(57)【要約】    【課題】表示階調数を増加させることが可能なプラズマディスプレイ装置を提供する。    【解決手段】電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層が形成されている表示セルを備えたプラズマディスプレイパネルを駆動するにあたり、先ず、全行電極にリセットパルスを印加することにより全表示セル内にリセット放電を生起せしめる。次に、行電極対の一方の行電極に走査パルスを印加すると共に映像信号に基づく画素データに応じた画素データパルスを列電極に印加することにより表示セル各々に選択的にアドレス放電を生起せしめて表示セル内に壁電荷を形成させる。そして、行電極各々にサスティンパルスを印加することにより壁電荷の形成されている表示セルのみをサスティン放電させる。【選択図】  図１
2006085020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉しその交叉する方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置であって、
前記表示セル各々内の前記放電空間に接する面において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、
全ての前記行電極対にリセットパルスを印加することにより全ての前記表示セル内にリセット放電を生起せしめるリセット手段と、
前記行電極対の一方の行電極に走査パルスを印加すると共に映像信号に基づく画素データに応じた画素データパルスを前記列電極に印加することにより前記表示セル各々に選択的にアドレス放電を生起せしめて前記表示セル内に壁電荷を形成させるアドレス手段と、
前記行電極対各々にサスティンパルスを印加することにより前記壁電荷の形成されている前記表示セルのみをサスティン放電させるサスティン手段と、を有することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項２】
前記行電極対を構成する行電極各々は、行方向に延びる本体部と、放電ギャップを介して互いに対向するように本体部から列方向に突出する突出部を有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項３】
前記行電極の突出部は、放電ギャップ近傍の幅広部と、この幅広部と本体部を連結する幅狭部とを有することを特徴とする請求項２記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項４】
前記酸化マグネシウム結晶体が、２０００オングストローム以上の粒径を有していることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項５】
前記酸化マグネシウム結晶体が、マグネシウムを加熱した際に発生するマグネシウム蒸気が気相酸化されることによって生成される酸化マグネシウム単結晶体を含んでいることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項６】
前記酸化マグネシウム結晶体が波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行うことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記酸化マグネシウム層が、前記行電極対を被覆する誘電体層上に形成されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記リセットパルスは、時間経過に伴ってその電圧が漸増して所定の第１電圧値に到る前縁部と時間経過に伴ってその電圧が漸減して所定の第２電圧値に到る後縁部とを有することを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１電圧値は、前記サスティンパルスの印加時における前記行電極上の電圧値よりも大であることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第２電圧値は、前記行電極に電圧印加が一切為されていない場合における前記行電極上の電圧値と、前記走査パルスの印加時における前記行電極上の電圧値との間の電圧値であることを特徴とする請求項８記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルを用いたプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイ装置では、映像信号における１フィールド（又は１フレーム）を、夫々がアドレス期間及びサスティン期間を含む複数のサブフィールドで構成することにより階調表示を行うようにしている。