(57)【要約】【課題】誘電体，誘電体を支持する支持部材，支持部材と誘電体との間をシールするＯリングなどの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】処理室内において載置台に載置された基板の上方に誘電体を配置し，該誘電体の下面にマイクロ波を伝播させることにより，処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化させて，基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において，誘電体２２の下面周縁部を支持する支持部材４５を設け，誘電体２２の下面周縁部に導電層４３を設けた。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内において載置台に載置された基板の上方に誘電体を配置し，該誘電体の下面にマイクロ波を伝播させることにより，処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化させて，基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，
前記誘電体の下面周縁部を支持する支持部材を設け，
前記誘電体の下面周縁部に導電層を設けたことを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記導電層は，平面視において前記支持部材と重なる位置に配置されていることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記導電層の側面にも導電層を設けたことを特徴とする，請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記導電層の厚さは，前記導電層の表皮深さの３倍以上であることを特徴とする，請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記誘電体の下面周縁部と前記支持部材との間にＯリングが配置されていることを特徴とする，請求項１，２，３又は４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記導電層を接地させたことを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記導電層は，前記導電層と前記支持部材との間に配置された導電性部材と前記支持部材を介して接地されていることを特徴とする，請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記導電性部材は，シールドスパイラルチューブであることを特徴とする，請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記基板の上方に複数の誘電体が配置され，それら複数の誘電体毎にマイクロ波を誘電体に伝播させるスロットが設けられていることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７又は８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
マイクロ波を導入する導波管を複数備え，それら複数の導波管毎に複数の誘電体をそれぞれ設け，かつ各誘電体毎に１または２以上のスロットを設けたことを特徴とする，請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，プラズマを生成して基板に対して成膜などの処理を施すプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤ装置などの製造工程においては，マイクロ波を利用して処理室内にプラズマを発生させ，ＬＣＤ基板に対してＣＶＤ処理やエッチング処理等を施す装置が用いられている。かかるプラズマ処理装置として，処理室の上方に複数本の導波管を平行に並べたものが知られている（例えば，特許文献１，２参照）。この導波管の下面には複数のスロットが並べて開口され，さらに，導波管の下面に沿って平板状の誘電体が設けられる。そして，スロットを通じて誘電体の表面にマイクロ波を伝播させ，処理容器内に供給された処理ガスをマイクロ波のエネルギ（電磁界）によってプラズマ化させる構成となっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２００６４６号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２８７６号公報
