(57)【要約】【課題】高周波特性の向上及び小型化を図ることができるストリップ線路の接続構造を提供する。【解決手段】積層された誘電体基板１ａ〜１ｄの異なる層に形成された第１のストリップ線路５ａと第２のストリップ線路５ｂとを接続部を介して積層方向に接続するストリップ線路の接続構造において、第１のストリップ線路５ａのストリップ導体パターンの先端部８ａと第２のストリップ線路５ｂのストリップ導体パターンの先端部８ｂとを接続して前記接続部を構成するストリップ導体パターン接続導体を、第１のストリップ線路と第２のストリップ線路との間の誘電体基板に設けられた地導体パターン３ｂと電気的に接続しないように貫通させるために地導体パターンを除いた第１の抜き部９を形成し、第１のストリップ線路の地導体および第２のストリップ線路の地導体に、地導体パターンを除いた第２の抜き部７ａ，７ｂを周期的またはほぼ周期的に配置した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された誘電体基板の異なる層に形成された第１のストリップ線路と第２のストリップ線路とを接続部を介して積層方向に接続するストリップ線路の接続構造において、
前記第１のストリップ線路のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ線路のストリップ導体パターンの先端部とを接続して前記接続部を構成するストリップ導体パターン接続導体を、前記第１のストリップ線路と前記第２のストリップ線路との間の誘電体基板に設けられた地導体パターンと電気的に接続しないように貫通させるために地導体パターンを除いた第１の抜き部を形成し、
前記第１のストリップ線路の地導体および前記第２のストリップ線路の地導体に、地導体パターンを除いた第２の抜き部を周期的またはほぼ周期的に配置した
ことを特徴とするストリップ線路の接続構造。
【請求項２】
請求項１に記載のストリップ線路の接続構造において、
前記第１の抜き部が形成される地導体パターンは、前記第１のストリップ線路の構成部材であると共に前記第２のストリップ線路の構成部材である
ことを特徴とするストリップ線路の接続構造。
【請求項３】
一方の面上に第１の地導体パターンを設けた第１の誘電体基板と、一方の面上に第１のストリップ線路のストリップ導体パターンを設け、当該第１のストリップ線路のストリップ導体パターンを設けた面の反対側の面に第２の地導体パターンを設けた第２の誘電体基板とを、それぞれの地導体パターンが外側になるように積層し、
前記第２の誘電体基板の第２の地導体パターンの上に第３の誘電体基板を積層し、
前記第３の誘電体基板における第２の地導体パターンと反対側の面に第２のストリップ線路のストリップ導体パターンを設け、前記第３の誘電体基板における第２のストリップ導体パターンを設けた面の上に、一方の面に第３の地導体パターンを設けた第４の誘電体基板を前記第３の地導体パターンが外側になるように積層し、
前記第１の誘電体基板と、前記第２の誘電体基板と、前記第１の地導体パターンと、前記第２の地導体パターンと、前記第１のストリップ導体パターンとで第１のトリプレート線路を構成し、
前記第３の誘電体基板と、前記第４の誘電体基板と、前記第２の地導体パターンと、前記第３の地導体パターンと、前記第２のストリップ導体パターンとで第２のトリプレート線路を構成し、
前記第１のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ導体パターンの先端部とが積層方向で上下に重なるように配置し、
前記第１のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ導体パターンの先端部とを電気的に接続するストリップ導体パターン接続用導体を設けると共に、前記ストリップ導体パターン接続用導体の近傍に前記第１の地導体パターンと前記第２の地導体パターンと前記第３の地導体パターンとを電気的に接続する地導体パターン接続用導体を設け、
前記第２の地導体パターンに、前記ストリップ導体パターン接続用導体が接続すること無く貫通する第１の抜き部を形成し、
前記第１の地導体パターンおよび前記第３の地導体パターンに、前記第１のストリップ導体パターンおよび前記第２のストリップ導体パターンの延在方向とは逆の方向に第２の抜き部を周期的またはほぼ周期的に形成した
