(57)【要約】【課題】  半透過反射型の液晶装置において、液晶層の層厚を絶縁層によって反射表示領域と透過表示領域との間で適正に設定することと、絶縁層を設けた場合でも複数の透過表示領域の間での配向膜材料の流れ性を確保することを両立させる。【解決手段】  互いに対向する一対の電極と、これらの電極によって挟まれる液晶層と、該液晶層の層厚を調整する絶縁層４８とを有する液晶装置である。上記一対の電極は平面的に見て互いに間隔をおいて並ぶ複数のサブ画素領域Ｄで重なり合う。サブ画素領域Ｄのそれぞれは、光を反射する反射表示領域Ｒと、光を透過する透過表示領域Ｔとを有する。絶縁層４８は反射表示領域Ｒ内では厚い第１膜厚に形成され、透過表示領域Ｔ内では薄い第２膜厚に形成される。互いに隣り合う透過表示領域Ｔの間に在る絶縁層４８の一部分Ｓは、第１膜厚よりも薄い第３膜厚に形成される。【選択図】        図６
2006276108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する一対の基板間に液晶層を挟持するとともに、該一対の基板のそれぞれの対向面に形成された電極によって複数のサブ画素領域を構成し、前記サブ画素領域には光を反射する光反射膜を備えた反射表示領域と光を透過する透過表示領域とが設けられ、前記一対の基板のいずれか一方の基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄くする絶縁層が形成された液晶装置であって、
前記絶縁層は、前記反射表示領域において第１の膜厚で形成されているとともに、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間にも設けられており、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間には、前記第１の膜厚よりも薄く形成された部分が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄くする前記絶縁層は、前記透過表示領域には設けられていないことを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の液晶装置において、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分における前記液晶層の層厚は、前記透過表示領域における前記液晶層の層厚と略等しくされていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶装置において、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分には、前記絶縁層は設けられていないことを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項２記載の液晶装置において、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間に設けられた前記絶縁層は前記第１の膜厚で形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の液晶装置において、
前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分を遮光する遮光膜を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の液晶装置において、
前記透過表示領域は平面的に見て一方向に長い形状を有し、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分は前記透過表示領域の長手方向の辺の一部分であることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項６に記載の液晶装置において、
前記透過表示領域が前記第１の膜厚よりも薄く形成された部分を介して所定の一方向につながっており、前記所定の一方向と交差する方向に隣接する前記サブ画素領域間にも遮光膜が設けられている
ことを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の液晶装置において、
前記光反射膜の表面に凹凸を付与する凹凸パターンを有する樹脂膜が前記光反射膜の下に形成され、前記絶縁層は前記樹脂膜によって形成されることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の液晶装置において、
前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分の前記透過表示領域の長手方向における前記絶縁層の幅をＷ３とし、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間に設けられた前記絶縁層の前記透過表示領域の長手方向における幅をＷ１とするとき、Ｗ３＜Ｗ１であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項９のいずれか１つに記載の液晶装置において、
前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分の前記透過表示領域の長手方向における前記絶縁層の幅をＷ３とし、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間に設けられた前記絶縁層の前記透過表示領域の長手方向における幅をＷ１とするとき、Ｗ３＜Ｗ１／２であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の液晶装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示の最小単位であるサブ画素領域内において反射表示領域と透過表示領域とに関連させて液晶層の層厚に変化を持たせるようにした液晶装置に関する。また、本発明はそのような液晶装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器に液晶装置が広く使用されている。例えば、電子機器に関する各種の情報を文字、数字、図形等といった画像の形で表示する際に液晶装置が用いられている。この液晶装置では、例えば、表示の最小単位であるサブ画素領域を複数個、液晶層の面内で縦横方向にマトリクス状に並べることによって表示領域を形成する。そして、液晶層内の液晶分子の配向をサブ画素領域ごとに制御することによってその液晶層を通過する光をサブ画素領域ごとに変調して表示を行う。
【０００３】
上記の液晶装置において、いわゆる半透過反射型の液晶装置が知られている。この半透過反射型の液晶装置では、複数のサブ画素領域のそれぞれに反射表示領域と透過表示領域の２つの領域を設け、太陽光、室内光等といった外部光を上記の反射表示領域で反射させた上でその反射光を利用して表示を行う反射型表示と、照明装置からの光を上記の透過表示領域を透過させてバックライトとして利用して表示を行う透過型表示と、を選択的に行うことができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、従来の液晶装置において、透過表示領域内の液晶層の層厚を反射表示領域内の液晶層の層厚よりも厚く設定して、透過表示時の光路の長さと反射表示時の光路の長さとを等しくする又は近づけるという技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この文献では、１つのサブ画素領域内に適宜の厚さの樹脂膜を設ける領域と設けない領域とを形成することにより、液晶層の層厚に違いを持たせている。
