(57)【要約】      （修正有）【課題】低誘電性を維持しつつ、耐熱性、膜成形性に優れた絶縁層を有する電子材料を提供する。【解決手段】式（１）2006291125.tif 000009で表され、主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を有する新規共重合体を含む樹脂組成物、その硬化物並びにそれを用いた電子部品。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
【化１】
2006291125.tif 000005
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なってもよく、水素又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６は同一又は異なってもよく、炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｍ及びｎは２以上の整数を表す。）で表され、主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を有し、Ｒ１〜Ｒ６の全てが飽和結合もしくは少なくとも１つが不飽和結合であってもよいことを特徴とする新規共重合体。
【請求項２】
式（１）
【化２】
2006291125.tif 000006
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なってもよく、水素又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６は同一又は異なってもよく、炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｍ及びｎは２以上の整数を表す。）で表される主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を有し、Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つは不飽和結合であってもよい共重合体と他の成分を含有することを特徴とする樹脂組成物。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ６が飽和結合であるとき、他の成分が有機溶剤、高誘電率絶縁体、低誘電率絶縁体、難燃剤、充填材及び他の樹脂成分の１種以上である請求項２記載の樹脂組成物。
【請求項４】
Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つが不飽和結合であるとき、他の成分が有機溶剤、高誘電率絶縁体、低誘電率絶縁体、硬化触媒、硬化促進剤、難燃剤、充填材及び他の樹脂成分の１種以上である請求項２記載の樹脂組成物。
【請求項５】
高誘電率絶縁体がセラミック粒子または絶縁処理した金属粒子である請求項３または４記載の樹脂組成物。
【請求項６】
式（１）
【化３】
2006291125.tif 000007
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なってもよく、水素又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６は同一又は異なってもよく、炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｍ及びｎは２以上の整数を表す。）で表される主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を有し、Ｒ１〜Ｒ６の全てが飽和結合もしくは少なくとも１つが不飽和結合であってもよい共重合体と他の成分を含む樹脂組成物の硬化物。
【請求項７】
Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つが不飽和結合であって、他の成分が有機溶剤、高誘電率絶縁体、低誘電率絶縁体、硬化触媒、硬化促進剤、難燃剤、充填材及び他の樹脂成分の１種以上である請求項６記載の樹脂組成物の硬化物。
【請求項８】
高誘電率絶縁体がセラミック粒子または絶縁処理した金属粒子である請求項６記載の樹脂組成物の硬化物。
【請求項９】
機能部品と、該機能部品に対し又は該機能部品から、電気信号を与え、または伝送する導体配線と、該導体配線と接する絶縁層とを有する電子部品であって、上記絶縁層は下記一般式（１）
【化４】
2006291125.tif 000008
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なってもよく、水素又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６は同一又は異なってもよく、炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｍ及びｎは２以上の整数を表す。）で表され、主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を有し、Ｒ１〜Ｒ６の全てが飽和結合であるかもしくは少なくとも１つが不飽和結合であってもよい共重合体と他の成分を含む樹脂組成物の硬化物を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つが不飽和結合であるとき、他の成分が有機溶剤、高誘電率絶縁体、低誘電率絶縁体、硬化触媒、硬化促進剤、難燃剤、充填材及び他の樹脂成分の１種以上である請求項９記載の電子部品。
【請求項１１】
高誘電率絶縁体がセラミック粒子または絶縁処理した金属粒子である請求項１０記載の電子部品。
【請求項１２】
前記絶縁層が難燃剤を含有していることを特徴とする請求項１０記載の電子部品。
【請求項１３】
上記絶縁層が平均粒径０．１〜１００μｍの低誘電率樹脂粒子、中空樹脂粒子及び中空ガラスバルーンまたは空隙から選ばれる少なくとも１種類の低誘電率相を含有していることを特徴とする請求項１０記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を含む構造を有する新規共重合体、樹脂組成物、その硬化物及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＰＨＳ，携帯電話等の情報通信機器の信号帯域，コンピューターのＣＰＵクロックタイムはＧＨｚ帯に達し、高周波数化が進行している。電気信号の誘電損失は、回路を形成する絶縁層の比誘電率の平方根、誘電正接および電気信号の周波数の積に比例するため、使用される信号の周波数が高いほど誘電損失が大きくなる。誘電損失の増大は電気信号を減衰させて信号の信頼性を損なう。これを抑制するためには絶縁層に誘電率および誘電正接の小さな材料を用いる必要がある。
