(57)【要約】【課題】被覆層等を設けることなくそれ自身の材料のみで、高精度領域における良好な平面度と表面粗さを兼ね備えた各種基板、好ましくは、液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハーまたは情報記録媒体用基板等の電子デバイス用基板、より好ましくはＥＵＶリソグラフィー用マスク基板、およびそれらの製造方法を提供することである。【解決手段】平面度が２３０ｎｍＰＶ未満、表面粗さがＲＭＳで０．２０ｎｍ未満であることを特徴とする基板。または、以下の工程を含むことを特徴とする基板の研磨方法；（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下である層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面度が２３０ｎｍＰＶ未満、表面粗さがＲＭＳで０．２０ｎｍ未満であることを特徴とする基板。
【請求項２】
以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする請求項１に記載の基板；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下である層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
【請求項３】
以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする請求項１に記載の基板；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下であり、樹脂フィルムからなる層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
【請求項４】
前記工程（ａ）が以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする請求項２または３に記載の基板；
（ａ−１）：研磨機を用い、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保ち、研磨剤を供給しながら研磨する工程。
【請求項５】
前記工程（ａ）が以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする請求項４に記載の基板；
（ａ−２）：工程（ａ−１）の後、研磨機を用い、研磨剤を含まない液体のみを供給しながら研摩する工程。
【請求項６】
前記工程（ａ−２）において、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保つ研磨方法によって得られることを特徴とする請求項５に記載の基板。
【請求項７】
以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする請求項２から６のいずれかに記載の基板。
（ｂ）：前記工程（ａ）の前に、平面度を少なくとも２３０ｎｍＰＶ、表面粗さを少なくとも０．４ｎｍＲＭＳに研磨する工程。
【請求項８】
前記工程（ａ）で使用される研磨剤が酸化セリウム研磨剤であることを特徴とする請求項２から７のいずれかに記載の基板。
【請求項９】
前記工程（ａ）で使用される研磨剤の平均粒径が１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項２から８のいずれかに記載の基板。
【請求項１０】
前記工程（ａ）で使用される研磨剤の濃度が１．０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項２から９のいずれかに記載の基板。
【請求項１１】
０℃〜５０℃の温度範囲において、平均線膨張係数が０．０±０．３×１０−７／℃以内であることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の基板。
【請求項１２】
１９℃〜２５℃の温度範囲において、平均線膨張係数が０．０±０．３×１０−７／℃以内であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の基板。
【請求項１３】
ＳｉＯ２成分、ＴｉＯ２成分を含有することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の基板。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載の基板を用いたフォトマスク用基板。
【請求項１５】
請求項１４の基板を用いたフォトマスク。
【請求項１６】
