(57)【要約】【課題】  光増幅システムに使用することで利得補正器やパワー補正器などが不要となり、構成がシンプルで雑音の少ない安価な光増幅システムを構築することができる光ファイバとその製造方法、及びそれを用いた光増幅システムの提供。【解決手段】  光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線を作製し、該光ファイバ裸線を徐冷炉に入れ、徐冷炉温度が１０００℃〜１３００℃の範囲、徐冷炉温度［℃］×徐冷時間［秒］の積Ｔが３５００≦Ｔ≦５０００の範囲となる条件下で熱処理を施して波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差を低減させた光ファイバを得ることを特徴とする光ファイバの製造方法。該方法によって製造され、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする光ファイバ。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラスからなり、コアとそれを囲むクラッドを有する光ファイバであって、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする光ファイバ。
【請求項２】
波長１３８３ｎｍ帯におけるレーリ散乱ベースからの吸収損失の増加が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバ。
【請求項３】
光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線を作製し、該光ファイバ裸線にその赤外吸収損失を増加させる条件下で熱処理を施して波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差を低減させた光ファイバを得ることを特徴とする光ファイバの製造方法。
【請求項４】
光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線を作製し、該光ファイバ裸線を徐冷炉に入れ、徐冷炉温度が１０００℃〜１３００℃の範囲、徐冷炉温度［℃］×徐冷時間［秒］の積Ｔが３５００≦Ｔ≦５０００の範囲となる条件下で熱処理を施して波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差を低減させた光ファイバを得ることを特徴とする光ファイバの製造方法。
【請求項５】
徐冷炉内又は徐冷炉内とその上部の雰囲気ガスが、窒素又はアルゴンであることを特徴とする請求項４に記載の光ファイバの製造方法。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれかに記載の光ファイバの製造方法によって製造され、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする光ファイバ。
【請求項７】
波長１３８３ｎｍ帯におけるレーリ散乱ベースからの吸収損失の増加が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする請求項６に記載の光ファイバ。
【請求項８】
請求項１，２，６又は７に記載の光ファイバを有していることを特徴とする光増幅システム。
【請求項９】
請求項１，２，６又は７に記載の光ファイバを有していることを特徴とする光ラマン増幅システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバとその製造方法、該光ファイバを用いた光増幅システムに関する。本発明の光ファイバは、損失の波長によるバラツキが小さく、光伝送路に使用し、光増幅器と組み合わせて光増幅システムを構築するのに好適である。
【背景技術】
【０００２】
一般に光ファイバの損失特性には波長依存性があり、これは、次に挙げるような要因によるものであることが一般に知られている（例えば、非特許文献１参照。）。
・レーリ散乱損失
・ＯＨ基吸収損失
・構造不整損失
・赤外吸収損失
・紫外吸収損失
【０００３】
これらの損失の大きさは、波長により異なる。レーリ損失は、波長の４乗分の１に比例する損失特性を持ち、長波長ほどレーリ損失は小さくなる。ＯＨ基吸収は、波長１３８３ｎｍに吸収ピークを持つ吸収であり、最近では母材製造工程にて、十分に脱水するなどして、光ファイバ母材中のＯＨ基残留量を極限まで減少させることでＯＨ基吸収を無くすことが可能になっている（例えば、特許文献１参照。）。次に構造不整損失は、光ファイバ中に残留する応力や、コア径変動などに起因する損失で、波長依存しない。赤外吸収、紫外吸収は、ガラスの構造、材料に起因し、赤外領域、紫外領域にそれぞれ吸収ピークを持つ。
【０００４】
以上により、一般には、従来の光ファイバにあっては図１に示されるような損失の波長依存性が見られる。そのため、従来の光ファイバをＤＷＤＭ伝送システムやＣＷＤＭ伝送システムへ適用した場合、光増幅システムや光ラマン増幅システムへの波長毎の入射（光ファイバ伝送後増幅前の出力）パワーにバラツキを生じてしまう。このバラツキを補正するため、従来は、増幅時にシステムに利得補正器、パワー補正器などをシステムに導入し、システム出力時のパワーを平滑化している（例えば、特許文献２参照。）。例えば２段構成ＥＤＦＡの段間に可変減衰器、あるいは可変利得等化器を用いた利得傾斜補償方法が報告されている（例えば、非特許文献２，３参照。）。
【非特許文献１】Stephen S. Walker,“Rapid Modeling and Estimation of Total Specctral Loss in Optical Fibers,”J. Lightwave Technol., LT-4, no.8, pp.1125-1131, Aug.1986.
