(57)【要約】      （修正有）【課題】青色として優れた色純度を与える新規材料、ならびにこれを用いた発光素子、並びに発光装置の提供。【解決手段】ナフタレン骨格が少なくとも３つ以上連続して結合している、例えば下式（６４）で表わされるオリゴナフタレン誘導体。2006151966.tif 000045該オリゴナフタレン誘導体は、非常にバンドギャップが大きく、非常に短波長の発光が可能であり、色純度の良い青色発光を得ることができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
【化１】
2006151966.tif 000033
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（２）または一般式（３）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（４）または一般式（５）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（６）または一般式（７）で表される置換基であり、Ｒ２は水素原子を表し、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項２】
一般式（８）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
【化２】
2006151966.tif 000034
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（９）または一般式（１０）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（１１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１２）または一般式（１３）で表される置換基であり、Ｒ２は水素原子を表し、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項３】
一般式（１４）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
【化３】
2006151966.tif 000035
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（１５）または一般式（１６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１７）または一般式（１８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項４】
一般式（１９）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
【化４】
2006151966.tif 000036
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（２０）または一般式（２１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２２）または一般式（２３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項５】
一般式（２４）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
【化５】
2006151966.tif 000037
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（２５）または一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２７）または一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項６】
一般式（２９）で表されるオリゴナフタレン誘導体。
【化６】
2006151966.tif 000038
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（３０）または一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（３２）または一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、最大発光波長が３５０〜４５０ｎｍの間にあるオリゴナフタレン誘導体。
【請求項８】
一対の電極間に発光物質を含む層を有し、前記発光物質を含む層は、一般式（１）で示されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
【化７】
2006151966.tif 000039
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（２）または一般式（３）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（４）または一般式（５）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（６）または一般式（７）で表される置換基であり、Ｒ２は水素原子を表し、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項９】
一対の電極間に発光物質を含む層を有し、前記発光物質を含む層は、一般式（８）で示されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
【化８】
2006151966.tif 000040
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（９）または一般式（１０）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（１１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１２）または一般式（１３）で表される置換基であり、Ｒ２は水素原子を表し、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項１０】
一対の電極間に発光物質を含む層を有し、前記発光物質を含む層は、一般式（１４）で示されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
【化９】
2006151966.tif 000041
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（１５）または一般式（１６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１７）または一般式（１８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項１１】
一対の電極間に発光物質を含む層を有し、前記発光物質を含む層は、一般式（１９）で示されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
【化１０】
2006151966.tif 000042
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（２０）または一般式（２１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２２）または一般式（２３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項１２】
一対の電極間に発光物質を含む層を有し、前記発光物質を含む層は、一般式（２４）で示されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
【化１１】
2006151966.tif 000043
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（２５）または一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２７）または一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項１３】
一対の電極間に発光物質を含む層を有し、前記発光物質を含む層は、一般式（２９）で示されるオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする発光素子。
