(57)【要約】【課題】  磁歪アクチュエータや磁歪センサに用いる磁歪素子の錆を防止する。【解決手段】  本発明による磁歪アクチュエータは、磁歪素子１１と、磁界の印加によって磁歪素子１１を変位させるコイル１２と、磁歪素子１１にバイアス電流を流すバイアス電流源２２とを備えている。また、本発明による磁歪センサは、磁歪素子１１と、磁歪素子１１の透磁率の変化を検出する検出器２７と、磁歪素子１１にバイアス電流を流すバイアス電流源２２とを備えている。本発明によれば、バイアス電流によって磁歪素子に錆が発生しにくくなることから、磁歪アクチュエータや磁歪センサの信頼性を高めることが可能となる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁歪素子と、磁界の印加によって前記磁歪素子を変位させる手段と、前記磁歪素子にバイアス電流を流す手段とを備えることを特徴とする磁歪アクチュエータ。
【請求項２】
前記バイアス電流を流す手段は、前記変位させる手段が前記磁歪素子に磁界を印加していない場合にバイアス電流を供給することを特徴とする請求項１に記載の磁歪アクチュエータ。
【請求項３】
前記磁歪素子が棒状体であり、前記バイアス電流を流す手段は、前記磁歪素子の軸方向にバイアス電流を流すことを特徴とする請求項１又は２に記載の磁歪アクチュエータ。
【請求項４】
磁界の印加に応じた前記磁歪素子の伸縮によって前記軸方向に駆動されるシャフトをさらに備え、前記バイアス電流を流す手段は、前記シャフトを介して前記磁歪素子にバイアス電流を流すことを特徴とする請求項３に記載の磁歪アクチュエータ。
【請求項５】
前記シャフトを前記磁歪素子側へ付勢するスプリングをさらに備え、前記バイアス電流を流す手段は、前記スプリングを介して前記磁歪素子にバイアス電流を流すことを特徴とする請求項４に記載の磁歪アクチュエータ。
【請求項６】
前記バイアス電流を流す手段は、前記変位させる手段に含まれる信号源を用いて前記磁歪素子にバイアス電流を流すことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁歪アクチュエータ。
【請求項７】
磁歪素子と、前記磁歪素子の透磁率の変化を検出する手段と、前記磁歪素子にバイアス電流を流す手段とを備えることを特徴とする磁歪センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁歪素子を用いた磁歪アクチュエータ及び磁歪センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁界の印加に応じて伸縮する磁歪素子は古くから知られているが、これまでの磁歪素子は変位が小さく、このため実用的に使用されることはほとんどなかった。ところが近年、１５００ｐｐｍ〜２０００ｐｐｍといった非常に変位の大きな磁歪素子（超磁歪素子）が知られるようになり、現在、その様々な利用形態が提案されている。中でも、超磁歪素子が持つ応答性の高さや駆動力の大きさに注目して、これを音響スピーカの駆動部として利用するといった提案がいくつかなされている（特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載された超磁歪アクチュエータは、超磁歪素子の伸縮によって軸方向に駆動されるシャフト（ロッド）と、シャフトに固定された振動板を有しており、超磁歪素子が伸縮すると、シャフトを介して振動板が振動するよう構成されている。したがって、再生すべき音響信号に応じた磁界を超磁歪素子に印加すれば、超磁歪素子の伸縮が振動板に伝わり、音波に変換することが可能となる。
【特許文献１】特開平１０−１４５８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、超磁歪材料の多くは鉄（Ｆｅ）を主成分とする合金であることから、錆が発生しやすく、これが超磁歪アクチュエータの信頼性を損なう原因となることがあった。錆の発生を防止する方法としては、超磁歪素子の表面に錆防止用のコーティングを施すことが考えられるが、このようなコーティングは実使用時の変位によって容易に剥離するため、充分に信頼性を高めることは困難である。特に、特許文献１に記載された超磁歪アクチュエータのように、超磁歪素子の変位方向にシャフトが配置されている場合、コーティングの剥離はシャフトとの接触面において顕著であり、この部分の錆を防止することは極めて困難であった。このような問題は、超磁歪素子を用いた超磁歪アクチュエータだけでなく、広く磁歪素子を用いた磁歪アクチュエータや、磁歪センサ全般において生じる問題である。
【０００５】
