(57)【要約】【課題】  マルチギャップ段差に起因した配向不良の発生が少ない電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】  一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置において、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域が配置され、一対の基板のうちの一方の基板には、反射領域における電気光学材料層の層厚と透過領域における電気光学材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層が反射領域に形成され、当該絶縁層は、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してある。【選択図】  図３
2006091059.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置において、
隣接する前記画素における互いに対向する辺側に、前記反射領域が配置され、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、前記反射領域における電気光学材料層の層厚と、前記透過領域における電気光学材料層の層厚と、を異ならせるための絶縁層が、前記反射領域に形成され、
当該絶縁層は、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、前記隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向と直交する方向に沿って配列された画素にまたがってストライプ状に形成してあることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記絶縁層の段差部分をテーパ状とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記絶縁層の段差部分を、前記反射領域に形成してあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記一方の基板にはスイッチング素子をさらに備えるとともに、当該スイッチング素子を、それぞれの前記画素における反射領域に配置することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子の形成領域に対応させて、前記一対の基板のいずれかに遮光膜を形成することを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記透過領域も、隣接する前記画素における互いに対向する辺側に配置される場合に、前記隣接する二つの画素における光反射膜の開口部が連続していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置において、
隣接する前記画素における互いに対向する辺側に、前記反射領域が配置され、
前記一対の基板のうちの一方の基板には、前記反射領域における電気光学材料層の層厚と、前記透過領域における電気光学材料層の層厚と、を異ならせるために、前記反射領域に対応した厚肉部と、前記透過領域に対応した薄肉部と、を備えた絶縁層が形成され、
前記厚肉部は、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、前記隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
前記絶縁層における厚肉部及び薄肉部は、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向と直交するに沿って配列された画素にまたがってストライプ状に形成してあることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置において、
隣接する前記画素における互いに対向する辺側に、前記反射領域が配置され、
前記電気光学材料層は、前記反射領域に対応した層厚部と、前記透過領域に対応した層薄部と、を備え、
当該層薄部は、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、前記隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
前記電気光学材料層における層厚部及び層薄部は、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向と直交する方向に沿って配列された画素にまたがってストライプ状に形成してあることを特徴とする請求項１０に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置の製造方法において、
基板上に、隣接する前記画素における互いに対向する辺側を、前記反射領域とするための光反射膜を形成する工程と、
前記反射領域における電気光学材料層の層厚と、前記透過領域における電気光学材料層の層厚と、を異ならせるための絶縁層を、前記隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、前記隣接する二つの画素にまたがるように、少なくとも前記反射領域に形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１に記載されたいずれかの電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。特に、マルチギャップ段差に起因した配向不良を低減した電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、画像表示装置として、それぞれ電極が形成された一対の基板を対向配置するとともに、それぞれの電極の交差領域である複数の画素に印加する電圧を選択的にオン、オフさせることによって、当該画素領域の液晶材料を通過する光を変調させ、画像や文字等の像を表示させる、液晶表示装置が多用されている。
また、かかる液晶表示装置において、反射型表示及び透過型表示が可能な半透過反射型の液晶表示装置がある。すなわち、透過領域においては、基板の背面側に配置されたバックライトから照射された光が、液晶パネルに入射するとともに、液晶材料層を通過して外部に視認される。一方、反射領域においては、外部から液晶パネルに入射した外光が、液晶材料層を通過した後、光反射膜によって反射され、再度液晶材料層を通過して外部に視認される。このような透過領域及び反射領域を備えることにより、昼間や明るい場所においては、太陽光等の外光を利用して画像表示を認識させることができるために、消費電力の削減を図ることができるとともに、夜間等の比較的暗い場所においても、バックライトによって画像表示を認識させることができる。
【０００３】
かかる半透過反射型の液晶表示装置において、一つの画素Ｇにおける反射領域Ｒ及び透過領域Ｔは、図１６（ａ）〜（ｃ）に示すように配置されている。すなわち、図１６（ａ）は、それぞれの画素Ｇにおいて、中心部に透過領域Ｔを配置し、その周辺部に反射領域Ｒを配置した例である。また、図１６（ｂ）は、それぞれの画素Ｇにおいて、上半分に反射領域Ｒを配置し、下半分に透過領域Ｔを配置した例である。さらに、図１６（ｃ）は、それぞれの画素Ｇにおいて、上下に反射領域Ｒを配置し、その間に挟まれるように透過領域Ｔを配置した例である。
【０００４】
