(57)【要約】【課題】水銀を使用しないながらも優れた効率の面光源装置とこれを含む液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明は面光源装置及びこれを用いた液晶表示装置に関する。本発明による面光源装置は下部基板と、前記下部基板に形成されたカソード電極と、前記カソード電極と電気的に接続された電子エミッタと、前記電子エミッタ上部で前記下部基板とともに放出空間を形成する複数の空間部と隣接し、前記空間部を分割する複数の空間分割部が形成されている上部基板と、前記上部基板に形成されている蛍光層とアノード電極を含む。【選択図】図２
2006302895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板と、
前記下部基板に形成されたカソード電極と、
前記カソード電極と電気的に接続された電子エミッタと、
前記電子エミッタ上部で前記下部基板とともに放出空間を形成する複数の空間部と隣接する前記空間部を分割する複数の空間分割部が形成されている上部基板と、
前記上部基板に形成されている蛍光層とアノード電極とを含むことを特徴とする面光源装置。
【請求項２】
前記下部基板には前記空間分割部と接する複数の支持部が設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項３】
前記空間部は前記上部基板の板面に沿って延長されていることを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項４】
前記電子エミッタの少なくとも一部は前記アノード電極に至る距離が一定であることを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項５】
前記空間部は前記上部基板の板面に沿って延長されており、前記空間部の延長方向の横方向での断面は上部に膨らんだ半円形であることを特徴とする、請求項４に記載の面光源装置。
【請求項６】
前記空間部のうちの少なくとも一部は上部に向かって突出している半球状であることを特徴とする、請求項４に記載の面光源装置。
【請求項７】
前記空間部は互いに平行に配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の面光源装置。
【請求項８】
前記電子エミッタは隣接した前記支持部の間の中央領域に設けられていることを特徴とする、請求項２に記載の面光源装置。
【請求項９】
前記下部基板には溝が形成されており、前記電子エミッタは溝内に位置することを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項１０】
前記カソード電極より高い位置にあり、前記電子エミッタと並んで配置されているゲート電極をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項１１】
前記上部基板は波状であることを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項１２】
前記電子エミッタは炭素ナノチューブを含んで形成されたことを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項１３】
前記電子エミッタは金属ワイヤーと、前記金属ワイヤーを囲んでいる炭素ナノチューブとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項１４】
液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの背面に位置し、下部基板と、前記下部基板に形成されたカソード電極と、前記カソード電極と電気的に接続されてた電子エミッタと、前記電子エミッタ上部で前記下部基板とともに放出空間を形成する複数の空間部と隣接する前記空間部を分割する複数の空間分割部が形成されている上部基板と、前記上部基板に形成されている蛍光層とアノード電極を有する面光源装置を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記下部基板には前記空間分割部と接する複数の支持部が設けられており、前記電子エミッタは隣接した前記支持部の間の中央領域に設けられていることを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記空間部は前記上部基板の板面に沿って延長されており、前記空間部の延長方向の横方向での断面は上部に膨らんだ円形であることを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
