(57)【要約】【課題】  投影光学系の収差を低減する測定方法及び測定装置を搭載した装置、それを利用した露光方法、並びに、デバイス製造方法を提供する。【解決手段】  露光装置に使用される光学系の測定方法であって、  レーザー光を前記光学系に所定量照射する照射ステップと、  当該照射ステップの照射中に前記光学系の光学性能を計測する第１の計測ステップとを有することを特徴とする測定方法を提供する。【選択図】      図１
2006302982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に使用される光学系の測定方法であって、
レーザー光を前記光学系に所定量照射する照射ステップと、
当該照射ステップの照射中に前記光学系の光学性能を計測する第１の計測ステップとを有することを特徴とする測定方法。
【請求項２】
前記照射ステップは、前記露光装置で使用する光源と同じ波長のレーザー光を使用することを特徴とする請求項１記載の測定方法。
【請求項３】
前記照射ステップは、前記光学系の瞳面内を略均一に照射することを特徴とする請求項１記載の測定方法。
【請求項４】
前記第１の計測ステップによって計測された前記光学系の光学性能を計測する第２の計測ステップとを更に有し、
当該第２の計測ステップは、前記照射された前記光学素子の温度と、前記光学性能を測定する温度又は露光を行う温度との差が±０．０５℃以下になってから計測することを特徴とする請求項１記載の測定方法。
【請求項５】
前記照射ステップは、前記露光装置の露光開始前に再度前記光学系にレーザー光を照射することを特徴とする請求項１記載の測定方法。
【請求項６】
露光装置に使用される光学系の測定装置であって、
前記光学系に所定量のレーザー光を照射するための光源と、
前記照射された光学系の光学性能を測定する計測装置と、
前記光源と前記光学系との間に配置され、前記光学系の瞳面内を略均一に照射するための照射規定部とを有することを特徴とする測定装置。
【請求項７】
被露光体を照射する光源と、
請求項６記載の測定装置とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項６記載の測定装置を利用して光学系の光学性能を算出する算出ステップと、
前記算出された前記光学系の前記光学性能に基づいて前記光学系を調節する調節ステップと、
前記調節された前記光学系を有する前記露光装置を使用して被露光体を露光する露光ステップとを有することを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項７記載の露光装置を利用して被露光体を露光するステップと、
当該露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には測定方法に係り、特に、露光装置に使用される光学系の測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイスやＣＣＤ等の撮像デバイスや液晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際にマスク（レチクル）に形成されたパターンを被露光体に転写する投影露光装置が従来から使用されている。かかる露光装置は、レチクル上のパターンを所定の倍率で正確に被露光体に転写することが要求されるため、結像性能のよい、収差を抑えた投影光学系を用いることが重要である。特に近年、半導体デバイスの一層の微細化の要求により、転写パターンは、光学系の収差に対して敏感になってきている。このため、高精度に投影光学系の光学性能（例えば、波面収差）を測定する需要が存在する。また、高品位な投影光学系を製造するために、投影光学系の製造工程では、光学素子の光学性能を測定及び調整する工程、調整された光学素子を洗浄する工程、洗浄された光学素子を鏡筒内部に組み込む工程及び完成した投影光学系の光学性能を測定及び調整する工程が行われる。
【０００３】
更に、投影光学系の光学性能を向上させるために、特許文献１乃至５等の方法が提案されている。
【特許文献１】特許第３５３１９１４号明細書
【特許文献２】特許第３４１３１３１号明細書
【特許文献３】特開２００１−１９６２８７号明細書
【特許文献４】特開２００１−２５０７６１号明細書
【特許文献５】特開平１０−１１６７６６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、鏡筒に光学素子を取り付ける工程は、常温常圧の環境下で行われるため、水蒸気や有機物などの汚染物質が光学素子に付着してしまう。そして、光学素子に汚染物質が付着したまま、投影光学系の光学性能が測定されるため、汚染物質の値も含んだ値が計測結果として算出される。そして、その計測結果に基づいて投影光学系の光学性能が調整されてしまう。その後、露光工程において、付着された汚染物質に露光光が照射されると露光光のエネルギーにより汚染物質が離脱してしまう。この場合、汚染物質が光学素子から離脱すると、離脱した汚染物質の値だけ光学素子の位相が変化してしまう。それにより、投影光学系に収差が発生して、高品位な露光が困難となる。
【０００５】
また、露光中に離脱した汚染物質が別の光学素子に付着してしまう可能性があり、この場合、さらに投影光学系の位相が変化してしまう。それにより、収差が発生し、高品位な露光が困難となる。
【０００６】
