(57)【要約】【課題】  高品位な表示を可能とする液晶配向基板及びそれを備えた液晶表示装置を提供する。【解決手段】  基板２と、その基板２上に設けられた透明導電層４と、その透明導電層４上に設けられ、液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層３とを有する。導電性樹脂層３は、その導電性樹脂層３の厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率が２．４×１０８Ωｃｍ以下となるものである。導電性樹脂層３の表面に、液晶分子を所定の方向に配向させる凹凸構造が形成されている。【選択図】    図１
2006171206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられた透明導電層と、該透明導電層上に設けられ、液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層とを有する液晶配向基板であって、前記導電性樹脂層は、当該導電性樹脂層の厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率が２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものであることを特徴とする液晶配向基板。
【請求項２】
前記導電性樹脂層の表面に、液晶分子を所定の方向に配向させる凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶配向基板。
【請求項３】
液晶配向基板と液晶駆動基板との間に液晶層が封入されてなる液晶表示装置であって、
前記の液晶配向基板及び液晶駆動基板の一方又は両方が、基板と、該基板上に設けられた透明導電層と、該透明導電層上に設けられて液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層とを有し、該導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが式１の関係を満たすことを特徴とする液晶表示装置（式１中、εAFは導電性樹脂層の比誘電率で２以上１０以下の範囲であり、εLCは液晶層の比誘電率で２以上１０以下の範囲であり、ｄAFは導電性樹脂層の厚さで０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲であり、ｄLCは液晶層の厚さで０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であり、Ｌは液晶表示装置の走査線の本数で２４００本以下の範囲である。）。
【数１】
2006171206.tif 000011
【請求項４】
前記導電性樹脂層の表面に、液晶分子を所定の方向に配向させる凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高品位な表示を可能とする液晶配向基板及び液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、低電圧・低消費電力、薄型・軽量であるという特徴から、パーソナルコンピュータのモニタ等のＯＡ機器やテレビジョン等に広く普及している。液晶表示装置としては、種々の装置が知られており、例えば、２枚の基板間で液晶分子の配向処理方向が９０°捻れたツイステッド・ネマチック（ＴＮ）液晶表示装置、ネマチック液晶分子が基板に対して垂直配向するバーチカル・アライメント（ＶＡ）液晶表示装置、ネマチック液晶分子が基板に対して水平配向するインプレーン・スイッチング（ＩＰＳ）液晶表示装置等が実用化されている。さらに、カイラルスメクチック液晶分子が基板に対して平行配向する強誘電性液晶表示装置も提案されている。
【０００３】
これらの液晶表示装置のうち、ＴＮ液晶表示装置、ＩＰＳ液晶表示装置、及び強誘電性液晶表示装置では、配向処理によって液晶分子を所望の方向に配向させ、配向した液晶分子に基づいた光の旋光性又は複屈折性を利用して表示を可能としている。その液晶の配向処理方法としては、電極としての透明導電層が形成された基板上にポリイミド樹脂を塗布、硬化して樹脂層を形成した後に、その樹脂層の表面をラビング布で所望の一方向に擦ることにより配向規制力を付与するというラビング法と、基板上に感光性樹脂層を形成した後に、その感光性樹脂層に偏光光又は非偏光光を照射し、偏光方向又は光入射方向に相関して配向規制力を付与するという光配向法とが知られている。
【０００４】
しかし、ラビング法は、ナイロン樹脂系やビニル樹脂系の繊維で作製されたラビング布をラビングローラに巻いてそのラビングローラに巻いたラビング布で樹脂層の表面を機械的に擦るために、ラビング布から微小な塵等が発生し、その塵等によって表示品位が低下するという問題がある。特に強誘電性液晶表示装置では、２枚の基板間に封入された強誘電性液晶層の厚さが１μｍ〜２μｍと、ネマチック液晶の場合と比べて２枚の基板間のギャップが狭い、すなわち狭ギャップであることから、ネマチック液晶の場合よりもラビング布から発生した塵等やラビングにより生じた樹脂層の表面の傷が表示に悪影響を及ぼしやすいという問題が生じる。一方、光配向法は、非接触状態でＵＶ照射を行うため、ラビング法のように微小な塵が発生することがないので、良好な表示品位が得られるというメリットがあるが、いまだ実用化の段階に至ってはいない。
【０００５】
また、ラビング法や光配向法の他に、樹脂層の表面に凹凸構造を形成することによって液晶分子を所望の方向に配向する方法が提案されている（例えば、特許文献１、２を参照）。特許文献１には、樹脂層の表面に軸方向がほぼ平行な多数の溝を形成することにより、ネマチック液晶分子の配向方向を規制することが開示されている。また、特許文献２には、樹脂層の表面の特定の角度を有する凹凸構造によりカイラルスメクチックＣ相を有する強誘電性液晶の液晶分子が所望の方向に配向することが開示されている。
【特許文献１】特開平８−２６２４４５号公報
