(57)【要約】  【課題】外部端子の金属ばりによる実装不良（外部端子と実装基板上のランドとの接続不良）を生じるおそれがない半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法を提供すること。  【解決手段】元基板１１の下面１１Ｂ上の下側金属層１４の表面に銅めっき層１６が形成された後、切断ラインＬ上において、その銅めっき層１６を切断ラインＬに沿う方向の全幅にわたって覆うように絶縁樹脂層１９が形成される。そして、銅めっき層１６の表面にニッケル／金めっき層１７が形成された後、切断工具１２によって、元基板１１が切断ラインＬに沿って切断される。元基板１１に対する切断工具１２の移動方向において、絶縁樹脂層１９は、銅めっき層１６の下流側に存在している。そのため、銅めっき層１６を構成する金属が切断工具１２に引きづられて延びることを防止でき、外部端子に金属ばりが発生することを防止できる。【選択図】        図３Ｇ
2006302957.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップを一方面上に支持する支持基板と、
前記支持基板の前記一方面に設けられ、前記半導体チップと電気接続される内部端子と、
前記支持基板の前記一方面と反対側の他方面に設けられ、前記支持基板の端縁から内方に向けて延びる外部端子と、
前記支持基板の前記一方面および前記他方面間を貫通し、前記内部端子と前記外部端子とを接続する接続配線とを含み、
前記外部端子は、前記支持基板の端縁に沿って配置され、相対的に小さな厚みを有する薄部と、前記薄部に対して内方に配置され、相対的に大きな厚みを有する厚部とを一体的に備えていることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記薄部に対して前記支持基板と反対側に設けられ、前記薄部の厚みと前記厚部の厚みとの差以下の厚みを有するばり防止層をさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、
絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、
前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、
前記切断ラインを跨る位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、
前記他方側金属層の表面、前記連続貫通孔の内面および前記内部端子の前記連続貫通孔に臨む部分に第１金属めっき層を被着させる第１めっき工程と、
前記第１金属めっき層の表面において、前記切断ラインに沿って延び、かつ、前記切断ラインを跨る所定幅の領域を除く領域に、第２金属めっき層を被着させる第２めっき工程と、
前記第２めっき工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、
絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、
前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、
前記切断ラインを跨る位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、
前記他方側金属層の表面、前記連続貫通孔の内面および前記内部端子の前記連続貫通孔に臨む部分に第１金属めっき層を被着させる第１めっき工程と、
前記第１めっき工程後、前記元基板の前記他方面上に、前記切断ラインを跨り、かつ、前記他方側金属層上の前記第１金属めっき層を前記切断ラインに沿う方向の全幅にわたって覆うように、絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程と、
前記第１金属めっき層の表面に第２金属めっき層を被着させる第２めっき工程と、
前記第２めっき工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップおよびこの半導体チップを支持する支持基板を備える半導体装置およびこのような半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体チップおよびこの半導体チップを一方面上に支持する支持基板を備え、その支持基板の他方面を実装基板（配線基板）の表面に対向させて、実装基板に実装される半導体装置が知られている。
支持基板は、その半導体チップが接合される一方面に、半導体チップと電気接続される内部端子が形成され、その一方面と反対側の他方面に、実装基板上のランド（電極）との電気接続のための外部端子が形成されている。また、支持基板の端面には、溝が形成されており、内部端子と外部端子とは、その溝の内面に沿って形成された接続配線によって電気的に接続されている。
