(57)【要約】【課題】半導体基板の強度を向上させ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減する。【解決手段】半導体基板１００の上面１０４にカソード電極１０５とアノード電極１０６とを配置し、半導体基板１００の下面１０７に金属層１０８を配置したショットキーバリアダイオードにおいて、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板１００の厚さＴ１１を、金属層１０８が配置される部分１１０における半導体基板１００の厚さＴ１２よりも大きくする。換言すれば、半導体基板１００の下面１０７に凹部１１４と凸部１１５とを形成し、その凹部１１４内に金属層１０８を配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上面にアノード電極とカソード電極とを配置し、前記半導体基板の下面に金属層を配置したショットキーバリアダイオードにおいて、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さを、前記金属層が配置される部分における半導体基板の厚さよりも大きくしたことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
【請求項２】
前記金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、前記金属層の下面と同一平面上に位置するか、あるいは、前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さを大きくしたことを特徴とする請求項１に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項３】
前記金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さを大きくし、前記金属層を絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項２に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項４】
前記金属層が配置される部分における半導体基板の下面をエッチング加工により形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項５】
半導体基板の上面にアノード電極とカソード電極とを配置し、前記半導体基板の下面に金属層を配置したショットキーバリアダイオードにおいて、前記半導体基板の下面に凹部と凸部とを形成し、その凹部内に前記金属層を配置したことを特徴とするショットキーバリアダイオード。
【請求項６】
前記凸部の下面が、前記金属層の下面と同一平面上に位置するか、あるいは、前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記凸部が形成された部分における半導体基板の厚さを大きくしたことを特徴とする請求項５に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項７】
前記凸部の下面が前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記凸部が形成された部分における半導体基板の厚さを大きくし、前記金属層を絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項６に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項８】
前記凹部をエッチング加工により形成したことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項９】
前記金属層の外縁部が、前記アノード電極または前記カソード電極の外縁部の直下に位置するか、あるいは、前記アノード電極または前記カソード電極の外縁部の直下よりも内側に位置するように前記金属層を配置し、前記金属層を絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項１、２、４〜６、８のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項１０】
前記絶縁層の最上面が前記金属層の下面よりも上側に位置するように、前記金属層を前記絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項３、７、９のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項１１】
前記金属層を複数設けると共に、それらの複数の金属層を互いに離間させて配置し、それらの複数の金属層を前記絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項３、７、９、１０のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項１２】
前記凹部と前記凸部との境界部と、前記金属層の外縁部との間に隙間を設け、前記金属層を絶縁層によって覆うと共に、前記隙間にその絶縁層を充填したことを特徴とする請求項５又は６に記載のショットキーバリアダイオード。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードを具備する半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板の上面にアノード電極とカソード電極とを配置し、半導体基板の下面に金属層を配置したショットキーバリアダイオードおよびそれを具備する半導体装置に関し、特には、半導体基板の強度を向上させ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができるショットキーバリアダイオードおよびそれを具備する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体基板の上面にアノード電極とカソード電極とを配置し、半導体基板の下面に金属層を配置したショットキーバリアダイオードが知られている。この種のショットキーバリアダイオードの例としては、例えば特開２００３−３１８３８７号公報に記載されたものがある。
【０００３】
図１３は従来のショットキーバリアダイオードの断面図である。詳細には、図１３は特開２００３−３１８３８７号公報の図３に対応している。図１３において、１は半導体基板、２は半導体基板１の表面（上面）、３はアノード電極、４はカソード電極、５は半導体基板１の裏面（下面）、６は金属層、７は半導体素子、８はショットキーバリアメタル、９は深いＮ+層、１０は酸化膜、１１は樹脂による絶縁層、１２はショットキーバリアダイオード（半導体装置）である。
【０００４】
従来のショットキーバリアダイオードでは、図１３に示すように、半導体基板１の表面（上面）２にアノード電極３およびカソード電極４が配置され、半導体基板１の裏面（下面）５にオーミック接触させた非電極の金属層６が形成され、アノード電極３の下にショットキーバリアメタル８が形成され、更に、深いＮ+層９と、酸化膜１０とが形成されている。また、金属層６の上（図１３の下側）に、樹脂による絶縁層１１が形成されている。
【０００５】
図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードでは、半導体基板１を薄くすることによって増加する内部抵抗を軽減するために、非電極の金属層６が、パターニングがしやすく、オーミック接触のとれる金属によって構成されている。つまり、アノード電極３からカソード電極４に流れる電流が、金属層６を流れやすくなっており、それにより、半導体基板１の薄型化に伴って内部抵抗増加し順電圧特性が高くなってしまうのが抑制されている。むしろ、半導体基板１が薄型化された結果、アノード電極３に入力された電流が金属層６に速く到達することができ、それにより、順電圧特性が引き下げられている。