アドレス期間では、プラズマディスプレイパネルの各画素に対応した放電セルの各々を入力映像信号に基づいて選択的に放電させることにより、壁電荷が存在する点灯モード状態、及び壁電荷が存在しない消灯モード状態のいずれか一方の状態に設定する。又、サスティン期間では、点灯モード状態に設定されている放電セルのみを、そのサブフィールドの重み付けに対応した回数だけ繰り返しサスティン放電させ、この放電に伴う発光状態を維持させる。尚、各サブフィールドのアドレス期間の直前には、全放電セルの状態を初期化する為のリセット期間が設けられている。リセット期間では、先ず、全ての放電セル内に壁電荷を形成させるための書込リセット放電を生起させ、引き続き、全放電セル内に形成されている壁電荷を消去させる為の消去リセット放電を生起させることにより、全放電セルを消灯モード状態に初期化する。ところが、これら一連のリセット放電に伴う発光は表示画像に関与するものでは無く、更に全放電セルにおいて一斉に生起されるものである為、表示画像のコントラスト、特に暗い場面を表す画像を表示中の暗コントラストが低下してしまう。そこで、１フィールド（又は１フレーム）表示期間内においてリセット放電の回数を１回だけにして、コントラスト低下を抑えるようにした駆動方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、リセット放電の回数を１回だけにすると、その後のアドレス期間及びサスティン期間において上記各種放電に放電遅れが生じてしまうので、各種放電を生起させるべくプラズマディスプレイパネルに印加する各種駆動パルスのパルス幅を広げる必要がある。従って、このパルス幅を広げた分だけアドレス期間及びサスティン期間が夫々長くなるので、サブフィールド数を増やして表示階調数の増加を図ることが困難であるという問題があった。
【特許文献１】特開平１１−６５５１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、かかる問題を解決すべく為されたものであり、表示階調数を増加させることが可能なプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に係る発明によるプラズマディスプレイ装置は、複数の行電極対と前記行電極対の各々に交叉しその交叉する方向に伸張する複数の列電極との各交叉部に放電空間を有する表示セルが形成されているプラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置であって、前記表示セル各々内の前記放電空間に接する面において形成され且つ電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層と、全ての前記行電極対にリセットパルスを印加することにより全ての前記表示セル内にリセット放電を生起せしめるリセット手段と、前記行電極対の一方の行電極に走査パルスを印加すると共に映像信号に基づく画素データに応じた画素データパルスを前記列電極に印加することにより前記表示セル各々に選択的にアドレス放電を生起せしめて前記表示セル内に壁電荷を形成させるアドレス手段と、前記行電極対各々にサスティンパルスを印加することにより前記壁電荷の形成されている前記表示セルのみをサスティン放電させるサスティン手段と、を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層が形成されている表示セルを備えたプラズマディスプレイパネルを駆動するにあたり、先ず、全行電極にリセットパルスを印加することにより全表示セル内にリセット放電を生起せしめる。次に、行電極対の一方の行電極に走査パルスを印加すると共に映像信号に基づく画素データに応じた画素データパルスを列電極に印加することにより表示セル各々に選択的にアドレス放電を生起せしめて表示セル内に壁電荷を形成させる。そして、行電極各々にサスティンパルスを印加することにより壁電荷の形成されている表示セルのみをサスティン放電させる。
【実施例】
【０００７】
以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。
【０００８】
図１は、本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【０００９】