ことを特徴とするストリップ線路の接続構造。
【請求項４】
一方の面上に第１の地導体パターンを設けた第１の誘電体基板と、一方の面上に第１のストリップ線路のストリップ導体パターンを設け、当該第１のストリップ線路のストリップ導体パターンを設けた面の反対側の面に第２の地導体パターンを設けた第２の誘電体基板とを、それぞれの地導体パターンが外側になるように積層し、
前記第２の誘電体基板の第２の地導体パターンの上に第３の誘電基板を積層し、
前記第３の誘電体基板における第２の地導体パターンと反対側の面に第２のストリップ線路のストリップ導体パターンを設け、
前記第１の誘電体基板と、前記第２の地導体パターンと、前記第１のストリップ導体パターンとでトリプレート線路を構成し、
前記第３の誘電体基板と、前記第２の地導体パターンと、前記第２のストリップ導体パターンとでマイクロストリップ線路を構成し、
前記第１のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ導体パターンの先端部とが積層方向で上下に重なるように配置し、
前記第１のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ導体パターンの先端部とを電気的に接続するストリップ導体パターン接続用導体を設けると共に、前記ストリップ導体パターン接続用導体の近傍に前記第１の地導体パターンと前記第２の地導体パターンを電気的に接続する地導体パターン接続用導体を設け、
前記第２の地導体パターンに、前記ストリップ導体パターン接続用導体が接触すること無く貫通する第１の抜き部を形成し、
前記第１の地導体パターンに、前記第１のストリップ線路の延在方向とは逆の方向に第２の抜き部を周期的またはほぼ周期的に形成した
ことを特徴とするストリップ線路の接続構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ストリップ線路の接続構造に関し、詳しくは、主として、マイクロ波及びミリ波帯で用いるストリップ線路の接続構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のストリップ線路の垂直接続構造は、ストリップ線路のストリップ導体パターン接続用スルーホールの周囲に地導体パターン接続用スルーホールを複数配置していることから、このストリップ導体パターン接続用スルーホールと地導体パターン接続用スルーホールから成る接続部については、ストリップ導体パターン接続用スルーホールを内導体、地導体パターン接続用スルーホール線路を外導体とする同軸線路と考えることができる。この同軸線路のもつ特性インピーダンスは、ストリップ導体パターン接続用スルーホールと地導体パターン接続用スルーホールの間隔を変化させることで調整でき、従って、この同軸線路の特性インピーダンスを、マイクロストリップ線路やトリプレート線路の特性インピーダンスと同じにしてやれば、高周波信号はこの接続部において大きな反射を生じることなく、伝搬させることができる（例えば、特許文献１）。
【０００３】
一方、フォトニックバンドギャップ（Photonic Band Gap）（以下「ＰＢＧ」という。）と呼ばれる構造の新しい技術の研究が盛んに進められている。このＰＢＧ構造とは、ある周波数の電磁波の伝搬を許さない、周期的またはほぼ周期的な構造である（例えば、非特許文献１）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１６８９０３号公報（第３頁、第２０図）
【非特許文献１】Fei-Ran YANG et al., IEICE TRANS. ELECTRON., pp.687-695, VOL.E83-C、 NO.5 MAY 2000
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、ストリップ線路の垂直接続構造では、第１のストリップ線路のストリップ導体パターンと第２のストリップ線路のストリップ導体パターンとを接続するストリップ導体パターン接続用スルーホール部において電磁界分布が不連続となるため、不要波が励振され垂直接続構造部にて高周波特性が劣化する問題があった。
【０００６】