そこで、本発明は、投影光学系の収差を低減する測定方法及び測定装置を提供することを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面としての測定方法は、露光装置に使用される光学系の測定方法であって、レーザー光を前記光学系に所定量照射する照射ステップと、当該照射ステップの照射中に前記光学系の光学性能を計測する第１の計測ステップとを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の別の側面としての測定装置は、露光装置に使用される光学系の測定装置であって、前記光学系に所定量のレーザー光を照射するための光源と、前記照射された光学系の光学性能を測定する計測装置と、前記光源と前記光学系との間に配置され、前記光学系の瞳面内を略均一に照射するための照射規定部とを有することを特徴とする。
【０００９】
本発明の別の側面としての露光装置は、被露光体を照射する光源と、上記測定装置とを有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の別の側面としての露光方法は、上記測定装置を利用して光学系の光学性能を算出する算出ステップと、前記算出された前記光学系の前記光学性能に基づいて前記光学系を調節する調節ステップと、前記調節された前記光学系を有する前記露光装置を使用して被露光体を露光する露光ステップとを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の別の側面としてのデバイス製造方法は、上記露光装置を利用して被露光体を露光するステップと、当該露光された被露光体を現像するステップとを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、投影光学系の収差を低減する測定方法及び測定装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の一実施形態の測定装置１００について説明する。ここで、図１は、測定装置１００のブロック図である。測定装置１００は、露光装置１に使用される投影光学系４０の光学性能を測定及び調整する。測定装置１００は、照明装置１１０と、偏光素子１２０と、画像取得ユニット１３０と、測定部１４０と、回折光レチクル（照射規定部）１５０と、球面ミラー１６０と、制御部１７０とを有する。尚、測定及び調整する光学系は、投影光学系４０だけでなく照明光学系２０であってもよい。
【００１４】
照明装置１１０は、後述する投影光学系４０に所定量のレーザー光を照射する。照明装置１１０は、光源部を有する。照明装置１１０は、測定装置１００の他に後述する露光装置１に使用されてもよい。光源部は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどを使用することができる。但し、レーザーの種類はエキシマレーザーに限定されず、レーザーの個数も限定されない。また、光源部がレーザーを使用する場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００１５】
偏光素子１２０は、照明装置１１０からの光を特定の偏光に分離する機能を有する。偏光素子１２０は、二コルプリズムのような単結晶の複屈折性を利用した複屈折タイプ、ポーラロイド高分子や棒状の金属微粒子等の２色性を利用した２色性タイプ、偏光角の差異を利用した反射型タイプや干渉フィルター型タイプ等が使用される。
【００１６】
撮像手段１３０は、ＣＣＤ等からなり、投影光学系４０での干渉縞を検出する。撮像手段１３０は、照明装置１１０と回折光レチクル１５０との間に配置される。また、撮像手段１３０は、無偏光状態での波面収差や、任意の偏光照明での波面収差、瞳透過率分布を測定しても良い。
【００１７】
透過光測定部１４０は、照射中に投影光学系４０の透過率を測定する。透過光測定部１４０は、投影光学系４０の透過率が一定になるまで測定する。また、透過光測定部１４０は、透過率を軸上一点のみならず、像面における各位置でそれぞれ確認してもよい。そして、投影光学系４０の透過率が一定量以上になるのを確認するのに、透過光測定部１４０として瞳透過率分布を測定するユニットを用い、瞳面内における各位置での透過率を確認しても良い。
【００１８】
回折光レチクル１５０は、複数の凹凸の格子を有し、照明装置１１０からの光を均一にする。即ち、回折光レチクル１５０は、投影光学系４０の瞳面内を略均一にする。そのため、回折光レチクル１５０は、図４に示すように、縦横に等間隔の格子から構成される。ここで、図４は、回折光レチクル１５０の平面図である。
【００１９】
例えば、回折光レチクル１５０を使用しないと、一般的に、半導体の生産時には、照明条件やパターンなど露光条件により、レンズ上には露光分布があり、露光されない部分が発生する。つまり、レベンソン型位相シフトレチクル等を使用して露光し、微細パターンを形成する場合、図５に示すように、瞳近くのレンズの露光分布では、非回転対称にレンズの有効径の端近くに多く光が照射される。ここで、図５は、瞳近くのレンズの露光分布を示す平面図である。
【００２０】
また、ゲートセル等の輪郭を形成するパターンを露光する場合、図６に示すように、高い解像力が要求されないがために、通常照明法により、図６のような回転対称な露光分布が形成される。しかし、有効径の端近くには光の当たらない部分が存在する。ここで、図６は、瞳近くのレンズの露光分布を示す平面図である。
【００２１】
更に、コンタクトホール列を形成するパターンを露光する場合においても、図７に示すように、瞳近くのレンズの露光分布にムラが出る。