前記空間部のうちの少なくとも一部は上部に向かって突出している半球状であることを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記下部基板には溝が形成されており、前記電子エミッタは前記溝内に位置することを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記カソード電極より高い位置にあり、前記電子エミッタと並んで配置されているゲート電極をさらに含むことを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記上部基板は波状であることを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記電子エミッタは炭素ナノチューブを含んで形成されている特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記液晶表示パネルと前記面光源装置との間に位置し光拡散パターンが形成されている光拡散部材をさらに含み、
前記光拡散パターンは前記空間分割部に対応する部分で密度が高いことを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
下部基板と、
前記下部基板に形成されたカソード電極と、
前記カソード電極と電気的に接続された電子エミッタと、
複数の空間部と複数の空間分割部とを含み、前記複数の空間部と前記下部基板は前記電子エミッタの上に放出空間を形成し、前記複数の空間分割部は隣接した前記空間部を分割する上部基板とを有することを特徴とする光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は面光源装置及びこれを用いた液晶表示装置に係わり、より詳しくは、電界放出を利用し水銀を使用しない面光源装置及びこれ用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、従来のＣＲＴの代わりに液晶表示装置（ＬＣＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ、ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ、ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）などの平板表示装置が多く開発されている。
【０００３】
これらのうち、広く使用されているものは液晶表示装置であり、これは、薄膜トランジスタ基板、カラーフィルタ基板、そして両基板の間に注入されている液晶を含む液晶表示パネルを有している。液晶表示パネルは非発光素子であるため、薄膜トランジスタ基板の後面には光を供給するためのバックライトユニットが位置する。バックライトユニットから照射された光は液晶の配列状態によって透過量が調整される。液晶表示パネルとバックライトユニットはシャーシ内に収容されている。この他に液晶表示装置は液晶表示パネルの駆動のための回路基板と駆動チップとをさらに含む。
【０００４】
バックライトユニットに使用される光源としては冷陰極蛍光ランプ（ＣＣＦＬ）、外部電極蛍光ランプ（ＥＥＦＬ）、面光源であるＦＦＬ（ｆｌａｔ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｌａｍｐ）などがある。
【０００５】
これら光源はプラズマ現像を利用したものであって、ランプ内部には水銀、ネオン、アルゴンなどの放電ガスが封入されている。ランプの電極に高電圧を加えると電極から電界によって電子が放出される。放出された電子は水銀を励起させ、励起された水銀から紫外線が発生する。発生した紫外線は蛍光層によって可視光線に変換されて外部に放出される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、最近、水銀が環境規制の対象になることにより、水銀を使用しない光源に対する要求が増加している。
【０００７】
本発明の目的は水銀を使用しないながらも優れた効率の面光源装置及びこれを用いた液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的は、下部基板と、前記下部基板に形成されたカソード電極と、前記カソード電極と電気的に接続された電子エミッタと、前記電子エミッタ上部で前記下部基板とともに放出空間を形成する複数の空間部と隣接する前記空間部を分割する複数の空間分割部が形成されている上部基板と、前記上部基板に形成されている蛍光層とアノード電極とを含む面光源装置によって達成できる。前記下部基板には前記空間分割部と接する複数の支持部が設けられていることが望ましい。これによって上部基板と下部基板とが安定的に結合される。
【０００９】
前記空間部は前記上部基板の板面に沿って延長されていてもよい。
【００１０】
前記電子エミッタの少なくとも一部は前記アノード電極に至る距離が一定であることが望ましい。
【００１１】
前記空間部は前記上部基板の板面に沿って延長されており、前記空間部の延長方向の横方向での断面は上部に膨らんだ半円形であってもよい。
【００１２】
前記空間部のうちの少なくとも一部は上部に向かって突出している半球状であってもよい。
【００１３】
前記空間部は互いに平行に配置されていてもよい。
【００１４】
前記電子エミッタは隣接した前記支持部の間の中央領域に設けられることが可能である。
【００１５】
