(57)【要約】    【課題】経年変化に伴う画質劣化を抑制させることができるプラズマディスプレイ装置を提供する。    【解決手段】プラズマディスプレイパネルの累積使用時間に応じてプラズマディスプレイパネルに印加する各種駆動パルスのパルス電圧値及び／又はパルス幅を調整する。【選択図】  図１
2006091437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を担う複数の放電セルが複数の行電極対と、前記行電極対の各々に交叉しその交叉する方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する放電セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置であって、
前記放電セル各々内の前記放電空間に接する面において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、
映像信号における単位表示期間を構成する複数のサブフィールド各々において映像信号に応じて前記行電極対の各々及び前記列電極の各々に駆動パルスを印加することにより前記放電空間内において放電を生起させる駆動部と、
前記プラズマディスプレイパネルの累積使用時間に応じて前記駆動パルスのパルス電圧値及び／又はパルス幅を調整する制御部と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記駆動部は、前記サブフィールド各々に含まれるアドレス期間において前記行電極対の一方の行電極に走査パルスを印加すると共に映像信号に基づく画素データに応じた画素データパルスを前記列電極に印加することにより前記放電セル各々に選択的にアドレス放電を生起せしめて前記放電セルを点灯モード状態及び消灯モード状態の内のいすれか一方に設定するアドレス手段と、
前記サブフィールド各々に含まれるサスティン期間において前記行電極対各々にサスティンパルスを印加することにより前記点灯モード状態に設定されている前記放電セルのみをサスティン放電させるサスティン手段と、前記複数のサブフィールド各々の内の少なくとも１のサブフィールドの前記アドレス期間に先立ち全ての前記行電極対にリセットパルスを印加することにより全ての前記放電セル内にリセット放電を生起せしめるリセット手段と、を含み、
前記制御部は、前記累積使用時間を計時する累積使用時間計時手段と、前記累積使用時間に応じて前記リセットパルス、前記スキャンパルス、及び前記サスティンパルスの内の少なくとも１つのパルス電圧値及び／又はパルス幅を調整するパルス調整手段と、を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記パルス調整手段は、前記サスティンパルスに対しては前記サブフィールド各々の前記サスティン期間において第１番目に印加される前記サスティンパルスのみにおいてパルス幅の調整を行うことを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記累積使用時間に応じて単位表示期間を構成するサブフィールドの数を変更することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記累積使用時間に応じて前記映像信号における各色毎の信号レベルを調整することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記酸化マグネシウム結晶体が、マグネシウムを加熱することによって発生するマグネシウム蒸気が気相酸化して得られる酸化マグネシウム単結晶体を含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記酸化マグネシウム結晶体が、２０００オングストローム以上の粒径を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記酸化マグネシウム結晶体が、波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有する前記カソードルミネッセンス発光を行うことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記酸化マグネシウム層が、前記行電極対を被覆する誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、薄型で大画面の表示デバイスとして、画素に対応した放電セルがマトリクス状に配列されているプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）を搭載したプラズマディスプレイ装置が製品化されている。ＰＤＰは、各放電セル内で生起させる放電に伴う発光現象を利用して画像表示を行うものである為、長期間の使用により放電セルの放電電圧が減少してしまい、誤放電が生じ易くなる。そこで、放電セルに印加する放電維持電圧をＰＤＰの使用時間に応じて制御するようにした表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。かかる表示装置においては、使用時間に対応した放電維持電圧の予測推移を示す情報（例えば特許文献１の図６参照）を参照することにより、現時点までの使用時間に対応した適切な放電維持電圧値となるように電源回路の出力電圧を制御するようにしている。