また、かかる半透過反射型の液晶表示装置において、反射型表示及び透過型表示それぞれにおける発色が良く、かつリタデーションの適正化が容易なように、いわゆるマルチギャップを設けた液晶表示装置が提案されている。より具体的には、図１７に示すように、画素６０３には、反射領域６３１及び透過領域６３２を規定する光反射層６０４が形成され、その上層側には、透過領域６３２に相当する領域が開口６６１となっている層厚調整層６０６が形成された半透過反射型の液晶表示装置である（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２７０６２７号公報  （特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された液晶表示装置のようなマルチギャップを設けた液晶表示装置においては、反射領域と透過領域の境界部分に相当する、層厚調整層の段差部分に起因して、液晶材料の配向不良が生じる場合があった。すなわち、図１６（ａ）〜（ｃ）に示すように反射領域Ｒ及び透過領域Ｔが配置されている場合には、その境界部分に沿って段差部分が形成されるために、一つの画素に含まれる段差部分の辺の数が多い（面積率が高い）ほど、表示される画像において、コントラスト等の表示特性が低下するという問題が見られた。
【０００６】
そこで、本発明の発明者らは鋭意努力し、マルチギャップタイプの電気光学装置において、反射領域を隣接する画素における対向する辺側に配置するとともに、電気光学材料層における反射領域と透過領域の層厚を異ならせるための絶縁層を、反射領域が連なる方向に沿って隣接する二つの画素にまたがって形成することにより、このような問題を解決できることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、一つの画素に含まれる絶縁層の段差部分を少なくすることにより、配向不良の発生を低減した電気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、そのような電気光学装置の製造方法、さらに、そのような電気光学装置を備えた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置であって、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域が形成され、一対の基板のうちの一方の基板には、反射領域における電気光学材料層の層厚と透過領域における電気光学材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層が反射領域に形成され、当該絶縁層は、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする電気光学装置が提供され、上述した問題を解決することができる。
すなわち、電気光学材料層の層厚を調整して、反射領域における電気光学材料層の層厚が薄くするための絶縁層を、所定方向に沿って隣接する二つの画素にまたがって形成することにより、一つの画素に含まれる絶縁層の段差部分を少なくすることができる。したがって、反射領域及び透過領域それぞれにおけるリタデーションの最適化を図るとともに、絶縁層の段差部分に起因する電気光学材料の配向不良を低減して、表示される画像の表示特性を向上させた電気光学装置を提供することができる。
【０００８】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、絶縁層は、隣接する画素の反射領域が連なる方向と直交する方向に沿って配列された画素にまたがってストライプ状に形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、絶縁層において、所定方向に沿って形成される段差部分がなくなるために、一つの画素に含まれる絶縁層の段差部分をより少なくすることができ、表示特性をさらに向上させることができる。
【０００９】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、絶縁層の段差部分をテーパ状とすることが好ましい。
このように構成することにより、絶縁層の段差部分に形成される他の部材の密着性を高めることができ、例えば、透明電極の欠落等をなくして、表示不良の発生を防止することができる。
【００１０】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、絶縁層の段差部分を反射領域に形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、絶縁層の段差部分に起因する電気光学材料の配向不良が生じた場合であっても、透過表示における光抜け等の表示不良の発生を防止することができる。
【００１１】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、一方の基板にはスイッチング素子をさらに備えるとともに、当該スイッチング素子を、それぞれの画素における反射領域に配置することが好ましい。
このように構成することにより、透過領域の面積を減少させることがないとともに、透過表示の特性に影響を与えることなく、スイッチング素子を配置することが容易になる。また、スイッチング素子がＴＦＤ素子の場合には、素子を構成する電極の一部を共有させることができるために、画素面積を拡大させることができる。
【００１２】
また、スイッチング素子の形成領域に対応させて、一対の基板のいずれかに遮光膜を形成することが好ましい。
このように構成することにより、反射型表示におけるコントラストを向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、透過領域も、隣接する画素における互いに対向する辺側に配置される場合に、隣接する二つの画素における光反射膜の開口部が連続していることが好ましい。
このように構成することにより、開口部の形成が容易になるとともに、画素面積を拡大させることができる。
【００１４】
また、本発明の別の態様は、一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置であって、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域が配置され、一対の基板のうちの一方の基板には、反射領域における電気光学材料層の層厚と透過領域における電気光学材料層の層厚とを異ならせるために、反射領域に対応した厚肉部と透過領域に対応した薄肉部とを備えた絶縁層が形成され、厚肉部は、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする電気光学装置である。
すなわち、透過領域にも絶縁層の薄肉部を形成する場合であっても、反射領域に対応する絶縁層の厚肉部を、所定方向に沿って隣接する二つの画素にまたがって形成することにより、一つの画素に含まれる絶縁層の段差部分を少なくすることができる。したがって、反射領域及び透過領域それぞれにおけるリタデーションの最適化を図るとともに、絶縁層の段差部分に起因する電気光学材料の配向不良を低減して、表示される画像の表示特性を向上させた電気光学装置を提供することができる。
【００１５】
また、本発明の別の電気光学装置を構成するにあたり、絶縁層における厚肉部及び薄肉部は、隣接する画素の反射領域が連なる方向と直交するに沿って配列された画素にまたがってストライプ状に形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、透過領域にも絶縁層の薄肉部を形成する場合であっても、所定方向に沿って形成される段差部分がなくなるために、一つの画素に含まれる絶縁層の段差部分をより少なくすることができ、表示特性をさらに向上させることができる。
【００１６】
また、本発明のさらに別の態様は、一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置であって、隣接する画素の互いに対向する辺側に反射領域が形成され、電気光学材料層は、反射領域に対応した層厚部と、透過領域に対応した層薄部と、を備え、当該層薄部は、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする電気光学装置である。
