(57)【要約】【課題】  遮光パターンに欠陥が入るのを防ぐことができる露光用マスクとその製造方法を提供すること。【解決手段】  石英（透明）基板１０の上の遮光膜１１をパターニングすることにより、光透過用の第１開口１１ｄを備えた遮光パターン１１ｃを形成する工程と、第１開口１１ｄに重なる第３窓１３ａと、該第３窓１３ａから間隔がおかれて遮光パターンの１１ｃ遮光領域が露出する第４窓１３ｂとを有する第２レジストパターン１３ｃを遮光パターンの１１ｃ上に形成する工程と、第３窓１３ａを通じて第１開口１１ｄの下の石英基板１０をエッチングすることにより、該石英基板１０に位相シフト用の凹部１０ａを形成する工程と、第２レジストパターン１３ｃが形成された状態でウエット処理を行う工程と、第２レジストパターン１３ｃを除去する工程と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法による。【選択図】  図８
2006085096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相シフト用の凹部が形成された透明基板と、
前記透明基板の上に形成され、前記凹部の上に光透過用の開口を有すると共に、該開口から離れた部分の遮光領域に凹部を備えた遮光パターンと、
を有することを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
透明基板の上の遮光膜をパターニングすることにより、光透過用の開口を備えた遮光パターンを形成する工程と、
前記開口に重なる第１窓と、該第１窓から間隔がおかれて前記遮光パターンの遮光領域が露出する第２窓とを有するレジストパターンを前記遮光パターンの上に形成する工程と、
前記第１窓を通じて前記開口の下の前記透明基板をエッチングすることにより、該透明基板に位相シフト用の凹部を形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された状態でウエット処理を行う工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【請求項３】
前記ウエット処理を行う工程は、前記位相シフト用の凹部をウエットエッチングして該凹部の幅を拡張する工程であることを特徴とする請求項２に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項４】
前記ウエット処理を行う工程は、前記遮光パターンを洗浄する工程であることを特徴とする請求項２に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項５】
前記レジストパターンを形成する工程において、前記遮光パターンの遮光領域に収まるように前記第２窓を形成することを特徴とする請求項２に記載の露光用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用マスクとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、LSI等の半導体素子は微細化の一途を辿っており、ゲート電極等のデバイスパターンの最小寸法は９０nmにまで達している。このような微細化を実現するには、フォトリソグラフィ工程で使用される露光装置の解像度を向上させる必要があり、位相シフトマスクを使用した超解像技術が盛んに研究されている。その位相シフトマスクの先駆的な例では、特許文献１に開示されるように、遮光パターンの間の光透過部に位相をシフトさせるためのλ/２板を設けている。
【０００３】
但し、このような位相シフトマスクを使用しても、マスクに形成される遮光パターンの加工精度が悪かったり、パターン欠陥が存在したりするのでは、位相シフトマスクをデバイスの製造に適用することはできない。
【０００４】
その点に鑑み、特許文献２では、露光用マスクが掘り込み型のレベンソンマスクである場合に、マスク上の遮光パターンに接地用パターンを設け、その接地用パターンとデバイス用パターンとを解像限界線幅よりも細いパターンで接続し、接地用パターンを接地しながら電子線でフォトレジストを描画することにより、フォトレジストのチャージアップに起因する描画精度の悪化を防いでいる。
【特許文献１】特開昭６２−５０８１１号公報
