(57)【要約】【課題】  安定な電気的特性を有する低抵抗の導電膜を液相法を用いて形成する方法を提供する。【解決手段】  本発明の導電膜の形成方法は、基板Ｐ上に微粒子材料を含む液体材料１２を配置する工程と、前記基板Ｐ上の液体材料１２をフラッシュランプを用いた光照射により焼成して導電膜を形成する工程と、を含む。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に微粒子材料を含む液体材料を配置する工程と、
前記基体上の液体材料を、フラッシュランプを用いた光照射により焼成して導電膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする導電膜の形成方法。
【請求項２】
前記微粒子材料が、バルクで９００℃以上の融点を有し、粒径１０〜１５０ｎｍにおける融点が２５５℃以上である導電材料の微粒子であることを特徴とする請求項１に記載の導電膜の形成方法。
【請求項３】
前記微粒子材料が、透明導電材料の微粒子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜の形成方法。
【請求項４】
前記透明導電材料が、インジウム錫酸化物、酸化錫、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物、ハロゲン含有酸化錫から選ばれる１種以上の金属酸化物であることを特徴とする請求項３に記載の導電膜の形成方法。
【請求項５】
前記微粒子材料が、銅、ニッケル、マンガン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンから選ばれる１種以上の金属微粒子材料であることを特徴とする請求項１又は２に記載の導電膜の形成方法。
【請求項６】
前記液体材料を、液滴吐出装置を用いた液滴吐出法により前記基体上に配置することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の導電膜の形成方法。
【請求項７】
前記液体材料を、毛細管現象を利用したＣＡＰコート法により前記基体上に配置することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の導電膜の形成方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の形成方法を用いた導電膜形成工程を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の形成方法、及び電子機器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
導電膜（透光性導電膜）は、例えば、電気光学装置の電極や、タッチパネルの電極、電磁波シールド材等に用いられており、その代表的なものとして、錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）が知られている。ＩＴＯ膜は一般的に蒸着法やスパッタ法を用いて形成されるが、製造コストのさらなる低減や大面積への一括成膜を目的として、液相法を用いたＩＴＯ膜の形成方法が検討されている。
例えば特許文献１には、インジウムの有機酸化合物と有機錫化合物とを有機溶媒に溶解した液体材料を用いた液相法によりＩＴＯ膜を形成する方法が開示されている。しかし係る形成方法で得られるＩＴＯ膜はシート抵抗が大きく、電極用途には不向きであることから、特許文献２では、上記液体材料にさらにＩＴＯ微粒子を分散させた分散液を用いることで低シート抵抗のＩＴＯ膜を得られるようにしている。
【特許文献１】特開２００１−２９５４号公報
【特許文献２】特開２００４−２２２２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、液相法によりＩＴＯ膜を形成する場合、基体上に液体材料を塗布した後、この液体材料を乾燥、固化させて薄膜にする。従来のＩＴＯ膜の形成方法では、かかる乾燥固化工程における加熱をオーブンにより行うのが一般的であった。しかし、本発明者が検討を行ったところ、かかる方法により得られたＩＴＯ膜では、経時的にシート抵抗が上昇することが判明した。このようにシート抵抗が経時的に変化するのでは、当該ＩＴＯ膜を電極等に用いた電子機器においても電気特性が経時的に変化することとなり不都合を生じる。
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、安定な電気的特性を有する低抵抗の導電膜を液相法を用いて形成する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、上記課題を解決するために、基体上に微粒子材料を含む液体材料を配置する工程と、前記基体上の液体材料を、フラッシュランプを用いた光照射により焼成して導電膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする導電膜の形成方法を提供する。
この導電膜形成方法では、液体材料を焼成して微粒子焼結膜からなる導電膜を得るに際して、フラッシュランプを用いた光照射処理を行う。これにより液体材料を瞬時に加熱して微粒子材料を分散させている分散媒を迅速に除去することができ、また微粒子材料の焼結が、熱エネルギーと光エネルギーとによって成されるため、熱エネルギーのみによって焼結を進行させる従来の方法に比して、より安定な導通状態を有する導電膜を形成することができる。これは、光エネルギーのアシストにより微粒子表面の結晶性の回復や、微粒子同士のネッキングや溶着が促進されるためであると考えられる。
【０００５】
本発明の導電膜形成方法では、前記微粒子材料が、バルクで９００℃以上の融点を有し、粒径１０〜１５０ｎｍにおける融点が２５５℃以上である導電材料の微粒子であることが好ましい。このような融点が高く、また微粒子化による融点効果の小さい材料では、加熱温度が制限されるために液相法を用いた導電膜形成が採用される場合に、微粒子間の溶着や焼結の進行が不十分なものとなりやすく、良好な電気特性を有する導電膜が得にくいという問題がある。そこで、本発明に係る形成方法を適用することで、微粒子間の融着等を促進して安定な導通を得ることができ、上記高融点材料の微粒子を用いた導電膜形成に際しても極めて有効である。
【０００６】
本発明の導電膜形成方法では、前記微粒子材料が、透明導電材料の微粒子であることが好ましい。一般的に金属酸化物からなる透明導電材料の微粒子も、融点が高く、また微粒子化による融点効果が小さいため、加熱による融着や焼結が進行しにくく、安定な電気特性が得にくいので、本発明に係る形成方法を用いて好適な材料である。
【０００７】
本発明の導電膜形成方法では、前記透明導電材料が、インジウム錫酸化物、酸化錫、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物、ハロゲン含有酸化錫から選ばれる１種以上の金属酸化物であることが好ましい。本発明は、これらの透明導電材料の微粒子を用いた導電膜形成に特に有効な技術である。
【０００８】
本発明の導電膜形成方法では、前記微粒子材料が、銅、ニッケル、マンガン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデンから選ばれる１種以上の金属微粒子材料であることが好ましい。これらの金属材料は、大気中で容易に表面酸化が進行し、また加熱による微粒子の融着等が進行しにくく、安定な電気特性を得にくい傾向にあるので、本発明に係る形成方法を用いることが有効である。
【０００９】
本発明の導電膜形成方法では、前記液体材料を、液滴吐出装置を用いた液滴吐出法により前記基体上に配置することができる。また本発明の導電膜形成方法では、前記液体材料を、毛細管現象を利用したＣＡＰコート法により前記基体上に配置することもできる。
【００１０】
次に、本発明の電子機器の製造方法は、先に記載の本発明の形成方法を用いた導電膜形成工程を含むことを特徴とする。この製造方法によれば、経時的に安定な導電膜を具備し、電気的信頼性に優れた電子機器を、安価に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（導電膜の形成方法）
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１（ａ）は、本実施形態の形成方法で用いる液滴吐出装置の概略構成図、図１（ｂ）は、同液滴吐出装置に搭載された液滴吐出装置の概略構成図である。図２は、本実施形態の導電膜の形成方法を説明するための断面工程図である。
【００１２】
＜液体材料＞
本実施形態では、液滴吐出法を用いて微粒子材料を含む液体材料を基体上に配置し、導電膜パターンを形成する例について説明する。本実施形態に係る形成方法で用いられる液体材料には、微粒子材料を分散媒に分散させたものが用いられる。本実施形態の形成方法を用いて形成するのに好適な導電膜形成材料は、バルクの融点が高く、また微粒子化した場合の融点降下が小さい材料であり、例えば、バルクの融点が９００℃以上で、粒径１０ｎｍ〜１５０ｎｍにおける融点が２５５℃以上である微粒子材料により導電膜を形成する際に好適である。上記微粒子材料の具体例を挙げるならば、銅、ニッケル、マンガン、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン等の高融点の卑金属や、インジウム錫酸化物、酸化錫、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物、ハロゲン含有酸化錫等の金属酸化物である。上記金属微粒子ないし金属酸化物微粒子は、液体材料における分散性の向上や変質の防止を目的としたコーティングを施されていてもよい。
