(57)【要約】      （修正有）【課題】フォトスペーサをデータ線上に形成することにより、データ線と走査線との短絡を防止して、表示品位が低下するのを防止する。【解決手段】  素子基板において、フォトスペーサは、少なくともデータ線上に形成されており、このフォトスペーサによりデータ線は完全に被覆されている。素子基板とカラーフィルタ基板とが貼り合わされた状態において、フォトスペーサはカラーフィルタ基板の透明電極（走査線）と接触しており、これにより液晶層の厚さが一定の間隔に保持されている。かかる構成を有する液晶表示装置では、フォトスペーサが絶縁物として作用するため、データ線と透明電極（走査線）とが直接接触するようなことはない。よって、データ線と透明電極（走査線）とが短絡するのを防止できる。これにより、白抜け表示欠陥が生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。【選択図】    図６
2006091486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ線と、前記データ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、絶縁性を有するスペーサとを含む基板と、走査線を有する対向基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置であって、
前記スペーサは、少なくとも前記データ線と前記走査線との交差する位置に、かつ、前記データ線上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記スペーサは、前記データ線の延在方向に沿ってライン状に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記スペーサは、前記データ線の表面全体に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記データ線に隣接する前記画素電極の各々の周縁部近傍は、前記スペーサにて覆われていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記スペーサは、前記データ線の延在方向に部分的にかつ間欠的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記スペーサは、前記データ線の延在方向に間欠的に形成され部分的に厚さが小さくなるように形成された薄厚部分を有し、
前記基板と前記対向基板とを貼り合わせた状態において、前記薄厚部分と前記対向基板との間には間隙が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
サブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と、前記反射領域に対応する位置に形成された反射層、前記反射層上に形成され、前記透過領域及び前記反射領域における電気光学物質の層厚を異ならせたマルチギャップ構造を構成するための絶縁膜及び走査線を有する第２の基板との間に前記電気光学物質を封入してなる電気光学装置であって、
前記第１の基板は、
絶縁性を有するスペーサと、
データ線と、
前記データ線に接続されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に接続された画素電極と、を備え、
前記スペーサは、少なくとも前記データ線と前記走査線との交差する位置に、かつ、前記データ線上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
前記反射領域に対応する前記スペーサは前記第２の基板に接触していると共に、前記透過領域に対応する前記スペーサは前記第２の基板と一定の間隔をおいて配置されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記スペーサは、前記反射領域に対応する前記データ線上において部分的にかつ間欠的に形成されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記スペーサは、前記反射領域に対応する前記データ線上において間欠的に形成され部分的に厚さが小さくなるように形成された薄厚部分を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態において、前記薄厚部分と前記第２の基板との間には間隙が形成されていることを特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記スペーサは、前記透過領域に対応する前記データ線の延在方向に沿ってライン状に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
前記データ線の延在方向における前記スペーサの長さは約１４μｍに設定されていると共に、前記スペーサの各々の間隔は約１０〜２０μｍに設定されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な電気光学装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、及びフィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置が知られている。電気光学装置の一例として、フォトスペーサ、データ線、ＴＦＤ（Thin Film Diode）及びＴＦＴ（Thin Film Transistor）などのスイッチング素子及び画素電極を有する素子基板と、走査線などを有する対向基板との間に液晶が封入されてなるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置が知られている。
【０００３】
そのような液晶表示装置では、例えば、素子基板上のスイッチング素子に対応する位置に、柱状の形状をなし、絶縁性を有するフォトスペーサがフォトリソグラフィー法などにて形成され、素子基板と対向基板とが一定の間隔に保持されている。特に、フォトスペーサをそのような位置に形成することで、万が一、スイッチング素子に対応する表示パネル面に一定の外力が付与されたような場合でも、フォトスペーサが絶縁物として作用するのでスイッチング素子と走査線とが短絡するのを防止できる（ＴＦＤ素子を有する場合の構成）。また、スイッチング素子自体の破損も防止されるので、そのスイッチング素子に電気的に接続された画素電極において点欠陥（画素欠陥）が生じることも防止できる。
【０００４】
なお、スペーサをフォトリソグラフィー法などにより有効画素部以外に作製した後に配向処理を行うことによって、均一なセル厚と、均一な液晶の配向状態による優れた表示特性を持った液晶表示素子の製造方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この特許文献１では、下側基板の配向膜上であって且つ能動型素子に対応する位置にスペーサを形成するようにしている。また、シール材形成領域に均一な分布にてスペーサを固定配置して形成することにより、液晶層の厚みを均一にして表示特性の向上を図った液晶装置が知られている（例えば、特許文献２を参照）。
【０００５】
しかしながら、かかる液晶表示装置では、データ線と走査線とが交差する位置に対応する表示パネル面に一定の外力が付与されたような場合、データ線と走査線とが短絡して、それらの各方向にライン状の白抜け表示欠陥が生じ、表示品位が著しく低下してしまうという問題があった。
【０００６】
【特許文献１】特開平６−１７５１３３号公報
【特許文献２】特開２００１−２９６５２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、データ線と走査線との短絡を防止して、表示品位が低下するのを防止することが可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点では、データ線と、前記データ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、絶縁性を有するスペーサとを含む基板と、走査線を有する対向基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置において、前記スペーサは、少なくとも前記データ線と前記走査線との交差する位置に設けられており、かつ、前記データ線上に形成されている。
【０００９】