【特許文献２】特開２０００−６６３６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、遮光パターンに欠陥が入るのを防ぐことができる露光用マスクとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点によれば、位相シフト用の凹部が形成された透明基板と、前記透明基板の上に形成され、前記凹部の上に光透過用の開口を有すると共に、該開口から離れた部分の遮光領域に凹部を備えた遮光パターンと、を有する露光用マスクが提供される。
【０００７】
また、本発明の第２の観点によれば、透明基板の上の遮光膜をパターニングすることにより、光透過用の開口を備えた遮光パターンを形成する工程と、前記開口に重なる第１窓と、該第１窓から間隔がおかれて前記遮光パターンの遮光領域が露出する第２窓とを有するレジストパターンを前記遮光パターンの上に形成する工程と、前記第１窓を通じて前記開口の下の前記透明基板をエッチングすることにより、該透明基板に位相シフト用の凹部を形成する工程と、前記レジストパターンが形成された状態でウエット処理を行う工程と、前記レジストパターンを除去する工程と、を有する露光用マスクの製造方法が提供される。
【０００８】
本発明によれば、レジストパターンの第２窓から遮光パターンが露出するので、そのレジストパターンが形成された状態でウエット処理を行うきに、処理液と遮光パターンとが第２窓を介して広範に接触し、遮光パターンに帯電していた電荷がその第２窓から分散して処理液中に逃がされ、電荷の集中による遮光パターンの破壊が防止される。
【０００９】
上記のウエット処理としては、透明基板に形成された位相シフト用の凹部をウエットエッチングして該凹部の幅を拡張する処理や、遮光パターンを洗浄する工程がある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、遮光パターンが露出する第２窓をレジストパターンに形成したので、ウエット処理の際に処理液と遮光パターンが第２窓を介して広範に接触し、遮光パターンに帯電した電荷を第２窓から分散させて処理液に逃がすことができる。その結果、遮光パターンに局所的に電荷が集中することに起因する遮光パターンの破壊を防止することができ、ひいては遮光パターンの加工精度を高めることが可能となって、半導体装置等の微細化をより一層推し進めることができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（１）予備的事項の説明
本発明の実施の形態の前に、本発明の予備的事項について説明する。
【００１２】
図１、図２は、掘り込み型のレベンソンマスクの一般的な製造方法について示す工程断面図である。
【００１３】
この製造方法では、まず図１（ａ）に示すように、光学的に透明な石英基板１の上に、例えばCr（クロム）よりなる遮光パターン２を形成する。その遮光パターン２には、シフター部Ａと非シフター部Ｂのそれぞれに対応する光透過用の第１開口２ａと第２開口２ｂが形成される。
【００１４】
次いで、図１（ｂ）に示すように全面にフォトレジスト３を塗布した後、図１（ｃ）に示すように、EB(Electron Beam)露光装置でこのフォトレジスト３を露光し、それを現像することにより、第１開口２ａに重なる窓３ｂを備えたレジストパターン３ａを形成する。
【００１５】
続いて、図１（ｄ）に示すように、窓３ｂを通じて石英基板１をプラズマエッチングすることにより、位相シフト用の凹部１ａを石英基板１に形成する。
【００１６】
次に、図２（ａ）に示すように、窓３ｂを通じて凹部１ａを等方的にウエットエッチングし、該凹部１ａの幅を拡張する。このウエットエッチングの前後には、石英基板１や遮光パターン２を洗浄するためのリンス工程等のウエット工程も行われる。
【００１７】
その後に、図２（ｂ）に示すように、酸素アッシングによってレジストパターン３ａを除去し、露光用マスク４の基本構造を完成させる。
【００１８】
その露光用マスク４は、凹部１ａにより厚さが薄くなった部分の石英基板１で構成されるシフター部Aと、凹部１ａが形成されずに厚さが薄くされていない石英基板１で構成される非シフター部Bとを有する。そして、シフター部Ａと非シフター部Ｂのそれぞれを透過する露光光の位相差が丁度１８０°となるように凹部１ａの深さを設定することにより、各部Ａ、Ｂの境界付近の光路において石英基板１を透過した露光光同士が干渉して打ち消し合い、その部分でのコントラストか向上し、高解像度の露光パターンをウエハ上に転写することが可能となる。
