(57)【要約】【課題】  吸湿や水分浸入を防止することができる液晶装置を提供する。【解決手段】  本発明の液晶装置１００は、互いに対向する一対の基板１０，２０間に液晶５０を挟持してなり、一対の基板１０．２０のうちの少なくとも一方の基板の内面側には、導電膜９，２１と配向膜４０，６０とを含む複数の膜が形成されており、一対の基板１０．２０のうちの少なくとも一方の基板の側面には、その基板の側面と複数の膜９，２１，４０，６０の側面とを連続的に覆う撥水膜９０が形成されている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側には、導電膜と配向膜とを含む複数の膜が形成されており、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の側面には、該基板の側面と前記複数の膜の側面とを連続的に覆う撥水膜が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記一対の基板間にはシール材が配設されており、
前記撥水膜はさらに、前記シール材の側面を覆っていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の外面側には、偏光板と防塵板とが配設されており、
前記撥水膜はさらに、前記偏光板及び前記防塵板の各側面を覆っていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
複数の膜がそれぞれ形成された一対の基板を貼り合わせる工程と、
前記一対の基板間に液晶を配置する工程と、
前記液晶を挟持した一対の基板の側面に、該基板の側面と前記複数の膜の側面とを連続的に覆う撥水膜を形成する工程とを含むことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
前記撥水膜の形成材料が、有機撥水材料及び／又は無機撥水材料であることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項６】
液相法及び／又は気相法を用いて前記撥水膜を形成することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項７】
前記撥水膜の形成工程における前記液晶装置に加わる熱を用いて前記液晶の等方処理を行うことを特徴とする請求項４から請求項６のいずれかに記載の液晶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶プロジェクタ等に搭載される光変調手段や、携帯電話等に搭載される直視型表示装置として用いられる液晶装置は、液晶層に電圧を印加するための電極を具備する一対の基板を主体として構成されている。液晶装置を構成する一対の基板の各内面側には、導電膜（画素電極、対向電極等）や、液晶分子の初期配向状態を制御するための配向膜が形成されている。
【０００３】
液晶装置では、吸湿及び水分の浸入は、品質低下の原因となることから、配向膜の表面に撥水処理を施したり、配向膜の表面に撥水性を有する膜を形成する技術がある。
【特許文献１】特開２００２−２０２５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配向膜の表面に撥水膜を形成する技術では、撥水膜の膜厚不均一性に伴って液晶素子のプレチルトに乱れが生じたり、撥水膜との接触によって液晶層内で気泡の発生などの不具合をまねく場合がある。
【０００５】
また、一対の基板を貼り合わせるためのシール材の硬化に用いられる光や熱によって配向膜の撥水性が低下する場合がある。
【０００６】
さらに、一対の基板には通常、複数の膜が形成されることから、配向膜の表面に撥水処理を施しても、配向膜の側面や他の膜の側面から吸湿が生じたり、それら複数の膜同士の接合部分から内部に水が侵入する場合がある。
【０００７】
本発明は、吸湿や水分浸入を防止することができる液晶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の液晶装置は、互いに対向する一対の基板間に液晶を挟持してなる液晶装置であって、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の内面側には、導電膜と配向膜とを含む複数の膜が形成されており、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の側面には、該基板の側面と前記複数の膜の側面とを連続的に覆う撥水膜が形成されていることを特徴とする。
【０００９】
上記の本発明の液晶装置によれば、撥水膜によって基板上の複数の膜の側面からの吸湿が防止され、さらに、基板と複数の膜のいずれかとの接合部分、及び複数の膜同士の接合部分が撥水膜に覆われることから、それらの接合部分から内部への水分の浸入が防止される。
また、この液晶装置によれば、配向膜の表面に対する撥水処理を省くことが可能となり、配向膜の表面に撥水膜を形成することによって生じる液晶素子への影響（例えばプレチルトの乱れ、気泡の発生など）が回避される。
さらに、一対の基板を貼り合わせた後に、撥水膜が形成されることから、シール材の硬化時の光や熱によってその膜の撥水性が低下することが回避される。
【００１０】
先に記載の本発明の液晶装置において、前記一対の基板間にはシール材が配設されており、前記撥水膜はさらに、前記シール材の側面を覆っている構成とすることができる。
この構成によれば、シール材の吸湿、並びにシール材と他の膜との接合部分からの水分の侵入が防止される。
【００１１】
また、先に記載の本発明の液晶装置において、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板の外面側には、偏光板と防塵板とが配設されており、前記撥水膜はさらに、前記偏光板及び前記防塵板の各側面を覆っている構成とすることができる。
この構成によれば、基板と偏光板又は防塵板との接合部分、及び偏光板と防塵板との接合部分からの水分の浸入が防止される。
【００１２】
本発明の液晶装置の製造方法は、複数の膜がそれぞれ形成された一対の基板を貼り合わせる工程と、前記一対の基板間に液晶を配置する工程と、前記液晶を挟持した一対の基板の側面に、該基板の側面と前記複数の膜の側面とを連続的に覆う撥水膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
上記の本発明の製造方法によれば、一対の基板を貼り合わせた後に、それらの基板の側面全体を撥水膜で覆うことから、撥水性に優れた先に記載の本発明の液晶装置を製造することができる。
【００１４】
先に記載の本発明の液晶装置の製造方法において、前記撥水膜の形成材料が、有機撥水材料及び／又は無機撥水材料である方法を採用することができる。
【００１５】
また、液相法及び／又は気相法を用いて前記撥水膜を形成する方法を採用することができる。
【００１６】
また、先に記載の本発明の液晶装置の製造方法において、前記撥水膜の形成工程における前記液晶装置に加わる熱を用いて前記液晶の等方処理を行う方法を採用することができる。
【００１７】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶装置を備えることを特徴とする。
この本発明の電子機器によれば、表示品質の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（液晶装置）