図１に示す如く、かかるプラズマディスプレイ装置は、プラズマディスプレイパネルとしてのＰＤＰ５０、行電極Ｘ駆動回路５１、行電極Ｙ駆動回路５３、列電極駆動回路５５、及び駆動制御回路５６から構成される。
【００１０】
ＰＤＰ５０には、２次元表示画面の縦方向（垂直方向）に夫々伸張して配列された列電極Ｄ1〜Ｄm、横方向（水平方向）に夫々伸張して配列された行電極Ｘ1〜Ｘn及び行電極Ｙ1〜Ｙnが形成されている。この際、互いに隣接するもの同士で対を為す行電極対（Ｘ1，Ｙ1）、（Ｘ2，Ｙ2）、（Ｘ3，Ｙ3）、・・・、（Ｘn，Ｙn）の各々が、ＰＤＰ５０における第１表示ライン〜第ｎ表示ラインを担う。各表示ラインと列電極Ｄ1〜Ｄm各々との各交叉部(図１中の一点鎖線にて囲まれた領域)には、画素を担う表示セルＰＣが形成されている。すなわち、ＰＤＰ５０には、第１表示ラインに属する表示セルＰＣ1,1〜ＰＣ1,m、第２表示ラインに属する表示セルＰＣ2、1〜ＰＣ2、m、・・・・、第ｎ表示ラインに属する表示セルＰＣn、1〜ＰＣn、mの各々がマトリクス状に配列されているのである。
【００１１】
図２は、表示面側から眺めたＰＤＰ５０の内部構造を模式的に示す正面図である。
【００１２】
図２においては、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ1〜Ｄ3各々と、第１表示ライン（Ｙ1，Ｘ1）及び第２表示ライン（Ｙ2，Ｘ2）との各交叉部を抜粋して示すものである。  図３は、図２のＶ３−Ｖ３線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図であり、図４は、図２のＷ２−Ｗ２線におけるＰＤＰ５０の断面を示す図である。
【００１３】
図２に示すように、各行電極Ｘは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｘｂと、かかるバス電極Ｘｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に各々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｘａと、から構成される。各行電極Ｙは、２次元表示画面の水平方向に伸張するバス電極Ｙｂと、かかるバス電極Ｙｂ上の各表示セルＰＣに対応した位置に各々接触して設けられたＴ字形状の透明電極Ｙａと、から構成される。透明電極Ｘａ及びＹａは例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなり、バス電極Ｘｂ及びＹｂは例えば金属膜からなる。透明電極Ｘａ及バス電極Ｘｂからなる行電極Ｘ、並びに透明電極Ｙａ及バス電極Ｙｂからなる行電極Ｙは、図３に示す如く、その前面側がＰＤＰ５０の表示面となる前面透明基板１０の背面側に形成されている。この際、各行電極対（Ｘ、Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａは、互いに対となる相手の行電極側に伸張しており、その幅広部の頂辺同士が所定幅の放電ギャップｇ１を介して互いに対向している。又、前面透明基板１０の背面側には、１対の行電極対（Ｘ1、Ｙ1）とこの行電極対に隣接する行電極対（Ｘ2、Ｙ2）との間に、２次元表示画面の水平方向に伸張する黒色または暗色の光吸収層（遮光層）１１が形成されている。さらに、前面透明基板１０の背面側には、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆するように誘電体層１２が形成されている。この誘電体層１２の背面側（行電極対が接触する面とは反対側の面）には、図３に示す如く、光吸収層１１とこの光吸収層１１に隣接するバス電極Ｘｂ及びＹｂとが形成されている領域に対応した部分に、嵩上げ誘電体層１２Ａが形成されている。この誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面上には、後述するような電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンス発光を行う酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層１３が形成されている。
【００１４】