【００２２】
以上のような露光を連続して行った場合、または複数条件の露光を繰り返して行った場合でも、露光されない部分が存在する。そこで、測定装置１００では、照明装置１１０と投影光学系４０との間に回折光レチクル１５０を設置している。それにより、測定装置１００は、投影光学系４０を構成するレンズの有効径全面をムラなく照射することで、汚染物質を除去している。また、本実施形態では、回折光レチクル１５０を使用したが、前述の回折光レチクル１５０と等価な効果をもたらすσ>１に設定する他の照射ユニットを用いて投影光学系４０の全面に照射してもよい。
【００２３】
球面ミラー１６０は、投影光学系４０側に凹面を有し、投影光学系４０を透過した光を反射する機能を有する。
【００２４】
投影光学系４０は、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を利用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。かかる投影光学系４０の光学性能（例えば、波面収差）を、測定装置１００が測定する。
【００２５】
制御部１７０は、メモリ１７１を有し、撮像手段１３０の検出情報から位相情報を算出し、透過光測定部１４０の検出情報から透過率を算出する。また、制御部１７０は、露光装置１の各部を制御する。制御部１７０は、メモリ１７１は、後述する測定方法及びその他データを格納する。
【００２６】
以下、図２を参照して、投影光学系４０の測定方法５００を説明する。ここで、図２は、投影光学系４０の測定方法５００を示すフローチャートである。
【００２７】
まず、投影光学系を製造する工程または投影光学系を修正する工程を終えた投影光学系４０を、測定装置１００へ搭載する。
【００２８】
次に、レーザー光を投影光学系４０に所定量照射する（ステップ５０２）。この場合、露光装置１で使用する照明装置１１０と同じ波長のレーザー光を使用する。また、回折光レチクル１５０を使用して投影光学系４０の瞳面内を略均一に照射する。また、制御部１７０は、照明装置１１０を照射量及び照射時間を制御する。本実施形態では、０．００２ｍＪ／ｃｍ２／ｐｌｓの照度で、４００Ｍｐｌｓまで照射を行ったが、これらの値は、汚染物質の種類や量に依存して決定される。例えば、照度が０．００１乃至１０ｍＪ／ｃｍ２／ｐｌｓで、パルス数が１０乃至５００Ｍｐｌｓであれば、投影光学系４０への照射によるダメージの影響が少ない。
【００２９】
次に、照射中の投影光学系４０の光学性能を計測する（ステップ５０４）。つまり、透過光測定部１４０が、投影光学系４０の透過率を測定する。そして、透過率が所定量であるかを判断する（ステップ５０６）。この場合の所定量とは、汚染物質が投影光学系４０から除去されるまでの量を指し、例えば、透過率の変動が１％以下になるまでをいう。また、透過光測定部１４０において透過率が一定になるまで照射を行ったが、汚染物質の量が定量化されていれば、透過率を測定せず照射パルス数や照射時間で照射を制御してもよい。尚、本実施形態では、投影光学系全面の照射したが、汚染物質が付着した部分や、汚染物質を除去したい場所が特定できている場合は、ここを部分照射して重点的にクリーニングすることは有効である。その場合、汚染物質を除去する範囲に合わせて、照明条件、照射ユニットを設定することが好ましい。
【００３０】
その後、透過率が所定量となれば、照射を終了する（ステップ５０８）。そして、撮像手段１３０が、投影光学系４０の波面を計測する（ステップ５１０）。この場合、測定は、通常時の光学素子の温度と、照射された光学素子の温度との差が、±０．０５℃以下になってから行われる。なぜなら、図８に示すように、照射直後の投影光学系４０は、温度が上昇しているので、露光収差が発生している可能性があるからである。ここで、図８は、投影光学系４０の温度と収差との関係を示すグラフである。
【００３１】
一方、透過率が所定量でなければ、再びステップ５０２を行う。
【００３２】
本実施形態は、露光装置の製造工程途中、および半導体製造途中での汚染物質が波面収差測定に与える影響を挙げたが、汚染物質による複屈折の変動、瞳面内透過率分布の変動など他の光学性能測定への影響についても、本発明において除去することができる。
【００３３】
本発明により、投影光学系４０の製造工程での汚染物質または大気中の汚染物質が除去できるので、投影レンズのみの波面の測定、修正をすることができるようなる。従って、露光装置本体上で露光して汚染が取れたことによって発生する光学特性の変化をなくすことができる。
【００３４】
また、露光装置１上に搭載した投影光学系４０に付着した汚染物質を除去することにより、汚染による変動の影響を受けずに光学特性の測定を行うことができる。更に、この測定値に基づいてレンズを駆動するなど適宜補正を行うことにより、設計解像度に近い光学性能が得られる投影光学系４０を提供することができる。これによって半導体の安定生産を可能とする。
【００３５】
