(57)【要約】【課題】画素部の発光素子の抵抗値の変動を検出するモニター用の発光素子を画素と同一基板上に設けた発光装置において、モニター素子からの光漏れを抑える。【解決手段】画素部の発光素子及びモニター素子は、それぞれ、透明電極１６５、１７１、有機化合物層１６７、反射電極１６８を有する。画素部の発光素子とモニター素子の透明電極１６５、１７１の下地となる絶縁膜１７８の膜厚が異なっており、その膜厚はλ／４の奇数倍となっている。λはモニター素子か発する光の波長である。この結果、モニター素子の透明電極１７１からの出射光が絶縁膜１７８で弱められ、モニター素子から最終的に外部に出射する光量を画素部の発光素子よりも小さくできる。よって、モニター素子を画素の発光素子と同じ大きさにしても、モニター素子の発光が表示の妨げにならないようにできる。【選択図】図７
2006186324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記透明電極が前記基板側に設けられており、
前記モニター素子の透明電極は絶縁膜上に接して形成され、
前記モニター素子がもう得られている部分の前記絶縁膜の膜厚ｄは、λを前記モニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数としたとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを
特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記透明電極が前記基板側に設けられており、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子の透明電極は同じ絶縁膜上に接して形成され、前記モニター素子の透明電極が設けられている箇所の膜厚ｄは、前記画素の発光素子の透明電極が形成されている箇所よりも薄く、
前記膜厚ｄは、λを前記モニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数としたとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記透明電極が前記基板側に設けられており、
前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記透明電極が前記基板側に設けられており、
前記モニター素子の透明電極は、前記画素の発光素子の透明電極よりも薄く、
前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記反射電極が前記基板側に設けられており、
前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記反射電極が前記基板側に設けられており、
前記モニター素子の透明電極は、前記画素の発光素子の透明電極よりも薄く、
前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子において、前記反射電極の上面に接して他の透明電極が設けられ、
前記モニター素子の他の透明電極の厚さは、Ｋを正の整数としたとき、（２Ｋ−１）λ／４
を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、それぞれ、一対の第１及び第２の透明電極、前記第１と第２の透明電極に挟まれた有機化合物層を有し、前記第１の透明電極が前記基板側に設けられ、
前記モニター素子の第１の透明電極は、絶縁膜上に形成され、
前記モニター素子の第１の透明電極は絶縁膜上に接して形成され、
前記モニター素子が設けられている部分の前記絶縁膜の膜厚ｄ１は、λを前記モニター素
子が発する光の波長、Ｎを正の整数、ｄ１＝（２Ｎ−１）λ／４を満たし、
前記モニター素子の第２の透明電極の膜厚ｄ２は、Ｍを正の整数としたとき、ｄ２＝（２Ｍ−１）λ／４を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、
前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、
前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、
前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、
前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、
前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続され、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、それぞれ、一対の第１及び第２の透明電極、前記第１と第２の透明電極に挟まれた有機化合物層を有し、前記第１の透明電極が前記基板側に設けられ、
前記モニター素子の第１の透明電極は、絶縁膜上に形成され、
前記モニター素子の第１の透明電極の膜厚ｄ１は、λを前記モニター素子が発する光の波
長、Ｎを正の整数としたとき、ｄ１＝（２Ｎ−１）λ／４を満し、
前記モニター素子の第２の透明電極の膜厚ｄ２は、Ｍを正の整数としたとき、ｄ２＝（２Ｍ−１）λ／４を満たすことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記画素の発光素子及び前記モニター素子の有機化合物層は、同時に形成されたものであることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、
