(57)【要約】【課題】  露光パターンの寸法を精度良く保証することができる露光用マスクとその製造方法を提供すること。【解決手段】  デバイスパターンの形状データD0に対して光近接効果補正を施すことによりデバイス用露光パターン２１の形状データD1を得るステップＳ１と、デバイス用露光パターン２１と比較して角２２ａの立ち上がり量が増大、該角２２ａの数が削減、又は該角２２ａの間の辺が延長されたモニター用露光パターン２２の露光データD2を得るステップＳ２と、リソグラフィにより透明基板２０上に各露光パターン２１、２２を形成するステップＳ４と、モニター用露光パターン２２の寸法を測定するステップＳ５と、デバイス用露光パターン２１の寸法をモニター用露光パターン２２の寸法で保証するステップＳ６と、を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法による。【選択図】  図１１
2006145687.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板のデバイス領域に形成され、光近接効果補正によって形成された角が少なくとも一辺に形成されたデバイス用露光パターンと、
前記透明基板のモニター領域に形成され、前記デバイス用露光パターンと比較して前記角の立ち上がり量が増大、又は該角の数が削減、或いは該角の間の辺が延長されたモニター用露光パターンと、
を有することを特徴とする露光用マスク。
【請求項２】
前記デバイス用露光パターン及び前記モニター用露光パターンは、半透明の位相シフターであることを特徴とする請求項１に記載の露光用マスク。
【請求項３】
前記デバイス用露光パターン及び前記モニター用露光パターンは、露光光を透過しない遮光パターンであることを特徴とする請求項１に記載の露光用マスク。
【請求項４】
デバイスパターンの形状データに対して光近接効果補正を施すことにより、少なくとも一辺に角が形成されたデバイス用露光パターンの形状データを得るステップと、
前記デバイス用露光パターンと比較して前記角の立ち上がり量が増大、又は該角の数が削減、或いは該角の間の辺が延長されたモニター用露光パターンの露光データを得るステップと、
前記デバイス用露光パターンと前記モニター用露光パターンのそれぞれの前記形状データを用いるリソグラフィにより、透明基板上の膜をパターニングして前記デバイス用露光パターンと前記モニター用露光パターンとを形成するステップと、
寸法測定器を用いて前記モニター用露光パターンの寸法を測定するステップと、
前記測定されたモニター用露光パターンの寸法が、前記デバイス用露光パターンの設計寸法の許容範囲内に収まるか否かを判断することにより、前記デバイス用露光パターンの寸法を前記モニター用露光パターンの寸法で保証するステップと、
を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【請求項５】
前記モニター用露光パターンを形成する前に、光強度シミュレーションを用いることにより、前記モニター用露光パターンの投影像から作製されるレジストパターンの形状を観察し、製造途中に剥離し得るパターンが前記レジストパターンに形成されるかを確認するステップを行うことを特徴とする請求項４に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項６】
前記デバイス用露光パターンの形状データを得るステップは、第１の補正条件を用いる光近接効果補正を前記デバイスパターンの形状データに施すことにより行われ、
前記モニター用露光パターンの形状データを得るステップは、前記第１の補正条件よりも補正精度が粗い第２の補正条件を用いる光近接効果補正を前記デバイスパターンの形状データに施すことにより行われることを特徴とする請求項４に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２の補正条件として、寸法補正の最小単位となるグリッド値、又は光近接効果の評価点同士の間隔を採用することを特徴とする請求項６に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項８】
前記モニター用露光パターンの形状データを得るステップにおいて、前記第２の補正条件を複数採用することにより前記モニター用露光パターンの形状データを複数得て、
前記複数の形状データの中から、前記モニター用露光パターンの前記角の間の辺が予め定めておいた最小値よりも長く延長された形状データを抽出するステップを行い、
前記抽出された形状データを用いて前記モニター用露光パターンを形成することを特徴とする請求項６に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項９】
前記角の間の辺の長さの最小値として、前記寸法測定器における測定領域の最小長さと、該測定領域の位置合わせ誤差の二倍と、モニター用露光パターンの角のなまり量の二倍との和を採用することを特徴とする請求項８に記載の露光用マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記モニター用露光パターンの寸法を測定するステップにおいて、前記寸法測定器としてSEM(Scanning Electron Microscope)を採用することを特徴とする請求項４に記載の露光用マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光用マスクとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、LSI等の半導体装置は高集積化の一途を辿っており、それに伴い露光機で使用される露光用マスクの露光パターンの微細化が進んでいる。このように露光パターンが微細化されると、光近接効果により、露光パターンの平面形状からずれた形状のパターンがウエハ上に投影されることになる。そこで、設計通りの線幅や寸法をもったデバイスパターンをウエハ上に投影するために、そのデバイスパターンの形状データに対して光近接効果を考慮したOPC(Optical Proximity Correction)処理を行い、その処理によって得られたパターンを露光パターンとして採用する。
【０００３】
また、デザインルールの微細な最先端のデバイスの露光工程では、露光波長の短波長化、投影レンズの高NA化、レジストプロセスの改善等が進められているものの、露光マージンは非常に厳しく、露光パターンの線幅変動が出来上がりのレジストパターンの線幅に大きな影響を与える。
【０００４】
そのため、上記のようにOPC処理が行われた露光パターンは、その線幅がOPC処理における計算値と同じになっているか否かを確かめるべく、パターンの作製後にCD-SEM(Scanning Electron Microscope)等によってその線幅が測定されるのが普通である。
【０００５】
なお、下記の特許文献１には、SEMにより微細パターンの複数の点を測定する点が開示されている。