【０００３】
材料の低誘電率，低誘電正接化には分子構造中の極性基の除去が有効であり、フッ素樹脂，硬化性ポリオレフィン，シアネートエステル系樹脂，硬化性ポリフェニレンオキサイド，アリル変性ポリフェニレンエーテル，ポリビニルベンジルエーテル樹脂，ジビニルベンゼンまたはジビニルナフタレンで変性したポリエーテルイミド等が提案されている。
【０００４】
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるフッ素樹脂は、誘電率及び誘電正接が共に低く、高周波信号を扱う各種電気部品の絶縁層として使用されている。しかし、フッ素樹脂は熱可塑性であるため耐熱性および機械強度が低く多層化に限界がある上、高価である。これに対して、有機溶媒に可溶で加工性が良い非フッ素系の低誘電率，低誘電正接樹脂についても種々検討されてきた。例えば特許文献１記載のポリブタジエン等のジエン系ポリマーをガラスクロスに含浸して過酸化物で硬化した例がある。
【０００５】
特許文献１には、ノルボルネン系付加型重合体にエポキシ基を導入した環状ポリオレフィンが記載され、特許文献２には、シアネートエステル，ジエン系ポリマー及びエポキシ樹脂を加熱してＢステージ化した例が記載されている。特許文献３には、ポリフェニレンオキサイド，ジエン系ポリマー及びトリアリルイソシアネートからなる変性樹脂の例が、特許文献４には、アリル化ポリフェニレンエーテル及びトリアリルイソシアネート等からなる樹脂組成物が記載されている。
【０００６】
特許文献５には、ポリエーテルイミドとスチレン，ジビニルベンゼン又はジビニルナフタレンとをアロイ化した例が、特許文献６，特許文献７にはビニルベンジルエーテル基を有する熱硬化性樹脂と各種添加剤からなる樹脂組成物の例が記載されている。
【０００７】
これらの低誘電率，低誘電正接樹脂組成物は、はんだリフロー，金ワイヤボンディング等の電気部品製造工程に耐える必要があることから、いずれも熱硬化性樹脂として設計されている。
【０００８】
熱硬化性樹脂のうち、硬化性ポリフェニレンは耐熱性、誘電特性を両立できる材料として開発されており、例えば特許文献９など数多くの公知例が報告されている。しかし、一般のポリフェニレンエーテルは一般的な汎用溶媒にはほとんど溶けず、配線基板製造工程におけるワニス作成時にクロロホルム（ハロゲン系溶剤）や熱トルエン等を使用することが多く、環境、安全面に関して課題が残されている。
【０００９】
一方、高周波回路の絶縁層には、遅延回路の形成，低インピーダンス回路における配線基板のインピーダンス整合，配線パターンの細密化，基板自身にコンデンサを内蔵した複合回路化等の要求があり、絶縁層の高誘電率化が要求される場合がある。そのため、例えば特許文献９記載のような高誘電率で低誘電正接な絶縁層を用いた電子部品の例；特許文献８，特許文献１０記載の高誘電率層と低誘電率層を複合化した電子部品の例が提案されている。高誘電率かつ低誘電正接な絶縁層は、前述の低誘電率，低誘電正接絶縁層にセラミック粉，絶縁処理を施した金属粉等の高誘電体絶縁材料を分散させることによって形成されている。
【００１０】
また、非特許文献１においては、２，６−ジメチルフェノールと２，６−ジヒドロキシナフタレンの酸化カップリング共重合体が開示されているが、この共重合体に含まれる多量のヒドロキシグループのために、共重合体の耐水性、耐熱性、電気絶縁性、低誘電率特性において満足できないものである。
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−１５８３３７号公報
【特許文献２】特開平１１−１２４４９１号公報
【特許文献３】特開平９―１１８７５９号公報
【特許文献４】特開平９−２４６４２９号公報
【特許文献５】特開平５−１５６１５９号公報
【特許文献６】特開平５−７８５５２号公報
【特許文献７】特開２００１−２４７７３３号公報
【特許文献８】特開平７−１３３３４７号公報
【特許文献９】特開２０００−９１７１７号公報
【特許文献１０】特開２００１−３４５２１２号公報
【非特許文献１】Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ，Ｊａｐａｎ  Ｖｏｌ．５３，Ｎｏ．１（２００４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、ポリフェニレンエーテルの優れた誘電特性を維持しながら、高耐熱性、汎用溶剤への可溶化を実現できる新規な共重合体を提供することである。また、基板配線のプロセス加工性に優れた樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の架橋構造体を絶縁層に用いた誘電損失の小さな、特に高周波用に適した電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、式（１）
【００１４】
【化１】
2006291125.tif 000002
【００１５】
（式中、Ｒは炭化水素骨格を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、同一又は異なってもよく、水素又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ５及びＲ６は同一又は異なってもよく、炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、ｍ及びｎは２以上の整数を表す。）で表され、主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を有し、Ｒ１〜Ｒ６の全てが飽和結合であるかもしくは少なくとも１つは不飽和結合である新規共重合体に関する。
【００１６】
また、本発明は、上記式（１）で表され、主鎖フェニレンエーテル構造を含む共重合体と他の成分を含有することを特徴とする樹脂組成物を提供するものである。上記他の成分とは有機溶剤、高誘電率絶縁体、低誘電率絶縁体、硬化触媒、硬化促進剤、充填材及び他の樹脂成分の１種以上である。Ｒ１〜Ｒ６の少なくとも１つが不飽和結合であるときに、熱硬化性樹脂組成物及びその硬化物を得ることができる。
【００１７】
また、上記高誘電率絶縁体はセラミック粒子または絶縁処理した金属粒子である。これらは単独でも良いし、複数種類添加しても良い。上記他の樹脂成分はポリスチレンなどがある。
【００１８】
また、本発明は、上記式（１）で表され、主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を含む共重合体と他の成分を含む樹脂組成物の硬化物に関する。他の成分は上記と同じである。
【００１９】
