(57)【要約】      （修正有）【課題】  設計データに変更が生じた場合に、速やかに、かつ少ない計算機時間で、前記変更を露光マスク上に形成されるパターンデータに反映させる。【解決手段】  マスクパターンデータが、前記露光マスクの表面を分割した複数の単位領域の各々について定義されたパターンデータ部分より構成されており、前記パターンデータ部分が、前記単位領域に含まれるパターンの図形情報と、前記単位領域の、前記露光マスク表面における位置を示すヘッダ情報とを含むパターンデータの作成において、一部の単位領域のマスクパターンデータ部分に対し、前記図形情報を入れ替え、前記図形情報が入れ替えられた単位領域について、ヘッダを再構築する。【選択図】  図４
2006276279.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光マスクの表面にマスクパターンデータを形成するパターンデータ作成方法であって、
前記マスクパターンデータは、前記露光マスクの表面を分割した複数の単位領域の各々について定義されたパターンデータ部分より構成されており、前記パターンデータ部分は、前記単位領域に含まれるパターンの図形情報と、前記単位領域の、前記露光マスク表面における位置を示すヘッダ情報とを含み、
前記パターンデータ作成方法は、
一部の単位領域のマスクパターンデータ部分に対し、前記図形情報を入れ替える手順と、
前記図形情報が入れ替えられた単位領域について、ヘッダを再構築する手順と、
を含むことを特徴とするパターンデータ作成方法。
【請求項２】
前記マスクパターンデータは、セル単位で記述される半導体装置の設計データに対応しており、
前記図形情報を入れ替える手順は、前記図形情報の入れ替えを、設計データのセル単位で行うことを特徴とする請求項１記載のパターンデータ作成方法。
【請求項３】
前記図形情報を入れ替える手順は、少なくとも前記図形情報を入れ替える露光マスク領域において、近接効果補正を行う手順を含むことを特徴とする請求項１または２記載のパターンデータ作成方法。
【請求項４】
前記図形情報を入れ替える手順は、少なくとも前記図形情報を入れ替える露光マスク領域において、前記入れ替えられた図形情報に基づいてダミーパターン発生を行う手順を含むことを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法。
【請求項５】
前記単位領域は、前記露光マスク表面に対応して定義されたセグメントとストライブにより指定されることを特徴とする請求項１〜４のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法。
【請求項６】
前記図形情報を入れ替える手順と、前記ヘッダを再構築する手順とは、コンピュータにより実行されることを特徴とする請求項１〜５のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法。
【請求項７】
請求項１〜６のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法により、露光マスク上にパターンを形成する工程と、
前記露光マスクを使って半導体基板上に、前記パターンに対応した露光パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
露光マスクの表面にマスクパターンデータを形成するパターンデータ作成プログラムであって、
前記マスクパターンデータは、前記露光マスクの表面を分割した複数の単位領域の各々について定義されたパターンデータ部分より構成されており、前記パターンデータ部分は、前記単位領域に含まれるパターンの図形情報と、前記単位領域の、前記露光マスク表面における位置を示すヘッダ情報とを含み、
前記パターンデータ作成プログラムは、
一部の単位領域のマスクパターンデータ部分に対し、前記図形情報を入れ替えるプログラムコード手段と、
前記図形情報が入れ替えられた単位領域について、ヘッダを再構築するプログラムコード手段と、
を含むことを特徴とするパターンデータ作成プログラム。
【請求項９】
請求項８記載のパターンデータ作成プログラムを記録した、コンピュータ可読記録媒体。
【請求項１０】
請求項８記載のコンピュータ可読記録媒体上に記録されたパターンデータ作成プログラムを実行することにより構成されたコンピュータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に半導体装置の製造に係り、特に半導体装置の製造で使われる露光マスクの製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程は、半導体装置の製造において、基本的でかつ重要なプロセスである。
【０００３】