【特許文献２】特開平５−２４９４６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述した特許文献１、２に記載されている方法では、樹脂層の表面に凹凸構造を形成することによって液晶分子を所望の方向に配向することが可能であるが、樹脂層の厚さが厚くなってしまう。すなわち、樹脂層の表面の凹凸構造は、未硬化状態の樹脂層に多数の凸部を備えた型部材を押圧することにより形成されるが、型部材を樹脂層に押圧するときには樹脂層の厚さがある程度ないと型部材の押圧により凹凸構造を形成することができず、それゆえ樹脂層は０．１μｍ以上の厚さになってしまう。樹脂層の厚さが厚いと、液晶表示装置を構成する２枚の基板に形成された電極に所定の電圧を印加して基板間に挟持された液晶層の分子配列を制御する際に、電圧が液晶層と樹脂層に分圧されることがあり、液晶層に加わる電圧が減少し、コントラストが低下することがあるという問題が生じる。
【０００７】
特に、強誘電性液晶表示装置は、ＴＦＴ素子によって液晶層を駆動するが、その駆動の際に樹脂層が一定以上の厚さを有すると、ＴＦＴ素子のゲート書き込み時間内に液晶層に十分に電圧が加わらずに、コントラストが低下して表示品位が低下することがある。
【０００８】
本発明は、前述した課題を解決するためになされたものであって、その第１の目的は、高品位な表示を可能とする液晶配向基板を提供することにある。また、本発明の第２の目的は、そうした液晶配向基板を備える液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、液晶配向基板を構成する各種パラメータを考慮しつつ、液晶層を良好に駆動することができる液晶配向基板を検討した結果、導電性樹脂層が所定の厚さにおいて所定の電気抵抗率以下の場合に、液晶表示装置が高コントラストで作動可能であることを見出した。
【００１０】
すなわち、第１の目的を達成する本発明の液晶配向基板は、基板と、該基板上に設けられた透明導電層と、該透明導電層上に設けられ、液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層とを有する液晶配向基板であって、前記導電性樹脂層は、当該導電性樹脂層の厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものであることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となる導電性樹脂層を有するので、液晶層に電圧が十分に加わり、コントラストの低下が起こり難い。その結果、液晶表示装置を高コントラストで作動させることができ、高品位な表示を行うことができる。
【００１２】
本発明の液晶配向基板における導電性樹脂層の表面に、液晶分子を所定の方向に配向させる凹凸構造が形成されていることが好ましい。
【００１３】
前記第２の目的を達成する本発明の液晶表示装置は、前記の液晶配向基板及び液晶駆動基板の一方又は両方が、基板と、該基板上に設けられた透明導電層と、該透明導電層上に設けられて液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層とを有し、該導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが式１の関係を満たすことを特徴とする。
【００１４】
【数２】
2006171206.tif 000003
【００１５】
式１中、εAFは導電性樹脂層の比誘電率で２以上１０以下の範囲であり、εLCは液晶層の比誘電率で２以上１０以下の範囲であり、ｄAFは導電性樹脂層の厚さで０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲であり、ｄLCは液晶層の厚さで０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であり、Ｌは液晶表示装置の走査線の本数で２４００本以下の範囲である。
【００１６】
この発明によれば、導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが式１の関係を満たすようにしたので、液晶層に電圧が十分に加わり、コントラストの低下が起こり難い。その結果、液晶表示装置を高コントラストで作動させることができ、高品位な表示を行うことができる。
【００１７】
また、導電性樹脂層の表面に、液晶分子を所定の方向に配向させる凹凸構造が形成されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の液晶配向基板及び液晶表示装置によれば、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となる導電性樹脂層を有するので、液晶層に電圧が十分に加わり、液晶表示装置を高コントラストで作動させることができ、高品位な表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の液晶配向基板及び液晶表示装置について図面を参照して説明する。
【００２０】
（液晶配向基板）
図１は本発明の液晶配向基板の一例を示す概略断面図である。本発明の液晶配向基板１は、図１に示すように、基板２と、その基板２上に設けられた透明導電層４と、その透明導電層４上に設けられ、液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層３とを少なくとも有し、導電性樹脂層３は、その導電性樹脂層３の厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものであることに特徴がある。この液晶配向基板１を用いて液晶表示装置を構成すれば、その液晶表示装置を高コントラストで作動させることができる。なお、図１において、符号７はカラーフィルタを示しており、本発明の液晶配向基板をカラーフィルタ基板として用いる場合には、図１に示すように、基板２と透明導電層４との間にカラーフィルタ７を設けることができる。一方、本発明の液晶配向基板を液晶駆動基板として用いる場合には、図１に示すようなカラーフィルタ７は必ずしも設ける必要はない。
【００２１】