更に本発明は、機能部品と、該機能部品に対して、及び／又は該機能部品から、電気信号を与え、または伝送する導体配線と、該導体配線と接する絶縁層とを有する電子部品であって、上記絶縁層は上記一般式（１）で表され、主鎖にナフタレン構造およびフェニレンエーテル構造を含む共重合体と他の成分を含む樹脂組成物の硬化物を含む電子部品に関する。
【００２０】
他の成分は上記と同じである。前記絶縁層は難燃剤を含有していてもよい。更に、本発明は、上記絶縁層が平均粒径０．１〜１００μｍの低誘電率樹脂粒子、中空樹脂粒子、中空ガラスバルーン及び空隙から選ばれる少なくとも１種類の低誘電率相を含有している電子部品を提供する。
【００２１】
本発明は、前記一般式（１）で示されるナフタレン−ポリフェニレンエーテル構造を有する共重合体を必須成分とする低誘電損失の樹脂組成物を絶縁層とした電子材料とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、低誘電性を維持しつつ、耐熱性、膜成形性に優れた絶縁層を有する電子材料を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明による樹脂組成物は、主鎖にナフタレン構造を含むことによって、従来のポリフェニレンエーテルよりも絶縁層の耐熱性が向上した。また、側鎖の炭化水素基および、アルコキシ基を検討することによって、従来のポリフェニレンエーテルおよび側鎖の修飾がない樹脂組成物と比較して、絶縁層の汎用溶媒への溶解性や疎水性が大きく向上した。また、主鎖の一次構造制御がなされることで、低誘電性を保持した絶縁層となった。特に、側鎖の水酸基をアルコキシ化することで分極の大きな水酸基を減らすことができ、誘電率の低減に大きく寄与している。また、水酸基を減らすことで親水性を低減できることから、耐湿性に優れた絶縁層とすることができた。
【００２４】
また、本発明の高周波用電子部品は、０．３〜１００ＧＨｚの電気信号を伝送する導体配線と絶縁層とを有し、絶縁層が前述の低誘電損失樹脂組成物を用いて絶縁層を形成したことを特徴とする。主鎖構造中にナフタレン骨格を有することにより、従来のポリフェニレンエーテルからなる低誘電樹脂組成物により形成された絶縁層よりも耐熱性が高く、かつ低い誘電損失性能を維持した絶縁層が得られ、従来の高周波用電子部品よりも耐熱性を有する高効率な高周波用電子部品が得られる。
【００２５】
また、課題を解決する他の手段としては、一般式（１）で示されるナフタレン−ポリフェニレンエーテル構造を有する共重合体で、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＲ６の全部あるいは一部に不飽和結合を含む炭化水素基を有することを必須成分とする低誘電損失の熱硬化性樹脂組成物がある。
【００２６】
本熱硬化性樹脂組成物は、主鎖にナフタレン構造を含むことに加え、加熱による熱硬化を起こすことによって、従来のポリフェニレンエーテルや硬化していない樹脂組成物よりも更に耐熱性が向上した。また、熱硬化前の樹脂組成物は、側鎖の炭化水素を検討することによって、汎用溶媒への溶解性が向上した。主鎖の一次構造制御および熱架橋がなされることで、従来のポリフェニレンエーテルや硬化していない樹脂組成物よりも更に剛直な硬化物となり、耐溶剤性も向上した。また、熱硬化の過程で樹脂組成物同士が結合して分子量が上昇する為、製膜性の向上などの効果が見られた。
【００２７】
また、側鎖の水酸基をアルコキシ化することで分極の大きな水酸基を減らすことができ、誘電率の低減に大きく寄与している。また、水酸基を減らすことで親水性を低減できることから、耐湿性に優れた絶縁層とすることができた。
【００２８】
本発明の高周波用電子部品は、０．３〜１００ＧＨｚの電気信号を伝送する導体配線と熱硬化性樹脂組成物の硬化物である絶縁層とを有し、絶縁層が前述の低誘電損失の熱硬化性樹脂組成物を用いて絶縁層を形成したことを特徴とする。主鎖構造中にナフタレン骨格を有し、加熱による熱架橋が起こることにより、従来のポリフェニレンエーテルからなる低誘電樹脂組成物により形成された絶縁層よりもさらに耐熱性が高く、かつ低い誘電損失性能を有する絶縁層が得られ、従来の高周波用電子部品よりも耐熱性を有する高効率な高周波用電子部品が得られる。
【００２９】
ここで、一般式（１）のＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、水素又は炭素数１〜１２の様々な炭化水素基から、Ｒ５及びＲ６は、水素又は炭素数１〜１２の様々な炭化水素基構成されており、繰り返し単位によってフェニレンエーテル構造とナフタレン構造がランダムに導入された共重合体であることが本発明の特徴である。
【００３０】
従来、代表的なポリフェニレンエーテル化合物としては２，６−ジメチルフェノールの重合体が挙げられる。この材料は優れた誘電特性を示すことが知られているが、熱可塑性樹脂で融点が２００℃付近であり、これを用いた配線基板は部品実装におけるリフロー工程（最高２６０℃付近）で絶縁層の変形、流動が起き、耐熱的に問題がある。また配線基板として機械的強度（強靭性）が必要であり、分子量は１万以上であることが望ましい。それより分子量が低いと、樹脂の十分な強度を得ることが難しくなる。しかし２，６−ジメチルフェノールの重合体は分子量が１万以上になると溶剤に溶けにくくなり、クロロホルム（ハロゲン系溶剤）や熱トルエン（５０℃以上）等の扱いが困難な溶剤を用いなければならず、従来の基板作製に一般的に用いられている非ハロゲン系での溶媒の適用は困難である。
【００３１】
本発明では主鎖のフェニレンエーテル構造にナフタレン構造を導入することにより、耐熱性に優れ、低い誘電損失性能を保持しつつ、かつ溶剤に対して溶解性に優れた材料を提供することができる。また、側鎖に置換基を持つことでより高い溶解性、機能性を保持することが可能となる。本発明の置換基のひとつとしては飽和炭化水素基が挙げられる。具体的な例としては水素原子およびメチル基といった置換基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基およびブチル基等の炭素数２以上の様々な炭化水素基、およびフェニル基、ベンジル基等の炭素数２以上の様々な芳香族置換基とその誘導体である。このうち、炭素数２以上の炭化水素基の側鎖が存在することにより、溶剤に対する溶解性も向上させることができる。また、主鎖にナフタレン構造が含まれることで、配線基板の耐熱性向上に寄与する、すなわち配線基板において部品実装時のリフロー工程（最高２６０℃付近）で絶縁層の変形、流動を抑制できる。
【００３２】
