(57)【要約】  【課題】  ボンディングワイヤにおける反射損失を低減し、外部電気回路の特性に影響を与えることを防ぐ半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供すること。  【解決手段】  上面の中央部に半導体素子Ｓの搭載部１ａを有するとともに搭載部１ａの周辺に上面から下面にかけて形成された貫通孔１ｂを有する金属基板１と、貫通孔１ｂに挿通され、少なくとも下端部が貫通孔１ｂから突出するように封止材２を介して固定されるとともに上端部が半導体素子Ｓの電極に電気的に接続されるリード端子３とを具備している半導体素子収納用パッケージにおいて、金属基板１の上面で、貫通孔１ｂの近傍に、接地電位に接続された上、リード端子３の上端部と並んで立設される導電性の突起部７を形成した。【選択図】  図１
2006179775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面の中央部に半導体素子の搭載部を有するとともに該搭載部の周辺に前記上面から下面にかけて形成された貫通孔を有する金属基板と、前記貫通孔に挿通され、少なくとも下端部が前記貫通孔から突出するように封止材を介して固定されるとともに上端部が前記半導体素子の電極に電気的に接続されるリード端子とを具備している半導体素子収納用パッケージにおいて、前記金属基板の上面で、前記貫通孔の近傍に、接地電位に接続された上、前記リード端子の上端部と並んで立設される導電性の突起部を形成したことを特徴とする半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
前記突起部を平面視して円弧状としたことを特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
前記突起部を前記リード端子の周囲に全周にわたって取り囲むように形成したことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体素子収納用パッケージと、前記搭載部に搭載するとともに電極を前記リード端子に電気的に接続した半導体素子と、前記半導体素子を覆う封止部材とを具備していることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信分野等に用いられる光半導体素子等の半導体素子を収納するための半導体素子収納用パッケージおよびそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、40ｋｍ以下の伝送距離における高速通信に対する需要が急激に増加しており、高速大容量な情報伝送に関する研究開発が進められている。とりわけ、光通信装置を用いて光信号を受発信する半導体装置等の高速化が注目されており、半導体装置による光信号の高出力化と高速化が伝送容量を向上させるための課題として研究開発されている。
【０００３】
従来の半導体装置の光出力は0.2〜0.5ｍＷ程度であり、半導体素子の駆動電力は５ｍＷ程度であった。しかし、より大出力の半導体装置では、光出力が１ｍＷのレベルになってきており、また、半導体素子の駆動電力も10ｍＷ以上が要求されている。さらに、従来の半導体装置による伝送容量は2.5Ｇｂｐｓ程度であったが、近年10Ｇｂｐｓ程度まで向上してきており、半導体装置をより高出力化させ、高速化させることが要求されている。
【０００４】
従来の光通信装置に用いられているＬＤ（Laser Diode:レーザダイオード）やＰＤ（Photo Diode:フォトダイオ−ド）等の光半導体素子を含む半導体素子を収納する半導体素子収納用パッケージ（以下、単にパッケージともいう）およびこれを用いた半導体装置を図７、図８に示す。ここで図７は、半導体装置の蓋体を外した状態でのパッケージ内側から見た平面図、図８は図７のパッケージのＡ−Ａ’線断面図である。
【０００５】
従来のパッケージは、上面の中央部に半導体素子Ｓ’の搭載部11ａを有するとともにこの搭載部11ａの周辺に上面から下面にかけて形成された直径0.5〜２ｍｍの貫通孔11ｂを有する鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）−コバルト（Ｃｏ）合金やＦｅ−マンガン（Ｍｎ）合金等の金属から成る円板状の金属基板11と、貫通孔11ｂに挿通され、少なくとも下端部が貫通孔11ｂから突出するように封止材12を介して固定され、上端部が半導体素子Ｓ’の電極に電気的に接続されるＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成るリード端子13と、他の貫通孔11ｂに挿通されるとともに金属基板11に電気的に接続された接地用リード端子13ａとを具備している。
【０００６】
そして、このパッケージの搭載部11aに搭載に半導体素子Ｓ’を搭載するとともに、その電極をリード端子13の上端部に電気的に接続し、半導体素子Ｓ’を覆うように金属基板11の上面に蓋体16を接合することにより半導体装置となる。
【０００７】
