(57)【要約】【課題】  表示品質を向上させることができる液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器を提供すること。【解決手段】  アクティブマトリクス基板２に共通電極１２及び画素電極１１が設けられており、この画素電極１１と共通電極１２との間に発生する横電界により液晶６の分子方向が配向されるようになっているので、広い視野角を確保することができる。このように広い視野角を確保することにより、表示品質を向上させることができる。また、液晶装置１に不可欠な走査電極８と画素電極１１とを利用し、当該走査電極８と画素電極１１との間で第２絶縁層を挟持する構成としたので、補助容量を新たに設ける必要が無い。これにより、別途補助容量を設ける場合に比べて開口率の低下が少なくて済むという利点がある。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶材料を挟持して対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板のうち一方の基板に設けられた共通電極と、
前記共通電極を覆うように設けられた第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上に設けられた走査電極と、
前記走査電極の表面に設けられた第２絶縁層と、
一部が前記走査電極上に前記第２絶縁層を介して設けられているとともに前記走査電極と交差して前記第１絶縁層上に設けられた信号電極と、
前記信号電極に接続された２端子型の非線形素子からなるスイッチング素子と、
前記２端子型の非線形素子からなるスイッチング素子に接続され、前記共通電極との間で横電界を発生させるとともに、前記走査電極との間で保持容量を形成する画素電極と、
を具備することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記画素電極には、櫛歯電極が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記液晶装置の表示単位を構成する画素領域が、装置外部から入射する光を反射する反射領域と、前記光を透過する透過領域とを有し、
前記画素電極には、前記反射領域と前記透過領域とにそれぞれ櫛歯電極が設けられ、
前記反射領域に設けられた前記櫛歯電極が前記光を反射する材料からなり、
前記透過領域に設けられた前記櫛歯電極が前記光を透過する材料からなる
ことを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記反射領域に設けられた櫛歯電極がアルミニウムからなり、
前記透過領域に設けられた櫛歯電極がインジウム錫酸化物からなる
ことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
液晶材料を挟持するように一対の基板が対向配置された液晶装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち一方の基板に共通電極を形成する工程と、
前記共通電極を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層上に、走査電極及び前記走査電極と２端子型の非線形素子からなるスイッチング素子を構成する下部電極とが電気的に接続されたパターンを形成する工程と、
陽極酸化により、前記パターンの表面に第２絶縁層を形成する工程と、
前記パターンにおいて、前記走査電極と前記下部電極とを分離する工程と、
前記下部電極上及び前記走査電極上の一部において前記第２絶縁層を介在させて前記走査電極と交差して延在する信号電極と、前記下部電極上の他の一部において前記第２絶縁層を介在させて前記スイッチング素子を構成する上部電極と、を前記第１絶縁層上に形成する工程と、
前記上部電極に電気的に接続されるように、かつ、前記走査電極との間で容量を形成するように、画素電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４に記載の液晶装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、液晶を挟持するように一対の基板が対向配置されている。スイッチング素子としてＴＦＤ（Thin Film Diode）を用いた液晶装置においては、一対の基板のうち一方の基板に画像や動画等を表示する表示領域を覆うように共通電極が設けられており、他方の基板に信号電極が配列された構成となっている（例えば、特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開昭６２−１３４６２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような液晶装置にあっては、陰極線管（ＣＲＴ）に比べて視野角が狭く、動画等の表示品位が低いという問題がある。  
