(57)【要約】【課題】本発明は、バンドパスフィルタに用いられる性能を確保しつつ、電子機器の短小化、小型化を実現するＬＣ複合部品及びそれを用いた実装部品を提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、基体２と基体２に設けられた第一〜第三端子部と、基体２上に設けられたヘリカル導体部と、基体内部であって、基体２上に設けられたヘリカル導体部と対向する第一内層導体６ａ，６ｂを有し、前記基体内部であって、基体内部に設けられた第一内層導体と対向し第三端子部に電気的に導通する第二内層導体７ａ，７ｂを有し、第一〜第三端子部がそれぞれ相互に電気的に非導通であり、ヘリカル導体部が、第一〜第三端子部の間のいずれかの位置に設けられた構成とする。【選択図】図２
2006287678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の周波数帯域の信号を通過させるＬＣ複合部品であって、
誘電体からなる基体と、
前記基体の表面に設けられた導電膜と、
前記基体内に設けられた内層電極とを備え、
前記導電膜は、
互いに離れて配置された第一端子部、第二端子部、及び第三端子部と、
前記第一端子部と前記第三端子部との間、及び前記第二端子部と前記第三端子部との間の、少なくとも一方の端子部間に接続され、前記基体の外周を周回するヘリカル導体部とを有し、
前記内層電極は、
前記第一端子部及び前記第二端子部のうち、前記ヘリカル導体部が接続された端子部と対向する第一内層電極と、
前記第一内層電極と対向し、前記第三端子部に接続された第二内層電極とを有するＬＣ複合部品。
【請求項２】
請求項１記載のＬＣ複合部品であって、
前記ヘリカル導体部が、複数設けられたＬＣ複合部品。
【請求項３】
請求項２記載のＬＣ複合部品であって、
前記ヘリカル導体部が、前記第一端子部と前記第三端子部との間、及び前記第二端子部と前記第三端子部との間の端子間に、それぞれ接続されたＬＣ複合部品。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか１項記載のＬＣ複合部品であって、
前記第一端子部及び第二端子部は、それぞれ前記基体の両端に設けられ、
前記第三端子部は、前記基体の略中央に設けられたＬＣ複合部品。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか１項記載のＬＣ複合部品であって、
前記第一端子部及び前記第二端子部の少なくとも一方の端子部は、当該端子部を２つに分離させるギャップ部を有するＬＣ複合部品。
【請求項６】
請求項１ないし５いずれか１項記載のＬＣ複合部品であって、
前記第一内層電極は、
前記ヘリカル導体部に囲まれた内部電極と、
前記ヘリカル導体部に囲まれていない外部電極とを有し、
前記外部電極の電極面積が、前記内部電極の電極面積より小さいＬＣ複合部品。
【請求項７】
請求項１ないし５いずれか１項記載のＬＣ複合部品であって、
前記内層電極は、更に、前記ヘリカル導体部に囲まれていない独立内層導体を有するＬＣ複合部品。
【請求項８】
１ないし７いずれか１項記載のＬＣ複合部品と、
信号が流れる信号線路と接地された接地線路とを有する回路基板と、
前記回路基板の信号線路が、前記ＬＣ複合部品の第一端子部及び第二端子部に接続され、前記回路基板の接地線路が、前記ＬＣ複合部品の第三端子部に接続された実装部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信やパーソナルコンピュータなどの無線通信を行う電子機器等に好適に用いられるＬＣ複合部品及びそれを用いた実装部品に関するものである。なお、ここで、Ｌはインダクタ成分を表すものであり、Ｃは容量成分を表している。
【背景技術】
【０００２】
コードレス電話・携帯電話において、コスト削減・携帯電話の小型化を図るために部品の小型化・点数削減が望まれている。また、ノートブック型パソコンなどの携帯型モバイル電子機器においても、無線ＬＡＮなどを用いたデータ通信を行うものが増えており、これらの電子機器内部部品の小型化・部品点数削減が望まれている。
【０００３】
ＬＣ複合部品としては、無線通信回路において所望の周波数帯域の信号を選択的に通過させ不要な信号を減衰させる目的で各種フィルタ回路として用いられることが多い。フィルタには特定の帯域の周波数を通過させるバンドパスフィルタや低周波数帯域のみを通過させるローパスフィルタ、あるいは高周波帯域のみを通過させるバンドパスフィルタなどがある。
【０００４】
従来においては、これらのフィルタは個別チップ部品であるインダクタ部品とコンデンサ部品を用いて無線機器の基板上でＬＣ回路が実現された上で、フィルタが構成される場合がある。また誘電体フィルタ、表面弾性波フィルタ、積層ＬＣフィルタ等のフィルタ機能を有する複合部品も使用され、広帯域用途としては積層ＬＣフィルタが用いられることが多い（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。図１８は従来の技術における積層ＬＣフィルタの断面図であり、図１９は従来の技術における積層ＬＣフィルタの斜視図である。
【特許文献１】特開２０００−３４１０６９号公報
【特許文献２】特開平１−２５９５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、フィルタに必要となる減衰特性やその減衰曲線特性などについては、インダクタ成分であるＬと容量成分であるＣとの等価回路で決定され、これらのいずれかの値を変化させることで、所望のフィルタ特性を得ることが出来る。このとき、ＧＨｚ（ギガヘルツ）帯域などで用いられるフィルタを実現するには、一定以上のインピーダンスが必要となり、このためにはインダクタ値、もしくは容量値を適宜に制御する必要がある。
【０００６】
しかしながら、積層型の素子でフィルタを構成する場合には、インダクタ成分Ｌは積層体内部での印刷などによるため、値が小さくしかできず、必要な減衰特性を得るためには、容量成分を増加させる必要があるため、積層体の材料の改良や、積層体の積層数の増加などの余分な工数やコストがかかり、どうしても小型化や低コスト化に限界がある問題があった。
【０００７】
