(57)【要約】【課題】  複数の周波数帯において良好な阻止特性を得ることができ、さらに、小型にかつ簡易な構造にすることができるマイクロマシンスイッチ及び電子機器を提供する。【解決手段】  基板２と、基板２上の第１の領域Ａに設けられた高周波信号線３と、基板２上の第１の領域Ａに近接した第２の領域Ｂに設けられた駆動電極４と、高周波信号線３上及び駆動電極４上にそれぞれ誘電体５１，５２を介して配設され、駆動電極４との間への第１の電圧Ｖ１の印加により、駆動電極４上の誘電体５１に接触し、高周波信号線３との間への第２の電圧Ｖ２の印加により、高周波信号線３上の誘電体５２に接触する可動片６とを備える。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の第１の領域に設けられた高周波信号線と、
前記基板上の第１の領域に近接した第２の領域に設けられた駆動電極と、
前記高周波信号線上及び前記駆動電極上にそれぞれ誘電体を介して配設され、前記駆動電極との間への第１の電圧印加により、前記駆動電極上の前記誘電体に接触し、前記高周波信号線との間への第２の電圧印加により、前記高周波信号線上の前記誘電体に接触する可動片と、
を備えることを特徴とするマイクロマシンスイッチ。
【請求項２】
前記可動片の前記高周波信号線側又は前記駆動電極側の一端は前記基板に固定されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロマシンスイッチ。
【請求項３】
前記可動片の前記高周波信号線側及び前記駆動電極側の両端は前記基板に固定されていることを特徴とする請求項１に記載のマイクロマシンスイッチ。
【請求項４】
実装用基板と、
前記実装用基板上に実装された前記請求項１記載のマイクロマシンスイッチと、
前記マイクロマシンスイッチに接続された増幅器と、
を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロマシンスイッチ及び電子機器に関し、特に高周波信号の切り替えに使用されるマイクロマシンスイッチ及びそれを実装した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波及びミリ波等も含む高周波帯を用いる通信機器等の電子機器は広い分野において用いられている。このため、電子機器を構成する高周波用の電子部品の製造も活発化している。この高周波用の電子部品としては、例えば高周波信号の送受信用として、高周波信号の通過を制御するために高周波スイッチが用いられる。従来、この高周波スイッチを構成する素子としては、ｐｉｎ−ｄｉｏｄｅやＧａＡｓ−ＦＥＴを用いたものが一般的であったが、近年、マイクロマシン技術を応用したマイクロマシンスイッチが用いられるようになってきている。マイクロマシンスイッチは、レシスティブスイッチとキャパシティブスイッチとに分類されるが、構造がシンプルなことや製作の容易さ等の面から、一般的に、キャパシティブスイッチ（シャントスイッチ）が用いられている。
【０００３】
図１７及び図１８に示すように、マイクロマシンスイッチ１０１は、絶縁体基板１０２、その絶縁体基板１０２上に設けられた高周波信号線１０３、その高周波信号線１０３に接触させずに絶縁体基板１０２上に設けられた接地導体１０４、高周波信号線１０３上に絶縁体膜１０５を介して配設された可動片１０６、及び絶縁体基板１０２に設けられたビアホール１０７等を備えている。
【０００４】
可動片１０６の両端は接地導体１０４に固定されている。また、可動片１０６は絶縁体膜１０５から数μｍ離間されている。この可動片１０６は例えば金属で形成されている。なお、この種のマイクロマシンスイッチに関する下記特許文献１においては、可動片１０６を圧電体により形成する技術が提案されている。
【０００５】
ここで、高周波信号線１０３、絶縁体膜１０５及び可動片１０６は、図１９に示すように、高周波信号線１０３とＧＮＤ（グランド）線２０１（接地導体１０４）との間に電気的に並列に挿入された１つの可変キャパシタＣ１０１を構築する。
【０００６】
このようなマイクロマシンスイッチ１０１において、可動片１０６は、その可動片１０６と高周波信号線１０３との間に所定の電圧を印加することにより発生する静電力によって、高周波信号線１０３上の絶縁体膜１０５に接触する。これにより、可変キャパシタＣ１０１のキャパシタンスＣが変化し、高周波信号線１０３を伝送する所定周波数帯の高周波信号の通過を阻止することができる。なお、可動片１０６が絶縁体膜１０５に接触している状態がマイクロマシンスイッチ１０１のオン状態であり、逆に接触していない状態がマイクロマシンスイッチ１０１のオフ状態である。
