲＳＡの変化量を成分とする。共通変位ベクトルＶ（Ｂ）は第（４）象限にあり、照射位置Ｂにレーザ光を単位照射したときにプラス方向に変化するＰＳＡとマイナス方向に変化するＲＳＡの変化量を成分とする。
【００５５】
照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対する共通変位ベクトルＶ（Ａ）、Ｖ（Ｂ）、Ｖ（Ｃ）、Ｖ（Ｄ）の成分であるＰＳＡとＲＳＡの正負の組み合わせは、すべて相互に異なっている。従って、各照射位置に対する単位照射の照射回数を適切に組み合わせることで、修正の対象であるＨＧＡ１００の静的姿勢が目標値に対してどの象限にあってもＰＳＡとＲＳＡを同時に目標姿勢に近づけることができる。但し、全照射回数はできるだけ少なくした方が姿勢修正に費やす時間を少なくして生産量を増大することができ、また、ＨＧＡに対して必要以上の熱的ストレスを与えることを防止できる。共通変位ベクトルは、同一構造のＨＧＡの姿勢修正に共通して使用することができるので生産量の増大には都合がよいが、精度の高い姿勢修正が要求される場合は十分に機能しないことがある。
【００５６】
共通変位ベクトルは、コンピュータの記憶装置に設けたベクトル・テーブルに記憶しておくが、後に説明するように姿勢修正にかかるＨＧＡの実測データで更新できるようにしておく。図１６に図１０の共通変位ベクトルを記憶したベクトル・テーブルの例を示す。ベクトル・テーブルには、照射場所毎に単位照射に対するＰＳＡとＲＳＡの変位量（度）を符号と共に記憶する。図１０では、共通変位ベクトルを直交座標系で表しているが、極座標などの他の座標系で表すこともできる。
【００５７】
ブロック２０３では、組み立てが完了したＨＧＡ１００の静的姿勢（以後、これを初期姿勢という。）を測定し、さらに理想的な静的姿勢の目標値（以後、これを目標姿勢という。）を設定する。初期姿勢が、組み立て後のＨＧＡの公差から外れている場合は、レーザ光の照射による姿勢修正を行うとフレキシャ・アセンブリの運動特性が変化する可能性があるので、この時点で修正作業を中止する。目標姿勢に対しては、ＰＳＡおよびＲＳＡのそれぞれについてプラス方向とマイナス方向に一定の許容範囲が設定されており、ＨＧＡの姿勢修正は、実際にレーザ光を照射して修正した静的姿勢を目標姿勢の許容範囲に入れる必要がある。
【００５８】
ブロック２０５では、初期姿勢１８１と目標姿勢Ｏの許容範囲とを比較する。本実施の形態では、目標姿勢のＰＳＡを＋１．０度とし、ＲＳＡを±０度として図１１（Ａ）の原点Ｏとして設定している。図１０に示した例では、初期姿勢１８１のＰＳＡとＲＳＡが共にプラス方向の第（１）象限にあり、目標姿勢の許容範囲外の値として与えられている。初期姿勢１８１が目標姿勢の許容範囲にあればブロック２２９に移行して姿勢修正作業を終了する。初期姿勢１８１が目標姿勢Ｏの許容範囲にない場合は、ブロック２０７に移行して姿勢修正に必要な各照射位置に対する単位照射の照射回数の計算プロセスを開始する。
【００５９】
照射回数を計算するコンピュータは、照射回数設定レジスタ、照射回数累積レジスタＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、予想姿勢登録レジスタを含んでいる。照射回数設定レジスタは、各照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対する単位照射の合計照射回数ｎを計算するためのカウンターとして利用する。