(57)【要約】【課題】光チップ層間光コネクタを提供すること。【解決手段】「光ビア」を使用して個々の層の光導波路を所望の接続ポイントで接続することによって光チップ内の複数の光導波路層間の所望の接続ポイントで光が結合される。光ビアは、さもなければ光導波路を備えた層を絶縁するように動作する層中で接続される光導波路と光導波路の間に配置される。このような光ビアは、ある屈折率を有する、光導波路と光導波路の間を光結合する導電材料を使用して構築することができる。光ビアにおける相互接続の幾何形状は、光が一方の光導波路の中を移動し、光ビアの反対側でそれ自体を再結像してもう一方の光導波路の中の移動を継続するようになされている。【選択図】図１
2006091873.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの異なる層の少なくとも各々の上に少なくとも１つの光導波路を有する光チップであって、ある屈折率を有する、前記少なくとも２つの異なる層の前記光導波路間で光を光結合する導電材料を含む少なくとも１つの光ビアを備えた光チップ。
【請求項２】
前記光ビアが、前記複数の層のうちの１つの層中の前記複数の光導波路のうちの少なくとも１つの延長部分である、請求項１に記載の発明。
【請求項３】
このような材料の前記屈折率が、相互接続する光導波路の屈折率と実質的に同じ屈折率である、請求項１に記載の発明。
【請求項４】
前記材料が、結晶性シリコン、多結晶シリコン、窒化ケイ素（ＳｉＮ）、ゲルマニウムおよびシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）からなる群のうちの１つである、請求項１に記載の発明。
【請求項５】
前記複数の光導波路のうちの少なくとも１つを構築している材料が、前記光ビアと重畳する領域全体に渡って実質的に一様ではない、請求項１に記載の発明。
【請求項６】
第１の層の前記複数の光導波路のうちの少なくとも１つが結晶性シリコンからなり、第２の層の前記複数の光導波路のうちの少なくとも１つが多結晶シリコンからなる、請求項１に記載の発明。
【請求項７】
前記光ビアが多モード・光導波路として動作する、請求項１に記載の発明。
【請求項８】
前記複数の光導波路が単一モード・光導波路である、請求項１に記載の発明。
【請求項９】
前記複数の光導波路のうちの少なくとも１つが、前記光ビアと重畳する領域で多モード・光導波路として動作する単一モード・光導波路である、請求項１に記載の発明。
【請求項１０】
第１のレベルの第１の光導波路と、
第２のレベルの第２の光導波路とを備えた光チップを動作させる方法であって、
前記第１の光導波路の中を移動する光の少なくとも一部を、前記第１の光導波路と前記第２の光導波路の間の光ビア部分で前記第２の光導波路中に再結像させる工程を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光チップに関し、より詳細には、多層光導波路を備えた光チップであって、１つの層中の光導波路からの光を別の層中の光導波路に接続する必要のある光チップに関する。
【背景技術】
【０００２】
光チップは、光を経路指定するための様々な光導波路を有している。光導波路は、簡単に光を運ぶことができ、このような光導波路は、通常、単一モードの光導波路である。また、特定の機能を実行するように光導波路を構成することも可能であり、その場合、光導波路は、通常、単一モードではない。
【０００３】
従来技術による光チップは、通常、光導波路を備えた単一の層しか有していない、すなわち光の移送がこのような単一の層に限定されている。光導波路を備えた複数の層を有する光チップもいくつか存在している。しかしながらこのようなチップは、１つの層から他の層への光の移送が困難であるため、その機能が制限されている。
【０００４】
従来技術によるこのようなチップの中には、１つの層中の光導波路と別の層中の光導波路が交差した場合に、第１の層からの光を第２の層に結合することができるよう、光導波路が配置された層と層の間の中間層が十分に薄く構築されたチップもあった。不利なことには、１つの層から他の層へ光を結合することが望ましい場合に、１つの層中の光導波路が他の層の光導波路と単に交差するようにこのような光チップを、レイアウトしなければならなかった。その結果、可能な設計が著しく制限されていた。
【０００５】
従来技術による別のこのようなチップでは、１つの層から他の層へ光が通過することが望ましいポイントの近傍で光導波路の幅が断熱的に縮小されていた。合理的な光の結合を達成するためには、数百ミクロン程度の長さに渡って幅を縮する必要があった。不利なことには、それにより、このような光チップ上の光導波路の潜在密度が低下した。さらに不利なことには、そのために光のモードがクラッド材料中に広がり、望ましくない方法で光が基板中に交差する、あるいは他の層と結合する危険を生じさせた。その結果、より大きいクラッド領域が必要となり、したがって、潜在密度がますます低下した。
