(57)【要約】      （修正有）【課題】集積回路チップの実装不良が生じ難く、かつマザーボード等の別基板への実装不良も生じ難い配線基板を提供する。【解決手段】絶縁材料として樹脂を用いた配線基板２００は、集積回路チップ２５を実装するための半田バンプ１１（端子）を第一主面１００ｐ側に有する基板中央部２１と、基板中央部２１の周りの部分である基板外周部２３と、基板中央部２１に格子状に配列する半田バンプ１１を取り囲むように基板外周部２３の第一主面１００ｐに接合された板状の補強材６１とを備える。基板外周部２３は、補強材６１とともに第一主面１００ｐ側へ傾いた形状をなしている。【選択図】図１３
2006287056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料として樹脂を用いた配線基板であって、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、前記基板中央部より外側の部分であって該基板中央部よりも前記第一主面側へ傾いた形状をなす基板外周部と、を備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁材料として樹脂を用いた配線基板であって、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、前記基板中央部の周りの部分である基板外周部と、前記基板中央部に格子状に配列する複数の前記端子を取り囲むように前記基板外周部の前記第一主面に接合された板状の補強材とを備え、前記基板外周部が前記補強材とともに前記第一主面側へ傾いた形状をなしていることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記集積回路チップに接続する前記端子が設けられた前記第一主面側とは反対側である第二主面側に、マザーボード等の別部品と半田接続するために前記基板中央部と前記基板外周部との両方にわたって格子状に配列する複数の裏面端子を備えた請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
絶縁材料として樹脂を用い、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、前記基板中央部の周りの部分である基板外周部とを備えた配線基板ワークを作製する工程と、
前記配線基板ワークに前記第一主面側から接触したとき前記基板中央部の全体が臨む空間を前記第一主面上に形成するための開口を有した第一支持体と、前記配線基板ワークに第二主面側から接触したとき前記第一支持体の前記開口の全体を面内方向において包含する広さの空間を前記第二主面上に形成する第二支持体とを準備したのち、前記第一主面側から前記第一支持体が前記基板外周部に接触し、その基板外周部を前記第二主面側から前記第二支持体で支持するように、前記第一支持体と、前記配線基板ワークと、前記第二支持体とを基板厚さ方向にこの順番で並べる工程と、
前記第二支持体によって前記基板外周部を支持した状態で前記配線基板ワークに接触する側とは反対側から前記第一支持体を押圧し、前記配線基板ワークを前記第二主面側に付勢することにより、前記基板中央部の平坦性を維持したまま前記基板外周部が前記第一主面側へ傾くように前記配線基板ワークを成形する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第一支持体は、前記基板中央部に格子状に配列する複数の前記端子を露出させるための通孔を厚さ方向に有した枠形態の板状体であり、
前記第二支持体は、面内方向において、前記第一支持体の前記通孔を形作る内周縁の全体を包含する広口の開口を有して前記基板中央部の全体が臨む空間を前記第二主面上に形成する枠形態の板状体であり、
前記配線基板ワークを成形する工程においては、前記基板中央部を前記第二支持体の前記開口内に沈み込ませるようにして、前記配線基板ワークを前記第二主面側に付勢する請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線基板ワークを成形する工程は、前記第一支持体と、前記配線基板ワークと、前記第二支持体とによる積層体を、前記配線基板ワークの前記端子の表面に配置した半田、または前記端子を構成する半田の融点よりも低い温度で加熱しながら行なう請求項４または５記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁材料として樹脂を用い、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、前記基板中央部の周りの部分である基板外周部とを備えた配線基板ワークを作製する工程と、
前記配線基板ワークに前記第一主面側から接触したとき、前記基板中央部に格子状に配列する複数の前記端子を露出させるための通孔を有する枠形態をなし、前記基板外周部に接合する板状の補強材と、前記配線基板ワークに第二主面側から接触したとき、前記補強材の前記通孔を形作る内周縁の全体を面内方向において包含する広さの空間を前記基板中央部の第二主面側に形成する支持体とを準備したのち、前記補強材と前記配線基板ワークとの間に熱硬化性樹脂を含む接着剤を介在させた状態で、前記補強材が前記第一主面側から前記基板外周部に面接触し、その基板外周部を前記第二主面側から前記第二支持体で支持するように、前記補強材と、前記配線基板ワークと、前記支持体とを厚さ方向にこの順番で並べる工程と、
前記支持体によって前記基板外周部を支持した状態で前記配線基板ワークに面接触する側とは反対側から前記補強材を押圧することにより、前記配線基板ワークを前記第二主面側に付勢し、その付勢した状態を維持したまま前記接着剤を硬化させて前記配線基板ワークと前記補強材とを接合する工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持体は、面内方向において、前記補強材の前記通孔を形作る内周縁の全体を包含する広口の通孔を有して前記基板中央部の全体が望む空間を前記第二主面上に形成する枠形態の板状体であり、
