(57)【要約】【課題】利用周波数の広帯域化、マルチバンド化に対応でき、かつ、小型化した場合でも所望の周波数帯において、減衰量を得ることができる積層型ノイズフィルタを提供する。【解決手段】コイル部を二つ直列に接続し、入力端子電極５１、直列に接続した二つのコイル部、出力端子電極５９を順に電気的に接続し、コンデンサ部のコンデンサ形成用導体５５Ａ、５５Ｂが、二つのコイル部の接続部に電気的に接続され、側面入力端子８１に一端を接続した容量形成用導体５３と、入力端子電極５１に接続されたコイル部のコイル形成用導体５２Ｄとの間に容量Ｃ０を形成し、側面入力端子８１と側面出力端子８２との間に容量ＣＩＯを形成した。【選択図】図２
2006246124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタ本体の側面に、側面入力端子、側面出力端子及び側面グランド端子を有し、前記フィルタ本体が、複数の絶縁層を積層してなり、該複数の絶縁層間に、入力端子電極、コイル形成用導体、コンデンサ形成用導体、グランド端子電極、容量形成用導体及び出力端子電極を形成してなり、
前記コイル形成用導体を表面に設けた絶縁層を複数積層して構成したコイル部を二つ直列に接続し、前記入力端子電極、前記直列に接続した二つのコイル部、前記出力端子電極を順に電気的に接続し、前記コンデンサ形成用導体を表面に設けた絶縁層と前記グランド端子電極を表面に設けた絶縁層を積層して構成したコンデンサ部のコンデンサ形成用導体が、前記直列に接続した二つのコイル部の接続部に電気的に接続され、前記フィルタ本体の側面に形成された側面入力端子と前記入力端子電極、前記フィルタ本体の側面に形成された側面出力端子と前記出力端子電極、前記フィルタ本体の側面に形成された側面グランド端子と前記グランド端子電極がそれぞれ接続されており、前記側面入力端子に一端を接続した容量形成用導体と、前記入力端子電極に接続されたコイル部のコイル形成用導体との間に容量を形成しており、さらに前記側面入力端子と前記側面出力端子との間に容量を形成することを特徴とする積層型ノイズフィルタ。
【請求項２】
側面入力端子と側面出力端子との間に形成される容量は、側面入力端子に一端を接続した容量形成用導体と出力端子電極との間に形成されることを特徴とする請求項１記載の積層型ノイズフィルタ。
【請求項３】
側面入力端子と側面出力端子との間に形成される容量は、側面出力端子に一端を接続した容量形成用導体と入力端子電極との間に形成されることを特徴とする請求項１記載の積層型ノイズフィルタ。
【請求項４】
側面入力端子と側面出力端子との間に形成される容量は、入力端子電極、出力端子電極及びコイル形成用導体のうち少なくとも一つと、フィルタ本体の側面の側面入力端子又は側面出力端子との間に形成されることを特徴とする請求項１記載の積層型ノイズフィルタ。
【請求項５】
側面グランド端子に接続したグランド容量導体を設け、該グランド容量導体と出力端子電極に接続したコイル部のコイル形成用導体との間に容量が形成されることを特徴とする請求項１乃至４のうちのいずれかに記載の積層型ノイズフィルタ。
【請求項６】
側面グランド端子に接続したグランド容量導体は、最上層又は最下層に設けられていることを特徴とする請求項５記載の積層型ノイズフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノイズ除去のためなどに使用される積層型ノイズフィルタで、積層絶縁体内の導体パターンで構成したインダクタンスとキャパシタンスとによって、特定周波数で急峻な減衰量が得られる積層型ノイズフィルタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層型ノイズフィルタ（Ｔ型ＬＣフィルタ）の電気等価回路図として、図１１に示されたものが知られている。このＬＣフィルタは入力電極と出力電極の間にコイルＬ１、Ｌ２が電気的に直列に接続され、コイルＬ１、Ｌ２の間に、グランド電極に接続されたコンデンサＣ１とインダンタンスＬＧが電気的に接続される構造となっている。コイルＬ１、Ｌ２のコイルを形成する導体間には寄生容量Ｃ０が発生する。このコイルＬ１、Ｌ２と寄生容量Ｃ０が並列共振を起こすことにより、１次の減衰極が生じることが知られている（特許文献１参照）。２次の減衰極は、容量部Ｃ１とインダクタンスＬＧが直列共振を起こすことにより生じている。