一方、前面透明基板１０と平行に配置された背面基板１４上には、列電極Ｄの各々が、各行電極対（Ｘ，Ｙ）における透明電極Ｘａ及びＹａに対向する位置において行電極対（Ｘ，Ｙ）と直交する方向に伸張して形成されている。背面基板１４上には、更に列電極Ｄを被覆する白色の列電極保護層１５が形成されている。この列電極保護層１５上には隔壁１６が形成されている。隔壁１６は、各行電極対（Ｘ，Ｙ）のバス電極Ｘｂ及びＹｂに対応した位置において各々２次元表示画面の横方向に伸張している横壁１６Ａと、互いに隣接する列電極Ｄ間の各中間位置において２次元表示画面の縦方向に伸張している縦壁１６Ｂとによって梯子形状に形成されている。尚、ＰＤＰ５０の各表示ライン毎に、図２に示す如き梯子形状の隔壁１６が各々形成されており、互いに隣接する隔壁１６の間には、図２に示す如き隙間ＳＬが存在する。又、梯子状の隔壁１６によって、各々独立した放電空間Ｓ、透明電極Ｘａ及びＹａを含む表示セルＰＣが区画されている。放電空間Ｓ内には、キセノンガスを含む放電ガスが封入されている。各表示セルＰＣ内における横壁１６Ａの側面、縦壁１６Ｂの側面、及び列電極保護層１５の表面には、図３に示す如くこれらの面を全て覆うように蛍光体層１７が形成されている。この蛍光体層１７は、実際には、赤色発光を為す蛍光体、緑色発光を為す蛍光体、及び青色発光を為す蛍光体の３種類からなる。各表示セルＰＣの放電空間Ｓと隙間ＳＬとの間は、図３に示す如く酸化マグネシウム層１３が横壁１６Ａに当接されることによって互いに閉じられている。一方、図４に示す如く、縦壁１６Ｂは酸化マグネシウム層１３に当接されていないので、その間に隙間ｒ１が存在する。すなわち、２次元表示画面の横方向において互いに隣接する表示セルＰＣ各々の放電空間Ｓは、この隙間ｒ１を介して互いに連通しているのである。
【００１５】
ここで、上記酸化マグネシウム層１３を形成する酸化マグネシウム結晶体は、マグネシウムを加熱して発生するマグネシウム蒸気を気相酸化して得られる単結晶体、例えば電子線の照射により励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う気相法酸化マグネシウム結晶体を含んでいる。この気相法酸化マグネシウム結晶体には、図５ＡのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の結晶体が互いに嵌り込んだ多重結晶構造、あるいは図５ＢのＳＥＭ写真像に示す如き立方体の単結晶構造を有する、２０００オングストローム以上の粒径のマグネシウム単結晶体が含まれている。このようなマグネシウム単結晶体は、他の方法によって生成された酸化マグネシウムと比較すると高純度であると共に微粒子であり、粒子の凝集が少ない等の特徴を備えており、後述するように放電遅れ等の放電特性の改善に寄与する。尚、本実施例においては、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が５００オングストローム以上、好ましくは２０００オングストローム以上の気相酸化マグネシウム単結晶体を用いている。そして、このような酸化マグネシウム単結晶体を、スプレー法や静電塗布法等により、図６に示す如く誘電体層１２の表面に付着させることにより酸化マグネシウム層１３を形成させるのである。尚、誘電体層１２及び嵩上げ誘電体層１２Ａの表面に蒸着又はスパッタ法により薄膜酸化マグネシウム層を形成し、その上に気相法酸化マグネシウム単結晶体を付着させて酸化マグネシウム層１３を形成するようにしても良い。
【００１６】
駆動制御回路５６は、上記構造を有するＰＤＰ５０を図７に示す如きサブフィールド法（サブフレーム法）を採用した発光駆動シーケンスに従って駆動させるべき各種制御信号を行電極Ｘ駆動回路５１、行電極Ｙ駆動回路５３、及び列電極駆動回路５５の各々に供給する。尚、図７に示す発光駆動シーケンスでは、１フィールド（１フレーム）表示期間内のＮ個のサブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）各々において、アドレス行程Ｗ、サスティン行程Ｉ及び消去行程Ｅを順次実行する。ただし、先頭のサブフィールドＳＦ１に限り、アドレス行程Ｗに先立ち、リセット行程Ｒを実行する。
【００１７】
行電極Ｘ駆動回路５１は、リセットパルス発生回路、及びサスティンパルス発生回路からなる。行電極Ｘ駆動回路５１のリセットパルス発生回路は、リセット行程ＲにおいてＰＤＰ５０の行電極Ｘに印加すべきリセットパルス（後述する）を発生する。行電極Ｘ駆動回路５１のサスティンパルス発生回路は、サスティン行程Ｉにおいて行電極Ｘに印加すべきサスティンパルス（後述する）を発生する。  行電極Ｙ駆動回路５３は、リセットパルス発生回路、スキャンパルス発生回路及びサスティンパルス発生回路からなる。行電極Ｙ駆動回路５３のリセットパルス発生回路は、リセット行程ＲにおいてＰＤＰ５０の行電極Ｙに印加すべきリセットパルス（後述する）を発生する。行電極Ｙ駆動回路５３のスキャンパルス発生回路は、アドレス行程ＷにおいてＰＤＰ５０の行電極Ｙに印加すべき走査パルス（後述する）を発生する。行電極Ｙ駆動回路５３のサスティンパルス発生回路は、サスティン行程Ｉにおいて行電極Ｙに印加すべきサスティンパルス（後述する）を発生する。