前記補償回路にバッファアンプが用いられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の発光装置を用いたテレビジョン装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の発光装置を用いた携帯情報端末。
【請求項１４】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の発光装置を用いたカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光素子を備えた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画素を自発光型の発光素子で画素を形成した薄型の表示装置が注目を浴びている。発光素子としては有機発光ダイオード（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＯＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）素子とも言う）が注目を集めており、有機ＥＬディスプレイなどに用いられるようになってきている。
【０００３】
このような自発光型の表示装置では、その駆動方式としてアクティブマトリクス方式が知られている。アクティブマトリクス方式は、各画素に数個のスイッチング用の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと記す）を有する制御回路を備え、各画素の制御回路により発光、非発光を制御している。
【０００４】
また、アクティブマトリクス型の自発光型の発光装置の種類として、ボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式とトップエミッション（Ｔｏｐ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式が知られている。
ボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式は、発光素子からの光を発光素子のＴＦＴが形成されている基板側から下方向に光を取り出す方法であり、トップエミッション（Ｔｏｐ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式は発光素子からの光を、その逆の上方向に取り出す方式である。
【０００５】
発光素子は、周囲の温度（以下、「環境温度」という。）によりその抵抗値（内部抵抗値）が変化する性質があるため、定電圧駆動の場合、温度が高くなると電流値が増加し高い輝度となり、温度が低くなると電流値が低下し低い輝度となる。また、経時的にその電流値が減少する性質も有する。特に、有機化合物が用いられる有機ＥＬ素子の場合、環境温度や経時的に内部抵抗値が変化しやすい。
【０００６】
そのため発光素子を用いた発光装置において、環境温度の変化と経時変化に起因した、画素部の発光素子の電流値の変動による影響を抑制する定電圧駆動の表示装置のため、画素部以外にモニター用発光素子を設け、画素部の発光素子に入力される電流値を補償するための補償回路が提案されている。定電圧駆動の画素部の抵抗値によらず画素部の発光素子の電流値を一定にすることで、画素部の発光素子に入力される電流値モニター用発光素子を用いた補償回路については、特許文献１の実施の形態５等に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−３３３８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の補償回路では、モニター素子は電流源からの定電流により駆動され、画素部の発光素子に印加される電圧は、モニター素子両極間に印加される電圧を検出して、その電圧を画素部の発光素子に印加している。そのため、画素部の発光素子の抵抗値の変化をできるだけ正確に検出するには、モニター素子は画素部の発光素子と同特性になるのが望ましく、また、開口率も等しくしておくことが要求される。
【０００８】
また、画素部を発光させる間は、モニター素子も同時に発光するため、画素部の表示の妨げにならないように、モニター用発光素子からの光を遮光する必要がある。例えば、トップエミッション方式の場合では、光の射出側の基板に遮光膜を形成して遮光している。
【０００９】
また、モニター素子を隠す配線成膜による遮光では、モニター素子の開口率と画素部の発光素子との開口率を等しくすると、モニター素子からの光漏れが大きくなり、十分に遮光することができないおそれがある。
【００１０】
本発明は、上記の問題点を解消し、モニター用発光素子を画素部の発光素子と同様に発光させつつ、モニター用の発光素子から外部に射出する光量を減らすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、複数の画素を有する画素部と、前記画素部の周辺に配置され、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路とが同一基板上に設けられ、前記複数の画素は、それぞれ、発光素子、薄膜トランジスタを有し、前記補償回路はモニター素子を備え、定電流源が接続され、前記モニター素子には前記定電流源により一定の電流が与えられ、前記補償回路は前記モニター用素子の抵抗値で決まる電位を出力し、前記補償回路の出力は、前記画素の薄膜トランジスタを介して、前記画素の発光素子の一方の電極に接続されていることを共通の構成とする。
【００１２】
そして、本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記透明電極が前記基板側に設けられ、前記モニター素子の透明電極は絶縁膜上に接して形成され、前記モニター素子が設けられている部分の前記絶縁膜の膜厚ｄは、λを前記モニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数としたとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００１３】
