(57)【要約】【課題】特に第１の磁性層の後端面側の形状を改良し、従来に比べて記録信号を消去する現象を抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供することを目的としている。【解決手段】    リターンパス層（第１の磁性層）１１７の最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１からハイト方向への長さ寸法を、前記第１の磁性層１１７の中央でのハイト方向への長さ寸法Ｌ１に比べて短くする結果、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に、従来に比べて記録磁界が集中して戻らず、前記両側端部から記録媒体に向けて発生する磁界強度を弱めることが出来る。この結果、従来に比べて記録信号を消去する現象を適切に抑制することが出来る。【選択図】図３
2006164463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜厚方向に間隔をおいて対向する第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層に記録磁界を与えるための磁界発生手段と、を有し、
前記第１の磁性層は、前端面と、後端面とを有し、
前記前端面は、最も記録媒体との対向面寄りに、前記第１の磁性層のトラック幅方向の中央から前記トラック幅方向へ向けて前記対向面と平行な方向に延びる最前端面を有し、前記最前端面のトラック幅方向の寸法は、前記第２の磁性層の前端面のトラック幅方向の寸法に比べて大きく、
前記第１の磁性層は、前記最前端面のトラック幅方向の両側端部からハイト方向への長さ寸法が、前記中央でのハイト方向への長さ寸法に比べて短いことを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記最前端面は前記対向面からの露出面である請求項１記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記後端面には、トラック幅方向の両側に、前記対向面側からハイト側に向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に狭くなる傾斜面が形成されている請求項１または２に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記傾斜面は、前記最前端面のトラック幅方向の両側端部からハイト方向へ引いた仮想線と少なくとも接するように形成されている請求項３記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記傾斜面は、直線状の面である請求項３または４に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記傾斜面は、湾曲状の面である請求項３または４に記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項７】
前記傾斜面は、前記対向面方向に向けて凹む湾曲状の面である請求項６記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項８】
前記後端面には、前記中央のトラック幅方向の両側に、ぞれぞれ、トラック幅方向と平行な方向との成す角度が異なる複数の規制面が設けられ、前記規制面はその端部どうしが接続されて前記規制面間に角部が形成され、
前記両側のそれぞれ少なくとも一箇所の角部では、接続端から成す角度θ１を有してハイト方向に延びる規制面と、前記接続端から、前記角度θ１よりも小さい成す角度θ２を有して前記両側端部方向に延びる規制面とが延びており、
前記角度θ２を有する規制面が前記傾斜面で形成される請求項３ないし６のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項９】
前記後端面には、前記中央のトラック幅方向の両側に、ぞれぞれ、トラック幅方向と平行な方向との成す角度が異なる複数の規制面が設けられ、前記規制面はその端部どうしが接続されて前記規制面間に角部が形成され、
前記両側にはそれぞれ、接続端から成す角度θ１を有してハイト方向に延びる規制面と、前記接続端から、前記角度θ１よりも小さい成す角度θ２を有して前記両側端部方向に延びる規制面とが延びて成る角部が、二箇所以上設けられている請求項１ないし８のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクなどの記録媒体の媒体面に対して垂直方向に磁界を与えて記録を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、特に、記録信号の消去現象を抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
記録媒体を媒体面の垂直方向に磁化する垂直磁気記録方式の記録用磁気ヘッドは、図１２（前記垂直磁気記録ヘッドの部分平面図）に示すように、第１の磁性層（リターンパス層）１と、第２の磁性層（主磁極層）２と、前記第１の磁性層１と第２の磁性層２に記録磁界を与えるためのコイル層（図示しない）とを有して構成される。前記リターンパス層１と主磁極層２は、膜厚方向に所定の間隔を有して対向している。前記コイル層に電流が流されることによって発生する誘導磁界がリターンパス層１及び主磁極層２に誘導され、主磁極層２の記録媒体との対向面から露出する前端面２ａから記録磁界が記録媒体を媒体面の垂直方向に入射する。記録用の磁界は記録媒体内部を通過して、リターンパス層１に達する。
