(57)【要約】【課題】  赤外半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ赤外／赤の２波長半導体レーザ装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  ｎ−ＧａＡｓ基板１０１と、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１の上に設けられたｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２と、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の上に設けられた赤外色用半導体レーザ素子部１０と、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の上に設けられた赤色用半導体レーザ素子部２０とを備え、赤外色用半導体レーザ素子部１０は、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の上に設けられたｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０３と、活性層１０４と、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５とを有し、赤色用半導体レーザ素子部２０は、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の上に設けられたｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１１１と、活性層１１２と、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１１３とを有する。【選択図】        図２
2006287057.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に設けられた第１バッファ層と、
前記第１バッファ層の上に設けられ、第１の波長のレーザ光を放出する第１の半導体レーザ素子部と、
前記第１バッファ層の上に設けられ、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を放出する第２の半導体レーザ素子部とを備え、
前記第１の半導体レーザ素子部は、前記第１バッファ層の上に設けられた第１導電型の第１クラッド層と、前記第１導電型の第１クラッド層の上に設けられた第１活性層と、前記第１活性層の上に設けられた第２導電型の第２クラッド層とを有し、
前記第２の半導体レーザ素子部は、前記第１バッファ層の上に設けられた第１導電型の第３クラッド層と、前記第１導電型の第３クラッド層の上に設けられた第２活性層と、前記第２活性層の上に設けられた第２導電型の第４クラッド層とを有する
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１バッファ層は、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成され、
前記第３クラッド層、前記第２活性層、前記第４クラッド層、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される
ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第２の半導体レーザ素子部は、さらに、前記第１バッファ層と前記第３クラッド層との間に設けられた第２バッファ層を有し、
前記第２バッファ層は、前記第１のバッファ層より薄い
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第２バッファ層の膜厚は０．０３〜０．１μｍである
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第２バッファ層は、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成される
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
半導体基板上に、第１バッファ層、第１導電型の第１クラッド層、第１の波長のレーザを発生する第１活性層、及び第２導電型の第２クラッド層を順次成長させる第１成長工程と、
前記第１クラッド層、第１活性層及び第２クラッド層の一部を前記第１バッファ層が露出するまでエッチングして第１の半導体レーザ素子部を形成する第１エッチング工程と、
前記エッチングにより露出した第１バッファ層及び前記第１の半導体レーザ素子部の上に、第１導電型の第３クラッド層、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザを発生する第２活性層、第２導電型の第４クラッド層を順次成長させる第２成長工程と、
前記第３クラッド層、第２活性層及び第４クラッド層の一部を第１の半導体レーザ素子部及び第１バッファ層が露出するまでエッチングして第２の半導体レーザ素子部を形成する第２エッチング工程とを含む
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１成長工程において、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成される第１バッファ層と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第１クラッド層及び第２クラッド層とを成長させ、
前記第２成長工程において、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第３クラッド層、前記第２活性層、前記第４クラッド層を成長させる
ことを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項８】
半導体基板上に、第１バッファ層、第１導電型の第１クラッド層、第１の波長のレーザを発生する第１活性層、及び第２導電型の第２クラッド層を順次成長させる第１成長工程と、
前記第１クラッド層、第１活性層及び第２クラッド層の一部を前記第１バッファ層が露出するまでエッチングして第１の半導体レーザ素子部を形成する第１エッチング工程と、
前記エッチングにより露出した第１バッファ層及び前記第１の半導体レーザ素子部の上に、第２バッファ層、第１導電型の第３クラッド層、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザを発生する第２活性層、第２導電型の第４クラッド層を順次成長させる第２成長工程と、
前記第２バッファ層、第３クラッド層、第２活性層及び第４クラッド層の一部を第１の半導体レーザ素子部及び第１バッファ層が露出するまでエッチングして第２の半導体レーザ素子部を形成する第２エッチング工程とを含み、
前記第２成長工程において、前記第２バッファ層が前記第１バッファ層よりも薄くなるように第２バッファ層を成長させる
ことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２成長工程において、前記第２バッファ層の膜厚が０．０３〜０．１μｍとなるように第２バッファ層を成長させる
ことを特徴とする請求項８記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１成長工程において、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成される第１バッファ層と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第１クラッド層及び第２クラッド層とを成長させ、