照射回数累積レジスタＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄは各照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対応しており、初期姿勢から最終予想姿勢に向かう最短経路１８５（図１１参照）を構成するベクトル群に含まれる共通変位ベクトルの個数をそれぞれ記憶する。予想姿勢登録レジスタは、ＨＧＡ１００の各照射位置に対する単位照射により変化する静的姿勢の予想値である予想姿勢を記憶する。予想姿勢登録レジスタはさらに予想姿勢が目標姿勢の許容範囲に入ったときの値である最終予想姿勢１８４を記憶する。
【００６０】
ブロック２０７では、照射回数設定レジスタ、照射回数累積レジスタ、および予想姿勢登録レジスタをリセットしてブロック２０９に移行する。ブロック２０９では、照射回数設定レジスタに４カ所の照射位置に対する単位照射の合計照射回数ｎとして１を設定してブロック２１１に移行する。
【００６１】
ブロック２１１では、初期姿勢１８１に対して４つの変位ベクトルを合成して生成した４つの予想姿勢をベクトル・テーブルを使用して計算する。上述のとおり単位照射に対する各変位ベクトルは、ＰＳＡとＲＳＡの両方が同時に変化するので、一般には単一の共通変位ベクトルだけを選定して初期姿勢１８１から目標姿勢の許容範囲まで到達することはできない。本発明では、以下のようにしてＰＳＡとＲＳＡが共に目標姿勢の許容範囲に入るように初期姿勢１８１から最終予想姿勢１８４までの最短経路１８５のベクトル群を形成する。ここに最短経路１８５は、初期姿勢１８１と最終予想姿勢１８４とを結ぶように合成された複数の共通変位ベクトルのベクトル群に含まれる共通変位ベクトルの総個数を最小にするように形成した経路である。
【００６２】
図１１（Ｂ）では、初期姿勢１８１に対して各共通変位ベクトルＶ（Ａ）、Ｖ（Ｂ）、Ｖ（Ｃ）、Ｖ（Ｄ）を合成すると、４つの予想姿勢１８８、１８９、１９０、１９１が得られる。図１１（Ｂ）の初期姿勢１８１は、ブロック２１９からブロック２０７への手順の経路が形成されると、最短経路１８５を構成するベクトル群の任意のベクトルの終点となる第１の予想姿勢として考えることができる。
【００６３】
続いてブロック２１３では、４つの予想姿勢１８８、１８９、１９０、１９１の中から最も目標姿勢Ｏに近い静的姿勢を与えるいずれかの共通変位ベクトルを選択する。図１１（Ｂ）では、予想姿勢１８８、１８９、１９０、１９１の中で、予想姿勢１８８が最も目標姿勢Ｏに近いため、共通変位ベクトルＶ（Ａ）の終点を第２の予想姿勢として選択し、予想姿勢登録レジスタにＰＳＡとＲＳＡを登録する。初期姿勢１８１に対して第２の予想姿勢を与える共通変位ベクトルＶ（Ａ）は、最短経路１８５を構成するベクトル群の一部となる。
【００６４】
ブロック２１５では、最短経路１８５のベクトル群を構成した共通変位ベクトルＶ（Ａ）に対応する照射回数累積レジスタＡに１を加算する。続いてブロック２１７では、第２の予想姿勢が目標姿勢の許容範囲に入っているか否かを判断する。第２の予想姿勢が目標姿勢の許容範囲に入っている場合はブロック２２１に移行する。第２の予想姿勢が目標姿勢の許容範囲に入っていない場合は、ブロック２１９に移行して照射回数設定レジスタに１を加算してｎ＝２を設定しブロック２１１に戻る。さらに、ブロック２１１からブロック２１９までの手順をブロック２１７で第２の予想姿勢が目標姿勢の許容範囲に入るまで繰り返す。このとき予想姿勢登録レジスタに記憶された予想姿勢はブロック２１１で第１の予想姿勢となり、予想登録レジスタの内容は、ブロック２１３で第１の予想姿勢と最短経路を構成する変位ベクトルを合成して計算した第２の予想姿勢に書き換えられる。
【００６５】
