(57)【要約】【課題】  横モード振動により生じるスパイクなどの不規則な成分を含まない吸収及び／又は伝送スペクトルを有する薄膜圧電共振器を提供する。【解決手段】  本発明の薄膜圧電共振器は、第１の面及び第２の面を有する第１の圧電体層と、前記第１の面上の導電性の層からなる下部電極と、前記第２の面上の導電性の層から成る上部電極とを有する薄膜圧電共振器であり、前記下部電極と前記上部電極とは、前記第１の圧電体層を挟んで少なくとも一部分で重なり合って、前記下部電極と前記上部電極とに挟まれた圧電体層とともに圧電振動領域を形成しており、該圧電振動領域を覆うように少なくとも前記上部電極上または下部電極上にさらに第２の圧電体層が形成されており、前記第２の圧電体層の前記上部電極または下部電極と対向する面上には電極を有さない。【選択図】  図７
2006246290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び第２の面を有する第１の圧電体層と、前記第１の面上の導電性の層からなる下部電極と、前記第２の面上の導電性の層から成る上部電極とを有する薄膜圧電共振器であり、前記下部電極と前記上部電極とは、前記第１の圧電体層を挟んで少なくとも一部分で重なり合って、前記下部電極と前記上部電極とに挟まれた圧電体層とともに圧電振動領域を形成しており、該圧電振動領域を覆うように少なくとも前記上部電極上または下部電極上にさらに第２の圧電体層が形成されており、前記第２の圧電体層の前記上部電極または下部電極と対向する面上には電極を有さないことを特徴とする薄膜圧電共振器。
【請求項２】
前記第１の圧電体と前記第２の圧電体が同一の材料からなることを特徴とする請求項１記載の薄膜圧電共振器。
【請求項３】
前記第２の圧電体層の厚みが前記第１の圧電体層の厚みの２５〜３５％であることを特徴とする請求項２記載の薄膜圧電共振器。
【請求項４】
前記第２の圧電体層の厚みが前記上部電極の厚みの１．０〜１．８倍であることを特徴とする請求項３記載の薄膜圧電共振器。
【請求項５】
請求項１〜４記載のいずれかに記載の圧電薄膜共振器を複数用いた薄膜圧電フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器等に使用される薄膜圧電共振器およびそれを用いた薄膜圧電フィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子装置のコストやサイズをより低く抑える為に、フィルタ素子の小型化へのニーズは常に存在する。携帯電話や小型ラジオ等のような民生用電子機器においては、その中に利用する部品に対してサイズ及びコストの両方に厳しい制限が強いられる。一方そのようなデバイスの多くには、正確に周波数が調整されていなければならないフィルタが利用される。従ってこれまでもより安価でコンパクトなフィルタユニットを供給しようという努力が払われて来た。
【０００３】
これらのニーズを満たす能力を持つフィルタ素子の中には音響共振器から作られる種類のものが存在する。これらの音響共振器から作られるフィルタ素子として、圧電体層中のバルク縦音波を利用する薄膜圧電共振器がある。単純な構成の１つにおいては、圧電体層が２つの金属電極に挟まれた形になっている。このサンドイッチ構造は、その外周を支持することにより振動を妨げない状態に置かれる。電圧の印加により２つの電極の間に電界が作られると、圧電体層は電気的エネルギーの一部を音波という形の機械的エネルギーへと変換する。音波は電界と同方向で縦に伝搬されて電極／空気間の界面で反射するか、或は電界を横切る方向に伝わり、電極又はその構造体の端部の様々な断絶部において反射する。このとき、前記サンドイッチ構造が複数積み重ねられた積層構造であっても、支持される場所が空気中でなく複数の音響インピーダンスの異なる層により構成された音響ミラー層であっても同様である。
【０００４】
この種の薄膜圧電共振器は電気的に結合可能な機械的共振器であり、組み合わせることによってフィルタとしての作用を持つ。材料中を伝わる音のある所定の位相速度に対する機械的共振周波数は、デバイス中を縦に伝わる音波の半波長がデバイスの全厚さに等しくなる周波数である。音の速度は光の速度よりも４桁も低い為、共振器はかなり小さくすることが出来る。ＧＨｚ領域での応用に使用される共振器は直径３００μ未満、厚さ数μの物理寸法に作ることが出来る。
【０００５】
