(57)【要約】【課題】モデルベースの数式に用いられるパラメータを適切な値に設定することができる設計パターン補正方法を提供する。【解決手段】複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、数式モデルを用いた補正処理を複数のパラメータの値それぞれで複数回行うことにより、複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する。そして、露光後パターンと、補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う。次いで、誤差をパラメータの値別に集計することにより、誤差の和をパラメータの値別に算出する。次いで、特定の標準設計パターンにおける誤差が特定の条件を満たすパラメータの値のうち、誤差の和が最も小さいパラメータの値を選択する。次いで、選択されたパラメータの値を用いた数式モデルにより、設計パターンを補正する（Ｓ１４、Ｓ１６及びＳ１８）。【選択図】      図３
2006292813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を、パラメータを有する数式モデルを用いて補正する設計パターン補正方法であって、
コンピュータが、複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する工程と、
コンピュータが、前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う工程と、
コンピュータが、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する工程と、
コンピュータが、特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する工程と、
コンピュータが、選択された前記パラメータの値を用いた前記数式モデルにより、前記設計パターンを補正する工程と、
を具備する設計パターン補正方法。
【請求項２】
前記特定の標準設計パターンは、前記複数の標準設計パターンのうち、最も精度が要求されるパターンであり、
前記パラメータの値を選択する工程は、特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が基準値以下となるように前記パラメータの値を選択する請求項１に記載の設計パターン補正方法。
【請求項３】
前記特定の標準設計パターンは、複数の直線パターンが互いに平行に配置されたパターンを具備し、
前記誤差は、前記直線パターンの幅の誤差である請求項２に記載の設計パターン補正方法。
【請求項４】
前記複数種類の標準設計パターンの一つは、第１の直線パターンと、前記第１の直線パターンに略直交する方向に配置され、端部が前記第１の直線パターンから離間している第２の直線パターンとを具備し、
前記誤差は、前記第２の直線パターンの端部の幅の誤差である請求項１〜３のいずれか一項に記載の設計パターン補正方法。
【請求項５】
前記複数種類の標準設計パターンの一つは、
第３の直線パターンと、
前記第３の直線パターンの延長上に位置し、該第３の直線パターンと同一方向に延伸する第４の直線パターンとを具備し、
前記誤差は、前記第３の直線パターンの端部の幅、及び前記第４の直線パターンの端部の幅の、少なくとも一方の誤差である請求項１〜４のいずれか一向に記載の設計パターン補正方法。
【請求項６】
半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を補正する数式モデルにおいて、前記数式モデルが有するパラメータを設定するパラメータ設定方法であって、
コンピュータが、複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する工程と、
コンピュータが、前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う工程と、
コンピュータが、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する工程と、
コンピュータが、特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する工程と、
を具備するパラメータ設定方法。
【請求項７】
半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を、パラメータを有する数式モデルを用いて補正する設計パターン補正装置であって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する補正後設計パターン算出部と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行い、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する誤差集計部と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択するパラメータ選択部と、
選択された前記パラメータの値を用いた前記数式モデルにより、前記設計パターンを補正する補正部と、
を具備する設計パターン補正装置。
【請求項８】
半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を補正する数式モデルにおいて、前記数式モデルが有するパラメータを設定するパラメータ設定装置であって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する補正後設計パターン算出部と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行い、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する誤差集計部と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択するパラメータ選択部と、
