(57)【要約】【課題】定格電流値より大きな電流が流れた時に、瞬間的に配線の一箇所を溶断させて、電流が流れるのを防止するチップ型ヒューズ及びその製造方法を提供する。【解決手段】チップ型ヒューズ１０ａは、基板１と、基板１上に形成された電極部３１ａ及び３１ｂ、配線部３２ａ〜３２ｃからなる銅箔と、配線部３２ｃの領域上に形成されたすずメッキ４を有する。また、配線部３２ａ〜３２ｃ、すずメッキ４を覆って形成された樹脂層を有する。そして、すずメッキ４が形成されている配線部３２ｃの一箇所の配線幅が、他の配線部の配線幅よりも狭くなるように、すずメッキ４及び配線部３２ｃを貫通するスリット５ａが形成される。【選択図】図１
2006164639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、第１の電極部、第２の電極部、前記第１の電極部と前記第２の電極部を接続する配線部からなる第１の金属層と、
前記配線部の領域上に形成された第２の金属層と、
前記配線部、前記第２の金属層を覆って形成された保護層と、
を有するチップ型ヒューズにおいて、
前記第２の金属層が形成されている前記配線部の一箇所の配線幅が、他の配線部の配線幅よりも狭くなるように、前記第２の金属層及び前記配線部を貫通するスリットが形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズ。
【請求項２】
前記第１の金属層が銅により形成されるとともに、前記第２の金属層が融点降下物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載のチップ型ヒューズ。
【請求項３】
前記基板と前記第１の金属層との間に少なくとも１層からなる中間層を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ型ヒューズ。
【請求項４】
前記スリットの形状が、矩形状であることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載のチップ型ヒューズ。
【請求項５】
基板上に第１の金属層を形成する第１の工程と、
前記第１の金属層をフォトリソグラフィーによってパターニングした後、エッチングすることにより、第１の電極部、第２の電極部、前記第１の電極部と前記第２の電極部を接続する配線部を形成する第２の工程と、
前記配線部の領域上をメッキすることにより、第２の金属層を形成する第３の工程と、
前記第２の金属層が形成されている前記配線部の一箇所の配線幅が、他の配線部の配線幅よりも狭くなるように、レーザーによって前記第２の金属層及び前記配線部を貫通するスリットを形成する第４の工程と、
前記配線部、前記第２の金属層を覆うように保護層を形成する第５の工程と、
を有することを特徴とするチップ型ヒューズの製造方法。
【請求項６】
前記第４の工程において、前記第１の電極部と前記第２の電極部の間の抵抗値が所定の抵抗値になるように、前記第１の電極部と前記第２の電極部の間の抵抗値を測定しながら、スリットを形成することを特徴とする請求項５に記載のチップ型ヒューズの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、定格電流値より大きな電流が流れるのを防止するチップ型ヒューズ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、チップ型ヒューズとして特許文献１や特許文献２に記載されている技術が知られている。
図８は、特許文献１に記載のチップ型ヒューズ１０ｃの構造を有する示す平面図である。このチップ型ヒューズ１０ｃは、絶縁性の基板１上に電極部３１ａ及び３１ｂ、配線部３２が形成されている。
このチップ型ヒューズ１０ｃでは、電極部３１ａと電極部３１ｂの間に過電流が流れると、配線部３２の一部が発熱して溶融することにより切断され（以下、本願明細書において「溶断」という）、電極部３１ａと電極部３１ｂの間に電流が流れるのを防止することができる。
【０００３】
しかし、チップ型ヒューズ１０ｃでは、電極部３１ａと電極部３１ｂの間の配線部３２の幅が一定であったため、電極部３１ａと電極部３１ｂの間に過電流が流れたとしても、配線部３２のどの位置で切断されるのかが予測できないという問題があった。また、配線部３２が所定の配線幅を有していたため、配線部３２の一部が発熱して溶融することにより切断するのにかかる時間（以下、本願明細書において「溶断時間」という）を短くすることができないという問題があった。