したがって、本発明は磁歪素子の錆を防止し、これにより磁歪アクチュエータや磁歪センサの信頼性を高めることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、磁歪素子の錆を防止すべく鋭意研究を重ねた結果、磁歪素子に電流を流している間は錆が極めて発生しにくいことを突き止めた。本発明は、このような技術的知見に基づきなされたものであって、本発明による磁歪アクチュエータは、磁歪素子と、磁界の印加によって前記磁歪素子を変位させる手段と、前記磁歪素子にバイアス電流を流す手段とを備えることを特徴とする。
【０００７】
本発明によれば、バイアス電流によって磁歪素子に錆が発生しにくくなることから、磁歪アクチュエータの信頼性を高めることが可能となる。
【０００８】
バイアス電流を流す手段は、変位させる手段が磁歪素子に磁界を印加していない場合にバイアス電流を供給することが好ましい。これによれば、磁歪アクチュエータの不使用時にのみバイアス電流を流すことが可能となり、消費電力を低減することが可能となる。
【０００９】
本発明においては、磁歪素子が棒状体であり、バイアス電流を流す手段は、磁歪素子の軸方向にバイアス電流を流すことが好ましい。これによれば、バイアス電流が磁歪素子の軸方向へ満遍なく流れることから、磁歪素子の端部を含め、全体的に錆を防止することが可能となる。
【００１０】
また、本発明による磁歪アクチュエータは、磁界の印加に応じた磁歪素子の伸縮によって軸方向に駆動されるシャフトをさらに備えることが好ましく、バイアス電流を流す手段は、シャフトを介して磁歪素子にバイアス電流を流すことが好ましい。これによれば、磁歪素子とシャフトとの間に電極などを介在させる必要がなくなることから、部材間の摩擦等に起因するノイズを低減することが可能となる。
【００１１】
また、本発明による磁歪アクチュエータは、シャフトを磁歪素子側へ付勢するスプリングをさらに備えることが好ましく、バイアス電流を流す手段は、スプリングを介して磁歪素子にバイアス電流を流すことが好ましい。これによれば、バイアス電流を供給するための配線を可動部に接続する必要がなくなることから、このような配線に起因するノイズを低減することが可能となる。
【００１２】
また、本発明においてバイアス電流を流す手段は、変位させる手段に含まれる信号源を用いて磁歪素子にバイアス電流を流しても構わない。これによれば、専用のバイアス電流源を用いることなく、磁歪素子にバイアス電流を供給することが可能となる。
【００１３】
一方、本発明による磁歪センサは、磁歪素子と、前記磁歪素子の透磁率の変化を検出する手段と、前記磁歪素子にバイアス電流を流す手段とを備えることを特徴とする。この場合も、バイアス電流によって磁歪素子に錆が発生しにくくなることから、磁歪センサの信頼性を高めることが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
このように、本発明によれば、バイアス電流によって磁歪素子に錆が発生しにくくなることから、磁歪アクチュエータや磁歪センサの信頼性を高めることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明の第１の実施形態による超磁歪アクチュエータ１０の構造を示す略断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施形態による超磁歪アクチュエータ１０は、棒状の超磁歪素子１１と、超磁歪素子１１の周囲に巻回されたコイル１２と、超磁歪素子１１の一端に配置され、磁界の印加に応じた超磁歪素子１１の伸縮によって軸方向（図１に示すＸ方向）に駆動されるシャフト１３と、超磁歪素子１１の他端に配置されたヨーク１４と、超磁歪素子１１の一端とシャフト１３との間に設けられた電極１５ａと、超磁歪素子１１の他端とヨーク１４との間に設けられた電極１５ｂと、これら各部材を収容する筐体１６とを備えている。また、筐体１６の内部には、コイル１２に交流信号を供給する信号源２１と、電極１５ａ，１５ｂを介して超磁歪素子１１にバイアス電流を供給するバイアス電流源２２と、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４に連動する切替スイッチ２３がさらに含まれている。
【００１８】
