(57)【要約】【課題】  導体チップを備えた半導体パッケージに使用するリードフレームにおいて、効率よく半導体チップから発生する熱を回路基板に放熱できると共に、回路基板と半導体チップとの電気接続を保持できるようにする。【解決手段】  表面５ａに半導体チップ３を配置する板状のステージ部５と、その周囲に配される複数のリード１７，１９を有するフレーム部７と、該フレーム７部と前記ステージ部５とを連結する連結部９とを備える金属製薄板からなり、前記ステージ部５の裏面５ｂに、樹脂充填用の凹部２１が形成されていることを特徴とするリードフレーム１を提供する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半導体チップを配置する板状のステージ部と、その周囲に配される複数のリードを有するフレーム部と、該フレーム部と前記ステージ部とを連結する連結部とを備える金属製薄板からなり、
前記ステージ部の裏面に、樹脂充填用の凹部が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記樹脂充填用の凹部が、前記ステージ部の裏面に沿って延びる略直線状の溝であることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記ステージ部の裏面と同じ方向に面する前記連結部の裏面に、前記樹脂充填用の凹部が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記ステージ部の裏面と同じ方向に面する前記リードの裏面に、めっき形成用の凹部が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレーム。
【請求項５】
半導体チップと、表面に前記半導体チップを配するステージ部と、前記半導体チップに電気的に接続された複数のリードと、これら半導体チップ、ステージ部及びリードを一体的に固定する固定部材とを備え、
前記ステージ部の裏面及びこれと同じ方向に面する前記リードの裏面が前記固定部材の厚さ方向の端面から外方に露出し、
前記ステージ部の裏面に樹脂充填用の凹部が形成されると共に、該凹部に樹脂が充填されていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項６】
前記リードの裏面にめっき形成用の凹部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップを備え、回路基板に実装する半導体パッケージ、及び、これに使用するリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体パッケージとしては、樹脂モールド部（封止樹脂）の厚さ方向の一端面、及び厚さ方向に沿う側面に露出する複数のリードを備えたＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）がある（例えば、特許文献１参照。）。
このＱＦＮには、半導体チップから発生する熱を効率よく放熱することを目的として、半導体チップを配したステージ部の裏面全体を半田等により回路基板に接合させるものがある。このようにＱＦＮを構成することにより、半導体チップから発生する熱がステージ部及び半田を介して回路基板に逃げることになる。（例えば、特許文献２参照。）
ところで、このＱＦＮ等の半導体パッケージを実装した回路基板は、例えば、携帯電話機等の携帯電子機器の内部に配されるものであり、携帯電子機器の操作キーを押圧する等、外方から筐体が押さえつけられた場合には、この押圧力によって回路基板が湾曲することがある。
【特許文献１】特開２００２−３１４０２４号公報
【特許文献２】特開２０００−１５０７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記従来の半導体パッケージにおいては、ステージ部の裏面全体が回路基板に接合されているため、すなわち、半導体パッケージのほぼ全体が半田によって回路基板に強固に固定されることになるため、回路基板を湾曲させる力が発生しても、回路基板のうち、半導体パッケージを実装した部分は湾曲し難く、この接合部分の近傍に位置するリードと回路基板との接合部分に応力が集中し易くなる。したがって、この応力集中によって、リードが回路基板から剥がれて、回路基板と半導体チップとの電気接続が妨げられるという問題がある。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、効率よく半導体チップから発生する熱を放熱できると共に、回路基板と半導体チップとの電気接続を保持できる半導体パッケージ及びこれに用いるリードフレームを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、表面に半導体チップを配置する板状のステージ部と、その周囲に配される複数のリードを有するフレーム部と、該フレーム部と前記ステージ部とを連結する連結部とを備える金属製薄板からなり、前記ステージ部の裏面に、樹脂充填用の凹部が形成されていることを特徴とするリードフレームを提案している。
