(57)【要約】  【課題】  酸化インジウムＩｎ2Ｏ3をベースとした可視光応答可能な光触媒材料を提供する。  【解決手段】  本発明の光触媒は、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなる。基板温度４００〜１００℃で作製したｘ＝０.２〜０.９９のＩｎＮ1-xＯx膜について、光吸収端は１.９〜２.７ｅＶであり、可視光を十分に吸収でき、可視光領域においても光触媒活性を有する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなり可視光領域においても光触媒活性を有することを特徴とする光触媒。
【請求項２】
成膜装置内に基材を設置してその基材温度を１００℃から６００℃の間の一定温度に保ち、
原料として有機インジウムを含むガスとアンモニアガスを前記基材上に供給し、
酸素又は水分を前記成膜装置内に存在させ又は供給し、
波長２００ｎｍ以下の紫外光を気相中又は前記基材上のアンモニアに照射することにより、
窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなり可視光領域においても光触媒活性を有する光触媒膜を前記基材上に形成することを特徴とする有機金属気相堆積法による光触媒の製造方法。
【請求項３】
前記有機インジウムはトリメチルインジウムである請求項２に記載の光触媒の製造方法。
【請求項４】
前記紫外光の光源がＡｒＦエキシマレーザである請求項２又は３に記載の光触媒の製造方法。
【請求項５】
前記紫外光の光源がエキシマランプである請求項２又は３に記載の光触媒の製造方法。
【請求項６】
成膜装置内に基材を設置し、原料として有機インジウムを含むガスとアンモニアガスを供給し、
酸素又は水分を前記成膜装置内に存在させ又は供給し、
高周波電圧を印加することによりプラズマを発生させることにより、
窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなり可視光領域においても光触媒活性を有する光触媒膜を前記基材上に形成することを特徴とするプラズマＣＶＤ法による光触媒の製造方法。
【請求項７】
蒸着装置内に基材を設置し、
窒素と酸素の存在下で金属インジウムを前記基材上に蒸着することにより、
窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなり可視光領域においても光触媒活性を有する光触媒膜を前記基材上に形成することを特徴とする反応性蒸着法による光触媒の製造方法。
【請求項８】
スパッタ装置内に基材を設置し、
窒素と酸素の存在下で金属インジウムを前記基材に向けてスパッタリングすることにより、
窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなり可視光領域においても光触媒活性を有する光触媒膜を前記基材上に形成することを特徴とする反応性スパッタ法による光触媒の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外はもとより可視領域の光照射下においても光触媒活性により汚染物質、悪臭、細菌等の環境に有害な物質を除去しうる光触媒とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の光触媒としては酸化チタンＴｉＯ2がよく知られている。ＴｉＯ2は約３ｅＶの禁止帯幅を有することから、これを光触媒として機能させるためには波長４１０ｎｍ以下の紫外光の照射が不可欠である。
しかしながら、紫外光をほとんど含まない屋外での太陽光や室内の人工光の環境では、汚染物質の除去や脱臭などに対する酸化チタンＴｉＯ2の光触媒機能はほとんど発揮されないという問題がある。
【０００３】
近年、酸化チタンＴｉＯ2への遷移金属や窒素の添加、アモルファス酸素欠損型酸化チタンＴｉＯx（ｘ＝１.５−１.９）の形成により、可視光の利用可能な酸化チタンＴｉＯ2光触媒が開発されている（非特許文献１参照。）。その結果、紫外線領域（３００−４００ｎｍ）の触媒活性はそのまま維持しつつ、可視光領域（４００−５００ｎｍ）の光にも応答することが示されている。しかしながら、５００ｎｍ付近の触媒活性は紫外域のそれに比べるとかなり低い。
【０００４】
一方、酸化インジウムＩｎ2Ｏ3も光触媒活性を有することが知られている（非特許文献２参照。）。特に、価電子帯上端エネルギーが＋３Ｖ  ｖｓ  ＮＨＥ（標準水素電極）以上と高いことから、酸化チタンＴｉＯ2よりも強い正孔酸化力が期待されている。しかしながら、その禁止帯幅が約２.８ｅＶであることから波長４４０ｎｍ以上の可視光にはほとんど感度がない。