【特許文献１】特開平８−３３０１４３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年の電子機器における利用周波数の広帯域化、マルチバンド化に対応するため、複数の周波数帯において、十分な減衰量が得られるような特性も求められるようになってきている。Ｔ型ＬＣフィルタにおいてはインダクタ部の並列共振と、グランドに接続した容量部とグランドのインダクタ部の直列共振により生じる２つの減衰極が存在するが、これら２つの減衰極が生じている周波数帯域以降の高周波域では、減衰ピークがなく、マルチバンド化された携帯電話等のノイズ抑制素子としては、不十分な特性となる場合があった。
【０００４】
また、近年、電子部品の小型化が進んでおり、製品サイズの要求は年々厳しくなっていっている。製品が小型になることで、インダクタンスや容量の大きさが制限され、減衰極を周波数の低い帯域に形成することが困難になるという問題が起こっている。
【０００５】
従来、例えば、図１１に示す回路で、減衰帯域を広げる為に、２次の減衰極を１次の減衰極に近づけたい場合、グランドに接続した容量Ｃ１を大きくして、共振周波数を小さくし、２次の減衰極を低周波側に移動させるよう調整を行う。しかし、小型化の要請や、フィルタの前後に接続される回路の動作に影響を与えないようフィルタ全体の配線とグランドとの容量（図１１ではＣ１に相当する）をできる限り小さくしたいという要請から、上記のようなＣ１を大きくするという方法で問題を解決することが困難となってきている。
【０００６】
本発明は、利用周波数の広帯域化、マルチバンド化に対応でき、かつ、小型化した場合でも所望の周波数帯において、減衰量を得ることができる積層型ノイズフィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の積層型ノイズフィルタは、フィルタ本体の側面に、側面入力端子、側面出力端子及び側面グランド端子を有し、前記フィルタ本体が、複数の絶縁層を積層してなり、該複数の絶縁層間に、入力端子電極、コイル形成用導体、コンデンサ形成用導体、グランド端子電極、容量形成用導体及び出力端子電極を形成してなり、
前記コイル形成用導体を表面に設けた絶縁層を複数積層して構成したコイル部を二つ直列に接続し、前記入力端子電極、前記直列に接続した二つのコイル部、前記出力端子電極を順に電気的に接続し、前記コンデンサ形成用導体を表面に設けた絶縁層と前記グランド端子電極を表面に設けた絶縁層を積層して構成したコンデンサ部のコンデンサ形成用導体が、前記直列に接続した二つのコイル部の接続部に電気的に接続され、前記フィルタ本体の側面に形成された側面入力端子と前記入力端子電極、前記フィルタ本体の側面に形成された側面出力端子と前記出力端子電極、前記フィルタ本体の側面に形成された側面グランド端子と前記グランド端子電極がそれぞれ接続されており、前記側面入力端子に一端を接続した容量形成用導体と、前記入力端子電極に接続されたコイル部のコイル形成用導体との間に容量を形成しており、さらに前記側面入力端子と前記側面出力端子との間に容量を形成することを特徴とする。
【０００８】
このような積層型ノイズフィルタにおいては、側面入力端子と側面出力端子との間に形成される容量により、これまで存在していなかった３次の減衰極が生じるようになる。また、この容量の大きさを変化させることで、２次の減衰極を移動させることができるため、所望の周波数帯において所望の減衰量を得ることも可能となる。
【０００９】
また、側面入力端子と側面出力端子との間に形成する容量は、側面入力端子に一端を接続した容量形成用導体と出力端子電極との間に形成する、あるいは、側面出力端子に一端を接続した容量形成用導体と入力端子電極との間に形成することを特徴とする。このようなフィルタでは、容量値を容易に調整することができ、２次の減衰極を精度良く所望の周波数帯域に移動することが出来る。
【００１０】
コイル部を構成するコイル形成用導体と容量形成用導体との間に容量を形成することにより、一次の減衰極を制御することができるため、容量形成用導体以外には導体を付加する必要がなく、コイル形成導体の層数を増やす場合に比べて、層数の増加を必要最小限に抑えることができる。
【００１１】
特に、側面入力端子と側面出力端子との間に形成する容量を、側面入力端子に一端を直接接続した容量形成用導体を用いて形成することにより、また、側面入力端子と側面出力端子との間に形成する容量を、側面出力端子に一端を直接接続した容量形成導体を用いて形成することにより、ビアホール等の接続導体を通すスペースを作る必要がなく、素子の小型化が実現できる。
【００１２】
