(57)【要約】【課題】  高い処理能力が得られ処理抜けをも防止できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】  一方向に延びる３以上の電極１１，１２を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に放電空間となる長さＬの放電スリット１４を形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の放電スリット１４をピッチｐで一列に並べてなるスリット群１４Ａを構成する。このスリット群１４Ａを被処理物９０の移動方向に対し傾け、この移動方向と直交する方向の要求処理幅をＷ０とし、スリット群１４Ａの全幅をＷ１とし、次式が満たされるようにする。    Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２【選択図】図２
2006228660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を、前記移動方向に対し下記の角度θになるように傾けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
θ≧ｔａｎ−１（Ｌ／ｐ）          ［式１］
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
【請求項２】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式２が満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２        ［式２］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
【請求項３】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式３が満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Ｗ０≦Ｗ１＝（１−α）×Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２    ［式３］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
【請求項４】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式４が満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２    ［式４］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
【請求項５】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式５が満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×Ｌ×ｐ×(Ｌ２＋ｐ２)−１／２      ［式５］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
【請求項６】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し下記の角度θになるように傾けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
θ≧ｓｉｎ−１((Ｗ１／Ｎ)／Ｌ)              ［式６］
ここで、
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
【請求項７】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式７ａ〜式７ｃが満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                              ［式７ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
【請求項８】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式８ａ〜式８ｃが満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式８ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                  ［式８ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式８ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
【請求項９】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式９ａ〜式９ｃが満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式９ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                      ［式９ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式９ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