【０００６】
ところが、特開２００３−３１８３８７号公報に記載された従来のショットキーバリアダイオードでは、上述したように、順電圧特性が低下するまで半導体基板（ウェーハ）１の薄型化が図られている。詳細には、特開２００３−３１８３８７号公報の図４に示すように、順電圧特性を引き下げるために、半導体基板１の厚さ、つまり、ウェーハ厚が５０μｍよりも小さくなる程度まで、半導体基板１の薄型化が図られている。そのため、半導体基板１の加工時や実装時に、その時の衝撃によって半導体基板が割れたり、欠けたりするおそれが生じてしまう。
【０００７】
特開２００３−３１８３８７号公報に記載された半導体装置の製造方法では、半導体装置の実装時の衝撃による半導体装置の割れや欠けを抑制するために絶縁層１１が形成されるようになっているが、特開２００３−３１８３８７号公報に記載された半導体装置の製造方法によっては、例えば半導体基板１の研削加工時
の衝撃のような、絶縁層１１が形成される以前の加工時／実装時の衝撃によって半導体基板１が割れたり、欠けたりするおそれを低減することはできない。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−３１８３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
前記問題点に鑑み、本発明は、半導体基板の強度を向上させ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができるショットキーバリアダイオードおよびそれを具備する半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明によれば、半導体基板の上面にアノード電極とカソード電極とを配置し、前記半導体基板の下面に金属層を配置したショットキーバリアダイオードにおいて、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さを、前記金属層が配置される部分における半導体基板の厚さよりも大きくしたことを特徴とするショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１１】
請求項２に記載の発明によれば、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、前記金属層の下面と同一平面上に位置するか、あるいは、前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さを大きくしたことを特徴とする請求項１に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１２】
請求項３に記載の発明によれば、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さを大きくし、前記金属層を絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項２に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１３】
請求項４に記載の発明によれば、前記金属層が配置される部分における半導体基板の下面をエッチング加工により形成したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１４】
請求項５に記載の発明によれば、半導体基板の上面にアノード電極とカソード電極とを配置し、前記半導体基板の下面に金属層を配置したショットキーバリアダイオードにおいて、前記半導体基板の下面に凹部と凸部とを形成し、その凹部内に前記金属層を配置したことを特徴とするショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１５】
請求項６に記載の発明によれば、前記凸部の下面が、前記金属層の下面と同一平面上に位置するか、あるいは、前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記凸部が形成された部分における半導体基板の厚さを大きくしたことを特徴とする請求項５に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１６】
請求項７に記載の発明によれば、前記凸部の下面が前記金属層の下面よりも下側に位置するように、前記凸部が形成された部分における半導体基板の厚さを大きくし、前記金属層を絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項６に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１７】
請求項８に記載の発明によれば、前記凹部をエッチング加工により形成したことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１８】
請求項９に記載の発明によれば、前記金属層の外縁部が、前記アノード電極または前記カソード電極の外縁部の直下に位置するか、あるいは、前記アノード電極または前記カソード電極の外縁部の直下よりも内側に位置するように前記金属層を配置し、前記金属層を絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項１、２、４〜６、８のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００１９】
請求項１０に記載の発明によれば、前記絶縁層の最上面が前記金属層の下面よりも上側に位置するように、前記金属層を前記絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項３、７、９のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００２０】
請求項１１に記載の発明によれば、前記金属層を複数設けると共に、それらの複数の金属層を互いに離間させて配置し、それらの複数の金属層を前記絶縁層によって覆ったことを特徴とする請求項３、７、９、１０のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００２１】
請求項１２に記載の発明によれば、前記凹部と前記凸部との境界部と、前記金属層の外縁部との間に隙間を設け、前記金属層を絶縁層によって覆うと共に、前記隙間にその絶縁層を充填したことを特徴とする請求項５又は６に記載のショットキーバリアダイオードが提供される。
【００２２】
請求項１３に記載の発明によれば、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のショットキーバリアダイオードを具備する半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００２３】
請求項１に記載のショットキーバリアダイオードでは、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが、金属層が配置される部分における半導体基板の厚さよりも大きくされている。そのため、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが、金属層が配置される部分における半導体基板の厚さと同程度に小さくされている特開２００３−３１８３８７号公報に記載されたショットキーバリアダイオードよりも、半導体基板の強度を向上させることができる。それにより、特開２００３−３１８３８７号公報に記載されたショットキーバリアダイオードよりも、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００２４】
