(57)【要約】【課題】  生産性と耐水性とが共に優れた反射防止体とディスプレイ装置を提供する。【解決手段】  本発明の反射防止体１は、透明な基材１０上に反射防止層２０が設けられた反射防止体１であって、反射防止層２０が、基材１０側から、屈折率が１．６以下である物質からなる第１の低屈折率層２１と、酸化スズを主成分として含む酸化物層２２と、屈折率が１．６以下である物質からなる第２の低屈折率層２３とを有する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な基材上に反射防止層が設けられた反射防止体であって、
前記反射防止層が、前記基材側から、屈折率が１．６以下である物質からなる第１の低屈折率層と、酸化スズを主成分として含む酸化物層と、屈折率が１．６以下である物質からなる第２の低屈折率層とを有することを特徴とする反射防止体。
【請求項２】
酸化物層が酸化ガリウムおよび／または酸化インジウムを含有する請求項１に記載の反射防止体。
【請求項３】
前記反射防止層が、前記第１の低屈折率層の基材側に、屈折率が１．７以上である物質からなる導電層を有する請求項１または２に記載の反射防止体。
【請求項４】
画像を表示するためのディスプレイ画面と、該ディスプレイ画面の視認側に設けられた請求項１〜３のいずれかに記載の反射防止体とを備えるディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に複数の層を積層させた反射防止体およびこの反射防止体を備えたディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ディスプレイ等の視認性を向上させるため、表示画面上に反射防止多層コーティング（反射防止体）を設けることが行われている。この反射防止多層コーティングは、通常、少なくとも３層からなり、可視光内の全ての波長において反射を減じるように設計されている。
このような反射防止多層コーティングとしては、例えば、プラスチック基材上に酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）または酸化インジウムと酸化スズ（ＳｎＯ２）との複合酸化物（以下、「ＩＴＯ」という。）からなる導電性薄膜と、その上に酸化チタン（ＴｉＯ２）または酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなる高屈折率薄膜と、さらにその上に二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる低屈折率薄膜とを設けた導電性フィルムが提案されている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平２−５６８１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特許文献１に係る従来技術では、プラスチック基材上に設けた高屈折率薄膜として用いられている酸化チタン、酸化タンタル等は、低屈折率薄膜として用いられている二酸化ケイ素に比べてスパッタ速度が遅いため、生産性が低いという問題があった。
そこで、スパッタ速度を速くし、生産性を向上させるために、酸化アルミニウムをドープした酸化亜鉛（以下、ＡＺＯという。）を高屈折率薄膜の材料として使用することが考えられる。しかし、ＡＺＯは耐水性が低いという問題があるため、ＡＺＯからなる高屈折率薄膜を有する反射防止体は、水に触れる場合がある環境下での使用に充分に耐えられなかった。
本発明では、上記従来技術の問題点に鑑み、生産性と耐水性とが共に優れた反射防止体とこれを用いたディスプレイ装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の反射防止体は、透明な基材上に反射防止層が設けられた反射防止体であって、
前記反射防止層が、前記基材側から、屈折率が１．６以下である物質からなる第１の低屈折率層と、酸化スズを主成分として含む酸化物層と、屈折率が１．６以下である物質からなる第２の低屈折率層とを有することを特徴とする。
本発明の反射防止体においては、酸化物層が酸化ガリウムおよび／または酸化インジウムを含有してもよい。
本発明の反射防止体においては、前記反射防止層が、前記第１の低屈折率層の基材側に、屈折率が１．７以上である物質からなる導電層を有することが好ましい。