【００１９】
更に、凹部１ａの側面を第１開口２ａよりも後退させることにより、図３に示すように、石英基板１に対して斜めに入射する露光光の間口が広がり、点線に示すような凹部１ａの側面による露光光のケラレが防止される。
【００２０】
ところで、上記した露光用マスク４の製造工程では、EB露光装置による描画工程（図１（ｃ））や、プラズマエッチングにより凹部１ａを形成する工程（図１（ｄ））等のように、電子やプラズマといった荷電粒子に遮光パターン２が曝され、導電性の遮光パターン２に電荷が蓄積される。また、レジストパターン３ａの線幅を検査する工程において、その線幅をSEM(Scanning Electron Microscope)で測長する場合にも、遮光パターン２が電子線に曝されて帯電する。
【００２１】
そして、遮光パターン２上のレジストパターン３ａは、凹部１ａの上にのみ窓３ｂを有し、それ以外の大部分では遮光パターン２を広く覆っているので、レジストパターン３ａの被覆率が９９％と極めて高くなり、遮光パターン２の殆どが絶縁性のレジストパターン３ａで覆われることになる。特に、ロジックデバイス向けの露光用マスクでは、このようなレジストパターン３ａの被覆率の高さが顕著となる。
【００２２】
しかも、遮光パターン２は、絶縁性の石英基板１上に形成されているので、遮光パターン２に蓄積された電荷の外部への逃げ道は、実質的には窓３ｂ（図１（ｄ））から僅かに露出した部分の遮光パターン２だけとなる。
【００２３】
従って、このように帯電した遮光パターン２が、図２（ａ）の凹部１ａを拡張するためのエッチング液に曝されると、図４に示すように、窓３ａから僅かに露出する遮光パターン２を通って上記の電荷がエッチング液中に一気に流れ出し、その電荷の流れによって遮光パターン２が破壊されてしまう。
【００２４】
図５（ａ）は、上記の理由によって実際に破壊された遮光パターン２のSEM像を基にして描いた平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）とは角度を変えて観察して得られた図である。
【００２５】
図５（ａ）、（ｂ）に示されるように、電荷によって遮光パターン２が破壊された結果、第１開口２ａが凹部１ａよりも後退し、凹部１ａの上端が露出してしまっている。
【００２６】
このような遮光パターン２の破壊は、上記のウエットエッチングだけでなく、その前後のリンス処理でも発生すると考えられる。更に、遮光パターン２は、EB露光やドライエッチングでチャージアップする他に、洗浄工程で使用される電気抵抗の高い超純水との摩擦によってもチャージアップすると考えられる。
【００２７】
従って、露光用マスク５の加工精度を高めるには、このような遮光パターン２の破壊を防ぐ必要がある。
【００２８】
この点に鑑み、本願発明者は、次のような本発明の実施の形態に想到した。
【００２９】
（２）本発明の実施形態
図６〜図９は、本実施形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図であり、図１０〜図１３はその平面図である。なお、図６〜図９に示される断面は、図１０〜図１３のI−I線に沿う断面に相当する。
【００３０】
以下では、ゲート長が９０nmのロジックデバイスに使用される露光用マスクの製造方法を例にして説明する。
【００３１】
最初に、図６（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００３２】
まず、石英基板（透明基板）１０を不図示のスパッタチャンバ内に入れる。その石英基板１０のサイズは特に限定されないが、本実施形態では、一辺の長さが６インチで厚さが０．２５インチの基板を採用する。そして、Ar（アルゴン）ガスを用いたスパッタリングにより、石英基板１０上にクロム層１１ａを約７０nmの厚さに形成する。
【００３３】
これに引き続いて、O2（酸素）をチャンバ内に導入してAr+O2でCr（クロム）ターゲットをスパッタリングする。これにより、気相中でクロムと酸素とが反応し、クロム層１１ａの上に酸化クロム層１１ｂが約３０nmの厚さに形成される。そのようなスパッタ法は、反応性スパッタ法と呼ばれる。
【００３４】
