(57)【要約】【課題】基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングし露光と現像によりバンプを形成させ、それを直接光ディスク用原盤とすること。【解決手段】基板表面１０にネガ型のフォトレジスト１１をコーティングしＬＢＲでの露光とその後の現像によりバンプ１３を形成させ、それを直接光ディスク用原盤とするプロセスにおいて、現像後に加熱することによりバンプ形状１７を所望の形状に制御することにより、形状が制御され、耐熱性を持ったバンプを製造することが可能となる。【選択図】図２
2006085749.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングし、レーザー光により前記フォトレジストを露光し、前記露光したフォトレジストを現像して、前記基板表面にバンプを形成し光ディスク用原盤とする、光ディスク用原盤の製造方法において、
前記現像後に前記表面にバンプが形成された基板を加熱処理することで、前記バンプを所望の形状とすることを特徴とする光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項２】
前記加熱処理は、加熱処理開始時の温度を１７０℃以下、加熱処理終了時の温度を２５５℃以上とすることで、基板に形成されたバンプが所望の耐熱性を有することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項３】
基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングし、レーザー光により前記フォトレジストを露光し、前記露光したフォトレジストを現像して、前記基板表面にバンプを形成し光ディスク用原盤とする、光ディスク用原盤の製造方法において、
前記現像後に、前記表面にバンプが形成された基板を１３０℃以上１７０℃以下の温度で加熱処理する第１加熱工程と、
前記第１加熱工程を行った基板に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
前期紫外線照射工程を行った基板を２５５℃以上の温度に加熱する第２加熱工程を行うことにより、前記バンプを所望の形状および所望の耐熱性を有することを特徴とする光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項４】
紫外線照射工程は、照射する紫外線の波長が３００ｎｍ以下、照射エネルギーが１１００ｍＪ／ｃｍ２以上であることを特徴とする請求項３に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項５】
基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングし、レーザー光により前記フォトレジストを露光し、前記露光したフォトレジストを現像して、前記基板表面にバンプを形成し光ディスク用原盤とする、光ディスク用原盤の製造方法において、
前記現像後に、前記表面にバンプが形成された基板に紫外線を照射し前記紫外線照射を行った基板を加熱することにより前記バンプを所望の形状とすることを特徴とする光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項６】
紫外線の照射は、照射する紫外線の波長が３００ｎｍ以下、照射エネルギーが１０００ｍＪ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項５に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項７】
基板の加熱は、加熱開始時の温度を１８０℃以上、加熱終了時の温度を２５５℃以上とすることで、基板に形成されたバンプが所望の耐熱性を有することを特徴とする請求項５および６に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項８】
