(57)【要約】【課題】  基板周囲の雰囲気を清浄に保ったまま搬送するに際しての空調エネルギーの削減を図ることが可能な技術を提供する。【解決手段】  基板Ｗに対して所定の処理を行う複数の処理装置１０の配置位置に沿うように搬送経路が構成され、基板Ｗを、各処理装置１０それぞれに対応した受け渡し準備位置Ｐ１に間欠搬送するコンベア３０を備え、コンベア３０には、基板Ｗを気密に収納する基板収納容器５０が着脱自在に装着され、基板Ｗを基板収納容器５０に収納した状態で受け渡し準備位置Ｐ２に搬送する。【選択図】    図３
2006228808.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を行う複数の処理装置の配置位置に沿うように搬送経路が構成され、基板を、前記各処理装置それぞれに対応した受け渡し準備位置に間欠搬送するコンベアを備え、該コンベアには、基板を気密に収納する基板収納容器が着脱自在に装着され、基板を前記基板収納容器に収納した状態で前記受け渡し準備位置に搬送することを特徴とする基板搬送装置。
【請求項２】
前記基板収納容器に気密に接続され、前記基板収納容器内を清浄化する清浄化手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。
【請求項３】
前記清浄化手段は、前記基板収納容器が前記受け渡し準備位置に停止しているときに前記基板収納容器内の清浄化を行うことを特徴とする請求項２記載の基板搬送装置。
【請求項４】
基板収納容器内の基板を処理装置に受け渡す受け渡し装置を有し、前記コンベアは、コンベア上の基板収納容器をコンベアの搬送方向と直交する方向に移動可能な移動機構を有し、該移動機構は、前記受け渡し準備位置に停止した基板収納容器を受け渡し装置側に移動させて受け渡し位置に停止させ、前記清浄化手段は、前記基板収納容器が前記受け渡し位置に停止しているときに前記基板収納容器内の清浄化を行うことを特徴とする請求項２又は請求項３記載の基板搬送装置。
【請求項５】
前記清浄化手段は、前記基板収納容器が前記受け渡し位置に停止した後、前記基板収納容器から基板を取り出すべく容器扉が開放されるまでの間と、基板の取出し、収納に伴う容器扉の開閉が行われた後のいずれかまたは双方で前記基板収納容器内の清浄化を行うことを特徴とする請求項４記載の基板搬送装置。
【請求項６】
前記清浄化手段は、上下方向に移動自在に設けられ、基板収納容器側に移動して接続され、前記基板収納容器内の清浄化を行うことを特徴とする請求項２乃至請求項５の何れかに記載の基板搬送装置。
【請求項７】
前記清浄化手段は、各処理装置毎に設けられており、基板収納容器が前記各処理装置に対応した前記受け渡し準備位置又は前記受け渡し位置に停止する度に前記基板収納容器内の清浄化を行うことを特徴とする請求項３乃至請求項６の何れかに記載の基板搬送装置。
【請求項８】
前記清浄化手段は、基板収納容器内部を清浄化するための清浄化ガスを前記基板収納容器に設けられた供給部を介して供給する清浄化ガス供給手段と、基板収納容器内の雰囲気を前記基板収納容器に設けられた排気部を介して排気するための容器内雰囲気排気手段とから構成されていることを特徴とする請求項２乃至請求項６の何れかに記載の基板搬送装置。
【請求項９】
前記清浄化ガス供給手段は、清浄化されたドライエアー又は不活性ガスを供給することを特徴とする請求項８記載の基板搬送装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９の何れかの基板搬送装置によって前記基板搬送容器内の基板を前記処理装置へと搬送することを特徴とする基板搬送方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９の何れかの基板搬送装置と、前記処理装置とを備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板を搬送する基板搬送装置、基板搬送方法及び基板搬送装置を備えた半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）に対して所定の処理を行う例えばリソグラフィ装置や成膜装置などの複数の処理装置の間でウエハを移動し、各処理装置で処理を施すことにより製造が進む。