(57)【要約】【課題】本発明の目的は、均一な膜厚の無機酸化物膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機酸化物膜を備える電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基板（基材）２上に、無機酸化物を主材料として構成される無機酸化物膜６を形成する成膜方法であり、無機酸化物膜６を形成する膜形成領域３１に無機粒子４を付着させる第１の工程と、基板２を加熱しつつ、この基材２に無機酸化物の前駆体を含有する液状材料をミスト５として供給し、この前駆体を熱により反応させて無機酸化物に変化させ、無機粒子４を核としてこの無機酸化物を膜形成領域３１上に集積して、無機酸化物膜６を成長させる第２の工程とを有するものである。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、無機酸化物を主材料として構成される無機酸化物膜を形成する成膜方法であって、
前記無機酸化物膜を形成する膜形成領域に無機粒子を付着させる第１の工程と、
前記基材を加熱しつつ、該基材に前記無機酸化物の前駆体を含有する液状材料をミストとして供給し、前記前駆体を熱により反応させて前記無機酸化物に変化させ、かつ前記無機粒子を核として前記膜形成領域上に前記無機酸化物を集積して、前記無機酸化物膜を成長させる第２の工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、前記膜形成領域に前記無機粒子をほぼ均一に付着させる請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記膜形成領域における前記無機粒子の付着密度は、５×１０-７ｇ／ｃｍ２以上である請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記無機粒子は、球状、針状または葉状をなしている請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項５】
前記無機粒子の平均粒径は、２〜２０００ｎｍである請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】
前記第２の工程において、前記液状材料に超音波を付与することによりミスト化する請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項７】
前記第２の工程において、前記液状材料は、前記基材に対して間欠的に供給される請求項１ないし６のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項８】
前記液状材料は、前記前駆体の反応を促進させる触媒を含有する請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記第２の工程において、前記基材の加熱温度は、３０〜４００℃である請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記第１の工程に先立って、前記基材の前記無機酸化物膜を形成しない非膜形成領域に、前記液状材料に対する濡れ性が前記膜形成領域よりも高くなるように撥液性を付与する撥液処理を施す工程を有する請求項１ないし９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
前記撥液処理は、前記非膜形成領域に、撥液膜を選択的に形成するものである請求項１０に記載の成膜方法。
【請求項１２】
前記第１の工程において、前記撥液性の差を利用して、前記膜形成領域に前記無機粒子を選択的に付着させる請求項１０または１１に記載の成膜方法。
【請求項１３】
前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５なる関係を満足する請求項１０ないし１２のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１４】
前記無機粒子は、第２の無機酸化物を主材料として構成されたものである請求項１ないし１３のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１５】
前記無機酸化物と前記第２の無機酸化物とは、同種のものである請求項１４に記載の成膜方法。
【請求項１６】
前記無機酸化物膜は、その横断面形状がほぼ矩形をなしている請求項１ないし１５のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１７】
請求項１ないし１６のいずれかに記載の成膜方法により成膜された無機酸化物膜を備えることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項１８】
前記無機酸化物膜は、透明導電膜である請求項１７に記載の電子デバイス用基板。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載の電子デバイス用基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２０】
請求項１９に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、所定パターンの膜の形成には、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、Ｉ：基材上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した膜形成層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、所定パターンに形成された膜を得る。
ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じる。
以上のような問題を解決する方法として、近年、所定パターンの形状を有する撥液親液パターンを利用して膜を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００３】
具体的には、Ｉ：膜材料を含有する液状材料を用意する。II：基材上の膜を形成すべき膜形成領域の液状材料に対する濡れ性を、膜を形成しない非膜形成領域よりも高くする。III：膜形成領域と非膜形成領域との濡れ性の違いを利用して、基材上に供給した液状材料を膜形成領域に選択的に集める。IV：液状材料を乾燥して固化させる。これにより、所定パターンに形成された膜を得る。
ところが、このような方法では、形成される膜が液滴状に湾曲した状態で形成されたり、液状材料を固化させる際に、得られる膜の膜厚が薄くなったりするため、均一な膜厚の膜を得るには困難を要する。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−３３８１８４号公報
【特許文献２】特開２００４−３１５５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、均一な膜厚の無機酸化物膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機酸化物膜を備える電子デバイス用基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成させる。
本発明の成膜方法は、基材上に、無機酸化物を主材料として構成される無機酸化物膜を形成する成膜方法であって、
前記無機酸化物膜を形成する膜形成領域に無機粒子を付着させる第１の工程と、
前記基材を加熱しつつ、該基材に前記無機酸化物の前駆体を含有する液状材料をミストとして供給し、前記前駆体を熱により反応させて前記無機酸化物に変化させ、かつ前記無機粒子を核として前記膜形成領域上に前記無機酸化物を集積して、前記無機酸化物膜を成長させる第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、均一な膜厚の無機酸化物膜を容易かつ安価に形成することができる。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程において、前記膜形成領域に前記無機粒子をほぼ均一に付着させることが好ましい。
これにより、膜形成領域の形状に対応したパターンの無機酸化物膜を確実に得ることができるとともに、均一な膜厚の無機酸化物膜を得ることができる。
本発明の成膜方法では、前記膜形成領域における前記無機粒子の付着密度は、５×１０-７ｇ／ｃｍ２以上であることが好ましい。
無機粒子の付着密度を前記範囲内とすることにより、無機酸化物をより確実に膜形成領域に集める（堆積させる）ことができる。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記無機粒子は、球状、針状または葉状をなしていることが好ましい。
かかる形状を有する無機粒子は、無機酸化物を集める際に、確実に核として機能するものとなる。
本発明の成膜方法では、前記無機粒子の平均粒径は、２〜２０００ｎｍであることが好ましい。