また、置換基のひとつとして不飽和結合を有する炭化水素基が挙げられる。具体的な例としてはビニル基、アリル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、スチリル基、メチルスチリル基等の炭素数２以上の様々な炭化水素基で不飽和結合を有する置換基である。主鎖にナフタレン構造が含まれることで耐熱性が向上するのに加え、これらの不飽和結合が熱により架橋反応が起こることで、配線基板の更なる耐熱性向上に寄与する、すなわち配線基板において部品実装時のリフロー工程（最高２６０℃付近）で絶縁層の変形、流動を抑制できる。またメチル基に比べて分子鎖を長くした置換基を導入することにより、溶剤に対する溶解性も向上させることができる。
【００３３】
本発明における共重合体の合成法としては、従来のポリフェニレンエーテルを得る方法のうち特に限定せずに用いることができる。そのうち、比較的簡便な手法として、非特許文献１に記載されたような、酸化カップリング重合が挙げられる。原料となるフェノール誘導体およびナフタレン誘導体の混合物を酸素存在下、触媒を用いてカップリング反応することにより目的とする共重合体を得ることができる。
【００３４】
本発明における電子部品の製造方法は従来の一般的な手法を用いることができる。代表的な溶剤としてはハロゲン系化合物、芳香族炭化水素系化合物などがあるが、特にこれに限定せず用いることができる。ハロゲン系化合物としてはジクロロメタン、クロロホルム、四塩化メチル等がある。また芳香族炭化水素系ではトルエン、キシレン等がある。それ以外の溶剤としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロヘキサノン等が挙げられる。このような溶剤に共重合体は溶解あるいは均一分散させてワニスを作製することができる。
【００３５】
ワニス作製にあたっては、上記溶剤に本発明の共重合体を所定量溶解あるいは均一分散させ、さらに必要に応じて第二成分、第三成分を加えることが可能である。また熱硬化物の架橋反応を促進するため、触媒ないしは促進剤を添加することができる。添加量は特に制限はないが共重合体１００重量部に対して０．０００５〜１０重量部程度が望ましい。添加量が多すぎると誘電損失等電気特性に悪影響を及ぼす可能性がある。また添加量がすくないと、促進効果が十分でなくなる。架橋反応触媒ないしは促進剤を添加することにより、低温で架橋反応が進み、耐熱性に優れた絶縁材料を得ることができる。
【００３６】
不飽和結合を架橋させるカチオンまたはラジカル活性種を以下に示す。カチオン触媒としてはＢＦ４―、ＰＦ６―、ＡｓＦ６―、ＳｂＦ６―を対アニオンとするジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩及び脂肪族スルホニウム塩が挙げられる。
【００３７】
ラジカル触媒としてはベンゾイン及びベンゾインメチルに代表されるベンゾイン系化合物、アセトフェノン及び２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンに代表されるアセトフェノン系化合物、チオキサントン及び２，４−ジエチルチオキサントンに代表されるチオキサントン系化合物、４，４’−ジアジドカルコン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン及び４，４’−ジアジドベンゾフェノンに代表されるビスアジド化合物、アゾビスイソブチロニトリル、２，２−アゾビスプロパン、ｍ，ｍ’−アゾキシスチレン、ヒドラジン等のアゾ化合物、２，５−ジメチル−２，５−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、２，５−ジメチル−２，５−（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジクミルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等の有機過酸化物が挙げられる。
【００３８】
その他必要に応じて、フィラー等の充填剤、着色剤、難燃剤、接着付与剤、カップリング剤、消泡剤、レベリング剤、イオントラッパー、重合禁止剤、酸化防止剤、粘度調整剤等を添加することができる。
【００３９】
ここで配線基板の製造方法としては二仕様に分けることができる。ひとつは得られたワニスを補強材に含浸塗工して、プリプレグを作製する方法である．さらにもうひとつは銅箔等に直接塗り、絶縁層としては補強材のない樹脂のみの基板である。本発明では特に限定はないが、多くの実装部品を搭載するリジッド基板の場合は補強材を用いることが多い。またフレキシブル基板ないしはビルドアップ基板を構成するときは補強材を用いないことが多い。補強材としては現在配線基板として一般に適用されている織布、不織布、不織紙、フィルム等を用いることができる。代表的なものとしてはＥガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、シリカガラス、Ａガラス等の無機酸化物、ポリイミド、ポリアラミド等の有機物等が挙げられる。
【００４０】
本発明では絶縁層に高分子量体を分散させることによって、絶縁層に強度，伸び，導体配線への接着力，フィルム形成能を付与することができる。これによって多層配線板の作成に必要なプリプレグ、導体箔とプリプレグを積層して硬化した導体箔付き積層板（以下、積層板と略す）の作製が可能となるほか、薄膜形成プロセスによる高密度多層配線基板の作成も可能となる。前記高分子量体は分子量が５０００以上であることが好ましく、より好ましくは６、０００〜１００、０００、更に好ましくは８、０００〜６０、０００であることが好ましい。分子量が小さい場合は、機械強度の改善が不十分になる場合があり、分子量が大きすぎる場合は樹脂組成物をワニス化した際に粘度が高くなり、混合攪拌，成膜が困難になる。
【００４１】
高分子量体の例としては、ブタジエン，イソプレン，スチレン，エチルスチレン，ジビニルベンゼン，Ｎ−ビニルフェニルマレイミド，アクリル酸エステル，アクリロニトリルから選ばれるモノマーの単独或いは共重合体，置換基を有していてもよいポリフェニレンオキサイド，環状ポリオレフィン，ポリシロキサン，ポリエーテルイミド等が挙げられる。中でもポリフェニレンオキサイド，環状ポリオレフィンは高強度で誘電正接性が低いので好ましい。
【００４２】
本発明は、前記共重合体を架橋成分とし、それに誘電率が異なる種々の絶縁材料を分散した絶縁層を有する電気部品を包含する。このような構成にすることによって、絶縁層の誘電正接の増加を抑制しつつ、誘電率を容易に調整することができる。
【００４３】
本発明の樹脂組成物ではブレンドする高分子量体の種類，添加量にて１ＧＨｚにおける誘電率を２．３〜３．０程度の範囲で調整することができる。更に絶縁層に１ＧＨｚにおける誘電率が１．０〜２．２の低誘電率絶縁体を分散した高周波用電気部品では、絶縁層の誘電率を１．５〜２．２程度に調整することが可能である。絶縁層の誘電率を低減することにより、電気信号の一層の高速伝送が可能となる。これは電気信号の伝送速度が誘電率の平方根の逆数と比例関係にあるためであり、絶縁層の誘電率が低いほど伝送速度は高くなる。
