(57)【要約】【課題】  サーマルヘッドの作動特性を可能な限り向上させることが可能なサーマルヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】  結晶化ガラスを含むようにグレーズ層２を形成し、引き続きグレーズ層２上に発熱抵抗体層３を形成したのち、その発熱抵抗体層３を加熱する。この加熱処理により、発熱抵抗体層３を構成している多結晶シリコンの結晶性が熱的に緩和されると共に、グレーズ層２から発熱抵抗体層３へ不純物が拡散されるにくくなる結果、その多結晶シリコンの結晶性が著しく向上する。これにより、発熱抵抗体層３の抵抗特性が安定に向上するため、ＳＳＴ特性や耐パルス特性に代表されるサーマルヘッド１０の作動特性を可能な限り向上する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多結晶シリコンを含んで構成され、ラマンスペクトルピークの半値幅が１６ｃｍ-1以下の発熱抵抗体層と、
前記発熱抵抗体層に隣接され、結晶化ガラスを含んで構成された蓄熱層と
を備えたことを特徴とするサーマルヘッド。
【請求項２】
前記結晶化ガラスは、−５．０×１０-6／℃以上１０．０×１０-6／℃以下の範囲内の熱膨張係数を有している
ことを特徴とする請求項１記載のサーマルヘッド。
【請求項３】
前記結晶化ガラスは、スポジュメン固溶体（ＬｉＡｌＳｉ2 Ｏ6 ）、ユークリプタイト固溶体（ＬｉＡｌＳｉＯ4 ）、ペタライト固溶体（ＬｉＡｌＳｉ4 Ｏ10）、β−石英固溶体（ＳｉＯ2 ）およびコージェライト固溶体（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を含む群のうちの少なくとも１種の結晶相が析出したものである
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサーマルヘッド。
【請求項４】
前記発熱抵抗体層のラマンスペクトルピークの半値幅が１２ｃｍ-1以下である
ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のサーマルヘッド。
【請求項５】
結晶化ガラスを含むように蓄熱層を形成する第１の工程と、
前記蓄熱層上に発熱抵抗体層を形成する第２の工程と、
前記発熱抵抗体層を加熱する第３の工程と
を含むことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程において、
４５重量％以上６５重量％以下の範囲内の酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と、
１０重量％以上３０重量％以下の範囲内の酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）と、
３重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化リチウム（Ｌｉ2 Ｏ）と、
０重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、
０重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化亜鉛（ＺｎＯ）と
をそれぞれ粉末状態で混合させることにより、前記結晶化ガラスを生成する
ことを特徴とする請求項５記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程において、多結晶シリコンを成膜することにより前記発熱抵抗体層を形成し、
前記第３の工程において、多結晶シリコンの成膜温度以上１１００℃以下の範囲内の温度で前記発熱抵抗体層を加熱する
ことを特徴とする請求項５または請求項６に記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して多結晶シリコンを成膜する
ことを特徴とする請求項７記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項９】
基体上に結晶化ガラスを含むように蓄熱層を形成する第１の工程と、
前記基体を加熱しながら前記蓄熱層上に発熱抵抗体層を形成する第２の工程と
を含むことを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程において、
４５重量％以上６５重量％以下の範囲内の酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と、
１０重量％以上３０重量％以下の範囲内の酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）と、
３重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化リチウム（Ｌｉ2 Ｏ）と、
０重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、
０重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化亜鉛（ＺｎＯ）と
をそれぞれ粉末状態で混合させることにより、前記結晶化ガラスを生成する
ことを特徴とする請求項９記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記第２の工程において、多結晶シリコンを成膜することにより前記発熱抵抗体層を形成すると共に、５５０℃以上１１００℃以下の範囲内の温度で前記基体を加熱する
ことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のサーマルヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記第２の工程において、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して多結晶シリコンを成膜する
ことを特徴とする請求項１１記載のサーマルヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば感熱方式の印画装置等に発熱源として搭載されるサーマルヘッドおよびその製造方法に係り、特に、発熱抵抗体層において発生した熱を蓄熱するための蓄熱層（いわゆるグレーズ層）を備えたサーマルヘッドおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、熱エネルギーを利用して画像を形成する画像形成分野において、発熱源としてサーマルヘッドが広く使用されている。サーマルヘッドは、発熱抵抗体層を備えた発熱デバイスであり、このサーマルヘッドを搭載した画像形成装置（例えば感熱方式の印画装置）を使用すれば、発熱抵抗体層において発生した熱エネルギーを利用して画像形成用媒体（例えば感熱紙などの印画媒体）に画像を形成（印画）することが可能である。
