(57)【要約】【課題】液晶がシール材から漏れ出すことを防止する。【解決手段】  第１の基板上に形成されたシール材によって区画された電気光学物質充填領域に、電気光学物質を滴下する工程と、前記電気光学物質の滴下に際して前記第１の基板を冷却する工程と、前記電気光学物質が滴下された第１の基板に第２の基板を貼り合わせる工程とを具備したことを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に形成されたシール材によって区画された電気光学物質充填領域に、電気光学物質を滴下する工程と、
前記電気光学物質の滴下に際して前記第１の基板を冷却する工程と、
前記電気光学物質が滴下された第１の基板に第２の基板を貼り合わせる工程とを具備したことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板を冷却する工程は、前記電気光学物質を滴下する工程と同時に実施されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板を冷却する工程は、前記電気光学物質を滴下する工程の前に開始されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板を冷却する工程は、前記電気光学物質を滴下する工程の後に開始されることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板を冷却する工程は、ペルチェ効果を利用したものであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記基板を冷却する工程は、水冷却法を利用したものであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２の基板は、複数の素子が形成されたマザー基板であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板を冷却する工程は、窒素雰囲気下において前記第１の基板を冷却することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
シール材によって電気光学物質充填領域が区画された第１の基板を載置するステージと、
前記ステージに載置された第１の基板上の前記電気光学物質充填領域に電気光学物質を滴下する電気光学物質滴下手段と、
前記第１の基板と第２の基板とを貼り合わせるために前記第２の基板を保持するヘッドと、
前記第１の基板と第２の基板との貼り合わせに際して前記第１及び第２の基板の周辺を真空状態にする第１のチャンバと、
前記第１の基板を冷却する冷却手段とを具備したことを特徴とする電気光学装置の製造装置。
【請求項１０】
貼り合わせ時には、少なくとも前記ステージ及びヘッドは前記第１のチャンバ内に配置されることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項１１】
前記冷却手段による前記第１の基板の冷却に際して前記第１の基板の周辺を窒素雰囲気にする第２のチャンバを更に具備したことを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項１２】
前記第２のチャンバは、前記電気光学物質滴下手段を内蔵することを特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２のチャンバは共通の装置によって構成されることを特徴とする請求項９及び請求項１１に記載の電気光学装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大板組立方式に好適な電気光学装置の製造装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電気光学装置、例えば、電気光学物質に液晶を用いて所定の表示を行う液晶装置は、一対の基板間に液晶が挟持された構成となっている。アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置においては、一対の基板のうちの一方は、縦横に夫々配列された多数の走査線（ゲート線）及びデータ線（ソース線）の各交点に対応して、画素電極及びスイッチング素子が配列されたアクティブマトリクス基板であり、他方は、共通電極が形成された対向基板である。
【０００３】
ＴＦＴ素子等のスイッチング素子は、ゲート線に供給されるオン信号によってオンとなり、ソース線を介して供給される画像信号を画素電極（透明電極（ＩＴＯ））に書込む。これにより、画素電極と共通電極相互間の液晶層に画像信号に基づく電圧を印加して、液晶分子の配列を変化させる。こうして、画素の透過率を変化させ、画素電極及び液晶層を通過する光を画像信号に応じて変化させて画像表示を行う。
【０００４】
ＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向配置される対向基板とは、別々に製造される。両基板は、パネル組立工程において高精度に貼り合わされた後、液晶が封入される。パネル組立工程においては、先ず、各基板工程において夫々製造されたＴＦＴ基板と対向基板との対向面、即ち、対向基板及びＴＦＴ基板の液晶層と接する面上に配向膜が形成され、次いでラビング処理が行われる。