側面入力端子と側面出力端子との間に容量を形成する方法としては、フィルタ本体の側面の側面入力端子と、出力端子電極及び出力端子電極に接続されたコイル形成用導体とで容量を形成する方法、フィルタ本体の側面の側面出力端子と、入力端子電極及び入力端子電極に接続されたコイル形成用導体とで容量を形成する方法と、これらの容量を組み合わせて構成する方法とがある。この場合、入力端子電極、出力端子電極及びコイル形成用導体とフィルタ本体の側面との距離を０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度とすることが望ましい。導体パターンとフィルタ本体の側面との距離を上記のようにすることで、入力端子電極、出力端子電極及びコイル形成用導体と側面入力端子、側面出力端子との間に容量が生じ、この容量を利用して２次の減衰極を移動させることが可能である。また、この方法を用いた場合、側面入力端子に一端を接続した容量形成用導体、あるいは側面出力端子に一端を接続した容量形成用導体を設ける必要がないため、層数を変える必要がなく、小型化の観点において優れている。
【００１３】
また、本発明の積層型ノイズフィルタは、側面グランド端子に接続したグランド容量導体を設け、該グランド容量導体と出力端子電極に接続したコイル部のコイル形成用導体との間に容量が形成されることを特徴とする。
【００１４】
このような積層型ノイズフィルタにおいては、側面入力端子と側面出力端子との間に容量を形成することで、これまで存在していなかった３次の減衰極を生じさせることができるとともに、側面入力端子と側面出力端子との間に容量を形成する大きさを変化させることで、２次の減衰極を移動させることができるため、所望の周波数帯において所望の減衰量を得ることも可能となる。そして、側面グランド端子に接続したグランド容量導体と出力端子電極に接続したコイル部のコイル形成用導体との間に形成した容量を調整することにより、側面入力端子と側面出力端子との間に容量を形成することにより生じた３次の減衰極を移動させることができる。グランド容量導体の大きさを変えることで、所望の周波数帯域に減衰極を生じさせることができ、マルチバンド化、広帯域化に対応した所望のフィルタ特性を得ることができる。
【００１５】
さらに、本発明の積層型ノイズフィルタは、側面グランド端子に接続したグランド容量導体を、最上層又は最下層に設けることを特徴とする。このような積層型ノイズフィルタでは、容量ＣＩＯを形成する容量形成用導体の上層又は下層にはパターンを配置する必要が無く、他の導体との間の寄生容量成分や相互インダクタンス成分の影響を小さくすることができ安定した特性が得られる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の積層型ノイズフィルタにおいては、側面入力端子と側面出力端子の間に容量を形成することで、これまで存在していなかった３次の減衰極を生じさせることができる。また、２次の減衰極に関しては、この容量の大きさを変えることで、周波数帯域を変えることができる。更にグランド容量導体と出力端子電極の間に容量を形成し、その大きさを変えることで３次の減衰極を低周波側に発生させることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明に係る積層型ノイズフィルタの実施形態について、添付図面を参照して説明する。ここで、誘電体セラミックシート１０はアルミナ、ＢａＴｉＯ３、ＴｉＯ２等の誘電体、またはこれらの誘電体セラミックと結晶化ガラスなどの混合物から成る。また、コイル形成用導体、コンデンサ形成用導体、グランド端子電極、ビアホール導体等の導体パターンは、Ａｇを主成分とする導体材料によって構成し、側面入力端子、側面出力端子、側面グランド端子は、Ａｇを主成分とする下地導体の表面にＮｉメッキや半田メッキなどの層を形成して構成される。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は本発明の積層型ノイズフィルタの第１実施形態の外観斜視図を示すもので、その分解斜視図を図２に示す。積層型ノイズフィルタは、図２に示すように、入力端子電極５１を表面に設けた誘電体セラミックシート（絶縁層）１０と、コイル形成用導体５２Ａ〜５２Ｄをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、容量形成用導体５３とビア接続用導体５４を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コンデンサ形成用導体５５Ａ、５５Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、グランド端子電極５６とビア接続用導体５７を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５８Ａ、５８Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、出力端子電極５９を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、容量形成用導体６０を表面に設けた誘電体セラミックシート１０から構成されている。