基板２としては、その基板がカラーフィルタに適用するか液晶駆動基板に適用するかに応じて、石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、若しくは合成石英板等の可撓性のないリジッド材、又は、透明樹脂フィルム若しくは光学用樹脂板等の可撓性を有するフレキシブル材等を用いることができ、軽く割れにくい樹脂基板が特に好ましい。樹脂基板としては、シート状のものでもフィルム状のものでもよい。基板２の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、プラスチック基板を製造する場合にはロール法等が挙げられる。基板２の厚さは、液晶配向基板１が装着される液晶表示装置により種々異なるが、例えば、可塑性のない透明なリジット材の場合には０．５〜１．１ｍｍ程度であり、可塑性を有する透明な樹脂基板の場合には、０．１ｍｍ〜０．７ｍｍ程度である。
【００２２】
透明導電層４は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等、又はその合金等を用いて形成されている。透明導電層４の厚さは、例えば、０．０１μｍ〜２μｍ程度、好ましくは０．０３μｍ〜１．５μｍ程度である。その透明導電層４は、スパタッリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の一般的な成膜方法により形成することができる。
【００２３】
また、本発明の液晶配向基板をカラーフィルタ基板として用いる場合には、基板２と透明導電層４との間にカラーフィルタ７を設けてもよい。カラーフィルタ７は、例えば、ＲＧＢの光の３原色にあたる光を透過する赤色（Ｒ）のカラーレジンによって形成された赤色のカラーフィルタと、緑色（Ｇ）のカラーレジンによって形成された緑色のカラーフィルタと、青色（Ｂ）のカラーレジンによって形成された青色のカラーフィルタとの３種類を交互にストライプ状に配置することで構成されている。カラーフィルタ７の厚さは、特に限定されないが好ましくは０．５μｍ〜５μｍ程度であり、特に好ましくは１μｍ〜３μｍ程度である。そのカラーフィルタ７は、顔料分散法、染色法、電着法、印刷法のいずれかの方法等により形成することができる。
【００２４】
導電性樹脂層３は、液晶分子を所定の方向に配向させるもので、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものである。導電性樹脂層３の製造方法については特に限定されるものではなく、ラビング法や光配向法等により配向処理された導電性樹脂層を用いてもよいし、疎水性や親水性を利用して液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層を用いてもよいが、凹凸構造が表面に形成されている導電性樹脂層が好ましい。その凹凸構造の形状は、液晶分子を所望の方向に配向できれば特に限定されず、例えば、周期的に一定方向に溝又は壁構造を形成したグレーティングであってもよい。
【００２５】
凹凸構造は、液晶分子を所望の方向に配向させ得る条件で形成されている。その条件は、液晶配向基板１が装着される液晶表示装置等により一概には決められないが、例えば、凸部の幅ｗ１が０．１μｍ〜５μｍ程度であり、凹部の幅ｗ２が０．１μｍ〜５μｍ程度であり、かつ、凸部の幅ｗ１と凹部の幅ｗ２との比（ｗ１／ｗ２）が０．１〜１０の範囲であることが好ましい。また、凹部の深さｗ３が０．１μｍ〜５μｍ程度であることが好ましい。凸部の幅ｗ１が０．１μｍ未満であると、凹凸構造の形成が困難となることがあり、凸部の幅ｗ１が５μｍを超えると、液晶配向規制力が働かなくなり液晶分子の配向が乱れることがある。凹部の幅ｗ２が０．１μｍ未満であると、凹凸構造の形成が困難となることがあり、凹部の幅ｗ２が５μｍを超えると、液晶配向規制力が働かなくなり液晶分子の配向が乱れることがある。凸部の幅ｗ１と凹部の幅ｗ２との比（ｗ１／ｗ２）が０．５未満であると、液晶分子の配列が乱れることがあり、その比ｗが１０を超えると、液晶分子の配列が乱れ、均一配向がし難くなることがある。凹部の深さｗ３が０．１μｍ未満であると、液晶分子を正しく配向できなくなることがあり、凹部の深さｗ３が５μｍを超えると、導電性樹脂層の厚さが大きくなるため、液晶層に加わる実効的な電圧が小さくなり、明暗コントラストが低下することがある。
【００２６】
導電性樹脂層３は、主成分を構成する材料と、導電性を有する導電性材料と、を有し、さらに剥離剤等の添加材料を含有することができる。なお、導電性樹脂層３は、導電性を有する導電性材料を主成分としたものであってもよい。導電性を有さない主成分を構成する材料としては、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱可塑性樹脂等が挙げられ、なかでも、紫外線硬化型樹脂が好ましく、特に未硬化状態における凹凸構造の形成がより容易となることから溶媒含有型の紫外線硬化型樹脂が良い。導電性材料としては、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマー、微粉状のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、Ｓｂ2Ｏ5（Antimony Oxide）、ＰＴＯ(Phosphorous doped Tin Oxide)、ＡＴＯ(Antimony doped Tin Oxide)等が挙げられ、なかでも、導電性ポリマー、微粉状のＩＴＯが好ましく挙げられる。これらの材料は、例えば、電気抵抗率ρAFが２．４×１０８Ωｃｍ以下となるように、主成分を構成する材料に配合、混合される。導電性材料の含有量は、主成分を構成する材料や導電性材料に応じて種々の含有量が考えられるが、例えば、導電性樹脂層３全量基準において３％以上であることが好ましい。導電性材料の含有量が３％未満であると、導電性樹脂層３の電気抵抗率ρAFが大きくなりすぎることがある。導電性材料は、例えば、撹拌機等により紫外線硬化型樹脂に分散されて混合される。
【００２７】
導電性樹脂層３は、印刷法、転写法等の公知の方法により形成することができる。また、導電性樹脂層３の表面の凹凸構造は、フォトリソプロセス法や型転写等により形成することができる。導電性樹脂層３の形成及びその凹凸構造の形成は、例えば、型転写により行うことができる。
【００２８】
