(57)【要約】【課題】単一セルギャップで二重セルギャップと同じ特性を有するアレイ基板を提供する。【解決手段】アレイ基板（１００）は、スイッチング素子、絶縁層、画素電極、反射板（１７０）、及びインナー偏光子層（１９０）を含む。スイッチング素子は、基板の反射領域に形成される。絶縁層は、基板とスイッチング素子をカバーするが、スイッチング素子のドレイン電極を露出させるホールが形成される。画素電極は、ホールを経由してスイッチング素子と電気的に連結される。反射板は、画素電極をカバーしながら反射領域に形成される。インナー偏光子層は、反射板に対応して形成される。【選択図】図１
2006171723.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射領域と透過領域を有する基板と、
前記反射領域に形成されたスイッチング素子と、
前記基板と前記スイッチング素子をカバーするが、前記スイッチング素子のドレイン電極を露出させるホールが形成された絶縁層と、
前記ホールを経由して前記スイッチング素子と電気的に連結された画素電極と、
前記画素電極をカバーする状態で前記反射領域に形成された反射板と、
前記反射板に対応して形成されたインナー偏光子層と、を含むことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記反射領域に対応する部分と前記透過領域に対応する部分の厚さが同じであることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記反射板には凹凸が形成され、前記反射板上に形成され平坦な表面を有する平坦化層を更に含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記インナー偏光子層は、前記平坦化層上に形成されることを特徴とする請求項３記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記反射板の表面は、相対的に高い領域部と相対的に低い領域部を含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記反射板とインナー偏光子層との間に介在された平坦化層を更に含むことを特徴とする請求項５記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記インナー偏光子層は、フラットな表面を有することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項８】
基板と、
前記基板に形成されゲート電極及びソース及びドレイン電極を有するスイッチング素子と、
前記ドレイン電極と電気的に連結された透明電極層と、
前記ドレイン電極と電気的に連結され凹凸が形成された反射板と、
前記反射板上に形成され平坦な表面を有する平坦化層と、
前記平坦化層上に形成されたインナー偏光子層と、を含むことを特徴とするアレイ基板。
【請求項９】
前記インナー偏光子層は、前記反射板が形成された領域に対応して形成されることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１０】
前記平坦化層の表面は、前記基板からの高さが一定であることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１１】
前記アレイ基板の背面には、背面偏光フィルムが更に配置され、前記背面偏光フィルムの偏光軸は前記インナー偏光子層の偏光軸と同じであることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１２】
前記透明電極層は、前記平坦化層と前記インナー偏光子層との間に形成されることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１３】
前記透明電極層は、前記インナー偏光子層上に形成されることを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１４】
前記反射板の下に形成された感光性絶縁膜を更に含み、前記感光性絶縁膜の表面は凹凸構造を有し、前記感光性絶縁膜は９０％以上の光透過率を有することを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１５】
前記平坦化層は、９０％以上の光透過率を有することを特徴とする請求項８記載のアレイ基板。
【請求項１６】
スイッチング素子を有する基板上に形成された絶縁層にホールを形成して前記スイッチング素子のドレイン電極の一部を露出させる段階と、
露出されたドレイン電極と電気的に連結されるように透明電極層を形成する段階と、
前記透明電極層が形成された結果物の一部領域に反射板を形成する段階と、
前記反射板上にインナー偏光子層を形成する段階と、を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記ドレイン電極の一部を露出させる段階は、前記絶縁層の表面が相対的に高い領域と相対的に低い領域を有するようにエンボシング処理する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記インナー偏光子層が形成された結果物上に、一定方向にラビングされた配向膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１９】
前記絶縁層に透過窓を形成して前記基板を露出させる段階を更に含むことを特徴とする請求項１６記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２０】
前記反射板上に平坦化層が設けられ、前記インナー偏光子層は、前記平坦化層上に形成されることを特徴とする請求項１８記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項２１】
第１基板と、
液晶層と、
反射板と透過窓を有する単位画素領域に形成された画素電極と、前記反射板に対応して配置されたインナー偏光子層を具備して、前記第１基板との合体を通じて前記液晶層を収容する第２基板と、を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第１基板上に配置された第１偏光板を更に含むことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記インナー偏光子層の偏光軸は、前記第１偏光板の偏光軸と垂直であることを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記第２基板の下に配置された第２偏光板を更に含むことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記インナー偏光子層の偏光軸は、前記第２偏光板の偏光軸と平行であることを特徴とする請求項２４記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
前記反射板は、相対的に低い領域と相対的に高い領域を有し、
前記インナー偏光子層はフラットな表面を有して前記反射板上に形成されたことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２７】
前記反射板は、相対的に低い領域と相対的に高い領域を有し、
前記反射板の互いに異なる高さを平坦化させる平坦化層を更に含み、
前記インナー偏光子層は、前記平坦化層上に形成されたことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２８】
前記反射板は、相対的に低い領域と相対的に高い領域を有し、
前記インナー偏光子層は、前記反射板上に均一な厚さで形成されたことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２９】
前記インナー偏光子層は、ディスクタイプの液晶性偏光材料を含むことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項３０】
前記液晶層は均一なセルギャップを有することを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項３１】
前記液晶層は、ツイストネマティック液晶を含むことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項３２】
前記第２基板は、前記反射板及び前記インナー偏光子層の間に形成された平坦化層を更に含むことを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項３３】
反射領域と透過領域を有する液晶表示装置において、
アレイ基板と、
前記アレイ基板と対向する対向基板と、
前記アレイ基板及び対向基板の間に介在された液晶層と、を含み、
前記アレイ基板は、
基板と、
前記基板上に形成されゲート電極及びドレイン及びソース電極を有するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子及び基板上に形成され前記ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールを有する絶縁層と、
前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結され前記反射領域に対応する前記絶縁層上に形成された反射板と、
前記絶縁層及び前記反射板上に形成された平坦化層と、
前記平坦化層上で前記反射領域及び前記透過領域に形成され前記ドレイン電極と電気的に連結された透明電極層と、
前記透明電極層に接触して前記反射領域に形成されたインナー偏光子層と、を含み、
前記液晶層が存在する前記アレイ基板と対向基板との間の間隔は、前記反射領域と前記透過領域とにおいて実質的に同じであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３４】
前記反射板の表面は、部分間で異なる高さを有することを特徴とする請求項３３記載の液晶表示装置。
【請求項３５】
前記対向基板は、カラーフィルター層を有することを特徴とする請求項３３記載の液晶表示装置。
【請求項３６】
第１基板と、前記第１基板に形成されゲート電極及びソース及びドレイン電極を有するスイッチング素子と、前記ドレイン電極と電気的に連結された透明電極層と、前記ドレイン電極と電気的に連結され凹凸が形成された反射板と、前記反射板上に形成され平坦な表面を有する平坦化層と、前記平坦化層上に形成されたインナー偏光子層と、を有するアレイ基板と、
前記アレイ基板と向かい合うように前記アレイ基板と結合された対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在された液晶層と、を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３７】
前記インナー偏光子層は、前記反射板をカバーすることを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【請求項３８】
前記液晶層は、均一なセルギャップを有することを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【請求項３９】
前記アレイ基板の背面には背面偏光フィルムが更に配置され、前記背面偏光フィルムの偏光軸は前記インナー偏光子層の偏光軸と同じであることを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【請求項４０】
前記対向基板の前面には前面偏光フィルムが更に配置され、前記前面偏光フィルムの偏光軸は前記インナー偏光子層の偏光軸と直交することを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【請求項４１】
前記透明電極層は、前記平坦化層と前記インナー偏光子層との間に形成されたことを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【請求項４２】
前記透明電極層は、前記インナー偏光子層上に形成されることを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【請求項４３】
前記反射板の下に形成された感光性絶縁膜を更に含み、前記感光性絶縁膜の表面は凹凸構造を有し、前記感光性絶縁膜は９０％以上の光透過率を有することを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【請求項４４】
前記平坦化層は、９０％以上の光透過率を有することを特徴とする請求項３６記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、より詳細には、単一セルギャップを有しながらも二重セルギャップと同じ表示特性を有するアレイ基板、その製造方法、及びこれを有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ツイストネマチック（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ、ＴＮ）モードの反射−透過型液晶表示パネルは、一つのピクセルに反射板と透過窓を同時に設置して表示動作を行う。前記反射−透過型液晶表示装置は、ホワイトとブラック輝度比であるコントラスト比と全体のホワイト輝度との２つのファクタを考慮して設計される。
【０００３】
前記反射−透過型液晶表示パネルは、光の位相を遅延させる位相板を外部の偏光板に付着して、反射部分のセルギャップが透過部分のセルギャップに対して約１／２である二重セルギャップ構造を有する。
【０００４】
しかし、このような二重セルギャップ構造は、反射−透過表示特性においては、最適の表示品質を示すが、工程的には二重セルギャップである関係で、斑等が発生する可能性があり歩留まりが悪いという問題点がある。
【０００５】
前記した二重セルギャップに対し、工程的な安定化を有するようにするために、単一セルギャップ構造とする場合もあるが、このような場合、透過モードでホワイト輝度が減少するという問題点がある。