を具備するパラメータ設定装置。
【請求項９】
コンピュータにより実行され、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を、パラメータを有する数式モデルを用いて補正するためのプログラムであって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する機能と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う機能と、
前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する機能と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する機能と、
選択された前記パラメータの値を用いた前記数式モデルにより、前記設計パターンを補正する機能と、
を具備するプログラム。
【請求項１０】
コンピュータにより実行され、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を補正する数式モデルにおいて、前記数式モデルが有するパラメータを設定するためのプログラムであって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する機能と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う機能と、
前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する機能と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する機能と、
を具備するプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設計パターンに対してモデルベースによる光近接効果補正を行う設計パターン補正方法、パラメータ設定方法、設計パターン補正装置、パラメータ設定装置、及びプログラムに関する。特に本発明は、モデルベースの数式に用いられるパラメータを適切な値に設定することができる設計パターン補正方法、パラメータ設定方法、設計パターン補正装置、パラメータ設定装置、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置内部のレイアウトパターン（例えば配線パターン）が、露光に用いられる光源の波長より細かくなってきている。このため、光近接効果によって、転写されたパターンに寸法変動等が生じるようになってきた。
【０００３】
寸法変動等を防ぐための技術として、光近接効果補正（Optical Proximity Correction：以下、ＯＰＣと記載）がある。ＯＰＣは、転写の際の寸法変動等を予め考慮して、設計パターンを予め変形させておくことにより、転写後に所望のレイアウトパターンが得られるようにするものである。
【０００４】
ＯＰＣには、シミュレーションにより転写後のパターンを算出し、この算出したパターンが所望のパターンに近づくように、設計パターンの変更及びシミュレーションを繰り返し行う方法（以下、モデルベースと記載）がある。モデルベースに用いられる数式は複数のパラメータを有する。設計パターンに対してＯＰＣを行う場合、数式が有する複数のパラメータそれぞれを、予め、その設計パターンに適した値に設定する必要がある（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−３３７４０２号公報（第２段落乃至第６段落）
【０００５】
図７は、従来のコンピュータによるパラメータの設定方法を説明する為のフローチャートである。まず、作業者が、パラメータの種類毎にパラメータの候補を複数設定する（Ｓ１００）。次いで、複数種類の標準設計パターンそれぞれに対してシミュレーションを行う処理を、パラメータの候補の組み合わせ毎に行う。そして、実際に露光した場合のパターンと、シミュレーションによるパターンの誤差を標準設計パターンごとに算出する処理を、パラメータの組み合わせ毎に行う。そして、パラメータの組み合わせ毎に誤差の和を算出する（Ｓ１０２）。そして、誤差の和が最も少ないパラメータの組み合わせを、その設計パターンに適したパラメータとして選択する（Ｓ１０４）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
標準設計パターンの中には、最も精度が要求されるパターンと、精度がそれほど要求されないパターンとが含まれている。しかし、上記した従来例では、コンピュータは、選択したパラメータが、最も精度が要求されるパターンに対して十分な精度を有しているかを判断していない。
【０００７】
例えば、最も線幅が細い配線パターンにおいて、実際に形成された配線パターンの線幅が細くなると、配線が高抵抗化する。また、配線の幅が太くなると、配線の相互間が狭くなり、ショートする可能性がある。
このため、選択したパラメータを用いた数式が、最も精度が要求されるパターンに対して十分な精度を有しているかを確認する必要がある。
【０００８】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、モデルベースの数式に用いられるパラメータを適切な値に設定することができる設計パターン補正方法、パラメータ設定方法、設計パターン補正装置、パラメータ設定装置、及びプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明に係る設計パターン補正方法は、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を、パラメータを有する数式モデルを用いて補正する設計パターン補正方法であって、
