(57)【要約】【課題】切削ブレードの切り刃部の肉厚を１５μｍ以下にする。【解決手段】回転軸に挿嵌させるための孔を有しリング状に形成された基台と、基台の外周から突出した切り刃部とから構成される切削ブレードにおいて、切り刃部をダイヤモンドライクカーボンで形成する。ダイヤモンドライクカーボンはダイヤモンド砥粒と同等の硬度を有するため、切り刃部の厚みを１５μｍより薄く形成することができ、ウェーハの分離予定ラインの幅が狭くなってもデバイスを損傷させずに切削することができる【選択図】図１
2006305707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸に挿嵌させるための孔を有しリング状に形成された基台と、該基台の外周から突出した切り刃部とから構成される切削ブレードであって、
該切り刃部はダイヤモンドライクカーボンで形成された切削ブレード。
【請求項２】
前記切り刃部にダイヤモンド砥粒が埋設されている請求項１に記載の切削ブレード。
【請求項３】
前記切り刃部の厚みは１μｍ〜１５μｍである請求項１に記載の切削ブレード。
【請求項４】
回転軸に挿嵌させるための孔を有しリング状に形成された基台と、該基台の外周から突出した切り刃部とから構成される切削ブレードの製造方法であって、
該基台の切り刃部形成領域以外の部分にマスキングを施すマスキング工程と、
該切り刃部形成領域にダイヤモンドライクカーボンをコーティングするコーティング工程と、
該切り刃部形成領域の外周縁部を除去し、ダイヤモンドライクカーボンが環状に突出した切り刃部を形成する切り刃部形成工程と
から構成される切削ブレードの製造方法。
【請求項５】
前記コーティング工程の前に、前記切り刃部形成領域にダイヤモンド砥粒を散在させる請求項４に記載の切削ブレードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切り刃部がダイヤモンドライクカーボンで形成された切削ブレード及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが分離予定ラインによって区画されて複数形成されたウェーハは、分離予定ラインが切削装置に備えた切削ブレードの作用を受けて切削されることにより個々のデバイスに分割され、各種電子機器等に利用されている。
【０００３】
切削ブレードは、アルミニウム等で形成されたリング状の基台と、基台の外周側に突出した切り刃部とから構成される。切り刃部は、リング状の基台の外周部分にダイヤモンド等の砥粒をニッケルめっき等で電着し、その後、その基台の外周部分の一部をエッチングして露出させることにより形成される。こうして製造された切削ブレードは、回転軸に装着され、回転する切削ブレードの切り刃部がウェーハの分離予定ラインに切り込むことにより当該分離予定ラインが切削される（例えば特許文献１参照）。切り刃部の肉厚は２０〜３０μｍ程度であり、その切り刃部によって切削される分離予定ラインの幅は５０μｍ程である。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１４４４７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、分離予定ラインの幅が５０μｍ以下と極めて細い場合には、切り刃部の肉厚が２０μｍ以上の切削ブレードを用いて切削すると、デバイス部分に欠けや割れが生じてしまう。したがって、かかる場合には、切り刃部の肉厚が１５μｍ以下と通常より薄い切削ブレードを使用する必要があるが、切り刃部を構成するめっき金属は比較的強度が低く、その肉厚を薄くしすぎると強度が不足することになり、肉厚を１５μｍ以下とすることは困難である。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、切削ブレードの切り刃部の肉厚を１５μｍ以下に構成することを可能にすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、回転軸に挿嵌させるための孔を有しリング状に形成された基台と、基台の外周から突出した切り刃部とから構成される切削ブレードに関するもので、切り刃部がダイヤモンドライクカーボンで形成されたことを特徴とする。
【０００８】
切り刃部にはダイヤモンド砥粒を埋設することもできる。また、切り刃部の厚みは１μｍ〜１５μｍであることが好ましい。
【０００９】
更に本発明は、回転軸に挿嵌させるための孔を有しリング状に形成された基台と、基台の外周から突出した切り刃部とから構成される切削ブレードの製造方法に関するもので、基台の切り刃部形成領域以外の部分にマスキングを施すマスキング工程と、切り刃部形成領域にダイヤモンドライクカーボンをコーティングするコーティング工程と、切り刃部形成領域の外周縁部を除去し、ダイヤモンドライクカーボンが環状に突出した切り刃部を形成する切り刃部形成工程とから構成されることを特徴とする。
【００１０】
コーティング工程の前には、切り刃部形成領域にダイヤモンド砥粒を散在させることがある。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、切り刃部がダイヤモンドライクカーボンで形成され、ダイヤモンド砥粒と同等の硬度を有するため、切り刃部の厚みを１５μｍより薄く形成することができる。したがって、分離予定ラインの幅が狭くなってもデバイスを損傷させずに切削することができる。
【００１２】
また、ダイヤモンドライクカーボンはニッケル等のめっき金属よりもダイヤモンド砥粒に対する馴染みがよく強度も強いため、切り刃部にダイヤモンド砥粒を埋設させると切削能力を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１及び図２に示す基台１は、アルミニウム等の金属によって形成され、回転軸に挿嵌するための孔１０を中心部に備え、全体としてリング状に形成されている。基台１の一方の面は、ダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という。）が被覆される被コーティング面１１である。
【００１４】