超磁歪素子１１は、磁界の印加に応じて伸縮する超磁歪材料によって構成された棒状体であり、使用する超磁歪材料としては、特に限定されるものではないがＴｂ０．３４−Ｄｙ０．６６−Ｆｅ１．９０を中心組成とする超磁歪材料等を用いることができる。超磁歪素子のサイズについては、目的とする超磁歪アクチュエータ１０のサイズや出力に応じて適宜選択すれば良い。また、本実施形態においては、超磁歪素子１１の端部近傍にそれぞれ永久磁石１７ａ，１７ｂが配置されており、これによって超磁歪素子１１には常に磁気バイアスが印加されている。超磁歪素子１１は、磁界が印加されていない状態が最もサイズが小さく、磁界が強くなるにしたがって伸張する性質を有している。つまり、磁界が印加されていない状態からは超磁歪素子１１を収縮させることはできず、単に、伸張させることができるのみである。したがって、超磁歪素子１１を「伸縮」させるためには、通常時（ニュートラルな状態）において超磁歪素子１１に所定の「磁気バイアス」を印加する必要があり、永久磁石１７ａ，１７ｂはかかる目的のために設けられている。
【００１９】
コイル１２は、超磁歪素子１１に与える磁界を変化させることにより、超磁歪素子１１を変位させるために用いらる。つまり、コイル１２に流す電流を変化させると、超磁歪素子１１に与えられる磁界が変化するが、コイル１２は超磁歪素子１１の円周方向に巻回されているため、コイル１２を流れる電流により生じる磁束の方向は、超磁歪素子１１の軸方向となる。つまり、コイル１２に流す電流を変化させると、超磁歪素子１１に印加される磁界は主として軸方向に変化することになる。これにより、コイル１２に流す電流を変化させることによって、超磁歪素子１１を主として軸方向（Ｘ方向）に変位させることが可能となる。
【００２０】
シャフト１３は、棒状の本体部１３ａと、超磁歪素子１１側の端部に設けられた鍔部１３ｂと、超磁歪素子１１とは反対側の端部に設けられた出力端１３ｃとを有している。本体部１３ａの軸は、超磁歪素子１１の軸とほぼ一致しており、出力端１３ｃは開放されている。鍔部１３ｂは、本体部１３ａよりも径が大きく、その端面１３ｄはスプリング１８の付勢により、少なくとも電極１５ａ及び永久磁石１７ａを介して超磁歪素子１１に押しつけられている。これにより、信号源２１を用いて再生すべき音響信号に応じた電流をコイル１２に流すと、磁界が超磁歪素子１１に印加され、磁界強度に応じた超磁歪素子１１の伸縮がシャフト１３の出力端１３ｃに伝わることになる。シャフト１３の出力端１３ｃには振動板が取り付けられておらず、ユーザ自らがシャフト１３の出力端１３ｃを何らかの部材に密着させることにより、この部材を振動板とすることができる。つまり任意の部材を振動板とすることが可能となる。
【００２１】
切替スイッチ２３は、ユーザにより操作されるＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４に連動する回路であり、第１のスイッチ２３ａと第２のスイッチ２３ｂによって構成されている。第１のスイッチ２３ａは、信号源２１からの交流信号をコイル１２に印加するか否かを制御するスイッチであり、これがオン状態となると、コイル１２には信号源２１からの交流信号が供給されることになる。一方、第２のスイッチ２３ｂは、バイアス電流源２２からのバイアス電流を超磁歪素子１１に印加するか否かを制御するスイッチであり、これがオン状態となると、超磁歪素子１１には電極１５ａ，１５ｂを介してバイアス電流が供給されることになる。
【００２２】
切替スイッチ２３に含まれる第１のスイッチ２３ａ及び第２のスイッチ２３ｂの動作は排他的であり、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４がオン状態である場合には、第１のスイッチ２３ａがオン、第２のスイッチ２３ｂがオフ状態となり、逆に、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４がオフ状態である場合には、第１のスイッチ２３ａがオフ、第２のスイッチ２３ｂがオン状態となる。換言すれば、超磁歪アクチュエータ１０の使用時においては第１のスイッチ２３ａがオン状態となり、不使用時においては第２のスイッチ２３ｂがオン状態となる。図１には、一例として、第１のスイッチ２３ａがオン、第２のスイッチ２３ｂがオフである状態が示されている。
【００２３】
以上が、本実施形態による超磁歪アクチュエータ１０の構造である。
【００２４】
本実施形態による超磁歪アクチュエータ１０は、筐体１６の内部に電池や音源などを内蔵することにより、携帯可能なペン型スピーカを構成することが可能である。このようなペン型スピーカは、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４をオンにした状態で、図２に示すように、ユーザがシャフト１３の出力端１３ｃを所望の部材１９に密着させることにより、この部材１９を振動板として音を発生させることができる。そして、シャフト１３の出力端１３ｃを部材１９から離せば、振動板がなくなることから音をほぼ消すことが可能となる。この状態では第２のスイッチ２３ｂがオフ状態であることから、超磁歪素子１１にバイアス電流を流す回路は非活性状態となるが、コイル１２に電流を流している間は、超磁歪素子１１の変位や渦電流の影響により、超磁歪素子１１に錆が発生することはほとんどない。