【非特許文献１】安保正一ほか著「可視光応答型光触媒開発の最前線」（株）ＮＴＳ社，東京，２００２
【非特許文献２】S.K. Poznyakほか「Correlation between surface properties and photocatalytic and photoelectrochemical activity of In2O3 nanocrystalline films and powders」, Surface Science 454-456 (2000) 396-401
【非特許文献３】V. Davydovほか「Band Gap of InN and In-Rich InxGa1-xN alloys (0.36 < x < 1)」, physica status solidi (b), 230 (2002) R4-R6
【非特許文献４】A.G. Bhuiyanほか「Growth and characterization of epitaxial InN films on sapphire substrate by an ArF excimer laser-assisted metalorganic vapor-phase epitaxy (LA-MOVPE)」, Japanese Journal of Applied Physics 42 (2003) 7284-7289
【特許文献１】特開２００４−０４７８６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述のように、光触媒材料としては酸化チタンＴｉＯ2が最も広く研究され、可視光領域での光触媒機能性においても一応の効果を奏しているが、可視光応答性は必ずしも高くないという問題がある。一方、酸化チタンＴｉＯ2よりも高い酸化力が期待される酸化インジウム化合物Ｉｎ2Ｏ3に関しては可視光応答性についてはほとんど研究開発が行なわれていない。
本発明の目的は、酸化インジウムＩｎ2Ｏ3をベースとした可視光応答可能な光触媒材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光触媒は、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）である。この物質は光触媒としては新規な物質である。
近年、これまで禁止帯幅が約２ｅＶであると考えられてきた窒化インジウムＩｎＮの禁止帯が約０.７ｅＶであることが発明者らを含むグループによって見出された（非特許文献３参照。）。本発明の窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）は、酸化インジウムＩｎ2Ｏ3と窒化インジウムＩｎＮとの合金であるので、ＩｎＮ1-xＯxの禁止帯幅は酸素濃度ｘの増大によってＩｎＮの０.７ｅＶからＩｎ2Ｏ3の２.８ｅＶまで変化させることができる。酸化インジウムＩｎ2Ｏ3は光触媒活性を有するが、その禁止帯幅が約２.８ｅＶであることから波長４４０ｎｍ以上の光にはほとんど感度がないのに対し、本発明の窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）は０.７−２.８ｅＶの禁止帯幅を有するので、波長４４０ｎｍ以上の光にも感度を有する。
【０００７】
窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯxの光触媒活性を調べた結果、この物質が光触媒活性、特に、可視光領域において優れた光触媒活性を有することを発見した。したがって、本発明の光触媒は、可視―紫外領域の光照射下において汚染物質の除去、脱臭、殺菌という効果を発揮する光触媒材料である。
【０００８】
一方、アンモニアＮＨ3を原料とするＩｎＮの有機金属気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法において、波長２００ｎｍ以下の紫外光によるアンモニアＮＨ3の光分解を利用することにより、室温から７００℃という広範囲の温度で窒化インジウム薄膜及び窒化インジウム合金薄膜形成が可能であることが本発明者らを含むグループによって明らかにされている（特許文献１、非特許文献４参照。）。特に、この方法によって４００℃以下の温度で堆積したＩｎＮ膜には多量の酸素Ｏが含有され、膜の組成が窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯxになっていることが明確になっている。
【０００９】
