(57)【要約】【課題】  少ない装置かつ簡単な製造工程で電子素子の表面に種子層を形成することのできる電子素子めっき種子層の製造方法を提供する。  【解決手段】  ガイド板で一つ以上の電子素子を挟持板の挟持孔に導入する。各挟持孔は、電子素子の両端を挟持板から露出させるように電子素子をしっかりと挟持する弾性部材を有する。最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング法や、蒸着法等）を以ってめっき用種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。【選択図】  図２Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子にめっき用種子層を形成する方法であって、
（Ａ）電子素子を挟持する嵌入孔を備える弾性部材を含む通孔を少なくとも一つ有する挟持板を提供するステップと、
（Ｂ）前記電子素子を前記嵌入孔に嵌入し、前記電子素子の両端を前記挟持板から露出させるように前記弾性部材で前記電子素子をしっかりと挟持するステップと、
（Ｃ）半導体製造工程を以って、めっき種子層として電子素子の表面に金属フィルムを形成するステップとからなることを特徴とする電子素子めっき種子層の製造方法。
【請求項２】
前記ステップ（Ｂ）は、更に、
前記通孔の寸法に略等しい径を有する挟持孔を少なくとも一つ備えるガイド板を提供するステップと、
前記電子素子を前記挟持孔に導入するステップと、
前記挟持孔を前記嵌入孔に対向させるように、前記ガイド板を前記挟持板に置くステップと、
ローラーが前記電子素子の上を回転することにより、前記電子素子の両端を前記挟持板から露出させるように、前記挟持孔に挟持された前記電子素子を前記嵌入孔に嵌入させるステップと、
前記ガイド板を前記挟持板から取り外すステップとからなることを特徴とする請求項１に記載の電子素子めっき種子層の製造方法。
【請求項３】
前記ステップ（Ｃ）は、スパッタリング法で行うことを特徴とする請求項１に記載の電子素子めっき種子層の製造方法。
【請求項４】
前記ステップ（Ｃ）は、蒸着法で行うことを特徴とする請求項１に記載の電子素子めっき種子層の製造方法。
【請求項５】
前記ステップ（Ｃ）は、化学蒸着法で行うことを特徴とする請求項１に記載の電子素子めっき種子層の製造方法。
【請求項６】
前記ステップ（Ｃ）では、前記電子素子の一端の表面に前記金属フィルムを形成することを特徴とする請求項１に記載の電子素子めっき種子層の製造方法。
【請求項７】
前記ステップ（Ｃ）では、前記電子素子の両端の表面に前記金属フィルムを形成することを特徴とする請求項１に記載の電子素子めっき種子層の製造方法。
【請求項８】
前記金属フィルムの材質は銀、銅、ニッケル・クロム合金を含む群から選択されることを特徴とする請求項１に記載の電子素子めっき種子層の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層セラミック電子素子の表面にめっき種子層（めっきシード層：plating seed layer）を形成するのに用いられる電子素子めっき種子層の製造方法に関わる。
【背景技術】
【０００２】
近年、無線通信市場の発達につれ、移動通信製品は消費者のニーズに応じて小型化、軽量化及び高密度パーケージ化が進んでいる。この傾向に応じて、受動素子（例えば、インダクタや、キャパシタ、及び抵抗）においても、小型化、薄型化及び多層化が進んでいる。セラミック材質は、良好の高周波特性を有するため、通信電子業界では、ＬＴＣＣ（low temperature Co-fired ceramics）材質の応用が広がる。
【０００３】
多層セラミックベースの受動素子の製造工程では、電気的接触端子として、その表面に金属めっき層を形成する必要がある。更に、該めっき層を形成するために、電子素子のめっき面に種子層を形成する必要がある。しかし、該種子層を形成するための製造工程はとても面倒である。
【０００４】
図１Ａ−１ＣはＭＬＣＣ（multilayer ceramic capacitor）製造におけるめっきに用いる種子層の製造工程を示す図である。
【０００５】
先ず、図１Ａに示すように、複数の嵌入孔１１を有するガラス繊維基板１０を提供し、該ガラス繊維基板１０の片側に粘着テープ２０を貼付する。そして、電子素子３０を、そのめっき種子層の形成面３１を露出させるように、各嵌入孔１１に嵌入する。
【０００６】
次に、図１Ｂに示すように、ガラス繊維基板１０全体を１８０°回転させ、素子３０の表面を銀や銅等の金属溶液を入れた溶液槽に浸入することにより、表面３１に金属層を被覆させる。