【０００６】
一方、反射−透過型液晶表示装置は、単位画素領域に反射板と透過窓を有する。前記反射板は、反射効率を向上させるために、できるだけ面積を広げる構造を採択している。
【０００７】
このために、反射板は金属性材質で形成するが、前記反射板の面積を増加させるために、下部に形成される有機膜にエンボシング部を付与することによって反射効率を増加させる。前記した有機膜エンボシング構造による反射板の構成は、偏光子層を基板の外部に配置する場合最も効果的である。
【０００８】
前記したエンボシング処理によって形成された凹凸部は、平面上で観察する時、円形又はこれと類似な形態で構成される。前記凹凸部の高さは約０．５μｍで、幅は１０〜１５μｍ程度である。
【０００９】
前記した有機膜エンボシング構造において、モノセルギャップ反射−透過モードを具現するために、液晶セルの内部にインナー偏光子層を０．１乃至０．８μｍ厚さで形成する。この際、表面界面特性によって液相系のディスクタイプのインナー偏光子層の配向形態が破壊され偏光特性が劣化され、これによって光が漏れる現象が発生する。
【００１０】
前記光が漏れる現象は、エンボシング部の界面とインナー偏光子層との間の表面張力によってエンボシング部の法線方向に偏光分子が整列する材料物性的特性のために発生する。前記光が漏れる現象は、エンボシングによる表面屈曲度が大きいほど、光漏洩発生度は大きくなる。
【００１１】
従って、エンボシング形態の反射板構造を有する反射−透過型液晶表示装置の液晶セル内にインナー偏光子層を適用する場合、偏光漏洩による光が漏れる現象を防止するための新たな構造の液晶表示装置が必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の技術的課題は、このような従来の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、単一セルギャップを有しながらも二重セルギャップと同じ表示特性を付与するために、反射領域にのみ選択的に形成されたインナー偏光子層を有するアレイ基板を提供することにある。
【００１３】
本発明の他の目的は、前記したアレイ基板の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の更に他の目的は、前記したアレイ基板を有する液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記した本発明の目的を実現するために、一実施例によるアレイ基板は、基板、スイッチング素子、絶縁層、画素電極、反射板、及びインナー偏光子層を含む。前記基板は、反射領域と透過領域を有する。前記スイッチング素子は、前記反射領域に形成される。前記絶縁層は、前記基板と前記スイッチング素子をカバーするが、前記スイッチング素子のドレイン電極を露出させるホールが形成される。前記画素電極は、前記ホールを経由して前記スイッチング素子と電気的に連結される。前記反射板は、前記画素電極をカバーする状態で前記反射領域に形成される。前記インナー偏光子層は、前記反射板に対応して形成される。
【００１６】
前記した本発明の目的を実現するために、他の実施例によるアレイ基板は、基板、スイッチング素子、絶縁層、反射板、透明電極層、及びインナー偏光子層を含む。前記基板は、反射領域と透過領域を有する。前記スイッチング素子は前記基板上に形成され、ゲート電極及びドレイン及びソース電極を有する。前記絶縁層は、前記スイッチング素子及び基板上に形成され、前記反射領域に対応する部分と前記透過領域に対応する部分の厚さが同じであり、前記ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールが形成される。前記反射板は、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結され、前記反射領域に対応する前記絶縁層上に形成される。前記透明電極層は前記反射領域及び透過領域に形成され、前記ドレイン電極と電気的に連結される。前記インナー偏光子層は、前記透明電極層に接触して前記反射領域に形成される。
【００１７】
前記した本発明の目的を実現するために、更に他の実施例によるアレイ基板は、基板、スイッチング素子、透明電極層、反射板、平坦化層、及びインナー偏光子層を含む。前記スイッチング素子は前記基板に形成され、ゲート電極及びソース及びドレイン電極を有する。前記透明電極層は、前記ドレイン電極と電気的に連結される。前記反射板は前記ドレイン電極と電気的に連結され、凹凸が形成される。前記平坦化層は前記反射板上に形成され、平坦な表面を有する。前記インナー偏光子層は、前記平坦化層上に形成される。
【００１８】
前記した本発明の他の目的を実現するために、一実施例によるアレイ基板の製造方法は、スイッチング素子を有する基板上に形成された絶縁層にホールを形成して、前記スイッチング素子のドレイン電極の一部を露出させる段階、露出されたドレイン電極と電気的に連結されるように透明電極層を形成する段階、前記透明電極層が形成された結果物の一部領域に反射板を形成する段階、及び前記反射板上にインナー偏光子層を形成する段階を含む。
【００１９】
前記した本発明の他の目的を実現するために、他の実施例によるアレイ基板の製造方法は、反射領域と透過領域を有する基板上にゲート電極及びソース及びドレイン電極を有するスイッチング素子を形成する段階、前記基板及びスイッチング素子上に前記ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールを有する絶縁層を形成する段階、前記コンタクトホールを通じてドレイン電極と電気的に連結されるように前記反射領域に対応する絶縁層上に反射板を形成する段階、前記絶縁層及び反射板上に前記コンタクトホールと対応してビアが形成された平坦化層を形成する段階、前記平坦化層上に前記ビアホールを通じて前記反射板と電気的に連結される透明電極層とインナー偏光子層を順次に形成する段階、前記透明電極層及びインナー偏光子層上に前記透過領域に対応される領域の厚さが前記反射領域に対応される領域の厚さより薄いフォトレジスト層を形成する段階、前記フォトレジスト層をマスクとして前記透明電極層及びインナー偏光子層を除去して画素領域を形成する段階、前記透過領域のフォトレジスト層が完全に除去されるまで前記フォトレジスト層をエッチバックする段階、及び前記フォトレジスト層をエッチバックする段階によって残留された前記反射領域のフォトレジスト層をマスクとして前記透過領域のインナー偏光子層を除去する段階を含む。
【００２０】
前記した本発明の更に他の目的を実現するために、一実施例による液晶表示装置は、第１基板、液晶層、及び反射板と透過窓を有する単位画素領域に形成された画素電極、及び前記反射板に対応してインナー偏光子層を具備して、前記第１基板との合体を通じて前記液晶層を収容する第２基板を含む。前記第２基板は、反射板と透過窓を有する単位画素領域に形成された画素電極、及び前記反射板に対応してインナー偏光子層を具備して、前記第１基板との合体を通じて前記液晶層を収容する。
【００２１】
前記した本発明の更に他の目的を実現するために、他の実施例による液晶表示装置は、反射領域と透過領域を有する液晶表示装置において、アレイ基板、前記アレイ基板と対向する対向基板及び前記アレイ基板及び対向基板の間に介在された液晶層を含む。前記アレイ基板は、基板と、前記基板上に形成されゲート電極及びドレイン及びソース電極を有するスイッチング素子と、前記スイッチング素子及び基板上に形成され前記ドレイン電極の一部を露出させるコンタクトホールを有する絶縁層と、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結され前記反射領域に対応する前記絶縁層上に形成された反射板と、前記絶縁層及び前記反射板上に形成された平坦化層と、前記平坦化層上の前記反射領域及び前記透過領域に形成され前記ドレイン電極と電気的に連結された透明電極層と、前記透明電極層に接触して前記反射領域に形成されたインナー偏光子層を含む。この際、前記液晶層が存在する前記アレイ基板と対向基板との間の間隔は、前記反射領域と前記透過領域とにおいて実質的に同じであることを特徴とする。
【００２２】
前記した本発明の更に他の目的を実現するために、更に他の実施例による液晶表示装置は、アレイ基板、対向基板、及び液晶層を含む。前記アレイ基板は、第１基板と、前記第１基板に形成されゲート電極及びソース及びドレイン電極を有するスイッチング素子と、前記ドレイン電極と電気的に連結された透明電極層と、前記ドレイン電極と電気的に連結され凹凸が形成された反射板と、前記反射板上に形成され平坦な表面を有する平坦化層と、前記平坦化層上に形成されたインナー偏光子層を有する。前記対向基板は、前記アレイ基板と向かい合うように前記アレイ基板と結合される。前記液晶層は、前記アレイ基板と前記対向基板との間に介在される。
【００２３】
前記した本発明の更に他の目的を実現するために、更に他の実施例による液晶表示装置は、上部偏光板、第１基板、液晶層、第２基板、及び下部偏光板を含む。前記上部偏光板は、上部から提供される光のうち、第１偏光成分の光を透過し、下部から提供される光のうち、第１偏光成分の光を上部に提供する。前記第１基板は、前記上部偏光板の下に配置される。前記液晶層は、上部から前記第１基板を経由して前記第１偏光成分の光が入射されるにつれて、前記第１偏光成分の光の位相を遅延又はそのまま通過して、下部から提供される光の位相を遅延又はそのまま通過する。前記第２基板は前記液晶層の下に配置され、（ａ）前記液晶層を経由して位相遅延された光が入射される場合その通過を許し、前記液晶層を経由してそのまま通過された光が入射される場合、前記そのまま通過された光の透過を遮断し、（ｂ）下部から提供される光のうち、第２偏光成分の光を前記液晶層に提供するインナー偏光子層と、前記インナー偏光子層に対応して形成され、前記インナー偏光子層を経由して入射されるそのまま通過された光を前記インナー偏光子層に反射する反射板を有する。前記下部偏光板は、下部から提供される光のうち、第２偏光成分の光を前記第２基板に提供する。
【００２４】
このようなアレイ基板、その製造方法、及びこれを有する液晶表示装置によると、液晶表示パネルの内部の反射領域にのみインナー偏光子層を選択的に形成することにより、単一セルギャップに基づいてホワイト輝度及びコントラスト比を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例をより詳細に説明する。しかし、本発明は、ここで説明される実施例に限定されず、他の形態で具体化されることもできる。ここで説明される実施例は、開示された内容が完全になるように、そして当業者に本発明の思想が充分に伝達されるようにするために提供されるものである。図面において、多層（又は、膜）及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。全体的に、図面説明の時、観察者の観点で説明し、層、膜、領域、板等の部分が他の部分「上に」あるとする時、これは他の部分「すぐ上に」ある場合のみならず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分「すぐ上に」あるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。
【００２６】
（実施例１）
図１は、本発明の第１実施例による液晶表示パネルを説明するための断面図である。
【００２７】
図１を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板１００、液晶層２００、前記アレイ基板１００との合体を通じて前記液晶層２００を収容するカラーフィルター基板３００、前記アレイ基板１００の下に配置された第１偏光板４１０、及び前記カラーフィルター基板３００上に配置された第２偏光板４２０を含む。前記第１偏光板４１０と第２偏光板４２０は互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記第２偏光板４２０は水平偏光軸を有することが好ましい。
【００２８】
前記アレイ基板１００は、透明基板１０５上に形成されたゲート配線から延長されたゲート電極１１２と、窒化珪素（ＳｉＮｘ）等の材質からなり前記ゲート配線及びゲート電極１１２をカバーするゲート絶縁層１１４を含む。前記ゲート配線やゲート電極１１２は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のアルミニウム系の金属、銀（Ａｇ）や銀合金等の銀系の金属、銅（Ｃｕ）や銅合金等の銅系の金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金等のモリブデン系の金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、又はチタニウム（Ｔｉ）等の金属からなる。
【００２９】
前記アレイ基板１００は、前記ゲート電極１１２をカバーするａ−Ｓｉのような半導体層１１６と、前記半導体層１１６上に形成されたｎ＋ａ−Ｓｉのような半導体不純物層１１８と、前記半導体不純物層１１８の一部をカバーするソース電極１２０と、前記半導体不純物層１１８の他の一部をカバーしながら前記ソース電極１２０と一定間隔だけ離隔されたドレイン電極１２２を含む。前記ゲート電極１１２、半導体層１１６、半導体不純物層１１８、ソース電極１２０、及びドレイン電極１２２は、一つの薄膜トランジスタＴＦＴを形成する。前記ソース電極１２０やドレイン電極１２２は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のようなアルミニウム系の金属、銀（Ａｇ）や銀合金等のような銀系の金属、銅（Ｃｕ）や銅合金等のような銅系の金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金等のようなモリブデン系の金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、又はチタニウム（Ｔｉ）のような金属からなる。
【００３０】
