(57)【要約】【課題】  配線や端子同士等の短絡を防止すると共に接続抵抗を減少させ、より導通信頼性を向上させることができる異方性導電膜、その異方性導電膜を用いた半導体実装基板、電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。【解決手段】  樹脂２５中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコア２６と、該コア２６を覆う表面に凹凸を有する導電層２８と、該導電層２８を覆う絶縁層２９とを有する導電粒子２４を有する異方性導電膜２３を、第１の配線としての電極用端子１８及び入力用端子１９と端子としてのバンプ２２との間に配置することとした。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着材と、前記接着材中に分散された導電粒子とを有する異方性導電膜であって、
前記導電粒子は、
押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、
該コアを覆う表面に凹凸を有する導電層と、
該導電層を覆う絶縁層と
を具備することを特徴とする異方性導電膜。
【請求項２】
前記導電層の凹凸は、該凹凸の凸部の頂上から凹部の底までの高低差が前記コアの直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電膜。
【請求項３】
配線を有する基板と、
前記配線に電気的に接続された端子を有する半導体と、
前記配線と前記端子との間に配置され、前記基板に前記半導体を接着させる接着材と、前記接着材中に分散され、前記配線と前記端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜と
を具備し、
前記導電粒子は、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆い表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有することを特徴とする半導体実装基板。
【請求項４】
前記導電層の凹凸は、該凹凸の凸部の頂上から凹部の底までの高低差が前記コアの直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体実装基板。
【請求項５】
電気光学物質を保持し第１の配線を有する第１の基板と、
前記第１の配線に電気的に接続された端子を有する半導体と、
前記端子に電気的に接続された第１の配線と前記端子との間に配置され、前記第１の基板に前記半導体を接着させる接着材と、前記接着材中に分散され、前記第１の配線と前記端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜と
を具備し、
前記導電粒子は、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆い表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
電気光学物質を保持し第１の配線を有する第１の基板と、
前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を有する第２の基板と、
前記第２の配線に電気的に接続された端子を有する半導体と、
前記端子に電気的に接続された第２の配線と前記端子との間に配置され、前記第２の基板に前記半導体を接着させる接着材と、前記接着材中に分散され、前記第２の配線と前記端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜と
を具備し、
前記導電粒子は、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆い表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記導電層の凹凸は、該凹凸の凸部の頂上から凹部の底までの高低差が前記コアの直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下であることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項５から請求項７のうちいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる異方性導電膜、その異方性導電膜を用いた半導体実装基板、電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として液晶装置等の電気光学装置が用いられている。しかし、近年、パーソナルコンピュータや携帯電話機等も高機能化しており、用いられる液晶装置等の電気光学装置も高精度化・高機能化が求められている。
【０００３】
そこで、例えば電気光学装置の基板の配線と半導体の端子との電気的接続や基板同士の配線の電気的接続に用いられている異方性導電膜の電気的接続の信頼性を向上させる方法として、接着剤に分散された導電粒子の導電層表面に凹凸を設けると共に該導電粒子のコアを硬質の樹脂で形成することによりアンカー効果を発揮させることや、配線や端子間の狭ピッチ化による配線や端子間の当該異方性導電膜による短絡を防止するために凹凸が形成された導電層を絶縁層で覆う方法も提案されている（例えば、同特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開２０００−１３３３３０号公報（段落[０００５]から[００１３]、図５）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の方法により接続の信頼性は向上されたが導電粒子の導電層と端子や配線との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きいという問題や、導電層を覆う絶縁層が十分導電層と端子や配線との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなるなどの問題が考えられた。