(57)【要約】【課題】信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができるアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板１０と、基板１０上に形成された複数の走査配線１１と、走査配線１１に交差する複数の信号配線１２と、対応する走査配線１１に印加される信号に応答して動作する複数のスイッチング素子１３と、スイッチング素子１３を介して対応する信号配線に電気的に接続され得る複数の画素電極１４とを備えている。各画素電極１４は、対応する信号配線に基板法線方向から見たときに重なる重畳部を有する。導電部材１８が、絶縁膜２１を介して信号配線１２の下層に設けられている。この導電部材１８は、基板法線方向から見たときに少なくとも一部が画素電極１４の重畳部に重なっており、レーザ光を照射されることによって溶融して信号配線１２と画素電極１４とを接続し得る。【選択図】図３
2006171410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された複数の走査配線と、
前記複数の走査配線に交差する複数の信号配線と、
前記基板上に形成され、対応する走査配線に印加される信号に応答して動作する複数のスイッチング素子と、
前記複数のスイッチング素子を介して、対応する信号配線に電気的に接続され得る複数の画素電極と、を備え、
前記複数の画素電極のそれぞれが、対応する信号配線に基板法線方向から見たときに重なる重畳部を有するアクティブマトリクス基板であって、
絶縁膜を介して前記信号配線の下層に設けられた導電部材であって、基板法線方向から見たときに少なくとも一部が前記重畳部に重なる導電部材を有するアクティブマトリクス基板。
【請求項２】
前記導電部材は、レーザ光を照射されることによって溶融して前記信号配線と前記画素電極とを接続し得る請求項１に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項３】
前記導電部材は、金属材料または半導体材料から形成されている請求項１または２に記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項４】
前記導電部材は、前記複数の信号配線および前記複数の走査配線とは絶縁され、電気的に浮動状態である請求項１から３のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項５】
前記導電部材は、前記複数の走査配線と同一の膜から形成されている請求項１から４のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項６】
前記複数のスイッチング素子は、複数の薄膜トランジスタであり、
前記導電部材は、前記複数の薄膜トランジスタが有する半導体層と同一の膜から形成されている、請求項１から４のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項７】
前記複数の信号配線のそれぞれは、前記複数の走査配線に交差する方向に沿って延びる幹部と、前記幹部から分岐した枝部とを有し、
前記複数の画素電極の前記重畳部は、基板法線方向から見たときに前記枝部と重なっている、請求項１から６のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項８】
前記導電部材は、基板法線方向から見たときにその全部が前記信号配線に重なっている、請求項１から７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項９】
前記導電部材は、基板法線方向から見たときにその一部が前記信号配線に重なっている、請求項１から７のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載のアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板上に配置された表示媒体層とを備え、マトリクス状に配列された複数の画素領域を有する表示装置。
【請求項１１】
前記アクティブマトリクス基板に前記表示媒体層を介して対向する対向基板をさらに備え、前記表示媒体層は液晶層である請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の表示装置の欠陥修正方法であって、
前記複数の画素領域のなかから表示欠陥を呈する画素領域を特定する工程と、