前記ゲート電極１１２やソース電極１２０は、単一層又は二重層等で形成されることができる。前記単一層で形成される場合には、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム（Ａｌ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金、銅（Ｃｕ）等の金属で形成されることができ、前記二重層で形成される場合には、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、又はモリブデン合金膜等の物理／化学的特性に優れた物質を下部層として形成し、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金等の比抵抗が低い物質を上部層として形成する。
【００３１】
前記アレイ基板１００は、前記薄膜トランジスタＴＦＴをカバーしながらドレイン電極１２２の一部を露出させるパシベーション層１３０と、前記パシベーション層１３０をカバーしながら前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２２とコンタクトホールＣＮＴを経由して電気的に連結された画素電極層１４０を含む。前記パシベーション層１３０は、ソース電極１２０とドレイン電極１２２との間の半導体層１１６と半導体不純物層１１８を保護する役割を果たす。前記画素電極層１４０は、反射領域ＲＡと透過領域ＴＡで構成される画素領域をカバーする。
【００３２】
前記アレイ基板１００は、前記画素電極層１４０をカバーしながら表面に凹凸部が形成された有機絶縁膜１６０と、画素領域のうち、反射領域ＲＡに形成されながらビアホールＶＩＡを経由して前記画素電極層１４０と電気的に連結された反射板１７０と、前記反射板１７０上に形成された平坦化層１８０と、前記平坦化層１８０上に形成されたインナー偏光子層１９０と、前記インナー偏光子層１９０上に形成された第１配向膜１９９を含む。前記インナー偏光子層１９０は、第１偏光板４１０と互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層１９０は水平偏光軸を有することが好ましい。
【００３３】
前記した平坦化層１８０の厚さは、反射板１７０のエンボシング構造（凹凸形状）を平坦化する程度であれば充分である。通常、反射板のエンボシングの高さが、約０．５μｍ程度である点を勘案する時、約０．５μｍ程度の厚さで形成することが好ましい。
【００３４】
一方、前記カラーフィルター基板３００は、透明基板３０５上で単位画素領域を区画する遮光層３１０と、前記単位画素領域に形成された色画素層３２０と、前記色画素層３２０上に形成されたオーバーコーティング層３３０と、前記オーバーコーティング層３３０上に形成された共通電極層３４０と、前記共通電極層３３０をカバーする第２配向膜３５０を含み、前記アレイ基板１００との合体を通じて前記液晶層２００を収容する。
【００３５】
前記したインナー偏光子１９０は、ＴＣＦ（Ｔｈｉｎ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｆｉｌｍ）というブランドネイムで、米国のオプティバ（Ｏｐｔｉｖａ）社で生産しているクロモゲンベース（Ｃｈｒｏｍｏｇｅｎ  Ｂａｓｅ）の染料（Ｄｙｅｓｔｕｆｆ）を有する異方性偏光物質である。
【００３６】
前記ＴＣＦの特性は、下記表１に示す如きものである。
【００３７】
【表１】
2006171723.tif 000003
【００３８】
ここで、Ｈ０は平行透過率であって、アレイ基板の偏光板とカラーフィルター基板の偏光板が平行する時の透過率であり、Ｈ９０は直交透過率であって、アレイ基板の偏光板とカラーフィルター基板の偏光板が直交する時の透過率である。
【００３９】
前記した表１に示すように、ＴＣＦは厚さによって偏光透過率（即ち、平行透過率及び直交透過率）及びコントラスト比（Ｃｏｎｔｒａｓｔ  Ｒａｔｉｏ、Ｃ／Ｒ）がそれぞれ異なる。即ち、前記ＴＣＦの厚さが厚いと、偏光子の全体透過率は減少し、２軸交差された透明度は減少してコントラスト比は増加する。前記ＴＣＦの厚さが薄くなる場合には、その逆である。
【００４０】
このようなＴＣＦの異方性特性を反射−透過液晶表示装置に適用することができる。即ち、前記反射−透過液晶表示装置の単位画素内には、反射板と透過窓が同時に存在するので、反射及び透過特性をそれぞれ向上させる場合、インナー偏光子は最も適用可能な方式である。なぜならば、反射モードではコントラスト比よりは偏光透過率が重要な要素であり、透過モードでは偏光透過率よりコントラスト比が重要な要素である。従って、反射−透過モードのそれぞれで反射特性と透過特性を同時に向上させるために、反射部では高い透過率を有し、透過窓では高いコントラスト比を有する構造を実現することが望まれる。
【００４１】
前記ＴＣＦインナー偏光子の場合、コーティング前にはフォトレジストのように３００ポアズ程度の粘性を有する液相ゲル状態のポリマレジン（Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｒｅｓｉｎ）形態である。従って、前記ＴＣＦインナー偏光子は、スロットダイコーティング方式を通じて製造されることが好ましい。
【００４２】
本発明の第１実施例による反射−透過液晶表示装置の動作を透過モード動作時と反射モード動作時にそれぞれ分離して説明する。ここで、液晶層２００は、電圧が印加されない状態でホワイトを表示するノーマリホワイトモードであり、第１偏光板４１０とインナー偏光子層１９０は垂直偏光軸を有し、第２偏光板４２０はそれらに対し垂直な偏光軸を有すると仮定して説明する。
【００４３】
図２及び図３は、図１に図示された液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。
【００４４】
反射モード動作
図２は、反射領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【００４５】
図２を参照すると、反射モード動作時、第２偏光板４２０にフロント光が入射されるにつれて、前記第２偏光板４２０は、前記フロント光のうち、水平成分の光のみを液晶層２００に提供して、前記液晶層２００は、水平成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて前記アレイ基板１００のインナー偏光子層１６０に提供する。
【００４６】
仮に、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられないと、前記第２偏光板４２０によって水平偏光された光は、前記液晶層２００によってλ／２位相遅延され垂直偏光成分の光に変換され、前記垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層１９０をそのまま通過する。
【００４７】
そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記反射板１７０によって反射される。前記反射板１７０によって反射された垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層１９０をそのまま通過して、そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記液晶層２００を通過しながらλ／２位相遅延され、水平成分の光に変換される。水平成分の光に変換された光は、第２偏光板４２０をそのまま通過するので、ホワイトを表示する。
【００４８】
一方、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられる時、前記第２偏光板４２０によって水平偏光された光は、前記液晶層２００をそのまま通過して、そのまま通過した光は前記インナー偏光子層１９０を通過しない。なぜならば、前記インナー偏光子層１９０は、垂直偏光軸を有するためである。従って、前記インナー偏光子層１９０を通じていかなる光も通過されないので、ブラックを表示する。
【００４９】
透過モードの動作
図３は、透過領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【００５０】
図３を参照すると、透過モード動作時、前記第１偏光板４１０は、背面光のうち、垂直偏光成分の光を平坦化層１８０を経由して前記液晶層２００に提供し、前記液晶層２００は、垂直偏光成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて前記第２偏光板４２０に提供する。
【００５１】
仮に、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられないと、前記垂直偏光された光は、前記液晶層２００によってλ／２位相遅延され水平偏光成分の光に変換され、前記水平偏光成分の光は、前記第２偏光板４２０を通過するので、ホワイトを表示する。
【００５２】
一方、前記液晶層２００の両端に電位差が発生すると、前記垂直偏光された光は、前記液晶層２００をそのまま通過し、前記第２偏光板４２０に提供される。前記液晶層２００を通過した光は垂直偏光された光であるが、前記第２偏光板４２０が水平偏光軸を有しているので、いかなる光も前記第２偏光板４２０を通過せず、ブラックを表示する。
【００５３】
図４乃至図１０は、図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【００５４】
図４を参照すると、ガラスやセラミック等の絶縁物質からなる透明基板１０５上に、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、又はタングステン（Ｗ）等の金属を蒸着する。
【００５５】
その後、蒸着された金属をパターニングして、横方向に延長され縦方向に配列される複数のゲートラインと、前記ゲートラインから延長されたゲート電極１１２を形成する。
【００５６】
その後、前記ゲート電極１１２を含む基板の全面に窒化シリコン等をプラズマ化学気相蒸着法で積層して、ゲート絶縁層１１４を形成する。前記ゲート絶縁層１１４は、前記透明基板１０５の全面に形成されることもでき、前記ゲートラインとゲート電極１１２をカバーするようにパターニングされることもできる。
【００５７】
その後、前記ゲート絶縁層１１４上に、アモルファス−シリコン（ａ−Ｓｉ）膜及びインシツ（ｉｎｓｉｔｕ：その位置で）ドーピングされたｎ＋アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成して、薄膜トランジスタを形成するために、一部領域をパターニングして前記ゲート電極１１２が位置した領域に半導体層１１６と不純物半導体層１１８を形成する。
【００５８】
その後、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、又はタングステン（Ｗ）等の金属を蒸着する。その後、前記蒸着された金属をパターニングして、複数のソースラインと、前記ソースラインから延長されたソース電極１２０と、前記ソース電極と一定間隔だけ離隔されたドレイン電極１２２を形成する。
【００５９】
図５を参照すると、前記図４による結果物が形成された基板上にスピンコーティング方法でレジストを積層して、パシベーション層１３０を形成した後、前記ドレイン電極が露出されるように、パシベーション層にホールを形成する。その後、単位画素領域内で画素電極部を定義しながら、前記ホール（ＣＮＴ）を通じて前記ドレイン電極１２２と連結される画素電極層１４０と、前記画素電極層１４０を厚くカバーする有機絶縁膜１６０−ｂを形成する。前記画素電極層１４０は、透明な導電性物質で形成されることができる。このような透明な導電性物質の例としては、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）等が挙げられる。この際、前記画素電極層１４０は、全面塗布後、前記単位画素領域に対応する画素電極層のみが残留するようにパターニングされることもでき、前記単位画素領域にのみ形成されるように部分塗布されることもできる。
【００６０】
図６を参照すると、前記有機絶縁膜の表面に多数の凹凸を付与するために、前記図５による結果物上に前記エンボシングに相応するパターンを有するフォトマスクを有機絶縁膜上に位置させた後、露光工程及び現像工程を行う。これによって、有機絶縁膜の表面には多数の凹凸が形成される。
【００６１】
図７を参照すると、前記図６による結果物上にアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）等のような反射率が高い金属を蒸着した後、前記蒸着された金属を所定の画素形状にパターニングして、反射領域に対応して反射板１７０を形成する。前記反射板１７０は、有機絶縁膜１６０の表面と同じ形状を有することになる。即ち、前記有機絶縁膜１６０の相対的に高い領域部に対応しては、凸形状の多数のレンズ部が形成され、相対的に低い領域部に対応しては、凹形状の多数のレンズ部が形成される。
【００６２】
図８を参照すると、前記図７による結果物上に有機絶縁膜等のような高光透過絶縁膜をコーティングして、平坦化層１８０を形成する。前記平坦化層１８０によって反射板１７０が形成された反射領域と前記反射領域の周辺に形成された透過窓は平坦化処理される。
【００６３】
図９を参照すると、前記図８による結果物上にインナー偏光子層１９０を形成するために、スロットダイコーティング（Ｓｌｏｔ  ｄｉｅ  ｃｏａｔｉｎｇ）方法等のスリットコーティング方法で偏光を付与しようとする方向に剪断応力（Ｓｈｅａｒ  Ｓｔｒｅｓｓ）を付与しながら、ディスクタイプの液晶性偏光材料をコーティングする。その後、偏光を付与しながら画素領域全体にかけてコーティングさせたインナー偏光子層をプリキュアリング（ｐｒｅ−ｃｕｒｉｎｇ）した後、フォトマスクを使用してリソグラフィ工程でウェットエッチング又はドライエッチングを通じて透過窓領域のインナー偏光子層をエッチバック除去する。これによって、反射領域ＲＡにのみインナー偏光子層１９０が形成される。
【００６４】
その後、図示していないが、前記データラインの端部であるデータパッド部位や前記ソースラインの端部であるゲートパッド部位に形成された平坦化層と反射膜を連続してエッチバック除去する。
【００６５】