この手順で形成した最短経路１８５のベクトル群と各照射位置に対する照射回数の計算を図１１（Ａ）を参照して説明する。初期姿勢１８１から最短経路１８５上の静的姿勢１８２までは、共通変位ベクトルＶ（Ａ）が１０回に渡って最短経路１８５を構成しているので、照射回数累積レジスタＡに照射回数１０が加算される。静的姿勢１８２と静的姿勢１８３との間では、共通変位ベクトルＶ（Ｂ）が最短経路１８５を構成しており、照射回数累積レジスタＢに照射回数１が加算される。この実施例では、初期姿勢１８１から最終予想姿勢１８４まで、最短経路１８５のベクトル群が共通変位ベクトルＶ（Ａ）とＶ（Ｂ）だけで構成されているが、一般的にはベクトル群を構成する共通変位ベクトルは、初期姿勢１８１が目標姿勢Ｏを原点とする直交座標上の第（１）象限から第（４）象限に存在する位置、また共通変位ベクトルの大きさ等によって決定される。
【００６６】
ブロック２２１では、予想姿勢登録レジスタに記憶されている第２の予想姿勢を最終予想姿勢１８４として設定する。ブロック２２１までの手順により最短経路１８５を構成するベクトル群から各照射位置に対するレーザ光の単位照射の照射回数が計算され、次にブロック２２３に移行する。ブロック２２３では、各照射回数累積レジスタＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄに記憶されている単位照射の照射回数だけ図７を参照して説明した要領で、対応する照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄにレーザ光を実際に照射する。
【００６７】
単位照射の照射回数に対するＰＳＡ、ＲＳＡの変化量は、各照射位置に対する照射回数だけに依存するので、最短経路１８５を形成したベクトル群に含まれる共通変位ベクトルの順番で単位照射をする必要はなく、ベクトル群に含まれる各共通変位ベクトルの個数に相当する回数の単位照射を対応する照射位置に行えば目標姿勢に向かって姿勢修正をすることができる。
【００６８】
ブロック２２５では、レーザ光を実際に照射した後のＨＧＡ１００の静的姿勢である照射後姿勢を測定し、目標姿勢Ｏの許容範囲に入っているか否かを判断する。照射後姿勢が目標姿勢の許容範囲に入っていればブロック２２９に移行して修正作業を終了する。図１１（Ａ）に示す実施例では、照射後姿勢１８６が目標姿勢Ｏの許容範囲から外れていることを示している。
【００６９】
ブロック２０１であらかじめ用意していた共通変位ベクトルが、姿勢修正にかかるＨＧＡに対するＰＳＡ、ＲＳＡの単位照射当たりの変位量を正確に代表していれば、ブロック２２５で測定した照射後姿勢１８６は最終予想姿勢１８４にほぼ等しくなり、目標姿勢Ｏの許容範囲に入るはずである。しかし実際には、ＨＧＡ１００を構成する材料の組成、厚さ、照射位置、レーザ光出力等の姿勢修正に影響を与える条件にバラツキがあり、照射後姿勢１８６が目標姿勢Ｏの許容範囲に入らない場合がある。磁気ディスク表面に対するヘッド／スライダの浮上高さが一層低くなり、目標姿勢Ｏの許容範囲が狭くなるほどこの傾向は強まる。
【００７０】
ブロック２２７で照射後姿勢１８６が目標姿勢Ｏの許容範囲に入らない場合にはブロック２３１に移行し、共通変位ベクトルを当該ＨＧＡに関するデータで修正して修正変位ベクトルを生成しベクトル・テーブルを更新する。修正変位ベクトルは、姿勢修正にかかるＨＧＡに対して実際に単位照射をして測定したＰＳＡ、ＲＳＡの変位量を反映する値であり、照射後姿勢１８６から目標姿勢Ｏまでの新たな最短経路のベクトル群を修正変位ベクトル、または修正変位ベクトルと共通変位ベクトルを使用して形成し、ベクトル群から計算した各照射位置に対する単位照射の照射回数のレーザ光を実際に照射すると、高い精度で目標姿勢Ｏの許容範囲内に姿勢修正をすることができるようになる。
