(57)【要約】【課題】  磁気記録媒体用ガラス基板の円周方向に溝を形成するためのテクスチャー加工によって、溝を良好に、かつ、均一に形成することが可能な磁気記録媒体用ガラス基板を提供する。【解決手段】  基板表面の微小うねりの高さＷａが３Å以下で、表面の平均粗さＲａが６Å以上のガラス基板を用いる。表面の平均粗さＲａが６Å以上であるため、テクスチャー加工において、ガラス基板の表面にダイヤモンドを引っ掛けやすくなるので、溝を良好に形成することができる。また、うねりの高さＷａが３Å以下であるため、ガラス基板表面に均一に溝を形成することができる。【選択図】      図１
2006228284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状の形状を有し、その円盤の円周方向に溝を形成するためのテクスチャー加工が施される磁気記録媒体用ガラス基板であって、基板表面の微小うねりの高さＷａが３Å以下で、表面の平均粗さＲａが６Å〜１０Åであることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板。
【請求項２】
平面を有するガラス基板の表面を機械的に研磨する第１の研磨工程と、前記第１の研磨工程の後に、弗酸と蓚酸とを含む混合液で前記ガラス基板をエッチングする第２の研磨工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記弗酸の濃度は、０．０１重量％〜０．５重量％であることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記蓚酸の濃度は、１重量％〜５重量％であることを特徴とする請求項２又は請求項３のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記混合液の温度は、３０℃〜８０℃であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の研磨工程は、研磨荷重を８０ｋｇ〜１００ｋｇにして前記ガラス基板を研磨する工程を含むことを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、磁気記録媒体用ガラス基板に関し、特に、基板表面のうねりが低く、かつ、テクスチャー加工が容易な磁気記録媒体用ガラス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ等に用いられる磁気ディスク記録装置、例えばハードディスクには、アルミニウム合金又はガラスのディスクが基板として用いられている。この基板上に金属磁気薄膜が形成され、金属磁気薄膜を磁気ヘッドで磁化することにより情報が記録される。
【０００３】
磁気記録媒体用の基板として、従来は、主にアルミニウム合金が用いられていた。しかし、近年は、ノート型パソコン等の携帯できるパソコンにも磁気ディスク記録装置が採用され、磁気ディスク記録装置の応答速度を高めるために、磁気記録媒体を１００００［ｒｍｐ］以上で高速回転させる必要がある。従って、高強度な磁気記録媒体用の基板が必要とされてきており、これらの必要性を満たすものとしてガラス基板が用いられるようになった。このガラス基板には、アモルファスガラス基板、結晶化ガラス基板、又は化学強化ガラス基板が用いられる。
【０００４】
ここで、磁気記録媒体用のガラス基板の製造方法について簡単に説明する。まず、アモルファスガラス基板の製造方法について説明する。はじめに、ガラス素材を溶融し（ガラス溶融工程）、溶融したガラスを平面形状の型に流し込み、その型で溶融ガラスを挟むことによりプレス成形し、アモルファスガラス基板を作製する（プレス成形工程）。そのガラス基板の中心部に孔を開け、ドーナツ状の基板を作製する。
【０００５】
ドーナツ状のガラス基板は、両表面を研削加工され、ガラス基板の平行度、平坦度、及び厚さが予備調整される（第１ラッピング工程）。平行度等が予備調整されたガラス基板は、外周端面、孔の内周端面が研削され、面取りされて、ガラス基板の外径寸法及び真円度、並びに孔の内径寸法等が微調整される（端面研削加工工程）。なお、ダイヤモンドを用いて削る工程を研削工程と称する。外径寸法等が微調整されたガラス基板は、外周端面及び内周端面が研磨され、端面の鏡面化が行われる（端面研磨工程）。なお、ＣｅＯ２を用いて削る工程を研磨工程と称する。端面が研磨されたガラス基板は両表面を再度、研削加工され、ガラス基板の平行度、平坦度、及び厚さが微調整される（第２ラッピング工程）。平行度等が微調整されたガラス基板は、表面の凹凸を均一にするために、両表面が研磨され（ポリッシング工程）、最後に洗浄され、磁気記録媒体用の基板として用いられる。
【０００６】
また、結晶化ガラス基板を作製する場合は、上記のプレス成形工程の後に、ガラス基板をセラミック製の板で挟んで熱処理して結晶化させる。結晶化工程の後は、上述した第１ラッピング工程〜ポリッシング工程の処理が施される。
【０００７】
また、化学強化ガラス基板を作製する場合は、溶融及びプレス成形して得られたガラス基板（ブランクス材）に対して、ポリッシング工程までの処理を施した後、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム等の混合された溶融塩中に浸漬することにより表面に圧縮応力層を形成して破壊強度を高める。その後洗浄工程の処理が施される。
【０００８】
このようにして作製されたガラス基板の表面に磁性材料をスパッタリング法等により成膜することで、磁気記録媒体が作製される。また、磁気記録媒体に記録された磁気記録情報を読み取るための磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対してその表面から浮上した状態で移動するように構成されている。磁気記録媒体の表面に凹凸が存在すると、磁気ヘッドが移動するときにこれらの凹凸と磁気ヘッドとが衝突し、磁気ヘッドの損傷、磁気記録媒体の傷つき等の不具合が生じるおそれがある。このような不具合の発生を抑制するため、ガラス基板はその表面が平滑面となるように製造時に高精度の研磨処理（上記ポリッシング工程）が施され、表面の凹凸の発生を極力抑える試みがなされている。
【０００９】
ここで、ガラス基板表面の凹凸について説明する。ガラス基板の表面形状を測定すると、研磨処理等の研磨応力、製造時の歪み、撓み、反り等によってガラス基板の表面には「うねり」が発生している。この「うねり」は基板表面形状の一種で平面度に相当する。また、周期が「うねり」のものよりも小さいものは「微小うねり」と呼ばれ、「うねり」の上にその「微小うねり」が発生している。
【００１０】
「うねり（平面度）」は光学的な干渉（ニュ−トンリング）により測定され、基準平面と実際の平面のズレ量を干渉縞として計測する。
【００１１】
干渉縞の断面例を図１に示す。ＪＩＳ  Ｂ０６５１の規定に従って測定波長の範囲外の波長を除去すると、ガラス基板表面１０のうねりを表すうねり曲線１２が示される。なお、図１（ａ）中で測定断面曲線１１は実線で、うねり曲線１２は破線で示す。
【００１２】