無機粒子の平均粒径をかかる範囲のように小さくすることにより、無機粒子の表面積が増大し、無機酸化物との接触の機会を増加させることができる。その結果、無機酸化物をより確実に膜形成領域に集めることができる。
【０００９】
本発明の成膜方法では、前記第２の工程において、前記液状材料に超音波を付与することによりミスト化することが好ましい。
これにより、液状材料をより微細な粒径の液滴の状態になったものにすることができる。その結果、加熱による無機酸化物の前駆体への熱の伝達がより確実なものとなり、前駆体から無機酸化物への反応を確実かつ迅速に行うことができる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記第２の工程において、前記液状材料は、前記基材に対して間欠的に供給されることが好ましい。
これにより、基板の温度が低下するのを好適に抑制または防止して、液状材料に含まれる無機酸化物の前駆体を確実に無機酸化物に変化させることができる。
本発明の成膜方法では、前記液状材料は、前記前駆体の反応を促進させる触媒を含有することが好ましい。
これにより、無機酸化物の前駆体を無機酸化物に反応させる温度が比較的低くなることから、基板を加熱する温度を低く設定することができる。
【００１１】
本発明の成膜方法では、前記第２の工程において、前記基材の加熱温度は、３０〜４００℃であることが好ましい。
このような範囲に加熱温度を設定することにより、前駆体から無機酸化物への反応をより確実に進行させることができるとともに、無機酸化物膜を膜形成領域に、特に高い選択性をもって形成することができる。
【００１２】
本発明の成膜方法では、前記第１の工程に先立って、前記基材の前記無機酸化物膜を形成しない非膜形成領域に、前記液状材料に対する濡れ性が前記膜形成領域よりも高くなるように撥液性を付与する撥液処理を施す工程を有することが好ましい。
これにより、第１の工程において、膜形成領域と非膜形成領域との撥液性の差を利用して、膜形成領域に無機粒子を含有する溶液を選択的に供給することができる。
【００１３】
本発明の成膜方法では、前記撥液処理は、前記非膜形成領域に、撥液膜を選択的に形成するものであることが好ましい。
これにより、非膜形成領域に対して選択的に、大掛かりな装置等を用いることなく比較的容易に撥液性を付与することができる。
本発明の成膜方法では、前記第１の工程において、前記撥液性の差を利用して、前記膜形成領域に前記無機粒子を選択的に付着させることが好ましい。
これにより、第２の工程において、膜形成領域に選択的に無機酸化物膜を形成することができる。
【００１４】
本発明の成膜方法では、前記非膜形成領域に対する純水の接触角をＡ［°］とし、前記膜形成領域に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂ≧１５なる関係を満足することが好ましい。
これにより、第１の工程において、膜形成領域に無機粒子を含有する溶液をより選択的に供給することができる。
【００１５】
本発明の成膜方法では、前記無機粒子は、第２の無機酸化物を主材料として構成されたものであることが好ましい。
これにより、このものを核として、無機酸化物を確実に膜形成領域に集めて、均一な膜厚の無機酸化物膜を得ることができる。
本発明の成膜方法では、前記無機酸化物と前記第２の無機酸化物とは、同種のものであることが好ましい。
これにより、このものを核として、無機酸化物をより確実に膜形成領域に集めて、より均一な膜厚の無機酸化物膜を得ることができる。
【００１６】
本発明の成膜方法では、前記無機酸化物膜は、その横断面形状がほぼ矩形をなしていることが好ましい。
これにより、無機酸化物膜は、成膜精度（信頼性）の高いものとなる。
本発明の電子デバイス用基板は、本発明の成膜方法により成膜された無機酸化物膜を備えることを特徴とする。
これにより、成膜精度（信頼性）の高い無機酸化物膜を備える電子デバイス用基板が得られる。
【００１７】
本発明の電子デバイス用基板では、前記無機酸化物膜は、透明導電膜であることが好ましい。
得られる透明導電膜は、優れた導電性を発揮するものとなる。
本発明の電子デバイスは、本発明の電子デバイス用基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の成膜方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の電子デバイスを、アクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用した場合を一例として説明する。
＜透過型液晶表示装置の構成＞
図１は、本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図、図２は、図１に示す透過型液晶表示装置の薄膜トランジスタ付近の拡大縦断面図である。
【００１９】
なお、図１では、図が煩雑となるのを避けるため一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図１、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１に示す透過型液晶表示装置１０（以下、単に「液晶表示装置１０」と言う。）は、液晶パネル（表示パネル）２０と、バックライト（光源）６０とを有している。
この液晶表示装置１０は、バックライト６０からの光を液晶パネル２０に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
【００２０】
液晶パネル２０は、互いに対向して配置された第１の基板２２０と第２の基板２３０とを有し、これらの第１の基板２２０と第２の基板２３０との間には、表示領域を囲むようにしてシール材（図示せず）が設けられている。
そして、これらの第１の基板２２０、第２の基板２３０およびシール材により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、液晶層（中間層）２４が形成されている。すなわち、第１の基板２２０と第２の基板２３０との間に、液晶層２４０が介挿されている。
なお、図示は省略したが、液晶層２４０の上面および下面には、それぞれ、例えばポリイミド等で構成される配向膜が設けられている。これらの配向膜により液晶層２４０を構成する液晶分子の配向性（配向方向）が規制されている。
【００２１】
第１の基板２２０および第２の基板２３０は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
第１の基板２２０は、その上面（液晶層２４０側の面）２２１に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極２２３と、Ｘ方向に延在する走査線２２４と、Ｙ方向に延在する信号線２２８とが設けられている。
【００２２】
各画素電極２２３は、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成され、それぞれ、１つの薄膜トランジスタ１を介して、走査線２２４および信号線２２８に接続されている。
なお、本実施形態では、第１の基板２２０と、画素電極２２３と、走査線２２４と、信号線２２８と、次に説明する薄膜トランジスタ１とにより本発明の電子デバイス用基板が構成される。
【００２３】
図２に示すように、薄膜トランジスタ１は、第１の基板２２０上に設けられ、チャンネル領域３２０とソース領域３１６とドレイン領域３１８とを備える半導体層３１４と、半導体層３１４を覆うように設けられたゲート絶縁膜３２６、絶縁層３４２と、ゲート絶縁膜３２６を介してチャンネル領域３２０と対向するように設けられたゲート電極３５１と、ゲート電極３５１上方の絶縁層３４２上に設けられた導電部３５６と、ソース領域３１６上方の絶縁層３４２上に設けられ、ソース電極として機能する導電部３５２と、ドレイン領域３１８上方の絶縁層３４２上に設けられ、ドレイン電極として機能する導電部３５４と、ゲート電極３５１と導電部３５６とを電気的に接続するコンタクトプラグ３５５と、ソース領域３１６と導電部３５２とを電気的に接続するコンタクトプラグ３５０と、ドレイン領域３１８と導電部３５４とを電気的に接続するコンタクトプラグ３５３とを有している。
なお、導電部３５４は、画素電極２２３と電気的に接続するように、一体的に形成されている。また、導電部３５２および導電部３５６は、それぞれ、走査線２２４および信号線２２８に電気的に接続されている。
【００２４】
走査線２２４（導電部３５２）および信号線２２８（導電部３５６）は、それぞれ、導電性を有する金属配線膜により構成されている。また、画素電極２２３（導電部３５４）は、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成されている。この透明導電膜（無機酸化物膜）が、後述する本発明の成膜方法により形成される。
画素電極２２３を構成する透明導電膜は、構成材料の種類等によっても若干異なるが、その比抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、７×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。透明導電膜の比抵抗率を前記範囲とすることにより、液晶表示装置１０をより応答速度の速いものとすることができる。