【０００３】
このような支持基板は、内部端子、外部端子および接続配線などがパターン形成された絶縁性を有する元基板を、格子状に設定された切断ライン（ダイシングライン）に沿って、ダイシングブレードなどの切断工具で切断することにより得られる。より具体的には、元基板の状態において、内部端子は、元基板の一方面上において、切断ラインに跨って形成されている。また、外部端子は、元基板の他方面上において、内部端子と対向する位置に形成されている。さらに、内部端子、元基板および外部端子を貫通するスルーホールが切断ラインを跨いで形成されており、そのスルーホールの内面には、金属めっき層が被着されている。そのため、元基板が切断ラインに沿って切断されると、内部端子および外部端子が切断ラインの両側の支持基板に分断されるとともに、スルーホールが切断ラインの両側の支持基板の端面の溝に分割されて、その溝の内面に被着した接続配線によって内部端子と外部端子とを接続された構成の支持基板が得られる。半導体チップは、たとえば、元基板が支持基板に切り分けられる前に、切断ラインに囲まれた接合領域に接合される。
【特許文献１】特許第３２１４６１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、金属からなる外部端子は、延性を有するため、切断工具により切断される際に、元基板の一方面側から他方面側に抜けるように入れられる切断工具に引きづられて延び、いわゆる金属ばりを生じることがある。このような外部端子の金属ばりは、実装基板に対する半導体装置の実装不良を生じるおそれがある。すなわち、金属ばりが実装基板の表面に当接して、半導体装置を実装基板から浮き上がらせることによって、外部端子と実装基板の表面上のランドとの接続不良を生じるおそれがある。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、外部端子の金属ばりによる実装不良（外部端子と実装基板上のランドとの接続不良）を生じるおそれがない半導体装置およびそのような半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、半導体装置において、半導体チップと、前記半導体チップを一方面上に支持する支持基板と、前記支持基板の前記一方面に設けられ、前記半導体チップと電気接続される内部端子と、前記支持基板の前記一方面と反対側の他方面に設けられ、前記支持基板の端縁から内方に向けて延びる外部端子と、前記支持基板の前記一方面および前記他方面間を貫通し、前記内部端子と前記外部端子とを接続する接続配線とを含み、前記外部端子は、前記支持基板の端縁に沿って配置され、相対的に小さな厚みを有する薄部と、前記薄部に対して内方に配置され、相対的に大きな厚みを有する厚部とを一体的に備えていることを特徴としている。
【０００７】
この構成によれば、外部端子は、支持基板の端縁に沿って配置され、相対的に小さな厚みを有する薄部と、この薄部に対して内方に配置され、相対的に大きな厚みを有する厚部とを一体的に備えている。すなわち、外部端子は、支持基板の端縁側の部分（薄部）が相対的に薄く形成され、支持基板の内方側の部分（厚部）が相対的に厚く形成されている。そのため、半導体装置の製造時に、外部端子の薄部に金属ばりが生じても、その金属ばりの長さが薄部と厚部との段差以下であれば、半導体装置の実装基板への実装時に、その金属ばりが実装基板の表面に当接することがない。よって、外部端子と実装基板上のランドとの接続不良などの実装不良を生じるおそれがない。
【０００８】
このような構成を有する半導体装置は、たとえば、請求項３に記載されている製造方法により製造することができる。
請求項３に記載の発明は、半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、前記切断ラインを跨る位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、前記他方側金属層の表面、前記連続貫通孔の内面および前記内部端子の前記連続貫通孔に臨む部分に第１金属めっき層を被着させる第１めっき工程と、前記第１金属めっき層の表面において、前記切断ラインに沿って延び、かつ、前記切断ラインを跨る所定幅の領域（前記他方側金属層よりも幅狭な領域）を除く領域に、第２金属めっき層を被着させる第２めっき工程と、前記第２めっき工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴としている。
【０００９】
この方法によれば、元基板の他方面上の他方側金属層の表面に第１金属めっき層が形成された後、その第１金属めっき層の表面において、切断ライン上の所定幅を除く領域に、第２金属めっき層が形成される。その後、切断工具によって、元基板が切断ラインに沿って切断される。
