(57)【要約】【課題】  リードフレーム等の半導体インサート品と高い密着性を示し、パッケージにおける耐湿信頼性や耐高温放置特性等の信頼性に優れ、さらに流動性や硬化性等の成形性にも優れた封止用エポキシ樹脂成形材料を提供すること、及びかかる成形材料によって封止した素子を備えた信頼性の高い電子部品装置を提供すること。【解決手段】  （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、該化合物のホモポリマー及びコポリマーからなる群より選ばれる化合物、及び（Ｄ）硬化促進剤を含有することを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。【化１】2006291038.tif 000020（式中、Ｒは、水素又は炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表す。）【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、該化合物のホモポリマー及びコポリマーからなる群より選ばれる化合物、及び（Ｄ）硬化促進剤を含有することを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】
2006291038.tif 000018
（式中、Ｒは、水素又は炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表す。）
【請求項２】
（Ｅ）下記一般式（II）で表される化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化２】
2006291038.tif 000019
（式中、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、及び置換又は非置換の炭素数１〜１０のアルコキシル基からなる群より選ばれ、全てが同一でも異なってもよく、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数１〜１２の２価の炭化水素基であり、同一でも異なってもよく、ｎは１以上の整数を示す。）
【請求項３】
前記（Ｄ）硬化促進剤が、有機リン化合物とキノン化合物との付加物を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項４】
（Ｆ）イオントラップ剤をさらに含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料によって封止された素子を備えることを特徴とする電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形性、信頼性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の電子部品装置に搭載される素子の封止技術の分野では、生産性及びコスト等の面から樹脂を用いた封止が主流となっており、エポキシ樹脂をベースとした封止材料が広く用いられている。その理由としては、各種樹脂の中でもエポキシ樹脂は電気特性、耐湿性、耐熱性、機械特性、インサート品との密着性などの諸特性において優れたバランスを有するためである。
【０００３】
近年、電子部品装置の分野では、装置の小型・軽量化、高性能・高機能化を図るために、素子の高密度実装化、配線の微細化、多層化、及び多ピン化、パッケージに対する素子の占有面積の増大化等が進んでいる。これに伴って、電子部品装置に搭載されるパッケージは、従来型のＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＧＡ（Pin Grid Aray）等にかわって、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-lead package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）等の表面実装型が主流となり、さらに小型薄型化したＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、さらに高密度化、多機能化したＣＳＰ（Chip Size Package）、マルチチップパッケージ、ウエハレベルＣＳＰ、積層パッケージ等の開発が進められている。
【０００４】
しかしながら、表面実装型パッケージは、従来のピン挿入型パッケージと比較して、それらパッケージの実装方法の違いに起因してパッケージクラックや半田付け不良が生じ易いという問題がある。すなわち、ピン挿入型パッケージの実装では、ピンを配線板に挿入した後、配線板の裏面からはんだ付けを行うため、パッケージが直接高温にさらされることがない。これに対し、表面実装型パッケージでは、配線板の表面に仮止めを行った後に、半田バス、ＩＲリフロー、又はＶＰＳリフロー等のリフロー装置で処理されるため、パッケージは半田付け温度（リフロー温度）の高温に直接さらされることになる。そのような処理の際、ＩＣパッケージが吸湿していると、高温下で吸湿水分が気化して蒸気圧が生じ、かかる蒸気圧がパッケージと半導体インサート品との接合部の剥離応力として働くことになる。その結果、パッケージの成形に用いられる封止用成形材料の密着力が弱い場合には、素子及びリードフレーム等の半導体インサート品と封止用成形材料との間で剥離が発生し、パッケージクラックや半田付け不良といった不具合が生じることになる。
【０００５】
また、パッケージ実装における最近の傾向として、環境保護の観点から、従来の半田に含有する鉛の使用を廃止する動きが世界規模で進んでいる。このような状況下、近年、鉛に代わる金属の探索が進み、鉛以外の金属を使用した新しいタイプの半田が開発されている。鉛を含有しない半田は、鉛を含有する従来の半田と比較して高い融点を有する傾向がある。そのため、鉛を含有しない半田を使用して半田付けを実施する場合、従来の半田の場合と比較して、パッケージはより高温にさらされることになり、半導体インサート品と封止用成形材料との剥離、パッケージクラックや半田付け不良といった問題が生じ易くなる。したがって、信頼性の高い電子部品装置の実現に向けて、表面パッケージの実装時に起こり得る上記問題を解決する方法が望まれている。
