(57)【要約】【課題】  リブ材等の部材を痛めることなく短時間でフォトレジストを除去するフォトレジスト剥離液を提供する。【解決手段】Ｎ（ＲＯＨ）３（式中、Ｒは炭素数２〜４のアルキレン基である。ただし、３個のＲの全てが同一の炭素数のアルキレン基であるものを除く。）で表されるアルカノールアミン（Ａ）と溶媒成分（Ｂ）とを含有しているフォトレジスト剥離液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式（１）で表されるアルカノールアミン（Ａ）と溶媒成分（Ｂ）とを含有することを特徴とするフォトレジスト剥離液。
Ｎ（ＲＯＨ）３  ・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数２〜４のアルキレン基である。ただし、３個のＲの全てが同一の炭素数のアルキレン基である場合を除く。）
【請求項２】
前記アルカノールアミン（Ａ）が、モノエタノールジプロパノールアミン、ジエタノールモノプロパノールアミン、モノエタノールジブタノールアミンまたはジエタノールモノブタノールアミンである請求項１に記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項３】
前記アルカノールアミン（Ａ）が、ジアルカノールアミンとアルキレンオキシドとの反応物、またはモノアルカノールアミンとアルキレンオキシドとの反応物である請求項１または２に記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項４】
前記溶媒成分（Ｂ）が、窒素原子、硫黄原子および水酸基から選ばれる少なくとも１種の原子団を分子中に有する有機溶媒または水である請求項１〜３のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項５】
さらに、（Ａ）以外の有機アミン化合物（Ｃ）を含有する請求項１〜４のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
【請求項６】
フォトレジスト剥離液が、プラズマディスプレイパネルまたは液晶ディスプレイパネル製造時のフォトレジストの剥離に用いられる請求項１〜５のいずれかに記載のフォトレジスト剥離液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バリアリブ形成時等に用いるフォトレジストを剥離するためのフォトレジスト剥離液に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰ、と略記する）や液晶ディスプレイパネル（以下、ＬＣＤと略記する）の製造工程における電極板やバリアリブの製造工程では、フォトレジストを用いて電極板やバリアリブのパターンを形成する。その後、不要となったフォトレジストはフォトレジスト剥離液を用いて除去される（フォトレジスト剥離工程）。ＰＤＰやＬＣＤの製造工程において、そのフォトレジスト剥離液としては、有機アミン、特にモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンのようなアルカノールアミンがよく用いられている（特許文献１参照）。
【０００３】
このＰＤＰやＬＣＤの製造工程において、フォトレジスト剥離工程の次に行われる焼成工程では、フォトレジスト残渣が不純物として悪影響を及ぼすため、フォトレジスト剥離工程では、特に慎重にフォトレジストの除去を行わなければならない。
剥離液にアルカリ性がより強いものを用いると、フォトレジストの剥離時間が短くてすむ反面、フォトレジスト残渣がリブ材上に残ったり、リブ材等基板の部材を痛める傾向も強くなってくる。そこで、比較的弱いアルカリ性であるトリエタノールアミンを用いてレジスト残渣がリブ材に残らないようにきれいに剥離する方法が行われている。しかし、トリエタノールアミンを用いた場合、フォトレジストの剥離の時間が長くなってしまい、工程上問題となっていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１２７８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するために、バリアリブ形成時等に用いるフォトレジストを剥離するために使用するものであって、従来より短時間で、リブ材等の部材を痛める事なく確実にフォトレジストを除去できるフォトレジスト剥離液を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前述の課題を解決するためになされたものである。すなわち、本発明は、下記の式（１）で表されるアルカノールアミン（Ａ）と溶媒成分（Ｂ）とを含有することを特徴とするフォトレジスト剥離液を提供するものである。
