(57)【要約】【課題】  切断位置の位置決め精度に優れ、光導入面を高品質化とともに生産性を向上させた光メモリの製造方法を提供する。【解決手段】  光導波路９は、樹脂製のコア層３と、コア層３の上下に積層された樹脂製のクラッド層４とからなる。コア層３とクラッド層４との一方の界面には、情報再生用の情報用凹凸部８が形成される。このような光導波路９を１個又は複数個積層し、最外層の両面を樹脂基体５ａ，５ｂで挟んで形成した積層体２４を切断加工する際には、ダイシングブレード３０により第１送り速度で切削した後、この切削部をダイシングブレード３０により第１送り速度より遅く設定された第２送り速度で切削することによって切断し、光導波路９のコア層３に光を導くための光導入面１０を形成する。光導入面１０以外の他の端面は、ダイシングブレード３０により第１送り速度で切断して形成する。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製のコア層と、コア層の上下に積層された樹脂製のクラッド層とからなり、前記コア層と前記クラッド層との一方の界面に情報再生用の凹凸部が形成されてなる光導波路を１個又は複数個積層し、最外層の両面を樹脂基体で挟んで形成した積層体を、ダイシングブレードにより第１送り速度で切削した後、この切削部をダイシングブレードにより前記第１送り速度より遅く設定された第２送り速度で切削することによって切断し、前記光導波路に光を導くための光導入面を形成することを特徴とする光メモリの製造方法。
【請求項２】
前記第１送り速度による切削は、前記第２送り速度による切削時の切削位置から、ダイシングブレードの刃幅より小さい距離だけ切削位置をずらして行うことを特徴とする請求項１記載の光メモリの製造方法。
【請求項３】
前記第１送り速度による切削時と、前記第２送り速度による切削時とで、ダイシングブレードの回転速度を変えることを特徴とする請求項１又は２記載の光メモリの製造方法。
【請求項４】
前記第１送り速度による切削時と、前記第２送り速度による切削時とで、異なる粒度のダイシングブレードを用いることを特徴とする請求項１ないし３いずれか記載の光メモリの製造方法。
【請求項５】
前記光導入面以外の端面を、ダイシングブレードにより前記第１送り速度で前記積層体を切削して切断することによって形成することを特徴とする請求項１ないし４いずれか記載の光メモリの製造方法。
【請求項６】
１つの前記光導入面と、前記光導入面以外の３つの端面とを有する光メモリを形成することを特徴とする請求項５記載の光メモリの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層導波路型の光メモリの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、樹脂製のコア層と樹脂製のクラッド層とからなり、コア層とクラッド層との界面に再生像を得るための情報を含む情報用凹凸パターンを形成した平面型の光導波路を、１個又は複数個積層させてなる光メモリ（情報記録媒体）が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
例えば、図１１に示すように、コア層１０１とクラッド層１０２とが積層されてなる光メモリ１００に記録された情報を読み出す際には、光メモリ１００の側部に形成された光導入面１０３にレンズ１０４を介して光（例えばレーザ光）を照射し、所望のコア層１０１に光を導入する。コア層１０１に導入された光は、界面に形成された凹凸パターンで散乱しながら伝播する。このとき凹凸パターンで散乱された散乱光（再生光）は導入光に対して上下方向（交差する方向）に光メモリ１００内を透過し、最終的に光メモリ１００の上面及び下面から外部へ放出される。
【０００４】
この例では、光メモリ１００の上面から放出された散乱光が結像された画像（再生像）をイメージセンサ１０５で受光するようにしている。そして、この再生像をデジタル信号化し画像処理を行うことで、凹凸パターンによって光メモリ１００に記録された元の情報が復元される。
