(57)【要約】【課題】バックライトから反射領域に入射した光を透過領域に誘導し、光利用効率を向上させることにより、全体の輝度を更に向上させた液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明による半透過型液晶表示装置は反射領域に反射部材を含む。反射部材は好ましくは維持電極、またはドレイン電極と同じ層に形成され、更に好ましくは反射領域と透過領域との間の境界まで拡がっている。反射部材は維持電極やドレイン電極と共に反射電極の背面側で反射領域のほぼ全体を覆い、バックライト部から入射する光を反射電極に達する前に反射してバックライト部に戻す。それにより、バックライト部から反射領域に入射した光が、反射部材とバックライト部との間で反射を繰り返しながら、透過領域に誘導される。【選択図】図４
2006330741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射領域及び透過領域を有する液晶表示装置であって、
第１基板、
前記反射領域で前記第１基板の上に形成されている反射部材、及び、
少なくとも前記透過領域で前記第１基板の上に形成されている透明電極と、前記反射領域で前記反射部材の上に形成されている反射電極と、を備えた画素電極、
を有する液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極と重なっている維持電極を更に有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射部材が前記維持電極から分離されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射部材が前記維持電極に連結されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記維持電極及び前記反射部材が、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、または銀合金を含む、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記反射部材の境界線の少なくとも一つが、前記反射領域と前記透過領域との間の境界付近に位置する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記液晶表示装置が、前記第１基板の上に薄膜トランジスタを更に有し、
前記薄膜トランジスタが、ゲート電極、前記ゲート電極の上に形成されている半導体層、及び前記半導体層に連結されているソース電極とドレイン電極、を含み、
前記反射部材が前記ドレイン電極に連結されている、
請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記反射電極の下地に反射補助部材を更に有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記反射補助部材が誘電体多重膜を含む、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記誘電体多重膜に含まれる各膜の屈折率nと厚さdとが関係式nd＝λ／4（変数λは前記誘電体多重膜に入射する光の波長を表す）を満たす、請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記誘電体多重膜が高屈折層及び低屈折層を含む、請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記高屈折層が、ZrO2、TiO2、またはZnSを含み、
前記低屈折層が、MgF2、またはCeF2を含む、
請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１基板と前記画素電極との間に形成され、前記透過領域に開口部を含む保護膜、を更に有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記第１基板と対向する第２基板、
前記反射領域と前記透過領域との両方で前記第２基板の上に形成され、透過光の異なる偏光成分の間に生じる位相差が前記反射領域と前記透過領域とで異なる位相遅延膜、及び、
前記位相遅延膜の上に形成されている共通電極、
を更に有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記位相差が、前記反射領域では1／4波長であり、前記透過領域では実質的に零である、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記位相遅延膜が液晶ポリマーを含む、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記液晶ポリマーは、ネマチック相を示す紫外線硬化性の液晶モノマーが硬化したものから成る、請求項１６に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記位相遅延膜と前記共通電極との間にカラーフィルタを更に有する、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記第２基板と前記位相遅延膜との間にカラーフィルタを更に有する、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記カラーフィルタの色によって前記カラーフィルタの厚さが異なる、請求項１８または１９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記カラーフィルタが前記透過領域では前記反射領域より厚い、請求項１８または１９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第１基板と対向する第２基板、及び、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれた液晶層、
を更に有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
前記第１基板の背面にバックライト部を更に有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
前記バックライト部が反射板を含む、請求項２３に記載の液晶表示装置。
【請求項２５】
前記第１基板の外面に配置されている第１偏光板、及び、
前記第２基板の外面に配置されている第２偏光板、
を更に有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項２６】
基板の上に第１導電層を形成する段階、
前記第１導電層をエッチングしてゲート線と維持電極線とを形成すると同時に、反射領域に反射部材を形成する段階、
前記第１導電層の上にゲート絶縁膜と半導体層とを積層する段階、
前記半導体層の上に第２導電層を形成する段階、
前記第２導電層をエッチングし、データ線とドレイン電極とを形成する段階、
保護膜で前記基板の全体を覆う段階、
透過領域から前記保護膜の少なくとも一部を除去して透過窓を形成する段階、
少なくとも前記透過窓を透明電極で覆う段階、及び、
前記反射領域を覆っている前記保護膜の上に反射電極を形成する段階、
を有する、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項２７】
前記第１導電層を形成する前に、前記基板の上に、異なる屈折率の二つの誘電体を積層して誘電体多重膜を形成する段階、及び、