【０００３】
しかしながら、このような電源回路の出力電圧制御では、経年変化に伴う画質劣化を十分に抑制させることができなかった。
【特許文献１】特開平０９−１３８６６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、経年変化に伴う画質劣化を抑制させることができるプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に係るプラズマディスプレイ装置は、画素を担う複数の放電セルが複数の行電極対と、前記行電極対の各々に交叉しその交叉する方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する放電セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置であって、前記放電セル各々内の前記放電空間に接する面において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、映像信号における単位表示期間を構成する複数のサブフィールド各々において映像信号に応じて前記行電極対の各々及び前記列電極の各々に駆動パルスを印加することにより前記放電空間内において放電を生起させる駆動部と、前記プラズマディスプレイパネルの累積使用時間に応じて前記駆動パルスのパルス電圧値及び／又はパルス幅を調整する制御部と、を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
プラズマディスプレイパネルの累積使用時間に応じてプラズマディスプレイパネルに印加する各種駆動パルスのパルス電圧値及び／又はパルス幅を調整する。
【実施例】
【０００７】
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
【０００８】
図１は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【０００９】
図１に示す如く、かかるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとしてのＰＤＰ５０、行電極Ｘ駆動回路５１、行電極Ｙ駆動回路５３、列電極駆動回路５５、駆動制御回路５６、累積使用時間タイマ５７及び経時変化データメモリ５８から構成される。
【００１０】
ＰＤＰ５０には、２次元表示画面の縦方向（垂直方向）に夫々伸張して配列された列電極Ｄ1〜Ｄm、横方向（水平方向）に夫々伸張して配列された行電極Ｘ1〜Ｘn及び行電極Ｙ1〜Ｙnが形成されている。この際、互いに隣接するもの同士で対を為す行電極対（Ｘ1，Ｙ1）、（Ｘ2，Ｙ2）、（Ｘ3，Ｙ3）、・・・、（Ｘn，Ｙn）の各々が、ＰＤＰ５０における第１表示ライン〜第ｎ表示ラインを担う。各表示ラインと列電極Ｄ1〜Ｄm各々との各交叉部(図１中の一点鎖線にて囲まれた領域)には、画素を担う放電セルＰＣが形成されている。すなわち、ＰＤＰ５０には、第１表示ラインに属する放電セルＰＣ1,1〜ＰＣ1,m、第２表示ラインに属する放電セルＰＣ2、1〜ＰＣ2、m、・・・・、第ｎ表示ラインに属する放電セルＰＣn、1〜ＰＣn、mの各々がマトリクス状に配列されているのである。
【００１１】
図２は、表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。
【００１２】
図２においては、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ1〜Ｄ3各々と、第１表示ライン（Ｙ1，Ｘ1）及び第２表示ライン（Ｙ2，Ｘ2）との各交叉部を抜粋して示すものである。  図３は、図２のＶ３−Ｖ３線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図であり、図４は、図２のＷ２−Ｗ２線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図である。
【００１３】
図２に示すように、各行電極Ｘは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｘｂと、かかるバス電極Ｘｂ上の各放電セルＰＣに対応した位置に各々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｘａと、から構成される。各行電極Ｙは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｙｂと、かかるバス電極Ｙｂ上の各放電セルＰＣに対応した位置に各々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｙａと、から構成される。透明電極Ｘａ及びＹａは例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなり、バス電極Ｘｂ及びＹｂは例えば金属膜からなる。