(57)【要約】【課題】  液晶パネルのＣＦ基板とＴＦＴ基板のショートを防止する。【解決手段】  液晶パネルに用いるＣＦ基板の表示領域２の外周部でコモン端子５を除く透明導電膜４上の領域全面に絶縁膜６ａを形成し、表示領域２の外周部にある透明導電膜４を絶縁膜によって保護する。それにより、配向膜形成後のＣＦ基板をＴＦＴ基板と接合する際、金属等の異物が表示領域２の外周部にある透明導電膜４上の配向膜に付着した場合、たとえその異物が配向膜を突き破ったとしても、絶縁膜６ａによってその異物と透明導電膜４との接触は回避されるため、ＣＦ基板とＴＦＴ基板のショートを回避することができる。【選択図】  図１
2006330169.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁性基板上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板において、
前記カラーフィルタが形成された表示領域と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、
前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、
を有することを特徴とするカラーフィルタ基板。
【請求項２】
前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合される薄膜トランジスタ基板の配線形成位置に対応する部分に形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項４】
前記絶縁膜は、樹脂であることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項５】
透明絶縁性基板上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板の製造方法において、
前記透明絶縁性基板上にカラーフィルタが形成された表示領域を形成する工程と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、
前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はカラーフィルタ（ＣＦ）基板およびその製造方法に関し、特に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，ＴＦＴ）基板と共に液晶表示装置の液晶パネルに用いられるＣＦ基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置に搭載される液晶パネルは、ガラス基板等の透明絶縁性基板の上に画素電極や画素電極を駆動するＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板と、同じくガラス基板等の上にコモン電極やＣＦが形成されたＣＦ基板等の対向基板との間に液晶層が挟まれた構造を有している。
【０００３】
図５は従来の液晶パネルの一例の要部断面模式図である。
図５に示すように、通常の液晶パネル１００は、ＴＦＴ基板１０１とＣＦ基板１０２との間に液晶層１０３が挟まれた構造を有している。このうち、ＣＦ基板１０２に対向するＴＦＴ基板１０１には、図５に示したように、透明絶縁性基板１０１ａ上にＴＦＴ１０１ｂが形成されており、その表面をシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の絶縁膜１０１ｃで保護され、その上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等で透明導電膜１０１ｄが形成されている。そして、ＣＦ基板１０２と対向する面側にはポリイミド等で配向膜１０１ｅが形成され、その反対の面側には偏光板１０１ｆが貼り付けられている。
【０００４】
一方、ＣＦ基板１０２には、図５に示したように、透明絶縁性基板１０２ａ上に、クロム（Ｃｒ）等の金属で画素間の領域を遮光するブラックマトリクス（ＢＭ）膜１０２ｂが形成されている。そして、その上には、所定の樹脂を用い、画素ごとに赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかを示すような樹脂パターンからなるＣＦ１０２ｃが形成され、さらにその上には、ＩＴＯ等で透明導電膜１０２ｄが形成されている。また、ＴＦＴ基板１０１と同様、ＴＦＴ基板１０１と対向する面側にはポリイミド等で配向膜１０２ｅが形成され、その反対側の面には偏光板１０２ｆが貼り付けられている。
【０００５】
液晶層１０３は、このようなＴＦＴ基板１０１とＣＦ基板１０２との間に挟まれた状態で配置される。その際、両基板間の隙間、すなわちセルギャップを一定に保つため、両基板間に樹脂製あるいはセラミック製の例えば球状のスペーサ１０４が配置される。
【０００６】
図６は従来のＣＦ基板の一例の平面模式図である。
上記のようにＴＦＴ基板１０１との間に液晶層１０３を挟むＣＦ基板１０２は、図６に示すように、表示領域２００の外周部に、表示領域２００内に形成されている上記のＢＭ膜１０２ｂと一体になっている金属膜２０１が形成されている。そして、表示領域２００内のＢＭ膜１０２ｂ上には、上記のＣＦ１０２ｃが形成され、そのＣＦ１０２ｃと外周部の金属膜２０１、さらにＴＦＴ基板１０１との接続に用いられる突状のコモン端子２０２を覆うように上記の透明導電膜１０２ｄが形成されている。
【０００７】
ＣＦ基板には、このほかにも、液晶パネルの方式に応じ、従来種々の形態のものが提案されている。
