(57)【要約】【課題】  本発明は、薄膜蒸着方法を提供することにある。【解決手段】  チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａとチャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行う。第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２は、第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂの進行中に行われ、かつ第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１２ａを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内の基板上に薄膜を蒸着させる方法であって、
前記チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階（Ｓ１２）の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ）と前記基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）とからなるサイクルを繰り返し行い、
前記第２反応ガス連続供給段階（Ｓ１２）は、前記第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）の進行中に行われ、かつ前記第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階（Ｓ１２ａ）を含むことを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項２】
チャンバ内の基板上に薄膜を蒸着させる方法であって、
前記チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階（Ｓ１２）と、前記基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階（Ｓ１４）とを同時に行い、
前記第２反応ガス連続供給段階（Ｓ１２）の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ）と前記基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）とからなるサイクルを繰り返し行い、
前記第２反応ガス連続供給段階（Ｓ１２）は、前記第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）の進行中に行われ、かつ前記第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階（Ｓ１２ａ）を含み、
前記パージガス連続供給段階（Ｓ１４）は、前記第２反応ガスのインパルス供給の終了後に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ’）の開始と同時に終了し、かつ前記パージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階（Ｓ１４ａ）を含むことを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項３】
チャンバ内の基板上に薄膜を蒸着させる方法であって、
前記チャンバ内に第２反応ガスを不連続的に供給する第２反応ガス不連続供給段階（Ｓ１１２）と、前記基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階（Ｓ１４）とを同時に行い、
前記第２反応ガス不連続供給段階（Ｓ１１２）の進行中に、前記第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ）と前記基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）とからなるサイクルを繰り返し行い、
前記第２反応ガス不連続供給段階（Ｓ１１２）は、前記第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）の進行中に行われ、かつ前記第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階（Ｓ１１２ａ）と、前記第２反応ガスインパルス供給段階（Ｓ１１２ａ）の終了後に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ’）の開始と同時に終了する第２反応ガス停止段階（Ｓ１１２ｂ）とを含み、
前記パージガス連続供給段階（Ｓ１４）は、前記第２反応ガス停止段階（Ｓ１１２ｂ）と同時に進行し、かつ前記パージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階（Ｓ１４ａ）を含むことを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項４】
チャンバ内の基板上に薄膜を蒸着させる方法であって、
前記チャンバ内に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ）と、前記基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）と、前記第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給段階（Ｓ１２ａ）と、前記基板上に吸着された第１反応ガスと反応しない第２反応ガス、又は反応して生成された副産物をパージする第２反応ガスパージ段階（Ｓ１２ｂ）とからなるサイクルを繰り返し行い、
前記サイクルの進行中に、前記基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階（Ｓ１４）をさらに行い、
前記パージガス連続供給段階（Ｓ１４）は、前記第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ）の終了後から第２反応ガス供給段階（Ｓ１２ａ）が開始されるまで行われ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階（Ｓ１４ａ）を含むことを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項５】
チャンバ内の基板上に薄膜を蒸着させる方法であって、
前記チャンバ内に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ）と、前記基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階（Ｓ１３ｂ）と、第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給段階（Ｓ１２ａ）と、前記基板上に吸着された第１反応ガスと反応しない第２反応ガス、又は反応して生成された副産物をパージする第２反応ガスパージ段階（Ｓ１２ｂ）とからなるサイクルを繰り返し行い、そのサイクルの進行中に、前記基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階（Ｓ１４）を行い、
