(57)【要約】【課題】本発明は液晶表示装置に関し、良好な表示特性の得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】ｎ番目のゲートバスライン１２ｎとドレインバスライン１４の交点近傍に設置された第１及び第２のＴＦＴ２１，２２と、ＴＦＴ２１に電気的に接続された第１の画素電極１６と、ＴＦＴ２２に電気的に接続され、第１の画素電極１６と分離された第２の画素電極１７と、ソース電極が第２の画素電極１７に電気的に接続された第３のＴＦＴ２３と、第３のＴＦＴ２３のドレイン電極２３ａに電気的に接続された、正方形状の第１のバッファ容量電極２８ａと、絶縁膜を介して第１のバッファ容量電極２８ａに対向して配置され、蓄積容量バスライン１８に電気的に接続された、正方形状の第２のバッファ容量電極２８ｂとを備えたバッファ容量部２８とを有するように構成する。【選択図】図２
2006330634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に互いに並列して形成された複数のゲートバスラインと、
前記複数のゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、
前記ゲートバスラインに並列して形成された複数の蓄積容量バスラインと、
ｎ番目の前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインの交点近傍に設置された第１及び第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタに電気的に接続された第１の画素電極と、
前記第２の薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記第１の画素電極と分離された第２の画素電極と、
（ｎ＋１）番目の前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインの交点近傍に設置され、ソース／ドレイン電極が前記第２の画素電極に電気的に接続された第３の薄膜トランジスタと、
前記第３の薄膜トランジスタのドレイン／ソース電極に電気的に接続された、辺の数が４以上である正多角形状の第１のバッファ容量電極と、絶縁膜を介して前記第１のバッファ容量電極に対向して配置され、前記蓄積容量バスラインに電気的に接続された、辺の数が４以上である正多角形状の第２のバッファ容量電極とを備えたバッファ容量部と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項1記載の液晶表示装置において
前記辺の数が４以上である正多角形状の第１のバッファ容量電極に代えて円形状の第１のバッファ容量電極を有し、
前記辺の数が４以上である正多角形状の第２のバッファ容量電極に代えて円形状の第２のバッファ容量電極を有すること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に画素が複数の副画素に分割されている液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、ＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ）に比べて薄くて軽量であり、低電圧で駆動でき消費電力が小さいという利点があるため、テレビ、ノート型ＰＣ（パーソナルコンピュータ）、ディスクトップ型ＰＣ、ＰＤＡ（携帯端末）および携帯電話などの電子機器に多く使用されている。特に、各画素（サブピクセル）毎にスイッチング素子としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置は、その駆動能力の高さからＣＲＴにも匹敵する優れた表示特性を示し、ディスクトップ型ＰＣやテレビなど従来ＣＲＴが使用されていた分野にも広く使用されるようになった。
【０００３】
これらの用途では、表示画面をあらゆる方向から見ることのできる高い視角特性が求められている。広視野角の得られる液晶表示装置として、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置が知られている。ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、各画素領域内に液晶分子の配向方向が相互に異なる複数の領域（ドメイン）を有することで高い視角特性を実現できる。
【０００４】
