(57)【要約】【課題】  安価で、性能の良好なものが得られる表面弾性波ディバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法は、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂの領域全体が絶縁膜６で覆われた状態で、電極部３ａ、３ｂ上に導体層４が形成されるため、導体層４の形成時には、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂが絶縁膜６で保護されて、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂへの異物の付着が無く、性能の良好なものが得られる。【選択図】        図１６
2006287881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、この圧電基板の一面側に設けられた２つで対をなす少なくとも１組の櫛歯電極と、この櫛歯電極に接続された電極部と、この電極部上に設けられた導体層と、前記櫛歯電極の両側に隣接して設けられた反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を覆うように形成された絶縁膜を有した表面弾性波ディバイスを備え、前記圧電基板の一面側には、前記櫛歯電極と、前記反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器とを電気的に接続する保護導体が前記櫛歯電極と前記反射器以外の領域全体に形成された後、前記櫛歯電極と前記反射器の少なくとも領域全体を覆うように絶縁膜が形成され、しかる後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を前記絶縁膜によって覆った状態で、前記電極部上に前記導体層を形成する工程と、前記保護導体を除去する工程を行うようにしたことを特徴とする表面弾性波ディバイスの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁膜が前記圧電基板の前記一面側全体に形成された後、前記電極部に対応する位置の前記絶縁膜が除去され、しかる後、前記電極部上に前記導体層を形成する工程を行った後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域外の前記絶縁膜を除去すると共に、前記保護導体を除去するようにしたことを特徴とする請求項１記載の表面弾性波ディバイスの製造方法。
【請求項３】
前記表面弾性波ディバイスは、複数組の前記櫛歯電極と、複数組の前記櫛歯電極のそれぞれに対応して設けられた前記反射器と、前記櫛歯電極に接続された前記電極部間を繋ぐ接続パターンを有し、前記圧電基板の前記一面側には、前記櫛歯電極と、前記反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器とを電気的に接続する前記保護導体が前記櫛歯電極と前記反射器以外の領域全体に形成された後、各組毎の前記櫛歯電極と前記反射器の少なくとも領域全体を覆うように前記絶縁膜が形成され、しかる後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を前記絶縁膜によって覆った状態で、前記電極部上と前記接続パターン上に前記導体層を形成する工程と、前記保護導体を除去する工程を行うようにしたことを特徴とする請求項１記載の表面弾性波ディバイスの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜が前記圧電基板の前記一面側全体に形成された後、前記電極部と前記接続パターンに対応する位置の前記絶縁膜が除去され、しかる後、前記電極部上と前記配線パターン上に前記導体層を形成する工程を行った後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域外の前記絶縁膜を除去すると共に、前記保護導体を除去するようにしたことを特徴とする請求項３記載の表面弾性波ディバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は携帯電話機等に使用されるアンテナ共用器等に適用して好適な表面弾性波ディバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の表面弾性波ディバイス、及びその製造方法に関する図面を説明すると、図４３は従来の表面弾性波ディバイスの櫛歯電極や反射器を示す平面図、図４４は従来の表面弾性波ディバイスの要部断面図、図４５は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１工程を示す要部断面図、図４６は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２工程を示す要部断面図、図４７は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第３工程を示す要部断面図、図４８は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第３工程を示す平面図である。
【０００３】
また、図４９は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第４工程を示す要部断面図、図５０は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第５工程を示す要部断面図、図５１は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第６工程を示す要部断面図、図５２は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第６工程を示す平面図、図５３は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第７工程を示す要部断面図、図５４は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第７工程を示す平面図、図５５は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第８工程を示す要部断面図、図５６は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第９工程を示す要部断面図、図５７は従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第９工程を示す要部断面図である。