このような半導体製造システムにおいては、ウエハをクリーン環境内で搬送することが要求されており、従来は、ウエハを搬送するコンベア全体を、ＦＦＵ（ファンフィルタユニット）などによって高い清浄度に維持された空間内に設置するようにしていた（非特許文献１参照）。
【非特許文献１】電子ジャーナル  第66回テクニカルシンポジウム  2003/12/11 予稿集  Page.47〜59「次世代300mm Fab枚葉搬送システム」/ 株式会社  ダイフク
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記従来のシステムでは、コンベア上にウエハがむき出しで載せられた状態で搬送されているため、コンベア全体を高い清浄度に維持された空間内に配置しなければならない。したがって、清浄度を保持すべき空間が広く、大きな空調エネルギーを必要としていた。
【０００４】
本発明はこのような点に鑑みなされたもので、基板周囲の雰囲気を清浄に保ったまま搬送するに際しての空調エネルギーの削減を図ることが可能な基板搬送装置、基板搬送方法及び半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る基板搬送装置は、基板に対して所定の処理を行う複数の処理装置の配置位置に沿うように搬送経路が構成され、基板を、各処理装置それぞれに対応した受け渡し準備位置に間欠搬送するコンベアを備え、コンベアには、基板を気密に収納する基板収納容器が着脱自在に装着され、基板を基板収納容器に収納した状態で受け渡し準備位置に搬送するものである。
これにより、基板周囲の雰囲気を清浄に保ったまま搬送するにあたり、従来のようにコンベア全体をクリーン環境下に配置する必要がないため、エネルギー削減が可能となる。
【０００６】
また、本発明に係る基板搬送装置は、基板収納容器に気密に接続され、基板収納容器内を清浄化する清浄化手段を備えたものである。
これにより、基板収納容器内の雰囲気を清浄に保つことが可能となる。
【０００７】
また、本発明に係る基板搬送装置は、清浄化手段が、基板収納容器が受け渡し準備位置に停止しているときに基板収納容器内の清浄化を行うものである。
このように、基板収納容器内の清浄化は、基板収納容器が受け渡し準備位置に停止しているときに行うことができる。
【０００８】
また、本発明に係る基板搬送装置は、基板収納容器内の基板を処理装置に受け渡す受け渡し装置を有し、コンベアは、コンベア上の基板収納容器をコンベアの搬送方向と直交する方向に移動可能な移動機構を有し、移動機構は、受け渡し準備位置に停止した基板収納容器を受け渡し装置側に移動させて受け渡し位置に停止させ、清浄化手段は、基板収納容器が受け渡し位置に停止しているときに基板収納容器内の清浄化を行うものである。
このように、基板収納容器内の清浄化は、基板収納容器が受け渡し位置に停止しているときに行うことができる。
【０００９】
また、本発明に係る基板搬送装置において、清浄化手段は、基板収納容器が受け渡し位置に停止した後、基板収納容器から基板を取り出すべく容器扉が開放されるまでの間に基板収納容器内の清浄化を行うものである。
これにより、基板収納容器内の雰囲気の清浄度が高められた後に受け渡し装置へと基板が受け渡されることになる。よって、受け渡し装置内に比べて基板収納容器内の清浄度が低い場合でも、容器扉が開かれて基板収納容器の空間と受け渡し装置内の空間が連通した際に、受け渡し装置側のクリーン環境に悪影響を与えることがない。
また本発明に係る基板搬送装置において、清浄化手段は、基板の取出し、収納に伴う容器扉の開閉が行われた後に基板収納容器内の清浄化を行うものである。