【０００４】
しかしながら，従来のプラズマ処理装置にあっては，誘電体と誘電体の周縁部を支持する支持部材との間で，異常放電が起こる問題があった。この場合，異常放電により輝度の高いプラズマが発生し，誘電体，支持部材，誘電体と支持部材との間に設けられたＯリングなどが損傷するおそれがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は，誘電体，誘電体を支持する支持部材，支持部材と誘電体との間をシールするＯリングなどの損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため，本発明によれば，処理室内において載置台に載置された基板の上方に誘電体を配置し，該誘電体の下面にマイクロ波を伝播させることにより，処理室内に供給された処理ガスをプラズマ化させて，基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって，前記誘電体の下面周縁部を支持する支持部材を設け，前記誘電体の下面周縁部に導電層を設けたことを特徴とする，プラズマ処理装置が提供される。
【０００７】
このプラズマ処理装置にあっては，前記導電層は，平面視において前記支持部材と重なる位置に配置されているとしても良い。前記導電層の側面にも導電層を設けても良い。前記導電層の厚さは，前記導電層の表皮深さの３倍以上であることが好ましい。
【０００８】
前記誘電体の下面周縁部と前記支持部材との間にＯリングを配置しても良い。さらに，前記導電層は接地させても良い。この場合，前記導電層は，前記導電層と前記支持部材との間に配置された導電性部材と前記支持部材を介して接地させても良い。前記導電性部材は，例えばシールドスパイラルチューブである。
【０００９】
また，前記基板の上方に複数の誘電体が配置され，それら複数の誘電体毎にマイクロ波を誘電体に伝播させるスロットが設けられていることとしても良い。さらに，マイクロ波を導入する導波管を複数備え，それら複数の導波管毎に複数の誘電体をそれぞれ設け，かつ各誘電体毎に１または２以上のスロットを設けても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば，誘電体の周縁部に導電層を設けたことにより，誘電体の周縁部からマイクロ波のエネルギが供給されることを防止できる。これにより，誘電体と支持部材の間で異常放電が起こることを防止でき，誘電体，支持部材，Ｏリングなどが損傷することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下，本発明の実施の形態を，プラズマ処理の一例であるＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処理を行うプラズマ処理装置１に基づいて説明する。図１は，本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１の概略的な構成を示した縦断面図である。図２は，このプラズマ処理装置１が備える蓋体３の下面に支持された複数の誘電体２２の配置を示す下面図である。図３は，蓋体３の部分拡大縦断面図である。
【００１２】
このプラズマ処理装置１は，上部が開口した有底直方体形状の処理室としての処理容器２と，この処理容器２の上方を塞ぐ蓋体３を備えている。処理容器２は，導体，例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属からなり，接地されている。
【００１３】
処理容器２の内部には，基板として例えばガラス基板（以下「基板」という）Ｇを載置するための載置台としてのサセプタ４が設けられている。このサセプタ４は例えば窒化アルミニウムからなり，その内部には，基板Ｇを静電吸着すると共に処理容器２の内部に所定のバイアス電圧を印加させるための給電部５と，基板Ｇを所定の温度に加熱するヒータ６が設けられている。給電部５には，処理容器２の外部に設けられたバイアス印加用の高周波電源７がコンデンサ等を備えた整合器７’を介して接続されると共に，静電吸着用の高圧直流電源８がコイル８’を介して接続されている。ヒータ６には，同様に処理容器２の外部に設けられた交流電源９が接続されている。
【００１４】
サセプタ４は，処理容器２の外部下方に設けられた昇降プレート１０の上に，筒体１１を介して支持されており，昇降プレート１０と一体的に昇降することによって，処理容器２内におけるサセプタ４の高さが調整される。但し，処理容器２の底面と昇降プレート１０との間には，べローズ１２が装着してあるので，処理容器２内の気密性は保持されている。
【００１５】