【０００７】
次に、図１９に示す等価回路に基づいて計算したマイクロマシンスイッチ１０１の周波数特性の一例を図２０及び図２１に示す。
【０００８】
図２０に示すように、マイクロマシンスイッチ１０１がオフ状態である場合には、挿入損失は周波数６〜２４ＧＨｚの周波数帯において１．０ｄＢ以下となる。したがって、マイクロマシンスイッチ１０１は良好な通過特性を有する。
【０００９】
一方、図２１に示すように、マイクロマシンスイッチ１０１がオン状態である場合には、アイソレーションは周波数６〜２４ＧＨｚの周波数帯において１０ｄＢ以上となる。また、キャパシタンスＣとインダクタンスＬとの共振周波数Ｆｒ［Ｆｒ＝１／（２π（ＬＣ）１／２）］は周波数１０ＧＨｚにおいて３８ｄＢになり、このときアイソレーションは最大になる。したがって、マイクロマシンスイッチ１０１は良好な阻止特性を有する。
【００１０】
なお、所望の周波数で最大のアイソレーション、すなわち最大の阻止特性を得るためには、共振周波数Ｆｒに所望の周波数を一致させる必要がある。
【特許文献１】特開２００３−２１７４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、前述のマイクロマシンスイッチ１０１においては、最大の阻止特性を得ることができる周波数は１つに限られてしまう。これは、マイクロマシンスイッチ１０１がオン状態である場合の可変キャパシタＣ１０１のキャパシタンスＣ（値）は１つであり、共振周波数Ｆｒ［Ｆｒ＝１／（２π（ＬＣ）１／２）］が１つしか存在しないためである。
【００１２】
したがって、他の周波数でも最大の阻止特性と同等の良好な阻止特性を得るためには、共振周波数Ｆｒの数、例えば可変キャパシタＣ１０１の数を増やす必要がある。可変キャパシタＣ１０１の数を増やすため、マイクロマシンスイッチ１０１に可動片１０６と別の可動片を配置した場合には、可動片数が単純に増加し、マイクロマシンスイッチ１０１のサイズは大きくなり、その構造も複雑になってしまう。また、同様に可変キャパシタＣ１０１の数を増やすため、電子機器にマイクロマシンスイッチ１０１を複数設けた場合には、電子機器のサイズは大きくなり、その構造も複雑になってしまう。
【００１３】
本発明の目的は、複数の周波数帯において良好な阻止特性を得ることができ、さらに、小型にかつ簡易な構造にすることができるマイクロマシンスイッチ及び電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の実施の形態に係る第１の特徴は、マイクロマシンスイッチにおいて、基板と、基板上の第１の領域に設けられた高周波信号線と、基板上の第１の領域に近接した第２の領域に設けられた駆動電極と、高周波信号線上及び駆動電極上にそれぞれ誘電体を介して配設され、駆動電極との間への第１の電圧印加により、駆動電極上の誘電体に接触し、高周波信号線との間への第２の電圧印加により、高周波信号線上の誘電体に接触する可動片とを備えることである。
【００１５】
本発明の実施の形態に係る第２の特徴は、電子機器において、実装用基板と、実装用基板上に実装された前述の第１の特徴に係るマイクロマシンスイッチと、マイクロマシンスイッチに接続された増幅器とを備えることである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、複数の周波数帯において良好な阻止特性を得ることができ、さらに、小型にかつ簡易な構造にすることができるマイクロマシンスイッチ及び電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施の形態）
［マイクロマシンスイッチの構成］
本発明の第１の実施の形態について図１、図２及び図３を参照して説明する。
【００１８】
図１及び図２に示すように、第１の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチ１は、基板２と、基板２上の中央部分を横切る第１の領域Ａに設けられた高周波信号線３と、基板２上の第１の領域Ａに近接した左側中央の第２の領域Ｂに設けられた駆動電極４と、高周波信号線３上及び駆動電極４上にそれぞれ誘電体５１，５２を介して配設され、駆動電極４との間への第１の電圧Ｖ１の印加により、駆動電極４上の誘電体５１に接触し、高周波信号線３との間への第２の電圧Ｖ２の印加により、高周波信号線３上の誘電体５２に接触する可動片６とを備えている。
【００１９】
