(57)【要約】【課題】被処理物を所定の温度に迅速且つ確実に加熱するとともに、装置全体をコンパクトに構成することを可能にする。【解決手段】加熱装置４５は、搬送機構７４による搬送方向に沿って配設される第１〜第５加熱炉８２〜９０を備える。第１加熱炉８２は、ガラス基板２４を処理時に必要な目標温度以上に加熱可能な第１ヒータ９８ａを設ける一方、第２加熱炉８４は、前記ガラス基板２４を前記目標温度以下にのみ加熱可能な第２ヒータ９８ｂを設け、前記第２加熱炉８４は、前記第１加熱炉８２よりも熱量が小さく設定されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物を搬送するための搬送機構を有する加熱装置であって、
前記搬送機構による搬送方向に沿って配設される少なくとも第１及び第２加熱炉を備え、
搬送方向上流側に配設される前記第１加熱炉は、前記被処理物を処理時に必要な目標温度以上に加熱可能な第１熱源を設ける一方、
搬送方向下流側に配設され、前記第１加熱炉よりも熱量の小さな前記第２加熱炉は、前記被処理物を前記目標温度以下にのみ加熱可能な第２熱源を設けることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
請求項１記載の加熱装置において、前記第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降の少なくともいずれかは、前記被処理物を前記搬送機構から退避させる退避機構を備えることを特徴とする加熱装置。
【請求項３】
請求項２記載の加熱装置において、前記退避機構は、前記被処理物を前記搬送方向に交差する鉛直方向又は水平方向に移送可能なバッファ部を備えることを特徴とする加熱装置。
【請求項４】
請求項１記載の加熱装置において、前記搬送機構による搬送方向に沿って前記第１加熱炉の下流に配設され、前記被処理物が前記第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際にのみ、前記被処理物又は下流の被処理物を待機させるためのバッファ部を備えることを特徴とする加熱装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の加熱装置において、前記搬送機構は、前記被処理物を連続搬送又は間欠搬送することを特徴とする加熱装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の加熱装置において、前記第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降のいずれかには、前記被処理物を前記搬送方向に交差する幅方向に位置決めする位置決め機構と、
前記被処理物を前記搬送方向の所定の位置に停止させる停止機構と、
が設けられることを特徴とする加熱装置。
【請求項７】
被処理物を搬送路に沿って間欠搬送又は連続搬送しながら、前記被処理物を加熱する加熱方法であって、
搬送方向上流側に配設され、前記被処理物を処理時に必要な目標温度以上に加熱可能な第１加熱炉を介して、前記被処理物を前記目標温度以下に加熱する工程と、
搬送方向下流側に配設され、前記第１加熱炉よりも熱量の小さな第２加熱炉を介して、前記被処理物を前記目標温度以下に加熱する工程と、
を有することを特徴とする加熱方法。
【請求項８】
請求項７記載の加熱方法において、前記第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降の少なくともいずれかには、前記被処理物を前記搬送路から退避させるバッファ部が設けられ、
前記被処理物が前記第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際、前記搬送路上から前記被処理物又は他の被処理物を前記バッファ部に移送して、前記第１加熱炉から前記被処理物を排出させることを特徴とする加熱方法。
【請求項９】
請求項８記載の加熱方法において、前記バッファ部は、搬送方向に交差して設けられるとともに、
前記被処理物が前記第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際、先ず、先に投入された第１の被処理物を前記バッファ部に移送した後、後に投入された第２の被処理物を前記第１の被処理物に並列して配置し、さらに前記第１の被処理物を前記搬送路上に戻す一方、前記第２被処理物を前記搬送路から離脱させ、次いで、前記第１被処理物を前記搬送路に沿って搬送した後、前記第２の被処理物を前記搬送路上に戻して前記第１の被処理物に続いて搬送することを特徴とする加熱方法。
【請求項１０】
請求項８記載の加熱方法において、前記バッファ部は、搬送方向に配列される第１及び第２のバッファ部を有し、
前記被処理物が前記第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際、先ず、先に投入された第１の被処理物を前記搬送路上から前記第１のバッファ部に移送した後、後に投入された第２の被処理物を前記第１のバッファ部を通過して前記第２のバッファ部に移送し、さらに前記第１のバッファ部の前記第１の被処理物を前記搬送路上に戻して下流に搬送し、次いで、前記第２のバッファ部の前記第２の被処理物を前記搬送路上に戻して前記第１の被処理物に続いて搬送することを特徴とする加熱方法。
【請求項１１】
請求項７記載の加熱方法において、前記搬送機構による搬送方向に沿って前記第１加熱炉の下流にバッファ部が配設され、
前記被処理物が前記第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際にのみ、前記被処理物又は下流の被処理物を前記バッファ部に待機させることを特徴とする加熱方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の加熱方法において、前記第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降のいずれかでは、前記被処理物を前記搬送方向に交差する幅方向に位置決めするとともに、前記被処理物を前記搬送方向の所定の位置に停止させた後、前記被処理物の停止状態の良否を検出することを特徴とする加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理物を搬送するための搬送機構を有する加熱装置及び加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶パネル用基板、プリント配線用基板、ＰＤＰパネル用基板では、感光材料（感光性樹脂）層を有する感光性シート体（感光性ウエブ）を基板表面に貼り付けた感光性積層体として構成されている。この感光性シート体は、可撓性プラスチック支持体上に感光材料層と保護フイルムとが、順次、積層されている。
【０００３】
上記の感光性積層体を製造する際には、通常、ガラス基板や樹脂基板等の基板（被処理物）が、予め所定の温度に加熱されている。そして、保護フイルムが部分的又は全体的に剥離された感光性ウエブと加熱された基板とは、一対のラミネートローラ間に挟持加熱されることにより、前記基板上に感光材料層が熱圧着されている。次いで、基板から可撓性プラスチック支持体が剥離されることにより、感光性積層体が製造されている。
【０００４】
この場合、基板を予め所定の温度に加熱するために、例えば、特許文献１に開示されている連続熱処理装置を用いることが考えられる。この装置では、図１９に示すように、基板１が周回走行するメッシュベルト２に載置されて矢印Ｘ方向に連続搬送されるとともに、この基板１の搬送方向（矢印Ｘ方向）に沿って、予熱領域３、リフロー領域４及び冷却領域５が設けられている。