【００１８】
列電極駆動回路５５は、アドレス行程ＷにおいてＰＤＰ５０の列電極Ｄに印加すべき画素データパルスを発生する。
【００１９】
図８は、サブフィールドＳＦ１〜ＳＦ（Ｎ）の内からＳＦ１を抜粋して、ＰＤＰ５０の列電極Ｄ、行電極Ｘ及びＹに印加される各種駆動パルスの印加タイミングを示す図である。
【００２０】
先ず、リセット行程Ｒでは、行電極Ｙ駆動回路５３が、図８に示す如く、行電極Ｙ上の電圧が時間経過に伴い緩やかに上昇して正極性のピーク電圧値Ｖryに到る前縁部と、その後、緩やかに電圧値が下降して負極性の電圧値Ｖselに到る後縁部とを有するリセットパルスＲＰYを行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。尚、上記電圧値Ｖselは、後述する負極性の走査パルス（後述する）が印加された際の行電極Ｙ上の電圧値と、電圧印加が一切為されていない場合における行電極Ｙ上の電圧値との間の電圧である。又、上記ピーク電圧値Ｖryは、後述するサスティンパルスが印加された際の行電極Ｙ上の電圧値よりも大なる電圧値である。行電極Ｘ駆動回路５１は、このリセットパルスＲＰYにおける電圧値の上昇区間に亘り、図８に示す如き負極性の電圧Ｖrxを有するリセットパルスＲＰXを行電極Ｘ1〜Ｘnに印加する。
【００２１】
ここで、リセットパルスＲＰYと共にリセットパルスＲＰXが印加されている間、全表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において微弱な書込リセット放電が生起される。かかる書込リセット放電の終息後、各表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３の表面には所定量の壁電荷が形成される。つまり、酸化マグネシウム層１３の表面上における行電極Ｘの近傍には正極性の電荷が形成され、行電極Ｙの近傍には負極性の電荷が形成される、いわゆる壁電荷の形成された状態となる。その後、リセットパルスＲＰYの電圧がピーク電圧値Ｖryから緩やかに低下して行くと、その間、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内の行電極Ｘ及びＹ間において微弱な消去リセット放電が生起される。かかる消去リセット放電により、全表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,m各々内に形成されていた壁電荷が消滅する。すなわち、リセット行程Ｒにより、全ての表示セルＰＣ1,1〜ＰＣn,mの各々は、壁電荷の量が所定量に充たない、いわゆる消灯モードの状態に初期化されるのである。
【００２２】
次に、アドレス行程Ｗでは、列電極駆動回路５５が、入力映像信号に基づきそのサブフィールドで各表示セルＰＣを発光させるか否かを設定する為の画素データパルスを生成する。例えば、列電極駆動回路５５は、表示セルＰＣを発光させる場合には高電圧、発光させない場合には低電圧の画素データパルスを各表示セルＰＣ毎に生成する。そして、列電極駆動回路５５は、かかる画素データパルスを１表示ライン分（ｍ個）ずつ、画素データパルス群ＤＰ1、ＤＰ2、・・・、ＤＰnとして順次、列電極Ｄ1〜Ｄmに印加して行く。この間、行電極Ｙ駆動回路５３は、上記画素データパルス群ＤＰ1〜ＤＰn各々のタイミングに同期させて負極性の走査パルスＳＰを行電極Ｙ1〜Ｙnに順次印加して行く。この際、走査パルスＳＰが印加され且つ高電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣのみに選択的にアドレス放電が生起され、その表示セルＰＣの放電空間Ｓ内における酸化マグネシウム層１３及び蛍光体層１７各々の表面に所定量の壁電荷が形成される。一方、走査パルスＳＰが印加されたものの低電圧の画素データパルスが印加された表示セルＰＣ内では上記の如きアドレス放電は生起されないので、その直前までの壁電荷の形成状態が維持される。すなわち、アドレス行程Ｗの実行により、各表示セルＰＣは、入力映像信号に基づき、所定量の壁電荷が存在する点灯モードの状態、又は所定量の壁電荷が存在しない消灯モードの状態のいずれか一方に設定されるのである。
