(57)【要約】      （修正有）【課題】基板の熱変形に伴うスルーホール開口端部の応力集中を緩和して、導電被膜のクラックとそれに伴う断線故障の発生を防止することが可能な高信頼性プラスチック基板とその製造方法を提供する。【解決手段】プラスチック基板１３ａは、絶縁性基材１の両面に銅箔２が貼り付けられ、貫通孔が穿設されたコア基板３ａを備え、貫通孔開口両端縁に面取り加工されたテーパー面７が形成され、銅箔２には銅メッキによる導電被膜５が施されるとともに導体配線パターン６が形成され、貫通孔の内面に導電被膜５が施されて形成されたスルーホール４の内部は導体配線パターン６を被覆するソルダーレジスト８により充填され、ソルダーレジスト８の開口部から露出された導体配線パターン６にはニッケルメッキ９及び金メッキ１０を介して半田ボール１１が電気的に接合されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付けるとともに貫通孔を穿設したコア基板を備え、このコア基板の少なくとも一方の貫通孔開口端縁に面取り加工されたテーパー面を形成し、前記絶縁性基材両面の銅箔に導電被膜を施すとともに導体配線パターンを形成し、前記貫通孔の内面に導電被膜を施してスルーホールとなし、前記絶縁性基材両面の導体配線パターン同士を前記スルーホール内面の導電被膜により電気的に接続したことを特徴とする高信頼性プラスチック基板。
【請求項２】
前記コア基板に穿設した貫通孔の少なくとも一方の開口端縁に、テーパー面に代えてこの貫通孔内部に対して凸であるとともに前記コア基板表面に向かって内径が拡開する曲面形状を形成したことを特徴とする請求項１記載の高信頼性プラスチック基板。
【請求項３】
絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付けてコア基板を形成する工程と、このコア基板に貫通孔を穿設する工程と、この貫通孔の少なくとも一方の開口端縁を面取り加工してテーパー面を形成する工程と、前記絶縁性基材両面の銅箔に導電被膜を施すとともに導体配線パターンを形成する工程と、前記貫通孔の内面に導電被膜を施してスルーホールとなす工程とを備えたことを特徴とする請求項１記載の高信頼性プラスチック基板の製造方法。
【請求項４】
絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付けてコア基板を形成する工程と、このコア基板に貫通孔を穿設する工程と、この貫通孔の少なくとも一方の開口端縁にテーパー面に代えて前記貫通孔内部に対して凸であるとともに前記コア基板表面に向かって内径が拡開する曲面形状を形成する工程と、前記絶縁性基材両面の銅箔に導電被膜を施すとともに導体配線パターンを形成する工程と、前記貫通孔の内面に導電被膜を施してスルーホールとなす工程とを備えたことを特徴とする請求項２記載の高信頼性プラスチック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子収納用パッケージ等に使用されるプラスチック基板に係り、特にスルーホール内部の導電被膜にクラックが発生し難い高信頼性プラスチック基板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の高集積化に伴い、半導体素子収納用パッケージの分野では基板の多層化及び高密度化のために導体配線パターンの細線化やスルーホールの微小化等の技術が求められている。これらの要求を満たすべく、近年、セラミック基板に替わるものとして、プラスチック基板が注目され始めている。
【０００３】
プラスチック基板の構造についてボールグリッドアレイパッケージを例にとって説明する。図４（ａ）は従来技術に係るプラスチック基板の構造を説明するためのボールグリッドアレイパッケージの部分断面図であり、（ｂ）はコア基板に形成されたスルーホールの一部を模式的に示した図である。
図４（ａ）に示すように、ボールグリッドアレイパッケージを構成するプラスチック基板１３は、ＢＴ樹脂（ビスマイレイミドトリアジンを主成分にした樹脂）、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる絶縁性基材１の両面に銅箔２が貼り付けられるとともにスルーホール４が穿設されたコア基板３と、スルーホール４の内面及び銅箔２に形成された銅メッキなどの導電被膜５と、コア基板３の両面の銅箔２及び導電被膜５の一部に形成された導体配線パターン６と、導体配線パターン６を被覆するとともにスルーホール４の内部を充填するソルダーレジスト８とを備えている。
