(57)【要約】【課題】  異なる複数の色のインクを用い複数回の走査で画像を完成する分割記録に用いられるマスクであって、記録の途中におけるグレインの発生を抑制しビーディングによる画質劣化を軽減できるマスクを提供する。【解決手段】  斥力ポテンシャルの合計が計算される各記録許容画素の中で、例えば、記録許容画素Ｄｏが斥力ポテンシャルの合計が最も大きい場合、その移動前後の斥力ポテンシャルの変化を求め、移動前後で最も斥力ポテンシャルの合計が低くなる画素に記録許容画素Ｄｏを移動させる。このような処理を繰り返すことによって各プレーン全体の総エネルギーを下げることができ、各プレーンのマスクの重なりにおいて記録許容画素分布が、低周波数成分が少なく良好に分散された配置となる。【選択図】  図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、
前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を決定する決定工程を有し、
前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置で定まる低周波数成分が当該複数のマスクパターンで共に少なくなるように記録許容画素の配置を定める工程を含むことを特徴とするマスク製造方法。
【請求項２】
複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、
前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を定める決定工程を有し、
前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、当該変化工程では、前記記録許容画素の配置に依存する低周波数成分が少なくなるように前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させることを特徴とするマスク製造方法。
【請求項３】
複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、
前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を定める決定工程を有し、
前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を互いに関連付けた所定のルールに基づき、前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、
前記変化させた後の前記記録許容画素の配置は、前記変化させる前の前記記録許容画素の配置よりも低周波数成分が少ないことを特徴とするマスク製造方法。
【請求項４】
画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、
前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を第１配置状態から第２配置状態へと変化させることで、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける配置を定める決定工程を有し、
前記第２配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第１配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少ないことを特徴とするマスク製造方法。
【請求項５】
画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、
前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を第１配置状態から第２配置状態へと変化させることで、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける配置を定める決定工程を有し、
前記第２配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第１配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少ないことを特徴とするマスク製造方法。
【請求項６】
前記複数のマスクパターンは、前記複数種類のドットと前記複数回の走査の組合せに対応した複数のマスクパターンであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のマスク製造方法。
【請求項７】
前記決定工程は、
前記複数のマスクパターンのそれぞれについて、当該パターンの記録率に応じた数の記録許容画素を初期パターンで配置する第１工程と、
前記複数のマスクパターンのそれぞれに配置された記録許容画素それぞれについて、その記録許容画素と、それが配置されたマスクパターンを含めた前記複数のマスクパターンに配置された他の記録許容画素との間で斥力ポテンシャルを計算し、その合計である総ポテンシャルエネルギーを求める第２工程と、
前記斥力ポテンシャルが計算されたそれぞれの記録許容画素を、より斥力ポテンシャルが下がる位置に移動させる第３工程と、
前記第２工程と前記第３工程を繰り返すことにより、前記総ポテンシャルエネルギーを低下させる第４工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のマスク製造方法。
【請求項８】
前記総ポテンシャルエネルギーが所定値以下となったときそれぞれのマスクパターンにおける記録許容画素の配置を最終の配置として定める第５工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のマスク製造方法。
【請求項９】
前記第３工程は、より斥力ポテンシャルが下がる位置が、その位置が属するラスターであってマスクパターンの前記走査の方向に対応して規定されるラスターについて定められた記録許容画素を配置できる数を超えるときは、他のラスターで次に斥力ポテンシャルが下がる位置に記録許容画素を移動させることを特徴とする請求項７または８に記載のマスク製造方法。
【請求項１０】
前記決定工程は、
前記複数のマスクパターンのそれぞれに対して１つの記録許容画素を配置する工程であって、その記録許容画素を配置するとしたときに、その位置の記録許容画素と、その記録許容画素のマスクパターンを含めた前記複数のマスクパターンに配置された他の記録許容画素との間で斥力ポテンシャルを計算する第１工程と、
前記斥力ポテンシャルが計算されたそれぞれの記録許容画素について、当該記録許容画素を斥力ポテンシャルが最小となる位置に配置する第２工程と、
前記第１工程と前記第２工程を繰り返し、前記複数のマスクパターンのそれぞれについて、当該パターンの記録率に応じた数の記録許容画素を配置する第３工程と、
を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のマスク製造方法。
【請求項１１】
前記第２工程は、斥力ポテンシャルが最小となる位置が、その位置が属するラスターであってマスクパターンの前記走査の方向に対応して規定されるラスターについて定められた記録許容画素を配置できる数を超えるときは、他のラスターで次に斥力ポテンシャルが小さい位置に記録許容画素を配置することを特徴とする請求項１０に記載のマスク製造方法。
【請求項１２】
前記複数種類のドットは、ドットの色およびサイズの少なくとも一方が異なることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか記載のマスク製法方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載のマスク製造方法により製造されたマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットを前記複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成する工程を有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれかに記載のマスク製造方法により製造されたマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットを前記複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成する手段を有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項１５】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１６】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１７】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１８】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１９】
前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項２０】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２１】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２２】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２３】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２４】
前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ前記低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項２０乃至２３のいずれかに記載のデータ処理方法
【請求項２５】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、且つ
前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２６】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、
前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２７】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有し、且つ前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２８】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、
前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なく、且つ前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なくなるように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２９】
前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ前記低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有し、且つ
前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ前記低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項２５乃至２８ずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項３０】
前記所定の１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンは同じ走査で使用されることを特徴とする請求項１５乃至２９のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項３１】
前記第１の種類のドットは所定色の色材を含有するインクのドットであり、前記第２の種類のドットは前記色材と化学的に反応する成分を含有する液体のドットであることを特徴とする請求項１５乃至３０のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項３２】
前記複数の第１マスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配列は、非周期で且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有し、且つ
前記複数の第２マスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配列は、非周期で且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項１５乃至３１のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項３３】
前記複数の第１マスクパターンそれぞれは、前記第１の種類のドットを記録する第１ノズル群のノズル配列方向に記録率の偏りを持つマスクパターンであり、
前記複数の第２マスクパターンそれぞれは、前記第２の種類のドットを記録する第２ノズル群のノズル配列方向に記録率の偏りを持つマスクパターンであることを特徴とする請求項１５乃至３２に記載のデータ処理方法。
【請求項３４】
前記複数の第１マスクパターンそれぞれは、前記走査の方向および当該走査の方向と直交する副走査の方向の少なくとも一方に隣接する複数の画素で構成されるグループを１単位として記録許容画素あるいは非記録許容画素が配列され、
前記複数の第２マスクパターンそれぞれは、前記走査の方向および当該走査の方向と直交する副走査の方向の少なくとも一方に隣接する複数の画素で構成されるグループを１単位として記録許容画素あるいは非記録許容画素が配列されることを特徴とする請求項１５乃至３３のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項３５】
前記記録媒体の所定領域に記録されるべき画像は、前記複数のノズル群が所定の順番で記録を行うことによって段階的に完成されるものであり、
前記所定領域に対する記録の順番が連続するＮ個（Ｎは２以上の整数）のノズル群に対応した前記Ｎ個のマスクパターンの論理積および論理和それぞれによって得られる記録画素の配列パターンそれぞれは非周期且つ低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有することを特徴とする請求項１５乃至２０のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項３６】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、
前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項３７】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、
前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないデータ処理方法。
【請求項３８】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、
前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、
前記所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項３９】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、
前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定のＮ（Ｎは２以上の整数）個のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項４０】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、
前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定のＮ個（Ｎは２以上の整数）のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項４１】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、
前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、
前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、
前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定のＮ個（Ｎは２以上の整数）のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、
前記所定のＮ個のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とするデータ処理方法。
【請求項４２】
前記記録媒体の所定領域に記録されるべき画像は、前記複数種類のマスクパターンを用いて生成された複数の間引き画像を所定の順番で記録することによって段階的に完成されるものであり、
前記所定のＮ個のマスクパターンは、前記所定領域に対する記録の順番が連続するＮ個（Ｎは２以上の整数）の間引き画像を生成するために用いられることを特徴とする請求項３９乃至４１のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項４３】
前記複数種類のドットは、ドットの色およびサイズの少なくとも一方が異なることを特徴とする請求項１５乃至４２のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項４４】
前記低周波数成分とは、周波数成分が存在する空間周波数領域のうち、半分より低周波側にある成分であることを特徴とする請求項１５乃至４３のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項４５】
前記同じ走査は前記所定領域に対して記録を行う１回目の走査であることを特徴とする請求項３０、３６、３７、３８のいずれかに記載のデータ処理方法。
【請求項４６】
請求項１５乃至４５のいずれかに記載のデータ処理方法を実行する画像処理部を備えたことを特徴とするデータ処理装置。
【請求項４７】
前記データ処理装置は、前記複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行う記録装置であることを特徴とする請求項４６に記載のデータ処理装置。
【請求項４８】
前記データ処理装置は、前記複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行う記録装置に接続されるホスト装置であることを特徴とする請求項４６に記載のデータ処理装置。
【請求項４９】
複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられる複数のマスクパターンにおいて、
前記複数のマスクパターンは、それらの２つ以上を重ねた場合に、当該記録許容画素のパターンが、前記２つ以上のマスクパターンについて重ね位置をずらした場合の記録許容画素のパターンより、低周波数成分が少ないものであることを特徴とするマスクパターン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ処理方法、データ処理装置、マスク製造方法およびマスクパターンに関し、詳しくは、記録画像を構成するインクドットを複数回の記録ヘッドの走査で分割して形成する際の当該ドット記録データ生成のためのマスク処理ないしマスクパターンに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットプリンタでは、いわゆるマルチパス記録方式が広く採用されている。マルチパス記録方式は、画像の任意の領域を見たときにその領域の画像を構成するインクドットを記録ヘッドの複数回の走査で分割して形成する方式である。この方式によれば、インクを吐出するノズル（ないし吐出口）ごとのインク吐出方向など吐出性能のばらつきや記録用紙の搬送誤差などに起因した濃度ムラなどを複数回の走査に分散することができる。これにより、濃度ムラが目立たない高品位の画像を記録することが可能となる。
【０００３】
ところで、記録画像を構成する複数のインクドットを複数回の走査に分割して形成するためのドット記録データの生成は、一般にはマスクパターン（単に、「マスク」ともいう）を用いたマスク処理にて行う。マスクパターンは、後述する図５に示されるように、記録を許容する画素（以下、「記録許容画素」とも言う）と記録を許容しない画素（以下、「非記録許容画素」とも言う）とを配列したものである。記録許容画素は図５の黒で示される部分に相当し、非記録許容画素は白で示される部分に相当する。そして、このマスクパターンにおける記録許容画素の配置を工夫することによって、複数回のそれぞれの走査で記録するドット数を調整したり、上記濃度ムラを解消したりするなど様々な目的に応じた形態をとることができる。
【０００４】
例えば、以下のような２種類のマスクパターンが画質上の問題に有効である。
【０００５】
典型的なマスクパターンとして、ベイヤー型のパターンをベースにしたマスクパターンがある。しかしながら、このようなパターンは規則的であるため、画像データと干渉が起こりやすく、画質上の問題が起こる場合がある。
【０００６】
