(57)【要約】【課題】  着弾した液滴の乾燥するタイミングを早くして、パターンのサイズを制御した液滴吐出装置を提供する。【解決手段】  基板２を搬送する基板ステージに基板２から離間する反射面２４Ｒを設け、入射角θｉで基板２にレーザ光Ｂ１を出射し、基板２を透過したレーザ光Ｂ１を反射面２４Ｒで反射させ、反射面２４Ｒの反射したレーザ光Ｂ１を、照射角θｄで着弾位置Ｐａに照射するようにした。そして、反射面２４Ｒから照射するレーザ光Ｂ１の照射方向を基板２（裏面２ｂ）の法線方向（Ｚ矢印方向）に近づけるようにした。【選択図】      図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吐出口から基板の被吐出面に向かって液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、前記液滴を乾燥するためのレーザ光を出力するレーザ出力手段とを備えた液滴吐出装置において、
前記レーザ出力手段から出力されて前記基板を透過したレーザ光を、前記基板に対して前記液滴吐出ヘッドとは反対側の位置で反射し、反射したレーザ光を、着弾した前記液滴の領域に照射する反射手段を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液滴吐出装置において、
前記反射手段は、反射した前記レーザ光の光路を、前記基板の略法線方向にすることを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液滴吐出装置において、
前記反射手段は、前記基板を載置するステージに備えられたこと特徴とする液滴吐出装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記反射手段は、前記基板から離間した位置で前記レーザ光を反射することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記レーザ出力手段は、着弾した前記液滴の領域で、所定のビーム径となるレーザ光を出力することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の液滴吐出装置において、
前記レーザ出力手段は、着弾した前記液滴の領域までの光路上に非照射物が無いときにのみレーザ光を出力することを特徴とする液滴吐出装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液滴吐出装置において、
前記基板に対する前記非照射物の相対位置を検出する非照射位置検出手段と、
前記非照射位置検出手段の検出信号に基づいて、前記光路上に前記非照射物が無いときにのみ前記レーザ出力手段を駆動制御するレーザ駆動制御手段と、
を備えたことを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液滴吐出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）等の電気光学装置には、画像を表示するための透明ガラス基板（以下単に、基板という。）が備えられている。この種の基板には、品質管理や製造管理を目的として、その製造元や製品番号等の製造情報をコード化した識別コード（例えば、２次元コード）が形成されている。こうした識別コードは、選択したデータセルに、パターンとしてのコードパターン（例えば、有色の薄膜や凹部等）を備え、コードパターンの有無によって製造情報をコード化している。
【０００３】
その識別コードの形成方法には、金属箔にレーザ光を照射してコードパターンをスパッタ成膜するレーザスパッタ法や、研磨材を含んだ水を基板等に噴射してコードパターンを刻印するウォータージェット法が提案されている（特許文献１、特許文献２）。
【０００４】
しかし、レーザスパッタ法では、所望するサイズのコードパターンを得るために、金属箔と基板の間隙を、数〜数十μｍの距離に調整しなければならない。そのため、基板及び金属箔の表面に、極めて高い精度の平坦性が要求され、しかも、これらの間隙をμｍオーダの精度で調整しなければならない。その結果、識別コードを形成できる対象基板が制限されて、汎用性を損なう問題があった。また、ウォータージェット法では、基板の刻印時に、水や塵埃、研磨剤等が飛散するため、処理基板を汚染する問題があった。
【０００５】
近年、こうした生産上の問題を解消する方法として、インクジェット法が注目されている。インクジェット法は、金属微粒子を分散させた機能液の微小液滴を液滴吐出装置から吐出し、その液滴を乾燥させることによってコードパターンを形成する。そのため、識別コードを形成する基板の対象範囲を拡大することができ、基板の汚染等を回避して識別コードを形成することができる。
【特許文献１】特開平１１−７７３４０号公報
【特許文献２】特開２００３−１２７５３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、インクジェット法では、基板に着弾した微小液滴を乾燥することによってコードパターンを形成するために、基板の表面状態や微小液滴の表面張力等に応じて、以下の問題を招いていた。すなわち、着弾した微小液滴が過剰に濡れ広がって対応するデータセルから食み出すと、選択したデータセル以外のデータセルにまで、コードパターンが形成される。その結果、データセルから食み出したコードパターンが、基板情報を誤って読み取らせる、若しくは識別コードの読み取りを不能にする問題があった。
【０００７】
こうした問題は、着弾時の微小液滴に対してレーザ光を照射し、その微小液滴を瞬時に乾燥させることによって回避可能と考えられる。しかし、図１７に示すように、一般的に、微小液滴Ｆｂを吐出する吐出ヘッド９０には、機能液Ｆの流路９１や、同機能液Ｆを貯留するためのキャビティ９２、さらには同キャビティ９２内の機能液Ｆを加圧するための加圧手段９３等が備えられる。そして、これら各構成要素のレイアウトや加工性によって、微小液滴Ｆｂを吐出する吐出口９４の配設位置が、液滴吐出ヘッド９０の中央位置近傍に制約されている。
【０００８】
そのため、吐出口９４が液滴吐出ヘッド９０の中央位置近傍に形成される分だけ、微小液滴Ｆｂの着弾する位置（着弾位置Ｐａ）は、レーザヘッド９６（レーザ光Ｂ１）の照射位置Ｐｂから離間するようになる。その結果、これら着弾位置Ｐａと照射位置Ｐｂとの間の距離の分だけ、レーザ光Ｂ１を照射するタイミングが遅くなり、微小液滴Ｆｂを過剰に濡れ広がらせる問題を招く。
【０００９】
一方、こうしたレーザ光Ｂ１の照射タイミングは、図１８に示すように、基板９５と吐出ヘッド９０の間隙にレーザ光Ｂ１を出射し、照射位置Ｐｂを着弾位置Ｐａに近接させることによって早くできると考えられる。しかし、吐出ヘッド９０と基板９５との間の間隙は、着弾位置Ｐａの位置精度を確保するために、一般的に、ｍｍオーダの距離で制御されている。そのため、前記間隙からの照射では、微小液滴Ｆｂに対するレーザ光Ｂ１の照射角θdを極度に浅くする必要があり、微小液滴Ｆｂを乾燥させるために必要なレーザ光Ｂ
