(57)【要約】【課題】  電子部品の材料を問わず、また、表面処理工程を行わなくても、高温環境下での強度劣化ははんだ接合寿命の低下を防止できる構造の混成集積回路装置を提供する。【解決手段】  複数本のリード２ａおよび複数個のパッド１ａを覆うように、樹脂部材４を形成する。この樹脂部材４により、複数本のリード２ａと複数個のパッド１ａとの接合強度を確保することができる。このため、電子部品の材料を問わず、また、表面処理工程を行わなくても、高温環境下での接合材料３における強度劣化や接合寿命の低下を防止できる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード（２ａ）が備えられた電子部品（２）と、
回路配線が備えられていると共に、該回路配線に電気的に接続されたパッド（１ａ）が備えられた回路基板（１）と、
前記電子部品（２）に備えられた前記リード（２ａ）と前記回路基板（１）に備えられた前記パッド（１ａ）とを電気的に接続する接続材料（３）と、
前記接続材料（３）によって接続された前記リード（２ａ）および前記パッド（１ａ）を少なくとも覆うように形成された樹脂部材（４）と、を備えていることを特徴とする混成集積回路装置。
【請求項２】
前記樹脂部材（４）が熱硬化型エポキシ材料であることを特徴とする請求項１に記載の混成集積回路装置。
【請求項３】
前記樹脂部材（４）の熱膨張係数（α）が１６〜３０ｐｐｍ／℃となっていることを特徴とする請求項２に記載の混成集積回路装置。
【請求項４】
前記樹脂部材（４）のうち、前記接続材料（３）によって接続された前記リード（２ａ）および前記パッド（１ａ）を覆っている部分の厚みが５０μｍ以上となっていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の混成集積回路装置。
【請求項５】
前記樹脂の樹脂広がり率が０．１以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の混成集積回路装置。
【請求項６】
前記樹脂部材（４）は、前記リード（２ａ）および前記電子部品（２）と前記回路基板（１）との間に入り込む第１樹脂部材（４ａ）と、該第１樹脂部材（４ａ）よりも上層に配置される第２樹脂部材（４ｂ）とを備えた構成となっており、
前記第１、第２樹脂部材（４ａ、４ｂ）にフィラーを含有させると共に、
前記第１樹脂部材（４ａ）に含有されるフィラーよりも前記第２樹脂部材（４ｂ）に含有されるフィラーの方を大きくすることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の混成集積回路装置。
【請求項７】
前記第１樹脂部材（４ａ）に含有されたフィラーに対して、前記第２樹脂部材（４ｂ）に含有されたフィラーは１．５倍以上の大きさになっていることを特徴とする請求項６に記載の混成集積回路装置。
【請求項８】
前記第１樹脂部材（４ａ）に含有されたフィラーは３０μｍ以下、前記第２樹脂部材（４ｂ）に含有されたフィラーは５０μｍ以下であることを特徴とする請求項６または７に記載の混成集積回路装置。
【請求項９】
前記樹脂部材（４）は、前記リード（２ａ）および前記電子部品（２）と前記回路基板（１）との間に入り込む第１樹脂部材（４ａ）と、該第１樹脂部材（４ａ）よりも上層に配置される第２樹脂部材（４ｂ）とを備えた構成となっており、前記第１樹脂部材（４ａ）と、前記第２樹脂部材（４ｂ）の樹脂広がり率が異なり、前記第１樹脂部材（４ａ）は、０．０５以下、前記第２樹脂部材（４ｂ）の樹脂広がり率が０．１以上であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の混成集積回路装置。
【請求項１０】
前記電子部品（２）と前記回路基板（１）との間が前記第１樹脂部材（４ａ）によって埋められ、前記電子部品（２）の上部に前記第２樹脂部材（４ｂ）が形成されていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれか１つに記載の混成集積回路装置。
【請求項１１】
リード（２ａ）が備えられた電子部品（２）と、回路配線が備えられていると共に、該回路配線に電気的に接続されたパッド（１ａ）が備えられた回路基板（１）とを有し、前記電子部品（２）に備えられた前記リード（２ａ）と前記回路基板（１）に備えられた前記パッド（１ａ）とを接続材料（３）によって電気的に接続してなる混成集積回路装置の製造方法であって、