【請求項１０】
処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式１０ａ〜式１０ｃが満たされるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式１０ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２        ［式１０ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式１０ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
【請求項１１】
前記重なり度αが、
０＜α≦０．１                  [式１１]
であることを特徴とする請求項３、５、８、１０の何れかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記処理ガスの流量Ｑを、次式が略満たされるように設定することを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載のプラズマ処理装置。
Ｑ＝ｓ×Ｌ×ｇ×Ｎ              ［式１２］
ここで、
ｓ：処理ガスの流速
ｇ：前記放電スリットの幅
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はプラズマ処理装置に関し、特に、処理ガスを放電空間に通して吹出し、放電空間の外部に配置された被処理物に当てて洗浄等の表面処理を行なう、所謂リモート式のプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、下記特許文献には、一対の電極間の放電スリットに処理ガスを導入してプラズマ化し、このプラズマガスを下方に搬送されて来た被処理物に吹付けて接触させ、表面処理することが記載されている。
【特許文献１】特開２００４−２２８００５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上掲文献等の従来のプラズマ処理装置では、放電スリットが被処理物の搬送方向と直交する方向に延びている。したがって、被処理物の各ポイントが放電スリットの真下を横切るのは、放電スリットの幅寸法に対応する短い間しかなく、十分な処理レベルを確保するのが難しかった。また、放電スリットが１つしかないため、高処理を行なうには、ユニットを被処理物の搬送方向に複数段並べる必要があり、コストが高くつく。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と交差する方向に一列に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し傾けることを特徴とする。
これによって、被処理物の各ポイントにプラズマガスを十分に当てることができ、高い処理能力を得ることができる。
前記搬送方向に対する前記スリットの傾き角度θは、０＜θ＜９０°であればよく、０＜θ＜４５°がより望ましい。
【０００５】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を、前記移動方向に対し下記の角度θになるように傾けたことをも特徴とする。
θ≧ｔａｎ−１（Ｌ／ｐ）          ［式１］
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
これによって、隣り合う放電スリットの処理範囲どうしを連続させることができ、処理抜けを確実に防止することができる。
【０００６】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式２が満たされるようにしたことをも特徴とする。
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２        ［式２］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
これによって、隣り合う放電スリットの処理範囲どうしを連続させることができ、処理抜けを確実に防止することができる。
【０００７】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式３が満たされるようにしたことをも特徴とする。
Ｗ０≦Ｗ１＝（１−α）×Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２    ［式３］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
これによって、隣り合う放電スリットの処理範囲どうしを重複させて確実に連続させることができ、処理抜けを確実に防止することができる。
前記重なり度αは、
０＜α≦０．１                  [式１１]
であることが望ましい。これによって、処理範囲の重なりを必要最小限に止めながら処理抜けを確実に防止することができる。
【０００８】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式４が満たされるようにしたことをも特徴とする。
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２    ［式４］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