【０００５】
次に、一方の基板上の端辺に接着剤となるシール部が形成される。ＴＦＴ基板と対向基板とをシール部を用いて貼り合わせ、アライメントを施しながら圧着硬化させるのである。
【０００６】
ところで、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を封入する方式として、液晶滴下方式が採用されることがある。液晶滴下方式においては、例えばＴＦＴ基板上の周縁に、接着剤となるシール材を枠状に形成した後、このシール材の内側の基板上の領域（以下、液晶充填領域という）に、規定量の液晶を滴下する。
【０００７】
次に、真空下において、ＴＦＴ基板に対向基板を対向配置して、シール材を介して貼り合わせる。そして、ＴＦＴ基板と対向基板とを圧着硬化させると共に、大気開放する。このような液晶滴下方式については、特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１１７５７８公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、液晶装置においては、１枚のマザーガラス基板から複数のＴＦＴ基板（アクティブマトリクス基板）を切り出すアレイ製造方式が採用されることがある。このアレイ製造方式を採用すると、マザーガラス基板上の全てのＴＦＴ基板に液晶を滴下して対向基板を貼り合わせるまでに、長時間を要する。このため、ＴＦＴ基板上に滴下した液晶が経時変化によって広がり、対向基板を貼り合わせる前に、シール材を乗り越えてはみ出してしまうことがある。
【０００９】
そうすると、封入する液晶の量が少なくなり、セルギャップが狭くなってしまうという問題があった。また、シール材の上面に液晶が付着してしまい、シール材の接着力が低下してしまうという問題もあった。
【００１０】
本発明は、冷却によって経時変化による液晶の広がりを抑制することにより、適正なセルギャップを確保すると共にシール材の接着力を維持することができる電気光学装置の製造装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は、第１の基板上に形成されたシール材によって区画された電気光学物質充填領域に、電気光学物質を滴下する工程と、前記電気光学物質の滴下に際して前記第１の基板を冷却する工程と、前記電気光学物質が滴下された第１の基板に第２の基板を貼り合わせる工程とを具備したことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、第１の基板上の電気光学物質充填領域に、電気光学物質が滴下される。この際には、第１の基板が冷却される。これにより、滴下された電気光学物質の温度が低下し粘度が高くなる。電気光学物質が滴下された第１の基板には第２の基板が貼り合わされる。この貼り合わせ工程が終了するまでの間、滴下された電気光学物質は広がりにくく、シール材によって区画された電気光学物質充填領域から流れ出すことはない。これにより、電気光学物質の充填量が少なくなることはなく、適正なギャップ長が得られる。また、電気光学物質によってシール材の接着力が弱められることもない。
【００１３】
また、前記基板を冷却する工程は、前記電気光学物質を滴下する工程と同時に実施されることを特徴とする。
【００１４】
また、前記基板を冷却する工程は、前記電気光学物質を滴下する工程の前に開始されることを特徴とする。
【００１５】
また、前記基板を冷却する工程は、前記電気光学物質を滴下する工程の後に開始されることを特徴とする。
【００１６】
これらの構成によれば、電気光学物質を滴下する際には既に第１の基板が冷却されており、電気光学物質がシール材を乗り越えてはみ出すことを確実に防止することができる。
【００１７】
また、前記基板を冷却する工程は、ペルチェ効果を利用したものであることを特徴とする。
【００１８】
また、前記基板を冷却する工程は、水冷却法を利用したものであることを特徴とする。
【００１９】
これらの構成によれば、ペルチェ効果を利用した冷却装置又は水冷却法を利用した冷却装置によって、第１の版を冷却することができる。
【００２０】
また、前記第１及び第２の基板は、複数の素子が形成されたマザー基板であることを特徴とする。
【００２１】
このような構成によれば、生産性を向上させることができる。
【００２２】
また、前記基板を冷却する工程は、窒素雰囲気下において前記第１の基板を冷却することを特徴とする。
【００２３】
このような構成によれば、冷却に際して結露を防ぎ、第１の基板に水分が付着することを防止して、信頼性を向上させることができる。
【００２４】
また、本発明に係る電気光学装置の製造装置は、シール材によって電気光学物質充填領域が区画された第１の基板を載置するステージと、前記ステージに載置された第１の基板上の前記電気光学物質充填領域に電気光学物質を滴下する電気光学物質滴下手段と、前記第１の基板と第２の基板とを貼り合わせるために前記第２の基板を保持するヘッドと、前記第１の基板と第２の基板との貼り合わせに際して前記第１及び第２の基板の周辺を真空状態にする第１のチャンバと、前記第１の基板を冷却する冷却手段とを具備したことを特徴とする。