【００２３】
次に、サスティン行程Ｉでは、行電極Ｘ駆動回路５１及び行電極Ｙ駆動回路５３の各々が、交互に繰り返し正極性のサスティンパルスＩＰX及びＩＰYを行電極Ｘ1〜Ｘn及びＹ1〜Ｙnに印加する。サスティンパルスＩＰX及びＩＰYを印加する回数は、各サブフィールドにおける輝度の重み付けに依存する。この際、これらサスティンパルスＩＰX及びＩＰYが印加される度に、所定量の壁電荷が形成されている上記点灯モードの状態に設定されている表示セルＰＣのみがサスティン放電し、この放電に伴い蛍光体層１７が発光してパネル面に画像が形成される。
【００２４】
次に、消去行程Ｅでは、行電極Ｙ駆動回路５３が、正極性の消去パルスＥＰを全ての行電極Ｙ1〜Ｙnに一斉に印加する。かかる消去パルスＥＰの印加により全表示セルＰＣ内において消去放電が生起され、各表示セルＰＣ内に残留している壁電荷が全て消滅する。
【００２５】
ここで、前述した如く、各表示セルＰＣ内に形成されている酸化マグネシウム層１３に含まれている気相酸化マグネシウム単結晶体は、電子線の照射により励起されて図９に示す如き波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う。この際、図１０に示す如く、気相法酸化マグネシウム結晶体の粒径が大なるほどＣＬ発光のピーク強度が大となる。すなわち、気相酸化マグネシウム結晶体を生成する際に、通常よりも高い温度でマグネシウムを加熱すると、平均粒径５００オングストロームの気相酸化マグネシウム単結晶体と共に、図５Ａ或いは図５Ｂの如き粒径２０００オングストローム以上の比較的大なる単結晶体が形成される。この際、マグネシウムを加熱する際の温度が通常よりも高温であるので、マグネシウムと酸素が反応する火炎の長さも長くなる。従って、かかる火炎と周囲との温度差が大になり、それ故に、粒径が大なる気相酸化マグネシウム単結晶体のグループほど、２００〜３００ｎｍ（特に２３５ｎｍ付近）に対応したエネルギー準位の高い単結晶体が多く含まれることになると推測される。
【００２６】
図１１は、表示セルＰＣ内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合の放電確率、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を構築した場合の放電確率、電子線の照射により２００〜３００ｎｍ（特に２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を生起する気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層を設けた場合各々での放電確率を示す図である。尚、図１１中において横軸は、放電の休止時間、つまり放電が生起されてから次の放電が生起されるまでの時間間隔を表すものである。
【００２７】
このように、各放電セルＰＣの放電空間Ｓに、図５Ａ又は図５Ｂに示す如き電子線の照射により２００〜３００ｎｍ（特に２３０〜２５０ｎｍ内の２３５ｎｍ付近）にピークを有するＣＬ発光を行う気相酸化マグネシウム単結晶体を含む酸化マグネシウム層１３を形成すると、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を形成させた場合に比して放電確率が高まるのである。尚、図１２に示す如く、上記気相酸化マグネシウム単結晶体としては、電子線を照射した際の特に２３５ｎｍにピークを有するＣＬ発光の強度が大なるものほど、放電空間Ｓ内において生起される放電遅れを短縮させることができる。
【００２８】
従って、表示画像には関与しないリセット放電に伴う発光を抑えてコントラスト向上を図るべく、行電極Ｙに印加するリセットパルスＲＰYの電圧推移を図８に示す如く緩やかにしてリセット放電を微弱化させても、この微弱なリセット放電を短時間に安定して生起させることが可能となる。特に、各表示セルＰＣは、Ｔ字形状の透明電極Ｘａ及びＹａ間の放電ギャップ近傍で局所的に放電を生起させる構造を採用しているので、行電極全体で放電してしまうような強い突発的なリセット放電が抑制されると共に、列電極及び行電極間での強い誤放電も阻止される。
【００２９】
