(57)【要約】【課題】Ｐｂを含まず、２６０℃に加熱しても溶融しない接合部が得られ、かつ、濡れ性に優れ、コストも安いろう材を提供する。【解決手段】Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であるろう材とする。  さらに、Ｐ：０．００１〜０．５質量％を含むか、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％含むことも好ましい。  前記ろう材は、半導体素子をリードフレームにダイボンディングする際の濡れ性が良好であり、かつ、組み立てた半導体装置をプリント基板へ実装する際の加熱温度である２６０℃まで加熱しても、再溶融することがない。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項２】
Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項３】
Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項４】
Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％とを含み、さらにＳｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項５】
Ｓｎ−Ａｇ合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項６】
Ｓｎ−Ａｇ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項７】
Ｓｎ−Ａｇ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項８】
Ｓｎ−Ａｇ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％と、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載のろう材を用いて、Ｎｉめっきがされた支持部材に半導体素子をダイボンディングし、半導体装置を組み立てることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記Ｎｉめっきの上に、さらに金めっきがなされていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれかに記載のろう材を用いて、組み立てられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９または１０に記載の製造方法を用いて製造された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子のダイボンディングや、電子部品の組立て等に用いられるろう材に関し、特に、Ｐｂを含まないろう材、および、かかるろう材を用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や高周波素子等の電子素子を、リードフレーム等にダイボンディングして、半導体装置あるいは電子部品を組み立てる際に、融点が３００℃前後のＡｕ／２０質量％Ｓｎ（Ａｕが２０質量％で、残部がＳｎ）に代表されるＡｕ系ろう材や、Ｐｂ／５質量％Ｓｎ（Ｐｂが５質量％で、残部がＳｎ）に代表されるＰｂ系ろう材が使用されている。
【０００３】
組み立てた半導体装置をプリント基板へ実装する際の加熱温度は、２４０〜２６０℃であり、加熱時間は１０秒以下である。したがって、融点が３００℃前後である前記Ａｕ系ろう材またはＰｂ系ろう材をダイボンディング用ろう材として使用することにより、半導体装置をプリント基板へ実装する時にダイボンディング用ろう材が再溶解してしまうことを防止でき、ダイボンディング部の性能劣化要因となるボイドが接合部に発生してしまうことを防止できる。
【０００４】
また、電子部品の組立てにおいても、後工程で行われるステップろう付けにおいて２２０〜２６０℃にまで加熱する必要がある。そのため、前工程で用いたろう材が再溶解するおそれがあり、これを防止するため、前述のような高い融点のろう材が電子部品の組立てにおいても使用される。
【０００５】
しかし、半導体素子は４３０℃を超える高温にさらされると破壊してしまうおそれがある。このため、前記ろう材は、４３０℃以下の温度で溶融する必要があり、その融点を４２５℃以下とする必要がある。
【０００６】
一方、Ａｕ系ろう材は、価格が高いという問題があり、Ｐｂ系ろう材は、環境汚染という問題がある。したがって、安価で、Ｐｂを含まず、接合後の再溶解温度が２６０℃以上であり、かつ、４３０℃以下でろう付けが可能であり、さらに、良好な濡れ性を有するろう材が求められていた。
【０００７】
こうした要望をかなえるべく、例えば、Ｆｅ、Ｎｉのうちの少なくとも１種を０．００５〜５．０質量％含むＳｎ系はんだ材に、Ａｇ：０．１〜２０質量％、Ｃｕ：０．００５〜９質量％、Ｓｂ：０．１〜１５質量％を適量含有させる技術が開示されている（特許文献１（特開２００１−１４４１１１号公報））。
【０００８】
また、Ｓｂ：１１．０〜２０．０質量％、Ｐ：０．０１〜０．２質量％を含むＳｎ／Ｓｂ系ダイボンディング用はんだ材に、ＣｕおよびＮｉの少なくとも１種を０．００５〜５．０質量％を適宜含有させる技術が開示されている（特許文献２（特開２００１−２８４７９２号公報））。
【０００９】
特許文献１および特許文献２に記載のＳｎ／Ｓｂ系合金をろう材として用いた場合、これらの固相線温度は比較的高いため、半導体装置をプリント基板に、はんだを用いて実装する際の高温（２４０〜２６０℃）にさらしても、ダイボンディング部の再溶融を回避できる場合もある。しかし、実装温度の上限である２６０℃まで加熱すると接合部の一部が再溶融するという問題点がある。
