(57)【要約】      （修正有）【課題】セルギャップを所定厚さに保持する電気光学装置を提供する。【解決手段】液晶表示装置において、素子基板は、ＴＦＤ素子、画素電極、データ線、オーバーコート層、及び、略正多角形の平坦面を含む柱状のフォトスペーサを有する。フォトスペーサは、ＴＦＤ素子に対応する位置に且つオーバーコート層上に形成されている。一方、カラーフィルタ基板には、反射層、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を重ねて形成され、各着色層の間に且つ反射層上に形成される重ね遮光層、着色層、オーバーコート層、透明電極などを有する。特に、ＴＦＤ素子に対応する位置近傍に形成される重ね遮光層は、フォトスペーサの平坦面より大きく且つ平坦性を有するように形成されている。このため、素子基板とカラーフィルタ基板の貼り合せ時に多少の組ずれが生じた場合でも、フォトスペーサの平坦面と重ね遮光層の上面とは必ず接触することになり、セルギャップを所定厚さに安定的に保持できる。【選択図】    図６
2006091504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトスペーサを有する第１の基板と、第２の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置であって、
前記フォトスペーサの少なくとも一部は、相隣接するサブ画素の間の領域と重なる位置に形成されていると共に、前記第２の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、
前記平坦面に接触する前記第２の基板の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２の基板の対向面は、前記サブ画素の開口を規定する遮光層上に存在しており、
前記遮光層は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記遮光層上には配向膜が設けられており、
当該配向膜は前記遮光層の形状を反映して平坦化されていることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記フォトスペーサ上には配向膜が設けられており、
当該配向膜は前記フォトスペーサの形状を反映して平坦化されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２の基板は行及び列方向に配置された複数の着色層を備え、
前記遮光層は、少なくとも列方向に相隣接する各着色層の間に形成されていることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１の基板はスイッチング素子を備え、
前記フォトスペーサは前記スイッチング素子の上に設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記フォトスペーサの前記平坦面は略円形又は略正多角形の平面形状をなすと共に、前記第２の基板の対向面は略正方形の平面形状をなし、
前記平坦面の直径又は各対角線の長さは略１４μｍであると共に、前記第２の基板の対向面の縦及び横方向の長さは各々１４μｍ以上であり、
前記平坦面及び前記第２の基板の対向面の中心点は一致していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記第１の基板は前記サブ画素内に透過領域及び反射領域を備え、
前記第１の基板において列方向に相隣接する前記サブ画素の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、
少なくとも前記切り換え部分及び前記反射領域に対応する前記第２の基板上にはオーバーコート層が形成されて前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、
前記第２の基板の対向面は、前記切り換え部分近傍の位置に且つ平坦性を有する前記オーバーコート層上の位置に対応していることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記フォトスペーサの前記平坦面及び前記第２の基板の対向面は、前記スイッチング素子と重なり合う位置に形成されており、
前記第２の基板の対向面の端部から前記フォトスペーサの外側端部までの距離は３μｍ以上に設定されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と、フォトスペーサを有する第２の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置であって、
前記第１の基板は、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された導電膜と、
前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、
前記導電膜及び前記散乱層上に形成された反射層と、
前記反射層上に形成されたオーバーコート層と、
前記オーバーコート層及び前記反射層の一部上に形成された画素電極と、を備え、
前記オーバーコート層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成されており、
列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、
前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第１の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、
前記平坦面に接触する前記オーバーコート層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と、フォトスペーサを有する第２の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置であって、
前記第１の基板は、
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された導電膜と、
前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、
前記導電膜と接続され且つ少なくとも前記散乱層上に形成された画素電極と、を備え、
前記散乱層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成されており、
列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、
前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第１の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、
前記平坦面に接触する前記散乱層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きいことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
前記フォトスペーサは前記サブ画素の角部に設けられており、
前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置していることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
前記対向面は、前記切り換え部分より所定の方向に突出して形成されていることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、及びフィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置が知られている。また、電気光学装置の一例として、外光を利用した反射型表示と、バックライト等の照明光を利用した透過型表示とのいずれをも視認可能とした半透過反射型の液晶表示装置が知られている。そのような半透過反射型の液晶表示装置は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色を重ねて形成される遮光層、カラーフィルタ及び走査線を有するカラーフィルタ基板と、フォトスペーサ、データ線、スイッチング素子及び画素電極を有する素子基板との間に液晶が封入されて構成される。
【０００３】
また、かかる液晶表示装置では、カラーフィルタ基板上において各画素電極を区画する位置に遮光層が形成されている一方、素子基板上において遮光層に対応する位置に柱状の形状をなすフォトスペーサがフォトリソグラフィー法にて形成されている。このような液晶表示装置では、フォトスペーサにより液晶層の厚さ（即ち、セルギャップの厚さ）が一定に保持されている。
【０００４】
しかしながら、かかる液晶表示装置では、一般的にフォトスペーサの幅よりも遮光層の幅の方が小さく形成されるため、セルギャップの厚さが不安定な状態になる虞があった。
【０００５】
なお、この種の液晶装置として、例えば、シール材形成領域に均一な分布にてスペーサを固定配置して形成することにより、液晶層の厚みを均一にして表示特性の向上を図った液晶装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２９６５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、対向基板上のフォトスペーサに対応する部分を所定の大きさに且つ平坦に形成することにより、セルギャップを所定厚さに保持して、高品位な表示画像を得ることが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点では、フォトスペーサを有する第１の基板と第２の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置は、前記フォトスペーサの少なくとも一部が、相隣接するサブ画素の間の領域と重なる位置に形成されていると共に、前記第２の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、前記平坦面に接触する前記第２の基板の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きい。
【０００９】
上記の電気光学装置は、第１の基板と第２の基板とがフォトスペーサを介して貼り合わされ、その両基板間に電気光学物質が封入されてなる。第１の基板は、フォトスペーサ及び画素電極により構成されるサブ画素を有している。フォトスペーサは、フォトリソグラフィー技術などにより形成される。この電気光学装置において、フォトスペーサの少なくとも一部は、表示に寄与しない相隣接するサブ画素の間の領域と重なる位置に形成されている。また、第２の基板に対向するフォトスペーサの面は平坦面になっている。また、フォトスペーサの平坦面と接触する、第２の基板上の対向面は、平坦性を有しており、尚且つ、その平坦面より面積（領域）が大きくなっている。よって、電気光学層の厚さ、即ちセルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。
【００１０】
上記の電気光学装置の１つの態様では、前記第２の基板の対向面は、前記サブ画素の開口（透過型表示が行われる透過領域）を規定する遮光層上に存在しており、前記遮光層は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きくなっている。
【００１１】
