(57)【要約】      （修正有）【課題】貼り合せたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を除去する際に、ベースウエーハのテラス部に与えるダメージをより低減することが可能な製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３とを貼り合わせ、ボンドウエーハ２の未結合部を含む外周部を所定幅で研削した後エッチングして除去し、その後、前記ボンドウエーハ２を薄膜化することによって貼り合わせウエーハ１を製造する方法において、前記ボンドウエーハ２の外周部の研削を、前記研削する外周部の所定幅のうち外周側について、貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部を除去するようにボンドウエーハ２を研削する第一の工程と、前記研削する外周部の所定幅のうち残りの内周側について、ベースウエーハ３にダメージを与えない厚さでボンドウエーハ２を研削する第二の工程と、により行うことを特徴とする貼り合わせウエーハ１の製造方法。【選択図】図１
2006253595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、ボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合わせ、該貼り合わせたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を所定幅で研削した後エッチングして除去し、その後、前記ボンドウエーハを薄膜化することによって貼り合わせウエーハを製造する方法において、
前記ボンドウエーハの外周部の研削を、
前記研削する外周部の所定幅のうち外周側について、貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部を除去するようにボンドウエーハを研削する第一の工程と、
前記研削する外周部の所定幅のうち残りの内周側について、ベースウエーハにダメージを与えない厚さでボンドウエーハを研削する第二の工程と、
により行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法。
【請求項２】
前記第一の工程において、ボンドウエーハを斜めに研削することを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウエーハの製造方法。
【請求項３】
前記ボンドウエーハの外周部の研削を、砥石をボンドウエーハの外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の貼り合わせウエーハの製造方法。
【請求項４】
前記第二の工程では、ボンドウエーハが２０〜１５０μｍ厚となるまで研削することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の貼り合わせウエーハの製造方法。
【請求項５】
前記第一の工程において、所定の最大取代でボンドウエーハを研削し、前記第二の工程において、前記第一の工程の最大取代よりも少ない最大取代でボンドウエーハを研削することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の貼り合わせウエーハの製造方法。
【請求項６】
前記ボンドウエーハとベースウエーハの貼り合わせを、酸化膜を介して行うことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の貼り合わせウエーハの製造方法。
【請求項７】
前記ボンドウエーハ及びベースウエーハを、シリコン単結晶ウエーハとすることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の貼り合わせウエーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼り合わせウエーハの製造方法に関し、特には、貼り合わせたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を研削する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
高性能デバイス用のウエーハとして、ボンドウエーハとベースウエーハを貼り合わせた後、素子を作製する側のウエーハ（ボンドウエーハ）を薄膜化した貼り合わせウエーハが使用されている。
そのような貼り合わせウエーハの一つとして、ＳＯＩウエーハが知られている。これは、例えば、次のようにして製造することができる。すなわち、鏡面研磨された２枚のシリコンウエーハ（ボンドウエーハとベースウエーハ）を用意し、少なくとも一方のウエーハに酸化膜を形成させる。そして、これらのウエーハを貼り合わせた後、２００〜１２００℃の温度で熱処理して結合強度を高める。その後、素子作製側ウエーハ（ボンドウエーハ）を研削及び研磨して所望の厚さまで薄膜化することにより、ＳＯＩ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）層が形成されたＳＯＩウエーハを製造することができる。