図３及び図４に示すように、基台１には、被コーティング面１１の外周部分の切り刃部形成領域１１ａ以外の部分にマスキング２を施す（マスキング工程）。マスキング２には、例えばポリイミド樹脂を使用することができる。次に、切り刃部形成領域１１ａにＤＬＣをコーティングする。ＤＬＣのコーティングには、例えば図５に示すＤＬＣコーティング装置３を用いることができる。
【００１５】
図５に示すＤＬＣコーティング装置３は、真空槽３１と、ＤＬＣをコーティングしようとする基台１が装着される回転軸３２と、回転軸３２を回転可能に支持する導電性治具３３と、導電性治具３３を支持する電極３４と、電極３４と対面する電極３５と、電極３５の近傍に配設された加熱用ヒータ３６と、補助電極３７と、電極３４、３５及び補助電極３７と接続された電源部３８と、真空槽３１内に炭化水素ガスを導入するガス導入口３９と、外部の真空装置に連結される接続管３９ａとから概ね構成されている。
【００１６】
このＤＬＣコーティング装置３を用いて、図３及び図４に示したようにマスキング２が施された基台１の表面にＤＬＣをコーティングするときは、図５に示したように、複数の基台１を回転軸３２に嵌装させて真空槽３１内に収容する。そして、接続管３９ａを介して真空槽３１に連結された真空装置を作動させて真空槽３１の内部を約１０−６トール程度の真空度とする。
【００１７】
この状態を維持してガス導入口３９から真空槽３１内に炭化水素ガス、例えばベンゼンガスを導入し、ベンゼンガス雰囲気の下で、加熱用ヒータ３６によって炭化水素ガスを加熱すると共に、電極３４、３５及び補助電極３７に電源部３８から所定の電圧を印加する。
【００１８】
そうすると、炭化水素ガスがプラズマ状態となり、回転軸３２の回転に伴って回転する基台１の切り刃部形成領域１１ａにプラズマ状態の炭化水素が析出または蒸着される。こうして、図６及び図７に示すように、マスキング２が施されていない切り刃部形成領域１１ａにコーティング層４が形成される（コーティング工程）。コーティング層４の厚さは１〜１５μｍとする。
【００１９】
コーティング層４が形成された後は、図８及び図９に示すように、マスキング２を除去する。そして次に、例えば図９において破線で示すコーティング層４の裏側のエッチングライン５まで基台１の母体金属をエッチングし、切り刃部形成領域１１ａの外周縁部を除去する。そうすると、図１０に示すように、コーティング層４が基台１の外周側に突出して厚さが１〜１５μｍの切り刃部４となり、基台１と切り刃部４とからなる切削ブレード６が形成される（切り刃部形成工程）。
【００２０】
このようにして形成された切削ブレード６は、例えば図１１に示す回転軸７に装着される。この回転軸７はハウジング７０によって回転可能に支持されており、回転軸７には、切削ブレード６が当接するフランジ７１と、装着された切削ブレード６を固定するためのナット７２が螺合する雄ねじ部７３が形成されている。切削ブレード６は、孔１０を回転軸７に挿嵌させナット７２を雄ねじ部７３に螺着することにより回転軸７に固定される。そして、回転軸７が回転すると切削ブレード６も回転し、ウェーハに対して切り刃部４が切り込むことにより切削が行われる。切り刃部４の肉厚が１〜１５μｍと薄いため、ウェーハに形成された分離予定ラインの幅が５０μｍ以下であっても、その両側のデバイスを損傷させることがない。
【００２１】
なお、コーティング工程の前に、図１２に示すように、切り刃部形成領域１１ａに粒径が１〜５μｍ程度のダイヤモンド砥粒８を散在させ、図１３に示すように、ダイヤモンド砥粒８をＤＬＣ４ａによって固定することもできる（ＤＬＣコーティング工程）。
【００２２】
そして、マスキング２を除去し、該切り刃部形成領域の外周縁部を除去すると、図１４に示すように、基台１と、ダイヤモンド砥粒８がＤＬＣ４ａによって固定された構成の切り刃部９とからなる切削ブレード６ａが形成される。ＤＬＣは、従来から用いられているニッケル等のめっき金属よりダイヤモンドに馴染みやすく、強度も強いため、ダイヤモンド砥粒８をＤＬＣ４ａに埋設した状態として切り刃部９ａを形成すれば、切削能力をより高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】切削ブレードを構成する基台の一例を示す斜視図である。
【図２】同基台の断面図である。
【図３】マスキングを施した基台を示す斜視図である。
【図４】同マスキングを施した基台を示す断面図である。
【図５】ＤＬＣコーティング装置の一例を略示的に示す断面図である。
【図６】コーティング層が形成された基台を示す斜視図である。
【図７】同コーティング層が形成された基台を示す断面図である。
【図８】コーティング層が形成されマスキングが除去された基台を示す斜視図である。
【図９】同コーティング層が形成されマスキングが除去された基台を示す断面図である。
【図１０】切削ブレードを示す断面図である。
【図１１】切削ブレード、回転軸及びナットを示す分解斜視図である。
【図１２】切り刃部形成領域にダイヤモンド砥粒が散在した状態を示す断面図である。
【図１３】同ダイヤモンド砥粒がＤＬＣで固定された状態を示す断面図である。
【図１４】同ダイヤモンド砥粒がＤＬＣで固定されて形成された切削ブレードを示す断面図である。
【符号の説明】
【００２４】
１：基台
１０：孔  １１：被コーティング面  １１ａ：切り刃部形成領域
２：マスキング
３：ＤＬＣコーティング装置
３１：真空槽  ３２：回転軸  ３３：導電性治具  ３４、３５：電極
３６：加熱用ヒータ  ３７：補助電極  ３８：電源部  ３９：ガス導入口
３９ａ：接続管
４：コーティング層（切り刃部）
５：エッチングライン
６、６ａ：切削ブレード
７：回転軸
７０：ハウジング  ７１：フランジ  ７２：ナット  ７３：雄ねじ部
８：ダイヤモンド砥粒
９：切り刃部
【図１】
2006305707.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006305707.tif 000010
【図９】
2006305707.tif 000011
【図１０】
2006305707.tif 000012
【図１１】
2006305707.tif 000013
【図１２】
2006305707.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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