【００２５】
このような構成によれば、第１の基板上に形成されたシール材によって区画された電気光学物質充填領域に、電気光学物質を滴下する。この滴下に際して、冷却手段によって基板が冷却される。これにより、電気光学物質も温度が低下し粘度が高くなって、電気光学物質がシール材を超えて広がることが防止される。ステージは第１のチャンバ内に搬送され、第１及び第２の基板は真空状態におかれる。ヘッドは第２の基板を保持して第１の基板上に貼り合わせる。貼り合わせ後に第１のチャンバは大気開放され、適正なギャップ長が得られる。
【００２６】
また、貼り合わせ時には、少なくとも前記ステージ及びヘッドは前記第１のチャンバ内に配置されることを特徴とする。
【００２７】
このような構成によれば、第１のチャンバによって、第１及び第２の基板が真空状態におかれ、貼り合わせが行われる。
【００２８】
また、前記冷却手段による前記第１の基板の冷却に際して前記第１の基板の周辺を窒素雰囲気にする第２のチャンバを更に具備したことを特徴とする。
【００２９】
このような構成によれば、第２のチャンバによって、窒素雰囲気下で第１の基板の冷却が行われる。これにより、第１の基板に水分が付着することを防止することができる。
【００３０】
また、前記第２のチャンバは、前記電気光学物質滴下手段を内蔵することを特徴とする。
【００３１】
このような構成によれば、電気光学物質の滴下に際して、窒素雰囲気下での第１の基板の冷却が可能である。
【００３２】
また、前記第１及び第２のチャンバは共通の装置によって構成されることを特徴とする。
【００３３】
このような構成によれば、第１の基板に対する冷却工程、電気光学物質の滴下工程並びに第１及び第２の基板の貼り合わせ工程をスムーズに実施することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を示す説明図である。本実施の形態は電気光学装置である液晶装置の製造装置に適用したものである。図２はＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図であり、図３は素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図である。図４は本実施の形態を適用した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図５は電気光学装置である液晶装置の組立工程を示すフローチャートである。図６は図５中の液晶封入・貼り合わせ工程を具体的に示すフローチャートである。また、図７はシール材の形成領域を示す平面図である。なお、上記各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００３５】
先ず、図２乃至図４を参照して本実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を用いて製造する液晶装置の全体構成について説明する。
【００３６】
液晶装置は、図２及び図３に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板を用いたＴＦＴ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板を用いた対向基板２０との間に液晶５０を封入して構成される。対向配置されたＴＦＴ基板１０と対向基板２０とは、シール材５２によって貼り合わされている。
【００３７】
ＴＦＴ基板１０上には画素を構成する画素電極（ＩＴＯ）９ａ等がマトリクス状に配置される。また、対向基板２０上には全面に対向電極（ＩＴＯ）２１が設けられる。ＴＦＴ基板１０の画素電極９ａ上には、液晶５０に接して、ラビング処理が施された配向膜１６が設けられている。一方、対向基板２０側においても、液晶５０に接して、全面に渡って、ラビング処理が施された配向膜２２が設けられている。各配向膜１６，２２は、例えば、ポリイミド膜等の透明な有機膜からなる。
【００３８】
図４は画素を構成するＴＦＴ基板１０上の素子の等価回路を示している。図４に示すように、画素領域においては、複数本の走査線１１ａと複数本のデータ線６ａとが交差するように配線され、走査線１１ａとデータ線６ａとで区画された領域に画素電極９ａがマトリクス状に配置される。そして、走査線１１ａとデータ線６ａの各交差部分に対応してＴＦＴ３０が設けられ、このＴＦＴ３０に画素電極９ａが接続される。
【００３９】
ＴＦＴ３０は走査線１１ａのＯＮ信号によってオンとなり、これにより、データ線６ａに供給された画像信号が画素電極９ａに供給される。この画素電極９ａと対向基板２０に設けられた対向電極２１との間の電圧が液晶５０に印加される。また、画素電極９ａと並列に蓄積容量７０が設けられており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧はソース電圧が印加された時間よりも例えば３桁も長い時間の保持が可能となる。蓄積容量７０によって、電圧保持特性が改善され、コントラスト比の高い画像表示が可能となる。
【００４０】