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表示品質を向上させることができる液晶装置、液晶装置の製造方法及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、液晶材料を挟持して対向配置された一対の基板と、前記一対の基板のうち一方の基板に設けられた共通電極と、前記共通電極を覆うように設けられた第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に設けられた走査電極と、前記走査電極の表面に設けられた第２絶縁層と、一部が前記走査電極上に前記第２絶縁層を介して設けられているとともに前記走査電極と交差して前記第１絶縁層上に設けられた信号電極と、前記信号電極に接続された２端子型の非線形素子からなるスイッチング素子と、前記２端子型の非線形素子からなるスイッチング素子に接続され、前記共通電極との間で横電界を発生させるとともに、前記走査電極との間で保持容量を形成する画素電極と、を具備することを特徴とする。
【０００５】
本発明によれば、対向する一対の基板のうち一方の基板に共通電極及び画素電極が設けられており、この画素電極と共通電極との間に発生する横電界により液晶分子の配向が制御されるようになっているので、広い視野角を確保することができる。広い視野角を確保することにより、表示品質を向上させることができる。なお、この横電界は、共通電極及び当該共通電極と段差を有する画素電極との間の電界である。このような電界により液晶装置を駆動する方式をフリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式と呼ぶ。
【０００６】
また、２端子型の非線形素子からなるスイッチング素子を用いた液晶装置を駆動する場合、各画素電極と共通電極との間で選択電圧−非選択電圧の切り替えを行う際に電圧シフトが生じる。電圧シフトにより、画素容量の両側の電圧（画素電圧）に損失が生じ、当該損失によって液晶装置を駆動する際の消費電力が大きくなってしまう。これに対して、画素領域内に別途補助容量を設ける構成が知られている。当該容量により画素電圧の損失が補完されるため、その分消費電力を抑えることができる。ただ、当該容量を形成するには一対の金属電極で絶縁層を挟持しなくてはならない。このため画素領域内に別途補助容量を設ける構成では、金属電極において光の反射・吸収が起こってしまうため、開口率の大幅な低下を余儀なくされていた。
【０００７】
本発明では、走査電極と画素電極とを利用し、当該走査電極と画素電極との間で第２絶縁層を挟持して容量を形成する構成としたことによって、当該容量によって画素電圧の損失を補完することができると共に、別途補助容量を設ける必要が無くなる。したがって、消費電力を抑えることができる上、別途補助容量を設ける場合に比べて開口率の低下が少なくて済むという利点がある。
【０００８】
また、前記画素電極には、櫛歯電極が設けられていることが好ましい。  
本発明では、横電界を発生させる画素電極に櫛歯電極が設けられているので、１つの画素に対してより小さな領域にも横電界を印加することができる。これにより、液晶材料の分子配向を緻密に制御することができる。
【０００９】
また、前記液晶装置の表示単位を構成する画素領域が、装置外部から入射する光を反射する反射領域と、前記光を透過する透過領域とを有し、前記画素電極には、前記反射領域と前記透過領域とにそれぞれ櫛歯電極が設けられ、前記反射領域に設けられた前記櫛歯電極が前記光を反射する材料からなり、前記透過領域に設けられた前記櫛歯電極が前記光を透過する材料からなることが好ましい。  
本発明では、画素領域のうち反射領域に設けられた櫛歯電極に照射される光は当該櫛歯電極で反射し、透過領域に設けられた櫛歯電極に照射される光は当該櫛歯電極を透過する。このように、反射領域・透過領域に設けられる櫛歯電極を、当該領域の光学特性に合わせるように設けることとしたので、いわゆる半反射・半透過型の液晶装置においても、本発明を適用することが可能となる。
【００１０】
また、前記反射領域に設けられた櫛歯電極がアルミニウムからなり、前記透過領域に設けられた櫛歯電極がインジウム錫酸化物からなることが好ましい。  
アルミニウムは光反射率が高く、安価であるため、反射領域に設けられた櫛歯電極に用いた場合、当該櫛歯電極で高い光反射率を確保することができると共に、低コストで液晶装置を製造することができる。また、インジウムチンオキサイドは透明であり、かつ、導電性を有するので、透過領域に設けられた櫛歯電極に用いた場合、透明電極として共通電極との間に横電界を発生させることができると共に当該櫛歯電極に照射される光を透過させることができる。