透明電極Ｘａ及バス電極Ｘｂからなる行電極Ｘ、並びに透明電極Ｙａ及バス電極Ｙｂからなる行電極Ｙは、図３に示す如く、その前面側がＰＤＰ５０の表示面となる前面透明基板１０の背面側に形成されている。この際、各行電極対（Ｘ、Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａは、互いに対となる相手の行電極側に伸張しており、その幅広部の頂辺同士が所定幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向している。又、前面透明基板１０の背面側には、１対の行電極対（Ｘ1、Ｙ1）とこの行電極対に隣接する行電極対（Ｘ2、Ｙ2）との間に、２次元表示画面の水平方向に伸張する黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。さらに、前面透明基板１０の背面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１２が形成されている。この誘電体層１２の背面側（行電極対が接触する面とは反対側の面）には、図３に示す如く、光吸収層１１とこの光吸収層１１に隣接するバス電極Ｘｂ及びＹｂとが形成されている領域に対応した部分に、嵩上げ誘電体層１２Ａが形成されている。この誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面上には、後述するように、電子線の照射により励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光（以下、ＣＬ発光と称する）を行う酸化マグネシウム（ＭｇＯ）結晶体を含む酸化マグネシウム層１３が形成されている。
【００１４】
一方、前面透明基板１０と平行に配置された背面基板１４上には、列電極Ｄの各々が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に伸張して形成されている。背面基板１４上には、更に列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層１５が形成されている。この列電極保護層１５上には隔壁１６が形成されている。隔壁１６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘｂ及びＹｂに対応した位置において各々２次元表示画面の横方向に伸張している横壁１６Ａと、互いに隣接する列電極Ｄ間の各中間位置において２次元表示画面の縦方向に伸張している縦壁１６Ｂとによって梯子形状に形成されている。尚、ＰＤＰ５０の各表示ライン毎に、図２に示す如き梯子形状の隔壁１６が各々形成されており、互いに隣接する隔壁１６の間には、図２に示す如き隙間ＳＬが存在する。又、梯子状の隔壁１６によって、各々独立した放電空間Ｓ、透明電極Ｘａ及びＹａを含む放電セルＰＣが区画されている。放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。各放電セルＰＣ内における横壁１６Ａの側面、縦壁１６Ｂの側面、及び列電極保護層１５の表面には、図３に示す如くこれらの面を全て覆うように蛍光体層１７が形成されている。この蛍光体層１７は、実際には、赤色発光を為す蛍光体、緑色発光を為す蛍光体、及び青色発光を為す蛍光体の３種類からなる。各放電セルＰＣの放電空間Ｓと隙間ＳＬとの間は、図３に示す如く酸化マグネシウム層１３が横壁１６Ａに当接されることによって互いに閉じられている。一方、図４に示す如く、縦壁１６Ｂは酸化マグネシウム層１３に当接されていないので、その間に隙間ｒ１が存在する。すなわち、２次元表示画面の横方向において互いに隣接する放電セルＰＣ各々の放電空間Ｓは、この隙間ｒ１を介して互いに連通しているのである。
【００１５】
ここで、上記酸化マグネシウム層１３を形成する酸化マグネシウム結晶体は、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られる気相法酸化マグネシウム結晶体を含んでいる。この気相法酸化マグネシウム結晶体には、図５ＡのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造、あるいは図５ＢのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の単結晶構造を有する、２０００オングストローム以上の粒径のマグネシウム単結晶体が含まれている。これらマグネシウム単結晶体は、電子線の照射により励起されて図６に示す如き波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近嵌）にピークを有するＣＬ発光を行う。この際、図７に示す如く、気相法酸化マグネシウム結晶体の粒径が大なるほどＣＬ発光のピーク強度が大となる。すなわち、気相酸化マグネシウム結晶体を生成する際に、通常よりも高い温度でマグネシウムを加熱すると、平均粒径５００オングストロームの気相酸化マグネシウム単結晶体と共に、図５Ａ或いは図５Ｂの如き粒径２０００オングストローム以上の比較的大なる単結晶体が形成される。この際、マグネシウムを加熱する際の温度が通常よりも高温であるので、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さも長くなる。