これを解消するために、上述した特許文献１に開示されたストリップ線路の垂直接続構造では、ストリップ導体パターン接続用スルーホールとストリップ導体パターン接続用スルーホールを囲むように配置された地導体パターン接続用スルーホールから同軸線路を構成し、同軸線路の特性インピーダンスをマイクロストリップ線路やトリプレート線路の特性インピーダンスと同じとすると共に、同軸線路の外導体に相当する地導体パターン接続用スルーホールにて不要波の伝播を抑圧している。しかしながら、製造上の制約により密に地導体パターン接続用スルーホールを設けることが困難であるため、不要波を完全に抑圧することができず、垂直接続構造部の高周波特性が劣化する問題があった。
【０００７】
また、さらに不要波抑圧効果を高めようとする場合、垂直接続構造部周辺に延在方向に複数段の地導体接続スルーホールを設ける必要があり、垂直接続構造が大型化する問題があった。
【０００８】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、高周波特性の向上及び小型化を図ることができるストリップ線路の接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に係るストリップ線路の接続構造は、積層された誘電体基板の異なる層に形成された第１のストリップ線路と第２のストリップ線路とを接続部を介して積層方向に接続するストリップ線路の接続構造において、前記第１のストリップ線路のストリップ導体パターンの先端部と前記第２のストリップ線路のストリップ導体パターンの先端部とを接続して前記接続部を構成するストリップ導体パターン接続導体を、前記第１のストリップ線路と前記第２のストリップ線路との間の誘電体基板に設けられた地導体パターンと電気的に接続しないように貫通させるために地導体パターンを除いた第１の抜き部を形成し、前記第１のストリップ線路の地導体および前記第２のストリップ線路の地導体に、地導体パターンを除いた第２の抜き部を周期的またはほぼ周期的に配置したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、高周波特性の良好なトリプレート線路間接続構造を提供できると共に、接続部においてスルーホールを多数設ける必要がないため、小形な接続構造を提供でき、接続部におけるスルーホールの配置の自由度が高い接続構造を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１について図１〜図７を参照して説明する。
図１及び図２はこの発明の実施の形態１に係るストリップ線路の接続構造を示す断面図、図３は図１の誘電体基板１ａの下側の面における導体パターン図、図４は図１の誘電体基板１ｂの下側の面における導体パターン図、図５は図１の誘電体基板１ｂの上側の面における導体パターン図、図６は図１の誘電体基板１ｃの上側の面における導体パターン図、図７は図１の誘電体基板１ｄの上側の面における導体パターン図である。尚、図１は図３のａ−ａ断面図、図２は図３のｂ−ｂ断面図である。
【００１２】
図１から図７において、第１の誘電体基板１ａ、第２の誘電体基板１ｂ、第３の誘電体基板１ｃ、第４の誘電体基板１ｄが順次積層されて多層基板が形成されている。第１の誘電体基板１ａには、図１及び図２に示すように、その一方の面即ち図において下面に第１の地導体パターン３ａが設けられている。第２の誘電体基板１ｂには、その一方の面即ち図において下面に第１のストリップ導体パターン２ａが設けられており、当該第１のストリップ導体パターン２ａが設けられた面の反対側の面即ち図において上の面には第２の地導体パターン３ｂが設けられている。この第１の誘電体基板１ａと第２の誘電体基板１ｂとは、それぞれの地導体パターン３ａ、３ｂが外側になるように向かい合わせに積層されている。
【００１３】
第３の誘電体基板１ｃは、前記第２の誘電体基板に設けられた第２の地導体パターン３ｂの上に積層されており、この第３の誘電体基板１ｃにおける前記第２の地導体パターン３ｂと反対側の面即ち図において上面には第２のストリップ導体パターン２ｂが設けられている。さらに、この第３の誘電体基板１ｃにおける前記第２のストリップ導体パターン２ｂを設けた面の上即ち図１において上面には、一方の面に第３の地導体パターン３ｃが設けられた第４の誘電体基板１ｄが、当該第３の地導体パターン３ｃが外側即ち図において上面になるように積層されている。
【００１４】
