(57)【要約】【課題】従来の方法では、デバイスのサイズがチップのサイズよりもさらに大きくなるという問題があった。【解決手段】圧電基板１１上に櫛型電極１２を設ける電極形成工程と、バンプを介して圧電基板１１と配線基板集合体１５とを接続する接合工程と、圧電基板１１のみを切断する第１のダイシング工程と、第１のダイシング工程でできた空隙をゲル状硬化性シート１６で埋めて硬化する封止工程と、配線基板集合体１５およびその上のゲル状硬化性シートが硬化した封止材１７を切断して個々のデバイスに分離する第２のダイシング工程と、を備えた製造方法で、工程の簡略化と製品の小型化を図ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板上に櫛型電極と少なくとも前記櫛型電極上に保護膜を設ける電極形成工程と、バンプを介して前記圧電基板と配線基板集合体とを電気的および機械的に接続する接合工程と、前記圧電基板のみを切断する第１のダイシング工程と、少なくとも前記第１のダイシング工程でできた空隙をゲル状硬化性シートで埋めて硬化する封止工程と、前記配線基板集合体およびその上のゲル状硬化性シートが硬化した封止材を切断して個々のデバイスに分離する第２のダイシング工程と、を備えた弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項２】
配線基板集合体は、ガラス基板にスルーホールおよび電極を設けたものである請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項３】
第１のダイシング工程の切断幅よりも、第２のダイシング工程の切断幅を狭くした請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項４】
封止工程において、減圧した状態で、切断した圧電基板側にゲル状硬化性シートをかぶせ、圧力を加えることにより、電気的特性に影響を及ぼさない範囲で、切断された圧電基板の端部より内側にまでゲル状硬化性シートによる封止材が入るようにした請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
圧電基板には円形のウェハを用い、配線基板集合体には前記圧電基板の直径と同程度以上のサイズを有する角型の基板を用いた請求項１記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に携帯電話等に用いられる、弾性表面波デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、弾性表面波デバイスは、各種移動体通信端末機器等の電子機器に多く使用されているが、機器の小型化に対応して、弾性表面波デバイスの更なる小型化への要望が強くなってきている。これに対して、配線基板集合体に弾性表面波チップを１個ずつフリップチップ実装し、樹脂で封止した後、切断して個々の弾性表面波デバイスを得ることが提案されているが、この場合１個ずつフリップチップ実装するのに時間がかかることや、フリップチップ実装するために弾性表面波チップと弾性表面波チップの間を一定以上とる必要があるため、弾性表面波チップの大きさよりも大きくなるという問題があった。
【０００３】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００３−１７９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、工程を簡略化し、さらに小型化した弾性表面波デバイスを得ることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記目的を達成するために本発明は、圧電基板上に櫛型電極と少なくとも櫛型電極上に保護膜を設ける電極形成工程と、バンプを介して圧電基板と配線基板集合体とを電気的および機械的に接続する接合工程と、圧電基板のみを切断する第１のダイシング工程と、少なくとも第１のダイシング工程でできた空隙をゲル状硬化性シートで埋めて硬化する封止工程と、配線基板集合体およびその上のゲル状硬化性シートが硬化した封止材を切断して個々のデバイスに分離する第２のダイシング工程と、を備えたものである。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、弾性表面波チップを１個ずつ実装する必要がないため工程が簡略化され、また弾性表面波チップとほぼ同じ底面積の弾性表面波デバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１を用いて、本発明について説明する。
