(57)【要約】【課題】  ポリイミド層を透過してドライバICチップの配線の認識を可能とすると共に、導体層とポリイミド層との間の接着力が高く、耐エレクトロマイグレーション性に優れた積層体を提供する。【解決手段】  導体層とポリイミド層とが積層された積層体であり、導体層をエッチングしてポリイミド層の少なくとも一部を露出させ、このポリイミド層を通して、ポリイミド層から10μｍ〜1ｍｍの距離に位置するアルミ配線を備えたシリコンウエハからなる撮像対象物を倍率0.5倍〜10倍の範囲の光学レンズを備えた40万画素以上のCCDカメラで撮像して得られる画像の輝度分布が、下記式（1）に示した関係を満たす積層体である。  ｛(P1+P3)/2｝/P2≧9  （1）（P1はアルミ配線に起因する複数のピークトップのうち最も黒側に位置するピークの頻度、P3はシリコンウエハに起因するピークトップの頻度、P2はP1とP3との間に現れる極小値の輝度における頻度をそれぞれ示す。）【選択図】  図１
2006179666.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層とポリイミド層とが積層された構造からなる積層体であって、上記導体層をエッチングしてポリイミド層の少なくとも一部を露出させ、このポリイミド層を通して、ポリイミド層から10μｍ〜1ｍｍの距離に位置するアルミ配線を備えたシリコンウエハからなる撮像対象物を倍率０．５倍〜１０倍の範囲の光学レンズを備えた４０万画素以上のＣＣＤカメラで撮像して得られる画像の輝度分布が、下記式（１）に示した関係を満足することを特徴とする積層体。
｛(P1+P3)/2｝/P2≧9      （１）
（ここで、P1はアルミ配線に起因する複数のピークトップのうち最も黒側に位置するピークの頻度を示し、P3はシリコンウエハに起因するピークトップの頻度を示す。また、P2はP1とP3との間に現れる極小値の輝度における頻度を示す。）
【請求項２】
導体層が銅箔であり、ポリイミド層がポリイミド前駆体樹脂溶液を上記銅箔に塗布した後、乾燥及び硬化させて形成されたものである請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
導体層の厚さが10μm以下であり、ポリイミド層と接する導体層の面の表面粗さRzが2.0μm以下であり、かつ、ポリイミド層と接しない導体層の面の表面粗さRzが2.0μm以下である請求項１又は２に記載の積層体。
【請求項４】
ポリイミド層が、熱可塑性ポリイミド樹脂を有するポリイミドフィルムを導体層に熱圧着して形成されたものである請求項１に記載の積層体。
【請求項５】
ポリイミドフィルムの湿度線膨張率が2.0×10-5cm/cm/％ＲＨ以下であり、かつ、熱線膨張率が5.0×10-5cm/cm/℃以下である請求項４に記載の積層体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の積層体を用いて形成したことを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープ。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載の積層体を用いてＣＯＦフィルムキャリアテープを形成し、このＣＯＦフィルムキャリアテープにドライバＩＣを実装することを特徴とするＣＯＦチップ実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣあるいはＬＳＩなどの電子部品を実装するフレキシブルプリント基板用の積層体に関するものである。さらに詳しくは、導体層とポリイミド層との密着性に優れ、高密度回路基板材料として好適に用いることができる光透過特性に優れた積層体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電子端末、電子手帳、その他の電子機器の可視像表示部として、液晶装置が広く利用されている。一般的に、液晶装置はそれぞれが透明電極を備えた一対の透明基板で間隙を形成するように張り合わせ、その間隙に液晶を封入することで形成される。
【０００３】
透明基板の外側表面には必要に応じて偏光板が装着され、また、一方の透明基板の内側表面には必要に応じてカラーフィルターが設けられる。
【０００４】
液晶を挟んでお互いに対抗する透明電極間に所定の電圧を印加する場合と、印加しない場合とで液晶の配向を制御すれば、その液晶に供給される光を変調でき、これにより、文字、数字、画像といった可視情報が表示できる。