前記下部基板には溝が形成されており、前記電子エミッタは溝内に位置することが望ましい。
【００１６】
前記カソード電極より高い位置にあり、前記電子エミッタと並んで配置されたゲート電極をさらに含むことが望ましい。前記ゲート電極は前記電子エミッタからの電子放出を容易にする。
【００１７】
前記上部基板は波（ｗａｖｅ）状であってもよい。
【００１８】
前記電子エミッタは炭素ナノチューブを含んで形成されてもよい。
【００１９】
前記電子エミッタは金属ワイヤーと、前記金属ワイヤーを囲んでいる炭素ナノチューブを含んでもよい。
【００２０】
前記本発明の他の目的は、液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面に位置し、下部基板と、前記下部基板に形成されたカソード電極と、前記カソード電極と電気的に接続された電子エミッタと、前記電子エミッタ上部で前記下部基板とともに放出空間を形成する複数の空間部と隣接する前記空間部を分割する複数の空間分割部が形成されている上部基板と、前記上部基板に形成されている蛍光層とアノード電極を有する面光源装置を含む液晶表示装置によって達成できる。
【００２１】
前記下部基板には前記空間分割部と接する複数の支持部が設けられており、前記電子エミッタは隣接した前記支持部の間の中央領域に設けられることが可能である。これによって上部基板と下部基板が安定的に結合される。
【００２２】
前記空間部は前記上部基板の板面に沿って延長されており、前記空間部の延長方向の横方向での断面は上部に膨らんだ半円形であるのが好ましい。これによって前記電子エミッタと蛍光層との距離を一定にすることが可能である。
【００２３】
前記空間部のうちの少なくとも一部は上部に向かって突出している半球状であってもよい。
【００２４】
前記下部基板には溝が形成されており、前記電子エミッタは前記溝内に位置してもよい。
【００２５】
前記カソード電極より高い位置に前記電子エミッタと並んで配置されているゲート電極をさらに含むのが好ましい。前記ゲート電極は前記電子エミッタからの電子放出を容易にする。
【００２６】
前記上部基板は波（ｗａｖｅ）状であってもよい。
【００２７】
前記電子エミッタは炭素ナノチューブを含んで形成されてもよい。
【００２８】
前記液晶表示パネルと前記面光源装置との間に位置し光拡散パターンが形成されている光拡散部材をさらに含み、前記光拡散パターンは前記空間分割部に対応する部分で密度が高いことが望ましい。これによって前記空間分割部によって暗線が認識される問題を減少させることが可能である。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、水銀を使用しないながらも優れた効率の面光源装置及びこれを用いた液晶表示装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。
【００３１】
複数の実施例において同一な構成要素に対しては同一な参照番号を付与し、同一な構成要素については第１実施例で代表的に説明し他の実施例では説明が省略され得る。
【００３２】
本発明の第１実施例による液晶表示装置を図１乃至図３を参照して説明すると次の通りである。
【００３３】
液晶表示装置１は液晶表示パネル２００、液晶表示パネル２００の背面に位置した光拡散部材３００、光拡散部材３００に光を提供する面光源装置４００を含む。液晶表示パネル２００、光拡散部材３００、面光源装置４００は上部シャーシ１００と下部シャーシ５００に収容されている。
【００３４】
液晶表示パネル２００は、薄膜トランジスタが形成されている薄膜トランジスタ基板２１０、薄膜トランジスタ基板２１０と対面しているカラーフィルター基板２２０、両基板２１０、２２０を接合させセルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）を形成するシーラント２３０、両基板２１０、２２０とシーラント２３０との間に位置する液晶層２４０を含む。液晶表示パネル２００は液晶層２４０の配列を調整して画面を形成するが、非発光素子であるため背面に位置した面光源装置４００から光の供給を受けなければならない。薄膜トランジスタ基板２１０の一側には駆動信号印加のための駆動部２５０が設けられている。駆動部２５０はフレキシブルプリント回路基板（ＦＰＣ）２６０、フレキシブルプリント回路基板２６０に装着されている駆動チップ２７０、フレキシブルプリント回路基板２６０の他の側に接続されている回路基板（ＰＣＢ）２８０を含む。図示された駆動部２５０はＣＯＦ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｆｉｌｍ）方式を示したものであり、ＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）、ＣＯＧ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）など公知の他の方式も可能である。また、駆動部２５０が配線形成工程で薄膜トランジスタ基板２１０に形成されることも可能である。
【００３５】
