(57)【要約】【課題】  基板間の導通を確保しつつ、電気抵抗を低下させることが可能な、液晶表示装置を提供する。【解決手段】  液晶層５０を挟持する一対の基板１０，２５のうちカラーフィルタ基板１０には、素子基板２５との導通を確保するための導電性突起７２が形成されている。その導電性突起７２の先端面は、複数の凸部７２ａを備えた凹凸面とされている。そして、導電性突起７２の先端面を素子基板２５に当接させ、凸部７２ａを圧縮変形させた状態で、一対の基板１０，２５の相対位置が固定されている。【選択図】        図５
2006227156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板のうち少なくとも第１の前記基板には、前記一対の基板のうち第２の前記基板との導通を確保するための導電性突起が形成され、
前記導電性突起の先端面を前記第２基板に当接させ、前記導電性突起を圧縮変形させた状態で、前記第１基板と前記第２基板との相対位置が固定されている液晶表示装置であって、
前記導電性突起の先端面が、凹凸面とされていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記導電性突起は、弾性材料からなる芯部材の表面に導電膜を配設してなり、
前記芯部材の先端面が、凹凸面とされていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記導電性突起の先端面は、複数の凸部を備えた凹凸面とされ、
前記凸部を前記第２基板に当接させ、前記凸部を圧縮変形させた状態で、前記第１基板と前記第２基板との相対位置が固定されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の電子機器の画像表示手段として、液晶表示装置が広く利用されている。液晶表示装置は、電極が形成された一対の基板により液晶層を挟持して構成され、その電極間に電界を印加して液晶分子を配向させ、液晶層の光透過率を画素単位で制御することにより、画像を表示するようになっている。
【０００３】
図１１は、特許文献１に記載された従来技術に係る液晶表示装置の側面断面図である。この液晶表示装置では、素子基板２５とカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）１０とが、シール材１９を介して貼り合わされている。そして、素子基板２５に形成された引廻し配線７８と、ＣＦ基板１０に形成された走査線９とが、シール材１９に分散された導電粒子８０を介して導通する構成となっている。
【特許文献１】特開２００３−５１９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した液晶表示装置では、シール材１９に分散させる導電粒子８０の濃度が問題になる。導電粒子８０の濃度が高すぎると、シール材１９による基板間の接着力が弱くなり、導電粒子８０の濃度が低すぎると、一部の配線間に導電粒子が配置されずに、導通が確保できなくなるおそれがあるからである。また、導電粒子８０の直径のばらつきによっても、一部の配線間で導通を確保できなくなるおそれがある。
【０００５】
さらに、両基板の配線と導電粒子８０とが点接触になるため、導通部の電気抵抗が大きくなるという問題がある。なお、導電粒子８０を圧縮変形させて両基板に面接触させることにより、電気抵抗を低下させる構造も考えられる。しかしながら、導電粒子８０を圧縮変形させるには大きな荷重が必要になる。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、基板間の導通を確保しつつ、電気抵抗を低下させることが可能な、液晶表示装置の提供を目的とする。
また、電気的接続の信頼性に優れた電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうち少なくとも第１の前記基板には、前記一対の基板のうち第２の前記基板との導通を確保するための導電性突起が形成され、前記導電性突起の先端面を前記第２基板に当接させ、前記導電性突起を圧縮変形させた状態で、前記第１基板と前記第２基板との相対位置が固定されている液晶表示装置であって、前記導電性突起の先端面が、凹凸面とされていることを特徴とする。
この構成によれば、第２基板に当接させた導電性突起を容易に圧縮変形させることができる。したがって、製造誤差等により導電性突起の高さが若干低く形成された場合でも、基板間の導通を確保することができる。また、導電性突起と第２基板との接触面積を増加させることが可能になり、基板間導通部における電気抵抗を低下させることができる。
【０００８】
また、前記導電性突起は、弾性材料からなる芯部材の表面に導電膜を配設してなり、前記芯部材の先端面が、凹凸面とされていることが望ましい。