【０００５】
対抗する透明電極間に所定電圧を印加することを制御するために、テープキャリアに形成されたフライングリードに液晶駆動用ＩＣチップ、すなわちドライバＩＣの電極を接合し、樹脂にて接合部を封止したのち、テープキャリア上に形成された電極と透明基板上の電極端子を異方導電膜などで接合する、ＴＡＢ方式（テープ・オートメイティッド・ボンディング）が従来から用いられてきた。
【０００６】
また、近年、より小さいスペースで、より高密度の実装を行なう実装方法として、裸のドライバＩＣをフィルムキャリアテープ上に直接搭載するＣＯＦ（チップ・オン・フィルム）が開発された。
【０００７】
このＣＯＦに用いられるフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）は、ＴＡＢ方式にて用いられてきたデバイスホールを有しないため、チップ実装時の相対位置の測定の際に、絶縁層を透過してドライバＩＣチップの配線を認識する必要がある。
【０００８】
このようなＣＯＦ用ＦＰＣに用いられる積層体としては、ポリイミドフィルムなどの絶縁フィルムにニッケルなどの密着強化層をスパッタした後、銅メッキを施した積層体がある。このような銅メッキ積層体では、ポリイミドフィルムが比較的透明であるので、ＩＣ搭載の際の位置合わせが容易であるが、導体と絶縁体の間の接着力が低い、耐エレクトロマイグレーション性に劣るという問題がある。
【０００９】
このような問題のない積層体としては、銅箔にポリイミドフィルムを塗布法により積層したキャスティングタイプや、銅箔に熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などを介し絶縁フィルムを熱圧着した熱圧着タイプの積層体がある。
【００１０】
しかしながら、キャスティングタイプや熱圧着タイプの積層体は、銅箔をエッチングで除去した際に露出する絶縁層表面が光を散乱してしまい、絶縁層を透過してドライバＩＣチップの配線を認識できないという問題がある。
【００１１】
このように光を散乱してしまう不透明の回路基板上にＩＣチップを実装する方法として、特開平１１−１０２９３２号公報において、基板に貫通穴を形成する方法が提案されている。また、特開２００２−２８９６５１号公報では、ポリイミド粗面に透明レジストを塗布することで透明化する方法が提案されている。
【００１２】
しかしながら、上記貫通穴法については、工程が複雑になること、高位置精度での穴開けが要求されることなどの問題点がある。また、透明レジスト法については、レジスト材料が透明でなくてはならない制約と、ＩＣチップ実装面にレジストを塗布することから印刷精度の問題と信頼性の問題がある。
【００１３】
このような背景から、ポリイミドフィルム自体を透明化することを目的として、粗度の小さな銅箔の製造方法が提案されている。特開２００２−７３１８８号公報では、電解析出面を研磨する方法が開示されている。特開２００２−１６１３９４号公報では、銅箔の粗化層の製造方法が開示されている。特開平０９−１４３７８５号公報には、メルカプト化合物によりＲｚの小さな低粗度銅箔が開示されている。特開２００３−２３０４６号公報には、光線透過率の規定された絶縁体が公開されている。
【００１４】
これらの技術においては、銅箔表面の粗度の規定方法として、触針式の粗度計等から算出される、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４「表面粗さの定義と表示」の５．１十点平均粗さ（Ｒｚ）の定義に規定されたＲｚを使用する場合が多い。しかしながら、このＲｚは、光学散乱などの光学的特性との相関を規定するには不十分であり、実際にはドライバＩＣチップの配線の認識が不可能である場合も見られる。
【００１５】
また、フィルムの光学的特性を規定する方法として、全光線透過率も提案されている。しかしながら、全光線透過率には、認識を阻害する性質をもつ散乱光の光量が含まれることから、全光線透過率が高い場合でも、透明性は不十分である場合が見られる。
【００１６】
このため、ポリイミド層の光学的特性が規定された積層体の開発が望まれている。
【特許文献１】特開平１１−１０２９３２号公報
【特許文献２】特開２００２−２８９６５１号公報
【特許文献３】特開２００２−７３１８８号公報
【特許文献４】特開２００２−１６１３９４号公報
【特許文献５】特開平０９−１４３７８５号公報
【特許文献６】特開２００３−２３０４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