【００２５】
本実施形態では、図２に示すように、この第１の基板２２０上に、半導体層３１４が設けられている。この半導体層３１４は、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム等の半導体材料で構成される。
前述したように、この半導体層３１４は、チャンネル領域３２０とソース領域３１６とドレイン領域３１８とを有している。
【００２６】
半導体層３１４は、チャンネル領域３２０の一方の側部にソース領域３１６が形成され、チャンネル領域３２０の他方の側部にドレイン領域３１８が形成された構成となっている。
チャンネル領域３２０は、例えば、真性半導体材料で構成される。
ソース領域３１６およびドレイン領域３１８は、例えば、リン等のｎ型不純物が導入（ドープ）された半導体材料で構成される。
【００２７】
なお、半導体層３１４の構成はこの構成に限定されず、例えば、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８は、ｐ型不純物が導入された半導体材料で構成されてもよい。
また、チャンネル領域３２０は、例えば、ｐ型またはｎ型不純物が導入された半導体材料で構成されてもよい。
このような半導体層３１４は、絶縁膜（ゲート絶縁膜３２６、絶縁層３４２）で覆われている。このような絶縁膜のうち、チャンネル領域３２０とゲート電極３５１との間に介在している部分は、チャンネル領域３２０と導電部３５６との間に生じる電界の経路となるゲート絶縁膜として機能する。
【００２８】
ゲート絶縁膜３２６、絶縁層３４２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ2、ＴＥＯＳ（ケイ酸エチル）、ポリシラザン等のケイ素化合物を用いることができる。
なお、ゲート絶縁膜３２６、絶縁層３４２は、上述した材料の他、例えば樹脂、セラミックス等で構成することもできる。
【００２９】
ゲート電極３５１の構成材料としては、例えば、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔａ合金等の導電性材料で構成される。
絶縁層３４２上には、導電部３５２、導電部３５４、および導電部３５６がもうけられ、これらのものは、それぞれ、ソース領域３１６、ドレイン領域３１８、チャンネル領域３２０の上方に形成されている。
【００３０】
ゲート絶縁膜３２６と絶縁層３４２とのソース領域３１６およびドレイン領域３１８が形成された領域内には、それぞれ、その厚さ方向に向かって、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８に連通する孔部（コンタクトホール）が形成されている。
導電部３５２および導電部３５４は、それぞれ、この孔部に形成されたコンタクトプラグ３５０およびコンタクトプラグ３５３を介して、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８と電気的に接続されている。
また、ゲート絶縁膜３２６のゲート電極３５１が形成された領域内には、その厚さ方向に向かって、ゲート電極３５１に連通する孔部が形成されている。
【００３１】
導電部３５６は、この孔部に形成されたコンタクトプラグ３５５を介して、ゲート電極３５１と電気的に接続されている。
なお、これらの導電部上には、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の材料で構成された、図示しないパッシベーション膜が形成されていてもよい。
また、図１に示すように、第１の基板２２０の下面には、偏光板２２５が設けられている。
【００３２】
一方、第２の基板２３０は、その下面（液晶層２４０側の面）２３１に、複数の帯状をなす対向電極２３２が設けられている。これらの対向電極２３２は、互いに所定間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極２２３に対向するように配列されている。
画素電極２２３と対向電極２３２とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間で充放電を行うことにより、各画素毎に、液晶層２４０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
【００３３】
対向電極２３２も、前記画素電極２２３と同様に、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成されている。
各対向電極２３２の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）２３３が設けられ、これらの各有色層２３３がブラックマトリックス２３４によって仕切られている。
【００３４】
ブラックマトリックス２３４は、遮光機能を有し、例えば、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、亜鉛、チタンのような金属、カーボン等を分散した樹脂等で構成されている。
また、第２の基板２３０の上面には、前記偏光板２２５とは偏光軸が異なる偏光板２３５が設けられている。
【００３５】
このような構成の液晶パネル２０では、バックライト６０から発せられた光は、偏光板２２５で偏光された後、第１の基板２２０および各画素電極２２３を介して、液晶層２４０に入射する。液晶層２４０に入射した光は、各画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層２３３、対向電極２３２および第２の基板２３０を通過した後、偏光板２３５で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置１０では、第２の基板２３０の液晶層２４０と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像（動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【００３６】
＜薄膜トランジスタの製造方法＞
次に、薄膜トランジスタ１を製造する具体的な方法の一例について説明する。
図３、図４は、薄膜トランジスタの形成方法の好適な実施形態を示す断面図である。なお、以下の説明では、図３、図４の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
［１−１］  まず、図３（ａ）に示すように、第１の基板２２０の上に半導体層（多結晶シリコン膜）３１４を形成する。
【００３７】
半導体層３１４は、例えば、フォトリソグラフィー法等により、半導体層３１４を形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した後、このレジスト層をマスクとして用いて、開口部に液状の半導体層形成用材料を塗布法により供給した後、所定の処理を施すことにより得ることができる。
なお、前記レジスト層は、第１の基板２２０上に、レジスト材料を塗布（供給）した後に、このレジスト材料を形成する半導体層３１４の形状に対応するフォトマスクを介して露光・現像することにより得ることができる。
【００３８】
レジスト材料を塗布する方法としては、例えば、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法のような各種塗布法が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよい。
【００３９】
レジスト層の除去は、例えば、大気圧または減圧下における酸素プラズマやオゾン蒸気により行うことができる。
また、半導体層形成用材料として、液体水素化ケイ素を用いる場合には、このものを塗布法により開口部に供給した後、次のような所定の処理を施すことにより半導体層（多結晶シリコン膜）３１４を得ることができる。
【００４０】
まず、開口部に供給した液体水素化ケイ素を乾燥させる。
次に、乾燥して得られた膜を焼成して、膜中の水素化ケイ素を熱分解させて、アモルファスシリコンへと反応させる
次に、アモルファスシリコンにより構成される膜にＸｅＣｌなどのエキシマレーザーを照射してアニールすることにより、アモルファスシリコンを多結晶化させることにより半導体層（多結晶シリコン膜）３１４を得る。
その後、半導体層（多結晶シリコン膜）３１４にチャンネルドープを行うようにしてもよい。具体的には、全面に所定の量の不純物（例えば、ｎ型導電層を形成する場合はＰＨ3イオン）を打ち込んで拡散させるようにすればよい。
【００４１】
［１−２］  次に、図３（ｂ）に示すように、第１コンタクトホール３２８、３２９を有するゲート絶縁膜３２６を形成する。
ゲート絶縁膜３２６は、例えば、フォトリソグラフィー法等により、第１コンタクトホール３２８、３２９を形成する領域にレジスト層を形成した後、このレジスト層をマスクとして用いて、半導体層３１４が形成された第１の基板２２０に液状のゲート絶縁膜形成用材料を塗布法により供給した後、所定の処理を施すことにより得ることができる。