【０００５】
この発明に係るリードフレームを利用して半導体パッケージを製造する際には、はじめに、半導体チップをステージ部の表面に配し、ワイヤボンディングにより半導体チップとリードとを電気的に接続させる。そして、樹脂モールド部等の固定部材により、半導体チップ、ステージ部、リード及び連結部を一体的に固定する。この状態において、ステージ部及びリードの裏面は固定部材の厚さ方向の端面から外方に露出している。最後にリード及び連結部を個々に切り分けることにより、半導体パッケージの製造が終了する。なお、この半導体パッケージの製造においては、ステージ部の裏面の凹部内に樹脂を充填する。
以上のようにして製造された半導体パッケージを回路基板に実装する際には、リード、ステージ部の裏面に半田の濡れ性を向上させるためのめっきを形成しておく。そして、リードやステージ部の裏面と回路基板の表面とを半田により接合する。
【０００６】
ここで、ステージ部の裏面の凹部内には樹脂が充填されているため、ステージ部の裏面のうち、凹部を形成した領域にめっきが形成されることはない。したがって、ステージ部の裏面に樹脂充填用の凹部を形成することにより、ステージ部と回路基板との接合面積を小さくすることができるため、回路基板を湾曲させる力が発生しても、回路基板のうち、ステージ部との接合部分をこの湾曲に追従させることができ、リードと回路基板との接合部分に応力が集中することを防止できる。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載のリードフレームにおいて、前記樹脂充填用の凹部が、前記ステージ部の裏面に沿って延びる略直線状の溝であることを特徴とするリードフレームを提案している。
この発明に係るリードフレームによれば、ステージ部の裏面のうち、回路基板に接合する領域（以下、接合領域と呼ぶ。）が直線状の溝によって分割されるため、溝の長手方向と直交する方向に回路基板が湾曲しても、各接合領域をそれぞれ回路基板の湾曲に容易に追従させることができる。したがって、リードと回路基板との接合部分にかかる応力をさらに小さくすることができる。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載のリードフレームにおいて、前記ステージ部の裏面と同じ方向に面する前記連結部の裏面に、前記樹脂充填用の凹部が形成されていることを特徴とするリードフレームを提案している。
この発明に係るリードフレームによれば、連結部が、固定部材の厚さ方向の端面から外方に露出していても、連結部と回路基板との接合面積を小さくすることができるため、回路基板を湾曲させる力が発生しても、回路基板のうち、連結部との接合部分をこの湾曲に追従させることができ、リードと回路基板との接合部分にかかる応力集中を低減させることができる。
【０００９】
請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のリードフレームにおいて、前記ステージ部の裏面と同じ方向に面する前記リードの裏面に、めっき形成用の凹部が形成されていることを特徴とするリードフレームを提案している。
この発明に係るリードフレームによれば、リードの裏面に加えて凹部の内壁面にめっきを施すことができるため、リードに対する半田の付着面積の増加を図って、リードと半田との接合力を向上させることができる。
【００１０】
請求項５に係る発明は、半導体チップと、表面に前記半導体チップを配するステージ部と、前記半導体チップに電気的に接続された複数のリードと、これら半導体チップ、ステージ部及びリードを一体的に固定する固定部材とを備え、前記ステージ部の裏面及びこれと同じ方向に面する前記リードの裏面が前記固定部材の厚さ方向の端面から外方に露出し、前記ステージ部の裏面に樹脂充填用の凹部が形成されると共に、該凹部に樹脂が充填されていることを特徴とする半導体パッケージを提案している。
【００１１】
この発明に係る半導体パッケージを回路基板に実装する際には、リード、ステージ部の裏面に半田の濡れ性を向上させるためのめっきを形成しておく。そして、リードやステージ部の裏面と回路基板の表面とを半田により接合する。
ここで、ステージ部の裏面の凹部内には樹脂が充填されているため、ステージ部の裏面のうち、凹部を形成した領域にめっきが形成されることはない。したがって、ステージ部の裏面に樹脂充填用の凹部を形成することにより、ステージ部と回路基板との接合面積を小さくすることができるため、回路基板を湾曲させる力が発生しても、回路基板のうち、ステージ部との接合部分をこの湾曲に追従させることができ、リードと回路基板との接合部分に応力が集中することを防止できる。
