(57)【要約】【課題】  半導体チップの封止工程において、樹脂内部への損傷を最小限にした状態で樹脂封止装置から樹脂を離型できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  樹脂封止装置１は、基板の底面を支持する第１の金型３と、樹脂の基板に対向する面を形成するエジェクタブロック５と、エジェクタブロック５の両側に配置され且つ樹脂の側面を形成する第２の金型４とを備えている。また、エジェクタブロック５の樹脂との接触面５ａは、エジェクタブロック５の本体５ｂに一部分でのみ固定されている。接触面５ａは、本体５ｂと同じ材質からなることが好ましく、また、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下の厚さであることが好ましい。【選択図】      図１
2006287136.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂封止装置を用いて、基板に搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記樹脂封止装置は、基板の底面を支持する第１の金型と、
前記樹脂の前記基板に対向する面を形成するエジェクタブロックと、
前記エジェクタブロックの両側に配置され且つ前記樹脂の側面を形成する第２の金型とを備えており、
前記エジェクタブロックの前記樹脂との接触面は、前記エジェクタブロックの本体に一部分でのみ固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接触面は前記本体と同じ材質からなる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接触面の厚さは０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接触面は、薄板の周縁部を前記本体に溶接することによって形成される請求項１〜３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記溶接する部分は、前記樹脂の内部の成品形成領域外に位置している請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記接触面は、放電加工によって前記本体と一体的に形成される請求項１〜３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の金型、前記エジェクタブロックおよび前記第２の金型の間に、前記半導体チップが搭載された前記基板を挿入する工程と、
前記基板、前記エジェクタブロックおよび前記第２の金型によって形成される中空部に樹脂を供給する工程と、
前記樹脂を硬化させる工程と、
前記第２の金型で前記樹脂と前記基板を押えた状態で、前記エジェクタブロックを移動させて、前記樹脂の前記基板に対向する面を前記エジェクタブロックから剥離させる工程を有する請求項１〜６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
樹脂封止装置を用いて、リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を有する半導体装置の製造方法において、
前記樹脂封止装置は、前記樹脂の上面を形成する第１のエジェクタブロックと、
前記第１のエジェクタブロックの両側に配置され且つ前記樹脂の上側側面を形成する第１の金型と、
前記第１のエジェクタブロックに対向し且つ前記樹脂の下面を形成する第２のエジェクタブロックと、
前記第２のエジェクタブロックの両側に配置され且つ前記樹脂の下側側面を形成する第２の金型とを備えており、
前記第１のエジェクタブロックの前記樹脂との接触面は、前記第１のエジェクタブロックの本体に一部分でのみ固定されていて、
前記第２のエジェクタブロックの前記樹脂との接触面は、前記第２のエジェクタブロックの本体に一部分でのみ固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１のエジェクタブロックの接触面は、前記第１のエジェクタブロックの本体と同じ材質からなる請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のエジェクタブロックの接触面の厚さは０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である請求項８または９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のエジェクタブロックの接触面は、薄板の周縁部を前記第１のエジェクタブロックの本体に溶接することによって形成される請求項８〜１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記溶接する部分は、前記樹脂の内部の成品形成領域外に位置している請