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、配線や端子同士等の短絡を防止すると共に接続抵抗を減少させ、より導通信頼性を向上させることができる異方性導電膜、その異方性導電膜を用いた半導体実装基板、電気光学装置及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る異方性導電膜は、接着材と、前記接着材中に分散された導電粒子とを有する異方性導電膜であって、前記導電粒子は、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆う表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明は、接着材中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆う表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有する導電粒子を具備することとしたので、例えば半導体の端子を基板上の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、導電粒子のコアのばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該端子と配線とに挟まれた導電粒子が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子の導電層と端子や配線との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【０００８】
同様に半導体の端子を基板上の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、逆に導電粒子のコアのばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層を覆う絶縁層が十分導電層と端子や配線との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【０００９】
本発明の一の形態によれば、前記導電層の凹凸は、該凹凸の凸部の頂上から凹部の底までの高低差が前記コアの直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下であることを特徴とする。これにより、コアの直径に対する凹凸の高低差が小さすぎて十分な滑り止め効果が発揮できないことを防止し、逆に高低差が大きすぎて導電層と相手側の例えば端子との接触が導電層の凸部との点接触になり接続抵抗が高くなることを防止することができ、電気的接続の導通信頼性をより向上させることができる。
【００１０】
本発明の他の観点に係る半導体実装基板は、配線を有する基板と、前記配線に電気的に接続された端子を有する半導体と、前記配線と前記端子との間に配置され、前記基板に前記半導体を接着させる接着材と、前記接着材中に分散され、前記配線と前記端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜とを具備し、前記導電粒子は、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆い表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有することを特徴とする。
【００１１】
ここで、「配線」とは例えば半導体の端子に電気的に接続するための配線に設けられた電極用端子や入力用端子等を含めるものとする。
【００１２】
本発明は、接着材中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆う表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有する導電粒子を有する異方性導電膜を基板の配線と半導体の端子との間に配置することとしたので、例えば半導体の端子を基板上の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、導電粒子のコアのばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該端子と配線とに挟まれた導電粒子が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子の導電層と端子や配線との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該配線と端子との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００１３】
同様に半導体の端子を基板上の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、逆に導電粒子のコアのばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層を覆う絶縁層が十分導電層と端子や配線との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該配線と端子との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記導電層の凹凸は、該凹凸の凸部の頂上から凹部の底までの高低差が前記コアの直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下であることを特徴とする。これにより、コアの直径に対する凹凸の高低差が小さすぎて十分な滑り止め効果が発揮できないことを防止し、逆に高低差が大きすぎて導電層と相手側の例えば端子との接触が導電層の凸部との点接触になり接続抵抗が高くなることを防止することができ、当該基板の配線と半導体の端子との電気的接続の導通信頼性をより向上させることができる。
【００１５】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電気光学物質を保持し第１の配線を有する第１の基板と、前記第１の配線に電気的に接続された端子を有する半導体と、前記端子に電気的に接続された第１の配線と前記端子との間に配置され、前記第１の基板に前記半導体を接着させる接着材と、前記接着材中に分散され、前記第１の配線と前記端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜とを具備し、前記導電粒子は、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆い表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有することを特徴とする。
【００１６】
ここで、「電気光学物質」とは例えば液晶等をいい、「第１の基板」とは例えばガラス基板等いう。
【００１７】