【０００５】
この文献では、複数の透過表示領域同士の間の樹脂膜の厚さをどのように設定するかについては、必ずしも明確に説明されていない。この点を現状の技術を踏まえて考えれば、例えば図１７に示すように、互いに隣接する透過表示領域Ｔの間の全域を反射表示領域用の厚い膜厚の絶縁層（すなわち、層間絶縁膜）８１で埋めることが考えられる。しかしながらこの場合には、表面に配向膜８２を塗布する際、複数の透過表示領域Ｔの間に在る絶縁層８１が邪魔になって、配向膜８２の材料を均一に塗布することが難しくなり、その結果、絶縁層８１の膜厚が薄くなる（図１７の場合は膜厚がゼロになる）複数の透過表示領域Ｔにおいて配向膜８２の膜厚が不均一になるという問題が発生するおそれがある。こうなると、各透過表示領域Ｔに対応する液晶層厚ｔ２が不均一になるので、鮮明な画像を表示できなくなるおそれがある。
【０００６】
また、複数の透過表示領域の間の樹脂膜の厚さをどのように設定するかについて考えるとき、例えば図１８に示すように、互いに隣接する透過表示領域Ｔの間の絶縁層８１の膜厚をそれらの透過表示領域Ｔの間の全域にわたって反射表示領域用の膜厚よりも薄く（図１８の場合は膜厚ゼロに）形成することができる。こうすれば、配向膜８２の材料を塗布する際、絶縁層８１が邪魔になることがなくなるので、複数の透過表示領域Ｔの間で配向膜８２を均一な厚さに塗布することができる。そしてこれにより、各透過表示領域Ｔに対応する液晶層厚ｔ２を均一にすることができると考えられる。しかしながらこの場合には、互いに隣接する透過表示領域Ｔの間が反射表示領域であるにもかかわらず、その領域に対応する液晶層厚が透過表示領域用の厚い膜厚となってしまうので、やはり、鮮明な表示ができなくなるおそれがある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−０８４３１３号公報（第５頁、図１Ａ及び１Ｂ）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、反射表示領域と透過表示領域との間で絶縁層の膜厚に変化を持たせることにより、液晶層の層厚をそれら２つの領域間で異ならせるようにした液晶装置において、互いに隣り合う透過表示領域の間に絶縁層を設けてその領域の液晶層の層厚を適正に設定すること、及びそのように透過表示領域同士の間に絶縁層を設けた場合でも複数の透過表示領域の間で配向膜を均一な膜厚に形成できるようにすること、を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る液晶装置は、対向する一対の基板間に液晶層を挟持するとともに、該一対の基板のそれぞれの対向面に形成された電極によって複数のサブ画素領域を構成し、前記サブ画素領域には光を反射する光反射膜を備えた反射表示領域と光を透過する透過表示領域とが設けられ、前記一対の基板のいずれか一方の基板と前記液晶層との間には、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄くする絶縁層が形成された液晶装置であって、前記絶縁層は、前記反射表示領域において第１の膜厚で形成されているとともに、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間にも設けられており、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間には、前記第１の膜厚よりも薄く形成された部分が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
この液晶装置によれば、互いに隣り合う透過表示領域の間に絶縁層を設けたので、この領域の液晶層厚を反射表示領域に好適な厚さに維持でき、それ故、反射光を利用して行われる反射型表示を鮮明に行うことができる。また、互いに隣り合う透過表示領域の間に在る絶縁層の一部分を第１膜厚よりも薄い膜厚に形成したので、その領域の全域を第１膜厚の絶縁層で埋めた場合に比べて、配向膜の材料を絶縁層の表面により均一に塗布することができる。
【００１１】
このように、本発明によれば、絶縁層を用いた液晶層の層厚調整機能を十分に達成できると共に、絶縁層の膜厚を反射表示領域と透過表示領域との間で異ならせた場合でもその絶縁層の表面に配向膜を均一な厚さに形成できる。そしてそれらの結果、半透過反射型の表示における反射型表示と透過型表示とを均一で高い表示品質で行うことができる。
【００１２】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記反射表示領域における前記液晶層の層厚を前記透過表示領域における前記液晶層の層厚よりも薄くする前記絶縁層は、前記透過表示領域には設けられていないことを特徴とする液晶装置。この構成によれば、絶縁層の膜厚を反射表示領域だけについて管理すれば良いことになるので、絶縁層の形成処理が簡単になる。
【００１３】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分における前記液晶層の層厚は、前記透過表示領域における前記液晶層の層厚と略等しくされていることを特徴とする液晶装置。これは、互いに隣り合う透過表示領域の間に在る前記絶縁層の一部分には、絶縁層を形成しないということである。この構成によれば、絶縁層の上に配向膜の材料を塗布する際に障害となる絶縁層がその一部分では完全に無くなるということであり、それ故、配向膜の材料の流れ性を良好に確保できるということであり、それ故、配向膜を均一な膜厚に形成できるということである。
【００１４】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分には、前記絶縁層は設けられていないことが望ましい。また、本発明に係る液晶装置において、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間に設けられた前記絶縁層は前記第１の膜厚で形成されていることが望ましい。
【００１５】
次に、本発明に係る液晶装置においては、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分を遮光する遮光膜を有することが望ましい。絶縁層を第３膜厚、すなわち反射表示領域に対して好適な厚い第１膜厚よりも薄い膜厚、に形成した部分の液晶層の層厚は反射表示領域に対して好適な層厚でなくなるおそれがある。これに対して何等の措置も講じなければ、反射表示領域で反射する光を用いて行われる反射型表示時の表示品質が低下するおそれがある。これに対し、上記構成のように絶縁層を第３膜厚に設定した部分を遮光膜で遮光することにすれば、表示品質の低下を防止できる。
【００１６】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記透過表示領域は平面的に見て一方向に長い形状を有し、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分は前記透過表示領域の長手方向の辺の一部分であることが望ましい。この構成によれば、配向膜の材料の流れ性を良好に確保できる。
【００１７】
次に、本発明に係る液晶装置においては、前記透過表示領域が前記第１の膜厚よりも薄く形成された部分を介して所定の一方向につながっており、前記所定の一方向と交差する方向に隣接する前記サブ画素領域間にも遮光膜が設けられていることが望ましい。この構成によれば、絶縁層を第１膜厚よりも薄い第３膜厚に形成することによって表示品質の低下が懸念される部分を遮光膜によって遮光することにより、表示品質の低下を防止できる。