コンピュータが、複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する工程と、
コンピュータが、前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う工程と、
コンピュータが、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する工程と、
コンピュータが、特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する工程と、
コンピュータが、選択された前記パラメータの値を用いた前記数式モデルにより、前記設計パターンを補正する工程とを具備する。
【００１０】
この設計パターン補正方法によれば、コンピュータが、特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する。このため、モデルベースの数式に用いられるパラメータを適切な値に設定することができる。
【００１１】
前記複数の標準設計パターンのうち、最も精度が要求されるパターンである場合、前記パラメータの値を選択する工程は、特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が基準値以下となるように前記パラメータの値を選択する工程である。前記特定の標準設計パターンは、例えば複数の直線パターンが互いに平行に配置されたパターンを具備し、前記誤差は、例えば前記直線パターンの幅の誤差である。
【００１２】
前記複数種類の標準設計パターンの一つは、第１の直線パターンと、前記第１の直線パターンに略直交する方向に配置され、端部が前記第１の直線パターンから離間している第２の直線パターンとを具備し、前記誤差は、前記第２の直線パターンの端部の幅の誤差であってもよい。また、第３の直線パターンと、前記第３の直線パターンの延長上に位置し、該第３の直線パターンと同一方向に延伸する第４の直線パターンとを具備し、前記誤差は、前記第３の直線パターンの端部の幅及び前記第４の直線パターンの端部の、少なくとも一方の誤差であってもよい。
【００１３】
本発明に係るパラメータ設定方法は、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を補正する数式モデルにおいて、前記数式モデルが有するパラメータを設定するパラメータ設定方法であって、
コンピュータが、複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する工程と、
コンピュータが、前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う工程と、
コンピュータが、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する工程と、
コンピュータが、特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する工程とを具備する。
【００１４】
本発明に係る設計パターン補正装置は、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を、パラメータを有する数式モデルを用いて補正する設計パターン補正装置であって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する補正後設計パターン算出部と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行い、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する誤差集計部と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択するパラメータ選択部と、
選択された前記パラメータの値を用いた前記数式モデルにより、前記設計パターンを補正する補正部とを具備する。
【００１５】
本発明に係るパラメータ設定装置は、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を補正する数式モデルにおいて、前記数式モデルが有するパラメータを設定するパラメータ設定装置であって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する補正後設計パターン算出部と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行い、前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する誤差集計部と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択するパラメータ選択部とを具備する。
【００１６】
本発明に係るプログラムは、コンピュータにより実行され、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を、パラメータを有する数式モデルを用いて補正するためのプログラムであって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する機能と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う機能と、
前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する機能と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する機能と、
選択された前記パラメータの値を用いた前記数式モデルにより、前記設計パターンを補正する機能とを具備する。