本発明は、接着材中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆う表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有する導電粒子を有する異方性導電膜を、端子に電気的に接続された第１の配線と該端子との間に配置することとしたので、例えば半導体の端子を第１の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、導電粒子のコアのばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該端子と第１の配線とに挟まれた導電粒子が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子の導電層と端子や第１の配線との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該第１の配線と端子との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００１８】
同様に半導体の端子を第１の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、逆に導電粒子のコアのばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層を覆う絶縁層が十分導電層と端子や第１の配線との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該第１の配線と端子との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００１９】
本発明の他の観点に係る電気光学装置は、電気光学物質を保持し第１の配線を有する第１の基板と、前記第１の配線に電気的に接続された第２の配線を有する第２の基板と、前記第２の配線に電気的に接続された端子を有する半導体と、前記端子に電気的に接続された第２の配線と前記端子との間に配置され、前記第２の基板に前記半導体を接着させる接着材と、前記接着材中に分散され、前記第２の配線と前記端子とを電気的に接続する導電粒子とを有する異方性導電膜とを具備し、前記導電粒子は、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆い表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有することを特徴とする。
【００２０】
ここで、「第２の基板」とは例えばＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）等をいい、第１の基板に直接接続されたものやフレキシブル基板等を介して第１の基板に接続されたものも含むものとする。
【００２１】
本発明は、接着材中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコアと、該コアを覆う表面に凹凸を有する導電層と、該導電層を覆う絶縁層とを有する導電粒子を有する異方性導電膜を、端子に電気的に接続された第２の配線と該端子との間に配置することとしたので、例えば半導体の端子を第２の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、導電粒子のコアのばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該端子と第２の配線とに挟まれた導電粒子が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子の導電層と端子や第２の配線との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該第２の配線と端子との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００２２】
同様に半導体の端子を第２の配線に当該異方性導電膜を介して熱圧着するときに、逆に導電粒子のコアのばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層を覆う絶縁層が十分導電層と端子や第２の配線との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該第２の配線と端子との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００２３】
本発明の一の形態によれば、前記導電層の凹凸は、該凹凸の凸部の頂上から凹部の底までの高低差が前記コアの直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下であることを特徴とする。これにより、コアの直径に対する凹凸の高低差が小さすぎて十分な滑り止め効果が発揮できないことを防止し、逆に高低差が大きすぎて導電層と相手側の例えば端子との接触が導電層の凸部との点接触になり接続抵抗が高くなることを防止することができ、第１の基板の第１の配線や第２の基板の第２の配線と半導体の端子との電気的接続の導通信頼性をより向上させることができる。
【００２４】
本発明の他の観点に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００２５】
本発明は、配線や端子同士等の短絡を防止すると共に接続抵抗を減少させ、より導通信頼性を向上させることができる電気光学装置を備えることとしたので、より高精度化・高機能化した電子機器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明に実施形態を図面に基づき説明する。尚、以下実施形態を説明するにあたっては、異方性導電膜を用いた半導体実装基板及び電気光学装置の例としてＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリクス型の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。更に以下の図面においては、各構成をわかりやすくするため実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２７】
（第１の実施形態）
【００２８】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図（ＸドライバＩＣは切断していない。）、図３はＸ、ＹドライバＩＣ付近の部分拡大図、図４は熱圧着する前の異方性導電膜の説明図、図５は異方性導電膜中の導電粒子の拡大説明図、図６は信頼性試験１による接続抵抗値の比較グラフ図、図７は信頼性試験２による接続抵抗値の比較グラフ図、図８は熱圧着による導電粒子の変化の説明図及び図９は異方性導電膜を介した液晶パネルとフレキシブル基板との電気的接続の説明図である。
【００２９】
（液晶装置の構成）
【００３０】
