(57)【要約】【課題】位相遅延膜を液晶表示装置内部に形成することによって製品コストを節減できる表示装置と薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】透過領域と反射領域を有する表示装置の薄膜トランジスタ表示板であって、基板と、前記基板上に形成される透明電極と、前記反射領域に位置し、前記透明電極上に形成される反射電極と、前記反射電極上に形成される第１位相遅延膜と、前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜とを備える。【選択図】図４
2006171754.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過領域と反射領域を有する表示装置の薄膜トランジスタ表示板であって、
基板と、
前記基板上に形成される透明電極と、
前記反射領域に位置し、前記透明電極上に形成される反射電極と、
前記反射電極上に形成される第１位相遅延膜と、
前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記第１及び第２位相遅延膜の速い軸の角度差が５０°〜７０°であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記第１位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第２位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記透過領域に位置し、前記透明電極上に形成される第３位相遅延膜と、
前記第３位相遅延膜上に形成される第４位相遅延膜とをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記基板の下面に形成される偏光板をさらに備え、前記第３及び第４位相遅延膜の速い軸は、前記偏光板の透過軸と垂直または水平をなすことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記第３位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第４位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記第１及び第３位相遅延膜が同一層で形成され、前記第２及び第４位相遅延膜が同一層で形成されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記第１乃至第４位相遅延膜は、液晶分子からなる液晶層で形成されることを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記反射電極の高さと前記透過領域に位置する透明電極の高さが互いに異なることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
透過領域と反射領域を有する表示装置であって、
第１基板と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板上に形成される透明電極と、
前記反射領域に位置し、前記透明電極上に形成される反射電極と、
前記反射電極上に形成される第１位相遅延膜と、
前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜と、
前記第２基板上に形成されるカラーフィルタと、
前記カラーフィルタ上に形成される共通電極とを備えることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２位相遅延膜の速い軸の角度差が５０°〜７０°であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２基板の外側面に配置される偏光フィルムをさらに備え、
前記第１及び第２位相遅延膜の速い軸が前記偏光フィルムの透過軸となす角度は、各々７５°と１５°、−７５°と−１５°、１５°と７５°、及び−１５°と−７５°の内のいずれか一対となるように形成されることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第２位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記透過領域に位置し、前記透明電極上に形成される第３位相遅延膜と、
前記第３位相遅延膜上に形成される第４位相遅延膜とをさらに備えることを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１基板の外面に形成される偏光板をさらに備え、前記第３及び第４位相遅延膜の速い軸は、前記偏光板の透過軸と垂直または水平をなすことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第３位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第４位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記反射領域と前記透過領域での前記カラーフィルタの厚さが互いに異なることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記透過領域に位置し、前記第２基板と前記カラーフィルタの間に形成される第１絶縁膜と、
前記反射領域に位置し、前記共通電極上に形成される第２絶縁膜とをさらに備え、
前記カラーフィルタは、前記反射領域でライトホールを有することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１９】
反射領域と透過領域を有する表示装置の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法であって、
基板上に透明電極を形成する段階と、
前記反射領域に位置する前記透明電極上に反射電極を形成する段階と、
前記反射電極上に第１位相遅延膜を形成する段階と、
前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜を形成する段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２０】
前記第１位相遅延膜を形成する段階は、前記反射電極上に第１感光性配向膜を塗布する段階と、
第１マスクを用いて露光して前記第１感光性配向膜の配向軸を生成する段階と、