「うねり」の上には「微小うねり」が発生している。図１（ｂ）に図１（ａ）の１部分を拡大した図を示す。図１（ｂ）において、直線で置き換えられたうねり曲線１２は破線で、微小うねり曲線１３は実線で示す。
【００１３】
「微小うねりの高さＷａ」は「Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ．Ｉｎｃ．」の多機能ディスク用干渉計（オプティフラット）を用いて測定される場合が多い。測定原理は、ガラス基板の表面に白色光を照射し、位相の異なる参照光と測定光の干渉の強度変化を測定することで、表面の微妙な形状変化を測定する方法である。得られた測定データを５ｍｍ以上、もしくは１ｍｍ以上の周期をカットオフすることで「微小うねりの高さＷａ」と定義する場合が多い。
【００１４】
「微小うねり」の曲線の上には、「表面粗さ」が発生する。ＪＩＳ  Ｂ０６０１の規定による「表面粗さ」の算術平均粗さＲａ、最大高さＲｍａｘ、及び最大山高さＲｐが求められる。なお、Ｒｍａｘは凹凸のうち、最も高い山と最も深い谷の高低差を示し、Ｒｐは各凸部のうち、中心線から最も高いものの高さを示す。
【００１５】
「うねり」はガラス基板に適正な研削・研磨処理を施したり、プレス成型工程にて適正な形状にプレス成型することによって、低く抑えることが可能である。そして、うねりの高さ（平面度）を低く抑えることで、磁気ヘッドは磁気記録媒体表面上で「うねり」に追従し、波状の軌跡を描きながら上下動してこのうねりを乗り越えることが可能となる。
【００１６】
一方、高密度記録化及び磁気ヘッドの低浮上化の要求に応じて、磁性粒の微細化、磁気異方性の向上、及び磁気ヘッドの吸着防止を主な目的として、ガラス基板の表面に「テクスチャー」と呼ばれる円周状の微細な溝を形成するテクスチャー加工が行われる（例えば、特許文献１）。このテクスチャー加工を行うことにより、磁気記録媒体上を磁気ヘッドが浮上し、シークするときに、磁気記録媒体と磁気ヘッドとが接触し摩擦するのを防止し、また、面内での磁化方向を記録方向である円周方向に配向させることができる。円周方向に配向させることにより、いわゆる「異方性媒体」として高密度記録が可能となる。
【００１７】
このテクスチャー加工により基板表面に形成される溝は、幅が１［μｍ］以下で、深さが０．１［ｎｍ］程度の同心円状である必要がある。この同心円状の溝に沿って磁性体を配列し、１つのビットを形成する。この加工をした磁性体は同心円に沿って異方性を持ち、Ｎ極とＳ極とが分離しやすくなるので、電磁変換特性のＳ／Ｎ比を高めることが可能となる。
【００１８】
このテクスチャー加工について、図２及び図３を参照しつつ説明する。図２は、ガラス基板の表面にテクスチャーを形成する装置の斜視図である。図３は、テクスチャーが形成されたガラス基板の上面図である。
【００１９】
テクスチャー加工は、ガラス基板１の表面１ａにダイヤモンドスラリーを滴下しながらテープ部材をガラス基板１の表面１ａに摺接することにより行われる、テクスチャー加工を行う装置は特に限定されず、いわゆるテクスチャーマシンが使用される。
【００２０】
図２に示すように、円盤状をなすガラス基板１の直上位置には、ガラス基板１の半径方向に延びるローラ２が回転自在に支持されている。テクスチャー加工用のテープ部材３は、図２の矢印に示すようにローラ２の一方の側からガラス基板１とローラ２の間を通り、ローラ２の他方の側へ抜けるように構成されている。このテープ部材３はガラス基板１とローラ２の間を通るときにローラ２の圧力によりガラス基板１の表面１ａに押圧されて摺接されるようになっている。テープ部材３としては、織布、不織布、植毛品等をテープ状に形成したものが用いられる。
【００２１】
そして、ガラス基板１が図２の矢印方向に回転され、その上方から研磨用スラリーとしてのダイヤモンドスラリー４が滴下されるとともに、テープ部材３が図２の矢印方向に移動される。このような動作によって、図３に示すように、ガラス基板１の表面１ａに同心円を描いて延びるテクスチャー５が形成される。
【００２２】
テクスチャー５の形成に用いられるテープ部材３の材質は特に限定されない。ポリエステルやナイロン等から構成される繊維の織布、不織布等、この種のテクスチャー５を形成するために使用されるものであればいかなるものであっても良い。
【００２３】
また、ダイヤモンドスラリー４に含まれるダイヤモンド砥粒の粒子径、形状は特に制限されず、要求されるテクスチャー５の線密度等に応じて適宜選定することができる。さらに、研削力を高めるためにダイヤモンドの他に、酸、アルカリ剤を添加したりしても良い。
【００２４】
【特許文献１】特開２００２−２５１７１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
このテクスチャー加工の制御は、ガラスの物性、特にガラスの硬度に大きく依存するが、他に、ガラス基板の「微小うねりの高さＷａ」、「表面平均粗さＲａ」にも大きく依存する。従来においては、ガラス基板の表面の「微小うねりの高さＷａ」及び「表面平均粗さＲａ」によって、テクスチャー加工による溝形成に面内でばらつきが生じてしまい、磁性膜を成膜した後に基板全面で良好な電磁変換特性が得られない問題があった。
【００２６】
上述したように、「微小うねりの高さＷａ」を低くすることで、磁気ヘッドはそのうねりを追従して乗り越えることができ、更に、テクスチャー加工においてガラス基板表面全面に均一に円周状の溝を形成することが可能となることは実験によって確かめられた。
【００２７】
ところが、「微小うねりの高さＷａ」が低くなるようにガラス基板を研磨加工すると「表面平均粗さＲａ」も同時に低くなり、表面平均粗さＲａが低くなることで、テクスチャー加工においてガラス基板の表面にダイヤモンドが引っ掛かることが困難となり、容易に円周状の溝を形成することができず、効率良く溝を形成することができないといったことが分かってきた。すなわち、基板を挟むテープにダイヤモンドスラリーをかけながら効率良く溝を形成するためには、表面平均粗さＲａが高い方が良いことが分かってきた。
【００２８】
しかしながら、テクスチャー加工によって比較的容易に円周状の溝を形成する様に、表面平均粗さＲａが高くなるようにガラス基板を研磨加工すると、微小うねりの高さＷａも一緒に高くなってしまい、磁気ヘッドが「微小うねり」を追従して乗り越えることが困難となり、更に、テクスチャー加工においてガラス基板表面全面に均一に円周状の溝を形成することが困難となる。
【００２９】
従って、磁気ヘッドがうねりを追従して乗り越えるようにするとともに、テクスチャー加工において円周状の溝を均一に形成するためには、微小うねりの高さＷａを低くする必要がある。一方、テクスチャー加工において比較的容易に円周状の溝を形成するためには、表面平均粗さＲａを高くする必要がある。
【００３０】
この発明は上記の事情を鑑みてなされたものであり、テクスチャー加工において比較的容易に溝を形成し、かつ、均一に形成するために、微小うねりの高さＷａが低く、表面平均粗さＲａが高いガラス基板を提供することを目的とする。さらに、そのガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