【００１３】
一方、分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００１４】
上記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。液滴吐出法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、液体材料組成物の吐出ノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えると吐出ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００１５】
上記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には吐出ノズル周辺部が液体材料の流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、吐出ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるだけでなく、液滴の吐出量が減少する。
【００１６】
＜液滴吐出装置＞
ここで、液滴吐出装置について、図１（ａ）の概略構成図を参照して説明する。液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪは、液滴吐出ヘッドから基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料を塗布される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。
【００１７】
液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した微粒子材料を含む液体材料が吐出される。
【００１８】
Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ方向に移動する。
【００１９】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２０】
ヒータ３１５は、本実施形態ではフラッシュランプであり、コンデンサに蓄えた電荷を短時間に放電する光照射によって基板Ｐを瞬時に加熱することで、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。フラッシュランプとしては例えばキセノンランプを例示することができ、光照射エネルギーが１〜５０Ｊ／ｃｍ２程度、光照射時間が１μ秒〜数ｍ秒程度のものを好適に用いることができる。
【００２１】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ方向を走査方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を非走査方向とする。
したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図１（ａ）では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。
【００２２】
図１（ｂ）は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。液滴吐出ヘッド３０１には、液体材料（配線用液体材料等）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形し、ノズル３２５から液体材料が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。
【００２３】
＜導電膜の形成方法＞
次に、本発明の導電膜の形成方法の一実施形態として、基板上に形成したバンク（堰）を利用して導電膜を基板上にパターン形成する方法について図２を参照して説明する。
【００２４】
図２（ａ）に示す基板Ｐとしては、ガラス、石英、セラミックス等の硬質基板のほか、プラスチック等の可撓性基板も用いることができる。バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の方法で、図２（ａ）に示す基板Ｐ上にバンクの高さに合わせて有機系感光性材料を塗布してレジスト層を塗布形成する。そして、バンク形状（導電膜の形成領域）に合わせてマスクを施しレジスト層を露光、現像することによりレジスト層を部分的に除去することで、所定の平面形状を有するバンクＢ，Ｂを基板Ｐ上に形成する。また、下層が無機物または有機物で機能液に対して親液性を示す材料で、上層が有機物で撥液性を示す材料で構成された２層以上でバンクＢを形成してもよい。これによりバンクＢ，Ｂに取り囲まれたバンク内領域１１が、導電膜を形成すべき領域（例えば１０μｍ幅）として形成される。
【００２５】
バンクＢを形成する有機材料としては、液体材料に対してもともと撥液性を示す材料でも良いし、後述するように、プラズマ処理による撥液化（フッ素化）が可能で下地基板との密着性が良くフォトリソグラフィによるパターニングがし易い絶縁有機材料でも良い。例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂等の高分子材料を用いることが可能である。
【００２６】
次に、バンク内領域１１におけるバンク形成時のレジスト（有機物）残渣を除去するために、基板Ｐに対して残渣処理を施す。この残渣処理としては、紫外線を照射することにより残渣処理を行う紫外線（ＵＶ）照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択できるが、ここではＯ２プラズマ処理を実施する。
具体的には、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
なお、基板Ｐがガラス基板の場合、その表面は導電膜形成用の液体材料に対して親液性を有しているが、本実施の形態のように残渣処理のためにＯ２プラズマ処理や紫外線照射処理を施すことで、バンク内領域１１の底部に露出した基板Ｐ表面の親液性を高めることができる。
【００２７】
続いて、バンクＢに対し撥液化処理を行い、その表面に撥液性を付与する。撥液化処理としては、例えば大気雰囲気中でテトラフルオロメタンを処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ４プラズマ処理法）を採用することができる。ＣＦ４プラズマ処理の条件は、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化メタンガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、処理ガスとしては、ＣＦ４ガスに限らず、他のフルオロカーボン系のガスを用いることもできる。
【００２８】
このような撥液化処理を行うことにより、バンクＢにはこれを構成する樹脂中にフッ素基が導入され、基板Ｐに対して高い撥液性が付与される。なお、上述した親液化処理としてのＯ２プラズマ処理は、バンクＢの形成前に行っても良いが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等は、Ｏ２プラズマによる前処理がなされた方がよりフッ素化（撥液化）されやすいという性質があるため、バンクＢを形成した後にＯ２プラズマ処理することが好ましい。
基板Ｐがガラス等である場合には、バンクＢに対する撥液化処理により基板Ｐ表面の撥液性が損なわれることはないが、基板Ｐの材質によっては、親液化処理した基板Ｐ表面に対し撥液処理の影響がでることがある。その場合には、基板Ｐ表面に撥液化されにくい酸化シリコン膜等を下地膜として形成したり、バンクＢを撥液性を有する材料（フッ素樹脂等）で形成して撥液処理自体を省略することで対処できる。
【００２９】
次に、図２（ｂ）に示すように、上述の液滴吐出装置ＩＪを用いて、配線パターン用液体材料をバンク内領域１１に露出した基板Ｐ上に吐出して配置する。例えば、微粒子材料としてＩＴＯ微粒子を含む液体材料１２を液滴吐出ヘッド３０１から吐出する。液滴吐出の条件としては、例えば、インク重量４ｎｇ／ｄｏｔ、吐出速度５〜７ｍ／ｓｅｃで行うことできる。また、液滴を吐出する雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うことができる。
【００３０】
このとき、導電膜形成領域であるバンク内領域１１に露出した基板Ｐは、バンクＢに囲まれているので、液体材料１２が所定位置以外に拡がるのを阻止でき、また、バンクＢの表面は撥液性を付与されているため、吐出された液体材料１２の一部がバンクＢ上に乗り上げたとしてもバンクＢ表面で弾かれてバンク内領域１１に流れ落ちる。さらに、バンク内領域１１に露出した基板Ｐ表面は親液性を付与されているため、吐出された液体材料１２は基板Ｐ表面で均一に濡れ広がり、図２（ｃ）に示すように液体材料１２をバンク内領域１１の延在方向において均一に配置することができる。
【００３１】