これにより、装置側環境あるいは収納基板がエッチングガスなどの残渣に汚染されている場合などに、収納容器内環境あるいは基板表面をすぐさま清浄化でき、この状態で保管することにより基板への悪影響を防ぐことが可能である。
【００１０】
また、本発明に係る基板搬送装置は、清浄化手段が、上下方向に移動自在に設けられ、基板収納容器側に移動して接続され、基板収納容器内の清浄化を行うものである。
このように、清浄化手段としては上下方向の移動によって基板収納容器に接続される構成のものを採用できる。
【００１１】
また、本発明に係る基板搬送装置は、清浄化手段が、各処理装置毎に設けられており、基板収納容器が各処理装置に対応した受け渡し準備位置又は受け渡し位置に停止する度に基板収納容器内の清浄化を行うものである。
これにより、常に基板収納容器内を高い清浄度環境に維持することが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る基板搬送装置は、清浄化手段が、基板収納容器内部を清浄化するための清浄化ガスを基板収納容器に設けられた供給部を介して供給する清浄化ガス供給手段と、基板収納容器内の雰囲気を基板収納容器に設けられた排気部を介して排気するための容器内雰囲気排気手段とから構成されているものである。
このように、清浄化手段としては清浄化ガス供給手段と容器内雰囲気排気手段とによって清浄化を行う手段を採用できる。
【００１３】
また、本発明に係る基板搬送装置は、清浄化ガス供給手段が、有機物、パーティクルを除去し、清浄化されたドライエアーまたは不活性ガスを供給するものである。これにより、清浄化ドライエアーを用いた場合は水分を低減させることができ、不活性ガスを用いた場合は水分、酸素濃度を低減することができる。したがって、基板収納容器内に水分および酸素が存在することによる各種悪影響を防止することができる。また、これに限らず、前記清浄化ドライエアーまたは不活性ガスに適度な湿度（例えば４０から５０％）を与えても良い。これにより静電気が防止され、基板上の素子の破壊、パーティクル汚染の付着を防止しつつ、保管環境中のパーティクル汚染および有機ガスの悪影響を除去でき、また不活性ガスを用いた場合は、さらに酸素の悪影響も除去することが可能である。
【００１４】
また、本発明に係る基板搬送方法は、上記の何れかの基板搬送装置によって基板搬送容器内の基板を処理装置へと搬送するものである。
これにより、空調エネルギーを削減しながらも基板周囲の雰囲気を清浄に保ったまま基板を搬送することが可能となる。
【００１５】
また、本発明に係る半導体製造装置は、上記の何れかの基板搬送装置と、複数の処理装置とを備えたものである。
これにより、基板周囲の雰囲気を清浄に保つための空調エネルギーを削減することが可能で、引いては製造コストの低減が可能な半導体製造装置を得ることができる。
また、清浄化手段によって基板周囲の雰囲気を高い清浄度に維持できるため、基板収納容器内の清浄度が低いことによる基板に対する各種悪影響を防止でき、精度の高いデバイスを製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板搬送装置を含む半導体製造装置の全体構成を示す平面図である。
半導体製造装置１は、基板（ウエハ）に対して所定の処理を行う複数の処理装置１０と、処理装置１０に基板を搬送する基板搬送装置２０とを備えている。基板搬送装置２０は、基板収納容器５０を搬送するコンベア３０と、複数の受け渡し装置４０とから構成されている。コンベア３０は、複数の処理装置１０の配置位置に沿うように搬送経路が構成され、また、間欠駆動可能に構成されており、基板収納容器５０を各処理装置１０のそれぞれ対応した各受け渡し準備位置に間欠搬送する。受け渡し装置４０は、各処理装置１０とコンベア３０との間にそれぞれ設けられており、受け渡し準備位置に停止した基板収納容器５０内から基板を取り出して処理装置１０へと搬送するものである。
【００１７】