【０００３】
サーマルヘッドの主要部は、例えば、基板上に、グレーズ層と、発熱抵抗体層および電極層と、保護層とがこの順に積層された積層構造を有している。グレーズ層の構成材料としては、例えば、そのグレーズ層を容易に形成する観点から、ガラスが一般的に使用されている。また、発熱抵抗体層の構成材料としては、例えば、高融点金属の炭化物、酸化物または窒化物が一般的に知られている。この高融点金属は、例えば、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）またはタングステン（Ｗ）などである。また、最近では、発熱抵抗体層の構成材料として、例えば、ホウ素（Ｂ）またはリン（Ｐ）がドープされた多結晶シリコンも使用されている。この多結晶シリコンを使用して発熱抵抗体層を形成する場合には、その形成手法として半導体プロセスを使用することが可能である（例えば、特許文献１〜３参照。）。
【特許文献１】特開昭６２−１６８３７５号公報
【特許文献２】特開平０１−２１５５６０号公報
【特許文献３】特開平０１−２８３１６１号公報
【０００４】
ところが、近年、印画速度の高速化ならびに印画精度の高精細化が加速的に進行している情勢下において、サーマルヘッドの作動特性に関してより一層の向上が求められており、このサーマルヘッドの作動特性を向上させるために、既にいくつかの技術が提案されている。
【０００５】
具体的には、例えば、サーマルヘッドの代表的な作動特性であるＳＳＴ（Step Stress Test）特性や耐パルス特性を向上させることを目的として、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して基板を加熱しながら多結晶シリコンを成膜することにより発熱抵抗体層を形成する技術が知られている（例えば、特許文献２，３参照。）。このときの加熱温度は、グレーズ層の耐熱性に基づいて決定されており、具体的にはグレーズ層のガラス転移温度未満である。この技術によれば、発熱抵抗体層を構成している多結晶シリコンの結晶構造が熱的に緩和されることにより安定化し、その多結晶シリコンの結晶性が向上するため、サーマルヘッドの作動特性が向上する。
【０００６】
また、例えば、グレーズ層と発熱抵抗体層との間に、そのグレーズ層から発熱抵抗体層へ不純物が拡散することを抑制するための障壁として機能する中間層を設ける技術が知られている（例えば、特許文献４参照。）。この技術によれば、サーマルヘッドの作動時において発熱抵抗体層が発熱した際に、グレーズ層中に含まれている不純物が中間層の存在に基づいて発熱抵抗体層へ拡散しにくくなるため、その不純物の拡散現象に起因してサーマルヘッドの作動特性が低下しにくくなる。
【特許文献４】特公平０６−０４９３７５号公報
【０００７】
なお、サーマルヘッドの作動特性を向上させる技術に関連する技術としては、上記した一連の技術の他にも多様なアプローチが検討されている。
【０００８】
具体的には、例えば、基板上に結晶化ガラスを使用して第１のガラス層を形成し、引き続き第１のガラス層上に非晶質ガラスを使用して第２のガラス層を形成したのち、それらの第１および第２のガラス層を焼成することにより、基板上に膜厚の大きなグレーズ層を形成する技術が知られている（例えば、特許文献５参照。）。
【特許文献５】特開平０９−１００１８３号公報
【０００９】
また、例えば、多結晶シリコンに代えて窒化タンタル（Ｔａ2 Ｎ）を使用して発熱抵抗体層を構成すると共に、ガラスに代えてタンタル（Ｔａ）またはケイ素（Ｓｉ）の酸化物を使用してグレーズ層を構成することにより、上記したグレーズ層のガラス転移温度よりも高い温度で発熱抵抗体層を加熱する技術が知られている（例えば、特許文献６参照。）。
【特許文献６】特開平０５−１４７２４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、上記したサーマルヘッドの作動特性の向上に関する要請に答え、そのサーマルヘッドに関してより一層の市場普及を図るためには、これまで以上にサーマルヘッドの作動特性を向上させる必要がある。しかしながら、従来のサーマルヘッドの製造方法では、市場の要請の観点からＳＳＴ特性や耐パルス特性に代表される作動特性が十分とは言えず、未だ改善の余地がある。特に、上記したＳＳＴ特性や耐パルス特性は、サーマルヘッドを搭載した印画装置の印画特性を大きく左右する因子であるため、その印画装置の印画特性に関して多様な要望が寄せられている今日の技術的背景を考慮すれば、サーマルヘッドの作動特性を可能な限り向上させることが可能な技術の確立が急務である。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、作動特性が可能な限り向上したサーマルヘッドを提供することにある。
【００１２】
また、本発明の第２の目的は、サーマルヘッドの作動特性を可能な限り向上させることが可能なサーマルヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係るサーマルヘッドは、多結晶シリコンを含んで構成され、ラマンスペクトルピークの半値幅が１６ｃｍ-1以下の発熱抵抗体層と、発熱抵抗体層に隣接され、結晶化ガラスを含んで構成された蓄熱層とを備えたものである。
【００１４】
本発明に係るサーマルヘッドでは、結晶化ガラスを含んで構成された蓄熱層を備えるため、例えば、サーマルヘッドの製造工程において蓄熱層上に形成された発熱抵抗体層が加熱されることにより、その発熱抵抗体層を構成している多結晶シリコンの結晶性が著しく向上し、具体的には発熱抵抗体層のラマンスペクトルピークの半値幅が１６ｃｍ-1以下となる。
【００１５】
なお、「結晶化ガラス」とは、熱処理により結晶相が析出したガラス（非晶質と結晶質とが混在したガラス）をいい、具体的には３０％〜１００％、好ましくは３０％〜７０％の結晶化率を有するガラスをいう。この結晶化率は、Ｘ線回折法を使用して測定された結果に基づいて、リートベルト法やシェラー式などの既存の解析方法を使用して算出された値である。中でも、リートベルト法を使用して算出された値であることが好ましい。
【００１６】
本発明の第１の観点に係るサーマルヘッドの製造方法は、結晶化ガラスを含むように蓄熱層を形成する第１の工程と、蓄熱層上に発熱抵抗体層を形成する第２の工程と、発熱抵抗体層を加熱する第３の工程とを含むようにしたものである。
