(57)【要約】【課題】  複雑なアライメント機構を使用することなく、封止キャップを基板上に位置合わせした状態で配置してＭＥＭＳ素子などを機密封止できる電子部品実装構造体の製造方法を提供する。【解決手段】  ＭＥＭＳ素子１６が形成領域に形成され、形成領域の外周部に凹部１０ａが設けられた電子部品形成基板５と、電子部品形成基板５の凹部１０ａに対応する部分に突起状接合部３０ｂが設けられて、形成領域に対応する部分にキャビティ３０ａが形成された封止キャップ３０とを用意し、封止キャップ３０の突起状接合部３０ｂを電子部品形成基板５の凹部１０ａにはめ込んで陽極接合して、ＭＥＭＳ素子１６を封止キャップ３０のキャビティ３０ａ内に気密封止する。【選択図】  図７
2006305655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が形成領域に形成され、該形成領域の外周部に凹部が設けられた電子部品形成基板と、
リング状の突起状接合部と該突起状接合部によってキャビティが設けられた封止キャップであって、前記封止キャップの前記突起状接合部が前記電子部品形成基板の凹部にはめ込まれて接合された前記封止キャップとを有し、
前記電子部品が前記封止キャップのキャビティ内に気密封止されていることを特徴とする電子部品実装構造体。
【請求項２】
前記電子部品形成基板及び前記封止キャップは、一方がシリコンからなり、他方がガラスからなる材料の組み合わせで構成され、前記封止キャップの前記突起状接合部は、陽極接合によって前記電子部品形成基板の前記凹部に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装構造体。
【請求項３】
前記電子部品は、ＭＥＭＳ素子、撮像素子及び光半導体素子の群から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品実装構造体。
【請求項４】
電子部品が形成領域に形成され、該形成領域の外周部に凹部が設けられた電子部品形成基板と、前記電子部品形成基板の前記凹部に対応する部分にリング状の突起状接合部が形成され、前記形成領域に対応する部分にキャビティが設けられた封止キャップとを用意する工程と、
前記封止キャップの前記突起状接合部を、前記電子部品形成基板の前記凹部にはめ込むことで位置合わせして接合し、前記電子部品を前記封止キャップの前記キャビティ内に気密封止する工程とを有することを特徴とする電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品形成基板は、複数の前記形成領域と、前記複数の形成領域を取り囲むように格子状に形成され前記凹部とが設けられた基板であり、かつ、
前記封止キャップは、複数の前記キャビティと、前記複数のキャビティを取り囲むように格子状に形成された前記突起状接合部とが設けられた封止キャップ基板であり、
前記電子部品を気密封止する工程の後に、前記封止キャップ基板及び前記電子部品形成基板を切断してチップ状の個々の電子部品実装構造体を得る工程をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項６】
前記電子部品形成基板及び前記封止キャップは、一方がシリコンからなり、他方がガラスからなる材料の組み合わせで構成され、前記封止キャップの前記突起状接合部を、陽極接合によって前記電子部品形成基板の前記凹部に接合することを特徴とする請求項４又は５に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項７】
前記電子部品は、ＭＥＭＳ素子、撮像素子及び光半導体素子の群から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【請求項８】
前記電子部品形成基板の凹部の深さは、３０乃至５０μｍであり、前記封止キャップの突起状接合部の幅は、前記電子部品形成基板の凹部の幅よりも２０乃至４０μｍ細く設定されていることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか一項に記載の電子部品実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品実装構造体及びその製造方法に係り、さらに詳しくは、MEMS素子などが封止キャップで気密封止されて実装された電子部品実装構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）素子が基板上に実装され、ＭＥＭＳ素子が封止キャップによって気密封止された構造のMEMＳ素子デバイスがある。図１に示すように、従来のＭＥＭＳ素子デバイスの素子基板の一例では、シリコン基板１００上にコイル１０２とそれを被覆する保護層１０４が形成されており、さらに保護層１０４上にＭＥＭＳ素子として可動部１０６ａを備えたスイッチ素子１０６が設けられている。そして、スイッチ素子１０６の可動部１０６ａの一端部に対応する保護層１０４の上に電極１０８が設けられていて、スイッチ素子１０６の可動部１０６ａが電極１０８に接触することによりスイッチ回路がＯＮになるようになっている。
【０００３】
