(57)【要約】【課題】保護シートの剥離時におけるダイシング切り屑の飛散を抑制することができ、飛散した切り屑の再付着に起因する半導体ウェハに形成された回路領域の特性不具合を低減することのできる保護シートの剥離方法およびそれに用いる剥離治具を提供する。【解決手段】半導体ウェハ１に貼り付けられたダイシング時の保護シート２を、半導体ウェハ１のダイシング後に剥離する保護シート２の剥離方法であって、保護シート２の剥離時に、半導体ウェハ１と保護シート２の剥離先端近傍を、真空吸引する。【選択図】        図１
2006179517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに貼り付けられたダイシング時の保護シートを、前記半導体ウェハのダイシング後に剥離する保護シートの剥離方法であって、
前記保護シートの剥離時に、前記半導体ウェハと保護シートの剥離先端近傍を、真空吸引することを特徴とする保護シートの剥離方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハにおける前記保護シートとの貼り合わせ面側に、前記ダイシングのためのスクライブラインとは別に、空隙状態の溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の保護シートの剥離方法。
【請求項３】
前記空隙状態の溝が、前記半導体ウェハを貫通していないことを特徴とする請求項２に記載の保護シートの剥離方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハに、前記空隙状態の溝を介して変位可能に支持された慣性可動部を有する静電容量式の力学量センサが形成され、
前記慣性可動部が、印加される力学量に応じて変位する重錘部と、前記重錘部に一体形成された櫛歯状の可動電極と、前記重錘部に連結し、前記力学量の印加による撓みで前記重錘部を力学量に応じて変位させる矩形枠状のばね部とを有してなり、
前記可動電極と対向して櫛歯状の固定電極が形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の保護シートの剥離方法。
【請求項５】
半導体ウェハに貼り付けられたダイシング時の保護シートを、前記半導体ウェハのダイシング後に剥離するための保護シートの剥離治具であって、
前記保護シートの剥離時における前記半導体ウェハと保護シートの剥離先端近傍に、真空吸引するための吸引口が設けられていることを特徴とする保護シートの剥離治具。
【請求項６】
前記剥離治具に、
前記保護シートが貼り付けられ半導体ウェハを、一定の平面内において直線的に移動させるウェハ移動ガイドと、
前記ウェハ移動ガイドにより規定される前記半導体ウェハの移動平面の中間位置に設けられ、前記保護シートを、移動する前記半導体ウェハの後方に屈曲させて半導体ウェハから剥離する保護シート剥離ガイドとが備えられ、
前記吸引口が、前記半導体ウェハの移動方向の前方から、前記保護シート剥離ガイドによる前記保護シートの屈曲部に向かって設けられていることを特徴とする請求項５に記載の保護シートの剥離治具。
【請求項７】
前記保護シート剥離ガイドによる前記保護シートの後方への屈曲角が、９０°以上であることを特徴とする請求項５または６に記載の保護シートの剥離治具。
【請求項８】
前記吸引口の開口面の法線方向が、前記半導体ウェハの移動平面の法線方向に対して、前記半導体ウェハの移動方向の前方に向かって、０°以上、４５°以下の傾き角にあることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の保護シートの剥離治具。
【請求項９】
