(57)【要約】【課題】  ワイヤー接合領域を樹脂で汚染することなく低粘度のアンダーフィルを簡易に施すことができるとともに、半導体チップのモールドによって生じ得る半田流れが防止された半導体装置を提供する。【解決手段】  所定の配線パターンが形成された基板１００と、該基板の表面に形成されたキャビティ１０２と、該キャビティ内に配置された受動部品１５−１、１５−２および１５−３と、該キャビティ内に充填されたアンダーフィル１９と、該アンダーフィル上に載置された半導体チップ１２−１および１２−２と、該各半導体チップをキャビティ外に接合するワイヤー１４−１および１４−２とで、半導体チップと受動部品とが３次元的に配置された半導体装置を構成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、
前記基板の表面側に設けられたキャビティと、
前記キャビティの底面に接合された第１の部品と、
前記キャビティ内で前記第１の部品の接合部を覆うアンダーフィル層と、
前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、
前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記アンダーフィル層は、前記第１の部品の全体を覆うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の部品は、接着層を介して前記アンダーフィル層上に載置され、前記第１の部品の高さが前記接着層と前記アンダーフィル層の厚さの合計以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、
前記基板の表面側に設けられたキャビティと、
前記キャビティの底面に接合された第１の部品と、
前記キャビティ内で前記第１の部品の接合部を覆うアンダーフィル層と、
前記第１の部品上に配置された第２の部品と、
前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１の部品と同一の高さで形成され、該第１の部品とともに前記キャビティ内で前記第２の部品を支持する第３の部品をさらに具備することを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の部品とともに前記キャビティ内で前記第２の部品を支持する第３の部品をさらに具備し、
前記第１の部品の上面と前記第３の部品の上面とが同一高さであることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、
前記基板の表面側に設けられキャビティと、
前記キャビティの底面に接合された受動部品と、
前記キャビティ内で前記受動部品の接合部を覆うアンダーフィル層と、
前記アンダーフィル層および／または前記受動部品の上に配置された半導体チップと、
前記半導体チップを前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップ上にスタック配置された第２の半導体チップと、
前記第２の半導体チップを前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと
をさらに具備することを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、
前記基板の表面側に設けられキャビティと、
前記キャビティの底面に接合されたフリップチップ型の半導体チップと、
前記キャビティ内で前記フリップチップ型半導体チップの接合部を覆うアンダーフィル層と、
前記アンダーフィル層および／または前記フリップチップ型半導体チップの上に配置されたワイヤー接合型半導体チップと、
前記ワイヤー接合型半導体チップを前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、
前記基板の表面側に設けられたキャビティと、
前記キャビティの底面に半田接合された第１の部品と、
前記キャビティ内で前記半田接合部を覆うアンダーフィル層と、
前記第１の部品および／または前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、
前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置を製造する方法において、
前記基板の表面側に設けられたキャビティの底面に第１の部品を接合する工程と、
前記キャビティ内にアンダーフィルを行う工程と、
前記第１の部品および／または前記アンダーフィル上に第２の部品を載置する工程と、
前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置でワイヤー接合する工程と、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の部品の接合は半田接合により行われ、前記アンダーフィル工程により少なくとも前記半田接合部が樹脂で覆われることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記アンダーフィル工程は、樹脂ポッティングにより行われ、前記モールド工程はトランスファー成型により行われることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置を親基板に実装した実装構造において、