【００１９】
なお、導体５１と５２Ａ、５２Ａと５２Ｂ、５２Ｂと５２Ｃ、５２Ｃと５２Ｄ、５２Ｄと５４、５４と５５Ａ、５５Ａと５７、５７と５５Ｂ、５５Ｂと５８Ａ、５８Ａと５８Ｂ、５８Ｂと５９はそれぞれの導体が設置されている絶縁体シートに設けられたビアホール導体を通じて、電気的に接続されている。
【００２０】
また、図１に示すように、フィルタ本体８０には、その対向する両端面に側面入力端子８１、側面出力端子８２が設けられると共に、手前側及び奥側の側面にそれぞれ側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂが設けられている。側面入力端子８１は入力端子電極５１、容量形成用導体５３、容量形成用導体６０に電気的に接続し、側面出力端子８２は出力端子電極５９に電気的に接続している。側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂはグランド端子電極５６の両端部において、電気的に接続している。
【００２１】
図３は図２で示されたパターンの電気等価回路図であるが、図３に示されるＬ１は図２中の５２Ａ〜５２Ｄによって形成されるコイルであり、Ｃ０は５２Ｄと５３との間に形成される容量である。また、Ｃ１は５５Ａと５６の間、及び５６と５５Ｂの間に形成される容量であり、ＬＧは５６に生じる微小なインダクタンス成分である。また、Ｌ２は５８Ａ、５８Ｂによって形成されるコイルであり、ＣＩＯは５９と６０の間に生じる容量である。上記に述べたコイルＬ１と容量Ｃ０によって１次の減衰極が、ＣＩＯによって２次の減衰極と３次の減衰極が形成される。
【００２２】
このような積層型ノイズフィルタは以下のようにして製造される。例えば、ＢａＴｉＯ３を主原料とするセラミック粉末にバインダー等を混合してグリーンシートを作製する。これをプレス加工してビアホールを形成し、このシートに各導体パターンとビアホール導体をＡｇを主成分とする導体ペーストで印刷方式により形成する。そして、各パターンが形成されたグリーンシートを任意の順番で積層し、プレスを行い一体化した後に所定形状にカットする。それを９００℃前後で焼成することで直方体のセラミック形状のフィルタ本体８０を作製する。このフィルタ本体８０の側面入出力端子８１、８２、側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂを、Ａｇを主成分とする導体ペーストで印刷方式または、ＤＩＰ方式を用いて形成し、焼付け処理した後、Ｎｉ、半田メッキを施し積層型ノイズフィルタが作製される。
【００２３】
このような積層型ノイズフィルタにおいては、側面入力端子と側面出力端子との間に形成される容量ＣＩＯにより、これまで存在していなかった３次の減衰極が生じるようになる。また、側面入力端子と側面出力端子との間の容量ＣＩＯの大きさを変化させることで、２次の減衰極を移動させることができるため、所望の周波数帯において所望の減衰量を得ることも可能となる。
【００２４】
また、容量ＣＩＯの形成の仕方に関しても、側面入力端子に一端を接続した容量形成導体と出力端子電極との間に形成することにより、容量値を容易に調整することができ、２次の減衰極を精度良く所望の周波数帯域に移動することが出来る。
【００２５】
このようなノイズフィルタのフィルタ特性を評価するために、Ｓパラメータ（絶対値）のシミュレーションを行った。図２の構成のノイズフィルタで、容量形成用導体６０を挿入した場合と挿入しなかった場合の特性を比較して、図４に示す。Ａが本発明を用いない場合、Ｂ、Ｃ、Ｄが本発明を用いた場合でＤ＞Ｃ＞Ｂの順にＣＩＯの値が大きい。容量形成用導体６０と出力端子電極５９に生じる容量の大きさにより、２次極の周波数帯域を調整できることが確認できる。
【００２６】
（第２実施形態）