前記吸引口が、複数個、設けられていることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の保護シートの剥離治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハに貼り付けられたダイシング時の保護シートを、半導体ウェハのダイシング後に剥離する保護シートの剥離方法およびそれに用いる保護シートの剥離治具に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの製造最終工程においては、一枚の半導体ウェハ上に繰り返し多数形成された回路領域を分離するために、ダイシングが行われる。半導体ウェハのダイシングでは、通常、当該半導体ウェハの一方の面側に形成された上記多数の回路領域を保護するために保護シートが貼り付けられ、もう一方の面側からダイシングが行われる。このような半導体ウェハのダイシングにおいては、ダイシングの際に発生する切り屑（Ｓｉ屑、接着材屑、フィルム屑等）の飛散防止が重要である。
【０００３】
特に、半導体ウェハに形成される半導体素子が空隙状態の微細な溝を有する静電容量式の力学量センサである場合には、飛散した切り屑が微細な溝に入ることによって、センサ特性が劣化する。このため、このような静電容量式の力学量センサ（半導体加速度センサ）の製造におけるダイシングの際の切り屑飛散防止手段が、例えば、特開２００２−１６２６４号公報（特許文献１）に開示されている。特許文献１に開示された切り屑飛散防止手段によれば、保護シートを回路領域の周りに形成されたダイシングのためのスクライブラインの底面にまで貼り付けるようにして、ダイシング時に発生するシリコン（Ｓｉ）等の切り屑の飛散を防止している。
【特許文献１】特開２００２−１６２６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図７（ａ）〜（ｄ）は、半導体ウェハのダイシングまでの工程とダイシング後の従来の保護シートの剥離方法を示す、工程別断面図である。
【０００５】
最初に、図７（ａ）に示すように、保護シート２をシリコン（Ｓｉ）からなる半導体ウェハ１に貼り付ける。尚、図中の符号２ａは、保護シート２のベースフィルムを示しており、符号２ｂは、保護シート２の接着剤層を示している。また、特許文献１に開示されているように、保護シート２は、半導体ウェハ１に形成されたスクライブライン１ｓの底面にまで貼り付けるようにしている。
【０００６】
次に、図７（ｂ）に示すように、スクライブライン１ｓに沿って、ダイシングを行う。尚、図中の符号ＤＢは、ダイシングブレードである。ダイシング時には、図中に符号１ｄで示したシリコン（Ｓｉ）等の切り屑が多数発生するが、保護シート２をスクライブライン１ｓの底面にまで貼り付けることで、発生した切り屑１ｄを保護シート２の接着剤層２ｂに付着させることができる。これにより、切り屑１ｄの飛散を抑制することができる。
【０００７】
図７（ｃ）は、ダイシングブレードＤＢが通り過ぎた、ダイシング後の状態を示す図である。上記したようにシリコン（Ｓｉ）等の切り屑１ｄの多くは保護シート２の接着剤層２ｂに付着させることができるが、切断部１ｃには、接着剤層２ｂに付着していない切り屑１ｄも存在する。
【０００８】
図７（ｄ）は、保護シート２の剥離工程を示す図である。尚、図示を省略しているが、半導体ウェハ１における保護シート２の貼り付け面と反対の面に、切断形成された半導体チップの散らばり防止用ＵＶシートを貼り付けた後、保護シート２の剥離を行う。
【０００９】
保護シート２の接着剤層２ｂに付着していない切り屑１ｄが切断部１ｃに存在すると、保護シート２の剥離の際に、この切り屑１ｄが飛散してしまい、空隙状態の微細な溝を有する静電容量式の力学量センサにあっては、飛散した切り屑が微細な溝に入ることによって、センサ特性の劣化等の不具合が発生する。
【００１０】
そこで本発明は、保護シートの剥離時におけるダイシング切り屑の飛散を抑制することができ、飛散した切り屑の再付着に起因する半導体ウェハに形成された回路領域の特性不具合を低減することのできる保護シートの剥離方法およびそれに用いる剥離治具を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、半導体ウェハに貼り付けられたダイシング時の保護シートを、前記半導体ウェハのダイシング後に剥離する保護シートの剥離方法であって、前記保護シートの剥離時に、前記半導体ウェハと保護シートの剥離先端近傍を、真空吸引することを特徴としている。
【００１２】
