(57)【要約】【課題】ナノワイヤー及びその製造方法を提供する。【解決手段】（イ）基板（２１）上にマスク層を積層し、マスク層をストライプ構造にパターニングする段階と、（ロ）基板（２１）及びマスク層に対して酸素イオン注入工程を実施して、基板（２１）内に酸素イオン注入領域（２４）を形成して基板（２１）内に埋め込み、酸素イオン注入領域（２４）によって基板（２１）と分離されたナノワイヤー領域（２６）を形成する段階と、を含む。【選択図】図２Ｅ
2006231507.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（イ）基板上にマスク層を積層し、前記マスク層をストライプ構造にパターニングする段階と、
（ロ）前記基板及び前記マスク層に対して酸素イオン注入工程を実施して、前記基板内に酸素イオン注入領域を形成して前記基板内に埋め込み、前記酸素イオン注入領域によって前記基板と分離されたナノワイヤー領域を形成する段階と、
を含むことを特徴とするナノワイヤー製造方法。
【請求項２】
前記段階（イ）は、
前記基板上にフォトレジストを塗布してＰＲ層を形成する段階と、
前記ＰＲ層をパターニングした後、熱処理して第１のマスク層に形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤー製造方法。
【請求項３】
前記段階（イ）は、
前記基板上にフォトレジストを塗布してＰＲ層を形成する段階と、
前記ＰＲ層上にストライプ形格子を位置させてレーザーを照射して、ストライプ形態の第２のマスク層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤー製造方法。
【請求項４】
前記基板及び前記ナノワイヤー領域の表面に対して酸化工程を実施して、前記基板及び前記ナノワイヤー表面に酸化層を形成して、前記ナノワイヤーの大きさを調節する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤー製造方法。
【請求項５】
前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする請求項１に記載のナノワイヤー製造方法。
【請求項６】
（イ）第１型の不純物でドーピングされた基板上にマスク層を積層し、前記マスク層を
ストライプ構造にパターニングする段階と、
（ロ）前記基板及び前記マスク層に対して酸素イオン注入工程を実施して、前記基板内に酸素イオン注入領域を形成して前記基板内に埋め込み、前記酸素イオン注入領域によって前記基板と分離されたナノワイヤー領域を形成する段階と、
（ハ）前記基板及び前記マスク層上の一部領域に第３のマスク層を配置させ、第２型の不純物をドーピングして、前記ナノワイヤーに第１の不純物領域と接合された第２の不純物領域を形成する段階と、
を含むことを特徴とするｐ−ｎ接合ナノワイヤーの製造方法。
【請求項７】
前記段階（イ）は、
前記基板上にフォトレジストを塗布してＰＲ層を形成する段階と、
前記ＰＲ層をパターニングした後、熱処理して第１のマスク層に形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載のｐ−ｎ接合ナノワイヤーの製造方法。
【請求項８】
前記段階（イ）は、
前記基板上にフォトレジストを塗布してＰＲ層を形成する段階と、
前記ＰＲ層上にストライプ形格子を位置させ、レーザーを照射してストライプ形態の第２のマスク層を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載のｐ−ｎ接合ナノワイヤーの製造方法。
【請求項９】
前記マスク層を除去し、前記基板上に伝導性物質を塗布して、前記第１の不純物領域と接触する第１の電極、及び前記第２の不純物領域と接触する第２の電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のｐ−ｎ接合ナノワイヤーの製造方法。
【請求項１０】
基板と、
前記基板内にストライプ形態に形成されるナノワイヤーと、
前記基板及び前記ナノワイヤーの境界に形成され、前記基板及び前記ナノワイヤーを分離する酸素イオン注入領域と、
を備えることを特徴とするナノワイヤー。
【請求項１１】
前記基板及び前記ナノワイヤーは、シリコンで形成されることを特徴とする請求項１０に記載のナノワイヤー。
【請求項１２】
第１の不純物でドーピングされた基板と、
前記基板内にストライプ形態で形成され、第１の不純物領域及び第２の不純物領域を備えるナノワイヤーと、
前記基板及び前記ナノワイヤーの境界に形成され、前記基板及び前記ナノワイヤーを分離する酸素イオン注入領域と、