ネガ型フォトレジストは、アルカリ可溶性のベース樹脂と架橋剤及び光酸発生剤から構成される化学増幅型であることを特徴とする請求項１から７に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピットやグルーブが形成される光ディスクにおいてその製造に使用される光ディスク用原盤の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクは再生専用型、追記型、書き換え型があり、大容量リムーブァルを特徴として近年のパーソナルコンピュータの普及に伴い音楽、画像にとどまらず広く情報の媒体として活用されている。特に使用時の利便性に加えて、射出成形により大量に生産できることから低価格での情報提供が可能であり、今後更に生産量が増加する見通しである。
【０００３】
光ディスクの画像や音声等の情報はデジタル化され、反射面の微細な凹凸形状として記録されており、これを再生装置の読み取りヘッドで反射光量の強弱として検出し有益な情報へと変換される。射出成形の原盤金型であるスタンパにはこの凹凸がグルーブやピットとして表面に形成されており、射出成形により樹脂製の円盤に転写され光ディスクとなる。この原盤をスタンパ、スタンパを作製する工程を一般にマスタリングと称する。
【０００４】
通常のマスタリング工程の概略を図１に示す。まず、鏡面研磨されたガラス板１にスピンコート法により所定の厚みにポジ型のフォトレジスト層２をコーティングし、次にこのガラス板をレーザービームレコーダ（以下「ＬＢＲ」と称す）に投入する。ＬＢＲは波長３００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーを光源とし、対物レンズ３により集光されたビーム４によりフォトレジスト表面を露光する。照射するレーザービームは、ＲＯＭ型ディスクの場合は音声や映像を情報とする信号源により強度変調されておりこれによりＣＤ、ＤＶＤ等の信号がフォトレジスト面に記録される。ユーザーが記録することを目的とするブランクメディアの場合も同様にそれぞれのフォーマットに応じた信号により強度変調されたビームを用いて、各フォーマットに準じたグルーブ、及びピット形成のための露光が行われる。
【０００５】
露光後の原盤は、その後現像装置に投入され、無機または有機の現像液により露光部５が溶解され、フォトレジスト面に露光時の信号源に由来する凹凸６が形成される。更に、スパッタ法などにより表面に金属薄膜７が付与され、電鋳工程でこの金属薄膜を電極としてＮｉの電気メッキにより厚膜化され、Ｎｉ板８となる。最後にこのＮｉ板をガラス板から剥離し、表面を洗浄した後内外径を規定のサイズに加工してスタンパ９となる。
【０００６】
以上の工程で作成されるスタンパの種類としては音楽や映像が記録されているＣＤ、ＤＶＤに代表されるＲＯＭ型のディスクのほか、ＣＤ−Ｒ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭのようなユーザが情報を記録するタイプなどがある。これらのディスクは記録密度やフォーマットが異なるため、それぞれのフォーマットに対応した形状のピットやグルーブを作成しなければならない。たとえばＲＯＭ型のディスクであるＣＤとＤＶＤを比較した場合、ＣＤのバンプは幅が５００ｎｍ前後であり、半径方向のバンプ傾斜角度は３０度前後であるものが多い。一方ＤＶＤではバンプ幅は３００ｎｍ程度で、半径方向の傾斜角度は５０度以上であるものがほとんどである。さらに成型工程における離型性を改善し、クラウドと呼ばれる成型工程で発生する欠陥を低減する目的で、バンプのサイズや傾斜角度は適用する成型装置に応じて細かく設定されているのが実情である。
【０００７】
現行のスタンパ作成方では、スタンパ表面に形成されるバンプ形状を制御するための手段として、ＬＢＲによる露光において、そのビーム径を変えることにより行われている。
【０００８】
たとえば、特許文献１ではＬＢＲの光学系において、レーザ光の光路から離れた所定の位置に光路上に焦点位置の異なる複数のレンズを配置し、レンズを光路に選択的に移動させることにより、ビーム径を自由に変更し、所望のピットを作成する技術が開示されている。
【０００９】
このようにＬＢＲにおいて、数種類のレンズを光路に選択的に切り替えて挿入する方法は、レンズを光路に配置した時の位置の安定性が問題となる。すなわち、切り替えにより光路に挿入されたレンズは挿入動作を繰り返すことにより位置ずれを生じ、その結果、光軸がレンズの中心から外れた位置を通るようになる。このため、切り替えたレンズを透過した光路は対物レンズで集光されるまでの過程で光量のロスを生じたり、また配置される光学部品によっては収差が発生する。さらに、限られた個数のレンズしか配置できないため、ビーム径のコントロールはかなり大雑把となり、精緻な設定ができないという問題がある。