フォトリソグラフィ工程は、一般に露光マスクを使って行われるが、このような露光マスクは、半導体装置の設計データに基づいて、例えば電子ビーム露光などの露光プロセスにより、透明基板、典型的には石英ガラス基板上のＣｒなどの不透明膜をパターニングすることにより作製される。
【０００４】
このような露光マスクの形成においては、設計者が作成した設計データが、マスク上に実際に形成されるマスクパターンに対応したパターンデータに変換され、このパターンデータにしたがって、露光マスクの露光が行われる。
【特許文献１】特開平１０−３３４１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１は、このような露光マスク作製時における設計データからパターンデータへの変換プロセスを含む、半導体装置の製造工程の概要を、図２は、前記設計データからパターンデータへの変換の概要を、さらに図３（Ａ），（Ｂ）は、このようにして変換されたパターンデータの例を示す。
【０００６】
図１を参照するに、ステップ１において設計データが設計者により作成され、これがステップ２においてパターンデータに変換され、ステップ３において前記設計データに対応したパターンデータが得られる。
【０００７】
さらにステップ４において、このようにして得られたパターンデータに基づいてレチクル、すなわち露光マスクが作製され、ステップ５においては、このようにして作製されたレチクルを使って、半導体基板上に、前記設計データに対応した半導体パターンが露光される。
【０００８】
図２（Ａ）は、ステップ１で設計者が作成する半導体装置の設計データを概略的に表しているが、設計データは一般にセル単位で表現され、パターンデータが必要な露光マスクの作製に適した形式になっていない。このため、先のステップ２の変換処理により、図２（Ａ）のセルデータが、図２（Ｂ）に示す、パターンデータに変換される。図２（Ｂ）は、露光マスクの面に対応しており、これが複数のセグメントおよびストライプに分割されているのがわかる。
【０００９】
以下は、パターンデータとして、いわゆるＭＥＢＥＳ（ETEC Corporationの登録商標）データを使う場合を説明するが、本発明はＭＥＢＥＳデータに限定されるものではなく、露光マスクの面を複数の領域に分割し、各領域ごとにパターンを規定する形式のパターンデータであれば、どのようなものに対しても適用可能である。例えば、本発明は日本電子株式会社より提案されているＪＥＯＬフォーマットなどに対しても適用可能である。
【００１０】
図３（Ａ），（Ｂ）は、図２（Ｂ）のパターンデータの一例を示す。
【００１１】
図３（Ａ）を参照するに、図２（Ｂ）の１セグメントは大きさが２０４８バイト単位のデータで表され、図３（Ｂ）に示すように、そのセグメントの位置および大きさを示すヘッダ情報と、そのセグメントが形成する実際のパターンを示す図形情報とが含まれている。
【００１２】
図３（Ｂ）の例では、セグメント１は２０４８バイトから８１９２バイトまでの間であり、その中のストライプ１は、始点のｘ座標が１１で終点のｘ座標が２２、始点のｙ座標が１１で終点のｙ座標が２２の矩形パターン（Ｒｅｃ）よりなることが記述されている。
【００１３】
ところで、最近の超微細化半導体装置では、露光マスク上に描画されるパターンの数が莫大になっており、図１の変換ステップ２における計算機の負荷が増大している。
【００１４】
このような状況において、設計データの手直しが発生すると、その都度、前記ステップ２に戻り、設計データからパターンデータへの変換処理を行う必要があるが、このために多大な計算機リソースが消費されてしまう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は一の側面において、露光マスクの表面にマスクパターンデータを形成するパターンデータ作成方法であって、前記マスクパターンデータは、前記露光マスクの表面を分割した複数の単位領域の各々について定義されたパターンデータ部分より構成されており、前記パターンデータ部分は、前記単位領域に含まれるパターンの図形情報と、前記単位領域の、前記露光マスク表面における位置を示すヘッダ情報とを含み、前記パターンデータ作成方法は、一部の単位領域のマスクパターンデータ部分に対し、前記図形情報を入れ替える手順と、前記図形情報が入れ替えられた単位領域について、ヘッダを再構築する手順と、を含むことを特徴とするパターンデータ作成方法を提供する。
【００１６】
