(57)【要約】【課題】パッケージ厚やフレーム厚が薄くとも、ダイパッドが封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りにして、半導体チップ，ダイパッド，ボンディングワイヤなども露出することなく封止する。【解決手段】サポートリード２の幅方向に沿った段差部１３の断面のＶ字形状と段差部１３以外の断面のＶ字形状とが相反した方向で折曲した形状とする。サポートリード２の段差部１３が長さ方向の中央に位置し、サポートリード２の厚みが０．０５〜０．１ｍｍ、かつ幅がサポートリード２の厚みの３〜６倍として、加工時の残留応力を小さくして、破断のない折曲とする曲率半径を確保する。Ｖ字形状の内角を３０〜９０°とし、封止時のダイパッド及び半導体チップと封止樹脂との樹脂流動の上下応力差を、前後左右の応力に分散して、ダイパッドシフト量を低減して半導体チップ，ダイパッド，ボンディングワイヤが封止成型領域より露出しない封止成型ができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレーム枠と、前記フレーム枠内に末端を接続するサポートリードと、前記サポートリード先端と接続するダイパッドと、前記ダイパッドから所定の間隔をもって放射状に配置した複数のインナーリードと、前記インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、前記インナーリードと前記アウターリードの境界に位置し、隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、
前記サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状と前記サポートリードの幅方向に沿って段差部を有したことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記サポートリードの幅方向に沿った段差部及び前記段差部以外の前記サポートリードは断面がＶ字形状であり、前記段差部の断面のＶ字形状と前記段差部以外の断面のＶ字形状とが相反した方向で折曲することを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記サポートリードの幅方向に沿った段差部が、前記サポートリードの長さ方向の中央に位置したことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記サポートリードは、厚みが０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下、かつ幅が前記サポートリードの厚みの３倍以上６倍以下であることを特徴とする請求項１または２記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記サポートリードは、断面のＶ字形状における内角が３０°以上９０°以下であることを特徴とする請求項２記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記ダイパッドの四隅より延在する前記サポートリードに、前記ダイパッドの中心に対し点対称となる位置で段差部を有したことを特徴とする請求項１または２記載のリードフレーム。
【請求項７】
請求項１または２記載のリードフレームにサポートリードを形成するリードフレームの製造方法であって、
ヒータで高温となったプレス金型を用いて、前記サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状と前記サポートリードの幅方向に沿った段差部をプレス加工により形成することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【請求項８】
前記サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状と前記サポートリードの幅方向に沿った段差部を、プレス金型により一度折目を付けてから折曲した形状に加工することを特徴とする請求項７記載のリードフレームの製造方法。
【請求項９】
前記サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状と前記サポートリードの幅方向に沿った段差部を、前記リードフレームの加工変移に同調して、プレス金型のクランプにより行うことを特徴とする請求項８記載のリードフレームの製造方法。
【請求項１０】