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１のエジェクタブロックの接触面は、放電加工によって前記第１のエジェクタブロックの本体と一体的に形成される請求項８〜１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１のエジェクタブロックの接触面は、前記第１のエジェクタブロックの本体と同じ材質からなる請求項８〜１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１のエジェクタブロックの接触面の厚さは０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である請求項８〜１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１のエジェクタブロックの接触面は、薄板の周縁部を前記第１のエジェクタブロックの本体に溶接することによって形成される請求項８〜１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記溶接する部分は、前記樹脂の内部の成品形成領域外に位置している請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１のエジェクタブロックの接触面は、放電加工によって前記第１のエジェクタブロックの本体と一体的に形成される請求項８〜１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１のエジェクタブロック、前記第１の金型、前記第２のエジェクタブロックおよび前記第２の金型の間に、前記半導体チップが搭載された前記リードフレームを挿入する工程と、
前記第１のエジェクタブロック、前記第１の金型、前記第２のエジェクタブロックおよび前記第２の金型によって形成される中空部に樹脂を供給する工程と、
前記樹脂を硬化させる工程と、
前記第１の金型で前記樹脂を押えた状態で、前記第１のエジェクタブロックを移動させて、前記樹脂の上面を第１のエジェクタブロックから剥離させる工程と、
前記第２の金型で前記樹脂を押えた状態で、前記第２のエジェクタブロックを移動させて、前記樹脂の下面を第２のエジェクタブロックから剥離させる工程とを有する請求項８〜１８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、樹脂封止装置を用いて、基板に搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の１つである封止工程では、従来より、トランスファモールド法による封止が主流となっている。この技術によれば、まず、上下に分割された金型の間に、半導体チップが搭載されたリードフレームを挿入する。次いで、金型の内部に樹脂を注入し、加圧して樹脂を硬化させる。その後、金型に設けられたエジェクタピンで樹脂を押圧することによって、金型から樹脂を離型させる。
【０００３】
ところで、近年の半導体装置の薄型化に伴って、樹脂の厚さも減少する傾向にある。このため、エジェクタピンで押圧する際に、樹脂内部の半導体チップなどを損傷するおそれがあった。
【０００４】
こうした問題に対しては、エジェクタピンの数を減らすとともに、エジェクタピンを半導体チップの外周に配置することが考えられている。しかし、この方法では、離型時の加圧バランスが悪化して、離型が困難になるという問題があった。
【０００５】
一方、金型の中空部の主型面で樹脂を押圧し離型させてから、中空部の一部分の型面に接触する樹脂を押圧することによって、局部的に力を加えた場合に問題となるストレスの集中を防いで、樹脂に与えるダメージを低減する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、エジェクタピンを第２の金型および第１の金型の略全域に亘って形成することにより、エジェクタピンと樹脂との接触を型面と平行な面のみとして離型を容易にする技術も提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
さらに、金型を中央部と外周部とで分割し、これらを異なったタイミングで離反移動させる方法も提案されている（例えば、特許文献３参照）。この方法によれば、樹脂の表面または裏面の対角の２箇所に配置したエジェクタピンで突き上げる方式に比べて、樹脂に生じる反りを低減できるとされている。
【０００８】
【特許文献１】特開昭６１−２７２９４０号公報
【特許文献２】特開平１１−１８６３０３号公報
【特許文献３】特開平１１−１８６３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記のいずれの方法においても、樹脂を離型する際には、樹脂と金型との密着力に相当する荷重が反力として樹脂の内部に加わる。このため、従来技術では、樹脂内部へのダメージを十分に低減するに至らないという問題があった。