画素電極９ａは、ＴＦＴ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。ＴＦＴ３０は半導体層とゲート電極３ａとの間にゲート絶縁膜を配置して構成され、走査線１１ａは、半導体層中のチャネル領域に対向するゲート電極３ａに電気的に接続されている。すなわち、走査線１１ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、走査線１１ａに接続されたゲート電極３ａとチャネル領域とが対向配置されて画素スイッチング用のＴＦＴ３０が構成されている。
【００４１】
ＴＦＴ基板１０上には、ＴＦＴ３０や画素電極９ａの他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。即ち、ＴＦＴ基板１０上には、走査線１１ａを含む層、ＴＦＴ３０及びゲート電極３ａを含む層、蓄積容量７０を含む層、データ線６ａ等を含む層、並びに、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む層が形成される。
【００４２】
各層の層間には、層間絶縁膜が配置されて、各要素間が短絡することが防止される。また、各層間絶縁膜には、上下の層を電気的に接続するためのコンタクトホールも設けられている。
【００４３】
また、図２及び図３に示すように、対向基板２０には表示領域を区画する額縁としての遮光膜５３が設けられている。対向基板２０の全面には、上述したように、ＩＴＯ等の透明導電性膜が対向電極２１として形成され、更に、液晶５０に面して、全面にポリイミド系の配向膜２２が形成される。配向膜２２は、液晶分子に所定のプレティルト角を付与するように、所定方向にラビング処理されている。
【００４４】
遮光膜５３の外側の領域には液晶を封入するシール材５２が、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０間に形成されている。シール材５２は対向基板２０の輪郭形状に略一致するように配置され、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０を相互に固着する。貼り合わされた素子基板１０及び対向基板２０相互の間隙には、図１の装置を用いて液晶が封入されている。
【００４５】
シール材５２の外側の領域には、データ線６ａに画像信号を所定のタイミングで供給することにより該データ線６ａを駆動するデータ線駆動回路１０１及び外部回路との接続のための外部接続端子１０２がＴＦＴ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に隣接する二辺に沿って、走査線１１ａ及びゲート電極３ａに走査信号を所定のタイミングで供給することによりゲート電極３ａを駆動する走査線駆動回路１０４が設けられている。走査線駆動回路１０４は、シール材５２の内側の遮光膜５３に対向する位置においてＴＦＴ基板１０上に形成される。また、ＴＦＴ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、外部接続端子１０２及び上下導通端子１０７を接続する配線１０５が、遮光膜５３の３辺に対向して設けられている。
【００４６】
上下導通端子１０７は、シール材５２のコーナー部の４箇所のＴＦＴ基板１０上に形成される。そして、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０相互間には、下端が上下導通端子１０７に接触し、上端が対向電極２１に接触する上下導通材１０６が設けられており、上下導通材１０６によって、ＴＦＴ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通がとられている。
【００４７】
図１の装置は液晶封入・貼り合わせ工程に用いるものである。本実施の形態は生産性に優れたアレイ製造方式によって液晶装置を製造する場合に適用した例を示している。アレイ製造方式においては、製造時に投入したマザー基板を分断することなく成膜及びフォトリソグラフィ工程を繰返して、複数のアクティブマトリクス基板を構成する各素子をマザー基板上に同時に形成する。そして、マザー基板を分断することで、各アクティブマトリクス基板を得る。
【００４８】
また、本実施の形態における貼り合せの方式としては、多数の素子基板を形成したマザー基板と多数の対向基板を形成したマザー基板同士を貼り合せる方式（以下、大板組立方式という）を採用する。
【００４９】
なお、本実施の形態は、アレイ製造でなく、単体のＴＦＴ基板と単体の対向基板とを貼り合わせる製造方法にも適用することが可能である。
【００５０】
図１において、チャンバ７内にはステージ７３が配置されている。ステージ７３は図示しない搬送手段に搬送されて、冷却開始位置、液晶滴下位置及び貼り合わせ位置の間で移動自在である。チャンバ７１内には冷却プレート７４が配置されている。冷却プレート７４は冷却位置及び液晶滴下位置に渡って配置されている。ステージ７３はこの冷却プレート７４上に載置される。
【００５１】
ステージ７３上には、基板７２が配置される。基板７２は大板組立方式に対応したＴＦＴマザー基板である。即ち、基板７２はマザー基板の状態で複数のＴＦＴ基板を構成する素子が形成されたものである。更に、基板７２は、組立工程において、全面に配向膜が形成され、ラビング処理が施されている。また、更に、基板７２には、シール材が形成されている。