【００１０】
さらに、Ｐｂを含まないはんだ合金として、Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｇａ合金が開示されている（特許文献３（特開平１１−１７２３５２号））。しかし、Ｐｂ系ろう材より濡れ性が劣るという問題点がある。
【００１１】
また、セラミックパッケージと気密封止用キャップとを接合するために、セラミックパッケージにＮｉ−Ｃｏ合金めっきを施し、さらにＳｎ／Ａｇはんだを用いて接合することで、Ｎｉ、ＣｏをＳｎと化合物化させ、接合部を高融点化し、接合部の再溶融を回避する技術が開示されている（非特許文献１）。さらに、Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき表面にＡｕめっきを施すことで、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎからなる化合物の成長速度を速めることも開示されている（非特許文献１）。
【００１２】
しかし、この技術においては、被接合物にＮｉ−Ｃｏ合金めっきをすることが必要であるが、Ｎｉ−Ｃｏ合金めっきはコストがかかるという問題点があり、また、Ａｕめっきもコストがかかるという問題点がある。このため、この技術は実用化が困難である。
【００１３】
【特許文献１】特開２００１−１４４１１１号公報
【００１４】
【特許文献２】特開２００１−２８４７９２号公報
【００１５】
【特許文献３】特開平１１−１７２３５２号
【００１６】
【非特許文献１】“マイクロ接合部高融点化のためのＳｎ−ＡｇはんだとＡｕ／Ｎｉ−Ｃｏめっきとの反応性評価”、Ｍａｔｅ２００４（第１０回シンポジウム（「エレクトロニクスにおけるマイクロ接合・実装技術」）、２００４年２月５日〜６日、パシフィコ横浜）、論文集p117−122
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、Ｐｂを含まず、２６０℃に加熱しても溶融しない接合部が得られ、かつ、濡れ性に優れ、コストも安いろう材を提供することを目的とする。また、該ろう材を用いた半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係るろう材の第一態様は、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００１９】
本発明に係るろう材の第二態様は、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００２０】
本発明に係るろう材の第三態様は、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００２１】
本発明に係るろう材の第四態様は、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％とを含み、さらにＳｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００２２】
本発明に係るろう材の第五態様は、Ｓｎ−Ａｇ合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００２３】
本発明に係るろう材の第六態様は、Ｓｎ−Ａｇ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００２４】
本発明に係るろう材の第七態様は、Ｓｎ−Ａｇ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００２５】
本発明に係るろう材の第八態様は、Ｓｎ−Ａｇ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉が分散しているか、または、Ｓｎ系合金中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉が分散しているろう材であって、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％と、Ｐ：０．００１〜０．５質量％と、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物であることを特徴とするＮｉめっき基板用ろう材である。
【００２６】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、本発明の第一態様から第八態様に係るいずれかのろう材を用いて、Ｎｉめっきがされた支持部材に半導体素子をダイボンディングし、半導体装置を組み立てることを特徴とする。
【００２７】
前記Ｎｉめっきの上に、さらに金めっきがなされていることが好ましい。
【００２８】
本発明に係る半導体装置の第一態様は、本発明の第一態様から第八態様に係るいずれかのろう材を用いて、組み立てられたことを特徴とする。
【００２９】
本発明に係る半導体装置の第二態様は、本発明に係る半導体装置の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係るろう材は、半導体素子等の電子素子をＮｉめっきがされたリードフレーム等の支持部材にダイボンディングする際の濡れ性が良好であり、かつ、組み立てた半導体装置等の電子部品をプリント基板へ実装する温度あるいは電子部品の組み立てを行う際のステップろう付けを行う温度である２６０℃まで加熱しても、再溶融することがない。このため、本発明に係るろう材を用いれば、ダイボンディングする際に、ろう材部にボイドが発生しにくく、さらに、組み立てた半導体装置等の電子部品をプリント基板へ実装する際等に再加熱をしても、ろう材部にボイドが発生しにくい。よって、本発明に係るろう材を用いることで、ボイド発生に起因する半導体装置等の電子部品の性能劣化を防止できる。