以上により、クロム層１１ａと酸化クロム層１１ｂとで構成される厚さ約１００nmの遮光膜１１が形成されたことになる。その遮光膜１１を構成する酸化クロム層１１ｂは、最終的に完成する露光用マスクを露光器内で使用する際に、露光光の反射を防止する反射防止膜として機能する。
【００３５】
遮光膜１１の層構造はこれに限定されない。例えば、反応性スパッタ法により、石英基板１０とクロム層１１ａとの間に密着層として酸化クロム層を形成してもよい。
【００３６】
更に、酸化クロム層１１ｂに代えて、クロムの窒化物や炭化物よりなる層を形成してもよい。
【００３７】
その後に、スピンコート法により遮光膜１１の上に第１ポジ型電子線フォトレジスト１２を約４００nmの厚さに形成する。
【００３８】
なお、石英基板１０と遮光膜１１は、それらを合わせてブランクスと呼ばれるが、そのブランクスの上に第１フォトレジスト１２が形成されたものをブランクスメーカから購入し、以下の工程を行ってもよい。
【００３９】
この工程が終了した後の平面図は図１０（ａ）のようになる。
【００４０】
続いて、図６（ｂ）に示すように、EB(Electron Beam)露光装置を用いて第１フォトレジスト１２を露光した後、それを現像して、遮光膜１１の上に第１レジストパターン１２ｃを形成する。その第１レジストパターン１２ｃには、シフター部Ａと非シフター部Ｂにそれぞれ対応する第１窓１２ａと第２窓１２ｂが形成される。
【００４１】
そして、この工程が終了した後の平面図は図１０（ｂ）のようになる。
【００４２】
次に、図７（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００４３】
まず、不図示のICP(Inductively Coupled Plasma)エッチング装置により、第１レジストパターン１２ａをマスクとして遮光膜１１をドライエッチングする。これにより、シフター部Ａと非シフター部Ｂのそれぞれに光透過用の第１、第２開口１１ｄ、１１ｅを有する遮光パターン１１ｃが形成されたことになる。また、これらの開口１１ｄ、１１ｅが形成されていない部分の遮光パターン１１ｃは、露光光を遮光する遮光領域となる。
【００４４】
この後に、第１レジストパターン１２ｃを酸素プラズマによってアッシングして除去し、ウエット処理により基板１０を洗浄する。
【００４５】
この工程が終了した後の平面図は図１１（ａ）のようになる。
【００４６】
次に、図７（ｂ）、図１１（ｂ）に示すように、石英基板１０上と遮光パターン１１ｃ上にスピンコート法により第２ポジ型電子線フォトレジスト１３を約４００nmの厚さに形成する。更にその上に、aquaSAVE（三菱レイヨン株式会社製）等の帯電防止材をスピンコート法により塗布し、帯電防止層（不図示）を約１００nmの厚さに形成する。
【００４７】
次いで、図８（ａ）に示すように、EB露光装置を用いて第２フォトレジスト１３を露光した後、それを現像することにより、第１開口１１ｄに重なる第３窓１３ａと、該第３窓１３ａから間隔がおかれて遮光パターン１１ｃの遮光領域が露出するダミーの第４窓１３ｂとを有する第２レジストパターン１３ｃを形成する。
【００４８】
EB露光装置での描画方法は特に限定されない。例えば、第３、第４窓１３ａ、１３ｂの両方の露光データを一括してEB露光装置に供給し、各窓１３ａ、１３ｂに対応する潜像を連続的に第２フォトレジスト１３に描画してもよい。或いは、最初に第３窓１３ａ用の露光データをEB露光装置に供給し、次に第４窓１３ｂ用の露光データを供給することにより、第３窓１３ａの潜像を最初に形成し、次いでダミーの第４窓１３ｂの潜像を形成するようにしてもよい。
【００４９】
また、各窓１３ａ、１３ｂの距離が近すぎると、これらの窓１３ａ、１３ｂの形状に電子ビームの近接効果による補正を加える必要が生じ、各窓１３ａ、１３ｂ用の露光データの算出が煩わしくなるので、第４窓１３ｂを第３窓１３ａから可能な限り離して形成するのが好ましい。そこで本実施形態では、各窓１３ａ、１３ｂ同士の距離ｄとして、８μmという長い距離を採用する。
【００５０】
更に、ダミーの第４窓１３ｂが、遮光パターン１１ｃの遮光領域から外れて第２開口１１ｅと重なると、次のプラズマエッチング工程において、第２開口１１ｅの下の石英基板１０に凹部が不必要に形成されてしまい、その凹部によってシフター部と非シフター部の位相差が１８０°からずれる恐れがある。このような不都合を防ぐために、ダミーの第４窓１３ｂは、遮光パターン１１ｃの遮光領域に収まるように形成されるのが好ましい。
