(57)【要約】【課題】  本発明は、基板処理装置内において、処理対象である基板が欠けた（破損した）場合でも、基板処理装置の底面から、当該基板の破片を容易に除去することができる、基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明に係わる基板処理装置１００は、ウエット状態の被処理基板１の配置箇所の底面４には、複数の溝５が形成されている。また、別の形態として、ウエット状態の被処理基板１の配置箇所の底面４には、複数の凸部６が形成されている。また、別の形態として、ウエット状態の被処理基板の配置箇所の底面４は、粗面化されている。【選択図】  図１
2006305511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエット状態の被処理基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、
前記被処理基板の配置箇所の底面には、複数の溝が形成されている、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記溝の幅は、
１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記溝の深さは、
０．５ｍｍ以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
ウエット状態の被処理基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、
前記被処理基板の配置箇所の底面には、複数の凸部が形成されている、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
前記凸部の形成ピッチは、
１ｍｍ以上、５ｍｍ以下である、
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記凸部の高さは、
０．５ｍｍ以上である、
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項７】
ウエット状態の被処理基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、
前記被処理基板の配置箇所の底面は、粗面化されている、
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
前記基板処理装置は、
前記基板に対して、所定の液体を用いた処理を行うウエット処理装置である、
ことを特徴とする請求項１、請求項４または請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板処理装置は、
前記基板を回転させることにより、当該基板に付着する水分を除去乾燥させるスピン乾燥処理装置である、
ことを特徴とする請求項１、請求項４または請求項７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板に対して、所定の処理を行う基板処理装置に係る発明である。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ−ＬＣＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ−Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ：薄膜トランジスタ型液晶表示装置）を製造する製造装置には、純水や薬液を用いて、基板の洗浄やエッチング等を行うウエット処理装置がある。
【０００３】
従来は、ウエット処理装置の底面は、平面であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、当該ウエット処理装置内において、基板に対して所定の処理を行っている最中または所定の処理を行う前後において、当該基板の一部が欠けることもある。当該基板の欠けた部分（破片）が、ウエット処理装置の底面に落ちると、当該平面である底面は所定の液体により濡れているので、破片は、底面と密着（吸着）する。
【０００５】
当該破片を放置しておくと、当該破片が排水口を塞いだり、循環ラインへ流れ込み、ポンプや弁が故障したりする。したがって、当該破片を装置内から除去する必要がある。
【０００６】
しかし、一度、破片が底面に吸着してしまうと、人の手または、へら等の部材によりこれを除去することは、非常に困難であった。
【０００７】
なお、特開平１１−１９５６９５や特開平９−２９７２９７には、基板の破損の検出や基板破損の抑制に関する技術について開示されている。しかし、当該破損した基板を如何にして除去するかについては、言及されていない。また、上記文献に係る技術であっても、また、どんなにウエット処理装置を改善したとしても、完全に基板の欠けや破損を防止できるわけでは無い。
【０００８】
そこで、本発明は、基板処理装置内において、処理対象である基板が欠けた（破損した）場合でも、基板処理装置の底面から、当該基板の欠けた（破片）部分を容易に除去することができる、基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の基板処理装置は、ウエット状態の被処理基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記被処理基板の配置箇所の底面には、複数の溝が形成されている。
【００１０】
また、本発明に係わる請求項４に記載の基板処理装置は、ウエット状態の被処理基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記被処理基板の配置箇所の底面には、複数の凸部が形成されている。
【００１１】