この構成によれば、導電性突起を第２基板に向かって付勢した状態で保持することが可能になり、基板間の導通を確保することができる。
【０００９】
また、前記導電性突起の先端面は、複数の凸部を備えた凹凸面とされ、前記凸部を前記第２基板に当接させ、前記凸部を圧縮変形させた状態で、前記第１基板と前記第２基板との相対位置が固定されていることが望ましい。
この構成によれば、製造誤差等により導電性突起の高さが若干高く形成された場合でも、導電性突起を小さな力で容易に圧縮変形させることができるので、所望のセルギャップを実現することができる
【００１０】
一方、本発明の電子機器は、上述した液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、基板間の導通が確保された液晶表示装置を備えているので、電気的接続の信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。なお本明細書では、液晶表示装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。
【００１２】
［第１実施形態］
最初に、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置につき、図１ないし図５を用いて説明する。図４に示す第１実施形態の液晶表示装置は、透過型の液晶表示装置であって、素子基板２５とカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）１０との間に液晶層５０を挟持してなり、素子基板２５と液晶層５０との間には、液晶層５０に電圧を印加する画素電極３１が形成され、液晶層５０は、選択電圧印加時において電界方向と略垂直に配向する誘電率異方性が負の液晶分子で構成されているものである。なお、第１実施形態では薄膜ダイオード（Thin Film Diode；ＴＦＤ）素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置を例にして説明するが、パッシブマトリクス型の液晶表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００１３】
（液晶表示装置）
図１は、液晶表示装置の分解斜視図である。液晶表示装置１００は、素子基板２５の端部が露出するようにＣＦ基板１０を貼り合わせて構成されている。露出した素子基板２５の端部には、素子基板２５に形成されたデータ線１１が引廻されている。またＣＦ基板１０に形成された走査線９も、基板間導通部７０および引廻し配線７８を介して、素子基板２５の端部に引廻されている。
【００１４】
その素子基板２５の端部に駆動用ＩＣ４が実装されて、データ線１１および走査線９と電気的に接続されている。また駆動用ＩＣ４は、素子基板２５の端部に実装されたフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）５に対しても電気的に接続されている。そして、外部からＦＰＣ５を介して駆動用ＩＣ４に信号が供給され、さらに駆動用ＩＣ４からデータ線１１および走査線９を介して液晶表示装置１００の画素領域に信号が供給される。これにより、液晶表示装置１００が駆動されて、画像が表示されるようになっている。
【００１５】
（等価回路）
図２は、ＴＦＤ素子を用いた液晶表示装置の等価回路図である。液晶表示装置１００の画像表示領域には、走査信号駆動回路１１０により駆動される複数の走査線９と、データ信号駆動回路１２０により駆動される複数のデータ線１１とが、格子状に配置されている。その各走査線９と各データ線１１との複数の交点付近には、それぞれＴＦＤ素子１３および液晶表示要素（液晶層）５０が配置されている。そして、その各ＴＦＤ素子１３および各液晶層５０は、各走査線９と各データ線１１との間に直列接続されている。
【００１６】
（平面構造）
図３は、ＴＦＤ素子を用いた液晶表示装置の表示領域を示す部分斜視図である。本実施形態の液晶表示装置１００は、相互に対向する素子基板２５とＣＦ基板１０とを主体として構成されており、両基板１０，２５の間には図示略の液晶層が挟持されている。
【００１７】
素子基板２５は、ガラスやプラスチック、石英等の透光性材料からなる基板本体２５Ａを備えている。また、基板本体２５Ａの内側（図示下側）には、複数のデータ線１１がストライプ状に設けられている。さらに、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料からなる平面視略矩形状の複数の画素電極３１が、マトリクス状に配列形成されている。
そして、各画素電極３１はＴＦＤ素子１３を介して前記データ線１１と接続されている。