図１０を参照すると、前記図９による結果物上にポリイミドプリンティング等の工程を進行して配向膜１９９を形成した後、ラビング工程を経て反射−透過型アレイ基板を完成する。ここで、一定厚さの高分子薄膜形成と基板全体に対する均一なラビング技術が重要である。前記ラビング工程は、液晶分子の均一な配向を形成して、正常的な液晶駆動を可能とし、均一な表示特性を有することになる。巨視的な液晶の物性係数は液晶分子の配列状態に依存し、これによって電場などの外力に対する応答も異なる。本発明において、ツイストネマチック（ＴＮ）液晶モードを採用する場合、有機配向膜を利用したラビング法が使用される。前記有機配向膜には、配向の安定性、耐久性、生産性を考慮して、ポリイミド系高分子化合物が広く使用されている。ポリイミド溶液は、溶媒中に反応前単量体であるポリイミド酸又はポリイミドを４〜８％程度の低濃度で溶解したものを使用する。
【００６６】
前記配向膜の要求特性は、２００℃以下でフィルム形成が可能であり、ＩＴＯ基板に良い接着特性を有しなければならない。又、前記配向膜塗布工程で広い面積に一定で均一に配向膜を塗布することが重要である。配向膜の厚さは、５００〜１０００Å程度であり、同一基板では１００Å程度の厚さ差異によって斑のような不良が発生する虞があるので、配向膜の厚さは均一にすることが好ましい。
【００６７】
塗布された配向膜を全体的に均一に拡散させ、溶媒を蒸発させるために、予備乾燥機（又は、プリキュアリング）を利用する。溶媒の蒸発速度を過度に速くすると、ポリイミドが均一に拡散される前に乾燥され、厚さ差異による斑が発生する。プリキュアリングが終了された基板は、硬化炉（又は、ハードキュアリング）に投入される。前記硬化炉でプリキュアリングされた配向膜は、ポリイミド膜で形成され配向膜形成が完了される。
【００６８】
（実施例２）
図１１は、本発明の第２実施例による液晶表示パネルを説明するための断面図である。
【００６９】
図１１を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板５００、液晶層２００、前記アレイ基板１００との合体を通じて前記液晶層２００を収容するカラーフィルター基板３００、前記アレイ基板５００の下に配置された第１偏光板４１０、及び前記カラーフィルター基板３００上に配置された第２偏光板４２０を含む。図１と比較して同じ構成要素には同じ図面番号を付与して、その詳細な説明は省略する。
【００７０】
前記アレイ基板５００は、前記画素電極層１４０をカバーしながら表面に凹凸部が形成された有機絶縁膜１６０、画素領域のうち、反射領域ＲＡに形成された反射板５７０、前記反射板５７０上に形成されたインナー偏光子層５８０、及び前記インナー偏光子層５８０上に形成された第１配向膜５９０を含む。前記インナー偏光子層５８０は、第１偏光板４１０と互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層５８０は、水平偏光軸を有することが好ましい。
【００７１】
図１２及び図１３は、本発明の第２実施例による液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。特に、図１２は、反射領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図であり、図１３は、透過領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明するための概念図である。
【００７２】
反射モード動作
図１２を参照すると、反射モード動作時、第２偏光板４２０に入射されるフロント光が入射されるにつれて、前記フロント光のうち、水平成分の光のみを液晶層２００に提供して、前記液晶層２００は、水平成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記アレイ基板５００のインナー偏光子層５８０に提供する。
【００７３】
仮に、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられないと、前記第２偏光板４２０によって水平偏光された光は、前記液晶層２００によってλ／２位相遅延され垂直偏光成分の光に変換され、前記垂直偏光成分の光は前記インナー偏光子層５８０をそのまま通過する。
【００７４】
そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記反射板５７０によって反射される。前記反射板５７０によって反射された垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層５８０をそのまま通過し、そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記液晶層２００を通過しながらλ／２位相遅延され、水平成分の光に変換される。水平成分の光に変換された光は、第２偏光板４２０をそのまま通過するので、ホワイトを表示する。
【００７５】
一方、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられる時、前記第２偏光板４２０によって水平偏光された光は、前記液晶層２００をそのまま通過して、そのまま通過された光は、前記インナー偏光子層５８０を通過しない。なぜならば、前記インナー偏光子層５８０は、垂直偏光軸を有するためである。従って、前記インナー偏光子層５８０を通じて、いかなる光も通過されないので、ブラックを表示する。
【００７６】
透過モードの動作
図１３を参照すると、透過モード動作時、前記第１偏光板４１０は、背面光のうち、垂直偏光成分の光を前記液晶層２００に提供して、前記液晶層２００は垂直偏光成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記第２偏光板４２０に提供する。
【００７７】
仮に、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられないと、前記垂直偏光された光は、前記液晶層２００によってλ／２位相遅延され水平偏光成分の光に変換され、前記水平偏光成分の光は、前記第２偏光板４２０を通過するので、ホワイトを表示する。
【００７８】
一方、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられると、前記垂直偏光された光は前記液晶層２００をそのまま通過して、前記第２偏光板４２０に提供される。前記液晶層２００を通過した光は垂直偏光された光であるが、前記第２偏光板４２０が水平偏光軸を有しているので、いかなる光も前記第２偏光板４２０を通過しなくてブラックを表示する。
【００７９】
（実施例３）
図１４は、本発明の第３実施例による液晶表示装置を説明するための断面図である。
【００８０】
図１４を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板６００、液晶層２００、前記アレイ基板６００との合体を通じて前記液晶層２００を収容するカラーフィルター基板３００、前記アレイ基板６００の下に配置された第１偏光板４１０、及び前記カラーフィルター基板３００上に配置された第２偏光板４２０を含む。前記第１偏光板４１０と第２偏光板４２０は、互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記第２偏光板４２０は、水平偏光軸を有することが好ましい。図１と比較して同じ構成要素には同じ図面番号を付与して、その詳細な説明は省略する。
【００８１】
前記アレイ基板６００は、前記薄膜トランジスタＴＦＴをカバーしながら、ドレイン電極１２２の一部を露出させるパシベーション層１３０と、前記パシベーション層１３０をカバーしながら前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２２の一部を露出させる有機絶縁層６４０と、前記有機絶縁層６４０上に形成されながら、前記パシベーション層１３０と有機絶縁層６４０に形成されたコンタクトホールＣＮＴを経由して電気的に連結された画素電極層６５０を含む。前記パシベーション層１３０は、ソース電極１２０とドレイン電極１２２との間の半導体層１１６と半導体不純物層１１８を保護する役割を行う。前記画素電極層６５０は、反射領域ＲＡと透過領域ＴＡで構成される画素領域をカバーする。前記有機絶縁膜６４０は、上部に形成される反射板６６０の反射効率を向上させるために表面に凹凸部が形成される。
【００８２】
前記アレイ基板６００は、前記画素電極層６５０をカバーしながら反射領域ＲＡに形成された反射板６６０、前記反射板６６０上に形成されたインナー偏光子層６７０、及び前記インナー偏光子層６７０上に形成された第１配向膜６９０を含む。前記インナー偏光子層６７０は、第１偏光板４１０と互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層６７０は、水平偏光軸を有することが好ましい。
【００８３】
一方、前記カラーフィルター基板３００は、透明基板３０５上で単位画素領域を区画する遮光層３１０、前記単位画素領域に形成された色画素層３２０、前記色画素層３２０上に形成されたオーバーコーティング層３３０、前記オーバーコーティング層３３０上に形成された共通電極層３４０、及び前記共通電極層３３０をカバーする第２配向膜３５０を含み、前記アレイ基板１００との合体を通じて前記液晶層２００を収容する。
【００８４】
図１５乃至図２１は、図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【００８５】
図１５を参照すると、ガラスやセラミック等の絶縁物質からなる透明基板６０５上に、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、又はタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着する。
【００８６】
その後、蒸着された金属をパターニングして、横方向に延長され縦方向に配列される複数のゲートラインと、前記ゲートラインから延長されたゲート電極１１２を形成する。
【００８７】
その後、前記ゲート電極１１２を含む基板の全面に窒化シリコン等をプラズマ化学気相蒸着法で積層してゲート絶縁層１１４を形成する。前記ゲート絶縁層１１４は、前記透明基板６０５の全面に形成されることもでき、前記ゲートラインとゲート電極１１２をカバーするようにパターニングされることもできる。
【００８８】
その後、前記ゲート絶縁層１１４上にアモルファス−シリコン（ａ−Ｓｉ）膜及びインシツドーピングされたｎ＋アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成し、薄膜トランジスタを形成するために一部領域をパターニングして、前記ゲート電極１１２が位置した領域に半導体層１１６と不純物半導体層１１８を形成する。
【００８９】
その後、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、又はタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着する。その後、前記蒸着された金属をパターニングして、複数のソースライン、前記ソースラインから延長されたソース電極１２０、及び前記ソース電極と一定間隔だけ離隔されたドレイン電極１２２を形成する。
【００９０】
図１６を参照すると、前記図１５による結果物が形成された基板上に、スピンコーティング方法でレジストを積層してパシベーション層１３０を形成し、その上部に有機絶縁膜６４０−ｂを形成する。
【００９１】
図１７を参照すると、前記図１６による結果物上に前記有機絶縁膜６４０−ｂの表面に多数の凹凸を付与するために、エンボシングに相応して透明部材ＭＡ１上に形成された不透明パターンＭＡ２を有するフォトマスクＭＡを有機絶縁膜６４０−ｂ上に位置させた後、露光工程及び現像工程を行う。これによって、結果としての有機絶縁膜６４０−ｃの表面には、多数の凹凸が形成される。
【００９２】
図１８を参照すると、前記図１７による結果物にリフロー工程を行って、前記凹凸に一定プロファイルを付与する。前記した一定プロファイルを通じて凹部と凸部が形成される。前記凹部と凸部は、後に凹レンズと凸レンズを形成するベースである。
【００９３】
図１９を参照すると、前記図１８による結果物上に単位画素領域内で画素電極部を定義しながら、前記ホールＣＮＴを経由して前記ドレイン電極１２２と電気的に連結される画素電極層６５０を形成する。前記画素電極層６５０は、透明な導電性物質で形成されることができる。このような透明な導電性物質の例としては、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）等が挙げられる。この際、前記画素電極層６５０は、全面塗布後、前記単位画素領域に対応する画素電極層のみが残留するようにパターニングされることもでき、前記単位画素領域にのみ形成されるように部分塗布されることもできる。
【００９４】
その後、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）等のような反射率が高い金属を蒸着した後、前記蒸着された金属を所定の画素形状にパターニングして、反射領域に対応して反射電極６６０を形成する。前記反射電極６６０は、有機絶縁膜６４０の表面と同じ形状を有する。即ち、前記有機絶縁膜６４０の相対的に高い領域部に対応して前記反射電極６４０には、凸形状の多数のレンズ部が形成され、相対的に低い領域部に対応しては凹形状の多数のレンズ部が形成される。
【００９５】
図２０及び図２１を参照すると、前記図１９による結果物上にインナー偏光子層を形成するために、スロットダイコーティング方法等のスリットコーティング方法で偏光を付与しようとする方向に剪断応力を付与しながら、ディスクタイプの液晶性偏光材料６７０−ｂをコーティングする。その後、偏光を付与しながら、画素領域全体にかけてコーティングさせた液晶性偏光材料６７０−ｂをプリキュアリングする。その後、フォトマスクＭＡを使用してリソグラフィ工程でウェットエッチング又はドライエッチングを通じて透過窓ＴＡに対応するインナー偏光子層をエッチバック除去する。これによって、反射領域ＲＡにのみインナー偏光子層６７０が形成される。
【００９６】