基板Ｐに所定量の液体材料１２を吐出配置した後、分散媒を除去し、固体の導電膜とするために、乾燥／焼成工程を行う。この工程では、乾燥工程と焼成工程とを別々の工程で行ってもよく、一括の加熱処理により乾燥／焼成を行ってもよい。本実施形態の場合、乾燥／焼成処理を、フラッシュランプを用いた光照射による加熱処理によって行う。フラッシュランプの光照射条件は、光照射エネルギーが１〜５０Ｊ／ｃｍ２程度、光照射時間が１μ秒〜数ｍ秒程度である。
【００３２】
この乾燥／焼成処理により、図２（ｄ）に示すように、分散媒が除去され、また微粒子材料表面のコーティング材等も除去されることで、微粒子材料が凝集して電気的に接触した導電膜１３が基板Ｐ上に形成される。本実施形態の形成方法によれば、経時的なシート抵抗の変化がほとんど無く、安定な電気特性を具備した導電膜１３を得ることができる。これは、本実施形態の形成方法が、オーブンやホットプレート等により基板Ｐを加熱するのではなく、フラッシュランプを用いて瞬間的に加熱することで液体材料の乾燥／焼成を行うことから、光エネルギーのアシストによって微粒子表面の結晶性を回復させることができ、また光エネルギーによって微粒子間のネッキングや融着が促進され、乾燥／焼成工程で微粒子間に安定な導通状態を形成できることによると考えられる。
【００３３】
上記乾燥／焼成処理は大気中で行ってもよいが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うこともできる。乾燥／焼成処理の処理温度は、分散媒の沸点（蒸気圧）、雰囲気ガスの種類や圧力、微粒子の分散性や酸化性等の熱的挙動、コーティング材の有無や量、基材の耐熱温度などを考慮して決定すればよい。例えば、有機物からなるコーティング材を除去するためには、約３００℃で焼成することが必要である。また、プラスチックなどの基板を使用する場合には、室温以上１００℃以下で行うことが好ましい。
【００３４】
ここで、本実施形態の形成方法の効果を、図３を参照してさらに詳細に説明する。図３は、本実施形態の形成方法により得られたＩＴＯ膜と、オーブンを用いて液体材料の乾燥／焼成を行ったＩＴＯ膜とを同条件で大気中に放置した際の経時的なシート抵抗の変化を測定した結果を示すグラフである。
図３において、「ＦＬＡ（フラッシュランプアニール）処理有り」に対応する曲線が、本実施形態の方法で形成したＩＴＯ膜の測定結果であり、「ＦＬＡ処理無し」に対応する曲線が、オーブンを用いた従来法により得られたＩＴＯ膜の測定結果である。乾燥／焼成工程の処理条件は、以下の通りである。
なお、「ＦＬＡ処理無し」の条件では、オーブン内の雰囲気を「大気」、「Ｎ２ガス」、「Ｎ２／Ｈ２混合ガス」の順に切り替えて各１時間ずつの加熱処理を行っている。
【００３５】
「ＦＬＡ処理有り」
処理雰囲気：Ｎ２
光照射エネルギー：６．４Ｊ／ｃｍ２
照射時間：０．１ｍｓｅｃ
照射回数：３回
冷却：フラッシュランプ照射後大気中で急冷
合計処理時間：８分
【００３６】
「ＦＬＡ処理無し」
クリーンオーブン使用
ホールド温度：３５０℃
処理雰囲気：大気 -> Ｎ２ -> Ｎ２／Ｈ２
ホールド時間：各雰囲気中でそれぞれ１時間
合計処理時間：５時間（昇降温時間を含む）
【００３７】
図３から明らかなように、本実施形態の形成方法で得られたＩＴＯ膜では、初期シート抵抗値はオーブン焼成したＩＴＯ膜より大きいものの、シート抵抗値の経時変化はほとんど無い。具体的には、「ＦＬＡ処理有り」のＩＴＯ膜は乾燥／焼成処理直後のシート抵抗が５８０Ω／□であり、３００時間放置後でもシート抵抗は５８４Ω／□とほとんど変化しない。これに対して、「ＦＬＡ処理無し」のＩＴＯ膜は、乾燥／焼成処理直後のシート抵抗は１２０Ω／□であるが、放置時間の経過とともにシート抵抗が上昇し、１８６時間放置後で４４４Ω／□となり、３００時間放置後は「ＦＬＡ処理有り」のＩＴＯ膜より大きい６０５Ω／□となっている。
【００３８】
以上説明したように、本実施形態の導電膜の形成方法によれば、シート抵抗の経時変化が極めて少なく、安定な電気特性を具備した導電膜を形成することができる。また、従来は極めて長時間（本例では５時間）を要していた乾燥／焼成処理工程の時間を僅か数分（本例では８分）にまで短縮することができ、導電膜形成の効率を著しく向上させることができる。
【００３９】
なお、上記実施の形態では、液体材料の塗布方法として、液滴吐出法を採用した場合について説明したが、液体材料の塗布方法は、液滴吐出法に限定されず、種々の方法を採用することが可能であり、例えば、ＣＡＰコート法やダイコート法、カーテンコート法等を、液体材料の塗布形態に応じて用いることができる。
【００４０】
＜導電膜形成方法の他の形態＞
上記実施形態では、基板Ｐ上に形成したバンクＢを利用して導電膜１３を基板上に選択的に形成する場合について説明したが、液相法を用いた導電膜のパターン形成方法としては、基板Ｐを表面処理することで基板Ｐ表面に液体材料に対する親和性の異なる領域を区画形成し、かかる親和性の差異を利用して液体材料を選択配置する方法も採用できる。
【００４１】
上記方法により導電膜の形成を行う場合について図４を参照して説明する。図４は、本実施形態の導電膜の形成工程を示す断面工程図である。本実施形態の形成方法は、基板Ｐの表面を撥液処理する工程と、撥液化した基板Ｐ表面の一部を選択的に親液処理する工程とを含む。上記撥液処理としては、自己組織化膜を基板Ｐ表面に形成する方法や、プラズマ処理により基板Ｐ表面を直接撥液化する方法が用いられる。
【００４２】
自己組織化膜を形成する方法では、まず、図４（ａ）に示すように、導電膜を形成すべき基板Ｐの表面に有機分子膜Ｆを形成する。この有機分子膜Ｆは、基板Ｐ表面と結合可能な官能基と、親液基ないし撥液基といった表面改質機能を有する官能基とが炭素鎖で接続された有機分子からなるもので、かかる有機分子を基板Ｐ表面に均一に吸着させることで形成することができる。
ここで、自己組織化膜とは、基板の下地層等の構成原子と反応可能な結合性官能基とそれ以外の直鎖分子とからなり、直鎖分子の相互作用により極めて高い配向性を有する化合物を、配向させて形成された膜である。この自己組織化膜は、単分子を配向させて形成されているので、極めて膜厚を薄くすることができ、しかも、分子レベルで均一な膜となる。すなわち、膜の表面に同じ分子が位置するため、膜の表面に均一でしかも優れた撥液性や親液性を付与することができる。
【００４３】
上記の高い配向性を有する化合物として、例えばフルオロアルキルシランを用いることにより、膜の表面にフルオロアルキル基が位置するように各化合物が配向されて自己組織化膜が形成され、膜の表面に均一な撥液性が付与される。
自己組織化膜を形成する化合物としては、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリエトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロデシルトリクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン等のフルオロアルキルシラン（以下「ＦＡＳ」という）を例示できる。これらの化合物は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用してもよい。なお、ＦＡＳを用いることにより、基板Ｐとの密着性と良好な撥液性とを得ることができる。
【００４４】
ＦＡＳは、一般的に構造式ＲｎＳｉＸ（４−ｎ）で表される。ここでｎは１以上３以下の整数を表し、Ｘはメトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子などの加水分解基である。またＲはフルオロアルキル基であり、（ＣＦ３）（ＣＦ２）ｘ（ＣＨ２）ｙの（ここでｘは０以上１０以下の整数を、ｙは０以上４以下の整数を表す）構造を持ち、複数個のＲ又はＸがＳｉに結合している場合には、Ｒ又はＸはそれぞれすべて同じでもよく、異なっていてもよい。Ｘで表される加水分解基は加水分解によりシラノールを形成して、基板Ｐ（ガラス、シリコン）の下地のヒドロキシル基と反応してシロキサン結合で基板Ｐと結合する。一方、Ｒは表面に（ＣＦ２）等のフルオロ基を有するため、基板Ｐの下地表面を濡れない（表面エネルギーが低い）表面に改質する。
【００４５】
自己組織化膜は、上記の原料化合物と基板Ｐとを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置することにより基板Ｐ上に形成される。また、密閉容器全体を１００℃に保持することにより、３時間程度で基板Ｐ上に形成される。これらは気相からの形成法であるが、液相からも自己組織化膜を形成できる。例えば、原料化合物を含む溶液中に基板Ｐを浸積し、洗浄、乾燥することで基板Ｐ上に自己組織化膜が形成される。自己組織化膜を形成する前に、基板Ｐの表面に紫外光を照射したり、溶媒により洗浄したりすることで基板Ｐ表面に前処理を施すことが望ましい。
【００４６】
一方、プラズマ処理法では、常圧又は真空中で基板Ｐに対してプラズマ照射を行う。プラズマ処理に用いるガス種は、配線パターンを形成すべき基板Ｐの表面材質等を考慮して種々選択できる。処理ガスとしては、例えば、４フッ化メタン、パーフルオロヘキサン、パーフルオロデカン等を例示できる。基板Ｐの表面を撥液性に加工する処理は、所望の撥液性を有するフィルム、例えば４フッ化エチレン加工されたポリイミドフィルム等を基板Ｐの表面に貼着することによっても行ってもよい。また、撥液性の高いポリイミドフィルムをそのまま基板Ｐとして用いてもよい。
