(57)【要約】【課題】  抵抗値の調整に際して、トリミング前の抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合や、トリミング溝の長さが長くなった場合でも、適切な抵抗値調整を行うことができる四端子構造の抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】  抵抗値の調整に際して、抵抗体１４における端部で上面電極１２間の位置からトリミング溝Ｔ１を形成し、その後、トリミング溝Ｔ２を形成する。トリミング溝Ｔ１、Ｔ２により抵抗体１４の有効長が短くなるので、抵抗値は低下する。トリミング溝の長さが長くなると、抵抗値変化が大きくなるので、１本目のトリミング溝Ｔ１により粗調整を行い、２本目のトリミング溝Ｔ２により微調整を行う。【選択図】        図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
四端子構造の抵抗器の製造方法であって、
トリミング前の四端子構造の抵抗器にトリミングを行うトリミング工程であって、該四端子構造の抵抗器の一方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第１電極部と第２電極部とからなる第１の一対の電極部と、該四端子構造の抵抗器の該一方の側と相対する他方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第３電極部と第４電極部とからなる第２の一対の電極部と、該第１電極部と該第２電極部と該第３電極部と該第４電極部とに接続するように形成された抵抗体でトリミング前の抵抗体とを有する抵抗器に対して、抵抗体における第１電極部と第２電極部の間の位置から該四端子構造の抵抗器の該他方の側に向けてトリミングを行うトリミング工程を有することを特徴とする四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項２】
上記トリミング工程において、上記トリミングの後にさらに、上記抵抗体における第３電極部と第４電極部の間の位置から上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側に向けてトリミングを行うことを特徴とする請求項１に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項３】
抵抗体における第１電極部と第２電極部の間の位置から該四端子構造の抵抗器の該他方の側に向けてトリミングを行なう際に、抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い位置までトリミングを行い、その後、抵抗体における第３電極部と第４電極部の間の位置から上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側に向けて所望の抵抗値になるまでトリミングを行うことを特徴とする請求項２に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項４】
上記トリミング工程の後に行われる第２のトリミング工程であって、上記抵抗体における辺部で、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向にトリミングを行う第２のトリミング工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項５】
上記第２のトリミング工程の前に行われるトリミング工程により、抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも低くなる位置までトリミングを行い、その後、上記第２のトリミング工程により、所望の抵抗値になるまでトリミングを行うことを特徴とする請求項４に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項６】
上記トリミング工程の前に行われる第２のトリミング工程であって、上記抵抗体における辺部で、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向にトリミングを行う第２のトリミング工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項７】
上記第２のトリミング工程により、所望の抵抗値よりも高くなる位置までトリミングを行い、その後、上記第２のトリミング工程の後に行われる上記トリミング工程により、所望の抵抗値になるまでトリミングを行うことを特徴とする請求項６に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項８】
四端子構造の抵抗器の製造方法であって、
トリミング前の四端子構造の抵抗器で、該四端子構造の抵抗器の一方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第１電極部と第２電極部とからなる第１の一対の電極部と、該四端子構造の抵抗器の該一方の側と相対する他方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第３電極部と第４電極部とからなる第２の一対の電極部と、該第１電極部と該第２電極部と該第３電極部と該第４電極部とに接続するように形成された抵抗体でトリミング前の抵抗体とを有する抵抗器において、抵抗体の抵抗値の測定を行い、
測定された抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合には、請求項１又は２又は３又は４又は５に示すトリミングを行い、一方、抵抗値測定工程において測定された抵抗値が所望の抵抗値よりも低い場合には、抵抗値を高くするトリミングを行うことを特徴とする四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項９】
抵抗値の測定に際して測定された抵抗値が所望の抵抗値よりも低い場合には、請求項６又は７に記載のトリミングを行うか、又は、上記抵抗体における辺部で、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向にトリミングを行うことを特徴とする請求項８に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項１０】
四端子構造の抵抗器であって、
該四端子構造の抵抗器の一方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第１電極部と第２電極部とからなる第１の一対の電極部と、該四端子構造の抵抗器の該一方の側と相対する他方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第３電極部と第４電極部とからなる第２の一対の電極部と、
該第１電極部と該第２電極部と該第３電極部と該第４電極部とに接続するように形成された抵抗体で、第１電極部と第２電極部の間の位置から該四端子構造の抵抗器の該他方の側に向けてトリミング溝が形成されていることを特徴とする四端子構造の抵抗器。
【請求項１１】
抵抗体には、第３電極部と第４電極部の間の位置から上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側に向けてトリミング溝が形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の四端子構造の抵抗器の製造方法。
【請求項１２】
抵抗体には、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向に向けてトリミング溝が形成されていることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の四端子構造の抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、四端子構造の抵抗器とその製造方法に関するものであり、特に、電流検出に用いる四端子構造の抵抗器とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来における四端子構造の抵抗器においては、図２２に示すように、絶縁基板の上面に４つの上面電極と抵抗体が形成されており、このような四端子構造の抵抗器の製造に際しては、抵抗体のトリミングを行って抵抗体の抵抗値の調整を行なうが、その際のトリミングの方向は、図２２に示すように、電極間方向（Ｘ方向）に対して直角の方向（Ｙ方向）とするのが一般的である。つまり、トリミング溝Ｔは、電極間方向（Ｘ方向）に対して直角の方向とする。
【０００３】
また、従来の低抵抗器の製造方法においては、抵抗体の一部を長手方向に略平行に削り取るトリミングを施すものがある（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−１１５４０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記従来の場合には、適切な抵抗値調整を行うことができない場合があった。
【０００５】
すなわち、電極間方向に対して直角の方向にトリミングを行なう場合には、抵抗体の幅が短くなるので、抵抗体の抵抗値を上げる調整しか行なうことができず、トリミング前の抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合には、調整を行うことができず、その製品は不良として廃棄することになる。
【０００６】
また、上記特許文献１に記載の製造方法においても、抵抗体の一部を長手方向に略平行に削り取るトリミングを行なうので、抵抗値を上げる調整しか行なうことができず、上記と同様に、トリミング前の抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合には、調整を行うことができず、その製品は不良として廃棄することになる。