請求項２に記載のショットキーバリアダイオードでは、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面と同一平面上に位置するか、あるいは、金属層の下面よりも下側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが大きくされている。つまり、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが大きくされている。そのため、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、半導体基板の強度を向上させることができ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００２５】
請求項３に記載のショットキーバリアダイオードでは、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも下側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが大きくされ、金属層が絶縁層によって覆われている。そのため、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面と同一平面上に位置せしめられている場合よりも、絶縁層および半導体基板の外縁部から金属層までの絶縁層と半導体基板との境界面に沿った沿面距離を長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層まで到達してしまうおそれを低減することができる。
【００２６】
請求項４に記載のショットキーバリアダイオードでは、金属層が配置される部分における半導体基板の下面がエッチング加工により形成されている。そのため、金属層が配置される部分における半導体基板の下面が研削加工により形成される場合よりも、加工時における半導体基板の下面への衝撃を低減することができる。それにより、金属層が配置される部分における半導体基板の下面が研削加工により形成される場合よりも、加工時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００２７】
請求項５に記載のショットキーバリアダイオードでは、半導体基板の下面に凹部と凸部とが形成され、その凹部内に金属層が配置されている。つまり、半導体基板の下面のうち、金属層が配置されない部分に、凸部が形成されている。すなわち、凸部と凹部との厚さの差分だけ、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが、金属層が配置される部分における半導体基板の厚さよりも大きくされている。そのため、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが、金属層が配置される部分における半導体基板の厚さと同程度に小さくされている特開２００３−３１８３８７号公報に記載されたショットキーバリアダイオードよりも、半導体基板の強度を向上させることができる。それにより、特開２００３−３１８３８７号公報に記載されたショットキーバリアダイオードよりも、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００２８】
請求項６に記載のショットキーバリアダイオードでは、凸部の下面が、金属層の下面と同一平面上に位置するか、あるいは、金属層の下面よりも下側に位置するように、凸部が形成された部分における半導体基板の厚さが大きくされている。つまり、凸部の下面が金属層の下面よりも上側に位置するように、凸部が形成された部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、凸部が形成された部分における半導体基板の厚さが大きくされている。そのため、凸部の下面が金属層の下面よりも上側に位置するように、凸部が形成された部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、半導体基板の強度を向上させることができ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００２９】
請求項７に記載のショットキーバリアダイオードでは、凸部の下面が金属層の下面よりも下側に位置するように、凸部が形成された部分における半導体基板の厚さが大きくされ、金属層が絶縁層によって覆われている。そのため、凸部の下面が金属層の下面と同一平面上に位置せしめられている場合よりも、絶縁層および半導体基板の外縁部から金属層までの絶縁層と半導体基板との境界面に沿った沿面距離を長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層まで到達してしまうおそれを低減することができる。
【００３０】
請求項８に記載のショットキーバリアダイオードでは、凹部がエッチング加工により形成されている。そのため、凹部が研削加工により形成される場合よりも、加工時における半導体基板の下面への衝撃を低減することができる。それにより、凹部が研削加工により形成される場合よりも、加工時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００３１】
請求項９に記載のショットキーバリアダイオードでは、金属層の外縁部が、アノード電極またはカソード電極の外縁部の直下に位置するか、あるいは、アノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも内側に位置するように金属層が配置され、金属層が絶縁層によって覆われている。そのため、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている場合よりも、半導体基板の厚さが大きくされている部分の面積を広く確保することができる。それにより、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている場合よりも、半導体基板の強度を向上させることができ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。更に、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている特開２００３−３１８３８７号公報に記載されたショットキーバリアダイオードよりも、絶縁層および半導体基板の外縁部から金属層までの絶縁層と半導体基板との境界面に沿った沿面距離を長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層まで到達してしまうおそれを低減することができる。
【００３２】
請求項１０に記載のショットキーバリアダイオードでは、絶縁層の最上面が金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が絶縁層によって覆われている。そのため、絶縁層の最上面が金属層の下面と同一平面上に位置するように金属層が絶縁層によって覆われている場合よりも、絶縁層と金属層との接触面積を増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００３３】
請求項１１に記載のショットキーバリアダイオードでは、互いに離間して配置された複数の金属層が絶縁層によって覆われている。そのため、単一の金属層が絶縁層によって覆われている場合よりも、絶縁層と金属層との接触面積を増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００３４】
請求項１２に記載のショットキーバリアダイオードでは、凹部と凸部との境界部と、金属層の外縁部との間の隙間に、金属層を覆うための絶縁層が充填されている。そのため、凹部と凸部との境界部と、金属層の外縁部との間に隙間が設けられていない場合よりも、絶縁層と金属層との接触面積を増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００３５】