図７は従来の別の例のＣＦ基板の要部平面模式図である。また、図８は従来の別の例のＣＦ基板の形成方法の概略図であって、（Ａ）はＢＭ膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は第１の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）は第２の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｄ）は第３の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｅ）は透明導電膜形成工程の要部断面模式図、（Ｆ）は突起状パターン形成工程の要部断面模式図である。なお、図８（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図７のＢ−Ｂ断面における工程断面図を示している。
【０００８】
図７に示すＣＦ基板３００は、例えばＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）型液晶パネルに用いられるものであり、その表示領域は、透明絶縁性基板上にＢＭ膜３０１、ＣＦ３０２、透明導電膜３０３が順に形成されており、その透明導電膜３０３上に、レジスト等の樹脂を用いて平面Ｖ字形状のドメイン規制用の突起状パターン３０４が形成されている。
【０００９】
このようなＣＦ基板３００は、まず、図８（Ａ）に示すように、透明絶縁性基板３０５上の全面に例えばＣｒ膜を厚さ約０．１６μｍで成膜して表示領域にＢＭ膜３０１を形成する。次いで、図８（Ｂ）に示すように、透明絶縁性基板３０５の上側全面に赤色樹脂を塗布し、表示領域内の所定位置に厚さ約１．８μｍの赤色樹脂パターン３０２ａを形成する。同様にして、図８（Ｃ），（Ｄ）に示すように、緑色樹脂、青色樹脂を用いてそれぞれ厚さ約１．８μｍの緑色樹脂パターン３０２ｂ、青色樹脂パターン３０２ｃを形成する。その後、全面に例えばＩＴＯを厚さ約０．１５μｍで成膜し、コモン端子（図示せず）上にも残るようにしてパターニングを行い、透明導電膜３０３を形成する。そして、最後に、その透明導電膜３０３上に樹脂を用いて平面Ｖ字形状の突起状パターン３０４を厚さ約１．１μｍで形成する。このような方法を用いることにより、図７に示したようなＣＦ基板３００が形成される。
【００１０】
また、従来は、ＭＶＡ型液晶パネルに関し、ＣＦ基板上に上記のようなドメイン規制用の突起状パターンと共に、樹脂を用いて高さ３μｍ〜４μｍ程度のセルギャップ調整用の柱状スペーサを形成し、上記のような球状スペーサ等を別途用いることなく一定のセルギャップを保持してＴＦＴ基板と貼り合わせることができるようにしたＣＦ基板も提案されている。さらに、このように高さの異なるスペーサと突起状パターンを同時に形成する方法も提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２０１７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、従来のＣＦ基板では、特にそれをＴＦＴ基板と液晶層を挟んで貼り合わせる液晶パネルの製造過程において、以下に示すような問題が生じる場合があった。
図９は従来の液晶パネルの端部付近の断面模式図である。
【００１２】
前述のように、液晶パネル４００は、透明絶縁性基板４０１ａ上にＴＦＴ４０１ｂ、絶縁膜４０１ｃ、透明導電膜４０１ｄ、配向膜４０１ｅ等が形成されているＴＦＴ基板４０１と、透明絶縁性基板４０２ａ上にＢＭ膜を含む金属膜４０２ｂ、ＣＦ４０２ｃ、透明導電膜４０２ｄ、配向膜４０２ｅ等が形成されているＣＦ基板４０２とを、液晶層４０３を挟んで貼り合わせた構造を有している。ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２とは、表示領域の外側でシール膜４０４によって接合され、その空間内に液晶が封入されている。ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２との間のセルギャップは、ここでは球状スペーサ４０５によって保持されている。また、各透明絶縁性基板４０１ａ，４０２ａの対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板４０１ｆ，４０２ｆが所定の偏光軸方向で貼り付けられている。なお、シール膜４０４には、液晶注入前には液晶の注入口が設けられており、この注入口は液晶注入後に樹脂等で封止されるようになっている。
【００１３】
ところが、このような構成の液晶パネル４００を形成する際に、何らかの原因で表示領域外の配向膜４０１ｅ，４０２ｅの表面に例えばセルギャップを上回るようなサイズの導電性の異物５００が付着してしまったような場合、そのような状態でＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２の接合を行うと、異物５００が配向膜４０１ｅ，４０２ｅを突き破って透明導電膜４０１ｄ，４０２ｄにまで達し、ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２がショートしてしまうといったことが起こり得る。
【００１４】
透明導電膜４０１ｄ，４０２ｄの表面にはそれぞれ配向膜４０１ｅ，４０２ｅが形成されているものの、通常、配向膜４０１ｅ，４０２ｅはポリイミド等の柔らかい材質で形成されているため、異物５００の貫通を防ぐストッパ膜にはなりにくい。特に異物５００が金属等の場合には、硬いため容易に配向膜４０１ｅ，４０２ｅを突き破り、ショートを発生させやすい。
【００１５】
また、このような問題は、ＴＦＴ基板４０１の表示領域外に形成されている端子引き出し線の部分や、そのような部分に対応するＣＦ基板側の部分に、上記のような導電性の異物５００が付着してしまっているような場合にも、同様に起こり得る。
【００１６】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ＴＦＴ基板とのショートを抑制することのできるＣＦ基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明では、上記課題を解決するために、透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板において、前記ＣＦが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とするＣＦ基板が提供される。
