(57)【要約】【課題】鮮鋭性や発光輝度を向上させる。【解決手段】本発明に係る輝尽性蛍光体パネルの製造方法では、所定の基板２上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層３が形成された蛍光体プレート４を有機溶剤ガス雰囲気下で加熱する。【選択図】図２
2006084213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の基板上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層が形成された蛍光体プレートを有機溶剤ガス雰囲気下で加熱することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記有機溶剤がハロゲン系溶剤であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記ハロゲン系溶剤がフッ素系溶剤であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記フッ素系溶剤がＨＦＥであることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記有機溶剤が引火点をもたない不燃性溶剤であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記蛍光体プレートを加熱した後に前記有機溶剤ガス雰囲気下の気圧を大気圧に調整することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体の放射線画像を形成する際に用いられる放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、いまなお、世界中の医療現場で用いられている。近年では、輝尽性蛍光体プレートを放射線画像変換パネルとして用いたコンピューテッドラジオグラフィー（ＣＲ（computed radiography））も商品化され、高感度化及び画質の改善が日夜続けられている。
【０００３】
上記「輝尽性蛍光体プレート」というのは、被写体を透過した放射線を蓄積して、励起光の照射等により、蓄積した放射線をその線量に応じた強度で輝尽発光するものであり、所定の基板上に輝尽性蛍光体が層状に形成された構成を有している。そのような輝尽性蛍光体プレートの製造方法の一例が特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の製造方法では、周知の気相堆積法により所定の基板上に輝尽性蛍光体層を形成してその基板を熱処理している。（段落番号００３４，００３５参照）。
【特許文献１】特開２００３−２７９６９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、特許文献１に記載の製造方法のように、輝尽性蛍光体層を形成した基板を熱処理すると、輝尽性蛍光体の結晶中から水成分が除去され、輝尽性蛍光体層の輝尽発光量は増加するが、輝尽性蛍光体プレートを単に熱処理しただけでは、輝尽発光量をある一定レベルまでしか増加させることができず、鮮鋭性に欠けたり、発光輝度が低下したりする可能性がある。
本発明の目的は、鮮鋭性や発光輝度を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため請求項１に記載の発明の放射線画像変換パネルの製造方法は、
所定の基板上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層が形成された蛍光体プレートを有機溶剤ガス雰囲気下で加熱することを特徴としている。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、
請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記有機溶剤がハロゲン系溶剤であることを特徴としている。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、
請求項２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記ハロゲン系溶剤がフッ素系溶剤であることを特徴としている。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、