【００４７】
このようにして自己組織化膜形成法を実施することにより基板Ｐの表面に有機分子膜Ｆを形成したならば、次に、図４（ｂ）に示すように、液体材料を塗布すべき領域（導電膜形成領域）の撥液性を緩和し、基板Ｐ表面の特定の領域にのみ親液性を付与する。親液化処理としては、波長１７０〜４００ｎｍの紫外光を照射する方法が挙げられる。このとき、導電膜の平面形状に応じたマスクを用いて紫外光を照射することで、撥液化した基板Ｐ表面のうち導電膜形成領域のみを選択的に変質させて親液化することができる。つまり、上記撥液化処理及び親液化処理を施すことにより、基板Ｐ表面には、導電膜がパターン形成されるべき領域に対応する親液領域Ｈ１と、かかる親液領域Ｈ１を取り囲む撥液領域Ｈ２とが形成される。なお、撥液性の緩和の程度は紫外光の照射時間で調整できるが、紫外光の強度、波長、熱処理（加熱）との組み合わせ等によって調整することもできる。
【００４８】
親液化処理の他の方法としては、酸素を反応ガスとするプラズマ処理も用いることができる。この場合、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することで行う。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの板搬送速度が０．５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０〜９０℃とされる。
また例えば、基板Ｐの搬送速度を遅くしてプラズマ処理時間を長くする等、プラズマ処理条件を調整することによって、微粒子材料を含有した液体材料に対する親液領域Ｈ１の接触角を好ましくは１０°以下に設定する。さらに、別の親液化処理としては、基板をオゾン雰囲気に曝す処理も採用できる。
【００４９】
上記親液領域Ｈ１及び撥液領域Ｈ２を形成したならば、次に、図４（ｃ）に示すように、液滴吐出ヘッド３０１（液滴吐出装置ＩＪ）を用いて、液体材料を親液領域（導電膜形成領域）Ｈ１上に吐出配置する。このとき、親液領域Ｈ１を取り囲む撥液領域Ｈ２においては、液体材料を弾くよう撥液性が付与されているため、吐出された液体材料の一部が撥液領域Ｈ２に乗り上げてもはじかれて親液領域Ｈ１に閉じ込められる。さらに、親液領域Ｈ１は液体材料に対する親液性を付与されているため、吐出配置された液体材料は親液領域Ｈ１内で均一に濡れ広がり、これによって液体材料が基板Ｐ上の所定位置に正確にかつ均一に配置される。
【００５０】
その後、先のバンクを用いた形成方法と同様に、フラッシュランプを用いた乾燥／焼成工程に基板Ｐを供することで、図４（ｄ）に示すように、基板Ｐ上に所定平面形状の導電膜１３を形成することができる。乾燥／焼成工程におけるフラッシュランプの光照射条件は先の実施形態と同様でよい。
【００５１】
なお、上記実施の形態では、液体材料の塗布方法として、液滴吐出法を採用した場合について説明したが、液体材料の塗布方法は、液滴吐出法に限定されず、種々の方法を採用することが可能であり、例えば、ＣＡＰコート法やダイコート法、カーテンコート法等を、液体材料の塗布形態に応じて用いることができる。
【００５２】
（電気光学装置の製造方法）
次に、本発明に係る導電膜の形成方法による導電膜形成工程を含む電子機器の製造方法の一例として、電気光学装置の製造方法、特に電気光学装置を構成するアクティブマトリクス基板の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、図５は、本発明に係る導電膜形成方法を用いて好適なアクティブマトリクス基板の一部を拡大した図である。アクティブマトリクス基板２０は、格子状に配線されたゲート配線４０とソース配線４２とを備えている。複数のゲート配線４０がＸ方向（第１方向）に延びるように形成され、ソース配線４２がＹ方向（第２方向）に延びるように形成されている。ゲート配線４０には、ゲート電極４１が接続され、ゲート電極４１上に絶縁層を介してＴＦＴ３０が配置されている。一方、ソース配線４２には、ソース電極４３が接続され、ソース電極４３の一端は、ＴＦＴ（スイッチング素子）３０と電気的に接続されている。
【００５４】
ゲート配線４０とソース配線４２に囲まれた領域には、画素電極４５が配置され、ドレイン電極４４を介してＴＦＴ３０と電気的に接続されている。アクティブマトリクス基板２０上には、ゲート配線４０と略平行に延びる容量線４６が設けられており、容量線４６は、画素電極４５及びソース配線４２の下層に絶縁層を介して配置されている。なお、ゲート配線４０、ゲート電極４１、ソース配線４２、容量線４６は、基板上の同一配線層に形成されている。
【００５５】
図６は、アクティブマトリクス基板２０の等価回路図である。アクティブマトリクス基板２０は、平面視マトリクス状に配列形成された複数の画素１００ａを有している。これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するソース配線４２がＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ソース配線４２に供給する画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のソース配線４２同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。ＴＦＴ３０のゲートには、ゲート配線４０が電気的に接続されている。そして、所定のタイミングで、ゲート配線４０にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。
【００５６】
画素電極４５は、ＴＦＴ３０のドレインと電気的に接続されている。そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、ソース配線４２から供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極４５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図１７に示す対向基板１２０の対向電極１２１との間で一定期間保持されるようになっている。
【００５７】
保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、容量線４６によって、画素電極４５と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量４８が付加されている。例えば、画素電極４５の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量４８により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。
【００５８】
＜アクティブマトリクス基板の製造方法＞
次に、アクティブマトリクス基板２０の製造方法について説明する。
本実施形態のアクティブマトリクス基板の製造方法は、基板Ｐ上に格子パターンの配線を形成する第１工程と、積層部３５を形成する第２工程と、画素電極４５等を形成する第３工程とを含む。
【００５９】
［第１工程：配線形成］
図７、図８は、第１工程である配線形成工程を説明する図である。なお、図７（ｂ）、図８（ｂ）は、それぞれ図７（ａ）、図８（ａ）のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。
ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種の材料を用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。
【００６０】
そして、まず、図７に示すように、基板Ｐ上に、絶縁性の材料からなるバンク５１が形成される。バンクは、後述する配線用液体材料を基板Ｐの所定位置に配置するためのものである。具体的には、図７（ａ）に示すように、洗浄した基板Ｐの上面に、格子パターンの配線の形成位置に対応した複数の開口部５２，５３，５４，５５を有するバンク５１をフォトリソグラフィ法を用いて形成する。
【００６１】
バンク５１の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が用いられる。また、耐熱性等を考慮して、無機質の材料を含むものとすることもできる。無機質のバンク材料としては、例えば、ポリシラザン、ポリシロキサン、シロキサン系レジスト、ポリシラン系レジスト等の骨格にケイ素を含む高分子無機材料や感光性無機材料、シリカガラス、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマー、ポリアリールエーテルのうちいずれかを含むスピンオングラス膜、ダイヤモンド膜、及びフッ素化アモルファス炭素膜、などが挙げられる。さらに、無機質のバンク材料として、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、などを用いてもよい。ポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン組成物のように感光性を有する材料とした場合には、レジストマスクが不要になるため、好適である。
【００６２】