【０００３】
従来、図１２に示すように前記リターンパス層１は、その平面形状が略四角形状であった。このような形状で形成されていると、記録媒体内部を通過してリターンパス層１に戻る記録磁界が、前記リターンパス層１の前記対向面から露出する前端面１ａの両側端部（角部）１ｂに集中して戻りやすい。図１２に示す下図は、リターンパス層１のトラック幅方向における前端面１ａの位置とその位置から媒体方向に発生する磁界の強度との強さを示すグラフであるが、図１２の下図に示すように、前記リターンパス層１の前端面１ａの角部１ｂから強い磁界が前記媒体方向へ発生するため、前記角部１ｂで、既に記録媒体に書込まれた信号を消去するといった現象が生じやすかった。
【０００４】
このような記録信号を消去する現象を抑制するため、従来では、図１３に示すように、前記リターンパス層１の前端面１ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に、前記対向面側からハイト方向（図示Ｙ方向）に向うに従って徐々に前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広がる傾斜面１ｃ，１ｃを設け、図１２に示される角部１ｂを出来る限り前記対向面側からハイト方向へ離す試みがなされていた。
【０００５】
下記に示す特許文献１（特開２００４−３９１４８号公報）及び特許文献２（特開２００４−１２７４０７号公報）は、いずれも上記したリターンパス層１の前端面１ａの両側に傾斜面１ｃ，１ｃを設けた構造が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−３９１４８号公報
【特許文献２】特開２００４−１２７４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、図１３に示す構造であっても、前記リターンパス層１の前端面１ａと、傾斜面１ｃとの間に角部１ｅが形成され、この結果、記録磁界は前記角部１ｅに集中して戻り、前記角部１ｅから媒体方向に強い磁界が発生してしまう。このため図１３に示す構造でも適切に、記録信号を消去する現象を抑制することができなかった。
【０００７】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に第１の磁性層の後端面側の形状を改良し、従来に比べて記録信号を消去する現象を抑制することが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、
膜厚方向に間隔をおいて対向する第１の磁性層と、第２の磁性層と、前記第１の磁性層と第２の磁性層に記録磁界を与えるための磁界発生手段と、を有し、
前記第１の磁性層は、前端面と、後端面とを有し、
前記前端面は、最も記録媒体との対向面寄りに、前記第１の磁性層のトラック幅方向の中央から前記トラック幅方向へ向けて前記対向面と平行な方向に延びる最前端面を有し、前記最前端面のトラック幅方向の寸法は、前記第２の磁性層の前端面のトラック幅方向の寸法に比べて大きく、
前記第１の磁性層は、前記最前端面のトラック幅方向の両側端部からハイト方向への長さ寸法が、前記中央でのハイト方向への長さ寸法に比べて短いことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明は、前記最前端面の両側端部からハイト方向への長さ寸法が、前記中央でのハイト方向への長さ寸法に比べて短くなっている点に特徴的な部分がある。従来、図１２や図１３に示す実施形態では、いずれも本発明のようになっていない。例えば図１３を例にとると、図１３では、本発明の「最前端面」（最も対向面寄り設けられた前端面）に相当する前端面１ａの両側端部（角部１ｅに相当する箇所）からハイト方向への長さ寸法Ｌ１０は、リターンパス層１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央からハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法Ｌ１１と同じである。
【００１０】
本発明では、前記最前端面の両側端部からハイト方向への長さ寸法を、前記中央でのハイト方向への長さ寸法に比べて短くする結果、前記最前端面の両側端部に、従来に比べて記録磁界が集中して戻らず、前記両側端部から記録媒体に向けて発生する磁界強度を弱めることが出来る。この結果、従来に比べて記録信号を消去する現象を適切に抑制することが出来る。
【００１１】
本発明では、前記最前端面は前記対向面からの露出面であることが好ましい。
本発明では、前記後端面には、トラック幅方向の両側に、前記対向面側からハイト側に向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に狭くなる傾斜面が形成されていることが好ましい。かかる場合、前記傾斜面は、前記最前端面のトラック幅方向の両側端部からハイト方向へ引いた仮想線と少なくとも接するように形成されていることがより好ましい。これにより適切且つ簡単に、前記最前端面のトラック幅方向の両側端部からハイト方向への長さ寸法を、前記中央でのハイト方向への長さ寸法に比べて短く出来る。
【００１２】
本発明では、前記傾斜面は、直線状の面であるか、あるいは湾曲状の面であることが好ましい。また、前記傾斜面は、前記対向面方向に向けて凹む湾曲状の面であることがより好ましい。上記の形状であると、前記トラック幅方向の中央から、前記両側端部に向けてハイト方向への長さ寸法を連続的に小さくすることが出来る。特に前記傾斜面を凹型の湾曲面で形成することで、前記両側端部付近の体積を急激に小さくできることから、前記両側端部に記録磁界がより効果的に集中して戻るのを抑制できる。