ダイパッド上に搭載した半導体チップと、前記半導体チップ表面に形成した複数のボンディングパッドと複数のインナーリードを各々接続するボンディングワイヤと、前記半導体チップと前記ダイパッドと前記ボンディングワイヤと前記インナーリードとを封止成型領域内で封止する封止樹脂とを備え、
前記ダイパッドが前記封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りとなる請求項１〜６のいずれか１項に記載のリードフレームを用いたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを搭載するためのダイパッドを支持するサポートリードに三次元的加工を施したリードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、リードフレームは用途に合わせその材料や形状がさまざまであるが、一般的には、図１０に示すものが知られている。図１０において、リードフレーム材は金属（メッキを施した銅、銅合金及び４２アロイなど）で形成されており、リードフレームは、フレーム枠１とフレーム枠１内に末端を接続するサポートリード２と、サポートリード２先端と接続するダイパッド３と、ダイパッド３から所定の間隔をもって放射状に配置した複数のインナーリード４と、インナーリード４から延在しフレーム枠１内と接続するアウターリード５と、インナーリード４とアウターリード５の境界に位置し、隣り合うリード間を連結するタイバー６を備えている。
【０００３】
図１１はこのリードフレームを用いた半導体装置の構造を部分的に開示した斜視図である。図１１に示すように、半導体チップ７をダイパッド３上に接着剤８で固着し、半導体チップ７表面に形成した複数のボンディングパッド９と複数のインナーリード４を導電性のボンディングワイヤ１０で各々接続し、エポキシ樹脂などの封止樹脂１１で封止成型領域を封止する。その後、封止成型領域外にあるタイバー６とフレーム枠１を切断し、封止成型領域より突出したアウターリード５を実装形態に合わせ加工する。
【０００４】
このようなリードフレームを用いた半導体装置では、図１２に示すように、ダイパッド３を支持するサポートリード２の剛性を高めるためサポートリード２にＶ溝１２を施したり、図１３に示すように、半導体チップ７とダイパッド３を封止する上下樹脂厚を均等にするためにサポートリード２に段差部１３を施したりして、ボンディングワイヤ１０が断線したり、封止成型領域からボンディングワイヤ１０、半導体チップ７及びダイパッド３が露出しないようにしていた。
【特許文献１】特開平９−１５３５８６号公報
【特許文献２】特開２０００−２４３８８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような構成の半導体装置では、薄型化が進むにつれ、前記のような構造だけでは、封止樹脂の注入等によるダイパッドシフト量を十分に防ぐことができないという問題がある。
【０００６】
まず、図１４に示すように、ダイパッド３を支持するサポートリード２の剛性を高めるためサポートリード２の長さ方向に沿って折曲したＶ溝１２だけを施した場合、パッケージ厚やリードフレーム厚が厚ければ、Ｖ溝１２によりサポートリード２の剛性が高められ、半導体チップ７とダイパッド３への支持力が封止時に流動する封止樹脂１１の上下応力差に耐え、半導体チップ７とダイパッド３との上下樹脂厚を超えたり、ボンディングワイヤ１０が封止成型領域より露出する程のダイパッドシフト量ではなかった。
【０００７】
しかし、図１５に示すように、パッケージ厚やリードフレーム厚が薄くなるにつれ、リードフレーム厚の薄い分、サポートリード２の剛性は小さくなり、ダイパッドシフト量は大きくなる。一方でパッケージ厚が薄くなる分、封止成型領域でダイパッドシフト量の許容量は小さくなり、半導体チップ７やダイパッド３やボンディングワイヤ１０が封止成型領域より露出することとなった。
【０００８】
また、図１６に示すように、ダイパッド３及び半導体チップ７の上下厚を均等にするためにサポートリード２の幅方向に段差部１３だけを施した場合、パッケージ厚やリードフレーム厚が厚ければ、半導体チップ７とダイパッド３との上下樹脂厚が均等になることにより、封止時に流動する封止樹脂１１の上下応力差を抑え、半導体チップ７とダイパッド３との上下の樹脂厚を超えたり、ボンディングワイヤ１０が封止成型領域より露出する程のダイパッドシフト量ではなかった。
【０００９】
しかし、図１７に示すように、パッケージ厚やリードフレーム厚が薄くなるにつれ、リードフレーム厚の薄い分、サポートリード２の剛性は小さくなり、ダイパッドシフト量は大きくなる。一方でパッケージ厚が薄くなる分、ダイパッドシフト量の許容量は小さくなり、半導体チップ７やダイパッド３やボンディングワイヤ１０が封止成型領域より露出することとなった。