これによれば、保護シートの接着剤層に付着していない切り屑がダイシングの切断部に存在する場合であっても、保護シートの剥離時に飛散する前記切り屑は真空吸引されるため、保護シート剥離後の半導体ウェハへの再付着を抑制することができる。従って、飛散した切り屑の再付着に起因する半導体ウェハに形成された回路領域の特性不具合を低減することができる。
【００１３】
請求項２に記載ように、上記保護シートの剥離方法は、前記半導体ウェハにおける前記保護シートとの貼り合わせ面側に、前記ダイシングのためのスクライブラインとは別に、空隙状態の溝が形成されている半導体ウェハに対して効果的である。
【００１４】
空隙状態の溝がある半導体ウェハでは、飛散した切り屑が空隙状態の溝に入り込んで、再付着し易い。このような半導体ウェハであっても、上記保護シートの剥離方法によれば、保護シートの剥離時に飛散する切り屑を真空吸引して半導体ウェハへの再付着を抑制することができる。
【００１５】
特に請求項３に記載ように、前記空隙状態の溝が、前記半導体ウェハを貫通していない場合には、飛散した切り屑が一旦空隙状態の溝に入り込むと抜け難いため、飛散する切り屑を真空吸引して再付着を抑制する上記保護シートの剥離方法が効果的である。
【００１６】
上記保護シートの剥離方法は、例えば請求項４に記載ように、前記半導体ウェハに、前記空隙状態の溝を介して変位可能に支持された慣性可動部を有する静電容量式の力学量センサが形成され、前記慣性可動部が、印加される力学量に応じて変位する重錘部と、前記重錘部に一体形成された櫛歯状の可動電極と、前記重錘部に連結し、前記力学量の印加による撓みで前記重錘部を力学量に応じて変位させる矩形枠状のばね部とを有してなり、前記可動電極と対向して櫛歯状の固定電極が形成されている場合に、効果的に適用することができる。
【００１７】
上記、静電容量式の力学量センサにおいては、櫛歯状の可動電極と固定電極の間や矩形枠状のばね部に、微細で複雑な形状の空隙状態の溝が存在する。このような静電容量式の力学量センサが形成された半導体ウェハであっても、上記保護シートの剥離方法によれば、飛散する切り屑を真空吸引して半導体ウェハへの再付着を抑制することができる。
【００１８】
以上のようにして、上記保護シートの剥離方法は、保護シートの剥離時におけるダイシング切り屑の飛散を抑制することができ、飛散した切り屑の再付着に起因する半導体ウェハに形成された回路領域の特性不具合を低減することのできる剥離方法となっている。
【００１９】
請求項５〜９に記載の発明は、上記保護シートの剥離方法に用いる、剥離治具に関する発明である。
【００２０】
請求項５に記載の発明は、半導体ウェハに貼り付けられたダイシング時の保護シートを、前記半導体ウェハのダイシング後に剥離するための保護シートの剥離治具であって、前記保護シートの剥離時における前記半導体ウェハと保護シートの剥離先端近傍に、真空吸引するための吸引口が設けられていることを特徴としている。
【００２１】
この半導体ウェハと保護シートの剥離先端近傍に吸引口が設けられた剥離治具を用いて、上記した前記半導体ウェハと保護シートの剥離先端近傍を真空吸引する保護シートの剥離方法を実施することができる。
【００２２】
請求項６に記載のように、前記剥離治具には、前記保護シートが貼り付けられ半導体ウェハを、一定の平面内において直線的に移動させるウェハ移動ガイドと、前記ウェハ移動ガイドにより規定される前記半導体ウェハの移動平面の中間位置に設けられ、前記保護シートを、移動する前記半導体ウェハの後方に屈曲させて半導体ウェハから剥離する保護シート剥離ガイドとが備えられ、前記吸引口が、前記半導体ウェハの移動方向の前方から、前記保護シート剥離ガイドによる前記保護シートの屈曲部に向かって設けられていることが好ましい。
【００２３】
上記ウェハ移動ガイドと保護シート剥離ガイドにより、半導体ウェハから剥離する保護シートの剥離角を、保護シートの剥離中、常に一定に保つことができる。これによって、安定した剥離作業が可能となり、半導体ウェハと保護シートの剥離先端近傍への吸引口の配置も、適宜調整することができる。
【００２４】
請求項７に記載のように、前記保護シート剥離ガイドによる前記保護シートの後方への屈曲角は、９０°以上であることが好ましい。これによれば、吸引口の配置に対して剥離された保護シートが邪魔にならないため、吸引口の配置の自由度を高めることができる。
【００２５】