【００１７】
本発明の第１の観点に係るサーマルヘッドの製造方法では、結晶化ガラスを含むように蓄熱層が形成された状態において、その蓄熱層上に形成された発熱抵抗体層が加熱されるため、発熱抵抗体層を構成している多結晶シリコンの結晶性が熱的な緩和作用に基づいて向上する。この場合には、特に、蓄熱層が熱耐久性の高い結晶化ガラスを含んで形成されていることに基づき、蓄熱層が熱耐久性の低い非晶質ガラスを含んで形成されている場合と比較して、その蓄熱層に過度な熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）が及ぶことを抑制しつつ、より高い温度で発熱抵抗体層を加熱することが可能になるため、多結晶シリコンの結晶性が著しく向上する。しかも、蓄熱層が加熱された際に不純物を拡散させにくい結晶化ガラスを含んで形成されていることに基づき、蓄熱層が加熱された際に不純物を拡散させやすい非晶質ガラスを含んで形成されている場合と比較して、蓄熱層から発熱抵抗体層へ不純物が拡散されにくくなるため、この点においても多結晶シリコンの結晶性が著しく向上する。
【００１８】
本発明の第２の観点に係るサーマルヘッドの製造方法は、基体上に結晶化ガラスを含むように蓄熱層を形成する第１の工程と、基体を加熱しながら蓄熱層上に発熱抵抗体層を形成する第２の工程とを含むようにしたものである。
【００１９】
本発明の第２の観点に係るサーマルヘッドの製造方法では、基体上に結晶化ガラスを含むように蓄熱層が形成された状態において、その基体が加熱されながら蓄熱層上に発熱抵抗体層が形成されるため、上記した本発明の第１の観点に係るサーマルヘッドの製造方法と同様に、発熱抵抗体層を構成している多結晶シリコンの結晶性が熱的な緩和作用に基づいて向上し、特に、蓄熱層に過度な熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）が及ぶことを抑制しつつ、より高い温度で発熱抵抗体層を加熱することが可能になるため、多結晶シリコンの結晶性が著しく向上すると共に、蓄熱層から発熱抵抗体層へ不純物が拡散されにくくなるため、この点においても多結晶シリコンの結晶性が著しく向上する。
【００２０】
本発明に係るサーマルヘッドでは、結晶化ガラスが−５．０×１０-6／℃以上１０．０×１０-6／℃以下の範囲内の熱膨張係数を有しているのが好ましい。この種の結晶化ガラスとしては、スポジュメン固溶体（ＬｉＡｌＳｉ2 Ｏ6 ）、ユークリプタイト固溶体（ＬｉＡｌＳｉＯ4 ）、ペタライト固溶体（ＬｉＡｌＳｉ4 Ｏ10）、β−石英固溶体（ＳｉＯ2 ）およびコージェライト固溶体（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を含む群のうちの少なくとも１種の結晶相が析出したものが挙げられる。特に、発熱抵抗体層のラマンスペクトルピークの半値幅は１２ｃｍ-1以下であるのがより好ましい。
【００２１】
本発明の第１または第２の観点に係るサーマルヘッドの製造方法では、第１の工程において、４５重量％以上６５重量％以下の範囲内の酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と、１０重量％以上３０重量％以下の範囲内の酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）と、３重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化リチウム（Ｌｉ2 Ｏ）と、０重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、０重量％以上１０重量％以下の範囲内の酸化亜鉛（ＺｎＯ）とをそれぞれ粉末状態で混合させることにより結晶化ガラスを生成するのが好ましい。
【００２２】
本発明の第１の観点に係るサーマルヘッドの製造方法では、第２の工程において、多結晶シリコンを成膜することにより発熱抵抗体層を形成し、第３の工程において、多結晶シリコンの成膜温度以上１１００℃以下の範囲内の温度で発熱抵抗体層を加熱するのが好ましく、特に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して多結晶シリコンを成膜するのが好ましい。
【００２３】
本発明の第２の観点に係るサーマルヘッドの製造方法では、第２の工程において、多結晶シリコンを成膜することにより発熱抵抗体層を形成すると共に、５５０℃以上１１００℃以下の範囲内の温度で基体を加熱するのが好ましく、特に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して多結晶シリコンを成膜するのが好ましい。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係るサーマルヘッドによれば、結晶化ガラスを含んで構成された蓄熱層を備える構造的特徴に基づき、例えば、サーマルヘッドの製造工程において蓄熱層上に形成された発熱抵抗体層が加熱されることにより、その発熱抵抗体層を構成している多結晶シリコンの結晶性が著しく向上し、具体的には発熱抵抗体層のラマンスペクトルピークの半値幅が１６ｃｍ-1以下となるため、ＳＳＴ特性や耐パルス特性に代表される作動特性を可能な限り向上させることができる。
【００２５】
本発明の第１の観点に係るサーマルヘッドの製造方法によれば、結晶化ガラスを含むように蓄熱層が形成された状態において、その蓄熱層上に形成された発熱抵抗体層が加熱される製法的特徴に基づき、発熱抵抗体層を構成している多結晶シリコンが熱的に緩和されると共に蓄熱層から発熱抵抗体層へ不純物が拡散されにくくなる結果、その多結晶シリコンの結晶性が著しく向上するため、ＳＳＴ特性や耐パルス特性に代表されるサーマルヘッドの作動特性を可能な限り向上させることができる。
【００２６】
また、本発明の第２の観点に係るサーマルヘッドの製造方法によれば、基体上に結晶化ガラスを含むように蓄熱層が形成された状態において、その基体が加熱されながら蓄熱層上に発熱抵抗体層が形成される製法的特徴に基づき、発熱抵抗体層を構成している多結晶シリコンが熱的に緩和されると共に蓄熱層から発熱抵抗体層へ不純物が拡散されにくくなる結果、その多結晶シリコンの結晶性が著しく向上するため、ＳＳＴ特性や耐パルス特性に代表されるサーマルヘッドの作動特性を可能な限り向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
まず、図１を参照して、本発明の一実施の形態に係るサーマルヘッドの構成について説明する。図１は、サーマルヘッド１０の外観構成（Ｙ軸方向から見た側面構成）を表している。