これによって、有効処理可能な幅Ｗ２がスリット群の全幅Ｗ１より小さい場合でも要求処理幅Ｗ０の全体にわたって確実に有効処理でき、かつ処理抜けを確実に防止することができる。
【０００９】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記一方向と直交する方向に並べ、隣り合う電極間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群を前記移動方向に対し傾け、次式５が満たされるようにしたことをも特徴とする。
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×Ｌ×ｐ×(Ｌ２＋ｐ２)−１／２      ［式５］
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する並び方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
これによって、有効処理可能な幅Ｗ２がスリット群の全幅Ｗ１より小さい場合でも要求処理幅Ｗ０の全体にわたって確実に有効処理でき、かつ処理抜けを一層確実に防止することができる。前記重なり度αは、
０＜α≦０．１                  [式１１]
であることが望ましい。これによって、処理範囲の重なりを必要最小限に止めながら処理抜けを確実に防止することができる。
【００１０】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し下記の角度θになるように傾けたことをも特徴とするプラズマ処理装置。
θ≧ｓｉｎ−１((Ｗ１／Ｎ)／Ｌ)              ［式６］
ここで、
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
これによって、隣り合う放電スリットの処理範囲どうしを連続させることができ、処理抜けを確実に防止することができる。
【００１１】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式７ａ〜式７ｃが満たされるようにしたことをも特徴とする。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                              ［式７ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１≦Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
これによって、隣り合う放電スリットの処理範囲どうしを連続させることができ、処理抜けを確実に防止することができる。
【００１２】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式８ａ〜式８ｃが満たされるようにしたことをも特徴とする。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式８ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                  ［式８ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式８ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
これによって、隣り合う放電スリットの処理範囲どうしを重複させて確実に連続させることができ、処理抜けを確実に防止することができる。
前記重なり度αは、
０＜α≦０．１              [式１１]
であることが望ましい。これによって、処理範囲の重なりを必要最小限に止めながら処理抜けを確実に防止することができる。
【００１３】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式９ａ〜式９ｃが満たされるようにしたことをも特徴とする。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式９ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                    ［式９ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式９ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
これによって、有効処理可能な幅Ｗ２がスリット群の全幅Ｗ１より小さい場合でも要求処理幅Ｗ０の全体にわたって確実に有効処理でき、かつ処理抜けを確実に防止することができる。
【００１４】
本発明は、処理ガスを放電空間に通して吹出すとともに、被処理物を前記放電空間に対し相対移動させながら前記吹出しガスに当てるプラズマ処理装置であって、
一方向に延びる３以上の電極を前記移動方向と直交する方向に一列に並べ、隣り合う電極どうし間に前記放電空間となる放電スリットを形成し、前記電極より１つ少ない数（Ｎ個）の前記放電スリットを一列に並べてなるスリット群を構成し、このスリット群の各放電スリットの延び方向すなわち前記一方向を前記移動方向に対し角度θだけ傾け、次式１０ａ〜式１０ｃが満たされるようにしたことをも特徴とする。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式１０ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                        ［式１０ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式１０ｃ]