請求項８に記載のように、前記吸引口の開口面の法線方向は、前記半導体ウェハの移動平面の法線方向に対して、前記半導体ウェハの移動方向の前方に向かって、０°以上、４５°以下の傾き角にあることが好ましい。これによれば、切断部から落下する保護シートの接着剤層に付着していない切り屑を、容易に吸引することができる。
【００２６】
請求項９に記載のように、前記吸引口は、複数個に分けて配置することができる。これにより、剥離先端近傍へ近接して、あるいは飛散する切り屑の飛散領域を広くカバーして、切断部から飛散する切り屑の吸引率を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図に基づいて説明する。
【００２８】
図１（ａ）〜（ｄ）は、半導体ウェハのダイシングまでの工程とダイシング後の本発明による保護シートの剥離方法を示す、工程別断面図である。
【００２９】
図１（ａ）〜（ｃ）に示す半導体ウェハのダイシングまでの工程は、図７（ａ）〜（ｃ）に示した従来の半導体ウェハのダイシングまでの工程と同様である。
【００３０】
すなわち、最初に、図１（ａ）に示すように、保護シート２をシリコン（Ｓｉ）からなる半導体ウェハ１に貼り付ける。尚、図中の符号２ａは、保護シート２のベースフィルムを示しており、符号２ｂは、保護シート２の接着剤層を示している。また、保護シート２は、半導体ウェハ１に形成されたスクライブライン１ｓの底面にまで貼り付けるようにしている。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、スクライブライン１ｓに沿って、ダイシングを行う。尚、図中の符号ＤＢは、ダイシングブレードである。ダイシング時には、図中に符号１ｄで示したシリコン（Ｓｉ）等の切り屑が多数発生するが、保護シート２をスクライブライン１ｓの底面にまで貼り付けることで、発生した切り屑１ｄを保護シート２の接着剤層２ｂに付着させることができる。これにより、切り屑１ｄの飛散を抑制することができる。
【００３２】
図１（ｃ）は、ダイシングブレードＤＢが通り過ぎた、ダイシング後の状態を示す図である。上記したようにシリコン（Ｓｉ）等の切り屑１ｄの多くは保護シート２の接着剤層２ｂに付着させることができるが、切断部１ｃには、接着剤層２ｂに付着していない切り屑１ｄも存在する。
【００３３】
図１（ｄ）は、本発明による保護シート２の剥離工程を示す図である。尚、図示を省略しているが、半導体ウェハ１における保護シート２の貼り付け面と反対の面に、切断形成された半導体チップの散らばり防止用のＵＶシートを貼り付けた後、保護シート２の剥離を行う。
【００３４】
図７（ｄ）に示した従来の剥離方法は、半導体ウェハ１に貼り付けられたダイシング時の保護シート２をそのまま剥離するものであった。これに対して、図１（ｄ）に示す本発明の剥離方法では、保護シート２の剥離時に、半導体ウェハ１と保護シート２の剥離先端近傍を、吸引口３により真空吸引する。
【００３５】
これにより、保護シート２の接着剤層２ｂに付着していない切り屑１ｄがダイシングの切断部１ｃに存在する場合であっても、保護シート２の剥離時に飛散する切り屑１ｄは真空吸引されため、保護シート２剥離後の半導体ウェハ１への再付着を抑制することができる。従って、飛散した切り屑１ｄの再付着に起因する半導体ウェハ１に形成された回路領域の特性不具合を低減することができる。
【００３６】
尚、ＵＶシートは紫外線を照射することで粘着力がなくなるため、保護シート２の剥離後にＵＶシートに貼り付けられている切断形成された各半導体チップは、紫外線を照射することで簡単に取り外すことができる。
【００３７】
図１（ｄ）に示す本発明の保護シートの剥離方法は、半導体ウェハ１における保護シート２との貼り合わせ面側に、ダイシングのためのスクライブライン１ｓとは別に、空隙状態の溝が形成されている半導体ウェハに対して効果的である。次に、このような半導体ウェハの例を示す。
【００３８】
