(57)【要約】【課題】  磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置に関し、実効的なフリー層の実効的コア幅をエッチングプロセス上の限界・制限を超えた狭小化を実現する。【解決手段】  少なくともフリー層３を含む磁気抵抗効果膜２の側壁部に接するように非磁性材料からなる拡散材料層８を設けるとともに、フリー層３の拡散材料層８に接する界面近傍に拡散材料層８を構成する元素が拡散した拡散層９を設ける。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともフリー層を含む磁気抵抗効果膜の側壁部に接するように非磁性材料からなる拡散材料層を設けるとともに、前記フリー層の前記拡散材料層に接する界面近傍に前記拡散材料層を構成する元素が拡散した拡散層を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
前記拡散材料層の幅が、非磁性中間層の膜厚以上且つ３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
少なくともフリー層を含む磁気抵抗効果膜をメサ状にエッチングする工程と、前記メサ状の磁気抵抗効果膜の側壁部に拡散材料層を形成する工程と、前記拡散材料層を構成する元素を少なくともフリー層の側壁部に拡散する熱処理工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項４記載の磁気ヘッドを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置に関するものであり、特に、磁気抵抗効果素子のコア幅を実効的に狭小化するための構成に特徴のある磁気抵抗効果素子、その製造方法、磁気ヘッド、及び、磁気ディスク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置のリードヘッドは、ディスクから漏れる磁場の向きを感知して電気抵抗が変化する磁気抵抗効果を利用して情報を読み取っているが、リードヘッドには、抵抗変化を読み取るためのセンス電流を磁気抵抗効果膜に平行に流すＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  ｉｎ  Ｐｌａｎｅ）構造とセンス電流を磁気抵抗効果膜の膜厚方向に流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ  Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｔｏ  Ｐｌａｎｅ）構造とが知られている。
【０００３】
近年のハードディスクドライブの容量増加に伴い、1 ビット当たりの記録面積が減少し、コア幅が狭くなりつつある状況下で、ＣＩＰ構造では、高密度化が進むにつれて抵抗値が下がり、再生出力が低下してしまうという問題がある。
【０００４】
これに対して、ＣＰＰ構造の磁気抵抗効果膜では、抵抗変化を読み取るためのセンス電流を磁気抵抗効果膜に垂直な方向に流すため、コア幅に関係なく出力が得られ、高密度化に適している（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ここで、図８を参照して、従来のＣＰＰ構造の磁気抵抗効果素子を説明する。
図８参照  
図８は、従来のＣＰＰ構造のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の原理的構成であり、下部シールド層を兼ねる下部電極６１上に、反強磁性層６２、磁化方向が反強磁性層６２によって一方向に固定されている固定強磁性層、即ち、ピンド層６３、非磁性中間層６４、及び、磁化方向が磁気記録媒体からの磁場の影響を受けて容易に変化するフリー強磁性層、即ち、フリー層６５から構成されており、このフリー層６５と電気的に接続するように上部シールド層を兼ねる上部電極６６が設けられた構造となっている。
なお、符号６７は、Ａｌ2 Ｏ3 等の平坦化層である。
【０００６】
このＣＰＰ構造のスピンバルブ型磁気抵抗効果膜に垂直方向にセンス電流を流すと、ピンド層６３とフリー層６５との磁化の向きによって抵抗が変化し、磁場を読み取る磁気センサーとして働く。
【０００７】
このＣＰＰ構造の磁気抵抗効果膜を用いたリードヘッドでは、磁気抵抗効果膜の上下に磁気シールド層を上下の電極と兼ねるように設けるので、磁気シールド層を電極と別個に設けるＣＩＰ構造の磁気抵抗効果膜を用いたリードヘッドに比べて、磁気シールド層と電極を絶縁分離するために必要な絶縁層の分だけギャップ長を狭くすることが可能であるという特長がある。