前記特定された画素領域に設けられた前記導電部材にレーザ光を照射して前記導電部材を溶融させることによって、前記特定された画素領域の画素電極と対応する信号配線とを電気的に接続する工程と、を包含する表示装置の欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マトリクス状に配列されたスイッチング素子を有するアクティブマトリクス基板に関する。また、本発明は、アクティブマトリクス基板を備えた表示装置およびその欠陥修正方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型で低消費電力であるという特徴を有し、様々な分野に広く用いられている。特に、画素ごとに薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高いコントラスト比および優れた応答特性を有し、高性能であるため、テレビやモニタ、ノートパソコンに用いられており、近年その市場規模が拡大している。
【０００３】
アクティブマトリクス型液晶表示装置は、複数のＴＦＴが形成されたアクティブマトリクス基板と、アクティブマトリクス基板に対向するカラーフィルタ基板とを備え、これらの間に挟持された液晶層の配向状態を制御することによって表示を行う。
【０００４】
アクティブマトリクス基板は、絶縁性基板上に、半導体膜や絶縁膜、導体膜を堆積する工程と、これらの膜をパターニングする工程とを繰り返すことによって作製される。そのため、正常なＴＦＴ特性が得られない欠陥ＴＦＴの発生や、走査配線や信号配線における短絡や断線の発生が避けられない。このような欠陥を有するＴＦＴ基板を用いて製造された液晶表示装置には、正常な電圧が印加されず、所定の表示ができない不良画素（画素欠陥）が存在する。
【０００５】
そこで、不良画素の画素電極を信号配線に直結することによって画素欠陥を目立たなくする欠陥修正方法が提案されている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、図１１（ａ）に示すように、信号配線２１２から分岐するように接続用舌片２１８を設ける手法が開示されている。この接続用舌片２１８は、図１１（ｂ）に示すように、絶縁膜２２２を介して画素電極２１４に重なるように配置されている。画素欠陥が生じた場合には、この接続用舌片２１８をレーザ光で溶融させて信号配線２１２と画素電極２１４とを直結することにより、画素電極２１４には信号配線２１２から常に信号電圧が供給されるようになり、画素欠陥を目立たなくすることができる。
【特許文献１】特開平１０−３０８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示されている手法には、以下のような問題がある。
【０００８】
一般に、レーザ装置の出力は一定の範囲内でばらつく。そのため、接続用舌片２１８だけでなく、信号配線２１２自体が溶融されてしまうことがある。信号配線２１２の溶融は、断線などの重度の欠陥を引き起こすことがあるので、表示装置の信頼性を大幅に低下させてしまう。
【０００９】
図１２に、特許文献１に開示されている手法を用いて欠陥修正を行った場合の接続用舌片２１８近傍を示す。接続用舌片２１８のうち、信号配線２１２から２．５μｍ以上離れた部分のみを溶融するような条件でレーザ光の照射を行ったにも関わらず、出力のばらつきによって信号配線２１２の直近まで溶融されている様子がわかる。出力のばらつきがさらに大きくなると、信号配線２１２まで溶融されて断線の原因となる。
【００１０】
また、本願発明者がさらに検討を進めたところ、溶融した接続用舌片２１８が画素電極２１４へ飛散して画素電極２１４に損傷を与えることがわかった。具体的には、図１３（ａ）の写真や図１３（ｂ）の模式図に示すように、画素電極２１４の、接続用舌片２１８直上に位置する部分が、接続用舌片２１８の飛散によって浮き上がってしまうことがわかった。画素電極２１４が浮き上がると、液晶層の配向の安定性が乱れ、表示品位が低下してしまう。
【００１１】
なお、画素電極２１４の損傷ができるだけ小さくなるようにレーザ光の照射条件を設定することはできるが、そのように設定することは、接続用舌片２１８の溶融不足に対するマージンを減らすことになるので、レーザ装置の出力がばらつくと、接続用舌片２１８の溶融不足に起因した接続不良が発生し、修正の歩留まりが低下したり信頼性に欠ける修正となったりしてしまう。