【００１０】
このため、パッケージ厚やフレーム厚が薄くなるにつれて、ダイパッドシフト量を低減するさらなる解決策が必要であった。
【００１１】
ダイパッドシフト量を低減する１つの策として、図１８に示すように、サポートリード２の長さ方向に沿って折曲したＶ溝１２を設け、かつサポートリード２の幅方向に沿って段差部１３を有し、サポートリード２の段差部１３の断面が平らな板形状で、段差部１３以外の断面が段差部１３の断面をＶ字形状に折曲した構造を試みた。
【００１２】
しかし、サポートリード２の幅方向に沿った段差部以外の剛性が大きくなるが、段差部の剛性は小さく、半導体装置の製造工程における封止時、樹脂流動の応力に耐えられず、段差部１３を起点にダイパッド３にシフトが生じ、半導体チップ７とダイパッド３の上下樹脂厚より制約されるダイパッドシフト量の許容量を満たさなかった。
【００１３】
また、図１９に示すように、サポートリード２の長さ方向は平らな板形状で、かつ幅方向に沿って段差部１３を有し、段差部１３の断面がＶ字形状に折曲した構造を試みた。
【００１４】
しかし、サポートリード２の幅方向に沿った段差部１３の剛性が大きくなるが、段差部１３以外は剛性が小さく、半導体装置の製造工程における封止時、樹脂流動の応力に耐えられず、サポートリード２の段差部１３以外よりダイパッドのシフトが生じ、半導体チップ７とダイパッド３の上下樹脂厚より制約されるダイパッドシフト量の許容量を満たさなかった。
【００１５】
ダイパッドシフト量を抑えるには、サポートリード２全体で剛性を高め、かつ半導体チップ７とダイパッド３の上下樹脂厚を均等にする必要がある。しかし、図２０に示すように、サポートリード２の長さ方向に沿って折曲したＶ溝１２とサポートリード２の幅方向に沿った段差部１３を有し、段差部１３の断面のＶ字形状と段差部１３以外の断面のＶ字形状とが同一方向で折曲した構造であれば、Ｖ字形状の谷折部と山折部の連なりに差異が生じることになりサポートリード２が反り返ったり、局部的に歪んだりして、ダイパッド３を水平に支持できなくなり、リードフレームとして機能しなかった。
【００１６】
本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、パッケージ厚やフレーム厚が薄くなっても、ダイパッドが封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りにでき、半導体チップ，ダイパッド，ボンディングワイヤなどが封止成型領域より露出することなく封止でき、耐湿性と絶縁性、生産性に優れた半導体装置が得られるリードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載されるリードフレームは、フレーム枠と、フレーム枠内に末端を接続するサポートリードと、サポートリード先端と接続するダイパッドと、ダイパッドから所定の間隔をもって放射状に配置した複数のインナーリードと、インナーリードから延在しフレーム枠内と接続するアウターリードと、インナーリードとアウターリードの境界に位置し、隣り合うリード間を連結するタイバーとを備え、サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状とサポートリードの幅方向に沿って段差部を有したことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項２〜６に記載されるリードフレームは、請求項１のリードフレームにおいて、サポートリードの幅方向に沿った段差部及び段差部以外のサポートリードは断面がＶ字形状であり、段差部の断面のＶ字形状と段差部以外の断面のＶ字形状とが相反した方向で折曲すること、さらに、サポートリードの幅方向に沿った段差部が、サポートリードの長さ方向の中央に位置したこと、またサポートリードは、厚みが０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下、かつ幅がサポートリードの厚みの３倍以上６倍以下であること、断面のＶ字形状における内角が３０°以上９０°以下であること、ダイパッドの四隅より延在するサポートリードに、ダイパッドの中心に対し点対称となる位置で段差部を有したことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項７に記載されるリードフレームの製造方法は、請求項１または２記載のリードフレームにサポートリードを形成するリードフレームの製造方法であって、ヒータで高温となったプレス金型を用いて、サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状とサポートリードの幅方向に沿った段差部をプレス加工により形成することを特徴とする。