前記接続材料（３）によって接続された前記リード（２ａ）および前記パッド（１ａ）を少なくとも覆うように樹脂部材（４）を形成する工程を有することを特徴とする混成集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
前記樹脂部材（４）を形成する工程では、
前記リード（２ａ）と前記回路基板（１）との間に入り込むように、フィラーが含有された第１樹脂部材（４ａ）を形成する工程と、
前記第１樹脂部材（４ａ）よりも上層に配置されるように、フィラーが含有された第２樹脂部材（４ｂ）を形成する工程とを含み、
前記第１樹脂部材（４ａ）を形成する工程および前記第２樹脂部材（４ｂ）を形成する工程において、前記第１樹脂部材（４ａ）と前記第２樹脂部材（４ｂ）は、同時硬化することを特徴とする請求項１１に記載の混成集積回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードが延設された電子部品と電気配線が備えられた回路基板とを用意し、回路基板上に電子部品を搭載したのち、リードと電気配線とをはんだ等で接合することで、電子部品の回路基板への実装を行った混成集積回路装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子部品を回路基板へ実装した混成集積回路装置が知られている。図８は、この混成集積回路装置における電子部品の実装構造を示した断面図である。この図に示されるように、この混成集積回路装置では、リードＪ１が延設された電子部品Ｊ２とパッドＪ３が備えられた回路基板Ｊ４とを用意し、回路基板Ｊ４上に電子部品Ｊ２を搭載したのち、リードＪ１とパッドＪ３とがはんだ等の接合材料Ｊ５を介して接合されるようになっている。
【０００３】
このような混成集積回路装置において、回路基板上の接合材料Ｊ５の耐熱性、熱疲労向上のために、特殊な表面処理を実施することで、高温環境下での合金層の成長を押さえ、強度を確保したり（例えば特許文献１参照）、回路基板の基材と熱膨張係数が近似する電子部品を選定することではんだ等の接合材料の歪を低減し、冷熱サイクルの寿命を確保したりすることが考えられている。
【特許文献１】特開２００３−１９８１１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、はんだ接合部の強度確保や寿命の確保のために、電子部品の端子の表面処理を行ったり、特殊な材料を用いなければならないという問題がある。このため、表面処理を行うという製造工程増加や特殊な材料が必要になるための材料コストの増大により、混成集積回路装置の製造コストが多大になるという問題がある。
【０００５】
さらに、近年、はんだ接合材料における鉛（Ｐｂ）フリー化が進められていることから、接合材料として鉛フリーはんだを用いた場合、上記のような手法を採用したとしても、高温環境下での強度劣化やはんだ接合寿命の低下を防止できない可能性がある。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、電子部品の材料を問わず、また、表面処理工程を行わなくても、高温環境下での強度劣化やはんだ接合寿命の低下を防止できる構造の混成集積回路装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、リード（２ａ）が備えられた電子部品（２）と、回路配線が備えられていると共に、該回路配線に電気的に接続されたパッド（１ａ）が備えられた回路基板（１）と、電子部品（２）に備えられたリード（２ａ）と回路基板（１）に備えられたパッド（１ａ）とを電気的に接続する接続材料（３）と、接続材料（３）によって接続されたリード（２ａ）およびパッド（１ａ）を少なくとも覆うように形成された樹脂部材（４）と、を備えていることを特徴としている。
【０００８】
このように、リード（２ａ）およびパッド（１ａ）を覆うように、樹脂部材（４）を形成する。この樹脂部材（４）により、リード（２ａ）とパッド（１ａ）との接合強度を確保することができる。したがって、電子部品の材料を問わず、また、表面処理工程を行わなくても、高温環境下での接合材料（３）における強度劣化や接合寿命の低下を防止できる。
【０００９】
このような樹脂部材（４）としては、例えば、請求項２に示されるようなが熱硬化型エポキシ材料を用いることができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明では、樹脂部材（４）の熱膨張係数（α）が１６〜３０ｐｐｍ／℃となっていることを特徴としている。
【００１１】