１の強度を確保することができなくなる。
【００１０】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、着弾した液滴の乾燥するタイミングを早くして、パターンのサイズを制御した液滴吐出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の液滴吐出装置は、吐出口から基板の被吐出面に向かって液滴を吐出する液滴吐出ヘッドと、前記液滴を乾燥するためのレーザ光を出力するレーザ出力手段とを備えた液滴吐出装置において、前記レーザ出力手段から出力されて前記基板を透過したレーザ光を、前記基板に対して前記液滴吐出ヘッドとは反対側の位置で反射し、反射したレーザ光を、着弾した前記液滴の領域に照射する反射手段を備えた。
【００１２】
本発明の液滴吐出装置によれば、液滴吐出ヘッドに遮蔽されることなく、着弾した液滴の領域に、レーザ光を照射することができ、その照射方向の範囲を拡大することができる。その結果、液滴を乾燥するために必要な強度のレーザ光を、液滴の着弾時に対応したタイミングで照射することができる。従って、液滴の濡れ広がり等を回避して、パターンのサイズを所望のサイズに制御することである。
【００１３】
この液滴吐出装置において、前記反射手段は、反射した前記レーザ光の光路を、前記基板の略法線方向にするようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、反射したレーザ光の光路の方向、すなわち照射方向を基板の略法線方向にする分だけ、着弾した液滴の領域で、レーザ光の強度を維持することができる。
【００１４】
この液滴吐出装置において、前記反射手段は、前記基板を載置するステージであってもよい。
この液滴吐出装置によれば、基板を載置するステージに反射手段を備えるため、反射手段に対する基板の位置決めを容易にすることができる。その結果、反射したレーザ光を、確実に所望位置に照射することができる。
【００１５】
この液滴吐出装置において、前記反射手段が、前記基板から離間した位置で前記レーザ光を反射するようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、基板から離間した位置で反射する分だけ、着弾した液滴の領域に照射するレーザ光の照射方向を、さらに被吐出面の法線方向に近づけることができる。その結果、パターンのサイズを、より高い精度で、所望のサイズに制御することである。
【００１６】
この液滴吐出装置において、前記レーザ出力手段は、着弾した前記液滴の領域で、所定のビーム径となるレーザ光を出力するようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、所望するパターンのサイズに相対した所定のビーム径でレーザ光を照射することにより、着弾した液滴の過剰な濡れ広がりを確実に回避することができる。
【００１７】
この液滴吐出装置において、前記レーザ出力手段は、着弾した前記液滴の領域までの光路上に非照射物が無いときにのみレーザ光を出力するようにしてもよい。
この液滴吐出装置によれば、非照射物（例えば、基板に形成された他のパターン等）を回避して、着弾した液滴の領域に、確実にレーザ光を照射することができる。
【００１８】
この液滴吐出装置において、前記基板に対する前記非照射物の相対位置を検出する非照射位置検出手段と、前記非照射位置検出手段の検出信号に基づいて、前記光路上に前記非照射物が無いときにのみ前記レーザ出力手段を駆動制御するレーザ駆動制御手段と、を備えるようにしてもよい。
【００１９】
この液滴吐出装置によれば、レーザ駆動制御手段が非照射位置検出手段の検出信号に基づいてレーザ出力手段を駆動制御するため、非照射物に対するレーザ光の照射を、より確実に回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図９に従って説明する。
まず、本発明の液滴吐出装置を使って形成された識別コードを有する液晶表示装置の表示モジュールについて説明する。図１は液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図、図２は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの正面図、図３は液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの側面図である。
【００２１】
図１において、液晶表示モジュール１は、四角形状に形成された光透過性の透明ガラス基板２（以下単に、基板２という。）を備えている。本実施形態では、図１において、基板２の長手方向（横方向）をＸ矢印方向とし、Ｘ矢印方向と直交する方向をＹ矢印方向とする。
【００２２】
基板２の表面２ａであって、その略中央位置には、液晶分子を封入した四角形状の表示部３が形成されている。その表示部３の外側には、走査線駆動回路４及びデータ線駆動回路５が形成されている。そして、液晶表示モジュール１は、これら走査線駆動回路４の供給する走査信号と、データ線駆動回路５の供給するデータ信号に基づいて、前記液晶分子の配向状態を制御する。そして、液晶表示モジュール１は、図示しない照明装置から照射された平面光を、液晶分子の配向状態で変調し、表示部３に、所望の画像を表示するようになっている。
【００２３】
基板２の裏面２ｂであって、その右側上隅には、該液晶表示モジュール１の識別コード１０が形成されている。識別コード１０は、図２に示すように、コード形成領域Ｓ内に形成される複数のパターンとしてのドットＤによって構成されている。コード形成領域Ｓは、基板２の反Ｘ矢印方向側端部から、所定の距離（コード離間距離Ｌ１）だけ離れた位置に形成され、図４に示すように、１６行×１６列からなる２５６個のデータセル（以下単に、セルＣという。）に均等に仮想分割されている。詳述すると、本実施形態におけるコード形成領域Ｓは、２．２４ｍｍ角の正方形の領域であって、一辺の長さが１４０μｍの正方形のセルＣに仮想分割されている。そして、１６行×１６列の各セルＣ内に、選択的
にドットＤが形成され、各セルＣ内のドットＤの有無によって、該液晶表示モジュール１の製品番号やロット番号等を識別可能にしている。
【００２４】
本実施形態では、このセルＣの一辺の長さをセル幅Ｒａという。また、この分割されたセルＣであって、ドットＤが形成されるセルＣを黒セルＣ１とし、セルＣ内にドットＤが形成されないセルＣを白セルＣ０という。また、図４において左側（Ｘ矢印方向側）から順に、１列目のセルＣ、２列目のセルＣ、・・・、１６列目のセルＣとし、図４において上側（Ｙ矢印方向側）から順に、１行目のセルＣ、２行目のセルＣ、・・・、１６行目のセルＣという。