上下の導体配線パターン６同士はスルーホール４の内面の導電被膜５により電気的に接続され、ソルダーレジスト８の開口部から露出された導体配線パターン６にはニッケルメッキ９及び金メッキ１０を介して半田ボール１１が電気的に接合されている。なお、クラック１２については、図４（ｂ）を用いて以下、詳しく説明する。
【０００４】
図４（ｂ）に示すように、上記構造のプラスチック基板１３においては、温度変化に起因する絶縁性基材１の伸縮に伴って絶縁性基材１の両面の銅箔２及びスルーホール４の内面に形成された導電被膜５には引張又は圧縮の応力が発生する。
例えば、絶縁性基材１をガラスクロスを含むエポキシ樹脂とし、導電被膜５を銅メッキとすると、厚さ方向の線膨張係数はそれぞれ６０ＰＰＭ／℃及び１７ＰＰＭ／℃程度である。すなわち、導電被膜５は周囲の温度変化に伴って絶縁性基材１が伸縮した場合にその変形に追随することができない。その結果、スルーホール４の開口端部では応力が集中して大きくなり、導電被膜５にクラックが生じ、断線故障が起こることがある。
特に、半導体素子や封止樹脂により変形を拘束される半導体素子実装面に比べて、図４（ａ）に示すように、変形に対する拘束が弱い基板実装側（半田ボール１１が配置される側）のスルーホール４の開口端部の導電被膜５においてクラック１２が発生し易い。
【０００５】
このような課題に対処するため、いくつかの発明及び考案が開示されている。例えば特許文献１には、「電子回路基板およびその製造方法」という名称で、繊維強化樹脂製の芯材の両面に高熱伝導性樹脂層を積層した構造の絶縁基材を使用し、この絶縁基材を貫通するビアホールの内部を熱膨張率が小さく、かつ熱伝導性の高い樹脂で充填した、ビアホール内面の導通膜のクラック防止性等に優れた電子回路基板及びその製造方法に関する発明が開示されている。
【０００６】
以下、図５を参照しながら、特許文献１に開示された発明について説明する。図５は従来技術に係る電子回路基板の構造の説明図である。
図５に示すように、従来技術に係る発明は、繊維強化樹脂からなる芯材１０４の両面に高熱伝導性樹脂層１０５が積層された樹脂基板１０１の両面に配線回路１０６が積層一体化され、その両面の配線回路１０６を導通させるために樹脂基板１０１を貫通するビアホール１０２内面に導通膜１０３が形成された電子回路基板において、導通膜１０３内面のビアホール１０２を、高熱伝導性と電気絶縁性を有し、かつ熱膨張率の小さい樹脂で充填して封孔するとともに、配線回路１０６の上に絶縁層１０７を挟んでさらに１層あるいは多層の配線回路１０８を積層一体化させ、封孔したビアホール１０２の上に配線回路１０８を堆積したことを特徴とするものである。
このような構造においては、ビアホール１０２内部に充填された高熱伝導性樹脂により樹脂基板１０１の熱膨張に伴う導通膜１０３の伸びが抑制される。
【０００７】
また、特許文献２には「メッキ封止したテーパー状スルーホールを有するプリント配線基板及び製造法」という名称で、通信機器等に用いられるボールグリッドアレイ等に使用するプリント配線板及び製造法に関する発明が開示されている。
特許文献２に開示された発明は、プリント配線板において、レーザー加工によりテーパー状に穿設した貫通スルーホールの内壁面をメッキ加工して絶縁基材の表裏の銅箔を接続させるとともに、貫通スルーホールの小径の端部をメッキ金属で封止したことを特徴とするものである。
このような構造によれば、テーパー状スルーホールの小径端部がメッキ金属で封止されるため、水分の侵入を防ぐことができる。また、このプリント配線板を、半導体素子を収納するためのパッケージに使用した場合、大径端部側ではプリント配線板表面に向かって内径がテーパー状に拡開するようにスルーホールが形成されているため、開口端部に熱応力が集中して大きくなることがない。
【０００８】
さらに、特許文献３には「プリント配線基板における貫通孔の形成方法及びプリント配線基板」という名称で、打ち抜きピンやドリルを用いた加工により発生するバリに起因する半田クラック等を防止することができる貫通孔の形成方法とプリント配線基板に関する発明が開示されている。
特許文献３に開示された発明は、少なくとも片面に導電性金属箔を積層した絶縁性基材を備えたプリント配線基板において、導電性金属箔の上から所定の治具によって貫通孔を形成するとともに、この貫通孔の開口端縁となる部位に、環状凹部を一連に形成した構造を有するものである。
