(57)【要約】【課題】マイクロミラーアレイの製造方法及び光学素子の製造方法を提供する。【解決手段】（イ）基板上に固定層及び磁性層を順次に形成させてパターニングした後、磁性層の磁化方向を整列させる工程と、（ロ）パターニングされた固定層及び磁性層のパターン領域の周辺に接合層を形成させる工程と、（ハ）基板に対してダイシング工程を実施して、それぞれのパターニングされた固定層及び磁性層のパターン別に分離する工程と、（二）分離された固定層及び磁性層のパターン領域の側部の基板面にミラー面を形成させて、単位マイクロミラー構造体を形成させる工程と、（ホ）単位マイクロミラー構造体のサイズに対応する複数のグルーブを有するホルダ内に、単位マイクロミラー構造体を載置させてマイクロミラーアレイを形成させる工程と、を含むマイクロミラーアレイの製造方法である。【選択図】図２Ｇ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロミラーアレイの製造方法において、
（イ）基板上に固定層及び磁性層を順次に形成させてパターニングした後、前記磁性層の磁化方向を整列させる工程と、
（ロ）前記パターニングされた固定層及び磁性層のパターン領域の周辺に接合層を形成させる工程と、
（ハ）前記基板に対してダイシング工程を実施して、前記それぞれのパターニングされた固定層及び磁性層のパターン別に分離する工程と、
（二）前記分離された固定層及び磁性層のパターン領域の側部の基板面にミラー面を形成させて、単位マイクロミラー構造体を形成させる工程と、
（ホ）前記単位マイクロミラー構造体のサイズに対応する複数のグルーブを有するホルダ内に、前記単位マイクロミラー構造体を載置させてマイクロミラーアレイを形成させる工程と、を含むことを特徴とするマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項２】
前記基板は、Ｓｉまたはガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項３】
前記固定層は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＴｉまたはＰｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項４】
前記磁性層は、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＮｄＦｅＢ、ＮｉＦｅまたはＦｅＰｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイの製造方法。
【請求項５】
前記ホルダは、前記単位マイクロミラー構造体を載置させるためのグルーブを備えることを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーアレイの製造方法
【請求項６】
マイクロミラーを備える光学素子の製造方法において、
（イ）第１固定層及び第１磁性層のパターンが形成され、前記パターンの周辺に形成された第１接合層を備え、その一側にミラー面の形成されたマイクロミラーアレイが載置されたホルダを設ける工程と、
（ロ）前記マイクロミラー上の前記第１固定層及び第１磁性層のパターンに対応する領域に、前記第１磁性層の磁化方向と逆方向の磁化方向を有する第２磁性層が形成されたフォトダイオードアレイを設ける工程と、
（ハ）前記マイクロミラーアレイ及び前記フォトダイオードアレイを相互接合し、前記マイクロミラーアレイが載置されたホルダを分離する工程と、
（二）前記マイクロミラーアレイを前記フォトダイオードアレイ上にボンディングさせ、それぞれの単位光学素子別にダイシングする工程と、を含むことを特徴とするマイクロミラーアレイを備える光学素子の製造方法。
【請求項７】
前記（イ）工程は、
基板上に第１固定層及び第１磁性層を順次に形成させてパターニングした後、前記磁性層の磁化方向を整列させる工程と、
前記パターニングされた第１固定層及び第１磁性層のパターン領域の周辺に接合層を形成させる工程と、
前記基板に対してダイシング工程を実施して、前記それぞれのパターニングされた第１固定層及び第１磁性層のパターン別に分離する工程と、
前記分離された第１固定層及び第１磁性層のパターン領域の側部の基板面にミラー面を形成させて、単位マイクロミラー構造体を形成させる工程と、
前記単位マイクロミラー構造体のサイズに対応する複数のグルーブを有するホルダ内に前記単位マイクロミラー構造体を載置させてマイクロミラーアレイを形成させる工程と、を含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーを備える光学素子の製造方法。
【請求項８】
前記（ロ）工程は、
基板上に複数のグルーブを形成させる工程と、
前記基板上に第２固定層及び第２磁性層を形成させてパターニングした後、前記第２磁性層の磁化方向を前記第１磁性層の磁化方向と逆方向に整列させる工程と、