そこで、特許文献２では、マスクパターンにおける記録許容画素の配置にランダム性をもたせ、このようなランダム性を有したマスクパターン（以下、ランダムマスクともいう）を用いることで画像データとの干渉が起こりにくくしている。これにより上記問題が向上する。
【０００７】
一方、特許文献１では、マスクパターンにおける記録許容画素の配置を分散性に優れたものとし、このような分散性の高いマスクパターンを用いて双方向記録時のドット形成位置のずれによる画像品位の低下を抑制することが記載されている。すなわち、同文献に記載のマスクにおける記録許容画素の配置は、斥力ポテンシャルの概念を用いて良好に分散させたものである。換言すれば、このマスクパターンは、それを用いて形成されるドット同士が近接して配置されることをできるだけ避けるように生成され、これにより、記録許容画素の配置を周波数成分で見たとき低周波数成分が少ないものとなる。そして、このマスクを用いることにより、双方向記録でドット形成位置のずれが生じ、そのずれによって記録画像にマスクパターン自体の模様（テクスチャー）が仮に顕在化しても、それが良好に分散していることにより視認し難くすることができる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−１４４５５２号公報
【特許文献２】特開平７−０５２３９０号公報
【特許文献３】特開２００２−９６４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、近年のインクジェット記録システムでは、その高速化、高密度化、また、インクの種類の多様化に伴い、単位時間当たりに付与されるインク量や記録媒体の単位面積あたりに付与されるインクの量が増大する傾向にある。このため、これまで以上に重要な課題としてビーディング問題があげられる。ビーディングは、記録媒体で吸収しきれないインクが媒体上で接触して連なり、それが記録画像においてムラなどの原因となるものである。
【００１０】
ビーディングを低減させるには、短い時間内に付与されるインクを極力異なる位置に配置することが重要である。このために、各色インク毎に、極力異なるマスクパターンを用いるのが有効である。こうすることで、異なる色のインク同士が同じ場所に打ち込まれる確率を下げることができる。
【００１１】
しかしながら、マスクパターンを色毎に異ならせるだけでは、ビーディングの低減は十分ではない。
【００１２】
図８６（ａ）〜（ｃ）はこの問題を説明する図である。同図は、マルチパス記録におけるある走査でシアン、マゼンタ、イエローの順でそれぞれのインクが記録媒体に打ち込まれて行く過程を示している。図８６（ａ）に示すように、未だ何も打ち込まれていない記録媒体に先ずシアンインクが吐出される。このとき、それぞれのシアンインクが打ち込まれる位置は用いているマスクの記録許容画素の配置に従うことはもちろんである。そして、このインクが記録媒体に完全に吸収される前は、記録媒体上に上記マスクに従った配置でシアンインク滴１０Ｃが存在する。次に、図８６（ｂ）に示すように、マゼンタインクが、同様に対応するマスクに従った位置に吐出され、同様に吸収前にはインク滴１０Ｍを形成する。ここで、シアンインクとマゼンタインクについてそれぞれ用いるマスクの記録許容画素配置の関係によっては、シアンインク滴１０Ｃとマゼンタインク滴１０Ｍとが接して連結したインク滴１０Ｂ（図中、×印を付したもの）を形成することがある。さらに、図８６（ｃ）に示すように、イエローインクが、同様に、対応するマスクに従った位置に吐出され吸収前にはインク滴１０Ｙを形成する。この場合も、それぞれのインクについて用いるマスクの記録許容画素配置の関係によって、連結したインク滴１０Ｂ（図中、×印を付したもの）を形成する。さらに走査が重ねられて、画素に対するインク滴の比率が高くとなると、同じ画素にインク滴が重ねて吐出されることもあり、同様の連結したインク滴を形成する。
【００１３】
このように、順次吐出されるインク滴が隣接ないし近接する画素あるいは同じ画素に付与される場合には、互いが接触して相互の表面張力によって引き合い、２つ分あるいは３つ分の（あるいはそれ以上の）インク滴が合体した大きな滴１０Ｂ（グレイン）を形成する。一度このようなグレインが形成されると、次に隣接ないし近接した位置に付与されたインク滴はそのグレインに引き寄せられ易くなる。すなわち、最初に発生したグレインが核となって徐々に成長し、やがて大きなグレインを生成する。そして、特に一様な画像領域では、このようなグレインが記録媒体に定着したものが不規則に散らばった状態で散在し、ビーディングとして視認されることとなる。
【００１４】
また、マスクパターンは、一般にそのパターンを２次元方向に繰り返して用いる。このため、上述したグレインの分布は、マスクパターンの繰り返し周期の模様として人間の目に知覚されやすくなってしまう。
【００１５】
これらの問題は、特許文献１、２に記載のマスクパターンでは解消できない。なぜなら、これら特許文献１，２では、異なる色のマスクパターン間で分散を考慮して設計をしていないからである。
【００１６】
異なる色間でこのような関連性を持たせたマスク設計を行っていない特許文献１、２のマスクでは、異なる色同士のマスクを重ねたときの記録許容画素の配置はその分散が悪く、分割記録の途中の画像（中間画像）におけるドットの隣接やさらにはドットの重なりを避けることができない。
【００１７】
本発明は、上述した問題点を解消するためになされたものであり、その目的とするところは、分割記録の途中におけるグレインが原因で生じるビーディングによる画質劣化を軽減できるデータ処理方法、データ処理装置、マスク製造方法およびマスクパターンを提供することにある。
【００１８】
なお、上記グレインは、インク同士の表面張力によってのみ生じるものではない。例えば、インクとこれを凝集あるいは不溶化させる処理液など、互いに反応し合う液体が同じ走査で付与される場合、接触した各液滴は、より強固な化学反応によって結合され、これがグレインを形成する場合もある。また、同色のインクが同じ走査で付与される場合も、これらの間でグレインが発生する。従って、本発明の別の目的は、このようなグレインが原因で生じる問題点も解決するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するための本発明は、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を決定する決定工程を有し、前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置で定まる低周波数成分が当該複数のマスクパターンで共に少なくなるように記録許容画素の配置を定める工程を含むことを特徴とする。
【００２０】
他の形態では、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を定める決定工程を有し、前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、当該変化工程では、前記記録許容画素の配置に依存する低周波数成分が少なくなるように前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させることを特徴とする。
【００２１】
さらに他の形態では、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を定める決定工程を有し、前記決定工程は、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を互いに関連付けた所定のルールに基づき、前記複数のマスクパターンにおける記録許容画素の配置を変化させる工程を含み、前記変化させた後の前記記録許容画素の配置は、前記変化させる前の前記記録許容画素の配置よりも低周波数成分が少ないことを特徴とする。
【００２２】
さらに他の形態では、画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を第１配置状態から第２配置状態へと変化させることで、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける配置を定める決定工程を有し、前記第２配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第１配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少ないことを特徴とする。
【００２３】
さらに他の形態では、画像を構成する複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられるマスクパターンの製造方法において、前記複数種類のドットに対応した複数のマスクパターンそれぞれにおける記録許容画素の配置を第１配置状態から第２配置状態へと変化させることで、前記複数のマスクパターンそれぞれにおける配置を定める決定工程を有し、前記第２配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンは、前記第１配置状態のときの前記複数のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配置パターンに比して、低周波数成分が少ないことを特徴とする。
【００２４】
また、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００２５】
他の形態では、では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００２６】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。
【００２７】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少ないことを特徴とする。
【００２８】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００２９】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００３０】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。
【００３１】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンは、非周期で且つ低周波数成分が少ないことを特徴とする。
【００３２】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、且つ前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンに対して前記所定の第２マスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００３３】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理積した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを正規の位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンを前記正規の位置とは異なる位置で論理和した場合に得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００３４】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有し、且つ前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも小さい特性を有するように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。
【００３５】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンのうち、少なくとも第１の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第１マスクパターンにおける記録許容画素の配列と第２の種類のドットを記録するための前記複数回の走査に対応した複数の第２マスクパターンにおける記録許容画素の配列は異なり、前記複数の第１マスクパターンのうちの所定の第１マスクパターンと前記複数の第２マスクパターンのうちの所定の第２マスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なく、且つ前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンが非周期で且つ低周波数成分が少なくなるように、前記所定の第１マスクパターンと前記所定の第２マスクパターンそれぞれの記録許容画素は互いに関連付けて配列されたものであることを特徴とする。
【００３６】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００３７】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００３８】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数回の走査のうち所定の同じ走査で使用される所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定の少なくとも２つのマスクパターンをずらして論理和することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００３９】
複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定のＮ（Ｎは２以上の整数）個のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００４０】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定のＮ個（Ｎは２以上の整数）のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００４１】
さらに他の形態では、複数種類のドットを記録する複数のノズル群を記録媒体の所定領域に対して複数回走査して記録を行うための、当該複数回の走査それぞれで用いる画像データを生成するデータ処理方法であって、前記複数種類のドットそれぞれに対応した複数種類のマスクパターンを用いて、前記複数種類のドットに対応した画像データを前記複数回の走査それぞれで用いる画像データに分割する工程を有し、前記複数種類のマスクパターンそれぞれは、前記複数回の走査に対応した複数のマスクパターンを有し、前記複数種類のマスクパターンを構成する複数のマスクパターンの内、所定のＮ個（Ｎは２以上の整数）のマスクパターンの論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少なく、前記所定のＮ個のマスクパターンの論理和によって得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分は、前記所定のＮ個のマスクパターンをずらして論理積することで得られる記録許容画素の配列パターンの低周波数成分よりも少ないことを特徴とする。
【００４２】
さらに、複数種類のドットを複数回の走査それぞれで記録するための画像データを生成するのに用いられる複数のマスクパターンにおいて、前記複数のマスクパターンは、それらの２つ以上を重ねた場合に、当該記録許容画素のパターンが、前記２つ以上のマスクパターンについて重ね位置をずらした場合の記録許容画素のパターンより、低周波数成分が少ないものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００４３】
本発明によれば、分割記録の途中におけるグレインが原因で生じるビーディングによる画質劣化を軽減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４４】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００４５】
本発明の実施形態は、マルチパス記録の各走査で用いる２値のドット記録データを生成するためのマスクの製造ないしそのマスクパターンに関するものである。本発明の具体的ないくつかの実施形態を説明する前に、マスクパターンを製造しあるいはマスクパターンを用いてドット記録データを生成するための構成について説明する。ここで、本明細書において「ドット記録データ」とは、ドットの記録を示すデータを意味する。
【００４６】
図１は、本発明の一実施形態に係るホスト機器として機能するパーソナルコンピュータ（以下、単にＰＣとも言う）の主にハードウェアおよびソフトウェアの構成を示すブロック図である。このホスト機器は、プリンタ１０４で記録する画像データを生成する。
【００４７】
図１において、ホストコンピュータであるＰＣ１００は、オペレーティングシステム（ＯＳ）１０２によって、アプリケーションソフトウェア１０１、プリンタドライバ１０３、モニタドライバ１０５の各ソフトウェアを動作させる。アプリケーションソフトウェア１０１は、ワープロ、表計算、インターネットブラウザなどに関する処理を行う。モニタドライバ１０５は、モニタ１０６に表示する画像データを作成するなどの処理を実行する。
【００４８】
プリンタドライバ１０３は、アプリケーションソフトウェア１０１からＯＳ１０２へ発行される各種描画命令群（イメージ描画命令、テキスト描画命令グラフィクス描画命令など）を描画処理して、最終的にプリンタ１０４で用いる２値の画像データを生成する。詳しくは、図２で後述される画像処理を実行することにより、プリンタ１０４で用いる複数のインク色それぞれの２値の画像データを生成する。
【００４９】
ホストコンピュータ１００は、以上のソフトウェアを動作させるための各種ハードウェアとして、ＣＰＵ１０８、ハードディスク（ＨＤ）１０７、ＲＡＭ１０９、ＲＯＭ１１０などを備える。すなわち、ＣＰＵ１０８は、ハードディスク１０７やＲＯＭ１１０に格納されている上記のソフトウェアプログラムに従ってその処理を実行し、ＲＡＭ１０９はその処理実行の際にワークエリアとして用いられる。
【００５０】
本実施形態のプリンタ１０４は、インクを吐出する記録ヘッドを記録媒体に対して走査し、その間にインクを吐出して記録を行ういわゆるシリアル方式のプリンタである。記録ヘッドは、Ｃ、Ｍ、Ｙ、Ｋそれぞれのインクに対応して用意され、これらがキャリッジに装着されることにより、記録用紙などの記録媒体に対して走査することができる。それぞれの記録ヘッドは、吐出口の配列密度が１２００ｄｐｉであり、それぞれの吐出口から３．０ピコリットルのインク滴を吐出する。また、それぞれの記録ヘッドの吐出口の数は５１２個である。
【００５１】
プリンタ１０４はマルチパス記録を実行可能な記録装置である。そのために、後述の各実施形態で説明されるマスクを所定のメモリに格納しておき、記録の際は走査およびインク色ごとに定められたマスクを用いて２値の分割画像データを生成する処理を行う。
【００５２】
また、マスクパターンが所定のメモリに予め格納されておらずＰＣ１００がマスク製造のためのデータ処理装置として機能するときは、後述の各実施形態でそれぞれ説明されるマスク製造処理を実行する。そして、製造したマスクデータは、プリンタ１０４の所定のメモリに格納される。
【００５３】
図２は、図１に示した構成においてプリンタ１０４で記録を行う際のＰＣ１００およびプリンタ１０４における主なデータ処理過程を説明するブロック図である。本実施形態のインクジェットプリンタ１０４は、上述したようにシアン、マゼンタ、イエロー、ブラックの４色のインクによって記録を行うものであり、そのためにこれら４色のインクを吐出する記録ヘッドＪ００１０を備える。
【００５４】
ホストＰＣ１００のアプリケーション１０１を介して、ユーザはプリンタ１０４で記録する画像データを作成することができる。そして、記録を行うときはアプリケーション１０１で作成された画像データがプリンタドライバ１０３に渡される。
【００５５】
プリンタドライバ１０３は、その処理として、前段処理Ｊ０００２、後段処理Ｊ０００３、γ補正Ｊ０００４、２値化処理Ｊ０００５、および印刷データ作成Ｊ０００６をそれぞれ実行する。前段処理Ｊ０００２では、アプリケーションによる画面を表示する表示器が持つ色域をプリンタ１０４の色域に変換する色域変換を行う。具体的には、Ｒ、Ｇ、Ｂ夫々が８ビットで表現された画像データＲ、Ｇ、Ｂを３次元ＬＵＴにより、プリンタの色域内の８ビットデータＲ、Ｇ、Ｂに変換する。次いで、後段処理Ｊ０００３では、変換された色域を再現する色をインク色に分解する。具体的には、前段処理Ｊ０００２にて得られた８ビットデータＲ、Ｇ、Ｂが表す色を再現するためのインクの組合せに対応した８ビットデータＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋを求める処理を行う。γ補正Ｊ０００４では、色分解で得られたＣＭＹＫのデータ夫々についてγ補正を行う。具体的には、色分解で得られた８ビットデータＣＭＹＫ夫々がプリンタの階調特性に線形的に対応づけられるような変換を行う。次いで、２値化処理Ｊ０００５では、γ補正がなされた８ビットデータＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋそれぞれを１ビットデータＣ、Ｍ、Ｙ、Ｋに変換する量子化処理を行う。最後に、印刷データ作成処理Ｊ０００６では、２値化された１ビットデータＣ、Ｍ、Ｋ、Ｙを内容とする２値の画像データに印刷制御データなどを付して印刷データを作成する。ここで、２値の画像データは、ドットの記録を示すドット記録データと、ドットの非記録を示すドット非記録データを含む。なお、印刷制御データは、「記録媒体情報」、「記録品位情報」、および給紙方法等のような「その他制御情報」とから構成されている。以上のようにして生成された印刷データは、プリンタ４へ供給される。
【００５６】
