(57)【要約】【課題】画素電極間の隙間から入射光がトランジスタ部に入り込まない反射型液晶表示素子及び反射型液晶表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板上にマトリクス状に形成された複数のスイッチングトランジスタと、前記複数のスイッチングトランジスタ１２にそれぞれ対応して形成された複数の反射画素電極７と、液晶層５と、光透過性基板２とが順次積層されてなり、液晶層５を介して、光透過性基板２側から入射した読出し光をスイッチングトランジスタ１２に入力された画像信号で変調した後、液晶層５で光変調させ複数の反射画素電極７で反射させて光透過性基板２側から画像光として取り出す反射型液晶表示素子１において、複数の反射型画素電極７間に跨って、読出し光が前記スイッチングトランジスタに到達することを減衰する遮光膜８を形成した。【選択図】      図１
2006330044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状に形成された複数のスイッチングトランジスタと、前記複数のスイッチングトランジスタにそれぞれ対応して形成された複数の反射画素電極と、液晶層と、光透過性基板とが順次積層されてなり、前記液晶層を介して、前記光透過性基板側から入射した読出し光を前記スイッチングトランジスタに入力された画像信号で変調した後、前記液晶層で光変調させ前記複数の反射画素電極で反射させて前記光透過性基板側から画像光として取り出す反射型液晶表示素子において、
前記複数の反射型画素電極間に跨って、前記読出し光が前記スイッチングトランジスタに到達することを減衰する遮光膜を形成したことを特徴とする反射型液晶表示素子。
【請求項２】
基板上にマトリクス状に形成された複数のスイッチングトランジスタと、前記複数のスイッチングトランジスタにそれぞれ対応して形成された複数の反射画素電極と、液晶層と、光透過性基板とが順次積層されてなり、前記液晶層を介して、前記光透過性基板側から入射した読出し光を前記スイッチングトランジスタに入力された画像信号で変調した後、前記液晶層で光変調させ前記複数の反射画素電極で反射させて前記光透過性基板側から画像光として取り出す反射型液晶表示素子の製造方法において、
前記遮光膜は、第１絶縁層上に順メサ形状のフォトレジストパターンを形成した後、前記基板をドライエッチング装置の真空槽内に導入して、フォトレジストパターンと前記第１絶縁層をエッチングするエッチングガスを用いて１×１０-6Ｔｏｒｒにした後、Ａｒガスを導入して１０-1〜２０-1Ｔｏｒｒにし、次に、ＣＣｌ4或いはＣＦ4エッチングガスを導入した後、高周波プラズマを発生させて２〜３分間行うドライエッチングを行って溝を形成することを特徴とする反射型液晶表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は反射型液晶表示素子に係り、特に光源光を反射させて画像を表示する際に乱反射光の生じない、高解像度で高画質な表示画像を得る反射型液晶表示素子及び反射型液晶表示素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載されているような反射型液晶表示素子の乱反射光の進入を遮断する遮光層は、半導体基板上に形成された画素電極間のギャップを形成する際に同時に作成されていた。
図３に、この従来の反射型液晶表示素子の製造方法により製造された反射型液晶表示素子の概要を示す。
【０００３】
図３に示すように、この反射型液晶表示素子１００は、液晶を保護する透明基板１０１と、配向膜に電圧を加える透明電極１０２と、液晶の配列を制御する配向膜１０３と、加えられた電圧により配列が制御され透過率が変動する液晶１０４と、画素電極から電圧を加えられ液晶の配列を制御する配向膜１０５と、画素単位で配向膜１０５の電圧を制御する画素電極１０６と、遮光層と画素電極１０６との間を埋める下地層１０７と、画素電極間のギャップから進入する入射光を遮光する遮光層１０８と、画素電極１０６とトランジスタを接続する金属層１０９と、トランジスタ間の結線を行う配線層１１０と、絶縁層を分離する分離酸化膜１１１と、表示する画像に応じた配向膜間に加える電圧を生成するドレイン、ソース、ゲート、静電容量からなるトランジスタ１１２と、反射型液晶表示素子１００全体を支持する半導体基板１１３と、から構成される。
【０００４】
