(57)【要約】【課題】電気光学装置の電源オン／オフ時のシーケンスを変更することなく、表示画面にノイズやサンドストーム等が発生するのを防止できる電気光学装置を提供すること。【解決手段】電気光学装置１は、バックライト５０と、複数の走査線、複数のデータ線、ならびに、走査線およびデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路を有する素子基板１５１と、この素子基板１５１に対向して設けられた対向基板１５２と、素子基板１５１と対向基板１５２との間に設けられバックライト５０からの光を制御する液晶１５５と、を備え、画素回路は、揮発性メモリを含み、バックライト５０から受光して電力を発生し、この発生した電力を揮発性メモリに供給する太陽電池４１３を有する。【選択図】        図２
2006091061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、複数の走査線、複数のデータ線、ならびに、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路を有する第１の基板と、この第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ前記光源からの光を制御する電気光学物質と、を備える電気光学装置であって、
前記画素回路は、揮発性メモリを含み、
前記光源から受光して電力を発生し、この発生した電力を前記揮発性メモリに供給する光電変換素子を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記光電変換素子は、外光の入射を防止する遮光領域の下に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素回路に対応する複数の画素からなる表示領域を有し、
前記遮光領域は、前記表示領域の周囲に設けられることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記光電変換素子は、前記画素回路内に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記光電変換素子は、前記第１の基板に形成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
光源と、複数の走査線、複数のデータ線、ならびに、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路を有する第１の基板と、この第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ前記光源からの光を制御する電気光学物質と、を備える電気光学装置の駆動方法であって、
前記画素回路は、揮発性メモリを含み、
前記光電変換素子に前記光源から受光させて電力を発生させ、この発生した電力を前記揮発性メモリに供給して、前記揮発性メモリを駆動させることを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、液晶表示装置等の電気光学装置が知られている。この電気光学装置は、例えば、第１の基板と、この第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、第１の基板と第２の基板との間に設けられた液晶と、第１の基板の第２の基板とは反対側に設けられたバックライトと、を備える。
第１の基板は、複数の走査線、複数のデータ線、ならびに、走査線およびデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路を有する。また、第２の基板の第１の基板側には、共通電極が設けられている。これら走査線、データ線、画素回路、および共通電極は、制御回路に接続されている（特許文献１参照）。
【０００３】
画素回路は、走査線およびデータ線に接続された第１トランスファゲート、この第１トランスファゲートに接続された揮発性メモリ、この揮発性メモリおよび制御回路に接続された第２トランスファゲート、第２トランスファゲートに接続された画素電極を含んで構成される。
【０００４】
