(57)【要約】      （修正有）【課題】排気の除害を行う除害手段の負担を軽減し，排気の除害に必要なエネルギやコストの低減を図れる基板処理装置を提供する。【解決手段】ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室２００Ａ，２００Ｂ等と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系２２０Ａ，２２０Ｂ等と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系３１０とを備える基板処理装置であって，共通排気系は，各処理室の排気系からの排気を除害手段３４０により除害してから排気する除害共通排気系３２０と，各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系３３０とを切換え可能に構成され，各処理室で実行される処理の種類に応じて，除害共通排気系と非除害共通排気系との切換制御を行う制御部４００を設けた。【選択図】図２
2006253629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系とを備える基板処理装置であって，
前記共通排気系は，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段により除害してから排気する除害共通排気系と，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系とを切換え可能に構成され，
前記各処理室で実行される処理の種類に応じて，前記除害共通排気系と前記非除害共通排気系との切換制御を行う制御手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は，前記共通排気系に接続される前記複数の処理室で並行して処理を行う場合には，前記共通排気系を前記非除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第１処理と，前記共通排気系を前記除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第２処理とのうち，一方の処理が前記複数の処理室のうちの１つの処理室で実行されている間は，他方の処理については前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行しないように所定の排他制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記各処理室における共通排気系の使用権の予約情報を記憶する使用権予約情報記憶手段を備え，
前記各処理室における排他制御は，前記共通排気系に接続される前記複数の処理室のうちの１つの処理室で前記第１処理と前記第２処理のいずれかを実行する場合には，一方の処理が前記共通排気系に接続される前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行されているか否かを判断し，
前記一方の処理が他の処理室で実行されていないと判断した場合には他方の処理を実行し，
前記一方の処理が他の処理室で実行されていると判断した場合には，他方の処理を処理待ち状態として前記使用権予約情報記憶手段に前記共通排気系の使用権の予約情報を記憶し，その後は使用権予約情報記憶手段による予約情報に基づいて他方の処理を実行する予約処理を行うことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記予約処理は，前記他の処理室での一方の処理が終了した後に，前記処理待ち状態の処理室についての前記他方の処理を実行することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記予約処理は，前記使用権予約情報記憶手段に複数の処理室について前記共通排気系の使用権の予約情報が記憶されている場合には，その予約情報が記憶された順に前記他方の処理を実行することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１処理は排気の除害が不要であって，前記処理室が所定圧力以上の排気を伴う処理を少なくとも含む処理であり，前記第２処理は排気の除害が必要な排気を伴う処理を少なくとも含む処理であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１処理は前記処理室の粗引き排気処理若しくは前記粗引き排気処理を含む処理であり，前記第２処理は前記処理室の排気を伴う処理ガス導入処理若しくは前記処理ガス導入処理を含む処理であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第１処理は前記処理室の粗引き排気処理を含む前記処理室の自動検査処理若しくはメンテナンス処理であることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記第２処理は前記処理室の処理ガス導入処理を含む前記処理室の自動検査処理若しくはメンテナンス処理であることを特徴とする請求項７又は８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記第１処理及び前記第２処理はともに前記処理室の粗引き排気処理若しくは前記粗引き排気処理を含む処理であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理室内にガスを導入するガス導入系を，処理ガスを導入する処理ガス導入系と，不活性ガスを導入する不活性ガス導入系とにより構成し，
前記不活性ガス導入系は，前記不活性ガスを所定の流量を導入可能な第１導入系と，この第１導入系よりも大きな流量の前記不活性ガスを導入可能な第２導入系とを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記処理室のパーティクル低減処理を実行する際には，少なくとも前記第２導入系により前記不活性ガスを導入することを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
前記処理室のパーティクル低減処理を実行する際には，先ず少なくとも前記第２導入系により前記不活性ガスを所定時間だけ導入し，その後は前記第１導入系のみにより前記不活性ガスを供給することを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系とを備え，前記共通排気系は，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段により除害してから排気する除害共通排気系と，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系とを切換え可能に構成される基板処理装置の制御方法であって，
前記各処理室で実行される処理の種類に応じて，前記除害共通排気系と前記非除害共通排気系との切換制御を行うことを特徴とする基板処理装置の制御方法。
【請求項１５】
前記共通排気系に接続される前記複数の処理室で並行して処理を行う場合には，前記共通排気系を前記非除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第１処理と，前記共通排気系を前記除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第２処理とのうち，一方の処理が前記複数の処理室のうちの１つの処理室で実行されている間は，他方の処理については前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行しないように所定の排他制御を行うことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項１６】
前記各処理室における共通排気系の使用権の予約情報を記憶する使用権予約情報記憶手段を備え，
前記各処理室における排他制御は，前記共通排気系に接続される前記複数の処理室のうちの１つの処理室で前記第１処理と前記第２処理のいずれかを実行する場合には，一方の処理が前記共通排気系に接続される前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行されているか否かを判断する工程と，
前記一方の処理が他の処理室で実行されていないと判断した場合には他方の処理を実行し，前記一方の処理が他の処理室で実行されていると判断した場合には，他方の処理を処理待ち状態として前記使用権予約情報記憶手段に前記共通排気系の使用権の予約情報を記憶し，その後は使用権予約情報記憶手段による予約情報に基づいて他方の処理を実行する予約処理を行う工程とを有することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項１７】
前記予約処理は，前記他の処理室での一方の処理が終了した後に，前記処理待ち状態の処理室についての前記他方の処理を実行することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項１８】
前記予約処理は，前記使用権予約情報記憶手段に複数の処理室について前記共通排気系の使用権の予約情報が記憶されている場合には，その予約情報が記憶された順に前記他方の処理を実行することを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項１９】
前記第１処理は排気の除害が不要であって，前記処理室が所定圧力以上の排気を伴う処理を少なくとも含む処理であり，前記第２処理は排気の除害が必要な排気を伴う処理を少なくとも含む処理であることを特徴とする請求項１４〜１８のいずれかに記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２０】
前記第１処理は前記処理室の粗引き排気処理若しくは前記粗引き排気処理を含む処理であり，前記第２処理は前記処理室の排気を伴う処理ガス導入処理若しくは前記処理ガス導入処理を含む処理であることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２１】
前記第１処理は前記処理室の粗引き排気処理を含む前記処理室の自動検査処理若しくはメンテナンス処理であることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２２】
前記第２処理は前記処理室の処理ガス導入処理を含む前記処理室の自動検査処理若しくはメンテナンス処理であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２３】
前記第１処理及び前記第２処理はともに前記処理室の粗引き排気処理若しくは前記粗引き排気処理を含む処理であることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２４】
前記処理室内にガスを導入するガス導入系を，処理ガスを導入する処理ガス導入系と，不活性ガスを導入する不活性ガス導入系とにより構成し，
前記不活性ガス導入系は，前記不活性ガスを所定の流量を導入可能な第１導入系と，この第１導入系よりも大きな流量の前記不活性ガスを導入可能な第２導入系とを備えることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２５】
前記処理室のパーティクル低減処理を実行する際には，少なくとも前記第２導入系により前記不活性ガスを導入することを特徴とする請求項２４に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２６】
前記処理室のパーティクル低減処理を実行する際には，先ず少なくとも前記第２導入系により前記不活性ガスを所定時間だけ導入し，その後は前記第１導入系のみにより前記不活性ガスを供給することを特徴とする請求項２５に記載の基板処理装置の制御方法。
【請求項２７】
ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系とを備え，前記共通排気系は，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段により除害してから排気する除害共通排気系と，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系とを切換え可能に構成される基板処理装置の制御を行うプログラムであって，
コンピュータに，
前記各処理室で実行される処理の種類に応じて，前記除害共通排気系と前記非除害共通排気系との切換える制御を実行させるためのプログラム。
【請求項２８】
前記共通排気系に接続される前記複数の処理室で並行して処理を行う場合には，前記共通排気系を前記非除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第１処理と，前記共通排気系を前記除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第２処理とのうち，一方の処理が前記複数の処理室のうちの１つの処理室で実行されている間は，他方の処理については前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行しないように所定の排他制御を実行させるための請求項２７に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体ウエハや液晶基板などの基板の処理において排気される排ガスを除害する除害装置を備える基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置としては，処理室内の被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する。）に対して所定のガスを用いて成膜処理やエッチング処理や所定のガスを用いて処理室内のクリーニングなどを行うプラズマ処理装置がある。
【０００３】
このような基板処理装置の処理室から排気される排ガスには有害なものや，環境に対し負荷を与えるものが含まれている場合もあるため，そのままで大気中に排出するのは環境保全の観点からも適切でない。このため，処理室からの排ガスを熱処理などにより除害（無害化）する除害装置を介して排気するものがある。
【０００４】
上記除害装置を備える基板処理装置としては，例えば図２４に示すように基板処理装置の各処理室１０Ａ，１０Ｂごとに除害装置２０Ａ，２０Ｂを設け，これら除害装置２０Ａ，２０Ｂにそれぞれ各処理室１０Ａ，１０Ｂの排気系１２Ａ，１２Ｂを接続して，各処理室１０Ａ，１０Ｂからの排ガスを無害化するようなものがある。ところが，このようなものでは処理室の数だけ除害装置が必要となるので，その分設置面積も必要となり，製造コストも増大するという問題がある。
【０００５】
このような問題を解消すべく，例えば図２５に示すように各処理室１０Ａ，１０Ｂの排気系１２Ａ，１２Ｂを共通排気系３１に接続し，この共通排気系３１に各処理室１０Ａ，１０Ｂに共通の除害装置３０を接続することによって，各処理室１０Ａ，１０Ｂからの排ガスを１つの除害装置３０で除害処理する技術もある（例えば特許文献１，２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−８２００号公報
【特許文献２】特開平２００４−９５６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで，各処理室で実行される処理の中には，例えば処理室内でウエハを処理する前に大気圧状態から所定圧力まで粗引きする粗引き排気処理のように，高い圧力状態で排気処理が行われるものもある。しかも，このような粗引き排気処理については，未だ処理室内に処理ガスが導入されないため，排気の除害も必要ない。