また、従来の積層ＬＣフィルタ等のＬＣ複合部品では、図１９（ｂ）の断面図から明らかな通り、誘電体層４１からなるセラミクス内部の電極４２より構成されるために複雑な工程を要しコスト削減が困難となる。また、工程が複雑であり工程数が増加することにより特性ばらつきの要因を多く含むことになる。特に、外部回路との接合では基板上の回路パターンとインピーダンスを整合するためにフィルタ内部の回路定数を微調整が出来ないので、外部の整合回路が別途必要となり携帯端末の小型化が困難となる問題があった。
【０００８】
一方、個別チップ部品でＬＣ回路を構成する場合、任意の回路定数が得ることができるので、基板回路設計の自由度が向上するが、複合部品に対し部品点数が多くなるため、実装面積が広くなり、基板や電子機器の小型化が困難となる問題があった。
【０００９】
本発明は、小型でありながら、容量成分を増加させることなく、インダクタ成分Ｌの寄与度を大きくして構成した、バンドパスフィルタからなる、ＬＣ複合部品及びそれを用いた実装部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、特定の周波数帯域の信号を通過させるＬＣ複合部品であって、誘電体からなる基体と、基体の表面に設けられた導電膜と、基体内に設けられた内層電極とを備え、導電膜は、互いに離れて配置された第一端子部、第二端子部、及び第三端子部と、第一端子部と第三端子部との間、及び第二端子部と第三端子部との間の、少なくとも一方の端子部間に接続され、基体の外周を周回するヘリカル導体部とを有し、内層電極は、第一端子部及び第二端子部のうち、ヘリカル導体部が接続された端子部と対向する第一内層電極と、第一内層電極と対向し、第三端子部に接続された第二内層電極とを有する構成とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の構成により、ヘリカル導体部により低域周波数側の減衰極を発生させると共に、第一内層電極及び第二内層電極により高域周波数側の減衰極を発生させることで、バンドパスフィルタを構成することが出来る。これにより、フィルタ特性を決定するための要因としての、容量成分Ｃよりも、インダクタ成分Ｌの寄与度を大きくすることが出来るので、容量成分を増加させる必要性をなくすことが出来る。その結果、従来の積層型の素子で行われる、積層数の増加や高価な材料の選択を行う必要がないので、小型でありながら、低コストのバンドパスフィルタを提供することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る第１の発明は、特定の周波数帯域の信号を通過させるＬＣ複合部品であって、誘電体からなる基体と、基体の表面に設けられた導電膜と、基体内に設けられた内層電極とを備え、導電膜は、互いに離れて配置された第一端子部、第二端子部、及び第三端子部と、第一端子部と第三端子部との間、及び第二端子部と第三端子部との間の、少なくとも一方の端子部間に接続され、基体の外周を周回するヘリカル導体部とを有し、内層電極は、第一端子部及び第二端子部のうち、ヘリカル導体部が接続された端子部と対向する第一内層電極と、第一内層電極と対向し、第三端子部に接続された第二内層電極とを有するＬＣ複合部品である。
【００１３】
この構成によれば、ヘリカル導体部により低域周波数側の減衰極を発生させると共に、第一内層電極及び第二内層電極により高域周波数側の減衰極を発生させることで、バンドパスフィルタを構成することが出来る。これにより、フィルタ特性を決定するための要因としての、容量成分Ｃよりも、インダクタ成分Ｌの寄与度を大きくすることが出来るので、容量成分を増加させる必要性をなくすことが出来る。その結果、従来の積層型の素子で行われる、積層数の増加や高価な材料の選択を行う必要がないので、小型でありながら、低コストのバンドパスフィルタを提供することが出来る。
【００１４】
本発明に係る第２の発明は、上記第１のＬＣ複合部品であって、ヘリカル導体部が、複数設けられたＬＣ複合部品である。この構成によれば、インダクタ成分を増加させることができる。
【００１５】
本発明に係る第３の発明は、上記第２のＬＣ複合部品であって、ヘリカル導体部が、第一端子部と第三端子部との間、及び第二端子部と第三端子部との間の端子間に、それぞれ接続されたＬＣ複合部品である。この構成によれば、低域周波数側の減衰極を複数設けることが出来るので、低域周波数側のカット特性を向上させることが出来る。
【００１６】
本発明に係る第４の発明は、上記第１ないし第３いずれかのＬＣ複合部品であって、第一端子部及び第二端子部は、それぞれ基体の両端に設けられ、第三端子部は、基体の略中央に設けられたＬＣ複合部品である。この構成によれば、バンドパスフィルタを実現する等価回路を左右対称にすることが出来るので、ＬＣ複合部品の実装の方向性を無くすことが出来る。
【００１７】
本発明に係る第５の発明は、上記第１ないし第４いずれかのＬＣ複合部品であって、第一端子部及び第二端子部の少なくとも一方の端子部は、当該端子部を２つに分離させるギャップ部を有するＬＣ複合部品である。この構成によれば、インダクタンス成分と直列に容量成分を生成することが出来るので、低域周波数側の減衰極の周波数を調整することが出来る。
【００１８】
本発明に係る６の発明は、上記第１ないし第５いずれかのＬＣ複合部品であって、第一内層電極は、ヘリカル導体部に囲まれた内部電極と、ヘリカル導体部に囲まれていない外部電極とを有し、外部電極の電極面積が、内部電極の電極面積より小さいＬＣ複合部品である。この構成によれば、第一内層電極を鎖交する、ヘリカル導体部からの磁束数を少なくすることが出来るので、ヘリカル導体部に生じる磁束を出来るだけ妨げないようにすることが出来、ヘリカル導体部のインダクタ成分のＱ値劣化を防ぐことが出来る。
【００１９】
本発明に係る７の発明は、上記第１ないし第５いずれかのＬＣ複合部品であって、内層電極は、更に、ヘリカル導体部に囲まれていない独立内層導体を有するＬＣ複合部品である。この構成によれば、カットオフ周波数を変化させること無く、フィルタの減衰特性曲線における極の発生位置を変化させることが出来、フィルタ性能を向上させることが出来る。
【００２０】
本発明に係る８の発明は、上記第１ないし第７いずれかのＬＣ複合部品と、信号が流れる信号線路と接地された接地線路とを有する回路基板と、回路基板の信号線路が、ＬＣ複合部品の第一端子部及び第二端子部に接続され、回路基板の接地線路が、ＬＣ複合部品の第三端子部に接続された実装部品である。この構成によれば、積層タイプでは高コストで、大型になっていたバンドパスフィルタとなる実装部品を小型でかつ低コストで実現することが出来る。