次に、導電性樹脂層３及び凹凸構造を型転写により形成する場合、すなわち、本発明の液晶配向基板を形成する場合について詳細に説明する。
【００２９】
図２は、本発明の液晶配向基板の形成方法の一例を示す工程図である。図２に示すように、まず、多数の凹部４２を備えたマスク版（微細な凹凸構造を有するマスター型部材）４１を作製する。また、透明フィルム４３上に感光性モノマーの層例えば紫外線硬化型樹脂層４４を形成する。マスク版４１の凹部４２を透明フィルム４３の紫外線硬化型樹脂層４４に対向させる（図２（ａ））。マスク版４１の作製は電子線照射（ＥＢ）法又は光学的法等により行うことができる。具体的には、ＥＢ法によるマスク版４１の作製は、予め導電性樹脂層３に形成する凹凸構造の凹凸パターンを図形データとして設計、作製しておき、０．１μｍ〜０．２μｍのビーム径を有する電子線描画装置により感光性樹脂に描画して作製することができる。
【００３０】
次に、マスク版４１の凹部４２を紫外線硬化型樹脂層４４の表面に押圧する。その押圧状態のまま透明フィルム４３側から紫外線（ＵＶ）を紫外線硬化型樹脂層４４に向けて照射し、紫外線硬化型樹脂層４４を硬化させる（図２（ｂ））。硬化後、マスク版４１を紫外線硬化型樹脂層４４（透明フィルム４３）から剥離することにより、紫外線硬化型樹脂層４４の表面に多数の凸部４５が形成された型部材４６が形成される（図２（ｃ））。
【００３１】
次に、基板２上にカラーフィルタ７及び透明導電層４を順次形成し、その透明導電層４上に溶媒含有型の紫外線硬化型樹脂を塗布して導電性樹脂層３を形成する（図２（ｄ））。その基板２（導電性樹脂層３）を加熱して導電性樹脂層３から溶媒を除去することにより導電性樹脂層３を非流動の未硬化状態とする。そして、その導電性樹脂層３に型部材４６を押圧する。その押圧は、紫外線硬化型樹脂層４４の凸部４５が導電性樹脂層３に当接するように行う。その押圧状態のまま基板２側から紫外線（ＵＶ）を導電性樹脂層３に向けて照射し、導電性樹脂層３を完全に硬化させる。硬化後、型部材４６を導電性樹脂層３から剥離することにより、導電性樹脂層３の表面に凹部５が形成された（凹凸構造が形成された）本発明の液晶配向基板１が得られる。
【００３２】
なお、型部材４６はマスク版４１を用いて作製したが、これは、導電性樹脂層３と型部材４６とをより良好に密着させると共に、１個の液晶配向基板の作製毎にマスク版を洗浄することを不要とするためである。しかし、未硬化状態の導電性樹脂層３が流動性を有している場合には、マスク版４１を直接型部材として使用することもできる。また、基板２、透明導電層４、導電性樹脂層３及びカラーフィルタ７の互いの密着性を高めるために、導電性樹脂層３の塗布形成前にシランカップリング剤を予め基板２や透明導電層４等に塗布してもよい。なお、カラーフィルタ７は、ＲＧＢ各色のＬＥＤ等のバックライトを色順次に点灯させてフルカラー表示を得ることができる場合等には省略することができる。
【００３３】
このように、表面に凹凸構造が形成されている導電性樹脂層３は、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものである。なお、本発明における導電性樹脂層３の厚さは、図１に示す例では透明導電層４に接する表面から凸部６の先端までの長さを意味している。この場合において、導電性樹脂層３の厚さが０．１μｍ以下であると凹凸構造を形成し難くなることがあり、導電性樹脂層３の厚さが５μｍを超えると、導電性樹脂層３の平坦性が失われ液晶分子を所望の方向に配向し難くなることがある。そして、最終的には、導電性樹脂層３の電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍを超えると、液晶層に加わる電圧が減少し、コントラストが低下することがある。さらに詳しくは、導電性樹脂層３の電気抵抗率ρAFが、上記式１の関係を満たすことが好ましい。ただし、式１中、εAFは導電性樹脂層３の比誘電率であり、εLCは液晶層の比誘電率であり、ｄAFは導電性樹脂層３の厚さであり、ｄLCは液晶層の厚さであり、Ｌは液晶表示装置の走査線の本数である。
【００３４】
図３は、本発明の液晶配向基板を備えた液晶表示装置の等価回路を示す概略図である。上記式１は、基板２、透明導電層４及び導電性樹脂層３を有する液晶配向基板１の等価回路から求めたものである。液晶表示装置を構成する液晶層及び導電性樹脂層は誘電体であり、且つそれらは積層構造を呈するので、液晶層及び導電性樹脂層とは、図３に示すように、静電容量（Ｃ）と電気抵抗（Ｒ）との並列回路で表される。
【００３５】
図３の液晶セル等価回路を流れる電流についての回路方程式を解くことにより、液晶層に加わる電圧値ＶＬＣは、以下の式２で表すことができる。但し、式２〜式４中、Ｖは外部駆動回路から供給された電圧であり、定数ＲLCは液晶層の電気抵抗であり、ＲAFは導電性樹脂層の電気抵抗であり、ＣLCは液晶層の静電容量であり、ＣAFは導電性樹脂層の静電容量であり、ｔ0とｔ1は等価回路の時定数であり、ｔ0とｔ1は透明導電層の電気抵抗をＲITOとしたときに式３及び式４で表される時定数である。
【００３６】
【数３】
2006171206.tif 000004
【００３７】
【数４】
2006171206.tif 000005
【００３８】
【数５】
2006171206.tif 000006
【００３９】
ここで、導電性樹脂層や液晶層等の誘電体の電気抵抗（Ｒ）は、誘電体の比抵抗ρ(Ωｃｍ)、膜厚ｄ、面積Ｓを用いて、Ｒ＝ρ（ｄ／Ｓ）と表されるので、導電性樹脂層３と液晶層との関係は、ＲAF／ＲLC＝（ｄAF／ｄLC）・（ρAF／ρLC）と表される。さらに、導電性樹脂層３の静電容量（ＣAF）は、ＣAF＝（ε０εAＦ／ｄAF）Ｓで表され、液晶層の静電容量は、ＣLC＝（ε０εLC／ｄLC）Ｓで表される。但し、ε０は真空の誘電率でありε０＝８．８５４×１０−１４（Ｆ／ｃｍ）、Ｓは画素面積である。
【００４０】
液晶表示装置に用いられる例えばネマチック液晶（例えば、チッソ株式会社製のＤＰ５００３）の比抵抗ρLCは１０13Ωｃｍ程度であり、そのネマチック液晶からなる液晶層の厚さｄLCは５μｍ程度である。一方、導電性樹脂層３の厚さｄAFは１〜３μｍ程度である。また、液晶層の比誘電率εLCは、以下に説明するように７程度の値であり、導電性樹脂層３の比誘電率εAFは３〜５程度である。