以下の工程を含むことを特徴とする基板の研磨方法；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下である層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
【請求項１７】
以下の工程を含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板の研磨方法；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下であり、樹脂フィルムからなる層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
【請求項１８】
前記工程（ａ）が以下の工程を含むことを特徴とする請求項１６または１７に記載の基板の研磨方法；
（ａ−１）：研磨機を用い、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保ち、研磨剤を供給しながら研磨する工程。
【請求項１９】
前記工程（ａ）が以下の工程を含むことを特徴とする請求項１８に記載の基板の研磨方法；
（ａ−２）：工程（ａ−１）の後、研磨機を用い、研磨剤を含まない液体のみを供給しながら研摩する工程。
【請求項２０】
前記工程（ａ−２）において、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保つことを特徴とする請求項１９に記載の基板の研摩方法。
【請求項２１】
研磨後、平面度が２３０ｎｍＰＶ未満であり、表面粗さが０．２０  ｎｍＲＭＳ未満となることを特徴とする請求項１６から２０のいずれかに記載の基板の研磨方法。
【請求項２２】
以下の工程を含むことを特徴とする請求項１６から２１のいずれかに記載の基板の研磨方法；
（ｂ）：前記工程（ａ）の前に、平面度を少なくとも２３０ｎｍＰＶ、表面粗さを少なくとも０．４ｎｍＲＭＳに研磨する工程。
【請求項２３】
前記工程（ａ）で使用される研磨剤が酸化セリウム研磨剤であることを特徴とする請求項１６から２２のいずれかに記載の基板の研摩方法。
【請求項２４】
前記工程（ａ）で使用される研磨剤の平均粒径が１．０μｍ以下であることを特徴とする請求項１６から２３のいずれかに記載の基板の研摩方法。
【請求項２５】
前記工程（ａ）で使用される研磨剤の濃度が１．０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１６から２４のいずれかに記載の基板の研摩方法。
【請求項２６】
前記基板がフォトマスク用基板である請求項１６から２５のいずれかに記載の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は極めて高精度な平面度と表面粗さを兼ね備えた基板、特にマスクブランク用基板等の電子デバイス用基板とそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体分野においては、情報処理能力を向上させるため、今日ますます集積回路が高密化しつつある。このような高密化を実現する為に、チップ製造工程において超紫外線（ＥＵＶ）の露光波長を応用する技術が提案されている。この技術で使用される露光装置のマスク基板は極低膨張材料を研磨することにより得られ、高精度な平面度（ｆｌａｔｎｅｓｓ）と表面粗さ（ｓｕｒｆａｃｅ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が要求される。ＥＵＶリソグラフィー用のマスク基板材料、ミラー基板材料としては、クリアセラム（オハラ社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ（ショット社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ−Ｍ（ショット社）、ＵＬＥ（コーニング社）、などの極低膨張材料が、熱膨張が極めて小さく、均一性が高いため好適である。
特許文献１にはこれらの材料からＥＵＶマイクロリソグラフィーに適した基板を製造する方法が開示されている。この文献ではあらかじめＲＭＳで０．１ｎｍ〜０．３ｎｍの表面粗さまで研磨しても、所望の平坦度を得る為にイオンビ−ム加工（ＩＢＦ）をすると、２〜５倍に表面粗さが増加してしまうと報告されており、これを回避する策として別途被覆層を形成しているが、基層のみで要求される平面度と表面粗さを実現していない。