以下、本発明の一実施形態の測定装置１００を備えた露光装置１について、添付図面を参照して説明する。ここで、図２は、露光装置１のブロック図である。露光装置１は、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でマスク３０に形成された回路パターンを被露光体（プレート）５０に露光する投影露光装置である。かかる露光装置１は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィ工程に好適であり、以下、本実施形態では、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、マスクに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してマスクパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後、ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」とは、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００３６】
露光装置１は、測定装置１００を搭載し、照明装置１１０と、照明光学系２０と、マスク３０と、投影光学系４０と、プレート５０とを有する。
【００３７】
照明装置１１０は、転写用の回路パターンが形成されたマスクを照明し、図示しない光源部を有する。光源部は、例えば、光源としては、波長約１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザー、波長約２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザーなどを使用することができる。但し、レーザーの種類はエキシマレーザーに限定されず、レーザーの個数も限定されない。また、光源部がレーザーを使用する場合、レーザー光源からの平行光束を所望のビーム形状に整形する光束整形光学系、コヒーレントなレーザー光束をインコヒーレント化するインコヒーレント化光学系を使用することが好ましい。また、光源部に使用可能な光源はレーザーに限定されるものではなく、一又は複数の水銀ランプやキセノンランプなどのランプも使用可能である。
【００３８】
照明光学系２０は、マスク３０を照明する光学系であり、レンズ、ミラー、オプティカルインテグレーター、σ絞り等を含む。
【００３９】
マスク（又はレチクル）３０は、例えば、石英製で、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、図示しないマスクステージ（又はレチクルステージ）に支持及び駆動される。マスク３０から発せられた回折光は、投影光学系４０を通りプレート５０上に投影される。マスク３０とプレート５０は、光学的に共役の関係にある。本実施形態の露光装置１はスキャナーであるため、マスク３０とプレート５０を縮小倍率比の速度比でスキャンすることによりマスク３０のパターンをプレート５０上に転写する。なお、ステップ・アンド・リピート方式の露光装置（「ステッパー」とも呼ばれる。）の場合は、マスク３０とプレート５０を静止させた状態で露光が行われる。
【００４０】
投影光学系４０は、上述したように、複数のレンズ素子のみからなる光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有する光学系（カタディオプトリック光学系）、複数のレンズ素子と少なくとも一枚のキノフォームなどの回折光学素子とを有する光学系、全ミラー型の光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を利用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。かかる投影光学系４０の光学性能（例えば、波面収差）を、測定装置１００が測定する。
【００４１】
プレート５０は、ウェハや液晶基板などの被処理体でありフォトレジストが塗布されている。プレート５０は図示しないチャックを介して図示しないステージに載置される。ステージは、プレート５０を支持する。ステージは、当業界で周知のいかなる構成をも適用することができるので、ここでは詳しい構造及び動作の説明は省略する。例えば、ステージは、リニアモーターを利用してＸＹ方向にプレート５０を移動することができる。マスク３０とプレート５０は、例えば、同期走査され、ステージとマスクステージの位置は、照明光学系を利用して監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００４２】
露光においては、図９に示すように、レーザー光を投影光学系４０に照明する（ステップ６０２）。その後、投影光学系４０の光学性能を計測する（ステップ６０４）。そして、計測された光学性能に基づいて投影光学系４０の収差を補正する（ステップ６０６）。この場合、測定装置１００は、光学系の光学性能を算出して、算出された光学性能に基づいて投影光学系４０を調節する。また、測定された波面収差計測値に基づき、レンズ駆動による補正を行って半導体製造のための露光を行ってもよい。更に、レンズ駆動による補正は波面測定結果のみならず、本実施形態によって測定されたほかの光学性能、あるいは複数の光学性能に基づいて行っても良い。ここで、図９は、露光方法を示すフローチャートである。
【００４３】
その後、プレート５０をセットし、照明装置１１０によって光が射出される。照明装置１１０から出射した光束は、照明光学系２０を介してマスク３０を、例えば、ケーラー照明する。マスク３０はマスクステージ上に置かれ、スキャンタイプの露光装置では露光に応じて駆動される。マスク３０を通過してマスクパターンを反映する光は、投影光学系４０により投影倍率（例えば、１／４、１／５）で図示しないウェハチャックによってステージに固定されたプレート５０に結像される（ステップ６０８）。ウェハチャックはウェハステージ上に配され、露光に応じて駆動される。投影光学系４０は、収差が補正されているので高品位な露光処理（即ち、所望の解像度）をプレート５０上で得ることができる。