【０００８】
しかしながら，図２４，図２５に示すようなものでは，各処理室で実行される処理の種類に拘わらず，各処理室からの排気をすべて除害装置を介して除害してから排気するようになっているため，上述したように高い圧力状態で排気され，その排気の除害が必要のない粗引き排気処理などについても除害装置を介して除害してから排気される。これでは，除害装置の負担が大きくなり，寿命も低下するという問題がある。
【０００９】
また，近年ではウエハや液晶パネル等の被処理基板自体の大型化が著しく，それに伴って処理室も大型化し，処理室からの排気量も大幅に増大しているため，このような排気量の観点からも除害装置の負担が増大している。
【００１０】
さらに，除害装置では例えば熱処理などにより排気を除害処理するので，除害装置の数が多くなるほど排気処理に必要なエネルギも増える。従って，基板処理装置を設置する工場のエネルギ効率も低下し，工場全体のエネルギ消費量も増えてしまう。工場全体のエネルギ効率化の観点やコストの観点からみても，できるだけ低エネルギで排ガスを除害できるようなものが所望されている。
【００１１】
このような観点からも，除害装置の数は少ない方がよいため，図２４に示すような各処理室にそれぞれ除害装置を設けるよりも，図２５に示すように各処理室に共通の除害装置を設ける方がよい。ところが，図２５に示すものでは各処理室からの排気が共通の除害装置に集約されるので，例えば各処理室で並行して処理が行われると，その処理の種類によっては除害装置の負担が増大してしまう。
【００１２】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，排気の除害を行う除害手段の負担を軽減することができ，排気の除害に必要なエネルギやコストの低減を図ることができる基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系とを備える基板処理装置であって，前記共通排気系は，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段により除害してから排気する除害共通排気系と，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系とを切換え可能に構成され，前記各処理室で実行される処理の種類に応じて，前記除害共通排気系と前記非除害共通排気系との切換制御を行う制御手段を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。
【００１４】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系とを備え，前記共通排気系は，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段により除害してから排気する除害共通排気系と，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系とを切換え可能に構成される基板処理装置の制御方法であって，前記各処理室で実行される処理の種類に応じて，前記除害共通排気系と前記非除害共通排気系との切換制御を行うことを特徴とする基板処理装置の制御方法が提供される。
【００１５】
このような本発明にかかる装置又は制御方法によれば，前記各処理室で実行される処理の種類に応じて，除害共通排気系と非除害共通排気系との切換制御を行うので，例えば高い圧力状態で排気され，その排気の除害が必要のない粗引き排気処理などについては非除害共通排気系により除害手段を介さずに排気させることができる。これにより，排気の除害を行う除害手段の負担を軽減することができ，排気の除害に必要なエネルギやコストの低減を図ることができる。
【００１６】
また，上記装置又は制御方法において，前記共通排気系に接続される前記複数の処理室で並行して処理を行う場合には，前記共通排気系を前記非除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第１処理（例えば排気に除害が不要な大気圧状態からの粗引き排気処理）と，前記共通排気系を前記除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第２処理（例えば排気に除害が必要な被処理基板のプロセス処理）とのうち，一方の処理が前記複数の処理室のうちの１つの処理室で実行されている間は，他方の処理については前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行しないように所定の排他制御を行うようにしてもよい。これにより，異なる処理室で第１処理と第２処理とが同時に実行されることを防止することができる。このため，除害手段の負担を軽減しつつ，除害が必要な排気が除害されずに排気されることを確実に防止することができる。
【００１７】
また，上記装置又は制御方法において，上記各処理室における共通排気系の使用権の予約情報を記憶する使用権予約情報記憶手段を備え，前記各処理室における排他制御は，前記共通排気系に接続される前記複数の処理室のうちの１つの処理室で前記第１処理と前記第２処理のいずれかを実行する場合には，一方の処理が前記共通排気系に接続される前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行されているか否かを判断し，前記一方の処理が他の処理室で実行されていないと判断した場合には他方の処理を実行し，前記一方の処理が他の処理室で実行されていると判断した場合には，他方の処理を処理待ち状態として前記使用権予約情報記憶手段に前記共通排気系の使用権の予約情報を記憶し，その後は使用権予約情報記憶手段による予約情報に基づいて他方の処理を実行する予約処理を行うようにしてもよい。この場合，上記予約処理は，例えば他の処理室での一方の処理が終了した後に，前記処理待ち状態の処理室についての前記他方の処理を実行する処理とする。このような予約処理を行うことによって，処理待ち状態にある処理室での処理を自動的に実行させることができる。
【００１８】
また，上記予約処理は，前記使用権予約情報記憶手段に複数の処理室について前記共通排気系の使用権の予約情報が記憶されている場合には，その予約情報が記憶された順に前記他方の処理を実行するようにしてもよい。これによれば，複数の処理室で予約が発生しても，順番に処理を実行することができる。
【００１９】
また，上記装置又は制御方法において，前記第１処理は例えば排気の除害が不要であって，前記処理室が所定圧力以上の排気を伴う処理を少なくとも含む処理であり，前記第２処理は例えば排気の除害が必要な排気を伴う処理を少なくとも含む処理である。これによれば，高い圧力での排気が除害手段を介して排気されることを防止することができるとともに，除害が必要な排気が除害手段を介さないで排気されることを防止することができる。従って，除害手段の負担を軽減することができる。
【００２０】
また，上記装置又は制御方法において，前記第１処理は例えば前記処理室の粗引き排気処理若しくは前記粗引き排気処理を含む処理（例えば粗引き排気処理を含む処理室の自動検査処理若しくはメンテナンス処理）である。また前記第２処理は例えば前記処理室の排気を伴う処理ガス導入処理若しくは前記処理ガス導入処理を含む処理（例えば処理ガス導入処理を含む自動検査処理若しくはメンテナンス処理）である。このような自動検査処理若しくはメンテナンス処理においても，粗引き排気処理や処理ガス導入処理を含む場合があるので，このような場合についても第１処理と第２処理の排他制御を行うことにより，除害手段の負担を軽減しつつ，除害が必要な排気が除害されずに排気されることを確実に防止することができる。
【００２１】
上記装置又は制御方法において，前記第１処理及び前記第２処理はともに前記処理室の粗引き排気処理若しくは前記粗引き排気処理を含む処理であってもよい。異なる処理室で例えば粗引き排気処理などが同時に実行されることを防止することができるので，除害が必要な粗引き排気処理における排気が除害されずに排気されることを防止することができ，また粗引き排気処理の開始タイミングの相違に基づく各処理室内の圧力差による排気の逆流を確実に防止することができる。
【００２２】
上記装置又は制御方法において，前記処理室内にガスを導入するガス導入系を，処理ガスを導入する処理ガス導入系と，不活性ガスを導入する不活性ガス導入系とにより構成し，前記不活性ガス導入系は，前記不活性ガスを所定の流量を導入可能な第１導入系と，この第１導入系よりも大きな流量の前記不活性ガスを導入可能な第２導入系とを備えるようにしてもよい。これにより，例えば第１導入系を用いて不活性ガスを導入する処理については低流量なので，除害共通排気系により除害手段を介して排気するようにし，第２導入系を用いて不活性ガスを導入する処理については大流量なので，非除害共通排気系により除害手段を介さずに排気することができる。これにより，排気装置の負担を軽減することができる。
【００２３】
上記装置又は制御方法において，前記処理室のパーティクル低減処理を実行する際には，少なくとも前記第２導入系により前記不活性ガスを導入するようにしてもよい。パーティクル低減処理の中には，例えば高い圧力状態で排気され，その排気の除害が必要のない粗引き排気処理などが含まれる場合もあるので，このような処理については非除害共通排気系により除害手段を介さずに排気させることができる。これにより，排気の除害を行う除害手段の負担を軽減することができ，排気の除害に必要なエネルギやコストの低減を図ることができる。また，パーティクル低減処理で不活性ガスを導入し続ける場合であっても，また一時的に導入する場合であっても，第２導入系により大流量の不活性ガスを導入することにより，所定条件下で発生するガス衝撃波による処理室内のクリーニングを行うことができる。
【００２４】
この場合，先ず少なくとも前記第２導入系により前記不活性ガスを所定時間だけ導入し，その後は前記第１導入系のみにより前記不活性ガスを供給するようにしてもよい。処理室に所定時間だけ一時的に大流量の不活性ガスを導入するようにしても，所定条件下でガス衝撃波が発生するので，ガス衝撃波による処理室内のクリーニングを行うことができる。また，たとえ除害共通排気系により除害手段を介して排気されても，大流量で不活性ガスが排気されるのは短い時間なので，除害装置の負担を軽減することができる。
【００２５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，ガスを導入して所定の処理を行う複数の処理室と，これらの各処理室にそれぞれ設けられた排気系と，これら各処理室の排気系のうち少なくとも２以上の処理室の排気系を接続する共通排気系とを備え，前記共通排気系は，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段により除害してから排気する除害共通排気系と，前記各処理室の排気系からの排気を除害手段を介さずに排気する非除害共通排気系とを切換え可能に構成される基板処理装置の制御を行うプログラムであって，コンピュータに，前記各処理室で実行される処理の種類に応じて，前記除害共通排気系と前記非除害共通排気系との切換える制御を実行させるためのプログラムが提供される。このようなプログラムが実行されることにより，除害手段の負担を軽減することができる。
【００２６】
また，上記プログラムにおいて，前記共通排気系に接続される前記複数の処理室で並行して処理を行う場合には，前記共通排気系を前記非除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第１処理と，前記共通排気系を前記除害共通排気系に切換えて実行する処理からなる第２処理とのうち，一方の処理が前記複数の処理室のうちの１つの処理室で実行されている間は，他方の処理については前記複数の処理室のうちの他の処理室で実行しないように所定の排他制御を実行させるようにしてもよい。このようなプログラムが実行されることにより，異なる処理室で第１処理と第２処理が同時に実行されることを防止することができるので，除害手段の負担を軽減しつつ，除害が必要な排気が除害されずに排気されることを防止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば，排気の除害を行う除害手段の負担を軽減することができ，排気の除害に必要なエネルギやコストの低減を図ることができる。また，複数の処理室で並行して処理が行われる場合に，非除害共通排気系と除害共通排気系がそれぞれ途中で切換えられることを防止することができるので，除害手段の負担を軽減しつつ，除害が必要な排気が除害されずに排気されることを確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２９】
（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う処理ユニット１１０と，この処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。
【００３０】
先ず，搬送ユニット１２０の構成例について説明する。搬送ユニット１２０は図１に示すように基板収納容器例えば後述するカセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）と処理ユニット１１０との間でウエハを搬出入する搬送室１３０を有している。搬送室１３０は，断面略多角形の箱体状に形成されている。搬送室１３０における断面略多角形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ）が並設されている。これらカセット台１３１Ａ〜１３１Ｃはそれぞれ，基板収納容器の１例としてのカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃを載置可能に構成されている。
【００３１】
各カセット容器１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）には，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室１３０はその内部へゲートバルブを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。なお，カセット台１３１とカセット容器１３２の数は，図１に示す場合に限られるものではない。
【００３２】
搬送室１３０の端部には，位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３６が設けられている。このオリエンタ１３６では，例えばウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。
【００３３】
搬送室１３０内には，例えばリニア駆動機構によって長手方向（図１に示す矢印方向）に沿ってウエハＷを搬送する搬送ユニット側搬送機構（搬送室内搬送機構）１７０が設けられている。搬送ユニット側搬送機構１７０は，制御部４００からの制御信号に基づいて駆動するようになっている。なお，搬送ユニット側搬送機構１７０は，図１に示すような２つのピックを有するダブルアーム機構であってもよく，１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。
【００３４】
次に，処理ユニット１１０の構成例について説明する。例えばクラスタツール型の基板処理装置の場合には，処理ユニット１１０は図１に示すように矩形（例えば六角形）に形成された共通搬送室１５０の周囲に，ウエハＷに例えば成膜処理（例えばプラズマＣＶＤ処理）やエッチング処理（例えばプラズマエッチング処理）などの所定の処理を施す複数の処理室２００（第１〜第４処理室２００Ａ〜２００Ｄ）及びロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎを気密に接続して構成される。
