(57)【要約】【課題】  水蒸気発生の応答性を向上させることで、有機物の除去処理のコントロール性を良くするとともに、消費電力の低い有機物の除去方法及び有機物の除去装置を提供する。【解決手段】  超音波振動子１５を発振させることで水ＷのミストＭ1を生成し、その生成したミストＭ1をインダクションヒータ１３によって加熱された第１の管路Ｔ1を通過させることで、加熱されたミストＭ2を生成するようにした。そして、その生成されたミストＭ2を処理室１１内に導入するようにした。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室において基板上に形成された有機物を除去する有機物の除去方法であって、
水を霧化して水の霧化粒子を生成する霧化工程と、
前記水の霧化粒子とガスとの混合ガスを生成する混合ガス生成工程と、
前記水の霧化粒子と前記ガスとの前記混合ガスを加熱する加熱工程と
を含むことを特徴とする有機物の除去方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機物の除去方法において、
前記霧化工程は、前記水に超音波振動を供給することで前記水の霧化粒子を生成するようにしたことを特徴とする有機物の除去方法。
【請求項３】
請求項１に記載の有機物の除去方法において、
前記霧化工程は、ミキシング室でガスと水をミキシングし、ミキシングされた同ガスと同水が同ミキシング室に設けられた霧化ノズルを通過させることで前記ガスと前記水の霧化粒子との混合ガスを生成するようにしたことを特徴とする有機物の除去方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載の有機物の除去方法において、
前記加熱工程は、前記水の霧化粒子を誘導加熱によって行うようにしたことを特徴とする有機物の除去方法。
【請求項５】
基板上に形成された有機物を除去する有機物除去装置において、
水を霧化して水の霧化粒子を生成する霧化生成手段と、
前記水の霧化粒子とガスとの混合ガスを生成する混合ガス生成手段と、
前記ガスと前記水の霧化粒子の混合ガスを加熱する加熱手段と、
前記基板に前記混合ガスを晒すための処理室と、
を備えたことを特徴とする有機物の除去装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機物の除去装置において、
前記霧化生成手段は、前記水に超音波振動を供給する超音波振動子であることを特徴とする有機物の除去装置。
【請求項７】
請求項５に記載の有機物の除去装置において、
前記水の霧化粒子とガスとの混合ガスを生成する混合ガス生成手段は、ミキシング室及び霧化ノズルを有しており、
前記水の霧化粒子と前記ガスとの混合ガスは、前記ミキシング室及び前記霧化ノズルを通過することで生成されることを特徴とする有機物の除去装置。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか一つに記載の有機物の除去装置において、
前記加熱手段は、インダクションヒータであることを特徴とする有機物の除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機物の除去方法及び有機物の除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウエハなどの半導体基板上に配線等の所定のパターンを形成するリソグラフィー工程において、フォトレジストや電子線レジスト等は、各種有機物で形成されている。リソグラフィー工程によりパターンを形成した後は、たとえば、アルミニウムや銅といった金属を蒸着させて配線等を形成し、蒸着を行った後は、不要となった有機物を除去・洗浄するようにしている。
【０００３】
さて、不要となった有機物を除去する方法としては、薬液を使用した除去方法、プラズマを使用した除去方法が知られている。しかし、薬液を使用した除去方法の場合は、薬液が高価である場合があり、コスト高になるばかりか、環境や人体に悪影響を与える有害物質を大量に使用することもあるので、その廃液や排気の処理に特別の配慮が必要となる。
【０００４】
一方、プラズマを使用した除去方法の場合、プラズマを安定させて発生させるのが困難であり、また、それを制御するための特別な制御装置を設ける必要もあるため、装置全体が高価なものとなってしまう。
