(57)【要約】【課題】  光学記録媒体の高密度化に対応すべく青色レーザー光による情報の記録及び再生に対応した光学記録媒体が要望されている。従来の光学記録媒体で有機化合物色素として使用されている２，４−ジヒドロキシタイプのスクワリリウム化合物は、青色レーザー光による記録及び再生に適した４０５ｎｍ付近に最大ピークの吸収波長（λmax）を有さない。【解決手段】  基板、及び該基板上に形成された記録層を含む光学記録媒体において、前記記録層が、下記一般式（１）で表わされるスクワリリウム化合物を含有する光学記録媒体。下記一般式（１）の１，２−ジオン型スクワリリウム化合物は４０５ｎｍ付近に最大ピークの吸収波長（λmax）を有し、かつ適度なモル吸光係数を有するため、青色レーザー光を使用する光学記録媒体用の有機化合物色素として有用である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、及び該基板上に形成された記録層を含む光学記録媒体において、前記記録層が、下記一般式（１）で表わされる（一般式(１)中、Ｒ1はハロゲン原子、水酸基、又は未置換のアルコキシ基又は置換又は未置換のフェノキシ基を表わし、Ｒ2〜Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基又は置換又は未置換のアルキル基を表わし、Ｒ6及びＲ7は、それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアルキル基又は置換又は未置換の芳香族環を表し、Ｒ6及びＲ7は炭素数４〜６の飽和又は不飽和複素環を形成していても良い）スクワリリウム化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体。
【化１】
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【請求項２】
Ｒ1が水酸基又はアルコキシ基である請求項１に記載の光学記録媒体。
【請求項３】
情報の記録又は再生に使用するレーザー光の波長が３７５〜４３５ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光再生装置、光記録再生装置、光ディスク装置などで使用可能な光学記録媒体に関し、より詳細には青色レーザー光による情報の記録及び再生に対応した光学記録媒体に関し、更に詳細にはスクワリリウム化合物を有機色素として含有する光学記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から光学記録媒体として、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物光学記録媒体、有機色素系光学記録媒体などが提案されているが、これらの中でも有機色素系光学記録媒体が、コスト的に安価で且つ製造プロセスも容易であるという点で優れている。
現在の光学記録媒体の主流であるＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）は記録容量は０．６５ＧＢ程度で、情報量の飛躍的増加に伴って、より高密度で大容量の光学記録媒体への要求が高まっている。
【０００３】
こうした光学記録媒体では、短波長のレーザー光を情報の記録・再生に用いることによって、記録・再生時のレーザー光のビームスポットを小さくすることができ、高密度な光記録が可能になるので、近年では、より短波長の発振波長を有する半導体レーザーの開発が進められている。
現在のＣＤ−Ｒに使用されているレーザー光の波長（７８０ｎｍ）よりも短い発振波長（６８０ｎｍ、６５０ｎｍ、６３５ｎｍなど）の赤色半導体レーザーが実用化され、これを用いて高密度の大容量記録を実現したデジタルヴァーサタイルディスク（ＤＶＤ）、更に同規格の追記可能な光学記録媒体であるＤＶＤ−Ｒなどが、すでに実用化されている。
【０００４】
これらの各種デバイスにおける前記高密度化を一層進展させるために、より短い発振波長（青色半導体の発振波長は３５０ｎｍ〜５３０ｎｍ）を有するレーザーである青色半導体レーザーの開発も急速に進んでいる。更に次世代光学記録媒体で用いる波長は４０５ｎｍであり、この波長付近例えば４０５±３０ｎｍに吸収ピークを有し光学記録媒体の記録層で使用可能な有機化合物を利用することで一層の高密度記録・再生が可能になると期待されている。
前記有機化合物としてスクワリリウム化合物が提案されている（特開２００４−２６４８０５号公報、特開２００４−２５８５１４号公報）。これらのスクワリリウム化合物は４員環の２位及び４位がヒドロキシ化された２，４−ジヒドロキシタイプで、１位及び３位が芳香族環で置換されている。
【０００５】
一方、光学記録媒体における情報の記録時には、前記記録層に対して高エネルギーのレーザー光を照射して記録層中の前記有機化合物（色素）を分解・発熱させ、記録層や基板に物理変化や化学変化を生じさせることにより、記録情報に対応するピットを形成する。又情報の再生時には、前記記録層に低エネルギーのレーザー光を照射し、ピットが形成された部分とそれ以外の部分でレーザー光の反射率が異なることを検出してピットに対応する情報を再生する。