【特許文献１】特開２００２−２８０６３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、現在、磁気ディスク装置の高密度化・大容量化に伴いリードヘッド素子のさらなる高感度化・微細化が求められており、特に、高い記録密度で媒体に記録された微弱な信号を効率良く読み出すためにはリードヘッド素子の浮上面からの高さ、即ち、素子高さを微細な寸法に形成する必要がある。
【０００９】
磁気抵抗効果素子の微細化・高感度化の方策の1 つとして、磁気抵抗効果素子のフリー層幅、即ち、コア幅を狭くする方法があるが、コア幅は、磁気抵抗効果膜上に形成されたレジストパターンをマスクとしたエッチングにより形成される。
【００１０】
このため、コア幅の大きさを決定する要因はレジストパターンの幅とエッチングプロセスとになり、コア幅狭小化にはレジストパターンの幅を狭くし、且つ適切なエッチングプロセスを適用することが必要となる。
【００１１】
しかし、現状では、レジスト形成プロセス及びエッチングプロセス上の限界、制限などにより、数１０ｎｍ幅のコア幅形成が限界となっており、さらなる狭小化は非常に困難といった課題がある。
【００１２】
したがって、本発明は、実効的なフリー層の実効的コア幅をレジスト形成プロセス及びエッチングプロセス上の限界・制限を超えた狭小化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号１，５，６，７は、それぞれ下部電極、ピンド層、反強磁性層、及び、上部電極である。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、磁気抵抗効果素子において、少なくともフリー層３を含む磁気抵抗効果膜２の側壁部に接するように非磁性材料からなる拡散材料層８を設けるとともに、フリー層３の拡散材料層８に接する界面近傍に拡散材料層８を構成する元素が拡散した拡散層９を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【００１４】
このように、フリー層３の拡散材料層８に接する界面近傍に拡散材料層８を構成する非磁性元素が拡散した拡散層９を設けることによって拡散層９が磁性を失うので、フリー層３の幅を実効的に狭小化することができ、それによって、フォトリソグラフィー限界を超えたコア幅の磁気抵抗効果素子を実現することができる。
【００１５】
この場合の拡散材料層８としては、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ、Ｃｕ或いはＳのうちの少なくとも１種の元素を含有する材料層であることが化学的安定性の観点から望ましい。
【００１６】
拡散層９における非磁性元素の濃度は拡散材料層８の幅に依存するので、非磁性中間層４の膜厚以上、より好適には非磁性中間層４の膜厚の３倍以上且つ３０ｎｍ以下とすることが望ましく、それによって、非磁性中間層４からの拡散によるフリー層３の磁気特性の劣化を無視することができる。
なお、３０ｎｍを超えると磁区制御層とフリー層との距離が離れ過ぎてフリー層の磁区制御が不充分になり、且つ、リーク電流が増大し過ぎることになる。
【００１７】
この様な構成は、磁気抵抗効果膜２の膜厚に平行方向に電流を流すＣＩＰ構造磁気抵抗効果素子にも適用されるものであるが、特に、さらなる小型化に適した磁気抵抗効果膜２の膜厚方向に電流を流すＣＰＰ構造磁気抵抗効果素子に対して好適である。
【００１８】
また、製造方法としては、少なくともフリー層３を含む磁気抵抗効果膜２をメサ状にエッチングする工程と、メサ状の磁気抵抗効果膜２の側壁部に拡散材料層８を形成する工程と、拡散材料層８を構成する元素を少なくともフリー層３の側壁部に拡散する熱処理工程とを含むように工程を構成すれば良い。
【００１９】
上述の構成を有する磁気抵抗効果素子を用いることによって、高密度化・小型化の要請に応えた磁気ヘッドを構成することができ、また、この磁気ヘッドを搭載することによって高記録密度のハードディスクドライブ装置を実現することができる。