圧電体層中のバルク縦音波を利用する薄膜圧電共振器は、中心部に１〜２μ程度の厚さの圧電体層があり、その圧電体層の上下を電極で挟む構造をしている。電極に電圧を印加することにより圧電体層を通して電界が作られる。すると電界の一部は機械的な場に変換される。このようにして、薄膜圧電共振器は、材料中を伝わる音のある所定の位相速度に対する機械的共振周波数に応じた共振器として働く。
【０００６】
この種の薄膜圧電共振器は、例えば特許文献１や特許文献２に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−３３２５６８号公報
【特許文献２】特開２００２−３７２９７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
薄膜圧電共振器における基本振動モードについて、音波は圧縮波であれ剪断波であれ、或はラム波であれ、電極面に対して直角方向に伝搬される。しかしながら、励起され得る他の振動モードが存在する。これらの振動モードは、電極面に並行に移動し圧電振動領域の壁又は電極層の端部の断絶部で反射する音波に対応する。このモードは横モードと呼ばれ、その共振周波数は圧電体層の横共振モードの音響速度により、また金属電極層の横寸法により決まる。これらのモードの基本的周波数は基本モードのものよりもかなり低いが、これらの横モードのより高い高調波が基本モードの周波数帯域中に出現する場合がある。これらの高調波が薄膜圧電共振器の吸収スペクトルにおける複数のスパイク発生の要因となり問題となる。
【０００９】
本発明は上記の問題点を解決するためになされたものである。即ち、本発明の目的は、横モード振動により生じるスパイクなどの不規則な成分を含まない吸収及び／又は伝送スペクトルを有する薄膜圧電共振器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、第１の面及び第２の面を有する第１の圧電体層と、前記第１の面上の導電性の層からなる下部電極と、前記第２の面上の導電性の層から成る上部電極とを有する薄膜圧電共振器であり、前記下部電極と前記上部電極とは、前記第１の圧電体層を挟んで少なくとも一部分で重なり合って、前記下部電極と前記上部電極とに挟まれた圧電体層とともに圧電振動領域を形成しており、該圧電振動領域を覆うように少なくとも前記上部電極上または下部電極上にさらに第２の圧電体層が形成されており、前記第２の圧電体層の前記上部電極または下部電極と対向する面上には電極を有さないことを特徴とする薄膜圧電共振器に関する。
【００１１】
本発明の薄膜圧電共振器の一実施形態は、前記第１の圧電体と前記第２の圧電体が同一の材料からなることを特徴とする。
【００１２】
本発明の薄膜圧電共振器において、前記第２の圧電体層の厚みが前記第１の圧電体層の厚みの２５〜３５％であることが好ましい。また、前記第２の圧電体層の厚みが前記上部電極の厚みの１．０〜１．８倍であることが好ましい。
【００１３】
また本発明は、前記本発明の圧電薄膜共振器を複数用いた薄膜圧電フィルタに関する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、従来、横モードが問題となる圧電振動領域を持つ共振器を単純な方法を加えることで横モードにより生じる不規則な成分を含まない吸収及び／又は伝送スペクトルを有する薄膜圧電共振器が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を図面を用いて説明する。図１（ａ）は、本発明の薄膜圧電共振器の一実施形態を示す薄膜圧電共振器１０の模式的断面図である。本発明の薄膜圧電共振器の一実施形態は、図１（ａ）に示すように、第１の面及び第２の面を有する圧電体層１２と、前記第１の面上の導電性の層から成る下部電極１１と、前記第２の面上の導電性の層から成る上部電極１３とを有する。両面に電極を有する圧電体層１２は通常空洞１５を有する基板１６上に形成され、一部は空気と接している。さらに、前記下部電極１１の一部は前記圧電体層１２を挟んで前記上部電極１３の少なくとも一部分に重なり合って圧電振動領域１７を形成している。即ち圧電振動領域１７とは、圧電体層１２の両面に電極１１、１３が存在し、電圧を印加することにより、圧電体層１２の厚み方向に共振の発生する領域であり、シートの厚み方向から見て、前記下部電極１１と上部電極１３が重なり合っている領域である。