この態様によれば、フォトスペーサの平坦面と接触する第２の基板上の対向面、即ち遮光層の上面は、平坦性を有しており、尚且つ、その平坦面より面積（領域）が大きくなっている。ここで、遮光層は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の各色を重ねて形成（以下、「重ね遮光層」とも呼ぶ）することができる。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。
【００１２】
好適な例では、前記遮光層上には配向膜が設けられており、当該配向膜は前記遮光層の形状を反映して平坦化されている。これにより、フォトスペーサの平坦面は、平坦性を有する配向膜を介して遮光層と接触することになる。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。また、好適な例では、前記フォトスペーサ上には配向膜が設けられており、当該配向膜は前記フォトスペーサの形状を反映して平坦化されている。これにより、フォトスペーサの平坦面は、その平坦面上に形成された配向膜を介して、平坦性を有する第２基板の対向面（例えば、遮光層の上面、又は、遮光層上に形成され且つ平坦性を有する配向膜）と接触することになる。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。
【００１３】
また、好適な例では、前記第２の基板は行及び列方向に配置された複数の着色層を備えることができ、前記遮光層は、少なくとも列方向に相隣接する各着色層の間に形成することができる。
【００１４】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記第１の基板はスイッチング素子を備え、前記フォトスペーサは前記スイッチング素子の上に設けられている。
【００１５】
この態様によれば、第１の基板はＴＦＤ素子等のスイッチング素子を備えており、フォトスペーサは、当該スイッチング素子の上に形成されている。このため、万が一、ユーザが、そのスイッチング素子付近に対応する液晶パネル面に外力を付与したとしても、スイッチング素子はそのフォトスペーサにより保護され、スイッチング素子が破損するのを防止できる。また、そのような位置にフォトスペーサを配置することにより、フォトスペーサが絶縁物として機能し、スイッチング素子と第２の基板上の電極等との間で短絡が生じるのを防止できる。特に、フォトスペーサを電気光学装置内のすべてのスイッチング素子に対応する位置に配置することにより、上記のような不具合が生じるのを確実に防止できる。なお、フォトスペーサはレベリング性があるのでスイッチング素子の上に形成しても、フォトスペーサの平坦面の平坦性を確保することができる。
【００１６】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記フォトスペーサの前記平坦面は略円形又は略正多角形の平面形状をなすと共に、前記第２の基板の対向面は略正方形の平面形状をなし、前記平坦面の直径又は各対角線の長さは略１４μｍであると共に、前記第２の基板の対向面の縦及び横方向の長さは各々１４μｍ以上であり、前記平坦面及び前記第２の基板の対向面の中心点は一致している。
【００１７】
この態様によれば、フォトスペーサの平坦面を略円形又は略正多角形の平面形状に形成することができる。また、第２の基板の対向面を略正方形の平面形状に形成することができる。そして、平坦面の直径又は各対角線の長さを略１４μｍに、尚且つ第２の基板の対向面の縦及び横方向の長さを各々最低１４μｍ、より好ましくは２０μｍに設定して、その平坦面及び第２の基板の対向面の中心点が各々一致するように設定することができる。これにより、第２の基板の対向面の面積（領域）は、フォトスペーサの平坦面の面積（領域）より大きくなる。例えば、好適な例として、平坦面の各対角線の長さを各々１４μｍに、かつ、第２の基板の対向面の縦及び横方向の長さを各々２０μｍに設定した場合には、第２の基板の対向面の領域を、フォトスペーサの平坦面の各対角線方向に３μｍ程度広げることができる。従って、第１の基板と第２の基板との貼り合せ時に３μｍ以下の範囲内で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサの平坦面と第２の基板上の対向面とを必ず接触させることができ、セルギャップを所定厚さに安定的に保持できる。
【００１８】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記第１の基板は前記サブ画素内に透過領域及び反射領域を備え、前記第１の基板において列方向に相隣接する前記サブ画素の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、少なくとも前記切り換え部分及び前記反射領域に対応する前記第２の基板上にはオーバーコート層が形成されて前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、前記第２の基板の対向面は、前記切り換え部分近傍の位置に且つ平坦性を有する前記オーバーコート層上の位置に対応している。
【００１９】
この態様によれば、第１の基板は、サブ画素内に透過領域及び反射領域を備えている。よって、透過型表示及び反射型表示を行うことができる。また、第１の基板において列方向に相隣接するサブ画素の間には、表示に寄与しない部分、即ち透過領域と反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在しており、少なくとも切り換え部分及び反射領域に対応する第２の基板上にはオーバーコート層が形成されている。このように反射表示領域に対応する第２の基板上にオーバーコート層が形成されることにより、この電気光学装置では、透過領域に対応する電気光学物質層と反射領域に対応する電気光学物質層の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。また、第２の基板の対向面は、切り換え部分近傍の位置に且つ平坦性を有するオーバーコート層上の位置に対応している。このため、平坦性を有し且つオーバーコート層上の位置に対応する第２の基板の対向面は、フォトスペーサの平坦面の面積（領域）より大きくなっている。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持できる。
【００２０】
好適な例では、前記フォトスペーサは前記サブ画素の角部に設けることができる。また、前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、表示に寄与しない、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置させることができる。また、前記第２の基板の対向面は、前記切り換え部分より所定の方向、例えば画素電極の外側方向に突出して形成することができる。これにより、開口率を低下させることなく、セルギャップを均一に保持することができる。
【００２１】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記フォトスペーサの前記平坦面及び前記第２の基板の対向面は、前記スイッチング素子と重なり合う位置に形成されており、前記第２の基板の対向面の端部から前記フォトスペーサの外側端部までの距離は３μｍ以上に設定されている。
【００２２】
この態様によれば、フォトスペーサの平坦面及び第２の基板の対向面は、スイッチング素子と重なり合う位置に形成されている。これにより、ユーザがスイッチング素子付近に対応する液晶パネル面に外力を付与したとしても、スイッチング素子はそのフォトスペーサにより保護され、スイッチング素子の破損等を防止することができる。また、この態様では、第２の基板の対向面の端部からフォトスペーサの外側端部までの距離が３μｍ以上に設定されているので、第１の基板と第２の基板との貼り合せ時に３μｍ以下の範囲内で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサの平坦面と第２の基板の対向面とを必ず接触させることができ、セルギャップを所定厚さに安定的に保持できる。
【００２３】
本発明の他の観点では、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と、フォトスペーサを有する第２の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置において、前記第１の基板は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された導電膜と、前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、前記導電膜及び前記散乱層上に形成された反射層と、前記反射層上に形成されたオーバーコート層と、前記オーバーコート層及び前記反射層の一部上に形成された画素電極と、を備え、前記オーバーコート層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第１の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、前記平坦面に接触する前記オーバーコート層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きい。
【００２４】
上記の電気光学装置は、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と第２の基板とがフォトスペーサを介して貼り合わされ、その両基板間に電気光学物質が封入されてなる。この電気光学装置は、サブ画素内に透過型表示を行う透過領域と反射型表示を行う反射領域とを有しており、いわゆる半透過反射型の電気光学装置を構成している。第２の基板は、フォトスペーサを備えている。一方、第１の基板は、ＴＦＤ素子等のスイッチング素子のほか、導電膜、散乱層、反射層、オーバーコート層及び画素電極を備えて構成される。導電膜はスイッチング素子と電気的に接続されている。散乱層は、スイッチング素子を覆うように形成されている。散乱層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。反射層は導電膜及び散乱層の上に形成されている。オーバーコート層は、散乱層上に形成されている。このオーバーコート層等により、この電気光学装置では、透過領域に対応する電気光学物質層と、反射領域に対応する電気光学物質層の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。尚、オーバーコート層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。画素電極は、オーバーコート層及び反射層の一部上に形成されている。
【００２５】
また、列方向に相隣接する画素電極の間には、表示に寄与しない、透過領域と反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在しており、フォトリソグラフィー技術などにより形成されるフォトスペーサは、その切り換え部分を含む位置に形成されている。
【００２６】
このような構成を有する電気光学装置では、第１の基板と第２の基板とを貼り合せた状態において、第１の基板に対向するフォトスペーサの面は平坦面となっており、その平坦面に接触するオーバーコート層の対向面は、平坦性を有し且つ当該平坦面の面積より大きくなっている。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。
【００２７】