請求項３に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記フッ素系溶剤がＨＦＥであることを特徴としている。
【０００９】
請求項５に記載の発明は、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記有機溶剤が引火点をもたない不燃性溶剤であることを特徴としている。
【００１０】
請求項６に記載の発明は、
請求項１〜５のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法において、
前記蛍光体プレートを加熱した後に前記有機溶剤ガス雰囲気下の気圧を大気圧に調整することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１〜６の発明では、鮮鋭性や発光輝度を向上させることができる（下記実施例参照）。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について説明する。ただし、発明の範囲は図示例に限定されない。
【００１３】
図１は放射線画像変換パネル１の断面図である。
図1に示す通り、放射線画像変換パネル１は、所定の基板２上に輝尽性蛍光体層３が形成された蛍光体プレート４を有している。
【００１４】
基板２は短形状を呈している。基板２は、高分子材料、ガラス、金属等で構成されており、特に、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等のプラスチックフィルム、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラス、又はアルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート若しくはそれら金属酸化物の被覆層を有する金属シートで構成されているのが好ましい。
【００１５】
また、基板２の表面２ａ（図１中上面）は滑面であってもよいし、マット面であってもよい。基板２の表面２ａ（図１中上面）は輝尽性蛍光体層３との接着性を向上させる目的でマット面であってもよく、その表面２ａ上には輝尽性蛍光体層３との接着性を向上させる目的で下引層を設けてもよいし、その表面２ａ上には基板２を透過して輝尽性蛍光体層３に励起光が入射するのを防止する目的で光反射層が設けられていてもよい。
【００１６】
輝尽性蛍光体層３は、少なくとも１層以上からなる層状構造であり、その層厚は５０μｍ以上、好ましくは３００〜５００μｍに形成されている。また、輝尽性蛍光体層３は、図３に示すように、輝尽性蛍光体から構成された多数の柱状結晶３ａ，３ａ，…が互いに間隔をあけて並んだ柱状構造を有しており、各柱状結晶３ａは、基板２の表面２ａの法線Ｒに対し所定角度で傾斜している。
【００１７】
ここで、輝尽性蛍光体層３を構成する輝尽性蛍光体について詳しく述べる。
輝尽性蛍光体としては、一般式（１）で表されるものを使用することができる。
【００１８】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ’2・ｂＭ3Ｘ’’3：ｅＡ  …  （１）
【００１９】
ここで、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であり、特にＫ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属であることが好ましい。
【００２０】
Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉからなる群から選ばれる少なくとも一種の二価金属であり、特に、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、及びＢａから選ばれる少なくとも一種の二価金属であることが好ましい。
【００２１】
Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であり、特に、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の三価金属であることが好ましい。
【００２２】
Ｘ、Ｘ’及びＸ’’はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであり、特にＸはＢｒ及びＩからなる群から選ばれる少なくとも一種のハロゲンであることが好ましい。
【００２３】
ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であり、特にＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａからなる群から選ばれる少なくとも一種の金属であることが好ましい。