【０００４】
次に、従来の表面弾性波ディバイスの構成を図４３，図４４に基づいて説明すると、圧電基板５１の一面側には、２つで対をなす１組の櫛歯電極５２ａ，５２ｂと、この櫛歯電極５２ａ，５２ｂに接続された電極部５３ａ，５３ｂと、この電極部５３ａ，５３ｂ上に、電極部５３ａ、５３ｂと異種の金属からなる中間層５４を介して形成された導体層５５と、この導体層５５上の一部に形成されたバンプ５６と、櫛歯電極５２ａ，２ｂの両側に隣接して設けられた梯子状の反射器５７ａ，５７ｂと、櫛歯電極５２ａ，５２ｂと反射器５７ａ，５７ｂの領域の全体を覆うように設けられた絶縁膜５８を有して、従来の表面弾性波ディバイスが形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００５】
次に、このような構成を有する従来の表面弾性波ディバイスの製造方法を図４５〜図５７に基づいて説明すると、先ず、圧電基板５１の一面側全面には、ネガ型のレジスト膜６０が形成され、マスクを用いて露光した後、露光されなかったレジスト膜６０を溶液によって除去して、図４５に示すように、露光されたレジスト膜６０を残す。
即ち、レジスト膜６０は、櫛歯電極５２ａ，５２ｂと反射器５７ａ、５７ｂの隙間部（導体が形成されない箇所）に配置された状態となっている。
【０００６】
次に、図４６に示すように、圧電基板５１の一面側全体には、導電性材料を蒸着して、導体を形成された後、図４７，図４８に示すように、レジスト膜６０を除去すると、櫛歯電極５２ａ、５２ｂと、電極部５３ａ、５３ｂと、反射器５７ａ、５７ｂと、これ等を電気的に接続する保護導体６１が形成される。
【０００７】
次に、図４７，図４８の一面側全面には、ネガ型のレジスト膜６０が形成され、電極部５３ａ、５３ｂをマスクした状態で露光した後、露光されなかった電極部５３ａ、５３ｂ上のレジスト膜６０を溶液によって除去して、図４９に示すように、電極部５３ａ、５３ｂ上以外の露光されたレジスト膜６０を残す。
【０００８】
次に、図５０に示すように、圧電基板５１の一面側全面には、導電性材料を蒸着して、中間層５４と導体層５５となる導体が形成された後、図５１，図５２に示すように、レジスト膜６０を除去すると、電極部５３ａ、５３ｂ上には、中間層５４を介して導体層５５が形成される。
【０００９】
次に、図５３，図５４に示すように、導体層５５の一部には、バンプ５６を形成した後、図５５に示すように、圧電基板５１の一面側全面には、スパッタによって絶縁膜５８を形成し、しかる後、図５６に示すように、櫛歯電極５２ａ、５２ｂと反射器５７ａ、５７ｂの領域を除く箇所の絶縁膜５８を除去する。
【００１０】
次に、図５７に示すように、保護導体６１をエッチングによって除去して、電極部５３ａ、５３ｂを有した櫛歯電極５２ａ、５２ｂと、反射器５７ａ、５７ｂを独立した状態に形成した後、図４４に示すように、絶縁膜５８を薄くして、所望の周波数値になるように調整すると、従来の表面弾性波ディバイスの製造が完了する。（例えば、特許文献１参照）
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−３７４１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の表面弾性波ディバイスの製造方法において、圧電基板５１の一面側には、櫛歯電極５２ａ、５２ｂと、反射器５７ａ、５７ｂと、これ等を電気的に接続する保護導体６１が形成された後、電極部５３ａ、５３ｂ上には、中間層５４を介して導体層５５，及び導体層５５上にバンプ５６を形成し、この工程の後、絶縁膜５８によって、櫛歯電極５２ａ、５２ｂと反射器５７ａ、５７ｂの領域を覆うようにしたため、絶縁膜５８を形成するまでの工程で、櫛歯電極５２ａ、５２ｂと反射器５７ａ、５７ｂの領域に異物等が付着して、性能を悪くするという問題がある。
また、中間層５４と導体層５５の形成時には、中間層５４と導体層５５の形成領域がレジスト膜６０によって形成されるため、製造工程が多くなって、コスト高になるという問題がある。
【００１３】
そこで、本発明は安価で、性能の良好なものが得られる表面弾性波ディバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、圧電基板と、この圧電基板の一面側に設けられた２つで対をなす少なくとも１組の櫛歯電極と、この櫛歯電極に接続された電極部と、この電極部上に設けられた導体層と、前記櫛歯電極の両側に隣接して設けられた反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を覆うように形成された絶縁膜を有した表面弾性波ディバイスを備え、前記圧電基板の一面側には、前記櫛歯電極と、前記反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器とを電気的に接続する保護導体が前記櫛歯電極と前記反射器以外の領域全体に形成された後、前記櫛歯電極と前記反射器の少なくとも領域全体を覆うように絶縁膜が形成され、しかる後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を前記絶縁膜によって覆った状態で、前記電極部上に前記導体層を形成する工程と、前記保護導体を除去する工程を行うようにした製造方法とした。
【００１５】
また、第２の解決手段として、前記絶縁膜が前記圧電基板の前記一面側全体に形成された後、前記電極部に対応する位置の前記絶縁膜が除去され、しかる後、前記電極部上に前記導体層を形成する工程を行った後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域外の前記絶縁膜を除去すると共に、前記保護導体を除去するようにした製造方法とした。
【００１６】
また、第３の解決手段として、前記表面弾性波ディバイスは、複数組の前記櫛歯電極と、複数組の前記櫛歯電極のそれぞれに対応して設けられた前記反射器と、前記櫛歯電極に接続された前記電極部間を繋ぐ接続パターンを有し、前記圧電基板の前記一面側には、前記櫛歯電極と、前記反射器と、前記櫛歯電極と前記反射器とを電気的に接続する前記保護導体が前記櫛歯電極と前記反射器以外の領域全体に形成された後、各組毎の前記櫛歯電極と前記反射器の少なくとも領域全体を覆うように前記絶縁膜が形成され、しかる後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域全体を前記絶縁膜によって覆った状態で、前記電極部上と前記接続パターン上に前記導体層を形成する工程と、前記保護導体を除去する工程を行うようにした製造方法とした。
