(57)【要約】【課題】  チップ型絶縁基板２の上面に抵抗膜５を形成し，この抵抗膜の両端に対する端子電極３を，前記絶縁基板の上面に形成した上面電極４と，前記絶縁基板の端面２ａに形成した側面電極７と，これら上面電極及び側面電極に形成した半田付け用金属メッキ層８とによって構成して成るチップ抵抗器において，耐腐食性を向上する。【解決手段】  前記側面電極７を耐硫化性を有する金属による薄膜にて形成して，この側面電極と一体の金属による薄膜７′にて前記上面電極４の表面を覆うように構成し，前記側面電極７及びこの金属による薄膜７′の表面に，前記半田付け用金属メッキ層８を形成する。【選択図】                    図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ型にした絶縁基板の上面に抵抗膜を形成し，この抵抗膜の両端に対する端子電極を，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜に電気的に繋がるように形成した上面電極と，前記絶縁基板の端面に前記上面電極に電気的に繋がるように形成した側面電極と，これら上面電極及び側面電極に形成した半田付け用金属メッキ層とによって構成して成るチップ抵抗器において，
前記側面電極を耐硫化性を有する金属による薄膜にて形成して，この側面電極と一体の金属による薄膜にて前記上面電極の表面を覆うように構成し，前記側面電極及びこの金属による薄膜の表面に，前記半田付け用金属メッキ層を形成することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
前記請求項１の記載において，前記側面電極としての金属による薄膜が，銅又はニッケルによる薄膜であることを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
一つのチップ抵抗器を構成する絶縁基板の多数個を一体化して成る素材基板を製作する工程，
前記素材基板における表面のうち各絶縁基板の個所に，抵抗膜，及びこの両抵抗膜両端の上面電極，並びに前記抵抗膜を覆うカバーコートを各々形成する工程，
前記素材基板に，当該素材基板を前記絶縁基板の複数個が一列に並ぶ棒状の素材基板ごとに分けるための第１スリット溝をタイシング加工にて刻設する工程，
前記第１スリット溝における左右両内側面に，側面電極としての耐硫化性を有する金属による薄膜を，当該金属による薄膜にて前記上面電極を覆うように形成する工程，
前記素材基板に，前記第１スリット溝と直交する方向に延びる第２スリット溝をタイシング加工にて刻設することによって，多数個の絶縁基板ごとに分割する工程，
前記各絶縁基板に対して，前記金属による薄膜における表面に半田付け用金属メッキ層を形成するためのメッキ処理を行う工程，
とを備えていることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
前記請求項３の記載において，側面電極としての金属による薄膜を形成する工程が，銅又はニッケルによる無電解メッキ処理であることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，チップ型にした絶縁基板に，少なくとも一つの抵抗膜と，その両端に対する端子電極と，前記抵抗膜を覆うカバーコートとを形成して成る構成のチップ抵抗器と，このチップ抵抗器を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に，この種のチップ抵抗器は，絶縁基板の上面に抵抗膜を形成し，この抵抗膜の両端に対する端子電極を，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜に電気的に繋がるように形成した上面電極と，前記絶縁基板の端面に前記上面電極に電気的に繋がるように形成した側面電極と，これら上面電極及び側面電極の表面に形成した半田付け用の金属メッキ層とによって構成している。
【０００３】
この場合，従来のチップ抵抗器においては，前記端子電極のうち上面電極を，当該端子電極における比抵抗を低くすることのために，電気抵抗の低い銀を主成分とする導電性ペーストにて形成している。
【０００４】