【００１０】
ＬＢＲにおけるビーム径の変更方法としては、レンズの切り替え以外に、光路に開口径の異なるアパーチャを選択的に切り替えて挿入する方法が考えられる。この方法によりビーム径を変更する方法は、機構が簡単ではあるが、レンズの場合と同様、光路に挿入した位置にずれが発生しやすく、安定的に光軸の中心に開口中心を配置できないという問題がある。また、レンズを切り替える場合に比べ、ビーム径のコントロールは小刻みに可能であるが、開口に入射するビーム径が開口径に比べて大きい場合は、光量ロスが大きく、透過する光量が減少し、光源となるレーザーの出射パワーを大きくしなければならないという問題が発生する。
【００１１】
以上述べたように、スタンパのバンプ形状を変更する方法として、ＬＢＲにおけるレンズの切り替えによりビーム径を変更する方法では、光学部品の移動を伴うことから、露光ビーム光軸が一定せず、またビーム径を精緻に設定できないという問題や、制限開口を用いる場合は特に光量のロスを生じやすいという問題があった。
【００１２】
一方、上述するような従来型の原盤作成方法に代わり、鏡面基板にネガ型のレジストをコーティングし、露光・現像により露光部を基板に残留させてバンプとし、このバンプが形成された基板を直接光ディスク用の原盤として使用する技術の開発が進められている。
【００１３】
たとえば、特許文献２では基板の表面に架橋物質層とネガ型のフォトレジストからなるフォトレジスト層を配置し、記録信号で変調されたレーザービームを選択的にフォトレジスト層に照射した後、現像により未露光部を除去してバンプを形成し、そのバンプが形成された基板を直接、成型用のスタンパとする内容が開示されている。本文献に開示されているスタンパの製造方法においても、従来のポジ型フォトレジストを使用するプロセスと露光及び現像工程は共通であることから、ＬＢＲにおける露光ビーム径を変えることによりバンプ形状を換えることは容易に実施できる。しかし、光路にセットするレンズや制限開口を切り替えることにより露光ビーム径を変える方法では、露光ビームの光軸の安定性や、またビーム径を精緻に設定できないという問題、制限開口により行う場合には、光量のロスが大きくアパーチャでの透過率が低下するなど、従来と共通の問題が発生する。
【００１４】
また特許文献２にはバンプを完全に架橋するため、１７５℃〜２５０℃の多段階のベーキングか、２００〜４５０ｎｍの波長を有する光源を用いて露光を行うと記載されている。しかし、この場合のベーキング処理、あるいは光の照射はそれぞれ処理単独での実質的な「完全架橋」であるとし、これらを組み合わせてバンプ形状をコントロールするための手段は開示されていない。
【００１５】
また、ネガレジストを用いてネガパターンであるバンプを作成し、そのバンプを保持する基板を直接成型用のスタンパとするプロセスにおいては、ＬＢＲでの露光以外のプロセスにより、バンプ形状を制御する方法は見出されてこなかった。
【００１６】
一方で、ネガレジストを用いたネガパターンが熱により変形することは以前より知られていた。ネガレジストを露光し、その後現像することにより作成されたネガパターンは、その下層に配置される被エッチング層のマスクとしての役目を果たすために形成される。プラズマを用いたドライエッチングでは、エッチングプロセスにおいてイオン衝撃を受け、マスク表面の温度は１００℃以上に上昇すると考えられている。このため、正確なパターンをエッチングにより作成するためには、マスクは高温でも変形しない耐熱性が求められ、従来よりさまざまな方法が提案されている。
【００１７】
特許文献３ではネガレジストを用い、露光・現像によって基板上に残留したネガパターンに対し、紫外線を照射することにより耐熱性を向上させる内容が開示されている。この文献には、紫外線照射後のネガパターンは１４０℃で「ダレ」が認められるとし、照射により４０℃の耐熱性向上効果があるとしている。
【００１８】
特許文献４では化学増幅型のネガレジストをもちいてネガパターンを形成するプロセスにおいて、基板に残留したネガパターンの耐熱性を向上させる手法として、露光後に露光部の架橋反応を促進するベーク（ＰＥＢ）を行い、その後現像により露光部が基板に残留するネガパターンを形成した後、ＰＥＢ温度より１０℃〜３０℃高い温度で再度ベークを行う内容が開示されている。