ただし、前記下部電極１１または上部電極１３への配線等は実質的に含まない。本発明の薄膜圧電共振器では、該圧電振動領域１７を覆うように少なくとも前記上部電極１３上または下部電極上にさらに第２の圧電体層１４が形成されていることを特徴としている。図１の実施形態では、第２の圧電体層１４は、上部電極上に形成されているが、本発明の薄膜圧電共振器では、第１の圧電体層とは異なる側の下部電極上に第２の圧電体層が形成されてもよい。また、第２の圧電体層は、上部電極上と下部電極上の両方に形成されていてもよい。ただし、下部電極は基板により周囲が固定されており、上部電極が下部電極に比べての自由度が高いため、上部電極上に第２の圧電体層を形成する方が、横モード振動を抑える効果が大きく好ましい。以下、上部電極上に第２の圧電体層を形成した圧電薄膜共振器について説明するが、これに限定されるものではない。なお、本願発明の圧電薄膜共振器は、共振器を複数重ねたStacked Crystal filter（SCF）とは異なる共振器であり、そのため、前記第２の圧電体層の前記上部電極または下部電極と対向する面上には電極を有していない。
【００１６】
図１（ｂ）は、前記薄膜圧電共振器の圧電体層の厚み方向から見た前記圧電振動領域１７の形（以下圧電振動領域の形という）を示す模式的平面図である。圧電振動領域１７の形は、図１（ｂ）では、長さの等しい平行な直線を含む矩形が例示されているが、特にこの矩形に限定されるものではない。従来、この圧電振動領域の形については、特に、平行な直線を含む多角形にすると、薄膜圧電共振器は、横モード振動により不規則な成分を含む吸収及び／又は伝送スペクトルを有するという問題があり、そのため、平行な辺を持たない図２のような圧電振動領域の形が従来より提案されている。しかし、図２のような圧電振動領域の形では、共振器の配置などの設計上の制約があり、実装密度が上がらないことなどから、損失が大きいなど特性へ悪影響を及ぼすなどの問題がある。
【００１７】
本発明の薄膜圧電共振器は、該圧電振動領域１７を覆うように少なくとも前記上部電極１３上にさらに第２の圧電体層１４を形成することによって、横モード振動を抑え、横モード振動による不規則な成分（スパイク）を含まない良好な吸収及び／又は伝送スペクトルを有するという特徴を有している。このような薄膜圧電共振器が形成できることで小型で作製容易な共振器、フィルタを提供することができる。
【００１８】
以下、スパイクの発生原因である振動の横モードについて図３を用いて説明する。圧電振動領域となる前記下部電極と前記上部電極の重なり部分３０である圧電振動領域の形が矩形をした、従来型の薄膜圧電共振器を例に説明する。前記矩形は２組の平行な２辺により構成されているので、いかなる点から横モード振動が発生しても平行な辺の１点で反射して同じ点に戻ってくる。例えば、圧電振動領域の境界点３１から発生した横モードの波は伝播経路３２を通り対面する辺により反射し、再び経路３２を戻ってくる。すなわち経路長は２Ｗである。同様に圧電振動領域の境界点３３から発生した横モードについても経路長Ｗを有する経路３４を通り対向する辺により反射し、再び経路３４を戻ってくるため経路長は２Ｗである。このように外周上に同一の周波数を持つ横モード振動が存在することによりスパイクが発生する。
【００１９】
図４は、本発明の薄膜圧電共振器の横モード振動制御の説明図であり、図４（ａ）は、薄膜圧電共振器の模式的断面図、図４（ｂ）は、上部電極付近の拡大図である。本発明の薄膜圧電共振器の圧電振動領域の形は、特に限定されず、図３のような長さの等しい平行な直線を含む矩形であってもよい。本発明の薄膜圧電共振器は、図４（ａ）に示すように前記上部電極を２つの圧電体層でサンドイッチした構造となっており、図４（ｂ）に示すように、前記上部電極表面に横モード振動が生じると考えられるが、上部電極表面付近に生じた横モード振動が上下の圧電体層で打ち消されると考えられる。その結果、外周上に同一の周波数を持つ横モード振動による共振あるいは定在波が存在しにくくなることによりスパイクの発生を抑制していると考えられる。
【００２０】
本発明の薄膜圧電共振器では、構成部品の制限は特にないが、圧電体層の材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）が挙げられる。特に窒化アルミニウム（ＡｌＮ）は、音速が大きく周波数変動／膜圧変動が小さいため量産性に優れ、温度係数についてもＺｎＯの半分以下となるなどの点で好ましい。