【００２５】
黒セルＣ１に形成されたドットＤは、図２及び図３に示すように、基板２に半球状に密着して形成されている。このドットＤは、インクジェット法によって形成されている。
詳述すると、ドットＤは、後述する液滴吐出装置２０（図５参照）の吐出口としての吐出ノズルＮ（図８参照）から金属微粒子（例えば、ニッケル微粒子等）を含む微小液滴Ｆｂ（図８参照）をセルＣ（黒セルＣ１）に吐出させ、セルＣに着弾した微小液滴Ｆｂを乾燥し、金属微粒子を焼成させることによって形成されている。この乾燥・焼成は、基板２（黒セルＣ１）に着弾した微小液滴Ｆｂに、レーザ光Ｂ１（図８参照）を照射することによって行われる。
【００２６】
次に、前記識別コード１０を形成するために使用する液滴吐出装置２０について説明する。図５は、液滴吐出装置２０の構成を示す斜視図であり、図６は、図５におけるＡ−Ａに沿う概略断面図である。
【００２７】
図５において、液滴吐出装置２０には、直方体形状に形成される基台２１が備えられている。基台２１は、後述する基板ステージ２３に前記基板２を載置する状態で、その長手方向が、前記Ｘ矢印方向に沿うように形成されている。その基台２１の上面には、Ｘ矢印方向に延びる１対の案内凹溝２２が、Ｘ矢印方向全幅にわたり形成されている。
【００２８】
基台２１の上側には、前記案内凹溝２２に対応する図示しない直動機構を備えた基板ステージ２３が取付けられている。基板ステージ２３の直動機構は、例えば案内凹溝２２に沿ってＸ矢印方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸がステッピングモータよりなるＸ軸モータＭＸ（図９参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相対する駆動信号がＸ軸モータＭＸに入力されると、Ｘ軸モータＭＸが正転又は逆転して、基板ステージ２３が同ステップ数に相当する分だけ、Ｘ矢印方向に沿って所定の速度（搬送速度Ｖｘ）で往動又は復動する（Ｘ矢印方向に移動する）ようになっている。
【００２９】
本実施形態では、図５に示すように、最も反Ｘ矢印方向に位置する基台２１の配置位置を往動位置とし、最もＸ矢印方向の配置位置（図５に示す２点鎖線）を復動位置という。
基板ステージ２３の上面には、図６に示すように、凹部２４が形成されている。凹部２４は、上側から見て、基板２よりも若干小さいサイズの四角形状に形成され、その底面には、後述するレーザ光Ｂ１（図８参照）を全反射する反射手段としての反射面２４Ｒが形成されている。そして、基板ステージ２３の上面にこの凹部２４が形成されることによって、凹部２４の外周に、四角枠状の載置部２４ａが形成されている。その載置部２４ａには、図示しない吸引式の基板チャック機構が設けられている。
【００３０】
そして、基板２が、その裏面２ｂ（コード形成領域Ｓ）を上側にして載置部２４ａに載置されると、載置部２４ａは、基板２の裏面２ｂを、前記反射面２４Ｒと平行にして位置決め固定し、その裏面２ｂを、反射面２４Ｒから所定の距離（凹部２４の深さ分）だけ離間させるようになっている。
【００３１】
尚、この際、載置部２４ａに位置決めされる裏面２ｂは、１列目のセルＣが、最もＸ矢印方向側（復動位置側）となるように配置される。
基台２１のＹ矢印方向両側には、一対の支持台２５a、２５ｂが立設され、その一対の
支持台２５a、２５ｂには、Ｙ矢印方向に延びる案内部材２６が架設されている。案内部
材２６は、その長手方向の幅が基板ステージ２３のＹ矢印方向の幅よりも長く形成され、その一端が支持台２５a側に張り出すように配置されている。この支持台２５ａの張り出
した部分の直下には、後述する吐出ヘッド３０のノズル形成面３１ａ（図７参照）を払拭して、そのノズル形成面３１ａを洗浄する図示しないメンテナンスユニットが配設されている。
【００３２】
案内部材２６の上側には、収容タンク２７が配設されている。収容タンク２７内には、前記金属微粒子を分散させた機能液Ｆが、後述する液滴吐出ヘッド３０に導出可能に収容されている。
【００３３】
案内部材２６の下側には、Ｙ矢印方向に延びる上下一対の案内レール２８がＹ矢印方向全幅にわたり凸設されている。この案内レール２８には、同案内レール２８に対応する図示しない直動機構を備えたキャリッジ２９が取付けられている。キャリッジ２９の直動機構は、例えば案内レール２８に沿ってＹ矢印方向に延びるネジ軸（駆動軸）と、同ネジ軸と螺合するボールナットを備えたネジ式直動機構であって、その駆動軸が、ステッピングモータよりなるＹ軸モータＭＹ（図９参照）に連結されている。そして、所定のステップ数に相当する駆動信号をＹ軸モータＭＹに入力すると、Ｙ軸モータが正転又は逆転して、キャリッジ２９が同ステップ数に相当する分だけＹ矢印方向に沿って往動又は復動する（Ｙ矢印方向に移動する）ようになっている。
【００３４】
本実施形態では、図５に示すように、最も支持台２５ａ側（反Ｙ矢印方向側）に位置するキャリッジ２９の配置位置を往動位置とし、最も支持台２５ｂ側（Ｙ矢印方向側）に位置する配置位置（図５に示す２点鎖線）を復動位置という。
【００３５】
図５に示すように、そのキャリッジ２９の下側には、液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッド３０という。）が設けられている。図７は、その吐出ヘッド３０の下面（基板ステージ２３側の面）を上方に向けた場合の斜視図を示す。
【００３６】
吐出ヘッド３０には、その下側にノズルプレート３１が備えられている。ノズルプレート３１は、その下面（ノズル形成面３１ａ）が、前記基板２の裏面２ｂと平行となるようにキャリッジ２９に配設されている。そのノズル形成面３１ａには、微小液滴Ｆｂ（図７参照）を吐出するための１６個の吐出ノズルＮが、Ｙ矢印方向（前記セルＣの列方向）に一列となって等間隔に形成されている。
【００３７】
吐出ノズルＮは、そのピッチ幅が、セルＣの形成ピッチ（セル幅Ｒａ）で形成され、載置部２４ａに載置された基板２の法線方向（Ｚ矢印方向）に沿って貫通形成されている。つまり、各吐出ノズルＮは、基板２（コード形成領域Ｓ）がＸ矢印方向に沿って往復直線移動するときに、それぞれ行方向に沿う各セルＣと対峙するように配置形成されている。
【００３８】
図８は、その吐出ヘッド３０の内部構造を説明するための要部断面図である。
図８に示すように、ノズルプレート３１の上側であって前記吐出ノズルＮのＺ矢印方向には、圧力室としてのキャビティ３２が形成されている。キャビティ３２は、連通孔３３及び各吐出ノズルＮ（各連通孔３３）に共通する供給路３４を介して、前記収容タンク２７に連通し、収容タンク２７内の導出する機能液Ｆが導入されるようになっている。そして、キャビティ３２は、導入された機能液Ｆを、それぞれ対応する吐出ノズルＮ内に供給