前記配線基板ワークと前記補強材とを接合する工程においては、前記基板外周部を前記支持体で支持しつつ前記補強材を押圧し、前記基板中央部を前記支持体の前記通孔内に沈み込ませるようにして、前記配線基板ワークを前記支持体の方向に付勢する請求項７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記補強材は方形状の通孔を有する枠形態である一方、前記支持体は前記補強材の通孔の対角線よりも大きい直径の円形の通孔を有する枠形態とされ、
面内方向において、前記補強材の通孔を形作る内周縁の全体が前記支持体の通孔を形作る内周縁の内側に収まる相対位置関係となるように、前記補強材と、前記配線基板ワークと、前記支持体とを厚さ方向にこの順番で並べる工程を行なう請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記配線基板ワークと前記補強材とを接合する工程は、前記補強材と、前記配線基板ワークと、前記支持体とによる積層体を、前記配線基板ワークの前記端子の表面に配置した半田、または前記端子を構成する半田の融点よりも低く、かつ前記接着剤が硬化する温度で加熱しながら行なう請求項７ないし９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
少なくとも一部の壁が可撓膜で形成された真空チャンバ内に、前記補強材と、前記配線基板ワークと、前記支持体とを厚さ方向にこの順番で並べた板状積層体を、前記補強材が前記可撓膜に向かい合う姿勢で形成し、
前記配線基板ワークを前記支持体で支持した状態で前記真空チャンバ内を排気し、前記可撓膜を撓ませて大気圧で前記補強材を押圧することにより、前記補強材と前記基板外周部との面接触状態を維持しつつ、前記基板中央部を前記支持体の前記通孔内に沈み込ませるようにして、前記配線基板ワークを前記第二主面側に付勢する請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板および配線基板の製造方法に関する。特に、絶縁材料として樹脂を用いたオーガニック配線基板に関連が深い。
【背景技術】
【０００２】
近年、一つのチップに複数のプロセッサ機能を内蔵した、いわゆるマルチコアプロセッサの開発が急速に進められている。シングルコアプロセッサからマルチコアプロセッサに向かう流れは、シングルコアプロセッサをより複雑かつ高機能にする方向性に限界が近づいてきているという、プロセッサ開発の実情が深く関係している。
【特許文献１】特開２００４−８００２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
プロセッサのマルチコア化に応じて浮上する問題の一つは、チップサイズが大きくなることである。チップサイズの拡大は、集積回路チップを実装する配線基板にも影響を及ぼす。チップサイズの拡大に比例してサイズの大きい配線基板が必要になってくるが、サイズの大きい配線基板は反りが発生しやすいという弱点がある。この問題は、絶縁材料に樹脂を用いたオーガニック配線基板で特に深刻である。
【０００４】
配線基板に反りが生じている場合、集積回路チップの実装不良が生じやすくなったり、マザーボードへの配線基板自体の実装不良が生じやすくなったりする。反り量を低減するために配線基板の厚さを増すことも考えられるが、配線基板の低背化という流れに逆行するため、その案は簡単には採用できない。
【０００５】
上記の問題に鑑み、本発明は、集積回路チップの実装不良が生じ難く、かつマザーボード等の別基板への実装不良も生じ難い配線基板を提供することを課題とする。また、その配線基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
上記課題を解決するために本発明の配線基板は、絶縁材料として樹脂を用いた配線基板であって、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、基板中央部より外側の部分であって該基板中央部よりも第一主面側へ傾いた形状をなす基板外周部と、を備えたことを主要な特徴とする。本明細書において“主面”とは、面積が最も広い面のことをいう。
【０００７】
集積回路チップの熱膨張係数は４ｐｐｍ／℃程度である一方、絶縁材料として樹脂を用いたオーガニック配線基板の熱膨張係数は、使用する樹脂の種類や配線密度によっても異なるが、３０ｐｐｍ〜８０ｐｐｍ／℃と高い。したがって、集積回路チップを実装するためのリフロー工程およびアンダーフィル材のキュア工程を行なうと、集積回路チップはわずかしか伸縮しないが配線基板は大きく伸縮する。この結果、図１６に示すごとく、集積回路チップ２５を実装している側に凸の反りを生ずる。このような反りがある状態で裏面側の端子パッド９１に半田ボール９２を載せてマザーボードＭＢへの配線基板９０の実装を試みると、図１６に示すごとく、半田ボール９２とマザーボードＭＢとの間に大きな隙間ＳＨが生じる。この隙間ＳＨは、実装不良の発生確率を高める原因となる。
【０００８】
上記本発明は、予め逆方向の反りを与えておくことにより、集積回路チップの実装時に生ずる反りを相殺しようとするものであるが、集積回路チップに接続する端子が形成されている基板中央部は平坦としつつ、基板外周部を反らせておく点に特徴がある。反りを反りで相殺するという考えを導入するだけでは、却って集積回路チップの実装を困難にするだけである。ところが本発明の配線基板によれば、基板外周部だけを積極的に反らせるため、基板中央部の平坦性は失われておらず集積回路チップの実装に支障はない。そして、集積回路チップの実装時に生ずる反りを、基板外周部の傾き（跳ね上がり）で相殺することにより、集積回路チップ実装後の反り量を低減することが可能である。したがって、本発明の配線基板は、集積回路チップの実装不良が生じ難く、かつマザーボード等の別基板への実装不良も生じ難いものとなる。
【０００９】
