(57)【要約】【課題】量産性に優れ、ワイヤ配置が改善でき、小型化が可能な半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】導電性材料からなり複数のリードがフレーム部で連結されたリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体を形成し、装置となる部分が複数繋がったような状態として、それぞれに少なくとも半導体レーザ素子及び受光素子を取り付け、素子搭載部に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態で、通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断する製造方法とする。【選択図】図２
2006253719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性材料からなり複数のリードがフレーム部で連結されたリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体を形成し、装置となる部分が複数繋がったような状態として、それぞれに少なくとも半導体レーザ素子及び受光素子を取り付け、素子搭載部に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態で、通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断することを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体に記録された情報を読み取る光ピックアップに用いられる半導体レーザ装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＣＤ−ＲＯＭやＭＤ（ミニディスク）などの光メモリ装置に使用され、光ディスクの信号を読み取る光ピックアップ装置においては、ホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置がある。それは、一つのパッケージに半導体レーザ素子とホログラム素子と信号検出用受光素子を組み込んで、半導体レーザ素子から光線を出射し、光記録媒体であるディスクから反射して戻ってきた光線をホログラム素子により回折して光軸から離れた場所に配置された受光素子に導く方式である。
【０００３】
従来のホログラムレーザ方式の半導体レーザ装置としては、図１６の斜視図に示す様なものが特許文献１に開示されている。図１６の構成では、ステム２０１に、半導体レーザ素子（ＬＤ）、信号検出用受光素子等（図示せず）を搭載し、キャップ２０２を被せてＬＤ、信号検出用受光素子等を覆い、キャップ２０２の上にホログラム素子２０３を取り付けている。内部素子への電源供給、外部への信号の取り出しはリード２０８により行う。
【０００４】
また、図１６のパッケージでは、ステム２０１及びキャップ２０２を円形から上下の円弧を切り欠いた形状をしてパッケージの薄型化を図っている。図１６の構造のパッケージでは、ステム２０１にリード２０８を貫通させる孔を設け、そこへリードを１本１本挿入して絶縁物で封止するため、製造方法が複雑でコストが高くなる欠点があった。
【０００５】
近年、光ピックアップ装置の低価格化を図るために、パッケージを樹脂化し、リードをフレーム状態にして製造することで、パッケージを低価格化したものが注目されている。その一例として、特許文献２に、図１７に示すような構成のものが開示されている。なお、図１７において（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図である。図１７の構成では、パーケージとして円筒部３０１を備えた樹脂製枠体３０２を用い、樹脂製枠体３０２の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数のリード３０３が配置されており、両円筒部３０１に挟まれるようにして樹脂製枠体３０２上にホログラム素子３０４が取り付けられている。
【０００６】
図１７の構成に適用される製造方法において、両側のリードがそれぞれ６本でリードが合計１２本のものについて、図１８を用いて説明する。先ず帯状の金属板材料（フープ材）をプレス打ち抜きやエッチングにより、フープ材から素子搭載部となるアイランドプレート４０１とリード４０２を加工し、リードフレーム４０４を作製する。このときアイランドプレート４０１とリード４０２は桟部（フレーム部）４０３によって前後のアイランドプレート４０１とリード４０２の組とフープ状態で繋がっている（図１８（ａ））。
【０００７】
次に、リードフレーム４０４に対して樹脂を成形し、リード４０２とアイランドプレート４０１を保持する枠体４０５を作る（図１８（ｂ））。成形後、リード４０２と桟部４０３の間で各パッケージ４０６を単品切断（個品切断）する（図１８（ｃ））。
【０００８】
これによれば、図１６のパッケージでリードピンを１本１本挿入しガラス封止していたのに比べ、プレス、成形、カットという順番での大量生産に適した連続した工程で生産できるため大幅なコストダウンが行える。
【０００９】
この後、図１８（ｃ）に示すように、各パッケージ４０６のアイランドプレート４０１の部分に、サブマウント４１２に搭載されたＬＤ４０７とミラー４０８と信号検出用受光素子４０９とを搭載し、Ａｕワイヤ４１０を用いてワイヤボンディングして配線する。次いで、ＬＤ４０７を発光させて数時間の高温通電を行い不良ＬＤ素子をスクリーニングし、発光特性検査して、ホログラム素子４１１を固定する。このとき、ホログラム素子４１１は図１６のパッケージでのキャップ２０２の役割も兼用しており、これにより部品点数を減らしてコスタダウンが図れる。さらに、ホログラム素子４１１の固定後、実際に通電して基準ディスクからの受光信号を見ることで電気的・光学的特性を測定して良品を選別し、半導体レーザ装置が完成する。
【００１０】
尚、上記説明ではＬＤ４０７を端面発光のＬＤとしているため、光軸を９０度曲げるようにミラー４０８を搭載しているが、面発光のＬＤであれば、ミラー４０８は不要である。また、ＬＤ４０７を直接アイランドプレート４０１に搭載しているが、光出力を制御するためのモニタフォトダイオードを内蔵したサブマウントを介して搭載する場合もある。
【特許文献１】特開平６−５９９０号公報
【特許文献２】特開平６−２０３４０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１７，１８を用いて説明した半導体レーザ装置では、ピックアップに取り付けする際に、光軸調整を容易にするのにパッケージ外形の略中心に光軸を配置するが、そのため、ＬＤ４０７とミラー４０８はパッケージのアイランドプレートの中心付近に搭載する。それに対し信号検出用受光素子４０９は、ホログラム素子４１１で光軸から信号ビームを分離するため、光軸から離れた場所に信号検出用受光素子を置くことになる。なお、ここでは、図１８に対応した符号を用いて説明する。
【００１２】
その為、アイランドプレート４０１の中心にＬＤ４０７とミラー４０８があり、その片側に信号検出用受光素子４０９があることになる。すると、信号検出用受光素子４０９は多分割のフォトダイオードを内蔵し、また、プリアンプも内蔵する場合があり、信号端子が多くなり、そのため受光素子へ多数のワイヤを配線しなくてはならず、パッケージ内のワイヤレイアウトが偏ってしまう。
【００１３】
また、ワイヤの本数が増えた分、リード本数を増やさなくてはならないが、リードピン４０２はパッケージの信号検出用受光素子４０９が配置された側に偏って必要なため、反対側に使われないリードが増える。
【００１４】
無理に反対側のリードにワイヤを引き回すと、レーザ素子（ＬＤ）４０７やミラー４０８の上部でワイヤが飛び交うことになり、ビームを遮ってしまう。
【００１５】
この様子を、図１８の従来のものに、ワイヤを配線した構成の図１９に示す。なお、図１９において、（ａ）はホログラム素子４１１を取り付けない状態の上面図、（ｂ）はホログラム素子４１１を取り付けた状態の側面図である。
【００１６】