するようになっている。
【００３９】
キャビティ３２の上側には、振動板３５が備えられている。振動板３５は、例えば、厚さが約２μｍからなるポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルムであって、Ｚ矢印方向及び反Ｚ矢印方向（上下方向）に振動可能に貼り付けられ、キャビティ３２内の容積を拡大・縮小するようになっている。
【００４０】
振動板３５の上側には、各吐出ノズルＮに対応する１６個の圧電素子ＰＺが配設されている。圧電素子ＰＺは、その圧電素子ＰＺを駆動制御するための信号（圧電素子駆動電圧ＶＤＰ：図９参照）を受けて収縮・伸張し、前記振動板３５を、Ｚ矢印方向及び反Ｚ矢印方向に振動させるようになっている。そして、圧電素子ＰＺが収縮・伸張すると、キャビティ３２内の容積が拡大・縮小し、縮小した容積に相対する機能液Ｆが、対応する吐出ノズルＮから、微小液滴Ｆｂとして吐出される。尚、本実施形態では、この圧電素子ＰＺの吐出動作によって、前記セル幅Ｒａの略半分を外径とする微小液滴Ｆｂが吐出されるようになっている。
【００４１】
本実施形態では、この微小液滴Ｆｂの着弾する位置、すなわち図８において、吐出ノズルＮの直下であって基板２上の位置を着弾位置Ｐａという。
図６に示すように、キャリッジ２９の下側であって前記吐出ヘッド３０のＸ矢印方向側には、レーザ照射部としてのレーザヘッド３６が併設されている。
【００４２】
図７及び図８に示すように、レーザヘッド３６は、その下面３６ａの吐出ヘッド３０側（反Ｘ方向矢印側）を基板２から離間するように、所定の角度（入射角θｉ）だけ傾斜してキャリッジ２９に配設されている。その下面３６ａであって前記１６個のノズルＮのＸ矢印方向には、各ノズルＮに対応する１６個の出射口３７が形成されている。
【００４３】
レーザヘッド３６の内部には、前記１６個の出射口３７に対応するレーザ出力手段としての半導体レーザＬＤが備えられている。そして、半導体レーザＬＤが、該半導体レーザＬＤを駆動制御するための信号（レーザ駆動電圧ＶＤＬ：図９参照）を受けると、出射口３７側に向かってレーザ光Ｂ１を出射するようになっている。
【００４４】
半導体レーザＬＤの出射口３７側には、コリメータ３８と集光レンズ３９からなる光学系が備えられている。コリメータ３８は、半導体レーザＬＤの出射するレーザ光Ｂ１を平行光束にして集光レンズ３９に導くようになっている。集光レンズ３９は、コリメータ３８を介したレーザ光Ｂ１を、コリメータ３８と相反する側に集光するようになっている。そして、レーザヘッド３６は、これらコリメータ３８と集光レンズ３９によって、Ｚ矢印方向に対して、前記入射角θｉだけ傾斜した光軸ＡＬＤを形成するようになっている。
【００４５】
そして、各半導体レーザＬＤがレーザ光Ｂ１を出射すると、出射したレーザ光Ｂ１が、基板２を透過して、入射角θｉで反射面２４Ｒに入射する。反射面２４Ｒに入射したレーザ光Ｂ１は、入射角θｉに相対する反射角で反射され、再び基板２を透過して裏面２ｂ（着弾位置Ｐａ）を照射する。
【００４６】
そのため、着弾位置Ｐａに対するレーザ光Ｂ１の照射角θｄ（入射角θｉの補角）は、反射面２４Ｒを介した分だけ、９０度に近づく。換言すれば、反射面２４Ｒを介したレーザ光Ｂ１を照射する分だけ、着弾位置Ｐａを照射するレーザ光Ｂ１の照射方向を、裏面２ｂの法線方向（Ｚ矢印方向）に近づけることができる。しかも、その反射面２４Ｒを基板２から離間した分だけ、着弾位置Ｐａに照射するレーザ光Ｂ１の照射方向を、さらにＺ矢印方向に近づけることができる。
【００４７】
従って、着弾位置Ｐａに対するレーザ光Ｂ１の強度は、基板２から離間した反射面２４Ｒを介する分だけ、微小液滴Ｆｂを乾燥・焼成するために必要なレベルで維持される。そして、着弾位置Ｐａに着弾した微小液滴Ｆｂがセル幅Ｒａになる時に、レーザヘッド３６からレーザ光Ｂ１を出射すると、微小液滴Ｆｂがセル幅Ｒａの状態で乾燥・焼成され、セル幅Ｒａを有したドットＤが形成される。
【００４８】
尚、本実施形態のレーザ光Ｂ１は、着弾位置Ｐａで、セル幅Ｒａをビーム径とした略円形状のビームプロファイルを形成するようになっている。
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図９に従って説明する。
【００４９】
図９において、レーザ駆動制御手段を構成する制御部４１は、ＣＰＵ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等を備え、ＲＯＭ等に格納された各種データ（例えば、搬送速度Ｖｘ、コード離間距離Ｌ１及びセル幅Ｒａ）と各種制御プログラム（例えば、識別コード作成プログラム）に従って、基板ステージ２３を移動させ、液滴吐出ヘッド３０及びレーザヘッド３６を駆動させる。
【００５０】
制御部４１には、入力装置４２が接続されている。入力装置４２は、起動スイッチ、停止スイッチ等の操作スイッチを有し、各スイッチの操作による操作信号を制御部４１に出力する。また、入力装置４２は、基板２の製品番号やロット番号等の識別データを公知の方法で２次元コード化した識別コード１０の画像を、既定形式の描画データＩａとして制御部４１に出力する。制御部４１は、入力装置４２の出力する描画データＩａを受けて、基板２に識別コード１０を作成するためのビットマップデータＢＭＤを生成する。
【００５１】
詳述すると、制御部４１は、描画データＩａに所定の展開処理を施し、二次元描画平面（コード形成領域Ｓ）上における各セルＣに、微小液滴Ｆｂを吐出するか否かを示すビットマップデータＢＭＤを生成してＲＡＭに格納する。このビットマップデータＢＭＤは、前記セルＣに対応した１６×１６ビットのデータであり、各ビットの値（０あるいは１）に応じて、圧電素子ＰＺのオンあるいはオフ（微小液滴Ｆｂを吐出するか否か）を規定するものである。
【００５２】
また、制御部４１は、描画データＩａに、前記ビットマップデータＢＭＤの展開処理と異なる展開処理を施し、各圧電素子ＰＺに印加する前記圧電素子駆動電圧ＶＤＰを生成する。さらに、制御部４１は、各半導体レーザＬＤに印加する前記レーザ駆動電圧ＶＤＬを生成する。
【００５３】
制御部４１は、Ｘ軸モータ駆動回路４３が接続されて、Ｘ軸モータ駆動回路４３にＸ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｘ軸モータ駆動回路４３は、制御部４１からのＸ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記基板ステージ２３を往復移動させるＸ軸モータＭＸを正転又は逆転させるようになっている。そして、例えば、Ｘ軸モータＭＸを正転させると、基板ステージ２３はＸ矢印方向に移動し、逆転させると基板ステージ２３は反Ｘ矢印方向に移動するようになっている。