このＴＦＤ素子１３は、基板表面に形成されたＴａを主成分とする第１導電膜と、その第１導電膜の表面に形成されたＴａ２Ｏ３を主成分とする絶縁膜と、その絶縁膜の表面に形成されたＣｒを主成分とする第２導電膜とによって構成されている（いわゆるＭＩＭ構造）。その第１導電膜がデータ線１１に接続され、第２導電膜が画素電極３１に接続されている。これによりＴＦＤ素子１３は、画素電極３１への通電を制御するスイッチング素子として機能するようになっている。
【００１８】
一方、ＣＦ基板１０は、ガラスやプラスチック、石英等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを備えている。また、基板本体１０Ａの内側（図示上側）には、カラーフィルタ層（ＣＦ層）２２と、複数の対向電極（走査線）９とが形成されている。ＣＦ層２２は、平面視略矩形状のカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂが周期的に配列された構成となっている。各カラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂは、前記素子基板２５の画素電極３１に対応して形成されている。そのカラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを覆うように、対向電極９が形成されている。対向電極９は、ＩＴＯ等の透明導電材料によって略帯状に形成され、前記素子基板２５のデータ線１１と交差する方向に延在し、走査線として機能するようになっている。なお、画素電極３１の形成領域により１ドットが構成され、カラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを備えた３ドットにより１画素が構成されている。
【００１９】
（断面構造）
図４は、図３のＡ−Ａ線に沿う側面断面図である。なお図４では、理解を容易にするため、素子基板２５におけるＴＦＤ素子および各種配線の記載を省略している。
【００２０】
素子基板２５およびＣＦ基板１０は、その周縁部に塗布されたシール材（不図示）により相互に接着されている。そして、素子基板２５およびＣＦ基板１０とシール材とによって形成される空間に、液晶層５０が封入されている。液晶層５０の厚さ（セルギャップ）は、ＣＦ基板１０に立設したフォトスペーサ５２を素子基板２５に当接させることによって規制されている。このフォトスペーサ５２は、アクリル樹脂等からなり、画素領域の周縁部に配置されている。なお画素領域の周縁部には、カラーフィルタ２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂを積層させてブラックマトリクス２８が形成されている。このブラックマトリクス２８の上方にオーバーコート層２９を介してフォトスペーサ５２を形成することにより、フォトスペーサ５２のアスペクト比が低減されている。
【００２１】
素子基板２５およびＣＦ基板１０の内面には、非選択電圧印加時において液晶分子を配向させる配向膜３３，２３が形成されている。素子基板２５およびＣＦ基板１０の間に挟持された液晶層５０は、誘電異方性が負の液晶材料で構成されている。この液晶材料は、液晶分子５１により概念的に示すように、非選択電圧印加時には配向膜に対して略垂直に配向し、選択電圧印加時には配向膜３３，２３に対して略平行に（すなわち、電界方向と略垂直に）配向するものである。ここで「非選択電圧印加時」および「選択電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧近傍である時」および「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧に比べて十分高い時」を意味する。
【００２２】
なお、素子基板２５およびＣＦ基板１０の液晶層５０側に、誘電体突起や電極スリット等の配向規制手段（不図示）を設けることが望ましい。配向規制手段は、非選択電圧印加時において前記液晶分子を各基板１０，２５の垂直方向から一定方向に傾斜配向させるものである。このような配向規制手段を設けることにより、液晶分子のダイレクタを複数作り出すことが可能になり、視野角の広い液晶表示装置を提供することができる。
【００２３】
一方、素子基板２５の外面には位相差板３６及び偏光板３７が設けられ、ＣＦ基板１０の外面にも位相差板２６及び偏光板２７が設けられている。この偏光板２７，３７は、特定方向に振動する直線偏光のみを透過させる機能を有する。また位相差板２６，３６には、可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つλ／４板が採用されている。なお、偏光板２７，３７の透過軸と位相差板２６，３６の遅相軸とが約４５°をなすように配置されて、偏光板２７，３７および位相差板２６，３６により各々円偏光板が構成されている。この円偏光板により、直線偏光を円偏光に変換し、円偏光を直線偏光に変換しうるようになっている。また、偏光板２７の透過軸および偏光板３７の透過軸は直交するように配置され、位相差板２６の遅相軸および位相差板３６の遅相軸も直交するように配置されている。