上記の電気光学装置は、データ線と、そのデータ線に接続されたスイッチング素子と、そのスイッチング素子に接続された画素電極と、例えばフォトリソグラフィー法にて形成され、アクリル樹脂などからなる絶縁性を有するスペーサとを含む基板と、走査線を有する対向基板との間に電気光学物質が封入されてなる。この電気光学装置では、スペーサが少なくともデータ線と走査線との交差する位置に、かつ、当該データ線上に形成されている。このため、何らかの要因によりデータ線と走査線とが交差する位置に対応する表示パネル面に外力が付与されたような場合でも、絶縁性を有するスペーサによって、データ線と走査線とが短絡するのを防止できる。よって、白抜けなどの表示欠陥が生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００１０】
上記の電気光学装置の一つの態様では、前記スペーサは、前記データ線の延在方向に沿ってライン状に設けられている。これにより、データ線と走査線とが短絡するのを確実に防止できる。
【００１１】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサは、前記データ線の表面全体に形成されている。この態様によれば、スペーサはデータ線の表面全体に形成されており、データ線は絶縁性を有するスペーサにて完全に覆われている。よって、画素電極と、当該画素電極に接続されていない方の隣接するデータ線の間に寄生容量が生じるのを低減でき、いわゆる縦クロストークが生じるのを防止できる。なお、「縦クロストーク」は、その寄生容量が原因で、灰色などを背景色として、赤、青、緑などの単色、或いは赤、青、緑の各色に対して補色の関係にある、シアン、マゼンタ、イエローなどの色を矩形状に表示したときに、矩形表示領域の上下方向に位置する領域が、本来表示されるべき背景色より明るく表示されてしまい、かつ、微妙に色づいて表示されてしまう現象をいう。
【００１２】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記データ線に隣接する前記画素電極の各々の周縁部近傍は、前記スペーサにて覆われている。
【００１３】
この態様によれば、データ線に隣接する画素電極の各々の周縁部近傍はスペーサにて覆われているため、データ線とその左右に位置する各画素電極との間にはスペーサより誘電率の高い液晶が介在するようなことがない。つまり、データ線とその左右に位置する各画素電極とは液晶より誘電率の低いフォトスペーサにて絶縁される。よって、縦クロストークが生じるのを防止できる。
【００１４】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサは、前記データ線の延在方向に部分的にかつ間欠的に形成されている。
【００１５】
この態様によれば、スペーサは、少なくともデータ線上であって、当該データ線の延在方向に部分的にかつ間欠的に形成されている。好適な例では前記データ線の延在方向における前記スペーサの長さは約１４μｍに、前記スペーサの各々の間隔は約１０〜２０μｍに設定するのが好ましい。これにより、データ線と走査線とが交差する位置に対応する表示パネル面に一定の外力が付与されたような場合でも、データ線と走査線とが短絡するのを防止できる。よって、白抜けなどの表示欠陥が生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００１６】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサは、前記データ線の延在方向に間欠的に形成され部分的に厚さが小さくなるように形成された薄厚部分を有し、前記基板と前記対向基板とを貼り合わせた状態において、前記薄厚部分と前記対向基板との間には間隙が形成されている。
【００１７】
この態様によれば、スペーサは、データ線の延在方向に間欠的に形成され部分的に厚さが小さくなるように形成された薄厚部分を有している。また、基板と対向基板とを貼り合わせた状態において、スペーサの薄厚部分と対向基板との間には間隙が形成されている。このため、液晶の注入工程において基板と対向基板との間に液晶を注入した場合、当該液晶がその間隙を通じて相隣接する画素電極などに対応する空間に相互に流入することになる。よって、液晶の注入時間を短縮することができる。
【００１８】
本発明の他の観点では、サブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と、前記反射領域に対応する位置に形成された反射層、前記反射層上に形成され前記透過領域及び前記反射領域における電気光学物質の層厚を異ならせたマルチギャップ構造を構成するため絶縁膜及び走査線を有する第２の基板との間に電気光学物質を封入してなる電気光学装置において、前記第１の基板は、絶縁性を有するスペーサと、データ線と、前記データ線に接続されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続された画素電極と、を備え、前記スペーサは、少なくとも前記データ線と前記走査線との交差する位置に設けられており、かつ、前記データ線上に形成されている。
【００１９】
上記の電気光学装置は、サブ画素領域内に透過領域及び反射領域を有する第１の基板と第２の基板とがフォトスペーサを介して貼り合わされ、その両基板間に電気光学物質が封入されてなる。この電気光学装置は、サブ画素領域内に透過型表示を行う透過領域と反射型表示を行う反射領域とを有しており、いわゆる半透過反射型の電気光学装置を構成している。第２の基板は、反射領域に対応する位置に形成された反射層と、その反射層上に形成された絶縁膜と、走査線とを有している。一方、第１の基板は、データ線と、そのデータ線に電気的に接続されたスイッチング素子と、そのスイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有している。そして、この電気光学装置では、第１の基板と第２の基板とが貼り合わされた状態において、反射領域に形成された絶縁層（オーバーコート層）により、透過領域に対応する液晶層と、反射領域に対応する液晶層の層厚が夫々異なる大きさに設定されており、いわゆるマルチギャップ構造をなしている。
【００２０】
かかる構成を有する電気光学装置では、スペーサが少なくともデータ線と走査線との交差する位置に設けられており、かつ、データ線上に形成されている。好適な例では、前記スペーサは、前記透過領域に対応する前記データ線の延在方向に沿ってライン状に設けることができる。このため、何らかの要因によりデータ線と走査線とが交差する位置に対応する表示パネル面に外力が付与されたような場合でも、絶縁性を有するスペーサによって、データ線と走査線とが短絡するのを防止できる。よって、白抜けなどの表示欠陥が生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００２１】
上記の電気光学装置の一つの態様では、前記反射領域に対応する前記スペーサは前記第２の基板に接触していると共に、前記透過領域に対応する前記スペーサは前記第２の基板と一定の間隔をおいて形成されている。
【００２２】
この態様によれば、反射領域に対応するデータ線上に形成されたスペーサは第２の基板に接触しているので、液晶層の厚さを一定に保持することができる。即ち、これにより、反射領域の液晶層の厚さと、透過領域の液晶層の厚さとが夫々最適な値に設定され、反射型表示及び透過型表示の双方において表示性能を向上させることができる。また、透過領域に対応するデータ線上に形成されたスペーサは第２の基板と一定の間隔をおいて配置されている。このため、液晶の注入工程において第１の基板と第２の基板との間に液晶を注入した場合、当該液晶が透過領域に対応するスペーサと第２の基板との間隙を通じて相隣接する画素電極などに対応する空間に相互に流入することになる。よって、液晶の注入時間を短縮することができる。さらに、この態様の場合、液晶の注入工程において、液晶注入作業の迅速性を考慮することなくスペーサを配置できると共に、そのスペーサにより透過領域に対応するデータ線と走査線との間の絶縁性を上げることができる。
【００２３】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサは、前記反射領域に対応する前記データ線上において部分的にかつ間欠的に形成されている。
【００２４】
この態様によれば、スペーサは、反射領域に対応するデータ線上であって、当該データ線の延在方向に部分的にかつ間欠的に形成されている。好適な例では前記データ線の延在方向における前記スペーサの長さは約１４μｍに、前記スペーサの各々の間隔は約１０〜２０μｍに設定するのが好ましい。これにより、データ線と走査線とが交差する位置に対応する表示パネル面に一定の外力が付与されたような場合でも、データ線と走査線とが短絡するのを防止できる。よって、白抜けなどの表示欠陥が生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。また、液晶の注入工程において第１の基板と第２の基板との間に液晶を注入した場合、当該液晶が反射領域に対応するスペーサと第２の基板との間隙を通じて相隣接する画素電極などに対応する空間に相互に流入することになる。よって、液晶の注入時間を短縮することができる。