又、放電確率が高くなる（放電遅れが少なくなる）ことにより、上記リセット行程Ｒでの書込リセット放電及び消去リセット放電によるプライミング効果が長く持続することになるので、アドレス行程Ｗにおいて生起されるアドレス放電、並びにサスティン行程Ｉにおいて生起されるサスティン放電が高速化する。これにより、アドレス放電を生起させるべく列電極Ｄ及び行電極Ｙに夫々印加される図８に示す如き画素データパルスＤＰ及び走査パルスＳＰ各々のパルス幅Ｗaを短くすることができるようになり、その分だけ、このアドレス行程Ｗに費やす処理時間を短縮させることが可能となる。更に、サスティン放電を生起させるべく行電極Ｙに印加される図８に示す如きサスティンパルスＩＰYのパルス幅Ｗbを短くすることができるようになり、その分だけ、このサスティン行程Ｉに費やす処理時間を短縮させることが可能となる。
【００３０】
従って、これらアドレス行程Ｗ及びサスティン行程Ｉ各々に費やされる処理時間を短縮した分だけ、１フィールド（又は１フレーム）表示期間内において設けるべきサブフィールドの数を増加させることが可能となり、階調数の増加を図ることができるようになる。
【００３１】
又、上記実施例におけるＰＤＰ５０としては、行電極対（Ｘ1，Ｙ1）、（Ｘ2，Ｙ2）、（Ｘ3，Ｙ3）、・・・、（Ｘn，Ｙn）の如き互いに対を為す行電極Ｘと行電極Ｙとの間に表示セルＰＣが形成される構造を採用しているが、互いに隣接する全ての行電極間に表示セルＰＣが形成された構造を採用しても良い。要するに、行電極Ｘ1及びＹ1の間、行電極Ｙ1及びＸ2間、行電極Ｘ2及びＹ2の間、・・・、行電極Ｙn-1及びＸnの間、行電極Ｘn及びＹnの間、に夫々表示セルＰＣが形成された構造を採用しても良いのである。
【００３２】
又、上記実施例におけるＰＤＰ５０としては、前面透明基板１０に行電極Ｘ及びＹ、背面基板１４に列電極Ｄ及び蛍光体層１７を夫々形成される構造を採用しているが、前面透明基板１０に列電極Ｄと共に行電極Ｘ及びＹを形成し、背面基板１４に蛍光体層１７を形成させた構造を採用しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明によるプラズマディスプレイ装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１のプラズマディスプレイ装置に搭載されているＰＤＰ５を表示面側から眺めた場合の内部構造を模式的に示す正面図である。
【図３】図２に示されるＶ３−Ｖ３線上での断面を示す図である。
【図４】図２に示されるＷ２−Ｗ２線上での断面を示す図である。
【図５Ａ】立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体を示す図である。
【図５Ｂ】立方体の多重結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体を示す図である。
【図６】酸化マグネシウム単結晶体粉末を誘電体層及び嵩上げ誘電体層の表面に付着させて酸化マグネシウム層を形成させた場合の形態を示す図である。
【図７】図１に示されるプラズマディスプレイ装置において採用される発光駆動シーケンスの一例を示す図である。
【図８】図７に示す発光駆動シーケンスに従ってＰＤＰに印加                    される各種駆動パルスとその印加タイミングを示す図である。
【図９】酸化マグネシウム単結晶体粉末の粒径とＣＬ発光の波長との関係を示すグラフである。
【図１０】酸化マグネシウム単結晶体粉末の粒径と２３５ｎｍのＣＬ発光の強度との関係を示すグラフである。
【図１１】表示セル内に酸化マグネシウム層を設けなかった場合の放電確率、従来の蒸着法によって酸化マグネシウム層を構築した場合の放電確率、多重結晶構造の酸化マグネシウム層を構築した場合の放電確率を各々示す図である。
【図１２】２３５ｎｍピークのＣＬ発光強度と放電遅れ時間との対応関係を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１３  酸化マグネシウム層
５０  ＰＤＰ
５１  行電極Ｘ駆動回路
５３  行電極Ｙ駆動回路
５５  列電極駆動回路
５６  駆動制御回路
【図１】
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【図２】
2006085020.tif 000004
【図３】
2006085020.tif 000005
【図４】
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【図６】
2006085020.tif 000007
【図７】
2006085020.tif 000008
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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