【００１０】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものである。即ち、本発明の目的は、半導体チップの封止工程において、樹脂内部への損傷を最小限にした状態で樹脂封止装置から樹脂を離型できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１１】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願の第１の発明は、樹脂封止装置を用いて、基板に搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を有する半導体装置の製造方法において、樹脂封止装置は、基板の底面を支持する第１の金型と、樹脂の基板に対向する面を形成するエジェクタブロックと、エジェクタブロックの両側に配置され且つ樹脂の側面を形成する第２の金型とを備えており、エジェクタブロックの樹脂との接触面が、エジェクタブロックの本体に一部分でのみ固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
【００１３】
本願の第２の発明は、樹脂封止装置を用いて、リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する工程を有する半導体装置の製造方法において、樹脂封止装置は、樹脂の上面を形成する第１のエジェクタブロックと、この第１のエジェクタブロックの両側に配置され且つ樹脂の上側側面を形成する第１の金型と、第１のエジェクタブロックに対向し且つ樹脂の下面を形成する第２のエジェクタブロックと、この第２のエジェクタブロックの両側に配置され且つ樹脂の下側側面を形成する第２の金型とを備えており、第１のエジェクタブロックの樹脂との接触面は、第１のエジェクタブロックの本体に一部分でのみ固定されていて、第２のエジェクタブロックの樹脂との接触面は、第２のエジェクタブロックの本体に一部分でのみ固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、エジェクタブロックと樹脂との剥離を、固定された部分から徐々に線状に進行させることができる。したがって、樹脂内部への損傷を最小限にした状態で樹脂封止装置から樹脂を離型することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施の形態１．
図１〜図７を用いて、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する。尚、これらの図において、同じ符号を付した部分は同じものであることを示している。
【００１６】
図１は、本実施の形態における樹脂封止装置の要部断面図である。この樹脂封止装置は、基板に搭載された半導体チップを樹脂で封止するのに用いられる。
【００１７】
樹脂封止装置１は、基板（図示せず）の底面を支持する第１の金型３と、樹脂（図示せず）の基板に対向する面（図１では樹脂の上面）を形成するエジェクタブロック５と、エジェクタブロック５の両側に配置され且つ樹脂の側面を形成する第２の金型４とを備えている。
【００１８】
本発明においては、エジェクタブロック５の樹脂との接触面５ａが、エジェクタブロック５の本体５ｂに一部分でのみ固定されていることを特徴とする。例えば、接触面５ａが周縁部でのみ本体５ｂに接続している構造とすることができる。このようにすることによって、エジェクタブロックと樹脂との剥離を、固定された部分から徐々に線状に進行させることができるので、単位時間あたりの剥離面積を従来より小さくすることができる。これにより、離型の際に樹脂に加わる力を小さくすることができるので、樹脂内部へのダメージを低減することが可能となる。
【００１９】
接触面５ａは、本体５ｂと同じ材質からなり、厚さが０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。０．１ｍｍより薄くなると、接触面５ａの機械的強度が弱くなり好ましくない。一方、０．５ｍｍより厚くなると、固定部分から徐々に剥離させることが困難となる。
【００２０】
図２は、ダイボンディングおよびワイヤボンディングされた半導体チップ６を搭載した基板７を、図１の樹脂封止装置１を用いて樹脂８で封止した様子を示す模式図である。また、図３は、一括封止用の基板の平面図である。後述するように、図２および図３において、Ａは接触面５ａが溶接される部分に、Ｂは成品形成領域内に、Ｃは成品形成領域外にそれぞれ対応する。尚、図３では、溶接部分Ａを点線で囲まれた部分で、成品形成領域内Ｂを斜線部分で示している。また、成品形成領域外Ｃは、樹脂封止領域１２で成品形成領域内Ｂ以外の部分である。
【００２１】