前記第１感光性配向膜上に液晶分子を塗布して第１液晶層を形成する段階と、
前記第１液晶層を硬化させる段階とを有することを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２１】
前記第２位相遅延膜を形成する段階は、前記第１位相遅延膜上に第２感光性配向膜を塗布する段階と、
第２マスクを用いて露光して前記第２感光性配向膜の配向軸を生成する段階と、
前記第２感光性配向膜上に液晶分子を塗布して第２液晶層を形成する段階と、
前記第２液晶層を硬化させる段階とを有することを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２２】
前記透過領域に位置し、前記透明電極上に第３位相遅延膜を形成する段階と、
前記第３位相遅延膜上に第４位相遅延膜を形成する段階とをさらに有することを特徴とする請求項１９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２３】
前記第１及び第３位相遅延膜は同一工程で形成され、前記第２及び第４位相遅延膜は同
一工程で形成されることを特徴とする請求項２２に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置と薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関し、特に、位相遅延膜を液晶表示装置内部に形成することによって製品コストを節減できる表示装置と薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在最も広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これによって液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置は、光源に応じて、液晶セルの背面に位置した照明部を用いて画像を表示する透過型液晶表示装置、自然外部光を用いて画像を表示する反射型液晶表示装置、及び透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置の構造を結合したものであって、室内や外部光源が存在しない暗い所では、表示素子自体の内蔵光源を利用して画像を表示する透過モードで作動し、室外の高照度環境では、外部光を反射して画像を表示する反射モードで作動する半透過型液晶表示装置に区分される。
【０００４】
このうち半透過型液晶表示装置は、二つの表示板の外側面に入射光に対し特定の偏光成分のみを透過させる偏光板が付着されており、同時に表示板と偏光板の間に１／４波長位相遅延フィルムが配置される。このような位相遅延フィルムは、二つの偏光成分に対して１／４波長だけの位相差を与えて、線偏光を円偏光に変えたり、円偏光を線偏光に変える役割を果たす。そして、全体の可視光線領域に対して１／４波長位相遅延を生じさせるためには、追加的に１／２波長位相遅延フィルムなどが付着される。
【０００５】
ところが、このような位相遅延フィルムは高価であるので、半透過型液晶表示装置は、透過型液晶表示装置に比べて製品コストが高いという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の表示装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、位相遅延膜を液晶表示装置内部に形成することによって製品コストを節減できる表示装置と薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ表示板は、透過領域と反射領域を有する表示装置の薄膜トランジスタ表示板であって、基板と、前記基板上に形成される透明電極と、前記反射領域に位置し、前記透明電極上に形成される反射電極と、前記反射電極上に形成される第１位相遅延膜と、前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜とを備えることを特徴とする。
【０００８】
前記第１及び第２位相遅延膜の速い軸の角度差が５０°〜７０°であることが好ましい。
前記第１位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第２位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることが好ましい。
前記透過領域に位置し、前記透明電極上に形成される第３位相遅延膜と、前記第３位相遅延膜上に形成される第４位相遅延膜とをさらに備えることが好ましい。
前記基板の下面に形成される偏光板をさらに備え、前記第３及び第４位相遅延膜の速い軸は、前記偏光板の透過軸と垂直または水平をなすことが好ましい。
前記第３位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第４位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることが好ましい。
前記第１及び第３位相遅延膜が同一層で形成され、前記第２及び第４位相遅延膜が同一層で形成されることが好ましい。
前記第１乃至第４位相遅延膜は、液晶分子からなる液晶層で形成されることが好ましい。
前記反射電極の高さと前記透過領域に位置する透明電極の高さが互いに異なることが好ましい。
【０００９】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、透過領域と反射領域を有する表示装置であって、第１基板と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板上に形成される透明電極と、前記反射領域に位置し、前記透明電極上に形成される反射電極と、前記反射電極上に形成される第１位相遅延膜と、前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜と、前記第２基板上に形成されるカラーフィルタと、前記カラーフィルタ上に形成される共通電極とを備えることを特徴とする。
【００１０】
前記第１及び第２位相遅延膜の速い軸の角度差が５０°〜７０°であることが好ましい。
前記第２基板の外側面に配置される偏光フィルムをさらに備え、前記第１及び第２位相遅延膜の速い軸が前記偏光フィルムの透過軸となす角度は、各々７５°と１５°、−７５°と−１５°、１５°と７５°、及び−１５°と−７５°の内のいずれか一対となるように形成されることが好ましい。