前記パージガス連続供給段階（Ｓ１４）は、前記第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ）の終了後から第２反応ガス供給段階（Ｓ１２ａ）が開始されるまで行われ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第１パージガスインパルス供給段階（Ｓ１４ａ）と、前記第２反応ガス供給段階（Ｓ１２ａ）の終了後から次のサイクルの第１反応ガス供給段階（Ｓ１３ａ’）が開始されるまで行なわれ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２パージガスインパルス供給段階（Ｓ１４ｂ）とを含むことを特徴とする薄膜蒸着方法。
【請求項６】
前記第１反応ガスは、金属元素を含む前駆体液体原料が気化した蒸気、又は高圧ガスとして充填された容器から放出されるガスであり、前記第２反応ガスは、Ｈ元素を含む反応ガスであって、前記薄膜は、前記金属元素を含む薄膜であることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の薄膜蒸着方法。
【請求項７】
前記薄膜は、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、又はＲｕのうち何れか一つからなることを特徴とする請求項６に記載の薄膜蒸着方法。
【請求項８】
前記第１反応ガスは、金属元素を含む前駆体液体原料が気化した蒸気、又は高圧ガスとして充填された容器から放出されるガスであり、前記第２反応ガスは、Ｎ元素を含む反応ガスであって、前記薄膜は、前記金属元素を含む窒化金属からなることを特徴とする請求項１〜請求項５のうち何れか一項に記載の薄膜蒸着方法。
【請求項９】
前記窒化金属は、ＴｉＮ、ＷＮ、又はＴａＮのうち何れか一つであることを特徴とする請求項８に記載の薄膜蒸着方法
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インパルス供給を用いて基板上に膜を蒸着させる薄膜蒸着方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、半導体業界では、配線幅の超微細化と共に薄膜蒸着温度の低温化が進み、それに伴い、多くの半導体製造工程において、ＡＬＤ(Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ)法が広く使用されている。
【０００３】
しかしながら、ＴｉＮ，Ｔｉ等の金属から薄膜を形成する場合、二種類の反応ガスを交互にパルスで供給し、各パルス間にガスパージを行う従来のＡＬＤ方法が有効でない場合がある。例えば、枚葉式ＡＬＤ方法によりＴｉＮ膜を蒸着する場合、薄膜の純度や段差被覆性が高くなる一方、生産性が低くなるという問題が生じる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、従来のＡＬＤ方法を用いて、基板上に薄膜を速やかに蒸着させると共に、薄膜の純度を向上させることが可能な薄膜蒸着方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記の目的を達成するために、本発明による薄膜蒸着方法の第１実施形態は、チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａとチャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行い、前記第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２は、前記第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂの進行中に行われ、かつ前記第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１２ａを含むことを特徴とする。
【０００６】
本発明による薄膜蒸着方法の第２実施形態は、チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２と、前記チャンバ内の基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４とを同時に行い、前記第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと前記基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行い、前記第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２は、前記第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂの進行中に行われ、かつ前記第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１２ａを含み、前記パージガス連続供給段階Ｓ１４は、前記第２反応ガスのインパルス供給の終了後に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’の開始と同時に終了し、かつ前記パージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含むことを特徴とする。
【０００７】
本発明による薄膜蒸着方法の第３実施形態は、チャンバ内に第２反応ガスを不連続的に供給する第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２と、前記チャンバ内の基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４とを同時に行い、前記第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２の進行中に、前記第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと前記基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行い、前記第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２は、前記第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂの進行中に行われ、かつ前記第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１１２ａと、前記第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１１２ａの終了後に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’の開始と同時に終了する第２反応ガス停止段階Ｓ１１２ｂとを含み、前記パージガス連続供給段階Ｓ１４は、前記第２反応ガス停止段階Ｓ１１２ｂと同時に進行し、かつ前記パージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明による薄膜蒸着方法の第４実施形態は、チャンバ内に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと、前記チャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂと、前記第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａと、前記基板上に吸着された第１反応ガスと反応しない第２反応ガス、又は反応して生成された副産物をパージする第２反応ガスパージ段階Ｓ１２ｂとからなるサイクルを繰り返し行い、前記サイクルの進行中に、前記基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