(57)【要約】【課題】  プラスチック基板とガラス支持体を接着する接着剤をきれいに取り除くこと。【解決手段】  プラスチック基板を支持体に接着剤で接着する段階と、プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階と、THF（Tetrahydrofuran）を含む溶媒を使用してプラスチック基板を支持体から取り除く段階と、を含む。このようにTHFを使用するとプラスチック基板は支持体からきれいに取り除くことができる。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板を支持体に接着剤で接着する段階と、
前記プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階と、
THF（Tetrahydrofuran）を含む溶媒を使用して、前記プラスチック基板を支持体から取り除く段階と、
を含むことを特徴とする、可撓性表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記接着剤は、シリコン系列接着剤を含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記溶媒は、添加剤をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記添加剤は、有機ハロゲンを含むことを特徴とする、請求項３に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記添加剤は、クロロホルムまたはジクロロメタンを含むことを特徴とする、請求項４に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記添加剤の量は、３０％を超えない範囲であることを特徴とする、請求項５に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着剤は、両面テープの形態を有することを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板は、硬性塗布膜で塗布されていることを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記硬性塗布膜は、アクリル樹脂を含むことを特徴とする、請求項８に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板は、
有機膜と、
前記有機膜の両面に形成されている下部塗布膜と、
前記下部塗布膜上に形成されている障壁層と、
前記障壁層上に形成されている硬性塗布膜と、
を含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記有機膜は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン及びポリイミドからなるグループから選択される少なくとも一つの化合物からなることを特徴とする、請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記下部塗布膜及び前記硬性塗布膜は、アクリル樹脂を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記障壁層は、SiO2またはAl2O3を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜パターンは、無機膜を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記支持体は、ガラスを含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記表示装置は、液晶表示装置を含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記表示装置は、有機発光表示装置を含むことを特徴とする、請求項１に記載の可撓性表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性表示装置の製造方法に関する。さらに詳しくは、プラスチック基板を含む可撓性表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在広く使用されている平板表示装置のうち代表的なものは、液晶表示装置及び有機発光表示素子である。
液晶表示装置は、一般に、電界生成電極と偏光板が具備された一対の表示板の間に位置した液晶層を含む。電界生成電極は液晶層に電界を生成する。このような電界の強さが変化することによって、液晶分子の配列が変化する。例えば、電界が印加された状態で、液晶層の液晶分子は、その配列を変化させて液晶層を通過する光を偏光させる。ここに偏光フィルターを適切に配置すると、偏光フィルターが偏光された光を遮断して暗い領域を作りだすことによって、所望の映像が表示される。
【０００３】
有機発光表示装置は、正孔注入電極（アノード）と電子注入電極（カソード）とこれらの間に形成されている有機発光層とを含む。アノードで注入される正孔とカソードで注入される電子とが、有機発光層で再結合して、消滅しながら光を出す自発光型表示装置である。
【０００４】
しかし、このような液晶表示装置または有機発光表示装置は、重く破損しやすいガラス基板を使用するため、携帯性及び大画面表示に限界がある。
したがって、近頃では重量が軽く衝撃に強いだけでなく、プラスチックなどの可撓性基板を使用する表示装置が開発されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、プラスチックは熱を加えると曲がったり伸びたりする性質があり、その上に電極や信号線などの薄膜パターンをうまく形成するのが困難である。これを解決するために、プラスチック基板をガラス支持体に接着させた状態で薄膜パターンを形成した後、プラスチック基板をガラス支持体から取り除く方法が提示されている。