前記第１位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第２位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることが好ましい。
前記透過領域に位置し、前記透明電極上に形成される第３位相遅延膜と、前記第３位相遅延膜上に形成される第４位相遅延膜とをさらに備えることが好ましい。
前記第１基板の外面に形成される偏光板をさらに備え、前記第３及び第４位相遅延膜の速い軸は、前記偏光板の透過軸と垂直または水平をなすことが好ましい。
前記第３位相遅延膜は最大１／４波長の位相差を生じさせ、前記第４位相遅延膜は最大１／２波長の位相差を生じさせることが好ましい。
前記反射領域と前記透過領域での前記カラーフィルタの厚さは互いに異なることが好ましい。
前記透過領域に位置し、前記基板と前記カラーフィルタの間に形成される第１絶縁膜と、前記反射領域に位置し、前記共通電極上に形成される第２絶縁膜をさらに備え、前記カラーフィルタは、前記反射領域でライトホールを有することが好ましい。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ表示板を製造する方法は、基板上に透明電極を形成する段階と、前記反射領域に位置する前記透明電極上に反射電極を形成する段階と、前記反射電極上に第１位相遅延膜を形成する段階と、前記第１位相遅延膜上に形成され、速い軸の角度が前記第１位相遅延膜の速い軸の角度と互いに異なる第２位相遅延膜を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１２】
前記第１位相遅延膜を形成する段階は、前記反射電極上に第１感光性配向膜を塗布する段階と、第１マスクを用いて露光して前記第１感光性配向膜の配向軸を生成する段階と、前記第１感光性配向膜上に液晶分子を塗布して第１液晶層を形成する段階と、前記第１液晶層を硬化させる段階とを有することが好ましい。
前記第２位相遅延膜を形成する段階は、前記第１位相遅延膜上に第２感光性配向膜を塗布する段階と、第２マスクを用いて露光して前記第２感光性配向膜の配向軸を生成する段階と、前記第２感光性配向膜上に液晶分子を塗布して第２液晶層を形成する段階と、前記液晶層を硬化させる段階とを有することが好ましい。
前記透過領域に位置し、前記透明電極上に第３位相遅延膜を形成する段階と、前記第３位相遅延膜上に第４位相遅延膜を形成する段階とをさらに有することが好ましい。
前記第１及び第３位相遅延膜は同一工程で形成され、前記第２及び第４位相遅延膜は同一工程で形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る表示装置と薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法によれば、位相遅延膜を液晶表示装置内部に形成することによって、位相遅延フィルムが付着されている高価な半透過型偏光板の代わりに安価な透過型偏光板を使用することができるので、コストを節減することができる効果がある。
また、２個の位相遅延膜を備えることによって、広帯域１／４波長を実現し、反射モードで全体的に完全に暗い状態を表示することができる効果がある。
【００１４】
また、位相遅延膜が反射電極全体を覆っているので、反射電極の腐食に関連する不良を解消することができる。さらに、反射電極の凹凸パターンをある程度平坦化して反射領域でのセルギャップ偏差を低減させるので、半透過型液晶表示装置の収率に大きな影響を及ぼすハイオーバー欠陥を顕著に減らすことができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明に係る表示装置と薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の符号を付けている。層、膜、領域、板などの部分が、他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１６】
以下、本発明の実施形態による表示装置と薄膜トランジスタ表示板、及びその製造方法について説明する。
本発明の一実施形態による表示装置について図１〜図３を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２及び図３は、各々図１に示した液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ’線及びＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図である。
【００１７】
本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００とこれと対向している共通電極表示板２００、及びこれらの間に挿入され、二つの表示板１００、２００の表面に対して垂直または水平に配向されている液晶分子を有する液晶層３からなる。
液晶層３の配向は、９０°捩じれたネマチック（ＴＮ）方式であるか、垂直配向（ＶＡ）方式であることができ、ＥＣＢ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式であることもできる。
表示板１００、２００の外側面には、偏光板１２、２２が備えられている。偏光板２２の透過軸（θ）と偏光板１２の透過軸（θ＋９０°）は直交する。
【００１８】
まず、薄膜トランジスタ表示板１００には、図１〜図３に示すとおり、透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０上に、複数のゲート線１２１と複数の維持電極線１３１が形成されている。
ゲート線１２１は、主に横方向に延びており、互いに分離されてゲート信号を伝達する。各ゲート線１２１は、ゲート電極１２４をなす複数の突起を有し、ゲート線１２１の一端の拡張部１２５は、外部回路との連結のために面積が広い。
維持電極線１３１は、主に横方向に延びており、維持電極１３３をなす複数の突出部を有する。維持電極線１３１には、共通電極表示板２００の共通電極２７０に印加される共通電圧など、予め定められた電圧の印加を受ける。
【００１９】
