(57)【要約】【課題】両側の表面が研磨された半導体ウェハであって、研磨の程度が様々であるウェハを提供する。【解決手段】一方の側を、リソグラフィ・プロセスによって微細パターンを作り出すために適した比較的高い程度にまで研磨し、他方の側を、比較的低い程度であるが、それでもリソグラフィ・プロセス中にウェハを整列させるために有効なアラインメント・マークを備えるのに適している程度にまで研磨する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表側と裏側とを有し、前記表側は前記裏側よりも平滑な表面を有し、前記裏側は１個又は複数個のアラインメント・マークを含む半導体ウェハ。
【請求項２】
前記表側がアラインメント・マークを含む請求項１に記載のウェハ。
【請求項３】
前記表側にアラインメント・マークがない請求項１に記載のウェハ。
【請求項４】
前記裏側が６００ｎｍより細かい表面粗度を有する請求項１から３までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項５】
前記裏側が少なくとも５０ｎｍの表面粗度を有する請求項１から４までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項６】
前記裏側が１００〜４００ｎｍの範囲にある表面粗度を有する請求項１から３までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項７】
１個又は複数個の裏側アラインメント・マークが１つの格子を含む請求項１から６までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項８】
前記の１個又は複数個のアラインメント・マークが１００〜３００ｎｍの範囲にあるピッチ深さを有する請求項１から７までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項９】
前記表側が、前記表側の上にリソグラフィによって超小型回路パターンを生成するために十分に平滑である請求項１から８までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１０】
Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、及びＩｎＡｓからなる群から選択された材料で作られる請求項１から９までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１１】
前記ウェハがＩＩＩ／Ｖ合成半導体ウェハである請求項１から９までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１２】
前記ウェハがシリコン・ウェハである請求項１から９までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１３】
前記ウェハが２５〜４５０ｍｍの範囲にある直径を有する請求項１から１２までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１４】
前記ウェハが５０〜１５０ｍｍの範囲にある直径を有する請求項１から１１までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１５】
前記ウェハが２００〜３００ｍｍの範囲にある直径を有する請求項１から１１までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１６】
前記表側にレジスト被覆が備えられている請求項１から１５までのいずれか一項に記載のウェハ。
【請求項１７】
（ｉ）放射光ビームをパターン化するステップと、
（ｉｉ）請求項１６に記載の前記ウェハの前記レジスト被覆の少なくとも一部を前記パターン化された放射光ビームに露光するステップと
を含むプロセス。
【請求項１８】
前記パターン化された放射光ビームが５〜４５０ｎｍの範囲にある波長を有する請求項１７に記載のプロセス。
【請求項１９】
前記パターン化された放射光ビームが１００〜３７５ｎｍの範囲にある波長を有する請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２０】
前記パターン化された放射光ビームが１００〜２７５ｎｍの範囲にある波長を有する請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２１】