次に、図５は本発明の第２実施形態の分解斜視図を示している。積層型ノイズフィルタは、図５に示すように、容量形成用導体６１を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、入力端子電極５１を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５２Ａ〜５２Ｄをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、容量形成用導体５３とビア接続用導体５４を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コンデンサ形成用導体５５Ａ、５５Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、グランド端子電極５６とビア接続用導体５７を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５８Ａ、５８Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、出力端子電極５９を表面に設けた誘電体セラミックシート１０から構成されている。
【００２７】
なお、導体５１と５２Ａ、５２Ａと５２Ｂ、５２Ｂと５２Ｃ、５２Ｃと５２Ｄ、５２Ｄと５４、５４と５５Ａ、５５Ａと５７、５７と５５Ｂ、５５Ｂと５８Ａ、５８Ａと５８Ｂ、５８Ｂと５９はそれぞれの導体が設置されている絶縁体シートに設けられたビアホール導体を通じて、電気的に接続されている。
【００２８】
また、この第２実施形態でも、図１に示した外観を有しており、フィルタ８０には、その対向する両端面に側面入力端子８１、側面出力端子８２が設けられると共に、手前側及び奥側の側面にそれぞれ側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂが設けられている。側面入力端子８１は入力端子電極５１、容量形成用導体５３に電気的に接続し、側面出力端子８２は出力端子電極５９、容量形成用導体６１に電気的に接続している。側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂはグランド端子電極５６の両端部において、電気的に接続している。
【００２９】
このような積層型ノイズフィルタでは、図３に示した電気等価回路を有しているが、図３に示されるＬ１は図５中の５２Ａ〜５２Ｄによって形成されるコイルであり、Ｃ０は５２Ｄと５３との間に形成される容量成分である。また、Ｃ１は５５Ａと５６の間、及び５６と５５Ｂの間に形成される容量であり、ＬＧは５６に生じる微小なインダクタンス成分である。また、Ｌ２は５８Ａ、５８Ｂによって形成されるコイルであり、ＣＩＯは６１と５１の間に生じる容量である。上記に述べたコイルＬ１と容量Ｃ０によって１次の減衰極が、ＣＩＯによって２次の減衰極と３次の減衰極が形成される。
【００３０】
このような積層型ノイズフィルタも、第１実施形態と同様にして作製できる。また、第１実施形態と同様の効果を有する。また、このような積層型ノイズフィルタでは、容量ＣＩＯを形成する容量形成用導体６１が全導体中で最上層に形成されているため、ノイズフィルタを配線基板に実装して使用する場合に、容量形成用導体と配線基板の配線との間に発生する寄生容量成分や相互インダクタンス成分の影響を小さくすることができ安定した特性が得られる。
【００３１】
（第３実施形態）
次に、図６は本発明の第３実施形態の分解斜視図を示すもので、積層型ノイズフィルタは、図６に示すように、入力端子電極５１を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５２Ａ〜５２Ｄをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、容量形成用導体５３とビア接続用導体５４を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コンデンサ形成用導体５５Ａ、５５Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、グランド端子電極５６とビア接続用導体５７を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５８Ａ、５８Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、出力端子電極５９を表面に設けた誘電体セラミックシート１０から構成されている。
【００３２】