他の本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子の透明電極は同じ絶縁膜上に接して形成され、前記モニター素子の透明電極が設けられている箇所の膜厚ｄは、前記画素の発光素子の透明電極が形成されている箇所よりも薄く、前記膜厚ｄは、λを前記モニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数としたとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００１４】
他の本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記透明電極が前記基板側に設けられており、前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００１５】
他の本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記透明電極が前記基板側に設けられており、前記モニター素子の透明電極は、前記画素の発光素子の透明電極よりも薄く、前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００１６】
他の本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記反射電極が前記基板側に設けられており、前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００１７】
他の本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、反射電極、透明電極及び前記反射電極と前記透明電極とに挟まれた有機化合物層を有し、前記反射電極が前記基板側に設けられており、前記モニター素子の透明電極は、前記画素の発光素子の透明電極よりも薄く、前記モニター素子の透明電極の膜厚ｄは、λをモニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数したとき、ｄ＝（２Ｎ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００１８】
他の本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、それぞれ、一対の第１及び第２の透明電極、前記第１と第２の透明電極に挟まれた有機化合物層を有し、前記第１の透明電極が前記基板側に設けられ、前記モニター素子の第１の透明電極は、絶縁膜上に形成され、前記モニター素子の第１の透明電極は絶縁膜上に接して形成され、前記モニター素子が設けられている部分の前記絶縁膜の膜厚ｄ１は、λを前記モニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数、ｄ１＝（２Ｎ−１）λ／４を満たし、前記モニター素子の第２の透明電極の膜厚ｄ２は、Ｍを正の整数としたとき、ｄ２＝（２Ｍ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００１９】
他の本発明の１つは、前記画素の発光素子及び前記モニター素子は、それぞれ、一対の第１及び第２の透明電極、前記第１と第２の透明電極に挟まれた有機化合物層を有し、前記第１の透明電極が前記基板側に設けられ、前記モニター素子の第１の透明電極は、絶縁膜上に形成され、前記モニター素子の第１の透明電極の膜厚ｄ１は、λを前記モニター素子が発する光の波長、Ｎを正の整数としたとき、ｄ１＝（２Ｎ−１）λ／４を満し、前記モニター素子の第２の透明電極の膜厚ｄ２は、Ｍを正の整数としたとき、ｄ２＝（２Ｍ−１）λ／４を満たすことを特徴とする。
【００２０】
本発明において、前記画素の発光素子及び前記モニター素子の有機化合物層は、同時に形成されたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の発光装置は、アクティブマトリクス型の画素部を定電圧駆動をさせるため、発光素子でなるモニター素子を備えた補償回路を備えることにより、環境温度や経時的劣化により画素部の発光素子の特性が変化しても、画素部の発光素子の抵抗値の変動を検出して、画素部の発光素子に流れる電流を一定にすることができる。その結果、発光素子の抵抗値が上がっても流れる電流をおさえることができるため、環境温度、経時的な劣化によって、画素部の発光素子の抵抗値が上がっても、発光装置の消費電力が増加することを避けることができる。
【００２２】
そして、本発明の発光装置は、モニター素子から表示側に漏れる光を抑えることができるため、モニター発光素子の開口率を大きくし、画素部の発光素子の開口率に近づけることができる。その結果、より正確に画素部の発光素子の抵抗値の変動を検出できる。
【００２３】
また、本発明は、ボトムエミッション（Ｂｏｔｔｏｍ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式とトップエミッション（Ｔｏｐ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式の両方式の発光装置に適用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を用いて、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、構造や材料の置き換え、あるいは実施の形態ごとの組み合わせは任意に行えることはいうまでもない。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、発光素子の温度及び劣化を補償するための補償回路を有するボトムエミッション型の発光装置について説明する。