【００７１】
図１１（Ａ）の実施例では、照射後姿勢１８６が第（２）象限にあり目標姿勢の許容範囲に到達していないので、初期姿勢１８１、最終予想姿勢１８４、および照射後姿勢１８６の各ＰＳＡ、ＲＳＡを使用して修正変位ベクトルを生成する。図１１（Ａ）に示すように、ブロック２２１では初期姿勢１８１に対して１６個の共通変位ベクトルＶ（Ａ）と６個の共通変位ベクトルＶ（Ｂ）を合成したベクトル群の終点位置として最終予想姿勢１８４が求まったのであるが、実際に照射位置Ａに１６回、照射位置Ｂに６回の単位照射をすると照射後姿勢１８６に修正されたので、照射位置Ａと照射位置Ｂにそれぞれ同じ回数の単位照射をしたときの最終予想姿勢が照射後姿勢１８６になるように共通変位ベクトルを修正して修正変位ベクトルを求める。
【００７２】
修正変位ベクトルは、共通変位ベクトルの成分であるＰＳＡとＲＳＡのそれぞれを修正して求める。共通変位ベクトルのＰＳＡ成分を修正するために、最初に初期姿勢１８１と照射後姿勢１８６とのＰＳＡの差Ｌ１（ＰＳＡ）と、初期姿勢１８１と最終予想姿勢１８４とのＰＳＡの差Ｌ（ＰＳＡ）の比の値Ｘ＝Ｌ１（ＰＳＡ）／Ｌ（ＰＳＡ）を計算する。次に初期姿勢１８１から最終予想姿勢１８４に至る最短経路１８５を構成するベクトル群に含まれる共通変位ベクトルＶ（Ａ）とＶ（Ｂ）の各ＰＳＡ成分に対して比の値Ｘを乗じて修正変位ベクトルＶ（Ａ）とＶ（Ｂ）の各ＰＳＡ成分を求める。
【００７３】
共通変位ベクトルのＲＳＡ成分の修正も同様に、最初に初期姿勢１８１と照射後姿勢１８６とのＲＳＡの差Ｌ１（ＲＳＡ）と、初期姿勢１８１と最終予想姿勢１８４とのＲＳＡの差Ｌ（ＲＳＡ）の比の値Ｙ＝Ｌ１（ＲＳＡ）／Ｌ（ＲＳＡ）を計算する。次に初期姿勢１８１から照射後姿勢１８６に至る最短経路のベクトル群の要素として選択した共通変位ベクトルＶ（Ａ）とＶ（Ｂ）の各ＲＳＡ成分に対して比の値Ｙを乗じて修正変位ベクトルＶ（Ａ）とＶ（Ｂ）の各ＲＳＡ成分を求める。
【００７４】
最終予想姿勢と照射後姿勢の差に基づいてレーザ光の出力を変更する方法も考えられるが、レーザ光の出力を変更すると安定するまでの時間を消費してしまう。これに対して本発明にかかる修正変位ベクトルを使って新たな最短経路のベクトル群を形成する方法では、レーザ光の出力を変更する必要がなく修正変位ベクトルの計算はコンピュータを使って短時間でできるので生産性が低下することもない。
【００７５】
共通変位ベクトルＶ（Ａ）とＶ（Ｂ）を修正して修正変位ベクトルｖ（Ａ）、ｖ（Ｂ）を求めた後、ベクトル・テーブルに記憶されていた共通変位ベクトルＶ（Ａ）、Ｖ（Ｂ）を修正変位ベクトルｖ（Ａ）、ｖ（Ｂ）で置換しベクトル・テーブルを更新する。更新されたベクトル・テーブルの内容は、修正変位ベクトルｖ（Ａ）、ｖ（Ｂ）と共通変位ベクトルＶ（Ｃ）、Ｖ（Ｄ）となる。修正変位ベクトルは、初期姿勢１８１から最終予想姿勢１８４までの最短経路１８５のベクトル群に含まれる共通変位ベクトルを修正して生成するので、更新されたベクトル・テーブルのいずれの共通変位ベクトルが修正変位ベクトルで置換されているかは、ベクトル群に含まれる共通変位ベクトルに依存する。一般には、２以上の共通変位ベクトルが修正される。
【００７６】