なお、金属基板11とリード端子13との接合はホウケイ酸を主成分とする絶縁ガラスを介して行なわれ、絶縁ガラスによって金属基板11とリード端子13とが電気的に絶縁されている。接地用リード端子13ａは金属基板11に銀（Ａｇ）−銅（Ｃｕ）等の高融点ロウ材によりロウ付け固定され、外部電気回路（図示せず）の接地導体層と鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）半田などの半田材にて電気的に接続される。また、半導体素子Ｓ’は、金属基板11に200〜400℃の融点を有する金（Ａｕ）−Ｓｎ等の低融点ロウ材によりロウ付け固定され、半導体素子Ｓ’の電極がボンディングワイヤ14を介してリード端子13に電気的に接続される。
【０００８】
また、金属基板11の上面には、外周端から幅１ｍｍ以内の外周部に、半導体素子Ｓ’の保護を目的として、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金等から成る蓋体16がＹＡＧレーザ溶接、シーム溶接またはロウ付け等接合されることにより製品としての半導体装置となる。
【０００９】
なお、この蓋体16には図８に示すように、半導体素子Ｓ’と対向する部分に光ファイバ15を固定したり、半導体素子Ｓ’と対向する部分に光を透過させる窓を設けたりすることもある。
【００１０】
この半導体装置は大容量の光通信等に使用され、外部電気回路（図示せず）から供給される駆動信号によって半導体素子Ｓ’を光励起させ、励起された光を戻り光防止用の光アイソレータ（図示せず）を介して光ファイバ15に授受させるとともに光ファイバ15内に伝達させる。そして、40ｋｍ以下の伝送距離における2.5Ｇｂｐｓ（Giga bit per second）以下の伝送容量の通信に多用されている。
【特許文献１】特開平８−130266号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来のパッケージに、10ＧＨｚ以上の高周波信号で駆動される半導体素子Ｓ’を搭載し、駆動しようとすると、半導体素子Ｓ’のボンディングワイヤ14における誘導成分が大きくなり、ボンディングワイヤ14における反射損失が増大し、半導体素子Ｓ’が誤動作するという問題点があった。
【００１２】
これは、従来のパッケージでは、ボンディングワイヤ14における特性インピーダンスが他の部位における特性インピーダンスの値から大きめにずれて、誘導成分をもつためである。
【００１３】
従って、本発明は上記従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、ボンディングワイヤにおける反射損失を低減し、外部電気回路の特性に影響を与えることを防ぐ半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の半導体素子収納用パッケージは、上面の中央部に半導体素子の搭載部を有するとともに該搭載部の周辺に前記上面から下面にかけて形成された貫通孔を有する金属基板と、前記貫通孔に挿通され、少なくとも下端部が前記貫通孔から突出するように封止材を介して固定されるとともに上端部が前記半導体素子の電極に電気的に接続されるリード端子とを具備している半導体素子収納用パッケージにおいて、前記金属基板の上面で、前記貫通孔の近傍に、接地電位に接続された上、前記リード端子の上端部と並んで立設される導電性の突起部を形成したことを特徴とする。
【００１５】
また本発明の半導体素子収納用パッケージにおいて、好ましくは前記突起部を平面視して円弧状としたことを特徴とする。
【００１６】
また本発明の半導体素子収納用パッケージにおいて、好ましくは前記突起部を前記リード端子の周囲に全周にわたって取り囲むように形成したことを特徴とする。
【００１７】
また本発明の半導体装置は、本発明の半導体素子収納用パッケージと、前記搭載部に搭載するとともに電極を前記リード端子に電気的に接続した半導体素子と、前記半導体素子を覆う封止部材とを具備していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、金属基板の上面で、貫通孔の近傍に、接地電位に接続された上、リード端子の上端部と並んで立設される導電性の突起部を形成したことから、突起部が半導体素子の接地用電極の電位と近似し、リード端子の上端部とボンディングワイヤとの接続部の接地電位を突起部によって強化することができ、伝送特性を良好にすることができる。また、この突起部を直接、半導体素子の接地用電極にボンディングワイヤで電気的に接続することにより、突起部と半導体素子の接地用電極との電位差がきわめて小さくなり、リード端子の上端部とボンディングワイヤとの接続部に対する接地電位をより強化することができる。
【００１９】
これにより、リード端子と半導体素子とを電気的に接続するボンディングワイヤにて発生する誘導成分を低減し、ボンディングワイヤでの特性インピーダンスを他の部位の特性インピーダンスの値に近づけることができ、ボンディングワイヤにおける反射損失を低減し、外部電気回路の特性に影響を与えることを防ぐことができる。
【００２０】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、突起部を平面視して円弧状としたことから、リード端子の上端部とボンディングワイヤとの接続部に対し、より良好に突起部で接地電位の強化を行なうことができ、より反射損失を低減し、外部電気回路の特性に影響を与えることを防ぐことができる。