【００２４】
さらに、ＣＦ基板１０の外面側にあたる液晶セルの外側には、光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト（照明手段）６０が設置されている。
そして、図４に示す透過型の液晶表示装置では、次のようにして画像表示が行われる。バックライト６０からＣＦ基板１０に入射した光は、偏光板２７および位相差板２６を透過して円偏光に変換され、液晶層５０に入射する。非選択電圧印加時において、垂直配向している液晶分子には屈折率異方性がないので、入射光は円偏光を保持したまま液晶層５０を透過する。さらに円偏光は、位相差板３６を透過する過程で、偏光板３７の透過軸と直交する直線偏光に変換される。そして、この直線偏光は偏光板３７を透過しないので、本実施形態の液晶表示装置では、非選択電圧印加時において黒表示が行われる（ノーマリーブラックモード）。
【００２５】
また、液晶層５０に選択電圧を印加すると、液晶分子が基板と略平行に（電界方向と略垂直に）再配向して、屈折率異方性を具備する。そのため、液晶層５０に入射した円偏光は、液晶層５０を透過する過程で楕円偏光に変換される。この入射光が位相差板３６を透過しても、偏光板３７の透過軸と直交する直線偏光には変換されず、その全部または一部が偏光板３７を透過する。したがって、本実施形態の液晶表示装置では、選択電圧印加時において白表示が行われる。なお、液晶層５０に印加する電圧を調整することにより、階調表示を行うことも可能である。
【００２６】
（基板間導通部）
図５（ａ）は、第２実施形態に係る液晶表示装置の端部における側面断面図である。上述したように、素子基板２５およびＣＦ基板１０は、それらの周縁部に塗布されたシール材１９により相互に接着されている。また、素子基板２５およびＣＦ基板１０とシール材１９とによって形成される空間に、液晶層５０が封入されている。そして、ＣＦ基板１０に形成された走査線９は、基板間導通部７０および引廻し配線７８（図１も参照）を介して、素子基板２５に引廻されている。なお、ＣＦ基板１０に形成された複数の走査線９のそれぞれに対応して、複数の基板間導通部７０および引廻し配線７８が形成されている。
【００２７】
図５（ａ）に示す基板間導通部７０は、ＣＦ基板１０に形成された導電性突起７２と、素子基板２５に形成された引廻し配線７８とを、相互に当接させたものである。導電性突起７２は、ＣＦ基板１０の内面に形成され弾性材料等からなる芯部材７４と、芯部材７４の表面に配設されＩＴＯ等からなる導電膜７６とによって構成されている。この導電膜７６は、ＣＦ基板１０に形成された走査線９と導通するものである。なお、芯部材７４を構成する弾性材料として感光性樹脂を採用すれば、フォトリソグラフィ技術によって簡単に芯部材７４を形成することができる。
【００２８】
一方、素子基板２５の引廻し配線７８は、シール材１９の外側に沿って素子基板２５の端部まで延設されている。なお基板間導通部７０の形成位置に、引廻し配線７８と導通するパッドが形成されていてもよい。このような引廻し配線７８の表面に、導電性突起７２の先端が当接した状態で、ＣＦ基板１０と素子基板２５との相対位置が固定されている。これにより、基板間の導通が確保されている。
【００２９】
図５（ｂ）は、図５（ａ）のＣ部の拡大図である。なお図５（ｂ）は、単に導電性突起７２の先端に引廻し配線７８を接触させただけの状態を示している。上述した導電性突起７２の先端面は、凹凸面とされている。具体的には、芯部材７４の先端面を凹凸面とし、その表面に均一な導電膜７６を形成することにより、導電性突起７２の先端面が高さ０．５μｍ程度の凹凸面とされている。なお、芯部材の先端面を平坦面とし、その表面に凹凸状の導電膜を形成してもよい。
【００３０】
芯部材７４の先端面を凹凸面とするには、フォトリソグラフィ法や形状転写（スタンパ）法、研磨法、ブラスト法、アッシング法等を利用することが可能である。フォトリソグラフィ法では、芯部材７４の先端面に相当する領域に濃淡が形成されたフォトマスクを用いて、芯部材７４となる樹脂材料を露光および現像することにより、芯部材７４の先端面を凹凸面とする。形状転写法では、芯部材７４の先端面に相当する領域に逆形状の凹凸面が形成された転写型を用いて、芯部材７４の先端面を押圧することにより、芯部材７４の先端面を凹凸面とする。研磨法では、予め芯部材７４の高さを若干高く形成しておき、その先端部をグラインダ等で研磨することにより、芯部材７４の先端面を粗面化する。ブラスト法では、予め芯部材７４の高さを若干高く形成しておき、その先端部に微粒子を衝突させることにより、芯部材７４の先端面を粗面化する。アッシング法では、芯部材７４の先端面を酸素プラズマ等で処理することにより、芯部材７４の先端面を粗面化する。
