(57)【要約】【課題】  液晶等の電気光学装置において、限られた基板上の領域に、端面リークが生じ難い構造の蓄積容量を備え、これにより高品位の画像表示を可能とし且つ信頼性を高める。【解決手段】  電気光学装置は、データ線及び走査線と、トランジスタと、該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、表示用電極とを備える。更に、基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、下側電極の下地面の上層側であって且つ上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜を備える。上側電極は、スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜の存在によって、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されている。【選択図】  図７
2006276118.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、
前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、
該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、
前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、
前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜と
を備え、
前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、
前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極の端面と前記上側電極の端面との層間距離が増大されている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の上層側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の下層側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記スペーサ絶縁膜は、前記下側電極の上層側に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記下側電極は、前記島状領域から前記周囲領域にかけて形成されており、
前記誘電体膜及び前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜に開けられた開口から露出した前記下側電極上に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記スペーサ絶縁膜は、前記下地面上に形成されており、
前記下側電極は、前記島状領域に形成されており且つ前記周囲領域に形成されておらず、前記スペーサ絶縁膜に開けられた開口から露出した前記下地面上に形成されている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記島状領域は、前記スペーサ絶縁膜が形成されていない前記下地面上に位置することを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記スペーサ絶縁膜は、前記島状領域に隣接すると共に前記上側電極が乗り上げた、その傾斜面に、テーパを有することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記スペーサ絶縁膜の膜厚は、前記上側電極の厚みの３０％以上であることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、トランジスタと、蓄積容量と、表示用電極とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上の平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応する領域に、前記トランジスタを形成する工程と、
該トランジスタより上層側に、前記データ線を形成する工程と、
前記蓄積容量を、前記データ線より上層側に下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなるように、形成する工程と、
前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続されるように、前記表示用電極を形成する工程と
を備え、
前記蓄積容量を形成する工程は、前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域に、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、前記上側電極を、前記スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在させる工程とを含み、
前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極の端面と前記上側電極の端面との層間距離が増大されている
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及びその製造方法、並びに例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置は、基板上に、画素電極と、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）とを備え、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、高コントラスト化等を目的として、ＴＦＴと画素電極との間に蓄積容量が設けられることが一般的である。
【０００３】
例えば、特許文献１には、このような蓄積容量を、半導体層よりも基板側に一方の容量電極を形成し、これを凹型にエッチングした後に誘電体膜を形成し、この一方の容量電極と他方の容量電極としての半導体層とで誘電体膜を挟むことによって製造する技術が、開示されている。また特許文献２には、概ね特許文献１における上下容量電極の構造を入れ換えて蓄積容量を製造する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−６６６３１号公報