【００４１】
図４は、ρLC＝１０13Ωｃｍ、ｄLC＝５μｍ、ｄAF＝３μｍ、εLC＝７、εAF＝４とし、更にＩＴＯの電気抵抗ＲITO＝１０Ωとして、ρAFの値が、１０6Ωｃｍ、１０8Ωｃｍ及び１０9Ωｃｍの各場合の液晶層にかかる電圧比（ＶLC／Ｖ）の時間変化を式２を用いて計算した結果を表す図である。
【００４２】
式１及び図４からわかるように、液晶層には印加した電圧が直ちに加わるのではなく、時定数ｔ１及び時定数ｔ０で表される一定の遅延が生じた後に電圧が印加される。一般に時定数ｔ1はＩＴＯ等の透明導電層４の電気抵抗ＲITOに依存するが、ＩＴＯの電気抵抗率ρITOは１×１０-4Ωｃｍ程度と小さいため、時定数ｔ１は１０−６秒以下となり、後述する液晶表示装置におけるＴＦＴ素子のゲート選択時間ｔgと比較して短くなる。その結果、時定数ｔ１による遅延が問題になることはない。
【００４３】
一方、時定数ｔ０は導電性樹脂層３の電気抵抗ＲAF、静電容量ＣAF等に依存して決まるので、時定数ｔ０がゲート選択時間ｔgよりも長い場合は、液晶層に電圧を加えたときに、液晶層には所定の電圧が加わらず、液晶が十分に駆動されないという問題が生じる。この問題を解決するためには、時定数ｔ０をゲート選択時間ｔgよりも短くすれば良く、このためには式３又は式４からわかるとおり、導電性樹脂層３の静電容量ＣAFを増大させるか、又は導電性樹脂層３の電気抵抗ＲAFを減少させるという解決策がある。本発明者は、それらの解決策を検討した結果、導電性樹脂層３の静電容量ＣAFを増大させることには限界があり、その静電容量ＣAFを増大させることによっては時定数ｔ０をゲート選択時間ｔg以下とすることが困難であることから、導電性樹脂層３の電気抵抗ＲAFを減少させることが現実的な解決策であることを見出した。なお、図３において、ＶAFは樹脂着色層に加わる電圧を表し、ＶITOは透明導電層に加わる電圧を表している。
【００４４】
走査線本数がＬの液晶表示素子を６０Ｈｚのフレーム周波数で画面書き換えを行う場合には、ゲート選択時間ｔｇは以下の式５で表される。
【００４５】
【数６】
2006171206.tif 000007
【００４６】
一方、上述したように、時定数ｔ０がゲート選択時間ｔｇより短ければ上記問題を解決できることから、式３で表されるｔ０が式５で表されるｔｇよりも小さいという条件を満たせば、液晶層に電圧を加えたときに、その液晶層には所定の電圧が加わり、液晶が十分に駆動されることになる。
【００４７】
導電性樹脂層３の電気抵抗率ρAFが上記の式１の関係を満たす場合には、時定数ｔ０がゲート選択時間ｔｇよりも短くなり、ＴＦＴ素子で液晶を十分に駆動できることとなる。式１の右辺より、液晶層の比誘電率εLC及び液晶層の厚さｄLCにも依存していることがわかるが、通常のネマチック液晶の比誘電率は２〜１０であり、液晶表示装置のネマチック液晶層の厚さは３〜１０μｍ程度である。したがって、この液晶表示装置においては、εLC／ｄLCは０．２〜３．３（μｍ-1）の範囲にあるので、ネマチック液晶を用いた場合の導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFの上限値は、式１にてεLC／ｄLC＝０．２とおいた式６で表される。
【００４８】
【数７】
2006171206.tif 000008
【００４９】
液晶表示装置の走査線の本数Ｌ（本）及びその走査線に対応するゲート選択時間ｔｇ（式５を参照）は、例えば、ＮＴＳＣ(National TV Standards Committee)方式では３１．８μｓ（走査線数：５２５本）であり、Ｑ−ＶＧＡ（Quarter- Video Graphics Array）方式では６９．２μｓ（走査線数：２４０本）であり、ＶＧＡ（Video Graphics Array）方式では３４．８μｓ（走査線数：４８０本）であり、ＸＧＡ（Extended Graphics Array）方式では２１．７μｓ（走査線数：７６８本）であり、Ｓ−ＸＧＡ（Super- Extended Graphics Array）方式では１６．３μｓ（走査線数：１０２４本）であり、ＨＤＴＶ（High Definition Television）方式では１４．８μｓ（走査線数：１１２５本）である。
【００５０】
このような各方式において、導電性樹脂層３の比誘電率εAFを３とし、導電性樹脂層３の厚さｄAFを１．５μｍとしたとき、上記各方式における電気抵抗率ρAFの上限値、すなわち式６の右辺の計算値は、ＮＴＳＣ方式では１．１×１０8Ωｃｍであり、Ｑ−ＶＧＡ方式では２．４×１０8  Ωｃｍであり、ＶＧＡ方式では１．２×１０8Ωｃｍであり、ＸＧＡ方式では７．５×１０7Ωｃｍであり、Ｓ−ＸＧＡ方式では５．６×１０7Ωｃｍであり、ＨＤＴＶ方式では５．１×１０7Ωｃｍである。
【００５１】
なお、携帯電話、パソコン、ＴＶ等の表示素子においては、Ｑ−ＶＧＡ以上の解像度であれば、鮮明に文字や画像をみることができるので、本発明に係る液晶表示装置においては、Ｑ−ＶＧＡ以上の解像度が好ましい。
【００５２】
したがって、例えばネマチック液晶を用いたＴＦＴ駆動方式の液晶表示装置においては、Ｑ−ＶＧＡの解像度の場合は、導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下の場合であれば、ゲート選択時間内に、駆動回路から液晶層に十分充電を行なうことができ、液晶を駆動することができるようになる。なお、導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下の場合であればＱ−ＶＧＡ以下の解像度の場合であっても、Ｑ−ＶＧＡの場合と同様に、ゲート選択時間内に、駆動回路から液晶層に十分充電を行なうことができ、液晶を駆動することができるようになる。
【００５３】
ゲート選択時間とは、ＴＦＴ素子のゲート電極にＴＦＴ素子の閾値電圧以上の電圧を加える期間の長さで定義され、式６の右辺の計算値は、図３に示した液晶等価回路の飽和時間の時定数ｔ0（式３）が、ゲート選択時間ｔｇ（式５）と等しくなった時の導電性樹脂層の電気抵抗率の上限値としている。
【００５４】
