(57)【要約】【課題】  製造工程における反りをなくし、所望の弾性表面波の音速を得ることができる弾性表面波素子と、この弾性表面波素子の製造方法を提供する。【解決手段】  弾性表面波素子は、半導体基板２０の表面に圧電体層３０を形成し、圧電体層３０の表面にＩＤＴ４０を形成する弾性表面波素子１０であって、半導体基板２０と圧電体層３０とが熱膨張率が異なる材料で形成されるとき、圧電体層３０に、圧電体層３０の熱膨張率とは異なる複数のダミー領域６０を形成し、ダミー領域６０が、音波の伝播領域外に配置され、圧電体層３０と半導体基板２０とが等価的な熱膨張・収縮を振舞うよう構成されていることを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に圧電体層を形成し、前記圧電体層の表面にＩＤＴを形成する弾性表面波素子であって、
前記半導体基板と前記圧電体層とが熱膨張率が異なる材料で形成されるとき、前記圧電体層に、前記圧電体層または前記半導体基板の熱膨張率とは異なる複数のダミー領域を形成し、
前記ダミー領域が、音波の伝播領域外に配置されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波素子において、
前記圧電体層の熱膨張率が、前記半導体基板の熱膨張率よりも大きいとき、
前記複数のダミー領域の熱膨張率が、前記半導体基板の熱膨張率よりも小さい材料で形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】
請求項１に記載の弾性表面波素子において、
前記複数のダミー領域が、前記圧電体層を貫通する孔で構成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子において、
前記複数のダミー領域が、前記圧電体層の所定位置に点在されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の弾性表面波素子において、
前記複数のダミー領域が、前記圧電体層の所定位置に溝形状に形成されていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項６】
半導体基板の表面に圧電体層を形成し、前記圧電体層の表面にＩＤＴを形成する弾性表面波素子の製造方法であって、
前記半導体基板の表面に、前記半導体基板より小さい熱膨張率を有する複数のダミー領域を形成する工程と、
前記ダミー領域の周縁に前記圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層の表面にＩＤＴを形成する工程と、
を含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項７】
半導体基板の表面に圧電体層を形成し、前記圧電体層の表面にＩＤＴを形成する弾性表面波素子の製造方法であって、
前記半導体基板の表面に、前記圧電体層を形成する工程と、
前記圧電体層に前記半導体基板より小さい熱膨張率を有する複数のダミー領域を形成するための孔を開設する工程と、
前記孔に前記ダミー領域を形成する工程と、
前記圧電体層の表面に前記ＩＤＴを形成する工程と、
を含むことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子、及び弾性表面波素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板と、半導体基板表面側に設けられた圧電膜と、圧電膜に接して形成されたＩＤＴ（トランスデユーサー）と、半導体基板の裏面側に形成され圧電膜とＩＤＴとを含む弾性表面波素子を駆動するための周辺回路素子と、から形成された弾性表面波素子というものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】実開平３−２４７１９号公報（図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような特許文献１では、半導体基板の表面に圧電膜が成膜されており、一般に半導体基板としての材料がＳｉ（シリコン）で形成され、圧電膜としての材料がＺｎＯ（酸化亜鉛）で形成されるが、ＳｉとＺｎＯとは熱膨張率が異なり、成膜時に加熱され、常温に戻す際に、熱膨張率の差から弾性表面波素子が反ってしまうことがある。弾性表面波素子が反ると、ＩＤＴの電極間距離が変化し、または、音波の伝播距離が変化することから所望の弾性表面波の音速が得られず、また所望の周波数が得られないというような課題がある。