前記パターン化ステップが焦点板によって実施される請求項１７から２０までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項２２】
１個又は複数個の裏側アラインメント・マークを使用して前記焦点板を前記ウェハと整列させることをさらに含む請求項２１に記載のプロセス。
【請求項２３】
前記パターン化ステップが個別にプログラム可能な素子のアレイによって実施される請求項１７から２０までのいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項２４】
１個又は複数個の裏側アラインメント・マークを使用して前記アレイを前記ウェハと整列させることをさらに含む請求項２３に記載のプロセス。
【請求項２５】
請求項１７から２４までのいずれか一項に記載のプロセスによって得られるデバイス。
【請求項２６】
前記デバイスが、超小型マイクロマシン・システム、薄膜ヘッド、画像センサ、及び集積回路からなる群から選択される請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２７】
前記デバイスが集積受動構成部分である請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２８】
前記デバイスが、電力ＩＣ、アナログＩＣ、及び個別ＩＣからなる群から選択される請求項２５に記載のデバイス。
【請求項２９】
請求項２５に記載のプロセスによって得られる画像センサを含むカメラ。
【請求項３０】
表側と裏側とを有し、前記表側は５０ｎｍより細かい表面粗度を有し、前記裏側は７５〜２５０ｎｍの範囲にある表面粗度を有する半導体ウェハ。
【請求項３１】
前記表側の上にレジスト被覆をさらに含む請求項３０に記載のウェハ。
【請求項３２】
請求項３０又は３１に記載のウェハを放射光に露光することを含むリソグラフィ・プロセス。
【請求項３３】
前記放射光が１００〜３７５ｎｍの範囲にある波長を有する請求項３２に記載のプロセス。
【請求項３４】
マスクを前記ウェハに整列させることをさらに含み、前記マスクから逸れているウェハの側は１個又は複数個のアラインメント・マークを含み、前記アラインメント・マークは前記整列のために使用される請求項３２又は３３に記載のプロセス。
【請求項３５】
前記マスクに面する前記ウェハの側にアラインメント・マークがない請求項３４に記載のプロセス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ及びウェハを使用するプロセスに関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ・アラインメント手順のために、ウェハの表側に位置するマークを使用する代りに、又はこれに追加してウェハの裏面に位置するマークを使用することは、様々な利点、例えばマーカー劣化の減少、より広い設計自由度、及び／又はプロセス・ステップの減少を提供することができるので、ますます普及しつつある。しかし、一般的に使用されている両側を高度に研磨したウェハは比較的コスト高である。また、このようなウェハの高度の裏側表面平滑性は、リソグラフィ露光中にウェハを支持するテーブルに裏側が貼りつくという望ましくない結果を来たすこともある。その他に、いわゆるゲッタリングによってウェハから不純物を除去することは、両側を高度に研磨したウェハには比較的無効になる可能性がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、上述の問題の１つ又は複数と取り組むことを含む。
【０００４】
ウェハの研磨は、例えば米国特許第６７０９９８１号、同第６６４５８６２号、同第６５３０８２６号、同第５９８０３６１号、同第６３３８８０５号、及び同第５５７１３７３号に記載されている。裏面アラインメントは、例えば米国特許第６７６８５３９号に記載されている。アラインメント・マークは、例えば米国特許第５５０３９６２号、同第６６０１３１４号、同第６１４０７４１号、及び米国公開出願２００４−０１３０６９０に記載されている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