【化１２】
2006151966.tif 000044
（式中、ｎは１であり、Ａｒ１は、一般式（３０）または一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（３２）または一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環のいずれかを表す。）
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光材料に関する。また、一対の電極と、電界を加えることで発光が得られる発光物質を含む層と、を有する発光素子に関する。また、このような発光素子を有する発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光材料を用いた発光素子は、薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有しており、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。また、発光素子をマトリクス状に配置した発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると言われている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が発光層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
発光素子の発光波長は、発光素子中に含まれる発光分子の励起状態から基底状態のエネルギー差、すなわちバンドギャップによって決定される。従って、発光分子の構造を工夫することで、種々の発光色を得ることが可能である。そして光の三原色である赤、青、緑の発光が可能な発光素子を用いて発光装置とすることで、フルカラーの発光装置を作製することができる。
【０００５】
しかしながら、フルカラーの発光装置が抱える問題点は、色純度に優れた発光素子を作製することが、必ずしも容易でないことである。これは、優れた色再現性を有する発光装置を作製する為には、色純度に優れた赤、青、緑の発光素子が必要であるものの、信頼性が高く、かつ色純度に優れた発光素子の実現が困難である為である。近年の材料開発の結果、赤色、および緑色の発光素子に関しては、高い信頼性と優れた色純度が達成されているものの、特に青色の発光素子に関しては、十分な信頼性と色純度を持つ発光素子の実現には至っていないのが現状である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、青色として優れた色純度を与える新規材料、ならびにこれを用いた発光素子、並びに発光装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、下記一般式（１）で表されるオリゴナフタレン誘導体が優れた青色の色純度の発光を与えることを見いだした。
【０００８】
よって、本発明は、下記一般式（１）で表されるオリゴナフタレン誘導体を提供するものである。
【０００９】
【化１】
2006151966.tif 000002
【００１０】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（２）または一般式（３）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（４）または一般式（５）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（６）または一般式（７）で表される置換基であり、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００１１】
また、本発明は、一般式（８）で表されるオリゴナフタレン誘導体を提供するものである。
【００１２】
【化２】
2006151966.tif 000003
【００１３】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（９）または一般式（１０）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（１１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１２）または一般式（１３）で表される置換基であり、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００１４】
より好ましくは、一般式（１４）で表されるオリゴナフタレン誘導体であることが望ましい。
【００１５】
【化３】
2006151966.tif 000004
【００１６】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（１５）または一般式（１６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１７）または一般式（１８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００１７】
また、より好ましくは、一般式（１９）で表されるオリゴナフタレン誘導体であることが望ましい。
【００１８】
【化４】
2006151966.tif 000005
【００１９】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（２０）または一般式（２１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２２）または一般式（２３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００２０】
特に、一般式（２４）で表されるオリゴナフタレン誘導体であることが好ましい。
【００２１】
【化５】
2006151966.tif 000006
【００２２】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（２５）または一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２７）または一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００２３】
また、一般式（２９）で表されるオリゴナフタレン誘導体であることが好ましい。
【００２４】
【化６】
2006151966.tif 000007
【００２５】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（３０）または一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（３２）または一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００２６】
上述した本発明のオリゴナフタレン誘導体は、最大発光が３５０〜４５０ｎｍの間にあることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の発光素子は、一対の電極間に発光物質を含む層を有し、発光物質を含む層は、上述したオリゴナフタレン誘導体を含むことを特徴とする。
【００２８】
また、本発明は、上述した発光素子を有する発光装置も範疇に含めるものである。
【発明の効果】
【００２９】
本発明のオリゴナフタレン誘導体は、非常にバンドギャップが大きく、非常に短波長の発光が可能であり、色純度の良い青色発光を得ることができる。
【００３０】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体を発光素子の発光材料として用いることにより、青色として優れた色純度を与える発光素子を得ることができる。
【００３１】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体を含む層中に、本発明のオリゴナフタレン誘導体よりも小さなバンドギャップを有する発光材料（以下、ドーパントと記す）を添加し、ドーパントからの発光を得ることができる。このとき、本発明のオリゴナフタレン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有するため、比較的短波長領域に発光を有するドーパントを用いても、本発明のオリゴナフタレン誘導体からの発光ではなく、ドーパントからの発光が効率よく得られる。具体的には、４５０ｎｍあたりに最大発光波長を有する発光材料が優れた青色の色純度を示すが、このような材料をドーパントとして用いることが可能である。