【００５４】
制御部４１は、Ｙ軸モータ駆動回路４４が接続されて、Ｙ軸モータ駆動回路４４にＹ軸モータ駆動制御信号を出力するようになっている。Ｙ軸モータ駆動回路４４は、制御部４１からのＹ軸モータ駆動制御信号に応答して、前記キャリッジ２９を往復移動させるＹ軸モータＭＹを正転又は逆転させるようになっている。例えば、Ｙ軸モータＭＹを正転させると、キャリッジ２９はＹ矢印方向に移動し、逆転させるとキャリッジ２９は反Ｙ矢印方向に移動する。
【００５５】
制御部４１には、基板検出装置４５が接続されている。基板検出装置４５は、基板２の
端縁を検出可能な撮像機能等を備え、制御部４１によってノズルＮの直下を通過する基板２の位置を算出する際に利用される。
【００５６】
制御部４１には、Ｘ軸モータ回転検出器４６が接続されて、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号が入力される。制御部４１は、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、吐出ヘッド３０に対する基板２のＸ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。そして、制御部４１は、前記コード離間距離Ｌ１とセルＣの形成ピッチ幅（セル幅Ｒａ）に基づいて、各セルＣの中心位置が、対応するノズルＮの直下、すなわち着弾位置Ｐａに位置するタイミングで、後述する吐出ヘッド駆動回路４８及びレーザ駆動回路４９に、吐出タイミング信号ＳＧを出力する。
【００５７】
制御部４１には、Ｙ軸モータ回転検出器４７が接続されて、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号が入力される。制御部４１は、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号に基づいて、Ｙ軸モータＭＹの回転方向及び回転量を検出し、液滴吐出ヘッド３０に対する基板２のＹ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。
【００５８】
制御部４１は、吐出ヘッド駆動回路４８が接続されている。制御部４１は、所定のクロック信号に同期させた前記ビットマップデータＢＭＤ（圧電素子選択信号ＳＳＰ）を、吐出ヘッド駆動回路４８に、順次シリアル転送するようになっている。また、制御部４１は、吐出ヘッド駆動回路４８に、前記圧電素子駆動電圧ＶＤＰを出力するようになっている。吐出ヘッド駆動回路４８は、制御部４１からの圧電素子選択信号ＳＳＰを受けて、その圧電素子選択信号ＳＳＰを各圧電素子ＰＺ（ＰＺ１〜ＰＺ１６）に対応させてシリアル／パラレル変換する。そして、吐出ヘッド駆動回路４８は、制御部４１からの前記吐出タイミング信号ＳＧを受けると、圧電素子選択信号ＳＳＰに応じた圧電素子ＰＺに、共通の圧電素子駆動電圧ＶＤＰを供給する。すなわち、圧電素子選択信号ＳＳＰに対応したノズルＮから、微小液滴Ｆｂを吐出させる。
【００５９】
制御部４１は、レーザ駆動回路４９が接続されている。制御部４１は、所定のクロック信号に同期させた前記ビットマップデータＢＭＤ（レーザ選択信号ＳＳＬ）を、レーザ駆動回路４９に、順次シリアル転送するようになっている。また、制御部４１は、レーザ駆動回路４９に、前記レーザ駆動電圧ＶＤＬを出力するようになっている。レーザ駆動回路４９は、制御部４１からのレーザ選択信号ＳＳＬを受けて、そのレーザ選択信号ＳＳＬを各半導体レーザＬＤ（ＬＤ１〜ＬＤ１６）に対応させてシリアル／パラレル変換する。そして、レーザ駆動回路４９は、制御部４１からの前記吐出タイミング信号ＳＧを受けると、所定の時間（待機時間：例えば、数百マイクロ秒）だけ待機して、レーザ選択信号ＳＳＬに応じた半導体レーザＬＤに、共通のレーザ駆動電圧ＶＤＬを供給する。すなわち、レーザ駆動回路４９は、圧電素子選択信号ＳＳＰに対応した出射口３７から、レーザ光Ｂ１を出射させる。
【００６０】
本実施形態において、前記待機時間は、レーザ駆動回路４９が前記吐出タイミング信号ＳＧを受けてから、着弾した微小液滴Ｆｂの外径がセル幅Ｒａとなるまでの時間に設定されている。換言すれば、レーザ駆動回路４９は、着弾した微小液滴Ｆｂの外径がセル幅Ｒａになるタイミングで、対応する半導体レーザＬＤから、レーザ光Ｂ１を出射するようになっている。
【００６１】
次に、液滴吐出装置２０を使って識別コード１０を形成する方法について説明する。
まず、図５に示すように、往動位置に位置する基板ステージ２３上に、基板２を、その裏面２ｂが上側になるように配置固定する。このとき、基板２のＸ矢印方向側の辺は、案内部材２６より反Ｘ矢印方向側に配置されている。
【００６２】
この状態から、入力装置４２を操作して描画データＩａを制御部４１に入力すると、制御部４１は、描画データＩａに基づくビットマップデータＢＭＤを生成し、圧電素子を駆動するための前記圧電素子駆動電圧ＶＤＰと半導体レーザＬＤを駆動するための前記レーザ駆動電圧ＶＤＬを生成する。
【００６３】
続いて、制御部４１は、Ｙ軸モータＭＹを駆動制御して、キャリッジ２９（吐出ヘッド３０）を往動位置からＹ矢印方向に搬送させる。そして、基板２がＸ矢印方向に移動したときに、各吐出ノズルＮ（出射口３７）の直下を、対応するセルＣが通過する位置に、キャリッジ２９をセットする。キャリッジ２９をセットすると、制御部４１は、Ｘ軸モータＭＸを駆動制御し、基板ステージ２３を介して、基板２を搬送速度ＶｘでＸ矢印方向に搬送する。
【００６４】
そして、基板検出装置４５が基板２のＸ矢印方向側端部を検出すると、制御部４１は、前記コード離間距離Ｌ１及び前記セル幅Ｒａを参照し、Ｙ軸モータ回転検出器４７からの検出信号に基づいて、１列目のセルＣ（黒セルＣ１）の中心位置が着弾位置Ｐａまで搬送されたか否か判断する。
【００６５】
この間、制御部４１は、吐出ヘッド駆動回路４８に、圧電素子駆動電圧ＶＤＰと圧電素子選択信号ＳＳＰを出力し、レーザ駆動回路４９に、レーザ駆動電圧ＶＤＬとレーザ選択信号ＳＳＬを出力する。そして、制御部４１は、これら吐出ヘッド駆動回路４８及びレーザ駆動回路４９に、吐出タイミング信号ＳＧを出力するタイミングを待つ。
【００６６】
そして、１列目のセルＣ（黒セルＣ１）が着弾位置Ｐａに搬送されると、制御部４１は、Ｘ軸モータＭＸの駆動を停止して、吐出ヘッド駆動回路４８とレーザ駆動回路４９に吐出タイミング信号ＳＧを出力する。
【００６７】