また、シリコン基板１００の周縁部上の保護層１０４の部分に開口部１０４ａが設けられており、その開口部１０４ａ内にはシリコン基板１００が露出した状態となっている。また、保護層１０４上の周縁側には、後述する封止キャップを位置合わせして装着するためのアライメントマークＭ１が形成されている。
【０００４】
さらに、図２に示すように、スイッチ素子１０６を気密封止するための、中央部にキャビティ１１０ａが設けられたガラスからなる封止キャップ１１０が用意される。封止キャップ１１０においても、そのキャビティ１１０ａの底面の周縁部に、封止キャップ１１０をスイッチ素子１０６に位置合わせして配置するためのアライメントマークＭ２が設けられている。
【０００５】
そして、図３及び図４に示すように、封止キャップ１１０のキャビティ１１０ａ内にスイッチ素子１０６が位置合わせされて収容されるように位置決めした状態で、封止キャップ１１０の周縁部を陽極接合装置によってシリコン基板１００の周縁部に接合する。このとき、陽極接合装置には認識カメラが備えられており、その認識カメラによってシリコン基板１００のアライメントマークＭ１及び封止キャップ１１０のアライメントマークＭ２を認識することに基づいて位置合わせが行われ、封止キャップ１１０がシリコン基板１００上に配置されて接合される。
【０００６】
以上のようなＭＥＭＳ素子デバイスの製造方法に関連する技術としては、特許文献１には、複数のＭＥＭＳ素子が設けられた半導体ウェハに、複数の封止キャップを備えたキャップ・アレイ・ウェハを接着してＭＥＭＳ素子を封止した後に、切断して個々のパッケージを得ることが記載されている。
【０００７】
また、特許文献２には、複数の機能素子が設けられたシリコンウェハ上に、粘着シートに貼着した状態で切り込みを形成した別のシリコンウェハを接合材で貼り付けることにより、接合材で機能素子部を囲むように封止した後に、切り込み部を除去し、機能素子側のシリコンウェハを切断することが記載されている。
【０００８】
また、特許文献３には、ＭＥＭＳ素子が設けられたデバイス本体に、気密空間が規定されるように筐体を超音波接合によって接合することが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１９９６６号公報
【特許文献２】特開平８−３１６４９６号公報
【特許文献３】特開２００４−２０９５８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した認識カメラによって封止キャップ１１０をＭＥＭＳ素子１０６が実装されたシリコン基板１００に位置合わせして配置する方法では、認識カメラやその画像を処理するソフトウェアなどを備えた複雑で高価なアライメント機構が必要となり、製造コストの増大を招く問題がある。
【００１０】
さらに、従来技術では、シリコン基板１００と封止キャップ１１０にアライメントマークを特別に形成しておく必要がある。特に、封止キャップ１１０側にアライメントマークＭ２を形成するには、成膜とフォトリソグラフィを特別に遂行する必要があり、この観点からも製造コストの増大を招いてしまう。
【００１１】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、複雑なアライメント機構を使用することなく、封止キャップを基板上に位置合わせした状態で配置してＭＥＭＳ素子などを気密封止できる電子部品実装構造体及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は電子部品実装構造体に係り、電子部品が形成領域に形成され、該形成領域の外周部に凹部が設けられた電子部品形成基板と、リング状の突起状接合部と該突起状接合部によってキャビティが設けられた封止キャップであって、前記封止キャップの前記突起状接合部が前記電子部品形成基板の凹部にはめ込まれて接合された前記封止キャップとを有し、前記電子部品が前記封止キャップのキャビティ内に気密封止されていることを特徴とする。
【００１３】
また、上記課題を解決するため、本発明は電子部品実装構造体の製造方法に係り、電子部品が形成領域に形成され、該形成領域の外周部に凹部が設けられた電子部品形成基板と、前記電子部品形成基板の前記凹部に対応する部分にリング状の突起状接合部が形成されて、前記形成領域に対応する部分にキャビティが設けられた封止キャップとを用意する工程と、前記封止キャップの前記突起状接合部を、前記電子部品形成基板の前記凹部にはめ込むことで位置合わせして接合し、前記電子部品を前記封止キャップの前記キャビティ内に気密封止する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
本発明では、形成領域に電子部品（ＭＥＭＳ素子など）が形成された電子部品形成基板の該形成領域の外周部に凹部が形成される。この凹部は封止キャップを位置合わせして電子部品形成基板上に配置する際の位置合わせ用の溝として機能する。そして、電子部品形成基板の凹部に対応する部分に突起状接合部が形成されて、形成領域に対応する部分にキャビティが設けられた封止キャップを用意し、封止キャップの突起状接合部を電子部品形成基板の凹部に自己整合的にはめ込んで接合する。電子部品形成基板及び封止キャップの一方がシリコンからなり、他方がガラスからなる場合、陽極接合によって両者を容易に接合することができる。
【００１５】