【０００５】
予熱領域３には、基板１の上下に位置してそれぞれ一組の予熱用面状ヒータ３ａ、３ｂ及び３ｃが、矢印Ｘ方向に沿って、順次、配置されている。リフロー領域４には、熱遮板６ａ、６ｂ及び底板６ｃによって囲まれた領域にチャンバ７が形成されており、このチャンバ７には、リフロー用ヒータ８が配設されている。
【０００６】
基板１は、プリント基板上に半田を介して素子が取り付けられており、リフロー領域４では、半田の融点以上の所定温度（融点１８０℃の半田の場合は、２１０℃）に１５秒〜３０秒だけ加熱する一方、予熱領域３では、前記基板１を１４０℃〜１６０℃に予熱している。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−２０８２６１号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記の特許文献１では、予熱領域３において基板１が所定の予熱温度以上に加熱されることを阻止する必要がある。このため、面状ヒータ３ａ〜３ｃでは、加熱された基板１の収束温度が過昇温（例えば、２２０℃以上）にならないように、比較的低温にヒータ温度が設定されている。
【０００９】
しかしながら、基板１は、常温（２０℃程度）から予熱温度である１４０℃〜１６０℃まで加熱されるため、この基板１の加熱時間が相当に長くなってしまう。これにより、基板１を高速タクトで搬送しようとすると、予熱領域３が積層方向（矢印Ｘ方向）に相当に長尺化し、装置全体が大型化するという問題がある。
【００１０】
本発明はこの種の問題を解決するものであり、被処理物を所定の温度に迅速且つ確実に加熱するとともに、装置全体をコンパクトに構成することが可能な加熱装置及び加熱方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、被処理物を搬送するための搬送機構を有する加熱装置である。この加熱装置は、搬送機構による搬送方向に沿って配設される少なくとも第１及び第２加熱炉を備え、搬送方向上流側に配設される前記第１加熱炉は、被処理物を処理時に必要な目標温度以上に加熱可能な第１熱源を設ける一方、搬送方向下流側に配設され、前記第１加熱炉よりも熱量の小さな前記第２加熱炉は、前記被処理物を目標温度以下にのみ加熱可能な第２熱源を設けている。
【００１２】
また、第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降の少なくともいずれかは、被処理物を搬送機構から退避させる退避機構を備えることが好ましい。さらに、退避機構は、被処理物を搬送方向に交差する鉛直方向又は水平方向に移送可能なバッファ部を備えることが好ましい。
【００１３】
さらにまた、搬送機構による搬送方向に沿って第１加熱炉の下流に配設され、被処理物が前記第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際にのみ、前記被処理物又は下流の被処理物を待機させるためのバッファ部を備えることが好ましい。また、搬送機構は、被処理物を連続搬送又は間欠搬送することが好ましい。
【００１４】
さらに、第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降のいずれかには、被処理物を搬送方向に交差する幅方向に位置決めする位置決め機構と、前記被処理物を前記搬送方向の所定の位置に停止させる停止機構とが設けられることが好ましい。
【００１５】
さらにまた、本発明は、被処理物を搬送路に沿って間欠搬送又は連続搬送しながら、前記被処理物を加熱する加熱方法である。この加熱方法は、搬送方向上流側に配設され、被処理物を処理時に必要な目標温度以上に加熱可能な第１加熱炉を介して、前記被処理物を前記目標温度以下に加熱する工程と、搬送方向下流側に配設され、第１加熱炉よりも熱量の小さな第２加熱炉を介して、前記被処理物を前記目標温度以下に加熱する工程とを有している。
【００１６】
さらに、第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降の少なくともいずれかには、被処理物を搬送路から退避させるバッファ部が設けられ、前記被処理物が第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際、前記搬送路上から前記被処理物又は他の被処理物を前記バッファ部に移送して、前記第１加熱炉から前記被処理物を排出させることが好ましい。
【００１７】
さらにまた、バッファ部は、搬送方向に交差して設けられるとともに、被処理物が第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際、先ず、先に投入された第１の被処理物をバッファ部に移送した後、後に投入された第２の被処理物を前記第１の被処理物に並列して配置し、さらに前記第１の被処理物を搬送路上に戻す一方、前記第２被処理物を前記搬送路から離脱させ、次いで、前記第１被処理物を前記搬送路に沿って搬送した後、前記第２の被処理物を前記搬送路上に戻して前記第１の被処理物に続いて搬送することが好ましい。
【００１８】
また、バッファ部は、搬送方向に配列される第１及び第２のバッファ部を有し、被処理物が第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際、先ず、先に投入された第１の被処理物を搬送路上から前記第１のバッファ部に移送した後、後に投入された第２の被処理物を前記第１のバッファ部を通過して前記第２のバッファ部に移送し、さらに前記第１のバッファ部の前記第１の被処理物を前記搬送路上に戻して下流に搬送し、次いで、前記第２のバッファ部の前記第２の被処理物を前記搬送路上に戻して前記第１の被処理物に続いて搬送することが好ましい。
【００１９】
さらにまた、搬送機構による搬送方向に沿って第１加熱炉の下流にバッファ部が配設され、被処理物が前記第１加熱炉で所定の時間以上加熱されると判断された際にのみ、前記被処理物又は下流の被処理物を前記バッファ部に待機させることが好ましい。
【００２０】
また、第２加熱炉又は該第２加熱炉の下流に配設される第３加熱炉以降のいずれかでは、被処理物を搬送方向に交差する幅方向に位置決めするとともに、前記被処理物を前記搬送方向の所定の位置に停止させた後、前記被処理物の停止状態（停止位置を含む）の良否を検出することが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、搬送方向上流側に配設される第１加熱炉が、第２加熱炉に比べて大きな熱量を有しており、この第１加熱炉の加熱作用下に、被処理物が目標温度の近傍まで迅速に加熱される。このため、被処理物の昇温時間が一挙に短縮され、加熱炉長が短尺化されて装置全体の小型化が容易に図られる。
【００２２】
しかも、第１加熱炉の下流には、この第１加熱炉よりも熱量の小さな第２加熱炉が配設されている。従って、第１加熱炉を介し目標温度の近傍まで急速昇温された被処理物は、第２加熱炉の加熱作用下に、前記目標温度まで正確に昇温することができる。
【００２３】
その際、被処理物は、第２加熱炉内に滞留していても、目標温度以上に加熱されることがない。これにより、装置のトラブルやメンテナンス等のために装置内で被処理物の搬送が停止された場合にも、前記被処理物を第１加熱炉から第２加熱炉に移送するだけで、前記被処理物が目標温度以上に加熱されることを確実に阻止することが可能になる。
【００２４】
