(57)【要約】【課題】  戻り光の素子内部への再吸収を抑止でき、波長変換光の色むらを生じることなく高輝度で量産性に優れる発光装置を提供する。【解決手段】  ＬＥＤ素子２のサファイア基板２０に蛍光体が発する黄色光を反射するダイクロイックミラー３を設けているので、ＬＥＤ素子２に戻り光が再吸収されることを防ぎ、高輝度化を図ることができる。また、ラージサイズのＬＥＤ素子２を用いるとともに、サファイア基板２０の光取り出し面にダイクロイックミラー３を設けているので、ダイクロイックミラー形成面積が大になり、戻り光がＬＥＤ素子２に対して入射しにくくなる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップ実装型の発光素子と、
前記発光素子の光取り出し側に設けられて前記発光素子の発光波長光に基づいて励起されることにより励起光を放射する蛍光体と、
前記蛍光体と前記発光素子の光取り出し側との間に設けられて前記発光素子の発光波長光を透過し、前記励起光を反射する反射手段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記蛍光体は、前記発光素子の光取り出し側に層状に設けられることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記反射手段は、屈折率の異なる材料を交互に積層することにより多層膜化したダイクロイックミラーであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記発光素子は、ｗ２／（ｗ２＋４ｗｈ）〔但し、発光素子幅：ｗ、発光素子高：ｈ〕が６０％以上で形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記反射手段は、前記発光素子の光取り出し面に設けられることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記反射手段は、前記発光素子の光取り出し面に設けられる第１の反射手段と、前記蛍光体を介して光取り出し側に配置される第２の反射手段とを含むことを特徴とする請求項１又は３に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フリップ実装型の発光素子を光源とする発光装置に関し、特に、戻り光が素子内部へ再吸収されることを抑止でき、波長変換光の色むらを生じることなく高輝度で量産性に優れる発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置として、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子を光源に用いた発光装置が知られている。近年、このような発光装置の用途は、車載用の照明機器、液晶デバイスのバックライト光源、小型電子機器のランプ等に広く拡大しつつあり、これら以外にも様々な用途が見込まれている。
【０００３】
このようなＬＥＤ素子から放射される光を波長変換することにより、所望の色の光を放射させる発光装置が提案されている。例えば、サファイア基板上にＧａＮ系半導体層を結晶成長させることにより形成されて青色光を発するＧａＮ系ＬＥＤ素子を、青色光によって励起される蛍光体（例えば、ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体）を含有した封止樹脂で封止したＬＥＤランプが知られている。
【０００４】
この発光装置によると、封止樹脂中の蛍光体が青色光の照射に基づいて励起されることにより黄色光を生じ、この黄色光が前述の青色光と混合されると、補色の関係により白色光を生じる。そのため、小型の白色光源として有望視されているが、高濃度の蛍光体を用いるとＬＥＤ素子から放射された青色光が蛍光体で反射され易くなり、反射光がＬＥＤ素子に再吸収されるという不具合を生じる。特に、ＬＥＤ素子の発する波長の光は再吸収され易いことから、高輝度化を図るにあたって障害となる。
【０００５】
かかる問題を解決するものとして、ＬＥＤ素子が配置されるカップ状の凹部を有したヘッダの上側に高屈折率層と低屈折率層とを交互に形成した多層誘電体積層体からなる長波長通過フィルタを設けた発光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
特許文献１の発光装置は、長波長通過フィルタによってＬＥＤ素子から放射された紫外／青色光を反射し、蛍光体から放射される光を透過させることにより、紫外／青色光を効率良く利用することができるとしている。また、ＬＥＤ素子の上側に短波長通過フィルタを設けてＬＥＤ素子への戻り光を低減する構成についても記載されている。