【０００５】
光メモリ１００では、コア層１０１とクラッド層１０２とからなる３層の光導波路のみを備えるものとして示しているが、これは図示を簡略化するためであり、実際には、１００層程度の光導波路が積層されたものが開発されている。１００層の光導波路を備える光メモリは、例えば、光導波路を２５層積層した積層体を作成し、この積層体を所望の大きさに切り出して直方形状のユニットとし、このユニットを上下に４個重ねて貼り合わせる方法により製作される（特許文献１参照）。
【０００６】
積層体から切り出されたユニットは、４つの切断面のうちの１つの切断面が再生用の光を導入するための光導入面として使用される。この光導入面には、切断時に生じる凹凸が少なからず存在しており、光導入面に導入される光はこの凹凸により一部が散乱される。すなわち、光導入面の面精度が悪い（表面粗さが大きい）と、コア層に導入されるべき入射光の一部が散乱損失し、結合効率や反射率が低下するといった問題がある。また、同時に、光導入面での散乱による迷光の発生や、コア層を伝播する光の波面の乱れによって、再生像の品質が劣化するという問題も生じる（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−２３３９９１号公報
【特許文献２】特開２００１−３５１３８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、積層体を切断加工する方法としては、打ち抜き法、ダイシング法などが考えられる。打ち抜き法は、金型による切断方法であって、一般に高速な切断が可能であるが、切断された切断面の面精度が悪い。打ち抜き法によって面精度のよい（平滑な）光導入面を形成するには、金型で積層体を打ち抜いて得られた１つの切断面を研磨すればよいが、この研磨工程は切断工程とは別に行う必要があって時間がかかり、またその位置決めにも時間がかかるため、生産性が悪い。また、打ち抜き法は、一般に切断位置の位置決め精度が悪く、切断されたユニットの外形寸法の精度が悪化するといった問題もある。
【０００８】
一方のダイシング法は、ダイシングソーによる切断方法であって、番手の高い（砥粒の細かい）ダイシングブレード（刃）を使用して送り速度を低くすることで、面精度のよい高品質な切断面が得られるが、このようにすると時間がかかり生産性が悪い。しかし、ダイシング法は、一般に切断位置の位置決め精度に優れ、切断されたユニットの外形寸法の精度はよい。
【０００９】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、切断位置の位置決め精度に優れ、光導入面を高品質化とともに生産性を向上させた光メモリの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の光メモリの製造方法は、樹脂製のコア層と、コア層の上下に積層された樹脂製のクラッド層とからなり、前記コア層と前記クラッド層との一方の界面に情報再生用の凹凸部が形成されてなる光導波路を１個又は複数個積層し、最外層の両面を樹脂基体で挟んで形成した積層体を、ダイシングブレードにより第１送り速度で切削した後、この切削部をダイシングブレードにより前記第１送り速度より遅く設定された第２送り速度で切削することによって切断し、前記光導波路に光を導くための光導入面を形成することを特徴とする。
【００１１】
なお、前記第１送り速度による切削は、前記第２送り速度による切削時の切削位置から、ダイシングブレードの刃幅より小さい距離だけ切削位置をずらして行うことが好ましい。
【００１２】
また、前記第１送り速度による切削時と、前記第２送り速度による切削時とで、ダイシングブレードの回転速度を変えることが好ましい。
【００１３】
また、前記第１送り速度による切削時と、前記第２送り速度による切削時とで、異なる粒度のダイシングブレードを用いることが好ましい。
【００１４】
また、前記光導入面以外の端面を、ダイシングブレードにより前記第１送り速度で前記積層体を切削して切断することによって形成することが好ましい。