このような情報の記録及び再生を良好に行うためには、記録層中の有機化合物が適度なモル吸光係数を有していることが望ましい。つまりモル吸光係数が低すぎると十分な感度のピット形成が困難となり、逆にモル吸光係数が高すぎると分解・発熱が激しくなり、信頼性のあるピット形成が困難にある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前記した２，４−ジヒドロキシタイプのスクワリリウム化合物は主たる吸収ピークが５３０〜６００ｎｍにあり、次世代の青色半導体レーザー用光学記録媒体として不適切である。更にこれらの化合物は４員環の２位及び４位にそれぞれ複雑な芳香族環を有するため、合成に手間が掛かり合成コストも高くなりがちである。
従って本発明は、次世代の青色半導体レーザーによる情報の記録及び再生用として適切な吸収ピークや適度のモル吸光係数を有する有機化合物をその記録層中に有する光学記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板、及び該基板上に形成された記録層を含む光学記録媒体において、前記記録層が、下記一般式（１）で表わされる（一般式(１)中、Ｒ1はハロゲン原子、水酸基、又は未置換のアルコキシ基又は置換又は未置換のフェノキシ基を表わし、Ｒ2〜Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、水酸基又は置換又は未置換のアルキル基を表わし、Ｒ6及びＲ7は、それぞれ独立して水素原子、置換又は未置換のアルキル基又は置換又は未置換の芳香族環を表し、Ｒ6及びＲ7は炭素数４〜６の飽和又は不飽和複素環を形成していても良い）スクワリリウム化合物を含有することを特徴とする光学記録媒体である。
【化１】
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【０００８】
以下本発明を詳細に説明する。
本発明者らは、従来から光学記録媒体の記録層で使用されているスクワリリウム化合物の置換基の種類や置換位置を変えて各種スクワリリウム化合物の吸収ピークを測定することを試みたが、いずれも前述した５３０〜６００ｎｍ程度であり、次世代の青色半導体レーザー用として望ましい４０５ｎｍ付近の吸収ピークを有する化合物は得られなかった。
この理由を本発明者らは次のように推測した。つまり従来の光学記録媒体用のスクワリリウム化合物は、２，４−ジヒドロキシタイプのスクワリリウム４員環構造であり、この２，４−ジヒドロキシタイプの４員環構造を有するスクワリリウム化合物は置換基の種類や置換位置を変える程度では大幅な吸収ピークの波長変更は不可能である。
【０００９】
従って本発明者らは、光学記録媒体用のスクワリリウム化合物の４員環の構造を従来の２，４−ジヒドロキシタイプから１，２ジオンタイプに変換し、得られた１，２ジオンタイプのスクワリリウム化合物の吸収ピークが次世代の青色半導体レーザー用として望ましい４０５ｎｍ付近に存在することを見出し、本発明に到達したものである。
本発明は上述の通り、少なくとも基材と、該基材上に形成された記録層を含み、この記録層中に前記一般式（１）のスクワリリウム化合物を含むことを特徴とする。
【００１０】
一般式（１）中、Ｒ1は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；水酸基；又はメトシキ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等の炭素数１〜６の未置換アルコキシ基；クロルメトキシ基やベンジロキシ基等の置換アルコキシ基；フェノキシ基や４−クロルフェノキシ基等の置換又は未置換のフェノキシ基から選択される原子や置換基を表わす。
一般式（１）中、Ｒ2〜Ｒ5は同一でも異なっていても良く、水素原子；塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子等のハロゲン原子；水酸基；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜８の直鎖又は分岐の未置換アルキル基；クロルメチル基等の置換アルキル基；シクロペンチル基やシクロヘキシル基等の炭素数５〜６のシクロアルキル基から選択される。
【００１１】
一般式（１）中、Ｒ6とＲ7は同一でも異なっていても良く、水素原子；メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−へプチル基等の炭素数１〜８の直鎖又は分岐の未置換アルキル基；クロルメチル基、フルオロメチル基、ブロモメチル基、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン（特にフッ素）置換アルキル基及びヒドロキシメチル基等のヒドロキシ置換アルキル基等を含む各種置換アルキル基；シクロペンチル基やシクロヘキシル基等の炭素数５〜６のシクロアルキル基から選択される。なおＲ6とＲ7はそれぞれが結合する窒素原子とともに炭素数４〜６（５〜７員環）の複素環を形成していても良い。