【００１２】
請求項６に係る発明は、請求項５に記載の半導体パッケージにおいて、前記リードの裏面にめっき形成用の凹部が形成されていることを特徴とする半導体パッケージを提案している。
この発明に係る半導体パッケージによれば、リードの裏面に加えて凹部の内壁面にめっきを施すことができるため、リードに対する半田の付着面積の増加を図って、リードと半田との接合力を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、請求項１及び請求項５に係る発明によれば、ステージ部の裏面に樹脂充填用の凹部を形成することにより、リードと回路基板との接合部分に応力が集中することを防止できるため、リードが回路基板から剥がれることを防ぎ、回路基板と半導体チップとの電気接続を保持することができる。また、ステージ部の裏面の一部は半田を介して回路基板に接合できるため、半導体チップから発生した熱を効率よく放出することもできる。
【００１４】
また、請求項２に係る発明によれば、ステージ部の裏面に直線状の溝を形成することにより、溝の長手方向と直交する方向に回路基板が湾曲しても、リードと回路基板との接合部分にかかる応力をさらに小さくすることができるため、回路基板と半導体チップとの電気接続を確実に保持することができる。
【００１５】
また、請求項３に係る発明によれば、連結部の裏面にも樹脂充填用の凹部を形成しておくことにより、リードと回路基板との接合部分にかかる応力集中を低減させることができるため、連結部の裏面の一部と回路基板が接合していても、回路基板と半導体チップとの電気接続を保持することができる。また、連結部の裏面の一部は、回路基板に接合させることができるため、半導体チップから発生した熱をさらに効率よく放出することもできる。
【００１６】
また、請求項４及び請求項６に係る発明によれば、リードの裏面に凹部を形成することにより、リードと半田との接合力の向上させることができるため、このリードフレームを利用して半導体パッケージを製造し、この半導体パッケージを回路基板に実装する際には、リードと回路基板との電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１から図６は、本発明の一実施形態を示しており、この実施の形態に係る半導体パッケージは、薄板状の銅材等からなる金属製薄板にプレス加工及びエッチング加工を施して形成されるリードフレームを用いて製造されるものである。
リードフレーム１は、図１，２に示すように、表面５ａに平面視矩形の板状に形成された半導体チップ３を載置するステージ部５と、ステージ部５の周囲に配されるフレーム部７と、ステージ部５及びフレーム部７を相互に連結する支持リード（連結部）９とを備えており、これらステージ部５、フレーム部７及び支持リード９は一体的に形成されている。フレーム部１１は、ステージ部５を囲むように平面視略正方形の枠状に形成された矩形枠部１５と、この矩形枠部１５の各辺１５ａ〜１５ｄから内方側に突出する複数のリード１７，１９とを備えている。
【００１８】
ステージ部５は、平面視略正方形の板状に形成されており、その各辺は、矩形枠部１５の各辺１５ａ〜１５ｄに沿うように配されている。また、各支持リード９は、矩形枠部１５の各角部１５ｅ〜１５ｈからステージ部５の各角部まで略直線状に形成されており、各ステージ部５の厚さ寸法と等しく形成されている。
図２，３に示すように、表面５ａと反対側に面するステージ部５の裏面５ｂには、複数の略直線状の溝（樹脂充填用の凹部）２１が形成されており、これら複数の溝２１は、ステージ部５の各辺と平行となるように、また、ステージ部５の裏面５ｂの面積を略等分に分割するように、縦横に２本ずつ配されている。ステージ部５の裏面５ｂと略同一平面上に位置する各支持リード９の裏面９ａには、複数の溝（樹脂充填用の凹部）２３が形成されており、これら各溝２３は、支持リード９の長手方向に直交する方向に延びている。
なお、これらステージ部５及び支持リード９の溝２１，２３の深さ寸法ｔ１は、ステージ部５や支持リード９の厚さ寸法をｔとして、１／３×ｔ≦ｔ１≦１／２×ｔ、とすることが好ましい。
【００１９】
図１，２に示すように、リード１７，１９は、矩形枠部１５の各辺１５ａ〜１５ｄにそれぞれ複数（図示例では７つずつ）設けられており、半導体チップ３のボンディングパッド（不図示）と電気的に接続することを目的としたものである。なお、矩形枠部１５の角部１５ｅ〜１５ｈ近傍に位置するリード１９は、他のリード１７と比較して幅広に形成されている。
【００２０】