続いて、ブロック２３３では、ブロック２２５で測定した照射後姿勢１８６を初期姿勢に設定し、ブロック２０７に移行して新たな最終予想姿勢までの新たなベクトル群を形成してブロック２２７で照射後姿勢が目標姿勢に入るまで手順を繰り返す。このとき、ベクトル・テーブルに記憶された少なくとも２つの共通変位ベクトルは、ブロック２３１で修正変位ベクトルで置換されている。従って、ブロック２０７からブロック２１９までの手順を繰り返して形成する新たな最短経路のベクトル群は、修正変位ベクトル、または修正変位ベクトルと共通変位ベクトルを含む。
【００７７】
修正変位ベクトルｖ（Ａ）、ｖ（Ｂ）は、修正にかかるＨＧＡにレーザ光を単位照射したときの実際の静的姿勢の変位量から求めたものであるため、単位照射に対するＰＳＡ、ＲＳＡの実際の変位量の精度は高い。更新されたベクトル・テーブルには共通変位ベクトルと修正変位ベクトルが混在していたとしても、新たな最短経路の形成に修正変位ベクトルが使用されるとその分だけ新たな最終予想姿勢に対する新たな照射後姿勢の精度が向上し、目標姿勢の厳しい許容範囲に対しても静的姿勢の修正が可能になる。
【００７８】
ブロック２２７で２回目に測定した照射後姿勢が目標姿勢に入らない場合は、さらに修正変位ベクトルを生成する。このとき、２回目の最終予想姿勢までの最短経路に共通変位ベクトルＶ（Ｃ）またはＶ（Ｄ）が使用されていれば、これらも修正変位ベクトルｖ（Ｃ）、ｖ（Ｄ）に修正され、ベクトル・テーブルの記憶内容がこれらに置換される。このとき、修正変位ベクトルｖ（Ａ）またはｖ（Ｂ）が２回目の最終予想姿勢までの最短経路を構成している場合は、当該修正変位ベクトルはさらに修正しないで、２回目の最短経路を構成した共通変位ベクトルだけを修正してもよい。
【００７９】
次に、図１２および図１３のフローチャートを参照してＨＧＡ１００の静的姿勢を修正する他の方法を説明する。図８のフローチャートで示した修正方法は、初期姿勢１８１から最終予想姿勢までの最短経路を構成するベクトル群に含まれる共通変位ベクトルの個数を計算し、各照射位置に対応する共通変位ベクトルの個数に相当する単位照射をして、照射後姿勢１８６が目標姿勢の許容範囲に入らない場合に修正変位ベクトルを生成する。この方法では、最初の照射後姿勢が目標姿勢の許容範囲に入る可能性もあるが、初期姿勢から目標姿勢までの距離が長いような場合に共通変位ベクトルを使用して計算した単位照射の照射回数が多くなる。その結果、最初の照射後姿勢と最終予想姿勢とのずれが多くなり、修正変位ベクトルを使用して計算した単位照射の照射回数も含めた全照射回数が多くなる可能性がある。
【００８０】
図１２および図１３に示す修正方法では、修正にかかるＨＧＡ１００に対して、最短経路の途中に、例えば図１１（Ａ）のあるベクトルの終点に中間予想姿勢１８７を設定し、中間予想姿勢までの最短経路を構成するベクトル群に含まれる共通変位ベクトルの個数に相当する照射回数だけ各照射位置に単位照射をする。その後に照射後姿勢を測定して修正変位ベクトルを生成してベクトル・テーブルを更新し、中間予想姿勢１８７から最終予想姿勢までの新たな最短経路のベクトル群を更新したベクトル・テーブルに記憶された修正変位ベクトル、または修正変位ベクトルおよび共通変位ベクトルを使用して形成する。
【００８１】
図１２のブロック４０１から４１５までは図８のブロック２０１からブロック２１５までと同一手順である。ブロック４１７では、照射回数設定レジスタの値がｎ＝Ｎかどうかを判断する。Ｎは４カ所の照射位置に対する単位照射の合計照射回数についてあらかじめ設定した整数値である。Ｎは初期姿勢から中間予想姿勢までの最短経路を構成する共通変位ベクトルの総個数でもある。
【００８２】