このように、樹脂部材（４）の熱膨張係数（α）を１６〜３０ｐｐｍ／℃とすることで、接合材料（３）の歪を低減でき、冷熱寿命を向上させることができるという効果が得られる。
【００１２】
請求項４に記載の発明では、樹脂部材（４）のうち、接続材料（３）によって接続されたリード（２ａ）およびパッド（１ａ）を覆っている部分の厚みが５０μｍ以上となっていることを特徴としている。
【００１３】
このように、樹脂部材（４）の樹脂厚を５０μｍ以上とすれば、樹脂部材（４）のクラックを防止でき、冷熱サイクル寿命を向上させることができるという効果が得られる。
【００１４】
樹脂部材（４）のうち、接続材料（３）によって接続されたリード（２ａ）およびパッド（１ａ）を覆っている部分の厚みを確保するには、樹脂材料の広がり率を一定以下にする必要がある。広がり率とは、樹脂を０．５ｇ平板上にディスペンサーで塗布した後に硬化しその樹脂の高さと広がり径を測定し、広がり率＝（広がり高さ/広がり径）と定義したものであり、この場合において、広がり率とリード（２ａ）およびパッド（１ａ）を覆っている部分の厚みの関係性をとると、広がり率０．１以上で５０μｍの樹脂厚を確保できる。したがって、クラックを発生させないためには、請求項５または９に示されるように、広がり率０．１以上が必要である。
【００１５】
参考として、広がり率と接続されたリード（２ａ）およびパッド（１ａ）を覆っている部分の樹脂厚との関係、および、−４０〜１２５℃間における冷熱サイクル試験での樹脂クラックの有無について図９に示す。
【００１６】
請求項６に記載の発明では、樹脂部材（４）は、リード（２ａ）および電子部品（２）と回路基板（１）との間に入り込む第１樹脂部材（４ａ）と、該第１樹脂部材（４ａ）よりも上層に配置される第２樹脂部材（４ｂ）とを備えた構成となっており、第１、第２樹脂部材（４ａ、４ｂ）にフィラーを含有させると共に、第１樹脂部材（４ａ）に含有されたフィラーよりも第２樹脂部材（４ｂ）に含有されたフィラーの方を大きくすることを特徴としている。
【００１７】
このように、第１樹脂部材（４ａ）をリード（２ａ）および電子部品（２）と回路基板（１）との間に入り込ませる場合、第１樹脂部材（４ａ）の耐久性を補う樹脂材料とするために、第１樹脂部材（４ａ）に含有されたフィラーのよりも第２樹脂部材（４ｂ）に含有されたフィラーの方が大きくなるようにする方がより好ましい。
【００１８】
この場合、例えば、請求項７に示されるように、第１樹脂部材（４ａ）に含有されたフィラーに対して、第２樹脂部材（４ｂ）に含有されたフィラーは１．５倍以上の大きさとされると好ましい。
【００１９】
具体的には、請求項８に示されるように、第１樹脂部材（４ａ）に含有されたフィラーは３０μｍ以下、第２樹脂部材（４ｂ）に含有されたフィラーは５０μｍ以下とされると好ましい。
【００２０】
以上、請求項１ないし１０では、本発明を物の発明として記載しているが、本発明を物の製造方法の発明として捉えることも可能である。請求項１１および１２は、これらの一例を示したものであり、例えば、請求項１１の発明により、請求項１に記載の混成集積回路装置を製造することができ、請求項１２に記載の発明により、請求項６に記載の混成集積回路装置を製造することができる。
【００２１】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態が適用された混成集積回路装置における電子部品の実装構造を示す断面図である。また、図２は、混成集積回路装置における電子部品の実装構造の上面図であり、図１の紙面上方から見たときの図に相当する。以下、これらの図を参照して、混成集積回路装置における電子部品の実装構造について説明する。
【００２４】
図１に示されるように、混成集積回路装置は、回路基板１上に表面実装（以下ＳＭＤという（ＳＭＤ：Surface Mount Device））部品２を搭載したのち、回路基板１内の回路配線に電気的に接続された複数個のパッド１ａとＳＭＤ部品２から引き延ばされた複数本のリード２ａとが接合材料３を介して電気的に接続されることで構成されている。
【００２５】
そして、このような構造において、本実施形態では、少なくともリード２ａとパッド１ａとの電気的接合部を覆うように、樹脂部材４が備えた構成としている。
【００２６】