【０００６】
このようにプラスチック基板をガラス支持体と接着させる接着剤は、薄膜パターンを形成する多様な工程条件に耐えることができるように、高耐熱性や耐化学性などを備えてなければならない。さらに、薄膜パターンを完成した後には、プラスチック基板から接着剤をきれいに取り除かなければならない。
【０００７】
本発明の目的は、プラスチック基板とガラス支持体とを接着する接着剤を、きれいに取り除くことができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような技術的課題を構成するための本発明による可撓性表示装置の製造方法は、プラスチック基板を支持体に接着剤で接着する段階、前記プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階、そしてTHF（Tetrahydrofuran）を含む溶媒を使用して前記プラスチック基板を支持体から取り除く段階を含む。
【０００９】
前記接着剤はシリコン系列接着剤を含むのが好ましい。シリコン系接着剤は、強い接着力を維持するため、浮き上がる現象が全く生じず、アウトガスなどの問題もなく、また薄膜パターン７０を形成する時に使用する超純水、エッチング液などの酸及び感光膜などを剥離するのに使用するストリッパーなどの有機溶媒に反応しない。したがって、接着テープ５０もまた安定が維持される。
【００１０】
前記溶媒は有機ハロゲンなどの添加剤をさらに含むのが好ましく、添加剤の例としては、クロロホルムまたはジクロロメタンを挙げることができる。前記添加剤の量は３０重量％を超えない範囲であるのが好ましい。添加剤の量が多いほど溶解速度は速まるが、多すぎると短時間にプラスチック基板に損傷を及ぼすことがあるためである。
【００１１】
前記接着剤は両面テープの形態を有する。
前記基板はアクリル樹脂などの硬性塗布膜で塗布されているのが好ましい。THFを含む溶媒で接着剤を溶かす工程で、プラスチック基板の損傷を減じることができる。
【００１２】
前記基板は、有機膜、前記有機膜の両面に形成されている下部塗布膜、前記下部塗布膜上に形成されている障壁層、そして前記障壁層上に形成されている硬性塗布膜を含む。このような層や膜は、プラスチック基板６０の物理的・化学的損傷を防止する役割を果たす。
【００１３】
前記有機膜はポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン及びポリイミドより選択される一つ以上の物質からなる。
【００１４】
前記下部塗布膜及び前記硬性塗布膜はアクリル樹脂を含み、前記障壁層はSiO2またはAl2O3を含む。
前記薄膜パターンは無機膜を含むのが好ましい。
【００１５】
前記支持体は、ガラスを含むことが好ましい。
前記表示装置は液晶表示装置または有機発光表示装置である。
【発明の効果】
【００１６】
このように、プラスチック基板とガラス支持体をシリコン系の接着剤で付着して薄膜パターンを形成した後、THFを含む溶媒で接着剤を除去することによって安定した薄膜パターン形成工程を遂行すると同時に、接着剤をきれいに除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様に相異した形態で実現でき、ここで説明する実施例に限定されるものではない。
【００１８】
図面で様々な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似した部分については同一な図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけでなくその中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
＜第１実施形態＞
次に添付した図面を参考にして本発明の第１実施形態に係る可撓性表示装置の製造方法について詳細に説明する。
【００１９】
まず、本実施形態による可撓性表示装置の製造方法について、図１乃至図４を参考にして詳細に説明する。
図１を参考にすると、プラスチック基板６０の一方の面に両面接着テープ５０の一方の面を接着した後で必要な大きさに切断する。
【００２０】
プラスチック基板６０は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン及びポリイミドからなるグループから選択された少なくとも一つの化合物からなる層を含む。プラスチック基板６０は、このような層の両面に順次に形成されているアクリル系樹脂などの下部塗布膜； SiO2、Al2O3などの障壁層；及びアクリル系樹脂などの硬性塗布膜などをさらに含む。このような層や膜は、プラスチック基板６０の物理的・化学的損傷を防止する役割を果たす。
【００２１】
両面接着テープ５０は、ポリイミドフィルムなどの両面に各々接着剤が形成されている構造を有する。接着剤としては、シリコンPSA（pressure  sensitive  adhesive）接着テープ、高耐熱性シリコン接着剤などシリコン系接着剤が好ましい。
【００２２】
次に図２に示すように、接着テープ５０の他面をガラス支持体４０に付着させることによって、プラスチック基板６０とガラス支持体４０との接着を完了する。
図３に示すように、ガラス支持体４０と接着されたプラスチック基板６０上に薄膜パターン７０を形成する。この時、プラスチック基板６０は、ガラス支持体４０と堅固に結合しているので、曲がったり伸びたりしない。また、シリコン系接着剤は、強い接着力を維持してこの過程で浮き上がる現象が全く生じず、アウトガスなどの問題もなく、また薄膜パターン７０を形成する時に使用する超純水、エッチング液などの酸及び感光膜などを剥離するのに使用するストリッパーなどの有機溶媒に反応しない。したがって、接着テープ５０もまた安定が維持される。
【００２３】