前記第１の不純物領域と接触し前記基板上に形成される第１の電極、及び前記第２の不純物領域と接触し前記基板上に形成される第２の電極と、
を備えることを特徴とするｐ−ｎ接合ナノワイヤー。
【請求項１３】
前記基板及び前記ナノワイヤーは、シリコンを含んで形成されることを特徴とする請求項１２に記載のｐ−ｎ接合ナノワイヤー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノワイヤー及びその製造方法に係り、より詳しくは、シリコン基板内にその形成領域及びその大きさを精密に制御したナノワイヤー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノワイヤーは、近年、ナノ技術分野で広く研究されており、レーザのような光素子、トランジスタ及びメモリ素子など多様な分野に広く応用されている次世代技術である。現在ナノワイヤーに使用される材料は、シリコン、スズ酸化物と発光半導体であるガリウム窒化物などがある。現在、ナノワイヤー製造工程の技術は、ナノワイヤーの長さ及び幅を調節できるレベルまで発展した。
【０００３】
従来のナノ発光素子の場合、量子ドットを用いたナノ発光素子が使用された。量子ドットを使用した有機ＥＬの場合、放射再結合効率は非常に高いが、キャリヤ注入効率が非常に低い短所がある。量子ウェルを用いたＧａＮ  ＬＥＤの場合、放射再結合効率及びキャリヤ注入効率が比較的高いが、一般的に使用するサファイア基板との結晶構造の差異による欠陥が発生して大面積に非常に生産しにくく、製造コストも比較的高価である短所がある。しかしながら、ナノワイヤーを用いたナノ発光素子の場合、放射再結合効率が非常に高く、キャリヤ注入効率が比較的高い。また、その製造工程が簡単であり、かつ基板と殆ど同一な結晶構造を持つように形成でき、大面積に形成させやすいという長所がある。
【０００４】
図１Ａ〜図１Ｄは、従来技術によるナノワイヤー製造方法であるＶａｐｏｒ−Ｌｉｑｕｉｄ−Ｓｏｌｉｄ（ＶＬＳ）方法を示した図面である。
【０００５】
図１Ａを参照すれば、先ず基板１１を設ける。ここで、基板１１は広く使用されるシリコン基板を用いる。
【０００６】
次に、図１Ｂを参照すれば、基板１１上にＡｕのような金属を塗布して金属層１２を形成する。
【０００７】
その次に図１Ｃを参照すれば、約５００℃で熱処理工程を実施すれば、金属層１２の物質の密集化（ａｇｇｌｏｍｅｒａｔｉｏｎ）が進んで触媒１３を形成する。図１Ｃに示したように、このとき、形成された触媒１３は、それぞれその大きさが一定ではなく、ランダムな大きさを持つようになることが分かる。
【０００８】
次に、図１Ｄを参照すれば、触媒１３を核生成位置にしてナノワイヤー１４を形成する。この際、ナノワイヤー１４を成長させるために触媒１３にシリコン水素化合物であるシラン（ＳｉＨ４）などを供給して、工程温度でシランのＳｉ元素を触媒１３の下部領域で核生成を誘導する。シランの供給量を調節すれば、図１Ｄに示したように、触媒１３の下部で所望の長さを持ったナノワイヤーの成長を制御できるようになる。
【０００９】
前述したように、１Ａ〜図１Ｄに示したナノワイヤー形成方法は、シランのような原料ガスの供給量を適切に調節することによって形成できる。しかしながら、ナノワイヤーは、触媒１３の直径及びその分布に制限されて成長させることができるため、正確な厚さ、位置及び分布を均一に調節しにくい問題点がある。また、このような方法は、垂直方向にのみ形成することができるものであり、基板自体に水平方向にナノワイヤーを形成させる技術が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の技術的課題は、ナノワイヤーの直径及び分布を調節して成長させることができるナノワイヤー製造方法、及びこれにより精密に成長されたナノワイヤーを提供するところにある。
【００１１】
本発明の他の技術的課題は、精密な大きさに形成され、ＰＮ接合構造を持ったナノワイヤー及びその製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記技術的課題を達成するために本発明は、（イ）基板上にマスク層を積層し、前記マスク層をストライプ構造にパターニングする段階と、（ロ）前記基板及び前記マスク層に対して酸素イオン注入工程を実施して、前記基板内に酸素イオン注入領域を形成して前記基板内に埋設し、前記酸素イオン注入領域によって前記基板と分離されたナノワイヤー領域を形成する段階と、を含むナノワイヤー製造方法を提供する。
【００１３】