【特許文献１】特開１１−９６８８５号公報
【特許文献２】特開２０００−３０６０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、定格電流値より大きな電流が流れた時に、瞬間的に配線の一箇所を溶断させて、電流が流れるのを防止するチップ型ヒューズ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に形成され、第１の電極部、第２の電極部、前記第１の電極部と前記第２の電極部を接続する配線部からなる第１の金属層と、前記配線部の領域上に形成された第２の金属層と、前記配線部、前記第２の金属層を覆って形成された保護層とを有するチップ型ヒューズにおいて、前記第２の金属層が形成されている前記配線部の一箇所の配線幅が、他の配線部の配線幅よりも狭くなるように、前記第２の金属層及び前記配線部を貫通するスリットが形成されていることを特徴とするチップ型ヒューズである。
【０００６】
また、請求項２に記載の発明は、前記第１の金属層が銅により形成されるとともに、前記第２の金属層が融点降下物質により形成されることを特徴とする請求項１に記載のチップ型ヒューズである。
【０００７】
また、請求項３に記載の発明は、前記基板と前記第１の金属層との間に少なくとも１層からなる中間層を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のチップ型ヒューズである。
【０００８】
また、請求項４に記載の発明は、前記スリットの形状が、矩形状であることを特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載のチップ型ヒューズである。
【０００９】
また、請求項５に記載の発明は、基板上に第１の金属層を形成する第１の工程と、前記第１の金属層をフォトリソグラフィーによってパターニングした後、エッチングすることにより、第１の電極部、第２の電極部、前記第１の電極部と前記第２の電極部を接続する配線部を形成する第２の工程と、前記配線部の領域上をメッキすることにより、第２の金属層を形成する第３の工程と、前記第２の金属層が形成されている前記配線部の一箇所の配線幅が、他の配線部の配線幅よりも狭くなるように、レーザーによって前記第２の金属層及び前記配線部を貫通するスリットを形成する第４の工程と、前記配線部、前記第２の金属層を覆うように保護層を形成する第５の工程とを有することを特徴とするチップ型ヒューズの製造方法である。
【００１０】
また、請求項６に記載の発明は、前記第４の工程において、前記第１の電極部と前記第２の電極部の間の抵抗値が所定の抵抗値になるように、前記第１の電極部と前記第２の電極部の間の抵抗値を測定しながら、スリットを形成することを特徴とする請求項５に記載のチップ型ヒューズの製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の発明では、第１の金属層における第１の電極部と第２の電極部を接続する配線部の領域上に第２の金属層を形成するとともに、配線部及び第２の金属層の一箇所にスリットを形成するようにした。
このため、スリットを形成した部分の配線部において電流の流れが妨げられるので、ジュール発熱量が大きくなり、スリット形成部分において確実に配線部を溶断させることができる。よって、溶断時間のばらつきをなくすことができるとともに、速断性に優れたチップ型ヒューズを提供することができる。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明では、第１の金属層として銅を使用するとともに、第２の金属層として融点降下物質を使用するようにした。
このため、第２の金属層の融点降下物質が、第１の金属層の銅に拡散することにより、銅の融点が低下し、より速断性に優れたチップ型ヒューズを提供することができる。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明では、基板と第１の金属層との間に少なくとも１層からなる中間層を形成するようにした。
このため、基板と第1の金属層間の絶縁性を向上させることができる。
【００１４】
また、請求項４に記載の発明では、スリットの形状を矩形状にするようにした。