【００１８】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記光反射膜の表面に凹凸を付与する凹凸パターンを有する樹脂膜が前記光反射膜の下に形成され、前記絶縁層は前記樹脂膜によって形成されることが望ましい。絶縁層は任意の工程によって任意の材料によって形成できるが、上記のように反射膜の下地として設けられる樹脂膜によって絶縁層を形成するようにすれば、絶縁層を形成するのに際して経費を抑えることができる。
【００１９】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分の前記透過表示領域の長手方向における前記絶縁層の幅をＷ３とし、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間に設けられた前記絶縁層の前記透過表示領域の長手方向における幅をＷ１とするとき、Ｗ３＜Ｗ１であることが望ましい。この構成によれば、反射表示領域に好適な第１膜厚の領域が大きくなるので、表示品質の高い表示を実現できる。
【００２０】
次に、本発明に係る液晶装置において、前記第１の膜厚よりも薄く形成された前記部分の前記透過表示領域の長手方向における前記絶縁層の幅をＷ３とし、所定のサブ画素領域の前記透過表示領域と前記所定のサブ画素領域に隣接するサブ画素領域の前記透過表示領域との間に設けられた前記絶縁層の前記透過表示領域の長手方向における幅をＷ１とするとき、Ｗ３＜Ｗ１／２であることが望ましい。この構成によれば、反射表示領域に好適な第１膜厚の領域がさらに大きくなるので、さらに表示品質の高い表示を実現できる。
【００２１】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の液晶装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶装置によれば、絶縁層を用いた液晶層の層厚調整機能を十分に達成できると共に、絶縁層の膜厚を反射表示領域と透過表示領域との間で異ならせた場合でもその絶縁層の表面に配向膜を均一な厚さに形成できる。このため、本発明に係る液晶装置によれば、表示品質が非常に高い鮮明な表示を行うことができる。この結果、本発明に係る液晶装置を用いた電子機器によっても、その電子機器に関する情報を高い表示品質で表示することができる。このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯情報端末機、ＩＣレコーダ、その他各種の電子機器が考えられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る液晶装置を実施形態に基づいて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されないことはもちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合があることに注意を要する。
【００２３】
図１は、本発明に係る液晶装置の一実施形態を示している。図２は、図１のＡ−Ａ線に従った側面断面図である。図３は、図２における画素部分を拡大して示す断面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ線に従った断面図である。図５は、図４のＣ−Ｃ線に従った平面断面図である。本実施形態は、２端子型の非線形抵抗素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶装置に本発明を適用するものとする。
【００２４】
図１において、液晶装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３と、液晶パネル２に接続された配線基板としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：可撓性プリント回路）基板４とを有する。この液晶装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。
【００２５】
液晶パネル２は、長方形又は正方形で環状のシール材６によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。シール材６はその一部に液晶注入口６ａを有し、この液晶注入口６ａを介して素子基板７とカラーフィルタ基板８との間に電気光学物質としての液晶が注入される。液晶注入口６ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。
【００２６】
照明装置３は、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成され、ＬＥＤ１３に対向する側面が光入射面１４ａであり、液晶パネル２に対向する面が光出射面１４ｂである。矢印Ａで示す観察側から見て導光体１４の背面には、必要に応じて、光反射層１６が設けられる。また、導光体１４の光出射面１４ｂには、必要に応じて、光拡散層１７が設けられる。
【００２７】
素子基板７は、図２において、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、図３に示すように、複数のデータ線１９が紙面垂直方向（すなわち、図１の行方向Ｘ）に互いに平行に形成されている。個々のデータ線１９は図３の左右方向（すなわち、図１の列方向Ｙ）に延びている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子である複数のＴＦＤ（Thin Film Diode）素子２１がそれらのデータ線１９に沿って且つ該データ線１９に接続して形成される。
【００２８】
それらのＴＦＤ素子２１及びデータ線１９を覆うように層間絶縁層としてのオーバーレイヤ２２が形成されている。このオーバーレイヤ２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成する。オーバーレイヤ２２の表面に複数の画素電極２３が形成されている。これらの画素電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物によって形成される。複数の画素電極２３は図１に示すように個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向、すなわちＸ−Ｙ方向へマトリクス状に並ぶように形成される。図３において、画素電極２３の上に配向膜２６ａが形成される。この配向膜２６ａは、例えばポリイミド等によって形成される。配向膜２６ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００２９】
オーバーレイヤ２２は、データ線１９及びＴＦＤ素子２１を覆うように形成される。画素電極２３は、このオーバーレイヤ２２の上に形成されている。このオーバーレイヤ２２には、画素電極２３とＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２７が形成される。このコンタクトホール２７は、オーバーレイヤ２２をフォトリソグラフィ処理によって形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール２７は、平面的に見てすなわち平面視で、ＴＦＤ素子２１とは重ならない位置であって、画素電極２３と重なる位置に形成される。
【００３０】
ＴＦＤ素子２１は、例えば、第１素子電極、絶縁膜、そして第２素子電極をその順で重ねることによって形成されている。この積層構造はＭＩＭ（Metal-Insulation-Metal)構造と呼ばれることがある。第１素子電極は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極は、例えばＣｒ、モリブデン・タングステン合金によって形成される。