その後、前記図２１による結果物上にポリイミドプリンティング等の工程を進行して、第１配向膜６８０を形成した後、図１４に図示したような反射−透過型アレイ基板を完成する。
【００９７】
（実施例４）
図２２は、本発明の第４実施例による液晶表示装置を説明するための断面図である。
【００９８】
図２２を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板７００、液晶層２００、前記アレイ基板７００との合体を通じて前記液晶層２００を収容するカラーフィルター基板３００、前記アレイ基板７００の下に配置された第１偏光板４１０、及び前記カラーフィルター基板３００上に配置された第２偏光板４２０を含む。前記第１偏光板４１０と第２偏光板４２０は、互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記第２偏光板４２０は、水平偏光軸を有することが好ましい。図１４と比較して同じ構成要素には同じ図面符号を付与して、その重複説明は省略する。
【００９９】
前記アレイ基板７００は、エンボシング処理された表面を有する前記反射板６６０上に形成された平坦化層６７０、前記平坦化層６７０上に形成されたインナー偏光子層７８０、及び前記インナー偏光子層７８０上に形成された第１配向膜７９０を含む。前記インナー偏光子層７８０は、第１偏光板４１０と互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層６７０は、水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１００】
（実施例５）
図２３は、本発明の第５実施例による液晶表示装置を説明するための断面図である。
【０１０１】
図２３を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板８００、液晶層２００、前記アレイ基板８００との合体を通じて前記液晶層２００を収容するカラーフィルター基板３００、前記アレイ基板８００の下に配置された第１偏光板４１０、及び前記カラーフィルター基板３００上に配置された第２偏光板４２０を含む。前記第１偏光板４１０と第２偏光板４２０は、互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記第２偏光板４２０は、水平偏光軸を有することが好ましい。図１と比較して、同じ構成要素には同じ図面符号を付与して、その重複説明は省略する。
【０１０２】
前記アレイ基板８００は、前記薄膜トランジスタＴＦＴをカバーしながらドレイン電極１２２の一部を露出させるパシベーション層１３０、前記パシベーション層１３０をカバーしながら前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２２の一部を露出させる有機絶縁層８４０、及び前記有機絶縁層８４０上に形成されながら前記パシベーション層１３０と有機絶縁層８４０に形成されたコンタクトホールＣＮＴを経由して電気的に連結された反射板８５０を含む。前記パシベーション層１３０は、ソース電極１２０とドレイン電極１２２との間の半導体層１１６と半導体不純物層１１８を保護する役割を果たす。前記反射板８５０が形成された領域は反射領域ＲＡとして定義され、形成されない領域は透過領域ＴＡとして定義される。前記有機絶縁膜８４０には、反射板８５０の反射効率を向上させるために凹凸部が形成される。
【０１０３】
前記アレイ基板８００は、前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２２の一部を露出させながら前記反射板８５０上に形成された平坦化層８６０、前記平坦化層８６０上に形成されながら前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極層８７０、前記反射板８５０に対応してカバーしながら前記画素電極層８７０上に形成されたインナー偏光子層８８０、及び前記インナー偏光子層８８０上に形成された第１配向膜８９０を含む。前記インナー偏光子層８８０は、第１偏光板４１０と互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記第１偏光板４１０が垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層８８０は、水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１０４】
一方、前記カラーフィルター基板３００は、透明基板３０５上で単位画素領域を区画する遮光層３１０、前記単位画素領域に形成された色画素層３２０、前記色画素層３２０上に形成されたオーバーコーティング層３３０、前記オーバーコーティング層３３０上に形成された共通電極層３４０、及び前記共通電極層３４０をカバーする第２配向膜３５０を含み、前記アレイ基板１００との合体を通じて前記液晶層２００を収容する。
【０１０５】
図２４及び図２５は、図２３に図示された液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。特に、図２４は、反射領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時の、ブラック表示特性を説明する概念図であり、図２５は、透過領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時の、ブラック表示特性を説明する概念図である。
【０１０６】
反射モード動作
図２４を参照すると、反射モード動作時、第２偏光板４２０に入射されるフロント光が入射されるにつれて、前記フロント光のうち、水平成分の光のみを液晶層２００に提供して、前記液晶層２００は、水平成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて前記アレイ基板８００のインナー偏光子層８８０に提供する。
【０１０７】
仮に、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられないと、前記第２偏光板４２０によって水平偏光された光は、前記液晶層２００によってλ／２位相遅延され垂直偏光成分の光に変換され、前記垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層８８０をそのまま通過する。
【０１０８】
そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記反射板８５０によって反射される。前記反射板８５０によって反射された垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層８８０をそのまま通過して、そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記液晶層２００を通過しながらλ／２位相遅延され水平成分の光に変換される。水平成分の光に変換された光は、第２偏光板４２０をそのまま通過するので、ホワイトを表示する。
【０１０９】
一方、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられる時、前記第２偏光板４２０によって水平偏光された光は、前記液晶層２００をそのまま通過し、そのまま通過された光は前記インナー偏光子層８８０を通過しない。なぜならば、前記インナー偏光子層８８０は、垂直偏光軸を有するためである。従って、前記インナー偏光子層８８０を通じていかなる光も通過されないので、ブラックを表示する。
【０１１０】
透過モード動作
図２５を参照すると、透過モード動作時、前記第１偏光板４１０は、背面光のうち、垂直偏光成分の光を前記液晶層２００に提供し、前記液晶層２００は垂直偏光成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて前記第２偏光板４２０に提供する。
【０１１１】
仮に、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられないと、前記垂直偏光された光は、前記液晶層２００によってλ／２位相遅延され水平偏光成分の光に変換され、前記水平偏光成分の光は、前記第２偏光板４２０を通過するので、ホワイトを表示する。
【０１１２】
一方、前記液晶層２００の両端に電位差が与えられると、前記垂直偏光された光は、前記液晶層２００をそのまま通過し、前記第２偏光板４２０に提供される。前記液晶層２００を通過した光は垂直偏光された光であるが、前記第２偏光板４２０が水平偏光軸を有しているので、いかなる光も前記第２偏光板４２０を通過せず、ブラックを表示する。
【０１１３】
図２６乃至図３５は、図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【０１１４】
図２６を参照すると、ガラスやセラミック等の絶縁物質からなる透明基板８０５上に、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、又はタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着する。
【０１１５】
その後、蒸着された金属をパターニングして、横方向に延長され縦方向に配列される複数のゲートラインと、前記ゲートラインから延長されたゲート電極１１２を形成する。
【０１１６】
その後、前記ゲート電極１１２を含む基板の全面に窒化シリコン等をプラズマ化学気相蒸着法で積層して、ゲート絶縁層１１４を形成する。前記ゲート絶縁層１１４は、前記透明基板８０５の全面に形成されることもでき、前記ゲートラインとゲート電極１１２をカバーするようにパターニングされることもできる。
【０１１７】
その後、前記ゲート絶縁層１１４上にアモルファス−シリコン（ａ−Ｓｉ）膜及びインシツドーピングされたｎ＋アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成して、薄膜トランジスタを形成するために、一部領域をパターニングして前記ゲート電極１１２が位置した領域に半導体層１１６と不純物半導体層１１８を形成する。
【０１１８】
その後、タンタル（Ｔａ）、チタニウム（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、又はタングステン（Ｗ）等のような金属を蒸着する。その後、前記蒸着された金属をパターニングして、複数のソースライン、前記ソースラインから延長されたソース電極１２０、及び前記ソース電極と一定間隔だけ離隔されたドレイン電極１２２を形成する。
【０１１９】
図２７を参照すると、前記図２６による結果物が形成された基板上にスピンコーティング方法でレジストを積層してパシベーション層１３０を形成し、その上部に有機絶縁膜８４０−ｂを形成する。
【０１２０】
図２８を参照すると、前記図２７による結果物上に前記有機絶縁膜８４０−ｂの表面に多数の凹凸を付与するために、エンボシングに相応して透明部材ＭＡ１上に形成された不透明パターンＭＡ２を有するフォトマスクＭＡを有機絶縁膜８４０−ｂ上に位置させた後、露光工程及び現像工程を行う。これによって、結果としての有機絶縁膜８４０−ｃの表面には多数の凹凸が形成される。
【０１２１】
図２９を参照すると、前記図２８による結果物にリフロー工程を行って、前記凹凸に一定プロファイルを付与して、ドレイン電極１２２の一部を露出させる。前記した一定プロファイルを通じて凹部と凸部が形成される。前記凹部と凸部は、後に凹レンズと凸レンズを形成するベースである。
【０１２２】
図３０を参照すると、前記図２９による結果物上に定義しようとする反射領域に反射電極層８５０を形成し、その上に平坦化層８６０を形成した後、前記ドレイン電極１２２に連結された反射電極層８５０を露出させる。前記反射電極層８５０は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、又はアルミニウム−ネオジウム（ＡｌＮｄ）等のような反射率が高い金属を蒸着した後、パターニングして形成される。前記反射電極層８５０は、有機絶縁膜８４０の表面と同じ形状を有する。即ち、前記有機絶縁膜８４０の相対的に高い領域部に対応して、前記反射電極層８５０には凸形状の多数のレンズ部が形成され、相対的に低い領域部に対応しては凹形状の多数のレンズ部が形成される。
【０１２３】
図３１を参照すると、前記図３０による結果物上に画素電極層８７０とインナー偏光子層８８０を順次に形成する。
【０１２４】
具体的に、前記画素電極層８７０は、単位画素領域内で画素電極部を定義しながら、前記ホールＣＮＴを経由して前記ドレイン電極１２２に連結された反射電極層８５０と電気的に連結される。前記画素電極層８７０は、透明な導電性物質を含む。前記透明な導電性物質の例としては、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化亜鉛（ＺＯ）等が挙げられる。この際、前記画素電極層８７０は、全面塗布後、前記単位画素領域に対応する画素電極層のみが残留するようにパターニングされることもでき、前記単位画素領域にのみ形成されるように部分塗布されることもできる。
【０１２５】
前記インナー偏光子層８８０は、コーティングされたディスクタイプの液晶性偏光材料を含む。前記液晶性偏光材料は、スロットダイコーティング方法等のスリットコーティング方法によって剪断応力が付与される。前記剪断応力によって偏光方向が決定される。前記液晶性偏光材料は、プリキュアリングされる。
【０１２６】
図３２を参照すると、前記図３１による結果物上にフォトレジスト層ＰＲを形成する。前記フォトレジスト層ＰＲは単位画素領域に形成されながら、前記反射領域ＲＡに対応しては相対的に厚く形成され、前記透過領域ＴＡに対応しては相対的に薄く形成されるハフトーン（Ｈａｌｆ−ｔｏｎｅ）マスクである。
【０１２７】
図３３を参照すると、前記図３２による結果物に対しリソグラフィ工程でウェットエッチング又はドライエッチングを通じて前記フォトレジスト層ＰＲが形成されない領域に形成されたインナー偏光子層８８０と画素電極層８７０を除去する。以上では、ハフトーンマスクである互いに異なる厚さのフォトレジスト層ＰＲを利用して、画素電極層とインナー偏光子層を形成することを説明したが、スリットマスクを利用することもできる。