【００５１】
そして、遮光パターン１１ｃに蓄積している電荷の逃げ道を広めるために、第３窓１３ａと第４窓１３ｂとを合わせた開口率はできるだけ大きいのが好ましい。なお、開口率とは、石英基板１０の上面の面積に対する各窓１３ａ、１３ｂの面積の割合の百分率であり、その値は、１００から第２フォトレジスト１３ｃの被覆率を引いた値に等しい。
【００５２】
各窓１３ａ、１３ｂのうち、第３窓１３ａは、デバイス用のパターンを露光するシフター部Ａにあるため、そのサイズはデバイスの設計段階でほぼ決まってしまう。そのため、上記した開口率を大きくするには、ダミーの第４窓１３ｂのサイズを大きくする必要があり、本実施形態では、第２窓１３ｂを一辺が３．０μmの正方形とする。
【００５３】
なお、上記では、EB露光装置で第２フォトレジスト１３を露光したが、レーザ描画装置で露光を行ってもよい。
【００５４】
図１２（ａ）は、この工程が終了後の平面図であり、第４窓１３ｂのサイズとして上記の値を採用すると、第２フォトレジスト１３ｃの被覆率は約８０％となる。ダミーの第４窓１３ｂを形成せずに第３窓１３ａのみを形成する場合の第２レジストパターン１３ｃの被覆率は約９９％であり、これと比較すると、本実施形態では被覆率を大幅に減少させていることになる。
【００５５】
この後に、第３、第４窓１３ａ、１３ｂの寸法が設計通りになっていることを確かめるため、SEMによりこれらの窓の寸法を測長する。
【００５６】
次に、図８（ｂ）に示すように、CF4ガスをエッチングガスとするRIE(Reactive Ion Etching)により、第３窓１３ａを通じて石英基板１０をドライエッチングすることにより、深さ約７０nmの位相シフト用の凹部１０ａを石英基板１０に形成する。このようなエッチングの条件としては、例えば、CF4ガスの流量１００sccm、高周波電力の周波数１３．５６Hz、高周波電力のパワー２００W、圧力６Pa、及びエッチング時間２４０秒が採用される。
【００５７】
ところで、このエッチングでは、石英基板１０の他に、第３、第４窓１３ａ、１３ｂから露出する遮光パターン１１ｃの上面もプラズマによって僅かにエッチングされる。
【００５８】
その結果、図８（ｂ）の点線円内に示されるように、第１開口１１ｄから離れた部分の遮光パターン１１ｃの遮光領域に極浅い凹部１１ｆが形成されることになる。その凹部１１ｆの深さは、典型的には１０nm以下となる。
【００５９】
この工程を終了後の平面図は図１２（ｂ）のようになる。
【００６０】
次いで、図９（ａ）に示すように、エッチング液として緩衝フッ酸を用い、第３窓１３ａを通じて石英基板１０を等方的にウエットエッチングすることにより、凹部１０ａの幅と深さをそれぞれ約１００nmだけ拡張し、凹部１０ａの深さを約１７０nmとする。このようなエッチングの結果、第１開口１１ｄの側面が凹部１０ａに張り出す構造が得られることになる。なお、このエッチング液に対して遮光パターン１１ｃはエッチング耐性を有しているので、ダミーの第４窓１３ｂに露出する遮光パターン１１ｃはウエットエッチングされない。
【００６１】
また、このウエットエッチングの前後に、石英基板１０や遮光パターン１１ｃを洗浄するためのリンス工程等のウエット工程を行ってもよい。
【００６２】
この工程を終了後の平面図は図１３（ａ）のようになる。
【００６３】
その後に、図９（ｂ）、図１３（ｂ）に示すように、酸素プラズマによるアッシングとウエット処理により、第２レジストパターン１３ｃを除去し、本実施形態に係る露光用マスク１４の基本構造を完成させる。
【００６４】
その露光用マスク１４は、波長が１９３nmのArFエキシマレーザ光を露光光として使用する場合を想定しており、シフター部Ａと非シフター部Ｂにおけるその露光光の位相差が丁度１８０°となる。
【００６５】
以上説明した本実施形態では、図９（ａ）のウエットエッチングの前に、EB露光装置で第２フォトレジスト１３を描画し、得られた第２レジストパターン１３ｃをSEMで測長する工程（図８（ａ））や、プラズマエッチングでシフター用の凹部１０ａを形成する工程（図８（ｂ））が行われる。これらの工程では、電子やプラズマ等の荷電粒子に遮光パターン１１ｃが曝されるので、導電性の遮光パターン１１ｃに電荷が蓄積し、しかも石英基板１０が絶縁性なので、その電荷が石英基板１０側に逃げることは無い。そのため、蓄積された電荷は、図９（ａ）のウエットエッチングにおいて遮光パターン１１ｃがエッチング液に触れる際にこのエッチング液中に逃げようとする。このとき、遮光パターン１１ｃとウエットエッチング液との接触面積が狭すぎると、それらが接触している部分に電荷が集中し、既述のような遮光パターン１１ｃの破壊が起きる。