なお、導体５１と５２Ａ、５２Ａと５２Ｂ、５２Ｂと５２Ｃ、５２Ｃと５２Ｄ、５２Ｄと５４、５４と５５Ａ、５５Ａと５７、５７と５５Ｂ、５５Ｂと５８Ａ、５８Ａと５８Ｂ、５８Ｂと５９はそれぞれの導体が設置されている絶縁体シートに設けられたビアホール導体を通じて、電気的に接続されている。
【００３３】
また、このようなノイズフィルタは図１に示したような外観を有するが、フィルタ本体８０には、その対向する両端面に側面入力端子８１、側面出力端子８２が設けられると共に、手前側及び奥側の側面にそれぞれ側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂが設けられている。側面入力端子８１は入力端子電極５１、容量形成用導体５３に電気的に接続し、側面出力端子８２は出力端子電極５９に電気的に接続している。側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂはグランド端子電極５６の両端部において、電気的に接続している。
【００３４】
このようなノイズフィルタでは、図３に示した電気等価回路を有しているが、図３に示されるＬ１は図６中の５２Ａ〜５２Ｄによって形成されるコイルであり、Ｃ０は５２Ｄと５３との間に形成される容量である。また、Ｃ１は５５Ａと５６の間、及び５６と５５Ｂの間に形成される容量であり、ＬＧは５６に生じる微小なインダクタンス成分である。また、Ｌ２は５８Ａ、５８Ｂによって形成されるコイルであり、ＣＩＯは側面入力端子８１と導体パターン５８Ｂ、５８Ａとの間に生じる容量と、側面出力端子８２と導体パターン５１、５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄとの間に生じる容量の和である。上記に述べたコイルＬ１と容量Ｃ０によって１次の減衰極が、ＣＩＯを付加したことによって２次の減衰極と３次の減衰極が形成される。
【００３５】
このような積層型ノイズフィルタも、第１実施形態と同様にして作製できる。また、第１実施形態と同様の効果を有する。また、入力端子電極、出力端子電極、又はコイル形成用導体とフィルタ本体の側面との距離を０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍとすることで、入力端子電極、出力端子電極、又はコイル形成用導体と側面入力端子又は側面出力端子との間に生じる容量を制御でき、２次の減衰極を移動させることが可能である。０．０１ｍｍ以下では、製造上の積層ズレなどによって入力端子電極、出力端子電極、又はコイル形成用導体と側面入力端子又は側面出力端子が短絡してしまう場合があり、０．２ｍｍより広い場合にはＣＩＯが小さくなりすぎるため、効果が小さい。
【００３６】
（第４実施形態）
図７は本発明の第４実施形態の分解斜視図であるが、積層型ノイズフィルタは、図７に示すように、容量形成導体６１を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、入力端子電極５１を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５２Ａ〜５２Ｄをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、容量形成用導体５３とビア接続用導体５４を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コンデンサ形成用導体５５Ａ、５５Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、グランド端子電極５６とビア接続用導体５７を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５８Ａ、５８Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、出力端子電極５９とグランド容量導体６３を表面に設けた誘電体セラミックシート１０から構成されている。
【００３７】
なお、導体５１と５２Ａ、５２Ａと５２Ｂ、５２Ｂと５２Ｃ、５２Ｃと５２Ｄ、５２Ｄと５４、５４と５５Ａ、５５Ａと５７、５７と５５Ｂ、５５Ｂと５８Ａ、５８Ａと５８Ｂ、５８Ｂと５９はそれぞれの導体が設置されている絶縁体シートに設けられたビアホール導体を通じて、電気的に接続されている。
【００３８】