図２（ａ）〜（ｃ）は、上記半導体ウェハに空隙状態の溝が形成される例で、半導体ウェハに形成された静電容量式の力学量センサの構造を示す図である。図２（ａ）は、静電容量式の力学量センサ９１，９２の平面模式図であり、図２（ｂ）は、静電容量式の力学量センサ９１における図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ｃ）は、静電容量式の力学量センサ９２における図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。尚、図２（ａ）でハッチングされた部位は、断面ではなく、実際は平面である。
【００３９】
図２（ａ）〜（ｃ）に示す静電容量式の力学量センサ９１，９２は、加速度を検出する力学量センサで、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板に対して、半導体製造技術を利用した周知のマイクロマシン加工を施すことにより形成される。
【００４０】
図２（ａ）に示すように、静電容量式の力学量センサ９１，９２は、アンカー部１３に支持され、空隙状態の溝を介して変位可能に支持された、慣性可動部１２を有する。慣性可動部１２は、印加される力学量に応じて変位する重錘部１５と、重錘部１５の両側に櫛歯形状に一体形成された可動電極１６と、重錘部１５に連結し、力学量の印加による撓みで重錘部１５を力学量に応じて変位させる矩形枠状のばね部１４とで構成されている。
【００４１】
一方、可動電極１６の一方側に対向して櫛歯形状の第１の固定電極１７が形成されていると共に、可動電極１６の他方側に対向して第２の固定電極１８が形成されている。上記慣性可動部１２及び各固定電極１７，１８には、重量軽減のための矩形状の貫通孔３１が複数形成されている。
【００４２】
また、ＳＯＩ基板のパッド部２５〜２７には、可動電極１６および固定電極１７，１８から電気信号を取出すための電極パッド２８〜３０が形成されている。パッド部２５〜２７は、第２の半導体層２０からなる周辺部と電気的に分離することにより目的の電気信号を取出す必要があるため、二重の溝３４で物理的及び電気的に分離されている。
【００４３】
図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、静電容量式の力学量センサ９１，９２は、第１の半導体層１９，２２と第２の半導体層２０との間に絶縁層２１を有するＳＯＩ基板によって構成されている。
【００４４】
図２（ｂ）に示す静電容量式の力学量センサ９１では、重錘部１５や可動電極１６の下部にある第１の半導体層１９が除去されている。一方、図２（ｃ）に示す静電容量式の力学量センサ９２では、重錘部１５や可動電極１６の下部に犠牲層エッチングを用いて隙間が設けられ、重錘部１５や可動電極１６の下部にある第１の半導体層２２が除去されずに残されている。
【００４５】
以上のように、図２（ａ）〜（ｃ）に示す静電容量式の力学量センサ９１，９２が形成された半導体ウェハでは、図１に示すダイシングのためのスクライブライン１ｓとは別に、櫛歯状の可動電極６１と固定電極１７，１８の間や矩形枠状のばね部１４に、微細で複雑な形状の空隙状態の溝が存在する。このような空隙状態の溝がある半導体ウェハでは、飛散した切り屑が空隙状態の溝に入り込んで、再付着し易い。特に、図２（ａ），（ｃ）に示す静電容量式の力学量センサ９１，９２のように、重錘部１５や可動電極１６の下部にある第１の半導体層２２が除去されずに残されており、空隙状態の溝が半導体ウェハを貫通していない場合には、飛散した切り屑が一旦空隙状態の溝に入り込むと抜け難い。このため、図７（ｄ）に示す従来の保護シート２の剥離方法では、飛散した切り屑１ｄが微細な溝に入ることによって、センサ特性の劣化等の不具合が発生していた。
【００４６】
このような半導体ウェハであっても、図１（ｄ）に示す保護シート２の剥離方法によれば、保護シート２の剥離時に飛散する切り屑１ｄを真空吸引して、半導体ウェハへの再付着を抑制することができる。従って、図１（ｄ）に示す本発明の保護シート２の剥離方法は、保護シート２の剥離時におけるダイシング切り屑の飛散を抑制することができ、飛散した切り屑の再付着に起因する半導体ウェハに形成された回路領域の特性不具合を低減することのできる剥離方法となっている。
【００４７】
具体的には、図２の静電容量式の力学量センサ９２が形成された半導体ウェハにおいて保護シート２の剥離時に真空吸引する場合としない場合を比較すると、外観検査で検出される溝に入り込んだ切り屑の検出確率が、０．００２ｐｐｍから０．０００５ｐｐへと、約１／４に低減した。