さらに、マイクロマシンスイッチ１は、基板２上の第１の領域Ａ及び第２の領域Ｂに隣接する左側周辺の第３の領域Ｃに設けられた接地板（ＧＮＤ電源層）７１と、基板２上の第１の領域Ａに隣接する右側の第４の領域Ｄに設けられた接地板７２と、基板２裏面の全域に設けられた接地電極７３と、基板２の第３の領域Ｃに設けられ接地板７１と接地電極７３との間を電気的に接続するビアホール配線８１と、基板２の第４の領域Ｄに設けられ接地板７２と接地電極７３との間を電気的に接続するビアホール配線８２とを備えている。
【００２０】
基板２は、例えば高抵抗を有するシリコン基板により形成されている。シリコン基板の表面には、例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜（図示せず）が設けられている。
【００２１】
高周波信号線３は、高周波信号の伝送路であり、基板２の一辺（図１中、上辺）から対向する他の一辺（図１中、下辺）に渡って配設されている。なお、高周波信号線３は例えばＴｉ／Ａｕ膜で形成されている。
【００２２】
駆動電極４は、周波数帯を切り替えるキャパシタの一方の電極として使用される。駆動電極４は例えばＴｉ／Ａｕ膜で形成されている。
【００２３】
誘電体５１は、少なくとも可動片６に対向する位置であって、駆動電極４上に設けられている。さらに、誘電体５２は、少なくとも可動片６に対向する位置であって、高周波信号線３上に設けられている。誘電体５１、５２には、例えばシリコン酸化（ＳｉＯ２）膜、シリコン窒化（Ｓｉ３Ｎ４）膜の単層膜、もしくはそれらを積層した複合膜を実用的に使用することができる。なお、第１の実施の形態において、誘電体５１及び誘電体５２としては、同一層において形成され、誘電率が高く、製造上安定して形成することができるシリコン窒化膜が使用されている。
【００２４】
可動片６は、第１の電圧Ｖ１及び第２の電圧Ｖ２を印加せずに形状を変化させていないとき、誘電体５１，５２のそれぞれの表面から上方向に例えば数μｍのギャップを持って離間されている。可動片６は、駆動電極４との間に第１の電圧Ｖ１が印加された場合に駆動電極４側に撓み、高周波信号線３との間に第２の電圧Ｖ２が印加された場合に高周波信号線３側に撓む、可撓性を有する板状のスイッチである。第１の実施の形態において、可動片６は片持梁構造を採用している。詳しくは、可動片６は、高周波信号線３側の一端を基板２の第４の領域Ｄに設けられた接地板７２上に機械的に固定し、かつ接地板７２に電気的に接続し、駆動電極４側の他端を自由端として、形成されている。また、可動片６の一端側（固定端）であって、高周波信号線３と接地板７２の固定部分との間の領域には、可動片６の幅寸法を部分的に小さくする切欠部１１が設けられている。これにより、可動片６は、誘電体５１，５２に接触する方向に撓みやすくなる。可動片６は、可塑性を有し電気伝導性に優れた金属により形成されている。
【００２５】
可動片６は、高周波信号線３上においてキャパシタの一方の電極として使用されており、高周波信号線３は他方の電極として使用されている。つまり、高周波信号線３、誘電体５２及び可動片６は、図３に示すように、高周波信号線３とＧＮＤ線１５（接地電極７３）との間に電気的に並列に挿入された１つの可変キャパシタＣ１を構築する。さらに、可動片６は、キャパシタの一方の電極として使用される駆動電極４上においてキャパシタの他方の電極として使用されている。つまり、駆動電極４、誘電体５１及び可動片６は、図３に示すように、可変キャパシタＣ１のインダクタンスＬ側の電極と、第１の電圧Ｖ１を供給する端子１６との間に挿入された他の１つの可変キャパシタＣ２を構築する。
【００２６】
接地板７１，７２及び接地電極７３は例えばＴｉ／Ａｕ膜で形成されている。接地電極７３は、マイクロマシンスイッチ１を実装基板に実装したときに、実装基板側からＧＮＤ電位を供給するための電極として使用される。
【００２７】
［マイクロマシンスイッチの動作］
このような構成を有するマイクロマシンスイッチ１の動作について説明する。マイクロマシンスイッチ１は、可動片６の形状変化により、オフ状態、第１モードのオン状態、第２モードのオン状態のいずれかに切り替わり、高周波信号線３において伝送される高周波信号の通過周波数帯を制御する。
【００２８】
マイクロマシンスイッチ１のオフ状態とは、駆動電極４と可動片６との間に第１の電圧Ｖ１が印加されておらず、さらに高周波信号線３と可動片６との間に第２の電圧Ｖ２が印加されておらず、図２に示すように、可動片６に形状変化がなく、駆動電極４上の誘電体５１及び高周波信号線３上の誘電体５２に適度な間隔を持って可動片６が接触していない状態である。
【００２９】