また、この積層型ノイズフィルタも図１に示したような外観を有しているが、フィルタ本体８０には、その対向する両端面に側面入力端子８１、側面出力端子８２が設けられると共に、手前側及び奥側の側面にそれぞれ側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂが設けられる。側面入力端子８１は入力端子電極５１、容量形成用導体５３に電気的に接続し、側面出力端子８２は出力端子電極５９、容量形成用導体６１に電気的に接続している。側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂはグランド端子電極５６、グランド容量導体６３の両端部において、電気的に接続している。
【００３９】
図８は図７で示されたパターンの電気等価回路図であるが、図８に示されるＬ１は図７中の５２Ａ〜５２Ｄによって形成されるコイルであり、Ｃ０は５２Ｄと５３との間に形成される容量である。また、Ｃ１は５５Ａと５６の間、及び５６と５５Ｂの間に形成される容量であり、ＬＧ１は５６に生じる微小なインダクタンス成分である。また、Ｌ２は５８Ａ、５８Ｂによって形成されるコイルであり、ＣＩＯは６１と５１の間に生じる容量である。また、Ｃ２は５８Ｂと６３との間に形成される容量であり、ＬＧ２は６３に生じる微小なインダクタンス成分である。上記に述べたコイルＬ１と容量Ｃ０によって１次の減衰極が、ＣＩＯによって２次の減衰極と３次の減衰極が形成される。ＣＩＯの大きさを変えることによって、２次の減衰極の発生周波数を調整することができ、容量Ｃ２の大きさを変えることによって、３次の減衰極を低周波側に移動することができる。
【００４０】
（第５実施形態）
図９は本発明の第５実施形態の分解斜視図を示すもので、積層型ノイズフィルタは、図９に示すように、入力端子電極５１を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５２Ａ〜５２Ｄをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、容量形成用導体５３とビア接続用導体５４を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コンデンサ形成用導体５５Ａ、５５Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、グランド端子電極５６とビア接続用導体５７を表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、コイル形成用導体５８Ａ、５８Ｂをそれぞれ表面に設けた誘電体セラミックシート１０と、出力端子電極５９とグランド容量導体６３を表面に設けた誘電体セラミックシート１０から構成されている。
【００４１】
なお、導体５１と５２Ａ、５２Ａと５２Ｂ、５２Ｂと５２Ｃ、５２Ｃと５２Ｄ、５２Ｄと５４、５４と５５Ａ、５５Ａと５７、５７と５５Ｂ、５５Ｂと５８Ａ、５８Ａと５８Ｂ、５８Ｂと５９はそれぞれの導体が設置されている絶縁体シートに設けられたビアホール導体を通じて、電気的に接続されている。
【００４２】
また、このノイズフィルタも図１に示したように、フィルタ本体８０には、その対向する両端面に側面入力端子８１、側面出力端子８２が設けられると共に、手前側及び奥側の側面にそれぞれ側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂが設けられている。側面入力端子８１は入力端子電極５１、容量形成用導体５３に電気的に接続し、側面出力端子８２は出力端子電極５９に電気的に接続している。側面グランド端子８３Ａ、８３Ｂはグランド端子電極５６、グランド容量導体６３の両端部において、電気的に接続している。
【００４３】
このようなノイズフィルタの電気等価回路図は図８となる。図８に示されるＬ１は図９中の５２Ａ〜５２Ｄによって形成されるコイルであり、Ｃ０は５２Ｄと５３との間に形成される容量である。また、Ｃ１は５５Ａと５６の間、及び５６と５５Ｂの間に形成される容量であり、ＬＧ１は５６に生じる微小なインダクタンス成分である。また、Ｌ２は５８Ａ、５８Ｂによって形成されるコイルであり、ＣＩＯは側面入力端子８１と導体パターン５８Ｂ、５８Ａとの間に生じる容量と、側面出力端子８２と導体パターン５１、５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄとの間に生じる容量の和である。上記に述べたコイルＬ１と容量Ｃ０によって１次の減衰極が、ＣＩＯを付加したことによって２次の減衰極と３次の減衰極が形成される。入力端子電極、出力端子電極、又はコイル形成用導体とフィルタ本体の側面との距離を０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度とすることで、入力端子電極、出力端子電極、又はコイル形成用導体と側面入力端子、側面出力端子との間に生じる容量を制御でき、２次の減衰極を移動させることが可能である。０．０１ｍｍ以下では、製造上の積層ズレなどによって入力端子電極、出力端子電極、又はコイル形成用導体と側面入力端子、側面出力端子が短絡してしまう場合があり、０．２ｍｍより広い場合にはＣＩＯが小さくなりすぎるため、効果が小さい。