ここで、
Ｗ０：前記被処理物の前記移動方向と直交する方向の要求処理幅
Ｗ１：前記スリット群の前記移動方向と直交する方向の全幅
Ｌ：前記放電スリットの前記一方向に沿う長さ
ｐ：前記放電スリットの前記一方向と直交する方向のピッチ
α：隣り合う放電スリットの処理範囲どうしの重なり度を示し、１未満の正数
β：前記スリット群の全幅Ｗ１に対する有効処理可能な幅Ｗ２の割合（Ｗ２／Ｗ１）
これによって、有効処理可能な幅Ｗ２がスリット群の全幅Ｗ１より小さい場合でも要求処理幅Ｗ０の全体にわたって確実に有効処理でき、かつ処理抜けを確実に防止することができる。
前記重なり度αは、
０＜α≦０．１              [式１１]
であることが望ましい。これによって、処理範囲の重なりを必要最小限に止めながら処理抜けを確実に防止することができる。
【００１５】
前記処理ガスの流量Ｑは、次式が略満たされるように設定するのが望ましい。
Ｑ＝ｓ×Ｌ×ｇ×Ｎ              ［式１２］
ここで、
ｓ：処理ガスの流速
ｇ：前記放電スリットの幅
これによって、処理ガスを各スリットに万遍なく十分に供給することができる。
【００１６】
本発明は、例えば、略常圧（大気圧近傍の圧力）の環境下でのプラズマ処理に適用される。本発明における略常圧とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高い処理能力を得ることができるとともに、処理抜けを確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１及び図２は、被処理物９０の表面をプラズマ洗浄するプラズマ処理装置１を示したものである。被処理物９０は、例えば液晶画面用のＩＴＯ（インジウム酸化錫）ガラスである。このＩＴＯガラスの表面にプラズマガスが照射されると、表面の活性状態が変化し、濡れ性が向上する。これにより、液晶の製造において次工程がスムーズに進むことになる。ここで、濡れ性が良いとは、被処理物９０の表面に液滴を垂らしたときの接触角が小さいことを意味し、処理レベルが高いことを意味する。
【００１９】
プラズマ処理装置１にて処理すべき範囲は、被処理物９０の表側面（上面）の全体である。したがって、被処理物９０の左右方向の幅寸法が、処理すべき幅（要求処理幅）Ｗ０となる。
なお、被処理物９０の一部分だけを処理すればよい場合もある。この場合、要求処理幅Ｗ０が被処理物９０の全幅より小さくなることは言うまでもない。
【００２０】
プラズマ処理装置１は、プラズマ生成ユニット１０を備えている。プラズマ生成ユニット１０は、架台５０（図２）にて支持されている。プラズマ生成ユニット１０には多数（３つ以上）の電極１１，１２が設けられている。電極１１，１２は、それぞれプラズマ生成ユニット１０の短手方向（一方向）に延びるとともに、プラズマ生成ユニット１０の長手方向（前記一方向と直交する方向）に互いに等ピッチｐで並べられている。これら電極１１，１２は平板状になっているが、これに限定されるものではなく、例えば円柱形状をなしていてもよい。電極１１，１２は、鉄、銅、アルミニウム等の金属単体、ステンレス、真鍮等の合金、金属間化合物等にて構成される。
【００２１】
図示は省略するが、各電極１１，１２の内部には水等の冷却用媒体を通す冷却路が設けられている。
【００２２】
プラズマ生成ユニット１０の複数の電極１１，１２は、１つ置きに電源３０に接続されている。電源３０は、Ｖｐｐ＝１０〜３０ｋＶの高電圧を印加するようになっている。これにより、１つ置きの電極１１，１２がホット電極１１となっている。残りの１つ置きの電極１１，１２は、電気的に接地されアース電極１２になっている。したがって、ホット電極１１とアース電極１２が交互に並べられている。プラズマ生成ユニット１０の長手方向の両端部にはそれぞれアース電極１２が配置されているが、これに限定されるものではなく、ホット電極１１が配置されるようになっていてもよい。
【００２３】
隣り合う電極１１，１２の対向面は、アルミナ、パイレックス（登録商標）、石英ガラス等の誘電体からなる層で被覆されている。誘電体層１３は、電極１１，１２に固着されていてもよく、両誘電体層１３，１３の間にスペーサをかませることにより各誘電体層１３，１３が対応電極１１，１２にそれぞれ押し付けられるようにしてもよい。固着手段としてセラミックコーティング等の溶着やホーロー処理が挙げられる。電極１１，１２に押し付ける場合には、誘電体層１３を石英板、ガラス板、アルミナ板などのセラミック板にて構成するとよい。誘電体層１３の厚さは、０．１〜５ｍｍが好ましい。
【００２４】
隣り合う電極１１，１２の誘電体層１３間にスリット１４が形成されている。プラズマ生成ユニット１０全体で電極１１，１２の数より１つだけ少ない数のスリット１４が形成されている。プラズマ生成ユニット１０の全放電スリット１４によって１のスリット群１４Ａが構成されている。スリット１４は、それぞれプラズマ生成ユニット１０の短手方向に延びるとともに、プラズマ生成ユニット１０の長手方向に互いに等ピッチｐで並べられている。電源３０の電圧印加によってスリット１４内で大気圧グロー放電等のプラズマ放電が発生し、スリット１４が放電空間となる。各放電スリット１４の厚さｇは、ｇ＝０．５ｍｍ〜５ｍｍが望ましい。
【００２５】