【００３１】
第１素子電極又は第２素子電極の一方はデータ線１９から延びている。また、第１素子電極又は第２素子電極の他方は画素電極２３に接続される。ＴＦＤ素子２１は単一のＭＩＭ構造によって形成することもできるし、あるいは、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造に形成することもできる。このバック・ツー・バック構造とは、電気的に逆極性である２つのＭＩＭ構造を直列に接続してなるＴＦＤ素子構造である。
【００３２】
上記のように、画素電極２３の下にオーバーレイヤ２２を設けることにより、画素電極２３の層とＴＦＤ素子２１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２３とＴＦＤ素子２１とを同じ層に形成する構造に比べて、図２の素子基板７の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２３の面積、すなわち画素面積を大きくすることができるので、液晶装置１において表示を見易くできる。
【００３３】
図２において、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａで示す観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００３４】
第２透光性基板８ａの内側表面には、図３に示すように、樹脂膜４１が形成され、その上に光反射膜４２が形成される。光反射膜４２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。光反射膜４２の上には複数の着色要素４３が形成され、それらの着色要素４３の間に遮光膜４４が形成されている。これらの遮光膜４４は、それぞれ、図３の紙面垂直方向に延びている。これらの遮光膜４４は、Ｃｒ等といった遮光性の金属材料によって形成することもできるし、あるいは、色の異なる着色要素４３、例えばＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）３色の着色要素４３を全て重ねることにより、又はそれらのうちの２色を重ねることによって形成することもできる。着色要素４３及び遮光膜４４が形成された層はカラーフィルタ層を形成している。
【００３５】
着色要素４３及び遮光膜４４の上にオーバーコート層４６が形成され、その上に層厚調整膜としても機能する絶縁層４８が形成され、その上に複数の帯状電極４７が形成され、さらにその上に配向膜２６ｂが形成される。絶縁層４８は、液晶層の層厚を調整するための層厚調整膜としても機能する。帯状電極４７は紙面垂直方向へ直線的に延びている。また、配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板８の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。図６は、以上のようなカラーフィルタ基板８上における各要素の積層状態を分解状態で分かり易く示している。
【００３６】
図６に示すように、樹脂膜４１の表面には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターン４９が形成されている。この凹凸パターン４９は矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）になっている。樹脂膜４１の表面にこのような凹凸パターンを設けることにより、その上に積層された光反射膜４２も図３に示すように同じ凹凸パターンを持つことになる。このため、光反射膜４２で反射する光は散乱光となる。これにより、光反射膜４２で鏡面反射が生じることを防止できる。
【００３７】
オーバーコート層４６は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。図３の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極４７は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。
【００３８】
次に、図３において、素子基板７上に設けられた複数の画素電極２３は矢印Ａ方向から平面的に見て、縦横にマトリクス状に並ぶ、いわゆるドットマトリクス状に配列されている。つまり、複数の画素電極２３は、図３の左右方向へ直線状に並べられると共に、図３の紙面垂直方向へ直線状に並べられている。一方、カラーフィルタ基板８上に設けられた複数の帯状電極４７は、図３において左右方向に等間隔で並べられ、且つ各々が紙面垂直方向に延びている。画素電極２３及び帯状電極４７は以上の構成により矢印Ａ方向から見て平面視で重なり合っており、その重なり合った領域が表示のための最小単位であるサブ画素領域Ｄを形成している。これらのサブ画素領域Ｄが縦横にマトリクス状に並ぶことにより図１の表示領域Ｖが形成され、この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００３９】
図３の光反射膜４２は、例えばフォトエチング処理によって形成されるが、そのフォトエチング処理の際、光反射膜４２は図６に示すようにサブ画素領域Ｄごとに矩形状の一部領域Ｔが除去される。このため、個々のサブ画素領域Ｄの中には、光反射膜４２が存在する領域Ｒと、光反射膜４２が存在しない領域Ｔとが設けられる。図５に示すように、光反射膜４２が存在しない領域Ｔは、サブ画素領域Ｄの中央から少しずれた位置に長方形状の領域として形成されている。なお、領域Ｔは一般には長方形状等といった特定の形状に限られものではない。
【００４０】
図３において、個々のサブ画素領域Ｄの中で光反射膜４２が存在する領域が反射表示領域Ｒであり、光反射膜４２が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。矢印Ａで示す観察側から入射した外部光、すなわち素子基板７側から入射した外部光Ｌ０は、反射表示領域Ｒで反射する。一方、図２の照明装置３の導光体１４から出射した図３の光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００４１】
複数の着色要素４３は、１つ１つがサブ画素領域Ｄに対応して矢印Ａ方向から見て長方形のドット状に形成されている。これらの着色要素４３の１つ１つは、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の３原色のいずれか１つの光を通す材料によって形成されている。これら各色の着色要素４３は、本実施形態では、図５の縦方向（すなわち、列方向Ｙ）に同じ色が並び、横方向（すなわち、図５の行方向Ｘ）に順々に異なる色が並ぶという色配列であるストライプ配列に並べられている。配列としては、ストライプ配列に代えてデルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列を選択しても良い。なお、着色要素４３は、Ｃ(シアン)、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ(イエロー)の３原色によって形成することもできる。
【００４２】
図３において、着色要素４３及び遮光膜４４によって形成されるカラーフィルタ層に関して、個々のサブ画素領域Ｄの中の反射表示領域Ｒに平面的に重なる領域に在るカラーフィルタ層の一部領域Ｑについては着色要素４３が除去されている。図５に示すように、この領域Ｑは円形状、楕円形状、又は長円形状に形成されている。もちろん、必要に応じて他の任意の形状とすることもできる。着色要素４３が除去された領域Ｑでは光の波長選択は行われず、入射した光が強度を減衰されることなくこの領域Ｑを通過する。このため、本実施形態では、反射表示領域Ｒで反射する光を用いた反射型表示時に明るい画像を表示できる。