【００２５】
上記の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサは、前記反射領域に対応する前記データ線上において間欠的に形成され部分的に厚さが小さくなるように形成された薄厚部分を有し、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態において、前記薄厚部分と前記第２の基板との間には間隙が形成されている。
【００２６】
この態様によれば、スペーサは、反射領域に対応するデータ線の延在方向に間欠的に形成され部分的に厚さが小さくなるように形成された薄厚部分を有している。また、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせた状態において、スペーサの薄厚部分と第２の基板との間には間隙が形成されている。このため、液晶の注入工程において第１の基板と第２の基板との間に液晶を注入した場合、当該液晶がその間隙を通じて相隣接する画素電極などに対応する空間に相互に流入することになる。よって、液晶の注入時間を短縮することができる。
【００２７】
また、上記の電気光学装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各実施形態は、本発明を電気光学装置の一例としての液晶表示装置に適用したものである。各実施形態は、データ線上にフォトスペーサを形成することにより、データ線と走査線とが交差する位置に対応する表示パネル面に一定の外力が付与されたような場合でも、データ線等と走査線とが短絡するのを防止して、表示品位が低下するのを防止する。
【００２９】
[第１実施形態]
第１実施形態は、データ線の表面全体にフォトスペーサを形成することにより、上記の作用効果を得る。
【００３０】
（液晶表示装置の構成）
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、液晶表示装置１００は、ノーマリーホワイトの表示モードを有する液晶表示装置である。図２は、図１の液晶表示装置１００において、切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。
【００３１】
まず、図２を参照して、切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明する。図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。この枠状のシール部材３には、複数の金属粒子などの導通部材７が混入されている。
【００３２】
下側基板２の内面上には、開口２０を有する反射層５が形成されている。反射層５は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜により形成することができる。反射層５、及び開口２０に対応する下側基板２の各内面上には、サブ画素ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素ＳＧから構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００３３】
また、反射層５の内面上であって且つ各サブ画素ＳＧの間には、隣接するサブ画素ＳＧを隔て、一方のサブ画素ＳＧから他方のサブ画素ＳＧへの光の混入を防止するため、黒色遮光層ＢＭが形成されている。
【００３４】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、ストライプ状のＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明電極（走査電極）８が形成されている。この透明電極８の一端はシール部材３内に延在しており、そのシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。透明電極８の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００３５】
一方、上側基板１の内面上には、適宜の間隔を置いてデータ線３２が、サブ画素ＳＧ毎にＴＦＤ素子２１及び画素電極１０が夫々形成されている。データ線３２は、ＴＦＤ素子２１を介して画素電極１０に電気的に接続されている。また、データ線３２上には、フォトスペーサ２７がフォトリソグラフィー法にて形成されている。なお、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０及びフォトスペーサ２７などの内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００３６】
また、上側基板１の内面上の左右周縁部には走査線３１が形成されている。走査線３１の一端部はシール部材３内まで延在しており、その走査線３１はシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。上側基板１の走査線３１と、下側基板２の透明電極８、即ち下側基板の走査線とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。
【００３７】
下側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１１及び偏光板１２が配置されており、上側基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１３及び偏光板１４が配置されている。また、偏光板１２の下側には、バックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００３８】
さて、第１実施形態の液晶表示装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置１００に入射した外光は、図２に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶表示装置１００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、画素電極１０及び着色層６等が形成されている領域を通過して、その着色層６の下側にある反射層５により反射され、再度着色層６及び画素電極１０等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００３９】
また、第１実施形態の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図２に示す経路Ｔに沿って進行し、着色層６及び画素電極１０等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより、所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４０】
次に、図１、図３及び図４を参照して、素子基板９１及びカラーフィルタ基板９２の電極及び配線の構成について説明する。図３は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２における下方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図４は、カラーフィルタ基板９２を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときのカラーフィルタ基板９２の電極の構成を平面図として示す。また、図３及び図４において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００４１】
図１において、素子基板９１の画素電極１０と、カラーフィルタ基板９２の透明電極８との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素ＳＧを構成する。そして、このサブ画素ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図３において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００４２】
（電極及び配線構成）
先ず、図３を参照して、素子基板９１の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板９１は、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０、複数の走査線３１、複数のデータ線３２、ＸドライバＩＣ３３、ＹドライバＩＣ３４、及び複数の外部接続用端子３５を備えている。
