(57)【要約】【課題】  ディスク上のゴミや指紋等による汚れ等を検出し、それぞれに応じた制御信号をＰＬＬ回路に入力することで安定した再生ができる光ディスク装置を提供する。【解決手段】光ディスクからの全反射光量であるトータル信号をその強度に応じた３値以上の制御信号に変換することによって、ゴミ等の存在のようにRF信号レベルの低下が大きい場合には、従来通りPLL回路の動作ホールドを行い、また指紋等による汚れのようにRF信号レベルの低下が小さい場合は、PLL回路のゲインを切替えることで当該領域でのPLL回路の過敏な応答を防ぐ。【選択図】図３
2006228356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ピックアップRFアンプ部と、
光ピックアップRFアンプ部からのトータル信号強度を、３値信号であるトータル信号強度情報として取得するトータル信号強度情報取得部と、
前記光ピックアップRFアンプ部からのRF信号と、前記トータル信号強度情報取得部で取得したトータル信号強度情報と、に基づいて作動するＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部と、
を有する光ディスク装置。
【請求項２】
前記トータル信号強度情報取得部は、前記光ピックRFアンプ部からのトータル信号をその強さにより二つのスライスレベルでスライスして、二つのスライスレベルについてそれぞれのコンパレータ出力信号を生成するコンパレータ手段と、
前記コンパレータ手段が生成する二つのスライスレベルについてのコンパレータ出力信号に基づいて前記トータル信号強度情報を取得する３値化手段と、
を有する請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部は、前記トータル信号強度情報に基づいてＲＦ復調用ＰＬＬ回路の動作ホールド制御又はＰＬＬ回路のゲイン切替え制御を行う請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記トータル信号強度情報取得部は、３値信号であるトータル信号強度情報に代えて４値以上のトータル信号強度情報である第二トータル信号強度情報を取得する請求項１に記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに記録された情報を安定に再生することを目的とした光ディスク装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光ディスク装置では、光ディスク表面上にゴミが存在する場合、ゴミの存在する領域のトータル信号の低下を検出し、ＰＬＬ回路の動作をホールドすることで、当該領域のＰＬＬ回路の異常応答を回避し、光ディスク上に記録された情報の安定した再生が行われている。
【０００３】
図１１は、光ディスク表面上のゴミの存在を検出し、ＰＬＬ回路の異常応答を回避する機能を有する従来の光ディスク装置の構成を示す。
【０００４】
図１１に示すように、光ディスク装置は、まず、モータ制御回路（１１０１）の制御を受けているスピンドルモータ（１１０２）により光ディスク（１１０３）を回転駆動し、次に、光ピックアップRFアンプ部（１１０４）で集光した光ビームを、サーボ制御回路（１１０５）の働きで光ディスク上の情報記録面にフォーカスするように制御しながら、また同時に光ディスク上の所定のトラック位置を追随するように制御しながら、光ディスク面に照射し、さらに、光ディスクから反射した光より記録情報信号であるＲＦ信号と、光ディスク上の全反射光量であるトータル信号を取り出し、続いて、ＲＦ信号を2値化回路（１１０６）で2値化信号に変換し、また、PLL回路（１１０７）において2値化信号から基準クロックを抽出し、復調回路（１１０８）でこの基準クロックに基づいて復調を行っている。PLL回路内において光ディスク装置は、まず、位相比較器（１１０９）で前記2値化回路より入力される2値化信号と電圧制御発振器（以下、ＶＣＯとする）（１１１２）の出力信号とを比較してその位相差に対応する信号を出力し、次に、チャージポンプ（１１１０）でその位相差信号に応じた電流を出力し、続いて、ローパスフィルタ（以下、ＬＰＦとする）（１１１１）により低域成分のみを通過させてＶＣＯに出力し、最後にＶＣＯでは入力電圧に比例した周波数でPLLクロックを発振する。このＰＬＬクロックが、2値化データを復調する際に検出用のクロックとなる。