【００３２】
また、本発明の材料を用いた発光素子は、優れた青色の色純度をもつため、本発明の発光素子を用いた発光装置は、優れた色再現性を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の材料について説明する。
【００３５】
本発明のオリゴナフタレン誘導体は、一般式（１）で示される構造を有するものである。
【００３６】
【化７】
2006151966.tif 000008
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（２）または一般式（３）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（４）または一般式（５）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（６）または一般式（７）で表される置換基であり、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００３７】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体は、一般式（８）で示される構造を有するものである。
【００３８】
【化８】
2006151966.tif 000009
【００３９】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（９）または一般式（１０）で表される置換基であり、Ａｒ２は一般式（１１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１２）または一般式（１３）で表される置換基であり、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００４０】
より具体的には、本発明のオリゴナフタレン誘導体は、一般式（１４）で示される構造を有する。
【００４１】
【化９】
2006151966.tif 000010
【００４２】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（１５）または一般式（１６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（１７）または一般式（１８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００４３】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体は、一般式（１９）で示される構造を有する。
【００４４】
【化１０】
2006151966.tif 000011
【００４５】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（２０）または一般式（２１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２２）または一般式（２３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００４６】
特に、一般式（２４）で示される構造を有することが好ましい。
【００４７】
【化１１】
2006151966.tif 000012
【００４８】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（２５）または一般式（２６）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（２７）または一般式（２８）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００４９】
さらに、一般式（２９）で示される構造を有することが好ましい。
【００５０】
【化１２】
2006151966.tif 000013
【００５１】
（式中、ｎは１あるいは２であり、Ａｒ１は、一般式（３０）または一般式（３１）で表される置換基であり、Ａｒ３は一般式（３２）または一般式（３３）で表される置換基であり、Ｒ１およびＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数６以下の直鎖状あるいは分岐を有するアルキル基、脂環式アルキル基、無置換あるいは置換基を有する芳香環、無置換あるいは置換基を有するヘテロ芳香環、アルコキシ基、アミノ基、シアノ基、シリル基、エステル基、カルボニル基、ハロゲンのいずれかを表す。）
【００５２】
炭素数６以下のアルキル基としては、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基などが挙げられる。
【００５３】
脂環式アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。
【００５４】
無置換あるいは置換基を有する芳香環としては、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、ピレニル基、スピロフルオレニル基などが挙げられる。
【００５５】
無置換あるいは置換を有するヘテロ芳香環としては、ピリジル基、インドリル基、カルバゾリル基、チエニル基、フリル基などが挙げられる。
【００５６】
また、一般式（１）で示されるオリゴナフタレン誘導体の具体例としては、下記の構造式（３４）〜（１４４）に示されるオリゴナフタレン誘導体を挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されない。
【００５７】
【化１３】
2006151966.tif 000014
【００５８】
【化１４】
2006151966.tif 000015
【００５９】
【化１５】
2006151966.tif 000016
【００６０】
【化１６】
2006151966.tif 000017
【００６１】
【化１７】
2006151966.tif 000018
【００６２】
【化１８】
2006151966.tif 000019
【００６３】
【化１９】
2006151966.tif 000020
【００６４】
【化２０】
2006151966.tif 000021
【００６５】
【化２１】
2006151966.tif 000022
【００６６】
【化２２】
2006151966.tif 000023
【００６７】
【化２３】
2006151966.tif 000024
【００６８】
【化２４】
2006151966.tif 000025
【００６９】
【化２５】
2006151966.tif 000026
【００７０】
本発明のオリゴナフタレン誘導体は、ナフタレン骨格が少なくとも３つ以上連続して結合していることが特徴である。
【００７１】
本発明のオリゴナフタレン誘導体は、非常にバンドギャップが大きい。従って、本発明のオリゴナフタレン誘導体は、非常に短波長の発光が可能であり、色純度の良い青色発光を得ることができる。
【００７２】
具体的には、上述した本発明のオリゴナフタレン誘導体は、最大発光波長が３５０〜４５０ｎｍの間にあることを特徴とする。
【００７３】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体は縮合芳香環であるナフタレン骨格を有している為、高いキャリア輸送性を有する。
【００７４】
なお、本発明のオリゴナフタレン誘導体の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。
（実施の形態２）
【００７５】
本実施の形態では、本発明のオリゴナフタレン誘導体を用いた発光素子について説明する。
【００７６】
本発明における発光素子の構造は、一対の電極間に、発光物質を含む層を有するものである。なお、素子構造については、特に制限はなく、目的に応じて、公知の構造を適宜選択することができる。
【００７７】
図１に、本発明における発光素子の素子構成の一例を模式的に示す。図１に示す発光素子は、第１の電極１０１と第２の電極１０３との間に発光物質を含む層１０２を有する構成となっている。そして、発光物質を含む層１０２は、本発明のオリゴナフタレン誘導体を含んでいる。第１又は第２の電極のどちらか一方が陽極、他方が陰極として用いられる。なお、本発明における陽極とは、発光物質を含む層に正孔を注入する電極のことを示す。また、本発明における陰極とは、発光物質を含む層に電子を注入する電極のことを示す。
【００７８】