請求項１３に記載の半導体装置では、半導体基板の強度を向上させることができ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明のショットキーバリアダイオードの第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。図２は図１に示したショットキーバリアダイオードの概略的な平面図である。詳細には、図２は図１に示したショットキーバリアダイオードを図１の上側から見た図である。図３は図１に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。詳細には、図３は絶縁層がない状態で図１に示したショットキーバリアダイオードを図１の下側から見た図である。
【００３７】
図１〜図３において、１００は半導体基板、１０１は半導体基板１００の一部を構成するＮ＋層、１０２は半導体基板１００の一部を構成するＮ−層、１０３は半導体基板１００の一部を構成するＮ＋層である。１０４は半導体基板１００の上面、１０５は半導体基板１００の上面１０４に配置されたカソード電極、１０６は半導体基板１００の上面１０４に配置されたアノード電極である。１０７は半導体基板１００の下面、１０８は半導体基板１００の下面１０７に配置された金属層である。１０９は、半導体基板１００の下面１０７のうち、金属層１０８が配置されない部分を示しており、１１０は、半導体基板１００の下面１０７のうち、金属層１０８が配置される部分を示している。１１１は金属層１０８を覆うための絶縁層である。絶縁層１１１としては、例えば耐薬品性に優れ、水分の透過量が少なく、半導体基板１００や金属層１０８との密着性に優れた絶縁性樹脂が用いられる。
【００３８】
１１２は酸化膜、１１３はショットキーバリアメタルである。１１４は半導体基板１００の下面１０７に形成された凹部を示しており、１１５は半導体基板１００の下面１０７に形成された凸部を示している。１１６は金属層１０８の外縁部を示しており、１１７はアノード電極１０６の外縁部を示しており、１１８はカソード電極１０５の外縁部を示している。
【００３９】
尚、金属層１０８および絶縁層１１１は例えば以下の工程により形成される。まず、半導体基板１００の上下面全面にレジストが塗布される。次いで、凹部１１４となる部分のレジストがフォトエッチングにより除去される。次いで、凹部１１４を形成するために、凹部１１４となる部分がドライエッチングあるいはウェットエッチングにより掘り込まれる。次いで、レジストが除去・洗浄される。次いで、半導体基板１００の下面全面にスパッタあるいは蒸着により金属層１０８が堆積せしめられる。次いで、所望の金属層部分がマスキングされた後、不要な金属層がエッチング除去される。次いで、スピンコートあるいはスクリーン印刷により絶縁層１１１が塗布される。次いで、必要に応じてダイシング加工によりショットキーバリアダイオードが切断分離される。前述の金属層１０８の堆積にあたっては、厚みを稼ぐ目的でスパッタあるいは蒸着後にメッキを行ってもよい。また、金属層１０８の材料としては、低抵抗率で金属形成時に厚みを稼ぐことができ、実装時の衝撃によって応力を緩和できるＡＬ（アルミニウム）が好適である。
【００４０】
第１の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１〜図３に示すように、金属層１０８が、半導体基板１００の下面１０７にオーミック接触せしめられており、電極として用いられていない。つまり、アノード電極１０６からカソード電極１０５に流れる電流が、金属層１０８を流れやすくなっており、それにより、半導体基板１００の薄型化に伴って内部抵抗増加し順電圧特性が高くなってしまうのが抑制されている。むしろ、半導体基板１００が薄型化された結果、アノード電極１０６に入力された電流が金属層１０８に速く到達することができ、それにより、順電圧特性が引き下げられている。
【００４１】
第１の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１に示すように、順電圧特性を低減するためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）が設けられていないが、第１の実施形態のショットキーバリアダイオードの変形例では、耐圧を向上させるためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）を設けることも可能である。
【００４２】
更に、第１の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１に示すように、半導体基板１００の下面１０７のうち、金属層１０８が配置されない部分１０９に、凸部１１５が形成されている。すなわち、凸部１１５と凹部１１４との厚さの差分（ΔＴ１１−Ｔ１２）だけ、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板１００の厚さＴ１１が、金属層１０８が配置される部分１１０における半導体基板１００の厚さＴ１２よりも大きくされている。そのため、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが、金属層が配置される部分における半導体基板の厚さと同程度に小さくされている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、半導体基板１００の強度を向上させることができる。それにより、図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００４３】
また、第１の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１に示すように、凸部１１５の下面１０７が、金属層１０８の下面と同一平面上に位置するように、凸部１１５が形成された部分における半導体基板１００の厚さＴ１１が大きくされている。すなわち、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板１００の下面１０７が、金属層１０８の下面と同一平面上に位置するように、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板１００の厚さＴ１１が大きくされている。つまり、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板１００の厚さＴ１１が大きくされている。そのため、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが設定されている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、半導体基板１００の強度を向上させることができ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板１００の割れや欠けを低減することができる。
【００４４】
更に、第１の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、凹部１１４がエッチング加工により形成されている。つまり、金属層１０８が配置される部分１１０における半導体基板１００の下面１０７がエッチング加工により形成されている。そのため、金属層が配置される部分における半導体基板の下面が研削加工により形成される特開２００３−３１８３８７号公報に記載されたショットキーバリアダイオードよりも、加工時における半導体基板１００の下面への衝撃を低減することができる。それにより、金属層が配置される部分における半導体基板の下面が研削加工により形成される場合よりも、加工時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００４５】
また、第１の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１〜図３に示すように、金属層１０８の外縁部１１６が、カソード電極１０５の外縁部１１８およびアノード電極１０６の外縁部１１７の直下に位置するように金属層１０８が配置され、その金属層１０８が絶縁層１１１によって覆われている。そのため、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、半導体基板１００の厚さが大きくされている部分（１０９、１１５）の面積を広く確保することができる。それにより、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、半導体基板１００の強度を向上させることができ、加工時や実装時の衝撃に伴う半導体基板の割れや欠けを低減することができる。