この画素回路では、走査線からの走査線信号がアクティブになると、データ線からデータ線信号が取り込まれる。この取り込まれたデータ線信号は、揮発性メモリで記憶されるとともに、第２トランスファゲートをオン状態にする。すると、制御回路からの極性信号または反極性信号が第２トランスファゲートを介して画素電極に取り込まれる。
【特許文献１】特開２００４−８６１５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、以上の電気光学装置では、電源をオンした場合、表示画面の焼付けやノイズ防止のため、バックライトの電源がオンされた後に、画素回路の電源がオンされるシーケンスとなっている。また、電源をオフした場合、画素回路の電源がオフされた後に、バックライトの電源がオフされるシーケンスとなっている。
【０００６】
したがって、上述した電気光学装置では、電源をオンした場合、バックライトが点灯してから画素回路に信号が供給されるまでの時間があるため、バックライトからの光が、制御されていない状態の電気光学物質を透過してしまい、表示画面にノイズやサンドストーム等が生じるおそれがあった。また、電源をオフした場合、画素回路の電源がオフされて電気光学物質が制御されなくなってからも、バックライトからの光が電気光学物質を透過するため、同様に、表示画面にノイズやサンドストーム等が発生するおそれがあった。
【０００７】
本発明の目的は、電気光学装置の電源オン／オフ時のシーケンスを変更することなく、表示画面にノイズやサンドストーム等が発生するのを防止できる電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電気光学装置は、光源と、複数の走査線、複数のデータ線、ならびに、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路を有する第１の基板と、この第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ前記光源からの光を制御する電気光学物質と、を備える電気光学装置であって、前記画素回路は、揮発性メモリを含み、前記光源から受光して電力を発生し、この発生した電力を前記揮発性メモリに供給する光電変換素子を有することを特徴とする。
【０００９】
ここで、電気光学物質は、電気信号（電流信号および電圧信号）の供給によって透過率や輝度といった光学的な特性が変化する物質であり、例えば、液晶が挙げられる。電気光学装置は、この電気光学物質を備えた装置である。したがって、本発明を、電界をかけることにより、屈折率等の光学的な特性を変化させて、光源からの光を制御する電気光学効果を有する他の表示装置に適用できることはいうまでもない。光電変換素子は、画素回路毎に設けてもよいし、複数の画素回路に一つ設けてもよい。
【００１０】
この発明によれば、光源から受光して電力を発生し、この発生した電力を画素回路の揮発性メモリに供給する光電変換素子を設けた。したがって、電源をオフした場合、電源をオンした場合の動作は以下のようになる。電源をオフすると、まず、画素回路の電源がオフされるが、この状態では、バックライトは点灯しているため、光電変換素子から供給される電力により、揮発性メモリは内容を保持している。その後、バックライトの電源がオフされると、光電変換素子から揮発性メモリに電力が供給されなくなるので、揮発性メモリの内容が消去されて、電気光学物質がリセットされる。その結果、全ての画素電極の電位が等しくなって、表示画面が均一化された状態となる。その後、電源をオンしても、電気光学物質がリセットされているので、バックライトからの光は、リセットされた状態の電気光学物質を透過することとなり、ノイズやサンドストーム等が発生するのを防止できる。
【００１１】
したがって、電気光学装置の電源オン／オフ時のシーケンスを変更することなく、自動的にノイズやサンドストーム等が発生するのを防止できる。また、光電変換素子の位置を適宜調整すれば、新たに電源回路を設けることなく、バックライトから射出された不要な光を利用して、揮発性メモリに電力を供給できるから、経済的である。
【００１２】
また、前記光電変換素子は、外光の入射を防止する遮光領域の下に設けられることが好ましい。ここで、遮光領域は、電気光学装置に形成されてもよいし、電気光学装置が収納される筐体に形成されてもよい。遮光領域の下では、外光の入射は防止されるが、光源からの光は入射する。したがって、遮光領域の下に光電変換素子を設けた場合、光電変換素子を、外光とは関係なく、光源のオン／オフにのみ基づいて確実に動作させることができる。また、光電変換素子を、光源からの不要な光を受光して動作できるから、電力を有効活用できる。