【０００３】
尚、この他にも、貼り合わせウエーハを製造する場合、酸化膜を介さずに直接シリコンウエーハ同士を貼り合わせる場合がある。また、ベースウエーハとして、石英、炭化珪素、アルミナ等の絶縁性ウエーハを用いる場合もある。
【０００４】
そして、上記のようにＳＯＩウエーハを製造する場合、貼り合わせる２枚の鏡面ウエーハの外周部には面取り部や厚さが僅かに薄くなった研磨ダレと呼ばれる部分が存在し、その部分は結合されないか、結合力が弱い未結合部として残ってしまう。このような未結合部が存在したまま研削等によりボンドウエーハを薄膜化すると、その薄膜化工程中に未結合部の一部が剥がれることになる。従って、薄膜化されたボンドウエーハは、基台となるウエーハ（ベースウエーハ）よりも小径となったり、また、周辺部には微小な凹凸が連続的に形成されることになる。
【０００５】
そして、このような貼り合わせウエーハをデバイス工程に投入すると、残留する未結合部がデバイス工程で剥離し、パーティクルを発生させ、デバイス歩留りを低下させてしまう。
これを防ぐためには、研削等によりボンドウエーハを薄膜化する前に、ボンドウエーハの外周部に残留する未結合部を予め除去することが必要となる。このように未結合部を除去し、ベースウエーハが露出した部分はテラス部と呼ばれる。
【０００６】
このため、ボンドウエーハの外周部に残留する未結合部を予め除去する方法が、従来から幾つか提案されている。その一つとして、特許文献１では、砥石を基板の外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして研削し、その後、エッチングし、これにより、ボンドウエーハの未結合部を含む外周部を除去することを提案している。
この方法では、ボンドウエーハの外周部を側面方向から研削する。そのため、主面方向から研削した時と比べて、ベースウエーハのテラス部に与えるダメージが少なく、ボンドウエーハの外周部を薄く研削できる。しかも、ボンドウエーハの外周部を薄く研削できるので、その後のエッチングを短時間で行うことができるという利点を有する。
【０００７】
しかしながら、この方法を含む従来の方法では、貼り合わせたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を除去する際にベースウエーハのテラス部に発生する傷やディンプルを完全には防ぐことはできず、未だ改良の余地があった。
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−２０９０９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたもので、貼り合せたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を除去する際に、ベースウエーハのテラス部に与えるダメージをより低減することが可能な貼り合わせウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、ボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合わせ、該貼り合わせたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を所定幅で研削した後エッチングして除去し、その後、前記ボンドウエーハを薄膜化することによって貼り合わせウエーハを製造する方法において、
前記ボンドウエーハの外周部の研削を、
前記研削する外周部の所定幅のうち外周側について、貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部を除去するようにボンドウエーハを研削する第一の工程と、
前記研削する外周部の所定幅のうち残りの内周側について、ベースウエーハにダメージを与えない厚さでボンドウエーハを研削する第二の工程と、
により行うことを特徴とする貼り合わせウエーハの製造方法を提供する（請求項１）。
【００１１】
このように、本発明では、外周研削工程を２回に分け、第一の工程において、予め、研削中に欠けてテラス部の傷等の要因となるボンドウエーハの貼り合わせ面側の面取り部を取り除き、次いで、第二の工程において、従来と同様にベースウエーハにダメージを与えない厚さでボンドウエーハを研削している。このため、研削中にボンドウエーハの外周で「欠け」が生じにくくなり、ベースウエーハのテラス部にダメージを与える恐れも少ない。
【００１２】
また、本発明の貼り合わせウエーハの製造方法では、前記第一の工程において、ボンドウエーハを斜めに研削するのが好ましい（請求項２）。
【００１３】