【特許文献１】特許第３３０１６０２号公報
【特許文献２】特開平５−４８２０７号公報
【非特許文献２】Y. Sugaya, S. Kinoshita and T. Chikama: Novel configuration for low-noise and wide-dynamic-range Er-doped fiber amplifier for WDM systems, OAA '95, Technical Digest, pp.158-161, 1995
【非特許文献３】T. Naito, T. Terahara, N. Fukushima, N. Shimojoh, T. Yanaka and T. Suyama: Active gain-slope conpensation In Large-capacity, long-haul WDM transmission system, OAA'99, Paper WC5, pp.36-39, 1999
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述したように、従来の光ファイバを用いた光増幅システムにあっては、使用している光ファイバの損失の波長依存性が大きいために、ＷＤＭ伝送後のパワーのバラツキが生じ、そのバラツキを補正する利得補正器やパワー補正器などをシステムに付加する必要があった。
光増幅システムに利得補正器やパワー補正器を付加すると、システムが複雑になり、信号対雑音比（ＳＮ比）が悪化しやすいという問題が生じる。
また、光増幅システムに利得補正器やパワー補正器を付加することで、システムが複雑になり、高価格になってしまう問題がある。
【０００６】
本発明は前記事情に鑑みてなされ、光増幅システムに使用することで利得補正器やパワー補正器などが不要となり、構成がシンプルで雑音の少ない安価な光増幅システムを構築することができる光ファイバとその製造方法、及びそれを用いた光増幅システムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するため、本発明は、石英ガラスからなり、コアとそれを囲むクラッドを有する光ファイバであって、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする光ファイバを提供する。
【０００８】
前記光ファイバにおいて、波長１３８３ｎｍ帯におけるレーリ散乱ベースからの吸収損失の増加が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下であることが好ましい。
【０００９】
また本発明は、光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線を作製し、該光ファイバ裸線にその赤外吸収損失を増加させる条件下で熱処理を施して波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差を低減させた光ファイバを得ることを特徴とする光ファイバの製造方法を提供する。
【００１０】
また本発明は、光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線を作製し、該光ファイバ裸線を徐冷炉に入れ、徐冷炉温度が１０００℃〜１３００℃の範囲、徐冷炉温度［℃］×徐冷時間［秒］の積Ｔが３５００≦Ｔ≦５０００の範囲となる条件下で熱処理を施して波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差を低減させた光ファイバを得ることを特徴とする光ファイバの製造方法を提供する。
【００１１】
前記光ファイバの製造方法において、徐冷炉内又は徐冷炉内とその上部の雰囲気ガスが、窒素又はアルゴンであることが好ましい。
【００１２】
また本発明は、前述した光ファイバの製造方法によって製造され、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴とする光ファイバを提供する。
【００１３】
前記光ファイバにおいて、波長１３８３ｎｍ帯におけるレーリ散乱ベースからの吸収損失の増加が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下であることが好ましい。
【００１４】
また本発明は、前述した本発明に係る光ファイバを有していることを特徴とする光増幅システムを提供する。
【００１５】
また本発明は、前述した本発明に係る光ファイバを有していることを特徴とする光ラマン増幅システムを提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の光ファイバは、伝送損失の波長依存性が小さく、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍ以下であるものなので、この光ファイバを光増幅システムに適用することにより、波長多重（ＷＤＭ）伝送後の各波長に対するピークパワーのバラツキが小さくなり、利得補正器などが不要となり、構成がシンプルで雑音の少ない安価な光増幅システムを構築することができる。また、ＯＨ基吸収による損失の増加を小さくすることで、ＣＷＤＭ伝送にも最適な光ファイバを提供することができる。
本発明の光ファイバの製造方法は、光ファイバ母材を線引きして作製した光ファイバ裸線にその赤外吸収損失を増加させる条件下で熱処理を施すことで、前述した伝送損失の波長依存性の小さい光ファイバを得るものなので、光ファイバ母材としては従来の製造方法において製造された母材を使用でき、特別な技術は必要ないため、前述したように伝送損失の波長依存性が小さい有用な光ファイバを安価に製造することができる。
本発明の光増幅システム及び光ラマン増幅システムは、前述した伝送損失の波長依存性が小さい本発明に係る光ファイバを用いたものなので、ＷＤＭ伝送後の各波長に対するピークパワーのバラツキが小さくなり、利得補正器やパワー補正器などが不要となり、構成がシンプルで雑音の少ない安価な光増幅システムを構築することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の光ファイバは、石英ガラスからなり、コアとそれを囲むクラッドを有してなり、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍ以下であることを特徴としている。
この光ファイバを用いることで、ＷＤＭ伝送後のパワーのバラツキが小さくなるため、光増幅システムにおいて、利得補正器やパワー補正器などを用いる必要がなく、構成がシンプルで雑音の少ない安価な増幅システムを構築することができる。
【００１８】
本発明の光ファイバの好ましい実施形態において、光ファイバは、前述した損失の波長依存性が少ない特性に加え、波長１３８３ｎｍ帯におけるレーリ散乱ベースからの吸収損失の増加が０．０４ｄＢ／ｋｍ以下である特徴を有している。
この光ファイバを用いることで、波長１３８３ｎｍ帯のＯＨ基起因の吸収損失が十分小さいため、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの範囲を使用するＣＷＤＭシステムに最適であり、かつ、損失の波長依存性が少ないため、光ラマン増幅システムにおいて、パワー補正器などを用いる必要がなく、構成がシンプルで雑音の少ない、安価なラマン増幅システムを構築することができる。
【００１９】