【００２９】
本実施の形態に係るサーマルヘッド１０は、例えば、感熱方式の印画装置（すなわちプリンタ）などに発熱源として搭載される発熱デバイスである。このサーマルヘッド１０は、例えば、図１に示したように、発熱部１０Ａと、この発熱部１０Ａを駆動させるための駆動部１０Ｂとを備え、具体的には発熱部１０Ａが駆動部１０Ｂに搭載された構成を有している。
【００３０】
駆動部１０Ｂは、発熱部１０Ａに通電して駆動させることにより、その発熱部１０Ａの駆動状態を制御するものである。この駆動部１０Ｂは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）製の放熱板１１に対してプリント基板（ＰＣＢ；Print Circuit Board ）１２が部分的に重なるように連結されており、このプリント基板１２の一方の面（上面）にドライバＩＣ（Integrated Curcuit）１３が取り付けられ、かつ他方の面（下面）に外部接続用のコネクタ１４が取り付けられた構成を有している。このドライバＩＣ１３は、発熱部１０Ａを駆動させるためのデバイスであり、例えば、ＩＣ樹脂膜１５中に埋設されている上、さらにプリント基板１２の一方の面に取り付けられたＩＣカバー１６によりＩＣ樹脂膜１５と共に覆われている。
【００３１】
発熱部１０Ａは、駆動部１０Ｂから通電されることにより駆動して発熱するものであり、例えば、シリコン系の接着剤１７を介して駆動部１０Ｂの放熱板１１に固定されている。なお、発熱部１０Ａの詳細な構成については後述する。
【００３２】
次に、図１〜図３を参照して、発熱部１０Ａの詳細な構成について説明する。図２および図３は発熱部１０Ａの構成を拡大して表しており、図２は断面構成（ＸＺ面に平行な断面構成）を示し、図３は平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を示している。なお、図２では、図３に示したＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構成を示している。
【００３３】
発熱部１０Ａは、例えば、図２に示したように、基板１上に、グレーズ層２と、発熱抵抗体層３および電極層４と、保護層５とがこの順に積層された積層構造を有している。
【００３４】
基板１は、発熱部１０Ａ全体を支持するための基体であり、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの絶縁性材料を含んで構成されている。
【００３５】
グレーズ層２は、発熱抵抗体層４において発生した熱を蓄熱することにより、その熱が基板１へ逃げないようにするための蓄熱層であり、結晶化ガラスを含んで構成されている。なお「結晶化ガラス」とは、熱処理により結晶が析出したガラス（非晶質と結晶質とが混在したガラス）をいい、具体的には約３０％〜１００％、好ましくは約３０％〜７０％の結晶化率を有するガラスをいう。結晶化率が約３０％〜７０％であることが好ましい理由は、例えば、結晶化率が３０％より小さいと、グレーズ層２において適正な熱的特性（例えば熱膨張係数、ガラス転移温度および屈伏温度等）が得られず、一方、７０％よりも大きいと、グレーズ層２の成形精度が低下する可能性があるからである。この結晶化率は、Ｘ線回折法を使用して測定された結果に基づいて、リートベルト法やシェラー式などの既存の解析方法を使用して算出された値である。中でも、リートベルト法を使用して算出された値であることが好ましい。
【００３６】
グレーズ層２を構成している結晶化ガラスは、例えば、後述する多結晶シリコンを含んで構成された発熱抵抗体層３の熱膨張係数（約４．２×１０-6／℃）に近い値の熱膨張係数を有している。すなわち、結晶化ガラスは、例えば、熱的影響を受けて自らが膨張または縮小した場合においても発熱抵抗体層３に過度な熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）を及ぼさないような熱的特性を有しており、具体的には約−５．０×１０-6／℃〜１０．０×１０-6／℃の熱膨張係数を有している。この種の結晶化ガラスとしては、例えば、スポジュメン固溶体（ＬｉＡｌＳｉ2 Ｏ6 ）、ユークリプタイト固溶体（ＬｉＡｌＳｉＯ4 ）、ペタライト固溶体（ＬｉＡｌＳｉ4 Ｏ10）、β−石英固溶体（ＳｉＯ2 ）およびコージェライト固溶体（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を含む群のうちの少なくとも１種の結晶相が析出したものが挙げられる。なお、結晶化ガラスのガラス転移温度および屈伏温度は、例えば、後述するサーマルヘッドの製造時の加熱温度、すなわち発熱抵抗体層３の形成後の加熱温度、あるいは発熱抵抗体層３の形成温度よりも高いのが好ましい。
【００３７】
発熱抵抗体層３は、電極層４を介して通電されることより発熱するものであり、多結晶シリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を含んで構成されている。この多結晶シリコンとしては、例えば、ホウ素（Ｂ）がドープされたＰ型の多結晶シリコンや、リン（Ｐ）がドープされたｎ型の多結晶シリコンなどが挙げられる。特に、発熱抵抗体層３のラマンスペクトルピークの半値幅、すなわちラマン分光分析法を使用して発熱抵抗体層３（発熱抵抗体層３を構成している多結晶シリコン）を分析した際に得られるラマンスペクトルピークの半値幅は、約１６ｃｍ-1以下、好ましくは約１２ｃｍ-1以下である。
【００３８】
電極層４は、発熱抵抗体層３を通電させるためのものである。この電極層４は、例えば、Ｘ軸方向において所定のギャップＧを挟んで互いに対向配置された電極層４Ａ，４Ｂを含んで構成されており、発熱抵抗体層３に電気的に接続されている。これらの電極層４Ａ，４Ｂは、例えば、いずれもアルミニウム（Ａｌ）などの高導電性材料を含んで構成されている。
【００３９】
保護層５は、サーマルヘッド１０を使用して印画媒体に画像を印画する際に、その印画媒体と接触することに起因して発熱抵抗体層３や電極層４が磨耗または破損することを防止するためのものである。この保護層５は、例えば、ホウ素（Ｂ）およびリン（Ｐ）を有する材料を含んで構成されており、具体的にはジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ）およびホスフィン（ＰＨ3 ）等を使用してプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法で成膜されたホウ素−リン化合物（ＢＰ）を含んで構成されている。
【００４０】