なお、この場合の磁気ヘッドとしては、リードヘッドのみの再生専用ヘッドも対象とするが、誘導型の書込ヘッドを積層させた複合型薄膜磁気ヘッドが典型的なものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、拡散現象の効果的な利用によりコア幅を狭くすることが可能であり、微細化・高感度化に対応した磁気抵抗効果素子を実現することができ、ひいては、高記録密度のハードディスクドライブ装置の普及に寄与するところが大きく、工業的価値は大なるものがある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明は、少なくともフリー層を含む磁気抵抗効果膜をメサ状にエッチングしたのち、メサ状の磁気抵抗効果膜の側壁部に非磁性中間層の膜厚以上、より好適には非磁性中間層の膜厚の３倍以上且つ３０ｎｍ以下の膜厚の拡散材料層を形成し、次いで、以降の製造工程における熱処理工程或いは別途設けた熱処理工程によって拡散材料層を構成する元素を少なくともフリー層の側壁部に拡散して拡散層を形成して拡散層における磁気特性を劣化させて実効的なコア幅をフォトリソグラフィー限界を超えて狭小化するものである。
【実施例１】
【００２２】
ここで、図２乃至図４を参照して、本発明の実施例１のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する。
図２参照  
まず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板１１上にスパッタ法により、厚さが、例えば、３μｍのＡｌ2 Ｏ3 絶縁層１２及び下部磁気シールド層を兼ねる厚さが１〜４μｍ、例えば、２μｍのＮｉＦｅ下部電極１３を形成したのち、同じくスパッタ法によりフリー層が下層となりピンド層が上層となるＣＰＰ膜１４を形成する。
【００２３】
このＣＰＰ膜１４は、厚さが、例えば、５ｎｍのＴａ下地層１５、厚さが、例えば、３ｎｍのＣｏＦｅフリー層１６、厚さが、例えば、２ｎｍのＣｕ中間層１７、厚さが、例えば、５ｎｍのＣｏＦｅピンド層１８、厚さが、例えば、１５ｎｍのＰｄＰｔＭｎピン層１９、及び、厚さが、例えば、５ｎｍのＴａ表面保護層２０を順次堆積させて構成する。
【００２４】
続いて、ＣｏＦｅピンド層１８の磁化方向を固着するため、後に磁化情報読み取り面となる方向と直交する方向に１０〔ｋＯｅ〕以上の磁場を印加しながら、Ｎ2 雰囲気或いは真空中で２８０℃の温度で３時間熱処理を行う。
【００２５】
次いで、幅が例えば、６０ｎｍのレジストパターン２１をマスクとして、イオンミリング法でＣＰＰ膜１４を削ってセンサ部２２を形成する。
【００２６】
図３参照  
次いで、レジストパターン２１を残したまま全面に厚さが、３０ｎｍ以下、例えば、１０ｎｍのＡｕ拡散材料層２３、厚さが、例えば、２０ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜２４、及び、厚さが、例えば、３０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁区制御膜２５を順次堆積させる。
【００２７】
次いで、リフトオフ法によりレジストパターン２１の上部に付着した不要なＣｏＣｒＰｔ／Ａｌ2 Ｏ3 ／Ａｕ膜をレジストパターン２１と共に除去する。
【００２８】
次いで、ＣｏＣｒＰｔ磁区制御膜２５乃至Ａｕ拡散材料層２３を所定形状にパターニングしたのち、リフトオフ法を利用してＡｌ2 Ｏ3 平坦化膜２６（ここでは図示を省略）で周囲を埋め込む。
【００２９】
次いで、レジストパターンからなるメッキフレーム（図示を省略）を用いて選択電解メッキ法により厚さが１〜４μｍ、例えば、２μｍの上部磁気シールド層を兼ねるＮｉＦｅ上部電極２７を形成する。
【００３０】
図４参照  
以降は、従来の誘導型のライトヘッドと同様に、ＮｉＦｅ上部電極２７上にＡｌ2 Ｏ3 膜２９を介して下部磁極層３０、Ａｌ2 Ｏ3 からなるライトギャップ層３１、レジストからなる層間絶縁膜３２、Ｃｕからなる平面スパイラル状のコイル３３、及び、層間絶縁膜３４を順次形成したのち、選択メッキ法によって所定パターンの上部磁極層３５を構成する。
なお、図４の上図は概略的断面図であり、下図は、センサ部が露出している側の要部正面図である。
【００３１】
このレジストからなる層間絶縁膜３２，３４を形成する際のベーク工程においてＡｕ拡散材料層２３からＡｕが拡散してセンサ部２２の側壁部に拡散層２８が形成される。
このＡｕが拡散した拡散層２８においては磁気特性が劣化するので、拡散層２８の厚さを除いた残りのＣｏＦｅフリー層１６の幅が実効的なコア幅となる。
【００３２】
次いで、全面にＡｌ2 Ｏ3 保護膜（図示を省略）を形成したのち、スライダー加工を施すことによって、スピンバルブＣＰＰ磁気センサをリードヘッドとした複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００３３】