陽極としては、公知の材料を用いることができ、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したインジウム錫酸化物（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜される。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる。これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。その他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン：ＴｉＮ）等を用いることも可能である。
【００７９】
一方、陰極としては、公知の材料を用いることができ、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、元素周期律の１族または２族に属する金属、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。ただし、高い電子注入性を有する電子注入層を用いることにより、仕事関数の高い材料、すなわち、通常は陽極に用いられている材料で陰極を形成することもできる。例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ等の金属・導電性無機化合物により陰極を形成することもできる。
【００８０】
発光物質を含む層１０２には、公知の材料を用いることができ、低分子系材料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、発光物質を含む層１０２を形成する材料には、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含めるものとする。また、発光物質を含む層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層（ホールブロッキング層）、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組み合わせて構成されるが、単層で構成してもよいし、複数の層を積層させた構成としてもよい。
【００８１】
また、発光物質を含む層の作製には、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法など、湿式、乾式を問わず、用いることができる。
【００８２】
なお、本発明のオリゴナフタレン誘導体は、非常にバンドギャップが大きく、非常に短波長の発光が可能である。従って、色純度の良い青色発光が得られるため、発光層の発光材料として用いることが可能である。
【００８３】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体を含む層に、本発明のオリゴナフタレン誘導体よりも小さなバンドギャップを有する発光材料（以下、ドーパントと記す）を添加し、ドーパントからの発光を得る構成とすることができる。このとき、本発明のオリゴナフタレン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有するため、比較的短波長領域に発光を有するドーパントを用いても、本発明のオリゴナフタレン誘導体からの発光ではなく、ドーパントからの発光が効率よく得られる。具体的には、４５０ｎｍあたりに発光極大を有する発光材料が優れた青色の色純度を示すが、このような材料をドーパントとして用いることが可能である。
【００８４】
本発明のオリゴナフタレン誘導体で構成される発光層にドーパントを添加して、ドーパントからの発光を得る場合、添加する発光材料としては、蛍光発光材料、燐光発光材料のどちらも用いることができる。具体的には、クマリン誘導体、オリゴフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、スチルベン誘導体、キノロン誘導体、アクリドン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、フェナントレン誘導体などが好適である。これらのドーパントを少量、具体的には０．００１から５０ｗｔ％、好ましくは０．０３から２０ｗｔ％の割合で添加する。
【００８５】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体は、色純度の良い青色発光を得られるため、発光を示すドーパントとして用いてもよい。本発明のオリゴナフタレン誘導体を発光を示すドーパントとして用いる場合、発光層を構成するホスト材料としては、テトラアリールシラン誘導体、ベンゾフェノン誘導体、ベンゾニトリル誘導体等を用いることができる。
【００８６】
また、発光層だけでなく、発光層の陰極側、および陽極側に、異なる材料で構成される層を積層しても良い。特に、電極からのキャリア注入を促進する電子注入層、ならびに正孔注入層を発光層と陰極間、あるいは発光層と陽極間にそれぞれ設置することで、発光素子の駆動電圧の低減が達成できる。
【００８７】
正孔注入層を形成する正孔注入性材料としては公知の材料を用いることができる。具体的には、酸化バナジウムや酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウムなどの金属酸化物などが良い。あるいは、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、フタロシアニン（略称：Ｈ２−Ｐｃ）、銅フタロシアニン（略称：Ｃｕ−Ｐｃ）等を用いることができる。また、導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸（略称：ＰＳＳ）をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン（略称：ＰＥＤＯＴ）や、ポリアニリン（略称：ＰＡｎｉ）などを用いることができる。
【００８８】
電子注入層を形成する電子注入性材料としては、公知の材料を用いることができる。具体的には、フッ化カルシウムやフッ化リチウム、酸化リチウムや塩化リチウムなどのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩などが好適である。あるいは、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）やバソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの、いわゆる電子輸送性の材料にリチウムなどのドナー性化合物を添加した層も用いることができる。
【００８９】
これらの電子注入層、正孔注入層を用いることにより、キャリア注入障壁が低減し、効率よくキャリアが発光素子に注入され、その結果駆動電圧の低減が図られる。
【００９０】
さらに、キャリア注入層と発光層との間には、キャリア輸送層を設置するのが良い。これは、キャリア注入層と発光層が接すると、発光層から得られる発光の一部がクエンチされてしまい、発光効率が低下する可能性があるためである。正孔輸送層を用いる場合、正孔注入層と発光層との間に、設置される。好ましい材料としては、芳香族アミン系（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化合物である。広く用いられている材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル，その誘導体である４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−ビフェニル、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）−トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニル−アミノ］−トリフェニルアミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。
【００９１】
電子輸送層を用いる場合、発光層と電子注入層との間に設置される。相応しい材料としては、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］−キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）−（４−ヒドロキシ−ビフェニリル）−アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）−ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの典型金属錯体が挙げられる。あるいは９，１０−ジフェニルアントラセンや４，４’−ビス（２，２−ジフェニルエテニル）ビフェニルなどの炭化水素系化合物なども好適である。あるいは、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾールなどのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリンやバソキュプロインなどのフェナントロリン誘導体を用いても良い。