【００３１】
図５（ｂ）に示すように、ＣＦ基板１０を当接させる前の導電性突起７２の高さＨは、ＣＦ基板１０を当接させて所望の液晶層の厚さ（セルギャップ）を実現した状態における導電性突起７２の高さＧより、大きく形成されている。そして、導電性突起７２の先端面に素子基板２５を押圧して、導電性突起７２を圧縮変形させた状態で、ＣＦ基板１０と素子基板２５との相対位置が固定されている。なお、導電性突起７２の先端面は凹凸面とされているので、導電性突起７２を容易に圧縮変形させることができる。これにより、製造誤差等により導電性突起７２の高さが若干低く形成された場合でも、基板間の導通を確保することができる。特に、芯部材７４が弾性材料で構成されているので、導電性突起７２を素子基板２５に付勢した状態で保持することが可能になり、基板間の導通を確保することができる。しかも、導電性突起７２を圧縮変形させることにより、引廻し配線７８との接触面積を増加させることが可能になり、基板間導通部における電気抵抗を低下させることができる。
【００３２】
ところで、製造誤差等により導電性突起７２の高さが若干高く形成された場合には、導電性突起７２を圧縮変形させるのに大きな力が必要になり、所望の液晶層の厚さ（セルギャップ）を実現することが困難になるおそれがある。
しかしながら、本実施形態の導電性突起７２の先端面には複数の凸部７２ａが形成されているので、導電性突起７２を山型に形成した（すなわち、１個の凸部のみを形成した）場合と比べて、その導電性突起７２を小さな力で容易に圧縮変形させることができる。したがって、導電性突起７２が若干高く形成された場合でも、所望のセルギャップを実現することができるのである。
【００３３】
以上に詳述したように、本実施形態に係る液晶表示装置では、ＣＦ基板と素子基板との導通を確保する導電性突起の先端面が凹凸面とされている構成とした。この構成によれば、相手側基板と当接した導電性突起を容易に圧縮変形させることができる。したがって、製造誤差等により導電性突起の高さが若干低く形成された場合でも、基板間の導通を確保することができる。また、導電性突起と引廻し配線との接触面積を増加させることが可能になり、基板間導通部における電気抵抗を低下させることができる。
【００３４】
なお、第１実施形態ではＣＦ基板に形成した導電性突起を素子基板に形成した引廻し配線に当接させたが、素子基板に形成した導電性突起をＣＦ基板に形成した電極パッドに当接させてもよい。この場合、素子基板の導電性突起の導電膜を引廻し配線に導通させ、ＣＦ基板の電極パッドを走査線に導通させる。一方、ＣＦ基板および素子基板の両方に導電性突起を形成し、これらを突き当てることによって基板間の導通を確保してもよい。
【００３５】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置につき、図６ないし図１０を用いて説明する。図８に示す第２実施形態の液晶表示装置は、半透過反射型の液晶表示装置であり、画素電極３１の形成領域（ドット領域）に透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとが設けられ、少なくとも反射表示領域Ｒに液晶層厚調整層２１が設けられている点で、透過型の液晶表示装置である第１実施形態と相違している。また図７に示すように、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）素子３０を採用している点で、ＴＦＤ素子を採用している第１実施形態と相違している。なお、第１実施形態および第２実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００３６】
（液晶表示装置）
図６は、第２実施形態に係る液晶表示装置の素子基板の平面図である。素子基板２５の中央には画像表示領域１０１が形成され、その周縁部にシール材１９が配設されている。そのシール材１９の外側には、走査信号駆動回路１１０およびデータ信号駆動回路１２０を構成する駆動用ＩＣが実装されている。また、各駆動回路１１０，１２０から素子基板２５の端部の接続端子８にかけて、配線が引廻されている。
【００３７】
一方、素子基板２５に貼り合わされるＣＦ基板（不図示）には、共通電極７が形成されている。この共通電極７は画像表示領域１０１のほぼ全域に形成され、その周縁部の少なくとも１箇所には基板間導通部７０が設けられている。なお図６では、共通電極７の四隅に基板間導通部７０が設けられている。また、基板間導通部７０から接続端子８にかけて、引廻し配線７８が形成されている。
そして、外部から入力された信号が、接続端子８を介して画像表示領域１０１に供給される。これにより、液晶表示装置が駆動されて、画像が表示されるようになっている。