【００４６】
更に、図１に示すように、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、絶縁層１１１および半導体基板１００の外縁部から金属層１０８までの絶縁層１１１と半導体基板１００との境界面に沿った沿面距離（Ａ−Ｂ間距離）を長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層まで到達してしまうおそれを低減することができる。つまり、湿気などの汚染物質が金属層に到達するのに伴って、金属層が結合反応を起こし、金属層の抵抗値が上昇してしまうのを抑制することができる。
【００４７】
以下、本発明のショットキーバリアダイオードの第２の実施形態について説明する。図４は第２の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。
【００４８】
図４において、図１〜図３に示した参照番号と同一の参照番号は、図１〜図３に示した部品または部分と同一の部品または部分を示しており、２００は半導体基板、２０３は半導体基板２００の一部を構成するＮ＋層である。２０７は半導体基板２００の下面、２１１は金属層１０８を覆うための絶縁層である。第１の実施形態と同様に、絶縁層２１１としては、例えば耐薬品性に優れ、水分の透過量が少なく、半導体基板２００や金属層１０８との密着性に優れた絶縁性樹脂が用いられる。２１４は半導体基板２００の下面２０７に形成された凹部を示している。
【００４９】
第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、第１の実施形態と同様に、金属層１０８が、半導体基板２００の下面２０７にオーミック接触せしめられており、電極として用いられていない。
【００５０】
第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図４に示すように、順電圧特性を低減するためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）が設けられていないが、第２の実施形態のショットキーバリアダイオードの変形例では、耐圧を向上させるためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）を設けることも可能である。
【００５１】
第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図４に示すように、凸部１１５と凹部２１４との厚さの差分（ΔＴ１１−Ｔ２２）が、図１に示した第１の実施形態の凸部１１５と凹部１１４との厚さの差分（ΔＴ１１−Ｔ１２）よりも大きくされている。ただし、第２の実施形態のショットキーバリアダイオードにおいても、半導体基板２００が十分な強度を有するだけの凹部２１４の厚さＴ２２が設定されている。
【００５２】
詳細には、第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図４に示すように、半導体基板２００の下面２０７のうち、金属層１０８が配置されない部分１０９に、凸部１１５が形成されている。すなわち、凸部１１５と凹部２１４との厚さの差分（ΔＴ１１−Ｔ２２）だけ、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板２００の厚さＴ１１が、金属層１０８が配置される部分１１０における半導体基板２００の厚さＴ２２よりも大きくされている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００５３】
また、第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図４に示すように、凸部１１５の下面２０７が、金属層１０８の下面よりも下側に位置するように、凸部１１５が形成された部分における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。すなわち、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板２００の下面２０７が、金属層１０８の下面よりも下側に位置するように、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。つまり、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００５４】
また、第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図４に示すように、凸部１１５の下面２０７が金属層１０８の下面よりも下側に位置するように、凸部１１５が形成された部分における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。すなわち、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板２００の下面２０７が、金属層１０８の下面よりも下側に位置するように、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。そのため、金属層１０８が配置されない部分１０９における半導体基板１００の下面１０７が、金属層１０８の下面と同一平面上に位置せしめられている図１に示した場合よりも、絶縁層２１１および半導体基板２００の外縁部から金属層１０８までの絶縁層２１１と半導体基板２００との境界面に沿った沿面距離をＢ−Ｃ間距離の分だけ長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層１０８まで到達してしまうおそれを低減することができる。
【００５５】
更に、第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、凹部２１４がエッチング加工により形成されている。つまり、金属層１０８が配置される部分１１０における半導体基板２００の下面２０７がエッチング加工により形成されている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００５６】
また、第２の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図４に示すように、金属層１０８の外縁部１１６が、カソード電極１０５の外縁部１１８およびアノード電極１０６の外縁部１１７の直下に位置するように金属層１０８が配置され、その金属層１０８が絶縁層２１１によって覆われている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００５７】
更に、図４に示すように、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、絶縁層２１１および半導体基板２００の外縁部から金属層１０８までの絶縁層２１１と半導体基板１００との境界面に沿った沿面距離（Ａ−Ｂ−Ｃ間距離）を長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層まで到達してしまうおそれを低減することができる。つまり、湿気などの汚染物質が金属層に到達するのに伴って、金属層が結合反応を起こし、金属層の抵抗値が上昇してしまうのを抑制することができる。
【００５８】