【００２５】
一方、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４をオフにすると、バイアス電流源２２及び第２のスイッチ２３ｂを介して超磁歪素子１１にはバイアス電流が流れることになる。つまり、コイル１２による磁界の印加が停止されると、超磁歪素子１１にバイアス電流を流す回路が活性状態とされる。上述のとおり、超磁歪素子１１に電流が流れていると錆が発生しにくく、これにより、超磁歪アクチュエータ１０を長時間使用しない場合であっても、超磁歪素子１１に錆が発生することはほとんどない。
【００２６】
バイアス電流の電流値については特に限定されないが、微小な電流であっても高い錆防止効果が得られることから、消費電力を考慮すれば、できるだけ小さな電流値（例えば１ｍＡ程度）に設定することが好ましい。
【００２７】
このように、本実施形態による超磁歪アクチュエータ１０は、不使用時に超磁歪素子１１にバイアス電流が流れることから、超磁歪素子１１の錆を防止することができる。しかも、電極１５ａ，１５ｂは超磁歪素子１１の両端部に配置されていることから、バイアス電流は超磁歪素子１１の軸方向へ満遍なく流れることになる。これにより、超磁歪素子１１の端部を含め、全体的に錆を防止することが可能となることから、超磁歪アクチュエータ１０の信頼性を高めることが可能となる。
【００２８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００２９】
図３は、本発明の第２の実施形態による超磁歪アクチュエータ２０の構造を示す略断面図である。
【００３０】
図３に示すように、本実施形態による超磁歪アクチュエータ２０は、バイアス電流源２２が削除されているとともに、切替スイッチ２３が３端子型の切替スイッチ２５に置き換えられている点において、第１の実施形態による超磁歪アクチュエータ１０と異なっている。その他の構成は、第１の実施形態による超磁歪アクチュエータ１０と同一であることから、同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３１】
切替スイッチ２５は、第１の切替端子２５ａ及び第２の切替端子２５ｂを有しており、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４に連動して共通端子２５ｃとの接続が切り替えられる。具体的には、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４がオン状態である場合には第１の切替端子２５ａと共通端子２５ｃが接続され、ＯＮ／ＯＦＦスイッチ２４がオフ状態である場合には第２の切替端子２５ｂと共通端子２５ｃが接続される。図３には、一例として、第１の切替端子２５ａと共通端子２５ｃが接続された状態が示されている。
【００３２】
図３に示すように、第１の切替端子２５ａはコイル１２に接続され、第２の切替端子２５ｂは電極１５ａ，１５ｂに接続されていることから、第１の切替端子２５ａが選択されると、信号源２１からの交流信号はコイル１２に流れ、第２の切替端子２５ｂが選択されると、信号源２１からの交流信号は超磁歪素子１１に流れることになる。
【００３３】
つまり、不使用時においては信号源２１からの交流信号がバイアス電流として用いられ、これにより、超磁歪素子１１の錆を防止することができる。第１の実施形態とは異なり、本実施形態ではバイアス電流が交流であるが、直流を用いた場合と同様の錆防止効果を得ることができる。交流を用いた場合も、微小な電流で高い錆防止効果を得ることができることから、消費電力を考慮すれば、第２の切替端子２５ｂが選択されている場合には信号源２１の出力を充分に低下させることが好ましい。
【００３４】
このように、本実施形態によれば、専用のバイアス電流源を用いることなく、上記第１の実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。
【００３５】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
【００３６】
図４は、本発明の第３の実施形態による超磁歪アクチュエータ３０の構造を示す略断面図である。
【００３７】