【０００７】
また、図２２のようにトリミングを行う場合には、トリミング溝の長さが長くなればその分抵抗値は上昇していくが、トリミング溝の単位長さ当たりの抵抗値の上昇幅は、トリミング溝の長さが長くなればなるほど大きくなる。すると、トリミング溝の長さが長くなるほど抵抗値の調整が困難となるという問題がある。つまり、トリミングに用いるレーザーの走査速度をある程度遅くしても、単位長さ当たりの抵抗値の上昇幅が大きくなると、所望の抵抗値に正確に調整することが困難となる。
【０００８】
そこで、本発明は、抵抗値の調整に際して、トリミング前の抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合や、トリミング溝の長さが長くなった場合でも、適切な抵抗値調整を行うことができる四端子構造の抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、四端子構造の抵抗器の製造方法であって、
トリミング前の四端子構造の抵抗器にトリミングを行うトリミング工程であって、該四端子構造の抵抗器の一方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第１電極部と第２電極部とからなる第１の一対の電極部と、該四端子構造の抵抗器の該一方の側と相対する他方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第３電極部と第４電極部とからなる第２の一対の電極部と、該第１電極部と該第２電極部と該第３電極部と該第４電極部とに接続するように形成された抵抗体でトリミング前の抵抗体とを有する抵抗器に対して、抵抗体における第１電極部と第２電極部の間の位置から該四端子構造の抵抗器の該他方の側に向けてトリミングを行うトリミング工程を有することを特徴とする。
【００１０】
この第１の構成の四端子構造の抵抗器の製造方法によれば、抵抗体における第１電極部と第２電極部の間の位置から該四端子構造の抵抗器の該他方の側に向けてトリミングを行うことにより、略電極間方向にトリミング溝を形成するので、抵抗値を下げることができ、トリミング前の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合でも適切な抵抗値調整を行うことができる。
【００１１】
また、第２には、上記第１の構成において、上記トリミング工程において、上記トリミングの後にさらに、上記抵抗体における第３電極部と第４電極部の間の位置から上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側に向けてトリミングを行うことを特徴とする。
【００１２】
この第２の構成の製造方法によれば、トリミング溝を両側から形成するので、抵抗値を下げる調整を十分行なうことができる。また、第１電極部と第２電極部の間の位置から行うトリミング（１本目のトリミング）により、所望の抵抗値よりも少し高い位置まで抵抗値を降下させ、その後、第３電極部と第４電極部の間の位置から行うトリミング（つまり、２本目のトリミング）により所望の抵抗値にまで調整することにより、抵抗値の調整を正確に行うことができる。特に、抵抗体における第１電極部との接続部分と第２電極部との接続部分の間の領域（端部領域）や、抵抗体における第３電極部との接続部分と第４電極部との接続部分の間の領域（端部領域）におけるトリミングは、電圧降下にそれほど影響せず、特に、電流検出に用いる四端子構造の抵抗器のように、上面電極の面積抵抗が抵抗体の面積抵抗よりやや小さいのが一般的である場合には、該端部領域におけるトリミングにおいては、抵抗値は緩やかに下がるのに対して、該端部領域よりも内側の領域におけるトリミングにおいては、抵抗値の降下の度合いが大きいため、２本目のトリミングにおいて端部領域内で所望の抵抗値に到達させることにより、抵抗値変化の少ない状態で抵抗値調整ができるため、正確に抵抗値調整を行うことができる。つまり、１本目のトリミングにより粗調整を行い、２本目のトリミングにより微調整を行うことができるので、正確に抵抗値調整を行うことができる。このようにして、トリミング溝の長さが長くなっても、１本で形成するのではなく２本で形成することにより、正確な抵抗値調整を行うことができる。
【００１３】
また、第３には、上記第２の構成において、抵抗体における第１電極部と第２電極部の間の位置から該四端子構造の抵抗器の該他方の側に向けてトリミングを行なう際に、抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い位置までトリミングを行い、その後、抵抗体における第３電極部と第４電極部の間の位置から上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側に向けて所望の抵抗値になるまでトリミングを行うことを特徴とする。
【００１４】
この第３の構成の製造方法によれば、第１電極部と第２電極部の間の位置から行うトリミング（１本目のトリミング）により、所望の抵抗値よりも少し高い位置まで抵抗値を降下させ、その後、第３電極部と第４電極部の間の位置から行うトリミング（つまり、２本目のトリミング）により所望の抵抗値にまで調整することにより、抵抗値の調整を正確に行うことができる。特に、抵抗体における第１電極部との接続部分と第２電極部との接続部分の間の領域（端部領域）や、抵抗体における第３電極部との接続部分と第４電極部との接続部分の間の領域（端部領域）におけるトリミングは、電圧降下にそれほど影響せず、特に、電流検出に用いる四端子構造の抵抗器のように、上面電極の面積抵抗が抵抗体の面積抵抗よりやや小さいのが一般的である場合には、該端部領域におけるトリミングにおいては、抵抗値は緩やかに下がるのに対して、該端部領域よりも内側の領域におけるトリミングにおいては、抵抗値の降下の度合いが大きいため、２本目のトリミングにおいて端部領域内で所望の抵抗値に到達させることにより、抵抗値変化の少ない状態で抵抗値調整ができるため、正確に抵抗値調整を行うことができる。つまり、１本目のトリミングにより粗調整を行い、２本目のトリミングにより微調整を行うことができるので、正確に抵抗値調整を行うことができる。このようにして、トリミング溝の長さが長くなっても、１本で形成するのではなく２本で形成することにより、正確な抵抗値調整を行うことができる。
【００１５】
また、第４には、上記第１又は第２の構成において、上記トリミング工程の後に行われる第２のトリミング工程であって、上記抵抗体における辺部で、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向にトリミングを行う第２のトリミング工程を有することを特徴とする。
【００１６】
この第４の構成の製造方法によれば、第２のトリミング工程によるトリミングにより、抵抗値を上昇させることができるので、抵抗値が所望の抵抗値よりも下がってしまった場合でも、この第２のトリミングにより、所望の抵抗値に調整することができる。また、上記トリミング工程により抵抗値を下げる調整を行って、所望の抵抗値よりも低くなるまでトリミングを行い、その後、第２のトリミング工程により抵抗値を上昇させることにより、所望の抵抗値に正確に調整することができる。特に、第２のトリミング工程におけるように電極間方向とは略直角の方向のトリミングにおいては、トリミング溝の長さが短い段階では、抵抗値の変化が小さいので微調整をしやすくなる。このように、トリミング工程により粗調整を行った後に、第２のトリミング工程により微調整を行うことができるので、正確に抵抗値調整を行うことができる。このようにして、トリミング溝の長さが長くなっても、１本で形成するのではなく少なくとも２本で形成することにより、正確な抵抗値調整を行うことができる。
【００１７】
また、第５には、上記第４の構成において、上記第２のトリミング工程の前に行われるトリミング工程により、抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも低くなる位置までトリミングを行い、その後、上記第２のトリミング工程により、所望の抵抗値になるまでトリミングを行うことを特徴とする。
【００１８】
この第５の構成の製造方法によれば、上記トリミング工程により抵抗値を下げる調整を行って、所望の抵抗値よりも低くなるまでトリミングを行い、その後、第２のトリミング工程により抵抗値を上昇させるので、所望の抵抗値に正確に調整することができる。特に、第２のトリミング工程におけるように電極間方向とは略直角の方向のトリミングにおいては、トリミング溝の長さが短い段階では、抵抗値の変化が小さいので微調整をしやすくなる。このように、トリミング工程により粗調整を行った後に、第２のトリミング工程により微調整を行うことができるので、正確に抵抗値調整を行うことができる。このようにして、トリミング溝の長さが長くなっても、１本で形成するのではなく少なくとも２本で形成することにより、正確な抵抗値調整を行うことができる。
【００１９】
また、第６には、上記第１又は第２の構成において、上記トリミング工程の前に行われる第２のトリミング工程であって、上記抵抗体における辺部で、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向にトリミングを行う第２のトリミング工程を有することを特徴とする。
【００２０】