【０００５】
そこで、これらの問題を解消するために、オゾンガスと水蒸気との混合ガスを用いることで有機物を除去する方法が知られている（例えば、特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−１８３７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記特許文献１に記載される有機物の除去方法では、外部容器に貯留された水をヒータによって加熱することで、水蒸気を発生させ、その水蒸気を半導体基板が導入される処理室に供給されるようになっている。また、これとは別に処理室にオゾンガスが供給されるようになっている。これにより、処理室内にてオゾンガスと水蒸気とが混合され、その混合ガスが半導体基板上にある有機物に接触することで有機物が分解され除去される。
【０００７】
このように、上記特許文献１に記載される有機物の除去方法では、外部容器に貯留された水を加熱することによって水蒸気を発生させるようにしている。従って、有機物の除去する場合では、まず、水を水蒸気となる温度に至るまで加熱する必要があるため所定の時間を要するので、水蒸気発生の応答性が良くない。このため、有機物を除去するのに時間が掛かり面倒となってしまう。また、一旦、加熱した後は必要なときに常時使用できるように外部容器の温度を維持させる必要があるが、このためにヒータを常時通電させる必要がある。このため、電力消費量が大きくなってしまう。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、水蒸気発生の応答性を向上させることで、有機物の除去処理のコントロール性を良くするとともに、消費電力の低い有機物の除去方法及び有機物の除去装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のレジスト膜の除去方法は、処理室において基板上に形成された有機物を除去する有機物の除去方法であって、水を霧化して水の霧化粒子を生成する霧化工程と、前記水
の霧化粒子とガスとの混合ガスを生成する混合ガス生成工程と、前記ガスと前記水の霧化粒子の混合ガスを加熱する加熱工程とを含む。
【００１０】
これによれば、水を霧化し、その水の霧化粒子をガスによって搬送しながら水の霧化粒子とガスを混合して混合ガスを生成したり、または水とガスを供給して水を霧化するとともに、その水の霧化粒子とガスを混合して混合ガスを生成し、前記混合ガスを加熱することでガスと水の霧化粒子の混合した加熱された霧化粒子を含んだ混合ガスを生成するようにした。このように、加熱によって生成された水蒸気を使用するものではなく、たとえば超音波といったものによって生成された水の霧化粒子を使用しているので、使用したいときに直ちに混合ガスを生成することができる。この結果、混合ガスの生成の応答性が向上する。
【００１１】
また、水の霧化粒子は、例えば超音波を水に与えることで直ちに生成することができるので、使用したいときにだけ通電して霧化粒子を生成させることができる。このため、霧化粒子を生成させるために常時通電する必要がない。このため、従来のように、例えばヒータによる加熱による場合と比較して省電力となる。
【００１２】
この有機物の除去方法において、前記霧化工程は、前記水に超音波振動を供給することで前記水の霧化粒子を生成するようにしてもよい。
これによれば、容易に水の霧化粒子を生成することができる。また、水の霧化粒子は、超音波を水に与えることで直ちに生成されるので、水の霧化粒子を生成させるために常時通電する必要がない。このため、従来のように例えばヒータによる加熱による場合と比較して省電力化となる。
【００１３】
この有機物の除去方法において、前記霧化工程は、ミキシング室にガスと水を導入し、同ミキシング室に設けられた霧化ノズルに前記ガスと前記水を通過させることで前記水の霧化粒子を生成するようにしてもよい。
【００１４】
これによれば、ミキシング室にガスと水を導入することによってミキシング室でガスと水がミキシングされ、霧化ノズルからガスと霧化された水が噴出される。従って、容易に水の霧化粒子を生成することができ、さらに、ここでガスと水の霧化した混合ガスを生成することも可能である。また、水の霧化粒子を生成するための電子部品等は必要ないので、さらに、有機物除去における省電力化を図ることができる。