前記第２成長工程において、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成される第２バッファ層と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第３クラッド層、前記第２活性層、前記第４クラッド層とを成長させる
ことを特徴とする請求項８又は９記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置等に用いられる半導体レーザ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクの読み取り／書き込み光には、ＣＤ−Ｒ／ＲＷの読み取り光としての波長７８０ｎｍの赤外色レーザ光、またＤＶＤの読み取り光としての波長６５０ｎｍの赤色レーザ光が用いられている。このため、複数種類の光ディスクの読み取り／書き込みを行うマルチドライブでは異なる波長領域を有するレーザ光が必要となる。しかし、異なる波長領域のレーザ光を発振する複数の半導体レーザ素子を個別のチップに形成すると光学ドライブが肥大化する。
【０００３】
この問題を解決するために、光源として複数の半導体レーザ素子を同一チップ上に形成した装置（以下、この装置を「半導体レーザ装置」と呼ぶ）を用いる方法が提案されている。
【０００４】
以下、特許文献１を参照しながら、図６、図７を用いて従来技術の半導体レーザ装置の製造方法を説明する。なお、図６、図７において、ｎ型領域はＳｉをドーピングすることより形成され、ｐ型領域はＺｎをドーピングすることにより形成されるものとする。
【０００５】
まず、図６（ａ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１の上に、結晶成長装置内で、赤外色レーザ光を発光する半導体レーザ素子部（以下、この半導体レーザ素子部を「赤外色用半導体レーザ素子部」と呼ぶ）のエピタキシャル層を形成する。すなわち、厚さ：０．１μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層３０２と、厚さ：１．１μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３０３と、厚さ：１５ｎｍのＡｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓからなる活性層３０４と、厚さ：１．１μｍのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３０５と、厚さ：０．０５μｍのｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層３０６とをｎ−ＧａＡｓ基板３０１上に順次成長させる。さらに、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層３０６の上に、所望の形状のＳｉＯマスク３０７を形成する。
【０００６】
次に、図６（ｂ）に示すように、ＳｉＯマスク３０７をエッチングマスクにして、赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層をｎ−ＧａＡｓ基板３０１表面が露出するまでウェットエッチングする。このとき、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層３０６、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３０５、及びｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３０３の様なＰ系のエピタキシャル層のエッチングにおいては塩酸系のエッチング液を用い、活性層３０４、及びｎ−ＧａＡｓバッファ層３０２の様なＡｓ系のエピタキシャル層のエッチングにおいては燐酸系のエッチング液を用いる。エッチング後、ＳｉＯマスク３０７の除去とｎ−ＧａＡｓ基板３０１表面の洗浄とを行う。
【０００７】
次に、図６（ｃ）に示すように、結晶成長装置内で、赤色レーザ光を発光する半導体レーザ素子部（以下、この半導体レーザ素子部を「赤色用半導体レーザ素子部」と呼ぶ）のエピタキシャル層を形成する。すなわち、厚さ：０．１μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層３１１と、厚さ：１．１μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３１２と、厚さ：５ｎｍの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5ＰとＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐの超格子構造からなる活性層３１３と、厚さ：１．１μｍのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３１４と、厚さ：０．０５μｍのｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層３１５とをｎ−ＧａＡｓ基板３０１及び赤外色用半導体レーザ素子部上に順次成長させる。さらに、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層３１５の上に、所望の形状のＳｉＯマスク３１６を形成する。
【０００８】
次に、図７（ａ）に示すように、ＳｉＯマスク３１６をエッチングマスクにして、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層に対してウェットエッチングを行う。このとき、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層３１５、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３１４、活性層３１３、及びｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３１２のエッチングには、塩酸系のエッチング液を用い、ｎ−ＧａＡｓバッファ層３１１のエッチングには、燐酸系のエッチング液を用いる。このｎ−ＧａＡｓバッファ層３１１のエッチングにおいては、赤外色用半導体レーザ素子のエピタキシャル層の最上部のｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層３０６にエッチングが行なわれないようにする。その後、ＳｉＯマスク３１６を除去する。
【０００９】
最後に、図７（ｂ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１裏面にＡｕＧｅＮｉ電極３２０を蒸着し、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層３２２を介してｎ−ＧａＡｓ基板３０１表面にＡｕメッキ３２３を形成する。また、赤外色用半導体レーザ素子部１０及び赤色用半導体レーザ素子部２０のそれぞれのエピタキシャル層の上部にリッジ３２５を形成し、リッジ３２５の側面にｎ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流ブロック層３２１を形成する。さらに、赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０との間にＳｉＯ膜３２４を形成し、それぞれを分離する。これにより、赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０とを同一半導体基板上に備えた半導体レーザ装置が形成される。