Ｎは、ブロック４１３においてその時点で予想姿勢登録レジスタに記憶されている第２の予想姿勢または中間予想姿勢が目標姿勢の許容範囲から外れてもよく、目標姿勢の許容範囲までの最短経路を構成するベクトル群に含まれる共通変位ベクトルの全個数の１／２〜１／３程度の少ない個数を設定する。ブロック４１７で合計照射回数ｎがＮになるとブロック４２１に移行し、予想姿勢登録レジスタに記憶された第２の予想姿勢の値を中間予想姿勢として設定する。ブロック４２３からブロック４２９までの手順は、図８のブロック２２３からブロック２２９までの手順と同一である。
【００８３】
ブロック４３１では、中間予想姿勢と照射後姿勢に基づいて図８のブロック２３１と同様に修正変位ベクトルを計算してベクトル・テーブルを更新する。修正変位ベクトルを求めるために、最初に初期姿勢と照射後姿勢との差と、初期姿勢と中間予想姿勢との差の比の値を計算する。比の値はＰＳＡとＲＳＡそれぞれについて計算する。次に初期姿勢から最終予想姿勢に至る最短経路を構成するベクトル群に含まれる共通変位ベクトルに対して各成分に対する比の値を乗じて求める。
【００８４】
続いて図１３のブロック５０５に移行する。ブロック５０５からブロック５３３までは、図８のブロック２０５からブロック２３３までの手順と同一であるが、ブロック５１３で第２の予想姿勢を選択するためにブロック４３１で更新したベクトル・テーブルを使用する。この結果、初期姿勢から中間予想姿勢までの最短経路のベクトル群は共通変位ベクトルで構成され、中間予想姿勢から最終予想姿勢までの新たな最短経路のベクトル群は、修正変位ベクトル、または修正変位ベクトルと共通変位ベクトルで構成される。
【００８５】
図１２、図１３に示した手順では、中間予想姿勢までのベクトル群に含まれる共通変位ベクトルに基づいて各照射位置に対する照射回数を決定し、実際のレーザ光の照射を行ってベクトル・テーブルを更新し、さらに更新したベクトル・テーブルを使用して精度の高い最短経路を形成して姿勢修正をすることができる。従って、目標姿勢の許容範囲が狭くて、図８で示した手順では１回目の実際の照射で照射後姿勢が目標姿勢の範囲に入らないような場合は、図１２、図１３の手順の方が照射回数の合計を少なくすることができる。なお、ＨＳＡが複数のＨＧＡを含んで構成される場合は、それぞれのＨＧＡについて図８、図１２、図１３に示した手順で姿勢修正を行う。
【００８６】
図１４は、レーザ光の照射によるＨＧＡの姿勢を修正する姿勢修正システムの概略ブロック図である。コンピュータ３５１は、照射回数設定レジスタ、照射回数累積レジスタ、および予想姿勢登録レジスタまたはこれらに代わる記憶領域を備え、図８、図１２、図１３で説明した手順を実行するプログラムおよび図１６で説明したベクトル・テーブルを格納して、初期姿勢から目標姿勢の許容範囲までの最短経路を構成するベクトル群を計算する。また、コンピュータ３５１は、姿勢修正にかかるＨＧＡの静的姿勢の実測値を記憶したり、ＨＧＡの状態をモニターしたりして、システム全体の動作を制御する。
【００８７】
レーザ発信器３５３は、内部に光学レンズ機構を備えＹＡＧなどの半導体レーザを用いて放射したレーザ・パルスの光束を平行化してハーフ・ミラー３５７に向けて出射する。ハーフ・ミラー３５７は、レーザ・パルスを９０度曲折させてガルバノ・ミラー装置３５９、３６１に送る。ガルバノ・ミラー装置３５９、３６１は、コンピュータ３５１で動作が制御され、レーザ・パルスをＨＧＡに対するＸ方向とＹ方向に走査する。対物レンズ３６３は、ガルバノ・ミラー装置３５９、３６１から受けとったレーザ・パルスがＨＧＡの照射位置の表面上で所定のスポット径になるように焦点距離を調整する。
【００８８】