【００１５】
この有機物の除去方法において、前記加熱工程は、前記水の霧化粒子を誘導加熱によって行うようにしてもよい。
これによれば、簡単な構成で確実に水の霧化粒子を加熱させることができる。
【００１６】
本発明の有機物除去装置は、基板上に形成された有機物を除去する有機物除去装置において、水を霧化して水の霧化粒子を生成する霧化生成手段と、前記水の霧化粒子とガスとの混合ガスを生成する混合ガス生成手段と、前記ガスと前記水の霧化粒子との混合ガスを加熱する加熱手段と、前記基板に前記混合ガスを晒すための処理室とを備えている。
【００１７】
これによれば、水を霧化し、その水の霧化粒子をガスによって搬送しながら水の霧化粒子とガスを混合して混合ガスを生成、または水とガスを供給して水の霧化粒子とガスを混合して混合ガスを生成し、ガスと水の霧化粒子の混合した加熱された霧化粒子を含んだ混合ガスを生成するようにした。
【００１８】
このように、加熱によって生成された水蒸気を使用するものではなく、たとえば超音波といったものによって生成された水の霧化粒子を使用しているので、使用したいときに直
ちに混合ガスを生成することができる。この結果、応答性の優れた有機物除去装置を提供することができる。
【００１９】
また、水の霧化粒子は、例えば超音波を水に与えることで直ちに生成することができるので、使用したいときにだけ通電して霧化粒子を生成させることができる。このため、霧化粒子を生成させるために常時通電する必要がない。このため、従来のように、例えばヒータによる加熱による場合と比較して省電力な有機物除去装置を提供することができる。
【００２０】
この有機物の除去装置において、前記霧化生成手段は、前記水に超音波振動を供給する超音波振動子であってもよい。
これによれば、霧化生成手段は、容易に水の霧化粒子を生成することができる。また、霧化生成手段は、超音波を水に与えることで直ちに水の霧化粒子を生成することができるので、水の霧化粒子を生成させるために常時通電する必要がない。このため、従来のように例えばヒータによる加熱による場合と比較して省電力化を図ることができる。
【００２１】
この有機物の除去装置において、前記霧化生成手段は、ミキシング室及び霧化ノズルを有しており、前記水の霧化粒子は、ガスと水を前記ミキシング室及び前記霧化ノズルに通過させることで生成されるようにしてもよい。
【００２２】
これによれば、ミキシング室にガスと水を導入することによってミキシング室でガスと水がミキシングされ、霧化ノズルからガスと霧化された水が噴出される。従って、容易に水の霧化粒子を生成することができる。また、水の霧化粒子を生成するための電子部品等は必要ないので、さらに、有機物除去における省電力化を図ることができる。
【００２３】
この有機物の除去装置において、前記加熱手段は、インダクションヒータであってもよい。
これによれば、簡単な構成で確実に水の霧化粒子を加熱させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（第１実施形態）
以下、本発明に係る有機物の除去装置をレジスト除去洗浄装置に適用した第１実施形態について図１及び図２を参照して説明する。
【００２５】
図１に示すように、レジスト除去洗浄装置１０は、被洗浄物Ｑが導入されそのレジストの除去処理が行われる処理室１１、該処理室１１と第１の管路Ｔ1を介して接続される混
合ガス生成手段としてのミスト発生装置１２を備えている。また、レジスト除去洗浄装置１０は、第１の管路Ｔ1に設けられる加熱手段としてのインダクションヒータ１３、処理
室１１に接続され該処理室１１内を排気する排気管Ｔ4を備えている。ここで、被洗浄物
Ｑは、本実施形態では、半導体基板Ｓ上に有機物で構成されたレジストＲが形成されたものである。
【００２６】
処理室１１は、その内部にヒータＨが付いたステージＳＧが取り付けられ、該ステージＳＧに被洗浄物Ｑを取り付けることで処理室１１に対して被洗浄物Ｑが所定の位置に固定されるようになっている。固定された被洗浄物Qは該ヒータＨによって必要に応じて所望
の温度に加温することが可能である。また、処理室１１の一側壁には、第１の管路Ｔ1の