また、特許文献２には電子デバイス用基板とその研磨方法が開示されているが、この文献において示された研磨方法で得られた基板は、平坦度が２３０ｎｍ、表面粗さがＲａで０．１８ｎｍより良好な表面特性値を示していない。ここで、表面粗さを表わすパラメータであるＲａ（算術平均粗さ）はＲＭＳ（二乗平均粗さ）の値よりも低くなるため、前記Ｒａで表わされた表面粗さ０．１８ｎｍはＲＭＳで表わした場合０．２０ｎｍを超えるものである。またこの文献においては、研磨対象物である基板材料としてはガラスしか考慮されておらず、前記オハラ社のクリアセラム等のガラスセラミックを含めた研磨において所望の表面特性値を実現する事は議論されていない。
このように、ＥＵＶリソグラフィーで求められる高精度領域では平面度と表面粗さは相反するものであり、要求されるどちらかの表面特性値を達成しようとすると、他方の表面特性値は要求値を達成できず、従来においては特別の被覆層を設けることなく平面度が２３０ｎｍＰＶ（Peak-to-Valley）未満、表面粗さＲＭＳが０．２０ｎｍ未満の双方の表面特性値を兼ね備えた基板は存在しなかった。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２８５６３号公報
【特許文献２】特開２００４−２９７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、被覆層等を設けることなくそれ自身の材料のみで、高精度領域における良好な平面度と表面粗さを兼ね備えた各種基板、好ましくは、液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハーまたは情報記録媒体用基板等の電子デバイス用基板、より好ましくはＥＵＶリソグラフィー用マスク基板、およびそれらの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の発明者は上記課題を解決するため鋭意試験研究を行った結果、研磨工程を特定の構成とすることにより、高精度領域において、良好な平面度と表面粗さを兼ね備えた基板が得られることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明の好適な態様は以下に列挙する構成のいずれかで表わされる。
［構成１］平面度が２３０ｎｍＰＶ未満、表面粗さがＲＭＳで０．２０ｎｍ未満であることを特徴とする基板。
［構成２］以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする構成１に記載の基板；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下である層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
［構成３］以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする構成１に記載の基板；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下であり、樹脂フィルムからなる層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
［構成４］前記工程（ａ）が以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする構成２または３に記載の基板；
（ａ−１）：研磨機を用い、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保ち、研磨剤を供給しながら研磨する工程。
［構成５］前記工程（ａ）が以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする構成４に記載の基板；
（ａ−２）：工程（ａ−１）の後、研磨機を用い、研磨剤を含まない液体のみを供給しながら研摩する工程。
［構成６］前記工程（ａ−２）において、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保つ研磨方法によって得られることを特徴とする構成５に記載の基板。
［構成７］以下の工程を含む研磨方法によって得られることを特徴とする構成２から６のいずれかに記載の基板。
（ｂ）：前記工程（ａ）の前に、平面度を少なくとも２３０ｎｍＰＶ、表面粗さを少なくとも０．４ｎｍＲＭＳに研磨する工程。
［構成８］前記工程（ａ）で使用される研磨剤が酸化セリウム研磨剤であることを特徴とする構成２から７のいずれかに記載の基板。
［構成９］前記工程（ａ）で使用される研磨剤の平均粒径が１．０μｍ以下であることを特徴とする構成２から８のいずれかに記載の基板。
［構成１０］前記工程（ａ）で使用される研磨剤の濃度が１．０ｗｔ％以下であることを特徴とする構成２から９のいずれかに記載の基板。