【００２６】
まず、補償回路の基本原理を図１を用いて説明する。図１はアクティブマトリクス型表示装置本実施の形態の発光装置の模式図を示したものである。
【００２７】
本発明の表示装置は、ゲート信号線駆動回路１０７、ソース信号線駆動回路１０８及び画素部１０９を備える。画素部１０９は複数の画素１０６から構成される。そして、本発明の表示装置は温度及び劣化補償回路（以下補償回路という）を有する。
【００２８】
画素１０６は、説明の都合上、電流制御用ＴＦＴ１０４と発光素子１０５のみを示した。他、電流制御用ＴＦＴ１０４のオン・オフを制御するためのスイッチ用ＴＦＴや、容量などが設けられる。
【００２９】
補償回路は、発光素子でなるモニター素子１０２、バッファアンプ１０３を有し、定電流源１０１がモニター素子１０２に接続されている。
【００３０】
モニター素子１０２は画素の発光素子１０５と同一の電流特性を持つ発光素子で形成する。例えばＥＬ素子で発光素子を形成する場合には、モニター素子１０２のＥＬ素子と発光素子１０５のＥＬ素子は同じＥＬ材料を、同じ条件で作製するようにする。
【００３１】
定電流源１０１はモニター素子１０２に一定の電流を供給する。つまりモニター素子１０２の電流値は常に一定である。この状態で環境温度が変化すると、モニター素子１０２自体の抵抗値が変化する。モニター素子１０２の抵抗値が変化すると、当該モニター素子１０２の電流値は一定であることから、モニター素子１０２の両電極間の電位差が変化する。この温度変化によるモニター素子１０２の電位差を検出することで環境温度の変化を検出する。より詳しくは、モニター素子１０２の一定の電位に保たれている側の電極の電位、つまり図１では陰極１１０の電位は変わらないので、定電流源１０１に接続されている側の電位、つまり図１では陽極１１１側の電位の変化を検出する。
【００３２】
図２はモニター素子の電圧・電流特性の温度依存性を示す図である。室温、低温、高温でのモニター素子１０２の電圧・電流特性をそれぞれ線２１、線２２、線２３に示す。定電流源１０１からモニター素子１０２へ流れる電流値がＩ０であるとき、室温ではモニター素子にＶ０の電圧がかかっていることになる。そして、低温時ではＶ１の電圧となり、高温時ではＶ２の電圧となる。
【００３３】
このようなモニター素子１０２の電圧の変化を含む情報は、バッファアンプ１０３に供給され、陽極１１１の電位に基づき当該バッファアンプ１０３で発光素子１０５に供給する電位を設定する。つまり図２のように環境温度が低温となった場合には発光素子１０５にＶ１の電圧がかかるように電位を設定し、高温となった場合には発光素子１０５にＶ２の電圧がかかるように電位を設定する。そうすると、温度変化に合わせて、発光素子１０５に入力する電源電位を補正することができる。つまり、温度変化に起因した電流値の変動を抑制することができる。
【００３４】
また、図３はモニター素子１０２の電圧・電流特性の経時劣化を示す図である。モニター素子１０２の初期特性を線３１、劣化後の特性を線３２で表している。なお、初期特性と劣化後の特性は同じ温度条件で測定したものとする。初期特性の状態でモニター素子１０２に電流Ｉ０が流れるとモニター素子１０２にかかる電圧はＶ３、劣化後のモニター素子１０２にかかる電圧はＶ４となる。よって、このＶ４の電圧を、同様に劣化した発光素子１０５に印加するようにすれば、見かけ上の発光素子１０５の劣化を低減することができる。このように、モニター素子１０２も発光素子１０５とともに劣化するため、発光素子１０５の劣化に対しても補償することができる。
【００３５】
このようにモニター素子１０２の陽極１１１の電位の変化に合わせて発光素子１０５の陽極に同電位を設定するバッファアンプ１０３には、オペアンプを用いたボルテージフォロワ回路を適用することができる。ボルテージフォロワ回路の非反転入力端子は高入力インピーダンスで、出力端子は低出力インピーダンスであるため入力端子と出力端子を同電位とし、定電流源１０１の電流がボルテージフォロワ回路に流れ込むことなく出力端子からは電流を流すことができるからである。
【００３６】
補償回路を有する発光装置の具体的構成例について図４、図５及び図６を用いて説明する。図４は、発光装置の上面図、図５は図４をＡ−Ａ’で切断した断面図である。図６画素部１５１の等価回路を示す。図６に示すように、画素部１５１はアクティブマトリクス型である。なお、本発明において、画素部の等価回路図は図６に限定されないことはもちろんである。
【００３７】
図４に示すように表示装置は駆動回路部（ソース信号線駆動回路１５０）、画素部１５１、モニター素子などを備えた補償回路１５２、駆動回路部（ゲート信号線駆動回路１５３）を有する。また、封止用の基板（対向基板１５４）とシール材１５５で囲まれた内側は、密封空間１５６になっている。補償回路１５２には、画素部の列ごとにモニター素子が設けられている。
【００３８】
配線１５８（図５に図示）はソース信号線駆動回路１５０及びゲート信号線駆動回路１５３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ１５９（フレキシブルプリントサーキット）からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。また、ＦＰＣ１５９上にはＩＣチップ１６０（半導体集積回路）がＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続されている。なお、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて接続してもよい。
【００３９】
