(57)【要約】  【課題】  電荷検出用線状電極と補助線状電極とを備えた放射線固体検出器において、電荷検出用線状電極および補助線状電極の断線の有無を容易に確認できるようにする。  【解決手段】  放射線固体検出器を、多数のエレメント（電荷検出用線状電極）２６ａからなるストライプ電極２６および多数のエレメント（補助線状電極）２７ａからなるサブストライプ電極２７を備えた固体検出部２０と、テスト信号を発生するテスト信号発生手段３０と、サブストライプ電極２７にテスト信号発生手段３０もしくはグランドのいずれか一方を接続する接続切替手段とから構成し、エレメント２７ａにテスト信号を入力し、これによりエレメント２７ａと隣接するエレメント２６ａから出力されるクロストーク信号を検出して、このクロストーク信号を所定の基準信号と比較する。【選択図】          図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録光に対して透過性を有する第１の導電層、前記記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、前記記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、および、多数の電荷検出用線状電極と多数の補助線状電極とを備え、前記電荷検出用線状電極と前記補助線状電極とが交互に配置された第２の導電層とをこの順に積層してなる固体検出部と、
試験信号を発生する試験信号発生手段と、
前記補助線状電極の少なくとも一端に、前記試験信号発生手段もしくはグランドのいずれか一方を接続する接続切替手段とを備えたことを特徴とする放射線固体検出器。
【請求項２】
請求項１記載の放射線固体検出器を用いて、前記固体検出部の前記電荷検出用線状電極および前記補助線状電極の断線の有無を確認する放射線固体検出器の試験方法であって、
前記補助線状電極に前記試験信号発生手段を接続し、
前記補助線状電極に前記試験信号を入力し、
該試験信号に基づいて該試験信号を入力した前記補助線状電極と隣接する前記電荷検出用線状電極から出力される出力信号を検出し、
該出力信号を所定の基準信号と比較することにより前記電荷検出用線状電極および前記補助線状電極の断線の有無を確認することを特徴とする放射線固体検出器の試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、照射された放射線の線量あるいは該放射線の励起により発せられる光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部を有する放射線固体検出器およびこの放射線固体検出器の試験方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
今日、医療診断等を目的とする放射線撮影において、放射線を検出して得た電荷を潜像電荷として蓄電部に一旦蓄積し、該蓄積した潜像電荷を放射線画像情報を表す電気信号に変換して出力する放射線固体検出器（以下単に検出器ともいう）を使用する放射線画像情報記録読取装置が各種提案されている。この装置において使用される放射線固体検出器としては、種々のタイプのものが提案されているが、蓄積された電荷を外部に読み出す電荷読出プロセスの面から、検出器に読取光（読取用の電磁波）を照射して読み出す光読出方式のものがある。
【０００３】
本出願人は、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立を図ることができる光読出方式の放射線固体検出器として、特許文献１、特許文献２、特許文献３において、記録用の放射線あるいは該放射線の励起により発せられる光（以下記録光という）に対して透過性を有する平板状の第１の導電層、記録光を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層、第１の導電層に帯電される電荷と同極性の電荷に対しては略絶縁体として作用し、かつ、該同極性の電荷と逆極性の電荷に対しては略導電体として作用する電荷輸送層、読取光の照射を受けることにより導電性を呈する読取用光導電層、読取光に対して透過性を有する第２の導電層を、この順に積層して成り、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に形成される蓄電部に、画像情報を担持する潜像電荷（静電潜像）を蓄積する検出器を提案している。