一つの好適な態様において、上記本発明の配線基板は、集積回路チップに接続する端子が設けられた第一主面側とは反対側である第二主面側においてマザーボード等の別部品（別基板）と半田接続するために基板中央部と基板外周部との両方にわたって格子状に配列する複数の裏面端子を備えたものとすることができる。本発明が対象とする配線基板には、たとえばＢＧＡ（Ball Grid Array）とＰＧＡ（Pin Grid Array）との二つのタイプが考えられる。裏面端子（実施例では裏面端子パッドという）に配置した半田ボールでマザーボードに実装するのがＢＧＡ配線基板であり、裏面端子に取り付けたピンでマザーボードに実装するのがＰＧＡ配線基板である。ＰＧＡ配線基板の場合は、多少の反りが生じていてもマザーボードに設けたピン孔にピンを押し込むことにより、強引ではあるがマザーボードに実装することができる。ところが、ＢＧＡ配線基板に大きな反りが生じている場合は、先に図１６で説明したように、半田ボール９２とマザーボードＭＢとの間に生ずる隙間ＳＨが原因で、実装不良の発生確率が高くなる。つまり、本発明はＢＧＡ配線基板に適用した場合に特に有効といえる。もちろん、ＰＧＡ配線基板に対しても有効であることに疑いはない。
【００１０】
また、本発明の配線基板は次のような方法で製造することができる。すなわち、本発明にかかる配線基板の製造方法は、絶縁材料として樹脂を用い、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、基板中央部の周りの部分である基板外周部とを備えた配線基板ワークを作製する工程と、配線基板ワークに第一主面側から接触したとき基板中央部の全体が臨む空間を第一主面上に形成するための開口を有した第一支持体と、配線基板ワークに第二主面側から接触したとき第一支持体の開口の全体を面内方向において包含する広さの空間を第二主面上に形成する第二支持体とを準備したのち、第一主面側から第一支持体が基板外周部に接触し、その基板外周部を第二主面側から第二支持体で支持するように、第一支持体と、配線基板ワークと、第二支持体とを基板厚さ方向にこの順番で並べる工程と、第二支持体によって基板外周部を支持した状態で配線基板ワークに接触する側とは反対側から第一支持体を押圧し、配線基板ワークを第二主面側に付勢することにより、基板中央部の平坦性を維持したまま基板外周部が第一主面側へ傾くように配線基板ワークを成形する工程と、を含むことを主要な特徴とする。
【００１１】
上記の製造方法によれば、配線基板ワークの基板中央部の上下（第一主面側と第二主面側）は空間とし、基板外周部の上下のそれぞれに第一支持体と第二支持体を配置する。面内方向において第二支持体が形成する空間は、第一主面側において第一支持体の開口の内周縁を包含する大きさである（図６参照）。そして、第一支持体と配線基板ワークと第二支持体とを重ねて、第一支持体を押圧する。このとき、基板中央部の全体が第二支持体の形成する空間に臨んでいるので、第一支持体からの荷重は基板中央部に直に懸からない。この結果、基板中央部の平坦性を維持しつつ、基板外周部が斜めに傾く（跳ね上がる）ように配線基板ワークの成形を行なうことができる。また、第一支持体が配線基板ワークに伝達する荷重は面内分布を持つので、基板中央部と基板外周部との間に極端な段差は生じず、内層の配線にダメージが及ぶこともない。
【００１２】
一つの好適な態様において、上記した第一支持体は、基板中央部に格子状に配列する複数の端子を露出させるための通孔を厚さ方向に有した枠形態の板状体とすることができる。また、上記した第二支持体は、面内方向において、第一支持体の通孔を形作る内周縁の全体を包含する広口の開口を有して基板中央部の全体が臨む空間を第二主面上に形成する枠形態の板状体とすることができる。そして、配線基板ワークを成形する工程においては、基板中央部を第二支持体の開口内に沈み込ませるようにして、配線基板ワークを第二主面側に付勢することができる。第一支持体と第二支持体の両者を枠形態とすることにより、基板中央部の上下に形成する空間の広さを容易に調整できるとともに、配線基板ワークを面支持することに基づいて、配線基板ワークの局所的な変形を防ぐことができる。
【００１３】
また、配線基板ワークを成形する工程は、第一支持体と、配線基板ワークと、第二支持体とによる積層体を、配線基板ワークの端子の表面に配置した半田、または端子を構成する半田の融点よりも低い温度で加熱しながら行なうことが好ましい。このようにすれば、配線基板ワークの内部に形成されている配線にクラックが生ずるなどのダメージが及びにくくなるとともに、得られる配線基板の残留応力を低減できる。
【００１４】
ところで、配線基板の反りの問題を解決する一つの技術として、集積回路チップを実装する面に補強材を取り付けるという技術がある。補強材は、配線基板のスティフネスを向上させるので、反りを抑制する効果をもたらす。しかしながら、マルチコアプロセッサのようにサイズの大きい集積回路チップ用の配線基板ともなると基板サイズが相当大きいため、補強材を取り付けるだけでは反りの抑制効果が薄い。補強材の厚さを増加するということも考えられなくはないが、配線基板の低背化の流れに逆行することになる。また、補強材の素材を改善するとなると開発費用も高くつく。こうした問題に対し、本発明者らは次のような配線基板を提案する。
【００１５】
すなわち、課題を解決するために本発明の配線基板の第二は、絶縁材料として樹脂を用いた配線基板であって、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、基板中央部の周りの部分である基板外周部と、基板中央部に格子状に配列する複数の端子を取り囲むように基板外周部の第一主面に接合された板状の補強材とを備え、基板外周部が補強材とともに第一主面側へ傾いた形状をなしていることを主要な特徴とする。
【００１６】
上記本発明は、予め逆方向の反りを与えておくことにより、集積回路チップの実装時に生ずる反りを相殺しようとするものであるが、集積回路チップを実装するための端子が形成されている基板中央部は平坦としつつ、基板外周部を補強材とともに反らせておく点に特徴がある。反りを反りで相殺するという考えを導入するだけでは、却って集積回路チップの実装を困難にするだけである。ところが本発明の配線基板によれば、基板外周部だけを積極的に反らせるため、基板中央部の平坦性は失われておらず集積回路チップの実装に支障はない。そして、集積回路チップの実装時に生ずる反りを、基板外周部の傾き（跳ね上がり）で相殺することにより、集積回路チップ実装後の反り量を低減することが可能である。したがって、本発明の配線基板は、集積回路チップの実装不良が生じ難く、かつマザーボード等の別基板への実装不良も生じ難いものとなる。