【００１３】
本発明では、前記後端面には、前記中央のトラック幅方向の両側に、ぞれぞれ、トラック幅方向と平行な方向との成す角度が異なる複数の規制面が設けられ、前記規制面はその端部どうしが接続されて前記規制面間に角部が形成され、
前記両側のそれぞれ少なくとも一箇所の角部では、接続端から成す角度θ１を有してハイト方向に延びる規制面と、前記接続端から、前記角度θ１よりも小さい成す角度θ２を有して前記両側端部方向に延びる規制面とが延びており、
前記角度θ２を有する規制面が前記傾斜面で形成されることが好ましい。この構成では、前記中央のトラック幅方向の両側に設けられたぞれぞれ２つ以上の規制面の間に角部が形成されるが、前記角度θ２を有する規制面が前記傾斜面で形成されることで、前記角部を前記対向面からハイト方向に適切に離すことが出来る。前記角部付近には、ハイト方向に磁化が揃う磁区が形成されやすいが、前記角部を前記対向面から適切に離すことが出来ることで、後端側に前記角部がある前記最前端面の位置から媒体方向に向けて強い磁界が生じ難く、前記最前端面の両側端部よりも中央寄りの位置での記録磁界の消去現象を適切に低減できる。
【００１４】
あるいは本発明では、前記後端面には、前記中央のトラック幅方向の両側に、ぞれぞれ、トラック幅方向と平行な方向との成す角度が異なる複数の規制面が設けられ、前記規制面はその端部どうしが接続されて前記規制面間に角部が形成され、
前記両側にはそれぞれ、接続端から成す角度θ１を有してハイト方向に延びる規制面と、前記接続端から、前記角度θ１よりも小さい成す角度θ２を有して前記両側端部方向に延びる規制面とが延びて成る角部が、二箇所以上設けられている構成であってもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、第１の磁性層の最前端面の両側端部からハイト方向への長さ寸法を、前記第１の磁性層の中央でのハイト方向への長さ寸法に比べて短くする結果、前記最前端面の両側端部に、従来に比べて記録磁界が集中して戻らず、前記両側端部から記録媒体に向けて発生する磁界強度を弱めることが出来る。この結果、従来に比べて記録信号を消去する現象を適切に抑制することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は本発明の垂直磁気記録ヘッドの部分縦断面図、図２は図１に示す垂直磁気記録ヘッドの部分正面図、図３から図１０は本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、図１１は、図１の垂直磁気記録ヘッドとは異なる構造の本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分縦断面図、である。
【００１７】
図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１は、記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させる。
【００１８】
記録媒体Ｍは例えばディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード膜Ｍａが、内方に磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【００１９】
スライダ１０１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１０１の対向面１０１ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１０１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１０１が記録媒体Ｍに摺動する。
【００２０】
スライダ１０１のトレーリング側端面１０１ｂには、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層１０２が形成されて、この非磁性絶縁層１０２の上に読取り部ＨＲが形成されている。
【００２１】
読取り部ＨＲは下部シールド層１０３と上部シールド層１０６と、下部シールド層１０３と上部シールド層１０６との間の無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０５内に位置する読み取り素子１０４とを有している。読み取り素子１０４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。
【００２２】
前記上部シールド層１０６の上には、コイル絶縁下地層１０７を介して、導電性材料で形成された複数本の第１コイル層１０８が形成されている。前記第１コイル層１０８は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００２３】
前記第１コイル層１０８の周囲は、Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料や、レジストなどの有機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１０９が形成されている。
【００２４】