【特許文献１】特開２００１−３４５５１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に示された半導体レーザ装置の製造方法では、赤色用半導体レーザ素子部２０を形成する際に、赤外色用半導体レーザ素子部１０を構成するｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３０５中のＺｎが活性層３０４中に拡散する。その結果、活性層３０４中に非発光再結合中心が発生するので、電流閾値の上昇、輝度低下、低寿命等の問題が引き起こされる。
【００１１】
また、赤外色用半導体レーザ素子部１０形成のためのエッチング時、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１に達するまでエピタキシャル層をエッチングするが、このときのエッチングは選択エッチングではないため、エッチング後においてｎ−ＧａＡｓ基板３０１の表面形状が凹凸となる。その結果、その基板表面の凸凹が次に形成される赤色用半導体レーザ素子部２０のｎ−ＧａＡｓバッファ層３１１に反映されてしまい、その上に形成される赤色用半導体レーザ素子部２０のエピタキシャル層の結晶構造が悪化してしまうという問題がある。
【００１２】
上記課題に鑑み、本発明では赤外色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを第１の目的とする。
【００１３】
また、本発明は、赤色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に設けられた第１バッファ層と、前記第１バッファ層の上に設けられ、第１の波長のレーザ光を放出する第１の半導体レーザ素子部と、前記第１バッファ層の上に設けられ、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザ光を放出する第２の半導体レーザ素子部とを備え、前記第１の半導体レーザ素子部は、前記第１バッファ層の上に設けられた第１導電型の第１クラッド層と、前記第１導電型の第１クラッド層の上に設けられた第１活性層と、前記第１活性層の上に設けられた第２導電型の第２クラッド層とを有し、前記第２の半導体レーザ素子部は、前記第１バッファ層の上に設けられた第１導電型の第３クラッド層と、前記第１導電型の第３クラッド層の上に設けられた第２活性層と、前記第２活性層の上に設けられた第２導電型の第４クラッド層とを有することを特徴とする。ここで、前記第１バッファ層は、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成され、前記第３クラッド層、前記第２活性層、前記第４クラッド層、前記第１クラッド層及び前記第２クラッド層は、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成されてもよい。
【００１５】
これによって、赤外色用半導体レーザ素子部（第１の半導体レーザ素子部）及び赤色用半導体レーザ素子部（第２の半導体レーザ素子部）は共通の第１バッファ層の上に形成され、赤外色用半導体レーザ素子部の上での第１バッファ層の再成長が行われない。よって、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層形成において第２クラッド層に水素が取り込まれ、第２クラッド層中のドーパントが活性層中に拡散することが防止される。その結果、活性層中での非発光再結合中心の発生が抑えられるので、赤外色用半導体レーザ素子の電流閾値の上昇、輝度低下、低寿命等の問題が発生するのを防ぎ、赤外色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置を実現することができる。また、赤外色用半導体レーザ素子部の形成に選択エッチングを用いることができるので、赤色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置を実現することができる。すなわち、優れた特性を有する半導体レーザ装置を実現することが出来る。
【００１６】
また、前記第２の半導体レーザ素子部は、さらに、前記第１バッファ層と前記第３クラッド層との間に設けられた第２バッファ層を有し、前記第２バッファ層は、前記第１のバッファ層より薄くてもよいし、前記第２バッファ層の膜厚は０．０３〜０．１μｍであってもよい。また、前記第２バッファ層は、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成されてもよい。
【００１７】
これによって、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層と第１バッファ層との界面、つまり再成長界面がヘテロ結合になるのが防止され、かつ赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層形成における第２クラッド層への水素の取り込みが行われる。このため、赤色用半導体レーザ素子の再成長界面での抵抗発生防止と、赤外色用半導体レーザ素子の電流閾値の上昇、輝度低下、低寿命等の防止とが実現される。その結果、赤色用半導体レーザ素子及び赤外色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぎ、優れた特性を有する半導体レーザ装置を実現することが出来る。
【００１８】
また、本発明は、半導体基板上に、第１バッファ層、第１導電型の第１クラッド層、第１の波長のレーザを発生する第１活性層、及び第２導電型の第２クラッド層を順次成長させる第１成長工程と、前記第１クラッド層、第１活性層及び第２クラッド層の一部を前記第１バッファ層が露出するまでエッチングして第１の半導体レーザ素子部を形成する第１エッチング工程と、前記エッチングにより露出した第１バッファ層及び前記第１の半導体レーザ素子部の上に、第１導電型の第３クラッド層、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザを発生する第２活性層、第２導電型の第４クラッド層を順次成長させる第２成長工程と、前記第３クラッド層、第２活性層及び第４クラッド層の一部を第１の半導体レーザ素子部及び第１バッファ層が露出するまでエッチングして第２の半導体レーザ素子部を形成する第２エッチング工程とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法とすることもできる。ここで、前記第１成長工程において、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成される第１バッファ層と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第１クラッド層及び第２クラッド層とを成長させ、前記第２成長工程において、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第３クラッド層、前記第２活性層、前記第４クラッド層を成長させてもよい。
【００１９】