処理容器２の底部には，処理容器２の外部に設けられた真空ポンプなどの排気装置（図示せず）によって処理容器２内の雰囲気を排気するための排気口１３が設けられている。また，処理容器２内においてサセプタ４の周囲には，処理容器２内におけるガスの流れを好ましい状態に制御するための整流板１４が設けられている。
【００１６】
蓋体３は，蓋本体２０の下面に薄板状のスロットアンテナ２１を取り付け，更にスロットアンテナ２１の下面に，複数枚の誘電体２２を取り付けた構成である。なお，蓋本体２０とスロットアンテナ２１は，一体的に構成される。蓋本体２０，スロットアンテナ２１は，それぞれ導体，例えばアルミニウム等の金属からなる。図１に示すように処理容器２の上方を蓋体３によって塞いだ状態では，サセプタ４に載置された基板Ｇの上方に誘電体２２が配置される。また，蓋本体２０の下面周縁部及び処理容器２が接触し，蓋本体２０の下面周縁部と処理容器２の上面との間に配置されたＯリング２３と，後述する各スロット４０の周りに配置されたＯリング４１とによって，処理容器２内の気密性が保持される。スロットアンテナ２１は，蓋本体２０及び処理容器２を介して接地された状態になる。
【００１７】
蓋本体２０の下面には，マイクロ波を導入する複数本の導波管２５が形成されている。この実施の形態では，何れも直線上に延びる６本の導波管２５を有しており，各導波管２５同士が互いに平行となるように並列に配置されている。また各導波管２５は，断面形状が矩形状のいわゆる矩形導波管に構成されており，例えばＴＥ１０モードの場合であれば，各導波管２５の断面形状（矩形状）の長辺方向がＨ面で水平となり，短辺方向がＥ面で垂直となるように配置される。なお，長辺方向と短辺方向をどのように配置するかは，モードによって変わる。また各導波管２５の内部は，例えばＡｌ２Ｏ３，石英，フッ素樹脂などによって充填されている。
【００１８】
図２に示されるように，各導波管２５の端部には，分岐導波路２６が接続してあり，処理容器２の外部に設けられたマイクロ波供給装置２７で発生させた例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が，この分岐導波路２６を経て各導波管２５にそれぞれ導入される。その他，図１に示されるように，蓋本体２０の内部には，処理容器２の外部に設けられた冷却水供給源２８から冷却水が循環供給される水路２９と，同様に処理容器２の外部に設けられた処理ガス供給源３０から処理ガスが供給されるガス流路３１が設けられている。本実施の形態においては，処理ガス供給源３０として，アルゴンガス供給源３５，成膜ガスとしてのシランガス供給源３６および水素ガス供給源３７が用意され，各々バルブ３５ａ，３６ａ，３７ａ，マスフローコントローラ３５ｂ，３６ｂ，３７ｂ，バルブ３５ｃ，３６ｃ，３７ｃを介して，ガス流路３１に接続されている。
【００１９】
蓋本体２０の下面に一体的に形成されたスロットアンテナ２１には，マイクロ波を誘電体２２に伝播させるための透孔としての複数のスロット４０が，等間隔に配置されている。各スロット４０同士の間隔は，例えばλｇ／２（λｇは，導波管内波長）に設定される。この形態では，各スロット４０は，平面視でスリット形状の長孔に形成され，各スロット４０の長手方向が導波管２５の幅方向に向けられて配置されている。また，各導波管２５毎に，それぞれ複数のスロット４０が形成され，図示の形態では，６本の各導波管２５について，それぞれ６個ずつのスロット４０が設けられており，合計で６×６＝３６箇所のスロット４０が，蓋本体２０の下面全体に均一に分布して配置されている。
【００２０】
図３に示されるように，蓋本体２０の下面とスロットアンテナ２１の上面との間には，各スロット４０を囲むように配置されたＯリング４１が設けられている。導波管２５に対しては，例えば大気圧の状態でマイクロ波が導入されるが，このように各スロット４０を囲むようにＯリング４１が配置されているので，処理容器２内の気密性が保持される。
【００２１】
図２に示されるように，この形態では，スロットアンテナ２１の下面に対して，正方形の平板状をなす複数枚の誘電体２２を取り付けた構成になっている。各誘電体２２は，マイクロ波を透過させる材料，例えば石英ガラス，ＡｌＮ，Ａｌ２Ｏ３，サファイア，ＳｉＮ，セラミックス等からなる。各誘電体２２は，スロットアンテナ２１に形成された各スロット４０毎に一枚ずつ取り付けられている。即ち，誘電体２２は，各導波管２５毎に６枚ずつそれぞれ設けられ，かつ，各誘電体２２毎にスロット４０が１つずつ対応させて設けられている。このため図示の形態では，合計で６×６＝３６枚の誘電体２２が，蓋本体２０の下面全体に均一に分布して配置されている。このように，各導波管２５毎に複数の誘電体２２を設けると，各誘電体２２を小型化かつ軽量化することができ，プラズマ処理装置１の製造も容易かつ低コストとなる。また，各誘電体２２の面積が小さいため，各誘電体２２の表面全体にマイクロ波を確実に伝播させることができる効果がある。