好適な例では、前記フォトスペーサは前記サブ画素の角部に設けることができる。また、前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、表示に寄与しない、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置させることができる。また、前記オーバーコート層の対向面は、前記切り換え部分より所定の方向、例えば画素電極の外側方向に突出して形成することができる。これにより、開口率を低下させることなく、セルギャップを均一に保持することができる。
【００２８】
本発明の他の観点では、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と、フォトスペーサを有する第２の基板とが前記フォトスペーサを介して貼り合わされ、前記第１の基板と前記第２の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置において、前記第１の基板は、スイッチング素子と、前記スイッチング素子と接続された導電膜と、前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、前記導電膜と接続され且つ少なくとも前記散乱層上に形成された画素電極と、を備え、前記散乱層により、前記透過領域と前記反射領域とで電気光学物質層の厚さが異なるマルチギャップ構造が構成され、列方向に相隣接する前記画素電極の間には、前記透過領域と前記反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在し、前記フォトスペーサは、前記切り換え部分を含む位置に形成されていると共に、前記第１の基板に対向する前記フォトスペーサの面は平坦面であり、前記平坦面に接触する前記散乱層の対向面は、平坦性を有し且つ前記平坦面の面積より大きい。
【００２９】
上記の電気光学装置は、サブ画素内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と第２の基板とがフォトスペーサを介して貼り合わされ、その両基板間に電気光学物質が封入されてなる。この電気光学装置は、サブ画素内に透過型表示を行う透過領域と反射型表示を行う反射領域とを有しており、いわゆる半透過反射型の電気光学装置を構成している。第２の基板は、フォトスペーサを備えている。一方、第１の基板は、ＴＦＤ素子等のスイッチング素子のほか、導電膜、散乱層、及び画素電極を備えて構成される。導電膜はスイッチング素子と電気的に接続されている。散乱層は、スイッチング素子を覆うように形成されている。
【００３０】
この散乱層により、この電気光学装置では、透過領域に対応する電気光学物質層と、反射領域に対応する電気光学物質層の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。画素電極は、散乱層上などに形成されている。また、画素電極は導電膜と接続されており、それはスイッチング素子と電気的に接続されている。
【００３１】
また、列方向に相隣接する画素電極の間には、表示に寄与しない、透過領域と反射領域とが切り換わる切り換え部分が存在しており、フォトリソグラフィー技術などにより形成されるフォトスペーサは、その切り換え部分を含む位置に形成されている。
【００３２】
このような構成を有する電気光学装置では、第１の基板と第２の基板とを貼り合せた状態において、第１の基板に対向するフォトスペーサの面は平坦面であり、その平坦面に接触する散乱層の対向面は、平坦性を有し且つ当該平坦面の面積より大きくなっている。よって、セルギャップを所定厚さに安定的に保持することができる。
【００３３】
好適な例では、前記フォトスペーサは前記サブ画素の角部に設けることができる。また、前記透過領域と前記反射領域の前記切り換え部分は、表示に寄与しない、列方向に相隣接する前記サブ画素の縁近傍に位置させることができる。また、前記散乱層の対向面は、前記切り換え部分より所定の方向、例えば画素電極の外側方向に突出して形成することができる。これにより、開口率を低下させることなく、セルギャップを均一に保持することができる。
【００３４】
また、上記の電気光学装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各実施形態は、本発明を電気光学装置の一例としての液晶表示装置に適用したものである。各実施形態は、一方の基板にフォトスペーサを形成すると共に、対向基板に重ね遮光層、オーバーコート層又は樹脂散乱層を形成して、パネル構成時にフォトスペーサに対向する重ね遮光層、オーバーコート層又は樹脂散乱層の対向面を、所定の大きさ及び平坦性を有するように形成して、セルギャップを所定厚さに保持する。
【００３６】
[第１実施形態]
第１実施形態は、フォトスペーサに対向する重ね遮光層の線幅を大きく（太く）且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、対応するフォトスペーサの平坦面の面積（領域）より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する。
【００３７】
（液晶表示装置１００の構成）
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置１００は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域（透過型表示を行う領域）の液晶層の厚さよりも小さく設定され、反射型表示及び透過型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置でもある。
【００３８】
図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。図３は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の透過表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図を示す。
【００３９】
まず、図２を参照して、画素電極１０の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明し、続いて、図３を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明する。そして、その後、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成について説明する。
【００４０】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。この枠状のシール部材３には、複数の金粒子などの導通部材７が混入されている。
【００４１】
下側基板２の内面上には反射層５が形成されている。反射層５は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜により形成することができる。反射層５の内面上であって且つ画素電極１０と対向する位置には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００４２】
また、各サブ画素領域ＳＧの間には、隣接するサブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素から他方のサブ画素への光の混入を防止するため、重ね遮光層４０が形成されている。重ね遮光層４０は、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色を重ね合わされて形成される。本実施形態では、重ね遮光層４０は、青色の着色層６Ｂを最下層とし、その上に緑色の着色層６Ｇ、更にその上に赤色の着色層６Ｒが順に重ね合わされることにより形成されている。なお、この構成に限らず、本発明では、着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂを積層する順番は適宜変更が可能である。重ね遮光層４０に入射された光は、各着色層６Ｒ、６Ｇ、６Ｂで吸収されて遮光される。
【００４３】
着色層６及び遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有する。オーバーコート層１８の内面上には、ストライプ状のＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明電極（走査電極）８が形成されている。この透明電極８の一端はシール部材３内に延在しており、そのシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。透明電極８の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００４４】
一方、上側基板１の内面上には、適宜の間隔を置いてデータ線３２が、サブ画素領域ＳＧ毎に画素電極１０が夫々形成されている。上側基板１、画素電極１０及びデータ線３２の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００４５】
また、上側基板１の内面上の左右周縁部には走査線３１が形成されている。走査線３１の一端部はシール部材３内まで延在しており、その走査線３１はシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。上側基板１の走査線３１と、下側基板２の透明電極８、即ち下側基板の走査線とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。
【００４６】
下側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１１及び偏光板１２が配置されており、上側基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１３及び偏光板１４が配置されている。また、偏光板１２の下側には、バックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源などが好適である。
【００４７】
さて、第１実施形態の液晶表示装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置１００に入射した外光は、図２に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶表示装置１００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、画素電極１０及び着色層６等が形成されている領域を通過して、その着色層６の下側にある反射層５により反射され、再度着色層６及び画素電極１０等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４８】
次に、図３を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る直線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明する。
【００４９】
図３において、下側基板２の内面上には反射層５が形成されている。反射層５には、サブ画素領域ＳＧ毎に略矩形状の開口２０が形成されている。開口２０は、カラーフィルタ基板９２の内面上に縦横にマトリクス状に配列されたサブ画素領域ＳＧ毎に、当該サブ画素領域ＳＧの全面積を基準として所定割合の面積を有するように形成されている。この開口２０により、透過表示領域が規定される。また、下側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。各サブ画素領域ＳＧの間に対応する反射層５の内面上には重ね遮光層４０が形成されている。着色層６及び重ね遮光層４０の内面上には透明電極８が形成されている。なお、下側基板２に形成されるその他の構成要素は図２と同様であり、その説明を省略する。
【００５０】