このように、第一の工程のおいて、ボンドウエーハを斜めに研削すれば、研削に用いる砥石がベースウエーハに直接当たるのを防ぐことができる。また、斜めに研削すれば、「欠け」が生じたとしても、それが内側に成長するのを防ぐことができる。このため、ベースウエーハにダメージを与える恐れがなくなる。
【００１４】
本発明の貼り合わせウエーハの製造方法では、前記ボンドウエーハの外周部の研削を、砥石をボンドウエーハの外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして行うのが好ましい（請求項３）。
【００１５】
このようにボンドウエーハの外周部の研削を、砥石をボンドウエーハの外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして行えば、ウエーハの厚さ方向のダメージを抑えることができ、ベースウエーハに与えるダメージを抑えつつ、ボンドウエーハを薄く研削することができる。
【００１６】
この時、前記第二の工程では、ボンドウエーハが２０〜１５０μｍ厚となるまで研削することができる（請求項４）。
【００１７】
このようにボンドウエーハをベースウエーハにダメージを与えることなく薄く研削することができるので、その後のエッチング工程で時間を短縮することができ、高品質の貼り合わせウエーハを、高生産性、低コストで得ることができる。
【００１８】
本発明の貼り合わせウエーハの製造方法では、前記第一の工程において、所定の最大取代でボンドウエーハを研削し、前記第二の工程において、前記第一の工程の最大取代よりも少ない最大取代でボンドウエーハを研削するのが好ましい（請求項５）。
【００１９】
ここで、ボンドウエーハを研削したときの「最大取代」とは、研削前のボンドウエーハの主面（貼り合わせ面側とは反対の主面）から研削後の研削面までの深さのうち最大のものを指す。
そして、本発明では、このように第一の工程における最大取代を大きくとり、欠けの原因となるボンドウエーハの貼り合わせ面側の面取り部の大部分を除去する。しかしながら、第一の工程における最大取代で、それより内側の部分を研削した場合、ベースウエーハのテラス部にダメージを与える恐れがある。そこで、より内周側を研削する第二の工程では、第一の工程の最大取代よりも少ない最大取代でボンドウエーハを研削し、ベースウエーハのテラス部にダメージを与えないようにする。
【００２０】
本発明の貼り合わせウエーハの製造方法では、前記ボンドウエーハとベースウエーハの貼り合わせを、酸化膜を介して行うのが好ましい（請求項６）。
【００２１】
ボンドウエーハの外周部を研削する際に欠けが生じると、その破片が酸化膜を傷つけ、その後のエッチングの際に、ベースウエーハまでエッチングされてしまうという問題が生じる。しかしながら、本発明では、前述のように、ボンドウエーハの欠けが生じやすい部分を予め取り除き、その後エッチングするので、そのような問題が生じる恐れがなくなる。
【００２２】
本発明の貼り合わせウエーハの製造方法では、前記ボンドウエーハ及びベースウエーハを、シリコン単結晶ウエーハとすることができる（請求項７）。
【００２３】
近年、ＳＯＩウエーハ等のシリコン単結晶ウエーハ同士を貼り合わせた貼り合わせウエーハが注目されており、また、その品質要求は益々厳しいものとなってきている。本発明の貼り合わせウエーハの製造方法によれば、その厳しい品質要求を満足させることのできる高品質の貼り合わせウエーハを製造することが可能である。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、本発明によれば、ボンドウエーハの外周部の研削を、第一の工程と第二の工程の２工程に分けて行う。そして、第一の工程において、ボンドウエーハの外周部の貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部、すなわち欠けが発生しやすい部分の大部分を除去し、その後、第二の工程において、外周部の残りの部分について研削を行う。このため、ボンドウエーハの外周部の研削中に欠けが発生する恐れがなく、ベースウエーハのテラス部に与えるダメージをより低減することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明者は、ボンドウエーハの未結合部を含む外周部を研削する際にベースウエーハのテラス部にダメージを与える要因について検討を重ねた。そのなかで、本発明者は、ボンドウエーハの外周部を研削する際に、ウエーハの外周部で生じることのある「欠け」に着目した。