図５参照  
図５は、スライダー加工後の上下電極の形状を示す平面図であり、ＮｉＦｅ下部電極１３及びＮｉＦｅ上部電極２７の研磨端面にセンサ部２２が露出する構成となる。
【００３４】
図６参照  
図６は、本発明の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図であり、磁気ディスク装置４０は、スピンドルモータ４３の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング４２によって固定された磁気ディスク４１、磁気ディスク４１に書き込まれた磁気情報を読み取るとともに、磁気ディスク４１に磁気情報を書き込むスピンバルブＣＰＰ磁気センサを備えたスライダー４４、スライダー４４の先端部に取り付けた微動アーム４５、微動アーム４５を駆動する一対の圧電アクチュエータ（図示を省略）、微動アーム４５を軸４６により揺動支持するとともに磁気ディスク装置４０のシャーシ４７に回動可能に支持されたベースアーム４８、ベースアーム４８を駆動する電磁アクチュエータ４９によって構成される。
【００３５】
本発明の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、リードヘッドを側壁部界面近傍に磁気特性を劣化させた拡散層とすることによって、フォトリソグラフィー工程の精度限界を超えて狭小化した実効コア幅を有するスピンバルブＣＰＰ型磁気抵抗素子を用いて構成しているので、高記録密度のハードディスク装置を実現することができる。
【００３６】
この場合の拡散層２８の実効的な厚さは、熱処理条件及び拡散材料層の膜厚に依存するものであり、これらの条件を適用に設定することによって、１０乃至２０ｎｍの幅の拡散層２８を形成することができ、両側を合わせると２０乃至４０ｎｍとなるので、現在のフォトリソグラフィー工程の限界の６０ｎｍよりさらに２０乃至４０ｎｍのコア幅の狭小化が可能になる。
【００３７】
なお、この実施例１のスピンバルブＣＰＰ型磁気抵抗素子においては、Ａｕ拡散材料層も合金化によって非抵抗が大きくなるが、それでもＡｕ拡散材料層を介してＮｉＦｅ上部電極とＮｉＦｅ下部電極との間にリーク電流が流れ、感度は若干低下する。
【実施例２】
【００３８】
次に、図７を参照して、本発明の実施例２のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを説明するが、ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の構成が異なるだけで他は実施例１と全く同様であるので、ＣＰＰ型磁気抵抗効果素子の構成のみ説明する。
図７参照  
まず、Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板１１上にスパッタ法により、厚さが、例えば、３μｍのＡｌ2 Ｏ3 絶縁層１２及び下部磁気シールド層を兼ねる厚さが１〜４μｍ、例えば、２μｍのＮｉＦｅ下部電極１３を形成したのち、同じくスパッタ法によりピンド層が下層となりフリー層が上層となるＣＰＰ膜５０を形成する。
【００３９】
このＣＰＰ膜５０は、厚さが、例えば、５ｎｍのＴａ下地層５１、厚さが、例えば、５ｎｍのＮｉＦｅ下地層５２、厚さが、例えば、２５ｎｍのＰｄＰｔＭｎピン層５３、厚さが、例えば、５ｎｍのＣｏＦｅピンド層５４、厚さが、例えば、２．５ｎｍのＣｕ中間層５５、厚さが、例えば、２．５ｎｍのＣｏＦｅフリー層５６、及び、厚さが、例えば、５ｎｍのＴａ表面保護層５７を順次堆積させて構成する。
【００４０】
続いて、ＣｏＦｅピンド層５４の磁化方向を固着するため、後に磁化情報読み取り面となる方向と直交する方向に１０〔ｋＯｅ〕以上の磁場を印加しながら、Ｎ2 雰囲気或いは真空中で２８０℃の温度で３時間熱処理を行う。
【００４１】
次いで、幅が例えば、６０ｎｍのレジストパターン２１をマスクとして、イオンミリング法でＣＰＰ膜５０を削ってセンサ部５８を形成する。
【００４２】
次いで、レジストパターン２１を残したまま全面に厚さが、３０ｎｍ以下、例えば、１０ｎｍのＡｕ拡散材料層２３、厚さが、例えば、２０ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜２４、及び、厚さが、例えば、３０ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁区制御膜２５を順次堆積させる。
【００４３】