一方、プリンタ１０４は、入力されてきた印刷データに含まれる２値の画像データに対しマスクデータ変換処理Ｊ０００８を行う。マスクデータ変換処理Ｊ０００８では、予めプリンタの所定のメモリに格納されている、後述の各実施形態で説明されるマスクパターンを用い、入力されてきた２値の画像データに対しＡＮＤ処理をかける。これにより、マルチパス記録におけるそれぞれの走査で用いられる２値の分割画像データが生成されると共に、実際にインクが吐出されるタイミングが決定される。なお、２値の分割画像データには、ドット記録データとドット非記録データが含まれる。
【００５７】
図３は、インクジェットプリンタ１０４を示す斜視図である。キャリッジＭ４０００は、記録ヘッドおよびこれにシアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）、ブラック（Ｋ）それぞれのインクを供給するインクタンクＨ１９００を搭載した状態で図のＸ方向（主走査方向）に移動し、記録ヘッドの各ノズルは、２値の分割画像データに基づき所定のタイミングでインクを吐出する。記録ヘッドの１回の主走査が終了すると、記録媒体は図のＹ方向（副走査方向）に所定量だけ搬送される。以上の記録主走査と副走査とを交互に繰り返すことにより、マルチパス記録による画像が順次形成されていく。
【００５８】
以下では、上述の記録システムにおいて用いられあるいは製造される、マルチパス記録の画像を完成する走査（以下、パスとも言う）回数と記録許容画素の比率によって区別されるマスクパターンの製造方法およびそれによるマスクパターンのいくつかの実施形態を説明する。
【００５９】
〔実施形態１：２パス記録用１００％均等マスク〕
（１）本実施形態の概要
本実施形態は、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）、ブラック（Ｋ）の各インクについて２回の走査で画像を完成する２パスのマルチパス記録に関する。そして、この２パス記録に用いるインク色のそれぞれについて複数（本実施形態では２）回の走査それぞれに用いるマスク（以下では、「１プレーン」のマスクと言う）が良好に分散しているだけでなく、これらのマスクの任意の複数のプレーンを合わせたものも良好に分散したものである。
【００６０】
図４は、２パス記録を説明するために、記録ヘッド、マスクパターンおよび記録媒体を模式的に示した図である。なお、この図では、図示および説明の簡略化のため、シアン、マゼンタ、イエローの３色で２パス記録を行う場合について説明する。以下で説明するマスクについても同様である。
【００６１】
シアン、マゼンタ、イエローの各色ノズル群は第１グループおよび第２グループの２つのグループに分割され、各グループには２５６個ずつのノズルが含まれている。各グループには本実施形態のマスクパターン（Ｃ１、Ｃ２、Ｍ１、Ｍ２、Ｙ１、Ｙ２）が対応付けられており、各マスクパターンの副走査方向（搬送方向）の大きさは各グループのノズル個数と同じ２５６画素分となっている。また、走査方向の大きさも２５６画素分となっている。また、同色インクのノズル群に対応する２つのマスクパターン（Ｃ１とＣ２、あるいはＭ１とＭ２、あるいはＹ１とＹ２）は互いに補完の関係にあり、これらを重ね合わせると２５６×２５６画素に対応した領域の記録が完成される構成となっている。
【００６２】
各色ノズル群はノズル配列方向と略直交する方向（図の矢印で示した「ヘッド走査方向」）へ走査しながら記録媒体にインクを吐出する。この例では、各領域に対してＣ，Ｍ，Ｙのインク吐出が行われる。また、走査が終了するたびに、記録媒体は走査方向と直交する方向（図の矢印で示した「記録媒体搬送方向」）に１つのブループの幅分（ここでは、２５６画素分）ずつ搬送される。これにより、記録媒体の各グループの幅に対応する大きさの領域は２回の走査によって画像が完成する。
【００６３】
さらに具体的に説明すると、第１走査では記録媒体上の領域Ａに対して、Ｃノズル群の第１グループ、Ｍノズル群の第１グループ、Ｙノズル群の第１グループを用いてＣＭＹの順番で記録が行われる。そして、この第１走査では領域Ａに対してはマスクパターンＣ１、マスクパターンＭ１、マスクパターンＹ１が用いられる。
【００６４】
次に、第２走査では、第１走査での記録が終了した領域Ａに対して、Ｃノズル群の第２グループ、Ｍノズル群の第２グループ、Ｙノズル群の第２グループをＹＭＣの順番で用いて残りの記録が行われるとともに、未記録状態の領域Ｂに対して、Ｃノズル群の第１グループ、Ｍノズル群の第１グループ、Ｙノズル群の第１グループを用いてＹＭＣの順番で記録が行われる。従って、第２走査では領域Ａに対してマスクパターンＣ２、マスクパターンＭ２、マスクパターンＹ２が用いられるとともに、領域Ｂに対してマスクパターンＣ１、マスクパターンＭ１、マスクパターンＹ１が用いられる。更に、このような動作を続けることで、Ｃ１Ｍ１Ｙ１Ｙ２Ｍ２Ｃ２の順番、あるいはＹ１Ｍ１Ｃ１Ｃ２Ｍ２Ｙ２の順番で各領域について記録が行われていく。
【００６５】
図５は、図４で説明した２パス記録に用いるマスクとその補完関係を概念的に説明する模式図である。図５において、Ｐ０００１は、図４に示したＣ、Ｍ、Ｙのうち、１つの色の記録ヘッドを示し、ここでは、図示の簡略化のため８個のノズルを有するものとして示している。ノズルは、上述したように第１および第２の２つのグループに分割され、各ノズルグループにはそれぞれ４つのノズルが含まれる。Ｐ０００２ＡおよびＰ０００２Ｂは、この第１および第２グループのノズル列にそれぞれ対応したマスクパターンを示す。すなわち、第１走査で用いるマスクパターンＰ０００２Ａ（同図中、下側のパターン）と第２走査で用いるマスクパターンＰ０００２Ｂ（同図中、上側のパターン）をである。これらがそれぞれ１プレーンのマスクとなる。それぞれのマスクパターンは、記録許容画素が黒塗りで示されており、非記録許容画素が白で示されている。第１走査用のマスクパターンＰ０００２Ａと第２走査用のマスクパターンＰ０００２Ｂは互いに補完関係にあり、従って、これらを重ね合わせると記録許容画素が４×４のエリアを総て埋めるパターンとなる。なお、図に示すパターンは説明を容易にするため、以下で示す本実施形態のマスクパターンとは異なるパターンとして示している。この図では、記録許容画素の配置が千鳥、逆千鳥となっているが、このような配置のマスクパターンは本発明の範囲に含まれない。
【００６６】
ここで、「記録許容画素」と「非記録許容画素」について定義する。「記録許容画素」とは、上述したように、ドットの記録（インクの吐出）を許容する画素のことである。この記録画素に対応する２値の画像データが吐出を示すデータであればドット記録が行われ、非吐出を示すデータならばドット記録は行われない。一方、「非記録許容画素」とは、２値の画像データに関わらず記録を許容しない画素のことである。従って、仮に、この非記録許容画素に対応する２値の画像データがインク吐出を示すデータであっても記録は行われない。
【００６７】
Ｐ０００３およびＰ０００４は、２パス記録によって完成する画像を、それを構成するドット配置で示している。なお、この画像は、説明を容易にするため、総ての画素にドットを形成するいわゆるベタ画像であり、従って、そのドット記録データの生成に用いるマスクＰ０００２の記録許容画素の配置がそのまま反映されたドット配置を示している。第１走査では、第１グループのドット記録データは、マスクパターンＰ０００２Ａを用いて生成される。そして、記録媒体は図の矢印の方向にノズルグループの幅分ずつ搬送される。次の、第２走査では、上記搬送量分ずれた領域に対する第１グループのドット記録データは、同じくマスクパターンＰ０００２Ａを用いて生成され、上記第１グループで記録された領域に対する第２グループのドット記録データは、マスクパターンＰ０００２Ａを用いて生成される。この２回の記録走査によって画像が完成する。
【００６８】
図６は、Ｃ、Ｍ、Ｙのインクを用いて（上述したようにブラックＫは説明の簡略化ため省かれている）、図４および図５で説明した２パス記録を行う場合を説明する図である。図６に示すように、マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２を用い、２回の走査（図６に示す例では、往走査と復走査）でＣ、Ｍ、Ｙそれぞれのインクを吐出し、カラー画像を記録する。
【００６９】
図６（ａ）は、往走査（図４の右方向への走査）、復走査（図４の左方向への走査）の順で記録される領域の画像が完成していく様子を示したものである。１回目の走査である往走査では、最初に、１パス目のシアン用マスク（マスクＣ１）を用いて生成したシアンの分割画像データのドット記録データに基づいてシアン画像を記録する。同じ走査で、マゼンタおよびイエローそれぞれのマスク（マスクＭ１、Ｙ１）を用いて生成した分割画像データのドット記録データに基づき、マゼンタ画像をそれより前に記録したシアン画像に重ねて、さらに、イエロー画像をそれより前に記録したシアン、マゼンタ画像に重ねて順次記録する。記録媒体を所定量搬送した後の、２回目の走査である復走査では、同様に、順次、マスクＹ２、Ｍ２、Ｃ２を用いて生成したそれぞれイエロー、マゼンタおよびシアンのドット記録データに基づき、それより前に記録した画像に重ねて記録する。
【００７０】
一方、図６（ｂ）は、復走査（図４の左方向への走査）、往走査（図４の右方向への走査）の順で記録される領域の画像が完成していく様子を示したものである。１回目の走査である復走査では、最初に、１パス目のイエロー用マスク（マスクＹ１）を用いて生成したイエローの分割画像データのドット記録データに基づいてイエロー画像を記録する。同じ走査で、マゼンタおよびシアンそれぞれのマスク（マスクＭ１、Ｃ１）を用いて生成した分割画像データのドット記録データに基づき、マゼンタ画像をそれより前に記録したイエロー画像に重ねて、さらに、シアン画像をそれより前に記録したイエロー、マゼンタ画像に重ねて順次記録する。記録媒体を所定量搬送した後の、２回目の走査である往走査では、同様に、順次、マスクＣ２、Ｍ２、Ｙ２を用いて生成したそれぞれシアン、マゼンタおよびイエローのドット記録データに基づき、それより前に記録した画像に重ねて記録する。
【００７１】
このように、Ｃ、Ｍ、Ｙの３色を用い、２回の走査で画像を完成する２パス記録を行うときは、１パス目のシアン画像と１パス目のマゼンタ画像を合わせた画像、この画像にさらに１パス目のイエロー画像を重ねた画像、さらに、これら１パス目の画像に２パス目のイエロー画像を重ねた画像、といったマスクのプレーンごとの画像を重ねた中間画像が存在する。このような中間画像では、図８６（ａ）〜（ｃ）で説明したグレインが生じることがある。特に、記録の高速化、高密度化、また、用いるインクの種類の多様化に伴い、単位時間当たりに付与されるインク量や記録媒体の単位面積あたりに付与されるインクの量が増大する場合には、中間画像におけるこのグレインの発生は顕著となる。そして、中間画像で発生したグレインは、そのまま定着して完成した画像において不規則なまだら模様などのビーディングとして視認される。
【００７２】
本実施形態では、このような中間画像におけるグレインの発生を避けるべく、それぞれのプレーンのマスクを重ねたときの記録許容画素の配置が低周波数成分が少ない特性を有するようにしている。低周波数成分が少ないため、各段階における中間画像におけるインクドットの偏りを少ない状態に保つことができる。また、重要な特性として、画像データやその他ノイズなどとの干渉を防ぐために、非周期なパターン特性をもたせる。つまり、プレーンのマスクを重ねたときの記録許容画素の配置が非周期で且つ低周波数成分が少ない特性を有するようにし、分散性の優れたものにしている。これにより、画像の完成に至る各段階の中間画像におけるドットの近接ないし隣接、また、ドットの重なりを、極力排除するようにする。また、仮に、ドットの重なりや隣接が排除しきれない場合でも、そのような重なり箇所などについても分散性の高いものとする。
【００７３】
なお、「低周波数成分」とは、周波数成分（パワースペクトル）が存在する空間周波数領域のうち、半分より低周波側にある成分を指す。
【００７４】
（２）マスクの製法
本発明の実施形態に係るマスクの製造方法は、大別して、複数パス分のマスクを同時に生成する方法（同時生成）と、パスごとに順次マスクを生成する方法（パスごとの生成）の２つの方法のいずれかで実施することができる。前者の同時生成方法は、（画像を完成するパス数（走査回数）−１）パス分のマスクを同時に生成し、残りの１パス分のマスクは、その記録許容画素が同時生成されたマスクの記録許容画素の配置に対して排他的になるように生成するものである。後者のパスごとの生成方法は、画像を完成する複数のパス（走査）ごとに順次マスクを生成する方法であり、最後のパス分のマスクは、前者の方法と同様に、記録許容画素がそれまでに生成されたマスクの記録許容画素の配置に対して排他的になるように生成する。なお、本実施形態の場合は、２パス記録に用いるマスクであることから、同時生成とパスごとの生成は同じものとなる。
【００７５】
さらに、上記２つの生成方法それぞれについて、具体的に記録許容画素の配置を定める仕方として、マスクの総ての記録許容画素を予め所定の配置としこれらを移動させながら、生成されるマスク全体で分散性を上げて行く方法（以下、「配置移動法」）と、生成されるマスク全体で分散性を上げながら記録許容画素を１つずつ配置して行く方法（以下、「順次配置法」）とを実行することができる。
【００７６】
図７は、本実施形態の２パス記録に用いるマスクの製法を概念的に示す図である。
【００７７】
マスク生成のステップ１として、１パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１を生成する。そして、ステップ２として、２パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスクＣ２、Ｍ２、Ｙ２を、上記１パス目のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１とそれぞれ補完の関係を持つように生成する。すなわち、色ごとに、２パス目のマスクは、その記録許容画素の配置は1パス目のマスクの記録許容画素の配置と排他的な関係となるように生成される。
【００７８】
以上のマスクの製法において、１パス目のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１それぞれの記録許容画素の配置は、次のように行われる。最初に配置移動法について説明し、次に、順次配置法について説明する。なお、これらの配置方法のいずれを用いてもよいことはもちろんである。
【００７９】
配置移動法
図８は、本実施形態の２パス記録に用いるマスクの記録許容画素の配置移動法による配置決定処理を示すフローチャートである。
【００８０】
先ず、ステップＳ８０１で、１パス目のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１それぞれのプレーンのサイズに対応したＣ、Ｍ、Ｙそれぞれの５０％濃度の画像を取得する。そして、ステップＳ８０２で、それぞれの画像について誤差拡散法などの２値化手法を用いて２値化を行う。これにより、マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１それぞれのプレーンについて、１ビットのデータが“１”である記録許容画素がマスク画素全体の５０％に配された初期配置を得ることができる。なお、この２値化の手法を用いて記録許容画素の初期配置を得るのは、その用いる２値化の手法に応じてある程度、初期状態で分散性のよい配置を得ることができるからであり、これにより、その後の最終的な配置決定までの演算時間ないし収束時間を短くできるからである。換言すれば、本発明を適用する上で初期配置を得る方法は本質ではなく、例えば、マスクのプレーンにおいて、１ビットのデータが“１”である記録許容画素をランダムに配置した初期配置であってもよい。
【００８１】
次に、ステップＳ８０３で、上記のようにして得たマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１それぞれのプレーンの総ての記録許容画素について斥力ポテンシャルを計算する。具体的には、
（ｉ）同一プレーン内の記録許容画素間に距離に応じた斥力を与える。 
（ii）さらに、異なるプレーン間の記録許容画素にも斥力を与える。 
（iii）同一プレーンと異なるプレーン間に異なる斥力を与える。 
（iv）異なるプレーンの記録許容画素の重なりを認め、記録許容画素の重なり（２つの記録許容画素重なり、３つの記録許容画素重なり、…）同士も組み合わせに応じた斥力を与える。
【００８２】
図９は、本実施形態に係る基本斥力ポテンシャルＥ（ｒ）の関数を模式的に示す図である。
【００８３】
同図に示すように、本実施形態で規定する斥力関数は、その斥力が及ぶ範囲をｒ＝１６（画素；記録許容画素が配置されるマスクの画素）までとする。このような距離とともに減衰するポテンシャルを用いることにより、基本的に、記録許容画素が接近して配置されるとエネルギーが高い状態、すなわち不安定な状態となり、収束計算の結果、接近した配置はできるだけ選択されないようにすることができる。
【００８４】
なお、この斥力の形状は、マスク画素全体に対する記録許容画素の割合により決定することがより望ましい。
【００８５】
また、複数色のインクを用いて記録を行う場合、インクドットを配置できる位置（解像度１２００場合の場合は、１インチ四方に１２００×１２００個の可能位置がある）以上に重ねてインクドットを配置するため、各記録許容画素について斥力ポテンシャルを計算する際には、記録許容画素の上に記録許容画素が重なることを考慮する。このため、ｒ＝０において有限の斥力ポテンシャルを持つように関数を定義する。これにより、記録許容画素の重なりをも考慮した分散が可能となる
本実施形態では、同一プレーンの記録許容画素同士に関してαＥ（ｒ）、異なるプレーン間の記録許容画素同士に関してβＥ（ｒ）、重なる記録許容画素同士に関してγｓ（ｎ）Ｅ（ｒ）の斥力ポテンシャルを与えて計算を行う。つまり、ある記録許容画素が存在することによるポテンシャルは、距離ｒ以内の範囲にある、同プレーンの記録許容画素、異なるプレーンの記録許容画素、さらには異なるプレーンの重なる記録許容画素についての斥力ポテンシャルが加算される。
【００８６】
なお、マスクパターンのサイズは有限であるが（本実施形態の場合、２５６×２５６画素となる）、ポテンシャル計算においては、２５６×２５６画素の同じパターンがあたかも繰り返しているような周期境界条件を用いる。よってマスクパターンの左端は右端と隣接しており、下は上と隣接していることとなる。
【００８７】
上記の斥力ポテンシャルにおいて、係数α、β、γは重み付け係数であり、本実施形態では、α＝３、β＝１、γ＝３の値を用いる。このα、β、γの値によって記録許容画素の分散性が影響を受ける。このα、β、γの値は、例えば、実際には実験を行い、マスクを用いて記録される記録画像を参照した最適化により求めることができる。
【００８８】
また、係数ｓ（ｎ）は、重なる記録許容画素を分散させるためにγに加えてさらに積算する係数である。この係数ｓ（ｎ）は、重なりが多いほどそれらの記録許容画素をより分散させるべく重なりの数に応じた値とするものである。本願発明者の実験によれば、次の２つの式いずれかによって求められるｓ（ｎ）を用いることにより、分散に関してよい結果を得ることができる。
【００８９】
【数１】
2006044258.tif 000003
【００９０】
すなわち、ｎを重なりの数とするとき、組合せの数の和をｓ（ｎ）とするものである。詳細には、斥力を計算する注目記録許容画素に対して重なる（同じプレーンまたは異なるプレーンにおける同じ位置の）記録許容画素を調べるとともに、注目記録許容画素から距離ｒに位置する記録許容画素を調べる。この場合に、注目記録許容画素およびその画素と同じ位置で重なる他のプレーンの記録許容画素と、距離ｒにある各プレーンのその画素で同じように重なる記録許容画素の共通する重なりの数をｎとする。そして、これら２つの画素間の重なった記録許容画素同士による斥力を考える。
【００９１】
この場合、例えば、ある２画素間で第１プレーン、第２プレーンおよび第３プレーンにそれぞれ共通に記録許容画素が存在する例を考えると、ｎ＝３となる。そして、それらの画素間には３つの記録許容画素の重なりに起因する斥力を作用させる。ここで、３つの記録許容画素の重なりによる斥力を考えるとき、３つの記録許容画素の重なりとともに、２つの記録許容画素の重なり同士や１つの記録許容画素同士の斥力が多重的に作用すると考える。換言すれば、第３プレーンを考えなければ、第１プレーンと第２プレーンの２つの記録許容画素の重なりと考えることができ、また、第２プレーンを考えなければ第１プレーンと第３プレーンの２つの記録許容画素の重なりとも考えられる。第１プレーンを考えなければ第２プレーンと第３プレーンの重なりと考えられる。このような記録許容画素が重なることの多重的な効果を計算するために、重なりの組合せによる斥力を定義し上記のようなｓ（ｎ）を用いる。これによれば、分散性のよい記録許容画素配置を得ることができることが実験上確認されている。
【００９２】
再び、図８を参照すると、ステップＳ８０３で、総ての記録許容画素の斥力ポテンシャルを合計した総エネルギーが求まっている。そして、この総エネルギーを減衰させる処理を行う。
【００９３】
この処理では、総ての記録許容画素について順に、距離ｒが４以内の画素の中で斥力ポテンシャルが最も下がる画素に記録許容画素を移す。このような処理を繰り返していくことによって（ステップＳ８０４）、総ての記録許容画素の斥力ポテンシャルの合計値である総エネルギーを低下させて行く。すなわち、この総エネルギーが徐々に順次減少して行く過程は、記録許容画素の配置が順次分散性を高める過程、つまり記録許容画素配置の低周波数成分が順次少なくなって行く過程である。
【００９４】
ステップＳ８０５では、ステップＳ８０４における総エネルギーの低下率を計算し、それが所定値以下であると判断すると、エネルギー減衰処理を終了する。なお、この所定値は、例えば、実際に印刷を行った結果をもとに、低周波数成分が適切に抑えられた画像を記録できる低下率として求めることができる。
【００９５】
最後にステップＳ８０６で、上記のように総エネルギーの低下率が所定値以下となった状態の各プレーンを１パス目のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１として設定する。さらに、これらマスクの記録許容画素の配置に対するそれぞれ排他的位置を記録許容画素の配置とした２パス目のマスクＣ２、Ｍ２、Ｙ２を設定する。