Ｎ（ＲＯＨ）３  ・・・（１）
（式中、Ｒは炭素数２〜４のアルキレン基である。ただし、３個のＲの全てが同一の炭素数のアルキレン基である場合を除く。）
また、本発明は、上記フォトレジスト剥離液において、アルカノールアミン（Ａ）が、モノエタノールジプロパノールアミン、ジエタノールモノプロパノールアミン、モノエタノールジブタノールアミンまたはジエタノールモノブタノールアミンであるフォトレジスト剥離液を提供するものである。
【０００７】
また、本発明は、上記フォトレジスト剥離液において、前記アルカノールアミン（Ａ）が、ジアルカノールアミンとアルキレンオキシドとの反応物、またはモノアルカノールアミンとアルキレンオキシドとの反応物であるフォトレジスト剥離液を提供するものである。
また、本発明は、上記フォトレジスト剥離液において、前記溶媒成分（Ｂ）が、窒素原子、硫黄原子および水酸基から選ばれる少なくとも１種の原子団を分子中に有する有機溶媒または水であるフォトレジスト剥離液を提供するものである。
また、本発明は、上記フォトレジスト剥離液において、さらに（Ａ）以外の有機アミン化合物（Ｃ）を含有するフォトレジスト剥離液を提供するものである。
また、本発明は、上記フォトレジスト剥離液において、フォトレジスト剥離液が、ＰＤＰまたはＬＣＤの製造時のフォトレジストの剥離に用いられるものであるフォトレジスト剥離液を提供するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のフォトレジスト剥離液は、ＰＤＰやＬＣＤの製造工程等において、フォトレジストを用いて電極板やバリアリブのパターンを形成した後の、不要となったフォトレジストの剥離工程等で、フォトレジスト付き電極板やリブ材等を剥離液に浸漬することにより、フォトレジストを短時間で、かつ部材を痛めることなく確実に除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明は、特定のアルカノールアミン（Ａ）と溶媒成分（Ｂ）を含有するフォトレジスト剥離液である。以下、その詳細について説明する。
（アルカノールアミン（Ａ））
本発明のフォトレジスト剥離液に用いられる（Ａ）成分のアルカノールアミンは、下記の式（１）で表されるアルカノールアミンである。ただし、３個のＲの全てが同一の炭素数のアルキレン基であることはない。すなわち、３個のＲの内、２個が同一の炭素数のアルキレン基であり、他の１個のＲが異なる炭素数のアルキレン基であるアルカノールアミンであってもよいし、３個のＲの全てが異なる炭素数のアルキレン基であるアルカノールアミンであってもよい。なお、３個のＲの全てが同一の炭素数のアルキレン基であるアルカノールアミンは、（Ａ）成分に該当しない。
【００１０】
Ｎ（ＲＯＨ）３  ・・・式（１）
（式１中、Ｒは炭素数２〜４のアルキレン基である。ただし、３個のＲの全てが同一の炭素数のアルキレン基である場合を除く。）
【００１１】
式（１）中、Ｒとしては、エチレン基、トリメチレン基、１−メチルエチレン基、２−メチルエチレン基、テトラメチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、２，２−ジメチルエチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、１−エチルエチレン基、２−エチルエチレン基等が挙げられる。炭素数が４以下であると、アミンの塩基性が弱くなることがなく、好ましい。
アルカノールアミン（Ａ）の具体例としては、モノエタノールジプロパノールアミン、ジエタノールモノプロパノールアミン、モノエタノールジブタノールアミン、ジエタノールモノブタノールアミン、モノエタノールモノプロパノールモノブタノールアミン、ジプロパノールモノブタノールアミン、モノプロパノールジブタノールアミンが挙げられる。
【００１２】