一方、上側基板１の内面上であって且つ重ね遮光層４０に対向する位置には、データ線３２が形成されている。また、上側基板１の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に画素電極１０及びＴＦＤ素子２１が夫々形成されている。画素電極１０は、ＴＦＤ素子２１を介してデータ線３２に接続されている。上側基板１、画素電極１０、ＴＦＤ素子２１及びデータ線３２の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。なお、上側基板１に形成されるその他の構成要素は図２と同様であり、その説明を省略する。
【００５１】
さて、第１実施形態の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図３に示す経路Ｔに沿って進行し、着色層６及び画素電極１０等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより、所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００５２】
次に、図１、図４及び図５を参照して、素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の電極及び配線の構成について説明する。図４は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２及び図３における下方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図５は、カラーフィルタ基板９２を正面方向（即ち、図２及び図３における上方）から観察したときのカラーフィルタ基板９２の電極の構成を平面図として示す。また、図４及び図５において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００５３】
図１において、素子基板９１の画素電極１０と、カラーフィルタ基板９２の透明電極８との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図４において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００５４】
（電極及び配線構成）
先ず、図４を参照して、素子基板９１の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板９１は、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０、複数の走査線３１、複数のデータ線３２、ＸドライバＩＣ３３（走査線駆動回路）、ＹドライバＩＣ１１０（データ線駆動回路）、及び複数の外部接続用端子３５を備えている。
【００５５】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＸドライバＩＣ３３及びＹドライバＩＣ１１０が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図４において、素子基板９１の張り出し領域３６側の辺９１ａから反対側の辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、辺９１ｄから辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００５６】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。ＸドライバＩＣ３３及びＹドライバＩＣ１１０の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００５７】
ＹドライバＩＣ１１０の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に接続されている。一方、各ＸドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線３１に接続されている。これにより、各ＸドライバＩＣ３３は複数の走査線３１に走査信号を、ＹドライバＩＣ１１０は複数のデータ線３２にデータ信号をそれぞれ出力する。
【００５８】
複数のデータ線３２は、紙面縦方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＸ方向に形成されている。各データ線３２は一定の間隔を隔てて形成されている。また、各データ線３２は、適宜の間隔をおいて複数のＴＦＤ素子２１に接続されており、各ＴＦＤ素子２１は、対応する各画素電極１０に接続されている。
【００５９】
複数の走査線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に形成されている。また、各本線部分３１ａは、各データ線３２に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分３１ｂは、額縁領域３８内において、左右に位置するシール部材３内までＸ方向に延在している。そして、その折れ曲がり部分３１ｂの終端部は、シール部材３内で導通部材７に接続されている。
【００６０】
次に、カラーフィルタ基板９２の電極の構成について説明する。図５に示すように、カラーフィルタ基板９２は、Ｘ方向にストライプ状の透明電極（走査電極）８が形成されている。各透明電極８の左端部或いは右端部は、図１及び図５に示すように、シール部材３内まで延在しており、且つ、シール部材３内の導通部材７に接続されている。
【００６１】
以上に述べた、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９２の各透明電極８は、素子基板９１の各データ線３２に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、透明電極８と画素電極１０とが重なり合う領域がサブ画素領域ＳＧを構成する。
【００６２】
また、カラーフィルタ基板９２の透明電極８（即ち、カラーフィルタ基板９２側の走査線）と、素子基板９１の走査線３１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その透明電極８と走査線３１とは、シール部材３内の導通部材７を介して上下導通している。つまり、透明電極８たるカラーフィルタ基板９２の各走査線と、素子基板９１の各走査線３１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、カラーフィルタ基板９２の透明電極８は、素子基板９１の走査線３１を介して、紙面左右に夫々位置する各ＸドライバＩＣ３３に電気的に接続されている。
【００６３】
（セルギャップの均一化方法）
次に、図６乃至図８を参照して、本発明の第１実施形態に係るセルギャップの均一化方法について説明する。
【００６４】
図６は、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを貼り合せた状態の部分平面図を示している。また、図６は、図２及び図３の断面図における下方から観察したときの複数画素のレイアウト、及び対応するカラーフィルタ基板の主要な要素のレイアウトを夫々示している。
【００６５】
なお、図６において、各データ線３２の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板９２側の透明電極８（破線にて囲まれる領域）と対向する領域は、サブ画素領域ＳＧ（一点鎖線にて囲まれる矩形状の領域）である。サブ画素領域ＳＧは、反射表示領域Ｅ１、及び透過表示領域Ｅ２により構成される。反射表示領域Ｅ１は、反射型表示を行う領域であり、Ｘ方向の長さ略Ｗ２１とＹ方向の長さ略Ｗ２０を有する領域である。透過表示領域Ｅ２は、透過型表示を行う領域であり、Ｘ方向の長さＷ２２とＹ方向の長さＷ２０を有する領域である。また、図６において、Ｙ方向に相隣接する画素電極１０の間には、透過表示領域Ｅ２と反射表示領域Ｅ１とが切り換る切り換え領域Ｅ５０が形成されている。換言すれば、透過表示領域Ｅ２と反射表示領域Ｅ１の境界部分（切り換え領域Ｅ５０）は、画素電極１０の縁近傍に存在している。図７は、図６の平面図における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った断面図である。また、図７は、１つのサブ画素領域ＳＧ付近の断面図であり、特にフォトスペーサ２７、重ね遮光層４０及びＴＦＤ素子２１の各位置関係を説明する断面図である。また、図７では、便宜上、重ね遮光層４０の層構造を模式的に示す。
【００６６】
まず、図６を参照して、素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の平面構成について概略的に説明し、続いて、図７を参照して、１つのサブ画素領域ＳＧ付近の断面構成について説明する。
【００６７】
素子基板９１の主要な平面構成は次の通りである。図６において、上側基板１上には、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び画素電極１０が形成されている。各データ線３２は、Ｙ方向に延在し且つ適宜の間隔を置いて形成されている。ＴＦＤ素子２１は、サブ画素領域ＳＧ内に且つ透過表示領域Ｅ２の下側の位置に形成されており、データ線３２に接続されている。画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧより若干小さな形状を有し、サブ画素領域ＳＧ内に形成されている。画素電極１０は、ＴＦＤ素子２１に接続されている。このため、画素電極１０は、ＴＦＤ素子２１を介してデータ線３２に電気的に接続されている。また、データ線３２及びＴＦＤ素子２１の上には、フォトリソグラフィー等の方法にて形成され、略正多角形の平面形状をなす、柱状のフォトスペーサ２７が形成されている。
【００６８】
なお、フォトスペーサ２７は、レベリング性があるので上記のようにＴＦＤ素子２１及びデータ線３２の上に形成されても平坦性を確保することができる。即ち、フォトスペーサ２７をＴＦＤ素子２１及びデータ線３２の上に形成したとしても、そのフォトスペーサ２７の内面は平坦性を確保することができる。また、フォトスペーサ２７の少なくとも一部は、Ｙ方向に相隣接する画素電極１０の間の領域（切り換え領域Ｅ５０を含む）に重なり合っている。
【００６９】
一方、カラーフィルタ基板９２の主要な平面構成は次の通りである。図６において、下側基板２の内面上には、反射層５（図示略）が形成されており、それは略矩形状の開口２０を有する。着色層６は、画素電極１０と略同一の大きさを有し、サブ画素領域ＳＧ内、具体的には反射表示領域Ｅ１に対応する反射層５及び透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板２の内面上に形成されている。重ね遮光層４０（破線にて囲まれた領域）は、略団子状の領域を複数有し、各着色層６を区画する位置に且つ反射層５の内面上に形成されており、サブ画素の開口を規定している。重ね遮光層４０は、特に、フォトスペーサ２７に対応する位置周辺においてＹ方向の線幅が大きく（太く）形成されており、平面視した状態で略正方形の領域Ｅ３を有している。反射表示領域Ｅ１に対応する着色層６等の内面上には、オーバーコート層１８が形成されている。オーバーコート層１８の内面上であって、且つ、Ｘ方向に列をなす複数のサブ画素領域ＳＧに重なる位置には、ストライプ状の透明電極８が形成されている。
【００７０】
以上の構成を有する、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とが貼り合わされた状態が図６に示されている。
【００７１】
次に、図７を参照して、１つのサブ画素領域ＳＧに対応する素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の断面構成、及びフォトスペーサ２７、重ね遮光層４０及びＴＦＤ素子２１の各位置関係について説明する。
