(57)【要約】      （修正有）【課題】放熱機能を損なわずに機器に合理的に搭載できる半導体装置を提供する。【解決手段】複数の回路で構成される装置本体２の一面に放熱体３を当接する半導体装置において、発熱量の大きい回路４と発熱量の小さい回路５とに種別して種別毎に集中配置される前記複数の回路と、前記発熱量の大きい回路４の集中配置部位に対応する前記装置本体２の一面の局部に当接する前記放熱体３とを備えた。【選択図】図１
2006253494.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の回路で構成される装置本体の一面に放熱体を当接する半導体装置において、
発熱量の大きい回路と発熱量の小さい回路とに種別して種別毎に集中配置される前記複数の回路と、
前記発熱量の大きい回路の集中配置部位に対応する前記装置本体の一面の局部に当接する前記放熱体と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記発熱量の大きい回路は、前記装置本体の端部側に集中配置される請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記放熱体は、ヒートシンクである請求項１又は２記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、放熱機能を損なわずに機器に合理的に搭載できる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＰＵ（中央演算処理装置）等の半導体装置は、多数の半導体回路が配設されているため、多量の電力消費による発熱を避けることができない。ＣＰＵは高温になると、不安定となって誤動作を引き起こしたり、或いは故障したりする。
【０００３】
そこで、従来より、ＣＰＵ等の半導体装置に搭載され、当該半導体装置が発する熱を空気中に放熱する発熱体冷却装置が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８２８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した発熱体冷却装置を搭載した半導体装置２０は、図３に示すように、直方体形状の発熱体冷却装置２１を直方体形状の半導体装置本体２２の上面全体に当接して構成するため、半導体装置２０全体の形状は直方体形状となる。
【０００５】
このため、機器内の特殊形状の搭載領域（直方体形状でない搭載領域、以下、特殊搭載領域という）、例えば、傾斜形状の搭載領域等に、この半導体装置２０を搭載しようとすれば、特殊搭載領域の形状と半導体装置の形状の不整合により、この特殊搭載領域を有効に利用できなくなる。
【０００６】
すなわち、この半導体装置２０の搭載による特殊搭載領域の利用に無駄が生ずるため、特殊搭載領域にこの半導体装置２０を搭載すると共に、さらにその他の装置を搭載する場合に、その他の装置を必要以上に小規模、少数にして搭載しなくてはならない。
【０００７】
そこで、本発明は、上記問題に鑑み、放熱機能を損なわずに機器に合理的に搭載できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数の回路で構成される装置本体の一面に放熱体を当接する半導体装置を前提としている。
【０００９】
本発明は、発熱量の大きい回路と発熱量の小さい回路とに種別して種別毎に集中配置される前記複数の回路と、前記発熱量の大きい回路の集中配置部位に対応する前記装置本体の一面の局部に当接する前記放熱体とを備えた構成としている。
【００１０】
このようにすれば、半導体装置本体の一面の必要な局部に放熱体を当接して半導体装置を構成することで、半導体装置全体の形状を機器内の特殊搭載領域、例えば、傾斜形状の搭載領域等に整合する形状とすることができるため、放熱機能を損なわずに機器に合理的に搭載できる。
【００１１】
また、前記発熱量の大きい回路は、前記装置本体の端部側に集中配置される構成としてもよい。このようにすれば、半導体装置全体の形状を傾斜角の緩い傾斜形状の搭載領域に整合する形状とすることができる。なお、前記放熱体は、ヒートシンクである構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
半導体装置本体の一面の必要な局部に放熱体を当接して半導体装置を構成することで、半導体装置全体の形状を機器内の特殊搭載領域、例えば、傾斜形状の搭載領域等に整合する形状とすることができるため、放熱機能を損なわずに機器に合理的に搭載できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を図面にしたがって詳細に説明する。図１は、本発明の実施の形態における半導体装置１を示す概略斜視図である。
【００１４】
上記半導体装置１は、複数の回路が配設された半導体装置本体２と、その露出面に複数条の凹凸を形成したアルミ等の金属製のヒートシンク３とで構成される。
【００１５】
上記ヒートシンク３は、アルミ自体の良好な熱伝導性に加えて、その凹凸構造により、大気との接触面積が増大されることで、上記半導体装置本体２が発する熱を効率的に空気中に放熱する。
【００１６】