【００２４】
ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を示し、特にｂは０≦ｂ≦１０-2の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００２５】
この中でも特に、下記一般式（２）で表される輝尽性蛍光体を有することが好ましい。
【００２６】
ＣｓＸ：Ａ  …  （２）
ここで、ＸはＢｒまたはＩを表し、ＡはＥｕ、Ｉｎ、ＧａまたはＣｅを表す。特にＥｕを賦活材とするとＸ線変換効率が向上することが期待できる。
【００２７】
上記の輝尽性蛍光体は、例えば下記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を用いて以下に述べる製造方法により製造される。
【００２８】
（ａ）ＬｉＦ、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ、ＬｉＩ、ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００２９】
（ｂ）ＢｅＦ2、ＢｅＣｌ2、ＢｅＢｒ2、ＢｅＩ2、ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ2、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００３０】
（ｃ）ＳｃＦ3、ＳｃＣｌ3、ＳｃＢｒ3、ＳｃＩ3、ＹＦ3、ＹＣｌ3、ＹＢｒ3、ＹＩ3、ＬａＦ3、ＬａＣｌ3、ＬａＢｒ3、ＬａＩ3、ＣｅＦ3、ＣｅＣｌ3、ＣｅＢｒ3、ＣｅＩ3、ＰｒＦ3、ＰｒＣｌ3、ＰｒＢｒ3、ＰｒＩ3、ＮｄＦ3、ＮｄＣｌ3、ＮｄＢｒ3、ＮｄＩ3、ＰｍＦ3、ＰｍＣｌ3、ＰｍＢｒ3、ＰｍＩ3、ＳｍＦ3、ＳｍＣｌ3、ＳｍＢｒ3、ＳｍＩ3、ＥｕＦ3、ＥｕＣｌ3、ＥｕＢｒ3、ＥｕＩ3、ＧｄＦ3、ＧｄＣｌ3、ＧｄＢｒ3、ＧｄＩ3、ＴｂＦ3、ＴｂＣｌ3、ＴｂＢｒ3、ＴｂＩ3、ＤｙＦ3、ＤｙＣｌ3、ＤｙＢｒ3、ＤｙＩ3、ＨｏＦ3、ＨｏＣｌ3、ＨｏＢｒ3、ＨｏＩ3、ＥｒＦ3、ＥｒＣｌ3、ＥｒＢｒ3、ＥｒＩ3、ＴｍＦ3、ＴｍＣｌ3、ＴｍＢｒ3、ＴｍＩ3、ＹｂＦ3、ＹｂＣｌ3、ＹｂＢｒ3、ＹｂＩ3、ＬｕＦ3、ＬｕＣｌ3、ＬｕＢｒ3、ＬｕＩ3、ＡｌＦ3、ＡｌＣｌ3、ＡｌＢｒ3、ＡｌＩ3、ＧａＦ3、ＧａＣｌ3、ＧａＢｒ3、ＧａＩ3、ＩｎＦ3、ＩｎＣｌ3、ＩｎＢｒ3及びＩｎＩ3からなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の化合物。
【００３１】
（ｄ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇからなる群から選ばれる少なくとも１種もしくは２種以上の金属。
【００３２】
上記（ａ）〜（ｄ）の蛍光体原料を一般式（１）のａ、ｂ、ｅの範囲を満たすように秤量し、純水にて混合する。この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００３３】
次に、得られた混合液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７に調整するように所定の酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００３４】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボあるいはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉内で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００３５】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００３６】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行なえば輝尽性蛍光体の発光輝度を更に高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００３７】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気あるいは弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができる。