そして、この反射型液晶表示素子１００に光源から入射光を入力して液晶１０４を透過させて画素電極１０６で反射させ、再度、液晶１０４を透過させて、表示する画像に応じた電圧を配向膜１０３と１０５間に加えることにより配列を制御した液晶により透過量を表示する画像に合わせた反射光として出力し、この反射光を図示していないスクリーンに投影して画像を表示していた。
【０００５】
図４に示すように、画素電極１０６間のギャップの下層に遮光層１０８を設ける場合は、図４（Ａ）に示すように、画素電極１０６の下に下地層１０７を形成し、次に図(Ｂ)に示すように、画素電極１０６間のギャップを形成する際に同時に下地層１０７まで孔を生成する。そして、図４(Ｃ)に示すように孔の下側に遮光層１０８を形成する。
【０００６】
この画素電極１０６間のギャップに設けられた遮光層１０８により、画素電極間のギャップから進入する入射光を遮光して、トランジスタ１１２に進入する入射光による乱反射光を遮光して、トランジスタ１１２を安定して動作させることにより、反射型液晶表示素子１００から良好な反射光を出力することが出来る。
【特許文献１】特開２００４−３２６０５１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載された従来の画素電極１０６間のギャップの下層に遮光層１０８を設ける方法では、ギャップ間隔が著しく小さいので、この小さいギャップを経由して遮光層１０８を形成することは困難であり、また遮光層１０８を形成できても形状が揃わず、却って反射型液晶表示素子の配置位置によりばらばらな乱反射光を発生して反射型液晶表示素子から出力される反射光の品質を、劣化させてしまうと言う問題点があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、画素電極間の隙間から入射光がトランジスタ部に入り込まない反射型液晶表示素子及び反射型液晶表示素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明における第１の発明は、基板上にマトリクス状に形成された複数のスイッチングトランジスタと、前記複数のスイッチングトランジスタにそれぞれ対応して形成された複数の反射画素電極と、液晶層と、光透過性基板とが順次積層されてなり、前記液晶層を介して、前記光透過性基板側から入射した読出し光を前記スイッチングトランジスタに入力された画像信号で変調した後、前記液晶層で光変調させ前記複数の反射画素電極で反射させて前記光透過性基板側から画像光として取り出す反射型液晶表示素子において、前記複数の反射型画素電極間に跨って、前記読出し光が前記スイッチングトランジスタに到達することを減衰する遮光膜を形成したことを特徴とする反射型液晶表示素子を提供する。
第２の発明は、基板上にマトリクス状に形成された複数のスイッチングトランジスタと、前記複数のスイッチングトランジスタにそれぞれ対応して形成された複数の反射画素電極と、液晶層と、光透過性基板とが順次積層されてなり、前記液晶層を介して、前記光透過性基板側から入射した読出し光を前記スイッチングトランジスタに入力された画像信号で変調した後、前記液晶層で光変調させ前記複数の反射画素電極で反射させて前記光透過性基板側から画像光として取り出す反射型液晶表示素子の製造方法において、前記遮光膜は、第１絶縁層上に順メサ形状のフォトレジストパターンを形成した後、前記基板をドライエッチング装置の真空槽内に導入して、フォトレジストパターンと前記第１絶縁層をエッチングするエッチングガスを用いて１×１０-6Ｔｏｒｒにした後、Ａｒガスを導入して１０-1〜２０-1Ｔｏｒｒにし、次に、ＣＣｌ4或いはＣＦ4エッチングガスを導入した後、高周波プラズマを発生させて２〜３分間行うドライエッチングを行って溝を形成することを特徴とする反射型液晶表示素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数の反射型画素電極間に跨って、前記読出し光が前記スイッチングトランジスタに到達することを減衰する遮光膜を形成したので、画素電極間の隙間から入射光がトランジスタ部に入り込まない反射型液晶表示素子を得ることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に本発明の実施形態に係る反射型液晶表示素子について図１〜図２を用いて説明する。