すなわち、本発明の光触媒製造方法の一方法は有機金属気相堆積法による方法であり、成膜装置内に基材を設置してその基材温度を１００℃から６００℃の間の一定温度に保ち、原料として有機インジウムを含むガスとアンモニアガスを前記基材上に供給し、酸素又は水分を前記成膜装置内に存在させ又は供給し、波長２００ｎｍ以下の紫外光を気相中又は前記基材上のアンモニアに照射することにより、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）からなり可視光領域においても光触媒活性を有する光触媒膜を前記基材上に形成する。
【００１０】
原料として使用する有機インジウムの好ましい一例は、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ3）3）である。紫外光の光源としては、ＡｒＦエキシマレーザ又はエキシマランプなどを使用するのが好ましい。
【００１１】
しかしながら、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）を製造する方法は有機金属気相堆積法に限らず、プラズマＣＶＤ法、反応性蒸着法、反応性スパッタ法などによっても製造することができる。
【００１２】
プラズマＣＶＤ法では、成膜装置内に基材を設置し、原料として有機インジウムを含むガスとアンモニアガスを供給し、酸素又は水分を前記成膜装置内に存在させ又は供給し、高周波電圧を印加することによりプラズマを発生させることにより、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）膜を基材上に形成する。
【００１３】
反応性蒸着法では、蒸着装置内に基材を設置し、窒素と酸素の存在下で金属インジウムを前記基材上に蒸着することにより、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）膜を基材上に形成する。
【００１４】
反応性スパッタ法では、スパッタ装置内に基材を設置し、窒素と酸素の存在下で金属インジウムを前記基材に向けてスパッタリングすることにより、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）膜を基材上に形成する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）からなる光触媒は、可視―紫外領域の光照射下において汚染物質の除去、脱臭、殺菌という効果を発揮することができる。
そして、本発明の製造方法によれば、その窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）を有機金属気相堆積法、プラズマＣＶＤ法、反応性蒸着法、反応性スパッタ法などの既知の方法によって容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１から図３に、原料としてアンモニアＮＨ3と有機インジウムを使用し、波長２００ｎｍ以下の真空紫外光を用いて窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯxを作製する有機金属気相堆積装置（ＭＯＣＶＤ装置）を概略的に示す。
【００１７】
図１はそのＭＯＣＶＤ装置の第１の例である。
１は反応チャンバー、２は反応チャンバー内部を所定の圧力に保つためのガス排気装置、３は薄膜成長用基材としてのガラス基材、４は基材温度設定のためのサセプタ（基材保持台）、５はアンモニア及び有機インジウムのガス供給装置、６ａはアンモニアガス供給配管、６ｂは有機インジウム供給配管、７はガス混合噴出ノズルである。８はその反応ガス供給機構から反応チャンバー１内に噴出された反応ガスで、アンモニアと有機インジウムの混合ガス蒸気である。
【００１８】
この装置では、アンモニアと有機インジウムの混合ガス蒸気８は薄膜成長用基材３の表面に対して垂直方向に噴射される。９は波長２００ｎｍ以下の紫外光を放出する光源、１０は波長２００ｎｍ以下の紫外光であり、平行光束として照射される。１１は紫外光導入用窓であり、紫外光１０は薄膜成長用基材３の表面に対して平行な方向に入射され、薄膜成長用基材３の表面近傍でアンモニアに照射されてアンモニアを励起する。
【００１９】
図２はＭＯＣＶＤ装置の第２の例である。図１の装置と比較すると、薄膜成長用基材３の表面に対するアンモニアと有機インジウムの混合ガス蒸気８と、紫外光１０の入射方向が相違する。すなわち、図１の装置では、アンモニアと有機インジウムの混合ガス蒸気８は薄膜成長用基材３の表面に対して垂直方向に噴射され、紫外光１０は薄膜成長用基材３の表面に対して平行な方向に入射されるのに対し、図２の装置ではアンモニアと有機インジウムの混合ガス蒸気８は薄膜成長用基材３の表面に対して平行な方向に噴射され、紫外光１０は薄膜成長用基材３の表面に対して垂直な方向に入射される点で異なっている。