マイクロマシンスイッチ１の第１モードのオン状態とは、図４（Ａ）に示すように、可動片６が駆動電極４上の誘電体５１に接触しており、高周波信号線３上の誘電体５２に接触してはいないが近接している状態である。すなわち、第１モードにおいては、可動片６と駆動電極４との間に第１の電圧Ｖ１を印加することにより発生する静電力によって、可動片６の自由端が駆動電極４に引き寄せられ、可動片６が駆動電極４上の誘電体５１に接触する。この接触は可動片６の形状変化によるものであるが、高周波信号線３と可動片６との間には第２の電圧Ｖ２が印加されていないので、可動片６は高周波信号線３上の誘電体５２に近接するものの、完全な接触はしない。結果的に、図３に示すように、駆動電極４、誘電体５１及び可動片６により構成される可変キャパシタＣ２のキャパシタンスＣと、高周波信号線３、誘電体５２及び可動片６により構成される可変キャパシタＣ１のキャパシタンスＣとが変化するので、高周波信号線３を伝送する高周波信号の周波数帯を変化させることができる。
【００３０】
マイクロマシンスイッチ１の第２モードのオン状態とは、図４（Ｂ）に示すように、可動片６が駆動電極４上の誘電体５１に接触し、かつ高周波信号線３上の誘電体５２にも完全に接触している状態である。すなわち、第２モードにおいては、可動片６と駆動電極４との間に第１の電圧Ｖ１を印加しつつ、さらに可動片６と高周波信号線３との間に第２の電圧Ｖ２を印加することにより発生する静電力によって、可動片６が駆動電極４上の誘電体５１に接触するとともに、高周波信号線３上の誘電体５２に接触する。結果的に、図３に示すように、駆動電極４、誘電体５１及び可動片６により構成される可変キャパシタＣ２のキャパシタンスＣと、高周波信号線３、誘電体５２及び可動片６により構成される可変キャパシタＣ１のキャパシタンスＣとが、第１のモードの各キャパシタンスＣに対してさらに変化するので、高周波信号線３を伝送する高周波信号の周波数帯をさらに変化させることができる。
【００３１】
このようなマイクロマシンスイッチ１において、図３に示す等価回路に基づいて計算した周波数特性の一例を図５及び図６に示す。
【００３２】
図５に示すように、マイクロマシンスイッチ１においては、オフ状態の場合、挿入損失が周波数６〜２４ＧＨｚの周波数帯において１．０ｄＢ以下になるので、良好な通過特性を得ることができる。
【００３３】
一方、図６に示すように、マイクロマシンスイッチ１においては、第１モードのオン状態の場合、アイソレーションは周波数５〜１７ＧＨｚの周波数帯において１０ｄＢ以上となる。また、キャパシタンスＣとインダクタンスＬとの共振周波数Ｆｒ［Ｆｒ＝１／（２π（ＬＣ）１／２）］は周波数９ＧＨｚの周波数帯において４０ｄＢになり、このときアイソレーションは最大になる。したがって、マイクロマシンスイッチ１は良好な阻止特性を有する。
【００３４】
さらに、図６に示すように、マイクロマシンスイッチ１においては、第２モードのオン状態の場合、アイソレーションは、周波数３〜１５ＧＨｚの周波数帯において１０ｄＢ以上となる。また、キャパシタンスＣとインダクタンスＬとの共振周波数Ｆｒは周波数６ＧＨｚにおいて４０ｄＢになり、このときアイソレーションは最大になる。したがって、マイクロマシンスイッチ１は良好な阻止特性を有する。
【００３５】
このように第１の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチ１によれば、高周波信号線３に近接した駆動電極４と、駆動電極４上の誘電体５１と、高周波信号線３から駆動電極４上まで延びる可動片６とを備えることによって、可動片６が１つであっても各々キャパシタンスＣを可変可能な２個の可変キャパシタＣ１及びＣ２を構成することができ、高周波信号線３を伝送する高周波信号の周波数帯を複数切り替えることができ、さらに、各周波数帯おいて良好な阻止特性を得ることができる。加えて、１つの可動片６により周波数帯を複数切り替えることができる結果、周波数帯の切り替え数に対する可動片６の個数を削減することができる。したがって、マイクロマシンスイッチ１を小型にかつ簡易な構造にすることができる。特に、高周波信号線３の近傍に駆動電極４、誘電体５１，５２及び可動片６を配設するという簡易な構成により、マイクロマシンスイッチ１を構築することができる。
【００３６】
また、可動片６を片持梁構造にし、かつ切欠部１１を備えることによって、可動片６の形状変化を低駆動電圧で容易に実現することができ、周波数帯の切り替えのときの応答性を向上させることができる。
【００３７】
なお、第１の実施の形態においては、可動片６の高周波信号線３側の一端を基板２上に固定しているが、本発明は、このような形態に限定されるものではなく、可動片６の駆動電極４側の一端を基板２上に固定してもよい。
【００３８】