ゲート線１２１と維持電極線１３１は、アルミニウムとアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀と銀合金などの銀系金属、銅と銅合金などの銅系金属、モリブデンとモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなることが好ましい。ゲート線１２１と維持電極線１３１は、物理的性質が異なる二つの膜、つまり下部膜（図示せず）とその上の上部膜（図示せず）を有することができる。上部膜は、ゲート線１２１と維持電極線１３１の信号遅延や電圧降下を減少させるために低い比抵抗の金属、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属からなる。これとは異なって、下部膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）との接触特性が優れた物質、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、クロム（Ｃｒ）などからなる。下部膜と上部膜の組み合わせの例としては、クロム／アルミニウム−ネオジム（Ｎｄ）合金がある。
【００２０】
ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、単一膜構造を有したり、三層以上の構造を有したりすることができる。
また、ゲート線１２１と維持電極線１３１の側面は、基板１１０表面に対して傾斜しており、その傾斜角は約２０〜８０°である。
ゲート線１２１と維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
【００２１】
ゲート絶縁膜１４０上部には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンはａ−Ｓｉと略称する。）、または多結晶シリコンなどからなる複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は、主に縦方向に延びており、ここから複数の突出部１５４がゲート電極１２４に向けて延び、ここから複数の拡張部１５７が延びている。また、線状半導体１５１は、ゲート線１２１及び維持電極線１３１と出会う地点の付近で幅が大きくなり、ゲート線１２１及び維持電極線１３１の広い面積を覆っている。
線状半導体１５１の上部には、シリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなる複数の線状及び島状オーミック（抵抗性）接触部材１６１、１６５が形成されている。線状接触部材１６１は複数の突出部１６３を有し、この突出部１６３と島状接触部材１６５は対をなして線状半導体１５１の突出部１５４上に位置する。
【００２２】
線状半導体１５１とオーミック接触部材１６１、１６５の側面も基板１１０表面に対して傾斜しており、傾斜角は３０〜８０°である。
オーミック接触部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線１７１と、ここから分離されている複数のドレイン電極１７５が形成されている。
データ線１７１は、主に縦方向に延びてゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差し、データ電圧を伝達する。データ線１７１は、他の層または外部装置との接続のために面積が広い一端の拡張部１７９を有する。
【００２３】
各ドレイン電極１７５は、一つの維持電極１３３と重畳する拡張部１７７を有する。データ線１７１の縦部のそれぞれは、複数の突出部を有し、該突出部を有する縦部がドレイン電極１７５の一端部を一部取り囲むソース電極１７３をなす。ゲート電極１２４、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５は、線状半導体１５１の突出部１５４と共に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャンネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の突出部１５４に形成される。
データ線１７１及びドレイン電極１７５は、クロムまたはモリブデン系の金属、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属からなることが好ましく、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン合金、クロム（Ｃｒ）などの下部膜（図示せず）と、その上に位置したアルミニウム系金属である上部膜（図示せず）からなる多層膜構造を有することもできる。
【００２４】
データ線１７１とドレイン電極１７５もゲート線１２１及び維持電極線１３１と同様に、その側面が約３０〜８０°傾斜角でそれぞれ傾斜している。
オーミック接触部材１６１、１６５は、その下部の線状半導体１５１とその上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。線状半導体１５１は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間を始めとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われず露出した部分を有している。
【００２５】
データ線１７１、ドレイン電極１７５及び露出した線状半導体１５１部分の上には、無機物質である窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなる保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０上部には、平坦化特性が優れてかつ感光性を有する有機物質からなる有機絶縁膜１８７が形成されている。この時、有機絶縁膜１８７の表面は凹凸パターンを有している。ゲート線１２１及びデータ線１７１の拡張部１２５、１７９が形成されているパッド部には、有機絶縁膜１８７が除去されて保護膜１８０のみが残っている。
保護膜１８０には、データ線１７１の拡張部１７９を露出させるコンタクトホール１８３が形成されており、ゲート絶縁膜１４０と共にゲート線１２１の拡張部１２５を露出させるコンタクトホール１８２が形成されている。また、保護膜１８０及び有機絶縁膜１８７には、ドレイン電極１７５の拡張部１７７を露出させるコンタクトホール１８５が形成されている。コンタクトホール１８２、１８３、１８５は、多角形または円形など多様な形態で形成され、側壁は３０〜８５°傾斜角で傾斜しているか、階段状である。
【００２６】
有機絶縁膜１８７上には、複数の画素電極１９０が形成されている。
画素電極１９０は、透明電極１９２及び透明電極１９２上部に形成されている反射電極１９４を有する。透明電極１９２は、透明な導電物質であるＩＴＯまたはＩＺＯからなり、反射電極１９４は、不透明でかつ反射度を有するアルミニウムまたはアルミニウム合金、銀または銀合金などで形成することができる。反射電極１９４は、有機絶縁膜１８７表面の凹凸が反映されて凹凸をなし、この凹凸によって反射電極１９４の反射特性が向上される。