【００１８】
このようなＣＦ基板によれば、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜が形成されている。この絶縁膜は、例えばレジスト等の樹脂を用いて形成される。これにより、表示領域外に存在する透明導電膜が、そのような絶縁膜によって保護されるようになる。
【００１９】
また、本発明では、透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板の製造方法において、前記透明絶縁性基板上にＣＦが形成された表示領域を形成する工程と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＣＦ基板の製造方法が提供される。
【００２０】
このようなＣＦ基板の製造方法によれば、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜が形成され、表示領域外に存在する透明導電膜が絶縁膜によって保護されたＣＦ基板が形成されるようになる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成し、表示領域外に存在する透明導電膜を絶縁膜によって保護するようにした。これにより、ＴＦＴ基板と共に液晶パネルを構成する際に、ＣＦ基板の表示領域外にある透明導電膜より上側の層に導電性の異物が付着してしまったような場合にも、絶縁膜によってそのような異物と透明導電膜との接触を防ぐことが可能になる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板のショートを回避することが可能になる。
【００２２】
また、このようなＣＦ基板を用いることにより、高品質の液晶パネルおよび液晶表示装置が実現可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。
【００２４】
第１の実施の形態のＣＦ基板には、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜の形成前、ガラス基板等の透明絶縁性基板１上の端部を除く表示領域２内に、厚さ約０．１６μｍのＣｒ等の金属からなるＢＭ膜（図示せず。）が形成され、その外周部には、同じくＣｒ等からなる金属膜３が形成されている。表示領域２には、画素ごとにＲＧＢのいずれかの樹脂パターンを形成したＣＦ（図示せず。）が形成されている。そして、このような表示領域２とその外周部にある金属膜３の上を覆うようにして、厚さ約０．１５μｍのＩＴＯ等の透明導電膜４がコモン電極として形成されている。また、このＣＦ基板には、表示領域２外に、外部接続用端子、ここでは液晶パネル構成時に対向させるＴＦＴ基板との電気的な接続を行うための突状のコモン端子５が形成されている。透明導電膜４は、コモン端子５上にも形成されている。
【００２５】
さらに、このＣＦ基板には、図１（Ｂ）に示すように、表示領域２の外周部でコモン端子５を除く透明導電膜４上に、絶縁膜６ａが形成されている。絶縁膜６ａは、例えば一般にレジストとして利用されているような樹脂を用いて形成することができる。
【００２６】
このようなＣＦ基板を用いた液晶パネルは、図１（Ｂ）に示した絶縁膜６ａ形成後のＣＦ基板の表面に配向膜（図示せず。）を形成した後、既に形成が完了しているＴＦＴ基板との間に液晶層を挟んで両基板を接合することによって構成される。
【００２７】
このようにコモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成することにより、ＴＦＴ基板との貼り合わせを行う際、表示領域２の外周部に金属等の導電性の異物が付着してしまっているような場合でも、レジストを用いて形成される絶縁膜６ａがポリイミド等の配向膜に比べて硬いため、たとえその異物が配向膜を突き破ったとしても、絶縁膜６ａによって透明導電膜４が保護され、ＣＦ基板とＴＦＴ基板のショートを回避することが可能になる。
【００２８】
上記構成を有するＣＦ基板は、例えば次のようにして形成することができる。
例えばＭＶＡ型液晶パネルに用いるＣＦ基板の場合、絶縁膜６ａの形成前までは従来公知の方法を用いることができる。
【００２９】
すなわち、まず透明絶縁性基板１上の全面に、例えばＣｒ膜を厚さ約０．１６μｍで形成し、レジストパターン形成および露光・現像処理を行って、表示領域２内にＢＭ膜、表示領域２の外周部に金属膜３を、同時に形成する。
【００３０】
次いで、透明絶縁性基板１の上側全面に例えば感光性の赤色レジストを塗布し、露光・現像処理を行って、表示領域２内の赤色画素部に厚さ約１．８μｍの赤色樹脂パターンを形成する。その後は同様に、透明絶縁性基板１の上側全面に感光性の緑色レジストを塗布して露光・現像処理を行い表示領域２内の緑色画素部に厚さ約１．８μｍの緑色樹脂パターンを形成し、透明絶縁性基板１の上側全面に感光性の青色レジストを塗布して露光・現像処理を行い表示領域２内の青色画素部に厚さ約１．８μｍの青色樹脂パターンを形成する。これにより、ＲＧＢのＣＦが形成される。
【００３１】
ＣＦ形成後は、透明絶縁性基板１の上側全面に例えばＩＴＯを厚さ約０．１５μｍで形成してパターニングし、ＣＦを形成した表示領域２上およびその外周部の金属膜３上にコモン電極となる透明導電膜４を形成する。その際は、透明絶縁性基板１上にあらかじめ設けられた突部の上にも透明導電膜４を形成し、コモン端子５を形成する。
【００３２】