図１９に示したものでは、パッケージは左右に６本ずつ合計１２本のリードピン（４０２ａ〜４０２ｌ）を有する。このうちリードピン４０２ａ，４０２ｆ，４０２ｇの３本はアイランドプレート４０１と一体になっており、独立なリードピンの本数は１０本である。これに対し配線に必要なリードピン数は、信号検出用受光素子４０９で８本、ＬＤ４０７,サブマウント４１２で３本であるが、信号検出用受光素子４０９とＬＤ４０７のグランド（ＧＮＤ）を共通とすることで合計１０本必要となる。信号検出用受光素子４０９の配線が多いため、信号検出用受光素子４０９から遠い左側のリードへ２本のワイヤ４１０を配線しなくてはならず、ワイヤ４１０がミラー４０８の上を横切ってしまう。
【００１７】
したがって、これを避けるのに、図１９のリード４０２ｃとリード４０２ｄとの間やリード４０２ｉとリード４０２ｊとの間にもう１本ずつリードを増やしたり、スペースを取るなどして、リード本数を増やしたりスペースを余計に設けて、信号検出用受光素子４０９から遠い方のリードへ配線するワイヤを、極力端側の方に位置するリードへ配線するようにして、ミラー４０８の上をワイヤが通過しないようにしなければならない。
【００１８】
すると、リードフレームタイプのパッケージの場合、リード本数を多くする程パッケージの厚みが増えてしまい、それを搭載する光ピックアップの厚みを大きくしてしまう。また、パッケージが大きくなると、その分金属材料や樹脂材料の費用も増えるためコストが増大してしまう。特にホログラム素子４１１は高価であるため、コストを抑えるためには小さい程望ましいが、図１７，１８の構成では、ホログラム素子４１１がキャップを兼ねるため、パッケージが大きくなった分、本来不必要な周辺部分が増加してコストアップしてしまう。
【００１９】
また、パッケージを薄型化するためには、無駄なリードが極力少なくなるように配線の設計をする必要がある。
【００２０】
また、フープ状態でアイランドプレートとフレームを繋げてアイランドプレートを保持しておくためには、アイランドプレートを少なくとも１本のリードピンと一体化しておく必要があるが、フープを巻き取ったり、装置にセットしたりする際に、１本のリードピンで保持したものはリードピンが曲がってアイランドプレートや枠体がずれてしまうおそれがある。そのため、アイランドプレートや枠体を安定に保持するため、３点で固定している。即ち、両側のフレームに１本ずつと、片側に更に１本のリードと一体化するのに３本のリードピンが必要である。そのため、１本のリードピンはアイランドプレートと同電位にして利用するが、他の２本のリードが素子配線用には独立して使えなくなり、無効なリードピンとなってしまう。
【００２１】
また、パッケージはリードフレーム状態では整列しているが、個品切断すると、移載用のトレイへ並べたり、リード曲がりを修正したりしなくてはならない。
【００２２】
逆に、製造工程においてリードフレームがフープ状に繋がった状態では、全リードがショート状態にあるため、ＬＤや信号検出用受光素子への通電試験が行えない。
【００２３】
また、リードフレームに枠体を樹脂モールドした場合、特に熱可塑性の樹脂では、熱で樹脂が軟らかくなり枠体が変形する恐れがあるため、ワイヤボンディング時に加熱ができず超音波のみでワイヤボンディングを行う。そのためワイヤボンディングの強度が得にくく、ワイヤボンディング不良が多くなる。
【００２４】
また、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体の配置は通常高い精度が要求されるが、実装の位置精度はダイボンディング装置の機械精度に依存するため位置調整が困難であった。
【００２５】
また、受光素子と半導体レーザ素子、または半導体レーザ素子を搭載したサブマウントが同一面上に配置されるため、受光素子の受光面に半導体レーザ素子から出射した光の一部が迷い込み、受光信号のS/N特性を悪化させていた。
【００２６】
また、半導体レーザ素子は発光時に発熱し、高温になると素子自身の品質が劣化するため、熱を効率的に外部へ逃がす必要があるが、樹脂モールドタイプのパッケージでは、半導体レーザ素子を搭載するリード部の裏面が樹脂に覆われるため、裏面からの放熱性が悪くなっていた。
【００２７】
さらに、これらの問題の他に、上記従来技術の半導体レーザ装置を用いてピックアップを構成するのに、光軸調整等の位置調整が繁雑となっていた。
【００２８】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであって、量産性に優れ、ワイヤ配置が改善でき、小型化が可能な半導体レーザ装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、光軸調整等の位置調整が容易で、製造工程の調整時間の短縮と歩留向上を図り、生産性を高めた光ピックアップを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記課題を解決するため、本発明の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備え、前記絶縁性枠体の内部又は上部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部で前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体内部で、前記リードの少なくとも一つの先端は、該リードの前記絶縁性枠体の配置面に配置された他のリードの少なくとも一つの先端が対向する前記素子搭載部端部位置よりも延ばされたことを特徴とするものである。
【００３０】
本発明によれば、上記のように、リードの少なくとも一つの先端が素子搭載部の端部位置よりも延ばされるので、そのリードに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、１本又はそれ以上のリードの先端を曲げて、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子の近くにリードを増やすことができ、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【００３１】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【００３２】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置において、前記先端が延ばされた内部リード部は、該リードの前記絶縁性枠体の配置面に配置された内部リード部のうちで最も端側に位置することを特徴とするものである。
【００３３】
本発明によれば、上記のように、先端が延ばされたリードが、そのリードの絶縁性枠体配置面に配置されたリードのうちで最も端側に位置するので、上述したようなワイヤ配置をより確実に実現できる。
【００３４】
また、本発明の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体の二面で外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリードを備え、前記絶縁性枠体内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部で前記リードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体内部で、前記リードの少なくとも一つは、該リードの前記絶縁性枠体の配置面でのリード配置方向の端側に曲げられたことを特徴とするものである。
【００３５】
本発明によれば、上記のように、リードの少なくとも一つがそのリードの絶縁性枠体配置面でのリード配置方向の端側に曲げられるので、そのリードに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、１本又はそれ以上のリードを曲げて、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【００３６】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【００３７】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置において、前記曲げられたリード部は、前記絶縁性枠体内部で、曲げられた方向の隣のリードよりも延ばされたことを特徴とする半導体レーザ装置。