【００５２】
図７は基板７２上に形成されるシール材の形成領域を説明するためのものである。図７においては、基板７２として円形の基板を示しているが、四角形の基板であってもよい。図７では基板７２内の線によって、シール材を示している。
【００５３】
基板７２上には複数のシール材１１２が形成されている。シール材１１２は図２及び図３のシール材５２に相当する。即ち、図７の例は、３４個のＴＦＴ基板が形成されている例を示している。更に、本実施の形態においては、基板７２上のＴＦＴ基板の形成領域を囲むように、第１のダミーシール材１１３が形成されている。また、更に、基板７２の外周に沿って、第２のダミーシール材１１４も形成されている。
【００５４】
第１のダミーシール材１１３を形成することで、後述する大気開放時にシール材１１２に大気圧がかかることを防止することができ、シール材１１２が大気圧によってダメージを受けることを防ぐことができる。また、第２のダミーシール材１１４によって、第１のダミーシール材１１３との間に密閉空間が形成される。この密閉空間は、大気開放時に、空間体積が縮小する。これにより、ＴＦＴ基板と対向基板との間に確実に圧力を加えることができ、セルギャップを均一に製造することができる。
【００５５】
本実施の形態においては、冷却プレート７４はステージ７３を介して基板７２を冷却することができるようになっている。冷却プレート７４によって基板７２は所望の温度まで冷却される。
【００５６】
チャンバ７１は開口部７８，７９を有している。開口部７８は図示しない管路を介して真空ポンプ（図示せず）等に接続されており、チャンバ７１内は開口部７８を介した排気処理によって、真空状態を維持することができるようになっている。
【００５７】
また、開口部７９には、図示しない管路を介して大気又は窒素ガスが供給されるようになっている。これにより、チャンバ７１内を、大気開放することができると共に、窒素雰囲気下におくことができるようになっている。本実施の形態においては、ステージ７３が冷却開始位置及び液晶滴下位置に位置する場合には、チャンバ７１内は窒素雰囲気下におかれるようになっている。
【００５８】
ステージ７３は冷却プレート７４上を冷却開始位置から液晶滴下位置に移動することができる。ステージ７３が液晶滴下位置に移動した場合には、基板７２上に液晶滴下ノズル７５が位置するようになっている。液晶滴下ノズル７５は液晶を所要量だけ基板７２の各シール材１１２によって囲まれた液晶充填領域に滴下することができる。
【００５９】
ステージ７３は、液晶滴下位置から貼り合わせ位置に移動することができる。ステージ７３が貼り合わせ位置に移動した場合には、ステージ７３の表面に対向して、ヘッド部７７が設けられる。ヘッド部７７は図示しない支持部に移動自在に支持されている。ヘッド部７７は、図示しない複数の開孔による真空吸着によって、基板７６を保持することができるようになっている。本実施の形態においては大板組立方式を採用しており、基板７６は複数の対向基板を構成する素子が形成された対向マザー基板である。更に、基板７６は、組立工程において、全面に配向膜が形成され、ラビング処理が施されている。
【００６０】
ヘッド部７７は、吸着した基板７６を水平方向に移動させることでアライメントを施し、垂直下方に移動させることで基板７６を基板７２上に圧着することができるようになっている。なお、本実施の形態ではヘッド部７７に吸着された基板７６を水平方向に移動させるアライメント方式について説明するが、基板７２を吸着するステージ７３を移動させることによるアライメント方式も採用可能である。
【００６１】
貼り合わせ工程においては、後述するように、貼り合わせ開始時にチャンバ７１内は真空状態に移行し、貼り合わせ終了後に大気開放状態に移行するようになっている。
【００６２】
次に、図５及び図６を参照して液晶装置の製造方法について説明する。
【００６３】
ＴＦＴマザー基板と対向マザー基板とは、別々に製造される。上述したように、本実施の形態においては、アレイ製造による大板組立方式が採用される。
【００６４】
ステップＳ１においては、このように素子がアレイ状に形成されている基板７２が投入される。一方、ステップＳ１１では、図２及び図３の対向基板２０と同様の対向基板が複数形成された基板７６が投入される。基板７２上には図２及び図３に示すＴＦＴ基板１０と同様の素子基板が、組立工程の前工程であるＴＦＴ基板工程において複数形成されている（ステップＳ２）。
【００６５】
基板７２に対して、次のステップＳ３では、配向膜１６となる配向膜を全面に塗布する。次に、ステップＳ４において、基板７２上の各ＴＦＴ基板表面の配向膜（配向膜１６に相当）に対して、ラビング処理を施す。そして、ステップＳ５において洗浄を行う。ステップＳ５の洗浄工程は、ＴＦＴ基板のラビング処理によって生じた塵埃を除去するためのものである。
【００６６】
次のステップＳ６では、基板７２の表面にシール材１１２（図７参照）を形成する。即ち、基板７２上に形成した図示しないＴＦＴ基板の縁辺部において、連続的且つ枠状にシール材描画する。
【００６７】
更に、ステップＳ７において、第１及び第２のダミーシール材１１３，１１４を、シール材１１２と同じ厚さか若干厚く形成する。なお、シール材１１２の形成時には導通材６５（図２参照）も形成しておく。なお、シール材１１２は、例えば、ディスペンス塗布によって形成される。なお、シール材をスクリーン印刷法によって形成してもよい。