【００２１】
以下、図面を用いて説明する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図であり、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品のＡ−Ａ断面図であり、図１（ｃ）は本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品のＢ−Ｂ断面図である。図２は本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の内部透過図である。図３、図４、図５はそれぞれ本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図である。図６、図７、図８、図９はそれぞれ本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図である。図１０、図１１、図１２、図１３は本発明の実施の形態１におけるシミュレーション結果を示す図である。図１４（ａ）は独立内層導体を設けた場合のＬＣ複合部品のＡ−Ａ断面図であり、図１４（ｂ）は独立内層導体を設けた場合のＬＣ複合部品のＢ−Ｂ断面図である。
【００２３】
１はＬＣ複合部品、２は基体、３ａ、３ｂはヘリカル導体部、５ａは第一端子部、５ｂは第二端子部、５ｃは第三端子部、６ａ、６ｂは第一内層電極、７ａ、７ｂは第二内層電極、８は保護膜、９、１０、１１は接合膜である。第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、及び第三端子部５ｃは、互いに離れて配置されている。第一端子部５ａは、その端子部を２つに分離させるギャップ部５ａ１を有する。同様に、第二端子部５ｂは、その端子部を２つに分離させるギャップ部５ｂ１を有する。Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＮはそれぞれ容量成分であり、Ｌ１、Ｌ２、ＬＮはそれぞれインダクタ成分である。
【００２４】
最初に、図１（ａ）、図１（ｂ）、図１（ｃ）、図３を用いてＬＣ複合部品の各部の詳細について説明する。
【００２５】
まず、基体２について説明する。基体２は絶縁性を有する材料で構成される。基体２の構成材料としては、チタン酸バリウム、アルミナ、アルミナを主成分とした材料、フォルステライト、磁性フェライト、酸化シリコン等の材料が好適に用いられ、特に比誘電率の大きなチタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料を用いることで大きな容量を得ることができる、またアルミナやアルミナを主成分とする材料を用いることで、高周波に対応できる電子部品を得ることができ、しかも強度なども高く、加工性も良い。
【００２６】
基体２には、その全体（端部、側部を始め、側面全周に）に銅、銀、金、ニッケル等の導電材料で構成された導電膜が単層乃至複数積層され、導電性を有する表面が形成される。導電膜はめっき、蒸着、スパッタ、ペースト、ＣＶＤ法、印刷法などが用いられる。また、基体材料に用いられるセラミクスの比誘電率は１〜１５０程度が望ましい。これにより、基体２の表面全体が電気的に導通する導電膜が形成される。これにより、アルミナなどの誘電性材料で構成されている基体２が、容量成分を全体として有することになる。なお、後で述べるが、端部となる端面を除いて導電膜を形成してもよいものである。
【００２７】
図１（ａ）などにおいては、基体２は四角形状で表されているが、円柱状体や底面が５角形以上の多角柱状体でも良い。あるいは三角柱でも良い。
【００２８】
次に、基体２の形成に絡むため、第一内層電極６ａ、６ｂ、第二内層電極７ａ、７ｂについて先に説明する。
【００２９】
第一内層電極６ａ、６ｂ、第二内層電極７ａ、７ｂは、白金、タングステン、パラジウム、銅、金、ニッケル、銀、あるいはこれらの合金、その他の金属の板、あるいは、ペースト、あるいはパターンなどで形成され、基体２内部に形成される。また、このとき、図１（ｂ）に示されるように、第一内層電極６ａ、６ｂは基体２の対向する２面において、これらの２面に形成されている第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、と対向する面に形成される。第二内層電極７ａ、７ｂは第一内層電極６ａ、６ｂと対向する面に形成される。
【００３０】
また、後で述べるが、第一内層電極６ａ、６ｂと、ヘリカル導体部３ａ、３ｂとの間が、容量結合する必要があるので、第一内層電極６ａ、６ｂと基体２の対向する表面（すなわち対向するヘリカル導体部３ａ、３ｂ）との間の距離は、容量結合が可能であり、所望とするフィルタ特性に合わせた容量成分を発生させる距離とすることが好ましい。
【００３１】
また、容量結合をより適切に生じさせるために、ヘリカル導体部３ａ、３ｂが形成する平面、すなわち、基体２の面であって、第一内層電極６ａ、６ｂが対向する面と、第一内層電極６ａ、６ｂが略平行となることも好適である。これにより、生じさせる容量成分を、それぞれの箇所でアンバランスにすることが無くなるなどのメリットがある。
【００３２】
同様に、第一内層電極６ａ、６ｂと、第二内層電極７ａ、７ｂとの間が、容量結合する必要があるので、第一内層電極６ａ、６ｂと第二内層電極７ａ、７ｂの対向する面との間の距離は、容量結合が可能であり、所望とするフィルタ特性に合わせた容量成分を発生させる距離とすることが好ましい。
【００３３】
また、容量結合をより適切に生じさせるために、第二内層電極７ａ、７ｂが形成する平面と、第一内層電極６ａ、６ｂが略平行となることも好適である。これにより、生じさせる容量成分を、それぞれの箇所でアンバランスにすることを無くすることができる。
【００３４】