従って、滞留解除後に、目標温度に維持されている被処理物を供給することができ、作業の効率化が容易に遂行されるとともに、例えば、過昇温した被処理物を冷却するための冷却装置が不要になる。その上、過昇温した被処理物の取り出しや、新たな被処理物の再投入が不要になるとともに、過昇温によって被処理物が使用不能になる等の作業ロスや損失を阻止することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る加熱装置を組み込む感光性積層体の製造装置２０の概略構成図であり、この製造装置２０は、液晶又は有機ＥＬ用カラーフィルタの製作工程で、長尺状感光性ウエブ２２の感光性樹脂層２８（後述する）をガラス基板２４に熱転写する作業を行う。
【００２６】
図２は、製造装置２０に使用される感光性ウエブ２２の断面図である。この感光性ウエブ２２は、可撓性ベースフイルム（支持体）２６と、感光性樹脂層（感光材料層）２８と、保護フイルム３０とを積層して構成される。
【００２７】
図１に示すように、製造装置２０は、感光性ウエブ２２をロール状に巻回した感光性ウエブロール２２ａを収容し、この感光性ウエブロール２２ａから前記感光性ウエブ２２を送り出すウエブ送り出し機構３２と、送り出された前記感光性ウエブ２２の保護フイルム３０に、幅方向に切断可能なハーフカット部位３４を形成する加工機構３６と、一部に非接着部３８ａを有する接着ラベル３８（図３参照）を保護フイルム３０に接着させるラベル接着機構４０とを備える。
【００２８】
ラベル接着機構４０の下流には、感光性ウエブ２２をタクト送りから連続送りに変更するためのリザーバ機構４２と、前記感光性ウエブ２２から保護フイルム３０を所定の長さ間隔で剥離させる剥離機構４４と、ガラス基板２４を所定の温度に加熱した状態で貼り付け位置に搬送する第１の実施形態に係る加熱装置４５と、前記保護フイルム３０の剥離により露出した感光性樹脂層２８を前記ガラス基板２４に貼り付ける貼り付け機構４６とが配設される。なお、貼り付け機構４６によりガラス基板２４に感光性ウエブ２２が貼り付けられた被処理物を、以下、単に基板２４ａという。
【００２９】
貼り付け機構４６における貼り付け位置の上流近傍には、感光性ウエブ２２の境界位置であるハーフカット部位３４を直接検出する検出機構４７が配設されるとともに、前記貼り付け機構４６の下流には、各ガラス基板２４間の前記感光性ウエブ２２を切断する基板間ウエブ切断機構４８が配設される。この基板間ウエブ切断機構４８の上流には、運転開始時及び運転終了時に使用されるウエブ切断機構４８ａが設けられる。
【００３０】
ウエブ送り出し機構３２の下流近傍には、略使用済みの感光性ウエブ２２の後端と、新たに使用される感光性ウエブ２２の先端とを接合させる接合台４９が配設される。この接合台４９の下流には、感光性ウエブロール２２ａの巻きずれによる幅方向のずれを制御するために、フイルム端位置検出器５１が配設される。
【００３１】
加工機構３６は、ウエブ送り出し機構３２に収容巻回されている感光性ウエブロール２２ａのロール径を算出するためのローラ対５０の下流に配置される。この加工機構３６は、単一の丸刃５２を備え、この丸刃５２は、感光性ウエブ２２の幅方向に走行して前記感光性ウエブ２２の所定の位置にハーフカット部位３４を形成する。
【００３２】
図２に示すように、ハーフカット部位３４は、少なくとも保護フイルム３０を切断する必要があり、実際上、この保護フイルム３０を確実に切断するために感光性樹脂層２８乃至ベースフイルム２６まで切り込むように丸刃５２の切り込み深さが設定される。丸刃５２は、回転することなく固定された状態で、感光性ウエブ２２の幅方向に移動してハーフカット部位３４を形成する方式や、前記感光性ウエブ２２上を滑ることなく回転しながら前記幅方向に移動して前記ハーフカット部位３４を形成する方式が採用される。このハーフカット部位３４は、丸刃５２に代替して、例えば、レーザ光や超音波を用いたカット方式の他、ナイフ刃、押し切り刃（トムソン刃）等で形成する方式を採用してもよい。
【００３３】
ハーフカット部位３４は、ガラス基板２４の間隔を設定するものであり、例えば、両側の前記ガラス基板２４にそれぞれ１０ｍｍずつ入り込んだ位置に設定される。ガラス基板２４間のハーフカット部位３４で挟まれた部分は、後述する貼り付け機構４６において感光性樹脂層２８を前記ガラス基板２４に額縁状に貼り付ける際のマスクとして機能するものである。
【００３４】
ラベル接着機構４０は、ガラス基板２４間に対応して保護フイルム３０の残存部分３０ｂを残すため、剥離側前方の剥離部分３０ａａと剥離側後方の剥離部分３０ａｂとを連結する接着ラベル３８を供給する。図２に示すように、保護フイルム３０は、残存部分３０ｂを挟んで、先に剥離される部分を前方の剥離部分３０ａａとする一方、後に剥離される部分を後方の剥離部分３０ａｂとする。
【００３５】
図３に示すように、接着ラベル３８は、短冊状に構成されており、例えば、保護フイルム３０と同一の樹脂材で形成される。接着ラベル３８は、中央部に粘着剤が塗布されない非接着部（微粘着を含む）３８ａを有するとともに、この非接着部３８ａの両側、すなわち、前記接着ラベル３８の長手方向両端部に、前方の剥離部分３０ａａに接着される第１接着部３８ｂと、後方の剥離部分３０ａｂに接着される第２接着部３８ｃとを有する。
【００３６】
図１に示すように、ラベル接着機構４０は、最大５枚の接着ラベル３８を所定間隔ずつ離間して貼り付け可能な吸着パッド５４ａ〜５４ｅを備えるとともに、前記吸着パッド５４ａ〜５４ｅによる前記接着ラベル３８の貼り付け位置には、感光性ウエブ２２を下方から保持するための受け台５６が昇降自在に配置される。
【００３７】
リザーバ機構４２は、上流側の感光性ウエブ２２のタクト搬送と、下流側の前記感光性ウエブ２２の連続搬送との速度差を吸収するが、さらにテンション変動を防ぐために、揺動自在な２連のローラ６０で構成されるダンサー６１を備える。なお、ローラ６０は、リザーブ量に応じて１連又は３連以上であってもよい。
【００３８】
このリザーバ機構４２の下流に配置される剥離機構４４は、感光性ウエブ２２の送り出し側のテンション変動を低減し、ラミネート時のテンションを安定化させるためのサクションドラム６２を備える。サクションドラム６２の近傍には、剥離ローラ６３が配置されるとともに、この剥離ローラ６３を介して感光性ウエブ２２から鋭角の剥離角で剥離される保護フイルム３０は、残存部分３０ｂを除いて保護フイルム巻き取り部６４に巻き取られる。
【００３９】
剥離機構４４の下流側には、感光性ウエブ２２にテンションを付与可能なテンション制御機構６６が配設される。テンション制御機構６６は、シリンダ６８を備え、このシリンダ６８の駆動作用下に、テンションダンサー７０が揺動変位することにより、このテンションダンサー７０が摺接する感光性ウエブ２２のテンションが調整可能である。なお、テンション制御機構６６は、必要に応じて使用すればよく、削除することもできる。
【００４０】
検出機構４７は、レーザセンサやフォトセンサ等の光電センサ７２を備えており、前記光電センサ７２は、ハーフカット部位３４の楔状の溝形状部や、保護フイルム３０の厚さによる段差、あるいは、これらの組み合わせによる変化を直接検出し、この検出信号を境界位置信号とする。光電センサ７２は、バックアップローラ７３に対向して配置される。なお、光電センサ７２に代えて、非接触変位計やＣＣＤカメラ等の画像検査手段等を用いてもよい。
【００４１】
検出機構４７により検出されるハーフカット部位３４の位置データは、リアルタイムで統計処理及びグラフ化が可能であり、ばらつき異常や偏りの発生時に警報を出すことができる。
【００４２】