【００４３】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＸドライバＩＣ３３及びＹドライバＩＣ３４が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図３において、素子基板９１の張り出し領域３６側の辺９１ａから反対側の辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、辺９１ｄから辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００４４】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。ＸドライバＩＣ３３及びＹドライバＩＣ３４の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００４５】
ＹドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に接続されている。一方、各ＸドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線３１に接続されている。これにより、各ＸドライバＩＣ３３は複数の走査線３１に走査信号を、ＹドライバＩＣ３４は複数のデータ線３２にデータ信号をそれぞれ出力する。
【００４６】
複数のデータ線３２は、紙面縦方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に形成されている。各データ線３２は一定の間隔を隔てて形成されている。また、各データ線３２は、適宜の間隔をおいて複数のＴＦＤ素子２１に接続されており、各ＴＦＤ素子２１は、対応する各画素電極１０に接続されている。
【００４７】
複数の走査線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に形成されている。また、各本線部分３１ａは、各データ線３２に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分３１ｂは、額縁領域３８内において、左右に位置するシール部材３内までＸ方向に延在している。そして、その折れ曲がり部分３１ｂの終端部は、シール部材３内で導通部材７に接続されている。
【００４８】
次に、カラーフィルタ基板９２の電極の構成について説明する。図４に示すように、カラーフィルタ基板９２は、Ｘ方向にストライプ状の透明電極（走査電極）８が形成されている。各透明電極８の左端部或いは右端部は、図１及び図４に示すように、シール部材３内まで延在しており、且つ、シール部材３内の導通部材７に接続されている。
【００４９】
以上に述べた、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９２の各透明電極８は、素子基板９１の各データ線３２に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、透明電極８と画素電極１０とが重なり合う領域がサブ画素ＳＧを構成する。
【００５０】
また、カラーフィルタ基板９２の透明電極８（即ち、カラーフィルタ基板９２側の走査線）と、素子基板９１の走査線３１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その透明電極８と走査線３１とは、シール部材３内の導通部材７を介して上下導通している。つまり、透明電極８たるカラーフィルタ基板９２の各走査線と、素子基板９１の各走査線３１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、カラーフィルタ基板９２の透明電極８は、素子基板９１の走査線３１を介して、紙面左右に夫々位置する各ＸドライバＩＣ３３に電気的に接続されている。
【００５１】
（データ線と走査線の短絡防止構造）
まず、本発明の第１実施形態に係るデータ線３２と透明電極８（走査線）との短絡防止構造について説明するのに先立ち、素子基板に形成されたデータ線と、カラーフィルタ基板に形成された透明電極（走査線）とが万が一短絡した場合、どのような表示欠陥が生じるかについて簡単に説明する。なお、かかる説明においては、データ線３２上にフォトスペーサ２７が形成されていない一般的な液晶表示装置を想定し、図１の平面図を参照にして説明する。
【００５２】
図１において、例えば、１つのデータ線３２ａと１つの透明電極８ａ（走査線）との交差する部分（破線部分Ｅ５）に対応する表示パネル面に一定の外力が付与されたような場合、その部分においてデータ線３２ａと透明電極８ａ（走査線）とが短絡を起こし、それらの各方向にライン状の白抜け表示欠陥が生じる。
【００５３】
また、別の例として、ＴＦＤ素子２１ｘに対応する表示パネル面に一定の外力が付与されたような場合には、ＴＦＤ素子２１ｘと透明電極８ａ（走査線）とが短絡を起こし、上記同様の現象、即ちＴＦＤ素子２１に接続されたデータ線３２ａ及び対応する透明電極８ａ（走査線）の各方向に白抜け表示欠陥が生じる。なお、このとき、その外力の大きさ如何によっては、ＴＦＤ素子２１ｘ自体が破損して、そのＴＦＤ素子２１ｘに接続された画素電極１０が点欠陥を起こすこともある。
【００５４】
特に、このような表示品位の低下を招く白抜け表示欠陥の発生を防止するためには、データ線３２等と透明電極８（走査線）との短絡を防止する必要がある。
【００５５】
そこで、本発明の第１実施形態では、少なくともデータ線３２上の表面全体に亘って、絶縁性を有するフォトスペーサ２７を形成する。これにより、上記した白抜け表示欠陥が生じるのを防止する。
【００５６】
ここで、第１実施形態による素子基板９１のデータ線３２とカラーフィルタ基板９２の透明電極８（走査線）との短絡を防止する構成について説明する。図５は、素子基板９１における複数の画素Ｇのレイアウトなどを示す部分平面図である。なお、図５において、各データ線３２の間であって且つ透明電極８と交差する部分は、サブ画素ＳＧ領域（一点鎖線にて囲まれる領域）である。また、１つのサブ画素ＳＧにおいて、Ｙ方向の長さＷ２とＸ方向の長さＷ１を有する矩形状の領域Ｅ１は反射型表示が行われる反射表示領域である。その反射表示領域Ｅ１の紙面下方向に位置し、図示の開口２０に対応する領域は、透過型表示が行われる透過表示領域Ｅ２である。図６は、図５における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った部分断面図を示す。
【００５７】
図５の平面図において、上側基板１上には、適宜の間隔を置いて直線状のデータ線３２がＹ方向に延在するように形成されている。また、上側基板１上には、サブ画素ＳＧ毎にＴＦＤ素子２１及び画素電極１０が形成されている。データ線３２は、ＴＦＤ素子２１を介して画素電極１０に電気的に接続されている。特に、第１実施形態では、少なくともデータ線３２上の表面全体に亘って所定厚さを有するフォトスペーサ２７が形成されている。なお、フォトスペーサ２７の形成された領域は、図５の平面図では太い破線の部分に対応している。次に、図６に、データ線３２上の全体に亘ってフォトスペーサ２７が形成された状態の断面構成を示す。図６は、素子基板９１を下側に、カラーフィルタ基板９２を上側に夫々配置した状態の断面図である。なお、図６では、素子基板９１側及びカラーフィルタ基板９２側の夫々形成される配向膜は図示を省略している。また、図６の説明に際し、上記で説明した要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００５８】
図６において、上側基板１の内面上には、画素電極１０ｂ、それに接続されたＴＦＤ素子２１、及びそのＴＦＤ素子２１に接続されたデータ線３２が夫々形成されている。また、上側基板１上には、データ線３２等を隔てて、当該画素電極１０ｂに隣接する画素電極１０ａが形成されている。少なくともデータ線３２の内面上、即ちデータ線３２の内面上及びその周囲の上側基板１の内面上には、所定厚さのフォトスペーサ２７が形成されている。
一方、下側基板２の内面上であって且つデータ線３２等に対向する位置近傍には反射層５が形成されている。反射層５の一部内面上、及び開口２０に対応する下側基板２の内面上には、着色層６Ｒ及び６Ｇが夫々形成されている。また、反射層５の内面上であって且つデータ線３２に対応する位置には、黒色遮光層ＢＭが形成されている。着色層６Ｒ及び６Ｇ並びに黒色遮光層ＢＭの内面上には、走査線たる透明電極８が形成されている。そして、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とが貼り合わされた状態では、フォトスペーサ２７と透明電極８（走査線）とが接触している。これにより、液晶層４の厚さ、即ちセルギャップが一定の間隔に保持されている。
【００５９】