また本発明は、かかるパターンデータ作成方法により作製されたマスクを使った半導体装置の製造方法、かかるパターンデータ作成方法を実行するプログラム、かかるプログラムを記録した記録媒体、さらにかかるプログラムを実行するコンピュータをも含むものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、設計データが、露光マスク上に形成されるマスクパターンに対応したマスクパターンデータに変換された後で、設計データに変更が生じた場合、変更が生じた設計データのセルに対応する部分だけをマスクパターンデータに変換し、先に変換されたマスクパターンデータのうち、設計変更箇所に対応する部分を、この変換したマスクデータで置き換えることにより、データ変換に要する計算機時間が大幅に短縮され、マスクパターンの修正を容易に、かつ安価に行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図４は、本発明の第1実施例によるパターンデータ作成方法の概要を示す図である。ただし図４中、先に図１で説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００１９】
図４を参照するに、ステップ１１において設計変更が生じた場合、ステップ１２において設計データ（Ｔｏｐセル）から修正が生じる箇所を含むセルの座標を算出し、ステップ１３において、前記セルに対応するパターンデータの領域を指定するセグメントおよびストライプ座標を取得する。
【００２０】
さらにステップ１４において、修正後の設計データを取得し、さらに修正後の領域を指定する領域情報を、セグメントおよびストライプの座標の形で取得し、ステップ１５において、前記修正領域の設計データのみ、パターンデータへの変換処理を行う。ここでステップ１４における、修正箇所を含むセルの特定は、変更前後の設計データを比較して算出してもよいが、設計者が提供する場合もある。
【００２１】
さらにステップ１６において、先にステップ３で得られている修正前のパターンデータのうち、前記ステップ１３で取得された該当領域の図形情報を、前記ステップ１４で取得されたパターンデータの図形情報と入れ替える。
【００２２】
その際、変更前後でパターンデータが同じデータサイズであるとは限らず、またパターンの挿入や削除がなされることもあり、単に変更前のパターンを変更後のパターンで置き換えるだけでは不十分で、本実施例においては、ステップ１７において、ステップ１６における図形情報の入れ替えに加えて、そのパターンのセグメントおよびストライプ座標を指定するパターンヘッダ情報の再構築を行う。
【００２３】
ステップ１７が終了すると、ステップ１８において修正済みのパターンデータが得られ、このパターンデータを使って露光マスクの作製がなされる。
【００２４】
図５（Ａ）は、図４のステップ１１および１２に対応し、全体の設計データ、すなわちＴｏｐセルのうちの特定のセルにおいて、設計データＡが、設計データＡ´に変更される。
【００２５】
一方、図５（Ｂ）は、図４のステップ１４に対応し、設計データＡ´に修正後のセルの領域情報が取得される。
【００２６】
図６（Ａ）は、このようなＴｏｐセルの一つのセルにおける設計データの変更を示し、図６（Ｂ）は、この設計データの変更が影響する露光マスク上のセグメントおよびストライプを示している。図６（Ｂ）よりわかるように、設計変更されるセルは、露光マスク上の単一の単位領域に対応するとは限らず、セグメントおよびストライプ座標で指定される複数の単位領域が対応する場合もある。
【００２７】
図７（Ａ）〜（Ｃ）は、図４のステップ１７における図形情報の入れ替えおよびヘッダの再構築の例を示す。ただし図７（Ａ）は、修正前の、図４のステップ１３で得られたパターンデータ修正該当領域を、図７（Ｂ）は、図４のステップ１６に対応し、パターンデータ中の図形情報を、図７（Ａ）の該当領域の図形情報と入れ替えた状態を示す。図７（Ｂ）の状態では、ヘッダ情報はまだ再構築されていない。
【００２８】
さらに図７（Ｃ）の状態では、前記図４のステップ１７に対応して、ヘッダ情報が再構築されている。
【００２９】
図８（Ａ）は、図４のステップ１１あるいは図５（Ｂ）に対応し、セル中の設計データの一部が修正されている。一方、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）の設計データの変更に対応する、露光マスク上におけるパターンデータを示す。図８（Ａ）に示すように、Ｔｏｐセルと呼ばれる設計データでは、原点（０，０）が露光マスク領域の中央に置かれるが、露光マスク上に形成されるパターンを記述するパターンデータでは、図８（Ｂ）に示すようにマスク領域の左下に原点が置かれる。図７（Ａ）〜（Ｃ）の図形情報は、図８（Ｂ）に示す原点（０，０）を基準に記述されている。
【００３０】
図９（Ａ）〜（Ｃ）は、このようなパターンデータに、設計データの修正に伴い、追加パターンの挿入が生じる例を示す。ただし図９（Ａ）が図４のステップ３で得られた元のパターンデータであり、図９（Ｂ）が、図４のステップ１１で作成され、ステップ１５で変換された追加パターンデータを示す。さらに図９（Ｃ）は、図９（Ａ）のパターンデータに図９（Ｂ）の追加パターンデータが挿入され、さらにヘッダ情報が再構築された様子を示す。