【００３８】
本発明によれば、上記のように、曲げられたリードが曲げられた方向の隣のリードよりも延ばされるので、上述したようなワイヤ配置をより確実に実現できる。
【００３９】
また、本発明の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体内部に少なくとも半導体レーザ素子と受光素子とが搭載され、前記絶縁性枠体内部に位置するリードに前記半導体レーザ素子及び前記受光素子の電極が電気的接続されてなる半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体内部に、前記半導体レーザ素子又は前記受光素子の電極の少なくとも一つとワイヤ接続されると共に前記リードの少なくとも一つとワイヤ接続される中継用電極が設けられたことを特徴とするものである。
【００４０】
本発明によれば、上記のように、絶縁性枠体内部に、半導体レーザ素子又は受光素子の電極の少なくとも一つとワイヤ接続されると共にリードの少なくとも一つとワイヤ接続される中継用電極が設けられるので、そのリードに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、１本又はそれ以上のリードを中継用電極を介してその受光素子の電極とワイヤ接続して、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【００４１】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【００４２】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置において、前記絶縁性枠体は前記半導体レーザ素子の搭載面または出射光軸と平行な外面を備えることを特徴とするものである。
【００４３】
本発明によれば、絶縁性枠体が半導体レーザ素子の搭載面または出射光軸と平行な外面を備えるので、その外面基準面として、容易に光軸調整を行うことができる。
【００４４】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体搭載部を形成してなることを特徴とするものである。
【００４５】
本発明によれば、絶縁性枠体に半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体が配置される反射体搭載部を形成してなるので、半導体レーザ素子をその搭載面と平行方向に光が出射されるように配置しても、絶縁性枠体の反射体搭載部に反射体を配置して、容易に光の出射方向を変更することができる。
【００４６】
また、本発明は、前記絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子の搭載面に平行となるように前記受光素子が配置される受光素子搭載部を形成してなることを特徴とするものである。
【００４７】
本発明によれば、絶縁性枠体に、前記半導体レーザ素子の搭載面に平行となるように前記受光素子が配置される受光素子搭載部を形成してなるので、半導体レーザ素子搭載面と受光面を平行に位置決めすることが容易となる。
【００４８】
また、本発明は受光素子搭載部に配置された受光素子の受光面が前記半導体レーザ素子の出射面よりも高いことを特徴とする。
【００４９】
本発明によれば受光素子搭載部に配置された受光素子の受光面が半導体レーザ素子の出射面よりも高くなるように配置することができるので、半導体レーザ素子の光が受光面に迷い込んで信号受光の妨げになることが少なくなり、受光信号のＳ／Ｎ特性が向上できる。
【００５０】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記リードのうちの一つが前記半導体レーザ素子の搭載部を備え、該搭載部全体もしくは一部の厚さが前記絶縁性枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いことを特徴とするものである。
【００５１】
本発明によれば、リードのうちの一つが半導体レーザ素子の搭載部を備え、その搭載部の厚さが絶縁性枠体外部に位置するリードの厚さよりも厚いので、放熱特性を向上させることができる。
【００５２】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分は、円柱を軸方向に対して互いに平行な二面で切り取った形状であり、該二面は前記絶縁性枠体の長手方向に対して平行で且つ該二面の前記長手方向の辺の長さが異なることを特徴とするものである。
【００５３】
本発明によれば、絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分は、円柱を軸方向に対して互いに平行な二面で切り取った形状であり、該二面は前記絶縁性枠体の長手方向に対して平行で且つ該二面の前記長手方向の辺の長さが異なるので、装置を小型化でき、非対称なホログラム素子を配置でき、該ホログラム素子の小型化が図れ、装置全体の小型化も図れる。
【００５４】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記半導体レーザ素子搭載面と平行な前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面に、内部の前記半導体レーザ素子から出射し外部の媒体で反射されて戻ってきた光を回折して内部の前記受光素子に導くホログラム素子を搭載することを特徴とするものである。
【００５５】
本発明によれば、半導体レーザ素子搭載面と平行な前記絶縁性枠体の上面もしくは絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面に、内部の前記半導体レーザ素子から出射し外部の媒体で反射されて戻ってきた光を回折して内部の前記受光素子に導くホログラム素子を搭載するので、ホログラム素子の位置決めが容易となる。
【００５６】
また、本発明の半導体レーザ装置は、前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面の一部を内側に張出させたことを特徴とする前記絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面の一部を内側に張出させたことを特徴とするものである。
【００５７】
本発明によれば、絶縁性枠体の上面又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の上面の一部を内側に張出させているので、ホログラム素子の搭載が容易となると共に、より小型のホログラム素子の搭載が可能となり、装置の小型化が図れる。
【００５８】
また、本発明のピックアップは、上記半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筺体が配置されてなることを特徴とするものである。
【００５９】
本発明によれば、前記半導体レーザ素子の搭載面と平行な外面に接して筺体が配置されるので、その外面を基準面として、筺体の高さ位置調整が容易となる。
【００６０】
また、本発明のピックアップは上記半導体レーザ装置を用いた光ピックアップであって、前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の円柱の円周面に、筐体の穴を嵌合させてなることを特徴とするものである。
【００６１】
本発明によれば、前記絶縁性枠体又は絶縁性枠体を上部に突出させた部分の円柱の円周面に、筐体の穴を嵌合させて配置されるので、その円周面を基準面として、筺体の光軸中心の位置調整が容易となる。
【００６２】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、導電性材料からなり複数のリードがフレーム部で連結されたリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体を形成し、装置となる部分が複数繋がったような状態として、それぞれに少なくとも半導体レーザ素子及び受光素子を取り付け、素子搭載部に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態で、通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断することを特徴とするものである。