この第６の構成の製造方法によれば、第２のトリミング工程によるトリミングにより、抵抗値を上げることができるので、この第２のトリミング工程により抵抗値を予め所望の抵抗値よりも高く調整しておき、その後のトリミング工程により所望の抵抗値に調整することができる。また、上記第２のトリミング工程により抵抗値を上げる調整を行って、所望の抵抗値よりも高くなるまでトリミングを行い、その後、トリミング工程により抵抗値を下げることにより、所望の抵抗値に正確に調整することができる。特に、抵抗体における第１電極部との接続部分と第２電極部との接続部分の間の領域（端部領域）や、抵抗体における第３電極部との接続部分と第４電極部との接続部分の間の領域（端部領域）におけるトリミングは、電圧降下にそれほど影響せず、特に、電流検出に用いる四端子構造の抵抗器のように、上面電極の面積抵抗が抵抗体の面積抵抗よりやや小さいのが一般的である場合には、該端部領域におけるトリミングにおいては、抵抗値は緩やかに下がるので、これにより微調整を行なうことができる。このように、第２のトリミング工程により粗調整を行った後に、トリミング工程により微調整を行うことができるので、正確に抵抗値調整を行うことができる。このようにして、トリミング溝の長さが長くなっても、１本で形成するのではなく少なくとも２本で形成することにより、正確な抵抗値調整を行うことができる。
【００２１】
また、第７には、上記第６の構成において、上記第２のトリミング工程により、所望の抵抗値よりも高くなる位置までトリミングを行い、その後、上記第２のトリミング工程の後に行われる上記トリミング工程により、所望の抵抗値になるまでトリミングを行うことを特徴とする。
【００２２】
この第７の構成の製造方法によれば、上記第２のトリミング工程により抵抗値を上げる調整を行って、所望の抵抗値よりも高くなるまでトリミングを行い、その後、トリミング工程により抵抗値を下げることにより、所望の抵抗値に正確に調整することができる。特に、抵抗体における第１電極部との接続部分と第２電極部との接続部分の間の領域（端部領域）や、抵抗体における第３電極部との接続部分と第４電極部との接続部分の間の領域（端部領域）におけるトリミングは、電圧降下にそれほど影響せず、特に、電流検出に用いる四端子構造の抵抗器のように、上面電極の面積抵抗が抵抗体の面積抵抗よりやや小さいのが一般的である場合には、該端部領域におけるトリミングにおいては、抵抗値は緩やかに下がるので、これにより微調整を行なうことができる。このように、第２のトリミング工程により粗調整を行った後に、トリミング工程により微調整を行うことができるので、正確に抵抗値調整を行うことができる。このようにして、トリミング溝の長さが長くなっても、１本で形成するのではなく少なくとも２本で形成することにより、正確な抵抗値調整を行うことができる。
【００２３】
また、第８には、四端子構造の抵抗器の製造方法であって、
トリミング前の四端子構造の抵抗器で、該四端子構造の抵抗器の一方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第１電極部と第２電極部とからなる第１の一対の電極部と、該四端子構造の抵抗器の該一方の側と相対する他方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第３電極部と第４電極部とからなる第２の一対の電極部と、該第１電極部と該第２電極部と該第３電極部と該第４電極部とに接続するように形成された抵抗体でトリミング前の抵抗体とを有する抵抗器において、抵抗体の抵抗値の測定を行い、
測定された抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合には、上記第１又は２又は３又は４又は５の構成のトリミングを行い、一方、抵抗値測定工程において測定された抵抗値が所望の抵抗値よりも低い場合には、抵抗値を高くするトリミングを行うことを特徴とする。
【００２４】
この第８の構成の製造方法によれば、形成した抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合と低い場合のいずれの場合でも、所望の抵抗値に調整することが可能となる。
【００２５】
また、第９には、上記第８の構成において、抵抗値の測定に際して測定された抵抗値が所望の抵抗値よりも低い場合には、第６又は７の構成のトリミングを行うか、又は、上記抵抗体における辺部で、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向にトリミングを行うことを特徴とする。
【００２６】
また、第１０には、四端子構造の抵抗器であって、
該四端子構造の抵抗器の一方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第１電極部と第２電極部とからなる第１の一対の電極部と、該四端子構造の抵抗器の該一方の側と相対する他方の側に形成された一対の電極部で、互いに独立して形成された第３電極部と第４電極部とからなる第２の一対の電極部と、
該第１電極部と該第２電極部と該第３電極部と該第４電極部とに接続するように形成された抵抗体で、第１電極部と第２電極部の間の位置から該四端子構造の抵抗器の該他方の側に向けてトリミング溝が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
この第１０の構成の四端子構造の抵抗器によれば、抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合でも、上記トリミング溝により所望の抵抗値に調整された抵抗体を得ることができる。
【００２８】
また、第１１には、上記第１０の構成において、抵抗体には、第３電極部と第４電極部の間の位置から上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側に向けてトリミング溝が形成されていることを特徴とする。このように２本のトリミング溝が形成されることにより、１本目のトリミングにより粗調整を行い、２本目のトリミングにより微調整を行って、正確に抵抗値調整された抵抗器を得ることができる。
【００２９】
また、第１２には、上記第１０又は第１１の構成において、抵抗体には、上記四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向に向けてトリミング溝が形成されていることを特徴とする。このように２本のトリミング溝が形成されることにより、１本目のトリミングにより粗調整を行い、２本目のトリミングにより微調整を行って、正確に抵抗値調整された抵抗器を得ることができる。
【００３０】
なお、上記各構成において、「四端子構造の抵抗器」を「四端子構造のチップ抵抗器」としてもよい。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に基づく四端子構造の抵抗器の製造方法及び四端子構造の抵抗器によれば、抵抗値の調整に際して、トリミング前の抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合や、トリミング溝の長さが長くなった場合でも、適切な抵抗値調整を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明においては、抵抗値の調整に際して、トリミング前の抵抗体の抵抗値が所望の抵抗値よりも高い場合や、トリミング溝の長さが長くなった場合でも、適切な抵抗値調整を行うことができる四端子構造の抵抗器の製造方法を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【００３３】
本発明に基づく四端子構造の抵抗器Ａ１は、四端子構造のチップ抵抗器であり、図１〜図５に示すように構成され、絶縁基板１０と、上面電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄと、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）１４と、保護膜（「保護層」としてもよい）２０と、下面電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと、側面電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄと、メッキ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄと、を有している。
【００３４】
なお、図２、図６、図７は、四端子構造の抵抗器Ａ１において保護膜や側面電極やメッキを除いた状態の平面図であり、図３は、四端子構造の抵抗器Ａ１において側面電極やメッキを除いた状態の底面図である。
【００３５】
ここで、四端子構造の抵抗器Ａ１についてさらに詳しく説明すると、上記絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記四端子構造の抵抗器Ａ１の基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００３６】
また、上面電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは、図２、図４、図５等に示すように、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（電極間方向）（図１参照））の端部領域に設けられている。つまり、上面電極１２ａ、１２ｃは、絶縁基板１０の上面の一方の側（Ｘ１側）の端部領域に設けられ、上面電極１２ｂ、１２ｄは、絶縁基板１０の上面の他方の側（Ｘ２側）の端部領域に設けられ、各上面電極とも同大同形状に形成されている。なお、各上面電極の形状は略方形状（具体的には、略長方形状）であり、各上面電極の各辺はＸ１−Ｘ２方向又はＹ１−Ｙ２方向を向いている。ここで、上面電極１２ａと上面電極１２ｂは所定の間隔を介してＹ１−Ｙ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成され、上面電極１２ｃと上面電極１２ｄは所定の間隔を介してＹ１−Ｙ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成され、また、上面電極１２ａと上面電極１２ｃは所定の間隔を介してＸ１−Ｘ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成され、上面電極１２ｂと上面電極１２ｄは所定の間隔を介してＸ１−Ｘ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成されている。また、上面電極１２ａ、１２ｃは、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、上面電極１２ｂ、１２ｄは、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、上面電極１２ａと絶縁基板１０のＹ２側の端部には隙間が形成され、上面電極１２ｂと絶縁基板１０のＹ２側の端部には隙間が形成され、上面電極１２ｃと絶縁基板１０のＹ１側の端部には隙間が形成され、上面電極１２ｄと絶縁基板１０のＹ２側の端部には隙間が形成されている。以上のようにして、上面電極が絶縁基板１０の上面の両側に一対ずつ設けられていて、四端子構造に形成されている。なお、各上面電極は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。なお、上面電極１２ａは上記第１電極部に相当し、上面電極１２ｂは上記第３電極部に相当し、上面電極１２ｃは上記第２電極部に相当し、上面電極１２ｄは上記第４電極部に相当する。