【００３８】
（等価回路）
図７は、ＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置の等価回路図である。液晶表示装置の画像表示領域には、データ線６ａおよびゲート線３ａが格子状に配置され、両者の交点付近には、画像表示単位であるドットが配置されている。そして、マトリクス状に配置された複数のドットには、それぞれ画素電極３１と、当該画素電極３１への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子３０とが形成されている。このＴＦＴ素子３０のソースには、データ線６ａが電気的に接続されている。各データ線６ａには画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが供給される。なお画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎは、各データ線６ａに対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給してもよい。
【００３９】
また、ＴＦＴ素子３０のゲートには、ゲート線（走査線）３ａが電気的に接続されている。ゲート線３ａには、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｎが供給される。なお走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｎは、各ゲート線３ａに対してこの順に線順次で印加する。また、ＴＦＴ素子３０のドレインには、画素電極３１が電気的に接続されている。そして、ゲート線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｎにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子３０を一定期間だけオン状態にすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００４０】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎは、画素電極３１と共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極３１と容量線３ｂとの間に蓄積容量１７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。そして、上記のように液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示が可能となっている。
【００４１】
（断面構造）
図８は、第２実施形態に係る液晶表示装置の側面断面図である。なお図８では、理解を容易にするため、素子基板２５におけるＴＦＴ素子および各種配線の記載を省略している。上述したように、ＴＦＴ素子を採用する場合には、画素電極３１と容量線との間に蓄積容量を形成する必要がある。そこで、画素電極３１を光源側基板に配置するとともに、容量線をその外側に配置すれば、容量線による開口率の低下を回避することができる。したがって、本実施形態では、素子基板２５を光源側（下側）に配置し、ＣＦ基板１０を観察者側（上側）に配置する場合を例にして説明する。
【００４２】
素子基板２５の内側におけるドット領域の一方端部には、表面に凹凸を有する樹脂層２０ａが形成されている。その樹脂層２０ａの表面には、アルミニウムや銀等の反射率の高い金属膜等からなる反射膜２０が形成されている。この反射膜２０の形成領域と画素電極３１の形成領域とのオーバーラップ部分が反射表示領域Ｒとなり、反射膜２０の非形成領域と画素電極３１の形成領域とのオーバーラップ部分が透過表示領域Ｔとなっている。
【００４３】
その反射膜２０の表面には、液晶層厚調整層２１が形成されている。この液晶層厚調整層２１は、アクリル樹脂等の電気絶縁性材料からなり、その厚さは例えば０．５〜２．５μｍ程度とされている。これにより、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚が、透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚の半分程度に設定されて、マルチギャップ構造が実現されている。
【００４４】
半透過反射型の液晶表示装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。この場合、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０のリタデーション（位相差値）が異なると、光透過率に差異を生じて均一な画像表示が得られないことになる。しかしながら、液晶層厚調整層２１を設けることにより、反射表示領域Ｒにおいてリタデーションを調整することが可能になる。したがって、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができる。