式６において、導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが式１の右辺の計算値を超える場合には、ＴＦＴ素子のスイッチオンの時、電圧Ｖは導電性樹脂層３及び液晶層に分圧されて印加されるため、液晶層に加わる電圧が小さくなり、液晶を十分に駆動できないという問題が生じる。さらに、導電性樹脂層３の電気抵抗率ρAFが式６の右辺計算値を超える場合には、ＴＦＴ素子のスイッチオンによる過渡現象のために、液晶層に加わる電圧が飽和するまでに時間がかかる。その結果、ＴＦＴ素子の駆動におけるゲート選択時間内に液晶層に加わる電圧が飽和せず、液晶を十分に駆動できないことがある。これに対して、本発明では、導電性樹脂層３が前述した式３の範囲の電気抵抗率を有するので、その問題を解決することができる。
【００５５】
この導電性樹脂層３は、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものであるが、電気抵抗率ρAFが１．５×１０8Ωｃｍ以下であることがより好ましい。具体的には、導電性樹脂層３は、比誘電率が２以上１０以下の範囲にあり、かつ厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが１．５×１０8Ωｃｍ以下となるものであることが好ましい。この場合において、導電性樹脂層３の比誘電率が２未満であると、導電性が得られ難くなることがあり、比誘電率が１０を超えると、液晶層に加わる電圧に遅延が生じ、ライン数が１０００本程度の高解像度の液晶表示素子を十分に駆動できなくなることがある。また、導電性樹脂層３の厚さが５μｍを超えると、液晶表示素子に必要な光透過率が得られないことがある。そして、導電性樹脂層３の抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍを超えると、液晶層に十分に駆動電圧が加わらずに十分な明暗表示ができなくなる（すなわちコントラストが低下する）ことがある。導電性樹脂層３の抵抗率ρAFの下限は特に限定されないが、例えば、従来のＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）の電気抵抗率ρ＝１×１０−４Ωｃｍ程度を挙げることができる。
【００５６】
したがって、導電性樹脂層は、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下であるので、本発明の液晶配向基板を液晶装置に適用した場合には液晶層に電圧が十分に加わり、コントラストの低下が起こり難い。その結果、液晶表示装置を高コントラストで作動させることができ、高品位な表示を行うことができる。
【００５７】
（液晶表示装置）
次に、本発明の液晶表示装置について説明する。
【００５８】
図５は、本発明の第１の液晶表示装置の一例を示す概略断面図である。この液晶表示装置１１は、上記本発明の液晶配向基板１と液晶駆動基板１２とを所定の間隔で対向させた間隙に液晶層１３が封入されているものである。液晶配向基板１は、基板２と、基板２上に設けられたカラーフィルタ７と、カラーフィルタ７上に設けられた透明導電層４と、透明導電層４上に設けられて液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層３とを有している。一方の液晶駆動基板１２は、基板１５と、基板１５上に設けられたＴＦＴ素子１７及び画素電極１８（透明導電層）と、それらの上に設けられて液晶分子を所定の方向に配向させる導電性樹脂層３とを有している。なお、図示されていないが液晶配向基板１と液晶駆動基板１２との外側には、それぞれ偏光板が配設されている。
【００５９】
図５の液晶表示装置１１を構成する液晶配向基板１は、上述の本発明の液晶配向基板である。すなわち、この液晶配向基板１の導電性樹脂層３は、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものである。
【００６０】
一方、本発明の液晶表示装置１１を構成する液晶駆動基板１２は、上述した本発明の液晶配向基板の他の例を示すものである。液晶駆動基板１２は、図５に示すように、基板１５と、その基板１５上に設けられている導電性樹脂層１６とを少なくとも有している。基板１５は、前述の基板１２と同じものである。導電性樹脂層１６は、前述の導電性樹脂層３とほぼ同じものであり、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものである。導電性樹脂層１６の表面には凹凸構造が形成されているが、薄膜トランジスタ１７上の導電性樹脂層１６の表面は、図５に示すように、凹凸構造が形成されていなくてもよい。このように、薄膜トランジスタ１７上の導電性樹脂層１６の表面が凹凸構造に形成されていないと、例えば型転写で凹凸構造を形成する際に薄膜トランジスタ１７にかかる押圧力を小さくすることができる。
【００６１】
基板１５と導電性樹脂層１６との間であって、その基板１５上には、所定のパターンで形成された薄膜トランジスタ１７（ＴＦＴ素子）が設けられていると共に、所定のパターンで形成された画素電極１８が設けられている。この液晶駆動基板１２には、薄膜トランジスタ１７を開閉するゲート線群（図示せず）、映像信号を供給する信号線群（図示せず）、及び液晶配向基板１の透明導電層４への電圧供給線（図示せず）等が設けられている。これらの線群及び線はリード線によって構成されており、そのリード線はアルミニウム等の金属によって形成されている。リード線は、通常、薄膜トランジスタ１７の製造工程で一括して基板１５上に設けられる。
【００６２】
画素電極１８は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）等、又はその合金等を用いて形成されている。画素電極１８の厚さは、例えば、０．０１μｍ〜２μｍ、好ましくは０．０３μｍ〜１．５μｍ程度である。その画素電極１８は、スパタッリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の一般的な成膜方法により形成することができる。
【００６３】