なお、バンク５１には、開口部５２，５３，５４，５５内に配線用液体材料を良好に配置させるために、撥液処理が施される。撥液処理として、ＣＦ４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す。このＣＦ４プラズマ処理等に代えて、バンク５１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいてもよい。
【００６３】
バンク５１により形成される開口部５２，５３，５４，５５は、ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線に対応している。すなわち、バンク５１の開口部５２，５３，５４，５５に配線用液体材料を配置することにより、ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される。
具体的には、Ｘ方向に延びるように形成された開口部５２，５３は、ゲート配線４０、容量線４６の形成位置に対応する。そして、ゲート配線４０の形成位置に対応する開口部５２には、ゲート電極４１の形成位置に対応する開口部５４が接続している。また、Ｙ方向に延びるように形成された開口部５５は、ソース配線４２の形成位置に対応する。なお、Ｙ方向に延びる開口部５５は、Ｘ方向に延びる開口部５２，５３と交差しないように、交差部５６において分断されるように形成される。
【００６４】
次いで、先に記載の液滴吐出装置ＩＪによって、微粒子材料を含む配線用液体材料を開口部５２，５３，５４，５５内に吐出配置して、基板上にゲート配線４０やソース配線４２等からなる格子パターンの配線を形成する。配線用液体材料は、先に記載のように、金属や金属酸化物の微粒子材料を分散媒に分散させた分散液からなるものである。微粒子材料としては、例えば、ニッケル、マンガン、チタン等の金属微粒子の他、ＩＴＯ等の導電性の金属酸化物が用いられる。
【００６５】
基板Ｐに配線用液体材料を吐出した後には、分散媒を除去して固体の導電膜を得るために、先の実施形態の導電膜の形成方法と同様のフラッシュランプを用いた乾燥／焼成処理を行う。このような乾燥／焼成処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、液体材料から導電膜への変換がなされる。
【００６６】
なお、ゲート配線４０やソース配線４２等の配線上には、図８に示すような金属保護膜４７を成膜してもよい。金属保護膜４７は、形成した導電膜の（エレクトロ）マイグレーション現象等を抑制するための薄膜であり、例えばニッケルにより金属保護膜４７を形成することができる。この金属保護膜４７も、液滴吐出法による本発明の導電膜形成方法によって基板Ｐ上に形成することができる。あるいは金属保護膜４７についてのみ無電解メッキ法等を用いて形成してもよい。
以上の工程により、基板Ｐ上には、図８に示すように、バンク５１及び格子パターンの配線からなる層が形成される。
【００６７】
［第２工程：積層部形成］
図９〜図１２は、第２工程である積層部形成工程を説明する図である。なお、図９（ｂ）〜図１２（ｂ）は、それぞれ図９（ａ）〜図１２（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図９（ｃ）〜図１２（ｃ）は、それぞれ図９（ａ）〜図１２（ａ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
第２工程では、バンク５１及び格子パターンの配線からなる層上の所定位置に絶縁膜３１と半導体膜（コンタクト層３３、活性層３２）からなる積層部３５を形成する。
【００６８】
本工程では、第１工程で形成された配線層（ゲート配線４０等）の上に新たに配線層を形成することになるが、第１工程では配線形成用のバンク５１の表面を撥液化しているため、係るバンク５１の表面に直接ソース電極等を形成しようとすると、電極形成用の液体材料がバンク５１によってはじかれてしまい、良好な膜パターンを形成することができない。そこで、本工程では、ソース電極等を形成する前に予め下地となるバンク５１の表面に親液処理を施しておく。親液処理としては、紫外線照射処理や大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ２プラズマ処理等を選択することができる。また、これらを組み合わせた処理としてもよい。Ｏ２プラズマ処理は、例えば、基板Ｐに対しプラズマ放電電極からプラズマ状態の酸素を照射することにより行なう。Ｏ２プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０Ｗ〜１０００Ｗ、酸素ガス流量が５０ｍｌ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基板Ｐの搬送速度が０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度が７０℃〜９０℃とされる。
【００６９】
バンク５１の表面を親液化した後、プラズマＣＶＤ法により、基板Ｐ上の全面に対して、絶縁膜３１、活性層３２、コンタクト層３３の連続成膜を行う。具体的には、図９に示すように、絶縁膜３１として窒化シリコン膜、活性層３２としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層３３としてｎ＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより連続して形成する。
【００７０】
次いで、図１０に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、所定位置にレジスト５８（５８ａ〜５８ｃ）を配置する。所定位置とは、図１０（ａ）に示すように、ゲート配線４０とソース配線４２の交差部５６上、ゲート電極４１上、及び容量線４６上である。
なお、交差部５６上に配置するレジスト５８ａと容量線４６上に配置するレジスト５８ｂとは、接触しなように形成される。また、ゲート電極４１上に配置するレジスト５８ｃには、ハーフ露光を行うことにより、図１０（ｂ）に示すように、溝５９を形成する。
【００７１】
次いで、基板Ｐの全面に対してエッチング処理を施して、コンタクト層３３及び活性層３２を除去する。更に、エッチング処理を施して、絶縁膜３１を除去する。
これにより、図１１に示すように、レジスト５８（５８ａ〜５８ｃ）を配置した所定位置以外の領域から、コンタクト層３３、活性層３２、絶縁膜３１が取り除かれる一方、レジスト５８が配置された所定位置には、絶縁膜３１と半導体膜（コンタクト層３３、活性層３２）からなる積層部３５が形成される。
なお、ゲート電極４１上に形成される積層部３５では、レジスト５８ｃにハーフ露光を行って溝５９を形成しているので、エッチング前に再度現像することにより溝が貫通する。図１１（ｂ）示すように、溝５９に対応するコンタクト層３３が除去され、２つに分断された状態に形成される。これにより、ゲート電極４１上に活性層３２及びコンタクト層３３からなるスイッチング素子としてＴＦＴ３０が形成される。
【００７２】
その後、図１２に示すように、コンタクト層３３を保護する保護膜６０として窒化シリコン膜を基板Ｐの全面に成膜する。このようにして、積層部３５の形成が完了する。
【００７３】
［第３工程］
図１３〜図１６は、第３工程である画素電極４５等の形成工程を説明する図である。なお、図１３（ｂ）〜図１６（ｂ）は、それぞれ図１３（ａ）〜図１６（ａ）におけるＡ−Ａ’線に沿う断面図であり、図１３（ｃ）〜図１６（ｃ）は、それぞれ図１３（ａ）〜図１６（ａ）におけるＢ−Ｂ’線に沿う断面図である。
第３工程では、ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４９及び画素電極４５を形成する。ソース電極４３、ドレイン電極４４、導電層４９は、ゲート配線４０やソース配線４２を形成したのと同じ材料によって形成することができる。画素電極４５は、透明性が必要であることから、ＩＴＯ等の透光性材料によって形成することが望ましい。これらの形成には、第１工程と同様に、液滴吐出法を用いた本発明の導電膜形成方法が適用される。
【００７４】
まず、ゲート配線４０及びソース配線４２等を覆うようにバンク６１をフォトリソグラフィ法に基づいて形成する。すなわち、図１３に示すように、略格子状のバンク６１が形成される。なお、ソース配線４２とゲート配線４０、及びソース配線４２容量線４６との交差部５６には開口部６２が形成され、ＴＦＴ３０のドレイン領域に対応する位置には開口部６３が形成される。
また、開口部６２，６３は、図１３（ｂ）に示すように、ゲート電極４１上に形成した積層部３５（ＴＦＴ３０）の一部が露出するように形成される。すなわち、バンク６１が積層部３５（ＴＦＴ３０）をＸ方向に２分割するように形成される。
バンク６１の材料としては、例えば、バンク５１と同様に、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が用いられる。バンク６１の表面は撥液性を有していることが望ましいが、ＣＦ４プラズマ処理等の撥液処理を施すと、親液処理した下地のバンク５１が再度撥液化されてしまうため、バンク６１としては、素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填した材料を用いることが望ましい。
【００７５】