【００１３】
また、前記画素回路に対応する複数の画素からなる表示領域を有し、前記遮光領域は、前記表示領域の周囲に設けられることが好ましい。この場合には、光源からの不要な光をより確実に受光して有効活用できる。
【００１４】
また、前記光電変換素子は、前記画素回路内に形成されることが好ましい。光電変換素子から画素回路に電力を供給するため、光電変換素子からのＶＤＤ、ＶＳＳの電位を供給する電源線を、それぞれの画素回路まで配線する必要がある。したがって、光電変換素子を画素回路内に形成した場合、少なくとも一方の電位を供給する電源線を画素回路内に配置できるから、画素回路に至る配線を少なくとも１本削減できる。
【００１５】
さらに、前記光電変換素子は、前記第１の基板に形成されることが好ましい。この場合光電変換素子を、例えば、画素回路や周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタと同一の基板に、同一の工程で形成できる。その結果、光電変換素子をいわゆるＴＦＴ基板に内蔵できるから、電気光学装置の工程を簡略化できるとともに、部品点数を削減できる。
【００１６】
また、本発明の電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置の駆動方法は、光源と、複数の走査線、複数のデータ線、ならびに、前記走査線および前記データ線の交差に対応して設けられた複数の画素回路を有する第１の基板と、この第１の基板に対向して設けられた第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられ前記光源からの光を制御する電気光学物質と、を備える電気光学装置の駆動方法であって、前記画素回路は、揮発性メモリを含み、前記光電変換素子に前記光源から受光させて電力を発生させ、この発生した電力を前記揮発性メモリに供給して、前記揮発性メモリを駆動させることを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す斜視図であり、図２は、図１におけるＺ−Ｚ´断面図である。電気光学装置１は、筐体３００（図２中破線で示す）に収納されている。電気光学装置１は、画素電極４０６等が形成された第１の基板としての素子基板１５１と、この素子基板１５１に対向配置されかつ共通電極１５８等が形成された第２の基板としての対向基板１５２と、素子基板１５１および対向基板１５２の間に設けられた電気光学物質としての液晶１５５と、素子基板１５１の下側（対向基板１５２とは反対側）に設けられて液晶１５５に光を照射する光源としてのバックライト５０と、を有する。素子基板１５１は、ガラスや半導体等で形成され、この素子基板１５１上には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）を用いて各種の回路等が形成される。また、対向基板１５２は、ガラス等の透明性の材料で形成される。
【００１８】
対向基板１５２の外周部には、素子基板１５１および対向基板１５２の間隙を封止するシール部材１５４が設けられている。このシール部材１５４は、素子基板１５１および対向基板１５２とともに、液晶１５５が封入される空間を形成する。シール部材１５４には、素子基板１５１および対向基板１５２の間隔を保持するため、スペーサ１５３が混入されている。なお、シール部材１５４には、液晶１５５を封入するための開口部が形成されており、この開口部は、液晶１５５の封入後に封止材１５６で封止されている。
【００１９】
ここで、素子基板１５１の対向基板１５２側の表面であって、シール部材１５４の一辺の外側には、Ｙ方向に延在する後述するデータ線を駆動するデコード回路３００Ａが形成されている。さらに、この一辺には複数の接続電極１５７が形成されて、この接続電極１５７を通して後述する制御回路からの各種信号や画像信号が入力される。また、シール部材１５４の前記一辺の両側の辺には、Ｘ方向に延在する後述する走査線を駆動する走査線駆動回路１００が形成されている。
【００２０】