ある実施例では、本発明は、両側研磨半導体ウェハを提供し、この場合、両側は研磨の程度が異なる。一方の側は、リソグラフィ・プロセスを通じて微細パターンを作り出すために適した比較的高い程度に研磨され、他方の側は、比較的低い程度だが、それでもリソグラフィ・プロセス中にウェハを整列させるための有効なアラインメント・マークを備えるのに適している程度に研磨されている。
【０００６】
ある実施例では、本発明は、表側と裏側とを有する半導体ウェハであって、前記表側は前記裏側よりも平滑な表面を有し、前記裏側は１つ又は複数のアラインメント・マークを備えている半導体ウェハを提供する。
【０００７】
ある実施例では、本発明は、表側と裏側とを有する半導体ウェハであって、前記表側は５０ｎｍより細かい表面粗度を有し、前記裏側は７５〜２５０ｎｍの範囲にある表面粗度を有する半導体ウェハを提供する。
【０００８】
本発明はまた、このウェハを使用するプロセスを提供する。
【０００９】
本発明の追加の目的、利点、及び特色は本明細書に述べられており、下記を調べることによって当業者には部分的に明らかになるであろう。又は、本発明を実施することによって理解することもできる。本出願に開示された本発明は、ある特定の目的、利点、及び特色の組又は組合せに限定されるものではない。言及される目的、利点、及び特色の様々な組合せによって、本出願に開示される発明が構成されることを意図するものである。
【実施例】
【００１０】
ある実施例では、本発明は、両側研磨ウェハを提供し、この場合、両側は研磨の程度が異なる。一方の側は、リソグラフィ・プロセスを通じて微細パターンを作り出すために適した比較的高い程度に研磨され、他方の側は、比較的低い程度だが、それでもリソグラフィ・プロセス中にウェハを整列させるための有効なアラインメント・マークを備えるのに適している程度に研磨される。
【００１１】
研磨方式は変わることがあり、例えば機械的に、化学的に、又はこれらの組合せで行うことができる。好ましいものではないが、本ウェハを、ウェハの両側を高度に研磨し、次いでウェハの片側を粗くすることによって準備してもよい。研磨方法は、例えば米国特許第６７０９９８１号、同第６６４５８６２号、同第６５３０８２６号、同第５９８０３６１号、同第６３３８８０５号、及び同第５５７１３７３号に論述されている。
【００１２】
ウェハの表側の許容可能な粗度は変わることがあり、ある程度は、例えば半導体ウェハの上に作ろうとする構造の寸法に依存することもある。ある実施例では、表側表面の粗度（ウェハ表面のピークと谷の高さの差）は５０ｎｍより細かく、例えば３０ｎｍより細かく、１０ｎｍより細かく、５ｎｍより細かく、３ｎｍより細かく、又は１．５ｎｍより細かい。ある実施例では、表面粗度は少なくとも０．２５ｎｍである。
【００１３】
ウェハの裏側の許容可能な粗度は変わることがあり、ある程度は、例えば裏側の上に提供される（１つ又は複数の）アラインメント・マークのサイズ／深さに依存することもある。ある実施例では、粗度はせいぜい９００ｎｍ、例えばせいぜい７５０ｎｍ、せいぜい６００ｎｍ、せいぜい５００ｎｍ、せいぜい４００ｎｍ、せいぜい３００ｎｍ、せいぜい２５０ｎｍ、せいぜい２００ｎｍ、又はせいぜい１００ｎｍである。ある実施例では、粗度は少なくとも５０ｎｍ、例えば少なくとも７５ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、又は少なくとも２５０ｎｍである。ある実施例では、裏側表面の粗度は約１４０ｎｍである。表面の粗度（ウェハ表面のピークと谷の高さの差）は、ＫＬＡ−ＴｅｎｃｏｒＰ２装置によって決定することもできる。
【００１４】
ウェハの厚さは変わることがあり、ある程度は、例えばウェハ材料及び／又はウェハ直径に依存することもある。ある実施例では、厚さは少なくとも５０μｍ、例えば少なくとも１００μｍ、少なくとも２００μｍ、少なくとも３００μｍ、少なくとも４００μｍ、少なくとも５００μｍ、又は少なくとも６００μｍである。ある実施例では、ウェハの厚さはせいぜい２５００μｍ、例えばせいぜい１７５０μｍ、せいぜい１２５０μｍ、せいぜい１０００μｍ、せいぜい８００μｍ、せいぜい６００μｍ、せいぜい５００μｍ、せいぜい４００μｍ、又はせいぜい３００μｍである。
【００１５】
ウェハが半導体ウェハであることは好ましい。ある実施例では、ウェハ材料は、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、ＳｉＧｅＣ、ＳｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、及びＩｎＡｓからなる群から選択される。ある実施例では、ウェハはＩＩＩ／Ｖ合成半導体ウェハである。ある実施例では、ウェハはシリコン・ウェハである。