【特許文献２】特開２００４−３２５６２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の各種技術によれば、基板上で平面的に見て蓄積容量の輪郭線上で、誘電体膜と共に上下電極が途切れる上下電極の端面は、空気等を介して近接配置されることとなる。このため、上下電極の端面間には意図しない電流リーク（以下「端面リーク」と呼ぶ）が極めて生じやすくなるという技術的問題点がある。特に、電気光学装置における画像表示領域内或いは各画素の非開口領域内という、基板上の極限られた領域内に構築される、蓄積容量について、その容量値を向上させるためには、誘電体膜を薄くすることが有効である。しかしながら、誘電体膜を薄くすればする程に、上述の如き端面リークは発生し易くなるので、この問題は、蓄積容量の容量値を増大させるためには実践上極めて深刻である。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みなされたものであり、限られた基板上の領域に、端面リークが生じ難い構造の蓄積容量を備え、これにより高品位の画像表示が可能であり且つ信頼性の高い電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、前記基板上で平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタと、該トランジスタより上層側に配置されており、下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなる蓄積容量と、前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続された表示用電極と、前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に形成されたスペーサ絶縁膜とを備え、前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極の端面と前記上側電極の端面との層間距離が増大されている。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、トランジスタが、走査線に選択される表示用電極の一例としての画素電極に対してデータ線からデータ信号を印加することで、アクティブマトリクス駆動が可能である。この際、蓄積容量によって、画素電極における電位保持特性が向上し、表示の高コントラスト化が可能となる。
【０００９】
本発明の電気光学装置では特に、上側電極は、スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜の存在によって、スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されている。このため、下側電極の端面及び上側電極の端面間の意図しない電流リーク（以下「端面リーク」と呼ぶ）の発生を阻止する或いは未然防止することができる。ここで、上側電極が「少なくとも乗り上げる」とは、多少なりとも乗り上げたところに、その端面が存在している場合のほか、スペーサ絶縁膜を乗り越して更に遠方まで延在する場合も含む趣旨である。本発明に係る「層間距離」とは、積層構造における基板に交わる方向或いは垂直方向である積層方向に沿った距離を意味する。
【００１０】
例えば、基板上で平面的に見て上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、上側電極をエッチング等で切断する際に誘電体膜及び下側電極まで切断してしまうことを、スペーサ絶縁膜の存在によって、防止することができる。従って、上側電極の端面と下側電極の端面が層間絶縁膜等を介して近接配置されることによる端面リークの発生を防止することができる。また仮に、誘電体膜及び下側電極を切断したとしても、スペーサ絶縁膜の存在によって、スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離が増大されているので、端面リークの発生を防止することができる。特に、上側電極が、誘電体膜と比べて選択比が取れない金属材料を含んで形成される場合にも、端面リークの発生を極めて効果的に阻止する或いは未然防止することが可能となる。
【００１１】
更に、上述のように端面リークの発生を防止することができるので、蓄積容量の誘電体膜を薄くすることが容易にできる。従って、例えば各画素の非開口領域等の基板上の限られた領域内に容量値の大きな蓄積容量を形成することができる。
【００１２】
以上の結果、各画素の開口領域を広く確保しつつ蓄積容量を増大させることができるので、明るく且つ高コントラストである、高品位の画像表示が可能となる。しかも、このように蓄積容量を増大させつつも、装置の信頼性の向上を図ることも可能となる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の上層側に形成されている。
【００１４】
この態様によれば、誘電体膜を例えばエッチング等で切断する際に、下側電極をオーバーエッチングしてしまうことを、スペーサ絶縁膜の存在によって、防止することができる。即ち、オーバーエッチングによって、下側電極の端面が露出してしまうことを防止することができる。従って、下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。
【００１５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記誘電体膜は、前記スペーサ絶縁膜の下層側に形成されている。
【００１６】
この態様によれば、上側電極を例えばエッチング等で切断する際に、誘電体膜及び下側電極をオーバーエッチングしてしまうことを、スペーサ絶縁膜の存在によって、防止することができる。即ち、オーバーエッチングによって、下側電極の端面が露出してしまうことを防止することができる。従って、下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。
【００１７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサ絶縁膜は、前記下側電極の上層側に形成されている。
【００１８】
この態様によれば、スペーサ絶縁膜を下側電極と同層、即ち下地面上に形成する場合と比較して、下側電極の端面と上側電極の端面との層間距離をより確実に増大させることができる。従って、下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生をより確実に阻止する或いは未然防止することができる。
【００１９】
上述したスペーサ絶縁膜が下側電極の上層側に形成されている態様では、前記下側電極は、前記島状領域から前記周囲領域にかけて形成されており、前記誘電体膜及び前記上側電極は、前記スペーサ絶縁膜に開けられた開口から露出した前記下側電極上に形成されていてもよい。
【００２０】