【００４８】
次に、上記保護シートの剥離方法に好適に用いることのできる、剥離治具を説明する。
【００４９】
図３（ａ）〜（ｃ）は、上記保護シートの剥離方法に用いる本発明の剥離治具の一例である。図３（ａ）は、剥離治具１００の上面図であり、図３（ｂ）は、剥離治具１００の正面図である。また、図３（ｃ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【００５０】
図３（ａ）〜（ｃ）に示す剥離治具１００は、半導体ウェハ１に貼り付けられたダイシング時の保護シート２を、半導体ウェハ１のダイシング後に剥離するための剥離治具である。剥離治具１００には、ウェハ移動ガイド１０１と保護シート剥離ガイド１０２とが備えられている。ウェハ移動ガイド１０１は、保護シート２が貼り付けられ半導体ウェハ１を、一定の平面内において直線的に移動させるガイドである。保護シート剥離ガイド１０２は、ウェハ移動ガイド１０１により規定される半導体ウェハ１の移動平面の中間位置に設けられ、保護シート２を移動する半導体ウェハ１の後方に屈曲させて、保護シート２を半導体ウェハ１から剥離するためのガイドである。
【００５１】
尚、図３（ａ）〜（ｃ）において、符号１０４は、半導体ウェハ１を保持するための保持リングである。また、符号４は、図１（ｄ）で説明した切断形成された半導体チップの散らばり防止用のＵＶシートである。
【００５２】
剥離治具１００には、図３（ｃ）において点線矢印で示した半導体ウェハ１と保護シート２の剥離先端近傍を真空吸引するために、保護シート２の剥離時における半導体ウェハ１と保護シート２の剥離先端近傍に、真空吸引するための吸引口１０３が設けられている。図３（ｃ）に示すように、吸引口１０３は、半導体ウェハ１の移動方向の前方から、保護シート剥離ガイド１０２による保護シート２の屈曲部（剥離先端）に向かって設けられている。
【００５３】
図３（ａ）〜（ｃ）に示す剥離治具１００では、ウェハ移動ガイド１０１と保護シート剥離ガイド１０２により、半導体ウェハ１から剥離する保護シートの剥離角を、保護シート２の剥離中、常に一定に保つことができる。これによって、安定した剥離作業が可能となり、半導体ウェハ１と保護シート２の剥離先端近傍への吸引口１０３の配置も、適宜調整することができる。
【００５４】
図３（ａ）〜（ｃ）に示す剥離治具１００の保護シート剥離ガイド１０２による保護シート２の後方への屈曲角は、任意の設定が可能である。
【００５５】
図４（ａ）〜（ｃ）は、保護シート２の剥離工程を示す図１（ｄ）と同様の模式的な断面図で、それぞれ、異なる保護シート剥離ガイドを用いて、保護シート２の後方への屈曲角αを異にした状態を示している。図４（ａ）は、保護シート剥離ガイド１０２ａを用いて、保護シート２の後方への屈曲角αを９０°より小さく設定した場合である。図４（ｂ）は、保護シート剥離ガイド１０２ｂを用いて、保護シート２の後方への屈曲角αを９０°に設定した場合である。図４（ｃ）は、保護シート剥離ガイド１０２ｃを用いて、保護シート２の後方への屈曲角αを９０°より大きく設定した場合である。
【００５６】
図４（ａ）〜（ｃ）に示す保護シート２の後方への屈曲角αの各設定のうち、図４（ｂ）、（ｃ）に示す屈曲角αが９０°以上の場合は、特に好ましい設定である。この場合には、吸引口３の配置に対して剥離された保護シート２が邪魔にならないため、吸引口３の配置の自由度を高めることができる。
【００５７】
また、図１（ｄ）に示す吸引口３および図３（ａ）〜（ｃ）に示す剥離治具１００の吸引口１０３の配置については、任意の配置が可能である。
【００５８】
図５（ａ）〜（ｃ）は、保護シート２の剥離工程を示す図１（ｄ）と同様の模式的な断面図で、それぞれ、吸引口３の開口面の法線方向を、半導体ウェハの移動平面の法線方向に対して異にして配置した状態を示している。
【００５９】
図５（ａ）では、吸引口３の開口面の法線方向が、半導体ウェハ１の移動平面の法線方向に対して、半導体ウェハ１の移動方向の前方に向かって、４５°より大きい傾き角にある。図５（ｂ）では、吸引口３の開口面の法線方向が、半導体ウェハ１の移動平面の法線方向に対して、半導体ウェハ１の移動方向の前方に向かって、０°以上、４５°以下の傾き角にある。図５（ｃ）では、吸引口３の開口面の法線方向が、半導体ウェハ１の移動平面の法線方向に対して、半導体ウェハ１の移動方向の後方に向かって、傾いた状態にある。
