(57)【要約】【課題】  ブラインドバイアホールとラウンドとの位置ズレがなく、容易に高密度配線化を図ることができるプリント配線板の提供。【解決手段】  配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、絶縁層の表面に積層されている金属箔をエッチング処理することによって、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板であって、当該ブラインドバイアホールは、当該ブラインドバイアホールと接続される上層側の配線パターンと位置ズレなく形成されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】
当該ブラインドバイアホールを形成するための非貫通孔が、当該上層側の配線パターン形成の際に設けられたウインドウ部を有するラウンドをマスクとしたレーザ加工により形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、当該ブラインドバイアホール及びその他のバイアホールを形成する際に穿孔された孔内とその孔周縁に設けられたラウンド上にのみ形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項４】
当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板。
【請求項５】
配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、絶縁層の表面に積層されている金属箔をエッチング処理することによって、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法。
【請求項６】
配線パターンの形成後に、少なくとも当該配線パターンの非形成部に無電解めっきを析出させる工程を有することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも析出させることを特徴とする請求項５又は６に記載のプリント配線板の製造方法。
【請求項８】
配線パターン形成後に、少なくとも当該配線パターンの表側面に、当該ブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なるバリア金属層を形成することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプリント配線板とその製造方法に関し、特に、高密度配線化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線板の回路形成方法は、銅箔などの金属箔上にエッチングレジストパターンを形成し、当該エッチングレジストパターンから露出している金属箔をエッチング処理して配線パターンを形成するサブトラクティブ法と、回路と逆パターンのめっきレジストを形成し、当該めっきレジスト開口部にめっきを析出させて配線パターンを形成するアディティブ法の２つに大別される。
【０００３】
サブトラクティブ法はアディティブ法と比較して製造工程が容易なことから、非常に安価に製造することが可能であるが、スルーホール及びブラインドバイアホール等の形成の際、絶縁基板全体に無電解めっき及び電解めっき処理を施す必要があるため、エッチングする導体厚さ（金属箔＋めっき）が非常に厚くなり、良好な回路形成が困難であった。特に、パターン幅／パターン間隙＝７５μm／７５μm以下の微細配線パターンの形成には不向きな工法であった。
【０００４】
これに対してアディティブ法は、微細配線パターン形成には有利であるが、絶縁層にめっきを析出して配線パターンを形成するため、サブトラクティブ法のように、元から絶縁層に金属箔が積層された絶縁基板を加工するのと比較して、配線パターンの密着性に劣る等の不具合を有していた。
【０００５】
更に、プリント配線板の設計上、配線パターンは基板面内に不均一に形成されるため、アディティブ法のように、選択めっきで配線パターンを形成すると、配線パターンが粗な部分では必要以上に電流が集中し、配線パターンの厚みばらつきが大きくなる結果、インピーダンス整合がとりにくいなどの不具合も有していた。
【０００６】
このような不具合を解決するものとして、本発明者は、図６（当該図６は、レーザ加工及び露光工程において位置ズレがない状態を示している）に示した如き構成のプリント配線板の製造方法を発明し、当該発明は既に特許公開されている（特許文献１参照）。
【０００７】
図６は、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を示したもので、まず、図６（ａ）に示したように、内層に形成された下層配線パターン３の形成層上に絶縁層１と銅箔等の金属箔２を順次積層し（例えば樹脂付き銅箔を積層する）、次いで、レーザ照射により、下層配線パターン３に達する非貫通孔７を穿孔する（図６（ｂ）参照）。
【０００８】
次に、当該非貫通孔７のデスミア処理を行った後、図６（ｃ）に示したように、置換型の無電解めっき処理により、金属箔２の表側面と非貫通孔７から露出した下層配線パターン３の表面にバリア金属層６（例えばＮｉ−ＢやＮｉ−Ｐ等）を形成する。