【００９６】
なお、本実施形態では、ステップＳ８０５において総エネルギーの低下率が所定値以下となったか否かを判定し、低下率が所定値以下となったらステップＳ８０６へ移行するようにしている。しかし、本実施形態はこの例に限られるものではない。例えば、ステップＳ８０５において総エネルギーが所定値以下となったか否かを判定し、総エネルギーが所定値以下となったらステップＳ８０６へ移行するようにしてもよい。
【００９７】
図１０（ａ）〜（ｄ）は、上述した斥力ポテンシャルの計算と総エネルギーの減衰処理を模式的に説明する図である。詳しくは、本実施形態に係るＣ１、Ｍ１、Ｙ１の３プレーンを斜視図で示し、また、特に記録許容画素の移動を平面図で示す図である。ここで、最小の正方形はマスクの画素を示し、３プレーンの重なりにおいて重なる画素がプレーン間で同じ画素位置に対応する。
【００９８】
図１０（ａ）は、同一プレーンに記録許容画素が存在する場合にそれら記録許容画素間の斥力によってポテンシャルが加えられる（増す）ことを説明する図である。図に示す例では、プレーンＣ１の注目画素の記録許容画素Ｄｏと同じプレーンで距離ｒ離れた画素に記録許容画素が１個存在する例であり、この場合、α＝３が適用され、記録許容画素Ｄｏのポテンシャルとして１×αＥ（ｒ）のポテンシャルが加えられる。
【００９９】
図１０（ｂ）は、注目記録許容画素Ｄｏとは異なるプレーン（プレーンＭ１、Ｙ１）に記録許容画素が存在する場合に、それら２個の記録許容画素との関係で加えられる斥力ポテンシャルを説明する図である。異なるプレーン間の記録許容画素との関係であるから、β＝１が適用され記録許容画素Ｄｏのポテンシャルとして記録許容画素２個分の２×βＥ（ｒ）のポテンシャルが加えられる。
【０１００】
図１０（ｃ）は、上記の２つの場合である、同一プレーンに記録許容画素が存在する場合と異なるプレーンに記録許容画素が存在する場合に加え、異なるプレーンの同一画素に記録許容画素が存在して記録許容画素の重なりが存在する場合に、それらの記録許容画素との関係で加えられる斥力ポテンシャルを説明する図である。図１０（ａ）および（ｂ）の場合に加え、注目記録許容画素ＤｏのプレーンＣ１と異なるプレーンＹ１の同じ画素に記録許容画素が存在することにより、同プレーンの斥力ポテンシャル1×αE(r)と、同じ画素の異なるプレーンの１個の記録許容画素による斥力ポテンシャル１×βＥ（０）と、異なるプレーンの２個の記録許容画素による斥力ポテンシャル２×βＥ（ｒ）と、重なる数ｎ＝２でγ＝３が適用される、重なりによる斥力ポテンシャルγｓ（２）×Ｅ（ｒ）のポテンシャルが加えられる。この結果、図１０（ｃ）に示す記録許容画素配置において注目記録許容画素Ｄｏが存在することによる斥力ポテンシャルの合計は、１×βＥ（０）＋１×αＥ（ｒ）＋２×βＥ（ｒ）＋γｓ（２）×Ｅ（ｒ）となる。
【０１０１】
図１０（ｄ）は、図１０（ｃ）に示す記録許容画素配置において、記録許容画素Ｄｏを移動させることにより、その記録許容画素の斥力ポテンシャルの合計が変化することを説明する図である。図１０（ｄ）に示すように、記録許容画素Ｄｏ（プレーンＣ１の記録許容画素）が同じプレーンの隣の画素に移ると、その記録許容画素Ｄｏが存在することによる斥力ポテンシャルの合計は、距離がｒ２、重なり同士の数ｎが０となることなどにより、βＥ（１）＋１×αＥ（ｒ２）＋２×βＥ（ｒ２）に変化する。そして、図１０（ｃ）に示す記録許容画素配置の場合の斥力ポテンシャルの合計１×βＥ（０）＋２×αＥ（ｒ）＋１×βＥ（ｒ）＋γｓ（２）×Ｅ（ｒ）と、図１０（ｄ）の記録許容画素Ｄｏが移動したことによる斥力の合計とを比較し、この移動前後の斥力ポテンシャルの合計の変化を知ることができる。
【０１０２】
なお、この斥力ポテンシャルの合計は、上記の説明では、２つの画素または記録許容画素移動させたときは３つの画素の記録許容画素によるエネルギーの合計を求めるものとしているが、これは説明を簡易にするためであり、実際は、これらの記録許容画素以外に存在し得る他の画素の記録許容画素を含めた記録許容画素との関係に基づく斥力ポテンシャルの積分として求められるものであることはもちろんである。
【０１０３】
図１０（ａ）〜（ｃ）に示したように斥力ポテンシャルの合計が計算される各記録許容画素の中で、例えば、記録許容画素Ｄｏが斥力ポテンシャルの合計が最も大きい場合、図１０（ｄ）で説明したようにその移動前後の斥力ポテンシャルの変化を求め、移動前後で最も斥力ポテンシャルの合計が低くなる画素に記録許容画素Ｄｏを移動させる。このような処理を繰り返すことによって３プレーン全体の総エネルギーを下げることができる。すなわち、３プレーンのマスクの重なりにおいて記録許容画素分布が、低周波数成分が少なく良好に分散された配置となる。
【０１０４】
そして、このように３プレーンのマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１の重なりにおいて記録許容画素が良好に分散されることによって、これらとそれぞれ補完関係にあるマスクＣ２、Ｍ２、Ｙ２もそれぞれ記録許容画素が良好に分散したものとなる。また、これら６プレーンのうち任意の数（２、３、４または５）のプレーンの重なりにおける記録許容画素の分布も、低周波数成分が少ない良好に分散されたものとなる。本実施形態の場合の往復の順で画像が記録される領域については、１パス目のマスクＣ１、１パス目のマスクＭ１、１パス目のマスクＹ１、２パス目のマスクＹ２、２パス目のマスクＭ２、２パス目のマスクＣ２の順で、それぞれのマスクパターンが重なるように用いられて記録が行われる。従って、中間画像である、「１パス目のＣ＋１パス目のＭ」、「１パス目のＣ＋１パス目のＭ＋１パス目のＹ」、「１パス目のＣ＋１パス目のＭ＋１パス目のＹ＋２パス目のＹ」、「１パス目のＣ＋１パス目のＭ＋１パス目のＹ＋２パス目のＹ＋２パス目のＭ」、「１パス目のＣ＋１パス目のＭ＋１パス目のＹ＋２パス目のＹ＋２パス目のＭ＋２パス目のＣ」それぞれのインクドットの分布は、低周波数成分が少なく分散性に優れたものとなる。同様に、復往の順で画像が記録される領域については、１パス目のマスクＹ１、１パス目のマスクＭ１、１パス目のマスクＣ１、２パス目のマスクＣ２、２パス目のマスクＭ２、２パス目のマスクＹ２の順で、それぞれのマスクパターンが重なるように用いられて記録が行われる。従って、中間画像である、「１パス目のＹ＋１パス目のＭ」、「１パス目のＹ＋１パス目のＭ＋１パス目のＣ」、「１パス目のＹ＋１パス目のＭ＋１パス目のＣ＋２パス目のＣ」、「１パス目のＹ＋１パス目のＭ＋１パス目のＣ＋２パス目のＣ＋２パス目のＭ」、「１パス目のＹ＋１パス目のＭ＋１パス目のＣ＋２パス目のＣ＋２パス目のＭ＋２パス目のＹ」それぞれのインクドットの分布は、低周波数成分が少なく分散性に優れたものとなる。そして、このようなマスクを用いて生成される各パスのドット記録データによって記録されるドットも良好に分散したものとなる。すなわち、上述のとおり、マスクの記録許容画素の配置パターンはその低周波数成分が少ないことにより、そのマスクを用いて記録されるドットの配置パターンは、マスク処理される前の元の画像におけるドット配置パターンにおける偏りなどが現れないものとなる。つまり、各パスのマスクを用いて記録されるそれぞれのドットパターンも、マスクパターンと同様に低周波数成分が少なく分散性の良いものとなる。
【０１０５】
これにより、インクと記録媒体との相対的な関係から、仮に、中間画像の段階でインクの浸透が十分に行われなくても、インクドットが分散しているため浸透が不十分なインク同士が接触してグレインを作る確率は低いものとなり、いわゆるグレインインによるビーディングの発生を抑制することができる。また、仮に、グレインが発生しても、これらのグレインが良好に分散した分布となるので、それらグレインが記録画像の品位に及ぼす影響を少なくすることができる。
【０１０６】
そして、このように、結果として中間画像の段階でインク浸透が必ずしも十分に行われなくてもよいことを考慮すると、プリンタ１０４において、各プレーン間の記録時間差、つまり吐出時間差を短くすることが可能となる。例えば、キャリッジ速度もしくは吐出周波数を大きくでき、あるいはマルチパス記録におけるパス数を、例えばインクが十分に浸透することを考慮して４パスとしているところ、より少ない２パスにした印刷を実行することも可能となる。
【０１０７】
なお、上述の配置移動法は、２パスのマスクのうち１パス目に用いる３プレーンのマスクについて適用する場合に関するものであるが、この方法はこの態様に限られず、総てのプレーンに適用して記録許容画素の配置を決定してもよい。本実施形態の２パス記録に用いるマスクの場合、Ｃ、Ｍ、Ｙそれぞれの２パス分の６プレーンのマスクに配置移動法を適用してもよい。この場合は、記録許容画素を移動させる範囲を近傍画素に限定せずに、他のプレーンの記録許容画素との関係で配置画素を入れ替える移動を許すものとする。具体的には、例えば、あるプレーンの記録許容画素を同じプレーンの記録許容画素が配置されていない画素に移動させるとともに、その移動した画素に対応する他のプレーンの画素に配置される記録許容画素をその同じプレーンの、前者の記録許容画素があった画素に対応する画素に移動させる、といった入れ替えを行う。これにより、斥力ポテンシャルの計算に係わるプレーン総てにおける記録許容画素の配置関係が変化し、ポテンシャルエネルギーが最小となる入れ替え移動が可能となる。
【０１０８】
順次配置法
この方法は、上述したように、マスクのプレーンの記録許容画素が未だ配置されていない部分に順次記録許容画素を配置して行く方法である。
【０１０９】
図１１は、本実施形態の順次配置法による記録許容画素の配置決定処理を示すフローチャートである。
【０１１０】
図１１に示す処理は、３つのプレーンに順次１つずつ記録許容画素を配置し、それを繰り返すことにより、それぞれのプレートで５０％の記録許容画素の配置を行うものである。先ず、ステップＳ１１０１で、記録許容画素を配置しようするときに、その記録許容画素とマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１の各プレーンにおいて既に配置されている記録許容画素との間に発生する斥力ポテンシャルを計算する。
【０１１１】
斥力ポテンシャルの計算自体は、上述の配置移動法で説明したものと同じである。異なる点は、例えば、図１０（ａ）〜（ｃ）に示す例を参照して説明すると、上述の配置移動法とは異なり、記録許容画素Ｄｏが同図に示す画素が既に置いてあるのではなく、記録許容画素Ｄｏを新たに置くと仮定したときに、既に配置され同じプレーンＣ１や異なるプレーンＭ１、Ｙ１の記録許容画素との関係基づいて斥力ポテンシャルを計算する。以上からも明らかなように、未だ記録許容画素が１つも配置されていない最初の段階では、記録許容画素をどこにおいても斥力ポテンシャルは同じ値となる。
【０１１２】
次に、ステップＳ１１０２で、それぞれのマスク画素に置いたとしたときに計算される斥力ポテンシャルの中で、最小のポテンシャルエネルギーとなるマスク画素を決定する。そして、ステップＳ１１０３では、その最小のエネルギーとなるマスク画素が複数あるか否かを判断する。複数ある場合には、ステップＳ１１０７で、乱数を用いてその複数の画素の中から１つのマスク画素を決定する。なお、本実施形態では、同じプレーンでは既に記録許容画素が配置されている画素には重ねて配置しないという条件の下で、最小エネルギーの画素を決定する。これは、重み付け係数や斥力ポテンシャル関数などのパラメータによっては、斥力ポテンシャルの計算において同じプレーンで重ねた場合の方が他のプレーンの記録許容画素との関係などでエネルギーが最小となることがあり、その場合に、マスクは１つのマスク画素に１つの記録許容画素のみが許されるので重なりを禁ずるようにするためである。
【０１１３】
ステップＳ１１０４では、決定した最小ポテンシャルエネルギーのマスク画素に記録許容画素を配置する。すなわち、その画素のマスクデータを“１”とする。
【０１１４】
ステップＳ１１０５では、Ｃ、Ｍ、Ｙのプレーンについて各１つずつ記録許容画素画が配置されたか否かを判定する。配置されていない場合には、ステップＳ１１０１からの処理を繰返す。
【０１１５】
プレーンＣ１、Ｍ１、Ｙ１とこの順で１つずつ記録許容画素を配置すると、ステップＳ１１０６で、３つのプレーンそれぞれの全マスク画素に対して５０パーセントまで記録許容画素が配置されか否かを判断する。それぞれのプレーンで５０％まで記録許容画素の配置がなされていないときは、ステップＳ１１０１からの処理を繰返す。そして、３つのプレーンの総てで５０％の記録許容画素が配置されると、本処理を終了する。以上のようにして１パス目のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１を設定すると、これらと補完関係にあるマスクＣ２、Ｍ２、Ｙ２を続いて設定する。
【０１１６】
以上説明した順次配置法によっても上述した配置移動法と同様の特性を持つマスクを得ることができる。すなわち、順次配置法による３プレーンのマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１は、それらの重なりにおいて記録許容画素が良好に分散されたものとなる。また、それによって、それぞれ補完関係にあるマスクＣ２、Ｍ２、Ｙ２もそれぞれ記録許容画素が良好に分散したものとなる。また、これら６プレーンのうち任意の数（２、３、４または５）のプレーンの重なりにおける記録許容画素の分布も、低周波数成分が少ない良好に分散したものとなる。
【０１１７】
なお、上述したマスク製法の他の特徴として、記録許容画素の配置が規則的に繰り返されるような周期パターンが生成されることはない、ということがある。例えば、千鳥パターンやベイヤー型の配置が繰り返されるような周期性を持ったパターンは生成されない。万が一生成されたとしても、斥力ポテンシャルのパラメータを設定し直すことで周期パターンを避ける状態に収束させることができる。このように本実施形態のマスク製法によって生成されるマスクは非周期のパターンとなる。
【０１１８】
また、上述したマスク製法においては、各プレーンにおいて、特にどこかの記録許容画素を使わない設定は行っていない。しかしながら敢えて、各プレーンにおいて記録許容画素として使わない画素を設定したとしても、その画素をさけながらも低周波数成分が少ない良好に分散したものを得ることができる。
【０１１９】
（３）マスク特性評価
マスクにおける斥力ポテンシャルの重み付け係数α、β、γｓ（ｎ）の効果
先ず、以上説明した本実施形態のマスク製法によって製造されたマスクに対して、斥力ポテンシャル計算の（距離の議論はしていない、係数の影響のみ）重み付け係数α、β、γｓ（ｎ）それぞれがどのように影響しているかについて具体的に説明する。上述したように係数αは同一プレーンにおける記録許容画素の分散に影響し、係数βは異なるプレーン間の記録許容画素の分散に影響し、また、γｓ（ｎ）は異なるプレーンの記録許容画素が同じ位置の画素にあって重なる場合のこの重なりの分散に影響している。
【０１２０】
なお、本実施形態では、Ｅ（ｒ）として同じ関数（図９）を総ての項に用いているが、異なるポテンシャル関数をそれぞれの項に用いることもできる。この場合は、それぞれの関数Ｅ（ｒ）と対応するそれぞれの重み付け係数α、β、γ（ｎ）の積であるαＥ（ｒ）、βＥ（ｒ）´、γＥ（ｒ）´´の違いが、本質的に以下で説明する、分散の違いとなって影響を及ぼすことはもちろんである。
【０１２１】
仮に、同一のプレーン内の記録許容画素間のみに斥力ポテンシャルを定義しエネルギーを減衰させて記録許容画素分布を決める場合、すなわち、αＥ（ｒ）でα＝１、β＝γ＝０とする場合、１つのプレーンの記録許容画素分布は、それぞれプレーンにおける記録許容画素の配置の分散性がよい。これはαＥ（ｒ）の効果によるものである。しかし、２つ（複数）のプレーンを重ねたものから重なる記録許容画素（論理積、論理和）、のパターンを抽出したものは、記録許容画素の配置に偏りがあり低周波数成分の多いものとなる。２つのプレーン間でたまたま重なってしまう記録許容が素が発生してしまったり、２つのプレーン間に関連がないために偏りが生じたりするためである。
【０１２２】
なお、［論理積］パターンとは、文字通り、図１２に示すように、複数プレーン間の同じ画素位置について論理積の演算を行うことで得られるパターンである。具体的には、複数（図に示す例では、２つ）のプレーンの対応する画素位置に記録許容画素（“１”）がともに存在するとき、その位置を抽出したパターンが論理積パターンである。この論理積パターンは、異なるプレーン間で記録許容画素の重なりがある場合にその分布を示すものである。
【０１２３】
なお、［論理和］パターンとは、文字通り、図１３に示すように、複数プレーン間の同じ画素位置について論理和の演算を行うことで得られるパターンである。具体的には、複数（図に示す例では、２つ）のプレーンのいずれかの画素位置に記録許容画素（“１”）が存在するとき、その位置を抽出したパターンが論理和パターンである。この論理和パターンは、異なるプレーンそれぞれの記録許容画素の配置を１つのプレーンで示すものである。
【０１２４】
次に、３プレーンの総ての記録許容画素に同じ斥力ポテンシャルを加えた場合、すなわち、αＥ（ｒ）およびβＥ（ｒ）において、α＝β＝１、γ＝０の場合を仮定する。この場合は、それぞれのプレーンの記録許容画素分布は、ある大きさの低周波数成分を持ち分布に偏りがある。一方、上記の３色のプレーンを重ねたものの記録許容画素分布（論理和）は分散がよい。これはα、βが同じ値であることによって、同一プレーンの記録許容画素を分散させる効果が、他のプレーンの記録許容画素を分散させる効果と同じであるため、結果として、それぞれのプレーンでは、記録許容画素分布の分散が不十分になるからである。
【０１２５】
そこで、同一プレーンと異なるプレーン間で斥力ポテンシャルを変えるべく、例えば、α＝３、β＝１とする。これにより、他のプレーンの影響を相対的に小さくでき同一プレーン内の分散性がよくなる。さらに、２つのプレーンを重ねたものの記録許容画素分布（論理和パターン）は、低周波数成分の少ない分散の良い分布となる。このように、同一プレーン、異なるプレーンの記録許容画素の分散性の両方がよくなる。つまり、αＥ（ｒ）とβＥ（ｒ）の項を作用させ、かつαとβの値を異ならせることにより、同一プレーン内、異プレーン内両方の分散性が良くなる。
【０１２６】
次に、記録許容画素の重なりがある場合において、先ず、γｓ（ｎ）Ｅ（ｒ）の項を用いない場合を考える。低周波数成分をもたない記録許容画素分布を持った２つのプレーンを、γｓ（ｎ）Ｅ（ｒ）の項を作用させずに、重ねて得られるものの記録許容画素分布から重なり記録許容画素を抽出したもの（論理積）は、低周波数成分が多い分散の悪い分布となる。
【０１２７】
これに対して、γｓ（ｎ）Ｅ（ｒ）の項を加えた場合、先ず、それぞれのプレーンについて、低周波数成分をもたない記録許容画素分布が得られる。そして、これらのプレーンを重ねたものの記録許容画素分布から重なり記録許容画素を抽出したもの（論理積）の分布も、低周波数成分をもたない記録許容画素の配置となる。
【０１２８】
このように、γｓ（ｎ）Ｅ（ｒ）の項は、基本的に、重なる記録許容画素同士が良好に分散する効果を与えるものであるが、図１０（a）〜（ｄ）にて説明したように、この項が、重なりが多いほどポテンシャルが高くなるよう設定され、そのポテンシャルに応じて記録許容画素を１つずつ移動し、または配置してエネルギーを減らすことにより、エネルギーを減らす処理の過程で重なりの数を減らす効果を与えている。これは、同じプレーンで隣接する記録許容画素について、αＥ（ｒ）が隣接する記録許容画素の数を減らす効果を与えることと同じことを意味している。このように、γｓ（ｎ）Ｅ（ｒ）の項は、単に重なる記録許容画素同士をできるだけ分散させるようにするだけでなく、その重なりの数を減らす効果をも与えている。そして、この効果によって、隣接や重なりによる記録許容画素の塊における記録許容画素の数はできるだけ少なくし、結果として低周波数成分の少ない記録許容画素分布を得ることができる。
【０１２９】
以上の観点から、本実施形態では、上述したようにα＝３、β＝１、γ＝３の値を用いる。
【０１３０】
なお、例えば、α、β<<γとして、複数のプレーンの重なりにおいて抽出される重なる記録許容画素に特に注目し、上記γｓ（ｎ）Ｅ（ｒ）の項の効果によって、重なる記録許容画素が、特に低周波数成分が少ない分散が良いものとすることも可能となる。
【０１３１】
また、本実施形態では、プレーン間の斥力はすべて、βＥ（ｒ）としているが、相互作用の大きさなどを考えて各プレーン間で相互作用を異ならせることは有効である。例えば、プレーン数が多い場合になるべく近い時間に打ち込まれるインクに用いるマスクのプレーン間の斥力ポテンシャルを他の斥力ポテンシャルに対して大きくする、つまりβＥ（ｒ）の係数やＥ（ｒ）の形をプレーン間で変えることも有効である。また、例えば、反応系を用いた定着において、反応液またはそのような成分を有したインクを記録ヘッドによって吐出する場合に、その反応液等に用いるマスクのプレーンとその反応液等と反応作用が大きいインクに用いるマスクのプレーンの斥力ポテンシャルを通常より多くすることも有効である。斥力ポテンシャルの関数を変える具体例として、斥力が及ぶ範囲の距離ｒを変える例を挙げることができる。例えば、処理にかかる画像データの階調値が５０％階調のとき、上記のようにｒ＝１６とし、階調値が５０％より大きくまたは小さくなるほどｒを大きくするようにすることができる。
【０１３２】
なお、本明細書では、記録許容画素ないしその重なりが均一に分散するほど、「より良好な分散」もしくは「分散がより良いこと」を意味する。そして、「均一な分散」とは、上記の斥力ポテンシャルの例で言えば総エネルギーを可能な限り低くした状態、すなわち、記録許容画素の重なりや隣接による塊があるときはそれらの重なりや隣接の数をできるだけ少なくした状態であり、さらに、このような状態で、記録許容画素を可能な限り均等に配置することである。さらに、「低周波数成分が少なくなる（小さくなる）」とは、上記のように分散が良いとき、その分布について後述されるパワースペクトルにおける、人間の視覚特性における感度の高い領域（低周波数領域）の周波数成分が、その分散が良い程度に応じて少なくなる（小さくなる）ことを意味する。