一端が接続されるとともに、前記一側壁と対向する側壁には、排気管Ｔ４が接続されている。
【００２７】
第１の管路Ｔ1は、ガスと水の霧化粒子が混合した加熱されたミストを含んだ混合ガス
Ｍ３を処理室１１に導入するための管路であって、金属で構成されている。本実施形態の
第１の管路Ｔ1は導電性の発熱体であり、かつ熱伝導性の高い、例えば、ステンレスで構
成されている。
【００２８】
ミスト発生装置１２は、水Ｗを貯留可能とする貯留タンク１４と、該貯留タンク１４の下部に取り付けられた霧化生成手段としての超音波振動子１５とを備えている。水Ｗは、たとえば、超純水である。超音波振動子１５は、図示しない電源回路に接続され、該電源回路から供給される電源により発振する。本実施形態の超音波振動子１５は、たとえば２．４ＭＨｚで発振する。これにより、水Ｗが振動され、たとえば直径が３μｍ程度の水Ｗの霧化粒子としてのミストＭ1が発生する。
【００２９】
また、貯留タンク１４には、ガス供給管Ｔ２と水供給管Ｔ３の一端が接続されている。ガス供給管Ｔ２の他端は図示しないガス供給部に接続され、水供給管Ｔ３の他端は図示しない水供給部に接続されている。そして、ガス供給部から搬送手段としてのガスＧが供給され、ガス供給管Ｔ2を介して貯留タンク１４に導入されるようになっている。このガス
Ｇは、オゾンガスまたはオゾンガスと窒素ガスといった不活性ガスの混合ガスである。また、このガスＧは、貯留タンク１４に導入された後に、貯留タンク１４にて発生したミストＭ１を第１の管路Ｔ1に搬出する。つまり、ガスＧはミストＭ１を搬出するキャリアガ
スとして機能する。また、ここでガスＧと水WのミストＭ１の混合したミストを含んだ混
合ガスM２となる。
【００３０】
また、第１の管路Ｔ１には、インダクションヒータ１３が取り付けられている。詳しくは、インダクションヒータ１３は、第１の管路Ｔ１の外周に沿って巻回されたコイル１６を備えている。このコイル１６は、図示しない高周波電源回路に接続されている。そして、高周波電源回路から供給される高周波電源によってコイル１６に高周波電流が流れ、それによりコイル１６の周辺に変動磁場が発生し、この結果、第１の管路Ｔ１が加熱される。このとき、第１の管路Ｔ１はステンレスで構成されているので、短時間に同第１の管路Ｔ１全体が均一に加熱される。この結果、ガスＧと水WのミストM１の混合したミストを含んだ混合ガスＭ２は、第１の管路Ｔ1内を通過しながら加熱され、ガスＧと水Ｗのミスト
Ｍ１の混合した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３が生成される。そして、このミストを含んだガスＭ３は、処理室１１内の被洗浄物Ｑに向かって供給される。この結果、処理室１１に固定された被洗浄物Ｑ（半導体基板Ｓ）は、ガスGと水ＷのミストＭ１の混合
した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３が晒される。
【００３１】
一方、排気管Ｔ４は、処理に使用されたガスGと水ＷのミストＭ１の混合した加熱され
たミストを含んだ混合ガスＭ３を排出する。
次に、前記したレジスト除去洗浄装置１０を用いたレジスト除去洗浄方法に適用した場合について図２に従って説明する。
【００３２】
先ず、図２（ａ）に示すように、処理室１１内に被洗浄物Ｑを導入してステージＳＧに被洗浄物Ｑを取り付け、ヒータＨで被洗浄物Qを所望の温度に加熱する。
また、前記高周波電源回路を作動させてコイル１６に高周波電流を供給する。これにより第１の管路Ｔ１を加熱する。このとき、第１の管路Ｔ１は、コイル１６にて発生される変動磁場によって加熱させる誘導加熱であるので、直ちに所望の温度にまで加熱される。
【００３３】
さらに、前記電源回路の電源を投入して超音波振動子１５を発振させて水ＷのミストＭ１を発生させる（霧化工程）。このとき、ミストＭ１は、従来のように、貯留タンク１４に貯留された水Ｗを加熱させて水蒸気として発生させるのではなく、超音波振動子１５を発振させて発生させるようにしたので、電源投入後、直ちにミストＭ１が生成される。
【００３４】
さらにまた、前記ガス供給部からガス供給管Ｔ２を介してガスＧのオゾンガスを貯留タ
ンク１４に導入する。これにより、貯留タンク１４にて発生したミストＭ1が第１の管路