【００４４】
この場合、露光装置１の露光開始前に再度投影光学系４０にレーザー光を照射することが好ましい。それにより、露光終了後に付着した汚染物質を除去することが出来る。
【００４５】
次に、図１０及び図１１を参照して、露光装置１等を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図１０は，半導体デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、あるいは液晶パネルやＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ステップ１（回路設計）では、半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では、設計した回路パターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３（ウェハ製造）では、シリコン等の材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウェハを用いて、リソグラフィ技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり，アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では，ステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００４６】
図１１は、図１０のステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着等によって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）ではウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウェハに感光材を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１０によってマスクパターンをウェハに露光する。ステップ１７（現像）では露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では，現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では，エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態の製造方法は、波面収差が高精度に補正された投影光学系４０を使用することができる。このため、従来は製造が難しかった高解像度のデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を経済性及び生産性よく製造することができる。波面収差が補正された投影光学系４０は、ウェハステージのアライメントを高精度に行う。また、このように、露光装置１を使用するデバイス製造方法、並びに結果物（中間、最終生成物）としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の測定装置を示す概略ブロック図である。
【図２】図１の測定装置を備えた露光装置の概略ブロック図である。
【図３】図１に示す測定装置の測定方法を示すフローチャートである。
【図４】図１に示す回折光レチクルを示す概略平面図である。
【図５】図１に示す投影光学系の瞳近傍のレンズの露光分布を示す概略平面図である。
【図６】図１に示す投影光学系の瞳近傍のレンズの露光分布を示す概略平面図である。
【図７】図１に示す投影光学系の瞳近傍のレンズの露光分布を示す概略平面図である。
【図８】図１に示す投影光学系の温度と収差との関係を示すグラフである。
【図９】図２に示す露光装置を使用した露光方法を示すフローチャートである。
【図１０】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図１１】図１０に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４８】
１                            露光装置
２０                          照明光学系
３０                          マスク
４０                          投影光学系
５０                          プレート
１００                        測定装置
１１０                        照明装置
【図８】
2006302982.tif 000003
【図１１】
2006302982.tif 000004
【図１】
2006302982.tif 000005
【図２】
2006302982.tif 000006
【図３】
2006302982.tif 000007
【図４】
2006302982.tif 000008
【図５】
2006302982.tif 000009
【図６】
2006302982.tif 000010
【図７】
2006302982.tif 000011
【図９】
2006302982.tif 000012
【図１０】
2006302982.tif 000013