接触面５ａを構成する部材は、図２および図３に示すように、例えば、本体５ｂと同じ材質（例えば、工具鋼など。）の薄板を用い、溶接部分Ａにおいて、その周縁部を本体５ｂに溶接することができる。このような構成では、接触面５ａの内で、溶接部分Ａは、エジェクタブロックの本体５ｂに固定されているのに対して、溶接部分Ａ以外の部分は、エジェクタブロックの本体５ｂに直接固定されていないので、接触面５ａの全体が固定されている場合に比較すると引っ張る力に対する剛性が低くなる。この剛性低下の傾向は、溶接部分Ａからの距離が遠いほど顕著になり、本実施の形態の構成においては、接触面５ａの中央部近傍において剛性が最も低くなる。
【００２２】
封止樹脂の離型工程では、接触面５ａの全体に接触面５ａを引っ張る力が働く。本実施の形態の構成によれば、接触面５ａの剛性に応じてその変形量が変わるので、エジェクタブロック５が上昇する際に、剛性が高い部分（すなわち、溶接部分Ａ）から、剛性が低い部分（すなわち、接触面５ａの中央部近傍）に向かって剥離が順次進行する。このように、離型工程において、封止樹脂からの接触面５ａの剥離を漸次的に進行させることができるので、封止樹脂およびその中の半導体チップに対する応力および変形をより小さくすることができる。
【００２３】
尚、上記の溶接によれば、高い精度で且つ簡便に接触面５ａを形成することができる。また、この場合、溶接部分の面積が小さいほど、離型時に樹脂に加わる力を小さくすることができる。例えば、樹脂封止領域の寸法が９０ｍｍ×５０ｍｍである場合、薄板の端部から０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の幅で溶接することが好ましい。０．５ｍｍより小さい幅では、薄板を本体５ｂに十分な強度で固定することが難しくなる。また、１．０ｍｍより大きい幅では、離型時に樹脂に加わる力が大きくなり好ましくない。さらに、溶接部分は、高い寸法精度を確保するのが難しいので、樹脂内部の成品形成領域内ではなく、成品形成領域外に位置していることが好ましい。このことを図２を用いて説明する。
【００２４】
図２および図３に示すように、溶接部分Ａは、樹脂８の内部における成品形成領域内Ｂではなく、成品形成領域外Ｃに位置することが好ましい。このようにすることによって、溶接によって面５ａに生じた段差などが成品に悪影響を与えるのを防ぐことができる。
【００２５】
一方、接触面５ａは、例えば、直方体状の金属（例えば、工具鋼など。）を放電加工することによって形成することもできる。図４（ａ）は、このようにして形成されたエジェクタブロックの断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の下面から見た平面図である。これらの図において、エジェクタブロック５は、接触面５ａと枠状の本体５ｂとで構成される。ここで、接触面５ａは、本体５ｂと一体となって形成された固定部分５ａ１と、固定部分５ａ１に周囲を囲まれた薄板状の低剛性部分５ａ２とを有する。
【００２６】
放電加工によれば、接触面５ａを本体５ｂと一体的に形成することができる。すなわち、接触面５ａと本体５ｂとを同一の材質とすることができるので、例えば、樹脂を硬化させるための熱処理などの際に、接触面５ａと本体５ｂとの材質の相違による熱膨張率の差に起因して、エジェクタブロック５が変形したりするのを解消することができる。また、固定部分５ａ１においても高い寸法精度を確保するのが容易となるので、固定部分５ａ１が、図２および図３の成品形成領域Ｂの内側に位置するようにレイアウトした場合であっても、封止樹脂の寸法精度が低下するのを最小限に抑えることができる。
【００２７】
以下、図１の樹脂封止装置１を用いて半導体チップを樹脂封止し、次いで、樹脂封止装置１から封止後の樹脂を外すまでの動作について説明する。
【００２８】
図の個々の半導体装置が形成される装置領域１１には、ダイボンディングおよびワイヤボンディングされた半導体チップ（図示せず）が搭載されている。基板７の寸法は、例えば、Ｌ１＝２００ｍｍ，Ｌ２＝７０ｍｍとすることができる。また、個々の樹脂封止領域１２の寸法は、例えば、Ｌ３＝９０ｍｍ，Ｌ４＝５０ｍｍとすることができる。
【００２９】
まず、第１の金型３、エジェクタブロック５および第２の金型４の間に、半導体チップ６が搭載された基板７を挿入する（図５）。
【００３０】
次いで、基板７、エジェクタブロック５および第２の金型４によって形成される中空部２に樹脂８を供給した後、樹脂８を硬化させることによって半導体チップ６を樹脂封止する。これにより、図６に示す状態となる。
【００３１】
次に、樹脂封止装置１から樹脂８を外す工程に移る。
【００３２】
まず、図６の状態から、第２の金型４を上昇させて、樹脂８の側面を第２の金型４から剥離させる（工程１）。これにより、図７に示す状態となる。
【００３３】
次いで、第２の金型４を元の位置に戻す（工程２）。これにより、見かけ上は図６と同じ状態になる。しかし、工程１で樹脂８の側面は第２の金型４から剥離しているので、第２の金型４を元の位置に戻しても、樹脂８が第２の金型４に元のように接着してしまうことはない。
【００３４】