【００１７】
本発明に係る他のプログラムは、コンピュータにより実行され、半導体装置内部の設計パターンの光近接効果を補正する数式モデルにおいて、前記数式モデルが有するパラメータを設定するためのプログラムであって、
複数種類の標準設計パターンそれぞれに対して、前記数式モデルを用いた補正処理を複数の前記パラメータの値それぞれで複数回行うことにより、前記複数種類の標準設計パターンそれぞれ毎に複数の補正後標準設計パターンを算出する機能と、
前記標準設計パターンを露光することにより形成された露光後パターンと、前記補正後標準設計パターンとの誤差を算出する処理を、前記複数の補正後標準設計パターンそれぞれ毎に行う機能と、
前記誤差を前記パラメータの値別に集計することにより、前記誤差の和を前記パラメータの値別に算出する機能と、
特定の前記標準設計パターンにおける前記誤差が特定の条件を満たす前記パラメータの値のうち、前記誤差の和が最も小さい前記パラメータの値を選択する機能とを具備する。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る設計パターン補正装置の構成を説明する為のブロック図である。この設計パターン補正装置は、モデルベースによってＯＰＣを行う装置であり、シミュレーションに用いられる数式が有する複数のパラメータを最適な値に設定し、その後設計パターンにＯＰＣを行うものである。
【００１９】
この設計パターン補正装置は、補正後設計パターン算出部１０、誤差加算部２０、パラメータ選択部３０、及び補正部４０を有する。補正後設計パターン算出部１０には、パラメータの設定に用いられる標準設計パターン、及び複数のパラメータの候補が入力される。誤差加算部２０には、実際に露光することにより形成された露光後パターンが入力される。補正部４０には、ＯＰＣが行われる設計パターンが入力される。補正部４０からは、ＯＰＣを行った後の設計パターンである補正後設計パターンが出力される。
【００２０】
以下、図２〜図６を用いて、入力されたデータの利用方法及び設計パターン補正装置の動作について、詳細に説明する。
【００２１】
図２及び図３は、図１に示した設計パターン補正装置の動作を説明する為のフローチャートである。まず、作業者は、パラメータの候補を、複数のパラメータ毎に選択し、補正後設計パターン算出部１０に入力する。また、作業者は、複数の標準設計パターンを補正後設計パターン算出部１０に入力する。また、作業者は、複数の標準設計パターンそれぞれの露光後パターンを、誤差加算部２０に入力する。
【００２２】
図４は、パラメータの候補の選択例を説明する為の表である。本図に示す例において、シミュレーションに用いられる数式Ｆは、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、及びＥという５つのパラメータを有する。５つのパラメータそれぞれに対して、５つの候補（ａ１〜ａ５、ｂ１〜ｂ５、ｃ１〜ｃ５、ｄ１〜ｄ５、及びｅ１〜ｅ５）が選択されている。
【００２３】
図５の各図は、標準設計パターンの例を説明する為の平面図である。図５（Ａ）に示す標準設計パターンは、複数の直線状のパターン５１が並列に並んだものである。この標準設計パターンは、光近接効果によってパターン５１の幅Ｗ１が変化する。この変化量は、パターン５１の幅Ｗ１の設計値が一定の場合、パターン５１の間隔Ｓ１によって変動する。本実施形態に係る設計パターン補正装置は、シミュレーションによるパターンと露光後パターンの誤差として、幅Ｗ１の誤差を見る。
【００２４】
図５（Ｂ）に示す標準設計パターンは、第１の直線パターン５２ａと、第１の直線パターン５２ａと略直交する方向に配置された第２の直線パターン５２ｂとを有する。第２の直線パターン５２ｂの端部は、第１の直線パターン５２ａから距離Ｓ２ほど離れている。この標準設計パターンは、光近接効果によって第２の直線パターン５２ｂの端部の幅Ｗ２が変化する。この変化量は、端部の幅Ｗ２の設計値が一定の場合、距離Ｓ２によって変動する。本実施形態に係る設計パターン補正装置は、シミュレーションによるパターンと露光後パターンの誤差として、幅Ｗ２の誤差を見る。
【００２５】
図５（Ｃ）に示す標準設計パターンは、第３の直線パターン５３ａと、第３の直線パターン５３ａの延長上に位置し、第３の直線パターン５３ａと同一方向に延伸する第４の直線パターン５３ｂとを有する。第３の直線パターン５３ａの端部は、第４の直線パターン５３ｂの端部から距離Ｓ３ほど離れている。この標準設計パターンは、光近接効果によって第３の直線パターン５３ａ及び第４の直線パターン５３ｂそれぞれの端部の幅Ｗ３が変化する。この変化量は、端部の幅Ｗ３の設計値が一定の場合、距離Ｓ３によって変動する。本実施形態に係る設計パターン補正装置は、シミュレーションによるパターンと露光後パターンの誤差として、幅Ｗ３の誤差を見る。
【００２６】
図５（Ｄ）に示す標準設計パターン５４は、直線パターンを略直角に折り曲げたパターンである。この標準設計パターン５４は、点線で示すように、光近接効果によって折り曲げ部分５４ａの角が丸くなる。この変化量は、標準設計パターン５４の幅Ｗ４によって変動する。本実施形態に係る設計パターン補正装置は、シミュレーションによるパターンと露光後パターンの誤差として、折り曲げ部分５４ａの誤差を見る。
【００２７】
図５（Ｅ）に示す標準設計パターン５５は、図中下方に延伸した後、時計回り方向に９０°曲がり、図中横方向に延伸している。その後、同一方向に９０°曲がることにより、図中上方に延伸している。この標準設計パターン５５においても、点線で示すように、光近接効果によって折り曲げ部分５５ａの角が丸くなる。この変化量は、標準設計パターン５５の幅Ｗ５によって変動する。本実施形態に係る設計パターン補正装置は、シミュレーションによるパターンと露光後パターンの誤差として、折り曲げ部分５５ａの誤差を見る。
【００２８】
なお、実際の処理においては、図５に示した例それぞれの線幅Ｗｎ及び間隔Ｓｎを互いに異ならせた複数のパターンが、標準設計パターンとして用いられる。