この、第一内層電極６ａ、６ｂ、第二内層電極７ａ、７ｂを形成する方法の一つとして、まず、基体２をスリップキャスティング法などで材料をシート状に成型し、一部のシートに第一内層電極６ａ、６ｂとなるパターンをスクリーン印刷などで形成し、別のシートに第二内層電極７ａ、７ｂとなるパターンをスクリーン印刷などで形成する（もちろん、金属膜を形成したり、金属板、金属ペーストなどにより第一内層電極６ａ、６ｂ、第二内層電極７ａ、７ｂをシートに形成したりしてもよい）。印刷に使用する導体のペーストはアルミナなどの高温焼結材料に対しては白金ペーストやタングステンペーストを用いることで、焼結時の酸化や拡散が防がれる。ガラスセラミクスなどの低温焼結材料では銀や銅のペーストを用いても良い。パターンを施されたシートとパターンの無いシートを多層重ねた後、焼成することで図１（ｂ）に示されるような第一内層電極６ａ、６ｂ、第二内層電極７ａ、７ｂを形成することも可能である。
【００３５】
また、第一内層電極６ａ、６ｂは、第三端子部５ｃと容量結合を生ずる必要が無く、ヘリカル導体部３ａ、３ｂから生じる磁界を妨げる方向に配置されているので図１に示すように、第一内層電極６ａ、６ｂと、第三端子部５ｃが対向する部分において切り欠きを構成してもよい。
【００３６】
即ち、第一内層電極６ａは、図２に示すように、ヘリカル導体部３ａ、３ｂに囲まれた内部電極６ａ１と、内部電極６ａ１電極面積がより小さく、ヘリカル導体部に囲まれていない外部電極６ａ２とを有している。同様に、第一内層電極６ｂは、ヘリカル導体部３ａ、３ｂに囲まれた内部電極６ｂ１と、内部電極６ｂ１電極面積がより小さく、ヘリカル導体部に囲まれていない外部電極６ｂ２とを有している。こうすることで、第一内層電極６ａ、６ｂを鎖交する、ヘリカル導体部３ａ、３ｂからの磁束数を少なくすることが出来るので、ヘリカル導体部３ａ、３ｂに生じる磁束を出来るだけ妨げないようにすることが出来、ヘリカル導体部３ａ、３ｂのインダクタ成分のＱ値劣化を防ぐことが出来る。
【００３７】
また、このように第一内層電極６ａ、６ｂが形成されることで、第一内層電極６ａ、６ｂは、第二内層電極７ａ、７ｂ、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃなどとは電気的に導通していない状態となる。第二内層電極７ａ、７ｂは図１（ｃ）に示されるように基体外導体に接続した形状になっているので第三端子部５ｃと電気的に導通し、第一内層電極６ａ、６ｂ、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂなどとは電気的に導通している状態となる。
【００３８】
次に、ヘリカル導体部３ａ、３ｂについて説明する。ヘリカル導体部３ａ、３ｂは基体の外周の全周に渡って設けられており、インダクタンス成分を形成する。例えば、ヘリカル導体部３ａ、３ｂの巻数や溝幅、溝深さなどを調整することでインダクタンス値を調整することが可能である。ヘリカル導体部３ａ、３ｂはギャップ部５ａ１、５ｂ１と第三端子部５ｃとの間に形成され、図１に表されるように、第三端子部５ｃと第一、第二端子部５ａ、５ｂのそれぞれとの間にヘリカル導体部３ａ、３ｂが設けられてもよく、あるいは、第一、第二端子部５ａ、５ｂと第三端子部５ｃとの間の一方にのみに設けられても良い。また、第一、第二端子部５ａ、５ｂと第三端子部５ｃとの間の双方にヘリカル導体部３ａ、３ｂが設けられる場合には、第三端子部５ｃを基準にして対称に形成されることで、第三端子部５ｃを中心とした対称回路となりＬＣ複合部品の実装の方向性を無くすことができる。実装の方向性がなくなることで、いずれの方向に実装した場合であっても、後に述べる同一の特性を有するフィルタとして働くため、実装ミスをなくし、結果として歩留まり向上や低コスト化を実現することができる。対称にヘリカル導体部を構成する場合、図１は第三端子部５ｃを基準に１８０度回転対称の位置に互いのヘリカル導体部を配置しているが、図３に示すように第三端子部５ｃを基準に１８０度鏡面対称の位置に互いのヘリカル導体部を配置してもよい、ヘリカル導体部３ａ、３ｂが発生する、インダクタンス成分の磁界方向の互いの方向性が変化させることでインダクタンス間の磁界結合の結合力を調整することができる。また、ギャップ部５ａ１、５ｂ１と第三端子部５ｃ間にはヘリカル導体部が一つではなく、２以上設けられても良い。
【００３９】
次に、ギャップ部５ａ１、５ｂ１について説明する。ギャップ部５ａ１、５ｂ１は、基体２に一対設けられ、それぞれが、基体２の全側面を完全に分断して、導電膜を剥ぎ取ることで形成される。ギャップ部５ａ１、５ｂ１により、基体２において、ヘリカル導体部３ａ、３ｂなどが存在する中央付近と、導電膜が分断されるため、電気的には非導通の状態が生じる。ここで、ギャップ部５ａ１、５ｂ１は、対向する面において結合容量を発生し、容量成分を形成する。すなわち、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂとこれと対向する面において容量成分を形成することが可能となる。なお、第一端子部５ａと第二端子部５ｂは基体２において一対として形成される。
【００４０】
なお、ギャップ部５ａ１、５ｂ１の溝幅などを調整することで容量値を調整可能であり、用途に応じた容量成分を形成することが可能である。また、ギャップ部５ａ１、５ｂ１は一対の端子部となる第一端子部５ａ、第二端子部５ｂを形成するために作られるので、製造の容易性などから、基体２の両端部に近い位置に設けられることが好ましいが、もちろん、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂとして確保するべき面積や、容量成分の値などの都合に応じて、更に中央付近に形成されてもよいものである。
【００４１】
第一端子部５ａ、第二端子部５ｂおよび、第三端子部５ｃを形成するためのギャップ部５ａ１、５ｂ１などは、基体２上を覆う導電膜を、レーザーや砥石などでトリミングすることにより、形成される。また、その溝幅や深さなどを適宜調整することで、対向する面同士で発生する容量成分を調整することが可能となるため、適宜、これらを調整することも好適である。
【００４２】
なお、レーザートリミングなど以外に、フォトリソ技術を用いて、ほぼ全面に形成された導電膜にレジストを設け、エッチングなどで形成しても良い。また、ここではギャップ部５ａ１、５ｂ１として説明したが、これは第一端子部５ａ、第二端子部５ｂを形成し、それぞれにおいて容量結合を発生させるために、設けられるものであり、ギャップ部５ａ１、５ｂ１と呼ばれるものではなく、溝、切り取り、切削、剥ぎ取り、切り込みなど、いずれのものであってもよいものである。
【００４３】