【００１７】
また、補強材を備えた本発明の配線基板は、次のような方法で製造することができる。すなわち、本発明の配線基板の製造方法の第二は、絶縁材料として樹脂を用い、集積回路チップに接続する端子を第一主面側に有する基板中央部と、基板中央部の周りの部分である基板外周部とを備えた配線基板ワークを作製する工程と、配線基板ワークに第一主面側から接触したとき、基板中央部に格子状に配列する複数の端子を露出させるための通孔を有する枠形態をなし、基板外周部に接合する板状の補強材と、配線基板ワークに第二主面側から接触したとき、補強材の通孔を形作る内周縁の全体を面内方向において包含する広さの空間を基板中央部の第二主面側に形成する支持体とを準備したのち、補強材と配線基板ワークとの間に熱硬化性樹脂を含む接着剤を介在させた状態で、補強材が第一主面側から基板外周部に面接触し、その基板外周部を第二主面側から第二支持体で支持するように、補強材と、配線基板ワークと、支持体とを厚さ方向にこの順番で並べる工程と、支持体によって基板外周部を支持した状態で、通孔を形作る内周縁に荷重が集中するように配線基板ワークに面接触する側とは反対側から補強材を押圧することにより、配線基板ワークを第二主面側に付勢し、その付勢した状態を維持したまま接着剤を硬化させて配線基板ワークと補強材とを接合する工程と、を含むことを主要な特徴とする。
【００１８】
上記の製造方法によれば、配線基板ワークの基板中央部の上下（第一主面側と第二主面側）は空間とし、基板外周部の上下のそれぞれに補強材と支持体を配置する。面内方向において支持体が第二主面側に形成する空間は、補強材の内周縁を包含する大きさである（詳細は図６の説明を参照）。そして、補強材と配線基板ワークと支持体とを重ね、内周縁に荷重が集中するように補強材を押圧する。補強材からの荷重は基板中央部と基板外周部の境界近傍に集中するが、基板中央部の全体が支持体の形成する空間に臨んでいるので、基板中央部には荷重が直に懸からない。この結果、基板中央部の平坦性を維持しつつ、基板外周部が斜めに傾く（跳ね上がる）ように配線基板ワークを成形することができる。また、補強材が配線基板ワークに伝達する荷重は面内分布を持つため、基板中央部と基板外周部との間に極端な段差は生じず、内層の配線にダメージが及ぶこともない。さらに、補強材を押圧しつつ、該補強材と配線基板ワークとを接合するので、補強材の荷重を抜いても得られる配線基板は元の形状に復帰しにくい
【００１９】
一つの好適な態様において、上記した支持体は、面内方向において、補強材の通孔を形作る内周縁の全体を包含する広口の通孔を有して基板中央部の全体が臨む空間を第二主面上に形成する枠形態の板状体とすることができる。そして、配線基板ワークと補強材とを接合する工程においては、基板外周部を支持体で支持しつつ補強材を押圧し、基板中央部を支持体の通孔内に沈み込ませるようにして、配線基板ワークを支持体の方向に付勢することができる。支持体を枠形態の板状体とすることにより、基板中央部の第二主面側に形成する空間の広さを容易に調整できるとともに、配線基板ワークの局所的な変形を防ぐことができる。
【００２０】
より具体的には、補強材は方形状の通孔を有する枠形態とする一方、支持体は補強材の通孔の対角線よりも大きい直径の円形の通孔を有する枠形態とすることができる。そして、面内方向において、補強材の通孔を形作る内周縁の全体が支持体の通孔を形作る内周縁の内側に収まる相対位置関係となるように、補強材と、配線基板ワークと、支持体とを厚さ方向にこの順番で並べる工程を行なう。このようにすれば、補強材を押圧したときに、該補強材の内周縁に荷重が集中しやすいため、基板中央部を支持体の開口内に沈み込ませることができる。また、面内方向において、支持体の通孔は補強材の通孔の全体を包含する大きさとしているので、補強材の内周縁の全体に均一に荷重が懸かるようになり、配線基板ワークの局所的な変形を防ぐことができる。
【００２１】
また、配線基板ワークと補強材とを接合する工程は、補強材と、配線基板ワークと、支持体とによる積層体を、配線基板ワークの端子の表面に配置した半田、または端子を構成する半田の融点よりも低く、かつ接着剤が硬化する温度で加熱しながら行なうことができる。このようにすれば、補強材を押圧しつつ、該補強材と配線基板ワークとを容易に接合することができる。
【００２２】
また、少なくとも一部の壁が可撓膜で形成された真空チャンバ内に、補強材と、配線基板ワークと、支持体とを厚さ方向にこの順番で並べた板状の積層体を、補強材が可撓膜に向かい合う姿勢で形成することができる。そして、配線基板ワークを支持体で支持した状態で真空チャンバ内を排気し、可撓膜を撓ませて大気圧で補強材を押圧することにより、補強材と基板外周部との面接触状態を維持しつつ、基板中央部を支持体の通孔内に沈み込ませるようにして、配線基板ワークを第二主面側に付勢する。このようにすれば、真空チャンバ内を排気したとき、可撓膜によって補強材を面で押圧することができる。このとき、補強材は枠形態を有するので、通孔内に可撓膜が垂れ下がるような形となる。すると、補強材の内周縁に荷重が集中するので、補強材とともに基板外周部に内向きの倒れを生じさせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図１は、本発明の配線基板の断面模式図である。配線基板１００は、集積回路チップを実装する部分である基板中央部２１と、その基板中央部２１を取り囲む外側の部分である基板外周部２３とから構成されている。配線基板１００の第一主面１００ｐ側には、集積回路チップを実装するための半田バンプ１１が金属端子パッド１０（図２）に対応する形で、基板中央部２１にのみ設けられている。半田バンプ１１と金属端子パッド１０は、集積回路チップに接続する端子を構成する。また、第二主面１００ｑ側には、マザーボード等の別基板と半田接続するために基板中央部２１と基板外周部２３との両方にわたってマトリクス状に複数の裏面端子パッド１７が設けられている。
【００２４】