Ｔ1に供給される。この結果、ガスGのオゾンガスと水ＷのミストＭ1との混合したミスト
を含んだ混合ガスM２となる（混合ガス生成工程）。また、ガスGのオゾンガスと水ＷのミストＭ1との混合したミストを含んだ混合ガスＭ２が第１の管路Ｔ1内を流れることで加熱され（加熱工程）、ガスＧのオゾンガスと水ＷのミストＭ１との混合した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３が生成され、処理室１１内に導入される。
【００３５】
そして、ガスＧのオゾンガスと水ＷのミストＭ１との混合した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３が半導体基板Ｓ上に形成されたレジストＲに接触する。すると、ガスＧのオゾンガスと水ＷのミストＭ１との混合した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３がレジストＲを構成する有機材料と反応し、図２（ｂ）に示すように、レジストＲの表面にクラック２０が発生する。その後、徐々に当該クラック２０にミストを含んだ混合ガスＭ３が入り込み、レジストＲ全体が膨潤する。その後、暫くすると、レジストＲが分解される。処理に使用されたガスGのオゾンガスと水ＷのミストＭ１の混合した加熱されたミスト
を含んだガスＭ３は排気管Ｔ4を通して速やかに排気される。なお、処理後の被洗浄物Qの表面には分解されたレジストが残るが、水洗を行うことにより、図２（ｃ）に示すように、半導体基板Ｓ上からレジストＲが除去される。
【００３６】
次に、上記実施形態の効果を記載する。
（１）本実施形態によれば、超音波振動子１５を発振させることで水ＷのミストＭ1を生
成し、その生成したミストＭ1をインダクションヒータ１３によって加熱された第１の管
路Ｔ1をガスＧとともに通過させる。このようにすることで、ガスＧと水ＷのミストＭ１
の混合したミストを含んだ混合ガスＭ２、さらにガスＧと水ＷのミストＭ１の混合した加熱されたミストを含んだガスＭ３を生成するようにした。
【００３７】
従って、従来のように、ヒータ等で水Ｗを加熱することで水蒸気にするのではなく、超音波を与えることによってミストＭ1を生成し、そのミストＭ1を加熱させるようにしたので、電源を投入すれば、直ちに水の霧化粒子が生成される。この結果、混合ガスの生成の応答性を向上させることができる。
【００３８】
また、ミストＭ1は、超音波を水Ｗに与えると直ちに生成されるので、ミストＭ1を生成させるために常時通電する必要がない。このため、従来のようにヒータによる加熱による場合と比較して省電力となる。
【００３９】
（２）本実施形態では、第１の管路Ｔ１にインダクションヒータ１３を設けた。そして、インダクションヒータ１３によって第１の管路Ｔ１を加熱させ、ミスト発生装置１２にて生成された水ＷのミストＭ１を、ガスＧを用いて加熱された第１の管路Ｔ１を通過させることで、ガスGと水ＷのミストＭ1の混合したミストを含んだ混合ガスＭ２、さらにガスGと水ＷのミストＭ1の混合した加熱された混合ガスＭ３を生成するようにした。このとき、第１の管路Ｔ1は、コイル１６にて発生される変動磁場によって加熱させる誘導加熱で
あるので、直ちに所望の温度にまで加熱される。この結果、ガスＧと水ＷのミストＭ1の
混合した加熱されたミストを含んだガスＭ３を短時間で生成することができるので、処理の応答性を向上させることができる。また、上記したように、インダクションヒータ１３の構成は簡単であり、また、確実にガスGと水ＷのミストＭ1の混合した加熱されたミストを含んだガスＭ３を生成することができる。
【００４０】
（３）本実施形態では、第１の管路Ｔ1を熱伝導率が高いステンレスで構成した。従っ
て、第１の管路Ｔ1全体を短時間で均一に所望の温度に至るまで高めることができる。こ
の結果、ガスＧと水ＷのミストＭ１の混合した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３を短時間で生成することができるので、処理の応答性を向上させることができる。
（第２実施形態）
次に、本発明に係る有機物の除去方法及び有機物の除去装置の第２実施形態について図３を参照して説明する。尚、第１実施形態と同じ部材については、同じ符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００４１】