【００１２】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができるアクティブマトリクス基板、そのようなアクティブマトリクス基板を備えた表示装置およびその欠陥修正方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板と、前記基板上に形成された複数の走査配線と、前記複数の走査配線に交差する複数の信号配線と、前記基板上に形成され、対応する走査配線に印加される信号に応答して動作する複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子を介して、対応する信号配線に電気的に接続され得る複数の画素電極とを備え、前記複数の画素電極のそれぞれが、対応する信号配線に基板法線方向から見たときに重なる重畳部を有するアクティブマトリクス基板であって、絶縁膜を介して前記信号配線の下層に設けられた導電部材であって、基板法線方向から見たときに少なくとも一部が前記重畳部に重なる導電部材を有しており、そのことによって上記目的が達成される。
【００１４】
ある好適な実施形態において、前記導電部材は、レーザ光を照射されることによって溶融して前記信号配線と前記画素電極とを接続し得る。
【００１５】
ある好適な実施形態において、前記導電部材は、金属材料または半導体材料から形成されている。
【００１６】
ある好適な実施形態において、前記導電部材は、前記複数の信号配線および前記複数の走査配線とは絶縁され、電気的に浮動状態である。
【００１７】
ある好適な実施形態において、前記導電部材は、前記複数の走査配線と同一の膜から形成されている。
【００１８】
ある好適な実施形態において、前記複数のスイッチング素子は、複数の薄膜トランジスタであり、前記導電部材は、前記複数の薄膜トランジスタが有する半導体層と同一の膜から形成されている。
【００１９】
ある好適な実施形態において、前記複数の信号配線のそれぞれは、前記複数の走査配線に交差する方向に沿って延びる幹部と、前記幹部から分岐した枝部とを有し、前記複数の画素電極の前記重畳部は、基板法線方向から見たときに前記枝部と重なっている。
【００２０】
ある好適な実施形態において、前記導電部材は、基板法線方向から見たときにその全部が前記信号配線に重なっている。
【００２１】
ある好適な実施形態において、前記導電部材は、基板法線方向から見たときにその一部が前記信号配線に重なっている。
【００２２】
本発明による表示装置は、上記の構成を有するアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板上に配置された表示媒体層とを備え、マトリクス状に配列された複数の画素領域を有し、そのことによって上記目的が達成される。
【００２３】
ある好適な実施形態において、本発明による表示装置は、前記アクティブマトリクス基板に前記表示媒体層を介して対向する対向基板をさらに備え、前記表示媒体層は液晶層である。
【００２４】
本発明による表示装置の欠陥修正方法は、上記の構成を有する表示装置の欠陥修正方法であって、前記複数の画素領域のなかから表示欠陥を呈する画素領域を特定する工程と、前記特定された画素領域に設けられた前記導電部材にレーザ光を照射して前記導電部材を溶融させることによって、前記特定された画素領域の画素電極と対応する信号配線とを電気的に接続する工程とを包含し、そのことによって上記目的が達成される。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によるアクティブマトリクス基板は、基板法線方向から見たときに少なくとも一部が画素電極の重畳部（画素電極のうち信号配線に重なる部分）に重なる導電部材を有しているので、画素欠陥が発生した場合には、導電部材にレーザ光を照射することによって導電部材を溶融させ、それによって信号配線と画素電極とを接続することができる。この導電部材は、絶縁膜を介して信号配線の下層に設けられているので、レーザ装置の出力がばらついても信号配線を溶融するおそれがない。また、導電部材が絶縁膜を介して信号配線の下層に設けられていることにより、溶融した導電部材の画素電極への飛散が、信号配線と導電部材との間の絶縁膜や、信号配線によって抑制される。さらに、信号配線の溶融や画素電極の損傷を考慮してレーザ光の照射条件を設定する必要がないので、溶融不足に対するマージンを十分見込んだ条件でレーザ光の照射を行うことができ、修正歩留まりが高く且つ信頼性の高い修正を行うことができる。このように、本発明によると、信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。なお、以下では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備えた液晶表示装置を例として本発明を説明するが、本発明はこれに限定されず、スイッチング素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置に広く用いられる。
【００２７】
図１および図２に、本実施形態における液晶表示装置１００を示す。図１は、液晶表示装置１００を模式的に示す断面図であり、図２は、液晶表示装置１００の一つの画素領域を模式的に示す上面図である。