【００９２】
なお、本発明の形態では、発光層のみに発光に預かるドーパントが添加され、このドーパントからの発光だけが観測されるが、異なる層、例えば電子輸送層やホール輸送層に異なる発光を示すドーパントを添加しても構わない。また、この際のドーパントは、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体、アクリドン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、アントラセン誘導体、ピロン誘導体などの蛍光発光材料だけでなく、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（以下、「Ｉｒ（ｐｐｙ）３」と記す）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン−白金（以下、「ＰｔＯＥＰ」と記す）など、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、あるいは希土類金属などの燐光発光材料でも構わない。発光層から得られる発光と、上記異なる層に添加されたドーパントの発光が互いに補色の関係にある場合、白色の発光が得られる。
【００９３】
本発明のオリゴナフタレン誘導体は非常にバンドギャップが大きい。従って、本発明のオリゴナフタレンを用いる発光素子は、非常に短波長領域での発光が可能であり、色純度の良い青色発光が達成できる。
【００９４】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体を発光素子の発光材料として用いることにより、青色として優れた色純度を与える発光素子を得ることができる。
【００９５】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体を含む層中に、本発明のオリゴナフタレン誘導体よりも小さなバンドギャップを有する発光材料を添加し、ドーパントからの発光を得ることができる。本発明のオリゴナフタレン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有するため、比較的短波長領域に発光を有するドーパントを用いても、本発明のオリゴナフタレン誘導体からの発光ではなく、ドーパントからの発光が効率よく得られる。よって、色純度に優れた青色発光が得られる。
【００９６】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体は縮合芳香環であるナフタレン骨格を有している為、高いキャリア輸送性を有する。従って、発光物質を含む層のキャリア輸送層として用いてもよい。
【００９７】
（実施の形態３）
【００９８】
本実施の形態では、本発明の発光素子を有する発光装置について説明する。
【００９９】
本実施例では、画素部に本発明の発光素子を有する発光装置について図１１を用いて説明する。なお、図１１（Ａ）は、発光装置を示す上面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）をＡ−Ａ’およびＢ−Ｂ’で切断した断面図である。点線で示された６０１は駆動回路部（ソース側駆動回路）、６０２は画素部、６０３は駆動回路部（ゲート側駆動回路）である。また、６０４は封止基板、６０５はシール材であり、シール材６０５で囲まれた内側は、空間６０７になっている。
【０１００】
なお、引き回し配線６０８はソース側駆動回路６０１及びゲート側駆動回路６０３に入力される信号を伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）６０９からビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１０１】
次に、断面構造について図１１（Ｂ）を用いて説明する。素子基板６１０上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、駆動回路部であるソース側駆動回路６０１と、画素部６０２中の一つの画素が示されている。
【０１０２】
なお、ソース側駆動回路６０１はｎチャネル型ＴＦＴ６２３とｐチャネル型ＴＦＴ６２４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される。また、駆動回路を形成するＴＦＴは、公知のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施例では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に形成することもできる。
【０１０３】
また、画素部６０２はスイッチング用ＴＦＴ６１１と、電流制御用ＴＦＴ６１２とそのドレインに電気的に接続された第１の電極６１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極６１３の端部を覆って絶縁物６１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂膜を用いることにより形成する。
【０１０４】
また、被覆性を良好なものとするため、絶縁物６１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにする。例えば、絶縁物６１４の材料としてポジ型の感光性アクリルを用いた場合、絶縁物６１４の上端部のみに曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物６１４として、光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。
【０１０５】
第１の電極６１３上には、発光物質を含む層６１６、および第２の電極６１７がそれぞれ形成されている。ここで、陽極として機能する第１の電極６１３に用いる材料としては、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、ＩＴＯ膜、または珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。なお、積層構造とすると、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれ、さらに陽極として機能させることができる。
【０１０６】
また、発光物質を含む層６１６は、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法などによって形成される。発光物質を含む層６１６には、本発明のオリゴナフタレン誘導体が含まれている。また、本発明のオリゴナフタレン誘導体と組み合わせて用いる材料としては、低分子系材料、中分子材料（オリゴマー、デンドリマーを含む）、または高分子系材料であっても良い。また、発光物質を含む層に用いる材料としては、有機化合物を単層もしくは積層で用いる場合が多いが、本発明においては、有機化合物からなる膜の一部に無機化合物を用いる構成も含めることとする。
【０１０７】
本発明のオリゴナフタレン誘導体は、青色として優れた色純度を有しているため、発光材料として用いた場合、色純度の良い青色発光が得られる。そのため、本発明の発光素子を用いた発光装置は、優れた色再現性を有する。
【０１０８】
また、本発明のオリゴナフタレン誘導体はバンドギャップが大きいため、発光層の一部を構成するホスト材料として用いることができる。本発明のオリゴナフタレン誘導体は非常に大きなバンドギャップを有するため、比較的短波長に発光を有するドーパントを用いても、本発明のオリゴナフタレン誘導体からの発光ではなく、ドーパントからの発光が効率よく得られる。
【０１０９】
さらに、発光物質を含む層６１６上に形成される第２の電極（陰極）６１７に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ｍｇ、Ｌｉ、Ｃａ、またはこれらの合金や化合物ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ２、または窒化カルシウム等）を用いることが好ましい。なお、発光物質を含む層６１６で生じた光が第２の電極６１７を透過させる場合には、第２の電極（陰極）６１７として、膜厚を薄くした金属薄膜と、透明導電膜（ＩＴＯ、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化インジウム、珪素を含有したインジウム錫酸化物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いることができる。
