(57)【要約】【課題】  ろう材の溶融温度を安定化させると共に、砥粒のろう付け状態を均一・安定化させることによって砥粒の脱落を抑制し、さらには金属製支持材の熱変形を抑制することによって平坦性を向上させた研磨布用ドレッサーを提供する。【解決手段】  金属製支持材の表面に複数個の砥粒がろう材でろう付けされてなる研磨布用ドレッサーであって、前記金属製支持材表面と前記ろう材との間に、ろう材の構成元素の拡散を防止する拡散防止バリヤ層を有する。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製支持材の表面に複数個の砥粒がろう材でろう付けされてなる研磨布用ドレッサーであって、
前記金属製支持材表面と前記ろう材との間に、ろう材の構成元素の拡散を防止する拡散防止バリヤ層を有することを特徴とする研磨布用ドレッサー。
【請求項２】
前記ろう材がホウ素Bを含むことを特徴とする請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項３】
前記バリヤ層が炭素C濃化層であることを特徴とする請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項４】
前記バリヤ層がケイ素Si濃化層であることを特徴とする請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項５】
前記バリヤ層が銅Cu濃化層であることを特徴とする請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項６】
前記バリヤ層がニッケルNi濃化層であることを特徴とする請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【請求項７】
前記バリヤ層がチタンTi、ジルコニウムZr、クロムCr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンWのうち少なくとも１種を含む濃化層であることを特徴とする請求項１に記載の研磨布用ドレッサー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学的かつ機械的平面研磨（Chemical Mechanical Planarization、以下CMPと略す）の工程で、研磨布の目詰まりや異物除去を行う際に使用される研磨布用ドレッサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの表面を研磨する装置、集積回路を製造する途中の配線、絶縁層形成段階において表面を平坦化する装置、ハードディスク基板に使用されるアルミニウム板やガラス板の表面を平坦化する装置、等ではCMP研磨が用いられている。このCMP研磨とは、例えば、ウレタン製の研磨パッドが貼り付けられた回転基板に微細な砥粒を含むスラリー液を供給しながら被研磨面を押し当てて被研磨面を平坦化する方法である。当然のことながら、この研磨パッドの研磨能力は使用時間と共に低下していくが、この低下を抑制するために、一定時間毎に研磨パッド表層部を研削し、常に新しい面が出るようにドレッシングしている。このドレッシングする部品をドレッサーと呼び、金属基板に砥粒を電着、或いは、ろう付け等によって接合させたものである。
【０００３】
ろう付けは、通常、温度をろう材が溶融する温度まで上昇させ、砥粒を構成する元素の一部とろう材を構成する元素の一部を化学的に結合させることも可能であるため、砥粒を強固に接合させることが可能となる。特許文献１では、砥粒層をPd-Cr-B-Ni系のろう材を使って支持体に接合した工具が開示されている。特許文献２では、Fe、Mo等の炭化物を形成し易い元素を含有するろう材を用いてろう付けする方法が開示されている。特許文献３には、Ti、Zr、Crの少なくとも１種を含むろう材を用いてろう付けしたドレッサーが開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６２−３４７０５号公報
【特許文献２】特開平３−１３１４７５号公報
【特許文献３】特開平１０−１７５１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述したように、砥粒を金属製支持材にろう付けする場合に、目的に応じて種々の組成を有するろう材が使用されているが、ろう材を溶融温度まで加熱してろう付けする場合、元々のろう材の溶融温度まで加熱しても溶融しなかったり、さらには、砥粒がろう付けされなかったりすることが度々発生することがあった。
【０００６】
そこで、従来は、さらにろう付け温度を上げることによって砥粒の接合性を改善することが行われていたが、ろう付け温度を高くすると、金属製支持材の熱による変形が大きくなる問題が生じてしまう。
【０００７】
本発明は、ろう材の溶融温度を安定化させると共に、砥粒のろう付け状態を均一・安定化させることによって砥粒の脱落を抑制し、さらには金属製支持材の熱変形を抑制することによって平坦性を向上させた研磨布用ドレッサーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の要旨は、以下の通りである。
（１）金属製支持材の表面に複数個の砥粒がろう材でろう付けされてなる研磨布用ドレッサーであって、
前記金属製支持材表面と前記ろう材との間に、ろう材の構成元素の拡散を防止する拡散防止バリヤ層を有することを特徴とする研磨布用ドレッサー。
（２）  前記ろう材がホウ素Bを含むことを特徴とする（１）に記載の研磨布用ドレッサー。
（３）  前記バリヤ層が炭素C濃化層であることを特徴とする（１）に記載の研磨布用ドレッサー。
（４）  前記バリヤ層がケイ素Si濃化層であることを特徴とする（１）に記載の研磨布用ドレッサー。
（５）  前記バリヤ層が銅Cu濃化層であることを特徴とする（１）に記載の研磨布用ドレッサー。
（６）  前記バリヤ層がニッケルNi濃化層であることを特徴とする（１）に記載の研磨布用ドレッサー。