【００４３】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素４３を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素４３に対応する３つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成される。
【００４４】
図３の遮光膜４４は、例えばＣｒ（クロム）等といった遮光性の材料によって形成される。また、遮光膜４４は、着色要素４３を構成するＢ，Ｇ，Ｒ又はＣ，Ｍ，Ｙの各着色要素を２層又は３層に重ねること、すなわち積層することによって形成することもできる。これらの遮光膜４４は、図５に斜線で示すように、列方向Ｙに関して互いに隣り合う帯状電極４７，４７の間隙に平面視で重なるように線状、すなわち帯状に形成されている。この遮光膜４４は、複数の帯状電極４７の間で行方向Ｘに延びる間隙を遮光する。カラーフィルタ基板８上の列方向Ｙには遮光膜は設けられない。図３において、遮光膜４４は、対向基板である素子基板７側に設けられたＴＦＤ素子２１及びコンタクトホール２７の両方を遮光するのに十分な幅を持つことが望ましい。
【００４５】
以上の構成から成る素子基板７及びカラーフィルタ基板８が図３に示すように貼り合わされたとき、それらの基板の間に間隙、いわゆるセルギャップＧが形成され、そのセルギャップＧ内に液晶が封入されて液晶層１２が形成される。セルギャップＧの間隔、従って液晶層１２の層厚は、セルギャップＧ内に設けられる複数のスペーサ（図示せず）によって一定に維持される。このスペーサは、複数の球状の樹脂部材を素子基板７又はカラーフィルタ基板８の表面上にランダム（すなわち、無秩序）に置くことによって形成できる。また、スペーサは、フォトリソグラフィ処理によって所定の位置に柱状に形成することもできる。スペーサをフォトリソグラフィ処理によって形成する場合、そのスペーサは遮光膜４４と平面的に重なる位置に形成することが望ましい。
【００４６】
次に、図２において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａはカラーフィルタ基板８の外側へ張り出す張出し部５２を有している。この張出し部５２のうちの矢印Ａで示す観察側と反対側の表面には、配線５４がフォトエチング処理等によって形成されている。配線５４は複数本形成されており、それらの複数本が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並べられている。また、張出し部５２の辺端には複数の外部接続用端子５６が紙面垂直方向へ互いに等間隔で平行に並ぶように形成されている。図１に示したＦＰＣ基板４に形成される配線は、図２の外部接続用端子５６に導電接続する。
【００４７】
複数の配線５４の一部はデータ線１９となって第１透光性基板７ａの表面上を延びている。また、複数の配線５４の残りの一部はシール材６の中にランダム（すなわち、無秩序）に含まれる導通材５７を介してカラーフィルタ基板８上に設けられた帯状電極４７に導電接続されている。導通材５７は、図２では模式的に大きく描かれているが、実際にはシール材６の断面の幅よりも小さいものであり、シール材６の１つの断面内に複数の導通材５７が含まれるのが普通である。
【００４８】
張出し部５２の表面には、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５８を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術によって、駆動用ＩＣ５３が実装されている。駆動用ＩＣ５３は、本実施形態では図１に示すように複数、例えば３個実装されている。例えば、中央の１つの駆動用ＩＣ５３は、データ線１９へデータ信号を伝送する。他方、両側の駆動用ＩＣ５３，５３は、カラーフィルタ基板８上に形成された帯状電極４７へ走査信号を伝送する。帯状電極４７へ走査信号が伝送されるとき、帯状電極４７は走査線として機能する。
【００４９】
以上のように構成された液晶装置１によれば、図２において、液晶装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００５０】
上記の反射型表示を行う場合、図３において、観察側である矢印Ａの方向から素子基板７を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過してカラーフィルタ基板８内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜４２で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図２の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４の光入射面１４ａから導光体１４へ導入され、さらに、光出射面１４ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図３の符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいて光反射膜４２が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００５１】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２３とカラーフィルタ基板８側の帯状電極４７との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、素子基板７側の偏光板１８ａ（図２参照）を通過するとき、その偏光板１８ａの偏光特性に従ってサブ画素領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、素子基板７の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００５２】
図３において、層厚調整膜である絶縁層４８は反射表示領域Ｒ内に厚い第１膜厚で設けられ、透過表示領域Ｔには第１膜厚よりも薄い第２膜厚で設けられる。本実施形態では、第２膜厚をゼロに設定しており、透過表示領域Ｔには絶縁層４８が設けられていない。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１２の厚さをｔ０とし、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１２の厚さをｔ１としたとき、ｔ１＞ｔ０の状態を実現できる。反射型表示が行われる際、反射光Ｌ０は液晶層１２を往復で２回通過する。これに対し、透過型表示が行われる際、透過光Ｌ１は液晶層１２を１回だけ通過する。従って、液晶層１２がｔ１＝ｔ０に設定されていると、反射型表示と透過型表示との間で表示の濃さが不均一になるおそれがある。これに対し、本実施形態のようにｔ１＞ｔ０に設定すれば、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１２を横切る光路の長さを等しくすることができ、それ故、反射型表示と透過型表示との間で均一な表示を行うことができる。
【００５３】