図１は、本発明の液晶装置の一例としての液晶セルを示す模式断面図である。
図１に示すように、液晶セル１００は、互いに対向する一対の基板１０，２０間に、液晶５０（液晶層）を挟持した構成を有している。基板１０の内面側（対向面側）には、透光性導電膜９（画素電極）と、配向膜４０とが順次配設されている。一方、基板２０の内面側（対向面側）には、透光性導電膜２１（共通電極、対向電極）と、配向膜６０とが順次形成されている。
【００１９】
基板１０と基板２０とはシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入・保持されている。例えば、シール材５２には、基板１０と基板２０とを貼り合わせた後に液晶を注入するための液晶注入口が形成されている。
【００２０】
導電膜９，２１としては、例えば、錫をドープした酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）が用いられる。この他、ＩＺＯ膜、ＦＴＯ膜等の透光性と導電性を有する公知の様々な導電膜が適用可能である。また、透光性を必要としない場合には、優れた導電性を有する公知の様々な導電膜が適用可能である。ＩＴＯ膜は、蒸着法やスパッタ法、焼成法（塗布熱分解法とも言う）等により形成することができる。
【００２１】
スパッタ法を用いてＩＴＯ膜を形成するには、基板表面温度を所定温度（例えば、２００℃）に設定して酸化インジウムと酸化スズからなるＩＴＯ透明導電膜を所定の膜厚（例えば、０．０５μｍ〜１０μｍ）に成膜し、所定の温度（例えば、２００℃〜２５０℃）に一定時間（例えば、６０分）保持して熱処理を行う。その後、必要に応じて、フォトリソグラフィ法により所望の平面形状にパターニングする。
【００２２】
焼成法を用いてＩＴＯ膜を形成するには、ＩＴＯ膜の液体材料を基板上に配置し、その膜を熱処理する。液相法を用いた導電膜の形成は、製造コスト低減に有利である。液体材料の配置技術としては、インクジェット法、Ｃａｐコート法、スピンコート法等を用いることができる。上記液体材料として、インジウムの有機化合物及び錫の有機化合物を有機アミンの存在下に溶解した有機溶媒を用いることにより、比較的低温（例えば２５０℃以下）での焼成が可能となる。また、透光性の導電性微粒子を含む微粒子膜を基板上に形成した後に、その微粒子膜上に透光性の導電性微粒子を溶解した有機溶媒を染み込ませ、その後にその膜を熱処理（焼成）することにより、焼成温度が比較的低温（例えば２５０℃以下）であっても導電性に優れた透光性導電膜を得ることができる。
【００２３】
配向膜４０，６０としては、有機配向膜、及び無機配向膜のいずれも適用可能である。有機配向膜は、例えば、ポリイミドなどの高分子膜の表面にラビング等の配向処理を施すことにより形成することができる。無機配向膜は、有機配向膜に比べて耐光性や耐熱性が高く、ＳｉＯ2のような無機膜を蒸着法あるいはスパッタ法を用いて形成した後にイオンビームや粒子ビームを無機膜表面に照射して配向処理を施すことにより形成することができる。あるいは、無機配向膜は、基板に対して斜めに無機材料を入射させて斜方柱状構造を有する膜を形成する、いわゆる斜方蒸着法によっても形成することができる。
【００２４】
ここで、本例の液晶セル１００の側面には、撥水膜９０が形成されている。すなわち、撥水膜９０は、基板１０，２０、導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面（端面）を連続的にかつ全周にわたって覆うように配設されている。撥水膜９０は、水に対して非親和性を示す機能と、水の通過を遮蔽する機能とを有する。そして、本例の液晶セル１００では、撥水膜９０によって導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面からの吸湿が防止され、さらに、基板１０，２０と導電膜９，２１との接合部分、導電膜９，２１と配向膜４０，６０との接合部分、及び配向膜４０，６０とシール材５２との接合部分がそれぞれ、撥水膜９０に覆われることから、それらの接合部分から装置内部への水分の浸入が防止される。
【００２５】
また、本例の液晶セル１００によれば、配向膜４０，６０の表面に対する撥水処理を省くことが可能となり、配向膜４０，６０の表面に撥水膜９０を形成することによって生じる液晶素子への影響（例えば撥水膜９０の不均一性に伴うプレチルトの乱れ、撥水膜９０との接触による液晶層５０内での気泡の発生など）が回避される。さらに、一対の基板１０，２０を貼り合わせた後に、撥水膜９０が形成されることから、シール材５２の硬化時の光や熱によってその膜９０の撥水性が低下することが回避される。
【００２６】
撥水膜９０の形成材料としては、有機撥水材料、無機撥水材料などが用いられる。撥水膜９０の形成方法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、蒸着法、分子線蒸着法（ＭＢ）、スパッタリング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、浸漬法（ディップコート）、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法等、公知の様々な成膜方法を採用できる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００２７】
撥水膜９０の形成方法の一例として、有機薄膜の形成方法について説明する。
有機薄膜を形成する方法では、基材表面に、シラン化合物や界面活性剤等の有機分子から有機薄膜を形成する。基材表面を処理するための有機分子は、例えば、基材に物理的または化学的に結合可能な官能基と、その反対側に親液基あるいは撥液基といった基材の表面性を改質する（表面エネルギーを制御する）官能基とを備えており、基材に結合して有機薄膜を形成し、理想的には単分子膜となる。中でも、基材との結合可能な官能基と、その反対側の基材の表面を改質する官能基とを結ぶ有機構造が炭素の直鎖あるいは一部分岐した炭素鎖である有機分子は、基材に結合して自己組織化して緻密な自己組織化膜を形成する。
【００２８】
上記の自己組織化膜とは、基材の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖とからなり、直鎖部位間におけるファンデルワールスの相互作用や芳香環間におけるπ−πスタッキングにより極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この有機薄膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥水性を付与することができる。
【００２９】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えば下記一般式（１）に示すようなシラン化合物を用いることができる。式（１）中、Ｒ１は有機基を表し、Ｘ１及びＸ２は−ＯＲ２、−Ｒ２、−Ｃｌを示し、Ｘ１及びＸ２に含まれるＲ２は、炭素数１〜４のアルキル基を示し、ａは１〜３の整数である。
【００３０】
Ｒ１ＳｉＸ１ａＸ２（３−ａ）  …（１）
【００３１】
一般式（１）で表されるシラン化合物は、シラン原子に有機基が置換し、残りの結合基にアルコキシ基またはアルキル基または塩素基が置換したものである。有機基Ｒ１の例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタデシル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