図１に示すごとく、基板中央部２１と基板外周部２３とは、滑らかにつながった一体のものとして構成されているが、基板外周部２３は基板中央部２１から第一主面１００ｐ側へ斜めに傾いた形状をなしている。このような形状を持った配線基板１００を用いると、半導体装置３００を組立てる際に下記に示す有意な効果を得ることができる。図４に半導体装置の組立手順を示す。
【００２５】
図４に示すごとく、配線基板１００の基板中央部２１に集積回路チップ２５を載置する。集積回路チップ２５は、基板中央部２１の半田バンプ１１に接触している。この状態を保持しつつリフロー工程を行なう。リフロー工程では、半田バンプ１１を構成する半田の融点よりも高い温度に配線基板１００を加熱する。その後、集積回路チップ２５と配線基板１００との隙間にアンダーフィル材ＵＦに充填して硬化させるキュア工程を行なう。アンダーフィル材ＵＦは、熱硬化性樹脂、たとえばエポキシ系樹脂からなるものが一般的なので、キュア工程はアンダーフィル材ＵＦを硬化させる熱処理工程である。キュア工程は、リフロー工程の温度よりも低い温度域で行なう。
【００２６】
上記のようにリフロー工程とキュア工程とを行なうことにより、配線基板１００に集積回路チップ２５を実装した半導体装置３００が得られる。たとえば、集積回路チップ２５がマルチコアプロセッサのようなサイズの大きいチップであり、配線基板１００のサイズが大きい場合（たとえば□３５ｍｍ以上）であっても、配線基板１００を用いた半導体装置３００は平坦性が良好である。なぜなら、配線基板１００は集積回路チップ２５を実装する以前に、図１に示すごとく第一主面１００ｐ側が凹となる反りを有しており、この反りによって図４のリフロー工程およびキュア工程時で発生する反りが相殺されるからである。しかも、予め反りがあるといっても基板中央部２１の平坦性は失われていないので、集積回路チップ２５の実装不良が発生する確率は小さい。
【００２７】
これに対して従来の配線基板は、図１５に示すように、集積回路チップ２５を実装する以前の平坦性には確かに優れる。ところが、リフロー工程とキュア工程とを行なって得られる半導体装置５００の状態では、配線基板９０の平坦性が大きく失われている。このような反りを有した半導体装置５００は、図１６に示すごとく、配線基板９０部分の裏面端子パッド１７に半田ボール９２を載せてマザーボードＭＢへの実装を試みた場合、配線基板９０の部分とマザーボードＭＢとの間に大きな隙間ＳＨが生じてしまう。このように大きな隙間ＳＨがある状態でリフロー工程を行なうと、強度不足や導通不良などの実装不良の発生確率が高くなる。従来は、基板サイズが小さかったので（たとえば□３５ｍｍ未満）、こうした隙間ＳＨも比較的小さく実装不良という不具合に直結しにくかったが、基板サイズが大きくなるにつれて半導体装置５００となった時点での反りの問題が表面化してくる。本発明の配線基板１００は、そうした基板サイズの拡大に対して極めて有効であるといえる。もちろん、基板サイズが小さい場合でも効果がある。なお、本明細書で説明する配線基板１００，２００は、□５０ｍｍのサイズである。
【００２８】
また、リフロー工程およびキュア工程で生ずる反りが大きい場合、その反りを完全に相殺するに至らず結果的には第一主面１００ｐ側に凸となるが、これは反りの低減効果が最大限に発揮されたことを意味している。マザーボードＭＢへの実装不良が生じないレベルまで反りを低減できれば、リフロー工程およびキュア工程で生ずる反りを完全に相殺する必要性はないといえる。
【００２９】
また、図４においては、配線基板１００に集積回路チップ２５を直接実装するようにしているが、配線基板１００と集積回路チップ２５との間に中間基板を配置し、この中間基板を介して配線基板１に集積回路チップ２５を実装するようにしてもよい。そのような中間基板は、絶縁材料としてセラミックを用いたものであり、配線基板１００と集積回路チップ２５の間の熱膨張係数を有して両者の熱膨張係数の相違を吸収する役割を担う。
【００３０】
次に、配線基板１００の内部構造について説明する。
図２は図１の配線基板１００の詳細な断面構造を示すものである。配線基板１００は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンにコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層またはグランド層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００３１】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、熱硬化性樹脂組成物６にて構成された誘電体層Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属端子パッド１０，１７を有する導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとそのビアホール３４ｈに充填されたビア導体３４ｓとを有している。
【００３２】
板状コア２の第一主表面ＭＰ１上においては、コア導体層Ｍ１、誘電体層Ｖ１および導体層Ｍ２が第一配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第二主表面ＭＰ２上においては、コア導体層Ｍ１１、誘電体層Ｖ１１および導体層Ｍ１２が第二配線積層部Ｌ２を形成している。いずれも、誘電体層と導体層とが交互に積層されたものであり、誘電体層Ｖ１，Ｖ１１上には複数の金属端子パッド１０，１７がそれぞれ形成されている。第一配線積層部Ｌ１側の金属端子パッド１０は、集積回路チップを直接または中間基板を介してフリップチップ接続するための端子パッドであり、半田バンプ１１を載置する半田ランドを構成している。また、第二配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７は、配線基板１００自体をマザーボード等の別基板に、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面端子パッドである。
【００３３】