以上の構成を有する第１実施形態では、少なくともデータ線３２の内面上に、絶縁性を有する所定厚さのフォトスペーサ２７を形成することとしているので、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを貼り合せた状態において、データ線３２と透明電極８（走査線）とはフォトスペーサ２７を介して絶縁されている。
【００６０】
このため、例えば、データ線３２の位置に対応する表示パネル面側（データ線３２の位置に対応する、素子基板９１側の有効表示領域Ｖに対応する面に相当）に矢印Ｙ１方向の一定の外力が付与されたような場合（図６を参照）でも、データ線３２と透明電極８（走査線）とが直接接触するようなことはない。よって、データ線３２と透明電極８（走査線）との短絡を防止することができる。これにより、上記した白抜け表示欠陥の発生を防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００６１】
また、第１実施形態では、フォトスペーサ２７の周縁部近傍にＴＦＤ素子２１が形成されているので、ＴＦＤ素子２１の位置に対応する表示パネル面側に矢印Ｙ１方向の一定の外力が付与されたような場合でも、図６を参照して理解されるようにＴＦＤ素子２１と透明電極８（走査線）とが直接接触するようなことがない。よって、ＴＦＤ素子２１と透明電極８（走査線）との短絡をも防止することができる。これにより、白抜け表示欠陥が生じるのを防止でき、表示品位が低下するのを防止できる。
【００６２】
また、第１実施形態では、データ線３２がフォトスペーサ２７にて完全に覆われているため、画素電極１０と、それに接続されていない方の隣接するデータ線３２との間には液晶ではなくフォトスペーサが介在している。通常、フォトスペーサを構成する樹脂などの材料は液晶に比べて誘電率が低いので、フォトスペーサが存在しない場合と比較すると、画素電極１０と、それに接続されていない方の隣接するデータ線３２との間に生じる寄生容量を低減できる。これにより、いわゆる縦クロストークが生じるのを低減できる。
【００６３】
なお、上記の第１実施形態では、図６に示すように、フォトスペーサ２７は、データ線３２に隣接する側の画素電極１０の周縁部と重ならないように形成されている。しかし、本発明では、図７の断面図に示されるように、データ線３２の内面上及びその付近の上側基板１の内面上のみならず、データ線３２に対向する画素電極１０ａ及び１０ｂの各周縁部１０ａｂ及び１０ｂｂ付近にもフォトスペーサ２７を形成するようにして、より一層、縦クロストークが生じるのを防止することもできる。
【００６４】
この点について簡単に述べると、図６の構成では、画素電極１０ａと、それに接続されていない方の隣接するデータ線３２との間には、フォトスペーサ２７のみならず、それより誘電率の高い液晶層４（破線領域Ｅ６を参照）も介在している。なお、液晶層４の誘電率は約８〜１０程度であるのに対し、アクリル樹脂などよりなるフォトスペーサ２７の誘電率は約３程度である。これに対して、図７の構成では、画素電極１０ａと、それに接続されていない方の隣接するデータ線３２との間には、誘電率の低いフォトスペーサ２７のみが介在し、それより誘電率の高い液晶層４は介在していない。よって、図７の構成の場合、図６の構成に比べて、画素電極１０ａとそれに接続されていない方の隣接するデータ線３２との間に生じる寄生容量をより小さくできる。よって、縦クロストークが生じるのをより一層低減できる。
【００６５】
[第２実施形態]
次に、図８及び図９を参照して、本発明の第２実施形態によるデータ線３２と透明電極８（走査線）の短絡防止構造について説明する。第２実施形態は、柱状の形状をなすフォトスペーサ２７を部分的かつ間欠的にデータ線３２上に形成することにより、第１実施形態と同様の作用効果を得る。
【００６６】
図８は、第２実施形態の素子基板９１における複数の画素Ｇのレイアウトなどを示す部分平面図である。なお、図８は、図５と略同様の構成を有する部分平面図であるため、以下では、第１実施形態と同一の要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。図９は、図８における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った部分断面図を示す。
【００６７】
図８の平面図において、データ線３２上には、部分的に、本例では一定の間隔をおいてフォトスペーサ２７が間欠的に形成されている。即ち、データ線３２の延在する方向に、フォトスペーサ２７が形成された部分と形成されていない部分とが交互に設けられている。なお、フォトスペーサ２７の形成された領域は、図８の平面図では太い破線の部分に対応している。この点だけが第１実施形態と異なっている。第２実施形態において、フォトスペーサ２７のＹ方向の長さはＤ１０に設定されている共に、各フォトスペーサ２７の間隔（長さ）はＤ１１に設定されている。それらの長さの関係については後述する。続いて、図９に、フォトスペーサ２７が一定の間隔をおいて、データ線３２上に形成された状態の断面構成を示す。図９は、素子基板９１を下側に、カラーフィルタ基板９２を上側に夫々配置した状態の断面図である。なお、図９の説明に際し、上記で説明した要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００６８】
図９において、上側基板１の内面上にはデータ線３２が形成されていると共に、データ線３２の内面上には、その方向に長さがＤ１０となるフォトスペーサ２７が一定の間隔Ｄ１１をおいて形成されている。一方、下側基板２の内面上には反射層５が形成されていると共に、反射層５の内面上には黒色遮光層ＢＭが形成されている。黒色遮光層ＢＭの内面上には、透明電極８（走査線）が形成されている。そして、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とが貼り合わされた状態では、フォトスペーサ２７と透明電極８（走査線）とが接触している。これにより、セルギャップが一定の間隔に保持されている。
【００６９】
以上の構成を有する第２実施形態において、もし、フォトスペーサ２７の長さＤ１０を短くし、各フォトスペーサ２７の間隔Ｄ１１を大きくしたような場合、その部分に位置するデータ線３２と透明電極８（走査線）とが短絡してしまう可能性がある。そこで、そのような不具合の発生を回避するべく、第２実施形態では、フォトスペーサ２７の長さＤ１０と各フォトスペーサ２７の間隔Ｄ１１を、次に述べる観点に基づいて設定するようにしている。
【００７０】
即ち、図９において、各フォトスペーサ２７の間（例えば、フォトスペーサ２７ａとフォトスペーサ２７ｂとの間）に対応する、素子基板９１側の有効表示領域Ｖに対応する表示パネル面側に矢印Ｙ１方向の一定の外力が付与された場合（図９を参照）でも、当該部分に位置するデータ線３２と透明電極８（走査線）とが直接接触することのない間隔（長さ）となるように、フォトスペーサ２７の長さＤ１０及び各フォトスペーサ２７の間隔Ｄ１１が夫々設定される。好適な例としては、フォトスペーサ２７の長さＤ１０を約１４μｍ程度に設定した場合、各フォトスペーサ２７の間隔は約１０〜２０μｍ程度に設定するのが好ましい。
【００７１】
以上の構成により、第２実施形態では、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、ＴＦＤ素子２１に対応する位置のデータ線３２上にフォトスペーサ２７を形成することは本発明の第２実施形態において必須ではないが、図８の構成例のように、そのような位置にもフォトスペーサ２７ｘを形成することにより、ＴＦＤ素子２１と透明電極８（走査線）との短絡を確実に防止することができる。
【００７２】
さらに、第２実施形態では、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを貼り合せた後の液晶注入工程において、それらの基板間に液晶を注入する時間を短縮することができるという利点がある。この点について、図１及び図８を参照して簡単に述べる。図１に示すように、液晶表示装置では、例えば破線領域Ｅ８付近に開口（図示略）が形成されており、基板貼り合わせ後の液晶パネル内部を真空状態とし、液晶槽に浸すことにより矢印Ｙ２の方向からその開口を通じて液晶が注入される。
【００７３】
例えば、第１実施形態の液晶表示装置１００では、図１を参照して理解されるように、１つのＹ方向に列をなす画素電極１０群に対応する液晶が封入される空間と、その群に隣接し、Ｙ方向に列をなす他の画素電極１０群に対応する液晶が封入される空間は、データ線３２上の全体に亘って形成されたフォトスペーサ２７により隔離されている。このため、その開口を通じて、その内部空間に液晶を注入する場合、かかる液晶は、Ｙ方向に列をなす画素電極１０群に対応する液晶が封入される空間毎に注入されることになる。即ち、図１及び図８におけるＹ方向にのみ液晶の移動が可能となり、Ｘ方向における液晶の移動が制限される。このため液晶の注入に時間を要する。