【００６３】
本発明によれば、上記のように、枠体がリードフレームで繋がった状態として通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断するので、単品でない状態で各種製造装置へのロード／アンロード（セッティング及び取り外し）を容易に行える。また、上述の従来技術のように、リードが曲がることも避けることができる。これにより、生産性を向上させることができる。
【００６４】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記リードフレームが素子搭載部に接続されたリードを備え、該リードを除く他のリードを前記検査工程の前に前記フレーム部から切断し、前記検査工程の後に、前記フレーム部から切断されていないリードを切断することを特徴とするものである。
【００６５】
本発明によれば、上記のように、リードフレームが素子搭載部に接続されたリードを除く他のリードを検査工程の前にフレーム部から切断し、検査工程の後にフレーム部から切断されていないリードを切断するので、枠体がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、素子搭載部に接続されると共にフレーム部から切断されたリードを例えばアース電位等の同電位とし、他のフレーム部から切断されたリードを独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。
【００６６】
また、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記リードフレームが前記フレーム部に接続された枠体支持部を備え、該枠体支持部の少なくとも一部を含んで前記樹脂材料を成形し、該樹脂材料の成形後に前記リードを前記フレーム部から切断して、前記絶縁性枠体が前記枠体支持部により支持された状態で、前記検査工程を行うことを特徴とするものである。
【００６７】
本発明によれば、上記のように、リードをフレーム部から切断してリードフレームに設けられた枠体支持部により枠体が支持された状態で検査工程を行うので、枠体がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、各リードを独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。また、素子搭載部を保持するためのリードを削減することができる。
【００６８】
さらに、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記枠体支持部は前記フレーム部に接続されない端部を備え、該端部を含んで前記樹脂材料を成形することとを特徴とするものである。
【００６９】
本発明によれば、上記のように、枠体支持部のフレーム部に接続されない端部を含んで樹脂材料が成形されるので、検査工程後に、その端部を引き抜くだけで容易に枠体支持部を枠体から分離させることができる。
【００７０】
また、本発明は、上記の半導体レーザ装置の製造方法において、前記枠体支持部は前記フレーム部に接続されない側が素子搭載部に接続されると共に切り込みが形成されており、前記検査工程の後に、前記切り込みを用いて切断することを特徴とするものである。
【００７１】
本発明によれば、上記のように、枠体支持部が素子搭載部に接続されるので、素子搭載部を安定に保持することができる。しかも、検査工程後に、枠体支持部に設けた切り込みで切断するので、容易に枠体支持部を枠体から分離させることができる。
【００７２】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、導電性材料からなり複数のリードがフレーム部で連結されたリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体を形成し、少なくとも半導体レーザ素子及び受光素子を取り付け、素子の電極をリードにワイヤ接続する半導体レーザ装置の製造方法において、ワイヤ接続が施されない側に前記絶縁性枠体から前記リードが露出する部分が形成されており、該露出部分にヒータを接触させて加熱してワイヤ接続を行うことを特徴とするものである。
【００７３】
本発明によれば、上記のように、ワイヤ接続が施されない側で絶縁性枠体からリードが露出する部分にヒータを接触させて加熱してワイヤ接続を行うので、枠体の樹脂を不必要に温めることなく、リードを加熱でき、ワイヤ接続を良好に行うことができる。
【発明の効果】
【００７４】
以上のように、本発明の半導体レーザ装置によれば、その内部リード部に接続されるワイヤの配置を改善して、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。また、装置の小型化を実現することができる。そして、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることを容易に回避することが可能となる。
【００７５】
また本発明の半導体レーザ装置及び光ピックアップによれば、光軸調整等の一両性が容易となり、製造工程の調整時間の短縮と歩留向上が図れ、生産性を高めることができる。
【００７６】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、枠体がリードフレームで繋がった状態として通電による特性検査工程を行ってから、前記リードフレームを単品に分離切断するので、単品でない状態で各種製造装置へのロード／アンロード（セッティング及び取り外し）を容易に行える。また、上述の従来技術のように、リードが曲がることも避けることができる。これにより、生産性を向上させることができる。
【００７７】
また、本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば、ワイヤ接続が施されない側で絶縁性枠体からリードが露出する部分にヒータを接触させて加熱してワイヤ接続を行うので、枠体の樹脂を不必要に温めることなく、リードを加熱でき、ワイヤ接続を容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００７９】
〔実施形態１〕
本発明の実施形態１の半導体レーザ装置の概略構成を図１に示す。なお、図１において、（ａ）はホログラム素子を取り付けていない状態の上面図、（ｂ）、（ｃ）はホログラム素子を取り付けた状態の側面図、（ｄ）、（ｅ）はホログラム素子を取り付けた状態の要部側面断面図である。
【００８０】
図１に示すように、本実施形態の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体１の二面１ａ，１ｂで外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリード２（２ａ〜２ｌ）を備え、絶縁性枠体１内部に半導体レーザ素子（ＬＤ）５と信号検出用受光素子７とが搭載され、絶縁性枠体１でリード２ａ〜２ｌに半導体レーザ素子５及び受光素子７の電極がワイヤ８にて接続されている。そして、枠体内部で、リード２ａの先端は、リード２ａの絶縁性枠体１の配置面１ａに配置された他のリード２ｂ，２ｄ，２ｅの先端が対向する素子搭載部（アイランドプレート）３の端部位置Ａよりも延ばされている。さらに、本実施形態では、先端が延ばされたリード２ａを、そのリード２ａの絶縁性枠体１の配置面１ａに配置されたリード２ａ〜２ｆのうちで最も端側に位置するものとしている。
【００８１】
また、枠体１がアイランドプレート３とリード２を保持し、外郭構造を構成している。アイランドプレート３の上にはサブマウント４を介して端面発光のＬＤ５が搭載されており、ＬＤ５のビーム出射面の前方には反射体（ミラー）６が搭載され、ＬＤ５からの光の方向がミラー６にて変更される。ＬＤ５とミラー６の図面中右側方には信号検出用受光素子７が搭載されている。各素子５，７の電極はＡｕ線８でリード２と配線され、これら全体の上にホログラム素子９が取り付けられる。