また，従来，前記チップ抵抗器の製造に際しては，前記絶縁基板の多数個を一体化して成る素材基板を使用し，この素材基板における表面のうち各絶縁基板の個所に，抵抗膜及びその両端に対する端子電極並びに前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成し，次いで，前記素材基板を，前記各絶縁基板ごとにブレイク（割る）という方法を採用していたが，素材基板を，各絶縁基板ごとにブレイク（割る）という方法では，前記絶縁基板における長さ寸法及び幅寸法を一定に揃えることができないのであった。
【０００５】
そこで，先行技術としての特許文献１は，前記したチップ抵抗器の製造に際し，前記絶縁基板の多数個を一体化して成る素材基板を使用し，この素材基板における表面のうち各絶縁基板の個所に，抵抗膜，及びこの両抵抗膜両端の上面電極，並びに前記抵抗膜を覆うカバーコートを形成し，次いで，前記素材基板に，当該素材基板を前記絶縁基板の複数個が一列に並ぶ棒状の素材基板ごとに分けるための第１スリット溝をダイシング加工にて刻設し，この第１スリット溝における左右両内側面に，前記各絶縁基板の端面に対する側面電極を形成し，更に，半田付け用の金属メッキ層を，前記上面電極及び側面電極に重ねて形成したのち，前記素材基板に，ダイシング加工による第２スリット溝を，前記第１スリット溝と直交する方向に延びるように刻設することによって，前記棒状の素材基板を複数個の絶縁基板，つまり，複数個のチップ抵抗器ごとに分割するという製造方法を提供している。
【特許文献１】特開２００１−２３７１１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし，従来は，抵抗膜の両端の端子電極における上面電極を，銀を主成分とする導電性ペーストにて形成しており，この上面電極には，当該上面電極の表面に半田付けのための金属メッキ層が形成されているといえども，大気空気中の硫化水素等の硫黄ガスによって銀が硫化銀になるというように，硫黄成分等によってマグレーション等の腐食が発生することになって，この上面電極の断線に至るという不具合がある。
【０００７】
また，前記した先行技術の製造方法は，素材基板を，縦及び横方向にダイシング加工することによって，多数個のチップ抵抗器ごとに分割するものであるから，前記従来のブレイク（割る）という方法に比べて，長さ寸法及び幅寸法を一定に揃えることができ，しかも，各チップ抵抗器への分割の前に並べ替えを必要としない等の利点を有する。
【０００８】
しかし，その反面，前記上面電極及び前記側面電極を形成し，更に，この上面電極及び側面電極に対して半田付け用の金属メッキ層を形成した後において，ダイシング加工による第２スリット溝の刻設にて，各チップ抵抗器ごとに分割するものであることにより，前記第２スリット溝をダイシング加工にて刻設するときに前記半田付け用の金属メッキ層を切断しなければならないから，前記ダイシング加工による切断面に，前記半田付け用の金属メッキ層を切断するときにおいてバリが必然的に発生することになる。
【０００９】
つまり，先行技術の製造方法においては，複数湖のチップ抵抗器に分割した後において，両端子電極における半田付け用金属メッキ層に発生するバリを除去する工程を，別に付加しなければならないことに加えて，このバリを除去するときにおいて，金属メッキ層の一部が剥げ落ちて不良品になる頻度が大きく，換言すると，不良品の発生率が高くなるから，製造コストが可成りアップするという問題があった。
【００１０】
本発明は，これらの問題を解消したチップ抵抗器と，その製造方法とを提供することを技術的課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この技術的課題を達成するため本発明のチップ抵抗器は，請求項１に記載したように，「チップ型にした絶縁基板の上面に抵抗膜を形成し，この抵抗膜の両端に対する端子電極を，前記絶縁基板の上面に前記抵抗膜に電気的に繋がるように形成した上面電極と，前記絶縁基板の端面に前記上面電極に電気的に繋がるように形成した側面電極と，これら上面電極及び側面電極に形成した半田付け用金属メッキ層とによって構成して成るチップ抵抗器において，
前記側面電極を耐硫化性を有する金属による薄膜にて形成して，この側面電極と一体の金属による薄膜にて前記上面電極の表面を覆うように構成し，前記側面電極及びこの金属による薄膜の表面に，前記半田付け用金属メッキ層を形成する。」
ことを特徴としている。
【００１２】
また，本発明のチップ抵抗器は，請求項２に記載したように，