アルカノールアミン（Ａ）としては、（１）モノアルカノールアミンとアルキレンオキシドを反応させる方法、（２）ジアルカノールアミンとアルキレンオキシドを反応させる方法、（３）アンモニアに２種以上のアルキレンオキシドを反応させる方法などによって製造できる。
モノアルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン（１−アミノ−２−ヒドロキシプロパン）等が、ジアルカノールアミンとしては、ジエタノールアミン、ジイソプロパノールアミン｛Ｎ,Ｎ−ビス（２−ヒドロキシプロピル）アミン｝等が挙げられる。アルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、１、２−ブチレンオキシド、２,３−ブチレンオキシドなどが挙げられる。
【００１３】
上記のうち、（１）、（２）の方法が好ましい。
（１）の方法では、モノアルカノールアミンとアルキレンオキシドをモル比がほぼ１：２となるような割合で反応させることにより、容易に製造できる。特に、モノエタノールアミンとプロピレンオキシドとをモル比ほぼ１：２で反応させて得られる反応物（主生成物：Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシプロピル）アミン｛ＨＯ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ−［ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ3）ＯＨ］２｝）やモノエタノールアミンと１，２−ブチレンオキシドとをモル比ほぼ１：２で反応させて得られる反応物（主生成物：Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシブチル）アミン｛ＨＯ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ−［ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ3］２｝）が特に好ましい。
【００１４】
（２）の方法では、ジアルカノールアミンとアルキレンオキシドをモル比がほぼ１：１となるような割合で反応させることにより、容易に製造できる。特にジエタノールアミンとプロピレンオキシドとをモル比ほぼ１：１で反応させて得られる反応物（主生成物：Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）アミン｛｛ＨＯ−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ２−Ｎ−（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）２｝｝、ジエタノールアミンと１,２−ブチレンオキシドとをモル比ほぼ１：１で反応させて得られる反応物（主生成物：Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−（２―ヒドロキシブチル）アミン｛ＣＨ3ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｎ−（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）２｝）が特に好ましい。
【００１５】
（有機アミン化合物（Ｃ））
本発明において、より優れた剥離効果を得るために（Ａ）以外の有機アミン化合物（Ｃ）を併用してもよい。有機アミン化合物（Ｃ）は、アミノ基を有する炭化水素化合物であり、アルカノールアミン（Ａ）を除くアルカノールアミンも使用できる。有機アミン化合物（Ｃ）の具体的な化合物としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアミン類；２−エチル−ヘキシルアミン、ビス（２−エチルヘキシル）アミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン類；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラジン、ヒドロキシルエチルピペラジン等の環状アミン類が挙げられる。
【００１６】
これらの有機アミン化合物（Ｃ）のうち、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミンを用いることが好ましい。