Ｘ１のアルコキシ基や塩素基、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合等を形成するための官能基であり、水により加水分解されてアルコールや酸として脱離する。アルコキシ基としては例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等を挙げることができる。
Ｒ２の炭素数は脱離するアルコールの分子量が比較的小さく、除去が容易であり形成される膜の緻密性の低下を抑制できるという観点から、１〜４の範囲であることが好ましい。
【００３２】
一般式（１）で表される代表的な撥水性シラン化合物としては、含フッ素アルキルシラン化合物が挙げられる。特にＲ１がパ−フルオロアルキル構造ＣｎＦ２ｎ＋１で表される構造を有するものであり、一般式（２）で表される化合物を例示することができる。式（２）中、ｎは１から１８の整数を、ｍは２から６までの整数をそれぞれ表し、Ｘ１およびＸ２およびａは、上記式（１）と同じ意味を表す。
含フッ素アルキルシラン化合物を用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向して自己組織化膜が形成されるので、膜の表面に均一な撥水性を付与することができる。
【００３３】
ＣｎＦ２ｎ＋１（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１ａＸ２（３−ａ）  …（２）
【００３４】
より具体的には、ＣＦ３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３（ＣＦ２）１１−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３（ＣＦ２）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣＨ３）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＦ３（ＣＦ２）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣ２Ｈ５）２等が挙げられる。
【００３５】
また、Ｒ１がパ−フルオロアルキルエーテル構造ＣｎＦ２ｎ＋１ＯｐＦ２ｐＯｒで表される構造を有するものも挙げることができる。その具体例としては例えば、下記一般式（３）で表される化合物を例示することができる。
【００３６】
ＣｐＦ２ｐ＋１Ｏ（ＣｐＦ２ｐＯ）ｒ（ＣＨ２）ｍＳｉＸ１ａＸ２（３−ａ）  …（３）
【００３７】
式（３）中、ｍは２から６の整数を，ｐは１から４の整数を、ｒは１から１０の整数をそれぞれ表し、Ｘ１およびＸ２およびａは、前出と同じ意味を表す。
具体的な化合物の例としては、ＣＦ３Ｏ（ＣＦ２Ｏ）６−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣ２Ｈ５）３、ＣＦ３Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）４−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）２（ＣＦ２Ｏ）３−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）８−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３Ｏ（Ｃ４Ｆ９Ｏ）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ３）３、ＣＦ３Ｏ（Ｃ４Ｆ９Ｏ）５−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（ＣＨ３）（ＯＣ２Ｈ５）２、ＣＦ３Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）４−ＣＨ２ＣＨ２−Ｓｉ（Ｃ２Ｈ５）（ＯＣＨ３）２等が挙げられる。
【００３８】
フルオロアルキル基やパ−フルオロアルキルエーテル構造を有するシラン化合物は「ＦＡＳ」と総称される。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基材との密着性と良好な撥水性とを得ることができる。
【００３９】
上記の高い配向性を有する化合物として、下記一般式（４）で表される界面活性剤を用いることもできる。式（４）中、Ｒ１は疎水性の有機基を表し、Ｙ１は親水性の極性基、−ＯＨ、−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＡ、−ＣＯＮＨ２、−ＳＯ３Ｈ、−ＳＯ３Ａ、−ＯＳＯ３Ｈ、−ＯＳＯ３Ａ、−ＰＯ３Ｈ２、−ＰＯ３Ａ、−ＮＯ２、−ＮＨ２、−ＮＨ３Ｂ（アンモニウム塩）、≡ＮＨＢ（ピリジニウム塩）、−ＮＸ１３Ｂ（アルキルアンモニウム塩）等である。ただし、Ａは１個以上の陽イオンを表し、Ｂは１個以上の陰イオンを表すものとする。また、Ｘ１は前出と同じ炭素数１〜４のアルキル基を意味を表すものとする。
【００４０】
Ｒ１Ｙ１ …（４）
【００４１】
一般式（４）で表される界面活性剤は両親媒性化合物であり、親油性の有機基Ｒ１に親水性の官能基が結合した化合物である。Ｙ１は親水性の極性基を表し、基材との結合あるいは吸着するための官能基であり、有機基Ｒ１は親油性を有し、親水面の反対側に並ぶことにより親水面上に親油面が形成される。有機基Ｒ１の例としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、フェネチル基、ヒドロキシフェニル基、クロロフェニル基、アミノフェニル基、ナフチル基、アンスレニル基、ピレニル基、チエニル基、ピロリル基、シクロヘキシル基、シクロヘキセニル基、シクロペンチル基、シクロペンテニル基、ピリジニル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、オクタデシル基、ｎ−オクチル基、クロロメチル基、メトキシエチル基、ヒドロキシエチル基、アミノエチル基、シアノ基、メルカプトプロピル基、ビニル基、アリル基、アクリロキシエチル基、メタクリロキシエチル基、グリシドキシプロピル基、アセトキシ基等を例示できる。
【００４２】
一般式（４）で表される代表的な撥水性の界面活性剤としては、含フッ素アルキル構造を有する化合物が挙げられる。特にＲ１がパ−フルオロアルキル構造ＣｎＦ２ｎ＋１で表される構造を有するものが有用である。より具体的には、Ｆ（ＣＦ２ＣＦ２）１−７−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ＋（ＣＨ３）３Ｃｌ−、Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２ＮＨＣ３Ｈ６−Ｎ＋（ＣＨ３）、Ｆ（ＣＦ２ＣＦ２）１−７−ＣＨ２ＣＨ２ＳＣＨ２ＣＨ２−ＣＯ２−Ｌｉ＋、Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−ＣＯ２−Ｋ＋、（Ｆ（ＣＦ２ＣＦ２）１−７）ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）１，２ＰＯ（Ｏ−ＮＨ４＋）１，２、Ｃ１０Ｆ２１ＳＯ３−ＮＨ４＋、Ｃ６Ｆ１３ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３Ｈ、Ｃ６Ｆ１３ＣＨ２ＣＨ２ＳＯ３−ＮＨ４＋、Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）０−２５Ｈ、Ｃ８Ｆ１７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）０−２５ＣＨ３、Ｆ（ＣＦ２ＣＦ２）１−７−ＣＨ２ＣＨ２Ｏ−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）０−２５Ｈが挙げられる。