バンク６１により形成される開口部６２は、分断されたソース配線４２を連結する導電層４９又はソース電極４３の形成位置に対応しており、バンク６１に形成される開口部６３は、ドレイン電極４４の形成位置に対応している。また、それ以外の部分でバンク６１により取り囲まれた領域は、画素電極４５の形成位置に対応している。このようにして形成したバンク６１の開口部６２，６３内及びバンク６１により取り囲まれた領域に液体材料を配置すれば、分断されたソース配線４２を連結する導電層４９、ソース電極４３、ドレイン電極４４、画素電極４５を形成することができる。
【００７６】
次いで、基板Ｐの全面に成膜した保護膜６０をエッチング処理により除去する。これにより、図１４に示すように、バンク６１が配置されていない領域上に成膜した保護膜６０は、取り除かれる。なお、格子パターンの配線上に形成した金属保護膜４７も取り除かれる。
【００７７】
次いで、前述した液滴吐出装置ＩＪによって、ソース電極４３やドレイン電極４４等の電極材料を含む電極用液体材料をバンク６１の開口部６２，６３内に吐出配置する。電極用液体材料は、ゲート配線４０等を形成するために用いた配線用液体材料と同様のものを用いることができる。基板Ｐに電極用液体材料を吐出した後には、分散媒の除去のため、必要に応じて乾燥処理、焼成処理を行う。乾燥／焼成処理により、導電性微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
なお、図では、ソース電極４３やドレイン電極４４を単層膜としたが、これらの電極は複数の層からなる積層膜としてもよい。例えば、これらの電極を、バリア金属層と、基体層と、被覆層とを積層してなる３層構造の導電部材とすることができる。バリア金属層や被覆層は、ニッケル、チタン、タングステン、マンガン等から選ばれる１種又は２種以上の金属材料を用いて形成することができ、基体層は、銀、銅、アルミニウム等から選ばれる１種又は２種以上の金属材料を用いて形成することができる。これらの層は、材料配置工程と中間乾燥工程を繰り返すことにより、順次形成することができる。
このようにして、基板Ｐ上には、図１５に示すように、分断されたソース配線４２を連結する導電層４９、ソース電極４３、ドレイン電極４４が形成される。
【００７８】
次いで、バンク６１において画素電極４５とドレイン電極４４との境界に位置する部分をレーザ等により除去し、画素電極４５の電極材料を含む画素電極用液体材料をバンク６１により取り囲まれた領域内に吐出配置する。画素電極用液体材料は、ＩＴＯ等の導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液である。基板Ｐに画素電極用液体材料を吐出した後には、分散媒の除去のため、フラッシュランプによる乾燥／焼成処理を行う。乾燥／焼成処理により、微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
このようにして、基板Ｐ上には、図１６に示すように、ドレイン電極４４と導通する画素電極４５が形成される。
【００７９】
なお、本工程では、ドレイン電極４４と画素電極４５を導通させるために、これらの境界部分のバンク６１をレーザ等により除去したが、本工程はこれに限定されない。例えば、この境界部分のバンク６１の厚みを予めハーフ露光等によって薄くしておけば、この部分のバンク６１を除去しなくても、画素電極用液体材料をドレイン電極４４に重なるように吐出配置することができる。
【００８０】
以上の工程を経ることにより、アクティブマトリクス基板２０を製造することができる。このように本実施形態では、液体材料を用いた導電膜の形成に際して、本発明に係る形成方法を適用しているので、各導電膜について電気的に安定な微粒子焼結膜を得ることができ、信頼性に優れたアクティブマトリクス基板を低コストに製造することができる。
また本実施形態では、上層側の配線層（ソース電極４３，ドレイン電極４４，画素電極４５）を形成する前に予め下地であるバンク５１の表面を親液化しているので、基板と液体材料との濡れ性が向上し、均一な膜パターンを形成することができる。
【００８１】
また、本実施形態では、アクティブマトリクス基板２０を、基板Ｐ上に格子パターンの配線を形成する第１工程と、積層部３５を形成する第２工程と、画素電極４５等を形成する第３工程とによって製造したので、ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた処理を減らすことができる。すなわち、ゲート配線４０及びソース配線４２を同時に形成するようにしたので、ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた処理を１回減らすことができる。
【００８２】
また、容量線４６上に形成される積層部３５（絶縁膜３１，活性層３２，コンタクト層３３）が交差部５６上に形成される積層部３５と接触しないように分断されて形成されることから、ソース配線４２を流れる電流が容量線４６上の積層部３５に流れ込んでしまう不都合を回避することができる。
すなわち、積層部３５を形成する層のうち、コンタクト層３３は導電膜であり、そして、交差部５６上の積層部３５（コンタクト層３３）上には、ソース配線４２を連結する導電層４９が形成される。このため、ソース配線４２を流れる電流は、コンタクト層３３にも流れる。したがって、容量線４６上の積層部３５と交差部５６上の積層部３５と接触していると、上述したように、ソース配線４２を流れる電流が容量線４６上の積層部３５に流れ込んでしまうという現象が発生してしまう。したがって、本発明のアクティブマトリクス基板２０によれば、このような不都合が回避されるので、所望の性能を発揮することが可能となる。
【００８３】
＜電気光学装置＞
次に、アクティブマトリクス基板２０を用いた電気光学装置の一例である液晶表示装置１００について説明する。図１７（ａ）は、液晶表示装置１００を対向基板側から見た平面図であり、図１７（ｂ）は、（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。
【００８４】
図１７の各図において、液晶表示装置（電気光学装置）１００は、アクティブマトリクス基板２０を含むＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であるシール材１５２によって貼り合わされ、このシール材１５２によって区画された領域内に液晶１５０が封入、保持されている。
シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。
【００８５】
上記液晶表示装置１００においては、使用する液晶１５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板１２０において、ＴＦＴアレイ基板１１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【００８６】
この液晶表示装置１００においては、アクティブマトリクス基板２０が前述の方法により製造されているので、高品質な表示が可能で、信頼性に優れた液晶装置となる。
【００８７】
なお、前記のアクティブマトリクス基板は、液晶表示装置以外の他の電気光学装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置等にも応用が可能である。有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光／燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料を液体材料とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することができる。本発明における電気光学装置の範囲には、このような有機ＥＬデバイスも含まれるものとする。なお、有機ＥＬ表示装置においては、正孔注入／輸送層形成材料や発光層形成材料を形成する方法として本発明の膜パターンの形成方法を適用することも可能である。
更に、アクティブマトリクス基板２０は、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
【００８８】
（他の電子機器用基板）
本発明の導電膜の形成方法は、電気光学装置（アクティブマトリクス基板）の製造に限らず、種々の電子機器用基板の製造に適用することができ、例えば、タッチパネル（座標入力装置）を構成する基板の製造における導電膜の形成工程や、各種パネルの帯電防止膜としての導電膜の形成工程に好適に用いることができる。
【００８９】
以下に、タッチパネル用途に好適な可撓性基板を用いた電子機器用基板の製造方法について説明する。
図１８は、タッチパネルの構成の一例を示す断面構成図である。図１９は、本実施形態の電子機器用基板の製造に用いる導電膜形成装置の概要を示す模式図であり、図２０は、図１９に示す導電膜形成装置に備えられた液滴吐出装置の斜視構成図である。
【００９０】
＜タッチパネル＞
図１８に示すタッチパネル４００は、樹脂材料等からなる透明可撓性の上部基板４０１と、ガラス等からなる透明の下部基板４０２とが、シール材４０３を介して貼り合わされた構成を備えており、上部基板４０１と下部基板４０２とは、両者の間に挟持した複数個の絶縁ビーズ（スペーサ）４０５によって所定間隔に離間されている。そして、上部基板４０１及び下部基板４０２のそれぞれの対向面には、いずれもＩＴＯ等の透明導電材料からなる上部電極４０６と、下部電極４０７とが形成されている。
【００９１】