従って、かかる火炎と周囲との温度差が大になり、それ故に、粒径が大なる気相酸化マグネシウム単結晶体のグループほど、２００〜３００ｎｍ（特に２３５ｎｍ）に対応したエネルギー準位の高い単結晶体が多く含まれることになると推測される。この気相酸化マグネシウム単結晶体は、他の方法によって生成された酸化マグネシウムと比較すると高純度であると共に微粒子であり、粒子の凝集が少ない等の特徴を備えている。尚、本実施例においては、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００オングストローム以上、好ましくは２０００オングストローム以上の気相酸化マグネシウム単結晶体を用いている。そして、このような気相法酸化マグネシウム単結晶体を、スプレー法や静電塗布法等により、図８に示す如く誘電体層１２の表面に付着させることにより酸化マグネシウム層１３を形成させるのである。尚、誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面に蒸着又はスパッタ法により薄膜酸化マグネシウム層を形成し、その上に気相法酸化マグネシウム単結晶体を付着させて酸化マグネシウム層１３を形成するようにしても良い。
【００１６】
行電極Ｘ駆動回路５１は、リセットパルス発生回路、及びサスティンパルス発生回路からなる。行電極Ｘ駆動回路５１のリセットパルス発生回路は、駆動制御回路５６から供給されたリセットパルス生成信号によって示されるパルス電圧を有するリセットパルス（後述する）を発生し、これをＰＤＰ５０の行電極Ｘに印加する。行電極Ｘ駆動回路５１のサスティンパルス発生回路は、駆動制御回路５６から供給されたサスティンパルス生成信号によって示されるパルス電圧を有するサスティンパルス（後述する）を発生し、これをＰＤＰ５０の行電極Ｘに印加する。行電極Ｙ駆動回路５３は、リセットパルス発生回路、スキャンパルス発生回路及びサスティンパルス発生回路からなる。行電極Ｙ駆動回路５３のリセットパルス発生回路は、駆動制御回路５６から供給されたリセットパルス生成信号によって示されるパルス電圧を有するリセットパルス（後述する）を発生し、これをＰＤＰ５０の行電極Ｙに印加する。行電極Ｙ駆動回路５３のスキャンパルス発生回路は、駆動制御回路５６から供給された走査パルス生成信号によって示されるパルス電圧を有する走査パルス（後述する）を発生し、これをＰＤＰ５０の行電極Ｙ1〜Ｙnに順次印加する。行電極Ｙ駆動回路５３のサスティンパルス発生回路は、駆動制御回路５６から供給されたサスティンパルス生成信号によって示されるパルス電圧を有するサスティンパルス（後述する）を発生し、これをＰＤＰ５０の行電極Ｙに印加する。列電極駆動回路５５は、駆動制御回路５６から供給された画素データパルス生成信号に応じてＰＤＰ５０の列電極Ｄに印加すべき画素データパルスを発生する。
【００１７】
累積使用時間タイマ５７は、このプラズマディスプレイ装置が電源オン状態になっている累積時間を測定し、この累積時間を示す累積使用時間情報を駆動制御回路５６及び経時変化データメモリ５８に供給する。
【００１８】
経時変化データメモリ５８には、例えば図９（ａ）の実線に示す如き累積使用時間に対応したリセットパルスの最適パルス電圧を示す情報、図９（ｂ）の実線に示す如き累積使用時間に対応した走査パルスの最適パルス電圧を示す情報、図９（ｃ）の実線に示す如き累積使用時間に対応したサスティンパルスの最適パルス電圧を示す情報が予め記憶されている。経時変化データメモリ５８は、上記累積使用時間情報によって示される累積使用時間に対応したリセットパルス、走査パルス及びサスティンパルス各々の最適パルス電圧値を示す情報を読み出し、これらを駆動制御回路５６に供給する。尚、図９（ｂ）及び図９（ｃ）中の波線は、サスティンパルス（又は走査パルス）のパルス電圧として取り得る上限の電圧値の推移を示すものであり、図９（ａ）〜図９（ｃ）中の一点鎖線は、リセットパルス（又はサスティンパルス、あるいは走査パルス）のパルス電圧として取り得る下限の電圧値の推移を示すものである。この際、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示す如く、累積使用時間が経過するほど、走査パルスの最適パルス電圧値がサスティンパルスの最適パルス電圧値よりも大となり、この走査パルスの最適パルス電圧値よりもリセットパルスの最適パルス電圧値が大となる。
【００１９】
駆動制御回路５６は、上記構造を有するＰＤＰ５０を図１０に示す如きサブフィールド法（サブフレーム法）を採用した発光駆動シーケンスに従って駆動させるべき各種制御信号を行電極Ｘ駆動回路５１、行電極Ｙ駆動回路５３、及び列電極駆動回路５５の各々に供給する。尚、図１０に示す発光駆動シーケンスでは、１フィールド（１フレーム）表示期間内のＮ個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々において、アドレス行程Ｗ、サスティン行程Ｉ及び消去行程Ｅを順次実行する。ただし、先頭のサブフィールドＳＦ１に限り、アドレス行程Ｗに先立ち、リセット行程Ｒを実行する。
【００２０】