【００３５】
各処理室２００Ａ〜２００Ｄはそれぞれ，各処理室２００Ａ〜２００Ｄ内へ処理ガスやパージガスなど所定のガスを導入可能なガス導入系２１０Ａ〜２１０Ｄ（図１では省略），各処理室２００Ａ〜２００Ｄ内を排気可能な排気系２２０Ａ〜２２０Ｄが接続されている。なお，これらガス導入系と排気系の構成例は後述する。
【００３６】
また，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの内部は例えば次のように構成される。すなわち，各処理室２００Ａ〜２００Ｄ内には上部電極と下部電極とが対向して配設されている。上部電極には上記ガス導入系が接続されている。下部電極はウエハＷを載置する載置台を兼ねている。これら上部電極，下部電極にはそれぞれ所定の高周波電力を印加する高周波電源が接続されている。
【００３７】
このような各処理室２００Ａ〜２００Ｄでは，例えばウエハＷが搬入されて下部電極に載置されると，排気系による排気処理によって所定の真空圧力状態にされる。そして，上部電極と下部電極には高周波電力が印加されるとともに，ガス導入系からの処理ガスが上部電極を介してウエハＷに向けて均一に導入される。これにより，上部電極から導入された処理ガスはプラズマ化され，ウエハＷの表面に例えばエッチング処理などが施される。
【００３８】
このような各処理室２００Ａ〜２００ＤにおけるウエハＷの処理は，例えば制御部４００の記憶手段などに予め記憶された処理工程等を示すプロセス・レシピなどのウエハ処理情報に基づいて行われる。ウエハ処理情報は，ウエハの処理の種類や条件によって異なる。なお，処理室２００の数は，図１に示す場合に限られるものではない。
【００３９】
上記共通搬送室１５０は，上述したような各処理室２００Ａ〜２００Ｄの間，又は各処理室２００Ａ〜２００Ｄと各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間でウエハＷを搬出入する機能を有する。共通搬送室１５０は多角形（例えば六角形）に形成されており，その周りに上記各処理室２００（２００Ａ〜２００Ｄ）がそれぞれゲートバルブを介して接続されているとともに，第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの先端がそれぞれゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）を介して接続されている。第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの基端は，それぞれゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）を介して搬送室１３０の他側面に接続されている。
【００４０】
第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有している。各第１，第２ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎの内部にはそれぞれ，ウエハＷを載置可能な受渡台が設けられている。
【００４１】
このような処理ユニット１１０では，上述したように共通搬送室１５０と各処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間及び共通搬送室１５０と上記各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され，クラスタツール化されており，必要に応じて共通搬送室１５０内と連通可能になっている。また，上記第１及び第２の各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎと上記搬送室１３０との間も，それぞれ気密に開閉可能に構成されている。
【００４２】
共通搬送室１５０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる処理ユニット側搬送機構（共通搬送室内搬送機構）１８０が設けられている。処理ユニット側搬送機構は，各ロードロック室１６０Ｍ，１６０Ｎ及び各処理室２００Ａ〜２００Ｄとの間でウエハＷを搬送する。処理ユニット側搬送機構１８０は，制御部４００からの制御信号に基づいて駆動するようになっている。なお，処理ユニット側搬送機構１８０は，図１に示すような２つのピックを有するダブルアーム機構であってもよく，１つのみのピックを有するシングルアーム機構であってもよい。
【００４３】
基板処理装置１００には，上記搬送ユニット側搬送機構１７０，処理ユニット側１８０，各ゲートバルブ，オリエンタ１３６などの制御を含め，基板処理装置全体の動作を制御する制御部４００が設けられている。このような制御部４００の構成例は後述する。
【００４４】
また，基板処理装置１００には，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの排ガスを無害化（除害）する共通の除害装置３００が配設されている。除害装置３００は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄにおける排気系２２０Ａ〜２２０Ｄを接続する共通排気系３１０に接続されている。共通排気系３１０は除害装置３００を介して例えば基板処理装置１００が設置される工場の排気系に接続されている。
【００４５】
このように構成された基板処理装置１００を稼働すると，ウエハＷの処理が開始される。例えば搬送ユニット側搬送機構１７０によりカセット容器１３２Ａ〜１３２ＣのいずれかからウエハＷが搬出されてオリエンタ１３６まで搬送される。そして，オリエンタ１３６で位置決めされたウエハＷは，オリエンタ１３６から搬出されてロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎ内へ搬入される。このとき，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハＷがロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎにあれば，処理完了ウエハＷを搬出してから，未処理ウエハＷを搬入する。
【００４６】
ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ搬入されたウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０によりロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎから搬出され，そのウエハＷが処理される処理室２００へ搬入されて所定の処理が実行される。そして，処理室２００での処理が完了した処理済ウエハＷは，処理ユニット側搬送機構１８０により処理室２００から搬出される。この場合，そのウエハＷが連続して複数の処理室２００での処理が必要な場合には，次の処理を行う他の処理室２００へウエハＷを搬入し，その処理室２００での処理が実行される。
【００４７】
そして，必要なすべての処理が完了した処理完了ウエハは，ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻される。ロードロック室１６０Ｍ又は１６０Ｎへ戻された処理済ウエハＷは，搬送ユニット側搬送機構１７０により元のカセット容器１３２Ａ〜１３２Ｃに戻される。
【００４８】
こうして基板処理装置１００が稼働している間に，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの排気系２２０Ａ〜２２０Ｄから排出される排気は，共通排気系３１０から除害装置３００を介して例えば工場排気系へ排気される。
【００４９】
ここで，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの配管構成例と除害装置３００の構成例について図面を参照しながら説明する。図２は各処理室２００Ａ〜２００Ｄの配管構成例と除害装置３００の構成例を示すブロック図である。各処理室２００Ａ〜２００Ｄの配管構成例は同様であるので，以下では各処理室２００Ａ〜２００Ｄの構成要素を示す符号からＡ〜Ｄを省略して代表的に説明する。従って，例えば処理室２００という場合は各処理室２００Ａ〜２００Ｄを示す。
【００５０】
（処理室の配管構成例）
先ず，処理室２００の配管構成（ガス導入系及び排気系）について説明する。図２に示すように処理室２００には，処理室２００内の圧力を検知する圧力センサ２８０，処理室２００内へ処理ガスやパージガスなど所定のガスを導入可能なガス導入系２１０，処理室２００内を排気するための排気系２２０が設けられている。
【００５１】
ガス導入系２１０は，例えばガス供給源２１２をガス導入バルブ（ガス導入弁）２１４を介して処理室２００に接続して構成される。ガス供給源２１２から処理室２００へ導入されるガスとしては，例えば地球温暖化を促進する物質であるＰＦＣガス（ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６等）や有害な成分を含むＮＦ３，ＳＦ６，ＮＨ３，ＮＯｘ，ハロゲン化水素，重金属アルコキシド錯体などのように排気の除害が必要な処理ガスの他，パージガスや圧力調整ガスなどに用いられる不活性ガスが挙げられる。本明細書において不活性ガスとは，広く化学変化を起こしにくい気体をいい，例えばＡｒガス，Ｈｅガスなどの希ガス族元素のみならず，Ｎ２ガスなども含まれる。なお，ガス導入系２１０は図２に示す構成に限られるものではない。例えばガス導入バルブの下流側に例えばマスフローコントローラなどの流量制御手段，逆流防止弁を設けるようにしてもよい。
【００５２】
排気系２２０は，例えば処理室２００に主排気系２３０と補助排気系２４０とを並列に接続して構成される。主排気系２３０と補助排気系２４０は排気側で合流して補助ポンプ２５０に接続している。主排気系２３０には主ポンプ２６０が接続しており，補助排気系２４０には主排気系２３０からの排気と補助排気系２４０からの排気を切換える切換バルブ（切換弁，補助バルブ）２７０が接続している。なお，主排気系２３０の主ポンプ２６０は，図示しない圧力調整バルブ（ＡＰＣ）を介して処理室２００に接続されている。
【００５３】
補助ポンプ２５０は例えばドライポンプで構成され，この補助ポンプ２５０によって処理室２００内を一定の真空状態まで排気する粗引き排気処理が行われる。主ポンプ２６０は例えばターボポンプなどで構成され，この主ポンプ２６０によって処理室２００内をさらに所望の高真空圧まで排気する本引き排気処理が行われる。排気系２２０の補助ポンプ２５０は，その排気側が共通排気系３１０を介して除害装置３００に接続している。なお，排気系２２０は少なくとも粗引き排気処理を行うことが可能な構成であれば，図２に示すような構成に限られるものではない。
【００５４】
上記圧力センサ２８０は，例えば隔膜真空計（キャパシタンスマノメータなど）によって構成される。この圧力センサ２８０からの出力は，基板処理装置１００の制御部４００へ供給されるようになっている。また上記ガス導入系２１０のガス導入バルブ２１４，排気系２２０の切換バルブ２７０はそれぞれ，制御部４００の制御信号によって制御されるようになっている。
【００５５】
（ガス導入系及び排気系の動作例）
このような構成の処理室２００でウエハＷの処理を行う際には，先ずその処理室２００のゲートバルブを閉じた状態で真空引き処理を行って処理室２００内を所定圧力まで減圧する。真空引き処理は，例えば所定圧力まで減圧する粗引き排気処理と，所定圧力からさらに高真空の設定圧力まで減圧する本引き排気処理とにより行われる。
【００５６】
具体的には，先ず切換バルブ２７０を開放することによって排気系２２０を補助排気系２４０にして補助ポンプ２５０を駆動して粗引き排気処理を行う。そして，圧力センサ２８０により所定圧力が検知されると，切換バルブ２７０を閉成することによって排気系２２０を主排気系２３０にして主ポンプ２６０を駆動して圧力センサ２８０により設定圧力が検知されるまで本引き排気処理を行う。
【００５７】
そして，本引き排気処理が終了すると，ゲートバルブを開いてウエハＷを処理室２００に搬入する。ウエハＷが載置台に載置されると，ゲートバルブを閉じてウエハＷの処理工程に移行する。この場合，切換バルブ２７０を閉成して排気系２２０を主排気系２３０にした状態で，ガス導入バルブ２１４を開放することによってガス供給源２１２からの処理ガスを処理室２００内に導入することにより，ウエハＷの処理を開始する。すなわち，処理室２００内の圧力が例えば圧力センサ２８０からの圧力に基づいて所定圧力に維持された状態で，上記ウエハＷの処理を所定時間実行する。
【００５８】
ウエハＷの処理が完了すると，ガス導入バルブ２１４を閉成して，主排気系２３０から処理室２００内の到達排気を行い，処理済ウエハＷを処理室２００から搬出する。こうして，１枚のウエハＷの処理が終了する。その後は，次のウエハＷを処理室２００に搬入して，上記と同様の手順でウエハＷを１枚ずつ順次処理して行く。このようなウエハＷの処理を行う際に処理室２００の排気系２２０から排出される排気は，共通排気系３１０から除害装置３００を介して例えば工場の排気系へ排気される。
【００５９】
（除害装置の構成例）
次に，除害装置の構成例について説明する。除害装置３００は，共通排気系３１０に接続されている。具体的には，共通排気系３１０は，例えば除害装置３００内で処理室２００からの排気を無害化（除害）してから排気する除害共通排気系３２０と，処理室２００からの排気を無害化（除害）せずに排気する非除害共通排気系３３０とに分岐する。
【００６０】
除害共通排気系３２０には共通排気系３１０からの排気を無害化（除害）する除害手段３４０が接続しており，非除害共通排気系３３０には除害共通排気系３２０からの排気と非除害共通排気系３３０からの排気を切換える切換バルブ（切換弁）３５０が接続している。除害共通排気系３２０と非除害共通排気系３３０の排気側は合流して例えば工場の排気系に接続している。
【００６１】
なお，上記除害手段３４０は，例えば除害共通排気系３２０を通る排気を熱処理によって除害する除害反応漕などにより構成される。なお，除害手段としては，熱処理によるものに限られず，様々な構成のものを適用することができる。上記除害装置の切換バルブ３５０は，制御部４００の制御信号によって制御されるようになっている。制御部４００は，処理室２００で行われる処理の種類に応じて除害装置３００の切換バルブ３５０の切換制御を行うようになっている。
【００６２】
（除害装置の動作例）
次に，上記のように構成された除害装置の動作例について図面を参照しながら説明する。先ず，１つの処理室のみが除害装置３００を使用して排気を行う場合について説明する。ここでは各処理室２００Ａ〜２００Ｄを代表して処理室２００Ａが除害装置３００を使用する場合について説明する。図３，図４は処理室２００Ａのみが除害装置３００を使用して排気を行う場合における排気の流れ（太線矢印）を説明する図である。
【００６３】
上述したように除害装置３００の切換バルブ３５０は処理室２００Ａで行う処理の種類に応じて除害共通排気系３２０による排気と非除害共通排気系３３０による排気に切換えられるようになっている。これによれば，例えば上述したような処理室２００Ａ内の粗引き排気処理を行う際には，図３に示すように除害装置３００の切換バルブ３５０を開放して非除害共通排気系３３０による排気に切換えることによって除害せずにそのまま排気し，それ以外の処理例えば処理ガスを導入してウエハＷの処理を行う際には，図４に示すように除害装置３００の切換バルブ３５０を閉成して除害共通排気系３２０による排気に切換えることによって除害してから排気を行うことができる。