【００４３】
フルオロアルキル基を有する界面活性剤は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、フルオロアルキル基を有する界面活性剤を用いることにより、基材との密着性と良好な撥水性とを得ることができる。
【００４４】
さらに、フッ素を含有しないアルキル構造であってもよく、一般的な界面活性剤にも緻密な膜を形成させることで、撥水性を得ることができる。具体的な界面活性剤としては、ｎ−デシルトリメチルアンモニウムクロライド、ｎ−デシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ｎ−ドデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ｎ−ドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ｎ−ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ｎ−ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ｎ−オクタデシルトリメチルアンモニウムクロライド、ｎ−オクタデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、ジ−ｎ−ドデシルジメチルアンモニウムクロライド、ジ−ｎ−ドデシルジメチルアンモニウムブロマイド、ｎ−デシルピリジニウムクロライド、ｎ−デシルピリジニウムブロマイド、ｎ−ドデシルピリジニウムクロライド、ｎ−ドデシルピリジニウムブロマイド、ｎ−ドデシルピリジニウムアイオダイド、ｎ−テトラデシルピリジニウムクロライド、ｎ−テトラデシルピリジニウムブロマイド、ｎ−ヘキサデシルピリジニウムクロライド、ｎ−ヘキサデシルピリジニウムブロマイド、ｎ−ヘキサデシルピリジニウムアイオダイド、ｎ−オクタデシルピリジニウムクロライド、ｎ−オクタデシルピリジニウムブロマイド、ｎ−ドデシルピコリニウムクロライド、ｎ−ドデシルピコリニウムブロマイド、ｎ−オクタデシルピコリニウムクロライド、ｎ−オクタデシルピコリニウムブロマイド、ｎ−オクタデシルピコリニウムアイオダイド、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−４，４’−ビピリジニウム ジブロマイド、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−４，４’−ビピリジニウムビス（メチルサルフェイト）、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−４，４’−ビピリジニウムビス（р−トルエンスルホネート）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−プロピル）−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−プロピル）−４，４’−ビピリジニウム ジブロマイド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−プロピル）−４，４’−ビピリジニウムビス（р−トルエンスルホネート）、Ｎ，Ｎ’−ジベンジル−４，４’−ビピリジニウム ジクロライド、Ｎ，Ｎ’−ジベンジル−４，４’−ビピリジニウムジブロマイド、Ｎ，Ｎ’−ジベンジル−４，４’−ビピリジニウムジアイオダイド、Ｎ，Ｎ’−ジベンジル−４，４’−ビピリジニウムビス（р−トルエンスルホネート）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビピリジニウム ジクロライド、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ビピリジニウムジブロマイド、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−スルホネートプロピル）−４，４’−ビピリジニウム、１，３−ビスプロパンテトラクロライド、１，３−ビスプロパンテトラブロマイド、１，３−ビスプロパンテトラクロライド、１，３−ビスプロパンテトラブロマイド、１，４−ビスブタンテトラクロライド、１，４−ビスブタンテトラブロマイド、１，４−ビスブタンテトラクロライド、１，４−ビスブタンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｐ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｐ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｐ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｐ−キシレンテトラブロマイド、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウム ジクロライド、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウムブロマイドアイオダイド、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウムブロマイドメチルサルフェイト、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ’−ベンジル−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ’−ベンジル−４，４’−ビピリジニウムジブロマイド、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ’−ベンジル−４，４’−ビピリジニウム クロライドブロマイド、Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウム ブロマイドアイオダイド、Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウムブロマイドメチルサルフェイト、Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ’−ベンジル−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ’−ベンジル−４，４’−ビピリジニウムジブロマイド、Ｎ−ｎ−オクタデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ−ｎ−オクタデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウムブロマイドアイオダイド、Ｎ−ｎ−オクタデシル−Ｎ’−メチル−４，４’−ビピリジニウムブロマイドメチルサルフェイト、Ｎ−ｎ−オクタデシル−Ｎ’−ベンジル−４、４’−ビピリジニウム