【０００４】
そして、上記特許文献２および特許文献３においては、特に、読取光に対して透過性を有する第２の導電層の電極を多数の読取光に対して透過性を有する電荷検出用線状電極からなるストライプ電極とすると共に、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための多数の読取光に対して遮光性を有する補助線状電極を、前記電荷検出用線状電極と交互にかつ互いに平行となるように、第２の導電層内に設けた検出器を提案している。
【０００５】
このように、多数の補助線状電極からなるサブストライプ電極を第２の導電層内に設けることにより、蓄電部とサブストライプ電極との間に新たなコンデンサが形成され、記録光によって蓄電部に蓄積された潜像電荷と逆極性の輸送電荷を、読取りの際の電荷再配列によってこのサブストライプ電極にも帯電させることが可能となる。これにより、読取用光導電層を介してストライプ電極と蓄電部との間で形成されるコンデンサに配分される前記輸送電荷の量を、このサブストライプ電極を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、結果として検出器から外部に取り出し得る信号電荷の量を多くして読取効率を向上させると共に、読出しの高速応答性と効率的な信号電荷の取り出しの両立をも図ることができるようになっている。
【特許文献１】特開２０００−１０５２９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２８４０５６号公報
【特許文献３】特開２０００−２８４０５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記固体検出器のストライプ電極（電荷検出用線状電極）およびサブストライプ電極（補助線状電極）の断線の有無を検査する場合、固体検出器に放射線を一様に照射して撮影を行った後、固体検出器から画像信号を読み出して画像信号中の不整部分の有無を確認することにより、上記電極の断線の確認を行っていたが、この方法だと検査時に放射線照射装置が必要となり、さらに固体検出器毎に撮影を行って画像信号の読出しを行わなくてはならないため、非常に手間がかかっていた。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、電荷検出用線状電極と補助線状電極とを備えた放射線固体検出器において、電荷検出用線状電極および補助線状電極の断線の有無を容易に確認することが可能な放射線固体検出器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による放射線固体検出器は、記録光に対して透過性を有する第１の導電層、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、および、多数の電荷検出用線状電極と多数の補助線状電極とを備え、電荷検出用線状電極と補助線状電極とが交互に配置された第２の導電層をこの順に積層してなる固体検出部と、試験信号を発生する試験信号発生手段と、補助線状電極の少なくとも一端に試験信号発生手段もしくはグランドのいずれか一方を接続する接続切替手段とを備えたことを特徴とするものである。
【０００９】
ここで、「記録光」としては、画像情報を担持する電磁波であって、固体検出器に照射することにより該固体検出器に画像情報を潜像電荷（静電潜像）として記録させ得るものであればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。
【００１０】
また、「読取光」としては、固体検出器に照射することにより該固体検出器に記録されている潜像電荷（静電潜像）に応じた電流を発生させ得る電磁波であればどのようなものを用いてもよく、例えば光や放射線等を用い得る。
【００１１】
また、「電荷検出用線状電極」とは、読取用光導電層内で発生した電荷対を検出するための電極であり、読取用光導電層内へ読取光を入射させるべく、読取光に対して透過性を有することが望ましいが、線状電極間から入射する読取光により読取用光導電層内に十分な電荷対が発生可能な場合は、電荷検出用線状電極は必ずしも透過性を有する必要はない。
【００１２】