図３は、電気光学装置１を構成する対向基板１５２の部分平面図である。対向基板１５２のうち素子基板１５１に対向する表面には、複数の画素が配列されて構成された表示領域１５２Ａと、この表示領域１５２Ａの周囲に設けられ外光の入射を防止する遮光領域１５２Ｂと、表示領域１５２Ａの画素同士の間隙に設けられた遮光領域１５２Ｃと、が形成されている（図２参照）。
【００２１】
遮光領域１５２Ｂは、外光の入射を防止するものであり、内周縁で表示領域１５２Ａを包囲するとともに対向基板１５２の辺縁まで延びている。遮光領域１５２Ｂは、具体的には、膜体であるブラックマトリクスで構成される。このブラックマトリクスは、クロム等の単体金属や、この単体金属を主成分とする合金、あるいは、カーボンブラックの分散により黒色に着色された樹脂材料等、遮光性を有する種々の材料によって形成される。表示領域１５２Ａは、カラーフィルタで構成されている。カラーフィルタは、後述するサブ画素に対応して、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色がある。遮光領域１５２Ｃは、遮光領域１５２Ｂと同一の構成であり、外光の入射およびバックライト５０の光漏れを防止するため、サブ画素とサブ画素との間隙に形成されている。そして、素子基板１５１の対向基板１５２側で遮光領域１５２Ｂの下には、後述する光電変換素子としての太陽電池４１３が１つ設けられている。
【００２２】
なお、図示しないが、以上のカラーフィルタおよびブラックマトリクス上には、保護膜が形成され、この保護膜上に共通電極１５８が形成される。この共通電極１５８は、素子基板１５１の四隅のうち、少なくとも１箇所において設けられた導通材を介して、素子基板１５１と電気的に導通している。また、素子基板１５１および対向基板１５２の対向面側には、それぞれ、所定の方向にラビング処理された配向膜等が設けられ、それぞれの背面側には、配向方向に応じた偏光板が設けられる。
【００２３】
バックライト５０は、２つエッジライト５１と、これらエッジライト５１から射出された光を面発光させる面状導光板５２とを備える。エッジライト５１は、棒状の冷陰極蛍光管である。なお、図示しないが、面状導光板５２の素子基板１５１側には、輝度を向上させるため、プリズムシートが設けられ、このプリズムシート上には、エッジライト５１から射出された光を拡散させる拡散板が設けられる。また、面状導光板５２の素子基板１５１の反対側には、反射板が設けられる。
【００２４】
図４は、電気光学装置１の概略構成を示すブロック図である。電気光学装置１は、表示パネルＡＡと、制御回路６００とを備える。制御回路６００は各種の制御信号と画像信号Ｄｒ、Ｄｇ、Ｄｂを生成する。これら画像信号Ｄｒ、Ｄｇ、Ｄｂは、２値の信号である。制御信号は、共通電位ＶＣＯＭ、極性信号ＦＲおよび反転極性信号ＦＲＸを含む。これら制御信号のうち、共通電位ＶＣＯＭは共通電極に供給され、１フレーム周期で反転する信号である。極性信号ＦＲは、共通電位ＶＣＯＭに同期した信号である。反転極性信号ＦＲＸは、極性信号ＦＲを反転した信号である。以上の制御信号および画像信号Ｄｒ、Ｄｇ、Ｄｂは、表示パネルＡＡの端部に形成された複数の入力端子を介して表示パネルＡＡに取り込まれる。
【００２５】
表示パネルＡＡは、具体的には、表示領域Ａ、走査線駆動回路１００、サンプリング回路２００Ａ、およびデコード回路３００Ａで構成される。このうち、表示領域Ａには、Ｘ方向と平行にｎ組の走査線１０１、１０２が形成され、Ｘ方向と直交するＹ方向と平行に３ｍ本のデータ線１０３が形成される。そして、表示領域Ａには、走査線１０１、１０２とデータ線１０３との各交差に対応して画素回路４００が各々設けられている。なお、表示領域Ａには、図示せぬ信号供給線が形成されており、これを介して極性信号ＦＲおよび反転極性信号ＦＲＸが各画素回路４００に供給される。
【００２６】
走査線駆動回路１００は、複数の走査線１０１を順次選択するための走査信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｎと反転走査信号Ｖｇ１Ｘ、Ｖｇ２Ｘ、Ｖｇ３Ｘ、…、ＶｇｎＸを生成する。走査信号Ｖｇ１〜Ｖｇｎは、Ｙ転送開始パルスＳＰＹをＹクロック信号ＣＬＫＹに同期して順次転送することにより生成される。反転走査信号Ｖｇ１Ｘ、Ｖｇ２Ｘ、Ｖｇ３Ｘ、…、Ｖｇｎは、走査信号Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｎの論理レベルを反転したものである。