【００３７】
なお、上面電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄは上記の構成であるとして説明したが、これには限られず、絶縁基板１０の両側に上面電極が２つずつ設けられた構成であればよい。
【００３８】
また、抵抗体１４は、上面電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄに接続され、平面視において、方形状（具体的には、長方形状）を呈している。つまり、抵抗体１４のＸ１側の端部領域が上面電極１２ａと上面電極１２ｃの上面に積層して接続され、抵抗体１４のＸ２側の端部領域が上面電極１２ｂと上面電極１２ｄの上面に積層して接続されている。これにより、平面視において上面電極１２ａと上面電極１２ｃとの間の領域にも抵抗体１４が存在し、また、平面視において上面電極１２ｂと上面電極１２ｄとの間の領域にも抵抗体１４が存在する。つまり、図２に示すように、抵抗体１４のＸ１側の端部領域においては、該端部領域のＹ２側の領域１５ａは上面電極１２ａに接続され、該端部領域のＹ１側の領域１５ｂは上面電極１２ｃに接続されているが、上面電極１２ａに接続されている領域と上面電極１２ｃに接続されている領域の間には、上面電極１２ａと上面電極１２ｃのいずれにも接続されていない領域１５ｃ（端部領域）が存在する。同様に、抵抗体１４のＸ２側の端部領域においては、該端部領域のＹ２側の領域１６ａは上面電極１２ｂに接続され、該端部領域のＹ１側の領域１６ｂは上面電極１２ｄに接続されているが、上面電極１２ｂに接続されている領域と上面電極１２ｄに接続されている領域の間には、上面電極１２ｂと上面電極１２ｄのいずれにも接続されていない領域１６ｃ（端部領域）が存在する。
【００３９】
また、抵抗体１４には、トリミング溝Ｔ１が設けられている。このトリミング溝Ｔ１は、横方向、すなわち、Ｘ１−Ｘ２方向に形成されていて、抵抗体１４のＸ１側の端部、すなわち、領域１５ｃの端部からＸ２側に向けて形成されている。つまり、図２におけるＸ１側を一方の側とし、Ｘ２側を他方の側とした場合に、上面電極１２ａと上面電極１２ｃの間の位置から該他方の側に向けてトリミング溝Ｔ１が形成されている。
【００４０】
また、この抵抗体１４は、具体的には、銀パラジウム系厚膜により形成されているが、これには限らず、例えば、銅ニッケル系厚膜により形成してもよい。
【００４１】
また、保護膜２０は、図１、図４、図５に示すように、主に、抵抗体１４を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜２０の配設位置をさらに詳しく説明すると、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅よりも短く形成され、保護膜２０と絶縁基板１０の端部とは所定の間隔が形成されている。さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体１４と上面電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの一部を被覆するように設けられている。この保護膜２０は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、ほう珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。
【００４２】
また、下面電極２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄは、図３〜図５に示すように、上記絶縁基板１０の下面に形成され、絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図３参照））の端部領域に設けられている。つまり、下面電極２２ａ、２２ｃは、絶縁基板１０の下面の一方の側（Ｘ１側）の端部領域に設けられ、下面電極２２ｂ、２２ｄは、絶縁基板１０の下面の他方の側（Ｘ２側）の端部領域に設けられ、各下面電極とも同大同形状に形成されている。なお、各下面電極の形状は略方形状（具体的には、略長方形状）であり、各下面電極の各辺はＸ１−Ｘ２方向又はＹ１−Ｙ２方向を向いている。なお、各下面電極のＹ１−Ｙ２方向の幅は、各上面電極のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一となっている。ここで、下面電極２２ａと下面電極２２ｂは所定の間隔を介してＹ１−Ｙ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成され、下面電極２２ｃと下面電極２２ｄは所定の間隔を介してＹ１−Ｙ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成され、また、下面電極２２ａと下面電極２２ｃは所定の間隔を介してＸ１−Ｘ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成され、下面電極２２ｂと下面電極２２ｄは所定の間隔を介してＸ１−Ｘ２方向の絶縁基板における中心線を介して線対称の位置に形成されている。また、下面電極２２ａ、２２ｃは、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、下面電極２２ｂ、２２ｄは、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。また、下面電極２２ａと絶縁基板１０のＹ２側の端部には隙間が形成され、下面電極２２ｂと絶縁基板１０のＹ２側の端部には隙間が形成され、下面電極２２ｃと絶縁基板１０のＹ１側の端部には隙間が形成され、下面電極２２ｄと絶縁基板１０のＹ１側の端部には隙間が形成されている。なお、各下面電極は、Ｙ１−Ｙ２方向には、上面電極と対応する位置に形成されている。つまり、下面電極２２ａのＹ１−Ｙ２方向の形成位置は、上面電極１２ａの形成位置に対応し、下面電極２２ｂのＹ１−Ｙ２方向の形成位置は、上面電極１２ｂの形成位置に対応し、下面電極２２ｃのＹ１−Ｙ２方向の形成位置は、上面電極１２ｃの形成位置に対応し、下面電極２２ｄＹ１−Ｙ２方向の形成位置は、上面電極１２ｄの形成位置に対応している。以上のようにして、下面電極が絶縁基板１０の下面の両側に一対ずつ設けられていて、四端子構造に形成されている。なお、各下面電極は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
【００４３】
また、上記側面電極は、上面電極の一部と、下面電極の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面の一部と、Ｘ２側の側面の一部）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。つまり、側面電極２４ａは、上面電極１２ａと、下面電極２２ａと、絶縁基板１０のＸ１側の側面の一部とを被覆するように略コ字状に形成され、また、側面電極２４ｂは、上面電極１２ｂと、下面電極２２ｂと、絶縁基板１０のＸ２側の側面の一部とを被覆するように略コ字状に形成され、側面電極２４ｃは、上面電極１２ｃと、下面電極２２ｃと、絶縁基板１０のＸ１側の側面の一部とを被覆するように略コ字状に形成され、また、側面電極２４ｄは、上面電極１２ｄと、下面電極２２ｄと、絶縁基板１０のＸ２側の側面の一部とを被覆するように略コ字状に形成されている。なお、各側面電極のＹ１−Ｙ２方向の幅は、上面電極や下面電極のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一に形成されている。
【００４４】
また、メッキ２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄは、ニッケルメッキ２８と、錫メッキ３０とから構成されていて、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。
【００４５】
