(57)【要約】【課題】本発明は，ＬＩＴＩを用いて有機膜層パターンを形成する時，低い強度を有するレーザーで転写が可能であって，有機膜層の損傷を減らすことができ，転写される有機膜層パターンの質も向上させることができるレーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】光源装置１１０と，光源装置１１０の下部に配置されるマスク１２０と，マスク１２０の下部に配置されるプロジェクションレンズ１３０とを含み，マスク１２０の所定の部分に，光源装置１１０からの光の経路を変更するフレネルレンズを具備するレーザー照射装置１００を提供する。【選択図】図２
2006164978.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源装置と；
前記光源装置の下部に配置され，前記光源装置から照射される光の経路を変える手段を具備するマスクと；
前記マスクの下部に配置されるプロジェクションレンズと；
を含み，
前記マスクは，所定の部分に前記光源装置から発生する前記光の経路を変更するフレネルレンズを具備することを特徴とする，レーザー照射装置。
【請求項２】
前記フレネルレンズは，前記マスクの下部面および／または前記マスクの上部面に配置されることを特徴とする，請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項３】
前記フレネルレンズは，前記マスクの前記所定の部分をフレネルレンズ形状に加工して構成されることを特徴とする，請求項１に記載のレーザー照射装置。
【請求項４】
前記マスクは，透明性材質で構成されることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のレーザー照射装置。
【請求項５】
前記透明性材質は，ガラスまたは透明プラスチックであることを特徴とする，請求項４に記載のレーザー照射装置。
【請求項６】
基板を設ける段階と；
転写層を含むドナー基板を設ける段階と；
前記基板および前記ドナー基板をラミネーションする段階と； 
前記ドナー基板の転写領域に，レーザー照射装置を用いてレーザーを照射して前記基板上に転写層パターンを形成する段階と；
を含み，
前記ドナー基板において，前記レーザーが照射される前記転写領域の中央部分から周縁部分に向かって，レーザーエネルギー密度の高い前記レーザーが照射されることを特徴とする，パターニング方法。
【請求項７】
前記レーザー照射装置は，
光源装置と；
前記光源装置の下部に配置されるマスクと；
前記マスクの下部に配置されるプロジェクションレンズと；
を含み，
前記マスクは，前記光源装置から照射される光の経路を変更する光路変更手段を具備することを特徴とする，請求項６に記載のパターニング方法。
【請求項８】
前記光路変更手段は，フレネルレンズであることを特徴とする，請求項７に記載のパターニング方法。
【請求項９】
前記フレネルレンズは，前記マスクの上部面および／または前記マスクの下部面に配置されることを特徴とする，請求項８に記載のパターニング方法。
【請求項１０】
前記マスクは，透明性材質で構成されることを特徴とする，請求項７〜９のいずれかに記載のパターニング方法。
【請求項１１】
前記フレネルレンズは，前記マスクの所定の部分をフレネルレンズ形状に加工して構成されることを特徴とする，請求項８〜１０のいずれかに記載のパターニング方法。
【請求項１２】
前記基板の前記転写層パターンは，Ｎ２雰囲気で形成されることを特徴とする，請求項６〜１１のいずれかに記載のパターニング方法。
【請求項１３】
前記Ｎ２雰囲気は，Ｏ２およびＨ２Ｏの含有量をそれぞれ１００ｐｐｍ以下となるまで，Ｎ２を充填してなされることを特徴とする，請求項１２に記載のパターニング方法。
【請求項１４】
前記基板の前記転写層パターンは，真空雰囲気で形成されることを特徴とする，請求項６〜１１のいずれかに記載のパターニング方法。
【請求項１５】
所定の素子が形成される基板を設ける段階と；
有機膜層を含むドナー基板を設ける段階と；
前記基板上に前記ドナー基板をラミネーションする段階と； 
前記ドナー基板の有機膜層パターン領域にレーザーを照射して，前記基板上に有機膜層パターンを形成する段階と；
を含み，
