(57)【要約】【課題】配向欠陥の位置を反射部に固定させることにより、表示ざらつきを無くし、かつ透過部の特性を劣化させることのない液晶表示装置を提供する。【解決手段】１つのドット領域内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有する。第１の基板１０には、ドット領域毎に反射電極２１および透明電極２２からなる画素電極が形成されている。第２の基板３０は、第１の基板１０に対向配置されており、共通電極３４が形成されている。第１の基板１０と第２の基板３０の間には、液晶４が充填されている。反射部における第２の基板３０と共通電極３４との間には、反射部と透過部の液晶４の層厚を調整する液晶層厚調整層３３が形成されている。第２の基板３０の反射部には、電圧印加時に自身を軸として液晶分子を軸対称配向させる配向規制手段としての突起構造物３５が設けられている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つのドット領域内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有する液晶表示装置であって、
ドット領域毎に画素電極が形成された第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置され、共通電極が形成された第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に充填され、初期配向状態が垂直配向である液晶と、
前記反射部における前記第２の基板と前記共通電極との間に形成され、前記反射部と前記透過部の前記液晶の層厚を調整する液晶層厚調整層と、
前記第２の基板の前記反射部に設けられ、電圧印加時に自身を軸として液晶分子を軸対称配向させる配向規制手段と
を有する液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向規制手段は、前記反射部における前記共通電極上に形成された突起構造物からなる
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配向規制手段は、前記反射部における前記共通電極に形成された開口部からなる
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
１つの前記ドット領域内において前記透過部が前記反射部の周囲を取り囲んで配置された
請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項５】
１つの前記ドット領域が、反射部および透過部をもつ第１領域と、少なくとも反射部あるいは透過部をもつ第２領域とに区分けされており、
前記配向規制手段は、前記第１領域の反射部および前記第２領域のそれぞれに設けられた
請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、特に、反射型表示と透過型表示の双方を行う液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、ＰＤＡ等の携帯情報端末が普及し、薄型、軽量の利点を有する液晶表示装置の需要が高まってきている。液晶表示装置として、明るい場所では反射型液晶表示装置と同様に外光を利用し、暗い場所では透過型表示装置と同様にバックライトにより表示を視認可能にした併用型（半透過型）液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ところで液晶の配向モードには、電圧無印加状態で液晶分子が基板面に略平行でねじれた配向をもつツイステッド・ネマティックモード（Twisted Nematic,以下、ＴＮモードと称する）と、液晶分子が垂直に配向した垂直配向モードとがある。信頼性等の面から従来は、ＴＮモードが主流であったが、最近では、垂直配向モードがいくつかの優れた特性をもっていることから、垂直配向モードの液晶表示装置が注目されてきている。
【０００４】
例えば、垂直配向モードでは、液晶分子が基板面に対して垂直に配列された状態（法線方向から見た光学的リタデーションが無い）を黒表示として用いるため、黒表示の質が良く、高いコントラストが得られる。また、垂直配向モードでは、液晶分子を垂直方向から倒す（基板面に平行な方向に近づける）ことにより、白表示を得ている。
【０００５】
垂直配向モードの液晶表示装置が、特許文献２に開示されている。特許文献２では、図１４〜図１６に示す３種類の構造が開示されている。
【０００６】