前記半導体装置は、
前記基板の表面側に設けられたキャビティと、
前記キャビティの底面に半田接合された第１の部品と、
前記キャビティ内で前記半田接合部を覆うアンダーフィル層と、
前記第１の部品および／または前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、
前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と、
前記基板の側面および／または裏面に形成された外部電極とを具備し、
前記外部電極を介して前記半導体装置と前記マザーボードとが半田接合されることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１５】
基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置を親基板に実装する方法において、
前記半導体装置は、
前記基板の表面側に設けられたキャビティと、
前記キャビティの底面に半田接合された第１の部品と、
前記キャビティ内で前記半田接合部を覆うアンダーフィル層と、
前記第１の部品および／または前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、
前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、
前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と、
前記基板の側面および／または裏面に形成された外部電極とを具備し、
前記外部電極を介して前記半導体装置と前記マザーボードとをリフロー接合する工程を具備することを特徴とする半導体装置の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、アンダーフィルとワイヤーボンディングの双工程に適した半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の半導体チップを３次元方向に積み重ねることで高集積化を図る手法としては、例えば下記特許文献に記載された手法が知られている。
【特許文献１】特開平８−８８３１６号公報
【特許文献２】特開２００２−２２２９１３号公報  上記特許文献１には、ワイヤーボンディング方式で接合された２つの半導体チップを上下にスタックした構造が開示されており、同文献の図１、図２および段落００２５には、下側に配置された半導体チップのボンディングワイヤよりも高くなるように充填された絶縁樹脂を介して、両半導体チップを積み重ねた構造が示されている。
【０００３】
また、同文献の図３および段落００３４には、接触を確実に回避するに足る高さを有する絶縁性のスペーサ９を介在させて２つの半導体チップをスタックした構造が示されておいる。
【０００４】
また、上記特許文献２には、２つの半導体チップの間に接着層と絶縁層の２層を介在させて両半導体チップをスタックした構造が開示されている。
【０００５】
一方、チップ部品と半導体チップとを混在させて高集積化を図る手法としては、下記特許文献に記載された手法が知られている。
【特許文献３】特開平６−３３４１１３号公報  この特許文献３には、同文献の図５に示されたように、基板に設けられたキャビティ内にチップ部品や半導体チップを配置するとともに、ポリイミド層を介してさらに別のチップ部品や半導体チップを３次元配置した構造が開示されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、前述の特許文献１および２に記載されたように、半導体チップの接合形態がワイヤーボンディングのみである場合には、この構造でも十分実用的であるが、フリップチップ等のバンプ型接続を混在させる場合には、アンダーフィルが必要になるため、このアンダーフィルを充填する際に、ワイヤー接続部への樹脂汚染が生じる。この樹脂汚染を防止するためには樹脂充填工程の高度な制御が必要になり、製造タクトへの影響が懸念される。
【０００７】
一方、前述の特許文献３に記載されたように、複数のポリイミド層を利用してチップ部品と半導体チップとを３次元配置する手法では、多層化と層間配線が必要になるため、高度な製造工程が必要になる。
【０００８】
そこで、本発明は、簡易な工程で３次元構造の実現に有効な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、前記基板の表面側に設けられたキャビティと、前記キャビティの底面に接合された第１の部品と、前記キャビティ内で前記第１の部品の接合部を覆うアンダーフィル層と、前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層とを具備することを特徴とする。