【０００９】
次に、非貫通孔７を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成した後、電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行うことによって、非貫通孔７にめっき８を充填するとともに外層にも当該めっき８を析出させる（図６（ｄ）参照）。
【００１０】
次に、図６（ｅ）に示したように、ブラインドバイアホール１０とそのラウンド部（以降これを「めっきラウンド８ａ」と呼ぶことにする）のパターン形成を行った後、図６（ｆ）に示したように、外層に露出しているバリア金属層６をエッチング除去し、次いで、露出した金属箔２に回路形成を行うことによって、外層に上層配線パターン４が形成された図６（ｇ）のプリント配線板Ｐａを得る。
【００１１】
このようにブラインドバイアホールにめっきを充填する際、外層にもめっきを析出させるようにしたため、ブラインドバイアホールの形成部のみにめっきを析出させる場合と比較して、安定してブラインドバイアホールにめっきを充填することができるとともに（めっきを析出させるエリアの粗密によるめっき析出量のばらつきが解消できる）、元から絶縁層に積層されている金属箔をエッチングして配線パターンを形成するようにしたため、当該絶縁層に対する配線パターンの密着性も確保できるというものである。更に、金属箔がバリア金属層で保護されていることから一定の厚みを確保することができるため、微細配線パターン（図中の上層配線パターン４に相当）を容易に形成できるというものである。
【００１２】
しかし上記構成においては、非貫通孔７を穿孔する際のレーザ加工、めっきラウンド８ａ及び金属箔ラウンド２ａ（図６（ｇ）に示した金属箔２の回路形成を行って得られる最外周のラウンド）の形成の際の露光工程の計３回の加工を要するため、全てのアライメント精度を考慮するとラウンド径（上記金属箔ラウンド２ａに相当）がかなり大きくなってしまい、高密度配線化の妨げとなっていた（これは金属箔に予めレーザ加工用のウインドウ部をエッチング加工してから非貫通孔を穿孔する工法においても同様である）。
【００１３】
簡単に説明すると、金属箔２上から直接レーザ加工を行っているため、レーザ加工機の加工精度上、基準点から片側２０μｍ（直径４０μｍ）程度の範囲の位置ズレが発生してしまうため、後にめっき８をエッチングしてめっきラウンド８ａを形成する場合、上記位置ズレ量を考慮して形成しなければならない。
【００１４】
即ち、図７（ａ）は図６（ｂ）の工程で穿孔した非貫通孔７を上面から見た場合の平面図を示したものであるが、当該非貫通孔７が基準の位置だとすると、点線で示した範囲内（非貫通孔７の径Ｌ１より直径４０μｍ大きい範囲）で位置ズレが発生することになる。
【００１５】
従って、めっきラウンド８ａから非貫通孔7がはみ出さないように当該めっきラウンド８ａを形成するには、図示しないエッチングレジストパターン形成の際の露光精度（例えば基準点から片側２０μｍ（直径４０μｍ）の範囲の位置ズレ）も考慮すると、図７（ｂ）（図６（ｅ）を上面から見た場合の平明図）に示したように、非貫通孔７の径より片側４０μｍ（直径で８０μｍ）大きい径Ｌ２（めっきラウンド８ａの径）で形成しなければならないため、最外周の金属箔ラウンド２ａの径Ｌ３を非常に大きく設定しなければならなかった。｛図７（ｃ）（図６（ｇ）を上面から見た場合の平面図）は、めっきラウンド８ａが金属箔ラウンド２ａからはみ出すことがないように形成する場合を示したもので、この場合も露光精度を考慮しなければならないため、当該金属箔ラウンド２ａの径Ｌ３は、非貫通孔７の径より片側８０μｍ（直径で１６０μｍ）大きい径となる｝。
【特許文献１】特開２００４−３１９９９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上記不具合を解消するためになされたもので、ブラインドバイアホールとラウンドとの位置ズレをなくすことによって高密度配線化を図るようにした微細配線パターンを有するプリント配線板とその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
請求項１に係る本発明は、配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板であって、当該ブラインドバイアホールは、当該ブラインドバイアホールと接続される上層側の配線パターンと位置ズレなく形成されていることを特徴とするプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００１８】
このように、ブラインドバイアホールと配線パターン（具体的にはブラインドバイアホールの周囲に形成されるラウンド）との間で位置ズレをなくすことによってラウンド径を小さくすることができ、その結果、高密度配線化を図ることができる。
【００１９】
請求項２に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを形成するための非貫通孔が、当該上層側の配線パターン形成の際に設けられたウインドウ部を有するラウンドをマスクとしたレーザ加工により形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００２０】