液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、その液晶パネル２に接続されたフレキシブル基板３を有する。ここで、液晶パネル２には、フレキシブル基板３の他にもバックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない。）。
【００３１】
ここで、液晶パネル２は例えば図２に示すようにシール材４を介して貼り合わされた半導体実装基板または第１の基板としての第１基板５及び第２基板６、その第１及び第２基板５，６の間に封止された液晶、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶７とを有する。
【００３２】
第１及び第２基板５，６は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材であり、図２に示すように第１及び第２基板５，６の外側（液晶７とは反対側）には、入射光を偏光させるための夫々偏光板８，９が貼着されている。
【００３３】
また、第１基板５はその内側（液晶側）に図１及び図２に示すようにＹ軸方向にゲート電極１０が形成され、Ｘ軸方向にソース電極１１が形成されており、更にそのゲート電極１０及びソース電極１１等の液晶側には配向膜１２が形成されている。
【００３４】
ゲート電極１０及びソース電極１１は、例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されており、図示しないＴＦＴに電気的に接続されている。また、ＴＦＴはやはり図示しない画素電極に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極１０に電圧を印加したときにソース電極１１から画素電極に、またはその逆に電流が流れるように構成されている。
【００３５】
更に第１基板５は、第２基板６の外周縁から張り出した張出し部１３を有し、該張出し部１３には、例えばゲート電極１０及びソース電極１１がシール材４で囲まれる領域から当該張出し部１３に延びたゲート電極用配線１４及びソース電極用配線１５、その各電極用配線に電気的に接続された液晶駆動用のＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７が実装されている。
【００３６】
張出し部１３は、例えば図３に示すようにＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装面に対応する領域内にゲート電極用配線１４及びソース電極用配線１５に電気的に接続された第１の配線としての電極用端子１８、更にフレキシブル基板３等からの電流をＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７に入力する同じく第１の配線としての入力用端子１９を有する。
【００３７】
また、張出し部１３は例えば図９に示すようにフレキシブル基板３等から電流を受取る外部用端子２０、その外部からの電流を入力用端子１９に供給する入力用配線２１等を有する。
【００３８】
更にＸドライバＩＣ１６及びＹドライバ１７は、例えば図２及び図３に示すようにその張出し部１３に実装する実装面に電極用端子１８及び入力用端子１９に電気的に接続する端子としての複数のバンプ２２を有する。この電気的接続には電極用端子１８及び入力用端子１９とバンプ２２との間に接着剤でもある異方性導電膜２３を介して行なわれている。
【００３９】
また、バンプ２２はＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装面に複数配列されており、例えば略直方体に形成されているがこれに限られるものではなく、円柱形等の形状であってもよく、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等で形成されている。
【００４０】
ここで、異方性導電膜２３について以下に詳細に説明する。
【００４１】
異方性導電膜２３は、第１基板５に熱圧着する前の状態では例えば図４に示すように導電粒子２４が接着材である厚さ１０〜５０μｍのエポキシまたはアクリルを主成分とするフィルム状の樹脂２５中に分散された構造を有する。
【００４２】
導電粒子２４は、例えば図４及び図５に示すように球状の樹脂で形成されたコア２６の周りにニッケル等で鍍金され表面に凹凸２７を有する導電層２８、更にその表面に絶縁層２９が導電層２８の凹凸２７が反映されるように形成されている。
【００４３】
また、コア２６はエポキシ樹脂やアクリル樹脂などにより形成されており、直径（図５中ｄ）が３〜５μｍの球状を有し、硬度は例えば押圧方向の径を３０パーセント縮めたときのコア２６のばね定数が約４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるように形成されている。
【００４４】
例えば縦軸に接続抵抗値（Ω）を取り、横軸に熱衝撃（ＨＳ）及び恒温恒湿サイクル（ＴＨ）が何回目であるかを示し、異なるばね定数、例えば１．７ＧＰａ，４．４ＧＰａ，及び８ＧＰａによる信頼性試験１を試みた結果を図６に示した。
【００４５】
当該図６を見ると、８ＧＰａのときが、一番接続抵抗値が小さくしかも信頼性試験における接続抵抗値の上昇は他の結果より少なかった。
【００４６】
二番目に接続抵抗値が小さいのは４．４ＧＰａであり、３つのばね定数の中で一番接続抵抗値が大きかったのが１．７ＧＰａであった。
【００４７】
次に、例えば縦軸に接続抵抗値（Ω）を取り、横軸に経過時間（Ｈ）を示して異なるばね定数、例えば４．４ＧＰａ，８ＧＰａ及び１１ＧＰａによる信頼性試験２を試みた結果を図７に示した。
【００４８】
当該図７を見ると、８ＧＰａのときが、一番接続抵抗値が小さくしかも時間が経過してもその接続抵抗値の上昇は他の結果より少なかった。
【００４９】
二番目に接続抵抗値が小さいのは、４．４ＧＰａであり時間経過による上昇も二番目に少ない結果となった。３つのばね定数の中で一番接続抵抗値が大きかったのが１１ＧＰａであった。
【００５０】
以上の結果を検討すると、信頼性試験１（図６）及び信頼性試験２（図７）のいずれにおいてもよい結果、すなわち最も接続抵抗値が小さく導通信頼性が高かったのがばね定数８ＧＰａの場合であることが判明した。
【００５１】
また、信頼性試験１（図６）ではその次に接続抵抗値が小さいのが４．４ＧＰａの場合であり、更に信頼性試験２（図７）では、４．４ＧＰａが１１ＧＰａに比べて低接続抵抗値となった８ＧＰａに近い成績となった点等から、ばね定数の下限は４．４ＧＰ付近であることが判明した。
【００５２】
一方、信頼性試験２（図７）では１１ＧＰａのばね定数の場合が、８ＧＰａのばね定数の場合に比べて接続抵抗値がかなり大きく、かつ、４．４ＧＰａのばね定数の場合に比べても接続抵抗値が大きかったことから、ばね定数８ＧＰａから１１ＧＰａの間に上限が存在することが判明した。