すなわち、反射領域と透過領域それぞれにおけるリタデーションを最適化するために電気光学材料層の層厚を異ならせる場合に、反射領域に対応する層薄部を、所定方向に沿って隣接する二つの画素にまたがって形成することにより、一つの画素に含まれる電気光学材料層の段差部分を少なくすることができる。したがって、反射領域及び透過領域それぞれにおけるリタデーションの最適化を図るとともに、電気光学材料層の段差部分に起因する電気光学材料の配向不良を低減して、表示される画像の表示特性を向上させた電気光学装置を提供することができる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置を構成するにあたり、電気光学材料層における層厚部及び層薄部は、隣接する画素の反射領域が連なる方向と直交する方向に沿って配列された画素にまたがってストライプ状に形成してあることが好ましい。
このように構成することにより、所定方向に沿って形成される電気光学材料層の段差部分がなくなるために、一つの画素に含まれる電気光学材料層の段差部分をより少なくすることができ、表示特性をさらに向上させることができる。
【００１８】
また、本発明のさらに別の態様は、一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置の製造方法であって、基板上に、隣接する画素における互いに対向する辺側を反射領域とするための光反射膜を形成する工程と、反射領域における電気光学材料層の層厚と透過領域における電気光学材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層を、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがるように、少なくとも反射領域に形成する工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
すなわち、少なくとも反射領域に対応する絶縁層を、所定方向に沿って隣接する二つの画素にまたがって同時に形成することにより、一つの画素に含まれる絶縁層の段差部分を少なくして、表示特性を向上させた電気光学装置を効率的に製造することができる。
【００１９】
また、本発明のさらに別の態様は、上述したいずれかの電気光学装置を備えた電子機器である。
すなわち、一つの画素に含まれる、電気光学材料層の層厚を反射領域と透過領域とで異ならせるために形成される段差部分を少なくした電気光学装置を備えるために、表示特性の向上を図った電子機器を効率的に提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電気光学装置を含む電子機器に関する実施形態について具体的に説明する。ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００２１】
［第１実施形態］
第１実施形態は、一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置である。そして、隣接する画素における互いに対向する辺側に反射領域が形成され、一対の基板のうちの一方の基板には、反射領域における電気光学材料層の層厚と透過領域における電気光学材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層が少なくとも反射領域に形成され、当該絶縁層は、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してあることを特徴とする。
以下、図１〜図１０を適宜参照しながら、本発明の第１実施形態の電気光学装置について、所定の絶縁層４０を備えたカラーフィルタ基板３０、及びスイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９を備えた素子基板６０を用いた液晶表示装置を例に採って説明する。
【００２２】
１．電気光学装置の基本構造
まず、図１を参照して、本発明に係る第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置１０の基本構造、すなわち、セル構造や配線等について具体的に説明する。ここで、図１は、本実施形態に係る液晶表示装置１０の概略断面図である。
かかる液晶表示装置１０は、スイッチング素子として、二端子型非線形素子であるＴＦＤ素子６９を用いたアクティブマトリクス型構造を有する素子基板６０を備えた液晶表示装置１０であって、図示しないものの、バックライトやフロントライト等の照明装置やケース体などを、必要に応じて適宜取付けられて使用される。
また、液晶表示装置１０は、ガラス基板等を基体６１とする素子基板６０と、同様にガラス基板等を基体３１とするカラーフィルタ基板３０と、が対向配置されるとともに接着剤等のシール材２３を介して貼り合わせられている。また、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０とが形成する空間であって、シール材２３の内側部分に対して、開口部（図示せず）を介して液晶材料２１を注入した後、封止材（図示せず）にて封止されてなるセル構造を備えている。すなわち、素子基板６０と、カラーフィルタ基板３０との間に液晶材料２１が充填されている。
【００２３】
また、素子基板６０における基体６１の内面、すなわち、カラーフィルタ基板３０に対向する表面上に、マトリクス状に配置された複数の画素電極６３が形成され、カラーフィルタ基板３０における基体３１の内面、すなわち、素子基板６０に対向する表面上には、ストライプ状に配置された複数の走査電極３３が形成されている。また、画素電極６３は、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９を介してデータ線６５に対して電気的に接続されるとともに、もう一方の走査電極３３は、導電性粒子を含むシール材２３を介して素子基板６０上の引回し配線（図示せず）に対して電気的に接続されている。このように構成された画素電極６３と走査電極３３との交差領域がマトリクス状に配列された多数の画素（以下、画素領域と称する場合がある。）を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として表示領域を構成することになる。したがって、所望の画素に対して電圧を印加することにより、当該画素の液晶材料２１に電界を発生させ、表示領域全体として文字、図形等の画像を表示させることができる。
【００２４】
また、素子基板６０は、カラーフィルタ基板３０の外形よりも外側に張り出してなる基板張出部６０Ｔを有し、この基板張出部６０Ｔ上には、データ線６５、引回し配線（図示せず）及び、独立して形成された複数の配線からなる外部接続用端子６７が形成されている。
そして、データ線６５又は引回し配線（図示せず）の端部には、液晶駆動回路等を内蔵した駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されている。さらに、外部接続用端子６７のうちの表示領域側の端部にも、駆動用半導体素子（駆動用ＩＣ）９１が実装されているとともに、他方の端部には、フレキシブル回路基板９３が実装されている。
【００２５】
２．反射領域及び透過領域
また、本発明に係る電気光学装置は、半透過反射型の電気光学装置であって、隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に反射領域Ｒが配置されていることを特徴とする。すなわち、本実施形態に係るＴＦＤ素子６９を備えた液晶表示装置１０の場合、図２（ａ）〜（ｂ）に示すように、素子基板６０上のデータ線６５に沿った方向に隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に反射領域Ｒが配置されている。例えば、図２（ａ）においては、上半分に透過領域Ｔを配置し、下半分に反射領域Ｒを配置した画素Ｇと、上半分に反射領域Ｒを配置し、下半分に透過領域Ｔを配置した画素Ｇと、が一行毎に交互に配列されている。また、図２（ｂ）においては、それぞれの画素Ｇにおいて、上下に反射領域Ｒを配置し、その間に透過領域Ｔを配置して、配列されている。