【００１１】
本発明の別の観点に係る液晶装置の製造方法は、液晶材料を挟持するように一対の基板が対向配置された液晶装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち一方の基板に共通電極を形成する工程と、前記共通電極を覆うように第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層上に、走査電極及び前記走査電極と２端子型の非線形素子からなるスイッチング素子を構成する下部電極とが電気的に接続されたパターンを形成する工程と、陽極酸化により、前記パターンの表面に第２絶縁層を形成する工程と、前記パターンにおいて、前記走査電極と前記下部電極とを分離する工程と、前記下部電極上及び前記走査電極上の一部において前記第２絶縁層を介在させて前記走査電極と交差して延在する信号電極と、前記下部電極上の他の一部において前記第２絶縁層を介在させて前記スイッチング素子を構成する上部電極と、を前記第１絶縁層上に形成する工程と、前記上部電極に電気的に接続されるように、かつ、前記走査電極との間で容量を形成するように、画素電極を形成する工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
本発明では、共通電極や画素電極等の電極を一方の基板に形成するようにしたので、製造ラインの単純化を図ることができる。また、走査電極の表面を陽極酸化することによって絶縁層を直接形成することができるので、走査電極と画素電極との間に容量を形成するための設計やプロセスが簡略化される。
【００１３】
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の液晶装置及び上記の液晶装置の製造方法により製造された液晶装置を搭載したことを特徴とする。  
本発明によれば、表示品質を向上させると共に、駆動時の消費電力を抑えることができる液晶装置が搭載されているので、表示部に表示される画質が良好であり、省エネルギー化を図ることの可能な電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（第１実施形態）  
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。  
図１は、本実施形態に係る液晶装置１の構成を示す斜視図である。
【００１５】
同図に示すように、液晶装置１は、液晶パネル４０と、バックライト４１とを主体として構成されている。液晶パネル４０は、アクティブマトリクス基板２とカラーフィルタ基板３とがシール材２６を介して貼り合わされ、当該アクティブマトリクス基板２とカラーフィルタ基板３とシール材２６との間に液晶６が挟持された構成になっている。シール材２６は開口部２６ａを有しており、当該開口部２６ａが封止材６２により封止されている。
【００１６】
本実施形態の液晶装置１は、スイッチング素子として二端子型非線形素子である薄膜ダイオード（ＴＦＤ）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を採用している。また、本実施形態の液晶装置１としては、装置外部から入射される光を反射することが可能であると共に、バックライト４１からの光を透過させることが可能な半反射・半透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００１７】
図２は、カラーフィルタ基板３の構成を示す平面図である。  
同図に示すように、カラーフィルタ基板３は、例えばガラスやプラスチック等の透明な材料によって形成された矩形の基板である。カラーフィルタ基板３上には遮光層１３が設けられており、遮光層１３で囲まれた領域（画素）に対応して赤色層１６Ｒ、緑色層１６Ｇ、青色層１６Ｂを有するカラーフィルタ１６が設けられている。  
また、カラーフィルタ１６を覆うようにオーバーコート層（図示せず）が形成され、オーバーコート層上には配向膜（図示せず）が形成されている。当該配向膜は、例えばポリイミド等からなり、表面がラビング処理された水平配向膜である。
【００１８】
図３は、アクティブマトリクス基板２の構成を示す平面図である。  
同図に示すように、アクティブマトリクス基板２は、例えばガラスや石英等の透明な材料により形成された矩形の基板である。表示領域２ａは、画像や動画等が表示される領域であり、当該表示領域２ａには、走査電極８と、信号電極９とが交差するように設けられている。
【００１９】