【００１５】
さらに、１つの前記光導入面と、前記光導入面以外の３つの端面とを有する光メモリを形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の光メモリの製造方法によれば、積層体を、ダイシングブレードにより第１送り速度で切削した後、この切削部をダイシングブレードにより第１送り速度より遅く設定された第２送り速度で切削することによって切断し、光導波路に光を導くための光導入面を形成するようにしたので、切断位置の位置決め精度に優れ、光導入面を高品質化とともに生産性を向上させることができる。つまり、ダイシングブレードを用いることによって、切断位置の位置決め精度に優れる。また、第１送り速度によって大雑把に切削を行った後、低速の第２送り速度によって切断を行うようにしたので、面精度の高い光導入面を効率よく形成することができる。
【００１７】
また、高品質であることが要される光導入面を上記のように形成し、高品質であることが要されない光導入面以外の端面を、高速の第１送り速度によって低精度に仕上げるようにしたので、積層体を切断加工するトータルな切断時間が短縮され、生産性がさらに向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１において、光メモリ２は、屈折率の異なるコア層３とクラッド層４とを交互に積層し、その上下を樹脂基体（樹脂フイルム）５ａ，５ｂで挟み込んでなるユニット６を接着層７を介して上下に貼り合わせて一体化した構成となっている。
【００１９】
コア層３及びクラッド層４は、紫外線（ＵＶ光）を照射することにより硬化された紫外線硬化樹脂材によって形成されており、コア層３の屈折率（硬化後の屈折率）は、クラッド層４より屈折率（硬化後の屈折率）が僅かに高く設定されている。この紫外線硬化樹脂材としては、アクリル系、エポキシ系、チオール系などの樹脂材が適切である。コア層３の厚さは、１．０〜１．５μｍ程度が適切であり、例えば１．４μｍと設定される。クラッド層４の厚さは、８〜９μｍ程度が適切であり、例えば８μｍと設定される。
【００２０】
クラッド層４の上面でかつコア層３の下面となる界面には、再生像を得るための情報を含む情報用凹凸部８が形成されている。すなわち、この例では、後述するスタンパ２３によって、クラッド層４を形成する紫外線硬化樹脂材の上面に凹部を形成することで、情報用凹凸部８が形成されている。情報用凹凸部８は、光メモリ２に記録すべき情報（デジタル情報）を２次元符号化し、その符号化された情報を元に計算機によって合成されたパターン（計算機ホログラムと称される）が転写されたものである。
【００２１】
このように、コア層３の上下には、相対的に屈折率の低いクラッド層４が積層されている。１つのコア層３と、この上下の２つのクラッド層４とにより、１つの情報再生用の光導波路９が構成される。ただし、各ユニット６の最下層のコア層３ａは、その下にクラッド層４が形成されていないため、最下層のコア層３ａに関しては情報再生用の光導波路９が構成されない（情報再生用の光導波路としては機能しない）。
【００２２】
各ユニット６の端部に形成された光導入面からコア層３（コア層３ｂも含む）に導入された光は、クラッド層４との界面で反射されながらコア層３を伝播するとともに、一部が情報用凹凸部８によって散乱される。同図において、各ユニット６には、３層の光導波路９が構成されているが、これは図示の簡単化のためであって、光導波路９の積層数は適宜の数でよい。実際には、２０層程度の光導波路９を各ユニット６内に積層するのが好適である。２０層の光導波路９を積層してなるユニット６の厚さは、０．４ｍｍ程度である。
【００２３】
樹脂基体５ａ，５ｂは、アートン（登録商標）等の非晶質ポリオレフィン、ポリカーボネート、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）などによって形成されており、屈折率はクラッド層４とほぼ同一である。例えば、コア層３の屈折率は“１．５２”、クラッド層４及び樹脂基体５ａ，５ｂの屈折率は“１．５１”に設定される。