前記ドナー基板の前記有機膜層パターン領域の中央部分から周縁部分に向かって，レーザーエネルギー密度の高い前記レーザーが照射されることを特徴とする，有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記レーザーを照射するレーザー照射装置は，
光源装置と；
前記光源装置の下部に配置されるマスクと；
前記マスクの下部に配置されるプロジェクションレンズと；
を含み，
前記マスクは，前記光源装置から照射される光の経路を変更する光路変更手段を具備することを特徴とする，請求項１５に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記光路変更手段は，フレネルレンズであることを特徴とする，請求項１６に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記基板の前記有機膜層パターンは，Ｎ２雰囲気で形成されることを特徴とする，請求項１５〜１７のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記Ｎ２雰囲気は，Ｏ２およびＨ２Ｏの含有量をそれぞれ１００ｐｐｍ以下となるまで，Ｎ２を充填してなされることを特徴とする，請求項１８に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記基板の前記有機膜層パターンは，真空雰囲気で形成されることを特徴とする，請求項１５〜１７のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２１】
前記基板の前記有機膜層パターンは，発光層，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層および電子注入層で構成される群から選択される少なくとも一つ以上の層で構成されることを特徴とする，請求項１５〜２０のいずれかに記載の有機電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，レーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に平板表示素子である有機電界発光素子は，アノード電極およびカソード電極，アノード電極とカソード電極との間に介在された有機膜層とを含む。有機膜層は，少なくとも発光層を含む。このような有機電界発光素子は，発光層を形成する物質に応じて，高分子有機電界発光素子と低分子有機電界発光素子に分けられる。
【０００３】
このような有機電界発光素子において，フルカラー化を具現するためには，Ｒ，ＧおよびＢの三原色を示す各々の発光層を有機電界発光素子の基板にパターニングしなければならない。ここで，発光層をパターニングするための方法において，低分子有機電界発光素子の場合，シャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ  ｍａｓｋ）を用いる方法があり，高分子有機電界発光素子の場合，インクジェットプリンティング（ｉｎｋ−ｊｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ），または，レーザーによる熱転写法（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ；以下，ＬＩＴＩという）がある。この中で，ＬＩＴＩは，有機膜層を微細にパターニングすることができて，大面積に用いることができ，高解像度に有利であるという長所があるだけでなく，インクジェットプリンティングが湿式工程であるのに対して，ＬＩＴＩは，乾式工程であるという長所がある。
【０００４】
図１Ａおよび図１Ｂは，従来のレーザー照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図およびレーザープロファイル（ｌａｓｅｒ  ｐｒｏｆｉｌｅ）である。
【０００５】
図１Ａを参照すると，まず，所定の素子が形成された基板１０を設けた後，基板１０上に有機膜層２１が形成されたドナー基板２０をラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）する。レーザー照射装置３０を介して，ドナー基板２０の所定の部分にレーザーを照射する。この時，レーザー照射装置３０は，光源装置３１，パターニングされているマスク３２およびプロジェクションレンズ３３を含む。
【０００６】