【００２２】
図３に示すように，誘電体２２の下面周縁部と側面には，導電性を有する材質によって形成された導電層４３が設けられている。導電層４３は，導体，例えばアルミニウムなどの金属膜であっても良く，例えば溶射，蒸着，スパッタリング，めっき，ＣＶＤ等の方法により形成しても良い。導電層４３の厚さは，導電層４３の材質の表皮深さ（Ｓｋｉｎ  ｄｅｐｔｈ）の約３倍以上にすることが好ましい。この場合，マイクロ波が誘電体２２から導電層４３に入射しても，導電層４３内で十分に減衰するので，導電層４３の外側にマイクロ波が漏れることを確実に防止できる。なお，表皮深さとは，材質に入射した電磁界の強度が入射強度の１／e倍（eは自然対数）（約３７％）に減衰する深さである。表皮深さは，入射する電磁波が高周波数であるほど浅いが，例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波に対して，アルミニウムでは約１．６１μｍ，銅では約１．３４μｍ，銀では約１．３０μｍ，鉛では約４．５５μｍ程度である。さらに，導電層４３の加工の容易性や耐久性などを考慮すると，導電層４３の厚さは，約３０〜５０μｍ程度にしても良い。
【００２３】
各誘電体２２は，略格子状に形成された支持部材４５によって下面周縁部が支持されることにより，スロットアンテナ２１の下面に取付けられた状態を維持している。支持部材４５は，導体，例えばアルミニウム等の金属からなり，スロットアンテナ２１，蓋本体２０及び処理容器２を介して接地されている。図２に示すように，支持部材４５は，所定間隔を空けて略平行に配置された７本の細長い支持体４６の各々に対して，所定間隔を空けて略平行に配置された７本の細長い支持体４７を略垂直に交差させた形状になっている。また，図３に示すように，各支持体４６は，スロットアンテナ２１の下面に略鉛直に取り付けられた縦部５１と，縦部５１の下部に沿って略水平方向に設けられた横部５２とによって構成され，断面が略逆Ｔ字形状に形成されている。同様に，支持体４７も，縦部５１と横部５２を有し断面略逆Ｔ字形状に形成されている。各支持体４６，４７の縦部５１は，隣り合う誘電体２２同士の間に沿って略格子状に配置され，横部５２は，各誘電体２２の下面周縁部に沿って配置される。支持体４６，４７の横部５２によって囲まれた内側の部分は，誘電体２２の下面より小さい略方形状の開口５３となっている。そして，横部５２の上面には，各開口５３の外側に沿って，シール部材として例えばＯリング５５が取り付けられている。Ｏリング５５は，絶縁体，例えばゴム等の弾性材によって形成されている。
【００２４】
また，支持部材４５には，例えば支持体４６，４７の各交差点部分に，処理容器２内に処理ガスを供給するためのガス噴射口５６がそれぞれ設けられている。先に説明した蓋本体２０内部のガス流路３１とこれら各ガス噴射口５６との間には，スロットアンテナ２１および支持部材４５を貫通するガス配管５７がそれぞれ設けてある。これにより，処理ガス供給源３０からガス流路３１に供給された処理ガスが，ガス配管５７を通ってガス噴射口５６から処理容器２内に噴射されるようになっている。このように支持部材４５にガス噴射口５６を設けると，処理室内の誘電体と基板との間に処理ガス供給用のシャワヘッドなどを配置する必要がなく，装置を簡略化できる。また，シャワヘッドなどを省略することにより，誘電体２２と基板Ｇとの距離を短くでき，成膜処理，エッチング速度の向上，装置の小型化，処理ガスの少量化がはかれる。
【００２５】
かかる支持部材４５により，誘電体２２は，各支持体４６，４７の間の空間にそれぞれ配置され，下面周縁部の導電層４３をＯリング５５に接触させた状態で，Ｏリング５５の上端部に載せられており，また，誘電体２２の上面周縁部をスロットアンテナ２１の下面に密着させた状態で支持されている。誘電体２２の下面は横部５２の上面から離隔している。図示の形態では，導電層４３は，開口５３の縁部上方の位置まで設けられている。即ち，導電層４３は，平面視において支持部材４５の横部５２と重なる位置に配置されている。そして，誘電体２２の周縁部を除く下面の大部分は，開口５３を介して処理容器２内に露出している。誘電体２２の周縁部に形成された４つの側面は，縦部５１から離隔している。Ｏリング５５は，誘電体２２の下面周縁部の導電層４３と横部５２の上面との間に挟まれてそれぞれに密着しており，Ｏリング５５より外側の雰囲気，即ち，縦部５１と誘電体２２との間の雰囲気と，Ｏリング５５より内側（開口５３側）の処理容器２内の雰囲気とは，Ｏリング５５によって互いに隔離されている。これにより，処理容器２内の気密性が高精度に保持されている。