アルカノールアミン（Ａ）とともに、これらの有機アミン化合物（Ｃ）を用いることによってアルカリ性による効果でフォトレジスト剥離液のフォトレジストへの浸透性が改善され、剥離性能を向上できる。
有機アミン化合物（Ｃ）を使用する場合のアルカノールアミン（Ａ）と有機アミン化合物（Ｃ）の配合割合は、質量比で（Ａ）／（Ｃ）＝９９．９／０．１〜５０／５０の範囲が好ましく、９０／１０〜６０／４０の範囲が特に好ましい。
【００１７】
（溶媒成分）
本発明における溶媒は、窒素原子、硫黄原子および水酸基から選ばれる少なくとも１種の原子団を分子中に有する有機溶媒または水であることが好ましい。有機溶媒としては、窒素原子を有するラクタム類、イミダゾリジノン類、硫黄原子を有するスルホキシド類やスルホン類およびアルコール類等が挙げられる。有機溶媒としては、水と相溶性のものが好ましく、スルホキシド類が特に好ましい。これら溶媒のうち、水、ジメチルスルホキシドが特に好ましく、使用後の回収のしやすさ、廃棄のしやすさを考慮すると水が最も好ましい。
【００１８】
有機溶媒の具体例としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のアルコール類およびその誘導体等が挙げられる。これらの溶媒成分を用いることによりフォトレジスト剥離液のフォトレジストへの湿潤性が改良され、剥離性能が向上する。
【００１９】
その他、使用目的に応じて、高級アルコールのエチレンオキシド、プロピレンオキシド付加物やスルホコハク酸塩、長鎖第４級アンモニウム塩等の浸透剤や脂肪酸エステル、フッ素系化合物等の消泡剤を配合してもよい。
本発明のフォトレジスト剥離液におけるアルカノールアミン（Ａ）と溶媒成分（Ｂ）の配合割合は、質量比で（Ａ）／（Ｂ）＝０．１／９９．９〜５０／５０の範囲であることが好ましく、１／９９〜３０／７０の範囲であることがさらに好ましい。（Ａ）と（Ｂ）の合計中の（Ａ）の割合が０．１質量％未満であると剥離能力の点から好ましくなく、５０質量％超であると液粘度の点で好ましくない。
【００２０】
また、溶媒成分（Ｂ）が水である場合は、アルカノールアミン（Ａ）と水の配合割合は、質量比で（Ａ）／（Ｂ）＝２／９８〜２５／７５の範囲であることがさらに好ましく、５／９５〜２０／８０の範囲であることが特に好ましい。また、溶媒成分（Ｂ）が有機溶媒である場合は、アルカノールアミン（Ａ）と有機溶媒の配合割合は、質量比で（Ａ）／（Ｂ）＝０．５／９９．５〜５／９５の範囲であることがさらに好ましく、０．８／９９．２〜４／９６の範囲であることが特に好ましい。
【００２１】
（剥離方法）
本発明で使用しうるフォトレジストとは、半導体やプリント基板の製造プロセス分野で使用され、高集積の回路の書き込み等を可能にする、感光性樹脂である。フォトレジストには、ポジ型とネガ型があり、ポジ型レジストでは露光された部分のレジストが、ネガ型レジストでは露光されなかった部分のレジストがそれぞれ現像液で溶解除去され、基板上に回路パターンが残る。また、溶媒に溶解した溶液とした樹脂を基材に塗布後、溶媒を除去してフィルム状とするものや、フィルム状の樹脂を基材に積層して加熱等により基材に密着させるもの（ドライレジストフィルム）がある。
半導体分野およびＬＣＤの用途では、ポジ型フォトレジストが広く用いられ、特にアルナフトキノン系感光剤とクレゾール系ノボラック樹脂等から構成される樹脂が好ましい。また、ＰＤＰの用途では、ネガ型フォトレジストが使用される。特に、ウレタンアクリレートオリゴマーやポリエステルアクリレートオリゴマーからなるドライレジストフィルムが用いられる。
【００２２】
本発明の剥離液は、半導体やプリント基板の製造プロセス分野の製造工程において、基板にパターンを形成する際の剥離液として好適に用いられる。
本発明の剥離液は、基板上に設けられたフォトレジスト層にスプレー等を用いて吹きつけたり、フォトレジスト層が設けられた基板を剥離液に浸漬することにより、フォトレジストを基板等から剥離することができる。この時、剥離液の温度は、６０℃以下にすることが好ましく、３０〜５０℃がより好ましく、３５〜４５℃が特に好ましい。剥離時間は、１０秒〜２０分が好ましい。
【００２３】