【００６０】
図５（ａ）〜（ｃ）に示す吸引口３の配置のうち、図５（ｂ）に示す吸引口３の開口面の法線方向が半導体ウェハ１の移動平面の法線方向に対して半導体ウェハ１の移動方向の前方に向かって０°以上、４５°以下の傾き角にある配置が、特に好ましい配置である。この場合には、切断部から落下する保護シートの接着剤層に付着していない切り屑１ｄを容易に吸引することができる。
【００６１】
また、図１（ｄ）に示す吸引口３および図３（ａ）〜（ｃ）に示す剥離治具１００の吸引口１０３については、任意の数に分割して配置することが可能である。
【００６２】
図６（ａ）〜（ｃ）は、保護シート２の剥離工程を示す図１（ｄ）と同様の模式的な断面図で、それぞれ、吸引口を２〜３個に分けて配置した状態を示している。
【００６３】
図６（ａ）では、開口面積の小さな吸引口３ａと開口面積の大きな吸引口３ｂを２重に配置して、切断部から飛散する切り屑の吸引率を高めている。図６（ｂ）では、開口面積の大きな２個の吸引口３ｃ，３ｄを配置して、切断部から飛散する切り屑の吸引率を高めている。また、図６（ｃ）では、開口面積の小さな３個の吸引口３ｅ，３ｆ，３ｇを剥離先端近傍へ近接して配置して、切断部から飛散する切り屑の吸引率を高めている。
【００６４】
以上の図６（ａ）〜（ｃ）に示すように、吸引口を複数個に分けて適宜配置することにより、剥離先端近傍へ近接して、あるいは飛散する切り屑の飛散領域を広くカバーして、切断部から飛散する切り屑の吸引率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、半導体ウェハのダイシングまでの工程とダイシング後の本発明による保護シートの剥離方法を示す、工程別断面図である。
【図２】半導体ウェハに空隙状態の溝が形成される例で、（ａ）は、静電容量式の力学量センサ９１，９２の平面模式図であり、（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、静電容量式の力学量センサ９１，９２における（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の剥離治具の一例で、（ａ）は剥離治具の上面図であり、（ｂ）は剥離治具の正面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、保護シートの剥離工程を示す模式的な断面図で、異なる保護シート剥離ガイドを用いて、保護シートの後方への屈曲角αを異にした状態を示す図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、保護シートの剥離工程を示す模式的な断面図で、吸引口の開口面の法線方向を、半導体ウェハの移動平面の法線方向に対して異にして配置した状態を示す図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、保護シートの剥離工程を示す模式的な断面図で、吸引口を２〜３個に分けて配置した状態を示す図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、半導体ウェハのダイシングまでの工程とダイシング後の従来の保護シートの剥離方法を示す、工程別断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１  半導体ウェハ
１ｓ  スクライブライン
１ｃ  切断部
１ｄ  切り屑
２  保護シート
２ａ  ベースフィルム
２ｂ  接着剤層
３，３ａ〜３ｇ，１０３  吸引口
４  ＵＶシート
９１，９２  静電容量式の力学量センサ
１００  剥離治具
１０１  ウェハ移動ガイド
１０２，１０２ａ〜１０２ｄ  保護シート剥離ガイド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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