【００２９】
図２に戻る。補正後設計パターン算出部１０は、パラメータの候補の組み合わせを設定する（Ｓ４）。図４に示した例においては、１２５通りの組み合わせがあるが、これらのうちいずれかが選択される。補正後設計パターン算出部１０は、選択されたパラメータの候補の組み合わせを用いた数式モデルで、全ての標準設計パターンそれぞれに対してシミュレーションを行い、それぞれの補正後標準設計パターンを算出する（Ｓ６）。そして、誤差加算部２０は、全ての標準設計パターンそれぞれにおいて、露光後パターンに対する補正後標準設計パターンの誤差を算出し（Ｓ８）、算出した誤差の和を算出する（Ｓ１０）。
【００３０】
この誤差の和の算出を、全てのパラメータの候補の組み合わせ（図４に示す例においては１２５通り）に対して行う（Ｓ１２）。
【００３１】
次いで、図３に示すように、パラメータ選択部３０は、誤差の和が最も小さいパラメータの組み合わせを選択する（Ｓ１４）。次いで、選択したパラメータの組み合わせを用いた数式モデルで、最も精度が要求される標準設計パターン（例えば図５（Ａ）に示したパターンにおいて、配線の間隔Ｓ１が最も狭いパターン）のシミュレーションを行い、補正後標準設計パターンを算出する。そして、露光後パターンに対する補正後標準設計パターンの誤差（図５（Ａ）に示したパターンでは、パターン幅の誤差）を算出し、算出した誤差が基準値以下であるか否かを判断する（Ｓ１６）。
【００３２】
図６は、図３のＳ１６の処理を説明する為のグラフである。本図は、図５（Ａ）に示したパターンにおいて、パターン幅Ｗ１とパターンの間隔Ｓ１の関係を示すグラフの一例である。実線はシミュレーションによるパターン幅Ｗ１を示しており、点線は実験によるパターン幅Ｗ１を示している。Ｓ１４で選択されたパラメータの組み合わせにおいて、パターン間の間隔Ｓ１が最も狭い場合（Ｓ１＝ｋ１）のパターン幅の誤差が、間隔Ｓ１がもっと広い場合（ｋ２，ｋ３…）の誤差より大きく、基準値を満たさない場合がある。このような条件でＯＰＣを行い、ＯＰＣ後のパターンを用いて配線等を形成すると、配線に細りが生じて高抵抗化等が生じることがある。また、配線の間隔が狭くなり、ショートが生じることがある。
このため、Ｓ１６に示した処理が必要になる。
【００３３】
図３に戻る。Ｓ１６で算出した誤差が基準値以下である場合、パラメータ選択部３０は、現在選択しているパラメータの組み合わせを除外した上で（Ｓ１８）、再度誤差の和が最も小さいパラメータの組み合わせを選択し（Ｓ１４）、上記した処理を進める。
【００３４】
このようにして、第１の設計パターンにおける誤差が基準値以下であるパラメータの組み合わせのうち、誤差の和が最も小さいものが、実際に用いるパラメータの組み合わせとして選択される。そして、作業者は、設計パターン補正装置に、実際に補正を行うべき設計パターンを入力する。補正部４０は、選択されたパラメータの組み合わせを用いた数式モデルにより、入力された設計パターンを処理し、補正後設計パターンを算出する（Ｓ２０）。
【００３５】
なお、本実施形態に係る設計パターン補正装置は、上記した機能を有するプログラムをコンピュータシステムにインストールすることにより、実現される。このプログラムは、例えば記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされる。プログラムを格納する記録媒体は、例えばフロッピーディスク（登録商標）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、及び半導体メモリー等のリムーバブルディスク、若しくはハードディスクであるが、これら以外であってもよい。また、このプログラムは、インターネット等の通信回線を介してダウンロードされることにより、コンピュータシステムにインストールされてもよい。
【００３６】
以上、本発明の実施形態によれば、設計パターン補正装置によって、第１の設計パターンにおける誤差が基準値以下であるパラメータの組み合わせのうち、誤差の和が最も小さいものが、実際に用いるパラメータの組み合わせとして選択される。従って、モデルベースの数式に用いられるパラメータを、確実に適切な値に設定することができる。
【００３７】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、図３のＳ１６において、選択したパラメータが満たすべき条件は一つ（第１の設計パターンにおける誤差が基準値以下であること）のみであったが、さらに他の条件（例えば他の標準設計パターンにおける誤差が第２の基準値以下であること）を満たしているか否かを確認してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】実施形態に係る設計パターン補正装置の構成を説明する為のブロック図。
【図２】図１に示した設計パターン補正装置の動作を説明する為のフローチャート。
【図３】図２の続きを説明する為のフローチャート。
【図４】パラメータの候補の選択例を説明する為の表。
【図５】各図は、標準設計パターンの例を説明する為の平面図。
【図６】図３のＳ１６の処理を説明する為のグラフ。
【図７】従来のコンピュータによるパラメータの設定方法を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００３９】
１０…補正後設計パターン算出部、２０…誤差加算部、３０…パラメータ選択部、４０…補正部、５１…パターン、５２ａ…第１の直線パターン、５２ｂ…第２の直線パターン、５３ａ…第３の直線パターン、５３ｂ…第４の直線パターン、５４，５５…標準設計パターン、５４ａ，５５ａ…折り曲げ部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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