「前記請求項１の記載において，前記側面電極としての金属による薄膜が，銅又はニッケルによる薄膜である。」
ことを特徴としている。
【００１３】
次に，本発明の製造方法は，請求項３に記載したように，
「一つのチップ抵抗器を構成する絶縁基板の多数個を一体化して成る素材基板を製作する工程，
前記素材基板における表面のうち各絶縁基板の個所に，抵抗膜，及びこの両抵抗膜両端の上面電極，並びに前記抵抗膜を覆うカバーコートを各々形成する工程，
前記素材基板に，当該素材基板を前記絶縁基板の複数個が一列に並ぶ棒状の素材基板ごとに分けるための第１スリット溝をダイシング加工にて刻設する工程，
前記第１スリット溝における左右両内側面に，側面電極としての耐硫化性を有する金属による薄膜を，当該金属による薄膜にて前記上面電極を覆うように形成する工程，
前記素材基板に，前記第１スリット溝と直交する方向に延びる第２スリット溝をダイシング加工にて刻設することによって，多数個の絶縁基板ごとに分割する工程，
前記各絶縁基板に対して，前記金属による薄膜における表面に半田付け用金属メッキ層を形成するためのメッキ処理を行う工程，
とを備えている。」
ことを特徴としている。
【００１４】
また，本発明の製造方法は，請求項４に記載したように，                          「前記請求項３の記載において，側面電極としての金属による薄膜を形成する工程が，銅又はニッケルによる無電解メッキ処理である。」
ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に記載したように，抵抗膜の両端の端子電極のうち側面電極を，耐硫化性を有する金属による薄膜にて形成して，この金属による薄膜にて，前記端子電極のうち上面電極の表面を覆うように構成することにより，前記上面電極を，電気抵抗の低い銀を主成分とする導電性ペーストにて形成した場合において，この上面電極に大気空気によって硫化腐食が発生することを，前記金属による薄膜にて効果的に抑制することができるから，チップ抵抗器における耐腐食性を確実に向上できる。
【００１６】
特に，前記金属による薄膜を，請求項２に記載したように，銅又はニッケルによる薄膜に構成することにより，コストをアップを招来することなく，腐食の発生を確実に抑制することができる。
【００１７】
次に，本発明の製造方法によると，前記請求項１の記載した構成のチップ抵抗器の複数個を，一枚の素材基板から同時に製造することができる。
【００１８】
しかも，本発明の製造方法は，側面電極として金属による薄膜を形成し，この金属による薄膜を形成した段階において，ダイシング加工によって，各絶縁基板ごとに分割し，そして，このダイシング加工にて分割した後において，前記各絶縁基板に対してメッキ処理を施すによって，前記金属による薄膜の表面に，半田付け用金属メッキ層を形成するものであることにより，ダイシング加工によって各絶縁基板ごとに分割する場合に，そのダイシング加工による切断面に，半田付け用金属メッキ層によるバリが発生することを確実に回避できる。
【００１９】
つまり，各絶縁基板ごとに分割したあとにおいて，バリ取り処理を必要としないから，その分だけ製造工程が簡単になることに加えて，バリ取りに際しての不良品が発生がなく，換言すると，不良品を発生率が低くなり，製造コストを大幅に低減できる。
【００２０】
特に，請求項４に記載したようにすることにより，耐腐食性を向上したチップ抵抗器を，更に低コストで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下，本発明の実施の形態を図面について説明する。
【００２２】
本発明の実施の形態による製造方法は，以下に述べる工程を備えている。
【００２３】
第１の工程において，図１に示すよように，セラミックによる素材基板Ａを製造する。この素材基板Ａは，後述する一つのチップ抵抗器１を構成する絶縁基板２の複数個を縦及び横方向に並べて一体化するとともに，その周囲に余白部Ａ１を一体化して成る構成である。
【００２４】
なお，この素材基板Ａは，後述するように，前記各絶縁基板２の間における横方向の切断線Ａ２及び縦方向の切断線Ａ３に沿ってダイシング加工することによって，前記各絶縁基板２ごとに分割される。
【００２５】
次いで，第２の工程において，図２に示すように，前記素材基板Ａの上面のうち前記各絶縁基板２の個所に，一対の上面電極４を，銀を主成分とする導電性ペーストのスクリーン印刷による塗布とその後における焼成にて形成する。