【００２４】
各ユニット６を接着する接着層７としては、コア層３やクラッド層４に用いられている紫外線硬化樹脂材が用いられる。接着層７の屈折率が、樹脂基体５ａ，５ｂの屈折率と大きく異なると、接着層７と樹脂基体５ａ，５ｂとの界面で再生光が反射して、光量やＳ／Ｎ比が低下してしまうことがあるため、接着層７と樹脂基体５ａ，５ｂとの屈折率はほぼ等しく設定される（例えば“１．５１”に設定）。なお、接着層７としては、紫外線硬化樹脂材などの光硬化型のものには限られず、熱硬化型、室温硬化型、ホットメルト型、２液混合型の各種の接着材を用いることが可能であり、材質としては、アクリル系、エポキシ系、シアノアクリレート系、ウレタン系、オレフィン系などが挙げられる。
【００２５】
また、光メモリ２を構成するコア層３（コア層３ａ，３ｂを含む）、クラッド層４、樹脂基体５ａ，５ｂ、及び接着層７は、１つの端面（光導入面）１０からコア層３に入射され、情報用凹凸部８で散乱された散乱光（再生光）の波長に対して透明である。これにより、各光導波路９から上下に放出された再生光は、光メモリ２内の各層を透過し、光メモリ２の上面及び下面から外部へ放出される。なお、光導波路９から上下に放出された再生光は、別の光導波路９を横切ることになるが、コア層３とクラッド層４との屈折率の差が極めて小さいので、この再生光が別の光導波路９に形成された情報用凹凸部８で再度散乱されることは殆どなく、外部に結像される再生像に乱れは殆ど発生しない。
【００２６】
同図では２つのユニット６が上下に積重され貼り合わされているが、これは図示の簡単化のためであって、ユニット６の積層数は適宜の数でよい。実際には、４個程度のユニット６を積層するのが好適である。本実施形態では、光メモリ２は、ユニット６を上下に積重して構成している。これは、光導波路９が一定数積層された各積層体の上下を比較的高剛性の樹脂基体５ａ，５ｂで支持することによって、光が入射されるコア層３の反りや撓みを抑えることを目的としている。なお、光メモリ２は、ユニット６を上下に積重したものでなくてもよく、１つのユニット６で構成したものであってもよい。
【００２７】
光メモリ２は、ユニット６を上下に積重して構成する場合には、各ユニット６の光導入面１０が一致するように位置合わせされている。光導入面１０は、後述する製造方法によって、その面精度を示す中心線平均粗さＲａが２μｍ以下（望ましくは１μｍ以下）となるように形成されている。光導入面１０の中心線平均粗さＲａをこのように低い値とすることで、コア層３に導入されるべき入射光の一部が散乱損失することを防ぎ、結合効率や反射率が低下するといった問題を解決することができる。また、同時に、光導入面１０での散乱による迷光の発生や、コア層３を伝播する光の波面の乱れによって、再生像の品質が劣化するという問題も解決することができる。
【００２８】
次に、光メモリ２の製造方法について説明する。図２（Ａ）において、まずベース基体として、厚さ数ｍｍの硬質のガラス基板２０を用意する。ガラス基板２０の表面上にスピンコート法によって液状の紫外線硬化樹脂材を塗布して接着層２１を形成し、接着層２１の表面上にフイルム状の樹脂基体５ａを、間に気泡が入らないようにローラ２２で加圧しながら貼着（ラミネート）する。樹脂基体５ａを接着層２１に貼着した後、図２（Ｂ）に示すように、樹脂基体５ａの上から紫外線を照射して接着層２１を完全に硬化させる。これにより、接着層２１を介して樹脂基体５ａがガラス基板２０に接着される。なお、図８（Ａ）に示すように、樹脂基体５ａには、情報再生用領域（情報用凹凸部８からの再生光を透過させる領域）の外に２つの十字マーク１１が印されている。
【００２９】
