(57)【要約】【課題】  外部からの応力による影響を小さくできるマイクロ構造体を提供する。【解決手段】  半導体層１１に複数のビーム１１１〜１１４を介して重錘体１４を支持してセンサパッケージ１を構成し、センサパッケージ１を枠部材２の底面２２に配置し、底面２２に対面する支持基板層１３の底面を、底面形状の重心位置を中心として４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域でのみ、支持基板層１３の底面と枠部材２の底面２２とをダイボンディングペースト４で接合する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、前記支持部に支持される可動部とを有するセンサ素子と、
前記センサ素子を載置するための台座とを備えたマイクロ構造体において、
前記台座に対面する前記支持部の底面を、その底面形状の重心位置を中心として４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域にのみ、前記支持部の底面と前記台座とを接合する接合部を設けたことを特徴とする、マイクロ構造体。
【請求項２】
前記接合部は、前記支持部の底面と前記台座との間の前記１つの領域間を接合する接着剤を含む、請求項１に記載のマイクロ構造体。
【請求項３】
前記支持部の底面と前記台座とが対面する面のうち、前記１つの領域を除く他の領域は相互に接触している、請求項１または２に記載のマイクロ構造体。
【請求項４】
前記接合部は、前記１つの領域に対応して前記支持部の底面および前記台座のいずれか一方に形成される凹部を含み、
前記接着剤は、前記支持部の底面と前記台座とが接する面のうちの一方に形成された凹部と、前記支持部の底面と前記台座とが接する面のうちのいずれか他方とを接合する、請求項３に記載のマイクロ構造体。
【請求項５】
前記台座は、基台と、前記基台上に設けられ、その上に前記支持部が載置されて周辺から加わる応力を吸収するための緩衝部材とを含み、
前記接合部は、前記支持部の底面と前記緩衝部材とが接する面を４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域を接合する、請求項１から４のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【請求項６】
前記接合部は、前記１つの領域に対応して前記支持部の底面および前記緩衝部材のいずれか一方に形成される凹部を含み、
前記接着剤は、前記支持部の底面および前記緩衝部材のいずれか一方に形成された凹部と、前記支持部の底面および前記緩衝部材のいずれか他方とを接合する、請求項５に記載のマイクロ構造体。
【請求項７】
前記接合部は、前記４分割した領域内の１箇所以上で前記支持部の底面と前記緩衝部材または前記台座とを接合する、請求項１から６のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【請求項８】
前記支持部は、中央に空間を有し、前記梁部材を介して前記可動部を支持する枠部材を含む、請求項１から７のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【請求項９】
さらに、前記可動部を前記支持部によって支持する複数の梁部を含む、請求項１から８のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【請求項１０】
前記可動部は振動部である、請求項１から８のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【請求項１１】
前記センサ素子は、加速度センサ，角速度センサ，圧力センサ，マイクロホンのいずれかである、請求項１から１０のいずれかに記載のマイクロ構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、マイクロ構造体に関し、特に、ＳＯＩ基板からなるマイクロ構造体の支持構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体センサチップを用いた半導体加速度センサの一例が特開平１０ー１２３１６６号公報（特許文献１）に記載されている。半導体センサチップは、枠体内に梁部を介して重錘部を支持し、梁部に形成された抵抗要素のピエゾ効果を利用して加速度を検知する。
【０００３】
図８は従来の半導体加速度センサのマイクロ構造体の一例を示し、特に（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）はセンサパッケージの裏面を示す図である。
【０００４】