ステージ部５の裏面５ｂと略同一平面上に位置する各リード１７，１９の裏面１７ａ，１９ａには、凹部（めっき形成用の凹部）２５が形成されており、各凹部２５は、矩形枠部１５の各辺１５ａ〜１５ｄから各リード１７，１９の中途部まで延びている。
図４に示すように、この凹部２５の幅寸法ｗ２は、各リード１７，１９の幅寸法をｗとして、ｗ２≒１／２×ｗ、とすることが好ましく、また、凹部２５の長さ寸法ｌ２は、矩形枠部１５の内面１５ａ〜１５ｄからのリード１７，１９の長さ寸法をｌとして、ｌ２≒１／２×ｌ、とすることが好ましい。また、凹部２５の厚さ寸法ｔ２は、リード１７，１９の厚さ寸法をｔとして、１／３×ｔ≦ｔ２≦１／２×ｔ、とすることが好ましい。なお、リード１７，１９の厚さ寸法ｔは、前述したステージ部５や支持リード９の厚さ寸法と等しい。
上述したステージ部５の溝２１、各支持リード９の溝２３及び各リード１７，１９の凹部２５は、金属製薄板からリードフレーム１を形成すると同時、若しくは、リードフレーム１の形成後にプレス加工若しくはエッチング加工により形成される。
【００２１】
このリードフレーム１を用いて半導体パッケージを製造する方法について、以下に説明する。
はじめに、図１，２に示すように、ステージ部５の表面５ａに半導体チップ３を接着すると共に、金属製のボンディングワイヤにより、半導体チップ３の各パッドとリード１７，１９とを電気的に接続する。なお、リード１７，１９にボンディングワイヤをボンディングする位置は、リード１７，１９の先端に位置する表面１７ｂ，１９ｂとなっている。
そして、このリードフレーム１を所定の金型内に配置し、この金型内に溶融樹脂を射出することにより、図５に示すように、半導体チップ３、ステージ部５、支持リード９、ボンディングワイヤ２７及びリード１７，１９を一体的に固定する樹脂モールド部（固定部材）２９が形成される。
【００２２】
ここで、樹脂モールド部２９の下面（端面）２９ａは、ステージ部５、支持リード９及びリード１７，１９の裏面５ｂ，９ａ，１７ａ，１９ａと共に略同一平面を形成している。また、この樹脂モールド部２９を形成する際は、ステージ部５及び支持リード９に形成された溝２１，２３に樹脂モールド部２９と同様の樹脂３１が充填されるように、また、リード１７，１９の凹部２５に前述の樹脂が入り込まないようになっている。なお、溝２１，２３に充填された樹脂３１は、ステージ部５及び支持リード９の裏面５ｂ，９ａと同一平面を形成する表面を有している。
【００２３】
この樹脂モールド部２９の形成後には、樹脂モールド部２９の下面２９ａから露出するステージ部５、支持リード９及びリード１７，１９の裏面５ｂ，９ａ，１７ａ，１９ａ及び凹部２５の内壁面にめっきを施して、半田の濡れ性を向上させるためのめっき膜３３を形成する。ただし、ステージ部５及び支持リード９に充填された樹脂３１の表面に、めっき膜３３が形成されることはない。
最後に、樹脂モールド部２９の側面から外方に突出する矩形枠部１５を切り落とし、各支持リード９及び各リード１７，１９を個々に切り分けることにより半導体パッケージ３５の製造が終了する。
【００２４】
以上のように製造された半導体パッケージ３５は、支持リード９及びリード１７，１９が樹脂モールド部２９の側面から突出しない所謂ＱＦＮである。すなわち、この半導体パッケージ３５において、外方に露出する支持リード９及びリード１７，１９の厚さ方向に沿う側面９ｄ，１７ｄ，１９ｄは、樹脂モールド部２９の側面と略同一平面を形成している。
図６に示すように、この半導体パッケージ３５を回路基板４１に実装する際には、樹脂モールド部２９の下面２９ａを回路基板４１の表面４１ａに対向させ、半田４５により各ステージ部５、支持リード９及びリード１７，１９と回路基板４１の表面４１ａに形成されたパターン（不図示）とを、互いに接合すると共に電気的に接続する。この状態において半田４５は、めっき膜３３を介して、ステージ部５及び支持リードの裏面５ｂ，９ａ、並びに、リード１７，１９の裏面１７ａ，１９ａ及び凹部２５の内壁面に接合する。なお、めっき膜３３が形成されていない部分、すなわち、樹脂３１を充填した部分には、半田４５が接合しない。
【００２５】
上記のリードフレーム１及び半導体パッケージ３５によれば、ステージ部５の裏面５ｂに樹脂充填用の溝２１を形成することにより、ステージ部５と回路基板４１との接合面積を小さくすることができるため、回路基板４１を湾曲させる力が発生しても、回路基板４１のうち、ステージ部５との接合部分をこの湾曲に追従させることができ、リード１７，１９と回路基板４１との接合部分に応力が集中することを防止できる。したがって、リード１７，１９が回路基板４１から剥がれることを防ぎ、回路基板４１と半導体チップ３との電気接続を保持することができる。
また、ステージ部５の裏面５ｂの一部は半田４５を介して回路基板４１に接合できるため、半導体チップ３から発生した熱を効率よく放出することもできる。
【００２６】