ここで，光源装置３１から発生したレーザーが，パターニングされているマスク３２を介してプロジェクションレンズ３３に照射される。この時，マスク３２に形成されたパターンに対応して，プロジェクションレンズ３３にレーザーが照射される。こうして，プロジェクションレンズ３３を介したレーザーが屈折して，ドナー基板２０上にマスク３２のパターンの形状に対応したレーザーが照射されることによって，基板１０上に有機膜層パターンを形成することができる。
【０００７】
ここで，ドナー基板２０のレーザーが照射された部分（ａ）に対応する有機膜層２１がレーザーの作用で，ドナー基板２０から分離し，基板１０に有機膜層２１が転写される。レーザーが照射されない部分（ｂ，ｂ'）の有機膜層２１は，ドナー基板２０に残存し，基板１０上に，マスク３２のパターンの形状に対応した有機膜層パターンを形成することができる。すなわち，レーザーが照射された部分の有機膜層２１（ａ）とレーザーが照射されない部分の有機膜層２１（ｂ，ｂ'）との間の結合が，レーザー照射によって切れることによって基板１０上に有機膜層パターンを形成することができる。
【０００８】
これにより，基板１０上の有機膜層パターン上に，上部電極を形成して，有機電界発光素子を製造することができる。
【０００９】
図１Ｂは，ドナー基板２０上に照射されたレーザープロファイルを図示している。Ｘ軸は，レーザーが照射された領域を示して，Ｙ軸は，レーザーの強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を示す。図１Ｂを参照すると，レーザーの照射された領域において，均一な強度のレーザーが照射されることが分かる。有機膜層２１内の結合を切断するために必要なレーザーの強度は，有機膜層２１がドナー基板２０から分離され，基板１０上に転写されるのに必要なレーザーの強度より高くなる。つまり，ドナー基板２０の有機膜層２１をマスク３２のパターンに対応して，基板１０に転写するには，レーザーが照射された有機膜層２１とレーザーが照射されない有機膜層２１との結合を切断する必要があり，このため，ドナー基板２０の有機膜層２１には，ドナー基板２０から有機膜層２１が分離して基板１０に転写されるために必要なレーザーの強度より，高い強度を有するレーザーが照射される。結局，有機膜層２１を転写させるために必要以上の強度を有するレーザーを加えるようになる。
【００１０】
【特許文献１】米国特許第４，３７７，３３９号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし，従来のレーザー照射装置による有機膜層の転写方法では，有機膜層を転写させるために高い強度を有するレーザーが必要であって，これによって有機膜層に全体的に高い強度を有するレーザーを照射するようになり，有機膜層に損傷を与えることになる。また，反対に，低い強度のレーザーを照射するようになれば，有機膜層内の結合が十分に切断されなくて，均一な有機膜層パターンを得ることができない。
【００１２】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，ＬＩＴＩ（Ｌａｓｅｒ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｉｍａｇｉｎｇ；レーザー熱転写方法）を利用して有機膜層パターンを形成する時，低い強度を有するレーザーで転写が可能であって，有機膜層の損傷を減らすことができ，転写される有機膜層パターンの質も向上させることができるレーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，光源装置と，上記光源装置の下部に配置され，上記光源装置から照射される光の経路を変える手段を具備するマスクと，上記マスクの下部に配置されるプロジェクションレンズとを含み，上記マスクは，所定の部分に上記光源装置から発生する上記光の経路を変更するフレネルレンズを具備するレーザー照射装置が提供される。
【００１４】
本発明によれば，レーザー照射装置は，光の経路を変更するフレネルレンズ（ｆｒｅｓｎｅｌ  ｌｅｎｓ）を具備するマスクを含むので，レーザーエネルギー密度を部分的に調節することができる。従って，転写層（例えば，有機膜層）を損傷することなく，基板に均一な転写層パターン（有機膜層パターン）を形成することができるので，転写層パターン（有機膜層パターン）の質を向上することができる。