【００４２】
例えば、ゲート絶縁膜３２６の構成材料の前駆体（以下、単に「前駆体」と言う。）を含有するゲート絶縁膜形成用材料を用いる場合には、前駆体をゲート絶縁膜３２６の構成材料に変化させる処理を行うようにすればよい。
この処理としては、前駆体の種類に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、加熱、紫外線の照射等が挙げられる。
【００４３】
なお、この処理に先立って、ゲート絶縁膜形成用材料の調製に用いた溶媒または分散媒の少なくとも一部を除去するようにしてよい。
具体的には、ゲート絶縁膜３２６が二酸化ケイ素を主成分とするものである場合、その前駆体としては、例えば、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラエトキシシラン、テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン、トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ、酸化性雰囲気中で加熱すること等により、二酸化ケイ素に変化させることができる。
【００４４】
また、例えば、ゲート絶縁膜３２６の構成材料そのものを含有するゲート絶縁膜形成用材料を用いる場合には、液状材料中の溶媒または分散媒を除去する処理を行うようにすればよい。
溶媒または分散媒を除去する方法としては、例えば、加熱による方法、真空（減圧）乾燥、不活性ガスを吹付ける方法等が挙げられる。
【００４５】
［１−３］  次に、図３（ｃ）に示すように、形成すべきチャンネル領域３２０の位置と対応するように絶縁膜３２６上にゲート電極３５１を形成する。
ゲート電極３５１は、例えば、フォトリソグラフィー法等により、ゲート電極３５１を形成する領域に開口部を有するレジスト層を用いて、前記工程［１−１］で説明したのと同様の方法を用いて形成することができる。
なお、ゲート電極３５１を形成するための液状のゲート電極形成材料としては、例えば、有機金属化合物等を主成分とするものを用いることができる。
【００４６】
［１−４］  次に、ゲート電極３５１をマスクとして用いて、ソース領域３１６とドレイン領域３１８とに所定の量の不純物（例えば、ｐ型導電層を形成する場合はＢ2Ｈ6イオン）の打ち込みを行う。
これにより、図３（ｄ）に示すように、ゲート電極３５１の下部に対応する位置がチャンネル領域３２０となった半導体層３１４を得ることができる。
【００４７】
［１−５］  次に、図４（ｅ）に示すように、第１コンタクトホール３２８および第１コンタクトホール３２９にそれぞれ連通する第２のコンタクトホール３４４および第２のコンタクトホール３４５と、第２のコンタクトホール３４６とを有する絶縁膜３４２を形成する。
絶縁膜３４２は、例えば、フォトリソグラフィー法等により、第２コンタクトホール３４４、３４５、３４６を形成する領域にレジスト層を形成した後、このレジスト層をマスクとして用いて、前記工程［１−２］で説明したのと同様の方法を用いて形成することができる。
【００４８】
［１−６］  次に、図４（ｆ）に示すように、第１コンタクトホール３２８と第２のコンタクトホール３４４、第１コンタクトホール３２９と第２のコンタクトホール３４５、および、第２のコンタクトホール３４６をそれぞれ埋めるように、コンタクトプラグ３５０、コンタクトプラグ３５３、および、コンタクトプラグ３５５を形成する。
これにより、コンタクトプラグ３５０とソース領域３１６とが、コンタクトプラグ３５３とドレイン領域３１８とが、コンタクトプラグ３５５とゲート電極３５１とが、それぞれ、電気的に接続される。
【００４９】
このような、コンタクトプラグ３５０、３５３、３５５は、まず、各コンタクトホール内を埋めように、かつ、絶縁層３４２を覆うようにして、導電性材料を供給した後、導電性材料を絶縁層３４２の上面が露出するまで除去することにより形成することができる。
導電性材料としては、ゲート電極３５１の構成材料と同様のものを用いることができ、導電性材料の供給も、ゲート電極３５１を形成する際に用いた方法と同様に行うことができる。
また、導電性材料の除去方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５０】
［１−７］  次に、図４（ｇ）に示すように、絶縁膜３４２上に、コンタクトプラグ３５０、コンタクトプラグ３５３、および、コンタクトプラグ３５５とが、それぞれ、電気的に接続するように、導電部３５２、導電部３５４（画素電極２２３）および導電部３５６を形成する。
導電部３５２および導電部３５６は、これらを形成する領域に開口部を有するレジスト層を用いて、前記工程［１−１］で説明したのと同様の方法を用いて形成することができる。
【００５１】
なお、導電部３５２および導電部３５６を形成するための材料としては、前述したゲート電極形成材料と同様のものを用いることができる。
また、導電部３５４（画素電極２２３）は、前述したように、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成されており、これらの透明導電膜（無機酸化物膜）が、後述する本発明の成膜方法により形成される。
さらに、導電部３５２、３５４、３５６を覆うように、二酸化ケイ素、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などで構成されたパッシベーション膜（図示せず）を形成するようにしてもよい。
以上のような工程により、薄膜トランジスタ１が形成される。
【００５２】
＜成膜方法＞
次に、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
図５、図６は、それぞれ、本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図５、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
本発明の成膜方法は、基材（本実施形態においては基板２）上に、無機酸化物を主材料として構成される無機酸化物膜６を形成する方法である。
【００５３】
ここで、無機酸化物膜６を形成する基板２上の膜形成領域３１に無機粒子４を付着させた状態で、基板２を加熱しつつ、この基板２に無機酸化物の前駆体を含有する液状材料をミスト５として供給する。そして、この前駆体を熱により反応させて無機酸化物に変化させ、無機粒子４を核としてこの無機酸化物を膜形成領域３１上に集積することにより、無機酸化物膜６を成長させる。
【００５４】
無機酸化物膜６の主材料として構成される無機酸化物としては、例えば、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｂ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含む酸化物が挙げられる。
【００５５】
これらの中でも、無機酸化物としては、特に、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｅのうちの少なくとも１種を含有する酸化インジウム、Ｆ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種を含有する酸化スズ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛が好ましい。これらの無機酸化物を主材料とする無機酸化物膜６は、特に高い導電性と透明性とを有するもの（透明導電膜）となる。
【００５６】
また、無機粒子４としては、無機酸化物との親和性を考慮して選択され、特に限定されるものではないが、第２の無機酸化物を主材料として構成されたものであるのが好ましい。これにより、このものを核として、無機酸化物を確実に膜形成領域３１に集めて、均一な膜厚の無機酸化物膜６を得ることができる。
この第２の無機酸化物としては、前述した無機酸化物と同様のものを用いることができる。さらに、無機酸化物と第２の無機酸化物とは、同種のものであるのが好ましく、同一であるのがより好ましい。これにより、前記効果をより向上させることができる。
【００５７】
また、無機粒子４は、無機酸化物の前駆体から無機酸化物への反応を促進させる触媒を含有するようなものであってもよい。
また、以上のような無機粒子４は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を組み合わせて用いるようにしてもよい。
なお、無機粒子４として、Ｓｎを含有する酸化インジウム（ＩＴＯ）を主材料とする粒子を用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
【００５８】
このような無機粒子４の形状は、特に限定されないが、例えば、球状、針状または葉状であるのが好ましい。かかる形状を有する無機粒子４は、無機酸化物を集める際に、確実に核として機能するものとなる。