マイクロ構造体１０は、図８（Ａ）に示すように、センサパッケージ１と、センサパッケージ１の収納体である枠部材２および蓋部材３とを含む。センサパッケージ１は、ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板から構成されていて、半導体層（Ｓｉ；ＳＯＩ）１１と、埋め込み絶縁層(ＳｉＯ２)１２と、支持基板層（Ｓｉ）１３と、重錘体１４（Ｓｉ）とを含む。
【０００５】
支持基板層１３は、エッチングにより矩形で中央に空間を有する枠形状に形成されており、中央の空間には重錘体１４が設けられている。この重錘体１４は、半導体層１１の一部を構成しているビーム１１１，１１２，１１３，１１４を介して支持基板層１３の枠上における各辺の中央部に接続されている。半導体層１１と支持基板層１３および重錘体１４との間には埋め込み絶縁層１２が形成されている。ビーム１１１〜１１４には、図示しないがピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４が配置されている。
【０００６】
センサパッケージ１は、上部が開口された枠部材２に形成されている凹部２１内に収納される。支持基板層１３の底面の四隅には、図８（Ｂ）に示すようにダイボンディングペースト４が塗布されて、凹部２１の底面２２上にダイボンディングされる。枠部材２には段差部２３が形成されていて、この段差部２３に金属パッド５が配置されており、半導体層１１と金属パッド５との間が金属線６により配線される。枠部材２の開口部は蓋部材３により覆われる。
【０００７】
図９は図８に示したセンサパッケージ１を、緩衝層を介して枠部材に装着した例を示し、特に、（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）はセンサパッケージの裏面を示す図である。図９（Ａ）において、マイクロ構造体１０ａに含まれている枠部材２の凹部２１の底面２２上には絶縁層７を介して、シリコンやガラスなどからなる緩衝層８が配置されている。緩衝層８は、図８で説明したセンサパッケージ１の周りからの応力を吸収してセンサ素子１に応力が影響するのを阻止するために配置されており、図９（Ｂ）に示すように支持基板層１３の下面全体にダイボンディングペースト４が塗布されて、センサパッケージ１が緩衝層８上にダイボンディングされる。
【０００８】
図１０は加速度センサ内のピエゾ抵抗素子によって形成されるブリッジ回路を示す回路図である。
【０００９】
図８および図９に示したマイクロ構造体１０のビーム１１１〜１１４に配置されているピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、図１０に示すようにブリッジ接続されてブリッジ回路を構成している。ピエゾ抵抗素子Ｒ１とＲ２の接続点に電圧＋Ｖが印加され、ピエゾ抵抗素子Ｒ３とＲ４の接続点が接地され、ピエゾ抵抗素子Ｒ２とＲ３の接続点と、Ｒ１とＲ４の接続点から加速度に応じた信号が出力される。
【００１０】
すなわち、加速度が加わっていない状態では、ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のそれぞれの抵抗値は等しく、ブリッジ回路の平衡が保たれている。センサパッケージ１に加速度が加わると、加速度に起因して重錘体１４に外力が作用し、重錘体１４が定位置から変位し、この変位によって生じた機械的ゆがみがビーム１１１〜１１４の機械的変形によって吸収される。ビーム１１１〜１１４の機械的変位によりピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化し、ブリッジ回路の平衡が崩れて加速度に応じた信号が出力される。
【特許文献１】特開平１０ー１２３１６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図８に示した半導体加速度センサにおいて、周りからの応力によりビーム１１１〜１１４に影響を及ぼすという問題がある。すなわち、センサパッケージ１の支持基板層１３の底面の四隅にダイボンディングペースト４を塗布して、枠部材２の底面２２上に装着しているため、応力がビーム１１１〜１１４に影響を及ぼしてしまう。これはセンサパッケージ１の支持基板層１３が例えばシリコンで形成されているのに対して、枠部材２は金属で形成されているので、両者の線膨張係数の違いに起因して残留応力が生じるからである。
【００１２】