このような方法を採用することにより、従来技術のような複雑なアライメント機構を備えた装置を使用することなく、極めて容易な方法で封止キャップを電子部品形成基板に位置合わせした状態で接合して電子部品を気密封止することができる。しかも、従来技術で使用されるアライメントマークを電子部品形成基板や封止キャップに特別に形成する必要もない。従って、従来技術よりも製造コストの大幅な削減を図ることができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明では、低コストで封止キャップを電子部品形成基板に位置合わせした状態で接合して電子部品を気密封止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図５〜図７は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図、図８は同じく電子部品実装構造体を示す断面図である。本実施形態では、電子部品としてＭＥＭＳ素子が気密封止されて基板上に実装された構造のＭＥＭＳ素子デバイスを例に挙げて説明する。
【００１９】
まず、図５（ａ）に示すようなＭＥＭＳ素子形成基板５を用意する。ＭＥＭＳ素子形成基板５では、シリコンウェハ１０上に平面状のコイル１２が形成されており、さらにコイル１２を被覆する保護層１４が形成されている。保護層１４としては、膜厚が２〜３μｍのシリコン窒化層やポリイミド樹脂層などが使用される。また、保護層１４上には、ＭＥＭＳ素子として、支点付きの可動部（カンチレバー）１６ａを備えたスイッチ素子１６が形成されている。さらに、スイッチ素子１６の可動部１６ａの一端部に対応する保護層１６上の部分に電極１８が設けられている。
【００２０】
そして、平面状のコイル１２の作用によって、磁性合金で作成した可動部１６ａに駆動エネルギーが供給され、可動部１６ａが傾いて電極１８に接触するとスイッチ回路がＯＮになる仕組みになっている。下側に設けられるバイアス用の永久磁石（不図示）が可動部１６ａの一端を捕らえることでＯＮ状態を保つことができる。
【００２１】
そのようなスイッチ素子１６は、シリコンウェハ１０の格子状に画定された複数の素子形成領域にそれぞれ設けられている。
【００２２】
なお、ＭＥＭＳ素子形成基板５としては、スイッチ素子１６の他に、加速度センサやＤＭＤ（デジタルミラーデバイス）などが形成されたウェハを使用してもよい。あるいは、ＭＥＭＳ素子形成基板５の代わりに、イメージングデバイス（ＣＣＤやＣＭＯＳセンサなどの撮像素子）、又は半導体レーザ素子や受光素子などの光半導体素子が形成されたシリコンウェハを使用してもよい。
【００２３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、スイッチ素子１６を被覆するレジスト膜２２を形成する。さらに、図５（ｃ）に示すように、レジスト膜２２に対してフォトリソグラフィで露光・現像を行うことにより、複数の素子形成領域の境界部となるダイシング領域Ｄに対応するレジスト膜２２の部分に開口部２２ｘを形成する。続いて、図６（ａ）に示すように、レジスト膜２２をマスクにして、その開口部２２ｘに露出する保護層１６をエッチングして除去する。
【００２４】
さらに、図６（ｂ）に示すように、レジスト膜２２の開口部２２ｘに露出したシリコンウェハ１０の部分をエッチングすることにより、凹部１０ａを形成する。シリコンウェハ１０のエッチングはドライエッチング（ＲＩＥなど）やウェットエッチングが採用される。その後に、図６（ｃ）に示すように、レジスト膜２２が除去される。
【００２５】
図９には、図６（ｃ）の工程の後にＭＥＭＳ素子形成基板５の全体を平面方向からみた様子が描かれている。図９に示すように、シリコンウェハ１０の凹部１０ａは、スイッチ素子１６がそれぞれ設けられた複数の素子形成領域Ｅを取り囲むようにダイシング領域Ｄに格子状に繋がった状態で形成される。凹部１０ａの幅は例えば１ｍｍ程度であり、その深さは例えば３０〜５０μｍ程度である。
【００２６】
次いで、図７（ａ）に示すように、ガラスウェハ４０の上（図７（ａ）では下）にリング状の突起状接合部３０ｂが形成され、それによってキャビティ３０ａが設けられた構造のガラス一体型の封止キャップ基板３０を用意する。図１０には、図７（ａ）の封止キャップ基板３０の全体を平面方向からみた様子が描かれている。図７（ａ）の封止キャップ基板３０は、図１０のＩ−Ｉに沿った断面のうちの一つのキャビティ３０ａの様子を描いたものである。図１０に示すように、封止キャップ基板３０では、ガラスウェハ４０上に格子状に繋がって配置された突起状接合部３０ｂが形成され、それによって複数のキャビティ３０ａが構成されている。そして、封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂは、上述したＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａ（図９のダイシング領域Ｄ）に対応する部分に設けられ、またキャビティ３０ａはＭＥＭＳ素子形成基板５の素子形成領域Ｅ（図９）に対応する部分に設けられている。
【００２７】
封止キャップ基板３０のキャビティ３０ａ及び突起状接合部３０ｂは、ガラスウェハの上に所要の開口部を備えたレジスト膜が形成され、その開口部に露出するガラスウェハの部分がサンドブラスト法によって加工されて形成される。あるいは、所要の型に溶融したガラスを流し込むことによって、同様な構造の封止キャップ基板３０を作成してもよい。