【特許文献１】特表２００１−５０１３８０号公報（第１０頁、Ｆｉｇ３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１によると、上記したフィルタをＬＥＤ素子に設けるには、例えば、サファイア等の下地基板にフィルタ加工を施した後に素子単位に分離する方法があるが、ＬＥＤ素子のサイズによってはフィルタ加工面に対し非加工面の面積が大になるため、非加工面から戻り光が再吸収されてしまうという問題がある。これは標準サイズ（０．３ｍｍ角）のＬＥＤ素子では、素子高さと光取り出し面の一辺の長さとの比が概ね１：３となり、実装面を除いた素子表面積に占めるフィルタ非加工面積の割合が大になることによる。また、標準サイズのＬＥＤ素子と比較してラージサイズ（１ｍｍ角）のＬＥＤ素子では発光効率が低くなることから、光源を大型化すると発光効率低下と戻り光の再吸収の問題が顕著になって高輝度化が難しいという問題がある。
【０００８】
従って、本発明の目的は、戻り光が素子内部へ再吸収されることを抑止でき、波長変換光の色むらを生じることなく高輝度で量産性に優れる発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するため、フリップ実装型の発光素子と、前記発光素子の光取り出し側に設けられて前記発光素子の発光波長光に基づいて励起されることにより励起光を放射する蛍光体と、前記蛍光体と前記発光素子の光取り出し側との間に設けられて前記発光素子の発光波長光を透過し、前記励起光を反射する反射手段とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、蛍光体と発光素子の光取り出し側との間に励起光を反射する反射手段を有することにより、戻り光が素子内部へ再吸収されることを抑止でき、波長変換光の色むらを生じることなく高輝度を図れ、蛍光体層の均一化が容易に得られることにより量産性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）はパッケージ中央部分における縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤ素子を拡大した断面図である。
【００１２】
（全体の構成）
この発光装置１は、下地基板上にＧａＮ系半導体材料を結晶成長させることによって形成されたフリップチップ型のＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２の光取り出し面に設けられて波長に応じて光透過性／反射性を示す多層膜からなるダイクロイックミラー３と、Ｓｉからなるケース４と、ケース４に一体的に設けられてＬＥＤ素子２の電極と外部回路との電気的接続を行う配線部５と、ＬＥＤ素子２の電極を配線部５に電気的に接続するＡｕバンプ６と、ＬＥＤ素子２を封止する透明なシリコン樹脂７と、シリコン樹脂７に積層される蛍光体含有シリコン樹脂８によって構成されている。
【００１３】
（各部の構成）
ＬＥＤ素子２は、下地基板となるサファイア基板２０と、サファイア基板２０上に図示しないＡｌＮバッファ層を介してｎ−ＧａＮ層２１と、発光層２２と、ｐ−ＧａＮ層２３とを順次結晶成長させることによって形成したＧａＮ系半導体層２００を有し、ｐ−ＧａＮ層２３からエッチングを施すことによりｎ電極形成領域としてｎ−ＧａＮ層２１の一部を露出させた水平型の電極構造を有する。このＬＥＤ素子２は、１ｍｍ角のラージサイズチップであり、発光中心波長は４７０ｎｍである。
【００１４】
ダイクロイックミラー３は、ウエハ状態でＧａＮ結晶成長していない側のサファイア基板２０にＴｉＯ２とＳｉＯ２とを交互に７層積層することによって形成されており、５００ｎｍ以下の光を透過し、５００ｎｍ以上の光を反射する。このウエハを通常の工程に従い、分離することでダイクロイックミラー３を備えるＬＥＤ素子２を形成する。この際、サファイア基板２０は約０．９ｍｍ厚である。ダイクロイックミラー３はＬＥＤ素子２の発する青色光は透過するが、蛍光体含有シリコン樹脂８の蛍光体が発する黄色光については反射することにより、ＬＥＤ素子２への入射を防ぐ。
【００１５】
ケース４は、素子搭載面４０と、素子搭載面４０の周囲に６０°の角度を有して形成される傾斜面４１とを含む開口４２を有して形成されており、素子搭載面４０にはタングステン（Ｗ）−ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）からなり、電極の配置に応じたパターンで形成される電極実装パターン５０が露出している。配線部５は、ケース４内を介して電極実装パターン５０と実装面に設けられる外部実装パターン５１とが電気的に接続された構成を有する。
【００１６】
蛍光体含有シリコン樹脂８は、ＬＥＤ素子２から放射される青色光によって励起されて黄色光を放射するＣｅ：ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)蛍光体を含有しており、シリコン樹脂７上に層状に設けられている。
【００１７】
（発光装置１の動作）