【００２１】
また、下部電極および上部電極としては、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）などが挙げられるが、モリブデン（Ｍｏ）が比較的安価であり、製造工程における取り扱いの容易さの点から好ましい。
【００２２】
基板としては、シリコン（Ｓｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガラスなどが挙げられる。
【００２３】
基板の空洞としては、基板に凹部を形成したものでもよいし、基板の裏面からエッチング等により、空間を形成したものでもよい。また、空洞部を図５に示すように音響インピーダンスの異なる材料層５５が交互に重ねられたものに置き換えてもよい。また、本発明の薄膜圧電共振器は、電極層と圧電体層を複数有する積層共振器とし、最上部に本願発明の圧電体層を形成した構造でもよい。
【００２４】
本発明の薄膜圧電共振器では、前記第１の圧電体と前記第２の圧電体が同一の材料からなることが好ましい。圧電体の物性の横モードの音速が等しいほうが電極表面付近で生じる波が打ち消されやすいためである。
【００２５】
また、本発明の薄膜圧電共振器では、前記第２の圧電体層の厚みが前記第１の圧電体層の厚みの２５〜３５％であることが好ましい。第２の圧電層の厚みが前記第１の圧電体層の厚みの２５％より薄いと電極表面付近の横モード発生によるスパイクノイズの抑制が十分でなく、また、第２の圧電層の厚みが前記第１の圧電体層の厚みの３５％より厚いとスパイクノイズは抑えられるが圧電特性が劣化してくるためである。
【００２６】
さらに、本発明の薄膜圧電共振器では、前記第２の圧電体層の厚みが前記上部電極の厚みの１．０〜１．８倍であることが好ましい。第２の圧電体層の厚みが前記上部電極の厚みの１．０倍より薄いと電極表面付近の横モード発生によるスパイクノイズの抑制が十分でなく、また、第２の圧電体層の厚みが前記上部電極の厚みの１．８倍より厚いとスパイクノイズは抑えられるが圧電特性が劣化してくるためである。
【００２７】
本発明の薄膜圧電共振器は、特許文献１や特許文献２など従来知られている製造方法と同様に製造できる。例えば、シリコン（Ｓｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガラスなどにより構成された基板上に、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）などにより構成された底部の電極（下部電極もしくは上部電極）をスパッタリング法などの蒸着法により堆積し、酸化亜鉛（ＺｎＯ）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電材料をスパッタリング法などの蒸着法により堆積し、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）などにより構成された頂部の電極（上部電極もしくは下部電極）をスパッタリング法などの蒸着法により堆積し、酸化亜鉛（ＺｎＯ）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などの圧電材料をスパッタリング法などの蒸着法により堆積することにより薄膜圧電共振器が製造される。このとき、前記底部の電極の下層は空洞の領域もしくは高音響インピーダンスを有するモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）と低音響インピーダンスを有するシリコン（Ｓｉ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、アルミニウム（Ａｌ）などが交互に重ねられた層により構成された音響ミラー層である。
【００２８】
本発明の薄膜圧電フィルタは本発明の薄膜圧電共振器を用いたフィルタであり、フィルタ構成の１つとして図６に示すような複数の共振器が信号入力端子線６１に対して直列に接続した共振器６３，６５，６７と並列に接続した共振器６４，６６，６８が梯子状に配置されたラダー型フィルタがある。このようなフィルタは、１つの基板上に、前記ラダ−型フィルタの回路構成となるように複数の圧電薄膜共振器を形成することで、製造できる。
【実施例】
【００２９】
（実施例１）