その後、ＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板の場合には、表示領域２の透明導電膜４上に、レジストを用いて、例えば平面Ｖ字形状のドメイン規制用の突起状パターン（図示せず。）を厚さ約１．１μｍで形成する。ここでは、このレジストを用いたドメイン規制用の突起状パターンの形成時に、コモン端子５を除く表示領域２の外周部にも、そのレジストを使って厚さ約１．１μｍの絶縁膜６ａを形成する。
【００３３】
すなわち、従来、ドメイン規制用の突起状パターンは、透明絶縁性基板１上にレジストを塗布し、露光・現像処理等を行って表示領域２に形成されている。このようなドメイン規制用の突起状パターンの形成時に、表示領域２の外周部に塗布されたレジストを除去することなく残すようにする。これにより、表示領域２の外周部には、そのレジストによって絶縁膜６ａが形成され、その下の透明導電膜４が保護されるようになる。
【００３４】
このような方法によれば、ドメイン規制用の突起状パターンをこれまでと同様にして形成しながら、それと同時に透明導電膜４の保護膜となる絶縁膜６ａを形成することができ、ＣＦ基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜６ａを形成することができる。そして、このようなＣＦ基板を用いることにより、液晶パネル内のショートの発生を回避することが可能になる。
【００３５】
なお、ここではＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板を例にして述べたが、勿論、液晶パネルの方式によっては、透明導電膜４の形成後にドメイン規制用の突起状パターンを形成せずにコモン端子５を除く表示領域２の外周部にのみ絶縁膜６ａを形成したＣＦ基板を構成ようにしてもよい。このようなＣＦ基板によっても液晶パネル内のショートの発生を回避することは可能である。
【００３６】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図２は第２の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。ただし、図２では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。
【００３７】
第２の実施の形態のＣＦ基板は、図２（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板の表示領域外に形成される配線である端子引き出し線の形成位置に対応する部分、すなわちＣＦ基板の表示領域外周部でＴＦＴ基板と貼り合わせたときにそのような端子引き出し線に重なることとなる部分に、レジスト等の樹脂を用いて絶縁膜６ｂが形成されている点で、上記第１の実施の形態のＣＦ基板と相違する。
【００３８】
通常、ＴＦＴ基板には、ガラス基板等の透明絶縁性基板上に形成されている複数のＴＦＴを駆動するための走査線および信号線が直交するように形成されている。走査線および信号線は、透明絶縁性基板上でＴＦＴ基板の表示領域外に形成された端子引き出し線を介して、それぞれの駆動回路に接続されている。第２の実施の形態のＣＦ基板は、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、その表示領域２外であって、このようなＴＦＴ基板が貼り合わされたときにその端子引き出し線に重なることとなる部分に、絶縁膜６ｂが形成されている。
【００３９】
このような構成とすることにより、配向膜形成後のＣＦ基板をＴＦＴ基板と貼り合わせる際に、ＴＦＴ基板の端子引き出し線とＣＦ基板との間に金属等の導電性の異物が付着したような場合にも、その異物の透明導電膜４への到達を防ぎ、ＴＦＴ基板とＣＦ基板のショートを回避することが可能になる。
【００４０】
なお、このような構成のＣＦ基板は、上記第１の実施の形態で述べたのと同様の方法により形成することができる。すなわち、例えばＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板であれば、図２（Ａ），（Ｂ）に示したように、レジストを用いてドメイン規制用の突起状パターン（図示せず。）を形成する際、それと同時に、ＴＦＴ基板の走査線側、信号線側それぞれの端子引き出し線に対応する部分に、端子引き出し線に相当する寸法（幅）で、そのレジストによって絶縁膜６ｂを形成すればよい。
【００４１】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図３は第３の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図、図４は図３のＡ−Ａ断面模式図である。ただし、図３、図４および以下の説明では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。以下、第３の実施の形態のＣＦ基板について、図１、図３および図４を参照して説明する。
【００４２】
第３の実施の形態のＣＦ基板は、ＴＦＴ基板と貼り合わせる際、両基板間にセルギャップ調整用の球状スペーサ等を別途用いることなく、あらかじめＣＦ基板上の所定位置に柱状スペーサを形成しておく、いわゆるスペーサレス型であって、その表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成するようにしている点で、上記第１の実施の形態のＣＦ基板と相違する。
【００４３】
このＣＦ基板は、例えばＭＶＡ型液晶パネル用である場合、図３に示すように、透明導電膜４上にドメイン規制用の突起状パターン７が平面Ｖ字形状で形成されていると共に、表示領域２内の画素間を遮光するように形成されたＢＭ膜３ａの直上の適当な位置に柱状スペーサ８が形成されている。この柱状スペーサ８により、ＴＦＴ基板と貼り合わせたときのセルギャップが一定値に保持されるようになる。
【００４４】