【００２８】
液晶表示装置１００は、図１に示すように、アクティブマトリクス基板（以下では「ＴＦＴ基板」と呼ぶ）１００ａと、ＴＦＴ基板１００ａに対向する対向基板１００ｂと、これらの間に設けられた液晶層４０とを備えている。
【００２９】
ＴＦＴ基板１００ａおよび対向基板１００ｂの液晶層４０側には、液晶層４０に電圧を印加するための電極１４、３４がそれぞれ設けられている。これらの電極１４、３４間に印加される電圧に応じて液晶層４０の配向が変化し、そのことによって表示が行われる。
【００３０】
なお、図１では、ＴＦＴ基板１００ａの電極１４を連続した単一の導電膜として示しているが、後述するように、ＴＦＴ基板１００ａの電極１４は、画素ごとに分離して設けられている。これに対し、対向基板１００ｂの電極３４は、典型的には、透明基板（例えばガラス基板）３０上に設けられた連続した単一の電極（共通電極と呼ばれる）である。
【００３１】
次に、ＴＦＴ基板１００ａの構造を詳しく説明する。
【００３２】
ＴＦＴ基板１００ａは、絶縁性を有する透明基板（例えばガラス基板）１０と、基板１０上に形成された複数の走査配線（ゲートバスラインとも呼ばれる）１１と、これらの走査配線１１に交差する複数の信号配線（ソースバスラインとも呼ばれる）１２とを備えている。走査配線１１と信号配線１２とは、典型的には直交している。
【００３３】
ＴＦＴ基板１００ａは、さらに、対応する走査配線１１に印加される信号に応答して動作する複数のＴＦＴ１３と、これらのＴＦＴ１３を介して対応する信号配線１２に電気的に接続され得る複数の画素電極１４とを備えている。
【００３４】
ＴＦＴ１３は、半導体層１５と、走査配線１１に電気的に接続されたゲート電極１３Ｇと、信号配線１２に電気的に接続されたソース電極１３Ｓと、画素電極１４に電気的に接続されたドレイン電極１３Ｄとを有している。なお、図２には、ゲート電極１３Ｇを２つ備えたダブルゲート型のＴＦＴを例示しているが、本発明は勿論これに限定されるものではない。
【００３５】
画素電極１４は、図２に示すように、基板法線方向から見たときにその一部が走査配線１１や信号配線１２に重なるように設けられており、これによって開口率の向上が図られている。本願明細書では、画素電極１４のうち、信号配線１２に重なっている部分を「重畳部」と呼ぶこととする。
【００３６】
本実施形態における信号配線１２は、図２に示すように、走査配線１１に交差する方向に沿って延びる幹部（信号配線本体）１２ａと、幹部１２ａから分岐した枝部１２ｂとを有している。枝部１２ｂは、画素領域の内側に向かって延びるように形成されている。幹部１２ａの一部および枝部１２ｂの全部が画素電極１４に重なっている。
【００３７】
また、ＴＦＴ基板１００ａには、補助容量配線１６と、補助容量電極１７とが設けられており、これらによって補助容量が形成されている。補助容量配線１６は、走査配線１１と同一の膜から形成されており、補助容量電極１７は、ＴＦＴ１３の半導体層１５と同一の膜から形成されている。
【００３８】
本実施形態におけるＴＦＴ基板１００ａには、さらに、画素欠陥が生じた場合に信号配線１２と画素電極１４とを直結するための導電部材１８が設けられている。
【００３９】
ここで、図３をさらに参照しながら、導電部材１８の構造や配置を説明する。図３は、図２中の３Ａ−３Ａ’線に沿った断面図である。
【００４０】
導電部材１８は、図３に示すように、絶縁膜２１を介して信号配線１２の下層に設けられている。より具体的には、導電部材１８は、半導体層１５を覆う下層絶縁膜２０上に、走査配線１１と同一の導電膜（いわゆるゲートメタル層）から形成されている。ただし、導電部材１８は、走査配線１１とは切り離されており、電気的に接続されていない。また、導電部材１８は、上層絶縁膜２１によって覆われており、信号配線１２とも電気的に接続されていない。つまり、導電部材１８は、電気的に浮動状態（フローティング）である。また、導電部材１８は、基板法線方向から見たときにその一部が信号配線１２の枝部１２ｂに重なっており、画素電極１４の重畳部（画素電極１４のうち平坦化樹脂層２２を介して信号配線１２に重なる部分）に重なっている。
【００４１】
続いて、液晶表示装置１００の画素欠陥を修正する方法を説明する。
【００４２】
液晶表示装置１００において画素欠陥が生じた場合、まず、複数の画素領域のなかから表示欠陥を呈する画素領域を特定する。この工程は、例えば、任意の信号を発生させ得る任意信号発生装置を用い、表示を目視することによって行われる。
【００４３】