走査電極８は、図３中のＸ方向に延在する配線であり、例えばタンタル等の金属により形成されている。信号電極９は、図３中のＹ方向に延在する配線であり、例えばクロム等の金属により形成されている。また、当該走査電極８及び信号電極９により画素領域７が形成されている。具体的には、画素領域７は、各信号電極９の間であって走査電極８により中央部を横切られるように配置されている。当該画素領域７は、カラーフィルタ基板３のカラーフィルタ１６（図２参照）が設けられる領域に平面的に重なるようになっている。また、周縁部２ｂは、カラーフィルタ基板３と対向させたときに張り出している部分（張出部分、図１参照）であり、駆動回路や配線、電極等が形成されている。
【００２０】
図４は、画素領域７の表面の構成を示す平面図である。  
画素領域７は、カラーフィルタ基板３側からの光を反射する反射領域７ａと、バックライト４１からの光を透過する透過領域７ｂとに区画されている。画素領域７の表面には、絶縁層（第１絶縁層）１４が設けられている。絶縁層１４は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ）や金属酸化物（例えばタンタル酸化物等）、アクリル等の透明な有機材料等によって形成されている。絶縁層１４上には、上述した走査電極８及び信号電極９の他、画素電極１１及びスイッチング素子１０が設けられている。
【００２１】
画素電極１１は、反射領域７ａ及び透過領域７ｂに跨るように設けられている。反射領域７ａ側に設けられる画素電極１１ａは、例えばアルミニウム等の反射率の高い金属により形成されており、例えば配線１９を介してスイッチング素子１０に電気的に接続されている。当該画素電極１１ａには、櫛歯電極１８ａが設けられている。櫛歯電極１８ａは、画素領域７の中央部から反射領域７ａに向けて延在するように形成されており、Ｘ方向に間隙１７ａをおいて複数配列されている。
【００２２】
透過領域７ｂ側に設けられる画素電極１１ｂは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明な導電材料により形成されている。当該画素電極１１ｂには、櫛歯電極１８ｂが設けられている。櫛歯電極１８ｂは、画素領域７の中央部から透過領域７ｂに向けて延在するように形成されており、Ｘ方向に間隙１７ｂをおいて複数配列されている。画素電極１１ａと画素電極１１ｂとは、画素領域７の中央部において接続されている。
【００２３】
スイッチング素子１０は、例えばＴＦＤ等の素子により構成されている。ダイオードの一方が配線１９を介して画素電極１１ａに接続されており、他方が信号電極９に接続されている。絶縁層１４は、例えばタンタル等の金属の酸化物から構成されている。
【００２４】
図５は図４におけるＡ−Ａ断面を示す図であり、図６は図４におけるＢ−Ｂ断面を示す図である。  
図５に示すように、スイッチング素子１０は、例えばタンタル等の金属で形成された下部電極１０ａが、当該タンタル等の金属の酸化物で形成された絶縁膜１０ｂで覆われた二重構造となっている。スイッチング素子１０の絶縁膜１０ｂ上に信号電極９及び配線１９が設けられた構造となっている。  
図５に示すように、画素電極１１と配線１９との接続については、例えば図中左端の櫛歯電極１８が配線１９に乗り上げている構造になっており、当該乗り上げた部分において電気的接続がなされている。
【００２５】
また、図５に示すように、アクティブマトリクス基板２上には共通電極１２が設けられている。当該共通電極１２は、アクティブマトリクス基板２の表示領域２ａ（図３参照）を覆うように設けられている。図６に示すように、当該共通電極１２のうち、反射領域７ａ側に設けられる共通電極１２ａは、例えばアルミニウム等の反射率の高い金属によって形成されている。アルミニウムの他に、例えばクロムにより形成しても良い。
【００２６】
なお、図示を省略するが、共通電極１２のうちカラーフィルタ基板３側の面を粗く形成し、当該面においてカラーフィルタ基板３側から入射する光を散乱させるような構成にすることが好ましい。また、透過領域７ｂ側に設けられる共通電極１２ｂは、例えばＩＴＯ等の透明な導電材料によって形成されている。なお、先に説明した反射領域７ａに形成されている反射する共通電極１２ａは、この透明な共通電極１２ｂの上に堆積して形成してあっても良く、逆に反射する共通電極１２ａの上に透明な共通電極１２ｂを堆積させてあっても良い。
【００２７】
図６に示すように、走査電極８の周りには絶縁層（第２絶縁層）１５が設けられている。絶縁層１５は、例えば走査電極８を構成するタンタルの酸化物で形成されている。なお、絶縁層１５の材料として、タンタルの酸化物のほか、窒化ケイ素や有機材料であっても構わないが、陽極酸化を用いるプロセスでは、タンタル酸化物となる。画素電極１１は、当該絶縁層１５に被さるように走査電極８と平面的に重なっている。また、走査電極８と画素電極１１とが絶縁層１５を介して平面的に重なっている部分では、保持容量が形成されている。当該絶縁層１５は、少なくとも２０以上の比誘電率を有している。