レーザ変位計３６５、３６７はレーザ光線をＨＧＡに照射してＨＧＡの静的姿勢を計測し、データをコンピュータ３５１に送る。Ｘ−Ｙステージ３６９はＨＧＡの固定機構を備え、対物レンズ３６３からのレーザ・ビームをＨＧＡに照射することができる位置まで移動する。Ｘ−Ｙステージ３６９のＨＧＡ固定機構は、ＨＧＡの対物レンズ３６３に対する面を反転して、ＨＧＡを取り外すことなく図３で説明した照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対するレーザ・ビームの照射を可能にする。光電変換機構３５５は、ＨＧＡ表面で反射した光信号を対物レンズ３６３、ガルバノ・ミラー装置３６１、３５９、ハーフ・ミラー３５７を通じて受け取り、電気信号に変換してコンピュータ３５１に送る。
【００８９】
光電変換機構３５５からＨＧＡ表面の画像情報を受けとったコンピュータ３５１は、ヘッド／スライダまたはディンプルの位置を基準にして各照射位置における単位照射の位置を計算し、レーザ・ビームを正しくビームの列に位置づけるようにガルバノ・ミラー装置を制御する。コンピュータ３５１は、さらに、ＨＧＡの姿勢修正をしている間、レーザ・ビームの照射状態やＨＧＡの表面状態を監視する。
【００９０】
図１５は、他の構造のフレキシャ・アセンブリに対する照射位置を説明する図である。図１５のフレキシャ・アセンブリ３０１では、１対のアーム３０５ａ、３０５ｂでフレキシャ・タング３０３を支持している。照射位置Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは、ＤＣＰを通過してフレキシャ・アセンブリの長手方向の軸に垂直な垂直線３０９が、アーム部３０５ａ、３０５ｂと交差する位置付近に選定する。照射位置Ｃ、Ｂは、ヘッド／スライダ取り付け面側に設け、照射位置Ａ、Ｄは、アーム部３０５ａ、３０５ｂの照射位置Ｃ、Ｂに対応する裏側の面に設ける。フレキシャ・アセンブリ上に設定する照射位置の場所、面積、および数等は、本明細書の実施例に限定するものではなく、ＨＧＡの構造に最適になるように様々選定することができる。
【００９１】
つぎに図１７のフローチャートを参照して、本発明の実施の形態にかかる磁気ディスク装置１０の製造方法について説明する。ブロック４０１で製造を開始し、ブロック４０３では、ベース１１、磁気ディスク１５、フレキシャ・アセンブリ１０１、ヘッド／スライダ１５１、ロード・ビーム７５ａ、７５ｂ、キャリッジ２３、スピンドル・モータ、ＶＣＭなどを個別に製造する。ブロック４０５では、ヘッド／スライダ１５１、フレキシャ・アセンブリ１０１、ロード・ビーム７５ａ、７５ｂ、およびヒンジ７７を組み立ててＨＧＡ１００を製作する。ブロック４０７では、上述した本発明の実施の形態にかかる手順でＨＧＡ１００の静的姿勢の修正を行う。
【００９２】
ブロック４０９では、静的姿勢の修正が終わったＨＧＡ１００をキャリッジ２３のアクチュエータ・アームにスエージ加工で固定してＨＳＡ１３を製作する。通常、キャリッジ２３には複数のＨＧＡが取り付けられるが、この場合、各ＨＧＡについて静的姿勢の修正が完了している必要がある。ブロック４１１では、ベース１１にスピンドル・モータ、磁気ディスク１５、ランプ１７、ＶＣＭのマグネット、およびＨＳＡ１３などを組み込んで、ベース・カバーで覆いヘッド・ディスク・アセンブリ（以下、ＨＤＡという。）を製作する。ブロック４１３では、ＨＤＡの外部に半導体素子を実装した回路基板を取り付けて磁気ディスク装置１０を製作する。ブロック４１５では、磁気ディスク１５にサーボ・データを書き込んだり、ヘッドやチャネルのパラメータを設定したり、磁気ディスク１５の欠陥登録をしたりする各種機能試験を行い、ブロック４１７で磁気ディスク装置１０の製造が完了する。