これにより、ラウンドとブラインドバイアホールとの間に位置ズレのないプリント配線板とすることができる。
【００２１】
請求項３に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、当該ブラインドバイアホール及びその他のバイアホールを形成する際に穿孔された孔内とその孔周縁に設けられたラウンド上にのみ形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００２２】
これにより、微細配線パターンを有するプリント配線板の高密度化を図ることができる。
【００２３】
請求項４に係る本発明は、当該ブラインドバイアホールを含んだその他のバイアホールを形成する際のめっきが、微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成されていることを特徴とする請求項２に記載のプリント配線板により上記課題を解決したものである。
【００２４】
これにより、ブラインドバイアホール等の形成部のみにめっきを析出させる場合と比較して、安定して当該ブラインドバイアホール等の孔部にめっきが析出するため、当該ブラインドバイアホールを信頼性の高いものとすることができる。
【００２５】
請求項５に係る本発明は、配線パターン形成層間をブラインドバイアホールで接続するプリント配線板の製造方法であって、少なくとも、絶縁層の表面に積層されている金属箔をエッチング処理することによって、配線パターンを形成するとともにブラインドバイアホール形成予定部にウインドウ部を有するラウンドを形成する工程と、当該ウインドウ部に、当該ウインドウ部の径より大きく且つ当該ラウンドの径より小さい径のレーザを照射することによって、当該ブラインドバイアホール形成用の非貫通孔を穿孔する工程と、当該非貫通孔とラウンド上にめっきを形成してブラインドバイアホールを形成する工程とを含んでなるプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００２６】
これにより、高密度配線化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板を得ることができる。
【００２７】
請求項６に係る本発明は、配線パターンの形成後に、少なくとも当該配線パターンの非形成部に無電解めっきを析出させる工程を有することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００２８】
これにより、非貫通孔の穿孔後に行われるデスミア処理において、表面に露出している絶縁層が当該非貫通孔部のみとなるため、デスミア処理液の浴劣化を抑制でき、ライフ期間を通常使用と変わらぬライフ期間とすることができる。また、当該デスミア処理の際に、配線パターンの裾に位置する絶縁層が溶解することがないため、後工程で行われるソフトエッチング処理等の液が配線パターンの下面に回り込むことによって発生する当該配線パターンの細りの懸念がなくなる。
【００２９】
請求項７に係る本発明は、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも析出させることを特徴とする請求項５又は６に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００３０】
これにより、めっき析出エリアが広くなるため、非貫通孔内にも容易にめっきを析出させることができる。
【００３１】
請求項８に係る本発明は、配線パターン形成後に、少なくとも当該配線パターンの表側面に、当該ブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なるバリア金属層を形成することを特徴とする請求項５に記載のプリント配線板の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００３２】
これにより、高密度配線化を図った微細配線パターンを有するプリント配線板を容易に得ることができる。
【発明の効果】
【００３３】
ブラインドバイアホールを有するプリント配線板を本発明の構成とすることにより、ブラインドバイアホールとラウンドとの位置ズレが生じないので、ランド径を小さくすることができる結果、容易に高密度配線化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明の第一の実施の形態を、図１（ｅ）を用いて説明する。
【００３５】
図１（ｅ）は、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を積層したプリント配線板Ｐの要部拡大断面図を示したもので、内層コア基板上に形成された下層配線パターン３と、当該下層配線パターン３の形成層上に積層された絶縁層１と、当該絶縁層１の表面に形成された上層配線パターン４、及び後のめっきラウンド８ａの回路形成時に、当該めっきラウンド８ａがはみ出すことのない径で形成された金属箔ラウンド２ａと、当該金属箔ラウンド２ａのウインドウ部５をマスクとして穿孔された非貫通孔７と、当該非貫通孔７にめっき８が充填されたブラインドバイアホール１０と、当該金属箔ラウンド２ａの一部にオーバーラップして形成されためっき８からなるめっきラウンド８ａとからなり、当該金属箔ラウンド２ａとブラインドバイアホール１０との間に発生する位置ズレをなくすことによって、めっきラウンド８ａ及び金属箔ラウンド２ａの径を小さくし、高密度配線化を図ったものである。