【００２８】
また、これら配線、電極、素子等を覆うように平坦化膜（図示せず）が形成され、この平坦化膜上には配向膜（図示せず）が形成されている。この配向膜は、カラーフィルタ基板３に設けられた配向膜と同様、例えばポリイミド等からなり、表面がラビング処理された水平配向膜である。
【００２９】
図７は、液晶パネル４０の１つの画素領域７についての等価回路図である。  
同図に示すように、画素電極１１と共通電極１２との間では画素容量Ｃｐｉｘが形成されている。また、ＴＦＤ容量ＣＴＦＤは、スイッチング素子１０に寄生する寄生容量である。走査電極８と画素電極１１とで、保持容量Ｃｈｌｄを形成している。この保持容量によって、電圧シフトに起因する画素電圧の損失が補完されるようになっている。
【００３０】
図８は、上記のように構成された、液晶パネル４０を駆動したときの動作を示す図である。同図では、１つの画素領域７について図示している。  
液晶パネル４０を駆動して画素領域７のうち、画素電極１１と共通電極１２との間に画素電圧が印加するようにすることによって、横電界Ｅが発生する。より正確には、櫛歯電極１８ａ間の間隙１７ａ部分で櫛歯電極１８ａと共通電極１２との間に図面に略垂直方向の横電界が発生し、この横電界Ｅによって、液晶６の配向状態が制御される。このような電界により液晶パネル４０内の液晶の配向状態を制御する方式をフリンジ・フィールド・スイッチング（ＦＦＳ）方式と呼ぶ。
【００３１】
本実施形態に係る液晶装置１は半反射・半透過型の液晶装置である。ところで液晶パネル４０の構成は以上であるが、一般的に液晶パネル４０の内外側面には、液晶パネル４０内への入射、パネル外部に出射する光の偏光状態を変えたり、透過光量を変える制御をする光学素子、例えば、偏光板や位相差フィルム等が具備されている。  
反射モードにおいては、液晶パネル４０のカラーフィルタ基板３へと入射した光は、当該カラーフィルタ基板３、カラーフィルタ１６、液晶６及び絶縁層１４を透過し、共通電極１２ａで反射される。または、液晶６を透過した光が画素電極１１ａで反射される。反射された光は、絶縁層１４、液晶６、カラーフィルタ１６、カラーフィルタ基板３と戻り、カラーフィルタ基板３から液晶装置１の外部に射出される。ここで、フリンジ・フィールド・スイッチングによって、画素を形成する液晶６の配向状態を変えると、ここを通過する光の偏光状態もかわるので、外部に出射される光量も変って、これにより反射率が変ることで反射モードの表示を可能にする。
【００３２】
また、透過モードにおいては、バックライト４１から射出されアクティブマトリクス基板２へと入射した所定の偏光状態の光は、当該アクティブマトリクス基板２、絶縁層１４、液晶６カラーフィルタ１６及びカラーフィルタ基板３を透過し、カラーフィルタ基板３から液晶装置１の外部に射出される。ここで、フリンジ・フィールド・スイッチングによって、画素を形成する液晶６の配向状態を変えると、ここを通過する光の偏光状態もかわるので、外部に出射される光量も変って、これにより透過率が変ることで透過モードの表示を可能にする。なお、反射モードと透過モードとで、同じ画素電圧で適切な表示(反射率、透過率)が得られるように、反射領域と透過領域とで液晶６の層の厚さを変えたり、画素電極の櫛歯電極１８aの間隔１７ａと櫛歯電極１８ｂの間隔１７ｂを変えたり、更には、偏光状態を制御する光学素子の構成を変えても良い。これらの光学設計条件は本実施形態についての本質的なものではなく、これ以上の説明は省略する。
【００３３】
次に、このように構成された液晶装置１の製造方法を説明する。  
当該液晶装置１の製造工程では、カラーフィルタ１６が形成されるカラーフィルタ側マザー基板とスイッチング素子が形成されるアクティブマトリクス側マザー基板とを別個に形成し、形成した画素電極側マザー基板と共通電極側マザー基板とを貼り合わせ、貼り合わせた各マザー基板の間に液晶を注入することによって液晶装置１を製造する。以下、各工程について順に説明する。
【００３４】
まず、カラーフィルタ側マザー基板を形成する工程について説明する。  
ガラスやプラスチック等の透明な材料からなる基材のうちカラーフィルタ基板２の表示領域となる複数の領域に図示しない下地絶縁層を形成する。下地絶縁層を形成したら、当該下地絶縁層の上に遮光層１３を形成し、各遮光層１３の間にカラーフィルタ１６を形成する。
【００３５】
カラーフィルタ１６を形成したら、当該カラーフィルタ１６上にオーバーコート層を形成し、オーバーコート層の上に配向膜を形成して、配向膜に対してラビング処理を行う。配向膜は、例えばポリイミドを塗布又は印刷することによって形成することができる。このようにカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００３６】
次に、アクティブマトリクス側マザー基板の形成工程について説明する。  