請求項１記載の発明は、円盤状の形状を有し、その円盤の円周方向に溝を形成するためのテクスチャー加工が施される磁気記録媒体用ガラス基板であって、基板表面の微小うねりの高さＷａが３Å以下で、表面の平均粗さＲａが６Å〜１０Åであることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板である。
【００３２】
この発明のガラス基板によると、表面平均粗さＲａが６Å以上と高いため、テクスチャー加工において、ガラス基板の表面にダイヤモンドが引っ掛かりやすくなるので、溝形成が比較的容易になり、効率良くテクスチャー（円周状の溝）を形成することが可能となる。また、微小うねりの高さＷａが３Å以下と低いため、ガラス基板表面に均一にテクスチャー（円周状の溝）を形成することができる。
【００３３】
なお、表面平均粗さＲａが１０Åを超えると、このガラス基板を用いて作製された磁気記録媒体において電気磁気的な欠陥数が増加するおそれがあるため、ガラス基板の表面平均粗さＲａを１０Å以下にする方が好ましい。また、表面平均粗さＲａが６Å〜８Åであることが更に好ましい。表面平均粗さＲａを６Å〜８Åにすると、電気的な欠陥数が更に少ない磁気記録媒体を作製することが可能となるからである。
【００３４】
請求項２に記載の発明は、平面を有するガラス基板の表面を機械的に研磨する第１の研磨工程と、前記第１の研磨工程の後に、弗酸と蓚酸とを含む混合液で前記ガラス基板をエッチングする第２の研磨工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法である。
【００３５】
機械的にガラス基板の表面の研磨することにより、微小うねりの高さＷａを低くすることができる。一方、第１の研磨工程の後、フッ素化合物系のエッチング溶液、具体的には弗酸と蓚酸とを含む混合液でガラス基板をエッチングすると、微小うねりの高さＷａを低く維持しつつ、表面平均粗さＲａを高くすることができる。これにより、テクスチャー加工において溝形成が容易で、かつ、均一にテクスチャーを形成することができるガラス基板を製造することが可能となる。
【００３６】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、前記弗酸の濃度は、０．０１重量％〜０．５重量％であることを特徴とするものである。
【００３７】
弗酸の濃度を０．０１重量％〜０．５重量％とすることにより、表面平均粗さＲａを６Å〜１０Åにすることが可能となる。従って、この発明によると、テクスチャー加工において溝形成が容易なガラス基板を製造することが可能となる。
【００３８】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は請求項３のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、前記蓚酸の濃度は、１重量％〜５重量％であることを特徴とするものである。
【００３９】
蓚酸の濃度を１重量％〜５重量％とすることにより、表面平均粗さＲａを６Å〜１０Åにすることが可能となる。従って、この発明によると、テクスチャー加工において溝形成が容易なガラス基板を製造することが可能となる。
【００４０】
請求項５に記載の発明は、請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、前記混合液の温度は、３０℃〜８０℃であることを特徴とするものである。
【００４１】
請求項６に記載の発明は、請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、前記第１の研磨工程は、研磨荷重を８０ｋｇ〜１００ｋｇにして前記ガラス基板を研磨する工程を含むことを特徴とするものである。
【００４２】
機械的にガラス基板を研磨する第１の研磨工程において、研磨荷重を８０ｋｇ〜１００ｋｇにしてガラス基板を研磨することにより、微小うねりの高さＷａを３Å以下にすることが可能となる。なお、ガラス基板１枚あたりの面積は０．００３０ｍ２／枚である。同時に加工する枚数を１００枚とすると、有効面積は０．３ｍ２となる。このときの研磨圧力は２６６ｋｇ／ｍ２〜３３３ｋｇ／ｍ２となる。これにより、均一にテクスチャーを形成することができるガラス基板を製造することが可能となる。また、端部ロールオフ値を規格値内に収めるために、研磨荷重は１００ｋｇ程度以下（上記の研磨圧力にして、３３３ｋｇ／ｍ２以下）であることが望ましい。
【発明の効果】
【００４３】
請求項１に記載の発明によると、表面平均粗さＲａを高くすることで、テクスチャー加工においてガラス基板表面に比較的容易にテクスチャー（円周状の溝）を形成することが可能となり、効率良くテクスチャーを形成することが可能となる。さらに、微小うねりの高さＷａを低くすることで、テクスチャーをガラス基板全面に均一に形成することが可能となる。その結果、基板全面に電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を作製することが可能となる。
【００４４】
特に、微小うねりの高さＷａを３Å以下にすることにより、テクスチャーをガラス基板に均一に形成することができ、更に、表面平均粗さＲａを６Å〜１０Åにすることにより、比較的容易にテクスチャーをガラス基板に形成することが可能となる。
【００４５】
請求項２に記載の発明によると、ガラス基板を機械的に研磨し、さらに、フッ素化合物系のエッチング溶液、具体的には弗酸と蓚酸とを含む混合液でエッチングすることにより、微小うねりの高さＷａが低く、表面平均粗さＲａが高いガラス基板を作製することが可能となる。つまり、テクスチャーを形成することが容易で、均一に形成することが可能なガラス基板を作製することが可能となる。
【００４６】
請求項３に記載の発明によると、弗酸の濃度を０．０１重量％〜０．５重量％とすることにより、表面平均粗さＲａを６Å〜１０Åにすることが可能となる。このように、テクスチャー加工において溝形成が容易なガラス基板を製造することが可能となる。
【００４７】
請求項４に記載の発明によると、蓚酸の濃度を１重量％〜５重量％にすることにより、表面平均粗さＲａを６Å〜１０Åにすることが可能となる。このように、テクスチャー加工において溝形成が容易なガラス基板を製造することが可能となる。
【００４８】
請求項６に記載の発明によると、研磨荷重を８０ｋｇ〜１００ｋｇ（上記の研磨圧力にして、２６６ｋｇ／ｍ２〜３３３ｋｇ／ｍ２）にしてガラス基板を研磨することにより、微小うねりの高さＷａを３Å以下にすることが可能となる。このように、均一にテクスチャーを形成することができるガラス基板を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、この発明の実施形態に係る磁気記録媒体用のガラス基板について説明する。本実施形態に係る磁気記録媒体用のガラス基板は、中心に円形状の孔が形成されたドーナツ状の円盤からなり、ハードディスク等の磁気記録媒体の基板として用いられる。このガラス基板は、フロート法、プレス法等の方法で製造されたソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス、リチウムシリケートガラス、ボロンシリケートガラス、等で形成されている。