前記透過領域から前記誘電体多重膜を除去し、前記反射領域に残った前記誘電体多重膜の部分から反射補助部材を形成する段階、
を更に有する、請求項２６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項２８】
前記誘電体多重膜を形成する段階がスパッタリングを利用する、請求項２７に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項２９】
前記誘電体多重膜を除去する段階がフォトエッチングを利用する、請求項２７に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３０】
前記第１導電層を形成する段階、または前記第２導電層を形成する段階がスパッタリングを利用する、請求項２６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３１】
前記第１導電層または前記第２導電層が、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、またはタンタルから成る、請求項２６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３２】
前記第１導電層または前記第２導電層のエッチングがフォトエッチングで行われる、請求項２６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３３】
前記反射部材が、前記維持電極線から分離され、または前記維持電極線に連結されている、請求項２６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３４】
前記反射部材が前記反射領域と前記透過領域との間の境界まで拡がっている、請求項２６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３５】
前記ゲート絶縁膜が窒化ケイ素から成る、請求項２６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３６】
前記半導体層を積層する段階では、水素化非晶質シリコン層とｎ＋非晶質シリコン層とが連続して積層される、請求項２７に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３７】
前記連続した積層工程が低圧化学気相蒸着またはプラズマ化学気相蒸着のいずれかを利用する、請求項３６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３８】
前記半導体層の上に前記第２導電層を形成する前に、前記ｎ＋非晶質シリコン層をパターニングしてオーミックコンタクトパターンを形成する段階、及び、
前記第２導電層をエッチングした後に、前記オーミックコンタクトパターンの露出部分を除去して複数のオーミックコンタクト層を形成し、かつ前記オーミックコンタクト層の間から前記水素化非晶質シリコン層を露出させる段階、
を更に有する、請求項３６に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項３９】
前記水素化非晶質シリコン層の露出部分に酸素プラズマを照射して前記露出部分を安定化させる段階、を更に有する、請求項３８に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項４０】
前記保護膜が下部保護膜と上部保護膜とを含み、前記透過窓からは前記上部保護膜が除去される、請求項２７に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項４１】
前記下部保護膜が窒化ケイ素から成り、前記上部保護膜が有機物質から成る、請求項４０に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項４２】
フォトエッチングによって前記下部保護膜をパターニングし、前記保護膜を貫通するコンタクトホールを形成する段階、及び、
前記コンタクトホールを通じて前記透明電極を前記ドレイン電極に接続する段階、
を更に有する、請求項４０に記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項４３】
基板の上に第１導電層を形成する段階、
前記第１導電層をエッチングしてゲート線と維持電極線とを形成する段階、
前記第１導電層の上にゲート絶縁膜と半導体層とを積層する段階、
前記半導体層の上に第２導電層を形成する段階、
前記第２導電層をエッチングしてデータ線とドレイン電極とを形成すると同時に、反射領域に反射部材を形成する段階、
保護膜で前記基板の全体を覆う段階、
透過領域から前記保護膜の少なくとも一部を除去して透過窓を形成する段階、
少なくとも前記透過窓を透明電極で覆う段階、及び、
前記反射領域を覆っている前記保護膜の上に反射電極を形成する段階、
を有する、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、特に、半透過型液晶表示装置及びそれに搭載される薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は一般に、上部表示パネルと下部表示パネル、及びそれら二つの表示パネルの間に挟まれている液晶層を含む。例えば、上部表示パネルには共通電極とカラーフィルタとが形成され、下部表示パネルには薄膜トランジスタと画素電極とが形成されている。画素電極と共通電極との間に電位差が与えられるとき、液晶層には電界が生成され、この電界によって液晶分子の配向方向が決定される。更にその液晶分子の配向方向に応じ、各画素の透過率が決定される。こうして、画素電極と共通電極との間の電位差の調節によって液晶表示装置は所望の映像を表示できる。
【０００３】
液晶表示装置は光源の利用形態によって、透過型、反射型、及び半透過型に大別される。透過型液晶表示装置は、表示パネルの背面に設置されたバックライトの発する光を利用して映像を表示する。反射型液晶表示装置は、外部の自然光や人造光を表示パネルで反射することによって映像を表示する。透過型液晶表示装置では、バックライトの光が外部光より弱い場合、視認性が低下する。透過型液晶表示装置は更に、バックライトによる電力消費の削減が難しい。一方、反射型液晶表示装置は、外部光が弱い場合、輝度が低いので表示が見えにくい。半透過型液晶表示装置は透過型と反射型との両方の機能を併せ持ち、特に、低照度の環境では内蔵の光源を利用して映像を表示し、高照度の環境では外部光を反射して映像を表示する。半透過型液晶表示装置は一般に、透過領域及び反射領域を含む。透過領域では、表示パネルの背面に設置されたバックライトからの光が表示パネルを透過することにより、表示パネルの前面に映像が表示される。反射領域では、外部から表示パネルの前面に入射した光が表示パネルの内部で反射され、再び表示パネルの前面から外部に放出されることにより、表示パネルの前面に映像が表示される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半透過型液晶表示装置では、バックライトから出射される光が透過領域だけでなく、反射領域にも進入する。その光は反射電極の背面で反射され、バックライトの方向に戻される。しかし、それらの光は、表示パネルの背面に設置された位相遅延膜及び偏光板にほぼ全て吸収されてしまう。反射領域では更に、バックライトの光が反射電極の凹凸によって乱反射されるので、反射電極の背面に接している保護膜（有機膜）に吸収されて消失しやすい。従って、従来の半透過型液晶表示装置では、反射領域に入射したバックライトの光を透過領域に誘導して活用することが困難である。