【００１９】
特許文献３、特許文献４に記載されている内容は、共に作成したネガパターンの熱による変形をできるだけ防止するという目的でなされたものであり、熱により変形するという特性そのものを利用したものではない。また、射出成型用のスタンパとして使用するためには、３００℃近くの耐熱性が必要といわれており、開示されている技術は全く使用できない。
【特許文献１】特開平０９−１８５８４０号公報
【特許文献２】国際公開第０３／０８８２５３号パンフレット
【特許文献３】特開昭５４−１６３６８０号公報
【特許文献４】特開平０７−２０１７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
以上のように、基盤の表面に架橋物質層とネガ型のフォトレジストからなるフォトレジスト層を配置し、記録信号で変調されたレーザービームを選択的にフォトレジスト層に照射し、現像により未露光部を除去してバンプを形成し、そのバンプが形成された基盤を直接、成型用のスタンパとするスタンパの製造方法においても、従来から実施されているＮｉメッキを用いたスタンパと同様に、適用するフォーマットや成型工程とのマッチングを取る必要性から、そのバンプ形状をコントロールする必要がある。しかし従来から実施されているＬＢＲにおける露光ビーム径をレンズや制限開口により調整する方法では、露光ビーム光軸が一定せず、またビーム径を精緻に設定できないという問題や、制限開口を用いる場合は特に光量のロスを生じやすいという問題があった。
【００２１】
一方でネガパターンが熱により変形する現象は従来から知られていたが、加熱によりその形状を制御するという技術は見出されてこなかった。またネガパターンであるバンプの形状を制御するには、そのバンプを構成する樹脂の耐熱性が低い必要が有り、一方、射出成型型の金型として使用するためには高い耐熱性が必要となる。この相反する２つの特性をスタンパ作成プロセスにおいてコントロールできないため、ネガパターンであるバンプが保持された基板を直接成形用のスタンパとするスタンパの作成方法においても、そのバンプ形状の制御はＬＢＲ光学系の変更によるしかなく、従来のスタンパと同様の問題を解決できなかった。
【００２２】
本発明は、以上のような問題を解決するためになされたもので、露光によるネガパターンをそのまま光ディスク成形用の原盤とする方法において、ＬＢＲの光学系の変更を伴わずに、ネガパターンであるバンプの形状を精密に制御する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本願請求項１に記載の発明は、基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングし、ＬＢＲでの露光とその後の現像によりバンプを形成させ、それを直接光ディスク用原盤とするプロセスにおいて、現像後に加熱することによりバンプ形状を所望の形状に制御するようにしたものである。
【００２４】
本願請求項２に記載の発明は、現像後に行う上記加熱処理において、そのスタート（加熱処理開始）時の温度が１７０℃以下、加熱処理終了時の温度が２５５℃以上として加熱処理を行う。これにより加熱によるバンプ形状の制御とフォトレジストの架橋を並行的に促進させ、形成されたバンプが２７０℃以上の耐熱性を有するようにしたものである。
【００２５】
本願請求項３に記載の発明は、現像後に行うバンプ形状制御のための加熱処理（第１加熱工程）において、その温度を１３０℃以上１７０℃以下とし、この後、バンプを完全に架橋するためにＵＶ照射（紫外線照射工程）と２５５℃以上の再加熱（第２加熱工程）により、バンプが所望の２７０℃以上の耐熱性を有するようにしたものである。
【００２６】
本願請求項４に記載の発明は、現像後に行ったバンプ形状制御のための加熱処理（第１の加熱工程）の後、バンプを完全に架橋するためのＵＶ照射が、フォトレジストのベースレジン同士を直接架橋させる反応によるものであり、照射するＵＶの波長が３００ｎｍ以下、照射エネルギーが１１００ｍＪ／ｃｍ２以上であるようにしたものである。
【００２７】