一般式（１）のスクワリリウム化合物のＲ1〜Ｒ7は前述の原子又は置換基から選択されるが、特に好ましいスクワリリウム化合物として下記化合物Ａ〜Ｓが挙げられる。
【００１２】
【化２】
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【００１３】
【化３】
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【００１４】
一般式（１）のスクワリリウム化合物は、その最大ピークの吸収波長（λmax）が３６０〜４３５ｎｍ、好ましくは３８５〜４３５ｎｍ、更に好ましくは３９５〜４１５ｎｍに存在する。換言すると、前記スクワリリウム化合物の中の殆どが次世代の青色半導体レーザー用として望ましい最大ピークの吸収波長４０５ｎｍの前後±３０ｎｍ、そしてその中の多くが前後の±１０ｎｍに最大ピークの吸収波長を有する。
更に一般式（１）のスクワリリウム化合物は通常１×１０4〜１×１０5のモル吸光係数を有し、このモル吸光係数は、明確で信頼性の高いピット形成に適している。
各スクワリリウム化合物は溶媒に溶解しやすく、基板上への該スクワリリウム化合物を含む記録層の形成を容易かつ確実に行うことができる。
【００１５】
一般式（１）のスクワリリウム化合物はどのような工程を経て合成しても良いが、例えば次のように合成できる。つまりＲ1がＯＨ、Ｒ2＝Ｒ3＝Ｒ4＝Ｒ5＝Ｈ、Ｒ6＝Ｒ7＝ｎ−ブチルである前記化合物（Ｉ）は、原料であるＮ，Ｎ−ジブチルアニリンと3,4-ジクロロシクロ-3-ブテン-1,2-ジオンを反応させ、脱塩素化により前者の４位の水素と後者の３位の塩素の脱塩化水素化により両者を結合させてスクワリリウム環の３位が塩素であるスクワリリウム化合物を中間体として生成させ、更にこの中間体を加水分解することにより化合物（Ｉ）が得られる。
このように本発明のスクワリリウム化合物の骨格を、アニリン又はその誘導体と、前述の1,2-ジオン化合物の反応により１段階反応で形成することができる。従って従来の光学記録媒体で使用されている他の青色レーザー用のスクワリリウム化合物と比較すると、より簡便な合成ルートつまり少ないプロセスで目的化合物が得られることが判る。
前記記録層は一般式（１）のスクワリリウム化合物を単独で含んでいても複数化合物の混合物としても良い。更に当該スクワリリウム化合物以外に、アゾ系色素、フタロシアニン系色素、シアニン系色素など、他の色素を含有していても良い。
【００１６】
本発明の光情報記録媒体は、一定のトラックピッチのプレグループが形成された円盤状基板上に記録層、光反射層および保護層をこの順に有する構成、あるいは該基板上に光反射層、記録層、および保護層をこの順に有する構成であることが好ましい。また、一定のトラックピッチのプレグループが形成された透明な円盤状基板上に記録層、および光反射層が設けられてなる二枚の積層体が、それぞれの記録層が内側となるように接合された構成も好ましい。以下に、この構造の媒体を例に本発明の光学記録媒体について説明する。
本発明の光学記録媒体における基板の材質は、従来の光情報記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択する事ができる。基板材料としては、例えばガラス、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂およびポリエステル樹脂などを挙げることができ、上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性および価格などの点から射出成型ポリカーボネートが好ましい。記録層に接して樹脂基板または樹脂層を設け、その樹脂基板または樹脂層上に記録再生光の案内溝やピットを有していてもよい。案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチが０．５〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【００１７】
記録層の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の気相法やドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の液相法など一般に行われている薄膜形成方法によって行う事ができるが、量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。