【０１２８】
図３４を参照すると、前記図３３による結果物に対しフォトレジストエッチバック工程を行って、相対的に薄く形成されたフォトレジスト層は除去して、相対的に厚く形成されたフォトレジスト層は薄く残留させる。
【０１２９】
図３５を参照すると、前記図３４による結果物に対しリソグラフィ工程でウェットエッチング又はドライエッチングを通じて前記フォトレジスト層ＰＲが形成されない領域に形成されたインナー偏光子層８８０は除去して、下部の画素電極層８７０は残留させる。これによって、反射領域ＲＡに対応しては反射電極層８５０、平坦化層８６０、画素電極層８７０、及びインナー偏光子層８８０が順次に形成され、透過領域ＴＡに対応しては平坦化層８６０、画素電極層８７０が順次に形成される。
【０１３０】
その後、前記図３５による結果物上にポリイミドプリンティング等の工程を通じて第１配向膜８９０を形成して、図２３に図示したような反射−透過型アレイ基板を完成する。
【０１３１】
以上で説明したように、本発明によると、ゲート電極１１２を形成するフォト工程と、半導体層１１６及び不純物半導体層１１８で構成されるアクティブ層を形成するフォト工程と、ソース−ドレイン電極１２０、１２２を形成するフォト工程と、パシベーション層１３０を形成するフォト工程と、コンタクトホール及びエンボシングパターンを形成するフォト工程と、平坦化層８６０を形成するフォト工程を行った後、画素電極層８７０とインナー偏光子層８８０を同時に形成するフォト工程を行うことによって、工程単純化を達成することができる。
【０１３２】
（実施例６）
図３６は、本発明の第６実施例による液晶表示装置の断面図である。
【０１３３】
図３６を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板１１００、液晶層１１８０、前記アレイ基板１１００との合体を通じて前記液晶層１１８０を収容するカラーフィルター基板１１９０を含む。図示していないが、前記液晶表示パネルの下には、背面偏光フィルムＲＰＦが配置され、前記液晶表示パネル上には前面偏光フィルムＦＰＦが配置される。前記背面偏光フィルムＲＰＦと前面偏光フィルムＦＰＦは、互いに異なる偏光軸を有する。前記背面偏光フィルムＲＰＦが垂直偏光軸を有すると、前記前面偏光フィルムＦＰＦは、水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１３４】
前記アレイ基板１１００は、透明基板１１０５上に形成されたゲート配線から延長されたゲート電極１１１２と、窒化珪素（ＳｉＮｘ）等の材質で形成され、前記ゲート配線及びゲート電極１１１２をカバーするゲート絶縁層１１１３を含む。前記ゲート配線やゲート電極１１１２は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のようなアルミニウム系の金属、銀（Ａｇ）や銀合金等のような銀系の金属、銅（Ｃｕ）や銅合金等のような銅系の金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金等のようなモリブデン系の金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、又はチタニウム（Ｔｉ）のような金属からなる。
【０１３５】
前記アレイ基板１１００は、前記ゲート電極１１１２をカバーするチャンネル層１１１４、前記チャンネル層１１１４の一部をカバーするソース電極１１２２、及び前記チャンネル層１１１４の他の一部をカバーしながら前記ソース電極１１２２と一定間隔だけ離隔されたドレイン電極１１２３を含む。前記チャンネル層１１１４は、ａ−Ｓｉのような半導体層、及び前記半導体層上に形成されたｎ＋ａ−Ｓｉのような半導体不純物層を含む。前記ゲート電極１１１２、チャンネル層１１１４、ソース電極１１２２、及びドレイン電極１１２３は、一つの薄膜トランジスタ１ＴＦＴを形成する。前記ソース電極１１２２やドレイン電極１１２３は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のようなアルミニウム系の金属、銀（Ａｇ）や銀合金等のような銀系の金属、銅（Ｃｕ）や銅合金等のような銅系の金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金等のようなモリブデン系の金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、又はチタニウム（Ｔｉ）のような金属からなる。
【０１３６】
前記ゲート電極１１１２やソース電極１１２２は、単一層又は二重層などで形成されることができる。前記単一層で形成される場合には、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム（Ａｌ）−ネオジウム（Ｎｄ）合金、銅（Ｃｕ）等の金属で形成されることができ、前記二重層で形成される場合には、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、又はモリブデン合金膜等の物理／化学的特性に優れた物質を下部層として形成し、アルミニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金等の比抵抗が低い物質を上部層として形成する。
【０１３７】
前記アレイ基板１１００は、前記薄膜トランジスタＴＦＴをカバーしながら、ドレイン電極１１２３の一部を露出させるパシベーション層１１３０と、表面が凹凸処理され前記パシベーション層１１３０をカバーしながら前記ドレイン電極の一部を露出させる感光性絶縁膜１１３２と、前記感光性絶縁膜１１３２と透過領域をカバーしながら前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１１２３とコンタクトホールＣＮＴを経由して電気的に連結された透明電極層１１４０を含む。前記パシベーション層１１３０は、ソース電極１１２２とドレイン電極１１２３との間のチャンネル層１１１４を保護する役割を果たす。
【０１３８】
前記アレイ基板１１００は、画素領域のうち、反射領域に対応する透明電極層１１４０をカバーするバッファー金属層１１４２と、前記バッファー金属層１１４２上に形成された反射板１１４６と、前記反射板１１４６上に形成され透過領域をカバーしながら、表面がフラットに処理された平坦化層１１４８と、前記平坦化層１１４８上の領域のうち、反射領域に形成されたインナー偏光子層１１５０を含む。
【０１３９】
前記バッファー金属層１１４２は、ＩＴＯやＩＺＯ成分の透明電極層１１４０とのコンタクト抵抗を減少させるために形成される。前記バッファー金属層１１４２は、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）を含む。
【０１４０】
前記平坦化層１１４８は、光を透過させる感光性絶縁膜１１３２のように、光透過率に優れた材質で形成されることが好ましい。前記感光性絶縁膜１１３２は、可視光線領域の光透過率が９０％以上の物質特性を有する材質であることが好ましく、前記感光性絶縁膜１１３２の材質と前記平坦化層１１４８の材質が同じであることが好ましい。
【０１４１】
前記平坦化層１１４８の屈折率は、前記感光性絶縁膜１１３２の屈折率と同じであるか、１／２以内の範囲に存在することが好ましい。なぜならば、屈折率の差異が大きいほど、光効率は減少するためである。
【０１４２】
前記インナー偏光子層１１５０は、背面偏光フィルムＲＰＦとは互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記背面偏光フィルムＲＰＦが垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層１１５０は水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１４３】
前記アレイ基板１１００は、前記インナー偏光子層１１５０上に形成された配向膜を更に含むことが好ましい。
【０１４４】
前記平坦化層１１４８の厚さは、反射板１１４６のエンボシング構造を平坦化する程度であれば充分である。前記反射板１１４６のエンボシングの高さが０．５μｍ程度であれば、前記平坦化層１１８０の厚さは約０．５μｍ程度である。
【０１４５】
一方、前記カラーフィルター基板１１９０は、透明基板１１９２上で単位画素領域を区画する遮光層（図示せず）と、前記単位画素領域に形成された色画素層１１９４と、前記色画素層１１９４上に形成されたオーバーコーティング層１１９６と、前記オーバーコーティング層１１９６上に形成された共通電極層１１９８を含み、前記アレイ基板１１００との合体を通じて前記液晶層１１８０を収容する。前記カラーフィルター基板１１９０は、前記共通電極層１１９８の下に形成された配向膜を更に含むことが好ましい。前記液晶層１１８０は、単一セルギャップを有する。
【０１４６】
図３６では、アレイ基板１１００に反射板１１４６が形成されるので、ビアホールやコンタクトホールを形成するために、前記平坦化層１１４８は、光反応性物質からなることが好ましい。なぜならば、リソグラフィ工程でアレイ基板にビアホールやコンタクトホールの加工を容易に具現するためである。
【０１４７】
勿論、前記ビアホールやコンタクトホールを形成する工程が不必要な場合には、前記平坦化層１１４８の材質は、光反応性材質でも良く、前記光反応性材質とは関係ない材質でも良い。
【０１４８】
図３６では、反射領域に対応する透明電極層１１４０をカバーするバッファー金属層１１４２が採用されることを説明したが、前記バッファー金属層を省略することもできる。
【０１４９】
以上で説明したように、反射効率を改善するために、部分間で異なる高さで形成された反射板１１４６上に平坦化層１１４８を形成し、前記平坦化層１１４８上にスロットダイコーティング方法でＴＣＦ層を一定方向に剪断応力を付与しながらコーティングして、インナー偏光子層を形成する。これによって、前記インナー偏光子層は、下部段差の影響を受けることなく、均一に形成される。
【０１５０】
前記インナー偏光子層１１５０は、ＴＣＦというブランドネームで米国のオプティバ社で生産しているクロモゲンベースの染料を有する異方性偏光物質である。
【０１５１】
このような異方性特性を有するＴＣＦは、反射−透過液晶表示装置に適用される。即ち、前記反射−透過液晶表示装置の単位画素内には、反射板と透過窓が同時に存在するので、反射及び透過特性をそれぞれ向上させる場合、インナー偏光子は最も適用可能な方式である。なぜならば、反射モードでは、コントラスト比よりは偏光透過率が重要な要素であり、透過モードでは、偏光透過率よりコントラスト比が重要な要素である。従って、反射−透過モードのそれぞれで反射特性と透過特性を同時に向上させるために、反射部では高い透過率を有し、透過窓では高いコントラスト比を有する構造を実現することができる。
【０１５２】
前記ＴＣＦインナー偏光子の場合、コーティング前には、フォトレジストのように数十ポアズ程度の粘性を有する液相ゲル状態のポリマーレジン形態である。従って、前記ＴＣＦインナー偏光子は、スロットダイコーティング方式を通じて製造されることが好ましい。
【０１５３】
本発明の第６実施例による反射−透過液晶表示装置の動作を透過モード動作時と反射モード動作時にそれぞれ分離して説明する。ここで、液晶層１１８０は、電圧が印加されない状態でホワイトを表示するノーマリホワイトモードであり、液晶表示パネルの背面に配置された背面偏光フィルムＲＰＦと前記液晶表示パネル内に形成されたインナー偏光子層１１５０は垂直偏光軸を有し、前記液晶表示パネルの前面に配置された前面偏光フィルムＦＰＦは、水平偏光軸を有することと仮定して説明する。
【０１５４】
図３７及び図３８は、図３６に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【０１５５】
反射モード動作
図３７は、反射領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【０１５６】
図３７を参照すると、前面偏光フィルムＦＰＦにフロント光が入射されるにつれて、前記フロント光のうち、水平成分の光のみが液晶層１１８０に提供される。前記液晶層１１８０は、水平成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記アレイ基板１１００のインナー偏光子層１１５０に提供する。
【０１５７】
仮に、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられないと、前記前面偏光フィルムＦＰＦによって水平偏光された光は、前記液晶層１１８０によってλ／２位相遅延され垂直偏光成分の光に変換され、前記垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層１１５０をそのまま通過する。
【０１５８】
そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記反射板１１４８によって反射される。前記反射板１１４８によって反射された垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層１１５０をそのまま通過して、そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記液晶層１１８０を通過しながらλ／２位相遅延され、水平成分の光に変換される。水平成分の光に変換された光は、前面偏光フィルムＦＰＦをそのまま通過するので、ホワイトが表示される。
【０１５９】
一方、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられる時、前記前面偏光フィルムＦＰＦによって水平偏光された光は、前記液晶層１１８０をそのまま通過して、そのまま通過された光は前記インナー偏光子層１１５０を通過しない。なぜならば、前記インナー偏光子層１１５０は、垂直偏光軸を有するためである。従って、前記インナー偏光子層１１５０を通じていかなる光も通過されないので、ブラックが表示される。
【０１６０】
透過モードの動作