本発明のディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、該ディスプレイ画面の視認側に設けられた上記反射防止体とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の反射防止体およびディスプレイ装置にあっては、生産性と耐水性とが共に優れる。そして、本発明の反射防止体は耐水性が高いため、浴室やプール等、水使用環境下にも適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
「反射防止体」
［第１の実施形態］
図１に、本発明の第１の実施形態に係る反射防止体１を示す。この反射防止体１は、基材１０と、基材１０上に設けられた透明な反射防止層２０と、この反射防止層２０上に設けられた防汚層３０とを有して構成されている。
【０００７】
（基材）
基材１０の材質としては、平滑透明で、可視光線を透過し得るものであれば特に制限されず、例えば、プラスチック、ガラス等が挙げられる。
そして、プラスチックとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセチルセルロース、ポリエーテルスルホン、ポリメチルメタクリレート等が挙げられる。
【０００８】
基材１０の厚さは用途に応じて適宜選定される。例えば、フィルム状でもよいし、板状であってもよい。また、基材１０は、単一の層で構成されていてもよいし、複数の層からなる積層体であってもよい。
さらに、基材１０を、別のガラス板、プラスチック板等に粘着剤等で貼り付けて使用することもできる。例えば、薄いフィルム状のプラスチックからなる基材１０を、別のプラスチック板、ガラス板等に貼り付けてもよいし、ガラス板からなる基材１０を、また別のガラス板、プラスチック板等に貼り付けてもよい。
【０００９】
（反射防止層）
基材１０上に形成された反射防止層２０は、第１の低屈折率層２１と、第１の低屈折率層２１上に設けられた酸化物層２２と、酸化物層２２上に設けられた第２の低屈折率層２３から基本的に構成されている。
図１に示した本実施形態では、基材１０と第１の低屈折率層２１との間に導電層２４を設けてなるため、この反射防止層２０は、導電層２４と、第１の低屈折率層２１と、酸化物層２２と、第２の低屈折率層２３から構成されている。
【００１０】
＜低屈折率層＞
第１の低屈折率層２１と第２の低屈折率層２３は、屈折率（ｎ）が１．６以下である物質によって構成されている。屈折率（ｎ）が１．６以下の物質としては、例えば、二酸化ケイ素（ｎ：１．４６）、フッ化マグネシウム（ｎ：１．３８）、フッ化カリウム（ｎ：１．３〜１．４）、フッ化アルミニウム（ｎ：１．３）、フッ化ランタン（ｎ：１．５８）、酸化アルミニウム（ｎ：１．６）、フッ化アルミン酸ナトリウム(Ｓｏｄｉｕｍ  ｆｌｕｏｒｏａｌｕｍｉｎａｔｅ：Ｎａ３ＡｌＦ６)（ｎ：１．３５）等が挙げられる。そのなかでも、二酸化ケイ素が好ましい。
なお、本明細書における屈折率（ｎ）とは、波長５５０ｎｍの光における屈折率をいう。
【００１１】
低屈折率層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相析出法やプラズマＣＶＤ法等の化学気相析出法、さらには、ゾル−ゲル法による湿式成膜方式等が挙げられる。
【００１２】
第１の低屈折率層２１の幾何学的膜厚としては、２０〜４０ｎｍが好ましく、２５〜３５ｎｍがより好ましい。また、第２の低屈折率層２３の幾何学的膜厚としては、８０〜１００ｎｍが好ましく、８５〜９５ｎｍがより好ましい。
【００１３】
＜酸化物層＞
酸化物層２２は、酸化スズ（ＳｎＯ２）を主成分として含有する酸化物によって構成されている。酸化スズの屈折率は共存成分の組成にもよるが１．７以上、具体的には１．９〜２．２であることが好ましく、酸化物層２２は高屈折率層としての役割を果たす。
酸化物層２２と第１の低屈折率層２１との屈折率差および酸化物層２２と第２の低屈折率層２３との屈折率差については、各々０．２以上が好ましく、０．４以上がより好ましい。
【００１４】
酸化物層２２に酸化スズを用いることにより、４２０〜４５０ｎｍの波長領域について高い透過率を得ることができ、また、高い耐水性を得ることができる。