回路基板１とリード２ａは、周知の様々な材料で構成されるが、これらが熱膨張係数に差がある材質で構成されていたとしても、本実施形態の構造を採用することができる。例えば、回路基板１として例えば熱膨張係数αが７ｐｐｍ／℃のセラミック基板などが用いられる場合において、リード２ａとして例えば熱膨張係数αが１７ｐｐｍ／℃のＣｕリードが用いられる場合、もしくは、回路基板１として例えば熱膨張係数αが１４〜１７ｐｐｍ／℃の樹脂基板などが用いられる場合において、リード２ａとして例えば熱膨張係数αが４．５ｐｐｍ／℃の４２Ｎｉ−Ｆｅ合金リードが用いられる場合等に関しても、本実施形態の構造を採用できる。
【００２７】
すなわち、このように回路基板１とリード２ａの熱膨張整数に差が有る場合には、従来の構造だと冷熱ストレスによってはんだ等の接合材料３に歪が発生し、接合材料３にクラックが発生し、オープン不良になる可能性がある。しかも、接合材料３が鉛フリーはんだになった場合、接合部材３自体の強度が低下するため、振動等の応力によって接合部材３がオープン不良に至る可能性が高くなる。このため、本実施形態の構造は、上記のように、回路基板１とリード２ａの熱膨張整数に差が有る場合に特に有効となる。
【００２８】
接合材料３も、はんだ等の周知となっている様々な材料で構成され、鉛が含有されたはんだだけでなく、鉛フリーはんだも適用可能となっており、上述したように、接合材料３が強度の高くない鉛フリーはんだで構成される場合に特に本実施形態の構造が有効となる。
【００２９】
樹脂部材４は、熱膨張係数が例えば１０〜５０ｐｐｍ／℃、より好ましくは１６〜３０ｐｐｍ／℃となる材料で構成されている。例えば、樹脂部材４は、フィラーが含有された熱硬化型エポキシ材料によって構成される。具体的には、樹脂部材４は、フィラー材質がシリカ、フィラー形状が球形で、かつ、フィラー含有量が６０〜８０ｗｔ％程度とされたエポキシ樹脂で構成される。
【００３０】
このように構成される混成集積回路装置は、例えば以下のように製造される。まず、回路基板１の上にＳＭＤ部品２を搭載した後、ＳＭＤ部品２に備えられた複数本のリード２ａが回路基板１に備えられた複数個のパッド１ａと対応するように配置する。次に、これら複数本のリード２ａと複数個のパッド１ａをそれぞれ接合材料３にて接合することで電気的に接続する。そして、回路基板１の上方から少なくとも複数本のリード２ａおよび複数個のパッド１ａを覆うように、溶融した樹脂部材４を流し込んだ後、樹脂部材４を硬化させる。
【００３１】
このとき、樹脂部材４に含有したフィラーを球状としているため、基材となるエポキシ材料とフィラー間の潤滑性が向上し、結果として、樹脂材料４の注入性、浸透性を向上させることが可能となる。また、フィラーを球状とすれば、フィラーに突起状部分が存在しないため、ＳＭＤ部品２や回路基板１に備えられる素子を傷付け、素子機能を低下させてしまうようなことを防止できる。
【００３２】
このようにして、混成集積回路装置が完成する。
【００３３】
続いて、本実施形態のように構成された混成集積回路装置により得られる効果について説明する。
【００３４】
本実施形態の混成集積回路装置では、複数本のリード２ａおよび複数個のパッド１ａを覆うように、樹脂部材４を形成している。この樹脂部材４により、複数本のリード２ａと複数個のパッド１ａとの接合強度を確保することができる。このため、電子部品の材料を問わず、また、表面処理工程を行わなくても、高温環境下での接合材料３における強度劣化や接合寿命の低下を防止できる。
【００３５】
さらに、本実施形態の混成集積回路装置では、熱膨張係数が例えば１０〜５０ｐｐｍ／℃、より好ましくは１６〜３０ｐｐｍ／℃となる材料で樹脂部材４を構成している。このため、接合材料３の歪を低減でき、冷熱寿命を向上させることができるという効果が得られる。このような効果が得られる理由について、図３を参照して説明する。
【００３６】
図３は、回路基板１をセラミック基板、リード２ａをＣｕリード、接合部材３を鉛フリーはんだ材料となるＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕで構成した場合に冷熱サイクル試験を行い、樹脂部材４の材質を変えながら冷熱時の発生応力と耐久性を確認したときの結果を示したものである。なお、図３では、樹脂部材４の熱膨張係数α（ｐｐｍ／℃）がほとんど無い場合における接合材料３の歪や冷熱寿命を１として、樹脂部材４の材質を変えたときの接合材料３の歪の大きさを樹脂部材４の熱膨張係数αがほとんど無い場合における接合材料３の歪に対する割合として表してある。
【００３７】
この図に示されるように、樹脂部材４の熱膨張係数αが１０ｐｐｍ／℃になると、接合材料３の歪が０．５と半減しており、冷熱寿命は２．５と倍以上になっている。そして、樹脂部材４の熱膨張係数αが１６〜３０ｐｐｍ／℃になると、接合材料３の歪が半分以下まで減少しており、冷熱寿命は３倍以上に大幅に増加する。ただし、樹脂部材４の熱膨張係数αが５０ｐｐｍ／℃になると、接合材料３の歪が０．８３と再び増加しており、冷熱寿命は１．５と徐々に低下してしまう。