【０１１０】
さらにシール材６０５で封止基板６０４を素子基板６１０と貼り合わせることにより、素子基板６１０、封止基板６０４、およびシール材６０５で囲まれた空間６０７に発光素子６１８が備えられた構造になっている。なお、空間６０７には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材６０５で充填される構成も含むものとする。
【０１１１】
なお、シール材６０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板６０４に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、マイラー、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１１２】
以上のようにして、本発明の発光素子を有する発光装置を得ることができる。
【実施例１】
【０１１３】
本発明の材料の一例として構造式（９４）で表される化合物、４、４’−ビス（２−ナフチル）−１、１’−ビナフチル（略称：ＤＮＢＮ２）の合成方法について説明する。
【０１１４】
【化２６】
2006151966.tif 000027
【０１１５】
４、４’−ビス（２−ナフチル）−１、１’−ビナフチル（略称：ＤＮＢＮ２）の合成スキームを（Ａ−１）に示す。
【０１１６】
【化２７】
2006151966.tif 000028
【０１１７】
４、４’―ジブロモ−１、１’−ビナフチル（１．６５ｇ、４ｍｍｏｌ）、２−ナフチルボロン酸（１．７２ｇ、１０ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム（８９ｍｇ、０．４ｍｍｏｌ）、トリス（２−メチルフェニル）ホスフィン（９１０ｍｇ、３ｍｍｏｌ）をエチレングリコールジメチルエーテル９０ｍＬに懸濁させた。この懸濁液に２Ｎ−炭酸カリウム水溶液７．２ｍＬを加え、９０℃にて４時間半撹拌を行った。この反応混合物をろ過し、ろ過により得られた固体をメタノールで洗浄した。この固体をクロロホルム約２００ｍＬに懸濁させ、ろ過によってろ液を得た。このろ液を濃縮し、ここに酢酸エチルを加え超音波を当てることで、標記化合物（ＤＮＢＮ２）を析出させた。析出してきたＤＮＢＮ２をろ過によってろ取した（１．５ｇ、収率７４％）。精製は昇華精製によって行った。ＮＭＲデータを以下に示す。１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝７．３１−７．３７（ｍ、２Ｈ）、７．４０−７．４５（ｍ、２Ｈ）、７．５４−７．６７（ｍ、１０Ｈ）、７．７４−７．７７（ｍ、２Ｈ）、７．９２−８．０８（ｍ、１０Ｈ）：１３Ｃ−ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ＝１２５．９、１２６．０、１２６．１、１２６．４、１２６．５、１２６．８、１２７．１、１２７．６、１２７．８、１２７．８、１２８．２、１２８．６、１２９．０、１３２．１、１３２．８、１３３．４、１３３．６、１３８．４、１３８．５、１４０．２。また、得られたＤＮＢＮ２の１Ｈ  ＮＭＲのチャートを図５に、１３Ｃ  ＮＭＲのチャートを図６に示す。
【０１１８】
ＤＮＢＮ２は白色粉末であり、得られたＤＮＢＮ２の熱重量測定−示差熱分析（ＴＧ−ＤＴＡ：Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｙ−Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）を行った。なお、測定には示差熱熱重量同時測定装置（セイコー電子工業株式会社製，ＴＧ／ＤＴＡ  ３２０型）を用い、窒素雰囲気下、１０℃／ｍｉｎの昇温速度で熱物性を評価した。その結果、重量と温度の関係（熱重量測定）から、常圧下で、測定開始時における重量に対し９５％以下の重量になる温度は３６５℃であった。
【０１１９】
また、ＤＮＢＮ２のトルエン溶液およびＤＮＢＮ２の薄膜状態における吸収スペクトルを測定した。最大吸収波長はそれぞれ３１０ｎｍ、３２０ｎｍであった。また、ＤＮＢＮ２のトルエン溶液およびＤＮＢＮ２の薄膜の発光スペクトルを図２に示す。図２において横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は発光強度（任意単位）を表す。最大発光波長は、トルエン溶液の場合では４２０ｎｍ（励起波長３３０ｎｍ）、薄膜の場合ではそれぞれ４２８ｎｍ（励起波長３００ｎｍ）であり、短波長の発光が得られることが分かった。
【０１２０】
また、ＤＮＢＮ２の薄膜状態におけるＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位の測定を行った。ＨＯＭＯ準位の値は、光電子分光装置（理研計器（株）製、ＡＣ−２）を用いて測定したイオン化ポテンシャルの値を、負の値に換算することにより得た。また、ＬＵＭＯ準位の値は、薄膜状態の吸収端をエネルギーギャップとし、ＨＯＭＯ準位の値に加算することにより得た。その結果、ＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位はそれぞれ−５．８３ｅＶ、−２．５３ｅＶであり、３．３ｅＶという非常に大きなバンドギャップを示した。
【実施例２】
【０１２１】
本発明の材料の一例として構造式（３４）で表される化合物、１，５−ジ（２−ナフチル）ナフタレン（略称：ＤＮＮ１）の合成方法について説明する。
【０１２２】
【化２８】
2006151966.tif 000029
【０１２３】
１，５−ジ（２−ナフチル）ナフタレン（略称：ＤＮＮ１）の合成スキームを（Ａ−２）に示す。
【０１２４】
【化２９】
2006151966.tif 000030
【０１２５】
１，５−ジアミノナフタレン３ｇの氷酢酸（２５ｍＬ）溶液に、ＮａＮＯ２（３ｇ）の濃硫酸（２５ｍＬ）溶液を０℃でゆっくりと滴下した。滴下終了後、反応混合物を０℃で１５分撹拌した。反応混合物を尿素２５０ｍｇを含む５０ｇの氷にゆっくりと加えた後、さらにＫＩ（ヨウ化カリウム）（１００ｇ）の水溶液（１００ｍＬ）をゆっくりと滴下した。滴下終了後、反応溶液を室温で一晩攪拌した。析出した固体を吸引ろ過により回収し、真空乾燥した後、固体をジクロロメタンで抽出し、ジクロロメタン可溶部を濃縮した。こうして得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（ヘキサン：ジクロロメタン＝３：１）で精製し、ジクロロメタン／ヘキサンにより再結晶を行なったところ１，５−ジヨードナフタレンを淡黄色のパウダー状固体として２．３ｇ（収率３２％）得た。ＮＭＲデータを以下に示す。１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３）：δ＝８．１６−８．１２（ｍ，  ４Ｈ），  ７．２５  （ｄ，  ２Ｈ，  Ｊ＝７．８  Ｈｚ）。また、得られた１，５−ジヨードナフタレンの１Ｈ  ＮＭＲのチャートを図７に示す。
【０１２６】
得られた１，５−ジヨードナフタレン２．０ｇ  （５．３ｍｍｏｌ）、ナフチル−２−ボロン酸  ２．０ｇ  （１１．６ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム２７ｍｇ（０．０５３ｍｍｏｌ）、トリ（２−トリル）ホスフィン６７ｍｇ（０．２１ｍｍｏｌ）、を１００ｍｌ三口フラスコに入れ、窒素気流下にした後エチレングリコールジメチルエーテル２０ｍｌを加えた。２Ｎ−炭酸カリウム水溶液１０ｍｌを加え、８０℃で４時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を水で３回洗浄し、水層をトルエンで３回抽出した。有機層と合わせて飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥し、自然ろ過後、ろ液を濃縮した。こうして得られた固体をアルミナカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、トルエンで再結晶した所、目的物であるＤＮＮ１を無色プレート状結晶として１．８ｇ、収率９０％で得た。ＮＭＲデータを以下に示す。１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３）：δ＝８．００−７．９１（ｍ，  １０Ｈ），  ７．７０−７．６７  （ｍ，  ２Ｈ），  ７．５９−７．４７  （ｍ，  ８Ｈ）。また、得られたＤＮＮ１の１Ｈ  ＮＭＲのチャートを図８に示す。