液相法の溶媒としては、基板を侵さない溶媒であればよく、特に限定されない。例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２―ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；メチルシクロヘキサンなどの炭化水素、；ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ―プロパノール、イソプロパノール、ｎ―ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３―テトラフルオロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。上記溶剤は使用する化合物の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。
【００１８】
記録層の層厚は一般に２０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは３０〜３００ｎｍの範囲にあり、より好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲にある。
また、記録層は、記録層の耐光性を向上させるために、一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項クエンチャーとして、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サルチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α−ジケトン等の遷移金属キレート錯体や、芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物等が挙げられる。これらの成分の使用量はスクワリリウム化合物の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは３〜４０質量％の範囲である。
【００１９】
記録層の上には、前述の光反射層を形成してもよく、その膜厚は好ましくは、厚さ５０〜３００ｎｍである。光反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として適している。反射層は、例えば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーディングすることにより基板若しくは記録層の上に形成することができる。光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、５０〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
反射層の上に形成する可能な前述の保護層の材料としては、反射層を外力から保護するものであれば特に限定されない。有機物質の材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができる。また、無機物質としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｎＯ2等が挙げられる。
【００２０】
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良いし、１層だけではなく多層膜にして用いても良い。保護層の形成方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に０．１〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３〜３０μｍが好ましい。
本発明の光学記録媒体について使用されるレーザー光は、高密度記録のため波長は短いほど好ましいが、特に３５０〜４３０ｎｍの青紫色半導体レーザー光が好ましく、特にさらに好ましくは３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光である。
上記のようにして得られた本発明の光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けた記録層に０．４〜０．６μｍ程度に集束したレーザー光を照射することにより行う。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶解等の記録層の熱的変形が起こり、光学特性が変化する。記録された情報の再生は、レーザー光により、光学特性の変化が起きている部分と起きていない部分の反射率の差を読みとることにより行う。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように、一般式（１）のスクワリリウム化合物は、従来から光学記録媒体用として使用されてきたスクワリリウム化合物と異なり、最大ピークの吸収波長が次世代の青色半導体レーザー用として望ましい４０５ｎｍ付近（その殆どが４０５ｎｍ±３０ｎｍ、その多くが±１０ｎｍ）に存在し、更に適度なモル吸光係数を有する。