【００３１】
また、本発明に係るろう材は、鉛を含んでおらず、また、高コストの成分も含んでおらず、さらに本発明に係るろう材を得るための工程においても高コストの工程は含んでいない。
【００３２】
したがって、本発明に係るろう材を用いることにより、環境に対する負荷を与えずに、安価に、信頼性の高い半導体装置等の電子部品を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
本発明者は、セラミックパッケージと気密封止用キャップとを接合するために、セラミックパッケージにＮｉ−Ｃｏ合金めっきを施し、さらにＳｎ／Ａｇはんだを用いて接合することで、Ｎｉ、ＣｏをＳｎと化合物化させ、接合部を高融点化し、接合部の再溶融を回避する技術（非特許文献１参照）を、ダイボンディングにおける接合に応用できるのではないかと考え、鋭意研究を行った。その結果、Ｎｉメッキ基板を用いることにより、ダイボンディング後の接合部を高融点化できるろう材を見出した。
【００３４】
また、非特許文献１では、Ｎｉ−Ｃｏ合金めっき表面にＡｕめっきを施すことで、Ｎｉ、Ｃｏ、ＡｕとＳｎとの化合物化が促進されることも開示されているが、本発明者は、ろう材にＰを添加することでＡｕめっきを施さなくてもＮｉめっきの構成成分のろう材中への溶解が促進され、短時間で接合部が高融点化することも見出した。
【００３５】
本発明は、かかる知見に基づきなされたものである。以下、本発明について説明する。
【００３６】
本発明に係るろう材は、Ａｇ：２〜５質量％と、Ｃｏ：１〜２０質量％とを含み、残部がＳｎおよび不可避不純物からなる。さらに、ＡｇおよびＣｏに加えて、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上および／またはＰを含んでいることが好ましい。
【００３７】
Ａｇは、濡れ性をよくするために添加する。Ａｇを２〜５質量％添加する理由は、２％未満では濡れ性向上の効果が不十分であるためであり、５％を超えるとろう材のコストが高くなるためである。
【００３８】
Ｃｏは、Ｎｉめっき中のＮｉ原子がろう材中へ溶解しやすくするために添加する。Ｃｏを１〜２０質量％添加する理由は、１％未満ではＮｉめっき中のＮｉ原子がろう材中へ溶解するのに時間がかかるためであり、２０％を超えると濡れ性が悪くなるためである。
【００３９】
Ｐは、濡れ性を向上させる働き、および、Ａｕめっきを施さなくてもＮｉめっき中のＮｉ原子のろう材中への溶解を促進し、短時間で接合部を高融点化する働きを有する。そのため、Ｐを０．００１〜０．５質量％添加することが好ましい。Ｐの添加量が０．００１質量％未満では前記働きの発現が不十分となるためであり、０．５質量％を超える量を添加しても、前記働きの発現はそれ以上向上せず、コストがかかるためである。
【００４０】
Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉは、はんだ中に化合物を析出させることにより接合部を高融点化する働きがあるので、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％添加することが好ましい。０．０１質量％未満では接合部を高融点化する効果が不十分であるためであり、５％を超えるとろう材の加工性が悪化し、コストがかかるためである。また、濡れ性も悪くなるからである。
【００４１】
Ｓｎ−Ａｇ合金中に平均粒径１〜４０μｍのＣｏ粉を分散させるか、Ｓｎ中に平均粒径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉を分散させることは、同一組成のＳｎ−Ａｇ−Ｃｏ合金よりも加工性をよくする効果があるので、好ましい。
【００４２】
なお、本発明に係るろう材において、Ｐの有無、ならびにＳｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉの有無にかかわらず、半導体装置の製造に適用する際に、従来の工程や条件を、何ら変更することなく、用いることができる。
【００４３】
また、本発明に係る半導体装置は、本発明に係るろう材を用いて組み立てられているので、ダイボンディング時に濡れ性不良によるボイドが生じず、かつ、プリント基板への実装温度である２６０℃まで加熱しても、ろう材の再溶融によるボイドも生じないため、これを用いて製造された半導体装置は、高い長期信頼性を有する。
【００４４】
ニッケルめっきを施したリードフレーム等の支持部材に、本発明に係るろう材を用いてダイボンディングすれば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎからなる化合物が生成し、接合部を高融点化することができる。
【００４５】
前記ニッケルめっきの上にさらにＡｕめっきを施したリードフレーム等の支持部材に、本発明に係るろう材を用いてダイボンディングすれば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎからなる化合物の成長が促進され、短時間で接合部を高融点化できる。このため、プリント基板への実装温度である２６０℃まで加熱しても、ろう材の再溶融をより確実に防止することができる。
【実施例】
【００４６】
（実施例１〜４５、比較例１〜４）
純度９９．９％のＳｎ、純度９９．９％のＡｇ、純度９９．９％のＣｏ、純度９９．９％のＰを用いて、表１に示す組成のＳｎ合金を、大気溶解炉により８００℃に加熱して溶製し、押し出し速度１０ｍ／ｈで、１ｍｍφに押し出し加工を行い、ワイヤー形状のろう材を製造した。
【００４７】