【００３８】
以上のように、輝尽性蛍光体から輝尽性蛍光体層３が形成され、輝尽性蛍光体層３及び基板２は蛍光体プレート４を構成する。
【００３９】
なお、放射線画像変換パネル１では、蛍光体プレート４を保護する保護層が設けられている。保護層として２枚の防湿性の保護フィルム１０，２０を有しており、蛍光体プレート４は、図１に示すように輝尽性蛍光体層３の上側に配置された第１の防湿性保護フィルム１０と、基板２の下側に配置された第２の防湿性保護フィルム２０との間に介在されるようになっている。
【００４０】
第１の防湿性保護フィルム１０は蛍光体プレート４よりやや大きな面積を有しており、蛍光体プレート４の輝尽性蛍光体層３と実質的に接着していない状態でその周縁部が蛍光体プレート４の周縁部より外側に延出している。「第１の防湿性保護フィルム１０が輝尽性蛍光体層３と実質的に接着していない状態」とは、第１の防湿性保護フィルム１０と輝尽性蛍光体層３とが光学的に一体化していない状態をいい、具体的には、第１の防湿性保護フィルム１０と輝尽性蛍光体層３との接触面積が輝尽性蛍光体層３の表面（第１の防湿性保護フィルム１０に対向する面）の面積の１０％以下である状態をいう。
【００４１】
他方、第２の防湿性保護フィルム２０も蛍光体プレート４よりやや大きな面積を有しており、その周縁部が蛍光体プレート４の周縁部より外側に延出している。
【００４２】
放射線画像変換パネル１では、第１，第２の防湿性保護フィルム１０，２０の各周縁部同士が全周にわたって融着されており、第１，第２の防湿性保護フィルム１０，２０で蛍光体プレート４を完全に封止した構成を有している。第１，第２の各防湿性保護フィルム１０，２０は、蛍光体プレート４を封止することにより、蛍光体プレート４への水分の浸入を確実に防止して当該蛍光体プレート４を保護するようになっている。
【００４３】
図１中上部の拡大図に示す通り、第１の防湿性保護フィルム１０は、第１の層１１、第２の層１２、第３の層１３の３層を積層した積層構造を有している。
【００４４】
第１の層１１は、空気層１４を介して蛍光体プレート４の輝尽性蛍光体層３と対向する層であり、熱融着性を有する樹脂で構成されている。「熱融着性を有する樹脂」としては、エチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ），キャスティングポリプロピレン（ＣＰＰ），ポリエチレン（ＰＥ）等が挙げられる。
【００４５】
第２の層１２はアルミナ，シリカ等の金属酸化物で構成された層であり、周知の蒸着法により第３の層１３下に蒸着されている。第２の層１２は、第１の防湿性保護フィルム１０の防湿性能を強化するものであるが、なくてもよい。
【００４６】
第３の層１３は第２の層１２上に積層されており、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の樹脂で構成されている。
【００４７】
このように、金属酸化物で構成された第２の層１２を有する第１の防湿性保護フィルム１０は、加工性や透明性に優れており、防湿性及び酸素透過性の性質の面で温度や湿度の影響を受けにくい。そのため、当該第１の防湿性保護フィルム１０は、環境によらずに安定した画像品質が要求される輝尽性蛍光体利用型の医療用放射線画像変換パネル１に好適である。
【００４８】
なお、第３の層１３上には、第１の層１１と同様の層、第２の層１２と同様の層、第３の層１３と同様の層又は第１の層１１、第３の層１３とは異なる樹脂で構成された層が１層又は２層以上積層されてもよい。
【００４９】
特に、第３の層１３上に、アルミナ，シリカ等の金属酸化物で構成された第２の層１２と同様の層を積層すると、第１の防湿性保護フィルム１１は、その第２の層１２に相当する層の積層数に応じた最適な防湿性を発揮するようになっている。第２の層１２又はこれと同様の層の積層方法としては、周知の方法であればどのような方法でも適用可能であるが、ドライラミネート方式に従う方法を適用するのが作業性の面で好ましい。
【００５０】
図１中下部の拡大図に示す通り、第２の防湿性保護フィルム２０は、第１の層２１、第２の層２２、第３の層２３の３層を積層した積層構造を有している。
【００５１】
第１の層２１は空気層２４を介して蛍光体プレート４の基板２と対向している。第１の層２１は上記第１の防湿性保護フィルム１０の第１の層１１と同様の樹脂で構成され、その周縁部において上記第１の防湿性保護フィルム１０の第１の層１１と融着している。
【００５２】