前記パターニングされた前記第２固定層及び前記第２磁性層の周辺に第２接合層を形成させる工程と、を含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーを備える光学素子の製造方法。
【請求項９】
前記基板は、Ｓｉまたはガラスから形成されたことを特徴とする請求項１に記載のマイクロミラーを備える光学素子の製造方法。
【請求項１０】
前記固定層は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＴｉまたはＰｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーを備える光学素子の製造方法。
【請求項１１】
前記磁性層は、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＮｄＦｅＢ、ＮｉＦｅまたはＦｅＰｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする請求項６に記載のマイクロミラーを備える光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロミラーを備える光学素子の製造方法に係り、特に、超小型光学部品として広く使用されるマイクロミラーを精密に製造可能なマイクロミラーを備える光学素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロミラーは、光ピックアップ装置、光通信システム等に広く使用される光学素子である。光ピックアップが使用される光情報記録装置は、光ディスクに／から情報を記録／再生できる。
【０００３】
光ディスクに／から情報を記録／再生する光情報記録装置は、光エネルギーを利用して高い記録密度を達成できるように使用する光源の波長を縮め、対物レンズの開口数を増加させる方向に開発が進められている。例えば、ＣＤ用光情報記録装置は、７８０ｎｍの波長を有する光源及び０.４５の開口数（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ：ＮＡ）を有する対物レンズを採用しており、ＤＶＤ用光情報記録装置は、６５０ｎｍの波長を有する光源及び０.６の開口数を有する対物レンズを採用している。
【０００４】
最近では、光ディスクを携帯型情報機器に採用しようとする趨勢によって、超小型光ピックアップの開発が活発に進められている。光ピックアップの製造において、半導体工程を利用しようとする試みがある。従来の光ピックアップの製造工程は、数ｍｍ単位の光学部品を組立てる過程で、各部品相互間の光軸の調整に長時間を必要とし、自動化率が低下するという短所がある。しかし、光ピックアップを半導体工程で製造する場合、ウェーハレベルで製造できるので量産が可能であり、小型化が可能であり、組立て及び調整が容易であるという長所がある。
【０００５】
図１Ａないし図１Ｅは、従来の技術によるマイクロミラーを半導体工程で製造する工程を示す図面である。
【０００６】
図１Ａに示すように、シリコンインゴットを（１００）面から［０１１］方向に対して９.７４°のオフ−アクシスになるように切断して、５００μｍの厚さにシリコンウェーハ１０を形成する。そして、図１Ｂに示すように、シリコンウェーハ１０の両面にＳｉＯ２またはＳｉＮｘでエッチングマスク層１１，１２を形成する。
【０００７】
図１Ｃに示すように、フォトリソグラフィ工程でエッチングマスク層１１の一部にエッチングウィンドウ１３を形成させる。
【０００８】
次いで、図１Ｄに示すように、エッチングウィンドウ１３が形成されたシリコンウェーハ１０を適正温度に維持されたＫＯＨ、ＴＭＡＨなどのシリコン異方性エッチング液に担持して湿式エッチングを実施する。所定時間エッチングが進められれば、図１Ｄに示すように、シリコンウェーハ１０の下面に対して約４５°の傾斜角を有する第１面１５ａと、約６４.４８°の傾斜角を有する第２面１５ｂとが形成される。ここで、１４は、エッチングされたシリコンウェーハ１０領域を示すものである。
【０００９】
その後、図１Ｅに示すように、エッチングマスク層１１，１２を除去し、シリコンウェーハを切断して、第１面及び第２面をマイクロミラーとして使用する。
【００１０】
前記のマイクロミラーは、ウェーハレベルで製造可能であり、長波長の光源を使用するか、またはエッチングの深さが浅い場合、所望の面精度が得られる。しかし、図１Ａないし図１Ｅに示す従来のマイクロミラーの製造方法では、エッチングの深さが数百μｍ以上である場合、一般的な光ピックアップ用の光学部品で要求される形状精度を表面形状の精度が充足させ難いという点がある。例えば、光ピックアップ素子に使用する場合、ミラーアレイを製作した後、ダイシング過程を経つつクラックが発生し、フォトダイオードと接合するボンディング工程時に破壊されやすいという短所がある。
【００１１】