【００６４】
このようなウエハＷの処理を行う際の通常の粗引き排気処理では未だ処理ガスが導入されていないので，処理室２００Ａからは有害な成分を含む排ガスも排出されないため，除害手段３４０を介さずに排気しても問題はない。しかも，大気圧からの粗引き排気処理のように高い圧力状態からの処理による排気につてもすべて除害装置３００の除害手段３４０を介して排気すると，除害装置３００の負担が増大するため，このような処理についても除害手段３４０を介さずに排気することができるので，除害装置３００の負担も軽減することができ，除害装置３００の寿命を延ばすことができる。また，除害処理の効率化を図ることができるため，除害処理を行うのに必要なエネルギも少なくするとこができ，小さい容量の除害装置でも十分に各処理室に共通の除害装置３００として適用することができるようになる。
【００６５】
ところで，処理室２００Ａの処理としては，上述したような通常のウエハＷの処理の他に，例えばオペレータによるメンテナンス処理や，定期メンテナンスの作業効率の向上，作業時間の短縮化等を目的として基板処理装置１００の各部の検査を自動で行う自動検査処理（オートチェック処理）がある。ここでいう自動検査処理（オートチェック処理）にはオートセットアップ処理及びセルフチェック処理が含まれ，各検査項目には処理室２００Ａのガス導入系２１０Ａと排気系２２０Ａの検査も含まれる。従って，このようなメンテナンス処理やオートチェック処理においても，上述したような処理室２００の粗引き排気処理が行われる場合がある。
【００６６】
特に，処理室２００Ａのオートチェック処理の場合には，例えばガス導入系２１０Ａから処理ガスを導入して圧力センサ２８０Ａによって圧力を監視しながら所定圧力まで圧力を上昇させるいわゆるビルドアップ処理による処理ガス導入後に，粗引き排気処理を実行することがある。このような場合には粗引き排気処理であるにも拘わらず，処理ガスが排気されるので，その処理ガスが有害な成分を含んでいる場合には除害して排気する必要がある。このように処理室２００Ａの粗引き排気処理の中には，有害な成分を含む排ガスを排気するものもある。
【００６７】
この場合，もしも粗引き排気処理を行う際に補助排気系２４０Ａへ切換えるのに開放される切換バルブ２７０Ａに連動して自動的に除害装置３００の切換バルブ３５０を非除害共通排気系３３０による排気に切換えるようにすれば，有害な成分を含む排気が除害されないまま工場の排気系へ排気されてしまう虞がある。
【００６８】
そこで，本発明では，切換バルブ２７０Ａに連動させるのではなく，基板処理装置１００の制御部４００により切換バルブ３５０を例えば次のように制御する。すなわち，制御部４００において処理室２００Ａで実行される処理が少なくとも排気の除害が不要で高い圧力状態（例えば所定圧力以上）から実行される処理か否かを判断し，そのような処理であると判断した場合は，図３に示すように除害装置３００の切換バルブ３５０を開放することによって共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０にして除害せずに排気し，高い圧力状態（例えば所定圧力以上）から実行される処理でないと判断した場合には，図４に示すように除害装置３００の切換バルブ３５０を閉成することによって共通排気系３１０を除害共通排気系３２０にして除害してから排気を行うようにする。
【００６９】
この場合，高い圧力状態（例えば所定圧力以上）からの処理か否かについては，例えば処理室２００Ａでの処理が実行される際に，圧力センサ２８０Ａにより処理室２００Ａ内圧力を検知し，検知された圧力が所定圧力（例えば５０Ｔｏｒｒ［６６．６ｈＰａ］）以上の場合には高い圧力状態からの処理と判断し，所定圧力（例えば５０Ｔｏｒｒ）より小さい場合には低い圧力状態からの処理と判断する。
【００７０】
このような制御によれば，例えば処理室２００内の大気圧状態からの粗引き排気処理は，除害が不要な処理で高い圧力状態からの処理であるため，このような処理については非除害共通排気系３３０により除害せずに排気される。
【００７１】
これに対して，メンテナンス処理やオートチェック処理における排気処理では低い圧力状態で実行される処理であるため，たとえ同じ粗引き排気処理であっても，このような排気処理については除害共通排気系３２０により除害してから排気される。また，処理ガス導入を伴うウエハＷの処理は，排気の除害が必要で低い圧力状態で実行される処理であるため，このような処理についても除害共通排気系３２０により除害してから排気される。
【００７２】
これにより，除害装置３００から有害な成分を含む排気が工場の排気系へ排気されることを確実に防止することができる。しかも，このような低い圧力状態から実行される粗引き排気処理やウエハＷの処理については，除害手段３４０を介して排気しても，高い圧力状態からの粗引き排気処理に比べれば除害装置３００にかかる負担が少なくて済む。
【００７３】
次に，複数の処理室で並行して処理が行われる場合における除害装置の動作例について図面を参照しながら説明する。ここでは，処理室２００Ａ〜２００Ｄを代表して，処理室２００Ａと２００Ｂで並行して処理が行われる場合について説明する。図５〜図８は処理室２００Ａ，２００Ｂで並行して処理が行われる場合における排気の流れ（太線矢印）を説明する図である。
【００７４】
上述したように，本発明では処理室２００Ａ，２００Ｂで実行される処理が少なくとも排気の除害が不要で高い圧力状態（例えば所定圧力以上）から実行される処理の場合には，共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０に切換えられ，それ以外の処理の場合には共通排気系３１０を除害共通排気系３２０に切換えられる。
【００７５】
このため，複数の処理室で並行して処理が行われる場合には，各処理室での処理タイミングによっては，異なる処理室でそれぞれ共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０に切換えて実行される第１処理と，共通排気系３１０を除害共通排気系３２０に切換えて実行される第２処理とが同時に行われる場合もある。この場合，ある処理室で第２処理が行われている間，すなわち除害共通排気系３２０による排気が行われている間に，別の処理室で第１処理が開始されると，非除害共通排気系３３０による排気に切換えられてしまうことになる。これでは，ある処理室で除害の処理が必要な排気が非除害共通排気系３３０を介して排気されるので，除害されないまま工場の排気系へ排気されてしまう問題がある。
【００７６】
例えば図５に示すように処理室２００Ｂにおいて第２処理例えばガス導入系２１０Ｂにより処理ガスを導入しながら行うウエハＷの処理により除害共通排気系３２０による排気が実行されている間に，図６に示すように別の処理室２００Ａで第１処理例えば大気圧からの粗挽き排気処理が実行されると，除害装置３００の切換バルブ３５０が開放されて非除害共通排気系３３０による排気に切換えられる。このため，図６に示すように処理室２００Ａから排出される除害が必要な排気が非除害共通排気系３３０により除害されないまま工場の排気系へ排気されてしまう。
【００７７】
逆に，図７に示すように処理室２００Ｂにおいて第１処理例えば大気圧からの粗挽き排気処理により非除害共通排気系３３０による排気が実行されている間に，図８に示すように別の処理室２００Ａで第２処理例えばガス導入系２１０Ｂにより処理ガスを導入しながら行うウエハＷの処理が行われる場合には，除害装置３００の切換バルブ３５０が閉成されて除害共通排気系３２０による排気に切換えられる。この場合には，処理室２００Ａからの除害が必要な排気が非除害共通排気系３３０により除害されないまま工場の排気系へ排気されてしまう不都合はないものの，処理室２００Ｂの高い圧力状態からの排気まで除害共通排気系３２０により除害手段３４０を介して排気されることになるため，除害装置３００の負担が増大する。
【００７８】
そこで，本発明では，複数の処理室で並行して処理が行われる場合には，上記第１処理と第２処理とのうち，いずれか一方の処理を１つの処理室で行っている間は，他方の処理を他のすべて処理室で実行しないように所定の排他制御を行うようにする。これにより，複数の処理室で並行して処理を行う場合であっても，異なる処理室でそれぞれ排気の除害が不要な処理と排気の除害が必要な処理が同時期に行われることを防止できるので，除害装置３００の負担を軽減しつつ，除害が必要な排気が除害されないまま工場の排気系へ排気されることを確実に防止できる。
【００７９】
（排他制御を行う制御部の構成例）
次に，上述したような排他制御を行う制御部について説明する。このような排他制御は例えば基板処理装置１００を制御する制御部４００によって行われるので，以下，制御部４００の具体的構成例を図９を参照しながら説明する。
【００８０】
制御部４００は，図９に示すように制御部本体を構成するＣＰＵ（中央処理装置）４１０，ＣＰＵ４１０が各部を制御するためのプログラムデータ（例えばウエハＷの処理，後述する基板処理装置の各種チェック処理，除害装置の使用権処理，パーティクル低減処理等のプログラムデータ）等を格納したＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）４２０，ＣＰＵ４１０が行う各種データ処理のために使用されるメモリエリア等を設けたＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）４３０，時間を計時するカウンタなどで構成される計時手段４４０，操作画面や選択画面などを表示する液晶ディスプレイなどで構成される表示手段４５０，オペレータによる種々のデータの入出力などを行うことができる入出力手段４６０，例えばブザーのような警報器等で構成される報知手段４７０，基板処理装置１００の各部を制御するための各種コントローラ４８０，例えばメモリなどで構成される記憶手段４９０を備える。
【００８１】
上記ＣＰＵ４１０と，ＲＯＭ４２０，ＲＡＭ４３０，計時手段４４０，表示手段４５０，入出力手段４６０，報知手段４７０，各種コントローラ４８０，記憶手段４９０とは制御バス，システムバス，データバス等のバスラインにより電気的に接続されている。
【００８２】
各種コントローラ４８０には，各搬送機構１７０，１８０，オリエンタ１３６のコントローラの他，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの各部の制御を行うコントローラ，上記ガス導入系２１０のガス導入バルブ２１４，排気系２２０の切換バルブ２７０，除害装置の切換バルブ３５０などを制御するバルブコントローラも含まれる。なお，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの各部の制御は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄごとに制御部を設けて制御するようにしてもよい。この場合には上記制御部４００は，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの制御部と接続し，データや信号のやり取りを行いながら基板処理装置１００を制御する。
【００８３】
記憶手段４９０には，各処理室２００Ａ〜２００Ｄにおいて上記第１処理及び第２処理を実行しているか否かの処理状況を記憶する処理状況管理情報４９２，上記第１処理及び第２処理を実行するために除害装置３００の使用権を確保するための予約情報を記憶する除害装置使用権予約情報（共通排気系使用権予約情報）４９４などが記憶される。
【００８４】
ここで，上記処理状況管理情報４９２の具体例について図１０を参照しながら説明する。処理状況管理情報４９２は，例えば図１０に示すように処理室，第１処理，第２処理の項目などを有するデータテーブルにより構成される。処理室の項目は，基板処理装置１００が有する各処理室２００Ａ〜２００Ｄの種別を示すものである。第１処理及び第２処理の項目は，各処理室で第１処理及び第２処理が実行されているか否かを示すものである。
【００８５】
上記第１処理，第２処理の項目には，例えば各処理室２００Ａ〜２００Ｄにおいてその処理が開始されると「１」が設定（記憶）され，その処理が終了すると「０」が設定（記憶）される。従って，第１処理（又は第２処理）が「０」である場合には，その処理室で第１処理（又は第２処理）は実行されていないことを示し，第１処理（又は第２処理）が「１」である場合には，その処理室で第１処理（又は第２処理）が実行されていることを示す。
【００８６】
例えば図１０に示す例によれば，処理室２００Ａ，２００Ｃ，２００Ｄは第１処理及び第２処理の項目がともに「０」であるため，処理室２００Ａ，２００Ｃ，２００Ｄは第１処理及び第２処理を実行していない状況にあることがわかる。これに対して，処理室２００Ｂは第１処理の項目が「１」であり，第２処理の項目が「０」であるため，処理室２００Ｂは第２処理は実行していないが，第１処理を実行している状況にあることがわかる。
【００８７】
このような処理状況管理情報４９２によれば，各処理室２００Ａ〜２００Ｄにおける第１処理及び第２処理の処理状況がわかるので，各処理室で第１処理と第２処理を行う際にこの処理状況管理情報４９２に基づいて他の処理室で第１処理と第２処理が実行されているか否かを容易に判断することができる。
【００８８】
なお，処理状況管理情報４９２は図１０に示すようなデータテーブルにより記憶する必要はなく，例えば処理室２００Ａ〜２００Ｄについての第１処理，第２処理の処理状況をそれぞれ示すフラグＦＡ１〜ＦＤ１，フラグＦＡ２〜ＦＤ２を設け，これらのフラグＦＡ１〜ＦＤ１，フラグＦＡ２〜ＦＤ２に上記と同様に「０」，「１」を設定するようにしてもよい。
【００８９】
次に，除害装置使用権予約情報４９４の具体例について図１１を参照しながら説明する。
除害装置使用権予約情報４９４は，例えば図１１に示すような処理室，処理の種類の項目などを有するデータテーブルにより構成される。処理室の項目は基板処理装置１００が有する各処理室２００Ａ〜２００Ｄの種別を示すものである。処理の種類の項目は除害装置の使用権を予約して実行される処理（第１処理又は第２処理）を示すものである。
【００９０】
除害装置使用権予約情報４９４に各処理室２００Ａ〜２００Ｄの第１処理又は第２処理が予約されると，除害装置使用権予約情報４９４のデータテーブルに順番に記憶される。従って，除害装置使用権予約情報４９４のデータテーブルの各行が予約された処理（ジョブ）を示している。
【００９１】
除害装置使用権予約情報４９４は，上記第１処理又は第２処理の排他制御により，他の処理室で第１処理と第２処理のうちの一方の処理が実行されているために，他方の処理が実行できなかった場合に，その他方の処理を後で実行する際に除害装置３００（共通排気系３１０）を使用するための使用権を予約するものである。
【００９２】
このような除害装置３００の使用権は，除害装置使用権予約情報４９４に予約された順に取得される。従って，他の処理室での他方の処理が終了したときに，除害装置使用権予約情報４９４のデータテーブルに記憶された順に処理（ジョブ）が実行される。そして，処理が実行された順に予約の順序が繰上げられる。
【００９３】
例えば図１１に示す例によれば，処理室２００Ａの第１処理が最初に予約されているため，この処理が最初に実行される。そして，最初に予約されている処理が実行されると，２番目に予約されている２００Ｃの第１処理は順序が繰上がって１番目になる。
【００９４】