【００３１】
図９（Ｃ）を参照するに、図９（Ｂ）の追加パターンデータは、ストライプ１００の位置に挿入され、その結果、図９（Ｃ）中、矢印で示すように、挿入データより後のデータは、図９（Ａ）のデータと内容は同じであるが、位置が繰り下がっている。このような位置の繰り下がりは、図７（Ｃ）に示すようなヘッダ情報の再構築により表現される。
【００３２】
図１０は、以上に説明した、本発明の第１実施例をまとめて示す図である。ステップ１１において設計データの修正がなされ、さらにステップ１２で
図１０を参照するに、ステップ３で得られたパターンデータが正しくない場合、変更すべき設計データ中のセルＡが、セルＡ´に変更される。さらにステップ１４において、前記変更されたセルＡ´に対応するセグメントおよびストライプ座標が、領域情報として取得され、さらにこのセルＡ´の設計データのみが、ステップ１５においてパターンデータに変換される。
【００３３】
さらに、このようにして変換されたパターンデータ部分が、ステップ１６〜１７において、もとのパターンデータの該当部分と置き換えられ、さらにヘッダ情報を再構築することにより、ステップ１８において修正されたパターンデータが得られる。
【００３４】
そこでステップ１８からステップ４に進むことによりレチクルが作製され、このレチクルを使って半導体ウェハを露光することにより、所望の半導体装置が得られる。
【００３５】
このように、本実施例においては、設計データに対応するパターンデータ中、設計データ中の修正されるセルに対応するパターンデータ部分のみが置き換えられている。
［第２実施例］
図１１は、本発明の第２実施例によるパターンデータ作成方法を示す。
【００３６】
図１１を参照するに、本実施例は、先の図１０の手順とほぼ同じであるが、近接効果補正を含んでいることを特徴としている。
【００３７】
ステップ５においてウェハ上に非常に微細なパターンを高密度で露光する場合、ウェハ上のパターンが近接効果により干渉し、露光パターンが乱れる恐れがある。このため、一般的に、このような高密度パターンを露光する場合、近接効果補正がなされるようにレチクル上のパターンに近接効果補正（ＯＰＣ）処理を行い，ＯＰＣパターンを形成することがなされている。
【００３８】
先の実施例では、設計データの変更部分を、そのまま露光マスク上のパターンデータにおいて置き換えていたが、ウェハ上に形成されるパターン密度が高い場合、このままでは、変更された部分においてＯＰＣパターンの、周囲との整合性が失われ、有効な近接効果補償ができない恐れがある。
【００３９】
そこで、本実施例においては、ステップ１１で特定のセルの設計データが変更された場合、ステップ１４で、ＯＰＣテーブルを参照し、設計データ中での変更箇所に対応するセルのみならず、その周囲で近接効果補正に寄与するＯＰＣセルの領域情報をも取得する。
【００４０】
さらにステップ１５において、これらのセルを別々にデータ変換処理し、ステップ１５Ａにおいて、ＯＰＣセルのパターンデータが、またステップ１５Ｂにおいて、変更箇所のパターンデータが得られる。
【００４１】
そこで、本実施例では、ステップ１６〜１７において、前記ＯＰＣパターンデータと変更箇所のパターンデータを、旧パターンデータと入れ替えることにより、ステップ１８において、前記設計変更に対応したパターンデータの変更と、ＯＰＣパターンデータの変更が、同時に実現する。
【００４２】
図１２（Ａ）〜（Ｃ）は、このようなＯＰＣパターンデータを含めた、本実施例によるパターンデータ変更の概要を示す。
【００４３】
図１２（Ａ）〜（Ｃ）を参照するに、図１２（Ａ）は、不具合箇所を含んだ、ステップ３に対応したパターンデータであり、かかる不具合パターンの周囲には、前記不具合パターンに適合されたＯＰＣパターンを含むＯＰＣパターン領域ＯＰＣAが形成されている。
【００４４】
これに対し、図１２（Ｂ）は修正された設計データに対応するパターンデータであり、修正箇所の周囲には、前記修正箇所に適合されたＯＰＣパターンを含むＯＰＣパターン領域ＯＰＣBが形成されている。
【００４５】
ここで本実施例では、図１２（Ｂ）のパターンデータ全体を修正された設計データから変換すると、そのための計算機時間が莫大なものとなるため、既に得られている図１２（Ａ）のパターンデータを利用し、図１２（Ｂ）のＯＰＣパターンＯＰＣBと修正箇所のみを変換し、これを図１２（Ａ）の該当箇所と入れ替えることで、図１２（Ｃ）に示すパターンを短時間に得ている。
【００４６】