【０１３３】
本実施形態のマスクと従来例のマスク
図１４〜図１６は、上述した製法によって製造された本実施形態のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１（以下「積層マスク」という）それぞれの記録許容画素の配置パターンを示す図である。また、図１７および図１８は、従来例のマスクの同様のパターンを示す図である。詳細には、図１７は、シアンインクの１パス目に用い得る特許文献１のように作成したマスク（「自プレーンのみの分散マスク」という）のパターンを示し、図１８は、特許文献２に記載されたランダムマスクのパターンを示している。図１４〜図１８に示される各マスクパターンは、２５６×２５６の画素のエリアを有している。各パターンにおいて、白く示した画素は非記録許容画素（すなわちその画素の画像データによらずマスキングされてしまう画素）を、黒く示した画素は記録許容画素（すなわちその画素の画像データに応じてドット形成がなされることになる画素）をそれぞれ表している。
【０１３４】
これらの図に示すように、図１８に示すランダムマスクのみが、他のマスクに比べて、視覚的なザラツキ感が高く、滑らかさに乏しい印象を受ける。これは、ランダムマスクパターンを作成する際に、特にそのプレーン内のドット配置の相関関係を考慮（係数α）することなしに、ランダムにドットの記録許容画素の配置を定めているからである。これに対し、「自プレーンのみの分散マスク」（図１７）や本実施形態のマスクのパターン（図１４〜図１６）は、特に、係数αの効果によって同一プレーン内の分散性を考慮した記録許容画素が配置されているので、記録許容画素の分散に偏りが無く、全体的に滑らかな印象を受ける。
【０１３５】
図１９および図２０は、図１４および図１５に示した本実施形態の積層マスクＣ１、Ｍ１のそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。また、図２１および図２２は、図１４、図１５および図１６に示した積層マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１のそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。さらに、図２３および図２４は、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクのそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図であり、図２５および図２６は、同様に従来例に係るランダムマスクのそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。
【０１３６】
図１９および図２０に示すように、本実施形態の２つのマスクを重ねた場合の記録許容画素の配置（論理和）と、その中から記録許容画素が重なったものを抽出したものの配置（論理積）は、ともに分散がよくざらつき感のないものとなっている。これは、上述したように、２つのプレーン相互で記録許容画素の分散を考慮（係数β）するとともに、重なり自体の分散を考慮（係数γｓ（ｎ））しているからである。
【０１３７】
また、図２１に示すように、本実施形態の３つのマスクを重ねた場合の記録許容画素の論理和パターンは全体に隙間なく記録許容画素が配置されたものとなる。すなわち、本実施形態は３つのプレーン相互で記録許容画素の分散を考慮（係数β）していることから、３つのプレーン相互の記録許容画素は良好に分散し、その結果、全体に隙間なく配置されることとなる。さらに、それぞれのプレーンは２パス記録用の均等マスクであることから５０％密度で記録許容画素を配置している。従って、３つのプレーンを重ねたものの密度は１５０％となって重なりを排除できないが、本実施形態はその重なりを、係数γｓ（ｎ）によって２つの重なりまでとしている。その結果、図２２に示すように、３つの重なりを抽出した論理積パターンではその重なりが存在しないものとなる。
【０１３８】
これに対し、特許文献１に開示される「自プレーンのみの分散マスク」について異なる色のプレーンを重ねたときの論理和パターンと論理積パターンは、それぞれ図２３および図２４に示すように、本実施形態のパターン（図１９、図２０）と較べて分散がよくないものとなっている。これは、上述したように特許文献１では、同じプレーン内の分散は考慮しているものの、プレーン相互の記録許容画素の分散（係数β）や記録許容画素の重なりの分散（係数γｓ（ｎ））を考慮していないからである。従来例に係るランダムマスクの場合も、図２５および図２６に示すように、同様に論理和パターンおよび論理積パターンはいずれも分散が良くない。
【０１３９】
マスクパターンの他の評価方法として、「重ね合わせ」パターンを用いたものを定義する。この「重ね合わせ」パターンは、図２７に示すように、複数（図に示す例では２つ）のプレーンのいずれかのマスク画素に記録許容画素（“１”）が存在するとき、その対応する画素に記録許容画素を示すデータ“１”が存在し、かつ記録許容画素が同じマスク画素で重なるときはその数に応じたデータが存在するパターンである。たとえば、重なりが２である場合は“２”、３である場合には“３”というようにする。そして、後述する「重ね合わせパターン」はそのデータが示す数に応じた濃度で表される。すなわち、記録許容画素の重なりが多いほど、黒濃度が濃くなるように示している。この重ね合わせパターンは、異なるプレーンそれぞれの記録許容画素の配置を１つのプレーンで示すとともに、記録許容画素の重なりの配置をその重なりの程度とともに示すことができる。
【０１４０】
図２８および図２９は、本実施形態の積層マスクをそれぞれ２つおよび３つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。
【０１４１】
これらの図２８、図２９に示すパターンは、本実施形態のマスクを用いて記録を行うときのそれぞれ中間画像のインクドットのパターンに近いものを表している。従って、これらのパターンからも、中間画像におけるインクドットやそれらの重なりが良好に分散していることがわかる。
【０１４２】
図３０および図３１は、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクを２つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。これらの図に示すように、従来例のマスクによる「重ね合わせ」パターンも、記録許容画素およびその重なりの分散性がよくないことがわかる。
【０１４３】
パワースペクトルによる評価
次に、マスクパターンの周波数特性を示すパワースペクトルによって本実施形態のマスクを評価する。以下で説明するパワースペクトルは、記録許容画素をドットの配置に置き換えたときに得られるものであり、２５６画素×２５６画素のサイズのプレーンについてパワースペクトルを求めたものである。ここで、パワースペクトルは、２次元空間周波数を１次元として扱える、「T. Mitsa and K. J. Parker, 泥igital Halftoning using a Blue Noise Mask   Proc. SPIE 1452, pp.47-56（1991）」に記載のradially averaged power spectrum である。
【０１４４】
図３２は、本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクそれぞれについて、単独のマスクパターン（Ｃ１）の周波数特性を説明する図である。図３３は、これら３種のマスクそれぞれについて、２つマスク（Ｃ１、Ｍ１）の論理和パターンの周波数特性を説明する図である。図３４は、これら３種のマスクそれぞれについて、２つマスク（Ｃ１、Ｍ１）の論理積パターンの周波数特性を説明する図である。
【０１４５】
図３２において、各曲線は、それぞれのマスクパターンの、空間周波数に対するパワースペクトルを示している。曲線ａは、本実施形態の積層マスクのマスクパターン（図１４）のパワースペクトルを、曲線ｂは、自プレーンのみの分散マスクのパターン（図１７）のパワースペクトルを、また、曲線ｃは、ランダムマスクのパターン（図１８）のパワースペクトルをそれぞれ示す。これら３つの曲線を比較すると、ランダムマスク（曲線ｃ）は、空間周波数の全域に対し略一律なパワーを有していることがわかる。ランダムマスクは、ランダムに記録許容画素の配置を定めているために、記録許容画素が分散する間隔に特別な特徴を有していない。従って、低周波数領域から高周波数領域にかけて略一様な分布となる。一方、本実施形態の積層マスクおよび従来例に係る自プレーンのみの分散マスク（曲線ａおよびｂ）は、低周波数の領域でのパワーが低く、パワーのピークが高周波に存在している。これは、記録許容画素同士がある程度の距離を維持しながらも、略均等に分散していることを示している。
【０１４６】
マスクパターンの性能評価として、マスクパターンのパワースペクトルが存在する周波数領域のうち、およそ半分より低周波数側にある「低周波数成分」に着目することが本発明の大きな特徴である。マスクパターンの低周波数成分が低く抑えられている状態で、上述したようにグレインの分布に起因するビーディングは現れにくく、また視認されにくい。結果として、記録した画像は視覚的にはざらつき感がないものとなる。また、特に、マスクパターンは、１つのパターンを記録する画像に対して２次元的に繰り返し用いる。この一定のマスクパターンを繰り返した場合は、マスクパターンの低周波数成分が多ければ多いほど、その繰り返しパターンの模様が人の目に認識されやすい。そして、その模様はビーデイングの発生および見え方に大きく影響するため、マスク周期に関連したザラツキ感が発生する。そこで、繰り返しパターンに着目して、マスクパターンの低周波数成分側を抑える設計が重要となる。つまり本発明では、視覚的にザラツキなどが気になる低周波数領域に焦点をあてて、その低周波域の成分を低く抑えるようにしている。すなわち、本発明のマスクパターンはそのような低周波数のパワーが低く抑えられていることが特徴である。
【０１４７】
さらに、人間の目の感度に関する周波数特性は、記録物と人の目の距離などに依存し、例えば、ドーリイ（Dooley）の文献（「R.P. Dooley：Prediction Brightness Appearance at Edges Using Linear and Non-Liner Visual Describing Functions, SPES annual Meeting (1975)」）などによってこれまで多く論じられている。様々な実験から記録物を見る場合には、およそ１０ｃｙｃｌｅｓ/ｍｍより低い周波数領域の成分が人の目に認識しやすいと言われている。このことに関して、本発明者も実験的に確認している。そこで、１０ｃｙｃｌｅｓ/ｍｍより低周波数側を含む領域（低周波数領域）に着目することが重要といえる。実際には記録物に目をさらに近づける場合もあるため、本発明者は、およそ２０ｃｙｃｌｅｓ/ｍｍより低周波数側に着目し設計することが重要と考える。なお、後述する各実施形態のマスク評価（例えば、図５０）で着目している低周波数領域は、おおよそこれらの範囲と重なっている。
【０１４８】
図３３および図３４に示す、マスクを重ねたときの論理和および論理積パターンのパワースペクトルでは、いずれの場合も、従来例に係るコーンマスク分散マスク（曲線ｂ）の低周波数成分が本実施形態の積層マスク（曲線ａ）より多くなっている。すなわち、図２３および図２４に示したように、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクにおける記録許容画素の配置は、本実施形態の積層マスクに比べ、その分散が劣る。
【０１４９】
図３５および図３６は、本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクをそれぞれ２つおよび３つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルを示す図である。それぞれの図において、曲線ａは、本実施形態の積層マスクの重ね合わせパターン（図２８、図２９）のパワースペクトルを示し、曲線ｂは、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクの重ね合わせパターン（図３０）のパワースペクトルを示し、曲線ｃは、同じく従来例に係るランダムマスクの重ね合わせパターン（図３１）のパワースペクトルをそれぞれ示している。
【０１５０】
３つの曲線を比較すると、ランダムマスクは、上記単独マスク、論理和パターンおよび論理積パターンのパワースペクトルと同様に、空間周波数の全域に対し略一律なパワーを有している。一方、曲線ｂで示す自プレーンのみの分散マスクの重ね合わせパターンは、図３２に示した単一の自プレーンのみの分散マスクに比べ、低周波数成分が多くなっている。また、曲線ｂで示す自プレーンのみの分散マスクマスクの重ね合わせパターンは、本実施形態の積層マスクの重ね合わせパターンに比べ、低周波数成分が多くなっている。すなわち、図３０に示したように分散が悪くなりパターンのざらつき感が増す。
【０１５１】
これに対し、曲線ａで示す本実施形態の積層マスクの重ね合わせパターンの低周波数成分は、図３２に示した単一の積層マスクと比較しても殆ど変わっていない。これは、３つのプレーンを重ね合わせた状態においても、記録許容画素同士がある程度の距離を保ちながら、略均等に分散していることを示している。
【０１５２】
ずらしによる評価
本発明の実施形態に係るマスクが従来の１つのプレーンのみを考慮して得られるマスク（特許文献１に記載の自プレーンのみの分散マスク）と異なる点の１つは、異なるプレーンのマスクを正規の位置で重ねた場合と正規ではない位置で重ねた場合の分散性の変化である。本発明の実施形態に係るマスクは、異なるプレーンのマスクの重ね方を意図的にずらした場合、記録許容画素の分散性が大きく低下する。すなわち、本実施形態では、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方をすると分散性が大きく低下する。一方、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクの場合、異なるプレーン間での分散性は考慮していないため、正規の重ね方とは異なる重ね方をしても分散性に変化はない。
【０１５３】
このずれの評価は次のように行う。上述した製法によって作成したＣ１、Ｍ１、Ｙ１を、それぞれから各色ラスター方向にずらす。このときマスク自体は周期的に並ぶためずらすことが可能である。
【０１５４】
図３７〜図３９は、マスクをずらして重ねた場合、Ｃ１、Ｍ１を重ねたときのそれぞれ論理和、論理積および「重ね合わせ」のパターンを示す図である。これらの図から明らかなように、本実施形態の積層マスクＣ１、Ｍ１の重ね位置をずらした重ねパターンの論理和、論理積、「重ね合わせ」のいずれも分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。
【０１５５】
図４０〜図４２は、重ね位置をずらした場合と重ね位置をずらさない場合（つまり、正規の位置で重ねた場合）のパワースペクトルを比較した図であり、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクの論理和パターンのパワースペクトルを示す図である。
【０１５６】
図４０に示す本実施形態の積層マスクは、ずらした場合の低周波数成分は、ずらし無しの場合に較べて比較的大きくなる。これは、上述したように、積層マスクは、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方としたときは、分散性が大きく低下するからである。
【０１５７】
これに対し、図４１および図４２に示す従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクは、ずらした場合とずらし無しの場合とでパワースペクトルの低周波数成分に殆ど変化がない。これは、これらのマスクが、もともと異なるプレーン間での記録許容画素の分散を考慮していないため、重ね位置がずれてもそれによって重ねたときのパターンにおける分散に大きな違いを生じないからである。
【０１５８】
図４３〜図４５は、図４０〜図４２に示す図と同様、重ね位置をずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルの比較図である。図４３〜図４５は、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクの論理積パターンのパワースペクトルを示す図である。また、図４６〜図４８は、重ね位置をずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルの比較図であり、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクの「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルを示す図である。これらの図からも明らかなように、本実施形態の積層マスクは、ずらした場合の低周波数成分がずらし無しの場合に較べて大きく増す。一方、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクは、ずらした場合とずらし無しの場合とでパワースペクトルの低周波数成分に殆ど変化がない。図４９に示す本実施形態の３つの積層マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１をずらして重ねたときの「重ね合わせ」パターンのパワースペクトルでも、同様に、ずらしたときに周波数領域の全体としてパワーが増大する。
【０１５９】
図５０〜図５２は、以上のずらしによる評価を低周波数成分の量で表した図であり、それぞれ本実施形態の積層マスク、従来例に係る自プレーンのみの分散マスクおよびランダムマスクに示している。ここで、低周波数成分の量は、パワースペクトルが存在する空間周波数領域のおよそ半分に相当する９０以下の成分を積分したものである。
【０１６０】
図５０に示すように、本実施形態の積層マスクの場合、ずらしたものは、マスクＣ１、Ｍ１のそれぞれ論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターンおよびマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１の「重ね合わせ」パターンのいずれにおいても、ずらしていない場合と比較して、低周波数成分の量が多くなることがわかる。
【０１６１】
これに対し、図５１に示す自プレーンのみの分散マスクおよび図５２に示すランダムマスクのいずれもずらした場合とずらしていない場合とで低周波数成分の量に変化はない。
【０１６２】
以上のように、マスクを重ね合わせる場合に、その重ね位置をずらしたとき分散性に係る評価値が大きく変化するか否かによって、本発明を適用したマスクか否かを判断することができる。すなわち、上述のずらしによる評価は、本発明を適用したマスクが重ね合わせにおける分散性を考慮してあることを証明するものである。
【０１６３】
〔実施形態２：４パス記録用１００％均等マスク〕
（１）本実施形態の概要
本実施形態は、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）、ブラック（Ｋ）の各インクについて４回の走査で画像を完成する４パスのマルチパス記録に関する。そして、この４パス記録に用いるインク色のそれぞれについて複数（本実施形態では４）回の走査それぞれに用いるマスクが良好に分散しているだけでなく、これらのマスクの任意の複数のプレーンを合わせたものも良好に分散したものである。
【０１６４】
以下では、図示および説明の簡略化のため、シアン、マゼンタ、イエローの３色で４パス記録を行う場合について説明する。
【０１６５】
シアン、マゼンタ、イエローの各色ノズル群は、第１グループ〜第４グループの４つのグループに分割され、各グループには１２８個ずつのノズルが含まれている。各グループには本実施形態のマスクパターン（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４）が対応付けられており、各マスクパターンの副走査方向（搬送方向）の大きさは各グループのノズル個数と同じ１２８画素分となっている。一方、走査方向の大きさは２５６画素分となっている。また、同色インクのノズル群に対応する４つのマスクパターン（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３およびＣ４、Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３およびＭ４、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３およびＹ４）はそれぞれ４つのパターンで補完して総ての画素に対応する関係にあり、これらを重ね合わせると１２８×２５６画素に対応した領域の記録が完成される構成となっている。
【０１６６】
これらのマスクを用いた記録動作では、各色ノズル群はノズル配列方向と略直交する方向へ走査しながら記録媒体にインクを吐出する。例えば、各領域に対してＣ，Ｍ，Ｙのインク吐出が行われる。また、走査が終了するたびに、記録媒体は走査方向と直交する方向に１つのブループの幅分（すなわち、１２８画素分）ずつ搬送される。これにより、記録媒体の各グループの幅に対応する大きさの領域は４回の走査によって画像が完成する。
【０１６７】
さらに具体的に説明すると、記録媒体におけるそれぞれノズルグループの幅に対応する大きさの連続した４つの領域を記録媒体の搬送方向に順に領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄとするとき、第１走査では記録媒体上の領域Ａに対して、Ｃノズル群の第１グループ、Ｍノズル群の第１グループ、Ｙノズル群の第１グループを用いて記録が行われる。そして、この第１走査では領域Ａに対してはマスクパターンＣ１、マスクパターンＭ１、マスクパターンＹ１が用いられる。