液晶表示パネル２００の背面に位置する光拡散部材３００はベースフィルム３１０とベースフィルム３１０に形成されている光拡散パターン３２０とを含む。
【００３６】
液晶表示パネル２００と平行に配置されているベースフィルム３１０は透明な材質で形成されている。光拡散パターン３２０はレンズ形態であり液晶表示パネル２００に向かうベースフィルム３１０面に設けられている。ベースフィルム３１０はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、サイクリック・オレフィン・ポリマー（ＣＯＰ、ｃｙｃｌｉｃ  ｏｌｅｆｉｎ  ｐｏｌｙｍｅｒ）などの透明な材質で設けられることが望ましい。光拡散パターン３２０はベースフィルム３１０と同一な材質で設けられてもよく、ベースフィルム３１０と一体に形成されてもよい。光拡散パターン３２０は入射される光を拡散させる役割を果たすものであって、レンズ形態の他にビーズ（ｂｅａｄ）形態など多様な形態が可能である。光拡散パターン３２０はベースフィルム３１０全面にわたって形成され、特に後述する面光源装置４００の空間分割部４６２に対応する部分（図２の‘Ａ’）には密度が高く形成されている。
【００３７】
面光源装置４００は電界放出（ｆｉｅｌｄ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）を利用したものであって互いに密封されて放出空間４１０を形成する下部基板４２０と上部基板４６０とを含む。下部基板４２０と上部基板４６０はガラスまたはクォーツ（石英）などの透明で絶縁性がある材料で形成されることが望ましい。
【００３８】
下部基板４２０には、上部に突出している支持部４２１、支持部４２１に隣接して位置するゲート電極形成部４２２、隣接した支持部４２１の間の中央部分に位置する溝（グルーブ）４２３が形成されている。ここで、下部基板４２０は一体に形成されている。
【００３９】
支持部４２１は後述する上部基板４６０の空間分割部４６２と接する部分であって上部は平らに設けられている。支持部４２１は下部基板４２０の板面方向に長く延長されている。各支持部４２１は互いに平行に配置されており各支持部４２１間の距離は一定である。
【００４０】
ゲート電極形成部４２２はゲート電極４５０が形成される部分であって支持部４２１より低く設けられている。隣接した支持部４２１の間でゲート電極形成部４２２は溝４２３を間に置いて二つの部分に分けられている。
【００４１】
溝４２３はゲート電極形成部４２２の間に位置し、支持部４２１と同様に下部基板４２０の板面方向に長く延長されている。溝４２３の断面は第１実施例のような梯形（段々型）に限定されず円形、三角形など他の形態も可能である。
【００４２】
溝４２３にはカソード電極４３０と、カソード電極４３０に電気的に接続されている電子エミッタ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｅｍｉｔｔｅｒ）４４０が位置している。
【００４３】
カソード電極４３０は溝４２３に沿って長く延長されており、ニッケルやクロムのような金属で形成されてもよい。
【００４４】
電子エミッタ４４０はカソード電極４３０から電圧の印加を受けて電子を放出し、炭素ナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）を含んで形成されてもよい。第１実施例での電子エミッタ４４０は炭素ナノチューブが山のような形態に設けられており、炭素ナノチューブは単一壁（ｓｉｎｇｌｅ  ｗａｌｌ）構造または多重壁（ｍｕｌｔｉ  ｗａｌｌ）構造の両方とも可能である。
【００４５】
ゲート電極４５０はゲート電極形成部４２２に位置し、電子エミッタ４４０より高く位置するのが好ましい。ゲート電極４５０はニッケルやクロムなどの金属で形成されてもよい。
【００４６】
上部基板４６０は成形されたガラス（ｆｏｒｍｅｄ  ｇｌａｓｓ）であって全体的には波（ｗａｖｅ）形態に成形されている。上部基板４６０は電子エミッタ４４０上部で前記下部基板４２０と放出空間４１０を形成する複数の空間部４６１と、隣接した空間部４６１の間に位置する空間分割部４６２とを含む。
【００４７】
空間部４６１は上部に向かって突出しており、長さ方向に沿った断面が半円形に形成されている。空間部の中心には電子エミッタ４４０が位置している。これによって、電子エミッタ４４０から空間部４６１までの距離は全ての空間部４６１で同一である。空間分割部４６２は下部に陥没されており支持部４２１と当接して隣接した空間部４６１を区分する。下部基板４２０と上部基板４６０の間の放出空間４１０は真空状態であるため、両基板４２０、４６０の間には相互間の間隔を維持するスペーサが必要である。第１実施例によれば空間分割部４６２が支持部４２１と接触しながら両基板４２０、４６０の間の間隔を維持させるため別途のスペーサを使用しなくても良い。
【００４８】