また、本発明に係わる請求項７に記載の基板処理装置は、ウエット状態の被処理基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、前記被処理基板の配置箇所の底面は、粗面化されている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の請求項１、請求項４または請求項７に記載の基板処理装置は、ウエット状態の被処理基板に対して所定の処理を行う基板処理装置において、被処理基板の配置箇所の底面には、複数の溝が形成されている。または、被処理基板の配置箇所の底面には、複数の凸部が形成されている。または、被処理基板の配置箇所の底面は、粗面化されている。したがって、基板処理装置内の底面が所定の液体により濡れている場合には、被処理基板から破片が落下したとしても、容易に当該破片をウエット状態の底面から取り除くことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１４】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態に係るウエット処理装置の内部を、模式的に図示した図である。
【００１５】
図１に示す、水平搬送式ウエット処理装置１００（以下、単にウエット処理装置１００と称する）は、ガラス基板１（ウエット状態の被処理基板であり、以下、単に基板１と称する）を水平方向に搬送するための搬送ローラ２を備えている。
【００１６】
さらに、本実施の形態に係るウエット処理装置１００の底面（より、具体的には、基板１の配置箇所の底面）４には、複数の溝５が形成されている。
【００１７】
ここで、底面４を構成する材料は、塩化ビニルであっても、また金属であっても良い。また、溝５は、一般的な機械加工により形成可能である。
【００１８】
搬送ローラ２により、上記構成のウエット処理装置１００内に、基板１が搬送されてきたとする。ウエット処理装置１００内に配置された基板１は、当該ウエット処理装置１００内において、所定の液体（たとえば、純水や薬液等）を用いたウエット処理が施される。
【００１９】
さて、搬送中またはウエット処理中等において、ウエット処理装置１００内で基板１に欠け（破損）が生じたとする。そうすると、基板１の欠けた（破損した）部分３（以下、破片３と称する）は、所定の薬液等により濡れている、ウエット処理装置１００内の底面４に落下する。
【００２０】
ところで、破片３がウエット処理装置１００の底面４に落下したとしても、破片３と底面４との接触面積が小さければ、濡れた底面４と破片３との吸着力は、弱くなる。
【００２１】
ここで、本実施の形態に係るウエット処理装置１００では、底面４には、複数の溝５が形成されている。したがって、もし、破片３の一部もしくは全部が当該溝５を覆うように、破片３が底面４へ落下したなら、当然、破片３において、底面４と接触しない箇所が生じる。つまり、所定の薬液等により濡れた底面４と破片３との間での吸着力が、当該接触しない箇所の面積に応じて、弱くなる。
【００２２】
したがって、上記態様にて落下した破片３を当該底面４から、容易に除去することができる。なお、破片３は、人の手により除去しても良く、また、水分を吸い込んでも良い掃除機を用いて除去しても良い。
【００２３】
このように、本実施の形態に係るウエット処理装置１００では、底面４に複数の溝５が形成されている。したがって、当該底面４に落下した破片３を、容易に除去することができる。
【００２４】
なお、破片３が底面４に落下したときに、溝５の存在により、より確実に破片３において、底面４との非接触箇所を発生させるためには、当該溝５の形成ピッチを狭くすれば良い。
【００２５】
しかし、たとえ、溝５の形成ピッチが広くても、溝５の形成位置まで、底面４に落下した破片３をずらすことにより、当該破片３を容易に除去することができる。ここで、所定の薬液等により濡れた底面４に吸着した破片３を直接、持ち上げることは困難である。しかし、当該破片３を水平方向に移動させることは、比較的容易に行える。
【００２６】
また、溝５の幅が広すぎると、当該溝内に破片３が入り込み、当該破片３の除去は容易でなくなる。また、あまりにも溝５の幅が狭すぎると、破片３と底面４との接触面積が大きくなる。ここで、細かい部類の破片３の大きさは、１×１ｃｍ程度もしくは、これより少し小さい場合もある。
【００２７】
以上により、当該細かい部類の破片３においても、上記溝幅に起因した問題が発生すること無く、容易に除去できるようにするためには、溝５の幅は、１ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることが望ましいと、発明者は確認した。
【００２８】
また、溝５の深さがあまりにも浅いと、破片３と溝５の底面との間で吸着力が発生し得る。したがって、底面４から破片３を容易に除去できるようにするためには、溝５の深さは、より深くすることが望ましい。
【００２９】
発明者は、溝５の深さが０．５ｍｍ以上であると、破片３と溝５の底面との間で吸着力がほとんど働かず、人の手によって、当該破片３を容易に底面４から除去できることを確認した。
【００３０】
＜実施の形態２＞
図２は、本実施の形態に係るウエット処理装置の内部を、模式的に図示した図である。
【００３１】
図２に示す本実施の形態に係わるウエット処理装置１００は、実施の形態１に係わるウエット処理装置１００（図１）と、ほぼ同じ構成である。しかし、両ウエット処理装置１００は、底面（より具体的には、ウエット被処理基板である基板１の、配置箇所の底面）４の構成において異なる。
【００３２】
つまり、本実施の形態に係わるウエット処理装置１００では、底面４に複数の凸部６が形成されている。その他の構成は、実施の形態１に係わるウエット処理装置１００と同じである。したがって、ここでの詳細な説明は省略する。
【００３３】
ここで、底面４を構成する材料は、塩化ビニルであっても、また金属であっても良い。また、凸部６は、一般的な、溶接や機械加工により形成可能である。
【００３４】
搬送ローラ２により、上記構成のウエット処理装置１００内に、基板１が搬送されてきたとする。ウエット処理装置１００内に配置された基板１は、当該ウエット処理装置１００内において、所定の液体（たとえば、純水や薬液等）を用いたウエット処理が行われる。
【００３５】