【００２０】
図３はＭＯＣＶＤ装置の第３の例である。図２の装置と比較すると、図２の装置では紫外光１０は薄膜成長用基材３の表面の比較的広い面積に同時に照射されているのに対し、図３の装置では紫外光１０の光路に紫外光を選択的に照射するためのフォトマスク１２が配置され、紫外光１０はフォトマスク１２により選択された領域にのみ照射されるようになっている点で異なる。
【００２１】
ＭＯＣＶＤ法により窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx膜を作製する場合、図１から図３のどの形式の装置を使用しても同様に作製することができる。
ＩｎＮ1-xＯx膜の作製法としてはプラズマＣＶＤ法、スパッタ法、反応性蒸着法などの既知の成膜方法も使用することができる。
【００２２】
本発明の光触媒を担持する基材としては、有機材料と無機材料のどちらも使用することができる。有機材料としては、紙、不織布、天然繊維（綿、麻、ウール、絹など）、人工繊維（ポリエステル、ナイロン、レーヨン、ポリノジック、アセテートなど）、合成樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリウレタン、シリコーン、アクリル、ポリスチレンなど）などが挙げられる。また、無機材料としては、ガラス、セメント、シリコン基板、セラミックス、金属材料、石材などが挙げられる。かかる材料の形状については特に制限はなく、板状、繊維状、粒状、又はこれらが組み合わされた任意の形状のものが挙げられる。
【実施例１】
【００２３】
図１に示したＭＯＣＶＤ装置を用い、アンモニアＮＨ3と有機インジウムとしてのトリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ3）3：ＴＭＩ）を原料として、室温〜７００℃の温度範囲でガラス基板上にＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）膜の作製を行ない、それらの薄膜を用いてアンモニア及び硫化水素の脱臭効果を測定した。
【００２４】
ＩｎＮ1-xＯx膜の作製は以下の手順で行なった。
まず、ガス供給装置５からアンモニアガス供給配管６ａを通じて流量３ｓｌｍのアンモニアガスを供給し、有機インジウム供給配管６ｂを通じて窒素ガスをキャリアガスとして流量２００ｓｃｃｍのトリメチルインジウムを供給して、それぞれノズル７に送りこみ、ガス混合噴出ノズル７を経て反応チャンバー１内に噴出させた。このとき、すでに反応チャンバー１内のサセプタ４上には表面洗浄処理を施したガラス基板３が薄膜成長用基板として装填されており、さらに、ガス排気装置２によって反応チャンバー１内の圧力は５Ｔｏｒｒで一定に保たれている。
【００２５】
次に、サセプタ４の温度を上昇させ薄膜成長用基板３としてのガラス基板３の温度を室温−６００℃の範囲内の所定の温度まで上昇させたのち、紫外光光源９としてのＡｒＦエキシマレーザより波長１９３ｎｍの紫外光を混合ガス蒸気８に対して薄膜成長用基板３に平行なる方向に照射した。このときのＡｒＦエキシマレーザの出力は１３ｍＪ／ｃｍ2、パルス繰返し周波数２０Ｈｚであった。
【００２６】
この状態を１時間保持したのち、紫外光光源９であるＡｒＦエキシマレーザを停止しサセプタ４の温度を室温まで降下させた。
その結果、ガラス基板３上には約０．５μｍ厚のＩｎＮ1-xＯx（０＜ｘ＜１）が形成できた。
【００２７】
図４は作製したＩｎＮ1-xＯx膜中の酸素組成ｘと膜作製時の基板温度との関係である。酸素組成ｘは、基板温度３００℃以上で作製した結晶性膜についてはＸ解回折による格子定数測定により、また、基板温度３００℃以下で作製した非晶質膜についてはＸ線光電子分光（ＸＰＳ）により求めた。
【００２８】
この図から明らかなように、基板温度６００℃以上では酸素組成ｘ＝０、基板温度１００℃以下ではｘ＝１の膜となり、５５０〜１５０℃の基板温度でｘ＝０.０５〜０.９の窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯx膜が形成されていることがわかる。
【００２９】
なお、今回これらの薄膜に取り込まれた酸素Ｏは成膜装置に故意に導入されたものではなく、基板、サセプターなどに付着して成膜装置に導入されたＯ2やＨ2Ｏによるものである。当然のことながら、酸素組成ｘが精度よく制御されたＩｎＮ1-xＯx膜を作製するためには、Ｏ2ガスなどを流量制御して成膜装置内に一定量導入する方が好ましいことは言うまでもない。