【００２６】
次いで，第３の工程において，図３及び図４に示すように，前記素材基板Ａの上面のうち前記各絶縁基板２の個所に，両端が前記両上面電極３に重なるようにして電気的に接続する抵抗膜５を，その材料ペーストのスクリーン印刷による塗布とその後における焼成にて形成する。
【００２７】
この場合，別の製造方法においては，抵抗膜５の方を先に形成し，次いで，両上面電極４を形成するようにしても良い。
【００２８】
次いで，第３の工程において，図５及び図６に示すように，前記素材基板Ａの上面のうち前記各絶縁基板２の個所に，前記抵抗膜５の全体を覆うガラス等によるカバーコート６を，材料のスクリーン印刷による塗布とその後における乾燥・硬化処理又は焼成にて形成する。
【００２９】
次いで，第４の工程において，図７及び図８に示すように，前記素材基板Ａのうち各横方向の切断線Ａ２の部分に，ダイシング加工による第１のスリット溝Ａ４を，横方向の切断線Ａ２に沿って延びるように刻設することにより，前記素材基板Ａを，前記各横方向の切断線Ａ２間における棒状素材基板Ａ５ごとに分割する。
【００３０】
この場合，前記各棒状素材基板Ａ５は，前記素材基板Ａに対してその外周における余白部Ａ１において一体的に繋がっている。
【００３１】
次いで，第５の工程において，図９に示すように，前記各絶縁基板２の上面に，当該上面におけるカバーコート６を覆うマスクフィルムＢ１を貼着する一方，前記各絶縁基板２の下面に，当該下面のうち中央の部分を覆うマスクフィルムＢ２を貼着する。
【００３２】
次いで，第６の工程において，前記素材基板Ａの全体に対して，その全表面に銅の薄膜を形成するという無電解メッキ処理を施したのち，前記両マスクフィルムＢ１，Ｂ２を剥離する。
【００３３】
これにより，図１０に示すように，前記各第１スリット溝Ａ４における左右両内側面，つまり，前記各絶縁基板２における左右両端面２ａに，銅の薄膜による側面電極７を形成することができる。
【００３４】
これと同時に，前記絶縁基板２の上面における左右両端部に，前記側面電極７と一体の銅の薄膜７′を，上面電極４の全体を覆うように形成することができるとともに，前記絶縁基板２の下面における一部に，前記側面電極７と一体の銅の薄膜７″を形成することができる。
【００３５】
この場合，別の製造方法においては，前記素材基板Ａに対してニッケルによる無電解メッキ処理を施すことにより，前記側面電極７を，ニッケルによる薄膜にすることに加えて，絶縁基板２の上面及び下面における薄膜７′，７″を，ニッケルによる薄膜に構成しても良い。
【００３６】
次いで，第７の工程において，図１１及び図１２に示すように，前記素材基板Ａのうち各縦方向の切断線Ａ３の部分に，ダイシング加工による第２のスリット溝Ａ６を，縦方向の切断線Ａ３に沿って延びるように刻設することにより，前記素材基板Ａを，多数個の各絶縁基板２ごとに分割する。
【００３７】
次いで，前記各絶縁基板２に対して，例えば，バレルメッキ処理等のメッキ処理を施すことにより，前記銅の薄膜による側面電極７の表面，前記絶縁基板２の上面及び下面を覆う銅の薄膜７′，７″の表面に，ニッケルのメッキ層を下地として，半田メッキ層又は錫メッキ層とから成る半田付け用の金属メッキ層８を形成する。
【００３８】
この場合，前記側面電極７，前記絶縁基板２の上面及び下面を覆う薄膜７′，７″が，ニッケルであるときには，このニッケルによる薄膜の表面に対して，半田メッキ層又は錫メッキ層による半田付け用の金属メッキ層８を直接に形成する。
【００３９】
このように製造されたチップ抵抗器１は，図１３及び図１４に示す構成である。
【００４０】
すなわち，チップ型にした絶縁基板２における上面には，その左右両端に，端子電極３の一部を構成する一対の上面電極４が形成され，この両上面電極４の間の部分に，抵抗膜５がその両端の一部が前記両上面電極４の一部に重なり接続するように形成されている。
【００４１】
また，前記絶縁基板２の上面には，前記抵抗膜５を覆うガラス等によるカバーコート６が形成されている。
【００４２】
更にまた，前記絶縁基板２における左右両端面２ａには，前記端子電極３をの一部を構成する側面電極７が，銅又はニッケルの薄膜として形成され，前記絶縁基板２における上面の両端部には，前記側面電極７と一体の銅又はニッケルの薄膜７′が, 前記上面電極３の全体を覆うように形成されている一方，前記絶縁基板２の下面における両端部にも，前記側面電極７と一体の銅又はニッケルの薄膜７″が形成されている。