得られたろう材の濡れ性を評価するため、得られたろう材を、窒素雰囲気中で３３０℃に加熱されたＮｉめっき銅板に押し付けて溶解させた後、窒素雰囲気中で冷却した。そして、Ｎｉめっき銅板に対しはんだがはじかれない場合に濡れ性が良であると判断し、Ｎｉめっき銅板に対しはんだがはじかれず、かつ、はんだが溶解後にＮｉめっき銅板面を濡れ広がった場合に濡れ性が優であると判断し、Ｎｉめっき銅板に対してはんだがはじかれることがあった場合に濡れ性が不良であると判断した。表１に評価の結果を示す。
【００４８】
次に、２６０℃に加熱した場合にダイボンディングされた接合部が再溶融するか否かの評価を行った。具体的には、次のようにして評価を行った。得られたろう材と、ダイボンダー（Ｄａｇｅ社製、型式ＥＢＤ−２００）とを用いて、シリコンのダイボンディング面にＡｕを蒸着して作製したダミーチップを、Ｎｉめっきがなされた銅製のリードフレームにダイボンディングした。
【００４９】
さらに、エポキシ樹脂でモールドした。次いで、実装基板に、加熱温度２６０℃、加熱時間１０秒の条件で実装した。実装前後にＸ線透過装置を用いて接合部のボイドを観察し、実装後にボイドが発生した場合に再溶融したと判断した。表１に評価の結果を示す。
【００５０】
【表１】
2006247690.tif 000002
【００５１】
本発明の範囲内の実施例１〜４６のいずれも良好な濡れ性（濡れ性の評価は「良」または「優」）を示し、特に、Ｐを０．００１〜０．５質量％含む実施例１０〜４５は優れた濡れ性（濡れ性の評価は「優」）を示した。また、本発明の範囲内の実施例１〜４６のいずれにおいても接合部であるろう材部にボイドは確認できず、ろう材部は再溶融していなかった。実施例４６は、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐを含み、残部がＳｎからなっており、本発明の第二態様と同様の元素からなるが、Ｐの含有量が０．０００８質量％であり、本発明の第二態様のＰの含有量の下限値である０．００１質量％を下回っているため、実施例１０〜４５よりは濡れ性が悪くなり、「良」であった。
【００５２】
これに対して、比較例１は、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐを含み、残部がＳｎからなっており、本発明の第二態様と同様の元素からなるが、Ａｇの含有量が１．５質量％であり、本発明の第二態様のＡｇの含有量の下限値である２質量％を下回っているため、濡れ性が不良であった。比較例２は、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐを含み、残部がＳｎからなっており、本発明の第二態様と同様の元素からなるが、Ｃｏの含有量が０．５質量％であり、本発明の第二態様のＣｏの含有量の下限値である１質量％を下回っているため、２６０℃に加熱後にろう材部を調べたところ、ボイドが発生していた。比較例３は、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐを含み、残部がＳｎからなっており、本発明の第二態様と同様の元素からなるが、Ｃｏの含有量が２５質量％であり、本発明の第二態様のＣｏの含有量の上限値である２０質量％を上回っているため、濡れ性が不良であった。
【００５３】
（実施例４７〜６１、比較例４）
表２に示す組成のＳｎ合金を用いた以外は、実施例１と同様にして、製造および評価を行った。表２に評価の結果を示す。
【００５４】
【表２】
2006247690.tif 000003
【００５５】
本発明の第四態様の範囲内の実施例４７〜６１は、いずれも優れた濡れ性（濡れ性の評価は「優」）を示した。また、本発明の範囲内の実施例４７〜６１のいずれにおいても接合部であるろう材部にボイドは確認できず、ろう材部は再溶融していなかった。
【００５６】
一方、比較例４は、Ａｇ、Ｃｏ、Ｐ、Ｓｂ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉを含み、残部がＳｎからなっており、本発明の第四態様と同様の元素からなるが、Ｓｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉの合計の含有量が８質量％であり、本発明の第四態様のＳｂ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉの合計の含有量の上限値である５質量％を超えているため、濡れ性が不良であった。
【００５７】
（実施例６２）
Ａｇ：３．５質量％、Ｃｏ：１０質量％、残部がＳｎおよび不可避不純物の組成となるように、大気溶解炉で溶融させたＳｎ−Ａｇ合金中に平均粒子径１〜４０μｍのＣｏ粉を混ぜ合わせた。そして、押し出し加工で１ｍｍφのワイヤー形状に加工し、Ｃｏ粉入りＳｎ−Ａｇ合金からなるろう材を得た。本実施例における押し出し速度は１５ｍ／ｈであり、同じ組成の実施例５における押し出し速度１０ｍ／ｈの約１．５倍であった。
【００５８】
得られたろう材について、実施例１と同様にして評価を行ったところ、組成が同じである実施例５と同様の結果となった。
【００５９】
（実施例６３）
Ａｇ：３．５質量％、Ｃｏ：１０質量％、残部がＳｎおよび不可避不純物の組成となるように、大気溶解炉で溶融させた純度９９％のＳｎ中に平均粒子径１〜４０μｍのＡｇ−Ｃｏ合金粉を混ぜ合わせた。そして、押し出し加工で１ｍｍφのワイヤー形状に加工し、Ａｇ−Ｃｏ合金粉入りＳｎ合金からなるろう材を得た。本実施例における押し出し速度は１５ｍ／ｈであり、同じ組成の実施例５における押し出し速度１０ｍ／ｈの約１．５倍であった。
【００６０】
得られたろう材について、実施例１と同様にして評価を行ったところ、組成が同じである実施例５と同様の結果となった。