球状の無機粒子４を用いる場合、無機粒子４の構成材料によっても若干異なるが、その平均粒径は、２〜２０００ｎｍであるのが好ましく、５〜１０００ｎｍであるのがより好ましく、１０〜５００ｎｍであるのがさらに好ましい。無機粒子４の平均粒径をかかる範囲のように小さくすることにより、無機粒子４の表面積が増大し、無機酸化物との接触の機会を増加させることができる。その結果、無機酸化物をより確実に膜形成領域３１に集めることができる。
【００５９】
なお、他の形状の無機粒子４を用いる場合、これらの無機粒子４は、その最大長さの平均値が前記平均粒径の範囲となるようにするのが好ましい。
また、無機粒子４としては、同一の速さで無機酸化物を集めるという観点から、単一の形状のものを用いるのが好ましいが、２種以上の異なる形状のものを組み合わせて用いるようにしてもよい。
また、無機酸化物の前駆体としては、このものを加熱することにより前述したような無機酸化物が得られるものであればよく、特に限定されるものではないが、前述した無機酸化物のアルコキシドや塩、または、これらの誘導体や錯体等が挙げられる。
【００６０】
これらの中でも、無機酸化物の前駆体としては、特に、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｆ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｅのうちの少なくとも１種を含有する酸化インジウム、Ｆ、Ｓｂ、Ｎｂ、Ｔａのうちの少なくとも１種を含有する酸化スズ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｂ、Ｙ、Ｓｃ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｈｆのうちの少なくとも１種を含有する酸化亜鉛等のアルコキシドや塩、または、これらの誘導体や錯体等が好ましい。これらの前駆体から形成される無機酸化物膜６は、特に高い導電性と透明性とを有するものとなる。
【００６１】
アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、プロポキシド、イソプロポキシド、ブトキシド等が挙げられる。塩としては、例えば、ハロゲン化物、蟻酸塩、酢酸塩、プロピオン酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩等が挙げられる。
また、誘導体としては、例えば、水和物、中和または加水分解により得られる水酸化物等が挙げられる。錯体としては、例えば、α−またはβ−ジケトン類、α−またはβ−ケト酸類、α−またはβ−ケト酸エステル類、アミノアルコール類等とのキレート化合物が挙げられる。
【００６２】
これらの無機酸化物の前駆体は、目的とする無機酸化物の種類等に応じて、１種または２種以上を適宜組み合わせて用いるようにすればよい。
なお、無機酸化物（金属酸化物）前駆体として、インジウム化合物と有機スズ化合物とを組み合わせて用いる場合には、インジウムとスズとの原子比（インジウム／スズ比）は、９９／１〜８０／２０であるのが好ましく、９７／３〜８５／１５であるのがより好ましい。
【００６３】
また、無機酸化物の前駆体として、例えば、アルコキシドや塩を用いる場合、液状材料は、無機酸化物の前駆体から無機酸化物への反応（変換）を促進する酸触媒や、塩基触媒のような触媒を含有するものであるのが好ましい。これにより、無機酸化物の前駆体を無機酸化物に反応させる温度が比較的低くなることから、基板２を加熱する温度を低く設定することができる。
【００６４】
酸触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸等の有機酸等が挙げられる。
図５、図６に示す無機酸化物膜の形成方法は、［２−１］非膜形成領域（膜形成領域を除く領域）に撥液処理を施す撥液処理工程と、［２−２］膜形成領域に無機粒子を付着させる無機粒子付着工程と、［２−３］膜形成領域に無機酸化物膜を得る無機酸化物膜形成工程と、［２−４］撥液処理が施された部分を除去する撥液部除去工程とを有する。
以下、各工程について順次説明する。
【００６５】
［２−１］撥液処理工程
まず、基材の無機酸化物膜を形成しない非膜形成領域に、液状材料に対する濡れ性が膜形成領域よりも高くなるように撥液性を付与する撥液処理を施す。
この撥液処理は、例えば、非膜形成領域に撥液膜を選択的に形成する方法、フッ素イオン等の撥液性を付与し得るイオンを注入（打ち込む）方法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、撥液処理には、非膜形成領域に撥液膜を選択的に形成する方法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、非膜形成領域に対して選択的に大掛かりな装置等を用いることなく比較的容易に撥液性を付与することができる。
以下では、非膜形成領域に撥液膜を選択的に形成する方法を代表に説明する。
【００６６】
［２−１ａ］  まず、基板（平板上の基材）２を用意し、図５（ａ）に示すように、基板２の上面全体に撥液層３’を形成する。
この基板２の構成材料、形状、寸法等は、特に限定されない。
なお、本発明の成膜方法を、前述したような液晶表示装置１０が備える画素電極２２３の形成に適用する場合には、基板２は、第１の基板２２０および第２の基板２３０で挙げたものが使用される。
【００６７】
この撥液層３’は、例えば、液状の撥液膜形成用材料を供給した後、必要に応じて、乾燥すること等により形成することができる。
基板２の上面全体に撥液膜形成用材料を供給する方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、インクジェット法、スピンコート法、液体ミスト化学体積法（ＬＳＭＣＤ法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法のような塗布法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６８】
撥液層３’の構成材料としては、例えば、撥液性を示す官能基を有するカップリング剤や、撥液性の樹脂材料等が挙げられる。
また、撥液膜形成用材料には、これらを溶媒または分散媒に混合して調製した溶液または分散液を用いることができる。
カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等を用いることができる。
撥液性を示す官能基としては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基等が挙げられる。
【００６９】
カップリング剤の具体例としては、例えば、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００７０】
一方、撥液性の樹脂材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂等が挙げられる。
【００７１】
また、溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００７２】
撥液膜形成用材料における撥液層３’の構成材料の濃度は、構成材料の種類等に応じて、例えば、次のようにするのが好ましい。
カップリング剤の場合、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。また、樹脂材料の場合、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
【００７３】
［２−１ｂ］  次に、基板２の無機酸化物膜６を形成しない非膜形成領域３２の形状に対応したマスク３３を用いて、基板２の無機酸化物膜６を形成すべき膜形成領域３１の上面に存在する撥液層３’を除去する処理を施す。
これにより、膜形成領域３１に存在する撥液層３’が除去されて、非膜形成領域３２に選択的に撥液性が付与された撥液膜３を形成することができる。その結果、非膜形成領域３２における、無機粒子４を含有する無機粒子含有液４１に対する濡れ性を、膜形成領域３１よりも高くすることができる。これにより、次工程［２−２］において、膜形成領域３１と非膜形成領域３２との撥液性の差を利用して、膜形成領域３１に無機粒子含有液４１を選択的に供給することができる。
【００７４】
この膜形成領域３１と非膜形成領域３２との撥液性の程度の違いは、各種の指標により表すことができるが、接触角を用いて好適に表すことができる。具体的には、非膜形成領域３２に対する純水の接触角をＡ［°］とし、膜形成領域３１に対する純水の接触角をＢ［°］としたとき、Ａ−Ｂが、１５［°］以上であるのが好ましく、３０［°］以上であるのがより好ましい。これにより、前記効果をより向上させることができる。
【００７５】
膜形成領域３１に形成された撥液膜３を除去する方法としては、いかなるものであってもよく、特に限定されないが、膜形成領域３１に活性エネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。
具体的には、非膜形成領域３２の形状に対応するマスク３３を用いて、膜形成領域３２に対して活性エネルギー線を照射して（図５（ｂ）参照）、膜形成領域３１の撥液膜を除去して、非膜形成領域３２に撥液膜３を選択的に形成するものである（図５（ｃ）参照）。
