(57)【要約】【課題】スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層を正確に形成する。【解決手段】磁気ヘッドは、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層１０を備えている。磁極層１０は、媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部１０Ａを含んでいる。トラック幅規定部１０Ａの下には下地層９が配置されている。媒体対向面に配置されたトラック幅規定部１０Ａの端面の幅は、基板１に近い第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。媒体対向面における下地層９の幅は、第１の辺Ａ１の長さ以下である。下地層９は、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が磁極層１０を構成する磁性合金よりも大きい材料によって構成されている。【選択図】図１
2006085884.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記トラック幅規定部の下に配置された下地層と、
前記下地層、磁極層およびコイルが積層される基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
前記媒体対向面における前記下地層の幅は、前記第１の辺の長さ以下であり、
前記磁極層は、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成され、
前記下地層は、前記磁極層を構成する前記磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されていることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項２】
前記下地層を構成する材料は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
【請求項３】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
前記磁極層は、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁極層を構成する前記磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成された下地層を、前記トラック幅規定部が配置される領域に形成する工程と、
後に両側面がエッチングによって斜面化されることによって前記トラック幅規定部となる被エッチング部を含み、この被エッチング部の両側面がエッチングされることによって前記磁極層となる磁性層を、前記被エッチング部が前記下地層の上に配置されるように形成する工程と、
前記磁性層が前記磁極層になるように、イオンビームエッチングを用いて前記被エッチング部の両側面をエッチングする工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記磁性層を形成する工程は、パターニングされることによって前記磁性層となる被パターニング層を形成する工程と、前記被パターニング層が前記磁性層となるように、前記被パターニング層をエッチングによってパターニングする工程とを含むことを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記磁性層は、めっき法を用いて形成されることを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
更に、前記磁性層を形成する工程の後であって、前記被エッチング部の両側面をエッチングする工程の前に、前記磁性層をマスクとして前記下地層をエッチングすることによって前記下地層をパターニングする工程を備えたことを特徴とする請求項３ないし５のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記パターニング後の前記下地層の媒体対向面における幅は、前記被エッチング部の媒体対向面における幅よりも小さいことを特徴とする請求項６記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記下地層を構成する材料は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含むことを特徴とする請求項３ないし７のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
記録媒体に対向する媒体対向面と、
前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
前記媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
前記磁極層およびコイルが積層される基板とを備え、
前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面は、前記基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
前記第２の辺は、トラック幅を規定し、
前記媒体対向面に配置された前記トラック幅規定部の端面の幅は、前記第１の辺に近づくに従って小さくなり、
前記磁極層は、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁極層を構成する前記磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きく、且つ導電性を有する材料によって構成された下地層を、前記トラック幅規定部が配置される領域に形成する工程と、
前記トラック幅規定部が前記下地層の上に配置されるように、前記下地層を電極として、めっき法を用いて前記磁極層を形成する工程と、
イオンビームエッチングを用いて、前記下地層のうちの前記磁極層の下に存在する部分以外の部分を除去する工程と、
前記コイルを形成する工程と
を備えたことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記磁極層は、第１層と、前記第１層の上に配置された第２層とを有し、
前記磁極層を形成する工程は、
前記第１層となる電極膜を形成する工程と、
前記第２層に対応した形状の溝部を有するフレームを、前記電極膜の上に形成する工程と、
前記下地層および電極膜を電極としてめっきを行って、前記フレームの溝部内に前記第２層を形成する工程と、
前記第２層の形成後に、前記フレームを除去する工程と、
イオンビームエッチングを用いて、前記電極膜のうちの前記第２層の下に存在する部分以外の部分を除去して、前記第１層を形成する工程と
を含むことを特徴とする請求項９記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記下地層のうちの前記磁極層の下に存在する部分以外の部分を除去する工程では、イオンビームエッチングを用いて前記トラック幅規定部の両側面もエッチングすることを特徴とする請求項９または１０記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記下地層を構成する材料は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含むことを特徴とする請求項９ないし１１のいずれかに記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。
【０００３】
一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する磁極層を備えている。磁極層は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。
【０００４】
垂直磁気記録方式において、記録密度の向上に寄与するのは、主に、記録媒体の改良と記録ヘッドの改良である。高記録密度化のために記録ヘッドに要求されることは、特に、トラック幅の縮小と、記録特性の向上である。一方、トラック幅が小さくなると、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性は低下する。従って、トラック幅が小さくなるほど、記録特性の一層の向上が必要となる。ここで、媒体対向面に垂直な方向についてのトラック幅規定部の長さをネックハイトと呼ぶ。このネックハイトが小さいほど、オーバーライト特性が向上する。
【０００５】
ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入側の端部と空気流出側の端部とを有している。そして、空気流入側の端部から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出側の端部近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。
【０００６】
特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの情報の書き込み時に隣接トラックの情報が消去される現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じたり、隣り合う２つのトラックの間において不要な書き込みが行なわれたりするという問題が生じる。高記録密度化のためには、隣接トラック消去を抑制する必要がある。また、隣り合う２つのトラックの間における不要な書き込みは、磁気ヘッドの位置決め用のサーボ信号の検出や再生信号の信号対雑音比に悪影響を及ぼす。
【０００７】
上述のようなスキューに起因した問題の発生を防止する技術としては、例えば特許文献１〜３に記載されているように、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、記録媒体の進行方向の後側（スライダにおける空気流入端側）に配置される辺が反対側の辺よりも短い形状とする技術が知られている。磁気ヘッドでは、通常、媒体対向面において、基板から遠い端部が記録媒体の進行方向の前側（スライダにおける空気流出端側）に配置される。従って、上述の媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状は、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる。
【０００８】
また、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、例えば特許文献４に記載されているように、磁極層とシールドとを備えた磁気ヘッドも知られている。この磁気ヘッドでは、媒体対向面において、シールドの端面は、磁極層の端面に対して、所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向の前側に配置されている。以下、このような磁気ヘッドをシールド型ヘッドと呼ぶ。このシールド型ヘッドにおいて、シールドは、磁極層の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束が記録媒体に達することを阻止することができる。このシールド型ヘッドによれば、線記録密度のより一層の向上が可能になる。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献２】特開２００３−２０３３１１号公報
【特許文献３】米国特許第６，５０４，６７５Ｂ１号明細書
【特許文献４】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ここで、図５４ないし図５６を参照して、上述のように媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状が、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となる磁極層の形成方法の一例について説明する。図５４および図５５は、それぞれ、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面を示している。図５６は、磁極層の平面図である。
【００１１】
この方法では、まず、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２０１の上に、後に磁極層２０２となる磁性層を形成する。次に、この磁性層の上に、例えばアルミナよりなるエッチングマスク２０３を形成する。エッチングマスク２０３の平面形状は、形成しようとする磁極層２０２の平面形状に対応している。次に、上記エッチングマスク２０３を用い、反応性イオンエッチングやイオンビームエッチング等のドライエッチングによって磁性層をエッチングして、磁極層２０２を形成する。図５４ないし図５６において、符号２０２Ａは磁極層２０２のトラック幅規定部を示している。図５６において、符号２０２Ｂは磁極層２０２の幅広部を示し、記号ＡＢＳは媒体対向面となる位置を示し、記号ＮＨはネックハイトを示している。
【００１２】