さらに、ステージ部５の溝２１は、ステージ部５の裏面５ｂに沿って略直線状に形成され、また、ステージ部５の裏面５ｂのうち回路基板４１に接合する領域（以下、接合領域と呼ぶ。）を分割している。このため、溝２１の長手方向と直交する方向に回路基板４１が湾曲した際には、各接合領域をそれぞれ回路基板４１の湾曲に容易に追従させることができ、リード１７，１９と回路基板４１との接合部分にかかる応力をさらに小さくすることができる。
また、支持リード９の裏面にも樹脂充填用の溝２３が形成することにより、支持リード９と回路基板４１との接合面積を小さくできるため、回路基板４１と支持リード９との接合部分を回路基板４１の湾曲に追従させることができ、リード１７，１９と回路基板４１との接合部分にかかる応力集中を低減させることができる。すなわち、支持リード９の裏面９ａの一部と回路基板４１が接合していても、回路基板４１と半導体チップ３との電気接続を保持することができる。
【００２７】
さらに、支持リード９の裏面９ａの一部は、回路基板４１に接合させているため、半導体チップ３から発生した熱をさらに効率よく放出することもできる。
また、リード１７，１９の裏面１７ａ，１９ａにめっき形成用の凹部２５を形成することにより、リード１７，１９に対する半田４５の付着面積の増加を図って、リード１７，１９と半田４５との接合力の向上させることができるため、半導体パッケージ３５を回路基板４１に実装する際に、リード１７，１９と回路基板４１との電気的な接続の信頼性の向上を図ることができる。
【００２８】
さらに、回路基板４１が厚さ方向から押圧する等して、回路基板４１が湾曲した際には樹脂モールド部２９の角部近傍に位置するリード１９に特に大きな応力が発生するが、このリード１９は幅広に形成され、接合領域が他のリード１７と比較して大きくなるため、角部近傍に位置するリード１９と回路基板４１との接合力も大きくなる。したがって、樹脂モールド部２９の角部近傍に位置するリード１９と回路基板４１との接合を確実に保持することができる。
【００２９】
なお、上記の実施の形態において、ステージ部５の裏面５ｂには、複数の溝２１が裏面５ｂの各辺に沿って縦横に２本ずつ形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともステージ部５の裏面５ｂから窪む樹脂充填用の凹部が形成されていればよい。すなわち、例えば、図７（ａ）に示すように、ステージ部５の裏面５ｂに、その各辺に沿って縦横に前述と同様の溝（樹脂充填用の凹部）５１を１本ずつ形成すると共に、ステージ部５の角部に位置する裏面５ｂに凹部５３を形成するとしてもよい。また、例えば、図７（ｂ）に示すように、ステージ部５に、その裏面５ｂの各辺に対して交差する複数の溝（樹脂充填用の凹部）５５（図示例では同じ方向に４本ずつ）を形成するとしても構わない。
なお、上述のように、ステージ部５の裏面５ｂに略直線状の溝２１，５１，５５を形成する場合には、少なくとも回路基板４１が湾曲しうる方向に対して直交する方向に溝２１，５１，５５を形成しておくことが好ましい。
【００３０】
さらに、例えば、図７（ｃ）に示すように、平面視略円形に形成されたステージ部５の裏面５ｂの中央部分５ｄ、及び、ステージ部５の裏面５ｂの角部５ｅが、回路基板４１との接合領域となるように、ステージ部５の裏面５ｂに凹部（樹脂充填用の凹部）５７を形成するとしてもよい。また、例えば、図７（ｄ）に示すように、ステージ部５の裏面５ｂに、平面視略円形の凹部（樹脂充填用の凹部）５９を多数形成すると共に、支持リード９の長手方向に平行な溝（樹脂充填用の凹部）６１（図示例では同じ方向に６本ずつ）を形成し、これら複数の溝６１により相互に隣り合う凹部５９を連結してもよい。この構成においては、ステージ部５の裏面５ｂの周縁部に位置する溝６１が、ステージ部５の側面に開口するように形成されている。
【００３１】
なお、上述したステージ部５の溝２１，５１，５５，６１や凹部５３，５７，５９の形成面積は、ステージ部５の裏面５ｂ全体の面積の半分以下とすることが好ましい。これは、半導体チップ３から発生する熱をステージ部５の裏面５ｂから十分に逃がすことができるように、ステージ部５と回路基板４１との接合面積をステージ部５の裏面５ｂ全体の面積の半分以上とする必要があるためである。
また、支持リード９の溝２３は、支持リード９の長手方向に直交する方向に延びるように形成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、支持リード９の長手方向に沿って延びるように形成されるとしてもよい。さらに、支持リード９には溝２３が形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも支持リード９の裏面９ａから窪む凹部が形成されていればよい。
【００３２】