ジブロマイド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−ドデシル−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−ドデシル−４，４’−ビピリジニウム ジブロマイド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−ヘキサデシル−４，４’−ビピリジニウムジクロライド、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｎ−ヘキサデシル−４，４’−ビピリジニウム ジブロマイド、１，３−ビスプロパンテトラクロライド、1 ，３−ビスプロパン テトラブロマイド、1，４−ビスブタン テトラブロマイド、1，６−ビスヘキサンテトラブロマイド、1，３−ビスプロパン テトラブロマイド、1，４−ビスブタン テトラブロマイド、1，６−ビスヘキサンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｐ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｐ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｏ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｍ−キシレンテトラブロマイド、α，α’−ビス−ｐ−キシレンテトラクロライド、α，α’−ビス−ｐ−キシレン
テトラブロマイド、シクロヘキシルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルアクリルアミド、シクロヘキシルメタクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、シクロヘキシルメチルアクリレート、シクロヘキシルメチルメタクリレート、シクロヘキシルメチルアクリルアミド、シクロヘキシルメチルメタクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシルメチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−シクロヘキシルメチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、フェニルアクリレート、フェニルメタクリレート、フェニルアクリルアミド、フェニルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルアクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、ベンジルアクリルアミド、ベンジルメタクリルアミド、Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−ベンジル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、１−ノルボルニルアクリレート、１−ノルボルニルメタクリレート、１−ノルボルニルアクリルアミド、１−ノルボルニルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ノルボルニル）アクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ノルボルニル）メタクリルアミド、シクロオクチルアクリレート、シクロオクチルメタクリレート、シクロオクチルアクリルアミド、シクロオクチルメタクリルアミド、Ｎ−シクロオクチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−シクロオクチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、アダマンチルアクリレート、アダマンチルメタクリレート、アダマンチルアクリルアミド、アダマンチルメタクリルアミド、Ｎ−アダマンチル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−アダマンチル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、１−ナフチルアクリレート、１−ナフチルメタクリレート、１−ナフチルアクリルアミド、１−ナフチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）アクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ナフチル）メタクリルアミド、２−ナフチルアクリレート、２−ナフチルメタクリレート、２−ナフチルアクリルアミド、２−ナフチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ナフチル）アクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（２−ナフチル）メタクリルアミド、ｎ−ドデシルアクリレート、ｎ−ドデシルメタクリレート、ｎ−ドデシルアクリルアミド、ｎ−ドデシルメタクリルアミド、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ドデシル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、シクロドデシルアクリレート、シクロドデシルメタクリレート、シクロドデシルアクリルアミド、シクロドデシルメタクリルアミド、Ｎ−シクロドデシル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−シクロドデシル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、ｎ−ヘキサデシルアクリレート、ｎ−ヘキサデシルメタクリレート、ｎ−ヘキサデシルアクリルアミド、ｎ−ヘキサデシルメタクリルアミド、Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−ヘキサデシル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、ｎ−オクタデシルアクリレート、ｎ−オクタデシルメタクリレート、ｎ−オクタデシルアクリルアミド、ｎ−オクタデシルメタクリルアミド、Ｎ−ｎ−オクタデシル−Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−ｎ−オクタデシル−Ｎ−メチルメタクリルアミド、ジ−ｎ−オクチルアクリルアミド、ジ−ｎ−オクチルメタクリルアミド、ジ−ｎ−デシルアクリルアミド、ジ−ｎ−デシルメタクリルアミド、ジ−ｎ−ドデシルアクリルアミド、ジ−ｎ−ドデシルメタクリルアミド、９−アントラセンメチルアクリレート、９−アントラセンメチルメタクリレート、９−アントラセンメチルアクリルアミド、９−アントラセンメチルメタクリルアミド、９−フェナントレンメチルアクリレート、９−フェナントレンメチルメタクリレート、９−フェナントレンメチルアクリルアミド、９−フェナントレンメチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（９−フェナントレンメチル）アクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（９−フェナントレンメチル）メタクリルアミド、１−ピレンメチルアクリレート、１−ピレンメチルメタクリレート、１−ピレンメチルアクリルアミド、１−ピレンメチルメタクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ピレンメチル）アクリルアミド、Ｎ−メチル−Ｎ−（１−ピレンメチル）メタクリルアミド、４−アクリロイルオキシメチルフタロシアニン等が挙げられる。