第２の層２２は第１の層２１下にラミネートされた層であり、アルミニウムで構成されている。第２の層２２は、第２の防湿性保護フィルム２０における防湿性能を向上させるものであるが、なくてもよい。
【００５３】
第３の層２３は第２の層２２下に積層されており、ＰＥＴ等の樹脂で構成されている。
【００５４】
なお、第３の層２３下には、第１の層２１と同様の層、第２の層２２と同様の層、第３の層２３と同様の層又は第１の層１１、第３の層１３とは異なる樹脂で構成された層が１層又は２層以上積層されてもよい。
【００５５】
続いて、本発明に係る放射線画像変換パネル１の製造方法について説明する。
【００５６】
図２は、放射線画像変換パネル１の製造方法の各工程を経時的に表現した概略図面である。
始めに、所定の基板２を準備して、図２（ａ）に示すように、その基板２上に周知の気相堆積法や塗布法で輝尽性蛍光体層３を形成する。
【００５７】
例えば、複数存在する周知の気相堆積法のうち、蒸着法で輝尽性蛍光体層３を形成する場合について簡単に説明すると、基板２を蒸着装置内の基板ホルダに固定・設置し、当該蒸着装置内を排気して真空状態とする。その後、抵抗加熱法，エレクトロンビーム法等の方法により輝尽性蛍光体を蒸着源として当該輝尽性蛍光体を加熱・蒸発させ、基板２の表面２ａ上に輝尽性蛍光体を所望の厚さになるまで成長させ、輝尽性蛍光体層３を基板２上に形成する。
【００５８】
ここで、図３に示すように、蒸着装置内の基板ホルダに固定した基板２の表面２ａの法線Ｒに対し、輝尽性蛍光体の蒸気流の入射角度をθ２とし、形成しようとする柱状結晶３ａの傾斜角度をθ１とすると、経験的に傾斜角度θ１は入射角度θ２の約半分となり、入射角度θ２に応じた傾斜角度θ１で多数の柱状結晶３ａ，３ａ，…が形成される。すなわち、入射角度θ２＝６０°で輝尽性蛍光体の蒸気流を基板２の表面２ａに入射させれば、当該基板２の表面２ａには傾斜角度θ１＝３０°の多数の柱状結晶３ａ，３ａ，…を形成することができる。
【００５９】
基板２の表面２ａに対し輝尽性蛍光体の蒸気流を所定の入射角度で供給する方法としては、蒸着源に対し基板２を傾斜させるように配置する方法や、基板２と蒸着源とを互いに平行に設置して、スリット等により輝尽性蛍光体の蒸気流の斜め成分のみを蒸着面から蒸発させる方法等がある。
【００６０】
そして基板２上に輝尽性蛍光体層３を形成したら、図２（ｂ）に示す通り、輝尽性蛍光体層３が形成された基板２（蛍光体プレート４）をバルブ３０付きの恒温槽３１の内部に設置し、当該蛍光体プレート４（輝尽性蛍光体層３）を有機溶剤ガス雰囲気下で加熱する。
【００６１】
具体的には、蛍光体プレート４を恒温槽３１の内部に設置して当該恒温槽３１内を０．１Ｐａ程度の真空度とし、次いでバルブ３０を閉じた状態で有機溶剤を導入して大気圧まで戻し、１００℃以上、さらに好ましいのは１００℃以上１６０℃以下で加熱する。
【００６２】
ここで、使用される「有機溶剤」について説明する。
有機溶剤はハロゲン系溶剤であるのが好ましい。ハロゲン系溶剤とは、炭化水素化合物において水素原子の少なくとも１つがＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉ等のハロゲンに属する原子で置換された化合物を含む溶剤である。当該ハロゲン化溶剤は構造的には各元素同士の結合が飽和結合だけで構成された化合物であってもよいし、不飽和結合を含む化合物であってもよいし、環状の化合物であってもよいし、鎖状の化合物であってもよいし、化合物中の原子又は分子が水酸基、エーテル基、カルボニル基、カルボキシル基で置換された化合物であってもよい。
【００６３】
当該ハロゲン系溶剤として好ましい化合物としては、
（１）加熱工程に供される点（引火性や爆発性等に関わる消防法的な観点から引火点をもたない等の特性が要求される点）の観点から、引火点をもたない不燃性溶剤を適用するのがよい。この場合、後述の加熱工程において、使用しようとするハロゲン系溶剤の種類を考慮せずに加熱温度を任意に設定することができるが、加熱温度を引火点以下の温度で行うのが好ましい。
【００６４】
さらに上記（１）の観点を含めて、
（２）環境適性
（３）生体への有害性
等の観点から、昨今話題にのぼるフロン代替素材が有用であると考えられている。その中でも上記（２），（３）に優れた最新のフロン代替素材である「ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）」を当該ハロゲン化溶剤として好適に用いることができる。
【００６５】