【００７４】
これに対し、第２実施形態の液晶表示装置では、データ線３２上に部分的に且つ間欠的にフォトスペーサ２７を形成するようにしているので、１つのＹ方向に列をなす画素電極１０群に対応する液晶が封入される空間と、その群に隣接し、Ｙ方向に列をなす他の画素電極１０群に対応する液晶が封入される空間は、各フォトスペーサ２７の間隙の部分においてＸ方向に繋がっている。このため、液晶の注入工程において液晶は、図８を参照して理解されるように、矢印Ｙ３方向（図１の矢印Ｙ２と同方向）のみならず、矢印Ｙ４方向にも相互に流入することになる。これにより、第２実施形態は、第１実施形態と比べて、液晶の注入時間を短縮することができる。
【００７５】
[第３実施形態]
次に、図１０乃至図１４を参照して、第３実施形態について説明する。なお、以下において、第１及び第２実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。第３実施形態は、透過型表示が行われる透過表示領域と反射型表示が行われる反射表示領域との液晶層の厚さを夫々異なる大きさに設定した、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置に本発明を適用する。また、第３実施形態では、データ線の表面全体にフォトスペーサを形成することにより、第１実施形態と同様の作用効果を得る。
【００７６】
（液晶表示装置の構成）
まず、本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１０は、第３実施形態に係る液晶表示装置２００の概略構成を模式的に示す平面図であり、図１に示される第１実施形態の液晶表示装置１００の平面構成と略同様であるため、以下では、その構成についての説明を省略する。ここに、本発明の液晶表示装置２００は、第１及び第２実施形態と同様にＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。特に、第３実施形態に係る液晶表示装置２００は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域（透過型表示を行う領域）の液晶層の厚さよりも小さく設定され、反射型表示及び透過型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置でもある。
【００７７】
図１１は、図１０の液晶表示装置２００において、１つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図である。図１２は、図１０の液晶表示装置２００において、１つの横列をなす複数の画素電極の透過表示領域を通る切断線Ｃ−Ｃ’に沿った概略断面図を示す。
【００７８】
まず、図１１を参照して、画素電極１０の反射表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置２００の断面構成について説明し、続いて、図１２を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る切断線Ｃ−Ｃ’に沿った液晶表示装置２００の断面構成について説明する。
【００７９】
図１１において、液晶表示装置２００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９４とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。この枠状のシール部材３には、複数の金粒子などの導通部材７が混入されている。
【００８０】
下側基板２の内面上には反射層５が形成されている。反射層５の内面上であって且つ画素電極１０と対向する位置には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。
【００８１】
また、各サブ画素領域ＳＧの間には、隣接するサブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素から他方のサブ画素への光の混入を防止するため、黒色遮光層ＢＭが形成されている。
【００８２】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有する。オーバーコート層１８の内面上には、ストライプ状のＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明電極（走査電極）８が形成されている。この透明電極８の一端はシール部材３内に延在しており、そのシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。透明電極８の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００８３】
一方、素子基板９１では、データ線３２上にフォトスペーサ２７が形成されており、当該フォトスペーサ２７はカラーフィルタ基板９４の透明電極８と接触している。これにより、液晶層４の厚さ、即ちセルギャップが一定の厚さに保持されている。具体的には、反射表示領域Ｅ１（図１３を参照）に対応する液晶層４の厚さはＤ１に設定されていると共に、透過表示領域Ｅ２（図１３を参照）に対応する液晶層４の厚さはＤ２（＞Ｄ１）に夫々設定されており、マルチギャップが形成されている。なお、素子基板９１のその他の構成は第１及び第２実施形態と同様である。
【００８４】
また、上側基板１の内面上の左右周縁部に形成された走査線３１の一端部はシール部材３内まで延在しており、その走査線３１はシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。上側基板１の走査線３１と、下側基板２の透明電極８、即ち下側基板の走査線とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。
【００８５】
さて、第１実施形態の液晶表示装置２００において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置２００に入射した外光は、図１１に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶表示装置２００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、画素電極１０及び着色層６等が形成されている領域を通過して、その着色層６の下側にある反射層５により反射され、再度着色層６及び画素電極１０等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００８６】
次に、図１２を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る直線Ｃ−Ｃ’に沿った液晶表示装置２００の断面構成について説明する。
【００８７】
図１２において、下側基板２の内面上には反射層５が形成されている。反射層５には、サブ画素領域ＳＧ毎に開口２０が形成されている。この開口２０により、透過表示領域が規定される。また、下側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。各サブ画素領域ＳＧの間に対応する反射層５の内面上には黒色遮光層ＢＭが形成されている。着色層６黒色遮光層ＢＭの内面上には透明電極８が形成されている。一方、素子基板９１では、データ線３２上にフォトスペーサ２７が形成されているが、前述のように透過表示領域Ｅ２の液晶層４の厚さＤ１は反射表示領域Ｅ１の液晶層の厚さＤ２より薄いので、当該フォトスペーサ２７はカラーフィルタ基板９４の透明電極８とは接触していない。なお、素子基板９１のその他の構成は第１及び第２実施形態と同様である。
【００８８】
さて、第３実施形態の液晶表示装置２００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図１２に示す経路Ｔに沿って進行し、着色層６及び画素電極１０等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより、所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００８９】
（データ線と走査線の短絡防止構造）
次に、本発明の第３実施形態によるデータ線３２と透明電極８（走査線）の短絡防止構造について説明する。
【００９０】
図１３は、素子基板９１とカラーフィルタ基板９４とを貼り合せた状態の部分平面図を示している。また、図１３は、図１１及び図１２の断面図における下方から観察したときの複数画素のレイアウト、及び対応するカラーフィルタ基板の主要な要素のレイアウトを夫々示している。
【００９１】