また、第１の実施の形態においては、基板２上に１つの駆動電極４を設けているが、本発明は、この数量に限定されるものではなく、基板２上に２つ以上駆動電極４を設けてもよい。さらに、基板２上に１本の高周波信号線３を設けているが、本発明は、この本数に限定されるものではなく、基板２上に２本以上の高周波信号線３を設けてもよい。
【００３９】
［マイクロマシンスイッチの製造方法］
次に、マイクロマシンスイッチ１の製造方法について説明する。
【００４０】
まず、基板２を準備する。この基板２には、前述の図１及び図２に示すビアホール配線８１及び８２が既に形成されている。基板２には、例えば高抵抗値を有するシリコン単結晶基板を実用的に使用することができる。また、基板２は、ＧａＡｓ半導体等により形成された化合物半導体基板や樹脂等により形成された絶縁性基板を使用してもよい。
【００４１】
この基板２の表面上にシリコン酸化膜（図示せず）を形成する。シリコン酸化膜は、例えば熱酸化法等により形成し、数μｍ程度の膜厚において形成する。
【００４２】
図７に示すように、基板２上の全面にシリコン酸化膜を介して導電層２１を形成する。ここでは、導電層２１は例えばＴｉ／Ａｕ膜により形成される。続いて、導電層２１上にパターニング用のフォトレジスト膜２２を形成する。このフォトレジスト膜２２は高周波信号線３、駆動電極４、接地板７１及び７２の形状をパターンニングするマスクとして使用される。
【００４３】
次いで、フォトレジスト膜２２を使用して導電層２１にエッチングを行い、図８に示すように、導電層２１から高周波信号線３、駆動電極４、接地板７１及び接地板７２を形成する。その後、フォトレジスト膜２２を除去する。
【００４４】
図９に示すように、基板２上の全面に、高周波信号線３上、駆動電極４上、接地板７１上及び接地板７２上を覆う誘電層２３を形成する。誘電層２３には、誘電率が高い例えばシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４）を実用的に使用することができる。続いて、図９に示すように、誘電層２３上にパターンニング用のフォトレジスト膜２４を形成する。このフォトレジスト膜２４においては、少なくとも誘電体５１，５２を残存させるため、駆動電極４上及び高周波信号線３上の一部分が開口されている。
【００４５】
次いで、フォトレジスト膜２４を使用して誘電層２３をエッチングし、図１０に示すように、誘電層２３から駆動電極４上において誘電体５１を形成するとともに、高周波信号線３の一部上において誘電体５２を形成する。その後、フォトレジスト膜２４を除去する。
【００４６】
次に、図１１に示すように、基板２上の全面に、可動片６形成用の犠牲層２５を形成する。犠牲層２５には、例えばフォトレジスト膜を実用的に使用することができる。この犠牲層２５の可動片６と接地板７２との接続部分は開口されている。
【００４７】
図１２に示すように、犠牲層２５上に金属層２６を形成し、その金属層２６上にパターンニング用のフォトレジスト膜２７を形成する。このフォトレジスト膜２７は可動片６をパターンニングするエッチングマスクとして使用される。
【００４８】
次いで、フォトレジスト膜２７を介して金属層２６をエッチングし、図１３に示すように、金属層２６から可動片６を形成する。その後、図１３に示すように、犠牲層２５及びフォトレジスト膜２７を除去する。
【００４９】
最後に、基板２の裏面上にシリコン酸化膜（図示せず）を形成し、前述の図２に示す基板２の裏面上にシリコン酸化膜を介して接地電極７３を形成する。電極層には、例えばＴｉ／Ａｕ膜を実用的に使用することができる。
【００５０】
このように第１の実施の形態に係る製造方法によれば、特別な製造方法を使用することなく、既存の半導体製造プロセスを使用して簡易にマイクロマシンスイッチ１を製造することができる。さらに、高周波信号線３を形成する工程と同一工程において駆動電極４を形成し、誘電体５２を形成する工程と同一工程において誘電体５１を形成し、かつ可動片６を形成する工程において駆動電極４まで可動片６の一部を延長するだけでマイクロマシンスイッチ１を製造することができるので、大幅に製造工程数を削減することができる。製造工程数を削減することができる結果、製造上の歩留まりを向上することができる。
【００５１】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態について図１４及び図１５を参照して説明する。
【００５２】
図１４及び図１５に示すように、第２の実施の形態に係る可動片６は、両持梁構造により基板２上に設けられている。詳しくは、可動片６の高周波信号線３側の一端は接地板７２に固定され、駆動電極４側の他端は接地板７１に固定されている。