この元基板の切断時に、元基板の他方面において、切断ラインに沿った領域上には、他方側金属層および第１金属めっき層のみが形成され、それ以外の領域上には、他方側金属層、第１金属めっき層および第２金属めっき層が形成されている。すなわち、切断ラインに沿った領域上の金属層は、それ以外の領域上の金属層に比べて、厚みが薄く形成されている。そのため、切断工具を元基板の一方面側から他方面側へ抜けるように移動させることにより、切断ラインに沿った領域上の金属層に金属ばりが生じても、その金属ばりの長さが第２金属めっき層の厚みよりも小さければ、この製造方法によって製造される半導体装置が実装基板に実装される時に、その金属ばりが実装基板の表面に当接することがない。よって、外部端子と実装基板上のランドとの接続不良などの実装不良を生じるおそれがない。
【００１０】
なお、元基板が切断ラインに沿って切断されると、切断ラインに跨る一方側金属層が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインの両側の支持基板の内部端子となる。また、切断ラインに沿った切断によって、連続貫通孔の内面および一方側金属層の連続貫通孔に被着した第１金属めっき層が２つに分断され、その分断後の各部分が、切断ラインの両側の支持基板の内部端子に接続される接続配線となる。さらに、他方側金属層および第１金属めっき層が２つに分断され、各支持基板において、他方側金属層および第１金属めっき層の分断後の各部分ならびに第１金属めっき層に被着した第２金属めっき層が外部端子となる。
【００１１】
また、請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体装置において、前記薄部に対して前記支持基板と反対側に設けられ、前記薄部の厚みと前記厚部の厚みとの差以下の厚みを有するばり防止層をさらに含むことを特徴としている。
このような構成を有する半導体装置は、たとえば、請求項４に記載されている製造方法により製造することができる。
【００１２】
請求項４記載の発明は、半導体チップとその半導体チップを支持する支持基板とを備える半導体装置を製造する方法であって、絶縁性を有する元基板の一方面における所定の切断ラインを跨る領域に、一方側金属層を形成する工程と、前記元基板の前記一方面と反対側の他方面において、前記一方側金属層に対して前記一方面と直交する方向に対向する位置に、他方側金属層を形成する工程と、前記切断ラインを跨る位置に、前記他方側金属層および前記元基板を連続して貫通する連続貫通孔を形成する工程と、前記他方側金属層の表面、前記連続貫通孔の内面および前記内部端子の前記連続貫通孔に臨む部分に第１金属めっき層を被着させる第１めっき工程と、前記第１めっき工程後、前記元基板の前記他方面上に、前記切断ラインを跨り、かつ、前記他方側金属層上の前記第１金属めっき層を前記切断ラインに沿う方向の全幅にわたって覆うように、絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂層を形成する絶縁樹脂層形成工程と、前記第１金属めっき層の表面に第２金属めっき層を被着させる第２めっき工程と、前記第２めっき工程後、前記元基板と切断工具とを、前記切断工具が前記元基板の前記一方面側から前記他方面側へ抜けるように相対移動させて、前記元基板を前記切断ラインに沿って切断し、前記元基板を支持基板の個片に切り分ける切断工程とを含むことを特徴としている。
【００１３】
この方法によれば、元基板の他方面上の他方側金属層の表面に第１金属めっき層が形成された後、切断ライン上において、その第１金属めっき層を切断ラインに沿う方向の全幅にわたって覆うように絶縁樹脂層が形成される。そして、第１金属めっき層の表面に第２金属めっき層が形成された後、元基板が切断ラインに沿って切断されることにより支持基板の個片に切り分けられる。
【００１４】
元基板が切断ラインに沿って切断されると、切断ラインに跨る一方側金属層が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインの両側の支持基板の内部端子となる。また、切断ラインに沿った切断によって、連続貫通孔の内面および一方側金属層の連続貫通孔に被着した第１金属めっき層および第２金属めっき層が２つに分断され、その分断後の各部分が、切断ラインの両側の支持基板の内部端子に接続される接続配線となる。さらに、他方側金属層および第１金属めっき層が２つに分断され、各支持基板において、他方側金属層および第１金属めっき層の分断後の各部分ならびに第１金属めっき層に被着した第２金属めっき層が外部端子となる。そして、他方側金属層および第１金属めっき層が分断されるときに、第１金属めっき層上の絶縁樹脂層も２つに分断され、その分断後の絶縁樹脂層の各部分がばり防止層となる。
【００１５】