かかる反射領域Ｒ及び透過領域Ｔの配置は、カラーフィルタ基板３０又は素子基板６０のいずれかにおいて、透過領域Ｔに対応させて開口部３５ａを形成した光反射膜３５を備えることにより、所望の領域に配置することができる。なお、本実施形態においては、カラーフィルタ基板３０側に光反射膜３５を形成した液晶表示装置１０を例に採って説明する。
【００２６】
３．カラーフィルタ基板
（１）基本構成
次に、図３〜図７を適宜参照しつつ、本実施形態の液晶表示装置１０に使用されるカラーフィルタ基板３０について、さらに詳細に説明する。
カラーフィルタ基板３０は、基本的に、図３（ａ）〜（ｂ）に示すように、ガラス基板等からなる基体３１と、光反射膜３５と、遮光膜３９と、着色層３７と、絶縁層４０と、走査電極３３と、から構成されている。また、走査電極３３上には、液晶材料の配向性を制御するための配向膜４５を備えるとともに、走査電極３３等が形成されている面とは反対側の面に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波長板）４７及び偏光板４９が配置されている。
【００２７】
（２）光反射膜
また、カラーフィルタ基板３０に形成された光反射膜３５は、例えば、アルミニウム等の金属材料からなり、透過領域Ｔに対応した開口部３５ａが形成されている一方で、反射領域Ｒにおいては、太陽光等の外光を反射させて、反射型表示を可能にするための部材である。本発明の電気光学装置においては、隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に反射領域Ｒが配置されていることから、光反射膜３５は、例えば、図４（ａ）〜（ｃ）に示すようにパターニングされている。
また、透過領域Ｔも、隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に配置される場合には、図４（ｃ）に示すように、隣接する二つの画素Ｇにおける開口部３５ａが連続していることが好ましい。この理由は、開口部３５ａの形成が容易であって、光反射膜３５の存在領域が小さい分、画素Ｇの開口面積を拡大させやすいためである。
なお、図３に示すカラーフィルタ基板３０においては、図４（ｃ）に示す光反射膜３５を備えている。
【００２８】
（３）遮光膜
また、遮光膜３９は、隣接する画素Ｇ間において色材が混色することを防止して、コントラストに優れた画像表示を得るための膜である。このような遮光膜３９としては、例えば、クロム（Ｃｒ）やモリブテン（Ｍｏ）等の金属膜を遮光膜３９として使用したり、あるいは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂その他の基材中に分散させたものなどを用いたりすることができる。さらに、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色材を重ね合わせることにより、遮光膜を形成することもできる。
【００２９】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１０のように、一対の基板のうちのいずれかの基板上にスイッチング素子６９を備えている場合には、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、遮光膜３９を、スイッチング素子６９の形成領域と重なる位置にも形成することが好ましい。
この理由は、素子基板６０上のスイッチング素子６９部の光抜けが発生しないようにして、コントラストの低下を防止することができるためである。
なお、液晶表示装置１０において、後述するように、所定方向に隣接する画素Ｇに対応したスイッチング素子６９を構成する電極の一部を共有させてある場合には、スイッチング素子６９が近接して配置されるために、スイッチング素子６９と重なる位置に遮光膜３９を形成する際に、遮光膜３９の面積を小さくすることができるとともに、簡易な形状として配置することができる。
【００３０】
（４）着色層
また、着色層３７は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させて所定の色調を呈するものとされている。着色層３７の色調の一例としては原色系フィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これに限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系や、その他の種々の色調で形成することができる。
また、着色層３７の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、このストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用することができる。
【００３１】
（５）絶縁層
また、本実施形態に係る液晶表示装置１０においては、カラーフィルタ基板３０上に、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの光硬化性又は熱硬化性の樹脂材料からなる絶縁層４０が形成されている。そして、図３（ｂ）に示すように、かかる絶縁層４０が、上述した反射領域Ｒにおける液晶材料層２１の層厚と透過領域Ｔにおける電気光学材料層２１の層厚とを異ならせるために反射領域Ｒに形成され、当該絶縁層４０は、隣接する画素Ｇの反射領域Ｒが連なる方向（Ｘ方向）に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがって形成してあることを特徴とする。
すなわち、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔにおけるリタデーションを最適化するために、液晶材料層２１における反射領域Ｒを相対的に層薄部とし、透過領域Ｔを層厚部としたマルチギャップ構造の液晶表示装置１０において、一つの画素Ｇに含まれる、反射領域Ｒと透過領域Ｔの境界部分に存在する絶縁層４０の段差部分を少なくするように構成されている。
このように構成することにより、当該段差部分に起因する配向不良の発生を低減させることができ、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔそれぞれにおけるリタデーションを最適化しつつ、配向不良の発生を抑えて、表示特性に優れた液晶表示装置１０とすることができるためである。
【００３２】
より具体的には、マルチギャップ構造を構成するための従来の絶縁層の形状として、図１６（ａ）に示すように、それぞれの画素Ｇの中心部に方形の透過領域Ｔを配置した場合には、開口部７４０ａを有する絶縁層７４０が形成され、一つの画素Ｇには、四辺の段差部分が含まれる。また、図１６（ｂ）に示すように、それぞれの画素Ｇにおいて上半分に反射領域Ｒを配置し、下半分に透過領域Ｔを配置した場合には、横方向（Ｙ方向）に配列された画素Ｇにまたがってストライプ状の絶縁層７４０が形成され、一つの画素Ｇには、横方向（Ｙ方向）に二本の段差部分が含まれる。さらに、図１６（ｃ）に示すように、それぞれの画素Ｇにおいて上下に反射領域Ｒを配置し、その間に透過領域Ｔを配置した場合には、横方向（Ｙ方向）に配列された画素Ｇにまたがって、二本のストライプ状の絶縁層７４０が形成され、一つの画素Ｇには、横方向（Ｙ方向）に四本の段差部分が含まれる。
一方、隣接する画素Ｇの反射領域Ｒが連なる方向（Ｘ方向）に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがって絶縁層４０を形成した場合には、それぞれ、一つの画素Ｇに含まれる段差部分を少なくすることができる。すなわち、図６（ａ）に示すように、それぞれの画素Ｇ内に方形の透過領域Ｒを配置する場合には、一つの画素Ｇに含まれる絶縁層４０の段差部分を四辺から三辺に減らすことができる。また、図６（ｂ）に示すように、それぞれの画素Ｇにおいて上半分に反射領域Ｒを配置し、下半分に透過領域Ｔを配置する場合には、一つの画素Ｇに含まれる絶縁層４０の段差部分を二本から一本に減らすことができる。さらに、図６（ｃ）に示すように、それぞれの画素Ｇにおいて上下に反射領域Ｒを配置し、その間に透過領域Ｔを配置する場合には、一つの画素Ｇに含まれる絶縁層４０の段差部分を四本から二本に減らすことができる。