ＭＶＡ方式のように液晶分子を基板に垂直に配向させる垂直配向型の液晶表示装置では、液晶の複屈折性を主に利用して光のスイッチングが行われる。一般に垂直配向型の液晶表示装置では、表示画面の法線方向に進む光とそれより斜めの方向に進む光との間で複屈折により生じる位相差が異なるため、程度の差はあるが画面の斜め方向では全階調において階調輝度特性（γ特性）が設定値からずれてしまう。したがって、液晶への印加電圧に対する透過率特性（Ｔ−Ｖ特性）は表示画面の法線方向と斜め方向とで異なるため、画面法線方向のＴ−Ｖ特性を最適に調整しても、斜め方向から見るとＴ−Ｖ特性が歪んで画面の色が白っぽく変化してしまうという現象がある。この現象は白っ茶け（Ｗａｓｈ  Ｏｕｔ）と呼ばれている。
【０００５】
白っ茶けを改善する手段として、各画素を副画素Ａと副画素Ｂとに分割させ、副画素Ａと副画素Ｂとでそれぞれの液晶への印加電圧を異ならせたいわゆるハーフトーン構造の液晶表示装置が提案されている。ハーフトーン構造の液晶表示装置では、画素内に異なるγ特性を有することで斜め方向での複屈折による位相差の正面とのズレを抑えることが可能となり、白っ茶けを抑制できる。
【０００６】
図５はハーフトーン構造の液晶表示装置の画素構成を示している。図５に示すように、ＴＦＴ基板は、ガラス基板１０上に形成された複数のゲートバスライン１２と、ＳｉＮ膜等からなる絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差して形成された複数のドレインバスライン１４とを有している。ここで、複数のゲートバスライン１２は順次走査され、図２では、ｎ番目に走査されるｎ番目のゲートバスライン１２ｎと、（ｎ＋１）番目に走査される（ｎ＋１）番目のゲートバスライン１２（ｎ＋１）とを示している。
【０００７】
ゲートバスライン１２ｎおよびドレインバスライン１４の交差位置近傍には、画素毎に形成された第１のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２１および第２のＴＦＴ２２が互いに隣り合って配置されている。ゲートバスライン１２ｎの一部は第１のＴＦＴ２１および第２のＴＦＴ２２のゲート電極として機能する。ゲートバスライン１２ｎ上には、絶縁膜を介して第１のＴＦＴ２１の動作半導体層２１ｃおよび第２のＴＦＴ２２の動作半導体層２２ｃが形成されている。動作半導体層２１ｃ、２２ｃ上にはそれぞれ不図示のチャネル保護膜が形成されている。ＴＦＴ２１のチャネル保護膜上には、ドレイン電極２１ａおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層と、ソース電極２１ｂおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層とが所定の間隙を介して対向して形成されている。また、ＴＦＴ２２のチャネル保護膜上には、ドレイン電極２２ａおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層と、ソース電極２２ｂおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層とが所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。ＴＦＴ２１のドレイン電極２１ａおよびＴＦＴ２２のドレイン電極２２ａは、ドレインバスライン１４にそれぞれ電気的に接続されている。ＴＦＴ２１、２２は並列に配置されている。ＴＦＴ２１、２２上の基板全面には、ＳｉＮ膜等の誘電体からなる不図示の保護膜が形成されている。
【０００８】
また、ゲートバスライン１２ｎおよびドレインバスライン１４により画定された画素領域を横切って、ゲートバスライン１２ｎに並列して延びる蓄積容量バスライン１８ｎが形成されている。蓄積容量バスライン１８ｎ上には、絶縁膜を介して蓄積容量電極１９が画素毎に形成されている。蓄積容量電極１９は、接続電極２５を介してＴＦＴ２１のソース電極２１ｂに電気的に接続されている。絶縁膜を介して対向する蓄積容量バスライン１８ｎと蓄積容量電極１９との間には、第１の蓄積容量が形成される。
【０００９】