［構成１１］０℃〜５０℃の温度範囲において、平均線膨張係数が０．０±０．３×１０−７／℃以内であることを特徴とする構成１から１０のいずれかに記載の基板。
［構成１２］１９℃〜２５℃の温度範囲において、平均線膨張係数が０．０±０．３×１０−７／℃以内であることを特徴とする構成１から１１のいずれかに記載の基板。
［構成１３］ＳｉＯ２成分、ＴｉＯ２成分を含有することを特徴とする構成１から１２のいずれかに記載の基板。
［構成１４］構成１から１３のいずれかに記載の基板を用いたフォトマスク用基板。
［構成１５］構成１４の基板を用いたフォトマスク。
［構成１６］以下の工程を含むことを特徴とする基板の研磨方法；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下である層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
［構成１７］以下の工程を含むことを特徴とする構成１６に記載の基板の研磨方法；
（ａ）：研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下であり、樹脂フィルムからなる層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて研磨する工程。
［構成１８］前記工程（ａ）が以下の工程を含むことを特徴とする構成１６または１７に記載の基板の研磨方法；
（ａ−１）：研磨機を用い、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保ち、研磨剤を供給しながら研磨する工程。
［構成１９］前記工程（ａ）が以下の工程を含むことを特徴とする構成１８に記載の基板の研磨方法；
（ａ−２）：工程（ａ−１）の後、研磨機を用い、研磨剤を含まない液体のみを供給しながら研磨する工程。
［構成２０］前記工程（ａ−２）において、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保つことを特徴とする構成１９に記載の基板の研摩方法。
［構成２１］研磨後、平面度が２３０ｎｍＰＶ未満であり、表面粗さが０．２０  ｎｍＲＭＳ未満となることを特徴とする構成１６から２０のいずれかに記載の基板の研磨方法。
［構成２２］以下の工程を含むことを特徴とする構成１６から２１のいずれかに記載の基板の研磨方法；
（ｂ）：前記工程（ａ）の前に、平面度を少なくとも２３０ｎｍＰＶ、表面粗さを少なくとも０．４ｎｍＲＭＳに研磨する工程。
［構成２３］前記工程（ａ）で使用される研磨剤が酸化セリウム研磨剤であることを特徴とする構成１６から２２のいずれかに記載の基板の研摩方法。
［構成２４］前記工程（ａ）で使用される研磨剤の平均粒径が１．０μｍ以下であることを特徴とする構成１６から２３のいずれかに記載の基板の研摩方法。
［構成２５］前記工程（ａ）で使用される研磨剤の濃度が１．０ｗｔ％以下であることを特徴とする構成１６から２４のいずれかに記載の基板の研摩方法。
［構成２６］前記基板がフォトマスク用基板である構成１６から２５のいずれかに記載の研磨方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、特別の被覆層を設けることなくそれ自身の材料のみで、平面度が１００ｎｍＰＶ以下、表面粗さがＲＭＳで０．１７ｎｍ以下の、高精度領域における良好な平面度と表面粗さを兼ね備えた基板とその製造方法を得る事ができる。言うまでもなく、平面度、表面粗さの値を前記値より大きくすることは研磨時間等を調整することにより可能である。本発明の基板は特に液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハーまたは情報記録媒体用基板等の電子デバイス用基板として好適に使用することができ、好適にはフォトマスク用基板、最も好適にはＥＵＶリソグラフィー用マスク基板として使用することができる。さらにはこれらの基板を用いてフォトマスクを得る事ができる。
本発明により得られる基板は高精度の平面度と表面粗さを実現する為に特別の被覆層を設ける等の研磨以外の特別の工程が必要がないため、低いコストで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の基板は平面度が２３０ｎｍＰＶ未満、表面粗さがＲＭＳで０．２０ｎｍ未満とすることが好ましい。これらの値を実現することにより、各種高精度が要求される基板に適用することができる。特に超紫外線の露光波長を使用する露光装置のマスク基板に適用する為には平面度は１５０ｎｍＰＶ以下がより好ましく、１００ｎｍＰＶ以下が最も好ましく、また、表面粗さはＲＭＳで０．１８ｎｍ以下がより好ましく、０．１７ｎｍ以下が最も好ましい。表面粗さをＲａで表わした場合は、０．１８ｎｍ未満が好ましく、０．１６ｎｍ以下がより好ましく、０．１２ｎｍ以下が最も好ましい。