以下に、第１の実施の形態の動作について説明する。図示しない電源部から外部実装パターン５１を介して通電することにより、ＬＥＤ素子２の電極を介して発光層２２に通電される。発光層２２は、通電に基づいて発光して青色光を生じる。この青色光は、ＧａＮ系半導体層２００からサファイア基板２０に入射し、ダイクロイックミラー３を透過してシリコン樹脂７に入射する。そして、青色光はシリコン樹脂７から蛍光体含有シリコン樹脂８に入射する。蛍光体は青色光の照射に基づいて励起されることにより黄色光を放射する。この黄色光は、蛍光体含有シリコン樹脂８に入射した青色光と混合されることによって白色光を生じ、ケース４から外部放射される。
【００１８】
また、蛍光体含有シリコン樹脂８からシリコン樹脂７に入射し、ＬＥＤ素子２の表面に至った黄色光は、ダイクロイックミラー３で反射されて蛍光体含有シリコン樹脂８方向に放射される。
【００１９】
（第１の実施の形態の効果）
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）ＬＥＤ素子２は、フリップ実装タイプであり、サファイア基板２０に蛍光体が発する黄色光を反射するダイクロイックミラー３を設けているので、ＬＥＤ素子２に戻り光が再吸収されることを防ぎ、高輝度化を図ることができる。また、その際、フリップ実装タイプであることより、上面は電気端子に対する制約がなく、量産性に優れる。
【００２０】
（２）ラージサイズのＬＥＤ素子２を用いるとともに、サファイア基板２０の光取り出し面にダイクロイックミラー３を設けているので、ダイクロイックミラー形成面積比が大になり、戻り光がＬＥＤ素子２に対して入射しにくくなる。実際には、上面と側面とに対する面積比は、ＬＥＤ素子２の幅：ｗ、ＬＥＤ素子２の高さ：ｈとすると〔ｗ２／（ｗ２＋４ｗｈ）〕で表されるが、標準サイズ（約０．０３ｍｍ角、ｈ＝０．０９ｍｍ）では５０％未満である。これに対し、０．６ｍｍ角サイズでは６０％以上、１．０ｍｍ角サイズでは７０％以上となる。蛍光体層がＬＥＤ素子２の上方にあることを考慮すると、この面積比以上の効果が得られる。そして、特にこの比を６０％以上となるよう形成することにより、戻り光の再吸収を効果的に抑制することができる。
【００２１】
（３）シリコン樹脂７上に蛍光体含有シリコン樹脂８を層状に設けているので、高濃度の蛍光体層とでき、かつＬＥＤ素子２の直上に配置することでラージサイズのＬＥＤ素子２から放射される青色光が蛍光体に効率良く照射される。また、層状にすることで高濃度となった蛍光体層からＬＥＤ素子２方向に反射された黄色光はＬＥＤ素子２上のダイクロイックミラー３で反射されるので、反射された黄色光についても青色光と混合される確率が大になって白色光への変換効率が向上する。
【００２２】
（４）ダイクロイックミラー３は、ウエハ状態で形成するので、形成が容易で量産性に優れる。また、分割後に形成するものではないので、ミラー形成部の位置ずれによる影響が生ぜず、上面面積の割合に応じた形成が確実に行える。
【００２３】
なお、第１の実施の形態では、青色光を発するＧａＮ系ＬＥＤ素子２と、青色光の励起に基づいて黄色光を発するＣｅ：ＹＡＧ蛍光体とを用いた発光装置１を説明したが、ＬＥＤ素子２および蛍光体の組み合わせについては、上記した構成に限定されず、その要旨を変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
【００２４】
また、層状の蛍光体層は、例えば、ＬＥＤ素子２の表面にダイクロイックミラー３を設け、その上にスクリーン印刷等によって一体的に設けても良い。
【００２５】
また、蛍光体が層状に塗布されていると説明したが、蛍光体を分散形態とした場合、一般には層状にすることで高濃度化したときほどの影響はないが、小型のパッケージ等で分散された蛍光体の濃度が高く、戻り光の再吸収による影響が生じるものであれば、分散形態であっても効果を得ることができ、層状蛍光体に限らない。
【００２６】
（第２の実施の形態）
図２は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。以下の説明において、第１の実施の形態と同一の構成および機能を有する部分については同一の符号を付している。
【００２７】
（全体の構成）
この発光装置１は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなる基板９と、基板９上に搭載されてダイクロイックミラー３を光取り出し面に有するラージサイズのＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を封止する蛍光体含有シリコン樹脂８とを有し、基板９は、電極実装パターン５０と実装面に設けられる外部実装パターン５１とが電気的に接続された配線部５を有する。
【００２８】
（第２の実施の形態の効果）
上記した第２の実施の形態によると、蛍光体濃度が高い材料でＬＥＤ素子２を直接封止する場合でも、ＬＥＤ素子２への戻り光が再吸収され、発光効率が低下することを軽減できるので、高輝度を実現できる。つまり、狭いエリアから高効率光放射を行うことができる。また、熱伝導性に優れるＡｌＮの基板９にラージサイズのＬＥＤ素子２を実装しているので、第１の実施の形態の好ましい効果に加えてＬＥＤ素子２を大電流で駆動しても良好な放熱性が得られるので高光出力とでき、高輝度高出力光源とすることができる。高輝度光源は、集光光学系との組み合わせに適しており、高出力であれば、照明光源として用いることができる。