このため、矩形状のスリットの角部分でジュール発熱量が大きくなり、更に速断性に優れたチップ型ヒューズを提供することができる。
【００１５】
また、請求項５に記載の発明では、第２の金属層が形成されている配線部の一箇所の配線幅が、他の配線部の配線幅よりも狭くなるように、レーザーによってスリットを形成するようにした。
このため、スリット形成した部分の配線部において電流の流れが妨げられるので、ジュール発熱量が大きくなり、スリット形成部分において確実に配線部を溶断させることができる。よって、溶断時間のばらつきをなくすことができるとともに、速断性に優れたチップ型ヒューズの製造方法を提供することができる。
【００１６】
また、請求項６に記載の発明では、第１の電極部と第２の電極部の間の抵抗値が所定の抵抗値になるように、抵抗値を測定しながらスリットを形成するようにした。
このため、チップ型ヒューズを複数製造する場合においても、それぞれのチップ型ヒューズの抵抗値を一致させて、チップ型ヒューズの製造歩留りを向上させることが可能となり、速断時間にばらつきが生じるのを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａ、１０ｂについて説明する。
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態のチップ型ヒューズ１０ａの構造を示す斜視図である。
チップ型ヒューズ１０ａは、基板１、接着シート２、銅箔パターン３０ａ、すずメッキ４から構成されている。
本実施形態では、基板１として絶縁性の基板であるアルミナセラミックス基板を使用している。なお、基板１としては、絶縁性や耐熱性が良好であるものであれば、ガラス基板や樹脂基板などを使用することもできる。
【００１８】
基板１上には、基板１の上面を覆うように接着シート２が形成されている。本実施形態では、接着シート２としてエポキシ樹脂系シートを使用している。なお、接着シート２として、アクリル系樹脂シートやシリコン系樹脂シートを使用することもできる。
接着シート２上の領域上には、所定の形状を有する銅箔パターン３０ａが形成されている。以下に、銅箔パターン３０ａの構造について具体的に説明する。
【００１９】
図１（ｂ）に、接着シート２上に形成される銅箔パターン３０ａの平面図を示す。図１（ｂ）では、銅箔パターン３０の形状を説明するために、図１（ａ）におけるすずメッキ４については図示を省略している。
銅箔パターン３０は、チップ型ヒューズ１０ａの両端に矩形状に形成される電極部３１ａ及び３１ｂと、電極部３１ａと電極部３１ｂを接続する「ｚ字」状の配線部３２ａ、３２ｂ、３２ｃから構成されている。
【００２０】
本実施形態では、銅箔パターン３０ａの厚さとして、５μｍのものを使用した。また、配線部３２ａ、３２ｂ、３２ｃの配線幅ｘ１、ｘ２、ｘ３として３０μｍのものを使用した。
なお、本実施形態では、接着シート２の上に、銅（Ｃｕ）を使用して、電極部３１ａ、３１ｂと、配線部３２ａ、３２ｂ、３２ｃを形成する場合について説明するが、これに限定されるものではなく、銅（Ｃｕ）と他の金属の合金や、アルミニウム（Ａｌ）などを用いて形成することも可能である。
【００２１】
図１（ａ）に戻り、接着シート２の配線部３２ｃの上には、すず（Ｓｎ）によりすずメッキ４が形成されている。
なお、本実施形態では、配線部３２ｃの上にすずメッキ４を形成する場合について説明するが、これに限定されるものではなく、鉛（Ｐｂ）、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）、すずとビスマスの合金（Ｓｎ−Ｂｉ）などを用いることもできる。ここで、本願明細書において、「融点降下物質」とは、すず（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、はんだ（Ｓｎ−Ｐｂ）、すずとビスマスの合金（Ｓｎ−Ｂｉ）のいずれかをいうものとする。
図１（ａ）に示したチップ型ヒューズ１０ａの平面図を図２（ａ）に示す。
銅箔パターン３０ａの配線部３２ｃ、及び、すずメッキ４の一箇所の領域には矩形状のスリット５ａが形成されている。スリット５ａが形成されている部分の配線部３２ｃは、スリット５ａが形成されていない部分の配線部３２ｃの配線幅と比べて狭くなっており、発熱容易部３３を形成している。
【００２２】
図２（ｂ）は、チップ型ヒューズ１０ａの発熱容易部３３が形成されている領域を拡大した平面図である。