ニッケルメッキ２８は、保護膜２０の一部と、上面電極の一部と、側面電極と、下面電極の一部を被覆するように形成されている。つまり、メッキ２６ａにおけるニッケルメッキ２８は、保護膜２０の一部と、上面電極１２ａの一部と、側面電極２４ａと、下面電極２２ａの一部を被覆するように形成され、また、メッキ２６ｂにおけるニッケルメッキ２８は、保護膜２０の一部と、上面電極１２ｂの一部と、側面電極２４ｂと、下面電極２２ｂの一部を被覆するように形成され、また、メッキ２６ｃにおけるニッケルメッキ２８は、保護膜２０の一部と、上面電極１２ｃの一部と、側面電極２４ｃと、下面電極２２ｃの一部を被覆するように形成され、また、メッキ２６ｄにおけるニッケルメッキ２８は、保護膜２０の一部と、上面電極１２ｄの一部と、側面電極２４ｄと、下面電極２２ｄの一部を被覆するように形成されている。各ニッケルメッキ２８は、電気メッキにより略均一の膜厚で配設されている。これらのニッケルメッキ２８は、ニッケルにて形成されており、上面電極等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキ２８は、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００４６】
また、錫メッキ３０は、ニッケルメッキ２８の上面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。この錫メッキ３０は、上記四端子構造の抵抗器Ａ１の配線基板へのはんだ付けを良好に行うために形成されている。なお、この錫メッキ３０は、錫メッキ以外に、はんだが用いられる場合もある。
【００４７】
なお、上記上面電極と、これに対応する下面電極と側面電極とメッキとで電極部が形成される。つまり、上面電極１２ａと下面電極２２ａと側面電極２４ａとメッキ２６ａとで電極部４０ａが形成され、上面電極１２ｂと下面電極２２ｂと側面電極２４ｂとメッキ２６ｂとで電極部４０ｂが形成され、上面電極１２ｃと下面電極２２ｃと側面電極２４ｃとメッキ２６ｃとで電極部４０ｃが形成され、上面電極１２ｄと下面電極２２ｄと側面電極２４ｄとメッキ２６ｄとで電極部４０ｄが形成される。
【００４８】
なお、上記の四端子構造の抵抗器Ａ１の説明においては、抵抗体１４には、トリミング溝Ｔ１が設けられているものとして説明したが、他の例として、図６に示す四端子構造の抵抗器Ａ２のように、トリミング溝Ｔ１とトリミング溝Ｔ２とが設けられているものとしてもよい。つまり、抵抗体１４の電極間方向の両側の端部からトリミング溝が形成されている。
【００４９】
このトリミング溝Ｔ１は、四端子構造の抵抗器Ａ１におけるトリミング溝Ｔ１の場合と同様に、横方向、すなわち、Ｘ１−Ｘ２方向に形成されていて、抵抗体１４のＸ１側の端部、すなわち、領域１５ｃの端部からＸ２側に向けて形成されている。つまり、図６におけるＸ１側を一方の側とし、Ｘ２側を他方の側とした場合に、上面電極１２ａと上面電極１２ｃの間の位置から該他方の側に向けてトリミング溝Ｔ１が形成されている。
【００５０】
また、トリミング溝Ｔ２は、トリミング溝Ｔ１と同様に、横方向、すなわち、Ｘ１−Ｘ２方向に形成されているが、抵抗体１４のＸ２側の端部、すなわち、領域１６ｃの端部からＸ１側に向けて形成されている。つまり、図６におけるＸ１側を一方の側とし、Ｘ２側を他方の側とした場合に、上面電極１２ｂと上面電極１２ｄの間の位置から該一方の側に向けてトリミング溝Ｔ２が形成されている。
【００５１】
また、上記四端子構造の抵抗器Ａ２以外の他の例として、図７に示す四端子構造の抵抗器Ａ３のように、トリミング溝Ｔ１とトリミング溝Ｔ３とが設けられているものとしてもよい。つまり、抵抗体１４に対して、電極間方向にトリミング溝が形成されているとともに、電極間方向とは直角の方向にもトリミング溝が形成されている。
【００５２】
このトリミング溝Ｔ１は、四端子構造の抵抗器Ａ１におけるトリミング溝Ｔ１の場合と同様に、横方向、すなわち、Ｘ１−Ｘ２方向に形成されていて、抵抗体１４のＸ１側の端部、すなわち、領域１５ｃの端部からＸ２側に向けて形成されている。つまり、図６におけるＸ１側を一方の側とし、Ｘ２側を他方の側とした場合に、上面電極１２ａと上面電極１２ｃの間の位置から該他方の側に向けてトリミング溝Ｔ１が形成されている。
【００５３】
一方、トリミング溝Ｔ３は、縦方向、すなわち、Ｙ１−Ｙ２方向に形成されていて、抵抗体１４のＹ１側の端部からＹ２側に向けて形成されている。つまり、図７におけるＸ１側を一方の側とし、Ｘ２側を他方の側とした場合に、該一方の側の辺部及び他方の側の辺部とは異なる側の辺部から電極間方向に直角な方向にトリミング溝Ｔ２が形成されている。
【００５４】
なお、この四端子構造の抵抗器Ａ３についても、その断面図は図４、図５に示すように示されるが、厳密には図５においては、抵抗体１４にはトリミング溝Ｔ３が設けられることになる。
【００５５】
また、上記の説明においては、トリミング溝Ｔ１とトリミング溝Ｔ２は、Ｘ１−Ｘ２方向に形成されているとしたが、若干斜めに形成されていてもよく、すなわち、トリミング溝の形成方向がＸ１−Ｘ２方向の成分を含んでいればよい。また、トリミング溝Ｔ３は、Ｙ１−Ｙ２方向に形成されているとしたが、若干斜めに形成されていてもよく、すなわち、トリミング溝の形成方向がＹ１−Ｙ２方向の成分を含んでいればよい。
【００５６】
なお、Ｘ１−Ｘ２方向は、絶縁基板１０の平面視における長辺と同じ方向であり、Ｙ１−Ｙ２方向は、絶縁基板１０の平面視における短辺と同じ方向であるといえる。
【００５７】
上記構成の四端子構造の抵抗器Ａの製造方法について、図８〜図２１等を使用して説明する。
【００５８】
まず、表面と裏面の両面に一次スリットと二次スリットが形成されている無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数の四端子構造の抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する（Ｓ１０（図８参照）、下面電極形成工程）。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。なお、この下面電極の形成に際しては、隣接する抵抗器について同時に下面電極を形成する。
【００５９】
次に、アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に上面電極を形成する（Ｓ１１（図８参照）、上面電極形成工程）。すなわち、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。なお、当然各抵抗器ごとに４つの上面電極を形成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）である。なお、四端子構造の抵抗器となった場合に隣接する抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。
【００６０】
次に、該アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に抵抗体を形成する（Ｓ１２（図８参照）、抵抗体形成工程）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。なお、形成する抵抗体の形状は、上記のように、方形状（具体的には、長方形状）とする。また、この抵抗体ペーストは、銀パラジウム系厚膜であるが、これには限らず、例えば、銅ニッケル系厚膜により形成してもよい。
【００６１】
次に、抵抗体１４にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する（Ｓ１３（図８参照）、抵抗値調整工程）。つまり、レーザートリミングにより抵抗体１４にトリミング溝を形成する。なお、この抵抗値調整工程の詳細については、後述する。
【００６２】
次に、少なくとも抵抗体１４を覆うように保護膜を形成する（Ｓ１４（図８参照）、保護膜形成工程）。つまり、樹脂ペーストを印刷し、乾燥・硬化させる。なお、Ｙ方向に帯状に樹脂ペーストを印刷して、Ｙ方向に複数の抵抗器分まとめて一連の帯状に保護膜を形成するようにしてもよい。
【００６３】
その後は、一次スリットに沿って一次分割する（Ｓ１５（図８参照）、分割工程）。この分割に際しては、例えば、下面側を基点として、アルミナ基板を折り曲げるようにして分割する。つまり、１つの抵抗器分のアルミナ基板の部分を直線状に配列してなる短冊状基板を隣接する短冊状基板に対して折り曲げるように上面側から下方に折曲させて分割する。
【００６４】
次に、該短冊状基板に対して、側面電極を形成する（Ｓ１６（図８参照）、側面電極形成工程）。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・硬化する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成する方法としてもよい。また、スパッタ法により側面電極を金属薄膜で形成してもよい。その後、二次スリットに沿って二次分割する（Ｓ１７（図８参照））。
【００６５】
次に、メッキを形成する（Ｓ１８（図８参照））。つまり、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成して、四端子構造の抵抗器とする。
【００６６】
ここで、上記抵抗値調整（Ｓ１３）の詳細について説明する。図９に示すように、まず、抵抗体形成工程（Ｓ１２）において形成した抵抗体の抵抗値を測定する（Ｓ２０）。なお、図９に示す方法を取る前提として、抵抗体形成工程（Ｓ１２）における抵抗体の形成に際しては、なるべく所望の抵抗値に近い抵抗値となるように形成する。つまり、形成する抵抗体の形状、大きさ、抵抗体ペーストの量、焼成温度等を予め調整しておいて、所望の抵抗値に近いように形成する。ただし、その場合でも、抵抗体形成工程（Ｓ１２）において形成した抵抗体の抵抗値は正確に所望の抵抗値になるとは限らず、通常は、所望の抵抗値よりも高い値か低い値になる。
【００６７】
そして、測定された抵抗値が所望の抵抗値と同じであるか否かを判定し（Ｓ２１）、同じである場合には、トリミングによる抵抗値調整は必要ないので、抵抗値調整工程（Ｓ１３）を終了する。
【００６８】
一方、測定された抵抗値が所望の抵抗値と同じでない場合には、測定された抵抗値が所望の抵抗値よりも高いか否かを判定し（Ｓ２２）、高い場合には、抵抗値を下げるトリミングを行い（Ｓ２３）、低い場合には、抵抗値を上げるトリミングを行う（Ｓ２４）。このステップＳ２３又はステップＳ２４の処理を行った場合には、抵抗値調整工程（Ｓ１３）を終了し、保護膜形成工程（Ｓ１４）に移行する。