【００５３】
以上よりコア２６の硬度は、例えば押圧方向の径を３０パーセント縮めたときのコア２６のばね定数が約４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるように形成することで接続抵抗値が少なくなり好ましいことがわかった。
【００５４】
尚、上述の試験では後述するように凹凸２７の凸部の頂上から凹部の底までの高低差が０．２〜０．４μｍであり、絶縁層２９としてアクリル樹脂を０．２〜０．３μｍの厚さとなるように被覆した導電粒子２４を用いた。また信頼性試験１には、恒温恒湿サイクル試験機と熱衝撃試験機を用い、信頼性試験２にはプレッシャークッカー試験機を用いた。
【００５５】
次に、導電層２８は例えば図５に示すようにコア２６の表面の全体を覆うようにニッケル等で形成されており、更にその導電層２８の表面には凹凸２７が形成されている。
【００５６】
また、導電層２８の膜厚は凹凸２７の凹部の底で例えば約０．１μｍ（図５中のｍ）に形成されており、凹凸２７の凸部３０の頂上と凹部３１の底との高低差はコア２６の直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下となるように形成されている。
【００５７】
高低差ｎについての実験結果では、コア２６に対して高低差ｎが０では十分な滑り止め効果が発揮できず接続抵抗値の上昇が見られたが、高低差ｎがコア２６の直径に対し０．０２倍未満の小さな凹凸、乃至は０．２倍を越える大きな凹凸でも接続抵抗上昇を低減する効果がみられた。しかしながら上述した０．０２倍以上０．２倍以下の範囲で特に接続抵抗上昇を低減する顕著な効果がみられた。
【００５８】
例えば本実施形態ではコア２６の直径が２μｍであるため、凹凸２７の凸部３０の頂上と凹部３１の底との高低差は、０．２〜０．４μｍ（図５中のｎ）に形成されている。
【００５９】
また、絶縁層２９は例えば図５に示すように導電層２８の表面全体を覆うようにアクリル樹脂等で形成されており、更にその絶縁層２９の表面には導電層２８の凹凸２７が反映され形成された凹凸３２を有している。
【００６０】
以上は、ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を張出し部１３に熱圧着する前の異方性導電膜２３の状態の説明であるが、熱圧着した後の異方性導電膜２３は、例えば図８に示すように導電粒子２４がＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７のバンプ２２と張出し部１３の電極用端子１８及び入力用端子１９との間に挟まれる。
【００６１】
このとき、導電粒子２４は少し押圧方向（図８中Ｚ軸方向）に潰され変形しバンプ２２との接触面積を増加させることにより接続抵抗を減少させると共に、最表面の絶縁層２９がコア２６の反発力によりバンプ２２との接触面から押し出されるように（図８中の矢印Ｂ）導電層２８の表面から取り除かれ、導電粒子２４とバンプ２２との接続抵抗をより減少させることとなる。
【００６２】
また、導電粒子２４の表面を覆う絶縁層２９は例えば図８に示すようにバンプ２２との接触領域以外はそのまま残るので、狭ピッチ化によりバンプ同士の間隔が狭くなっても隣同士で短絡することもなく、より高い導通信頼性を確保することができる。
【００６３】
以上の点は、導電粒子２４とバンプ２２との間だけではなく図８に示すように導電粒子２４と電極用端子１８及び入力用端子１９との間でも同様に生じる。
【００６４】
これにより、導電粒子２４は例えば図８に示すようにＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７のバンプ２２を張出し部１３の電極用端子１８及び入力用端子１９にのみ夫々電気的に接続させることができることとなる。
【００６５】
以上で異方性導電膜２３についての説明を終わる。
【００６６】
次に、配向膜１２は例えばポリイミド等の有機薄膜であり電圧が印加されていないときの液晶７の配向状態を規定するためのラビング処理が施されている。
【００６７】
一方、第２基板６はその内側（液晶側）表面に共通電極３３が形成されており、その共通電極３３の液晶側には配向膜３４が形成されている。
【００６８】
尚、第１及び第２基板５，６のいずれか一方の内側には図示しないが必要に応じて下地層、反射層、着色層及び光遮蔽層等を形成する。
【００６９】
次に、フレキシブル基板３は例えば図１に示すようにベース基材３５の上に配線パターン３６等が形成、実装されている。
【００７０】
ここで、ベース基材３５は可撓性を有するフィルム状の部材であり、配線パターン３６は例えば銅等から形成されている。また、配線パターン３６は張出し部側の端に接続用端子（図示しない）が形成されている。その接続用端子は、例えば図９に示すように外部用端子２０に異方性導電膜２３と材質及び形状等が同様な異方性導電膜３７を介して電気的に接続されている。
【００７１】
これにより、フレキシブル基板３の接続用端子と液晶パネル２の例えば外部用端子２０との電気的接続も、ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７のバンプ２２と張出し部１３の電極用端子１８及び入力用端子１９との電気的接続と同様、導電粒子２４のコア２６の硬度を押圧方向の径（長さ）を３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるように形成された異方性導電膜３７により、配線や端子同士等の短絡を防止すると共に接続抵抗を減少させ、より導通信頼性を向上させることができる。
【００７２】
例えば図９に示すようにフレキシブル基板３の接続用端子を第１基板上の外部用端子２０に当該異方性導電膜３７を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該接続用端子と外部用端子２０とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子２４の導電層２８と端子との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００７３】
また、逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層２８を覆う絶縁層２９が十分導電層２８と端子との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００７４】
尚、異方性導電膜３７は異方性導電膜２３と導電粒子の大きさやコアの硬度等を必要に応じて変えてもよい。
【００７５】