図１４（ａ）に示す液晶表示装置では、第１の基板１１０上に、反射膜１１１と、反射カラーレジスト１１２と、透過カラーレジスト１１３と、絶縁膜１１４と、透明な画素電極１１５と、垂直配向膜１１６が形成されている。反射カラーレジスト１１２が形成された領域が、反射型表示を行う反射部となり、透過カラーレジスト１１３が形成された領域が、透過型表示を行う透過部となる。また、第２の基板１３０上には、透明な共通電極１３１と、垂直配向膜１３２が形成されている。第１の基板１１０と第２の基板１３０の間には、液晶１４０が充填されている。
【０００７】
絶縁膜１１４は、ドット領域の中央部に形成されており、反射部と透過部の液晶１４０の層厚を調整するために設けられている。絶縁膜１１４の中心部が反射部で、その周囲が透過部となっている。図１４（ｂ）に示すように、電圧を印加すると、絶縁膜１１４の傾斜面（側面）に沿って外側に液晶分子１４０ａが倒れる。また、画素電極１１５はドット領域毎に分割されているため、画素電極１１５の端部では斜め電界が発生し、液晶分子１４０ａは内側に倒れる。
【０００８】
この結果、絶縁膜１１４と画素電極１１５の端部の間の液晶分子１４０ａは垂直状態のままとなり、配向欠陥部Ｃが生じる。配向欠陥部Ｃは、反射部を取り囲むように、透過部に線状に生じる。配向欠陥部Ｃでは、黒状態となってしまい透過部における透過率を減少させてしまう。また、この配向欠陥部Ｃの位置を規定する構造物が第２の基板１３０側に存在しないため、ドット領域毎に欠陥の位置が異なり、表示ざらつきの原因となる。
【０００９】
図１５に示す液晶表示装置では、共通電極１３１に開口部（窓部）１３１ａが形成されている。この場合、電圧印加時において、開口部１３１ａ上に、垂直状態のままとなる液晶分子１４０ａが発生する。液晶１４０ａによる配向欠陥部Ｃは、常に開口部１３１ａに生じるため、表示ざらつきは起こらないが、配向欠陥部Ｃでは透過部における透過率が減少してしまう。
【００１０】
図１６に示す液晶表示装置では、第１の基板２１０上に半導体層２１１と、ゲート絶縁膜２１２と、ゲート電極２１３と、信号線２１４と、ドレイン電極２１５と、層間絶縁膜２１６と、反射膜２１７と、画素電極２１８と、垂直配向膜２１９が形成されている。また、第２の基板２３０上に、透過カラーレジスト２３１と、反射カラーレジスト２３２と、絶縁膜２３３と、共通電極２３４と、垂直配向膜２３５が形成されている。第１の基板２１０と、第２の基板２３０との間には、液晶２４０が充填されている。透過カラーレジスト２３１の形成領域が透過部となり、反射カラーレジスト２３２の形成領域が反射部となる。
【００１１】
図１６に示す構造では、ドット領域の中央部が透過部となり、透過部を取り囲むように反射部が存在する。そして、共通電極２３４下において反射部に対応する位置に、液晶の層厚を調整する絶縁膜２３３が形成されている。電圧印加時において、共通電極２３４は反射部と透過部とで分割されているため、共通電極２３４の周囲では斜め電界の影響を受けることから、図１６に示すように液晶分子２４０ａが倒れる。この結果、透過部の中央部および反射部に、垂直状態のままの液晶分子２４０ａが発生する。透過部に生じる点状の配向欠陥部Ｃは、透過部の透過率を減少させ、反射部に生じる線状の配向欠陥部Ｃ’は、反射部の反射率を減少させる。
【特許文献１】特開２００２−３３３６２４号公報
【特許文献２】特開２００３−２９５１７７号公報
【特許文献３】特開２００４−２７９５６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
以上のように、図１４および図１５に示す構造では、いずれも透過部に線状の配向欠陥部Ｃが発生する。近年の併用型の液晶表示装置では、透過部における特性が重視されつつあることから、透過部に線状の配向欠陥部Ｃが発生することは好ましくない。
【００１３】
また、図１６に示す構造では、透過部には点状の配向欠陥部Ｃしか発生しないが、反射部に線状の配向欠陥部Ｃ’が生じる。反射部であっても、配向欠陥部Ｃ’が線状となると、反射率の減少が顕著となることから好ましくない。透過部における特性が重視される近年の傾向を踏まえると、透過部には点状であっても配向欠陥部が存在することは好ましくない。
【００１４】
ただし、垂直配向モードでは、電圧印加時に配向欠陥部を皆無とすることは困難である。このため、垂直配向モードの液晶表示装置において、配向欠陥部を極力少なくし、かつ、この欠陥の位置を常に反射部に固定することが望まれている。ところで、突起構造物あるいは開口部により液晶分子の配向が規制できることが知られている（特許文献３参照）。