【００６８】
更に、シール材１１２〜１１４には、例えば略球状を有する図示しないギャップ材が混入されており、このギャップ材によってセルギャップが所望の値に規定されるようになっている。
【００６９】
一方、対向基板については、ステップＳ１１で用意された対向基板に対して、ステップＳ１２において共通電極を形成する。次に、ステップＳ１３において配向膜を形成する。ステップＳ１４では、配向膜に対してラビング処理を施し、ステップＳ１５において洗浄処理を行う。
【００７０】
次に、ステップＳ２０において、基板７２，７６に対して液晶封入・貼り合わせ工程を実施する。図６はこの液晶封入・貼り合わせ工程を具体的に示している。
【００７１】
ステップＳ７においてダミーシール材１１３，１１４が形成された基板７２をチャンバ７１内のステージ７３上に載置する。次に、図６のステップＳ２１において、開口部７９を介して窒素ガス（Ｎ２）をチャンバ７１内に導入して、チャンバ７１内を窒素雰囲気下におく。これにより、窒素置換が行われて結露の発生が防止され、基板７２の表面に水分が付着することを防止して、パネルの信頼性が低下することを防ぐ。
【００７２】
次に、ステップＳ２２において、冷却プレート７４による冷却を開始する。冷却プレート７４の冷却作用によって、ステージ７３が冷却され、ステージ７３上に載置された基板７２も冷却される。冷却された基板７２は、ステップＳ２３においてステージ７３によって液晶滴下位置に搬送される。
【００７３】
ステップＳ２４では、液晶充填領域への液晶の滴下が行われる。即ち、液晶滴下ノズル７５又はステージ７３が水平方向に移動して、ノズル７５からの液晶を各シール材１１２内の液晶充填領域内に滴下させる。
【００７４】
本実施の形態においては、ステップＳ２２以降において冷却プレート７４による冷却が行われており、液晶の滴下時において、基板７２は液晶の粘度を高くする温度、例えば１０℃に設定されている。図８は液晶の温度と粘度との関係を示すグラフである。図８に示すように、液晶の粘度は温度の低下と共に高くなることが分かる。液晶の温度を低下させることによって、液晶の粘度を十分に高くさせることができる。
【００７５】
なお、本実施の形態においては、基板７２の温度を低下させて液晶の粘度を高くする例について説明するが、基板７２の温度を低下させるだけでなく、滴下する液晶そのものの温度を低下させておくようにしてもよい。この場合には、更に一層、液晶の粘度を高くすることができる。液晶の滴下が終了すると、ステージ７３は貼り合わせ位置に移動する（ステップＳ２５）。
【００７６】
貼り合わせ工程においては、基板７２上に、ヘッド部７７に支持された基板７６を配置する。ステップＳ２６において、先ず、開口部７８を介した排気処理によって、チャンバ７１内を真空状態に移行させる。
【００７７】
次のステップＳ２７において、アライメントを施しながら、基板の貼り合わせを行う。即ち、先ず、ヘッド部７７の吸着面に基板７２を吸着させた状態で、ヘッド部７７を基板７２上に移動させ、基板７６を基板７２上にマウントする。更に、ヘッド部７７を水平方向に移動自在にして、アライメントを行いながら、ヘッド部７７を下方に向けて加圧して基板７６を基板７２に圧着させる。ヘッド部７７の下方への加圧量は、ギャップ長を所定値に維持するように設定される。
【００７８】
これにより、第１のダミーシール材１１３とシール材１１２との間には、密閉空間が形成され、また、第１のダミーシール材１１３と第２のダミーシール材１１４との間にも密閉空間が形成される。
【００７９】
液晶滴下工程に際して基板７２は冷却されて、液晶の粘度は十分に高くなっており、貼り合わせが終了するまでの間に、滴下した液晶の経時変化による広がりは極めて少ない。これにより、貼り合わせ開始時点において、液晶充填領域に滴下した液晶がシール材１１２を超えて漏れ出すことはない。
【００８０】
次に、ステップＳ２８において、開口部７９を介して大気を導入して大気開放する。これにより、貼り合わた基板７２，７６には大気圧が加わる。一方、第１及び第２のダミーシール材１１３，１１４による密閉空間は、大気開放後も依然として真空状態に維持される。このため、大気圧より低い気圧の密閉空間は、その空間の気圧を大気圧に近づけるよう体積を縮小する。これにより、密閉空間を中心として、一対の基板７２，７６を縮小するように作用する強い加圧力が発生する。
【００８１】
一方、シール材１１２〜１１４には、ギャップ材が混入されていることから、基板７２，７６、ギャップ材の高さまで押しつぶされ、ギャップ材によって規定される正確なギャップ長が得られる。次のステップＳ２９では、ＵＶ光をシール材１１２及び１１３に照射して硬化させる。
【００８２】
ＵＶ光による硬化工程が終了すると、貼り合わされた基板７２，７６は、高温炉に搬送されて、熱硬化される。最後に、ステップＳ１６において、パネルを分断して、各ＴＦＴパネルを得る。
【００８３】
このように、本実施の形態においては、液晶を滴下する基板を冷却しているので、液晶の粘度が高くなり、液晶の広がりが抑制され、液晶がシール材から漏れ出すことを防止することができる。これにより、液晶の充填量が規定量から減少することはなく、適正なセルギャップが確保される。また、シール材の上面に液晶が付着することもないので、シール材の接着力を維持することができる。