【００７２】
まず、１つのサブ画素領域ＳＧ付近のカラーフィルタ基板９２の断面構成について説明する。反射表示領域Ｅ１を含む下側基板２上の内面上には反射層５が形成されている。反射層５は、サブ画素領域ＳＧ内の反射表示領域Ｅ１に隣接する位置に開口２０を有し、その位置に透過表示領域Ｅ２が形成されている。着色層６は、サブ画素領域ＳＧ内における反射層５及び下側基板２の内面上などに形成されており、その着色層６は透過表示領域Ｅ２と反射表示領域Ｅ１とで膜厚が夫々異なるように形成されている。即ち、透過表示領域Ｅ２に形成された着色層６の膜厚は、反射表示領域Ｅ１に形成された着色層６の膜厚よりも大きく設定されている。反射表示領域Ｅ１に対応する着色層６の内面上にはオーバーコート層１８が形成されており、そのオーバーコート層１８の周縁部はテーパー状に形成されている。透過表示領域Ｅ２に対応する着色層６の内面上、及びオーバーコート層１８の内面上には透明電極８が形成されている。１つのサブ画素領域ＳＧの反射表示領域Ｅ１と、それに隣接する他のサブ画素領域ＳＧの透過表示領域Ｅ２の間には重ね遮光層４０が所定厚さにて形成されている。重ね遮光層４０の上面４０ａは平坦性を有している。なお、その他の構成要素は上記において説明したので説明を省略する。
【００７３】
次に、１つのサブ画素領域ＳＧ付近の素子基板９１の断面構成について説明する。
【００７４】
透過表示領域Ｅ２及び反射表示領域Ｅ１に対応する、上側基板１の内面上には画素電極１０が形成されている。重ね遮光層４０に対向する上側基板１の内面上にはＴＦＤ素子２１が形成されている。ＴＦＤ素子２１に対応する位置には、フォトスペーサ２７が形成されており、フォトスペーサ２７の内面２７ａ（以下、「平坦面２７ａ」とも呼ぶ）は、重ね遮光層４０の上面４０ａに接触している。フォトスペーサ２７は上記したようにレベリング性があるのでＴＦＤ素子２１上に形成されても、フォトスペーサ２７の内面２７ａは平坦性を確保することができる。なお、その他の構成要素は上記において説明したので説明を省略する。
【００７５】
以上の構成を有する、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とはシール部材３（図示略、図２及び図３を参照）を介して貼り合せられ、それらの間に液晶層４が封入されている。このとき、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと重ね遮光層４０の上面４０ａとは接触しており、それらの要素によりセルギャップが所定厚さに保持されている。具体的には、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４の厚さはＤ１に、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４の厚さはＤ２（＞Ｄ１）に夫々設定されている。この点について、図６及び図８を参照して、更に詳述する。図８は、図６における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った部分断面図であり、特にフォトスペーサ２７の平坦面２７ａの中心点Ｏを通る断面図である。  まず、図６の平面図において、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とが適正に（組みずれなしに）貼り合わされた状態において、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ及びフォトスペーサ２７に対応する重ね遮光層４０の上面４０ａ（略正方形の平面形状を有する領域Ｅ３）の各中心点は一致する。また、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａにおける、Ｘ方向の対角線の長さ（点Ｐ１−点Ｐ２間の長さ）及びＹ方向の対角線の長さ（点Ｐ３−点Ｐ４間の長さ）は夫々Ｗ１に設定されている。好適な例では、上記「Ｗ１」を約１４μｍに設定することができる。
【００７６】
一方、領域Ｅ３に対応する重ね遮光層４０の上面４０ａのＸ方向及びＹ方向の長さは、フォトスペーサ２７の各対角線と同一の長さに設定にしてもよいが、本例では素子基板９１とカラーフィルタ基板９２との貼り合せ時の組みずれ（パネル構成時の位置ずれ）分の距離Ｄ５（＝３μｍ）を確保して、夫々Ｗ２（＞Ｗ１）に設定している。即ち、「Ｗ２」は最低１４μｍ、より好ましくは、約２０μｍに設定することができる。これにより、重ね遮光層４０の上面４０ａに対応する領域Ｅ３は、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａの面積（領域）より大きくなる。即ち、前者は、後者に対して、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａの点Ｐ１から紙面下方向に距離Ｄ５、その点Ｐ２から紙面上方向に距離Ｄ５、その点Ｐ３から紙面左方向に距離Ｄ５、及び、その点Ｐ４から紙面右方向に距離Ｄ５だけ大きくなるように形成されている。
【００７７】
よって、万が一、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２との貼り合せ時に、３μｍ以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａを、必ず重ね遮光層４０の上面４０ａに接触させることができる。また、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ及び領域Ｅ３に対応する重ね遮光層４０の上面４０ａは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
【００７８】
次に、図８において、下側基板２の内面上には反射層５が形成されていると共に、反射層５の内面上には重ね遮光層４０が夫々形成されている。上記したように、重ね遮光層４０の上面４０ａは平坦性を有している。
【００７９】
一方、上側基板１の内面上には、データ線３２が形成されている。データ線３２上であって且つオーバーコート層１８の近傍に対応する位置には、フォトスペーサ２７が形成されている。重ね遮光層４０の上面４０ａに対向するフォトスペーサ２７ａの平坦面２７ａは、上記したように平坦性を有している。素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とが貼り合わされた状態では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、領域Ｅ３に対応する重ね遮光層４０の上面４０ａとは接触している。以上の断面構成により、セルギャップを上記のように所定厚さに保持することができる。
【００８０】
また、本実施形態では、フォトスペーサ２７をＴＦＤ素子２１に対応する位置に形成することとしている。このため、万が一、ユーザが、そのＴＦＤ素子２１付近に対応する液晶パネル面に外力を付与したとしても、ＴＦＤ素子２１はそのフォトスペーサ２７により保護され、ＴＦＤ素子２１が破損するのを防止できる。また、そのような位置にフォトスペーサ２７を配置することにより、フォトスペーサ２７が絶縁物として機能し、ＴＦＤ素子２１と透明電極８等との間で短絡が生じるのを防止できる。特に、フォトスペーサ２７を液晶表示装置１００内のすべてのＴＦＤ素子２１に対応する位置に配置することにより、上記のような不具合が生じるのを確実に防止できる。
【００８１】
なお、上記の第１実施形態では、フォトスペーサ２７と対向する遮光層を重ね遮光層４０として構成しているが、その代わりに黒色遮光層として構成してもよい。
【００８２】
また、第１実施形態では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと重ね遮光層４０の上面４０ａとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、重ね遮光層４０の上面４０ａとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板９１においてフォトスペーサ２７の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板９２において重ね遮光層４０の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜は、当該平坦面２７ａの形状を反映して平坦化されると共に、重ね遮光層４０の上面４０ａに形成された配向膜は、当該上面４０ａの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜と、重ね遮光層４０の上面４０ａに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、重ね遮光層４０の上面４０ａとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
【００８３】
[第２実施形態]
第２実施形態は、フォトスペーサに対応するオーバーコート層１８の上面を所定の大きさに且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、対応するフォトスペーサの平坦面の面積（領域）より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する。
【００８４】
第２実施形態に係る液晶表示装置を第１実施形態に係る液晶表示装置１００と比較すると、次の点が構成上相違している。第１実施形態では、カラーフィルタ基板９２側において重ね遮光層４０の内面上にオーバーコート層１８を形成していないが、第２実施形態では、カラーフィルタ基板９４側においてオーバーコート層１８のテーパー状の一辺側を重ね遮光層４０の内面上に形成する。なお、第２実施形態の液晶表示装置は、第１実施形態と同様に反射表示領域Ｅ１にオーバーコート層１８を形成することで、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４と、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
【００８５】
図９乃至図１１を参照して、第２実施形態について説明する。図９は、図６に対応する部分平面図である。また、図９において、Ｙ方向に相隣接する画素電極１０の間には、透過表示領域Ｅ２と反射表示領域Ｅ１とが切り換る切り換え領域Ｅ５０が存在している。換言すれば、透過表示領域Ｅ２と反射表示領域Ｅ１の境界部分（切り換え領域Ｅ５０）は、Ｙ方向に相隣接する画素電極１０の縁近傍に存在している。図１０は、図７に対応する部分断面図であると共に、図９における切断線Ｘ５−Ｘ６に沿った部分断面図である。図１１は、図８に対応する部分断面図であると共に、図９における切断線Ｘ７−Ｘ８に沿った部分断面図である。なお、以下では、本発明の第２実施形態に関連する主要な要素について説明をすると共に、第１実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００８６】
図９において、オーバーコート層１８はカラーフィルタ基板９４側に形成されており、図示の太い破線にて囲まれる領域がオーバーコート層１８の領域となっている。この太い破線にて囲まれるオーバーコート層１８の領域の内面上は平坦性が確保されていると共に、その領域外周辺のオーバーコート層１８（図示略）はテーパー状に形成されている。図示のように、オーバーコート層１８は、反射表示領域Ｅ１に対応する着色層６の内面上などに形成されている。特に、ＴＦＤ素子２１に対応する位置に形成されるオーバーコート層１８は、紙面上方向に領域が大きくなるように形成、即ち切り換え部分Ｅ５０より紙面上方向に突出するように形成されている。この点について、図１０の断面図を参照して説明する。