【００３３】
ただし、図６（ｂ）又は（ｃ）に示すように、所定方向（Ｘ方向）に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがって形成する絶縁層４０は、隣接する画素Ｇの反射領域Ｒが連なる方向と直交する方向（Ｙ方向）に沿って配列された画素Ｇにまたがってストライプ状に形成してあることが好ましい。
この理由は、このようにストライプ状に形成することにより、それぞれの画素Ｇにおける絶縁層４０の段差部分を、所定方向（Ｙ方向）に沿って形成されるもののみとすることができ、一つの画素Ｇに含まれる絶縁層４０の段差部分をより少なくすることができるためである。したがって、反射領域Ｒ及び透過領域Ｔそれぞれにおけるリタデーションを最適化しつつ、絶縁層４０の段差部分に起因する配向不良の発生を効果的に低減させることができる。
よって、図６（ｂ）に示すように構成することにより、一つの画素Ｇに含まれる絶縁層４０の段差部分を一本のみとすることができ、表示特性により優れた液晶表示装置１０とすることができる。
【００３４】
また、かかる絶縁層４０における段差部分をテーパ状とすることが好ましい。この理由は、かかる段差部分が垂直状であると、絶縁層４０上に形成される電極３３等の密着性が低下し、断線等が生じて、表示不良が発生する場合があるためである。
また、かかる絶縁層４０における段差部分を反射領域Ｒに形成してあることが好ましい。この理由は、かかる絶縁層４０の段差部分が透過領域Ｔに存在すると、透過型表示における表示特性を低下させてしまう場合があるためである。例えば、ノーマリーホワイトモードの液晶表示装置１０である場合に、段差部分において配向不良が生じることにより光りぬけが発生したりする場合がある。
【００３５】
なお、リタデーションを最適化するために、液晶材料層２１において反射領域Ｒを層薄部とし、透過領域Ｔを層厚部として構成するためには、上述のように、かかる絶縁層４０を反射領域Ｒにのみ形成する場合に限られず、図７（ａ）〜（ｂ）に示すように、反射領域Ｒに対応した厚肉部４０ａと、透過領域Ｔに対応した薄肉部４０ｂを備えた絶縁層４０によって構成することもできる。この場合には、絶縁層４０における厚肉部４０ａは、隣接する画素Ｇの反射領域Ｒが連なる方向（Ｘ方向）に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがって形成されることとなる。
また、反射領域Ｒにのみ絶縁層４０を設けた場合、又は、反射領域Ｒに厚肉部４０ａを、透過領域Ｔに薄肉部４０ｂを備えた絶縁層４０を設けた場合のいずれにおいても、液晶材料層２１は、反射領域Ｒに対応した層薄部と、透過領域Ｔに対応した層厚部と、を備え、反射領域Ｒに対応した層薄部は、隣接する画素Ｇの反射領域Ｒが連なる方向に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがって形成されることとなる。
【００３６】
（６）走査電極及び配向膜
また、絶縁層４０の上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査電極３３が形成されている。かかる走査電極３３は、複数の透明電極が並列したストライプ状に構成されている。そして、この走査電極３３の上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜４５が形成されている。
【００３７】
４．素子基板
（１）基本構成
また、素子基板６０は、図８（ａ）〜（ｂ）に示すように、基本的に、ガラス基板等からなる基体６１と、データ線６５と、スイッチング素子としてのＴＦＤ素子６９と、画素電極６３と、から構成されている。また、画素電極６３上には、ポリイミド樹脂等からなる配向膜７５が形成されている。さらに、基体６１の外面には、位相差板（１／４波長板）７７及び偏光板７９が配置されている。
なお、図８（ａ）は、素子基板６０の概略平面図であり、図８（ｂ）は、素子基板６０の概略断面図である。また、配向膜や偏光板等についてはそれぞれ適宜省略されている。
【００３８】
（２）データ線及び引回し配線
素子基板６０上のデータ線６５は、図８（ａ）に示すように、複数の配線が並列したストライプ状に構成されている。また、図示しないが、ドライバ等の実装領域側の辺に対して垂直方向に延びる辺側には、導電性粒子を含むシール材を介してカラーフィルタ基板３０上の走査電極３３と電気的に接続される引回し配線が設けられている。
かかるデータ線６５や引回し配線は、製造工程の簡略化及び電気抵抗の低下の観点から、後述するニ端子型非線型素子の形成と同時に形成されるため、例えば、タンタル層、酸化タンタル層、及びクロム層が順次形成されて構成されている。
【００３９】
（３）画素電極
また、それぞれのデータ線６５には、スイッチング素子６９を介して画素電極６３が電気的に接続されている。また、画素電極６３は、それぞれのデータ線６５の間にマトリクス状に配置されている。
かかる画素電極６３は、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等の透明導電材料を用いて形成することができる。
【００４０】
（４）スイッチング素子
また、素子基板６０上には、データ線６５と画素電極６３とを電気的に接続するスイッチング素子６９としてのＴＦＤ素子６９が形成されている。かかるＴＦＤ素子６９は、一般的に、タンタル（Ｔａ）合金からなる素子第１電極７１、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）からなる絶縁膜７２、及びクロム（Ｃｒ）からなる素子第２電極７３、７４が順次積層されたサンドイッチ構造を有している。そして、正負方向のダイオードスイッチング特性を示し、しきい値以上の電圧が、素子第１電極７１及び素子第２電極７３、７４の両端子間に印加されると導通状態となるアクティブ素子である。
【００４１】
また、二個のＴＦＤ素子６９ａ、６９ｂは、データ線６５と、画素電極６３との間に介在するように形成され、反対のダイオード特性を有する第１のＴＦＤ素子６９ａ及び第２のＴＦＤ素子６９ｂから構成してあることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、印加する電圧波形として、正負対称なパルス波形を使用することができ、液晶表示装置等における液晶材料の劣化を防止することができるためである。すなわち、液晶材料の劣化を防止するために、ダイオードスイッチング特性が、正負方向において対称的であることが望まれ、二個のＴＦＤ素子６９ａ、６９ｂを逆向きに直列接続することにより、正負対称なパルス波形を使用することができるためである。
【００４２】
また、隣接する画素における対向する辺側に反射領域Ｒを配置した本発明の液晶表示装置１０においては、図９に示すように、かかるＴＦＤ素子６９を、それぞれの画素における反射領域Ｒに配置することが好ましい。
この理由は、かかる素子６９を透過領域Ｔに配置すると、本来、電圧によって駆動しない領域にあるために、光抜けが発生して、コントラストが著しく低下する場合があるためである。逆に、反射領域Ｒにおいては、コントラストが、もともと透過領域Ｔと比較して若干低い傾向にあるために、光抜けによるコントラストへの影響が小さく、相対的に、透過領域Ｔに配置するよりも、表示特性への影響を小さくすることができる。
したがって、光反射膜３５が形成された反射領域Ｒに素子６９を配置することによって、かかる表示特性への影響を小さくすることができるとともに、素子６９が近接して配置されているために、簡易な形状での遮光膜の形成等が容易になる。
【００４３】
また、ＴＦＤ素子６９をそれぞれの画素における反射領域Ｒに配置するにあたり、図１０（ａ）〜（ｃ）に示すように、データ線６５に沿った方向に隣接するか、又は、データ線６５に沿って斜め方向に隣接する二つの画素に対応したＴＦＤ素子６９を構成する電極の一部を共有させることが好ましい。