図９に示した半導体加速度センサでは、センサパッケージ１と枠部材２との間に緩衝層８を設けることで、周りからの応力による影響を阻止するようにしているが、緩衝層８を設けても、半導体加速度センサを実装した回路基板から受ける残留応力には効果がない。このような残留応力により、加速度センサのオフセットや感度などに製造ばらつきを生じさせる原因となり、さらに温度により残留応力状態が変化するため、温度特性の劣化の原因にもなる。また、緩衝層８を設けたことにより、アッセンブリ後のパッケージの高さが高くなってしまうという問題も生じる。この問題は半導体加速度センサに限らず、半導体圧力センサにおいても生じる。
【００１３】
そこで、この発明は、外部からの応力による影響を小さくできるマイクロ構造体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明は、支持部と、支持部に支持される可動部とを有するセンサ素子と、センサ素子を載置するための台座とを備えたマイクロ構造体において、台座に対面する支持部の底面を、その底面形状の重心位置を中心として４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域にのみ、支持部の底面と台座とを接合する接合部を設けたことを特徴とする。
【００１５】
１つの領域にのみ、支持部の底面と台座とを接合することにより、台座から受ける外部からの応力による影響を小さくできる。
【００１６】
好ましくは、接合部は、支持部の底面と台座との間の１つの領域間を接合する接着剤を含む。接着剤で支持部の底面と台座との間の１つの領域を接合することにより、台座上で支持部を安定して支持できる。
【００１７】
好ましくは、支持部の底面と台座とが対面する面のうち、１つの領域を除く他の領域は相互に接触している。これにより、支持部の４隅を台座上に接触できるので、センサ素子を水平に支持でき、例えばセンサ素子に金属配線をするときにワイヤボンディングすることが可能になる。
【００１８】
１つの実施形態では、接合部は、１つの領域に対応して支持部の底面および台座のいずれか一方に形成される凹部を含み、接着剤は、支持部の底面と台座とが接する面のうちの一方に形成された凹部と、支持部の底面と台座とが接する面のうちのいずれか他方とを接合する。１つの領域に対応する凹部に接着剤を塗布して接合することで、他の３つの領域は支持部と台座が接触するので、センサ素子を水平に支持できる。
【００１９】
好ましくは、台座は、基台と、基台上に設けられ、その上に支持部が載置されて周辺から加わる応力を吸収するための緩衝部材とを含み、接合部は、支持部の底面と緩衝部材とが接する面を４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域を接合する。緩衝部材を介して支持部材を台座に支持することで、センサ素子の周りからの応力による影響を阻止することができる。
【００２０】
他の実施形態では、接合部は、１つの領域に対応して支持部の底面および緩衝部材のいずれか一方に形成される凹部を含み、接着剤は、支持部の底面および緩衝部材のいずれか一方に形成された凹部と、支持部の底面および緩衝部材のいずれか他方とを接合する。凹部に接着剤を塗布して支持部材を緩衝部材に接合することで、センサ素子を水平に支持した状態で、センサ素子の周りからの応力による影響を阻止できる。
【００２１】
好ましくは、接合部は、４分割した領域内の１箇所以上で支持部の底面と緩衝層または台座とを接合する。１箇所以上で接合することでセンサ素子の支持がより安定化する。
【００２２】
好ましくは、支持部は、中央に空間を有し、梁部材を介して可動部を支持する枠部材を含む。可動部の変位を検出して加速度や圧力などを検出できる。
【００２３】
一実施形態では、可動部を支持部によって支持する複数の梁部を含み、他の実施形態では可動部は振動部で構成される。
【００２４】
具体的な実施形態として、センサ素子は、加速度センサ，角速度センサ，圧力センサ，マイクロホンのいずれかである。
【発明の効果】
【００２５】
この発明によれば、台座に対面する支持部の底面を、その底面形状の重心位置を中心として４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域にのみ、支持部の底面と台座とを接合する接合部を設けたことにより、外部からの応力による影響を小さくできるので、オフセットや感度のばらつきを抑えることができ、温度特性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
図１は、この発明の一実施形態におけるマイクロ構造体を示す図であり、特に、（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）は半導体層を上から見た図であり、（Ｃ）はセンサパッケージの裏面を示す図である。
【００２７】