本発明の目的は、バックライトから反射領域に入射した光の利用を可能にし、光利用効率を向上させることにより、全体の輝度を更に向上させる液晶表示装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による液晶表示装置は、反射領域及び透過領域を含む液晶表示装置であって、
第１基板、
反射領域で第１基板の上に形成されている反射部材、及び、
少なくとも透過領域で第１基板の上に形成されている透明電極と、反射領域で反射部材の上に形成されている反射電極と、を備えた画素電極、を有する。この液晶表示装置は好ましくは、画素電極と重なっている維持電極を更に有する。その場合、反射部材は好ましくは、維持電極から分離されている。その他に、反射部材が維持電極に連結されていても良い。維持電極及び反射部材は好ましくは、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、または銀合金を含む。反射部材の境界線の少なくとも一つは好ましくは、反射領域と透過領域との間の境界付近に位置する。その液晶表示装置が第１基板の上に薄膜トランジスタを更に有する場合、その薄膜トランジスタが、ゲート電極、そのゲート電極の上に形成されている半導体層、及びその半導体層に連結されているソース電極とドレイン電極、を含み、反射部材がそのドレイン電極に連結されていても良い。
【０００６】
本発明による上記の液晶表示装置は好ましくは、反射電極の下地に反射補助部材を更に有する。反射補助部材は好ましくは誘電体多重膜を含み、更に好ましくは、その誘電体多重膜の各膜の屈折率nと厚さdとが次の関係式を満たす：nd＝λ／4（ここで、変数λは誘電体多重膜に入射する光の波長を表す）。誘電体多重膜は好ましくは高屈折層及び低屈折層を含む。好ましくは、その高屈折層が、ZrO2、TiO2、またはZnSを含み、その低屈折層がMgF2またはCeF2を含む。その液晶表示装置は好ましくは、第１基板と画素電極との間に保護膜を更に有する。その保護膜は透過領域に開口部を含む。
【０００７】
本発明による上記の液晶表示装置は好ましくは、
第１基板と対向する第２基板、
反射領域と透過領域との両方で第２基板の上に形成され、透過光の異なる偏光成分の間に生じる位相差が反射領域と透過領域とで異なる位相遅延膜、及び、
位相遅延膜の上に形成されている共通電極、を更に有する。ここで、位相遅延膜が透過光に与える位相差は好ましくは、反射領域では1／4波長であり、透過領域では実質的に零である。位相遅延膜は好ましくは液晶ポリマーを含み、更に好ましくは、その液晶ポリマーは、ネマチック相を示す紫外線硬化性の液晶モノマーが硬化したものから形成されている。この液晶表示装置は好ましくは、位相遅延膜と共通電極との間にカラーフィルタを更に有する。カラーフィルタはその他に、第２基板と位相遅延膜との間に形成されていても良い。好ましくは、カラーフィルタの色によってカラーフィルタの厚さが異なる。カラーフィルタは好ましくは、透過領域では反射領域より厚い。
【０００８】
本発明による上記の液晶表示装置では好ましくは、第１基板と第２基板との間に液晶層が挟まれている。その液晶層は好ましくは、ねじれネマチック型である。第１基板の背面には好ましくは、バックライト部が配置されている。そのバックライト部は好ましくは反射板を含む。好ましくは、第１基板の外面には第１偏光板が配置され、第２基板の外面には第２偏光板が配置されている。
【０００９】
本発明による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法は、
基板の上に第１導電層を形成する段階、
第１導電層をエッチングしてゲート線と維持電極線とを形成すると同時に、反射領域に反射部材を形成する段階、
第１導電層の上にゲート絶縁膜と半導体層とを積層する段階、
半導体層の上に第２導電層を形成する段階、
第２導電層をエッチングしてデータ線とドレイン電極とを形成する段階、
保護膜で基板の全体を覆う段階、
透過領域から保護膜の少なくとも一部を除去して透過窓を形成する段階、
少なくとも透過窓を透明電極で覆う段階、及び、
反射領域を覆っている保護膜の上に反射電極を形成する段階、を有する。ここで、反射部材が維持電極線に代え、ドレイン電極と同時に形成されても良い。
【００１０】
本発明による上記の製造方法は好ましくは、第１導電層を形成する前に、基板の上に、異なる屈折率を持つ二つの媒体を積層して誘電体多重膜を形成する段階、及び、透過領域から誘電体多重膜を除去し、反射領域に残った誘電体多重膜の部分から反射補助部材を形成する段階、を更に有する。誘電体多重膜を形成する段階は好ましくはスパッタリングを利用する。一方、誘電体多重膜を除去する段階は好ましくは、フォトエッチングを利用する。
【００１１】
第１導電層を形成する段階、または第２導電層を形成する段階は好ましくは、スパッタリングを利用する。第１導電層または第２導電層は好ましくは、アルミニウム系金属（アルミニウム（Al）またはアルミニウム合金）、銀系金属（銀（Ag）または銀合金）、銅系金属（銅（Cu）または銅合金）、モリブデン系金属（モリブデン（Mo）またはモリブデン合金）、クロム（Cr）、チタニウム（Ti）、またはタンタル（Ta）から成る。第１導電層または第２導電層のエッチングは好ましくはフォトエッチングで行われる。
【００１２】
反射部材は、維持電極線から分離されていても、維持電極線に連結されていても良い。反射部材は好ましくは、反射領域と透過領域との間の境界まで拡がっている。
ゲート絶縁膜は好ましくは窒化ケイ素（SiNx）から成る。
半導体層を積層する段階では好ましくは、水素化非晶質シリコン層とｎ＋非晶質シリコン（ｎ型不純物がドーピングされた非晶質シリコン）層とが連続して積層される。その連続した積層工程は好ましくは、低圧化学気相蒸着またはプラズマ化学気相蒸着のいずれかを利用する。
【００１３】
本発明による上記の製造方法は好ましくは、
半導体層の上に第２導電層を形成する前に、ｎ＋非晶質シリコン層をパターニングしてオーミックコンタクトパターンを形成する段階、及び、
第２導電層をエッチングした後に、オーミックコンタクトパターンの露出部分を除去して複数のオーミックコンタクト層を形成し、かつオーミックコンタクト層の間から水素化非晶質シリコン層を露出させる段階、を更に有する。その製造方法は更に好ましくは、水素化非晶質シリコン層の露出部分に酸素（O2）プラズマを照射してその露出部分を安定化させる段階、を有する。
【００１４】
好ましくは、保護膜が下部保護膜と上部保護膜とを含み、透過窓からは上部保護膜が除去される。その場合、好ましくは、下部保護膜が窒化ケイ素（SiNx）から成り、上部保護膜が有機物質から成る。本発明による上記の製造方法は好ましくは、フォトエッチングによって下部保護膜をパターニングし、保護膜を貫通するコンタクトホールを形成する段階、及び、そのコンタクトホールを通じて透明電極をドレイン電極に接続する段階、を更に有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による上記の液晶表示装置では、バックライト部から反射領域に入射した光が、反射電極に達する前に反射部材で反射され、バックライト部に戻される。更に、その光は反射部材とバックライト部との間で反射を繰り返しながら、両者の間に介在する部材にほとんど吸収されることなく、透過領域に誘導される。こうして、従来の半透過型液晶表示装置とは異なり、反射領域に進入したバックライトの光が透過領域で有効に活用される。その結果、バックライトの光利用効率が向上するので、画面全体の輝度が更に向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図１乃至図５を参照しながら、本発明の実施形態による半透過型液晶表示装置について詳細に説明する。