図２は、１つの処理装置と受け渡し装置とコンベアの一部を示す図である。図３は、図２のＡ−Ａ概略断面図である。
コンベア３０と基板収納容器５０とは、着脱自在に装着されており、その装着部分には基板収納容器５０をコンベア３０の搬送方向と直交する方向に搬送する移動機構６０が設けられている。この移動機構６０は、受け渡し準備位置Ｐ１に停止した基板収納容器５０を受け渡し装置４０側に移動させて図２中の点線で示す受け渡し位置Ｐ２に停止させ、基板Ｗの受け渡しに備えて受け渡し装置４０の外壁４１に押圧させる動作を行う。
【００１８】
受け渡し位置Ｐ２に停止した基板収納容器５０の下方には、基板収納容器５０内部を清浄化するための清浄化手段７０が、シリンダ等によって上下方向に移動自在に設けられている。清浄化手段７０は、基板収納容器５０内を清浄化するための清浄化ガスを供給ノズル７１ａから基板収納容器５０内に供給する清浄化ガス供給手段７１と、基板収納容器５０内から排気される雰囲気を排気ノズル７２ａで受け入れて外部へ排気する容器内雰囲気排気手段７２とから構成されている。清浄化ガス供給手段７１によって供給される清浄化ガスは、本例では、有機物、パーティクルを除去し、清浄化されたドライエアーまたは不活性ガスを用いている。
【００１９】
かかる構成の清浄化手段７０は、基板収納容器５０が受け渡し位置Ｐ２に停止した際、供給ノズル７１ａが上方向に移動して基板収納容器５０に接続され、清浄化されたドライエアーまたは不活性ガスを供給するとともに、この清浄化ガス供給による容器本体５１内の圧力上昇によって容器本体５１から排気される雰囲気を排気ノズル７２ａで受け入れ、基板収納容器５０外部に排気することで基板収納容器５０内の清浄化を行う。清浄化手段７０は、各処理装置１０毎に設けられている。
【００２０】
基板収納容器５０は、基板Ｗを気密に収納する容器であり、基板Ｗの収納空間を形成する容器本体５１と、容器本体５１の前面開口部４２を開閉可能に密封する容器扉５２と、容器扉５２と一体的に形成され、容器本体５１内部方向に延びるように構成されたほぼＵ字型の基板保持アーム５３とを備えている。容器扉５２と基板保持アーム５３とによりアーム付扉が構成されている。基板収納容器５０内はクリーン度の高い環境となっており、容器扉５２開閉時などにおいて基板Ｗが外部環境の雰囲気によって汚染されることがないように、容器本体５１における容器扉５２との接触部には、基板収納容器５０内部を気密に密閉するための例えばパッキンなどのシール部材５４が周設されている。また、基板収納容器５０の容器本体５１には、基板収納容器５０内の清浄化を行う際に清浄化ガス供給手段７１及び容器内雰囲気排気手段７２が接続（挿入）される供給部５５と排気部５６とが設けられている。
【００２１】
図４〜図６を用いて供給部及び排気部について詳しく説明する。図４は、図２のＢ−Ｂ断面図で、特に、基板収納容器がＰ２に位置しているときの断面図を示している。また、図５は、供給部に供給ノズルが接続された状態を示す図である。図６は、排気部に排気ノズルが接続された状態を示す図である。
【００２２】
供給部５５は、容器本体５１に貫通形成された供給孔５５ａと、供給孔５５ａを容器本体５１の内部側から気密に閉塞する開閉蓋５５ｂと、供給孔５５ａの容器本体５１外面側の内周に配置されたＯリングなどのシール部材５５ｃとを備えている。シール部材５５ｃは、清浄化ガス供給時に供給孔５５ａに挿入される供給ノズル７１ａと供給孔５５ａとの密着性を高めるためのもので、このシール部材５５ｃにより、容器本体５１内部の気密性を維持しながら供給ノズル７１ａを供給孔５５ａに挿入することが可能となっている。この供給部５５は、清浄化ガス供給手段７１の排気ノズル７２ａが供給孔５５ａに挿入されることによって開閉蓋５５ｂが開いて供給流路が開放され、供給ノズル７１ａが離脱されることによって開閉蓋５５ｂが閉まって供給流路が閉塞するようになっている。
【００２３】