なお、透過表示領域Ｔにおいて絶縁層４８を設けないこと、つまり透過表示領域Ｔにおいて絶縁層４８の膜厚をゼロにしたのは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１２の層厚に所定の変化を持たせるためである。従って、この作用が達成されるのであれば、透過表示領域Ｔにおける絶縁層４８の膜厚は必ずしもゼロに限定されるものではない。要は、絶縁層４８の膜厚を反射表示領域Ｒに比べて透過表示領域Ｔで薄くすることにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１２の層厚を透過表示領域Ｔに比べて薄くなるようにすれば良いのである。
【００５４】
このように絶縁層４８を設けた場合、その絶縁層４８の存在のために、その絶縁層４８の上に形成される配向膜２６ｂの膜厚が複数の透過表示領域Ｔの間で不均一になることは、図１７を用いて説明した通りである。そして、このことを避けるために、複数の透過表示領域Ｔの個々の間に絶縁層４８を存在させないように設定すれば、配向膜２６ｂの膜厚を均一にできることは、図１８を用いて説明した通りである。また、図１８の構成では、配向膜２６ｂの膜厚を均一にすることは可能であるが、互いに隣接する透過表示領域Ｔ同士の間に存在する反射表示領域Ｒに対応する液晶層１２の層厚を反射表示領域Ｒに好適な薄い層厚に設定することができなくなるので、反射光と透過光との光路長さの違いに起因して表示品質の低下を招来するおそれがあることを、図１８を用いて説明した。つまり、互いに隣接する透過表示領域Ｔ同士の境界部の全域に絶縁層４８を設けたり（図１７参照）、互いに隣接する透過表示領域Ｔ同士の境界部の全域から絶縁層４８を除去したり（図１８参照）すると、いずれの場合でも表示品質の低下を免れることができなかった。
【００５５】
これに対し、本実施形態では、図５及び図６に示すように、絶縁層４８の一部であって個々の透過表示領域Ｔの行方向Ｘの境界部分に絶縁層４８を形成しない領域Ｓ、すなわち絶縁層４８の膜厚をゼロにする領域Ｓ、すなわち透過表示領域Ｔ同士を連結する領域Ｓを、境界部分の全域ではなく、境界部分の一部に部分的に設けた。本実施形態では、透過表示領域Ｔの長辺の一部分に対応して連結領域Ｓを設けるようにしている。
【００５６】
個々の透過表示領域Ｔ同士の境界部分は反射膜４２が設けられている反射表示領域Ｒであるが、絶縁層４８の膜厚ゼロの部分はその境界部分の一部であって他の境界部分には所定の膜厚の絶縁層４８が設けられているので、その境界部分における反射型表示の品質が低下することを防止できる。
【００５７】
なお、絶縁層４８を形成しないで透過表示領域Ｔ同士を連結する領域Ｓの液晶層の層厚は反射表示領域Ｒの層厚としては不適切に大きい値となるので、この領域における反射型表示は表示不良となるおそれがある。この表示不良が外部から視認されることを防止するため、本実施形態では、連結領域Ｓに対応するカラーフィルタ層に遮光部４５を形成する。これにより、表示品質が低下することを防止できる。
【００５８】
また、個々の透過表示領域Ｔの境界部分に形成された絶縁層４８の一部に、その絶縁層４８の高さを低くした部分、本実施形態では高さをゼロにした部分を設けたので、その絶縁層４８の上に配向膜２６ａの材料を塗布する際のその材料の透過表示領域Ｔ間での流動性を良好に確保できるようになり、それ故、複数の透過表示領域Ｔ間で配向膜２６ａの膜厚を均一にできるようになった。つまり、本実施形態によれば、絶縁層４８を用いて液晶層１２の層厚を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で所望の通りに調整することと、絶縁層４８に邪魔されないで配向膜２６ａを均一な膜厚に形成すること、の２つの要求を同時に満足することが可能となった。これにより、反射型表示と透過型表示とを均一で明るく行うことができるようになった。
【００５９】
なお、反射表示領域Ｒに対応する絶縁層４８の膜厚を第１膜厚とし、透過表示領域Ｔに対応する絶縁層４８の膜厚を第２膜厚とし、隣接する透過表示領域Ｔ同士の境界部分の絶縁層４８の膜厚を第３膜厚とするとき、図５において、互いに隣り合う透過表示領域Ｔ同士の間で第３膜厚に形成される絶縁層４８の幅をＷ３とし、互いに隣り合う透過表示領域Ｔの間で第１膜厚に形成される絶縁層４８の幅をＷ１０及びＷ１１とするとき、
Ｗ３＜Ｗ１
但し、Ｗ１＝Ｗ１０＋Ｗ１１
に設定することが望ましい。液晶層の層厚調整による表示品質の向上と、配向膜の均一な形成による表示品質の向上とを効果的に両立できるからである。
【００６０】
また、より望ましくは、Ｗ３＜Ｗ１／２に設定する。液晶層の層厚調整による表示品質の向上と、配向膜の均一な形成による表示品質の向上とを、より一層効果的に両立できるからである。
【００６１】
（液晶装置の第２実施形態）
図７から図１０は、本発明に係る液晶装置の他の実施形態の主要部を示している。本実施形態の全体的な構成は図１及び図２に示す構造と同じとすることができる。図７は、先の実施形態の場合の図３と同様に図２における画素部分を拡大して示す断面図である。また、図８は、先の実施形態の場合の図４と同様に図７のＤ−Ｄ線に従った断面図である。また、図９は、先の実施形態の場合の図５と同様に図８のＥ−Ｅ線に従った平面断面図である。また、図１０は、先の実施形態の場合の図６と同様にカラーフィルタ基板上における各要素の積層状態を分解状態で分かり易く示す図である。
【００６２】
以下、本実施形態を先の第１実施形態と異なる点を中心として説明する。本実施形態において先の実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略することにする。
【００６３】
図７において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａの内側表面に、データ線１９、ＴＦＤ素子２１、オーバーレイヤ２２、画素電極２３、及び配向膜２６ａが形成されることは、図３の実施形態の場合と同じである。また、カラーフィルタ基板８を構成する第２透光性基板８ａの内側表面に、樹脂層４１、光反射膜４２、着色要素４３、遮光膜４４、オーバーコート層４６、帯状電極４７、及び配向膜２６ｂが形成されることも、図３の実施形態の場合と同じである。
【００６４】
先の実施形態における図５と本実施形態における図９とを比較すれば分かるように、また、先の実施形態における図６と本実施形態における図１０とを比較すれば分かるように、先の実施形態では絶縁層４８を形成しない領域Ｓ、すなわち絶縁層４８の膜厚をゼロにする領域Ｓ、すなわち透過表示領域Ｔ同士を低い絶縁層で連結する領域Ｓを、透過表示領域Ｔの長辺の途中に設けた。これに対し、本実施形態では、透過表示領域Ｔ同士を低い絶縁層で連結する領域Ｓを透過表示領域Ｔとは別の領域であって、列方向Ｙに関して互いに隣り合うサブ画素領域Ｄ同士の境界部分に形成している。
【００６５】
この実施形態においても、絶縁層４８の膜厚が低い連結領域Ｓを透過表示領域Ｔ同士の間に設けたので、絶縁層４８の上に配向膜２６ｂを形成する際にその配向膜２６ｂの材料の流動性を確保できる。なお、図９では配向膜２６ｂの図示は省略している。また、連結領域Ｓ以外の部分には膜厚の厚い絶縁層４８を設けるようにしたので、その部分で反射して液晶層を２回通過する反射光の光路長を適切な長さに設定できる。
【００６６】
なお、図５の実施形態では、連結領域Ｓの所で発生する表示不良を外部から隠すために、その連結領域Ｓと平面的に重なる部分に遮光部４５を形成した。この点に関し、図９に示す本実施形態では、連結領域Ｓが列方向Ｙで隣り合うサブ画素領域Ｄ同士の間に設けられることになっており、この領域には予め遮光膜４４が形成されているので、連結領域Ｓを隠すための遮光部を別個に設ける必要がなくなって、好都合である。
【００６７】
（液晶装置の第３実施形態）