また、上述の実施形態ではニッケルによる導電層２８の上に直接絶縁層２９を形成したが、該導電層２８と絶縁層２９との間に金の薄膜を形成してもよい。これにより、より導電性を向上させることができる。
【００７６】
（液晶装置の製造方法）
【００７７】
次に、以上のように構成された液晶装置１の製造方法について簡単に説明する。
【００７８】
まず、例えば第１基板５上（液晶側）にＴＦＴ、ゲート電極１０、ソース電極１１、画素電極等を形成し、その上（液晶側）に配向膜１２を形成してラビング処理を施して第１基板側を製造する。
【００７９】
また、第２基板６上（液晶側）に必要に応じて下地層や反射膜、着色層を夫々形成すると共にその上（液晶側）に共通電極３３を形成し、更に配向膜３４を形成し、ラビング処理を施して第２基板側を製造する。
【００８０】
そして、第２基板上にギャップ材３８をドライ散布等により散布し、シール材４を介して第１基板側と第２基板側とを貼り合わせる。その後、シール材４の開口部から液晶を注入し、シール材４の開口部を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止する。
【００８１】
更に偏光板８，９等を第１及び第２基板５，６の各外面（液晶側と反対側）に貼着する。
【００８２】
また、例えばＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の内部に形成された集積回路の電極である図示しないパッド上にそのパッドと電気的に接続したバンプ２２を無電解鍍金等により所定の形、例えば直方体に形成する。
【００８３】
次に、異方性導電膜２３，３７を製造する。
【００８４】
まず、直径が３〜５μｍの球状をした樹脂球で、硬度を押圧方向の径（長さ）を３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるようにエポキシ樹脂やアクリル樹脂などにより形成し、その表面を洗浄しエッチング処理により表面に微細な凹凸を形成し、親水性処理を施す。そして、その樹脂球の表面に例えば塩化スズを吸着させ塩化パラジウム溶液に浸してパラジウムを還元析出させる。
【００８５】
その後で無電解鍍金液に入れ、触媒であるパラジウムの上に例えばニッケル燐を析出させる。これによりニッケル燐鍍金の表面に凹凸２７を有するニッケル製の導電層２８が形成される。
【００８６】
更にその導電層２８の表面に絶縁層２９を導電層２８の凹凸２７が反映されるように形成する。以上で導電粒子２４が形成される。尚、より導電性を向上させるために導電層２８の表面に金鍍金をして例えば約０．０２μｍの金の薄膜を形成してもよい。
【００８７】
そして、エポキシまたはアクリルを主成分とする樹脂溶液に片寄らないように完成した導電粒子２４を混合し、それを例えば厚さ１０〜５０μｍのフィルム状に形成して図４のような異方性導電膜２３，３７を製造する。
【００８８】
次に、製造した異方性導電膜２３を張出し部１３のＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装領域に電極用端子１８及び入力用端子１９等を覆うようにアライメントして配置する。
【００８９】
その後、該異方性導電膜２３の上に該電極用端子等に対応してバンプ２２が位置するようにＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を配置し、該ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を押圧し加熱する。すると、導電粒子２４がバンプ２２と電極用端子１８及び入力用端子１９との間に挟まれ、例えば図８に示すように押圧方向（図８中のＺ軸方向）に潰れるように変形する。
【００９０】
その結果、バンプ２２や電極用端子１８及び入力用端子１９との接触面積が増加し、更に導電層２８表面を覆う絶縁層２９が例えば図８の矢印Ｂ方向に一部押し出され、直接導電層２８とバンプ等とがより広く接触し、接続抵抗を減少させながらバンプ２２と電極用端子１８及び入力用端子１９とが夫々電気的に接続されることとなる。
【００９１】
次に、フレキシブル基板３に必要な電子部品等を実装し、そのフレキシブル基板３の配線パターン３６に電気的に接続された接続用端子を例えば図９に示すように異方性導電膜３７を介して液晶パネル２の外部用端子２０に電気的に接続させる。
【００９２】
そして、必要に応じてバックライトやケース体等を取り付けて液晶装置１が完成する。
【００９３】
以上で液晶装置１の製造方法の説明を終了する。
【００９４】
このように本実施形態によれば、樹脂２５中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコア２６と、該コア２６を覆う表面に凹凸を有する導電層２８と、該導電層２８を覆う絶縁層２９とを有する導電粒子２４を有する異方性導電膜２３を、第１の配線としての電極用端子１８及び入力用端子１９と端子としてのバンプ２２との間に配置することとしたので、例えば半導体としてのＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７のバンプ２２を電極用端子１８及び入力用端子１９に当該異方性導電膜２３を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該バンプ２２と電極用端子等とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子２４の導電層２８とバンプ等との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該電極用端子等とバンプ２２との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００９５】
また、逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層２８を覆う絶縁層２９が十分導電層２８とバンプ等との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該電極用端子等とバンプ２２との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【００９６】
更に導電層２８の凹凸２７は、該凹凸２７の凸部３０の頂上から凹部３１の底までの高低差がコア２６の直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下となるように形成したので、コア２６の直径に対する凹凸２７の高低差が小さすぎて十分な滑り止め効果が発揮できないことを防止し、逆に高低差が大きすぎて導電層２８と相手側の例えばバンプ２２との接触が導電層２８の凸部３０との点接触になり接続抵抗が高くなることを防止することができ、第１基板５の電極用端子等と半導体のバンプ２２との電気的接続の導通信頼性をより向上させることができる。