【００８７】
まず、１つのサブ画素領域ＳＧ付近のカラーフィルタ基板９４の断面構成について説明する。図１０において、反射表示領域Ｅ１を含む下側基板２上の内面上には反射層５が形成されている。反射層５は、サブ画素領域ＳＧ内の反射表示領域Ｅ１に隣接する位置に開口２０を有し、開口２０により透過表示領域Ｅ２が規定されている。着色層６はサブ画素領域ＳＧ内に形成されている。反射層５の内面上には、着色層６及び重ね遮光層４０が形成されている。反射表示領域Ｅ１に対応する着色層６及び重ね遮光層４０の内面上には、オーバーコート層１８が所定厚さにて形成され、マルチギャップが形成されている。オーバーコート層１８の周縁部近傍はテーパー状に形成されている。特に、オーバーコート層１８の一辺側の周縁部１８ｘは重ね遮光層４０の一部内面上に形成されており、これにより光抜けの防止が図られている。サブ画素領域ＳＧ内には透明電極８が形成されている。
【００８８】
次に、１つのサブ画素領域ＳＧ付近の素子基板９６の断面構成について説明する。
【００８９】
透過表示領域Ｅ２及び反射表示領域Ｅ１に対応する、上側基板１の内面上には画素電極１０が形成されている。重ね遮光層４０に対応する上側基板１の内面上には、ＴＦＤ素子２１が形成されている。ＴＦＤ素子２１に対応する位置にはフォトスペーサ２７が形成されており、かかるフォトスペーサ２７の平坦面２７ａは、平坦性を有するオーバーコート層１８の上面１８ａと接触している。
【００９０】
以上の構成を有する、カラーフィルタ基板９４と素子基板９６とはシール部材３（図示略）を介して貼り合せられ、それらの間に液晶層４が封入されている。このとき、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａとオーバーコート層１８の上面１８ａとは接触しており、それらの要素によりセルギャップが所定厚さに保持されている。即ち、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４の膜厚はＤ１に、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４の膜厚はＤ２（＞Ｄ１）に夫々設定されている。
【００９１】
この点について、図９及び図１１を参照して、更に詳述する。図１１は、図９における切断線Ｘ７−Ｘ８に沿った部分断面図であり、図９におけるフォトスペーサ２７の中心点Ｏを通る部分断面図である。また、図１１は、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、対向するオーバーコート層１８の上面１８ａの大きさなどの関係について説明する図である。
【００９２】
まず、図９の平面図において、フォトスペーサ２７は、画素電極１０の角部近傍に形成されている。また、フォトスペーサ２７のＸ方向における対角線の長さ（点Ｐ１−点Ｐ２間の長さ）及びＹ方向における対角線の長さ（点Ｐ３−点Ｐ４間の長さ）は夫々Ｗ１に設定されている点は第１実施形態と同様である。
【００９３】
オーバーコート層１８は、一般に横方向に列をなす複数の反射表示領域Ｅ１に対応する位置に形成されるのであるが、第２実施形態では、特に、切り換え領域Ｅ５０より紙面上方向に突出するように形成している。具体的には、フォトスペーサ２７に対応する位置近傍において、オーバーコート層１８は、フォトスペーサ２７の点Ｐ２から紙面上方向に距離Ｄ５、その点Ｐ３から紙面左方向に距離Ｄ５、その点Ｐ４から紙面右方向に距離Ｄ５となるように形成されている。
【００９４】
これにより、その付近のオーバーコート層１８の上面１８ａの領域は、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａの面積（領域）より大きくなる。ここで、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａの点Ｐ１を基準とすると、点Ｐ１からオーバーコート層１８の上辺１８ｔまでの距離Ｗ３は、フォトスペーサ２７のＸ方向の対角線（点Ｐ１−点Ｐ２の間の対角線）の長さと、点Ｐ２からオーバーコート層１８の上辺１８ｔまでの距離Ｄ５を加算した値になっている。好適な例では、上記の「Ｗ１」を略１４μｍに設定した場合、距離Ｄ５を３μｍ以上、即ち「Ｗ３」を１７μｍ以上に且つ「Ｗ２」を２０μｍ以上に設定することができる。
【００９５】
よって、万が一、素子基板９６とカラーフィルタ基板９４との貼り合せ時に、３μｍ以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａを、必ずオーバーコート層１８の上面１８ａに接触させることができる。また、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ及びそれに対応するオーバーコート層１８の上面１８ａは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
【００９６】
次に、図１１を参照して、フォトスペーサ２７の中心点Ｏを通る部分の断面構成において、特に、断面視したときのフォトスペーサ２７の平坦面２７ａとその付近のオーバーコート層１８の上面１８ａの領域の大きさの関係について説明する。
【００９７】
図１１において、下側基板２の内面上には反射層５が形成されていると共に、反射層５の内面上には重ね遮光層４０が形成されている。重ね遮光層４０の一部内面上には、オーバーコート層１８が形成されている。オーバーコート層１８の上面１８ａは平坦性を有すると共に、その一辺側の周縁部１８ｘはテーパー状に形成されている。オーバーコート層１８の上面１８ａには透明電極８が形成されている。一方、素子基板９６の構成は図８と同様である。素子基板９６とカラーフィルタ基板９４とが貼り合わされた状態では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、平坦性を有するオーバーコート層１８の上面１８ａとは接触している。
【００９８】
図示のように、フォトスペーサ２７の幅（図６におけるＸ方向の対角線の長さに相当）はＷ１に設定されている。また、かかる付近の平坦性を有するオーバーコート層１８の上面１８ａは、フォトスペーサ２７の点Ｐ２を通る直線Ｌ５から紙面右方向に距離Ｄ５だけ長めに形成されている。換言すれば、かかる付近の平坦性を有するオーバーコート層１８の上面１８ａは、フォトスペーサ２７の点Ｐ１を通る直線Ｌ６から紙面右方向に、フォトスペーサ２７の幅Ｗ１とその距離Ｄ５を加えた値、即ちＷ３だけ長く形成されている。このため、素子基板９６とカラーフィルタ基板９４とを貼り合せた状態において、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａとオーバーコート層１８の上面１８ａとは必ず接触することになる。また、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ及びオーバーコート層１８の上面１８ａは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記のように所定厚さに保持することができる。
【００９９】
また、フォトスペーサ２７をＴＦＤ素子２１に対応する位置に形成することとしているので、第１実施形態と同様にＴＦＤ素子２１の破損、及びＴＦＤ素子２１と透明電極８などとの短絡を防止できる。
【０１００】
なお、第２実施形態では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａとオーバーコート層１８の上面１８ａとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、オーバーコート層１８の上面１８ａとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板９６においてフォトスペーサ２７の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板９４においてオーバーコート層１８の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜は、当該平坦面２７ａの形状を反映して平坦化されると共に、オーバーコート層１８の上面１８ａに形成された配向膜は、当該上面１８ａの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜と、オーバーコート層１８の上面１８ａに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、オーバーコート層１８の上面１８ａとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
【０１０１】
[第３実施形態]
第３実施形態に係る液晶表示装置では、素子基板側にオーバーコート層が形成されると共に、カラーフィルタ基板側にフォトスペーサが形成される。この点は、第１及び第２実施形態と構成上大きく相違している。但し、第３実施形態は、フォトスペーサに対応するオーバーコート層の上面を所定の大きさに且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、対応するフォトスペーサの平坦面の面積（領域）より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する点は第２実施形態と同様である。なお、第３実施形態の液晶表示装置は、第１及び第２実施形態と同様に反射表示領域Ｅ１１にオーバーコート層１８等を形成することで、透過表示領域Ｅ１２に対応する液晶層４と、反射表示領域Ｅ１１に対応する液晶層４の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
【０１０２】
図１２及び図１３を参照して、第３実施形態について説明する。なお、以下では、第１及び第２実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図１２は、素子基板を正面方向から観察したときの１画素分のレイアウトを示す部分平面図である。なお、図１２では、本発明に関連する必要最小限の要素のみを図示し、その他の要素は便宜上省略している。図１２において、各データ線３２の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板の透明電極８（二点鎖線にて囲まれる領域）と対向する領域は、サブ画素領域ＳＧ（一点鎖線にて囲まれる領域）である。サブ画素領域ＳＧは、反射表示領域Ｅ１１、及び透過表示領域Ｅ１２により構成される。反射表示領域Ｅ１１は、反射型表示を行う領域であり、Ｘ方向の長さＷ１１とＹ方向の長さＷ１２を有する矩形状の領域である。反射表示領域Ｅ１１は、透過表示領域Ｅ１２側に、Ｘ方向の長さＷ１４とＹ方向の長さＷ１２を有する矩形状の第１コンタクト領域Ｅ１３と、第１コンタクト領域Ｅ１３の一端側からＸ方向に長さＷ１６とＹ方向に長さＷ１２を有するマルチギャップテーパー領域Ｅ１５とを有する。マルチギャップテーパー領域Ｅ１５とは、樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６がテーパー状に形成される領域である。透過表示領域Ｅ１２は、透過型表示を行う領域であり、Ｘ方向の長さＷ１３とＹ方向の長さＷ１２を有する領域である。また、図１２において、Ｙ方向に相隣接する画素電極１０の間には、上記第１及び第２実施形態と同様に切り換え領域Ｅ５０が存在している。換言すれば、透過表示領域Ｅ１２と反射表示領域Ｅ１１の境界部分（切り換え領域Ｅ５０）は、Ｙ方向に相隣接する画素電極１０の縁近傍に存在している。
【０１０３】
（液晶表示装置の構成）