【特許文献１】特開平１１−２５１２２４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、露光パターンの寸法を精度良く保証することができる露光用マスクとその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、透明基板と、前記透明基板のデバイス領域に形成され、光近接効果補正によって形成された角が少なくとも一辺に形成されたデバイス用露光パターンと、前記透明基板のモニター領域に形成され、前記デバイス用露光パターンと比較して前記角の立ち上がり量が増大、又は該角の数が削減、或いは該角の間の辺が延長されたモニター用露光パターンと、を有する露光用マスクが提供される。
【０００８】
また、本発明の別の観点によれば、デバイスパターンの形状データに対して光近接効果補正を施すことにより、少なくとも一辺に角が形成されたデバイス用露光パターンの形状データを得るステップと、前記デバイス用露光パターンと比較して前記角の立ち上がり量が増大、又は該角の数が削減、或いは該角の間の辺が延長されたモニター用露光パターンの露光データを得るステップと、前記デバイス用露光パターンと前記モニター用露光パターンのそれぞれの前記形状データを用いるリソグラフィにより、透明基板上の膜をパターニングして前記デバイス用露光パターンと前記モニター用露光パターンとを形成するステップと、寸法測定器を用いて前記モニター用露光パターンの寸法を測定するステップと、前記測定されたモニター用露光パターンの寸法が、前記デバイス用露光パターンの設計寸法の許容範囲内に収まるか否かを判断することにより、前記デバイス用露光パターンの寸法を前記モニター用露光パターンの寸法で保証するステップと、を有する露光用マスクの製造方法が提供される。
【０００９】
次に、本発明の作用について説明する。
【００１０】
本発明に係る露光用マスクの製造方法によれば、デバイス用露光パターンよりも少なくとも角が大型化、該角の数が削減、又は該角間の辺が延長されたモニター用露光パターンを作製し、そのモニター用露光パターンの寸法でデバイス用露光パターンの寸法を保証するようにした。
【００１１】
モニター用露光パターンの角が大型化されると、角の位置を明確に認識しながらモニター用露光パターンの寸法を測定することができ、寸法の測定箇所を誤るのが防止される。また、角の間の辺を延長することにより、寸法の測定箇所と角とを十分に離すことができるので、角の近傍のパターンなまりを取り込まないようにモニター用露光パターンの寸法を測定することができ、寸法測定の精度が向上する。そして、角の数を削減することにより、辺の長さが自動的に延長されるので、上記のように寸法測定精度を向上させることができる。これらにより、本発明によれば、モニター用露光パターンの寸法測定値の再現性が高められ、ひいてはデバイス用露光パターンの線幅の保証精度を高めることが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、デバイス用露光パターンよりも少なくとも角が大型化、該角の数が削減、又は該角間の辺が延長されるようにモニター用露光パターンを作製するので、そのモニター用露光パターンの寸法測定値の再現性が高められ、ひいてはデバイス用露光パターンの線幅の保証精度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（１）予備的事項の説明
本発明の実施の形態について説明する前に、本発明の予備的事項について説明する。
【００１４】
OPC処理には、大きく分けて、ルール・ベース(Rule Based)OPCとモデル・ベース(Model Based)OPCとがある。このうち、モデル・ベースOPCは、光学的なシミュレーションによって補正を行うので、パターン間の距離とパターン寸法の補正値とで構成される有限個のテーブルを参照しながら補正を行うルール・ベースOPCと比較して、補正精度が高く、デザインルールの微細な最先端のデバイスに対して好適である。
【００１５】
図１は、ウエハW上に形成される配線やゲート等のデバイスパターン１の原図である。これに対し、図２は、そのデバイスパターン１を投影するのに使用される露光用マスク４の拡大平面図である。この露光用マスク４は、モデル・ベースOPCによる光近接効果補正が施されたデバイス用露光パターン２を石英基板３の上に形成してなる。そして、このデバイス用露光パターン２には、OPC処理に伴う微細な角２ａが随所に形成され、図１のデバイスパターン１と比較してその形状が複雑化しているのが理解される。また、デバイス用露光パターン２は、レジストパターンをマスクにして遮光膜をエッチングすることにより形成されるが、このレジストパターンは例えばEB(Electron Beam)露光により露光され、図の点線で示される矩形が１ショットの露光サイズに相当する。
【００１６】
このような露光用マスク４を製造する際には、デバイス用露光パターン２の寸法精度を保証するために、CD-SEM等によって実際に露光パターン２の線幅（寸法）が測定される。
【００１７】
図３は、このCD-SEMに付属のモニター５の平面図である。測定時には、デバイス用露光パターン２のSEM像がモニター５に映し出され、オペレータがマウス（不図示）をドラッグすることにより、線幅の測定領域となるスリット６を決定する。そして、そのスリット６内の長さ方向（図の上下方向）に２０〜３０箇所配列された測定ポイントにおいてデバイス用露光パターン２の幅が測定され、各測定ポイントの平均値がスリット６における幅としてモニター５の一部領域５ａに表示される。
【００１８】
図４は、モニター５に表示されるデバイス用露光パターン２の拡大平面図である。OPC処理に伴う角２ａは、露光データ上は９０度の角度で立つが、露光パターン２を形成するときのエッチング等によって、実際にはその形状がなまる。しかも、角２ａがそもそも２nm程度と非常に微細なので、上記のように形状がなまってしまうと、露光パターン２のどこに角２ａがあるのかモニター５上で見分けがつき難くなる。その結果、例えば、二つの角２ａ間におけるD部の露光パターン２の幅を測定したいにも関わらず、角２ａにスリット６が掛かってしまい、角２ａを含んだ幅を測定する恐れが生じ、露光パターン２の幅の測定が不正確になる。従って、スリット６の設定の仕方にオペレータの個人差が含まれる余地が発生し、線幅の測定結果の再現性が悪くなる。
【００１９】
図５は、このような不都合を解消させるための仮想的な露光用マスク８の平面図である。
【００２０】
その露光用マスク８は石英基板４を有し、その石英基板４はデバイス領域Iとモニター領域IIとに区画される。そのうち、デバイス領域Iには、OPC処理が施されたデバイス用露光パターン２が形成され、そのデバイス用露光パターン２の投影像が図１のデバイスパターン１の平面形状に対応する。
【００２１】
一方、モニター領域IIには、OPC処理が施されていないライン・アンド・スペース状のモニター用露光パターン９が形成されると共に、デバイス用露光パターン２と同じ形状の実パターン７が参照のために形成される。
【００２２】
そして、この露光用マスク４では、デバイス用露光パターン２の代わりに、OPC処理による角が形成されていないモニター用露光パターン９の線幅を測定し、その測定結果がデバイス用露光パターン２の線幅を近似するものだと仮定して、この測定結果によってデバイス用露光パターン２の線幅を間接的に保証する。