４をさらに行い、前記パージガス連続供給段階Ｓ１４は、前記第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａの終了後から第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａが開始されるまで行われ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明による薄膜蒸着方法の第５実施形態は、チャンバ内に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと、前記チャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂと、前記第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａと、前記基板上に吸着された第１反応ガスと反応しない第２反応ガス、又は反応して生成された副産物をパージする第２反応ガスパージ段階Ｓ１２ｂとからなるサイクルを繰り返し行い、そのサイクルの進行中に、前記基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４を行い、前記パージガス連続供給段階Ｓ１４は、前記第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａの終了後から第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａが開始されるまで行われ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第１パージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａと、前記第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａの終了後から次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’が開始されるまで行なわれ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２パージガスインパルス供給段階Ｓ１４ｂとを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明による薄膜蒸着方法によれば、第２反応ガス又はパージガスを供給する際、それらの基本流量よりも多い流量でインパルス供給することにより、薄膜の蒸着速度及びその膜特性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の薄膜蒸着方法について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、薄膜蒸着方法の第１実施形態を示す工程図である。
第１実施形態では、チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａとチャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行う。
【００１２】
第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２は、第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂ中の進行中に行われ、かつ第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１２ａを含む。
【００１３】
図２は、薄膜蒸着方法の第２実施形態を示す工程図である。
第２実施形態では、チャンバ内に第２反応ガスを連続的に供給する第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２と、チャンバ内の基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４とを同時に行い、第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行う。
【００１４】
第２反応ガス連続供給段階Ｓ１２は、第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂの進行中に行われ、かつ第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１２ａを含む。
【００１５】
また、パージガス連続供給段階Ｓ１４は、第２反応ガスのインパルス供給の終了後に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’の開始と同時に終了し、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含む。
【００１６】
すなわち、第２実施形態は、第１実施形態と異なり、パージガス連続供給段階Ｓ１４を含む。そして、そのパージガス連続供給段階Ｓ１４は、第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１２ａの終了と同時に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’の開始と同時に終了するパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含む。
【００１７】
図３は、薄膜蒸着方法の第３実施形態を示す工程図である。
第３実施形態では、チャンバ内に第２反応ガスを不連続的に供給する第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２と、チャンバ内の基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４とを同時に行い、第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２の進行中に、第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂとからなるサイクルを繰り返し行う。
【００１８】
第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２は、第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂの進行中に行われ、かつ第２反応ガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１１２ａと、第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１１２ａの終了後に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’の開始と同時に終了する第２反応ガス停止段階Ｓ１１２ｂとを含む。
【００１９】
また、パージガス連続供給段階Ｓ１４は、第２反応ガス停止段階Ｓ１１２ｂと同時に進行し、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含む。
【００２０】
すなわち、第３実施形態は、第２実施形態と異なり、第２反応ガスが不連続的に供給される第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２を含む。そして、その第２反応ガス不連続供給段階Ｓ１１２は、第２反応ガスインパルス供給段階Ｓ１１２ａと第２反応ガス停止段階Ｓ１１２ｂとを含む。また、パージガス連続供給段階Ｓ１４は、第２反応ガス停止段階Ｓ１１２ｂと同時に進行するパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含む。