また、ハーフカット部位３４を直接検出するのではなく、このハーフカット部位３４に対応して加工機構３６近傍で孔部や切り欠きを形成したり、レーザ加工やアクアジェット加工による孔開けや切り込みを設けたり、インクジェットやプリンタ等によるマーキングを設けたりしてマーク部を形成し、このマーク部を検出して境界位置信号としてもよい。
【００４３】
加熱装置４５は、図４に示すように、被処理物であるガラス基板２４を矢印Ｃ方向に搬送するための搬送機構７４を備え、この搬送機構７４は、矢印Ｃ方向に配列される複数の樹脂製円板状搬送ローラ７６を有する。搬送機構７４の矢印Ｃ方向上流側には、ガラス基板２４を受け取る受け取り部７８が設けられるとともに、この受け取り部７８には、前記ガラス基板２４を旋回させる旋回テーブル８０が設けられる。
【００４４】
受け取り部７８の下流側には、少なくとも第１及び第２加熱炉、第１の実施形態では、第１〜第５加熱炉８２、８４、８６、８８及び９０が、順次、配列される。第１加熱炉８２は、高温炉を構成し、第２加熱炉８４は、昇温炉を構成し、第３加熱炉８６は、昇温炉及び退避機構９２を構成し、第４加熱炉８８は、保温炉及び位置決め機構９４を構成し、第５加熱炉９０は、保温炉及び停止機構９６を構成する。
【００４５】
具体的には、第１加熱炉８２には、第１ヒータ（第１熱源）９８ａが設けられている。この第１加熱炉８２内では、第１ヒータ９８ａを介してガラス基板２４を処理時であるラミネート時に必要な１１０℃以上、例えば、１２０℃以上に加熱可能に設定される。この第１ヒータ９８ａのヒータ温度は、例えば、２００℃以上に設定される。
【００４６】
第１加熱炉８２よりも熱量が小さい第２〜第５加熱炉８４〜９０は、第２〜第５ヒータ（第２熱源）９８ｂ〜９８ｅを設ける。第２〜第５ヒータ９８ｂ〜９８ｅは、第２〜第５加熱炉８４〜９０にガラス基板２４が所定の時間以上滞留しても、このガラス基板２４が基板上限温度（例えば、１３０℃）以上に加熱されることがないように、ヒータ温度が、例えば、１３０℃程度に設定される。
【００４７】
ここで、ガラス基板２４では、表面にシランカップリング剤等の表面密着改良剤が塗布されている。このため、表面密着改良剤の品質低下が惹起しない温度、例えば、１３０℃に基板上限温度が設定されることが好ましい。
【００４８】
第３加熱炉８６には、搬送機構７４の下方に位置して補助ヒータ１００が配設され、この補助ヒータ１００は、例えば、１１５℃前後のヒータ温度に設定される。第１加熱炉８２と第２加熱炉８４との間には、前記第１加熱炉８２の高温が前記第２加熱炉８４に影響を与えることないように、熱遮蔽板１０２ａ、１０２ｂが設けられる。なお、熱遮蔽板１０２ａ、１０２ｂは、固定された、例えば、ステンレス製板材を採用しているが、他の材料、例えば、セラミック板等の断熱板を使用し、また、これに代えて、例えば、開閉自在なシャッタ構造やエアカーテン等を採用してもよい。
【００４９】
図５に示すように、退避機構９２は、昇降用架台１０４を備え、この架台１０４は、モータ１０６に連結された駆動力伝達部１０７を介して上下方向に進退可能な送りねじ１０８に係合する。架台１０４上には、所定間隔ずつ離間して複数の支柱１１０が固定されるとともに、前記支柱１１０の上部には、図６に示すように、搬送方向に直交する矢印Ｄ方向に所定間隔ずつ離間して複数の受けピン１１２が設けられる。受けピン１１２は、例えば、樹脂材料により形成されており、先端が球状に構成されてガラス基板２４を支持自在である。
【００５０】
退避機構９２は、搬送機構７４により矢印Ｃ方向に搬送されるガラス基板２４を支持し、このガラス基板２４を鉛直上方向に移送可能なバッファ部１１４を有する（図５参照）。
【００５１】
図７に示すように、位置決め機構９４は、図示しないアクチュエータを介して昇降可能な昇降ベース１１６を備える。昇降ベース１１６上には、ガラス基板２４の幅方向（矢印Ｄ方向）に延在して複数の支柱１１５が配置されており、各支柱１１５上には、搬送ローラ７６に直交するスライド用ローラ１１８がそれぞれ複数設けられる。
【００５２】
昇降ベース１１６の矢印Ｄ方向一端側には、モータ１２０を介して矢印Ｄ方向に進退自在な可動板１２１が連結される。この可動板１２１上には、基準側幅規制ローラ１２２が回転自在に且つガラス基板２４の搬送方向両端縁部に対応して一対設けられる。
【００５３】
昇降ベース１１６の矢印Ｄ方向他端側には、基準側幅規制ローラ１２２に対向して幅規制ローラ１２４が一対で且つ回転自在で設けられる。幅規制ローラ１２４は、例えば、シリンダ１２６を介して進退可能に構成される。なお、幅規制ローラ１２４は、ガラス基板２４の搬送方向中央部に対応して１個所に設けてもよい。ガラス基板２４の形状が変形していても、前記ガラス基板２４を基準側幅規制ローラ１２２に正確に位置決めすることができるからである。また、シリンダとスプリングとの組み合わせ、あるいは、スプリングのみで押圧する構成が採用可能である。
【００５４】
図８に示すように、停止機構９６は、ガラス基板２４の後端部が通過することを検出する減速用センサ１３０ａと、ラミネート用規定位置に前記ガラス基板２４の先端部が配置される位置に対応して該ガラス基板２４の後端位置を検出する停止用センサ１３０ｂとを備える。
【００５５】
停止機構９６は、第５加熱炉９０内にガラス基板２４が所定の姿勢で位置決め、停止されているか否かを検出するために、耐熱性リニアセンサ１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ及び１３４ｂを設ける。耐熱性リニアセンサ１３２ａ、１３２ｂは、ガラス基板２４の幅方向両端部の位置を検出してこの位置が規定範囲内であるか否かを判定する一方、耐熱性リニアセンサ１３４ａ及び１３４ｂは、前記ガラス基板２４の基板停止位置を検出してこの位置が規定範囲内であるか否かを判定する。
【００５６】
耐熱性リニアセンサ１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ及び１３４ｂは、図示しないが、センサ検出部にガラス基板２４を挟んで透光部と受光部とを配置しており、前記ガラス基板２４により光が遮られた大きさに比例してアナログ信号を出力して位置を検出する。なお、この種のセンサとしては、画像処理等の他の検出方式を採用することができる。
【００５７】
加熱装置４５では、ガラス基板２４の温度を常時監視し、異常時には、搬送ローラ７６の停止や警報を発生するとともに、異常情報を発信して異常なガラス基板２４を後工程でＮＧ排出、品質管理又は生産管理等に活用することができる。また、搬送機構７４では、図示しないエア浮上プレートが配設され、ガラス基板２４が浮上されて矢印Ｃ方向に搬送される構成を採用してもよい。
【００５８】
図１に示すように、加熱装置４５の上流には、複数のガラス基板２４が収容される基板ストッカー１３６が設けられる。基板ストッカー１３６には、投入及び取り出し口以外の３方の側面に、除塵用ファンユニット（又はダクトユニット）１３７が付設される。ファンユニット１３７は、基板ストッカー１３６内に除電クリーンエアの吹き出しを行う。基板ストッカー１３６に収容されている各ガラス基板２４は、ロボット１３８のハンド部１３８ａに設けられた吸着パッド１３９に吸着されて取り出され、受け取り部７８に搬入される。
【００５９】
貼り付け機構４６は、上下に配設されるとともに、所定温度に加熱されるラミネート用ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂを備える。ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂには、バックアップローラ１４２ａ、１４２ｂが摺接するとともに、前記バックアップローラ１４２ｂは、ローラクランプ部１４４を介してゴムローラ１４０ｂ側に押圧される。