図９に示すように、まず、ガラスや石英等の透明な材料からなる基材２０上に共通電極１２を形成する。反射領域７ａには、フォトリソグラフィ法等により例えばアルミニウムの膜を形成して共通電極１２ａをパターニングする。透過領域７ｂには、同じ方法で例えばＩＴＯの膜を形成して共通電極１２ｂをパターニングする。あるいは、ＩＴＯの膜を形成して、その上にアルミニウムの膜を形成して共通電極１２ａをパターニングする。更にあるいは、アルミニウムの膜を形成してその上にＩＴＯの膜を形成して共通電極１２ｂをパターニングする。
【００３７】
共通電極１２を形成したら、図１０に示すように、酸化ケイ素や、タンタル酸化物、アクリル等の樹脂材料を用いて当該共通電極１２の上に絶縁層１４を形成する。なお、例えば酸化ケイ素やタンタル酸化物等を用いる場合、ピンホールが発生することがある。ピンホールが発生した場合には、絶縁層１４を形成した後、エッチング処理を施すことによってピンホール近傍の下地（共通電極１２の一部）を除去することが好ましい。また、共通電極１２の表面に１回以上スパッタリングを繰り返すことが好ましい。更には、プラズマＣＶＤ法等を用いて、緻密な膜を形成しても良い。
【００３８】
次に、図１１に示すように、絶縁層１４上に金属パターン２１を形成する。この金属パターン２１は、走査電極８とスイッチング素子１０とを形成する基になる。例えばタンタル等の金属により、走査電極８が形成される部分とスイッチング素子１０が形成される部分とが一体的になるようにパターニングする。
【００３９】
次に、図１２に示すように、陽極酸化を行って、金属パターン２１上に絶縁層２２を形成する。具体的には、アクティブマトリクス側マザー基板を電解液中に浸漬し、当該電解液と、金属パターン２１との間に所定の電圧を印加することによって金属パターン２１の表面を酸化する。なお、スイッチング素子１０上に形成された絶縁層２２は絶縁膜１０ｂとなる。
【００４０】
絶縁層２２を形成したら、図１３に示すように、走査電極８になる部分とスイッチング素子１０になる部分とを切り離す。例えばエッチングを行うことにより、走査電極８になる部分とスイッチング素子１０になる部分との間を接続している部分を溶解する。切り離した後は、走査電極８となる部分に再度陽極酸化を行い、絶縁層１４を形成する。
【００４１】
次に、図１４に示すように、信号電極９を形成する。信号電極９は、例えばクロム等の金属をスイッチング素子１０の一端と交差するようにパターニングして形成する。同時に、スイッチング素子１０の他端に、例えばクロム等で配線１９を形成する。  
次に、図１５に示すように、画素電極１１を形成する。画素電極１１は、配線１９に接続されるように形成する。画素領域７ａに設けられる画素電極１１ａについては、各櫛歯電極１８ａと間隙１７ａとが形成されるように、また、図１５中左端の櫛歯電極１８ａを配線１９に重ねるように、例えばアルミニウムをパターニングする。画素領域７ｂに設けられる画素電極１１ｂについては、各櫛歯電極１８ｂと間隙１７ｂとが形成されるように、例えばＩＴＯをパターニングする。
【００４２】
次に、形成された配線等の上から平坦化膜を形成する。平坦化膜を形成したら、各画素領域内にポリイミド等からなる配向膜を形成し、この配向膜に対してラビング処理を行う。配向膜にラビング処理がなされたら、シール材２６を形成する。アクティブマトリクス基板２を形成する部分の周縁部に沿うように、エポキシ樹脂等からなるシール材２６を矩形枠状に形成する。シール材の一部に、液晶を注入するための開口部２６ａが形成されるようにする。  
以上の工程によって、アクティブマトリクス側マザー基板が形成される。
【００４３】
次に、カラーフィルタ側マザー基板とアクティブマトリクス側マザー基板との位置合わせをする。例えば、画像処理を使用した自動アライメント装置等を用い、カラーフィルタ側マザー基板及びアクティブマトリクス側マザー基板に予め形成しておいたアライメントマークの位置を合わせるようにすることができる。位置合わせを行った後、カラーフィルタ側マザー基板とアクティブマトリクス側マザー基板とを貼り合わせて大判液晶パネルを形成する。具体的には、位置を合わせた状態で、アクティブマトリクス側マザー基板がカラーフィルタ側マザー基板上のシール材に接着するように両基板を近接させる。
【００４４】
カラーフィルタ側マザー基板とアクティブマトリクス側マザー基板とを貼り合わせたら、両マザー基板の列方向にスクライブ溝を形成し、貼り合わせたままの状態でスクライブ溝に沿って両マザー基板を切断して、短冊状のパネルを形成する。この短冊状のパネルは、液晶注入口がすべて一方の露出した状態になっている。短冊状のパネルを形成したら、液晶注入口が露出した切断片側から液晶を注入する。
【００４５】