【００３６】
続いて、図１（ｅ）のプリント配線板Ｐの製造方法について説明する。
【００３７】
まず、図１（ａ）に示したように、内層に形成された下層配線パターン３の形成層上に絶縁層１と銅箔等の金属箔２を順次積層し（例えば、樹脂付き銅箔を積層する）、次いで、図１（ｂ）に示したように、エッチング処理によって、上層配線パターン４を形成するとともにウインドウ部５を有する金属箔ラウンド２ａを形成する。
【００３８】
ここで、ウインドウ部５と金属箔ラウンド２ａとが同じ露光工程により形成されるため、両者の間に位置ズレは発生しない。従って、金属箔ラウンド２ａの径Ｌ３は、後に形成されるめっきラウンド８ａを形成する際の露光精度のみを考慮して設定すればよい（図２（ａ）の平面図参照）。例えば、基準点から片側２０μｍ（直径で４０μｍ）の範囲で位置ズレが発生すると仮定すると、ウインドウ部５の外径Ｌ１に対して片側４０μｍ（直径で８０μｍ）プラスした径で形成することができる。
【００３９】
次に、外層全面に無電解めっき（例えば、無電解銅めっき）を析出させた後、金属箔ラウンド２ａをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部５の径より大きく、金属箔ラウンド２ａの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン３に達する非貫通孔７を穿孔する（図１（ｃ）参照）。
【００４０】
ここで、上記でも説明したように、ウインドウ部５と金属箔ラウンド２ａとは同じ露光工程により形成されるため、両者の間に位置ズレは発生しない。従って、当該ウインドウ部５の径Ｌ１よりも大きく、金属箔ラウンド２ａの径Ｌ３より小さい径のレーザ照射によって形成される非貫通孔７も必然的に位置ズレなく穿孔される。
【００４１】
また、本実施の形態においては、レーザ加工前に外層全面に無電解めっきを析出させた例を用いて説明したが、当該無電解めっきは必ずしも形成する必要がない。しかし、後に行われるデスミア処理の浴劣化の抑制、及び当該デスミア処理を原因とする配線パターンの細りを防止する上で、当該無電解めっきを形成し、表面に露出している絶縁層の面積を少なくするのが好ましい。更に、当該無電解めっきについては、必ずしも外層全面に形成する必要はなく、少なくとも配線パターン非形成部（配線パターンから露出している絶縁層上）に形成されていればよい。
【００４２】
次に、デスミア処理を行った後、図１（ｃ）の状態の基板の表面に図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を析出させ、次いで、めっきレジストを積層した後、露光・現像を行うことによって、非貫通孔７と金属箔ラウンド２ａの一部が露出する開口部９ａを有するめっきレジストパターン９を形成する（めっきレジストパターン９の開口部９ａの径Ｌ２ａは上記露光精度を考慮した径であり、例えば上記の例でいうと、ウインドウ部５の径Ｌ１より直径４０μｍプラスした径に設定できる（図２（ｂ）の平面図参照））。
【００４３】
次に、前記無電解めっきを給電層として電解めっき処理（例えば、フィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）を行うことにより、めっきレジストパターン９の開口部９ａから露出している非貫通孔７にめっき８を充填するとともに金属箔ラウンド２ａの一部に重なるようにめっき８を析出させ、次いで、当該めっきレジストパターン９を剥離した後、表面に露出している図示しない無電解めっきをエッチング除去することによって、下層配線パターン３と上層配線パターン４間がブラインドバイアホール１０で接続された図１（ｅ）のプリント配線板Ｐを得る（めっきラウンド８ａの径Ｌ２が、ウインドウ部５の径Ｌ１より直径４０μｍプラスした径で形成できる（図２（ｃ）参照））。
【００４４】
このように、金属箔に予め回路形成を行うようにし、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを当該ブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）のみに形成するようにしたため、微細配線パターンを容易に形成することができ、更にブラインドバイアホールを形成する際の非貫通孔の穿孔を、上記回路形成の際に形成された金属箔ラウンドをマスクとするレーザ加工によって形成するようにしたため、ブラインドバイアホールと金属箔ラウンドとが位置ズレなく形成でき、その結果、ブラインドバイアホールの周囲に形成されるラウンド（具体的には金属箔ラウンド）の径を従来に比して小さくできるため、高密度配線化を図ることができる。
【００４５】