なお、図１３において、各データ線３２の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板９２側の透明電極８（破線にて囲まれる領域）と対向する領域は、サブ画素領域ＳＧ（一点鎖線にて囲まれる矩形状の領域）である。サブ画素領域ＳＧは、反射表示領域Ｅ１、及び透過表示領域Ｅ２により構成される。反射表示領域Ｅ１は、反射型表示を行う領域であり、Ｙ方向の長さ略Ｗ１１とＸ方向の長さ略Ｗ１３を有する領域である。透過表示領域Ｅ２は、透過型表示を行う領域であり、Ｙ方向の長さ略Ｗ１２とＸ方向の長さ略Ｗ１３を有する領域である。図１４（ａ）は、図１３の平面図における切断線Ｘ５−Ｘ６に沿った断面図である。また、図１４（ｂ）は、図１３の平面図における切断線Ｘ７−Ｘ８に沿った断面図である。
【００９２】
素子基板９１の主要な平面構成は次の通りである。図１３において、上側基板１上には、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び画素電極１０が形成されている。各データ線３２は、Ｙ方向に延在し且つ適宜の間隔をおいて形成されている。ＴＦＤ素子２１は、透過表示領域Ｅ２内の一部領域に形成されており、データ線３２に接続されている。画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧ内に形成されている。画素電極１０は、ＴＦＤ素子２１に接続されている。このため、画素電極１０は、ＴＦＤ素子２１を介してデータ線３２に電気的に接続されている。特に、第３実施形態では、第１実施形態と同様に、少なくともデータ線３２上の表面全体に亘って所定厚さを有するフォトスペーサ２７が形成されている。なお、フォトスペーサ２７の形成された領域は、図１３の平面図では太い破線の部分に対応している。
【００９３】
次に、図１４に、データ線３２上の全体に亘ってフォトスペーサ２７が形成された状態の断面構成を示す。図１４（ａ）は、透過表示領域Ｅ２に対応する断面構成であると共に、図１４（ｂ）は、反射表示領域Ｅ１に対応する断面構成である。また、図１４では、素子基板９３を下側に、カラーフィルタ基板９４を上側に夫々配置した状態の断面図である。なお、図１４では、素子基板９３側及びカラーフィルタ基板９４側の夫々形成される配向膜は図示を省略している。また、図１４の説明に際し、上記で説明した要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【００９４】
図１４（ａ）及び（ｂ）において、上側基板１の内面上には、画素電極１０ａ及び１０ｂ、及びデータ線３２が夫々形成されている。画素電極１０ａと画素電極１０ｂとは、一定の間隔をおいて形成されていると共に、それらの間にはデータ線３２が形成されている。少なくともデータ線３２の内面上、即ちデータ線３２の内面上及びその周囲の上側基板１の内面上には、所定厚さのフォトスペーサ２７が形成されている。一方、図１４（ａ）及び（ｂ）において、カラーフィルタ基板９２の構成は、第１実施形態の図６に示される構成と同様である。
【００９５】
そして、素子基板９３とカラーフィルタ基板９２とが貼り合わされた状態では、透過表示領域Ｅ２に対応する図１４（ａ）の構成において、フォトスペーサ２７と透明電極８（走査線）とは接触していない。一方、反射表示領域Ｅ１に対応する図１４（ｂ）の構成において、フォトスペーサ２７と透明電極８（走査線）とは接触している。これにより、液晶層４の厚さ、即ちセルギャップは一定の間隔に保持されている。
【００９６】
以上の構成を有する第３実施形態では、少なくともデータ線３２の内面上に、絶縁性を有する所定厚さのフォトスペーサ２７を形成することとしているので、第１実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、第３実施形態では、透過表示領域Ｅ１に対応するデータ線３２上に形成されるフォトスペーサ２７は、セルギャップを一定に保持する機能は有しないが、そのような位置にフォトスペーサ２７を形成することにより、その付近の表示パネル面に外力が付与されたような場合でも、当該データ線３２と透明電極８との間を確実に絶縁する機能を果たす。さらに、透過表示領域Ｅ１に対応するデータ線３２上において、フォトスペーサ２７と透明基板８との間には間隙７０が形成されているため、液晶の注入工程においてＹ３方向から注入された液晶は、Ｙ３方向への移動のみならず、その間隙７０を通じてＹ４方向にも移動可能となる（図１３及び図１４（ａ）を参照）。このため、液晶の注入時間を短くすることができる。
【００９７】
なお、上記の第３実施形態では、図１４に示すように、フォトスペーサ２７は、データ線３２に隣接する側の画素電極１０の周縁部と重ならないように形成されている。しかし、第３実施形態では、図７に示される断面図のように、データ線３２の内面上及びその付近の上側基板１の内面上のみならず、データ線３２に対向する画素電極１０ａ及び１０ｂの各周縁部１０ａｂ及び１０ｂｂ付近にもフォトスペーサ２７を形成するようにしても構わない。これにより、上記した作用効果、即ち縦クロストークが生じるのをより一層低減できる。
【００９８】
また、上記の第３実施形態では、図１３に示すように、フォトスペーサ２７をデータ線３２の全体に形成しているが、その代わりに図８に示す第２実施形態のように、データ線３２上に一定の間隔をおいて間欠的にフォトスペーサを形成することとしてもよい。
【００９９】
[第４実施形態]
次に、図１５及び図１６を参照して、第４実施形態について説明する。図１５は、素子基板９３とカラーフィルタ基板９４とを貼り合せた状態の部分平面図を示している。また、図１５は、第３実施形態の図１３に対応する部分平面図でもある。図１６は、図１５における切断線Ｘ９−Ｘ１０に沿った部分断面図を示す。なお、以下において、第１、第２及び第３実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その説明を省略又は簡略化する。
【０１００】
第４実施形態に係る液晶表示装置は、第３実施形態に係る液晶表示装置２００の構成と略同様である。但し、第４実施形態では、透過表示領域Ｅ２に対応するデータ線の表面全体にフォトスペーサを形成する一方、反射表示領域Ｅ１に対応するデータ線上にフォトスペーサを部分的かつ間欠的に形成する点が、第３実施形態と異なっている。
【０１０１】
この点について、図１３に示す第３実施形態と図１５に示す第４実施形態とを比較して説明する。第３実施形態では、図１３に示すように、データ線３２の表面全体、具体的には反射表示領域Ｅ１及び透過表示領域Ｅ２の各々に対応するデータ線３２上にフォトスペーサ２７が形成されている。これに対し、第４実施形態では、図１５に示すように、反射表示領域Ｅ１に対応するデータ線３２上にはフォトスペーサ２７が部分的且つ間欠的に形成されていると共に、透過表示領域Ｅ２に対応するデータ線３２上には、第３実施形態と同様に、その表面全体に形成されている。かかる構成について、図１６の断面図を参照して、さらに説明する。
【０１０２】
図１６において、下側基板１上にはデータ線３２が形成されている。直線Ｌ１より紙面視右側（反射表示領域Ｅ１）であって且つデータ線３２上には、フォトスペーサ２７が部分的且つ間欠的に形成されている。なお、フォトスペーサ２７の長さ及び各フォトスペーサ２７の間隔は第２実施形態と同様である。また、直線Ｌ１より紙面視左側（透過表示領域Ｅ１）であって且つデータ線３２上には、その表面全体に亘ってフォトスペーサ２７が形成されている。一方、上側基板２上には反射層５が形成されていると共に、その反射層５上には黒色遮光層ＢＭが形成されている。反射表示領域Ｅ１に対応する黒色遮光層ＢＭ上にはオーバーコート層１８が所定厚さにて形成されている。透過表示領域Ｅ２に対応する黒色遮光層ＢＭ上、及び、オーバーコート層１８上には、透明電極８が形成されている。
【０１０３】
そして、素子基板９３とカラーフィルタ基板９４とが貼り合わされた状態では、反射表示領域Ｅ１に対応する位置に形成されたフォトスペーサ２７は透明電極８に接触していると共に、透過表示領域Ｅ２に対応する位置に形成されたフォトスペーサ２７は透明電極８とは接触していない。前者により、セルギャップが一定の厚さに保持されている。
【０１０４】
以上の構成を有する第４実施形態において、反射表示領域Ｅ１に対応する位置に形成されたフォトスペーサ２７はデータ線３２上に部分的且つ間欠的に形成されているので、特に液晶の注入工程において、液晶の注入作業を迅速且つ確実に行え、第２実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、透過表示領域Ｅ２に対応する位置に形成されたフォトスペーサ２７は、データ線３２の表面全体に形成されているので、当該フォトスペーサ２７と透明電極８との間には間隙７０が形成されているため、第１及び第３実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【０１０５】