元基板の切断時に、切断工具が元基板の一方面側から他方面側へ抜けるように移動される。この元基板に対する切断工具の移動方向において、絶縁樹脂層は、第１金属めっき層の下流側に存在している。そのため、第１金属めっき層を構成する金属が切断工具に引きづられて延びることを防止することができ、外部端子に金属ばりが発生することを防止することができる。よって、この方法によって製造される半導体装置は、外部端子に金属ばりを有しておらず、実装基板への実装時に、外部端子と実装基板上のランドとの接続不良などの実装不良を生じるおそれがない。また、金属ばりによる外部端子間での電気的短絡のような不具合を生じるおそれもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す斜視図である。この半導体装置は、支持基板１と、支持基板１の一方面１Ａ（図１における上面。以下「上面１Ａ」という。）上に支持される半導体チップ２と、支持基板１の上面１Ａおよび半導体チップ２を封止する封止樹脂３とを備えている。
【００１７】
支持基板１は、絶縁性を有する樹脂（たとえば、ガラスエポキシ樹脂）からなり、矩形板状をなしている。
支持基板１の上面１Ａには、その一方側および他方側の各端部に、複数（この実施形態では、３個）の内部端子４が各側端縁に沿う方向に所定間隔を空けて配置されている。各内部端子４は、たとえば、銅からなり、支持基板１の上面１Ａの端縁から内方に向けて延びる矩形薄板状に形成されている。
【００１８】
また、支持基板１の上面１Ａには、それぞれ内部端子４が形成された両端部間の中央部に、たとえば、銅からなる平面視矩形状のダイパッド５が形成されている。このダイパッド５は、各端部における複数の内部端子４の配列方向に沿う方向において、支持基板１とほぼ同じ幅（寸法）を有し、その配列方向と直交する方向において、半導体チップ２とほぼ同じ幅を有している。
【００１９】
一方、支持基板１の上面１Ａと反対側の他方面１Ｂ（図１における下面。以下「下面１Ｂ」という。）には、支持基板１の厚さ方向（上面１Ａおよび下面１Ｂに直交する方向）において各内部端子４と対向する位置およびダイパッド５に対向する複数の位置に、それぞれ外部端子６が形成されている。
各外部端子６は、図２に示すように、支持基板１の下面１Ｂの各端縁から内方に向けて延びている。各外部端子６は、支持基板１の下面１Ｂの端縁に沿って設けられ、相対的に小さな厚みを有する薄部６１と、この薄部６１に対して内方に配置され、相対的に大きな厚みを有する厚部６２とを一体的に備えている。
【００２０】
各外部端子６の薄部６１の下方には、絶縁性樹脂（たとえば、ソルダレジスト）からなるばり防止層１８が設けられている。このばり防止層１８は、薄部６１の厚みと厚部６２の厚みとの差（薄部６１と厚部６２との段差）にほぼ等しい厚みを有し、かつ、外部端子６の長手方向において薄部６１と同じ幅を有している。これによって、ばり防止層１８の表面（下面）は、外部端子６の厚部６２の表面（下面）と同一平面上に位置し、その厚部６２の表面に段差なく連続している。
【００２１】
支持基板１の４つの端面１Ｃには、各外部端子６および支持基板１を厚さ方向に貫通する断面半円形状の溝７が形成されている。
各溝７の内面には、金属薄層からなる接続配線８が形成されている。各接続配線８は、支持基板１の上面１Ａ側の端部（上端部）が内部端子４またはダイパッド５に接続されている。また、各接続配線８は、図２に示すように、下面１Ｂ側の端部（下端部）が外部端子６に接続されている。これにより、内部端子４とこれに対向する外部端子６とが接続配線８を介して電気的に接続され、ダイパッド５とこれに対向する外部端子６とが接続配線８を介して電気的に接続されている。
【００２２】
半導体チップ２は、図１に示すように、その機能素子が形成されている側の表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態で、ダイパッド５上にダイボンディングされている。半導体チップ２の表面には、複数（この実施形態では、６個）のパッド９が形成されている。各パッド９は、ボンディングワイヤ１０によって内部端子４に電気接続（ワイヤボンディング）されている。
【００２３】
そして、この半導体装置は、支持基板１の下面１Ｂを図示しない実装基板（配線基板）に対向させて、その実装基板上のランド（電極）に外部端子６を接合させることにより、実装基板に対する実装が達成される。
図３Ａ〜図３Ｇは、この半導体装置の製造方法を説明するための図である。この半導体装置は、たとえば、支持基板１に切り分けられる前のより大きな元基板１１の状態において、その元基板１１の一方面（上面）１１Ａ上に半導体チップ２を接合した後、各半導体チップ２の周囲を取り囲む格子状に設定された切断ライン（ダイシングライン）Ｌに沿って、ダイシングブレードなどの切断工具１２で元基板１１を切断することにより得られる。