図１（Ａ）において、マイクロ構造体１０ｂは、図８に示した従来例と同様にしてセンサパッケージ１と、枠部材２と、蓋部材３とを含み、センサパッケージ１は半導体層１１と、埋め込み絶縁層１２と、支持部としての支持基板層１３とを含む。支持基板層１３は中央に開口部を有しており、この開口部に可動部としての重錘体１４が配置されている。
【００２８】
図１（Ｂ）に示す半導体層１１は、支持基板層１３の上面に対応する領域１１５と、重錘体１４の上面に対応する領域１１６と、これらの領域１１５，１１６間を接続する梁部としてのビーム１１１〜１１４とを含む。ビーム１１１〜１１４は、重錘体１４を支持基板層１３で支持するために設けられている。ビーム１１１〜１１４には、図示しないが図１０に示したピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４が配置されている。
【００２９】
枠部材２は凹部２１の基台となる底面２２と、金属パッド５を配置するための段差部２３とを含む。底面２２にはセンサパッケージ１が配置されるが、図８に示した従来例では、センサパッケージ１の支持基板層１３における底面の四隅にダイボンディングペースト４を塗布して底面２２上にダイボンディングした。
【００３０】
これに対して、この実施形態では、支持基板層１３の底面が枠部材２の底面２２に対面する領域を、その底面形状の重心位置を中心ｏとして、図１（Ｃ）の点線で示す領域の各角を結ぶ線で４分割した領域に分けて、そのうちの１つの領域にのみ接着材としてダイボンディングペースト４を塗布し、支持基板層１３と底面２２とをダイボンディングする。このように４分割した領域のうちの１つの領域でのみ支持基板層１３の底面と枠部材２の底面２２とを接合することで、回路基板などから受ける外部応力による影響を小さくできる。その理由について図２を参照して説明する。
【００３１】
図２は、この発明の一実施形態によるマイクロ構造体への外部からの応力による影響を小さくするための原理を説明するための図であり、（Ａ）は支持基板層の枠部材に対面する全域内の４箇所で接合している例を示しており、（Ｂ），（Ｃ）は支持基板層の枠部材に対面する領域を、その底面形状の重心位置を中心として４分割した領域における１つの領域内の４箇所で接合している例を示している。
【００３２】
図２（Ａ）に示すように、熱膨張係数が異なる枠部材２と支持基板層１３とがダイボンディングペースト４によって丸印で示されている４箇所で接合されているとすると、Ｘ方向は長さＬ１で拘束され、Ｙ方向は長さＬ２で拘束され、斜め方向は長さＬ３で拘束されていることになり、それぞれの長さに応じて、熱膨張係数の差に起因する残留応力が生じている。
【００３３】
これに対して、図２（Ｂ）に示すように、支持基板層１３の枠部材２に対面する領域を、対面している形状の重心位置を中心ｏとして、領域のＸ方向とＹ方向の各中点を結ぶ線で４分割し、４分割した１つの領域内の丸印で示されている４箇所で接合されているとすると、拘束部のＸ方向長さ，Ｙ方向長さ，斜め方向長さが図２（Ａ）の例に比べてＬ１／２，Ｌ２／２，Ｌ３／２になるため、全体的に見て熱膨張係数の差に起因する影響を半分程度にすることができる。
【００３４】
図２（Ｃ）に示すように、対面している形状の重心位置を中心ｏとして、領域の各角を結ぶ線で４分割し、４分割した１つの領域内の丸印で示す４箇所で接合されている場合には、Ｘ方向長さはＬ１／２，Ｙ方向長さはＬ２／２，Ｌ２／２になるので、図２（Ａ）に示した例に比べて残留応力の影響を半分程度にできる。
【００３５】
したがって、支持基板層１３に対する枠部材２の底面の領域を、その底面形状の重心位置を中心として４分割した領域の１つの領域でのみ接合することで、回路基板などの外部から受ける残留応力による影響を少なくできることになる。
【００３６】
したがって、この実施形態では、外部からの残留応力による影響を小さくできるので、オフセットや感度のばらつきを抑えることができ、温度特性を向上できる。また、支持基板層１３を枠部材２の底面２２に直接接合することで、マイクロ構造体１０ｂの高さを低くできる。
【００３７】
図３は、この発明の他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図であり、特に、（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）はセンサパッケージの裏面を示す図である。
【００３８】