図１１は、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）の内からＳＦ１を抜粋して、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに印加される各種駆動パルスの印加タイミングを示す図である。
【００２１】
先ず、リセット行程Ｒでは、駆動制御回路５６が、経時変化データメモリ５８から読み出されたリセットパルスの最適パルス電圧値（図９（ａ）の実線にて示す）を示すリセットパルス生成信号を、行電極Ｙ駆動回路５３及び行電極Ｘ駆動回路５１各々に供給する。これにより、行電極Ｙ駆動回路５３は、図１１に示す如く、行電極Ｙ上の電圧が時間経過に伴い緩やかに上昇して正極性のピーク電圧Ｖryに到る前縁部と、その後、緩やかに電圧値が下降して負極性の電圧に到る後縁部とを有するリセットパルスＲＰYを発生して行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。一方、行電極Ｘ駆動回路５１は、このリセットパルスＲＰYにおける電圧値の上昇区間に亘り、図１１に示す如き負極性の電圧Ｖrxを有するリセットパルスＲＰXを発生して行電極Ｘ1〜Ｘnに夫々印加する。この際、行電極Ｙ駆動回路５３及び行電極Ｘ駆動回路５１各々は、上記電圧Ｖryの絶対値と電圧Ｖrxの絶対値との和が、上記リセットパルス生成信号によって示される最適パルス電圧値と等しくなるようなリセットパルスＲＰY及びＲＰXを夫々発生するのである。つまり、リセットパルスＲＰYのパルス電圧Ｖryの絶対値とリセットパルスＲＰXのパルス電圧Ｖrxの絶対値との和が、その時点での累積使用時間に対応した最適パルス電圧値（図９（ａ）の実線にて示す）と等しくなるように、リセットパルスＲＰYのパルス電圧Ｖry及びリセットパルスＲＰXのパルス電圧Ｖrxが調整されるのである。
【００２２】
ここで、リセットパルスＲＰY及びＲＰXが印加されている間、全放電セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において微弱な書込リセット放電が生起される。かかる書込リセット放電の終息後、各放電セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３の表面には所定量の壁電荷が形成される。つまり、酸化マグネシウム層１３の表面上における行電極Ｘの近傍には正極性の電荷が形成され、行電極Ｙの近傍には負極性の電荷が形成される、いわゆる壁電荷の形成された状態となる。その後、リセットパルスＲＰYの電圧がＶryから緩やかに低下して行くと、その間、全ての放電セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において微弱な消去リセット放電が生起される。かかる消去リセット放電により、全放電セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内に形成されていた壁電荷が消滅する。すなわち、リセット行程Ｒにより、全ての放電セルＰＣ1,1〜ＰＣn,mの各々は、壁電荷の量が所定量に充たない、いわゆる消灯モードの状態に初期化されるのである。
【００２３】
次に、アドレス行程Ｗでは、駆動制御回路５６が、画素データパルス生成信号を列電極駆動回路５５に供給すると共に、経時変化データメモリ５８から読み出された走査パルスの最適パルス電圧値（図９（ｂ）の実線にて示す）を示す走査パルス生成信号を、行電極Ｙ駆動回路５３に供給する。これにより、先ず、列電極駆動回路５５は、入力映像信号に基づきそのサブフィールドで各放電セルＰＣを発光させるか否かを設定する為の画素データパルスを生成する。例えば、列電極駆動回路５５は、放電セルＰＣを発光させる場合には高電圧、発光させない場合には低電圧の画素データパルスを各放電セルＰＣ毎に生成する。そして、列電極駆動回路５５は、かかる画素データパルスを１表示ライン分（ｍ個）ずつ、画素データパルス群ＤＰ1、ＤＰ2、・・・、ＤＰnとして順次、列電極Ｄ1〜Ｄmに印加して行く。行電極Ｙ駆動回路５３は、上記画素データパルス群ＤＰ1〜ＤＰn各々のタイミングに同期させて負極性の電圧Ｖselを有する走査パルスＳＰを行電極Ｙ1〜Ｙnに順次印加して行く。この際、行電極Ｙ駆動回路５３は、かかる電圧Ｖselが、上記走査パルス生成信号によって示される最適パルス電圧値と等しくなるような走査パルスＳＰを発生するのである。つまり、走査パルスＳＰのパルス電圧Ｖselが、その時点での累積使用時間に対応した最適パルス電圧値（図９（ｂ）の実線にて示す）と等しくなるように調整されるのである。かかる走査パルスＳＰが印加され且つ高電圧の画素データパルスが印加された放電セルＰＣのみに選択的にアドレス放電が生起され、その放電セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７各々の表面に所定量の壁電荷が形成される。一方、走査パルスＳＰが印加されたものの低電圧の画素データパルスが印加された放電セルＰＣ内では上記の如きアドレス放電は生起されないので、その直前までの壁電荷の形成状態が維持される。すなわち、アドレス行程Ｗの実行により、各放電セルＰＣは、入力映像信号に基づき、所定量の壁電荷が存在する点灯モードの状態、又は所定量の壁電荷が存在しない消灯モードの状態のいずれか一方に設定されるのである。