次に、図８に示すように、第２の金型４は動かさずに、エジェクタブロック５を上昇させる（工程３）。これにより、第１の金型３と第２の金型４で、樹脂８の側面と基板７を押えた状態で、樹脂８の上面をエジェクタブロック５から剥離させることができる。
【００３５】
本発明によれば、エジェクタブロック５の樹脂８との接触面５ａが、エジェクタブロック５の本体５ｂに一部分でのみ固定されているので、図８に示すように、固定部分から徐々に線状に剥離させて行くことができる。
【００３６】
樹脂８の上面をエジェクタブロック５から完全に剥離させた後は、第２の金型４を上昇させる（工程４）。これにより、図９に示す状態となるので、封止後の樹脂８を完全に離型させることができる。
【００３７】
上記の樹脂封止工程を終えた後は、基板７の裏面に半田ボール（図示せず）を設けて所定の特性検査をする。その後、適当に個片化された後に出荷となる。
【００３８】
尚、上記の工程１では、工程３のような樹脂８を徐々に剥離させていく措置をとっていない。しかし、第２の金型４と樹脂８の接着面積は、エジェクタブロック５と樹脂８の接着面積に比較して非常に小さいものである。このため、工程１で樹脂８に加わる力は小さいものとなるので、工程３のような方法をとらなくても特に問題はない。但し、第２の金型４について、樹脂８との接触面を第２の金型４の本体に一部分でのみ固定されているようにすることも可能である。
【００３９】
実施の形態２．
実施の形態１では、第１の金型が下金型であり、第２の金型が上金型である場合について述べた。これに対して、本実施の形態では、第１の金型が上金型であり、第２の金型が下金型である場合（逆さモールド）について述べる。
【００４０】
図１０〜図１５を用いて、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する。尚、これらの図において、同じ符号を付した部分は同じものであることを示している。
【００４１】
図１０は、本実施の形態における樹脂封止装置の要部断面図である。図において、樹脂封止装置２１は、基板（図示せず）の底面を支持する第１の金型２３と、樹脂（図示せず）の基板に対向する面（図１０では樹脂の下面）を形成するエジェクタブロック２５と、エジェクタブロック２５の両側に配置され且つ樹脂の側面を形成する第２の金型２４とを備えている。
【００４２】
エジェクタブロック２５の樹脂との接触面２５ａは、エジェクタブロック２５の本体２５ｂに一部分でのみ固定されている。例えば、接触面２５ａが周縁部でのみ本体２５ｂに接続している構造とすることができる。
【００４３】
接触面２５ａは、実施の形態１と同様に、本体２５ｂと同じ材質（例えば、工具鋼など。）からなり、厚さが０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
例えば、本体２５ｂと同じ材質の薄板の周縁部を本体２５ｂに溶接することによって、接触面２５ａを形成することができる。この場合、溶接部分の面積が小さいほど、離型時に樹脂に加わる力を小さくすることができるので、例えば、樹脂封止領域の寸法が９０ｍｍ×５０ｍｍである場合、薄板の端部から０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の幅で溶接することが好ましい。０．５ｍｍより小さい幅では、薄板を本体２５ｂに十分な強度で固定することが難しくなる。また、１．０ｍｍより大きい幅では、離型時に樹脂に加わる力が大きくなり好ましくない。さらに、溶接部分は、実施の形態１と同様に、樹脂内部の成品形成領域内ではなく、成品形成領域外に位置していることが好ましい。
【００４５】
また、接触面２５ａは、実施の形態１で説明した図４（ａ）および（ｂ）と同様に、直方体状の金属（例えば、工具鋼など。）を放電加工することによって、本体２５ｂと一体的に形成することもできる。
【００４６】
以下、図１０の樹脂封止装置２１を用いて半導体チップを樹脂封止し、次いで、樹脂封止装置２１から封止後の樹脂を外すまでの動作について説明する。
【００４７】
本実施の形態においては、実施の形態１で説明した図３と同様の一括封止用基板を用いることができる。
【００４８】
まず、第１の金型２３、エジェクタブロック２５および第２の金型２４の間に、半導体チップ２６が搭載された基板２７を挿入する（図１１）。
【００４９】
次いで、基板２７、エジェクタブロック２５および第２の金型２４によって形成される中空部２２に樹脂２８を供給した後、樹脂２８を硬化させることによって半導体チップ２６を樹脂封止する。これにより、図１２に示す状態となる。
【００５０】
次に、樹脂封止装置２１から樹脂２８を離型させる工程に移る。
【００５１】
まず、図１２の状態から、第１の金型２３を上昇させて、基板２７を第１の金型２３から剥離させる（工程１´）。これにより、図１３に示す状態となる。
【００５２】
次いで、エジェクタブロック２５を上昇させて、図１４に示す状態にする（工程２´）。これにより、樹脂２８の側面を第２の金型２４から剥離させることができる。
【００５３】