【００６９】
ここで、上記ステップＳ２３におけるように抵抗値を下げるトリミングを行う場合には、図１０に示す方法と、図１１に示す方法と、図１２に示す方法のいずれかの方法を行う。
【００７０】
まず、図１０に示す方法（第１の方法）は、抵抗体に対してトリミング溝を横方向、すなわち、電極間方向に形成する方法である。この図１０に示す方法は、図１４のＷ１３に示される。この図１４において、Ｗ１１は、上面電極形成工程（Ｓ１１）に相当し、アルミナ基板５に上面電極１２が形成される。また、Ｗ１２は、抵抗体形成工程（Ｓ１２）に相当し、抵抗体１４が形成される。また、Ｗ１３は、抵抗値調整工程（Ｓ１３）に相当し、トリミング溝Ｔ１が形成される。
【００７１】
つまり、図１０に示す方法においては、図１４に示すように、抵抗体１４の電極間方向における一方の側の端部で上面電極形成工程（Ｗ１１参照）において形成された一対の上面電極１２の間の位置からＸ１−Ｘ２方向にトリミング溝Ｔ１を形成する（Ｗ１３、Ｓ３０（図１０））。つまり、抵抗体１４のＸ１側（一方の側）に接続された一対の上面電極（第１電極部と第２電極部）の間の位置から該四端子構造の抵抗器のＸ２側（他方の側）に向けてトリミングを行う。なお、抵抗体１４のＸ１側に接続された一対の上面電極１２のうち一方が第１電極部であり他方が第２電極部であるといえ、さらに、抵抗体１４のＸ２側に接続された一対の上面電極１２のうち一方が第３電極部であり他方が第４電極部であるといえる（図１５〜図１７においても同じ）。このようにトリミング溝Ｔ１を形成することにより、抵抗体１４の有効長が短くなるので、抵抗値を下げることができる。そして、トリミング溝Ｔ１を、抵抗体１４が所望の抵抗値になるまで行う。つまり、抵抗値を監視しながらトリミング溝を形成していって、所望の抵抗値に到達した場合には、トリミングを中止する。なお、この図１０に示す方法による四端子構造の抵抗器が、図２に示す四端子構造の抵抗器Ａ１となる。ここで、図１０に示す工程が上記トリミング工程に当たる。
【００７２】
なお、図１４のＷ１３に示すようなトリミング溝の形成に当たっては、抵抗体１４において上面電極１２に接続している領域の間の位置からトリミング溝を形成し始めるので、上面電極１２に接続している領域の間の領域（図１４においては、Ｒ１の領域、図２では領域１５ｃに相当する）におけるトリミング溝の形成は電圧降下にそれほど寄与せず、図１８に示すように、徐々に抵抗値が下がるが、上面電極１２に接続している領域の間の領域を超えて、図１４におけるＲ２の領域に入ると、図１８に示すように、トリミング溝の単位長さ当たりの抵抗値の降下量は大きくなり、図１８に示すように抵抗値が降下する。つまり、領域Ｒ１、Ｒ２ともにトリミング溝の形成長さに比例して抵抗値は降下するが、トリミング溝の単位長さ当たりの抵抗値の降下量は、領域Ｒ１よりも領域Ｒ２の方が大きい。なお、図１８に示すように抵抗値の降下するのは、本実施例のような電流検出に用いる四端子構造の抵抗器においては、上面電極の面積抵抗が抵抗体の面積抵抗よりやや小さいのが一般的であることによる。これが例えば、抵抗体の面積抵抗が上面電極の面積抵抗よりもかなり大きい場合には、領域Ｒ１においては、抵抗値はほとんど降下しないことになり、また、上面電極の面積抵抗が抵抗体の面積抵抗よりもかなり大きい場合には、領域Ｒ１と領域Ｒ２のいずれにおいても、トリミング溝の単位長さ当たりの抵抗値の降下量は同じであり、図１８とは異なり直線的に抵抗値が降下することになる。
【００７３】
なお、図１４に示す例では、トリミング溝Ｔ１を抵抗体１４のＸ１側の端部から形成するとしたが、Ｘ２側の端部から形成してもよい。
【００７４】
次に、図１１に示す方法（第２の方法）は、抵抗体に対してトリミング溝を横方向、すなわち、電極間方向に両側から形成する方法である。この図１１に示す方法は、図１５のＷ２３とＷ２４に示される。この図１５において、Ｗ２１は、上面電極形成工程（Ｓ１１）に相当し、アルミナ基板５に上面電極１２が形成される。また、Ｗ２２は、抵抗体形成工程（Ｓ１２）に相当し、抵抗体１４が形成される。また、Ｗ２３とＷ２４は、抵抗値調整工程（Ｓ１３）に相当し、トリミング溝Ｔ１を形成した後トリミング溝Ｔ２を形成する。
【００７５】
つまり、図１１に示す方法においては、図１５に示すように、抵抗体１４の電極間方向における一方の側の端部で上面電極形成工程（Ｗ２１参照）において形成された一対の上面電極１２の間の位置からＸ１−Ｘ２方向にトリミング溝Ｔ１を形成する（Ｗ２３、Ｓ４０（図１１））。つまり、抵抗体１４のＸ１側の端部で上面電極１２の間の位置からトリミング溝Ｔ１を形成する。すなわち、抵抗体１４のＸ１側に接続された一対の上面電極（第１電極部と第２電極部）の間の位置から該四端子構造の抵抗器の他方の側に向けてトリミングを行う。このようにトリミング溝Ｔ１を形成することにより、抵抗体１４の有効長が短くなるので、抵抗値を下げることができる。なお、このステップＳ４０においては、所望の抵抗値よりも少し高い抵抗値の位置までトリミング溝Ｔ１を形成して、該位置までトリミング溝Ｔ１を形成したら、トリミング溝Ｔ１の形成を中止する。なお、図１５のＷ２３に示すようなトリミング溝の形成に当たっては、抵抗体１４において上面電極１２に接続している領域の間の位置からトリミング溝を形成し始めるので、上面電極１２に接続している領域の間の領域（図１５においては、Ｒ１の領域、図６では領域１５ｃに相当する）におけるトリミングの形成は電圧降下にそれほど寄与せず、図１９に示すように、徐々に抵抗値が下がるが、上面電極１２に接続している領域の間の領域を超えて、図１５におけるＲ２の領域に入ると、図１９に示すように、トリミング溝の単位長さ当たりの抵抗値の降下量は大きくなり、図１９に示すように抵抗値が降下する。
【００７６】
次に、抵抗体１４の電極間方向における他方の側の端部で一対の上面電極１２の間の位置からＸ１−Ｘ２方向にトリミング溝Ｔ２を形成する（Ｗ２４、Ｓ４１（図１１））。つまり、抵抗体１４のＸ２側の端部で上面電極１２の間の位置からトリミング溝Ｔ２を形成する。すなわち、上記抵抗体における第３電極部と第４電極部の間の位置から上記四端子構造の抵抗器の一方の側に向けてトリミングを行う。このようにトリミング溝Ｔ２を形成することにより、抵抗体１４の有効長が短くなるので、抵抗値を下げることができる。そして、トリミング溝Ｔ２を、抵抗体１４が所望の抵抗値になるまで行う。つまり、抵抗値を監視しながらトリミング溝Ｔ２を形成していって、所望の抵抗値に到達した場合には、トリミングを中止する。なお、この図１１に示す方法による四端子構造の抵抗器が、図６に示す四端子構造の抵抗器Ａ２となる。ここで、ここで、図１１に示す工程が上記トリミング工程に当たる。
【００７７】
この場合に、トリミング溝Ｔ１の場合と同様に、抵抗体１４において上面電極１２に接続している領域の間の位置からトリミング溝を形成し始めるので、上面電極１２に接続している領域の間の領域Ｒ３（図１５参照）においては、抵抗値の降下は緩やかであり、所望の抵抗値に至るまでの抵抗値の変化は図１９に示すようになる。
【００７８】
このようにトリミング溝Ｔ１で所望の抵抗値よりも少し高い位置まで抵抗値を降下させ、その後、トリミング溝Ｔ２で所望の抵抗値にまで調整するので、抵抗値の調整を正確に行うことができる。つまり、トリミング溝Ｔ１によれば、領域Ｒ２に入ると抵抗値の変化が大きいので、抵抗値を所望の値に正確に調整するのが困難となるが、図１１に示す方法の場合には、最終的な調整をトリミング溝Ｔ２により行い、トリミング溝Ｔ２の形成に際しては、領域Ｒ１の範囲では抵抗値の変化が小さいので、微調整を行うことができる。つまり、トリミング溝Ｔ１で粗調整を行い、トリミング溝Ｔ２で微調整を行うので、抵抗値の調整を正確に行うことができる。なお、トリミング溝Ｔ２も領域Ｒ２に入ると抵抗値変化が大きくなるので、トリミング溝Ｔ１の形成に際しては、トリミング溝Ｔ２による微調整を領域Ｒ３内で完了できる程度に、なるべく所望の抵抗値に近い位置まで形成しておくことが好ましい。つまり、トリミング溝Ｔ１の形成に際しては、所望の抵抗値よりも高い位置まで形成するが、なるべく所望の抵抗値との差を小さくすることが好ましい。
【００７９】
なお、上記の説明では、Ｘ１側からトリミング溝を形成した後に、Ｘ２側からトリミング溝を形成するとして説明したが、Ｘ２側からトリミング溝を形成した後に、Ｘ１側からトリミング溝を形成するようにしてもよい。
【００８０】
次に、図１２に示す方法（第３の方法）は、抵抗体に対してトリミング溝を横方向（すなわち、電極間方向）に形成した後に、トリミング溝を縦方向（すなわち、電極間方向に直角な方向）に形成する方法である。この図１２に示す方法は、図１６のＷ３３とＷ３４に示される。この図１６において、Ｗ３１は、上面電極形成工程（Ｓ１１）に相当し、アルミナ基板５に上面電極１２が形成される。また、Ｗ３２は、抵抗体形成工程（Ｓ１２）に相当し、抵抗体１４が形成される。また、Ｗ３３とＷ３４は、抵抗値調整工程（Ｓ１３）に相当し、トリミング溝Ｔ１を形成した後トリミング溝Ｔ３を形成する。
【００８１】
つまり、図１２に示す方法においては、図１６に示すように、抵抗体１４の電極間方向における一方の側の端部で上面電極形成工程（Ｗ３１参照）において形成された一対の上面電極１２の間の位置からＸ１−Ｘ２方向にトリミング溝Ｔ１を形成する（Ｗ３３、Ｓ５０（図１２））。つまり、抵抗体１４のＸ１側の端部で上面電極１２の間の位置からトリミング溝Ｔ１を形成する。抵抗体１４のＸ１側に接続された一対の上面電極（第１電極部と第２電極部）の間の位置から該四端子構造の抵抗器の他方の側に向けてトリミングを行う。このようにトリミング溝Ｔ１を形成することにより、抵抗体１４の有効長が短くなるので、抵抗値を下げることができる。なお、このステップＳ５０においては、所望の抵抗値よりも少し低い抵抗値の位置までトリミング溝Ｔ１を形成して、該位置までトリミング溝Ｔ１を形成したら、トリミング溝Ｔ１の形成を中止する。なお、図１６のＷ３３に示すようなトリミング溝の形成に当たっては、抵抗体１４において上面電極１２に接続している領域の間の位置からトリミング溝を形成し始めるので、上面電極１２に接続している領域の間の領域（図１６においては、Ｒ１の領域、図７では領域１５ｃに相当する）におけるトリミングの形成は電圧降下にそれほど寄与せず、図２０に示すように、徐々に抵抗値が下がるが、上面電極１２に接続している領域の間の領域を超えて、図１６におけるＲ２の領域に入ると、図２０に示すように、トリミング溝の単位長さ当たりの抵抗値の降下量は大きくなり、図２０に示すように抵抗値が降下する。このトリミング溝Ｔ１を形成する工程が上記トリミング工程に当たる。