断面構造について図５を用いて説明する。基板１５７上には下地膜１７５が形成されている。下地膜１７５上にソース信号線駆動回路部１５０、画素部１５１、補償回路１５２及びゲート信号線駆動回路１５３が形成されている。
【００４０】
なお、ソース信号線駆動回路１５０の断面構造として、図５では代表的にｎチャネル型ＴＦＴ１６１とのｐチャネル型ＴＦＴ１６２とを組み合わせたＣＭＯＳ回路で示した。基板１５７に形成される、画素部を含む回路は、全てｐチャネル型ＴＦＴのみ、又はｎチャネル型ＴＦＴのみで形成することもできる。また、画素部以外の回路をｐチャネル型ＴＦＴのみ、又はｎチャネル型ＴＦＴのみで形成することもできる。
【００４１】
また、本実施の形態では、同時にＴＦＴにより形成した画素部と駆動回路を一体型として構造を示すが、必ずしも、駆動回路を画素部と同時に形成する必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。駆動部と画素部を同時に形成することにより、画素部と駆動回路の接続を省略できるという利点がある。
【００４２】
画素部１５１において、複数の画素ごとに、下地膜１７５上にスイッチング用ＴＦＴ１６３と電流制御用ＴＦＴ１６４が設けられている。
【００４３】
これらのＴＦＴ上には絶縁膜１７６が形成される。絶縁膜１７６は、可視光を透過する透光性の絶縁膜であり、無機の絶縁物でなる。例えば、窒化珪素（ＳｉＮｘ）膜、酸化窒化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）膜，酸化珪素（ＳｉＯ２）膜などの多層又は単層膜が、絶縁膜１７６として形成される。
【００４４】
絶縁膜１７６上には、上記のＴＦＴのソース、ドレインに接続される電極又は配線、端子部の配線１５８、補償回路１５２に配置された配線１７０などが形成される。
【００４５】
さらに、これらの電極や配線上に、可視光を透過する透光性の絶縁膜１７８が形成される。絶縁膜１７８は、下部構造の凹凸を相殺し、平坦な表面が得られるものが好ましい。絶縁膜１７８の表面を平坦化するのは、画素部１５１や補償回路１５２に配置される発光素子を平坦な表面に形成するためである。よって絶縁膜１７８には、少なくとも一層塗布法で形成される層を形成することが好ましい。塗布法で形成される層として、アクリルやポリイミドなどの樹脂膜や、シロキサン等を材料とする酸化珪素の塗布膜が好ましい。なお、絶縁膜１７８は補償回路１５２の部分が薄くなっている。この点については後述する。
【００４６】
絶縁膜１７８上に、透明導電膜が形成され、リソグラフィ法等によりマスクパターンを転写し、エッチングすることにより、画素の発光素子１６９、モニター素子１７２それぞれの陽極となる透明電極１６５、透明電極１７１が形成される。絶縁膜１７８には、透明電極１６５、透明電極１７１に対するコンタクトホールが形成され、絶縁膜１７８上の電極１８０、電極１８１により、透明電極１６５は電流制御用ＴＦＴ１６４に接続され、透明電極１７１は配線１７０に接続される。
なお、リソグラフィ法等によりマスクパターンを転写する、とは、リソグラフィ法の他にインクジェット法を用いたマスクパターン転写技術、ナノインプリント法を用いたマスクパターン転写技術も含み、また感光性の有機膜（例えばアクリル・ポリイミド等）にマスクパターンを露光して現像することも含むものとして定義する。
【００４７】
透明電極１６５、透明電極１７１を形成する透明な導電膜は、仕事関数の高い導電膜を用いることが好ましく、材料としてはインジウム錫酸化物（以下ＩＴＯという。），Ｓｉ元素を含むインジウム錫酸化物（以下ＩＴＳＯという），酸化インジウムに２〜２０％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）などの材料、もしくはこれらを組み合わせた化合物を含む膜を用いることができる。
【００４８】
中でもＩＴＳＯは、熱処理を行ってもＩＴＯのように結晶化せず、アモルファスの状態のままである。従って、ＩＴＳＯは、ＩＴＯよりも平坦性が高く、陰極と陽極のショートが生じにくく適している。
【００４９】
後述する有機化合物層１６７等のカバレッジを良好なものとするため、透明電極１６５、透明電極１７１上には、絶縁膜１６６が設けられる。絶縁膜１６６には、画素部の発光素子１６９、及びモニター素子１７２が設けられている部分に開口が設けられており、この開口の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。絶縁膜１６６として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。例えば、絶縁膜１６６の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁膜１６６の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。
【００５０】
絶縁膜１６６上に有機化合物を含む層（以下、「有機化合物層１６７」という）が形成される。有機化合物層１６７には電界を印加することで発光する発光層が少なくとも設けられている。有機化合物層１６７は蒸着マスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法によって形成される。有機化合物層１６７には、低分子系の有機化合物であっても高分子系の有機化合物であっても良い。また、電界発光層に用いる材料としては、通常、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本明細書の発光装置では有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。さらに、公知の三重項材料を用いることも可能である。なお、画素部１５１と補償回路１５２とで有機化合物層１６７を共通して設けたが、絶縁膜１６６の開口部を利用して、分離して設けてもよい。