この場合には、誘電体膜及び上側電極は、スペーサ絶縁膜に、例えばエッチング等で開けられた開口から露出した下側電極上に形成される。このように露出された下側電極の表面は、殆ど或いは完全に平坦な面を有する。よって、その上に誘電体膜及び上側電極を積層することにより、下側電極の端面を含まない、殆ど或いは完全に平坦な蓄積容量を形成することができる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサ絶縁膜は、前記下地面上に形成されており、前記下側電極は、前記島状領域に形成されており且つ前記周囲領域に形成されておらず、前記スペーサ絶縁膜に開けられた開口から露出した前記下地面上に形成されている。
【００２２】
この態様によれば、下側電極は、周囲領域に形成されていないので、上側電極を周囲領域において例えばエッチング等で切断する際に、下側電極をオーバーエッチングしてしまうことはない。従って、下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生をより確実に阻止する或いは未然防止することができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記島状領域は、前記スペーサ絶縁膜が形成されていない前記下地面上に位置する。
【００２４】
この態様によれば、平坦な下地面上のみに、蓄積容量を構築できる。よって、凹凸面に蓄積容量を形成した場合に生ずる下側電極及び上側電極間の電流リークの発生を防止することができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサ絶縁膜は、前記島状領域に隣接すると共に前記上側電極が乗り上げた、その傾斜面に、テーパを有する。
【００２６】
この態様によれば、上側電極は、スペーサ絶縁膜のテーパに沿って乗り上げる。このため、島状領域の縁付近において、電界集中が発生する可能性を低減することができる。テーパは、例えば、水平面と傾斜面とのなす角度が、８０度以下、好ましくは、４５度程度など水平に近付けられている。テーパをこのような角度にすれば、島状領域の縁付近における電界集中の発生可能性の低減と下側電極の端面及び上側電極の端面間の端面リークの発生の防止とを両立することができる。
【００２７】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記スペーサ絶縁膜の膜厚は、前記上側電極の厚みの３０％以上である。
【００２８】
この態様によれば、上側電極を例えばエッチング等で切断する際に、スペーサ絶縁膜及び該スペーサ絶縁膜の下側の膜、即ち誘電体膜或いは下側電極をオーバーエッチングしてしまうことを確実に防止することができる。
【００２９】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００３０】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてＤＬＰ（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。
【００３１】
本発明の電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上に、互いに交差して延在するデータ線及び走査線と、トランジスタと、蓄積容量と、表示用電極とを備えた電気光学装置を製造する電気光学装置の製造方法であって、前記基板上の平面的に見て前記データ線及び走査線の交差に対応する領域に、前記トランジスタを形成する工程と、該トランジスタより上層側に、前記データ線を形成する工程と、前記蓄積容量を、前記データ線より上層側に下側電極、誘電体膜及び上側電極が順に積層されてなるように、形成する工程と、前記蓄積容量及び前記トランジスタに電気的に接続されるように、前記表示用電極を形成する工程とを備え、前記蓄積容量を形成する工程は、前記基板上で平面的に見て前記上側電極及び前記下側電極が前記誘電体膜を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域に、前記下側電極の下地面の上層側であって且つ前記上側電極の下層側に、スペーサ絶縁膜を形成する工程と、前記上側電極を、前記スペーサ絶縁膜上に少なくとも乗り上げるように延在させる工程とを含み、前記スペーサ絶縁膜の存在によって、前記スペーサ絶縁膜が存在していない場合と比較して、前記下側電極の端面と前記上側電極の端面との層間距離が増大されている。
【００３２】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置を製造できる。ここで特に、端面リークが発生しにくいので、蓄積容量の誘電体膜を薄くすることが容易にできる。従って、基板上の限られた領域内に容量値の大きな蓄積容量を形成することができる。
【００３３】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００３５】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図７を参照して説明する。
【００３６】
＜電気光学装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照して、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線での断面図である。
【００３７】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００３８】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３９】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回接続端子１０２と、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。
【００４０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９ａが設けられている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９ａと対向して形成される。
【００４１】
尚、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４２】
尚、液晶装置は、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）であってもよい。ＬＣＯＳは、単結晶Ｓｉ基板上にＣＭＯＳ構造のＭＯＳＦＥＴを形成し、その上に液晶層を形成するタイプの液晶ディスプレイである。一般的には、基板が光を透過しないのでＬＣＤモードは反射型となる。ＭＯＳＦＥＴは、画素部のスイッチング素子に用いられる他、周辺駆動回路や必要に応じて信号制御のコントロール回路にも用いられる場合がある。トランジスタの構造は、Ｓｉ基板にＬＳＩプロセスでｎ型及びｐ型のＭＯＳＦＥＴを形成するものである。反射型であることから、画素電極には、光の反射率向上のため、Ａｌ電極を用いることが多い。
【００４３】
＜画像表示領域の構成＞