ここでは、電流Ｉが図２（ｂ）の上方向から下方向に流れる場合について説明する。スリット５ａは、配線３２ｃの長さ方向Ｄ１とは直角な方向Ｄ２に形成されている。また、スリット５ａは、接着シート２上においてすずメッキ４及び銅箔パターン３０を厚さ方向に貫通する矩形状の溝により構成されている。
【００２３】
電流Ｉが、図２（ｂ）の配線部３２ｃの一端３３ａから他端３３ｂに向かって流れる時、配線３２ｃの配線幅がスリット５ａが形成されている発熱容易部３３において狭まっているため、電流Ｉが流れにくくなっている。
よって、発熱容易部３３に過電流が流れると、矩形状のスリット５ａが形成されている部分において電流密度が増加し、配線部３２ｃの一端３３ａや他端３３ｂと比べてよりジュール発熱量が多くなり、発熱容易部３３が溶断し易くなる。
【００２４】
また、チップ型ヒューズ１０ａでは、発熱容易部３３の上部にすずメッキ４が形成されることにより、すずメッキ４のすず（Ｓｎ）が、配線部３２ｃの発熱容易部３３の銅（Ｃｕ）の中に拡散することにより銅（Ｃｕ）の融点が低下する。よって、発熱容易部３３に過電流が流れた時に素早く配線部３２ｃの発熱容易部３３を溶断させることができる。このため、チップ型ヒューズ１０ａの溶断時間を短縮させることができる。また、本実施形態においては、スリット５の寸法としてｘ４＝１０μｍとした。
【００２５】
また、本実施形態において、スリット５ａの寸法ｘ５については、電極部３１ａと電極部３１ｂの間の抵抗値を測定しながら、所望の抵抗値が得られるまで、ＹＡＧレーザにより切り込みを入れることにより決定した。
このように、それぞれのチップ型ヒューズ１０ａにおいて、電極部３１ａと電極部３１ｂの間の抵抗値が一定になるようにスリット５ａの寸法ｘ５を決定することにより、それぞれのチップ型ヒューズ１０ａの抵抗値のばらつきをなくすことができる。また、抵抗値と相関関係を有する溶断時間についても、それぞれのチップ型ヒューズ１０ａにおいて、一定にすることができる。
【００２６】
なお、図１（ａ）では図示を省略したが、本実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａでは、接着シート２上には、銅箔パターン３０ａの配線部３２ａ及び３２ｂ、発熱容易部３３、すずメッキ４を覆って、チップ型ヒューズ１０ａの発熱容易部３３を、外部の衝撃から保護等するための絶縁性の樹脂層６（後述する図６（ａ）参照）が形成される。
また、図１（ａ）では図示を省略したが、基板１の下面の両端には、チップ型ヒューズ１０ａの電極部３１ａ、３１ｂを、外部機器と電気的に接続するための端面電極７ａ、７ｂと、裏面電極８ａ、８ｂが形成される（後述する図６（ｂ）参照）。
【００２７】
上述したチップ型ヒューズ１０ａでは、定格電流よりも数十％程度高い過電流が流れた時に、発熱容易部３３が溶断することを想定している。チップ型ヒューズ１０ａには、発熱容易部３３にスリット５ａが形成されているため、定格電流から低い倍率の過電流が流れた場合でも、数１００ｍｓ程度で発熱容易部３３を溶断することができる。よって、速断性に優れたチップ型ヒューズ１０ａを提供することが可能である。
【００２８】
次に、図３（ａ）〜図６（ｂ）を参照して、本発明の第１の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａの製造方法について説明する。
始めに、図３（ａ）に示すように、絶縁性のアルミナセラミックス基板などの基板１を準備する。次に、図３（ｂ）に示すように、図３（ａ）の基板１上に、接着シート２をラミネート方式によって貼り付ける。
次に、図４（ａ）に示すように、図４（ｂ）の接着シート２上の全面を覆うように、銅箔３を貼り付ける。本実施形態において銅箔３の厚さは５μｍとした。
なお、銅箔３は、メッキやスパッタリング、真空蒸着などの方法により形成することも可能である。
【００２９】
次に、図４（ａ）の銅箔３をフォトリソグラフィーによりパターニングした後、エッチングを行って所定の形状に加工することにより、図４（ｂ）に示すような矩形状の電極部３１ａ及び３１ｂと、「ｚ字」状の配線部３２ａ、３２ｂ、３２ｃからなる銅箔パターン３０ａを形成する。
次に、図４（ｂ）の銅箔パターン３０ａの配線部３２ｃ以外の領域にマスキングを行った後、銅箔パターン３０ａの配線部３２ｃの領域に電解メッキ法を使用して、すず（Ｓｎ）をメッキすることにより薄膜状のすずメッキ４を形成する。