【０１６８】
次に、第２走査では、第１走査での記録が終了した領域Ａに対して、Ｃノズル群の第２グループ、Ｍノズル群の第２グループ、Ｙノズル群の第２グループを用いて記録が行われるとともに、未記録状態の領域Ｂに対して、Ｃノズル群の第１グループ、Ｍノズル群の第１グループ、Ｙノズル群の第１グループを用いて記録が行われる。従って、第２走査では領域Ａに対してマスクパターンＣ２、マスクパターンＭ２、マスクパターンＹ２が用いられるとともに、領域Ｂに対してマスクパターンＣ１、マスクパターンＭ１、マスクパターンＹ１が用いられる。
【０１６９】
さらに、第３走査では、第２走査での記録が終了した領域Ａに対して、Ｃノズル群の第３グループ、Ｍノズル群の第３グループ、Ｙノズル群の第３グループを用いて記録が行われるとともに、領域Ｂに対して、Ｃノズル群の第２グループ、Ｍノズル群の第２グループ、Ｙノズル群の第２グループを用いて記録が行われ、さらに、未記録状態の領域Ｃに対して、Ｃノズル群の第１グループ、Ｍノズル群の第１グループ、Ｙノズル群の第１グループを用いて記録が行われる。従って、第３走査では領域Ａに対してマスクパターンＣ３、マスクパターンＭ３、マスクパターンＹ３が用いられ、領域Ｂに対してマスクパターンＣ２、マスクパターンＭ２、マスクパターンＹ２が用いられ、領域Ｃに対してマスクパターンＣ１、マスクパターンＭ１、マスクパターンＹ１が用いられる。
【０１７０】
さらに、第４走査では、第３走査の記録が終了した領域Ａに対して、Ｃノズル群の第４グループ、Ｍノズル群の第４グループ、Ｙノズル群の第４グループを用いて記録が行われるとともに、領域Ｂに対して、Ｃノズル群の第３グループ、Ｍノズル群の第３グループ、Ｙノズル群の第３グループを用いて記録が行われ、領域Ｃに対して、Ｃノズル群の第２グループ、Ｍノズル群の第２グループ、Ｙノズル群の第２グループを用いて記録が行われ、さらに、未記録状態の領域Ｄに対して、Ｃノズル群の第１グループ、Ｍノズル群の第１グループ、Ｙノズル群の第１グループを用いて記録が行われる。従って、第４走査では領域Ａに対してマスクパターンＣ４、マスクパターンＭ４、マスクパターンＹ４が用いられ、領域Ｂに対してマスクパターンＣ３、マスクパターンＭ３、マスクパターンＹ３が用いられ、領域Ｃに対してマスクパターンＣ２、マスクパターンＭ２、マスクパターンＹ２が用いられ、さらに、領域Ｄに対してマスクパターンＣ１、マスクパターンＭ１、マスクパターンＹ１が用いられる。
【０１７１】
以上説明したように、４回の走査で記録媒体上の領域Ａに対する画像の記録が完成する。また、領域Ｂや後続の領域についても同様に記録が行われていく。
【０１７２】
本実施形態では、上述した実施形態１と同様、中間画像におけるグレインの発生を避けるべく、それぞれのプレーンのマスクを重ねたときの記録許容画素の配置を非周期で低周波数成分が少なく分散性の良いものとしている。これにより、画像の完成に至る各段階の中間画像におけるドットの近接ないし隣接、また、ドットの重なりを、極力排除するようにする。また、仮に、ドットの重なりや隣接が排除しきれない場合でも、そのような重なりなどについても分散性の高いものとするものである。
【０１７３】
（２）マスクの製法
本実施形態においても、マスクの製造方法として、実施形態１で説明した同時生成法とパスごとの生成法のいずれをも用いることができる。但し、本実施形態では、同時生成法とパスごとの生成法が同じものとはならない。以下、これらの方法について順に説明する。
【０１７４】
同時生成
図５３は、本実施形態の同時生成法を概念的に説明する図である。
【０１７５】
同図に示すように、本実施形態の同時生成法は、１パス目〜３パス目用のマスクであるマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、（Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）および（Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）を、ステップ１で同時に生成する。そして、ステップ２として、４パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスク（Ｃ４、Ｍ４、Ｙ４）を、上記１パス目〜３パス目のマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、（Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）および（Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）とそれぞれの色が補完の関係を持つように生成する。すなわち、色ごとに、４パス目のマスクは、その記録許容画素の配置が１パス目〜パス目のマスクの記録許容画素の配置と排他的な関係となるように生成される。
【０１７６】
１パス目〜３パス目用のマスクの生成における記録許容画素の具体的な配置の仕方は、実施形態１にて説明した「配置移動法」または「順次移動法」のいずれかを以下に示すようにして用いることができる。
【０１７７】
（配置移動法）
この方法を用いるときの処理は、基本的に、実施形態１について図８にて説明して処理と同様である。すなわち、図８のステップＳ８０１と同様、１パス目〜３パス目のそれぞれの色のマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、（Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）、（Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）それぞれのプレーンのサイズに対応したＣ、Ｍ、Ｙそれぞれの２５％濃度の画像を取得する。そして、ステップＳ８０２と同様、それぞれの画像について誤差拡散法などの２値化手法を用いて２値化を行う。これにより、それぞれのマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、（Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）、（Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）それぞれのプレーンについて、記録許容画素がマスク画素全体の２５％に配された初期配置を得ることができる。
【０１７８】
次に、ステップＳ８０３と同様、上記のようにして得たマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、（Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）、（Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）それぞれのプレーンの総ての記録許容画素について斥力ポテンシャルを計算する。
【０１７９】
この斥力ポテンシャルの計算で、実施形態１の処理と異なる点は次のとおりである。例えば、プレーンＣ２のある許容画素の斥力ポテンシャルを計算するとき、異なる色の他のプレーンの距離ｒにある記録許容画素による影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値は実施形態と同じく１とする。一方、同じ色の異なるプレーンＣ１、Ｃ３おいて距離ｒにある記録許容画素からの影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値は２とする。これにより、同じ色のマスクを重ねたときの記録許容画素の分散（βが２）が、異なる色の記録許容画素との分散（βが１）に優先して確保される。
【０１８０】
次に、図８のステップＳ８０４と同様、図１０（ａ）〜（ｄ）にて説明したように、エネルギー減衰を行う。ここで、実施形態１と異なる点は次の通りである。すなわち、それまでの処理で計算した９プレーンの総ての記録許容画素について順次、その記録許容画素からの距離ｒが４以内の画素の中で斥力ポテンシャルが最も下がる画素に記録許容画素を移すが、その際、同じ色（プレーン）での記録許容画素の重なりを禁止する点である。これにより、３パス用の同じ色のマスク相互の補完関係を得ることができる。
【０１８１】
（順次配置法）
同時生成における順次配置法は、実施形態１について図１１で説明した処理と基本的に同じである。異なる点は、上記配置移動法で説明したことと同じである。すなわち、斥力ポテンシャルを計算する際の、異なる色の他のプレーンの記録許容画素による影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値を１とするとともに、同じ色の異なるプレーンにある記録許容画素からの影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値を２とする。また、斥力ポテンシャルが最も下がる画素にその注目記録許容画素を配置する際、同じ色（プレーン）での記録許容画素の重なりを禁止する。
【０１８２】
そして、この配置が各プレーン２５％の数を配置する処理を終了する（図１１のステップＳ１１０６参照）。
【０１８３】
パスごとの生成
図５４は、本実施形態のパスごとの生成法を概念的に説明する図である。
【０１８４】
同図に示すように、本実施形態の同時生成法は、ステップ1で、１パス目用のマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）を生成し、次のステップ２で、２パス目用のマスク（Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）を生成し、さらにステップ３で、３パス目用のマスク（Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）を生成する。そして、ステップ４として、４パス目に用いるそれぞれのプレーンのマスク（Ｃ４、Ｍ４、Ｙ４）を、上記生成された１パス目〜３パス目のマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、（Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）および（Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）とそれぞれの色が補完の関係を持つように生成する。すなわち、色ごとに、４パス目のマスクは、その記録許容画素の配置が１パス目〜パス目のマスクの記録許容画素の配置と排他的な関係となるように生成される。
【０１８５】
１パス目〜３パス目用のマスクの生成における記録許容画素の具体的な配置の仕方は、実施形態１にて説明した「配置移動法」または「順次移動法」のいずれかを以下に示すようにして用いることができる。
【０１８６】
（配置移動法）
この方法を用いるときの処理は、基本的に、実施形態１について図８にて説明して処理と同様である。すなわち、図８のステップＳ８０１と同様、１パス目のそれぞれの色のマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）それぞれのプレーンのサイズに対応したＣ、Ｍ、Ｙそれぞれの２５％濃度の画像を取得する。そして、ステップＳ８０２と同様、それぞれの画像について誤差拡散法などの２値化手法を用いて２値化を行う。これにより、それぞれのマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）それぞれのプレーンについて、記録許容画素がマスク画素全体の２５％に配された初期配置を得ることができる。
【０１８７】
次に、ステップＳ８０３と同様、上記のようにして得たマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）それぞれのプレーンの総ての記録許容画素について斥力ポテンシャルを計算する。
【０１８８】
この斥力ポテンシャルの計算で、実施形態１の付与処理と異なる点は、上述の同時生成における配置移動法と同じである。すなわち、ある許容画素の斥力ポテンシャルを計算するとき、異なる色の他のプレーンの距離ｒにある他の記録許容画素による影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値は実施形態と同じく１とする。一方、同じ色の異なるプレーンおいて距離ｒにある記録許容画素からの影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値は３とする。これにより、同じ色のマスクを重ねたときの記録許容画素の分散（βが３）が、異なる色の記録許容画素との分散（βが１）に優先して確保される。また、異なる色のプレーンからの影響；βＥ（ｒ）の係数βの値が実施形態１と同じく１であることにより、例えば、Ｃ、Ｍ、Ｙそれぞれの記録許容画素の集まりが分散性が高く配置されるようなパターンを求めることができる。
【０１８９】
以上のようにして１パス目のマスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）の記録許容画素の配置を得ると、以下、同様にして、２パス目（ステップ２）、３パス目（ステップ３）のマスクパターンを求める。この際、記録許容画素を配置する際（図８のステップＳ８０４参照）、それまで生成されたパスのパターン；記録許容画素の配置は固定する。これにより、1パス目〜３パス目までのマスクパターン相互の補完性を保証することができる。
【０１９０】
（順次配置法）
パスごとの生成における順次配置法は、実施形態１について図１１で説明した処理と基本的に同じである。異なる点は、上記配置移動法で説明したことと同じである。すなわち、斥力ポテンシャルを計算する際の、異なる色の他のプレーンの記録許容画素による影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値を１とするとともに、同じ色の異なるプレーンにある記録許容画素からの影響；βＥ（ｒ）の重み付け係数βの値を３とする。また、斥力ポテンシャルが最も下がる画素にその注目記録許容画素を配置する際、それまで生成されたパスのパターン；記録許容画素の配置は固定する。これにより、１パス目〜３パス目までのマスクパターン相互の補完性を保証することができる。
【０１９１】
そして、この配置が各プレーン２５％の数を配置する処理を終了する（図１１のステップＳ１１０６参照）。
【０１９２】
（３）マスク特性評価
図５５〜図５７は、上述したいずれかの製法によって製造された本実施形態の１プレーン分の積層マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１それぞれの記録許容画素の配置パターンを示す図である。各マスクパターンは、１２８×２５６の画素のエリアを有したものである。
【０１９３】
これらの図に示すように、本実施形態のマスクのパターンは、特に、係数αの効果によって同一プレーン内の分散性を考慮した記録許容画素が配置されているので、全体的としては滑らかな印象を受ける。
【０１９４】
図５８〜図６０は、本実施形態の積層マスクをそれぞれ３つ（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、６つ（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）および９つ（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２、Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）を正規の位置で重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。これらの積層マスクを複数重ねたときの「重ね合わせ」パターンは、それらのマスクの論理和パターンを薄い濃度で、論理積パターンをより濃い濃度で表している。
【０１９５】
これらの図に示す「重ね合わせ」のパターンは、本実施形態のマスクを用いて記録を行うときのそれぞれ中間画像のインクドットのパターンに近いものを表している。従って、これらのパターンからも、中間画像におけるインクドットやそれらの重なりが良好に分散していることがわかる。
【０１９６】
ずらしによる評価
本実施形態に係る４パス用積層マスクについても、上記の実施形態１と同様のずらしによる評価を行う。
【０１９７】
図６１は、図５８に示した３つの積層マスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）のそれぞれをずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。また、図６２は、図５９に示した６つの積層マスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）のそれぞれをずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。さらに、図６３は、図６０に示した９つの積層マスク（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２、Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）のそれぞれをずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。
【０１９８】
これらの図から明らかなように、本実施形態の積層マスクの重ね位置をずらした重ね合わせパターン（図６１〜図６３）のいずれも、重ね位置をずらさないパターン（図５８〜図６０）に比べて分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。
【０１９９】
図６４は、以上のずらしによる評価を低周波数成分の量で表した図である。ここでは、上述した３つ（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１）、６つ（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２）および９つ（Ｃ１、Ｍ１、Ｙ１、Ｃ２、Ｍ２、Ｙ２、Ｃ３、Ｍ３、Ｙ３）の積層マスクそれぞれについて、「重ね合わせ」パターンをずらした場合（図６１〜図６３）とずらさない場合（図５８〜図６０）の低周波数成分の量を比較して示している。
【０２００】
同図に示すように、本実施形態の積層マスクの場合、ずらしたものは、いずれのパターンにおいても、ずらしていない場合（つまり、正規の位置で重ねた場合）と比較して、低周波数成分の量が多くなることがわかる。
【０２０１】
以上のように、マスクを重ね合わせる場合に、その重ね位置をずらしたとき分散性に係る評価値が大きく変化するか否かによって、本発明を適用したマスクか否かを判断することができることは前述したとおりである。
【０２０２】
なお、本実施形態におけるマスクパターンは、横：２５６画素×縦：１２８画素のサイズとなっており、縦横のサイズが異なる。このようなパターンについて周波数成分を求めるときは、マスクパターンの縦横サイズを揃えてから周波数成分を求めるようにする。本実施形態では、縦横サイズを長手方向のサイズ（本実施形態の場合、横方向の２５６画素）に揃えるため、縦にパターンを繰り返し、２５６画素×２５６画素のパターンとして周波数成分を評価した。
【０２０３】
その他のサイズの場合も同様であり、縦横サイズを長手方向のサイズに揃えたパターンについて周波数成分を評価する。具体的には、パターンの短手方向のサイズが長手方向のサイズ以上になるまで短手方向にパターンを繰り返し、その中からパターンを切り出し、その切り出したパターンについて評価する。その際、周波数変換を行うときに高速フーリエ変換を使えるよう、縦横サイズは２のｎ乗（ｎは正の整数）であることが好ましい。２のｎ乗でない場合には、長手方向のサイズに最も近い２のｎ乗を特定し、その特定した２のｎ乗のサイズで切り出せるようにパターンを縦横に繰り返す。そして、この繰り返しにより生成されたパターンの中から、上記特定した２のｎ乗のサイズのパターンを切り出し、その切り出したパターンについて評価を行う。例えば、マスクパターンが横：５００画素×縦：３２０画素であった場合について考える。この場合、長手方向のサイズは「５００」なので、この「５００」に最も近い２のｎ乗を特定する。最も近い２のｎ乗は「５１２」と特定される。そこで、５１２画素×５１２画素のパターンを切り出すために、横方向と縦方向に１回づつパターンを繰り返し、１０００画素×６４０画素のパターンを生成する。こうして生成された１０００画素×６４０画素のパターンの中から５１２画素×５１２画素のパターンを切り出し、切り出したパターンについて評価を行う。
【０２０４】
〔実施形態３：２パス記録用１００％グラデーションマスク〕
本実施形態は、いわゆるグラデーションマスクに関するものである。グラデーションマスクは、例えば、特許文献３によって知られたものである。グラデーションとは、ノズル列端部の記録率が低く、中央部の記録率が高く設定されているような、ノズル位置に応じて記録率が異なるマスクである。このマスクによれば、マルチパス記録で各パスの記録領域の境界で弊害の原因となりやすい端部ノズルの吐出をその頻度を相対的に少なくすることにより、画像品位を向上させる効果が得られる。
【０２０５】
ここで、上述したマスクパターンの「記録率」とは、マスクパターンにおける一定の領域に含まれる全画素数（記録許容画素と非記録許容画素の和）に対する記録許容画素数の割合である。例えば、単一ノズルに対応するマスクパターンの記録率とは、その単一ノズルに対応する領域（単一ラスタ領域）に含まれる全画素数に対する記録許容画素の割合である。
【０２０６】
このようなマスクの場合、ノズル列全体に対応したマスクパターンを空間周波数でみたとき、領域ごとの記録率の変化に起因した低周波数成分の増大が見られる。しかしながら、このような記録率が徐々に変化するような記録許容画素の配置を許容しつつ、それ以外の不必要な低周波成分が抑えられたマスクパターンが実現されれば、グレインの発生を抑えると言う本発明の効果を得ることはできる。従って、マスクにおいて変化する記録率のそれぞれに対応した複数の領域それぞれで分散性を高く保ちつつ、各領域間では記録率に変化を持たせたグラデーションマスクとすることによって、本発明と特許文献３に記載の双方の効果を得ることが可能となる。