次に、イオンビームの進行方向が絶縁層２０１の上面に垂直な方向に対して傾いた方向となるようにして、イオンビームエッチングによって、トラック幅規定部２０２Ａにおけるトラック幅方向の両側部をエッチングする。これにより、図５５に示したように、媒体対向面におけるトラック幅規定部２０２Ａの端面の形状が、基板に近い辺（下側の辺）が基板から遠い辺（上側の辺）よりも短い形状となる。なお、図５４および図５５において、矢印はイオンビームの進行方向を表している。
【００１３】
次に、上記の方法における問題点について説明する。まず、イオンビームエッチングによってトラック幅規定部２０２Ａの両側部をエッチングする際、両側部のうち、トラック幅規定部２０２Ａの底部に近い部分では、イオンビームが到達しにくく、他の部分に比べてエッチング速度が小さくなる。また、イオンビームエッチングによってトラック幅規定部２０２Ａの両側部をエッチングする際、絶縁層２０１もエッチングされ、この絶縁層２０１より分離した物質２０４が、両側部のうちのトラック幅規定部２０２Ａの底部に近い部分に付着する。
【００１４】
これらのことから、トラック幅規定部２０２Ａの両側部のうちのトラック幅規定部２０２Ａの底部に近い部分では、エッチングの進行が遅くなる。そのため、媒体対向面におけるトラック幅規定部２０２Ａの端面の形状を、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状とするには、長時間のイオンビームエッチングを行なう必要がある。しかしながら、長時間のイオンビームエッチングを行なうと、図５５に示したように、トラック幅規定部２０２Ａの両側部のうち、下端と上端との間に部分に、窪みが形成される場合がある。なお、図５５において、破線は、トラック幅規定部２０２Ａの所望の形状を表している。トラック幅規定部２０２Ａの両側部に上記の窪みが形成されると、トラック幅規定部２０２Ａが所望の形状である場合に比べて、トラック幅規定部２０２Ａの体積が小さくなり、その結果、オーバーライト特性が劣化するおそれがある。
【００１５】
また、媒体対向面におけるトラック幅規定部の端面の形状を、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状とするために、長時間のイオンビームエッチングを行なうと、ネックハイトＮＨが、所望の値よりも大きくなる場合がある。このことを、図５６を参照して説明する。図５６において、符号２０２Ｄで示す破線は、幅広部２０２Ｂの媒体対向面側の側部の所望の位置を表している。長時間のイオンビームエッチングを行なうと、幅広部２０２Ｂの媒体対向面側の側部もエッチングされ、この側部の位置が、所望の位置よりも媒体対向面から遠くなる場合がある。そうなると、ネックハイトＮＨが所望の値よりも大きくなる。良好なオーバーライト特性を実現するためには、ネックハイトＮＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内であることが好ましい。しかしながら、例えば、ネックハイトＮＨが０．１μｍになるように磁極層２０２の形状を設計しても、上述の長時間のイオンビームエッチングを行なうと、ネックハイトＮＨが０．４〜０．５μｍになる場合がある。このように、ネックハイトＮＨが所望の値よりも大きくなると、オーバーライト特性が劣化してしまう。
【００１６】
なお、上述のように磁性層をエッチングして磁極層２０２を形成する代わりに、フレームめっき法を用いて磁極層２０２を形成することも考えられる。フレームめっき法による磁極層２０２の形成方法では、まず、絶縁層２０１の上に、電極膜を形成する。次に、電極膜の上にフォトレジスト層を形成する。次に、フォトレジスト層をパターニングして、磁極層２０２に対応した形状の溝部を有するフレームを形成する。次に、電極膜に電流を流してめっきを行い、溝部内に磁極層２０２を形成する。次に、フレームを除去する。次に、電極膜のうち、磁極層２０２の下に存在している部分以外の部分を除去する。
【００１７】
フレームめっき法を用いて磁極層２０２を形成した場合でも、媒体対向面におけるトラック幅規定部２０２Ａの端面の形状を、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状とするために、イオンビームエッチングによってトラック幅規定部２０２Ａの両側部をエッチングする場合には、上述の問題が発生する。
【００１８】
また、媒体対向面におけるトラック幅規定部２０２Ａの端面の形状が、基板に近い辺が基板から遠い辺よりも短い形状となるように、フレームめっき法によって磁極層２０２を形成することも考えられる。しかしながら、この場合でも、以下のような問題点がある。フレームめっき法によって磁極層２０２を形成する場合には、磁極層２０２を形成した後に、電極膜のうち、磁極層２０２の下に存在している部分以外の部分を除去する必要がある。この電極膜の除去には、イオンビームエッチング等のドライエッチングが用いられる。この電極膜の除去の際には、磁極層２０２の両側部もエッチングされる。従って、電極膜の除去のためのエッチングの時間が長くなると、前述の説明と同様に、磁極層２０２の形状が所望の形状から崩れたり、ネックハイトＮＨが所望の値よりも大きくなったりする。
【００１９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層を正確に形成できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
トラック幅規定部の下に配置された下地層と、
下地層、磁極層およびコイルが積層される基板とを備えている。
【００２１】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の端面は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有している。第２の辺は、トラック幅を規定している。媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなっている。媒体対向面における下地層の幅は、第１の辺の長さ以下である。磁極層は、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。下地層は、磁極層を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されている。
【００２２】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドでは、トラック幅規定部の下に配置された下地層は、磁極層を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されている。これにより、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層を正確に形成することが可能になる。
【００２３】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、下地層を構成する材料は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含んでいてもよい。
【００２４】
本発明の第１または第２の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有するトラック幅規定部を含み、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する磁極層と、
磁極層およびコイルが積層される基板とを備えている。
【００２５】
この垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、
媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の端面は、基板に近い第１の辺と、第１の辺とは反対側の第２の辺と、第１の辺の一端と第２の辺の一端とを結ぶ第３の辺と、第１の辺の他端と第２の辺の他端とを結ぶ第４の辺とを有し、
第２の辺は、トラック幅を規定し、
媒体対向面に配置されたトラック幅規定部の端面の幅は、第１の辺に近づくに従って小さくなり、
磁極層は、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。
【００２６】
本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
磁極層を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成された下地層を、トラック幅規定部が配置される領域に形成する工程と、
後に両側面がエッチングによって斜面化されることによってトラック幅規定部となる被エッチング部を含み、この被エッチング部の両側面がエッチングされることによって磁極層となる磁性層を、被エッチング部が下地層の上に配置されるように形成する工程と、
磁性層が磁極層になるように、イオンビームエッチングを用いて被エッチング部の両側面をエッチングする工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００２７】
本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、イオンビームエッチングを用いて磁性層の被エッチング部の両側面をエッチングする際に、被エッチング部の下に下地層が存在している。この下地層は、磁極層を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されている。これにより、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層を正確に形成することが可能になる。
【００２８】
本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁性層を形成する工程は、パターニングされることによって磁性層となる被パターニング層を形成する工程と、被パターニング層が磁性層となるように、被パターニング層をエッチングによってパターニングする工程とを含んでいてもよい。
【００２９】
また、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁性層は、めっき法を用いて形成されてもよい。
【００３０】
また、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、更に、磁性層を形成する工程の後であって、被エッチング部の両側面をエッチングする工程の前に、磁性層をマスクとして下地層をエッチングすることによって下地層をパターニングする工程を備えていてもよい。この場合、パターニング後の下地層の媒体対向面における幅は、被エッチング部の媒体対向面における幅よりも小さくてもよい。
【００３１】
本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
磁極層を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きく、且つ導電性を有する材料によって構成された下地層を、トラック幅規定部が配置される領域に形成する工程と、
トラック幅規定部が下地層の上に配置されるように、下地層を電極として、めっき法を用いて磁極層を形成する工程と、
イオンビームエッチングを用いて、下地層のうちの磁極層の下に存在する部分以外の部分を除去する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。
【００３２】
本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、トラック幅規定部が下地層の上に配置されるように、めっき法を用いて磁極層を形成する。その後、イオンビームエッチングを用いて、下地層のうちの磁極層の下に存在する部分以外の部分を除去する。下地層は、磁極層を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されている。これにより、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層を正確に形成することが可能になる。
【００３３】
本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁極層は、第１層と、第１層の上に配置された第２層とを有していてもよい。また、磁極層を形成する工程は、第１層となる電極膜を形成する工程と、第２層に対応した形状の溝部を有するフレームを、電極膜の上に形成する工程と、下地層および電極膜を電極としてめっきを行って、フレームの溝部内に第２層を形成する工程と、第２層の形成後に、フレームを除去する工程と、イオンビームエッチングを用いて、電極膜のうちの第２層の下に存在する部分以外の部分を除去して、第１層を形成する工程とを含んでいてもよい。
【００３４】
また、本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、下地層のうちの磁極層の下に存在する部分以外の部分を除去する工程では、イオンビームエッチングを用いてトラック幅規定部の両側面もエッチングしてもよい。
【００３５】