図３（ａ）に示すように、第一主面１００ｐ側の端子パッド１０は、配線基板１００の中央部分である基板中央部２１に格子状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１とともにチップ搭載部４を形成している。また、図３（ｂ）に示すように、第二主面１００ｑ側の裏面端子パッド１７も、格子状に配列形成されている。各導体層Ｍ２，Ｍ１２上には、それぞれ、熱硬化性樹脂組成物または感光性樹脂組成物よりなるソルダーレジスト８，１８が配置されている。ソルダーレジスト８，１８には、金属端子パッド１０，１７を露出させるために、各金属端子パッド１０，１７に一対一に対応する形で開口８ａ，１８ａが形成されている。第一配線積層部Ｌ１側に設けられた半田バンプ１１は、Ｓｎ−Ｐｂ半田もしくはＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田にて構成することができる。
【００３４】
次に、配線基板１００の製造方法について説明する。
配線基板１００は、公知のビルドアップ法等により、板状コア２の両主表面ＭＰ１，ＭＰ２に、配線積層部Ｌ１，Ｌ２をそれぞれ形成することにより製造することができる。誘電体層Ｖ１，Ｖ１１は、たとえば以下のようにして形成される。すなわち、熱硬化樹脂組成物ワニスをフィルム化した熱硬化接着フィルムをラミネートし、ビアホール３４ｈに対応したパターンを有する透明マスク（たとえばガラスマスク）を重ねて露光する。ビアホール３４ｈ以外のフィルム部分は、この露光により硬化する一方、ビアホール３４ｈ部分は未硬化のまま残留するので、これを溶剤に溶かして除去すれば、所期のパターンにてビアホール３４ｈを簡単に形成することができる（いわゆるフォトビアプロセス）。なお、フォトビアプロセスの代わりにレーザによりビアホール３４ｈを形成するレーザビアプロセスを採用することもできる。
【００３５】
各導体層Ｍ１，Ｍ２，Ｍ１１，Ｍ１２は、フォトリソグラフィー技術を用いたパターンＣｕメッキにより形成することができる。そして、一方の主面側の導体層Ｍ２と、他方の主面側の導体層Ｍ１２まで形成したのち、ソルダーレジスト８，１８で導体層Ｍ２，Ｍ１２を被覆するとともに、金属端子パッド１０，１７の形成位置に開口８ａ，１８ａを形成する。そして、金属端子パッド１０，１７の表面にＮｉ／Ａｕメッキを施し、ソルダーレジスト８の開口８ａに半田ペーストを充填する。こうして、集積回路チップを搭載する側の金属端子パッド１０の上に半田バンプ１１を形成する。
【００３６】
上記のようにして半田バンプ１１まで作りこんだ配線基板ワークに対し、次のような成形工程を行なうことにより、図１の配線基板１００を得ることができる。図５〜図８は、その成形工程を具体的に説明している。まず、図５に示すごとく、第一支持体２７、配線基板ワーク１００ｗおよび第二支持体２９をこの順番で重ね合わせて積層体４０Ａとする。第一支持体２７は、配線基板ワーク１００ｗと略同一の大きさの外形を持つ板状体であり、第一主面１００ｐ側から配線基板ワーク１００ｗの基板外周部２３に重ね合わせたとき、基板中央部２１に配列する半田バンプ１１（端子パッド１０を含む）には接触せずに露出させるための通孔２７ｈを厚さ方向に有した枠形態をなす。通孔２７ｈは、集積回路チップの形に合わせて正方形状を有している。第一支持体２７に使用する素材としては、樹脂、金属、セラミックもしくはこれらの複合素材など、特に問われるものではない。ただし、適度な剛性を持っていることが配線基板ワーク１００ｗを成形する上で望ましいので、配線基板ワーク１００ｗと同程度の厚さを持った金属板（Ｃｕ板やＳＵＳ板）を配線基板ワーク１００ｗと同形状に切断して通孔２７ｔを設けたものを、第一支持体２７として用いるとよい。
【００３７】
一方、第二支持体２９は、第一支持体２７と同様に配線基板ワーク１００ｗと略同一の大きさの外形を持つ板状体であり、第二主面１００ｑ側から配線基板ワーク１００ｗの基板外周部２３に重ね合わせたとき、基板中央部２１の真下が空間となるように円形の通孔２９ｈを有した枠形態をなす。第二支持体２９に使用する素材としては、樹脂、金属、セラミックもしくはこれらの複合素材など、特に問われるものではない。ただし、配線基板ワーク１００ｑの裏面端子パッド１７にコンタミが付着したりすることを防止する観点から、ポリエチレンテレフタラート、ポリプロピレン、ポリエチレンなどの樹脂シートの使用が望ましい。なお、通常こうした樹脂シートは薄いので（数十μｍ）、複数枚を重ね合わせたものを第二支持体２９として使用するとよい。また、第二支持体２９の厚さは、配線基板ワーク１００ｗよりも小さくすることができ、成形により付与したい反りに応じて調節するとよい。また、第二支持体２９の通孔２９ｔは、円形に限定されるわけではなく、たとえば方形（正方形）や楕円形としてもよい。
【００３８】
図５の斜視図から分かるように、第二支持体２９の通孔２９ｈの直径は第一支持体２７の通孔２７ｈの対角線の長さよりも大である。したがって、図６の投影図に示すように、積層体４０Ａの面内方向において、第一支持体２７の通孔２７ｈを形作る内周縁２７ｔは、第二支持体２９の通孔２９ｈを形作る内周縁２９ｔの内側に、その全体が収まる。また、第二主面１００ｑ側において配線基板ワーク１００ｗが臨む空間は、第一主面１００ｐ側において臨む空間よりも面内方向に広い。こうした関係となるような第一支持体２７と第二支持体２９とを用いることにより、図７に示すようにして配線基板ワーク１００ｗを成形することができる。
【００３９】
図７は積層体４０Ａに荷重をかけて配線基板ワーク１００ｗを成形する様子を示す説明図である。具体的には、配線基板ワーク１００ｗの基板外周部２３を第二支持体２９で支持しつつ、配線基板ワーク１００ｗに接する側とは反対側から第一支持体２７に荷重をかけて配線基板ワーク１００ｗを第二支持体２９に向けて付勢する。第一支持体２７に対しては、面全体に一定以上の荷重をかけることが望ましい。配線基板ワーク１００ｗを挟んだ内周部分２７１の反対側は空間になっているので、外側の抑えを効かせつつも内周部分２７１に荷重を集中して懸けるようにすると、図中に破線で示すごとく、第二支持体２９の通孔２９ｈ内に基板中央部２１が徐々に沈み込むような形となり、これにより配線基板ワーク１００ｗが成形される。ただし、半田バンプ１１が形成されている基板中央部２１には荷重が直に懸かっていないので、基板中央部２１の平坦性は維持される。また、基板外周部２３についても、基板中央部２１に近い部分にはやや大きい力が加わるものの、基板中央部２１から遠い部分の抑えも効いているので、極端な変形を起こして段差ができるといった問題は生じない。本実施形態に示す方法は、そういった点にも配慮がなされている。