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部における構成について、図３から図７を参照して説明する。ここに図３は、液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。図４及び図５は、ＴＦＴアレイ基板上の画素部に係る部分構成を表す平面図である。図４及び図５は、夫々、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分(図５)に相当する。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ’断面図である。尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。図７は、蓄積容量の構成を説明するための説明図である。
【００４４】
＜画素部の原理的構成＞
図３において、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４５】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００４６】
画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４７】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量配線４００に接続されている。
【００４８】
＜画素部の具体的構成＞
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的構成について、図４から図７を参照して説明する。
【００４９】
先ず、図５において、画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上に、マトリクス状に複数設けられており（点線部により輪郭が示されている）、また、図４及び図５に示すように、画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ及び走査線１１ａが設けられている。データ線６ａは、アルミニウム膜等を含む積層構造からなり、走査線１１ａは、例えば導電性のポリシリコン膜等からなる。また、走査線１１ａは、半導体層１ａのうち図４中右上がりの斜線領域で示したチャネル領域１ａ’に対向するゲート電極３ａにコンタクトホール１２ｃｖを介して電気的に接続されており、該ゲート電極３ａは該走査線１１ａに含まれる形となっている。即ち、ゲート電極３ａとデータ線６ａとの交差する箇所にはそれぞれ、チャネル領域１ａ’に、走査線１１ａに含まれるゲート電極３ａが対向配置された画素スイッチング用のＴＦＴ３０が設けられている。これによりＴＦＴ３０（ゲート電極を除く。）は、ゲート電極３ａと走査線１１ａとの間に存在するような形態となっている。
【００５０】
次に、電気光学装置は、図４及び図５のＡ−Ａ’線断面図たる図６に示すように、例えば、石英基板、ガラス基板、シリコン基板からなるＴＦＴアレイ基板１０と、これに対向配置される、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板２０とを備えている。
【００５１】
ＴＦＴアレイ基板１０の側には、図６に示すように、前記の画素電極９ａが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜１６が設けられている。画素電極９ａは、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。他方、対向基板２０の側には、その全面に渡って対向電極２１が設けられており、その下側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜２２が設けられている。対向電極２１は、上述の画素電極９ａと同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００５２】
このように対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には、前述のシール材５２（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等の電気光学物質が封入され、液晶層５０が形成される。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で配向膜１６及び２２により所定の配向状態をとる。
【００５３】
一方、ＴＦＴアレイ基板１０上には、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。この積層構造は、図６に示すように、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、蓄積容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、前記の画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。また、第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には後述するスペーサ絶縁膜４９及び第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。また、これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３、４４及び４９には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等もまた設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、前述のうち第１層から第３層までが、下層部分として図４に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。
【００５４】
（積層構造・第１層の構成―走査線等―）
先ず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。この走査線１１ａは、平面的にみて、図４のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とを備えている。尚、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはなく、従って、該走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。
【００５５】
（積層構造・第２層の構成―ＴＦＴ等―）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図６に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。
【００５６】