通常のアレイ状の大面積のマイクロミラーをエッチング工程により製造する場合、非常に純度の高い大面積のＳｉウェーハを使用し、実験条件を厳格に管理せねばならず、一つのウェーハをエッチングするのに約８時間ないし１０時間もかかるので、経済性の側面においても大きな問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前記問題点を解決するためになされたものであって、マイクロミラーの製造、及びウェーハレベルで接合層を形成するためのフォト工程が簡単であり、個別マイクロミラーを所望の位置に正確に位置させて、他の部品との接合が正確かつ安定的に行われるマイクロミラーアレイ及びそれを備える光学素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明では、前記目的を達成するために、マイクロミラーアレイの製造方法において、（イ）基板上に固定層及び磁性層を順次に形成させてパターニングした後、前記磁性層の磁化方向を整列させる工程と、（ロ）前記パターニングされた固定層及び磁性層のパターン領域の周辺に接合層を形成させる工程と、（ハ）前記基板に対してダイシング工程を実施して、前記それぞれのパターニングされた固定層及び磁性層のパターン別に分離する工程と、（二）前記分離された固定層及び磁性層のパターン領域の側部の基板面にミラー面を形成させて、単位マイクロミラー構造体を形成させる工程と、（ホ）前記単位マイクロミラー構造体のサイズに対応する複数のグルーブを有するホルダ内に、前記単位マイクロミラー構造体を載置させてマイクロミラーアレイを形成させる工程と、を含むことを特徴とするマイクロミラーアレイの製造方法を提供する。
【００１４】
本発明において、前記基板は、Ｓｉまたはガラス基板であることを特徴とする。
【００１５】
本発明において、前記固定層は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＴｉまたはＰｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明において、前記磁性層は、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＮｄＦｅＢ、ＮｉＦｅまたはＦｅＰｔのうち少なくとも何れか一つの物質を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明では、マイクロミラーを備える光学素子の製造方法において、（イ）第１固定層及び第１磁性層のパターンが形成され、前記パターンの周辺に形成された第１接合層を備え、その一側にミラー面の形成されたマイクロミラーアレイが載置されたホルダを設ける工程と、（ロ）前記マイクロミラー上の前記第１固定層及び第１磁性層のパターンに対応する領域に、前記第１磁性層の磁化方向と逆方向の磁化方向を有する第２磁性層が形成されたフォトダイオードアレイを設ける工程と、（ハ）前記マイクロミラーアレイ及び前記フォトダイオードアレイを相互接合し、前記マイクロミラーアレイが載置されたホルダを分離する工程と、（二）前記マイクロミラーアレイを前記フォトダイオードアレイ上に固着させ、それぞれの単位光学素子別にダイシングする工程と、を含むマイクロミラーアレイを備える光学素子の製造方法を提供する。
【００１８】
前記（ロ）工程は、基板上に複数のグルーブを形成させる工程と、前記基板上に第２固定層及び第２磁性層を形成させてパターニングした後、前記第２磁性層の磁化方向を前記第１磁性層の磁化方向と逆方向に整列させる工程と、前記パターニングされた前記第２固定層及び前記第２磁性層の周辺に第２接合層を形成させる工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、次のような長所がある。
【００２０】
第一に、マイクロミラーアレイとフォトダイオードアレイとを接合させる場合、別途の整列キーを形成させる必要がなく、強磁性層の磁化配列を調節して容易に接合させうる。
【００２１】
第二に、ウェーハレベルで高い生産性を有するように工程が可能であり、それぞれのミラー面を、従来の技術とは違って、個別的に形成させるので、湿式エッチングを利用してマイクロミラーを製造する従来の技術に比べて、その工程時間が非常に短い。
【００２２】
第三に、従来の技術によるマイクロミラーを半導体工程で製造する場合、形成されたミラー面の表面精度が、短波長を使用する光素子の要求値を満足させることが難しかったが、本発明によれば、単位マイクロミラーに対して精度自体を制御できるので、ブルーレイ光ディスク装置等に有効に適用され得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態によるマイクロミラー及びその製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
図２Ａないし図２Ｇは、本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの製造方法を示す図面である。
【００２５】
図２Ａに示すように、スパッタリングなどの工程でＳｉまたはガラスなどの基板２１上に固定層２２を形成させ、固定層２２上に磁性層２３を形成させる。固定層は、Ｔａ、Ｃａ、Ｒｕ、ＴｉまたはＰｔ等で形成させて、その上部の磁性層２３を基板２１によく付着させる役割を行う。磁性層２３は、強磁性物質を利用して形成させることが望ましく、例えば、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＮｉＦｅ、ＮｄＦｅＢまたはＦｅＰｔなどの物質を利用する。