【００９７】
尚、上述の実施形態ではＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７のバンプ２２をニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等で形成されているとしたが、例えばバンプ２２の表面にアルミニウムやモリブデンのように酸化膜を形成したり、表面粗度を低いものとしてもよい。
【００９８】
例えばバンプ２２の表面に酸化膜が形成されていても、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコア２６を用いて導電粒子２４を形成することとしたので、導電粒子２４の表面の絶縁層２９同様、導電粒子２４の接触面から外側に該酸化膜が押し出され、導電層２８とバンプ２２との間の十分な接続抵抗の減少を図ることができる。また、導電層２８の凹凸２７が、該凹凸２７の凸部３０の頂上から凹部３１の底までの高低差がコア２６の直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下となるように形成してあるので、バンプ２２の表面に酸化膜が形成されていても該凸部でその酸化膜を突き破るようにして電気的接続をより確実なものとすることができる。
【００９９】
更にバンプ２２が、Ｍｏ（モリブデン）のようにＩＺＯと同等程度に表面粗度が低いものであっても、導電層２８の凹凸２７が、該凹凸２７の凸部３０の頂上から凹部３１の底までの高低差がコア２６の直径に対し０．０２倍以上０．２倍以下となるように形成したので、十分な滑り止め効果を発揮して接続抵抗の減少を図ることができる。
【０１００】
（変形例１）
【０１０１】
次に、本発明に係る液晶装置の変形例１について説明する。本変形例１においては、フレキシブル基板を介して第１の基板である第１基板５の配線と電気的に接続された第２の基板としてのプリント基板の配線に半導体の端子が異方性導電膜により電気的に接続されている点が第１の実施形態と異なるのでその点を中心に説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１０２】
（液晶装置の構成）
【０１０３】
図１０は本変形例１の液晶装置の概略斜視図である。
【０１０４】
液晶装置１０１は、例えば図１０に示すように液晶パネル２、その液晶パネル２に接続されたフレキシブル基板３及びそのフレキシブル基板３に接続された第２の基板としてのプリント基板１０３を有する。ここで、液晶パネル２には、プリント基板１０３の他にもバックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない。）。
【０１０５】
プリント基板１０３は、ベース基材１３５の上に第２の配線としての配線パターン１３６及びその配線パターン１３６に電気的に接続された半導体としての電源用ＩＣ１１６等が形成、実装されている。
【０１０６】
ここで、ベース基材１３５は硬質の板状の部材であり、配線パターン１３６は例えば銅等から形成されている。また、配線パターン１３６はフレキシブル基板側の端に接続用端子（図示しない）が形成されており、その接続用端子は例えばフレキシブル基板３に形成された接続用端子に異方性導電膜２３と材質及び形状等が同様な図示しない異方性導電膜１３７を介して電気的に接続されている。
【０１０７】
また、ベース基材１３５は例えば電源用ＩＣ１１６の実装面に対応する領域内に配線パターン１３６に電気的に接続された第２の配線としての出力用端子１１８及び入力用端子１１９を有する。
【０１０８】
更に電源用ＩＣ１１６は、例えば図３に示すようにその実装面に出力用端子１１８及び入力用端子１１９に電気的に接続する端子としての複数のバンプ１２２を有する。この電気的接続には出力用端子１１８及び入力用端子１１９とバンプ２２との間に接着剤でもある異方性導電膜２３と材質及び形状等が同様な異方性導電膜１２３を介して行なわれている。
【０１０９】
また、バンプ１２２は電源用ＩＣ１１６の実装面に複数配列されており、例えば略直方体に形成されているがこれに限られるものではなく、円柱形等の形状であってもよく、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等で形成されている。
【０１１０】
（液晶装置の製造方法）
【０１１１】
次に、以上のように構成された液晶装置１０１の製造方法については、第１の実施形態と半導体等が実装されたプリント基板１０３がフレキシブル基板３に接続されている点等を除けば略同様であり、その説明を省略する。
【０１１２】
このように本変形例によれば、樹脂２５中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコア２６と、該コア２６を覆う表面に凹凸２７を有する導電層２８と、該導電層２８を覆う絶縁層２９とを有する導電粒子２４を有する異方性導電膜１２３を、第２の配線としての出力用端子１１８及び入力用端子１１９と端子としてのバンプ１２２との間に配置することとしたので、例えば電源用ＩＣ１１６のバンプ１２２を出力用端子等に当該異方性導電膜１２３を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該バンプ１２２と出力用端子等とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子２４の導電層２８とバンプ等との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該出力用端子等とバンプ１２２との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【０１１３】
また、逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層２８を覆う絶縁層２９が十分導電層２８とバンプ等との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該出力用端子等とバンプ１２２との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【０１１４】
（第２の実施形態・電子機器）
【０１１５】
次に、上述した液晶装置１，１０１を備えた本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１１６】
図１１は本発明の第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。
【０１１７】