また、本発明の第１または第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、下地層を構成する材料は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドまたはその製造方法では、下地層の上に磁極層のトラック幅規定部が配置される。下地層は、磁極層を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成される。これにより、本発明によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層を正確に形成することが可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図２は本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図２は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。また、図２において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。
【００３８】
図１および図２に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部シールド層３と、この下部シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部シールドギャップ膜４と、この下部シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部シールドギャップ膜６と、この上部シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部シールド層７とを備えている。下部シールド層３から上部シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。
【００３９】
ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。
【００４０】
磁気ヘッドは、更に、上部シールド層７の上に配置されたアルミナ等の絶縁材料よりなる絶縁層８と、この絶縁層８の上に配置された下地層９と、この下地層９の上に配置された磁性材料よりなる磁極層１０と、下地層９および磁極層１０の周囲に配置されたアルミナ等の非磁性材料よりなる非磁性層１２とを備えている。
【００４１】
磁極層１０は、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。ここでは、一例として、磁極層１０はＣｏＦｅＮによって構成されているものとする。下地層９は、磁極層１０を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されている。また、下地層９を構成する材料は、絶縁層８を構成する絶縁材料、例えばアルミナに比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料でもある。また、下地層９を構成する材料は、絶縁層８を構成する絶縁材料、例えばアルミナに比べて、イオンビームエッチングの際に他の層に付着する物質の量が少なくなる材料でもある。具体的には、下地層９を構成する材料は、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含んでいる。
【００４２】
磁気ヘッドは、更に、磁極層１０および非磁性層１２の上面の上に配置されたギャップ層１５を備えている。ギャップ層１５には、媒体対向面３０から離れた位置において、開口部が形成されている。ギャップ層１５の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ等の非磁性金属材料でもよい。
【００４３】
磁気ヘッドは、更に、磁性材料よりなるシールド層１６を備えている。シールド層１６は、ギャップ層１５の上に配置された第１層１６Ａと、この第１層１６Ａの上に配置された第２層１６Ｃと、ギャップ層１５の開口部が形成された位置において磁極層１０の上に配置された連結層１６Ｂと、この連結層１６Ｂの上に配置された連結層１６Ｄと、第２層１６Ｃと連結層１６Ｄを連結するように配置された第３層１６Ｅとを有している。これらの各層１６Ａ〜１６Ｅは、例えば、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅによって形成されている。
【００４４】
磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、連結層１６Ｂの周囲に配置された非磁性層１７を備えている。非磁性層１７の一部は、第１層１６Ａの側方に配置されている。非磁性層１７は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。あるいは、非磁性層１７は、非磁性金属材料よりなる層とその上に配置された絶縁材料よりなる層とで構成されていてもよい。この場合、非磁性金属材料としては、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｎｉ等の高融点金属が用いられる。
【００４５】
磁気ヘッドは、更に、非磁性層１７の上に配置されたコイル１８と、このコイル１８を覆う絶縁層１９と、コイル１８および絶縁層１９を覆う絶縁層２０とを備えている。コイル１８は、平面渦巻き形状をなしている。コイル１８の一部は、第２層１６Ｃと連結層１６Ｄの間を通過している。コイル１８は、銅等の導電性材料によって形成されている。絶縁層１９は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２０は、例えばアルミナによって形成されている。第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄおよび絶縁層２０の上面は平坦化されている。第３層１６Ｅは、この平坦化された第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄおよび絶縁層２０の上面の上に形成されている。
【００４６】
下地層９からシールド層１６の第３層１６Ｅまでの部分は、記録ヘッドを構成する。図示しないが、磁気ヘッドは、更に、シールド層１６を覆うように形成された保護層を備えている。
【００４７】
以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。
【００４８】
再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部シールド層３および上部シールド層７と、ＭＲ素子５と下部シールド層３との間に配置された下部シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部シールド層７との間に配置された上部シールドギャップ膜６とを備えている。
【００４９】
記録ヘッドは、下地層９、磁極層１０、非磁性層１２、ギャップ層１５、シールド層１６、非磁性層１７、コイル１８および絶縁層１９，２０を備えている。コイル１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。
【００５０】
図３は、磁極層１０を示す平面図である。磁極層１０は、コイル１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。図３に示したように、磁極層１０は、一端部が媒体対向面３０に配置され、一定の幅を有するトラック幅規定部１０Ａと、このトラック幅規定部１０Ａの他端部に連結され、トラック幅規定部１０Ａよりも大きな幅を有する幅広部１０Ｂとを有している。幅広部１０Ｂの幅は、例えば、トラック幅規定部１０Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１０Ａの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。ここで、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１０Ａの長さをネックハイトＮＨと呼ぶ。ネックハイトＮＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。なお、図３は、媒体対向面３０を形成する前の状態を表している。図３において、記号ＡＢＳは、後に媒体対向面３０となる位置を表している。
【００５１】
シールド層１６は、媒体対向面３０に配置された端部を有し、媒体対向面３０から離れた位置において磁極層１０に連結されている。ギャップ層１５は、非磁性材料よりなり、磁極層１０とシールド層１６との間に設けられている。
【００５２】
媒体対向面３０において、シールド層１６の端面は、磁極層１０の端面に対して、ギャップ層１５の厚みによる所定の間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。コイル１８の少なくとも一部は、磁極層１０とシールド層１６との間に、磁極層１０およびシールド層１６に対して絶縁された状態で配置されている。
【００５３】
シールド層１６は、ギャップ層１５に隣接するように配置された第１層１６Ａと、第１層１６Ａにおけるギャップ層１５とは反対側に配置された第２層１６Ｃと、ギャップ層１５の開口部が形成された位置において磁極層１０の上に配置された連結層１６Ｂ，１６Ｄと、第２層１６Ｃと連結層１６Ｄを連結するように配置された第３層１６Ｅとを有している。第２層１６Ｃは、媒体対向面３０とコイル１８の少なくとも一部との間に配置されている。
【００５４】
図１に示したように、磁極層１０のトラック幅規定部１０Ａは、媒体対向面３０に配置された端面を有している。媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１０Ａの端面は、基板１に近い第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１とは反対側の第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の一端と第２の辺Ａ２の一端とを結ぶ第３の辺Ａ３と、第１の辺Ａ１の他端と第２の辺Ａ２の他端とを結ぶ第４の辺Ａ４とを有している。第２の辺Ａ２は、トラック幅を規定する。媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１０Ａの端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。また、媒体対向面３０における下地層９の幅は、第１の辺Ａ１の長さ以下である。
【００５５】
第２の辺Ａ２の長さ、すなわちトラック幅は、例えば０．１〜０．１５μｍの範囲内である。磁極層１０の厚みは、例えば０．２〜０．４μｍの範囲内である。また、第３の辺Ａ３と第４の辺Ａ４がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向となす角度は、例えば５°〜１２°の範囲内とする。下地層９の厚みは、例えば０．０３〜０．１μｍの範囲内である。ギャップ層１５の厚みは、例えば５０〜７０ｎｍの範囲内である。
【００５６】
シールド層１６の第１層１６Ａは、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。シールド層１６の第２層１６Ｃも、媒体対向面３０に配置された第１の端部とその反対側の第２の端部とを有している。コイル１８の最外周端の形状は、媒体対向面３０側に突出した円弧状になっている。第１層１６Ａの第２の端部および第２層１６Ｃの第２の端部の形状は、いずれも、コイル１８の最外周端に沿った円弧状になっている。
【００５７】
第１層１６Ａの第２の端部は、スロートハイトＴＨを規定する。すなわち、図２に示したように、第１層１６Ａのうち、ギャップ層１５を介して磁極層１０と対向する部分における第１の端部と第２の端部との間の最短距離がスロートハイトＴＨとなる。また、スロートハイトＴＨは、例えば０．１〜０．３μｍの範囲内である。また、第２層１６Ｃのうち、ギャップ層１５および第１層１６Ａを介して磁極層１０と対向する部分における第１の端部と第２の端部との間の最短距離は、例えば０．５〜０．８μｍの範囲内である。また、第１層１６Ａおよび連結層１６Ｂの厚みは、例えば０．３〜０．５μｍの範囲内である。第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄの厚みは、例えば３．０〜３．５μｍの範囲内である。第３層１６Ｅの厚みは、例えば、１．５〜２．５μｍの範囲内である。
【００５８】
図２に示したように、非磁性層１７は、第１層１６Ａの側方に配置されている。非磁性層１７の厚みは、第１層１６Ａの厚み以上であり、例えば０．３〜０．５μｍの範囲内である。コイル１８の少なくとも一部は、非磁性層１７の上に配置されている。コイル１８の厚みは、第２層１６Ｃの厚み以下であり、例えば、２．５〜３．５μｍの範囲内である。コイル１８の少なくとも一部は、非磁性層１７における磁極層１０とは反対側であって、第１層１６Ａにおける磁極層１０とは反対側の面（上面）よりも磁極層１０から遠い位置に配置されている。
【００５９】
次に、図４ないし図１２を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４ないし図１２において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図４ないし図１２では、絶縁層８よりも基板１側の部分を省略している。