【００８２】
上述の図１９に示した従来技術ではリード４０２ａがアイランドプレート４０１と接続され一体になったような構成であったが、本実施形態ではリード２ａをアイランドプレート３と切り離して分離し、枠体１内部で、リード２ａの先端を反対側のリード２ｇ〜２ｌ方向へ延ばして、代わりにリード２ｃをアイランドプレート３に接続してリード２ｃを一体化している。
【００８３】
このようにリード２ａの先端を、アイランドプレート３端部位置Ａよりも反対側へ延ばすことで、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子７の近くのリード数を６本から７本に増やすことができ、ワイヤ配線が容易となった。また、アイランドプレート３の保持については、リード２ｃ，２ｆ，２ｇの３本で支持するので、従来と同等の保持能力を維持できる。
【００８４】
以上のように、本実施形態の半導体レーザ装置によれば、リード２ａの先端が素子搭載部３の端部位置Ａよりも延ばされるので、そのリード２ａに接続されるワイヤ８の配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤ８の配置を略均等にできる。従って、信号検出用受光素子７から遠い側のリード列２ａ〜２ｆに対して、１本又はそれ以上のリードをその受光素子７側へ延ばして、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子７の近くにリードを増やすことができ、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子５の上方にワイヤ８が配置されることや、半導体レーザ素子５からの光の方向を変更する反射体６を備えた構成では半導体レーザ素子５と反射体６との間や反射体６の上方にワイヤが配置されることにより光軸が遮られるのを容易に回避することが可能となる。
【００８５】
次に、本実施形態の半導体レーザ装置の製造方法について、要部上面図を用いた工程図である図２，３を用いて説明する。
【００８６】
導電性の金属板を例えばプレス打ち抜きで加工して、それぞれの側で複数のリード２がフレーム部１０で連結され、フレーム部１０間に素子搭載部（アイランドプレート）３を備えたリードフレームを作製する（図２（ａ））。次に、そのリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体１を形成（樹脂モールド）して、装置となる部分が複数繋がったような状態とする（図２（ｂ））。そして、アイランドプレート３に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態とするのに、フレーム１０部との間でアイランドプレート３と接続されず繋がっていないリードを切断する（図２（ｃ））。
【００８７】
この後、アイランドプレート３に半導体レーザ素子（ＬＤ）付きサブマウント４、反射体（ミラー）６及び信号検出用受光素子７を搭載し（図３（ａ））、Ａｕワイヤ８をワイヤ接続（ワイヤボンディング）して配線する（図３（ｂ））。次いで、上述の従来技術と同様に、スクリーニングし、発光特性検査、ホログラム素子固定を行い、電気的・光学的特性を検査し、最後にフレーム部１０から単品切断（個品切断）して半導体レーザ装置が完成する（図３（ｃ））。なお、ここでの電気的・光学的特性検査は、リード２に対し通電して行うものである。
【００８８】
図１８で説明した従来の製造方法では樹脂モールド後、個品切断してから素子搭載や特性検査等を行ったため、パッケージの取り扱いが困難であったが、本実施形態の製造方法では、アイランドプレートを支えるリードをリードカット（切断）せず、パッケージがリードフレームに連なったまま各種生産装置へのロード／アンロード（セッティング及び取り外し）が可能であり、また、独立な信号配線を行うリードは全てカットしているのでリードフレームに連なった状態で通電検査が可能である。そのため、リードフレーム状態で素子の実装（搭載）、ワイヤボンド（ワイヤ接続）、検査等が行え量産性が向上する。なお、本実施形態の製造方法は、上述の図１７，１９に示したような従来技術の構成にも適用可能なものである。
【００８９】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、上記のように、枠体７がリードフレームで繋がった状態として通電による特性検査工程を行ってから、リードフレームを単品に分離切断するので、単品でない状態で各種製造装置等へのロード／アンロード（セッティング及び取り外し）を容易に行える。また、上述の従来技術のように、リードが曲がることも避けることができる。これにより、生産性を向上させることができる。
【００９０】
〔実施形態２〕
図４は、本発明の実施形態２の半導体レーザ装置の概略構造を示す上面図であり、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示すものである。
【００９１】
本実施形態において、上記実施形態１と異なる点はリード２ａ，２ｂだけであり、その他の点は上記実施形態１と同様であるので、その相違点について説明する。なお、ここでの説明で用いる符号で、図４に示されていないものは、図１と同様のものである。
【００９２】
本実施形態の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体１の二面１ａ，１ｂで外部から内部にかけてそれぞれ複数配置されたリード２を備え、絶縁性枠体１内部に半導体レーザ素子（ＬＤ）５と信号検出用受光素子７とが搭載され、絶縁性枠体１内部でリード２にＬＤ５及び信号検出用受光素子７の電極がワイヤ接続されてなる半導体レーザ装置において、枠体１内部で、リード２ｂが、そのリード２ｂの絶縁性枠体１の配置面１ａでのリード配置方向の端側に曲げられたものである。さらに、曲げられたリード２ｂは、曲げられた方向の隣のリード１ａよりも延ばされている。
【００９３】
即ち、本実施形態では、上記実施形態１のようにリード２ａの先端を反対側に延ばす代わりに、リード２ｂをリード２ａの側へ寄せるように曲げる構成のものである。
【００９４】
本実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記のように、リード２ｂがそのリード２ｂの絶縁性枠体１の配置面１ａでのリード配置方向の端側に曲げられるので、そのリード２ａに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子から遠い側のリード列に対して、１本又はそれ以上のリードを曲げて、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【００９５】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることにより光軸が遮られるのを容易に回避することが可能となる。
【００９６】
〔実施形態３〕
図５は、本発明の実施形態３の半導体レーザ装置の概略構造を示す上面図であり、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示すものである。
【００９７】
本実施形態において、上記実施形態１と異なる点はリード２ａ，２ｃと中継用電極１１とだけであり、その他の点は上記実施形態１と同様であるので、その相違点について説明する。なお、ここでの説明で用いる符号で、図５に示されていないものは、図１と同様のものである。
【００９８】
本実施形態の半導体レーザ装置は、絶縁性枠体１内部に半導体レーザ素子（ＬＤ）５と信号検出用受光素子７とが搭載され、絶縁性枠体１でリード２にＬＤ５及び信号検出用受光素子７の電極が電気的接続されてなる半導体レーザ装置において、絶縁性枠体１内部に、信号検出用受光素子７の電極とワイヤ接続されると共にリード２ｂ，２ｃとワイヤ接続される中継用電極１１が設けられたものである。
【００９９】
即ち、本実施形態では、反射体（ミラー）６の図面中横でＬＤ５と反対側にワイヤを中継するための電極１１を取り付けている。そして、Ａｕ線８の内、信号検出用受光素子７から遠い側のリード２ｂ，２ｃへ配線するワイヤは電極１１で中継される。なお、中継用電極１１は、素子搭載部（アイランドプレート）３上に、絶縁性材料を介して導電性材料を形成して構成することができる。