【００４５】
シラン化合物や界面活性剤等の有機分子などからなる有機薄膜は、図２に示すように、上記の原料化合物１０１と基材１００（液晶セル）とを同一の容器１０２中に密封し、容器内温度に応じて静置しておくことで、基材１００上に形成される。上記の容器全体を加熱することにより、基材上に有機薄膜が形成するのに要する時間を短縮することができる。気相からの形成法に限らず、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基材を浸積し、洗浄、乾燥することで、基材上に自己組織化膜を形成することができる。
【００４６】
なお、基材の側面など、基材に対して部分的に有機薄膜を形成する場合には、不要な部分にマスキングを施したり、基材の全面に薄膜を形成した後に、不要な部分を除去するとよい。有機薄膜はある程度厚みをもってもよく、その厚さは好ましくは有機分子１〜１０層である。また、自己組織化膜を形成する前に、基材表面には、紫外光を照射したり、あるいはプラズマ処理、酸やアルカリ液により洗浄することで前処理を施しておくことが望ましい。
【００４７】
次に、撥水膜９０の形成方法の他の例として、ＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ）について説明する。
プラズマＣＶＤは、ガス状原料を放電によってプラズマ状態とし、活性なラジカルやイオンを生成させ、低温で基材上に成膜する方法である。放電には、電磁波が使用され、高周波放電及びマイクロ波放電が多用される。プラズマ処理に用いるガス種は、基材の表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、フルオロカーボン系化合物を好適に用いることができ、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を例示できる。
【００４８】
図３は、プラズマＣＶＤ装置の一例を示している。このＣＶＤ装置は、誘導結合型であり、放電により活性化されたガス状原料を放出するガス放出部１０５と、基材１００（液晶セル）が載置される載置部１０６とを有している。そして、撥水系のガス状原料が基材１００に到達することで、基材１００の表面に撥水膜が形成される。なお、この図３に示すように、駆動部１０７によって基材１００の回転角度を連続的あるいは間欠的に変化させ、ガス放出部１０５に対向する基材１００の箇所を変化させることにより、基材１００の側面すべてにわたって均一かつ確実に撥水膜を形成することができる。なお、必要に応じて、成膜不要な部分にマスキングを施したり、基材の全面に薄膜を形成した後に、不要な部分を除去するとよい。
【００４９】
次に、撥水膜９０の形成方法の別の例として、撥水性の高分子化合物を基材表面に塗布する方法について説明する。
図４は、浸漬装置の一例を示している。この浸漬装置は、原料液の貯溜槽１０８と、基材１００（液晶セル）を搬送する搬送部１０９とを有している。そして、搬送部１０９によって基材１００を貯溜槽１０８内の原料液に浸漬した後に引き上げることで基材１００の表面に撥水膜を形成することができる。なお、必要に応じて、成膜不要な部分にマスキングを施したり、基材の全面に薄膜を形成した後に、不要な部分を除去するとよい。
【００５０】
例えば、含フッ素ポリイミド樹脂等を基材上に塗布することで撥水膜を形成することができる。撥水性高分子化合物としては、上記ポリイミド樹脂に限らず、分子内にフッ素原子を含有するモノマー、オリゴマー又はポリマーを用いることができ、具体的には、ポリ４フッ化エチレン（ＰＴＦＥ）、エチレン−４フッ化エチレン共重合体、６フッ化プロピレン−４フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）、ポリ（ペンタデカフルオロヘプチルエチルメタクリレート）（ＰＰＦＭＡ）、ポリ（パーフルオロオクチルエチルアクリレート）等の長鎖パーフルオロアルキル構造を有するエチレン、アクリレート、メタクリレート、ビニル、ウレタン、シリコーン系ポリマーを例示できる。
【００５１】
なお、基材の表面に撥水膜を形成する処理は、所望の撥水性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基材の表面に貼着することによって行ってもよい。
【００５２】
上記の撥水膜９０の形成方法では、必要に応じて、基材１００（液晶セル）が加熱される。例えば、撥水膜９０の乾燥及び／又は硬化のための加熱、あるいはＣＶＤに伴う温度上昇があげられる。こうした撥水膜９０の形成工程における液晶セル１００に加わる熱を用いて、液晶の等方処理を行うことにより、液晶セル１００の製造工程の簡素化が図られる。すなわち、液晶セル１００の組立後かつ撥水膜９０の形成前に液晶の等方処理を行うことに代えて、液晶セル１００の組立後に、撥水膜９０の形成に伴う液晶セル１００の温度上昇を利用して液晶の等方処理を行う。熱処理温度は液晶セル１００の特性を劣化させない範囲内であるのが好ましく、例えば８０℃〜１５０℃である。
【００５３】
図５、図６及び図７は、図１の変形例を示している。
図５の液晶装置（液晶セル１２０）は、図１と同様に、互いに対向する一対の基板１０，２０間に、液晶５０（液晶層）を挟持した構成を有しており、一方の基板１０の内面側（対向面側）には、透光性導電膜９（画素電極）と、配向膜４０とが順次配設され、他方の基板２０の内面側（対向面側）には、透光性導電膜２１（共通電極、対向電極）と、配向膜６０とが順次形成されている。また、図５の液晶セル１００は、図１と異なり、液晶セル１２０の外面すべてに、撥水膜９０が形成されている。
【００５４】
すなわち、図５の液晶セル１２０では、撥水膜９０は、基板１０，２０、導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面に加え、基板１０，２０の外面を連続的にかつ全域にわたって覆うように配設されている。そして、本例の液晶セル１２０では、図１と同様に、撥水膜９０によって導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面からの吸湿が防止され、さらに、基板１０，２０と導電膜９，２１との接合部分、導電膜９，２１と配向膜４０，６０との接合部分、及び配向膜４０，６０とシール材５２との接合部分がそれぞれ、撥水膜９０に覆われることから、それらの接合部分から装置内部への水分の浸入が防止される。さらに本例の液晶セル１２０では、部分的な膜形成が不要であることから、撥水膜９０の形成が容易である。
【００５５】
次に、図６の液晶装置（液晶パネル１３０）は、図１と異なり、基板１０，２０の外面側に、偏光板４５，６５と、防塵板４６，６６とが配設されており、偏光板４５，６５の側面と防塵板４６，６６の側面とをさらに覆って撥水膜９０が形成されている。すなわち、撥水膜９０は、基板１０，２０、導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面に加え、偏光板４５，６５，及び防塵板４６，６６の各側面を連続的にかつ全周にわたって覆うように配設されている。そして、本例の液晶パネル１３０では、基板１０，２０と導電膜９，２１との接合部分、導電膜９，２１と配向膜４０，６０との接合部分、及び配向膜４０，６０とシール材５２との接合部分に加え、基板１０，２０と偏光板４５，６５との接合部分、偏光板４５，６５と防塵板４６，６６との接合部分がそれぞれ、撥水膜９０に覆われることから、それらの接合部分から装置内部への水分の浸入が防止される。