前記コイル絶縁層１０９の上面は平坦化面に形成され、この上面の上に、図示しないメッキ下地層が形成され、このメッキ下地層の上に、記録媒体との対向面Ｆ（以下、単に対向面Ｆという）からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定長さで形成され、前端面１１０ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向；第１の方向）への幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された主磁極層（第２の磁性層）１１０が形成されている。
【００２５】
前記主磁極層１１０は強磁性材料で例えばメッキ形成され、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い材料で形成されている。
【００２６】
図３に示すように、前記主磁極層１１０は前方部Ｓ１の基端部１１０ｂからハイト方向（図示Ｙ方向；第２の方向）へトラック幅方向（第１の方向）への幅寸法Ｗ１が前記トラック幅Ｔｗよりも広がって延びる傾斜部Ｓ２と後方部Ｓ３を有して構成される。なお図３の主磁極層１１０の構成のうち、前方部Ｓ１を主磁極層と、傾斜部Ｓ２と後方部Ｓ３をヨーク層と呼ぶ場合もある。
【００２７】
図１に示す前記磁気ヘッドＨ１では、主磁極層１１０が、読取り部ＨＲ側に位置する磁性層となる。
【００２８】
前記トラック幅Ｔｗは具体的には０．０１μｍ〜０．５μｍ、前方部Ｓ１のハイト方向への長さ寸法は具体的には０．０１μｍ〜０．５μｍの範囲内で形成される。
【００２９】
また、前記後方部Ｓ３は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法Ｗ１が最も広い部分で０．１μｍ〜１０００μｍ程度であり、また前記傾斜部Ｓ２と後方部Ｓ３のハイト方向への長さ寸法は０．１μｍ〜１０００μｍ程度である。
なお主磁極層１１０の形状は、図３ないし図１０において全て同じ形状を成している。
【００３０】
図１に示すように前記主磁極層１１０の両側方及びハイト方向の後方には、第１絶縁材料層１１１が形成されている。前記第１絶縁材料層１１１は、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏで形成することができる。
【００３１】
前記主磁極層１１０の上と前記第１絶縁材料層１１１の上には、アルミナまたはＳｉＯ２などの無機材料によって、ギャップ層１１３が形成されている。
【００３２】
図１に示すように、前記ギャップ層１１３上には、コイル絶縁下地層１１４を介して第２コイル層１１５が形成されている。前記第２コイル層１１５は前記第１コイル層１０８と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。前記第２コイル層１１５は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。
【００３３】
前記第１のコイル層１０８と第２のコイル層１１５とは、トロイダル状になるように、それぞれのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における端部同士が電気的に接続されている。コイル層（磁界発生手段）の形状は特にトロイダル形状に限定されるものではない。
【００３４】
前記第２コイル層１１５の周囲は、Ａｌ２Ｏ３などの無機絶縁材料や、レジストなどの有機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１１６が形成され、このコイル絶縁層１１６の上から前記ギャップ層１１３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料によって、本発明の第１の磁性層に相当するリターンパス層１１７が形成されている。前記リターンパス層１１７のハイト方向の後端部は、前記主磁極層１１０と接続する接続部１１ｂである。なお、前記ギャップ層１１３上であって、前記対向面Ｆから所定距離離れた位置に、無機または有機材料によってＧｄ決め層１１８が形成されている。前記対向面ＦからＧｄ決め層１１８の前端縁までの距離で、磁気ヘッドＨ１のギャップデプス長が規定される。
【００３５】
前記リターンパス層１１７のハイト方向の後方には、前記第２コイル層１１５から延出されたリード層１１９が、コイル絶縁下地層１１４を介して形成されている。そして、リターンパス層１１７およびリード層１１９が、無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１２０に覆われている。
【００３６】
図２に示すように、主磁極層１１０の前端面１１０ｃの厚み寸法は、リターンパス層１１７の前端面１１７ａの厚みよりも小さく、主磁極層１１０の前端面１１０ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の幅寸法Ｔｗは、リターンパス層１１７の前端面１１７ａの同方向での幅寸法Ｗｒよりも十分に短くなっている。その結果、前記対向面Ｆでは、主磁極層１１０の前端面１１０ｃの面積が、リターンパス層１１７の前端面１１７ａでの面積よりも十分に小さい。従って、主磁極層１１０の前端面１１０ｃに洩れ記録磁界の磁束φが集中し、この集中している磁束φにより前記ハード膜Ｍａが垂直方向へ磁化されて、磁気データが記録される。
【００３７】
本発明の特徴的な部分について以下に説明する。
図３に示すように前記リターンパス層１１７は、前端面１１７ａと後端面１１７ｃとを有して構成される。前記前端面１１７ａは前記対向面Ｆ側に設けられた面であり、後端面１１７ｃは、ハイト側（図示Ｙ側）に設けられた面である。