また、「補助線状電極」とは、蓄電部に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための電極であり、読取光に対して遮光性を有することが望ましいが、補助線状電極と読取光照射手段との間に遮光性を有する遮光膜等を設ける場合は、補助線状電極は必ずしも遮光性を有する必要はない。ここで、「遮光性」とは、読取光を完全に遮断して全く電荷対を発生させないものに限らず、その読取光に対する多少の透過性は有していてもそれにより発生する電荷対が実質的に問題とならない程度のものも含むものとする。従って、読取用光導電層に発生する電荷対は全て電荷検出用線状電極を透過した読取光や、線状電極間から入射した読取光によるものとは限らず、補助線状電極を僅かに透過した読取光によっても読取用光導電層において電荷対が発生しうるものとする。
【００１３】
また、「グランド」とは、放射線固体検出器の回路上の共通基準電位（ＧＮＤ）を意味する。
【００１４】
本発明による放射線固体検出器の試験方法は、本発明による放射線固体検出器を用いて、固体検出部の電荷検出用線状電極および補助線状電極の断線の有無を確認する放射線固体検出器の試験方法であって、補助線状電極に試験信号発生手段を接続し、補助線状電極に試験信号を入力し、試験信号に基づいて試験信号を入力した補助線状電極と隣接する電荷検出用線状電極から出力される出力信号を検出し、出力信号を所定の基準信号と比較することにより電荷検出用線状電極および補助線状電極の断線の有無を確認することを特徴とするものである。
【００１５】
固体検出部の電荷検出用線状電極と補助線状電極との間は一般に数１０μｍと狭く、このような狭い間隔で隣接する２つの線状電極の一方の線状電極に試験信号を入力すると、両線状電極間のカップリング容量に応じたクロストークにより、他方の線状電極にも試験信号と同様の波形のクロストーク信号が発生する。このクロストーク信号の波形の高さは両線状電極間のカップリング容量に比例するため、電荷検出用線状電極および補助線状電極の一方もしくは両方に断線が有るとカップリング容量が低下し、その分だけクロスクロストーク信号の波形の高さが低くなる。
【００１６】
そのため、予め正常な場合のクロスクロストーク信号の波形の高さを測定して基準信号を取得しておき、電荷検出用線状電極から出力される出力信号（クロストーク信号）の波形の高さを基準信号の波形の高さと比較することにより、電荷検出用線状電極および補助線状電極の断線の有無を確認することが可能となる。
【００１７】
なお、この試験は、補助線状電極一本ずつに試験信号を入力し、この補助線状電極に隣接する電荷検出用線状電極から出力される出力信号を検出して試験を行ってもよいし、複数の野補助線状電極に試験信号を同時に入力し、複数の電荷検出用線状電極から出力される出力信号を同時に検出して試験を行ってもよい。
【００１８】
本発明による放射線固体検出器を使用して放射線画像の記録や読取りを行うに際しては、例えば、上記特許文献２に記載されたような、本発明を適用しない従来の固体検出器を用いた記録方法および読取方法並びにその装置を変更することなく、そのまま利用することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による放射線固体検出器によれば、記録光に対して透過性を有する第１の導電層、記録光の照射を受けることにより光導電性を呈する記録用光導電層、記録光の光量に応じた量の電荷を潜像電荷として蓄積する蓄電部、読取光の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層、および、多数の電荷検出用線状電極と多数の補助線状電極とを備え、電荷検出用線状電極と補助線状電極とが交互に配置された第２の導電層をこの順に積層してなる固体検出部と、試験信号を発生する試験信号発生手段と、補助線状電極の少なくとも一端に試験信号発生手段もしくはグランドのいずれか一方を接続する接続切替手段とを備えたことにより、補助線状電極に試験信号発生手段を接続し、補助線状電極に試験信号を入力し、試験信号に基づいて試験信号を入力した補助線状電極と隣接する電荷検出用線状電極から出力される出力信号を検出し、出力信号を所定の基準信号と比較することにより電荷検出用線状電極および補助線状電極の断線の有無を確認することができるため、放射線照射装置を必要とせず容易に電荷検出用線状電極および補助線状電極の断線の有無を確認することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施の形態の放射線固体検出器の固体検出部の側面図、図２は上記放射線固体検出器の概略構成図である。