【００１７】
また、第４の解決手段として、前記絶縁膜が前記圧電基板の前記一面側全体に形成された後、前記電極部と前記接続パターンに対応する位置の前記絶縁膜が除去され、しかる後、前記電極部上と前記配線パターン上に前記導体層を形成する工程を行った後、前記櫛歯電極と前記反射器の領域外の前記絶縁膜を除去すると共に、前記保護導体を除去するようにした製造方法とした。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法は、櫛歯電極と反射器の領域全体が絶縁膜で覆われた状態で、電極部上に導体層が形成されるため、導体層の形成時には、櫛歯電極と反射器が絶縁膜で保護されて、櫛歯電極と反射器への異物の付着が無く、性能の良好なものが得られる。
【００１９】
また、絶縁膜が圧電基板の一面側全体に形成された後、電極部に対応する位置の絶縁膜が除去され、しかる後、電極部上に導体層を形成する工程を行うため、導体層の形成領域が絶縁膜によって形成され、従って、導体層を形成のためのレジスト膜が不要となり、製造工程が少なくなって、安価なものが得られる。
【００２０】
また、各組毎の櫛歯電極と反射器の領域全体が絶縁膜で覆われた状態で、電極部上に導体層が形成されるため、導体層の形成時には、櫛歯電極と反射器が絶縁膜で保護されて、櫛歯電極と反射器への異物の付着が無く、性能の良好なものが得られる。
【００２１】
また、絶縁膜が圧電基板の一面側全体に形成された後、電極部と接続パターンに対応する位置の絶縁膜が除去され、しかる後、電極部上と接続パターン上に導体層を形成する工程を行うため、導体層の形成領域が絶縁膜によって形成され、従って、導体層を形成のためのレジスト膜が不要となり、製造工程が少なくなって、安価なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の表面弾性波ディバイス、及びその製造方法に関する図面を説明すると、図１は本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係る平面図、図２は図１の２−２線における断面図、図３は図１の３−３線における断面図、図４は本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係り、櫛歯電極と反射器を示す平面図、図５は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第１工程を示す平面図、図６は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第１工程を示す断面図、図７は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第２工程を示す平面図、図８は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第２工程を示す断面図である。
【００２３】
また、図９は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第３工程を示す平面図、図１０は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第３工程を示す断面図、図１１は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第４工程を示す平面図、図１２は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第４工程を示す断面図、図１３は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第５工程を示す平面図、図１４は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第５工程を示す断面図である。
【００２４】
また、図１５は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第６工程を示す平面図、図１６は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第６工程を示す断面図、図１７は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第７工程を示す平面図、図１８は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第７工程を示す断面図、図１９は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第８工程を示す平面図、図２０は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第８工程を示す断面図、図２１は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第９工程を示す平面図、図２２は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第９工程を示す断面図である。
【００２５】
また、図２３は本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係る平面図、図２４は本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係る要部拡大平面図、図２５は図２４の２５−２５線における断面図、図２６は本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係り、櫛歯電極と反射器を示す拡大平面図、図２７は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第１工程を示す断面図、図２８は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第２工程を示す平面図、図２９は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第２工程を示す断面図である。
【００２６】