図１１から図１４は、本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の主要部を示している。本実施形態は、３端子型のアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式の液晶装置である。なお、ＴＦＴ素子には、アモルファスシリコンＴＦＴ、低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴ等のように各種のＴＦＴがあるが、本実施形態ではアモルファスシリコンＴＦＴを用いるものとする。もちろん、その他の種類のＴＦＴ素子を用いた液晶装置に対して本発明を適用できることはもちろんである。
【００６８】
本実施形態の全体的な構成は、図１及び図２に示す構造と同様のものとすることができる。図１１は、先の実施形態の場合の図３と同様に図２における画素部分を拡大して示す断面図である。また、図１２は、先の実施形態の場合の図４と同様に図１１のＦ−Ｆ線に従った断面図である。また、図１３は、先の実施形態の場合の図５と同様に図１２のＧ−Ｇ線に従った平面断面図である。また、図１４は、素子基板上における各要素の積層状態を分解状態で分かり易く示す図である。
【００６９】
以下、本実施形態を先の第１実施形態と異なる点を中心として説明する。本実施形態において先の実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略することにする。
【００７０】
図１１において、素子基板７を構成する第１透光性基板７ａの内側表面に、アクティブ素子又はスイッチング素子としてのＴＦＴ素子６１が複数個形成され、その上に絶縁層としての樹脂散乱膜６２が形成され、その上に画素電極６３が形成され、その上に反射膜６４が形成され、そしてその上に配向膜６６ａが形成されている。この配向膜６６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜６６ａの近傍の液晶分子の配向が決められる。
【００７１】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子６１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子６１は、例えば、ゲート電極６７と、ゲート絶縁膜６８と、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層６９と、ソース電極７１と、そしてドレイン電極７２とを有する。ドレイン電極７２は、その一端が半導体層６９に接続し、その他端がコンタクトホール７３を介して画素電極６３に接続する。ソース電極７１は図１１の紙面垂直方向に延びるソース電極線７１’の一部として形成されている。また、ゲート電極６７は、ソース電極線７１’と直角の方向すなわち図１１の左右方向に延びるゲート電極線６７’（図１３及び図１２参照）から延びている。
【００７２】
絶縁層である樹脂散乱膜６２はその表面に光散乱用の凹凸パターンを有している。また、樹脂散乱膜６２は液晶層１２の層厚を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で調整するための層厚調整膜としても機能する。これ以降、樹脂散乱層と絶縁層とを同じ符号６２を用いて示すことにする。画素電極６３は、例えばＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によってドット状に複数個形成され、それらが矢印Ａ方向から見て縦横にマトリクス状に並んでいる。配向膜６６ａは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。
【００７３】
図１１において、カラーフィルタ基板８を構成する第２透光性基板８ａの内側表面に、遮光部材７４が矢印Ａ方向から見て図１３に斜線で示すように格子状に設けられる。そして、この遮光部材７４によって囲まれる複数の領域内に着色要素７６が形成され、それらの上にオーバーコート層７７が形成され、その上に共通電極７８が形成され、そしてその上に配向膜６６ｂが形成される。この配向膜６６ｂに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜６６ｂの近傍の液晶分子の配向が決められる。
【００７４】
本実施形態では、画素電極６３と共通電極７８とが平面的に見て重なり合う領域がサブ画素領域Ｄを形成する。そして、このサブ画素領域Ｄが複数個、矢印Ａ方向から見てマトリクス状に並べられて、図１の表示領域Ｖが形成され、その表示領域Ｖに画像が表示される。図１１、図１２、及び図１３から分かるように、カラーフィルタ基板８側の遮光部材７４は複数のサブ画素領域Ｄの間で行方向Ｘ及び列方向Ｙの両方に延びる間隙と平面的に重なるように設けられており、表示のコントラストを向上するためのブラックマスクとして機能する。
【００７５】
本実施形態では、図１３及び図１４に示すように、光反射膜６４に光散乱用の凹凸パターンを形成するための散乱樹脂膜６２に絶縁層の機能を持たせている。つまり、光反射膜６４が設けられた反射表示領域Ｒに所定膜厚の散乱樹脂膜６２を設けることにより、反射表示領域Ｒのところの液晶層１２の層厚ｔ０を薄く設定する。一方、光反射膜６４が設けられない透過表示領域Ｔには散乱樹脂膜６２を設けない、つまり絶縁層６２の膜厚をゼロにすることにより、透過表示領域Ｔのところの液晶層１２の層厚ｔ１をｔ０に比べて厚く、すなわちｔ１＞ｔ０に設定する。そして、これにより、反射表示領域Ｒで反射する外部光Ｌ０が液晶層１２を通過する光路長と、透過表示領域Ｔを透過する透過光Ｌ１が液晶層１２を通過する光路長とを等しく又は近づけている。
【００７６】
本実施形態では、絶縁層６２を形成しないで、すなわち絶縁層６２の膜厚をゼロにして、透過表示領域Ｔ同士を低い絶縁層６２で連結する領域Ｓを、透過表示領域Ｔとは別の領域であって、列方向Ｙに関して互いに隣り合うサブ画素領域Ｄ同士の境界部分に形成している。このことは、図７、図９、及び図１０に示した際の実施形態と同じである。このように、本実施形態においても、絶縁層６２の膜厚が低い連結領域Ｓを透過表示領域Ｔ同士の間に設けたので、絶縁層６２の上に配向膜６６ａを形成する際にその配向膜６６ａの材料の流動性を確保できる。また、連結領域Ｓ以外の部分には膜厚の厚い絶縁層６２を設けるようにしたので、その部分で反射して液晶層を２回通過する反射光の光路長を適切な長さに設定できる。
【００７７】
図１３に示すように、絶縁層６２を薄くして透過表示領域Ｔ同士を連結する領域Ｓは、列方向Ｙで隣り合うサブ画素領域Ｄ同士の間の間隙に設けられている。そして、この領域に対向する部分の対向基板、すなわちカラーフィルタ基板上には予め遮光膜７４が形成されている。領域Ｓは絶縁層６２の膜厚が薄くなって表示が乱れるおそれがある領域であるが、この領域を遮光膜７４によって外部から隠すことにより、表示品質が低下することを防止できる。また、遮光膜７４はサブ画素領域Ｄ同士の間の間隙から光が漏れるのを防止するためにブラックマスクとして形成されるものであって、連結領域Ｓを遮光するためにわざわざ設けたものではない。従って、本実施形態によれば、連結領域Ｓを遮光するために専用の遮光膜を設けなくて良いので、材料コスト及び製造コストを低く抑えることができる。
【００７８】
（液晶装置に関する他の実施形態）
図３において、反射表示領域Ｒに対応する絶縁層４８の膜厚を第１膜厚とし、透過表示領域Ｔに対応する絶縁層４８の膜厚を第２膜厚とし、行方向Ｘ（すなわち、図３の紙面垂直方向）に関して隣接する透過表示領域Ｔ同士の境界部分に設けられる連結領域Ｓの所の絶縁層４８の膜厚を第３膜厚とするとき、図３の実施形態では、第１膜厚を所定の膜厚に形成し、第２膜厚及び第３膜厚を膜厚ゼロに設定した。しかしながらこれは一例であって、第２膜厚と第３膜厚は、第１膜厚よりも薄くてゼロ以外の互いに等しい値、又は第１膜厚よりも薄くてゼロ以外の互いに異なった値にすることができる。