図４に示されているように、この液晶表示装置は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示パネル100とカラーフィルタ表示パネル200、及びそれら二枚の表示パネル100、200の間に挟まれている液晶層3を有する。液晶層3は好ましくは、二つの表示パネル100、200の表面に対して垂直または水平に配向されている液晶分子を含む。薄膜トランジスタ表示パネル100の外面には第１偏光板12が備えられ、カラーフィルタ表示パネル200の外面には第２偏光板22が備えられている。第１偏光板12の透過軸と第２偏光板22の透過軸とは互いに直交する。薄膜トランジスタ表示パネル100の背面にはバックライト部900が設置されている。バックライト部900は、液晶表示装置に光を提供するランプ910、導光板940、及び、導光板940の背面に設けられた反射板950を含む。ランプ910は好ましくは冷陰極蛍光ランプ（cold  cathode  fluorescent  lamp、ＣＣＦＬ）または発光ダイオード（ＬＥＤ）である。ランプ910は、面光源または線光源のいずれの形態であっても良い。
【００１７】
図１、４に示されているように、半透過型液晶表示装置は各画素が透過領域TAと反射領域RAとに分かれている。透過領域TAでは、バックライト部900から薄膜トランジスタ表示パネル100の背面に入射した光が液晶層3を透過してカラーフィルタ表示パネル200の前面から出射され、画面に画像が表示される。反射領域RAでは、カラーフィルタ表示パネル200の前面から入射した外部光が液晶層3を透過して反射電極194によって反射され、液晶層3を再び透過してカラーフィルタ表示パネル200の前面から出射され、画面に画像が表示される。
【００１８】
以下、薄膜トランジスタ表示パネル100の詳細について説明する。
図４、５に示されている第１基板（以下、単に基板という）110は透明な絶縁物（好ましくはガラスまたはプラスチック）で作られている。基板110の上には複数の反射補助部材119が形成されている。各反射補助部材119は好ましくは各画素の反射領域RAのほぼ全体を覆っている。反射補助部材119は好ましくは、高屈折層及び低屈折層を含む誘電体多重膜から成る。誘電体多重膜に含まれている各膜の屈折率nと厚さdとは好ましくは次式を満たす：nd＝λ／4。ここで、変数λはランプ910から出射される光の波長を表す。誘電体多重膜のうち、高屈折層は好ましくは、ZrO2、TiO2、またはZnSから成り、低屈折層は好ましくは、MgF2またはCeF2から成る。
【００１９】
基板110の上には更に複数のゲート線121が形成されている（図１、４、５参照）。ゲート線121は薄膜トランジスタ表示パネル100の横方向に延び、画素マトリクスの各行にゲート信号を伝達する。各ゲート線121は、薄膜トランジスタ表示パネル100の縦方向に突出したゲート電極124を画素ごとに一つずつ含む（図１、４参照）。ゲート線121の端部129は面積が広く、他の層または外部のゲート駆動回路に接続される（図１、５参照）。ここで、ゲート駆動回路（図示せず）はゲート信号を生成する回路であり、基板110の端に接着された可撓性印刷回路膜（図示せず）の上に実装され、または基板110の上に直接実装されている。その他に、ゲート駆動回路が基板110に集積化されていても良い。その場合は、ゲート線121がゲート駆動回路に直結されても良い。
【００２０】
反射補助部材119の上には維持電極線131と反射部材137aとが形成されている（図１、４参照）。維持電極線131はゲート線121の間を、ゲート線121とほとんど平行に延びている。維持電極線131に対しては外部から所定の電圧が印加される。その電圧は好ましくは、カラーフィルタ表示パネル200の共通電極270（図４参照）に対して印加される共通電圧と等しい。各維持電極線131は特に、隣接した二つのゲート線121の一方（図１では下側）に近い。各維持電極線131は、薄膜トランジスタ表示パネル100の縦方向に拡がった維持電極137を、交差する画素ごとに一つずつ含む。図１、４では特に、反射部材137aが維持電極137から分離した導電膜であり、維持電極137と共に各画素の反射領域RAの大部分を覆い、バックライト部900から入射した光を反射する。ここで、バックライト部900からの光は反射補助部材119を通して維持電極137と反射部材137aとに入射するので、維持電極137と反射部材137aとの各反射率が高い。反射部材137aはその他に、図２に示されているように維持電極137と一体化されていても良い。更に、図３に示されているように、反射部材177aが、維持電極137に代え、後述のドレイン電極177と一体化されていても良い。維持電極線131や反射部材137aの各形状及び配置は上記の他にも多様に変更可能である。
【００２１】
ゲート線121、維持電極線131、及び反射部材137aは光反射率の高い金属（好ましくは、アルミニウム（Al）やアルミニウム合金などのアルミニウム系金属、銀（Ag）や銀合金などの銀系金属、銅（Cu）や銅合金などの銅系金属、モリブデン（Mo）やモリブデン合金などのモリブデン系金属、クロム（Cr）、タンタル（Ta）、またはチタニウム（Ti））から成る。ゲート線121、維持電極線131、及び反射部材137aが更に、物理的性質の異なる二つの導電膜を含む多重膜であっても良い。一方の導電膜は比抵抗の低い金属（好ましくは、アルミニウム系金属、銀系金属、または銅系金属）から成り、信号遅延や電圧降下を減らす。他方の導電膜は、特にＩＴＯ（indium  tin  oxide）及びＩＺＯ（indium  zinc  oxide）との物理的、化学的、及び電気的な接触特性に優れた物質（好ましくは、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、またはタンタル）から成る。このような二つの導電膜の組み合わせは好ましくは、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜との組み合わせ、またはアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜との組み合わせである。ゲート線121、維持電極線131、及び反射部材137aはその他にも多様な金属または導電体で作られていても良い。ゲート線121、維持電極線131、及び反射部材137aの各側面は好ましくは、基板110の表面に対して約30度〜80度の角度で傾斜している。
【００２２】