【００９３】
これまで本発明について図面に示した特定の実施の形態をもって説明してきたが、本発明は図面に示した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する限り、これまで知られたいかなる構成であっても採用することができることはいうまでもないことである。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
磁気ディスク装置のサスペンションの姿勢制御全般に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施の形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るＨＧＡの構成を説明する斜視図である。
【図３】サスペンション・アセンブリの構造を説明するための図である。
【図４】ヘッド／スライダ取り付け方向から見たフレキシャ・アセンブリの先端側の拡大図である。
【図５】ＨＧＡ１００の先端側の側面図である。
【図６】ＨＧＡの静的姿勢を説明する図である。
【図７】照射位置におけるレーザ光の照射方法を説明する図である。
【図８】レーザ光の照射位置と照射量を決定してＨＧＡの静的姿勢を修正する方法を示すフローチャートである。
【図９】各照射位置に対するレーザの照射量とＨＧＡの静的姿勢の変化に関する実測データである。
【図１０】各照射位置にレーザ光を単位照射したときの共通変位ベクトルを説明する図である。
【図１１】最短経路を構成するように形成したベクトル群を説明する図である。
【図１２】ＨＧＡの静的姿勢を修正する他の方法を説明するフローチャートの一部である。
【図１３】ＨＧＡの静的姿勢を修正する他の方法を説明するフローチャートの一部である。
【図１４】ＨＧＡの静的姿勢の修正システムの概略ブロック図である。
【図１５】他の構造のフレキシャ・アセンブリの照射位置を説明する図である。
【図１６】ベクトル・テーブルの例を示す図である。
【図１７】磁気ディスク装置の製造方法を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００９６】
１００  ヘッド・ジンバル・アセンブリ（ＨＧＡ）
１０１  フレキシャ・アセンブリ
１０３  サスペンション・アセンブリ
１０５  配線パターン
１０７  フレキシャ・タング
１５１  ヘッド／スライダ
１８１  初期姿勢
１８４  最終予想姿勢
１８５  最短経路
１８６  照射後姿勢
１８７  中間予想姿勢
【図１】
2006085790.tif 000003
【図２】
2006085790.tif 000004
【図３】
2006085790.tif 000005
【図４】
2006085790.tif 000006
【図５】
2006085790.tif 000007
【図６】
2006085790.tif 000008
【図７】
2006085790.tif 000009
【図８】
2006085790.tif 000010
【図９】
2006085790.tif 000011
【図１０】
2006085790.tif 000012
【図１１】
2006085790.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2006085790.tif 000015
【図１４】
2006085790.tif 000016
【図１５】
2006085790.tif 000017
【図１６】
2006085790.tif 000018
【図１７】
2006085790.tif 000019