この発熱部１０Ａでは、例えば、図３に示したように、電極層４のうちの電極層４Ａ，４ＢがいずれもＸ軸方向に延在していると共に、複数組の電極層４Ａ，４ＢがＹ軸方向において並列に配置されており、各組の電極層４Ａ，４Ｂに対応するように複数の発熱抵抗体層３が同様にＹ軸方向において並列に配置されている。この電極層４のうち、一方の電極層４Ａはコモン電極として機能するものであり、各組の電極層４Ａ間で互いに連結されているのに対して、他方の電極層４Ｂはリード電極として機能するものであり、各組の電極層４Ｂ間で互いに分離されている。このリード電極として機能する一連の電極層４Ｂは、駆動部１０ＢのドライバＩＣ１３（図１参照）に接続されており、このドライバＩＣ１３を通じて互いに独立して通電されることが可能になっている。なお、図３では、発熱抵抗体層３および電極層４（４Ａ，４Ｂ）の積層方向（Ｚ軸方向）における位置関係を見やすくするために、保護層５の図示を省略していると共に、電極層４（４Ａ，４Ｂ）に網掛けを施している。
【００４１】
このサーマルヘッド１０では、図１〜図３に示したように、例えば、感熱方式の印画装置に駆動部１０Ｂのコネクタ１４を介して接続された状態において、画像パターン情報に基づいてドライバＩＣ１３を通じて電極層４（４Ａ，４Ｂ）が通電されると、この電極層４から供給された電流に基づいて発熱抵抗体層３が発熱することにより、印画用の熱が発生する。このとき発生した印画用の熱は、保護層５内を伝導したのち、最終的に印画媒体（図示せず）の印画エリアまで伝導する。
【００４２】
次に、図２〜図４を参照して、サーマルヘッドの製造方法について説明する。図４は、サーマルヘッドの製造方法の流れを説明するためのものである。なお、以下では、サーマルヘッド１０のうちの発熱部１０Ａの製造工程について言及すると共に、その発熱部１０Ａの各構成要素の形成材料については既に説明したので随時省略するものとする。
【００４３】
サーマルヘッド１０のうちの発熱部１０Ａを製造する際には、まず、図２および図３に示したように、基体としてアルミナ製の基板１を準備したのち、その基板１上に、結晶化ガラスを含むようにグレーズ層２を形成する（図４；ステップＳ１０１）。
【００４４】
このグレーズ層２を形成する際には、例えば、約４５重量％〜６５重量％の酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）と、約１０重量％〜３０重量％の酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ）と、約３重量％〜１０重量％の酸化リチウム（Ｌｉ2 Ｏ）と、約０重量％〜１０重量％の酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、約０重量％〜１０重量％の酸化亜鉛（ＡｎＯ）とをそれぞれ粉末状態で混合させることにより、約−５．０×１０-6／℃〜１０．０×１０-6／℃の熱膨張係数を有する結晶化ガラスを生成し、具体的にはスポジュメン固溶体（ＬｉＡｌＳｉ2 Ｏ6 ）、ユークリプタイト固溶体（ＬｉＡｌＳｉＯ4 ）、ペタライト固溶体（ＬｉＡｌＳｉ4 Ｏ10）、β−石英固溶体（ＳｉＯ2 ）およびコージェライト固溶体（２ＭｇＯ・２Ａｌ2 Ｏ3 ・５ＳｉＯ2 ）を含む群のうちの少なくとも１種の結晶相が析出した結晶化ガラスを生成する。より詳細なグレーズ層２の形成手順としては、例えば、上記した一連の粉末材料を溶媒に溶解させることにより生成したガラスペーストを基板１の表面に塗布し、そのガラスペーストを乾燥させることによりガラスペースト膜を形成したのち、所定の温度で所定の時間に渡ってガラスペースト膜を焼成することにより、結晶化率が約３０％〜１００％、好ましくは約３０％〜７０％となるようにガラスペースト膜を結晶化させる。上記したガラスペースト膜の焼成温度および焼成時間は、例えば、結晶化ガラスの結晶化率が上記した範囲内となる限りにおいて自由に設定可能である。
【００４５】
なお、上記した一連の結晶化ガラスの形成材料（粉末材料）の添加重量を上記した範囲内に設定する理由は、例えば、以下の通りである。すなわち、第１に、酸化ケイ素の添加重量が４５重量％より小さいと、残存ガラス相の化学耐久性および耐熱性が低下し、一方、６５重量％よりも大きいと、主結晶相が析出しにくくなるからである。第２に、酸化アルミニウムの添加重量が１０重量％よりも小さいと、溶融性が低下して成形しにくくなり、一方、３０重量％よりも大きいと、化学耐久性が低下するからである。第３に、酸化リチウムの添加重量が３重量％よりも小さいと、主結晶相が析出しにくくなり、一方、１０重量％よりも大きいと、化学耐久性が低下するからである。第４に、酸化マグネシウムの添加重量が１０％よりも大きいと、コージェライト系の固溶体において結晶相が析出しにくくなるからである。第５に、酸化亜鉛の添加重量が１０重量％よりも大きいと、ペタライト系の固溶体において結晶相が析出しにくくなるからである。確認までに、グレーズ層２を形成する際には、必ずしもガラスペーストを焼成する方法を使用しなければならないわけではなく、例えば、上記したガラスペーストの焼成方法に代えて、既存の成膜技術を使用するようにしてもよい。この場合には、例えば、上記したガラスペーストを成膜したり、あるいはゾルゲル法を使用することにより、結晶化ガラスを生成するのが好ましい。
【００４６】
続いて、グレーズ層２上に、例えばＣＶＤ法を使用して多結晶シリコンを成膜することにより発熱抵抗体層３を形成する（図４；ステップＳ１０２）。この発熱抵抗体層３を形成する際には、例えば、ホウ素がドープされたＰ型の多結晶シリコンを成膜したり、あるいはリンがドープされたｎ型の多結晶シリコンを成膜する。
【００４７】
続いて、先工程においてグレーズ層２上に形成した発熱抵抗体層３に熱処理を施し、すなわち発熱抵抗体層３を加熱する（図４；ステップＳ１０３）。この発熱抵抗体層３を加熱する際には、例えば、発熱抵抗体層３の成膜温度（多結晶シリコンの成膜温度）〜１１００℃の温度で発熱抵抗体層３を加熱する。この発熱抵抗体層３を上記した温度範囲内で加熱する理由は、例えば、加熱温度が多結晶シリコンの成膜温度よりも低いと、熱処理を利用して多結晶シリコンの結晶性を向上させにくくなり、一方、加熱温度が１１００℃よりも高いと、グレーズ層２に過度な熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）が及びやすくなるからである。特に、発熱抵抗体層３を加熱する際には、例えば、約１０分間〜１０時間の時間に渡って発熱抵抗体層３を加熱する。この発熱抵抗体層３を上記した時間範囲内で加熱する理由は、例えば、加熱時間が１０分間よりも短いと、熱処理を利用して多結晶シリコンの結晶性を向上させにくくなり、一方、加熱時間が１０時間よりも長いと、サーマルヘッド１０の生産性（製造効率）が極端に低下してしまうからである。