また、図３０は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第３工程を示す平面図、図３１は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第３工程を示す断面図、図３２は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第４工程を示す平面図、図３３は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第４工程を示す断面図、図３４は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第５工程を示す平面図、図３５は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第５工程を示す断面図である。
【００２７】
また、図３６は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第６工程を示す平面図、図３７は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第６工程を示す断面図、図３８は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第７工程を示す平面図、図３９は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第７工程を示す断面図、図４０は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第８工程を示す平面図、図４１は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第８工程を示す断面図、図４２は本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第９工程を示す断面図である。
【００２８】
次に、本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係る構成を図１〜図４に基づいて説明すると、圧電基板１の一面側には、２つで対をなす１組の櫛歯電極２と、この櫛歯電極２の対向する歯部２ａ，２ｂに接続された電極部３ａ，３ｂと、この電極部３ａ，３ｂ上に設けられた導体層４と、櫛歯電極２の両側に隣接して設けられた反射器５ａ，５ｂを有する。
【００２９】
そして、櫛歯電極２と、電極部３ａ，３ｂと、反射器５ａ，５ｂは、銅や銅合金等の同一の金属材で形成されると共に、導体層４は、アルミニュームで形成されて、導体層４が電極部３ａ、３ｂ上に形成されることによって、厚みを大きくして、電気抵抗を小さくしている。
【００３０】
また、圧電基板１の一面側には、酸化シリコンからなる絶縁膜６が設けられ、この絶縁膜６は、櫛歯電極５２と反射器５ａ，５ｂに跨り、櫛歯電極２と反射器５ａ，５ｂの領域の全体を覆うように設けられ、導体層４の箇所が外部接続用となって、本発明の表面弾性波ディバイスが形成されている。
【００３１】
次に、このような構成を有する本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法を図５〜図２２に基づいて説明すると、先ず、圧電基板１の一面側全面には、図５，図６に示すように、銅等からなる導体１１が形成された後、図７，図８に示すように、ミリングによって、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂを形成し、この時、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂは、残された導体１１で形成される保護導体１２によって、電気的に接続された状態となっている。
なお、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂ、及び保護導体１２の形成は、リフトオフなど他の電極形成技術や加工技術によって行っても良い。
【００３２】
次に、図９，図１０に示すように、酸化シリコンからなる絶縁膜６がスピンコートによって、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂ、及び保護導体１２を覆った状態で圧電基板１の一面側全体に形成された後、絶縁膜６上にネガ型のレジスト膜１３が形成され、マスクを用いて露光した後、露光されなかったレジスト膜１３を溶液によって除去して、図１１，図１２に示すように、露光されたレジスト膜１３を残す。尚、レジスト膜１３はポジ型のレジスト膜を用いても良い。
この時、残されたレジスト膜１３は、電極部３ａ、３ｂに対応する以外の箇所が残された状態になると共に、絶縁膜６の形成時は、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂが保護導体１２によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
【００３３】
次に、図１３，図１４に示すように、レジスト膜１３から露出した絶縁膜６が化学エッチングによって除去されて、電極部３ａ、３ｂとなる箇所を露出させた後、図１５，図１６に示すように、圧電基板１の一面側全体には、アルミニュームからなる導体層４をスパッタによって形成し、しかる後、図１７，図１８に示すように、レジスト膜１３を溶剤によって溶かすと、レジスト膜１３と、レジスト膜１３上に付着した導体層４が除去されて、電極部３ａ、３ｂ上のみに、導体層４が形成された状態となる。
この時、電極部３ａ、３ｂ上の導体層４は、絶縁膜６によって形成領域が形成されると共に、導体層４の形成時は、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂが保護導体１２によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
【００３４】
次に、圧電基板１の一面側全体にネガ型のレジスト膜１３が形成され、マスクを用いて露光した後、露光されなかったレジスト膜１３を溶液によって除去して、図１９，図２０に示すように、露光されたレジスト膜１３を残す。尚、レジスト膜１３はポジ型のレジスト膜を用いても良い。
この時、残されたレジスト膜１３は、電極部３ａ、３ｂ上の導体層４上と、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂの領域に位置する絶縁膜６上の箇所が残された状態になる。
【００３５】
次に、図２１，図２２に示すように、保護導体１２上の絶縁膜６を化学エッチングによって除去すると共に、保護導体１２をエッチングによって除去した後、レジスト膜１３を除去すると、図１〜図３に示すような表面弾性波ディバイスが形成されて、その製造が完了する。
【００３６】