図１の仮想線で示すように、プラズマ生成ユニット１０の上側部にはガス導入ユニット２２が設けられている。処理ガス源２０からの処理ガス供給路２１が上記ガス導入ユニット２２に接続され、このガス導入ユニット２２が、放電スリット１４の上端部（上流端）の全長に連なっている。図示は省略するが、ガス導入ユニット２２には、チャンバやスリット等からなるガス均一化路が設けられ、処理ガス源２０からの処理ガスを均一化して、各放電スリット１４の長手方向に均一に導入するようになっている。
プラズマ洗浄用の処理ガスとしては、例えば希ガス、窒素等を用いるのが好ましい。微量の酸素を添加すると、より好ましい。
【００２６】
放電スリット１４の下端部（下流端）は、スリット状の吹出し口１６になっている。
【００２７】
プラズマ生成ユニット１０の下端部には、アース板１５が設けられている。アース板１５は、被処理物９０にアークが落ちないように避雷針の役割をするものであり、金属板などの導電材料で構成され、電気的に接地されている。アース板１５は少なくともホット電極１１の下側に配置されていればよい。
【００２８】
プラズマ生成ユニット１０の下方には搬送ローラ等からなる搬送手段４０が設けられている。この搬送手段４０によって被処理物９０が図２の白抜き太矢印にて示す前後方向に移動されるようになっている。プラズマ生成ユニット１０と被処理物９０の上面との間の距離は数ｍｍになるようになっている。被処理物９０が静止される一方、プラズマ生成ユニット１０が移動させるようになっていてもよい。
【００２９】
なお、搬送手段４０はローラ式に限定されずベルト式であってもよい。被処理物９０が枚葉のものであれば、搬送ロボット等の搬送系を用いてもよい。この他にも、バッチ対応の搬送系、マガジン−マガジン対応の搬送系を用いてもよく、複数種の搬送系を組み合わせてもよい。プラズマ処理部の前側又は後側にガイドローラを設置してもよく、しわ対策用のテンションコントロール機構やクラウンロールを設置してもよい。
【００３０】
図２に示すように、プラズマ生成ユニット１０は、被処理物９０の移動方向（前後方向）に対し斜めになるように角度θだけ傾けられている。ひいては図３に示すように、電極１１，１２及び放電スリット１４が、被処理物９０の移動方向に対し斜めになるように下記の角度θだけ傾けられている。
θ＝ｔａｎ−１（ｐ／Ｌ）＝ｃｏｓ−１(Ｌ×(Ｌ２＋ｐ２)−１／２)  ［式１ａ］
ここで、Ｌは、放電スリット１４の長さである。
ｐは、放電スリット１４のピッチである。
この傾斜構成によって、下式２が成り立つように設定されている。
Ｗ０≦Ｗ１＝Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２          ［式２ａ］
【００３１】
ここで、Ｎは、放電スリット１４の数である。
Ｗ０は、上述したように被処理物９０の要求処理幅である。
Ｗ１は、プラズマ生成ユニット１０の全放電スリット１４からなるスリット群１４Ａの左右全幅である。すなわち、左端の放電スリット１４の前端部と右端の放電スリット１４の後端部をそれぞれ前後方向に投影した点どうしの距離である。このスリット群１４Ａの幅Ｗ１は、プラズマ生成ユニット１０にて有効に処理可能な幅に対応する。有効処理可能とは、所定以上の処理レベルが得られることを言う。例えば、洗浄による濡れ性向上処理の場合、処理レベルは処理後の接触角で測定できる。
【００３２】
放電スリット１４の数Ｎ、長さＬ、ピッチｐは、電極１１，１２の数や大きさ（長さ、厚さ）等を調節することによって変更することができる。電極１１，１２の数や大きさはコストや組み立ての難易に関わってくるので、Ｎ、Ｌ、ｐの値には一定の制限がある。この制限の範囲内で式１及び式２を満たす適切な値を設定する。
【００３３】
傾き角度θは、０＜θ＜９０度の範囲で設定可能である。好ましくは、０＜θ≦４５度の範囲で設定する。より好ましくは、５度≦θ≦４０度の範囲で設定する。
【００３４】
例えば、放電スリット１４の長さを、Ｌ＝６５ｍｍ、ピッチを、ｐ＝５２ｍｍ、スリット数を、Ｎ＝１０とすると、スリット群１４Ａの左右幅Ｗ１すなわち有効処理幅は、
Ｗ１＝１０×６５×５２×（６５２＋５２２）−１／２ｍｍ
＝４０６ｍｍ
となる。
このとき、傾き角度θは、
θ＝ｔａｎ−１（５２／６５）＝３８．７度
となる。
【００３５】
上記構成において、ＩＴＯガラス等の被処理物９０が搬送ローラ４０にてプラズマ生成ユニット１０の下方を前後に搬送されて来る。併せて、処理ガス源２０からの処理ガスが、ガス導入ユニット２２を経て各放電スリット１４に均一に導入される。また、電源３０から各ホット電極１１への電界印加により放電スリット１４内にプラズマ放電が起き、処理ガスがプラズマ化される。このプラズマガスが、放電スリット１４の下端（吹出し口１６）から吹出され、アース板１５と被処理物９０との間の空間を流れながら被処理物９０に接触する。これによって、被処理物９０の表面をプラズマ洗浄することができ、濡れ性を向上させることができる。
【００３６】
さらに、被処理物９０は前後方向に移動される。このとき、被処理物９０の各ポイントは、放電スリット１４の真下を斜めに横断する。したがって、放電スリット１４を被処理物９０に垂直に投影した場合、被処理物９０の各ポイントが放電スリット１４を横断する距離を長くすることができる。これによって、被処理物９０の各ポイントにプラズマガスを十分に当てることができ、高い処理レベルを得ることができる。すなわち、処理後の被処理物９０の接触角を十分に小さくでき、濡れ性を十分に高めることができる。
しかも、図３に示すように、被処理物９０の表面において１の放電スリット１４によって処理される範囲Ｒと、その隣の放電スリット１４による処理範囲Ｒの境どうしが合わさることになり、Ｎ個の放電スリット１４の処理範囲Ｒが途切れなく連続することになる。これによって、要求処理幅Ｗ０の全域にわたってもれなく十分に洗浄処理することができ、処理抜けを確実に防止することができる。