また、本発明は、半導体基板上に、第１バッファ層、第１導電型の第１クラッド層、第１の波長のレーザを発生する第１活性層、及び第２導電型の第２クラッド層を順次成長させる第１成長工程と、前記第１クラッド層、第１活性層及び第２クラッド層の一部を前記第１バッファ層が露出するまでエッチングして第１の半導体レーザ素子部を形成する第１エッチング工程と、前記エッチングにより露出した第１バッファ層及び前記第１の半導体レーザ素子部の上に、第２バッファ層、第１導電型の第３クラッド層、前記第１の波長とは異なる第２の波長のレーザを発生する第２活性層、第２導電型の第４クラッド層を順次成長させる第２成長工程と、前記第２バッファ層、第３クラッド層、第２活性層及び第４クラッド層の一部を第１の半導体レーザ素子部及び第１バッファ層が露出するまでエッチングして第２の半導体レーザ素子部を形成する第２エッチング工程とを含み、前記第２成長工程において、前記第２バッファ層が前記第１バッファ層よりも薄くなるように第２バッファ層を成長させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法とすることもできる。ここで、前記第２成長工程において、前記第２バッファ層の膜厚が０．０３〜０．１μｍとなるように第２バッファ層を成長させてもよい。また、前記第１成長工程において、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成される第１バッファ層と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第１クラッド層及び第２クラッド層とを成長させ、前記第２成長工程において、ＧａＡｓ系の半導体材料から構成される第２バッファ層と、ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料から構成される第３クラッド層、前記第２活性層、前記第４クラッド層とを成長させてもよい。
【００２０】
これによって、赤外色用半導体レーザ素子及び赤色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置の製造方法を実現することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る半導体レーザ装置及びその製造方法によれば、赤色用半導体レーザ素子の形成において、赤外色用半導体レーザ素子のクラッド層に水素を取り込ませることにより、このクラッド層中のｐ型ドーパントであるＺｎの活性化度合いを小さくし、赤外色用半導体レーザ素子の活性層へのＺｎの拡散を抑えることが出来る。すなわち、赤外色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置及びその製造方法を実現することができる。また、赤外色用半導体レーザ素子の形成に選択エッチングが用いられるので、赤色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置及びその製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態における半導体レーザ装置及びその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置及びその製造方法について、図面を参照にしながら説明する。図１、図２は半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図を表し、図２（ｂ）はこの製造方法を用いて形成される半導体レーザ装置の構造を示す半導体レーザ装置の断面図を表している。なお、図１、図２において、ｎ型領域はＳｉをドーピングすることより形成され、ｐ型領域はＺｎをドーピングすることにより形成されるものとする。
【００２４】
まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板としてのｎ−ＧａＡｓ基板１０１の上に厚さ：０．５μｍのｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２を形成し、さらにｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２上に赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層を形成する。すなわち、厚さ：０．９μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０３と、厚さ：５０ｎｍのＡｌ0.13Ｇａ0.87ＡｓとＧａＡｓの超格子構造からなる活性層１０４と、厚さ：０．９μｍのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５と、厚さ：０．０５μｍのｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層１０６と、厚さ：０．１μｍのｐ−ＧａＡｓキャップ層１０７とをｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２上に順次成長させる。さらに、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０７の上に所望の形状を有するＳｉＯマスク１０８を形成する。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯマスク１０８をエッチングマスクにして、赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層の一部に対して、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２表面が露出するまでウェットエッチングを行う。このとき、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層１０６、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５、及びｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０３の様なＰ系のエピタキシャル層のエッチングにおいては塩酸系のエッチング液を用い、ｐ−ＧａＡｓキャップ層１０７及び活性層１０４の様なＡｓ系のエピタキシャル層のエッチングにおいては燐酸系のエッチング液を用いる。すなわち、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２をストッパー層とした選択エッチングの方法が用いられるため、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の表面には凸凹が発生しない。その結果、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の上に赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層を形成する際の悪影響を防ぐことができる。すなわち、赤色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐことができる。
【００２６】