本願請求項５に記載の発明は、基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングしＬＢＲでの露光とその後の現像によりバンプを形成させ、それを直接光ディスク用原盤とするプロセスにおいて、現像後にフォトレジスト面に、フォトレジストの架橋状態を制御するためのＵＶ（紫外線）照射を行い、この後加熱することによりバンプ形状を所望の形状に制御するようにしたものである。
【００２８】
本願請求項６に記載の発明は現像後、上記におけるフォトレジストの架橋状態を制御するためのＵＶ（紫外線）照射が、フォトレジストのベースレジン同士を直接架橋させる反応による架橋状態の制御であり、照射するＵＶ（紫外線）の波長が３００ｎｍ以下、照射エネルギーが１０００ｍＪ／ｃｍ２以下としたものである。
【００２９】
本願請求項７に記載の発明は、ＵＶ（紫外線）照射後に行う加熱処理において、その開始時の温度が１８０℃以上、終了時の温度を２５５℃以上とし、これによりフォトレジストの架橋を並行的に促進させ、形成されたバンプが２７０℃以上の耐熱性を有するようにしたものである。
【００３０】
本願請求項８に記載の発明は、バンプを形成させるために使用するネガレジストは化学増幅型であって、アルカリ可溶性のベース樹脂と架橋剤及び光酸発生剤から構成されるものを使用するとしたものである。
【００３１】
本発明により、ネガレジストにより形成されたバンプが配置された基板を直接成型用のスタンパとするスタンパの作成方法において、バンプ形状の制御をＬＢＲの光学系の変更を伴わずに実施できることから、スタンパ品質の安定性が高まると共に、その制御を精緻に行うことが可能となる。
【発明の効果】
【００３２】
以上説明したように、鏡面を有する基板表面にネガ型のフォトレジストをコーティングし、電気信号により強度変調されたレーザー光を対物レンズにより集光して該フォトレジストを露光し、更に現像することにより露光部が基板に残留してバンプを形成し、これを直接射出成形用の原盤をとする光ディスク用原盤において、現像後に加熱し、バンプ形状を制御することによりＬＢＲの光学系を変更することなく、バンプ形状を精緻にコントロールすることが出来る。また現像後のバンプに完全に架橋しない程度のＵＶ（紫外線）を照射し、その後の加熱でバンプの変形量をコントロールし、また並行的にバンプの架橋を促進させることにより、所望の耐熱性を有する光ディスク用原盤を製造することが可能になる。
【００３３】
このことにより、実際の生産においては、ＬＢＲの光学系を変更することなく、現像後において加熱処理またはＵＶ（紫外線）照射と加熱の併用により所望のバンプ形状を制御し、またその結果耐熱性に優れたバンプを作成することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３５】
（実施の形態１）
図２は本発明実施の形態を示す図であり、まずバンプを形成するまでの工程（ａ）から（ｃ）までを説明する。フォトレジストを付与する工程（ａ）において、鏡面を有する基板１０にスピンコート法により、所定の厚みのネガレジスト１１を付与する。次にフォトレジストが付与された基板はＬＢＲによる露光工程（ｂ）に投入され、従来のマスタリング同様、対物レンズ３により集光されたレーザー光４を用いて露光が行われる。露光された基板は、露光部の架橋を促進するための加熱処理を行った後、現像工程（ｃ）に送られる。現像工程で未露後部は溶解し除去され、露光部１２が基板上に残留しバンプ１３を形成する。
【００３６】
基板１０は鏡面を有するもので、成型に適用できるものであれば特に限定されないが、通常のスタンパがニッケルで作成されていることから、鏡面ニッケル板を用いることか好ましい。
【００３７】
また、使用するネガレジストとしてはベース樹脂と架橋剤及び光酸発生剤から構成される化学増幅型レジストであり、露光部で発生した酸によりベース樹脂と架橋剤との間で反応を起こさせるタイプのものが好ましい。このタイプのレジストでは、ベース樹脂としてはノボラック樹脂、ポリビニルフェノールなどのアルカリ可溶性樹脂が、架橋剤にはメラミン系化合物の他に、ベンジル系化合物などが用いられる。このレジストは露光とその後の加熱により、架橋反応が３次元的に進行し、非常に高い耐熱性を持つ架橋樹脂を形成するため、成型時の高温にも耐えるものとなる。
【００３８】