【００２１】
本発明の半導体素子収納用パッケージによれば、突起部をリード端子の周囲に全周にわたって取り囲むように形成したことから、リード端子の上端部とボンディングワイヤとの接続部を同軸状に突起部で取り囲むことによって接地電位を極めて良好に強化することができ、伝送特性をきわめて高くすることができる。
【００２２】
本発明の半導体装置によれば、上記の半導体素子収納用パッケージと、搭載部に搭載するとともに電極をリード端子に電気的に接続した半導体素子と、半導体素子を覆う封止部材とを具備していることから、高周波信号によって半導体装置が駆動されても、高周波信号がボンディングワイヤにて反射されて、半導体素子が誤動作するような影響を与えることのない半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置について添付の図面に基づいて詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の実施の形態の一例として、半導体素子に光半導体素子を用いた光半導体素子収納用パッケージおよび光半導体装置を示す図であり、ここで図１は、半導体装置の蓋体を外した状態でのパッケージ内側から見た平面図、図２は図１の半導体装置のＡ−Ａ’線断面図、図３は図１の半導体装置のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００２５】
これらの図において、１は金属基板、１ａは半導体素子の搭載部、２は封止材、３はリード端子、７は突起部であり、これらで本発明のパッケージが基本的に構成される。また、このパッケージと半導体素子Ｓと蓋体６とで本発明の半導体装置が基本的に構成される。
【００２６】
なお、図１、図２および図３には、１個の半導体素子Ｓを搭載し、４つの貫通孔１ｂを形成した例を示しているが、複数の半導体素子Ｓを搭載してもよい。また、貫通孔１ｂも４つに限らず、４つ以上あるいは４つ以下でもよい。
【００２７】
金属基板１は、上面の中央部に半導体素子Ｓの搭載部１ａを有するとともに搭載された半導体素子Ｓが発生する熱をパッケージの外部に放散する機能を有し、搭載部１ａの周辺には上面から下面にかけて形成された直径1.15〜2.65ｍｍの貫通孔１ｂを有する。また、金属基板１の形状は、例えば直径3.0〜6.0ｍｍの円板状，半径1.5〜8.0ｍｍの円周の一部を切り取った半円板状，一辺3.0〜15ｍｍの四角板状等で、厚みが0.5〜２ｍｍの平板状である。
【００２８】
このような金属基板１は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｍｎ合金等の金属から成り、例えば金属基板１がＦｅ−Ｍｎ合金から成る場合は、このインゴット（塊）に圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって所定形状に製作される。
【００２９】
また、金属基板１の表面には耐食性に優れ、ロウ材との濡れ性に優れた厚さ0.5〜９μｍのＮｉ層と厚さ0.5〜５μｍのＡｕ層とをめっき法により順次被着させておくのがよい。これにより、金属基板１が酸化腐食するのを有効に防止するとともに各部品を金属基板１に良好にロウ付けすることができる。
【００３０】
なお、金属基板１の厚みは0.5ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。厚みが0.5ｍｍ未満の場合、後述する蓋体６を金属基体１の上面に接合する際に、接合温度等の接合条件により金属基板１が曲がったりして変形し易くなり、厚みが２ｍｍを超えると、パッケージや半導体装置の厚みが不要に厚いものとなり小型化し難くなる。
【００３１】
金属基板１に形成された貫通孔１ｂには、リード端子３が挿通され、少なくとも下端部が貫通孔１ｂから突出するように封止材２を介して固定される。リード端子３の金属基板１の上端部は、半導体素子Ｓの電極にボンディングワイヤ４を介して電気的に接続されることによって、リード端子３は半導体素子Ｓと外部電気回路（図示せず）との間の入出力信号を伝送する機能をなす。なお、リード端子３は、少なくとも下端部が貫通孔１ｂから１〜20ｍｍ程度突出するように封止材２を介して固定され、上端部は貫通孔１ｂから０〜２ｍｍ程度突出する。
【００３２】
リード端子３の上端部は半導体素子Ｓの電極に電気的に接続されるので、貫通孔１ｂは搭載部１ａの周辺の近い位置に配置され、例えば搭載部１ａから平面視距離で0.1〜５ｍｍの位置に形成される。貫通孔１ｂが搭載部１ａの周辺の近い位置に配置されると、半導体素子Ｓの電極に接続するボンディングワイヤ４の長さを短くできるので、ボンディングワイヤ４での誘導成分の影響を小さくすることができる。
【００３３】
リード端子３は、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等の金属から成り、例えばリード端子３がＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る場合は、このインゴット（塊）を圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって、長さが1.5〜22ｍｍ、直径が0.1〜１ｍｍの線状に製作される。