【００４４】
前記、低誘電率絶縁体としては低誘電率樹脂粒子，中空樹脂粒子，中空ガラスバルーン，空隙（空気）が好ましく、その粒子サイズは絶縁層の強度，絶縁信頼性の観点から、平均粒径０．２〜１００μｍ、より好ましくは０．２〜６０μｍであることが好ましい。低誘電率樹脂粒子の例としてはポリテトラフルオロエチレン粒子，ポリスチレン−ジビニルベンゼン架橋粒子等が挙げられ、中空粒子としては中空スチレン−ジビニルベンゼン架橋粒子，シリカバルーン，ガラスバルーン，シラスバルーン等が挙げられる。低誘電率絶縁層は高速伝送性が要求される半導体装置の封止樹脂及びチップ間を電気的に接続するＭＣＭ基板等の配線，高周波用チップインダクタ等の回路の形成に適している。
【００４５】
一方、本発明では絶縁層中に１ＧＨｚにおける誘電率が１０〜１００、００の高誘電率絶縁体を分散することによって誘電正接の増大を抑制しつつ、誘電率が３．１〜２０の高誘電率絶縁層を有する高周波用電気部品を作成することができる。絶縁層の誘電率を高くすることによって回路の小型化，コンデンサの高容量化が可能となり高周波用電気部品の小型化等に寄与できる。高誘電率，低誘電正接絶縁層はキャパシタ，共振回路用インダクタ，フィルター，アンテナ等の形成に適している。
【００４６】
本発明に用いる高誘電率絶縁体としては、セラミック粒子または絶縁処理施した金属粒子が挙げられる。具体的には、シリカ，アルミナ，ジルコニア，セラミックス粒子；例えばＭｇＳｉＯ４，Ａｌ２Ｏ３，ＭｇＴｉＯ３，ＺｎＴｉＯ３，ＺｎＴｉＯ４，ＴｉＯ２，ＣａＴｉＯ３，ＳｒＴｉＯ３，ＳｒＺｒＯ３，ＢａＴｉ２Ｏ５，ＢａＴｉ４Ｏ９，Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０，Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）９Ｏ２０，ＺｒＴｉＯ４，（Ｚｒ，Ｓｎ）ＴｉＯ４，ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４，ＢａＳｍＴｉＯ１４，Ｂｉ２Ｏ３−ＢａＯ−Ｎｄ２Ｏ３−ＴｉＯ２系，Ｌａ２Ｔｉ２Ｏ７，ＢａＴｉＯ３，Ｂａ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ３系，（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ３系等の高誘電率絶縁体を挙げることができ、同様に絶縁処理を施した金属微粒子として、例えば金，銀，パラジウム，銅，ニッケル，鉄，コバルト，亜鉛，Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系，Ｎｉ−Ｚｎ系，Ｍｎ−Ｚｎ系，カルボニル鉄，Ｆｅ−Ｓｉ系，Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系，Ｆｅ−Ｎｉ系等を挙げることができる。
【００４７】
高誘電率絶縁体の粒子は破砕，造粒法または熱分解性金属化合物を噴霧，熱処理して金属微粒子を製造する噴霧熱分解法（特公昭６３−３１５２２号公報，特開平６−１７２８０２号公報，特開平６−２７９８１６号公報）等で作製される。噴霧熱分解法では出発材料である金属化合物、例えばカルボン酸塩，リン酸塩，硫酸塩等と、形成された金属と反応してセラッミク化するホウ酸，珪酸，リン酸あるいは、酸化後にセラミック化する各種金属塩を混合して噴霧熱分解処理することによって表面に絶縁層を有する金属粒子を形成することができる。高誘電率絶縁体の平均粒径は０．２〜１００μｍ程度が好ましく、絶縁層の強度，絶縁信頼性の観点から、平均粒径０．２〜６０μｍが一層好ましい。粒径が小さくなると樹脂組成物の混練が困難となり、大きすぎると分散が不均一となり、絶縁破壊の起点となり、絶縁信頼性の低下を招く場合がある。高誘電率粒子の形状は、球形，破砕，ウイスカ状のいずれでもよい。
【００４８】
補強材にワニスを含浸塗工して、溶剤を乾燥させることにより粘着性のないプリプレグ（未架橋状態の樹脂と補強材の組合せ）を得ることができる。このプリプレグの上下に導体層を形成する銅箔を重ね、プレスにより加圧、加熱接着により、両面銅張積層板を得る。得られた両面銅張積層板の銅を配線として必要部分を残し、エッチングすることにより目的とする配線基板を得ることができる。さらに配線を施した基板を多数枚重ねることにより多層配線基板を得ることができる。
【００４９】
本発明による樹脂組成物は、公知の方法によって得ることができる。以下の実施例においては、酸化カップリング重合によって樹脂組成物を得ているが、重合方法によって本特許の範囲が制限されるものではない。
（実施例１）
撹拌子を入れた二口フラスコにクロロホルム７．５ｍｌ、銅−テトラエチルメチレンジアミン錯体０．０４７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で３０分攪拌した。クロロホルム２．５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール４．３９６ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）と２，６−ジヒドロキシナフタレン０．６４ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で６時間撹拌した。
【００５０】
得られた溶液に炭酸カリウム１１．０６ｇ（８０ｍｍｏｌ）、ヨウ化メチル２．８３ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を溶解し、９０℃で加熱還流することで、ナフタレン骨格中のヒドロキシル基のエーテル化を行った。
【００５１】
反応終了後、大過剰の塩酸／メタノールに沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／６時間真空乾燥して淡緑色の固形物を得た。得られた共重合体のＲ１〜Ｒ４はＨで、Ｒ５，Ｒ６はＣＨ３である。
（実施例２）
撹拌子を入れた二口フラスコにクロロホルム７．５ｍｌ、銅−テトラエチルメチレンジアミン錯体０．０４７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で３０分攪拌した。クロロホルム２．５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール３．４１６ｇ（２８．０ｍｍｏｌ）と２，６−ジヒドロキシナフタレン１．９２ｇ（１２．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で６時間撹拌した。