この実施形態のマイクロ構造体１０ｃは、図３（Ａ）に示す枠部材２の底面２２上に、絶縁層７を介して緩衝層８を配置し、緩衝層８上にセンサパッケージ１を配置したものである。そして、この実施形態では、センサパッケージ１の支持基板層１３の底面の緩衝層８に対面する領域を、図３（Ｂ）の点線で示す領域の各角を結ぶ線で４分割し、そのうちの１つの領域内においてのみ、ダイボンディングペースト４で支持基板層１３の底面を緩衝層８上にダイボンディングする。支持基板層１３の底面における４分割した領域のうちの他の３つの領域は、緩衝層８に対して所定の間隙を有しており、非接触になっている。
【００３９】
この実施形態においても、支持基板層１３の底面と緩衝層８とが対面する領域を４分割し、そのうちの１つの領域内においてのみ支持基板層１の底面と緩衝層８とを接合することで、回路基板などから受ける外部応力による影響を少なくできる。さらに、緩衝層８の上にセンサパッケージ１を配置したので、図１に示したマイクロ構造体１０ｂに比べて多少高さが高くなってしまうが、センサパッケージ１の周りからの応力による影響を阻止することができる。
【００４０】
図４はこの発明の他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図であり、特に、（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）はセンサパッケージの裏面を示す図である。
【００４１】
この実施形態のマイクロ構造体１０ｄは、図４（Ａ）に示すセンサパッケージ１における支持基板層１３の底面の４つに分割した領域のうちの１つの領域を含む角部分に、図４（Ｂ）に示すように、例えば１０〜３０μｍの深さで凹部１３１を形成し、この凹部１３１にダイボンディングペースト４を例えば１０〜３０μｍの厚みで塗布し、枠部材２の底面２２に接合する。
【００４２】
この実施形態においても、支持基板層１３の緩衝層８に対面する領域を４分割し、そのうちの１つの領域内においてのみ支持基板層１３の底面と緩衝層８とを接合することで、回路基板などから受ける外部応力による影響を少なくできる。
【００４３】
また、この実施形態では、支持基板層１３の底面の４つに分割した領域のうちの１つの領域にのみ凹部１３１を形成して接合部とし、他の３つの領域には凹部を形成していないので、非接合部として底面２２に接触する。したがって、支持基板層１３の底面における他の３つの領域と枠部材２の底面２２との間に隙間が生じることはないので、センサパッケージ１を枠部材２の凹部２１に水平に配置することが可能になる。しかも、支持基板層１３の底面の４隅の全てを底面２２に接触させているので、金属線６を半導体層１１の表面にワイヤボンディングするときに、支持基板層１３が下方にたわむことがなく、作業に支障をきたすことがない。
【００４４】
図５はこの発明の他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図であり、特に、（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）はセンサパッケージの裏面を示す図である。
【００４５】
この実施形態のマイクロ構造体１０ｅは、図４の実施形態と同様にして、図５（Ａ）に示す支持基板層１３の底面の４つに分割した領域のうちの４つの領域の各角部分に、図５（Ｂ）に示す凹部１３１を形成し、そのうちの１つの凹部１３１のみを接合部とし、緩衝層８上にダイボンディングペースト４により支持基板層１３の底面を接合する。また、この実施形態においても支持基板層１３の底面の４つに分割した領域の他の３つの領域における辺の部分は緩衝層８に対して非接合であるが、接触している。
【００４６】
したがって、この実施形態においても、回路基板などから受ける外部応力による影響を少なくでき、緩衝層８上にセンサパッケージ１を配置したことで、センサパッケージ１の周りからの応力による影響を阻止することができる。また、センサパッケージ１を緩衝層８を介して、枠部材２の凹部２１に水平に配置することが可能になる。しかも、支持基板層１３の底面の４辺の全てが緩衝層８上で接触しているので、金属線６を半導体層１１の表面にワイヤボンディングすることが可能になる。
【００４７】
図６はこの発明の他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図であり、特に、（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）はセンサパッケージの裏面を示す図であり、（Ｃ）は（Ａ）に示したセンサパッケージを取り除いて枠部材を上から見た図である。
【００４８】
前述の図４に示した実施形態は、支持基板層１３の底面に凹部１３１を形成したのに対して、この実施形態のマイクロ構造体１０ｆは、図６（Ａ）に示す支持基板層１３の枠部材２に対面する領域を４分割した１つの領域に対応して、図６（Ｃ）に示すように枠部材２の底面２２に凹部２４を形成し、この凹部２４に図６（Ｂ）に示すダイボンディングペースト４を塗布して支持基板層１３の底面を枠部材２の底面２２にダイボンディングし、他の３つの領域を非接合としたものである。