液晶層１３は、一般に液晶表示装置に使用されている液晶層であれば特に限定されないが、電界印加条件によって液晶の配向状態が変化し、それに伴って屈折率が変化する液晶層が好ましく、例えば、ネマチック液晶層や強誘電性液晶層等が挙げられ、表面安定性、高速応答性、広視野角性等に優れていることから強誘電性液晶層がより好ましい。強誘電性液晶としては、例えば、ホモジニアス配向又はホメオトロピック配向されたキラルスメクチックＣ相、キラルスメクチックＣA相などを有するスメクチック液晶が挙げられる。液晶層の厚さは、０．５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。液晶層の厚さが０．５μｍ未満であると、パネルギャップを均一に制御することが困難となることがある。液晶層の厚さが５μｍを超えると、基板界面の液晶配向規制力が弱くなるために、液晶配向の乱れが生じ易くなることがある。
【００６４】
図５中の符号１９は、液晶配向基板１と液晶駆動基板１２との間の間隔（セルギャップ）が一定の値となるようにするためのスペーサを示している。スペーサ１９としては、図５に示すように、ビーズ状のスペーサであってもよいし、また、透明の樹脂等により形成された柱状又は壁状のスペーサであってもよい。ビーズ状のスペーサとしては、プラスチックビーズ、シリカビーズ、ガラスビーズなどの粒子状のもの等が挙げられる。
【００６５】
図６は、本発明の第２の液晶表示装置の一例を示す概略断面図である。この本発明の液晶表示装置は、本発明の液晶配向基板１と液晶駆動基板２２とを所定の間隔で対向させた間隙に液晶層１３が封入されているものである。なお、図示されていないが液晶配向基板１と液晶駆動基板２２との外側には、それぞれ偏光板が配設されている。
【００６６】
図６に示す本発明の液晶表示装置２１を構成する液晶配向基板１は、上述した本発明の液晶配向基板である。すなわち、この液晶配向基板１の導電性樹脂層３は、厚さが０．１μｍ以上５μｍ以下の範囲において、電気抵抗率ρAFが２．４×１０8Ωｃｍ以下となるものである。
【００６７】
一方、この本発明の液晶表示装置２１を構成する液晶駆動基板２２は、導電性樹脂層１６の代わりに樹脂配向膜２３が設けられている点で液晶駆動基板１２と異なる。その他の構成は液晶駆動基板１２と同じであるので同一符号を付しその説明を省略する。すなわち、その液晶駆動基板２２は、基板１５と、基板１５上に所定のパターンで形成された薄膜トランジスタ１７及び所定のパターンで形成された画素電極１８（透明導電層）と、配向処理を施した樹脂配向膜２３とを有している。樹脂配向膜２３は、ポリイミド系、ポリアミド系、ポリウレタン系、ポリ尿素系等の有機化合物により形成することができる。樹脂配向膜２３の厚さは、０．０１μｍ〜１μｍ程度である。その樹脂配向膜２３は、例えば、種々の印刷法、塗布方法等の公知の方法により形成した後、焼成してからラビングや偏光紫外線照射等の配向処理が行われて形成される。
【００６８】
これらの本発明の液晶表示装置１１、２１の画素電極１８に所定の電圧を印加することによって、液晶層１３が良好に電界応答する（すなわち液晶層１３に十分に駆動電圧が加わる）ので、液晶配向基板１と液晶駆動基板１２、２２との外側に直交偏光板を備えることによって、十分な明暗の表示を行なうことができる。すなわち、液晶表示装置１１、２１を高コントラストで作動させることができ、高品位な表示を行うことができる。
【００６９】
なお、液晶表示装置を構成する液晶駆動基板にのみ本発明の液晶配向基板を用いるようにしてもよい。すなわち、図７に示すように、液晶表示装置３１を構成する液晶駆動基板には、第１の液晶表示装置１１に用いた液晶駆動基板１２と同じものが用いられている。一方、その液晶駆動基板１２と対向する配向基板３２は、導電性樹脂層７の代わりに樹脂配向膜２３とほぼ同じ樹脂配向膜３３が設けられている。このようにして本発明の液晶表示装置３１を構成しても液晶層１３が良好に電界応答し、高品位な表示を行うことができる。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例を挙げて本発明の液晶表示装置について具体的に説明する。
【００７１】
（実施例１）
紫外線硬化型樹脂（大日精化工業製）に微粉状のＩＴＯを重量比を種々変えて分散させ、表１に示すＡ１〜Ｅ１の電気抵抗率が異なる５種の紫外線硬化型の導電性樹脂を調整した。次に、厚さが０．７ｍｍ、大きさが２０ｍｍ×２０ｍｍの一対の透明導電膜（ＩＴＯ）付きガラス基板（コーニング社製７０５９ガラス）表面に、紫外線硬化型の導電性樹脂をスピンコート法にて形成し、９０℃で５分間乾燥した。その後、ピッチが５μｍ、凸部の幅ｗ１が２μｍ、凹部の幅ｗ２が２μｍ、凹部の深さｗ３が２μｍのストライプ状のパターンを有する型部材を当該紫外線硬化型の導電性樹脂に押圧しながら、紫外線を照射して紫外線硬化型の導電性樹脂を硬化させた後、型部材を剥離し、１５０℃で１時間乾燥することによって、表面にストライプ状の微細凹凸構造を有する厚さが３μｍの導電性樹脂層を形成した。
【００７２】
次に、一対のガラス基板の一方にはビーズ状のスペーサを散布し、他方の基板にはスクリーン印刷法にて所定のパターンでシール材を形成した後、前記のストライプ状のパターン方向が直交するように、これらの２枚の基板を張り合わせギャップが５μｍのパネルを作製した。その後、パネル内部を真空脱気した後、注入口を液晶材料（ＤＰ−５００３、チッソ製）に浸し、大気圧下でパネル全体に液晶を注入し、液晶パネルを作製した。
【００７３】
作製した液晶パネルを一対の偏光板下で観察したところ、偏光板が直交配置の場合に光透過による明表示が得られ、偏光板が平行配置の場合に透過光が遮断され暗表示になったことから、これらの液晶配向基板を用いることによって、良好なツイステッド・ネマチック液晶配向が実現していることを確認した。
【００７４】
次に、上記液晶パネルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定装置（東陽テクニカ製ＶＨＲ−１型）を用いて、ゲート選択時間をＱＶＧＡ方式に対応したゲート選択時間（６９μｓ）に設定して測定したところ、表１に示したように導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが小さいほど、電圧保持率が高くなった。なお、電圧保持率測定と同時にコントラストの測定も行ったが、導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが小さいほどコントラストも高くなった。