また、図２３〜図２６は本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例を示し、この第２実施例の構成を説明すると、圧電基板１の一面側には、２つで対をなした複数組の櫛歯電極２と、櫛歯電極２の各組毎に配置された反射器５ａ、５ｂと、各組毎の櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂの領域全体を覆うように設けられた絶縁膜６と、櫛歯電極２の歯部２ａ、２ｂに繋がった電極部３ａ、３ｂに接続され、櫛歯電極２間を繋ぐ接続パターン７と、電極部３ａ、３ｂ上と接続パターン７上に設けられた導体層４を有し、電極部３ａ、３ｂや接続パターン７の接続ポイントＰの箇所が外部接続用となって、本発明の表面弾性波ディバイスが形成されている。
【００３７】
次に、このような構成を有する本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法を図２７〜図４２に基づいて説明すると、先ず、圧電基板１の一面側全面には、図２７に示すように、銅等からなる導体１１が形成された後、図２８，図２９に示すように、ミリングによって、複数組の櫛歯電極２と複数組の櫛歯電極２に対応した反射器５ａ、５ｂを形成し、この時、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂは、残された導体１１で形成される保護導体１２によって、電気的に接続された状態となっている。
なお、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂ、及び保護導体１２の形成は、リフトオフなど他の電極形成技術や加工技術によって行っても良い。
【００３８】
次に、図３０，図３１に示すように、酸化シリコンからなる絶縁膜６がスピンコートによって、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂ、及び保護導体１２を覆った状態で圧電基板１の一面側全体に形成された後、絶縁膜６上にネガ型のレジスト膜１３が形成され、マスクを用いて露光した後、露光されなかったレジスト膜１３を溶液によって除去して、図３２、図３３に示すように、露光されたレジスト膜１３を残す。尚、レジスト膜１３はポジ型のレジスト膜を用いても良い。
この時、残されたレジスト膜１３は、電極部３ａ、３ｂと接続パターン７に対応する以外の箇所が残された状態になると共に、絶縁膜６の形成時は、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂが保護導体１２によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
【００３９】
次に、図３４，図３５に示すように、レジスト膜１３から露出した絶縁膜６が化学エッチングによって除去されて、電極部３ａ、３ｂと接続パターン７となる箇所を露出させた後、図３６，図３７に示すように、圧電基板１の一面側全体には、アルミニュームからなる導体層４をスパッタによって形成し、しかる後、図３８，図３９に示すように、レジスト膜１３を溶剤によって溶かすと、レジスト膜１３と、レジスト膜１３上に付着した導体層４が除去されて、電極部３ａ、３ｂ上と接続パターン７上に導体層４が形成された状態となる。
この時、電極部３ａ、３ｂ上と接続パターン７上の導体層４は、絶縁膜６によって形成領域が形成されると共に、導体層４の形成時は、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂが保護導体１２によって電気的に接続された状態になっているため、焦電破壊が発生しない。
【００４０】
次に、圧電基板１の一面側全体にネガ型のレジスト膜１３が形成され、マスクを用いて露光した後、露光されなかったレジスト膜１３を溶液によって除去して、図４０，図４１に示すように、露光されたレジスト膜１３を残す。尚、レジスト膜１３はポジ型のレジスト膜を用いても良い。
この時、残されたレジスト膜１３は、電極部３ａ、３ｂ上、及び接続パターン７上の導体層４上と、櫛歯電極２と反射器５ａ、５ｂの領域に位置する絶縁膜６上の箇所が残された状態になる。
【００４１】
次に、図４２に示すように、保護導体１２上の絶縁膜６を化学エッチングによって除去すると共に、保護導体１２をエッチングによって除去した後、レジスト膜１３を除去すると、図２３〜図２５に示すような表面弾性波ディバイスが形成されて、その製造が完了する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係る平面図。
【図２】図１の２−２線における断面図。
【図３】図１の３−３線における断面図。
【図４】本発明の表面弾性波ディバイスの第１実施例に係り、櫛歯電極と反射器を示す平面図。
【図５】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第１工程を示す平面図。
【図６】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第１工程を示す断面図。
【図７】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第２工程を示す平面図。
【図８】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第２工程を示す断面図。
【図９】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第３工程を示す平面図。
【図１０】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第３工程を示す断面図。
【図１１】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第４工程を示す平面図。
【図１２】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第４工程を示す断面図。
【図１３】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第５工程を示す平面図。
【図１４】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第５工程を示す断面図。
【図１５】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第６工程を示す平面図。
【図１６】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第６工程を示す断面図。
【図１７】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第７工程を示す平面図。