図３８は、透過領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【０１６１】
図３８を参照すると、前記背面偏光フィルムＲＰＦは、背面光のうち、垂直偏光成分の光を平坦化層１１４８を経由して、前記液晶層１１８０に提供する。前記液晶層１１８０は、垂直偏光成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記前面偏光フィルムＦＰＦに提供する。
【０１６２】
仮に、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられないと、前記垂直偏光された光は、前記液晶層１１８０によってλ／２位相遅延され、水平偏光成分の光に変換され、前記水平偏光成分の光は、前記前面偏光フィルムＦＰＦを通過するので、ホワイトを表示する。
【０１６３】
一方、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられると、前記垂直偏光された光は、前記液晶層１１８０をそのまま通過して、前記前面偏光フィルムＦＰＦに提供される。前記液晶層１１８０を通過した光は垂直偏光された光であるが、前記前面偏光フィルムＦＰＦが水平偏光軸を有しているので、いかなる光も前記前面偏光フィルムＦＰＦを通過せず、ブラックが表示される。
【０１６４】
（実施例７）
図３９は、本発明の第７実施例による液晶表示装置の断面図である。特に、反射−透過型液晶表示パネルを図示する。
【０１６５】
図３９を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板１３００、液晶層１１８０、前記アレイ基板１３００との合体を通じて前記液晶層１１８０を収容するカラーフィルター基板１１９０を含む。図示していないが、前記液晶表示パネルの下には背面偏光フィルムＲＰＦが配置され、前記液晶表示パネル上には前面偏光フィルムＦＰＦが配置される。前記背面偏光フィルムＲＰＦと前面偏光フィルムＦＰＦは、互いに異なる偏光軸を有する。前記背面偏光フィルムＲＰＦが垂直偏光軸を有すると、前記前面偏光フィルムＦＰＦは水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１６６】
説明の便宜のために、前記図３６で説明した同じ構成要素には同じ図面番号を付与して、その詳細な説明は省略する。
【０１６７】
前記アレイ基板１３００は、画素領域のうち、反射領域に対応する感光性絶縁膜１１３２をカバーするバッファー金属層１２４０、前記バッファー金属層１２４０上に形成された反射板１２４２、前記反射板１２４２上に形成され透過領域をカバーしながら表面がフラット処理された平坦化層１２４６、前記平坦化層１２４６上に形成されながらドレイン電極１１２３に電気的に連結された透明電極層１２４８、及び前記透明電極層１２４８の領域のうち、反射領域に形成されたインナー偏光子層１２５０を含む。
【０１６８】
前記平坦化層１２４６の屈折率は、前記感光性絶縁膜１１３２の屈折率と同じであるか、１／２以内の範囲に存在することが好ましい。なぜならば、屈折率の差異が大きいほど、光効率は減少するためである。
【０１６９】
前記インナー偏光子層１２５０は、背面偏光フィルムＲＰＦとは互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記背面偏光フィルムＲＰＦが垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層１２５０は、水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１７０】
一方、前記カラーフィルター基板１１９０は、透明基板１１９２上で単位画素領域を区画する遮光層（図示せず）、前記単位画素領域に形成された色画素層１１９４、前記色画素層１１９４上に形成されたオーバーコーティング層１１９６、及び前記オーバーコーティング層１１９６上に形成された共通電極層１１９８を含み、前記アレイ基板１３００との合体を通じて前記液晶層１１８０を収容する。前記液晶層１１８０は、単一セルギャップを有する。
【０１７１】
図３９では、反射板１２４２がアレイ基板１３００に形成されるので、ビアホールやコンタクトホールを形成するために、前記平坦化層１２４６は、光反応性物質で形成されることが好ましい。なぜならば、リソグラフィ工程でアレイ基板１３００にビアホールやコンタクトホールの加工を容易に具現するためである。
【０１７２】
勿論、前記ビアホールやコンタクトホールを形成する工程が不必要な場合には、前記平坦化層１２４６の材質は光−反応性材質でも良く、前記光−反応性材質とは関係ない材質でも良い。
【０１７３】
図３９では、反射領域をカバーするバッファー金属層１２４０が採用されることを説明したが、前記バッファー金属層を省略することもできる。
【０１７４】
前述した本発明の第７実施例によると、平坦化層１２４６の上部に透明電極層１２４８とインナー偏光子層１２５０が連続的に形成されるので、前記平坦化層１２４６とインナー偏光子層１２５０との間に金属成分の中間層が介在され、工程安定性を向上させることができる。
【０１７５】
本発明の第７実施例による反射−透過液晶表示装置の動作を透過モード動作時と反射モード動作時にそれぞれ分離して説明する。ここで、液晶層１１８０は電圧が印加されない状態でホワイトを表示するノーマリホワイトモードであり、液晶表示パネルの背面に配置された背面偏光フィルムＲＰＦと前記液晶表示パネル内に形成されたインナー偏光子層１２５０は垂直偏光軸を有し、前記液晶表示パネルの前面に配置された前面偏光フィルムＦＰＦは水平偏光軸を有すると仮定して説明する。
【０１７６】
図４０及び図４１は、図３９に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【０１７７】
反射モード動作
図４０は、反射領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【０１７８】
図４０を参照すると、前面偏光フィルムＦＰＦにフロント光が入射されるにつれて、前記フロント光のうち、水平成分の光のみが液晶層１１８０に提供される。前記液晶層１１８０は、水平成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記アレイ基板１３００のインナー偏光子層１２５０に提供する。
【０１７９】
仮に、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられないと、前記前面偏光フィルムＦＰＦによって水平偏光された光は、前記液晶層１１８０によってλ／２位相遅延され垂直偏光成分の光に変換され、前記垂直偏光成分の光は前記インナー偏光子層１２５０をそのまま通過する。
【０１８０】
そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記反射板１２４２によって反射される。前記反射板１２４２によって反射された垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層１２５０をそのまま通過して、そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記液晶層１１８０を通過しながらλ／２位相遅延され水平成分の光に変換される。水平成分の光に変換された光は、前面偏光フィルムＦＰＦをそのまま通過するので、ホワイトが表示される。
【０１８１】
一方、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられる時、前記前面偏光フィルムＦＰＦによって水平偏光された光は前記液晶層１１８０をそのまま通過し、そのまま通過された光は前記インナー偏光子層１２５０を通過しない。なぜならば、前記インナー偏光子層１２５０は、垂直偏光軸を有するためである。従って、前記インナー偏光子層１２５０を通じていかなる光も通過されないので、ブラックが表示される。
【０１８２】
透過モード動作
図４１は、透過領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【０１８３】
図４１を参照すると、前記背面偏光フィルムＲＰＦは、背面光のうち、垂直偏光成分の光を平坦化層１２４６を経由して前記液晶層１１８０に提供する。前記液晶層１１８０は、垂直偏光成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記前面偏光フィルムＦＰＦに提供する。
【０１８４】
仮に、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられないと、前記垂直偏光された光は、前記液晶層１１８０によってλ／２位相遅延され水平偏光成分の光に変換され、前記水平偏光成分の光は前記前面偏光フィルムＦＰＦを通過するので、ホワイトを表示する。
【０１８５】
一方、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられると、前記垂直偏光された光は、前記液晶層１１８０をそのまま通過し、前記前面偏光フィルムＦＰＦに提供される。前記液晶層１１８０を通過した光は垂直偏光された光であるが、前記前面偏光フィルムＦＰＦが水平偏光軸を有しているので、いかなる光も前記前面偏光フィルムＦＰＦを通過せず、ブラックが表示される。
【０１８６】
（実施例８）
図４２は、本発明の第８実施例による液晶表示装置の断面図である。
【０１８７】
図４２を参照すると、液晶表示パネルは、アレイ基板１３００、液晶層１１８０、前記アレイ基板１３００との合体を通じて前記液晶層１１８０を収容するカラーフィルター基板１１９０を含む。図示していないが、前記液晶表示パネルの下には、背面偏光フィルムＲＰＦが配置され、前記液晶表示パネル上には、前面偏光フィルムＦＰＦが配置される。前記背面偏光フィルムＲＰＦと前面偏光フィルムＦＰＦは、互いに異なる偏光軸を有する。前記背面偏光フィルムＲＰＦが垂直偏光軸を有すると、前記前面偏光フィルムＦＰＦは、水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１８８】
説明の便宜のために、前記図３６で説明した同じ構成要素には同じ図面番号を付与して、その詳細な説明は省略する。
【０１８９】
前記アレイ基板１３００は、画素領域のうち、反射領域に対応する感光性絶縁膜１１３２をカバーするバッファー金属層１３４０、前記バッファー金属層１３４０上に形成された反射板１３４２、前記反射板１３４２上に形成され透過領域をカバーしながら表面がフラット処理された平坦化層１３４４、前記平坦化層１３４４の領域のうち、反射領域に形成されたインナー偏光子層１３４６、及び透過領域をカバーして前記インナー偏光子層１３４６上に形成されながら、ドレイン電極１１２３に電気的に連結された透明電極層１３４８を含む。
【０１９０】
前記平坦化層１３４４の屈折率は、前記感光性絶縁膜１１３２の屈折率と同じであるか、１／２以内の範囲に存在することが好ましい。なぜならば、屈折率の差異が大きいほど、光効率は減少するためである。
【０１９１】
前記インナー偏光子層１３４６は、背面偏光フィルムＲＰＦとは互いに異なる偏光軸を有する。例えば、前記背面偏光フィルムＲＰＦが垂直偏光軸を有すると、前記インナー偏光子層１３４６は、水平偏光軸を有することが好ましい。
【０１９２】
一方、前記カラーフィルター基板１１９０は、透明基板１１９２上で単位画素領域を区画する遮光層（図示せず）、前記単位画素領域に形成された色画素層１１９４、前記色画素層１１９４上に形成されたオーバーコーティング層１１９６、及び前記オーバーコーティング層１１９６上に形成された共通電極層１１９８を含み、前記アレイ基板１３００との合体を通じて前記液晶層１１８０を収容する。前記液晶層１１８０は、単一セルギャップを有する。
【０１９３】
図４２では、反射板１３４２がアレイ基板１３００に形成されるので、ビアホールやコンタクトホールを形成するために、前記平坦化層１３４４は、光反応性物質で形成されることが好ましい。なぜならば、リソグラフィ工程でアレイ基板１３００にビアホールやコンタクトホールの加工を容易に具現するためである。
【０１９４】
勿論、前記ビアホールやコンタクトホールを形成する工程が不必要な場合には、前記平坦化層１３４４の材質は、光−反応性材質でも良く、前記光−反応性材質とは関係ない材質でも良い。
【０１９５】
図４２では、反射領域をカバーするバッファー金属層１３４０が採用されることを説明したが、前記バッファー金属層を省略することもできる。
【０１９６】
前述した本発明の第８実施例によると、前記平坦化層１３４４の上部に前記インナー偏光子層１３４６と透明電極層１３４８が連続的に形成されるので、前記透明電極層１３４８上に形成される配向膜（図示せず）と前記インナー偏光子層１３４６は、前記透明電極層１３４８によって分離されるので、液晶層の液晶との影響がない点での信頼性で有利である。
【０１９７】
本発明の第８実施例による反射−透過液晶表示装置の動作を透過モード動作時と反射モード動作時にそれぞれ分離して説明する。ここで、液晶層１１８０は、電圧が印加されない状態でホワイトを表示するノーマリホワイトモードであり、液晶表示パネルの背面に配置された背面偏光フィルムＲＰＦと前記液晶表示パネル内に形成されたインナー偏光子層１３４６は垂直偏光軸を有し、前記液晶表示パネルの前面に配置された前面偏光フィルムＦＰＦは水平偏光軸を有することと仮定して説明する。
【０１９８】
図４３及び図４４は、図４２に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【０１９９】
反射モード動作
図４３は、反射領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【０２００】
図４３を参照すると、前面偏光フィルムＦＰＦにフロント光が入射されるにつれて、前記フロント光のうち、水平成分の光のみが液晶層１１８０に提供される。前記液晶層１１８０は、水平成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記アレイ基板１３００のインナー偏光子層１３４６に提供する。
【０２０１】