【００２７】
画素電極１９０は、モリブデンまたはモリブデン合金、クロム、チタニウムまたはタンタルなどからなる接触補助層（図示せず）をさらに有することができる。接触補助層は、透明電極１９２と反射電極１９４の接触特性を確保し、透明電極１９２が反射電極１９４を酸化させないようにする役割を果たす。
一つの画素は、大きく透過領域ＴＡ１９５と反射領域ＲＡに区分されるが、透過領域ＴＡ１９５は、反射電極１９４が除去されている領域であり、反射領域ＲＡは、反射電極１９４が存在する領域である。透過領域ＴＡ１９５は、有機絶縁膜１８７が除去されており、透過領域ＴＡ１９５でのセルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）は、反射領域ＲＡでのセルギャップの略２倍である。従って、反射領域ＲＡと透過領域ＴＡで光が液晶層３を通過する光路差による影響を補償することができる。
【００２８】
画素電極１９０は、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５の拡張部１７７と物理的・電気的に接続され、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９０は、共通電極２７０と共に電場を生成することによって、両者間の液晶層３の液晶分子を再配列する。
また、画素電極１９０と共通電極２７０は、キャパシタ（以下、液晶キャパシタと言う。）をなして、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持し、電圧維持能力を強化するために液晶キャパシタと並列に接続された他のキャパシタを設ける。これをストレージキャパシタと言う。ストレージキャパシタは、ドレイン電極１７５の拡張部１７７と維持電極１３３が重畳して形成される。ストレージキャパシタは、画素電極１９０及びこれと隣接するゲート線１２１の重畳などで形成することもでき、この時、維持電極線１３１は省略可能である。
【００２９】
画素電極１９０は、ゲート線１２１及び隣接するデータ線１７１と重畳して開口率を向上させているが、重畳しないこともある。
パッド部の保護膜１８０上には、コンタクトホール１８２、１８３を介して各々ゲート線１２１の拡張部１２５及びデータ線１７１の拡張部１７９と接続されている複数の接触補助部材９５、９７が形成されている。接触補助部材９５、９７は、ゲート線１２１及びデータ線１７１の拡張部１２５、１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割を果たすもので、必須ではなく、これらの適用は選択的である。また、これらは透明電極１９２または反射電極１９４と同一層で形成することもできる。
【００３０】
反射電極１９４及び露出した透明電極１９２上には、液晶層３の位相遅延を補償する位相遅延膜１３が形成されている。位相遅延膜１３は、液晶分子からなる液晶層を硬化させて形成する。
位相遅延膜１３は、最大１／４波長だけの位相差を生じさせる。
まず、反射領域ＲＡに位置する位相遅延膜１３は、速い軸が上部偏光板２２の透過軸と４５°をなすように配置されている。これにより、位相遅延膜１３は、上部偏光板２２によって線偏光された光に対して最大の位相差を生じさせる。位相遅延膜１３は、上部偏光板２２によって偏光された光の成分のうち、位相遅延膜１３の速い軸に平行な成分と垂直な成分の間で１／４波長だけの位相差を与え、線偏光を円偏光に変えたり、円偏光を線偏光に変える役割を果たす。
【００３１】
一方、透過領域ＴＡ１９５に位置する位相遅延膜１３は、速い軸が下部偏光板１２の透過軸と平行に並んで配置されている。その結果、下部偏光板１２によって偏光された光に対しては位相差が生じない。
このように、位相遅延膜１３は、反射領域ＲＡでは反射される光に対して位相差を生じさせるが、透過領域ＴＡ１９５では透過する光に対して何の影響を与えない。これにより、透過領域ＴＡでは、位相遅延膜１３を除去することができる。
【００３２】
画素電極１９０と位相遅延膜１３の間には、感光性配向膜（図示せず）が備えられている。反射領域ＲＡと透過領域ＴＡ１９５での感光性配向膜の露光方向が異なるようにすることで配向膜の配向軸を異なるようにすることができ、これにより、位相遅延膜１３の速い軸の方向を反射領域ＲＡと透過領域ＴＡ１９５とで互いに異なるようにすることができる。
位相遅延膜１３の速い軸が二つの偏光板１２、２２の透過軸となす角度は±５°の範囲内で変更可能である。
【００３３】
一方、薄膜トランジスタ表示板１００と対向する共通電極表示板２００には、透明なガラスなどの絶縁物質からなる基板２１０上に、ブラックマトリックスという遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９０間の光漏れを防止し、画素電極１９０と対向する開口領域を定義する。
複数のカラーフィルタ２３０が基板２１０と遮光部材２２０上に形成され、遮光部材２２０が定義する開口領域内に殆ど入るように配置されている。隣接する二つのデータ線１７１の間に位置し、縦方向に配列されたカラーフィルタ２３０は、互いに連結されて一つの帯をなすことができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色など三原色のうちの一色を表示することができる。
【００３４】
各カラーフィルタ２３０は、透過領域ＴＡ１９５での厚さが反射領域ＲＡでの厚さより厚く形成されており、透過領域ＴＡ１９５と反射領域ＲＡでの光がカラーフィルタ２３０を通過する回数の差によって生じる色のトーン差を補償することができる。さらに、カラーフィルタ２３０の厚さを同一に維持し、反射領域ＲＡのカラーフィルタ２３０にホールを形成することによって、色のトーン差を補償することもできる。
遮光部材２２０及びカラーフィルタ２３０上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる共通電極２７０が形成されている。
【００３５】
次に、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について図４を参照して詳細に説明する。
図４は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図であり、図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。