【００２１】
この放射線固体検出器は、放射線を検出する固体検出部２０と、テスト信号を発生するテスト信号発生手段３０と、固体検出部２０のサブストライプ電極２７にテスト信号発生手段３０もしくはグランドのいずれか一方を接続する接続切替手段とから構成されている。
【００２２】
固体検出部２０は、被写体を透過したＸ線等の放射線の画像情報を担持する記録光（放射線もしくは放射線の励起により発生した光）に対して透過性を有する平板状の第１の導電層２１、この第１の導電層２１を透過した記録光の照射を受けることにより電荷対を発生し導電性を呈する記録用光導電層２２、前記電荷対の内の潜像極性電荷（例えば負電荷）に対しては略絶縁体として作用し、かつ該潜像極性電荷と逆極性の輸送極性電荷（上述の例においては正電荷）に対しては略導電体として作用する電荷輸送層２３、読取光の照射を受けることにより電荷対を発生して導電性を呈する読取用光導電層２４、ストライプ電極２６およびサブストライプ電極２７を備えた第２の導電層２５、読取光に対して透過性を有する支持体１８をこの順に配してなるものである。記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面には、記録用光導電層２２内で発生した画像情報を担持する潜像極性電荷を蓄積する２次元状に分布した蓄電部２９が形成される。
【００２３】
支持体１８としては、読取光に対して透明なガラス基板等を用いることができる。また、読取光に対して透明であることに加えて、その熱膨張率が読取用光導電層２４の物質の熱膨張率と比較的近い物質を使用するとより望ましい。例えば、読取用光導電層２４としてａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）を使用する場合であれば、Ｓｅの熱膨張率が３．６８×１０−５／Ｋ＠４０℃  であることを考慮して、熱膨張率が１．０〜１０．０×１０−５／Ｋ＠４０℃、より好ましくは、４．０〜８．０×１０−５／Ｋ＠４０℃である物質を使用する。熱膨張率がこの範囲の物質としては、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等の有機ポリマー材料を使用することができる。これによって、基板としての支持体１８と読取用光導電層２４（Ｓｅ膜）との熱膨張のマッチングがとれ、特別な環境下、例えば寒冷気候条件下での船舶輸送中等において、大きな温度サイクルを受けても、支持体１８と読取用光導電層２４との界面で熱ストレスが生じ、両者が物理的に剥離する、読取用光導電層２４が破れる、あるいは支持体１８が割れる等、熱膨張差による破壊の問題が生じることがない。さらに、ガラス基板に比べて有機ポリマー材料は衝撃に強いというメリットがある。
【００２４】
記録用光導電層２２の物質としては、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）、ＰｂＯ、ＰｂＩ２  等の酸化鉛（II）やヨウ化鉛（II）、Ｂｉ１２（Ｇｅ，Ｓｉ）Ｏ２０、Ｂｉ２Ｉ３／有機ポリマーナノコンポジット等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が適当である。
【００２５】
電荷輸送層２３の物質としては、例えば第１の導電層２１に帯電される負電荷の移動度と、その逆極性となる正電荷の移動度の差が大きい程良く（例えば１０２以上、望ましくは１０３以上）ポリＮ−ビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、N,N'−ジフェニル−N,N'−ビス（３−メチルフェニル）−〔1,1'−ビフェニル〕−4,4'−ジアミン（ＴＰＤ）やディスコティック液晶等の有機系化合物、あるいはＴＰＤのポリマー（ポリカーボネート、ポリスチレン、ＰＵＫ）分散物、Ｃｌを１０〜２００ｐｐｍドープしたａ−Ｓｅ等の半導体物質が適当である。特に、有機系化合物（ＰＶＫ，ＴＰＤ、ディスコティック液晶等）は光不感性を有するため好ましく、また、誘電率が一般に小さいため電荷輸送層２３と読取用光導電層２４の容量が小さくなり読取時の信号取り出し効率を大きくすることができる。なお、「光不感性を有する」とは、記録光や読取光の照射を受けても殆ど導電性を呈するものでないことを意味する。