【０００５】
一方で、光ディスク装置は、前記トータル信号をコンパレータ（１１１３）によって所定のスライスレベルでスライスし、そのデータをスライス信号として生成した後、サーボコントローラ（１１１４）に出力し、サーボコントローラで制御信号に加工して、PLL回路のチャージポンプに供給している。
【０００６】
ここで、光ディスク上に存在するゴミによって、RF信号がほとんど生成されないような場合には、当該領域で低下するトータル信号に基づく制御信号によって、PLL回路が動作ホールドされる。PLL回路の動作ホールドにより、チャージポンプの出力電流がオープンとなり、ゴミの存在する領域でのVCOの過敏な応答を防止している。このような機能により、従来の光ディスク装置は、光ディスク表面のゴミによるPLL回路の異常応答を回避し、安定した再生ができるようにしている。
【特許文献１】特開平１０−１６２３６４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、指紋等による汚れのように、ゴミに比べてＲＦ信号の低下が小さい場合には、その領域のトータル信号の低下も検出されないためにＰＬＬ回路の動作ホールドが行われない。その結果、指紋等による汚れの領域においては、2値化信号の再生品質が低いRF信号に起因して悪化し、ＰＬＬ回路が異常応答するために再生性能の安定化が図れないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、かかる実情に鑑み、トータル信号をその強度に応じた３値以上の制御信号にすることによって、ゴミやディスク表面上のキズ（以下、ゴミ等とする）のように、それらの存在する領域ではRF信号レベルが生成されないかあるいはその低下が大きい場合には、従来通りPLL回路の動作ホールドを行い、また指紋等による汚れのようにRF信号レベルの低下が小さい場合は、PLL回路のゲインを切替えることで当該領域でのPLL回路の過敏な応答を防ぐ機能を備え、ディスク上の様々なゴミや指紋による汚れ等に対応した安定な再生ができる光ディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のようにトータル信号をその強度に応じた３値以上の制御信号にすることで、PLL回路に対して多様な制御を行うことが可能となる。例えば、指紋等による汚れのようにRF信号レベルの低下が小さい場合であっても当該レベルに応じた制御信号をPLL回路に入力し、PLL回路のゲインを下げる等によって当該領域でのPLL回路の過敏な応答を防ぐことで、ディスク上の様々なゴミ等や指紋等による汚れに対応した安定した再生を行うことが可能な光ディスク装置の提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、各発明を実施するための最良の形態を説明する。なお、本発明はこれらの実施の形態に何ら限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々なる様態で実施しうる。なお、実施形態１は、主に請求項１等について説明する。また、実施形態２は、主に請求項２等について説明する。また、実施形態３は、主に請求項３等について説明する。また、実施形態４は、主に請求項４等について説明する。
【００１１】
<<実施形態１>>
【００１２】
<実施形態１：概要>  本実施形態の光ディスク装置は、従来の光ディスク装置を基本として、光ピックアップＲＦアンプ部からのトータル信号強度に応じて３値信号化したものをトータル信号強度情報とし、当該情報に基づいた制御信号によってＰＬＬ回路が作動することを特徴とする光ディスク装置である。従来の光ディスク装置においては、２値化されたトータル信号強度情報によってＰＬＬ回路の動作が制御されていた。本発明によりトータル信号強度情報を３値信号にすることで、ＰＬＬ回路に対する制御がより多様に行える。
【００１３】
<実施形態１：構成>  本実施形態における光ディスク装置の機能ブロック図の一例を図１に示した。実施形態１の光ディスク装置は、「光ピックアップRFアンプ部」（０１０１）と、「トータル信号強度情報取得部」（０１０２）と、「ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部」（０１０３）と、を有する。
【００１４】