【００２６】
さらに，図３に示すように，誘電体２２の下面周縁部の導電層４３と支持部材４５の横部５２との間おいて，Ｏリング５５より外側に，導電性を有する材質，例えばアルミニウムなどの金属等からなる導電性部材６１が配置されている。導電性部材６１としては，例えば金属の細長い板をばね状に巻いて形成したシールドスパイラルチューブなどを用いても良い。図３に示す例では，導電性部材６１としてのシールドスパイラルチューブを，横部５２の上面に沿って略方形の枠状に配置し，導電層４３の下面に沿って接触させている。かかる構成により，導電層４３は，導電性部材６１，支持部材４５，スロットアンテナ２１，蓋本体２０及び処理容器２等を介して接地されている。
【００２７】
さて，以上のように構成された本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置１において，例えばアモルファスシリコン成膜する場合について説明する。処理する際には，処理容器２内のサセプタ４上に基板Ｇを載置し，処理ガス供給源３０からガス流路３１からガス配管５７，ガス噴射口５６を経て所定の処理ガス，例えばアルゴンガス／シランガス／水素の混合ガスを処理容器２内に供給しつつ，排気口１３から排気して処理容器２内を所定の圧力に設定する。
【００２８】
そして，このように処理ガスを処理容器２内に供給する一方で，ヒータ６によって基板Ｇを所定の温度に加熱する。また，図２に示したマイクロ波供給装置２７で発生させた例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波が，分岐導波路２６を経て各導波管２５からそれぞれの各スロット４０を通じて，各誘電体２２に伝播される。こうして，各誘電体２２の下面に伝播されたマイクロ波のエネルギーによって，処理容器２内に電磁界が形成され，処理容器２内の前記処理ガスをプラズマ化することにより，基板Ｇ上の表面に対して，アモルファスシリコン成膜が行われる。この場合，例えば０．７ｅＶ〜２．０ｅＶの低電子温度，１０１１〜１０１３ｃｍ−３の高密度プラズマによって，基板Ｇへのダメージの少ない均一な成膜が行える。アモルファスシリコン成膜の条件は，例えば処理容器２内の圧力については，５〜１００Ｐａ，好ましくは１０〜６０Ｐａ，基板Ｇの温度については，２００〜３００℃，好ましくは２５０〜３００℃，マイクロ波供給装置のパワーの出力については，５００〜５０００Ｗ，好ましくは１５００〜２５００Ｗが適当である。
【００２９】
ここで，各誘電体２２の周縁部表面には導電層４３が設けられているため，各誘電体２２に伝播したマイクロ波のエネルギーは，誘電体２２の周縁部からは供給されないようになっている。特に，誘電体２２の下面に励起され異常放電の原因になるおそれがある表面波が，誘電体２２の下面周縁部において導電層４３によって抑制される。これにより，誘電体２２と支持部材４５の横部５２との間において，Ｏリング５５の内側付近で強い電磁界が発生して異常放電が起こることを防止できる。即ち，誘電体２２と支持部材４５との間で異常放電により輝度の高いプラズマが発生することを防止できるので，誘電体２２，支持部材４５，Ｏリング５５がプラズマによって損傷することを防止できる。さらに，処理容器２内のプラズマの均一性を高く維持することができるので，基板Ｇのプラズマ処理を均一に行うことができる。また，誘電体２２の側面に設けられた導電層４３により，側面からマイクロ波のエネルギーが漏れることを防止できるので，マイクロ波のエネルギーを誘電体２２の下面から効率的に供給することができる。導電層４３は，導電性部材６１，支持部材４５，スロットアンテナ２１，蓋本体２０及び処理容器２を介して接地されているので，導電層４３の電位が異常に上昇することを防止できる。従って，導電層４３から放電が起こることを防止できるので，プラズマが不均一になることを防止できる。
【００３０】
かかるプラズマ処理装置１によれば，誘電体２２の周縁部に導電層４３を設けたことにより，誘電体２２の下面周縁部と支持部材４５との間で異常放電が起こることを防止できる。即ち，異常放電により輝度の高いプラズマが発生することを防止できる。従って，誘電体２２，支持部材４５，Ｏリング５５等が輝度の高いプラズマによって損傷することを防止できる。