図２（Ｃ）において、樹脂基体５ａの表面上に、スピンコート法によって液状の紫外線硬化樹脂材を塗布し、紫外線を照射して完全に硬化させることで、最下層のコア層３ａを形成する。このコア層３ａは、前述のように情報再生用の光導波路９を構成するものではない。続いて、図３（Ａ）に示すように、最下層のコア層３ａの表面上に、スピンコート法によって液状の紫外線硬化樹脂材を所定の膜厚で塗布し、塗布された紫外線硬化樹脂材の表面上に、記録すべき情報に応じた凹凸パターンが表面に刻まれた光透過性スタンパ２３をローラ２２で加圧しながら貼着（ラミネート）する。なお、この光透過性スタンパ２３の貼着に際して、樹脂基体５ａに施された十字マーク１１に基づいて位置合わせ（アライメント）を行う。
【００３０】
光透過性スタンパ２３は、紫外線に対する透過性を有し、かつ可撓性のあるフイルム状の樹脂材で形成されている。光透過性スタンパ２３の貼着にはローラを用いる。なお、光透過性スタンパ２３は、光メモリ２の製造に用いられるのと同様な樹脂材を用いて形成することができ、材料の共通化を図ることができる。
【００３１】
図３（Ｂ）において、最下層のコア層３ａの表面上に塗布された紫外線硬化樹脂材の表面上に光透過性スタンパ２３を貼着した状態で、光透過性スタンパ２３の上方から紫外線を照射する。光透過性スタンパ２３を透過した紫外線によって液状の紫外線硬化樹脂材が硬化された後、図３（Ｃ）に示すように、光透過性スタンパ２３を剥離することで、表面に上記凹凸パターンが転写され、情報用凹凸部８を有したクラッド層４が形成される。なお、このとき、紫外線硬化樹脂材を完全に硬化させると光透過性スタンパ２３が剥がしにくくなるため、紫外線を照射して紫外線硬化樹脂材を不完全に硬化させた状態で光透過性スタンパ２３を剥離し、その後再び紫外線を照射して紫外線硬化樹脂材を完全に硬化させるようにしてもよい。
【００３２】
続いて、図４（Ａ）に示すように、クラッド層４の表面上に、クラッド層４よりも屈折率の大きい液状の紫外線硬化樹脂材をスピンコート法によって塗布した後、紫外線を照射して完全に硬化させることでコア層３を形成する。以後、図３（Ａ）〜図４（Ａ）に示した処理を繰り返し実施することで、樹脂基体５ａの上に、コア層３及びクラッド層４を所望の積層数になるまで積層する。
【００３３】
このようにして、図４（Ｂ）に示すように、コア層３及びクラッド層４が所望の積層数だけ積層される。図５（Ａ）に示すように、最上層のクラッド層４の上に、コア層３ｂを形成するための液状の紫外線硬化樹脂材をスピンコート法によって塗布した後、この上に、樹脂基体５ａと同様な樹脂基体５ｂをローラ２２で加圧しながら貼着（ラミネート）する。この状態で紫外線を照射し、紫外線硬化樹脂材を完全に硬化させると、コア層３ｂが形成されるとともに、コア層３ｂと樹脂基体５ｂとが接着される。なお、図８（Ｂ）に示すように、樹脂基体５ｂには２つの十字マーク１２が印されており、樹脂基体５ｂの貼着時には、樹脂基体５ｂの十字マーク１２が、樹脂基体５ａの十字マーク１１と上下に重なるように位置合わせを行う。
【００３４】
また、図５（Ｂ）に示すように、樹脂基体５ｂの表面上に、スピンコート法によって液状の紫外線硬化樹脂材を塗布し、紫外線を照射して完全に硬化させ、樹脂基体５ｂとほぼ同一の屈折率を有する接着層２７を形成する。
【００３５】
以上の積層工程によってガラス基板２０上に製造された積層体２４（コア層３及びクラッド層４を積層した、上下を樹脂基体５ａ，５ｂで挟んだもの）を、樹脂基体５ａ，５ｂを支持しながらガラス基板２０から剥離（分離）する。この後、ダイシングソー（ダイシング装置）を用いて積層体２４の外形を切断加工する切断工程に移行する。
【００３６】
図９に示すように、積層体２４の最上層の樹脂基体５ｂに印された十字マーク１２を基準として４つの切断ライン（第１切断ライン２５ａ、第２切断ライン２５ｂ、第３切断ライン２５ｃ、及び第４切断ライン２５ｄ）を設定するとともに、ダイシングブレード３０により、積層体２４の表面に対して垂直に（積層体２４の積層方向に）各切断ラインを切断して前述のユニット６を切り出し、ユニット６に光導入面１０を含む４つの端面を形成する。
【００３７】