排気部５６は、容器本体５１に貫通形成された排気孔５６ａと、排気孔５６ａを容器本体５１外部側から閉塞する複数の通気孔５６ｂを備えた蓋体５６ｃとを備えている。排気孔５６ａは、容器本体５１内部側から順に、小径孔５６ａａと、小径孔５６ａａよりもやや径が大きい大径孔５６ａｂとが同軸上に形成された構成を成している。大径孔５６ａｂ内には、小径孔５６ａａを気密に閉塞するボール５６ｄとボール５６ｄを小径孔５６ａａ側に付勢するスプリング５６ｅとが配置されている。この排気部５６は、通常時はボール５６ｄが小径孔５６ａａを気密に閉塞して排気流路を遮断しており、清浄化ガス供給時に清浄化ガス供給によって容器本体５１内の圧力が上昇すると、ボール５６ｄがスプリング５６ｅの付勢力に抗して蓋体５６ｃ側に押し下げられ、これにより排気流路が開放されて容器本体５１内の雰囲気が排気孔５６ａ及び通気孔５６ｂを介して排気ノズル７２ａに排気されるようになっている。ここで、排気ノズル７２ａにおいて排気部５６との接触面にはシール部材７２ｂが設けられており、排気時に排気ノズル７２ａの先端面が容器本体５１の排気部５６周壁に気密に密着して外部雰囲気が容器本体５１内に進入するのを防止するようになっている。
【００２４】
図２及び図３の説明に戻る。受け渡し装置４０は、受け渡し装置４０の外壁４１に設けられた開口部４２を閉塞するポート扉４３と、ポート扉４３を進退移動させる進退機構４４と、ポート扉４３を昇降移動させる昇降機構４５と、搬送ロボット４６とを備えている。搬送ロボット４６は、進退移動自在なアーム４６ａを備えており、ポート扉４３が進退機構４４及び昇降機構４５によって退避して開口部４２が開放された後、アーム４６ａをポート扉４３に向けて移動させてアーム先端部４６ｂによって容器扉５２を一体保持し、容器扉５２を装置４０内部に引き入れることにより基板Ｗを装置４０内部に搬送する。
【００２５】
また、受け渡し装置４０において、開口部４２の周囲の外壁４１には例えばパッキンなどのシール部材４７が設けられており、基板収納容器５０が外壁４１に押圧された際に容器本体５１の端面と密着し、容器扉５２開閉時などにおいて基板収納容器５０内の基板Ｗが外部環境の雰囲気によって汚染されるのを防止するようになっている。また、外壁４１の内面側にも同様にシール部材４８が設けられており、ポート扉４３との密着性が高められポート扉４３閉塞時における装置４０内のクリーン環境の汚染を防止している。
【００２６】
図７は、搬送動作、基板受渡し動作及び清浄化ガス供給動作に関するタイムチャートである。図８ａ、図８ｂは、基板搬送装置の動作説明図である。以下、これらの図を参照しながら基板搬送装置の動作を説明する。
まず、コンベア３０によって基板収納容器５０が搬送され、受け渡し準備位置Ｐ１に到達するとコンベア３０は停止する（図８ａ（１））。そして、Ｔ０〜Ｔ１において搬送動作を行う。搬送動作では、移動機構６０が駆動し、受け渡し準備位置Ｐ１に停止した基板収納容器５０を受け渡し装置４０側に移動して受け渡し位置Ｐ２に停止させる（図８ａ（２））。このとき、基板収納容器５０は、受け渡し装置４０外壁４１に押圧され、シール部材４７が押し潰され、容器本体５１の端面と外壁４１外面との密閉性が保たれた状態となっている。
【００２７】
そして、Ｔ１〜Ｔ２において清浄化ガス供給動作を行う。清浄化ガス供給動作では、まず、供給ノズル７１ａ及び排気ノズル７２ａを上方向に移動して基板収納容器５０の供給部５５及び排気部５６に接続する（図８ａ（３）、図４〜６参照）。そして、清浄化ガス供給手段７１を駆動して供給ノズル７１ａから基板収納容器５０内に清浄化されたドライエアまたは不活性ガスを供給するとともに、基板収納容器５０内から排出される容器内雰囲気を排気ノズル７２ａで受け入れて基板収納容器５０外部に排気する。これにより基板収納容器５０内が清浄化される。供給ノズル７１ａ及び排気ノズル７２ａは、基板収納容器５０内の清浄化を終了すると、下方向に移動して元の位置に戻る（図８ａ（４））。
【００２８】