【００２９】
（第３の実施の形態）
図３は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【００３０】
（全体の構成）
この発光装置１は、放熱領域９Ａを有するＡｌＮからなる基板９と、ダイクロイックミラー３を光取り出し面に有するラージサイズのＬＥＤ素子２と、光取り出し側の周辺部に４５°の傾斜面８Ａが設けられた蛍光体含有シリコン樹脂８とを有し、ＬＥＤ素子２を電極実装パターン５０上に搭載している。また、基板９の外部実装パターン５１形成面には、外部実装基板への放熱を促すために銅箔等の金属箔からなる放熱パターン５２が形成されている。放熱パターン５２は半田等を介し、図示しないヒートシンクと接続される。
【００３１】
（蛍光体含有シリコン樹脂８の成形）
蛍光体含有シリコン樹脂８は、樹脂材料の型成形によって傾斜面８Ａを有するように形成される。まず、放熱領域９Ａを有した基板９の電極実装パターン５０上にＬＥＤ素子２を実装する。次に、基板９上の所定の位置にＬＥＤ素子２の封止形状に応じて形成された樹脂成形用の型を配置する。次に、型の内部に蛍光体含有シリコン樹脂８を充填して硬化させる。最後に基板９から型を分離する。
【００３２】
（第３の実施の形態の効果）
上記した第３の実施の形態によると、熱伝導性に優れるＡｌＮの基板９に放熱領域９Ａおよび放熱パターン５２を設けているので、ラージサイズＬＥＤ素子２の大電流駆動による発熱に対しても放熱領域９Ａおよび放熱パターン５２から速やかに放熱でき、ＬＥＤ素子２を恒常的に安定駆動することができる。また、傾斜面８Ａを設けることで、ＬＥＤ素子２を蛍光体含有シリコン樹脂８の型成形によって容易に封止することができる。
【００３３】
（第４の実施の形態）
図４は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【００３４】
（全体の構成）
この発光装置１は、ラージサイズのＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を実装したケース４を封止するシリコン樹脂７と、シリコン樹脂７で封止されたケース４の上面に設けられ、光取り出し側に高濃度の薄膜状蛍光体層３Ａを備えたダイクロイックミラー３が形成されており、ＬＥＤ素子２にダイクロイックミラーを設けていない点で第１の実施の形態の発光装置１と相違している。
【００３５】
ダイクロイックミラー３は、光透過性を有する樹脂シートに屈折率の異なる有機材料を交互に多層積層することによって形成されており、薄膜状蛍光体層３Ａは、樹脂シート表面にＣｅ：ＹＡＧをスクリーン印刷することによって薄膜状に形成されている。このダイクロイックミラー３は、５００ｎｍ以下の光を透過し、５００ｎｍ以上の光を反射する。
【００３６】
（第４の実施の形態の効果）
上記した第４の実施の形態によると、高濃度の蛍光体を薄膜状に設けたシート状のダイクロイックミラー３をケース４の開口４２に配置しているので、ＬＥＤ素子２へのダイクロイックミラー装着加工を省略できる。また、シリコン樹脂７によるパッケージ封止後に薄膜状蛍光体層３Ａを備えたシート状のダイクロイックミラー３を一体化することで、同一工程で蛍光体層とダイクロイックミラーとを精度良くかつ容易に設けることができ、コストアップを抑えて生産性に優れる。
【００３７】
なお、第４の実施の形態では、光透過性を有する樹脂シートに高濃度の薄膜状蛍光体層３Ａを備えたダイクロイックミラー３を用いたが、樹脂シートに代えてＬＥＤ素子２の発光波長に対し透明なガラスシートを用いてＴｉＯ２とＳｉＯ２の多層膜を設けたダイクロイックミラー３を設けても良い。この場合には、ＬＥＤ素子２の発する光による劣化を生じることなく、長期にわたって安定して使用することができる。
【００３８】
（第５の実施の形態）
図５は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【００３９】
（全体の構成）
この発光装置１は、第４の実施の形態で説明した発光装置１のＬＥＤ素子２を素子搭載面４０に３×３＝９個設けた構成を有する点で第４の実施の形態と相違している。このように複数素子搭載型の発光装置１としても良い。ここで用いているＬＥＤ素子２は、約０．３ｍｍ角サイズであり、縦横サイズがそれぞれ０．６ｍｍピッチで密実装されている。そして、ケース４の傾斜面上端は４ｍｍ角の開口部となり、その上にダイクロイックミラー３と薄膜状蛍光体層３Ａとが設けられている。
【００４０】
（第５の実施の形態の効果）
第５の実施の形態によると、第４の実施の形態の好ましい効果に加えて複数のＬＥＤ素子２から放射される青色光を効率良く白色光に変換でき、高輝度の発光装置１が得られる。また、薄膜状蛍光体層３Ａは、蛍光体濃度が高いため、ＬＥＤ素子２が発した光をＬＥＤ素子２が密実装される狭い領域に反射し易いが、ダイクロイックミラー３により戻り光の再吸収を効果的に抑制することができる。