【００８４】
図９は本発明の第２の実施の形態を示す説明図である。図９において図１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。
【００８５】
第１の実施の形態は基板の冷却処理、液晶滴下処理及び貼り合わせ処理を１つのチャンバ内で実施可能にしたものである。これに対し、本実施の形態は冷却及び貼り合わせを異なるチャンバ内で実施するようにしたものである。
【００８６】
図９において、ステージ８０上には基板７２が載置されるようになっている。ステージ８０は、図示しない搬送手段によって、液晶滴下エリア、冷却チャンバ８２及び貼り合わせチャンバ８６に搬送されるようになっている。液晶滴下エリアにおいては、基板７２上に液晶滴下ノズル８１が配置される。
【００８７】
冷却チャンバ８２内には、冷却プレート８３が設けられる。冷却プレート８３は、ステージ８０下方に配置されて、ステージ８０を冷却することにより基板７２を所望の温度に冷却することができるようになっている。冷却チャンバ８２には、開口部８４，８５が設けられている。
【００８８】
開口部８４は図示しない管路を介してチャンバ８２内のガスを排気するためのものである。開口部８５は図示しない管路からの窒素ガスをチャンバ８２内に導入するためのものである。これにより、基板の冷却時には、チャンバ８２内を、窒素雰囲気下におくことができるようになっている。
【００８９】
貼り合わせチャンバ８６内には、ステージ８０の表面に対向して、ヘッド部７７が設けられる。ヘッド部７７には基板７６が吸着保持される。また、チャンバ８６には、開口部８７，８８が設けられる。開口部８７は図示しない管路を介してチャンバ８６内の空気を排気するためのものである。開口部８８は図示しない管路からの大気をチャンバ８６内に導入するためのものである。これにより、貼り合わせ開始前には、チャンバ８６内を真空状態にし、貼り合わせ終了時にはチャンバ８６内を大気開放することができるようになっている。
【００９０】
次に、このように構成された実施の形態の動作について図１０のフローチャートを参照して説明する。図１０において図６と同一の手順には同一符号を付して説明を省略する。
【００９１】
本実施の形態は液晶滴下直後に基板７２の冷却を開始する点が図６の手順と異なるのみである。
【００９２】
ステップＳ２４’では、液晶充填領域への液晶の滴下が行われる。液晶滴下ノズル８１からの液晶は、各シール材１１２内の液晶充填領域内に滴下させる。液晶が滴下された基板７２は、ステップＳ２３’において冷却チャンバ８２内に搬送される。
【００９３】
次に、ステップＳ２１’において、開口部８５を介して窒素ガス（Ｎ２）をチャンバ８２内に導入して、チャンバ８２内を窒素雰囲気下にする。次に、ステップＳ２２’において、冷却プレート８３による冷却を開始する。冷却プレート８３の冷却作用によって、ステージ８０が冷却され、ステージ８０上に載置された基板７２も冷却される。
【００９４】
本実施の形態においては、液晶滴下直後において、冷却プレート８３による基板７２の冷却が行われており、基板７２の各液晶充填領域に滴下された液晶は、温度が低くなり（例えば、１０℃）、粘度が高くなる。液晶の滴下が終了すると、ステージ８０は貼り合わせ位置に移動する（ステップＳ２５）。
【００９５】
ステップＳ２６以降の貼り合わせ工程の手順は、図６のフローと同様である。本実施の形態においては、貼り合わせ工程は貼り合わせチャンバ８６内で行われる。即ち、チャンバ８６は、開口部８７を介した排気処理によって、真空状態に移行する。この後、ステップＳ２７で、アライメントを施しながら、基板の貼り合わせを行う。
【００９６】
本実施の形態においても、滴下後の液晶の粘度は十分に高くなっており、貼り合わせ開始までの間に、滴下した液晶の経時変化による広がりは極めて少ない。これにより、貼り合わせ開始時点において、液晶充填領域に滴下した液晶がシール材１１２を超えて漏れ出すことはない。
【００９７】
次のステップＳ２８において、開口部８８を介して大気を導入して大気開放する。これにより、大気圧を利用した加圧が行われて、適正なギャップ長での貼り合わせが行われる。
【００９８】
他の作用は第１の実施の形態と同様である。
【００９９】
このように、本実施の形態においても、液晶を滴下する基板を冷却しているので、液晶がシール材から漏れ出すことを防止することができ、適正なセルギャップを確保することができる。また、シール材の上面に液晶が付着することもないので、シール材の接着力を維持することができる。
【０１００】
なお、上記実施の形態においては、液晶滴下後において冷却を開始する例を説明したが、図９の装置を用いて、基板の冷却を先に行い、冷却した基板に液晶を滴下するようにしてもよい。
【０１０１】
図１１は本発明の第３の実施の形態を示す説明図である。図１１において図９と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。本実施の形態は液晶滴下時において基板の冷却を可能にしたものである。
【０１０２】