また、本実施の形態においては、ブラインドバイアホールを形成する際のめっきを、当該ブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）のみに形成する例を用いて説明したが、当該めっきを微細配線パターン以外の配線パターン上にも形成することが、当該ブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）に安定してめっきを析出させる上で好ましい。
【００４６】
次に、本発明の第二の実施の形態を、図３を用いて説明する。尚、最終的に得られるプリント配線板Ｐ（図３（ｈ）参照）の構成については、めっきラウンド８ａと金属箔ラウンド２ａとが重なった部分にバリア金属層６が残存している以外は、図１（ｅ）で得られたプリント配線板Ｐと同じ構成となるため説明を省略し、製造工程のみ説明することとする。また、図３の製造工程は、上記図１で示した例と同様に、図示しない内層コア基板上にビルドアップ配線層を形成する例を示したもので、図３（ａ）及び図３（ｂ）が上記図１（ａ）及び図１（ｂ）と同様の工程であるため説明を省略し、図３（ｃ）以降について説明する。
【００４７】
図３（ｂ）の上層配線パターン４（金属箔ラウンド２ａも含む）の形成後、当該上層配線パターン４（金属箔ラウンド２ａも含む）を含んだ外層全面に、後のブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なる金属薄膜からなるバリア金属層６を形成する（図３（ｃ）参照）。
【００４８】
当該バリア金属層６としては、後のブラインドバイアホール部の回路形成の際に、上層配線パターン４がエッチングされなければいずれの金属でも良く、例えば、無電解めっき処理による、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ等が挙げられる。
【００４９】
また、当該バリア金属層６としては、剥離性を留意して選択することが製造工程上好ましい。例えば、Ｎｉを例にとると、ＮｉやＮｉ−Ｂめっきでは剥離が容易であるが、Ｎｉ−Ｐめっきでは、リン濃度が高いと剥離が困難になるため、３％以下の低リンのものが好ましいといった具合である。
【００５０】
次に、図３（ｄ）に示したように、金属箔ラウンド２ａをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部５の径より大きく、金属箔ラウンド２ａの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン３に達する非貫通孔７を穿孔する。
【００５１】
次に、当該非貫通孔７のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔７を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成し、次いで、当該無電解めっきを給電層として電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行うことによって、当該非貫通孔７にめっき８を充填するとともに、外層にもめっき８を析出させる（図３（ｅ）参照）。
【００５２】
次に、図３（ｆ）に示したように、ブラインドバイアホール１０とそのラウンド部（後のめっきラウンド８ａ）の形成予定部にエッチングレジストパターン１１を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターン１１から露出しているめっき８（図示しない無電解めっきも含む）を除去する（図３（ｇ）参照）。
【００５３】
そして最後に、エッチングレジストパターン１１を剥離した後、表面に露出しているバリア金属層６をエッチング除去することによって、図３（ｈ）のプリント配線板Ｐを得る。
【００５４】
本実施の形態においても、上記第一の実施の形態と同じ効果が得られるが、バリア金属層を利用したブラインドバイアホール形成（非貫通孔を含んだ外層全面に電解めっきを析出させる）としたため、上記第一の実施の形態のようにブラインドバイアホール形成部（貫通スルーホールがある場合には貫通スルーホール形成部も含む）のみに電解めっきを析出させる場合と比較して、容易に非貫通孔内にめっきを析出させることができる。
【００５５】
続いて、本発明の第三の実施の形態を、図４を用いて説明する。尚、本実施の形態においても（ａ）、（ｂ）の工程までは第一、第二の実施の形態と同じなので説明を省略する。
【００５６】
図４（ｂ）の上層配線パターン４（金属箔ラウンド２ａも含む）の形成後、当該上層配線パターン４（金属箔ラウンド２ａも含む）の表側面に、後のブラインドバイアホールを形成する際のめっきとはエッチング条件の異なる金属薄膜からなるバリア金属層６を形成する（図４（ｃ）参照）。
【００５７】
次に、図４（ｄ）に示したように、金属箔ラウンド２ａをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部５の径より大きく、金属箔ラウンド２ａの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン３に達する非貫通孔７を穿孔する。
【００５８】