【００２６】
図２Ｂに示すように、固定層２２及び磁性層２３を露光及びＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）、イオンミリングまたは湿式エッチング工程で一部領域の基板２１を露出させる。このとき、基板２１上には、固定層２２及び磁性層２３が一定間隔で残存し、それぞれの固定層２２及び磁性層２３のパターンは、一つの単位マイクロアレイの形成領域に対応し、このとき、エッチング領域及びエッチング幅は、任意に調節可能である。
【００２７】
図２Ｃに示すように、各固定層２２及び磁性層２３のパターンでの磁性層２３の磁化方向を一定の方向に整列させる。このために、着磁器を利用して整列させることが望ましい。このように、磁性層２３の磁化方向を一定の方向に整列させる理由は、マイクロミラーアレイとフォトダイオードアレイとの接合を容易にするためのものであり、これについては後述する。
【００２８】
図２Ｄに示すように、固定層２２及び磁性層２３のパターンの両側にそれぞれ接合層２４のパターンを形成させる。接合層２４は、例えば、Ｔｉ／Ａｕを使用して形成させる。これについて詳細に説明すれば、まず、基板２１、固定層２２及び磁性層２３のパターンの上部にフォトレジストを塗布してＰＲ層を形成させる。接合層２４が形成される位置が、開口されたフォトマスクを基板上に位置させ、フォトマスクの上部から光を照射して露光を実施する。その後、フォトマスクを除去して現像し、接合層２４が形成される位置のＰＲ層を除去する。そして、Ｔｉ／Ａｕ金属をスパッタリングまたはｅ−ビーム蒸着で蒸着させて、接合層２４が形成される位置に充填する。次いで、リフト−オフ工程によりフォトレジストを除去してＰＲ層を分離すれば、図２Ｄのように、固定層２２及び磁性層２３のパターンの両側にそれぞれ接合層が形成された構造が得られる。
【００２９】
図２Ｅに示すように、点線領域を基準にダイシング工程を実施する。すなわち、それぞれの固定層２２及び磁性層２３のパターンの両側に接合層２４のパターンが形成された構造に基板２１を分離する。そして、図２Ｆに示すように、基板２０の側部にポリシングを通じてミラー面２１ａを形成させる。ここで、ミラー面２１ａは、用途によってその傾斜角を調節して形成させうる。例えば、光ピックアップに使用される場合、４５°及び６４.４８°の傾斜角が必要であるので、それによってポリシングを実施する。これにより、複数の単位マイクロミラーを形成させうる。図２Ｆで接合層２４は、固定層２２及び磁性層２３のパターンを取り囲んだ形態になっているが、その形態は任意に調節でき、具体的に、接合層２４は、Ｓｉ光ベンチ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｐｔｉｃａｌ ｂｅｎｃｈ：ＳｉＯＢ）の単位素子とウェーハレベルで接合される領域であり、これについては後述する。
【００３０】
図２Ｇに示すように、図２Ａないし図２Ｆで形成させた複数のマイクロミラーをホルダ２５に載置させる。このとき、ミラーをホルダに接合、すなわち、固着させない。結果的に、マイクロミラーアレイの構造を完成できる。
【００３１】
次いで、図３Ａないし図３Ｆを参照して、前述したマイクロミラーアレイと結合するフォトダイオードの製造方法について説明する。
【００３２】
図３Ａに示すように、まず、例えば、シリコン基板３１上にフォト工程、及びＲＩＥまたは湿式エッチング工程を利用して、マイクロミラーと付着させる領域に対応するグルーブを形成させる。
【００３３】
図３Ｂに示すように、基板３１上に固定層３２及び磁性層３３を形成させる。ここで、固定層３２は、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｕ、ＴｉまたはＰｔを塗布して形成させる。そして、磁性層は、ＣｏＳｍ、ＣｏＰｔ、ＮｄＦｅＢ、ＮｉＦｅまたはＦｅＰｔなどの強磁性物質を塗布して形成させる。
【００３４】
図３Ｃに示すように、固定層３２及び磁性層３３を露光及びＲＩＥ、イオンミリングまたは湿式エッチング工程で一部領域の基板３１を露出させる。このとき、基板３１上には、固定層３２及び磁性層３３が一定間隔で残存し、それぞれの固定層３２及び磁性層３３のパターンは、前述した図２Ａないし図２Ｇにより製造した一つの単位マイクロミラーに対応し、このとき、エッチング領域及びエッチング幅は、単位マイクロミラーの固定層２２及び磁性層２３のパターンサイズに対応させる。
【００３５】
図３Ｄに示すように、各固定層３２及び磁性層３３のパターンでの磁性層３３の磁化方向を一定の方向に整列させる。このために、着磁器を利用して整列させることが望ましい。ここで、磁化方向を、接合させるマイクロミラーの磁性層２３の磁化方向と逆方向にする。
【００３６】