図４に示すように、本実施形態による超磁歪アクチュエータ３０は、電極１５ａ及び永久磁石１７ａが削除されているとともに、電極１５ａに接続されていた配線がシャフト１３に接続されている点において、図１に示した超磁歪アクチュエータ１０と異なっている。その他の構成は、図１に示した超磁歪アクチュエータ１０と同一であることから、同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００３８】
本実施形態において用いるシャフト１３は導電性を有している必要があり、バイアス電流は、導電性を有するシャフト１３を介して超磁歪素子１１の一端に印加される。かかる構成により、本実施形態による超磁歪アクチュエータ３０では、超磁歪素子１１とシャフト１３との間に電極を介在させる必要がなくなることから、部材間の摩擦等に起因するノイズを低減することが可能となる。尚、本実施形態においても、第２の実施形態のように３端子型の切替スイッチ２５を用いることにより、信号源２１からの交流信号をバイアス電流として用いても構わない。
【００３９】
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。
【００４０】
図５は、本発明の第４の実施形態による超磁歪アクチュエータ４０の構造を示す略断面図である。
【００４１】
図５に示すように、本実施形態による超磁歪アクチュエータ４０は、シャフト１３に接続されていた配線がスプリング１８に接続されている点において、図４に示した超磁歪アクチュエータ３０と異なっている。その他の構成は図４に示した超磁歪アクチュエータ３０と同一であることから、同じ構成要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４２】
本実施形態において用いるシャフト１３及びスプリング１８は導電性を有している必要があり、バイアス電流は導電性を有するシャフト１３及びスプリング１８を介して超磁歪素子１１の一端に印加される。かかる構成により、本実施形態による超磁歪アクチュエータ４０では、バイアス電流を供給するための配線を可動部に接続する必要がなくなることから、このような配線に起因するノイズを低減することが可能となる。尚、本実施形態においても、第２の実施形態のように３端子型の切替スイッチ２５を用いることにより、信号源２１からの交流信号をバイアス電流として用いても構わない。
【００４３】
次に、本発明の第５の実施形態について説明する。
【００４４】
図６は、本発明の第５の実施形態による超磁歪センサ５０の構造を示す略断面図である。
【００４５】
図６に示すように、本実施形態による超磁歪センサ５０は、図１に示した超磁歪アクチュエータ１０と類似の構造を有しているが、コイル１２に流す電流を変化させることによって超磁歪素子１１を変位させる「アクチュエータ」ではなく、逆に、超磁歪素子１１に外力が加わったことを検出する「圧力センサ」又は「振動センサ」として用いられる。
【００４６】
具体的に説明すると、コイル１２には、パルス電圧発生器２６及び検出器２７が直列に接続されており、コイル１２にはパルス電圧発生器２６からのパルス信号が定期的に印加される。これにより、コイル１２にかかる電圧ｖ及びコイル１２に流れる電流ｉは、図７に示す波形となる。電流ｉは、よく知られているように、コイル１２のインダクタンスをＬとした場合、
ｉ＝ｖ／Ｌ
で表すことができる。ここで、コイル１２のインダクタンスＬは、超磁歪素子１１の透磁率に比例することから、超磁歪素子１１の透磁率が変化すると、つまり、シャフト１３を介して超磁歪素子１１に外力が印加されると、コイル１２のインダクタンスＬが変化し、その結果、電流ｉの波形も変化することになる。したがって、ピーク電流ｉｍａｘをモニタすれば、超磁歪素子１１に印加された外力の大きさを検出することが可能となる。
【００４７】
検出器２７はこのような検出を行う回路であり、ピーク電流ｉｍａｘをモニタし、その結果に基づいて検出信号２７ａを生成する。検出信号２７ａは超磁歪センサ５０の外部へと供給され、これにより、超磁歪素子１１にどの程度の外力が印加されたか知ることが可能となる。
【００４８】
本実施形態においても、超磁歪素子１１には、抵抗２９を介してバイアス電流源２２からのバイアス電流が供給されており、これにより超磁歪素子１１の錆が防止されている。
【００４９】
このように、本発明は、超磁歪素子１１を用いたセンサにも応用することが可能であり、この場合も超磁歪素子１１の錆を防止することが可能となることから、超磁歪センサ５０の信頼性を高めることが可能となる。
【００５０】
尚、本実施形態による超磁歪センサ５０は、筐体１６の取り付け面１６ａが平坦であり、シャフト１３の先端１３ｃが筐体１６の取り付け面１６ａよりも僅かに突出した状態で保持されている。このため、ネジ２８を用いて超磁歪センサ５０を測定対象物（図示せず）に取り付ければ、測定対象物に生じている圧力や振動を検出することが可能となる。