表１に示すような材料、膜厚で図７の薄膜圧電共振器を作製した。その際、圧電振動領域の形は、１辺が１８０μｍの正方形とした。また、共振周波数は１．９ＧＨｚ程度に設定した。
【００３０】
作製した薄膜圧電共振器の一部断面図を図７に示す。
【００３１】
まず、図７に示すようにＳｉ基板７６の表面に絶縁層７７としてＳｉＯ２を熱酸化により約１μｍ形成した。続いて、絶縁層７７の上に、空洞を形成するための予備層としてＴｉをスパッタリング法により５０ｎｍ堆積した。これを薄膜共振器の圧電振動領域形状に合わせてエッチングによりパターニングを施した。Ｔｉ層は他の薄膜層に比べて非常に薄いために図には示していない。
【００３２】
続いて、下部電極７１としてＭｏをスパッタリング法により約３００ｎｍ堆積し、所望の形状とするためにエッチングによりパターニングを行った。続いて、圧電材料としてＡｌＮを用い、ＡｌＮをスパッタリング法により約１２００ｎｍ堆積し第１の圧電体層７２を形成し、所望の形状とするためにエッチングによりパターニングを行った。続いて、上部電極７３としてＭｏを下部電極のＭｏと同様の方法で約３００ｎｍ堆積し、パターニングを行った。
【００３３】
続いて、横モードのノイズを抑えるために第２の圧電体層７４としてＡｌＮを第１圧電体層のＡｌＮと同様な方法で３４０ｎｍ堆積し、パターニングを行った。
【００３４】
続いて、第２の圧電体層７４から１つの共振器につき４〜５個の１０μｍφ程度の貫通孔７９を空洞形成予備層のＴｉまでエッチングにより開けた。
【００３５】
続いて、エッチング液を貫通孔７９より空洞形成予備層に注入し、空洞形成予備層のＴｉを除去すると共に、そのパターンの下に接した絶縁層が垂直方向にパターン形状のまま除去されることにより、第１電極下に空洞層７５を形成し、本発明における薄膜圧電共振器７０を得た。このようにして得た共振器の通過特性を図８に示す。圧電振動領域の横モード振動による影響がなく、スパイクなどの不規則な成分の押さえられた、優れた共振器特性を得ることができた。なお、本実施例で得られた薄膜圧電共振器の第２圧電体層の厚みは、第１圧電体層の２９．３％であり、上部電極の１．１７倍である。
【００３６】
（比較例１）
第２の圧電体層を形成しない以外は、実施例１と同様にして薄膜圧電共振器を作製した。共振器のパターン形状、構成の各層の膜厚は実施例１と同様である（表１）。得られた共振器の通過特性を図９に示す。図８に示した、本発明の薄膜圧電共振器に比べ、スパイクなどの不規則な成分が含まれており、好ましい特性は得られなかった。
【００３７】
（実施例２）
第２の圧電体層の膜厚が１５０ｎｍと薄い以外は、実施例１と同様にして薄膜圧電共振器を作製した。共振器のパターン形状、構成の各層の膜厚は実施例１と同様である（表１）。得られた共振器の通過特性は図９に示した比較例１の通過特性にくらべスパイクなどの不規則な成分が抑えられた良好な通過特性が得られたが、実施例１に比べややスパイクが見られた。なお、本実施例で得られた薄膜圧電共振器の第２圧電体層の厚みは、第１圧電体層の２９．３％であり、上部電極の０．５１倍である。
【００３８】
（実施例３）
第２の圧電体層の膜厚が６００ｎｍと厚い以外は、実施例１と同様にして薄膜圧電共振器を作製した。共振器のパターン形状、構成の各層の膜厚は実施例１と同様である（表１）。得られた共振器の通過特性は実施例１のように、スパイクなどの不規則な成分は含まれていなかった。圧電特性（電気機械結合係数Ｋｔ２）は、実施例１に比べやや小さい傾向にあった。なお、本実施例で得られた薄膜圧電共振器の第２圧電体層の厚みは、第１圧電体層の２９．３％であり、上部電極の２．０７倍である。
【００３９】
（実施例４）
表２に示すような材料、膜厚で図６のラダー回路の薄膜圧電共振器をもちいたフィルタを作製した。その際、圧電振動領域の形は、１辺が１００〜１８０μｍの範囲の長方形とした。また、共振周波数は１．９ＧＨｚ程度に設定した。
【００４０】
作製した薄膜圧電共振器からなるフィルタの一部断面図を図１０に示す。まず、図１０に示すようにＳｉ基板９６の表面に絶縁層９７としてＳｉＯ２を熱酸化により約１μｍ形成した。続いて、絶縁層９７の上に、空洞を形成するための空洞形成予備層としてＴｉをスパッタリング法により５０ｎｍ堆積した（図示せず）。これを各薄膜共振器の圧電振動領域形状に合わせてエッチングによりパターニングを施した。
【００４１】