【００７９】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００８０】
図１５、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶装置１２１と、これを制御する制御回路１２０とを有する。制御回路１２０は、表示情報出力源１２４、表示情報処理回路１２５、電源回路１２６及びタイミングジェネレータ１２７によって構成される。そして、液晶装置１２１は液晶パネル１２２及び駆動回路１２３を有する。
【００８１】
表示情報出力源１２４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１２７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１２５に供給する。
【００８２】
次に、表示情報処理回路１２５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１２３へ供給する。ここで、駆動回路１２３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１２６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【００８３】
液晶装置１２１は、例えば、図１に示す液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、透過表示領域と反射表示領域との間での絶縁層を用いた液晶層の層厚調整機能を十分に達成できると共に、絶縁層の膜厚を反射表示領域と透過表示領域との間で異ならせた場合でもその絶縁層の表面に配向膜を均一な厚さに形成でき、それ故、半透過反射型の表示における反射型表示と透過型表示とを均一な表示品質且つ高い表示品質で行うことができる。従って、この液晶装置１を用いて構成された電子機器においても、その表示部において、反射型表示と透過型表示とを均一な表示品質且つ高い表示品質で行うことができる。
【００８４】
次に、図１６は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１３０は、本体部１３１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１３２とを有する。液晶装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１３３は、表示体部１３２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１３２において表示画面１３４によって視認できる。本体部１３１には操作ボタン１３６が配列されている。
【００８５】
表示体部１３２の一端部にはアンテナ１３７が伸縮自在に取付けられている。表示体部１３２の上部に設けられた受話部１３８の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１３１の下端部に設けられた送話部１３９の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１３３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１３１又は表示体部１３２の内部に格納される。
【００８６】
表示装置１３３は、例えば、例えば、図１に示す液晶装置１を用いて構成できる。この液晶装置１によれば、透過表示領域と反射表示領域との間での絶縁層を用いた液晶層の層厚調整機能を十分に達成できると共に、絶縁層の膜厚を反射表示領域と透過表示領域との間で異ならせた場合でもその絶縁層の表面に配向膜を均一な厚さに形成でき、それ故、半透過反射型の表示における反射型表示と透過型表示とを均一な表示品質且つ高い表示品質で行うことができる。従って、この液晶装置１を用いて構成された携帯電話機１３０においても、その表示部において、反射型表示と透過型表示とを均一な表示品質且つ高い表示品質で行うことができる。
【００８７】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に係る液晶装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に従った側面断面図である。
【図３】図２における画素部分を拡大して示す断面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線に従った断面図である。
【図５】図４のＣ−Ｃ線に従った平面断面図である。
【図６】カラーフィルタ基板上における各要素の積層状態を分解状態で分かり易く示す図である。
【図７】本発明に係る液晶装置の他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図８】図７のＤ−Ｄ線に従った断面図である。
【図９】図８のＥ−Ｅ線に従った平面断面図である。
【図１０】図７の実施形態で用いられるカラーフィルタ基板上における各要素の積層状態を分解状態で分かり易く示す図である。
【図１１】本発明に係る液晶装置のさらに他の実施形態の要部を示す断面図である。
【図１２】図１１のＦ−Ｆ線に従った断面図である。
【図１３】図１２のＧ−Ｇ線に従った平面断面図である。
【図１４】図１１の実施形態で用いられる素子基板上における各要素の積層状態を分解状態で分かり易く示す図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【図１７】従来の液晶装置の一例の要部を示す図である。
【図１８】従来の液晶装置の他の一例の要部を示す図である。
【符号の説明】
【００８９】
１．液晶装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ４．ＦＰＣ基板、
６．シール材、  ７．素子基板、  ７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、
８ａ．第２透光性基板、  １２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １４．導光体、
１９．データ線、  ２１．ＴＦＤ素子、  ２２．オーバーレイヤ（層間絶縁膜）、
２３．画素電極、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．コンタクトホール、
４１．樹脂層、  ４２．光反射膜、  ４３．着色要素、  ４４．遮光膜、
４５．遮光部、  ４６．オーバーコート層、  ４７．帯状電極、  ４８．絶縁層、
４９．凹凸パターン、  ６１．ＴＦＴ素子、  ６２．樹脂散乱膜（絶縁層）、
６３．画素電極、  ６４．光反射膜、  ６６ａ，６６ｂ．配向膜、  ６７．ゲート電極、
６７’．ゲート電極線、  ６８．ゲート絶縁膜、  ６９．半導体層、
７１．ソース電極、  ７１’．ソース電極線、  ７２．ドレイン電極、
７３．コンタクトホール、  ７４．遮光部材、  ７６．着色要素、
７７．オーバーコート層、  ７８．共通電極、  １２１．液晶装置、
１３０．携帯電話機、  Ｄ．サブ画素領域、  Ｇ．セルギャップ、  Ｌ０．外部光、
Ｌ１．透過光、  Ｒ．反射表示領域、  Ｓ．絶縁層を形成しない領域（絶縁層の膜厚をゼロにする領域）、  Ｔ．透過表示領域、  Ｖ．表示領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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