このような構造によれば、貫通孔から打ち抜きピンやドリル等を抜き取る際にバリが発生し難い。従って、バリに応力が集中することによる半田クラックの発生を防ぐことができる。また、仮に貫通孔のテーパー面にバリが発生したとしても、その発生箇所が銅箔の頂面よりも低いため、貫通孔内に挿通される電子部品のリード線と銅箔との間の半田溶着不良が起こり難い。
【特許文献１】特開平１０−１６３５９４号公報
【特許文献２】特開２０００−７７８０９号公報
【特許文献３】特開平８−１８１９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述の従来技術である特許文献１に開示された発明においては、ビアホール内部に充填された高熱伝導性樹脂がビアホール内面に形成された導通膜の機械的強度を基板の厚さ方向にわたって全体的に向上させるものの、ビアホールの開口部付近の導通膜に生ずる熱応力の集中を緩和する効果は小さいという課題があった。
【００１０】
また、特許文献２に開示されたプリント配線板は、半導体素子収納用パッケージに使用した場合、スルーホールの大径端部では応力集中が起こり難いものの、逆にスルーホールの小径端部では応力集中が起こり易いという課題があった。
【００１１】
さらに、特許文献３に開示された発明は、半田クラックや半田溶着不良の防止を目的としているが、開口端縁にテーパー状等の環状凹部を有するスルーホールの構造は、後述する本願発明のプラスチック基板に形成されたスルーホールに類似するものである。しかしながら、プリント配線基板は半導体素子収納用パッケージに使用されるプラスチック基板に比べて基板が厚く、スルーホールの径も大きいため、スルーホール開口端部の応力集中が問題となることは少ない。従って、本文献に開示された発明においては、スルーホール開口端部の応力集中に関して何の記載もなく、示唆もされていない。すなわち、本文献に開示された発明は、半導体素子収納用パッケージに使用されるプラスチック基板のスルーホール開口端部に発生する応力集中に関して有効なものとはいえない。
【００１２】
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたものであり、スルーホール開口端部における導電被膜への熱応力の集中を緩和することによりクラック及びそれに伴う断線故障が発生し難い高信頼性プラスチック基板とその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明である高信頼性プラスチック基板は、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付けるとともに貫通孔を穿設したコア基板を備え、このコア基板の少なくとも一方の貫通孔開口端縁に面取り加工されたテーパー面を形成し、絶縁性基材両面の銅箔に導電被膜を施すとともに導体配線パターンを形成し、貫通孔の内面に導電被膜を施してスルーホールとなし、絶縁性基材両面の導体配線パターン同士をスルーホール内面の導電被膜により電気的に接続したことを特徴とするものである。
上記構成の高信頼性プラスチック基板においては、コア基板が厚さ方向に熱変形した場合でも、スルーホール開口端部の応力集中が緩和されるという作用を有する。
【００１４】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の高信頼性プラスチック基板において、コア基板に穿設した貫通孔の少なくとも一方の開口端縁に、テーパー面に代えてこの貫通孔内部に対して凸であるとともにコア基板表面に向かって内径が拡開する曲面形状を形成したことを特徴とするものである。
上記構成の高信頼性プラスチック基板においては、請求項１記載の発明よりもスルーホール開口端部の応力集中が緩和される作用がさらに大きい。
【００１５】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の高信頼性プラスチック基板の製造方法において、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付けてコア基板を形成する工程と、このコア基板に貫通孔を穿設する工程と、この貫通孔の少なくとも一方の開口端縁を面取り加工してテーパー面を形成する工程と、絶縁性基材両面の銅箔に導電被膜を施すとともに導体配線パターンを形成する工程と、貫通孔の内面に導電被膜を施してスルーホールとなす工程とを備えたことを特徴とするものである。
このような高信頼性プラスチック基板の製造方法においては、請求項１に記載された発明を方法発明として捉えたものであるため、請求項１に記載された発明と同様の作用を有する。