【００５１】
有機化合物層１６７上に、画素部１５１と補償回路１５２に共通に、陰極となる反射電極１６８が形成される。反射電極１６８に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム）を用いればよい。こうして、光を反射する膜を用いることで光が透過しない電極を形成することができる。
【００５２】
そして、シール材１５５で封止用の基板１５４をＴＦＴや発光素子が形成されている基板１５７に貼り合わせる。その結果、基板１５７、基板１５４、およびシール材１５５で囲まれた密封空間１５６に発光素子１６９、及びモニター素子１７２が備えられた構造になる。なお、１５６の密封空間には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填したり、シール材１５５のような樹脂で代表される固体物で充填される。
【００５３】
シール材１５５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、基板１５４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【００５４】
図７に、画素部の発光素子１６９とモニター素子１７２の断面図を示す。画素部の発光素子とモニター素子の透明電極１６５の下地となる絶縁膜１７８の膜厚が異なっており、モニター素子１７２が形成されている箇所の絶縁膜１７８が薄くなっている。本実施の形態では、薄くなっている部分の絶縁膜１７８の厚さがλ／４の奇数倍となるように、成膜とエッチングによりその膜厚を制御する。λはモニター素子が発する光の波長である。
【００５５】
この結果、モニター素子の透明電極１７１から絶縁膜１７８に入射した光は、絶縁膜１７８内で干渉して弱められるため、絶縁膜１７８から射出する光量が少なくなる。その結果、モニター素子１７２から基板外部へ最終的に射出する光量が画素部の発光素子１６９に比べ小さくなる。
【００５６】
また、絶縁膜１７８は単層膜、多層膜のいずれでもよい。多層構造とすることで絶縁膜１７８で多重反射が生じ、モニター素子から最終的に取り出される光量をより減らすことが期待できる。多層の場合、それぞれの層の膜厚をλ／４の奇数倍となるように形成するとより好ましい。
【００５７】
なお、画素部の発光素子として、有機化合物を含む層の材料を適宜変更して、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光する発光素子を設けて、フルカラー表示を行う場合、発光素子の発光波長が異なる。Ｒの発光波長は６１０〜７８０ｎｍ、Ｇの発光波長は５００〜５７０ｎｍ、Ｂの発光波長は４３０〜４６０ｎｍなので、光の干渉現象で光が弱め合う状態になる膜厚もそれぞれ異なる。膜厚はλ／４の奇数倍となるので、補償回路１５２における絶縁膜１７８の膜厚は、Ｒ、Ｇ、Ｂの順に薄くなる。
【００５８】
このような場合は、絶縁膜１７８の膜厚制御は成膜工程と、リソグラフィ法等によりマスクパターンを転写し、エッチングする工程を複数回繰り返して膜厚制御を行う。成膜手段として、溶液を塗布する塗布法が簡便で好ましく、また平坦な表面を得られる点で好ましい。以下、塗布法で、部分的に膜厚を異ならせて、絶縁膜１７８を形成する方法を説明する。
【００５９】
まず、基板全体に、Ｒの発光素子からの光（以下、「Ｒの光」と省略する。Ｇ、Ｂについても同様）の遮光に必要な膜厚ｄＲと、最も厚くなる画素部の膜厚ｄｐとの差分の厚さに、絶縁膜１７８を塗布法により成膜する。そして、補償回路１５２全体から、絶縁膜１７８をリソグラフィ法等によりマスクパターンを転写し、エッチングして除去する。
【００６０】
次に、Ｒの光の遮光に必要な膜厚ｄＲとＧの光の遮光に必要な膜厚ｄＧの差分の厚さに絶縁膜１７８を基板１５７全面に塗布法により形成し、Ｇ、Ｂの発光素子１７２から絶縁膜１７８をリソグラフィ法等によりマスクパターンを転写し、エッチングして除去する。
【００６１】
次に、Ｇの光の遮光に必要な膜厚ｄＧとＢの光の遮光に必要な膜厚ｄＢ差分の厚さに絶縁膜１７８を塗布法により基板１５７全面に塗布法で形成し、Ｂの発光素子１７２の部分から絶縁膜１７８をリソグラフィ法等によりマスクパターンを転写し、エッチングして除去する。
【００６２】
最後に、Ｂの光の遮光に必要な膜厚ｄＢで基板全体に絶縁膜１７８を全体に形成する。以上の工程を行うと、Ｒ、Ｇ、Ｂのモニター素子１７２と、画素部１５１において絶縁膜１７８の厚さを異ならせることができる。
【００６３】
（実施の形態２）  図８に本実施の形態の画素部の発光素子とモニター素子の断面図を示す。他は実施の形態１と同様である。
【００６４】
本実施の形態では、画素部の発光素子の透明電極１６５とモニター素子の透明電極１７１の膜厚が異なり、モニター素子の透明電極１７１の方が薄く、その膜厚を（２Ｎ−１）λ／４になるようにする。ここでＮは正の整数であり、λはモニター素子が発する光の波長である。
【００６５】
この結果、モニター素子で発した光は、透明電極１７１で干渉し、弱められるため、透明電極１７１から射出する光量を画素部の発光素子に比べ小さくすることができる。
【００６６】
本実施の形態では、透明電極１６５、透明電極１７１の下地となる絶縁膜の膜厚は一様にする。したがって絶縁膜１７８を省略し、透明電極１６５、透明電極１７１はＴＦＴ上に設けられて絶縁膜１７６上に形成される。この場合、電極１８０、電極１８１も形成されないため、画素部の透明電極１６５は電極１８０を介さずに電流制御用ＴＦＴ１６４の電極に直接に接続され、モニター素子の透明電極１７１は電極１８１を介さずに、配線１７０に接続されることとなる。
【００６７】