「光ピックアップRFアンプ部」（０１０１）は、光ディスク（０１０４）上に光ビームを照射し、光ディスクにより反射された光を受光してRF信号とトータル信号と生成し、出力する部である。光ピックアップRFアンプ部は、光ピックアップとＲＦアンプを有している。「光ピックアップ」は、光ディスク上に光ビームを照射し、反射した光を受光した後、再生ＲＦ信号、およびトータル信号を生成する機能を有する。「再生ＲＦ信号」は、光ディスクからの反射光を受光素子で検出し、電流に変換した信号であり、光ディスク上に記録された情報としての再生信号に相当する。「トータル信号」は、光ディスクからの全反射光量を、電流に変換した信号をいう。また、「トータル信号強度」とはトータル信号の強度であり、当該トータル信号の電圧値、あるいは当該トータル信号の大きさを表すディジタル情報等が該当する。したがって、ディスク上にゴミ等や傷や指紋等による汚れが存在する領域では、トータル信号強度は低下する。「RFアンプ」は、前記光ピックアップで検出された再生ＲＦ信号を演算処理してＲＦ信号を生成する機能を有する。「RF信号」は、前記光ピックアップで生成された再生ＲＦ信号を電圧変換した信号である。
【００１５】
「トータル信号強度情報取得部」（０１０２）は、前記光ピックアップRFアンプ部からのトータル信号を、３値信号であるトータル信号強度情報として取得する部である。当該トータル信号強度情報取得部は、トータル信号の値に応じて３分割した後、それぞれの分割領域に対して３値信号化したトータル信号強度情報を取得し、制御信号を出力する回路から構成されている。「３値信号」は、前記トータル信号強度をその値に応じて３分割した後、信号化したものである。例えば、トータル信号強度をその値に応じて「ある一定範囲」と、「当該一定範囲以上」、「当該一定範囲以下」に３分割した場合、それぞれを「０」、「１」「−１」等の３値に変換した信号が該当する。ただし、トータル信号強度の分割方法については問わない。前記トータル信号強度が、当該３値信号化された情報を「トータル信号強度情報」という。なお、「制御信号」とは、前記トータル信号強度情報に基づいて、前記ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部に対して出力される信号である。制御信号は、前記３値信号であるトータル信号強度情報に基づく３つの信号のうち、２以上を出力するようにしてもよい。例えば、後述の図５のAで示すトータル信号強度がゴミ等や指紋などによる汚れのない通常のレベルにある場合のように、当該トータル信号強度情報取得部がＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部に対して特に制御をする必要の無い場合には、当該トータル信号強度に応じたトータル信号強度情報に基づく制御信号は、出力されなくてもよい。
【００１６】
「ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部」（０１０３）は、前記光ピックアップRFアンプ部からのＲＦ信号と、前記トータル信号強度情報取得部で取得したトータル信号強度情報と、に基づいて作動する部である。当該ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部は、RF信号から再生用の基準クロックを抽出した後、復調用信号を復調回路に出力する機能を有する。当該ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部は、２値化回路（０１０５）と、ＰＬＬ回路（０１０６）によって構成されている。「２値化回路」（０１０５）は、光ディスクから読み出されたＲＦ信号より波形の立ち上がりと立ち下がりのエッジを取り出し、エッジの有無により２値化信号を生成する回路である。「ＰＬＬ回路」（０１０６）は、前記２値化回路から取得した2値化信号と、ＶＣＯからの出力信号の位相差を検出し、当該位相が同位相となるように、フィードバック制御をかけて信号を発振させる回路である。当該PLL回路によって正確に同期した信号を発振することが可能となる。本実施形態におけるPLL回路の構成と内部動作について以下で、説明をする。当該PLL回路は、位相比較器（０１０７）、チャージポンプ（０１０８）、ＬＰＦ（０１０９）、ＶＣＯ（０１１０）から構成される。  「位相比較器」（０１０７）は、2値化回路からの取得した２値化信号と、ＶＣＯからの出力信号との位相差を比較し、当該二つの信号の位相差成分を位相差信号として出力する機能を有する。