次に、図１（ｃ）に示すように、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層を形成する。すなわち、厚さ：０．９μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１１１と、厚さ：５０ｎｍの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5ＰとＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐの超格子構造からなる活性層１１２と、厚さ：０．９μｍのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１１３と、厚さ：０．０５μｍのｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層１１４とをエッチングにより露出したｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２上に順次成長させる。この赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層の形成前には、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２と赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層との界面、つまり再成長界面における抵抗成分の除去を行うため、エピタキシャル層を成長させるｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２に対してＨＣｌ：Ｈ2Ｏ＝１：１０の割合の液体で約１００秒の前処理を行い、その後にｎ−ＧａＡｓ基板１０１を成長室に導入する。また、同様の理由により、エピタキシャル成長前の基板クリーニング、つまりｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２表面の洗浄を行う。この基板クリーニングは、基板温度をエピタキシャル成長時の温度より約３０℃高い温度にし、またＡｓＨ3流量をエピタキシャル成長時の１．５倍の流量にして行われる。赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層を成長後、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層１１４の上に所望の形状を有するＳｉＯマスク１１５を形成する。
【００２７】
このとき、図１（ｃ）に示す工程において、赤外色用半導体レーザ素子部の表面上にも、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１１１等の赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層が成長するが、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐ層１１１等のエピタキシャル層はＡｌＧａＩｎＰ系半導体材料から構成されるため、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層は成長室中の水素のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５への進入を阻害しない。したがって、水素がｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５中に進入してＺｎの不活性化を起こすので、この不活性化によりＺｎが活性層１０４中に拡散することを防ぐことが出来る。
【００２８】
また、赤外色用半導体レーザ素子部及び赤色用半導体レーザ素子部は、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２上に形成されるため、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１表面の欠陥に起因する赤外色用半導体レーザ素子部及び赤色用半導体レーザ素子部の特性劣化を防ぐことが出来る。
【００２９】
次に、図２（ａ）に示すように、ＳｉＯマスク１１５をエッチングマスクにして、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層の一部に対してウェットエッチングを行う。このとき、新たに成長したエピタキシャル層はすべてＰ系であるので、塩酸系のエッチング液でｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２表面が露出するまでエッチングする。このエッチングにおいて、赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層の最上部はｐ−ＧａＡｓキャップ層１０７であるため、赤外色用半導体レーザ素子部のエッチング層はエッチングされない。その後、ＳｉＯマスク１１５及びｐ−ＧａＡｓキャップ層１０７を除去する。
【００３０】
最後に、図２（ｂ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１０１裏面にＡｕＧｅＮｉ電極１２０を蒸着し、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層１２２を介してｎ−ＧａＡｓ基板１０１表面にＡｕメッキ１２３を形成する。また、赤外色用半導体レーザ素子部１０及び赤色用半導体レーザ素子部２０のそれぞれのエピタキシャル層の上部にリッジ１２５を形成し、リッジ１２５の側面にｎ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流ブロック層１２１を形成する。さらに、赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０との間にＳｉＯ膜１２４を形成し、それぞれを分離する。これにより、赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０とを同一半導体基板上に備えた半導体レーザ装置が形成される。
【００３１】
上記に示した製造方法により形成された半導体レーザ装置は、赤外色用半導体レーザ素子、つまりｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２上に、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０３と、Ａｌ0.13Ｇａ0.87ＡｓとＧａＡｓの超格子構造からなる活性層１０４と、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５と、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層１０６とが順次積層されてなる半導体レーザ構造体を備えている。また、この半導体レーザ装置は、赤色用半導体レーザ素子、つまりｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２上に、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１１１、（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5ＰとＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐの超格子構造からなる活性層１１２と、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１１３と、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層１１４とが順次積層されてなる半導体レーザ構造体を備えている。ここで、赤外色用半導体レーザ素子部１０及び赤色用半導体レーザ素子部２０の放出するレーザ光の方向は、略平行である。