また、モニター素子の透明電極１７１は単層膜、多層膜のいずれでもよい。多層構造とすることで透明電極１７１で多重反射が生じ、モニター素子から最終的に取り出される光量をより減らすことが期待できる。例えば３層構造にする場合、反射率の異なる２種類の膜を用い、より反射率の高い材料でなる膜で反射率の低い膜を挟むとよい。また、多層の場合、それぞれの層の膜厚をλ／４の奇数倍となるように形成するとより好ましい。
【００６８】
なお、本実施の形態の場合、画素部の透明電極１６５とモニター素子の透明電極１７１の抵抗値が異なることになるが、有機化合物層１６７の抵抗値が透明電極１６５、１７１に比べて非常に高いため、補償回路１５２の動作には影響がない。
【００６９】
また、本実施の形態でも、画素部にＲＧＢの発光素子を設けた場合、実施の形態１と同様に、ＲＧＢごとにモニター素子の透明電極の膜厚を発光する波長にあわせて制御するとよい。透明電極の厚さの制御も、実施の形態１の絶縁膜１７８の膜厚制御と同様に、透明導電膜の成膜工程と、リソグラフィ法等によりマスクパターンを転写し、エッチングする工程の繰り返しにより行うことができる。
【００７０】
また、本実施の形態においても、実施の形態１のように絶縁膜１７８を設け、絶縁膜１７８の厚さを画素部１５１と補償回路１５２とで異ならせてもよい。
【００７１】
（実施の形態３）  図９に本実施の形態の画素部の発光素子とモニター素子１７２の断面図を示す。本実施の形態はトップエミッション型の発光装置に関するものである。図９に示す画素部の発光素子と、モニター素子の構造の他は、実施の形態１と同様である。
【００７２】
絶縁膜２０５上に、モニター素子の反射電極２０４と透明電極２０３でなる下部電極、画素部の反射電極２１４と透明電極２１３でなる下部電極が形成される。これら下部電極上に絶縁膜２０２が形成されている。
【００７３】
下部電極上に、画素部とモニター素子に共通に、有機化合物層２０１、及び透明電極２００が形成されている。なお、本実施の形態の絶縁膜２０５は、図５の絶縁膜１７６に対応する（図５を参照のこと。）。本実施の形態の場合、絶縁膜１７８、電極１８０、１８１は省略されるため、画素部の下部電極は電極１８０を介さずに電流制御用ＴＦＴ１６４の電極に直接に接続され、モニター素子の下部電極は電極１８１を介さずに、配線１７０に接続されることとなる。
【００７４】
本実施の形態では、透明電極２００において、モニター素子の部分の膜厚が画素部と異なり、薄く、その膜厚を（２Ｎ−１）λ／４になるようにする。ここでＮは正の整数であり、λはモニター素子が発する光の波長である。この結果、モニター素子において、有機化合物層２０１で発した光は、透明電極２００内で干渉し弱められるため、最終的に透明電極２００から射出する光量を画素部の発光素子に比べ小さくすることができる。
【００７５】
また、透明電極２００は単層膜、多層膜のいずれでもよい。多層構造とすることで、透明電極２００のモニター素子の部分で多重反射が生じ、モニター素子から最終的に取り出される光量をより減らすことが期待できる。例えば３層構造にする場合、反射率の異なる２種類の膜を用い、より反射率の高い材料でなる膜で反射率の低い膜を挟むとよい。また、多層とした場合、それぞれの層の膜厚をλ／４の奇数倍となるように形成するとより好ましい。
【００７６】
なお、本実施の形態の場合、透明電極２００が画素部の発光素子とモニター素子とでは抵抗値が異なることになるが、有機化合物層２０１の抵抗値が透明電極２００に比べて非常に高いため、補償回路１５２の動作には影響がない。
【００７７】
また、本実施の形態でも、画素部にＲＧＢの発光素子を設けた場合、実施の形態２と同様に、透明電極２００の厚さをモニター素子の部分においてＲＧＢごとに異ならせるとよい。
【００７８】
また、本実施の形態では、反射電極２０４、反射電極２１４上にそれぞれ透明電極２０３、透明電極２１３を設けたが、省略してもよい。透明電極２０３、透明電極２１３を設ける場合、透明電極２０３の膜厚をλ／４の奇数倍となるように形成すると、反射電極２０４での反射光を減衰させることができるため、モニター素子から最終的に取り出される光量をより減らすことができる。
【００７９】
（実施の形態４）  図１０に本実施の形態の画素部の発光素子とモニター素子の断面図を示す。本実施の形態はボトムエミッション方式とトップエミッション方式を複合化した方式であり、画素部の両面から光を射出させることができる方式の発光装置に関するものである。本明細書ではこの方式をデュアルエミッション方式という。本実施の形態の発光装置は画素部の発光素子と、モニター素子の構造以外は、実施の形態１と同様である。
【００８０】
絶縁膜３０５上に、モニター素子の透明電極３０３、画素部の透明電極３１３が形成される。これら透明電極３０３、透明電極３１３上に絶縁膜３０２が形成されている。この絶縁膜３０２は図５の絶縁膜１６６に相当する膜である。
【００８１】
透明電極３０３、３１３上に、画素部とモニター素子に共通に、有機化合物層３０１、及び透明電極３００が形成されている。なお、本実施の形態の絶縁膜３０５は、図５の絶縁膜１７６に対応する。本実施の形態の場合、図５の絶縁膜１７８、電極１８０、１８１は省略される。この場合、画素部の透明電極３１３は電極１８０を介さずに電流制御用ＴＦＴ１６４の電極に直接に接続され、モニター素子の透明電極３０３は電極１８１を介さずに、配線１７０に接続されることとなる。
【００８２】
本実施の形態では、モニター素子の透明電極３０３の膜厚が画素部の透明電極３１３と異なり、薄くなっている。かつ透明電極３０３の膜厚をλ／４の奇数倍になるようにする。λはモニター素子が発する光の波長である。この結果、モニター素子において、上方に射出する光量を画素部の発光素子に比べ小さくすることができる。
【００８３】
さらに、本実施の形態では、透明電極３００において、モニター素子の部分の膜厚が画素部と異なり、薄く、その膜厚をλ／４の奇数倍になるようにする。この結果、モニター素子において、下方に射出する光量を画素部の発光素子に比べ小さくすることができる。