【００２８】
そして、同じく図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、上述したＭＥＭＳ素子形成基板５の格子状の凹部１０ａに封止キャップ基板３０の格子状の突起状接合部３０ｂをはめ込む。すなわち、図９に示すＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａに図１０に示す封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂを対向させて配置してはめ込む。
【００２９】
このとき、高度な位置合わせ技術は必要とせず、封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂをＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａに対応するようにして概ねの位置決めをして配置した後に、封止キャップ基板３０を上下左右に僅かに移動させたり、配置角度を微調整することにより、封止キャップ基板３０の突起状接続部３０ｂをＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａに容易にはめ込むことができる。
【００３０】
またこのとき同時に、封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂをＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａの底部に陽極接合によって接合する。陽極接合の条件としては、例えば、ＭＥＭＳ素子形成基板５及び封止キャップ基板３０を３００〜４００℃に加熱した状態で、両者の間に５００Ｖ〜１ＫＶの電圧を印加する。これによって、ＭＥＭＳ素子形成基板５（シリコン）と封止キャップ基板３０（ガラス）との間に大きな静電引力が発生し、それらの界面で化学結合することによって封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂがＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａに接合される。また、陽極接合は、真空雰囲気で行われ、封止キャップ基板３０のキャビティ３０ａ内が真空状態となった状態で、スイッチ素子１６が封止キャップ３０のキャビティ３０ａに収容されて気密封止される。なお、真空雰囲気で動作させる必要がない電子部品を使用する場合は、キャビティ３０ａが大気雰囲気になるようにしてもよい。
【００３１】
また、封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂがＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａの中央部に配置されるとき（位置ずれがないとき）に、封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂの側面とＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａの側面とのクリアランス（隙間）Ｃ（図７（ｂ））が１０〜２０μｍ程度確保できるようにすることが好ましい。従って、封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂの幅Ｗ２（図７（ｂ））は、ＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａの幅Ｗ１（図７（ｂ））よりも２０〜４０μｍ程度細くなるように設定される。
【００３２】
その後に、図８に示すように、ＭＥＭＳ素子形成基板５のダイシング領域Ｄで、封止キャップ基板３０とＭＥＭＳ素子形成基板５が切断されて個々のＭＥＭＳ素子デバイス１が得られる。
【００３３】
第１実施形態のＭＥＭＳ素子デバイス１では、チップ状のＭＥＭＳ素子形成基板５ｘのシリコン基板１０ｘの外周部に凹部１０ａが設けられ、その凹部１０ａの底面にチップ状の封止キャップ３０ｘの突起状接続部３０ｂ（ガラス）の先端部が陽極接合されている。このようにして、スイッチ素子１６が封止キャップ３０ｘのキャビティ３０ａ内に収容されて気密封止されている。
【００３４】
なお、凹部１０ａが形成されたＭＥＭＳ素子形成基板５をダイシングしてチップ状のＭＥＭＳ素子形成基板を得た後に、それに対応するチップ状の封止キャップを同様な方法で接合してもよい。あるいは、チップ状のＭＥＭＳ素子形成基板５に凹部を形成し、チップ状の封止キャップを同様な方法で接合してもよい。
【００３５】
以上説明したように、本実施形態では、ＭＥＭＳ素子形成基板５の凹部１０ａが封止キャップ基板３０を装着する際のアライメント用の溝として機能するようにしている。このため、従来技術と違って、複雑なカメラ画像認識による高価なアライメント機構を必要とせず、ＭＥＭＳ素子形成基板５に凹部１０ａを形成するだけで封止キャップ基板３０を自己整合的に位置合わせして接合できるので、製造コストの大幅な削減を図ることができる。また、ＭＥＭＳ素子形成基板５や封止キャップ基板３０にアライメントマークを形成する必要がないという観点からも製造コストの削減を図ることができる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