しかも、一般的な高屈折率薄膜である酸化チタン（ｎ：２．４）または酸化タンタル（ｎ：２．１〜２．２）を用いる場合と比較して、速い速度で成膜できる。
【００１５】
酸化物層２２の形成方法としては、真空蒸着法、反応性蒸着法、イオンビームアシスト蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相析出法またはプラズマＣＶＤ法等の化学気相析出法が挙げられる。
そのなかでも、ＤＣスパッタリング法が、膜厚の制御が比較的容易であること、低温基材上に形成しても実用的な膜強度が得られること、大面積化が容易なこと、いわゆるインライン型の設備を用いれば積層膜の形成が容易なこと等の点から好ましい。
【００１６】
酸化物層２２の形成においては、導電性の付与により安価なＤＣスパッタリング法を容易に適用できることから、スパッタリングで使用されるターゲットが、酸化スズ以外に酸化ガリウムおよび／または酸化インジウムを含有することが好ましい。ただし、光学的には、酸化ガリウムおよび／または酸化インジウムの含有量は少ない方がよい。したがって、酸化ガリウム・酸化インジウム・酸化スズ複合酸化物（ＧＩＴ）ターゲット中の酸化ガリウム含有量を１〜３０質量％とすることが好ましく、酸化インジウム含有量を１〜３０質量％とすることが好ましい。
このようなＧＩＴターゲットを使用してスパッタリング法により酸化物層２２を形成する場合には、酸化物層２２中の酸化ガリウムの含有量は１〜１０ｍｏｌ％であることが好ましく、３〜７ｍｏｌ％であることがより好ましい。また、酸化物層２２中に酸化インジウムを含有する場合、酸化インジウムの含有量は１〜１０ｍｏｌ％であることが好ましく、３〜７ｍｏｌ％であることがより好ましい。酸化物層２２中の酸化ガリウムおよび酸化インジウム含有量が前記範囲であれば、前記ＧＩＴターゲットを用いたＤＣスパッタリング法を容易に適用できる。
また、酸化物層２２の幾何学的膜厚については、１１０〜１５０ｎｍが好ましく、１２０〜１４０ｎｍがより好ましい。
【００１７】
＜導電層＞
導電層２４としては、屈折率が１．７以上で、かつ導電性を有するものであればいかなるものであってもよい。該屈折率は、１．７以上、２．７以下であることが好ましい。
この導電層２４を設けることにより、高い導電性能による帯電防止性、電磁波遮断性が発揮される。また、導電層２４は、屈折率が１．７以上であるため、高屈折率層としての役割も果たす。
導電層２４と第１の低屈折率層２１との屈折率差については、０．２以上が好ましく、０．４以上がより好ましい。
このような導電層２４としては、可視光線の透過率が高いという観点から、酸化インジウムと酸化スズとの混合物（ＩＴＯ、屈折率ｎ：２．０６）、酸化スズ（ｎ：２．０）、酸化アルミニウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ、ｎ：１．９３）等が好ましい。
【００１８】
導電層２４の形成方法としては、例えば、蒸着、スパッタリング等の物理気相析出法、ＣＶＤ等の化学気相析出法または特殊な湿式コーティング等を用いることができる。
導電層２４の幾何学的膜厚としては、通常３０ｎｍ以下が好ましく、１０〜２０ｎｍがより好ましい。
【００１９】
ところで、一般的に、反射防止層とは、光学的には高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層させた構造から成り立っている。この場合、高屈折率層と低屈折率層を、各々所定の光学的膜厚（ｎ×ｄ（式中、ｎは屈折率、ｄは幾何学的膜厚））で構成することにより、目的の反射防止特性を有する反射防止層を得ることができる。
したがって、本実施形態における反射防止層２０を構成する導電層２４、第１の低屈折率層２１、酸化物層２２、第２の低屈折率層２３の各層の幾何学的膜厚についても、目的の反射防止特性を考慮した光学的膜厚に基づいて具体的に決定される。
【００２０】
（防汚層）
防汚層３０は、反射防止層２０を保護し、防汚染性能を高めるために、反射防止層２０上に必要に応じて設けられるものである。
この防汚層３０を設けることにより、反射防止層２０の機能が阻害されることなく、また、最表面に指紋等の汚れがついた場合に容易に拭き取れる。
防汚層３０としては、パーフルオロシラン、フルオロカーボン等を含む撥油性の膜を使用することができる。