【００２７】
走査信号Ｖｇ１は、１垂直走査期間（１Ｆ）の最初のタイミングから、１水平走査期間（１Ｈ）に相当する幅のパルスであって、１行目の走査線１０１に供給される。以降、このパルスを順次シフトして、２、３、…、ｎ行目の走査線１０１の各々に走査信号Ｖｇ２、Ｖｇ３、…、Ｖｇｎとして供給する。一般的に、ｉ（ｉは、１≦ｉ≦ｎを満たす整数）行目の走査線１０１に供給される走査信号ＶｇｉがＨレベルになると、当該走査線１０１が選択される。
【００２８】
画素回路４００は、Ｒ色、Ｇ色、およびＢ色のいずれかに対応するサブ画素であり、Ｒ色、Ｇ色、およびＢ色のサブ画素で１画素が構成される。なお、図１において、画素回路４００に示す符号［Ｒ］［Ｇ］［Ｂ］は、Ｒ色、Ｇ色、およびＢ色に対応することを示す。サンプリング回路２００Ａは、ｍ個のサンプリングユニット２０Ｕを備え、１個のサンプリングユニット２０Ｕが１画素に対応している。デコード回路３００Ａは、アドレス信号ＡＤＲをデコードしてデコード信号を生成する。このデコード信号は、選択信号ｄ１〜ｄｍから構成される。選択信号ｄ１〜ｄｍは、１画素を指定する信号である。
【００２９】
図５は、デコード回路３００Ａの構成を示す回路図である。以下の説明では、説明を簡略化するため、表示領域Ａが２行１５列で構成されているものとする。この場合、１行が５画素で構成され、ｍ＝５となる。アドレス信号ＡＤＲは、５画素の中から１画素の選択を指定する必要があるので、３ビットのアドレス指定が必要となる。このため、アドレス信号ＡＤＲはｂｉｔ０、ｂｉｔ０Ｘ、ｂｉｔ１、ｂｉｔ１Ｘ、ｂｉｔ２、およびｂｉｔ２Ｘから構成され、ビット数Ｎは３となる。なお、ｂｉｔ０Ｘ、ｂｉｔ１Ｘ、およびｂｉｔ２Ｘは、ｂｉｔ０、ｂｉｔ１、およびｂｉｔ２を反転した信号である。
【００３０】
デコード回路３００Ａは、３入力のNAND回路３０１、３０２、３０３、３０４、３０５を備える。NAND回路３０１〜３０５は、アドレス信号ＡＤＲの指定するアドレス値が０〜４で各々アクティブ（Ｌレベル）となる選択信号ｄ１〜ｄ５を出力する。例えば、NAND回路３０１は、ｂｉｔ０Ｘ、ｂｉｔ１Ｘ、およびｂｉｔ２Ｘが全て「１」の場合に選択信号ｄ０の論理レベルをＬレベルにする。すなわち、アドレス信号ＡＤＲの指定するアドレス値が「０」のとき、Ｌレベルでアクティブとなる選択信号ｄ１を生成する。
【００３１】
図６は、サンプリングユニット２０Ｕの構成を示す回路図である。サンプリングユニット２０Ｕは、１番目の画素に対応し選択信号ｄ１が供給される。なお、他のサンプリングユニット２０Ｕも同様に構成されている。サンプリングユニット２０Ｕは、Ｒ色に対応するサブユニット２０Ｒ、Ｇ色に対応するサブユニット２０Ｇ、およびＢ色に対応するサブユニット２０Ｂを備える。これらサブユニット２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂには、制御回路６００から、画像信号供給線Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂを介して画像信号Ｄｒ、Ｄｇ、Ｄｂが供給される。
【００３２】
以下、サブユニット２０Ｒについて説明するが、サブユニット２０Ｇおよびサブユニット２０Ｂも、サブユニット２０Ｒと同様に構成されている。サブユニット２０Ｒは、トランスファゲート２２０と、クロックドインバータ２３１およびインバータ２３２で構成されるラッチ回路と、インバータ２６０とを備える。サブユニット２０Ｒは、選択信号ｄ１がアクティブになると、画像信号供給線Ｌｒを介して供給される画像信号Ｄｒをサンプリングしてラッチ回路に取り込む。そして、サンプリングされた画像信号Ｄｒは、インバータ２６０を介して、データ線信号Ｘ１ｒとしてデータ線１０３に供給される。上述したように画像信号Ｄｒは２値信号であり、データ線信号Ｘ１ｒも２値信号となる。
【００３３】
図７は、画素回路４００の構成を示す回路図である。この画素回路４００は、１行１列目に位置しており、トランスファゲート４０１と、インバータ４０２、４０３で構成される揮発性メモリ４１０と、トランスファゲート４０４、４０５と、対向基板の共通電極と対向する画素電極４０６と、を備える。
【００３４】