本発明の剥離液を使用するフォトレジストの剥離方法を用いた例を、ＰＤＰの製造におけるバリアリブの形成工程を例として説明する。リブ材上にフォトレジスト層を設け、パターンが描かれたフォトマスクを通して露光し、フォトマスク以外の部分のフォトレジストを硬化させた後、現像し、所定形状のパターンのフォトレジスト硬化物を形成する。次いで、このフォトレジスト硬化物をマスクとしてリブ材をサンドブラスト加工し、フォトレジスト硬化物でマスク以外の部分のリブ材を除去し、マスク形状に従った凸凹を形成する。そしてフォトレジスト付きリブ材を含めた基板全体を本発明の剥離液の入った溶液槽に浸漬し、凸部分の上部を覆っているフォトレジストを剥離除去し、次いで、リブ材表面を水やアルコール等の溶媒でリンスし乾燥することにより、バリアリブを形成しうる。リブ材は、ガラス粉末とバインダー樹脂等からなるものが好ましい。
【００２４】
（用途）
本発明におけるフォトレジスト剥離液は、各種電子装置、表示装置の製造をする際に、フォトレジストを用いて、ガラス、セラミックス、石材等の基板に回路等のパターンを作成する製造工程で使用できる。半導体、プリント基板、ＬＣＤ、ＰＤＰの製造工程に使用でき、特に、ＰＤＰの製造工程において、リブ材等ガラス基板を直接パターニングし、バリアリブを形成する際の剥離液として好適である。
本発明のフォトレジスト剥離液は、フォトレジストを従来より短時間にリブ材等基板を傷めることなく除去することができる。
【実施例】
【００２５】
次に実施例に基づいて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものではない。
（アルカノールアミン（Ａ）の製造例）
実施例および比較例で用いたアルカノールアミン（Ａ）の製造例を以下に示すが、製造方法はこれに限定されるものではない。尚、モノイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、トリエタノールアミン、モノエタノールアミンは試薬特級グレードを用いた。
【００２６】
（製造例１）
容量５リットルの高圧用オートクレーブを反応容器として用いた。ジエタノールアミン１０５０ｇ（１０モル）を反応容器内に仕込み、窒素気流下で１１０℃まで昇温した。次にプロピレンオキシド５８０ｇ（１０モル）を反応容器内に１時間かけて投入し、１１０℃でさらに２時間反応させ、プロピレンオキシドが反応容器に残存しないことを反応容器内圧の低下が止まったことによって確認した後、反応容器から生成物を抜き出した。得られた生成物の全アミン価と３級アミン価は共に３４４ｍｇＫＯＨ／ｇであることからＮＨ基が残っていないことを確認した。また、水酸基価は１０３３ｍｇＫＯＨ／ｇであることからジエタノールモノプロパノールアミンであることを確認した。また、これをトリフルオロ酢酸処理した後、プロトン−ＮＭＲにて１級水酸基に相当するピーク（５．３ｐｐｍ付近）と２級水酸基に相当するピーク（４．６ｐｐｍ付近）のピーク面積の定量より１級水酸基と２級水酸基が約２：１の割合で存在することを確認した。すなわち、生成物の主成分は、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−（２−ヒドロキシプロピル）アミン｛ＨＯ−ＣＨ（ＣＨ3）ＣＨ２−Ｎ−（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）２｝であることを確認した。
【００２７】
（製造例２）
製造例１と同様に行い、モノエタノールアミン（１０モル）に、プロピレンオキシド１１６０ｇ（２０モル）を反応させた。得られた生成物の全アミン価と３級アミン価は共に３１７ｍｇＫＯＨ／ｇであることからＮＨ基が残っていないことを確認した。また、水酸基価は９５１ｍｇＫＯＨ／ｇであることからモノエタノールジプロパノールアミンであることを確認した。また、トリフルオロ酢酸処理後のプロトン−ＮＭＲにより１級水酸基と２級水酸基が約１：２の割合で存在することを確認した。すなわち、生成物の主成分は、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシプロピル）アミン｛ＨＯ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ−［ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ3）ＯＨ］２｝であることを確認した。
【００２８】
（製造例３）