こうして、前記第１の誘電体基板１ａと、第２の誘電体基板１ｂと、第１の地導体パターン３ａと、第２の地導体パターン３ｂと、第１のストリップ導体パターン２ａとでストリップ線路としての第１のトリプレート線路５ａが構成され、他方、前記第３の誘電体基板１ｃと、第４の誘電体基板１ｄと、第２の地導体パターン３ｂと、第３の地導体パターン３ｃと、第２のストリップ導体パターン２ｂとでストリップ線路としての第２のトリプレート線路５ｂが構成されている。
【００１５】
前記の第１のトリプレート線路５ａを構成するストリップ導体パターン２ａと、第２のストリップ線路としてのトリプレート線路５ｂとを接続する接続部は、次のように構成されている。先ず、第１のストリップ導体パターン２ａの接続先端となる第１のストリップ導体パターン先端部８ａと、第２のストリップ導体パターン２ｂの接続先端となる第２のストリップ導体パターン先端部８ｂとの間を、電気的に接続する接続導体としてのストリップ導体パターン接続用スルーホール４が誘電体基板１ｂ、１ｃの積層上下方向に垂直に設けられている（図４及び図６参照）。
【００１６】
また、前記ストリップ導体パターン接続用スルーホール４の近傍には、第１から第３の地導体パターン３ａ、３ｂ、３ｃの間を接続する地導体接続導体としての地導体パターン接続用スルーホール６が、この例では誘電体基板１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄの積層上下方向に垂直に２本設けられている（図３〜図７参照）。
【００１７】
そして、第１のストリップ導体パターン２ａと第２のストリップ導体パターン２ｂとの間の第２の地導体パターン３ｂには、上下方向に設けられるストリップ導体パターン接続用スルーホール６が接触しないよう即ち電気的に接続されないように、当該地導体パターン３ｂを貫通させる抜き部９が形成されている（図５参照）。なお、図示の抜き部９は、円形状に形成されているが、これに限らず矩形上に形成してもよい。
【００１８】
さらに、第１の地導体パターン３ａには、地導体パターン抜き部７ａがストリップ導体パターン２ａの延在方向とは逆の方向に周期的またはほぼ周期的に配置され（図３参照）、第３の地導体パターン３ｃには、地導体パターン抜き部７ｂがストリップ導体パターン２ｂの延在方向とは逆の方向に周期的またはほぼ周期的に配置されており、ある周波数帯の電磁波を遮断するＰＢＧ構造を形成している（図７参照）。
【００１９】
次に動作について説明する。
このように構成された接続部において、第３の誘電体基板１ｃおよび第４の誘電体基板１ｄにより構成された第２のトリプレート線路５ｂに入力された高周波信号が、ストリップ導体パターン接続用スルーホール４を介して、第１の誘電体基板１ａおよび第２の誘電体基板１ｂにより構成された第１のトリプレート線路５ａを伝搬する。
【００２０】
このとき、ストリップ導体パターン接続用スルーホール４近傍においては、構造の不連続から電磁界分布が不連続となり不要波が励振される。この不要波は、主に、第１のトリプレート線路５ａでは第１のストリップ導体パターン２ａの延在方向とは逆の方向に、第２のトリプレート線路５ｂでは第２のストリップ導体パターン２ｂの延在方向とは逆の方向に伝搬し、垂直接続構造部にける高周波特性の劣化の原因となるが、第１のトリプレート線路５ａでは、第１の地導体パターン３ａに第１のストリップ導体パターン２ａの延在方向とは逆の方向に配置した地導体パターン抜き部７ａが周期的またはほぼ周期的に配置されており、ある周波数帯の電磁波を遮断するＰＢＧ構造を形成しているので、垂直接続構造部で生じた不要波が第１のトリプレート線路５ａを伝搬するのを防ぐことができ、これにより、良好な高周波特性が得られる。
【００２１】
また、第２のトリプレート線路５ｂでは、第３の地導体パターン３ｃに第２のストリップ導体パターン２ｂの延在方向とは逆の方向に配置した地導体パターン抜き部７ｂが周期的またはほぼ周期的に配置されており、ある周波数帯の電磁波を遮断するＰＢＧ構造を形成しているので、垂直接続構造部で生じた不要波が第２のトリプレート線路５ｂを伝搬するのを防ぐことができ、これにより、良好な高周波特性が得られる。
【００２２】