図８は、揮発性メモリ４１０の電源を含めたトランジスタレベルでの回路図である。各揮発性メモリ４１０のインバータ４０２、４０３は、それぞれ、２つの相補形ＭＯＳトランジスタで構成され、これらインバータ４０２、４０３には、上述した太陽電池４１３から電力が供給される。
【００３５】
共通電極には、フレーム周期で極性が反転する共通電位ＶＣＯＭが供給される。すなわち、あるフレームで共通電位ＶＣＯＭが高電位となれば、次のフレームで共通電位ＶＣＯＭは低電位となる。したがって、液晶には、画素電極４０６の電位と共通電位ＶＣＯＭの電位差に応じた電圧が印加される。
【００３６】
走査線１０１および１０２を介して供給される走査信号Ｖｇ１および反転走査信号Ｖｇ２がアクティブになると、トランスファゲート４０１は、データ線１０３を介して供給されるデータ線信号Ｘ１ｒを取り込む。インバータ４０２、４０３は、記憶回路として動作し、取り込んだデータ線信号Ｘ１ｒの論理レベルを記憶する。
【００３７】
トランスファゲート４０４は、接続点Ｐ１の論理レベルがＨレベルのときオン状態となり、接続点Ｐ１の論理レベルがＬレベルのときオフ状態となる。一方、トランスファゲート４０５は、接続点Ｐ１の論理レベルがＬレベルのときオン状態となり、接続点Ｐ１の論理レベルがＨレベルのときオフ状態となる。したがって、データ線信号Ｘ１ｒがＨレベルの場合、トランスファゲート４０４を介して、反転極性信号ＦＲＸが画素電極４０６に取り込まれる。一方、データ線信号Ｘ１ｒがＬレベルの場合、極性信号ＦＲが画素電極４０６に取り込まれる。
【００３８】
ここで、極性信号ＦＲと共通電位ＶＣＯＭは同一極性であり、反転極性信号ＦＲＸと共通電位ＶＣＯＭは逆極性である。したがって、データ線信号Ｘ１ｒの論理レベルがＨレベルであれば、画素電極４０６には共通電位ＶＣＯＭとは逆極性の反転極性信号ＦＲＸの電位が生じ、その結果、画素の液晶層に電圧が印加される。一方、データ線信号Ｘ１ｒの論理レベルがＬレベルであれば、画素電極４０６には共通電位ＶＣＯＭと同極性の極性信号ＦＲの電位が生じ、その結果、画素の液晶層に電圧が印加されない。なお、本実施形態において、液晶層はノーマリーホワイト表示を採用する。このため、データ線信号Ｘ１ｒがＨレベルであれば「黒」表示となり、データ線信号Ｘ１ｒがＬレベルであれば「白」表示となる。
【００３９】
この画素回路４００によれば、書き込まれた論理レベルを記憶回路によって保持し続けることができる。よって、静止画を表示する際にはサンプリング回路２００Ａの動作を停止させてその消費電力を削減することができる。ただし、液晶層に同一極性の電圧を印加し続けると、特性劣化を引き起こすので、液晶層の電圧極性を反転する必要がある。そのため、共通電位ＶＣＯＭ、極性信号ＦＲ、および反転極性信号ＦＲＸは、その電位がフレーム毎に反転される。
【００４０】
また、電気光学装置１の電源をオフした場合、電源をオンした場合の動作は以下のようになる。電気光学装置１の電源をオフすると、まず、画素回路４００の電源がオフされるが、この状態では、バックライト５０は点灯しているため、太陽電池４１３から供給される電力により、揮発性メモリ４１０は内容を保持している。その後、バックライト５０の電源がオフされると、太陽電池４１３から揮発性メモリ４１０に電力が供給されなくなるので、揮発性メモリ４１０の内容が消去されて、液晶１５５がリセットされる。その結果、全ての画素電極４０６の電位が等しくなって、表示画面が均一化された状態となる。
その後、電源をオンしても、液晶１５５がリセットされているので、バックライト５０からの光は、リセットされた状態の液晶１５５を透過することとなり、ノイズやサンドストーム等が発生するのを防止できる。
【００４１】
図９は、電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。この例では、２行１５列（５画素）の表示領域Ａを想定し、図１０に示すように１行目に黒（斜線部分）を表示させ、２行目に白を表示させる場合を想定する。また、図６に示す前半の書き込みフレームでは、画像信号Ｄｒ、Ｄｇ、Ｄｂを画素回路４００に書き込み、後半の保持フレームでは、書き込み動作を行わない。すなわち、保持フレームでは、画像に変化がなかったものとする。この例の表示領域Ａは２行で構成されるため、１フレーム期間は２水平期間で構成されるが、本発明はこれに限定されるものではなく、多数の水平期間から構成されてもよい。