ゲートバスライン１２ｎおよびドレインバスライン１４により画定された画素領域は、副画素Ａと副画素Ｂとに分割されている。例えば台形状の副画素Ａは画素領域の中央部左寄りに配置され、副画素Ｂは画素領域のうち副画素Ａの領域を除いた上部、下部および中央部右側端部に配置されている。画素領域内の副画素Ａ、Ｂの配置は、例えば蓄積容量バスライン１８ｎに対しほぼ線対称になっている。副画素Ａには画素電極１６が形成され、副画素Ｂには画素電極１６から電気的に分離された画素電極１７が形成されている。画素電極１６、１７は、共にＩＴＯ等の透明導電膜により形成されている。画素電極１６は、保護膜が開口されたコンタクトホール２４を介して、蓄積容量電極１９およびＴＦＴ２１のソース電極２１ｂに電気的に接続されている。画素電極１７は、保護膜が開口されたコンタクトホール２６を介してＴＦＴ２２のソース電極２２ｂに電気的に接続されている。また画素電極１７は、保護膜および絶縁膜を介して蓄積容量バスライン１８ｎに重なる領域を有している。当該領域では、保護膜および絶縁膜を介して対向する画素電極１７と蓄積容量バスライン１８ｎとの間に第２の蓄積容量が形成される。
【００１０】
また、各画素領域の下方には、第３のＴＦＴ２３が配置されている。ＴＦＴ２３のゲート電極は、当該画素の次段のゲートバスライン１２（ｎ＋１）に電気的に接続されている。ゲート電極上には、絶縁膜を介して動作半導体層２３ｃが形成されている。動作半導体層２３ｃ上には、不図示のチャネル保護膜が形成されている。チャネル保護膜上には、ドレイン電極２３ａおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層と、ソース電極２３ｂおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層とが所定の間隙を介して対向して形成されている。
【００１１】
ＴＦＴ２３のソース電極２３ｂは、コンタクトホール２７を介して画素電極１７に電気的に接続されている。ＴＦＴ２３の近傍には、直角三角形状のバッファ容量電極１２８ｂが配置されている。バッファ容量電極１２８ｂは、接続電極３５を介してゲートバスライン１２（ｎ＋１）とゲートバスライン１２（ｎ＋２）との間に配置された蓄積容量バスライン１８（ｎ＋１）（図５では図示せず）に電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１８は全て同電位であるため、バッファ容量電極１２８ｂを次段の蓄積容量バスライン１８（ｎ＋１）に接続しても、蓄積容量バスライン１８ｎに接続した場合とバッファ容量電極１２８ｂの電位は変わらない。バッファ容量電極１２８ｂ上には、絶縁膜を介して直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａが配置されている。バッファ容量電極１２８ａは、ドレイン電極２３ａに電気的に接続されている。互いに対向して配置されたバッファ容量電極１２８ａ、１２８ｂ、およびそれらの間に挟まれた絶縁膜はバッファ容量部１２８を構成し、バッファ容量部１２８にはバッファ容量が形成される。ＴＦＴ２３のドレイン電極２３ａと蓄積容量バスライン１８との間は、バッファ容量Ｃｂを介した容量結合により間接的に接続されている。
【００１２】
このように、図５に示す液晶表示装置は、画素毎に３つのＴＦＴ２１、２２、２３が設けられている。以下、このような液晶表示装置の構造を「３ＴＦＴハーフトーン構造」という。
【００１３】
バッファ容量電極１２８ａが製造プロセスによりばらつくことで、各画素間でバッファ容量電極１２８ａの面積が変動した結果、バッファ容量Ｃｂの値が変動し、表示むらが発生するという問題がある。
【００１４】
【特許文献１】特開平２−１２号公報
【特許文献２】米国特許第４８４０４６０号明細書
【特許文献３】特許第３０７６９３８号公報
【特許文献４】特開２００４−７８１５７号公報
【特許文献５】特開２００３−２５５３０３号公報
【特許文献６】特開２００５−３９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的は、基板上に互いに並列して形成された複数のゲートバスラインと、前記複数のゲートバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された複数のドレインバスラインと、前記ゲートバスラインに並列して形成された複数の蓄積容量バスラインと、ｎ番目の前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインの交点近傍に設置された第１及び第２の薄膜トランジスタと、前記第１の薄膜トランジスタに電気的に接続された第１の画素電極と、前記第２の薄膜トランジスタに電気的に接続され、前記第１の画素電極と分離された第２の画素電極と、（ｎ＋１）番目の前記ゲートバスラインと前記ドレインバスラインの交点近傍に設置され、ソース／ドレイン電極が前記第２の画素電極に電気的に接続された第３の薄膜トランジスタと、前記第３の薄膜トランジスタのドレイン／ソース電極に電気的に接続された、辺の数が４以上である正多角形状の第１のバッファ容量電極と、絶縁膜を介して前記第１のバッファ容量電極に対向して配置され、前記蓄積容量バスラインに電気的に接続された、辺の数が４以上である正多角形状の第２のバッファ容量電極とを備えたバッファ容量部とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【００１７】