【００７５】
したがって、上記導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが小さいほど、パネルに注入された液晶に実効的に大きな電圧がかかり、液晶が十分応答している。表１から、ＱＶＧＡ方式の解像度の場合、サンプルＤ１において、導電性樹脂層の電気抵抗率が０．９×１０8Ωcm以下の場合に電圧保持率がおよそ９５％以上となるので、各液晶画素をＴＦＴ素子により駆動した場合、良好な表示特性を得ることができる。なお、上記液晶材料の比誘電率は７であった。
【００７６】
また、サンプルＤ１、Ｅ１では上記電圧保持率が９５％以上となるが、サンプルＤ１及びＥ１における導電性樹脂層の電気抵抗率（ρAF＝０．９×１０8Ωcm）は、式１の右辺の計算値以下となっている。
【００７７】
【表１】
2006171206.tif 000009
【００７８】
（実施例２）
紫外線硬化型樹脂（大日精化工業製）に微粉状のＩＴＯを重量比を種々変えて分散させ、表２に示す電気抵抗率の異なる５種の紫外線硬化型の導電性樹脂を調整した。次に、実施例１の場合と同様に、一対の厚さが０．７ｍｍ、大きさが２０ｍｍ×２０ｍｍの透明導電膜（ＩＴＯ）付きガラス基板（コーニング社製７０５９ガラス）表面に、紫外線硬化型の導電性樹脂をスピンコート法にて形成し、９０℃で５分間乾燥した。その後、ピッチが３μｍ、凸部の幅ｗ１が１μｍ、凹部の幅ｗ２が１μｍ、凹部の深さｗ３が０．７μｍのストライプ状のパターンを有する型部材を当該紫外線硬化型の導電性樹脂に押圧しながら、紫外線を照射して紫外線硬化型の導電性樹脂を硬化させた後、型部材を剥離し、１５０℃で１時間乾燥することによって、表面にストライプ状の微細凹凸構造を有する厚さが１．５μｍの導電性樹脂層を形成した。
【００７９】
次に、一対のガラス基板の一方にはビーズ状のスペーサを散布し、他方の基板にはスクリーン印刷法にて所定のパターンでシール材を形成した後、ストライプ状のパターン方向が直交するように、これらの一対の基板を張り合わせギャップが５μmのパネルを作製した。その後、パネル内部を真空脱気した後、注入口を液晶材料（ＤＰ−５００３、チッソ製）に浸し、大気圧下でパネル全体に液晶を注入し、液晶パネルを作製した。
【００８０】
作製した液晶パネルを一対の偏光板下で観察したところ、偏光板が直交配置の場合に光透過による明表示が得られ、偏光板が平行配置の場合に透過光が遮断され暗表示になったことから、これらの液晶配向基板を用いることによって、良好なツイステッド・ネマチック液晶配向が実現していることを確認した。
【００８１】
次に、上記液晶パネルの電圧保持率を、液晶電圧保持率測定装置（東陽テクニカ製ＶＨＲ−１型）を用いて、ゲート選択時間をＱＶＧＡ方式に対応したゲート選択時間（６９μｓ）に設定して測定したところ、実施例１の場合と同様に、表２に示したように導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが小さいほど、電圧保持率が高くなった。なお、電圧保持率測定と同時にコントラストの測定も行ったが、導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが小さいほどコントラストも高くなった。
【００８２】
したがって、上記導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが小さいほど、パネルに注入された液晶に実効的に大きな電圧がかかり、液晶が十分応答している。表２から、ＱＶＧＡ方式の解像度の場合、サンプルＣ２において、導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが１．３×１０8Ωcm以下の場合に電圧保持率がおよそ９５％以上となるので、各液晶画素をＴＦＴ素子により駆動した場合、良好な表示特性を得ることができる。また、サンプルＣ２、Ｄ２、Ｅ２では上記電圧保持率が９３％以上となるが、サンプルＣ２における導電性樹脂層の電気抵抗率（ρAF＝１．３×１０8Ωcm）は、式１の右辺の計算値以下となることが容易に確かめられることから、当該液晶表示装置の導電性樹脂層の電気抵抗率ρAFが式１及び式６の範囲に入っていることがわかる。
【００８３】
【表２】
2006171206.tif 000010
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の液晶配向基板の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の液晶配向基板の形成方法の一例を示す工程図である。
【図３】本発明の液晶配向基板を備えた液晶表示装置の等価回路を示す概略図である。
【図４】液晶等価回路におけるＶLCの時間変化計算値の一例である。
【図５】本発明の第１の液晶表示装置の一例を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第２の液晶表示装置の一例を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第３の液晶表示装置の一例を示す概略断面図である。図である。
【符号の説明】
【００８５】
１、３２  液晶配向基板
２、１５  基板
３、１６  導電性樹脂層
４  透明導電層
５  凹部
６  凸部
７  カラーフィルタ
１１、２１、３１  液晶表示装置
１２、２２  液晶駆動基板
１３  液晶層
１７  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ素子）
１８  画素電極
２３、３３  樹脂配向膜
【図１】
2006171206.tif 000012
【図２】
2006171206.tif 000013
【図３】
2006171206.tif 000014
【図４】
2006171206.tif 000015
【図５】
2006171206.tif 000016
【図６】
2006171206.tif 000017
【図７】
2006171206.tif 000018