【００１５】
上記フレネルレンズは，上記マスクの上部面および／または上記マスクの下部面に配置されることができる。
【００１６】
また，上記フレネルレンズは，上記マスクの上記所定の部分をフレネルレンズ形状に加工して形成されることができる。
【００１７】
上記マスクは，透明性材質で構成されることができる。
【００１８】
上記透明性材質は，ガラスまたは透明プラスチックであってよい。
【００１９】
上記課題を解決するために，本発明の第２の観点によれば，基板を設ける段階と，転写層を含むドナー基板を設ける段階と，上記基板および上記ドナー基板をラミネーションする段階と，上記ドナー基板の転写領域に，レーザー照射装置を用いてレーザーを照射して上記基板上に転写層パターンを形成する段階とを含み，上記ドナー基板において，上記レーザーが照射される上記転写領域の中央部分から周縁部分に向かって，レーザーエネルギー密度の高い上記レーザーが照射されるパターニング方法が提供される。
【００２０】
上記レーザー照射装置は，光源装置と，上記光源装置の下部に配置されるマスクと，上記マスクの下部に配置されるプロジェクションレンズとを含むことができ，上記マスクは，上記光源装置から照射される光の経路を変更する光路変更手段を具備することができる。
【００２１】
本発明のパターニング法によれば，基板に転写層パターン（例えば，有機膜層パターン）形成する時，マスクの所定の部分に形成される光の経路を変えるフレネルレンズにより，ドナー基板に照射されるレーザーエネルギー密度を部分的に調節することができて，転写層（例えば，有機層）の損傷を減らしながら，基板上に均一な転写層パターン（有機膜層パターン）を形成することができる。
【００２２】
上記光路変更手段は，フレネルレンズであってよい。ここで，上記フレネルレンズは，上記マスクの上部面および／または上記マスクの下部面に配置されることができる。
【００２３】
上記フレネルレンズは，上記マスクの所定の部分をフレネルレンズ形状に加工して構成されることができる。
【００２４】
上記マスクは，透明性材質で構成されることができる。
【００２５】
上記基板の上記転写層パターンは，Ｎ２雰囲気で形成されることができ，上記Ｎ２雰囲気は，Ｏ２およびＨ２Ｏの含有量をそれぞれ１００ｐｐｍ以下になるまで，Ｎ２を充填して形成されることができる。
【００２６】
上記基板の上記転写層パターンは，真空雰囲気で形成されることができる。
【００２７】
上記課題を解決するために，本発明の第３の観点によれば，所定の素子が形成される基板を設ける段階と，有機膜層を含むドナー基板を設ける段階と，上記基板上に上記ドナー基板をラミネーションする段階と，上記ドナー基板の有機膜層パターン領域にレーザーを照射して，上記基板上に有機膜層パターンを形成する段階とを含み，上記ドナー基板の上記有機膜層パターン領域の中央部分から周縁部分に向かって，レーザーエネルギー密度の高い上記レーザーが照射される有機電界発光素子の製造方法が提供される。
【００２８】
また，本発明によれば，基板上に有機膜層パターンを形成する時，マスクの所定の部分に形成され，光の経路を変えるフレネルレンズにより，ドナー基板に照射されるレーザーエネルギー密度を部分的に調節することができて，有機膜層の損傷を減らしながら，均一な有機膜層パターンを有する有機電界発光素子を形成することができる。
【００２９】
上記レーザーを照射するレーザー照射装置は，光源装置と，上記光源装置の下部に配置されるマスクと，上記マスクの下部に配置されるプロジェクションレンズとを含むことができ，上記マスクは，上記光源装置から照射される光の経路を変更する光路変更手段を具備することができる。
【００３０】
上記光路変更手段は，フレネルレンズであってよい。
【００３１】
上記基板の上記有機膜層パターンは，Ｎ２雰囲気で形成されることができ，上記Ｎ２雰囲気は，Ｏ２およびＨ２Ｏの含有量をそれぞれ１００ｐｐｍ以下になる時まで，Ｎ２を充填して形成されることができる。
【００３２】
上記基板の上記有機膜層パターンは，真空雰囲気で形成されることができる。
【００３３】
上記基板の上記有機膜層パターンは，発光層，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層および電子注入層で構成される群から選択される一つまたは二つ以上の層で構成されることができる。
【発明の効果】
【００３４】