また，除害装置使用権予約情報４９４による予約は例えばオペレータによる制御部４００の入出力手段４６０の操作によりキャンセルすることができる。また，予約により処理待ちとなっている処理室の処理が中断された場合には，除害装置使用権予約情報４９４による予約もキャンセルする。このように予約がキャンセルされると，残りの予約の順序が順次繰上げられる。
【００９５】
このような処理は，除害装置使用権予約情報４９４のデータテーブルを例えば先入れ先出し（ＦＩＦＯ:first-in, first-out）制御を行うためのキュー(queue)テーブルのようなデータ構造にして実行するようにしてもよい。
【００９６】
（第１処理と第２処理の排他制御の具体例）
次に，このように構成される制御部４００により実行される上記第１処理と第２処理の排他制御の具体例について説明する。ここでは，共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０に切換えて実行する処理を第１処理，共通排気系３１０を除害共通排気系３２０に切換えて実行する処理を第２処理とする。
【００９７】
上記第１処理には，例えば高い圧力状態（例えば５０Ｔｏｒｒ以上の圧力状態）からの粗引き排気処理の他，このような粗引き排気処理を含むオートチェック処理やメンテナンス処理，粗引き排気処理を伴うクリーニング処理（例えばパージガス（又は不活性ガス）を導入して処理室内をクリーニングするパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ：Non-Plasma
Particle Cleaningともいう。））も含まれる。パーティクル低減処理としては，例えばＮ２ガスなどのパージガスを処理室内に導入しながら大気開放と真空引きを繰返すことにより処理室内のパーティクルを舞い上がらせて除去するパーティクル低減処理の他，Ｎ２ガスなどのパージガスを大流量で処理室に導入することにより所定条件下で発生するガス衝撃波（Shock Wave：音速を超えて伝わる圧力波）によって処理室内のパーティクルを剥離させて除去するパーティクル低減処理などが挙げられる。さらに，ガス衝撃波によるパーティクル低減処理には，後述するように大流量のパージガスを処理室に導入し続けながら排気する場合（例えば図１４に示すような配管構成により実行する場合）と，大流量のパージガスを処理室に一時的に導入し，その後は低流量のパージガスを導入し続けながら排気する場合（例えば図１７に示すような配管構成により実行する場合）が挙げられる。
【００９８】
上記第２処理には，例えばエッチング処理や成膜処理などのウエハＷのプロセス処理の他，処理ガスを導入して行われるクリーニング処理（例えば処理室にウエハがない状態で処理ガスを導入しながら処理室内をクリーニングするウエハレスクリーニング処理）などにおいて処理ガスを導入するためのガス導入バルブ２１４の開放処理，低い圧力状態からの粗引き排気処理，このような処理ガスの導入や低い圧力状態（例えば５０Ｔｏｒｒより低い圧力状態）からの粗引き排気処理を含むオートチェック処理やメンテナンス処理も含まれる。
【００９９】
（第１処理を実行する場合の制御の具体例）
先ず，各処理室２００Ａ〜２００Ｄで第１処理（例えば高い圧力状態からの粗引き排気処理）を実行する場合の制御の具体例について説明する。図１２は第１処理を実行する場合の制御の具体例を示すフローチャートである。図１２に示すように，各処理室で第１処理を実行する場合には，先ず排他制御（ステップＳ１００〜ステップＳ１５０）を行った上で，第１処理を開始する（ステップＳ１６０〜ステップＳ１９０）。
【０１００】
このような排他制御においては，先ずステップＳ１００にて予約処理待ちの処理室があるか否かを判断する。具体的には除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに既に予約されている処理（ジョブ）があるか否かを判断する。除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに既に予約がされて処理待ちとなっている他の処理室の処理があればそれを優先するためである。
【０１０１】
ステップＳ１００にて予約処理待ちの処理室がある，すなわち除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに予約されている処理（ジョブ）があると判断した場合は，ステップＳ１２０にて表示手段４５０により第１処理が実行できない旨の表示を行って，ステップＳ１３０以降の後述する予約処理に移る。異なる処理室で第１処理と第２処理が同時に実行されることを防止するためである。なお，この場合は，例えば報知手段４７０による報知も行って，第１処理が実行できない旨をオペレータに知らせるようにしてもよい。
【０１０２】
またステップＳ１００にて予約処理待ちの処理室がない，すなわち除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに予約されている処理（ジョブ）がないと判断した場合は，ステップＳ１１０にて他の処理室で第２処理が実行されているか否かを判断する。異なる処理室で第１処理と第２処理が同時に実行されることを防止するためである。具体的には記憶手段４９０の処理状況管理情報４９２に基づいて判断する。例えば図１０に示す処理状況管理情報４９２の例によれば，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの第２処理の項目がすべて「０」であるため，各処理室２００Ａ〜２００Ｄでは第２処理が実行されていないと判断することができる。
【０１０３】
ステップＳ１１０にて他の処理室で第２処理（例えばウエハＷのプロセス処理）が実行されていないと判断した場合はステップＳ１６０以降の処理に移り，第１処理を開始する。これに対してステップＳ１１０にて他の処理室で第２処理が実行されていると判断した場合はステップＳ１２０にて表示手段４５０により第１処理が実行できない旨の表示を行う。このとき，例えば報知手段４７０による報知も行って，第１処理が実行できない旨をオペレータに知らせるようにしてもよい。
【０１０４】
続いて，ステップＳ１３０〜ステップＳ１５０で予約処理を行う。予約処理においては，先ずステップＳ１３０にて除害装置３００の使用権を予約する。具体的には記憶手段４９０の除害装置使用権予約情報４９４のデータテーブルに除害装置３００（共通排気系３１０）を使用するための使用権を予約する。
【０１０５】
次に，ステップＳ１４０にて他の処理室で第２処理が終了したか否かを判断する。具体的には，記憶手段４９０の処理状況管理情報４９２に基づいて判断する。例えば処理状況管理情報４９２によれば他の処理室での第２処理が終了すると，他の処理室の第２処理の項目が「１」から「０」に変わるので，その項目が「０」に変わったら他の処理室で第２処理が終了したと判断することができる。そして，ステップＳ１４０にて他の処理室で第２処理が終了していないと判断した場合は，他の処理室で第２処理が終了するまで待つ。
【０１０６】
上記ステップＳ１４０にて他の処理室での第２処理が終了したと判断した場合は，ステップＳ１５０にて除害装置３００の使用権を取得できたか判断する。具体的には除害装置使用権予約情報４９４に予約されている順に判断する。そして，除害装置３００の使用権を取得できたか判断する場合には，別の処理室で第２処理が実行されていないか否かを例えば処理状況管理情報４９２により判断し，別の処理室で第２処理が実行されていないと判断した場合は除害装置３００の使用権を取得できたと判断し，ステップＳ１６０以降の処理に移り，第１処理を開始する。
【０１０７】
これに対して，別の処理室で第２処理が実行されていると判断した場合は，除害装置３００の使用権を取得できなかったと判断し，除害装置３００の使用権を取得できるまで待つ。これは，異なる処理室で第２処理が並行して実行されている場合には排他制御の対象にならないことから，他の処理室で第２処理が実行されている間でも，別の処理室で第２処理が開始されている場合があるため，このような場合にも第１処理を行わないようにするためである。このような予約処理を行うことによって，処理待ち状態にある処理室での処理を自動的に実行させることができる。
【０１０８】
次に，第１処理を開始する場合について説明する。第１処理を開始する場合には，先ずステップＳ１６０にて第１処理開始情報の記録を行う。具体的には例えば処理状況管理情報４９２のデータテーブルにおける第１処理の項目に「１」を設定（記憶）する。
【０１０９】
次いでステップＳ１７０にて第１処理を実行する。第１処理（例えば高い圧力状態からの粗引き排気処理）は，除害装置３００の切換バルブ３５０を開放することによって共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０に切換えて実行する。これにより，処理室から排出される排気は，除害手段３４０を介さないでそのまま例えば工場の排気系へ排気される。
【０１１０】
次いでステップＳ１８０にて第１処理が終了したか否かを判断する。ステップＳ１８０にて第１処理が終了したと判断すると，ステップＳ１９０にて第１処理終了情報の記録を行う。具体的には例えば処理状況管理情報４９２のデータテーブルにおける第１処理の項目に「０」を設定（記憶）する。こうして，第２処理との排他制御を含む一連の第１処理を終了する。
【０１１１】
このような本実施形態にかかる第１処理を実行する際の制御によれば，いずれかの処理室で第２処理（例えば除害が必要な排気を伴うウエハＷのプロセス処理）が実行されている間は，他のすべての処理室で第１処理（例えば除害が不要な粗引き排気処理）は実行されない。従って，いずれかの処理室で第２処理が実行され除害装置３００で除害共通排気系３２０による除害排気が行われている間には，その途中で除害装置３００が非除害共通排気系３３０による非除害排気に切換えられることはない。これにより，除害が必要な排気が除害装置３００で除害されずに排気されることを防止できる。
【０１１２】
例えば図５に示すように処理室２００Ｂで第２処理例えば排気の除害が必要なウエハＷのプロセス処理が実行され除害装置３００の除害手段３４０を介する除害排気が行われている間は，他の処理室例えば処理室２００Ａにおいては，第１処理例えば排気の除害が不要な大気圧状態からの粗引き排気処理が行われることはない。従って，図６に示すように処理室２００Ｂでの第２処理の途中で除害装置３００の切換バルブ３５０が開放されることはないので，処理室２００Ｂからの排気は除害装置３００で除害されずに排気されることを防止できる。
【０１１３】
また，ある処理室が第２処理例えばウエハＷのプロセス処理を行っている間は，他の処理室では第１処理例えば大気圧状態からの粗引き排気処理を含むオートチェック処理やメンテナンス処理については行われない。
【０１１４】
この場合には，上記のようにオートチェック処理やメンテナンス処理の全体を第１処理としてこれらを実行しないようにしてもよく，またオートチェック処理やメンテナンス処理のうちの大気圧状態からの粗引き排気処理の部分だけを第１処理としてこれらだけを実行しないようにしてもよい。これは，ある処理室で第２処理としてのウエハＷの処理の実行中は，他の処理室において少なくとも大気圧状態からの粗引き排気処理が同時に実行されなければ，除害装置３００が非除害共通排気系３３０に切換えられることはないので，除害が必要な排気が除害装置３００で除害されずに排気されることを防止できるからである。
【０１１５】
従って，このような場合には，ある処理室で第２処理としてのウエハＷの処理の実行中は，他の処理室でオートチェック処理やメンテナンス処理の実行を開始することはできても，大気圧状態からの粗引き排気処理を実行する段階で排他制御され，その粗引き排気処理が実行できないことになる。
【０１１６】
なお，図１２に示す排他処理を含む第１処理の具体例では，異なる処理室でそれぞれ第１処理（例えば大気圧状態からの粗引き排気処理）が行われる場合には排他制御が行われないため，それぞれの処理室で第１処理が同時に実行される場合も起こり得る。この場合には，異なる処理室からのいずれの排気についても除害が不要であるため，除害装置３００で除害手段３４０を介さずに排気されても問題はない。
【０１１７】
しかしながら，異なる処理室でそれぞれ第１処理（例えば大気圧状態からの粗引き排気処理）が行われる場合には，各処理室での第１処理の開始タイミングによっては，処理室内の圧力状態が異なっている場合がある。このような場合には，圧力の高い処理室から圧力の低い処理室へ排気の逆流が発生する虞もある。従って，異なる処理室で第１処理がそれぞれ行われる場合にも排他制御を行うようにしてもよい。この場合には例えば図１２における第２処理を第１処理に置換えるようにすればよい。これにより，異なる処理室で第１処理が同時に実行されることを防止することができるので，各処理室内への排気の逆流を確実に防止することができる。
【０１１８】
（第２処理を実行する場合の制御の具体例）
先ず，各処理室２００Ａ〜２００Ｄで第２処理（例えばウエハＷのプロセス処理）を実行する場合の制御の具体例について説明する。図１３は第２処理を実行する場合の制御の具体例を示すフローチャートである。図１３に示すように，各処理室で第２処理を実行する場合には，先ず排他制御（ステップＳ２００〜ステップＳ２５０）を行った上で，第２処理を開始する（ステップＳ２６０〜ステップＳ２９０）。
【０１１９】
このような排他制御においては，先ずステップＳ２００にて予約処理待ちの処理室があるか否かを判断する。具体的には除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに既に予約されている処理（ジョブ）があるか否かを判断する。除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに既に予約がされて処理待ちとなっている他の処理室の処理があればそれを優先するためである。
【０１２０】
ステップＳ２００にて予約処理待ちの処理室がある，すなわち除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに予約されている処理（ジョブ）があると判断した場合は，ステップＳ２２０にて表示手段４５０により第２処理が実行できない旨の表示を行って，ステップＳ２３０以降の後述する予約処理に移る。異なる処理室で第１処理と第２処理が同時に実行されることを防止するためである。なお，この場合は，例えば報知手段４７０による報知も行って，第２処理が実行できない旨をオペレータに知らせるようにしてもよい。
【０１２１】
またステップＳ２００にて予約処理待ちの処理室がない，すなわち除害装置使用権予約情報４９４のテーブルに予約されている処理（ジョブ）がないと判断した場合は，ステップＳ２１０にて他の処理室で第１処理が実行されているか否かを判断する。異なる処理室で第１処理と第２処理が同時に実行されることを防止するためである。具体的には記憶手段４９０の処理状況管理情報４９２に基づいて判断する。
【０１２２】
ステップＳ２１０にて他の処理室で第１処理（例えば大気圧状態からの粗引き排気処理）が実行されていないと判断した場合はステップＳ２６０以降の処理に移り，第２処理を開始する。これに対してステップＳ２１０にて他の処理室で第１処理が実行されていると判断した場合はステップＳ２２０にて表示手段４５０により第２処理が実行できない旨の表示を行う。このとき，例えば報知手段４７０による報知も行って，第２処理が実行できない旨をオペレータに知らせるようにしてもよい。
【０１２３】
続いて，ステップＳ２３０〜ステップＳ２５０で予約処理を行う。予約処理においては先ずステップＳ２３０にて除害装置３００の使用権を予約する。具体的には記憶手段４９０の除害装置使用権予約情報４９４のデータテーブルに除害装置３００（共通排気系３１０）を使用するための使用権を予約する。
【０１２４】