本発明において、前記段階（イ）は、前記基板上にフォトレジストを塗布してＰＲ層を形成する段階と、前記ＰＲ層をパターニングした後、熱処理して第１のマスク層に形成する段階と、を含むことができる。
【００１４】
本発明において、前記段階（イ）は、前記基板上にフォトレジストを塗布してＰＲ層を形成する段階と、前記ＰＲ層上にストライプ形格子を位置させ、レーザーを照射してストライプ形態の第２のマスク層を形成する段階と、を含むことができる。
【００１５】
本発明において、前記基板及び前記ナノワイヤー領域の表面に対して酸化工程を実施して、前記基板及び前記ナノワイヤー表面に酸化層を形成させて前記ナノワイヤーの大きさを調節する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記基板は、シリコン基板であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明では、（イ）第１型の不純物でドーピングされた基板上にマスク層を積層し、前記マスク層をストライプ構造にパターニングする段階と、（ロ）前記基板及び前記マスク層に対して酸素イオン注入工程を実施して、前記基板内に酸素イオン注入領域を形成して前記基板内に埋め込み、前記酸素イオン注入領域によって前記基板と分離されたナノワイヤー領域を形成する段階と、（ハ）前記基板及び前記マスク層上の一部領域に第３のマスク層を位置させ、第２型の不純物をドーピングして、前記ナノワイヤーに第１の不純物領域と接合された第２の不純物領域を形成する段階と、を含むｐ−ｎ接合ナノワイヤーの製造方法を提供する。
【００１８】
本発明において、前記マスク層を除去し、前記基板上に伝導性物質を塗布して、前記第１の不純物領域と接触する第１の電極、及び前記第２の不純物領域と接触する第２の電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明では、基板と、前記基板内にストライプ形態に形成されたナノワイヤーと、前記基板及び前記ナノワイヤーの境界に形成され、前記基板及び前記ナノワイヤーを分離する酸素イオン注入領域と、を備えるナノワイヤーを提供する。
【００２０】
また、本発明では、第１の不純物にドーピングされた基板と、前記基板内にストライプ形態で形成され、第１の不純物領域及び第２の不純物領域を備えるナノワイヤーと、前記基板及び前記ナノワイヤーの境界に形成され、前記基板及び前記ナノワイヤーを分離する酸素イオン注入領域と、前記第１の不純物領域と接触し前記基板上に形成された第１の電極、及び前記第２の不純物領域と接触し前記基板上に形成された第２の電極と、を備えるｐ−ｎ接合ナノワイヤーを提供する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、次の通りの長所がある。
【００２２】
第一に、従来の垂直方向に形成させたナノワイヤーとは違って、水平方向の基板内に埋め込み構造でナノワイヤー形成が可能であり、素子の応用範囲が非常に広い。
【００２３】
第二に、それぞれのナノワイヤー形成位置、大きさ及び分布を調節できてアレイ構造の大量生産が可能である。
【００２４】
第三に、ナノワイヤーを実際に素子に応用するためのｐ−ｎ接合構造に形成する工程が非常に簡単に実施でき、ＭＯＳ−ＦＥＴを使用しないため工程自体が単純であり、従来の半導体工程技術をそのまま用いることができる。
【００２５】
第四に、トランジスタの構造の半導体素子の場合、現在、４５ｎｍ以下の精度を持った構造の生産が難しいが、本発明の場合のように、単純なｐ−ｎ接合構造としては４５ｎｍ以下の精度を持った高集積メモリ素子の具現が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付した図面に基づき本発明によるナノワイヤー及びその製造方法について詳細に説明する。ここで、以下では、便宜のため、図面での各層の長さ及び大きさを誇張して示しているが、これは発明の内容の理解を容易にするためである。
【００２７】
図２Ａ〜図２Ｅは、本発明の第１の実施形態によるナノワイヤーの製造方法を示した図面である。
【００２８】
図２Ａを参照すれば、先ず基板２１上にフォトレジスト物質を数ｎｍ〜数十ｎｍの厚さに塗布してＰＲ層２２を形成する。ここで、基板２１は、広く使用されるシリコン基板を用いる。
【００２９】
次に、図２Ｂを参照すれば、ＰＲ層２２が形成された基板２１に対してＰＲ層２２をストライプ形態にパターニングを実施した後、融解点付近に過熱する。それにより、ストライプ形態のＰＲ層２２は、その断面が半円状に形成させることができる。結果的に、その断面が半円状であるストライプ形のマスク層２３を形成させる。