【００１６】
請求項４記載の発明は、請求項２記載の高信頼性プラスチック基板の製造方法において、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付けてコア基板を形成する工程と、このコア基板に貫通孔を穿設する工程と、この貫通孔の少なくとも一方の開口端縁にテーパー面に代えて貫通孔内部に対して凸であるとともにコア基板表面に向かって内径が拡開する曲面形状を形成する工程と、絶縁性基材両面の銅箔に導電被膜を施すとともに導体配線パターンを形成する工程と、貫通孔の内面に導電被膜を施してスルーホールとなす工程とを備えたことを特徴とするものである。
このような高信頼性プラスチック基板の製造方法においては、請求項２に記載された発明を方法発明として捉えたものであるため、請求項２に記載された発明と同様の作用を有する。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明の請求項１に記載の高信頼性プラスチック基板においては、周囲の温度変化に伴ってコア基板が熱収縮あるいは熱膨張をした場合でも、スルーホール開口端部への応力集中が緩和されるため、導電被膜のクラック及びそれに伴う断線故障を防ぐことができる。
【００１８】
本発明の請求項２に記載の高周波用プラスチックパッケージにおいては、スルーホール開口端部の導電被膜のクラック及び断線故障を請求項１記載の発明よりもさらに効果的に防止することが可能である。
【００１９】
本発明の請求項３に記載の高信頼性プラスチック基板の製造方法によれば、請求項１に記載の高信頼性プラスチック基板を容易に製造することができる。同様に、請求項４に記載の高信頼性プラスチック基板の製造方法によれば、請求項２に記載の高信頼性プラスチック基板を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の最良の実施の形態に係る高信頼性プラスチック基板とその製造方法の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２１】
本発明の高信頼性プラスチック基板についてボールグリッドアレイパッケージを例にとって説明する。図１（ａ）は本発明の実施の形態に係る高信頼性プラスチック基板の構造を模式的に示す縦断面図である。
図１（ａ）に示すように、ボールグリッドアレイパッケージを構成するプラスチック基板１３ａは、ＢＴ樹脂、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる絶縁性基材１の両面に銅箔２が貼り付けられるとともに貫通孔が穿設されたコア基板３ａを備え、コア基板３ａの貫通孔開口両端縁には面取り加工されたテーパー面７が形成され、銅箔２には銅メッキによる導電被膜５が施されるとともに導体配線パターン６が形成されている。さらに、コア基板３ａに穿設された貫通孔は内面に導体配線パターン６同士を電気的に接続するための導電被膜５が施されて、いわゆるスルーホール４となり、導体配線パターン６を被覆するソルダーレジスト８がこのスルーホール４の内部を充填している。
そして、ソルダーレジスト８の開口部から露出された導体配線パターン６にはニッケルメッキ９及び金メッキ１０を介して半田ボール１１が電気的に接合されている。
【００２２】
上記構成のプラスチック基板１３ａにおいては、コア基板３ａに穿設された貫通孔の開口両端縁が面取り加工されたテーパー面７を形成しているため、周囲の温度変化に伴ってコア基板３ａが熱収縮あるいは熱膨張をした場合でも、スルーホール４の開口端部付近の導電被膜５に応力集中が生じ難いという作用を有する。
【００２３】
以上説明したように、本実施例のプラスチック基板１３ａによれば、絶縁性基材１と導電被膜５との線膨張係数の相違に起因する熱応力の集中による導電被膜５のクラック及びそれに伴う断線故障を防ぐことができる。
【００２４】
なお、図１（ａ）ではプラスチック基板１３ａはスルーホール４の内部がソルダーレジスト８で充填された構造となっているが、銅メッキなどの導電被膜５のみあるいは銅ペーストや銀ペーストなどの導電ペーストで充填された構造としても良い。また、コア基板３ａは内部に複数の導体配線パターンが形成された構造としても良く、コア基板３ａの片面あるいは両面に複数の絶縁層と導体層を積層した構造としても良い。さらに、コア基板３ａに穿設された貫通孔の開口端縁の形状は本実施例のテーパー面７に限定されるものではなく、種々変形可能である。
【００２５】