【００２３】
しかし、デバイス用露光パターン２とモニター用露光パターン９とでは、パターンの粗密が異なるので、各パターン２、９をパターニングする際のエッチングにおいて、横方向へのエッチングの進行具合が各パターン２、９で異なる。更に、各パターン２、９のパターニング時にエッチングマスクとなるレジストパターンをEB（Electron Beam）露光で行う場合、一つのパターンには複数の矩形状のショットが配列されることになるが、その配列の仕方やショットの大きさが各パターン２、９によって異なるため、出来上がりの平面形状も各パターン２、９で異なってしまう。そのため、各パターン２、９の線幅に乖離が生じ、モニター用露光パターン９の線幅でデバイス用露光パターン２の線幅を正確に保証することができなくなる。しかも、線幅の乖離は、パターンが微細になるにつれて顕著になるため、半導体装置の微細化を阻む要因の一つになる。
【００２４】
また、モニター用露光パターン９として、OPC処理が施されていないデバイス用露光パターンを採用することも考えられる。しかし、OPC処理を施さないと、光近接効果によってモニター用露光パターン２の投影像が変形し、パターンから分離した微細な島状の像がフォトレジストの上に投影される場合がある。こうなると、島状の像に対応する部分のフォトレジストが現像の際にウエハから剥離し、ウエハのデバイス領域に付着して、最終的な半導体装置に欠陥を引き起こす恐れがある。
【００２５】
これらの点に鑑み、本願発明者は、以下のような本発明の実施の形態に想到した。
【００２６】
（２）第１実施形態
図６は、シリコン基板１０の上に形成されたデバイスパターン１１の拡大平面図である。デバイスパターン１１は、半導体装置を構成する要素であって、配線やゲート電極等がその一例となる。
【００２７】
一方、図７は、フォトリソグラフィ工程でこのデバイスパターン１１を形成するために使用される本実施形態に係る露光用マスクの全体平面図である。その露光用マスク２９は、デバイス領域Iと９個のモニター領域IIとに区画された光学的に透明な石英基板（透明基板）２０を有する。
【００２８】
このうち、デバイス領域Iにおける石英基板２０の上にはデバイス用露光パターン２１が形成され、そのデバイス用露光パターン２１の投影像が既述のデバイスパターン１１の平面形状に対応する。そして、このデバイス用露光パターン２１にはOPC処理が施されており、その処理に伴う複数の角２１ａが形成される。
【００２９】
一方、モニター領域IIにおける石英基板２０の上には、線幅測定用のモニター用露光パターン２２が形成される。その他に、モニター領域IIには、デバイス用露光パターン２１と同じ形状の実パターン２３と、ライン・アンド・スペースパターン２４（以下、L/Sパターン２４と呼ぶ）とが参照のために形成される。
【００３０】
図８は、OPC処理について説明するための図である。図８に示されるように、OPC処理の入力データはデバイスパターンの形状データD0であり、グリッド値Gと評価点の初期間隔（L1、L2）とが補正条件となる。OPC処理のタイプは限定されないが、本実施形態ではモデル・ベースOPCを採用するのが好ましい。
【００３１】
図９は、グリッドとグリッド値Gについて説明するための平面図である。グリッドは、平面を分割する各小正方形Sの頂点であり、グリッド値Gとはその小正方形Sの一辺の長さを言う。OPC処理では、処理後のデバイス用露光パターン２１の頂点が必ずグリッドに一致するように設定されるので、デバイス用露光パターン２１は上記の小正方形の辺に沿う形状となる。つまり、グリッド値Gは、OPC処理による辺の伸張や角２１ａの付与の最小単位であって、グリッド値Gが大きくなるほど補正が粗くなる。
【００３２】
図１０は、評価点とその初期間隔について説明するための平面図である。評価点Pnとは、パターン２２の頂点又は辺上に存在する点であり、光近接効果の影響を算出してパターン線幅が補正される点のことをいう。そして、評価点の初期間隔（L1、L2）とは、OPC処理がなされる前の頂点Qとそれに隣接する評価点P1との距離L1、及びその評価点P1と次の評価点P2との距離L2の対をいう。評価点P2よりも先の評価点P3、P4、…は、これらの周囲の評価点の立ち方に応じ、自動的に設定される。
【００３３】
図１０では、評価点の初期間隔（L1、L2）として、（１４０nm、２００nm）、（１４０nm、設定なし）、及び（２００nm、設定なし）を採用した場合の評価点の立ち方が示されている。但し、これらの数値はマスク上での値であって、ウエハ状ではその１／４の値となる。また、これらの条件において、評価点の初期間隔（L1、L2）の第２成分が「設定なし」となっているのは、OPC処理の入力画面中で第２成分L2を空欄にしたものである。その場合は、第１成分L1の値が第２成分L2に代入されたものとしてOPC処理が行われる。
【００３４】
図１０に示されるように、評価点の初期間隔（L1、L2）の成分のいずれか一方又は両方を大きくすると、評価点の数が減り、補正の精度が粗くなる。
【００３５】
本実施形態では、このようなOPC処理を用いて、以下のようにして露光用マスクを製造する。
【００３６】
図１１は、本実施形態に係る露光用マスクの製造方法について示すフローチャートであり、図１２は、そのフローチャートのステップＳ１を説明するための模式図である。
【００３７】
最初のステップＳ１では、図１２に示されるように、デバイスパターン１１の形状データD0に対してOPC処理を施すことにより、光近接効果が考慮されたデバイス用露光パターン２１の形状データD1を得る。なお、各形状データD0、D1はデジタル値であり不可視であるが、図１２では、理解を容易にするために、各形状データD0、D1に実際のパターン１１、１２を付随させ、これらの形状データD0、D1を可視化している。
【００３８】
また、デバイス用露光パターン２１は、ゲート電極や配線等の実際のデバイスパターンを投影するためのパターンなので、そのデバイスパターンの加工精度を高めるために、OPC処理の補正条件（グリッド値、評価点の初期間隔）としては、補正精度がなるべく細かくなる条件を採用するのが好ましい。そこで、本実施形態では、その補正条件として、グリッド値を２nm、評価点の初期間隔（L1、L2）を（１４０nm、２００nm）とする条件を採用する。以下、この補正条件を第１の補正条件と呼ぶことにする。
【００３９】
このようにステップＳ１を終了した後はステップＳ２に移行するが、そのステップＳ２はサブステップＰ１とサブステップＰ２に分けられる。
【００４０】
図１３は、このうちのサブステップＰ１を説明するための模式図である。
【００４１】
サブステップＰ１では、図１３に示されるように、上記の第１の補正条件よりも補正精度が粗い第２の補正条件を用いて、デバイスパターン１１の形状データD0に対してOPC処理を施し、モニター用露光パターン２２の形状データD2を得る。
【００４２】
このように粗い第２の補正条件を採用すると、角２２ａの立ち上がり量Δ2が、デバイス用露光パターン２１における角２１ａの立ち上がり量Δ1（図１２参照）よりも大きくなる。更に、隣り合う角２２ａ間の辺の長さL2も、デバイス用露光パターン２１における長さL1よりも拡大される。また、その角２２ａの数も、デバイス用露光パターン２１の角２１ａの数と比較して減少する。