【００６６】
そこで、本実施形態では、デバイス用の第３窓１３ａの他に、ダミーの第４窓１３ｂを第２レジストパターン１３ｃに設け、その第４窓１３ｂにおいてエッチング液と遮光パターン１３ｃとを広範に接触させるようにした。このようにすると、図１４に示すように、広い第４窓１３ｂから電荷が分散してエッチング液中に逃げるので、遮光パターン１１ｃの一箇所に電荷が局所的に集中せず、電荷による遮光パターン１１ｃの破壊が防止され、遮光パターン１１ｃの加工精度を高めることが可能となる。
【００６７】
本願発明者は、本実施形態の効果を確かめるため、ダミーの第４窓１３ｂを設けない場合（比較例）と設ける場合（本実施形態）とで、マスク１枚あたりの遮光パターン１１ｃの欠陥数にどのような変化が見られるかを調査した。その調査結果を次の表１に示す。
【００６８】
【表１】
2006085096.tif 000003
【００６９】
なお、この調査では、比較例として３枚、本実施形態として２枚の露光用マスクが調査された。
【００７０】
表１に示されるように、比較例では１枚あたり９．１箇所の欠陥が発見されたのに対し、本実施形態では欠陥が見あたらなかった。
【００７１】
遮光パターン１１ｃに帯電した電荷は、上記のウエットエッチング液だけでなく、ウエットエッチングの前後のリンス工程で使用される処理液や、遮光パターン１１ｃを洗浄する際の超純水にも逃げようとするが、これらの液を使用する場合でも、上記と同様にして遮光パターンの破壊を防止することができる。
【００７２】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【００７３】
（付記１）  位相シフト用の凹部が形成された透明基板と、
前記透明基板の上に形成され、前記凹部の上に光透過用の開口を有すると共に、該開口から離れた部分の遮光領域に凹部を備えた遮光パターンと、
を有することを特徴とする露光用マスク。
【００７４】
（付記２）  前記遮光パターンの凹部の深さは１０nm以下であることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【００７５】
（付記３）  透明基板の上の遮光膜をパターニングすることにより、光透過用の開口を備えた遮光パターンを形成する工程と、
前記開口に重なる第１窓と、該第１窓から間隔がおかれて前記遮光パターンの遮光領域が露出する第２窓とを有するレジストパターンを前記遮光パターンの上に形成する工程と、
前記第１窓を通じて前記開口の下の前記透明基板をエッチングすることにより、該透明基板に位相シフト用の凹部を形成する工程と、
前記レジストパターンが形成された状態でウエット処理を行う工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【００７６】
（付記４）  前記ウエット処理を行う工程は、前記位相シフト用の凹部をウエットエッチングして該凹部の幅を拡張する工程であることを特徴とする付記３に記載の露光用マスクの製造方法。
【００７７】
（付記５）  前記ウエット処理を行う工程は、前記遮光パターンを洗浄する工程であることを特徴とする付記３に記載の露光用マスクの製造方法。
【００７８】
（付記６）  前記レジストパターンを形成する工程において、前記遮光パターンの遮光領域に収まるように前記第２窓を形成することを特徴とする付記３に記載の露光用マスクの製造方法。
【００７９】
（付記７）  前記位相シフト用の凹部を形成する工程はプラズマエッチングによって行われることを特徴とする付記３に記載の露光用マスクの製造方法。
【００８０】
（付記８）  前記レジストパターンを形成する工程は、前記遮光パターンの上にフォトレジストを形成し、電子線描画又はレーザ光の描画によって該フォトレジストを露光した後、前記フォトレジストを現像することにより行われることを特徴とする付記３に記載の露光用マスクの製造方法。
【００８１】