ゲート線121、維持電極線131、及び反射部材137aは、ゲート絶縁膜140で覆われている（図４参照）。ゲート絶縁膜140は好ましくは窒化ケイ素（SiNx）または酸化ケイ素（SiOx）から成る。ゲート絶縁膜140の上には複数の線状半導体151が形成されている（図１参照）。線状半導体151は好ましくは水素化非晶質シリコン（a−Si：H）または多結晶シリコンから成る。線状半導体151は画素の間を薄膜トランジスタ表示パネル100の縦方向に延び、各ゲート線121と各維持電極線131と交差している。各交差点の付近では線状半導体151の幅が拡がり、ゲート線121及び維持電極線131を広く覆っている。各線状半導体151は更に、ゲート線121との各交差点付近に突出部154及び拡張部157を一つずつ含む。各突出部154は薄膜トランジスタ表示パネル100の横方向に突き出てゲート絶縁膜140を隔ててゲート電極124を覆っている。拡張部157は突出部154から更に薄膜トランジスタ表示パネル100の横方向に延び、ゲート絶縁膜140を隔てて維持電極137と重なっている。線状半導体151の側面は好ましくは基板110の表面に対して30度〜80度程度の角度で傾斜している。
【００２３】
各線状半導体151の上には線状オーミックコンタクト層161及び複数の島型オーミックコンタクト層165が形成されている（図４参照）。オーミックコンタクト層161、165は好ましくは、ｎ＋水素化非晶質シリコン（リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされている水素化非晶質シリコン）、またはシリサイドから成る。線状オーミックコンタクト層161は線状半導体151の上を薄膜トランジスタ表示パネル100の縦方向に延びている。各線状オーミックコンタクト層161は更に、各ゲート線121との交差点付近に突出部163を一つずつ有する。突出部163は線状半導体151の突出部154の上に拡がり、ゲート電極124と重なっている。島型オーミックコンタクト層165は一つずつ、線状半導体151の各突出部154から各拡張部157にかけて拡がっている。線状オーミックコンタクト層161の突出部163と島型オーミックコンタクト層165との対が線状半導体151の突出部154の上で、特にゲート電極124の上方で、所定の距離を隔てて対向している。オーミックコンタクト層161、163、165の各側面は好ましくは基板110の表面に対して30度〜80度程度の角度で傾斜している。
【００２４】
各線状オーミックコンタクト層161、163及びその近傍のゲート絶縁膜140の部分はデータ線171で覆われている（図１、４参照）。データ線171は画素の間を薄膜トランジスタ表示パネル100の縦方向に延び、画素マトリクスの各列にデータ信号を伝達する。各データ線171は各ゲート線121との交差点付近に、薄膜トランジスタ表示パネル100の横方向に突き出してゲート電極124と重なっているソース電極173を含む。ソース電極173は特に線状オーミックコンタクト層161の突出部163の上に拡がり、所定の距離を隔てて島形オーミックコンタクト層165の先端部を囲んでいる。データ線171の端部179は面積が広く、他の層または外部のデータ駆動回路と接続される（図１、５参照）。ここで、データ駆動回路（図示せず）はデータ信号を生成する回路であり、基板110の端に接着された可撓性印刷回路膜（図示せず）の上に実装され、または基板110の上に直接実装される。その他に、データ駆動回路が基板110に集積化されていても良い。その場合、データ線171がデータ駆動回路に直結されていても良い。データ線171の大部分は線状半導体151より幅が大きい（図１参照）。但し、ゲート線121と維持電極線131との各交差点では線状半導体151の幅が広いので表面の形状が滑らかである。それにより、過大な漏れ電流の集中が回避されるので、それに起因するデータ線171の断線が防止される。
【００２５】
各島型オーミックコンタクト層165及びその近傍のゲート絶縁膜140の部分はドレイン電極175で覆われている（図１、４参照）。ドレイン電極175はデータ線171から分離され、各画素に一つずつ設けられた電極である。各ドレイン電極175は島型オーミックコンタクト層165の上に拡がり、ほぼＪ字型である。そのＪ字型の棒状の端部がゲート電極124の上方で、所定の距離を隔ててソース電極173に囲まれている。一方、各ドレイン電極175はそのＪ字型の屈曲した端部に、面積の広い拡張部177を含む。拡張部177は全体が維持電極137と重なっている。ここで、図３に示されているように、ドレイン電極175の拡張部177が反射領域RAのほぼ全体に拡がり、反射部材177aとして、バックライト部190からの光の反射に利用されても良い。
【００２６】
ゲート電極124、その上を覆っているゲート絶縁膜140の部分、その上にある線状半導体151の突出部154、ソース電極173、及びドレイン電極175が、一つの薄膜トランジスタ（thin  film  transistor、ＴＦＴ）を構成している（図１、４参照）。特に、その薄膜トランジスタのチャネルが、ソース電極173とドレイン電極175との間から露出した線状半導体151の突出部154の部分に形成される。ここで、線状オーミックコンタクト層161が線状半導体151とデータ線との間に存在し、線状オーミックコンタクト層161の突出部163が線状半導体151の突出部154とソース電極173との間に存在し、島型オーミックコンタクト層165が線状半導体151の突出部154とドレイン電極175との間に存在するので、それらの間の接触抵抗が低い。
【００２７】
データ線171及びドレイン電極175は好ましくは、モリブデン、クロム、タンタル、若しくはチタニウムなどの耐熱性金属、またはこれらの合金から成り、更に好ましくは、耐熱性金属膜と低抵抗導電膜とを含む多重膜である。その多重膜は好ましくは、クロム製若しくはモリブデン（合金）製の下部膜とアルミニウム（合金）製の上部膜とから成る二重膜、またはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜との三重膜である。データ線171及びドレイン電極175がその他の多様な金属または導電体で作られていても良い。データ線171及びドレイン電極175の各側面は好ましくは、基板110の表面に対して30度〜80度程度の角度で傾斜している。
【００２８】
データ線171、ドレイン電極175、及び線状半導体151の露出部分は保護膜180で覆われている（図４参照）。保護膜180は好ましくは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物で作られた下部保護膜180pと、有機絶縁物で作られた上部保護膜180qとを含む。上部保護膜180qの誘電率は好ましくは4.0以下である。上部保護膜180qは更に好ましくは感光性を有する。上部保護膜180qの表面には好ましくは凹凸が形成されている（図４参照）。また、各画素の透過領域TAでは上部保護膜180qに開口部186が形成され、下部保護膜180pの一部が露出している。好ましくは、透過領域TAでの液晶層3の厚さ、すなわちセル間隔が、反射領域RAでのセル間隔の2倍である。保護膜180は図４に示されたものの他に、無機絶縁物または有機絶縁物などで作られた単一膜であっても良い。保護膜180には更に、各データ線171の端部179を露出させる第２コンタクトホール182（図１、５参照）と、各ドレイン電極175を露出させる第３コンタクトホール185（図１４参照）とが形成されている。保護膜180とゲート絶縁膜140とには、各ゲート線121の端部129を露出させる第１コンタクトホール181が形成されている（図１、５参照）。各第１コンタクトホール181では、保護膜180の上に第１コンタクト補助部材81が形成され、各第２コンタクトホール182では、保護膜180の上に第２コンタクト補助部材82が形成されている。
【００２９】