【００１０】
このように、キャビティ内に充填されたアンダーフィル層上に第２の部品を載置することで、キャビティ内に異なる高さの部品が配置される場合であっても、該アンダーフィル層の上面は平坦になるため、安定して第２の部品を載置することができる。
【００１１】
また、このアンダーフィルはキャビティ内に設けられるため、低粘度の樹脂をラフにポッティングしてもアンダーフィルがワイヤー接合領域を汚染することはなく、簡易な工程でアンダーフィルとワイヤーボンディングの双方を実現することができる。
【００１２】
さらに、基板の表面側に形成されたモールド層が存在しても、キャビティ底面の接合部がアンダーフィルで覆われるため、本半導体装置がリフロー工程等によって加熱されても接合部の破壊が好適に防止される。
【００１３】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記アンダーフィル層は、前記第１の部品の全体を覆うことを特徴とする。このように構成することで、アンダーフィル層の平坦な上面に第２の部品を載置することができるため、安定した部品載置を行うことができる。
【００１４】
また、請求項３記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記第２の部品は、接着層を介して前記アンダーフィル層上に載置され、前記第１の部品の高さが前記接着層と前記アンダーフィル層の厚さの合計以下であることを特徴とする。このように構成することで、第１の部品がアンダーフィル層の上面から突出する場合であっても、該突出部は接着層によって吸収されるため、安定して第２の部品を載置することができる。
【００１５】
また、請求項４記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、前記基板の表面側に設けられたキャビティと、前記キャビティの底面に接合された第１の部品と、前記キャビティ内で前記第１の部品の接合部を覆うアンダーフィル層と、前記第１の部品上に配置された第２の部品と、前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層とを具備することを特徴とする。
【００１６】
このように、第１の部品の上に第２の部品を載置することでも安定したスタック構造が提供できる。尚、第２の部品は、第１の部品とアンダーフィル層の両方で支持する構成としても良い。
【００１７】
また、請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記第１の部品と同一の高さで形成され、該第１の部品とともに前記キャビティ内で前記第２の部品を支持する第３の部品をさらに具備することを特徴とする。
【００１８】
このように、同一高さの部品で第２の部品を支持することにより、支持面が一定の高さに形成されるため、第２の部品を安定して載置することができる。尚、キャビティ内には高さの異なる別の部品をさらに配置しても良く、この場合には当該別の部品として第１および第３の部品よりも高さの低い部品を用いることが望ましい。
【００１９】
また、請求項６記載の発明は、請求項４記載の発明において、前記第１の部品とともに前記キャビティ内で前記第２の部品を支持する第３の部品をさらに具備し、前記第１の部品の上面と前記第３の部品の上面とが同一高さであることを特徴とする。
【００２０】
このように、第２の部品の支持面を一定の高さに形成することで、第２の部品を安定して載置することができる。尚、第１の部品と第３の部品の高さが異なる場合は、キャビティ底面にスペーサ等を設けて支持面を一定の高さにすれば良い。
【００２１】
また、請求項７記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、前記基板の表面側に設けられキャビティと、前記キャビティの底面に接合された受動部品と、前記キャビティ内で前記受動部品の接合部を覆うアンダーフィル層と、前記アンダーフィル層および／または前記受動部品の上に配置された半導体チップと、前記半導体チップを前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層とを具備することを特徴とする。
【００２２】
このように構成することで、受動部品の上にワイヤー接合型の半導体チップをスタック配置することができる。
【００２３】
また、請求項８記載の発明は、請求項７記載の発明において、前記半導体チップ上にスタック配置された第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップを前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーとをさらに具備することを特徴とする。このように構成することで、受動部品の上にワイヤー接合型のスタック半導体チップを３次元実装することができる。
【００２４】