スピンコート法で付与されるネガレジスト層の厚みは、光ディスクの種類や成型工程とのマッチングから最終的にスタンパで必要とされるバンプの高さから決定されるが、現像による膜減りや、後述するバンプ形状の制御に伴う形状変化を考慮し、必要とするバンプの高さよりも厚く付与され、ＣＤ、ＤＶＤでは１２０〜３００ｎｍの範囲に設定される。レジスト塗布後は、レジスト層に含まれる溶媒成分を除去するため８０℃前後でベークされた後、ＬＢＲでの露光工程に投入され、従来のスタンパ作製プロセスと同様に露光される。露光後は露光部の架橋反応を促進するためにベークされ（ＰＥＢ）、現像工程に送られる。現像では未露光部は現像液に溶解し除去され、露光部の樹脂は基板上に残留しバンプが形成される。この時使用される現像液は、アルカリ性水溶液であり、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを主成分とする有機アルカリ現像液や、アルカリ金属の水酸化を主成分とする無機アルカリ現像液が用いられる。
【００３９】
次に、バンプ形状を制御する工程、（ｄ）から（ｆ）までを説明する。本発明では現像後に加熱する工程（ｄ）、レジストを完全に架橋させるためのＵＶ（紫外線）照射を行う工程（ｅ）、加熱工程（ｆ）から成っている。
【００４０】
図２の実施形態では、まず現像後の加熱工程（ｄ）によりバンプの形状を制御し、その後ＵＶ（紫外線）照射工程（ｅ）、と加熱工程（ｆ）により架橋を進行させるという具合に、バンプ形状のコントロールと架橋工程を分けて実施するものである。
【００４１】
ここで言うバンプ形状の制御とは、いわゆるネガパターンの加熱による「ダレ」を利用したものであり、その形状変化を図３に示す。現像後のバンプ１３は加熱により「ダレ」が発生し、バンプ１５に示すような形状となる。この時バンプ１５は、バンプ１３に比べ、高さは低く、幅は広く、傾斜角度はなだらかとなる方向に変化する。マスタリングにおいてはスタンパ表面に形成されるバンプはフォーマットによる違いの他、成型工程における離型性を向上させる目的でその形状が決定される。特に成型工程の離型不良が一因と考えられているクラウド欠陥の発生を防止するためには、バンプの傾斜角度はなだらかである必要があるが、あまりなだらか過ぎるとディスクの信号特性が悪化し、品質が低下するという問題が生じる。このようにスタンパのバンプ形状の制御は、特に離型性改善のためには精度良くコントロールされる必要がある。
【００４２】
加熱工程  （ｅ）において、バンプの「ダレ」を大きくするためには加熱温度を高く、加熱時間を長く設定し、「ダレ」を小さくする場合は加熱温度を低く、時間を短く設定する。実際の設定においては、加熱時間は３分以上１０分以下のある一定時間に設定し、この設定時間で目的のバンプ得られるように加熱温度を決定することが有効であり、加熱温度は１３０℃以上１７０℃以下であることが好ましい。１７０℃以上では「ダレ」が激しく、ディスクの信号特性が大きく悪化するため、使用できず、１３０℃より低い場合はバンプの「ダレ」が発生しにくくなる。また、バンプの「ダレ」の程度を正確に制御するため、加熱温度は開始後一定を保つことが好ましい。
【００４３】
加熱工程  （ｅ）で行う加熱方法は特には限定されないが、たとえば図に示すホットプレート１６を用いて行う方法がある。加熱方法として、この他に遠赤外線や、ランプによる加熱が例示できるが、どのような加熱方法であっても、表面温度が低下しないように、カバーを設けるなどの対策を講じることが望ましい。この工程でのバンプ形状の制御は加熱温度と加熱時間で行うことが出来る。
【００４４】
バンプの「ダレ」により目的の形状が得られた後、架橋を進行させるためのＵＶ（紫外線）照射工程（ｅ）工程、加熱工程（ｆ）に投入する。このＵＶ（紫外線）照射工程（ｅ）におけるＵＶ（紫外線）照射は架橋剤を仲介とした架橋メカニズムに寄らず、ベースレジン同士の架橋を直接促進する反応機構であり、よって、光酸発生剤の波長感度に関係なく、照射するＵＶ（紫外線）１４は波長としては２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である必要がある。またレジストを完全に架橋することが目的であり、架橋させるに十分なＵＶ（紫外線）量を照射する必要があり、１１００ｍＪ／ｃｍ２以上５０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。１１００ｍＪ／ｃｍ２未満では加熱によりバンプの「ダレ」が再度発生する恐れがあり、また５０００ｍＪ／ｃｍ２では、過度のＵＶ（紫外線）により分子同士の結合が切れ、架橋度が逆に低下する。ＵＶ（紫外線）照射後バンプの架橋を促進する加熱工程（ｆ）に投入する。