【０００５】
本発明の目的は、製造工程における弾性表面波素子の反りをなくし、所望のＩＤＴ電極間距離と弾性表面波の伝播距離を保持し、且つ、所望の弾性表面波の音速を得ることができ、このことによって所望の周波数を得ることができる弾性表面波素子と、この弾性表面波素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の弾性表面波素子は、半導体基板の表面に圧電体層を形成し、前記圧電体層の表面にＩＤＴを形成する弾性表面波素子であって、前記半導体基板と前記圧電体層とが熱膨張率が異なる材料で形成されるとき、前記圧電体層に、前記圧電体層または前記半導体基板の熱膨張率とは異なる複数のダミー領域を形成し、前記ダミー領域が、音波の伝播領域外に配置されていることを特徴とする。
【０００７】
この発明によれば、圧電体層に、この圧電体層と半導体基板とが等価的な熱膨張・収縮を振舞うように、圧電体層または半導体基板の熱膨張率とは異なる複数のダミー領域を形成しているので、仮に、製造工程中に加熱され、常温に戻したときに、圧電体層と半導体基板とが等価的な熱膨張・収縮をするために、弾性表面波素子が反ることがなく、所望のＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極間距離と、弾性表面波の伝播距離を保持することから、所望の弾性表面波の音速を得ることができ、このことから所定の周波数を得ることができるという効果がある。
【０００８】
また、前記圧電体層の熱膨張率が、前記半導体基板の熱膨張率よりも大きいとき、前記複数のダミー領域の熱膨張率が、前記半導体基板の熱膨張率よりも小さい材料で形成されていることが好ましい。
【０００９】
このようにすれば、前記半導体基板の熱膨張率よりも小さい材料でダミー領域を圧電体層に設けているため、あたかも圧電体層と前記半導体基板とが等価的な熱膨張・収縮を振舞うので、弾性表面波素子が反ることがない。
【００１０】
また、前記複数のダミー領域が、前記圧電体層を貫通する孔で構成されていることが好ましい。
【００１１】
このように、圧電体層に複数の孔を設けることにより、弾性表面波素子に熱が加わったときに発生する熱応力を緩和し、反りを低減することができる。
【００１２】
前記複数のダミー領域が、前記圧電体層の所定位置に点在されていることが好ましい。
個々で、圧電体層に形成されるダミー領域は、例えば、平面形状が円形、矩形、三角形等任意の形状を選択できる。また、配列も自在に選択できる。
【００１３】
このようにすることで、最も効果的なダミー領域の形状、配列を選択することができ、弾性表面波素子の形状、大きさ、またはＩＤＴの配置に対応して、ダミー領域を設けることができる。
【００１４】
また、前記複数のダミー領域が、前記圧電体層の所定位置に溝形状に形成されていることが好ましい。
【００１５】
このような形状のダミー領域を設けることにより、前述した圧電体層と前記半導体基板とが等価的な熱膨張・収縮を振舞うことによる反りをなくす効果と、弾性表面波素子の内部に発生する熱応力を緩和することによる反り低減効果を合わせもつことができる。
【００１６】
また、本発明による弾性表面波素子の製造方法は、半導体基板の表面に圧電体層を形成し、前記圧電体層の表面にＩＤＴを形成する弾性表面波素子の製造方法であって、前記半導体基板の表面に、前記半導体基板より小さい熱膨張率を有する複数のダミー領域を形成する工程と、前記ダミー領域の周縁に前記圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層の表面にＩＤＴを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明によれば、弾性表面波素子の反りを低減するためのダミー領域を、その形状や、数に左右されずに半導体製造プロセスを使用して、短い工程で弾性表面波素子を製造することができる。また、このような工程によれば、まず、ダミー領域を形成し、その後、圧電体層を形成するため、ダミー領域を形成することによる圧電体層への影響が少ないという効果がある。
【００１８】
また、他の弾性表面波素子の製造方法は、半導体基板の表面に圧電体層を形成し、前記圧電体層の表面にＩＤＴ形成する弾性表面波素子の製造方法であって、前記半導体基板の表面に、前記圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層に前記半導体基板より小さい熱膨張率を有する複数のダミー領域を形成するための孔を開設する工程と、前記孔に前記ダミー領域を形成する工程と、前記圧電体層の表面に前記ＩＤＴを形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