ここでのＲＭＳはＲｑと同じ意味であり、「二乗平均平方根粗さ」である。本発明においてはＲＭＳの測定条件として、測定機は原子間力顕微鏡を用い、測定範囲を５μｍ×５μｍとした。またＲａは「算術平均粗さ」であり、測定条件は上記ＲＭＳのそれと同じである。ＰＶ（Peak-to-Valley）は平面度と同じ意味であり、測定範囲での基準平面からの最大山高さと最大谷深さの和で表す。測定条件として、測定機は干渉計を用い、測定範囲を基板外周より５ｍｍ内側とした。
【０００９】
また本発明の基板を極めて高い寸法安定性が要求される用途で使用する場合には、平均線膨張係数が低い事が好ましい。特にＥＵＶリソグラフィー用のマスク基板として使用する為には本発明の基板の平均線膨張係数αは０℃〜５０℃の温度範囲、または１９℃〜２５℃の温度範囲において、０．０±０．３×１０−７／℃以内であることが好ましく、０．０±０．２×１０−７／℃以内であることがより好ましく、０．０±０．１×１０−７／℃以内であることが最も好ましい。
【００１０】
上述の熱膨張特性を実現する為に本発明の基板はＳｉＯ２成分、ＴｉＯ２成分を含有することが好ましい。また被研磨物が上記２成分を含有したものであると、後述の工程によって本発明の実施例に示される様な極めて高精度な平面度と表面粗さを兼ね備えた表面特性を得る事が容易となる。これは作用は明らかではないが、発明者の経験から上記効果の知見を得たものである。これらの成分の含有範囲は質量％でＳｉＯ２成分を５０〜９７％、ＴｉＯ２成分を１．５％〜１０％であるとより好ましい。
さらに上記の観点から、ＳｉＯ２４７〜６５％、Ｐ２Ｏ５１〜１３％、Ａｌ２Ｏ３１７〜２９％、Ｌｉ２Ｏ１〜８％、ＭｇＯ０．５〜５％、ＺｎＯ０．５〜５．５％、ＴｉＯ２１〜７％、ＺｒＯ２１〜７％の範囲の各成分を含有する事ことが最も好ましい。
上記基板はガラス、ガラスセラミックスである事が所望の表面特性と低膨張特性を得やすいため好ましく、特にガラスセラミックスは研磨によるスクラッチが発生しにくいためより好ましい。このガラスセラミックスはβ−石英（β−ＳｉＯ２）、及び／又はβ−石英固溶体（β−ＳｉＯ２固溶体）を含有するガラスセラミックスであると低膨張特性が得られるため好ましい。
基板材料となる被研磨物としては、クリアセラム（オハラ社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ（ショット社）、Ｚｅｒｏｄｕｒ−Ｍ（ショット社）、ＵＬＥ（コーニング社）、などの極低膨張材料が例示される。
【００１１】
本発明の基板の形状は円形状でも多角形状（例えば正方形状や矩形状等）でも良い。一般的に正方形等の多角形状の基板を研磨する場合には、例えば両面研磨機によって一度に複数の基板を研磨した場合、各々の基板の形状が非対称となったり、頂点付近が面ダレしてしまう事がある。この様に円形の基板に比べて多角形状の基板は高精度の表面特性を得ることが困難であるが、本発明の研磨方法は多角形状の基板であっても実施例に示される様な極めて高精度な平面度と表面粗さを兼ね備えた表面特性を得る事ができる。
【００１２】
本発明を構成する研磨方法の工程は工程（ｂ）、工程（ａ）、工程（ａ−１）、工程（工程（ａ−２）がある。これらの工程は工程（ｂ）、工程（ａ）の順で行われ、工程（ａ）はさらに（ａ−１）、（ａ−２）の２つの工程を有する。
以下、本発明の工程と関連する工程について説明する。
【００１３】
［予備的な工程］
本発明を構成する工程の前に、予備的な工程を適用することができる。例えば被研磨物を所望の形状に切断し、その後１次ラップ、２次ラップと段階的に砥粒を細かくしながら研削加工をする。さらに必要であれば端面研磨等の加工をし、さらに１次ポリッシュ、２次ポリッシュの研磨工程を行い、段階的に平面度と表面粗さを所望の値に近づけていく。ラップ工程やポリッシュ工程は上述の工程より少ない工程でも良いし、反対に多くの工程としても良い。この工程では様々な公知の研磨方法を適用することができる。
【００１４】
［工程（ｂ）］
この工程では被研磨物の平面度を少なくとも２３０ｎｍＰＶ、表面粗さを少なくとも０．４ｎｍＲＭＳに研磨する。この工程で表面粗さを所望の値に近づけると共に、平面度を最終的に必要な値とすることが好ましい。特にＥＵＶマイクロリソグラフィーのマスク基板を得る為には平面度を少なくとも１５０ｎｍＰＶ以下とすることがより好ましく、１００ｎｍＰＶ以下とすることが最も好ましい。
上記表面特性値は磁性流体研磨（Magneto-Rheological Finishing: MRF）法を用いたＭＲＦ研磨機や、片面研磨機を用いることで実現できる。