【００２１】
この防汚層３０の形成手法としては、例えば、蒸着法、スパッタリング法、塗布乾燥法等が挙げられる。
防汚層３０の幾何学的膜厚としては、通常、５ｎｍ以下が好ましく、２ｎｍ以下がより好ましい。
【００２２】
上記構成の反射防止体１においては、帯電防止の点から、シート抵抗が１０１０Ω以下であることが好ましい。また、電磁波遮蔽能力の点から、シート抵抗が１０３Ω以下であることがより好ましい。
【００２３】
なお、本実施形態の反射防止体１は、基材１０上に反射防止層２０を直接積層する構成としたが、本発明はその構成に限定されない。例えば、基材１０と反射防止層２０との間に、反射防止体１に所望の硬さを付与するため、ハードコート層を設けることもできる。
ハードコート層としては、透明性があり、基材１０の屈折率（ｎ）と等しいか、または、基材１０の屈折率（ｎ）に対し、±０．１以内の屈折率である材料を用いることができる。ハードコート層の材料としては、例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂、シリコーン樹脂等を主体とする樹脂、または、前記樹脂に添加剤を含有させたものが挙げられる。
【００２４】
このハードコート層の形成方法としては、バーコート法、ドクターブレード法、リバースロールコート法、グラビアロールコート法等の公知の塗布方法を採ることができる。
また、ハードコート層の幾何学的膜厚としては、１０μｍ以下が好ましい。
【００２５】
さらに、基材１０と導電層２４との間、導電層２４と第１の低屈折率層２１との間、酸化物層２２と第２の低屈折率層２３との間の全部または一部について、成膜時の酸化を防ぎ密着性を向上させるため、酸化バリア層を設けることができる。
この酸化バリア層は、その下に形成されている別の層の酸化を防ぐために形成される薄膜であり、光学的には意味を持たないものである。この酸化バリア層としては、各種の金属または窒化シリコン等の金属窒化物を使用できる。
酸化バリア層の形成手法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。
また、この酸化バリア層の幾何学的膜厚としては、５ｎｍ以下が好ましい。
【００２６】
「ディスプレイ装置」
［第２の実施形態］
本発明の第２の実施形態に係るディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、このディスプレイ画面の視認側に設けられた反射防止体とを有して構成されている。
【００２７】
このようなディスプレイ装置としては、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ）、陰極管表示装置（ＣＲＴ）等が挙げられる。
よって、画像を表示するためのディスプレイ画面としては、ＰＤＰの画面、ＬＣＤの画面、ＥＬＤの画面、ＣＲＴの画面等が挙げられる。
【００２８】
ディスプレイ画面の視認側は、一般に、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板で構成されている。本実施形態では、ディスプレイ画面の視認側表面に粘着剤等を用いて反射防止体を直接貼着してもよいし、ディスプレイ画面との間に隙間を置いて反射防止体を設置してもよい。
また、ディスプレイ画面の視認側に、新たにガラス、プラスチック等からなる前面板を設置し、この前面板の視認側またはディスプレイ側に反射防止体を直接貼着することもできる。また、前面板の視認側またはディスプレイ側に、前面板との間に隙間を置いて、この反射防止体を設置してもよい。
ディスプレイ画面の視認側に設けられる反射防止体としては、本発明の反射防止体であれば特に制限はないが、例えば、第１の実施形態の反射防止体１を用いることができる。
【００２９】
［第３の実施形態］
本発明の第３の実施形態に係るディスプレイ装置は、画像を表示するためのディスプレイ画面と、このディスプレイ画面の視認側の面上に設けられた反射防止層とを有して構成されている。この場合、ディスプレイ画面の視認側は、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板で構成されている。したがって、ディスプレイ画面の透明基板と、その透明基板上の反射防止層とで反射防止体が形成されている。