このような製造方法によれば、まず、ダミー領域を形成するための孔を開設し、この孔の中にダミー領域を形成するため、ダミー領域と圧電体層との位置ずれが発生しないので、ＩＤＴを形成する際の位置ずれを低減することができるというような効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明に係る弾性表面波素子が形成される半導体基板のウエハを示す平面図、図２は、本発明の実施形態１に係る弾性表面波素子の平面図、図３にはその断面図が示され、図４には、実施形態２、図５、図６には、実施形態１及び２に係る弾性表面波素子の製造方法の１例が示されている。また、図７には、従来技術による弾性表面波素子の断面を示す説明図である。
（従来技術の課題）
【００２１】
まず、前述した特許文献１による従来技術と課題について図面を参照して説明する。図７は、従来技術による弾性表面波素子の構造と反り方向を模式的に示す断面図である。図７において、弾性表面波素子１００は、半導体基板１１０の表面に圧電体層１２０が形成され、圧電体層１２０の表面にＩＤＴ（トランスデユーサー電極）１３０，１４０が形成されている。さらに、半導体基板１１０の裏面には、弾性表面波素子を駆動するための周辺回路素子１５０が設けられている。
【００２２】
ここで、一般的な材質として、半導体基板１１０をＳｉ、圧電体層１２０をＺｎＯとすると、Ｓｉの熱膨張率は３．５５×１０-6／℃、ＺｎＯの熱膨張率は４．０×１０-6／℃であるため、ＺｎＯの成膜時、あるいはＩＤＴの電極形成時に加熱工程があるため、加熱したときには、ＺｎＯの方がＳｉより大きく膨張し、初期状態Ｂから、Ｃ方向に反り、逆に常温に戻した時にはＺｎＯがＳｉより大きく収縮して、Ｄ方向に反ることが知られている。
なお、以降、熱膨張率としては体膨張率を示している。
【００２３】
前述したように、弾性表面波素子１００が反っている場合、ＩＤＴ１３０，１４０の電極間距離が狙いの距離よりも短くなる、あるいは、弾性表面波の音波の伝播距離が短くなることにより、所望の音速が得られない、即ち、所望の周波数を得ることができないというような課題がある。
【００２４】
また、このような弾性表面波素子１００は、ウエハ上に複数一度に形成されるが、前述したように個々の弾性表面波素子１００に反りが発生することにより、ウエハ自体も反り、ウエハ状態における特性検査の際に、プローブを外周部に合わせると、中心部の検査ができないというような課題もある。
（実施形態１）
【００２５】
図１は、本発明に係るウエハ上に形成される弾性表面波素子の配置を示す平面図、図２、図３は、実施形態１に係る弾性表面波素子の平面図、及び断面図である。
図１において、弾性表面波素子１０は、ウエハ１に図１に例示したように複数同時に形成される。この状態から、スクライブして単体の弾性表面波素子１０が得られる。
【００２６】
続いて、弾性表面波素子１０の構成について図面を参照して説明する。
図２は、本実施形態に係る弾性表面波素子１０の構成を示す平面図、図３は、図２のＡ−Ａ断面を示す断面図である。まず図３において、断面構成を説明する。弾性表面波素子１０は、Ｓｉからなる半導体基板２０の表面にＺｎＯからなる圧電体層３０が形成されている。また、この圧電体層３０の表面には櫛歯状電極を有するＡｌからなるＩＤＴ４０と反射器５０，５１とが形成されている。
【００２７】
圧電体層３０には、圧電体層３０を貫通して複数のダミー領域６０が形成されている。ダミー領域６０は、本実施形態では、ＳｉＯ2（酸化シリコン）で形成されている。
【００２８】
ここで、それぞれの熱膨張率は、Ｓｉが３．５５×１０-6／℃、ＺｎＯが４．０×１０-6／℃、ＳｉＯ2が０．５５×１０-6／℃であり、ダミー領域６０のＳｉＯ2の熱膨張率は半導体基板２０のＳｉよりも約１／６以下と小さくなっている。
【００２９】
続いて、弾性表面波素子１０の平面構成について、図２を参照して説明する。図２において、圧電体層３０の表面には、ＩＤＴ４０が形成され、ＩＤＴ４０の両側、即ち弾性表面波が（以降、単に音波と呼称することがある）伝播する方向（図中、Ｘ’方向）に反射器５０，５１が形成されている。
【００３０】
ＩＤＴ４０は、左右に二つのブロックから構成され、一方が入力側ＩＤＴ、他方が出力側ＩＤＴである。ＩＤＴ４０は、櫛歯状電極４１と、櫛歯状電極を接続するバスバー４２とから構成されている。また、バスバー４２は、図示しない接続用パッドに接続されている。