最後に図４に図示したように、THFを含む溶媒を使用して接着テープ５０を溶かし除去する。
この過程でTHFがプラスチック基板６０に損傷を及ぼすこともあるが、前述した硬性塗布膜と薄膜パターン７０の無機膜とがこれを防止する。例えば、アクリル系硬性塗布膜が塗布されたプラスチック基板６０を約７２時間THFに浸漬すると、基板６０の縁から内部に約１mm乃至２mm程度の軽い損傷を受けるが、これはTHFが硬性塗布膜が塗布されない側面を通じてプラスチック基板６０に浸透するためである。
【００２４】
接着テープ５０の溶解速度を速めるために、添加剤を加えることができる。添加剤の例としては、クロロホルム、ジクロロメタンなど有機ハロゲンを含んだ溶媒が挙げられる。添加剤の量が多いほど溶解速度は速まるが、短時間にプラスチック基板に損傷を及ぼすことがあるので、添加剤の量は、溶媒の３０重量％を超えない範囲であるのが好ましい。
【００２５】
接着テープ５０の溶解時間は、接着テープ５０の硬化程度、厚さ、添加剤の量によって異なる。一実験例によれば、添加剤の量が３０重量％である場合、４８時間であればプラスチック基板６０に損傷が及ぶので、これより短時間で溶媒に浸し接着テープ５０を溶解する必要がある。
【００２６】
添加剤として使用するクロロホルムだけを使用しても接着テープ５０を取り除くことはできるが、この場合にはプラスチック基板６０の損傷が激しい。
一方、プラスチック基板６０は液晶表示装置、有機発光表示装置などの基板として使用されるが、これについて詳細に説明する。
【００２７】
＜第１実施例＞
〔液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構成〕
図５は本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図６は図５の薄膜トランジスタ表示板をVI-VI´線で切って示した断面図である。図６
はガラス支持体を取り除く前の薄膜トランジスタ表示板を示している。
【００２８】
底面がガラス支持体４０と接着テープ５０で接着されているプラスチック基板１１０上に、ゲート信号を伝達する複数のゲート線１２１が形成されている。ゲート線１２１は主に横方向に延びており、各ゲート線１２１の一部は複数のゲート電極１２９を構成する。また、各ゲート線１２１の他の一部は下方向に突出して複数の拡張部１２７を構成し、ゲート線１２１の一端部１２９は他層または外部装置との接続のために幅が拡張している。
【００２９】
ゲート線１２１はアルミニウム（Al）やアルミニウム合金などアルミニウム系列の金属、銀（Ag）や銀合金など銀系列の金属、銅（Cu）や銅合金など銅系列の金属、モリブデン（Mo）やモリブデン合金などモリブデン系列の金属、クロム（Cr）、タンタル（Ta）及びチタニウム（Ti）などからなる。しかし、ゲート線１２１は物理的性質が異なる二つの膜を含むこともある。そのうちの一つはゲート線１２１の信号遅延や電圧降下を減らすことができるように低い比抵抗の金属、例えば、アルミニウム（Al）やアルミニウム合金などアルミニウム系列の金属、銀（Ag）や銀合金など銀系列の金属、銅（Cu）や銅合金など銅系列の金属からなる。これとは異なり、もう一方の膜は他の物質、特にITO（indium  tin  oxide）及びIZO（indium  zinc  oxide）との接触特性に優れた物質、例えばクロム、モリブデン（Mo）、モリブデン合金、タンタル（Ta）、またはチタニウム（Ti）などからなる。下部膜と上部膜の組み合わせの好ましい例としては、Cr-Al（またはAlNd）とAl-Moがある。
【００３０】
ゲート線１２１の側面は基板１１０の表面に対して傾斜し、その傾斜角は約３０-８０゜であるのが好ましい。
ゲート線１２１上には窒化ケイ素（SiNx）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００３１】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略称a-Siとする）または多結晶シリコンなどからなる複数の線型半導体１５１が形成されている。線型半導体１５１は主に縦方向に延びており、ここから複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向かって延び出ている。また、線型半導体１５１はゲート線１２１と交わる地点付近で幅が広くなりゲート線１２１の広い面積を覆っている。
【００３２】
半導体１５１の上部にはシリサイドまたはn型不純物が高濃度でドーピングされているn+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた複数の線型及び島型抵抗性接触部材１６１、１６５が形成されている。線型接触部材１６１は複数の突出部１６３を有しており、この突出部１６３と島型接触部材１６５は対をなして半導体１５１の突出部１５４上に位置する。
【００３３】
半導体１５１と抵抗性接触部材１６１、１６５の側面もまた基板１１０の表面に対して傾斜し、傾斜角は３０-８０゜である。
抵抗接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には各々複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５及び複数のストレージキャパシタ用導電体１７７が形成されている。
【００３４】
データ線１７１は主に縦方向に延びてゲート線１２１と交差してデータ電圧を伝達する。各データ線１７１からドレイン電極１７５に向かって延びた複数の枝がソース電極１７３を構成する。一対のソース電極１７３とドレイン電極１７５は互いに分離しており、ゲート電極１２４に対して互いに反対側に位置する。ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（TFT）をなし、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。