【００３８】
図３の実施形態では、前記前端面１１７ａ全体は前記対向面Ｆと平行な方向（すなわちトラック幅方向（Ｘ方向））に延びる面であり、最も対向面Ｆ寄りに設けられた面であり、このような面のことを以下、「最前端面」と呼ぶ。図３に示す実施形態では、前記最前端面１１７ａは、対向面Ｆから露出する露出面となっている。なお前記最前端面１１７ａは、前記対向面Ｆからの露出面でなくてもよい。すなわち前記最前端面１１７ａが前記対向面Ｆからハイト方向に少しだけ後退していてもよい。ただし、前記リターンパス層１１７は前記主磁極層１１０から媒体Ｍを介して戻ってくる記録磁界を受け取る（カップリングする）箇所であり、あまり前記最前端面１１７ａが前記対向面Ｆから後退した状態であると、適切にカップリングせず、主磁極層１１０からの垂直磁界が広がりやくなり記録効率が悪くなりやすい。よって前記最前端面１１７ａは前記対向面Ｆからの露出面であることが好ましい。
【００３９】
図３に示すように、前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延び最もハイト側（図示Ｙ側）に離れた位置に形成された最後端面１１７ｅと前記最後端面１１７ｅのトラック幅方向における両側端部１１７ｅ１から対向面Ｆ方向に向けて徐々にトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が広がるように形成された傾斜面１１７ｆとで構成される。前記傾斜面１１７ｆの前記対向面Ｆ側の端部１１７ｆ１は、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に一致している。よって図３に示すように前記リターンパス層１１７の平面形状は略台形状となっている。
【００４０】
図３に示すように、前記リターンパス層１１７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央でのハイト方向への長さ寸法はＬ１で形成され、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１からハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法が、前記長さ寸法Ｌ１よりも小さくなっている。
【００４１】
この結果、前記リターンパス層１１７の最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に磁束が集中しにくく、前記両側端部１１７ａから媒体Ｍ方向へ発生する磁界の強さを従来よりも弱めることが出来る。図３の下図は、前記最前端面１１７ａのトラック幅方向における位置と、前記位置に対応した前記最前端面１１７ａから媒体Ｍ方向へ発生する磁界強度との関係を示すグラフであるが、図３に示すように、従来のように前記両側端部１１７ａ１から磁界が強く発生する現象を抑制でき、よって前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１で記録信号を消去する現象を従来よりも抑制することが可能である。
【００４２】
前記リターンパス層１１７の最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に磁束が集中し難くなるのは、前記両側端部１１７ａ１付近の体積が前記リターンパス層１１７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央付近に比べて小さくなるためである。前記リターンパス層１１７は全体がほぼ均一な膜厚で形成されているから、体積の大小はハイト方向への長さ寸法で評価できる。
【００４３】
また図３に示す実施形態では、前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃに形成された傾斜面１１７ｆの両側端部１１７ｆ１が前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に一致しているため、前記両側端部１１７ａ１付近には、ハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に向く直線面が形成されていない。このため、ハイト方向に磁化が揃う磁区が前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１付近に形成されにくく、前記両側端部１１７ａ１付近にはトラック幅方向（図示Ｘ方向）に磁化が揃う磁区が優先的に形成されやすい。すなわち前記両側端部１１７ａ１付近にはトラック幅方向への形状異方性がつきやすく、このため、前記両側端部１１７ａ１から記録媒体Ｍ方向へ向けて磁界が発生しにくい構造となっている。
【００４４】
また図３に示す形状でリターンパス層１１７を形成することで外部磁界対策にも有効である。例えば図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１を、様々な電子機器、例えばコンピュータ端末機器（モバイル）等に内臓させたとき、使用者が身に付けた磁気製品等から発せられる外部磁界が、垂直磁気記録ヘッドＨ１に悪影響を与える場合がある。かかる場合でも、前記外部磁界が、前記リターンパス層１１７の最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に集中して吸収されず、前記外部磁界に起因する記録信号の消去現象を抑制できる。
【００４５】