従って前記構造のスクワリリウム化合物を記録層中に含有する光学記録媒体は、青色半導体レーザー用として好ましく使用でき、青色半導体レーザー用の特色である高密度記録及び再生を確実に実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の光学記録媒体を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２３】
［実施例１］  ３-(Ｎ,Ｎ-ジブチルアニリノ)-４-クロロシクロ-３-ブテン-１，２-ジオン（化合物Ｐ）の合成（一般式（２）参照）
窒素雰囲気下にて、冷却管をつけた二つ口ナスフラスコに３,４-ジクロロシクロ-３-ブテン-１,２-ジオン(2.72g,18mmol、化合物Ｔ)とＮ,Ｎ-ジブチルアリニン(3.08g,51mmol)を入れ、そこに蒸留したジクロロメタン(15ml)を加え24時間室温にて攪拌した。反応終了後、NaHCO3水溶液で洗浄、クロロホルムにより抽出し溶媒を減圧留去した。固体をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル（Wakogel C-300）；展開溶媒：クロロホルム)にて精製し、黄色固体(2.01g,6.26mmol、化合物Ｐ)を得た。
【００２４】
化合物Ｐの収率、及びＮＭＲのデータは次の通りであった。
化合物Ｐ：収率42%;1H-NMR(CDCl3,25℃)d(デルタ)=8.12(D,J=9.3Hz,2H),6.71(d,J=9.3Hz,2H),3.40(t,J=7.8Hz,4H),, 1.63(quint,J=5.9Hz,4H),1.39(sext,J=7.5Hz,4H),0.99(t,J=7.3Hz,6H)
【００２５】
なお各実施例において、1H-NMRスペクトルはTMSを内部標準物質とし、JEOL  JNM-GX-270  FT-NMR、JEOL  JNM-LA−400  FT-NMRにより測定した。元素分析は、アセトアニリドを標準物質としYANACO-CHN-CORDER  MT-3により測定した。UV-VisスペクトルはSHIMADZU  UV−3100により測定した。蛍光スペクトルはSHIMADZU  RF−5000により測定した。マススペクトルはSHIMADZU  KOMPACT  MALDI２及びFinnigan  MAT  MS  Spectrometerにより測定した。
【００２６】
【化４】
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【００２７】
［実施例２］  ３-(Ｎ,Ｎ-ジブチルアニリノ)-４-ヒドロキシシクロ-３-ブテン-１，２-ジオン（化合物Ｉ）の合成（一般式（２）参照）
冷却管をつけた二つロナスフラスコに化合物Ｐ(1.50g,4.69mmmol)を入れ、酢酸(10ml)と蒸留水(2.5ml)を加えた。90℃にて５時間還流した後、室温まで冷却し、ろ過により黄色固体(1.01g,3.35mmol、化合物Ｉ)を得た。
【００２８】
化合物Ｉ:収率72%;1H-NMR(DMSO-d6,25℃)d(デルタ)=7.90(br,2H),6.84(br,2H),3.43(br,4H),1.56(br,4H),1.37 (br,4H),0.97(t,J=7.3Hz,6H),FAB-MS(m/z)302([M+1]+);Anal.Calcd.forC18H23NO3・0.5H2O:C,69.65;H,7.79;N,4.51;%.Found:C,69.67;H,7.77;N,4.42%
【００２９】
この化合物Ｉをそれぞれクロロフォルム及びメタノールに５μＭとなるように溶解させ、それぞれの溶液ごとに吸光スペクトルから最大ピークの吸収波長（λmax）を測定し、更にモル吸光係数（ε）を測定した。その結果を表１に示した。
更に図１に化合物Ｉの吸光スペクトル（溶媒：メタノール）を示した。
【００３０】
［実施例３］  ３-(Ｎ-ブチル,Ｎ-メチルアニリノ)-４-クロロシクロ-３-ブテン-１,２-ジオン（化合物Ｑ）の合成（一般式（２）参照）
窒素雰囲気下にて、冷却管をつけた二つ口ナスフラスコに3,4-ジクロロ-シクロ-3-ブテン-1,2-ジオン3(1.52g,10mmol)とN-ブチル,N-メチルアリニン(1.36g,8.3mmol)を入れ、そこに蒸留したジクロロメタン(8ml)を加え24時間室温にて攪拌した。反応終了後、NaHCO3水溶液で洗浄、クロロホルムにより抽出し溶媒を減圧留去した。固体をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル(Wakogel C-300);展開溶媒：クロロホルム)にて精製し、黄色固体(0.89g,3.24mmol、化合物Ｑ)を得た。
【００３１】
化合物Ｑ:収率39%;1H-NMR(CDCl3,25℃)d(デルタ)=8.13(d,J=9.3Hz,2H),6.75(d,J=9.3Hz,2H),3.46(t,J=7.6Hz,2H),3.11(s,3H),1.63(quint,J=5.9Hz,2H),1.38(sext,J=7.5Hz,2H),0.98(t,J=7.3Hz,3H);