【００１５】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、配向欠陥の位置を反射部に固定させることにより、表示ざらつきを無くし、かつ透過部の特性を低下させることのない液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、１つのドット領域内に透過表示を行う透過部と反射表示を行う反射部とを有する液晶表示装置であって、ドット領域毎に画素電極が形成された第１の基板と、前記第１の基板に対向配置され、共通電極が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に形成され、初期配向状態が垂直配向である液晶層と、前記反射部における前記第２の基板と前記共通電極との間に形成され、前記反射部と前記透過部の前記液晶層の層厚を調整する液晶層厚調整層と、前記反射部における前記共通電極に形成され、電圧印加時に自身を軸として軸対称配向させる配向規制手段とを有する。
【００１７】
上記の本発明の液晶表示装置では、自身を軸として液晶分子を軸対称配向させる配向規制手段が反射部に形成されている。画素電極と共通電極との間に電圧を印加すると、配向規制手段を軸として、周囲の液晶分子が対称に倒れる（配向する）。配向規制手段の部位では、液晶分子が倒れず配向欠陥となるが、これは点状であるため、反射部における反射率の低下が最小限に抑えられる。また、透過部には配向欠陥が存在しないため、透過率の減少はない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、配向欠陥の位置を反射部に固定させることにより、表示ざらつきを無くし、かつ透過部の特性を低下させることのない液晶表示装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【００２１】
図１では、３つのドット領域１の平面図を示す。本実施形態では、各ドット領域１には、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタが配置され、３つのドット領域（サブピクセル）１により１つの画素（ピクセル）が構成される。ただし、カラー型の液晶表示装置でない場合には、１つのドット領域１により１つの画素が構成される。
【００２２】
互いに直交するゲート線１１および信号線１７が形成されており、ゲート線１１および信号線１７により囲まれた領域が、ドット領域１となる。各ドット領域１では、中央部に反射電極２１が形成され、反射電極２１を取り囲むように透明電極２２が形成されている。反射電極２１が形成された領域が反射部となり、透明電極２２が形成された領域が透過部となる。反射部には、反射部における液晶の層厚を調整する液晶層厚調整層３３が配置されており、反射部の中心部（ドット領域１の中心部でもある）には、配向規制手段としての突起構造物３５が配置されている。
【００２３】
図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図３は、図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００２４】
石英基板あるいはガラス基板からなる第１の基板１０上には、信号線１７が形成されており、信号線１７上には感光性樹脂からなる有機絶縁膜２０が形成されている。反射部における有機絶縁膜２０には、リソグラフィ技術により表面凹凸が形成されている。
【００２５】
反射部における有機絶縁膜２０上には、反射電極２１が形成されている。反射電極２１は、下地の有機絶縁膜２０の表面凹凸を反映した表面凹凸をもつ。これにより、散乱性をもった反射板が構成される。反射電極２１は、例えば銀あるいはアルミニウムからなる。
【００２６】
透過部における有機絶縁膜２０上には、透明電極２２が形成されている。透明電極２２は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。透明電極２２は、反射電極２１と電気的に接続されている。なお、図示はしないが、反射電極２１および透明電極２２上には、垂直配向膜が形成されている。
【００２７】
石英基板あるいはガラス基板からなる第２の基板３０は、第１の基板１０に対向配置されている。第２の基板３０上にはカラーフィルタ３１が形成されている。カラーフィルタ３１は、ドット領域１毎に配置された、赤色カラーフィルタ３１Ｒと、緑色カラーフィルタ３１Ｇと、青色カラーフィルタ３１Ｂからなる。カラーフィルタ３１は、リソグラフィ工程によりパターン加工されたカラーレジストからなる。カラーフィルタ３１上には、平坦化膜３２が形成されている。なお、平坦化膜３２は省略可能である。