また、この構成においては、垂直接続構造部で生じる不要波を第１の地導体パターン３ａに設けられた抜き部７ａにより構成されるＰＢＧ構造と第３の地導体パターン３ｃに設けられた抜き部７ｂにより構成されるＰＢＧ構造により抑圧することで高周波特性の改善を図っており、地導体パターン接続用スルーホール６で同軸線路を模擬する必要がなくなるため、地導体パターン接続用スルーホール６を多数設ける必要がなく、さらに、ストリップ導体パターン接続用スルーホール４に対する地導体パターン接続用スルーホール６の位置をある程度自由に選ぶことができる。これにより、小形とすることができる。
【００２３】
以上のように、この実施の形態１によれば、高周波特性の良好なトリプレート線路間接続構造を提供できる。また、接続部においてスルーホールを多数設ける必要がないため、小形な接続構造を提供できる。また、接続部におけるスルーホールの配置の自由度が高い接続構造を提供できる。
【００２４】
なお、上記実施の形態１では、第１および第２のストリップ導体パターン２ａ、２ｂ間を接続する接続導体として、また第１から第３の地導体パターン３ａ、３ｂ、３ｃ間を接続する地導体パターン接続導体としてスルーホールを用いたが、ビィアなどを用いてもよい。
【００２５】
実施の形態２．
以下、この発明の実施の形態２について図８〜図１３を参照して説明する。
図８及び図９はこの発明の実施の形態２におけるストリップ線路の接続構造を示す断面図、図１０は図８の誘電体基板１ａの下側の面における導体パターン図、図１１は図８の誘電体基板１ｂの下側の面における導体パターン図、図１２は図８の誘電体基板１ｂの上側の面における導体パターン図、図１３は図８の誘電体基板１ｃの上側の面における導体パターン図である。なお、図８は図１０のａ−ａ断面図、図９は図１０のｂ−ｂ断面図を示している。これらの図において、図１から図７と同一または相当の部分については同一の符号を付し説明を省略する。
【００２６】
図８から図１３において、一方の面に第１の地導体パターン３ａが設けられた第１の誘電体基板１ａと、一方の面即ち図において下面に第１のストリップ導体パターン２ａが設けられ、他方の面即ち前記第１のストリップ導体パターン２ａが設けられた反対側の面（図において上面）に、第２の地導体パターン３ｂが設けられた誘電体基板１ｂとが、それぞれの地導体パターン３ａ、３ｂが外側になるように向かい合わせに積層されて、トリプレート線路５が構成されている。
【００２７】
また、前記第２の誘電体基板１ｂの第２の地導体パターン３ｂの上に第３の誘電体基板１ｃが積層され、この第３の誘電体基板１ｃの第２の地導体パターン３ｂと反対側の面にストリップ導体パターン２ｂが設けられて、マイクロストリップ線路１０が構成されている。
【００２８】
前記のトリプレート線路５を構成するストリップ導体パターン２ａと、マイクロストリップ線路１０を構成するストリップ導体パターン２ｂとを接続する接続部は、次のように構成されている。
【００２９】
先ず、第１のストリップ導体パターン２ａの接続先端となるストリップ導体パターン先端部８ａと、第２のストリップ導体パターン２ｂの接続先端となるストリップ導体パターン先端部８ｂとが、積層方向に重なるように配設され（図１１及び図１３参照）、この先端部８ａと先端部８ｂとの間を電気的に接続する接続導体としてのストリップ導体パターン接続用スルーホール４が、積層上下方向に垂直に設けられている。
【００３０】
また、前記ストリップ導体パターン接続用スルーホール４の近傍には、第１の地導体パターン３ａと第２の地導体パターン３ｂとの間を接続する地導体接続導体としての地導体パターン接続用スルーホール６が２本設けられている（図１０及び図１２参照）。
【００３１】
そして、第１のストリップ導体パターン２ａの先端部８ａと第２のストリップ導体パターン２ｂの先端部８ｂとの間の第２の地導体パターン３ｂには、積層方向の上下方向に設けられる接続導体としての前記ストリップ導体パターン接続用スルーホール４が接触しないよう即ち電気的に接続されないように、第２の地導体パターン３ｂを貫通させる抜き部９が形成されている（図１２参照）。なお、図示の抜き部９は円形状に形成されているが、これに限らず矩形状に形成してもよい。
【００３２】
さらに、第１の地導体パターン３ａには、地導体パターン抜き部７がストリップ導体パターン２ａの延在方向とは逆の方向に周期的またはほぼ周期的に配置されており（図１０参照、ある周波数帯の電磁波を遮断するＰＢＧ構造を形成している。
【００３３】