【００２０】
また、請求項８，９に記載されるリードフレームの製造方法は、請求項７の製造方法において、サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状とサポートリードの幅方向に沿った段差部を、プレス金型により一度折目を付けてから折曲した形状に加工すること、さらに、サポートリードの長さ方向に沿って折曲した形状とサポートリードの幅方向に沿った段差部を、リードフレームの加工変移に同調して、プレス金型のクランプにより行うことを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１０に記載される半導体装置は、ダイパッド上に搭載した半導体チップと、半導体チップ表面に形成した複数のボンディングパッドと複数のインナーリードを各々接続するボンディングワイヤと、半導体チップとダイパッドとボンディングワイヤとインナーリードとを封止成型領域内で封止する封止樹脂とを備え、ダイパッドが封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りとなる請求項１〜６のいずれか１項に記載のリードフレームを用いたことを特徴とする。
【００２２】
前記構成によれば、リードフレームにおけるサポートリードの剛性は大きく、ダイパッドシフト量は小さくでき、また、サポートリードの段差部によりダイパッドシフト量の許容量を確保して、半導体チップ，ダイパッド，ボンディングワイヤが封止成型領域より露出しない封止成型ができ、さらに、サポートリードの長さ方向に沿った折曲とサポートリードの幅方向に沿った段差を精度良く加工でき、このリードフレームを用いて、パッケージ厚やフレーム厚が薄くなっても、ダイパッドが封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りに支持できる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、パッケージ厚やフレーム厚が薄くなっても、サポートリードの剛性は大きく、ダイパッドシフト量は小さくでき、また、サポートリードの段差部によりダイパッドシフト量の許容量を確保して、半導体チップ，ダイパッド，ボンディングワイヤが封止成型領域より露出しない封止成型ができ、さらに、サポートリードの長さ方向に沿った折曲とサポートリードの幅方向に沿った段差を精度良く加工でき、残留応力を低減するリードフレームが製造でき、これを用いてパッケージ厚やフレーム厚が薄くなっても、ダイパッドが封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りに支持する耐湿性と絶縁性及び生産性に優れた半導体装置を提供できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００２５】
図１は本発明の実施の形態１における（ａ）はリードフレームの正面図、（ｂ）はリードフレームのサポートリード付近の拡大図を示す図である、ここで、前記従来例を示す図１０，図１１において説明した構成部材に対応して同等の機能を有するものには同一の符号を付して示し、以下の各図においても同様とする。
【００２６】
図１（ａ）に示すように、本発明のリードフレームは半導体装置に用いられるリードフレームで、フレーム枠１と、フレーム枠内に末端を接続するサポートリード２と、サポートリード２先端と接続するダイパッド３と、ダイパッド３から所定の間隔をもって放射状に配置した複数のインナーリード４と、インナーリード４から延在しフレーム枠内と接続するアウターリード５と、インナーリード４とアウターリード５の境界に位置し、隣り合うリード間を連結するタイバー６を備えている。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、サポートリード２の長さ方向に沿って折曲したＶ溝１２とサポートリード２の幅方向に沿った段差部１３を有している。図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、このサポートリード２の幅方向に沿った段差部１３のＥ−Ｆ断面のＶ字形状と段差部１３以外のＣ−Ｄ，Ｇ−Ｈ断面のＶ字形状とが相反した方向で折曲した形状である。また、サポートリード２の段差部１３が長さ方向の中央に位置し、サポートリード２の厚みが０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下で、かつサポートリード２の幅がサポートリード２の厚みの３倍以上６倍以下であり、サポートリード２の断面のＶ字形状における内角が３０°以上９０°以下である。