【０１２７】
得られたＤＮＮ１について、実施例１と同様な測定を行ったところ、薄膜状態における最大吸収波長は２５５ｎｍであった。また、図３に示すように、薄膜状態における最大発光波長は３８４ｎｍであり、短波長の発光が得られることが分かった。また、融点は２３７℃であった。ＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位はそれぞれ−５．７４ｅＶ、−２．６２ｅＶであり、３．１ｅＶという非常に大きなバンドギャップを示した。
【実施例３】
【０１２８】
本発明の材料の一例として構造式（６４）で表される化合物、１，４−ジ（２−ナフチル）ナフタレン（略称：ＤＮＮ２）の合成方法について説明する。
【０１２９】
【化３０】
2006151966.tif 000031
【０１３０】
１，４−ジ（２−ナフチル）ナフタレン（略称：ＤＮＮ２）の合成スキームを（Ａ−３）に示す。
【０１３１】
【化３１】
2006151966.tif 000032
【０１３２】
１，４−ジブロモナフタレン５．０ｇ  （１７．５ｍｍｏｌ）、２−ナフタレンボロン酸  ６．６ｇ  （３８．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム４２ｍｇ（０．１７５ｍｍｏｌ）、トリ（２−トリル）ホスフィン２１３ｍｇ（０．７０ｍｍｏｌ）を３００ｍｌ三口フラスコに入れ、窒素気流下にした後エチレングリコールジメチルエーテル８０ｍｌを加えた。この後、２Ｎ−炭酸カリウム水溶液２０ｍｌを加え、８０℃で４時間撹拌した。反応終了後、反応溶液を水で３回洗浄し、水層をトルエンで３回抽出した。有機層と合わせて飽和食塩水で洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥し、自然ろ過、濃縮した。得られた固体をアルミナカラムクロマトグラフィー（トルエン）により精製し、得られた溶液を濃縮して、得られた固体をトルエンで再結晶した所、目的物（つまり、ＤＮＮ２）の無色プレート状結晶を５．３ｇ、収率８０％で得た。ＮＭＲデータを以下に示す。１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３）：δ＝８．０５−７．９２（ｍ，  １０Ｈ），  ７．２３−７．６９  （ｍ，  ２Ｈ），  ７．６１  （ｓ，  ２Ｈ），  ７．５８−７．５５  （ｍ，  ４Ｈ），  ７．４７−７．４３  （ｍ，  ２Ｈ）。また、得られたＤＮＮ２の１Ｈ  ＮＭＲのチャートを図９に示す。
【０１３３】
得られたＤＮＮ２について、実施例１と同様な測定を行ったところ、薄膜状態における最大吸収波長は２９６ｎｍであった。また、図４に示すように、薄膜状態における最大発光波長は４０８ｎｍであり、短波長の発光が得られることが分かった。また、融点は２３７℃であった。ＨＯＭＯ準位、ＬＵＭＯ準位はそれぞれ−５．８５ｅＶ、−２．６３ｅＶであり、３．２ｅＶという非常に大きなバンドギャップを示した。
【実施例４】
【０１３４】
本実施例では、構造式（９４）で示されるＤＮＢＮ２を用いた発光素子について図１０を用いて説明する。
【０１３５】
まず、第１の電極１０１として珪素を含有したインジウム錫酸化物を形成する。その上に、正孔注入層１１１として機能する４、４’−ビス［Ｎ−｛４−（Ｎ、Ｎ−ビス（３−メチルフェニル）アミノ）フェニル｝Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）を５０ｎｍの膜厚で成膜した。
【０１３６】
このＤＮＴＰＤ膜上に、正孔輸送層１１２として４，４’―ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を３０ｎｍの膜厚で成膜した。これらの膜は、いずれも真空蒸着法によって成膜した。
【０１３７】
このＮＰＢ膜上に、ＤＮＢＮ２と２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）を共蒸着によって成膜した。この膜は発光層１１３であり、膜厚は４０ｎｍである。また、ＴＢＰはＤＮＢＮ２に対して１ｗｔ％の濃度である。
【０１３８】
この発光層１１３上に電子輸送層１１４としてＡｌｑを２０ｎｍ、さらに電子注入層１１５としてフッ化カルシウムを１ｎｍの膜厚で成膜し、最後に第２の電極１０３として機能するＡｌを１００ｎｍ成膜して発光素子を作製した。
【０１３９】
作製した発光素子に電流を流したところ、ＣＩＥ色度座標（ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１２）である青色として優れた色純度の発光が得られた。
【実施例５】
【０１４０】
本実施例では、構造式（３４）で示されるＤＮＮ１を用いた発光素子について図１０を用いて説明する。
【０１４１】
まず、第１の電極１０１として珪素を含有したインジウム錫酸化物を形成する。その上に、正孔注入層１１１として機能する銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２０ｎｍの膜厚で成膜した。
【０１４２】
このＣｕＰｃ膜上に、正孔輸送層１１２として４，４’―ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を４０ｎｍの膜厚で成膜した。これらの膜は、いずれも真空蒸着法によって成膜した。
【０１４３】
このＮＰＢ膜上に、ＤＮＮ１と２−ｔ−ブチル−９、１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）を共蒸着によって成膜した。この膜は発光層１１３であり、膜厚は４０ｎｍである。また、ｔ−ＢｕＤＮＡとＤＮＮ１の重量比は１：１である。
【０１４４】
この発光層１１３上に電子輸送層１１４としてＡｌｑを２０ｎｍ、さらに電子注入層１１５としてフッ化カルシウムを１ｎｍの膜厚で成膜し、最後に第２の電極１０３として機能するＡｌを１００ｎｍ成膜して発光素子を作製した。
【０１４５】
作製した発光素子に電流を流したところ、ＣＩＥ色度座標（ｘ＝０．１６、ｙ＝０．１６）である青色として優れた色純度の発光が得られた。
【実施例６】
【０１４６】
本実施例では、構造式（６４）で示されるＤＮＮ２を用いた発光素子について図１０を用いて説明する。
【０１４７】
まず、第１の電極１０１として珪素を含有したインジウム錫酸化物を形成する。その上に、正孔注入層１１１として機能する銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２０ｎｍの膜厚で成膜した。
【０１４８】
このＣｕＰｃ膜上に、正孔輸送層１１２として４，４’―ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を４０ｎｍの膜厚で成膜した。これらの膜は、いずれも真空蒸着法によって成膜した。
【０１４９】
このＮＰＢ膜上に、ＤＮＮ２と２−ｔ−ブチル−９、１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）を共蒸着によって成膜した。この膜は発光層１１３であり、膜厚は４０ｎｍである。また、ｔ−ＢｕＤＮＡとＤＮＮ２の重量比は１：１である。
【０１５０】
この発光層１１３上に電子輸送層１１４としてＡｌｑを２０ｎｍ、さらに電子注入層１１５としてフッ化カルシウムを１ｎｍの膜厚で成膜し、最後に第２の電極１０３として機能するＡｌを１００ｎｍ成膜して発光素子を作製した。
【０１５１】
作製した発光素子に電流を流したところ、ＣＩＥ色度座標（ｘ＝０．１５、ｙ＝０．１２）である青色として優れた色純度の発光が得られた。
【実施例７】
【０１５２】
本実施例では、構造式（９４）で示されるＤＮＢＮ２をドーパントとして用いた発光素子について図１０を用いて説明する。
【０１５３】
まず、第１の電極１０１として珪素を含有したインジウム錫酸化物を形成する。その上に、正孔注入層１１１として機能する銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）を２０ｎｍの膜厚で成膜する。
【０１５４】
このＣｕＰｃ膜上に、正孔輸送層１１２として４，４’―ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）を４０ｎｍの膜厚で成膜する。これらの膜は、いずれも真空蒸着法によって成膜する。