すなわち、図４にも示されているように、通常、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３の外周部には面取り部がある。このため、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３とを貼り合わせても、ボンドウエーハ２の面取り部が、ベースウエーハ３から「浮いている部分」となる。例えば、図４に示すような従来の研削方法では、この「浮いている部分」についての考慮がなされておらず、この「浮いている部分」についても他の部分と同様に砥石１０ｃにより１度に研削されていた（図４（ａ））。このため、研削後には、図４（ｂ）に示すように、「浮いている部分」（図４（ｂ）の丸で囲った部分）が他の部分と比較して極めて薄くなり、研削中に「浮いている部分」で「欠け」が生じていたのである。そして、その欠けにより、その下の酸化膜も一部剥がれたり、あるいは欠けによる破片が、ベースウエーハのテラス部にある酸化膜４、５を傷つけ、結果として、その後のエッチングで、ベースウエーハ３のテラス部にディンプルを発生させる等ダメージを与えていたのである。
【００２６】
そこで、本発明者は、ボンドウエーハの外周部の研削を第一の工程と第二の工程の２つの工程により行い、第一の工程では、予め、ボンドウエーハの欠け易い「浮いている部分」の大部分を取り除き、次いで、第二の工程において、従来と同様にベースウエーハにダメージを与えない厚さでボンドウエーハを研削すれば、研削中にボンドウエーハの外周で「欠け」が生じにくくなり、ベースウエーハのテラス部にダメージを与える恐れもなくなることに想到し、本発明を完成させた。
【００２７】
すなわち、本発明の貼り合わせウエーハの製造方法は、少なくとも、ボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合わせ、該貼り合わせたボンドウエーハの未結合部を含む外周部を所定幅で研削した後エッチングして除去し、その後、前記ボンドウエーハを薄膜化することによって貼り合わせウエーハを製造する方法において、前記ボンドウエーハの外周部の研削を、前記研削する外周部の所定幅のうち外周側について、貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部を除去するようにボンドウエーハを研削する第一の工程と、前記研削する外周部の所定幅のうち残りの内周側について、ベースウエーハにダメージを与えない厚さでボンドウエーハを研削する第二の工程と、により行うことを特徴とする。
【００２８】
このような本発明の貼り合わせウエーハの製造方法について以下に図面を参照してさらに具体的に説明する。
図１は、本発明の方法によりボンドウエーハの外周部を研削する場合を示した説明図である。ここで用いた貼り合わせウエーハ１は、ベースウエーハ３と酸化膜４で覆われたボンドウエーハ２とを酸化性雰囲気下で熱処理して貼り合わせたウエーハであり、貼り合わせウエーハ１の表面全体は、酸化性雰囲気下の熱処理で生じた酸化膜５で覆われている。
【００２９】
先ず、図１（ａ）に示すように、第一の工程では、研削する外周部の所定幅のうち外周側について、砥石１０ａにより、ボンドウエーハ２の貼り合わせ面側の面取り部の少なくとも一部を除去するようにボンドウエーハ２を研削する。
ここでは、予め、ボンドウエーハ２の「浮いている部分」の大部分を取り除く。例えば、研削する外周部の所定幅（テラス幅）が３ｍｍ、研削前の面取り部が、０．３〜０．４ｍｍ程度であるときは、ボンドウエーハ２の貼り合わせ面側の面取り部が、０．０５〜０．１ｍｍ程度のみ残るように研削する。
【００３０】
また、ここで用いた砥石１０ａは、ボンドウエーハ２の貼り合わせ面側の面取り部を斜めに研削できるものである。このような砥石１０ａを用いて、斜めに研削すれば、砥石１０ａがベースウエーハ３に直接当たる恐れが少ない。また、斜めに研削すれば、「欠け」が生じたとしても、それが内側に成長するのを防ぐことができる。このため、ベースウエーハ３のテラス部にダメージを与える恐れがない。
【００３１】
次に、図１（ｂ）に示すように、第二の工程では、砥石１０ａの位置を相対的に上にずらし、貼り合わせ面より遠ざけ、残り厚が厚くなるようにして、ベースウエーハ３にダメージを与えない厚さｔでボンドウエーハ２を研削する。
しかし、第一の工程において、予め、ボンドウエーハ２の「浮いている部分」の大部分を取り除いているので、この第二の工程において「欠け」が生じる恐れがない。
【００３２】
この時、図１では、ボンドウエーハ２の外周部を所定厚ｔまで研削して除去するのに、砥石１０ａをボンドウエーハ２の外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして研削するようにしている。
【００３３】
この場合、例えば貼り合わせウエーハ１と砥石１０ａの高さおよび距離を所定位置に保ち、不図示の回転機構によって相互に逆方向に回転させ、砥石１０ａを不図示の移動機構により水平移動させることによって、ボンドウエーハ２の外周部をウエーハ中心部に向けて研削して行く。逆に、砥石１０ａの位置を固定し、貼り合わせウエーハを不図示の移動機構により水平移動させて、ボンドウエーハ２の外周部を砥石１０ａに押し当ててもよい。
【００３４】