【００５２】
得られた溶液に炭酸カリウム１１．０６ｇ（８０ｍｍｏｌ）、ヨウ化メチル２．８３ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を溶解し、９０℃で加熱還流することで、ナフタレン骨格中のヒドロキシル基のエーテル化を行った。
【００５３】
反応終了後、大過剰の塩酸／メタノールに沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／６時間真空乾燥して淡緑色の固形物を得た。得られた共重合体のＲ１〜Ｒ４はＨで、Ｒ５，Ｒ６はＣＨ３である。
（実施例３）
撹拌子を入れた二口フラスコにクロロホルム７．５ｍｌ、銅−テトラエチルメチレンジアミン錯体０．０４７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で３０分攪拌した。クロロホルム２．５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール２．４４ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）と２，６−ジヒドロキシナフタレン３．２ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で６時間撹拌した。
【００５４】
得られた溶液に炭酸カリウム１１．０６ｇ（８０ｍｍｏｌ）、ヨウ化メチル２．８３ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を溶解し、９０℃で加熱還流することで、ナフタレン骨格中のヒドロキシル基のエーテル化を行った。
【００５５】
反応終了後、大過剰の塩酸／メタノールに沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／６時間真空乾燥して淡緑色の固形物を得た。得られた共重合体のＲ１〜Ｒ４はＨで、Ｒ５，Ｒ６はＣＨ３である。
（実施例４）
撹拌子を入れた二口フラスコにクロロホルム７．５ｍｌ、銅−テトラエチルメチレンジアミン錯体０．０４７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で３０分攪拌した。クロロホルム２．５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール４．３９６ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）と２，６−ジヒドロキシナフタレン０．６４ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で６時間撹拌した。
【００５６】
得られた溶液に炭酸カリウム１１．０６ｇ（８０ｍｍｏｌ）、ヨウ化ブチル３．６８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を溶解し、９０℃で加熱還流することで、ナフタレン骨格中のヒドロキシル基のエーテル化を行った。
【００５７】
反応終了後、大過剰の塩酸／メタノールに沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／６時間真空乾燥して淡緑色の固形物を得た。得られた共重合体のＲ１〜Ｒ４はＨで、Ｒ５，Ｒ６はＣＨ３である。
（実施例５）
撹拌子を入れた二口フラスコにトルエン７．５ｍｌ、銅−テトラエチルメチレンジアミン錯体０．０４７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で３０分攪拌した。クロロホルム２．５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール３．９０７ｇ（３２．０ｍｍｏｌ）と２，６−ジヒドロキシナフタレン１．２８ｇ（８．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で６時間撹拌した。
【００５８】
得られた溶液に炭酸カリウム１１．０６ｇ（８０ｍｍｏｌ）、塩化アリル１．５３１（２０．０ｍｍｏｌ）を溶解し、９０℃で加熱還流することで、ナフタレン骨格中のヒドロキシル基のエーテル化を行った。
【００５９】
反応終了後、大過剰の塩酸／メタノールに沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／６時間真空乾燥して淡緑色の固形物を得た。得られた共重合体のＲ１〜Ｒ４はＨで、Ｒ５，Ｒ６はＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−である。この共重合体は２８０℃で熱硬化することができた。
（比較例１）
撹拌子を入れた二口フラスコにクロロホルム７．５ｍｌ、銅−テトラエチルメチレンジアミン錯体０．０４７ｇ（０．４ｍｍｏｌ）、５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で３０分攪拌した。クロロホルム２．５ｍｌに溶解させた２，６−ジメチルフェノール４．３９６ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）と２，６−ジヒドロキシナフタレン０．６４ｇ（４．０ｍｍｏｌ）を反応器に加え、引き続き５０ｍｌ／分の酸素気流下、２０℃で６時間撹拌した。反応終了後、大過剰の塩酸／メタノールに沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、クロロホルムに溶解させ、不溶物を濾別した。再び大過剰の塩酸／メタノールに再沈殿させ、メタノールで数回洗浄後、８０℃／６時間真空乾燥して深緑色の固形物を得た。得られた共重合体のＲ１〜Ｒ４はＨで、Ｒ５，Ｒ６はＯＨである。
（比較例２）
２，６−ジメチル−１，４−フェニレンエーテルの重合体はアルドリッチ社製の市販品を用いた。実施例及び比較例の樹脂組成物、樹脂組成物の硬化物の電子部品としての特性を表１にまとめて示す。
【００６０】
【表１】
2006291125.tif 000003
【００６１】
結果から、比較例１と比べて実施例の電子部品としての特性はいずれも比誘電率が低くなる傾向が見られた。また、誘電正接も同程度〜０．００１程度の低下が見受けられ、性能の改善を行うことができた。上記電気特性が向上した理由として、ナフタレン側鎖をエーテル化処理することで吸水率が大幅に改善し、耐水性が向上したためと考えられる。水は高い比誘電率を有することが知られており、耐水性が高くなれば電気特性の向上を図ることができ、電子部品としての信頼性も向上する。
【００６２】