【００２６】
読取用光導電層２４の物質としては、ａ−Ｓｅ，Ｓｅ−Ｔｅ，Ｓｅ−Ａｓ−Ｔｅ，無金属フタロシアニン，金属フタロシアニン，ＭｇＰｃ（Magnesium phtalocyanine），ＶｏＰｃ（phaseII of Vanadyl phthalocyanine），ＣｕＰｃ（Cupper phtalocyanine）等のうち少なくとも１つを主成分とする光導電性物質が好適である。
【００２７】
記録用光導電層２２の厚さは、記録光を十分に吸収できるようにするには、５０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましい。
【００２８】
また電荷輸送層２３と読取用光導電層２４との厚さの合計は記録用光導電層２２の厚さの１／２以下であることが望ましく、また薄ければ薄いほど読取時の応答性が向上するので、例えば１／１０以下、さらには１／１００以下等にするのが好ましい。本実施の形態では読取用光導電層２４の厚さを１０μｍとした。
【００２９】
なお、上記各層の材料は、第１の導電層２１に負電荷を、第２の導電層２５に正電荷を帯電させて、記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との界面に形成される蓄電部２９に潜像極性電荷としての負電荷を蓄積せしめるとともに、電荷輸送層２３を、潜像極性電荷としての負電荷の移動度よりも、その逆極性となる輸送極性電荷としての正電荷の移動度の方が大きい、いわゆる正孔輸送層として機能させるものとして好適なものの一例であるが、これらは、それぞれが逆極性の電荷であっても良く、このように極性を逆転させる際には、正孔輸送層として機能する電荷輸送層を電子輸送層として機能する電荷輸送層に変更する等の若干の変更を行なうだけでよい。
【００３０】
例えば、記録用光導電層２２として上述のアモルファスセレンａ−Ｓｅ、酸化鉛（II）、ヨウ化鉛（II）等の光導電性物質が同様に使用でき、電荷輸送層２３としてＮ−トリニトロフルオレニリデン・アニリン（TNFA）誘電体、トリニトロフルオレノン（ TNF）／ポリエステル分散系、非対称ジフェノキノン誘導体が適当であり、読取用光導電層２４として上述の無金属フタロシアニン、金属フタロシアニンが同様に使用できる。
【００３１】
第１の導電層２１としては、記録光に対して透過性を有するものであればよく、例えば可視光に対して透過性を持たせる場合には、光透過性金属薄膜として周知のネサ皮膜（ＳｎＯ２  ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、あるいはエッチングのし易いアモルファス状光透過性酸化金属であるＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））等の酸化金属を５０〜２００ｎｍ厚程度、好ましくは１００ｎｍ以上にして用いることができる。また、アルミニウムＡｌ、金Ａｕ、モリブデンＭｏ、クロムＣｒ等の純金属を、例えば２０ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ程度）の厚さにすることによって可視光に対して透過性を持たせることもできる。なお、記録光としてＸ線を使用し、第１の導電層２１側から該Ｘ線を照射して画像を記録する場合には、第１の導電層２１としては可視光に対する透過性が不要であるから、該第１の導電層２１は、例えば１００ｎｍ厚のＡｌやＡｕ等の純金属を用いることもできる。
【００３２】
第２の導電層２５は、多数の読取光透過性のエレメント（電荷検出用線状電極）２６ａをストライプ状に配列して成るストライプ電極２６と多数の読取光遮光性のエレメント（補助線状電極）２７ａをストライプ状に配列してなるサブストライプ電極２７とを備えている。各エレメント２６ａ，２７ａは、エレメント２６ａとエレメント２７ａとが交互にかつ互いに平行に配置されるように配列されている。なお、ストライプ電極２６とサブストライプ電極２７とは電気的に絶縁されている。サブストライプ電極２７は、記録用光導電層２２と電荷輸送層２３との略界面に形成される蓄電部２９に蓄積された潜像電荷の量に応じたレベルの電気信号を出力させるための導電部材である。
【００３３】