【０２０７】
図６５（ａ）および（ｂ）は、本実施形態に係るグラデーションマスクのノズル位置に対応させた記録率、および２プレーンの相互に排他的なマスクパターンを示す図である。
【０２０８】
この２プレーンのマスクは、本実施形態の場合、シアンの２プレーンのマスクＣ１、Ｃ２、マゼンタの２プレーンのマスクＭ１、Ｍ２、またはイエローの２プレーンのマスクＹ１、Ｙ２である。これらのマスクのうち、図では代表的にシアンのマスクＣ１、Ｃ２を示している。そして、上記の実施形態１で説明したように、これら６つのマスクの記録許容画素の配置は相互に分散したものとなっている。
【０２０９】
これらの図に示すように、各走査では、番号０〜２５５のノズルがマスクＣ２に対応し、番号２５６〜５１１のノズルがマスクＣ１に対応して記録が行われる。なお、上述の通り、マスクＣ１とマスクＣ２は補完関係にある。そして、走査と走査の間には、２５６個分のノズル配列の長さに対応した量だけ記録媒体が搬送される。このように走査と搬送を繰り返すことで、上記２５６個分のノズル配列に対応した領域をマスクＣ１とマスクＣ２で補完する、２パス記録が行われる。
【０２１０】
図６５（ａ）に示すように、マスクＣ１およびマスクＣ２は、それぞれ記録率が０．３から０．７までラスター（ノズル）ごとに変化するとともに、それぞれのプレーン全体で合計５０％の記録率を有する。これにより、マスクの各ラスターの記録許容画素の数は、上記記録率によって定まる。例えば、記録率が０．４（４０％）のラスターでは、そのマスクのラスター方向サイズが１０００画素あるとすると、約４００個の記録許容画素が配置される。
【０２１１】
（２）マスクの製法
本実施形態に係るマスクの製造方法は、基本的に実施形態１で説明した方法と同じ方法を用いることができる。すなわち、全プレーンを同時に生成する方法と、パスごとに順次マスクを生成する方法の２つの方法のいずれでも実施することができる。本実施形態の２パス記録の場合、実施形態１で上述したように、同時生成とパスごとの生成の方法は同じものとなる。また、上記２つの生成方法それぞれについて、配置移動法と順次配置法のいずれも実施できることも同じである。以下、本実施形態に係る配置移動法と順次配置法を順に説明する。
【０２１２】
配置移動法
図６６は、本実施形態の２パス記録に用いるグラデーションマスクの記録許容画素の配置移動法による配置決定処理を示すフローチャートである。同図に示す処理は、基本的に実施形態１に関して図８に示した処理と同様である。以下では、異なる点を主に説明する。
【０２１３】
ステップＳ６６０１、Ｓ６６０２の処理は、図８に示したステップＳ８０１、Ｓ８０２の処理と同様である。また、ステップＳ６６０３の処理も、ステップＳ８０３の処理と同様であり、マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１それぞれのプレーンで上記のようにラスターごとに配置された総ての記録許容画素について斥力ポテンシャルを計算する。
【０２１４】
次に、ステップＳ６６０４で、図８のステップＳ８０４と同じく、各プレーンの記録許容画素について上記のようにして得ることができる斥力ポテンシャルを３つのプレーンＣ１、Ｍ１およびＹ１について合計して総エネルギーを求める。そして、図１０（ａ）〜（ｄ）にて上述したように、記録許容画素の配置を移動させて行く。
【０２１５】
その際、最もポテンシャルエネルギーが低い位置に移動させるとそのラスターの上述した配置数の制限を超えるときは、そのラスターへは移動させず配置数が制限以内となるラスターで、次にエネルギーの低い画素があるラスターのそのエネルギーの低い画素に移動させる。これにより、ラスターごとの記録率を保持しつつ分散性の高い記録許容画素の配置を得ることができる。
【０２１６】
以下は、図８の処理と同じように、総エネルギーの低下率を計算し、それが所定値以下であると判断すると、エネルギー減衰処理を終了する。そして、総エネルギーの低下率が所定値以下となった状態の各プレーンを１パス目のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１として設定する。さらに、これらマスクの記録許容画素の配置に対するそれぞれ排他的位置を記録許容画素の配置とした２パス目のマスクＣ２、Ｍ２、Ｙ２を設定する。なお、ここでも、上述した実施形態１と同様、エネルギーの減衰処理を終了させるか否かの判断を、総エネルギーの低下率で判断するのではなく、総エネルギー所定置以下となったかどうかで判断するようにしてもよい。
【０２１７】
順次配置法
この方法も、基本的に実施形態１に関して図１１にて上述した方法と同じである。図６７は、本実施形態の順次配置法による記録許容画素の配置決定処理を示すフローチャートである。
【０２１８】
図６７のステップＳ６７０１〜Ｓ６７０３、Ｓ６７０５、Ｓ６７０６およびＳ６７０７の処理は、図１１のＳ１１０１〜Ｓ１１０３、Ｓ１１０５、Ｓ１１０６およびＳ１１０７の処理と同じである。
【０２１９】
異なる点は、ステップＳ６７０４で、プレーン内で最小エネルギーの画素に記録許容画素を置く際に、上述したように記録率に応じて定まるラスターごとの配置数を超えるときは、配置数の制限以内であるラスターで、次にエネルギーの低い画素があるラスターのそのエネルギーの低い画素に配置する点である。これにより、記録率をラスターごとに変化させながら、分散性の高いグラデーションマスクを得ることができる。
【０２２０】
なお、上述したいずれの製法の例でも、ラスターごとに配置数を管理するものとしたが、これに限られることはない。例えば、マスクパターンを所定の複数のラスターごとに記録率を定める場合は、その複数のラスターごとに配置数の制限を行うようにする。
（３）マスク特性評価
図６８〜図７０は、上述したいずれかの製法によって製造された本実施形態の１プレーン分のマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１それぞれの記録許容画素の配置パターンを示す図である。各マスクパターンは、２５６×２５６の画素のエリアを有したものである。
【０２２１】
これらの図に示すように、本実施形態のマスクのパターンは、特に、係数αの効果によって同一プレーン内の分散性を考慮した記録許容画素が配置されているので、グラーデーションが持つ記録許容画素の偏りを除いて、記録許容画素の分散に偏りが無く、全体的としては滑らかな印象を受ける。
【０２２２】
図７１および図７２は、図６８および図６９に示した本実施形態の積層マスクＣ１、Ｍ１のそれぞれ論理和パターンおよび論理積パターンを示す図である。
【０２２３】
図７１および図７２に示すように、本実施形態の２つのマスクを重ねた場合の記録許容画素の配置（論理和）と、その中から記録許容画素が重なったものを抽出したものの配置（論理積）は、グラデーションによる分散の偏りを除いて、ともに分散がよくざらつき感のないものとなっている。これは、上述したように、２つのプレーン相互で記録許容画素の分散を考慮（係数β）するとともに、重なり自体の分散を考慮（係数γｓ（ｎ））しているからである。
【０２２４】
図７３および図７４は、本実施形態の積層マスクをそれぞれ２つおよび３つ重ねたときの「重ね合わせ」パターンを示す図である。積層マスクＣ１、Ｍ１を重ねたときの「重ね合わせ」パターンは、これら２つのマスクの論理和パターン（図７１）を薄い濃度で、論理積パターン（図７２）をより濃い濃度で表している。また、積層マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１を重ねたときの「重ね合わせ」パターンは、これら３つのマスクの論理和パターンを薄い濃度で、論理積パターンをより濃い濃度で表している。
【０２２５】
図７３および図７４に示す「重ね合わせ」のパターンは、本実施形態のマスクを用いて記録を行うときのそれぞれ中間画像のインクドットのパターンに近いものを表している。従って、これらのパターンからも、中間画像におけるインクドットやそれらの重なりが良好に分散していることがわかる。
【０２２６】
ずらしによる評価
本実施形態に係るグラデーションマスクについても、上記の各実施形態と同様ずらしによる評価を行う。
【０２２７】
図７５〜図７７は、図６８、図６９に示したマスクＣ１、Ｍ１をずらして重ねたときの論理和、論理積および「重ね合わせ」のパターンを示す図である。これらの図から明らかなように、本実施形態の積層マスクＣ１、Ｍ１の重ね位置をずらした場合の論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターンは、正規の位置で重ねた各種パターン（図７１〜図７３）に比べて、分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。
【０２２８】
図７８は、積層マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１をずらして重ねたときの「重ね合わせ」のパターンを示す図である。この図から明らかなように、本実施形態の積層マスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１の重ね位置をずらした場合の「重ね合わせ」パターンも、正規の位置で重ねたパターン（図７４）に比べて、分散性が低下し、パターンを観察したときのざらつき感が増している。
【０２２９】
図７９〜図８１は、重ね位置をずらした場合と重ね位置をずらさない場合（つまり、正規の位置で重ねた場合）のパワースペクトルを比較した図である。詳しくは、本実施形態の２つの積層マスクＣ１，Ｍ１の論理和、論理積、および［重ね合わせ］パターンをずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルを示す図である。また、図８２は、本実施形態の３つの積層マスクの［重ね合わせ］パターンをずらした場合とずらさない場合のパワースペクトルを示す図である。
【０２３０】
これらの図に示すように、本実施形態の積層マスクは、論理和、論理積、および［重ね合わせ］のいずれの場合も、ずらした場合の低周波数成分は、ずらし無しの場合に較べて大きくなる。これは、上述したように、積層マスクは、異なるプレーン間でも分散を考慮していることから、その分散を考慮するときの正規の重ね方とは異なる重ね方としたときは、分散性が大きく低下するからである。
【０２３１】
また、それぞれの図のずらし無しのパワースペクトルにおいて、空間周波数が１から２０あたりでパワーが大きくなっている。これは、グラデーションマスクとして記録率を変化させていることに起因するものである。すなわち、このような比較的小さな空間周波数、つまり大きな周期の記録許容画素の配置の偏りは、とりもなおさずグラデーションとして認識されるものであり、これは本発明で制御しようとしている不必要な低周波数成分の偏りとして認識されるものではない。
【０２３２】
図８３は、以上のずらしによる評価を低周波数成分の量で表した図である。ここでは、本実施形態の２つの積層マスクＣ１、Ｍ１の論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターン、およびマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１の「重ね合わせ」パターンについて、ずらした場合とずらさない場合の低周波数成分の量を比較して示している。
【０２３３】
同図に示すように、本実施形態の積層マスクの場合、ずらしたものは、マスクＣ１、Ｍ１のそれぞれ論理和、論理積、「重ね合わせ」のパターンおよびマスクＣ１、Ｍ１、Ｙ１の「重ね合わせ」パターンのいずれにおいても、ずらしていない場合と比較して、低周波数成分の量が多くなることがわかる。
【０２３４】
以上のように、マスクを重ね合わせる場合に、その重ね位置をずらしたとき分散性に係る評価値が大きく変化するか否かによって、本発明を適用したマスクか否かを判断することができることは前述したとおりである。
【０２３５】
〔実施形態４：２パス記録用１５０％均等マスク〕
上述の各実施形態では、同じ色の複数のプレーンのマスクは相互に補完関係にあり、記録許容画素の配置はプレーン間で排他的なものである。本発明の適用はこのようなマスク限られない。同じ色の複数のマスクそれぞれの記録率を合わせたときに１００％を超える複数プレーンのマスクにも本発明を適用することができる。１００％を超えるマスクを使用すれば、画像データの解像度が低い場合であっても、最大インク打ち込み量を増やすことができる。
【０２３６】
本発明の第４の実施形態は、２パス記録に用いられる同色の２つのプレーンがそれぞれ７５パーセントの記録率を持ち、合わせて１５０％の記録率となるマスクに関するものである。
【０２３７】
図８４は、この２パス記録に用いるマスクを概念的に説明する模式図である。図８４において、Ｐ０００１は、Ｃ、Ｍ、Ｙのうち、１つの色の記録ヘッドを示し、ここでは、図示の簡略化のため８個のノズルを有するものとして示している。ノズルは、第１および第２の２つのグループに分割され、各ノズルグループにはそれぞれ４つのノズルが含まれる。Ｐ０００２ＡおよびＰ０００２Ｂは、この第１および第２グループのノズル列にそれぞれ対応したマスクパターンを示す。すなわち、第１走査で用いるマスクパターンＰ０００２Ａ（同図中、下側のパターン）と第２走査で用いるマスクパターンＰ０００２Ｂ（同図中、上側のパターン）である。これらがそれぞれ１プレーンのマスクとなる。それぞれのマスクパターンは、記録許容画素が黒塗りで示されており、非記録許容画素が白で示されている。第１走査用のマスクパターンＰ０００２Ａと第２走査用のマスクパターンＰ０００２Ｂはそれぞれ７５％の記録率、すなわち、それぞれのパターンにおける全マスク画素に対する記録許容画素の数の割合が７５％のパターンである。従って、これらを重ね合わせると記録許容画素が４×４のエリアに対して１５０％、すなわち、重なりを含んだパターンとなる。なお、図に示すパターンは説明を容易にするため、以下で示す本実施形態のマスクパターンとは異なり概念的に示すパターンとしている。
【０２３８】
Ｐ０００３およびＰ０００４は、２パス記録によって完成する画像を、それを構成するドット配置で示している。画素にドットが１個配置される場合は「１」、ドットが２個配置される場合は「２」として表している。なお、この画像は、説明を容易にするため、総ての画素にドットを形成するいわゆるベタ画像であり、従って、そのドット記録データの生成に用いるマスクＰ０００２の記録許容画素の配置がそのまま反映されたドット配置を示している。第１走査では、第１グループのドット記録データは、マスクパターンＰ０００２Ａを用いて生成される。これにより、ベタ画像の場合は全画素の７５％のドットが埋まる画像が形成される。そして、記録媒体は図中、上方にノズルグループの幅分搬送される。
【０２３９】
次の、第２走査では、上記搬送量分ずれた領域に対する第１グループのドット記録データは、同じくマスクパターンＰ０００２Ａを用いて生成され、上記第１グループで記録された領域に対する第２グループのドット記録データは、マスクパターンＰ０００２Ｂを用いて生成される。この２回の記録走査によって画像が完成する。このとき、完成した画像は、ベタ画像の場合、全画素の１５０％のドットが埋まる画像が形成される。
【０２４０】
本実施形態のマスクの製造方法は、基本的に実施形態１と同様に行うことができる。
【０２４１】
異なる点は、同時生成法およびパスごとの生成のいずれの場合も（図７参照）、ステップ１で１パス目の７５％マスクパターンを生成した後、ステップ２では、実施形態１のように排他位置に記録許容画素を配置するのではなく、ステップ１と同様の処理繰り返し７５％の２パス目のマスクパターンを生成する。以下、さらに具体的に配置法である配置移動法と順次配置法について、実施形態１と異なる点について説明する。  
配置移動法
本実施形態の配置移動法も実施形態１に係る図８の処理と基本的に同様の処理を行う。異なるのは、ステップＳ８０１と同様の処理では、上記ステップ１および２のいずれの生成でも、初期配置として各プレーンについて、７５％の２値データを求める。また、ステップ２の生成で、図８のステップＳ８０４と同様の処理では、記録許容画素の移動に際して、同じ色の異なるプレーンの記録許容画素との重なりを禁止しない。すなわち、エネルギーが最も低く位置に移動させようとしたとき、その位置で同じ色の他のプレーンの記録許容画素と重なってもそこに配置する。これにより、２つのマスクを重ねたものが１００％の記録率を超えた１５０％の記録率のマスクを生成することができる。
【０２４２】
順次配置法
順次移動法についても実施形態１に係る図１１に示した処理と基本的に同様の処理を行う。異なるのは、ステップＳ１１０６と同様の処理では、上記ステップ１および２のいずれの生成でも、７５％まで記録許容画素が配置されたか否かを判断する。また、上記ステップ２の２パス目用のマスク生成では、図１１のステップＳ１１０４と同様の処理で、記録許容画素を配置するに際して、同じ色の異なるプレーンの記録許容画素との重なりを禁止しない。すなわち、エネルギーが最も低く位置に配置しようとしたとき、その位置で同じ色の他のプレーンの記録許容画素と重なってもそこに配置する。これにより、２つのマスクを重ねたものが１００％の記録率を超えた１５０％の記録率のマスクを生成することができる。
【０２４３】
以上の製法により製造したマスクを用いれば、ドットが２個配置される場所（画素の位置）の分散性を向上させることができる。
〔実施形態５：クラスタサイズがｍ×ｎのマスク〕
本発明は、ｍ×ｎ個の記録許容画素を１つの単位とする、いわゆるクラスタマスクについても適用することができる。
【０２４４】
図８５は、２パス記録用の、クラスタサイズが１×２の１００％均等マスクの概念を説明する図である。図８５において、Ｐ０００１は、Ｃ、Ｍ、Ｙのうち、１つの色の記録ヘッドを示し、ここでは、図示の簡略化のため８個のノズルを有するものとして示している。ノズルは、第１および第２の２つのグループに分割され、各ノズルグループにはそれぞれ４つのノズルが含まれる。Ｐ０００２ＡおよびＰ０００２Ｂは、この第１および第２グループのノズル列にそれぞれ対応したマスクパターンを示す。すなわち、第１走査で用いるマスクパターンＰ０００２Ａ（同図中、下側のパターン）と第２走査で用いるマスクパターンＰ０００２Ｂ（同図中、上側のパターン）である。これらがそれぞれ１プレーンのマスクとなる。それぞれのマスクパターンは、１×２のサイズのクラスタ記録許容画素が黒塗りで示されており、１×２のサイズのクラスタ非記録許容画素が白で示されている。第１走査用のマスクパターンＰ０００２Ａと第２走査用のマスクパターンＰ０００２Ｂはそれぞれ５０％の記録率のパターンである。従って、これらを重ね合わせるとクラスタ記録許容画素が４×４のエリアに対して１００％のパターンとなる。
【０２４５】
Ｐ０００３およびＰ０００４は、２パス記録によって完成する画像を、それを構成する１×２個のドットを単位とする配置で示している。なお、この画像は、説明を容易にするため、総ての画素にドットを形成するいわゆるベタ画像であり、従って、そのドット記録データの生成に用いるマスクＰ０００２の記録許容画素の配置がそのまま反映されたドット配置となる。第１走査では、第１グループのドット記録データは、マスクパターンＰ０００２Ａを用いて生成される。これにより、ベタ画像の場合は全画素の５０％のドットが埋まる画像が形成される。そして、記録媒体は図中、上方にノズルグループの幅分搬送される。次の、第２走査では、上記搬送量分ずれた領域に対する第１グループのドット記録データは、同じくマスクパターンＰ０００２Ａを用いて生成され、上記第１グループで記録された領域に対する第２グループのドット記録データは、マスクパターンＰ０００２Ｂを用いて生成される。この２回の記録走査によって画像が完成する。このとき、完成した画像は、ベタ画像の場合、全画素の１００％に１×２個の単位のドットが埋まる画像が形成される。
【０２４６】
以上の説明からも明らかなように、ｍ×ｎ（本実施形態では、１×２）のサイズの記録許容画素を１単位とするとき、実施形態１で説明したのと同様にマスクを製造できることは容易に理解できる。また、本実施形態のマスクは、実施形態１で説明した効果とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０２４７】
〔他の実施形態〕
上述した実施形態以外に、例えば、実施形態２に示した４パスの態様とそれぞれ実施形態３、実施形態４、実施形態５との組み合わせも可能であり、また、実施形態３に示したグラデーションの態様とそれぞれ実施形態４、実施形態５との組み合わせも可能である。さらに、実施形態４と実施形態５との組み合わせも可能であり、これらの組み合わせは、それぞれの実施形態の説明からように実施することができる。
【０２４８】
また、本発明で適用できるインクの種類は、上述の実施形態で説明したインクの種類に限定されるものではない。例えば、ＣＭＹの基本色よりも濃度の低い淡インク（淡シアンインク、淡マゼンタインク）やレッド、ブルー、グリーンなどの特色インクをさらに加えて用いることができる
また、本発明は、記録装置で用いる複数種類のインク全てについて、上述の実施形態で説明した積層マスクを適用してもよいし、あるいは、記録装置で用いる複数種類のインクの一部のインクの組み合わせについて、積層マスクを適用してもよい。
【０２４９】
例えば、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）、ブラック（Ｋ）、淡シアン（Ｌｃ）、淡マゼンタ（Ｌｍ）の６色インクを用いる場合、これら６色全てに対して積層マスクを適用してもよい。この場合、６色分の積層マスクを上記実施形態で説明した製法によって生成することになる。
【０２５０】
一方、これら６色のうち一部の色（２色、３色、４色、５色）の組み合わせについて積層マスクを適用してもよい。この場合、２つの形態が考えられる。第１の形態は、上記一部の色分だけ積層マスクを生成し、それ以外の色についてのマスク製法を問わない形態である。例えば、６色のうち３色（例えば、ＣＭＹ）については上述の実施形態で説明した製法によって積層マスクを生成し、それ以外の３色（ＫＬｃＬｍ）については周知の製法によってマスクを生成する。第２の形態は、上記一部の色分だけ積層マスクを生成し、それ以外の色については上記一部の色のために生成した積層マスクの中から選択したものを割り当てる形態である。例えば、６色のうちＣＭＹの３色については上述の実施形態で説明した製法によって積層マスクを生成し、それ以外の３色（ＫＬｃＬｍ）についてはＣＭＹのために生成した積層マスクの中なら選択したものを適用する。