【００３１】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。図示の形態では，６本の導波管２５のそれぞれに対して何れも６個ずつの誘電体２２とスロット４０を設けたが，導波管２５は１本又は任意の複数本で良く，また，各導波管２５毎に設けられる誘電体２２やスロット４０の個数も，１個又は任意の複数個で良い。また，各導波管２５毎に設けられる誘電体２２の個数は互いに同じでも異なっていても良い。また，各誘電体２２毎にスロット３０を一つずつ設けた例を示したが，各誘電体２２毎に複数のスロット３０をそれぞれ設けても良いし，また，各誘電体２２毎に設けられるスロット３０の個数が異なっていても良い。
【００３２】
本実施の形態では，スロットアンテナ２１に複数のスロット４０を導波管２５毎に対応させて等間隔に配置した構成としたが，スロットを渦巻状や同心円状に配置したいわゆるラジアルラインスロットアンテナを構成することもできる。また，誘電体２２の形状は正方形でなくても良く，例えば長方形，三角形，任意の多角形，円板，楕円等としても良い。また，各誘電体２２同士は互いに同じ形状でも，異なる形状でも良い。支持部材４５の形状は格子状，断面略逆Ｔ字状には限定されず，各誘電体２２を支持できる形状であれば良い。
【００３３】
本実施の形態では，導電層４３は誘電体２２の下面周縁から開口５３の縁部上方の位置まで設けられているようにしたが，導電層４３を設ける部分はかかる形態には限定されない。例えば，開口５３の縁部上方より内側まで導電層４３を設けるようにしても良い。この場合も，平面視においては横部５２と重なる位置に導電層４３が配置され，誘電体２２の下面周縁部と支持部材４５の横部５２上面との間の異常放電を確実に防止できる。また，導電層４３を設ける部分を開口５３の縁部上方より外側までにしても，異常放電の防止は可能である。導電層４３は，誘電体２２の側面に設けず，下面周縁部のみに設けても良い。このようにしても，誘電体２２の下面周縁部と支持部材４５の横部５２上面との間の異常放電は防止できる。
【００３４】
導電性部材６１の形状や設置箇所は，実施の形態に示したものに限定されない。例えば支持部材４５の縦部５１と誘電体２２の側面に設けた導電層４３との間に，導電性部材６１を設けても良い。また，導電層４３の接地方法は，導電性部材６１を介して接地させる形態に限定されない。例えば，導電層４３を誘電体２２の上面まで設けてスロットアンテナ２１に接触させ，スロットアンテナ２１を介して接地させても良い。この場合，導電性部材６１を省略して構造を簡略化できる。また，誘電体２２の側面の導電層４３を支持部材４５の縦部５１に接触させるようにすれば，支持部材４５，スロットアンテナ２１等を介して接地させることもできる。その他，例えばＯリング５５を導体や導電性を有するゴムなどの材質によって形成しても良い。この場合は，導電層４３をＯリング５５，支持部材４５，スロットアンテナ２１，蓋本体２０及び処理容器２等を介して接地させることができるので，導電性部材６１を省略することができる。
【００３５】
以上の実施の形態では，プラズマ処理の一例であるアモルファスシリコン成膜を行うものについて説明したが，本発明は，アモルファスシリコン成膜の他，酸化膜成膜，ポリシリコン成膜，シランアンモニア処理，シラン水素処理，酸化膜処理，シラン酸素処理，その他のＣＶＤ処理の他，エッチング処理にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は，例えばＣＶＤ処理，エッチング処理に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態にかかるプラズマ処理装置の概略的な構成を示した縦断面図である。
【図２】蓋体の下面に支持された複数の誘電体と支持部材を示す下面図である。
【図３】誘電体付近を拡大して示した概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
Ｇ    基板
１    プラズマ処理装置
２    処理容器
３    蓋体
４    サセプタ
５    給電部
６    ヒータ
７    高周波電源
８    高圧直流電源
９    交流電源
１０  昇降プレート
１１  筒体
１２  べローズ
１３  排気口
１４  整流板
２０  蓋本体
２１  スロットアンテナ
２２  誘電体
２３  Ｏリング
２５  導波管
２６  分岐導波路
２７  マイクロ波供給装置
２８  冷却水供給源
２９  水路
３０  処理ガス供給源
３１  ガス流路
４０  スロット
４１  Ｏリング
４３  導電層
４５  支持部材
４６，４７  支持体
５１  縦部
５２  横部
５３  開口
５５  Ｏリング
５６  ガス噴射口
５７  ガス配管
【図１】
2006253312.tif 000003
【図２】
2006253312.tif 000004
【図３】
2006253312.tif 000005