ＢＭ膜３ａ上には、図３および図４に示すように、ＣＦ９の赤色、緑色、青色の各樹脂パターン９ａ，９ｂ，９ｃが重なる領域が存在している。このようにＲＧＢの樹脂パターン９ａ，９ｂ，９ｃが重なっている層（「色重ね層」という。）の上には、図１で述べたようにコモン端子５、表示領域２およびＢＭ膜３ａを含む金属膜３を覆うようにして形成された透明導電膜４が形成されている。
【００４５】
そして、透明導電膜４上であって、直交するＢＭ膜３ａの交差部を通るように、レジスト等の樹脂を用いてドメイン規制用の突起状パターン７が形成されている。コモン端子５を除く表示領域２の外周部には、図１で述べたのと同じく絶縁膜６ａが形成され、また、柱状スペーサ８が形成される位置に絶縁膜６ｃが形成されている。すなわち、色重ね層の上に突起状パターン７と絶縁膜６ｃが積層されることによって、柱状スペーサ８が構成されている。
【００４６】
このような構成のＣＦ基板は、例えば次のような方法で形成することができる。まず、第１の実施の形態で述べたのと同様にして、透明絶縁性基板１上に金属膜３（ＢＭ膜３ａを含む。）、ＲＧＢのＣＦ、透明導電膜４の形成を行い、その透明導電膜４上に所定形状の突起状パターン７を形成する。次いで、柱状スペーサ８を形成するため、レジストを用いて絶縁膜６ｃを所定の位置に形成する。
【００４７】
その際、そのレジストは、柱状スペーサ８の形成位置のみではなく、図１に示したようなコモン端子５を除く表示領域２の外周部にも残すようにする。これにより、柱状スペーサ８の最上層となる絶縁膜６ｃと同時に、コモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成することができる。すなわち、柱状スペーサ８をこれまでと同様にして形成しながら、それと同時に表示領域２の外周部に存在する透明導電膜４を保護するための絶縁膜６ａを形成することができる。そのため、ＣＦ基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜６ａを形成することができる。このようなＣＦ基板によっても、ＴＦＴ基板とのショートを回避することが可能になる。
【００４８】
次に、第４の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、図３および図４に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。以下、第４の実施の形態のＣＦ基板について、図２、図３および図４を参照して説明する。
【００４９】
上記第３の実施の形態では、スペーサレス型のＣＦ基板において、柱状スペーサ８の最上層の絶縁膜６ｃを形成する際に同じレジストを用いて同時に、コモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成するようにした。この第４の実施の形態のＣＦ基板は、同じくスペーサレス型であるが、上記第２の実施の形態と同様、ＴＦＴ基板の表示領域外に形成される端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜６ｂを形成する。この点で上記第３の実施の形態のＣＦ基板と相違する。
【００５０】
このような構成のＣＦ基板は、例えば次のような方法で形成することができる。まず、第３の実施の形態で述べたのと同様にして、透明導電膜４上の突起状パターン７の形成まで行って、レジストを用いて所定の位置に絶縁膜６ｃを形成して、柱状スペーサ８を形成する。
【００５１】
その際、そのレジストは、柱状スペーサ８の形成位置のみではなく、図２に示したように、ＴＦＴ基板が貼り合わされたときにその端子引き出し線に重なるようになる部分にも残すようにする。これにより、柱状スペーサ８の最上層の絶縁膜６ｃと同時に、ＴＦＴ基板の端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜６ｂを形成することができる。そのため、ＣＦ基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜６ａを形成することができる。このようなＣＦ基板によっても、ＴＦＴ基板とのショートを回避することが可能になる。
【００５２】
以上説明したように、ＣＦ基板のコモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成する、あるいはＣＦ基板の表示領域２の外周部でＴＦＴ基板の端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜６ｂを形成する。それにより、ＣＦ基板とＴＦＴ基板の貼り合わせの際に、表示領域２の外周部や特にその端子引き出し線の部分に導電性の異物が付着し、かつ配向膜を突き破ったとしても、絶縁膜６ａ，６ｂによって透明導電膜４が保護され、その異物と透明導電膜４との接触を防ぐことが可能になる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板との間の異物に起因したショートの発生を回避することができるようになる。
【００５３】
また、このような役割を果たす絶縁膜６ａ，６ｂを、例えばＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板を形成する際のドメイン規制用の突起状パターン７と同時に同じ材料を用いて形成する、あるいはスペーサレス型である場合における柱状スペーサ８の最上層の絶縁膜６ｃと同時に同じ材料を用いて形成することにより、工程数を増加させることなく、ＴＦＴ基板とのショートの発生を回避することのできるＣＦ基板を形成することができる。
【００５４】
このようなＣＦ基板により、表示品質の優れた液晶パネルを生産性良く形成することが可能になる。また、そのような液晶パネルを用いることにより、表示品質の高い高性能の液晶表示装置が実現可能になる。
【００５５】
（付記１）  透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板において、