【００２８】
第２の基板３０の平坦化膜３２上には、反射部に対応する部分に、反射部における液晶４の層厚を薄くするための液晶層厚調整層３３が形成されている。液晶層厚調整層３３は、例えば、絶縁性の感光性樹脂からなり、リソグラフィ技術によりパターン形成されたものである。
【００２９】
液晶層厚調整層３３を被覆するように、平坦化膜３２上には、共通電極３４が形成されている。共通電極３４は、ＩＴＯなどの透明電極からなる。
【００３０】
液晶層厚調整層３３が形成された部位における共通電極３４上には、配向規制手段としての突起構造物３５が形成されている。突起構造物３５は、絶縁性の感光性樹脂からなり、反射部の中心に配置されている。この突起構造物３５は、フォトリソグラフィ技術によりパターン形成されたものである。この突起構造物３５により画素電極（反射電極２１および透明電極２２）と共通電極３４の間の電界を変化させて、液晶分子４ａの配向を規制することができる。すなわち、電圧を印加した状態では、突起構造物３５を軸として対称に液晶分子４ａが倒れる（軸対称配向）こととなる。突起構造物３５は、液晶分子４ａが軸対称配向した場合の軸対称配向中心となる。
【００３１】
図示はしないが、突起構造物３５を被覆するように共通電極３４上には、垂直配向膜が形成されている。また、図示はしないが、対向配置した第１の基板１０と第２の基板３０の間には、基板間隔を一定に保つ柱状スペーサが配置されている。
【００３２】
対向配置した第１の基板１０と第２の基板３０の間隙には、液晶４が充填されている。液晶４は、初期配向状態が垂直配向を取る液晶、すなわち誘電率異方性が負の液晶材料からなる。
【００３３】
図示はしないが、第１の基板１０と第２の基板３０の外側には、広帯域円偏光板がそれぞれ配置されている。一対の広帯域偏光板は、互いの透過軸が９０°の角度をなすように配置されている。
【００３４】
図１において、第１の基板１０の反射電極２１下であって、信号線１７とゲート線１１の交差位置には、スイッチング素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が形成されている。図４は、ＴＦＴを説明するための第１の基板１０側の詳細な拡大断面図である。
【００３５】
第１の基板１０上には、ゲート線（ゲート電極）１１および補助容量線１２が形成されている。ゲート線１１および補助容量線１２を被覆するように第１の基板１０上には、ゲート絶縁膜１３が形成されている。ゲート絶縁膜１３は、酸化シリコン膜、あるいは酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜からなる。
【００３６】
ゲート絶縁膜１３上には、例えばポリシリコンからなる半導体層１４が形成されている。ゲート線１１の上方における半導体層１４上には、ストッパ膜１５が形成されており、さらに、ストッパ膜１５を被覆するように半導体層１４上には層間絶縁膜１６が形成されている。ストッパ膜１５は、例えば酸化シリコン膜からなり、層間絶縁膜１６は、例えば酸化シリコン膜と窒化シリコン膜の積層膜からなる。
【００３７】
層間絶縁膜１６上には、信号線（ＴＦＴのソース電極となる）１７と、ドレイン電極１８と、補助容量電極１９が形成されている。信号線１７およびドレイン電極１８は、半導体層１４に接続されている。補助容量電極１９は、補助容量線１２との間で補助容量を形成する。信号線１７、ドレイン電極１８および補助容量電極１９は、例えばアルミニウムからなる。
【００３８】
上記のゲート線１１、半導体層１４、信号線１７およびドレイン電極１８によりスイッチング素子としてのＴＦＴが構成される。信号線１７、ドレイン電極１８および補助容量電極１９を被覆して、有機絶縁膜２０が形成されており、ＴＦＴの形成領域における有機絶縁膜２０上には、反射電極２１が形成されている。反射電極２１は、ＴＦＴのドレイン電極１８と電気的に接続されている。
【００３９】
上記の本実施形態に係る液晶表示装置では、電圧無印加状態では、図２に示すように、液晶分子４ａは垂直配向をしており、暗状態となる。
【００４０】
図５は、電圧を印加した状態における液晶表示装置の平面図であり、図６は図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００４１】
電圧を印加すると、図５および図６に示すように、第２の基板３０側に形成された突起構造物３５を軸対称配向中心として、周囲の液晶分子４ａが倒れる。このとき、突起構造物３５の周囲の液晶分子４ａは、突起構造物３５を中心として対称に配向する。この状態が、明状態である。