【００７６】
活性エネルギー線としては、例えば、赤外線、可視光線、紫外線、Ｘ線のような電磁波、電子線、イオンビーム、中性子線およびα線のような粒子線等が挙げられるが、これらの中でも、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線を用いる方法によれば、大掛かりな装置等を用いることなく比較的容易かつ確実に膜形成領域３１に存在する撥液膜３を除去することができる。
【００７７】
活性エネルギー線として紫外線を用いる場合、照射する紫外線の波長は、１００〜３６５ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜２００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、前記紫外線の照射強度は、０．１〜１００ｍＷ程度であるのが好ましく、１〜５０ｍＷ程度であるのがより好ましい。
さらに、前記紫外線の照射時間は、０．１〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１５分程度であるのがより好ましい。
【００７８】
なお、この際の照射雰囲気は、酸化性雰囲気、還元性雰囲気、不活性雰囲気、真空または減圧状態下等、いかなる雰囲気であってもよいが、不活性雰囲気であるのが好ましい。
次に、前記照射雰囲気の温度は、０〜１００℃程度であるのが好ましく、２０〜５０℃程度であるのがより好ましい。
紫外線の波長、照射強度、照射時間、照射雰囲気および照射雰囲気の温度を、それぞれ、前記範囲とすることにより、膜形成領域３１に存在する撥液膜３をより確実に除去することができる。
【００７９】
なお、本実施形態では、膜形成領域３１に形成された撥液層３’を除去する場合について説明したが、このような場合に限定されず、膜形成領域３１に形成された撥液層３’の撥液性を低減させる処理を施すようにしてもよい。
このような撥液性を低減させる処理としては、例えば、親液性を示す官能基を有するカップリング剤や、親液性の樹脂材料のような親液性を示す材料を供給する方法等が挙げられる。
【００８０】
［２−２］無機粒子付着工程（第１の工程）
膜形成領域３１に無機粒子４を付着させる方法としては、各種の方法が用いられるが、以下では、無機粒子４を含有する無機粒子含有液４１（以下、単に「無機粒子含有液４１」という。）を膜形成領域３１に供給することにより、無機粒子４を膜形成領域３１に付着させる方法を代表に説明する。かかる方法によれば、膜形成領域３１に、無機粒子含有液４１を供給するという簡単な方法で、比較的容易に無機粒子４を膜形成領域３１に付着させることができる。
【００８１】
［２−２ａ］  まず、図５（ｄ）に示すように、基板２の膜形成領域３１に無機粒子含有液４１を供給する。
ここで、膜形成領域３１には、撥液膜３が形成されていることから、膜形成領域３１と非膜形成領域３２との濡れ性の違いを利用して、濡れ性の高い膜形成領域３１に無機粒子含有液４１を選択的に集めることができる。
【００８２】
基板２の膜形成領域３１に無機粒子含有液４１を接触させる方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば塗布法を用いることができる。塗布用によれば、基板２の膜形成領域３１に、無機粒子含有液４１を確実に接触させることができる。
ここで、塗布法としては、前記工程［２−１ａ］で説明したのと同様のものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、これらの中でも、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、無機粒子含有液４１を容易かつ確実に膜形成領域３１の形状に対応して（選択的に）供給することができる。
以下、無機粒子含有液４１を、インクジェット法を用いて膜形成領域３１に供給する方法について説明する。
【００８３】
インクジェット法では、無機粒子含有液４１を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングする。
ここで、無機粒子含有液４１の粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、３〜１０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。無機粒子含有液４１の粘度をかかる範囲とすることにより、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うことができる。
【００８４】
また、無機粒子含有液４１の１滴の量（平均）も、特に限定されないが、通常、０．１〜４０ｐＬ程度であるのが好ましく、１〜３０ｐＬ程度であるのがより好ましい。液滴の１滴の量（平均）をかかる範囲とすることにより、より精密な形状を形成することができる。
無機粒子４を第２の無機酸化物を主材料として構成する場合、無機粒子含有液４１としては、例えば次のようなものを用いることができる。
【００８５】
この場合、無機粒子含有液４１における無機粒子４の含有量は、特に限定されないが、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
また、無機粒子４には、常温での凝集を阻止するための凝集阻止剤（分散剤）で被覆したものを用いるのが好ましい。この凝集阻止剤としては、例えば、アルキルアミンのような窒素原子を含む基を有する化合物、アルカンジオールのような酸素原子を含む基を有する化合物、アルキルチオール、アルカンジチオールのような硫黄原子を含む基を有する化合物等が挙げられる。
【００８６】
この場合、無機粒子含有液４１中には、所定の処理（例えば、加熱等）により、凝集阻止剤を除去し得る除去剤が添加される。この除去剤としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ヘキサン酸、オクチル酸のような炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状の飽和カルボン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、安息香酸、ソルビン酸のような不飽和カルボン酸、シュウ酸、マロン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸のような二塩基酸等の各種カルボン酸類、これらのカルボン酸類のカルボキシル基をリン酸基やスルホニル基に置換した各種リン酸類や各種スルホン酸類等の有機酸、または、その有機酸エステル、その他、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）のような芳香族酸無水物、無水マレイン酸、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、アルケニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物のような環状脂肪族酸無水物、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物などの脂肪族酸無水物等を挙げることができる。
【００８７】
無機粒子含有液４１を調製する際に用いる分散媒としては、例えば、テルピネオール、ミネラルスピリット、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタン、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、水またはこれらを含む混合液を用いることができる。
なお、無機粒子含有液４１の粘度は、例えば、無機粒子４の含有量、分散媒の種類や組成、添加物の有無や種類等を適宜設定することにより調整することができる。
【００８８】
［２−２ｂ］  次に、図６（ｅ）に示すように、無機粒子含有液４１に含まれる分散媒を除去して、基板２の膜形成領域３１に無機粒子４を付着（析出）させる。
無機粒子含有液４１に含まれる分散媒を除去する方法としては、例えば、ヒータによる加熱方法、マイクロ波の照射、レーザー光の照射、赤外線の照射等用いることができるが、これらの中でも、ヒータによる加熱方法を用いるのが好ましい。ヒータによる加熱方法によれば、無機粒子含有液４１に含まれる分散媒を、容易かつ安価に除去することができる。
【００８９】
加熱の際の加熱温度は、５０〜２００℃程度であるのが好ましく、８０〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
加熱時間は、１〜５０分程度であるのが好ましく、５〜３０分程度であるのがより好ましい。
以上のような工程を経て、基板２の膜形成領域３１に無機粒子４を付着させることができる。
【００９０】
このような無機粒子４は、次工程［２−３］において無機酸化物膜６が膜形成領域３１に対応したパターンで形成されるのであれば、膜形成領域３１に不均一に存在（例えば、膜形成領域３１に不均一に点在）していてもよいが、領域２１にほぼ均一に存在（付着）しているのが好ましい。これにより、膜形成領域３１の形状に対応したパターンの無機酸化物膜６を確実に得ることができるとともに、均一な膜厚の無機酸化物膜６を得ることができる。