「チャージポンプ」（０１０８）はコンデンサを適用した電圧変換器であって、前記位相比較器からの位相差信号を取得し、当該位相差信号に応じた電流を出力する機能を有する。また、当該チャージポンプは、前記トータル信号強度情報取得部より出力された２以上の制御信号を取得し、当該制御信号に基づいて出力電流を切替えることで、ＰＬＬ回路の動作を制御する機能を有する。本実施形態のチャージポンプは、従来の光ディク装置のＰLＬ回路と異なり、出力電流の２段階の切替えが可能となっていることを特徴とする。「ＬＰＦ」（０１０９）は、前記チャージポンプから出力された電流のうち高域周波数成分を減衰させ、低域周波数成分のみを通過させる電気的フィルターである。「ＶＣＯ」（０１１０）は、前記ＬＰＦから出力された電圧に比例した周波数でPLLクロックを発振する機能を有する。位相比較器からの出力信号が、チャージポンプ、ＬＰＦを介して当該ＶＣＯを制御することで、前記２値化回路から取得した2値化信号の位相に同期させる。こうして発信されたＰＬＬクロックは、２値化信号を復調する際の基準クロックとして用いられる。
【００１７】
<実施形態１：処理の流れ>  図２に示すのは、本実施形態における処理の流れの一例を表すフローチャートである。まず、光ピックアップRFアンプ部から光ディスク上に光ビームを照射する（光ビーム照射ステップ  Ｓ０２０１）。次に、光ピックアップRFアンプ部にて光ディスクにより反射された光を受光する（反射光受光ステップ  Ｓ０２０２）。続いて、前記反射光受光ステップで受光した光を、RF信号としてＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部に出力する（RF信号出力ステップ  Ｓ０２０３）。さらに、前記反射光受光ステップで受光した光を、トータル信号としてトータル信号強度情報取得部に出力する（トータル信号出力ステップ  Ｓ０２０４）。また、前記トータル信号出力ステップで出力されたトータル信号を、トータル信号強度情報取得部にて取得する（トータル信号取得ステップ  Ｓ０２０５）。次に、取得したトータル信号をその強度に応じて３値信号化し、トータル信号強度情報を取得する。（トータル信号強度情報取得ステップ  S０２０６）。続いて、前記トータル信号強度情報取得ステップで取得されたトータル信号強度情報に基づき、制御信号を取得する（制御信号取得ステップ  Ｓ０２０７）。さらに、前記制御信号生成ステップで取得された制御信号をＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部のＰＬＬ回路に出力する（制御信号出力ステップ  S０２０８）。それから、前記ＲＦ信号出力ステップで出力されたＲＦ信号を、ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部の２値化回路にて取得する（ＲＦ信号取得ステップ  Ｓ０２０９）。次に、ＲＦ信号取得ステップで取得したＲＦ信号を２値化回路にて２値化信号に変換する（２値化信号変換ステップ  Ｓ０２１０）。続いて、ＰＬＬ回路の位相差比較器内で、前記２値化信号変換ステップで生成された２値化信号と、ＰＬＬ回路のＶＣＯからの出力信号とを取得し、当該二つの信号の位相差に基づいて位相差信号を生成する（位相差信号生成ステップ  Ｓ０２１１）。そして、前記制御信号出力ステップで出力された制御信号をＰＬＬ回路にて取得する（制御信号取得ステップ  Ｓ０２１２）。それから、前記制御信号取得ステップで取得された制御信号に基づき、チャージポンプからの出力電流の切替えを行う（出力電流切替えステップ  Ｓ０２１３）。次に、前記位相差信号生成ステップで生成された位相差信号を取得し、当該位相差信号と、前記出力電流切替えステップでの出力電流の切替えと、に応じた電流をチャージポンプより出力する（チャージポンプ電流出力ステップ  Ｓ０２１４）。続いて、前記チャージポンプ電流出力ステップで出力された電流の高域成分をローパスフィルタにて除去する（高域成分除去ステップ  Ｓ０２１５）。最後に、ＶＣＯにおいて前記高域成分除去ステップから入力される電圧に比例した周波数でPLLクロックを復調回路に発振する（ＰＬＬクロック発振ステップ  S０２１６）。
【００１８】
<実施形態１：効果の簡単な説明>