このようにガス供給動作を行って基板収納容器５０内が清浄化されたＴ２において、基板受け渡し装動作を開始する。まず、ポート扉４３が進退機構４４及び昇降機構４５によって後退及び下降して開口部４２から退避し、開口部４２を開放する（図８ａ（５））。続いて、搬送ロボット４６が容器扉５２の方向にアーム４６ａを前進させ（図８ａ（６））、アーム先端部４６ｂを容器扉５２に接触させ、アーム先端部４６ｂに設けた吸引機構又は把持機構など（図示せず）を駆動して容器扉５２を一体保持する（図８ｂ（７））。そして、アーム先端部４６ｂに設けたラッチ解除機構及び吸引機構（図示せず）を駆動し、容器扉５２を容器本体５１にラッチするラッチ機構（図示せず）を解除するとともに、基板Ｗを基板保持アーム５３に吸着固定する。
【００２９】
その後、アーム４６ａを後退させて容器扉５２を受け渡し装置４０内部に搬送する（図８ｂ（８））。容器扉５２には、基板保持アーム５３が一体的に形成されているので、容器扉５２を受け渡し装置４０内部に搬送するのと同時に基板Ｗが受け渡し装置４０内に搬送される。搬送ロボット４６は、このようにして基板Ｗを基板収納容器５０から受け渡し装置４０内へと搬送した後、処理装置１０内へと搬送する（図８ｂ（９））。そして、基板Ｗの基板保持アーム５３への吸着固定を解除し、その後、基板Ｗを処理ステージ１１上に移載する。そして最後に容器扉５２を容器本体５１へ戻す（図８ｂ（１０））。そして、容器扉５２が閉められた後、Ｔ３〜Ｔ４において清浄化ガス供給動作を行う（図示略）。
【００３０】
以上の搬送動作、清浄化ガス供給動作及び基板受渡し動作の一連の動作は、処理装置１０で処理すべき基板Ｗがコンベア３０によって該当の処理装置１０に対応する受け渡し準備位置Ｐ１に搬送される度に行われる。
【００３１】
このように、本実施の形態によれば、基板収納容器５０をコンベア３０に着脱自在に装着し、基板収納容器５０内に基板Ｗを収納した状態で搬送するようにしたので、従来のようにコンベア３０全体をクリーン環境下に配置する必要がないため、エネルギー削減が可能となる。
【００３２】
また、基板収納容器５０内を清浄化手段７０によって清浄化するようにしたので、基板収納容器５０内の雰囲気を清浄に保つことが可能となる。ここで、この清浄化に際し、清浄化手段７０を駆動するためのエネルギーが必要となるが、従来と比べて清浄に保つべき空間が格段に小さいため、少ないエネルギーで清浄化の維持が可能である。
【００３３】
また、清浄化手段７０を各処理装置１０毎に設け、基板収納容器５０内を定期的に清浄化するので、半導体製造を開始してから終了するまで常に基板収納容器５０内を高い清浄度環境に維持することができる。
【００３４】
また、清浄化のためのガスとして清浄化されたドライエアーまたは不活性ガスを供給するようにしたので、基板収納容器５０内の雰囲気中の水分及び酸素を低減することができる。よって、基板表面に自然酸化膜が成長するのを抑制でき、また、基板表面への水分及び有機物の吸着を抑制でき、デバイス特性の劣化、特性バラツキを防止することができる。また、処理装置１０で行われる処理の一つであるドライエッチング後には、デバイス表面よりデガス（ＣＦ系のガス発生）があり、そのガスが水分と反応するとＨＦとなり基板Ｗを腐食するが、清浄化されたドライエアの導入によってこれを防ぐことができる。ここで、本例では、処理後の基板Ｗを基板収納容器５０内に収納した直後のタイミング（図７のＴ３〜Ｔ４のタイミング）で清浄化を実施しているので、基板Ｗから発生するデガスを直ちに除去でき、次の処理までの待機時間の間、清浄且つ湿度が制御された環境内に基板Ｗを配置することが可能となる。したがって、デガス発生による基板Ｗの腐食を確実に防止することができる。また、塗布系の絶縁膜の場合、塗布して焼成するまでの間に水分が多い雰囲気中に基板Ｗを放置すると、誘電率が上がることがあるが、ドライエアの導入によってこれも解消することが可能となる。
【００３５】