このような構成においては、実施の形態１と同様、ストリップ導体パターン接続用スルーホール４の近傍においては、構造の不連続性から電磁界分布が不連続となり不要波が励振される。この不要波は、主として、トリプレート線路５の第１のストリップ導体パターン２ａの延在方向とは逆の方向に伝搬し垂直接続構造における高周波特性の劣化の原因となるが、トリプレート線路５では、第１の地導体パターン３ａに第１のストリップ導体パターン２ａの延在方向とは逆の方向に配置した地導体パターン抜き部７ａが周期的またはほぼ周期的に配置されており、ある周波数帯の電磁波を遮断するＰＢＧ構造を形成しているので、垂直接続構造で生じた不要波がトリプレート線路１０を伝搬するのを防ぐことができ、これにより、良好な高周波特性が得られる。
【００３４】
また、この構成においては、垂直接続構造部で生じる不要波を第１の地導体パターン３ａに設けられた抜き部７ａにより構成されるＰＢＧ構造により抑圧することで高周波特性の改善を図っており、地導体パターン接続用スルーホール６で同軸線路を模擬する必要がなくなるため、地導体パターン接続用スルーホール６を多数設ける必要がなく、さらに、ストリップ導体パターン接続用スルーホール４に対する地導体パターン接続用スルーホール６の位置をある程度自由に選ぶことができる。これにより、小形とすることができる。
【００３５】
以上のように、この実施の形態２によれば、高周波特性の良好なマイクロストリップ線路／トリプレート線路間接続構造を提供できる。また、接続部においてスルーホールを多数設ける必要がないため、小形な接続構造を提供できる。また、接続部におけるスルーホールの配置の自由度が高い接続構造を提供できる。
【００３６】
なお、上記実施の形態２では、第１および第２のストリップ導体パターン２ａ、２ｂ間を接続する接続導体として、また第１および第２の地導体パターン３ａ、３ｂ間を接続する地導体パターン接続導体としてスルーホールを用いたが、ビィアなどを用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】この発明の実施の形態１に係るストリップ線路の接続構造を示すもので、図３のａ−ａ断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１に係るストリップ線路の接続構造を示すもので、図３のｂ−ｂ断面図である。
【図３】図１の誘電体基板１ａの下側の面における導体パターン図である。
【図４】図１の誘電体基板１ｂの下側の面における導体パターン図である。
【図５】図１の誘電体基板１ｂの上側の面における導体パターン図である。
【図６】図１の誘電体基板１ｃの上側の面における導体パターン図である。
【図７】図１の誘電体基板１ｄの上側の面における導体パターン図である。
【図８】この発明の実施の形態２におけるストリップ線路の接続構造を示すもので、図１０のａ−ａ断面図である。
【図９】この発明の実施の形態２におけるストリップ線路の接続構造を示すもので、図１０のｂ−ｂ断面図である。
【図１０】図８の誘電体基板１ａの下側の面における導体パターン図である。
【図１１】図８の誘電体基板１ｂの下側の面における導体パターン図である。
【図１２】図８の誘電体基板１ｂの上側の面における導体パターン図である。
【図１３】図８の誘電体基板１ｃの上側の面における導体パターン図である。
【符号の説明】
【００３８】
１ａ  第１の誘電体基板、１ｂ  第２の誘電体基板、１ｃ  第３の誘電体基板、１ｄ  第４の誘電体基板、２ａ  第１のストリップ導体パターン、２ｂ  第２のストリップ導体パターン、３ａ  第１の地導体パターン、３ｂ  第２の地導体パターン、３ｃ  第３の地導体パターン、４  ストリップ導体パターン接続用スルーホール、５ａ  第１のトリプレート線路、５ｂ  第２のトリプレート線路、５  トリプレート線路、６  地導体パターン接続用スルーホール、７ａ  地導体パターン抜き部、７ｂ  地導体パターン抜き部、８ａ  第１のストリップ導体パターン先端部、８ｂ  第２のストリップ導体パターン先端部、９  抜き部、１０  マイクロストリップ線路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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