【００２８】
このサポートリード２の段差部１３が長さ方向の中央に位置し、サポートリード２の厚みが０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下、かつサポートリード２の幅がサポートリード２の厚みの３倍以上６倍以下とすることにより、加工時の残留応力を小さくでき、破断しないで折曲するのに要する曲率半径を確保することができる。
【００２９】
また、Ｖ字形状における内角を３０°以上９０°以下とすることにより、封止時のダイパッド３及び半導体チップと封止樹脂との樹脂流動の上下応力差を、前後左右の応力に大幅に分散でき、ダイパッドシフト量の低減、封止成型領域外への突出防止の飛躍的な向上が見られ、半導体チップやダイパッドやボンディングワイヤが封止成型領域より露出しないで封止成型ができる。
【００３０】
また、ダイパッド３の四隅より延在するサポートリード２に、ダイパッド３の中心に対し点対称となる位置で、Ｖ字形状の断面の段差部１３を有する。これにより段差による歪みを均等にし、ダイパッド３の支持を安定させることができる。
【００３１】
さらに、サポートリード２の長さ方向に沿って折曲したＶ溝１２とサポートリード２の幅方向に沿った段差部１３を有し、この段差部１３の断面のＶ字形状と段差部１３以外の断面のＶ字形状とが相反した方向で折曲する形状を施すことにより、Ｖ字形状の谷折部と山折部の連なりが三次元的に交錯し、長さ方向に沿った折曲した形状や幅方向に沿った段差に加工歪みを起こさず、サポートリード２の剛性を大きくできる。
【００３２】
また、サポートリード２の段差部１３が長さ方向の中央に位置することにより、サポートリード２の長さ方向の梁は段差を介して均等となり、ダイパッド３の支持をさらに安定させることができる。図３には本実施の形態１におけるリードフレームを用いた半導体装置の構造を部分的に開示した斜視図を示す。
【００３３】
次に、本発明における実施の形態２のリードフレームの製造方法は、ヒータで高温となったプレス金型を用いて、サポートリードの長さ方向の段差をプレス加工により形成することにより、半導体製造過程のダイスボンド工程やワイヤボンド工程及び封止工程で加わる高温に対し、サポートリードの熱膨脹変形を無くし、残留応力の少ないダイパッドを支持するための梁を確保できる。サポートリード加工時のヒータ温度はダイスボンド工程やワイヤボンド工程及び封止工程と同等が望ましく、１５０℃〜２５０℃である。
【００３４】
図４は本実施の形態２におけるリードフレームでサポートリードの折目付け金型を示す正面図で、図４（ａ）が上型、図４（ｂ）が下型である。図５は本実施の形態２におけるサポートリードの折目付け金型のＫ−Ｌ断面図で、図５（ａ）が上型、図５（ｂ）が下型である。図６は本実施の形態２におけるサポートリードの折目付け金型による加工を示す工程図で、図６（ａ）がプレス段階、図６（ｂ）がプレス後のオープン段階である。
【００３５】
また、図７は本実施の形態２におけるサポートリード側面のＶ溝と段差部の加工を示す工程図で、図７（ａ）がプレス第１段階、図７（ｂ）がプレス第２段階、図７（ｃ）がプレス第３段階である。図８がプレス後のオープン段階を示す図である。
【００３６】
図４〜図８に示すように、サポートリード２の長さ方向に沿って折曲したＶ溝１２とサポートリード２の幅方向に沿った段差部１３を折目付け金型の上型１４、下型１５で折目を付けてから折曲金型の上型１６、下型１７により折曲することで、精度を重視した折目付けを可能にし、段差加工時に折目を起点に折曲させるので精度の良いものに仕上がる。
【００３７】
なお、プレス金型の磨耗も少なく、加工精度の劣化が少ない。また、Ｖ溝１２と段差部１３の折目付けと折曲の加工をそれぞれ専用金型にすることにより、金型の磨耗は少なく、加工精度の劣化も少なく、製造時の工程管理が容易になる。
【００３８】
また、図７に示すように、サポートリード２の長さ方向に沿って折曲した形状と前記サポートリードの幅方向に沿った段差部１３をリードフレームの加工変移に同調して、プレス金型のクランプを行うことで、終始、金型がサポートリード２に密着して、突発的な異常変形が生じるような空間を無くし、さらに精度が良くなる。
【００３９】
図９は本発明における実施の形態３のリードフレームを用いた半導体装置の製品加工前の断面図である。本実施の形態３のリードフレームを用いた半導体装置は、図９に示すように、半導体チップ７をダイパッド３上に接着剤８で固着し、半導体チップ７表面に形成した複数のボンディングパッド９と複数のインナーリード４を導電性のボンディングワイヤ１０で各々接続し、エポキシ樹脂などの封止樹脂１１で封止成型領域を封止する。その後、封止成型領域外にあるタイバー６とフレーム枠１を切断し、封止成型領域より突出したアウターリード５を実装形態に合わせ加工する。