【００４０】
図８は、基板製造装置４１（基板成形装置）を用いて配線基板ワーク１００ｗを成形する様子を断面図にて示すものである。この基板製造装置４１によれば、図７中に矢印で示した荷重分布を第一支持体２７に容易に付与することができるので、高効率かつ高精度にて配線基板ワーク１００ｗを成形することが可能である。そのような基板製造装置４１は、真空チャンバ４４と、積層体４０Ａを真空チャンバ４４内で固定するための固定具４７と、図示しないアスピレータまたは真空ポンプとを備えている。
【００４１】
真空チャンバ４４は、固定具４７の所定位置に積層体４０Ａを配置した場合に、積層体４０Ａの第一支持体２７が向かい合う壁部分を可撓膜４３で構成し、残りを金属壁４５で構成したものである。可撓膜４３はゴム弾性を有する樹脂、たとえばシリコンゴムからなる。固定具４７は積層体４０Ａを取り囲み、第一支持体２７、配線基板ワーク１００ｗおよび第二支持体２９が成形工程の最中に面内にずれることを阻止する部品である。また、積層体４０Ａと可撓膜４３との間に、金属薄板４９を配置するようにしている。
【００４２】
まず、図８の上段図のごとく、積層体４０Ａを固定具４７の内側の所定位置にセットする。固定具４７が積層体４０Ａよりもやや低背であるため、第一支持体２７が固定具４７から少し上に食み出るが、面内方向にずれることが無いように固定具４７の高さ調整がなされている。積層体４０Ａの上には金属薄板４９を載置する。次に、真空チャンバ４４内を排気する。真空チャンバ４４内を減圧するにつれて、図８の中段図のごとく可撓膜４３が大気圧に押されて撓み、金属薄板４９に密着する。第一支持体２７は、金属薄板４９を介して可撓膜４３からの押圧力を受け、配線基板ワーク１００ｗを第二支持体２９に向けて付勢する。配線基板ワーク１００ｗの基板外周部２３は第二支持体２９に支えられているが、基板中央部２１の真下は第二支持体２９の通孔２９ｈによる空間になっている。
【００４３】
上記のようにして真空チャンバ４４内を排気したとき、金属薄板４９は若干撓んで第一支持体２７の通孔２７ｈ内に入るものの、配線基板ワーク１００ｗに直接接するには至らない。つまり、可撓膜４３が配線基板ワーク１００ｗに直接接して押圧することを金属薄板４９によって阻止している。このようにすると、可撓膜４３からの荷重が第一支持体２７の内周部分２７１に集中しやすい。結果として、基板外周部２３，２３に内向きの倒れ（傾き）が徐々に生じるとともに、第二支持体２９の通孔２９ｈ内に基板中央部２１が平坦性を維持したまま徐々に沈み込むような形で配線基板ワーク１００ｗが成形され、図１の配線基板１００が得られる。こうした作用については図７で説明した通りである。また、半田バンプ１１に可撓膜４３および金属薄板４９が接触しない構成とすることにより、半田バンプ１１へのコンタミ付着や半田バンプ１１（通常は頂面が平らになるように予め成形してある）の変形を防ぐことにもなり一石二鳥である。
【００４４】
また、図８の成形工程は、赤外線ヒータ５１，５１によって積層体４０Ａを加熱しながら行なうことができる。このようにすれば、得られる配線基板１００の残留応力を低減することができる。図８の中段図に示す赤外線ヒータ５１は真空チャンバ４４内に配置してあってもよい。積層体４０Ａの加熱は、配線基板ワーク１００ｗの半田バンプ１１を構成する半田の融点よりも低い温度域で行なう。
【００４５】
次に、第一支持体、配線基板ワークおよび第二支持体を重ね合わせた積層体の変形例について説明する。図９は積層体の他の一つの例を上面図で説明している。図９に示すごとく、積層体４０Ｂは配線基板ワーク１００ｗの第二主面１００ｑ側の四隅に、シート状の第二支持体３５を配置したものである。第一支持体２７と配線基板ワーク１００ｗについては先の実施形態と同一のものである。先の実施形態の第二支持体２９は円形の通孔２９ｈを有した枠形態であったが、図９の第二支持体３５のように一定の厚さを有して基板外周部２３を支持できるものであればよい。このことから、第二支持体に通孔が必須でないことが分かる。ただし、図７で説明した作用が得られるように、基板中央部２１の第二主面１００ｑ上（基板中央部２１の真下）は空間であることが必要である。また、これら第二支持体３５，３５を基板製造装置４１の一部品として予め真空チャンバ４４内に予め配置しておき、真空チャンバ４４内で積層体４０Ｃを準備するようにしてもよい。
【００４６】
図１０は、積層体の他の一つの例を断面図で説明している。先の実施形態において、第二支持体２９が樹脂シートを複数枚重ね合わせたものであることを説明したが、図１０に示す積層体４０Ｃの第二支持体３６は、そのように複数枚重ね合わせた個々の樹脂シートの通孔の大きさ（直径）を互いに異ならせたものである。具体的に、第二支持体３６は、三枚の樹脂シート３７，３８，３９からなる。配線基板ワーク１００ｗに接する樹脂シートである第一樹脂シート３７による通孔３７ｈと、配線基板ワーク１００ｗから最も遠くに位置する樹脂シートである第二樹脂シート３９による通孔３９ｈと、両者の間に位置する第三樹脂シート３８による通孔３８ｈとは、互いに同心であるが、配線基板ワーク１００ｗから厚さ方向に遠ざかるにつれて段階的に縮径している。この結果、第二支持体３６は、全体として段付きの擂り鉢形状を呈する。第二支持体３６がこのような擂り鉢状になっていると、段差ごとに基板外周部２３を支持しつつ配線基板ワーク１００ｗを成形することになるから、過度な成形による段差発生を抑制する効果や基板内部の配線へのダメージを防ぐ効果が期待できる。
【００４７】
（第二実施形態）
図１１は本発明の第二実施形態にかかる配線基板の断面図であり、図１２は図１１の配線基板の上面図である。配線基板２００は、配線基板本体１００と、配線基板本体１００の第一主面１００ｐに接合された補強材６１とを備える。配線基板本体１００は、先の実施形態で説明した配線基板１００そのものであるが、本実施形態では補強材６１を含めて配線基板２００であると考えるため、あえて“本体”という。また、先の実施形態の説明は、大部分が本実施形態に援用できる。