【００４３】
上記の形状データD2は、一つの第２の補正条件によって一つだけ求めてもよいが、複数の第２の補正条件を用いて複数求めるのが好ましい。そこで、本実施形態では、第２の条件として、次の表１に示す１２種類の補正条件を採用し、その各々に対して形状データD2を求める。
【００４４】
【表１】
2006145687.tif 000003
図１４は、このように複数得られたモニター用露光パターン２２の形状データD2を擬似的に可視化した図である。同図において、列方向は初期間隔（L1、L2）でラベルし、行方向はグリッド値Gでラベルしている。また、図１４において、左上の形状データは、グリッド値を２nm、評価点の初期間隔（L1、L2）を（１４０nm、２００nm）としたものであって、ステップＳ１で求めたデバイス用露光パターン２１の形状データD1に他ならない。
【００４５】
図１４に示されるように、第２の補正条件に依存して、隣り合う角２２ａの間の辺の長さが変化するのが理解される。また、補正に伴う角２２ａの立ち上がり量も、第２の補正条件に依存して変化する。
【００４６】
これにより、サブステップＰ１の基本的な処理が終了する。
【００４７】
ところで、モニター用露光パターン２２は、後でその線幅が実際に測定されるので、その線幅測定を可能な限り行い易い形状にする必要がある。
【００４８】
図４で説明したように、線幅測定をCD-SEMで行う場合には、OPC処理に伴う角２ａにかからないようにスリット６をマウスでドラッグして確定する。このとき、角２ａが小さいと、画面上でその存在を確認するのが困難となり、スリット６に角２ａが含まれる恐れがある。そのため、測定誤差を低減するために、角２ａをなるべく大きくするのが好ましい。
【００４９】
更に、パターンの一辺における角２ａ間の辺の長さLを長くした方が、スリット６を角２ａから遠ざけることができ、測定結果から角２ａの影響を排除し易くなる。
【００５０】
図１５は、角２２ａの影響を効果的に低減するのに必要な角２２ａ間の辺の長さの最小値Lminについて説明するための平面図である。
【００５１】
最小値Lminは、CD-SEMで設定できるスリット６の最小長さhminと、スリット６とパターン２２ａとの位置合わせ誤差δと、パターン２２の角のなまり量rとにより、次のように表される。
【００５２】
Lmin＝hmin＋２δ＋２r
なお、パターン２２の角のなまり量rとは、図１５に示されるように、パターン２２の角２２ａの近傍において、パターン２２の線幅が変化している部分の長さのことを指す。
【００５３】
本実施形態では、これらのパラメータをhmin＝１００nn、δ＝５０nm、r＝５０nmとし、最小値Lminを３００nmと設定する。
【００５４】
そこで、次のサブステップＰ２では、図１４のように得られた複数の形状データD2のうち、線幅測定ポイントA、B、Cにおける角２２ａ間の辺の長さがLminよりも長いものを抽出するため、各形状データD2における矩形EのサイズをデータD2毎に算出する。なお、その矩形Eの幅Xは、各測定ポイントA、B、Cにおけるパターン２２の線幅で定義され、矩形Eの長さYは、各ポイントA、B、Cにおける角２２ａ間の最小距離で定義される。
【００５５】
図１６は、複数の形状データD2のそれぞれにおける矩形Eのサイズを算出して得られた表である。
【００５６】
図１６では、Lmin（＝３００nm）以上のYに対してハッチングを掛けてある。これに示されるように、全ての測定ポイントA、B、CにおいてY≧Lminを満たすのは、第２の補正条件としてG＝２０nm及び（L1、L2）＝（１４０nm、２００nm）を採用する場合と、G＝２０nm及び（L1、L2）＝（１４０nm、設定なし）を採用する場合の二つに限られる。但し、図１６に示されるように、この二つのどちらの補正条件を採用しても、得られる矩形サイズは同じである。従って、以下では、上記の二つの補正条件の一方、例えばG＝２０nm及び（L1、L2）＝（１４０nm、設定なし）で得られた形状データD2のみを抽出する。
【００５７】
このように抽出された形状データD2では、矩形Eの長さYと角２２ａの大きさとがデバイス用露光パターン２１のそれと比較して拡大されている。これは、デバイス用露光パターン２１を得るのに使用した第１の補正条件と比較して、上記の第２の補正条件の補正精度が粗く、デバイス用露光パターン２１と比較してモニター用露光パターン２２の頂点数が減少したためである。
【００５８】
ここまでによりサブステップＰ２を終了し、次にステップＳ３に移行する。
【００５９】
上記したサブステップＰ２では、図１４に示したように、第２の補正条件を振ることにより様々なモニター用露光パターン２２の形状データD2を得て、その中から線幅測定が容易な形状データD2を一つ抽出した。しかし、その形状データD2は、OPC処理の補正精度を粗くして得られたものなので、この形状データD2に対応するモニター用露光パターン２２を露光機で投影して得られる像が、光近接効果によって極端に異常な形状となる場合がある。
【００６０】
図１７は、そのような異常な像の一例を示す平面図である。
【００６１】
図１７の左側の図は、OPC補正を行っていないデバイス用露光パターン２１の平面図であり、右側の図は、この露光パターン２１を用いるフォトリソグラフィにより得られたウエハ上のレジストパターン２３の平面図である。
【００６２】
これに示されるように、光近接効果によって、レジストパターン２３の平面形状がデバイス用露光パターン２１から大きく乖離し、微細な孤立パターン２３ａがレジストパターン２３に形成されている。こうなると、その微細な孤立パターン２３ａが、例えば洗浄工程等においてウエハから剥離してデバイスパターンに付着し、半導体装置を不良にする恐れがある。
【００６３】
そこで、ステップＳ３では、コンピュータを用いた光強度シミュレーションにより、図１４の各モニター用露光パターン２２を用いて得られたレジストパターンに微細な孤立パターンが発生するか否かを調べる。
【００６４】
図１８は、そのような光強度シミュレーションにより得られたレジストパターン２３の像である。同図では、列方向は初期間隔（L1、L2）でラベルし、行方向はグリッド値Gでラベルしている。また、この光強度シミュレーションでは、半透明のモニター用露光パターン２２の透過率を、波長が１９３nmのArFエキシマレーザ光に対して６．０％と設定した。また、露光条件として、露光波長１９３nm、開口率（NA）０．７５、照明絞り（σ）を０．８５、及び１/２輪帯照明を採用した。
【００６５】
図１８に示されるように、いずれの補正条件を用いても、既述のような微細な孤立パターンや、解像不良、及び極端なパターン細りは発生していない。従って、サブステップＰ２で抽出された形状データD2を用いて作製されるモニター用露光パターン２２は、それをフォトリソグラフィにおいて使用しても、レジストパターンの剥がれによるデバイス不良は起きないと判断することができる。
【００６６】
ここまででステップＳ３を終了し、次にステップＳ４に移行する。
【００６７】