【００４５】
加熱工程（ｆ）により、レジスト中の低分子成分を除去すると共に、架橋をさらに促進させることが出来る。加熱温度は２５５℃以上が好ましく、これより低い場合はスタンパとして使用した場合、成型工程での離型不良を発生しやすくなる。加熱工程（ｆ）によりバンプ１７に２７０℃以上の耐熱性を付与することができる。
【００４６】
なお、図２ではＵＶ（紫外線）照射工程（ｅ）、加熱工程（ｆ）により形状制御後のパンプの架橋促進を行っているが、バンプ形状制御のための加熱工程（ｄ）において、開始時の加熱温度を１７０℃以下、加熱終了時の加熱温度を２５５℃以上とすることにより、バンプ形状の制御と架橋促進を並行的に行うことができ、ＵＶ（紫外線）照射工程（ｅ）、及び加熱工程（ｆ）を省略することができる。この場合、開始時の加熱温度を１７０℃より高い場合は、バンプの「ダレ」が急速に生じ、形状を制御することができない。また加熱終了時の加熱温度が２５５℃より低い場合は、スタンパとして使用した場合に、クラウド欠陥の発生頻度が増加するという問題がある。
【００４７】
（実施の形態２）
図３は本発明実施の別の形態を示す図である。バンプを形成するまでの工程（ａ）から（ｃ）までは図２と共通であるため、バンプ形状を制御する工程、（ｄ）から（ｅ）までを説明する。図２の実施形態では、まず加熱工程（ｄ）によりバンプに「ダレ」を生じさせて形状制御を行い、その後ＵＶ（紫外線）照射工程（ｅ）、と加熱工程（ｆ）により架橋を進行させるという具合に、バンプ形状のコントロールと架橋工程を分けて実施するものであるが、図３の実施形態においてはＵＶ（紫外線）照射の後に加熱処理を行い、この加熱処理によってバンプの「ダレ」と架橋促進を並行的に行うものである。
【００４８】
本発明では現像後に形成されたバンプに完全に架橋しないだけのＵＶ（紫外線）量を照射する工程（ｄ）、その後加熱する工程（ｅ）、から成り、加熱工程（ｅ）によりバンプ形状に「ダレ」を生じさせることにより、バンプ形状を制御する。
【００４９】
ＵＶ（紫外線）照射工程（ｄ）を詳細に説明する。化学増幅型ネガレジストを用い、ＬＢＲによる露光とその後の現像により露光部にバンプを発生させるメカニズムはとしては、露光部に発生した酸によりベース樹脂と架橋剤との間で架橋反応が進行し、高分子化することによって現像液への溶解速度が低下することによる。ＵＶ（紫外線）照射工程（ｄ）によるＵＶ（紫外線）照射はこの架橋メカニズムに寄らず、ベースレジン同士の架橋を直接促進する反応機構であり、よって、光酸発生剤の波長感度に関係なく、照射するＵＶ（紫外線）１４は波長としては２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下である必要があり、２４０ｎｍ以上２６５ｎｍ以下が最適である。２００ｎｍより短い波長では架橋を切断する作用が働き、また３００ｎｍ以上の波長では架橋を促進する作用がほとんど生じない。たとえばＬＢＲでの露光波長が３５０ｎｍであり、この波長でバンプを形成した場合でも、ＵＶ（紫外線）照射工程（ｄ）において波長３５０ｎｍのＵＶ（紫外線）では、架橋の進行が不十分であり、本発明の効果は全く得られない。
【００５０】
完全には架橋しないだけのＵＶ（紫外線）量を照射した後、加熱工程  （ｅ）においてバンプ形状に「ダレ」を発生させるが、この時照射するＵＶ（紫外線）量はこの「ダレ」の程度を制御すために用いる。図５には照射したＵＶ（紫外線）の積算光量と加熱後のバンプ傾斜角度の関係を示す。このグラフから１０００ｍＪ／ｃｍ２より大きなエネルギーのＵＶ（紫外線）照射を行った場合は、その後の加熱によりバンプ形状は変化しないが、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下のＵＶ（紫外線）照射量において、その照射するエネルギーによりバンプの形状が制御できることが判る。このデータから照射するＵＶ（紫外線）量は１０００ｍＪ／ｃｍ２以下である必要があり、３００ｍＪ／ｃｍ以下ではその後の加熱によるバンプの変形を制御しやすく、更に好ましい。１０００ｍＪ／ｃｍ２より大きなエネルギーのＵＶ（紫外線）照射を行った場合は、完全ではないにしても架橋が進行し、加熱によるバンプの変形がほとんど生じないため使用できない。なお図５におけるＵＶ（紫外線）照射後の加熱工程（ｅ）では、加熱はホットプレートを用い、加熱時間は１０分間とし、その間に１８０℃から２５５℃まで温度を上昇させて行った。