【００３４】
封止材２は、ガラスやセラミックスなどの無機材料から成り、リード端子３と金属基板１との絶縁間隔を確保するとともに、リード端子３を金属基板１の貫通孔１ｂに固定する機能を有す。
【００３５】
そして、封止材２がガラスから成る場合は、内径がリード端子３の外径より大きく、外径が金属基板１の貫通孔１ｂの内径より小さい筒状に成形された封止材２を貫通孔１ｂに挿入し、リード端子３をこの封止材２に挿通し、しかる後、所定の温度に加熱して封止材２を溶融させることにより、リード端子３が同軸状とされて封止材２に埋め込まれるとともに貫通孔１ｂに挿通されたリード端子３が貫通孔１ｂに気密に固定された本発明のパッケージが製作される。
【００３６】
本発明のパッケージによれば、金属基板１の上面で、貫通孔１ｂの近傍に、接地電位に接続された上、リード端子３の上端部と並んで立設される導電性の突起部７を形成したことにより、半導体素子Ｓとリード端子３とを電気的に接続するボンディングワイヤ４の近傍に接地用のボンディングワイヤを突起部７と半導体素子Ｓに配置することができる。一般的にボンディングワイヤ７は誘導成分が高く、特性インピーダンスが大きめにずれる。この誘導成分を低減させるために、接地用のボンディングワイヤを近傍に配置し、誘導成分を低減させる。
【００３７】
本発明の突起部７は金属基板１の上面で貫通孔１ｂの近傍に接地電位と接続されるように設けられている。この近傍とはリード端子３と電気的影響を与えることのできる範囲であり、具体的には、リード端子３と突起部７との間の間隔が0.05〜１ｍｍであるのがよい。１ｍｍを超えるとリード端子３に対する接地電位の強化が困難になりやすい。また、0.05ｍｍ未満では、リード端子３と突起部７とが接触しやすくなる。
【００３８】
突起部７はＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金やＦｅ−Ｎｉ合金等から成り、金属基板１に200〜400℃の融点を有するＡｕ−Ｓｎ等のロウ材によりロウ付けされて固定される。好ましくはその上端部を半導体素子Ｓの接地用電極にボンディングワイヤ４を介して電気的に接続するのがよい。突起部７は金属基板１とインゴット（塊）を圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって、一体とする形状でもよい。
【００３９】
半導体素子Ｓは、搭載部１ａに200〜400℃の融点を有するＡｕ−Ｓｎ等のロウ材によりロウ付けされて固定され、しかる後、その電極をボンディングワイヤ４を介してリード端子３の上端部に電気的に接続される。半導体素子Ｓとしては、ＬＤ（レーザーダイオード）やＰＤ（フォトダイオ−ド），等の例が挙げられる。
【００４０】
そして、金属基板１の上面の外周端から幅１ｍｍ程度以内の外周部に、Ｆｅ−Ｎｉ合金や、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｍｎ合金等から成る、蓋体６をＹＡＧレーザ溶接，シーム溶接またはロウ付け等で接合することにより半導体素子Ｓを気密に封止し、半導体装置となる。
【００４１】
このような蓋体６は、半導体素子Ｓと対向する部位に光ファイバ５と戻り光防止用の光アイソレータ（図示せず）とが樹脂接着剤で接着されていてもよい。あるいは、半導体素子Ｓと対向する部位に光を透過させる窓が形成されていてもよい。
【００４２】
さらには、光を透過させるための窓を有する蓋体６と光ファイバ５を固定した蓋体６とを複数接合させてもよい。
【００４３】
また、蓋体６の窓には、平板やボールレンズ、非球面レンズなどの各種形状の窓部材が低融点ガラス等により接合されてもよい。この窓部材により半導体素子Ｓから発光される光を集光させることができる。
【００４４】
蓋体６は、例えばＦｅ−Ｍｎ合金から成る場合は、このインゴット（塊）を圧延加工や打ち抜き加工等の従来周知の金属加工方法を施すことによって製作される。
【００４５】
本発明の半導体装置によれば、上記の本発明の半導体素子収納用パッケージを具備することから、10ＧＨｚ以上の高周波信号において半導体装置が駆動されても、蓋体６から高周波信号が電磁波となって不要輻射されるのを抑止し、この電磁波が半導体装置の周辺に配置された外部電気回路の信号波形に歪みを発生させることを抑止するので、外部電気回路の特性に影響を与えることのない半導体装置とすることができる。
【００４６】
かくして、本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置によれば、金属基板１の貫通孔１ｂにリード端子３に同軸状とされて封止材２に埋め込まれた金属製の筒状部材４が金属基板１と封止材２を介して絶縁されるように固定されることから、10ＧＨｚ以上の高周波信号において半導体装置が駆動されても、リード端子３に流れる高周波信号の電荷による高周波電流によって誘起された高周波電流が金属基板１や蓋体６に流れるのを防ぐことができ、この高周波電流が蓋体６から電磁波として放射されて、半導体装置の周辺に配置された外部電気回路に流れる信号波形が歪むことを抑止するので、外部電気回路を安定して動作させることができる半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置となる。