次に、第一、第二端子部５ａ、５ｂ、第三端子部５ｃについて説明する。第一端子部５ａ〜第三端子部５ｃは、相互に電気的に非導通となっている。なお、第一端子部５ａ〜第三端子部５ｃは、明細書、請求の範囲において、明示するためにつけた名称であり、第一〜第三という数字には特に構成としての要件はなく、それぞれ入れ替わっても良く、別の名称であってもよいものである。
【００４４】
第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃは、上記のように基体２を覆う導電膜にトリミングなどにより設けられたギャップ部５ａ１、５ｂ１が形成されることで構成される。更に、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃは導電材料による導電膜で構成されている。
【００４５】
これは、上記のように、基体２全体に形成された導電膜にギャップ部、５ａ１、５ｂ１を設けることで形成されてもよく、あらかじめ、ギャップ部５ａ１、５ｂ１が設けられた基体２表面に、ギャップ部５ａ１、５ｂ１を回避した上で、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃ表面にも導電膜を形成することで実現される。あるいは、導電性能や強度調整などのために、更に多層の導電膜を形成してもよく、ヘリカル導体部３ａ、３ｂなどが存在する基体２の表面と異なり、その導電膜材料や層構造が異なってもよいものである。
【００４６】
また、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは基体２に設けられた一対の端子部となり、両端に形成されるのが普通であるが、例えば両端部には突出部などが存在する場合などには、両端でなくともよい。あるいは、基体２の途中部分に形成されても良く、それぞれが対照となる位置ではなく、非対称となる位置に設けられても良い。
【００４７】
また、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは基板に実装されるため、実装ランドとの親和性の高いめっき層構造などを形成することも好適である。
【００４８】
第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは基体２の端面と、基体２の側面にそれぞれ設けられればよいが、端面には導電膜を形成せず、基体２の側面にのみ設けられてもよい。あるいは側面のうち一部分の側面においてのみ形成されてもよい。
【００４９】
また、第三端子部５ｃは、基体２の途中部分であって、第一端子部５ａと第二端子部５ｂとの間に設けられればよいが、基体２の略中央に設けられることで、ＬＣ複合部品１の左右対称性を確保することができるメリットがある。もちろん、左右などのいずれかに偏移して配置されてもよいものである。
【００５０】
ここで、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂと第三端子部５ｃは実装基板に実装される。例えば、実装基板に設けられた実装ランドなどに半田付けなどにより形成されるものである。また、一対となる第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは、実装基板上の信号線上に実装されて、電気信号が入力し、出力する。これに対して、第三端子部５ｃは接地部に接続され、図６、図７により、後で説明されるような等価回路が実現されて、バンドパスフィルタが実現される。
【００５１】
次に、図４、図５を用いて、他の形状などの場合について説明する。図４には保護膜８が施されたＬＣ複合部品１が表されている。図５には基体２が第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃを除いた全周に渡って段落ちされている場合が表されている。
【００５２】
まず保護膜８について説明する。
【００５３】
保護膜８は、少なくともヘリカル導体部３ａ、３ｂ及びギャップ部５ａ１、５ｂ１を覆うように設けられる。勿論第一〜第三端子部５ａ、５ｂ、５ｃを除いた基体２の全周に設けられてもよい。保護膜８は絶縁性の材料で構成されており、樹脂やセラミックが好適に用いられ、具体的にはエポキシ樹脂などの樹脂材料や酸化シリコンなどの絶縁膜が挙げられる。
【００５４】
保護膜８は塗布、電着法、静電塗装などの各種方法を用いて形成される。また、チューブ状保護膜を用いて形成されてもよい。チューブ状保護膜は、チューブ形状をした保護膜８を基体２周囲に装着し、熱を加えて圧着させて実現される。チューブ状保護膜はヘリカル導体部やギャップ部５ａ１、５ｂ１を覆うように形成されるため、ヘリカル導体部３ａ、３ｂやギャップ部５ａ１、５ｂ１の溝内部に保護膜８が流れ込まない。このため、チューブ状保護膜を設けることによるヘリカル導体部特性、即ち、インダクタ特性の変動が生じることはないメリットがある。好ましくはチューブ状保護膜としては樹脂製でしかも熱収縮性のあるものを選ぶことが好ましい。これは、基体２にチューブ状保護膜を被せ、熱処理することでチューブが収縮し、確実にチューブ状保護膜を基体２上に形成することができるからである。
【００５５】
また塗布塗料としては電着塗料、転写塗料、ガラス、低温焼結セラミクスのいずれか、もしくはこれらを組み合わせて使用することが好適である。保護膜８が設けられることで、基体２の導電膜への損傷やヘリカル導体部３ａ、３ｂやギャップ部５ａ１、５ｂ１の溝などの損傷を防止することが可能となる。特に運搬時や実装時の衝撃や熱から守ることが可能となる。
【００５６】
接合膜９、１０、１１は、Ｓｎ単体やＳｎに鉛以外の元素を添加したいわゆる鉛フリー半田で構成される。なお、本実施の形態では、回路基盤上に実装するときなどに接合性を良くするために接合膜９、１０、１１を設けたが、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃで十分な場合には接合膜９、１０、１１は特に設ける必要はない。また、より好ましくは第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃと接合膜８、９、１０の間に半田食われを防止し、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃの耐候性などを防止するために、ニッケルもしくはニッケル合金の膜を設けることが好ましい。
【００５７】