【非特許文献１】Lucas B. Soldano、Erik C.M. Pennings、Optical Multi-Mode Interference Devices Based on Self-Imaging: Principles and Applications、the Journal of Lightwave Technology、Vol.13、No.4、1995年4月、615〜627頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、多層光導波路を備え、１つの層中の光導波路からの光を別の層中の光導波路に接続する必要のある光チップにおいて、上述の従来技術の問題点を解決するための技術が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本出願人は、いわゆる「光ビア（Ｏｐｔｉｃａｌ  ｖｉａ）」を使用して光導波路を個々の層の所望の接続ポイントで相互接続することにより、所望の接続ポイントにおいて複数の層の間で光を結合することができることを認識した。光ビアは、そうでない場合は光導波路を備えた層を光絶縁するように動作する層中で接続される光導波路と光導波路の間に配置される。
【０００８】
このような光ビアは、ある屈折率を有する、光導波路と光導波路の間を光結合する導電材料を使用して構築することができる。たとえば、このような材料の屈折率は、相互接続する光導波路の屈折率と実質的に同じ屈折率にすることができる。光導波路が実質的に同じ屈折率を有する単結晶シリコンもしくは多結晶シリコンの場合、このような例示的材料の１つは多結晶シリコンである。本発明の一例示的実施形態では、第１の層の光導波路は結晶性シリコンであり、第２の層の光導波路は多結晶シリコンである。また、ビアは、ある意味では多結晶シリコン導波路の延長部分である。別法としては、光ビア材料の屈折率は、その光ビアが相互接続する光導波路の屈折率とは大きく異なる屈折率にすることも可能である。また、異なる光学材料を使用して単一光ビアを構築することも可能である。その場合、たとえばビア中の材料の割合に基づいて使用される材料の重み付けされた平均屈折率がその光ビアの実効屈折率になる。本発明のいずれの実施形態においても、光を導くためには、ビアの屈折率は、クラッドの屈折率より大きくなければならない。必ずしもその必要はないが、屈折率は、光導波路の少なくとも一つの屈折率に近い屈折率であることが好ましい。
【０００９】
また、本発明の一態様によれば、光ビアにおける相互接続の幾何形状は、単一モード・光導波路の重畳部分と組み合わせた場合に、光ビアが多モード導波路として動作するようになされているだけでなく、単一モード・光導波路の重畳部分が多モード・光導波路として動作するようになされている。このような多モード動作により、光は、一方の光導波路の中を移動し、光ビアの反対側でそれ自体を再結像してもう一方の光導波路の中の移動を継続することができる。
【００１０】
有利には、このようなビアを使用することによって層と層の間の光の結合を制御することができるため、様々な層の光導波路を自由に重畳させることができ、かつ、より短い寸法を使用することができる。このような利点が得られるのは、漸進的なテーパを施す必要がないことによるものである。また、光のモードがクラッド材料中に広がらないため、光が交差ポイントで基板中に交差する危険が最小化される。したがってより大きい設計自由度と、より密度の高いデバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下の説明は、本発明の原理を示したものに過ぎない。したがって、本明細書の中では明確に説明もしくは示されていないが、本発明の原理を具体化し、本発明の精神および範囲に包含される様々な構成を考案することができることは当業者には理解されよう。また、本明細書に記載されているすべての例および条件付き術語は、原則的に、本発明の原理および当分野をさらに発展させるための発明者（ら）による貢献の概念についての読者の理解を補助する。教育を目的としたものに過ぎないことが主として明確に意図されており、具体的に記載されているこのような例および条件に何ら限定されないものとして解釈されたい。また、本発明の原理、態様および実施形態に対する本明細書におけるあらゆる供述および本発明の特定の例には、本発明の構造等価物および機能等価物の両方が包含されているものとする。さらに、このような等価物には、現在知られている等価物および将来的に開発される等価物の両方、つまり、構造には無関係に同じ機能を実行する、開発されるあらゆるエレメントが包含されている。