（付記９）  前記電子線描画又はレーザ光の描画は、前記第１、第２窓の両方の露光データを一括して露光装置に供給し、前記第１、第２窓に対応する潜像を連続的に前記フォトレジストに描画することにより行われることを特徴とする付記８に記載の露光用マスクの製造方法。
【００８２】
（付記１０）  前記電子線描画又はレーザ光の描画は、最初に前記第１窓用の露光データを露光装置に供給し、次に前記第２窓用の露光データを前記露光装置に供給することにより、最初に前記第１窓に対応する潜像を前記フォトレジストに描画し、次に前記第２窓に対応する潜像を前記フォトレジストに描画して行われることを特徴とする付記８に記載の露光用マスクの製造方法。
【００８３】
（付記１１）  前記遮光膜を導電層で構成することを特徴とする付記３に記載の露光用マスクの製造方法。
【００８４】
（付記１２）  前記導電層としてクロム層を採用することを特徴とする付記１１に記載の露光用マスクの製造方法。
【００８５】
（付記１３）  前記クロム層の上又は下に、クロムの酸化物、窒化物、又は炭化物よりなる層を形成することを特徴とする付記１２に記載の露光用マスクの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】図１（ａ）〜（ｄ）は、掘り込み型のレベンソンマスクの一般的な製造方法について示す工程断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）、（ｂ）は、掘り込み型のレベンソンマスクの一般的な製造方法について示す工程断面図（その２）である。
【図３】図３は、掘り込み型のレベンソンマスクにおいて、位相シフト用の凹部の幅を拡張することで露光光のケラレを防止できることを示す断面図である。
【図４】図４は、掘り込み型のレベンソンマスクの一般的な製造方法において、電荷の流れが遮光パターンの一部に集中することを示す断面図である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、掘り込み型のレベンソンマスクの一般的な製造方法において、実際に破壊された遮光パターンのSEM像を基にして描いた図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その１）である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その２）である。
【図８】図８（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その３）である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の断面図（その４）である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の平面図（その１）である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の平面図（その２）である。
【図１２】図１２（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の平面図（その３）である。
【図１３】図１３（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造途中の平面図（その４）である。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態に係る露光用マスクの製造方法において、遮光パターン中の電荷が分散してエッチング液中に逃げる様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１、１０…石英基板、１ａ、１０ａ…凹部、２、１１ｃ…遮光パターン、２ａ、２ｂ…第１、第２開口、３…フォトレジスト、３ａ…レジストパターン、３ｂ…窓、１１ａ…クロム層、１１ｂ…酸化クロム層、１１ｄ、１１ｅ…第１、第２開口、１２…第１ポジ型電子線フォトレジスト、１２ａ、１２ｂ…第１、第２窓、１２ｃ…第１レジストパターン、１３…第２ポジ型電子線フォトレジスト、１３ｃ…第２レジストパターン、４、１４…露光用マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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