図４に示す実施形態では、図３とリターンパス層１１７の形状が異なる。図４に示す実施形態では、前記対向面Ｆから露出する最前端面１１７ａと最後端面１１７ｅ及び傾斜面１１７ｆとで構成される後端面１１７ｃと、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１と傾斜面１１７ｆの端部１１７ｆ１間を繋ぎ、ハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に向けて延びる両側側面１１７ｈとで構成される。図４に示す実施形態では、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１からハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法はＬ２であり、図３に示す実施形態に比べて、前記ハイト方向への長さ寸法が長く形成される。しかし、図４に示す実施形態でも、前記最前端面１１７ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端部１１７ａ１からハイト方向（図示Ｙ方向）への長さ寸法Ｌ２は、前記リターンパス層１１７のトラック幅方向の中央でのハイト方向への長さ寸法Ｌ１に比べて短く形成されている。このため、前記リターンパス層１１７の最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に磁束が集中しにくく、前記両側端部１１７ａ１から媒体Ｍ方向へ発生する磁界の強さを従来よりも弱めることが出来る。従って両側端部１１７ａ１からの磁界強度がリターンパス層１１７の他の部位での磁界強度に比べて強く発生する現象を抑制でき、記録信号の消去現象を従来に比べて適切に抑制することが出来る。
【００４６】
図５に示す実施形態では、前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃの形状が、図４とは異なっている。図５では、前記後端面１１７ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に向き最もハイト方向に離れた位置に形成された最後端面１１７ｅと、前記最後端面１１７ｅの両側端部１１７ｅ１，１１７ｅ１から、前記最前端面１１７ａのトラック幅方向の両側端部１１７ａ１に向けて、トラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が徐々に広がるようにして形成された傾斜面１１７ｇとで構成され、前記傾斜面１１７ｇが湾曲面で形成されている。図４では前記傾斜面１１７ｆは直線状であったが、図５では湾曲状となっている。図５では、前記傾斜面１１７ｇは、前記対向面Ｆ方向に向けて凹む湾曲状の面で形成されている。図６に示す実施形態と比べてみると、図６の実施形態では、前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃは図５と同様に最後端面１１７ｅと湾曲状の傾斜面１１７ｎとで構成されているが、図６では、前記傾斜面１１７ｎは、前記対向面Ｆから離れる方向に向けて（すなわちハイト方向に向けて）膨らむ凸型の湾曲面で形成されている。
【００４７】
図５のリターンパス層１１７の形状のほうが、図６に比べて前記リターンパス層１１７の最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１近傍の体積を小さく出来る。このため、図５の形状のほうが図６の形状に比べて前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１付近に磁束が集中しにくく、前記両側端部１１７ａから媒体Ｍ方向へ発生する磁界の強さをより適切に弱めることが出来る。ただし図６に示す実施形態でも、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１からハイト方向への長さ寸法Ｌ４は、前記リターンパス層１１７のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の中央でのハイト方向への長さ寸法Ｌ１に比べて短くなっており、従来に比べて、適切に、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１に磁束が集中しにくく、前記両側端部１１７ａから媒体Ｍ方向へ発生する磁界の強さをより適切に弱めることが出来る。
【００４８】
図７に示す実施形態では、前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃは、トラック幅方向と平行な方向に向き、最もハイト方向（図示Ｙ方向）に離れた位置に形成された最後端面１１７ｅと、前記最後端面１１７ｅの両側端部１１７ｅ１，１１７ｅ１からハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に向く第１の規制面１１７ｉと、前記第１の規制面１１７ｉの対向面Ｆ側の端部（接続端）１１７ｉ１から、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１方向に向けて、トラック幅方向への寸法が徐々に大きくなるように傾く傾斜面（第２の規制面）１１７ｊとで構成される。
【００４９】
図７に示す実施形態では、前記後端面１１７ｃに、最後端面１１７ｅと第１の規制面１１７ｉとが接続する角部Ｂのほかに、前記第１の規制面１１７ｉと第２の規制面１１７ｊとが接続する角部Ａが形成される。
【００５０】