液晶注入後、各液晶注入口をエポキシ樹脂等の封止材によって封止する。液晶を注入し、液晶注入口を封止したら、短冊状のパネルの行方向にスクライブ溝を形成し、当該スクライブ溝に沿って短冊状のパネルを切断し、個々のパネルに分離する。短冊状のパネルを分離したら、分離した各パネルの洗浄を行い、各パネルの両表面に偏光板を貼り付ける。  
以上により、液晶装置１が完成する。
【００４６】
このように、本実施形態によれば、アクティブマトリクス基板２に共通電極１２及び画素電極１１が設けられており、この画素電極１１と共通電極１２との間に発生する横電界により液晶６の分子方向が配向されるようになっているので、広い視野角を確保することができる。広い視野角を確保することにより、表示品質を向上させることができる。
【００４７】
また、液晶装置を駆動する場合、各画素電極と共通電極との間で選択電圧−非選択電圧の切り替えを行う際に電圧シフトが生じる。電圧シフトにより、画素容量の両側の電圧（画素電圧）に損失が生じ、当該損失によって液晶装置を駆動する際の消費電力が大きくなってしまう。これに対して、画素領域内に別途補助容量を設ける構成が知られている。当該容量により画素電圧の損失が補完されるため、その分消費電力を抑えることができる。ただ、当該容量を形成するには一対の金属電極で絶縁層を挟持しなくてはならない。このため画素領域内に別途補助容量を設ける構成では、金属電極において光の反射・吸収が起こってしまうため、開口率の大幅な低下を余儀なくされていた。
【００４８】
本実施形態では、液晶装置に不可欠な走査電極８と画素電極１１とを利用し、当該走査電極８と画素電極１１との間で絶縁層１５を挟持して容量を形成する構成としたことによって、当該容量によって画素電圧の損失を補完することができると共に、別途補助容量を設ける必要が無くなる。したがって、消費電力を抑えることができる上、別途補助容量を設ける場合に比べて開口率の低下が少なくて済むという利点がある。
【００４９】
（第２実施形態）  
以下、本発明の第２実施形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、本実施形態で図示しない箇所については、第１実施形態における液晶装置１と同様の構成となっている。かかる箇所については、以下の説明では名称のみ記載し、符号は省略する。
【００５０】
図１６は、本実施形態に係る液晶装置１０１の構成を示す平面図であり、第１実施形態の図４に対応する図である。図で１１２以外は第１の実施形態と同じであり同一番号を付して、説明を省略する。また、本実施形態の液晶装置１０１としては、装置外部から入射される光を反射する反射型の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００５１】
１１２は共通電極で、第１実施形態の共通電極１２が透明部材と反射部材の両方で形成されているのに対し、本実施形態の共通電極１１２は総てアルミニウム等の反射部材で形成されている。他の構成は第１実施形態と全く同じである。  
上記のように構成された液晶装置１０１を駆動したときの動作は、これは第１の実施形態の反射領域の動作に他ならない。
【００５２】
したがって本実施形態のように、反射型の液晶装置１０１に本発明を適用することができる。反射型の液晶装置１０１に適用した場合であっても、画素電極１１と共通電極１１２との間に発生する横電界により液晶材料の分子方向が配向されるようになっているので、広い視野角を確保することができる。広い視野角を確保することにより、表示品質を向上させることができる。
【００５３】
（第３実施形態）  
以下、本発明の第３実施形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、本実施形態で図示しない箇所については、第１実施形態における液晶装置１と同様の構成となっている。かかる箇所については、以下の説明では名称のみ記載し、符号は省略する。
【００５４】
図１７は、本実施形態に係る液晶装置２０１の構成を示す平面図であり、第１実施形態の図４に対応する図である。図で２１２以外は第１の実施形態と同じであり同一番号を付して、説明を省略する。本実施形態の液晶装置２０１は、第１実施形態と同様にＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶装置を採用している。また、本実施形態の液晶装置１としては、例えばバックライトから入射される光を透過することが可能な透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。
【００５５】
２１２は共通電極で、第１実施形態の共通電極１２が透明部材と反射部材の両方で形成されているのに対し、本実施形態の共通電極２１２は総てＩＴＯ等の透明部材で形成されている。他の構成は第１実施形態と全く同じである。  