上記本発明の液晶表示装置において、前記辺の数が４以上である正多角形状の第１のバッファ容量電極に代えて円形状の第１のバッファ容量電極を有し、前記辺の数が４以上である正多角形状の第２のバッファ容量電極に代えて円形状の第２のバッファ容量電極を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、液晶表示装置は、ＴＦＴ基板２と、対向基板４と、両基板２、４間に封止された不図示の液晶層とを有している。
【００２０】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが接続されている。これらの駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。ＴＦＴ基板２のＴＦＴ素子形成面と反対側の面には偏光板８７が配置され、対向基板４の共通電極形成面と反対側の面には、偏光板８７とクロスニコルに配置された偏光板８６が配置されている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が配置されている。
【００２１】
図２は本実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示している。また、図３は、この液晶表示装置の１画素の等価回路を示している。図２および図３に示すように、ＴＦＴ基板２は、ガラス基板１０上に形成された複数のゲートバスライン１２と、ＳｉＮ膜等からなる絶縁膜を介してゲートバスライン１２に交差して形成された複数のドレインバスライン１４とを有している。ここで、複数のゲートバスライン１２は順次走査され、図２では、ｎ番目に走査されるｎ番目のゲートバスライン１２ｎと、（ｎ＋１）番目に走査される（ｎ＋１）番目のゲートバスライン１２（ｎ＋１）とを示している。
【００２２】
ゲートバスライン１２ｎおよびドレインバスライン１４の交差位置近傍には、画素毎に形成された第１のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２１および第２のＴＦＴ２２が互いに隣り合って配置されている。ゲートバスライン１２ｎの一部は第１のＴＦＴ２１および第２のＴＦＴ２２のゲート電極として機能する。ゲートバスライン１２ｎ上には、絶縁膜を介して第１のＴＦＴ２１の動作半導体層２１ｃおよび第２のＴＦＴ２２の動作半導体層２２ｃが形成されている。動作半導体層２１ｃ、２２ｃ上にはそれぞれ不図示のチャネル保護膜が形成されている。ＴＦＴ２１のチャネル保護膜上には、ドレイン電極２１ａおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層と、ソース電極２１ｂおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層とが所定の間隙を介して対向して形成されている。また、ＴＦＴ２２のチャネル保護膜上には、ドレイン電極２２ａおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層と、ソース電極２２ｂおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層とが所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。ＴＦＴ２１のドレイン電極２１ａおよびＴＦＴ２２のドレイン電極２２ａは、ドレインバスライン１４にそれぞれ電気的に接続されている。ＴＦＴ２１、２２は並列に配置されている。ＴＦＴ２１、２２上の基板全面には、ＳｉＮ膜等の誘電体からなる不図示の保護膜が形成されている。
【００２３】
また、ゲートバスライン１２ｎおよびドレインバスライン１４により画定された画素領域を横切って、ゲートバスライン１２ｎに並列して延びる蓄積容量バスライン１８ｎが形成されている。蓄積容量バスライン１８ｎ上には、絶縁膜を介して蓄積容量電極１９が画素毎に形成されている。蓄積容量電極１９は、接続電極２５を介してＴＦＴ２１のソース電極２１ｂに電気的に接続されている。絶縁膜を介して対向する蓄積容量バスライン１８ｎと蓄積容量電極１９との間には、第１の蓄積容量Ｃｓ１が形成される。