【０１００】
本実施形態の半導体レーザ装置によれば、上記のように、絶縁性枠体１内部に中継用電極１１が設けられるので、リード２ｂ，２ｃに接続されるワイヤの配置を、上述の従来技術のようなものから容易に変更して、例えば各ワイヤの配置を略均等にできる。従って、例えば信号検出用受光素子７から遠い側のリード列に対して、１本又はそれ以上のリードを中継用電極１１を介してその受光素子７の電極とワイヤ接続して、多数のワイヤ配線が必要な信号検出用受光素子７であっても、効率的なワイヤレイアウトが実現できる。
【０１０１】
これにより、不要なリードを設けたり、不要なスペースを設ける必要がなくなり、装置の小型化を実現することができる。また、半導体レーザ素子の上方にワイヤが配置されることや、半導体レーザ素子からの光の方向を変更する反射体を備えた構成では半導体レーザ素子と反射体との間や反射体の上方にワイヤが配置されることにより光軸が遮られるのを容易に回避することが可能となる。
【０１０２】
なお、実施形態２，３の半導体レーザ装置は、上記実施形態１で説明した製造方法により製造可能なものである。
【０１０３】
〔実施形態４〕
図６は図４の半導体レーザ装置の斜視図であり、本発明の実施形態４の半導体レーザ装置の概略構造を説明するための図である。図４と同様、内部をわかりやすくするため半導体レーザ装置の上部にあるホログラム素子は外した状態の図である。説明で方向を特定するため、図のようにｘ、ｙ、ｚ軸を選ぶ。
【０１０４】
図６で絶縁性枠体１は、ＬＤ５の搭載面を有するＬＤ搭載部３と平行な外面３１（３１ａ、３１ｂ）を備えている。なお、本実施形態ではＬＤ５はサブマウント４を介してＬＤ搭載部３に搭載されているが、サブマウントの上下面は平行であるので、外面３１とＬＤ５も平行になる。基準面となる外面３１は、ＬＤ５の発光点とのｚ軸方向の距離が所定の距離となるように設計されている。
【０１０５】
基準面３１は枠体樹脂モールド金型によってＬＤ搭載部３に対して一体的に成形されるので、モールド金型を精度よく作成することにより、ＬＤ搭載部３に平行な基準面が高精度で得られ、これにより光ピックアップへの取り付けが容易に行える。
【０１０６】
〔実施形態５〕
同じく図６を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態５を説明する。図６で絶縁性枠体１には、半導体レーザ素子５から出射する光の方向を変更する反射体６が配置される反射体配置面を有する反射体搭載部３３が、樹脂モールドにより絶縁性枠体１と一体的に形成されている。なお、反射体搭載部３３の反射体配置面はＬＤ搭載部３のＬＤ搭載面に対して４５度の角度を有している。また、本実施形態では、反射体搭載部３３に平板状の反射ミラー６を搭載しているが、これに代えて、蒸着等により反射体配置面に直接反射膜を形成してもよい。
【０１０７】
反射体搭載部３３は枠体樹脂モールド金型によってＬＤ搭載部３に対して一体的に成形されるので、モールド金型を精度よく作成することにより、ＬＤ搭載部３に対し４５度傾いた反射体配置面が高精度で得られる。これにより放射特性、即ち、光軸のブレの少ない半導体レーザ装置が容易に作成できる。
【０１０８】
〔実施形態６〕
同じく図６を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態６を説明する。
図６の絶縁性枠体１には、信号検出用受光素子７が配置される受光素子配置面を有する受光素子搭載部３４が、樹脂モールドにより絶縁性枠体１と一体的に形成されている。
【０１０９】
また、受光素子搭載部３４上の受光素子７の受光面の高さは、ＬＤ５の発光点高さよりも高くなるようにする。
【０１１０】
受光素子搭載部３４は枠体樹脂モールド金型によってＬＤ搭載部３に対して一体的に成形されるので、モールド金型を精度よく作成することにより、ＬＤ搭載部３に対して平行な受光素子搭載部３４が高精度で得られる。これによりＬＤ５に対し受光素子７を平行に配置することができるので、受光素子７の所定位置へ信号光のスポットが照射され、設計通りの受光特性が得られる。
【０１１１】
また、受光素子７の受光面がＬＤ５の発光点よりも高いので、ＬＤ５からの光が直接受光素子に入らず、信号のＳ／Ｎ特性を改善できる。
【０１１２】
〔実施形態７〕
次に図６および図７を用いて本発明の半導体レーザ装置およびそれを用いた光ピックアップの実施形態７を説明する。
【０１１３】
図６で絶縁性枠体１はＬＤ搭載面を連続して囲み上方へ突出させた部分（突起部）３５を備えており、突起部３５の外周形状は、円からその一部をなす２つの対向する弓形を削除してできる、対向した２つの円弧と対向した２つの弦とで囲まれてなる形状であり、その形状の２つの対向した円弧側に、リード２の配置面と外面３１が配置されている。
【０１１４】
なお、突起部３５は樹脂モールドにより絶縁性枠体１と一体的に形成され、突起部３５の円弧側面の円弧の中心は、反射体６を介して曲げられたＬＤ５の光学軸に一致するようにされている。モールド金型を精度よく作成することにより、突起部３５の円弧側面の円弧の中心を光学軸に高精度で一致させることができる。
【０１１５】
ここで、図７で半導体レーザ装置をピックアップに組み立てる様子を説明する。図７（ａ）、図７（ｂ）は本発明の半導体レーザ装置１００をハウジング５０に組み付けて光ピックアップを製作する様子を説明する図である。図７（ａ）はピックアップの構造を説明するため、ハウジング５０内部がわかるように描いてある。半導体レーザ装置１００から出た光はコリメートレンズ１０１、立ち上げミラー１０２、オブジェクトレンズ１０３を通って光ディスク１０４に集光される。
【０１１６】
図７（ｂ）に示すように、半導体レーザ装置１００はハウジング５０の取付面５１の取付穴５２に前述の突起部３５が入るように取り付けられる。このとき、ハウジング５０の取付面５１に半導体レーザ装置１００の基準面、即ち、外面３１が当接し、取付け穴５２に半導体レーザ装置１００の突起部３５の円弧部側面が当接することで、ハウジングの光軸５３に対し半導体レーザ装置１００の光軸を一致させて、かつ、コリメートレンズ１０１に対して決められた距離に半導体レーザ装置１００を配置することが可能となる。
【０１１７】
また、突起部３５の円弧部分の形状は、図７（ｃ）に示すように、ｘ軸に対し非対称であり、ｘ軸から絶縁性枠体１の端部までの距離が両側方で異なっている。一方、円弧部分の形状がｘ軸に対し対称の場合を図７（ｄ）に示す。薄型の光ピックアップを作るには光ピックアップの光軸から光ピックアップの底までの距離６２を小さくする必要がある。そのためにはハウジングに組み込む半導体レーザ装置１００も、光軸からｙ軸方向の端面までの距離６３を小さくする必要がある。図７（ｃ）の半導体レーザ装置１００ｂの該距離６３ｂは図７（ｄ）の半導体レーザ装置１００ａの該距離６３ａよりも小さくなっており、このように、突起部３５の円弧部分の形状をｘ軸に対し非対称にすることで、より薄型の光ピックアップを作ることができる。
【０１１８】
〔実施形態８〕
次に、図６を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態８を説明する。図６において、絶縁性枠体１の突起部３５は、樹脂モールドにより絶縁性枠体１と一体的に形成されている。モールド金型を精度よく作成することにより、高精度で突起部３５の上面をＬＤ搭載部３に平行することができる。突起部３５の上面にホログラム素子を接着剤で搭載することで、ＬＤ５に対しホログラム素子を高精度で平行に配置することができる。これにより、ホログラムから受光素子７の所定位置へ信号光のスポットが照射され、設計通りの受光特性を得ることができる。
【０１１９】
また、内側に向かって張り出させた部分３５ａ、３５ｂ、３５ｃを設け、その上にホログラム素子等の光学素子を配置する。これにより、ホログラム素子搭載時の接着面積が増加し、ホログラム素子を絶縁性枠体１に安定した姿勢および接着強度で取り付けることできる。また、より小型のホログラム素子でも、取り付け可能となり、ホログラム素子サイズの小型化により材料費の低減が可能になる。
【０１２０】
〔実施形態９〕