【００３８】
このような結果が得られたのは、接合部材３を鉛フリーはんだ材料となるＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕで構成した場合に、接合材料３の熱膨張係数αが例えば２４ｐｐｍ／℃となり、樹脂部材４の熱膨張係数αが接合材料３の熱膨張係数αと近くなるほど、接合部材３での発生応力が低減され、耐久性が向上するためである。
【００３９】
したがって、樹脂部材４の熱膨張係数αが１０〜５０ｐｐｍ／℃の範囲において接合材料３の歪を低減でき、冷熱寿命を向上できるが、熱膨張係数αが１６〜３０ｐｐｍ／℃の範囲となるとより良好となり、特に、熱膨張係数αが２４ｐｐｍ／℃になると、最も優れた効果が得られるといえる。
【００４０】
このため、本実施形態の混成集積回路装置のように、熱膨張係数が例えば１０〜５０ｐｐｍ／℃、より好ましくは１６〜３０ｐｐｍ／℃となる材料で樹脂部材４を構成することで、接合材料３の歪を低減でき、冷熱寿命を向上させることができるという効果が得られるのである。
【００４１】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して、樹脂部材４の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
【００４２】
図４は、本実施形態が適用された混成集積回路装置における電子部品の実装構造を示す断面図である。
【００４３】
この図に示されるように、本実施形態の混成集積回路装置では、樹脂部材４が２層構造とされている。具体的には、樹脂部材４が第１樹脂部材４ａと第２樹脂部材４ｂとによって構成されている。第１樹脂部材４ａは、複数本のリード２ａと回路基板１との間に入り込むように構成されたものであり、第２樹脂部材４ａは、第１樹脂部材４ａの上層に配置されるように構成されたものである。
【００４４】
第１樹脂部材４ａと第２樹脂部材４ｂは、共に、フィラーを含有する樹脂、例えば熱硬化性エポキシ材料で構成されているが、それぞれに含有されるフィラーの大きさが異なったものとされている。
【００４５】
これら第１、第２樹脂部材４ａ、４ｂに含有されるフィラーの大きさは、まず、リード２ａやＳＭＤ部品２の下方位置まで浸透させる必要があるか否かによって決定される。すなわち、ＳＭＤ部品２と回路基板１との間の隙間が狭い場合には、ＳＭＤ部品２の下方に樹脂自体が回り込まない場合が発生し得る。このような場合、ＳＭＤ部品２の樹脂による拘束力が少なくなり、その部分が剥離し、接合強度を確保できなくなるという問題が発生する可能性がある。したがって、隙間の狭い部分に入り易い浸透性の高い樹脂材料を用いることで、上記の問題を防ぐことが可能となる。
【００４６】
本実施形態の場合、第１樹脂部材４ａをリード２ａの下方位置まで浸透させるようにしていることから、少なくとも第１樹脂部材４ａに関してはリード２ａの下方位置まで浸透できるようなフィラーの大きさとする必要がある。このような要求を満たすフィラーとしては、例えばフィラー径が３０μｍ以下（平均径５μｍ）であれば良いことが確認されている。
【００４７】
一方、浸入性の高い樹脂は、耐久性に関しても満たしているとは限らない。このため、第１樹脂部材４ａを浸透性の高い樹脂材料で構成した場合、第２樹脂部材４ａは第１樹脂部材４ａの耐久性を補えるような樹脂材料とするのが好ましい。このように耐久性を補うためには、第２樹脂材料４ｂの厚み、具体的には、リード２ａの端部からの樹脂厚（以下、単に樹脂厚という）を厚くする必要がある。これは、樹脂厚が薄いと冷熱耐久試験でリード２ａの端部からクラックが発生し、さらに、冷熱サイクルで接合材料３にクラックが発生してオープン不良に至るためである。
【００４８】
図５に、樹脂厚と冷熱サイクル試験の結果を示す。この図に示されるように、樹脂厚を５０μｍ以上とすれば、十分な冷熱サイクル寿命が得られることが分かる。このように、樹脂部材４の樹脂厚を５０μｍ以上とすれば、樹脂部材４のクラックを防止でき、冷熱サイクル寿命を向上させることができるという効果が得られる。
【００４９】