【００３２】
以上のように、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、赤外色用半導体レーザ素子部１０及び赤色用半導体レーザ素子部２０を共通のｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の上に形成し、赤外色用半導体レーザ素子部１０の最表面上にｎ−ＧａＡｓバッファ層の再成長を行わないことを特徴とする。よって、赤色用半導体レーザ素子部２０の形成において、赤外色用半導体レーザ素子部１０を構成するｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５中のｐ−ドーパントであるＺｎが活性層１０４中に拡散することを防止し、活性層１０４中での非発光再結合中心の発生を防ぐことができる。その結果、赤外色用半導体レーザ素子の電流閾値の上昇、輝度低下、低寿命等の問題が発生するのを防ぎ、赤外色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置の製造方法を実現することができる。
【００３３】
この活性層１０４中へのＺｎの拡散防止は、Ｚｎの水素パッシベーションによる不活性化が関係する。すなわち、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５中に水素が取り込まれると、水素はｐ−ドーパントであるＺｎとＰとの結合を切ってＰと結合する。その結果、Ｚｎが不活性化し、ホール濃度が低下する。このアクセプターとなっている活性化されたＺｎ（Ｚｎｓ-）と格子間にあり拡散するＺｎ（ＺｎＩ+）とは、次のような平衡状態の式で関係づけられている。
【００３４】
ＺｎＩ+ ＋  Ｖａ  ⇔  Ｚｎｓ-  ＋  ２ｈ
ここでＶａは元々Ｚｎが存在していた空孔、ｈはホールを表す。
【００３５】
つまり、Ｚｎの活性化が強いと、その分拡散するＺｎが多くなることになる。その反対にＺｎの活性度が弱いと、拡散するＺｎが少なくなる。従来技術で示した半導体レーザ装置の製造方法では、赤色用半導体レーザ素子部２０のエピタキシャル層のｎ−ＧａＡｓバッファ層３１１を形成するとき、赤外色用半導体レーザ素子部１０のエピタキシャル層上にもｎ−ＧａＡｓバッファ層３１１が形成されるわけであるが、ｎ−ＧａＡｓバッファ層３１１は、外部からの水素の侵入をブロックする作用がある。その結果、赤外色用半導体レーザ素子部のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３０５中のＺｎが強く活性化され、多くのＺｎが活性層３０４中に拡散し、赤外色用半導体レーザ素子部１０の特性を低下させるというという課題があった。しかし、本発明の第１の実施形態に係る製造方法では、赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０とが同一のｎ−ＧａＡｓバッファ層１０２の上に形成され、赤外色用半導体レーザ素子部１０のエピタキシャル層最表面上にｎ−ＧａＡｓバッファ層の再成長を行わない。その結果、赤外色用半導体レーザ素子部１０のｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層１０５のＺｎを不活性化し、活性層１０４へのＺｎの異常拡散を阻害出来る。したがって、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置では、赤外色用半導体レーザ素子の電流閾値の上昇、輝度低下、低寿命等の問題を防ぐことが出来るのである。
【００３６】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置及びその製造方法について、図面を参照にしながら説明する。図３、図４は半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図を表し、図４（ｂ）はこの製造方法を用いて形成される半導体レーザ装置の構造を示す半導体レーザ装置の断面図を表している。なお、図３、図４において、ｎ型領域はＳｉをドーピングすることより形成され、ｐ型領域はＺｎをドーピングすることにより形成されるものとする。
【００３７】
まず、図３（ａ）に示すように、半導体基板としてのｎ−ＧａＡｓ基板２０１の上にｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２を形成し、さらにｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２上に赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層を形成する。このとき、このエピタキシャル層の構造及び製造方法は、図１（ａ）で示す第１の実施形態の赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層の構造及び製造方法と同一である。さらに、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２０７の上に所望の形状を有するＳｉＯマスク２０８を形成する。
【００３８】
次に、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＯマスク２０８を用いて赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層のエッチングを行う。このエッチングは、図１（ｂ）で示す第１の実施形態のエッチングと同一の方法で行われる。エッチング後、ＳｉＯマスク２０８の除去とｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２表面の洗浄とを行う。具体的には第１の実施形態ので述べたような、塩酸を含む液体を用いた前処理、及び基板クリーニングを行う。
【００３９】
次に、図３（ｃ）に示すように、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層を形成する。すなわち、エッチングにより露出したｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２の上に、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６を０．０５μｍの膜厚で成長させた後、厚さ：０．９μｍのｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２１１と、厚さ：５０ｎｍの（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5ＰとＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐの超格子構造からなる活性層２１２と、厚さ：０．９μｍのｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２１３と、厚さ：０．０５μｍのｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層２１４とを順次成長させる。このエピタキシャル層の形成において、０．０５μｍ厚の第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６を形成したが、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２の膜厚より小さく、０．０２〜０．１μｍの範囲にある膜厚の第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６であればこれに限られない。この理由については後述する。赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層を形成後、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層２１４の上に所望の形状を有するＳｉＯマスク２１５を形成する。