吐出ヘッド駆動回路４８は、制御部４１からの吐出タイミング信号ＳＧを受けて、圧電素子選択信号ＳＳＰに応じた圧電素子ＰＺに、共通の圧電素子駆動電圧ＶＤＰを供給する。すなわち、圧電素子選択信号ＳＳＰに対応したノズルＮから、一斉に微小液滴Ｆｂを吐出させる。吐出された微小液滴Ｆｂは、待機時間だけ経過すると、図８の２点鎖線に示すように、着弾位置Ｐａ（黒セルＣ１）に着弾して、セル幅Ｒａまで濡れ広がる。
【００６８】
一方、レーザ駆動回路４９は、制御部４１からの吐出タイミング信号ＳＧを受けて、待機時間経過後に、レーザ選択信号ＳＳＬに応じた半導体レーザＬＤに、共通のレーザ駆動電圧ＶＤＬを供給する。すなわち、圧電素子選択信号ＳＳＰに対応した出射口３７から、一斉にレーザ光Ｂ１を出射させる。一斉に出射されたレーザ光Ｂ１は、基板２を透過して、入射角θｉに相対する反射角で、反射面２４Ｒに反射される。反射面２４Ｒに反射されたレーザ光Ｂ１は、基板２から離間した反射面２４Ｒを介する分だけ、その強度を維持して、セル幅Ｒａをビーム径にしたビームプロファイルで、着弾位置Ｐａの微小液滴Ｆｂに照射される。
【００６９】
従って、着弾位置Ｐａに位置する微小液滴Ｆｂは、その液滴径がセル幅Ｒａとなるタイミングで、その形状に相対するレーザ光Ｂ１が照射される。これによって、１行目の黒セルＣ１内に着弾した各微小液滴Ｆｂは、その液滴径がセル幅Ｒａとなるタイミングで、一斉にその分散媒が蒸発し、金属微粒子が焼成される。すなわち、セルＣ（黒セルＣ１）に整合したセル幅Ｒａの各ドットＤが形成される。
【００７０】
以後、同様に、制御部４１は、基板２を搬送速度Ｖｘで移動させながら、各列のセルＣが着弾位置Ｐａに到達する毎に、その黒セルＣ１に対応するノズルＮから、微小液滴Ｆｂを一斉に吐出し、着弾した微小液滴Ｆｂがセル幅Ｒａになるタイミングで、一斉にレーザ
光Ｂ１を照射する。
【００７１】
そして、コード形成領域Ｓに形成される識別コード１０の全てドットＤを形成されると、制御部４１は、Ｙ軸モータＭＹを制御して、基板２を吐出ヘッド３０の下方位置から退出させる。
【００７２】
次に、上記のように構成した第１実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、レーザヘッド３６から出射したレーザ光Ｂ１を、反射面２４Ｒを介して、着弾位置Ｐａに照射するようにした。その結果、着弾位置Ｐａに対するレーザ光Ｂ１の照射角θｄ（入射角θｉの補角）を、反射面２４Ｒを介した分だけ、９０度に近づけることができ、着弾位置Ｐａを照射するレーザ光Ｂ１の照射方向を、裏面２ｂの法線方向（Ｚ矢印方向）に近づけることができる。
【００７３】
従って、微小液滴Ｆｂを乾燥・焼成するために必要な強度のレーザ光Ｂ１を、所望のタイミングで、微小液滴Ｆｂに照射することができる。ひいては、ドットＤのサイズを、所望のサイズ（セル幅Ｒａ）に制御することである。
【００７４】
（２）上記実施形態によれば、反射面２４Ｒを基板２から離間させるようにした。その結果、反射面２４Ｒを基板２から離間した分だけ、着弾位置Ｐａに照射するレーザ光Ｂ１の照射方向を、さらにＺ矢印方向に近づけることができる。従って、微小液滴Ｆｂに照射するレーザ光Ｂ１の強度を、より確実に維持することができる。
【００７５】
（３）上記実施形態によれば、反射面２４Ｒを基板ステージ２３に備えるようにした。その結果、反射面２４Ｒとコード形成領域Ｓを、相対的に位置決めすることができ、反射面２４Ｒの位置ズレ等による照射位置や照射強度のバラツキを回避することができる。従って、常に安定した強度のレーザ光Ｂ１を、微小液滴Ｆｂに照射することができ、ドットＤのサイズを、より安定して制御することができる。
【００７６】
（４）上記実施形態によれば、待機時間経過後に、レーザ駆動回路４９が、レーザ選択信号ＳＳＬに応じた半導体レーザＬＤに、共通のレーザ駆動電圧ＶＤＬを供給するようにした。従って、待機時間に対応したサイズの微小液滴Ｆｂにレーザ光Ｂ１を照射することができ、より高い精度で、ドットＤのサイズを制御することができる。
【００７７】
（５）上記実施形態によれば、セル幅Ｒａをビーム径にした略円形状のビームプロファイルでレーザ光Ｂ１を照射するようにした。その結果、微小液滴Ｆｂの液滴径に相対するレーザ光Ｂ１を照射することができる。従って、微小液滴Ｆｂの過剰な濡れ広がりを確実に回避することができ、ドットＤのサイズを、より確実に所望のサイズ（セル幅Ｒａ）で制御することである。
（第２実施形態）
次に、本発明を具体化した第２実施形態を、図１０〜図１５に従って説明する。尚、第２実施形態では、第１実施形態における基板２に非照射物としての金属配線が設けられ、キャリッジ２９に、その金属配線の位置を検出する非照射位置検出装置を設けた構成である。そのため以下では、上記する変更点ついて詳細に説明する。
【００７８】
図１０において、基板２の裏面２ｂに形成された識別コード１０のコード形成領域Ｓ内には、第１実施形態と同じく、１６行×１６列に仮想分割されたセルＣに、ドットＤが形成されている。尚、本実施形態では、図１０において左側（Ｘ矢印方向側）から順に、１列目のドットＤ、２列目のドットＤ、・・・、１６列目のドットＤとし、図１０において上側（Ｙ矢印方向側）から順に、１行目のドットＤ、２行目のドットＤ、・・・、１６行目のドットＤという。
【００７９】
図１０及び図１１に示すように、基板２の表面２ａであって、前記識別コード１０と相対する位置には、第１実施形態における走査線駆動回路に接続された非照射物としての第１金属配線ＭＬ１及び第２金属配線ＭＬ２（図１０における破線）が形成されている。
【００８０】
詳述すると、第１金属配線ＭＬ１は、コード形成領域Ｓと対峙する領域で、１列目のドットＤ（セルＣ）と２列目のドットＤ（セルＣ）の中心位置に相対し、セル幅Ｒａよりも若干小さい幅（配線幅Ｌｗ）でＹ矢印方向に沿って形成されている。そして、第１金属配線ＭＬ１のＸ矢印方向側端部は、基板２のＸ矢印方向側端部から配線離間距離Ｌ２だけ離間した位置に形成され、１列目のドットＤ（セルＣ）の中心位置よりも若干反Ｘ矢印方向側に位置している。また、第１金属配線ＭＬ２の反Ｘ矢印方向側端部は、２列目のドットＤの中心位置よりも若干Ｘ矢印方向側に位置している。
【００８１】
また、第２金属配線ＭＬ２は、コード形成領域Ｓと対峙する領域で、８列目のドットＤ（セルＣ）と９列目のドットＤ（セルＣ）の中心位置に相対して、第１金属配線ＭＬ１と同じく、配線幅ＬｗでＹ矢印方向に沿って形成されている。そして、第２金属配線ＭＬ２のＸ矢印方向側端部は、基板２のＸ矢印方向側端部から配線離間距離Ｌ３だけ離間した位置に形成され、８列目のドットＤ（セルＣ）の中心位置よりも若干反Ｘ矢印方向側に位置している。また、第１金属配線ＭＬ２の反Ｘ矢印方向側端部は、９列目のドットＤの中心位置よりも若干Ｘ矢印方向側に位置している。
【００８２】
次に、上記構成の識別コード１０を形成するために使用する液滴吐出装置２０について説明する。図１２は、液滴吐出装置２０の構成を示す概略断面図である。