ＨＦＥは、炭素、フッ素、水素、１つ以上のエーテル酸素原子からなり、さらに炭素主鎖中に組み込まれた１つ以上のさらなるヘテロ原子、例えば、硫黄又は三価窒素原子を含んでいてもよい。ＨＦＥは直鎖状を呈していてもよいし、枝分かれ状を呈していてもよいし、環状を呈していてもよいし、又はそれらの組み合わせで構成された構造を有していてもよく、例えば、アルキル脂環式であってもよい。ただし、ＨＦＥは不飽和結合を含まないことが好ましい。
【００６６】
具体的なＨＦＥとして、下記一般式（３）によって示される化合物をその一例として用いることができる。
【００６７】
（Ｒ4−Ｏ）a−Ｒ5  …  （３）
【００６８】
上記一般式（３）中、「ａ」は１〜３の数であり、「Ｒ4」及び「Ｒ5」はアルキル基及びアリール基からなる群より選択される基であり、互いに同一であってもよいし異なっていてもよい。「Ｒ4」及び「Ｒ5」のうち少なくとも１つは、少なくとも１個のフッ素原子と、少なくとも１個の水素原子とを含むものであり、「Ｒ4」及び「Ｒ5」のいずれか一方又は両方が１個以上の鎖中ヘテロ原子を含んでもよく、ＨＦＥは当該ＨＦＥ中のフッ素原子の総数が水素原子の総数以上であるのが好ましい。「Ｒ4」及び「Ｒ5」は直鎖状を呈していてもよいし、枝分かれ状を呈していてもよいし、環状を呈してもいてもよく、さらに言えば１個以上の不飽和の炭素−炭素結合を含んでいてもよいが、「Ｒ4」及び「Ｒ5」が両方とも各元素同士で飽和結合した原子団であるのが好ましい。
【００６９】
このような性質を有するＨＦＥとしては、例えば住友スリーエム株式会社製のノベック（登録商標）ＨＦＥ−７１００，７１００ＤＬ，７２００やダイキン工業株式会社製のＨＦＥ−Ｓ７（商品名）等があり、これら市販のＨＦＥを加熱工程に使用可能なハロゲン化溶剤として好適に用いることができる。
【００７０】
上記の熱処理をおこなったら、バルブ３０を開き、恒温槽３１の内部の有機溶剤ガスを抜き、有機溶剤ガス雰囲気下の気圧を大気圧に調整する。その後、蛍光体プレート４を恒温槽３１の内部で１時間程度放置冷却する。有機溶剤ガス雰囲気下での熱処理の後で、ガス抜きを行ってから蛍光体プレート４を放置冷却するのは、各柱状結晶３ａに付着、又は各柱状結晶３ａ中に閉じ込められた有機溶剤ガスが液体に戻るのを防ぐためである。
【００７１】
蛍光体プレート４を放置冷却したら、蛍光体プレート４を恒温槽３０から取り出し、その蛍光体プレート４を第１，第２の各防湿性保護フィルム１０，２０間に挟んでそれら第１，第２の防湿性保護フィルム１０，２０の各周縁部をインパルスシーラで加熱・融着する。これにより、蛍光体プレート４を第１，第２の防湿性保護フィルム１０，２０で封止することができ、放射線画像変換パネル１の製造が完了する。
【実施例】
【００７２】
本実施例では、放射線画像変換パネルを想定した複数種類の試料を作製し、それら各試料について輝度や鮮鋭性を測定・評価した。
【００７３】
（１）試料１〜７の作製
基板として、２０ｃｍ×２０ｃｍからなる正方形状で厚さが５００μｍのアルミを７枚準備し、各基板の一方の面に光反射層を形成した。光反射層の形成は、周知の蒸着装置を用いて酸化チタン（フルウチ化学社製）と酸化ジルコニウム（フルウチ化学社製）とを基板上に蒸着することでおこなった。
【００７４】
その後、各基板の光反射層上にＣｓＢｒ：Ｅｕからなる輝尽性蛍光体を蒸着し、各基板の光反射層上に輝尽性蛍光体層を形成した。具体的には、始めに、各基板の光反射層を形成した面を蒸着装置の蒸着源に向けた状態で蒸着装置内の真空チャンバー内に各基板を固定して真空チャンバー内を２４０℃に加温し、その状態で真空チャンバー内に窒素ガスを導入して真空チャンバー内を真空度０．１Ｐａとした。このとき、蒸着源と基板との距離を６０ｃｍとした。その後、基板の光反射層を形成した面の法線方向に対して３０°の角度で輝尽性蛍光体の蒸気が入射するように、蒸着源と基板との間にアルミニウム製のスリットを配置した。その後、基板を面方向に搬送しながら蒸着をおこない、５００μｍ厚の柱状構造を有する輝尽性蛍光体層を各基板の光反射層上に形成し、７枚の蛍光体プレートを製造した。
【００７５】
その後、製造済みの７枚の各蛍光体プレートを周知の恒温槽中に設置して下記表１に示すような異なるガス雰囲気下で１００℃、１時間加熱した。ただし、下記表１の「ガス雰囲気」の項目中、有機溶剤ガス（Ａ）〜（Ｅ）は下記の溶剤によるガス雰囲気を示している。
（Ａ）…住友スリーエム（株）製ノベックＨＦＥ−７１００（C4F9OCH3）
（Ｂ）…旭硝子社製アサヒクリーンＡＫ−２２５（CF3CF2CHCl2／CClF2CF2CHClF）
（Ｃ）…日本ゼオン（株）製ゼオローラＨ（環状C5H3F7）
（Ｄ）…カネコ化学社製ｅクリーン−２１Ｆ（C4H5F5）