電子機器３００は、表示制御系として例えば図１１に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。
【０１１８】
また、液晶パネル２には表示領域Ｌを駆動する駆動回路３６１を有する。
【０１１９】
表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。
【０１２０】
また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
【０１２１】
このように本実施形態によれば、電子機器３００に用いられる液晶装置１で樹脂２５中に分散され、押圧方向の長さを３０パーセント縮めたときのばね定数が４ＧＰａ以上で８ＧＰａ以下となるコア２６と、該コア２６を覆う表面に凹凸を有する導電層２８と、該導電層２８を覆う絶縁層２９とを有する導電粒子２４を有する異方性導電膜２３を、第１の配線としての電極用端子１８及び入力用端子１９と端子としてのバンプ２２との間に配置することとしたので、例えば半導体としてのＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７のバンプ２２を電極用端子１８及び入力用端子１９に当該異方性導電膜２３を介して熱圧着するときに、導電粒子２４のコア２６のばね定数を８ＧＰａ以下とすることで該ばね定数が大きすぎて該バンプ２２と電極用端子等とに挟まれた導電粒子２４が所定の圧力では十分変形せず、該導電粒子２４の導電層２８とバンプ等との接触面積が小さくなり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該電極用端子等とバンプ２２との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【０１２２】
また、逆に導電粒子２４のコア２６のばね定数を４ＧＰａ以上とすることで該ばね定数が小さすぎて導電層２８を覆う絶縁層２９が十分導電層２８とバンプ等との接触面から排除されず残ってしまい、やはり接続抵抗が大きくなることを防ぐことができ、当該電極用端子等とバンプ２２との電気的接続における導通信頼性をより向上させることが可能となる。
【０１２３】
特に最近の電子機器にあっては、より高精度化・高機能化された電子機器であることが要求されており、係る導通信頼性の高い電子機器を提供する本発明の意義は大きいといえる。
【０１２４】
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶表示装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１，１０１が適用可能なのは言うまでもない。
【０１２５】
なお、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態や変形例を組み合わせても良い。
【０１２６】
以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
【０１２７】
例えば、上述の実施形態及び変形例では薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。更には反射半透過型に限らず例えば反射型や透過型であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、より配線や端子同士等の短絡を防止すると共に接続抵抗を減少させ、より導通信頼性を向上させることができる。
【０１２８】
また、上述の実施形態及び変形例では異方性導電膜を用いて実装するものとして半導体について説明したがこれに限られるものではなく、例えば抵抗やコンデンサ等の電子部品であってもよい。これにより、より多種多様な電子部品の電気的接続の信頼性を向上させ、液晶装置をより高機能化・高精度化できる。
【０１２９】
更に上述の実施形態及び変形例では、Ｘ，ＹドライバＩＣ実装をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として説明したがこれに限られるものではなく、例えばフレキシブル基板３に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、より配線や端子同士等の短絡を防止すると共に接続抵抗を減少させ、より導通信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略断面図（ＸドライバＩＣは切断しない。）である。
【図３】第１の実施形態に係るＸ、ＹドライバＩＣ付近の部分拡大図である。
【図４】第１の実施形態に係る熱圧着する前の異方性導電膜の説明図である。
【図５】第１の実施形態に係る異方性導電膜中の導電粒子の拡大説明図である。
【図６】信頼性試験１による接続抵抗値の比較グラフ図である。
【図７】信頼性試験２による接続抵抗値の比較グラフ図である。
【図８】第１の実施形態に係る熱圧着による導電粒子の変化の説明図である。
【図９】液晶パネルとフレキシブル基板との電気的接続の説明図である。
【図１０】変形例１に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図１１】第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１３１】
１，１０１  液晶装置、  ２  液晶パネル、  ３  フレキシブル基板、  ４  シール材、  ５  第１基板、  ６  第２基板、  ７  液晶、  ８，９  偏光板、  １０  ゲート電極、  １１  ソース電極、  １２，３４  配向膜、  １３  張出し部、  １４  ゲート電極用配線、  １５  ソース電極用配線、  １６  ＸドライバＩＣ、  １７  ＹドライバＩＣ、  １８  電極用端子、  １９，１１９  入力用端子、  ２０  外部用端子、  ２１  入力用配線、  ２２，１２２  バンプ、  ２３，３７，１２３，１３７  異方性導電膜、  ２４  導電粒子、  ２５  樹脂、  ２６  コア、  ２７，３２  凹凸、  ２８  導電層、  ２９  絶縁層、  ３０  凸部、  ３１  凹部、  ３３  共通電極、  ３５，１３５  ベース基材、  ３６，１３６  配線パターン、  ３８  ギャップ材、  １０３  プリント基板、  １１６  電源用ＩＣ、  １１８  出力用端子、  ３００  電子機器、  ３６１  駆動回路、  ３９０  表示制御回路
【図１】
2006227048.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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