【００８２】
次に、抵抗体１４のＹ１側又はＹ２側の辺部から縦方向（つまり、Ｙ１−Ｙ２方向（電極間方向に直角の方向））にトリミング溝Ｔ３を形成する（Ｗ３４、Ｓ５１（図１２））。このようにトリミング溝Ｔ３を形成することにより、抵抗体１４の有効幅が狭くなるので、抵抗値を上げることができる。そして、トリミング溝Ｔ３を、抵抗体１４が所望の抵抗値になるまで行う。つまり、抵抗値を監視しながらトリミング溝Ｔ３を形成していって、所望の抵抗値に到達した場合には、トリミングを中止する。なお、この図１２に示す方法による四端子構造の抵抗器が、図７に示す四端子構造の抵抗器Ａ３となる。なお、トリミング溝Ｔ３の形成に当たっては、正確にＹ１−Ｙ２方向でなくても、多少斜めになっていてもよく、Ｙ１−Ｙ２方向の成分を有する方向であればよい。このトリミング溝Ｔ３を形成する工程が上記第２のトリミング工程に当たる。つまり、トリミング溝Ｔ３の形成に当たっては、四端子構造の抵抗器の上記一方の側の辺部及び上記他方の側の辺部とは異なる側の辺部から、該一方の側と他方の側とを結ぶ方向である電極間方向とは略直角の方向にトリミングを行っているといえる（図１３に示す方法におけるトリミング溝Ｔ３においても同じ）。
【００８３】
この場合に、トリミング溝Ｔ３においては、トリミング溝Ｔ３の長さが短い間は、単位長さ当たりの抵抗値の上昇は緩やかであり（図２１も参照）、所望の抵抗値に至るまでの抵抗値の変化は図２０に示すようになる。
【００８４】
このようにトリミング溝Ｔ１で所望の抵抗値よりも少し低い位置まで抵抗値を降下させ、その後、トリミング溝Ｔ３で所望の抵抗値にまで調整するので、抵抗値の調整を正確に行うことができる。つまり、トリミング溝Ｔ１によれば、領域Ｒ２に入ると抵抗値の変化が大きいので、抵抗値を所望の値に正確に調整するのが困難となるが、図１２に示す方法の場合には、最終的な調整をトリミング溝Ｔ３により行い、トリミング溝Ｔ３の形成に際しては、トリミング溝の形成長さが短い間は抵抗値の変化が小さいので、微調整を行うことができる。つまり、トリミング溝Ｔ１で粗調整を行い、トリミング溝Ｔ３で微調整を行うので、抵抗値の調整を正確に行うことができる。なお、トリミング溝Ｔ３も形成長さが長くなると抵抗値変化が大きくなるので、トリミング溝Ｔ１の形成に際しては、トリミング溝Ｔ３による微調整を抵抗値変化の小さい間に完了できる程度に、なるべく所望の抵抗値を超えた直後位置まで形成しておくことが好ましい。つまり、トリミング溝Ｔ１の形成に際しては、所望の抵抗値よりも低くなるまで形成するが、なるべく所望の抵抗値との差を小さくすることが好ましい。
【００８５】
また、上記の説明では、横方向のトリミング溝は抵抗体１４のＸ１側の端部から形成するとして説明したが、Ｘ２側の端部から形成してもよく、また、縦方向のトリミング溝は抵抗体１４のＹ１側の端部から形成するとして説明したが、Ｙ２側の端部から形成してもよい。
【００８６】
次に、上記ステップＳ２４におけるように抵抗値を上げるトリミングを行う場合には、図１３に示す方法（第４の方法）により行なう。すなわち、抵抗体に対してトリミング溝を縦方向（すなわち、電極間方向に直角な方向）に形成した後に、トリミング溝を横方向（すなわち、電極間方向）に形成する方法である。この図１３に示す方法は、図１７のＷ４３とＷ４４に示される。この図１７において、Ｗ４１は、上面電極形成工程（Ｓ１１）に相当し、アルミナ基板５に上面電極１２が形成される。また、Ｗ４２は、抵抗体形成工程（Ｓ１２）に相当し、抵抗体１４が形成される。また、Ｗ４３とＷ４４は、抵抗値調整工程（Ｓ１３）に相当し、トリミング溝Ｔ３を形成した後トリミング溝Ｔ１を形成する。
【００８７】
つまり、図１３に示す方法においては、図１７に示すように、抵抗体１４のＹ１側又はＹ２側の辺部から縦方向（つまり、Ｙ１−Ｙ２方向（電極間方向に直角の方向））にトリミング溝Ｔ３を形成する（Ｗ４３、Ｓ６０（図１３））。このようにトリミング溝Ｔ３を形成することにより、抵抗体１４の有効幅が狭くなるので、抵抗値を上げることができる。なお、このステップＳ６０においては、所望の抵抗値よりも少し高い抵抗値の位置までトリミング溝Ｔ３を形成して、該位置までトリミング溝Ｔ３を形成したら、トリミング溝Ｔ３の形成を中止する。なお、トリミング溝Ｔ３の形成に当たっては、正確にＹ１−Ｙ２方向でなくても、多少斜めになっていてもよく、Ｙ１−Ｙ２方向の成分を有する方向であればよい。
【００８８】
この場合に、トリミング溝Ｔ３においては、トリミング溝Ｔ３の長さが短い間は、単位長さ当たりの抵抗値の上昇は緩やかであるが、形成長さが長くなるに従い、抵抗値の変化は大きくなっていく。つまり、抵抗値の変化は図２１に示すようになる。
【００８９】
次に、抵抗体１４の電極間方向における一方の側の端部で上面電極形成工程（Ｗ３１参照）において形成された一対の上面電極１２の間の位置からＸ１−Ｘ２方向にトリミング溝Ｔ１を形成する（Ｗ４４、Ｓ６１（図１３））。つまり、抵抗体１４のＸ１側の端部で上面電極１２の間の位置からトリミング溝Ｔ１を形成する。すなわち、抵抗体１４のＸ１側に接続された一対の上面電極（第１電極部と第２電極部）の間の位置から該四端子構造の抵抗器の他方の側に向けてトリミングを行う。このようにトリミング溝Ｔ１を形成することにより、抵抗体１４の有効長が短くなるので、抵抗値を下げることができる。そして、トリミング溝Ｔ１を、抵抗体１４が所望の抵抗値になるまで行う。つまり、抵抗値を監視しながらトリミング溝Ｔ１を形成していって、所望の抵抗値に到達した場合には、トリミングを中止する。なお、この図１３に示す方法による四端子構造の抵抗器は、図７に示すような状態となるが、厳密には、トリミング溝Ｔ１は微調整に用いることから、領域１５ｃ内に納まる長さとなる。この図１３に示す方法において、トリミング溝Ｔ３を形成する工程が上記第２のトリミング工程に当たり、トリミング溝Ｔ１を形成する工程が、上記トリミング工程に当たる。
【００９０】
このように、最終的な調整をトリミング溝Ｔ１により行い、領域Ｒ１の範囲では抵抗値の変化が小さいので、微調整を行うことができる。つまり、トリミング溝Ｔ３で粗調整を行い、トリミング溝Ｔ１で微調整を行うので、抵抗値の調整を正確に行うことができる。なお、トリミング溝Ｔ１も領域Ｒ２に入ると抵抗値変化が大きくなるので、トリミング溝Ｔ３の形成に際しては、トリミング溝Ｔ１による微調整を領域Ｒ１内で完了できる程度に、なるべく所望の抵抗値に近い位置まで形成しておくことが好ましい。つまり、トリミング溝Ｔ３の形成に際しては、所望の抵抗値よりも高い位置まで形成するが、なるべく所望の抵抗値との差を小さくすることが好ましい。
【００９１】
なお、上記の説明では、縦方向のトリミング溝は抵抗体１４のＹ１側の端部から形成するとして説明したが、Ｙ２側の端部から形成してもよく、また、横方向のトリミング溝は抵抗体１４のＸ１側の端部から形成するとして説明したが、Ｘ２側の端部から形成してもよい。
【００９２】
なお、上記の説明では、図９に示すように、抵抗体形成工程（Ｓ１２）における抵抗体の形成に際しては、なるべく所望の抵抗値に近い抵抗値となるように形成し、形成した抵抗体の抵抗値を測定して、所望の抵抗値と比較することにより、抵抗値を下げるトリミングを行うか、又は、抵抗値を上げるトリミングを行うものとしたが、抵抗体形成工程（Ｓ１２）における抵抗体の形成に際して、所望の抵抗値より抵抗値が高くなるように抵抗体を形成しておき、その後、抵抗値を下げるトリミングを行うようにしてもよい。なお、その場合の抵抗値を下げるトリミングを行なう場合には、図１０に示す方法と、図１１に示す方法と、図１２に示す方法のいずれかを採用すればよい。
【００９３】
また、上記とは逆に、抵抗体形成工程（Ｓ１２）における抵抗体の形成に際して、所望の抵抗値より抵抗値が低くなるように抵抗体を形成しておき、その後、抵抗値を上げるトリミングを行うようにしてもよい。なお、その場合の抵抗値を下げるトリミングを行なう場合には、図１３に示す方法を用いる。なお、単にトリミング溝を縦方向（Ｙ１−Ｙ２方向）に形成するものとしてもよい。
【００９４】
なお、上記の説明において、縦方向のトリミングにおいては、抵抗体１４のＹ１側又はＹ２側の端部から形成するとしたが、これには限られず、抵抗体１４の内側の位置からトリミング溝を形成してもよい。
【００９５】
また、上記の説明において、横方向のトリミングにおいては、トリミング溝Ｔ１やトリミング溝Ｔ２をＸ１−Ｘ２方向に形成するとして説明したが、正確にＸ１−Ｘ２方向でなくても、多少斜めになっていてもよく、Ｘ１−Ｘ２方向の成分を有する方向であればよい。
【００９６】
なお、図８におけるメッキの形成（Ｓ１８）を行った後に、製造された四端子構造の抵抗器を製品として完成するには、４つの電極部のうちの左右一対の電極部を電流端子とし、他の左右一対の電極部を電圧端子として、一対の電流端子間に電流を流した状態で、一対の電圧端子に電圧計を接続して電圧を計測する。例えば、電極部４０ａと電極部４０ｂを電流端子とし、電極部４０ｃと電極部４０ｄを電圧端子として、電極部４０ａと電極部４０ｂ間に電流を流した状態で、電極部４０ｃと電極部４０ｄ間に電圧計を接続して電圧を計測する。なお、電極部４０ａ、４０ｂを電圧端子とするとともに、電極部４０ｃ、４０ｄを電流端子としてもよいし、また、電極部４０ａ、４０ｄを電流端子とするとともに、電極部４０ｃ、４０ｂを電圧端子としてもよいし、また、電極部４０ａ、４０ｄを電圧端子とするとともに、電極部４０ｃ、４０ｂを電流端子としてもよい。電流値と計測された電圧値とにより抵抗値が算出されるので、その四端子構造の抵抗器の抵抗値が特定される。この抵抗値は、四端子構造の抵抗器Ａ１、Ａ２、Ａ３を使用するに際して、既知の抵抗値として使用される。