図４を参照すれば、本実施形態による液晶表示装置も、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、及びこれら二つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を備える。
本実施形態による表示板の層状構造は、図１〜図３と略同様である。
【００３６】
薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。複数のゲート電極１２４を有する複数のゲート線１２１、及び複数の維持電極１３３を有する複数の維持電極線１３１が基板１１０上に形成され、その上に、ゲート絶縁膜１４０、複数の突出部１５４を有する複数の線状半導体１５１、複数の突出部１６３を有する複数の線状オーミック接触部材１６１及び複数の島状オーミック接触部材１６５が順次に形成されている。複数のソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５がオーミック接触部材１６１、１６５上に形成され、保護膜１８０及び有機絶縁膜１８７が順次にその上に形成されている。保護膜１８０及び有機絶縁膜１８７には、複数のコンタクトホール１８２、１８３、１８５が形成され、有機絶縁膜１８７上には、複数の透明電極１９２及び複数の反射電極１９４を有する複数の画素電極１９０が形成されている。薄膜トランジスタ表示板１００の外側面には、偏光板１２が付着されている。
【００３７】
共通電極表示板２００について説明する。遮光部材２２０、複数のカラーフィルタ２３０、及び共通電極２７０が絶縁基板２１０上に形成されている。共通電極表示板２００の外側面には、偏光板２２が付着されている。上部偏光板２２の透過軸は、下部偏光板１２の透過軸と垂直をなす。
図１〜図３の液晶表示装置と異なって、図４では、反射電極１９４及び露出した透明電極１９２上には、液晶層３の位相遅延を補償する２枚の位相遅延膜１５−１６、１７−１８が連続に形成されている。二つの位相遅延膜１５−１６、１７−１８は、液晶分子からなる液晶層を硬化させて形成する。
【００３８】
下部位相遅延膜１５−１６は、最大１／４波長の位相差を生じさせ、上部位相遅延膜１７−１８は、最大１／２波長の位相差を生じさせる。
以下、下部位相遅延膜１５−１６のうち、反射電極１９４上に位置する部分を第１位相遅延膜１５とし、透過電極１９２上に位置する部分を第２位相遅延膜１６とする。また、上部位相遅延膜１７−１８のうち、反射電極１９４上に位置する部分を第３位相遅延膜１７とし、透過電極１９２上に位置する部分を第４位相遅延膜１８とする。
【００３９】
次に、上部偏光板２２の透過軸を基準（０°）に第１〜第４位相遅延膜１５〜１８の速い軸の方向を記載する。
第１及び第３位相遅延膜１５、１７の速い軸の角度は、各々７５°と１５°、−７５°と−１５°、１５°と７５°、及び−１５°と−７５°のいずれか一対で形成されている。第１位相遅延膜１５と第３位相遅延膜１７は、上部偏光板２２によって偏光された光に対して１／４波長だけの位相差を与えて、線偏光を円偏光に変えたり、円偏光を線偏光に変える役割を果たす。第３位相遅延膜１７は、一種の補償フィルムの役割を果たすが、第１位相遅延膜１５と共に広帯域１／４波長位相遅延膜を実現し、反射モードで全体的に完全に暗い状態を表示できるようにする。
【００４０】
第２及び第４位相遅延膜１６、１８の速い軸の角度は、０または９０°で形成されている。よって、第２及び第４位相遅延膜１６、１８の速い軸と下部偏光板１２の透過軸が互いに並んでいたり直交していたりするので、透過領域ＴＡ１９５では位相差が生じない。第２及び第４位相遅延膜１６、１８は、必要に応じて省略可能である。
画素電極１９０と第１及び第２位相遅延膜１５、１６の間と、第１及び第２位相遅延膜１５、１６と、第３及び第４位相遅延膜１７、１８の間には、第１及び第２感光性配向膜（図示せず）がそれぞれ備えられている。反射領域ＲＡと透過領域ＴＡ１９５における第１及び第２感光性配向膜の露光方向をそれぞれ異なるようにすることで、配向膜の配向軸を異なるようにすることができ、これによって第１〜第４位相遅延膜１５〜１８の速い軸の角度を互いに異なるようにすることができる。
位相遅延膜の速い軸が二つの偏光板１２、２２の透過軸となす角度は、±５°の範囲内で変更できる。
【００４１】
本実施形態によれば、位相遅延フィルムが付着されている高価な半透過型偏光板の代わりに安価な透過型偏光板を使用できるのでコストが節減される。また、第１及び第３位相遅延膜１５、１７が反射電極１９４全体を覆っているので、反射電極１９４の腐食に関連する不良を解消することができる。さらに、反射電極１９４の凹凸パターンをある程度平坦化することができ、反射領域ＲＡでのセルギャップ偏差を低減させるので、半透過型液晶表示装置の収率に大きな影響を及ぼすハイオーバー欠陥（ｈｉｇｈｏｖｅｒｄｅ  ｆｅｃｔ）を顕著に減少させることができる。
【００４２】
次に、本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の様々な他の構造について図５〜図８を参照して説明する。
図５〜図８は、本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の様々な他の構造を示した断面図である。
以下、図４に示した液晶表示装置と他の部分についてのみ説明し、同一部分については説明を省略する。
【００４３】
図５に示した液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００は、透過領域ＴＡ１９５で有機絶縁膜１８７が除去されず残っており、透過領域ＴＡ１９５と反射領域ＲＡでのセルギャップが同一である。
【００４４】
図６に示した液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００は、図５と同様に、透過領域ＴＡ１９５で有機絶縁膜１８７が除去されず残っている。共通電極表示板２００には、基板２１０及び遮光部材２２０上に蓋膜２５０が形成されている。透過領域ＴＡでは蓋膜２５０が除去されている。蓋膜２５０及び基板２１０上に複数のカラーフィルタ２３０が形成され、各カラーフィルタ２３０は、透過領域ＴＡでの厚さが反射領域ＲＡでの厚さに比べて厚く形成されている。カラーフィルタ２３０上には共通電極２７０が形成されている。従って、蓋膜２５０の厚さを調節することで透過領域ＴＡでのセルギャップを反射領域ＲＡでのセルギャップの略２倍に形成することができる。
【００４５】