【００５６】
次に、図７の液晶装置（液晶パネル１４０）は、図１と異なり、偏光板４５，６５、及び防塵板４６，６６を含めた液晶パネル１４０の外面すべてに、撥水膜９０が形成されている。
【００５７】
すなわち、図７の液晶パネル１４０では、撥水膜９０は、基板１０，２０、導電膜９，２１、配向膜４０，６０、シール材５２、偏光板４５，６５、及び防塵板４６，６６の各側面に加え、防塵板４６，６６の外面を連続的にかつ全域にわたって覆うように配設されている。そして、本例の液晶パネル１４０では、基板１０，２０と導電膜９，２１との接合部分、導電膜９，２１と配向膜４０，６０との接合部分、及び配向膜４０，６０とシール材５２との接合部分に加え、基板１０，２０と偏光板４５，６５との接合部分、偏光板４５，６５と防塵板４６，６６との接合部分がそれぞれ、撥水膜９０に覆われることから、それらの接合部分から装置内部への水分の浸入が防止され、さらに、部分的な膜形成が不要であることから、撥水膜９０の形成が容易である。
【００５８】
次に、図８の液晶装置（液晶セル１５０）は、図１と同様に、撥水膜９０が、基板１０，２０、導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面を連続的にかつ全域にわたって覆うように配設されている。また、図８の液晶セル１５０は、図１と異なり、基板１０，２０の側面に比べてシール材５２の側面が内方に位置し、その段差に沿って連続的に撥水膜９０が形成されている。
【００５９】
すなわち、図８の液晶セル１５０では、シール材５２の側面が基板１０，２０の側面に比べて凹んでおり、基板１０，２０、導電膜９，２１、及び配向膜４０，６０の側面に加え、その凹部に撥水膜９０が充填されている。そして、撥水膜９０の膜厚に関して、基板１０，２０、導電膜９，２１、及び配向膜４０，６０の各側面位置に比べて、シール材５２の側面位置が厚くなっている。本例の液晶セル１５０では、厚膜の撥水膜９０に覆われた部分、すなわち、配向膜４０．６０の側面、及び導電膜９，２１と配向膜４０，６０との接合部分、の吸湿あるいは水分の浸入がより確実に防止される。さらに、本例の液晶セル１５０では、撥水膜９０の一面に段差が形成され、その段差部分が液晶セル１５０の側面に係合した状態となることから、撥水膜９０の密着性の向上が図られる。
【００６０】
次に、本発明の液晶装置の具体的な構成例について説明する。
図９は本実施形態の液晶装置の全体構造を示す平面図である。図１０は図９の液晶装置の縦断面図である。図１１は本実施形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリックス状に配置された複数の画素におけるスイッチング素子、信号線等を示す等価回路図である。
【００６１】
図９及び図１０に示すように、この液晶装置（透過型液晶セル１５０）は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２には、製造時においてＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを貼り合わせた後に液晶を注入するための液晶注入口５５が形成されており、該液晶注入口５５は液晶注入後に封止材５４により封止されている。
【００６２】
シール材５２の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り（図示略）が形成される一方、シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。
【００６３】
図１１に示すように、画像表示領域を構成するマトリックス状に配置された複数の画素に、画素電極９と、この画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０とがそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ素子３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。
【００６４】
また、走査線３ａがＴＦＴ素子３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ素子３０のドレインに電気的に接続されており、このＴＦＴ素子３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込むようになっている。
【００６５】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。この液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。保持された画像信号がリークすることを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が付加されている。
【００６６】
図９及び図１０に戻り、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側の表面には、画素電極９と、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御するための配向膜４０が形成されている。なお、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側と反対側の表面には、所定の偏光のみを透過する偏光板、及び必要に応じて防塵板が配設される。
【００６７】
他方、対向基板２０の液晶層５０側の表面には、ＩＴＯ等の透明電極材料からなる共通電極２１と、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御するための配向膜６０とが形成されている。なお、ＴＦＴアレイ基板１０の液晶層５０側と反対側の表面には、所定の偏光のみを透過する偏光板、及び必要に応じて防塵板が配設される。
【００６８】
そして、本例の液晶セル１５０では、基板１０、導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面（端面）を連続的にかつ全周にわたって覆うように撥水膜９０が配設されている。なお、電極や配線（データ線駆動回路２０１、実装端子２０２、配線２０５など）などの撥水膜の不要な部分は、予めマスキングした後に成膜を行ったり、成膜後に撥水膜を除去するなどにより、露出している。
【００６９】
その結果、本例の液晶セル１５０では、撥水膜９０によって導電膜９，２１、配向膜４０，６０、及びシール材５２の各側面からの吸湿が防止され、さらに、基板１０，２０と導電膜９，２１との接合部分、導電膜９，２１と配向膜４０，６０との接合部分、及び配向膜４０，６０とシール材５２との接合部分がそれぞれ、撥水膜９０に覆われることから、それらの接合部分から装置内部への水分の浸入が防止される。
【００７０】