図２は、本発明の光ファイバの損失波長特性を例示したグラフである。これを図１に示した従来の光ファイバの損失波長特性とを比べると、従来の光ファイバは、波長１３８３ｎｍ帯にかなり強い吸収ピークがあるのに対し、本発明の光ファイバには該当する吸収ピークがないことがわかる。また、従来の光ファイバは、波長１０００ｎｍ〜１６００ｎｍまで（波長１３８３ｎｍ帯の吸収ピークを除いて）平坦ではなく傾斜した損失波長特性を示しているのに対し、図２の光ファイバは波長１２５０ｎｍ以上の波長域で損失の変動がほぼ一定になっていることがわかる。
【００２０】
前述したような損失波長特性を有する本発明の光ファイバは、光ファイバ母材を線引きして光ファイバ裸線を作製し、該光ファイバ裸線にその赤外吸収損失を増加させる条件下で熱処理を施して波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの波長帯における最大損失と最低損失の差を低減させた光ファイバを得ることを特徴とする本発明の光ファイバの製造方法によって製造することができる。
【００２１】
このようなメカニズムにて損失特性を変化させるため、新しい添加物を光ファイバに加える必要がなく、従来と同様のシングルモード光ファイバ製造用母材を使用することができるため、安価に製造することができる。
【００２２】
赤外吸収損失を増加させる方法として、光ファイバ線引き工程を最適化することで実施可能である。具体的には、光ファイバ線引き工程において、徐冷炉を設け、この徐冷炉温度を光ファイバのクラッド及びコアのガラス転移点付近とし、好ましくは、コアのガラス転移点＜徐冷炉温度＜クラッドのガラス転移点の範囲の温度とし、より具体的には１０００℃＜徐冷炉温度＜１３００℃の範囲の温度とし、この徐冷炉に線引きした光ファイバ裸線を入れ、３秒〜５秒間加熱する。この時の徐冷炉内雰囲気ガス、徐冷炉上部雰囲気ガスとしては、熱伝導率の低い窒素もしくはアルゴンを用いることが望ましい。
【００２３】
この徐冷炉では、光ファイバクラッド粘度が高く、コア粘度が相対的に低い状態に保たれるため、コアのガラス構造がクラッドの影響を受け、光ファイバ中の残留応力が変化し、Ｓｉ−Ｏ結合距離がわずかに変化し、Ｓｉ−Ｏの伸縮振動に起因する赤外吸収損失ピーク波長が僅かに変化する。前記温度の徐冷炉を用いることにより、クラッドに引きずられて、コアのＳｉ−Ｏ結合距離が長くなり、それによりＳｉ−Ｏ伸縮振動に吸収される波長が短くなり、赤外吸収ピークが短波長側へシフトすると推定される。この影響で、赤外吸収の裾の影響が変化し、結果として、１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍ付近の損失変動が小さくなる。
以下、実施例によって本発明の効果を説明する。
【実施例】
【００２４】
［実施例１］
Ｇｅ添加コア・Ｃｌ含有シリカクラッド・シングルモードファイバ母材（以下、ＬＷＰ−ＳＭ母材と記す。）を使用し、徐冷炉温度１３００℃、加熱時間３秒、つまりＴ＝３９００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図３−（ａ）に示す。なお、損失波長特性は、カットバック法によって測定した（後述する実施例２〜６、比較例１〜７も同様とした。）。図３−（ａ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さく、最大損失と最低損失の差が０．０３ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加はほぼ０ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなくても、増幅後の出力特性は良好であった。
【００２５】
［実施例２］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１０００℃、加熱時間５秒、つまりＴ＝５０００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図３−（ｂ）に示す。図３−（ｂ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さく、最大損失と最低損失の差が０．０４ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加は０．０２ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなくても、増幅後の出力特性は良好であった。
【００２６】
［実施例３］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１２００℃、加熱時間４秒、つまりＴ＝４８００、徐冷炉内雰囲気Ｎ２とし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図３−（ｃ）に示す。図３−（ｃ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さく、最大損失と最低損失の差が０．０４ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加はほぼ０ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなくても、増幅後の出力特性は良好であった。
【００２７】
［実施例４］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１１００℃、加熱時間４秒、つまりＴ＝４４００、徐冷炉内雰囲気Ｎ２とし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図３−（ｄ）に示す。図３−（ｄ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さく、最大損失と最低損失の差が０．０４ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加はほぼ０ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなくても、増幅後の出力特性は良好であった。
【００２８】
［実施例５］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１０００℃、加熱時間４秒、つまりＴ＝４０００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図３−（ｅ）に示す。図３−（ｅ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さく、最大損失と最低損失の差が０．０５ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加は０．０４ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなくても、増幅後の出力特性は良好であった。
【００２９】
［実施例６］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１２００℃、加熱時間３秒、つまりＴ＝３６００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図３−（ｆ）に示す。図３−（ｆ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さく、最大損失と最低損失の差が０．０２ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加は０．０１ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなくても、増幅後の出力特性は良好であった。
【００３０】