ステップＳ４では、ステップＳ１で得たデバイス用露光パターン２１の形状データD1と、ステップＳ２で抽出したモニター用露光パターン２２の形状データD2とを用い、これらのパターンを図７に示したような平面レイアウトで形成する。
【００６８】
図１９〜図２３は、そのパターンの作製方法を工程順に示す断面図である。
【００６９】
最初に、図１９（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００７０】
まず、一辺の長さが６インチで厚さが０．２５インチの石英基板２０の上に、スパッタ法によりMoSiN（窒化モリブデンシリサイド）層を厚さ約６５nmに形成し、それを半透明性の位相シフター層２５とする。なお、位相シフター層２５の構成材料は窒化モリブデンシリサイドのようなモリブデンシリサイド化合物に限定されず、酸化クロムのようなクロム化合物であってもよい。
【００７１】
次いで、位相シフター層２５の上にスパッタ法によりクロム（Cr）層と酸化クロム（CrxOy）層とをこの順に厚さ約５９nmに形成し、それらを遮光層２６とする。
【００７２】
続いて、図１９（ｂ）に示すように、スピンコート法により遮光層２６の上に第１ポジ型電子線レジスト２７を約４００nmの厚さに形成する。
【００７３】
なお、上記した石英基板２０、位相シフター層２５、及び遮光層２６は、それらを合わせてブランクスと呼ばれるが、そのブランクスの上にレジスト２７が形成されたものをブランクスメーカから購入し、そのブランクスに対して以下の工程を行ってもよい。
【００７４】
次の工程では、EB露光装置を用いて上記の電子線レジスト２７を露光する。
【００７５】
図２５は、そのEB露光装置３０の構成図である。露光を行うには、まず、このEB露光装置３０の電子光学系コラム３１内に石英基板２０を入れ、そのコラム３１内を所定の圧力に減圧する。その後、上記したデバイス用露光パターン２１の形状データD1と、モニター用露光パターン２２の形状データD2とを制御部３２に入力する。そして、これらの形状データD1、D2に基づいて、マスク３４によって断面形状が矩形に整形された電子線３３を偏向して、第１ポジ型電子線レジスト２７を露光する。
【００７６】
そして、露光後の第１ポジ型電子線レジスト２７を現像することにより、図２０（ａ）に示すように、第１〜第４窓２７ａ〜２７ｄを備えた第１レジストパターン２７ｅを得る。
【００７７】
続いて、図２０（ｂ）に示すように、塩素系のガスをエッチングガスとして使用するプラズマエッチングにより、第１レジストパターン２７ｅをマスクにして遮光層２６をエッチングし、第１〜第４窓２７ａ〜２７ｄの下の遮光層２６に第１〜第４開口２６ａ〜２６ｄを形成する。そのプラズマエッチングでは、プラズマによって第１レジストパターン２７ｅの上面が削れ、第１レジストパターン２７ｅが図示のように膜減りする。
【００７８】
その後に、図２１（ａ）に示すように、酸素アッシングにより第１レジストパターン２７ｅを除去し、異物除去のためのウエット洗浄を行う。
【００７９】
次いで、図２１（ｂ）に示すように、第１〜第４開口２６ａ〜２６ｄが形成された遮光層２６をエッチングマスクにし、フッ素系のガスをエッチングガスとして使用するプラズマエッチングにより位相シフト層２５をパターニングする。
【００８０】
続いて、図２２（ａ）に示すように、スピンコート法により全面に第２ポジ型電子線レジスト２８を約４００nmの厚さに形成する。
【００８１】
次に、図２２（ｂ）に示すように、EB露光装置を用いて第２ポジ型電子線レジスト２８を露光後、それを現像することにより、チップ領域に相当する大きな第５窓２８ａを備えた第２レジストパターン２８ｂを形成する。
【００８２】
次いで、図２３（ａ）に示すように、塩素系のガスをエッチングガスとして使用するプラズマエッチングにより、第２レジストパターン２８ｂの第５窓２８ａから露出している部分の遮光層２６を選択的に除去する。そして、第５窓２８ａの下でエッチングされずに残存している位相シフト層２５を、半透明性のデバイス用露光パターン２１、モニター用露光パターン２２、実パターン２３、及びL/Sパターン２４とする。
【００８３】
その後、酸素アッシングによって第２レジストパターン２８ｂを除去して、図２３（ｂ）に示すような露光用マスク２９の基本構造を完成させる。
【００８４】
その露光用マスク２９は、半透明性の各露光パターン２１〜２４が位相シフターとして機能し、それらを通った露光光の位相が石英基板２０を通る露光光に対して１８０°ずれるハーフトーン位相シフトマスクである。
【００８５】
また、この露光用マスク２９の周縁には遮光層２６が幅広に残存しており、それによりウエハ（不図示）に対して露光を行う際の漏れ光がチップ領域に侵入するのが防がれる。
【００８６】
以上によりステップＳ４を終え、次にステップＳ５に移る。
【００８７】
そのステップＳ５では、ステップＳ４で作製されたデバイス用露光パターン２１の線幅（寸法）を間接的に保証するために、モニター用露光パターン２２の線幅を寸法測定器で測定する。その寸法測定器として、本実施形態では、図３に示したようなモニター５を備えたCD-SEMを使用する。
【００８８】
図２４は、モニター用露光パターン２２の線幅を測定する際のモニター５の平面図である。
【００８９】
モニター用露光パターン２２は、デバイス用露光パターン２１と比較して隣接する角２２ａ間の辺の長さLと角２２ａの立ち上がり量とが拡大される形状データD2を用いて作製された。従って、モニター５にはその角２２ａが明瞭に現れ、オペレータは角２２ａの位置を明確に認識することができる。これにより、オペレータは、角２２ａに掛からないようにマウスをドラックしてスリット６を画定することができる。更に、角２２ａ間の辺の長さLも拡大されているので、そのスリット６を角２２ａから十分に離すことができ、角２２ａの近くのパターンなまりを拾わずにパターン２２の線幅を測定することができる。これらによって、オペレータの個人差を排除しながらモニター用露光パターン２２の線幅を測定するため、その測定結果の再現性を高めることが可能となる。
【００９０】
ここまで、ステップＳ５を終え、次にステップＳ６に移行する。
【００９１】
そのステップＳ６では、ステップＳ５で測定したモニター用露光パターン２１の線幅が、デバイス用露光パターン２２の設計線幅の許容範囲内に収まるか否かを判断することにより、デバイス用露光パターン２２の線幅をモニター用露光パターン２１の寸法で保証する。
そして、許容範囲内に収まる（ＹＥＳ）と判断される場合には、デバイス用露光パターン２２の線幅も許容範囲内に収まるものとし、上記で作製された露光用マスクを合格品とする。
【００９２】
一方、線幅が許容範囲に収まらない（ＮＯ）と判断された場合には、その露光用マスクを不合格とし、露光用マスクを作製しなおす。
【００９３】
以上により、本実施形態に係る露光用マスクの製造方法の主要ステップが終了したことになる。
【００９４】
上記した本実施形態によれば、デバイス用露光パターン２１よりも少なくとも角２２ａが大型化、該角２２ａの数が削減、又は該角２２ａ間の辺が延長されたモニター用露光パターン２２を作製し、そのモニター用露光パターン２２の線幅でデバイス用露光パターン２１の線幅を保証するようにした。