（７）  前記バリヤ層がチタンTi、ジルコニウムZr、クロムCr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンWのうち少なくとも１種を含む濃化層であることを特徴とする（１）に記載の記載の研磨布用ドレッサー。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、多数の砥粒を金属支持材にろう付けする場合に、砥粒の接合性が安定するため、製造歩留まりが向上する。さらに、ろう材の溶融温度の変動バラツキが殆どなくなるため、従来は余裕をみて高めに設定していたろう付け温度を低下させることが可能となる。その結果、金属製支持材の熱による変形も軽減される効果がある。また、砥粒の接合性が安定化するため、使用中における砥粒の脱落も抑制される効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。
本発明者は、砥粒を金属製支持材に従来公知のろう材を介してろう付けする場合、箔ろうの厚みを変えた場合、粉ろうの塗布厚みを変えた場合、金属製支持材の材質を変えた場合、ろう付け時間を変えた場合、等に、ろう材単独で測定したろう材の溶融温度まで昇温しても、ろう材の溶融が起こらなかったり、溶融してもその粘性が高かったりする場合が度々生じることに気づいた。このような場合は、当然のことながら砥粒の接合性が悪くなってしまう。良好な接合性を確保するために、ろう付け温度を上昇させると、熱による金属製支持材の変形が大きくなってドレッサーの平坦性が悪くなってしまう。
【００１１】
そこで、ろう材の溶融温度に変動が生じる原因を鋭意検討した。その結果、Bni-2やBni-5等のJIS規格材に代表されるNi-Cr-Fe-Si-B系、Ni-Si-B系、Ni-Cr-Si-B系のろう材を使用した場合に、砥粒の接合性にバラツキが生じ易くなることを突き止めることができた。
【００１２】
さらに、金属製支持材へろう材をろう付けした試料の断面を詳細に分析した結果、ろう材の主要構成元素であるホウ素Bがろう材から金属製支持材側へ拡散してしまって、ろう材に残存しているB量が元々のろう材中にあったB量よりも大きく低減していることを突き止めることができた。
【００１３】
金属製支持材へのBの拡散を抑制できれば、ろう材の溶融温度のバラツキが低減し、前記したような砥粒の接合性のバラツキが低減できると予想し、金属製支持材表面に種々のバリヤ層を形成させてろう付け試験を繰り返した。具体的には、種々の元素を金属製支持材の表面に付与させた後に、Bを含むろう材を用いて砥粒をろう付けし、ろう付け状態を検査した。検査は目視、及び、実際にパッドを研削し、研削後の砥粒の付き具合を観察した。さらに、ろう材中のBの減少の有無を測定した。これらの一連の試験を通じて、砥粒のろう付けが安定的に実施できるバリヤ層を見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
具体的な本発明の特徴の一つは、前記バリヤ層が炭素C濃化層であり、このC濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としては、通常、SUS304、SUS430等のステンレス系材料が好適である。ステンレス材の表面には、固体浸炭法、ガス浸炭法によって、C濃化層を形成させることが可能である。浸炭法でC濃化層を形成させる場合には、C濃度は0.1質量%以上1.5質量%以下が好ましい。0.1質量%未満の場合には、ろう材中のBの拡散を効果的に抑制できない。1.5質量%超の濃化層を形成させてもそれ以上のBの拡散抑制効果は得られないばかりか、浸炭処理自体が難しくなるからである。C濃化層の厚みは少なくとも10μm以上あれば良い。10μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。幅の上限は特に規定しないが、通常の浸炭処理では、1000μm程度は浸炭可能である。ただし、これ以上厚くしても浸炭コストが増すだけで好ましくない。
【００１５】
C濃化層は、DLC（ダイヤモンド様炭素膜：Diamond Like Carbon）によって形成させることもできる。この場合にはC濃度がほぼ100%近くまで高くなるため、濃化層の厚みは0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のイオンプレーティング法では、5μm程度の厚みは形成可能であるが、2μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。5μmより厚くしても成膜コストが増えるだけで好ましくない。
【００１６】
他の特徴の一つは、前記バリヤ層がケイ素Si濃化層であり、このSi濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、CVD、イオンプレーティング等によってSi層を形成させることが可能である。Siの濃度は、Si濃化層を形成する場合に使用するターゲット材料に含まれるSi量で決まるが、Siが少なくとも10質量%以上含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。純Siを用いれば、金属製支持材表面に純度100%のSi濃化層を形成させることが可能である。Si濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のCVD、或いはイオンプレーティング法では、20μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。20μmより厚くしても、スパッタリングコストが増えるだけで好ましくない。
【００１７】