さて、搬送中またはウエット処理中等において、ウエット処理装置１００内で基板１に欠け（破損）が生じたとする。そうすると、基板１からの破片３は、所定の薬液等により濡れている、ウエット処理装置１００内の底面４に落下する。
【００３６】
ここで、本実施の形態に係るウエット処理装置１００では、底面４には、複数の凸部６が形成されている。したがって、もし、破片３が当該凸部６に倚り懸るように、破片３が底面４へ落下したなら、当然、破片３において、底面４と接触しない箇所が生じる。つまり、濡れた底面４と破片３との間での吸着力が、当該接触しない箇所の面積に応じて、弱くなる。
【００３７】
したがって、上記態様にて落下した破片３を当該底面４から、容易に除去することができる。なお、破片３は、人の手により除去しても良く、また、水分を吸い込んでも良い掃除機を用いて除去しても良い。
【００３８】
このように、本実施の形態に係るウエット処理装置１００では、底面４に複数の凸部６が形成されている。したがって、当該底面４に落下した破片３を、容易に除去することができる。
【００３９】
なお、破片３が底面４に落下したときに、凸部６の存在により、より確実に破片３において、底面４との非接触箇所を発生させるためには、当該凸部６の形成ピッチを狭くすれば良い。
【００４０】
つまり、隣接する凸部６同士の間隔が狭ければ狭いほど、より確実に、底面４に落下した破片３は、凸部６へと倚り懸ることができる。
【００４１】
また、凸部６の高さが低すぎると、たとえ破片３が凸部６に倚り懸ったとしても、破片３と底面４との間で吸着力が発生し得る。したがって、凸部６の高さは、より高いことが望ましい。
【００４２】
ここで、細かい部類の破片３の大きさは、１×１ｃｍ程度もしくは、これより少し小さい場合もある。
【００４３】
以上により、当該細かい部類の破片３においても、容易に除去することができるためには、凸部６のピッチは、１ｍｍ以上、５ｍｍ以下であることが望ましいと、発明者は確認した。また、発明者は、凸部６の高さが０．５ｍｍ以上であると、人の手によって、当該破片３を容易に底面４から除去できることを確認した。
【００４４】
＜実施の形態３＞
図３は、本実施の形態に係るウエット処理装置の内部を、模式的に図示した図である。
【００４５】
図３に示す本実施の形態に係わるウエット処理装置１００は、実施の形態１に係わるウエット処理装置１００（図１）と、ほぼ同じ構成である。しかし、両ウエット処理装置１００は、底面（より具体的には、ウエット被処理基板である基板１の、配置箇所の底面）４の構成において異なる。
【００４６】
つまり、本実施の形態に係わるウエット処理装置１００では、底面４に、複数の起伏７が形成されており、粗面化されている。つまり、本実施の形態に係わるウエット処理装置１００では、底面４は、荒れた表面を有する。その他の構成は、実施の形態１に係わるウエット処理装置１００と同じである。したがって、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４７】
ここで、底面４を構成する材料は、塩化ビニルであっても、また金属であっても良い。また、底面４に複数の起伏７を形成する方法（つまり、底面４を粗面化する（荒らす）方法）としては、ブラスト処理等を採用することができる。
【００４８】
搬送ローラ２により、上記構成のウエット処理装置１００内に、基板１が搬送されてきたとする。ウエット処理装置１００内に配置された基板１は、当該ウエット処理装置１００内において、所定の液体（たとえば、純水や薬液等）を用いたウエット処理が行われる。
【００４９】
さて、搬送中またはウエット処理中等において、ウエット処理装置１００内で基板１に欠け（破損）が生じたとする。そうすると、基板１からの破片３は、所定の薬液等により濡れている、ウエット処理装置１００内の底面４に落下する。
【００５０】
ここで、本実施の形態に係るウエット処理装置１００では、底面４には、複数の起伏７が形成されている。したがって、基板１からの破片３は、当該起伏７上に落下する。これにより、破片３と底面４との接触面積を減少させることができる。よって、濡れた底面４と破片３との間での吸着力が、当該接触しない箇所の面積に応じて、弱くなり、結果として、当該底面４から容易に、破片３を除去することができる。
【００５１】
なお、破片３は、人の手により除去しても良く、また、水分を吸い込んでも良い掃除機を用いて除去しても良い。
【００５２】
なお、起伏７のボトム−トップの幅があまりにも小さすぎると、落下した破片３と底面４との間で吸着力が発生し得る。したがって、起伏７のボトム−トップの幅は、より大きいことが望ましい。
【００５３】
なお、上記各実施の形態では、ウエット処理装置１００の底面４に対して、溝５等を設ける場合について説明した。しかし、ウエット処理装置１００に限らず、基板に対して所定の処理を行うことができ、底面４が所定の液体により濡れることがある、その他の基板処理装置の底面４に対して、複数の溝５、凸部６、起伏７等を設けても良い。この場合においても、上記と同様の効果を奏する。
【００５４】
たとえば、基板を回転させることにより、当該基板に付着する水分を除去乾燥させることができる、スピン乾燥処理装置の（カップ）底面に対して、複数の溝５、凸部６、起伏７等を形成しても良い。
【００５５】
また、ウエット処理装置としては、たとえば、洗浄処理装置、レジスト剥離装置、エッチング処理装置等がある。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施の形態１に係わるウエット処理装置の内部構成を示す図である。
【図２】実施の形態２に係わるウエット処理装置の内部構成を示す図である。
【図３】実施の形態３に係わるウエット処理装置の内部構成を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  基板、２  搬送ローラ、３  破片、４  底面、５  溝、６  凸部、７  起伏、１００  ウエット処理装置。
【図１】
2006305511.tif 000003
【図２】
2006305511.tif 000004
【図３】
2006305511.tif 000005