【００２４】
次に、サスティン行程Ｉでは、駆動制御回路５６が、経時変化データメモリ５８から読み出されたサスティンパルスの最適パルス電圧値（図９（ｃ）の実線にて示す）を示すサスティンパルス生成信号を、行電極Ｘ駆動回路５１及び行電極Ｙ駆動回路５３各々に供給する。これにより、行電極Ｘ駆動回路５１及び行電極Ｙ駆動回路５３の各々が、交互に繰り返し正極性の電圧Ｖsusを有するサスティンパルスＩＰX及びＩＰYを発生して行電極Ｘ1〜Ｘn及びＹ1〜Ｙnに印加する。この際、行電極Ｙ駆動回路５３及び行電極Ｘ駆動回路５１各々は、上記電圧Ｖsusが、上記サスティンパルス生成信号によって示される最適パルス電圧値と等しくなるようなサスティンパルスＩＰX及びＩＰYを夫々発生するのである。つまり、サスティンパルスＩＰX及びＩＰY各々のパルス電圧Ｖsusが、その時点での累積使用時間に対応した最適パルス電圧値（図９（ｃ）の実線にて示す）と等しくなるように調整されるのである。ここで、サスティンパルスＩＰX及びＩＰYを印加する回数は、各サブフィールドにおける輝度の重み付けに依存する。これらサスティンパルスＩＰX及びＩＰYが印加される度に、所定量の壁電荷が形成されている上記点灯モードの状態に設定されている放電セルＰＣのみがサスティン放電し、この放電に伴い蛍光体層１７が発光してパネル面に画像が形成される。
【００２５】
次に、消去行程Ｅでは、行電極Ｙ駆動回路５３が、正極性の消去パルスＥＰを全ての行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。かかる消去パルスＥＰの印加により全放電セルＰＣ内において消去放電が生起され、各放電セルＰＣ内に残留している壁電荷が全て消滅する。
【００２６】
ここで、前述した如く、各放電セルＰＣ内に形成されている酸化マグネシウム層１３には、図５Ａ又は図５Ｂに示す如き形状の比較的大（２０００オングストローム以上）なる気相酸化マグネシウム単結晶体が含まれている。このような単結晶体は電子線を照射すると、図６に示す如く、波長域３００〜４００ｎｍにピークを有するＣＬ発光と共に、波長域２００〜３００ｎｍ内（特に２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光が生起されることから、２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有するものであると考えられる。よって、この２３５ｎｍに対応したエネルギー準位を有することにより、かかる気相酸化マグネシウム単結晶体は、電子を長時間に亘り（数msec）捕捉し、この電子を選択放電時の電界の印加によって放出させることで、放電に必要な初期電子を迅速に取得していると推測される。従って、このような２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体が図３に示す如き酸化マグネシウム層１３に含まれていると、放電空間Ｓ内には放電を生起させるのに必要十分な量の電子が常時存在することになるので、放電空間Ｓ内での放電確率が著しく高くなる。
【００２７】
図１２は、放電セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を生起する多重結晶構造の気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。図１２中において横軸は、放電の休止時間、つまり放電が生起されてから次の放電が生起されるまでの時間間隔を表すものである。このように、各放電セルＰＣの放電空間Ｓに、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を形成すると、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合に比して放電確率が高まるのである。尚、図１３に示す如く、上記気相酸化マグネシウム単結晶体としては、電子線を照射した際のＣＬ発光、特に２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光の強度が大なるものほど、放電空間Ｓ内において生起される放電遅れを短縮させることができる。
【００２８】
従って、表示画像には関与しないリセット放電に伴う発光を抑えてコントラスト向上を図るべく、行電極Ｙに印加するリセットパルスＲＰYの電圧推移を図１１に示す如く緩やかにしてリセット放電を微弱化させても、この微弱なリセット放電を短時間に安定して生起させることが可能となる。特に、各放電セルＰＣは、Ｔ字形状の透明電極Ｘａ及びＹａ間の放電ギャップ近傍で局所的に放電を生起させる構造を採用しているので、行電極全体で放電してしまうような強い突発的なリセット放電が抑制されると共に、列電極及び行電極間での強い誤放電も阻止される。又、放電確率が高くなる（放電遅れが少なくなる）ことにより、上記リセット行程Ｒでの書込リセット放電及び消去リセット放電によるプライミング効果が長く持続することになるので、アドレス行程Ｗにおいて生起されるアドレス放電、並びにサスティン行程Ｉにおいて生起されるサスティン放電が高速化する。これにより、アドレス放電を生起させるべく列電極Ｄ及び行電極Ｙに夫々印加される図１１に示す如き画素データパルスＤＰ及び走査パルスＳＰ各々のパルス幅Ｗaを短くすることができるようになり、その分だけ、このアドレス行程Ｗに費やす処理時間を短縮させることが可能となる。更に、サスティン放電を生起させるべく行電極Ｙに印加される図１１に示す如きサスティンパルスＩＰYのパルス幅Ｗbを短くすることができるようになり、その分だけ、このサスティン行程Ｉに費やす処理時間を短縮させることが可能となる。従って、これらアドレス行程Ｗ及びサスティン行程Ｉ各々に費やされる処理時間を短縮した分だけ、１フィールド（又は１フレーム）表示期間内において設けるべきサブフィールドの数を増加させることが可能となり、階調数の増加を図ることができるようになる。