かかる構成を具備したタッチパネル４００では、動作時には、例えば上部電極４０６には図示Ｘ軸方向の電位分布が形成され、下部電極４０７には図示Ｙ方向の電位分布が形成されるようになっている。そして、タッチパネル４００のうち、可撓性基板である上部基板４０１の外面（図示＋Ｚ側面）で手指やペンなどの指示体５００を摺動させると、指示体５００と当接する位置の上部基板４０１が押圧力により撓曲し、当該押圧位置で上部電極４０６と下部電極４０７とが接触し、短絡する。これにより、上部電極４０６及び下部電極４０７から、それぞれＹ軸方向、Ｘ軸方向の座標情報を取り出すことができ、指示体５００により押圧された位置の平面座標（Ｘ，Ｙ）を取得することができる。
【００９２】
＜導電膜形成装置＞
図１９に示す本実施形態に係る導電膜形成装置は、テープ形状基板ＴＰが巻かれている第１リール１０１と、第１リール１０１から引き出されたテープ形状基板ＴＰを巻き取る第２リール１０２と、テープ形状基板ＴＰに液滴を吐出する液滴吐出装置ＩＪ２とを少なくとも有して構成されている。
【００９３】
テープ形状基板ＴＰは、例えば帯形状のフレキシブル基板が適用され、ポリイミドなどを基材として構成される。テープ形状基板ＴＰの形状は、例えば幅１０５ｍｍ、長さ２００ｍである。テープ形状基板ＴＰは、その帯形状の両端部位がそれぞれ第１リール１０１と第２リール１０２とに巻き取られてなる「リールツーリール基板」を構成している。すなわち、第１リール１０１から引き出されたテープ形状基板ＴＰは、第２リール１０２に巻き取られ、長手方向に連続的に走行する。この連続的に走行されるテープ形状基板ＴＰに、液滴吐出装置ＩＪ２が液体材料を液滴として吐出（液滴吐出）して所定平面形状の導電膜を形成する。そして、このようにして導電膜を形成したテープ形状基板ＴＰを所定寸法に分割することで、図１８に示したタッチパネル４００の上部基板４０１を多数作製することができるようになっている。
【００９４】
また本実施形態の導電膜形成装置は、１本のテープ形状基板ＴＰからなるリールツーリール基板に対して、複数の工程をそれぞれ実行する複数の装置を有している。複数の工程としては、例えば図１８に示す洗浄工程Ｓ１、表面処理工程Ｓ２、液滴吐出工程Ｓ３、乾燥工程Ｓ４、焼成工程Ｓ５が挙げられる。これらの工程により、テープ形状基板ＴＰに配線層や電極層、絶縁層などを形成することができる。
【００９５】
また、上記導電膜形成装置では、テープ形状基板ＴＰを長手方向について所定長さに分割して大量の基板形成領域（所望領域）を設定する。そして、テープ形状基板ＴＰを各工程の各装置へ連続的に移動させて、テープ形状基板ＴＰの各基板形成領域に配線層および絶縁層などを連続的に形成する。すなわち、複数の工程Ｓ１〜Ｓ５は、流れ作業として実行され、それぞれ同時に、又は時間的に重複して、複数の装置で実行される。
【００９６】
［液滴吐出装置］
ここで、図２０に示す液滴吐出装置ＩＪ２について、図面を参照して具体的に説明する。図２０に示す液滴吐出装置ＩＪ２は、図１９に示した導電膜形成装置に好適に用いることができるよう、テープ形状基板ＴＰに対して効率よく液滴の吐出を行える機構を具備したものとなっている。なお、図２０に示す液滴吐出装置ＩＪ２において、図１に示した液滴吐出装置ＩＪと共通の構成要素には同一の符号を付し、それらの説明は省略する。
【００９７】
液滴吐出装置ＩＪ２は、Ｘ方向駆動軸３０４、Ｘ方向駆動モータ３０２、Ｙ方向ガイド軸３０５、Ｙ方向駆動モータ３０３およびステージ３０７は、そのステージ３０７にアライメントされたテープ形状基板ＴＰに対して、液滴吐出ヘッド３０１を相対的に移動させるヘッド移動機構を構成している。またＸ方向駆動軸３０４は、液滴吐出ヘッド３０１からの液滴吐出動作時に、テープ形状基板ＴＰの長手方向（Ｙ方向）に対してほぼ直交する方向（Ｘ方向）に液滴吐出ヘッド３０１を支持し、液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の走査を可能にするガイドである。
【００９８】
液滴吐出ヘッド３０１は、微粒子材料を含有する分散液（液体材料）をノズル（吐出口）から吐出して所定間隔でテープ形状基板ＴＰ上に配置するようになっている。ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪ２によって分散液を塗布されるテープ形状基板ＴＰを載置させるようになっており、テープ形状基板ＴＰを基準位置に固定する機構（アライメント機構）を具備している。なお、符号３３２ａ、３３２ｂを付して示すステージ３０７上に設けられた略長方形状の領域は、液滴吐出ヘッド３０１の捨て打ち（不ラッシング）動作を行うためのフラッシング領域である。
【００９９】
ヒータ３１５は、先の液滴吐出装置ＩＪと同様、フラッシュランプを具備したランプヒータであり、フラッシュランプを用いた光照射によるアニールでテープ形状基板ＴＰを熱処理（乾燥処理又は焼成処理）する手段である。すなわち、ヒータ３１５は、テープ形状基板ＴＰ上に吐出された液体材料に含まれる分散媒の蒸発、除去を行い、微粒子材料を焼結して導電膜に変換するための熱処理を行うものとなっている。
【０１００】
本実施形態に係る液滴吐出装置ＩＪ２によれば、Ｘ方向駆動軸３０４又はＹ方向ガイド軸４０５に沿って液滴吐出ヘッド３０１を移動させることで、テープ形状基板ＴＰの所望領域における任意の位置に液滴を着弾させて液体材料のパターンを形成することができる。そして、１つの所望領域についてパターン形成した後に、テープ形状基板ＴＰを長手方向（Ｙ方向）にずらすことにより、極めて簡便に他の所望領域についてパターン形成することができる。ここで、所望領域は、１つの電子機器用基板（上部基板４０１）に相当させることができる。そこで、本実施形態は、テープ形状基板ＴＰの各所望領域（各回路基板領域）について、簡便に且つ迅速に導電膜を形成することができ、電子機器用基板を効率よく大量に製造することができるものとなっている。
【０１０１】
また、本実施形態の導電膜形成装置では、テープ形状基板ＴＰにおける液滴吐出装置ＩＪ２により液体材料が塗布される面が内側を向くように、そのテープ形状基板ＴＰを第２リール１０２が巻き取る構成であることが好ましい。また、第１リール１０１に巻かれているテープ形状基板ＴＰの内側面が、液滴吐出装置ＩＪ２による液体材料の塗布面であることが好ましい。このようにすると、テープ形状基板ＴＰにおける導電膜が形成された面が内側となるように、そのテープ形状基板ＴＰが第２リール１０２で巻き取られるので、かかるパターンを良好な状態のまま保持することができる。また、第１リール１０１と第２リール１０２とでテープ形状基板ＴＰの曲げ方向が同一となるので、テープ形状基板ＴＰに対する機械的な外力作用を低減でき、テープ形状基板ＴＰが変形することなどを低減することができる。
【０１０２】
また、本実施形態の導電膜形成装置では、液滴吐出装置ＩＪ２が、テープ形状基板ＴＰの表面と裏面とにほぼ同時に液滴を吐出できる１つ又は複数の液滴吐出ヘッド３０１を有するものである構成としてもよい。このような液滴吐出装置ＩＪ２としては、テープ形状基板ＴＰの表面を垂直な状態に保持して、そのテープ形状基板ＴＰの表面側および裏面側にそれぞれ配置された液滴吐出ヘッド３０１を備える構成が採用できる。このような構成により、テープ形状基板ＴＰの表裏両面に、同時に導電膜を形成でき、タッチパネル４００の例であれば、上部基板４０１内面側（下部基板４０２側）の上部電極４０６と、上部基板４０１外面側の帯電防止膜とを同時に形成することができる。したがって本構成によれば、さらなる製造時間の短縮化および製造コストの低減化を実現することができる。
【０１０３】
＜電子機器用基板の製造方法＞
次に、リールツーリール基板であるテープ形状基板ＴＰに対して行われる上記複数の工程について、具体的に説明する。先ず、第１リール１０１から引き出されたテープ形状基板ＴＰの所望領域は、洗浄工程Ｓ１に供される（ステップＳ１）。洗浄工程Ｓ１の具体例としては、テープ形状基板ＴＰに対してのＵＶ（紫外線）照射が挙げられる。また、水などの溶媒でテープ形状基板ＴＰを洗浄してもよい、超音波を用いて洗浄してもよい。また、常圧でテープ形状基板ＴＰにプラズマを照射することで洗浄してもよい。
【０１０４】
次いで、洗浄工程Ｓ１を実施した後のテープ形状基板ＴＰの所望領域に、親液性又は撥液性を与える表面処理工程Ｓ２が実施される（ステップＳ２）。後段のステップＳ３の液滴吐出工程でテープ形状基板ＴＰ上に微粒子材料を含有した液体材料による導電膜の形成を行うためには、微粒子材料を含有した液体材料に対するテープ形状基板ＴＰの表面の濡れ性を制御することが好ましく、かかる濡れ性制御は、図４を参照して説明した導電膜形成方法における表面処理方法により行うことができる。すなわち、テープ形状基板ＴＰの表面を自己組織化膜形成法等により撥液化した後、かかる撥液面の一部のみを親液化する方法が採用できる。
【０１０５】
次に、表面処理工程Ｓ２が実施されたテープ形状基板ＴＰの所望領域に、微粒子材料を含有した液体材料を吐出して塗布する材料塗布工程をなす液滴吐出工程Ｓ３を行う（ステップＳ３）。
この液滴吐出工程Ｓ３における液滴吐出には、図１９に示すような液滴吐出装置ＩＪ２を用いると効率よく行うことができる。テープ形状基板ＴＰに配線を形成する場合、この液滴吐出工程で吐出する液体材料は微粒子材料を含有する液体であり、本実施形態の場合、タッチパネル用基板の導電膜形成を行うので、ＩＴＯ微粒子を分散媒に分散させた分散液である。そして、上記分散液の液滴を液滴吐出ヘッドから吐出して基板上の導電膜を形成すべき領域に滴下する。