この理由は、所定方向に隣接する画素に対応したＴＦＤ素子６９を、同じ画素間領域にまとめて配置することができるために、ＴＦＤ素子６９を配置するための画素間領域を小さく構成することができ、画素面積を拡大することができるためである。
【００４４】
より具体的には、図１０（ａ）は、データ線６５に沿って隣接する二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を、データ線６５に沿って二画素にまたがって配置するとともに、当該素子第１電極７１を共有させて構成した例である。
また、図１０（ｂ）は、データ線６５に沿って隣接する二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を、それらの二つの画素電極６３間に、データ線６５に直交する方向に配置するとともに、当該素子第１電極７１を共有させて構成した例である。
さらに、図１０（ｃ）は、データ線６５に沿って斜め方向に隣接する二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９を構成する素子第１電極７１を、データ線６５をはさんで両側にまたがって配置するとともに、当該素子第１電極７１を共有させて構成した例である。
【００４５】
かかる図１０（ａ）の例では、それぞれの画素電極６３において、隣接する画素電極６３に接続されるＴＦＤ素子６９を構成する素子第２電極７４が入り込むことがないために、画素面積が広く確保されている。また、図１０（ｂ）や（ｃ）の例では、それぞれの画素電極において、隣接する画素電極６３に接続される素子第２電極７４の一部が入り込んできているものの、それ以上に、画素電極６３自身が接続されるＴＦＤ素子６９を配置するために確保する面積が小さくされているために、画素全体としては画素面積が広く確保されている。
ただし、それぞれの画素電極６３における、データ線６５とＴＦＤ素子６９との接続箇所から、ＴＦＤ素子６９と画素電極６３との接続箇所までの電流経路の長さを等しくすることにより、それぞれの画素に対する電流の抵抗値の均一化を図り、表示特性を向上させることができることから、図１０（ａ）や（ｃ）に示すような構成とすることが好ましい。
【００４６】
なお、図１６に示す従来の素子基板、及び、図１０（ａ）〜（ｃ）に示す本発明に係る液晶表示装置に使用される素子基板、それぞれにおける開口率を測定したところ、図１６に示す従来の素子基板の構成では６３．８３％であるのに対し、図１０（ａ）に示す構成では６４．４９％、図１０（ｂ）に示す構成では６４．７４％、図１０（ｃ）に示す構成では６５．０６％であった。
したがって、本発明に係る電気光学装置においては、従来のものと比較して、それぞれ画素の開口面積が拡大されていることが理解される。
【００４７】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態は、一対の基板が電気光学材料層を狭持してなるとともに、それぞれ反射領域及び透過領域を含む複数の画素を備えた電気光学装置の製造方法である。そして、基板上に、隣接する画素における互いに対向する辺側を反射領域とするための光反射膜を形成する工程と、反射領域における電気光学材料層の層厚と透過領域における電気光学材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層を、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがるように、少なくとも反射領域に形成する工程と、を含むことを特徴とする。
以下、第２実施形態にかかる電気光学装置の製造方法として、第１実施形態の電気光学装置の製造方法の一例を、図１１〜図１３を適宜参照しながら説明する。
【００４８】
１．カラーフィルタ基板の製造工程
カラーフィルタ基板３０は、図１１〜図１２に示すように、ガラス基板からなる基体３１における、表示領域に相当する箇所に、光反射膜３５、遮光膜３９、着色層３７、絶縁層４０、及び走査電極３３、配向膜４５等を順次形成することにより製造することができる。
ここで、本実施形態で製造する液晶表示装置１０は、隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に反射領域Ｒが配置されている。そのため、カラーフィルタ基板３０には、反射領域Ｒにおける液晶材料層の層厚と透過領域Ｔにおける液晶材料層の層厚とを異ならせるための絶縁層４０が反射領域Ｒに形成され、当該絶縁層４０は、隣接する画素Ｇの反射領域Ｒが連なる方向に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがって形成されている。
したがって、カラーフィルタ基板の製造工程には、光反射膜３５及び絶縁層４０を形成する際に、隣接する画素Ｇの反射領域Ｒが連なる方向に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがるように形成する工程を含んでいる。
【００４９】
すなわち、アルミニウムや銀等からなる金属材料を、蒸着法やスパッタリング法等により基板上に塗布した後、エッチング法等により所定形状にパターニングすることにより、図１１（ａ）に示すように、隣接する画素Ｇにおける対向する辺側に反射領域Ｒが配置されるように、光反射膜３５を形成する。
また、図１１（ｄ）〜図１２（ａ）に示すように、着色層３７等が形成された基板上に、アクリル樹脂等の透明樹脂層４０Ｘを形成した後、所定形状にパターニングされたパターンマスク１２１を介して露光し、現像処理することにより、反射領域Ｒに対応した絶縁層４０を形成することができる。
なお、それ以外の遮光膜３９や着色層３７等については、その形成方法は特に制限されるものではなく、公知の方法により形成することができる。
【００５０】
２．素子基板の製造工程
（１）素子第１電極の形成
素子基板６０は、まず、図１３（ａ）に示すように、ガラス基板からなる基体６１上に、素子第１電極７１を形成する。この素子第１電極７１は、例えば、タンタル合金から構成されており、スパッタリング法や電子ビーム蒸着法を用いて形成することができる。このとき、素子第１電極７１の形成前に、第２のガラス基板６１に対する素子第１電極７１の密着力を著しく向上させることができるとともに、第２のガラス基板６１から素子第１電極７１への不純物の拡散を効率的に抑制することができることから、基体６１上に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）等からなる絶縁膜を形成することも好ましい。
このとき、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法においては、素子第１電極７１を、データ線６５に沿って隣接するか、又はデータ線６５に沿って斜め方向に隣接する、二つの画素電極６３に対応したＴＦＤ素子６９に共有させるために、隣接する二つの画素Ｇにまたがって形成することが好ましい。この理由は、ＴＦＤ素子６９の形成領域を小さくする一方、画素電極６３を大きくすることができるため、それぞれの画素面積を拡大して、コントラスト等の表示特性を向上させた電気光学装置を効率的に製造することができるためである。
【００５１】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、素子第１電極７１の表面を陽極酸化法によって酸化させることにより、酸化膜７２を形成する。より具体的には、素子第１電極７１が形成された基板を、クエン酸溶液等の電解液中に浸漬した後、かかる電解液と、素子第１電極７１との間に所定電圧を印加して、素子第１電極７１の表面を酸化させることができる。
【００５２】
（２）素子第２電極及びデータ線の形成
次いで、再び、スパッタリング法等により、素子第１電極７１を含む基板上に、全面的に金属膜を形成し、それをフォトリソグラフィ法によって、パターニングすることにより、図１３（ｃ）に示すように、素子第２電極７３、７４及びデータ線６５を形成する。このようにして、ＴＦＤ素子６９及びデータ線６５を形成することができる。