そして、ボンドウエーハ２の外周研削後の所定厚ｔは、砥石１０ａとボンドウエーハ２の高さ方向の位置関係を調整することによって制御することができる。本発明にあっては、上記砥石１０ａとボンドウエーハ２の相対的な高さ位置を調整して、所定厚ｔを２０〜１５０μｍとすることができる。
【００３５】
このようにボンドウエーハ２の外周部の研削を、砥石１０をボンドウエーハ２の外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして行えば、ウエーハの厚さ方向のダメージを抑えることができ、ベースウエーハにダメージを与えることなくボンドウエーハを薄く研削することができる。さらに、薄く研削できるので、その後のエッチング工程の時間を短縮することができ、高品質の貼り合わせウエーハを、高生産性、低コストで得ることができる。
【００３６】
そして、図１（ｃ）に示したのが、外周部を２工程で研削した後の貼り合わせウエーハ１である。
図から判るように、第一の工程において、所定の最大取代（ｄ１）でボンドウエーハ２を研削し、第二の工程において、第一の工程の最大取代よりも少ない最大取代（ｄ２）でボンドウエーハ２を研削している。こうすることで、一度に外周部の研削をする場合に比べ、確実に「浮いている部分」を小さくし、欠けの発生を抑制できる。
尚、図１（ｃ）に示すように、ボンドウエーハ２を研削したときの「最大取代」とは、研削前のボンドウエーハの主面から研削後の研削面までの深さのうち最大のものを指す。
【００３７】
一方、図２は、本発明の方法によりボンドウエーハの外周部を研削する場合の別の例を示した説明図である。
ここでも、図１で示した例と同様に、先ず、図２（ａ）に示すように、第一の工程では、砥石１０ｂにより、ボンドウエーハ２の貼り合わせ面側の面取り部の一部を除去するように所定幅のうちの外周側のボンドウエーハ２を研削する。そして、図２（ｂ）に示すように、第二の工程では、砥石１０ｂの位置を相対的に上にずらし、残りの内周側につき残し厚が厚くなるようにして、ベースウエーハ３にダメージを与えない厚さｔでボンドウエーハ２を研削する。そして、図２（ｃ）に示したのが、外周部を研削した後の貼り合わせウエーハである。
【００３８】
図１の例との違いは、砥石１０ｂの形状と研削後のボンドウエーハ２の形状である。すなわち、図２の例では、第一の工程で、ボンドウエーハを斜めに研削していない。しかしながら、この場合でも、第一の工程において、予め、ボンドウエーハ２の「浮いている部分」の大部分を取り除いているので、一度で研削する場合にくらべ研削中に生じる「欠け」を大幅に低減することができる。
【００３９】
尚、上記２つの例では、砥石をボンドウエーハ２の外周方向から中心方向に向けて相対的に移動させるようにして研削している。しかしながら、この他にも、本発明では、砥石をボンドウエーハの主面方向（上方）から下方に向けて相対的に移動させるようにして研削することもできる。
【００４０】
以下に、貼り合わせウエーハの製造方法の全体の概略ついて、図３を参照して説明する。
先ず、貼り合わせによりＳＯＩウエーハを製造するための原料ウエーハ（シリコン単結晶ウエーハ：例えばチョクラルスキー法で作製した直径８インチ（２００ｍｍ）、方位＜１００＞のもの）であるボンドウエーハ２及びベースウエーハ３を用意する（図３（ａ））。そして、用意されたシリコン単結晶ウエーハのうち、ボンドウエーハ２に熱処理を施し、ボンドウエーハ表面に酸化膜４を形成する（図３（ｂ））。
勿論、ボンドウエーハ２ではなく、ベースウエーハ３に酸化膜を形成するようにしても良い。
【００４１】
次に、この酸化膜を形成したボンドウエーハ２とベースウエーハ３を清浄な雰囲気下で貼り合わせる（図３（ｃ））。これに酸化性雰囲気下で熱処理を加えて、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３を強固に結合させ、貼り合わせウエーハ１とする。熱処理条件としては、例えば、酸素または水蒸気を含む雰囲気下、２００℃〜１２００℃の温度で行えば良い（図３（ｄ））。この時、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３が強固に結合されるとともに、貼り合わせウエーハ１の外表面全体にも、後工程でエッチング被膜となる酸化膜５が形成される。
【００４２】
こうして結合された貼り合わせウエーハ１の外周部１〜３ｍｍには、ボンドウエーハ２とベースウエーハ３の未結合部が存在している。このような未結合部は、デバイスを作製するＳＯＩ層として用いることができない上に、後工程で剥れ落ちて、種々の問題を引き起こすため除去する必要がある。
【００４３】
未結合部を除去するには、図３（ｅ）に示すように、まず未結合部が存在するボンドウエーハ２の外周部を所定厚まで研削して除去する。研削によれば、高速で除去することができるし、加工精度もよいからである。
【００４４】
本発明は、この未結合部を除去する外周研削工程に適用され、２工程に分けてボンドウエーハの外周部を研削する。これらの工程についての詳しい説明は前述した。