以上説明したように本発明によれば，光の経路を変える手段であるフレネルレンズを具備するレーザー照射装置において，部分的に所望の領域に光を集中するように照射することができるので，従来のレーザー照射装置において，損失された光を所望の領域に照射させることができるため，光源装置のレーザー効率を増大させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３６】
以下，本発明の実施形態に係るレーザー照射装置，パターニング方法，およびパターニング方法を用いる有機電界発光素子の製造方法を図面を参考にして詳細に説明する。以下説明される実施形態は，当業者に本発明の思想が十分に伝えられることができるように例として提供されるものである。したがって，本発明は，以下説明される実施形態に限定されなくて，他の形態に具体化されることができる。そして，図面において，層および領域の長さ，厚さなどは，便宜のために誇張されて表現されることもある。明細書全体において，等しい参照番号は，等しい構成要素を示す。
【００３７】
図２は，本発明の実施形態に係るレーザー照射装置，およびレーザー照射装置を用いるパターニング方法を説明するための説明図である。
【００３８】
図２を参照すると，まず，基板１６０を設け，転写層１５０を具備するドナー基板１４０を設ける。続いて，基板１６０上にドナー基板１４０の転写層１５０を重ねて配置して，基板１６０とドナー基板１４０とをラミネーションした後，レーザー照射装置１００に提供する。転写層１５０は，有機膜層であってよい。
【００３９】
レーザー照射装置１００は，光源装置１１０と，マスク１２０と，プロシェクションレンズ１３０を含む。マスク１２０は，光源装置１１０の下部に配置される。プロジェクションレンズ１３０は，マスク１２０の下部に配置される。ここで，マスク１２０は，所定の部分に光源装置１１０から発生する光の経路を変更する手段として，フレネルレンズを具備する第１領域１２０ａと，フレネルレンズが形成されない第２領域１２０ｂとに分けることができる。
【００４０】
この時，フレネルレンズを含むマスク１２０は，透明材質で構成されることが望ましい。例えば，透明材質は，ガラスまたは透明プラスチックなどであってよい。ここで，透明プラスチックは，ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ；Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ  ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）系，ポリカーボネート（ＰＣ；Ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）系，ポリイミド（ＰＩ；Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系およびポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ；Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）系で構成される群から選択される一つであってよい。
【００４１】
続いて，ドナー基板１４０の転写領域に，レーザー照射装置１００を用いて，レーザーを照射して，基板１６０上に転写層パターンを形成する。この時，ドナー基板１４０において，レーザーが照射された領域（転写領域）の中央部分から周縁部分に向かって，レーザーエネルギー密度が高いレーザーが照射される。ここで，ドナー基板１４０の転写領域は，マスク１２０のフルネルレンズを具備しない第２領域１２０ｂから照射されるレーザーがプロジェクションレンズ１３０を介してドナー基板１４０に照射される領域に相当する。ドナー基板１４０のレーザーが照射された領域（転写領域）の中央部分は，ドナー基板１４０から転写層１５０が分離される領域であり，レーザーが照射された領域（転写領域）の周縁部分は，ドナー基板１４０の転写層１５０内で結合が切断される領域である。
【００４２】