次に，ステップＳ２４０にて他の処理室で第１処理が終了したか否かを判断する。具体的には，記憶手段４９０の処理状況管理情報４９２に基づいて判断する。例えば処理状況管理情報４９２によれば他の処理室での第１処理が終了すると，他の処理室の第１処理の項目が「１」から「０」に変わるので，その項目が「０」に変わったら他の処理室で第１処理が終了したと判断することができる。そして，ステップＳ２４０にて他の処理室で第１処理が終了していないと判断した場合は，他の処理室で第１処理が終了するまで待つ。
【０１２５】
上記ステップＳ２４０にて他の処理室での第１処理が終了したと判断した場合は，ステップＳ２５０にて除害装置３００の使用権を取得できたか判断する。具体的には除害装置使用権予約情報４９４に予約されている順に判断する。そして，除害装置３００の使用権を取得できたか判断する場合には，別の処理室で第１処理が実行されていないか否かを例えば処理状況管理情報４９２により判断し，別の処理室で第１処理が実行されていないと判断した場合は除害装置３００の使用権を取得できたと判断し，ステップＳ２６０以降の処理に移り，第２処理を開始する。
【０１２６】
これに対して，別の処理室で第１処理が実行されていると判断した場合は，除害装置３００の使用権を取得できなかったと判断し，除害装置３００の使用権を取得できるまで待つ。これは，異なる処理室で第１処理が並行して実行されている場合には排他制御の対象にならないことから，他の処理室で第１処理が実行されている間でも，別の処理室で第１処理が開始されている場合があるため，このような場合にも第２処理を行わないようにするためである。
【０１２７】
次に，第２処理を開始する場合について説明する。第２処理を開始する場合には，先ずステップＳ２６０にて第２処理開始情報の記録を行う。具体的には例えば処理状況管理情報４９２のデータテーブルにおける第２処理の項目に「１」を設定（記憶）する。
【０１２８】
次いでステップＳ２７０にて第２処理を実行する。第２処理（例えばウエハＷのプロセス処理）は，除害装置３００の切換バルブ３５０を閉成することによって共通排気系３１０を除害共通排気系３２０に切換えて実行する。これにより，処理室から排出される排気は，除害手段３４０を介して除害されてから例えば工場の排気系へ排気される。
【０１２９】
次いでステップＳ２８０にて第２処理が終了したか否かを判断する。ステップＳ２８０にて第２処理が終了したと判断すると，ステップＳ２９０にて第２処理終了情報の記録を行う。具体的には例えば処理状況管理情報４９２のデータテーブルにおける第２処理の項目に「０」を設定（記憶）する。こうして，第１処理との排他制御を含む一連の第２処理を終了する。
【０１３０】
このような本実施形態にかかる第２処理を実行する際の制御によれば，いずれかの処理室で第１処理（例えば高い圧力状態からの粗引き排気処理）が実行されている間は，他のすべての処理室で排気の除害が必要な第２処理（例えば低い圧力状態で行われるウエハＷのプロセス処理）は実行されない。従って，いずれかの処理室で第１処理が実行され除害装置３００で非除害共通排気系３３０による非除害排気が行われている間には，その途中で除害装置３００が除害共通排気系３２０による除害排気に切換えられることはない。これにより，除害が不要な高い圧力状態からの処理についてまで除害装置３００で除害手段３４０を介して排気されることを防止できるので，除害装置３００の負担を軽減することができる。
【０１３１】
例えば図７に示すように処理室２００Ｂで第１処理例えば高い圧力状態である大気圧状態からの粗引き排気処理が実行され除害装置３００の除害手段３４０を介さない非除害排気が行われている間は，他の処理室例えば処理室２００Ａにおいては，第２処理例えば低い圧力状態で行われるウエハＷのプロセス処理が実行されることはない。従って，図８に示すように処理室２００Ｂでの第１処理の途中で除害装置３００の切換バルブ３５０が閉成されることはないので，処理室２００Ｂからの排気は除害装置３００の除害手段３４０を介して排気されることを防止できる。これにより，除害装置３００の負担を軽減することができる。
【０１３２】
なお，この場合，大気圧状態からの粗引き排気処理が実行されている間には，ウエハＷを処理室へ搬入しないで例えば共通搬送室１５０で待機させる。処理室内にはプロセス処理による処理ガスやデポが残留している虞があるので，処理室内でウエハＷを待機させると，プロセス処理が進んでしまう虞があるからである。
【０１３３】
ところで，上述したような第１処理には大気圧状態からの粗引き排気処理の他に，オートチェック処理やメンテナンス処理などのように大気圧状態からの粗引き排気処理を含む処理も含まれる。従って，ある処理室で第１処理例えばオートチェック処理やメンテナンス処理を行っている間は，他の処理室では第２処理例えばウエハＷのプロセス処理は行われない。
【０１３４】
この場合には，上記のようにオートチェック処理やメンテナンス処理の全体を第１処理としてこれらを実行している間は，他の処理室で第２処理が実行されないようにしてもよく，またオートチェック処理やメンテナンス処理のうちの大気圧状態からの粗引き排気処理の部分だけを第１処理としてこれらだけを実行している間は，他の処理室で第２処理が実行されないようにしてもよい。これは，ある処理室で少なくとも大気圧状態からの粗引き排気処理を実行している間に，他の処理室において第２処理としてのウエハＷのプロセス処理が同時に実行されなければ，除害装置３００が除害共通排気系３２０に切換えられることはないので，高い圧力状態からの排気が除害装置３００の除害手段３４０を介して排気されることを防止できるからである。
【０１３５】
従って，このような場合には，ある処理室でオートチェック処理やメンテナンス処理が実行されている間でも，大気圧状態からの粗引き排気処理が行われていなければ，他の処理室において第２処理としてのウエハＷのプロセス処理を実行することができる。これに対して，ある処理室でオートチェック処理やメンテナンス処理のうちの大気圧状態からの粗引き排気処理が実行されている間は，他の処理室において第２処理としてのウエハＷのプロセス処理を実行することはできないことになる。
【０１３６】
また，第２処理には，ウエハＷのプロセス処理のみならず，メンテナンス処理やクリーニング処理などにおいて処理ガスを導入するためにガス導入バルブ２１４を開放する処理も含まれる。ガス導入バルブ２１４を開放する処理には，排気処理も伴うため，排気に除害が必要な処理ガスを導入する場合にはそのような排気は除害共通排気系３２０に切換えて除害装置３００の除害手段３４０を介して排気する必要があるからである。従って，ある処理室で第１処理例えば大気圧状態からの粗引き排気処理を実行している間は，他の処理室では第２処理例えばガス導入バルブ２１４を開放する処理を実行できない。
【０１３７】
なお，上記実施形態において，第２処理の例とされるウエハＷのプロセス処理の開始から終了までの詳細については，以下の通りとする。すなわち，処理室でウエハＷを複数枚（例えば１ロット）ごとに連続して処理する場合は，例えば１ロットのごとの連続運転開始から連続運転終了までとする。また，処理室でウエハＷを１枚ずつ処理する場合には，例えば処理室内へのウエハＷを搬入する前のプロセス・レシピ実行展開からウエハを搬出した後における処理室内の静電除去終了までとする。この場合，処理室内の付着物除去等のためウエハ搬出後に処理ガスを導入しながら行うウエハレスクリーニング（ＷＬＤＣ）を行う場合には，そのウエハレスクリーニング終了までとする。このようなウエハＷのプロセス処理の開始から終了まで除害装置３００を占有させる必要があるので，その間は第１処理を実行しないようにする必要があるからである。
【０１３８】
また，ウエハＷのプロセス処理中に基板処理装置１００の異常が発生して処理が停止した場合には，その復旧処理で除害装置３００を使用する際又は復旧処理後の処理（例えば静電除去など）で除害装置３００を使用する際には，除害装置使用権予約情報４９４による予約は一旦キャンセルし，その復旧処理のために新たに除害装置３００の使用権を取得を行う。第１処理と第２処理の排他制御により処理待ちとなっている間にメンテナンス処理に移行した場合も同様に，除害装置使用権予約情報４９４による予約は一旦キャンセルし，その復旧処理のために新たに除害装置３００の使用権を取得を行う。このように，復旧処理やメンテナンス処理を行う場合には除害装置使用権予約情報４９４による予約は一旦キャンセルされるので，除害装置使用権予約情報４９４による他の処理の予約があるために，復旧処理やメンテナンス処理において除害装置３００を使用できなくなる不都合を回避できる。
【０１３９】
また，処理室を切離してメンテナンス処理を行う独立メンテナンス処理に移行した場合には，その処理室については図１２，図１３に示すような第１処理と第２処理の排他制御を行わない。従って，このような独立メンテナンス処理では，他の処理室で第１処理又は第２処理が実行されているか否かに拘らず，第１処理又は第２処理を実行することができる。また，除害装置３００の使用中にその処理室が独立メンテナンス処理に移行された場合には，その処理室での除害装置３００の使用を中止して，既に除害装置使用権予約情報４９４に予約されている他の処理室に除害装置３００を使用させるようにしてもよい。
【０１４０】
また，上記実施形態における第１処理と第２処理の排他制御では，ある処理室で一方の処理を実行する際に，他の処理室で他方の処理が実行されている場合には，所定の予約処理（例えば図１２のステップＳ１３０〜ステップＳ１５０，図１３のステップＳ１３０〜ステップＳ１５０）を行う場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，例えばある処理室で一方の処理を実行する際に，他の処理室で他方の処理が実行されている場合には，予約処理を行わずに，エラー終了するようにしてもよい。
【０１４１】
また，上記予約処理は，次の場合には行わないようにしてもよい。例えばオペレータによるメンテナンス処理によって第１処理又は第２処理を実行する場合，例えばメンテナンス時のプロセス処理，補助排気系２４０の切換バルブ２７０及びガス導入バルブ２１４を単独で動作する処理，大気開放と真空引きを繰返して処理室内に残留する処理ガスの排気を行うサイクルパージ処理，大気開放処理，クリーニング処理などを実行する場合に，これらの処理が上記第１処理又は第２処理の排他処理によって処理待ちとなる場合には，上記予約処理は行わずに，例えばインターロックにより実行不可とするようにしてもよい。これらの処理の場合には，オペレータが基板処理装置１００を監視している場合が多いため，予約処理による自動実行の必要がなく，オペレータの操作を自由に行うことができるようにした方が装置の使い勝手がよくなるからである。
【０１４２】
また，上記実施形態では基板処理装置１００が備えるすべての処理室２００Ａ〜２００Ｄの排気系２２０Ａ〜２２０Ｄに共通排気系３１０を介して共通の除害装置３００を接続した場合について説明したが，少なくとも２以上の処理室であれば一部の処理室の排気系に共通排気系を介して除害装置を接続するようにしてもよい。
【０１４３】
例えば処理室２００Ａと２００Ｂとに第１共通排気系を介して第１除害装置を接続し，処理室２００Ｃと２００Ｄとに第２共通排気系を介して第２除害装置を接続するようにしてもよい。この場合には，本実施形態にかかる第１処理と第２処理の排他制御は，各共通排気系に接続される処理室ごとに行われる。また，処理室２００Ａ〜２００Ｃに共通排気系を介して除害装置を接続し，処理室２００Ｄのみに別の除害装置を接続するようにしてもよい。この場合には，本実施形態にかかる第１処理と第２処理の排他制御は，処理室２００Ａ〜２００Ｃについて行われる。
【０１４４】
また，上記実施形態における共通排気系３１０では，除害手段３４０を介して排気する除害共通排気系３２０と除害手段３４０を介さずに排気する非除害共通排気系３３０をともに除害装置３００内に設けた場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，除害装置３００内には除害共通排気系３２０のみを設け，非除害共通排気系３３０は除害装置３００とは別個に設けるようにしてもよい。これにより，非除害共通排気系３３０が形成されていない除害装置３００についても本発明を適用することができるようになる。
【０１４５】
また，上述したようにガス導入系２１０は図２に示す構成に限られるものではない。このガス導入系２１０は例えば処理室２００へ導入するガス種や流量等に応じてどのように構成しても本発明に適用可能であることは言うまでもない。具体的には例えば複数種のガスを導入する場合は，ガス種ごとにガス供給源とガス導入バルブ（ガス導入弁）を接続するガス導入系を複数設け，各ガス種が合流して処理室２００へ導入されるような配管構成にしてもよい。この場合，複数の処理ガスごとにガス導入系を設けるようにしてもよく，また処理ガスとして不活性ガスとの混合ガスを用いる場合には，その不活性ガスのガス導入系を処理ガスのガス導入系に追加するようにしてもよい。さらにまた，大気開放用のガス導入系として不活性ガス導入系を追加してもよい。
【０１４６】
ここで，図２に示すガス導入系２１０を処理ガス導入系と不活性ガス導入系により構成した場合の構成例を図１４を参照しながら説明する。ここでは，不活性ガス導入系をウエハ処理を行う際と，ガス衝撃によるパーティクル低減処理を行う際に用いる。ウエハ処理を行う際には所定流量の不活性ガス（例えばＮ２ガス）を例えば圧力調整用ガスとして処理ガスとともに処理室に導入し続け，ガス衝撃波によるパーティクル低減処理を行う際に大流量の不活性ガス（例えばＮ２ガス）を例えばパージガスとして処理室に導入し続ける。なお，以下では，図２の場合と同様に，各処理室２００Ａ〜２００Ｄの構成要素を示す符号からＡ〜Ｄを省略して代表的に説明する。従って，例えば処理室２００という場合は各処理室２００Ａ〜２００Ｄを示し，ガス導入系２１０という場合は各処理室２００Ａ〜２００Ｄのガス導入系２１０Ａ〜２１０Ｄを示す。
【０１４７】
図１４に示すガス導入系２１０は，処理ガス導入系５１０と不活性ガス導入系５２０の各配管が合流して処理室２００へ接続するように構成される。処理ガス導入系５１０は，例えば処理ガス供給源５１２とガス導入バルブ（ガス導入弁）５１４を備える。なお，処理ガス導入系５１０は処理ガスの種類に応じて複数並列に設け，各処理ガスが合流して処理室２００へ導入されるような配管構成にしてもよい。
【０１４８】
不活性ガス導入系５２０は，例えば不活性ガス供給源５２２を備え，不活性ガス供給源５２２からの不活性ガスを一定の低流量で処理室２００へ導入可能な低流量導入系（第１導入系）５３０と，不活性ガス供給源５２２からの不活性ガスを低流量導入系５３０よりも大流量で処理室２００へ導入可能な大流量導入系（第２導入系）５４０とを並列に接続して構成される。
【０１４９】
低流量導入系５３０は，不活性ガス供給源５２２からの不活性ガスを一定流量に調整する絞り弁５３２と，ガス導入バルブ（ガス導入弁）５３４を備えて構成される。絞り弁５３２としては，例えばオリフィス，チョークなどの固定弁で構成してもよく，また流量の微調整が可能な可変弁で構成してもよい。また，ガス導入バルブ５３４と絞り弁５３２を１つのオリフィスバルブで構成してもよい。この低流量導入系５３０は，例えばウエハ処理のために処理室２００内へ処理ガスを導入する際に，Ｎ２ガスなどの不活性ガスを圧力調整用ガスとして処理室２００内へ導入する場合に使用される。このようなウエハ処理の際に低流量導入系５３０を使用する場合，絞り弁５３２によって調整される不活性ガスの流量は，処理室２００の圧力を調整できる程度の流量とする。
【０１５０】