他の特徴の一つは、前記バリヤ層が銅Cu濃化層であり、このCu濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、電気めっき、無電解めっき等によってCu層を形成させることが可能である。Cuの濃度は、Cu濃化層を形成する場合に使用するめっき欲組成で決まるが、少なくとも80質量%以上含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。Cuは、他の元素と合金化し難いものであるため、ほぼ濃度が100%であるCuが金属製支持材表面にCu濃化層として形成させることが好ましい。Cu濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のめっき法では、10μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。10μmより厚くしても、めっきコストが増えるだけで好ましくない。めっき法の他、スパッタリング法によってもCu濃化層を形成することが可能である。
【００１８】
他の特徴の一つは、前記バリヤ層がニッケルNi濃化層であり、このNi濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、電解めっき、無電めっき等によってNi層を形成させることが可能である。Niの濃度は、Ni濃化層を形成する場合に使用するめっき欲組成で決まるが、Niが少なくとも80質量%以上含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。金属製支持材表面に純度100%のNi濃化層を形成させることが可能である。Ni濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のめっき法では、10μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。10μmより厚くしても、めっきコストが増えるだけで好ましくない。めっき法の他、スパッタリング法によってもNi濃化層を形成することが可能である。
【００１９】
他の特徴の一つは、前記バリヤ層がチタンTi、ジルコニウムZr、クロムCr、ハフニウムHf、バナジウムV、ニオブNb、タンタルTa、モリブデンMo、タングステンWのの少なくとも１種を含む濃化層であり、この濃化層の上に砥粒がろう付けされたドレッサーである。金属製支持材としてのステンレス材の表面には、例えば、スパッタリング法等によって、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも１種を含む濃化層を形成させることが可能である。各々の元素の濃度は、スパッタリングの際に使用するターゲット材料の組成で調整可能である。Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも１種が含まれていれば、Bの拡散抑制に効果がある。各々、純元素を用いれば、金属製支持材表面に純度100%の濃化層を形成させることが可能である。２種以上の元素を組み合わせても本発明の濃化層を形成可能である。濃化層の厚みは、少なくとも0.2μm以上あれば良い。0.2μm未満では、Bの拡散を抑制する効果が十分ではないからである。通常のスパッタリング法では、20μm程度の厚みは形成可能であるが、5μmの厚みがあれば十分な効果が得られる。5μmより厚くしてもスパッタリングコストが増えるだけで好ましくない。
【００２０】
上述したバリヤ層の構成として、C濃化層、Si濃化層、Cu濃化層、Ni濃化層、及び、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも１種を含む濃化層を複数積層しても本発明の効果を得ることができる。この場合の各々の層の濃度、及び、厚みは、前記した各々の層の濃度、及び、厚みの範囲内であれば良い。
【００２１】
本発明においては、砥粒として、通常のダイヤモンド、立方晶窒化ホウ素、炭化ホウ素、炭化ケイ素、酸化アルミニウム等を用いることが可能である。これらの砥粒表面に、チタン、ジルコニウム、クロムから選ばれた少なくとも１種を被覆したもの、また、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化クロムから選ばれた少なくとも１種を被覆したものを用いることも可能である。砥粒の大きさは、10μm〜300μmが好適である。ドレッシング力を高める場合には、下限値は50μm程度以上にすれば良い。
【００２２】
本発明は、特に、ろう材組成にBを含む場合に効果を発揮することから、ろう材には、Ni-Cr-Fe-Si-B系、Ni-Si-B系、Ni-Cr-Si-B系のNi基ろう材が好適である。Fe-Cr-Si-B系、Fe-Si-B系のFe基ろう材も用途によっては使用可能である。
【００２３】
本発明によるドレッサーは、以下のように製造される。先ず、前記したバリヤ層を付与させた金属製支持材に、Bを含有するろう材を仮付けする。ろう材が箔の場合には、スポット溶接で仮付け可能である。粉の場合には、セルロース系のバインダー等をろう粉と混練したものを金属製支持材に塗布すれば良い。砥粒は、ろう材の上に所定のパターン、例えば、四角形或いは三角形の各頂点近傍に配置した規則パターンやランダムで配列すれば良い。また、砥粒は、平方mm当たり1個〜300個程度の密度で単層で配置する。この場合、砥粒がずれないように糊等で仮止めする。
【００２４】
次に、10-3Pa程度に真空引きした後、ろう材が溶融する温度まで昇温する。バインダー、糊等は、昇温の途中で殆どが気化してしまう。ろう材を溶融させる温度は、ろう材の液相線温度以上で液相線温度+20℃程度以内が好適である。液相線温度より低温側では、ろう材表面の凹凸が大ききなって好ましくない。液相線温度から20℃超温度を上げても、金属製支持材の熱による変形が大きくなるだけで好ましくない。ろう付け温度における保持時間は、10〜30分程度あれば十分である。
【００２５】
本発明の表面にバリヤ層を付与させた金属製支持材を用いることによって、ろう材の液相線温度+20℃と言う低い温度で安定したろう付けが可能となる。