図１１は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体の製造方法を示す断面図、図１２は同じく電子部品実装構造体を示す断面図である。第２実施形態では、第１実施形態と逆に、ＭＥＭＳ素子形成基板の基板としてガラスウェハが使用され、封止キャップ基板の基板としてシリコンウェハが使用される。第２実施形態では、第１実施形態と同一工程についてはその詳しい説明を省略する。
【００３７】
第２実施形態では、図１１（ａ）に示すように、第１実施形態の図６（ａ）〜（ｃ）の工程において、ＭＥＭＳ素子形成基板５の基板としてシリコンウェハ１０の代わりにガラスウェハ４１が使用され、そのガラスウェハ４１に凹部４１ａが形成される。ガラスウェハ４１の凹部４１ａは、ガラスウェハの上に所要の開口部が設けられたレジスト膜が形成され、その開口部内のガラスウェハの部分がサンドブラスト法によって加工されて形成される。
【００３８】
次いで、図１１（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１１の上（図１１（ｂ）では下）に突起状接合部３０ｂが形成されてキャビティ３０ａが設けられたシリコン一体型の封止キャップ基板３０が用意される。第２実施形態の封止キャップ基板３０のキャビティ３０ａ及び突起状接合部３０ｂは、シリコンウェハの上に所要の開口部を備えたレジスト膜が形成され、その開口部内のシリコンウェハの部分がＲＩＥなどでエッチングされて形成される。
【００３９】
そして、図１１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、第１実施形態と同様な方法で、ＭＥＭＳ素子形成基板５（ガラス）の凹部４１ａに封止キャップ基板３０の突起状接合部３０ｂ（シリコン）を自己整合的に位置合わせしてはめ込むと同時に陽極接合によって接合する。その後に、図１２に示すように、封止キャップ基板３０及びＭＥＭＳ素子形成基板５をダイシング領域で切断して個々のＭＥＭＳ素子デバイス１ａを得る。
【００４０】
第２実施形態のＭＥＭＳ素子デバイス１ａでは、チップ状のＭＥＭＳ素子形成基板５ｘのガラス基板４１ｘの外周部に凹部４１ａが設けられ、その凹部４１ａの底面にチップ状の封止キャップ３０ｘの突起状接続部３０ｂ（シリコン）の先端部が陽極接合されている。このようにして、スイッチ素子１６が封止キャップ３０ｘのキャビティ３０ａ内に収容されて気密封止されている。
【００４１】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は従来技術のＭＥＭＳ素子形成基板を示す図である。
【図２】図２は従来技術の封止キャップを示す図である。
【図３】図３は従来技術のＭＥＭＳ素子形成基板に封止キャップが配置される様子を示す断面図（その１）である。
【図４】図４は従来技術のＭＥＭＳ素子形成基板に封止キャップが配置される様子を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体（ＭＥＭＳ素子デバイス）の製造方法を示す断面図（一部平面図）（その１）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体（ＭＥＭＳ素子デバイス）の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）及び（ｂ）は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体（ＭＥＭＳ素子デバイス）の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図８】図８は本発明の第１実施形態の電子部品実装構造体（ＭＥＭＳ素子デバイス）を示す断面図である。
【図９】図９は本発明の第１実施形態に係るＭＥＭＳ素子形成基板に凹部が形成された様子を示す平面図である。
【図１０】図１０は本発明の第１実施形態に係る封止キャップ基板の様子を示す平面図である。
【図１１】図１１（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体（ＭＥＭＳ素子デバイス）の製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２は本発明の第２実施形態の電子部品実装構造体（ＭＥＭＳ素子デバイス）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１…ＭＥＭＳ素子デバイス、５，５ｘ…ＭＥＭＳ素子形成基板、１０，１１…シリコンウェハ、１０ａ，４１ａ…凹部、１２…コイル、１４…保護層、１６…スイッチ素子、１６ａ…可動部、１８…電極、２２…レジスト膜、２２ｘ…開口部、３０…封止キャップ基板、３０ａ…キャビティ、３０ｂ…突起状接合部、３０ｘ…封止キャップ、４０，４１…ガラスウェハ、４１ｘ…ガラス基板、Ｅ…素子形成領域、Ｄ…ダイシング領域。
【図１】
2006305655.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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