【００５３】
（３）画素電極の形成
次いで、図１３（ｄ）に示すように、スパッタリング法等により、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物等）等の透明導電体材料からなる透明導電層を形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングすることにより、ＴＦＤ素子６９と電気的に接続された画素電極６３を形成する。
【００５４】
（４）配向膜の形成
次いで、図１３（ｅ）に示すように、画素電極６３等が形成された素子基板６０上に、ポリイミド樹脂等からなる配向膜７５を形成することにより、素子基板６０を製造することができる。
【００５５】
３．貼り合わせ工程
次いで、図示しないものの、カラーフィルタ基板３０又は素子基板６０のいずれか一方において、表示領域を囲むようにしてシール材２３を積層した後、他方の基板を重ね合わせて、加熱圧着することにより、カラーフィルタ基板３０及び素子基板６０を貼り合わせて、セル構造を形成する。
【００５６】
４．後工程  
次いで、セル内に、シール材の一部に設けられた注入口から液晶材料を注入した後、封止材等により封止する。
さらに、カラーフィルタ基板３０及び素子基板６０それぞれの外面に、位相差板（１／４λ板）及び偏光板を配置したり、ドライバを実装したりするとともに、バックライト等とともに筐体に組み込むことにより、液晶表示装置を製造することができる。
【００５７】
［第３実施形態］
第３実施形態は、第１実施形態の半透過反射型の電気光学装置を、スイッチング素子として三端子型の能動素子であるＴＦＴ素子（Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置に適用したものである。
【００５８】
図１４（ａ）に第３実施形態に係る液晶表示装置２１０の断面図を示し、図１４（ｂ）に液晶表示装置２１０の平面図を示す。かかる図１４（ａ）に示すように、液晶表示装置２１０は、対向基板２３０と素子基板２６０とが、それらの周辺部においてシール材によって貼り合わせられ、さらに、対向基板２３０、素子基板２６０及びシール材によって囲まれる間隙内に液晶材料を封入して形成されている。
【００５９】
また、対向基板２３０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該対向基板２３０上には、カラーフィルタすなわち着色層２３７と、その着色層２３７の上に形成された対向電極２３３と、その対向電極２３３の上に形成された配向膜２４５とを備えている。また、反射領域Ｒにおける着色層２３７と対向電極２３３との間には、リタデーションを最適化するための絶縁層２４０を備えている。
ここで、対向電極２３３は、ＩＴＯ等によって対向基板２３０の表面全域に形成された面状電極である。また、着色層２３７は、素子基板２６０側の画素電極２６３に対向する位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）又はＣ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）等といった各色のいずれかの色フィルタエレメントを備えている。そして、着色層２３７の隣であって、画素電極２６３に対向しない位置にブラックマスク又はブラックマトリクスすなわち遮光膜２３９が設けられている。
【００６０】
また、対向基板２３０に対向する素子基板２６０は、ガラス、プラスチック等によって形成され、当該素子基板２６０上には、スイッチング素子として機能するアクティブ素子としてのＴＦＴ素子２６９と、透明な絶縁膜２８０を挟んでＴＦＴ素子２６９の上層に形成された画素電極２６３と、を備えている。
ここで、画素電極２６３は、反射領域Ｒにおいては反射表示を行うための光反射膜２９５（２６３ａ）を兼ねて形成されるとともに、透過領域Ｔにおいては、ＩＴＯなどにより透明電極２６３ｂとして形成される。また、画素電極２６３ａとしての光反射膜２９５は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等といった光反射性材料によって形成される。そして、画素電極２６３の上には配向膜２８５が形成されるとともに、この配向膜２８５に対して、配向処理としてのラビング処理が施される。
【００６１】
また、対向基板２３０の外側（すなわち、図１４（ａ）の上側）表面には、位相差板２４７が形成され、さらにその上に偏光板２４９が形成されている。同様に、素子基板２６０の外側（すなわち、図１４（ａ）の下側）表面には、位相差板２８７が形成され、さらにその下に偏光板２８９が形成されている。さらに、素子基板２６０の下方にはバックライトユニット（図示せず）が配置される。
【００６２】
また、ＴＦＴ素子２６９は、素子基板２６０上に形成されたゲート電極２７１と、このゲート電極２７１の上で素子基板２６０の全域に形成されたゲート絶縁膜２７２と、このゲート絶縁膜２７２を挟んでゲート電極２７１の上方位置に形成された半導体層２９１と、その半導体層２９１の一方の側にコンタクト電極２７７を介して形成されたソース電極２７３と、さらに半導体層２９１の他方の側にコンタクト電極２７７を介して形成されたドレイン電極２６６とを有する。
また、ゲート電極２７１はゲートバス配線（図示せず）から延びており、ソース電極２７３はソースバス配線（図示せず）から延びている。また、ゲートバス配線は第２の基板２６０の横方向に延びていて縦方向へ等間隔で平行に複数本形成されるとともに、ソースバス配線はゲート絶縁膜２７２を挟んでゲートバス配線と交差するように縦方向へ延びていて横方向へ等間隔で平行に複数本形成される。
かかるゲートバス配線は液晶駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて例えば走査線として作用し、他方、ソースバス配線は他の駆動用ＩＣ（図示せず）に接続されて例えば信号線として作用する。
また、画素電極２６３は、互いに交差するゲートバス配線とソースバス配線とによって区画される方形領域のうちＴＦＴ素子２６９に対応する部分を除いた領域に形成されている。
【００６３】
ここで、ゲートバス配線及びゲート電極は、例えばクロム、タンタル等によって形成することができる。また、ゲート絶縁膜２７２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等によって形成される。半導体層２９１は、例えばドープトａ−Ｓｉ、多結晶シリコン、ＣｄＳｅ等によって形成することができる。さらに、コンタクト電極２７７は、例えばａ−Ｓｉ等によって形成することができ、ソース電極２７３及びそれと一体なソースバス配線並びにドレイン電極２６６は、例えばチタン、モリブデン、アルミニウム等によって形成することができる。
【００６４】
また、有機絶縁膜２８０は、ゲートバス配線、ソースバス配線及びＴＦＴ素子２６９を覆って第２の基板２６０上の全域に形成されている。但し、有機絶縁膜２８０のドレイン電極２６６に対応する部分にはコンタクトホール２８３が形成され、このコンタクトホール２８３の所で画素電極２６３とＴＦＴ素子２６９のドレイン電極２６６との導通がなされている。
また、かかる有機絶縁膜２８０には、反射領域Ｒに対応する領域に、散乱形状として、山部と谷部との規則的な又は不規則的な繰り返しパターンから成る凹凸パターンを有する樹脂層が形成されている。この結果、有機絶縁膜２８０の上に積層される光反射膜２９５（２６３ａ）も同様にして凹凸パターンから成る光反射パターンを有することになる。但し、この凹凸パターンは、透過領域Ｔには形成されていない。
【００６５】
以上のような構造を有する液晶表示装置２１０において、反射表示の際には、太陽光や室内照明光などの外光が、第１の基板２３０側から液晶表示装置２１０に入射するとともに、着色層２３７や液晶材料２２１などを通過して光反射膜２９５に至り、そこで反射されて再度液晶材料２２１や着色層２３７などを通過して、液晶表示装置２１０から外部へ出ることにより、反射表示が行われる。