【００５０】
そして、このガラス基板の基板表面に対してテクスチャー加工を施すことにより、基板表面にテクスチャー（同心円状の溝）を形成し、更に表面に磁性膜を積層することにより、磁気記録媒体が形成される。
【００５１】
本実施形態に係るガラス基板表面の微小うねりの高さＷａは３Å以下であり、表面平均粗さＲａは６Å以上である。また、表面平均粗さＲａは、１０Å以下であることが好ましい。
【００５２】
微小うねりの高さＷａは、オプティフラットを用いて測定された値である。通常、１ｍｍ〜１０ｍｍの周期をカットオフすることで定義される。また、表面平均粗さＲａは、ＡＦＭを用いて測定された値である。従って、この実施形態に係るガラス基板は、オプティフラットを用いて１ｍｍ〜１０ｍｍの周期をカットオフすることで定義された微小うねりの高さＷａを測定した場合に、その微小うねりの高さＷａが３Å以下であり、ＡＦＭを用いて表面平均粗さＲａを測定した場合に、その表面平均粗さＲａが６〜１０Åとなっている。なお、微小うねりの高さＷａが３Å以下であれば、この実施形態の作用及び効果を奏するが、下限値は、測定装置であるオプティフラットの検出限界以上となる。
【００５３】
（作用及び効果）
このガラス基板に対してテクスチャー加工を施す。表面平均粗さＲａが６Å以上と高いため、ガラス基板の表面にダイヤモンドが引っ掛かりやすくなり、テクスチャー（円周状の溝）を容易に形成することが可能となる。さらに、微小うねりの高さＷａが３Å以下と低いため、ガラス基板の表面全体に均一にテクスチャーを形成することが可能となる。また、微小うねりの高さＷａが低いため、磁気ヘッドはそのうねりを追従して乗り越えることが可能となる。
【００５４】
なお、表面平均粗さＲａは１０Å以下にした方が良い。表面平均粗さＲａが１０Åを超えると、本実施形態に係るガラス基板を用いて作製された磁気記録媒体において電気磁気的な欠陥数が増加するおそれがあるため、ガラス基板の表面平均粗さＲａを１０Å以下にする方が好ましい。また、表面平均粗さＲａが６Å〜８Åであることが更に好ましい。表面平均粗さＲａを６Å〜８Åにすると、電気磁気的な欠陥数が更に少ない磁気記録媒体を作製することが可能となるからである。
【００５５】
（製造方法）
本実施形態に係るガラス基板を得るためには、微小うねりの高さＷａを低くするための工程と、表面平均粗さＲａを高くするための工程が必要である。まず、従来技術と同様に、溶融成形したガラス基板に対して、第１のラッピング工程、端面研削加工工程、端面研磨工程、及び第２のラッピング工程の処理を施す。そして、ポリッシング工程においてガラス基板を研磨することにより、本実施形態に係るガラス基板を作製する。以下、ポリッシング工程について詳しく説明する。
【００５６】
ポリッシング工程は、第１のポリッシング工程と第２のポリッシング工程とに分かれており、第１のポリッシング工程は、上記の第１のラッピング工程から第２のラッピング工程までに実施された研削によるガラス基板のダメージを除去するための工程である。第２のポリッシング工程は、その第１のポリッシング工程で残存するダメージを除去するための工程である。
【００５７】
このポリッシング工程では、公知のポリッシング装置が用いられ、スエード研磨布を用いてガラス基板の両面を研磨する。この実施形態においては、第２のポリッシング工程により微小うねりの高さＷａを低くする。微小うねりの高さＷａを低くするためには、研磨布の硬度を高くして研磨することが一般的であるが、研磨終了間際に表面状態を調整するために研磨条件の変更を行う。
【００５８】
第２のポリッシング工程においてはガラス基板に対して研磨加工を施すことにより、１〜３μｍ程度、表面を除去する（この工程を除去加工と称する）。この除去加工は、第１のポリッシング工程で残存するダメージの除去を狙いとしており、効率の視点から、加工荷重を１００〜２００ｋｇに、定盤の回転数を３０〜６０ｒｐｍに設定し、毎分０．１〜０．５μｍの除去速度で加工する。なお、ガラス基板１枚あたりの面積は０．００３０ｍ２／枚である。同時に加工する枚数を１００枚とすると、有効面積は０．３ｍ２となる。このときの研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２〜６６６ｋｇ/ｍ２となる。この除去加工が終了した後、調整加工に移り、加工荷重を５０〜１００ｋｇ（研磨圧力は１６６ｋｇ/ｍ２〜３３３ｋｇ/ｍ２）、回転数を２０〜４０ｒｐｍに設定し、２〜５分間の調整加工を実施する。
【００５９】
この調整加工は、ガラス基板端部のダレ量（端部ロールオフ値）のコントロールを狙いとしているが、この実施形態に係るガラス基板の製造方法においては、同時に微小うねりの高さＷａが低くなる様に調整加工における条件の見直しを行った。そして、微小うねりの高さＷａを３Å以下にするためには、研磨荷重を８０ｋｇ（研磨圧力は２６６ｋｇ/ｍ２）以上にして調整加工を実施する必要があることが判明した。さらに、端部ロールオフ値を良好にするとともに、微小うねりの高さＷａを３Å以下にコントロールするには、荷重を８０ｋｇ（研磨圧力は２６６ｋｇ/ｍ２）以上、回転数を５０ｒｐｍ以上に設定して調整加工を実施する必要があることが判明した。
【００６０】
第２のポリッシング工程で使用する研磨材は、酸化セリウムの微粒子をスラリー状にして使用する。なお、通常は、効率の視点から平均粒子サイズが０．５μｍ程度の酸化セリウムを用いるが、０．２μｍ程度の微粒子酸化セリウムからなるスラリーを使用すると、上述の調整加工を容易に実施することができる。
【００６１】
研磨布を用いてガラス基板を研磨すると、微小うねり高さＷａは低くなるが、表面平均粗さＲａも一緒に低くなってしまう。例えば、微小うねり高さＷａを３Å以下になるまで研磨すると、表面平均粗さＲａは４Å以下になってしまう。そこで、研磨布による研磨の後に、ウェットエッチングによりガラス基板をエッチングし、表面平均粗さＲａを高くする。
【００６２】
表面平均粗さＲａを高くするために、フッ素化合物系のエッチング液で研磨後のガラス基板をエッチングする。例えば、弗酸、フッ化アンモニウム、硅フッ化水素酸等を用い、更に、緩衝液として蓚酸、りんご酸、蟻酸等の有機酸を用いてエッチングを行なう。このように、研磨布による研磨後にエッチングを行なうと、表面の平均粗さＲａを高くすることが可能となる。
【００６３】
［実施例］
次に、本実施形態に係るガラス基板の実施例について具体的に説明する。
【００６４】
（実施例１）
この実施例１では、研磨荷重の大きさを変えて調整加工を実施した。この実施例１で用いたガラス基板について以下に説明する。なお、この実施例１のガラス基板には中央に孔が形成されている。
材質：硼珪酸ガラスからなるアモルファスガラス
外径：６５ｍｍ
内径：２０ｍｍ
厚さ：０．６３５ｍｍ
【００６５】
除去加工の条件を以下に示す。
定盤の回転数：３０ｒｐｍ
研磨荷重：１５０ｋｇ（研磨圧力は５００ｋｇ/ｍ２）
加工時間：１０分
加工除去量：３μｍ
加工数量：１００枚
上述の条件で研磨した後、調整加工を実施した。
【００６６】
調整加工の条件を以下に示す。
定盤の回転数：４０ｒｐｍ