【００９５】
これによれば、図２４に示したように、モニター用露光パターン２２の線幅を測定する際のモニター５に、モニター用露光パターン２２の角２２ａが明確に現れるので、角２２ａの位置を確認しながら、角２２ａに掛からないようにスリット６を設定することができる。しかも、角２２ａ間の辺を延長することで、角２２ａから十分に離してスリット６を設定することができ、スリット６で確定される線幅測定領域に角２２ａの近傍のパターンなまりを取り込むのを防ぐことができる。これらにより、本実施形態では、モニター用露光パターン２２の線幅の測定値の再現性を向上させることができ、ひいてはデバイス用露光パターン２１の線幅の保証精度を高めることが可能となる。
【００９６】
次の表２は、線幅測定の再現性について調査結果をまとめたものである。
【００９７】
【表２】
2006145687.tif 000004
この調査では、モニター用露光パターン２２と実パターン２３について、図１４に示した３点の測定ポイントA、B、Cを９箇所のモニター領域IIのそれぞれについて測定し、それにより得られた２７個（＝３点×９箇所）の測定値の平均とばらつき（最大値−最小値）を算出した。一方、L/Sパターン２４については、９箇所のモニター領域IIのそれぞれで一点のみの線幅を測定し、それにより得られた９個（＝１点×９箇所）の測定値の平均とばらつきを算出した。
【００９８】
表２に示されるように、L/Sパターン２４と実パターン２３とでは、パターン密度の相違によるエッチング特性の違い等によって、線幅の平均値が約４．５nm程度乖離してしまう。
【００９９】
一方、モニター用露光パターン２２と実パターン２３とでは、線幅の平均値の乖離は０．２nm程度であり、良好な結果となっている。
【０１００】
また、ばらつきに関しては、実パターン２３が突出して悪く再現性に乏しいことが理解される。
【０１０１】
これに対し、モニター用露光パターン２２の線幅のばらつきは、実パターン２３と比較して大幅に減少しており、線幅測定の再現性が向上することが理解される。
【０１０２】
同様に、OPC処理を施していないL/Sパターン２４も、実パターン２３と比較してばらつきが減少している。
【０１０３】
この調査結果により、本実施形態によって線幅の再現性が実際に向上するのが確かめられた。
【０１０４】
次の表３は、図７に示したデバイス用露光パターン２１とモニター用露光パターン２２の線幅をCD-SEMで測定して得られた表である。
【０１０５】
【表３】
2006145687.tif 000005
表３の調査では、図７に示されるように、各パターン２１、２２の三つの線幅測定ポイントA、B、Cのそれぞれにおいて全部で２５回の線幅測定を行い、平均値と測定再現性（３σ）とを求めた。なお、表３において単位Wで示されている数値は、各測定ポイントA、B、Cにおける線幅を示す。
【０１０６】
表３に示されるように、デバイス用露光パターン２１の線幅を測定したのでは、測定再現性が２．２〜４．８程度となる。
【０１０７】
これに対し、本実施形態のようにモニター用露光パターン２２を測定すると測定再現性が１．１〜１．２程度となり、デバイス用露光パターン２１の線幅を測定する場合よりも測定再現性が向上するのが明らかとなった。
【０１０８】
（３）第２実施形態
第１実施形態では、図１１に示したようにステップＳ１〜Ｓ６が行われたが、本実施形態ではそのうちのステップＳ４のみが第１実施形態と異なり、それ以外のステップは第１実施形態と同じである。従って、以下ではステップＳ４のみを説明し、それ以外のステップの説明を省略する。
【０１０９】
ステップＳ４は、各露光パターンを石英基板の上に実際に作製して露光用マスクを製造する工程であり、その露光用マスクとして第１実施形態ではハーフトーン位相シフトマスクを製造した。
【０１１０】
これに対し、本実施形態では掘り込み型のレベンソンマスクを形成する。
【０１１１】
図２６、図２７は、本発明の第２実施形態に係る露光用マスクの製造方法について説明するための断面図である。これらの図において、第１実施形態で説明した要素には第１実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【０１１２】
最初に、図２６（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１１３】
まず、石英基板２０の上にスパッタ法により遮光性のクロム層を形成した後、そのクロム層をパターニングして、遮光性のデバイス用露光パターン２１、モニター用露光パターン２２、実パターン２３、及びL/Sパターン２４とする。その後、石英基板２０上と各露光パターン２１〜２４上にスピンコート法によりポジ型電子線レジストを約４００nmの厚さに形成し、それを露光、現像する。これにより、図２６（ａ）に示すように、各露光パターン２１〜２４の横の石英基板２０が露出する第１〜第４窓４０ａ〜４０ｄを備えた第３レジストパターン４０が形成されたことになる。
【０１１４】
次いで、図２６（ｂ）に示すように、CF4ガスをエッチングガスとするRIE(Reactive Ion Etching)により、第１〜第４窓４０ａ〜４０ｄを通じて石英基板２０をドライエッチングして、深さ約７０nmのシフター用の第１〜第４凹部２０ａ〜２０ｄを石英基板２０に形成する。このようなエッチングの条件としては、例えば、CF4ガスの流量１００sccm、高周波電力のパワー２００W、圧力６Pa、及びエッチング時間２４０秒が採用される。
【０１１５】
続いて、図２７（ａ）に示すように、エッチング液として緩衝フッ酸を用い、第１〜４窓４０ａ〜４０ｄを通じて石英基板２０を等方的にウエットエッチングすることにより、第１〜第４凹部２０ａ〜２０ｄの幅と深さをそれぞれ約１００nmだけ拡張し、各凹部２０ａ〜２０ｄの深さを約１７０nmとする。
【０１１６】
その後に、図２７（ｂ）に示すように、酸素プラズマによるアッシングとウエット処理により、レジストパターン４０を除去し、本実施形態に係る露光用マスク５１の基本構造を完成させる。
【０１１７】
その露光用マスク５１は、第１〜第４凹部２０ａ〜２０ｄにより厚さが薄くなった部分の石英基板２０がシフター部となる。そして、そのシフター部を通った露光光と、凹部２０ａ〜２０ｄが形成されずに厚さが薄くされていない石英基板２０を通った露光光との位相差が丁度１８０°となり、それにより回折限界以上の解像度で露光パターンがウエハ（不図示）の上に投影される。
【０１１８】
この後は、第１実施形態で説明したステップＳ５、Ｓ６に移行し、CD-SEMによるモニター用露光パターン２２の線幅の実測値でデバイス用露光パターン２１の線幅を保証する。
【０１１９】
これによれば、第１実施形態で説明したように、ステップＳ２において、デバイス用露光パターン２１の形状データD1と比較して角の立ち上がり量又は角間の辺長が拡大されるようなモニター用露光パターン２２の形状データD2を得た。従って、ステップＳ５においてCD-SEMでモニター用露光パターン２２の線幅を測定する際、オペレータがモニター上でそのモニター用露光パターン２２の角２２ａを確認し易くなったり、該角２２ａから十分に離してスリットを設定したりできるので、角２２ａの近くのパターンなまりを拾わないで線幅測定を行うことができる。その結果、線幅測定の再現性が良くなり、高い精度でデバイス用露光パターン２１の線幅を保証できるようになる。