【００３１】
なお、反射器５０，５１は必ずしも必要ではなく、省略することができる。この場合、圧電体層３０の音波の伝播方向両端の側面が反射壁となる。
【００３２】
圧電体層３０には所定位置に、図２に示すように複数のダミー領域６０が形成されている。ダミー領域６０は、圧電体層３０に円柱形状に形成され、ＩＤＴ４０及び反射器５０，５１の外側に配置されている。なお、ダミー領域６０は、バスバー４２、図示しない接続用パッドにも交差して形成してもよいが、ＩＤＴ４０と反射器５０，５１の音波伝播範囲には形成されない。
【００３３】
ダミー領域６０は、幅方向（Ｙ’方向）は、Ａ−Ａを結んだ直線に対して対称、長手方向（Ｘ’方向）は、中心線Ｂに対して対称に配置される。
（実施形態１の実施例）
【００３４】
続いて、本実施形態の実施例を例示する。半導体基板２０と圧電体層３０との熱膨張率差を等価的関係にするために、それぞれの熱膨張率、厚み、面積について具体例をあげて説明する。ダミー領域６０をＳｉＯ2とし、この面積割合を算出する。
【００３５】
まず、熱膨張率の関係から以下のように、ＳｉＯ2の弾性表面波素子１０の中の面積割合をα、ＺｎＯの弾性表面波素子１０の中の面積割合をβとし、それぞれの割合を決める。
α×ＳｉＯ2の熱膨張率＋β×ＺｎＯの熱膨張率＝Ｓｉの熱膨張率  （式１）。
これをα＋β＝１となるように設定する。
【００３６】
次に、半導体基板（Ｓｉ）２０と圧電体層（ＺｎＯ）３０それぞれの厚みに関する係数γから反り補正係数を求める。
γ＝ＺｎＯの厚み／Ｓｉの厚み  （式２）。
これらのことから、（式１）と（式２）から得られるαとγの積、α×γがダミー領域６０の体積割合である。
【００３７】
実施形態１における各要素の熱膨張率を、ＳｉＯ2は０．５５×１０-6／℃、ＺｎＯは４．０×１０-6／℃、Ｓｉは３．５５×１０-6／℃とし、（式１）にこの値を代入する。
α×０．５５×１０-6＋（１−α）×４．０×１０-6＝３．５５×１０-6の計算式が得られる。
この計算式からα＝０．２が求められる。
【００３８】
ここで、半導体基板２０の厚みを３００μｍ、圧電体層３０の厚みを３μｍに設定すると、γ＝３／３００＝１／１００となる。
従って、α×γ＝０．２／１００＝０．２％となり、ＳｉＯ2の弾性表面波素子１０の中の面積割合αは、０．２％に設定することで、半導体基板２０と圧電体層３０との熱膨張率差の等価的関係が得られる。
【００３９】
このことから、図２において示したダミー領域６０の面積総和が、弾性表面波素子１０のＩＤＴ４０が形成される表面の面積の０．２％となるように、個々のダミー領域の面積と数が設定される。
【００４０】
なお、前述の実施形態１では、ダミー領域６０にＳｉＯ2を採用しているが、ＳｉＯ2に限らず半導体基板２０の熱膨張率よりも小さい熱膨張率を有する材料から選択することができる。
【００４１】
従って、前述した実施形態１によれば、圧電体層３０に、この圧電体層３０と半導体基板２０とが等価的な熱膨張・収縮を振舞うように、圧電体層３０または半導体基板２０の熱膨張率とは異なる複数のダミー領域６０を形成しているので、仮に、製造工程中に加熱されても、常温に戻したときに弾性表面波素子が反ることがなく、所望のＩＤＴ電極間距離と、弾性表面波の伝播距離を保持することから、所望の弾性表面波の音速を得ることができ、このことから所定の周波数を得ることができるという効果がある。
【００４２】
また、半導体基板２０の熱膨張率よりも熱膨張率が小さい材料でダミー領域６０を圧電体層３０に設けているため、あたかも圧電体層３０と半導体基板２０とが等価的な熱膨張・収縮を振舞い、弾性表面波素子１０が反ることがない。
【００４３】
さらに、複数のダミー領域６０が、圧電体層３０の所定位置に点在されることから、ダミー領域６０は、図２で示すような平面形状が円形の他、矩形、三角形等任意の形状を選択できる。また、配列も自在に選択でき、前述の計算式から求められる条件の範囲で、最も効果的なダミー領域６０の形状、配列を選択することができるので、弾性表面波素子１０の形状、大きさに対応して、ダミー領域６０を設けることができる。
【００４４】
さらに、弾性表面波素子１０は、ウエハ１上に複数個同時に形成されるが、前述したように弾性表面波素子１０の反りが抑えられているために、ウエハ状態で特性検査等を行う際、ウエハ１の外周部にも、また中心部にも検査用プローブを確実に接続でき、確実に検査を行うことができるというような効果がある。