【００６０】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図２に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部シールドギャップ膜６の上に、上部シールド層７および絶縁層８を順に形成する。
【００６１】
図４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法を用いて、絶縁層８の上に、例えば０．１μｍの厚みの下地層９を形成する。次に、例えばスパッタ法を用いて、下地層９の上に、最終的には磁極層１０となる被パターニング層１０Ｐを形成する。被パターニング層１０Ｐは、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。ここでは、一例として、被パターニング層１０ＰはＣｏＦｅＮによって構成されているものとする。被パターニング層１０Ｐの厚みは、例えば０．２〜０．４μｍの範囲内である。
【００６２】
次に、例えばスパッタ法を用いて、被パターニング層１０Ｐの上に、例えば１．２μｍの厚みのアルミナ層１１を形成する。次に、このアルミナ層１１の上に、フレームめっき法によって、例えばＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅよりなるエッチングマスク２２を、例えば０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。マスク２２の平面形状は、形成しようとする磁極層１０の平面形状に対応している。
【００６３】
次に、図５に示したように、マスク２２を用いて、アルミナ層１１を選択的にエッチングする。アルミナ層１１のエッチングは、例えば反応性イオンエッチングを用いて行われる。
【００６４】
図６は、次の工程を示す。この工程では、まず、エッチング後に残ったアルミナ層１１をマスクとして、被パターニング層１０Ｐを選択的にエッチングする。このエッチングにより、被パターニング層１０Ｐはパターニングされて、後に磁極層１０となる磁性層１０Ｑとなる。この磁性層１０Ｑは、後に両側面がエッチングによって斜面化されることによってトラック幅規定部１０Ａとなる被エッチング部１０ＡＱを含んでいる。
【００６５】
被パターニング層１０Ｐのエッチングは、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。反応性イオンエッチングを用いて被パターニング層１０Ｐをエッチングする場合には、エッチングガスとしては、ハロゲン系ガスとＯ2、ＣＯ2、Ｎ2、Ｈ2等の添加ガスとを含むエッチングガスを使用することが好ましい。ハロゲン系ガスとしては、例えば、Ｃｌ2、あるいはＣｌ2とＢＣｌ３を含むガスを用いることができる。また、エッチング時の温度は、１４０〜２５０℃の範囲内とすることが好ましい。
【００６６】
次に、磁性層１０Ｑをマスクとして、下地層９を選択的にエッチングして、下地層９をパターニングする。下地層９のエッチングも、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。
【００６７】
次に、図７に示したように、例えば反応性イオンエッチングを用いて、下地層９をオーバーエッチングする。図７（ｂ）に示したように、このエッチングによってパターニングされた後の下地層９の媒体対向面３０における幅は、被エッチング部１０ＡＱの媒体対向面３０における幅よりも小さくなる。反応性イオンエッチングを用いて下地層９をエッチングする際の条件は、例えば、被パターニング層１０Ｐをエッチングする際の条件と同じである。なお、図７に示した工程は、省略してもよい。
【００６８】
図８は次の工程を示す。この工程では、イオンビームエッチングを用いて、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングして、被エッチング部１０ＡＱの底面における幅が上面における幅よりも小さくなるように、被エッチング部１０ＡＱの両側面を斜面化する。具体的には、被エッチング部１０ＡＱの各側面が、基板１の上面に垂直な方向となす角度が、例えば５°〜１２°の範囲内になるようにする。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を４０〜５０°として行われる。この工程で、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングにより斜面化することにより、被エッチング部１０ＡＱはトラック幅規定部１０Ａとなり、磁性層１０Ｑは磁極層１０となる。
【００６９】
図９は次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、下地層９と磁極層１０の合計の厚みと等しい厚みの非磁性層１２を形成する。次に、磁極層１０の近傍の領域を除いて、非磁性層１２の上に、例えば１０〜２０ｎｍのストッパ膜１３を形成する。このストッパ膜１３の材料としては、例えば、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ等の非磁性の高融点金属が用いられる。次に、積層体の上面全体の上に、例えば０．３〜０．８μｍの厚みで、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を形成する。
【００７０】
図１０は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、絶縁膜１４および非磁性層１２を研磨する。この研磨は、ストッパ膜１３が露出した時点で停止する。次に、例えば反応性イオンエッチングやウェットエッチングによって、ストッパ膜１３を除去する。これにより、非磁性層１２の上面が露出する。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性層１２および絶縁膜１４の上面をわずかに研磨して、磁極層１０の上面を露出させると共に、磁極層１０および非磁性層１２の上面を平坦化する。これにより、磁極層１０の厚みを、所望の値になるように制御することができる。
【００７１】
図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１５を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１５を選択的にエッチングして、ギャップ層１５に開口部を形成する。次に、ギャップ層１５の上に第１層１６Ａを形成すると共に、ギャップ層１５の開口部が形成された位置において磁極層１０の上に連結層１６Ｂを形成する。第１層１６Ａと連結層１６Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に、非磁性層１７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層１６Ａおよび連結層１６Ｂが露出するまで非磁性層１７を研磨して、第１層１６Ａ、連結層１６Ｂおよび非磁性層１７の上面を平坦化する。
【００７２】
図１２は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、コイル１８の少なくとも一部が非磁性層１７の上に配置されるように、コイル１８を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成する。なお、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成した後に、コイル１８を形成してもよい。次に、コイル１８を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１９を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層２０を、例えば３〜５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄが露出するまで絶縁層２０を研磨して、第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄおよび絶縁層２０の上面を平坦化する。次に、例えばフレームめっき法によって、第３層１６Ｅを形成して、シールド層１６を完成させる。
【００７３】
次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【００７４】
次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。磁極層１０およびシールド層１６は、コイル１８が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。磁極層１０は、コイル１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。シールド層１６は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が磁極層１０に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。
【００７５】
また、本実施の形態では、媒体対向面３０において、シールド層１６の端面は、磁極層１０の端面に対して、ギャップ層１５による所定の小さな間隔を開けて記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。記録媒体に記録されるビットパターンの端部の位置は、媒体対向面３０に配置された磁極層１０の端面におけるギャップ層１５側の端部の位置によって決まる。シールド層１６は、媒体対向面３０に配置された磁極層１０の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込むことにより、この磁束が記録媒体に達することを阻止する。これにより、記録媒体に既に記録されているビットパターンにおける磁化の方向が上記磁束の影響によって変化することを防止することができる。これにより、本実施の形態によれば、線記録密度を向上させることができる。
【００７６】
また、本実施の形態では、図１に示したように、媒体対向面３０に配置された磁極層１０の端面の幅は、第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止することができる。
【００７７】
次に、図１３ないし図１５を参照して、図８に示した被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングする工程について詳しく説明する。図１３ないし図１５は、それぞれ、下地層９および被エッチング部１０ＡＱの媒体対向面３０に平行な断面を示している。また、図１３ないし図１５において、矢印は、イオンの進行方向を表している。
【００７８】
図１３は、図６に示した工程を表している。この工程では、まず、アルミナ層１１をマスクとして、被パターニング層１０Ｐを選択的にエッチングする。これにより、被パターニング層１０Ｐはパターニングされて、磁性層１０Ｑとなる。次に、磁性層１０Ｑをマスクとして、下地層９を選択的にエッチングして、下地層９をパターニングする。この時点では、下地層９の媒体対向面３０における幅は、被エッチング部１０ＡＱの媒体対向面３０における幅とほぼ等しい。被パターニング層１０Ｐと下地層９のエッチングは、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて行われる。下地層９のエッチングの際には、絶縁層８より分離した物質２１が、パターニング後の下地層９の両側部に付着する。
【００７９】
図１４は、図７に示した工程を表している。この工程では、例えば反応性イオンエッチングを用いて、下地層９をオーバーエッチングする。このエッチングによってパターニングされた後の下地層９の媒体対向面３０における幅は、被エッチング部１０ＡＱの媒体対向面３０における幅よりも小さくなる。このエッチングの際にも、絶縁層８より分離した物質２１が、パターニング後の下地層９の両側部に付着する。
【００８０】
図１５は、図８に示した工程を表している。この工程では、イオンビームエッチングを用いて、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングして、被エッチング部１０ＡＱの底面における幅が上面における幅よりも小さくなるように、被エッチング部１０ＡＱの両側面を斜面化する。
【００８１】
本実施の形態では、下地層９は、磁極層１０を構成する磁性合金、すなわち磁性層１０Ｑを構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されている。そのため、図１５に示した工程では、被エッチング部１０ＡＱに比べて、下地層９のエッチングの進行が速くなる。また、下地層９を構成する材料は、絶縁層８を構成する絶縁材料、例えばアルミナに比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料でもある。また、下地層９を構成する材料は、絶縁層８を構成する絶縁材料、例えばアルミナに比べて、イオンビームエッチングの際に他の層に付着する物質の量が少なくなる材料でもある。これらのことから、本実施の形態によれば、下地層９を設けない場合に比べて、被エッチング部１０ＡＱの底部近傍におけるエッチング速度を大きくすることができる。その結果、本実施の形態によれば、短時間のイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部１０Ａを、所望の形状すなわち媒体対向面３０に配置されたトラック幅規定部１０Ａの端面の幅が第１の辺Ａ１に近づくに従って小さくなるような形状に形成することができる。