【０００７】
次に、図１Ｃに示すように、ガラス繊維基板１０に貼付された粘着テープ２０を取り外す。そして、めっき工程にて種子層３２を形成するために、ガラス繊維基板１０全体及び電子素子３０を予備加熱して金属層を表面３１に固着させる。
【０００８】
ここまでのステップは、電子素子３０の一端の表面しか種子層３２を形成することができない。電子素子３１のその他の表面においても種子層を形成する場合に、図１Ａ−１Ｃに示す一連のステップを繰り返して実行する必要がある。このように、製造工程は面倒であるばかりか、製造設備投資にかかるコストも膨大である。
【特許文献１】特に無
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このため、如何に少ない装置かつ簡単な製造工程で電子素子の表面に種子層を形成するかは、解決すべき技術課題である。
【００１０】
前記問題点に鑑み、本発明の目的は、従来の技術における欠点を克服することができる、多層セラミック製電子素子（例えば、インダクタや、キャパシタ、及び抵抗）のめっき種子層を形成するのに用いられる電子素子めっき種子層の製造方法に関わる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために、本発明の電子素子めっき種子層の製造方法は下記のステップからなる。
【００１２】
先ず、弾性部材を含む通孔を少なくとも一つ有する挟持板を提供する。該弾性部材は、挟持する電子部材の径よりやや小さい径を有する嵌入孔を備える。
【００１３】
次に、ガイド板を介して、めっき種子層を形成すべき各電子素子を前記嵌入孔に導入し、該弾性部材により、電子素子の両端を前記挟持板から露出させるように該電子素子をしっかりと挟持する。
【００１４】
最後に、半導体製造工程（例えば、スパッタリング（sputtering）法や、蒸着（vapor vaporization）法または化学気相蒸着（chemical vapor vaporization）法等）を以って、電子素子の表面に金属フィルムを形成する。このように形成された金属フィルムは、信号接続端子または回路レイアウトを形成するためのめっきを行うのに用いる種子層である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、スパッタリング法や蒸着法等でめっき種子層を形成するため、従来のように、電子素子の表面を溶液槽に浸入したり焼結したりするステップを行う必要がない。めっき種子層の製造工程全体が簡素化され、総製造コストが減少される。これは、めっき種子層形成の分野において、従来の技術より遥かに改善したところである。
【００１６】
なお、本発明の他の特徴及び利点は、後述の実施例並びに図面の説明から一層明瞭にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の電子素子めっき種子層の製造方法は、多層セラミック製電子素子（例えば、インダクタや、キャパシタ、及び抵抗等）にめっき種子層を形成するのに好適である。
【００１８】
本発明は主に下記の段階からなる。
【００１９】
先ず、ガイド板を介して、めっき種子層を形成される電子素子を挟持板に嵌入する。該挟持板は弾性部材を有する。該弾性部材は、電子素子の両端を挟持板から露出させるように、電子素子をしっかりと挟持する。
【００２０】
次に、半導体製造工程を以って、めっき種子層として電子素子の両端の表面に金属フィルムを形成する。
【００２１】
そして、めっき工程により、電子素子の表面に必要な信号接続端子または回路レイアウトを形成する。
【００２２】
図２Ａ−２Ｃは本発明に係る電子素子にめっき用種子層を形成するための製造工程を示す断面図である。
【００２３】
先ず、図２Ａに示すように、内部に弾性部材６２を設けられた通孔６１を少なくとも一つ有する挟持板６０を提供する。該弾性部材６２は嵌入孔６３を備える。該嵌入孔６３は、内部に挟持される電子部材の径よりやや小さい径を有する。
【００２４】
次に、図２Ｂに示すように、めっき種子層を形成すべき電子素子３０を挟持板６０の嵌入孔６３に嵌入する。嵌入孔３０は電子部材よりやや小さいため、電子素子３０はしっかりと通孔６１内にある弾性部材６２により挟持される。なお、めっきのために、電子素子３０の両端が挟持板６０から露出される。
【００２５】