すずメッキ４を形成した後、銅箔パターン３０ａの配線部３２ｃ以外の領域に形成したマスキングを除去することにより、図５（ａ）に示すようなチップ型ヒューズ１０ａが形成される。
【００３０】
次に、図５（ａ）の銅箔パターン３０ａの配線部３２ｃの所定の位置を、図５（ｂ）に示すように、配線部３２ｃの長さ方向とは直角な方向に、ＹＡＧレーザを使用して矩形状の切り込みを入れてスリット５ａを形成する。
ＹＡＧレーザでスリット５ａを形成する際には、接着シート２上の配線部３２ｃとともに、配線部３２ｃ上に形成されているすずメッキ４にも切り込みを入れて、矩形状のスリット５ａを形成する。
【００３１】
次に、図５（ｂ）の電極部３１ａと電極部３１ｂの間の領域を、図６（ａ）に示すように絶縁性の樹脂層６で覆う。このようにチップ型ヒューズ１０ａの発熱容易部３３を樹脂層６で覆うことにより、スリット５ａなど構造的に外部の衝撃から弱い部分を保護することができる。
最後に、チップ型ヒューズ１０ａの両端に、電極部３１ａ、３１ｂに電気的に接続される端面電極７ａ、７ｂと、裏面電極８ａ、８ｂをスクリーン印刷法によって形成する。なお、本実施形態では、端面電極７ａ、７ｂとして、銅（Ｃｕ）−すず（Ｓｎ）−ニッケル（Ｎｉ）の合金を用いた。また、裏面電極８ａ、８ｂとして、銀（Ａｇ）を用いた。
【００３２】
なお、本実施形態のチップ型ヒューズ１０ａの製造方法では、チップ型ヒューズ１０ａを一つ製造する場合について説明したが、これに限定されるものではない。基板上に一度に複数個のチップ型ヒューズ１０ａを製造した後に、一つ一つのチップ型ヒューズ１０ａをダイシングによって切断することにより、一度の製造工程で複数のチップ型ヒューズ１０ａを製造することも可能である。
【００３３】
上述した本実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａを使用すれば、銅箔パターン３０の発熱容易部３３に、矩形状のスリット５ａが形成されているため、チップ型ヒューズ１０ａの電極部３１ａと電極部３１ｂの間の電流の流れが妨げられる。このため、チップ型ヒューズ１０ａの発熱容易部３３に過電流が流れる際の電流密度が大きくなるため、発熱容易部３３でのジュール発熱量が増大し、配線３２ｃが切断され易くなり、速断性に優れたチップ型ヒューズ１０ａを提供することができる。
【００３４】
また、チップ型ヒューズ１０ａの発熱容易部３３上にはすずメッキ４が形成されており、発熱容易部３３の銅（Ｃｕ）中にすず（Ｓｎ）が拡散するため、銅（Ｃｕ）の融点を低下させることができる。よって、チップ型ヒューズ１０ａに過電流が流れて発熱容易部３３が発熱する際に、配線部３２ｃが溶断し易くなり、速断性により優れたチップ型ヒューズ１０ａを提供することができる。
【００３５】
次に、本発明の第２の実施形態のチップ型ヒューズ１０ｂについて説明する。
第２の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ｂが、第１の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａと同じ構成をとる部分については、同一の符号を付して説明を省略する。
図７（ａ）は、本発明の第２の実施形態のチップ型ヒューズ１０ｂの構造を示す斜視図である。
第２の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ｂと、第１の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａ（図１参照）は、発熱容易部３３の構成が相違している。
【００３６】
図７（ｂ）は、接着シート２上に形成される銅箔パターン３０ｂの形状を示す平面図である。本実施形態のチップ型ヒューズ１０ａの発熱容易部３３には、スリット５ｂ及び５ｃの２本の矩形状の溝が形成されている点において、発熱容易部３３に１本の矩形状の溝が形成されていた第１の実施形態における発熱容易部３３（図２（ａ）参照）と相違している。
発熱容易部３３に矩形状のスリット５ｂ、５ｃを形成することにより、第１の実施の形態と同様、発熱容易部３３において電流の流れが妨げられるので、発熱容易部３３以外の配線部３２ｃと比べて、発熱容易部３３でのジュール発熱量が増大する。
【００３７】
よって、電極部３１ａと電極部３１ｂの間に過電流が流れた時に、配線部３２ｃの発熱容易部３３で瞬間的に溶断させることにより、チップ型ヒューズ１０ｂに電流を流れなくすることが可能となる。