なお、本実施形態においては、ＴＮモードの液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明は、垂直配向モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モードなど、電圧無印加時の液晶分子の配向状態がいかなる液晶装置にも適用することができる。本発明を、垂直配向モードの液晶装置に適用する場合には、液晶層を、液晶分子の長短軸方向が短長軸方向に比較して分極しやすい、正負の誘電率異方性を有する液晶により構成すれば良い。この場合には、電圧無印加時に、液晶層内の液晶分子が配向膜によって制御され、所定の方向に配列するのに対し、電圧印加時には、液晶層内の液晶分子が、その長軸方向を一対の基板間に発生する縦電界の方向に対して略垂直平行方向に向けて配列するため、電圧無印加時、電圧印加時における液晶分子の配列を光学的に識別し、表示を行うことができる。
【００７１】
図１２は、パッシブマトリックス型の透過型液晶装置の全体構成を示す斜視図である。
この透過型液晶装置は、液晶層（図示略）を挟持して対向配置された一対の基板７０，８０を具備して概略構成されている。
【００７２】
より詳細には、基板７０は、基板本体７１の液晶層側表面に、ストライプ状に形成された多数の透明電極７２と、イオン吸着性微粒子を含有してなる保護膜（図示略）と配向膜（図示略）とを順次具備して構成されている。また、基板８０は、基板本体８１の液晶層側表面に、ストライプ状に形成された多数の透明電極８２と、イオン吸着性微粒子を含有してなる保護膜（図示略）と配向膜（図示略）とを順次具備して構成されている。
【００７３】
なお、図示するように、基板７０の透明電極７２と基板８０の透明電極８２とは互いに交差する方向に形成されている。また、一対の基板７０，８０の側面には、全周に不図示の撥水膜が連続的に形成されている。
【００７４】
このように、本発明は、パッシブマトリックス型の透過型液晶装置にも適用することができ、アクティブマトリックス型の透過型液晶装置と同様の効果を得ることができる。
【００７５】
上記の各実施形態においては、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリックス型の透過型液晶装置、パッシブマトリックス型の透過型液晶装置についてのみ説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、ＴＦＤ（Thin-Film Diode）素子に代表される２端子型素子を用いたアクティブマトリックス型液晶装置等にも適用可能である。
【００７６】
また、上記の各実施形態においては、透過型液晶装置を取り上げて説明したが、本発明は、一対の基板を貼り合わせた後にそれらの基板の外面に撥水膜を形成した構成であればよく、上記の各実施形態に限定されるものではない。例えば、透過型液晶装置以外の反射型液晶装置、半透過反射型液晶装置にも適用可能であり、いかなる構造の液晶装置にも適用することができる。
【００７７】
（電子機器）
次に、本発明の電子機器の一例としてプロジェクタについて説明する。
図１３は、プロジェクタを概略的に示す図である。
このプロジェクタＰＪ１は、本発明の液晶装置を光変調手段（液晶ライトバルブ）として用いており、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の異なる色毎に透過型液晶ライトバルブを備えた３板式の間欠表示型カラー液晶プロジェクタである。
【００７８】
図１３に示すように、プロジェクタＰＪ１は、光源８１０と、ダイクロイックミラー８１３，８１４と、反射ミラー８１５，８１６，８１７と、入射レンズ８１８と、リレーレンズ８１９と、射出レンズ８２０と、液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４と、クロスダイクロイックプリズム８２５と、投射レンズ８２６とを備えて構成されている。
【００７９】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とを含む。
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用液晶ライトバルブ８２２に入射する。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用液晶ライトバルブ８２２に入射する。さらに、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過する。青色光に対しては、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９および射出レンズ８２０を含むリレーレンズ系からなる導光手段８２１が設けられている。この導光手段８２１を介して、青色光が青色光用液晶ライトバルブ８２４に入射する。
【００８０】
各液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投影され、画像が拡大されて表示される。
【００８１】
上述したプロジェクタＰＪ１によれば、液晶ライトバルブ８２２，８２３，８２４における吸湿や水の侵入による表示品質の低下が防止されるから、表示品質の向上が図られる。
【００８２】
なお、本例では赤色光用，緑色光用，青色光用の各液晶ライトバルブに本発明の液晶装置を採用したが、係る液晶装置は必ずしも全ての液晶ライトバルブに適用される必要はなく、少なくともＲ，Ｇ，Ｂのうちのいずれかの液晶ライトバルブに適用すれば、その効果を得ることができる。光のエネルギーが高い青色光（Ｂ）用の液晶ライトバルブに本発明の液晶装置を適用すると特に効果的である。
また、３板式の投射型表示装置（プロジェクタ）を例にして説明したが、単板式の投射型表示装置や直視型表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００８３】
また、本発明の液晶装置を、プロジェクタ以外の電子機器に適用することも可能である。その具体例として、本発明の液晶装置を表示部に備えた携帯電話を挙げることができる。また、その他の電子機器としては、例えば、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が挙げられる。
【００８４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の液晶装置の一例としての液晶セルを示す模式断面図。
【図２】撥水膜の形成方法の一例を説明するための図。
【図３】撥水膜の他の形成方法を説明するための図。
【図４】撥水膜の別の形成方法を説明するための図。
【図５】図１の液晶装置の変形例を示す図。
【図６】図１の液晶装置の変形例を示す図。
【図７】図１の液晶装置の変形例を示す図。
【図８】図１の液晶装置の変形例を示す図。
【図９】液晶装置の全体構造を示す平面図。
【図１０】図９の液晶装置の縦断面図。
【図１１】透過型液晶装置の画像表示領域を示す等価回路図。
【図１２】パッシブマトリックス型の透過型液晶装置を示す斜視図。
【図１３】プロジェクタの一例を概略的に示す図。
【符号の説明】
【００８６】
１０…ＴＦＴアレイ基板、２０…対向基板、９…画素電極（導電膜）、２１…共通電極（導電膜）、５０…液晶層、５２…シール材、４０，６０…配向膜、７０…下側基板、８０…上側基板、９０…撥水膜、１００，１２０，１５０…液晶セル（液晶装置）、１３０，１４０…液晶パネル（液晶装置）、ＰＪ１…プロジェクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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