ダイシングブレード３０は、例えば、１０００番の粒度（砥粒の細かさ）を有する円盤状のダイヤモンドホイールであり、刃幅Ｗは５０μｍ〜１５０μｍ程度である。また、ダイシングブレード３０は、軸３０ｂの周りに所定の回転数（例えば２００００ｒｐｍ）で回転している。切断実行時には、ダイシングブレード３０を、固定された積層体２４に対して所定の速度（送り速度）で移動させる。なお、逆に、固定されたダイシングブレード３０に対して、積層体２４を所定の速度（送り速度）で移動させるようにしてもよい。つまり、ダイシングブレード３０と積層体２４とを相対的に移動させればよく、その移動方向は限定されない。同図では、積層体２４を、その側面から切断するようにしている。
【００３８】
図１０は、積層体２４を各切断ラインに沿って切断（ダイシング）する際の手順を示す。ステップＳＴ１において、まず、図６（Ａ）に示すように、第１切断ライン２５ａから外側（情報用凹凸部８を含む部分に対して外側）へ平行に所定距離Ｓ（例えば５〜２０μｍ）だけオフセットした（ずらした）ラインにダイシングブレード３０の内側の端部を合わせ、ダイシングブレード３０を積層体２４に対して第１送り速度（例えば１０ｍｍ／秒）で移動させることにより、積層体２４を切削する。このとき、積層体２４を完全に切断して分離するのではなく、同図のように、最上層の樹脂基体５ｂから樹脂基体５ａの一部まで切削し、樹脂基体５ａの一部及び接着層２１を切断せずに残す。なお、積層体２４を切削する深さはこれには限られず、適宜変更可能である。また、第１切断ライン２５ａに対するオフセット量（所定距離）Ｓは、ダイシングブレード３０の刃幅Ｗより小さければよく、その範囲で適宜変更可能である。
【００３９】
ステップＳＴ２において、図６（Ｂ）に示すように、ダイシングブレード３０の内側の端部を第１切断ライン２５ａに合わせるとともに、ダイシングブレード３０を積層体２４に対して、上記第１送り速度より低速の第２送り速度（例えば５ｍｍ／秒）で移動させることにより、積層体２４を第１切断ライン２５ａに沿って切削し、積層体２４を完全に切断する。これにより、中心線平均粗さＲａが２μｍ以下の面精度を有する高品質な切断端面が形成される。この切断端面が前述の光導入面１０として用いられる。なお、ステップＳＴ２では、ダイシングブレード３０の刃幅より小さい幅（距離Ｓ）だけ削り落とすようにしているので、送り速度が低速であっても切断に際して負荷が少なく、無理なく切断を実行することができる。
【００４０】
ステップＳＴ３において、図７に示すように、ダイシングブレード３０の内側の端部を第２切断ライン２５ｂに合わせるとともに、ダイシングブレード３０を積層体２４に対して、上記第１送り速度によって高速に移動させ、積層体２４を第２切断ライン２５ｂに沿って切削して完全に切断する。これにより、中心線平均粗さＲａが数１０μｍの面精度を有する切断面が形成される。この切断面は、光導入面１０として用いられるものではない。
【００４１】
続く、ステップＳＴ４及びステップＳＴ５では、ステップＳＴ３と同様に、高速の第１送り速度を用い、積層体２４を第３切断ライン２５ｃ及び第４切断ライン２５ｄに沿って切削して完全に切断する。これにより形成される切断面はいずれも中心線平均粗さＲａが数１０μｍの面精度を有し、光導入面１０として用いられない。このようにしてユニット６が形成される。
【００４２】
ステップＳＴ１〜ＳＴ５において、ダイシングブレード３０の各切断ラインへの位置合わせは、十字マーク１２に基づいて行われる。ダイシングブレード３０の位置合わせ精度は、１μｍ程度と高精度であるため、切り出されたユニット６は高精度な外形寸法を有する。
【００４３】
以上のように、光導入面１０の形成の際に、高速の第１送り速度によって大雑把に切削を行った後、低速の第２送り速度によって切断を行うようにしたので、効率よく面精度の高い光導入面１０を形成することができる。また、ユニット６の４つの端面のうち、光導入面１０とする１つの端面を低速の第２送り速度によって高精度に仕上げ、光導入面１０として使用しない他の３つの端面を高速の第１送り速度によって低精度に仕上げるようにしたので、一定の送り速度で４つの端面を切断するのに比して、特性面及び生産性に優れる。