この場合の反射防止層としては、例えば、第１の実施形態の反射防止体１における反射防止層２０を用いることができる。この場合、ディスプレイ画面の視認側の面上に、導電層２４、第１の低屈折率層２１、酸化物層２２、第２の低屈折率層２３の順番で積層する。その際、蒸着法、スパッタリング法、塗布乾燥法等により、直接ディスプレイ画面の視認側表面上に反射防止層を形成できる。
【実施例】
【００３０】
以下、実施例により、本発明をさらに詳しく説明する。
【００３１】
（実施例１）
透明性を有する基材として、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを使用した。まず、基材表面の洗浄を目的としてイオンビームソースによる乾式洗浄を行った。その乾式洗浄では、アルゴンガス６７体積％と酸素ガス３３体積％とを混合した混合ガスをスパッタリング装置内に導入し、イオンビームソース１００Ｗによりイオン化されたアルゴンイオンおよび酸素イオンを基材表面に照射した。
つぎに、基材上に導電層であるＩＴＯ層を形成させるため、ＩＴＯ（酸化インジウム：酸化スズ＝９０：１０（質量比））をターゲットとし、マグネトロンスパッタ法により成膜した。その際、０．３５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、反転パルス幅１．０μ秒のパルススパッタを行った。ガスとしては、アルゴンガス９８体積％と酸素ガスを２体積％とを混合した混合ガスを使用した。そして、ターゲットのパワー密度を１．５Ｗ／ｃｍ２とし、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ層を形成した。
つぎに、ＩＴＯ層の上に、第１の低屈折率層である酸化ケイ素層（１）を形成した。酸化ケイ素層（１）は、旭硝子セラミックス（株）製炭化ケイ素（ＳｉＣ、商品名ＳＣ）をターゲットとして使用し、マグネトロンスパッタ法により成膜した。まず、アルゴンガス６０体積％と酸素ガス４０体積％とを混合した混合ガスをスパッタリング装置内に導入し、０．３５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、反転パルス幅４．５μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を３．５Ｗ／ｃｍ２として、膜厚３０ｎｍの酸化ケイ素層（１）を形成した。
【００３２】
つぎに、酸化ケイ素層（１）の上に、酸化物層である酸化スズ層を形成した。純度９９．９９原子％の金属スズをターゲットとして、マグネトロンスパッタ法により成膜した。このとき、アルゴンガス４５体積％と酸素ガス５５体積％とを混合した混合ガスを導入し、０．３５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、反転パルス幅４．５μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を４．５Ｗ／ｃｍ２として、膜厚１２５ｎｍの酸化スズ層（ｎ：２．０）を形成した。酸化スズ層の成膜速度は１８ｎｍ／分であった。
つぎに、酸化スズ層の上に、第２の低屈折率層である酸化ケイ素層（２）を形成した。酸化ケイ素層（２）は、多結晶シリコンをターゲットとして使用し、マグネトロンスパッタにより成膜した。このとき、まず、アルゴンガス６０体積％と酸素ガス４０体積％とを混合した混合ガスをスパッタリング装置内に導入し、０．２５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、反転パルス幅４．５μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を５．０Ｗ／ｃｍ２として、膜厚９０ｎｍの酸化ケイ素層（２）を形成した。
さらに、酸化ケイ素層（２）の上に、フッ素系撥油剤であるオプツールＤＳＸ（商品名、ダイキン工業社製）を塗布して厚さ５ｎｍの防汚層を形成した。
このようにして反射防止体を製造し、この反射防止体を、防汚層が形成された面とは反対側にあたる基材面を粘着処理し、これをガラスに貼合した。
【００３３】
（実施例２）