上部基板４６０の内部にはアノード電極４７０と蛍光層４８０が順次に形成されている。アノード電極４７０は透明な導電体であるＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などで形成されており、電子エミッタ４４０で生成された電子を加速させる役割を果たす。蛍光層４８０は入射される電子と反応して白色光を発生させる。蛍光層４８０は赤色、緑色、青色の蛍光体を混合した白色系の３波長タイプを使用してもよい。これと異なり、蛍光層４８０は各々赤色、緑色、青色の蛍光体が一定の間隔ごとに配置されて３種類の色相の光を供給することも可能である。この時、３種類の色相の光は面光源装置４００と液晶表示パネル２００の間の空間で混合されて白色光になる。
【００４９】
実施例とは異なり、アノード電極４７０は上部基板４６０の外部に形成されることができ、この時にはアノード電極４７０を保護する保護膜が必要である。保護膜としてはシリコン窒化物膜またはシリコン酸化物膜を使用してもよい。図示していないが、空間分割部３６２にはブラックマトリックスが形成されてもよい。
【００５０】
このような面光源装置４００は従来のランプとは異なってオン／オフのための別途のインバータを必要としないため構成が簡単になる。
【００５１】
第１実施例による面光源装置４００における光発生を、図４を参照して説明する。
【００５２】
カソード電極４３０とゲート電極４５０の間にはパルスまたはスクエアタイプの電圧が印加され、カソード電極４３０とアノード電極４７０の間には直流電圧が印加される。カソード電極４３０とゲート電極４５０の間に印加される電圧は数乃至数十Ｖであり、周波数は数乃至数十ｋＨｚであることが望ましい。カソード電極４３０とゲート電極４５０の間に印加される電圧は数十ｋＨｚであることが望ましい。
【００５３】
カソード電極４３０とゲート電極４５０の間に印加された電圧によって電子エミッタ４４０で電子が放出される。ゲート電極４５０は電子エミッタ４４０の電子放出を容易にし、電子エミッタ４４０の寿命を増大させる。放出された電子はカソード電極４３０とアノード電極４７０の間に印加された電圧によって加速されて蛍光層４８０に入射される。蛍光層４８０は入射された電子と反応して可視光線を外部に放出する。
【００５４】
ここで、空間部４６１が電子エミッタ４４０を中心にする半円形に形成されているため放出された電子が蛍光層４８０に到達するまでの距離は比較的均一になる。これによって放出空間４１０内の電界が効率的に形成され、面光源装置４００が生成する光の輝度は比較的一定になる。
【００５５】
面光源装置４００からの光は空間部４６１でのみ生成され空間分割部４６２では生成されない。このため、画面に空間分割部４６２に沿って暗線が発生するおそれがある。空間分割部４６２に対応する光拡散部材３００は面光源装置４００から入射される光を拡散させて空間分割部４６２による暗線を除去する。また、空間分割部４６２に対応する部分には他の部分に比べて光拡散パターン３２０の密度が高く形成されていて（図２の‘Ａ’）、この部分の拡散が向上される。
【００５６】
以下、第１実施例による面光源装置４００の製造工程を図５ａ乃至図５ｄを参照して説明する。
【００５７】
まず、図５ａのような構成の下部基板４２０を設ける。下部基板４２０には支持部４２１、ゲート電極形成部４２２、溝４２３が形成されている。このような形態の下部基板４２０はガラス基板をグラインディングして形成してもよい。
【００５８】
その次、図５ｂのように溝４２３にカソード電極４３０を形成する。カソード電極４３０はニッケルまたはクロムをスパッタリング方法で下部基板４２０に蒸着した後、写真エッチング工程によって形成してもよい。
【００５９】
その次、図５ｃのようにゲート電極形成部４２２にゲート電極４５０を形成する。ゲート電極４５０はニッケルまたはクロムをスパッタリング方法で下部基板４２０に蒸着した後、写真エッチング工程によって形成してもよい。
【００６０】
実施例とは異なり、カソード電極４３０とゲート電極４５０は同時に形成されることが可能である。
【００６１】
その次、図５ｄのようにカソード電極４３０に沿って電子エミッタ４４０を形成する。電子エミッタ４４０はマスクを使用して炭素ナノチューブを塗布するか炭素ナノチューブをペースト（ｐａｓｔｅ）に作って描画（ドローイング）することにより形成してもよい。
【００６２】
さらに、図示してはいないが、波状の上部基板４６０にアノード電極４７０と蛍光層４８０とを順次に蒸着する。
【００６３】
完成された電子エミッタ４４０上部の放出空間４１０を真空とし両基板４２０、４６０を接着すると面光源装置４００が完成される。放出空間４１０は高真空が要求される。その理由は残留ガスのイオン化によって生成される陽イオンが電子エミッタ４４０を劣化させ、電子エミッタ４４０と蛍光層４８０の間でアーク放電を起こすためである。放出空間４１０の真空度は１×１０−７Ｔｏｒｒ以下であることが望ましい。
【００６４】
本発明の第２実施例及び第３実施例による液晶表示装置１を各々図６及び図７を参照して説明する。
【００６５】
第２実施例による電子エミッタ４４０はカソード電極４３０の延長方向に長く形成されている金属ワイヤー４４１と金属ワイヤー４４１を囲んでいる炭素ナノチューブ４４２とを含む。
【００６６】