【００４８】
この熱処理により、発熱抵抗体層３を構成している多結晶シリコンの結晶構造が熱的に緩和されることにより安定化するため、その多結晶シリコンの結晶性が向上する。この場合には、特に、グレーズ層２が熱耐久性の高い結晶化ガラスを含んで形成されていることに基づき、グレーズ層２が熱耐久性の低い非晶質ガラスを含んで形成されている場合と比較して、そのグレーズ層２に過度な熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）が及ぶことを抑制しつつ、より高い温度で発熱抵抗体層３を加熱することが可能になるため、多結晶シリコンの結晶性が著しく向上する。しかも、グレーズ層２が加熱された際に不純物を拡散させにくい結晶化ガラスを含んで形成されていることに基づき、グレーズ層２が加熱された際に不純物を拡散させやすい非晶質ガラスを含んで形成されている場合と比較して、グレーズ層２から発熱抵抗体層３へ不純物が拡散されにくくなるため、この点においても多結晶シリコンの結晶性が著しく向上する。
【００４９】
続いて、発熱抵抗体層３を加熱したのち、その発熱抵抗体層３に冷却処理を施し、すなわち発熱抵抗体層３を冷却する（図４；ステップＳ１０４）。この発熱抵抗体層３を冷却する際には、例えば、約０．１℃／分〜５．０℃／分の冷却速度で発熱抵抗体層３を冷却する。この発熱抵抗体層３を上記した冷却速度範囲内で冷却する理由は、例えば、冷却速度が０．１℃／分よりも遅いと、サーマルヘッド１０の生産性が極端に低下し、一方、冷却速度が５．０℃／分よりも速いと、急冷却に起因してグレーズ層２にクラックが発生しやすくなるからである。
【００５０】
続いて、図２および図３に示したように、発熱抵抗体層３上に、例えばスパッタリング法や蒸着法を使用して、所定のギャップＧを挟んで互いに対向配置された電極層４Ａ，４Ｂを含むように電極層４を形成する（図４；ステップＳ１０５）。
【００５１】
最後に、図２に示したように、例えばプラズマＣＶＤ法を使用して発熱抵抗体層３および電極層４を覆うように保護層５を形成することにより（図４；ステップＳ１０６）、サーマルヘッド１０の発熱部１０Ａが完成する。
【００５２】
本実施の形態に係るサーマルヘッドの製造方法では、結晶化ガラスを含むようにグレーズ層２を形成した状態において、そのグレーズ層２上に形成した発熱抵抗体層３を加熱するようにしたので、上記したように、発熱抵抗体層３を構成している多結晶シリコンの結晶性が熱的に緩和されると共に、グレーズ層２から発熱抵抗体層３へ不純物が拡散されるにくくなる結果、その多結晶シリコンの結晶性が著しく向上する。したがって、多結晶シリコンの結晶性が著しく向上することに基づき、発熱抵抗体層３の抵抗特性が安定に向上するため、ＳＳＴ特性や耐パルス特性に代表されるサーマルヘッド１０の作動特性を可能な限り向上させることができる。
【００５３】
特に、本実施の形態では、約−５．０×１０-6／℃〜１０．０×１０-6／℃の熱膨張係数を有する結晶化ガラスを生成することによりグレーズ層２を形成するようにしたので、発熱抵抗体層３を加熱した際に、その熱を影響を受けてグレーズ層２が過度に変形しにくくなる結果、発熱抵抗体層３も過度に変形しにくくなる。したがって、発熱抵抗体層３が過度に変形しにくくなることによっても多結晶シリコンの結晶性が向上しやすくなるため、この観点においてもサーマルヘッド１０の作動特性の向上に寄与することができる。
【００５４】
また、本実施の形態では、上記したように加熱された際に不純物を拡散させにくい結晶化ガラスを含むようにグレーズ層２を形成したので、その加熱された際に不純物を拡散させにくい結晶化ガラスの材料特性を利用して、グレーズ層２から発熱抵抗体層３へ不純物が拡散することを抑制することが可能である。この場合には、上記「背景技術」の項において説明した中間層を使用する場合、すなわち加熱された際に不純物を拡散させやすい非晶質ガラスを含むようにグレーズ層を形成したために、そのグレーズ層と発熱抵抗体層との間に不純物の拡散抑制用の中間層を設ける必要がある場合とは異なり、グレーズ層２と発熱抵抗体層３との間に中間層を設ける必要がないため、その中間層を設ける必要がない分だけ発熱部１０Ａの構成が簡素化される。したがって、グレーズ層２から発熱抵抗体層３へ不純物が拡散することを抑制する上で、サーマルヘッド１０の構成を可能な限り簡素化することができる。
【００５５】
また、本実施の形態では、発熱抵抗体層３の成膜温度（多結晶シリコンの成膜温度）〜１１００℃の温度で発熱抵抗体層３を加熱するようにしたので、その発熱抵抗体層３を加熱する温度が適性化される。したがって、上記したように、熱処理に起因してグレーズ層２に過度な熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）が及ぶことを抑制すると共に、グレーズ層２から発熱抵抗体層３へ不純物が拡散することを抑制しつつ、その熱処理を利用して発熱抵抗体層３の結晶性を著しく向上させることができる。
【００５６】
また、本実施の形態では、ＣＶＤ法を使用して多結晶シリコンを成膜することにより発熱抵抗体層３を形成するようにしたので、スパッタリングを使用する場合とは異なり、発熱抵抗対層３の組成（すなわち抵抗特性）が膜面内においてばらつきにくくなる結果、サーマルヘッド１０の発熱特性を均一に制御することができると共に、発熱抵抗体層３の抵抗特性が熱の影響を受けて変動しにくくなる結果、サーマルヘッド１０を高速印画用途に適用することができる。
【００５７】
また、本実施の形態では、約１０分間〜１０時間の時間に渡って発熱抵抗体層３を加熱するようにしたので、その発熱抵抗体層３を加熱する時間が適性化される。したがって、上記したように、サーマルヘッド１０の生産性を確保しつつ、熱処理を利用して発熱抵抗体層３の結晶性を著しく向上させることができる。
【００５８】
また、本実施の形態では、発熱抵抗体層３を加熱したのち、その発熱抵抗体層３を冷却するようにしたので、その発熱抵抗体層３の温度を次工程（電極層４の形成工程）に悪影響を与えない程度に積極的に下げることができる。この場合には、特に、約０．１℃／分〜５．０℃／分の冷却速度で発熱抵抗体層３を冷却することにより、その発熱抵抗体層３の冷却温度を適性化すれば、上記したように、冷却処理に起因してグレーズ２にクラックが発生することを防止しつつ、サーマルヘッド１０の生産性を確保することができる。
【００５９】