【００２４】
ゲートバスライン１２ｎおよびドレインバスライン１４により画定された画素領域は、副画素Ａと副画素Ｂとに分割されている。例えば台形状の副画素Ａは画素領域の中央部左寄りに配置され、副画素Ｂは画素領域のうち副画素Ａの領域を除いた上部、下部および中央部右側端部に配置されている。画素領域内の副画素Ａ、Ｂの配置は、例えば蓄積容量バスライン１８ｎに対しほぼ線対称になっている。副画素Ａには第１の画素電極１６が形成され、副画素Ｂには画素電極１６から電気的に分離された第２の画素電極１７が形成されている。画素電極１６、１７は、共にＩＴＯ等の透明導電膜により形成されている。画素電極１６は、保護膜が開口されたコンタクトホール２４を介して、蓄積容量電極１９およびＴＦＴ２１のソース電極２１ｂに電気的に接続されている。画素電極１７は、保護膜が開口されたコンタクトホール２６を介してＴＦＴ２２のソース電極２２ｂに電気的に接続されている。また画素電極１７は、保護膜および絶縁膜を介して蓄積容量バスライン１８ｎに重なる領域を有している。当該領域では、保護膜および絶縁膜を介して対向する画素電極１７と蓄積容量バスライン１８ｎとの間に第２の蓄積容量Ｃｓ２が形成される。
【００２５】
また、各画素領域の下方には、第３のＴＦＴ２３が配置されている。ＴＦＴ２３のゲート電極は、当該画素の次段のゲートバスライン１２（ｎ＋１）に電気的に接続されている。ゲート電極上には、絶縁膜を介して動作半導体層２３ｃが形成されている。動作半導体層２３ｃ上には、不図示のチャネル保護膜が形成されている。チャネル保護膜上には、ドレイン電極２３ａおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層と、ソース電極２３ｂおよびその下層の不図示のｎ型不純物半導体層とが所定の間隙を介して対向して形成されている。
【００２６】
ＴＦＴ２３のソース電極２３ｂは、コンタクトホール２７を介して画素電極１７に電気的に接続されている。ＴＦＴ２３の近傍には、バッファ容量電極２８ｂが配置されている。バッファ容量電極２８ｂは、接続電極３５を介してゲートバスライン１２（ｎ＋１）とゲートバスライン１２（ｎ＋２）との間に配置された蓄積容量バスライン１８（ｎ＋１）（図２では図示せず）に電気的に接続されている。蓄積容量バスライン１８は全て同電位であるため、バッファ容量電極２８ｂを次段の蓄積容量バスライン１８（ｎ＋１）に接続しても、蓄積容量バスライン１８ｎに接続した場合とバッファ容量電極２８ｂの電位は変わらない。バッファ容量電極２８ｂ上には、絶縁膜を介してバッファ容量電極２８ａが配置されている。バッファ容量電極２８ａは、ドレイン電極２３ａに電気的に接続されている。互いに対向して配置されたバッファ容量電極２８ａ、２８ｂ、およびそれらの間に挟まれた絶縁膜はバッファ容量部２８を構成し、バッファ容量部２８にはバッファ容量Ｃｂが形成される。ＴＦＴ２３のドレイン電極２３ａと蓄積容量バスライン１８との間は、バッファ容量Ｃｂを介した容量結合により間接的に接続されている。
【００２７】
対向基板４は、ガラス基板上に形成されたＣＦ樹脂層と、ＣＦ樹脂層上に形成され、蓄積容量バスライン１８と同電位に維持される共通電極４１とを有している。ＴＦＴ基板２と対向基板４との間には、例えば負の誘電率異方性を有する液晶が封止されて液晶層が形成されている。副画素Ａの画素電極１６、共通電極４１、およびそれらの間に挟まれた液晶層１により液晶容量Ｃｌｃ１が形成され、副画素Ｂの画素電極１７、共通電極４１、およびそれらの間に挟まれた液晶層により液晶容量Ｃｌｃ２が形成される。ＴＦＴ基板２の液晶層との界面には配向膜（垂直配向膜）が形成され、対向基板４の液晶層６との界面には配向膜（垂直配向膜）が形成されている。これにより、液晶層の液晶分子は、電圧無印加時に基板面にほぼ垂直に配向する。
【００２８】
３ＴＦＴハーフトーン構造の液晶表示装置では、ゲートバスライン１２ｎが選択状態になってＴＦＴ２１、２２がオン状態になると、副画素Ａ、Ｂの各液晶容量Ｃｌｃ１、Ｃｌｃ２に一旦同じ電圧が印加される。その後、次段のゲートバスライン１２（ｎ＋１）が選択状態になって第３のＴＦＴ２３がオン状態になると、副画素Ｂの液晶容量Ｃｌｃ２に蓄えられた電荷がバッファ容量Ｃｂに移動することにより副画素Ｂの液晶容量Ｃｌｃ２の電圧が低下し、副画素Ａの液晶容量Ｃｌｃ１の電圧と副画素Ｂの液晶容量Ｃｌｃ２の電圧とに差が生じる。
【００２９】