図１は、本発明の実施形態における反射型液晶表示素子の構成の断面図を示す図である。
図２は、本発明の実施形態における反射型液晶表示素子の遮光膜を形成する順序を説明する図である。
【００１２】
図１に示すように、この反射型液晶表示素子１は、液晶を保護する透明基板２と、配向膜に電圧を加える透明電極３と、液晶の配列を制御する配向膜４と、加えられた電圧により配列が制御され透過率が変動する液晶５と、画素電極から電圧を加えられ液晶の配列を制御する配向膜６と、画素単位で配向膜６の電圧を制御する画素電極７と、画素電極間７のギャップから進入する入射光を遮光する遮光層８と、画素電極７とトランジスタを接続する金属層９と、トランジスタ間の結線を行う配線層１０と、絶縁層を分離する分離酸化膜１１と、表示する画像に応じた配向膜間に加える電圧を生成するドレイン、ソース、ゲート、静電容量からなるトランジスタ１２と、反射型液晶表示素子１全体を支持する半導体基板１３と、から構成される。
【００１３】
そして、この反射型液晶表示素子１に光源から入射光を入力して液晶５を透過させて画素電極７で反射させ再度液晶５を透過させて、表示する画像に応じた電圧を配向膜４と配向膜６間に加えることにより液晶配列を制御した液晶５により透過量を制御した反射光として出力し、この反射光を図示していないスクリーンに投影して画像を表示する。
【００１４】
図２に示すように、画素電極６間のギャップの下層に遮光層８を設ける場合は、図２（Ａ）に示すように、まず金属層９の上までに絶縁層１４を成膜し、次に、図２（Ｂ）に示すように絶縁層１４の上に表面を鋸状に形成した遮光層８を画素電極６間のギャップの周囲に固定する。そして、図２（Ｃ）に示すように遮光層８に絶縁層１４ａを表面が平らとなるように成膜する。そして、反射電極７、配向膜６、・・・、透明基板２を順に形成して反射型液晶表示素子１を製造する。
【００１５】
次に遮光層８の製造方法について詳細に説明する。
スイッチングトランジスタ１２を有するアクティブマトリクス基板１３上に絶縁層を介して形成された複数の反射画素電極７と、液晶層５と、光透過性電極３を有する光透過性基板２と、が順次積層され、光透過性基板２側から入射した光をスイッチングトランジスタ１２に入力された画像信号により変調させた後、液晶層５で光変調させ複数の反射画素電極７で反射させて光透過性基板２側から画像光として取り出す反射型液晶表示素子１の製造方法において、遮光膜８は、第１絶縁層上に順メサ形状のフォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンと第１絶縁層をエッチングするエッチングガスを用いてドライエッチングを行って鋸状溝を形成する。そして、ドライエッチングは、ドライエッチング装置の真空槽内を１×１０-6Ｔｏｒｒにした後、Ａｒガスを導入して１０-1〜２０-1Ｔｏｒｒにし、次に、ＣＣｌ4或いはＣＦ4エッチングガスを導入した後、高周波プラズマを発生させて２〜３分間行う。
【００１６】
以上述べてきたように、このようにして、画素電極６間のギャップの下層に鋸状の遮光層８を設けることにより、画素電極６間のギャップから入射光が進入しても鋸状の遮光層８で十分遮光することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態における反射型液晶表示素子の構成の断面図を示す図である。
【図２】本発明の実施形態における反射型液晶表示素子の遮光膜を形成する順序を説明する図である。
【図３】従来の反射型液晶表示素子の製造方法により製造された反射型液晶表示素子の概要を示す。
【図４】従来の反射型液晶表示素子の遮光膜を形成する順序を説明する図である。
【符号の説明】
【００１８】
１・・・反射型液晶表示素子、２・・・透明基板、光透過性基板、３・・・透明電極、光透過性電極、４・・・配向膜、５・・・液晶、液晶層、６・・・配向膜、７・・・画素電極、反射画素電極、８・・・遮光層、９・・・金属層、１０・・・配線層、１１・・・分離酸化膜、１２・・・トランジスタ、スイッチングトランジスタ、１３・・・半導体基板、アクティブマトリクス基板
【図１】
2006330044.tif 000003
【図２】
2006330044.tif 000004
【図３】
2006330044.tif 000005
【図４】
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