【００４２】
この突起構造物３５の部位、すなわち軸対称配向中心では、液晶分子４ａは倒れずに垂直状態のままとなる（図６参照）。また、各ドット領域１において突起構造物３５を軸対称中心として、液晶分子４ａが倒れる結果、ドット領域１間の領域における液晶分子４ａも垂直状態のままとなる。
【００４３】
このため、軸対称配向中心では配向欠陥となり、暗状態となるが、点状のため、反射部における反射率の低下を極力抑えることができる。また、透過部には配向欠陥が存在しないため、透過率の減少は全く無い。さらに、ドット領域１間の領域はもともと信号線１７で遮光されており、表示には寄与しないため、この領域に配向欠陥が存在しても問題はない。
【００４４】
さらに、突起構造物３５により軸対称中心を定めた場合には、電圧を印加した場合に、ドット領域１において外側の液晶分子４ａから内側の液晶分子４ａへと連鎖的に倒れることが確認された。液晶分子４ａがより遅く倒れる軸対称配向中心付近は反射部に存在するため、透過部の応答速度が速くなる。したがって、本実施形態に係る液晶表示装置は、透過特性重視の半透過型液晶表示装置に最適である。
【００４５】
（第２実施形態）
図７は、第２実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。図８は、図７のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図９は、図７のＢ−Ｂ’線における断面図である。なお、第１実施形態と同様の構成要素には、同一の符号を付してあり、その説明は省略する。
【００４６】
本実施形態では、反射部の中心部（ドット領域１の中心部でもある）には、配向規制手段として開口部（孔）３６が配置されている。開口部３６は、フォトリソグラフィ技術により、開口部となる部位の共通電極３４を除去することにより形成される。
【００４７】
電圧を印加すると、突起構造物を形成した第１実施形態と同様に、開口部３６を軸対称配向中心として、周囲の液晶分子４ａが対称に倒れる。これは、開口部３６の周囲では、反射電極２１および共通電極３４の間に斜め電界が生じることとなり、当該斜め電界に沿って液晶分子４ａの倒れる方向を規制することが可能となるからである。
【００４８】
本実施形態に係る液晶表示装置によっても、常に開口部３６の位置を軸対称配向中心とできるため、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【００４９】
（第３実施形態）
図１０は、本実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ’線に沿った断面図であり、図１２は、図１０のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【００５０】
ドット領域１は、正方形でなく長方形となる場合がある。長方形のドット領域１の場合には、その中心に突起構造物３５あるいは開口部３６からなる配向規制手段を配置しても、制御良く軸対称配向させることが難しい。
【００５１】
このため、長方形のドット領域１を長手方向に２つに分割した場合に、より正方形に近い形状が得られる場合には、各ドット領域１を第１領域２および第２領域３に分割する。本実施形態では、第１領域２では反射部および透過部を設け、第２領域３では透過特性を重視して透過部のみを設けたものである。そして、第１領域２および第２領域３のそれぞれの中心に、配向規制手段として、突起構造物３５を設けている。なお、突起構造物３５の変わりに開口部を形成してもよい。
【００５２】
ドット領域１中の第１領域２の構成については、第１実施形態と同様である。すなわち、第１領域２では、中央部に反射電極２１が形成され、反射電極２１を取り囲むように透明電極２２が形成されている。反射電極２１が形成された領域が反射部となり、透明電極２２が形成された領域が透過部となる。反射部には、反射部における液晶の層厚を調整する液晶層厚調整層３３が配置されており、反射部の中心部（ドット領域１の中心部でもある）には、配向規制手段として突起構造物３５が配置されている。
【００５３】
第２領域３では、透明電極２２のみが形成されている。このため、第２領域３の全体が、透過部となる。第２領域３の中心部には、配向規制手段としての突起構造物３５が形成されている。突起構造物３５は、共通電極３４上に形成されている。
【００５４】