次に、当該非貫通孔７内のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔７を含んだ外層全面に、図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を形成し、次いで、当該無電解めっきを給電層として電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行うことによって、当該非貫通孔７にめっき８を充填するとともに、外層にもめっき８を析出させる（図４（ｅ）参照）。
【００５９】
次に、図４（ｆ）に示したように、ブラインドバイアホール１０とそのラウンド部（後のめっきラウンド８ａ）の形成予定部にエッチングレジストパターン１１を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターン１１から露出しているめっき８（図示しない無電解めっきも含む）を除去する（図４（ｇ）参照）。
【００６０】
そして最後に、エッチングレジストパターン１１を剥離した後、表面に露出しているバリア金属層６をエッチング除去することによって、図４（ｈ）のプリント配線板Ｐを得る。
【００６１】
本実施の形態は、上記第二の実施の形態で外層全面に設けていたバリア金属層を、配線パターンの表側面のみに設けたもので、それ以外は第二の実施の形態と同じである。ただし、本構成においては、上層配線パターンの非形成部に絶縁層が露出している状態で非貫通孔のデスミア処理を行うため、絶縁層として、デスミア処理の際に溶解しにくい材料を選定する必要がある。
【００６２】
続いて、第四の実施の形態を、図５を用いて説明する。尚、本実施の形態においても、（ａ）、（ｂ）の工程までは上記実施の形態と同じであるため省略する。
【００６３】
図５（ｂ）の上層配線パターン４（金属箔ラウンド２ａも含む）の形成後、当該上層配線パターン４（金属箔ラウンド２ａも含む）を含んだ外層全面に無電解めっき（例えば、無電解銅めっき）を析出させ、次いで、金属箔ラウンド２ａをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部５の径より大きく、金属箔ラウンド２ａの径よりも小さい径のレーザを照射することによって、下層配線パターン３に達する非貫通孔７を穿孔する（図５（ｃ）参照）。
【００６４】
次に、非貫通孔７のデスミア処理を行った後、当該非貫通孔７を含んだ外層全面に図示しない無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を析出させ、次いで、当該無電解めっきを給電層とする電解めっき処理を行うことによって、非貫通孔７を含んだ外層全面にバリア金属層６（例えば電解ニッケルめっき）を析出させる（図５（ｄ）参照）。
【００６５】
次に、当該バリア金属層６を給電層として電解めっき（例えばフィルドビア用のめっき液を用いた電解銅めっき）処理を行うことによって、当該非貫通孔７にめっき８を充填するとともに、外層にもめっき８を析出させる（図５（ｅ）参照）。
【００６６】
次に、図５（ｆ）に示したように、ブラインドバイアホール１０とそのラウンド部（後のめっきラウンド８ａ）の形成予定部にエッチングレジストパターン１１を形成した後、エッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターン１１から露出しているめっき８を除去する（図５（ｇ）参照）。
【００６７】
そして最後に、エッチングレジストパターン１１を剥離した後、表面に露出しているバリア金属層６、及びその下に形成されている無電解めっき（例えば無電解銅めっき）を除去することによって、図５（ｈ）のプリント配線板Ｐを得る（バリア金属層６の下に形成されている無電解めっきは、バリア金属層６の剥離液（例えばニッケル剥離液等）を用いたエッチング処理にて、同時に除去することができる）。
【００６８】
本発明を説明するに当たって、コア基板上にビルドアップ層を形成する例を用いて説明したが、構成としてはこの限りでなく、両面配線板においても本発明を利用することができる。
【００６９】
また、形成するブラインドバイアホールとして、非貫通孔内にめっきを充填するフィルドビアを用いて説明したが、非貫通孔の内壁にめっきを析出させる通常のブラインドバイアホールにおいても同様の効果を得られることはいうまでもない。
【実施例】
【００７０】
本発明の一実施例を、図５に倣って説明する。尚、配線幅／配線間隙＝３０μｍ／３０μｍの設計仕様でプリント配線板を作製した。
【００７１】
下層配線パターンが形成されたコア基板上に、厚さ６０μｍの絶縁層と厚さ１２μｍの銅箔からなる樹脂付き銅箔を積層し（図５（ａ）に相当）、エッチングレジスト用のドライフィルム（旭化成社製：ＳＰＧ１０２）をラミネートした。
【００７２】
次に、一般的な露光・現像（１％の炭酸ナトリウム水溶液）、及びエッチング（エッチャント：塩化第二鉄使用）処理を行うことによって、上層配線パターン（配線幅３０μｍ／配線間隙３０μｍ）、金属箔（銅箔）ラウンド（φ１５０μｍ）、ウインドウ部（φ７０μｍ）をそれぞれ形成した（図５（ｂ）に相当）。
【００７３】