保護膜180の上には複数の画素電極191が形成されている（図１、４参照）。各画素電極191は各画素を一つずつ覆っている。画素電極191は透明電極192及びその上に重ねられた反射電極194を含む。透明電極192は好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質から成り、反射電極194は好ましくは、アルミニウム、銀、クロム、またはそれらの合金などの光反射率の高い金属から成る。反射電極194が更に、アルミニウム、銀、またはそれらの合金などの低抵抗でかつ高反射率の上部膜と、モリブデン系金属、クロム、タンタル、またはチタニウムなど、ＩＴＯまたはＩＺＯとの接触特性の優れた下部膜との二重膜であっても良い。透明電極191は各画素のほぼ全域を覆っている。一方、反射電極194には各画素の透過領域TAに透過窓195が形成されている。透過窓195の位置は上部保護膜180qの開口部186の位置と一致し、透明電極192が露出している。すなわち、反射電極194は各画素の反射領域RAでのみ、透明電極192の上に存在している。従って、透過領域TAではバックライト部900からの光が反射電極194に阻まれることなく、薄膜トランジスタ表示パネル100を透過して液晶層3に入射する。反射領域RAではカラーフィルタ表示パネル200と液晶層3とを透過した外部光が、液晶層3に面した反射電極194の表面で反射される。好ましくは透過領域TAでのセル間隔が反射領域RAでのセル間隔の2倍であるので、透過領域TAを透過するバックライト部900の光と反射領域RAで反射される外部光との間では液晶層3内の光路差が相殺される。更に、反射領域RAでは好ましくは、上部保護膜180qの表面の凹凸により画素電極191の表面が波打っている。それにより、反射電極194の表面では外部光が乱反射されるので光利用効率が向上する。その上、液晶表示装置の画面には外部の物体が映りにくい。
【００３０】
画素電極191は第３コンタクトホール185を通じてドレイン電極175に接続されている（図１、４参照）。ゲート線121を伝わるゲート信号により上記の薄膜トランジスタがターンオンするとき、データ線171からドレイン電極175を通じて画素電極191に対してデータ電圧が印加される。そのとき、画素電極191とカラーフィルタ表示パネル200の共通電極270、及びそれらの間に挟まれた液晶層3で構成された液晶キャパシタが、データ電圧と共通電圧との間の差により充電される。更に、ゲート絶縁膜140を隔てて互いに対向するドレイン電極175の拡張部177と維持電極137とで構成されたストレージキャパシタが、データ電圧と共通電圧との間の差により充電される。液晶キャパシタとストレージキャパシタとにより、薄膜トランジスタがターンオフした後も、画素電極191と共通電極270との間では電圧の差による電場が安定に維持され、液晶層3に含まれている液晶分子の配向方向を決定する。その液晶分子の配向方向に応じ、液晶層3を透過する光の偏光方向が変わる。
【００３１】
図１、２では反射部材137aが、図３では反射部材177aが反射領域RA内を、反射領域RAと透過領域TAとの間の境界付近まで拡がっている。これらの反射部材137a、177aが、維持電極137及びドレイン電極175の拡張部177と共に、バックライト部900から反射領域RAに入射した光を反射する。反射部材137a、177a、維持電極137、及びドレイン電極175の拡張部177より背面側には、保護膜180のような光吸収率の高い物質が少ないので、反射部材137a、177a、維持電極137、及びドレイン電極175の拡張部177により反射された光はほとんど減衰することなく、透過領域TAに誘導される。こうして、バックライト部900から反射領域RAに入射した光が失われることなく、誘導領域TAで有効に活用される。ここで、反射補助部材119が反射領域RAの全体を覆っているので、バックライト部900から反射領域RAに入射する光は反射補助部材119で屈折し、様々な方向に散乱する。それにより、反射部材137a、177a、及び維持電極137のそれぞれの実質的な反射率が向上する。
【００３２】
次に、カラーフィルタ表示パネル200の詳細について説明する（図４参照）。
第２基板（以下、単に基板という）210は透明な絶縁物（好ましくはガラスまたはプラスチック）で作られている。基板210は位相遅延膜24で覆われている。位相遅延膜24は透過光に対し、反射領域RAと透過領域TAとで異なる位相差を与える。好ましくは、反射領域RAでは位相遅延膜24を通過した光に1／4波長の位相差が生じる。より詳細には、反射領域RAでは位相遅延膜24が互いに直交する進相軸と遅相軸とを含み、各軸に平行な二つの偏光成分の一方に対して1／4波長ほどの位相差を付与する。それにより、線偏光を円偏光に変え、逆に円偏光を線偏光に変える。一方、透過領域TAでは位相遅延膜24を通過した光には位相差が生じない。位相遅延膜24は好ましくは液晶ポリマーから成り、更に好ましくはその液晶ポリマーが、ネマチック相を示す紫外線硬化性の液晶モノマーを硬化したものから成る。このように、カラーフィルタ表示パネル200に設置された位相遅延膜24により透過光に与えられる位相差が反射領域RAと透過領域TAとの間で異なるので、薄膜トランジスタ表示パネル100の背面には位相遅延膜が設置されなくても良い。従って、バックライト部900から反射領域RAに入射した光が反射部材137a等で反射された後も、偏光板12には吸収されにくい。
【００３３】
位相遅延膜24の上には遮光部材220が形成されている（図４参照）。遮光部材220はブラックマトリックスとも言い、液晶層3を隔てて各画素電極191と対向する開口領域を区切り、それらの領域間からの光漏れを防止する。基板210、位相遅延膜24、及び遮光部材220の上には複数のカラーフィルタ230が形成されている。各カラーフィルタ230は、遮光部材220に囲まれた各開口領域の内側を覆っている。各カラーフィルタ230が、画素マトリクスの各列に沿ってカラーフィルタ表示パネル200の縦方向に長く延びる帯であってもよい。各カラーフィルタ230の色は好ましくは、三原色（赤色、緑色、及び青色）などの基本色である。各カラーフィルタ230が更に、反射領域RAより透過領域TAで厚くてもよい。それにより、透過領域TAを透過するバックライト部900の光と反射領域RAで反射される外部光との間では、カラーフィルタ230内の光路差に起因する色調の差が補償される。その他に、透過領域TAと反射領域RAとの間ではカラーフィルタ230の厚さが同一に維持されたまま、反射領域RAのカラーフィルタ230に光孔が形成され、それによって色調の差が補償されても良い。尚、カラーフィルタ230が図４とは異なり、基板210と位相遅延膜24との間に配置されていても良い。その場合、カラーフィルタ230の厚さを色によって変えることにより、位相遅延膜24の厚さをカラーフィルタ230の色によって変化させても良い。それにより、各カラーフィルタ230の中心波長の光に対して与えられる位相差が1／4波長に調節される。
遮光部材220及びカラーフィルタ230は共通電極270で覆われている。共通電極270は好ましくは、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で作られている。
【００３４】
以下、本発明の上記の実施形態による液晶表示装置の表示原理を説明する（図６参照）。ここで、液晶層3がねじれネマチック（twisted  nematic、ＴＮ）型であると仮定する。また、図６では、第１偏光板12が紙面に対して垂直な方向の偏光成分を通過させること、及び第２偏光板22がその偏光成分と直交する方向、つまり、紙面に平行な方向の偏光成分を通過させることを仮定する。
【００３５】