図１２に示すように、吐出ヘッド３０の反Ｘ矢印方向側（レーザヘッド３６の反対側）には、非照射位置検出手段としての非照射位置検出装置５０が配設されている。非照射位置検出装置５０には、半導体レーザ等からなる発光素子５１が備えられ、発光素子５１から出射されたレーザ光Ｂ２が、コリメータ５２と投光レンズ５３を通じて、反Ｚ矢印方向に沿う光軸ＡＬＥに沿って出射され、基板２の表面２ａの高さ位置近傍で集光するようになっている。また、非照射位置検出装置５０には、表面２ａの第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２に拡散反射されるレーザ光Ｂ２の一部を、集光レンズ５４と受光レンズ５５を通じて受光するＣＣＤ等の受光素子５６が備えられている。そして、基板２が搬送速度Ｖｘで搬送される間、非照射位置検出装置５０は、受光素子５６の受光するレーザ光Ｂ２の強度に基づいて、その直下（光軸ＡＬＥ上）に、第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２が位置するか否かを検出するようになっている。
【００８３】
尚、本実施形態の反射面２４Ｒは、図１４に示すように、レーザ光Ｂ１の照射角θｄが略９０度であって、その照射方向が、略Ｚ矢印方向となるように、基板２から相対的に十分離間した位置に形成されている。
【００８４】
次に、上記のように構成した液滴吐出装置２０の電気的構成を図１３に従って説明する。
制御部４１には、前記非照射位置検出装置５０が接続されて、非照射位置検出装置５０からの検出信号（位置検出信号ＳＤ）が入力される。制御部４１は、非照射位置検出装置５０からの位置検出信号ＳＤに基づいて、コード形成領域Ｓと対峙する第１及び第２金属配線の基板２に対する相対位置を演算し、前記配線離間距離Ｌ２，Ｌ３及び配線幅Ｌｗを算出する。
【００８５】
制御部４１には、第１実施形態と同じく、Ｘ軸モータ回転検出器４６が接続されて、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号が入力される。制御部４１は、Ｘ軸モータ回転検出器４６からの検出信号に基づいて、Ｘ軸モータＭＸの回転方向及び回転量を検出し、吐
出ヘッド３０に対する基板２のＸ矢印方向の移動方向及び移動量を演算する。
【００８６】
そして、制御部４１は、各セルＣの中心位置が着弾位置Ｐａに位置するタイミングで、吐出ヘッド駆動回路４８に吐出タイミング信号ＳＧを出力する。また、制御部４１は、第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２がレーザ光Ｂ１の光路上（光軸ＡＬＤ上）に侵入するタイミングで、後述するレーザ駆動回路４９に、レーザ光Ｂ１の出射を停止させるパルス信号（照射停止信号ＳＣＬ）を出力する。尚、この照射停止信号ＳＣＬのパルス幅は、第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２が光軸ＡＬＤを通過するために要する時間（非照射時間Ｔ＝配線幅Ｌｗ／搬送速度Ｖｘ）に設定されている。
【００８７】
制御部４１には、第１実施形態と同じく、レーザ駆動回路４９が接続されている。制御部４１は、レーザ駆動回路４９に、前記レーザ駆動電圧ＶＤＬを出力するようになっている。レーザ駆動回路４９は、制御部４１からのレーザ駆動電圧ＶＤＬを、各半導体レーザＬＤ（ＬＤ１〜ＬＤ１６）に供給して、レーザ光Ｂ１を出射させる。また、レーザ駆動回路４９は、制御部４１からの照射停止信号ＳＣＬを受けると、その照射停止信号ＳＣＬのパルス幅に応じた前記非照射時間Ｔ（＝Ｌｗ／Ｖｘ）だけ、レーザ駆動電圧ＶＤＬの供給を停止する。
【００８８】
次に、液滴吐出装置２０を使って識別コード１０を形成する方法について説明する。
まず、図１２に示すように、制御部４１は、基板２を載置した基板ステージ２３を、往動位置から搬送速度ＶｘでＸ矢印方向に移動し、非照射位置検出装置５０からレーザ光Ｂ２を出射して、第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２の位置検出を開始する。そして、制御部４１は、非照射位置検出装置５０からの位置検出信号ＳＤに基づいて、配線離間距離Ｌ２（Ｌ３）及び配線幅Ｌｗを算出する。
【００８９】
続いて、制御部４１は、１列目のセルＣ（黒セルＣ１）の中心位置が着弾位置Ｐａまで搬送されたか否か判断し、吐出タイミング信号ＳＧとレーザ駆動電圧ＶＤＬを、それぞれ吐出ヘッド駆動回路４８及びレーザ駆動回路４９に出力するタイミングを待つ。
【００９０】
そして、図１４に示すように、１列目のセルＣの中心位置が着弾位置Ｐａに搬送されると、制御部４１は、吐出ヘッド駆動回路４８及びレーザ駆動回路４９に、それぞれ吐出タイミング信号ＳＧ及びレーザ駆動電圧ＶＤＬを出力する。吐出ヘッド駆動回路４８は、制御部４１からの吐出タイミング信号ＳＧを受けると、第１実施形態と同じく、圧電素子選択信号ＳＳＰに対応したノズルＮから、一斉に微小液滴Ｆｂを吐出させる。吐出された微小液滴Ｆｂは、その中心位置をセルＣの中心位置（着弾位置Ｐａ）に相対させて、対応する１列目の各黒セルＣ１に、一斉に着弾する。
【００９１】
一方、レーザ駆動回路４９は、制御部４１からのレーザ駆動電圧ＶＤＬを受けると、各半導体レーザＬＤから、一斉にレーザ光Ｂ１を出射させる。一斉に出射されたレーザ光Ｂ１は、基板２を透過して反射面２４Ｒに反射され、略９０度の照射角θｄで着弾位置Ｐａを照射し続ける。
【００９２】
従って、着弾位置Ｐａに着弾した微小液滴Ｆｂは、反射面２４Ｒから照射されるレーザ光Ｂ１によって、瞬時に乾燥・焼成され、セルＣから食み出すことの無いドットＤを形成する。
【００９３】
続いて、図１５に示すように、１列目のドットＤの中心位置が着弾位置Ｐａを通過し、第１金属配線ＭＬ１が、レーザ光Ｂ１の反射光路上（光軸ＡＬＤ上）に侵入すると、制御部４１は、レーザ駆動回路４９に、照射停止信号ＳＣＬを出力して、レーザ駆動電圧ＶＤＬの供給を停止させる。すなわち、制御部４１は、第１金属配線ＭＬ１が光軸ＡＬＤに侵
入するタイミングで、レーザ光Ｂ１の照射を停止させる。
【００９４】
レーザ光Ｂ１の照射停止時間が、非照射時間Ｔ（＝Ｌｗ／Ｖｘ）だけ経過すると、図１６に示すように、第１金属配線ＭＬ１は、配線幅ＬｗだけＸ矢印方向に移動して、レーザ光Ｂ１の光路上（光軸ＡＬＤ上）から退避する。そして、レーザ駆動回路４９は、再び各半導体レーザＬＤにレーザ駆動電圧ＶＤＬを供給し、レーザ光Ｂ１の出射を再開する。
【００９５】
従って、第１金属配線ＭＬ１は、レーザ光Ｂ１に照射されることなく、入射光路上（光軸ＡＬＤ上）を通過する。