【００４０】
次に、図４（ａ）に示すように、ＳｉＯマスク２１５をエッチングマスクにして、赤色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層の一部に対してウェットエッチングを行う。このとき、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２１１、活性層２１２、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２１３、及びｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層２１４のエッチングは、図２（ａ）で示す第１の実施形態のエッチングと同一の条件で行われる。また、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６のエッチングは、燐酸系のエッチング液を用い、膜厚に相当する時間行われる。すなわち、赤外色用半導体レーザ素子部のエピタキシャル層の最上部はｐ−ＧａＡｓキャップ層２０７であり、通常は燐酸系のエッチング液でエッチングされる。しかし、このエッチングにおいて第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６が膜厚分しかエッチングされていないため、エッチングされず残ることになる。次にｐ−ＧａＡｓキャップ層２０７を、燐酸系のエッチング液で膜厚に相当する時間エッチングをおこなう。最後にＳｉＯマスク２１５を除去する。
【００４１】
最後に、図４（ｂ）に示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板２０１裏面にＡｕＧｅＮｉ電極２２０を蒸着し、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２２を介してｎ−ＧａＡｓ基板２０１表面にＡｕメッキ２２３を形成する。また、赤外色用半導体レーザ素子部１０及び赤色用半導体レーザ素子部２０のそれぞれのエピタキシャル層の上部にリッジ２２５を形成し、リッジ２２５の側面にｎ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流ブロック層２２１を形成する。また、赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０との間にＳｉＯ膜２２４を形成し、それぞれを分離する。これにより、赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０とを同一半導体基板上に備えた半導体レーザ装置が形成される。
【００４２】
上記に示した製造方法により形成された半導体レーザ装置は、赤外色用半導体レーザ素子、つまりｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２上に、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０３と、Ａｌ0.13Ｇａ0.87ＡｓとＧａＡｓの超格子構造からなる活性層２０４と、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０５と、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層２０６とが順次積層されてなる半導体レーザ構造体を備えている。また、この半導体レーザ装置は、赤色用半導体レーザ素子、つまりｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２上に、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６と、ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２１１、（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5ＰとＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐの超格子構造からなる活性層２１２と、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２１３と、ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層２１４とが順次積層されてなる半導体レーザ構造体を備えている。すなわち、半導体レーザ装置は、同一半導体基板上に、上述した赤外色用半導体レーザ素子部１０と赤色用半導体レーザ素子部２０とを備えた構造を有している。
【００４３】
以上のように、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、赤色用半導体レーザ素子部２０のエピタキシャル層の形成に際して、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２の上に第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６を形成し、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６はｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２よりも薄膜であることを特徴とする。
【００４４】
すなわち、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６をｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２よりも薄膜とすることにより、赤色用半導体レーザ素子部２０のエピタキシャル層を形成するためのエピタキシャル成長時に、ｎ−ＧａＡｓバッファ層２０２と赤色用半導体レーザ素子部２０のエピタキシャル層との界面、つまり再成長界面がヘテロ結合になるのを防止することが出来る。また、再成長界面に第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６を形成しても、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０５への水素の侵入がブロックされず、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０５中に水素が取り込まれてＺｎの活性層２０４中への拡散が防止される。その結果、赤外色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぐ半導体レーザ装置の製造方法を実現することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、具体的な第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の膜厚は０．０２〜０．１μｍである。
【００４６】