【００３７】
また、プラズマ生成ユニット１０を斜めにすることによりフットプリント（床投影面積）を小さくできる。
【００３８】
処理ガス源２０からの処理ガスの供給流量Ｑは、次式１０が略満たされるようにするのが好ましい。
Ｑ＝ｓ×Ｌ×ｇ×Ｎ          ［式１０］
ここで、ｓは、処理ガスの流速であり、ｇは、各放電スリット１４の幅である。
これによって、処理ガスを各スリット１４に万遍なく十分に供給することができる。ひいては、要求処理幅Ｗ０の全体を確実に洗浄処理することができる。
【００３９】
例えば、ガス流速が、ｓ＝１０ｍ／秒、放電スリット１４の長さが、Ｌ＝６５ｍｍ、放電スリットの幅が、ｇ＝１ｍｍ、スリット数が、Ｎ＝１０の場合、必要ガス流量Ｑは、
Ｑ＝１０×（６５×１０−３）×（１×１０−３）×１０ｍＬ／秒
＝６．５×１０−３ｍＬ／秒
＝３９０Ｌ／分
となる。
【００４０】
ただし、ｓは５ｍ／秒程度から効果でではじめ、２０ｍ／秒を超えると効果が薄れる。そこで、５ｍ／秒≦ｓ≦２０ｍ／秒の範囲で設定するのが望ましい。好ましくは、ｓ＝１０ｍ／秒程度である。
【００４１】
次に、本発明の他の実施形態を説明する。以下の実施形態において既述の実施形態と重複する構成に関しては図面に同一符号を付して説明を省略する。
図４に示すように、プラズマ生成ユニット１０の隣り合う放電スリット１４の処理範囲Ｒ，Ｒどうしを多少重複させることにしてもよい。すなわち、プラズマ生成ユニット１０の傾斜構成を上記式１ａ，２ａに代えて次の式１ｂ，２ｂが満たされるように設定する。
θ＞ｔａｎ−１（ｐ／Ｌ）                              ［式１ｂ］
Ｗ０≦Ｗ１＜Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２          ［式２ｂ］
また、隣り合う放電スリット１４の処理範囲Ｒ，Ｒどうしの重なり度をα＝（隣り合う処理範囲Ｒ，Ｒどうしが重なった部分Ｒ１の幅）÷（各処理範囲Ｒの幅）とすると、次式４が成り立つように構成する。
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×Ｌ×ｐ×(Ｌ２＋ｐ２)−１／２          ［式３］
【００４２】
これによって、プラズマ生成ユニット１０の全放電スリット１４の処理範囲Ｒ，Ｒを確実に連続させることができる。この結果、処理抜けを一層確実に防止することができる。処理範囲Ｒの重複部分Ｒ１は、非重複部分Ｒ２の倍の量のプラズマ照射を受けることになるが、洗浄処理の場合、一定以上の洗浄効果が得られれば良く均一性は不要であるので何ら支障はない。
【００４３】
重なり度αは、０＜α≦０．２５の範囲で設定するのが好ましい。
０＜α≦０．１            [式１１]
の範囲で設定するのがより好ましい。すなわち、次式３ａが成立するように構成するのが好ましい。
０．９×Ｎ×Ｌ×ｐ×(Ｌ２＋ｐ２)−１／２≦Ｗ１＜Ｎ×Ｌ×ｐ×(Ｌ２＋ｐ２)−１／２
［式３ａ］
これによって、隣り合う処理範囲Ｒ，Ｒどうしを確実に重複させて処理抜けを確実に防止できるとともに、重複部分ひいては過処理になる部分を必要最小限に止めて無駄を少なくすることができる。
【００４４】
式３（または式３ａ）が満たされるようにするには、放電スリット１４の数Ｎ、長さＬ、ピッチｐを調節する他、傾き角度θを調節することにしてもよい。傾き角度θを変えることによりスリット群１４Ａの全幅Ｗ１を増減できるからである。
【００４５】
図５に示すように、プラズマ生成ユニット１０にて得られる処理レベル（洗浄処理の場合、接触角に反比例）は、当該プラズマ生成ユニット１０の長手方向の中央部で高く左右両端へ向かうにしたがって低下することもあり得る。そうすると、左右両側で処理レベルが所望のしきい値Ｓ０（図５の一点鎖線）を下回ることもあり得る。この場合、処理レベルがしきい値Ｓ０以上になる範囲の幅を有効処理可能幅Ｗ２とする。したがって、有効処理可能幅Ｗ２は、プラズマ生成ユニット１０のスリット群１４Ａの左右全幅Ｗ１より小さい（Ｗ２＜Ｗ１）。プラズマ生成ユニット１０全体のスリット群１４Ａの左右全幅Ｗ１に対する有効処理可能幅Ｗ２の割合をβ（β＝Ｗ２÷Ｗ１）とすると、次式６が成り立つように構成するとよい。
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×Ｌ×ｐ×（Ｌ２＋ｐ２）−１／２              ［式４］
【００４６】
これによって、プラズマ生成ユニット１０の中央の有効処理可能な部分を被処理物９０の幅に対応させることができ、要求処理幅Ｗ０の全体を確実に有効処理できるとともに、隣り合う処理範囲Ｒ，Ｒどうしの境を一致させて連続させ、処理抜けを確実に防止することができる。
上記の有効処理割合βは、例えばβ＝０．９〜０．９５である。
【００４７】
図５は、Ｗ２＜Ｗ１となる場合において、隣り合う放電スリット１４の処理範囲Ｒ，Ｒどうしの境が一致するようにしたときの構成を示したものであるが、図６に示すように、Ｗ２＜Ｗ１において処理範囲Ｒ，Ｒどうしが一部重複するようにしてもよい。この場合、次式５が成り立つように構成する。
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×Ｌ×ｐ×(Ｌ２＋ｐ２)−１／２      ［式５］
これによって、要求処理幅Ｗ０の全体を確実に有効処理できるとともに、処理抜けをより確実に防止することができる。
【００４８】