【０１２０】
（４）第３実施形態
第２実施形態では、図１１のステップＳ４において掘り込み型のレベンソンマスクを製造したが、本実施形態では、位相シフトを利用しない通常の露光用マスク（バイナリーマスク）を製造する。
【０１２１】
図２８〜図３０は、本発明の第３実施形態に係る露光用マスクの製造方法について説明するための断面図である。
【０１２２】
最初に、図２８（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１２３】
まず、石英基板２０の上に、スパッタ法によりクロム層と酸化クロム層とをこの順に厚さ約１００nmに形成し、それらを遮光層２６とする
次に、図２８（ｂ）に示すように、スピンコート法により遮光層２６の上に第３ポジ型電子線レジスト５０を約４００nmの厚さに形成する。
【０１２４】
続いて、図２９（ａ）に示すように、第１実施形態の図２０（ａ）で説明したのと同様の方法を採用して、EB露光装置により第３ポジ型電子線レジスト５０を露光した後それを現像し、第１〜第４窓５０ａ〜５０ｄを備えた第４レジストパターン５０ｅを形成する。
【０１２５】
次いで、図２９（ｂ）に示すように、塩素系のガスをエッチングガスとして使用するプラズマエッチングにより、第４レジストパターン５０ｅをマスクにして遮光層２６をパターニングした後、エッチングされずに残存する遮光層２６を、露光光を透過しないデバイス用露光パターン２１、モニター用露光パターン２２、実パターン２３、及びL/Sパターン２４とする。
【０１２６】
続いて、図３０に示すように、酸素アッシングにより第４レジストパターン５０ｅを除去した後、異物除去のためのウエット洗浄を行い、本実施形態に係る露光用マスク５２の基本構造を完成させる。
【０１２７】
この後は、第１実施形態で説明したステップＳ５、Ｓ６に移行し、CD-SEMによるモニター用露光パターン２２の線幅の実測値でデバイス用露光パターン２１の線幅を保証する。
【０１２８】
これによれば、第１、第２実施形態で説明したのと同じ理由により、ステップＳ５において、オペレータがモニター上でモニター用露光パターン２２の角２２ａを確認し易くなったり、該角２２ａから十分に離してスリットを設定したりできるので、角２２ａの近くのパターンなまりを拾わないで線幅測定を行うことができる。これにより、線幅測定の再現性が良くなり、高い精度でデバイス用露光パターン２１の線幅を保証できるようになる。
【０１２９】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【０１３０】
（付記１）  透明基板と、
前記透明基板のデバイス領域に形成され、光近接効果補正によって形成された角が少なくとも一辺に形成されたデバイス用露光パターンと、
前記透明基板のモニター領域に形成され、前記デバイス用露光パターンと比較して前記角の立ち上がり量が増大、又は該角の数が削減、或いは該角の間の辺が延長されたモニター用露光パターンと、
を有することを特徴とする露光用マスク。
【０１３１】
（付記２）  前記デバイス用露光パターン及び前記モニター用露光パターンは、半透明の位相シフターであることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１３２】
（付記３）  前記デバイス用露光パターン及び前記モニター用露光パターンは、モリブデンシリサイド化合物又はクロム化合物で構成される単層構造又は多層構造を有することを特徴とする付記２に記載の露光用マスク。
【０１３３】
（付記４）  前記デバイス用露光パターン及び前記モニター用露光パターンは、露光光を透過しない遮光パターンであることを特徴とする付記１に記載の露光用マスク。
【０１３４】
（付記５）  前記前記デバイス用露光パターン及び前記モニター用露光パターンは、クロムで構成されたことを特徴とする付記４に記載の露光用マスク。
【０１３５】
（付記６）  前記デバイス用露光パターンの横の前記透明基板に位相シフト用の第１凹部が形成されると共に、前記モニター用露光パターンの横の前記透明基板に位相シフト用の第２凹部が形成されたことを特徴とする付記４に記載の露光用マスク。
【０１３６】
（付記７）  デバイスパターンの形状データに対して光近接効果補正を施すことにより、少なくとも一辺に角が形成されたデバイス用露光パターンの形状データを得るステップと、
前記デバイス用露光パターンと比較して前記角の立ち上がり量が増大、又は該角の数が削減、或いは該角の間の辺が延長されたモニター用露光パターンの露光データを得るステップと、
前記デバイス用露光パターンと前記モニター用露光パターンのそれぞれの前記形状データを用いるリソグラフィにより、透明基板上の膜をパターニングして前記デバイス用露光パターンと前記モニター用露光パターンとを形成するステップと、
寸法測定器を用いて前記モニター用露光パターンの寸法を測定するステップと、
前記測定されたモニター用露光パターンの寸法が、前記デバイス用露光パターンの設計寸法の許容範囲内に収まるか否かを判断することにより、前記デバイス用露光パターンの寸法を前記モニター用露光パターンの寸法で保証するステップと、
を有することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
【０１３７】
（付記８）  前記モニター用露光パターンを形成する前に、光強度シミュレーションを用いることにより、前記モニター用露光パターンの投影像から作製されるレジストパターンの形状を観察し、製造途中に剥離し得るパターンが前記レジストパターンに形成されるかを確認するステップを行うことを特徴とする付記７に記載の露光用マスクの製造方法。
【０１３８】
（付記９）  前記デバイス用露光パターンの形状データを得るステップは、第１の補正条件を用いる光近接効果補正を前記デバイスパターンの形状データに施すことにより行われ、
前記モニター用露光パターンの形状データを得るステップは、前記第１の補正条件よりも補正精度が粗い第２の補正条件を用いる光近接効果補正を前記デバイスパターンの形状データに施すことにより行われることを特徴とする付記７に記載の露光用マスクの製造方法。
【０１３９】
（付記１０）  前記第１及び第２の補正条件として、寸法補正の最小単位となるグリッド値、又は光近接効果の評価点同士の間隔を採用することを特徴とする付記９に記載の露光用マスクの製造方法。
【０１４０】
（付記１１）  前記モニター用露光パターンの形状データを得るステップにおいて、前記第２の補正条件を複数採用することにより前記モニター用露光パターンの形状データを複数得て、
前記複数の形状データの中から、前記モニター用露光パターンの前記角の間の辺が予め定めておいた最小値よりも長く延長された形状データを抽出するステップを行い、
前記抽出された形状データを用いて前記モニター用露光パターンを形成することを特徴とする付記９に記載の露光用マスクの製造方法。
【０１４１】