【００５１】
本発明は、以上説明した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００５２】
例えば、上記各実施形態では超磁歪素子を用いて超磁歪アクチュエータや磁歪センサを構成した場合を説明したが、本発明は、磁歪素子を用いた磁歪アクチュエータや磁歪センサ全般に適用することが可能である。
【００５３】
また、上記第１乃至第４の実施形態では、不使用時にのみバイアス電流を流しているが、不使用時のみならず、使用時にもバイアス電流を流し続けても構わない。但し、既に説明したように、使用時においては超磁歪素子に錆が発生することはほとんどないことから、消費電力などを考慮すれば、上記各実施形態のように、不使用時にのみバイアス電流を流す構成とすることが好ましい。
【実施例】
【００５４】
以下、超磁歪素子にバイアス電流を流すことによる錆防止効果について実証する。
【００５５】
まず、Ｔｂ０．３４−Ｄｙ０．６６−Ｆｅ１．９０を中心組成とし、径が８ｍｍ、長さが１８．５ｍｍである円柱形の超磁歪素子を６本用意した（サンプル＃１〜サンプル＃６）。次に、これら６本のサンプルを温度が８５℃、相対湿度が８５％環境下に保存し、２４時間経過後及び４８時間経過後にこれらサンプルにどの程度錆が発生するか観察した。
【００５６】
保存中、サンプル＃１には１０ｍＡの直流電流を軸方向に流し、サンプル＃２には５ｍＡの直流電流を軸方向に流し、サンプル＃３には１ｍＡの直流電流を軸方向に流した。また、サンプル＃４には実効値１０ｍＡの交流電流（１ｋＨｚ）を軸方向に流し、サンプル＃５には実効値１ｍＡの交流電流（２ｋＨｚ）を軸方向に流した。一方、サンプル＃６には全く電流を流さなかった。
【００５７】
２４時間経過時点及び４８時間経過時点における錆発生状況を図８にまとめる。図８に示すように、電流を流したサンプル＃１〜サンプル＃５では錆の発生が確認されなかったが、電流を流さなかったサンプル＃６では時間が経過するに連れて、表面に錆が広がることが確認された。以上により、超磁歪素子にバイアス電流を流すことによる錆防止効果が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施形態による超磁歪アクチュエータ１０の構造を示す略断面図である。
【図２】超磁歪アクチュエータ１０の使用例を説明するための模式図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による超磁歪アクチュエータ２０の構造を示す略断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態による超磁歪アクチュエータ３０の構造を示す略断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態による超磁歪アクチュエータ４０の構造を示す略断面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態による超磁歪センサ５０の構造を示す略断面図である。
【図７】コイル１２にかかる電圧ｖとコイル１２に流れる電流ｉの波形図である。
【図８】実施例における錆発生状況を示す表である。
【符号の説明】
【００５９】
１０，２０，３０，４０    超磁歪アクチュエータ
１１      超磁歪素子
１２      コイル
１３      シャフト
１３ａ    本体部
１３ｂ    鍔部
１３ｃ    出力端
１３ｄ    端面
１４      ヨーク
１５ａ，１５ｂ    電極
１６      筐体
１６ａ    取り付け面
１７ａ，１７ｂ    永久磁石
１８      スプリング
１９      振動板となる部材
２１      信号源
２２      バイアス電流源
２３，２５    切替スイッチ
２３ａ    第１のスイッチ
２３ｂ    第２のスイッチ
２４      ＯＮ／ＯＦＦスイッチ
２５ａ    第１の切替端子
２５ｂ    第２の切替端子
２５ｃ    共通端子
２６      パルス電圧発生器
２７      検出器
２７ａ    検出信号
２８      ネジ
２９      抵抗
５０      超磁歪センサ
【図１】
2006186007.tif 000003
【図２】
2006186007.tif 000004
【図３】
2006186007.tif 000005
【図４】
2006186007.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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