ここまでの実施形態では、電極１１，１２ひいては放電スリット１４はプラズマ生成ユニット１０に対し正置される一方、プラズマ生成ユニット１０が傾けられていたが、  図７に示す実施形態では、プラズマ生成ユニット１０自体は、傾けられておらず正置されている。すなわち、プラズマ生成ユニット１０の長手方向は、被処理物９０の移動方向（前後方向）と直交する方向（左右方向）に向けられている。一方、図８に示すように、このプラズマ生成ユニット１０内の電極１１，１２ひいては放電スリット１４がそれぞれ前記移動方向に対し下記の角度θだけ傾けられている。
θ＝ｓｉｎ−１((Ｗ１／Ｎ)／Ｌ)              ［式６ａ］
このスリット傾斜によって、下式７ａ１〜７ｃ１が成り立つように設定されている。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ａ１]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                            ［式７ｂ１］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ｃ１]
ここで、放電スリット１４のピッチｐは、各放電スリット１４の延び方向と直交する方向に沿う法線ピッチである。
【００４９】
これによって、隣り合う放電スリット１４の処理範囲どうしの境が一致するようになっている。よって、図１〜図３のユニット傾斜構造の実施形態と同様に、要求処理幅Ｗ０の全域にわたってもれなく十分の洗浄処理することができ、処理抜けを確実に防止することができる。加えて、プラズマ生成ユニット１０を搬送手段４０上に設置する際、プラズマ生成ユニット１０を真っ直ぐ左右方向を向くように設置すればよく、角度調節を省略でき、設置作業を簡易化することができる。
【００５０】
このユニット正置・スリット傾斜構造においても、図９に示すように、隣り合う放電スリット１４の処理範囲どうしに多少の重なりを持たせてもよい。すなわち、傾斜角度θを次のようにする。
θ＞ｓｉｎ−１((Ｗ１／Ｎ)／Ｌ)              ［式６ｂ］
このスリット傾斜によって、下式７ａ２〜７ｃ２が成り立つように設定されている。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＜Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ａ２]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＜Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                            ［式７ｂ２］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＜Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２  [式７ｃ２]
また、所望の重なり度αを用いると次式８ａ〜８ｃが成り立つように設定されている。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式８ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                    ［式８ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦Ｗ１＝(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式８ｃ]
【００５１】
これによって、ユニット正置・スリット傾斜構造においても、プラズマ生成ユニット１０の全放電スリット１４の処理範囲Ｒ，Ｒを確実に連続させることができ、処理抜けを一層確実に防止することができる。加えて、プラズマ生成ユニット１０の搬送手段４０への設置作業を簡易化することができる。
重なり度αは、０＜α≦０．２５の範囲で設定するのが好ましい。
０＜α≦０．１            [式１１]
の範囲で設定するのがより好ましい。
【００５２】
図１０に示すように、ユニット正置・スリット傾斜構造においても、左右両側の処理レベルがしきい値Ｓ０（図１０の一点鎖線）を下回ることがある。その場合、処理レベルがしきい値Ｓ０以上になる範囲の幅を有効処理可能幅Ｗ２とする。そして、プラズマ生成ユニット１０全体のスリット群１４Ａの左右全幅Ｗ１に対する有効処理可能幅Ｗ２の割合をβ（β＝Ｗ２÷Ｗ１）とすると、次式９ａ〜９ｃが成り立つように構成するとよい。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式９ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２                      ［式９ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式９ｃ]
【００５３】
これによって、プラズマ生成ユニット１０の中央の有効処理可能な部分を被処理物９０の幅に対応させることができ、要求処理幅Ｗ０の全体を確実に有効処理できるとともに、隣り合う処理範囲Ｒ，Ｒどうしを間断なく連続させ、処理抜けを確実に防止することができる。
有効処理割合βは、例えばβ＝０．９〜０．９５である。
【００５４】
図１０においては放電スリット１４の傾き角度θは次式６ａになるように設定されている。
θ＝ｓｉｎ−１((Ｗ１／Ｎ)／Ｌ)              ［式６ａ］