以降は、上記の実施例１と同様にＡｌ2 Ｏ3 平坦化膜２６を形成したのち、ＮｉＦｅ上部電極２７を形成し、次いで、誘導型のライトヘッドを積層させたのち、全面にＡｌ2 Ｏ3 保護膜を形成し、最後に、スライダー加工を施すことによって、スピンバルブＣＰＰ磁気センサをリードヘッドとした複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
この場合も平面スパイラルコイルを覆うレジストからなる層間絶縁膜のベーク工程において拡散層５９が形成される。
【００４４】
この本発明の実施例２においては、上記実施例１と同様に実効コア幅を狭小化することができるとともに、ＣＰＰ膜５０のフリー層を上側にしているので、Ａｌ2 Ｏ3 膜２４を絶縁分離のために設けてもフリー層の高さの位置にＣｏＣｒＰｔ磁区制御膜２５が存在しているので、ＣｏＣｒＰｔ磁区制御膜２５からの磁界を最大限に受けることができる。
【００４５】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、各実施例における、フリー層、ピンド層、反強磁性ピン層、磁区制御層の材料は単なる一例にすぎず各種の公知の強磁性体や反強磁性体を用いても良いことは言うまでもない。
【００４６】
また、上記の各実施例においては、ピンド層を単層のＣｏＦｅピンド層としているが、単層ピンド層に限られるものではなく、積層フェリ型ピンド層を用いても良いものである。
例えば、ＰｄＰｔＭｎピン層側から、厚さが、例えば、２．５ｎｍのＣｏＦｅ層、厚さが、例えば、０．８ｎｍのＲｕ層、及び、厚さが、例えば、２．０ｎｍのＣｏＦｅ層を積層して積層フェリ型ピンド層としても良い。
【００４７】
また、上記の各実施例においては、拡散材料層をＡｕで構成しているが、Ａｕに限られるものではなく、Ａｕと同様に非磁性のＣｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ａｇ、Ｃ、Ｃｕ或いはＳのうちの少なくとも１種の元素を含む拡散材料層を用いても良いものである。
【００４８】
この場合、拡散材料層を介したリーク電流を低減する観点からは、拡散材料層としてはＡｓ、Ｓｉ、Ｃ、或いは、Ｓ等の非金属性の材料が好適であるが、これらの材料は拡散係数が小さいので、別途拡散のための熱処理工程を設ける必要がある。
例えば、不所望な酸化を避けるために、１×１０-5Ｐａの真空中で２５０℃の温度で２時間の熱処理を施せば良い。
【００４９】
また、それ以外の材料の場合にも、誘導型ライトヘッドの製造工程における熱処理時間或いは温度が不充分な場合には、不足する拡散量を補うために別途必要な温度と時間の熱処理工程を設けても良いものである。
【００５０】
また、上記の各実施例においては磁気抵抗効果素子をＣＰＰ型磁気抵抗効果素子としているが、必ずしもＣＰＰ型磁気抵抗効果素子に限られるものではなく、ＣＩＰ型磁気抵抗効果素子に適用しても良いものであり、それによって、ＣＩＰ型磁気抵抗効果素子の実効コア幅の狭小化が可能になる。
【００５１】
また、上記の各実施例においては磁気抵抗効果素子をシングルスピンバルブ構造の磁気抵抗効果膜で構成しているが、シングルスピンバルブ構造に限られるものではなく、反強磁性層を共通層にしたデュアルスピンバルブ構造或いはフリー層を共通層にしたデュアルスピンバルブ構造を用いても良いものである。
【００５２】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  少なくともフリー層３を含む磁気抵抗効果膜２の側壁部に接するように非磁性材料からなる拡散材料層８を設けるとともに、前記フリー層３の前記拡散材料層８に接する界面近傍に前記拡散材料層８を構成する元素が拡散した拡散層９を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
（付記２）  前記拡散材料層８は、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｏ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｎｂ、Ｗ、Ａｌ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃ、Ｃｕ或いはＳのうちの少なくとも１種の元素を含有することを特徴とする付記１記載の磁気抵抗効果素子。
（付記３）  前記拡散材料層８の幅が、非磁性中間層４の膜厚以上且つ３０ｎｍ以下であることを特徴とする付記１または２に記載の磁気抵抗効果素子。