【００３０】
次に、基板温度４００〜１００℃で作製したｘ＝０.２〜０.９９のＩｎＮ1-xＯx膜について光吸収端を測定した。結果を図５に示す。この結果が示すように、吸収端は１.９〜２.７ｅＶであり、可視光を十分に吸収できることがわかる。特に、４００℃で作製されたＩｎＮ0.8Ｏ0.2膜は波長６９０ｎｍ以下の可視光に応答性を有する。
【００３１】
基板温度４００〜１００℃で作製したｘ＝０.２〜０.９９のＩｎＮ1-xＯx膜について、紫外線照射下でのアンモニア及び硫化水素の脱臭効果を測定した。容量３００ｃｃのポリエチレン製容器に５０ｐｐｍのアンモニアもしくは硫化水素を含む窒素ガスと膜厚０.５μｍのＩｎＮ1-xＯx膜を形成したガラス基板（寸法：２.５ｃｍ×２.５ｃｍ）を装填し、２０Ｗのブラックライト４本から成る紫外線照射装置を用い、ポリエチレン製容器の外部から強度５００μＷ／ｃｍ2の紫外線をガラス基板上のＩｎＮ1-xＯx膜に垂直方向から２時間照射した。
【００３２】
図６は、紫外線を２時間照射した後の残留濃度から求めたアンモニア、硫化水素の分解率の酸素組成ｘ依存性である。この結果から明らかなように、基板温度４００〜１００℃で作製したｘ＝０.２〜０.９９のＩｎＮ1-xＯx膜がアンモニア、硫化水素を光触媒機能により分解していることがわかる。
【００３３】
ここでは比較のために、厚さ２μｍのＧａＮ膜及び厚さが約０.１μｍのＴｉＯ2膜について硫化水素に対する同様の実験を行ない、それらの結果も図６に示した。
これらの結果から、ＩｎＮ1-xＯx膜はＧａＮ膜に比べて２〜６倍の分解率をもち、また、ＴｉＯ2膜を凌駕する分解能力を有することがわかる。
【実施例２】
【００３４】
ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）援用ＭＯＣＶＤ法を用い、アンモニアＮＨ3とトリメチルインジウムＴＭＩを原料として２００℃の基板温度でガラス基板上に厚さ約０.５μｍのＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜を作製した。容量３００ｃｃのポリエチレン製容器に５０ｐｐｍの硫化水素を含む窒素ガスとＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜を形成したガラス基板（寸法：２.５ｃｍ×２.５ｃｍ）を装填し、波長５１０ｎｍ、強度５００μＷ／ｃｍ2の青緑色光をガラス基板上のＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜に垂直方向から０〜３時間照射した。
【００３５】
図７は硫化水素の分解率の時間依存性である。図４の結果から明らかなように、ＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜は可視光照射下においても紫外線照射下と遜色のない硫化水素分解能力を有することがわかる。
【実施例３】
【００３６】
実施例２で使用したのと同じＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜を用いて、メチレンブルー１０ｐｐｍ水溶液にキセノンランプによる照射を行ない、その脱色率を測定することで光分解性を評価した。実験装置には３００Ｗキセノン光源（ウシオ電機製）を用い、光路は平行光をブラックボックス中２ｃｍ前方での照度調整したもので行なった。
【００３７】
容器としての石英セル（横１０ｍｍ、縦１０ｍｍ、高さ５０ｍｍ）にメチレンブルー水溶液（１０ｐｐｍ）を３ｃｃ入れ、そのセルに入る大きさのガラス基板に製膜したＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜面を光がくる方向に向けてガラス基板を垂直になるよう配置して、そのＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜面に３０分間照射した後、波長６６５ｎｍの光の吸収量から光触媒による脱色率を算出した。測定装置は分光光度計（（株）日立製作所製ＶＩＳ  Ｕ−３２００）である。
なお、比較例１として、ＩｎＮ1-xＯx膜が形成されていないガラス板を入れたものについても同様の評価を行なった。
評価結果は表１のとおりであった。
【００３８】
【表１】
2006231215.tif 000003
表１の結果よりＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜には比較例１には見られない光触媒機能による脱色性を有することがわかった。
【実施例４】
【００３９】