ＭＲＦ研磨機は、磁性流体によって精密研磨仕上げする装置のことである。具体的には、３軸ＣＮＣ制御工作機械の上部スピンドルに被研磨物を取り付け、ＮＣコントロ−ラによって回転するホイールと被研磨物が一定距離内となるように位置決めをする。ホイールの表面下には、電磁石が取り付けてあり、被研磨物とホイールの頂点に発生する間隙部において磁力が最大となる勾配磁場が発生する。ここに磁性流体研磨剤を供給すると、勾配磁場の影響を受けホイ−ルの表面に引き寄せられ、対象物を研磨する。（砥粒加工学会誌ｖｏｌ．１４６  ＮＯ．８  ２００２  ＡＵＧ．から引用）ＭＲＦ研磨方法については上記学会誌に詳細に記載されている。また片面加工機とは、通常の両面研摩機のうち下定盤のみに発泡パッドが貼り付けてあり、被研磨物の自重若しくは、荷重をかけて研摩する装置のことである。これらＭＲＦ研磨機や片面研磨機では最終的な表面粗さを得ることは容易ではないが、平面度を最終的な値、もしくは最終的な値に近い値とすることにより、その後の研磨に必要な時間を飛躍的に短くすることができる。
【００１５】
［工程（ａ）］
この工程では研磨パッドのベース層において、圧縮率が５％以下である層が少なくとも１層含まれる研磨パッドを用いて被研磨物を研磨する。
ここで圧縮率とはＪＩＳ  Ｌ−１０９６に準拠したものであり、先端が０．２０ｃｍ２のダイヤルゲージで荷重６０ｇｆ、測定圧力３００ｇ／ｃｍ２で測定した際の厚みを（Ｔ１）とし、荷重３６０ｇｆ、測定圧力１８００ｇ／ｃｍ２で測定した際の厚みを（Ｔ２）としたとき、圧縮率は下記の式で表わされる。
圧縮率（％）＝（（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１）×１００
この工程で使用する研磨パッドは少なくとも二層構造からなり、表面層とベース層を有する。ベース層は１層の場合と２層以上の場合があるが、圧縮率が５％以下である硬質層を少なくとも１層有することが重要である。ベース層に含まれる層を上述の様に硬質とすることにより、既に得られた最終的に所望する平面度を保ちつつ、表面粗さを最終的に所望する値とする事が可能となる。ベース層に含まれる硬質の層が被研磨物の平面度を保つ効果をより効果的に得る為には、上記圧縮率はより好ましくは０．８％以下、最も好ましくは０．２％以下である。このベース層に含まれる硬質層はプラスチック、熱可塑性エラストマー、ゴム、金属等の可撓性の材料をフィルム状としたものを適宜用いることができる。これらは気泡を内在していても良いが気泡を内在していない事がより好ましい。具体的にはエポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ステンレス等を用いることができるが、ポリエチレンテレフタレートがより好適に使用できる。平面度を保つ観点からは表面層が１層であり、かつベース層は１層である事、すなわち硬質層のみがベース層である事がより好ましい。
【００１６】
工程（ａ）で用いられる研磨パッドの表面層はいわゆるナップ構造をしていることが好ましく、開口径は７０〜１８０μｍであることが好ましい。また、表面硬度はＪＩＳ Ｋ ７３１１に準じたＡ硬度で８０未満であると、被研磨物の表面にスクラッチが発生しにくくなる為好ましい。表面層の材質としてはウレタン系である事が好ましい。
【００１７】
また、工程（ａ）で用いられる研磨パッド全体の圧縮率は４％〜１０％の範囲が好ましく、５％〜９．５％の範囲がより好ましい。厚みは０．３ｍｍ〜０．９ｍｍが好ましく、０．４ｍｍ〜０．６ｍｍがより好ましい。
【００１８】
［工程（ａ−１）］
この工程は工程（ａ）が分けられた工程の１つを構成している。すなわち工程（ａ）で用いる研磨パッドを装着した研磨機を用いて、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保ち、研磨剤を供給しながら研磨する。
研磨機は片面研磨機、または両面研磨機等を用いることができ、特に限定するものではないが、片方の面を研磨している間に他方の面が汚染される等の心配がないこと、または加工時間の観点から両面研磨機を用いることが好ましい。研磨機の回転数は３０回転／分〜５０回転／分が好ましく、３０回転／分〜４０回転／分がより好ましく、４０回転／分〜５０回転／分が最も好ましい。
また、この工程の加工時間は所定の平面度及び表面粗さを得る為には５分〜２０分が好ましく、５分〜１０分がより好ましく、７分〜１０分が最も好ましい。
研磨パッドの被研磨物に対する面荷重は低荷重とする事が平面度を保ちつつ表面粗さを所望の値とする為には重要であり、具体的には被研磨物に対する面荷重は４０ｇ／ｃｍ２以下とすることが好ましく、３５ｇ／ｃｍ２以下とすることがより好ましく、２８ｇ／ｃｍ２以下とすることが最も好ましい。