また、図５に示すように、基体２において第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃを残して全周に渡って段落ちを設けることも好適である。段落ちを設けることで、実装時に回路基板とヘリカル導体部３ａ、３ｂが直接接することがなくなり、特性への影響が生じないからである。また保護膜８が設けられた場合には、保護膜８の高さが第一〜第三端子部５ａ、５ｂ、５ｃの高さとほぼ同じ程度になりうるため、実装時に第一端子部５ａ、第二端子部５ｂ、第三端子部５ｃの実装不具合が生じることがなく、素子立ちなどの問題も生じない。更に保護膜８を厚く形成でき、ヘリカル導体部３ａ、３ｂなどの耐候性を向上させることができる。ここで、段落ちをさせた場合であっても図１、図３に示す構成と同様の効果を有することはもちろんである。
【００５８】
次に、以上のような構成によるＬＣ複合部品の動作メカニズムについて説明する。以上の構成により、まずヘリカル導体部３ａ、３ｂと第一端子部５ａ、と第二端子部５ｂにとおいて生じるインダクタ成分と容量成分により、ハイパスフィルタ特性が発生する。すなわち、図１においてヘリカル導体部３ａのインダクタ値をＬ１、ヘリカル導体部３ｂのインダクタ値をＬ２、第一端子部５ａ、と第二端子部５ｂにおける結合容量の値はＣ１、Ｃ２、第一内層電極６ａ、６ｂとヘリカル導体部３ａ、３ｂ間の結合容量がＣ３となり、図６に示されるハイパスフィルタ等価回路図となる。
【００５９】
ここで、図７に示される等価回路により、高周波帯域のみを通過させるハイパスフィルタ特性を有する。即ち、接地にインダクタ成分Ｌ１が接続され、これと並列となる容量成分Ｃ１、Ｃ２が接続されることが、ハイパスフィルタの特性を有する基本的な回路構成となる。従来の技術における積層タイプの素子では、このような回路構成を形成することは非常に面倒であった。
【００６０】
ここで、図６のＣ３、Ｌ１、Ｌ２をＹ−Δ変換すると図７に表される等価回路になる。この図７は上記に記載の通り、図１〜図５に表される本発明の構成により実現される等価回路であり、結果として、バンドパスフィルタを実現する図６の等価回路が構成されることがわかる。
【００６１】
この図７の回路はハイパスフィルタのＴ型回路として一般に知られているが、インダクタ成分のインピーダンスＺは（数１）で表され、容量成分のインピーダンスＺ（数２）より周波数が高くなるほどインダクタンス成分は高インピーダンスとなり容量成分は低インピーダンスとなるので信号は回路を流れやすくなるハイパス特性となる。
【００６２】
【数１】
2006287678.tif 000003
【００６３】
【数２】
2006287678.tif 000004
このＬＣ複合回路１を信号線路上に実装し、第一端子部５ａ、第二端子部５ｂの一方から信号が入力し、他方から信号が出力する場合には、高周波帯域の信号のみを通過させるハイパスフィルタとして動作する。
【００６４】
さらに、このとき第三端子部５ｃを接地に接続することで通過帯域低周波の信号を確実に除去することができる。
【００６５】
更に、ヘリカル導体部３ａ、３ｂにおいてインダクタンス成分を持つと共にスパイラル線間に電界結合を生じて図８に示す様に寄生容量として等価回路上インダクタンスに並列に配置される容量Ｃｐ１、Ｃｐ２が発生する。入力された信号は容量Ｃｐ１を通過する信号と、インダクタンスＬ１を通過する信号とに別れる。このとき二つの経路の位相の変化インダクタンス部は９０度変化し、容量部は−９０度変化する。再び合成される信号は１８０度逆相の信号となりＣｐ１とＬ１の並列共振回路の共振周波数ｆｒ１において信号は０となる。共振条件である（数３）より共振周波数ｆｒ１が算出される。更にＣｐ２を通過する信号と、インダクタンスＬ２を通過する信号も同様にＣｐ２とＬ２の並列共振回路の共振周波数ｆｒ２において信号は０となる。以上の結果フィルタ特性は周波数ｆｒ１とｆｒ２に極をもつ減衰特性を示す。
【００６６】
【数３】
2006287678.tif 000005
加えて、第二内層電極７ａ、７ｂにおいては対向する第一内層電極６ａ、６ｂと容量電界結合を生じて図９に示す容量Ｃｎが発生する。第二内層電極７ａ、７ｂは自体がインダクタ成分Ｌｎをもち、第一端子部５ｃと接続されており、図９に示すＣｎ、ＬｎからなるＬＣ直列共振回路となる。共振条件である（数３）より共振周波数ｆｎが算出される。
さらに、このとき第三端子部５ｃを接地に接続することで通過帯二倍波の周波数に減衰極を発生させ信号を確実に除去することができる。
【００６７】
図１０にはこのＬＣ複合部品１をバンドパスフィルタとして実験した実験結果が記載されており、等価回路を表す図８に記載の条件に基づいて実験した結果が示されている。図９から明らかな通り、５ＧＨｚ〜６ＧＨｚの信号を帯域通過させるバンドパスフィルタとなっている。また２ＧＨｚと４ＧＨｚに極が発生しており、減衰曲線のカーブが十分に急峻で、性能の高いハイパス特性になっていることがわかる。この極は、ヘリカル導体部３ａ、３ｂの溝間で発生する容量Ｃｐ１、Ｃｐ２により実現される。更に通過帯域の二倍である１１ＧＨｚに極が発生しており、二倍波を減衰させハイパス特性、且つローパス特性を有するバンドパスフィルタを構成することができる。
【００６８】
このＣｎ、ＬｎからなるＬＣ直列共振回路は第二内層電極７ａ、７ｂの寸法で決定される。図１における寸法ｗ１、ｗ２はｗ１はＬｎをｗ２はＣｎを決定する因子となる。図１１に示すように寸法ｗ１、ｗ２を変化させることで極の周波数ｆｎを変化させることが可能となる。図１２はｗ１を０．０１〜０．３ｍｍ変化させたグラフで極の周波数ｆｎは１０〜１４ＧＨｚの範囲で変化している。図１３はｗ２を０．０１〜０．２ｍｍ変化させたグラフで極の周波数ｆｎは１０〜１２ＧＨｚの範囲で変化している。このことから第二内層電極７ａ、７ｂの寸法で極の周波数ｆｎを容易に制御することが可能であることが分かる。
【００６９】
更に、図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、基体内部に第一内層電極６ａ、６ｂ、第二内層電極７ａ、７ｂとは別個、独立した、独立内層導体２０を形成し、ヘリカル導体部３ａ、３ｂから生じる磁束を低減させることが出来る。なお、図１４（ａ）の断面方向は、図１（ａ）のＡ−Ａ方向と同一であり、図１４（ｂ）の断面方向は、図１（ａ）のＢ−Ｂ方向と同一である。これにより、図６などの等価回路に示されるＬ１、Ｌ２などを調整して、極の発生位置を変化させて、フィルタとしてのカットオフ特性を変化させることが可能となる。しかも、インダクタ成分と並列に発生している容量成分Ｃｐ１、Ｃｐ２の存在により、フィルタ特性としてのカットオフ周波数を変えることなく、極の発生周波数のみを変えることができるという、フィルタ特性向上の大きなメリットがある。