調整時間：２分
研磨荷重：５０ｋｇ、８０ｋｇ、１００ｋｇから選択した。
上記の条件で調整加工を実施し、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、端部ロールオフ値を測定した。この実施例で用いた研磨機、研磨布及び研磨材を以下に示す。
研磨機：「浜井産業」製の１６Ｂ型両面研磨機
研磨布：「カネボウ」製のスエードタイプ研磨布
研磨材：「昭和電工」製の酸化セリウム研磨材（平均粒子径０．５μｍ）
【００６７】
なお、微小うねりの高さＷａは、オプティフラットを用いて測定された値である。微小うねりの高さＷａは、通常、１ｍｍ〜１０ｍｍの周期をカットオフすることで定義されるが、この実施例においては５ｍｍの周期をカットオフすることで定義した。また、表面平均粗さＲａは、ＡＦＭを用いて測定された値である。
【００６８】
研磨荷重が５０ｋｇ（研磨圧力は１６６ｋｇ/ｍ２）の場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：３．３Å、（最大値）：４．４Å、（最小値）：２．６Å、（標準偏差）：０．５３Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．６Å、（最大値）：４．９Å、（最小値）：４．２Å、（標準偏差）：０．１４Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０５μｍ、（最大値）：−０．０３μｍ（最小値）：−０．１２μｍ、（標準偏差）：０．０３１μｍ
【００６９】
研磨荷重が８０ｋｇ（研磨圧力は２６６ｋｇ/ｍ２）の場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．７Å、（最大値）：２．９Å、（最小値）：２．２Å、（標準偏差）：０．１１Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．２Å、（最大値）：４．５Å、（最小値）：３．９Å、（標準偏差）：０．２０Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０８μｍ、（最大値）：−０．０３μｍ、（最小値）：−０．１４μｍ、（標準偏差）：０．０３８μｍ
【００７０】
研磨荷重が１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）の場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．４Å、（最大値）：２．８Å、（最小値）：２．１Å、（標準偏差）：０．１３Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．３Å、（最大値）：４．６Å、（最小値）：３．８Å、（標準偏差）：０．１６
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０９μｍ、（最大値）：−０．０３μｍ、（最小値）：−０．１６μｍ、（標準偏差）：０．０４１μｍ
【００７１】
研磨荷重が５０ｋｇ（研磨圧力は１６６ｋｇ/ｍ２）の場合は、微小うねりの高さＷａが３Å以下にならないが、８０ｋｇ（研磨圧力は２６６ｋｇ/ｍ２）以上にするとバラツキを含めても微小うねりの高さＷａを３Å以下にすることが可能となる。しかし、この工程のみでは、表面平均粗さＲａは高くならない。また、端部ロールオフ値は規格が−０．２〜＋０．２μｍの範囲であり、研磨荷重を１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）以上にすると、規格外になってしまうことが判明した。
【００７２】
（実施例２）
実施例２では、研磨荷重を１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）に固定し、回転数を変えて調整加工を実施した。この実施例では実施例１で用いたガラス基板と同じガラス基板を用い、調整加工の条件のみを変えた。
【００７３】
除去加工の条件を以下に示す。この除去加工の条件は、実施例１と同じである。
定盤の回転数：３０ｒｐｍ
研磨荷重：１５０ｋｇ（研磨圧力は５００ｋｇ/ｍ２）
加工時間：１０分
除去量：３μｍ
加工数量：１００枚
上記の条件で研磨した後、調整加工を実施した。
【００７４】
調整加工の条件を以下に示す。
定盤の回転数：４０、５０、６０ｒｐｍから選択した。
調整時間：２分
研磨荷重：１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）
上記の条件で調整加工を実施し、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、端部ロールオフ値を測定した。研磨機、研磨布及び研磨材については、実施例１と同じである。
【００７５】
回転数が４０ｒｐｍの場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．４Å、（最大値）：２．８Å、（最小値）：２．１Å、（標準偏差）：０．１３Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．３Å、（最大値）：４．６Å、（最小値）：３．８Å、（標準偏差）：０．１６Å
＜ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０９μｍ、（最大値）：−０．０３μｍ、（最小値）：−０．１６μｍ、（標準偏差）：０．０４１μｍ
【００７６】
回転数が５０ｒｐｍの場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．１Å、（最大値）：２．６Å、（最小値）：１．９Å、（標準偏差）：０．０８１Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．１Å、（最大値）：４．４Å、（最小値）：３．９Å、（標準偏差）：０．１２Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０３μｍ、（最大値）：±０．００μｍ、（最小値）：−０．１０μｍ、（標準偏差）：０．００７１μｍ
【００７７】
回転数が６０ｒｐｍの場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．２Å、（最大値）：２．５Å、（最小値）：１．７Å、（標準偏差）：０．０７３Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．１Å、（最大値）：４．３Å、（最小値）：３．８Å、（標準偏差）：０．０８３Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０３μｍ、（最大値）：＋０．０１μｍ、（最小値）：−０．０８μｍ、（標準偏差）：０．００６２μｍ
【００７８】
研磨荷重を１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）に固定し、回転数を上げると微小うねりの高さＷａは更に改善し、かつ端部ロールオフ値も改善する。表面平均粗さＲａはバラツキが少なくなるが、高くはならない。