ポリイミド層を透過してドライバＩＣチップの配線を認識することが可能であり、導体層とポリイミド層との間の接着力が高く、耐エレクトロマイグレーション性に優れた、積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記問題点を解決するために、本発明者等が検討した結果、積層体を構成するポリイミドフィルムの光学的特性を規定する方法を見出し、その規定方法によって得られる値の特定範囲に適合する材料を開発することによって、上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成した。
【００１９】
即ち、本発明は、導体層とポリイミド層とが積層された構造からなる積層体であって、上記導体層をエッチングしてポリイミド層の少なくとも一部を露出させ、このポリイミド層を通して、ポリイミド層から10μｍ〜1ｍｍの距離に位置するアルミ配線を備えたシリコンウエハからなる撮像対象物を倍率０．５倍〜１０倍の範囲の光学レンズを備えた４０万画素以上のＣＣＤカメラで撮像して得られる画像の輝度分布が、下記式（１）に示した関係を満足することを特徴とする積層体である。
｛(P1+P3)/2｝/P2≧9      （１）
（ここで、P1はアルミ配線に起因する複数のピークトップのうち最も黒側に位置するピークの頻度を示し、P3はシリコンウエハに起因するピークトップの頻度を示す。また、P2はP1とP3との間に現れる極小値の輝度における頻度を示す。）
【００２０】
また、本発明は、上記の積層体を用いて形成したことを特徴とするＣＯＦフィルムキャリアテープである。更にまた、本発明は、上記の積層体を用いてＣＯＦフィルムキャリアテープを形成し、このＣＯＦフィルムキャリアテープにドライバＩＣを実装することを特徴とするＣＯＦチップ実装方法である。なお、本発明における積層体については、回路を形成する前の状態のものであってもよく、所定の回路を形成した後の状態のものであってもよい。
【００２１】
本発明において、導体層をエッチングして露出したポリイミド層を通して所定の条件下で撮像対象物を撮像すると、図１に示すような画像の輝度分布が得られる。ここで、輝度とはディジタル画像における画素（ピクセル）と呼ばれる単位の各々における明るさを、最も暗い状態と最も明るい状態の間を何段階かに分けて、そのどの明るさに相当するかを数値で表現したもので、グレースケールと一般的に呼ばれる。輝度の数値が大きくなるにつれて（グラフ横軸の右側方向）得られる画像が黒くなり、反対に輝度の数値が小さくなるにつれて（グラフ横軸左側方向）得られる画像が白くなる。また、頻度とは該当する輝度を示す画素の数を表し、同じ明るさを示す部分の面積に相当する。
【００２２】
本発明においては、1）導体層が銅箔であり、ポリイミド層がポリイミド前駆体樹脂溶液をこの銅箔に塗布した後、乾燥及び硬化することにより形成されたものであることが好ましく、また、2）ポリイミド層が、熱可塑性ポリイミド樹脂を有するポリイミドフィルムを導体層に熱圧着して形成されたものであることが好ましく、更に、3）上記ポリイミドフィルムの湿度線膨張率が2.0×10-5cm/cm/℃以下であり、かつ、熱線膨張率が5.0×10-5cm/cm/℃以下であるのが好ましく、更にまた、4）導体層の厚さが10μm以下であり、ポリイミド層と接する導体層の面の表面粗さRzが2.0μm以下であり、かつ、ポリイミド層と接しない導体層の面の表面粗さRzが2.0μm以下であるのが好ましく、これらは本発明における好ましい態様である。
【発明の効果】
【００２３】
ポリイミド層を透過してドライバＩＣチップの配線を認識することが可能となり、導体層とポリイミド層との間の接着力が高く、耐エレクトロマイグレーション性に優れた積層体を得ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明における導体層としては、例えば銅又は銅合金からなる銅箔のほか、金、銀等からなる金属箔を挙げることができ、好ましくは銅箔であるのがよい。この銅箔については圧延銅箔を使用してもよく、電解銅箔を使用してもよい。また、導体層の厚さについては、微細加工性の観点から10μm以下であるのが好ましい。更には、同じく微細加工性の観点から、ポリイミド層と接する導体層の面の表面粗さRzが2.0μm以下であり、かつ、ポリイミド層と接しない導体層の面の表面粗さRzが2.0μm以下であるのが好ましい。
【００２５】