一方、透過表示の際にはバックライトユニット（図示せず）が点灯されるとともに、バックライトユニットから出射された光が、透光性の透明電極２６３ｂ部分を通過し、着色層２３７、液晶材料２２１などを通過して液晶表示パネル２２０の外部へ出ることにより、透過表示が行われる。
【００６６】
また、第３実施形態の液晶表示装置２１０は、図１４（ａ）〜（ｂ）に示すように、隣接する画素Ｇにおける互いに対向する辺側に反射領域Ｒが配置され、上述した対向基板２３０における絶縁層２４０は、隣接する画素Ｇの反射領域が連なる方向に沿って隣接する二つの画素Ｇにまたがって形成してあることを特徴としている。
したがって、第１実施形態で説明したＴＦＤ素子を備えた液晶表示装置と同様に、一つの画素Ｇに含まれる絶縁層２４０の段差部分を少なくして、液晶材料の配向不良の発生を低減させることができるために、表示特性を向上させることができる。
【００６７】
［第４実施形態］
本発明に係る第４実施形態として、第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
【００６８】
図１５は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機器は、液晶表示装置に備えられた液晶パネル２０と、これを制御するための制御手段２００とを有している。また、図１５中では、液晶パネル２０を、パネル構造体２０ａと、半導体素子（ＩＣ）等で構成される駆動回路２０ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段２００は、表示情報出力源２０１と、表示処理回路２０２と、電源回路２０３と、タイミングジェネレータ２０４とを有することが好ましい。
また、表示情報出力源２０１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２０４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示処理回路２０２に供給するように構成されていることが好ましい。
【００６９】
また、表示処理回路２０２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路２０ｂへ供給することが好ましい。さらに、駆動回路２０ｂは、第１の電極駆動回路、第２の電極駆動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路２０３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、マルチギャップ構造を形成するための絶縁層を、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成してある液晶表示装置を備えるために、表示特性に優れた画像表示を実現できる電子機器とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明によれば、マルチギャップ構造を形成するための絶縁層を、隣接する画素の反射領域が連なる方向に沿って、隣接する二つの画素にまたがって形成することにより、絶縁層の段差部分を少なくして、表示特性に優れた電気光学装置とすることができる。したがって、液晶表示装置等の電気光学装置や電子機器、例えば、携帯電話機やパーソナルコンピュータ等をはじめとして、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電気泳動装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた電子機器などに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての液晶表示装置の概略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ反射領域の配置について説明するために供する図である。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ絶縁層を備えたカラーフィルタ基板を示す断面図及び平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ光反射膜における開口部の配置例である。
【図５】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ遮光膜の配置について説明するために供する図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ一つの画素に含まれる絶縁層の段差部分の数について説明するために供する図である。
【図７】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ厚肉部及び薄肉部を備えた絶縁層を備えたカラーフィルタ基板を示す断面図及び平面図である。
【図８】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ素子基板の概略平面図、及び概略断面図である。
【図９】素子の配置について説明するために供する図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ素子第１電極を共有するＴＦＤ素子の構成例である。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は、カラーフィルタ基板の製造方法を説明するために供する図である（その１）。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、カラーフィルタ基板の製造方法を説明するために供する図である（その２）。
【図１３】（ａ）〜（ｅ）は、素子基板の製造方法を説明するために供する図である。
【図１４】（ａ）〜（ｂ）は、それぞれ第３実施形態に係る液晶表示装置を示す概略断面図及び概略平面図である。
【図１５】第４実施形態の電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図１６】従来の電気光学装置における反射領域の配置を説明するために供する図である。
【図１７】（Ａ）〜（Ｃ）は、それぞれ従来のマルチギャップ構造の電気光学装置の構成を説明する図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０：電気光学装置（液晶表示装置）、２３：シール材、３０：カラーフィルタ基板、３５：光反射膜、３５ａ：開口部、４０：絶縁層、４０ａ：厚肉部、４０ｂ：薄肉部、４０Ｘ：透明樹脂層、６０：素子基板、６３：画素電極、６５：データ線、６９：ＴＦＤ素子、７１：素子第１電極、７２：絶縁膜、７３・７４：素子第２電極、７５：配向膜、２１０：電気光学装置（液晶表示装置）、２４０：絶縁層、２６９：ＴＦＴ素子
【図１】
2006091059.tif 000003
【図２】
2006091059.tif 000004
【図３】
2006091059.tif 000005
【図４】
2006091059.tif 000006
【図５】
2006091059.tif 000007
【図６】
2006091059.tif 000008
【図７】
2006091059.tif 000009
【図８】
2006091059.tif 000010
【図９】
2006091059.tif 000011
【図１０】
2006091059.tif 000012
【図１１】
2006091059.tif 000013
【図１２】
2006091059.tif 000014
【図１３】
2006091059.tif 000015
【図１４】
2006091059.tif 000016
【図１５】
2006091059.tif 000017
【図１６】
2006091059.tif 000018
【図１７】
2006091059.tif 000019