【００７９】
（実施例３）
実施例３では、回転数を５０ｒｐｍ、研磨荷重を１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）に固定し、調整時間を変えて調整加工を実施した。この実施例では、実施例１、２で用いたガラス基板と同じガラス基板を用い、調整加工の条件のみを変えた。
【００８０】
除去加工の条件を以下に示す。この除去加工の条件は、実施例１、２と同じである。
定盤の回転数：３０ｒｐｍ
研磨荷重：１５０ｋｇ（研磨圧力は５００ｋｇ/ｍ２）
加工時間：１０分
除去量：３μｍ
加工数量：１００枚
上記の条件で研磨した後、調整加工を実施した。
【００８１】
調整加工の条件を以下に示す。
定盤の回転数：５０ｒｐｍ
調整時間：１分、２分、４分から選択した。
研磨荷重：１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）
上記の条件で調整加工を実施し、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、端部ロールオフ値を測定した。研磨機、研磨布、研磨材については、実施例１、２と同じである。
【００８２】
調整時間が１分の場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．３Å、（最大値）：２．８Å、（最小値）：１．８Å、（標準偏差）：０．１４Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．２Å、（最大値）：４．５Å、（最小値）：４．０Å、（標準偏差）：０．１７Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０５μｍ、（最大値）：−０．０１μｍ、（最小値）：−０．１２μｍ、（標準偏差）：０．０２１μｍ
【００８３】
調整時間が２分の場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．１Å、（最大値）：２．６Å、（最小値）：１．９Å、（標準偏差）：０．０８１Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．１Å、（最大値）：４．４Å、（最小値）：３．９Å、（標準偏差）：０．１２Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０３μｍ、（最大値）：±０．００μｍ、（最小値）：−０．１０μｍ、（標準偏差）：０．００７１μｍ
【００８４】
調整時間が４分の場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：１．９Å、（最大値）：２．３Å、（最小値）：１．６Å、（標準偏差）：０．０５２Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．２Å、（最大値）：４．３Å、（最小値）：３．９Å、（標準偏差）：０．０７２Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０３μｍ、（最大値）：±０．００μｍ、（最小値）：−０．０５μｍ、（標準偏差）：０．００３２μｍ
【００８５】
以上のように、研磨荷重を１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）、回転数を５０ｒｐｍに固定し、調整時間を長くするほど、微小うねりの高さＷａはバラツキが低下し、更に改善される。端部ロールオフ値も改善される。表面平均粗さＲａはバラツキが少なくなるが、高くはならない。
【００８６】
実施例１、２、３を総合すると、調整加工における回転数を高くし、更に、調整時間を長くするほど微小うねりの高さＷａの値はバラツキが減り、良好な値になるが、回転数は研磨加工機の性能上の制限があるため、その制限内の回転数で加工する必要がある。また、研磨荷重を高くすると端部ロールオフ値が低下（悪化）するが、１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）程度であれば端部ロールオフ値は低下（悪化）しないため、高くても１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）程度で加工することが好ましい。
【００８７】
（実施例４）
実施例４では、調整加工における回転数、調整時間及び研磨荷重の条件を好ましい条件とし、研磨材の平均粒子径を０．５μｍから０．２５μｍに変更して調整加工を実施した。
【００８８】
除去加工の条件を以下に示す。この除去加工の条件は、実施例１〜３と同じである。
定盤の回転数：３０ｒｐｍ
研磨荷重：１５０ｋｇ（研磨圧力は５００ｋｇ/ｍ２）
加工時間：１０分
除去量：３μｍ
加工数量：１００枚
上記の条件で研磨した後、調整加工を実施した。
【００８９】
調整加工の条件を以下に示す。
定盤の回転数：５０ｒｐｍ
調整時間：２分
研磨荷重：１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）
研磨材の平均粒子径（Ｄ５０値）：０．２５μｍ
上記の条件で調整加工を実施し、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、端部ロールオフ値を測定した。研磨機及び研磨布は実施例１〜３と同じである。
【００９０】
研磨材の平均粒子径が０．２５μｍの場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．１Å、（最大値)：２．６Å、（最小値）：１．９Å、（標準偏差）：０．０８１Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．１Å、（最大値）：４．４Å、（最小値）：３．９Å、（標準偏差）：０．１２Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０３μｍ、（最大値）：±０．００μｍ、（最小値）：−０．１０μｍ、（標準偏差）：０．００７１μｍ
【００９１】
以上のように、研磨材の平均粒子径を０．２５μｍにしても、上記の実施例１〜実施例３と同様に、微小うねりの高さＷａを３Å以下にすることが可能となる。
【００９２】
次に、上記の実施例１〜４に対する比較例を示す。
（比較例１）
この比較例１では、上記の実施例１〜４で用いたと同じガラス基板を用い、従来実施してきた加工条件で調整加工を実施した。
【００９３】
除去加工の条件を以下に示す。この除去加工の条件は、実施例１〜４と同じである。
定盤の回転数：３０ｒｐｍ
研磨荷重：１５０ｋｇ（研磨圧力は５００ｋｇ/ｍ２）
加工時間：１０分
除去量：３μｍ
加工数量：１００枚
上記の条件で研磨した後、調整加工を実施した。
【００９４】
調整加工の条件を以下に示す。
定盤の回転数：３０ｒｐｍ
調整時間：２分
研磨荷重：５０ｋｇ（研磨圧力は１６６ｋｇ/ｍ２）
研磨材の平均粒子径（Ｄ５０値）：０．８μｍ