以下、本発明のショットキーバリアダイオードの第３の実施形態について説明する。図５は第３の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。図６は図５に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。詳細には、図６は絶縁層がない状態で図５に示したショットキーバリアダイオードを図５の下側から見た図である。
【００５９】
図５および図６において、図１〜図４に示した参照番号と同一の参照番号は、図１〜図４に示した部品または部分と同一の部品または部分を示しており、３０８は半導体基板１００の下面１０７に配置された金属層である。３０９は、半導体基板１００の下面１０７のうち、金属層３０８が配置されない部分を示しており、３１０は、半導体基板１００の下面１０７のうち、金属層３０８が配置される部分を示している。３１１は金属層３０８を覆うための絶縁層である。第１の実施形態と同様に、絶縁層３１１としては、例えば耐薬品性に優れ、水分の透過量が少なく、半導体基板１００や金属層３０８との密着性に優れた絶縁性樹脂が用いられる。３１６は金属層３０８の外縁部を示している。
【００６０】
第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、第１の実施形態と同様に、金属層３０８が、半導体基板１００の下面１０７にオーミック接触せしめられており、電極として用いられていない。
【００６１】
第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５に示すように、順電圧特性を低減するためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）が設けられていないが、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードの変形例では、耐圧を向上させるためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）を設けることも可能である。
【００６２】
第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１〜図３に示した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードに改良が加えられ、図５および図６に示すように、金属層３０８が凹部１１４よりも小さく形成されている。更に、凹部１１４内の残りの空間に、つまり、凹部１１４と凸部１１５との境界部と、金属層３０８の外縁部３１６との隙間に、絶縁層３１１が充填されている。
【００６３】
詳細には、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５に示すように、半導体基板１００の下面１０７のうち、金属層３０８が配置されない部分３０９の一部に、凸部１１５が形成されている。すなわち、凸部１１５と凹部１１４との厚さの差分（ΔＴ１１−Ｔ１２）だけ、金属層３０８が配置されない部分３０９のうちの、凸部１１５の位置における半導体基板１００の厚さＴ１１が、金属層３０８が配置される部分３１０における半導体基板１００の厚さＴ１２よりも大きくされている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００６４】
また、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５に示すように、凸部１１５の下面１０７が、金属層３０８の下面と同一平面上に位置するように、凸部１１５が形成された位置における半導体基板１００の厚さＴ１１が大きくされている。すなわち、金属層３０８が配置されない部分３０９の一部における半導体基板１００の下面１０７が、金属層３０８の下面と同一平面上に位置するように、金属層３０８が配置されない部分３０９の一部における半導体基板１００の厚さＴ１１が大きくされている。つまり、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、金属層３０８が配置されない部分３０９の一部における半導体基板１００の厚さＴ１１が大きくされている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００６５】
更に、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、凹部１１４がエッチング加工により形成されている。つまり、金属層３０８が配置される部分３１０における半導体基板１００の下面１０７がエッチング加工により形成されている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００６６】
また、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５および図６に示すように、金属層３０８の外縁部３１６が、カソード電極１０５の外縁部１１８およびアノード電極１０６の外縁部１１７の直下よりも内側（図５および図６の中央部側）に位置するように金属層３０８が配置され、その金属層３０８が絶縁層３１１によって覆われている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００６７】
更に、図５および図６に示すように、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、絶縁層３１１および半導体基板１００の外縁部から金属層３０８までの絶縁層３１１と半導体基板１００との境界面に沿った沿面距離（Ａ−Ｂ−Ｄ−Ｅ間距離）を長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層まで到達してしまうおそれを低減することができる。つまり、湿気などの汚染物質が金属層に到達するのに伴って、金属層が結合反応を起こし、金属層の抵抗値が上昇してしまうのを抑制することができる。
【００６８】
また、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５に示すように、絶縁層３１１の最上面が金属層３０８の下面よりも上側に位置するように、金属層３０８が絶縁層３１１によって覆われている。そのため、絶縁層の最上面が金属層の下面と同一平面上に位置するように金属層が絶縁層によって覆われている図１に示した場合よりも、絶縁層３１１と金属層３０８との接触面積をＥ−Ｆ間の分だけ増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００６９】
更に、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５および図６に示すように、凹部１１４と凸部１１５との境界部（Ｂ−Ｄ間）と、金属層３０８の外縁部３１６との間の隙間（Ｂ−Ｄ−Ｅ−Ｆ−Ｂによって囲まれる部分）に、金属層３０８を覆うための絶縁層３１１が充填されている。そのため、凹部と凸部との境界部と、金属層の外縁部との間に隙間が設けられていない図１に示した場合よりも、絶縁層３１１と金属層３０８との接触面積をＥ−Ｆ間の分だけ増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００７０】
以下、本発明のショットキーバリアダイオードの第４の実施形態について説明する。図７は第４の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。図８は図７に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。詳細には、図８は絶縁層がない状態で図７に示したショットキーバリアダイオードを図７の下側から見た図である。
【００７１】
図７および図８において、図１〜図６に示した参照番号と同一の参照番号は、図１〜図６に示した部品または部分と同一の部品または部分を示しており、４０８は半導体基板２００の下面２０７に配置された金属層である。４１１は金属層４０８を覆うための絶縁層である。第１の実施形態と同様に、絶縁層４１１としては、例えば耐薬品性に優れ、水分の透過量が少なく、半導体基板２００や金属層４０８との密着性に優れた絶縁性樹脂が用いられる。４１６は金属層４０８の外縁部を示している。