本実施の形態は、冷却プレート８３を、冷却チャンバ８２内だけでなく、液晶滴下エリアにおいてステージ８０下方に配置するようにした点が第２の実施の形態と異なる。冷却プレート８３は、液晶滴下エリアにおいてステージ８０を冷却することで、液晶滴下時においても、基板７２を所望の温度に低下させることができるようになっている。
【０１０３】
このように構成された実施の形態においては、液晶滴下時から基板が冷却されており、第２の実施の形態よりも、更に一層滴下した液晶の広がりを抑制することができる。
【０１０４】
このように、本実施の形態においても、液晶滴下時から、液晶を滴下する基板を冷却しているので、液晶がシール材から漏れ出すことを防止することができ、適正なセルギャップを確保することができる。
【０１０５】
図１２は本発明の第４の実施の形態を示す説明図である。図１２において図１１と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略する。本実施の形態は冷却チャンバ８２内において、液晶滴下を可能にしたものである。
【０１０６】
本実施の形態は液晶滴下ノズル８１をチャンバ９１内に設けることで、チャンバ９１内において液晶滴下及び冷却を可能にしたものである。他の構成は図１１と同様である。
【０１０７】
次に、このように構成された実施の形態の動作について図１３のフローチャートを参照して説明する。図１３において図６と同一の手順には同一符号を付して説明を省略する。
【０１０８】
本実施の形態は第３の実施の形態に対して、液晶滴下エリアから冷却エリアへの基板７２の搬送を省略した点が異なる。
【０１０９】
先ず、ステップＳ２１において、開口部８５を介して窒素ガス（Ｎ２）をチャンバ９１内に導入して、チャンバ９１内を窒素雰囲気下にする。次に、ステップＳ２２において、冷却プレート８３による冷却を開始する。冷却プレート８３の冷却作用によって、ステージ８０が冷却され、ステージ８０上に載置された基板７２も冷却される。
【０１１０】
次のステップＳ２４では、液晶充填領域への液晶の滴下が行われる。液晶滴下ノズル８１からの液晶は、各シール材１１２内の液晶充填領域内に滴下させる。液晶が滴下された基板７２は、ステップＳ２５において貼り合わせチャンバ８６内に搬送される。
【０１１１】
他の作用は第１の実施の形態と同様である。
【０１１２】
本実施の形態においては、液晶滴下前から、冷却プレート８３による基板７２の冷却を行っており、基板７２の各液晶充填領域に滴下された液晶は、短時間で温度が低くなって粘度が高くなる。これにより、滴下した液晶が液晶充填領域からシール材１１２を超えて漏れ出すことを防止することができる。
【０１１３】
このように、本実施の形態においても、液晶を滴下する基板を冷却しているので、液晶がシール材から漏れ出すことを防止することができ、適正なセルギャップを確保することができる。また、シール材の上面に液晶が付着することもないので、シール材の接着力を維持することができる。
【０１１４】
なお、上記各実施の形態においては、冷却プレートを採用したが、水冷によるものペルチェ素子を用いたもの等種々の冷却手法を採用することができる。図１４は冷却プレートの一例を示す説明図である。冷却プレートとしては、図１４（ａ）に示すように、ペルチェ素子１２１を冷却プレート７４，８３の面内に均一に配置したものや、水冷管１２２を面内に配置してプレート全体を均一に冷却するもの等が考えられる。
【０１１５】
また、上記各実施の形態においては、ＴＦＴマザー基板上にシール材を形成する例について説明したが、大板の対向基板上にシール材を形成してもよいことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電気光学装置の製造装置を示す説明図。
【図２】ＴＦＴ基板等の素子基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板側から見た平面図。
【図３】素子基板と対向基板とを貼り合わせて液晶を封入する組立工程終了後の液晶装置を、図２のＨ−Ｈ'線の位置で切断して示す断面図。
【図４】本実施の形態を適用した液晶装置の画素領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図。
【図５】電気光学装置である液晶装置の組立工程を示すフローチャート。
【図６】図５中の液晶封入・貼り合わせ工程を具体的に示すフローチャート。
【図７】シール材の形成領域を示す平面図。
【図８】液晶の温度と粘度との関係を示すグラフ。
【図９】本発明の第２の実施の形態を示す説明図。
【図１０】第２の実施の形態の動作を説明するためのフローチャート。
【図１１】本発明の第３の実施の形態を示す説明図。
【図１２】本発明の第４の実施の形態を示す説明図。
【図１３】第４の実施の形態の動作を説明するためのフローチャート。
【図１４】冷却プレートの例を示す説明図。
【符号の説明】
【０１１７】
７１…チャンバ、７２，７６…基板、７３…ステージ、７４…冷却プレート、７５…液晶滴下ノズル、７７…ヘッド。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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