大流量導入系５４０は，ガス導入バルブ（ガス導入弁）５４２を介して上記低流量導入系５３０の下流側に接続して構成される。この大流量導入系５４０は，例えば不活性ガスを導入しながら処理室２００内のパーティクル等を除去するクリーニング処理を行う際に使用される。このようなクリーニング処理としては，例えばＮ２ガスなどの不活性ガスを大流量で処理室２００内へ導入しながら排気することにより，所定条件下で発生する衝撃波（Shock Wave：音速を超えて伝わる圧力波）によって処理室２００内の内壁などから剥離するパーティクル等を排気とともに排出するパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）がある。このようなパーティクル低減処理の際に大流量導入系５４０を使用する場合，大流量導入系５４０による不活性ガスの流量は，ガス衝撃波によって処理室２００内のパーティクル等を除去できる程度の流量とする。
【０１５１】
なお，図１４に示す配管構成例では，不活性ガス導入系５２０を２系統の低流量導入系５３０と大流量導入系５４０によって構成した場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではない。例えば不活性ガス導入系５２０を１系統の導入系で構成して，不活性ガスの流量を流量調整バルブにより，ウエハ処理時には低流量に調整し，パーティクル低減処理時には大流量に調整するようにしてもよい。但し，いずれの構成においても，ウエハ処理時には不活性ガスを圧力調整ガスとして使用するので，ウエハ処理時に不活性ガスの流量を低流量にしたときには，常に一定の流量が確保される必要がある。
【０１５２】
ところが，上記のように不活性ガス導入系５２０を１系統で構成すると，流量調整バルブにより大流量から低流量への調整が繰返されるので，その流量調整バルブの性能によっては，低流量にしたときの流量を常に一定に保つことが困難な場合もある。この点，図１４に示すように不活性ガス導入系５２０を２系統にする場合には，大流量から低流量への調整する流量調整バルブが不要となり，安価な構成で常に一定の流量を確保することができる。また，不活性ガス導入系５２０を２系統にすることにより，後述する除害装置３００における共通排気系３１０の切換え制御も容易になる。
【０１５３】
このような図１４に示す配管構成の処理室２００でウエハＷの処理を行う際には，先ずその処理室２００のゲートバルブを閉じた状態で，図２に示す配管構成の処理室２００の場合と同様に真空引き処理を行って処理室２００内を所定圧力まで減圧する。そして，真空引き処理が終了すると，ゲートバルブを開いてウエハＷを処理室２００に搬入する。ウエハＷが載置台に載置されると，ゲートバルブを閉じてウエハＷの処理工程に移行する。
【０１５４】
この場合，例えば図１５に示すように切換バルブ２７０を閉成して排気系２２０を主排気系２３０にする。この状態で，処理ガス導入系５１０のガス導入バルブ５１４を開放することによって処理ガス供給源５１２からの処理ガスを処理室２００内に導入するとともに，不活性ガス導入系５２０のガス導入バルブ５４２を閉成したまま，ガス導入バルブ５３４を開放することによって不活性ガス供給源５２２からの不活性ガス（例えばＮ２ガス）を低流量導入系５３０を介して処理室２００内に導入することにより，ウエハＷの処理を開始する。このとき，不活性ガスが圧力調整用ガスの役割を果たして処理室２００内の圧力は所定圧力に維持される。この状態で，上記ウエハＷの処理を所定時間実行する。
【０１５５】
このようなウエハＷの処理で有害な成分を含む処理ガスを使用する場合は，上述したように処理室２００からは有害な成分を含む排ガスが排出されるので，除害装置３００の切換バルブ３５０を閉成することによって，共通排気系３１０を除害共通排気系３２０に切換える。これにより，ウエハＷの処理の際に生じる処理室２００からの排気を除害してから例えば工場の排気系へ排気を行うことができる。
【０１５６】
次に，ウエハＷの処理が完了してウエハが搬出された後に，例えば上述したようなパーティクル低減処理を行う場合には，切換バルブ２７０を開放して排気系２２０を補助排気系２４０にする。そして，処理ガス導入系５１０のガス導入バルブ５１４と不活性ガス導入系５２０のガス導入バルブ５３４は閉成した状態で，ガス導入バルブ５４２を開放することによって不活性ガス供給源５２２からの不活性ガス（例えばＮ２ガス）を大流量導入系５４０を介して処理室２００内に導入する。これにより，不活性ガス（例えばＮ２ガス）のガス衝撃波によって処理室２００の内壁などに付着したパーティクルが剥離して排気とともに排出される。
【０１５７】
このようなパーティクル低減処理では，有害な成分を含まないＮ２ガスなどの不活性ガスを使用するので，除害装置３００で除害する必要はない。それにも拘わらず，除害装置３００の除害手段３４０を介して排気すると，除害装置３００の負担が増大する。そこで，このようなパーティクル低減処理を行う際には上述したサイクルパージの場合と同様に，処理室２００からの排気を除害手段３４０を介さずに排出する。具体的には，図１６に示すように，除害装置３００の切換バルブ３５０を開放することによって，共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０に切換える。これにより，除害装置３００の負担を軽減することができる。
【０１５８】
なお，パーティクル低減処理では，図１６に示すように大流量導入系５４０のみを使用して不活性ガスを処理室２００へ導入するようにしてもよいが，ガス導入バルブ５４２，５３４を両方開放して大流量導入系５４０と低流量導入系５３０の両方を使用して不活性ガスを処理室２００へ導入するようにしてもよい。これによって，より大流量の不活性ガスを処理室２００へ導入することができる。
【０１５９】
また，図１４に示す配管構成の処理室２００Ａ，２００Ｂ等で並行して処理が行われる場合には，図１２，図１３に示すような第１処理，第２処理による排他処理が行われる。この場合，図１５に示すように処理ガス導入系５１０によって処理ガスを導入するとともに低流量導入系５３０によって不活性ガスを導入する処理例えばウエハ処理は，共通排気系３１０を除害共通排気系３２０に切換えて実行されるので，第２処理に相当する。これに対して，大流量導入系５４０（又は大流量導入系５４０と低流量導入系５３０の両方）によって不活性ガスを導入する処理例えばパーティクル低減処理は，共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０に切換えて実行されるので，第１処理に相当する。
【０１６０】
このような排他処理を行うことによって，例えば処理室２００Ａで第２処理に相当するウエハ処理が実行されている間は，他の処理室２００Ｂなどで第１処理に相当するパーティクル低減処理が実行されることはなく，逆に処理室２００Ａで第１処理に相当するパーティクル低減処理が実行されている間は，他の処理室２００Ｂなどで第２処理に相当するウエハ処理が実行されることはない。これにより，異なる処理室で上記のような第１処理と上記のような第２処理とが同時に実行されることを防止することができる。このため，図１４に示すような配管構成の処理室２００を備える基板処理装置においても，除害装置３００の負担を軽減しつつ，除害が必要な排気が除害されずに排気されることを確実に防止することができる。
【０１６１】
次に，図２に示すガス導入系２１０の他の構成例について図面を参照しながら説明する。図１７は，ガス導入系２１０の他の構成例を示すブロック図である。図１７に示す構成例は，図１４に示す不活性ガス導入系を処理室に不活性ガス（例えばＮ２ガス）を導入することにより大気開放する大気開放系として構成した具体例である。ここでは，このような不活性ガス導入系を処理室内の大気開放を行う場合に使用する他に，処理室内のパーティクル低減処理（例えば後述する２段階ＮＰＰＣ）を行う場合にも使用する。
【０１６２】
図１７に示すガス導入系２１０は，処理ガス導入系６１０と大気開放系としての不活性ガス導入系６２０の各配管が合流して，主バルブ（主弁）６０２を介して処理室２００へ接続するように構成される。処理ガス導入系６１０は，例えば処理ガス供給源６１２，上流側ガス導入バルブ（上流側ガス導入弁）６１４，流量制御器（例えばマスフローコントローラ）６１５，下流側ガス導入バルブ（下流側ガス導入弁）６１６を備える。なお，処理ガス導入系６１０は処理ガスの種類に応じて複数並列に設け，各処理ガスが合流して処理室２００へ導入されるような配管構成にしてもよい。
【０１６３】
不活性ガス導入系６２０は，例えば不活性ガス供給源６２２を備え，不活性ガス供給源６２２からの不活性ガスを一定の低流量で処理室２００へ導入可能な低流量導入系（第１導入系）６３０と，不活性ガス供給源６２２からの不活性ガスを低流量導入系６３０よりも大流量で処理室２００へ導入可能な大流量導入系（第２導入系）６４０とを並列に接続して構成される。
【０１６４】
低流量導入系６３０は，不活性ガス供給源６２２からの不活性ガスを一定流量に調整する絞り弁６３２と，下流側ガス導入バルブ（下流側ガス導入弁）６３６を備えて構成される。絞り弁６３２としては，例えばオリフィス，チョークなどの固定弁で構成してもよく，また流量の微調整が可能な可変弁で構成してもよい。また，下流側ガス導入バルブ６３６と絞り弁６３２を１つのオリフィスバルブで構成してもよい。大流量導入系６４０は，下流側ガス導入バルブ（下流側ガス導入弁）６４６を介して上記低流量導入系６３０の下流側に接続して構成される。
【０１６５】
処理ガス導入系６１０と不活性ガス導入系６２０とは，連通管６０４を介して接続されている。具体的には，処理ガス導入系６１０の上流側ガス導入バルブ６１４の下流側と不活性ガス導入系６２０の上流側ガス導入バルブ６２４の下流側とが，連通バルブ６０６を備える連通管６０４を介して接続されている。この連通バルブ６０６を開放することにより，不活性ガス導入系６２０からの不活性ガスは，連通管６０４を介して処理ガス導入系６１０の流量調整器６１５，下流側ガス導入バルブ６１６，主バルブ６０２をそれぞれ介して処理室２００へ導入される。これにより，不活性ガス導入系６２０からの不活性ガスを処理ガス導入系６１０の流量調整器６１５によって流量調整しながら処理室２００へ導入させることができる。
【０１６６】
次に，図１７に示すような配管構成の処理室２００で行われるクリーニング処理の具体例について説明する。ここでのクリーニング処理は，例えばＮ２ガスなどの不活性ガスを大流量で一時的に処理室２００内へ導入したときに，所定条件下で発生する衝撃波（Shock Wave：音速を超えて伝わる圧力波）によって処理室２００内の内壁などから剥離するパーティクル等を排気とともに排出するパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）が挙げられる。
【０１６７】
このようなパーティクル低減処理は制御部４００によって例えば図１８に示すような制御により実行される。図１８はパーティクル低減処理を実行する場合の制御の具体例を示すフローチャートである。ここでのパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）は，図１８に示すように第１パーティクル低減処理としての第１ＮＰＰＣ（ステップＳ３００）と，第２パーティクル低減処理としての第２ＮＰＰＣ（ステップＳ４００）との２段階のＮＰＰＣにより構成される。第１ＮＰＰＣは通常のＮＰＰＣであり，低圧環境下で実行される低圧ＮＰＰＣである。また，第２ＮＰＰＣはガス衝撃波によるクリーニング処理を含むＮＰＰＣであり，高圧環境下で実行される高圧ＮＰＰＣである。
【０１６８】
ここで，先ず第１ＮＰＰＣ（ステップＳ３００）の処理の具体例について図１９を参照しながら説明する。第１ＮＰＰＣは，図１９に示すように先ずステップＳ３１０にて実行前チェックを行う。実行前チェックは処理室２００がＮＰＰＣを正常に実行できる状態にあるかどうかをチェックするものである。例えばウエハの処理が実行されている場合，処理室内にウエハが存在する場合又は処理室からウエハが搬出されている途中である場合，メンテナンスが実行されている場合などには，処理室２００がＮＰＰＣを正常に実行できる状態ではない。
【０１６９】
ウエハの処理が実行されている場合としては，例えば処理ガスの導入中，ウエハの温度調整等のためのバックガスの導入中，ウエハを吸着保持する静電チャックの制御中，高周波電源の制御中などが挙げられる。ウエハの搬出途中である場合としては，例えば処理室のゲートが開放中が挙げられる。メンテナンスが実行されている場合としては，例えば処理室の蓋の開放中が挙げられる。
【０１７０】
このような場合には，処理室２００がＮＰＰＣを正常に実行できる状態ではない。このため，これらの事項を事前にチェックして，処理室２００がＮＰＰＣを正常に実行できる状態ではないと判断した場合は例えばＮＰＰＣ処理をエラー終了し，処理室２００がＮＰＰＣを正常に実行できる状態であると判断した場合はステップＳ３１２以降の処理を実行する。
【０１７１】
次に，ステップＳ３１２にて本引き排気処理を行う。具体的には主ポンプ２６０によって処理室２００内を所定の高真空圧まで排気する。なお，例えば所定時間が経過しても所定の高真空圧に達しない場合はタイムアウトによりエラー終了する。次いで，ステップＳ３１４にて処理室２００内が所定のクリーニング時圧力になるように例えば主排気系２３０の図示しない圧力調整バルブ（ＡＰＣ）による圧力制御を開始する。
【０１７２】
次いで，ステップＳ３１６に処理室２００内に不活性ガス（例えばＮ２ガス）を導入する。ここでは，不活性ガスを連通管６０４を介して処理ガス導入系６１０から導入する。具体的には例えば図２１に示すように，不活性ガス導入系６２０の下流側ガス導入バルブ６３６，６４６を閉じたまま，上流側ガス導入バルブ６２４，連通バルブ６０６を開放するとともに，処理ガス導入系６１０の上流側ガス導入バルブ６１４を閉じたまま，下流側ガス導入バルブ６１６，主バルブ６０２を開放する。これにより，不活性ガス供給源６２２からの不活性ガス（例えばＮ２ガス）は，連通管６０４を介して処理ガス導入系６１０から処理室２００内へ導入される。
【０１７３】
そして，ステップＳ３１８にて処理室２００内の圧力が安定したか否かを判断し，処理室２００内の圧力が安定したと判断すると，ステップＳ３２０にて印加電圧制御を行う。ここでは，例えばウエハを下部電極に吸着保持させるための静電チャックへの印加電圧を制御する。具体的には静電チャックへの印加電圧を正にして所定時間（例えば２秒）経過後にオフ（０）にし，次いで静電チャックへの印加電圧を負にして所定時間（例えば２秒）経過後にオフ（０）にするという印加電圧の極性変換制御を所定回数（例えば５回）だけ繰返す。これにより，処理室２００内のパーティクルが飛散し易くなるため，パーティクルを効果的に除去することができる。このような印加電圧の制御が終了すると，ステップＳ３２２にてクリーニング時圧力制御を停止する。例えば主排気系２３０の図示しない圧力調整バルブ（ＡＰＣ）を全開にする。
【０１７４】
次に，ステップＳ３２４にて不活性ガス導入系６２０の上流側ガス導入バルブ６２４を閉成して不活性ガスの導入を停止する。このとき，連通バルブ６０６，処理ガス導入系６１０の下流側ガス導入バルブ６１６，主バルブ６０２は開放したままにしておく。この状態で，ステップＳ３２６にて真空引き処理を行うことにより，処理ガス導入系６１０及び連通管６０４内の残留ガスを排気する。
【０１７５】
次いで，ステップＳ３２８にて再び本引き排気処理を行う。具体的には主ポンプ２６０によって処理室２００内を所定の高真空圧に到達するまで排気する。なお，例えば所定時間が経過しても所定の高真空圧に達しない場合はタイムアウトによりエラー終了する。こうして，一連の第１ＮＰＰＣを終了し，続いて第２ＮＰＰＣを実行する。
【０１７６】