図３に示すように、本実施形態のレジスト除去洗浄装置３０のミスト発生装置３１は、ガスＧと水Wをミキシングできるミキシング室１７を有し、そのミキシング室１７はガス
供給管Ｔ２と水供給管Ｔ３とが接続されている。また、ミキシング室１７は霧化ノズルＮＺが設けられている。この霧化ノズルＮＺは、第１の管路Ｔ1の他端に接続されている。
【００４２】
このように構成されたレジスト除去洗浄装置３０は、ガス供給管Ｔ２を介して図示しないガス供給部からガスＧが供給され、また水供給管Ｔ３を介して図示しない水供給部から水Wが供給される。ガスＧは、たとえばオゾンガスまたはオゾンガスと窒素ガスといった
不活性ガスの混合ガスであり、水Wは、たとえば超純水のような水である。ミキシング室
１７にてガスＧと水Wがミキシングされ、霧化ノズルＮＺを通過して噴出される。このと
き、ガスＧと水Ｗが混合したミストを含んだガスになる。これにより、たとえば直径が１０μｍ程度の水Ｗの霧化粒子としてのミストを含んだガスＭ２が発生する。
【００４３】
そして、ガスＧと水Wが混合したミストを含んだガスＭ２が第１の管路Ｔ１を通過する
ことで加熱され、ガスＧと水Wが混合した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３が生成
される。生成されたガスＧと水Wが混合した加熱されたミストを含んだ混合ガスＭ３は処
理室１１内の被洗浄物Ｑに向かって供給される。
【００４４】
その結果、処理室１１に導入されたレジストＲは、その混合ガスによって分解され、半導体基板Ｓ上からレジストＲが除去される。
次に、上記実施形態の効果を記載する。
【００４５】
（１）本実施形態によれば、ミキシング室１７に霧化ノズルＮＺを設けた。そして、ガス供給管Ｔ２を介してオゾンガスまたはオゾンガスと窒素ガスといった不活性ガスの混合ガスを供給し、また水供給管Ｔ３を介して水を供給してミキシング室１７にてミキシングして霧化ノズルＮＺを通過し噴出させることでガスＧと水Ｗの混合したミストを含んだガスＭ２を生成するようにした。従って、超音波振動子１５といった電子部品を使用することはないので、より省電力化を図ることができるレジスト除去洗浄装置３０を提供することができる。
【００４６】
尚、上記各実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記第１及び第２実施形態では、ガスＧと水Ｗのミストを混合したミストを含む混合ガスＭ２を加熱する加熱手段としてインダクションヒータ１３を使用したが、これに限定されるものではなく、要はガスＧと水Ｗのミストを混合したミストを含む混合ガスＭ２を加熱することが可能なものであればよい。例えば、発熱体を内蔵したテープを第１の管路Ｔ1の外周全体または一部に巻回するようにしてもよい。
【００４７】
・上記第１及び第２実施形態では、第１の管路Ｔ1はステンレスで構成されていたが、
これに限定されるものではなく、金属であればよい。たとえば、アルミニウムや銅で構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１実施形態に係るレジスト除去洗浄装置の概略構成図。
【図２】（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、それぞれレジストの除去方法を説明するための図。
【図３】第２実施形態に係るレジスト除去洗浄装置の概略構成図。
【符号の説明】
【００４９】
Ｇ…搬送手段としてのガス、ＮＺ…霧化ノズル、Ｍ1…水の霧化粒子としてのミスト、
Ｍ２…ガスと水のミストを混合したミストを含む混合ガス、Ｍ３…ガスと水のミストを混合した加熱されたミストを含む混合ガス、Ｒ…有機物としてのレジスト、Ｈ…ヒータ、Ｓ…半導体基板、Ｗ…水、１１…処理室、１２…霧化生成手段としてのミスト発生装置、１３…加熱手段としてのインダクションヒータ、１４…貯留室、１５…超音波振動子、１６…コイル、１７…ミキシング室、３１…霧化生成手段としてのミスト発生装置。
【図１】
2006186101.tif 000003
【図２】
2006186101.tif 000004
【図３】
2006186101.tif 000005