【００２４】
たとえば、元基板１１の上面１１Ａおよびその反対側の他方面（下面）１１Ｂには、当初、それぞれ全面に金属層（たとえば、銅層）が形成されている。そして、各金属層をパターニングすることによって、元基板１１の上面１１Ａには、複数の上側金属層１３が切断ラインＬに跨って形成され、下面１１Ｂには、各上側金属層１３と元基板１１の厚さ方向（上面１１Ａおよび下面１１Ｂと直交する方向）に対向する位置に、それぞれ下側金属層１４が切断ラインＬに跨って形成される。
【００２５】
その後、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、各下側金属層１４および元基板１１を連続して貫通する断面楕円形状の連続貫通孔１５が切断ラインＬに跨る位置に形成される。この連続貫通孔１５は、たとえば、元基板１１の下面１１Ｂ側からのレーザ加工またはエッチング加工によって形成することができる。
つづいて、元基板１１の下面１１Ｂ側からの銅めっきによって、図３Ｃに示すように、下側金属層１４の表面（下面）、連続貫通孔１５の内面および上側金属層１３の連続貫通孔１５に臨む部分に、銅めっき層１６が形成（被着）される。
【００２６】
その後、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、切断ラインＬを跨り、かつ、下側金属層１４の表面に被着している銅めっき層１６を切断ラインＬに沿う方向の全幅にわたって覆うように、絶縁性樹脂からなる絶縁樹脂層１９が形成される。
この絶縁樹脂層１９の形成後は、元基板１１の下面１１Ｂ側からのニッケルめっきおよび金めっきが連続して行われる。これによって、図３Ｆに示すように、銅めっき層１６の表面に、ニッケルめっき層および金めっき層が積層されてなるニッケル／金めっき層１７が形成（被着）される。このめっき工程は、元基板１１の下面１１Ｂ上におけるニッケル／金めっき層１７の表面（下面）が絶縁樹脂層１９の表面（下面）とほぼ同一平面上に位置するまで続けられる。
【００２７】
そして、ニッケル／金めっき層１７の形成後は、元基板１１の上面１１Ａの各ダイパッド５上に半導体チップ２が接合され、各半導体チップ２のパッド９がボンディングワイヤ１０によって内部端子４に電気接続された後、図３Ｇに示すように、切断工具１２が元基板１１の上面１１Ａ側から下面１１Ｂ側に抜けるように入れられて、元基板１１が切断ラインＬに沿って切断されて、元基板１１が支持基板１の個片に切り分けられる。
【００２８】
この切断によって、図４に示すように、切断ラインＬに跨る上側金属層１３が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインＬの両側の支持基板１の内部端子４となる。また、切断ラインＬに沿った切断によって、切断ラインＬに跨る連続貫通孔１５は、その切断ラインＬの両側の支持基板１の端面１Ｃの溝７として分割される。このとき、連続貫通孔１５（溝７）の内面および上側金属層１３の連続貫通孔１５に被着した銅めっき層１６およびニッケル／金めっき層１７が２つに分断され、その分断後の各部分が、切断ラインＬの両側の支持基板１の内部端子４に接続される接続配線８となる。さらに、下側金属層１４および銅めっき層１６が２つに分断され、各支持基板１において、それらの分断後の各部分およびその表面に被着したニッケル／金めっき層１７が外部端子６となる。さらにまた、下側金属層１４および銅めっき層１６とともに、切断ラインＬに跨る絶縁樹脂層１９が２つに分断され、その分断後の各部分が切断ラインＬの両側の支持基板１のばり防止層１８となる。そして、外部端子６において、支持基板１の下面１Ｂとばり防止層１８とに挟まれた部分が、相対的に小さな厚みを有する薄部６１となり、ばり防止層１８と接触していない部分が、相対的に大きな厚みを有する厚部６２となる。
【００２９】
以上のように、元基板１１の下面１１Ｂ上の下側金属層１４の表面に銅めっき層１６が形成された後、切断ラインＬ上において、その銅めっき層１６を切断ラインＬに沿う方向の全幅にわたって覆うように絶縁樹脂層１９が形成される。そして、銅めっき層１６の表面にニッケル／金めっき層１７が形成された後、元基板１１が切断ラインＬに沿って切断されることにより支持基板１の個片に切り分けられる。
【００３０】
元基板１１の切断時に、切断工具１２が元基板１１の上面１１Ａ側から下面１１Ｂ側へ抜けるように移動される。この元基板１１に対する切断工具１２の移動方向において、絶縁樹脂層１９は、銅めっき層１６の下流側に存在している。そのため、銅めっき層１６を構成する金属が切断工具１２に引きづられて延びることを防止することができ、外部端子６に金属ばりが発生することを防止することができる。よって、この半導体装置は、外部端子６に金属ばりを有しておらず、実装基板への実装時に、外部端子６と実装基板上のランドとの接続不良などの実装不良を生じるおそれがない。また、金属ばりによる外部端子間での電気的短絡のような不具合を生じるおそれもない。