【００１２】
したがって、たとえば、本明細書におけるすべてのブロック図が本発明の原理を実施する実例回路の概念図を表していることは当業者には理解されよう。同様に、すべての流れ図、フロ−・ダイアグラム、状態移行図、擬似コード等が、コンピュータ可読媒体の中で実質的に表すことができ、したがって、このようなコンピュータあるいはプロセッサが明確に示されている、いないにかかわらず、コンピュータあるいはプロセッサによって実行することができる様々なプロセスを表していることは理解されよう。
【００１３】
特定の機能を実行するための手段として本明細書の特許請求の範囲に示されているすべてのエレメントには、その機能を実行するあらゆる方法が包含されているものとする。これには、たとえばａ）その機能を実行する電気エレメントもしくは機械エレメントの組合せ、あるいはｂ）ファームウェア、マイクロコードなどを含むあらゆる形態のソフトウェアであって、そのソフトウェアを実行してその機能を遂行するための適切な回路、およびもしあるならば、ソフトウェア制御回路に結合された機械エレメントと組み合わせたソフトウェアが含まれている。特許請求の範囲で定義されている本発明は、記載されている様々な手段によって提供される機能が結合され、かつ、特許請求の範囲が必要とする方法で一体化されることに帰属している。したがって本出願人は、このような機能を提供することができるあらゆる手段を本明細書において示す手段の等価物と見なしている。
【００１４】
本明細書において明確に指定されていない場合、図面はスケール通りに描かれていない。
【００１５】
以下の説明においては、同じ番号が振られたコンポーネントは、すべての図面を通して同じコンポーネントを表している。
【００１６】
図１は、少なくとも２つの異なる層の上に光導波路を有する例示的な光チップ１００のいくつかの光導波路の横断面図を示したもので、本発明の原理に従って、光ビアによって少なくとも一対の光導波路が相互接続されている。図１に示す光導波路は、紙面に対して直角をなしている。図１には、ａ）シリコン基板１０１、ｂ）第１のクラッド層、たとえばＳｉＯ２層１０３、ｃ）第１層光導波路１０５−１および１０５−２を備えた第１層光導波路１０５、ｄ）光ビア１０７、ｅ）第２層光導波路１０９−１および１０９−２を備えた第２層光導波路１０９、およびｆ）第２のクラッド層、たとえばＳｉＯ２層１１１が示されている。本発明の原理によれば、通常、光ビア１０７は、第１層光導波路１０５−１からの光を第２層光導波路１０９−１に結合している。また、通常、第１層光導波路１０５および第２層光導波路１０９は、単一モード・光導波路である。光ビア１０７は、光導波路を備えている層を絶縁するように動作する層中に接続されている光導波路間に配置されている。図には単一の代表ビア１０７しか示されていないが、個々のアプリケーションの要求に応じて任意の数のビアを実施することができることに留意されたい。
【００１７】
本発明の一態様によれば、光ビア１０７は、ある屈折率を有する、光導波路と光導波路の間を光結合する導電材料を使用して構築されている。たとえば、このような材料の屈折率は、相互接続する光導波路の屈折率と実質的に同じ屈折率にすることができる。
【００１８】
光導波路１０５および１０９が実質的に同じ屈折率を有する単結晶シリコンもしくは多結晶シリコンの場合、光ビア１０７の例示的材料の１つは多結晶シリコンである。本発明の一例示的実施形態では、光導波路１０５が結晶性シリコンの場合、第２の光導波路１０９は多結晶シリコンであり、ビア１０７も多結晶シリコンである。本発明のこのような実施形態では、ビア１０７は、第２の光導波路１０９の垂直方向の延長部分と見なすことも可能である（ビア１０７は、この延長部分の間で光を結合している）。個別化された結晶成長技法を使用して光チップ１００を構築する場合、このような構成が有用であると思われる。
【００１９】
光導波路１０５および１０９が窒化ケイ素（ＳｉＮ）の場合、光ビア１０７も同様にＳｉＮにすることができる。光導波路もしくは光ビアに使用することができる他の例示的材料には、ゲルマニウムおよびシリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）がある。組合せ材料中の個々の材料の濃度は、複数の光ビア１０７のうちの１つの光ビアとの境界に沿った経路もしくはその境界内の経路を含む光の経路に沿って変化させることができることに留意されたい。当業者には、様々なアプリケーションに適した様々な構成の光導波路およびビアを容易に開発することができよう。
【００２０】
また、本発明の一態様によれば、光ビア１０７の幾何形状は、第１層光導波路１０５と第２層光導波路１０９の重畳部分を組み合わせた場合に、多モード導波路として動作するようになされている。このような多モード導波路は、第１層光導波路１０５もしくは第２層光導波路１０９のうちの１つの中を移動する光が、光ビア１０７の反対側でそれ自体を再結像して第１層光導波路１０５もしくは第２層光導波路１０９のうちのもう１つの中の移動を継続することを可能にする。
【００２１】
図２は、少なくとも２つの異なる層の上に光導波路を有する光チップ１００の別の断面図を示したものである。図２に示す断面図から、光チップ１００の中を移動する光が取ることになる経路が分かる。より詳細には、第１層光導波路１０５の中を左から右へ移動する光は、第１層光導波路１０５内の移動経路の末端付近で光ビア１０７に遭遇することになる。第１層光導波路１０５と光ビア１０７の間の屈折率が実質的に整合しており、光導波路とビアの間の界面の幾何形状およびビア自体の幾何形状が適切であるため、第１層光導波路１０５内の光は、光ビア１０７の中へ上に向かって移動する。光ビア１０７を上に向かって移動する光は、次に、第２層光導波路１０９に遭遇し、その中で光が再結像し、第２層光導波路１０９の中を左から右へ向かって移動を継続する。
【００２２】
当業者には、当分野における一般的な教示およびLucas B. Soldano、Erik C.M. Pennings、Optical Multi-Mode Interference Devices Based on Self-Imaging: Principles and Applications、the Journal of Lightwave Technology、Vol.13、No.4、1995年4月、615〜627頁の明確な教示から、光自体が再結像するのを可能にし、それにより第１層光導波路１０５から光ビア１０７の中へ上に向かって移動するように動作する光の電磁方程式および特性が容易に理解されよう。上記文献の教示が適用されるのは平面内移動のみである。しかしながら本出願人は、上記文献の中で教示されている同じタイプのモード励起を使用して、本明細書において開示されている平面外の光の結合の論拠を説明することができることを認識している。
【００２３】
有利には、このような光ビアを使用することによって層と層の間の光の結合を制御することができるため、様々な層の光導波路を自由に重畳させることができる。また、有利には、光導波路の漸進的なテーパのために従来技術において必要だったことが不要となったため、従来技術による構成を使用して従来可能であった寸法より短い寸法を使用することができる。また、光のモードがクラッド材料中に展開しないため、光が交差ポイントで基板中に交差する危険が最小化される。したがってより大きい設計自由度とより密度の高いデバイスを得ることができる。
【００２４】
図３は、光ビアによって結合されるべき単一モード・光導波路の高さが与えられた光ビアの高さおよび長さを決定するための例示的プロセスを流れ図で示したものである。プロセスはステップ３０１で開始され、そこでは単一モード・光導波路の高さおよび光導波路と光ビアを構築している材料の特性を含む、光チップの様々なパラメータが供給される。ステップ３０３で、たとえば単一モード高さｈｓｍに係数（たとえば５）を掛け合わせることによって多モード領域の高さｈが初期予測される。異なる層の光導波路が異なる単一モードの高さを有している場合は、単一モードの高さの平均を使用することができる。係数は、このような高さの導波路の中を移動する光が多重モードを有することになるようになっている。ほとんどのモードが励起される場合に自己結像が、最良であるため、モードの数とこのような光デバイスに合理的な寸法を提供する必要性とのバランスが取れるため、係数には５を選択することが良好な選択である。
【００２５】
次に、ステップ３０５で、初期予測値および光導波路と光ビアの間の界面における材料の屈折率の関数として、光導波路と光ビアの間の重畳の長さＬの推定値が展開される。異なる材料が界面を形成している場合、屈折率の平均を使用することができ、それにより適切な結果を得ることができる。この予測は、Ｌ＝（４ｎｈ２）／３λを計算することによって実施することができる。Ｌは求める長さ、ｎは屈折率、ｈは高さの初期予測値、λは重要な動作波長である。
【００２６】