【００７２】
第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、第１の実施形態と同様に、金属層４０８が、半導体基板２００の下面２０７にオーミック接触せしめられており、電極として用いられていない。
【００７３】
第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図７に示すように、順電圧特性を低減するためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）が設けられていないが、第４の実施形態のショットキーバリアダイオードの変形例では、耐圧を向上させるためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）を設けることも可能である。
【００７４】
第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図４に示した第２の実施形態のショットキーバリアダイオードに改良が加えられ、図７および図８に示すように、金属層４０８が凹部２１４よりも小さく形成されている。更に、凹部２１４内の残りの空間に、つまり、凹部２１４と凸部１１５との境界部と、金属層４０８の外縁部４１６との隙間に、絶縁層４１１が充填されている。
【００７５】
詳細には、第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図７に示すように、半導体基板２００の下面２０７のうち、金属層４０８が配置されない部分３０９の一部に、凸部１１５が形成されている。すなわち、凸部１１５と凹部２１４との厚さの差分（ΔＴ１１−Ｔ２２）だけ、金属層４０８が配置されない部分３０９のうちの、凸部１１５の位置における半導体基板２００の厚さＴ１１が、金属層４０８が配置される部分３１０における半導体基板２００の厚さＴ２２よりも大きくされている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００７６】
また、第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図７に示すように、凸部１１５の下面２０７が、金属層４０８の下面よりも下側に位置するように、凸部１１５が形成された位置における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。すなわち、金属層４０８が配置されない部分３０９の一部における半導体基板２００の下面２０７が、金属層４０８の下面よりも下側に位置するように、金属層４０８が配置されない部分３０９の一部における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。つまり、金属層が配置されない部分における半導体基板の下面が、金属層の下面よりも上側に位置するように、金属層が配置されない部分における半導体基板の厚さが設定されている場合よりも、金属層４０８が配置されない部分３０９の一部における半導体基板２００の厚さＴ１１が大きくされている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００７７】
更に、第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、凹部２１４がエッチング加工により形成されている。つまり、金属層４０８が配置される部分３１０における半導体基板２００の下面２０７がエッチング加工により形成されている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００７８】
また、第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図７および図８に示すように、金属層４０８の外縁部４１６が、カソード電極１０５の外縁部１１８およびアノード電極１０６の外縁部１１７の直下よりも内側（図７および図８の中央部側）に位置するように金属層４０８が配置され、その金属層４０８が絶縁層４１１によって覆われている。そのため、上述した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００７９】
更に、図７および図８に示すように、金属層の外縁部がアノード電極またはカソード電極の外縁部の直下よりも外側に位置するように金属層が配置されている図１３に示した従来のショットキーバリアダイオードよりも、絶縁層４１１および半導体基板２００の外縁部から金属層４０８までの絶縁層４１１と半導体基板２００との境界面に沿った沿面距離（Ａ−Ｂ−Ｇ−Ｈ間距離）を長くすることができ、それにより、汚染物質が金属層まで到達してしまうおそれを低減することができる。つまり、湿気などの汚染物質が金属層に到達するのに伴って、金属層が結合反応を起こし、金属層の抵抗値が上昇してしまうのを抑制することができる。
【００８０】
また、第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５に示すように、絶縁層４１１の最上面が金属層４０８の下面よりも上側に位置するように、金属層４０８が絶縁層４１１によって覆われている。そのため、絶縁層の最上面が金属層の下面と同一平面上に位置するように金属層が絶縁層によって覆われている図１に示した場合よりも、絶縁層４１１と金属層４０８との接触面積をＨ−Ｉ間の分だけ増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００８１】
更に、第４の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図７および図８に示すように、凹部２１４と凸部１１５との境界部（Ｂ−Ｇ間）と、金属層４０８の外縁部４１６との間の隙間（Ｂ−Ｇ−Ｈ−Ｉ−Ｂによって囲まれる部分）に、金属層４０８を覆うための絶縁層４１１が充填されている。そのため、凹部と凸部との境界部と、金属層の外縁部との間に隙間が設けられていない図１に示した場合よりも、絶縁層４１１と金属層４０８との接触面積をＨ−Ｉ間の分だけ増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００８２】
以下、本発明のショットキーバリアダイオードの第５の実施形態について説明する。図９は第５の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。図１０は図９に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。詳細には、図１０は絶縁層がない状態で図９に示したショットキーバリアダイオードを図９の下側から見た図である。
【００８３】
図９および図１０において、図１〜図８に示した参照番号と同一の参照番号は、図１〜図８に示した部品または部分と同一の部品または部分を示しており、５０８は半導体基板１００の下面１０７に例えば３個配置された金属層である。５１６は金属層５０８の外縁部を示している。
【００８４】
第５の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、第１の実施形態と同様に、金属層５０８が、半導体基板１００の下面１０７にオーミック接触せしめられており、電極として用いられていない。
【００８５】
第５の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図９に示すように、順電圧特性を低減するためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）が設けられていないが、第５の実施形態のショットキーバリアダイオードの変形例では、耐圧を向上させるためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）を設けることも可能である。
【００８６】