【００８２】
なお、本実施の形態では、図１４に示した工程を省略して、図１３に示したように、下地層９と被エッチング部１０ＡＱのそれぞれの媒体対向面３０における幅がほぼ等しい状態から、図１５に示したように被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングしてもよい。この場合でも、被エッチング部１０ＡＱに比べて、下地層９のエッチングの進行が速くなるので、トラック幅規定部１０Ａを、所望の形状に形成することができる。
【００８３】
ところで、トラック幅規定部１０Ａを所望の形状にするために長時間のイオンビームエッチングを行うと、ネックハイトＮＨが所望の値よりも大きくなってオーバーライト特性が劣化する。これに対し、本実施の形態では、前述のように、短時間のイオンビームエッチングによって、トラック幅規定部１０Ａを所望の形状にすることができる。従って、本実施の形態によれば、ネックハイトＮＨが所望の値よりも大きくなってオーバーライト特性が劣化することを防止することができる。
【００８４】
以上のことから、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層１０を正確に形成することが可能になる。
【００８５】
なお、本実施の形態では、図１４に示した工程において、下地層９のうち、被エッチング部１０ＡＱの下に存在する部分が完全に除去されるまで、下地層９をオーバーエッチングしてもよい。この場合、下地層９は、被エッチング部１０ＡＱの下以外の領域には存在しているので、磁性層１０Ｑは、下地層９によって支持される。また、この場合、トラック幅規定部１０Ａと絶縁層８との間に生じる空間は、後に非磁性層１２によって埋められる。
【００８６】
また、本実施の形態では、下地層９の成膜の条件にもよるが、下地層９の内部応力が引張り応力となるようにすることができる。下地層９の内部応力が引張り応力となる場合には、トラック幅規定部１０Ａには、媒体対向面３０に垂直な方向に圧縮応力が作用する。これにより、磁極層１０の磁歪定数が正の値の場合には、逆磁歪効果により、トラック幅規定部１０Ａに、媒体対向面３０に平行な方向の磁化が発生する。これにより、記録動作後における磁極層１０の残留磁化に起因してトラック幅規定部１０Ａより発生される磁界によって記録媒体に記録されている情報が消去される現象の発生を抑制することが可能になる。
【００８７】
図１６および図１７は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの変形例を示している。図１６は、変形例の磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図１７は変形例の磁気ヘッドの構成を示す断面図である。なお、図１７は媒体対向面および基板の面に垂直な断面を示している。この変形例の磁気ヘッドは、以下で詳しく説明するように、図１および図２に示したコイル１８の代わりに、磁極層１０を中心にして螺旋状に配置されたコイルを備えている。
【００８８】
この変形例では、図１および図２に示した絶縁層８の代わりに、絶縁層２３、連結層２４、複数の第１の導体部分２５Ａおよび絶縁層２６，２７，２８を備えている。また、変形例では、図１および図２に示したコイル１８の代わりに、複数の第２の導体部分２５Ｂを備えている。第１の導体部分２５Ａおよび第２の導体部分２５Ｂは、銅等の導電性材料によって構成されている。絶縁層２３は、例えばアルミナよりなり、上部シールド層７の上に配置されている。絶縁層２３には、媒体対向面３０から離れた位置において、開口部が形成されている。連結層２４は、磁性材料よりなり、絶縁層２３の開口部が形成された位置において上部シールド層７の上に配置されている。第１の導体部分２５Ａは、連結層２４と媒体対向面３０との間の位置において絶縁層２３の上に配置されている。絶縁層２６は、例えばフォトレジストよりなり、第１の導体部分２５Ａを覆うように配置されている。絶縁層２７は、例えばアルミナよりなり、第１の導体部分２５Ａおよび絶縁層２６を覆うように配置されている。絶縁層２８は、例えばアルミナよりなり、第１の導体部分２５Ａおよび絶縁層２６，２７の上に配置されている。下地層９は、絶縁層２８の上面の上に配置されている。
【００８９】
複数の第１の導体部分２５Ａは、上部シールド層７と磁極層１０との間において、媒体対向面３０に垂直な方向に対して交差する方向に延び、配列されている。複数の第２の導体部分２５Ｂは、シールド層１６の第３層１６Ｅと磁極層１０との間において、媒体対向面３０に垂直な方向に対して交差する方向に延び、配列されている。複数の第１の導体部分２５Ａと複数の第２の導体部分２５Ｂは、図示しない複数の接続部によって接続されている。この接続部は、銅等の導電性材料によって構成されている。第１の導体部分２５Ａと第２の導体部分２５Ｂと接続部によって、コイルが構成されている。このコイルは、磁極層１０に対して絶縁された状態で、磁極層１０の回りに螺旋状に巻回されている。
【００９０】
変形例の磁気ヘッドの製造方法において、絶縁層２３から下地層９までの部分は、以下のようにして形成される。まず、上部シールド層７の上に絶縁層２３を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、絶縁層２３を選択的にエッチングして、絶縁層２３に開口部を形成する。次に、絶縁層２３の上に第１の導体部分２５Ａを形成すると共に、絶縁層２３の開口部が形成された位置において上部シールド層７の上に連結層２４を形成する。次に、絶縁層２６，２７，２８を順に形成する。次に、絶縁層２８の上に下地層９を形成する。
【００９１】
変形例の磁気ヘッドでは、第１の導体部分２５Ａと第２の導体部分２５Ｂと接続部によって構成されたコイルによって、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。上部シールド層７、連結層２４、磁極層１０およびシールド層１６は、コイルが発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。
【００９２】
なお、本実施の形態において、図１および図２に示した平面渦巻き形状のコイル１８の他に、上部シールド層７と磁極層１０との間に、これらに対して絶縁された状態で、もう一つの平面渦巻き形状のコイルを設けてもよい。
【００９３】
［第２の実施の形態］
次に、図１８ないし図２５を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図１８ないし図２５において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図１８ないし図２５では、絶縁層８よりも基板１側の部分を省略している。
【００９４】
本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、下地層９は、磁極層１０を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きく、且つ導電性を有する材料によって構成されている。具体的には、下地層９を構成する材料は、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含んでいる。また、磁極層１０は、第１層１０１と、この第１層１０１の上に配置された第２層１０２とで構成されている。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、下地層９を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【００９５】
図１８は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法を用いて、下地層９の上に、例えば５０ｎｍの厚みの電極膜１０１Ｐを形成する。この電極膜１０１Ｐは、後に第１層１０１となる。電極膜１０１Ｐは、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。ここでは、一例として、電極膜１０１Ｐは、ＣｏＦｅＮによって構成されているものとする。次に、電極膜１０１Ｐの上に、例えば１μｍの厚みのフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層をパターニングして、後に第２層１０２となる磁性層１０２Ｑを形成するためのフレーム３１を形成する。図１８（ｂ）に示したように、フレーム３１は、磁性層１０２Ｑに対応した形状の溝部を有している。次に、フレームめっき法を用い、下地層９および電極膜１０１Ｐに電流を流して、フレーム３１の溝部内に磁性層１０２Ｑを形成する。この時点における磁性層１０２Ｑの厚みは、例えば０．５〜０．８μｍの範囲内である。磁性層１０２Ｑは、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。ここでは、一例として、磁性層１０２Ｑは、ＣｏＮｉＦｅによって構成されているものとする。磁性層１０２Ｑの形状は、第１の実施の形態における磁性層１０Ｑと同様である。
【００９６】
図１９は、次の工程を示す。この工程では、まず、フレーム３１を除去する。次に、例えば反応性イオンエッチングまたはイオンビームエッチングを用いて、磁性層１０２Ｑをマスクとして、電極膜１０１Ｐおよび下地層９を選択的にエッチングする。このエッチングによってパターニングされた電極膜１０１Ｐを、電極膜１０１Ｑと呼ぶ。また、この時点における電極膜１０１Ｑおよび磁性層１０２Ｑよりなる積層体を、磁性層１０Ｑと呼ぶ。この磁性層１０Ｑは、第１の実施の形態と同様に、被エッチング部１０ＡＱを含んでいる。
【００９７】
次に、例えば反応性イオンエッチングを用いて、下地層９をオーバーエッチングする。図１９（ｂ）に示したように、このエッチングによってパターニングされた後の下地層９の媒体対向面３０における幅は、被エッチング部１０ＡＱの媒体対向面３０における幅よりも小さくなる。なお、下地層９をオーバーエッチングする工程は、省略してもよい。
【００９８】
図２０は次の工程を示す。この工程では、イオンビームエッチングを用いて、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングして、被エッチング部１０ＡＱの底面における幅が上面における幅よりも小さくなるように、被エッチング部１０ＡＱの両側面を斜面化する。被エッチング部１０ＡＱの両側面のエッチングの条件は、第１の実施の形態と同様である。この工程で、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングにより斜面化することにより、被エッチング部１０ＡＱはトラック幅規定部１０Ａとなり、磁性層１０Ｑは磁極層１０となり、電極膜１０１Ｑは第１層１０１となり、磁性層１０２Ｑは第２層１０２となる。
【００９９】
図２１は次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、下地層９と磁極層１０の合計の厚みと等しい厚みの非磁性層１２を形成する。次に、磁極層１０の近傍の領域を除いて、非磁性層１２の上に、例えば１０〜２０ｎｍのストッパ膜１３を形成する。このストッパ膜１３の材料は、第１の実施の形態と同様である。次に、積層体の上面全体の上に、例えば０．３〜０．８μｍの厚みで、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を形成する。
【０１００】
図２２は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、絶縁膜１４および非磁性層１２を研磨する。この研磨は、ストッパ膜１３が露出した時点で停止する。次に、例えば反応性イオンエッチングやウェットエッチングによって、ストッパ膜１３を除去する。これにより、非磁性層１２の上面が露出する。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性層１２および絶縁膜１４の上面をわずかに研磨して、磁極層１０の上面を露出させると共に、磁極層１０および非磁性層１２の上面を平坦化する。これにより、磁極層１０の厚みを、所望の値になるように制御することができる。
【０１０１】
次に、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１５を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１５を選択的にエッチングして、ギャップ層１５に開口部を形成する。次に、ギャップ層１５の上に第１層１６Ａを形成すると共に、ギャップ層１５の開口部が形成された位置において磁極層１０の上に連結層１６Ｂを形成する。第１層１６Ａと連結層１６Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層１７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層１６Ａおよび連結層１６Ｂが露出するまで非磁性層１７を研磨して、第１層１６Ａ、連結層１６Ｂおよび非磁性層１７の上面を平坦化する。