【図１８】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第７工程を示す断面図。
【図１９】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第８工程を示す平面図。
【図２０】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第８工程を示す断面図。
【図２１】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第９工程を示す平面図。
【図２２】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１実施例に係る第９工程を示す断面図。
【図２３】本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係る平面図。
【図２４】本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係る要部拡大平面図。
【図２５】図２４の２５−２５線における断面図。
【図２６】本発明の表面弾性波ディバイスの第２実施例に係り、櫛歯電極と反射器を示す拡大平面図。
【図２７】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第１工程を示す断面図。
【図２８】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第２工程を示す平面図。
【図２９】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第２工程を示す断面図。
【図３０】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第３工程を示す平面図。
【図３１】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第３工程を示す断面図。
【図３２】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第４工程を示す平面図。
【図３３】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第４工程を示す断面図。
【図３４】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第５工程を示す平面図。
【図３５】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第５工程を示す断面図。
【図３６】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第６工程を示す平面図。
【図３７】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第６工程を示す断面図。
【図３８】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第７工程を示す平面図。
【図３９】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第７工程を示す断面図。
【図４０】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第８工程を示す平面図。
【図４１】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第８工程を示す断面図。
【図４２】本発明の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２実施例に係る第９工程を示す断面図。
【図４３】従来の表面弾性波ディバイスの櫛歯電極や反射器を示す平面図。
【図４４】従来の表面弾性波ディバイスの要部断面図。
【図４５】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第１工程を示す要部断面図。
【図４６】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第２工程を示す要部断面図。
【図４７】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第３工程を示す要部断面図。
【図４８】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第３工程を示す平面図。
【図４９】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第４工程を示す要部断面図。
【図５０】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第５工程を示す要部断面図。
【図５１】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第６工程を示す要部断面図。
【図５２】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第６工程を示す平面図。
【図５３】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第７工程を示す要部断面図。
【図５４】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第７工程を示す平面図。
【図５５】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第８工程を示す要部断面図。
【図５６】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第９工程を示す要部断面図。
【図５７】従来の表面弾性波ディバイスの製造方法の第９工程を示す要部断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１：圧電基板
２：櫛歯電極
２ａ、２ｂ：歯部
３ａ，３ｂ：電極部
４：導体層
５ａ、５ｂ：反射器
６：絶縁膜
７：接続パターン
Ｐ：接続ポイント
１１：導体
１２：保護導体
１３：レジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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