図１２において、下側基板５１上には、Ｙ方向に直線状のデータ線３２が適宜の間隔をおいて形成されている。下側基板５１上の反射表示領域Ｅ１１内には、ＴＦＤ素子２１が形成されている。データ線３２とＴＦＤ素子２１は電気的に接続されている。下側基板５１、データ線３２、及びＴＦＤ素子２１等の上には各種の要素が形成されるが、ここで理解を容易にするため、図１３の断面図を参照して、その積層構造について説明する。図１３は、図１２における切断線Ｘ９−Ｘ１０に沿った断面図であり、具体的には１つのサブ画素領域ＳＧをＸ方向にて切断したときの液晶表示装置の切断面図である。
【０１０４】
下側基板５１の内面上には、ＴＦＤ素子２１、その構成要素であるコンタクト部３３７、及び樹脂散乱層２５が形成されている。
【０１０５】
具体的には、ＴＦＤ素子２１は、反射表示領域Ｅ１１に対応する下側基板５１の内面上に形成されている。コンタクト部３３７は、第２コンタクト領域Ｅ１４に対応する下側基板５１の内面上に形成されている。第２コンタクト領域Ｅ１４は、図１２の平面図では、反射表示領域Ｅ１１の上側に位置し、Ｘ方向の長さＷ１５とＹ方向の長さＷ１２を有する矩形状の領域である。図１３に示すように第２コンタクト領域Ｅ１４は、カラーフィルタ基板９８側に形成された遮光層ＢＭと対向しており、かかる第２コンタクト領域Ｅ１４は遮光層ＢＭに遮光され表示に寄与しない領域となっている。
【０１０６】
樹脂散乱層２５は、コンタクト部３３７を除く下側基板５１の内面上、並びにＴＦＤ素子２１及びデータ線３２（図示略）の内面上に形成されている。このため、コンタクト部３３７の上面には、樹脂散乱層２５が矩形状にくり抜かれた開口２５ａが形成されている。また、反射表示領域Ｅ１１に対応する樹脂散乱層２５の表面上には微細な凹凸が形成されている。なお、反射表示領域Ｅ１１に対応する液晶層４を所定厚さＤ１１に、透過表示領域Ｅ１２に対応する液晶層４を所定厚さＤ１２に夫々保つため、樹脂散乱層２５は、約１.２〜１.３μｍ程度の厚さに形成するのが好ましい。
【０１０７】
反射層５は、反射表示領域Ｅ１１に対応する樹脂散乱層２５の内面上、及び第２コンタクト領域Ｅ１４内におけるコンタクト部３３７の一部の内面上に形成されている。反射層５の表面上には、樹脂散乱層２５の微細な凹凸が反映されている。このため、反射型表示を行う際には、外光がその凹凸形状により適度に散乱した状態で反射されるため反射光が均一化される。
【０１０８】
オーバーコート層２６は、第１コンタクト領域Ｅ１３を除く反射表示領域Ｅ１１に対応する反射層５の内面上、第２コンタクト領域Ｅ１４内の反射層５の内面上、第２コンタクト領域Ｅ１４内のコンタクト部３３７の一部内面上、及び第２コンタクト領域Ｅ１４近傍の樹脂散乱層２５の内面上に形成されている。マルチギャップテーパー領域Ｅ１５、及び第２コンタクト領域Ｅ１４近傍に夫々位置するオーバーコート層２６の周縁部はテーパー状に形成されている。このように、オーバーコート層２６は反射層５のエッジを被覆しているので、反射層５のエッジが剥離するなどの不具合が生じるのを防止できる。なお、第１コンタクト領域Ｅ１３に対応する反射層５の内面上は、画素電極１０と接続する領域となるためオーバーコート層２６は形成されていない。
【０１０９】
画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧ内に形成されている。具体的には、画素電極１０は、透過表示領域Ｅ１２に対応する樹脂散乱層２５の内面上、第１コンタクト領域Ｅ１３に対応する反射層５の内面上、及び第１コンタクト領域Ｅ１３を除く反射表示領域Ｅ１１に対応するオーバーコート層２６の内面上に形成されている。
【０１１０】
以上の構成において、画素電極１０は、第１コンタクト領域Ｅ１３にて反射層５の一端側に接続されていると共に、当該反射層５の他端側は第２コンタクト領域Ｅ１４にてＴＦＤ素子２１の構成要素であるコンタクト部３３７に接続されている。これにより、画素電極１０は、反射層５を介してデータ線３２及びＴＦＤ素子２１に電気的に接続されている。
【０１１１】
次に、素子基板９５における１つのサブ画素領域ＳＧと、それに対向するカラーフィルタ基板９８の構成及びその要素との位置関係等について説明する。
【０１１２】
上側基板５２の内面上には、着色層６及び遮光層ＢＭが形成されている。具体的には、着色層６は、画素電極１０に対向する位置に形成されている。遮光層ＢＭは、画素電極１０の周囲、換言すればサブ画素領域ＳＧ外と対向する位置に形成されている。このため、第２コンタクト領域Ｅ１４は遮光層ＢＭにより遮光されている（図１２の平面図も参照）。着色層６及び遮光層ＢＭの内面上にはオーバーコート層１８が形成されていると共に、オーバーコート層１８の内面上には透明電極８が形成されている。反射表示領域Ｅ１１に対応する透明電極８の内面上には、フォトスペーサ２７が形成されている。フォトスペーサ２７は、図１２に示すように、画素電極１０の角部に形成されている。
【０１１３】
そして、素子基板９５とカラーフィルタ基板９８とがシール部材３（図示略）を介して貼り合わされた状態では、そのフォトスペーサ２７によりセルギャップが所定厚さに保持されている。換言すれば、第３実施形態の液晶表示装置では、特に素子基板９５において樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６の各層厚によりマルチギャップが構成されているため、反射表示領域Ｅ１１では、液晶層４が所定厚さＤ１１に保持されていると共に、透過表示領域Ｅ１２では、液晶層４が所定厚さＤ１２（＞Ｄ１１）に保持されている。
【０１１４】
以上の構成を有する、１つのサブ画素領域ＳＧにおいては、透過表示領域Ｅ１２においてバックライト１５からの照明光が経路Ｔに沿って進行して透過型表示がなされると共に、反射表示領域Ｅ１１において外光が経路Ｒに沿って進行して反射型表示がなされる。
【０１１５】
（セルギャップの均一化方法）
次に、第３実施形態に係るセルギャップの均一化方法について説明する。第３実施形態では、図１３の断面図に示すように、ＴＦＤ素子２１及びフォトスペーサ２７に対応する位置付近のオーバーコート層２６の上面２６ａを、平坦性を有するように形成し且つ矢印Ｙ１方向にその領域を広げる。具体的には、このフォトスペーサ２７が形成される適正位置を基準にすると、かかる付近のオーバーコート層２６は、第２実施形態と同様に、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａの点Ｐ２から図１２の紙面縦方向に距離Ｄ５、その点Ｐ３から紙面左方向に距離Ｄ５、及びその点Ｐ４から紙面右方向に距離Ｄ５だけ大きく形成する。これにより、第２実施形態と同様に、その付近のオーバーコート層２６の上面２６ａは、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａの面積（領域）より大きくなる。
【０１１６】
よって、万が一、素子基板９５とカラーフィルタ基板９８との貼り合せ時に、３μｍ以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａを、必ずオーバーコート層２６の上面２６ａに接触させることができる。また、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ及びそれに対応するオーバーコート層２６の上面２６ａは共に平坦性を有している。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
【０１１７】
また、フォトスペーサ２７をＴＦＤ素子２１に対応する位置に形成することとしているので、第１及び第２実施形態と同様にＴＦＤ素子２１の破損などを防止できる。
【０１１８】
なお、第３実施形態では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａとオーバーコート層２６の上面２６ａとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、オーバーコート層２６の上面２６ａとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板９５においてオーバーコート層２６の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板９８においてフォトスペーサ２７の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜は、当該平坦面２７ａの形状を反映して平坦化されると共に、オーバーコート層２６の上面２６ａに形成された配向膜は、当該上面２６ａの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜と、オーバーコート層２６の上面２６ａに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、オーバーコート層２６の上面２６ａとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
【０１１９】
[第４実施形態]
第４実施形態に係る液晶表示装置は、第３実施形態の液晶表示装置と略同様の構成であるが、素子基板の構成が若干相違している。即ち、第４実施形態の素子基板では、樹脂散乱層の内面上にオーバーコート層を形成せずにマルチギャップを形成する点、及び、反射層としての機能を兼ねる画素電極を採用している点が主に第３実施形態の素子基板の構成と相違している。このため、第４実施形態では、フォトスペーサに対応する樹脂散乱層の上面を所定の大きさに且つ平坦性を有するように形成して、その部分を、フォトスペーサの平坦面の面積（領域）より大きくすることにより、セルギャップを所定厚さに保持する。なお、第４実施形態の液晶表示装置は、反射表示領域Ｅ１１に樹脂散乱層２５を形成することで、透過表示領域Ｅ１２に対応する液晶層４と、反射表示領域Ｅ１１に対応する液晶層４の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
【０１２０】
図１４を参照して、第４実施形態について説明する。なお、以下では、第１、第２及び第３実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。図１４は、図１３に対応する部分断面図である。
【０１２１】
（液晶表示装置の構成）
下側基板５１の内面上には、ＴＦＤ素子２１、その構成要素であるコンタクト部３３７、及び樹脂散乱層２５が形成されている。
【０１２２】
具体的には、ＴＦＤ素子２１は、反射表示領域Ｅ１１に対応する下側基板５１の内面上に形成されている。コンタクト部３３７は、カラーフィルタ基板９８の遮光層ＢＭに対向する位置であって、且つ下側基板５１の内面上に形成されている。このため、コンタクト部３３７の形成された領域は遮光層ＢＭに遮光され表示に寄与しない領域となっている。
【０１２３】
樹脂散乱層２５は、下側基板５１の内面上、及びコンタクト部３３７の一部内面上、並びにＴＦＤ素子２１及びデータ線３２（図示略）の内面上に形成されている。特に、第４実施形態の樹脂散乱層２５は膜厚が大きくなるように形成されており、これにより、反射表示領域Ｅ１１に対応する液晶層４の厚さと、透過表示領域Ｅ１２に対応する液晶層４の厚さとが夫々異なる、マルチギャップが形成されている。また、反射表示領域Ｅ１１の一部に対応する樹脂散乱層２５の表面上には微細な凹凸が形成されている。
【０１２４】
画素電極１０は、アルミニウムなどの材料にて形成され反射層としての機能を有する反射電極１０ａと、それに電気的に接続されたＩＴＯなどの透明電極１０ｂとを有する。反射電極１０ａは、反射表示領域Ｅ１１に対応する樹脂散乱層２５の内面上に形成されていると共に、透明電極１０ｂは、透過表示領域Ｅ１２に対応する下側基板５１の内面上に形成されている。なお、画素電極１０は、コンタクト部３３７に電気的に接続されているが、図１４ではその接続部分の図示を省略している。これにより、画素電極１０は、データ線３２及びＴＦＤ素子２１に電気的に接続されている。なお、画素電極１０の内面上には、図示しない配向膜が形成される。一方、カラーフィルタ基板９８は、第３実施形態と同様の構成であるため説明を省略する。