【００６０】
ゴムローラ１４０ａの近傍には、感光性ウエブ２２が前記ゴムローラ１４０ａに接触することを防止するための接触防止ローラ１４６が移動可能に配設される。貼り付け機構４６の上流近傍には、感光性ウエブ２２を予め所定温度に予備加熱するための予備加熱部１４７が配設される。この予備加熱部１４７は、例えば、赤外線バーヒータ等の加熱手段を備える。
【００６１】
貼り付け機構４６と基板間ウエブ切断機構４８との間には、フイルム搬送ローラ１４８ａと基板搬送ローラ１４８ｂとが配設される。基板間ウエブ切断機構４８の下流側には、冷却機構１５０が配置されるとともに、この冷却機構１５０の下流側には、ベース剥離機構１５２が配置される。冷却機構１５０は、基板間ウエブ切断機構４８を介して基板２４ａ間の感光性ウエブ２２が切断された後、この基板２４ａに冷風を供給して冷却処理を施す。具体的には、冷風温度が１０℃で、風量が１．０〜２．０ｍ／ｍｉｎに設定される。なお、冷却機構１５０を使用することがなく、後述する感光性積層体ストッカー１６６で自然冷却してもよい。
【００６２】
冷却機構１５０の下流に配置されるベース剥離機構１５２は、基板２４ａを下方から吸着する複数の吸着パッド１５４を備え、この吸着パッド１５４に前記基板２４ａが吸着保持された状態で、ロボットハンド１５６を介してベースフイルム２６及び残存部分３０ｂを剥離する。吸着パッド１５４の上流、下流及び両側方には、基板２４ａのラミネート部分全体に４方向の側面から除電エアを噴射する除電ブロー（図示せず）が配設されている。なお、剥離は、除塵のためテーブルを垂直にして、あるいは傾斜させて、又は裏返にして行ってもよい。
【００６３】
ベース剥離機構１５２の下流には、複数の感光性積層体１６０が収容される感光性積層体ストッカー１６６が設けられる。ベース剥離機構１５２で基板２４ａからベースフイルム２６及び残存部分３０ｂが剥離された感光性積層体１６０は、ロボット１６２のハンド部１６２ａに設けられた吸着パッド１６４に吸着されて取り出され、感光性積層体ストッカー１６６に収容される。
【００６４】
感光性積層体ストッカー１６６には、投入及び取り出し口以外の３方の側面に、除塵用ファンユニット（又はダクトユニット）１３７が付設される。ファンユニット１３７は、感光性積層体ストッカー１６６内に除電クリーンエアの吹き出しを行う。
【００６５】
製造装置２０では、ウエブ送り出し機構３２、加工機構３６、ラベル接着機構４０、リザーバ機構４２、剥離機構４４、テンション制御機構６６及び検出機構４７が、貼り付け機構４６の上方に配置されているが、これとは逆に、前記ウエブ送り出し機構３２から前記検出機構４７を前記貼り付け機構４６の下方に配置し、感光性ウエブ２２の上下が逆になって感光性樹脂層２８がガラス基板２４の下側に貼り付けされてもよく、また、前記製造装置２０全体を直線上に構成してもよい。
【００６６】
製造装置２０は、ラミネート工程制御部１７０を介して全体制御されており、この製造装置２０の各機能部毎に、例えば、ラミネート制御部１７２、基板加熱制御部１７４及びベース剥離制御部１７６等が設けられ、これらが工程内ネットワークにより繋がっている。
【００６７】
ラミネート工程制御部１７０は、工場ネットワークに繋がっており、図示しない工場ＣＰＵからの指示情報（条件設定や生産情報）の生産管理や稼動管理等、生産のための情報処理を行う。
【００６８】
ラミネート制御部１７２は、工程全体のマスターとして各機能部の制御を行うものであり、検出機構４７により検出された感光性ウエブ２２のハーフカット部位３４の位置情報に基づいて、例えば、加熱装置４５を制御する制御機構を構成している。
【００６９】
ベース剥離制御部１７６は、貼り付け機構４６から供給される基板２４ａからベースフイルム２６を剥離し、さらに下流工程に感光性積層体１６０を排出する動作の制御を行うとともに、前記基板２４ａ及び前記感光性積層体１６０の情報をハンドリング制御する。
【００７０】
製造装置２０内は、仕切り壁１８０を介して第１クリーンルーム１８２ａと第２クリーンルーム１８２ｂとに仕切られる。第１クリーンルーム１８２ａには、ウエブ送り出し機構３２からテンション制御機構６６までが収容されるとともに、第２クリーンルーム１８２ｂには、検出機構４７以降が収容される。第１クリーンルーム１８２ａと第２クリーンルーム１８２ｂとは、貫通部１８４を介して連通する。
【００７１】
このように構成される製造装置２０の動作について、本発明に係る加熱方法との関連で以下に説明する。
【００７２】
先ず、図１に示すように、加工機構３６では、丸刃５２が感光性ウエブ２２の幅方向に移動して、この感光性ウエブ２２を保護フイルム３０から感光性樹脂層２８乃至ベースフイルム２６まで切り込んでハーフカット部位３４を形成する（図２参照）。さらに、感光性ウエブ２２は、図１に示すように、保護フイルム３０の残存部分３０ｂの寸法に対応して矢印Ａ方向に搬送された後、停止されて丸刃５２の走行作用下にハーフカット部位３４が形成される。これにより、感光性ウエブ２２には、残存部分３０ｂを挟んで前方の剥離部分３０ａａと後方の剥離部分３０ａｂとが設けられる（図２参照）。
【００７３】
次いで、感光性ウエブ２２は、ラベル接着機構４０に搬送されて、保護フイルム３０の所定の貼り付け部位が受け台５６上に配置される。ラベル接着機構４０では、所定枚数の接着ラベル３８が吸着パッド５４ｂ〜５４ｅにより吸着保持され、各接着ラベル３８が保護フイルム３０の残存部分３０ｂを跨いで、前方の剥離部分３０ａａと後方の剥離部分３０ａｂとに一体的に接着される（図３参照）。
【００７４】
例えば、５本の接着ラベル３８が接着された感光性ウエブ２２は、図１に示すように、リザーバ機構４２を介して送り出し側のテンション変動を防いだ後、剥離機構４４に連続的に搬送される。剥離機構４４では、感光性ウエブ２２のベースフイルム２６がサクションドラム６２に吸着保持されるとともに、保護フイルム３０が残存部分３０ｂを残して前記感光性ウエブ２２から剥離される。この保護フイルム３０は、剥離ローラ６３を介して鋭角の剥離角で剥離されて保護フイルム巻き取り部６４に巻き取られる。なお、剥離部位には、除電エアを吹き付けることが好ましい。
【００７５】
その際、感光性ウエブ２２は、サクションドラム６２により強固に保持されており、この感光性ウエブ２２から保護フイルム３０を剥離する時の衝撃が下流の前記感光性ウエブ２２に作用することがない。これにより、貼り付け機構４６に剥離の衝撃が伝わることがなく、ガラス基板２４のラミネート部分にスジ状の不良個所等が発生することを良好に阻止することができる。
【００７６】
剥離機構４４の作用下に、保護フイルム３０が残存部分３０ｂを残してベースフイルム２６から剥離された後、感光性ウエブ２２は、テンション制御機構６６によってテンション調整が行われ、さらに検出機構４７で光電センサ７２によりハーフカット部位３４の検出が行われる。
【００７７】
感光性ウエブ２２は、ハーフカット部位３４の検出情報に基づいて、フイルム搬送ローラ１４８ａの回転作用下に、貼り付け機構４６に定量搬送される。その際、接触防止ローラ１４６が上方に待機するとともに、ゴムローラ１４０ｂが下方に配置されている。
【００７８】
一方、加熱装置４５では、貼り付け機構４６におけるラミネート温度に対応して第１〜第５加熱炉８２〜９０内の加熱温度が設定されている。例えば、ラミネート温度が１１０℃であると、第２〜第５加熱炉８４、８６、８８及び９０内の加熱温度が１２０℃前後に設定される一方、第１加熱炉８２内の加熱温度が２００℃以上に設定される。また、ガラス基板２４では、表面に塗布されている表面密着改良剤の品質を維持するために、上限温度が１３０℃に設定される。