【００３５】
ストレージキャパシタ用導電体１７７はゲート線１２１の拡張部１２７と重畳している。
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７はモリブデン系列金属、クロム、タンタル、チタニウムなどの耐火性金属からなるのが好ましく、抵抗が低い上部膜と接触特性が良い下部膜を含む多層膜構造を有する。各データ線１７１の端部分１７９は他層または外部装置との接続のために幅が拡張されている。
【００３６】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７もゲート線１２１と同様にその側面が約３０-８０゜の角度に各々傾斜している。
抵抗性接触部材１６１、１６５はその下部の半導体１５１とその上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にだけ存在して接触抵抗を低くする役割を果たす。線型半導体１５１はソース電極１７３とドレイン電極１７５の間をはじめとしてデータ線１７１及びドレイン電極１７５に覆われず露出された部分を有しており、大部分の所では線型半導体１５１の幅がデータ線１７１の幅より小さいが、前述のようにゲート線１２１と交わる部分で幅が大きくなって表面のプロファイルをスムーズにしてデータ線１７１の断線を防止する。
【００３７】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７と露出した半導体１５１部分の上には窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機物からなる下部保護膜１８０pが形成されており、その上には平坦化特性に優れた有機物からなる上部保護膜１８０qが形成されている。下部保護膜１８０pと上部保護膜１８０qのうち一つは省略できる。
【００３８】
下部及び上部保護膜１８０p、１８０qには、データ線１７１の端部１７９、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７を各々露出する複数の接触孔１８２、１８５、１８７が形成されている。下部及び上部保護膜１８０p、１８０q及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１の端部１２９を露出させる複数の接触孔１８１が形成されている。
【００３９】
上部保護膜１８０q上には、ITOまたはIZOからなる複数の画素電極１９０及び複数の接触補助部材８１、８２が形成されている。
画素電極１９０は、接触孔１８５、１８７を通じて、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７と各々物理的・電気的に連結されている。画素電極１９０は、ドレイン電極１７５からデータ電圧を印加されて導電体１７７にデータ電圧を伝達する。
【００４０】
データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電圧を印加される他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と共に電場を生成することによって、二つの電極１９０の間の液晶層（図示せず）の液晶分子を再配列させる。
【００４１】
また、画素電極１９０と共通電極とは、キャパシタ（以下、“液晶キャパシタ”という）を構成して薄膜トランジスタがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。電圧の維持能力を強化するために、液晶キャパシタと並列に連結された他のキャパシタが配置される。これをストレージキャパシタという。ストレージキャパシタは、画素電極１９０及びこれと隣接するゲート線１２１（これを前段ゲート線とする）の重畳などで構成され、ストレージキャパシタの停電容量、つまり保持容量を増やすためにゲート線１２１を拡張した拡張部１２７を置いて重畳面積を大きくする一方、画素電極１９０と連結して拡張部１２７と重畳するストレージキャパシタ用導電体１７７を下部及び上部保護膜１８０p、１８０q下に置き二つの間の距離を近くする。
【００４２】
画素電極１９０は、また隣接するゲート線１２１及びデータ線１７１と重畳して開口率を高めているが、重畳しないこともある。
接触補助部材８１、８２は、接触孔１４１、１８１、１８２を通じてゲート線の端部１２９及びデータ線の端部１７９と各々連結される。接触補助部材８１、８２は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の各端部１２９、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割を果たす。ゲート線１２１に走査信号を印加するゲート駆動部（図示せず）が表示板上に集積された場合は、接触部材８１はゲート線１２１の端部１２９とゲート駆動部を連結する連結部材の役割を果たし、場合によっては省略されることもある。
【００４３】
本発明の他の実施例によると、画素電極１９０の材料に透明な導電性ポリマーなどを使用して、反射型液晶表示装置の場合は不透明な反射性金属を使用してもよい。この時、接触補助部材８１、８２は画素電極１９０と異なる物質、特にITOまたはIZOで構成される。
【００４４】
〔液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の製造方法〕
以下、図５及び図６に示した液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法について図７乃至図１４及び図５と図６を参考にして詳細に説明する。
【００４５】