また、ステージ部５や支持リード９の溝２１，２３への樹脂３１の充填は、樹脂モールド部２９を充填する際に行われるとしたが、これに限ることはなく、少なくともめっき膜３３を形成する前までに行われればよい。
さらに、各リード１７，１９の裏面１７ａ，１９ａには、各リード１７，１９の長手方向に延びる凹部２５が形成され、半導体パッケージ３５を構成した状態においては、この凹部２５が樹脂モールド部２９の側面から外方に露出するとしたが、これに限ることはなく、少なくとも各リード１７，１９の裏面１７ａ，１９ａから窪む凹部が形成されていればよい。したがって、各リード１７，１９の裏面１７ａ，１９ａには、樹脂モールド部２９の側面から外方に露出しない凹部を形成するとしても構わない。
【００３３】
また、めっき形成用の凹部２５は、全てのリード１７，１９に形成されるとしたが、樹脂モールド部２９の角部近傍に位置するリード１９の接合力のみを強化する場合には、これに限らず、少なくとも矩形枠部１５や樹脂モールド部２９の角部近傍に配されるリード１９に形成されていればよい。
さらに、半導体チップ３、ステージ部５、支持リード９、ボンディングワイヤ２７及びリード１７，１９は、樹脂モールド部２９により一体的に固定されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも固定部材により一体的に固定されていればよい。ここで、固定部材は、例えば、半導体チップ３、ステージ部５、支持リード９、ボンディングワイヤ２７及びリード１７，１９を収容すると共に、ステージ部５、支持リード９及びリード１７，１９の裏面５ｂ，９ａ，１７ａ，１９ａを外方に露出させる箱体であっても良い。
【００３４】
また、支持リード９の裏面９ａは、ステージ部５の裏面５ｂと略同一平面上に形成されると共に樹脂モールド部２９の下面２９ａから露出するとしたが、これに限ることはなく、露出させなくても良い。すなわち、樹脂モールド部２９の下面２９ａからは、少なくともステージ部５及びリード１７，１９の裏面５ｂ，１７ａ，１９ａが露出していればよい。ただし、この構成の場合には、支持リード９の裏面９ｂにハーフエッチング加工を施したり、支持リード９の両端部に折り曲げ加工を施す等して、支持リード９の裏面９ｂをステージ部５の裏面５ｂよりも窪んだ位置に配する必要がある。
【００３５】
さらに、ステージ部５は、平面視略正方形状に形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも半導体チップ３を載置可能な表面５ａを有していればよい。すなわち、ステージ部５は、平面視略円形に形成されるとしても構わない。
また、矩形枠部１５は、平面視略正方形の枠状に形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともステージ部５の周囲に配される複数のリード１７，１９や支持リード９を相互に連結するように形成されていればよい。
【００３６】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係るリードフレームを示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のリードフレームのステージ部及び支持リードの裏面を示す平面図である。
【図４】図１のリードフレームのリードを示しており、（ａ）は拡大断面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面図、（ｃ）はリードの裏面を示す拡大平面図である。
【図５】図１のリードフレームにより製造される半導体パッケージを示す断面図である。
【図６】図５の半導体パッケージを回路基板に搭載した状態を示す断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係るリードフレームのステージ部の裏面を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１・・・リードフレーム、３・・・半導体チップ、５・・・ステージ部、５ａ・・・表面、７・・・フレーム部、９・・・支持リード（連結部）、９ａ・・・裏面、１７，１９・・・リード、１７ａ，１９ａ・・・裏面、２１，２３，５１，５５，６１・・・溝（樹脂充填用の凹部）、２５・・・凹部（めっき形成用の凹部）、２９・・・樹脂モールド部（固定部材）、２９ａ・・・下面（端面）、３１・・・樹脂、３５・・・半導体パッケージ、５３，５７，５９・・・凹部（樹脂充填用の凹部）
【図１】
2006253357.tif 000003
【図２】
2006253357.tif 000004
【図３】
2006253357.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006253357.tif 000009