【００２９】
以上の如く、電子線の照射によって２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を為す気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を設けることにより各放電セル内での放電確率を高めることができるようになるが、経年変化により、各放電セル内の放電開始電圧が上昇して誤放電が生じ易くなる。
【００３０】
そこで、図１に示されるプラズマディスプレイ装置においては、経年変化に伴う放電開始電圧の推移に対応させて、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示す如く、リセット放電、アドレス放電、サスティン放電各々を正しく生起させ得る最適パルス電圧値の予測情報を予め用意しておく。そして、かかる予測情報中から現時点でのＰＤＰ５０の累積使用時間に対応したリセットパルス、走査パルス、サスティンパルス各々の最適パルス電圧値を抽出し、各最適パルス電圧値と等しくなるようにリセットパルス、走査パルス、サスティンパルス各々のパルス電圧値を個別に調整するようにしている。
【００３１】
よって、例え経年変化に伴い放電開始電圧が上昇しても、長期間に亘り誤放電の抑制された良好な表示品質を維持させることが可能になる。
【００３２】
又、ＰＤＰ５０の累積使用時間が長期に到ると、上述した如き放電開始電圧の上昇と共に、蛍光体層１７の劣化に伴う輝度の低下が生じる。この際、図１４（ａ）に示すように、蛍光体層１７として緑色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルＰＣの累積使用時間に対する輝度低下度（実線にて示す）は、赤色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルＰＣの輝度低下度（一点鎖線にて示す）に比して大である。又、青色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルＰＣの累積使用時間に対する輝度低下度（波線にて示す）は、緑色発光を為す蛍光体が用いられている放電セルＰＣの輝度低下度（一点鎖線にて示す）に比して大である。従って、経年変化に伴い、赤色発光を為す放電セルＰＣ、緑色発光を為す放電セルＰＣ、青色発光を為す放電セルＰＣ各々の輝度レベルにバラツキが生じ、ホワイトバランスが適正値からズレてしまうという問題が生じる。
【００３３】
そこで、このようなホワイトバランスのズレを補正すべく、図１４（ｂ）に示す如き累積使用時間に対応した各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）毎のレベルシフト量を示す情報を、図９（ａ）〜図９（ｃ）に示す如き情報と共に経時変化データメモリ５８に予め記憶しておく。経時変化データメモリ５８は、現時点でのＰＤＰ５０の累積使用時間に対応した図１４（ｂ）に示す如き青色信号成分に対するレベルシフト量（波線にて示す）、緑色信号成分に対するレベルシフト量（実線にて示す）、赤色信号成分に対するレベルシフト量（一点鎖線にて示す）を示す情報を読み出し、駆動制御回路５６に供給する。駆動制御回路５６は、経時変化データメモリ５８から読み出された各色毎のレベルシフト量にて、入力映像信号における赤色信号成分、緑色信号成分、青色信号成分各々のレベルを個別に調整する。この際、図１４（ｂ）に示す如く、ＰＤＰ５０の累積使用時間が長くなるほど、赤色信号成分に対するレベル低下量（一点鎖線にて示す）が、緑色信号成分に対するレベル低下量（実線にて示す）よりも大になる。又、緑色信号成分に対するレベル低下量が青色信号成分に対するレベル低下量（波線にて示す）よりも大になる。
【００３４】
よって、例え経年変化により赤色発光を為す放電セルＰＣ、緑色発光を為す放電セルＰＣ、青色発光を為す放電セルＰＣ各々の輝度レベルにバラツキが生じても、入力映像信号段階での各色毎のレベル調整により、かかるバラツキを相殺した適切なホワイトバランスを長期間に亘り維持させることが可能となる。
【００３５】
又、図１５に示す如く、ＰＤＰ５０の累積使用時間が長くなり所定の累積時間ｔ１を経過すると、行電極Ｙ及び列電極Ｄ間で生起されるアドレス放電に放電遅れが生じ始める。
【００３６】