ただし、このように第２樹脂部材４ｂの樹脂厚が決められる場合、第２樹脂部材４ｂに含有されるフィラーの大きさも制約を受ける。すなわち、樹脂厚が５０μｍで有る場合には、それ以上の大きさのフィラーが含有されていると、フィラーがリード２ａの端部に存在したときに、基材となるエポキシ材料がほとんど存在しない状態になってしまうため好ましくない。したがって、樹脂厚が５０μｍとされる場合にも対応できるように、第２樹脂部材４ｂに含有されるフィラー径を例えば５０μｍ以下（平均径１０μｍ）とするのが好ましい。
【００５０】
なお、第２樹脂部材４ｂに関しては、第１樹脂部材４ａと異なり、ＳＭＤ部品２の下方位置まで入り込む必要がない。このため、第１樹脂部材４ａの耐久性を補う樹脂材料とするために、第１樹脂部材４ａに含有されたフィラーのよりも第２樹脂部材４ｂに含有されたフィラーの方が大きくなるようにする方がより好ましい。
【００５１】
このようにして、第１、第２樹脂部材４ａに含有されるフィラーの大きさが設定されている。そして、実験によれば、これら第１、第２樹脂部材４ａに含有されるフィラーの大きさの関係は、例えば、第１樹脂部材４ａに含有されたフィラーに対して、第２樹脂部材４ｂに含有されたフィラーは１．５倍以上の大きさとなることを確認している。
【００５２】
以上のように構成された本実施形態の混成集積回路装置では、上述したように、第１樹脂部材４ａがリード２ａおよびＳＭＤ部品２の下方位置まで入り込むようにしつつ、かつ、第２の樹脂部材４ｂによって第１樹脂部材４ａを覆うような構成としている。
【００５３】
このため、第１樹脂部材４ａによって、ＳＭＤ部品２の拘束力が確実に得られるようにすることで、その部分の剥離や接合強度の低下を防止することが可能となる。また、第２樹脂部材４ｂによって、第１樹脂部材４ａの耐久性を補うようにしているため、十分な耐久性を得ることが可能となる。
【００５４】
また、本実施形態の混成集積回路装置では、第２樹脂部材４ｂの樹脂厚を５０μｍ以上としている。このため、樹脂部材４のクラックを防止でき、冷熱サイクル寿命を向上させることができるという効果が得られる。
【００５５】
（他の実施形態）
上記第１、第２実施形態では、少なくともリード２ａとパッド１ａとの電気的接合部を覆うように、樹脂部材４が備えられたものの例として、ＳＭＤ部品２を含めたリード２ａとパッド１ａとの電気的接合部すべてを樹脂部材４で覆った構成を示した。しかしながら、これは単なる一例であり、図６に示す混成集積回路装置における電子部品の実装構造の断面図、および、図７に示す混成集積回路装置における電子部品の実装構造の上面図に示されるように、ＳＭＤ部品２を除いて、リード２ａとパッド１ａとの電気的接合部のみを樹脂部材４で覆うような構成としても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１実施形態が適用された混成集積回路装置における電子部品の実装構造を示す断面図である。
【図２】図１に示す混成集積回路装置における電子部品の実装構造の上面図である。
【図３】冷熱サイクル試験を行い、樹脂部材の材質を変えながら冷熱時の発生応力と耐久性を確認したときの結果を示した図である。
【図４】本発明の第２実施形態が適用された混成集積回路装置における電子部品の実装構造を示す断面図である。
【図５】樹脂厚と冷熱サイクル試験の結果を示した図である。
【図６】他の実施形態で示した混成集積回路装置における電子部品の実装構造の断面図である。
【図７】図６に示す混成集積回路装置における電子部品の実装構造の上面図である。
【図８】従来の混成集積回路装置における電子部品の実装構造を示した断面図である。
【図９】広がり率と接続されたリードおよびパッドを覆っている部分の樹脂厚との関係、および、−４０〜１２５℃間における冷熱サイクル試験での樹脂クラックの有無について示した図表である。
【符号の説明】
【００５７】
１…回路基板、１ａ…パッド、２…ＳＭＤ部品（電子部品）、２ａ…リード、
３…接合材料、４…樹脂部材、４ａ…第１樹脂部材、４ｂ…第２樹脂部材。
【図１】
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【図２】
2006287097.tif 000004
【図３】
2006287097.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006287097.tif 000007
【図６】
2006287097.tif 000008
【図７】
2006287097.tif 000009
【図８】
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【図９】
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