【０１０６】
次いで、液滴吐出工程Ｓ３が実施されたテープ形状基板ＴＰの所望領域について、乾燥工程が行われる（ステップＳ４）。
乾燥工程Ｓ４は、液滴吐出工程Ｓ３でテープ形状基板ＴＰに塗布された微粒子材料を含む液体材料を硬化させる硬化工程をなすものである。上記ステップＳ３とこのステップＳ４と（ステップＳ２を含めてもよい）を繰り返し実施することにより、膜厚を増大することができ、所望形状で且つ所望膜厚の導電膜を簡便に形成することができる。
【０１０７】
乾燥工程Ｓ４の具体例としては、例えばテープ形状基板ＴＰに塗布された液体材料を乾燥させて硬化させる手法があり、具体的には、ホットプレート、電気炉等による加熱処理や、ドライエアの吹き付けによる乾燥処理が適用できる。また、先の実施形態で用いたフラッシュランプによる光照射処理を行えば、後段の焼成工程をも同時に行うことができ、基板ＴＰ上に塗布した液体材料を迅速に導電膜（ＩＴＯ膜）に変換することが可能である。
【０１０８】
次いで、テープ形状基板ＴＰの所望領域について乾燥処理により得られた乾燥膜を焼成する焼成工程Ｓ５が行われる（ステップＳ５）。この焼成工程Ｓ５は、液滴吐出工程Ｓ３で塗布されその後に乾燥処理された乾燥膜を焼成して所望のシート抵抗を有する導電膜を形成する工程である。焼成工程Ｓ５により、テープ形状基板ＴＰ上の乾燥膜を形成している微粒子間の電気的接触が確保され、導電膜に変換される。
【０１０９】
焼成工程Ｓ５は、図２及び図４を参照して説明した先の実施形態と同様、フラッシュランプを用いた光照射処理工程であり、フラッシュランプの光照射条件は、光照射エネルギーが１〜５０Ｊ／ｃｍ２程度、光照射時間が１μ秒〜数ｍ秒程度である。なお、本実施形態の焼成工程Ｓ５についても、通常は大気中で行なわれるが、必要に応じて、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うことができる。
【０１１０】
この焼成処理により、乾燥膜に含まれる分散媒が完全に除去され、また微粒子材料表面のコーティング材等も除去されることで、微粒子材料が凝集して電気的に接触した導電膜がテープ形状基板ＴＰ上に形成される。本実施形態の導電膜形成装置においても、経時的なシート抵抗の変化がほとんど無く、安定な電気特性を具備した導電膜を得ることができる。これは、本実施形態の導電膜形成装置でも、フラッシュランプを用いて瞬間的に加熱することで乾燥膜の焼成を行うことから、光エネルギーのアシストによって微粒子表面の結晶性を回復させることができ、また光エネルギーによって微粒子間のネッキングや融着が促進され、乾燥／焼成工程で微粒子間に安定な導通状態を形成できることによると考えられる。
【０１１１】
これらにより、本実施形態によれば、リールツーリール基板をなすテープ形状基板ＴＰに液滴吐出方式を用いて導電膜を形成するので、導電膜を有する電子機器用基板について、効率よく大量に製造することができる。すなわち、本実施形態によれば、製品時においては大量の板形状基板とされる１本のテープ形状基板ＴＰの所望領域を、液滴吐出装置ＩＪ２の所望位置にアライメントすることで、その所望領域に所望の平面形状を具備した導電膜を形成することができる。そこで、１つの所望領域について液滴吐出装置ＩＪ２でパターン形成した後に、テープ形状基板ＴＰを液滴吐出装置に対してずらすことにより、極めて簡便にテープ形状基板ＴＰの他の所望領域について導電膜を形成することができる。これらにより、本実施形態は、リールツーリール基板をなすテープ形状基板ＴＰの各所望領域について、簡便に且つ迅速に導電膜を形成でき、電子機器用基板について、効率よく大量に製造することができる。
【０１１２】
また、本実施形態によれば、リールツーリール基板をなすテープ形状基板ＴＰが第１リール１０１から巻き出されてから第２リール１０２に巻き取られるまでに、材料配置工程を含む複数の工程を実行する。これにより、洗浄工程Ｓ１を実行する装置から次の表面処理工程Ｓ２を実行する装置へ、また次の工程を実行する装置へ、テープ形状基板ＴＰの一端側を第２リール１０２で巻き取るだけで、そのテープ形状基板ＴＰを移動させることができる。したがって、本実施形態によれば、テープ形状基板ＴＰを各工程の各装置へ移動させる搬送機構およびアライメント機構を簡略化することができ、製造装置の設置スペースを低減でき、大量生産などにおける製造コストを低減することができる。
【０１１３】
また、本実施形態の導電膜形成装置およびこれを用いた導電膜形成方法では、前記複数の工程における各工程の所要時間がほぼ同一であることが好ましい。このようにすると、各工程を並列に同期させて実行することができ、より迅速な製造ができるとともに、各工程の各装置の利用効率をより高めることができる。特に本実施形態の導電膜形成装置では、従来は処理に数時間を要していた焼成工程について、僅か数秒で焼成処理が可能なフラッシュランプを用いた光照射処理を採用しているので、上記複数の工程における所要時間の均一化に極めて有利な構成となっており、導電膜形成工程の効率化を容易に実現することができる。
【０１１４】
＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図２１（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。符号６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
図２１（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。符号７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
図２１（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。符号８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置１００を備えた表示部を示している。
このように、図２１（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えたものであるので、電気特性の安定性に優れた導電膜が電極部材等に用いられたことで信頼性に優れる電子機器となっている。また、テレビやモニター等の大型液晶パネルにおいても上記実施形態の製造方法を適用することができる。
【０１１５】
なお、本実施形態の電子機器は液晶表示装置１００を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
【０１１６】
以上、添付図面を参照しながら本発明についての好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】実施形態で用いる液滴吐出装置と液滴吐出ヘッドの概略構成図。
【図２】実施形態に係る導電膜の形成方法を説明するための断面工程図。
【図３】実施形態に係る形成方法の作用効果を説明するためのグラフ。
【図４】導電膜の形成方法の他の実施形態を示す断面工程図。
【図５】アクティブマトリクス基板の任意の１画素を示す平面構成図。
【図６】アクティブマトリクス基板の回路構成図。
【図７】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図８】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図９】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１０】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１１】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１２】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１３】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１４】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１５】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１６】アクティブマトリクス基板の製造方法を説明するための工程図。
【図１７】アクティブマトリクス基板を具備した電気光学装置の構成図。
【図１８】他の電子機器用基板の製造に用いる導電膜形成装置の概略構成図。
【図１９】図１８に示す導電膜形成装置に適用される液滴吐出装置の斜視構成図。
【図２０】タッチパネルの一例を示す断面構成図。
【図２１】電子機器を例示する斜視構成図。
【符号の説明】
【０１１８】
ＩＪ、ＩＪ２  液滴吐出装置、３０１  液滴吐出ヘッド、Ｐ  基板（基体）、Ｂ  バンク、１１  バンク内領域、１２  液体材料、１３  導電膜、Ｆ  有機分子膜（自己組織化膜）、Ｈ１  親液領域、Ｈ２  撥液領域、２０  アクティブマトリクス基板、３０  ＴＦＴ、１００  電気光学装置、ＴＰ  テープ形状基板（基体）、４００  タッチパネル（座標入力装置）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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