最後に、図２Ｃに示すように、半導体製造工程を以って、電子素子３０の表面に金属フィルムを形成する。このように形成された金属フィルムは電子素子３０の種子層３２である。該金属フィルムはスパッタリング法で形成することができる。この場合、ターゲット部材８０の原子を飛び出させ、挟持板７０から露出した電子素子３０両端の表面に成長させることにより、種子層３２が形成される。なお、ニーズに応じて、電子素子３０の一端の表面だけに金属フィルムを形成しても良い。種子層３２が形成された後に、次のめっき工程が行われる。
【００２６】
なお、スパッタリング法の代わりに、蒸着（vapor vaporization）法や化学気相蒸着（chemical vapor vaporization）法で電子素子３０の表面に種子層３２を形成しても良い。
【００２７】
また、種子層３２の材質は、めっき金属に応じて選択するが、通常、銀や銅、またはニッケル・クロム合金（Ni/Cr alloy）を用いる。
【００２８】
図３Ａ−３Ｅは図２Ｂに示す挟持板６０の嵌入孔６２に電子素子３０を嵌入する製造工程の詳細を示す図である。
【００２９】
先ず、図３Ａに示すように、挟持板６０の通孔６１の寸法に略等しい径を有する挟持孔５１を少なくとも一つ備えるガイド板５０を提供する。なお、挟持孔５１同士間の距離は通孔６１同士間の距離と同様である。
【００３０】
次に、図３Ｂに示すように、各電子素子３０を挟持孔５１に嵌入する。
【００３１】
次に、図３Ｃにおいて、各挟持孔５１を各嵌入孔６３に一対一で対応させるように、電子素子３０を嵌入されたガイド板５０を挟持板６０に置く。
【００３２】
次に、図３Ｄに示すように、ローラー７０がガイド板５０表面全体を回転することにより、挟持孔５１に挟持された電子素子３０が挟持板６０の嵌入孔６３に嵌入される。弾性部材６２は、電子素子３０の両端を挟持板６０から露出させるように、電子素子３０をしっかりと挟持することができる。
【００３３】
最後に、図３Ｅに示すように、ガイド板５０を挟持板６０から取り外すと、図２Ｂに示す構造が形成される。そして、半導体製造工程を以って、電子素子３０の表面に種子層３２を形成する。
【００３４】
本発明は前記実施例の如く提示されているが、これは本発明を限定するものではなく、当業者は本発明の要旨と範囲内において変形と修正をすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１Ａ】従来の多層セラミックキャパシタにめっき用種子層を形成するための製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す製造工程のステップに続くステップを示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｂに示す製造工程のステップに続くステップを示す断面図である。
【図２Ａ】本発明に係る電子素子にめっき用種子層を形成するための製造工程の一ステップを示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ａに示す製造工程のステップに続くステップを示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに示す製造工程のステップに続くステップを示す断面図である。
【図３Ａ】図２Ｂに示す挟持板の嵌入孔に電子素子を嵌入するステップの一子ステップを示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す子ステップに続く子ステップを示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに示す子ステップに続く子ステップを示す断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｃに示す子ステップに続く子ステップを示す断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｄに示す子ステップに続く子ステップを示す断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
３０  電子素子
３１  表面
３２  種子層
６０  挟持板
６２  弾性部材
８０  ターゲット部材
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2006228850.tif 000011
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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