【００４２】
アドレス信号ＡＤＲは、１水平期間でアドレス値を０〜４まで変化する。これにより、５個の画素が指定される。書き込みフレームの前半の１水平期間においては、画像信号Ｄｒ、Ｄｇ、ＤｂはＨレベルとなっているので、反転極性信号ＦＲＸが選択され、１行目１列目の各画素回路４００の画素電極４０６は、低電位となる。このとき、共通電位ＶＣＯＭは高電位であるから、液晶の印加電圧ＶＬ（１、１）は、画素電極４０６の電位を基準とすると、負電圧−ΔＶとなる。上述したように本実施形態の液晶はノーマリーホワイト表示であるから、電圧が印加されることによって黒を表示する。そして、保持フレームにおいて、共通電位ＶＣＯＭが反転すると、反転極性信号ＦＲＸも反転するので、保持フレームにおいても黒が表示されることになる。
【００４３】
本実施形態によれば、以下のような効果がある。電気光学装置１にバックライト５０から受光して電力を発生し、この発生した電力を揮発性メモリ４１０に供給する太陽電池４１３を設けたので、電気光学装置１の電源オン／オフ時のシーケンスを変更することなく、自動的にノイズやサンドストーム等が発生するのを防止できる。また、太陽電池４１３の位置を適宜調整すれば、新たに電源回路を設けることなく、バックライト５０から射出された不要な光を利用して、揮発性メモリ４１０に電力を供給できるから、経済的である。
【００４４】
また、太陽電池４１３を遮光領域１５２Ｂの下に設けたので、太陽電池４１３を、外光とは関係なく、バックライト５０のオン／オフにのみ基づいて確実に動作させることができる。また、太陽電池４１３を、バックライト５０からの不要な光を受光して動作できるから、電力を有効活用できる。
【００４５】
また、太陽電池４０３を素子基板１５１の対向基板１５２側に形成したので、太陽電池４０３を、例えば、画素回路４００や周辺駆動回路を構成する薄膜トランジスタと同一の基板に、同一の工程で形成できる。その結果、太陽電池４０３をいわゆるＴＦＴ基板に内蔵できるから、電気光学装置１の工程を簡略化できるとともに、部品点数を削減できる。
【００４６】
＜２．第２実施形態＞
本実施形態において、太陽電池４１３Ａの構成が第１実施形態と異なる。なお、以下の実施形態の説明にあたって、第１実施形態と同一構成要件については同一符号を付し、その説明を省略もしくは簡略化する。図１１は、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置１Ａを構成する対向基板１５２の平面図である。すなわち、遮光領域１５２Ｃの下の素子基板には、各画素回路内にそれぞれ１つの太陽電池４１３Ａが設けられている。
【００４７】
したがって、本実施形態によれば、以下のような効果がある。太陽電池４１３Ａを画素回路４００内に形成したので、少なくとも一方の電位を供給する電源線を画素回路４００内に配置できるから、画素回路４００に至る配線を少なくとも１本削減できる。
【００４８】
＜３．変形例＞
本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。例えば、前記各実施形態では、本発明を電気光学物質として液晶１５５を用いた電気光学装置１に適用したが、これに限らず、液晶以外の電気光学物質を用いた電気光学装置にも適用できる。例えば、着色された液体とこの液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示パネル、極性が相違する領域毎に異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイパネル、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイパネル、あるいは、ヘリウムやネオン等の高圧ガスを電気光学物資として用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学装置に対しても、上記実施形態と同様に本発明が適用され得る。
【００４９】
また、前記各実施形態では、光源としてバックライト５０を用いたが、これに限らず、フロントライトを用いて反射型液晶表示装置を構成してもよい。また、前記各実施形態では、太陽電池４１３、４１３Ａを素子基板１５１の対向基板１５２側に形成したが、これに限らず、素子基板１５１とバックライト５０との間に形成してもよい。また、前記各実施形態では、太陽電池４１３、４１３Ａを遮光領域１５２Ｂ、１５２Ｃの下に形成したが、これに限らず、バックライト５０からの光を受光できればどの場所でもよく、例えば、筐体３００に遮光領域を設け、この筐体３００の遮光領域の内側に太陽電池を設けてもよい。