このように、液晶層に印加される電圧が互いに異なる副画素Ａ、Ｂが１画素内に存在すると、液晶層への印加電圧に対する透過率特性（Ｔ−Ｖ特性）の歪みが副画素Ａ、Ｂで分散される。このため、白っ茶け（斜め方向から見たときに画像の色が白っぽくなる現象）を抑制でき、視角特性が改善される。
【００３０】
また、３ＴＦＴハーフトーン構造の液晶表示装置では、副画素Ｂの画素電極１７がＴＦＴ２２を介してドレインバスライン１４に接続されている。ＴＦＴ２２の動作半導体層２２ｃの電気抵抗は、オフ状態であっても絶縁膜や保護膜等の電気抵抗よりも極めて低い。このため、画素電極１７に蓄えられた電荷は容易に放電されるようになっている。したがって本実施の形態によれば、広視野角の得られるハーフトーン法を用いているのにもかかわらず、濃い焼付きが生じることがない。
【００３１】
本実施の形態によれば、バッファ容量電極２８ａの形状が正方形なので、図５に示す従来の直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａと比較して、製造プロセスによるばらつきの影響を受けにくくなるため、表示むらのない良好な表示品質が得られる。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
表１は、バッファ容量電極の面積が設計値Ｓからずれた場合の正方形と直角三角形とのバッファ容量電極の面積の差を示している。バッファ容量電極の面積の設計値Ｓが１００μｍ２であり、製造プロセスでオーバーエッチングにより、パターンが１μｍ細ると仮定した場合の出来あがり面積は、表１に示すとおり正方形状のバッファ容量電極２８ａで
出来上がり面積[μｍ２]＝（１０−２）[μｍ]×（１０−２）[μｍ]＝６４μｍ２
直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａで約６２．０５μｍ２となり、正方形状のバッファ容量電極２８ａの方が設計値に対して約１．９５％有利となる。
【００３４】
逆に、パターンが１μｍ太ると出来あがり面積は、正方形状のバッファ容量電極２８ａで
出来上がり面積[μｍ２]＝（１０＋２）[μｍ]×（１０＋２）[μｍ]＝１４４μｍ２
直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａで約１４６．８９μｍ２となり、正方形状のバッファ容量電極２８ａの方が設計値に対して約２．８９％有利となる。
【００３５】
以上の結果から、正方形状のバッファ容量電極２８ａを用いた３ＴＦＴハーフトーン構造の液晶表示装置において、図５に示す従来の直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａを用いた場合と比較して、製造プロセスによるバッファ容量電極の面積変動を少なくし、各画素間でのバッファ容量Ｃｂの変動による表示むらを軽減できることが分かる。
【００３６】
［第２の実施の形態］
本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置について図４を用いて説明する。図４は、本実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示している。なお本実施の形態による液晶表示装置等の説明において、第１の実施の形態と同一の機能、作用を奏する構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００３７】
本実施の形態による液晶表示装置では、第１の実施の形態の正方形状のバッファ容量電極２８ａに代えて円形状のバッファ容量電極３８ａが配置され、正方形状のバッファ容量電極２８ｂに代えて円形状のバッファ容量電極３８ｂが配置されている。
【００３８】
バッファ容量電極３８ｂは、接続電極３５を介してゲートバスライン１２（ｎ＋１）とゲートバスライン１２（ｎ＋２）との間に配置された蓄積容量バスライン１８（ｎ＋１）（図４では図示せず）に電気的に接続されている。バッファ容量電極３８ａは、ドレイン電極２３ａに電気的に接続されている。互いに対向して配置されたバッファ容量電極３８ａ、３８ｂ、およびそれらの間に挟まれた絶縁膜はバッファ容量部３８を構成し、バッファ容量部３８にはバッファ容量Ｃｂが形成される。ＴＦＴ２３のドレイン電極２３ａと蓄積容量バスライン１８との間は、バッファ容量Ｃｂを介した容量結合により間接的に接続されている。
【００３９】
本実施の形態によれば、バッファ容量電極３８ａの形状が円形なので、図５に示す従来の直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａと比較して、製造プロセスによるばらつきの影響を受けにくくなるため、表示むらのない良好な表示品質が得られる。