【０００６】
半導体インサート品と成形材料との剥離、パッケージクラック等の上記問題を解決するために、インサート品と成形材料との密着性の向上、パッケージの吸湿性の低減、及び高温下でのパッケージ強度の向上といった観点から様々な検討がなされている。代表的には、上記密着性及び吸湿性の観点から成形材料のベース樹脂としてビフェニル型エポキシ樹脂を用いるか、硬化剤としてフェノール・アラルキル樹脂を用いる方法が提案されている。また、上記吸湿性の観点から成形材料中の無機充填剤を増量する方法、上記密着性の観点から半導体インサート品との密着力を高め得る各種添加剤を成形材料に添加する方法、等が提案されている。より具体的には、例えば、半導体インサート品と成形材料との密着性を高めるために、成形材料に５員環ジチオカーボナート基を有する化合物を密着付与剤として添加する方法が報告されている（特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４-１５５８３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように半導体インサート品と封止用成形材料との剥離、パッケージクラックや半田付け不良といった問題を解決するために様々な検討がなされている。しかしながら、それら問題を、流動性及び硬化性といった成形特性と併せてバランス良く改善することは困難であり、未だ満足できる結果が得られていないのが現状である。密着付与剤として５員環ジチオカーボナート基を有する化合物を成形材料に添加する方法についても、それらの密着付与効果及びパッケージの耐熱性(耐高温放置特性)等に関する改善効果は、必ずしも十分ではなく、さらなる改善が望まれている。
【０００９】
本発明は、かかる状況に鑑みなされたものであって、リードフレーム等の半導体インサート品と高い密着性を示し、パッケージにおける耐湿信頼性や耐高温放置特性等の信頼性に優れ、さらに流動性や硬化性等の成形性にも優れた封止用エポキシ樹脂成形材料を提供すること、及びかかる成形材料によって封止した素子を備えた信頼性の高い電子部品装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を重ねた結果、封止用エポキシ樹脂成形材料に特定の構造を有する化合物を添加することによって、所期の目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
本発明は、以下に関する。
（１）（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、該化合物のホモポリマー及びコポリマーからなる群より選ばれる化合物、及び（Ｄ）硬化促進剤を含有することを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。
【００１２】
【化１】
2006291038.tif 000002
（式中、Ｒは、水素又は炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表す。）
（２）（Ｅ）下記一般式（II）で表される化合物をさらに含有することを特徴とする上記（１）に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【００１３】
【化２】
2006291038.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、及び置換又は非置換の炭素数１〜１０のアルコキシル基からなる群より選ばれ、全てが同一でも異なってもよく、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数１〜１２の２価の炭化水素基であり、同一でも異なってもよく、ｎは１以上の整数を示す。）
（３）上記（Ｄ）硬化促進剤が、有機リン化合物とキノン化合物との付加物を含有することを特徴とする上記（１）又は（２）に記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
（４）（Ｆ）イオントラップ剤をさらに含有することを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
（５）上記（１）〜（４）のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料によって封止された素子を備えることを特徴とする電子部品装置。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料は、流動性及び硬化性等の成形性に優れ、また耐湿信頼性及び耐高温放置特性等の信頼性に優れ、さらに半導体インサート部品であるＡｇメッキ部分との密着性も良好である。したがって、本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて、ＩＣ及びＬＳＩ等の電子部品装置に搭載される素子を封止することによって、高温ＩＲに対する耐リフロークラック性、耐湿信頼性及び耐高温放置特性等に優れ、信頼性に優れた電子部品装置を実現することが可能となるため、その工業的価値は大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の詳細について説明する。  
本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）半導体インサート部品との密着性を高める特定の化合物、及び（Ｄ）硬化促進剤を含有するものであって、上記（Ｃ）成分として、分子内に５員環ジチオカーボネート基とアクリル酸系エステル基とを併せ持つ特定の構造を有する化合物を使用することを特徴とする。本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料は、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分以外に、必要に応じて（Ｅ）密着促進剤及び（Ｆ）イオントラップ剤、さらに無機充填剤、離型剤、難燃剤、及びカップリング剤等の各種添加剤を含んでもよい。以下、本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料を構成する各種成分について詳細に説明する。