次に、後のデスミア処理の際に、当該デスミア処理液の浴劣化を抑制するために、外層全面に無電解銅めっき（０．５μｍ）を析出させ、次いで、金属箔ラウンドをレーザ加工用のマスクとし、ウインドウ部の径（φ７０μｍ）より大きく、金属箔(銅箔)ラウンドの径（φ１５０μｍ）よりも小さい径（φ１１０μｍ→レーザ加工位置精度である基準点から直径４０μｍの範囲でズレが発生しても、金属箔ラウンドからはみ出さない大きさ）の炭酸ガスレーザを照射することによって、下層配線パターンに達する非貫通孔を穿孔した（図５（ｃ）に相当）。
【００７４】
次に、過マンガン酸系のデスミア処理液にて非貫通孔のデスミア処理を行い、無電解銅めっきの前処理としてソフトエッチング処理（当該処理にて、上層配線パターン形成後に析出させた無電解銅めっきは除去される）を行った後、当該非貫通孔を含んだ外層全面に図示しない無電解銅めっき（０．５μｍ）を析出させ、次いで、当該無電解銅めっきを給電層とする電解ニッケルめっき処理を行うことによって、非貫通孔を含んだ外層全面にバリア金属層（１．５μｍ）を析出させた（図５（ｄ）に相当）。
【００７５】
次に、当該バリア金属層を給電層として電解銅めっき（めっき液として、フィルドビア用のめっき液を用いた）処理を行うことによって、当該非貫通孔内に銅めっきを充填するとともに、外層にも銅めっき（２０μｍ）を析出させた（図５（ｅ）に相当）。
【００７６】
次に、図５（ｆ）に示したように、一般的な露光・現像工程にてブラインドバイアホールとめっきラウンドの形成予定部に、φ１１０μｍのエッチングレジストパターンを形成し、次いで、銅アンモニウム錯イオンを主成分とするアルカリエッチング液でエッチング処理を行うことによって、当該エッチングレジストパターンから露出しているめっきを除去した（図５（ｇ）に相当）。
【００７７】
そして最後に、水酸化ナトリウム水溶液（３％）にて、エッチングレジストパターンを剥離した後、バリア金属層（ニッケル）の剥離液（硝酸系のニッケル剥離液）を用いたエッチング処理を行い、表面に露出しているバリア金属層、及びその下に形成されている無電銅解めっき（例えば無電解銅めっき）を除去することによって、プリント配線板を得た（図５（ｈ）に相当）。
【００７８】
本実施例によって得られたプリント配線板を確認した結果、めっきラウンドが、金属箔ラウンドからはみ出したり、非貫通孔を露出させたりするような位置ズレは確認されなかった。
比較例
【００７９】
従来技術である図６の製造工程に倣って、プリント配線板を作製した。尚、レーザ加工及び露光条件、並びに形成するラウンドの径等も同じ条件で製造した。
【００８０】
その結果、めっきラウンドが金属箔ラウンドの外径から２０μｍ程度はみ出し、隣接する配線パターンとの間隙が１０μｍ程度と非常に近接して絶縁不良となっている箇所や（配線幅／配線間隙＝３０μｍ／３０μｍの設計仕様で作製しているため、同じエッチング加工によって形成される金属箔ラウンドと隣接する配線パターンの間隙は３０μｍとなるので、当該金属箔ラウンドから２０μｍ程度はみ出しためっきラウンドと配線パターンとの間隙が約１０μｍとなる）、非貫通孔が露出して（エッチングレジストパターンの位置ズレによる）、ブラインドバイアホール内のめっきが一部欠けている箇所が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明における第一の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図２】図１で形成されるラウンド径の大きさを説明するための概略平面説明図。
【図３】本発明における第二の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図４】本発明における第三の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図５】本発明における第四の実施の形態を説明するための概略断面工程説明図。
【図６】従来のプリント配線板の製造工程を説明するための概略断面工程説明図。
【図７】図６で形成されるラウンド径の大きさを説明するための概略平面説明図。
【符号の説明】
【００８２】
１：絶縁層
２：金属箔
２ａ：金属箔ラウンド
３：下層配線パターン
４：上層配線パターン
５：ウインドウ部
６：バリア金属層
７：非貫通孔
８：めっき
８ａ：めっきラウンド
９：めっきレジストパターン
９ａ：開口部
１０：ブラインドバイアホール
１１：エッチングレジストパターン
Ｐ、Ｐａ、：プリント配線板
Ｌ１：ウインドウ部及び非貫通孔の径
Ｌ２：めっきラウンドの径
Ｌ２ａ：めっきレジストパターンの開口部の径
Ｌ３：金属箔ラウンドの径
【図１】
2006179822.tif 000003
【図２】
2006179822.tif 000004
【図３】
2006179822.tif 000005
【図４】
2006179822.tif 000006
【図５】
2006179822.tif 000007
【図６】
2006179822.tif 000008
【図７】
2006179822.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2006179822.tif 000010
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006179822.tif 000011