次に、図１５に示すように、エジェクタブロック２５を下降させて元の位置に戻した後、さらにエジェクタブロック２５を下降させる（工程３´）。これにより、樹脂２８の側面を第２の金型２４で押えた状態で、樹脂２８の下面をエジェクタブロック２５から剥離させることができる。ここで、基板２７には重力によって図の下向きの力が働くので、第１の金型２３が基板２７に接触していなくても、基板２７および樹脂２８が所定の位置から飛び出る心配は小さく、特に問題はない。また、工程２´で樹脂２８の側面は第２の金型２４から剥離しているので、エジェクタブロック２５を元の位置に戻しても、再び樹脂２８が第２の金型２４に元のように接着してしまうことはない。
【００５４】
本発明によれば、エジェクタブロック２５の樹脂２８との接触面２５ａが、エジェクタブロック２５の本体２５ｂに一部分でのみ固定されている。したがって、図１５に示すように、エジェクタブロック２５と樹脂２８との剥離を、剛性の高い固定された部分から、剛性の低い部分に向かって徐々に進行させることができるので、単位時間あたりの剥離面積を従来より小さくすることができる。これにより、離型の際に樹脂２８に加わる力を小さくすることができるので、樹脂２８の内部へのダメージを低減することが可能となる。
【００５５】
図１５の状態から、さらに樹脂２８の下面とエジェクタブロック２５とを完全に剥離させることによって、封止後の樹脂２８を樹脂封止装置２１から離型させることができる。その後、基板２７の裏面に半田ボール（図示せず）を設けて所定の特性検査をする。次いで、適当に個片化された後に出荷となる。
【００５６】
尚、上記の工程２´では、工程３´のような樹脂２８を徐々に剥離させていく措置をとっていない。しかし、第２の金型２４と樹脂２８の接着面積は、エジェクタブロック２５と樹脂２８の接着面積に比較して非常に小さいものである。このため、工程２´で樹脂２８に加わる力は小さいものとなるので、工程３´のような方法をとらなくても特に問題はない。但し、第２の金型２４について、樹脂２８との接触面を第２の金型２４の本体に一部分でのみ固定されているようにすることも可能である。
【００５７】
実施の形態３．
実施の形態１および２においては、一括封止用の基板を用いて樹脂封止する例について述べた。これに対して、本実施の形態では、リードフレームに搭載された半導体チップを樹脂で封止する場合について述べる。
【００５８】
図１６および図１７を用いて、本実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を説明する。尚、これらの図において、同じ符号を付した部分は同じものであることを示している。
【００５９】
図１６に示すように、本実施の形態の樹脂封止装置３１は、樹脂３２の上面を形成する第１のエジェクタブロック３３と、第１のエジェクタブロック３３の両側に配置され且つ樹脂３２の上側側面を形成する第１の金型３４と、第１のエジェクタブロック３３に対向し且つ樹脂３２の下面を形成する第２のエジェクタブロック３５と、第２のエジェクタブロック３５の両側に配置され且つ樹脂３２の下側側面を形成する第２の金型３６とを有する。
【００６０】
第１のエジェクタブロック３３および第２のエジェクタブロック３５が樹脂３２と接触する接触面３３ａ，３５ａは、対応する第１のエジェクタブロック３３および第２のエジェクタブロック３５の本体３３ｂ，３５ｂに一部分でのみ固定されている。例えば、接触面３３ａ，３５ａが、これらの周縁部でのみ本体３３ｂ，３５ｂに接続している構造とすることができる。
【００６１】
第１のエジェクタブロック３３と樹脂３２との接触面３３ａは、第１のエジェクタブロック３３の本体３３ｂと同じ材質からなることが好ましい。また、接触面３３ａの厚さは０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
同様に、第２のエジェクタブロック３５と樹脂３２との接触面３５ａは、第２のエジェクタブロック３５の本体３５ｂと同じ材質からなることが好ましい。また、接触面３５ａの厚さは０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００６３】
実施の形態１および２と同様に、接触面３３ａ，３５ａは、薄板の周縁部を本体３３ｂ，３５ｂに溶接することによって形成される。この場合、溶接する部分は、樹脂３２の内部の成品形成領域外に位置していることが好ましい。また、接触面３３ａ，３５ａは、放電加工によって本体３３ｂ，３５ｂと一体的に形成することもできる。
【００６４】
樹脂封止装置３１を用いて半導体チップ３７を樹脂封止し、次いで、樹脂封止装置３１から封止後の樹脂３２を外すまでの動作は次の様になる。
【００６５】
まず、第１のエジェクタブロック３３、第１の金型３４、第２のエジェクタブロック３５および第２の金型３６の間に、半導体チップ３７が搭載されたリードフレーム３８を挿入する（図１７）。
【００６６】