上記の条件で調整加工を実施し、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ、端部ロールオフ値を測定した。研磨機及び研磨布については、実施例１〜４と同じである。
【００９５】
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：３．６Å、（最大値）：４．２Å、（最小値）：３．１Å、（標準偏差）：０．３２Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：４．７Å、（最大値）：５．２Å、（最小値）：４．２Å、（標準偏差）：０．３９Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０２、（最大値）：＋０．０１、（最小値）：−０．０５、（標準偏差）：０．００３２Å
【００９６】
端部ロールオフ値は良好な値となるが、微小うねりの高さＷａは平均値、バラツキともに大きく、この発明の実施形態に係るガラス基板を作製することはできない。また、表面平均粗さＲａは高くなるが、この発明の実施形態に係るガラス基板に要求されるレベルには至らない。
【００９７】
以上の実施例１〜４によると、微小うねりの高さＷａを低く（３Å以下）にすることができ、それにより、テクスチャー加工において円周状の溝を均一に形成することが可能となる。上記の実施例１〜４によると、微小うねりの高さＷａとともに表面平均粗さＲａも低くなってしまう。表面平均粗さＲａを高くするために、上記の実施例１〜４で作製された微小うねりの高さＷａが低い（３Å以下）ガラス基板に対してエッチングを施すことにより、表面平均粗さＲａを高くする。以下に示す実施例５〜実施例８において、そのエッチングについて説明する。
【００９８】
（実施例５）
実施例５では、実施例４の調整加工後のガラス基板に対してウェットエッチングを施した例について説明する。表面平均粗さＲａを高くするために、エッチング液を用いてガラス基板をエッチングする。このエッチングにおける条件を以下に説明する。
【００９９】
エッチング液：弗酸０．１重量％、蓚酸３重量％の混合液
エッチング液の温度：５０℃
エッチング時間：１６０秒
【０１００】
エッチング後の微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．２Å、（最大値）：２．７Å、（最小値）：１．９Å、（標準偏差）：０．０９１Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：７．２Å、（最大値）：７．８Å、（最小値）：６．８Å、（標準偏差）：０．３２Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０３μｍ、（最大値）：±０．００μｍ、（最小値）：−０．１０μｍ、（標準偏差）：０．００６８μｍ
【０１０１】
以上のように、微小うねりの高さＷａを低く維持しつつ、表面平均粗さＲａを高くすることが可能となる。なお、端部ロールオフ値も良好に保たれている。具体的には、微小うねりの高さＷａを３Å以下に維持しつつ、表面平均粗さＲａを６Å以上にすることが可能となる。
【０１０２】
このように作製されたガラス基板を用いると、表面平均粗さＲａが６Å以上と高いため、ガラス基板の表面にダイヤモンドが引っ掛かりやすくなり、テクスチャーを容易に形成することが可能となり、さらに、微小うねりの高さＷａが３Å以下と低いため、ガラス基板の表面全体に均一にテクスチャーを形成することが可能となる。また、微小うねりの高さＷａが低いため、磁気ヘッドはそのうねりを追従して乗り越えることが可能となる。また、表面平均粗さＲａを１０Å以下となるため、電気磁気的な欠陥数が増加するおそれがなくなる効果もある。
【０１０３】
（実施例６）
実施例６では、エッチング液の条件を変えてエッチングを行なった。また、実施例１の調整加工後のガラス基板に対してウェットエッチングを施した。
エッチング条件
液組成：弗酸を０．０１重量％、０．２重量％、０．５重量％から選択し、蓚酸を３重量％とした。
液温度：５０℃
時間：１６０秒
【０１０４】
エッチング後の微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値について評価を行った。
【０１０５】
弗酸の濃度が０．０１重量％の場合、微小うねりの高さＷａ、表面平均粗さＲａ及び端部ロールオフ値は、以下のようになった。
＜微小うねりの高さＷａ＞
（平均値）：２．１Å、（最大値）：２．６Å、（最小値）：２．０Å、（標準偏差）：０．１０Å
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：６．４Å、（最大値）：７．２Å、（最小値）：６．２Å、（標準偏差）：０．２７Å
＜端部ロールオフ値＞
（平均値）：−０．０３μｍ、（最大値）：±０．００μｍ、（最小値）：−０．１０μｍ、（標準偏差）：０．００７２μｍ
【０１０６】
微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値については変化が無いので、微小うねりＲａのみを評価した。
【０１０７】
弗酸の濃度が０．２重量％の場合、表面平均粗さＲａは以下のようになった。
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：７．６Å、（最大値）：７．９Å、（最小値）：７．１Å、（標準偏差）：０．１３Å
【０１０８】
弗酸の濃度が０．５重量％の場合、表面平均粗さＲａは以下のようになった。
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：８．２Å、（最大値）：９．３Å、（最小値）：７．８Å、（標準偏差）：０．４１Å
【０１０９】
いずれの場合も、微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値を変化させずに、表面平均粗さＲａのみを高くすることができる。具体的には、微小うねりの高さＷａを３Å以下に維持しつつ、表面平均粗さＲａを６Å以上にすることが可能となる。これにより、表面平均粗さＲａが６Å以上と高いため、ガラス基板の表面にダイヤモンドが引っ掛かりやすくなり、テクスチャーを容易に形成することが可能となり、さらに、微小うねりの高さＷａが３Å以下と低いため、ガラス基板の表面全体に均一にテクスチャーを形成することが可能となる。
【０１１０】
また、この実施例６では、実施例１の研磨終了後のガラス基板を用いたが、実施例２〜実施例４の研磨終了後のガラス基板に対してエッチングを行なっても、同様の効果が得られ、微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値を変化させずに、表面平均粗さＲａのみを高くすることができる。
【０１１１】
（実施例７）
実施例７では、エッチング液の条件を変えてエッチングを行なった。また、実施例１の調整加工後のガラス基板に対してウェットエッチングを施した。
エッチング条件
液組成：弗酸を０．１重量％とし、蓚酸を１重量％、２重量％、５重量％から選択した。
液温度：５０℃
時間：１６０秒