【００２６】
本発明によるドレッサーを使って、水を流しながら発砲ポリウレタン製パッドを30時間連続ドレッシングした後、ドレッサーの砥粒の脱落の有無を調べたが、脱落している砥粒は皆無であった。
【００２７】
以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。
（実施例１）
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の表面に浸炭処理を施した。浸炭には、木炭に炭酸バリウムを40%混合した固体浸炭剤を使用した。この固体浸炭剤中にステンレス円板を埋めて、表１に示した温度、保持時間で浸炭処理を行った。浸炭後の円板の断面をEPMAで分析し、浸炭層のC濃度、厚みを測定した。同条件で浸炭処理したステンレス円板の片面に25μm厚のBni-2箔をスポット溶接した。その上に粒径70μmのダイヤモンドを2個/mm2の密度で正方形パタ―ン配置させ、1040℃で真空中15分間ろう付け処理を施した。比較材は、浸炭処理を施さない場合とした。ろう付け後の評価は、ダイヤのろう付け状態を顕微鏡で観察し、ダイヤ体積の少なくとも40%がろう材に埋まっている状態を「良好」、40％未満の状態を「不良」とした。また、発砲ウレタンパットを30時間連続して研磨した後のダイヤの脱落状態を調べた。研磨は、全体荷重5kgで純水を流しながら行った。結果を表１に示す。ただし、表１のC濃度は、C濃化層の平均濃度である。
【００２８】
【表１】
2006305659.tif 000002
【００２９】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にC濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレス基材へのBの拡散も抑制されていることが確認できた。これに対して、比較材ではろう材中のBの約80%がステンレス基材側へ拡散していた。
【００３０】
（実施例２）
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面にイオンプレーティングによって、DLC膜を成膜した。成膜の際には、ベンゼンガスを導入して直流アーク放電プラズマを形成させた。膜厚は、成膜時間を変えて制御した。C濃化層であるDLC膜の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。DLC膜の濃度分析結果は、98%であった。比較材は、DLC成膜処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例１と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例１と同様に行った。結果を表２に示す。
【００３１】
【表２】
2006305659.tif 000003
【００３２】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてC濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.11の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。
【００３３】
（実施例３）
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面に、スパッタリングによって、Siを含むバリヤ層を成膜した。ターゲット材の組成は、Ni-10%Si、Ni-30%Si、Ni-70%Si、純Siである。膜厚は、スパッタリング時間を変えて制御した。Si濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。Si濃化層のSi濃度は、ターゲット材のSi濃度と同じであった。比較材は、スパッタリング処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例１と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例１と同様に行った。結果を表３に示す。
【００３４】
【表３】
2006305659.tif 000004
【００３５】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてSi濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.20の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。
【００３６】
（実施例４）
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片面にマスキングして、他方の面に電気めっきによってCu膜を成膜した。先ず、SUS表面にシアン化銅ストライクめっきをした後に、硫酸銅水溶液を使ってCuめっきを行った。硫酸銅めっき浴は、CuSO4・5H2Oが200g/L、H2SO4が50g/L、塩素イオンが40mg/L、光沢剤、の通常用いられているものである。Cuめっき厚みは、めっき時間を変えて制御した。Cu濃化層の厚み(めっき厚み)は、断面をEPMAで分析して求めた。比較材は、めっき処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例１と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例１と同様に行った。結果を表４に示す。
【００３７】
【表４】
2006305659.tif 000005
【００３８】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてCu濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.44の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。