（Ｅ）…ディップソール（株）製ＳＣ５２Ｓ（HCBr系）
【００７６】
そして、製造済みの７枚の蛍光体プレートの中から蛍光体プレートを１枚ずつ選択し、その蛍光体プレートの輝尽性蛍光体層に第１の防湿性保護フィルムのＣＰＰ層を対向させ、かつ、蛍光体プレートの基板に第２の防湿性保護フィルムのＣＰＰ層を対向させ、その状態で、第１，第２の防湿性保護フィルムを互いに重ね合わせた。その後、第１，第２の防湿性保護フィルムで囲まれた空間を減圧しながら第１，第２の各防湿性保護フィルムの周縁部をインパルスシーラで融着し、第１，第２の防湿性保護フィルム中に蛍光体プレートを封止し、７枚の放射線画像変換パネルを製造した。
【００７７】
第１，第２の防湿性保護フィルムの周縁部同士の融着に際しては、インパルスシーラとしてヒータが３ｍｍのものを使用し、第１の防湿性保護フィルムと第２の防湿性保護フィルムとの融着部から蛍光体プレートの周縁部までの間隔が３ｍｍとなるように処理した。そして製造された各放射線画像変換パネルを、蛍光体プレートの加熱処理のガス雰囲気に応じて「試料１〜７」とした（下記表１参照）。
【００７８】
（２）試料の評価１〜７の評価
各試料１〜７に対し、発光輝度及び鮮鋭性の評価を行った。
【００７９】
（２−１）発光輝度の評価
発光輝度については、以下に示す方法に従って評価した。
各試料１〜７に対して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各試料１〜７の裏面（輝尽性蛍光体層が形成されていない面）から照射した。その後、半導体レーザを各試料１〜７の表面（輝尽性蛍光体層が形成された面）上で走査して当該輝尽性蛍光体層を励起させ、当該輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光の光量（光強度）を試料１〜７ごとに受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で測定してその測定値を「感度（発光輝度）」とした。測定結果を下記表１に示す。ただし、表１中、各試料２〜７の感度を示す値は、試料１の感度を１００とした相対値である。
【００８０】
（２−２）鮮鋭性の評価
鮮鋭性については、以下に示す方法に従って評価した。
各試料１〜７に対して鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各試料１〜７の裏面（輝尽性蛍光体層が形成されていない面）から照射し、その後、Ｈｅ−Ｎｅ半導体レーザを各試料１〜７の表面（輝尽性蛍光体層が形成された面）上で走査して蛍光体層を励起させた。その後、当該輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光して電気信号に変換し、その電気信号をアナログ／デジタル変換してハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をコンピュータで分析して当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ（Modulation Transfer Function））を調査した。その調査結果（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値（％））を下記表１に示す。表１中の調査結果において、ＭＴＦ値が高いほど鮮鋭性に優れている。
【００８１】
【表１】
2006084213.tif 000003
【００８２】
表１に示す通り、蛍光体プレートを空気又は窒素雰囲気下で加熱処理した試料６，７からは良好な評価結果を得られなかった。これに対し、蛍光体プレートを有機溶剤ガス雰囲気下で加熱処理した試料１〜５では、発光輝度も向上し、鮮鋭性に優れていた。以上から、蛍光体プレートを有機溶剤ガス雰囲気下で熱処理することが、発光輝度や鮮鋭性の向上に有用であることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】放射線画像変換パネルの断面図である。
【図２】放射線画像変換パネルの製造方法を経時的に表現した概略図面である。
【図３】輝尽性蛍光体プレートの拡大断面図である。
【符号の説明】
【００８４】
１  放射線画像変換パネル
２  基板
３  輝尽性蛍光体層
４  輝尽性蛍光体プレート
１０，２０  防湿性保護フィルム
【図１】
2006084213.tif 000004
【図２】
2006084213.tif 000005
【図３】
2006084213.tif 000006