ポリイミド層の光学的特性を規定する方法としては、導体層をエッチングしてポリイミド層の少なくとも一部を露出させ、このポリイミド層を通して以下で説明する条件下でアルミ配線を備えたシリコンウエハからなる撮像対象物を撮像し、得られた画像の輝度分布（明度分布）の特徴を数学的に規定する。
【００２６】
ここで、アルミ配線を備えたシリコンウエハからなる撮像対象物として、具体的には実用の液晶ドライバＩＣを用いるのが好ましい。このような液晶ドライバＩＣは、通常、アルミ配線による位置合わせの為のアライメントマークを有するが、アライメントマークを持たないドライバＩＣを用いることもできる。
【００２７】
上記撮像対象物を撮像する際には、ポリイミド層と撮像対象物との距離が10μｍ〜1ｍｍの範囲になるようにする。アライメントとして撮像対象物を移動させることができるようにする意味と、必要以上に離れすぎで撮像対象物の正確な位置が検出できなくならないようにするためである。
また、導体層をエッチングしてポリイミド層を露出させる範囲については、特に制限はないが、例えばドライバＩＣがアライメントマークを有する場合にはこのアライメントマークの大きさが一般的には100μｍ×100μｍであることから、少なくともこの大きさより大きな範囲でポリイミド層が露出するようにするのが好ましい。
【００２８】
測定に用いる光学レンズについては、光学倍率０．５倍〜１０倍の範囲、好ましくは１倍〜５倍の範囲のものを用いるようにする。この光学レンズについては、好ましくは同軸落射照明を有するものであるのがよく、適切な明度調整を行うために光学絞りを有するものであるのが更に好ましい。また、乱反射光の制御等を目的に偏光板を備えるものであってもよい。
光学レンズが照明を備えるものである場合、光源として、通常ハロゲン光が用いられるが、ＣＣＤカメラの分光感度特性を考慮して、波長６００ｎｍを含む光源であれば特に制限されるものではない。また、照射方式としては、上記の光学レンズに組み込まれた同軸落射照明のほか、リング型の面照明又は各々を組み合わせた光源を用いることもできる。
【００２９】
ＣＣＤカメラについては４０万画素以上のＣＣＤカメラである必要があるが、例えば多くのＩＣチップボンダーに搭載されている、白黒の４０万画素もしくはそれ以上のインターライン方式ＣＣＤを用いることができる。
【００３０】
明度分布を解析するためのソフトウエアについては特に制限はなく、多数の市販の画像解析処理ソフトウエアが装備している、輝度分布のヒストグラムを演算する機能を用いて解析することができる。
【００３１】
得られる明度分布のヒストグラムの典型的な例を図１に示す。この図１に基づき、以下でポリイミド層の光学的特性を規定する方法を説明する。
光源、レンズ及びＣＣＤを調整し、更に迷光や乱反射を抑制して撮像して得られる画像の輝度分布は、大きく分けて二つのピークを示す。輝度Ｐ１付近には多くの場合複数のピークが表れるが、これは素子間を配線するアルミの反射によるものである。一方、輝度Ｐ３の位置のピークは、リソグラフィの手法により素子間分離層やトランジスタが形成やパッシベーション膜などの保護膜形成などの前処理工程を経たシリコンウエハの表面によるものである。Ｐ１とＰ３の間には極小値としてＰ２が存在する。
【００３２】
各々のピーク高さは、画像内におけるアルミ配線の面積と前処理工程を経たシリコンウエハの表面との面積の比に依存する。しかしながら、Ｐ１とＰ２とＰ３の頻度の比率｛(P1+P3)/2｝/P2は、画像内におけるこれらの面積比には依存せず、光源、レンズ、ＣＣＤ等の機器設定が同一であり、また、ポリイミド層の材料が同一種である限り、一定であることを本発明者らは見出した。
【００３３】
また、上述した通り、アルミ配線によるピークは複数のピークが複合したものとして現れるが、これらのピークのうち、最も黒側のピークであるピークＰ１が画像認識の確度のうえで重要であることを本発明者らは見出した。
【００３４】
式（１）に示した比｛(P1+P3)/2｝/P2は、ポリイミド層の光学特性を示す材料の固有値である。従来の画像の評価であるコントラストによる評価は輝度の比率のみに着目する方法であるが、本発明の評価方法では、輝度分布のうち、頻度に着目して評価することに特徴がある。また、アルミ配線に起因する複数のピークのうち、いずれのピークに着目すべきかが明らかにされているため、より実用的な評価が可能となる。
【００３５】
更に、本発明者らは、各種のポリイミド種、ポリイミドフィルム厚さ、表面粗度を有する材料を評価した結果、上記式（１）によって得られる値が９以上、好ましくは１１以上である場合に、ＩＣチップボンダー（撮像対象物）においてアライメントが可能であることを見出した。