【００５１】
加熱工程  （ｅ）で行う加熱方法は図２における加熱工程（ｄ）と同様であるが、図２加熱工程（ｄ）が熱によるバンプ形状の制御のみを行っていたのに対し、図３加熱工程（ｅ）では加熱によるバンプ形状の制御とバンプの架橋促進を平行して行っている。よって図３加熱工程（ｅ）では終了温度を加熱開始温度より高くし、加熱プロセスを行いながら徐々に温度を上げていくことが好ましい。加熱の開始温度については、どの程度のバンプの「ダレ」を発生させるかにより決定する。温度が高ければ「ダレ」が大きくなり、低い場合は小さくなる。バンプは加熱開始直後から「ダレ」が始まるが、時間の経過と共に架橋反応の並行的に進行し、ある時点で、「ダレ」の進行が停止し、それ以降では加熱温度上昇させても「ダレ」は全く生じない。よって「ダレ」は加熱開始温度でほぼ決定される。
【００５２】
ＵＶ（紫外線）照射後の加熱工程（ｅ）において、その開始温度は１８０℃以上が好ましく、また到達温度は２５５℃以上が好ましい。開始温度が１８０℃以下では温度ではバンプの「ダレ」が小さく、また到達温度までの時間がかかるため使用できない。また到達温度が２５５℃未満では成型時の離型性が悪くクラウドの発生頻度が大きくなるという問題がある。
【００５３】
以上のようにネガレジストにより作成したバンプを現像後に加熱することによりバンプに「ダレ」を生じさせ、加熱温度によりバンプ形状を所望の形状に制御することが可能となる。またその加熱による「ダレ」の程度は加熱前に行う波長３００ｎｍ以下のＵＶ（紫外線）照射によっても可能であり、この場合、その後の加熱によりバンプ形状の制御と耐熱性の付与を同時に進行させることができる。この現象は、ＵＶ（紫外線）照射量によりバンプのガラス転移温度が実質的に制御され、その結果、加熱時のバンプの「ダレ」が制御できるものと考えられる。更に、以上に述べた本発明の実施の形態では、現象後においてバンプが直接基板表面に作成された形態となっているが、基板表面が架橋樹脂層でおおわれ、その上にバンプが形成される構成においても、本発明が有効であることは言うまでもない。
【００５４】
従来ではネガパターンの「ダレ」は不要なものとして、それを発生させないためにはどうするかの検討が行われてきた。本発明により、照射するＵＶ（紫外線）量により、加熱時の「ダレ」を制御し、かつ成型工程に十分耐えうる耐熱性を付与することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明によれば、ネガ型のフォトレジストをコーティングした基板の露光・現像し光ディスク用原盤を製造する方法において、基板上のバンプを所望のバンプ形状を制御し、かつ耐熱性に優れたバンプを作成する方法が可能となる。したがって、ピットやグルーブが形成される光ディスクの生産に使用される、光ディスク用原盤の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】従来のマスタリング工程の概略を示す図
【図２】本発明の実施形態１を説明する図
【図３】本発明の実施形態１の加熱によるバンプ形状の変化を説明する図
【図４】本発明の実施形態２を説明する図
【図５】本発明の実施形態の現像後に照射するＵＶ照射量と加熱処理後でのバンプ傾斜角度の関係を示す図
【符号の説明】
【００５７】
１    ガラス板
２    ポジ型のフォトレジスト層
３    ＬＢＲ対物レンズ
４    集光ビーム
５    露光部
６    ガラス板に現像後形成された凹凸
７    金属薄膜
８    電気メッキにより厚膜化されたＮｉ板
９    スタンパ
１０    鏡面基板
１１    ネガレジスト
１２    露光部
１３    現像後露光部が残留し形成されたバンプ
１４    ＵＶ（紫外線）光
１５    形状に「ダレ」が生じたバンプ
１６    ホットプレート
１７    形状が制御され、耐熱性を持ったバンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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