次に、特定された画素領域において、図４に示すように、導電部材１８にレーザ光を照射して導電部材１８を溶融させることによって、画素電極１４と信号配線１２とを電気的に接続する。レーザ光を照射された導電部材１８は、溶融して信号配線１２と画素電極１４との間に流れ出し、その後凝固して信号配線１２と画素電極１４とを連結する配線１８’となる。信号配線１２と画素電極１４とが配線１８’によって直接電気的に接続されるので、画素電極１４には、常に信号配線１２からの表示信号が印加されるようになり、欠陥が目立たなくなる。
【００４４】
上述したように、本実施形態におけるＴＦＴ基板１００ａは、少なくとも一部が画素電極１４の重畳部（画素電極１４のうち信号配線１２に重なる部分）に重なる導電部材１８を有しているので、画素欠陥が発生した場合には、導電部材１８にレーザ光を照射することによって導電部材１８を溶融させ、それによって信号配線１２と画素電極１４とを接続することができる。この導電部材１８は、絶縁膜２０を介して信号配線１２の下層に設けられているので、レーザ装置の出力がばらついても信号配線１２を溶融するおそれが少ない。
【００４５】
また、導電部材１８が絶縁膜２０を介して信号配線１２の下層に設けられていることによって、溶融した導電部材１８の画素電極１４への飛散が、信号配線１２と導電部材１８との間の絶縁膜２０や、信号配線１２によって抑制される。
【００４６】
さらに、信号配線１２の溶融や画素電極１４の損傷を考慮してレーザ光の照射条件を設定する必要がないので、溶融不足に対するマージンを十分見込んだ条件でレーザ光の照射を行うことができ、信頼性の高い修正を行うことができる。
【００４７】
このように、本発明によると、信号配線１２の断線や画素電極１４の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができる。
【００４８】
特許文献１に開示されている手法では、信号配線２１２から分岐した接続用舌片２１８を溶融接続に用いる。つまり、互いに直結されるべき２つの部材（画素電極２１４および信号配線２１２）の一方の一部を用いる。これに対し、本発明では、互いに直結されるべき画素電極１４および信号配線１２とは別の層、より具体的には絶縁膜２０を介して信号配線１２の下層に導電部材１８を設け、この導電部材１８を溶融することによって配線１８’として機能させる。つまり、本発明は、接続すべき部材とは異なるレベルに設けられた部材を溶融接続に用いるという、これまでの技術常識とは異なる独自の発想に基づいてなされたものである。
【００４９】
溶融接続のための導電部材１８は、本実施形態で示したように、信号配線１２および走査配線１１とは絶縁され、電気的に浮動状態（フロ−ティング）であることが好ましい。溶融接続のための導電部材が、所定の電位を与えられる部材と接続されている場合（例えば配線と一体に形成されている場合）には、その部材と信号配線１２や画素電極１４が電気的に接続されてしまわないように、レーザ光の照射に先立ってその部材と導電部材とを切り離しておく必要がある。これに対し、導電部材１８がフローティングであると、そのような余分な工程の増加を伴うことなく欠陥修正を行うことができる。
【００５０】
また、本実施形態のように、導電部材１８を他の部材（例えば走査配線１１）と同一の膜から形成すると、液晶表示装置の製造工程において、余分な工程の増加を伴うことなく導電部材１８を造り込むことができる。
【００５１】
導電部材１８の大きさや配置は、図２および図３に例示したものに限定されない。以下、導電部材１８の他の例を説明する。
【００５２】
図２には、導電部材１８の幅（信号配線１２の延びる方向に沿った幅）が信号配線１２の枝部１２ｂの幅と一致する場合を例示したが、図５に示すように、導電部材１８の幅は、枝部１２ｂの幅より小さくてもよく、あるいは逆に、枝部１２の幅より大きくてもよい。
【００５３】
また、図２、図３および図５には、導電部材１８の一部のみが信号配線１２に重なっている配置を示したが、図６および図７に示すように、導電部材１８の全部が信号配線１２に重なっていてもよい。図６に示すように、信号配線１２の枝部１２ｂに導電部材１８の全部が重なっていてもよいし、図７に示すように、信号配線１２の幹部１２ａと枝部１２ｂとに導電部材１８の全部が重なっていてもよい。
【００５４】
図６および図７に示すように、導電部材１８の全部が信号配線１２に重なっていると、導電部材１８による開口率の低下を防止することができる。一方、図２、図３および図５に示すように、導電部材１８が、信号配線１２には重ならずに画素電極１４に重なる部分を有していると、信号配線１２と画素電極１４との間に溶融した導電部材１８が流れ込みやすいので、信号配線１２と画素電極１４との接続をより確実に行うことができる。さらに、接続をより確実に行う観点からは、平坦化樹脂膜２２の厚さを、導電部材１８上で局所的に薄くすることも好ましい。