【００３６】
また、本発明におけるポリイミド層については、好ましくはポリイミド前駆体樹脂溶液を導体層に塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたものであるのがよい。また、好ましくは熱可塑性ポリイミド樹脂を有するポリイミドフィルム、あるいは熱硬化性ポリイミドフィルムを有するポリイミドフィルムによって形成されたものであるのがよい。
【００３７】
上記ポリイミド層のうち、ポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されたものが最も適するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３８】
ポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布した後、乾燥・硬化することにより形成されるポリイミド層については、公知のジアミンと酸無水物とを溶媒の存在下で重合して製造することができる。
【００３９】
用いられるジアミンとしては、例えば、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、2'-メトキシ4,4'-ジアミノベンズアニリド、1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、2,2'-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジヒドロキシ-4,4'-ジアミノビフェニル、4,4'ジアミノベンズアニリド等が挙げられる。また、酸無水物としては、例えば、無水ピロメリット酸、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,4',3,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸無水物が挙げられる。ジアミン、酸無水物はそれぞれ、その１種のみを使用してもよく2種以上を併用して使用することもできる。
【００４０】
溶媒は、ジメチルアセトアミド、ｎ-メチルピロリジノン、2-ブタノン、ジグライム、キシレン等が挙げられ、1種若しくは2種以上併用して使用することもできる。
【００４１】
ポリイミド前駆体樹脂溶液を塗布してポリイミド層を形成する場合、ポリイミド前駆体樹脂溶液を前駆体状態で導体層上に直接塗布して形成することが好ましく、重合された樹脂粘度を500cps〜35,000cpsの範囲とすることが好ましい。塗布された樹脂液は熱処理されるが、熱処理は100℃〜150℃を2分〜4分大気中で熱処理し、その後、真空加熱で室温→340℃→室温処理を9時間ほど行なうのがよい。このようにして形成するポリイミド層は、単層のみから形成してもよく、複数層から形成してもよい。すなわち、ポリイミド層を複数層から形成する場合、ポリイミド層の上に異なる構成成分からなる他のポリイミド樹脂を順次塗布して形成してもよい。ポリイミド層が３層以上からなる場合、同一の構成のポリイミド樹脂を２回以上使用してもよい。
【００４２】
本発明の積層体は、上述したように、導体層上にポリイミド樹脂を塗布することにより製造することができるが、１層以上のポリイミドフィルムを導体層にラミネートして製造することもできる。
また、導体層はポリイミド層の片面のみに設けられていてもよく、両面に設けられていてもよい。すなわち、例えば導体層が銅箔である場合には、ポリイミド層の片面のみに銅箔を有する片面銅張り積層体としてもよく、また、ポリイミド層の両面に銅箔を有する両面銅張り積層体としてもよい。このような両面銅張り積層体は、片面銅張り積層体を形成した後、銅箔を熱プレスにより圧着する方法、2枚の銅箔の間にポリイミドフィルムを挟み熱プレスにより圧着する方法等を例示することができる。
【００４３】
また、本発明における積層体は高密度実装を目的とするために、エッチング加工やドライバチップ実装工程において、温度変化や吸湿脱湿に伴う寸法の変化が小さいことが要求される。そこで、ポリイミド層については、湿度線膨張率が2.0×10-5cm/cm/℃以下であり、かつ熱線膨張率が5.0×10-5cm/cm/℃以下であることが好ましい。
【００４４】
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明する。
【００４５】
下記の実施例において用いられる略語は、次の通りである。