【００３０】
その次に、図２Ｃを参照すれば、基板２１上から酸素（Ｏ２）をイオン注入するインプランテーション工程を実施する。ここで、酸素イオン注入をプラズマドーピング工程にする場合には、イオン注入エネルギーを約１ｋｅＶ〜１００ｋｅＶ範囲で選択的に調節できる。ドーズは、ＳＩＭＯＸ（ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｂｙ  ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｏｘｙｇｅｎ）のように、酸素イオンの濃度を５×１０１７〜３×１０１８／ｃｍ２で使用できる。ここで、基板２１に対して直接イオン注入される場合のイオン注入領域は、マスク層２３を通じて基板２１内に注入される場合に比べて、さらに深い部位で形成されるのである。すなわち、酸素イオン注入領域２４は、図２Ｃに示したように、マスク層２３の断面形態の影響を受ける。マスク層２３の断面は、半円形なので、相対的に厚い部分でイオン注入された酸素は、基板２１内に注入されず、マスク層２３内に残留するようになり、相対的に薄い領域では酸素イオン注入の深さがさらに深くなる。従って、酸素イオン注入領域２４の形態及びその形成領域を決定するためには、マスク層２３の形態及び厚さを調節するか、或いはイオン注入工程条件を調節して制御できることが分かる。
【００３１】
図２Ｄを参照すれば、マスク層２３を除去し、基板２１の上部表面を酸素雰囲気で酸化工程を実施する。ここで、酸化工程は選択的なものであり、これは、酸素イオン注入領域２４の大きさを制御するための目的に実施できる。図２Ｃの説明で、酸素イオン注入領域２４の大きさ及び形態を制御するためマスク層２３の形態及びイオン注入工程条件を調節できることを示した。これに加えて、酸素イオン注入領域２４の基板２１の表面からの深さを調節するために、基板２１に酸化工程をさらに実施できる。図２Ｄに示したように、基板２１の表面に酸化工程を実施すれば、酸化層２５が形成され、酸化層２５が厚く形成されるほど、酸素イオン注入領域２４の深さは薄くなる。
【００３２】
図２Ｅを参照すれば、基板２１の表面の酸化層２５を除去すれば、基板２１内に埋め込まれたナノワイヤー２６の領域を得ることができる。ナノワイヤー２６は、基板２１と酸素イオン注入領域２４によって分離されており、その形態及び幅は、図２Ｃ及び図２Ｄで説明したようにマスク層２３の形態、酸素イオン注入工程条件、及び酸化層２５の厚さ範囲を任意に調節して容易に得ることができることが分かる。
【００３３】
次に、図３Ａ〜図３Ｅを参照して本発明の第２の実施形態によるナノワイヤーの製造方法を詳細に説明する。
【００３４】
図３Ａを参照すれば、基板３１上にフォトレジスト物質を数十ｎｍの厚さに塗布してＰＲ層３２を形成する。ここで、基板３１は、一般に半導体素子製造工程に用いられるシリコン基板を用いることができる。
【００３５】
その次に、図３Ｂを参照すれば、ＰＲ層３２が形成された基板３１の上部にストライブ形の格子３３を位置させ、レーザーを用いてＰＲ層３２をパターニングする。例えば、ＤＦＢ−ｌａｓｅｒのｇｒａｔｉｎｇを作るパターニング工程と類似する。この際、固体レーザーやガスレーザーを使用する。パターニング工程によってレーザーが照射された領域のＰＲ層３２は除去される。それにより、ＰＲ層３２は、図３Ｂのように、その断面が菱形の形状になる。ここでは、図２Ｂに示したように、別途の熱処理工程を実施しない。
【００３６】
次に図３Ｃを参照すれば、基板３１上から酸素（Ｏ２）をイオン注入するインプランテーション工程を実施する。この際、イオン注入される酸素のイオン注入エネルギーを均一に制御すれば、基板３１に直接注入される酸素の場合は、ＰＲ層３２を通じて基板３１内にイオン注入される場合に比べて、さらに深い部位で形成される。結果的に、酸素イオン注入領域３４は、図３Ｃに示したようにＰＲ層３２の断面形態の影響を受けて菱形状になることが分かる。勿論、イオン注入エネルギーをさらに大きくすれば、酸素イオン注入領域３４の深さは、さらに深くなり、これは、任意に調節可能である。
【００３７】
図３Ｄを参照すれば、ＰＲ層３２を除去し、基板３１の上部表面に対して酸素雰囲気下で酸化工程を実施する。このような酸化工程の目的は、前述した図２Ｄに関する説明のように、酸素イオン注入領域３４の深さを調節しようとするものであり、酸化層の深さは、選択的に調節できる。
【００３８】