なお、清浄化ドライエアーまたは不活性ガスに適度な湿度（例えば４０から５０％）を与えても良い。これにより静電気が防止され、基板Ｗ上の素子の破壊、パーティクル汚染の付着を防止しつつ、保管環境中のパーティクル汚染および有機ガスの悪影響を除去でき、また不活性ガスを用いた場合は、さらに酸素の悪影響も除去することが可能である。
【００３６】
また、半導体製造装置１は、上記効果を有する基板搬送装置２０を備えたものであるので、基板周囲の雰囲気を清浄に保つための空調エネルギーを削減することが可能で、引いて製造コストの低減が可能である。また、清浄化手段７０によって基板周囲の雰囲気を高い清浄度に維持できるため、基板収納容器５０内の清浄度が低いことによる基板Ｗに対する上述の各種悪影響を防止でき、精度の高いデバイスを製造することが可能となる。
【００３７】
なお、本実施の形態では、清浄化を行うときの基板収納容器５０の位置を、受け渡し位置Ｐ２としたが、必ずしもこの位置に限定するものではなく、受け渡し準備位置Ｐ１にて行うようにしてもよい。
【００３８】
また、本実施の形態では、基板収納容器５０が受け渡し位置Ｐ２に停止してから容器扉５２が開放されるまでの間に清浄化を行っているが、必ずしもこのタイミングに限定されるものではない。しかし、このタイミングにおける清浄化は、基板収納容器５０に比べて受け渡し装置４０側の内部環境が僅かにでも清浄度が高い場合に効果を発揮する。すなわち、容器扉５２が開放されて基板収納容器５０内の空間と受け渡し装置４０内の空間とが連通する直前に基板収納容器５０内の清浄度が高められることになるので、基板収納容器５０内の環境によって受け渡し装置４０側の環境に悪影響を与えるのを防止することができる。
【００３９】
なお、本実施の形態では、基板収納容器５０を移動機構６０によって受け渡し位置に移動するようにしたが、図９に示すように、外壁４１の一部をポート扉４３ごと移動機構８０によって基板収納容器５０側に移動させる構成としてもよい。この場合、清浄化手段７０は、受け渡し準備位置Ｐ１に停止した基板収納容器５０に対して接続可能な位置に配置される。
【００４０】
なお、コンベア３０に接続される基板収納容器５０は図示の構造のものに限定されるものではなく、清浄化手段７０が気密に接続可能な構成を有していれば任意の構造のものを採用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の基板搬送装置を含む半導体製造装置の平面図。
【図２】１つの処理装置と受け渡し装置とコンベアの一部を示す図。
【図３】図２のＡ−Ａ概略断面図。
【図４】図２を矢印Ａ方向から見た図。
【図５】供給部に供給ノズルが接続された状態を示す図。
【図６】排気部に排気ノズルが接続された状態を示す図。
【図７】搬送動作、基板受渡し動作及びガス供給動作に関するタイムチャート。
【図８ａ】基板搬送装置の動作説明図（１／２）。
【図８ｂ】基板搬送装置の動作説明図（２／２）。
【図９】基板搬送装置の他の形態を示す図。
【符号の説明】
【００４２】
１  半導体製造装置、１０  処理装置、２０  基板搬送装置、３０  コンベア、４０  受け渡し装置、５０  基板収納容器、５２  容器扉、５５  供給部、５６  排気部、６０  移動機構、７０  清浄化手段、７１  清浄化ガス供給手段、７２  容器内雰囲気排気手段、Ｗ  基板。
【図１】
2006228808.tif 000003
【図２】
2006228808.tif 000004
【図３】
2006228808.tif 000005
【図４】
2006228808.tif 000006
【図５】
2006228808.tif 000007
【図６】
2006228808.tif 000008
【図７】
2006228808.tif 000009
【図８ａ】
2006228808.tif 000010
【図８ｂ】
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【図９】
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