また、上述のゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。この中継電極７１９は、平面的に見て、図４に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。
【００５７】
尚、上述のＴＦＴ３０は、好ましくは図６に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。
【００５８】
（積層構造・第１層及び第２層間の構成―下地絶縁膜―）
以上説明した走査線１１ａの上、かつ、ＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。
【００５９】
この下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、このコンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。また、このコンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、該ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図４によく示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。
【００６０】
また、この側壁部３ｂは、前記のコンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が前記の走査線１１ａと接するようにされている。ここで走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。
【００６１】
（積層構造・第３層の構成―蓄積容量等―）
さて、前述の第２層に続けて第３層には、蓄積容量７０が設けられている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅ及び画素電極９ａに接続された画素電位側容量電極としての下側電極７１と、固定電位側容量電極としての上側電極３００とが、誘電体膜７５を介して対向配置されることにより形成されている。この蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性を顕著に高めることが可能となる。また、蓄積容量７０は、図４の平面図を見るとわかるように、画素電極９ａの形成領域にほぼ対応する光透過領域には至らないように形成されているため（換言すれば、遮光領域内に収まるように形成されているため）、電気光学装置全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。
【００６２】
より詳細には、下側電極７１は、例えば導電性のポリシリコン膜からなり画素電位側容量電極として機能する。但し、下側電極７１は、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。また、この下側電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能をもつ。ちなみに、ここにいう中継接続は、前記の中継電極７１９を介して行われている。
【００６３】
上側電極３００は、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と電気的に接続されており、蓄積容量７０の固定電位側容量電極として機能している。上側電極３００は、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは好ましくはタングステンシリサイドからなる。これにより、上側電極３００は、ＴＦＴ３０に上側から入射しようとする光を遮る機能を有している。
【００６４】
誘電体膜７５は、図６に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄い酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等から形成されている。尚、誘電体膜７５としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜の他、例えば、酸化ハフニュウム（ＨｆＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の単層膜又は多層膜を用いてもよい。
【００６５】
ここで、図７を参照して、本実施形態に係る蓄積容量について更に詳細に説明する。図７では、蓄積容量７０を拡大して示しており、特に図６の円Ｃ１及びＣ２部分を説明するため、コンタクトホール８３及び８８１を省略している。
【００６６】
図７において、本実施形態では特に、上側電極３００は、スペーサ絶縁膜４９上に少なくとも乗り上げるように延在しており、スペーサ絶縁膜４９の存在によって、スペーサ絶縁膜４９が存在していない場合と比較して、下側電極７１の端面と上側電極３００の端面との層間距離Ｄ１が増大されている。このため、下側電極７１の端面及び上側電極３００の端面間の意図しない電流リーク、即ち端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。尚、上側電極３００は、図７に示すように、スペーサ絶縁膜４９に多少なりとも乗り上げたところに、その端面が存在している場合のほか、スペーサ絶縁膜４９を乗り越して更に遠方まで延在していてもよい。
【００６７】
図７に示すように、スペーサ絶縁膜４９が存在することで、基板上で平面的に見て上側電極３００及び下側電極７１が誘電体膜７５を介して相対向している島状領域を囲む周囲領域において、上側電極３００をエッチング等で切断する際に、下側電極７１をオーバーエッチングによって切断してしまうことを、防止することができる。従って、上側電極３００の端面と下側電極７１の端面が層間絶縁膜等を介して近接配置されることによる端面リークの発生を防止することができる。特に、上側電極３００が、誘電体膜７５と比べて選択比が取れない金属材料を含んで形成される場合にも、端面リークの発生を極めて効果的に阻止する或いは未然防止することが可能となる。
【００６８】
図７において、本実施形態では特に、誘電体膜７５及び上側電極３００は、スペーサ絶縁膜４９に、エッチング等で開けられた開口９５から露出した下側電極７１上に形成されている。このように露出された下側電極７１の表面は、殆ど好ましくは完全に平坦な面を有する。よって、その上に誘電体膜７５及び上側電極３００を積層することにより、下側電極７１の端面を含まない、殆ど好ましくは完全に平坦な蓄積容量７０を形成することができる。
【００６９】
更に、上述のように端面リークの発生を防止することができるので、蓄積容量７０の誘電体膜７５を薄くすることが容易にできる。従って、各画素の非開口領域等の基板上の限られた領域内に容量値の大きな蓄積容量７０を形成することができる。
【００７０】