【００７９】
このため、実質的には、第１ヒータ９８ａは、２５０℃程度のヒータ温度に設定されるとともに、第２、第４及び第５ヒータ９８ｂ、９８ｄ及び９８ｅは、１３０℃程度のヒータ温度に設定される。さらに、第３加熱炉８６では、第３ヒータ９８ｃと補助ヒータ１００とが配設されており、この第３ヒータ９８ｃは、１２５℃〜１３０℃の温度に設定される一方、補助ヒータ１００は、１１５℃程度のヒータ温度に設定される。
【００８０】
そこで、ロボット１３８は、基板ストッカー１３６に収容されているガラス基板２４を把持し、このガラス基板２４を受け取り部７８に搬入する。受け取り部７８では、ガラス基板２４が旋回テーブル８０を介して所望の姿勢に旋回された後、搬送機構７４を構成する搬送ローラ７６の回転作用下に、前記受け取り部７８から第１加熱炉８２にタクト搬送される。
【００８１】
第１加熱炉８２内では、図４に示すように、第１ヒータ９８ａの加熱作用下にガラス基板２４が急激に昇温された後、搬送機構７４を介して前記ガラス基板２４が第２加熱炉８４に送られる。一方、受け取り部７８に搬入された新たなガラス基板２４は、第１加熱炉８２に送り込まれる。
【００８２】
第２加熱炉８４内では、第１ヒータ９８ａよりも低温なヒータ温度に設定されている第２ヒータ９８ｂを介して、ガラス基板２４が緩やかに昇温され、所定の時間だけ経過した後に、前記ガラス基板２４は、搬送機構７４を介して第３加熱炉８６に搬入される。この第３加熱炉８６で所定の時間だけ昇温されたガラス基板２４は、搬送機構７４を介して第４加熱炉８８に送られ、この第４加熱炉８８で昇温処理と位置決め処理とが施される。
【００８３】
第４加熱炉８８内には、位置決め機構９４が設けられており、図７に示すように、先ず、図示しないアクチュエータを介して昇降ベース１１６が上昇し、この昇降ベース１１６に支持されている複数のスライド用ローラ１１８を介してガラス基板２４が搬送ローラ７６から離間して上昇する。
【００８４】
次いで、モータ１２０の駆動作用下に、基準側幅規制ローラ１２２がガラス基板２４の一方の側面側に移動し、この一方の側面を支持して所定の基準位置に配置される。さらに、シリンダ１２６を介して幅規制ローラ１２４が基準側幅規制ローラ１２２側に移動する。このため、幅規制ローラ１２４は、ガラス基板２４の他方の側面に当接してこのガラス基板２４を基準側幅規制ローラ１２２に押圧し、前記ガラス基板２４の幅方向の位置決めが行われる。
【００８５】
次に、昇降ベース１１６が下降してガラス基板２４が搬送ローラ７６上に支持された後、幅規制ローラ１２４が前記ガラス基板２４の一方の側面から離間するとともに、基準側幅規制ローラ１２２が前記ガラス基板２４の他方の側面から離間する。そして、第４加熱炉８８で上記の処理が終了したガラス基板２４は、搬送機構７４を介して第５加熱炉９０に送られ、保温処理と所定位置への排出前停止処理とが行われる。
【００８６】
第５加熱炉９０内には、停止機構９６が設けられており、図８に示すように、ガラス基板２４の後端部が減速用センサ１３０ａを通過すると、搬送機構７４による前記ガラス基板２４の搬送速度が減速される。さらに、ガラス基板２４の後端部が停止用センサ１３０ｂにより検出される際、このガラス基板２４の搬送が停止される。
【００８７】
ここで、ガラス基板２４の幅方向（矢印Ｄ方向）の位置は、耐熱性リニアセンサ１３２ａ、１３２ｂを介して検出されており、このガラス基板２４の幅方向の位置が規定範囲内であるか否かの判定が行われる。また、ガラス基板２４の後端部位置に対応して耐熱性リニアセンサ１３４ａ、１３４ｂが設けられ、この耐熱性リニアセンサ１３４ａ、１３４ｂが前記ガラス基板２４の後端部位置、すなわち、進行方向の位置が規定範囲内であるか否かの判定が行われる。
【００８８】
第５加熱炉９０において、ガラス基板２４が所定の停止位置に正確に停止されていると判断されると、このガラス基板２４は、感光性ウエブ２２の感光性樹脂層２８の貼り付け部分に対応してゴムローラ１４０ａ、１４０ｂ間に一旦配置される。
【００８９】
この状態で、ローラクランプ部１４４を介してバックアップローラ１４２ｂ及びゴムローラ１４０ｂを上昇させることにより、ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂ間にガラス基板２４が所定のプレス圧力で挟み込まれる。さらに、ゴムローラ１４０ａの回転作用下に、このガラス基板２４には、感光性樹脂層２８が加熱溶融により転写（ラミネート）される。
【００９０】
ここで、ラミネート条件としては、速度が１．０ｍ／ｍｉｎ〜１０．０ｍ／ｍｉｎ、ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂの温度が１００℃〜１５０℃、前記ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂのゴム硬度が４０度〜９０度、該ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂのプレス圧（線圧）が５０Ｎ／ｃｍ〜４００Ｎ／ｃｍである。
【００９１】
先頭のガラス基板２４のラミネートが終了すると、第５加熱炉９０内の次なるガラス基板２４は、ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂ間に配置されて一定の時間だけ停止する。そして、ラミネート終了後の先頭のガラス基板２４が、矢印Ｃ方向に搬送されるのと同期して、次なるガラス基板２４がラミネート処理される。
【００９２】
一方、第４加熱炉８８では、別のガラス基板２４に対して上記の位置決め処理が施された後、この別のガラス基板２４は、第４加熱炉８８から第５加熱炉９０に搬送される。次いで、前記別のガラス基板２４は、前段のガラス基板２４のラミネート処理が終了すると、ゴムローラ１４０ａ、１４０ｂ間に挟持されて一旦停止した後、上記と同様にラミネート処理される。
【００９３】
図１に示すように、ガラス基板２４に感光性ウエブ２２が貼り付けされた基板２４ａは、矢印Ｃ方向に定量搬送され、冷却機構１５０を通って冷却された後、ベース剥離機構１５２に移送される。このベース剥離機構１５２では、吸着パッド１５４に基板２４ａが吸着保持された状態で、ロボットハンド１５６を介してベースフイルム２６及び残存部分３０ｂが剥離され、感光性積層体１６０が得られる。
【００９４】
その際、吸着パッド１５４の上流、下流及び両側方には、基板２４ａのラミネート部分全体に４方向の側面から除電エアが噴射されている。なお、感光性積層体１６０は、ロボット１６２のハンド部１６２ａに保持されて感光性積層体ストッカー１６６に所定の数だけ収容される。
【００９５】
この場合、第１の実施形態では、図４に示すように、搬送方向上流側に配設される第１加熱炉８２は、第２加熱炉８４に比べて大きな熱量を有している。このため、第１加熱炉８２の加熱作用下に、ガラス基板２４は、目標温度（１２０℃前後）の近傍まで迅速に加熱される。
【００９６】
ここで、第１の実施形態の高温炉である第１加熱炉８２を用いることなく、全てのヒータ温度が１３０℃程度に設定された加熱装置と、加熱装置４５とを用いて、それぞれの昇温パターンを検出する実験を行った。その際、図９に示すように、高温炉を用いない従来構成では、ガラス基板２４の昇温はなだらかに行われて、所望の目標温度（１２０℃前後）に至るまでに相当な時間がかかっていた。
【００９７】