【００４４】
また、Ｃ２は５８Ｂと６３との間に形成される容量であり、ＬＧ２は６３に生じる微小なインダクタンス成分である。上記に述べたコイルＬ１と容量Ｃ０によって１次の減衰極が、ＣＩＯによって２次の減衰極と３次の減衰極が形成される。ＣＩＯの大きさを変えることによって、２次の減衰極の発生周波数を調整することができ、容量Ｃ２の大きさを変えることによって、３次の減衰極を低周波側に移動することができる。
【００４５】
このような積層型ノイズフィルタは、第１実施形態と同様にして製造できる。このようなフィルタ素子においては、側面入力端子と側面出力端子との間に容量を形成することで、これまで存在していなかった３次の減衰極が生じるようになる。また、入出力間に生じる容量の大きさを変化させることで、２次の減衰極を移動させることができるため、所望の周波数帯において所望の減衰量を得ることも可能となる。また、側面グランド端子に接続したグランド容量導体と出力端子電極に接続したコイル部との間に生じた容量により、側面入力端子と側面出力端子との間に容量を形成することにより生じた３次の減衰極を移動させることができる。グランド容量導体の大きさを変えることで、所望の周波数帯域に減衰極を生じさせることができ、マルチバンド化、広帯域化に対応した所望のフィルタ特性を得ることができる。
【００４６】
また、側面入力端子と側面出力端子との間に容量を形成する方法に関しても、入力端子電極、出力端子電極、又はコイル形成用導体とフィルタ本体の側面との距離を０．０１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度とすることにより制御できる。この場合、容量形成用導体を形成する必要がないため、積層数を減らした小型のフィルタとすることができ、２次の減衰極についても所望の周波数帯域に移動することが出来る。
【００４７】
このようなフィルタのフィルタ特性を評価するために、Ｓパラメータ（絶対値）のシミュレーションを行った。
【００４８】
ノイズフィルタの減衰特性を、グランド容量導体６３を挿入した場合と挿入しなかった場合を比較して、図１０に示す。Ｅがグランド容量導体６３を挿入しなかった場合、Ｆ、Ｇ、Ｈがグランド容量導体６３を挿入した場合で、Ｈ＞Ｇ＞Ｆの順にＣ２の値が大きい。グランド容量導体６３とコイル形成用導体５８Ｂの間に生じる容量の大きさにより、３次極の周波数帯域を調整できることが確認できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の積層型ノイズフィルタの外観斜視図
【図２】本発明の積層型ノイズフィルタの第１実施形態の分解斜視図
【図３】図２の積層型ノイズフィルタの電気等価回路図
【図４】図２の積層型ノイズフィルタの特性図
【図５】本発明の積層型ノイズフィルタの第２実施形態の分解斜視図
【図６】本発明の積層型ノイズフィルタの第３実施形態の分解斜視図
【図７】本発明の積層型ノイズフィルタの第４実施形態の分解斜視図
【図８】図７の積層型ノイズフィルタの電気等価回路図
【図９】本発明の積層型ノイズフィルタの第５実施形態の分解斜視図
【図１０】図９の積層型ノイズフィルタの特性図
【図１１】従来のＴ型ＬＣフィルタの電気等価回路図
【符号の説明】
【００５０】
１０・・・誘電体セラミックシート（絶縁層）
５１・・・入力端子電極
５２Ａ〜５２Ｄ・・・コイル形成用導体
５３、６０、６１・・・容量形成用導体
５５Ａ、５５Ｂ・・・コンデンサ形成用導体
５６・・・グランド端子電極
５８Ａ、５８Ｂ・・・コイル形成用導体
５９・・・出力端子電極
６３・・・グランド容量導体
８０・・・フィルタ本体
８１・・・側面入力端子
８２・・・側面出力端子
８３Ａ、８３Ｂ・・・側面グランド端子
Ｃ０・・・容量形成用導体とコイル形成用導体との間の容量
ＣＩＯ・・・側面入力端子と側面出力端子との間に容量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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