図７において、本実施形態では特に、スペーサ絶縁膜４９は、島状領域に隣接すると共に、その傾斜面に、テーパＴ１を有している。上側電極３００は、スペーサ絶縁膜４９のテーパＴ１に沿って乗り上げている。よって、島状領域の縁付近において、電界集中が発生する可能性を低減することができる。テーパＴ１は、水平面と傾斜面とのなす角度Θが、８０度以下、好ましくは、４５度程度など水平に近付けられている。テーパＴ１がこのような角度になっているので、島状領域の縁付近における電界集中の発生可能性の低減と下側電極７１の端面及び上側電極３００の端面間の端面リークの発生の防止とを両立することができる。
【００７１】
更に、本実施形態では特に、スペーサ絶縁膜４９の膜厚Ｔｈ１は、上側電極３００の厚みＴｈ２の３０％以上である。このため、上側電極３００をエッチング等で切断する際に、スペーサ絶縁膜４９及び該スペーサ絶縁膜４９の下側の膜、即ち誘電体７５及び下側電極７１をオーバーエッチングしてしまうことを確実に防止することができる。
【００７２】
以上の結果、各画素の開口領域を広く確保しつつ蓄積容量７０を増大させることができるので、明るく且つ高コントラストである、高品位の画像表示が可能となる。しかも、このように蓄積容量７０を増大させつつも、装置の信頼性の向上を図ることも可能となる。
【００７３】
（積層構造、第２層及び第３層間の構成―第１層間絶縁膜―）
以上説明したＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、かつ、蓄積容量７０及びスペーサ絶縁膜４９の下には、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。
【００７４】
そして、この第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、スペーサ絶縁膜４９及び後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。また、第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと蓄積容量７０を構成する下側電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。さらに、この第１層間絶縁膜４１には、蓄積容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下側電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。更に加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、スペーサ絶縁膜４９及び後記第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。
【００７５】
（積層構造・第４層の構成―データ線等―）
さて、前述の第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。このデータ線６ａは、下層から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの３層膜として形成されている。
【００７６】
また、この第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、各者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００７７】
（積層構造・第３層及び第４層間の構成―第２層間絶縁膜―）
以上説明した蓄積容量７０の上、かつ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。この第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続する、前記のコンタクトホール８１が開孔されているとともに、前記容量配線用中継層６ａ１と蓄積容量７０の上側電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。更に、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、前記のコンタクトホール８８２が形成されている。
【００７８】
（積層構造・第５層の構成―容量配線等―）
さて、前述の第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成され、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を行う遮光膜として機能している。この容量配線４００は、平面的にみると、図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。該容量配線４００のうち図中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。また、図中Ｘ方向に延在する部分については、後述の第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に切り欠き部を有している。この容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。
【００７９】
また、第４層には、このような容量配線４００と同一膜として、第３中継電極４０２が形成されている。この第３中継電極４０２は、後述のコンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する機能を有する。なお、これら容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。
【００８０】
他方、上述の容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。
【００８１】
（積層構造・第４層及び第５層間の構成―第３層間絶縁膜―）
以上説明した前述のデータ線６ａの上、かつ、容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。この第３層間絶縁膜４３には、前記の容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。
【００８２】
（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成―画素電極等―）