図３Ｅに示すように、固定層３２及び磁性層３３のパターンの両側にそれぞれ接合層３４のパターンを形成させる。接合層３４は、例えば、Ｔｉ／Ａｕを使用して形成させる。これを形成させる方法は、前述した図２Ｄの接合層２４の形成方法と同じ方法を使用できる。
【００３７】
結果的に、図３Ｆに示すように、基板３１上のグルーブ領域にそれぞれ固定層３２及び磁性層３３のパターンが形成されており、これを取り囲んで接合層３４が形成されたアレイ構造を確認できる。図３Ｆでは、固定層３２及び磁性層３３のパターンが形成されたグルーブ領域が個別的に形成されたものを図示したが、１列全体を含み得る長方形にグルーブ領域を形成できる。
【００３８】
次いで、図４Ａないし図４Ｃを参照して、前述したマイクロミラーアレイ及びフォトダイオードアレイを接合する工程について詳細に説明する。
【００３９】
図４Ａに示すように、ミラー面２１ａ，２１ｂが形成されたマイクロミラーアレイを、フォトダイオードアレイとそれぞれの磁性層２３，３３及び接合層２４，３４が相互対応するように接合させる。このとき、マイクロミラーアレイの磁性層２３とフォトダイオードアレイの磁性層３３とは、互いに逆方向の磁化方向に整列されているため、互いに自発的に引っ張り合う引力が作用している。反対極性を有する磁性層２３，３３のパターンにより互いに自発的な引力が作用して、サブミクロン以下の精度を有して接合する。
【００４０】
図４Ｂに示すように、マイクロミラー面２１ａ，２１ｂが形成された基板２１が載置されたホルダ２５を分離する。結果的に、図４Ｃに示すように、マイクロミラーのそれぞれは、フォトダイオードアレイに磁気力により接合された構造を有する。次いで、マイクロミラーと基板３１とを永久的にボンディングさせるために、加圧加熱工程を実施して共融結合させる。そして、図４Ｃに示すように、点線領域を基準にダイシング工程を実施すれば、単位光学素子が得られる。
【００４１】
図５及び図６は、本発明の実施形態に係るマイクロミラーとＳｉＯＢ光素子とを結合させた光ピックアップ装置の構造を示す図面である。これについて詳細に説明すれば、次の通りである。
【００４２】
図５及び図６に示すように、光ピックアップ装置は、光学ベンチである基板３１の一面に形成されたマイクロミラー面２１ａ，２１ｂを備える。基板３１の一側に設けられたマウント部４３の光源から発生する光を光通過孔４２ｂに反射させて、情報記録媒体に入射させるミラー面２１ａと、基板３１の他側に設けられ、情報記録媒体で反射されてミラー面２１ａから伝えられた反射光をメイン光検出器４４に入射させるミラー面２１ｂと、を備える。
【００４３】
メイン光検出器４４は、情報記録媒体で反射される光を受光して、情報再生信号（ＲＦ信号）及びサーボ駆動に使用されるエラー信号（例えば、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、またはチルトエラー信号）を検出する役割を行う。モニタ光検出器４５は、マウント部４３の光源から出射される光の一部を直接受光して、光量を利用してモニタリング信号を発生させる役割を行う。
【００４４】
光路分離部４２ａは、マウント部４３の光源から出射されて情報記録媒体に入射される光路と、情報記録媒体から反射される光路とを分離する。光路分離部４２ａは、回折光学素子、例えば、ＨＯＥ（Ｈｏｌｏｇｒａｍ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ）またはＤＯＥ（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ）を使用できる。
【００４５】
光ピックアップ装置の動作について簡略に説明すれば、次の通りである。マウント部４３の光源から出射された光は、ミラー面２１ａに反射されて光通過孔４２ｂを通じてＣＤなどの情報記録媒体に入射される。そして、情報記録媒体で反射された光は、光通過孔４２ｂを通じてミラー面２１ａに入射される。ミラー面２１ａで反射された光は、反対側のミラー面２１ｂに入射して、メイン光検出器４４に受光される。したがって、マイクロミラーは、光路を精密に制御できるように、ＳｉＯＢと精密に接合できる構造に形成されねばならない。本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイは、それ自体が整列面を考慮して形成されたものであって、光ピックアップなどの光学素子が要求する精度を満足させ得る。
【００４６】
前記の説明では多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。したがって、本発明の範囲は、説明された実施形態によって決まるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、光学素子に関連した技術分野に好適に適用され得る。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１Ａ】従来の技術による半導体工程を利用したマイクロミラーの製造工程を示す図面である。
【図１Ｂ】従来の技術による半導体工程を利用したマイクロミラーの製造工程を示す図面である。
【図１Ｃ】従来の技術による半導体工程を利用したマイクロミラーの製造工程を示す図面である。