【００４５】
次に、図３（ｆ）のように、エッチングによりボンドウエーハ２の未結合部を含む外周部を完全に除去し、テラス部７を形成する。これは、酸化膜にくらべてシリコン単結晶のエッチング速度が格段に大きいエッチング液に、貼り合わせウエーハ１を浸漬することによって、簡単に行うことができる。すなわち、ボンドウエーハ２の外周部は、研削によってシリコンが露出しているために、エッチング液によってエッチングされるが、貼り合わせウエーハ１の他の部分は、酸化膜５で覆われているためにエッチングされない。このようなエッチングとしては、ＫＯＨ，ＮａＯＨ等によるいわゆるアルカリエッチングを挙げることができる。
【００４６】
最後に、図３（ｇ）に示すように、ボンドウエーハ２の表面を通常の方法に従い研削・研磨等により、所望厚さまで薄膜化すれば、ＳＯＩ層６を有するＳＯＩウエーハを製造することができる。
【実施例】
【００４７】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例、比較例）
まず、直径１５０ｍｍ（６インチ）、厚さ６２５ミクロン、導電型ｐ型、抵抗率４〜６Ω・cm の鏡面研磨されたＣＺ基板を２０枚用意し、１０枚をボンドウエーハ用、１０枚をベースウエーハ用に分類した。そして、これらのウエーハを図３の（ａ）〜（ｄ）の工程にしたがい結合し、図３（ｄ）のような貼り合わせ基板を１０枚作製した。
【００４８】
これらのうち５枚については、図１に示したように２工程で研削し（実施例）、残りの５枚については図４に示した従来のように１工程で研削を行った（比較例）。
【００４９】
すなわち、実施例（図１）の研削条件としては、＃８００のダイヤモンド砥石を用い、砥石の周速１６００ｍ／ｍｉｎ，ウエーハの周速３００ｍｍ／ｍｉｎで相互に逆回転させた。研削速度は、０．６ｍｍ／ｍｉｎとした。そして、第一の工程（図１（ａ））では、ボンドウエーハの外周３ｍｍのうち外周側について、研削前の面取り部０．３ｍｍのうち０．１ｍｍの幅だけ残るように研削した（最大取代部での残し厚１５μｍ）。次に、第二の工程では、外周３ｍｍのうち残りの内周側について、砥石１０ａの位置を相対的に上にずらし厚さ８０μｍとなるよう研削した。
一方、比較例（図４）では、上記実施例の「第二の工程」と同様の研削条件で、砥石１０ｃにより、ボンドウエーハの外周約３ｍｍを、厚さ８０μｍとなるまで１工程で研削した。
【００５０】
こうして、ボンドウエーハ外周部の研削が終了した貼り合わせ基板１０枚を、研削した外周部の未結合部が完全に除去されるように、シリコン単結晶約１３０ミクロンがエッチングされる条件である、７０℃で５０％ＮａＯＨ液に約３．５時間浸漬して、ウエーハ外周部の未結合部を完全に除去した。
【００５１】
その後、通常行われている研削・研磨を行い、図３（ｇ）のごとき厚さ２ミクロンのＳＯＩ層を有する、貼り合わせ基板を作製した。
こうしてできたＳＯＩ基板１０枚のベースウエーハ３の表面のテラス部７に存在する傷の数を、光学顕微鏡にてカウントした。
その結果、従来法である比較例の方法で研削したものには、２０〜５０個／枚の傷が観察されたが、本発明の方法で研削したものには、研削が原因と思われる傷は検出されなかった。
【００５２】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００５３】
例えば、上記実施形態では二枚の半導体基板、特にシリコンウエーハを貼り合わせて、貼り合わせ基板を作製する場合を中心に説明したが、本発明は半導体基板と石英、炭化珪素、窒化珪素、アルミナ、サファイヤ、その他のセラミックス材のような絶縁基板とを貼り合わせて、貼り合わせ基板を作製する場合にも周辺未結合部が発生するので、これを除去するのに有効である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の方法によりボンドウエーハの外周部を研削する場合を示した説明図である。
【図２】本発明の方法によりボンドウエーハの外周部を研削する場合の別の例を示した説明図である。
【図３】貼り合わせウエーハの製造方法の概略を示した説明図である。
【図４】従来の方法によりボンドウエーハの外周部を研削する場合を示した説明図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…貼り合わせウエーハ、  ２…ボンドウエーハ、  ３…ベースウエーハ、
４、５…酸化膜、  ６…ＳＯＩ層、  ７…テラス部、
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ…砥石。
【図１】
2006253595.tif 000003
【図２】
2006253595.tif 000004
【図３】
2006253595.tif 000005
【図４】
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