【００５５】
また、図８に示すように、枝部１２ｂよりも大きな導電部材１８を設けてもよい。導電部材１８のサイズをレーザ光のスポットサイズよりも十分大きくすると、万一溶融接続に失敗したとしても、導電部材１８の残りの部分（レーザ光が照射されなかった部分）にレーザ光を照射することによって、溶融接続を再び行うことができる。
【００５６】
導電部材１８の材料としては、金属材料を広く用いることができる。また、導電部材１８は、信号配線１２と画素電極１４との間の電気的な接続を確保できればよく、必ずしも金属材料ほどの電気伝導性を要求されない。そのため、導電部材１８の材料として半導体材料を用いてもよい。
【００５７】
図９に、半導体材料から形成された導電部材１８Ａを備えたＴＦＴ基板１００ａを示す。図９に示す導電部材１８Ａは、ＴＦＴ１３を構成する半導体層１５と同一の膜から形成されている。半導体材料から形成された導電部材１８Ａを設けた場合にも、レーザ光の照射によって導電部材１８Ａを溶融させることにより、信号配線１２と画素電極１４とを接続することができる。
【００５８】
また、本実施形態では、走査配線１１に交差する方向に沿って延びる幹部１２ａと、幹部１２ａから分岐した枝部１２ｂとを有する信号配線１２を例示したが、図１０に示すように、信号配線１２は枝部を有していなくてもよい。信号配線１２が枝部を有していなくても、信号配線１２に少なくとも一部が重なるように導電部材１８が設けられていれば、溶融接続による欠陥修正を行うことができる。
【００５９】
また、本実施形態のＴＦＴ基板１００ａには、図２に示すように、画素電極１４が平坦化樹脂膜２２を介して信号配線１２の本体（幹部１２ａ）に重なっている構成が用いられているが、必ずしもこのような構成を採用する必要はなく、画素電極１４が信号配線１２の本体（幹部１２ａ）には重ならず、枝部１２ｂのみと重なっているような構成を採用してもよい。
【００６０】
本実施形態における液晶表示装置１００は、溶融接続を行うための導電部材１８または１８Ａが設けられている点以外は、公知の種々の液晶表示装置と同じ構成を採用することができる。そのため、公知の種々の製造方法を用いて製造することができる。以下に、図９に示す構成について、製造方法の一例を示す。
【００６１】
まず、絶縁性基板（例えばガラス基板）１０上に、厚さ５０ｎｍの多結晶シリコン膜を形成し、この多結晶シリコン膜をパターニングすることによって半導体層１５を形成する。このとき、半導体層１５を形成するための多結晶シリコン膜から導電部材１８Ａや補助容量電極１７も同時に形成される。多結晶シリコン膜の形成には、公知の種々の手法を用いることができる。
【００６２】
次に、半導体層１５、導電部材１８Ａおよび補助容量電極１７を覆うように基板１０のほぼ全面にＣＶＤ法を用いて厚さ１００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜を堆積することによって、下層絶縁膜２０を形成する。
【００６３】
続いて、下層絶縁膜２０上にスパッタリング法を用いて厚さ３０ｎｍの窒化タンタル（ＴａＮ）膜および厚さ３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）膜を堆積した後、この積層膜をパターニングすることによって、ゲート電極１３Ｇおよび補助容量配線１６を形成する。
【００６４】
その後、半導体層１５の所定の領域に不純物をドープすることによって、半導体膜１５にソース領域およびドレイン領域を形成する。このとき、半導体層１５のうち不純物のドープされなかった領域がチャネル領域となる。
【００６５】
次に、基板のほぼ全面を覆うようにＣＶＤ法を用いて厚さ２５０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮx）膜および厚さ７００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜を積層することによって、上層絶縁膜２１を形成する。
【００６６】
続いて、下層絶縁膜２０および上層絶縁膜２１に、ソース領域の一部を露出するようにソースコンタクトホール２０ａを形成するとともに、ドレイン領域の一部を露出するようにドレインコンタクトホール２０ｂを形成する。
【００６７】
その後、スパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、厚さ３５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜および厚さ１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜を積層し、この積層膜をパターニングすることによって、信号配線１２、ソース電極１３Ｓおよびドレイン電極１３Ｄを形成する。