そして、第１金属配線ＭＬ１が光路上から退避する時、レーザ光Ｂ１の光軸ＡＬＤが略Ｚ矢印方向に形成されるため、着弾位置Ｐａは、第１金属配線ＭＬ１の反Ｘ矢印方向側端部と略対峙する位置、すなわち２列目のセルＣの略中心位置に位置する。
【００９６】
従って、２列目の黒セルＣ１に着弾する微小液滴Ｆｂは、その着弾時と略同じタイミングでレーザ光Ｂ１が照射され、その外径をセル幅Ｒａより大きくする前に、乾燥・焼成されて、セルＣから食み出すことの無いドットＤを形成する。
【００９７】
以後、同様に、第１金属配線ＭＬ１が、レーザ光Ｂ１の入射光路上（光軸ＡＬＤ）に搬送されると、制御部４１は、第１金属配線ＭＬ１が光軸ＡＬＤ上に位置する間だけレーザ光Ｂ１の出射を停止し、非照射時間Ｔを経過後に出射するレーザ光Ｂ１によって、セルＣから食み出すことの無いドットＤを形成する。続いて、第２金属配線ＭＬ２が光軸ＡＬＤ上に搬送されると、第２金属配線ＭＬ２が光軸ＡＬＤ上に位置する間だけレーザ光Ｂ１の出射を停止し、セルＣから食み出すことのないドットＤを形成する。
【００９８】
次に、上記のように構成した第２実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、非照射位置検出装置５０を設け、その非照射位置検出装置５０の位置検出信号ＳＤに基づいて、制御部４１が、第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２の基板２に対する相対位置（配線離間距離Ｌ２，Ｌ３及び配線幅Ｌｗ）を演算するようにした。そして、第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２がレーザ光Ｂ１の光路上を通過するタイミングで、レーザ駆動回路４９が、半導体レーザＬＤからのレーザ光Ｂ１の照射を停止させるようにした。その結果、第１及び第２金属配線ＭＬ１，ＭＬ２にレーザ光Ｂ１を照射することなく、セルＣからはみ出すことのないドットＤを形成することができる。
【００９９】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○上記実施形態では、反射面２４Ｒを基板２から離間する構成にしたが、これに限らず、基板２に当接する構成であってもよい。
【０１００】
○上記実施形態では、反射面２４Ｒを裏面２ｂと平行にする構成にしたが、これに限らず、例えば、照射方向を裏面２ｂの法線方向に近づけるように、裏面２ｂに対して傾斜させる構成であってもよい。
【０１０１】
○上記実施形態では、反射手段を反射面２４Ｒに具体化したが、これに限らず、例えば、凹部２４内に配設する反射ミラーであってもよく、レーザ光Ｂ１を反射して、その照射角θｄを９０度に近づける手段であればよい。
【０１０２】
○上記実施形態では、反射面２４Ｒで反射したレーザ光Ｂ１を着弾位置Ｐａに照射する構成にしたが、これに限らず、着弾位置ＰａのＸ矢印方向側に照射する構成にしてもよい。
【０１０３】
○上記実施形態では、レーザ出力手段を半導体レーザＬＤで具体化したが、これに限らず、例えばＣＯ２レーザやＹＡＧレーザであってもよく、着弾した微小液滴Ｆｂを乾燥可能な波長のレーザ光Ｂ１を出力するレーザであればよい。
【０１０４】
○上記実施形態では、ノズルＮの数量分だけ半導体レーザＬＤを設ける構成にしたが、これに限らず、レーザ光源から出射された単一のレーザ光Ｂ１を、回折素子等の分岐素子によって１６分割する光学系によって構成してもよい。
【０１０５】
○上記実施形態では、ドットＤを半円球状に具体化したが、その形状は限定されるものではなく、例えば、その平面形状が楕円形のドットであったり、バーコードを構成するバーのように線状であったりしてもよい。
【０１０６】
○上記実施形態では、パターンをドットＤに具体化したが、これに限らず、例えば絶縁膜や金属配線のパターンに具体化してもよく、着弾した微小液滴Ｆｂを、レーザ光Ｂ１で乾燥するパターンであればよい。この場合にも、パターンのサイズを所望のサイズに制御することができる。
【０１０７】
○上記実施形態では、基板を透明ガラス基板に具体化したが、これに限らず、例えばシリコン基板やフレキシブル基板、あるいは金属基板等であってもよい。
○上記実施形態では、ドットＤ（識別コード１０）を液晶表示モジュール１に適用した。これに限らず、例えば有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示モジュールであってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）を備えた表示モジュールであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】液晶表示装置の液晶表示モジュールの正面図。
【図２】第１実施形態における液晶表示モジュールの裏面に形成された識別コードの正面図。
【図３】同じく、識別コードの側面図。
【図４】同じく、識別コードの構成を説明するための説明図。
【図５】同じく、液滴吐出装置の要部斜視図。
【図６】同じく、液滴吐出装置の概略断面図。
【図７】同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための斜視図。
【図８】同じく、液滴吐出ヘッドを説明するための概略断面図。
【図９】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【図１０】第２実施形態における識別コードの正面図。
【図１１】同じく、識別コードの側面図。
【図１２】同じく、液滴吐出装置の概略断面図。
【図１３】同じく、液滴吐出装置の電気的構成を説明するための電気ブロック回路図。
【図１４】同じく、液滴吐出装置を説明するための概略断面図。
【図１５】同じく、液滴吐出装置を説明するための概略断面図。
【図１６】同じく、液滴吐出装置を説明するための概略断面図。
【図１７】従来技術の液滴吐出ヘッドを説明するための要部断面図。
【図１８】従来技術の液滴吐出ヘッドを説明するための要部断面図。
【符号の説明】
【０１０９】
２…基板としての透明ガラス基板、２ｂ…被吐出面としての裏面、１０…識別コード、２０…液滴吐出噴射装置、２３…ステージとしての基板ステージ、２４Ｒ…反射面、３０
…液滴吐出ヘッド、４１…レーザ駆動制御手段を構成する制御部、４９…レーザ駆動制御手段を構成するレーザ駆動回路、５０…非照射位置検出手段としての非照射位置検出装置、Ｂ１…レーザ光、Ｄ…パターンとしてのドット、ＬＤ…レーザ出力手段としての半導体レーザ、ＭＬ１…非照射物としての第１金属配線、ＭＬ２…非照射物としての第２金属配線。
【図１】
2006247569.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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