これによって、隣り合う処理範囲Ｒ，Ｒどうしの境が一致するようになっている。
【００５５】
これに対し、図１１に示すように、処理範囲Ｒ，Ｒどうしが一部重複するようにしてもよい。この場合、重なり度をαとすると次式１２が成り立つように構成する。
０＜θ＜４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２−（Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式１０ａ]
θ＝４５度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×Ｌ×(１／２)１／２          ［式１０ｂ］
４５度＜θ＜９０度のとき、
Ｗ０≦β×Ｗ１＝β×(１−α)×Ｎ×((１／２)×(Ｌ２＋(Ｌ４−４Ｌ２ｐ２)１／２))１／２
[式１０ｃ]
これによって、要求処理幅Ｗ０の全体を確実に有効処理できるとともに、処理抜けをより確実に防止することができる。
【００５６】
図１２は、プラズマ生成ユニット１０の改変構造を示したものである。なお、このプラズマ生成ユニット１０は、第１実施形態と同様に斜めに配置されるものであるが、図１２においては正置状態にて図示する。
このプラズマ生成ユニット１０は、平面視長方形の筐体１００を有している。この筐体１００の内部に（Ｎ＋１）個の電極１１，１２が収容され、Ｎ個の放電スリット１４が形成されている。各電極１１，１２の延び方向の両端面と筐体１００の内面との間には、それぞれ絶縁材料からなる電極端支持部材１７が設けられている。電極端支持部材１７は、電極１１，１２と等厚のブロック状をなしている。
【００５７】
また、隣り合う電極１１，１２の板状誘電体層１３，１３間の両端部には絶縁材料からなるスペーサ１８が挟まれ、このスペーサ１８によって放電スリット１４の厚さが維持されている。スペーサ１８及び板状誘電体層１３，１３の端面は面一になっており、これらの端面と筐体１００の長手側の壁の内面との間には、絶縁材料からなる誘電板支持部材１９がそれぞれ設けられている。
【００５８】
プラズマ生成ユニット１０の短手方向両側における（Ｎ＋１）個の電極端支持部材１７，１７…とＮ個の誘電板支持部材１９，１９…の端面は互いに面一になっている。これら電極端支持部材１７，１７…及び誘電板支持部材１９，１９…と筐体１００の長手側壁の内面との間には、揃え部材１０１が挿入されている。揃え部材１０１は、薄い板状をなし、筐体１００の長手方向に延び、（Ｎ＋１）個の電極端支持部材１７，１７…とＮ個の誘電板支持部材１９，１９…に跨っている。
【００５９】
筐体１００の長手側壁には、雄ネジからなる複数の押し部材１０２が長手方向に間隔を置いて配置されている。これら押し部材１０２は、筐体１００の長手側壁にねじ込まれるとともに、先端部が揃え部材１０１に突き当てられ、この揃え部材１０１を均等に内側へ押している。
【００６０】
これによって、（Ｎ＋１）個の電極端支持部材１７，１７…とＮ個の誘電板支持部材１９，１９…をきれいに揃えることができ、ひいてはＮ個の放電スリット１４をきれいに揃えることができる。この結果、処理抜けを一層確実に防止することができる。
【００６１】
本発明は、上記実施形態に限定されず、種々の改変をなすことができる。
例えば、被処理物９０の処理すべき部分が被処理物９０の一部分であり、要求処理幅Ｗ０が被処理物９０の全幅より小さくてもよい。この場合でも、上記の各式を適用可能である。
重なり度αは、１未満の正数（０＜α＜１）であれば０．１を超えていてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、例えばＩＴＯガラスの濡れ性向上のためのプラズマ洗浄に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の断面図である。
【図２】上記プラズマ処理装置の平面図である。
【図３】上記プラズマ処理装置の放電スリットとその処理範囲を示す解説平面図である。
【図４】処理範囲を一部重複させた変形例を示す解説平面図である。
【図５】有効処理可能幅がスリット群の全幅より小さい場合の上記スリット群と、左右方向の位置に応じた処理レベルの一例を示すグラフとを合成した解説図である。
【図６】図５において処理範囲が一部重複する場合の解説図である。
【図７】正置されたユニット内のスリットが傾斜された実施形態を示す平面図である。
【図８】図７のスリット群の解説平面図である。
【図９】図７のユニット正置スリット傾斜構造において処理範囲を一部重複させた変形例を示す解説平面図である。
【図１０】ユニット正置スリット傾斜構造において有効処理可能幅がスリット群の全幅より小さい場合の上記スリット群と左右方向の位置に応じた処理レベルの一例を示すグラフとを合成した解説図である。
【図１１】図１０において処理範囲が一部重複する場合の解説図である。
【図１２】プラズマ生成ユニット１０の改変構造を示す平面断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
Ｗ０  要求処理幅
Ｗ１  スリット群の左右全幅
Ｗ２  有効処理可能幅
Ｓ０  しきい値
１    プラズマ処理装置
１０  プラズマ生成ユニット
１１，１２  電極
１４  放電スリット
１４  スリット群
４０  搬送手段
９０  被処理物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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