図７に示した液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板１００では、図４と異なって、保護膜１８０にドレイン電極１７５の拡張部１７７を露出させるコンタクトホール１８５が形成されている。保護膜１８０上には複数の透明電極１９２が形成され、透明電極１９２はコンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と接続されている。透明電極１９２上には有機絶縁膜１８７が形成され、有機絶縁膜１８７は透過領域ＴＡ１９５で除去されて透明電極１９２を露出する。有機絶縁膜１８７上には反射電極１９４が形成されている。反射電極１９４は、透過領域ＴＡ１９５の周縁に露出した透明電極１９２に接続されている。
【００４６】
図８に示した液晶表示装置の共通電極表示板２００は、基板２１０上に遮光部材２２０及び複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。各カラーフィルタ２３０は、図４と異なって、透過領域ＴＡでの厚さと反射領域ＲＡでの厚さが実質的に同一に形成されている。各カラーフィルタ２３０の反射領域ＲＡにはライトホール２４０が形成されており、透過領域ＴＡと反射領域ＲＡでの光がカラーフィルタ２３０を通過する回数の差による色のトーン差を補償することができる。
透過領域ＴＡのカラーフィルタ２３０上には、第１絶縁膜２８０が形成されている。また、第１絶縁膜２８０は、反射領域ＲＡのライトホール２４０内部に充填されてカラーフィルタ２３０の表面を平坦化し、その結果、ライトホール２４０のため形成されかねない段差を減らす。
【００４７】
第１絶縁膜２８０及び第１絶縁膜２８０に覆われず露出したカラーフィルタ２３０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は一定の厚さを有し、透過領域ＴＡでは第１絶縁膜２８０の厚さの分反射領域ＲＡより高く形成されている。
反射領域ＲＡの共通電極２７０上には、第２絶縁膜２６０が形成されている。第２絶縁膜２６０の高さと透過領域ＴＡの共通電極２７０の高さは略同一である。第２絶縁膜２６０は、液晶層３の液晶分子より小さい誘電率を有する物質からなることが好ましい。例えば、第２絶縁膜２６０は、アクリル系樹脂（ａｃｒｙｌｉｃ  ｒｅｓｉｎ）またはポリイミド樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ  ｒｅｓｉｎ）のような有機絶縁膜からなることができる。
【００４８】
反射領域ＲＡでの共通電極２７０と反射電極１９４の間の距離と透過領域ＴＡでの共通電極２７０と透明電極１９２の間の距離は、透過領域ＴＡ（透過窓）１９５のため異なる。透過領域ＴＡと反射領域ＲＡでの電極間距離差は、第１絶縁膜２８０によって減少する。そして、電圧分配によって反射領域ＲＡの液晶層３に印加される電圧は、第２絶縁膜２６０が形成されない場合に比べて低い。従って、反射領域ＲＡと透過領域ＴＡにおいてセルギャップ差で生じる液晶層３にかかる電圧の差が緩和される。これにより、反射モードと透過モードの駆動電圧を同一に設定することができる。
【００４９】
次に、図１及び図４に示す本発明の他の実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法について、図９〜図１７を参照して詳細に説明する。
まず、図９及び図１０に示すように、絶縁基板１１０上にスパッタリングなどによってアルミニウムとアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀と銀合金などの銀系金属、銅と銅合金などの銅系金属、モリブデンとモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどからなる導電膜を形成する。
次に、フォトエッチング工程で導電膜をエッチングして、複数のゲート電極１２４と拡張部１２５を有する複数のゲート線１２１、及び複数の維持電極１３３を有する複数の維持電極線１３１を形成する。
【００５０】
次に、図１１及び図１２に示すように、ゲート線１２１及び維持電極線１３１を覆うようにＬＰＣＶＤ（ｌｏｗ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＥＣＶＤ（ｐｌａｓｍａ  ｅｎｈａｎｃｅｄ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）の方法によってゲート絶縁膜１４０、水素化非晶質シリコン膜、Ｎ＋がドーピングされた非晶質シリコン膜を順次に積層し、水素化非晶質シリコン膜、Ｎ＋がドーピングされた非晶質シリコン膜をパターニングして、複数の突出部１５４と複数の拡張部１５７を有する複数の半導体１５１及び複数のオーミック接触パターン１６４を形成する。ゲート絶縁膜１４０は、窒化ケイ素などで形成する。
【００５１】
次に、図１３及び図１４に示すように、クロムまたはモリブデン系金属、タンタル及びチタニウムなどの耐火性金属からなる導電膜をスパッタリングなどで積層する。
次に、フォトエッチング工程で導電膜をエッチングして、複数のソース電極１７３を有するデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５及び複数の拡張部１７７を形成する。
その後、データ線１７１及びドレイン電極１７５に覆われないオーミック接触パターン１６４部分を除去し、オーミック接触パターン１６４を二つのオーミック接触部材１６３、１６５に分離する一方、両者間の半導体の突出部１５４部分を露出させる。次いで、露出した半導体の突出部１５４表面を安定化するために酸素プラズマ処理を行なうことが好ましい。
【００５２】
次に、図１５及び図１６に示すように、窒化ケイ素などからなる保護膜１８０を化学気相蒸着（ＣＶＤ）し、有機物質からなる有機絶縁膜１８７をその上に塗布する。次いで、有機絶縁膜１８７をマスクを用いて露光、現像して、拡張部１７７上部の保護膜１８０を露出させる複数のコンタクトホール１８５を有機絶縁膜１８７に形成し、有機絶縁膜１８７の表面に凹凸パターンを形成すると同時に、透過領域ＴＡ１９５の有機絶縁膜１８７部分を除去して保護膜１８０を露出させる。
次に、感光膜パターンを用いたフォトエッチング工程で保護膜１８０をパターニングして複数のコンタクトホール１８５を完成する。
【００５３】
次に、図１７に示すように、コンタクトホール１８５を介してドレイン電極１７５と接続される複数の透明電極１９２をフォトエッチングで形成する。その後、反射領域ＲＡの透明電極１９２の上部に、銀またはアルミニウムなどからなる反射電極１９４をフォトエッチング工程で形成する。