【００１６】
ウェハの形状は変わることがある。ある実施例では、ウェハは実質的に円形の形状を有し、任意にその周辺の一部に沿って切り欠き、及び／又は平坦化された縁部を有する。ある実施例では、ウェハの直径は、少なくとも２５ｍｍ、例えば少なくとも５０ｍｍ、少なくとも７５ｍｍ、少なくとも１００ｍｍ、少なくとも１２５ｍｍ、少なくとも１５０ｍｍ、少なくとも１７５ｍｍ、少なくとも２００ｍｍ、少なくとも２５０ｍｍ、又は少なくとも３００ｍｍである。ある実施例では、ウェハの直径はせいぜい５００ｍｍ、せいぜい４００ｍｍ、せいぜい３５０ｍｍ、せいぜい３００ｍｍ、せいぜい２５０ｍｍ、せいぜい２００ｍｍ、せいぜい１５０ｍｍ、せいぜい１００ｍｍ、又はせいぜい７５ｍｍである。
【００１７】
ある実施例では、ウェハは、ウェハの少なくとも裏側に１個又は複数個のアラインメント・マークを備えている。ある実施例では、裏側だけが１個又は複数個のアラインメント・マークを備えている。ある実施例では、ウェハの裏側と表側の両方が１個又は複数個のアラインメント・マークを備えている。ある実施例では、裏側（及び任意に表側）が、位相格子を有する１個又は複数個のアラインメント・マーク、例えば２つ又はそれ以上のアラインメント・マーク、例えば２〜１０個のアラインメント・マーク、２〜６個のアラインメント・マーク、２〜４個のアラインメント・マーク、又は２個のアラインメント・マークを含む。ある実施例では、マークはウェハの中にエッチングされる。ウェハ表面の格子の深さ（「ピッチ深さ」）は変わってもよく、ある程度は、例えばウェハの上に微細パターンを作るために使用されるリソグラフィ装置のアラインメント系の許容誤差に依存することもある。ある実施例では、格子の深さは４００ｎｍより小さく、例えば３５０ｎｍより小さく、３００ｎｍより小さく、２５０ｎｍより小さく、２００ｎｍより小さく、１６０ｎｍより小さく、又は１２５ｎｍより小さい。ある実施例では、格子の深さは少なくとも５０ｎｍ、例えば少なくとも７５ｎｍ、少なくとも１００ｎｍ、少なくとも１５０ｎｍ、少なくとも２００ｎｍ、又は少なくとも２５０ｎｍである。ある実施例では、ピッチ深さは約１６０ｎｍである。ある実施例では、アラインメント・マークのピッチ深さは裏側表面の粗度を超える。
【００１８】
ある実施例では、ウェハの表側にレジスト被覆が備えられている（上記の表側表面粗度の値は、もちろんレジスト被覆を付着する前の表面粗度を指す）。
【００１９】
図面を参照すると、図１は、本発明によるウェハ（Ｗ）を照射するためのリソグラフィ投影装置の一実施例を概略的に示す。本装置は、
放射光（例えばＵＶ線）の投影ビームＰＢを供給するための放射系ＬＡ、Ｅｘ、ＩＬと、
マスクＭＡ（例えばレチクル）を保持するための、マスクを単位体ＰＬに対して正確に位置付けるための第１位置決め装置に連結された第１オブジェクト・テーブル（マスク・テーブル）ＭＴと、
ウェハＷを保持するための、基板を単位体ＰＬに対して正確に位置付けるための第２位置決め装置に連結された第２オブジェクト・テーブル（基板テーブル）ＷＴと、
マスクＭＡの照射された部分をウェハＷの目標部分Ｃ（１つ又は複数の金型を含む）の上に結像するための、投影系（「レンズ」）ＰＬ（例えば石英レンズ系、反射屈折光学系、又はミラー系）と
を含む。
【００２０】
この図に示すように、この装置は透過型である（即ち透過性マスクを有する）。しかし一般には、これは例えば（反射性マスクを有する）反射型であってもよい。代替案として、この装置は、個別に制御可能な素子（例えば、マイクロミラー・デバイスなどの空間光モジュレータ）のアレイなどの他種のパターン化デバイスを使用してもよい。
【００２１】
放射系は、放射光ビームを生成する放射源ＬＡ（例えばＵＶレーザ源又はプラズマ源）を含む。このビームは、例えば直接又はビーム拡大器Ｅｘなどの調整用光学素子を通した後のいずれかに照明系（照明装置）ＩＬへ送られる。照明装置ＩＬは、ビーム中の強度分布の外側及び／又は内側径方向程度（通常はそれぞれσ外及びσ内と呼ばれる）を設定するための調節可能な光学素子ＡＭを含む。加えて、これは一般に、インテグレータＩＮ及び集光レンズＣＯなどの様々なその他の構成部分を含む。こうして、マスクＭＡの上に衝突するビームＰＢは、その断面において所望の均一性と強度分布を有する。
【００２２】