ところで、上記半導体装置本体２は、その全体を直方体形状に形成しており、上記複数の回路を発熱量の大きい回路と発熱量の小さい回路とに種別して、種別毎に集中配置している。発熱量の大きい回路としては、例えば電流を多く流すバッファ回路や、高速のクロックで動作する高速回路、または動作する時間が多い回路等である。
【００１７】
すなわち、上記半導体装置本体２は、上記発熱量の大きい回路を当該半導体装置本体２の一方の端部側に集中配置した発熱量の大きい部位４と、上記発熱量の小さい回路を当該半導体装置本体２の他方の端部側に集中配置した発熱量の小さい部位５とに区別して構成される。
【００１８】
また、上記ヒートシンク３は、その全体を直方体形状に形成しており、上記発熱量の大きい部位４に対応する半導体装置本体２の上面に、熱伝導性の粘着剤にて粘着固定され、当接している。
【００１９】
このとき、上記発熱量の大きい部位４に対応する半導体装置本体２の上面は、積載部位となり、上記発熱量の小さい部位５に対応する半導体装置本体２の上面は、非積載部位となる。
【００２０】
上記半導体装置１は、上記のようにヒートシンク３を積載した構成とすることで、上記非積載部位を下段、上記積載部位に積載したヒートシンク３の上面を上段とする階段形状に形成している。
【００２１】
以下では、本発明の半導体装置１を機器としての画像形成装置１０に搭載する場合を例にとって説明する。
【００２２】
上記画像形成装置１０は、画像形成装置１０本体の手前側を下にして傾斜を付けた操作パネル１１を形成し、当該操作パネル１１にてその裏面側に形成される画像形成装置１０本体内の傾斜形状の搭載領域１２に上記半導体装置１を配設している。
【００２３】
このとき、上記半導体装置１は、上述したように、その形状を下段の前端角と上段の前端角を結んだ傾斜角の階段形状に形成しているため、当該半導体装置１の傾斜角と上記傾斜形状の搭載領域１２の傾斜角とが一致し、図２（Ｂ）に示すように、上記半導体装置１の形状と上記傾斜形状の搭載領域１２の形状とが整合した状態で搭載される。
【００２４】
ところで、先述したその全体の形状を直方体形状に形成した従来の半導体装置２０を、上記傾斜形状の搭載領域１２に配設している場合を考察すると、図２（Ａ）に示すように、当該半導体装置２０の形状と当該傾斜形状の搭載領域１２の形状の不整合が生じた状態で搭載される。
【００２５】
図２に示すように、上記半導体装置１を上記傾斜形状の搭載領域１２に搭載した場合と、上記半導体装置２０を当該傾斜形状の搭載領域１２に搭載した場合とを比較すると、当該半導体装置１を搭載した場合の方が、上記操作パネル１１に鉛直方向に距離ｈ分だけ上方に搭載される。
【００２６】
したがって、この距離ｈ分からなる搭載領域にさらにその他の装置を搭載できるため、上記半導体装置１を搭載した場合の方が、上記傾斜形状の搭載領域１２を有効に利用していると言える。
【００２７】
このようにすれば、半導体装置本体の一面の必要な局部に放熱体を当接して半導体装置を構成することで、半導体装置全体の形状を機器内の特殊搭載領域、例えば、傾斜形状の搭載領域等に整合する形状とすることができるため、放熱機能を損なわずに機器に合理的に搭載できる。
【００２８】
前記発熱量の大きい回路は、前記装置本体の端部側に集中配置される構成としたので、半導体装置全体の形状を傾斜角の緩い傾斜形状の搭載領域に整合する形状とすることができる。
【００２９】
なお、発熱量の大きい回路の集中配置部位は、上記半導体装置２の端部側に限定されず、当該半導体装置２の任意の部位であってもよい。このとき、例えば、その形状が山型形状の搭載領域に上記半導体装置１を搭載する場合、発熱量の大きい回路の集中配置部位を上記半導体装置本体２の中央部にすれば、当該半導体装置１の形状を山型形状の搭載領域に整合する形状とすることもできる。
【００３０】
上記実施の形態で説明した構成は、単に具体例を示すものであり、本願発明の技術的範囲を制限するものではない。本願の効果を奏する範囲において、任意の構成を採用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３１】
半導体装置本体の一面の必要な局部に放熱体を当接して半導体装置を構成することで、半導体装置全体の形状を機器内の特殊搭載領域、例えば、傾斜形状の搭載領域等に整合する形状とすることができるため、放熱機能を損なわずに機器に合理的に搭載できる半導体装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の半導体装置を画像形成装置に搭載した状態と従来の半導体装置を画像形成装置に搭載した状態との比較を示す模式図である。
【図３】従来の半導体装置を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
【００３３】
１  半導体装置
２  半導体装置本体
３  ヒートシンク
４  発熱量の大きい部位
５  発熱量の小さい部位
１０  画像形成装置
１１  操作パネル
１２  傾斜形状の搭載領域
２０  半導体装置
２１  発熱体冷却装置
２２  半導体装置本体
【図１】
2006253494.tif 000003
【図２】
2006253494.tif 000004
【図３】
2006253494.tif 000005