図７、図９、図１１及び図１３は図５及び図６に示した薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法の中間段階での薄膜トランジスタ表示板の配置図であって、その順序によって羅列したものであり、図８、図１０、図１２及び図１４は各々図７、図９、図１１及び図１３に示した薄膜トランジスタ表示板をVIII-VIII´線、X-X´線、XII-XII´線及びXIV-XIV´線に沿って切断した断面図である。
【００４６】
まず、図７及び図８を参考にすると、透明なガラスなどで構成された支持体４０上にシリコン系列の接着テープ５０を使用してプラスチック基板１１０を接着した後、基板１１０上に金属膜をスパッタリングなどで順次に積層して写真エッチングして複数のゲート電極１２４と複数の拡張部１２７を含むゲート線１２１を形成する。
【００４７】
図９及び図１０を参考にすると、ゲート絶縁膜１４０、真性非晶質シリコン層１５０、不純物非晶質シリコン層１６０の三層膜を連続して積層した後、上の二つの層をパターニングして複数の線型の不純物半導体１６４及び複数の線型真性半導体１５１を形成する。
【００４８】
次に、図１１及び図１２を参考にすると、金属膜をスパッタリングなどで積層した後、写真エッチングして複数のソース電極１７３を各々含む複数のデータ線１７１、複数のドレイン電極１７５及び複数のストレージキャパシタ用導電体１７７を形成する。
【００４９】
次に、データ線１７１、ドレイン電極１７５及びストレージキャパシタ用導電体１７７で覆われずに露出した不純物半導体１６４部分を除去することによって複数の突出部１６３を各々含む複数の線型抵抗性接触部材１６１と複数の島型抵抗性接触部材１６５を完成する一方、その下の真性半導体１５１部分を露出させる。露出された真性半導体１５１部分の表面を安定化させるために酸素プラズマを続けて実施するのが好ましい。
【００５０】
次に、図１３及び図１４を参考にすると、無機物からなる下部保護膜１８０pを化学気相蒸着などで積層し、感光性有機物からなる上部保護膜１８０qを塗布する。露光マスク（図示せず）を通じて上部保護膜１８０qに光を照射した後で現像して下部保護膜１８０pを露出させた後、乾式エッチング方法で下部保護膜１８０pの露出した部分とその下のゲート絶縁膜１４０部分を除去して接触孔１８１、１８２、１８５、１８７を形成する。
【００５１】
最後に図１及び図２を参考にすると、ITOまたはIZO膜をスパッタリングで積層し、写真エッチングして複数の画素電極１９０と複数の接触補助部材８１、８２を形成する。その他にも配向膜（図示せず）を形成する工程が追加されることがある。
【００５２】
このように、薄膜トランジスタ表示板に薄膜パターンを全て形成した後、THFまたはTHFと添加剤とを使用して接着テープ５０を除去すると、プラスチック基板１１０を含む薄膜トランジスタ表示板が完成する。
【００５３】
図１乃至図４に示した方法は、液晶表示装置用表示板だけでなく有機発光表示装置用表示板にも適用できる。
以上で本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるものではなく、請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者による様々な変形及び改良形態もまた本発明の権利範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１実施形態に係る可撓性表示装置の製造方法を説明するための断面図
【図２】第１実施形態に係る可撓性表示装置の製造方法を説明するための断面図
【図３】第１実施形態に係る可撓性表示装置の製造方法を説明するための断面図
【図４】第１実施形態に係る可撓性表示装置の製造方法を説明するための断面図
【図５】第１実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図
【図６】図５の薄膜トランジスタ表示板をV-V´線に沿って切断した断面図
【図７】図５及び図６に示す薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図
【図８】図７に示す薄膜トランジスタ表示板のVIII-VIII´線による断面図
【図９】図５及び図６に示す薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図
【図１０】図９に示す薄膜トランジスタ表示板のX-X´線による断面図
【図１１】図５及び図６に示す薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図
【図１２】図１１に示す薄膜トランジスタ表示板のXII-XII´線による断面図
【図１３】図５及び図６に示す薄膜トランジスタ表示板を製造する方法の中間段階での配置図
【図１４】図１３に示す薄膜トランジスタ表示板のXIV-XIV´線による断面図
【符号の説明】
【００５５】
４０    ガラス支持体
５０    接着テープ
６０    プラスチック基板
７０    薄膜パターン
８１、８２  接触補助部材
１１０  プラスチック基板
１２１、１２７、１２９  ゲート線
１２４  ゲート電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５１、１５４  半導体
１６４  不純物非晶質シリコン層
１６１、１６３、１６５  抵抗性接触部材
１７１、１７９  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１７７  ストレージキャパシタ用導電体
１８０p  下部保護膜
１８０q  上部保護膜
１８１、１８２、１８５  接触孔
１９０  画素電極
【図１】
2006091822.tif 000003
【図２】
2006091822.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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