また、比較例２と比較して、実施例の電子部品はほぼ同程度の特性を示した。しかし、比較例２はガラス転移温度が低く耐熱性が低いため、基板特性を評価した結果、２６０℃で基板が変形した。そのため、はんだ耐熱性が低いと考えられる。また、常温で溶解できる溶媒としてはクロロホルムのみであり、環境負荷および安全性を考慮すると他の溶媒を用いることが望ましい。
【００６３】
比較例５は、硬化物の特性であるが、他の実施例、比較例よりもガラス転移温度が高くなった。また、諸特性も他の比較例と遜色ないことから、はんだ耐熱性に関して高い信頼性を持つ電子部品とすることができた。
【００６４】
以下に表１の諸特性の評価法について説明する。
（比誘電率及び誘電正接の測定）
空洞共振法（アジレントテクノロジー社製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電子応用開発製空洞共振器）によって１０ＧＨｚで測定した。
（ガラス転移温度）
粘弾性測定装置（アイティー計測制御製ＤＶＡ−２００）を用いてｔａｎδのピーク位置を転移温度とした。測定昇温速度は５℃／分とした。
（吸湿率）
恒温恒湿器により１００℃／９８％ＲＨ条件にて２４時間、吸湿処理を行った。処理前後における樹脂組成物の重量変化によって吸水率を求めた。
（はんだ耐熱性）
ＪＩＳ規格Ｃ６４８１に準じ、２５ｘ２５ｍｍ角の両面銅張積層板を２６０℃のはんだ浴に１２０秒間浮かべ、取り出した試料の膨れ、はがれ、変形、反りなどを調べた。
【００６５】
本発明では前述の低誘電率絶縁層と高誘電率絶縁層を回路の要求特性に合わせて組合わせ、低誘電率絶縁層と高誘電率絶縁層を共に有する配線基板を作製することができる。誘電率の異なる複数の絶縁層は同一面内に存在してもよく、多層化して各層毎に存在しても良い。これによって電気部品の小型化と一層の高速伝送化が両立できる。
【００６６】
以下、各電子部品に要求される要求特性に基づいて本発明の電子部品について説明する。
［１］半導体装置
従来、高周波用半導体素子は、高周波動作の障害となる配線間静電容量を低減するために、図１に記載のように空気層を絶縁層とするハーメチックシール型の気密パッケージにより製造されてきた。本発明では所定の配合比とした一般式（１）で表される架橋成分，低誘電率絶縁体粒子，必要により高分子量体，難燃剤及び第二の架橋成分，離型剤，着色剤等を含有する低誘電率かつ低誘電正接な樹脂組成物を有機溶媒中あるいは無溶剤状態で混合分散し、該低誘電率，低誘電正接樹脂組成物で半導体チップを被覆し、必要により乾燥し、硬化することによって、低誘電率，低誘電正接樹脂層で絶縁，保護された半導体装置を作製する。
【００６７】
該低誘電率，低誘電正接樹脂組成物の硬化は１２０℃〜２４０℃の加熱で行うことができる。図２に本発明の高周波用半導体装置の一例を示すが、その形状は特に限定されるものではない。本発明によれば安価なモールド成型法により、伝送速度が高く、誘電損失が小さい高効率な高周波用半導体装置を作製することができる。本発明の低誘電率，低誘電正接の絶縁層の形成方法としては、トランスファープレス，ポッティング等があり、半導体装置の形状に応じて適宜選択される。半導体装置の形態は特に限定されないが例えば、テープキャリア型パッケージ，半導体チップが配線基板上にベアチップ実装された半導体装置などを例として挙げることができる。
［２］多層基板
従来の熱硬化性樹脂組成物に比べて一般式（１）で表される架橋成分は誘電正接が低い。従って本架橋成分を絶縁層に使用した配線基板は誘電損失が少ない高周波特性の優れた配線基板となる。以下、多層配線基板の作成方法について説明する。本発明において、多層配線基板の出発材となるプリプレグ或いは絶縁層付導体箔は、所定の配合比とした一般式（１）で表される架橋成分，高分子量体，必要により低誘電率絶縁体粒子又は高誘電率絶縁体粒子，難燃剤及び第二の架橋成分，着色剤等を配合した低誘電正接樹脂組成物を溶剤中で混練してスラリー化した後にガラスクロス，不織布，導体箔等の基材に塗布，乾燥して作成する。プリプレグは積層板のコア材，積層板と積層板或いは導体箔との接着層兼絶縁層として使用できる。
【００６８】
一方、絶縁層付導体箔はラミネート，プレスによってコア材表面に導体層を形成する際に使用される。本発明のコア材とは、絶縁層付導体箔を担持し、補強する基材であり、ガラスクロス，不織布，フィルム材，セラミック基板，ガラス基板，エポキシ等の汎用樹脂板，汎用積層板等を例としてあげることができる。
【００６９】
スラリー化に使用する溶剤は、配合する架橋成分，高分子量体，難燃剤等の溶媒であることが好ましく、その例としてはジメチルホルムアミド，メチルエチルケトン，メチルイソブチルケトン，ジオキサン，テトラヒドロフラン，トルエン，クロロホルム等を上げることができる。プリプレグ，絶縁層付導体箔の乾燥条件（Ｂステージ化）は用いた溶媒，塗布した樹脂層の厚さによって調整する。例えばトルエンを用いて、乾燥膜厚約５０μｍの絶縁層を形成する場合には８０〜１３０℃で３０〜９０分乾燥するとよい。必要に応じて好ましい絶縁層の厚さは５０〜３００μｍであり、その用途や要求特性（配線パターンサイズ，直流抵抗）によって調整する。
【００７０】
以下、多層配線基板の作成例を示す。図３に第一の例を示す。図３（Ａ）；所定の厚さのプリプレグ１０と導体箔１１を重ねる。使用する導体箔は金，銀，銅，アルミニウム等導電率の良好な物の中から任意に選択する。その表面形状はプリプレグとの接着力を高くする必要がある場合には凹凸の大きな箔を用い、高周波特性を一層向上する必要がある場合には比較的平滑な表面を有する箔を用いる。導体箔の厚さは９〜３５μｍ程度のものがエッチング加工性の観点から好ましい。図３（Ｂ）；プリプレグと導体箔を圧着しながら加熱するプレス加工によって接着，硬化し、表面に導体層を有する積層板１３が得られる。加熱条件は１２０〜２４０℃，１．０〜１０ＭＰａ，１〜３時間とすることが好ましい。また、プレス加工の温度，圧力は上記範囲内で多段階としてもよい。本発明で得られる積層板は絶縁層の誘電正接が非常に低いことに起因して優れた高周波伝送特性を示す。
【００７１】
次いで両面配線基板の作成例を説明する。図３（Ｃ）；先に作成した積層板の所定の位置にドリル加工によってスルーホール１４を形成する。図３（Ｄ）；めっきによってスルーホール内にめっき膜１５を形成して、表裏の導体箔を電気的に接続する。図３（Ｅ）；両面の導体箔をパターンニングして導体配線１６を形成する。
【００７２】
次いで多層配線基板の作成例を説明する。図４（Ａ）；所定の厚さのプリプレグと導体箔を用いて積層板１３を作成する。図４（Ｂ）；積層板の両面に導体配線１６を形成する。図４（Ｃ）；パターン形成後の積層板に所定の厚さのプリプレグ１０と導体箔１１を重ね合わせる。図４（Ｄ）；加熱加圧して外層に導体箔を形成する。図４（Ｅ）；所定の位置にドリル加工によってスルーホール１４を形成する。図４（Ｆ）；スルーホール内にめっき膜１５を形成し、層間を電気的に接続する。図４（Ｇ）；外層の導体箔にパターンニングを施し、導体配線１６を形成する。