ここで、ストライプ電極２６の各エレメント２６ａを形成する電極材の材質としては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＤＩＸＯ（Idemitsu Indium X-metal Oxide ；出光興産（株））、アルミニウムまたはモリブデン等を用いることができる。また、サブストライプ電極２７の各エレメント２７ａを形成する電極材の材質としては、アルミニウム、モリブデンまたはクロム等を用いることができる。
【００３４】
この固体検出部２０においては、記録用光導電層２２を挟んで第１の導電層２１と蓄電部２９との間にコンデンサＣ＊ａが形成され、電荷輸送層２３および読取用光導電層２４を挟んで蓄電部２９とストライプ電極２６（エレメント２６ａ）との間にコンデンサＣ＊ｂが形成され、読取用光導電層２４および電荷輸送層２３を介して蓄電部２９とサブストライプ電極２７（エレメント２７ａ）との間にコンデンサＣ＊ｃが形成される。読取時における電荷再配列の際に、各コンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｂ、Ｃ＊ｃに配分される正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｂ、Ｑ＋ｃは、総計Ｑ＋が潜像極性電荷の量Ｑ−と同じで、各コンデンサの容量Ｃａ、Ｃｂ、Ｃｃに比例した量となる。これを式で示すと下記のように表すことができる。
【００３５】
Ｑ−  ＝Ｑ＋  ＝Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｂ＋Ｑ＋ｃ
Ｑ＋ａ＝Ｑ＋  ×Ｃａ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
Ｑ＋ｂ＝Ｑ＋  ×Ｃｂ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
Ｑ＋ｃ＝Ｑ＋  ×Ｃｃ  ／（Ｃａ  ＋Ｃｂ  ＋Ｃｃ  ）
そして、固体検出部２０から取り出し得る信号電荷量はコンデンサＣ＊ａ、Ｃ＊ｃに配分された正電荷の量Ｑ＋ａ、Ｑ＋ｃの合計（Ｑ＋ａ＋Ｑ＋ｃ）と同じくなり、コンデンサＣ＊ｂに配分された正電荷は信号電荷として取り出せない（詳細は特許文献２参照）。
【００３６】
ここで、ストライプ電極２６およびサブストライプ電極２７によるコンデンサＣ＊ｂ、Ｃ＊ｃの容量について考えてみると、容量比Ｃｂ：Ｃｃは、各エレメント２６ａ、２７ａの幅の比Ｗｂ：Ｗｃとなる。一方、コンデンサＣ＊ａの容量ＣａとコンデンサＣ＊ｂの容量Ｃｂは、サブストライプ電極２７を設けても実質的に大きな影響は現れない。
【００３７】
この結果、読取時における電荷再配列の際に、コンデンサＣ＊ｂに配分される正電荷の量Ｑ＋ｂをサブストライプ電極２７を設けない場合よりも相対的に少なくすることができ、その分だけ、サブストライプ電極２７を介して固体検出部２０から取り出し得る信号電荷量をサブストライプ電極２７を設けない場合よりも相対的に大きくすることができる。
【００３８】
この固体検出部２０のサブストライプ電極２７の一端はスイッチ３１の入力側に接続されており、このスイッチ３１の出力側の一方はテスト信号発生手段３０に、他方はグランドに接続されている。また、サブストライプ電極２７の他端はグランドに接続されている。スイッチ３１はドライバー３２の制御により出力側の接続を切り替えるものであり、スイッチ３１とドライバー３２とから接続切替手段が構成されている。
【００３９】
また、固体検出部２０のストライプ電極２６の一端には、各エレメント２６ａ毎に電流検出手段４０が接続されており、これら電流検出手段４０はマルチプレクサー４１に接続されており、このマルチプレクサー４１はＡＤ変換器４２に接続されている。
【００４０】
例えば上記特許文献２に記載されているように、固体検出部２０において放射線画像の記録や読取りを行う場合には、接続切替手段によりエレメント２７ａ（サブストライプ電極２７）をグランドと接続し、エレメント２６ａおよびエレメント２７ａの断線の有無を確認する場合には、接続切替手段によりエレメント２７ａ（サブストライプ電極２７）をテスト信号発生手段３０と接続する。
【００４１】
上記のように構成された固体検出部２０のエレメント２６ａおよびエレメント２７ａの断線の有無を確認する方法について説明する。図３はエレメント２７ａにテスト信号を入力した際にエレメント２６ａから出力されるクロストーク信号を示した図である。