【０１０２】
図２３は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、コイル１８の少なくとも一部が非磁性層１７の上に配置されるように、コイル１８を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成する。なお、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成した後に、コイル１８を形成してもよい。次に、コイル１８を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１９を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層３２を、例えば２．５μｍの厚みで形成する。
【０１０３】
図２４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄおよびコイル１８が露出するまで絶縁層３２および絶縁層１９を研磨して、第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄ、コイル１８および絶縁層１９の上面を平坦化する。次に、コイル１８および絶縁層１９の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層３３を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。
【０１０４】
次に、図２５に示したように、例えばフレームめっき法によって、第３層１６Ｅを形成して、シールド層１６を完成させる。次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【０１０５】
以上説明したように、本実施の形態では、磁極層１０となる磁性層１０Ｑは、めっき法を用いて形成される。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０６】
［第３の実施の形態］
次に、図２６ないし図３４を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図２６ないし図３４において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図２６ないし図３４では、絶縁層８よりも基板１側の部分を省略している。
【０１０７】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、絶縁層８を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１０８】
図２６は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法を用いて、絶縁層８の上に、磁性材料よりなるヨーク層３７を、例えば１μｍの厚みで形成する。ヨーク層３７の材料としては、例えばＣｏＮｉＦｅが用いられる。ヨーク層３７の媒体対向面３０側の端部は、媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。次に、例えばスパッタ法を用いて、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層３８を、例えば２μｍの厚みに形成する。
【０１０９】
図２７は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、ヨーク層３７が露出するまで絶縁層３８を研磨する。この研磨では、絶縁層３８の上面の方が基板１に近づくように、ヨーク層３７の上面と絶縁層３８の上面との間に、例えば０．１μｍの段差が生じるようにする。これは、研磨用のスラリーとして、ヨーク層３７よりも絶縁層３８が速く化学研磨されるようなスラリー、例えば弱アルカリ系スラリーを用いることにより可能である。次に、例えばスパッタ法を用いて、積層体の上面全体の上に、例えば０．３μｍの厚みの下地層９を形成する。下地層９の材料は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１０】
図２８は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、ヨーク層３７が露出するまで下地層９を研磨する。これにより、ヨーク層３７の媒体対向面３０側の端部から媒体対向面３０までの領域において、絶縁層３８の上に、例えば０．１μｍの厚みの下地層９が配置されることになる。次に、例えばスパッタ法を用いて、下地層９およびヨーク層３７の上に、最終的には磁極層１０となる被パターニング層１０Ｐを形成する。被パターニング層１０Ｐの材料および厚みは、第１の実施の形態と同様である。
【０１１１】
次に、例えばスパッタ法を用いて、被パターニング層１０Ｐの上に、例えば１．２μｍの厚みのアルミナ層１１を形成する。次に、このアルミナ層１１の上に、フレームめっき法によって、例えばＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅよりなるエッチングマスク２２を、例えば０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。マスク２２の平面形状は、形成しようとする磁極層１０の平面形状に対応している。
【０１１２】
図２９は、次の工程を示す。この工程では、まず、マスク２２を用いて、アルミナ層１１を選択的にエッチングする。アルミナ層１１のエッチングは、例えば反応性イオンエッチングを用いて行われる。次に、エッチング後に残ったアルミナ層１１をマスクとして、被パターニング層１０Ｐを選択的にエッチングする。このエッチングにより、被パターニング層１０Ｐはパターニングされて、後に磁極層１０となる磁性層１０Ｑとなる。この磁性層１０Ｑは、後に両側面がエッチングによって斜面化されることによってトラック幅規定部１０Ａとなる被エッチング部１０ＡＱを含んでいる。被パターニング層１０Ｐのエッチング方法は、第１の実施の形態と同様である。
【０１１３】
次に、磁性層１０Ｑをマスクとして、下地層９を選択的にエッチングして、下地層９をパターニングする。下地層９のエッチングも、第１の実施の形態と同様である。次に、例えば反応性イオンエッチングを用いて、下地層９をオーバーエッチングする。図２９（ｂ）に示したように、このエッチングによってパターニングされた後の下地層９の媒体対向面３０における幅は、被エッチング部１０ＡＱの媒体対向面３０における幅よりも小さくなる。反応性イオンエッチングを用いて下地層９をエッチングする際の条件は、例えば、被パターニング層１０Ｐをエッチングする際の条件と同じである。なお、下地層９をオーバーエッチングする工程は、省略してもよい。
【０１１４】
図３０は次の工程を示す。この工程では、イオンビームエッチングを用いて、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングして、被エッチング部１０ＡＱの底面における幅が上面における幅よりも小さくなるように、被エッチング部１０ＡＱの両側面を斜面化する。被エッチング部１０ＡＱの両側面のエッチングの条件は、第１の実施の形態と同様である。この工程で、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングにより斜面化することにより、被エッチング部１０ＡＱはトラック幅規定部１０Ａとなり、磁性層１０Ｑは磁極層１０となる。
【０１１５】
図３１は次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、下地層９と磁極層１０の合計の厚みと等しい厚みの非磁性層１２を形成する。次に、磁極層１０の近傍の領域を除いて、非磁性層１２の上に、例えば１０〜２０ｎｍのストッパ膜１３を形成する。このストッパ膜１３の材料は、第１の実施の形態と同様である。例えば、Ｔａ、Ｒｕ、Ｗ等の非磁性の高融点金属が用いられる。次に、積層体の上面全体の上に、例えば０．３〜０．８μｍの厚みで、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を形成する。
【０１１６】
図３２は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、絶縁膜１４および非磁性層１２を研磨する。この研磨は、ストッパ膜１３が露出した時点で停止する。次に、例えば反応性イオンエッチングやウェットエッチングによって、ストッパ膜１３を除去する。これにより、非磁性層１２の上面が露出する。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性層１２および絶縁膜１４の上面をわずかに研磨して、磁極層１０の上面を露出させると共に、磁極層１０および非磁性層１２の上面を平坦化する。これにより、磁極層１０の厚みを、所望の値になるように制御することができる。
【０１１７】
図３３は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１５を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１５を選択的にエッチングして、ギャップ層１５に開口部を形成する。次に、ギャップ層１５の上に第１層１６Ａを形成すると共に、ギャップ層１５の開口部が形成された位置において磁極層１０の上に連結層１６Ｂを形成する。第１層１６Ａと連結層１６Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層１７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層１６Ａおよび連結層１６Ｂが露出するまで非磁性層１７を研磨して、第１層１６Ａ、連結層１６Ｂおよび非磁性層１７の上面を平坦化する。
【０１１８】
図３４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、コイル１８の少なくとも一部が非磁性層１７の上に配置されるように、コイル１８を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成する。なお、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成した後に、コイル１８を形成してもよい。次に、コイル１８を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１９を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる図示しない絶縁膜を、例えば２．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄおよびコイル１８が露出するまで図示しない絶縁膜および絶縁層１９を研磨して、第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄ、コイル１８および絶縁層１９の上面を平坦化する。次に、コイル１８および絶縁層１９の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層３３を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。
【０１１９】
次に、例えばフレームめっき法によって、第３層１６Ｅを形成して、シールド層１６を完成させる。次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【０１２０】
以上説明したように、本実施の形態では、下地層９は、磁極層１０の下の領域全体ではなく、磁極層１０のうちの少なくともトラック幅規定部１０Ａの下の領域に配置されている。また、本実施の形態では、磁極層１０に接続されたヨーク層３７が設けられている。このヨーク層３７は、磁極層１０およびシールド層１６と共に、コイル１８が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２１】
［第４の実施の形態］
次に、図３５ないし図４３を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図３５ないし図４３において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図３５ないし図４３では、絶縁層８よりも基板１側の部分を省略している。
【０１２２】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、絶縁層８を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。
【０１２３】
図３５は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法を用いて、絶縁層８の上に、磁性材料よりなるヨーク層３７を、例えば１μｍの厚みで形成する。ヨーク層３７の材料としては、例えばＣｏＮｉＦｅが用いられる。ヨーク層３７の媒体対向面３０側の端部は、媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。次に、例えばスパッタ法を用いて、積層体の上面全体の上に、絶縁層４１、下地層９、絶縁層４２を順に形成する。絶縁層４１，４２は、例えばアルミナによって構成されている。下地層９の材料は、第１の実施の形態と同様である。絶縁層４１、下地層９、絶縁層４２の厚みは、例えばそれぞれ０．２μｍ、０．１μｍ、０．５μｍである。