膜形成領域３１における無機粒子４の付着密度は、特に限定されないが、５×１０-７ｇ／ｃｍ２以上であるのが好ましく、５×１０-７〜２×１０-５ｇ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。無機粒子４の付着密度を前記範囲内とすることにより、無機酸化物をより確実に膜形成領域３１に集める（堆積させる）ことができる。
【００９１】
［２−３］無機酸化物膜形成工程（第２の工程）
［２−３ａ］  まず、無機酸化物の前駆体を含有する液状材料（以下、単に「液状材料」という。）をミスト５として、基板２に向かって供給する。
この際、次工程［２−３ｂ］において加熱された基板２の温度を低下させないように、ミスト５を供給する。基板２の温度を低下させない方法としては、特に限定されないが、基板２に対してミスト５を間欠的に供給するのが好ましい。これにより、基板２の温度が低下するのを好適に抑制または防止して、液状材料に含まれる無機酸化物の前駆体を確実に無機酸化物に変化させることができる。
【００９２】
具体的には、ミスト５を間欠的に供給する方法としては、液状材料の構成材料によっても若干異なるが、ミスト５の供給と、ミスト５の供給の中止とを、好ましくは０．１〜２０秒程度ごとに、より好ましくは０．５〜１０秒程度ごとに繰り返して行うように設定すればよい。
また、液状材料をミスト化する方法としては、例えば、液状材料に超音波を付与する方法（超音波法）、液状材料を噴霧する方法（噴霧法）等が挙げられるが、これらの中でも、超音波法を用いるのが好ましい。超音波法によれば、液状材料をより微細な粒径の液滴の状態になったものにすることができる。その結果、加熱による無機酸化物の前駆体への熱の伝達がより確実なものとなり、前駆体から無機酸化物への反応を確実かつ迅速に行うことができる。
【００９３】
超音波法により液状材料をミスト化する際には、超音波の周波数を、液状材料の粘度、比重等に応じて適宜設定する。
具体的には、超音波の周波数は、１〜１×１０４ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜１×１０２ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。これにより、液状材料を確実にミスト化して、基板２に供給することができる。
なお、無機酸化物の前駆体として、常温で固体のもの（固形物）を用いる場合には、無機酸化物の前駆体を溶媒または分散媒に溶解または分散させることにより液状材料を得て、この液状材料をミスト化して用いるようにすればよい。
【００９４】
液状材料を調製する際に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−またはｉ−プロパノール、ｎ−、ｓ−またはｔ−ブタノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、トリメチレングリコールのようなグリコール類（多価アルコール類）、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノールのようなエーテルアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフランのようなエーテル類、酸アミド類、芳香族炭化水素類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。  これらの中でも、この溶媒または分散媒としては、水、アルコール類、グリコール類、ケトン類を用いるのが好ましい。これらの液体を用いることにより、液状材料中で無機酸化物の前駆体を良好に溶解または分散させることができ、液状材料を容易かつ確実にミスト化することができる。
【００９５】
また、この場合、液状材料中における無機酸化物の前駆体の含有量は、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。無機酸化物の前駆体含量が少な過ぎると、基板２への供給量が少なくなり、無機酸化物膜６の形成に時間を要するおそれがある。一方、無機酸化物の前駆体含量が多過ぎると、この前駆体が液状材料中で析出したり、前駆体の液状材料中での分散性が低下して、液状材料の調製や基板２への供給が困難となり、均一な無機酸化物膜６が形成されないおそれがある。
【００９６】
［２−３ｂ］  また、ミスト５を基板２に供給する際には、基板２を加熱した状態とする。これにより、ミスト５が、基板２上もしくはその近傍において加熱され、液状材料中に含まれる無機酸化物の前駆体が反応して、無機酸化物に変化する。
そして、無機粒子４の作用により、無機酸化物が膜形成領域３１に堆積する（集まる）こととなる。
すなわち、膜形成領域３１に供給された無機酸化物は、この領域３１に付着している無機粒子４が存在するために、基板２上を表面拡散運動をしている間に、この粒子４に接触（衝突）する。そして、この粒子４と無機酸化物との吸着性、反応性等の親和性が高いために、この無機酸化物は、接触した無機粒子４に付着（吸着）する。
【００９７】
一方、非膜形成領域３２に供給された無機酸化物は、この領域３２には無機粒子４が存在しないため、基板２（非膜形成領域３２）に付着することなく動き回る（表面拡散運動する）。この無機酸化物は、そのままの状態または互いに融合した状態（クラスタ状態）で領域３２を通過して膜形成領域３１に到達する。そして、この無機酸化物は、この領域３１に存在する無機粒子４に接触して、付着する（図６（ｆ）参照）。
このようにして、膜形成領域３１に存在する無機粒子４に無機酸化物が集合（堆積）することとなる。
【００９８】
ここで、本発明の成膜方法のように基板２を加熱しつつ、液状材料をミスト５として供給することにより、無機酸化物膜６が次のような段階を経て形成される。
すなわち、Ｉ：無機粒子４を核として、無機酸化物の集合が始まる。この集合が始まると、無機酸化物膜６は、基板２の面方向に沿って成長する。II：この成長が進行すると、膜形成領域３１を覆うように（膜形成領域３１の形状に対応するように）極めて薄い無機酸化物膜６が形成される。III：次に、無機酸化物膜６は、膜形成領域３１を覆うと、基板２の厚さ方向に沿って成長し始める。なお、このとき、無機酸化物膜６は、膜形成領域３１の各部においてほぼ一定の速さ（割合）で成長する。このような段階を経て、図５（ｇ）に示すように、その横断面形状がほぼ矩形をなしている無機酸化物膜６が形成される。すなわち、無機酸化物膜６の各部において均一な膜厚を有するものが形成される。
【００９９】
これにより、このような無機酸化物膜６を備える前述したような透過型液晶表示装置１０（本発明の電子デバイス）は信頼性の高いものとなる。
なお、本工程では、無機酸化物の前駆体を無機酸化物に変化させることを目的に、基板２を加熱した状態としている。このように基板２を加熱することにより、基板２上に供給された無機酸化物の運動性を向上させることができるという利点もある。その結果、無機酸化物膜６を膜形成領域３１に、より高い選択性をもって形成することができる。
【０１００】
基板２を加熱する方法としては、図示のようなヒータによる加熱方法の他、例えば、マイクロ波の照射による加熱方法、レーザー光の照射による加熱方法、赤外線の照射による加熱方法等が挙げられる。
基板２の加熱温度は、特に限定されないが、３０〜４００℃程度であるのが好ましく、８０〜２００℃程度であるのがより好ましい。このような範囲に加熱温度を設定することにより、前駆体から無機酸化物への反応をより確実に進行させることができるとともに、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【０１０１】
なお、本工程［２−３ｂ］の後に、必要に応じて、後処理工程を設けるようにしてもよい。この後処理工程としては、例えば、工程［２−３ｂ］において無機酸化物膜６が固化（硬化）に至らない場合に、無機酸化物膜６を固化させるための工程等が挙げられる。
以上のような工程を経て、所定のパターンの無機酸化物膜６が得られる。
本発明の成膜方法によれば、基板２上に直接マスク（レジスト層）を形成することを要せず、均一な膜厚の所定パターンを有する無機酸化物膜６、すなわち高い成膜精度の無機酸化物膜６を形成することができる。
また、本発明によれば、レジスト層を用いないことから、レジスト層を形成するための複雑な工程や、不要となったレジスト層を除去する工程を省略することができる。
このようなことから、本発明によれば、容易かつ安価に、均一な膜厚の無機酸化物膜６を得ることができる。
【０１０２】
［２−４］撥液部除去工程
次に、図５（ｈ）に示すように、前記工程［２−１］において非膜形成領域３２に付与された撥液性を除去する。
非膜形成領域３２の撥液性を除去する方法としては、前記工程［２−１］で説明したこの領域３２に活性エネルギー線を照射する方法の他、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、基板２の上面全体に無機酸化物膜６を形成する場合には、すなわち、基板２の上面全体を膜形成領域３１とする場合には、前記工程［１−１］と本工程［１−３］を、省略すればよい。