従来の光ディスク装置においては、主に２値化されたトータル信号強度情報によってＰＬＬ回路の作動が制御されていた。本発明によりトータル信号強度情報を３値信号にすることで、ＰＬＬ回路に対する制御がより多様となる。
【００１９】
<<実施形態２>>
【００２０】
<実施形態２：概要>実施形態２の光ディスク装置は、実施形態１を基本として、トータル信号強度情報取得部において、トータル信号をその強さにより二つのスライスレベルでスライスして、その結果に基づいて３値化の信号を取得することを特徴とする光ディスク装置である。
【００２１】
<実施形態２：構成>本実施形態における光ディスク装置の機能ブロック図の一例を図３に示した。この図にあるように、本実施形態の光ディスク装置は、実施形態１を基本として、「光ピックアップRFアンプ部」（０３０１）と、「トータル信号強度情報取得部」（０３０２）と、「ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部」（０３０３）と、を有する。本実施形態は、その特徴としてトータル信号強度情報取得部が、「コンパレータ手段」（０３０４）と、「３値化手段」（０３０５）と、をさらに有する。なお、本実施形態において「光ピックアップRFアンプ部」と「ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部」の機能の説明については、実施形態１と同様であるので省略する。以下で、「トータル信号強度情報取得部」のうち、本実施形態において特徴的な点について説明する。
【００２２】
「コンパレータ手段」（０３０４）は、前記光ピックRFアンプ部からのトータル信号をその強さにより二つのスライスレベルでスライスして、それぞれのスライスレベルについてのコンパレータ出力信号を生成する手段である。
【００２３】
当該コンパレータ手段は、例えば、二つのコンパレータ（コンパレータα  ０３０６、およびコンパレータβ  ０３０７）によって構成されており、各コンパレータが異なるスライスレベルでトータル信号をその強度に基づいてスライスする。各コンパレータは、自己に設定されたスライスレベルと当該スライスレベルでスライスされたトータル信号強度とを比較し、当該スライスされたトータル信号強度が当該スライスレベルに対して高いか、あるいは低いかの比較結果からコンパレータ出力信号を生成する。「コンパレータ出力信号」は、当該比較された結果に基づいて生成される信号である。例えば、スライスされたトータル信号強度が、当該トータル信号強度をスライスするスライスレベルより高い場合は「ＯＶＥＲ」、低い場合は「ＵＮＤＥＲ」等のコンパレータ出力信号を各コンパレータの比較結果から生成するようにしてもよい。
【００２４】
当該二つのスライスレベルは、例えば、ディスク上のゴミ等に対応して低下するトータル信号レベルと、指紋等による汚れに対応して低下するトータル信号レベルと、をそれぞれ想定して定めてもよい。具体的な一例としては、図４で示すように、コンパレータαは、ディスク上のゴミ（０４０１）に対応する低いレベルでトータル信号をスライスする（スライスレベル１：以下、ＳＬ１とする）（０４０３）。また、コンパレータβは、指紋等による汚れ（０４０２）に対応する低いレベルでトータル信号をスライスする（スライスレベル２：以下、ＳＬ２とする）（０４０４）。ここで、ＳＬ２はＳＬ１よりも高いが、ゴミ等や汚れのない場合の通常のトータル信号強度のレベル（０４０５）よりも低いレベルである。
【００２５】
「３値化手段」（０３０５）は、前記コンパレータ手段が生成する二つのスライスレベルについてのコンパレータ出力信号に基づいて前記３値信号であるトータル信号強度情報を取得する手段である。例えば、図５で示すように前記コンパレータ手段においてＳＬ１、ＳＬ２のそれぞれで生成されたコンパレータ出力信号の組み合わせは、図４のＡ、Ｂ、Ｃの各時点に代表されるように、「ＳＬ１：ＳＬ２」がそれぞれ「ＯＶＥＲ：ＯＶＥＲ」、「ＯＶＥＲ：ＵＮＤＥＲ」、「ＵＮＤＥＲ：ＵＮＤＥＲ」の３通りである。したがって、当該組み合わせのそれぞれに対して「０」、「１」、「２」等のように３値信号化してもよい。前記コンパレータ出力信号が３値信号化された情報を「トータル信号強度情報」という。当該トータル信号強度情報に基づいて、前記ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部に対して出力される信号を「制御信号」と言う。
【００２６】