【００４０】
【表２】
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【００４１】
表２は、バッファ容量電極の形状が円形、正方形および直角三角形の場合のバッファ容量電極の面積の差を示している。表２に示すとおり、バッファ容量電極の面積の設計値Ｓが１００μｍ２であり、製造プロセスによりオーバーエッチングにより、パターンが１μｍ細ると仮定した場合の出来あがり面積は、円形状のバッファ容量電極３８ａで約６７．６μｍ２、直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａで約６２．０５μｍ２となり、円形の方が設計値に対して約５．５５％有利となる。
【００４２】
逆に、パターンが１μｍ太ると出来あがり面積は、円形状のバッファ容量電極３８ａで約１３８．４４μｍ２、直角三角形状のバッファ容量電極１２８ａで約１４６．８９μｍ２となり、円形状のバッファ容量電極３８ａの方が設計値に対して約８．４５％有利となる。
【００４３】
以上の結果から、バッファ容量電極３８ａの形状を円形とすることで、図５に示す従来の直角三角形のバッファ容量電極１２８ａと比較して、製造プロセスによるバッファ容量電極３８ａの面積変動を少なくし、各画素間でのバッファ容量Ｃｂの変動による表示むらを軽減できることが分かる。
【００４４】
以上説明したように、本発明によれば、３ＴＦＴハーフトーン構造の液晶表示装置において、表示むらの原因となるバッファ容量Ｃｂの変動を抑止できる。これにより、焼付きが生じ難く、表示むらのない表示特性を安定して得られる広視野角の液晶表示装置を実現できる。なお、本実施の形態では基本的にＭＶＡ方式等のＶＡモードの液晶表示装置への適用を念頭に置いた画素構成となっているが、原理や効果はＶＡモードに限定されるものではなく、ＴＮ、ＩＰＳ、ＯＣＢ等のあらゆる液晶モードの液晶表示装置に適用可能である。
【００４５】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では正方形状のバッファ容量電極２８ａ、２８ｂを例に挙げたが、本発明はこれに限らず、辺の数が５以上の正多角形状のバッファ容量電極にも適用できる。
【００４６】
また上記実施の形態ではバッファ容量電極２８ｂが接続電極３５を介してゲートバスライン１２（ｎ＋１）とゲートバスライン１２（ｎ＋２）との間に配置された蓄積容量バスライン１８（ｎ＋１）に電気的に接続されている液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、バッファ容量電極２８ｂがゲートバスライン１２ｎとゲートバスライン１２（ｎ＋１）との間に配置された蓄積容量バスライン１８ｎに電気的に接続されている液晶表示装置にも適応できる。
【００４７】
また上記実施の形態では透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００４８】
また上記実施の形態では、対向基板４上にＣＦ樹脂層が形成された液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ＴＦＴ基板２上にＣＦ樹脂層が形成された、いわゆるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置の１画素の等価回路を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図５】従来の液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
１０  ガラス基板
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６、１７  画素電極
１８  蓄積容量バスライン
１９  蓄積容量電極
２１、２２、２３  ＴＦＴ
２１ａ、２２ａ、２３ａ  ドレイン電極
２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ  ソース電極
２１ｃ、２２ｃ、２３ｃ  動作半導体層
２４、２６、２７  コンタクトホール
２８、３８  バッファ容量部
２８ａ、２８ｂ、３８ａ、３８ｂ  バッファ容量電極
３５  接続電極
４１  共通電極
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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