次いで、第１のエジェクタブロック３３、第１の金型３４、第２のエジェクタブロック３５および第２の金型３６によって形成される中空部３９に樹脂３２を供給する。
【００６７】
樹脂３２を硬化させた後は、実施の形態１と同様にして、樹脂３２の上側側面および上面を第１の金型３４および第１のエジェクタブロック３３から剥離する。
【００６８】
具体的には、第１の金型３４を上昇させて、樹脂３２の上側側面を第１の金型３４から剥離させる（工程１"）。次いで、第１の金型３４を元の位置に戻す（工程２"）。次に、第１の金型３４で樹脂３２の上側側面を押えた状態で、第１のエジェクタブロック３３を上昇させて、樹脂３２の上面を第１のエジェクタブロック３３から剥離させる（工程３"）。
【００６９】
次に、実施の形態２と同様にして、樹脂３２の下側側面および下面を第２の金型３６および第２のエジェクタブロック３５から剥離する。
【００７０】
具体的には、第２のエジェクタブロック３５を上昇させて、樹脂３２の下側側面を第２の金型３６から剥離させる（工程４"）次いで、第２のエジェクタブロック３５を下降させて元の位置に戻す（工程５"）。次に、さらに第２のエジェクタブロック３５を下降させる（工程６"）。これにより、樹脂３２の下側側面を第２の金型３６で押えた状態で、樹脂３２の下面を第２のエジェクタブロック３５から剥離させることができる。
尚、工程１"〜３"と、工程４"〜６"とは、いずれが先であってもよい。
【００７１】
本発明によれば、第１のエジェクタブロック３３および第２のエジェクタブロック３５と樹脂３２との剥離を、固定された部分から徐々に線状に進行させることができるので、単位時間あたりの剥離面積を従来より小さくすることができる。したがって、離型の際に樹脂３２に加わる力を小さくすることができるので、樹脂３２の内部へのダメージを低減することが可能となる。
【００７２】
尚、本発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】実施の形態１における樹脂封止装置の要部断面図である。
【図２】実施の形態１で、成品形成領域と溶接部分との位置関係を説明する図である。
【図３】本発明に適用可能な一括封止用の基板の平面図である。
【図４】（ａ）はエジェクタブロックの断面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図５】実施の形態１における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図６】実施の形態１における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図７】実施の形態１における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図８】実施の形態１における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図９】実施の形態１における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１０】実施の形態２における樹脂封止装置の要部断面図である。
【図１１】実施の形態２における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１２】実施の形態２における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１３】実施の形態２における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１４】実施の形態２における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１５】実施の形態２における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１６】実施の形態３における半導体装置の製造方法の説明図である。
【図１７】実施の形態３における半導体装置の製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００７４】
１  樹脂封止装置
２  中空部
３  第１の金型
４  第２の金型
５  エジェクタブロック
６  半導体チップ
７  基板
８  樹脂
１１  装置領域
１２  樹脂封止領域
２１  樹脂封止装置
２２  中空部
２３  第１の金型
２４  第２の金型
２５  エジェクタブロック
２６  半導体チップ
２７  基板
２８  樹脂
３１  樹脂封止装置
３２  樹脂
３３  第１のエジェクタブロック
３４  第１の金型
３５  第２のエジェクタブロック
３６  第２の金型
３７  半導体チップ
３８  リードフレーム
３９  中空部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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