上記のように構成された液晶装置２０１を駆動したとき動作は、これは第１の実施形態の透過領域の動作に他ならない。
【００５６】
本実施形態のように、透過型の液晶装置２０１に本発明を適用することができる。透過型の液晶装置２０１に適用した場合であっても、画素電極１１と共通電極２１２との間に発生する横電界により液晶材料の分子方向が配向されるようになっているので、広い視野角を確保することができる。広い視野角を確保することにより、表示品質を向上させることができる。
【００５７】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。  
図１８は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。  
携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。表示部３０３には、本発明に係る液晶装置１、１０１、２０１が搭載される。  
このように、表示品質を向上させると共に、駆動時の消費電力を抑えることができる液晶装置１、１０１、２０１が搭載されているので、表示部３０３に表示される画質が良好であり、省エネルギー化を図ることの可能な電子機器を得ることができる。
【００５８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、図１９に示すように、走査電極８を画素領域７の図１９中で下方に配置するようにし、櫛歯電極１８をＹ方向（例えば図１９中上方）に、第１実施形態の場合に比べて長く延在するような構成にしても良い。勿論、走査電極８を画素領域７の図１９中で上方に配置し、櫛歯電極１８を図１９中下方に延在させる構成であっても構わない。
【００５９】
また、信号電極９の延在方向に沿うように櫛歯電極１８ａ及び櫛歯電極１８ｂをＹ方向に真っ直ぐ延在させるのではなく、図２０に示すように、「く」の字を描くように、すなわち、Ｘ方向（図２０中右方）に傾けるように延在させる構成にしても良い。勿論、櫛歯電極１８ａ及び櫛歯電極１８ｂの傾きを図２０中左方に傾けるように延在させる構成にしても構わない。
【００６０】
なお、上記実施形態では、走査電極８を覆うように設けられる絶縁層１５を陽極酸化により形成したが、勿論他の方法により形成するのであっても構わない。この場合、走査電極８を構成する材料をタンタル等にする必要は無く、他の低抵抗金属（例えば、アルミニウムや銅）を用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係るカラーフィルタ基板の構成を示す平面図である。
【図３】本実施形態に係るアクティブマトリクス基板の構成を示す平面図である。
【図４】アクティブマトリクス基板の一部の構成を示す平面図である。
【図５】アクティブマトリクス基板の一部の構成を示す断面図（その１）である。
【図６】アクティブマトリクス基板の一部の構成を示す断面図（その２）である。
【図７】本実施形態に係る液晶装置の等価回路を示す図である。
【図８】本実施形態に係る液晶装置の動作を示す図である。
【図９】本実施形態に係る液晶装置の製造過程を示す図（その１）である。
【図１０】本実施形態に係る液晶装置の製造過程を示す図（その２）である。
【図１１】本実施形態に係る液晶装置の製造過程を示す図（その３）である。
【図１２】本実施形態に係る液晶装置の製造過程を示す図（その４）である。
【図１３】本実施形態に係る液晶装置の製造過程を示す図（その５）である。
【図１４】本実施形態に係る液晶装置の製造過程を示す図（その６）である。
【図１５】本実施形態に係る液晶装置の製造過程を示す図（その７）である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る液晶装置の構成を示す図である。
【図１８】本発明に係る電子機器の構成を示す図である。
【図１９】本発明に係る液晶装置の他の構成を示す図（その１）である。
【図２０】本発明に係る液晶装置の他の構成を示す図（その２）である。
【符号の説明】
【００６２】
１、１０１、２０１…液晶装置  ２…アクティブマトリクス基板  ２ａ…表示領域  ２ｂ…周縁部  ６…液晶  ７、１０７、２０７…画素領域  ８、１０８、２０８…走査電極  ９、１０９、２０９…信号電極  １０、１１０、２１０…スイッチング素子    １１、１１１、２１１…画素電極  １２、１１２、２１２…共通電極  １４、１１４、２１４…絶縁層  １５、１１５、２１５…絶縁層  １８、１１８、２１８…櫛歯電極  ３００…携帯電話  ３０３…表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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