前記角部Ａでは、第１の規制面１１７ｉのトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向との成す角度θ１が、第２の規制面１１７ｊのトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向との成す角度θ２よりも大きくなっている。この結果、角部Ｂと異なり前記角部Ａは前記対向面Ｆ側から見ると１８０°よりも大きい角度を有する角部となり、このような角部が後端面１１７ｃに形成されると前記角部Ａには、ハイト方向に磁化が揃う磁区が形成されやすい。特に、図７に示す実施形態では、前記第１の規制面１１７ｉが、ハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に向く面であるため、前記角部Ａ付近には特に、ハイト方向に磁化が揃う磁区が形成されやすい構造となっている。このような角部Ａはできる限り前記最前端面１１７ａからハイト方向（図示Ｙ方向）へ離したほうがよい。仮に前記角部Ａが前記最前端面１１７ａに近づくと、ハイト方向に磁化が揃った磁区から磁化が媒体Ｍ方向に漏れ出し、後端側に角部Ａが存在する前記最前端面１１７ａの位置で、記録信号の消去現象を引き起こしやなる。
【００５１】
図７に示す実施形態では、第２の規制面１１７ｊを、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１方向に向けて、トラック幅方向の幅寸法が徐々に大きくなるように傾く傾斜面で形成している。その結果、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１からハイト方向への長さ寸法Ｌ５を適切に短く形成できるとともに、前記角部Ａから最前端面１１７ａまでのハイト長さＬ６を長く形成できる。この結果、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１から媒体Ｍ方向へ生じる磁界を従来に比べて弱めることが出来るとともに、後端側に角部Ａが存在する最前端面１１７ａの位置からの磁界強度も弱めることが出来る。
【００５２】
また、図３ないし図７のように前記後端面１１７ｃに傾斜面を設けない場合、すなわち図８や図９のように、前記後端面１１７ｃをハイト方向（図示Ｙ方向）と平行な方向に向けて延びる第１の規制面１１７ｉと、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に向けて延びる第２の規制面１１７ｋとで構成する場合、図８に示す実施形態のほうが図９に示す実施形態に比べて、記録磁界の消去現象を適切に抑制できる。
【００５３】
図８に示す実施形態では前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃは、最もハイト方向に離れた位置に設けられ、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に向けて延びる最後端面１１７ｅと、前記最後端面１１７ｅの両側端部から、対向面Ｆ方向にハイトと平行な方向へ延びる第１の規制面１１７ｉと、前記第１の規制面１１７ｉの対向面Ｆ側の端部（接続端）から前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１方向に向けてトラック幅方向と平行な方向へ延びる第２の規制面１１７ｋとを有し、前記第１の規制面１１７ｉと第２の規制面１１７ｋとの間に対向面Ｆ側から見て１８０°よりも大きい角度を有する角部Ｃがそれぞれトラック幅方向の両側に形成されている。さらに図８の実施形態では、トラック幅方向の両側にそれぞれもう一組、対向面Ｆ寄りに第１の規制面１１７ｉと第２の規制面１１７ｋが設けられ、対向面Ｆ側から見て１８０°よりも大きい角度を有する角部Ｅが形成されており、このように図８の実施形態では、対向面Ｆからハイト方向に向けて段階的にトラック幅方向（図示Ｘ方向）への幅寸法が小さくなるように前記第１の規制面１１７ｉと第２の規制面１１７ｋとが交互に繋がっている。
【００５４】
一方、図９では、前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃは、最後端面１１７ｅと、前記最後端面１１７ｅの両側端部から、対向面Ｆ方向へハイト方向と平行な方向に延びる第１の規制面１１７ｉと、前記第１の規制面１１７ｉの対向面Ｆ側の端部（接続端）から前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１方向に向けてトラック幅方向と平行な方向へ延びる第２の規制面１１７ｋとを有し、前記第１の規制面１１７ｉと第２の規制面１１７ｋとの間に対向面Ｆ側から見て１８０°よりも大きい角度を有する角部Ｇが形成されている。前記第２の規制面１１７ｋの両側端部は、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１、１１７ａ１に両側端面１１７ｈ，１１７ｈを介して接続されている。
【００５５】
図９では、対向面Ｆ側から見て１８０°よりも大きい角度を有する角部Ｇが、前記最前端面１１７ａに非常に近くなるから、特に後端に角部Ｇがある最前端面１１７ａの位置から、媒体Ｍ方向へ強い磁界が発生しやすい。しかも図９の角部Ｇ付近には、ハイト方向に向けて長さの長い第１の規制面１１７ｉが形成されていることから、角部Ｇ付近には、ハイト方向に磁化が揃う磁区が大きく形成されやすい。この結果、図９の下図に示すように、後端に角部Ｇがある最前端面１１７ａの位置から、媒体Ｍ方向へ強い磁界が生じやすくなっている。