［比較例１］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉を使用せず、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図４−（ａ）に示す。図４−（ａ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が大きく、最大損失と最低損失の差が０．１８ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加は０．０２ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなければ、良好な出力特性が得られなかった。
【００３１】
［比較例２］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度９００℃、加熱時間５秒、つまりＴ＝４５００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図４−（ｂ）に示す。図４−（ｂ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が大きく、最大損失と最低損失の差が０．１７ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加は０．０３ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなければ、良好な出力特性が得られなかった。
【００３２】
［比較例３］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１４００℃、加熱時間３秒、つまりＴ＝４２００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図４−（ｃ）に示す。図４−（ｃ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が大きく、最大損失と最低損失の差が０．１６ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加はほぼ０ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなければ、良好な出力特性が得られなかった。
【００３３】
［比較例４］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１１００℃、加熱時間３秒、つまりＴ＝３３００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図４−（ｄ）に示す。図４−（ｄ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が大きく、最大損失と最低損失の差が０．１４ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加は０．０４ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなければ、良好な出力特性が得られなかった。
【００３４】
［比較例５］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１３００℃、加熱時間４秒、つまりＴ＝５２００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図４−（ｅ）に示す。図４−（ｅ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が大きく、最大損失と最低損失の差が０．１２ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加はほぼ０ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなければ、良好な出力特性が得られなかった。
【００３５】
［比較例６］
ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用し、徐冷炉温度１２００℃、加熱時間３秒、つまりＴ＝３６００、徐冷炉内雰囲気Ｈｅとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図４−（ｆ）に示す。図４−（ｆ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が大きく、最大損失と最低損失の差が０．１８ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加はほぼ０ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなければ、良好な出力特性が得られなかった。
【００３６】
［比較例７］
Ｇｅ添加コア・ＯＨ含有シリカクラッド・シングルモードファイバ母材（ＳＭ母材）を使用し、徐冷炉温度１２００℃、加熱時間３秒、つまりＴ＝３６００、徐冷炉内雰囲気Ａｒとし、前記母材から光ファイバ裸線を線引きし、徐冷炉内を通過させ、放冷後に一次被覆を形成して光ファイバ素線を作製した。
得られた光ファイバ素線の損失波長特性を図４−（ｇ）に示す。図４−（ｇ）に示す通り、本光ファイバ素線は、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が大きく、最大損失と最低損失の差が０．１２ｄＢ／ｋｍであり、ＯＨ基吸収による損失増加は０．１２ｄＢ／ｋｍであった。
本光ファイバ素線を用いて光増幅システムを構築したところ、増幅器に利得補正器等を使用しなければ、良好な出力特性が得られなかった。
以上の結果を表１にまとめて記す。
【００３７】
【表１】
2006330501.tif 000003
【００３８】
表１の結果より、母材としては、母材製造工程にて十分に脱水することで、ガラス残留ＯＨ基濃度を極限まで低減させたＬＷＰ−ＳＭ母材を使用することが好ましいことがわかる。ＬＷＰ−ＳＭ母材を使用することにより、ＯＨ基吸収による損失増加がほとんどなく、これにより幅広い波長帯である１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍにおいて、損失変化が小さい光ファイバが得られていることがわかる。
次に、徐冷炉温度については、徐冷炉温度が１０００〜１３００℃の範囲であり、かつＴが３５００〜５０００の範囲内にある条件でのみ、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さい光ファイバが得られており、光増幅システムの構築において良好な特性が得られることがわかる。
さらに、徐冷炉の雰囲気ガスとして、Ａｒ又はＮ２を使用した場合において、波長１２８０ｎｍ〜１６２５ｎｍの損失変動が小さい良好な光ファイバが得られていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】従来の光ファイバの損失波長特性を例示するグラフである。
【図２】本発明の光ファイバの損失波長特性を例示するグラフである。
【図３】実施例１〜６で作製した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【図４】比較例１〜７で作製した光ファイバの損失波長特性を示すグラフである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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