［変形例］
上記の第２実施形態では、平面視矩形状をなすフォトスペーサ２７を一定の間隔をおいてデータ線３２上に形成するようにした。これに限らず、この第２実施形態を若干変形して、フォトスペーサ２７の各角を丸めた、平面視略楕円形状をなすフォトスペーサ２７を部分的にデータ線３２上に形成するようにしても構わない。この変形例に係る部分平面図を図１７（ａ）に、それに対応する断面図を図１８（ａ）に夫々示す。なお、図１７（ａ）は、図８における破線領域Ｅ７の部分に対応し、データ線３２とフォトスペーサ２７のみの構成を示す部分平面図である。また、図１８（ａ）は、第２実施形態の図９に対応する断面図である。
【０１０６】
このように、フォトスペーサ２７の各角を丸めることにより、液晶の注入工程において、上記した矢印Ｙ４方向への液晶の流入速度が高められ、第２実施形態に比べ液晶の注入時間を短縮することができる。なお、この変形例に係るその他の作用効果は第２実施形態と略同様である。
【０１０７】
また、第１実施形態と上記変形例を組み合わせたような形態を有するフォトスペーサ２７をデータ線３２上に形成するようにしても構わない。図１７（ｂ）及び図１８（ｂ）を参照して、かかる構成について簡単に説明する。図１７（ｂ）は、かかる形態の部分平面図であり、図１７（ａ）に対応する部分平面図である。また、図１８（ｂ）は、かかる形態に対応する部分断面図であり、図１７（ｂ）に対応する部分断面図である。
【０１０８】
この形態のフォトスペーサ２７は、図１７（ｂ）及び図１８（ｂ）に示すように、図１７（ａ）に示される変形例のフォトスペーサ２７を第１実施形態のように繋げたような形態を有している。換言すれば、かかる形態のフォトスペーサ２７は、部分的に領域が細くなる薄厚部分（破線領域Ｅ１０の部分）を有し、データ線３２の表面全体に形成されている。具体的には、薄厚部分Ｅ１０においては、フォトスペーサ２７の厚さは、それ以外の部分の厚さよりも薄く形成されている。その結果、薄厚部分Ｅ１０と、それに対向するカラーフィルタ基板９２の内面との間には間隙９９が形成されている。これにより、液晶は間隙９９を介してＹ方向に移動できるので、上記の変形例と同様に液晶の注入時間を短縮することができる。加えて、この形態の場合、フォトスペーサ２７が第１実施形態と同様にデータ線３２を完全に被覆しているので、データ線３２と透明電極８との短絡を確実に防止することができ、縦クロストークの発生を低減することもできる。なお、この形態例に係るその他の作用効果は第１及び第２実施形態と略同様である。なお、また、図１７（ｂ）に示すように薄厚部分Ｅ１０はそれ以外の部分と比較して幅が小さく形成されていても良い。なお、かかる変形例は、上記第４実施形態において反射表示領域Ｅ１に対応するデータ線３２上に形成されるフォトスペーサ２７にも適用可能である。
【０１０９】
また、上記第４実施形態では、透過表示領域Ｅ１に対応するデータ線３２上にも、フォトスペーサ２７を形成するように構成したが、その部分ではフォトスペーサ２７を形成しないように構成してもよい。これは、前述のように透過表示領域Ｅ１では液晶層４の厚さが大きく、データ線３２と透明電極８とが離れているため、スペーサを設ける必要性が低いからである。即ち、本発明では、透過表示領域Ｅ１に対応するデータ線３２上にフォトスペーサ２７を形成するようなことはせず、反射表示領域Ｅ２に対応するデータ線３２上に対してだけフォトスペーサ２７を部分的且つ間欠的に形成するような構成にしても構わない。
【０１１０】
また、上記の各実施形態等では、半透過反射型の液晶表示装置に本発明を適用することとしたが、これに限らず、透過型又は反射型の液晶表示装置などにも本発明を適用することが可能である。
【０１１１】
［電子機器］
次に、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。なお、第２乃至第４実施形態及び上記各変形例の液晶表示装置も当該電子機器の表示装置として適用可能である。
【０１１２】
図１９は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【０１１３】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【０１１４】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【０１１５】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００等を適用可能な電子機器の具体例について図２０を参照して説明する。
【０１１６】
まず、本発明に係る液晶表示装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図２０（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１１７】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図２０（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１１８】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図２０（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図２０（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【０１１９】
また、本発明は、液晶表示装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る液晶表示装置の切断線Ａ−Ａ’に沿った断面図。
【図３】第１実施形態に係る素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図４】第１実施形態に係るカラーフィルタ基板の電極の構成を示す平面図。
【図５】第１実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す平面図。
【図６】第１実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す断面図。
【図７】第１実施形態の変形に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す断面図。
【図８】第２実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す平面図。
【図９】第２実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す断面図。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。
【図１１】第３実施形態の液晶表示装置の反射表示領域に対応する断面図。
【図１２】第３実施形態の液晶表示装置の透過表示領域に対応する断面図。
【図１３】第３実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す平面図。
【図１４】第３実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す断面図。
【図１５】第４実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す平面図。
【図１６】第４実施形態に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す断面図。
【図１７】変形例に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す部分平面図。
【図１８】変形例に係るデータ線等と走査線の短絡防止構造を示す部分断面図。
【図１９】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図２０】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１２１】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ５  反射層、  ６  着色層、  ７  導通部材、  ８  透明電極、  １０  画素電極、  ２１  ＴＦＤ素子、  ２７  フォトスペーサ、  ３１  走査線、  ３２  データ線、  ９２、９４  カラーフィルタ基板、  ９１、９３  素子基板、  １００、２００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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