すなわち、図１２（Ｂ）のパターンデータを設計データから直接に得ようとすると、９０ｎｍノードの論理素子の場合、９６時間を要するのに対し、本実施例では、図１２（Ｃ）のパターンデータを１０時間で得ることが可能であった。
［第３実施例］
図１３は、本発明の第３実施例によるパターンデータ作成方法を示す。
【００４７】
図１３を参照するに、本実施例は、先の図１０の手順とほぼ同じであるが、ダミーパターン発生処理を含んでいることを特徴としている。
【００４８】
一般に半導体装置では、基板上、パターンの密度が低い領域にダミーパターンを挿入し、ＣＭＰ処理などの際に、処理の均一性を向上させている。
【００４９】
先の図１０の実施例では、設計データの変更部分を、そのまま露光マスク上のパターンデータにおいて置き換えていたが、設計データの変更によりウェハ上に形成されるパターン密度が変化する場合、このままでは、変更された部分においてダミーパターンの周囲との整合性が失われ、均一なＣＭＰ処理ができなくなる恐れがある。
【００５０】
そこで、本実施例においては、ステップ１１で特定のセルの設計データが変更された場合、ステップ１４で、その周囲でダミーデータが形成されているダミーセルの領域情報をも取得する。
【００５１】
さらにステップ１５において、前記変更箇所およびダミーセル領域の設計データをパターンデータに変換すると同時に、発生されたパターンデータに対応したダミーパターンデータを発生させる。
【００５２】
さらに本実施例では、ステップ１６〜１７において、前記ダミーパターンデータと変更箇所のパターンデータを、旧パターンデータと入れ替えることにより、ステップ１８において、前記設計変更に対応したパターンデータの変更と、ダミーパターンデータの変更が、同時に実現する。
【００５３】
図１４（Ａ）〜（Ｃ）は、このようなダミーパターンデータを含めた、本実施例によるパターンデータ変更の概要を示す。
【００５４】
図１４（Ａ）〜（Ｃ）を参照するに、図１４（Ａ）は、不具合箇所を含んだ、ステップ３に対応したパターンデータであり、かかる不具合パターンの周囲には、前記不具合パターンに適合されたダミーパターンを含むダミーパターン領域ＤｕｍｍｙAが形成されている。
【００５５】
これに対し、図１４（Ｂ）は修正された設計データに対応するパターンデータであり、修正箇所の周囲には、前記修正箇所に適合されたダミーパターンを含むダミーパターン領域ＤｕｍｍｙBが形成されている。
【００５６】
ここで本実施例では、図１４（Ｂ）のパターンデータ全体を、修正された設計データから変換すると、そのための計算機時間が莫大なものとなるため、既に得られている図１４（Ａ）のパターンデータを利用し、図１４（Ｂ）のダミーパターンＤｕｍｍｙBと修正箇所のみを変換し、これを図１５（Ａ）の該当箇所と入れ替えることで、図１４（Ｃ）に示すパターンを短時間に得ている。
［第４実施例］
図１５（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の第４実施例による、露光マスクの製造工程を示す。
【００５７】
図１５（Ａ）を参照するに、露光マスクは９０ｎｍノードの論理素子の露光に使われるマスクであり、石英ガラス基板１上にハーフトーン位相シフト膜としてＭｏＳｉＯＮ膜２が形成され、前記位相シフト膜上にＣｒ膜と酸化クロム膜を積層した遮光膜３が形成されている。さらに図１４（Ａ）の状態では、前記遮光膜３上にレジスト膜４が形成されている。
【００５８】
次に図１５（Ｂ）の工程で、前記レジスト膜４に対し、本発明の先の実施例のいずれかで説明した露光マスクを使って露光および現像を行い、前記レジスト膜４をパターニングし、レジストパターン５を形成する。
【００５９】
さらに図１５（Ｃ）の工程で、前記レジストパターン５をマスクに、前記遮光膜３をパターニングし、遮光パターンを形成する。
【００６０】
次に図１５（Ｄ）の工程において前記レジストパターン５を除去し、新たなレジスト膜６を形成する。
【００６１】
さらに、図１５（Ｅ）の工程において、主領域部の全面を露光し、現像することにより、第２のレジストパターン７を形成し、１５（Ｆ）において前記レジストパターン７をマスクに、前記主領域部において露出されている遮光パターン８を除去する。
【００６２】
さらに図１５（Ｆ）の工程において、前記レジストパターン７を除去することにより、露光マスクが完成する。
【００６３】
先にも説明したように、このような露光マスクでの作製では、半導体装置の設計データに変更が生じると、その変更を露光マスク上のパターンデータに反映するのに、従来では９０ｎｍノードの論理素子で９６時間の計算機時間を要していたのに対し、本発明では、これを１０時間まで短縮することができる。マスク製造プロセスまで含めると、従来のマスク製造は、１１日の工期を要していたのに対し、本発明のパターンデータ作成方法を使うことにより、この工期を７日まで短縮することが可能である。