本実施形態におけるトータル信号強度情報取得部は、制御信号をＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部のＰＬＬ回路へ出力する際に、当該制御信号の送出を所定の期間延長することもできる。図６にその一例を挙げて説明する。まず、ｃ（０６０６）のようにトータル信号強度のレベルが再生に影響を与えない程度の低下であれば、当該低下に対してＰＬＬ回路が過敏に反応することを防止する必要がある。そこで、トータル信号強度がゴミ等や指紋等による汚れのない通常のレベル（０６０１）から低下し、ＳＬ２（０６０２）を横切る場合であっても、当該ＳＬ２を横切る時点（ｄ点：０６０７）から所定の期間であるＤＬＹ１（０６１１）は、ゴミ等や指紋等による汚れのない通常のトータル信号強度のレベルと同じ制御信号（例えば、前記「０」）を出力することができる。あるいは、ＤＬＹ１は制御信号を出力しないようにしてもよい。ＤＬＹ１は、トータル信号強度が低下した際にゴミ等や指紋等による汚れと判断されうる期間であって、実際にトータル信号強度がゴミ等や指紋等による汚れによって低下するまでのタイムラグを表す。ただし、ゴミ等の存在に基づくトータル信号の低下であるb（０６０５）における立ち下がりのように、トータル信号強度がＳＬ２を横切った後、さらに低下してＳＬ１を横切る場合には、ＤＬＹ１の期間内であっても、ＳＬ１を横切る時点（e点：０６０８）からはゴミ等が存在する場合の制御信号（例えば、前記「２」）を出力できる。これによって、指紋等による汚れに基づくトータル信号の低下であるａ（０６０４）やｂの場合には、それらに応じた適切な制御信号が送出されるが、誤差範囲内のトータル信号の低下であるｃの場合には、ＰＬＬ回路への頻繁な制御信号を出力しないようにすることができる。逆に、前記bにおける立ち上がりのようにＳＬ１を一度横切ったトータル信号強度が、逆方向に転じて再びＳＬ１を横切る場合には当該再びＳＬ１を横切る時点（ｆ点：０６０９）からＤＬＹ２（０６１２）の期間は、ゴミ等が存在する場合の制御信号（例えば、前記「０」）を延長して出力することができる。ここでＤＬＹ２とは、前記ｆ点からゴミ等や指紋等による汚れのない通常のトータル信号強度のレベル（０６０１）に復帰するまでに要するであろう一般的な期間を言う。このような延長時間を設定することで、例えばゴミ等の存在する領域を通過した後に、トータル信号強度のレベルが異常の無いほぼ元のレベルに復帰するまでの時間を確保することができる。
【００２７】
<実施形態２：処理の流れ>図７に示すのは、本実施形態における処理の流れの一例を表すフローチャートである。本実施形態は、トータル信号出力ステップで出力されたトータル信号を、トータル信号強度情報取得部にて取得するトータル信号取得ステップ（Ｓ０７０５）までが実施形態１のトータル信号取得ステップ（Ｓ０２０５）と同様であることから省略する。本実施形態では、さらに、トータル信号強度情報取得部のコンパレータ手段にて、取得したトータル信号をその強さによって異なる二つのスライスレベルでスライスする（トータル信号強度スライスステップ  S０７０６）。次に、前記トータル信号強度スライスステップでスライスしたトータル信号強度の結果を比較し、コンパレータ出力信号を生成する（コンパレータ出力信号生成ステップ  S０７０７）。続いて、前記コンパレータ出力信号生成ステップでのコンパレータ出力信号に基づいてトータル信号を３値信号化し、トータル信号強度情報を取得する。（トータル信号強度情報取得ステップ  S０７０８）。これ以降は、再び実施形態１の制御信号取得ステップ（Ｓ０２０７）以降と同様であるので、省略する。
【００２８】
<実施形態２：効果の簡単な説明>本実施形態により、前記コンパレータ手段における二つのスライスレベルを、ディスク上のゴミ等に対応して低下するトータル信号レベルと、指紋等による汚れに対応して低下するトータル信号レベルと、にそれぞれ想定して定めることで、光ディスク上のゴミ等の存在と指紋等による汚れを区別し、それぞれに応じた制御信号をPLL回路に出力することができる。
【００２９】
<<実施形態３>>
【００３０】
<実施形態３：概要>本実施形態の光ディスク装置は、実施形態２を基本として、ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部が、トータル信号強度情報に基づいてＰＬＬ回路の動作ホールド制御又はＰＬＬ回路のゲイン切替え制御を行うことを特徴とする光ディスク装置である。