前記ＣＦが形成された表示領域と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、
前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、
を有することを特徴とするＣＦ基板。
【００５６】
（付記２）  前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成されていることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
（付記３）  前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合されるＴＦＴ基板の配線形成位置に対応する部分に形成されていることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
【００５７】
（付記４）  前記絶縁膜は、樹脂であることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
（付記５）  前記表示領域の前記透明導電膜上に形成されたドメイン規制用の突起状パターンを有していることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
【００５８】
（付記６）  前記表示領域の前記透明導電膜上に形成されたセルギャップ調整用の柱状パターンを有していることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
（付記７）  透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板の製造方法において、
前記透明絶縁性基板上にＣＦが形成された表示領域を形成する工程と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、
前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするＣＦ基板の製造方法。
【００５９】
（付記８）  前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。
【００６０】
（付記９）  前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合される別の基板の配線の形成位置に対応する部分に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。
【００６１】
（付記１０）  前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域の前記透明導電膜上に形成するドメイン規制用の突起状パターンと同じ材料を用いて前記突起状パターンと共に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。
【００６２】
（付記１１）  前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域の前記透明導電膜上に形成するセルギャップ調整用の柱状パターンと同じ材料を用いて前記柱状パターンと共に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。
【００６３】
（付記１２）  ＣＦ基板を用いた液晶パネルにおいて、
前記ＣＦ基板は、ＣＦが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする液晶パネル。
【００６４】
（付記１３）  ＣＦ基板を用いた液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、ＣＦが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。
【図２】第２の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。
【図３】第３の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図である。
【図４】図３のＡ−Ａ断面模式図である。
【図５】従来の液晶パネルの一例の要部断面模式図である。
【図６】従来のＣＦ基板の一例の平面模式図である。
【図７】従来の別の例のＣＦ基板の要部平面模式図である。
【図８】従来の別の例のＣＦ基板の形成方法の概略図であって、（Ａ）はＢＭ膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は第１の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）は第２の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｄ）は第３の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｅ）は透明導電膜形成工程の要部断面模式図、（Ｆ）は突起状パターン形成工程の要部断面模式図である。
【図９】従来の液晶パネルの端部付近の断面模式図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  透明絶縁性基板
２  表示領域
３  金属膜
３ａ  ＢＭ膜
４  透明導電膜
５  コモン端子
６ａ，６ｂ，６ｃ  絶縁膜
７  突起状パターン
８  柱状スペーサ
【図１】
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【図２】
2006330169.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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