【実施例】
【００４７】
本発明の半導体装置と比較用の試料とを作製して結果を比較した。
【００４８】
本発明の半導体装置となる評価用の半導体装置を以下のように作製した。まず、Ｆｅ99.6％−Ｍｎ0.4％系のＳＰＣ（Steel Plate Cold）材から成る厚み1.0ｍｍ×直径5.6ｍｍの板材に厚み1.5ｍｍ×直径3.0ｍｍの円柱状の搭載部１ａを切削加工により設けた金属基板１の中央部に、打ち抜き加工により直径0.7ｍｍの貫通孔１ｂを形成した。そして、金属基板１の貫通孔１ｂに長さ1.0ｍｍ×内径0.3ｍｍ×外径0.7ｍｍの筒状に成形した低融点ガラスから成る封止材２にＦｅ68％−Ｎｉ42％合金から成る長さ15ｍｍ×直径0.3ｍｍのリード端子３を挿入し、700℃の炉中にてガラスを溶融させることにより貫通孔１ａを気密封止した。
【００４９】
さらに、金属基板１およびリード端子３の露出した表面には、厚さ２μｍのＮｉ層と厚さ２μｍのＡｕ層とをめっき法により順次被着させた。その後、金属基板１の搭載部１ａに半導体素子ＳとなるレーザダイオードとＦｅ68％−Ｎｉ42％合金から成る0.2ｍｍ×0.2ｍｍ×高さ0.5ｍｍの突起部７をＡｕ−Ｓｎロウ材にてロウ付けして搭載し、その後半導体素子Ｓの電極とリード端子３の上端部とをボンディングワイヤにて電気的に接続した。
【００５０】
そして、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金から成る内径3.9ｍｍ×外径4.2ｍｍ×高さ2.4ｍｍのキャップ形状の蓋体６を金属基板１の上面の外周部にシーム溶接により接合して半導体素子Ｓを気密封止し、評価用の半導体装置を作製した。
【００５１】
次に、本発明の他の実施の形態として、突起部７を内径0.7ｍｍ×外径1.3ｍｍ×高さ0.5ｍｍの円弧状の形状にしたものを作製した。
【００５２】
次に、比較用としての従来の半導体装置を準備した。従来の半導体装置は、金属基板11に形成された0.7ｍｍの貫通孔11ｂにリード端子13が封止材12を介して接合固定されており、突起部７が設けられていない他は、上記の評価用の半導体装置と同じものである。
【００５３】
上記試料をシミュレータ（アンソフト（株）製、ＨＦＳＳ）にてシミュレーションを行い、その際の反射損失（S１１）を比較した。シミュレーションの周波数は１〜20ＧＨｚとし、その範囲での最も悪い反射損失の値を表１に示す。
【表１】
2006179775.tif 000003
【００５４】
表１に示されるように、突起部７を設けることにより、反射損失が低減されている。
【００５５】
なお、本発明は、上述の実施の形態の例および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内であれば種々の変更は可能である。例えば、2.5Ｇｂｐｓといった低速通信でも使用することは可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の実施の形態の一例を示したもので、蓋体を外した状態での平面図である。
【図２】図１の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図３】図１の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図４】本発明の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の実施の形態の他の形態を示したもので、蓋体を外した状態での平面図である。
【図５】図４の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置のＡ−Ａ’線での断面図である。
【図６】図４の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置のＢ−Ｂ’線での断面図である。
【図７】従来の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置の蓋体を外した状態での平面図である。
【図８】図７の半導体素子収納用パッケージおよび半導体装置のＡ−Ａ’線での断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・・・・・金属基板
１ａ・・・・・・搭載部
１ｂ・・・・・・貫通孔
２・・・・・・・封止材
３・・・・・・・リード端子
６・・・・・・・蓋体
７・・・・・・・突起部
Ｓ・・・・・・・半導体素子
【図１】
2006179775.tif 000004
【図２】
2006179775.tif 000005
【図３】
2006179775.tif 000006
【図４】
2006179775.tif 000007
【図５】
2006179775.tif 000008
【図６】
2006179775.tif 000009
【図７】
2006179775.tif 000010
【図８】
2006179775.tif 000011