【００３１】
<実施形態３：構成>本実施形態における光ディスク装置の機能ブロック図の一例は、実施形態２の一例である図３と同様であるので、省略する。ただし、本実施形態の場合、その特徴としてＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部のＰＬＬ回路において、トータル信号強度情報に基づいてＲＦ復調用ＰＬＬ回路の動作ホールド制御又はＰＬＬ回路のゲイン切替え制御を行う機能を有する。「ＰＬＬ回路の動作ホールド」とは、ＰＬＬ回路のフィードバック制御を一時的に停止することである。「ＰＬＬ回路のゲイン切替え」とは、PLL回路のチャージポンプからの出力電流の値を加減することによって、PLL回路のゲインを０％、または１００％以外に切替えてコントロールできるようにすることである。当該出力電流の値を加減により、入力されるＲＦ信号レベルに応じた適切な電圧をＶＣＯに出力することが可能となる。これによって、ゴミ等や指紋等による汚れに基づくＲＦ信号レベルの低下時において、ＰＬＬ回路の過敏な応答を防止することが可能となる。本実施形態では、トータル信号強度情報に基づく制御信号により、ＰＬＬ回路に対してそれぞれ異なる動作モードを与えることができる。例えば、トータル信号強度情報が前記「３値化手段」で生成された「０」、「１」、「２」の３値信号である場合、トータル信号強度情報「０」に基づく制御信号は、ノーマルゲインの制御信号としてPLL回路を動作制御するようにしてもよい。なお、ノーマルゲインの場合は、制御信号をＰＬＬ回路に出力しなくてもよい。また、トータル信号強度情報「１」に基づく制御信号は、ローゲインの制御信号としてPLL回路ゲイン切替え制御を行うようにしてもよい。具体的には、当該制御信号によって前記チャージポンプからの出力電流を下げることが該当する。これによって、ＲＦ信号が低下した際にＶＣＯの過敏な応答を防止することができる。ローゲインからノーマルゲインへのゲイン切替えは、ＰＬＬ回路への制御信号「１」の入力がなくなったときに行われてもよいし、制御信号「１」に代わって、制御信号「０」が新たにＰＬＬ回路へ入力されたときに行われてもよい。また、トータル信号強度情報「２」に基づく制御信号は、ホールドの制御信号としてPLL回路の動作ホールドするようにしてもよい。具体的には、当該制御信号によって前記チャージポンプからの出力電流をオープンにする。これによって、ゴミ等でＲＦ信号が生成されない場合のＶＣＯの異常応答を防止することができる。ホールドの解除は、制御信号「２」のＰＬＬ回路への入力がなくなったときに行われてもよいし、制御信号「２」に代わって、制御信号「０」が新たにＰＬＬ回路へ入力されたときに行われてもよい。
【００３２】
<実施形態３：処理の流れ>図８に示すのは、本実施形態におけるＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部の処理の流れの一例を表すフローチャートである。本実施形態は、光ピックアップＲＦアンプ部とトータル信号強度取得部の各ステップと、ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部における制御信号取得ステップ（Ｓ０８０４）までが実施形態２の制御信号取得ステップ（Ｓ０７１４）と同様であるので省略する。本実施形態ではさらに、前記制御信号取得ステップで取得された制御信号に基づき、ＰＬＬ回路の制御を判断する（制御判断ステップ  Ｓ０８０５）。まず、ＰＬＬ回路の動作ホールドの制御信号を取得した場合は、ＰＬＬ回路の動作ホールドをする（ＰＬＬ動作ホールドステップ  Ｓ０８０６）。続いて、チャージポンプの出力電流をオープンにする（チャージポンプ出力オープンステップ  Ｓ０８０７）。また、ＰＬＬ回路のゲイン切替えの制御信号を取得した場合は、チャージポンプからの出力電流の切替えを行う（出力電流切替えステップ  Ｓ０８０８）。続いて、切替えに応じた電流をチャージポンプから出力する（切替え電流出力ステップ  Ｓ０８０９）。さらに、トータル信号強度情報がゴミ等や指紋等による汚れに基づく異常のない通常のトータル信号であること示す制御信号である場合、あるいはＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部からの制御信号が入力されない場合は、前記位相差信号に応じた電流をチャージポンプから出力する（電流出力ステップ  Ｓ０８１０）。これ以降は、再び実施形態２と同様であるので、その説明を省略する。