【０００８】
図１は、本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの製造方法を説明する図である。
【０００９】
まずφ４インチのタンタル酸リチウムからなる圧電基板１１に櫛型電極１２を含む電極パターンを形成し、櫛型電極１２の上にＳｉＮからなる保護膜１３を形成する。一方、約１００ｍｍ角のガラス基板にレーザー等で穴あけ加工を行い、電極２２及びスルーホール２１を形成して配線基板集合体１５を得る。
【００１０】
次に図１（ａ）のように、配線基板集合体１５と圧電基板１１とを、ハンダからなるバンプ１４を介して、電気的接続および機械的接続を行う。ここでバンプ１４の径を約９０μｍとし、配線基板集合体１５と圧電基板１１とのギャップを約６０μｍとする。配線基板集合体１５をガラス基板を用いて、あとから電極２２等を形成しているため、フォトリソグラフィー技術を用いることにより、電極の位置精度を十分に確保することができる。この位置精度が許容範囲で形成できる場合は、配線基板集合体にセラミック基板等を用いてもかまわない。
【００１１】
通常タンタル酸リチウム等の圧電単結晶では、バルク波の反射による影響を低減するために裏面を粗らしているため、裏面から電極パターンを認識することができず、以下に行うダイシング工程での切断ラインを決定することが難しくなるが、四角の配線基板集合体に円形の圧電基板を接合しているため、圧電基板がない部分の配線基板集合体のパターンを認識することにより、切断ラインの決定が容易に行える。なお、配線基板集合体から圧電基板がはみ出していると、後の工程で圧電基板が割れやすくなるため、配線基板集合体には圧電基板の直径と同程度以上のサイズを有するものを用いるのが望ましい。なお、配線基板集合体の形状は角型でなくても、圧電基板よりも大きいサイズであれば、同様の効果を得ることができる。
【００１２】
次に図１（ｂ）のように、接合した基板の、圧電基板１１のみを刃厚約１００μｍのブレードで切断する（第１のダイシング工程）。ここでいう圧電基板１１のみとは、圧電基板１１は完全に切断して分離されるが、配線基板集合体１５の方は、分離されていないという状態であり、配線基板集合体１５に少しブレードがかかってもかまわない。圧電基板１１の切断面は、電極を形成している面までフラットになっているのが望ましい。但しあまり深くブレードが入ると後の工程で割れやすくなるため、配線基板集合体１５の厚さの２０％程度までにするのが望ましい。
【００１３】
そのあと、減圧した状態で、切断した圧電基板側をゲル状硬化性シート１６で覆い、約８０℃に加熱しながら、ローラ等で圧力を加えて、第１のダイシング工程でできた空隙を埋め、さらに約１５０℃に加熱することにより、硬化させて封止する。
【００１４】
このようにして図１（ｃ）のようになる。このとき、ゲル状硬化性シートが硬化した封止材１７は、切断された圧電基板の端部より内側に入るようにするのが望ましい。しかしながら、封止材１７が櫛型電極、あるいは反射電極等の機械的振動が生じる部分に達すると、弾性表面波をダンピングしてしまい、電気的特性が変動してしまうため、これらの機能部分には達しないようにする必要がある。
【００１５】
次に図１（ｄ）のように、第１のダイシング工程で切断した同じラインの配線基板集合体１５および封止材１７を、刃厚約５０μｍのブレードで切断して、個々の弾性表面波デバイスに分離する（第２のダイシング工程）。このように第２のダイシング工程で第１のダイシング工程よりも、刃厚の薄いブレードを用いることにより、切断幅を狭くし、圧電基板の切断面にも封止材を残すことができ、安定した封止状態が得られる。
【００１６】
以上のような封止では、完全な気密が得られるわけではないが、櫛型電極１２を保護膜１３で覆っているため、耐湿性は確保できている。そのため、封止材１７は、ハンダ付け時のフラックスが中に入らない程度の封止であっても実用上問題ない。
【産業上の利用可能性】
【００１７】
本発明は、弾性表面波デバイス製造工程の簡略化とさらなる小型化を実現するものであり、産業上有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１における弾性表面波デバイスの製造方法を説明する図
【符号の説明】
【００１９】
１１  圧電基板
１２  櫛型電極
１３  保護膜
１４  バンプ
１５  配線基板集合体
１６  ゲル状硬化性シート
１７  封止材
２１  スルーホール
２２  電極
【図１】
2006217225.tif 000003