【００５０】
また、前記各実施形態では、本発明を、図７に示すような画素回路に適用したが、これに限らず、例えば、第１のトランジスタ、揮発性メモリ、および画素電極を有する画素回路に適用してもよい。ここで、各画素は、画素電極と、対向基板に形成される対向電極と、これら電極間に設けられた液晶とで構成される。この画素回路は、走査線とデータ線との交差付近に配置され、第１のトランジスタのゲートは走査線に、ソースはデータ線に、ドレインは画素電極に接続される。さらに、第１のトランジスタのドレインと画素電極との間には、揮発性メモリが接続される。
【００５１】
＜４．応用例＞
次に、上述した実施形態及び変形例に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。図１２は、電気光学装置１、１Ａを適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
【００５２】
図１３は、電気光学装置１、１Ａを適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１およびスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００５３】
図１４は、電気光学装置１、１Ａを適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す斜視図である。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１および電源スイッチ４００２、ならびに表示ユニットとしての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００５４】
なお、電気光学装置１が適用される電子機器としては、図１２〜１４に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置が適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＺ−Ｚ´断面図である。
【図３】同電気光学装置の対向基板の部分平面図である。
【図４】同電気光学装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】同電気光学装置のデコード回路の構成を示す回路図である。
【図６】同電気光学装置のサンプリングユニットの構成を示す回路図である。
【図７】同電気光学装置の画素回路の構成を示す回路図である。
【図８】同電気光学装置の揮発性メモリのトランジスタレベルの回路図である。
【図９】同電気光学装置の動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】同表示領域の表示パターンの一例を説明するための図である。
【図１１】本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の対向基板の平面図である。
【図１２】上述した電気光学装置を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１３】上述した電気光学装置を適用した携帯電話機の構成を示す斜視図である。
【図１４】上述した電気光学装置を適用した情報携帯端末の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１、１Ａ…電気光学装置、５０…バックライト（光源）、１０１…走査線、１０３…データ線、１５１…素子基板（第１の基板）、１５２Ｂ、１５２Ｃ…       遮光領域、１５２…対向基板（第２の基板）、１５２Ａ…表示領域、１５５…液晶（電気光学物質）、４００…画素回路、４１０…揮発性メモリ、４１３、４１３Ａ…太陽電池（光電変換素子）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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