【００５６】
一方、図８では、対向面Ｆ側から見て１８０°よりも大きい角度を有する角部Ｃ，Ｅがトラック幅方向の両側にそれぞれ二箇所以上設けられている。そして図８を見てわかるように前記角部Ｃから対向面Ｆまでのハイト長さＬ７は、図９に示す角部Ｇから対向面Ｆまでのハイト長さＬ９に比べて長く形成されることから、図８において後端側に角部Ｃが存在する最前端面１１７ａの位置から発生する磁界強度を弱くすることが出来る。図８では、もう一つ、対向面Ｆ側から見て１８０°よりも大きい角度を有する角部Ｅが存在する。しかし角部Ｅからハイト方向に延びる第１の規制面１１７ｉのハイト長さは、図９に示す第１の規制面１１７ｉのハイト長さに比べて短いことから、前記角部Ｅ付近に、ハイト方向に磁化が揃う磁区は大きく形成されない。このため、後端側に角部Ｅが存在する最前端面１１７ａの位置から発生する磁界強度を小さくでき、よって図８に示す実施形態のほうが図９に示す実施形態に比べて磁界強度の消去現象を適切に抑制することが出来る。
【００５７】
図１０に示す実施形態では、前記最前端面１１７ａのトラック幅方向の両側端部１１７ａ１から、ハイト方向（図示Ｙ方向）に向けて、トラック幅（図示Ｘ方向）の幅が徐々に広がるように傾く傾斜面（リセス面）１１７ｌ，１１７ｌが形成されている。図７に示す実施形態では、前記リターンパス層１１７の前端面は、最も対向面Ｆから露出する最前端面１１７ａと前記傾斜面１１７ｌ，１１７ｌとで構成され、前記最前端面１１７ａの両側にトラック幅方向への幅寸法をハイト方向へ向けて広がらせる傾斜面１１７ｌ，１１７ｌを形成することは上記した公知文献１，公知文献２にも既に開示されている。
【００５８】
図１０に示す実施形態では、前記公知文献１，２と異なって、前記リターンパス層１１７の後端面１１７ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に、前記対向面Ｆ側からハイト方向に向けて徐々にトラック幅方向の寸法が小さくなる傾斜面１１７ｍが形成されている。そして、前記傾斜面１１７ｍは、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１、１１７ａ１からハイト方向へ引いた仮想線Ｋ，Ｋに交わるように（少なくとも接していれば良い）形成されている。このため、図１０では、前記最前端面１１７ａの両側端部１１７ａ１，１１７ａ１からハイト方向への長さ寸法Ｌ１０を、トラック幅方向の中央でのハイト長さＬ１に比べて短くでき、よって、公知文献１，２に比べて、前記両側端部１１７ａ１，１１７ａ１に記録磁界が集中して戻らず、前記両側端部１１７ａ１，１１７ａ１から媒体Ｍ方向へ向けて生じる磁界強度を適切に弱めることができ、よって記録信号の消去現象を適切に抑制することが可能になっている。
【００５９】
図１１は、図１と異なり、リターンパス層１１７が前記主磁極層１１０よりも下側に設けられた実施形態であるが、図１１に示す垂直磁気記録ヘッドにも本発明を適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の垂直磁気記録ヘッドの部分縦断面図、
【図２】図１に示す垂直磁気記録ヘッドの部分正面図、
【図３】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図４】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図５】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図６】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図７】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図８】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図９】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図１０】本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図であり、特に第１の磁性層の形状が異なる本発明の実施例、
【図１１】図１の垂直磁気記録ヘッドとは異なる構造の本発明における垂直磁気記録ヘッドの部分縦断面図、
【図１２】従来における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図、
【図１３】図１２とは異なる形状の従来における垂直磁気記録ヘッドの部分平面図、
【符号の説明】
【００６１】
１１０  主磁極層
１１７  リターンパス層
１１７ａ  最前端面
１１７ａ１  両側端部
１１７ｃ  後端面
１１７ｅ  最後端面
１１７ｆ、１１７ｇ、１１７ｎ  傾斜面
１１７ｈ  両側端面
１１７ｉ  第１の規制面
１１７ｊ、１１７ｋ  第２の規制面
１１７ｌ  傾斜面（リセス面）
【図１】
2006164463.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006164463.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006164463.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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