【００４８】
図１１に示すごとく、配線基板２００の第一主面１００ｐ側には、集積回路チップを実装するための半田バンプ１１が金属端子パッド１０（図２）に対応する形で、基板中央部２１にのみ設けられている。そして、その半田バンプ１１を取り囲むようにして補強材６１が配置されており、基板外周部２３が補強材６１とともに基板中央部２１から第一主面１００ｐ側へ斜めに傾いた形状をなしている。補強材６１は、配線基板本体１００に一致する外形を持った板状体であり、半田バンプ１１の形成されている基板中央部２１を第一主面１００ｐ側に露出させる通孔６１ｈを有した枠形態をなしている。補強材６１の素材としては金属を使用できる。たとえば、Ｃｕ、ＳＵＳ、コバールおよび４２アロイのグループから選択される一種の金属を使用できる。特に、Ｃｕは、経済性や配線基板２００の放熱性という観点から推奨できる。
【００４９】
図１１に示すごとく、補強材６１は基板外周部２３とともに第一主面１００ｐ側へ傾いた形状をなしている。このような形状となっている場合、図１３に示すごとく、基板中央部２１に集積回路チップ２５を実装してリフロー工程およびキュア工程を行なうことにより得られる半導体装置４００の平坦性を改善することができる。理由は先にも説明したように、リフロー工程時およびキュア工程時において、反りを反りで相殺する作用が働くからである。また、本実施形態の配線基板２００によれば、配線基板本体１００の基板外周部２３に補強材６１を接合しているので配線基板２００全体としてのスティフネスは配線基板本体１００単独よりも高い。半導体装置４００となったときの平坦性の改善を図る観点において、補強材６１を設けた方が有利である。
【００５０】
次に、図１１の配線基板２００の製造方法について説明する。
基本的には、先の実施形態における第一支持体２７が補強材６１に置き換わったと考えればよい。まず、図５に示すごとく、補強材６１と、配線基板ワーク１００ｗと、支持体２９とを厚さ方向にこの順番で並べて積層体４０Ｄを得る。配線基板ワーク１００ｗは、配線基板本体１００となるべき部分である。支持体２９（先の実施形態では第二支持体２９とした）は、補強材６１の通孔６１ｈの対角線よりも大きい直径の円形の通孔２９ｈを有する枠形態である。したがって、図６の括弧書きで示すように積層体４０Ｄの面内方向においては、補強材６１の通孔６１ｈを形作る内周縁６１ｔ（正方形）の全体が支持体２７の通孔２９ｈを形作る内周縁２９ｔ（円形）の内側に収まる相対位置関係となっている。また、先に説明したように、支持体２９は基板製造装置４１の一部とすることができる。その場合、積層体４０Ｄの形成は、図１４に示す基板製造装置４１の真空チャンバ４４内にて行なう。
【００５１】
また、補強材６１は接着剤で配線基板ワーク１００ｗに接合するので、配線基板ワーク１００ｗの基板外周部２３または補強材６１の裏面に接着剤を塗布し、補強材６１と配線基板ワーク１００ｗとの間に接着剤６２を介在させる。接着剤６２として熱硬化型のエポキシ系接着剤を使用することにより、補強材６１を配線基板ワーク１００ｗに接合する工程と、先の実施形態で説明した配線基板ワーク１００ｗの成形工程とを同時進行させることができる。すなわち、図１４に示すごとく、基板製造装置４１の真空チャンバ４４内に積層体４０Ｄを配置し、赤外線ヒータ５１，５１でこの積層体４０Ｄを加熱しながら配線基板ワーク１００ｗの成形を行なうようにすれば、接着剤６２は自ずと硬化し、配線基板ワーク１００ｗに補強材６１を固定することができる。
【００５２】
図１４に示すごとく、積層体４０Ｄを基板製造装置４１の真空チャンバ４４内に配置し、さらに真空チャンバ４４内を排気すると、可撓膜４３が撓んで金属薄板４９を介して補強材６１を押圧する。先に説明したように、可撓膜４３からの荷重が補強材６１の内周部分に強くかかるので、配線基板ワーク１００ｗの基板外周部２３，２３および補強材６１に内向きの倒れ（傾き）が徐々に生じるとともに、支持体２９の通孔２９ｈ内に基板中央部２１が平坦性を維持したまま徐々に沈み込む形で、図１１の配線基板２００が得られる。また、十分な成形が施された頃合にちょうど接着剤６２が硬化するので、真空チャンバ４３をパージしても基板外周部２３の弾性復帰量は小さく済む。
【００５３】
以上、本明細書においては板状コア２上に配線層と樹脂絶縁層とを交互に形成した配線基板を例に説明したが、板状コアを有さない配線基板、いわゆるコアレス基板に本発明の要旨を適用できることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の配線基板の断面模式図。
【図２】図１の配線基板の詳細な断面図。
【図３】図１の配線基板の上面図および下面図。
【図４】図１の配線基板を用いた半導体装置の組立工程説明図。
【図５】配線基板ワークの成形工程説明図。
【図６】第一支持体と第二支持体との位置関係を示す厚さ方向投影図。
【図７】図５に続く図。
【図８】配線基板ワークの成形工程の具体例を示す断面図。
【図９】第二支持体の別例を示す上面図。
【図１０】同じく第二支持体の別例を示す断面図。
【図１１】第二実施形態の配線基板の断面模式図。
【図１２】図１１の配線基板の上面図。
【図１３】図１１の配線基板を用いた半導体装置の組立工程説明図。
【図１４】配線基板ワークに補強材を接合する工程の具体例を示す断面図。
【図１５】従来の配線基板の問題点を説明する図。
【図１６】図１５に続く図。
【符号の説明】
【００５５】
１０  端子パッド
１１  半田バンプ
１７  裏面端子パッド
２１  基板中央部
２３  基板外周部
２５  集積回路チップ
２７  第一支持体
２９，３５，３６  第二支持体（支持体）
２７ｈ，２９ｈ，６１ｈ  通孔
４０Ａ，４０Ｂ，４０Ｃ，４０Ｄ  積層体
４１  基板製造装置
４３  可撓膜
４４  真空チャンバ
６１  補強材
１００，２００  配線基板（配線基板本体）
１００ｗ，２００ｗ  配線基板ワーク
１００ｐ，２００ｐ  第一主面
１００ｑ，２００ｑ  第二主面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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