ターゲットとしてＧＩＴ（酸化ガリウム：酸化インジウム：酸化スズ＝４：５：９１（質量比））を使用し、次に示す方法で酸化スズ層を設けた以外は実施例１と同様にして反射防止体を得た。酸化スズ層形成の際、アルゴンガス８５体積％と酸素ガス１５体積％とを混合した混合ガスを導入し、０．３５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、反転パルス幅４．５μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を２．８６Ｗ／ｃｍ２として、膜厚１２５ｎｍの酸化スズ層（ＧＩＴ層）を形成した。ＧＩＴ層の成膜速度は２３ｎｍ／分であった。
これにより得られた反射防止体の酸化スズ層中の酸化スズ含有量は９０．１ｍｏｌ％、酸化ガリウム含有量は４．５ｍｏｌ％、酸化インジウム含有量は５．４ｍｏｌ％であった。
【００３４】
（実施例３）
防汚層を設けなかった以外は実施例１と同様にして反射防止体を得た。
【００３５】
（比較例１）
酸化スズ層を設ける代わりに下記方法で酸化チタン層を設けた以外は実施例１と同様にして反射防止体を得た。
すなわち、酸化チタン（商品名ＴＸＯ）ターゲット（旭硝子セラミックス社製）を用い、アルゴンガス９７体積%と酸素ガス３体積%とを混合した混合ガスをマグネトロンスパッタリング装置内に導入した。そして、０．３５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、反転パルス幅２．５μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を４．０Ｗ／ｃｍ２として、膜厚１２０ｎｍの酸化チタン層を形成した。酸化チタン層の成膜速度は２．４ｎｍ／分であった。
【００３６】
（比較例２）
酸化スズ層を設ける代わりに下記方法でＡＺＯ層を設けた以外は実施例１と同様にして反射防止体を得た。
酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）が５質量％ドープされたＺｎＯ（ＡＺＯ）ターゲットを用い、アルゴンガス９５体積%と酸素ガス５体積％とを混合した混合ガスを導入した。そして、０．３５Ｐａの圧力で周波数１００ｋＨｚ、反転パルス幅１．０μ秒のパルススパッタを行い、ターゲットのパワー密度を３．７Ｗ／ｃｍ２として膜厚１３０ｎｍのＡＺＯ層を形成した。ＡＺＯ層の成膜速度は４０ｎｍ／分であった。
【００３７】
実施例１〜３および比較例１，２にて得られた反射防止体の反射率を（株）島津製作所製分光光度計ＵＶ３１５０ＰＣにより測定し、その反射率から視感反射率（ＪＩＳ  Ｚ  ８７０１において規定されている反射の刺激値Ｙ）を求めた。
また、得られた反射防止体を６０℃の温水に１２時間浸漬し、１２時間後の外観を目視で観察して耐水性を調べた。浸漬前と浸漬後とで、反射防止体の浸漬部分が変色していない場合を○とし、変色した場合を×とした。
さらに、反射防止体に１ｍｍ幅の１００マス碁盤目状の切り込みをカッターで形成し、その表面にニチバン社製セロテープ（登録商標）を貼り付けた後に剥離して密着性を評価した（ＪＩＳ  Ｄ０２０２−１９８８）。反射防止体の表面が剥離しなかった場合を○、剥離した場合を×とした。
これらの結果を表１に示す。
【００３８】
【表１】
2006171648.tif 000003
【００３９】
酸化スズを主成分として含有する酸化物層を有する実施例１〜３の反射防止体は、視感反射率が充分に低い上に、温水に浸漬しても浸漬部分が変色せず、耐水性に優れていた。しかも、実施例１〜３では、酸化物層を形成する際のスパッタ速度が速く、生産性に優れていた。特に、ＧＩＴターゲットを用いた実施例２はより生産性に優れていた。
一方、酸化物層が酸化チタン層である比較例１は、酸化物層を形成する際のスパッタ速度が遅く、生産性が低かった。
また、酸化物層がＡＺＯ層である比較例２は、温水に浸漬した後に浸漬部分が変色しており、耐水性に劣っていた。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の反射防止体の一実施形態に係る概略断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  反射防止体、１０  基材、２０  反射防止層、２１  第１の低屈折率層、２２  酸化物層、２３  第２の低屈折率層、２４  導電層
【図１】
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