（付記４）  上記磁気抵抗効果膜２の膜厚方向に電流を流すことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の磁気抵抗効果素子。
（付記５）  少なくともフリー層３を含む磁気抵抗効果膜２をメサ状にエッチングする工程と、前記メサ状の磁気抵抗効果膜２の側壁部に拡散材料層８を形成する工程と、前記拡散材料層８を構成する元素を少なくともフリー層３の側壁部に拡散する熱処理工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
（付記６）  付記１乃至４のいずれか１に記載の磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする磁気ヘッド。
（付記７）  付記６記載の磁気ヘッドを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明の活用例としては、ハードディスク装置に搭載される複合型薄膜磁気ヘッドが典型的なものであるが、再生専用ヘッドにも適用されるものであり、さらには、磁気ヘッドではなく、単純な微小磁気センサの構造としても適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドの途中までの製造工程の説明図である。
【図３】本発明の実施例１のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドの図２以降の途中までの製造工程の説明図である。
【図４】本発明の実施例１のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドの図３以降の製造工程の説明図である。
【図５】スライダー加工後の上下電極の形状を示す平面図である。
【図６】本発明の実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図である。
【図７】本発明の実施例２のＣＰＰ型磁気抵抗効果素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドの概略的構成図である。
【図８】従来のＣＰＰ構造のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子の原理的構成図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  下部電極
２  磁気抵抗効果膜
３  フリー層
４  非磁性中間層
５  ピンド層
６  反強磁性層
７  上部電極
８  拡散材料層
９  拡散層
１１  Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ基板
１２  Ａｌ2 Ｏ3 絶縁層
１３  ＮｉＦｅ下部電極
１４  ＣＰＰ膜
１５  Ｔａ下地層
１６  ＣｏＦｅフリー層
１７  Ｃｕ中間層
１８  ＣｏＦｅピンド層
１９  ＰｄＰｔＭｎピン層
２０  Ｔａ表面保護層
２１  レジストパターン
２２  センサ部
２３  Ａｕ拡散材料層
２４  Ａｌ2 Ｏ3 膜
２５  ＣｏＣｒＰｔ磁区制御膜
２６  Ａｌ2 Ｏ3 平坦化膜
２７  ＮｉＦｅ上部電極
２８  拡散層
２９  Ａｌ2 Ｏ3 膜
３０  下部磁極層
３１  ライトギャップ層
３２  層間絶縁膜
３３  コイル
３４  層間絶縁膜
３５  上部磁極層
４０  磁気ディスク装置
４１  磁気ディスク
４２  ディスククランプリング
４３  スピンドルモータ
４４  スライダー
４５  微動アーム
４６  軸
４７  シャーシ
４８  ベースアーム
４９  電磁アクチュエータ
５０  ＣＰＰ膜
５１  Ｔａ下地層
５２  ＮｉＦｅ下地層
５３  ＰｄＰｔＭｎピン層
５４  ＣｏＦｅピンド層
５５  Ｃｕ中間層
５６  ＣｏＦｅフリー層
５７  Ｔａ表面保護層
５８  センサ部
５９  拡散層
６１  下部電極
６２  反強磁性層
６３  ピンド層
６４  非磁性中間層
６５  フリー層
６６  上部電極
６７  平坦化層
【図１】
2006186184.tif 000003
【図２】
2006186184.tif 000004
【図３】
2006186184.tif 000005
【図４】
2006186184.tif 000006
【図５】
2006186184.tif 000007
【図６】
2006186184.tif 000008
【図７】
2006186184.tif 000009
【図８】
2006186184.tif 000010