まず、カラーフィルタ表示パネル200の前面に入射する外部光を利用した表示原理について説明する（図６参照）。
第２偏光板22の前面に入射した外部光R1は第２偏光板22を透過することで、紙面に平行な線偏光R2になる。線偏光R2は位相遅延膜24を透過することで左円偏光R3に変換される。液晶層3に対して電場が印加されていない期間、反射領域RAでは液晶層3を透過する光にはほぼ1／4波長の位相差が与えられる。従って、左円偏光R3は液晶層3を透過することで、紙面に対して垂直な線偏光R4になる。線偏光R4は反射電極194で反射され、液晶層3を再び透過して左円偏光R3に戻される。左円偏光R3は位相遅延膜24の透過により、紙面に平行な線偏光R2になって第２偏光板22を透過し、第２偏光板22の前面から液晶表示装置の前方に出射される。こうして、液晶表示装置の画面は明表示Wとなる。一方、液晶層3に対して十分な大きさの電場が印加されている期間では、液晶分子のほぼ全てが二つの表示パネル100、200の表面に対して垂直となるので、液晶層3を透過する光の位相が変わらない。従って、第２偏光板22と位相遅延膜24との透過により左円偏光に変換された外部光R3は、液晶層3を元の偏光状態のまま透過する。液晶層3を透過した左円偏光R3は反射電極194で反射されて右円偏光R5に変換される。右円偏光R5は液晶層3を元の偏光状態のまま透過し、位相遅延膜24の透過により、紙面に対して垂直な線偏光R6になる。線偏光R6は第２偏光板22を透過できないので、液晶表示装置の画面は暗表示Bとなる。
【００３６】
次に、バックライト部900から薄膜トランジスタ表示パネル100の背面に入射する光を利用した表示原理について説明する（図６参照）。
バックライト部900から反射領域RAに入射する光Q1は第１偏光板12を透過することで、紙面に対して垂直な線偏光Q2になる。線偏光Q2は、反射部材137a、177a、または維持電極137で反射されてバックライト部900に戻される。ここで、第１偏光板12には位相遅延膜がないので、反射光Q3の偏光状態が変わらない。従って、反射光Q3が第１偏光板12に吸収されることなく、そのままバックライト部900に戻り、反射板950で反射される。以後、反射部材137a、177a、または維持電極137と反射板950との間では同様な反射が繰り返される。その結果、バックライト部900から反射領域RAに入射した光Q1が透過領域TAに誘導される。好ましくは、反射部材137a、177a（図１〜３参照）が反射領域RAの端部まで延びてバックライト部900の光を直接反射する。それによりバックライト部900の光が反射電極194まで到達することを防ぎ、反射電極194の凹凸による乱反射や上部保護膜180qでの吸収を防止し、バックライト部900の光の利用効率を高める。
【００３７】
図６に示されているように、バックライト部900から第１偏光板22の背面に入射した光は第１偏光板22を透過することで、紙面に対して垂直な線偏光Q2になる。線偏光Q2は液晶層3を透過する。ここで、液晶層3に対して電場が印加されていない期間、透過領域TAでは、液晶層3を透過する光に対してほぼ1／4波長の位相差が与えられるように、液晶層3の厚みが調節されている。その場合、線偏光Q2は液晶層3の透過により、円偏光Q4になる。透過領域TAでは位相遅延膜24が透過光に対して位相差を与えないので、円偏光Q4はそのまま第２偏光板22に入射し、紙面に平行な偏光成分が第２偏光板22を透過する。こうして、液晶表示装置の画面は明表示Wとなる。尚、液晶層3に対して電場が印加されていない期間、透過領域TAでは、液晶層3を透過する光に対してほぼ1／2波長の位相差が与えられるように、液晶層3の厚みが調節されていても良い。その場合、線偏光Q2が液晶層3の透過により、紙面に平行な線偏光Q5に変わる。線偏光Q5はそのまま、位相遅延膜24と第２偏光板22とを透過する。こうして、液晶表示装置の画面は明表示Wとなる。一方、液晶層3に対して十分な大きさの電場が印加されている期間では、液晶分子のほぼ全てが二つの表示パネル100、200の表面に対して垂直となるので、液晶層3を透過する光の位相が変わらない。従って、バックライト部900から第１偏光板12を透過した線偏光Q2は液晶層3と位相遅延膜24とをそのまま透過するので、第２偏光板22を透過できない。従って、液晶表示装置の画面は暗表示Bとなる。
【００３８】
以下、本発明による液晶表示装置の製造方法のうち、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法について説明する（図７Ａ〜７Ｅ参照）。
第一の工程では、図７Ａに示されているように、基板110の上に、好ましくはスパッタリングによって低屈折膜119a及び高屈折膜119bを交互に積層し、誘電体多重膜を形成する。その後、フォトエッチング工程により誘電体多重膜をエッチングし、各画素の反射領域RAに反射補助部材119を形成する。
【００３９】
第二の工程では、まず、基板110及び反射補助部材119を好ましくはスパッタリングによって導電膜で覆う。導電膜は好ましくは、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、またはタンタルから成る。次に、フォトエッチング工程で導電膜をエッチングし、図７Ｂに示されているように、ゲート電極124を含むゲート線121、維持電極137を含む維持電極線131、及び反射部材137aを形成する。ここで、図７Ｂに示されているように、反射部材137aが維持電極131に連結されていても良い（図２参照）。その他に、反射部材137aが維持電極131から分離されていても良い（図１、４参照）。
【００４０】
第三の工程では、図７Ｂに示されている基板110の上に、好ましくは低圧化学気相蒸着（ＬＰＣＶＤ：low  temperature  chemical  vapor  deposition）またはプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：plasma  enhanced  chemical  vapor  deposition）によって、ゲート絶縁膜140、水素化非晶質シリコン膜、及びｎ＋非晶質シリコン膜を順番に積層し、ゲート線121及び維持電極線131を覆う。更に、図７Ｃに示されているように、水素化非晶質シリコン膜とｎ＋非晶質シリコン膜とをパターニングし、突出部154と拡張部157とを含む線状半導体151、及び線状半導体151を覆うオーミックコンタクトパターン164を形成する。
【００４１】
第四の工程では、図７Ｃに示されている基板110の上に、耐熱性金属（好ましくは、クロム、モリブデン系金属、タンタル、またはチタニウム）から成る導電膜を好ましくはスパッタリングによって積層する。更に、フォトエッチング工程で導電膜をエッチングし、図７Ｄに示されているように、ソース電極173を含むデータ線171とドレイン電極175とを形成する。ここで、図３に示されているように、ドレイン電極175と連結され、かつ反射領域RAと透過領域TAとの間の境界まで拡がっている反射部材177aが形成されても良い。続いて、データ線171とドレイン電極175とのいずれにも覆われていないオーミックコンタクトパターン164の部分を除去し、オーミックコンタクトパターン164を二つのオーミックコンタクト層163、165に分離する。それと同時に、二つのオーミックコンタクト層163、165の間から線状半導体の突出部154を露出させる。好ましくは、露出した線状半導体の突出部154の表面に酸素プラズマを照射し、その表面を安定化させる。
【００４２】