【００６８】
次に、アクリル系樹脂を塗布・焼成することによって厚さ２４００ｎｍの平坦化樹脂膜２２を形成し、この平坦化樹脂膜２２の所定の位置（具体的にはドレイン電極１４上）にコンタクトホール２２ａを形成する。
【００６９】
その後、平坦化樹脂膜２２上にスズをドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）膜を厚さが１００ｎｍとなるように堆積し、このＩＴＯ膜をパターニングすることによって画素電極１４を形成する。
【００７０】
このようにして得られたＴＦＴ基板１００ａを、別途に作製した対向基板１００ｂと貼り合せ、これらの間隙に液晶材料を注入・封止することによって液晶層４０を形成することにより、液晶表示装置１００が完成する。
【００７１】
画素欠陥が発生した場合には、例えばＮｄ：ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ，５３２ｎｍ，２６６ｎｍ）や、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ（波長１０５３ｎｍ，５２７ｎｍ）を用いて導電部材１８Ａを溶融させ、それによって信号配線１２と画素電極１４とを接続して欠陥修正を行うことができる。
【００７２】
なお、本実施形態では、表示媒体層として液晶層を備えた液晶表示装置を例として本発明を説明したが、本発明はこれに限定されず、種々の表示装置に好適に用いることができる。例えば、表示媒体層として有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ表示装置にも好適に用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明によると、信号配線の断線や画素電極の損傷の発生を伴うことなく、欠陥修正を高精度で行うことができるアクティブマトリクス基板、そのようなアクティブマトリクス基板を備えた表示装置およびその欠陥修正方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の好適な実施形態における液晶表示装置１００を模式的に示す断面図である。
【図２】液晶表示装置１００の一つの画素領域を模式的に示す上面図である。
【図３】液晶表示装置１００に設けられた導電部材近傍を模式的に示す図であり、図２中の３Ａ−３Ａ’線に沿った断面図である。
【図４】導電部材へのレーザ光の照射により信号配線と画素電極とが電気的に接続される様子を模式的に示す図である。
【図５】導電部材の他の配置例を示す上面図である。
【図６】導電部材の他の配置例を示す上面図である。
【図７】導電部材の他の配置例を示す上面図である。
【図８】導電部材の他の配置例を示す上面図である。
【図９】導電部材の他の配置例を示す断面図である。
【図１０】導電部材の他の配置例を示す上面図である。
【図１１】（ａ）は、信号配線と画素電極とを接続するための接続用舌片を備えた従来の液晶表示装置を模式的に示す上面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の１１Ｂ−１１Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１２】図１１に示す従来の液晶表示装置において欠陥修正を行った場合の接続用舌片近傍を示す写真である。
【図１３】（ａ）は、図１１に示す従来の液晶表示装置において欠陥修正を行った場合の画素電極の損傷を示す写真であり、（ｂ）は、画素電極の損傷を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０    基板（絶縁性基板）
１１    走査配線
１２    信号配線
１２ａ    幹部
１２ｂ    枝部
１３    薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１４    画素電極
１５    半導体層
１６    補助容量配線
１７    補助容量電極
１８、１８Ａ    導電部材
２０    下層絶縁膜
２１    上層絶縁膜
２２    平坦化樹脂膜
３０    基板（絶縁性基板）
３４    電極（共通電極）
４０    液晶層
１００    液晶表示装置
１００ａ    アクティブマトリクス基板（ＴＦＴ基板）
１００ｂ    対向基板（カラーフィルタ基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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