ワイヤー４４１はニッケルまたは銅で形成されている。ワイヤー４４１の端部分は炭素ナノチューブ４４２で覆われておらず、一部がカソード電極４３０と直接接続されている。炭素ナノチューブ４４２は、これに限定されないが、カソード電極４３０とは直接接続されていない。
【００６７】
第３実施例による下部基板４２０は第１実施例とは異なりパターニングされていない平板である。下部基板４２０上部に位置する支持部４２１とゲート電極形成部４２２はシリコン窒化物またはシリコン酸化物のような絶縁物質で形成されている。支持部４２１とゲート電極形成部４２２は互いに異なる物質で形成することも可能である。溝４２３は支持部４２１の間に形成されており、下部基板４２０に絶縁物質層を形成した後、写真エッチング工程によって支持部４２１と溝４２３を形成することが可能である。
【００６８】
第２実施例と第３実施例の両方とも波状の上部基板４６０を使用する。したがって、別途のスペーサを使用する必要がなく電子エミッタ４４０から蛍光層４８０に至る距離が均一である。
【００６９】
以上の第１乃至第３実施例の上部基板４６０は波状であったが、上部基板４６０の形状はこれに限定されない。第４実施例と第５実施例は上部基板４６０が波状でない場合に関する。
【００７０】
図７の第４実施例による面光源装置４００の上部基板４６０には横方向と縦方向の全てに複数の空間部４６１が設けられている。空間部４６１は半円筒形状を有している。
【００７１】
図８の第５実施例による面光源装置４００の上部基板４０には半球形状である空間部４６１が設けられている。空間部４６１は上部基板４６０全般にわたって規則的に配置されている。
【００７２】
以上の第４実施例及び第５実施例も別途のスペーサを使用する必要がなく電子エミッタ４４０から蛍光層４８０に至る距離が均一である。一方、第４実施例及び第５実施例でエミッタ４４０は線形態に限定されず空間部４６１ごとに別途に設けられてもよい。
【００７３】
本発明による面光源装置４００の使用は液晶表示装置１のバックライトに限定されず、例えば、一般照明として使用されてもよい。
【００７４】
たとえ本発明のいくつかの実施例が図示されて説明されたが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば本発明の原則や精神から外れずに本実施例を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）などの平板表示装置の好適な光源として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の第１実施例による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明の第１実施例による液晶表示装置の凹部斜視図である。
【図４】本発明の第１実施例による液晶表示装置における光の発生を説明するための図面である。
【図５ａ】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図５ｂ】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図５ｃ】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図５ｄ】本発明の第１実施例による液晶表示装置の製造方法を説明するための図面である。
【図６】本発明の第２実施例による液晶表示装置の凹部断面図である。
【図７】本発明の第３実施例による液晶表示装置の凹部断面図である。
【図８】本発明の第４実施例による液晶表示装置の凹部断面図である。
【図９】本発明の第５実施例による液晶表示装置の凹部断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
１００      上部シャーシ
２００      液晶表示パネル
３００      光拡散部材
４００      面光源装置
４１０      放出空間
４２０      下部基板
４２１      支持部
４２２      ゲート電極形成部
４２３      溝
４３０      カソード電極
４４０      電子エミッタ
４５０      ゲート電極
４６０      上部基板
４６１      空間部
４６２      空間分割部
４７０      アノード電極
４８０      蛍光層
５００      下部シャーシ
【図１】
2006302895.tif 000003
【図２】
2006302895.tif 000004
【図３】
2006302895.tif 000005
【図４】
2006302895.tif 000006
【図５ａ】
2006302895.tif 000007
【図５ｂ】
2006302895.tif 000008
【図５ｃ】
2006302895.tif 000009
【図５ｄ】
2006302895.tif 000010
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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