【００４４】
なお、第１送り速度が第２送り速度に比して高速であればよく、これらを最適な速度に設定することにより、ユニット６の切り出しに要される時間を必要最低限に最適化することができる。また、ダイシングブレード３０の回転速度、粒度、刃幅なども適宜変更してよい。さらに、ステップＳＴ１〜ＳＴ５の順序を適宜変更してもよく、少なくともステップＳＴ２がステップＳＴ１以降に行われればよい。
【００４５】
このようにして積層体２４からユニット６を切り出した後、ユニット６を所望の数だけ上下に積み重ね、加圧及び加熱を行うことで、ユニット６が接着層２７，２１を介して接着され、図１に示した光メモリ２が形成される。このとき、各ユニット６の光導入面１０を同一方向に向けるとともに、十字マーク１１，１２によって位置合わせを行う。
【００４６】
上記実施形態では、積層体２４の切断加工時にダイシングブレード３０の回転速度を一定としたが、本発明はこれに限られるものではなく、送り速度の高低に応じて回転速度を変えるようにしてもよい。図１０のステップＳＴ１，ＳＴ３〜ＳＴ５における第１送り速度（高速送り速度）での切削時の回転速度を例えば３００００ｒｐｍと高速回転にし、ステップＳＴ２における第２送り速度（低速送り速度）での切削時の回転速度を例えば１００００ｒｐｍと低速回転にすることで、より効率的に切断を行うことができる。
【００４７】
また、上記実施形態では、第１送り速度（高速送り速度）での切削時と、第２送り速度（低速送り速度）での切削時とで共通のダイシングブレード３０を用いたが、本発明はこれに限られるものではなく、第１送り速度での切削時と第２送り速度での切削時とで異なるダイシングブレードを用いるようにしてもよい。第１送り速度での切削時には、粒度の粗い（例えば３５０番〜１０００番の）ダイシングブレードを使用し、第２送り速度での切削時には、粒度の細かい（例えば１０００〜６０００番の）ダイシングブレードを使用することで、切断速度を上げつつ、光導入面１０をより面精度が高く平滑に仕上げることができる。
【００４８】
また、上記実施形態では、積層体２４から１つのユニット６を切り出す際に図６に示す手順のダイシングを行ったが、本発明はこれに限られるものではなく、まず複数の積層体２４を上下に積み重ねて接着した後に、同図の手順のダイシングを行い、光メモリ２を切り出すようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】光メモリの構成を示す断面図である。
【図２】光メモリの製造方法を示す断面図（その１）である。
【図３】光メモリの製造方法を示す断面図（その２）である。
【図４】光メモリの製造方法を示す断面図（その３）である。
【図５】光メモリの製造方法を示す断面図（その４）である。
【図６】光メモリの製造方法を示す断面図（その５）である。
【図７】光メモリの製造方法を示す断面図（その６）である。
【図８】樹脂基体を示す斜視図である。
【図９】積層体がダイシングされる様子を説明するための斜視図である。
【図１０】ダイシングの手順を説明するためのフローチャートである。
【図１１】従来の光メモリとその動作原理を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
２  光メモリ
３  コア層
４  クラッド層
５ａ，５ｂ  樹脂基体
６  ユニット
８  情報用凹凸部
９  光導波路
１０  光導入面
１１，１２  十字マーク
２０  ガラス基板
２３  スタンパ
２４  積層体
２５ａ  第１切断ライン
２５ｂ  第２切断ライン
２５ｃ  第３切断ライン
２５ｄ  第４切断ライン
３０  ダイシングブレード
【図１】
2006276481.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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