製造例１と同様に行い、ジエタノールアミンを１０５０ｇ（１０モル）に、１，２−ブチレンオキシド７２０ｇ（１０モル）を反応させた。得られた生成物の全アミン価と３級アミン価は共に３１７ｍｇＫＯＨ／ｇであることからＮＨ基が残っていないことを確認した。また、水酸基価は９５１ｍｇＫＯＨ／ｇであることからジエタノールモノブタノールアミンであることを確認した。また、トリフルオロ酢酸処理後のプロトン−ＮＭＲにより１級水酸基と２級水酸基が約２：１の割合で存在することを確認した。すなわち、生成物の主成分は、Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ−（２―ヒドロキシブチル）アミン｛ＣＨ3ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２−Ｎ−（ＣＨ２ＣＨ２ＯＨ）２｝であることを確認した。
【００２９】
（製造例４）
製造例１と同様に行い、モノエタノールアミン６１０ｇ（１０モル）に、１，２−ブチレンオキシド１４４０ｇ（２０モル）を反応させた。得られた生成物の全アミン価と３級アミン価は共に２７４ｍｇＫＯＨ／ｇであることからＮＨ基が残っていないことを確認した。また、水酸基価は８２１ｍｇＫＯＨ／ｇであることからモノエタノールジブタノールアミンであることを確認した。また、トリフルオロ酢酸処理後のプロトン−ＮＭＲにより１級水酸基と２級水酸基が約１：２の割合で存在することを確認した。すなわち、生成物の主成分は、Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）−Ｎ，Ｎ−ビス（２−ヒドロキシブチル）アミン｛ＨＯ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｎ−［ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＣＨ3］２｝であることを確認した。
【００３０】
（試験材料の調整）
ガラス基板の上に、ガラス粉末とバインダー樹脂からなるリブ材を積層し、その上に光硬化性樹脂層とポリエチレンテレフタレート樹脂表面層とからなるＰＤＰ用ドライフィルムレジスト（東京応化工業社製、商品名「オーディルＢＦ７０４」）を乗せ、１１０℃に加熱したラミネーターに通してリブ材が積層したガラス基板に密着させた後、ポリエチレンテレフタレート樹脂表面層を取り除いて光硬化性樹脂層を露出させた。その後、テストマスクを密着させ、３．５ｋＷの超高圧水銀灯により２５０ｍＪ／ｃｍ２の照射量で露光を行った。次いで液温３０℃の０．２質量％炭酸ナトリウム水溶液をスプレーして現像を行い、所定パターンからなるフォトレジスト硬化物を形成した。
次に、得られたフォトレジスト硬化物をマスクとして、サンドブラスト処理を行い、所定パターンからなるリブ材が形成された基板を得た。これをサンプルとした。
【００３１】
（実施例１〜７、比較例１〜３）
表１に示した成分を表１に示した配合割合で混合して得られたフォトレジスト剥離液を、液温４０℃に加熱した。なお、表１に示した成分の配合量の数値の単位は、質量部である。
このフォトレジスト剥離液中にサンプルを浸漬させて、フォトレジストを基板から剥離除去した。フォトレジストの剥離に要した時間と、剥離後のリブ材表面に存在するフォトレジストの有無にて剥離性能を確認した。
【００３２】
（評価）
（１）剥離時間：サンプルをフォトレジスト剥離液に浸漬し始めてから、リブ材表面からフォトレジストがほぼ完全に剥離したと判断できるまでの時間とした。
（２）レジスト残渣：目視にてリブ表面にレジスト残渣がないものを「なし」、確認できたものを「あり」とした。表１に、実施例１〜７と比較例１〜３の剥離評価結果を記載した。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
表１の結果より、実施例１〜７の場合では剥離時間が短縮されレジスト残渣も見られなかった。一方、トリエタノールアミンを使用した比較例１では剥離時間が長くなり、モノエタノールアミン及びジエチルモノヒドロキシアミンを用いた比較例２、３ではフォトレジストがほぼ完全に剥離するまでの時間は短縮されたがわずかにレジスト残渣が見られた。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明のフォトレジスト剥離液は、フォトレジストを剥離除去する種々の物品の製造工程に使用することができ、ＰＤＰ及びＬＣＤの製造工程で使用されるフォトレジストの剥離除去に特に有用である。