ここで，ドナー基板１４０に照射されるレーザーの経路をよく見ると，レーザー照射装置１００の光源装置１１０からレーザーが放出され，マスク１２０を介してレーザーが透過される。マスク１２０の第２領域１２０ｂを通過したレーザーは，マスク１２０を介して，そのまま透過してプロジェクションレンズ１３０に到達する。プロジェクションレンズ１３０に到達したレーザーは，プロジェクションレンズ１３０を透過しながら，一次屈折を介して，ドナー基板１４０の転写領域に照射される。この時，第１領域１２０ａを通過したレーザーは，光経路を変更する手段であるフレネルレンズにより，一次屈折を介してプロジェクションレンズ１３０に到達して，プロジェクションレンズ１３０を透過しながら，２次屈折をして，第２領域１２０ｂを透過したレーザーによって照射されるドナー基板１４０の所定の部分（Ｐ），つまり，ドナー基板１４０の転写領域に重複して照射される。
【００４３】
この時，第２領域１２０ｂを透過したレーザーによる焦点ｆに対して，フレネルレンズを利用して，第１領域１２０ａを透過したレーザーの焦点ｆ’を調節して，例えば，第２領域１２０ｂを透過したレーザーによって照射されるドナー基板１４０の領域中の１地点Ｐに，第１領域１２０ａを通過したレーザーが重複して照射されることができる。すなわち，第２領域１２０ｂの所定の部分を透過したレーザーＬａのマスク１２０から焦点ｆまでの距離より，第１領域１２０ａを透過したレーザーＬｂのマスク１２０から焦点ｆ’までの距離を大きくすることによって，レーザーＬａとレーザーＬｂは，ドナー基板１４０の１地点Ｐに照射されることができる。
【００４４】
これで，光の経路を変更する手段であるフレネルレンズを介して，所望の領域にレーザーを部分的に集中させることができて，高いレーザー強度を必要とするドナー基板１４０の転写層パターン領域の周縁にレーザーを集中させて，転写層１５０のレーザー照射部分と，レーザー未照射部分との結合を切断することができる。一方，それ以外の領域は，ドナー基板１４０から転写層１５０が分離される程の低い強度のレーザーを照射して，均一な転写層パターンを形成することができる。
【００４５】
また，本発明の実施形態に係るレーザー照射装置におけるレーザー熱転写工程において，従来のレーザー照射装置のマスクにより遮断されて損失されたレーザーを，高いレーザーの強度を必要とする領域（例えば，転写領域の周縁部分）に照射することによって，レーザー効率をより高めることができる。
【００４６】
ここで，転写工程は，Ｎ２雰囲気で行うことが望ましい。これは，大気中に存在する酸素による転写層パターン（例えば，有機膜層パターン）の酸化を防止するためである。ここで，Ｎ２雰囲気を構成することに多くの時間および費用を投資しなければならないので，転写層が酸素や水分の影響を受けない条件を考慮して，Ｏ２およびＨ２Ｏの含有量をそれぞれ，例えば，１００ｐｐｍ以下となる雰囲気が構成される時まで，Ｎ２を充填（ｃｈａｒｇｅ）することが望ましい。
【００４７】
また，転写工程は，真空雰囲気で行うことができるが，ドナー基板１４０を基板１６０全面にラミネーションする工程時，ドナー基板１４０と基板１６０との間の気泡発生を抑制することができる効果がある。
【００４８】
本発明の実施形態に係るフレネルレンズは，焦点が異なる凸レンズを結合した形状を有する。
【００４９】
図３Ａ〜図３Ｄは，本発明に実施形態に係るフレネルレンズが具備されたマスクの断面図である。
【００５０】
図３Ａ〜図３Ｃように，フレネルレンズを具備する方法は，マスク１２０の上部面またはマスク１２０の下部面にフレネルレンズ（２００ａ）を付着したり，マスク１２０の上部面とマスク１２０の下部面両方に，フレネルレンズを付着して形成することができる。ここで，フレネルレンズおよびマスク１２０は，透明性材質で構成されることが望ましい。マスク１２０の上部面は，光源装置１１０に対向する面であり，マスク１２０の下部面は，プロジェクションレンズ１３０に対向する面である。
【００５１】
上記の場合と異なって，フレネルレンズを具備する方法は，図３Ｄのように透明性材質で構成されるマスク１２０の所定の部分をフレネルレンズ形状に加工して，マスク１２０の所定の部分にフルネルレンズ（２００ｃ）を形成する方法であってよい。例えば，加工方法は，一定の型を用いて成形をしたり，マスク１２０の所定の部分を彫刻する方法であってもよい。この時，マスク１２０の上部面および／またはマスク１２０の下部面の所定の部分をフレネルレンズ形状に加工してもよい。
【００５２】
図４Ａおよび図４Ｂは，本発明の実施形態に係るレーザー照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図およびレーザープロファイルである。