【００４０】
サポートリード２の長さ方向に沿って折曲したＶ溝１２とサポートリード２の幅方向に沿った段差部１３を有し、さらに、段差部１３の断面のＶ字形状と段差部１３以外の断面のＶ字形状とが相反した方向で折曲した形状を施すことで、サポートリード２の剛性は大きくなり、かつ半導体チップ７とダイパッド３の上下樹脂厚が均等で樹脂流動バランスが制御できる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明に係るリードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置は、パッケージ厚やフレーム厚が薄くなっても、サポートリードの長さ方向に沿った折曲と幅方向に沿った段差部により残留応力を低減できダイパッドシフト量の許容量を確保して、半導体チップ，ダイパッド，ボンディングワイヤが封止成型領域より露出しない封止成型ができ、またダイパッドが封止成型領域内でサポートリードを介して宙吊りに支持でき、半導体チップを搭載するダイパッドを支持するサポートリードを有するリードフレーム及びこれを用いる半導体装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施の形態１における（ａ）はリードフレームの正面図、（ｂ）はリードフレームのサポートリード付近の拡大図を示す図
【図２】本実施の形態１における（ａ）はサポートリードの正面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）はサポートリードの各部の断面図
【図３】本実施の形態１におけるリードフレームを用いた半導体装置の構造を部分的に開示した斜視図
【図４】本発明の実施の形態２におけるリードフレームでサポートリードの折目付け金型を示す（ａ）が上型、（ｂ）が下型の正面図
【図５】本実施の形態２におけるサポートリードの折目付け金型の（ａ）が上型、（ｂ）が下型のＫ−Ｌ断面図
【図６】本実施の形態２におけるサポートリードの折目付け金型による加工を示す（ａ）がプレス段階、（ｂ）がプレス後のオープン段階の工程図
【図７】本実施の形態２におけるサポートリード側面のＶ溝と段差部の加工を示す（ａ）がプレス第１段階、（ｂ）がプレス第２段階、（ｃ）がプレス第３段階の工程図
【図８】本実施の形態２におけるサポートリード側面のＶ溝と段差部の加工のプレス後のオープン段階を示す図
【図９】本発明の実施の形態３におけるリードフレームを用いた半導体装置の製品加工前の断面図
【図１０】従来のリードフレームを示す正面図
【図１１】従来のリードフレームを用いた半導体装置の構造を部分的に開示した斜視図
【図１２】従来のリードフレームのＶ溝を施したサポートリード付近の拡大図
【図１３】従来のリードフレームの段差部を施したサポートリード付近の拡大図
【図１４】従来のＶ溝サポートリードのリードフレームを用いた封止後の半導体装置の断面図
【図１５】従来のＶ溝サポートリードの薄型リードフレームを用いた封止後の薄型半導体装置の断面図
【図１６】従来の段差サポートリードのリードフレームを用いた封止後の半導体装置の断面図
【図１７】従来の段差サポートリードの薄型リードフレームを用いた封止後の薄型半導体装置の断面図
【図１８】従来のサポートリードの段差部の断面が平らな板形状で段差部以外の断面がＶ字形状に折曲した構造のサポートリード付近の拡大図
【図１９】従来のサポートリードの長さ方向は平らな板形状で、かつ幅方向に沿って段差を有し、段差部の断面がＶ字形状に折曲した構造のサポートリード付近の拡大図
【図２０】従来のサポートリードの段差部の断面のＶ字形状と段差部以外の断面のＶ字形状とが同一方向で折曲した構造のサポートリード付近の拡大図
【符号の説明】
【００４３】
１  フレーム枠
２  サポートリード
３  ダイパッド
４  インナーリード
５  アウターリード
６  タイバー
７  半導体チップ
８  接着剤
９  ボンディングパッド
１０  ボンディングワイヤ
１１  封止樹脂
１２  Ｖ溝
１３  段差部
１４  折目付け金型（上型）
１５  折目付け金型（下型）
１６  折曲金型（上型）
１７  折曲金型（下型）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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