［第５実施例］
図１６は、先に図４〜１４で説明したパターンデータ作成を実行するためのマスク製造装置を示す。
【００６４】
図１６を参照するに、前記マスク製造装置は、修正前後の設計データ１００を格納する外部または内部記憶装置１０１と、前記記憶装置１０１とネットワークＮＴ経由で協働する一または複数のワークステーション１０２と、前記ワークステーション１０２と協働する露光マスク製造装置１０３とよりなり、設計者は、前記ワークステーション１０２の一つから、前記記憶装置１０１中の保持された設計データ１００を操作する。
【００６５】
このようにして修正された設計データ１００は、前記ネットワークに接続されたワークステーション１０２により処理され、例えば図４で説明したパターンデータ作成処理およびパターンデータ修正処理が実行される。
【００６６】
図１７は、前記ワークステーション１０２の構成を示す。
【００６７】
図１７を参照するに、前記ワークステーション１０２は、内部バス１０２ＡにＣＰＵ１０２Ｂ，メモリ１０２Ｃ，外部記憶装置１０２Ｄ，入力装置１０２Ｅおよび表示装置１０２Ｆが接続された典型的なコンピュータであり、前記ネットワークＮＴに外部インターフェース１０２Ｇを介して接続されている。
【００６８】
その際、先に説明した図４〜１４の処理は、例えば前記外部記憶装置１０２Ｄ中に保持されたプログラムにより実行され、かかるプログラムは、コンピュータ可読記録媒体１０２Ｍに書き込まれて、前記ＣＰＵ１０２Ｂの制御の下、前記入力装置１０２Ｅを介して前記外部記憶装置１０２Ｄに読み込まされる。
【００６９】
またこのようなプログラムは、ワークステーション１０２の起動と共に前記外部記憶装置１０２Ｄより、ＣＰＵ１０２Ｂの制御の下に読み出され、さらに前記メモリ１０２Ｃ中に展開される。これにより、前記ＣＰＵ１０２は、前記メモリ１０２Ｃを参照しながら、先に図４〜１４で説明したパターンデータ作成処理を実行する。
【００７０】
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において、様々な変形・変更が可能である。
【００７１】
（付記１）
露光マスクの表面にマスクパターンデータを形成するパターンデータ作成方法であって、
前記マスクパターンデータは、前記露光マスクの表面を分割した複数の単位領域の各々について定義されたパターンデータ部分より構成されており、前記パターンデータ部分は、前記単位領域に含まれるパターンの図形情報と、前記単位領域の、前記露光マスク表面における位置を示すヘッダ情報とを含み、
前記パターンデータ作成方法は、
一部の単位領域のマスクパターンデータ部分に対し、前記図形情報を入れ替える手順と、
前記図形情報が入れ替えられた単位領域について、ヘッダを再構築する手順と、
を含むことを特徴とするパターンデータ作成方法。
【００７２】
（付記２）
前記マスクパターンデータは、セル単位で記述される半導体装置の設計データに対応しており、
前記図形情報の入れ替えは、設計データのセル単位で行われることを特徴とする付記１記載のパターンデータ作成方法。
【００７３】
（付記３）
前記図形情報を入れ替える手順は、少なくとも前記図形情報を入れ替える露光マスク領域において、近接効果補正を行う手順を含むことを特徴とする付記１または２記載のパターンデータ作成方法。
【００７４】
（付記４）
前記図形情報を入れ替える手順は、少なくとも前記図形情報を入れ替える露光マスク領域において、前記入れ替えられた図形情報に基づいてダミーパターン発生を行う手順を含むことを特徴とする付記１〜３のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法。
【００７５】
（付記５）
前記単位領域は、前記露光マスク表面に対応して定義されたセグメントとストライブにより指定されることを特徴とする付記１〜４のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法。
【００７６】
（付記６）
前記図形情報を入れ替える手順と、前記ヘッダを再構築する手順とは、コンピュータにより実行されることを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法。
【００７７】
（付記７）
付記１〜６のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成方法により、露光マスク上にパターンを形成する工程と、
前記露光マスクを使って半導体基板上に、前記パターンに対応した露光パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００７８】
（付記８）
露光マスクの表面にマスクパターンデータを形成するパターンデータ作成プログラムであって、