【００７０】
勿論、インダクタンス値Ｌ１、Ｌ２ならびに容量値Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３を数値調整することが可能であるので、バンドパスフィルタとしたときのカットオフ周波数を変化させることは可能である。これらは、ヘリカル導体部３ａ、３ｂやギャップ部５ａ１、５ｂ１、の溝幅、溝深さ、あるいは第一内層電極６ａ、６ｂの大きさ、面積、材質などを適宜変えることで実現できる。
【００７１】
ＬＣ複合部品として従来の技術では、積層ＬＣフィルタの１６０８サイズが最小であるが、本発明の実施例では１００５サイズ、更には０６０３サイズにて、ヘリカル導体部３ａ、３ｂにて１〜５６ｎＨのインダクタンスを得ることができ、基体材料に比誘電率１〜１５０のセラミクスを用いることでギャップ部５ａ１、５ｂ１の容量は幅０．０１〜０．１ｍｍのギャップで０．１〜１０ｐＦの容量を得ることができるので超小型０６０３サイズのＬＣ複合部品を実現することができ、従来の積層ＬＣフィルタに比べて非常に小型の部品でフィルタを構成することが可能となる。部品が小型になることで、実装面積を低減することができ、全体としてこれを組み込む電子機器を小型化することも可能となる。もちろん、これ以外の素子サイズであっても同様である。
【００７２】
また、インダクタを積層内部に構成した上で、積層部を容量成分とする積層型のＬＣ複合部品にくらべて、容量値とインダクタ値をトリミングにより決定することができるので、数値調整も非常に容易である。特に、トリミングという工程によりインダクタ値と容量値を同時に決定することが可能となり、同種の作業で、インダクタと容量を形成することができるため、転写や印刷などによりインダクタを形成した後に、積層を行うなどの複雑な工程を必要とする積層タイプのＬＣ複合部品に比べて、その工程は非常に簡略化される。工程が簡略化されることでばらつきを抑え、低コストも実現される。
【００７３】
また、トリミングという精度の高い手段を用いるので、精度の高い部品が実現され、積層する場合にどうしても生じうる容量値やインダクタ値のばらつきも少なくなるので、歩留まりも高くなり、低コスト化も容易に実現することが可能である。また、容量成分として、ギャップ部５ａ１の結合容量を用いることができるので、容量成分の決定や微調整も容易となるメリットがある。
【００７４】
ここで、フィルタなどのＬＣ複合部品は、そのフィルタ特性を十分に確保するために、一定のインピーダンスを必要とし、これは容量成分、もしくはインダクタ成分の適宜な大きさにより決められる。従来の技術の積層型などの素子では容量成分の調整を重視し、結果として素子が大型化したり、精度が悪くなったり、あるいはコストが高くなったりしていた。
【００７５】
また、本発明は、容量成分ではなくてインダクタ成分に着目してＬＣ複合部品を実現した。即ち、基体２表面に導電膜を形成して、これにヘリカル導体部３ａ、３ｂを形成することで、十分なインダクタ値を得ることで、積層タイプなどでは容量値の確保に必要となる大型化や高コスト化を簡単に回避することに着想したものである。
【００７６】
しかも、素子を大型化することなく小型化し、更に、容量成分を増加させるために高価な材料の選択なども不要となり低コストとなるメリットを有している。更に、従来の積層型の素子では面倒であった、ハイパス回路を実現する図７の等価回路を実現するために、まず図６に示される等価回路を実現するために、第一内層電極６ａ，６ｂをヘリカル導体部３ａ、３ｂと対向する構成に至ったものである。
【００７７】
更に第二内層電極７ａ，７ｂにて比較的小さな回路定数で通過帯域の倍数波に減衰極を生じる、ＬＣ直列共振回路を構成しローパス回路を同時に実現可能とした。これに加えて、独立内層導体２０を設けることで、磁束密度を簡単に減衰させて通過周波数を変えることなく、極の発生周波数を簡単に変化させることができることにも着想し、積層タイプなどでは困難だった性能向上を達成できたものである。
【００７８】
以上より、歩留まりが高く低コストであって、非常に小型で精度の高いＬＣ複合部品を実現することができ、更に、高周波帯域のみを通過させる、バンドパスフィルタを実現することが可能となる。
【００７９】
（実施の形態２）
次に、ＬＣ複合部品の工法について説明する。
【００８０】
図１５、図１６は本発明の実施の形態２におけるＬＣ複合部品の工法図である。１２は回転支持台であり、１３はモーターであり、１４はレーザー照射器であり、１５は導電膜付基体であり、１６はヘリカル溝である。導電膜付基体１５は実施の形態１で説明したとおり、アルミナもしくはアルミナを主成分とするセラミック材料等の絶縁体もしくは誘電体材料などをプレス加工、押し出し法等を施して形成される。更に導電膜付基体１５の導電膜は、銅、銀、金、ニッケル等の導電材料で構成された導電膜を単層乃至複数積層されて形成される。
【００８１】
図１５に示すとおり、回転支持台１２に導電膜付基体１５が設置され、モーター１３により回転され、レーザー照射器１４からレーザー光線が導電膜付基体１５に照射されるとともに、レーザー照射器１４かもしくは回転支持台１２の少なくとも一方を移動させることでヘリカル溝１６が形成される。このとき、ヘリカル溝１６は確実に導電膜を超えて掘削され、ヘリカル状の導電膜が残り、これによりヘリカル状の導電膜を有するヘリカル導体部３ａ、３ｂが形成される。モーター１３は逆回転もできるようにすることで複数のヘリカルを鏡面対称形状に形成することもできる。
【００８２】
また、図１６に示すとおり、回転支持台１２に導電膜付基体１５が設置され、モーター１３により回転され、レーザー照射器１４からレーザー光線が導電膜付基体１５に照射されることでギャップ溝４ａ、４ｂが形成される。
【００８３】
図１５、図１６の動作をレーザー照射のＯＮ、ＯＦＦとモーター回転とレーザー照射器１４かもしくは回転支持台１２の少なくとも一方の移動をプログラム制御することで同一基体に複数のヘリカル導体部とギッャプ部を構成することができる。
【００８４】