図１（ｂ）はコア基板３ａに穿設された貫通孔の開口端縁の形状の一変形例を示す図であり、絶縁性基材１と銅箔２と導電被膜５のみしか示していないが、図１(a)のプラスチック基板１３ａにおいてコア基板３ａに穿設された貫通孔の開口両端縁の形状をテーパー面７に代えてこの貫通孔内部に対して凸であるとともにコア基板３ａの表面に向かって内径が拡開する曲面形状１５としたものである。このような構造においては、スルーホール４の開口端部付近の導電被膜５への応力集中が図１（ａ）に示す構造の場合よりもさらに効果的に緩和されるため、導電被膜５にクラックが発生し難い。従って、断線故障の発生を防ぎ、基板の信頼性をより高めることができる。
【００２６】
なお、図１（ａ）及び（ｂ）に示したテーパー面７及び曲面形状１５は、コア基板３ａに穿設された貫通孔の開口部の両端に限らず、どちらか一方に設ける構造としても良い。また、開口端縁の一方をテーパー面７とし他方を曲面形状１５とすることもできる。さらに、絶縁性基材１が薄い場合には、貫通孔の内壁をテーパー面７又は曲面形状１５のみで構成し、ストレート部１６を省略した構造としても良い。
【００２７】
次に、本発明の実施の形態に係るプラスチック基板の製造方法について説明する。図２（ａ）乃至（ｆ）は本発明の実施の形態に係る高信頼性プラスチック基板の製造方法を説明する模式図である。なお、図１（ａ）と同一の構成要素については同一の符号を付して、その説明を省略する。
まず、図２（ａ）において、ＢＴ樹脂やエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等からなる絶縁性基材１の両面に銅箔２を重ねて加圧加熱して形成されたコア基板３ａに対して、ドリル加工や炭酸ガスレーザの照射により貫通孔１７を穿設し、貫通孔１７の開口両端縁を面取り加工してテーパー面７を形成する。なお、テーパー面７の加工は、ドリルを用いる場合には穿孔径を変更することにより、また、炭酸ガスレーザを用いる場合には照射エネルギー、パルス数、パルス径をコントロールすることにより容易に行うことができる。さらに、テーパー面７に相当するテーパー部とそれに続くストレート部を有する打ち抜きピンを用いれば、貫通孔１７のテーパー面７とそれに続くストレート部を打ち抜き加工により同時に形成することが可能である。
次に、図２（ｂ）において、コア基板３ａにパラジウム等の触媒を付与した後、ホルマリンを還元剤とする強アルカリ浴中で無電解銅メッキを施す。さらに、無電解銅メッキが施された面に電解銅メッキの被膜を形成する。これにより、銅箔２の表面に銅メッキによる導電被膜５が施される。また、内面に銅メッキによる導電被膜５が施されたスルーホール４が形成される。なお、導電被膜５に使用する金属は銅に限定されるものではなく、例えばアルミニウムでも良い。また、導電被膜５を施す際には、無電解メッキ法以外に蒸着法やスパッタリング法などの薄膜成形技術を用いることもできる。
そして、図２（ｃ）において、導電被膜５の表面にエッチングレジスト１４と呼ばれるドライフィルムを貼り付けて露光・現像により感光させてパターンを焼き付ける。次いで、図２（ｄ）において、導電被膜５のうち感光しなかった部分をエッチングして導体配線パターン６を形成した後、不要なエッチングレジスト１４、導電被膜５、銅箔２を除去する。なお、導体配線パターン６の形成は、上記の方法の代わりに選択メッキによるアディティブ法を用いて行っても良い。
次に、図２（ｅ）において、導体配線パターン６をソルダーレジスト８により被覆する。このとき、スルーホール４の内部はソルダーレジスト８により充填される。また、ソルダーレジスト８には、図示しない半導体素子や半田ボールと接続するために必要な導体配線パターン６の一部を露出させる開口部が設けられている。そして、図２（ｆ）において、ソルダーレジスト８の開口部から露出した導体配線パターン６にニッケルメッキ９及び金メッキ１０を施す。
【００２８】
以上説明したように、本実施例の製造方法によれば、スルーホール開口端部付近の導電被膜のクラック防止が可能であり、かつ、断線故障が発生し難い高信頼性プラスチック基板を容易に実現することができる。
【００２９】
次に、本実施の形態に係る高信頼性プラスチック基板において、スルーホール開口端部に発生する熱応力の数値解析を実施したので、その内容と結果について説明する。なお、本解析は市販の解析ソフトを用いて実施した。