【００４９】
この実施形態においても、回路基板などから受ける外部応力による影響を少なくできる。また、センサパッケージ１を枠部材２の凹部２１に水平に配置することが可能になり、支持基板層１３の底面の領域において、他の３つの領域の全てが枠部材２の底面２２に接触しているので、金属線６を半導体層１１の表面にワイヤボンディングすることが可能になる。
【００５０】
図７はこの発明の他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図であり、特に、（Ａ）はマイクロ構造体の断面図であり、（Ｂ）はセンサパッケージの裏面を示す図であり、（Ｃ）は（Ａ）からセンサパッケージを取り除いて緩衝層と枠部材を上から見た図である。
【００５１】
前述の図５に示した実施形態は、支持基板層１３の底面に凹部１３１を形成したのに対して、この実施形態のマイクロ構造体１０ｇは、図７（Ａ）に示す支持基板層１３の緩衝層８に対面する領域を４分割した１つの領域に対応して、緩衝層８上に図７（Ｃ）に示す凹部８１を形成する。そして、凹部８１に図７（Ｂ）に示すダイボンディングペースト４を塗布して支持基板層１３の底面を緩衝層８上にダイボンディングし、他の３つの領域を非接合とする。
【００５２】
この実施形態においても、回路基板などから受ける外部応力による影響を少なくでき、緩衝層８によりセンサパッケージ１の周りからの応力による影響を阻止することができる。また、センサパッケージ１を緩衝層８を介して、枠部材２の凹部２１に水平に配置し、センサパッケージ１の底面の４隅の全てが緩衝層８上で接触しているので、金属線６を半導体層１１の表面にワイヤボンディングすることが可能になる。
【００５３】
なお、上述の説明では、支持基板層１３の底面の４分割した１つの領域内で１箇所のみ枠部材２の底面２２あるいは緩衝層８上にダイボンディングするようにしたが、１つの領域内であれば２箇所以上でダイボンディングすれば、支持基板層１３をより安定して支持できる。
【００５４】
また、上述の説明では、この発明を加速度センサに適用した例について説明したが、その他の角速度センサ，圧力センサ，マイクロホンに適用してもよい。例えば、重錘体１４に代えて振動板であるダイヤフラムを支持基板層１３で支持するものであってもよい。
【００５５】
以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
この発明は、加速度センサ，角速度センサ，圧力センサ，マイクロホンなどのマイクロ構造体に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】この発明の一実施形態におけるマイクロ構造体を示す図である。
【図２】この発明による応力の影響を小さくする原理を説明するための図である。
【図３】この発明の他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図である。
【図４】この発明のさらに他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図である。
【図５】この発明のさらに他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図である。
【図６】この発明のさらに他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図である。
【図７】この発明のさらに他の実施形態におけるマイクロ構造体を示す図である。
【図８】従来のマイクロ構造体を示す図である。
【図９】従来のマイクロ構造体の他の例を示す図である。
【図１０】加速度センサ内のピエゾ抵抗素子によって形成されるブリッジ回路を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５８】
１  センサパッケージ、２  枠部材、３  蓋部材、４  ダイボンディングペースト、５  金属パッド、６  金属線、７  絶縁層、８  緩衝層、１０，１０ａ〜１０ｇ  マイクロ構造体、１１  半導体層、１２  埋め込み絶縁層、１３  支持基板層、１４  重錘体、２１，２４，８１，１３１  凹部、２２  底面、２３段差部、１１１〜１１４  ビーム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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