【００３９】
（実施例５）
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片面にマスキングして、他方の面に硫酸ニッケル水溶液を使った電気めっきによってNi膜を成膜した。めっき浴NiSO4・6H2Oが150g/L、NH4Clが15g/L、ほう酸が15g/Lの通常用いられているものである。Niめっき厚みは、めっき時間を変えて制御した。Ni濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。比較材は、めっき処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例１と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例１と同様に行った。結果を表５に示す。
【００４０】
【表５】
2006305659.tif 000006
【００４１】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてNi濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.52の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。
【００４２】
（実施例６）
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面にスパッタリングによって、Niを含むを成膜した。ターゲット材の組成は、Fe-70%Ni、Fe-82%Ni、Fe-95%Niである。膜厚は、スパッタリング時間を変えて制御した。Ni濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。Ni濃化層のNi濃度は、ターゲット材のNi濃度と同じであった。比較材は、スパッタリング処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例１と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例１と同様に行った。結果を表６に示す。
【００４３】
【表６】
2006305659.tif 000007
【００４４】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてNi濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で実施例No.61、62を除いてダイヤの脱落も全く起こらなかった。実施例No.61、62はダイヤが脱落したものの、極僅かであった。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.60の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。
【００４５】
（実施例７）
直径70mm、厚さ4mmのSUS304ステンレス円板の片側表面にスパッタリングによって、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも１種を含む膜を成膜した。ターゲット材の組成と成膜された膜組成はほぼ同じであったため、ターゲット材組成は表７に示した膜組成と同じである。膜厚は、スパッタリング時間を変えて制御した。濃化層の厚みは、断面をEPMAで分析して求めた。比較材は、スパッタリング処理を施さない場合とした。同条件で作製したステンレス円板に、実施例１と同様にダイヤモンドをろう付けした。評価も実施例１と同様に行った。結果を表７に示す。
【００４６】
【表７】
2006305659.tif 000008
【００４７】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にバリヤ層としてTi、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも１種を含む濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け状態が良好で、ダイヤの脱落も全く起こらない。EPMA分析の結果、ろう材からステンレスへのBの拡散も抑制されていることが確認できた。なお、No.73の比較例は、No.1の比較例と同様のB拡散挙動を示した。
【００４８】
（実施例８）
実施例No.16、No.40、No.46、No.54、No.75、及びNo.85と同条件で作製したC濃化層、Si濃化層、Ni濃化層、及び、Ti、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも１種を含む濃化層を付与したステンレス円板に、実施例１と同じ条件でダイヤモンドを配置し、ろう付け処理を行った。ろう付け温度をろう材の液相線温度の1024℃よりも僅か高めの1030℃とし、保持時間を10分とした。比較材No.20では、1040℃のろう付けでは、ろう付け不良であったため、ろう付け温度を1060℃及び1080℃まで上昇させた。実施例１と同様な評価を行った。さらに、ステンレス円板の反りの程度を円板中心と周囲から10mm内側に入った位置のおける高さの差として評価した。結果を表８に示す。
【００４９】
【表８】
2006305659.tif 000009
【００５０】
以上から、本発明の金属製支持材の表面にC濃化層、Si濃化層、Ni濃化層、及びTi、Zr、Cr、Hf、V、Nb、Ta、Mo、Wの少なくとも１種を含む濃化層が付与されているドレッサーは、ろう付け温度を下げることが可能となるため、ドレッサーの反りが低減する効果がある。反りが50μm未満になると、50μm超の場合に比べてパッドの研削時間が長くなっても、パッド厚の片減り等の抑制効果が大きくなり、パッド厚の均一性が向上する。