次に図８を用いて本発明の半導体レーザ装置の実施形態９を説明する。半導体レーザ用パッケージとしては、半導体レーザ素子の発光により発生する熱を効率よく伝導する必要がある。そのため、リードフレーム材料を熱伝導率の高い銅系材料を使用し、半導体レーザ素子近傍のリードフレーム板厚のみを厚くするのがよい。
【０１２１】
ここで、リードフレーム全体の板厚を厚くすることが考えられるが、リードピッチ（リードと次のリードとの距離）は、板厚に依存するため、パッケージが大きくなってしまう。そこで、図８に示すように、リード部は薄く、最も重要な半導体レーザ搭載部周辺のみ板厚を厚くすることが、パッケージ小型化及び薄型化には効率的である。
【０１２２】
先ず、図８（ａ）に示すようにパッケージ完成時のリード板厚の１．５倍程度の板厚の金属板材料のリードフレーム材料１６０を用意し、図８（ｂ）のようにリードフレームの半導体レーザ素子搭載箇所（アイランドプレート部３０）以外の部分を任意の板厚になるようにプレスする。プレスすることにより、半導体レーザ素子搭載箇所の板厚が増加し、異形フープ材１６１が完成する。
【０１２３】
次に、図８（ｃ）のように、プレス打ち抜きやエッチングをして、異形フープ材１６１からアイランドプレート３０とリード２を加工し、リードフレーム１６２を作成する。
【０１２４】
次に、図８（ｄ）、図８（ｅ）のように、樹脂モールドし、桟（フレーム）１５２とリード１０を切断することにより、半導体レーザ素子搭載部付近の板厚のみ厚いパッケージが完成する。
【０１２５】
なお、高放熱半導体レーザ装置（図８）と通常放熱半導体レーザ装置（図２、図３）は、リードフレーム材料をプレスする工程が追加になるだけで、樹脂モールド以降の工程を共通化可能であるため、生産装置の共有化が可能となり、製造コストの削減が図れる。
【０１２６】
〔実施形態１０〕
実施形態１０として、上記実施形態１と異なる半導体レーザ装置の製造方法ついて、上面図を用いた工程図である図９，１０を用いて説明する。
【０１２７】
導電性の金属板を例えばプレス打ち抜きで加工して、それぞれの側で複数のリード２がフレーム部１０で連結され、フレーム部１０間に素子搭載部（アイランドプレート）３を備えたリードフレームを作製する（図９（ａ））。さらに、このとき、４つの枠体支持部１２を形成しておく。また、ここで、アイランドプレート３は、単一のリードに接続されて繋がっているだけである。
【０１２８】
次に、このリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体１を形成（樹脂モールド）して、装置となる部分が複数繋がったような状態とする（図９（ｂ））。ここで、枠体支持部１２の先端を含んで樹脂成形を行って、枠体１の側面の４ヶ所で枠体支持部１２の先端が埋没するようにしている。
【０１２９】
そして、この後、アイランドプレート３に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態とするのに、リード２の全てを、フレーム部１０が分離するように切断（リードカット）する（図９（ｃ））。ここで、枠体１が枠体支持部１２によってフレーム部１０に繋がるようにして保持されるので、素子搭載以降の工程でもリードフレームに連なった状態で取り扱うことができる。また、アイランドプレート３が１本のリードしか繋がっておらず、全てのリードがフレーム部１０からカットされているので、１２本全てのリードが独立しており、後述の工程で、ワイヤ配線の自由度が増し、また通電による特性検査も可能となる。
【０１３０】
この後、アイランドプレート３に半導体レーザ素子（ＬＤ）付きサブマウント４、反射体（ミラー）６及び信号検出用受光素子７を搭載し（図１０（ａ））、Ａｕワイヤ８をワイヤ接続（ワイヤボンディング）して配線する（図１０（ｂ））。次いで、上述の従来技術と同様に、スクリーニングし、発光特性検査、ホログラム素子固定を行い、電気的・光学的特性を検査し、最後にフレーム部１０から単品切断（個品切断）して半導体レーザ装置が完成する（図１０（ｃ））。なお、ここでの電気的・光学的特性検査は、リード２に対し通電して行うものである。
【０１３１】
図１８で説明した従来の製造方法では樹脂モールド後、個品切断してから素子搭載や特性検査等を行ったため、パッケージの取り扱いが困難であったが、本実施形態の製造方法では、枠体１が枠体支持部１２により支持されているので、パッケージがリードフレームに連なったまま各種生産装置へのロード／アンロード（セッティング及び取り外し）が可能であり、また、リード２の全てをフレーム部１０からカットしているのでリードフレームに連なった状態で通電検査が可能である。さらに、枠体支持部１２は枠体１に先端が埋没しているだけなので、枠体１から引き抜くだけでよい。そのため、リードフレーム状態で素子の実装（搭載）、ワイヤボンド（ワイヤ接続）、検査等が行え量産性が向上する。
【０１３２】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、上記のように、リード２をフレーム部１０から切断してリードフレームに設けられた枠体支持部１２により枠体１が支持された状態で検査工程を行うので、枠体１がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、各リード２を独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。また、素子搭載部を保持するためのリードを削減することができる。さらに、枠体支持部１２のフレーム部１０に接続されない端部を含んで樹脂材料が成形されるので、検査工程後に、その端部を引き抜くだけで容易に枠体支持部１２を枠体１から分離させることができる。
【０１３３】
〔実施形態１１〕
実施形態１１として、上記実施形態１，１０と異なる半導体レーザ装置の製造方法ついて、上面図を用いた工程図である図１１，１２、及び枠体支持部の要部斜視図である図１３を用いて説明する。
【０１３４】
導電性の金属板を例えばプレス打ち抜きで加工して、それぞれの側で複数のリード２がフレーム部１０で連結され、フレーム部１０間に素子搭載部（アイランドプレート）３を備えたリードフレームを作製する（図１１（ａ））。さらに、このとき、４つの枠体支持部１２を形成しておく。また、ここで、アイランドプレート３は、単一のリードと枠体支持部１２に接続されて繋がっている。
【０１３５】
さらに、本実施形態では、枠体支持部１２のアイランドプレートとの接続部分に近い方に、Ｖ字型の切り込み（ハーフノッチ）１３を設けておく。このハーフノッチ１３は、その要部斜視図の図１３に示すように、アイランドプレート３との接続部分から直線状に延びた部分に形成されている。
【０１３６】
次に、このリードフレームに樹脂材料を成形して絶縁性枠体１を形成（樹脂モールド）して、装置となる部分が複数繋がったような状態とする（図１１（ｂ））。ここで、前述のハーフノッチ１３を形成するときに、ハーフノッチ１３が枠体１に埋まるように形成しておけば、後工程で枠体支持部１２を枠体１から分離した後に、残存する枠体支持部１の一部が枠体１からはみ出さないので好ましい。
【０１３７】
そして、この後、アイランドプレート３に接続されたリードとそれ以外のリードとが電気的に絶縁された状態とするのに、リード２の全てを、フレーム部１０が分離するように切断（リードカット）する（図１１（ｃ））。ここで、枠体1が枠体支持部１２によってフレーム部１０に繋がるようにして保持されるので、素子搭載以降の工程でもリードフレームに連なった状態で取り扱うことができる。さらに、アイランドプレート３が枠体支持部１２によって保持されるので、後工程において、上記実施形態１０のものよりも、アイランドプレート３を安定して保持することができる。また、リードに対してはアイランドプレート３が１本のリードしか繋がっておらず、全てのリードがフレーム部１０からカットされているので、１２本全てのリードが独立しており、後述の工程で、ワイヤ配線の自由度が増し、また通電による特性検査も可能となる。
【０１３８】