研磨剤は特に限定するものではなく、コロイダルシリカ、酸化セリウム研磨剤等を用いることができるが、酸化セリウム研磨剤は研磨速度が速い為に特に適している。研磨剤の濃度は１．０ｗｔ％以下であることが表面粗さを所望の値とする為に好ましく、０．５ｗｔ％以下であることがより好ましく、０．１ｗｔ％以下であることが最も好ましい。また研磨剤の平均粒径は同様の理由から１．０μｍ以下から好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．４μｍ以下が最も好ましい。
【００１９】
［工程（ａ−２）］
この工程は工程（ａ）が分けられた工程の１つを構成しており工程（ａ−１）の後に行われる。すなわち工程（ａ）で用いる研磨パッドを装着した研磨機を用いて、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保ち、研磨剤を含まない液体のみを供給しながら研磨する。工程（ａ−１）と工程（ａ−２）の間に別の工程が行われても良いが、通常は工程（ａ−１）において研磨剤の供給を停止する事により工程（ａ−１）が終了し、続いて研磨剤を含まない液体を供給する事により工程（ａ−２）が開始される。
研磨剤を含まない液体のみを供給しながら研磨することによって、被研磨物表面の微細な凹凸に入り込んだ研摩粒子を除去し、さらにスクラッチの発生を抑えることができる。
研磨剤を含まない液体としてはｐＨ６〜ｐＨ８の液体が好ましく、水道水が好適であるが、純水、イオン交換水等が使用でき、緩衝溶液を併用しても良い。液体の供給経路に残留した微量の研磨剤が意図せず供給されてしまう場合も本工程に含まれる。
研磨機は片面研磨機、または両面研磨機等を用いることができ、特に限定するものではないが、片方の面を研磨している間に他方の面が汚染される等の心配がないこと、または加工時間の観点から両面研磨機を用いることが好ましい。研磨機の回転数は３０回転／分〜５０回転／分が好ましく、３０回転／分〜４０回転／分がより好ましく、４０回転／分〜５０回転／分が最も好ましい。
また、この工程の加工時間は３０分以内が好ましく、１５分以内がより好ましく、１０分以内が最も好ましい。
研磨パッドの被研磨物に対する面荷重は低荷重とする事が平面度を保ちつつ表面粗さを所望の値とする為には重要であり、具体的には被研磨物に対する面荷重は４０ｇ／ｃｍ２以下とすることが好ましく、３５ｇ／ｃｍ２以下とすることがより好ましく、２８ｇ／ｃｍ２以下とすることが最も好ましい。
【実施例】
【００２０】
［予備的な工程］
極低膨張ガラスセラミックスを１５５ｍｍ×１５５ｍｍ×７．５ｍｍに切断し、両面ラップ機によって研削加工を行った。この研削加工は砥粒の粒度等の条件を変え、1次ラップ、２次ラップという２段階に分けた研削加工を行った。
１次ラップは両面ラップ機を使用し、＃１０００の遊離砥粒を用い、回転数を２０回転／分とした。１次ラップ後の基板のＰＶは全て３μｍであった。
２次ラップは1次ラップとは別のラップ機を使用し、＃１５００の遊離砥粒を用い、回転数を２０回転／分とした。２次ラップ後の基板のＰＶは１〜２μｍであった。
その後端面加工をし、次に両面研磨機によって研磨加工を行った。この研磨加工においても条件を変え、１次研磨、２次研磨という２段階に分けた研磨加工を行った。
［工程ｂ］
ＱＥＤ社製ＭＲＦ研磨機により研磨剤のみでは除去できない微小な歪み、キズ等を除去し、平面度１５０ｎｍＰＶ以内，  表面粗さ０．４ｎｍＲＭＳ以下とした。
［工程（ａ）］
［工程（ａ−１）］
両面研磨機を用い、被研磨物に対する面荷重を４０ｇ／ｃｍ２以下に保ち、研磨剤を供給しながら研磨した。研磨パッドはベース層が圧縮率０．１％のＰＥＴフィルムからなる単層構造で表面層（研磨層）がナップ構造をした単層構造のものを用いた。研磨材は酸化セリウムを用いた。
［工程（ａ−２］］
（ａ−１）工程後、研磨剤の供給を停止、水道水のみで研磨を開始した。
面荷重４０ｇ／ｃｍ２以下、研磨パッドは（ａ−１）工程で使用したパッドをそのまま用いた。
【００２１】
表１、表２に本発明の個々の実施例についての各工程の条件と、工程終了後の基板の表面特性値を示す。
【００２２】
【表１】
2006312230.tif 000002
【００２３】
【表２】
2006312230.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明は高精度な平面度と表面粗さを要求される各種基板、好ましくは、液晶ディスプレイ用基板、半導体ウエハーまたは情報記録媒体用基板等の電子デバイス用基板、特にＥＵＶマイクロリソグラフィーに適したミラーやマスクおよびそれらを製造する為の基板とその製造方法を得る事ができる。