【０１０３】
＜電子機器＞
本発明の電子デバイスは、各種電子機器の表示部に用いることができる。
図７は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【０１０４】
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が前述の液晶表示装置（電気光学装置）１０を備えている。
図８は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、前述の液晶表示装置（電気光学装置）１０を表示部に備えている。
【０１０５】
図９は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１０６】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、前述の液晶表示装置１０が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【０１０７】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が液晶表示装置１０に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【０１０８】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【０１０９】
なお、本発明の電子機器は、図７のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図８の携帯電話機、図９のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
以上、本発明の成膜方法、電子デバイス用基板、電子デバイス、電子機器を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１１０】
例えば、前述した実施形態では、薄膜トランジスタを構成する導電部を形成する方法について説明したが、本発明の成膜方法は、これに限定されず、いかなる膜を形成する場合に適用してもよい。例えば、本発明の成膜方法を、前述したようなゲート電極、ゲート絶縁膜および絶縁膜等の形成に適用してもよい。
また、本発明の電子デバイスは、液晶パネルの適用に限定されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子、電気泳動表示装置等に適用してもよく、本発明の成膜方法は、これらの表示装置を構成する膜に適用してもよい。
また、本発明の成膜方法は、前述したような電子デバイスの製造に適用するものに限定されず、例えば、装飾品の製造等の膜の形成（成膜）に適用してもよい。
【実施例】
【０１１１】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
＜１Ａ＞  まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
＜２Ａ＞  次に、この石英ガラス基板の無機酸化物膜を形成する側の面に、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシランを含む処理液をスピンコート法を用いて供給した後、１００℃×１０分で熱処理を施して処理液を乾燥させた。
【０１１２】
＜３Ａ＞  その後、非膜形成領域の形状に対応するマスクを用いて、この石英ガラス基板上の膜形成領域に紫外線を照射した。
なお、紫外線を照射した際の条件は、以下に示すとおりである。
・紫外線の波長：１７２ｎｍ
・紫外線の強度：１０ｍＷ
・雰囲気      ：減圧中
・雰囲気温度  ：２５℃
・照射時間    ：５分間
【０１１３】
＜４Ａ＞  次に、ＩＴＯコロイド液を、インクジェット法を用いて石英ガラス基板上の膜形成領域に供給した。
なお、ＩＴＯコロイド液は、以下の条件で調製した。
・ＩＴＯ粒子の平均粒径      ：２０ｎｍ
・溶液中のＩＴＯ粒子の含有量：５ｗｔ％
・ＩＴＯコロイド液の粘度    ：１ｃｐ
・分散媒                    ：水
＜５Ａ＞  その後、この石英ガラス基板を、１５０℃×３０分で熱処理を行って、乾燥させた。
【０１１４】
＜６Ａ＞  次に、石英ガラス基板を３５０℃に加熱しつつ、ＩＴＯ前駆体溶液に周波数が４０ｋＨｚの超音波を付与する（１０秒毎に付与と付与の中止とを間欠的に行う）ことによりこの水溶液をミストとして噴霧（供給）した。
また、石英ガラス基板にＩＴＯ前駆体エタノール溶液を供給した際の各種条件は、以下に示すとおりである。
【０１１５】
・ミストの噴霧回数            ：５０回
・溶液中のＩＴＯ前駆体の含有量：０．０５Ｍ
・ＩＴＯ前駆体の組成          ：塩化インジウム／塩化スズ混合物（原子比：９５／５）
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＩＴＯ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
また、このＩＴＯ膜の各部において切断したが、その横断面形状は、いずれも、ほぼ矩形をなすものであった。
【０１１６】
（比較例）
＜１Ｂ＞  前記工程＜１Ａ＞〜＜３Ａ＞と同様の工程を行った。
＜２Ｂ＞  次に、前記工程＜６Ａ＞で用いたＩＴＯ前駆体エタノール溶液をインクジェット法を用いて石英ガラス基板上の膜形成領域に供給した。
＜３Ｂ＞  その後、この石英ガラス基板を、３５０℃×１５分で熱処理を行った。
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＩＴＯ膜（平均厚さ：約７０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。
また、このＩＴＯ膜の各部において切断したが、その横断面形状は、いずれも、ほぼ液滴状をなすものであった。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の電子デバイスを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す透過型液晶表示装置の薄膜トランジスタ付近の拡大縦断面図である
【図３】薄膜トランジスタの形成方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図４】薄膜トランジスタの形成方法の好適な実施形態を示す断面図である。
【図５】本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。
【図６】本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。
【図７】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図８】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図９】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１‥‥薄膜トランジスタ  １０‥‥液晶表示装置  ２０‥‥液晶パネル  ２２０‥‥第１の基板  ２２１‥‥上面  ２２３‥‥画素電極  ２２４‥‥走査線  ２２５‥‥偏光板  ２２８‥‥信号線  ２３０‥‥第２の基板  ２３１‥‥下面  ２３２‥‥対向電極  ２３３‥‥有色層  ２３４‥‥ブラックマトリックス  ２３５‥‥偏光板  ２４０‥‥液晶層  ６０‥‥バックライト  ３１４……半導体層（多結晶シリコン膜）  ３１６……ソース領域  ３１８……ドレイン領域  ３２０……チャンネル領域  ３２６……ゲート絶縁膜  ３２８……第１コンタクトホール  ３２９……第１コンタクトホール  ３４２……絶縁層  ３４４……第２コンタクトホール  ３４５……第２コンタクトホール  ３４６……第２コンタクトホール  ３５０……コンタクトプラグ  ３５１……ゲート電極  ３５２……導電部  ３５３……コンタクトプラグ  ３５４……導電部  ３５５……コンタクトプラグ  ３５６……導電部  ２……基板  ３……撥液膜  ３’……撥液層  ３１……膜形成領域  ３２……非膜形成領域  ３３……マスク  ４……無機粒子  ４１……無機粒子含有液  ５……ミスト  ６……無機酸化物膜  １１００‥‥パーソナルコンピュータ  １１０２‥‥キーボード  １１０４‥‥本体部  １１０６‥‥表示ユニット  １２００‥‥携帯電話機  １２０２‥‥操作ボタン  １２０４‥‥受話口  １２０６‥‥送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006231169.tif 000009
【図８】
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【図９】
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