【００５３】
このように構成される第２の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチ１によれば、第１の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチ１により得られる効果と同様の効果を得ることができる。さらに、第２の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチ１においては、可動片６を両持梁構造にすることにより、可動片６自信の機械的強度を高めることができ、耐用年数を長くすることができる。
【００５４】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態について図１６を参照して説明する。第３の実施の形態は、前述の第１又は第２の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチ１を、無線通信機、携帯電話機、又はそれらの組み立て部品等の電子機器に内蔵した例を説明するものである。
【００５５】
図１６に示すように、第３の実施の形態に係る電子機器４１は、実装用基板４２と、実装用基板４２上に実装された第１又は第２の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチ（ＳＷ）１と、マイクロマシンスイッチ１に接続された増幅器（ＡＭＰ）４３とを備えている。図１６中、上側のマイクロマシンスイッチ１は信号入力経路に配設され、下側のマイクロマシンスイッチ１は信号出力経路に配設されている。マイクロマシンスイッチ１には、アンテナ４４、及び、内部回路の入力段又は出力段の増幅器４３が接続されている。
【００５６】
このように構成される第３の実施の形態に係る電子機器４１によれば、マイクロマシンスイッチ１を小型にすることができるので、電子機器４１全体を小型にすることができる。
【００５７】
なお、本発明は、前述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチの概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示すマイクロマシンスイッチのＦ１−Ｆ１線において切断した断面図である。
【図３】図１及び図２に示すマイクロマシンスイッチの等価回路図である。
【図４】（Ａ）は図２に示すマイクロマシンスイッチの第１モードのオン状態を示す断面図、（Ｂ）は図２に示すマイクロマシンスイッチの第２モードのオン状態を示す断面図である。
【図５】図１及び図２に示すマイクロマシンスイッチのオフ状態の周波数特性を示す説明図である。
【図６】図１及び図２に示すマイクロマシンスイッチのオン状態の周波数特性を示す説明図である。
【図７】図１及び図２に示すマイクロマシンスイッチの製造方法を説明する第１の工程断面図である。
【図８】第２の工程断面図である。
【図９】第３の工程断面図である。
【図１０】第４の工程断面図である。
【図１１】第５の工程断面図である。
【図１２】第６の工程断面図である。
【図１３】第７の工程断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るマイクロマシンスイッチの概略構成を示す平面図である。
【図１５】図１４に示すマイクロマシンスイッチのＦ２−Ｆ２切断線において切断した断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態に係る電子機器の概略構成を示す平面図である。
【図１７】本発明の先行技術に係るマイクロマシンスイッチの概略構成を示す平面図である。
【図１８】図１７に示すマイクロマシンスイッチのＦ３−Ｆ３線において切断した断面図である。
【図１９】図１７に示すマイクロマシンスイッチの等価回路を示す回路図である。
【図２０】図１７に示すマイクロマシンスイッチのオフ状態の周波数特性を示す説明図である。
【図２１】図１７に示すマイクロマシンスイッチのオン状態の周波数特性を示す説明図である。
【符号の説明】
【００５９】
１…マイクロマシンスイッチ、２…基板、３…高周波信号線、４…駆動電極、５１，５２…誘電体、６…可動片、４１…電子機器、４２…実装用基板、４３…増幅器、Ａ…第１の領域、Ｂ…第２の領域、Ｖ１…第１の電圧、Ｖ２…第２の電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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