この理由について、図５を用いて説明する。図５は第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の厚みを横軸に、活性層２０４内のＺｎ濃度を縦軸として示す特性相関図である。
【００４７】
図５より、第２のバッファ層２１６の膜厚が０．３μｍ以上である場合には、活性層２０４内のＺｎ濃度は３×１０18ｃｍ-3程度でほぼ一定の高い値を示していることがわかる。これは、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の膜厚が０．３μｍ以上の場合には、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０５中への水素の取り込みはブロックされることに起因する。また、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の厚みが０．１から０．３μｍの間にある場合には、Ｚｎ濃度は急激に変化していることがわかる。さらに、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の厚みが０．１μｍ以下である場合には、Ｚｎ濃度は１×１０16ｃｍ-3まで小さくなり、ほぼ一定の低い値を示していることがわかる。これは、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の膜厚が０．３μｍ以下の場合には、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０５中への水素の取り込みが行われ、ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層２０５のＺｎが不活性化され、活性層２０４へのＺｎの異常拡散が阻害されることに起因する。
【００４８】
よって、活性層２０４へのＺｎの異常拡散を防止するために、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の膜厚は０．１μｍ以下に設定される。このとき、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の膜厚が０．０２μｍよりも薄くなると、再成長界面がヘテロ接合である場合とほぼ同一とみなすことになってしまうため、第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の膜厚は０．０２μｍ以上にされる。
【００４９】
以上の理由により、本実施形態では第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層２１６の膜厚は０．０２〜０．１μｍの範囲に設定される。
【００５０】
以上より、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法では、再成長界面がヘテロ結合になるのが防止され、かつクラッド層への水素の取り込みが行われる。このため、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置では、赤色用半導体レーザ素子の再成長界面での抵抗発生防止と、赤外色用半導体レーザ素子の電流閾値の上昇、輝度低下、低寿命等の防止とが実現される。その結果、赤色用半導体レーザ素子及び赤外色用半導体レーザ素子の特性劣化を防ぎ、優れた特性を有する半導体レーザ装置を実現することが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明に係る半導体レーザ装置及びその製造方法は、光ピックアップ装置等に用いられる赤色／赤外２波長半導体レーザ装置の製造方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】（ａ）本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｂ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｃ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。
【図２】（ａ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｂ）同半導体レーザ装置の製造方法及び構造を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。
【図３】（ａ）本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｂ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｃ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。
【図４】（ａ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｂ）同半導体レーザ装置の製造方法及び構造を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。
【図５】第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層の厚みと、活性層内のＺｎ濃度との関係を示す特性相関図である。
【図６】（ａ）従来技術に係る半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｂ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｃ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。
【図７】（ａ）同半導体レーザ装置の製造方法を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。（ｂ）同半導体レーザ装置の製造方法及び構造を説明するための半導体レーザ装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０    赤外色用半導体レーザ素子部
２０    赤色用半導体レーザ素子部
１０１、２０１、３０１    ｎ−ＧａＡｓ基板
１０２、２０２、３０２、３１１    ｎ−ＧａＡｓバッファ層
１０３、１１１、２０３、２１１、３０３、３１２    ｎ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
１０４、１１２、２０４、２１２、３０４、３１３    活性層
１０５、１１３、２０５、２１３、３０５、３１４    ｐ−（Ａｌ0.7Ｇａ0.3）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層
１０６、１１４、２０６、２１４、３０６、３１５    ｐ−Ｉｎ0.5Ｇａ0.5Ｐ通電容易層
１０７、２０７    ｐ−ＧａＡｓキャップ層
１０８、１１５、２０８、２１５、３０７、３１６    ＳｉＯマスク
１２０、２２０、３２０    ＡｕＧｅＮｉ電極
１２１、２２１、３２１    ｎ−Ａｌ0.5Ｉｎ0.5Ｐ電流ブロック層
１２２、２２２、３２２    ｐ−ＧａＡｓコンタクト層
１２３、２２３、３２３    Ａｕメッキ
１２４、２２４、３２４    ＳｉＯ膜
１２５、２２５、３２５    リッジ
２１６    第２のｎ−ＧａＡｓバッファ層
【図１】
2006287057.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006287057.tif 000009