【００８４】
また、透明電極３０３、透明電極３００は単層膜、多層膜のいずれでもよい。多層構造とすることで、透明電極３０３や透明電極３００のモニター素子の部分で多重反射が生じ、モニター素子から最終的に取り出される光量をより減らすことが期待できる。例えば３層構造にする場合、反射率の異なる２種類の膜を用い、より反射率の高い材料でなる膜で反射率の低い膜を挟むとよい。また、多層とした場合、それぞれの層の膜厚をλ／４の奇数倍となるように形成するとより好ましい。
【００８５】
なお、本実施の形態の場合、モニター素子の２透明電極の抵抗値が画素部の発光素子と異なることになるが、有機化合物層３０１の抵抗値が透明電極３００、透明電極３０３に比べて非常に高いため、補償回路１５２の動作には影響がない。
【００８６】
また、本実施の形態でも、画素部にＲＧＢの発光素子を設けた場合、実施の形態２と同様に、モニター素子のそれぞれの透明電極３００、透明電極３０３をＲＧＢごとに異ならせるとよい。
【００８７】
なお、本実施の形態の場合、モニター素子の一対の透明電極の抵抗値が画素部の発光素子と異なることになるが、有機化合物層３０１の抵抗値が透明電極３００、透明電極３０３に比べて非常に高いため、補償回路１５２の動作には影響がない。
【００８８】
また、本実施の形態でも、実施の形態１のように絶縁膜１７８（図５参照のこと）を設け、絶縁膜１７８の厚さを制御することで、モニター素子の下方からの射出光量を減少させてもよい。この場合、透明電極３０３の厚さはλ／４の奇数倍となるようにしてもよいし、画素部と同じ厚さでもよい。
【００８９】
（実施の形態５）  実施の形態１〜４において説明したように、本発明は、画素部の発光素子の環境温度変化や経時変化による抵抗値の変動による消費電力をおさえることができる。よって、バッテリー駆動する電子機器の表示部や、消費電力が高い大画面の表示装置や、長時間に使用したり、発熱しやすい電子機器の表示部に好適である。例えば、テレビジョン装置（テレビ、テレビジョン受信機）、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯電話装置（携帯電話機）、ＰＤＡ等の携帯情報端末、携帯型ゲーム機、モニター、コンピュータ、カーオーディオ等の音響再生装置、家庭用ゲーム機等の記録媒体を備えた画像再生装置等が挙げられる。その具体例について、図１１を参照して説明する。
【００９０】
例えば、図１１（Ａ）の携帯情報端末、図１１（Ｂ）のデジタルビデオカメラ、図１１（Ｃ）の携帯電話、図１１（Ｄ）に示す携帯型のテレビジョン装置、図１１（Ｅ）に示すノート型のコンピュータ、図１１（Ｆ）に示すテレビジョン装置である。それぞれの表示部２００１〜表示部２００６に、本発明を用いた発光装置が用いられる。
【００９１】
本発明により、図１１（Ａ）〜（Ｅ）に示すようなバッテリーを用いているものは、消費電力を抑えられるため、電子機器の使用時間を長持ちさせることができる。
【００９２】
また、図１１（Ｆ）にテレビジョン装置のような大型の表示部であっても、ソース信号線駆動回路の発熱が抑えられるため、長時間使用しても発熱による消費電力を抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】補償回路を備えた発光装置のブロック図
【図２】モニター素子の電圧・電流特性の温度依存性を示す図
【図３】モニター素子１０２の電圧・電流特性の経時劣化を示す図
【図４】アクティブマトリクス型の画素部を備えた発光装置の上面図
【図５】アクティブマトリクス型の画素部を備えた発光装置の断面図
【図６】画素部の等価回路図である。
【図７】画素部の発光素子とモニター発光素子の断面図（実施の形態１）
【図８】画素部の発光素子とモニター発光素子の断面図（実施の形態２）
【図９】画素部の発光素子とモニター発光素子の断面図（実施の形態３）
【図１０】画素部の発光素子とモニター発光素子の断面図（実施の形態４）
【図１１】発光装置を用いた電子機器の説明図（実施の形態５）
【符号の説明】
【００９４】
２１  線
２２  線
２３  線
３１  線
３２  線
１０１  定電流源
１０２  モニター素子
１０３  バッファアンプ
１０４  電流制御用ＴＦＴ
１０５  発光素子
１０６  画素
１０７  ゲート信号線駆動回路
１０８  ソース信号線駆動回路
１０９  画素部
１１０  陰極
１１１  陽極
１５０  ソース信号線駆動回路
１５１  画素部
１５２  補償回路
１５３  ゲート信号線駆動回路
１５４  対向基板
１５５  シール材
１５６  密封空間
１５７  基板
１５８  配線
１５９  ＦＰＣ
１６０  ＩＣチップ
１６１  ｎチャネル型ＴＦＴ
１６２  ｐチャネル型ＴＦＴ
１６３  スイッチング用ＴＦＴ
１６４  電流制御用ＴＦＴ
１６５  透明電極
１６６  絶縁膜
１６７  有機化合物層
１６８  反射電極
１６９  発光素子
１７０  配線
１７１  透明電極
１７２  モニター素子
１７５  下地膜
１７６  絶縁膜
１７８  絶縁膜
１８０  電極
１８１  電極
２００  透明電極
２０１  有機化合物層
２０２  絶縁膜
２０３  透明電極
２０４  反射電極
２０５  絶縁膜
２１３  透明電極
２１４  反射電極
３００  透明電極
３０１  有機化合物層
３０２  絶縁膜
３０３  透明電極
３０５  絶縁膜
３１３  透明電極
２００１  表示部
２００６  表示部
【図１】
2006186324.tif 000003
【図２】
2006186324.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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