【００４１】
（第６の実施の形態）
図６は、本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【００４２】
（全体の構成）
この発光装置１は、サファイア基板２０の光取り出し面にダイクロイックミラー３１を有するラージサイズのＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を実装したケース４を封止するシリコン樹脂７と、シリコン樹脂７で封止されたケース４の上面に設けられ、ケース４側に高濃度の薄膜状蛍光体層３Ａを備えたダイクロイックミラー３２とを有する。
【００４３】
（各部の構成）
第６の実施の形態では、ダイクロイックミラー３１は、発光中心波長が３７０ｎｍの紫外ＬＥＤ素子２と、Ｔａ２Ｏ３とＳｉＯ２とを交互に７層積層することによって４１０ｎｍ以下の光を透過し、４１０ｎｍ以上の光を反射する。ダイクロイックミラー３２は、４１０ｎｍ以下の光を反射し、４１０ｎｍ以上の光を透過する。
【００４４】
（発光装置１の動作）
以下に、第６の実施の形態の動作について説明する。ＬＥＤ素子２から放射される紫外光のうち、ＲＧＢ蛍光体で反射された反射光はＬＥＤ素子２に設けられるダイクロイックミラー３１で反射される。このことにより、反射光はＬＥＤ素子２から放射される紫外光と混合される確率が高くなる。紫外光との混合に基づいてＲ，Ｇ、又はＢに変換された光はダイクロイックミラー３２を透過して外部放射される。
【００４５】
（第６の実施の形態の効果）
第６の実施の形態によると、ＬＥＤ素子２に設けられるダイクロイックミラー３１とケース４の上面に設けられるダイクロイックミラー３２との間に薄膜状蛍光体層３Ａが配置されるので、ＲＧＢ蛍光体で反射された反射光を高濃度の薄膜状蛍光体層３Ａに繰り返し入射させることができ、３７０ｎｍ光の外部漏れがなく、波長変換された光のみが外部放射される。そのことによって高い波長変換効率が得られることで高輝度の白色光を得ることができる。
【００４６】
（第７の実施の形態）
図７は、本発明の第７の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【００４７】
（全体の構成）
この発光装置１は、サファイア基板２０の光取り出し面にダイクロイックミラー３１を有するラージサイズのＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を実装したケース４を封止するシリコン樹脂７と、シリコン樹脂７に積層される蛍光体含有シリコン樹脂８と、ケース４の上面に設けられるダイクロイックミラー３２とを有する。
【００４８】
（第７の実施の形態の効果）
第７の実施の形態によると、第６の実施の形態で用いた高濃度の薄膜状蛍光体層３Ａを用いる代わりにシリコン樹脂７上に蛍光体含有シリコン樹脂８を層状に設けているので、ケース４の開口４２を高濃度の蛍光体含有シリコン樹脂８で封止した後にダイクロイックミラー３２のみを取り付ければ良く、所望の光透過性／反射性を有したダイクロイックミラー３２を選択的に取り付けることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）はパッケージ中央部分における縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＬＥＤ素子を拡大した断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図４】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図５】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図６】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【図７】本発明の第７の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１…発光装置、２…ＬＥＤ素子、３…ダイクロイックミラー、３Ａ…薄膜状蛍光体層、４…ケース、５…配線部、６…バンプ、７…シリコン樹脂、８Ａ…傾斜面、８…蛍光体含有シリコン樹脂、９…基板、９Ａ…放熱領域、２０…サファイア基板、２１…ｎ−ＧａＮ層、２２…発光層、２３ｐ−ＧａＮ層、３１，３２…ダイクロイックミラー、４０…素子搭載面、４１…傾斜面、４２…開口、５０…電極実装パターン、５１…外部実装パターン、５２…放熱パターン、２００…ＧａＮ系半導体層、
【図１】
2006186022.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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