【００３３】
<実施形態３：効果の簡単な説明>本実施形態により、ＰＬＬ回路のホールドやゲインの切替えを行うことにより、ゴミ等により低下するトータル信号レベルと、指紋等による汚れに基づいて低下するＲＦ信号レベルに応じたPLL回路の過敏な応答による再生性能の悪化を防ぎ、安定した再生を行うことができる。
【００３４】
<<実施形態４>>
【００３５】
<実施形態４：概要>  実施形態４の光ディスク装置は、実施形態１を基本として、光ピックアップＲＦアンプ部からのトータル信号をその強度に応じて４値以上に信号化する。それをトータル信号強度情報とし、当該情報に基づいた制御信号によってＰＬＬ回路の作動を行うことでＰＬＬ回路の作動制御を３値信号よりもさらに多様に行うことを特徴とする光ディスク装置である。
【００３６】
<実施形態４：構成>  本実施形態における光ディスク装置の機能ブロック図の一例を図９に示した。本実施形態の光ディスク装置は、実施形態１を基本としている。したがって、実施形態１と同様の構成に関しては、その説明を省略する。本実施形態では、その特徴としてトータル信号強度情報取得部が、実施形態１では３値信号であるトータル信号強度情報に代えて第二トータル信号強度情報を取得する。「第二トータル信号強度情報」は、トータル信号の強度に応じてそれらを４値以上の信号化したトータル信号強度情報である。例えば、トータル信号をその強度に応じて４分割した場合、それぞれの領域内の信号を「０」、「１」、「２」、「３」、「４」等の４値に変換した信号が該当する。ただし、トータル信号強度の分割方法については問わない。
【００３７】
<実施形態４：処理の流れ>  図１０に示すのは、本実施形態における処理の流れの一例を表すフローチャートである。本実施形態における処理の流れは、前記図２で示した実施形態１の処理の流れを基本とする。したがって、実施形態１と同様の処理の流れに関しては、その説明を省略する。本実施形態の特徴は、トータル信号取得ステップ（Ｓ１００５）において、取得したトータル信号をその強度に応じてＮ（Ｎは４以上の自然数）値の信号化し、第二トータル信号強度情報を取得する（第二トータル信号強度情報取得ステップ  S１００６）点である。続く、前記第二トータル信号強度情報取得ステップで取得された第二トータル信号強度情報に基づき、制御信号を生成するステップ（制御信号生成ステップ  Ｓ１００７）以降は、再び実施形態１の制御信号生成ステップ（Ｓ０２０７）以降と同様である。
【００３８】
<実施形態４：効果>  従来の光ディスク装置においては、主に２値化されたトータル信号強度情報によってＰＬＬ回路の作動が制御されていた。本発明によりトータル信号強度情報を４値以上の信号にすることで、ＰＬＬ回路に対する制御が実施形態１よりもさらに多様となる。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
ディスク上の様々なゴミ等や汚れ等に対応し、安定した再生を行うことが可能な光ディスク装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明における実施形態１の機能ブロック図
【図２】本発明における実施形態１のフローチャート
【図３】本発明における実施形態２の機能ブロック図
【図４】実施形態２における二つのスライスレベルの設定
【図５】実施形態２の３値化手段における３値信号化
【図６】実施形態２における制御信号送出期間の延長
【図７】本発明における実施形態２のフローチャート
【図８】本発明における実施形態３のＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部でのフローチャート
【図９】本発明における実施形態４の機能ブロック図
【図１０】本発明における実施形態４のフローチャート
【図１１】従来の光ディスク装置の機能ブロック図
【符号の説明】
【００４１】
０１０１光ピックアップRFアンプ部
０１０２トータル信号強度情報取得部
０１０３ＲＦ復調用ＰＬＬ回路システム部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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