また、請求項９記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、前記基板の表面側に設けられキャビティと、前記キャビティの底面に接合されたフリップチップ型の半導体チップと、前記キャビティ内で前記フリップチップ型半導体チップの接合部を覆うアンダーフィル層と、前記アンダーフィル層および／または前記フリップチップ型半導体チップの上に配置されたワイヤー接合型半導体チップと、前記ワイヤー接合型半導体チップを前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層とを具備することを特徴とする。
【００２５】
このように構成することで、フリップチップ型半導体チップの上にワイヤー接合型半導体チップをスタック配置することができる。
【００２６】
また、請求項１０記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置において、前記基板の表面側に設けられたキャビティと、前記キャビティの底面に半田接合された第１の部品と、前記キャビティ内で前記半田接合部を覆うアンダーフィル層と、前記第１の部品および／または前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層とを具備することを特徴とする。
【００２７】
このように、モールド層の内部に半田接合が用いられる場合には、該半田接合部をアンダーフィル層で覆うことにより、リフロー時の半田流れを防止することができる。
【００２８】
また、請求項１１記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置を製造する方法において、前記基板の表面側に設けられたキャビティの底面に第１の部品を接合する工程と、前記キャビティ内にアンダーフィルを行う工程と、前記第１の部品および／または前記アンダーフィル上に第２の部品を載置する工程と、前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置でワイヤー接合する工程と、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド工程とを具備することを特徴とする。
【００２９】
このように、アンダーフィルを行った後にモールドを行うことで、簡易な工程でアンダーフィルとワイヤーボンディングの両方を行うことができるとともに、リフロー時の半田流れを防止することができる。
【００３０】
また、請求項１２記載の発明は、請求項１１記載の発明において、前記第１の部品の接合は半田接合により行われ、前記アンダーフィル工程により少なくとも前記半田接合部が樹脂で覆われることを特徴とする。
【００３１】
このように、モールド層の内部に半田接合が用いられる場合には、該半田接合部をアンダーフィル層で覆うことにより、リフロー時の半田流れを防止することができる。
【００３２】
また、請求項１３記載の発明は、請求項１１記載の発明において、前記アンダーフィル工程は、樹脂ポッティングにより行われ、前記モールド工程はトランスファー成型により行われることを特徴とする。
【００３３】
このように、アンダーフィル工程をポッティングにより行うことで、狭い隙間が好適に充填され、モールド工程をトランスファー成型により行うことで、本半導体装置のモールド部分を薄く形成することができる。
【００３４】
また、請求項１４記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置を親基板に実装した実装構造において、前記半導体装置は、前記基板の表面側に設けられたキャビティと、前記キャビティの底面に半田接合された第１の部品と、前記キャビティ内で前記半田接合部を覆うアンダーフィル層と、前記第１の部品および／または前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と、前記基板の側面および／または裏面に形成された外部電極とを具備し、前記外部電極を介して前記半導体装置と前記マザーボードとが半田接合されることを特徴とする。
【００３５】
このように、モールド層の内部に半田接合が用いられる場合には、該半田接合部をアンダーフィル層で覆うことにより、リフロー時の半田流れを防止することができる。
【００３６】
また、請求項１５記載の発明は、基板上に複数の部品がスタック配置された半導体装置を親基板に実装する方法において、前記半導体装置は、前記基板の表面側に設けられたキャビティと、前記キャビティの底面に半田接合された第１の部品と、前記キャビティ内で前記半田接合部を覆うアンダーフィル層と、前記第１の部品および／または前記アンダーフィル層上に配置された第２の部品と、前記第２の部品を前記キャビティ底面よりも高い位置で接合するワイヤーと、前記基板の表面側を樹脂封止するモールド層と、前記基板の側面および／または裏面に形成された外部電極とを具備し、前記外部電極を介して前記半導体装置と前記マザーボードとをリフロー接合する工程を具備することを特徴とする。
【００３７】
このように、モールド層の内部に半田接合が用いられる場合には、該半田接合部をアンダーフィル層で覆うことにより、リフロー時の半田流れを防止することができる。
【発明の効果】
【００３８】