また、上記した他、本実施の形態に係るサーマルヘッド１０では、結晶化ガラスを含んで構成されたグレーズ層２を備えるため、例えば、サーマルヘッド１０の製造工程においてグレーズ層２上に形成された発熱抵抗体層３が加熱されることにより、上記したように、発熱抵抗体層３を構成している多結晶シリコンの結晶性が著しく向上し、具体的には発熱抵抗体層３のラマンスペクトルピークの半値幅が１６ｃｍ-1以下となる。したがって、ＳＳＴ特性や耐パルス特性に代表される作動特性を可能な限り向上させることができる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、図４に示したように、発熱抵抗体層３を形成したのち、その発熱抵抗体層３を加熱（事後加熱）するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図５に示したように、発熱抵抗体層３を事後加熱する手法に代えて、基板１を加熱しながら発熱抵抗体層３を形成するようにしてもよい。図５は、サーマルヘッドの製造方法に関する変形例を説明するためのものである。この変形例としてのサーマルヘッドの製造方法では、基体としての基板１を準備し、その基板１上にグレーズ層２を形成したのち（ステップＳ２０１）、基板１を加熱しながらグレーズ層２上に多結晶シリコンを成膜することにより発熱抵抗体層３を形成する（ステップＳ２０２）。この発熱抵抗体層３を形成する際には、例えば、ＣＶＤ法を使用して多結晶シリコンを成膜すると共に、５５０℃〜１１００℃の温度で基板１を加熱しながら発熱抵抗体層３を形成する。続いて、発熱抵抗体層３を冷却する（ステップＳ２０３）。この発熱抵抗体層３を冷却する際には、例えば、約０．１℃／分〜５．０℃／分の冷却速度で発熱抵抗体層３を冷却する。最後に、発熱抵抗体層３上に電極層４Ａ，４Ｂを含むように電極層４を形成したのち（ステップＳ２０４）、それらの発熱抵抗体層３および電極層４を覆うように保護層５を形成することにより（ステップＳ２０５）、サーマルヘッド１０の発熱部１０Ａが完成する。なお、変形例としてのサーマルヘッドの製造方法に関して上記した以外の詳細な工程内容は、例えば、上記実施の形態において図４を参照して説明したサーマルヘッドの製造方法の詳細な工程内容と同様である。この場合においても、基板１を加熱しながら発熱抵抗体層３を形成することにより、発熱抵抗体層３を事後加熱した上記実施の形態の場合と同様の作用が得られるため、サーマルヘッド１０の作動特性を可能な限り向上させることができる。
【実施例】
【００６１】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００６２】
上記実施の形態において説明したサーマルヘッドの製造方法（以下、「本発明のサーマルヘッドの製造方法」という。）を使用してサーマルヘッドを製造したのち、そのサーマルヘッドの諸特性を調べたところ、以下の結果が得られた。なお、本発明のサーマルヘッドの製造方法を使用して製造したサーマルヘッドの諸特性を調べる際には、その諸特性を比較評価するために、結晶化ガラスに代えて非晶質ガラスを含むようにグレーズ層を形成すると共に発熱抵抗体層を加熱しなかった（３０℃の温度環境中に放置した）点を除いて本発明のサーマルヘッドの製造方法と同様の手順（比較例のサーマルヘッドの製造方法）を使用してサーマルヘッドを製造し、そのサーマルヘッドの諸特性も併せて調べた。
【００６３】
まず、ラマン分光分析法を使用して発熱抵抗体層（多結晶シリコン）の結晶性を調べたところ、図６に示した結果が得られた。図６は多結晶シリコンのラマン分光分析結果を表しており、「横軸」は加熱温度（℃）を示し、「縦軸」は半値幅（ＦＷＨＭ（Full Width Half Maximum ）；ｃｍ-1）を示している。
【００６４】
本発明のサーマルヘッドの製造方法を使用してサーマルヘッドを製造する際には、基板（アルミナ；Ａｌ2 Ｏ3 ）／グレーズ層（スポジュメン固溶体が析出した結晶化ガラス）／発熱抵抗体層（多結晶シリコン；Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）／電極層（アルミニウム；Ａｌ）／保護層（ホウ素−リン化合物；ＢＰ）の構成となるように発熱部を形成した。特に、発熱抵抗体層に関しては、ＣＶＤ法を使用して５５０℃の成膜温度で多結晶シリコンを成膜することにより蓄熱層上に発熱抵抗体層を形成したのち、４通りの温度（６００℃，６５０℃，７００℃，７５０℃）で３０分間に渡って発熱抵抗体層を加熱し、引き続き１．０℃／分の冷却速度で発熱抵抗体層を冷却した。図６に示した「黒塗りの四角（■）」は本発明（グレーズ層＝結晶化ガラス，熱処理有；加熱温度＝６００℃，６５０℃，７００℃，７５０℃）に関する分析結果を表し、「黒塗りの丸（●）」は比較例（グレーズ層＝非晶質ガラス，熱処理無）に関する分析結果を表している。
【００６５】
多結晶シリコンの結晶性とラマン分光分析結果との間の相関関係としては、一般的に、多結晶シリコンの結晶性が高くなるほどラマンスペクトルピークの半値幅が小さくなることが知られている。このことから、ラマンスペクトルピークの半値幅に基づいて、多結晶シリコンの結晶性を評価することが可能である。
【００６６】
この点に関して、図６に示した結果から判るように、本発明（■）と比較例（●）との間で半値幅を比較したところ、その半値幅は比較例よりも本発明において小さくなった。具体的には、半値幅は比較例（グレーズ層＝非晶質ガラス，熱処理無）において１７．１０ｃｍ-1であり、本発明（グレーズ層＝結晶化ガラス，熱処理有；加熱温度＝６００℃，６５０℃，７００℃，７５０℃）においてそれぞれ１６．００ｃｍ-1，１４．５０ｃｍ-1，１２．００ｃｍ-1，９．９９ｃｍ-1であった。このことから、本発明のサーマルヘッドの製造方法では、結晶化ガラスを含むようにグレーズ層を形成した状態において発熱抵抗体層を加熱することにより、その発熱抵抗体層の結晶性を向上させることが可能であることが確認された。特に、本発明のサーマルヘッドの製造方法では、加熱温度が高くなるほど半値幅が小さくなったため、加熱温度を高くするほど発熱抵抗体層の結晶性をより向上させることが可能であることが確認された。確認までに、本発明のサーマルヘッドの製造方法を使用して製造されたサーマルヘッドに関しては、目視で確認した限り、グレーズ層に熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）は見られなかった。
【００６７】