【００２１】
図４は、薄膜蒸着方法の第４実施形態を示す工程図である。
第４実施形態では、チャンバ内に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと、チャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂと、第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａと、基板上に吸着された第１反応ガスと反応しない第２反応ガス、又は反応して生成された副産物としてのガスをパージする第２反応ガスパージ段階Ｓ１２ｂとからなるサイクルを繰り返し行われ、そのサイクルの進行中に、基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４を行う。
【００２２】
パージガス連続供給段階Ｓ１４は、第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａの終了後から第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａが開始されるまで行われ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給されるパージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａを含む。
【００２３】
図５は、薄膜蒸着方法の第５実施形態を示す工程図である。
第５実施形態では、チャンバ内に第１反応ガスを供給する第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａと、チャンバ内の基板に吸着されない第１反応ガスをパージする第１反応ガスパージ段階Ｓ１３ｂと、第２反応ガスを供給する第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａと、基板上に吸着された第１反応ガスと反応しない第２反応ガス、又は反応して生成された副産物をパージする第２反応ガスパージ段階Ｓ１２ｂとからなるサイクルを繰り返し行い、そのサイクルの進行中に、基板上にパージガスを連続的に供給するパージガス連続供給段階Ｓ１４を行う。
【００２４】
パージガス連続供給段階Ｓ１４は、第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａの終了後から第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａが開始されるまで行われ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第１パージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａと、第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａの終了後に開始されて次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’が開始されるまで行われ、かつパージガスがその基本流量よりも多い流量でインパルス供給される第２パージガスインパルス供給段階Ｓ１４ｂとを含む。
【００２５】
すなわち、第５実施形態は、第４実施形態と異なり、パージガス連続供給段階Ｓ１４が第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａの終了後から第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａが開始されるまで行われる第１パージガスインパルス供給段階Ｓ１４ａと、第２反応ガス供給段階Ｓ１２ａの終了後から次のサイクルの第１反応ガス供給段階Ｓ１３ａ’が開始されるまで行われる第２パージガスインパルス供給段階Ｓ１４ｂとを含む。
【００２６】
本発明に係る薄膜蒸着方法によれば、従来のＡＬＤ方法とは異なる３つの側面を有しており、それらによって、蒸着速度を高くすることができ、また、段差被覆性及び純度などの膜特性を向上させることもできる。
【００２７】
これら３つの側面として、第一に、本発明の薄膜蒸着方法は、第２反応ガスを不連続的に供給する従来のＡＬＤ方法とは異なり、第２反応ガスを連続的にも供給する点が挙げられる。第二に、パージガスを連続的に供給することに限定されず、不連続的に供給する点が挙げられる。第三に、第２反応ガスやパージガスを供給する際、任意の基本流量を保ちながらガス供給を行い、その途中で、多量のガスを供給するインパルス供給を行う点が挙げられる。これら３つの側面によって、薄膜を蒸着させる過程で、基板上に存在する未反応ガスや副産物としてのガスを流動させて基板上から取り除くことができる。そのため、基板上に吸着される第１反応ガスの密度が高くなり、熱分解置換反応を促進させることが可能になる。
【００２８】
以上、上記各実施形態において、第１反応ガスは、金属元素を含む前駆体液体原料が気化した蒸気、又は高圧ガスの状態で充填された容器から放出されるガスであり、第２反応ガスは、Ｈ元素を含む反応ガスである。このような第１、２反応ガスを蒸着させて形成される薄膜は、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｒｕ等の金属からなる。
【００２９】
それとは別に、第１反応ガスは、金属元素を含む前駆体液体原料が気化した蒸気、又は高圧ガスの状態で充填された容器から放出されるガスであり、第２反応ガスは、Ｎ元素を含む反応ガスであってもよい。この場合、第１、２反応ガスを蒸着させて形成される薄膜は、ＴｉＮ、ＷＮ、ＴａＮ等の窒化金属からなる。例えば、ＴｉＮ薄膜を蒸着するための第１反応ガスとして、ＴｉＣｌ４、ＴＥＭＡＴｉ、又はＴＤＭＡＴｉが使用され、第２反応ガスとしてＮＨ３が使用される。
【００３０】
また、薄膜の種類及びチャンバの設計などにより異なるが、チャンバ内の圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒ範囲に設定し、基板の温度を６００℃以下に設定した状態で、薄膜の蒸着が行われる。
【００３１】
本発明を、図面に示す実施形態を参照して説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者にとって、これらの多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であることは明らかである。したがって、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲により決定されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
本発明は、薄膜を蒸着する方法に関連する技術分野であれば任意の分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】薄膜蒸着方法の第１実施形態を示す工程図。
【図２】薄膜蒸着方法の第２実施形態を示す工程図。
【図３】薄膜蒸着方法の第３実施形態を示す工程図。
【図４】薄膜蒸着方法の第４実施形態を示す工程図。
【図５】薄膜蒸着方法の第５実施形態を示す工程図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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