図３Ｅを参照すれば、酸化層を除去すれば、基板３１内に埋め込まれたナノワイヤー３６を得ることができる。ナノワイヤー３６は、基板３１と酸素イオン注入領域３４によって分離されており、その成分は、基板３１と同一な物質であることが分かる。但し、図２Ｃ及び図３Ｃに示したように、ナノワイヤー２６、３６は、酸素イオン注入工程によって形成される。すなわち、酸素イオン注入工程によって、基板２１、３１内に酸素イオン注入領域２４、３４が形成され、基板２１、３１と分離された領域が形成されることが分かる。その後の工程であるマスク２３又はＰＲ層３２の除去と酸化工程は、付加的なものであり、特に、酸化工程は、ナノワイヤー２６、３６の大きさを制御するための選択的な工程であることに留意しなければならない。
【００３９】
以下、図４Ａ〜図４Ｆを参照して本発明の実施形態によるｐ−ｎ接合構造を持ったナノワイヤーについて詳細に説明する。
【００４０】
図４Ａは、図３Ｃで示した酸素イオン注入工程によって形成された酸素イオン注入領域３４とナノワイヤー３６とを形成した試片の一部を示したものである。勿論、図２Ｃの試片に関しても同一な工程が適用できることに留意しなければならない。図４Ｂは、図４Ａの試片を立体的に示した斜視図である。
【００４１】
図４Ａ及び図４Ｂを参照すれば、シリコンのような半導体工程に広く使用される基板３１内に酸素イオン注入領域３４が形成されており、酸素イオン注入領域３４によって基板３１と分離されたナノワイヤー３６の領域が形成されている。すなわち、基板３１がシリコンで形成された場合には、基板３１内に水平方向にシリコンナノワイヤーが形成されたものである。そして、基板３１の上部には、その断面が菱形にパターニングされたＰＲ層３２が形成されている。初期に、基板３１の自体をｐ型又はｎ型不純物がドーピングされた半導体基板３１を使用した場合に、ナノワイヤー３６もまたｐ型又はｎ型不純物がドーピングされた状態になる。従って、基板３１及びナノワイヤー３６が第１の不純物がドーピングされた状態に限定する。
【００４２】
図４Ｃを参照すれば、基板３１の上方にマスク３７を位置させ、第２の不純物をドーピングする。この際、使用される第２の不純物は、特に制限はされず、一般的な半導体工程で使用される物質であれば使用できる。
【００４３】
結果的に、図４Ｄを参照すれば、ドーピング工程によってナノワイヤー３６は、二つの領域に分離される。図４Ｅは、図４Ｄの斜視図を平面図に示したものである。図４Ｄ及び図４Ｅを参照すれば、一つのナノワイヤー３６は、第１の不純物領域３６ａ及び第２の不純物領域３６ｂが形成されたｐ−ｎ接合構造を持つようになる。そして、ＰＲ層３２及びマスク３７を除去すれば、基板３１内には、ナノワイヤー領域が形成されており、基板３１とナノワイヤーは、酸素イオン注入領域３４によって構造的に分離されたことを確認できる。ナノワイヤーは、第１の不純物領域３６ａ及び第２の不純物領域３６ｂに分離されている。
【００４４】
そして、図４Ｆを参照すれば、第１の不純物領域３６ａと接触するように基板３１上に伝導性物質を塗布して第１の電極３９を形成し、第２の不純物領域３６ｂと接触するように基板３１上に伝導性物質を塗布して第２の電極３８を形成すれば、完全な形態のｐ−ｎ接合半導体素子を得ることができることを確認できる。
【００４５】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、これらは発明の範囲を限定するというより、好ましいな実施の形態の例示として解釈されなければならない。例えば、図２Ｅ又は図３Ｅに示した試片を用いて不純物をドーピングしてｐ−ｎ接合ナノワイヤーを形成することも可能である。従って、本発明の範囲は、説明された実施形態によって決められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、ナノワイヤー及びその製造方法に係り、より詳しくは、シリコン基板内にその形成領域及びその大きさを精密に制御したナノワイヤー及びその製造方法に係り、例えば光素子、トランジスタ、メモリ素子などに効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１Ａ】従来技術によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図１Ｂ】従来技術によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図１Ｃ】従来技術によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図１Ｄ】従来技術によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図２Ａ】本発明の第１の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図２Ｂ】本発明の第１の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図２Ｃ】本発明の第１の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図２Ｄ】本発明の第１の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図２Ｅ】本発明の第１の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図３Ａ】本発明の第２の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図３Ｂ】本発明の第２の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図３Ｃ】本発明の第２の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図３Ｄ】本発明の第２の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図３Ｅ】本発明の第２の実施形態によるナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図４Ａ】本発明の前記本発明の第１又は第２の実施形態によって製造したナノワイヤーについてｐ−ｎ接合構造を形成させたナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図４Ｂ】本発明の前記本発明の第１又は第２の実施形態によって製造したナノワイヤーについてｐ−ｎ接合構造を形成させたナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図４Ｃ】本発明の前記本発明の第１又は第２の実施形態によって製造したナノワイヤーについてｐ−ｎ接合構造を形成させたナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図４Ｄ】本発明の前記本発明の第１又は第２の実施形態によって製造したナノワイヤーについてｐ−ｎ接合構造を形成させたナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図４Ｅ】本発明の前記本発明の第１又は第２の実施形態によって製造したナノワイヤーについてｐ−ｎ接合構造を形成させたナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【図４Ｆ】本発明の前記本発明の第１又は第２の実施形態によって製造したナノワイヤーについてｐ−ｎ接合構造を形成させたナノワイヤー製造方法を示した図面である。
【符号の説明】
【００４８】
１１、２１、３１    基板
１２    金属層
１３    触媒
１４、２６、３６    ナノワイヤー
２２、３２    ＰＲ層
２３    マスク層
２４、３４    酸素イオン注入領域
２５    酸化層
３３    ストライブ形の格子
３６ａ、３６ｂ    第１及び第２の不純物領域
３７    マスク
３８    第２電極
３９    第１電極
【図１Ａ】
2006231507.tif 000003
【図１Ｂ】
2006231507.tif 000004
【図１Ｃ】
2006231507.tif 000005
【図１Ｄ】
2006231507.tif 000006
【図２Ａ】
2006231507.tif 000007
【図２Ｂ】
2006231507.tif 000008
【図２Ｃ】
2006231507.tif 000009
【図２Ｄ】
2006231507.tif 000010
【図２Ｅ】
2006231507.tif 000011
【図３Ａ】
2006231507.tif 000012
【図３Ｂ】
2006231507.tif 000013
【図３Ｃ】
2006231507.tif 000014
【図３Ｄ】
2006231507.tif 000015
【図３Ｅ】
2006231507.tif 000016
【図４Ａ】
2006231507.tif 000017
【図４Ｂ】
2006231507.tif 000018
【図４Ｃ】
2006231507.tif 000019
【図４Ｄ】
2006231507.tif 000020
【図４Ｅ】
2006231507.tif 000021
【図４Ｆ】
2006231507.tif 000022