次に、ステップ３０７で、伝搬モードの汎用シミュレータを使用して初期予測値がより正確になる。このようなシミュレータの１つは、ＣｏｎｃｅｐｔからＶｏｌｕｍｅ  Ｂ．Ｖ．（Ｃ２Ｖ）まで利用することができるＯｌｙｍｐＩＯｓである（http://www.c2v.nl）。このようなソフトウェアによって、光導波路および光ビアの幾何形状、高さの初期予測値、長さの予測値および材料特性などの必要なパラメータが得られ、延いては光学視野およびとりわけ重要なパワー出力、たとえば第２の単一モード・光導波路中に結合されるパワーが得られる。したがって、より詳細には、ステップ３０７で、現行の規定パラメータを与えることにより、シミュレータによって単一モード出力パワーが決定される。
【００２７】
次に、条件付き分岐点３０９で、シミュレータによって決定された出力パワーが許容可能であるかどうかを決定するための試験が実施される。通常、供給されるすべての入力パワーを出力パワーとして有することが望ましいため、許容可能な出力パワーは、入力パワーのうちの何某かの規定パーセンテージ、たとえば９９％のパワーを有することになる。
【００２８】
いずれのアプリケーションにおいても許容可能な特定の出力パワーは、インプリメンタによって指定することができる。ステップ３０９の試験結果がノーである場合、それは、出力パワーが許容可能ではないことを示しており、制御はステップ３１１へ進行して、たとえば現行の値の摂動としてｈおよびＬの新しい値が展開される。このような摂動によって値を若干増減することができる。ｈおよびＬの合理的な可能レンジをカバーするためのステップ３１１における様々な実行に対するｈおよびＬの若干の増分を調整する方法については、当業者には容易に認識されよう。ステップ３０９の試験結果がイエスである場合、それは、出力パワーが許容可能であることを示しており、制御はステップ３１３へ進行して、現行の値がｈおよびＬに使用される。プロセスは、次にステップ３１５へ進行して終了する。
【００２９】
インプリメンタは、ｈおよびＬに対する合理的な全レンジの試験が終了した段階で出力パワーの許容可能値が見出されない場合に備えて、最良のパワーを見出すためのｈおよびＬの値を選択するオプションを有している。
【００３０】
当業者には、図３に示す方法を光導波路が同じ形態学を有していないアプリケーションに容易に適合させることができよう。たとえば、図３で言及した単一の高さの代わりに、結合される２つの光導波路の高さの平均を使用することができる。
【００３１】
図４は、本発明の原理による、２つのレベルおよびそれらの間の少なくとも１つの光ビアの上に光導波路を製造するための例示的プロセスの概要を示したものである。プロセスは、ステップ４０１で従来のシリコン・オン・インシュレータ・ウェハを使用して開始される。ステップ４０３で、従来の方法、つまり所望の構造をパターン化し、かつ、ＳＯＩウェハの絶縁体上に堆積された、第１の導波路層、たとえば第１の光導波路１０５（図１）が存在する層に残留することが望ましくないすべてのシリコン材料をエッチ除去することによって第１の光導波路層が構築される。次にステップ４０５で、第１および第２の光導波路層を光絶縁するように作用するクラッド層、たとえばＳｉＯ２層が第１の光導波路層の上に堆積される。得られた層は、ステップ４０７で、たとえば良く知られている化学機械研磨（ＣＭＰ）技法を使用してその露出表面が平らに研磨される。ステップ４０９で、光ビアが形成されることが望ましい位置がＳｉＯ２の平らに研磨された表面にパターン化され、それにより、同じくステップ４０９の一環として実行されるエッチングによって、第２の層に接続されることが望ましい位置で第１の層の光導波路を覆っているＳｉＯ２のみが除去される。ステップ４１１で、エッチングが施された表面に、ある屈折率を有する、光導波路と光導波路の間を光結合する導電材料の層が共形被覆され、それにより、先行するエッチング・プロセスで残された孔に材料が充填され、かつ、エッチングが施されていないウェハ部分が被覆される。得られた層は、ステップ４１３で、たとえば良く知られている化学機械研磨（ＣＭＰ）技法を再度使用して、既に堆積済みのクラッド層の高さまでその露出表面が平らに研磨される。ステップ４１５で、第２の光導波路中に形成されるべき材料の層が平らに研磨されたクラッド層の表面に堆積される。最後にステップ４１７で材料上で第２の層の光導波路がパターン化され、それにより第２の光導波路層が形成され、続いてエッチングによって第２の光導波路層が形成される。最後のクラッド層は、ステップ４１９で第２の光導波路層の上に堆積される。第１のクラッド層は、レイアウトに応じて第２のクラッド層に接触させて連続させることができることに留意されたい。
【００３２】