以上説明したように、本発明によれば、ワイヤー接合領域を樹脂で汚染することなく低粘度のアンダーフィルを簡易に施すことができるため、半導体チップのモールドによって生じ得る半田流れが防止された半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下、本発明の一実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。尚、本発明は、以下説明する実施形態に限らず適宜変更可能である。
【００４０】
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、この半導体装置１０は、所定の配線パターンが形成された基板１００と、該基板の表面に形成されたキャビティ１０２と、該キャビティ内に配置された受動部品１５−１、１５−２および１５−３と、該キャビティ内に充填されたアンダーフィル１９と、該アンダーフィル上に載置された半導体チップ１２−１および１２−２とから構成される。
【００４１】
ここで、基板１００の表面には複数の電極パッド１０４が配置され、キャビティ１０２の底面に配置された電極パッドに受動部品１５−１〜１５−３が接続され、キャビティの底面より高さＨだけ高い位置に配置された電極パッドに半導体チップ１２−１および１２−２がワイヤー１４−１および１４−２を介して接続される。
【００４２】
基板１００の内部配線は、各所に設けられた内部配線層１０６とビア１０８とによって構成され、該基板の表面に形成された電極パッド１０４と、該基板の裏面に配置された外部電極１１０との間を所定の回路構成に従って配線し、外部電極１１０を介して外部に接続される。尚、この内部配線を利用してフィルタ等の機能素子を形成することも可能である。
【００４３】
受動部品１５−１〜１５−３は、キャビティの底面に配置された電極パッド上に半田等の接合材料によって固着接合され、これら受動部品を包む形でキャビティ内部にアンダーフィル１９が充填される。このアンダーフィル１９は、各受動部品とキャビティ底面との間に生じる微細な隙間を埋めるために施される。これは、このような微細な隙間を残した状態でモールド２０を施すと、半導体装置１０をリフロー実装した際に、半田流れが生じ、各受動部品の接合部でショートやクラックが発生するからである。
【００４４】
アンダーフィル１９は、ほぼキャビティ１９内部全体に充填され、上述した各受動部品とキャビティ底面との隙間を充填するとともに、半導体チップ１２−１の土台としての平坦面を提供する。この平坦面を確実に得るためには、アンダーフィルの高さを各受動部品の高さ以上とすることが望ましいが、同図に示す半導体チップ１２−１および１２−２のように、接着層１８−１の厚さの範囲内であれば多少突出する部分があっても良い。
【００４５】
即ち、アンダーフィルの高さと該アンダーフィルの上に配置される接着層の厚さとの合計より低い部品であれば、該部品をキャビティ内に配置し、その上に前記接着層を介して別の部品を配置することができる。
【００４６】
第１の半導体チップ１２−１は、絶縁性の接着層１８−１を介してアンダーフィル１９の上に配置され、第２の半導体チップ１２−２は、絶縁性の接着層１８−２を介して第１の半導体チップ１２−１上に配置される。
【００４７】
ここで、第１の半導体チップ１２−１は、ワイヤー１４−１によって基板１００のキャビティ以外の部分に形成された電極パッド１０４に接続され、第２の半導体チップ１２−２はワイヤー１４−２によってキャビティ以外の部分に形成された電極パッド１０４に接続される。これらのワイヤー接続は周知のワイヤーボンディング法によって行われる。
【００４８】
モールド層２０は、半導体チップ１２−１および１２−２と、ワイヤー１４−１および１４−２を覆う形で、基板１００の表面上に形成される。
【００４９】
図２は、第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、この半導体装置１０は、キャビティ１０２内に配置される受動部品１５−１〜１５−３の全てがキャビティの深さＨよりも低い部品である場合の例である。その他は図１に示した実施形態と同様に構成される。
【００５０】
同図に示すように、本実施形態によれば、キャビティ内に配置される受動部品の高さが低くても、各受動部品がアンダーフィル１９で覆われるため、アンダーフィルの上面が平坦となり、該アンダーフィル上に他の部品を載置することが可能になる。尚、各受動部品の高さが異なる場合も同様の効果が期待できる。
【００５１】
図３は、第３の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、この半導体装置１０は、キャビティ１０２内に配置された受動部品１５−１および１５−２の上に半導体チップ１２−１および１２−２を載置した場合の例である。本実施形態のアンダーフィル１９は、受動部品１５−１および１５−２とキャビティ底面との間に生じる隙間を埋めるに十分な量が施される。その他は図１に示した実施形態と同様に構成される。
【００５２】