最後に、第６層には、上述したように画素電極９ａがマトリクス状に形成され、該画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。そして、この画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、或いは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。この第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び前記の第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びに前述したコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下側電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。
【００８３】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る電気光学装置について、図８を参照して説明する。ここに図８は、第２実施形態における図７と同趣旨の部分拡大図である。尚、図８において、図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８４】
図８において、第２実施形態では特に、誘電体膜７５は、スペーサ絶縁膜４９の下層側に形成されている。
【００８５】
このため、上側電極３００を例えばエッチング等で切断する際に、誘電体膜７５及び下側電極７１をオーバーエッチングしてしまうことを、スペーサ絶縁膜４９の存在によって、防止することができる。即ち、オーバーエッチングによって、下側電極７１の端面が露出してしまうことを防止することができる。従って、下側電極７１の端面及び上側電極３００の端面間の端面リークの発生を阻止する或いは未然防止することができる。
【００８６】
＜第３実施形態＞
第３実施形態に係る電気光学装置について、図９を参照して説明する。ここに図９は、第３実施形態における図７と同趣旨の部分拡大図である。尚、図９において、図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００８７】
図９において、第３実施形態では特に、スペーサ絶縁膜４９は、蓄積容量７０の下地面上（即ち、第１層間絶縁膜４１の上側表面上）に形成されている。更に、下側電極７１は、島状領域に形成されており且つ周囲領域に形成されておらず、スペーサ絶縁膜４９に開けられた開口から露出した下地面上に形成されている。
【００８８】
よって、下側電極７１は、周囲領域に形成されていないので、上側電極３００を周囲領域においてエッチング等で切断する際に、下側電極７１をオーバーエッチングしてしまうことはない。従って、下側電極７１の端面及び上側電極３００の端面間の端面リークの発生をより確実に阻止する或いは未然防止することができる。
【００８９】
本実施形態では特に、島状領域は、スペーサ絶縁膜４９が形成されていない下地面上に位置する。このため、平坦な下地面上のみに、蓄積容量７０を構築できる。よって、凹凸面に蓄積容量７０を形成した場合に生ずる下側電極７１及び上側電極３００間の電流リークの発生を防止することができる。
【００９０】
＜第４実施形態＞
第４実施形態に係る電気光学装置について、図１０を参照して説明する。ここに図１０は、第４実施形態における図７と同趣旨の部分拡大図である。尚、図１０において、図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付し、それらの説明は適宜省略する。
【００９１】
図１０において、第４実施形態は、誘電体膜７５がスペーサ絶縁膜４９の上層側に形成されている点で、第３実施形態と異なる。その他の構成については第３実施形態と同様である。
【００９２】
第４実施形態では特に、誘電体膜７５がスペーサ絶縁膜４９の上層側に形成されているので、上側電極３００をエッチング等で切断する際に、誘電体膜７５も切断することができる。また、第３実施形態と同様に、島状領域は、スペーサ絶縁膜４９が形成されていない下地面上に位置する。このため、平坦な下地面上のみに、蓄積容量７０を構築できる。よって、凹凸面に蓄積容量７０を形成した場合に生ずる下側電極７１及び上側電極３００間の電流リークの発生を防止することができる。
【００９３】
＜製造方法＞
次に、このような電気光学装置の製造方法について、図１１から図１５を参照して説明する。図１１から図１５は、製造プロセスの各工程における電気光学装置の積層構造を、図６に対応する断面で順を追って示す工程図である。尚、ここでは、本実施形態における液晶装置のうち、主要部分である走査線、ＴＦＴ、データ線、蓄積容量及び画素電極の形成工程に関して主に説明する。また、特に蓄積容量の形成工程に関して詳細に説明する。
【００９４】
先ず、図１１に示した工程において、ＴＦＴアレイ基板１０上に走査線１１ａから第１層間絶縁膜４１までの各層構造を形成し、積層する。この際、ＴＦＴ３０は、走査線１１ａ及び後に形成されるデータ線６ａの交差に対応する領域に形成される。尚、各工程には、通常の半導体集積化技術を用いることができる。また、第１層間絶縁膜４１の形成後、その表面を、ＣＭＰ処理等によって平坦化しておいてもよい。
【００９５】
次に、第１層間絶縁膜４１の表面の所定位置にエッチングを施し、高濃度ドレイン領域１ｅに達する深さのコンタクトホール８３及び中継電極７１９に達する深さの８８１を開孔する。次に、所定のパターンで導電性のポリシリコン膜等を積層し、下側電極７１を形成する。
【００９６】
次に、図１２に示す工程において、スペーサ絶縁膜４９を第１層間絶縁膜４１及び下側電極７１上に積層する。次に、スペーサ絶縁膜４９の上に、所定パターンのレジスト５００を積層し、エッチングを行うことにより、下側電極７１が露出するように開口を形成する。このとき、スペーサ絶縁膜４９が、下側電極７１の上に乗り上げた部分を残すように形成する。また、開口の縁（図１２中、円Ｃ１及びＣ２）にテーパＴ１を形成する。テーパの形成には、ドライエッチングやウエットエッチングに加えて又は代えて、プラズマエッチングやＯ２クリーニングを用いてもよい。このようにテーパを形成することで、その後の製造工程において、下側電極７１の縁付近（図１２中、円Ｃ１及びＣ２）で、電界集中により欠陥が生じる可能性を低減できる。
【００９７】
次に、図１３に示す工程において、スパッタ又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いて、データ線６ａ及び走査線１１ａに沿って（図４及び図５参照）、誘電体膜７５を積層する。次に、誘電体膜７５の上に、同様のパターンで、上側電極３００を積層する。
【００９８】
次に、図１４に示す工程において、所定パターンのレジスト５１０を積層し、エッチングを施し、上側電極３００及び誘電体膜７５を切断することにより、画素毎の蓄積容量３００を形成する。
【００９９】