【図１Ｄ】従来の技術による半導体工程を利用したマイクロミラーの製造工程を示す図面である。
【図１Ｅ】従来の技術による半導体工程を利用したマイクロミラーの製造工程を示す図面である。
【図２Ａ】本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの構造及び製造工程を示す図面である。
【図２Ｂ】本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの構造及び製造工程を示す図面である。
【図２Ｃ】本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの構造及び製造工程を示す図面である。
【図２Ｄ】本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの構造及び製造工程を示す図面である。
【図２Ｅ】本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの構造及び製造工程を示す図面である。
【図２Ｆ】本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの構造及び製造工程を示す図面である。
【図２Ｇ】本発明の実施形態によるマイクロミラーアレイの構造及び製造工程を示す図面である。
【図３Ａ】本発明の実施形態によるＰＤアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態によるＰＤアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態によるＰＤアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態によるＰＤアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｅ】本発明の実施形態によるＰＤアレイの製造方法を示す図面である。
【図３Ｆ】本発明の実施形態によるＰＤアレイの製造方法を示す図面である。
【図４Ａ】図２Ａないし図２Ｇで製作されたマイクロミラーアレイと、図３Ａないし図３Ｅにより製作されたＰＤアレイとを整列接合させる方法を示す図面である。
【図４Ｂ】図２Ａないし図２Ｇで製作されたマイクロミラーアレイと、図３Ａないし図３Ｅにより製作されたＰＤアレイとを整列接合させる方法を示す図面である。
【図４Ｃ】図２Ａないし図２Ｇで製作されたマイクロミラーアレイと、図３Ａないし図３Ｅにより製作されたＰＤアレイとを整列接合させる方法を示す図面である。
【図５】マイクロミラーアレイがＳｉＯＢとウェーハレベルで接合されて形成された光ピックアップ装置を示す図面である。
【図６】マイクロミラーアレイがＳｉＯＢとウェーハレベルで接合されて形成された光ピックアップ装置を示す図面である。
【符号の説明】
【００４９】
１０、２１  基板
１１、１２  エッチングマスク層
１３  エッチングウィンドウ
１４  エッチングされた基板領域
１５ａ、１５ｂ、２１ａ、２１ｂ  ミラー面
２２、３２  固定層
２３、３３  磁性層
２４、３４  接合層
２５  ホルダ
４０  光学ベンチ
４１  レンズ部
４２ａ  光路分離部
４２ｂ  光通過孔
４４  メイン光検出器
４５  モニタ光検出器
【図１Ａ】
2006227619.tif 000003
【図１Ｂ】
2006227619.tif 000004
【図１Ｃ】
2006227619.tif 000005
【図１Ｄ】
2006227619.tif 000006
【図１Ｅ】
2006227619.tif 000007
【図２Ａ】
2006227619.tif 000008
【図２Ｂ】
2006227619.tif 000009
【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
2006227619.tif 000011
【図２Ｅ】
2006227619.tif 000012
【図２Ｆ】
2006227619.tif 000013
【図２Ｇ】
2006227619.tif 000014
【図３Ａ】
2006227619.tif 000015
【図３Ｂ】
2006227619.tif 000016
【図３Ｃ】
2006227619.tif 000017
【図３Ｄ】
2006227619.tif 000018
【図３Ｅ】
2006227619.tif 000019
【図３Ｆ】
2006227619.tif 000020
【図４Ａ】
2006227619.tif 000021
【図４Ｂ】
2006227619.tif 000022
【図４Ｃ】
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【図５】
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【図６】
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