【００３２】
［実施例４］  ３-(Ｎ-ブチル,Ｎ-メチルアニリノ)-４-ヒドロキシシクロ-3-ブテン-1,2-ジオン（化合物Ｌ）の合成
冷却管をつけた二つ口ナスフラスコに化合物Ｑ(1.00g,3.60mmol)を入れ、酢酸(8ml)と蒸留水(2ml)を加えた。90℃にて5時間環流した後、室温まで冷却し、ろ過により黄色固体(0.73g,2.81mmol、化合物Ｌ)を得た。
【００３３】
1b:Yield78%;1H-NMR(DMSO-d6,25℃)d(デルタ)=7.84(br,2H),6.85(br,2H),3.41(br,2H),2.99(s,3H)1.49(br,2H),1.30(sext,J=7.2Hz,2H),0.90(t,J=7.3Hz,3H),FAB-MS(m/z)259([M]+);Anal.Calcd.for C15H17NO3:C,69.48;H,6.61;N,5.40;%.Found:C,69.67;H,6.89;N,5.11;%
実施例２と同様にして化合物Ｌの最大ピークの吸収波長（λmax）とモル吸光係数（ε）を測定した。その結果を表１に示した。
【００３４】
［実施例５］  ３-(Ｎ，Ｎ−ジブチルアニリノ)-４-メトキシシクロ-３-ブテン-１,２-ジオン（化合物Ｊ）の合成
冷却管をつけた二つ口ナスフラスコに実施例１で得られた化合物Ｐ(2.15g,6.72mmol)を入れ、メタノール(10ml)を加えた。60℃で３時間環流した後、室温まで冷却し、濾過により黄色固体(1.48g,4.70mmol、化合物Ｊ)を得た。
この化合物Ｊの最大ピークの吸収波長（λmax）とモル吸光係数（ε）を実施例２に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３５】
［実施例６］  ３-(Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリノ)-４-クロロシクロ-３-ブテン-１,２-ジオン（化合物Ｂ）の合成
原料として３,４-ジクロロシクロ-３-ブテン-１,２-ジオンとＮ,Ｎ-ジメブチルアリニンを使用し、実施例１に準じて化合物Ｂを合成した。
この化合物Ｂの最大ピークの吸収波長（λmax）とモル吸光係数（ε）を実施例２に準じて測定し（溶媒はメタノールのみ使用）、その結果を表１に示した。
【００３６】
［実施例７］  ３-(Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリノ)-４-ヒドロキシシクロ-３-ブテン-１,２-ジオン（化合物Ａ）の合成
実施例６で得られた化合物Ｂを使用し、実施例２の条件に準じて化合物Ａを合成した。
この化合物Ａの最大ピークの吸収波長（λmax）とモル吸光係数（ε）を実施例２に準じて測定し（溶媒はメタノールのみ使用）、その結果を表１に示した。
【００３７】
［実施例８］  ３-(Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリノ)-４-メトキシシクロ-３-ブテン-１,２-ジオン（化合物Ｃ）の合成
実施例５で得られた化合物Ａを実施例５の条件で塩化メチルと反応させて化合物Ｂを得た。
この化合物Ｊの最大ピークの吸収波長（λmax）とモル吸光係数（ε）を実施例２に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３８】
［実施例９］  ３-(Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリノ)-４-エトキシシクロ-３-ブテン-１,２-ジオン（化合物Ｄ）の合成
実施例５で得られた化合物Ａを実施例５の条件で塩化エチルと反応させて化合物Ｃを得た。
この化合物Ｊの最大ピークの吸収波長（λmax）とモル吸光係数（ε）を実施例２に準じて測定し、その結果を表１に示した。
【００３９】
【表１】
2006110877.tif 000007
【００４０】
［実施例に関する考察］
表１から判るように、１，２−ジオンタイプのスクワリリウム化合物Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｊ、Ｌ及びＮは、３６３〜４０７ｎｍに最大ピークの吸収波長（λmax）を有し、これらの吸収波長は次世代の青色半導体レーザー用光学記録媒体として望ましい４０５ｎｍに接近していて青色半導体レーザー用光学記録媒体の記録層の有機化合物色素として非常に有用である。
しかもこれらのスクワリリウム化合物はモル吸光係数が１．１×１０4〜５．７×１０4の間にあり、記録及び再生に十分でかつ過度の発熱によるピットの乱れが生じることも殆どない。
これらから実施例のスクワリリウム化合物が非常に優れた青色半導体レーザー対応の光学記録媒体用有機化合物色素であることが判った。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】実施例２で合成した化合物Ｉの吸光スペクトル。
【図１】
2006110877.tif 000009