放射源ＬＡは、（放射源ＬＡが例えば水銀ランプである場合にしばしばそうであるように）リソグラフィ投影装置のハウジングの内部にあってもよいが、またリソグラフィ投影装置から離れてもよく、これが発生する放射光ビームは（例えば適当な直接ミラーの助けによって）装置の中に導かれ、この後者の筋書きは放射源ＬＡがエクサイマ・レーザである場合に多い。
【００２３】
続いてビームＰＢを、マスク・テーブルＭＴの上のマスク・ホルダの中に保持されたマスクＭＡが遮る。マスクＭＡを横切った後、ビームＰＢはレンズＰＬを通過し、レンズＰＬはビームＰＢをウェハＷの目標部分Ｃの上に集束する。第２位置決め装置（及び干渉計測系ＩＦ）の助けによって、基板テーブルＷＴを、例えばビームＰＢの経路において様々な目標部分Ｃを位置付けるように、正確に移動させることができる。同様に、第１位置決め装置を使用して、例えばマスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に検索した後、又は走査中に、ビームＰＢの経路に対するマスクＭＡを正確に位置付けることができる。一般に、オブジェクト・テーブルＭＴ、ＷＴの移動は、図１には明確に図示されていない長ストローク・モジュール（概略位置決め）と短ストローク・モジュール（微細位置決め）の助けによって実現される。しかし、ウェハ・ステップの場合には（ステップ走査装置とは反対に）、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータに単に連結するか、又は固定してもよい。
【００２４】
図示された装置を、少なくとも２通りの異なるモードで使用することができる。即ち、
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴは本質的に静止状態に保たれ、マスク画像全体が目標部分Ｃの上に一度に（即ち単一「フラッシュ」で）投影される。次に基板テーブルＷＴは、ビームＰＢによって別の目標部分Ｃを照射できるようにｘ及び／又はｙ方向にずらされる。
２．走査モードでは、本質的に同じ筋書きが適用されるが、所定の目標部分Ｃが単一「フラッシュ」で露光されない点が異なる。代りに、マスク・テーブルＭＴは所定の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｘ方向）に速度ｖで移動可能であるから、投影ビームＰＢはマスク画像にわたって走査することになり、これと共に基板テーブルＷＴは同時に速度Ｖ＝Ｍｖ（式中、ＭはレンズＰＬの倍率であり、一般的にはＭ＝１／４又は１／５）で同じ方向又は反対の方向に移動する。この方法で、比較的大きな目標部分Ｃを、解像度を落とす必要なく露光することができる。
【００２５】
図２は、ウェハ・テーブルＷＴ上のウェハＷを示す。ウェハ・マークＷＭ３とＷＭ４は単に任意であり、ウェハＷの表側に備えられている。光は、ＷＭ３とＷＭ４の上の矢印によって示されているように、これらのマークから反射可能であり、アラインメント系（図示せず）に関連してマスク上のマークとのアラインメントのために使用してもよい。ウェハ・マークＷＭ１及びＷＭ２はウェハＷの裏側に備えられている。ウェハＷの裏側上のウェハ・マークＷＭ１、ＷＭ２への光学的アクセスを提供するために、光学系がウェハ・テーブルＷＴの中に構築される。この光学系は一対のアーム１０Ａ、１０Ｂを含む。各アームは２個のミラー１２、１４と２個のレンズ１６、１８から構成される。各アームにおけるミラー１２、１４は、これらが水平と作る角度の合計が９０°になるように傾斜している。こうして、一方のミラーに垂直に衝突する光のビームは、他方のミラーから反射するとき垂直のままである。
【００２６】
使用中は、光はウェハ・テーブルＷＴの上方からミラー１２へ、レンズ１６及び１８を通じてミラー１４へ、次いでそれぞれのウェハ・マークＷＭ１、ＷＭ２へ向けられる。光はウェハ・マークの部分から反射し、光学系のアームに沿ってミラー１４、レンズ１８及び１６、並びにミラー１２を経て戻る。ミラー１２、１４及びレンズ１６、１８は、ウェハ・マークＷＭ１、ＷＭ２の画像２０Ａ、２０ＢがウェハＷの表（頂部）側の平面において形成されるように配置されている。レンズ１６、１８及びミラー１２、１４の順序をもちろん光学系に適切なように別のものにすることができる。例えば、レンズ１８をミラー１４とウェハＷとの間に置くこともできよう。
【００２７】