図５は、本発明の原理による、少なくとも１つの光ビアによって接続される少なくとも２つの異なる層の上に光導波路を有する光チップ５００の断面図を示したものである。図５の外観は、図２の外観と類似している。図５では、光ビア５０７は、光導波路５０５から光導波路５０９への接続を生成するだけではなく、光導波路５０５から光導波路５１５への接続をも生成するように作用している。これは、ビア５０７が出力として２つの像を生成するようにその長さＬを調整することによって達成される。たとえば、ビア５０７の長さは、図２と同じ構成に使用されるはずの長さの半分にすることができる。しかし、パワーの保存により、得られる像の各々の最大パワーは、光導波路５０５から入力される元の像のパワーの僅かに半分に制限されることになる。また、光チップ５００は、結合器として逆方向に動作させることができ、光導波路５０９および５１５からの信号を光導波路５０５中に結合することができる。
【００３３】
図６は、本発明の原理による、少なくとも１つの光ビアによって接続される少なくとも２つの異なる層の上に光導波路を有する光チップ６００の断面図を示したものである。図６の外観は、図５の外観と類似している。図６に示すように、光ビア５０７は、光導波路５０５から光導波路５０９への接続を生成するだけではなく、光導波路５０５から光導波路５１５への接続をも生成するように作用している。これは、ビア５０７が出力として２つの像を生成するようにその長さＬを調整することによって達成される。たとえば、ビア５０７の長さは、図２と同じ構成に使用されるはずの長さの半分にすることができる。しかし、パワーの保存により、得られる像の各々の最大パワーは、光導波路５０５から入力される元の像のパワーの僅かに半分に制限されることになる。
【００３４】
さらに、光ビア５０７は、光導波路５１５から光導波路５０５および６０５への接続を生成するように作用し、光を光導波路５１５の中を右から左へ移動させている。同様に、光ビア５０７は、光導波路５０９から光導波路５０５および６０５への接続を生成するように作用し、光を光導波路５０９の中を右から左へ移動させている。
【００３５】
また、光チップ６００は、結合器として逆方向に動作させることができ、光導波路５０９および５１５からの信号を光導波路５０５および６０５中に同時に結合することができる。また、光チップ６００は、光導波路５０５および６０５からの光を光導波路５０９および５１５中に同時に結合することができる。
【００３６】
図７は、本発明の原理による、少なくとも１つの光ビアによって接続される少なくとも３つの異なる層の上に光導波路を有する光チップ７００の断面図を示したものである。図７の外観は、図２の外観と類似している。図７では、光ビア７０７は、光導波路７０５から光導波路７０９への接続を生成するだけではなく、光導波路７０５から第３の層中の光導波路７１９への接続をも生成するように作用している。これは、ビア７０７が出力として２つの像を生成するようにその長さＬおよび高さｈを選択することによって達成される。しかし、パワーの保存により、得られる像の各々の最大パワーは、光導波路７０５から入力される元の像のパワーの僅かに半分に制限されることになる。また、光チップ７００は、結合器として逆方向に動作させることができ、光導波路７０９および７１９からの信号を光導波路７０５中に結合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の原理による、少なくとも２つの異なる層の上に光導波路を有し光ビアによって少なくとも一対の光導波路が相互接続されている例示的光チップのいくつかの光導波路の断面図である。
【図２】図１の光チップの別の断面図である。
【図３】光ビアによって結合されるべき単一モード・光導波路の高さが与えられた光ビアの高さおよび長さを決定するための例示的プロセスを示す流れ図である。
【図４】本発明の原理による、２つのレベルおよびそれらの間の少なくとも１つの光ビアの上に光導波路を製造するための例示的プロセスの概要を示す図である。
【図５】本発明の原理による、少なくとも１つの光ビアによって接続される少なくとも２つの異なる層の上に光導波路を有する別の光チップの断面図である。
【図６】本発明の原理による、少なくとも１つの光ビアによって接続される少なくとも２つの異なる層の上に光導波路を有する別の光チップの断面図である。
【図７】本発明の原理による、少なくとも１つの光ビアによって接続される少なくとも３つの異なる層の上に光導波路を有する別の光チップの断面図である。
【図１】
2006091873.tif 000003
【図２】
2006091873.tif 000004
【図３】
2006091873.tif 000005
【図４】
2006091873.tif 000006
【図５】
2006091873.tif 000007
【図６】
2006091873.tif 000008
【図７】
2006091873.tif 000009