これに対して、高温炉である第１加熱炉８２を用いる第１の実施形態では、前記第１加熱炉８２によってガラス基板２４が急速に昇温し、所望の目標温度に迅速に加熱され、前記ガラス基板２４の昇温時間が一挙に短縮された。これにより、第１の実施形態では、第１〜第５加熱炉８２〜９０全体の長さが矢印Ｃ方向に一挙に短尺化され、加熱装置４５全体の小型化が容易に図られるという効果が得られる。
【００９８】
しかも、第１加熱炉８２の下流には、この第１加熱炉８２よりも熱量の小さな第２加熱炉８４、さらには、第３〜第５加熱炉８６〜９０が配設されている。従って、第１加熱炉８２を介して目標温度の近傍まで急速昇温されたガラス基板２４は、第２加熱炉８４以降の加熱作用下に、前記目標温度まで正確に昇温することができる。
【００９９】
その際、ガラス基板２４は、第２加熱炉８４以降に滞留しても、過昇温（１３０℃以上）に加熱されることがない。これにより、ガラス基板２４を冷却するための冷却装置が不要になるとともに、前記ガラス基板２４に塗布された表面密着改良剤の品質低下を阻止することが可能になる。
【０１００】
さらにまた、第１の実施形態では、第３加熱炉８６に退避機構９２が設けられている。このため、例えば、感光性ウエブロール２２ａの交換作業や異常停止等によって製造装置２０のメンテナンスが必要な際、第１〜第５加熱炉８２〜９０にそれぞれガラス基板２４が配置されていても、この第１加熱炉８２内の前記ガラス基板２４を容易に送り出すことができる。
【０１０１】
具体的には、第１〜第５加熱炉８２〜９０にそれぞれガラス基板２４が存在している際、図５に示すように、退避機構９２を構成するモータ１０６の駆動作用下に、送りねじ１０８が回転して架台１０４が上昇する。このため、架台１０４に設けられる支柱１１０上の受けピン１１２は、ガラス基板２４の底面に当接してこのガラス基板２４が上昇され、バッファ部１１４に配置される。
【０１０２】
次いで、図４に示すように、第２加熱炉８４に配置されているガラス基板２４は、搬送機構７４を介して第３加熱炉８６内に搬入され、搬送ローラ７６上に配置される。従って、第３加熱炉８６内では、上下二段にガラス基板２４が配置される。一方、第１加熱炉８２に配置されているガラス基板２４は、搬送機構７４を介して第２加熱炉８４内に搬入される。
【０１０３】
これにより、５枚のガラス基板２４は、第２〜第５加熱炉８４〜９０に配置されるため、加熱装置４５内で前記ガラス基板２４が滞留していても、前記ガラス基板２４が過昇温（１４０℃以上）に加熱されることを確実に阻止することが可能になる。従って、過昇温されたガラス基板２４を強制的に冷却するための冷却装置が不要になるとともに、表面密着改良剤の品質低下を阻止することができる。しかも、滞留解除後には、目標温度近傍に維持されているガラス基板２４を貼り付け機構４６に迅速に供給することが可能になり、作業の効率化が容易に遂行されるという効果が得られる。
【０１０４】
なお、第１の実施形態では、ガラス基板２４はタクト送りによる、いわゆる、バッチ搬送を行っているが、これに限定されるものではなく、前記ガラス基板２４を連続搬送する構成にも適用することができる。
【０１０５】
図１０は、本発明の第２の実施形態に係る加熱装置１９０の概略構成説明図である。なお、第１の実施形態に係る加熱装置４５と同一の構成要素には同一の参照符号を付して、その詳細な説明は省略する。また、以下に説明する第３〜第５の実施形態においても同様に、その詳細な説明は省略する。
【０１０６】
加熱装置１９０は、第３加熱炉８６に設けられる退避機構１９２を備える。退避機構１９２は、昇降台１９４を設けるとともに、前記昇降台１９４には、上下二段の搬送コンベアを構成するそれぞれ複数の搬送ローラ１９６ａ、１９６ｂが配設される。退避機構１９２は、搬送機構７４の搬送路の上方（又は下方）にガラス基板２４を移送可能なバッファ部１９８を有する。
【０１０７】
このように構成される第２の実施形態では、通常、昇降台１９４が下降位置（又は上昇位置）に配置されており、搬送ローラ１９６ａ（又は１９６ｂ）によって、第２加熱炉８４から送られるガラス基板２４を、第３加熱炉８６から第４加熱炉８８に搬送している。
【０１０８】
そこで、加熱装置１９０内でガラス基板２４が滞留する際には、第３加熱炉８６に配置されているガラス基板２４は、退避機構１９２を構成する昇降台１９４の上昇（又は下降）によってバッファ部１９８に退避される。さらに、第２加熱炉８４のガラス基板２４は、第３加熱炉８６に搬送ローラ１９６ｂ（又は１９６ａ）を介して搬送される一方、第２加熱炉８４のガラス基板２４は、前記第２加熱炉８４に移送される。このため、第３加熱炉８６には、２枚のガラス基板２４が上下二段に配設される。
【０１０９】
次に、加熱装置１９０からガラス基板２４を貼り付け位置に送り出す際には、先ず、昇降台１９４が下降（又は上昇）して搬送ローラ１９６ａ（又は１９６ｂ）上のガラス基板２４が第４加熱炉８８に送り出される。次いで、昇降台１９４が上昇（又は下降）して搬送ローラ１９６ｂ（又は１９６ａ）上のガラス基板２４が第４加熱炉８８に送り出される。
【０１１０】
従って、第２の実施形態では、加熱装置１９０に先に投入された前段のガラス基板２４は、第３加熱炉８６内のバッファ部１９８に一旦配置された後、次段のガラス基板２４よりも先に第４加熱炉８８に搬送される。これにより、第３加熱炉８６内では、ガラス基板２４の先入れ、先出しを行うことができ、各ガラス基板２４毎の管理が容易且つ確実に遂行されるという効果が得られる。
【０１１１】
図１１は、本発明の第３の実施形態に係る加熱装置２００の平面説明図である。
【０１１２】
加熱装置２００は、第３加熱炉８６の側方に矢印Ｅ方向に突出してバッファ部２０２が設けられる。図１１及び図１２に示すように、第３加熱炉８６には、退避機構２０４が設けられ、この退避機構２０４は、図示しないアクチュエータを介して昇降可能な架台２０６を備える。架台２０６には、ガイド板２０７を介して搬送ローラ７６とは直交する方向に回転自在な複数のローラ２０８が設けられる。
【０１１３】
バッファ部２０２には、ローラ２０８からガラス基板２４を受け取り且つ該ガラス基板２４を前記ローラ２０８に受け渡し可能な複数の支持ローラ２１０が回転自在に設けられる。
【０１１４】
このように構成される第３の実施形態では、加熱装置２００内でガラス基板２４が滞留する際には、第３加熱炉８６に配置されているガラス基板２４は、退避機構２０４を構成する架台２０６の上昇によってローラ２０８に支持される。さらに、ガラス基板２４は、ローラ２０８の回転作用下に、バッファ部２０２に退避される。次に、第２加熱炉８４のガラス基板２４は、第３加熱炉８６に搬送される一方、第２加熱炉８４のガラス基板２４は、前記第２加熱炉８４に移送される。
【０１１５】
従って、第３の実施形態では、高温炉である第１加熱炉８２にガラス基板２４が所定の時間以上配置されることがなく、前記ガラス基板２４の過昇温を確実に阻止することができる等、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１１６】
図１３は、本発明の第４の実施形態に係る加熱装置２２０の概略構成説明図である。
【０１１７】
加熱装置２２０は、第２加熱炉８４に第１退避機構９２ａを設けるとともに、第３加熱炉８６に第２退避機構９２ｂを設ける。第１及び第２退避機構９２ａ、９２ｂには、第１及び第２バッファ部１１４ａ、１１４ｂが設けられる。第２及び第３加熱炉８４、８６には、搬送機構７４の下方に位置して補助ヒータ１００ａ、１００ｂが配設される。
【０１１８】
なお、第４加熱炉８８は、図示しないが、位置決め機構の他、停止機構を設けて第５加熱炉の機能を兼用してもよい。また、第１〜第４加熱炉８２〜８８における炉内設定温度と、ガラス基板２４の昇温状態とは、図１４に示される。