【００３１】
以上、この発明の一実施形態を説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上記の実施形態では、各外部端子６の薄部６１の下方に設けられているばり防止層１８が、薄部６１の厚みと厚部６２の厚みとの差にほぼ等しい厚みを有し、かつ、外部端子６の長手方向において薄部６１と同じ幅を有しているとした。しかしながら、ばり防止層１８の厚みは、薄部６１の厚みと厚部６２の厚みとの差よりも小さくてもよい。また、外部端子６の長手方向において、ばり防止層１８の幅は、薄部６１の幅よりも小さくてもよい。すなわち、ばり防止層１８は、外部端子６の薄部６１と厚部６２との段差によって形成される空間内に収まるように設けられていればよい。
【００３２】
また、ばり防止層１８は必ずしも必要というわけではなく、ばり防止層１８が省略されてもよい。ばり防止層１８を省略した構成の半導体装置は、たとえば、図３Ｃに示すように、下側金属層１４の表面、連続貫通孔１５の内面および上側金属層１３の連続貫通孔１５に臨む部分に、銅めっき層１６を形成した後、図３Ｄおよび図３Ｅに示す絶縁樹脂層１９を形成する工程を行わずに、その銅めっき層１６の表面において、切断ラインＬに沿って延び、かつ、切断ラインＬを跨る所定幅の領域を除く領域に、ニッケル／金めっき層１７を形成することによって作製することができる。ばり防止層１８を省略した構成であっても、外部端子６が薄部６１および厚部６２を有しているので、半導体装置の製造時に、たとえ外部端子６の薄部６１に金属ばりが生じたとしても、その金属ばりの長さが薄部６１と厚部６２との段差以下であれば、半導体装置の実装基板への実装時に、その金属ばりが実装基板の表面に当接することがない。よって、外部端子と実装基板上のランドとの接続不良などの実装不良を生じるおそれがない。
【００３３】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を図解的に示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体装置の接続配線の近傍の斜視図である。
【図３Ａ】図１に示す半導体装置の製造方法（連続貫通孔を形成する工程）を説明するための図であって、支持基板の下面を図解的に示している。
【図３Ｂ】図１に示す半導体装置の製造方法（連続貫通孔を形成する工程）を説明するための図であって、図３Ａに示す切断線Ａ−Ａで半導体装置を切断したときの断面図である。
【図３Ｃ】図１に示す半導体装置の製造方法（銅めっき層を形成する工程（第１めっき工程））を説明するための図であって、図３Ａに示す切断線Ａ−Ａで半導体装置を切断したときの断面図である。
【図３Ｄ】図１に示す半導体装置の製造方法（絶縁樹脂層を形成する工程（絶縁樹脂層形成工程））を説明するための図であって、支持基板の下面を図解的に示している。
【図３Ｅ】図１に示す半導体装置の製造方法（絶縁樹脂層形成工程）を説明するための図であって、図３Ｄに示す切断線Ｂ−Ｂで半導体装置を切断したときの断面図である。
【図３Ｆ】図１に示す半導体装置の製造方法（ニッケル／金めっき層を形成する工程（第２めっき工程））を説明するための図であって、図３Ｄに示す切断線Ｂ−Ｂで半導体装置を切断したときの断面図である。
【図３Ｇ】図１に示す半導体装置の製造方法（元基板を支持基板の個片に切り分ける工程（切断工程））を説明するための図であって、図３Ｄに示す切断線Ｂ−Ｂで半導体装置を切断したときの断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の端部の断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１      支持基板
１Ａ    上面（一方面）
１Ｂ    下面（他方面）
２      半導体チップ
４      内部端子
５      ダイパッド（内部端子）
６      外部端子
８      接続配線
１１    元基板
１１Ａ  上面（一方面）
１１Ｂ  下面（他方面）
１２    切断工具
１３    上側金属層（一方側金属層）
１４    下側金属層（他方側金属層）
１５    連続貫通孔
１６    銅めっき層（第１金属めっき層）
１７    ニッケル／金めっき層（第２金属めっき層）
１８    ばり防止層
１９    絶縁樹脂層
６１    薄部
６２    厚部
Ｌ      切断ライン
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図４】
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