（実施形態２）
【００４５】
続いて、本発明に係る実施形態２について図面を参照して説明する。実施形態２は、ダミー領域の平面形状に特徴を有し、ＩＤＴ４０と反射器５０，５１の平面構成、断面構成は前述した実施形態と同じであるため説明を省略し、共通部分には同じ符号を附し説明する。
図４は、実施形態２に係る弾性表面波素子１０を示す平面図である。図４において、圧電体層３０には、溝形状のダミー領域６５〜６８が設けられている。
【００４６】
ダミー領域６５，６６は、弾性表面波素子１０の幅方向に、ＩＤＴ４０と反射器５０，５１に交差しない位置、且つ長手方向の距離とほぼ準ずる長さで形成されている。また、ダミー領域６７，６８は、反射器５０，５１それぞれの両側に設けられている。
【００４７】
これらのダミー領域６５〜６８の面積総和についても、前述の実施形態１の実施例で説明した計算式で求めることができ、ダミー領域６５〜６８の幅、長さ、及びダミー領域の数を設定することができる。
【００４８】
従って、前述した実施形態２によれば、溝形状のダミー領域６５〜６８を設けることにより、前述した圧電体層３０と半導体基板２０とが等価的な熱膨張・収縮を振舞い、反りをなくす効果と、熱応力緩和による反り低減効果を合わせもつことができる。
（実施形態３）
【００４９】
続いて、本発明に係る実施形態３について説明する。前述した実施形態１、実施形態２では、ダミー領域としてＳｉＯ2を採用しているが、実施形態３では、ダミー領域を貫通孔にしたところに特徴を有している。平面形状及び断面形状は、実施形態１，２（図２〜図４、参照）と同じであるため、図面を省略する。
【００５０】
このように、圧電体層３０に複数の孔を設けることにより、弾性表面波素子１０に熱が加わったときに、弾性表面波素子１０内に発生する熱応力を緩和し、反りを低減することができる。また、ダミー領域にＳｉＯ2の層を形成しないため、製造工程を簡素化することができる。
（製造方法１）
【００５１】
次に、本発明の弾性表面波素子１０の製造方法１について図面を参照して説明する。この製造方法は、前述した実施形態１及び実施形態２において、ダミー領域の形状、数に関わりなく共通工程を有する。
図５は、本発明の弾性表面波素子１０の製造方法１について、主な工程を示す断面図である。なお、ここでは、実施形態１の構成を例示して説明する。まず、図５（ａ）は、ダミー領域としてのＳｉＯ2の柱６０Ａを形成する工程を示す。半導体基板２０の表面に、ダミー領域を開口したマスキングでＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によってＳｉＯ2の柱６０Ａを形成する。
【００５２】
次に圧電体層３０を形成する。図５（ｂ）には、圧電体層形成工程が示されている。ＳｉＯ2の柱６０Ａを残してその周縁の半導体基板２０の表面全体に圧電体層３０を形成する。ここで、圧電体層３０の厚みは、ＳｉＯ2の柱６０Ａの高さよりも薄く形成する。
なお、ＳｉＯ2の柱６０Ａの上面を含めて半導体基板２０の表面全体に圧電体層３０を形成してもよい。
【００５３】
次に、ＳｉＯ2の柱６０Ａと圧電体層３０の表面をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等の研磨工程によって同一表面になるように研磨し（図５（ｃ）、参照）、ダミー領域６０を形成する。
なお、ＳｉＯ2の柱６０Ａの厚みを圧電体層３０よりも薄く形成し、その後、圧電体層３０と共に、ＣＭＰ等で研磨し、同一平面を形成することもできる。
【００５４】
前述のＳｉＯ2の柱６０Ａの形成、及び圧電体層３０形成の際、約３００℃に加熱されることがある。
【００５５】
続いて、ＩＤＴ４０形成工程によって、ＡｌからなるＩＤＴ４０を反射器５０，５１（図示せず）の電極と共に形成する（図５（ｄ）、参照）。このＩＤＴ４０及び反射器５０，５１は、スパッタリング等により形成するか、Ａｌ層をエッチング等により形成することができるが、この際、約１５０℃に加熱されることがある。
そして、常温に戻し、弾性表面波素子１０を形成する。
（製造方法２）
【００５６】
続いて、本発明の弾性表面波素子１０の製造方法２について図面を参照して説明する。この製造方法２は、前述した実施形態１及び実施形態２のダミー領域の形状、数に関わりなく共通工程で製造することができる。
【００５７】
図６は、本発明の弾性表面波素子１０の製造方法２の主要な工程を示す断面図である。なお、ここでは、実施形態１の構成を例示して説明する。まず、図６（ａ）に、圧電体層形成工程を示す。圧電体層３０を半導体基板２０の表面にＣＶＤ法等の成膜方法で形成する。