【００１６】
（Ａ）エポキシ樹脂は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであってよく、慣用のエポキシ樹脂を特に限定することなく用いることが可能である。本発明において使用可能なエポキシ樹脂として、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やオルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとする、フェノール、クレゾール、キシレノール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック樹脂をエポキシ化したもの、  ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、ビスフェノールＡ／Ｄ等のジグリシジルエーテル、アルキル置換又は非置換のビフェノールのジグリシジルエーテルであるビフェニル型エポキシ樹脂、フェノール類及び／又はナフトール類と、ジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルとから合成されるフェノール・アラルキル樹脂やナフトール・アラルキル樹脂、ビフェニル・アラルキル樹脂等のエポキシ化物、  ハイドロキノン型エポキシ樹脂、フタル酸、ダイマー酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンとの反応によって得られるグリシジルエステル型エポキシ樹脂、  ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応によって得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、  シクロペンタジエンとフェノ−ル類との共縮合樹脂のエポキシ化物であるジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、  ナフタレン環を有するエポキシ樹脂、  トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、  トリメチロールプロパン型エポキシ樹脂、  テルペン変性エポキシ樹脂、  オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化することによって得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環族エポキシ樹脂、  及び上記エポキシ樹脂をシリコーン、アクリロニトリル、ブタジエン、イソプレン系ゴム、ポリアミド系樹脂等によって変性したエポキシ樹脂が挙げられる。上記エポキシ樹脂は単独で用いても又はそれら樹脂の２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１７】
密着性や耐リフロー性等の観点からは、ビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、及び硫黄原子含有エポキシ樹脂等の、結晶性の低分子型二官能エポキシ樹脂が好ましく、それら樹脂は単独で用いても又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、耐高温放置特性又は低反り性の観点からは、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂が好ましく、それら樹脂は単独で用いても又は併用して用いてもよい。
【００１８】
（Ｂ）硬化剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであってよく、慣用の硬化剤を特に限定することなく用いることが可能である。本発明において使用可能な硬化剤として、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び／又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類とホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂、  フェノール類及び／又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス（メトキシメチル）ビフェニルとから合成されるフェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂、ビフェニル・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂、  ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、  テルペン変性フェノール樹脂、  トリフェニルメタン型フェノール樹脂が挙げられる。上記硬化剤は単独で用いても又はそれらの２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１９】
信頼性の観点からは、フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂、ビフェニル・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂が好ましく、それら樹脂は単独で用いても又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、耐高温放置特性又は低反り性の観点からは、トリフェニルメタン型フェノール樹脂が好ましい。