【００５３】
図４Ａを参照すると，まず，第１基板３１０を設けた後，第１基板３１０上に画素電極３２０を形成して基板３００を形成する。この時，画素電極３２０と第１基板３１０との間に，有機電界発光素子の機能向上のために薄膜トランジスタ，キャパシタおよび複数の絶縁膜が形成されることができる。続いて，基板３００上に，少なくとも有機膜層４１０を具備するドナー基板４００をラミネーションする。ラミネーションは，ドナー基板４００の有機膜層４１０を基板３００上に重ねて配置して行われる。ここで，基板３００に形成される所定の素子は，画素電極３２０，薄膜トランジスタ，キャパシタおよび複数の絶縁膜などである。有機膜層４１０は，ドナー基板４００上に形成される転写層である。
【００５４】
そして，レーザー照射装置５００を用いて，ドナー基板４００上にレーザーを照射して，画素電極３２０が形成される基板３００上に，ドナー基板４００の有機膜層４１０が転写されることによって，基板３００上に有機膜層パターンを形成する。
【００５５】
レーザー照射装置５００は，光源装置５１０，マスク５２０およびプロジェクションレンズ５３０を含む。マスク５２０は，光源装置５１０の下部に配置され，プロシェクションレンズ５３０は，マスク５２０の下部に配置される。ここで，マスク５２０は，所定の部分にフレネルレンズを付着したり，マスク５２０自体をフレネルレンズ形状に加工することによって，フレネルレンズを具備することができる。この時，フレネルレンズは，マスク５２０の上部面またはマスク５２０の下部面に配置される，または，マスク５２０の上部面およびマスク５２０の下部面に配置されることができる。マスク５２０の上部面は，光源装置５１０に対向する面であり，マスク５２０の下部面は，プロジェクションレンズ５３０に対向する面である。
【００５６】
光源装置５１０から発生するレーザーが，マスク５２０を経てプロジェクションレンズ５３０に到達し，プロジェクションレンズ５３０を介して，ドナー基板４００に所望の有機膜層パターンの形状に対応したレーザーが照射される。
【００５７】
この時，マスク５２０において，フレネルレンズが形成されない部分，すなわち，有機膜層パターンの形状に対応する部分から照射されるレーザーは，プロジェクションレンズ５３０を透過する時，一次屈折をして，レーザーＬ５〜Ｌ９となる。レーザーＬ５〜Ｌ９は，所望の有機膜層パターンの形状に対応して，ドナー基板４００の転写領域（有機膜層パターン領域）に照射される。上記と異なって，マスク５２０の所定の部分にフレネルレンズが形成される領域を透過するレーザーは，マスク５２０のフルネルレンズで一次屈折をして，プロジェクションレンズ５３０に到達する。一次屈折したレーザーがプロジェクションレンズ５３０を透過する時，２次屈折をしてドナー基板４００の転写領域（有機膜パターン領域）の縁部分Ｋ，縁部分Ｋ’にレーザーＬ１〜Ｌ４となって照射される。これで，ドナー基板４００の転写領域の縁部分Ｋ，縁部分Ｋ’，すなわち，有機膜層４１０内の結合が切断される部分に，高い強度を有するレーザーが集中して照射される。従って，ドナー基板４００の有機膜層パターン領域（転写領域）の中央部分から周縁部分に向かって，レーザーエネルギー密度の高いレーザーが照射されることができる。ドナー基板４００のレーザーが照射された領域（転写領域）の中央部分は，ドナー基板４００から有機膜層４１０が分離される領域であり，レーザーが照射された領域（転写領域）の周縁部分は，ドナー基板４００の有機膜層４１０内で結合が切断される領域である。
【００５８】
上述したように，フレネルレンズによって焦点を調節して，レーザーが照射される領域を調節することができる。
【００５９】
これで，フレネルレンズにより，従来のレーザー照射装置のマスクにより遮断されるレーザーＬ１〜Ｌ４の焦点を調節して，高いレーザーの強度を必要とする縁部分Ｋ，縁部分Ｋ’にレーザーを照射することによって，ドナー基板４００から有機膜層４１０が分離される適切な強度のレーザーをレーザー照射装置５００から照射しても，均一な有機膜層パターンを形成することができる。
【００６０】
図４Ｂは，ドナー基板４００上に照射されるレーザープロファイルを図示している。Ｘ軸は，レーザーが照射される領域を示して，Ｙ軸は，レーザーの強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）を示す。図４Ｂを参照すると，ドナー基板４００上のレーザーが照射される領域において，均一でない強度のレーザーが照射され，照射される領域の両端部のレーザー強度プロファイルが高く現れることがわかる。