反射電極１９４及び透過領域ＴＡ１９５で露出された透明電極１９２上に、感光性配向膜（図示せず）を塗布する。そして、マスクを用いて反射領域ＲＡと透過領域ＴＡ１９５で露光方向を異なるようして感光性配向膜の配向軸を異なるようにする。この時、反射電極１９４上の配向軸はθ±７５°またはθ±１５°とし、透明電極１９２上の配向軸はθまたはθ＋９０°とする。次いで、感光性配向膜上に液晶分子を塗布して液晶層を形成した後、硬化して第１及び第２位相遅延膜１５、１６を形成する。
【００５４】
第１及び第２位相遅延膜１５、１６上に再び感光性配向膜を塗布する。その後、再びマスクを用いて反射領域ＲＡと透過領域ＴＡ１９５で露光方向を異なるようにして感光性配向膜の配向軸を異なるようにする。この時、反射電極１９４上の配向軸はθ±１５°またはθ±７５°とし、透明電極１９２上の配向軸はθまたはθ＋９０°とする。次いで、感光性配向膜上に液晶分子を塗布して液晶層を形成した後、硬化して第３及び第４位相遅延膜１７、１８を形成する。この時、第１及び第３位相遅延膜１５、１７の速い軸の角度は、各々θ＋７５°とθ＋１５°、θ−７５°とθ−１５°、θ＋１５°とθ＋７５°、及びθ−１５°とθ−７５°のいずれか一対となるようにする。
一方、第２及び第４位相遅延膜１６、１８は、エッチングなどの方法で除去される。
【００５５】
このように、本発明によれば、位相遅延膜を液晶表示装置内部に形成することによって、位相遅延フィルムが付着されている高価な半透過型偏光板の代わりに安価な透過型偏光板を使用することができるので、コストを節減することができる。
また、２個の位相遅延膜を備えることによって、広帯域１／４波長を実現し、反射モードで全体的に完全に暗い状態を表示することができる。
さらに、本発明によれば、位相遅延膜が反射電極全体を覆っているので、反射電極の腐食に関連する不良を解消することができる。さらに、反射電極の凹凸パターンをある程度平坦化して反射領域でのセルギャップ偏差を低減させるので、半透過型液晶表示装置の収率に大きな影響を及ぼすハイオーバー欠陥を顕著に減らすことができる。
【００５６】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。
【図３】図１に示す液晶表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の様々な他の構造を示す断面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の様々な他の構造を示す断面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の様々な他の構造を示す断面図である。
【図８】本発明のさらに他の実施形態による液晶表示装置の様々な他の構造を示す断面図である。
【図９】図１及び図４に示す本発明の他の実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１０】図９に示す薄膜トランジスタ表示板のＸ−Ｘ’線に沿った断面図である。
【図１１】図１及び図４に示す本発明の他の実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１２】図１１に示す薄膜トランジスタ表示板のＸＩＩ−ＸＩＩ’線に沿った断面図である。
【図１３】図１及び図４に示す本発明の他の実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１４】図１３に示す薄膜トランジスタ表示板のＸＩＶ−ＸＩＶ’線に沿った断面図である。
【図１５】図１及び図４に示す本発明の他の実施形態による液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板を製造する方法を説明するための薄膜トランジスタ表示板の配置図である。
【図１６】図１５に示す薄膜トランジスタ表示板のＸＶＩ−ＸＶＩ’線に沿った断面図である。
【図１７】図１に示す液晶表示装置の薄膜トランジスタ表示板のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図であり、図１６に続く工程を示すものである。
【符号の説明】
【００５８】
３  液晶層
１２、２２    （下部、上部）偏光板
１３、１５〜１８    位相遅延膜（第１〜第４位相遅延膜）
９５、９７    接触補助部材
１００、２００  表示板（薄膜トランジスタ表示板、共通電極表示板）
１１０、２１０  （絶縁）基板
１２１      ゲート線
１２４      ゲート電極
１３１      維持電極線
１３３      維持電極
１４０      ゲート絶縁膜
１５１、１５４、１５７  半導体（線状半導体、突出部、拡張部）
１６１、１６３、１６５  オーミック接触部材（線状及び島状オーミック接触部材）
１７１      データ線
１７３      ソース電極
１７５、１７７    ドレイン電極
１８０      保護膜
１８２、１８３、１８５  コンタクトホール
１８７      有機絶縁膜
１９０      画素電極
１９２      透明電極
１９４      反射電極
１９５      透過領域ＴＡ
２２０      遮光部材
２３０      カラーフィルタ
２４０      ライトホール
２５０      蓋膜
２６０      第２絶縁膜
２７０      共通電極
２８０      第１絶縁膜
【図１】
2006171754.tif 000003
【図２】
2006171754.tif 000004
【図３】
2006171754.tif 000005
【図４】
2006171754.tif 000006
【図５】
2006171754.tif 000007
【図６】
2006171754.tif 000008
【図７】
2006171754.tif 000009
【図８】
2006171754.tif 000010
【図９】
2006171754.tif 000011
【図１０】
2006171754.tif 000012
【図１１】
2006171754.tif 000013
【図１２】
2006171754.tif 000014
【図１３】
2006171754.tif 000015
【図１４】
2006171754.tif 000016
【図１５】
2006171754.tif 000017
【図１６】
2006171754.tif 000018
【図１７】
2006171754.tif 000019