【０１２４】
次に、図３６に示したように、例えばＣＭＰによって、ヨーク層３７および下地層９が露出するまで絶縁層４２、下地層９および絶縁層４１を研磨する。これにより、ヨーク層３７の媒体対向面３０側の端部から媒体対向面３０までの領域において、絶縁層４１の上に、例えば０．１μｍの厚みの下地層９が配置されることになる。なお、絶縁層４１は、ヨーク層３７の媒体対向面３０側の端部と下地層９のヨーク層３７側の端部との間にも配置される。
【０１２５】
図３７は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法を用いて、下地層９、ヨーク層３７および絶縁層４１の上に、最終的には磁極層１０となる被パターニング層１０Ｐを形成する。被パターニング層１０Ｐの材料および厚みは、第１の実施の形態と同様である。
【０１２６】
次に、例えばスパッタ法を用いて、被パターニング層１０Ｐの上に、例えば１．２μｍの厚みのアルミナ層１１を形成する。次に、このアルミナ層１１の上に、フレームめっき法によって、例えばＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅよりなるエッチングマスク２２を、例えば０．３〜０．６μｍの厚みに形成する。マスク２２の平面形状は、形成しようとする磁極層１０の平面形状に対応している。
【０１２７】
図３８は、次の工程を示す。この工程では、まず、マスク２２を用いて、アルミナ層１１を選択的にエッチングする。アルミナ層１１のエッチングは、例えば反応性イオンエッチングを用いて行われる。次に、エッチング後に残ったアルミナ層１１をマスクとして、被パターニング層１０Ｐを選択的にエッチングする。このエッチングにより、被パターニング層１０Ｐはパターニングされて、後に磁極層１０となる磁性層１０Ｑとなる。この磁性層１０Ｑは、後に両側面がエッチングによって斜面化されることによってトラック幅規定部１０Ａとなる被エッチング部１０ＡＱを含んでいる。被パターニング層１０Ｐのエッチング方法は、第１の実施の形態と同様である。
【０１２８】
次に、磁性層１０Ｑをマスクとして、下地層９を選択的にエッチングして、下地層９をパターニングする。下地層９のエッチングも、第１の実施の形態と同様である。次に、例えば反応性イオンエッチングを用いて、下地層９をオーバーエッチングする。図３８（ｂ）に示したように、このエッチングによってパターニングされた後の下地層９の媒体対向面３０における幅は、被エッチング部１０ＡＱの媒体対向面３０における幅よりも小さくなる。反応性イオンエッチングを用いて下地層９をエッチングする際の条件は、例えば、被パターニング層１０Ｐをエッチングする際の条件と同じである。なお、下地層９をオーバーエッチングする工程は、省略してもよい。
【０１２９】
図３９は次の工程を示す。この工程では、イオンビームエッチングを用いて、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングして、被エッチング部１０ＡＱの底面における幅が上面における幅よりも小さくなるように、被エッチング部１０ＡＱの両側面を斜面化する。被エッチング部１０ＡＱの両側面のエッチングの条件は、第１の実施の形態と同様である。この工程で、被エッチング部１０ＡＱの両側面をエッチングにより斜面化することにより、被エッチング部１０ＡＱはトラック幅規定部１０Ａとなり、磁性層１０Ｑは磁極層１０となる。
【０１３０】
図４０は次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、下地層９と磁極層１０の合計の厚みと等しい厚みの非磁性層１２を形成する。次に、磁極層１０の近傍の領域を除いて、非磁性層１２の上に、例えば１０〜２０ｎｍのストッパ膜１３を形成する。このストッパ膜１３の材料は、第１の実施の形態と同様である。次に、積層体の上面全体の上に、例えば０．３〜０．８μｍの厚みで、例えばアルミナよりなる絶縁膜１４を形成する。
【０１３１】
図４１は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、絶縁膜１４および非磁性層１２を研磨する。この研磨は、ストッパ膜１３が露出した時点で停止する。次に、例えば反応性イオンエッチングやウェットエッチングによって、ストッパ膜１３を除去する。これにより、非磁性層１２の上面が露出する。次に、例えばＣＭＰによって、非磁性層１２および絶縁膜１４の上面をわずかに研磨して、磁極層１０の上面を露出させると共に、磁極層１０および非磁性層１２の上面を平坦化する。これにより、磁極層１０の厚みを、所望の値になるように制御することができる。
【０１３２】
図４２は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、ギャップ層１５を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層１５を選択的にエッチングして、ギャップ層１５に開口部を形成する。次に、ギャップ層１５の上に第１層１６Ａを形成すると共に、ギャップ層１５の開口部が形成された位置において磁極層１０の上に連結層１６Ｂを形成する。第１層１６Ａと連結層１６Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層１７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１層１６Ａおよび連結層１６Ｂが露出するまで非磁性層１７を研磨して、第１層１６Ａ、連結層１６Ｂおよび非磁性層１７の上面を平坦化する。
【０１３３】
図４３は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、コイル１８の少なくとも一部が非磁性層１７の上に配置されるように、コイル１８を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成する。なお、第２層１６Ｃおよび連結層１６Ｄを形成した後に、コイル１８を形成してもよい。次に、コイル１８を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層１９を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる図示しない絶縁膜を、例えば２．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄおよびコイル１８が露出するまで図示しない絶縁膜および絶縁層１９を研磨して、第２層１６Ｃ、連結層１６Ｄ、コイル１８および絶縁層１９の上面を平坦化する。次に、コイル１８および絶縁層１９の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層３３を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。
【０１３４】
次に、例えばフレームめっき法によって、第３層１６Ｅを形成して、シールド層１６を完成させる。次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【０１３５】
以上説明したように、本実施の形態では、下地層９は、磁極層１０の下の領域全体ではなく、磁極層１０のうちの少なくともトラック幅規定部１０Ａの下の領域に配置されている。また、本実施の形態では、磁極層１０に接続されたヨーク層３７が設けられている。このヨーク層３７は、磁極層１０およびシールド層１６と共に、コイル１８が発生する磁界に対応した磁束を通過させる磁路を形成する。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３６】
［第５の実施の形態］
次に、図４４ないし図５３を参照して、本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドおよびその製造方法について説明する。図４４ないし図５３において、（ａ）は、磁気ヘッドの製造過程における積層体の、媒体対向面および基板に垂直な断面を示し、（ｂ）は、積層体の、媒体対向面の近傍における媒体対向面に平行な断面を示している。なお、図４４ないし図５３では、絶縁層８よりも基板１側の部分を省略している。
【０１３７】
本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、磁極層１０は、第１層５１と、この第１層５１の上に配置された第２層５２とで構成されている。また、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、第１の実施の形態におけるギャップ層１５、シールド層１６、非磁性層１７、コイル１８および絶縁層１９，２０の代わりに、ギャップ層５５、シールド層５６、非磁性層５７、絶縁層５８、コイル５９および絶縁層６０，６１を備えている。ギャップ層５５の材料は、ギャップ層１５と同様である。シールド層５６は、第１層５６Ａ、ヨーク層５６Ｂ、第２層５６Ｃ、連結層５６Ｄ、第３層５６Ｅを有している。これらの各層は、例えば、ＮｉＦｅまたはＣｏＮｉＦｅによって形成されている。
【０１３８】
本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、下地層９を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態における下地層９は、磁極層１０を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きく、且つ導電性を有する材料によって構成されている。具体的には、下地層９を構成する材料は、例えば、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｒｕ、ＴｉＷ、ＴｉＮ、ＮｉＣｒ、ＰｔＰｄ、ＮｉＣｕのいずれかを含んでいる。また、本実施の形態における下地層９の厚みは、例えば５０〜１００ｎｍの範囲内とする。
【０１３９】
図４４は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法を用いて、下地層９の上に電極膜５１Ｐを形成する。電極膜５１Ｐの厚みは、例えば１０〜２０ｎｍの範囲内とする。この電極膜５１Ｐは、後に第１層５１となる。電極膜５１Ｐは、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。ここでは、一例として、電極膜５１Ｐは、ＣｏＦｅＮまたはＮｉＦｅによって構成されているものとする。
【０１４０】
図４５は、次の工程を示す。この工程では、まず、電極膜５１Ｐの上に、例えば１μｍの厚みのフォトレジスト層を形成し、このフォトレジスト層をパターニングして、第２層５２を形成するためのフレーム５３を形成する。図４５（ｂ）に示したように、フレーム５３は、第２層５２に対応した形状の溝部を有している。この溝部は、磁極層１０のトラック幅規定部１０Ａの両側面に対応する２つの壁面を有している。この２つの壁面の間隔は、上側ほど大きくなっている。また、各壁面と基板１の上面に垂直な方向とのなす角度は、例えば５°〜１２°の範囲内である。
【０１４１】
次に、フレームめっき法を用い、フレーム５３の溝部内に、第２層５２を形成する。この時点における第２層５２の厚みは、例えば０．７μｍである。第２層５２は、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかを含む磁性合金によって構成されている。ここでは、一例として、第２層５２は、ＣｏＮｉＦｅまたはＮｉＦｅによって構成されているものとする。
【０１４２】
第２層５２を形成する際、下地層９および電極膜５１Ｐに電流を流す。このように、本実施の形態では、下地層９および電極膜５１Ｐが、めっきの際の電極として機能する。
【０１４３】
次に、図４６に示したように、フレーム５３を除去する。図４７は、次の工程を示す。この工程では、まず、イオンビームエッチングを用いて、電極膜５１Ｐのうち、第２層５２の下に存在している部分以外の部分を除去する。これにより、電極膜５１Ｐは第１層５１となり、第１層５１および第２層５２よりなる磁極層１０が形成される。次に、イオンビームエッチングを用いて、下地層９のうち、磁極層１０の下に存在している部分以外の部分を除去する。電極膜５１Ｐおよび下地層９のエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を４５〜５５°として行われる。図４７に示した工程において、イオンビームエッチングを用いて、磁極層１０のトラック幅規定部１０Ａの両側面もエッチングしてもよい。例えばエッチング時間を調整してトラック幅規定部１０Ａの両側面のエッチング量を調整することにより、トラック幅を所望の値になるように調整したり、トラック幅規定部１０Ａの両側面が基板１の上面に垂直な方向とのなす角度を所望の値になるように調整したりすることができる。
【０１４４】
図４８は次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性層１２を、例えば０．８〜１．２μｍの範囲内の厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁極層１０の厚みが例えば０．２〜０．３５μｍの範囲内の値になるように、非磁性層１２および磁極層１０を研磨する。この研磨の停止位置は、第１の実施の形態と同様に、ストッパ膜を用いて制御してもよい。