仮に、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられないと、前記前面偏光フィルムＦＰＦによって水平偏光された光は、前記液晶層１１８０によってλ／２位相遅延され垂直偏光成分の光に変換され、前記垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層１３４６をそのまま通過する。
【０２０２】
そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記反射板１３４２によって反射される。前記反射板１３４２によって反射された垂直偏光成分の光は、前記インナー偏光子層１３４６をそのまま通過し、そのまま通過された垂直偏光成分の光は、前記液晶層１１８０を通過しながらλ／２位相遅延され水平成分の光に変換される。水平成分の光に変換された光は、前面偏光フィルムＦＰＦをそのまま通過するので、ホワイトが表示される。
【０２０３】
一方、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられる時、前記前面偏光フィルムＦＰＦによって水平偏光された光は、前記液晶層１１８０をそのまま通過して、そのまま通過された光は、前記インナー偏光子層１３４６を通過しない。なぜならば、前記インナー偏光子層１３４６は、垂直偏光軸を有するためである。従って、前記インナー偏光子層１３４６を通じていかなる光も通過されないので、ブラックが表示される。
【０２０４】
透過モード動作
図４４は、透過領域に対応して、電圧が印加されない時のホワイト表示特性と、電圧印加時のブラック表示特性を説明する概念図である。
【０２０５】
図４４を参照すると、前記背面偏光フィルムＲＰＦは、背面光のうち、垂直偏光成分の光を平坦化層１３４４を経由して、前記液晶層１１８０に提供する。前記液晶層１１８０は、垂直偏光成分の光をλ／２位相遅延又はそのまま通過させて、前記前面偏光フィルムＦＰＦに提供する。
【０２０６】
仮に、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられないと、前記垂直偏光された光は、前記液晶層１１８０によってλ／２位相遅延され水平偏光成分の光に変換され、前記水平偏光成分の光は、前記前面偏光フィルムＦＰＦを通過するので、ホワイトを表示する。
【０２０７】
一方、前記液晶層１１８０の両端に電位差が与えられると、前記垂直偏光された光は、前記液晶層１１８０をそのまま通過し、前記前面偏光フィルムＦＰＦに提供される。前記液晶層１１８０を通過した光は垂直偏光された光であるが、前記前面偏光フィルムＦＰＦが水平偏光軸を有しているので、いかなる光も前記前面偏光フィルムＦＰＦを通過せず、ブラックが表示される。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
以上で説明したように、本発明によると、単一セルギャップの反射−透過型液晶表示パネルの内部の反射領域にインナー偏光子層を形成することによって、多重セルギャップの反射−透過型液晶表示装置の光特性と同様にホワイト輝度及びコントラスト比を確保することができる。特に、反射−透過型液晶表示パネルの反射板と液晶層との間にインナー偏光子層を介在させることによって、単一セルギャップに基づいてホワイト輝度及びコントラスト比を確保することができる。
【０２０９】
又、本発明によると、インナー偏光子層を有する反射−透過型液晶表示装置で単一フォト工程でピクセル電極とインナー偏光子層を同時に形成することによって、工程単純化を実現することができる。具体的に、画素電極層が最上部膜であるインナー偏光子層構造で透明電極層を形成した後、インナー偏光子層を連続的にコーティングして、スリットマスク又はハフトーンマスクを利用して、画素電極層とインナー偏光子層を同時に具現することによって、単一フォト工程にフォトレジストエッチバック工程のみを追加して、インナー偏光子層及び画素電極層をパターニングすることができ、生産性向上及び原価節減効果を極大化することができる。
【０２１０】
又、本発明によると、屈曲された反射板上に形成された平坦化膜上に、インナー偏光子層を形成することによって、屈曲された反射板によって変動する表面屈曲度によって発生される光漏洩発生度を減少させて、偏光特性の劣化を防止することができる。具体的に、反射効率を改善するために、部分間が異なる高さで形成された反射板上に平坦化層を形成し、前記平坦化層上にスロットダイコーティング方法でＴＣＦ層を一定方向に剪断応力を付与しながらコーティングして、インナー偏光子層を形成することによって、前記インナー偏光子層は下部段差の影響を受けることなく、均一に形成される。
【０２１１】
又、平坦化層の上部に透明電極層と前記透明電極層の上部にインナー偏光子層が連続的に形成される実施例では、前記平坦化層とインナー偏光子層との間に金属成分の中間層が介在され、工程安定性を向上させることができる。
【０２１２】
又、平坦化層の上部に前記インナー偏光子層と前記インナー偏光子層の上部に透明電極層が連続的に形成される実施例では、前記透明電極層上に形成される配向膜と前記インナー偏光子層は、前記透明電極層によって分離されるので、液晶層の液晶との影響がない点での信頼性を確保することができる。
【０２１３】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０２１４】
【図１】本発明の第１実施例による単一セルギャップの液晶表示装置を説明するための断面図である。
【図２】図１に図示された液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。
【図３】図１に図示された液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。
【図４】図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図５】図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図６】図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図７】図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図８】図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図９】図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１０】図１に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１１】本発明の第２実施例による単一セルギャップの液晶表示装置を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第２実施例による単一セルギャップの液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。
【図１３】本発明の第２実施例による単一セルギャップの液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。
【図１４】本発明の第３実施例による単一セルギャップの液晶表示装置を説明するための断面図である。
【図１５】図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１６】図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１７】図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１８】図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図１９】図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２０】図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２１】図１４に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２２】本発明の第４実施例による単一セルギャップの液晶表示装置を説明するための断面図である。
【図２３】本発明の第５実施例による液晶表示装置を説明するための断面図である。
【図２４】図２３に図示された液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。
【図２５】図２３に図示された液晶表示装置の光経路を説明するための概念図である。
【図２６】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２７】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２８】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図２９】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３０】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３１】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３２】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３３】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３４】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３５】図２３に図示された反射−透過型アレイ基板の製造方法を説明するための工程図である。
【図３６】本発明の第６実施例による液晶表示装置の断面図である。
【図３７】図３６に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【図３８】図３６に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【図３９】本発明の第７実施例による液晶表示装置の断面図である。
【図４０】図３９に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【図４１】図３９に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【図４２】本発明の第８実施例による液晶表示装置の断面図である。
【図４３】図４２に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【図４４】図４２に図示された液晶表示装置の光経路を説明する概略図である。
【符号の説明】
【０２１５】
１００    アレイ基板
１３０    パシベーション層
１４０    画素電極層
１６０    有機絶縁膜
１７０    反射板
１８０    平坦化層
１９０、５８０、６７０、７８０    インナー偏光子層
１９９、５９０、６８０、７９０    第１配向膜
２００    液晶層
３００    カラーフィルター基板
３１０    遮光層
３２０    色画素層
３３０    オーバーコーティング層
３４０    共通電極層
３５０    第２配向膜
４１０、４２０    偏光板
【図１】
2006171723.tif 000004
【図２】
2006171723.tif 000005
【図３】
2006171723.tif 000006
【図４】
2006171723.tif 000007
【図５】
2006171723.tif 000008
【図６】
2006171723.tif 000009
【図７】
2006171723.tif 000010
【図８】
2006171723.tif 000011
【図９】
2006171723.tif 000012
【図１０】
2006171723.tif 000013
【図１１】
2006171723.tif 000014
【図１２】
2006171723.tif 000015
【図１３】
2006171723.tif 000016
【図１４】
2006171723.tif 000017
【図１５】
2006171723.tif 000018
【図１６】
2006171723.tif 000019
【図１７】
2006171723.tif 000020
【図１８】
2006171723.tif 000021
【図１９】
2006171723.tif 000022
【図２０】
2006171723.tif 000023
【図２１】
2006171723.tif 000024
【図２２】
2006171723.tif 000025
【図２３】
2006171723.tif 000026
【図２４】
2006171723.tif 000027
【図２５】
2006171723.tif 000028
【図２６】
2006171723.tif 000029
【図２７】
2006171723.tif 000030
【図２８】
2006171723.tif 000031
【図２９】
2006171723.tif 000032
【図３０】
2006171723.tif 000033
【図３１】
2006171723.tif 000034
【図３２】
2006171723.tif 000035
【図３３】
2006171723.tif 000036
【図３４】
2006171723.tif 000037
【図３５】
2006171723.tif 000038
【図３６】
2006171723.tif 000039
【図３７】
2006171723.tif 000040
【図３８】
2006171723.tif 000041
【図３９】
2006171723.tif 000042
【図４０】
2006171723.tif 000043
【図４１】
2006171723.tif 000044
【図４２】
2006171723.tif 000045
【図４３】
2006171723.tif 000046
【図４４】
2006171723.tif 000047