実施例２で使用したのと同じＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜を用いて、大腸菌１０6個を普通寒天培地（日水製薬（株）製ＳＣＤ培地）に溶解させたものを石英セル（横１０ｍｍ、縦１０ｍｍ、高さ５０ｍｍ）に仕込み、そのセルに入る大きさのガラス基板に製膜したＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜面を光がくる方向に向けてガラス基板を垂直になるよう配置して、そのＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜面に実施例３で用いたキセノン光源から光を照射し、その後の元の菌数に対する変化率を計測した。
なお、比較例２として、ＩｎＮ1-xＯx膜が形成されていないガラス板を入れたものについても同様の評価を行なった。
評価の結果を表２に示す。
【００４０】
【表２】
2006231215.tif 000004
この結果よりＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜には比較例２には見られない光触媒機能による大腸菌への殺菌力を有することがわかった。
【００４１】
以上説明したように、禁止帯幅が約２.８ｅＶであることから波長４４０ｎｍ以上の可視光にはほとんど光触媒活性がないという問題があった酸化インジウムＩｎ2Ｏ3に対して、本発明によれば、禁止帯幅約０.７ｅＶのＩｎＮとの混晶、すなわち、窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯxを形成することにより、０.７−２.８ｅＶの間の禁止帯幅を実現することで十分な可視光応答性を実現することができ、可視光環境下で脱臭、脱色、殺菌などの汚染物質の除去に関して効率的な機能を提供することができる。
【００４２】
実施例ではＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）援用ＭＯＣＶＤ法を用いて作製したＩｎＮ1-xＯx膜について詳細に説明したが、ＩｎＮ1-xＯx膜の作製法としてはプラズマＣＶＤ法、スパッタ法、反応性蒸着法など他の方法で作製したＩｎＮ1-xＯx膜でも同様の効果が得られる。
また、本発明は上記各実施例に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、各実施例は適宜変更され得ることは明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、紫外はもとより可視領域の光照射下においても光触媒活性により汚染物質、悪臭、細菌等の環境に有害な物質を除去しうる光触媒として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の窒化酸化インジウムＩｎＮ1-xＯxを作製するＭＯＣＶＤ装置の第１の例を示す概略構成図である。
【図２】ＭＯＣＶＤ装置の第２の例を示す概略構成図である。
【図３】ＭＯＣＶＤ装置の第３の例を示す概略構成図である。
【図４】一実施例のＩｎＮ1-xＯx膜中の酸素組成ｘと膜作製時のガラス基板温度との関係を示す図である。
【図５】同実施例のＩｎＮ1-xＯx膜の光吸収端の基板温度依存性を示す図である。
【図６】一実施例のＩｎＮ1-xＯx膜と比較例のＧａＮ膜及びＴｉＯ2膜について、紫外線照射下でのアンモニア及び硫化水素の脱臭効果を示す図である。
【図７】同実施例のＩｎＮ0.3Ｏ0.7膜の青緑色光照射下での硫化水素の分解率の時間依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１      反応チャンバー
２      ガス排気装置
３      薄膜成長用基板
４      サセプタ
５      ガス供給装置
６ａ    アンモニアガス供給配管
６ｂ    有機インジウム供給配管
７      ガス混合噴出しノズル
８      アンモニアと有機インジウムの混合ガス蒸気
９      紫外光光源
１０      波長２００ｎｍ以下の紫外光
【図１】
2006231215.tif 000005
【図２】
2006231215.tif 000006
【図３】
2006231215.tif 000007
【図４】
2006231215.tif 000008
【図５】
2006231215.tif 000009
【図６】
2006231215.tif 000010
【図７】
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