次に、図１５に示す工程において、第２層間絶縁膜４２を積層する。次に、その表面の所定位置にエッチングを施し、コンタクトホール８１、８０１及び８８２を開孔する。次に第２層間絶縁膜４２上に、データ線６ａ、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２を形成する。データ線６ａは、スペーサ絶縁膜４９及び第１層間絶縁膜４１を貫通するコンタクトホール８１によって、高濃度ソース領域１ｄとひとつながりに接続する。容量配線用中継層６ａ１は、コンタクトホール８０１によって、上側電極３００とひとつながりに接続する。第２中継電極６ａ２は、スペーサ絶縁膜４９及び第１層間絶縁膜を貫通するコンタクトホール８８２によって、に中継電極７１９とひとつながりに接続する。次に、第３層間絶縁膜４３を積層する。次に、その表面の所定位置にエッチングを施し、コンタクトホール８０３及び８０４を開孔する。次に第３層間絶縁膜４３上に、所定パターンで容量配線４００及び第３中継電極４０２を形成する。容量配線４００は、コンタクトホール８０３によって、容量配線用中継層６ａ１とひとつながりに接続する。第３中継電極４０２は、コンタクトホール８０４によって、第２中継電極６ａ２とひとつながりに接続する。次に、第４層間絶縁膜４４を積層し、その表面の所定位置にエッチングを施し、コンタクトホール８９を開孔する。次に、第４層間絶縁膜４４の表面の所定位置に画素電極９ａを形成する。
【０１００】
以上説明した液晶装置の製造方法によれば、上述した第１実施形態の液晶装置を製造することができる。ここで特に、端面リークが発生しにくいので、蓄積容量７０の誘電体膜７５を薄くすることが容易にできる。従って、ＴＦＴアレイ基板１０上の限られた領域内に容量値の大きな蓄積容量を形成することができる。
【０１０１】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【０１０２】
まず、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１６は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図１６に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。
【０１０３】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【０１０４】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１０５】
なお、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【０１０６】
次に、液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図１７は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１７において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。この液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【０１０７】
さらに、液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図１８は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１８において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【０１０８】
尚、図１６から図１８を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０９】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ等にも適用可能である。
【０１１０】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、該電気光学装置を備えてなる電子機器及び該電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ'の断面図である。
【図３】第１実施形態に係る複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群の平面図であって、下層部分（図６における符号７０（蓄積容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図５】第１実施形態に係るＴＦＴアレイ基板上の画素群の平面図であって、上層部分（図６における符号７０（蓄積容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。
【図６】図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ'断面図である。
【図７】第１実施形態に係る蓄積容量の構成を説明するための説明図である。
【図８】第２実施形態における図７と同趣旨の部分拡大図である。
【図９】第３実施形態における図７と同趣旨の部分拡大図である。
【図１０】第４実施形態における図７と同趣旨の部分拡大図である。
【図１１】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その１）である。
【図１２】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その２）である。
【図１３】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その３）である。
【図１４】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その４）である。
【図１５】第１実施形態に係る液晶装置の製造工程を、順を追って示す断面図（その５）である。
【図１６】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【図１７】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１８】電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１ａ…半導体層、１ａ’…チャネル領域、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１ａ…走査線、１２…下地絶縁膜、１２ｃｖ…コンタクトホール、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、２３…遮光膜、３０…ＴＦＴ、４１、４２、４３、４４…層間絶縁膜、４９…スペーサ絶縁膜、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…下側電極、７５…誘電体膜、８１、８３、８４、８５…コンタクトホール、３００…上側電極、４００…容量配線、Ｔ１…テーパ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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