【００７３】
次いで絶縁層付銅箔を用いた多層配線基板の作成例を示す。図５（Ａ）；導体箔１１に本発明の樹脂組成物のワニスを塗布，乾燥して未硬化の絶縁層１７を有する絶縁層付導体箔１８を作成する。図５（Ｂ）；リード端子１９と絶縁層付導体箔１８を重ねる。図５（Ｃ）；プレス加工によってリード端子１９と絶縁層付導体箔１８を接着し、積層板１３を形成する。予めコア材の表面をカップリング処理或いは粗化処理することによってコア材と絶縁層の接着性を向上させることができる。図５（Ｄ）；積層板１３の導体箔１８をパターンニングして導体配線１６を形成する。図５（Ｅ）；配線形成された積層板１３に絶縁層付導体箔を重ねる。図５（Ｆ）；プレス加工によって積層板１３と絶縁層付導体箔を接着する。図５（Ｇ）；所定の位置にスルーホール１４を形成する。図５（Ｈ）；スルーホール１４にめっき膜１５を形成する。図５（Ｉ）；外層の導体箔１１をパターンニングして導体配線１６を形成する。
【００７４】
次いでスクリーン印刷による多層基板の作成例を示す。図６（Ａ）；積層板１３の導体箔をパターンニングし、導体配線１６する。図６（Ｂ）；本発明の樹脂組成物のワニスをスクリーン印刷によって塗布，乾燥して絶縁層１７を形成する。このとき、スクリーン印刷によって部分的に誘電率の異なる樹脂組成物を塗布し、異なる誘電率を有する絶縁層を絶縁層１７と同一面内に形成することができる。図６（Ｃ）；絶縁層１７に導体箔１１を重ね合わせ、プレス加工によって接着する。図６（Ｄ）；所定の位置にスルーホール１４を形成する。図６（Ｅ）；スルーホール内にめっき膜１５を形成する。図６（Ｆ）；外層の導体箔１１をパターンニングして導体配線１６を形成する。
【００７５】
本発明では、前述の例に限らず、種々の配線基板を形成することができる。例えば、配線形成を施した複数の積層板をプリプレグを介して一括積層し、高多層化することや、レーザー加工またはドライエッチング加工によって形成されるブラインドビアホールによって層間を電気的に接続するビルドアップ多層配線基板も作成できる。多層配線基板の作製にあたっては、各絶縁層の誘電率，誘電正接は任意に選択でき、異なる特性の絶縁層を混載して、低誘電損失，高速伝送，小型化，低価格化等の目的に応じて組合わせることができる。
【００７６】
本発明の低誘電正接樹脂組成物を絶縁層として用いることによって誘電損失が小さく高周波特性に優れた高周波用電子部品を得ることができる。更に前述のような多層配線基板の作成方法により導体配線内に素子パターンを組み込むことによって種々の機能を有する高性能な高周波用電気部品が得られる。一例としては、キャパシタ，インダクタ，アンテナの少なくとも一つの機能を有する多層配線基板が作製できる。
【００７７】
以下、本発明と他の電子部品用材料を組合わせた電子部品の実施例を示す。
【００７８】
表２に本発明に用いた樹脂組成物の組成及びその特性を示す。表中の組成比は重量比を表す。以下に実施例で使用した試薬の名称、ワニスの調製方法及び樹脂の電子材料として必要な性能の評価方法を説明する。なお、高分子量体として、実施例１の条件で合成した共重合ポリマーを例に挙げたが、これによって本特許の範囲が限定されるものではない。
（難燃剤）
ヒシガード：日本化学工業製，赤燐粒子（ヒシガードＴＰ−Ａ１０），平均粒径２０μｍ（低誘電率絶縁体）
Ｚ−３６：東海工業社製，硼珪酸ガラスバルーン（平均粒径５６μｍ）
（高誘電率絶縁体）
Ｂａ−Ｔｉ系：１ＧＨｚにおける誘電率が７０、密度＝５．５ｇ／ｃｍ３、平均粒子１．５μｍのチタン酸バリウム系の無機フィラーを用いた。
（ワニスの調製方法）
所定量の組成とした樹脂組成物をトルエンで混合，分散することによって樹脂組成物のワニスを作製した。
（比誘電率及び誘電正接の測定）
空洞共振法（アジレントテクノロジー社製８７２２ＥＳ型ネットワークアナライザー、関東電子応用開発製空洞共振器）によって１０ＧＨｚで測定した。
（難燃性）
難燃性はサンプルサイズ７０×３×１．５ｍｍ３の試料を用いてＵＬ−９４規格に従って評価した。
（実施例６）
実施例６は実施例１の樹脂組成物に難燃剤として赤燐粒子を添加した樹脂組成物の例である。難燃剤を添加することによって樹脂組成物が難燃化でき、電気部品の安全性が向上する。
（実施例７，８）
実施例７，８は実施例１の樹脂組成物に低誘電率絶縁体としてガラスバルーン（Ｚ３６）を添加した例である。Ｚ３６の添加量の増加に伴い誘電率は２．８から２．０に低下した。本樹脂組成物を絶縁層に用いた電気部品は誘電損失が小さく、高速伝送性が高くなる。
（実施例９，１０）
実施例９，１０は実施例１の樹脂組成物に高誘電率絶縁体としてセラミック粒子（Ｂａ−Ｔｉ系）を添加した例である。Ｂａ−Ｔｉ系の含有率が増すにつれて誘電率は２．８〜１２．１に増加した。本樹脂組成物を絶縁層に用いた電気部品は誘電損失が小さく、小型の高周波用電気部品となる。
（実施例１１）
実施例１１は実施例１の樹脂組成物を用いて、低誘電率，低誘電正接な硬化物を形成する液状樹脂組成物である。液状の樹脂組成物は、常温且つ低圧での注型が可能である。また、本発明の樹脂組成物から作成した絶縁層を有する高周波用電子部品は低誘電率，低誘電正接であることから高速伝送，低誘電損失な高周波用電子部品となる。
【００７９】
【表２】
2006291125.tif 000004
【００８０】
本発明では、前述のような各種低誘電正接樹脂組成物を用いて、伝送特性の優れた高周波用電気部品を作成できる。該樹脂組成物から形成される絶縁層は誘電正接が低いので低誘電損失性を有する高効率な高周波用電気部品となる。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】高周波用半導体装置の一般的な構造を示す断面図である。
【図２】本発明による高周波用半導体装置の構造を示す断面図である。
【図３】本発明による多層配線基板の作成例を示すフロー図である。
【図４】本発明による他の多層配線基板の作成例をフロー図である。
【図５】本発明による多層配線基板の更に他の作成例を示すフロー図である。
【図６】本発明による他の多層配線基板の作成例を示すフロー図である。
【符号の説明】
【００８２】
１…基材、２…凹部、３…半導体チップ、４…カバー、５…シール材、６…端子、７…ワイヤー配線、８…低誘電率絶縁層、９…リードフレーム、１０…プリプレグ、１１…導体箔、１３…積層板、１４…スルーホール、１５…めっき膜、１６…導体配線、１７…絶縁層。
【図１】
2006291125.tif 000010
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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