また、一定の幅に渡ってヘリカル溝１６を形成した後、レーザー照射器１４からのレーザー照射を停止することで、導電膜付基体１５上にヘリカル溝１６が形成されない導体部１８が形成される。これを所望の回数繰り返すことで、ヘリカル溝１６を有する複数のヘリカル溝１６と複数の導体部１８とが交互に形成される。なお、レーザー照射ではなく、砥石などの切削加工を用いても良い。もちろん、ヘリカル導体部を１箇所のみ形成する場合には、一箇所のみレーザー照射を行って、レーザー照射を終了することで実現される。
【００８５】
（実施の形態３）
図１７は本発明の実施の形態３における電子回路の一部の概略図である。無線端末などの種々の電子機器の電子回路（実装部品）の一部である。３１、３２は信号が流れる信号線路であり。３３、３４は接地された接地線路である。３５は本発明のＬＣ複合部品である。図１７においてＬＣ複合部品３５の第一端子部５ａ、第二端子部５ｂは信号線路３１、３２に接続され、３１から入力した信号に対し本発明のＬＣ複合部品の共振周波数に通過帯域中心周波数を有する濾波処理をした信号を信号線路３２に出力する回路を構成できる。第三端子部５ｃは接地線路３３、３４に接続され、不要な信号をアースに短絡している。なお、図１７は、何らかの実装基板において、実施の形態１、２で説明したＬＣ複合部品が接続された場合が表されているものである。
【００８６】
このような回路が組み込まれることで、ノイズ除去のため或いは周波数選択のためのバンドパスフィルタとして用いられたりすることができる。このときには、非常に小型の素子体としてＬＣ複合部品３５を構成することが可能であるので、電子回路も小型化することができ、結果としてこれが組み込まれる電子機器が小型化される。また、ＬＣ複合部品が歩留まり高く低コストであるので、電子機器の低コストも実現され、実装後の動作不良などを低減することが可能となって、電子機器の信頼性を高めることも可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は、小型でありながら、容量成分を増加させることなく、インダクタ成分Ｌの寄与度を大きくして構成した、バンドパスフィルタからなり、コードレス電話・携帯電話など電子機器を構成する実装部品に適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図、（ｂ）本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品のＡ−Ａ断面図、（ｃ）本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品のＢ−Ｂ断面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の内部透過図
【図３】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図
【図４】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図
【図５】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の斜視図
【図６】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図
【図７】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図
【図８】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図
【図９】本発明の実施の形態１におけるＬＣ複合部品の等価回路図
【図１０】本発明の実施の形態１におけるシミュレーション結果を示す図
【図１１】本発明の実施の形態１におけるシミュレーション結果を示す図
【図１２】本発明の実施の形態１におけるシミュレーション結果を示す図
【図１３】本発明の実施の形態１におけるシミュレーション結果を示す図
【図１４】（ａ）独立内層導体を設けた場合のＬＣ複合部品のＡ−Ａ断面図、（ｂ）独立内層導体を設けた場合のＬＣ複合部品のＢ−Ｂ断面図
【図１５】本発明の実施の形態２におけるＬＣ複合部品の工法図
【図１６】本発明の実施の形態２におけるＬＣ複合部品の工法図
【図１７】本発明の実施の形態３における電子回路の一部の概略図
【図１８】従来の技術における積層ＬＣフィルタの断面図
【図１９】従来の技術における積層ＬＣフィルタの斜視図
【符号の説明】
【００８９】
１    ＬＣ複合部品
２    基体
３ａ、３ｂ    ヘリカル導体部
５ａ    第一端子部
５ａ１、５ｂ１    ギャップ部
５ｂ    第二端子部
５ｃ    第三端子部
６ａ、６ｂ    第一内層電極
６ａ１、６ｂ１    内部電極
６ａ２、６ｂ２    外部電極
７ａ、７ｂ    第二内層電極
８    保護膜
９、１０、１１    接合膜
１２    回転支持台
１３    モーター
１４    レーザー照射器
１５    導電膜付基体
１６    ヘリカル溝
１７    ギャップ溝
１８    導体部
２０    独立内層導体
３１、３２    信号線路
３３、３４    接地線路
【図１】
2006287678.tif 000006
【図２】
2006287678.tif 000007
【図３】
2006287678.tif 000008
【図４】
2006287678.tif 000009
【図５】
2006287678.tif 000010
【図６】
2006287678.tif 000011
【図７】
2006287678.tif 000012
【図８】
2006287678.tif 000013
【図９】
2006287678.tif 000014
【図１０】
2006287678.tif 000015
【図１１】
2006287678.tif 000016
【図１２】
2006287678.tif 000017
【図１３】
2006287678.tif 000018
【図１４】
2006287678.tif 000019
【図１５】
2006287678.tif 000020
【図１６】
2006287678.tif 000021
【図１７】
2006287678.tif 000022
【図１８】
2006287678.tif 000023
【図１９】
2006287678.tif 000024