第五の工程では、まず、図７Ｄに示されている基板110の上に、窒化ケイ素などから成る下部保護膜180pを好ましくは化学気相蒸着（ＣＶＤ）で形成し、その上に、有機物質から成る上部保護膜180qを塗布する。次に、フォトエッチング工程により上部保護膜180qをパターニングし、図７Ｅに示されているような複数の小開口部187を上部保護膜180qに形成し、ドレイン電極の拡張部177を覆っている下部保護膜180pの一部を露出させる。更に、上部保護膜180qの表面に凹凸パターンを形成し、各画素の透過領域から上部保護膜180qを除去して開口部186を形成し、下部保護膜180pを露出させる。続いて、感光膜パターンを利用したフォトエッチング工程で下部保護膜180pをパターニングし、特に小開口部187から露出した部分を除去して第３コンタクトホール185を完成させる（図７Ｅ参照）。
【００４３】
第六の工程では、まず、図７Ｅに示されている基板110の上に複数の透明電極192を形成する（図７Ｆ参照）。そのとき、透明電極192は特に、第３コンタクトホール185を通じてドレイン電極175（の拡張部177）に連結される。また、各画素の透過領域には、透過窓195が形成される。次に、各画素の反射領域では、上部保護膜180qを覆っている透明電極192の上に反射電極194を形成する。こうして、薄膜トランジスタ表示パネル100が完成する。
【００４４】
以下、本発明による液晶表示装置の製造方法のうち、カラーフィルタ表示パネルの製造方法について説明する（図８Ａ〜８Ｄ参照）。
第一の工程では、図８Ａに示されているように、基板210の上に位相遅延膜24を形成する。ここで、位相遅延膜24は好ましくは、反射領域RAでは透過光に対して1／4波長の位相差を与え、透過領域TAでは透過光に対して位相差を与えない。位相遅延膜24は好ましくは以下の工程順に形成される。まず、基板210の上にポリイミドを印刷してラビングすることによって配向層（図示せず）を形成する。ここで、ラビング工程では好ましくは、マスクラビングまたは光配向処理を行い、ラビング方向を、反射領域RAでは偏光板の透過軸から45度傾斜させ、透過領域TAでは偏光板の透過軸に対して平行にする。次に、配向層上に液晶ポリマー、または、ネマチック相を示す紫外線硬化性の液晶モノマーを好ましくはスピンコーティングによって塗布し、その塗膜を露光して位相遅延膜24を形成する。
【００４５】
第二の工程では、位相遅延膜24の上に、遮光特性に優れた物質を積層し、マスクを利用したフォトエッチング工程でパターニングする。こうして、図８Ｂに示されているような遮光部材220を形成する。
第三の工程では、基板210及び位相遅延板24の上に、顔料を含む感光性組成物を塗布し、図８Ｃに示されているようなカラーフィルタ230を好ましくは色別に形成する。ここで、カラーフィルタ230が反射領域RAより透過領域TAで厚くても良い。より詳細には、まず、顔料を含む感光液を基板210の上に塗布してフリーベークを行い、塗膜から残存する溶媒を除去する。次に、その塗膜を部分露光し、場所に応じて光硬化度に差を生じさせる。その状態で現像することにより、カラーフィルタ230の厚さが場所ごとに変化する。その他に、反射領域RAではカラーフィルタ230に光孔を形成しても良い。その光孔は好ましくは透明な有機膜で満たされている。尚、図８Ａ〜８Ｃとは異なり、位相遅延膜24の形成に先立って基板210の上にカラーフィルタ230が形成されても良い。その場合、カラーフィルタ230の厚さがカラーフィルタ230の色ごとに異なっていることにより、その上に形成される位相遅延膜24の厚さが調節されても良い。それにより、位相遅延膜24が透過光に対し、各カラーフィルタ230の中心波長の1／4の位相差を与えるようにできる。
【００４６】
第四の工程では、図８Ｄに示されているように、遮光部材220とカラーフィルタ230との全体を共通電極270で覆う。こうして、カラーフィルタ表示パネル200が完成する。
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明した。しかし、本発明の技術的範囲は上記の実施形態に限定されるわけではない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲で定義されている本発明の基本概念を利用して種々の変形や改良が可能であろう。従って、それらの変形や改良も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの平面図
【図２】本発明の他の実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの平面図
【図３】本発明の別の実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの平面図
【図４】図１に示されている折線IV−IVに沿った断面の展開図
【図５】図１に示されている折線V−Vに沿った断面の展開図
【図６】本発明の実施形態による液晶表示装置の表示原理を示す模式図
【図７Ａ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法の第一工程を示す断面図
【図７Ｂ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法の第二工程を示す断面図
【図７Ｃ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法の第三工程を示す断面図
【図７Ｄ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法の第四工程を示す断面図
【図７Ｅ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法の第五工程を示す断面図
【図７Ｆ】本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法の第六工程を示す断面図
【図８Ａ】本発明の一実施形態によるカラーフィルタ表示パネルの製造方法の第一工程を示す断面図
【図８Ｂ】本発明の一実施形態によるカラーフィルタ表示パネルの製造方法の第二工程を示す断面図
【図８Ｃ】本発明の一実施形態によるカラーフィルタ表示パネルの製造方法の第三工程を示す断面図
【図８Ｄ】本発明の一実施形態によるカラーフィルタ表示パネルの製造方法の第四工程を示す断面図
【符号の説明】
【００４８】
12、22  偏光板
24  位相遅延膜
81、82  コンタクト補助部材
100  薄膜トランジスタ表示パネル
110  第１基板
119  反射補助部材
121  ゲート線
124  ゲート電極
131  維持電極線
137  維持電極
137a、177a  反射部材
140  ゲート絶縁膜
151、154  線状半導体
161、163、165  オーミックコンタクト層
171  データ線
173  ソース電極
175、177  ドレイン電極
180  保護膜
181、182、185  コンタクトホール
191  画素電極
192  透明電極
194  反射電極
200  カラーフィルタ表示パネル
210  第２基板
220  遮光部材
230  カラーフィルタ
270  共通電極
900  バックライト部
910  ランプ
940  導光板
950  反射板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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