第１領域２と第２領域３では、透明電極２２が一体的に形成されている。また、透明電極２２は、第１領域２と第２領域３の境界部において、幅が細くなったくびれ部２２ａを有する。このように第１領域２と第２領域３の境界部においてくびれ部２２ａを設けて、第１領域２と第２領域３における画素電極（第１領域２では反射電極２１と透明電極２２、第２領域３では透明電極２２）の形状を正方形に近づけている。
【００５５】
本実施形態に係る液晶表示装置によっても、電圧を印加すると、図１３に示すように、ドット領域１中の第１領域２および第２領域３では、突起構造物３５を軸対称配向中心として、周囲の液晶分子４ａが倒れる。
【００５６】
第１領域２では、配向欠陥となる軸対称配向中心が反射部に１つとなり、これは点状であることから、反射部の反射率の低下を最小限に抑えることができる。また、透過部には配向欠陥は存在しないため、透過率の減少は全くない。
【００５７】
第２領域３では、配向欠陥となる軸対称配向中心が１つ存在するが、これは点状であることから、透過部の透過率の低下を最小減に抑えることができる。また、ドット領域１内に透過型表示のみを行う第２領域３を設けることにより、透過特性をより向上させることができる。
【００５８】
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。例えば、第３実施形態において、第２領域３を反射型表示のみを行う反射部としてもよい。また、第２領域３を第１領域２と同様に、反射部および透過部の双方を備える構成としてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図４】第１の基板の詳細な断面図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶表示装置の平面図であり、電圧を印加した状態において、液晶の配向が軸対称配向になっている様子を示す図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図７】第２実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図８】図７のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図９】図７のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１０】第３実施形態に係る液晶表示装置の平面図である。
【図１１】図１０のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図１２】図１０のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図１３】第３実施形態に係る液晶表示装置の平面図であり、電圧を印加した状態において、液晶の配向が軸対称配向になっている様子を示す図である。
【図１４】従来例の液晶表示装置の断面図である。
【図１５】従来例の液晶表示装置の断面図である。
【図１６】従来例の液晶表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１…ドット領域、２…第１領域、３…第２領域、４…液晶、４ａ…液晶分子、１０…第１の基板、１１…ゲート線、１２…補助容量線、１３…ゲート絶縁膜、１４…半導体層、１５…ストッパ膜、１６…層間絶縁膜、１７…信号線、１８…ドレイン電極、１９…補助容量電極、２０…有機絶縁膜、２１…反射電極、２２…透明電極、２２ａ…くびれ部、３１…カラーフィルタ、３０…、３１Ｒ…赤色カラーフィルタ、３１Ｇ…緑色カラーフィルタ、３１Ｂ…青色カラーフィルタ、３２…平坦化膜、３３…液晶層厚調整層、３４…共通電極、３５…突起構造物、３６…開口部、１１０…第１の基板、１１１…反射膜、１１２…反射カラーレジスト、１１３…透過カラーレジスト、１１４…絶縁膜、１１５…画素電極、１１６…垂直配向膜、１３０…第２の基板、１３１…共通電極、１３１ａ…開口部、１３２…垂直配向膜、１４０…液晶、１４０ａ…液晶分子、２１０…第１の基板、２１１…半導体層、２１２…ゲート絶縁膜、２１３…ゲート電極、２１４…信号線、２１５…ドレイン電極、２１６…層間絶縁膜、２１７…反射膜、２１８…画素電極、２１９…垂直配向膜、２３０…第２の基板、２３１…透過カラーレジスト、２３２…反射カラーレジスト、２３３…絶縁膜、２３４…共通電極、２３５…垂直配向膜、２４０…液晶、２４０ａ…液晶分子、Ｃ…配向欠陥部
【図１】
2006292940.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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