そこで、駆動制御回路５６は、現時点でのＰＤＰ５０の累積使用時間が図１５に示す如き所定の累積時間ｔ１を越えるまでは図１６（ａ）、累積時間ｔ１を越えた場合には図１６（ｂ）に示す如き発光駆動シーケンスに従った階調駆動を実行する。尚、図１６（ａ）に示す発光駆動シーケンスは、１フィールド表示期間をＮ個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）に分割して階調駆動を行うものであり、図１０に示されるものと同一である。一方、図１６（ｂ）に示す発光駆動シーケンスは、図１０に示される発光駆動シーケンスにおけるサブフィールドの数を１つだけ減らして（Ｎ−１）個にしたものである。尚、各サブフィールドにおいて、アドレス行程Ｗ、サスティン行程Ｉ及び消去行程Ｅを順次実行する点、並びに先頭のサブフィールドＳＦ１に限り、アドレス行程Ｗに先立ち、リセット行程Ｒを実行する点は、図１０に示されるものと同一である。この際、図１６（ｂ）に示す駆動を実行する際には、サブフィールド数を１つ減らした分（時間）だけ、各サブフィールドのアドレス行程Ｗにおいて印加される走査パルスＳＰ（又は画素データパルスＤＰ）のパルス幅Ｗａ、並びに各サブフィールドのサスティン行程Ｉにおいて第１番目に印加される維持パルスＩＰYのパルス幅Ｗｂを夫々広げる。
【００３７】
これにより、例え経年変化に伴いアドレス放電に放電遅れが生じても、確実に放電を生起させることが可能になる。
【００３８】
尚、上記実施例におけるＰＤＰ５０では、行電極対（Ｘ1，Ｙ1）、（Ｘ2，Ｙ2）、（Ｘ3，Ｙ3）、・・・、（Ｘn，Ｙn）の如き互いに対を為す行電極Ｘと行電極Ｙとの間に放電セルＰＣが形成される構造を採用しているが、互いに隣接する全ての行電極間に放電セルＰＣが形成された構造を採用しても良い。要するに、行電極Ｘ1及びＹ1の間、行電極Ｙ1及びＸ2間、行電極Ｘ2及びＹ2の間、・・・、行電極Ｙn-1及びＸnの間、行電極Ｘn及びＹnの間、に夫々放電セルＰＣが形成された構造を採用しても良いのである。
【００３９】
又、上記実施例におけるＰＤＰ５０では、前面透明基板１０に行電極Ｘ及びＹ、背面基板１４に列電極Ｄ及び蛍光体層１７を夫々形成される構造を採用しているが、前面透明基板１０に列電極Ｄと共に行電極Ｘ及びＹを形成し、背面基板１４に蛍光体層１７を形成させた構造を採用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１のプラズマディスプレイ装置に搭載されているＰＤＰ５を表示面側から眺めた場合の内部構造を模式的に示す正面図である。
【図３】図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面を示す図である。
【図４】図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面を示す図である。
【図５Ａ】酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。
【図５Ｂ】酸化マグネシウム単結晶体の一例を示す図である。
【図６】酸化マグネシウム単結晶体の粒径とＣＬ発光の波長との関係を示すグラフである。
【図７】酸化マグネシウム単結晶体の粒径と２３５ｎｍのＣＬ発光の強度との関係を示すグラフである。
【図８】酸化マグネシウム単結晶体粉末を誘電体層及び嵩上げ誘電体層の表面に付着させて酸化マグネシウム層を形成させた場合の形態を示す図である。
【図９】ＰＤＰ５０の累積使用時間に対応したリセットパルス、走査パルス、及びサスティンパルス各々の最適パルス電圧値の予測情報を示す図である。
【図１０】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの一例を示す図である。
【図１１】図１０に示す発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰ５０に印加される各種駆動パルスとその印加タイミングを示す図である。
【図１２】放電セル内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を構築した場合、電子線の照射により２００〜３００ｎｍにピークを有するＣＬ発光を生起する気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。
【図１３】２３５ｎｍピークのＣＬ発光強度と放電遅れ時間との対応関係を示す図である。
【図１４】ＰＤＰ５０の累積使用時間に対応した各色毎の輝度低下の推移と、累積使用時間に対応した各色毎の映像信号に対するレベルシフト量を示す情報とを示す図である。
【図１５】ＰＤＰ５０の累積使用時間に対応したアドレス放電の放電遅れ時間の推移を表す図である。
【図１６】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの他の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１３  酸化マグネシウム層
５０  ＰＤＰ
５１  行電極Ｘ駆動回路
５３  行電極Ｙ駆動回路
５５  列電極駆動回路
５６  駆動制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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