PMDA・・・・・無水ピロメリット酸
BPDA・・・・・3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸
MT・・・・・・4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル
BAPP・・・・・2,2'-ビス[4-（4‐アミノフェノキシ）フェニル]プロパン
TPE・・・・・1,3-ビス（4‐アミノフェノキシ）ベンゼン
DMAc・・・・・ジメチルアセトアミド
【００４６】
積層体の作成にあたり、下記３種類の銅箔を準備した。
1）三井金属鉱業（株）製ＮＡ−ＶＬＰ箔１８μｍ
2）ジャパンエナジー（株）製ＢＨＹ箔１８μｍ
3）三井金属鉱業（株）製ＮＳ−ＶＬＰ箔１８μｍ
【００４７】
［合成例1］
DMAc425gに、MT18.719gおよびDAＰE11.760gを1Lのセパラブルフラスコの中で撹拌しながら溶解させた。次に、PMDA25.305gとBPDA8.532gをこの溶液に少しずつ投入して、重合反応をおこなった。その結果、高粘度のポリイミド前駆体溶液Aを得た。B型粘度計で、粘度を測定した結果、23℃で255ポイズであった。
【００４８】
［合成例２］
DMAc425gにBAPP43.150gを溶解させた後、この溶液に、PMDA19.087gとBPDA4.543gを投入して、重合反応をおこなった。その結果、高粘度のポリイミド前駆体溶液Bを得た。粘度を測定した結果、23℃で40ポイズであった。
【実施例１】
【００４９】
電解銅箔NA-VLP（三井金属鉱業（株）製）のポリイミド層と接することとなる面の表面粗度をＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４「表面粗さの定義と表示」の５．１十点平均荒さの定義に基づき、触針式表面粗度計ＫＬＡテンコール社製Ｐ−１５にて、測定長０．８ｍｍ、測定速度２０μｍ/秒、荷重２ｇにてＲｚを測定した。その結果、Ｒｚは０．８μｍであった。
【００５０】
合成例で得られたポリイミド前駆体溶液Bを縦３００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚さ18μｍの電解銅箔NA-VLP（三井金属鉱業（株）製）上にイミド転化後のポリイミドの厚みが4μｍになるようにバーコートした。その後、130℃で5min乾燥した。次に乾燥したこのポリイミドの上に、積層するようにポリイミド前駆体溶液Aを、イミド転化後のポリイミドの厚みが32μｍになるようにバーコートして、130℃で5min乾燥した。さらに同様に、このポリイミドの上にポリイミド前駆体溶液Bをイミド転化後の厚みが4μmになるようにバーコートして、130℃で5min乾燥した。
次いで、上記で得たものを真空恒温槽に投入して200℃で30min、300℃で30min、350℃で30min熱処理をして、ポリイミド層の厚みが40μｍの無接着剤銅張積層体を得た。
【００５１】
この無接着剤銅張積層体を硫酸濃度５．０ｇ／Ｌ、過酸化水素５０ｇ／Ｌ、銅濃度２０ｇ／Ｌのエッチング液にて、全面を均一に１分間シャワーリングし、導体層（銅箔）の厚みが８．０μｍ、ポリイミド層の厚みが40μｍである実施例１に係る無接着剤銅張積層体を得た。
【００５２】
この実施例１に係る無接着剤銅張積層体における銅箔の表面の表面粗さを前述のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４に従い同様に測定したところ、Ｒｚは１．５μｍであった。
【００５３】
上記で得られた実施例１に係る無接着剤銅張積層体を塩化第二鉄溶液にて２分間シャワーリングし、更に水洗及び１０５℃にて３０分間乾燥することで銅箔を全面的にエッチングして取り除き、ポリイミドフィルムを得た。
【００５４】
このポリイミドフィルムの銅箔をエッチングして除去した面と反対側の面から１ｍｍの距離に縦２０ｍｍ×横２ｍｍのシリコンウエハ上にアルミニウム配線が設けられたドライバＩＣチップを配置し、上記ポリイミドフィルムを通じてドライバＩＣチップの表面を撮影した。
撮像には、東京電子工業（株）製ＣＣＤ白黒カメラＣＳ８６２０ｉ（４１万画素）を用いた。また、レンズ部は、（株）モリテックス製ズームレンズＭＬ−Ｚ０７５４５Ｄ−ＰＬ（倍率０．７５倍〜４．５倍、同軸落射照明機能付き）を用いた。照明装置は、（株）モリテックス製リングライトガイドＭＳＧ３１−１０００Ｓと（株）モリテックス製ストレートラインＭＳＧ４−１１００Ｓ及び（株）モリテックス製光源ユニットＭＨＦ−Ｇ１５０ＬＲを用いた。図２に得られた画像を示す。尚、図２において、中央に写された十字がアルミ配線であり、その他の部分がシリコンウエハである。