【００４２】
図３中の断線していないエレメント２６ａに着目した場合、このエレメント２６ａに隣接する２本のエレメント２７ａにテスト信号が入力されると、エレメント２６ａとエレメント２７ａとの間のカップリング容量Ｃ１２つ分に応じたクロストーク信号がエレメント２６ａから出力される。
【００４３】
また、断線しているエレメント２６ａ´に着目した場合、このエレメント２６ａ´に隣接する２本のエレメント２７ａにテスト信号が入力されると、エレメント２６ａ´とエレメント２７ａとの間のカップリング容量Ｃ２２つ分に応じたクロストーク信号がエレメント２６ａ´から出力される。
【００４４】
カップリング容量はＣ１＞Ｃ２となることから、クロストーク信号の波形の高さはエレメント２６ａから出力される信号よりもエレメント２６ａ´から出力される信号の方が低くなる。
【００４５】
同様に、エレメント２７ａに断線がある場合でも、この断線があるエレメント２７ａに隣接するエレメント２６ａから出力されるクロストーク信号の波形の高さは低くなる。
【００４６】
そのため、予め正常な場合のクロスクロストーク信号の波形の高さを測定して基準信号を取得しておき、各エレメント２６ａから出力される出力信号（クロストーク信号）をマルチプレクサー４１から順次ＡＤ変換器４２に出力し、ＡＤ変換器４２によりデジタルデータ化して不図示のＣＰＵにより基準信号の波形の高さと比較することにより、固体検出部２０中のエレメント２６ａおよびエレメント２７ａの断線の有無を確認することが可能となる。
【００４７】
以上、本発明による放射線固体検出器の好ましい実施の形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない限りにおいて、種々変更することが可能である。
【００４８】
また、上記実施の形態による検出器は、記録用光導電層が、記録用の放射線の照射によって導電性を呈するものであるが、本発明による検出器の記録用光導電層は必ずしもこれに限定されるものではなく、記録用光導電層は、記録用の放射線の励起により発せられる光の照射によって導電性を呈するものとしてもよい（特許文献１参照）。この場合、第１の導電層の表面に記録用の放射線を、例えば青色光等、他の波長領域の光に波長変換するいわゆるＸ線シンチレータといわれる波長変換層を積層したものとするとよい。この波長変換層としては、例えばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）等を用いるのが好適である。また、第１の導電層は、記録用の放射線の励起により波長変換層で発せられた光に対して透過性を有するものとする。
【００４９】
さらに、上記実施の形態による検出器は、記録用光導電層と読取用光導電層との間に電荷輸送層を設け、記録用光導電層と電荷輸送層との界面に蓄電部を形成するようにしたものであるが、電荷輸送層をトラップ層に置き換えたものとしてもよい。トラップ層とした場合には、潜像電荷は、該トラップ層に捕捉され、該トラップ層内またはトラップ層と記録用光導電層の界面に潜像電荷が蓄積される。また、このトラップ層と記録用光導電層の界面において画素毎に個別にマイクロプレートを設けるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態の放射線固体検出器の固体検出部の側面図
【図２】上記放射線固体検出器の概略構成図
【図３】エレメント（補助線状電極）２７ａにテスト信号を入力した際にエレメント（電荷検出用線状電極）２６ａから出力されるクロストーク信号を示す図
【符号の説明】
【００５１】
２０    放射線固体検出器
２１    第１の導電層
２２    記録用光導電層
２３    電荷輸送層
２４    読取用光導電層
２５    第２の導電層
２６    ストライプ電極
２６ａ    エレメント（電荷検出用線状電極）
２７    サブストライプ電極
２７ａ    エレメント（補助線状電極）
２９    蓄電部
３０    テスト信号発生手段
３１    スイッチ
３２    ドライバー
４０    電流検出手段
４１    マルチプレクサー
４２    ＡＤ変換器
【図１】
2006242827.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006242827.tif 000005