また、第１の実施形態と同様に、配線部３２ｃの上には、すずメッキ４が形成されているので、すずメッキ４のすず（Ｓｎ）が配線部３２ｃの銅（Ｃｕ）中に拡散して、銅（Ｃｕ）の融点を低下させることにより、より速断性に優れるチップ型ヒューズ１０ｂを提供することができる。
【００３８】
なお、上述した本発明の第１及び第２の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａ及び１０ｂでは、電極部３１ａと電極部３１ｂを電気的に接続する配線部３２ａ、３２ｂ、３２ｃが「ｚ」字状に形成される場合について説明したが、これに限定されるものではない。
電極部３１ａと電極部３１ｂを接続する配線部の長さや形状を変えて、電極部３１ａと電極部３１ｂの間の抵抗値を変化させることにより、チップ型ヒューズ１０ａ及び１０ｂの速断時間などのヒューズ特性を調整することができる。
また、上述した本発明の第１及び第２の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａ及び１０ｂでは、基板１と配線部３２の間に中間層として接着シート２を１層設ける場合について説明したが、このような構成に限定されるものではなく、接着シートや他の絶縁層を複数層形成することにより基板１と配線部３２の間に中間層を形成しても構わない。
【００３９】
また、上述した第１の実施形態のチップ型ヒューズ１０ａでは、銅箔パターン３０ａの配線部３２ｃに１つの矩形状のスリット５ａが形成される場合（図２（ａ）参照）について説明するとともに、第２の実施形態のチップ型ヒューズ１０ｂでは、銅箔パターン３０ｂの配線部３２ｃに２つの矩形状のスリット５ｂ及び５ｃが形成される場合について説明した。
しかし、銅箔パターン３０ａ、３０ｂの配線部３２ｃに形成するスリット５ａ〜５ｃの形状及び数は、これに限定されるものではなく、発熱容易部３３に流れる電流の流れを妨げることができれるものであれば、その他の構造を用いることも可能である。
【００４０】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して説明したが、具体的な構成についてはこれらの実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
定格電流値以上の電流が流れた時に、瞬間的に配線が切断される速断性が要求される電子機器に組み込まれるチップ型ヒューズに利用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ａの構造を示す図である。
【図２】本実施形態のチップ型ヒューズ１０ａのスリット５の構造を示す図である。
【図３】本実施形態のチップ型ヒューズ１０ａの製造方法を示す図である。
【図４】本実施形態のチップ型ヒューズ１０ａの製造方法を示す図である。
【図５】本実施形態のチップ型ヒューズ１０ａの製造方法を示す図である。
【図６】本実施形態のチップ型ヒューズ１０ａの製造方法を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態によるチップ型ヒューズ１０ｂの構造を示す図である。
【図８】従来のチップ型ヒューズ１０ｃの構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１・・・基板
２・・・接着シート
３・・・銅箔
４・・・すずメッキ
５ａ、５ｂ、５ｃ・・・スリット
６・・・樹脂層
７ａ、７ｂ・・・端面電極
８ａ、８ｂ・・・裏面電極
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ・・・チップ型ヒューズ
３０（３０ａ、３０ｂ）・・・銅箔パターン
３１ａ、３１ｂ・・・電極部
３２、３２ａ、３２ｂ、３２ｃ・・・配線部
３３・・・発熱容易部
【図１】
2006164639.tif 000003
【図２】
2006164639.tif 000004
【図３】
2006164639.tif 000005
【図４】
2006164639.tif 000006
【図５】
2006164639.tif 000007
【図６】
2006164639.tif 000008
【図７】
2006164639.tif 000009
【図８】
2006164639.tif 000010