同図に示すように、本実施形態によれば、受動部品とキャビティ底面との間に生じた隙間にアンダーフィル１９が充填されるため、モールド層２０を施した状態でリフローを行うと生じる半田流れを防止することができるとともに、受動部品１５−１および１５−２を半導体装置１２−１の下部に配置することができるため小型化に有効である。
【００５３】
ここで、本実施形態のアンダーフィル１９は、半導体チップ１２−１の裏面に設けられた接着層１８−１には接触しないため、受動部品１５−１および１５−２の高さを同一とし、半導体チップ搭載時の平坦性を確保しておくことが望ましい。
【００５４】
図４は、第４の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。同図に示すように、この半導体装置１０は、フリップチップ型の半導体チップ１２−１上にワイヤーボンディング型の半導体チップ１２−２をスタックし、半導体チップ１２−１の接合をキャビティ１０２底面で行う場合の例である。その他は図１に示した実施形態と同様に構成される。
【００５５】
同図に示すように、本実施形態によれば、フリップチップ型の半導体チップ１２−１のバンプ接合部に充填されるアンダーフィル１９がキャビティ内に収容された構造となるため、アンダーフィル工程によるワイヤーボンディング領域の汚染が防止される。
【００５６】
図５は、図１に示した半導体装置の第１の製造工程を示す断面図である。前述した第１の実施形態に係る半導体装置を製造する場合には、まず、同図（ａ）に示すように、キャビティ１０２、電極パッド１０４、内部配線層１０６、ビア１０８、外部電極１１０が形成された基板１００を用意する。
【００５７】
その後、同図（ｂ）に示したように、キャビティ１０２の底面に形成された電極パッド１０４上に受動部品１５−１〜１５−３を半田接合する。
【００５８】
図６は、図１に示した半導体装置の第２の製造工程を示す断面図である。受動部品を接合した後は、同図（ａ）に示すように、キャビティ１０２内に低粘度の樹脂をポッティングすることでアンダーフィル１９を施し、続いて、同図（ｂ）に示すように、アンダーフィル１９の上部に接着層１８−１を介して半導体チップ１２−１および１２−２の積層体を載置する。
【００５９】
図７は、図１に示した半導体装置の第３の製造工程を示す断面図である。半導体チップを載置した後は、同図に示すように、半導体チップ１２−１および１２−２をワイヤー１４−１および１４−２でそれぞれ基板１００に接合し、最後にトランスファー成型等の手法により、半導体チップ１２−１および１２−２とワイヤー１４−１および１４−２の全体を樹脂封止してモールド層を形成する。
【００６０】
図８は、図１に示した半導体装置の実装工程を示す断面図である。同図に示すように、モールド層２０が形成された半導体装置１０を親基板２００に実装する場合には、半導体装置１０側の外部電極１１０と親基板２００側の接続パッド２１０とを半田等の溶融型接合材料によってリフロー接合する。
【００６１】
このリフロー接合時には、半導体装置１０の全体が加熱されるため、受動部品１５−１〜１５−３が半田接合されている場合には、モールド層２０の存在により半田流れが生じ得るが、本構造では、受動部品１５−１〜１５−３の接合部がアンダーフィル１９により覆われているため、半田流れが好適に防止される。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明によれば、ワイヤー接合領域を樹脂で汚染することなく低粘度のアンダーフィルを簡易に施すことができるとともに、半導体チップのモールドによって生じ得る半田流れが防止された半導体装置を提供することができるため、能動素子と受動素子とが共に樹脂モールドされたハイブリッドモジュールへへの適用が期待される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】第２の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３】第３の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
【図４】第４の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
【図５】図１に示した半導体装置の第１の製造工程を示す断面図である。
【図６】図１に示した半導体装置の第２の製造工程を示す断面図である。
【図７】図１に示した半導体装置の第３の製造工程を示す断面図である。
【図８】図１に示した半導体装置の実装工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１０…半導体装置、１２…半導体チップ、１４…ワイヤー、１５…受動部品、１８…接着層、１９…アンダーフィル、２０…モールド層、１００…基板、１０２…キャビティ、１０４…電極パッド、１０６…内部配線層、１０８…ビア、１１０…外部電極、２００…親基板、２１０…接続パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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