ウェハ・マークＷＭ１、ＷＭ２の画像２０Ａ、２０Ｂは虚像ウェハ・マークとして作用し、ウェハＷの表（頂部）側上に備えられた実像ウェハ・マークとまったく同じ方法で、先在するアラインメント系（図示せず）によるアラインメントのために使用することができる。
【００２８】
図３及び４は、アラインメント系の別の態様を示す。図３では、レーザ４０、例えばＨｅＮｅレーザなどの放射光源がアラインメント光ビームを第１ビーム・スプリッタＢＳ１の上に向け、これによって光の一部分が下に向けられてウェハ・テーブルＷＴにおける光学系のアーム１０Ａを通り、ウェハＷの裏側上の第１ウェハ・マークＷＭ１から反射し、アラインメント・マークの画像２０Ａを形成する。この画像２０Ａからの光は第１ビーム・スプリッタＢＳ１を通って戻り、レンズ系ＰＬを通り、次いでマスクＭＡの上に備えられた第１マスク・マークＭＭ１を通り、第１検出器Ｄ１の上に至る。検出器Ｄ１によって生成された信号を使用して、第１マスク・マークＭＭ１と画像２０Ａとの間の正確な位置合せを決定することができる。画像２０Ａとウェハ・マークＷＭ１との関係は光学装置１０Ａから知られ、こうして第１マスク・マークＭＭ１と第１ウェハ・マークＷＭ１との間のアラインメントを決定することができる。ウェハＷ及び／又はマスクＭＡを互いに移動させてアラインメントを達成することができる。この実施例のアラインメント系は、マスクＭＡとウェハＷとの間のレンズ系ＰＬが実際に露光放射のために使用される投影レンズであるように、スルー・ザ・レンズ（ＴＴＬ）配置である。しかし、このアラインメント系をオフ・アクシス（ＯＡ）にすることもできる。
【００２９】
図４において、第２ウェハ・マークＷＭ２を、第２ビーム・スプリッタＢＳ２と光学系の他のアーム１０Ｂを使用して第２マスク・マークＭＭ２と整列させる。例えば、第１マスク・マークＭＭ１を第２ウェハ・マスクＭＭ２と整列させるなどのために、このプロセスを繰り返すことができる。
【００３０】
図５は、位相格子を含むアラインメント・マークの一実施例を示す。このような格子は、４個のサブ格子Ｐ１，ａ、Ｐ１，ｂ、Ｐ１，ｃ、Ｐ１，ｄから成り、このうち２個Ｐ１，ｂ及びＰ１，ｄはＸ方向のアラインメントに供され、他の２個Ｐ１，ａ及びＰ１，ｃはＹ方向のアラインメントに供される。
【００３１】
例えばリソグラフィを通じて本ウェハによって作ることができるデバイスの数例としては、超小型マイクロマシン・システム（「ＭＥＭＳ」）、薄膜ヘッド、集積受動構成部分、画像センサ、及び集積回路（例えば電力ＩＣ、アナロクＩＣ、及び個別ＩＣを含む）がある。
【００３２】
本発明の特定の実施例について説明してきたが、当業者は本発明の多くの変更形態を容易に理解し、また提案することもできよう。したがって、本発明は上記の特許請求の範囲の精神と範囲によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】リソグラフィ投影装置の概略図である。
【図２】両側アラインメントのための光学系の２つのブランチを組み込んだ基板テーブルの概略断面図である。
【図３】ウェハ・マークとマスク・マークとのアラインメントのためのアラインメント光学装置の概略図である。
【図４】ウェハ・マークとマスク・マークとのアラインメントのためのアラインメント光学装置の別の概略図である。
【図５】アラインメント・マークの一実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
ＡＭ  光学素子
ＢＳ１  第１ビーム・スプリッタ
ＢＳ２  第２ビーム・スプリッタ
Ｃ  目標部分
ＣＯ  集光レンズ
Ｄ１  第１検出器
Ｄ２  第２検出器
Ｅｘ  ビーム拡大器
ＬＡ  放射源
ＩＦ  干渉計測系
ＩＬ  照明装置
ＩＮ  インテグレータ
ＭＡ  マスク
ＭＭ１  第１マスク・マーク
ＭＭ２  第２マスク・マーク
ＭＴ  マスク・テーブル
Ｐ１  サブ格子
ＰＢ  投影ビーム
ＰＬ  単位体、投影系、レンズ
Ｗ  ウェハ
ＷＭ１  第１ウェハ・マーク
ＷＭ２  第２ウェハ・マーク
ＷＭ３  ウェハ・マーク
ＷＭ４  ウェハ・マーク
ＷＴ  基板テーブル
１０  アーム
１２  ミラー
１４  ミラー
１６  レンズ
１８  レンズ
２０  画像
４０  レーザ
【図１】
2006186369.tif 000003
【図２】
2006186369.tif 000004
【図３】
2006186369.tif 000005
【図４】
2006186369.tif 000006
【図５】
2006186369.tif 000007