【０１１９】
このように構成される第４の実施形態では、通常、運転時において、加熱装置２２０内に投入された順序に沿って、５枚のガラス基板２４Ｐ１〜２４Ｐ５が配置されている。そして、高温炉である第１加熱炉８２において、ガラス基板２４Ｐ４が所定の時間以上加熱されると判断された際、図１５に示すように、第１退避機構９２ａが上昇してガラス基板２４Ｐ３が第１バッファ部１１４ａに退避される一方、第１加熱炉８２のガラス基板２４Ｐ４が第２加熱炉８４に搬送される。このため、第１加熱炉８２には、ガラス基板２４Ｐ４が所定の時間以上にわたって滞留することはない。
【０１２０】
次いで、加熱装置２２０から貼り付け位置にガラス基板２４Ｐ１以降を、順次、送り出す際には、先ず、図１６に示すように、搬送機構７４を駆動して、ガラス基板２４Ｐ１が第４加熱炉８８から排出され、ガラス基板２４Ｐ２が第３加熱炉８６から第４加熱炉８８に、ガラス基板２４Ｐ４が第２加熱炉８４から第３加熱炉８６に、ガラス基板２４Ｐ５が第１加熱炉８２にそれぞれ搬送される。
【０１２１】
さらに、図１７に示すように、第２加熱炉８４のバッファ部１１４ａに待機していたガラス基板２４Ｐ３は、下降して搬送機構７４上に戻される。一方、第３加熱炉８６に搬入されたガラス基板２４Ｐ４は、第２退避機構９２ｂの作用下に第２バッファ部１１４ｂに退避される。
【０１２２】
そこで、第２加熱炉８４のガラス基板２４Ｐ３は、搬送機構７４を介して第３加熱炉８６に搬送され、ガラス基板２４Ｐ１及びガラス基板２４Ｐ２に続いて、第４加熱炉８８から貼り付け位置に送られる。その後、第３加熱炉８６では、第２バッファ部１１４ｂに退避しているガラス基板２４Ｐ４が搬送機構７４に戻され、このガラス基板２４Ｐ４は、ガラス基板２４Ｐ３に続いて第４加熱炉８８から貼り付け位置に送られる。
【０１２３】
従って、第４の実施形態では、加熱装置２２０に投入されたガラス基板２４Ｐ１〜２４Ｐ５は、投入された順序に貼り付け位置に送られて、ガラス基板の先入れ、先出しを行うことができる等、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２４】
図１８は、本発明の第５の実施形態に係る加熱装置２３０の概略構成説明図である。
【０１２５】
加熱装置２３０は、第１加熱炉８２と第２加熱炉８４との間に、バッファ加熱炉（バッファ部）２３２が設けられる。このバッファ加熱炉２３２には、ヒータ９８ｆが設けられる。
【０１２６】
このように構成される第５の実施形態では、第１及び第２加熱炉８２、８４間にバッファ加熱炉２３２が設けられており、通常加熱運転時には、第１加熱炉８２で所定の時間だけ加熱されたガラス基板２４は、このバッファ加熱炉２３２を通過して第２加熱炉８４に搬送され、この第２加熱炉８４で所定の時間だけ加熱される。そして、第１加熱炉８２にガラス基板２４が所定の時間以上加熱されると判断された際にのみ、この第１加熱炉８２のガラス基板２４は、バッファ加熱炉２３２に通常加熱運転が再開されるまで待機される。
【０１２７】
このように、第５の実施形態では、簡単且つコンパクトな構成で、高温炉である第１加熱炉８２にガラス基板２４が所定の時間以上配置されることがなく、前記ガラス基板２４の過昇温を確実に阻止できる等、第１〜第３の実施形態と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る加熱装置を組み込む製造装置の概略構成図である。
【図２】前記製造装置に使用される長尺状感光性ウエブの断面図である。
【図３】前記長尺状感光性ウエブに接着ラベルが接着された状態の説明図である。
【図４】前記加熱装置の概略構成説明図である。
【図５】前記加熱装置を構成する退避機構の説明図である。
【図６】前記退避機構の斜視説明図である。
【図７】前記加熱装置を構成する位置決め機構の構成説明図である。
【図８】前記加熱装置を構成する停止機構の平面説明図である。
【図９】第１の実施形態及び従来構成の各昇温パターンの説明図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る加熱装置の概略構成説明図である。
【図１１】本発明の第３の実施形態に係る加熱装置の平面説明図である。
【図１２】前記加熱装置の斜視説明図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態に係る加熱装置の概略構成説明図である。
【図１４】前記加熱装置による加熱炉内設定温度とガラス基板の昇温状態説明図である。
【図１５】ガラス基板を第１バッファ部に退避させる際の動作説明図である。
【図１６】前記加熱装置の滞留復帰後の動作説明図である。
【図１７】後段のガラス基板を第２バッファ部に退避させる際の動作説明図である。
【図１８】本発明の第５の実施形態に係る加熱装置の概略構成説明図である。
【図１９】従来技術に係る連続熱処理装置の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１２９】
２０…製造装置                          ２２…感光性ウエブ
２２ａ…感光性ウエブロール
２４、２４Ｐ１〜２４Ｐ５…ガラス基板    ２６…ベースフイルム            
２８…感光性樹脂層                      ３０…保護フイルム
３２…ウエブ送り出し機構                ３４…ハーフカット部位
３６…加工機構                          ４０…ラベル接着機構
４２…リザーバ機構                      ４４…剥離機構
４５、１９０、２００、２２０、２３０…加熱装置
４６…貼り付け機構                      ４７…検出機構
４８…基板間ウエブ切断機構              ５２…丸刃
６２…サクションドラム                  ６４…保護フイルム巻き取り部
６６…テンション制御機構                ７４…搬送機構
７６、１９６ａ、１９６ｂ…搬送ローラ    ７８…受け取り部
８２、８４、８６、８８、９０…加熱炉
９２、９２ａ、９２ｂ、１９２、２０４…退避機構
９４…位置決め機構                      ９６…停止機構
９８ａ〜９８ｆ…ヒータ
１００、１００ａ、１１０ｂ…補助ヒータ  １０２ａ、１０２ｂ…熱遮蔽板
１０４、２０６…架台                    １１２…受けピン
１１４、１１４ａ、１１４ｂ、１９８、２０２…バッファ部
１１６…昇降ベース                      １１８、２０８…ローラ
１２２…基準側幅規制ローラ              １２４…幅規制ローラ
１３０ａ、１３０ｂ…センサ
１３２ａ、１３２ｂ、１３４ａ、１３４ｂ…耐熱性リニアセンサ
１４０ａ、１４０ｂ…ゴムローラ          １５０…冷却機構
１５２…ベース剥離機構                  １７０…ラミネート工程制御部
１７２…ラミネート制御部                １７４…基板加熱制御部
１７６…ベース剥離制御部                １９４…昇降台
２１０…支持ローラ                      ２３２…バッファ加熱炉
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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