次に，第２ＮＰＰＣ（ステップＳ４００）の処理の具体例について図２０を参照しながら説明する。第２ＮＰＰＣは，図２０に示すように先ずステップＳ４１０にて例えば主排気系２３０の図示しない圧力調整バルブ（ＡＰＣ）を閉成して本引き排気処理を停止する。次いでステップＳ４１２にて粗引き排気処理を開始する。具体的には補助ポンプ２５０を駆動して補助排気系２４０を介して処理室２００内を排気する。なお，第２ＮＰＰＣの処理を実行するに当って真空圧力計を保護するために，第２ＮＰＰＣの最初に真空圧力計の保護バルブを閉成しておくことが好ましい。
【０１７７】
続いて，ステップＳ４１４にて大気開放系である不活性ガス導入系６２０により不活性ガスを処理室２００内に導入する。ここでは，低流量導入系６３０及び大流量導入系６４０の両方を利用して不活性ガスを導入する。具体的には図２２に示すように上流側ガス導入バルブ６２４を開放するとともに，下流側ガス導入バルブ６３６，６４６，主バルブ６０２を開放して不活性ガスを導入する。そして，ステップＳ４１６にて所定時間（例えば５秒）の経過待ちとなる。所定時間が経過すると，ステップＳ４１８にて大流量導入系６３０の下流側ガス導入バルブ６４６を閉成して，例えば図２３に示すように低流量導入系６４０からのみ不活性ガスを導入する。
【０１７８】
次いで，ステップＳ４２０にて印加電圧制御を行う。ここでの印加電圧制御としては，例えばステップＳ３２０と同様の処理を実行する。次にステップＳ４２２にて不活性ガスの導入を停止して，ステップＳ４２４にて粗引き排気処理を終了する。具体的には先ず粗引き排気処理を実行したまま，主バルブ６０２は開放した状態で，不活性ガス導入系６２０の上流側ガス導入バルブ６２４及び下流側ガス導入バルブ６４６を閉成して不活性ガスの導入を停止し，所定時間経過を待つ。これにより，残留するパーティクルを除去することができる。そして，所定時間経過すると，補助ポンプ２５０を停止して粗引き排気処理を終了する。
【０１７９】
続いて，ステップＳ４２６にて主ポンプ２６０を駆動して本引き排気処理を行って，一連の第２ＮＰＰＣを終了する。なお，このような第２ＮＰＰＣは所定回数繰返し実行するようにしてもよい。
【０１８０】
このような図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）によれば，低圧環境下で実行される第１ＮＰＰＣと高圧環境下で実行される第２ＮＰＰＣとの２段階のＮＰＰＣを実行するため，処理室２００内のパーティクル等をより効率よく除去することができる。また，第２ＮＰＰＣによれば，所定時間（例えば５秒）に，すなわち一時的に大流量の不活性ガス（例えばＮ２ガス）が処理室２００に導入されることによってガス衝撃波が発生するので，処理室２００の内壁などに付着したパーティクルを効率よく剥離させることができる。
【０１８１】
また，図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）においても，上述したように，処理室２００で実行される処理が少なくとも排気の除害が不要で高い圧力状態（例えば５０Ｔｏｒｒ［６６．６ｈＰａ］以上）から実行される処理の場合には，共通排気系３１０を非除害共通排気系３３０に切換えられ，それ以外の処理の場合には共通排気系３１０を除害共通排気系３２０に切換えられる。これにより，図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）においても，除害装置３００の負担を軽減することができる。
【０１８２】
ところで，複数の処理室で同時に図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）の第１ＮＰＰＣ，第２ＮＰＰＣが実行される場合，各処理室内圧力が例えば５０Ｔｏｒｒ［６６．６ｈＰａ］より低い圧力状態であれば，各処理室ではそれぞれ図２１〜図２３に示すように共通排気系３１０を除害共通排気系３２０によって除害手段３４０を介して排気されることになる。従って，もし第２ＮＰＰＣが図１４に示すように大流量の不活性ガスを導入し続ける処理であるとすれば，複数の処理室で同時に大流量の不活性ガスを排気し続けると，除害装置３００の負担が大きくなると考えられる。
【０１８３】
この点，図２０に示すような第２ＮＰＰＣによれば，大流量の不活性ガスを導入し続けるのではなく，大流量の不活性ガスを一時的に導入するだけである。従って，図２０に示すような第２ＮＰＰＣによれば，たとえ複数の処理室で同時に第２ＮＰＰＣが実行されたとしても，大流量の不活性ガスが排気されるのは極めて短い時間だけなので，大流量の不活性ガスを導入し続ける場合に比して除害装置３００の負担を大幅に軽減することができる。
【０１８４】
なお，図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）は，例えばメンテナンス処理のときに実行される。また図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）は，自動検査処理（オートチェック処理）により所定時間ごと又はウエハの所定処理枚数ごとに実行される。この場合には，図１９に示す第１ＮＰＰＣの本引き排気処理（ステップＳ３１２）を実行する前に，不活性ガス（例えばＮ２ガス）によるパージ処理を停止して，例えば表示手段４５０にＮＰＰＣ実行中などの表示を行うとともに，図２０に示す第２ＮＰＰＣの本引き排気処理（ステップＳ４２６）の実行後に表示手段４５０にＮＰＰＣ実行中などの表示を消して，不活性ガス（例えばＮ２ガス）によるパージ処理を再開するようにしてもよい。
【０１８５】
例えば自動検査処理（オートチェック処理）で所定時間ごと又はウエハの所定処理枚数ごとに図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）を実行するように設定した場合には，例えば１ロット２５枚ずつウエハ処理を実行するバッチ処理の途中でパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）に移行する場合も考えられる。このような場合には，不活性ガス（例えばＮ２ガス）によるパージ処理の実行中にパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）に移行する場合も考えられるので，不活性ガスによるパージ処理を停止してから，パーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）に移行させる必要がある。これに対してメンテナンス処理の場合には，メンテナンス処理に移行されるのに先立って，パージ処理は完了しているはずなので，不活性ガスによるパージ処理を停止して再開する処理は必要がない。
【０１８６】
また，図１８に示すパーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）は，処理室２００のみならず，ロードロック室１６０に対して実行するようにしてもよい。この場合には，パーティクル低減処理（ＮＰＰＣ）を複数回繰返し実行するようにしてもよい。
【０１８７】
また，上記実施形態により詳述した本発明については，複数の機器から構成されるシステムに適用しても，１つの機器からなる装置に適用してもよい。上述した実施形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体をシステム或いは装置に供給し，そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ）が記憶媒体等の媒体に格納されたプログラムを読み出して実行することによっても，本発明が達成されることは言うまでもない。
【０１８８】
この場合，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラム自体が上述した実施形態の機能を実現することになり，そのプログラムを記憶した記憶媒体等の媒体は本発明を構成することになる。プログラムを供給するための記憶媒体等の媒体としては，例えば，フロッピー（登録商標）ディスク，ハードディスク，光ディスク，光磁気ディスク，ＣＤ−ＲＯＭ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＯＭ，ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，磁気テープ，不揮発性のメモリカード，ＲＯＭ，或いはネットワークを介したダウンロードなどを用いることができる。
【０１８９】
なお，コンピュータが読み出したプログラムを実行することにより，上述した実施形態の機能が実現されるだけでなく，そのプログラムの指示に基づき，コンピュータ上で稼動しているＯＳなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１９０】
さらに，記憶媒体等の媒体から読み出されたプログラムが，コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後，そのプログラムの指示に基づき，その機能拡張ボードや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵなどが実際の処理の一部または全部を行い，その処理によって上述した実施形態の機能が実現される場合も，本発明に含まれる。
【０１９１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１９２】
例えば上記実施形態では，処理ユニットを共通搬送室の周りに複数の処理室を接続した所謂クラスタツール型の基板処理装置を例に挙げて説明したが，例えば処理ユニットを処理室にロードロック室を接続し，搬送ユニットに複数の処理ユニットを並列に接続した所謂タンデム型の基板処理装置など他，基板処理装置の異常発生によって稼働が停止する様々なタイプの基板処理装置に本発明を適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１９３】
本発明は，半導体ウエハや液晶基板などの基板の処理において排気される排ガスを除害する除害装置を備える基板処理装置，基板処理装置の制御方法，プログラムに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１９４】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す基板処理装置の各処理室の配管構成例と除害装置の構成例を示すブロック図である。
【図３】１つの処理室のみが除害装置を使用して非除害共通排気系により排気を行う場合における排気の流れを説明する図である。
【図４】１つの処理室のみが除害装置を使用して除害共通排気系により排気を行う場合における排気の流れを説明する図である。
【図５】２つの処理室で並行して処理が行われる場合における排気の流れを説明する図である。
【図６】２つの処理室で並行して処理が行われる場合における排気の流れを説明する図である。
【図７】２つの処理室で並行して処理が行われる場合における排気の流れを説明する図である。
【図８】２つの処理室で並行して処理が行われる場合における排気の流れを説明する図である。
【図９】同実施形態における制御部の構成例を示すブロック図である。
【図１０】同実施形態における処理状況管理情報のデータテーブルの具体例を示す図である。
【図１１】同実施形態における除害装置使用権予約情報のデータテーブルの具体例を示す図である。
【図１２】同実施形態における第１処理を実行する場合の制御の具体例を示すフローチャートである。
【図１３】同実施形態における第２処理を実行する場合の制御の具体例を示すフローチャートである。
【図１４】図２に示すガス導入系の具体的構成例を示すブロック図である。
【図１５】図１４に示す配管構成の処理室でウエハ処理が行われるときの排気の流れを説明する図である。
【図１６】図１４に示す配管構成の処理室でパーティクル低減処理が行われるときの排気の流れを説明する図である。
【図１７】図２に示すガス導入系の他の具体的構成例を示すブロック図である。
【図１８】図１７に示す配管構成の処理室でパーティクル低減処理を行う場合の制御の具体例を示すフローチャートである。
【図１９】図１７に示す第１ＮＰＰＣの具体例を示すフローチャートである。
【図２０】図１７に示す第２ＮＰＰＣの具体例を示すフローチャートである。
【図２１】図１７に示す配管構成の処理室で第１ＮＰＰＣが行われるときの排気の流れを説明する図である。
【図２２】図１７に示す配管構成の処理室で第２ＮＰＰＣが行われるときの排気の流れを説明する図である。
【図２３】図１７に示す配管構成の処理室で第２ＮＰＰＣが行われるときの排気の流れを説明する図である。
【図２４】除害装置を備える基板処理装置の従来例を示すブロック図である。
【図２５】除害装置を備える基板処理装置の他の従来例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１９５】
１００      基板処理装置
１１０      処理ユニット
１２０      搬送ユニット
１３０      搬送室
１３１（１３１Ａ〜１３１Ｃ）      カセット台
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）      カセット容器
１３６      オリエンタ
１５０      共通搬送室
１６０Ｍ,１６０Ｎ      ロードロック室
１７０      搬送ユニット側搬送機構
１８０      処理ユニット側搬送機構
２００（２００Ａ〜２００Ｄ）      処理室
２１０（２１０Ａ〜２１０Ｄ）      ガス導入系
２１２（２１２Ａ〜２１２Ｄ）      ガス供給源
２１４（２１４Ａ〜２１４Ｄ）      ガス導入バルブ
２２０（２２０Ａ〜２２０Ｄ）      排気系
２３０（２３０Ａ〜２３０Ｄ）      主排気系
２４０（２４０Ａ〜２４０Ｄ）      補助排気系
２５０（２５０Ａ〜２５０Ｄ）      補助ポンプ
２６０（２６０Ａ〜２６０Ｄ）      主ポンプ
２７０（２７０Ａ〜２７０Ｄ）      切換バルブ
２８０（２８０Ａ〜２８０Ｄ）      圧力センサ
３００      除害装置
３１０      共通排気系
３２０      除害共通排気系
３３０      非除害共通排気系
３４０      除害手段
３５０      切換バルブ
４００      制御部
４１０      ＣＰＵ
４２０      ＲＯＭ
４３０      ＲＡＭ
４４０      計時手段
４５０      表示手段
４６０      入出力手段
４７０      報知手段
４８０      各種コントローラ
４９０      記憶手段
４９２      処理状況管理情報
４９４      除害装置使用権予約情報
５１０      処理ガス導入系
５１２      処理ガス供給源
５１４      ガス導入バルブ
５２０      不活性ガス導入系
５２２      不活性ガス供給源
５３０      低流量導入系
５３２      絞り弁
５３４      ガス導入バルブ
５４０      大流量導入系
５４２      ガス導入バルブ
６０２      主バルブ
６０４      連通管
６０６      連通バルブ
６１０      処理ガス導入系
６１２      処理ガス供給源
６１４      上流側ガス導入バルブ
６１５      流量調整器
６１６      下流側ガス導入バルブ
６２０      不活性ガス導入系
６２２      不活性ガス供給源
６２４      上流側ガス導入バルブ
６３０      低流量導入系
６３２      絞り弁
６３６      下流側ガス導入バルブ
６４０      大流量導入系
６４６      下流側ガス導入バルブ
Ｗ      ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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