前記マスクパターンデータは、前記露光マスクの表面を分割した複数の単位領域の各々について定義されたパターンデータ部分より構成されており、前記パターンデータ部分は、前記単位領域に含まれるパターンの図形情報と、前記単位領域の、前記露光マスク表面における位置を示すヘッダ情報とを含み、
前記パターンデータプログラムは、
一部の単位領域のマスクパターンデータ部分に対し、前記図形情報を入れ替えるプログラムコード手段と、
前記図形情報が入れ替えられた単位領域について、ヘッダを再構築するプログラムコード手段と、
を含むことを特徴とするパターンデータ作成プログラム。
【００７９】
（付記９）
前記マスクパターンデータは、セル単位で記述される半導体装置の設計データに対応しており、
前記図形情報の入れ替えるプログラムコード手段は、前記図形情報の入れ替えを、設計データのセル単位で行うことを特徴とする付記８記載のパターンデータ作成プログラム。
【００８０】
（付記１０）
前記図形情報を入れ替えるプログラムコード手段は、少なくとも前記図形情報を入れ替える露光マスク領域において、近接効果補正を行うプログラムコード手段を含むことを特徴とする付記８または９記載のパターンデータプログラム。
【００８１】
（付記１１）
前記図形情報を入れ替える手順は、少なくとも前記図形情報を入れ替える露光マスク領域において、前記入れ替えられた図形情報に基づいてダミーパターン発生を行う手順を含むことを特徴とする付記８〜１０のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成プログラム。
【００８２】
（付記１２）
付記８〜１１のうち、いずれか一項記載のパターンデータ作成プログラムを記録した、コンピュータ可読記録媒体。
【００８３】
（付記１３）
付記８〜１２記載のコンピュータ可読記録媒体上に記録されたパターンデータ作成プログラムを実行することにより構成されたコンピュータ。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来の露光マスクの作製工程を含む半導体装置の製造工程を示す図である。
【図２】（Ａ），（Ｂ）は、設計データと露光マスク上のパターンデータとの対応を示す図である。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は、パターンデータの例を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例によるパターンデータ作成方法を示す図である。
【図５】図４の一部を示す図である。
【図６】図４のプロセスにおける設計データからパターンデータへの変換の例を説明する図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、図４のプロセスにおけるパターンデータの入れ替えの例を説明する図である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）は、図４のプロセスにおけるパターンデータの入れ替えの例を説明ずる別の図である。
【図９】（Ａ）〜（Ｃ）は、図４のプロセスにおけるパターンデータの入れ替えの例を示す別の図である。
【図１０】図４に対応した、パターンデータ作成方法の全体を示す図である。
【図１１】本発明の第２実施例によるパターンデータ作成方法を示す図である。
【図１２】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１１の実施例におけるパターンデータの入れ替えの例を示す図である。
【図１３】本発明の第３実施例によるパターンデータ作成方法を示す図である。
【図１４】（Ａ）〜（Ｃ）は、図１３の実施例におけるパターンデータの入れ替えの例を示す図である。
【図１５】（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の第４実施例による露光マスクの作製工程を示す図である。
【図１６】本発明の第５実施例による露光マスク作製システムの構成を示す図である。
【図１７】図１６で使われるワークステーションの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００８５】
１  石英ガラス基板
２  ハーフトーン膜
３  遮光膜
４，６  レジスト膜
５，７  レジストパターン
８  主要部
１００  設計データ
１０１  外部記憶装置
１０２  ワークステーション
１０３  露光マスク製造装置
１０２Ｍ  メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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