この後、アイランドプレート３に半導体レーザ素子（ＬＤ）付きサブマウント４、反射体（ミラー）６及び信号検出用受光素子７を搭載し（図１２（ａ））、Ａｕワイヤ８をワイヤ接続（ワイヤボンディング）して配線する（図１２（ｂ））。次いで、上述の従来技術と同様に、スクリーニングし、発光特性検査、ホログラム素子固定を行い、電気的・光学的特性を検査し、最後にフレーム部１０から単品切断（個品切断）して半導体レーザ装置が完成する（図１２（ｃ））。なお、ここでの電気的・光学的特性検査は、リード２に対し通電して行うものである。
【０１３９】
本実施形態では、ハーフノッチ１３を設けているので、枠体支持部１２を曲げるようにして、ハーフノッチ１３の部分で切断して、容易に枠体支持部１２を枠体から分離させることができる。
【０１４０】
図１８で説明した従来の製造方法では樹脂モールド後、個品切断してから素子搭載や特性検査等を行ったため、パッケージの取り扱いが困難であったが、本実施形態の製造方法では、枠体１が枠体支持部１２により支持されているので、パッケージがリードフレームに連なったまま各種生産装置へのロード／アンロード（セッティング及び取り外し）が可能であり、また、リードの全てをフレーム部からカットしているのでリードフレームに連なった状態で通電検査が可能である。さらに、枠体支持部１２は枠体１に先端が埋没しているだけなので、枠体１から引き抜くだけでよい。そのため、リードフレーム状態で素子の実装（搭載）、ワイヤボンド（ワイヤ接続）、検査等が行え量産性が向上する。
【０１４１】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、上記のように、リード２をフレーム部１０から切断してリードフレームに設けられた枠体支持部１２により枠体１が支持された状態で検査工程を行うので、枠体１がリードフレームで繋がった状態でも、検査工程において、各リード２を独立した電位として、通電による特性検査を容易に行うことができる。また、素子搭載部を保持するためのリードを削減することができる。さらに、アイランドプレート３に接続される枠体支持部１２にハーフノッチを設けているので、検査工程後に、その枠体支持部１２を曲げるようにして、容易に枠体支持部１２を枠体１から分離させることができる。
【０１４２】
〔実施形態１２〕
実施形態１２として、半導体レーザ装置の製造方法におけるワイヤ接続（ワイヤボンディング）時の加熱について、図１４，１５を用いて説明する。なお、ここでは、上記実施形態１１のものに適用した場合について説明するが、この加熱方法は、上記実施形態のいずれにも適用できるものであり、また上述の従来技術にも適用できるものである。
【０１４３】
図１４において、（ａ）は図１２（ａ）に相当する上面図で素子搭載後の状態を示すものであり、（ｂ）は（ａ）の状態を裏面側から見た下面図であり、（ｃ）は素子搭載側を図面中下側にした要部側面断面図である。また、図１５は、要部側面断面図を用いた本実施形態の加熱方法を説明するための概念図である。
【０１４４】
図１４（ｂ），（ｃ）に示すように、本実施形態では、上記実施形態１１の樹脂材料成形（樹脂モールド）時に、素子搭載側の反対側の裏面側に、絶縁性枠体１からリード２を内部側の先端部を含んで部分的に露出させる孔部２１を形成しておく。
【０１４５】
そして、素子搭載後のワイヤボンディング時には、図１５に示すように、孔部２１に挿入される凸部が設けられた電気ヒータ２３を用いて、その凸部を孔部２１内で露出したリード２に接触させてリード２を加熱して、ワイヤボンディングを行う。なお、ヒータ２３のリード接触側の凸部の周囲には、枠体１の樹脂の加熱を抑止するように、断熱材２２が貼り付けにより配置されている。
【０１４６】
ここで説明した以外は、上記実施形態１１と同様である。
【０１４７】
以上のように、本実施形態によれば、上記のように、ワイヤ接続が施されない側で絶縁性枠体１からリード２が露出する部分にヒータ２３を接触させて加熱してワイヤ接続を行うので、枠体１の樹脂を不必要に温めることなく、リード２を加熱でき、ワイヤ接続を容易に行うことができる。
【０１４８】
なお、上記各実施形態では、ＬＤ５を端面発光のＬＤとしているため、光軸を９０度曲げるようにミラー６を搭載しているが、面発光のＬＤであれば、ミラー６は不要である。また、ＬＤ５の光出力を制御するためのモニター用受光素子をアイランドプレート３に搭載しても良く、ＬＤ５をサブマウント４を介してアイランドプレート３に搭載しているが、光出力を制御するためのモニタ用受光素子（フォトダイオード）を内蔵したサブマウントを介して搭載しても良い。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】実施形態１の半導体レーザ装置の概略構成を示す図であり、（ａ）はホログラム素子を取り付けていない状態の上面図、（ｂ）、（ｃ）はホログラム素子を取り付けた状態の側面図、（ｄ）、（ｅ）はホログラム素子を取り付けた状態の要部側面断面図である。
【図２】実施形態１の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図３】実施形態１の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図４】実施形態２の半導体レーザ装置の概略構造を示し、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示す上面図である。
【図５】実施形態３の半導体レーザ装置の概略構造を示し、ホログラム素子が取り付けられていない状態を示す上面図である。
【図６】実施形態４〜８の半導体レーザ装置の概略構成を示す斜視図である。
【図７】実施形態７の半導体レーザ装置及びそれを用いた光ピックアップを説明する図であり、（ａ）は光ピックアップの構成を示す概略図、（ｂ）はその斜視図、（ｃ）は光ピックアップに取り付ける薄型の半導体レーザ装置の図、（ｄ）は厚みのある半導体レーザ装置の図である。
【図８】実施形態９のパッケージの製造方法を説明する工程図であり、（ａ）〜（ｃ）は平面図と側面図、（ｄ）、（ｅ）は平面図である。
【図９】実施形態１０の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図１０】実施形態１０の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図１１】実施形態１１の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図１２】実施形態１１の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための要部上面図を用いた工程図である。
【図１３】実施形態１１の枠体支持部の概略構造を示す要部斜視図である。
【図１４】実施形態１１の半導体レーザ装置の製造方法を説明するための図であり、（ａ）は要部上面図であり、（ｂ）は要部下面図であり、（ｃ）は要部側面断面図である。
【図１５】実施形態１１における加熱方法を説明するための要部側面断面図を用いた概念図である。
【図１６】従来の半導体レーザ装置の概略構造を示す要部斜視図である。
【図１７】従来の半導体レーザ装置の概略構造を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図である。
【図１８】図１７の半導体レーザ装置に適用可能な製造方法を説明するための上面図を用いた工程図である。
【図１９】図１８の製造方法により製造された半導体レーザ装置の概略構造を示す図であり、（ａ）は上面図、（ｂ）は側面断面図である。
【符号の説明】
【０１５０】
１    絶縁性枠体
２，２ａ〜２ｌ    リード
３    アイランドプレート（素子搭載部）
４    サブマウント
５    半導体レーザ素子（ＬＤ）
６    ミラー（反射体）
７    信号検出用受光素子
８    Ａｕワイヤ
９    ホログラム素子
１０    フレーム部
１１    中継用電極
１２    枠体支持部
１３    ハーフノッチ（切り込み）
３３    反射体搭載部
３４    受光素子搭載部
３５    突起部
５０    ハウジング（筐体）
１００    半導体レーザ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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