【００５５】
さらにこの画像の明度分布を三谷商事（株）製画像解析ソフトＷｉｎＲＯＯＦにて解析し、図３に示したヒストグラムを得た。
【００５６】
図３のヒストグラムでは、輝度９４〜１１５にかけてアルミ配線に起因するピークが示された。また、輝度１８０にシリコンウエハに起因するなだらかなピークが示された。アルミ配線に起因するピークのうち、最も黒側に位置するピークは１１５であって、その頻度は１３６であり、シリコンウエハのピークの頻度は３３であった。また、各々のピークの間に輝度１３８〜１４２において極小値を示し、その頻度は７であった。この結果、[（Ｐ１＋Ｐ３）／２]／Ｐ２は、[（１３６＋３３）／２]／７＝１２．１であった。
【００５７】
新川（株）製ボンダー機ＩＬＴ−１１０を用いて、上記ポリイミドフィムルと試験用に準備したドライバＩＣチップを１００μｍの距離を保った状態で保持し、ボンダー機に装備された位置合わせ用のＣＣＤカメラを用いて、模擬チップ上の２００μｍの大きさの検査パターンを観察したところ、良好な画像が得られ、アライメントが可能であることが確認された。
【００５８】
また、得られたポリイミドフィルムに、互いの距離が２００ｍｍ離れた位置となるように測長用の打ち抜き穴を２箇所設けた。この穴間距離を２３℃３０％ＲＨ及び２３℃７０％ＲＨにて測定した。（７０％ＲＨにおける距離−３０％ＲＨにおける距離）／（７０−３０）より、湿度膨張係数を求めたところ、８×１０-6ｃｍ／ｃｍ／％ＲＨであった。
【００５９】
更に、得られたポリイミドフィルムを幅３ｍｍ、長さ１５ｍｍに切り出し、セイコー電子工業製ＴＭＡ１００を用い、３００℃まで加熱後の２５０℃から１００℃まで冷却する際のサンプル長を測定した。（２５０℃における距離−１００℃における距離）／（２５０−１００）より、熱膨張係数を求めたところ、２０×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
【００６０】
更にまた、得られたポリイミドフィルムを石英板に張り、光線透過率を日立製作所（株）製分光光度計U-3410測定したところ、６００ｎｍにおいて８３％であった。
上記の結果を表１に示す。
【００６１】
［比較例１］
ジャパンエナジー（株）製ＢＨＹ箔１８μｍのポリイミド層と接することとなる面の表面粗さを実施例１と同様に測定したところ、Ｒｚは０．８μｍであった。
このジャパンエナジー（株）製ＢＨＹ箔（縦３００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚さ18μｍ）上に、合成例で得られたポリイミド前駆体溶液を実施例１と同様に塗布し、乾燥及び硬化させて、ポリイミド層の厚みが40μmの無接着剤銅張積層体を得た。
【００６２】
上記無接着剤銅張積層体を実施例１と同様に硫酸過酸化水素混合液にて全面を均一にエッチングし、導体層（銅箔）の厚さが８．０μｍ、ポリイミド層の厚みが40μｍである比較例１に係る無接着剤銅張積層体を得た。この比較例１に係る無接着剤銅張積層体における銅箔の表面の表面粗さを実施例１と同様にして測定した結果、Ｒｚは２．５μｍであった。
【００６３】
上記で得られた比較例１に係る無接着剤銅張積層体について、実施例１と同様にして、塩化第二鉄溶液にてシャワーリングを行い、銅箔を取り除いてポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを用いて、実施例１と同様にしてドライバＩＣチップ表面を撮影した。得られた画像を図４に示す。
【００６４】
さらにこの画像の明度分布を実施例１と同様にして解析し、図５に示すヒストグラムを得た。
【００６５】
図５のヒストグラムでは、輝度１０３〜１１５にかけてアルミ配線に起因するピークを示した。また、輝度１２１にシリコンウエハに起因するなだらかなピークを示した。アルミ配線に起因するピークのうち、最も黒側に位置するピークは１１５であり、その頻度は２５０であって。シリコンウエハのピークの頻度は９１であった。また、各々のピークの間に輝度１１９において極小値を示し、その頻度は６１であった。この結果、[（Ｐ１＋Ｐ３）／２]／Ｐ２は、２．８０であった。
【００６６】
上記ポリイミドフィルムについて、新川（株）製ボンダー機ＩＬＴ−１１０を用いて、実施例１と同様にして検査パターンを観察したところ、良好な画像が得られず、アライメントは不可であった。
【００６７】