【００５８】
続いて、圧電体層３０に、図２で示したような配置でダミー領域を形成するための複数のダミー領域形成用の穴６１を、エッチング等の方法で開設する（図６（ｂ）、参照）。
【００５９】
そして、この複数のダミー領域形成用の穴６１内にＳｉＯ2の柱６０Ａを、やはりＣＶＤ法等によって形成する。（図６（ｃ）、参照）。このＳｉＯ2の柱６０Ａは、図６（ｃ）に示すように圧電体層３０よりも突出して形成しても、僅かに低く形成してもよい。
これら圧電体層３０及びＳｉＯ2の柱６０Ａ形成時には、約３００℃の加熱が行われることがある。
【００６０】
続いて、圧電体層３０とＳｉＯ2の柱６０Ａの表面を所定の厚みになるようにＣＭＰ等の研磨手段で研磨し、同一平面を形成する（図６（ｄ）、参照）。
【００６１】
そして、ＩＤＴ４０を反射器５０，５１（図示せず）と共に形成する（図６（ｅ）、参照）。ＩＤＴ４０及び反射器５０，５１は、圧電体層３０の表面全体にわたってＡｌ層を成膜した後エッチングするか、スパッタリング等により、図２または図４に示すような形状に形成する。この際、約１５０℃に加熱され、その後、常温に戻して弾性表面波素子１０を形成する。
【００６２】
なお、弾性表面波素子１０は、ウエハ１に複数個一度に形成し、スクライブして個々に切り離されて完成する。
【００６３】
従って、前述した製造方法１によれば、弾性表面波素子１０の反りを低減するためのダミー領域６０（６５〜６８を含む）を、その形状や、数に左右されずに半導体製造プロセスを使用して、短い工程で製造することができる。また、まず、ダミー領域６０を形成し、その後、圧電体層３０を形成するため、ダミー領域６０を形成することによる圧電体層３０への影響が少ないという効果がある。
【００６４】
また、製造方法２によれば、まず、ダミー領域６０を形成するための複数の穴６１を開設し、この穴６１の中にＳｉＯ2からなるダミー領域６０を形成するため、ダミー領域６０と圧電体層３０との位置ずれが発生しないので、ＩＤＴ４０、反射器５０，５１を形成する際の位置ずれを低減することができるというような効果がある。
【００６５】
また、前述した実施形態３による弾性表面波素子１０の製造方法は、実施形態２における圧電体層３０形成工程（図６（ａ）、参照）と、ダミー領域６０を形成するための複数の穴６１を開設する工程（図６（ｂ））によって形成することができる。なお、この際、圧電体層３０をＣＭＰ等によって平滑に研磨する工程を入れることが好ましい。
従って、工程を簡素化することができ、コストの低減に寄与することができる。
【００６６】
なお、本発明は前述の実施形態１〜３に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前述の実施形態１，２では、圧電体層３０にダミー領域６０,６５〜６８を形成し、あるいは実施形態３では、圧電体層３０を貫通する穴６１を開設した例を示しているが、前述したダミー領域の平面位置において圧電体層３０をハーフエッチングして、僅かな厚みで残す構造とすることができる。
【００６７】
また、前述の実施形態１によるダミー領域を点在させる構造と、実施形態２による溝形状のダミー領域を形成する構造と、を組み合わせることもできる。
【００６８】
従って、前述の実施形態１〜実施形態３、及び製造方法１、製造方法２によれば、製造工程における反りをなくし、所望のＩＤＴ電極間距離と弾性表面波の伝播距離を保持し、且つ、所望の弾性表面波の音速を得ることができる弾性表面波素子と、この弾性表面波素子の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係る半導体基板のウエハを示す平面図。
【図２】本発明の実施形態１に係る弾性表面波素子の平面図。
【図３】本発明の実施形態１に係る弾性表面波素子の図２におけるＡ−Ａ断面を示す断面図。
【図４】本発明の実施形態２に係る弾性表面波素子を示す平面図。
【図５】本発明の弾性表面波素子の製造方法１による工程を示す断面図。
【図６】本発明の弾性表面波素子の製造方法２による工程を示す断面図。
【図７】従来技術による弾性表面波素子の断面形状を示す説明図。
【符号の説明】
【００７０】
１…ウエハ、１０…弾性表面波素子、２０…半導体基板、３０…圧電体層、４０…ＩＤＴ、６０…ダミー領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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