続いて、下部電極９１としてＭｏをスパッタリング法により約３００ｎｍ堆積し、所望の形状とするためにエッチングによりパターニングを行った。続いて、圧電材料としてＡｌＮを用い、ＡｌＮをスパッタリング法により約１２００ｎｍ堆積し第１の圧電体層９２を形成し、所望の形状とするためにエッチングによりパターニングを行った。続いて、上部電極９３としてＭｏを下部電極のＭｏと同様の方法で約３００ｎｍ堆積し、パターニングを行った。さらに、ラダー回路のシャント共振器の周波数を調整するためにシャント共振器の上に周波数調整電極１００としてＭｏを４５ｎｍ同様な方法で堆積させた。
【００４２】
続いて、横モードのノイズを抑えるために第２の圧電体層９４としてＡｌＮを第１圧電体層のＡｌＮと同様な方法で３４０ｎｍ堆積し、パターニングを行った。
【００４３】
続いて、第２の圧電体層９４から各共振器につき４〜５個の１０μｍφ程度の貫通孔９９を空洞形成予備層のＴｉまでエッチングにより開けた。
【００４４】
続いて、エッチング液を貫通孔９９より空洞形成予備層に注入し、空洞形成予備層のＴｉを除去すると共に、空洞形成予備層の下に接した層の一部も除去することにより、第１電極下に空洞層９５を形成し、本発明における薄膜圧電共振器からなるフィルタ９０を得た。このようにして得たフィルタの通過特性を図１１に示す。圧電振動領域の横モード振動による影響がなく、スパイクなどの不規則な成分が押さえられた、優れたフィルタ特性を得ることができた。なお、本実施例で得られた薄膜圧電共振器の第２圧電体層の厚みは、第１圧電体層の２９．３％であり、シャント共振器の周波数調整電極も含めた上部電極の厚みの１．０１倍である。
【００４５】
（比較例２）
第２の圧電体層を形成しない以外は、実施例２と同様にして薄膜圧電共振器を用いたラダー回路フィルタを作製した。フィルタのパターン形状、構成の各層の膜厚、回路は実施例２と同様である（表２）。得られたフィルタの通過特性を図１２に示す。図１１に示した、本発明のフィルタ特性に比べ、スパイクなどの不規則な成分が含まれており、好ましい特性は得られなかった。
【００４６】
【表１】
2006246290.tif 000003
【００４７】
【表２】
2006246290.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（ａ）本発明の薄膜圧電共振器の一実施形態の模式的断面図、および（ｂ）圧電振動領域を示す模式的平面図である。
【図２】従来の薄膜圧電共振器の圧電振動領域の形を示す説明図である。
【図３】圧電振動領域の横モードによるスパイクノイズを示す説明図である。
【図４】（ａ）本発明の薄膜圧電共振器の模式的断面図、および（ｂ）上部電極部分の拡大図である。
【図５】本発明の薄膜圧電共振器の他の一実施形態の断面図である。
【図６】本発明による薄膜圧電共振器により構成されたラダー型フィルタの構成図である。
【図７】実施例１で作製した薄膜圧電共振器の模式的断面図である。
【図８】実施例１で作製した薄膜圧電共振器の通過特性波形図である。
【図９】比較例１で得られた従来の薄膜圧電共振器の通過特性波形図である。
【図１０】実施例４で得られた本発明の薄膜圧電共振器を用いた薄膜圧電フィルタの模式的断面図である。
【図１１】実施例４で得られた本発明の薄膜圧電共振器を用いた薄膜圧電フィルタのフィルタ通過特性波形図である。
【図１２】比較例２で得られた従来の薄膜圧電共振器を用いた薄膜圧電フィルタのフィルタ通過特性波形図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０、２０、３０、６３〜６８、７０  薄膜圧電共振器
１１、９１  下部電極
１２、９２  第１の圧電体層
１３、９３  上部電極
１４、９４  第２の圧電体層
１５、９５  空洞領域
１７  圧電振動領域
１６、９６  Ｓｉ基板
３１、３３  圧電振動領域境界上の任意の点
３２、３４  横モード波の伝搬経路
５５  音響ミラー
７９、９９  貫通孔
９０  薄膜圧電フィルタ
１００  周波数調整用Ｍｏ
【図１】
2006246290.tif 000005
【図２】
2006246290.tif 000006
【図３】
2006246290.tif 000007
【図４】
2006246290.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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