なお、具体的にデータを参照して説明しないが、本発明のサーマルヘッドの製造方法において加熱温度を上記した４通りの温度（６００℃，６５０℃，７００℃，７５０℃）以外となるように変化させたところ、加熱温度を５５０℃〜１１００℃となるように設定した場合において、上記した４通りの温度となるように加熱温度を設定した場合と同様の分析結果が得られた。また、同様に具体的にデータを参照して説明しないが、発熱抵抗体層の加熱時間を上記した３０分間以外となるように変化させると共にその発熱抵抗体層の冷却時間を上記した１．０℃／分以外となるように変化させたところ、加熱時間を１０分間〜１０時間となるように設定すると共に冷却速度を０．１℃／分〜５．０℃／分となるように設定した場合において、上記したように加熱時間を３０分間となるように設定すると共に冷却時間を１．０℃／分となるように設定した場合と同様の分析結果が得られた。これらのことから、本発明のサーマルヘッドの製造方法では、ＣＶＤ法を使用して５５０℃の成膜温度で多結晶シリコンを成膜することにより発熱抵抗体層を形成した場合に、５５０℃〜１１００℃の温度で１０分間〜１０時間の時間に渡って発熱抵抗体層を加熱したのち、その発熱抵抗体層を０．１℃／分〜５．０℃／分の冷却速度で冷却することにより、その発熱抵抗体層の結晶性を向上させることが可能であることが確認された。
【００６８】
続いて、サーマルヘッドの作動特性を調べたところ、図７に示した結果が得られた。図７はサーマルヘッドのＳＳＴ特性を表しており、「横軸」は発熱抵抗体層の１ドット当たりの印加電力（Ｗ／ドット）を示し、「縦軸」は抵抗変化率（％）を示している。このＳＳＴ特性としては、発熱抵抗体層に印加電力を段階的に増加させながら印加したときの抵抗変化率の変化を追跡した。図７に示した「７Ａ」，「７Ｂ」，「７Ｃ」は図６に示した一連の本発明のサーマルヘッドに関する特性結果を表しており、すなわち「７Ａ」は加熱温度＝６００℃，半値幅＝１６．００ｃｍ-1、「７Ｂ」は加熱温度＝７００℃，半値幅＝１２．００ｃｍ-1、「７Ｃ」は加熱温度＝７５０℃，半値幅＝９．９９ｃｍ-1をそれぞれ表している。また、図７に示した「７Ｄ」は図６に示した比較例のサーマルヘッド（３０℃の温度環境中に放置，半値幅＝１７．１０ｃｍ-1）に関する特性結果を表している。
【００６９】
図７に示した結果から判るように、印加電力を増加させながら発熱抵抗体層の抵抗変化率の変化を追跡したところ、その抵抗変化率は本発明（７Ａ〜７Ｃ）および比較例（７Ｄ）のいずれの場合においても初期状態においてほぼ一定であったが、印加電力＝０．６Ｗ／ドット近郷において負の方向に大きく変化した。しかしながら、サーマルヘッドのＳＳＴ特性として、抵抗変化率が±５％に達したときの印加電力を本発明と比較例との間で比較したところ、その抵抗変化率が±５％（ここでは−５％）に達したときの印加電力は本発明（７Ａ，７Ｂ，７Ｃ）においてそれぞれ０．６２Ｗ／ドット，０．７０Ｗ／ドット，０．７６Ｗ／ドット、比較例において０．５９Ｗ／ドットであり、比較例よりも本発明において大きくなった。このことから、本発明のサーマルヘッドの製造方法を使用して製造したサーマルヘッドでは、発熱抵抗体層の抵抗特性が変化しにくくなるため、ＳＳＴ特性を向上させることが可能であることが確認された。この場合には、特に、本発明（７Ａ〜７Ｃ）の間で抵抗変化率が±５％に達したときの印加電力を比較すると、その印加電力は７Ａ，７Ｂ，７Ｃの順に大きくなり、すなわち発熱抵抗体層の加熱温度が高くなるほど大きくなった。このことから、本発明のサーマルヘッドの製造方法では、加熱温度を高くするほどＳＳＴ特性を向上させることが可能であることが確認された。
【００７０】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例で説明した態様に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態および実施例では、発熱抵抗体層を加熱した際にグレーズ層に過度な熱的影響（例えば変形やクラックの発生等）が及ぶことを防止するために、その発熱抵抗体層を加熱する温度の上限値を１１００℃と規定したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、発熱抵抗体層を加熱した際にグレーズ層に過度な熱的影響が及ばない限り、そのグレーズ層の耐熱性によっては発熱抵抗体層を加熱する温度の上限値を１１００℃より高くしてもよい。この場合においても、上記実施の形態および実施例と同様の効果を得ることができる。ただし、発熱抵抗体層を加熱する温度の上限値を１１００℃よりも高くする場合には、グレーズ層に限らず、サーマルヘッドを構成している他の構成要素に過度な熱的影響が及ばないように注意する必要がある。なお、上記した発熱抵抗体層を加熱する温度を１１００℃よりも高くする変形態様は、上記実施の形態において変形例として説明したように基板を加熱しながら発熱抵抗体層を形成する場合における基板の加熱温度に関しても同様に適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明に係るサーマルヘッドおよびその製造方法は、発熱抵抗体層において発生した熱を蓄熱するためのグレーズ層を備えたサーマルヘッドおよびその製造方法に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施の形態に係るサーマルヘッドの外観構成（Ｙ軸方向から見た側面構成）を表す図である。
【図２】図１に示した発熱部の断面構成（ＸＺ面に平行な断面構成）を拡大して表す断面図である。
【図３】図１に示した発熱部の平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を拡大して表す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係るサーマルヘッドの製造方法の流れを説明するための流れ図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係るサーマルヘッドの製造方法に関する変形例を説明するための流れ図である。
【図６】多結晶シリコンのラマン分光分析結果を表す図である。
【図７】サーマルヘッドのＳＳＴ特性を表す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１…基板、２…グレーズ層、３…発熱抵抗体層、４（４Ａ，４Ｂ）…電極層、５…保護層、１０…サーマルヘッド、１０Ａ…発熱部、１０Ｂ…駆動部、１１…放熱板、１２…プリント基板、１３…ドライバＩＣ、１４…コネクタ、１５…ＩＣ樹脂膜、１６…ＩＣカバー、１７…接着剤、Ｇ…ギャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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