図３（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来技術及び本発明の実施の形態に係るプラスチック基板の解析モデルの構造を示した模式図である。図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、これらのモデルは（縦）０．８ｍｍ×（横）０．８ｍｍ×（厚さ）０．４ｍｍの平板状の絶縁性基材１の中央部に内径０．３ｍｍのスルーホール４が穿設され、スルーホール４の内面及び絶縁基材１の両面（スルーホール４の軸を中心とした半径０．１５ｍｍの円形領域内）に厚さ２５μの銅めっきからなる導電皮膜５が形成された構造となっている。また、図３（ｂ）の解析モデルには、絶縁性基材１の開口端縁に面取り寸法ｃのテーパー面７が設けられている。
これらの解析モデルに対し、ヒートサイクル条件における−６５℃から１５０℃までの昇温状態を仮定した。詳しくは、モデル全体が均一に−６５℃から１５０℃へ温度変化すると仮定し、均一な温度差を温度荷重として与えた。また、表１に各構成要素の材質及び物性を示す。
【００３０】
【表１】
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【００３１】
図３（ｃ）は、（ｂ）の解析モデルの数値解析結果を示す図である。縦軸は導電被膜５に発生する最大歪みを（ａ）の解析モデルの解析結果を１００とした場合の相対値で示し、横軸はテーパー面７の面取り寸法ｃを示している。
図３（ｃ）より、面取り寸法ｃが大きくなるに従って導電被膜５に生じる最大歪みの値が小さくなっていき、面取り寸法ｃが７０μｍを超えるまでは特にその傾向が強いことが分かる。これは、絶縁性基材１の開口端縁に形成されたテーパー面７により、スルーホール４の開口端部付近の導電被膜５に生じる応力集中が緩和されたことを示している。
半導体素子収納用パッケージに使用されるプラスチック基板のスルーホールの内径が概ね０．３ｍｍ以下であることを考慮すると、プラスチック基板のコア基板においては、スルーホールを形成する貫通孔の開口端縁に設けられるテーパー面の面取り寸法は７０μｍ以上とすることが望ましいといえる。ただし、本発明の高信頼性プラスチック基板におけるコア基板及び導電被膜の厚さやスルーホールの内径及びテーパー面の面取り寸法等は本解析の実施例に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００３２】
以上説明したように、本発明の請求項１乃至請求項４に記載された発明は、スルーホール開口端部付近の導電被膜にクラック及びそれに伴う断線故障が発生し難い高信頼性プラスチック基板を提供することが可能であり、半導体素子を収納するためのパッケージに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】（ａ）は本発明の実施の形態に係る高信頼性プラスチック基板の構造を模式的に示す縦断面図であり、（ｂ）はコア基板３ａに穿設された貫通孔の開口端縁の形状の一変形例を示す図である。
【図２】（ａ）乃至（ｆ）は本発明の実施の形態に係る高信頼性プラスチック基板の製造方法を説明する模式図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）はそれぞれ従来技術及び本発明の実施の形態に係るプラスチック基板の解析モデルの構造を示した模式図であり、（ｃ）は（ｂ）の解析モデルの数値解析結果を示す図である。
【図４】（ａ）は従来技術に係るプラスチック基板の構造を説明するためのボールグリッドアレイパッケージの部分断面図であり、（ｂ）はコア基板に形成されたスルーホールの一部を模式的に示した図である。
【図５】従来技術に係る電子回路基板の構造の説明図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…絶縁性基材  ２…銅箔  ３，３ａ…コア基板  ４…スルーホール  ５…導電被膜  ６…導体配線パターン  ７…テーパー面  ８…ソルダーレジスト  ９…ニッケルメッキ  １０…金メッキ  １１…半田ボール  １２…クラック  １３，１３ａ…プラスチック基板  １４…エッチングレジスト  １５…曲面形状  １６…ストレート部  １７…貫通孔  １０１…樹脂基板  １０２…ビアホール  １０３…導通膜  １０４…芯材  １０５…高熱伝導性樹脂層  １０６…配線回路  １０７…絶縁層  １０８…配線回路  ｃ…面取り寸法
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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