【００９７】
以上のように、上記第１の方法〜第４の方法においては、横方向にトリミング溝を形成して抵抗値を下げる工程が含まれているので、抵抗値を下げることにより抵抗値の調整を行うことができる。特に、上記第２の方法と第３の方法と第４の方法においては、１本目のトリミング溝により粗調整を行った後に、２本目のトリミング溝により微調整を行うことができ、特に、２本目のトリミング溝の形成においては、抵抗値変化が小さいうちに微調整を行うことができるので、正確に所望の抵抗値に調整することができる。
【００９８】
また、上記のように、上面電極１２ａと上面電極１２ｃの間の位置からトリミング溝Ｔ１を形成したり、上面電極１２ｂと上面電極１２ｄの間の位置からトリミング溝Ｔ２を形成することにより、抵抗体材料と電極材料との相互の拡散の影響がある領域を、トリミング溝を形成することにより突出形状となる部分（突出部）内に納めることが可能となるので、抵抗体材料と電極材料との相互の拡散がある場合でも、所望の抵抗器の特性を得ることができる。つまり、抵抗体材料と電極材料との相互の拡散の影響がある領域を、抵抗体１４において抵抗体として機能しない領域内に納めることが可能となるので、抵抗体材料と電極材料との相互の拡散がある場合でも、所望の抵抗器の特性を得ることができる。なお、トリミング溝Ｔ１、Ｔ２はなるべく長い方が抵抗体材料と電極材料との相互の拡散の影響がある領域を突出部内に納めやすくなるので、トリミング溝Ｔ１、Ｔ２はなるべく長い方が好ましいといえる。
【００９９】
なお、図１１に示す方法の応用例として以下の方法が考えられる。つまり、図１１に示す方法の後に縦方向にトリミングを行う。つまり、２本目の横方向のトリミングにおいて、領域Ｒ３内で所望の抵抗値に調整できない場合には、領域Ｒ２内にトリミング溝が入ると抵抗値変化が大きくなるので、その場合には、所望の抵抗値よりも低い抵抗値にしてしまい、その後、縦方向のトリミングにより微調整を行うことが考えられる。つまり、この場合には、２本の横方向のトリミング溝と１本の縦方向のトリミング溝が形成されることになる。
【０１００】
また、図１２に示す方法の応用例として以下の方法が考えられる。つまり、図１２に示す方法の後に１本目の横方向のトリミングとは反対側からさらに横方向にトリミングを行う。つまり、縦方向のトリミングにおいて、トリミング溝が短い段階で所望の抵抗値に調整できない場合には、トリミング溝の長さが長くなるに従い抵抗値変化が大きくなるので、その場合には、所望の抵抗値よりも高い抵抗値にしてしまい、その後、横方向のトリミングにより微調整を行うことが考えられる。つまり、この場合には、２本の横方向のトリミング溝と１本の縦方向のトリミング溝が形成されることになる。
【０１０１】
また、図１３に示す方法の応用例として以下の方法が考えられる。つまり、図１３に示す方法の後に１本目の縦方向のトリミングとは同じ側又は反対側からさらに縦方向にトリミングを行う。つまり、横方向のトリミングにおいて、領域Ｒ１内で所望の抵抗値に調整できない場合には、領域Ｒ２内にトリミング溝が入ると抵抗値変化が大きくなるので、その場合には、所望の抵抗値よりも低い抵抗値にしてしまい、その後、縦方向のトリミングにより微調整を行うことが考えられる。つまり、この場合には、１本の横方向のトリミング溝と２本の縦方向のトリミング溝が形成されることになる。
【０１０２】
なお、図１８〜図２１において、縦軸は抵抗値を示し、横軸はトリミング溝の合計の長さを示す。つまり、トリミング溝が１本の場合には、そのトリミング溝の長さを示し、複数の場合には、複数のトリミング溝の長さの合計を示す。
【０１０３】
次に、上記構成の四端子構造の抵抗器Ａ１、Ａ２、Ａ３の使用状態及び作用について説明する。この四端子構造の抵抗器Ａは、配線基板に実装して使用するが、一対の電流端子を電流を流す回路（電流回路）に接続し、一対の電圧端子を電圧計測回路（例えば、電圧計が接続された回路）に接続する。例えば、電極部４０ａと電極部４０ｂに電流回路を接続し、電極部４０ｃと電極部４０ｄに電圧回路を接続する。そして、電流端子間に電流が流れている状態で電圧計測回路によって電圧値を計測することにより、計測された電圧値と既知の抵抗値とにより、電流値が算出される。これにより、電流回路の電流値を計測することができる。
【０１０４】
なお、上記の説明においては、抵抗体１４は、上面電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄの上面に積層して形成されているものとして説明したが、抵抗体１４が絶縁基板１０の上面に形成され、上面電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄが抵抗体１４の上面に積層して形成されたものとしてもよい。
【０１０５】
なお、上記の説明においては、四端子構造の抵抗器として、四端子構造のチップ抵抗器を例に取って説明したが、これには限られず、四端子構造のチップ抵抗器以外の四端子構造の抵抗器であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明の実施例に基づく四端子構造の抵抗器の構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施例に基づく四端子構造の抵抗器における抵抗体と上面電極の形成状態を平面視で示す説明図である。
【図３】本発明の実施例に基づく四端子構造の抵抗器における下面電極の形成状態を底面視で示す説明図である。
【図４】図１におけるＰ−Ｐ断面図である。
【図５】図１におけるＱ−Ｑ断面図である。
【図６】本発明の実施例に基づく四端子構造の抵抗器の他の例における抵抗体と上面電極の形成状態を平面視で示す説明図である。
【図７】本発明の実施例に基づく四端子構造の抵抗器の他の例における抵抗体と上面電極の形成状態を平面視で示す説明図である。
【図８】本発明の実施例に基づく四端子構造の抵抗器の製造工程を示すフローチャートである。
【図９】抵抗値調整工程の詳細を示すフローチャートである。
【図１０】抵抗値を下げる場合のトリミングの例を示すフローチャートである。
【図１１】抵抗値を下げる場合のトリミングの例を示すフローチャートである。
【図１２】抵抗値を下げる場合のトリミングの例を示すフローチャートである。
【図１３】抵抗値を上げる場合のトリミングの例を示すフローチャートである。
【図１４】図１０に示す方法（第１の方法）を用いる場合の製造工程を説明するための説明図である。
【図１５】図１１に示す方法（第２の方法）を用いる場合の製造工程を説明するための説明図である。
【図１６】図１２に示す方法（第３の方法）を用いる場合の製造工程を説明するための説明図である。
【図１７】図１３に示す方法（第４の方法）を用いる場合の製造工程を説明するための説明図である。
【図１８】図１０に示す方法（第１の方法）におけるトリミング溝の長さの合計と抵抗値との関係を示す説明図である。
【図１９】図１１に示す方法（第２の方法）におけるトリミング溝の長さの合計と抵抗値との関係を示す説明図である。
【図２０】図１２に示す方法（第３の方法）におけるトリミング溝の長さの合計と抵抗値との関係を示す説明図である。
【図２１】図１３に示す方法（第４の方法）におけるトリミング溝の長さの合計と抵抗値との関係を示す説明図である。
【図２２】従来における四端子構造の抵抗器の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１０７】
Ａ１、Ａ２、Ａ３  四端子構造の抵抗器
１０  絶縁基板
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２  上面電極
１４  抵抗体
２０  保護膜
２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄ  下面電極
２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ  側面電極
２６ａ、２６ｂ、２６ｃ、２６ｄ  メッキ
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３  トリミング溝
【図１】
2006186267.tif 000003
【図２】
2006186267.tif 000004
【図３】
2006186267.tif 000005
【図４】
2006186267.tif 000006
【図５】
2006186267.tif 000007
【図６】
2006186267.tif 000008
【図７】
2006186267.tif 000009
【図８】
2006186267.tif 000010
【図９】
2006186267.tif 000011
【図１０】
2006186267.tif 000012
【図１１】
2006186267.tif 000013
【図１２】
2006186267.tif 000014
【図１３】
2006186267.tif 000015
【図１４】
2006186267.tif 000016
【図１５】
2006186267.tif 000017
【図１６】
2006186267.tif 000018
【図１７】
2006186267.tif 000019
【図１８】
2006186267.tif 000020
【図１９】
2006186267.tif 000021
【図２０】
2006186267.tif 000022
【図２１】
2006186267.tif 000023
【図２２】
2006186267.tif 000024