【００４３】
そして，前記銅又はニッケルの薄膜による側面電極７の表面，前記絶縁基板２の上面及び下面を覆う銅又はニッケルの薄膜７′，７″の表面には，半田メッキ層又は錫メッキ層による半田付け用の金属メッキ層８が形成され，前記上面電極４，前記側面電極７，前記絶縁基板２の上面及び下面を覆う銅又はニッケルの薄膜７′，７″，及び前記半田付け用の金属メッキ層８にて，前記抵抗膜５の両端に対する端子電極４を構成している。
【００４４】
この構成において，抵抗膜５の両端に対する端子電極３のうち側面電極７を，耐硫化性を有する銅又はニッケルによる薄膜にて形成して，この側面電極７と一体の銅又はニッケルによる薄膜７′にて，前記端子電極３のうち上面電極４の表面を覆うように構成していることにより，前記上面電極４を，電気抵抗の低い銀を主成分とする導電性ペーストにて形成した場合において，この上面電極４に大気空気によって硫化腐食が発生することを，この上面電極４の全体を覆う前記銅又はニッケルによる薄膜７′にて確実に抑制することができる。
【００４５】
一方，前記した製造方法においては，側面電極７として銅又はニッケルによる薄膜を形成し，この銅又はニッケルによる薄膜を形成した段階において，ダイシング加工による第２のスリット溝Ａ６を刻設することによって，各絶縁基板２ごとに分割し，そして，この第２のスリット溝Ａ６をダイシング加工にて刻設するとで分割した後において，前記各絶縁基板２に対してメッキ処理を施すによって，前記側面電極７，及び前記絶縁基板２の上面及び下面を覆う銅又はニッケルの薄膜７′，７″の表面に，半田付け用金属メッキ層８を形成するものであることにより，前記第２のスリット溝Ａ６を刻設するためのダイシング加工によって各絶縁基板２ごとに分割する場合に，そのダイシング加工による切断面に，図１４に二点鎖線で示すように，半田付け用金属メッキ層によるバリＤが発生することを確実に回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１の工程を示す斜視図である。
【図２】第２の工程を示す斜視図である。
【図３】第３の工程を示す斜視図である。
【図４】図３のIV−IV視拡大断面図である。
【図５】第４の工程を示す斜視図である。
【図６】図５のVI−VI視拡大断面図である。
【図７】第５の工程を示す斜視図である。
【図８】図７のVIII−VIII視拡大断面図である。
【図９】第６の工程を示す断面図である。
【図１０】第７の工程を示す断面図である。
【図１１】第８の工程を示す斜視図である。
【図１２】図１１のXII −XII 視拡大断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態によるチップ抵抗器の縦断正面図である。
【図１４】図１３の平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１                  チップ抵抗器
２                  絶縁基板
３                  端子電極
４                  上面電極
５                  抵抗膜
６                  カバーコート
７                  側面電極
７′，７″          金属の薄膜
８                  半田付け用の金属メッキ層
Ａ                  素材基板
Ａ１                余白部
Ａ２                横方向の切断線
Ａ３                縦方向の切断線
Ａ４                第１のスリット溝
Ａ５                棒状素材基板
Ａ６                第２のスリット溝
Ｂ１，Ｂ２          マスクフィルム
【図１】
2006253368.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2006253368.tif 000013
【図１２】
2006253368.tif 000014
【図１３】
2006253368.tif 000015
【図１４】
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