【０１１２】
微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値については変化が無いので、表面平均粗さＲａのみを評価した。
【０１１３】
蓚酸の濃度が１重量％の場合、表面平均粗さＲａは以下のようになった。
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：７．８Å、（最大値）：８．４Å、（最小値）：７．１Å、（標準偏差）：０．３５Å
【０１１４】
蓚酸の濃度が２重量％の場合、表面平均粗さＲａは以下のようになった。
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：７．７Å、（最大値）：８．５Å、（最小値）：７．０Å、（標準偏差）：０．４０Å
【０１１５】
蓚酸の濃度が５重量％の場合、表面平均粗さＲａは以下のようになった。
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：７．１Å、（最大値）：７．４Å、（最小値）：６．９Å、（標準偏差）：０．１１Å
【０１１６】
いずれの場合も、微小うねりの高さＷａ及びロールオフ値を変化させずに、表面平均粗さＲａのみを高くすることができる。また、蓚酸の濃度を高くすると表面平均粗さＲａのバラツキを小さくすることが可能となる。これにより、表面平均粗さＲａが６Å以上と高いため、ガラス基板の表面にダイヤモンドが引っ掛かりやすくなり、テクスチャーを容易に形成することが可能となり、さらに、微小うねりの高さＷａが３Å以下と低いため、ガラス基板の表面全体に均一にテクスチャーを形成することが可能となる。
【０１１７】
また、この実施例７では、実施例１の研磨終了後のガラス基板を用いたが、実施例２〜実施例４の研磨終了後のガラス基板に対してエッチングを行なっても、同様の効果が得られ、微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値を変化させずに、表面平均粗さＲａのみを高くすることができる。
【０１１８】
（実施例８）
実施例８では、エッチング液の条件を変えてエッチングを行なった。また、実施例１の調整加工後のガラス基板に対してウェットエッチングを施した。
エッチング条件
液組成：弗酸を０．１重量％、蓚酸を３重量％とした。
液温度：３０℃、８０℃から選択した。
時間：１６０秒
【０１１９】
微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値については変化が無いので、表面平均粗さＲａのみを評価した。
【０１２０】
液温度が３０℃の場合、表面平均粗さＲａは以下のようになった。
＜表面平均粗Ｒａ＞
（平均値）：６．７Å、（最大値）：７．１Å、（最小値）：６．４Å、（標準偏差）：０．１３Å
【０１２１】
液温度が８０℃の場合、表面平均粗さＲａは以下のようになった。
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：８．６Å、（最大値）：９．３Å、（最小値）：７．８Å、（標準偏差）：０．４３Å
【０１２２】
いずれの場合も、微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値を変化させずに、表面平均粗さＲａのみを高くすることができる。つまり、エッチング液の温度が３０℃〜８０℃の範囲において、表面平均粗さＲａを高くすることができ。これにより、表面平均粗さＲａが６Å以上と高いため、ガラス基板の表面にダイヤモンドが引っ掛かりやすくなり、テクスチャーを容易に形成することが可能となり、さらに、微小うねりの高さＷａが３Å以下と低いため、ガラス基板の表面全体に均一にテクスチャーを形成することが可能となる。また、液温度はエッチング時間とトレードオフの関係にあり、液温度を上昇させるとエッチング時間を短縮させることができる。
【０１２３】
また、この実施例８では、実施例１の研磨終了後のガラス基板を用いたが、実施例２〜実施例４の研磨終了後のガラス基板に対してエッチングを行なっても、同様の効果が得られ、微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値を変化させずに、表面平均荒さＲａのみを高くすることができる。
【０１２４】
次に、上記の実施例５〜８に対する比較例を示す。
（比較例２）
実施例の効果を計るために、実施例１で用いた研磨終了後のガラス基板を使用し、以下のエッチング条件でエッチングを行った。
【０１２５】
エッチング条件
液組成：弗酸を０．１重量％とし、蓚酸は含まれない（蓚酸を無添加とした）
液温度：５０℃
時間：１６０秒
【０１２６】
微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値については変化が無いので、表面平均粗さＲａのみを評価した。
【０１２７】
＜表面平均粗さＲａ＞
（平均値）：９．２Å、（最大値）：９．８Å、（最小値）：７．３Å、（標準偏差）：０．７５Å
【０１２８】
微小うねりの高さＷａ及び端部ロールオフ値を変化させずに、表面平均粗さＲａのみを高くすることができるが、バラツキが大きくなり、エッチングムラが発生する。
【０１２９】
以上のように、研磨荷重を８０ｋｇ（研磨圧力は２６６ｋｇ/ｍ２）以上にすることで、微小うねりの高さＷａを３Å以下にすることができ、１００ｋｇ（研磨圧力は３３３ｋｇ/ｍ２）以下とすることで、端部ロールオフ値を規格値内に収めることができる。
【０１３０】
さらに、弗酸と蓚酸とを含むエッチング液で研磨後のガラス基板をエッチングすることにより、微小うねりの高さＷａを低く維持しつつ、表面平均粗さＲａを高くすることができる。具体的には、弗酸の濃度を０．０１重量％〜０．５重量％とし、蓚酸の濃度を１重量％〜５重量％とすることで、微小うねりの高さＷａを低く維持しつつ、表面平均粗さＲａを６Å〜１０Åにすることができる。これにより、微小うねりの高さＷａが３Å以下で、表面平均粗さＲａが６Å〜１０Åである磁気記録媒体用ガラス基板が作製されることになる。
【０１３１】
なお、実際の製造過程においては、加工数量を１００枚よりも少ない枚数（例えば、９０枚程度）にする場合がある。この場合も、微小うねりの高さＷａを低くするために、研磨荷重を８０ｋｇ〜１００ｋｇにするが、この場合、加工数量が１００枚よりも少ないため、研磨圧力は上記の値よりも大きくなる。
【図面の簡単な説明】
【０１３２】
【図１】ガラス基板表面のうねり及び粗さを説明するための基板の拡大断面図である。
【図２】ガラス基板の表面にテクスチャー（円周状の溝）を形成する装置の斜視図である。
【図３】テクスチャーが形成されたガラス基板の上面図である。
【符号の説明】
【０１３３】
１  ガラス基板
１ａ  ガラス基板の表面
２  ローラ
３  テープ部材
４  ダイヤモンドスラリー
５  テクスチャー（溝）
１０  ガラス基板の表面
１１  測定断面曲線
１２  うねり曲線
１３  微小うねり曲線
【図１】
2006228284.tif 000003
【図２】
2006228284.tif 000004
【図３】
2006228284.tif 000005