【００６１】
高い強度を示す領域のレーザーは，有機膜層４１０内の結合を切断するのに使われて，低い強度を示す領域のレーザーは，有機膜層４１０をドナー基板４００から分離して転写させるのに使われる。
【００６２】
これで，従来のレーザー照射装置のマスクによって遮断されたレーザーを利用することによって，低い強度を有するレーザーを用いて，均一な有機膜層パターンを形成することができて，これにより，レーザーを効率的に用いることができる。また，有機膜層４１０に低い強度のレーザーを用いて有機膜層パターンを形成することによって，有機膜層４１０の損傷を減らすことができる。
【００６３】
レーザー照射装置５００を用いて，有機膜層パターンを形成する転写工程は，Ｎ２雰囲気で行うことができる。これは，大気中に存在する酸素による有機膜層パターンの酸化を防止するためである。ここで，Ｎ２雰囲気を構成するのに多くの時間および費用を投資しなければならないので，有機膜層４１０が酸素や水分の影響を受けない条件を考慮して，Ｏ２およびＨ２Ｏの含有量をそれぞれ，例えば，１００ｐｐｍ以下となる雰囲気が構成される時まで，Ｎ２を充填することが望ましい。
【００６４】
また，転写工程は，真空雰囲気で行うことができるので，ドナー基板４００を基板３００全面にラミネーションする工程時，ドナー基板４００と基板３００との間の気泡発生を抑制することができる効果がある。
【００６５】
基板３００の有機膜層パターンは，少なくとも発光層を含み，正孔注入層，正孔輸送層，正孔抑制層，電子輸送層および電子注入層で構成される群から選択される一つまたは二つ以上の層をさらに含むことができる。
【００６６】
そして，基板３００上の有機膜層パターン上に，上部電極を形成した後，封止ギャップで封止することによって，有機電界発光素子を完成することができる。
【００６７】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１Ａ】従来のレーザー照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１Ｂ】従来のレーザー照射装置を利用した有機電界発光素子の製造方法を説明するためのレーザープロファイルである。
【図２】本発明の実施形態に係るレーザー照射装置，およびレーザー照射装置を用いたパターニング方法を説明するための説明図である。
【図３Ａ】本発明の実施形態に係るフレネルレンズが具備されたマスクの断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施形態に係るフレネルレンズが具備されたマスクの断面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施形態に係るフレネルレンズが具備されたマスクの断面図である。
【図３Ｄ】本発明の実施形態に係るフレネルレンズが具備されたマスクの断面図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態に係るレーザー照射装置を用いた有機電界発光素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態に係るレーザー照射装置を用いた有機電界発光素子の製造方法を説明するためのレーザープロファイルである。
【符号の説明】
【００６９】
１００      レーザー照射装置
１１０      光源装置
１２０      マスク
１３０      プロジェクションレンズ
１４０      ドナー基板
１５０      転写層
１６０      基板
【図１Ａ】
2006164978.tif 000003
【図１Ｂ】
2006164978.tif 000004
【図２】
2006164978.tif 000005
【図３Ａ】
2006164978.tif 000006
【図３Ｂ】
2006164978.tif 000007
【図３Ｃ】
2006164978.tif 000008
【図３Ｄ】
2006164978.tif 000009
【図４Ａ】
2006164978.tif 000010
【図４Ｂ】
2006164978.tif 000011