【０１２５】
そして、素子基板９７とカラーフィルタ基板９８とがシール部材３（図示略）を介して貼り合わされた状態では、そのフォトスペーサ２７によりセルギャップが所定厚さに保持されている。換言すれば、第４実施形態の液晶表示装置では、特に素子基板９７において樹脂散乱層２５の層厚によりマルチギャップが構成されているため、反射表示領域Ｅ１１では、液晶層４が所定厚さＤ１３に保持されていると共に、透過表示領域Ｅ１２では、液晶層４が所定厚さＤ１４（＞Ｄ１３）に保持されている。
【０１２６】
以上の構成を有する、１つのサブ画素領域ＳＧにおいては、透過表示領域Ｅ１２においてバックライト１５からの照明光が経路Ｔに沿って進行して透過型表示がなされると共に、反射表示領域Ｅ１１の画素電極１０ａにおいて外光が経路Ｒに沿って進行して反射型表示がなされる。
【０１２７】
（セルギャップの均一化方法）
次に、第４実施形態に係るセルギャップの均一化方法については、第３実施形態と略同様である。即ち、第３実施形態では、図１２の平面図においてＴＦＤ素子２１に対応する位置付近のオーバーコート層２６の領域を、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａより大きくなるように且つ平坦性を有するように形成したが、第４実施形態では、そのオーバーコート層２６を樹脂散乱層２５に置き換えて適用（即ち、図１２のオーバーコート層２６の破線領域を樹脂散乱層２５に置き換えて適用）し、ＴＦＤ素子２１に対応する位置付近の樹脂散乱層２５の領域をフォトスペーサ２７の平坦面２７ａより大きくなるように且つ平坦性を有するように形成する。これにより、第３実施形態と同様に、ＴＦＤ素子２１に対応する位置付近の樹脂散乱層２５の平坦性を有する上面２５ｂは、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａの面積（領域）より大きくなる。
【０１２８】
よって、万が一、素子基板９７とカラーフィルタ基板９８との貼り合せ時に、３μｍ以下の範囲で組みずれが生じた場合でも、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａを、必ず樹脂散乱層２５の平坦性を有する上面２５ｂに接触させることができる。よって、セルギャップを上記の所定厚さに安定的に保持することができる。
【０１２９】
なお、上記の第４実施形態では、樹脂散乱層２５上に形成された反射電極１０ａが反射層としての役割と画素電極としての役割を合わせ持っているが、これに代えて、樹脂散乱層２５上に形成された反射層と、透明な画素電極とを別個に形成する構成としてもよい。
【０１３０】
なお、第４実施形態では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと樹脂散乱層２５の上面２５ｂとを直接接触させるように構成している。しかし、これに限らず、本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、樹脂散乱層２５の上面２５ｂとを夫々配向膜を介して間接的に接触させるように構成しても構わない。即ち、素子基板９７において樹脂散乱層２５の内面上などに配向膜を形成する一方、カラーフィルタ基板９８においてフォトスペーサ２７の内面上などに配向膜を形成する。これにより、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜は、当該平坦面２７ａの形状を反映して平坦化されると共に、樹脂散乱層２５の上面２５ｂに形成された配向膜は、当該上面２５ｂの形状を反映して平坦化される。このように本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａ上に形成された配向膜と、樹脂散乱層２５の上面２５ｂに形成された配向膜とを接触させて、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａと、樹脂散乱層２５の上面２５ｂとを間接的に接触させるように構成しても構わない。
【０１３１】
［変形例］
上記の実施形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ（薄膜トランジスタ）素子２１を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、ＴＦＤ素子２１の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスＴＦＴを用いることも可能である。図１５に、アモルファスＴＦＴの断面図を示す。
【０１３２】
図１５において、ＴＦＴ４５０は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極４０２の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜４０３が設けられている。ゲート絶縁膜４０３の上には、ゲート電極４０２に重なるようにａ−Ｓｉ層４０５が設けられている。ａ−Ｓｉ層４０５の上には、２つに分断されたｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａ、４０６ｂが設けられている。さらに、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａの上には図示しないソース線から分岐したソース電極４０８が設けられ、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ｂの上にはドレイン電極４０９が設けられている。ドレイン電極４０９の上には、遮光層２８が部分的に重なるように設けられている。
【０１３３】
本発明は、図１５に示すように、アクティブ素子として、上記のようなアモルファスＴＦＴのドレイン電極４０９と画素電極１０又はコンタクト部３３７との接続部分にも適用することができる。これにより、ＴＦＴ４５０は、画素電極１０及びデータ線３２に電気的に接続される。
【０１３４】
また、上記の実施形態では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａを略正多角形となるように形成していたが、これに代えて、本発明では、フォトスペーサ２７の平坦面２７ａを略円形となるように形成しても構わない。
【０１３５】
また、上記の各実施形態では、アクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置に本発明を適用することとした。しかし、これに限らず、本発明は、例えば、ＳＴＮ等のパッシブマトリクス駆動方式の液晶表示装置にも適用することが可能である。
【０１３６】
［電子機器］
次に、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。なお、第２乃至第４実施形態の液晶表示装置も当該電子機器の表示装置として適用可能である。
【０１３７】
図１６は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【０１３８】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【０１３９】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１４０】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図１７を参照して説明する。
【０１４１】
まず、本発明に係る液晶表示装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１７（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１４２】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１７（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１４３】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図１７（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１７（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【０１４４】
また、本発明は、液晶表示装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４５】
【図１】本発明の第１実施形態の液晶表示装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】第１実施形態の液晶表示装置の反射表示領域に対応する断面図。
【図３】第１実施形態の液晶表示装置の透過表示領域に対応する断面図。
【図４】第１実施形態の素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図５】第１実施形態のカラーフィルタ基板の電極の構成を示す平面図。
【図６】第１実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分平面図。
【図７】第１実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分断面図。
【図８】第１実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分断面図。
【図９】第２実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分平面図。
【図１０】第２実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分断面図。
【図１１】第２実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分断面図。
【図１２】第３実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分平面図。
【図１３】第３実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分断面図。
【図１４】第４実施形態のセルギャップ均一化方法等を説明する部分断面図。
【図１５】ＴＦＴ素子を利用した本発明の液晶表示装置への適用例を示す。
【図１６】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１７】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１４６】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ５  反射層、  ６  着色層、  ７  導通部材、  ８  走査電極、  １０  画素電極、  ２１  ＴＦＤ素子、  ２５  樹脂散乱層、  １７、１８、２６  オーバーコート層、  ２７  フォトスペーサ、  ３１  走査線、  ３２  データ線、  ４０  重ね遮光層、  ９２、９４、９６  カラーフィルタ基板、  ９１、９５、９７  素子基板、  １００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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