【００４５】
そして、反射表示領域Ｒにおける画素電極３１は、液晶層厚調整層２１の内面に配設されている。そして、画素電極３１の内面に配向膜３３が形成されている。一方、共通電極７の内面にも配向膜２３が形成されている。
第２実施形態でも、液晶層５０の厚さ（セルギャップ）を規制するため、ＣＦ基板における画素領域の周縁部にフォトスペーサ５２が立設されている。ただし第２実施形態では、素子基板２５における画素領域の周縁部に液晶層厚調整層２１が延設され、その表面にフォトスペーサ５２を当接させている。これにより、フォトスペーサ５２のアスペクト比が低減されている。
【００４６】
（基板間導通部）
図９は、第２実施形態に係る液晶表示装置の端部における側面断面図である。ＣＦ基板１０に形成された共通電極７は、基板間導通部７０および引廻し配線７８（図１も参照）を介して、素子基板２５に引廻されている。図９に示す基板間導通部７０は、ＣＦ基板１０に形成された導電性突起７２と、素子基板２５に形成された引廻し配線７８とを、相互に当接させたものである。導電性突起７２は、ＣＦ基板１０の内面に形成され樹脂材料等からなる芯部材７４と、芯部材７４の表面に配設されＩＴＯ等からなる導電膜７６とによって構成されている。この導電膜７６は、ＣＦ基板１０に形成された共通電極７と導通するものである。
【００４７】
そして、引廻し配線７８の表面に、導電性突起７２の先端が当接した状態で、ＣＦ基板１０と素子基板２５との相対位置が固定されている。これにより、基板間の導通が確保されている。
【００４８】
第２実施形態においても、導電性突起７２の先端面は、複数の凸部が形成された凹凸面とされている。具体的には、芯部材７４の先端面を凹凸面とし、その表面に均一な導電膜７６が形成されている。この構成によれば、相手側基板と当接した導電性突起を容易に圧縮変形させることができる。したがって、製造誤差等により導電性突起７２が若干低く形成された場合でも、基板間の導通を確保することができる。また、導電性突起７２と引廻し配線７８との接触面積を増加させることが可能になり、基板間導通部における電気抵抗を低下させることができる。さらに、導電性突起７２を小さな力で容易に圧縮変形させることができるので、製造誤差等により導電性突起７２が若干高く形成された場合でも、所望のセルギャップを実現することができる。
【００４９】
なお、第２実施形態では基板間導通部のＣＦ基板側に導電性突起を形成したが、素子基板側に形成してもよいし、両方の基板に形成してもよい。また、第２実施形態では基板間導通部の素子基板側に厚さ調整層を形成したが、ＣＦ基板側に形成してもよいし、両方の基板に形成してもよい。
【００５０】
［電子機器］
図１０は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図１０に示す携帯電話１３００は、本発明の表示装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、電気的接続の信頼性に優れている。
【００５１】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶表示装置の表示領域における部分斜視図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶表示装置の表示領域における側面断面図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶表示装置の端部における側面断面図である。
【図６】第２実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図７】第２実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図である。
【図８】第２実施形態に係る液晶表示装置の表示領域における側面断面図である。
【図９】第２実施形態に係る液晶表示装置の端部における側面断面図である。
【図１０】携帯電話の斜視図である。
【図１１】従来技術に係る液晶表示装置の端部における側面断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０‥カラーフィルタ基板  ２５‥素子基板  ５０‥液晶層  ７２‥導電性突起  ７２ａ‥凸部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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