【０１５５】
このＮＰＢ膜上に、ＤＮＢＮ２とテトラフェニルシラン（略称：ＴＰＳ）を共蒸着によって成膜する。この膜は発光層１１３であり、膜厚は４０ｎｍである。また、ＤＮＢＮ２とＴＰＳの重量比は１：１００である。
【０１５６】
この発光層１１３上に電子輸送層１１４としてＡｌｑを２０ｎｍ、さらに電子注入層１１５としてフッ化カルシウムを１ｎｍの膜厚で成膜し、最後に第２の電極１０３として機能するＡｌを１００ｎｍ成膜して発光素子を作製する。
【０１５７】
作製した発光素子に電流を流すことにより、ＤＮＢＮ２からの発光が得られる。
【実施例８】
【０１５８】
本実施例では、本発明の発光素子を用いて作製された発光装置をその一部に含む様々な電気機器について説明する。
【０１５９】
本発明の発光素子を有する発光装置を用いて作製された電気機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電気機器の具体例を図１２に示す。
【０１６０】
図１２（Ａ）はテレビ受像機であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。本発明のテレビ受像機は、本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９１０３に用いることにより作製される。本発明の発光装置は、本発明のオリゴナフタレン誘導体を用いているため、色純度の良い青色発光を得ることができる。そのため、色再現性が向上し、美しい画像を表示することができる。なお、テレビ受像機は、コンピュータ用、ＴＶ放送受信用、広告表示用などの全ての情報表示用装置が含まれる。
【０１６１】
図１２（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キーボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングマウス９２０６等を含む。本発明のコンピュータは、本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９２０３に用いることにより作製される。本発明の発光装置は、本発明のオリゴナフタレン誘導体を用いているため、色純度の良い青色発光を得ることができる。そのため、色再現性が向上し、美しい画像を表示することができる。
【０１６２】
図１２（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、本体９３０１、表示部９３０２、アーム部９３０３を含む。本発明のゴーグル型ディスプレイは、本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９３０２に用いることにより作製される。本発明の発光装置は、本発明のオリゴナフタレン誘導体を用いているため、色純度の良い青色発光を得ることができる。そのため、色再現性が向上し、美しい画像を表示することができる。
【０１６３】
図１２（Ｄ）は携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７、アンテナ９４０８等を含む。本発明の携帯電話は、本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９４０３に用いることにより作製される。本発明の発光装置は、本発明のオリゴナフタレン誘導体を用いているため、色純度の良い青色発光を得ることができる。そのため、色再現性が向上し、美しい画像を表示することができる。
【０１６４】
図１２（Ｅ）はカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。本発明のカメラは、本発明の発光素子を有する発光装置をその表示部９５０２に用いることにより作製される。本発明の発光装置は、本発明のオリゴナフタレン誘導体を用いているため、色純度の良い青色発光を得ることができる。そのため、色再現性が向上し、美しい画像を表示することができる。
【０１６５】
以上の様に、本発明の発光素子を有する発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電気機器に適用することが可能である。本発明の発光素子を有する発光装置を用いることにより、色再現性に優れた電気機器を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１６６】
【図１】本発明の発光素子を模式的に説明する図。
【図２】本発明のオリゴナフタレン誘導体である４、４’−ビス（２−ナフチル）−１、１’−ビナフチルの発光スペクトルを示す図。
【図３】本発明のオリゴナフタレン誘導体である１，５−ジ（２−ナフチル）ナフタレンの発光スペクトルを示す図。
【図４】本発明のオリゴナフタレン誘導体である１，４−ジ（２−ナフチル）ナフタレンの発光スペクトルを示す図。
【図５】本発明のオリゴナフタレン誘導体である４、４’−ビス（２−ナフチル）−１、１’−ビナフチルの１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図６】本発明のオリゴナフタレン誘導体である４、４’−ビス（２−ナフチル）−１、１’−ビナフチルの１３Ｃ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図７】中間体である１，５−ジヨードナフタレンの１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図８】本発明のオリゴナフタレン誘導体である１，５−ジ（２−ナフチル）ナフタレンの１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図９】本発明のオリゴナフタレン誘導体である１，４−ジ（２−ナフチル）ナフタレンの１Ｈ  ＮＭＲチャートを示す図。
【図１０】本発明の発光素子の一例を示す図。
【図１１】本発明の発光装置を説明する図。
【図１２】本発明の電気器具を説明する図。
【符号の説明】
【０１６７】
１０１    第１の電極
１０２    発光物質を含む層
１０３    第２の電極
１１１    正孔注入層
１１２    正孔輸送層
１１３    発光層
１１４    電子輸送層
１１５    電子注入層
６０１    ソース側駆動回路
６０２    画素部
６０３    ゲート側駆動回路
６０４    封止基板
６０５    シール材
６０７    空間
６０８    配線
６０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
６１０    素子基板
６１１    スイッチング用ＴＦＴ
６１２    電流制御用ＴＦＴ
６１３    第１の電極
６１４    絶縁物
６１６    発光物質を含む層
６１７    第２の電極
６１８    発光素子
６２３    ｎチャネル型ＴＦＴ
６２４    ｐチャネル型ＴＦＴ
９１０１    筐体
９１０２    支持台
９１０３    表示部
９１０４    スピーカー部
９１０５    ビデオ入力端子
９２０１    本体
９２０２    筐体
９２０３    表示部
９２０４    キーボード
９２０５    外部接続ポート
９２０６    ポインティングマウス
９３０１    本体
９３０２    表示部
９３０３    アーム部
９４０１    本体
９４０２    筐体
９４０３    表示部
９４０４    音声入力部
９４０５    音声出力部
９４０６    操作キー
９４０７    外部接続ポート
９４０８    アンテナ
９５０１    本体
９５０２    表示部
９５０３    筐体
９５０４    外部接続ポート
９５０５    リモコン受信部
９５０６    受像部
９５０７    バッテリー
９５０８    音声入力部
９５０９    操作キー
９５１０    接眼部
【図１】
2006151966.tif 000046
【図２】
2006151966.tif 000047
【図３】
2006151966.tif 000048
【図４】
2006151966.tif 000049
【図５】
2006151966.tif 000050
【図６】
2006151966.tif 000051
【図７】
2006151966.tif 000052
【図８】
2006151966.tif 000053
【図９】
2006151966.tif 000054
【図１０】
2006151966.tif 000055
【図１１】
2006151966.tif 000056
【図１２】
2006151966.tif 000057