また、得られたフィルムの湿度膨張係数を実施例１と同様にして求めたところ、８×１０-6ｃｍ／ｃｍ／％ＲＨであった。更に、得られたフィルム熱膨張係数を実施例１と同様にして求めたところ、２０×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。更にまた、得られたポリイミドフィルムを石英板に張り、光線透過率を日立製作所（株）製分光光度計U-3410測定したところ、６００ｎｍにおいて６９％であった。
上記の結果を表１に示す。
【００６８】
［比較例２］
三井金属鉱業（株）製ＮＳ−ＶＬＰ箔１８μｍのポリイミド層と接することとなる面の表面粗さを実施例１と同様に測定したところ、Ｒｚは０．８μｍであった。
この三井金属鉱業（株）製ＮＳ−ＶＬＰ箔（縦３００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚さ18μｍ）上に、合成例で得られたポリイミド前駆体溶液を実施例１と同様に塗布し、乾燥及び硬化させて、ポリイミド層の厚みが40μmの無接着剤銅張積層体を得た。
【００６９】
この無接着剤銅張積層体を実施例１と同様に硫酸過酸化水素混合液にて全面を均一にエッチングし、導体層（銅箔）の厚さが８．０μｍ、ポリイミド層の厚みが40μｍである比較例２に係る無接着剤銅張積層体を得た。この比較例２に係る無接着剤銅張積層体における銅箔の表面の表面粗さを実施例１と同様にして測定した結果、Ｒｚは１．５μｍであった。
【００７０】
上記で得られた比較例２に係る無接着剤銅張積層体について、実施例１と同様にして、塩化第二鉄溶液にてシャワーリングを行い、銅箔を取り除いてポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを用いて、実施例１と同様にしてドライバＩＣチップ表面を撮影した。得られた画像を図６に示す。
【００７１】
さらにこの画像の明度分布を実施例１と同様にして解析し、図７に示すヒストグラムを得た。
【００７２】
図７のヒストグラムでは、輝度１０３〜１１６にかけてアルミ配線に起因するピークを示した。また、輝度１５９にシリコンウエハに起因するなだらかなピークを示した。アルミ配線に起因するピークのうち、最も黒側に位置するピークは１１６であり、その頻度は１６１であった。シリコンウエハのピークの頻度は４７であった。また、各々のピークの間に輝度１３３において極少値を示し、その頻度は１１であった。この結果、[（Ｐ１＋Ｐ３）／２]／Ｐ２は、７.４１であった。
【００７３】
上記ポリイミドフィルムについて、新川（株）製ボンダー機ＩＬＴ−１１０を用いて、実施例１と同様にして検査パターンを観察したところ、良好な画像が得られず、アライメントは不可であった。
【００７４】
また、得られたポリイミドフィルムの湿度膨張係数を実施例１と同様にして求めたところ、８×１０-6ｃｍ／ｃｍ／％ＲＨであった。更に、得られたフィルム熱膨張係数を実施例１と同様にして求めたところ、２０×１０-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。更にまた、得られたポリイミドフィルムを石英板に張り、光線透過率を日立製作所（株）製分光光度計U-3410測定したところ、６００ｎｍにおいて７５％であった。
上記の結果を表１に示す。
【００７５】
【表１】
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【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】図１は、導体層をエッチングして露出したポリイミド層を透過して撮像対象物を撮影して得られる明度分布のヒストグラムの概要を示す。
【図２】図２は、実施例１に係るポリイミドフィルムを通してドライバＩＣチップを撮像した画像を示す。
【図３】図３は、図２の画像の明度分布を解析して得られたヒストグラムを示す。
【図４】図４は、比較例１に係るポリイミドフィルムを通してドライバＩＣチップを撮像した画像を示す。
【図５】図５は、図４の画像の明度分布を解析して得られたヒストグラムを示す。
【図６】図６は、比較例２に係るポリイミドフィルムを通してドライバＩＣチップを撮像した画像を示す。
【図７】図７は、図６の画像の明度分布を解析して得られたヒストグラムを示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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