第５の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１〜図３に示した第１の実施形態のショットキーバリアダイオードに後述する改良が加えられており、その他の点については、第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様に構成されている。そのため、第５の実施形態のショットキーバリアダイオードによれば、後述する点を除き、第１の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００８７】
第１の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１および図３に示すように、凹部１１４内全体に１個の金属層１０８が配置されているが、第５の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１０に示すように、例えば３個のような複数の金属層５０８が凹部１１４内に離間して配置され、凹部１１４内のうち、金属層５０８が存在しない部分には、絶縁層１１１が充填されている。
【００８８】
つまり、第５の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図９および図１０に示すように、互いに離間して配置された３個の金属層５０８が絶縁層１１１によって覆われている。そのため、１個の金属層１０８が絶縁層１１１によって覆われている図１〜図３に示した場合よりも、絶縁層１１１と金属層５０８との接触面積を増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００８９】
以下、本発明のショットキーバリアダイオードの第６の実施形態について説明する。図１１は第６の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。図１２は図１１に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。詳細には、図１２は絶縁層がない状態で図１１に示したショットキーバリアダイオードを図１１の下側から見た図である。
【００９０】
図１１および図１２において、図１〜図１０に示した参照番号と同一の参照番号は、図１〜図１０に示した部品または部分と同一の部品または部分を示しており、６０８は半導体基板１００の下面１０７に例えば３個配置された金属層である。６１６は金属層６０８の外縁部を示している。
【００９１】
第６の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、第１の実施形態と同様に、金属層６０８が、半導体基板１００の下面１０７にオーミック接触せしめられており、電極として用いられていない。
【００９２】
第６の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１１に示すように、順電圧特性を低減するためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）が設けられていないが、第６の実施形態のショットキーバリアダイオードの変形例では、耐圧を向上させるためにショットキーバリアメタル１１３の下側にガードリング（Ｐ＋層）を設けることも可能である。
【００９３】
第６の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５および図６に示した第３の実施形態のショットキーバリアダイオードに後述する改良が加えられており、その他の点については、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様に構成されている。そのため、第６の実施形態のショットキーバリアダイオードによれば、後述する点を除き、第３の実施形態のショットキーバリアダイオードと同様の効果を奏することができる。
【００９４】
第３の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図５および図６に示すように、凹部１１４内全体に１個の金属層３０８が配置されているが、第６の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１２に示すように、例えば３個のような複数の金属層６０８が凹部１１４内に離間して配置され、凹部１１４内のうち、金属層６０８が存在しない部分には、絶縁層３１１が充填されている。
【００９５】
つまり、第６の実施形態のショットキーバリアダイオードでは、図１１および図１２に示すように、互いに離間して配置された３個の金属層６０８が絶縁層３１１によって覆われている。そのため、１個の金属層３０８が絶縁層３１１によって覆われている図５および図６に示した場合よりも、絶縁層３１１と金属層６０８との接触面積を増加させることができ、それにより、絶縁層が金属層から剥離してしまうおそれを低減することができる。
【００９６】
また、第７の実施形態では、上述した第１から第６の実施形態およびそれらの変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【００９７】
上述した第１から第７の実施形態およびそれらの変形例のショットキーバリアダイオードが、本発明の半導体装置には設けられている。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】第１の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。
【図２】図１に示したショットキーバリアダイオードの概略的な平面図である。
【図３】図１に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。
【図４】第２の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。
【図５】第３の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。
【図６】図５に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。
【図７】第４の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。
【図８】図７に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。
【図９】第５の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。
【図１０】図９に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。
【図１１】第６の実施形態のショットキーバリアダイオードを正面から見た概略的な断面図である。
【図１２】図１１に示したショットキーバリアダイオードの概略的な底面図である。
【図１３】従来のショットキーバリアダイオードの断面図である。
【符号の説明】
【００９９】
１００    半導体基板
１０１    Ｎ＋層
１０２    Ｎ−層
１０３    Ｎ＋層
１０４    半導体基板の上面
１０５    カソード電極
１０６    アノード電極
１０７    半導体基板の下面
１０８    金属層
１０９    金属層が配置されない部分
１１０    金属層が配置される部分
１１１    絶縁層
１１２    酸化膜
１１３    ショットキーバリアメタル
１１４    凹部
１１５    凸部
１１６    金属層外縁部
１１７    アノード電極外縁部
１１８    カソード電極外縁部
【図１】
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【図２】
2006179559.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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