【０１４５】
図４９は次の工程を示す。この工程では、まず、例えばスパッタ法を用いて、積層体の上面全体の上に、ギャップ層５５を形成する。次に、媒体対向面３０から離れた位置において、ギャップ層５５を選択的にエッチングして、ギャップ層５５に開口部を形成する。次に、ギャップ層５５の上に第１層５６Ａを形成すると共に、ギャップ層５５の開口部が形成された位置において磁極層１０の上にヨーク層５６Ｂを形成する。第１層５６Ａとヨーク層５６Ｂは、フレームめっき法によって形成してもよいし、スパッタ法によって磁性層を形成した後、この磁性層を選択的にエッチングすることによって形成してもよい。
【０１４６】
次に、図５０に示したように、積層体の上面全体の上に、非磁性層５７を、例えば０．５〜１．０μｍの範囲内の厚みで形成する。非磁性層５７は、例えば、アルミナや塗布ガラス等の無機絶縁材料によって形成されている。
【０１４７】
図５１は次の工程を示す。この工程では、まず、例えばＣＭＰによって、第１層５６Ａおよびヨーク５６Ｂが露出するまで非磁性層５７を研磨して、第１層５６Ａ、ヨーク層５６Ｂおよび非磁性層５７の上面を平坦化する。また、この研磨によって、第１層５６Ａの厚みが例えば０．３〜０．７μｍの範囲内の値となるようにする。次に、例えばスパッタ法を用いて、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層５８を、例えば０．２〜０．３μｍの範囲内の厚みで形成する。次に、この絶縁層５８のうち、後にコイル５９および絶縁層６０が配置される部分以外の部分を、エッチングによって除去する。
【０１４８】
図５２は、次の工程を示す。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、絶縁層５８の上に配置されるように、コイル５９を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２層５６Ｃおよび連結層５６Ｄを形成する。なお、第２層５６Ｃおよび連結層５６Ｄを形成した後に、コイル５９を形成してもよい。
【０１４９】
図５３は、次の工程を示す。この工程では、まず、コイル５９を覆うように、例えばフォトレジストよりなる絶縁層６０を選択的に形成する。次に、積層体の上面全体の上に、例えばアルミナよりなる図示しない絶縁膜を、例えば３〜３．５μｍの厚みで形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２層５６Ｃ、連結層５６Ｄおよびコイル５９が露出するまで図示しない絶縁膜および絶縁層６０を研磨して、第２層５６Ｃ、連結層５６Ｄ、コイル５９および絶縁層６０の上面を平坦化する。次に、コイル５９および絶縁層６０の上に、例えばアルミナよりなる絶縁層６１を、例えば０．２μｍの厚みで形成する。
【０１５０】
次に、例えばフレームめっき法によって、例えば１〜３μｍの範囲内の厚みの第３層５６Ｅを形成して、シールド層５６を完成させる。次に、図示しないが、積層体の上面全体を覆うように保護層を形成する。次に、保護層の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。
【０１５１】
本実施の形態では、めっき法を用いて磁極層１０の第２層５２を形成する。その後、イオンビームエッチングを用いて、磁極層１０の第１層５１となる電極膜５１Ｐのうち、第２層５２の下に存在している部分以外の部分を除去する。本実施の形態では、更に、イオンビームエッチングを用いて、下地層９のうちの磁極層１０の下に存在する部分以外の部分を除去する。
【０１５２】
下地層９は、めっき法によって第２層５２を形成する際の電極の一部として機能する。従って、本実施の形態によれば、下地層９を設けない場合に比べて、下地層９の厚みの分だけ、電極膜５１Ｐの厚みを小さくすることができる。一方、下地層９は、磁極層１０を構成する磁性合金に比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料によって構成されている。そのため、下地層９のエッチングは短時間で行うことができる。従って、本実施の形態によれば、下地層９を設けない場合において電極膜のエッチングに要する時間よりも、電極膜５１Ｐおよび下地層９のエッチングに要する時間を短くすることができる。その結果、本実施の形態によれば、長時間のエッチングによってネックハイトが所望の値よりも大きくなることを防止することができる。
【０１５３】
また、下地層９を構成する材料は、絶縁層８を構成する絶縁材料、例えばアルミナに比べて、イオンビームエッチングにおけるエッチング速度が大きい材料でもある。また、下地層９を構成する材料は、絶縁層８を構成する絶縁材料、例えばアルミナに比べて、イオンビームエッチングの際に他の層に付着する物質の量が少なくなる材料でもある。これらのことから、本実施の形態によれば、特にトラック幅規定部１０Ａの底部近傍における形状の崩れを防止でき、下地層９を設けない場合に比べて、所望の形状の磁極層１０を正確に形成することが可能になる。
【０１５４】
以上のことから、本実施の形態によれば、スキューに起因した問題の発生を防止できる形状を有する磁極層１０を正確に形成することが可能になる。本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１５５】
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第２ないし第５の実施の形態においても、第１の実施の形態における変形例と同様に、平面渦巻き形状のコイル１８の代わりに、磁極層１０を中心にして螺旋状に配置されたコイルを設けてもよい。また、第２ないし第５の実施の形態においても、平面渦巻き形状のコイル１８の他に、もう一つの平面渦巻き形状のコイルを設けてもよい。
【０１５６】
また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁極層を示す平面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図５】図４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図６】図５に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図７】図６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図８】図７に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図９】図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１０】図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図１３】図６に示した工程を説明するための断面図である。
【図１４】図７に示した工程を説明するための断面図である。
【図１５】図８に示した工程を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態における変形例の磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態における変形例の磁気ヘッドの構成を示す断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図１９】図１８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２０】図１９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２１】図２０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２２】図２１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２３】図２２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２４】図２３に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２５】図２４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２６】本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図２７】図２６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２８】図２７に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図２９】図２８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３０】図２９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３１】図３０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３２】図３１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３３】図３２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３４】図３３に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３５】本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図３６】図３５に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３７】図３６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３８】図３７に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図３９】図３８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４０】図３９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４１】図４０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４２】図４１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４３】図４２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４４】本発明の第５の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。
【図４５】図４４に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４６】図４５に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４７】図４６に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４８】図４７に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図４９】図４８に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図５０】図４９に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図５１】図５０に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図５２】図５１に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図５３】図５２に示した工程に続く工程を示す説明図である。
【図５４】磁極層の形成方法の一例について説明するための断面図である。
【図５５】磁極層の形成方法の一例について説明するための断面図である。
【図５６】図５５に示した磁極層の平面図である。
【符号の説明】
【０１５８】
９…下地層、１０…磁極層、１５…ギャップ層、１６…シールド層、１８…コイル、３０…媒体対向面。
【図１】
2006085884.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006085884.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006085884.tif 000011
【図１０】
2006085884.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2006085884.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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