【０２５１】
また、上述の実施形態では、異なるインク色の組み合わせについて積層マスクを適用する場合について説明したが、本発明は、この形態に限られるものではない。同じ色で径の異なるドット（吐出体積の異なる同色インク）を用いて記録を行う形態にも適用可能である。この場合、同色で径の異なるドット（例えば、大ドット、小ドット）について上述の積層マスクを適用してもよい。例えば、大シアン、小シアン、大マゼンタ、小マゼンタ、イエロー、ブラックの６種類のドットを用いる場合を考える。この場合、大シアンと小シアン、あるいは大マゼンタと小マゼンタについて、上述の実施形態で説明した製法により積層マスクを生成する。
【０２５２】
さらには、同色で径の異なるドット（例えば、大ドット、小ドット）を用いる形態において、異色ドットの組み合わせについては上述の積層マスクを適用し、径の異なる同色ドットの組み合わせについては同じマスクを適用する形態であってもよい。例えば、上述の６種類のドットを用いる場合において、大シアンと大マゼンタについて上記実施形態で説明した製法により積層マスクを生成し、且つ小シアンについては大シアンと同じマスクを適用し、小マゼンタについては大マゼンタと同じマスクを適用するのである。
【０２５３】
なお、同色で径の異なるドットの種類数は、大小２種類に限られるものではなく、大中小の３種類であってもよいし、それ以上であってもよい。また、本発明は、色および大きさの少なくとも一方が異なるドットについて適用した場合においてのみ効果を発揮するものではなく、例えば、離間したノズル群から異なるタイミングで吐出される同色インクについて適用しても効果を発揮する。例えば、ヘッドの主走査方向に沿ってＣＭＹＭＣの順でノズル群が配列されている形態にあっては、離間した同色ノズル群（Ｃノズル群、Ｍノズル群）に対して上記製法によって製造した積層マスクを適用するのである。
【０２５４】
また、本発明は、上述した通り、インク以外の液体を用いる形態においても適用可能である。インク以外の液体としては、インク中の色材を凝集あるいは不溶化させる反応液が挙げられる。この場合、少なくとも、ある１種のインクと反応液について、上記実施形態で説明した製法により積層マスクを生成することになる。
【０２５５】
なお、本発明では、色材として染料を含有する染料インク、色材として顔料を含有する顔料インク、色材として染料および顔料を含有する混合インクのいずれについても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２５６】
【図１】本発明の一実施形態に係る画像処理装置としてのＰＣのハードウェアおよびソフトウェアの構成を主に示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態のインクジェット記録システムにおける、画像データ変換処理の流れを説明するためのブロック図である。
【図３】本発明の実施形態に適用可能なインクジェット記録装置を示した斜視図である。
【図４】２パス記録を説明するために、記録ヘッド、マスクパターンおよび記録媒体を模式的に示した図である。
【図５】２パスのマルチパス記録を説明するために、記録ヘッドおよび記録パターンを模式的に示した図である。
【図６】（ａ）および（ｂ）は、Ｃ、Ｍ、Ｙそれぞれの２分割記録に係る６つのプレーンの２値データを模式的に示す図である。
【図７】本発明の第一の実施形態に係るマスク製法を説明する図である。
【図８】本発明の第一の実施形態に係るマスク製法の手順を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施形態に係る基本斥力ポテンシャルＥ（ｒ）の関数を模式的に示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第一の実施形態にかかる斥力ポテンシャルの付与と総エネルギーの減衰処理を模式的に説明する図である。
【図１１】本発明の第一の実施形態に係る他のマスク製法の手順を示すフローチャートである。
【図１２】マスクパターンの論理積を説明する図である。
【図１３】マスクパターンの論理和を説明する図である。
【図１４】本発明の第一の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図１５】本発明の第一の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図１６】本発明の第一の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図１７】比較例に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図１８】他の比較例に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図１９】本発明の第一の実施形態に係る２つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２０】本発明の第一の実施形態に係る２つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２１】本発明の第一の実施形態に係る３つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２２】本発明の第一の実施形態に係る３つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２３】比較例に係る２つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２４】比較例に係る２つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２５】他の比較例に係る２つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２６】他の比較例に係る２つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２７】マスクパターンの「重ね合わせ」パターンを説明する図である。
【図２８】本発明の第一の実施形態に係る２つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図２９】本発明の第一の実施形態に係る３つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図３０】比較例に係る２つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図３１】他の比較例に係る２つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図３２】本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて１つのマスクの周波数特性を説明する図である。
【図３３】本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて２つのマスクの論理和の周波数特性を説明する図である。
【図３４】本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて２つのマスクの論理積の周波数特性を説明する図である。
【図３５】本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて２つのマスクの「重ね合わせ」の周波数特性を説明する図である。
【図３６】本発明の第一の実施形態のマスクと従来例に係るマスクそれぞれについて３つのマスクの「重ね合わせ」の周波数特性を説明する図である。
【図３７】本発明の第一の実施形態のマスクをずらしたときの２つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。
【図３８】本発明の第一の実施形態のマスクをずらしたときの２つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。
【図３９】本発明の第一の実施形態のマスクをずらしたときの２つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図４０】本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。
【図４１】比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。
【図４２】他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。
【図４３】本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。
【図４４】比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。
【図４５】他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。
【図４６】本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの［重ね合わせ］のパワースペクトルを示す図である。
【図４７】比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの［重ね合わせ］のパワースペクトルを示す図である。
【図４８】他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの［重ね合わせ］のパワースペクトルを示す図である。
【図４９】本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの３つのマスクパターンの［重ね合わせ］のパワースペクトルを示す図である。
【図５０】本発明の第一の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および［重ね合わせ］の低周波数成分の違いを示す図である。
【図５１】比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および［重ね合わせ］の低周波数成分の違いを示す図である。
【図５２】他の比較例のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および［重ね合わせ］の低周波数成分の違いを示す図である。
【図５３】本発明の第二の実施形態に係るマスク製法を説明する図である。
【図５４】本発明の第二の実施形態に係るマスク製法を説明する図である。
【図５５】本発明の第二の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図５６】本発明の第二の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図５７】本発明の第二の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図５８】本発明の第二の実施形態に係る３つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図５９】本発明の第一の実施形態に係る６つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図６０】本発明の第二の実施形態に係る９つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図６１】本発明の第二の実施形態のマスクをずらしたときの３つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図６２】本発明の第二の実施形態のマスクをずらしたときの６つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図６３】本発明の第二の実施形態のマスクをずらしたときの９つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図６４】本発明の第二の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの［重ね合わせ］の低周波数成分の違いを示す図である。
【図６５】（ａ）および（ｂ）は、本発明の第三の実施形態に係るマスクを説明する図である。
【図６６】本発明の第三の実施形態に係るマスク製法の手順を示すフローチャートである。
【図６７】本発明の第三の実施形態に係る他のマスク製法の手順を示すフローチャートである。
【図６８】本発明の第三の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図６９】本発明の第三の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図７０】本発明の第三の実施形態に係るマスクパターンの記録許容画素の配置を示す図である。
【図７１】本発明の第三の実施形態に係る２つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７２】本発明の第三の実施形態に係る２つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７３】本発明の第三の実施形態に係る２つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７４】本発明の第三の実施形態に係る３つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７５】本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの２つのマスクパターンの論理和の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７６】本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの２つのマスクパターンの論理積の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７７】本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの２つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７８】本発明の第三の実施形態のマスクをずらしたときの３つのマスクパターンの「重ね合わせ」の記録許容画素の配置を示す図である。
【図７９】本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理和のパワースペクトルを示す図である。
【図８０】本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの論理積のパワースペクトルを示す図である。
【図８１】本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの２つのマスクパターンの［重ね合わせ］のパワースペクトルを示す図である。
【図８２】本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの３つのマスクパターンの［重ね合わせ］のパワースペクトルを示す図である。
【図８３】本発明の第三の実施形態のマスクおよびそれをずらしたマスクそれぞれの論理和、論理積および［重ね合わせ］の低周波数成分の違いを示す図である。
【図８４】本発明の第四の実施形態に係る２パスのマルチパス記録に用いるマスクを説明する図である。
【図８５】本発明の第五の実施形態に係る２パスのマルチパス記録に用いるマスクを説明する図である。
【図８６】従来技術の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
【０２５７】
１００    ホストコンピュータ（ＰＣ）
１０１、Ｊ０００１    アプリケーション
１０２    ＯＳ
１０３    プリンタドライバ
１０４    プリンタ
１０７    ＨＤ
１０８    ＣＰＵ
１０９    ＲＡＭ
１１０    ＲＯＭ
Ｊ０００５    ２値化処理
Ｊ０００６    印刷データ作成
Ｊ０００８    マスクデータ変換処理
【図１】
2006044258.tif 000004
【図２】
2006044258.tif 000005
【図３】
2006044258.tif 000006
【図４】
2006044258.tif 000007
【図５】
2006044258.tif 000008
【図６】
2006044258.tif 000009
【図７】
2006044258.tif 000010
【図８】
2006044258.tif 000011
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2006044258.tif 000014
【図１２】
2006044258.tif 000015
【図１３】
2006044258.tif 000016
【図１４】
2006044258.tif 000017
【図１５】
2006044258.tif 000018
【図１６】
2006044258.tif 000019
【図１７】
2006044258.tif 000020
【図１８】
2006044258.tif 000021
【図１９】
2006044258.tif 000022
【図２０】
2006044258.tif 000023
【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
2006044258.tif 000034
【図３２】
2006044258.tif 000035
【図３３】
2006044258.tif 000036
【図３４】
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【図３５】
2006044258.tif 000038
【図３６】
2006044258.tif 000039
【図３７】
2006044258.tif 000040
【図３８】
2006044258.tif 000041
【図３９】
2006044258.tif 000042
【図４０】
2006044258.tif 000043
【図４１】
2006044258.tif 000044
【図４２】
2006044258.tif 000045
【図４３】
2006044258.tif 000046
【図４４】
2006044258.tif 000047
【図４５】
2006044258.tif 000048
【図４６】
2006044258.tif 000049
【図４７】
2006044258.tif 000050
【図４８】
2006044258.tif 000051
【図４９】
2006044258.tif 000052
【図５０】
2006044258.tif 000053
【図５１】
2006044258.tif 000054
【図５２】
2006044258.tif 000055
【図５３】
2006044258.tif 000056
【図５４】
2006044258.tif 000057
【図５５】
2006044258.tif 000058
【図５６】
2006044258.tif 000059
【図５７】
2006044258.tif 000060
【図５８】
2006044258.tif 000061
【図５９】
2006044258.tif 000062
【図６０】
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【図６１】
2006044258.tif 000064
【図６２】
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【図６３】
2006044258.tif 000066
【図６４】
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【図６５】
2006044258.tif 000068
【図６６】
2006044258.tif 000069
【図６７】
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【図６８】
2006044258.tif 000071
【図６９】
2006044258.tif 000072
【図７０】
2006044258.tif 000073
【図７１】
2006044258.tif 000074
【図７２】
2006044258.tif 000075
【図７３】
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【図７４】
2006044258.tif 000077
【図７５】
2006044258.tif 000078
【図７６】
2006044258.tif 000079
【図７７】
2006044258.tif 000080
【図７８】
2006044258.tif 000081
【図７９】
2006044258.tif 000082
【図８０】
2006044258.tif 000083
【図８１】
2006044258.tif 000084
【図８２】
2006044258.tif 000085
【図８３】
2006044258.tif 000086
【図８４】
2006044258.tif 000087
【図８５】
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【図８６】
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