（付記１２）  前記角の間の辺の長さの最小値として、前記寸法測定器における測定領域の最小長さと、該測定領域の位置合わせ誤差の二倍と、モニター用露光パターンの角のなまり量の二倍との和を採用することを特徴とする付記１１に記載の露光用マスクの製造方法。
【０１４２】
（付記１３）  前記モニター用露光パターンの寸法を測定するステップにおいて、前記寸法測定器としてSEM(Scanning Electron Microscope)を採用することを特徴とする付記７に記載の露光用マスクの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４３】
【図１】図１は、ウエハ上に形成される一般的なデバイスパターンの原図である。
【図２】図２は、図１のデバイスパターンを投影するのに使用される露光用マスクの拡大平面図である。
【図３】図３は、一般的なCD-SEMに付属するモニターの平面図である。
【図４】図４は、図３のモニターに表示されるデバイス用露光パターンの拡大平面図である。
【図５】図５は、デバイス用露光パターンの線幅の測定精度を高めるための仮想的な露光用マスクの平面図である。
【図６】図６は、本発明の第１実施形態におけるデバイスパターンの拡大平面図である。
【図７】図７は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの全体平面図である。
【図８】図８は、本発明の第１実施形態で用いるOPC処理について説明するための図である。
【図９】図９は、本発明の第１実施形態で用いるOPC処理のグリッド値について説明するための図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施形態で用いるOPC処理の評価点の間隔について説明するための図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造方法について示すフローチャートである。
【図１２】図１２は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造方法のステップＳ１について説明するための模式図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１実施形態に係る露光用マスクの製造方法のサブステップＰ１について説明するための模式図である。
【図１４】図１４は、本発明の第１実施形態において、複数得られたモニター用露光パターンの形状データを可視化した図である。
【図１５】図１５は、モニター用露光パターンの角の間の距離の最小値について説明するための平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第１実施形態において、モニター用露光パターンの複数の形状データのそれぞれにおける矩形Eのサイズを算出して得られた表である。
【図１７】図１７は、本発明の第１実施形態において、モニター用露光パターンを投影して得られた異常な像の平面図である。
【図１８】図１８は、本発明の第１実施形態における光強度シミュレーションの結果を示す図である。
【図１９】図１９（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その１）である。
【図２０】図２０（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その２）である。
【図２１】図２１（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その３）である。
【図２２】図２２（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その４）である。
【図２３】図２３（ａ）、（ｂ）は、本発明の第１実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その５）である。
【図２４】図２４は、本発明の第１実施形態において、モニター用露光パターンの線幅を測定する際のモニターの平面図である。
【図２５】図２５は、本発明の第１実施形態で使用されるEB露光装置の構成図である。
【図２６】図２６（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その１）である。
【図２７】図２７（ａ）、（ｂ）は、本発明の第２実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その２）である。
【図２８】図２８（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その１）である。
【図２９】図２９（ａ）、（ｂ）は、本発明の第３実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その２）である。
【図３０】図３０は、本発明の第３実施形態において、デバイス用露光パターンとモニター用露光パターンの作製方法を工程順に示す断面図（その３）である。
【符号の説明】
【０１４４】
１、１１…デバイスパターン、２、２１…デバイス用露光パターン、２ａ、２１ａ、２２ａ…角、３、２０…石英基板、４、８、２９、５１、５２…露光用マスク、５…モニター、６…スリット、７、２３…実パターン、９、２２…モニター用露光パターン、１０、W…シリコン基板、２４…ライン・アンド・スペースパターン、２５…位相シフター層、２６…遮光層、２６ａ〜２６ｄ…第１〜第４開口、２７…第１ポジ型電子線レジスト、２７ａ〜２７ｄ…第１〜第４窓、２８…第２ポジ型電子線レジスト、２８ａ…第５窓、２９、５１…露光用マスク、３０…EB露光装置、３１…電子光学系コラム、３２…制御部、３３…電子線、３４…マスク、４０…第３レジストパターン、４０ａ〜４０ｄ…第１〜第４窓、２０ａ〜２０ｄ…第１〜第２凹部、５０…第３ポジ型電子線レジスト、５０ａ〜５０ｄ…第１〜第４窓。
【図１】
2006145687.tif 000006
【図２】
2006145687.tif 000007
【図３】
2006145687.tif 000008
【図４】
2006145687.tif 000009
【図５】
2006145687.tif 000010
【図６】
2006145687.tif 000011
【図７】
2006145687.tif 000012
【図８】
2006145687.tif 000013
【図９】
2006145687.tif 000014
【図１０】
2006145687.tif 000015
【図１１】
2006145687.tif 000016
【図１２】
2006145687.tif 000017
【図１３】
2006145687.tif 000018
【図１４】
2006145687.tif 000019
【図１５】
2006145687.tif 000020
【図１６】
2006145687.tif 000021
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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