【００２０】
（Ａ）エポキシ樹脂と（Ｂ）硬化剤との当量比、すなわち、エポキシ樹脂におけるエポキシ基数に対する硬化剤における水酸基数の比（硬化剤における水酸基数／エポキシ樹脂におけるエポキシ基数）は、特に制限されるものではないが、各々の成分が過不足なく反応するように０．５〜２の範囲に設定されることが好ましく、０．６〜１．３の範囲がより好ましい。成形性及び耐リフロー性に優れる封止用エポキシ樹脂成形材料を得るために、上記当量比は０．８〜１．２の範囲に設定されることがさらに好ましい。
【００２１】
（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、該化合物のホモポリマー及びコポリマーからなる群から選ばれる化合物は、封止用エポキシ樹脂成形材料とリードフレーム、特にリードフレームＡｇメッキ部や、ＣｕリードフレームにＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ等のメッキを施したＰＰＦリードフレームとの密着性を向上させる密着付与剤として作用する。
【００２２】
【化３】
2006291038.tif 000004
（式中、Ｒは水素、又は炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表す。）
本発明において（Ｃ）成分は、上記一般式（Ｉ）から明らかなように、分子内に５員環ジチオカーボネート基とアクリル酸系エステル基とを併せ持つことを特徴としており、本発明では、このような特定の官能基の相乗効果によって、所期の目的を達成することが可能となる。すなわち、５員環ジチオカーボネート基は、リードフレーム等の半導体インサート品の表面と反応して結合を形成することによって、それら接合部の密着性を高めることになる。一方、アクリル酸系エステル基は、成形材料に低い弾性率をもたらし、接合部の密着性を高めることになる。
【００２３】
一般式（Ｉ）で表される化合物のいくつかは市販品として入手することも可能である。例えば、Ｒがメチル基である化合物は、商品名「ＴＣＭＡ」として協和発酵ケミカル株式会社から入手可能である。一般式（Ｉ）で表される化合物は、モノマーの形態のままで密着性向上における十分な効果を発揮するが、化合物のホモポリマー又はコポリマーの形態で使用することが安全性の観点から好ましい。
【００２４】
上記化合物のホモポリマーは、一般式（III）で表される。
【００２５】
【化４】
2006291038.tif 000005
（式中、Ｒは水素、又は炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表し、ｌは２以上の整数である。）
上記ホモポリマーは、一般式（Ｉ）で表される化合物を慣用の方法に従い重合させることによって調製することが可能である。なお、重合度「ｎ」は２以上の整数となるが、ｎ＝２００以下が好ましく、ｎ＝１００以下がより好ましく、ｎ＝５０以下であることが特に好ましい。ｎが２００を超えるとホモポリマーの粘度が上昇し、成形材料を構成する成分同士の混練が不十分となるか、又はそのようなホモポリマーをエポキシ樹脂成形材料に添加した場合には十分な流動性が得られない可能性がある。
【００２６】
一方、上記コポリマーは、一般式（Ｉ）で表される化合物と、分子内に不飽和結合を有する化合物とから調製することが可能である。例えば、一般式（Ｉ）で表される化合物と、メタクリル酸メチル又はその誘導体とから調製されるコポリマーが挙げられ、そのようなコポリマーは下記一般式（IV）で表される。
【００２７】
【化５】
2006291038.tif 000006
（式中、Ｒは水素、又は炭素数１〜５の飽和炭化水素基を表し、ｌ及びｍは１以上の整数である。）
一般式（IV）で表されるコポリマーのいくつかは市販品として入手することも可能である。例えば、Ｒがメチル基、ｌおよびｍがともに４２であり、重量平均分子量が１２０００であるコポリマーを主成分とする試薬が、商品名「ＴＭ−００７」として協和発酵ケミカル株式会社から入手可能である。なお、本発明で（Ｃ）密着付与剤として使用可能なコポリマーは、上記一般式（IV）で表されるコポリマーに限定されるものではなく、アクリロニトリル、アクリル酸メチル、酢酸ビニル、無水マレイン酸、イソプレン、Ｎ−(１,１−ジメチル−３−オキソブチル)アクリルアマイド、等の分子内に不飽和結合を有する化合物と、上記一般式（Ｉ）で表される化合物とから調製されるコポリマーであってもよい。コポリマーは、一般式（Ｉ）で表される化合物から誘導される構成単位を含有すればよく、その他の構成単位は特に限定されるものではない。コポリマーは、本発明によって達成される密着性向上の効果を阻害しない範囲で、２成分系、３成分系、又はそれ以上であっても構わない。
【００２８】
上記コポリマーの重合度は、先に説明したホモポリマーと同様の範囲であることが好ましい。すなわち、例えば、一般式（IV）で表されるコポリマーの場合、重合度（ｌ＋ｍ）＝２００以下が好ましく、（ｌ＋ｍ）＝１００以下がより好ましく、（ｌ＋ｍ）＝５０以下が特に好ましい。ホモポリマーの場合と同様に、重合度（ｌ＋ｍ）が２００を超えるとコポリマーの粘度が上昇し、成形材料を構成する成分同士の混練が不十分となるか、又はそのようなコポリマーをエポキシ樹脂成形材料に添加した場合には十分な流動性が得られない可能性がある。また、コポリマーを構成するｌ及びｍの重合比率は、ｌ／（ｌ＋ｍ）≧０．３の範囲が好ましい。ｌ／（ｌ＋ｍ）の値が０．３よりも小さくなると、本発明によって得られる密着力向上の効果が不十分となるか、又はコポリマーそのものの粘度が上昇し、成形材料を構成する成分同士の混練が困難になる可能性がある。
【００２９】
（Ｃ）上記式（Ｉ）で表される化合物、そのホモポリマー又はコポリマーの配合量は、成形材料を構成する全成分の重量を基準として、０．０５〜３．０重量％であることが好ましく、０．１〜１．５重量％がより好ましく、０．１５〜１重量％であることが特に好ましい。配合量が０．０５重量％未満となると、密着性向上の効果が不十分となり、３．０重量％を超えると硬化性が低下して成形性に劣る結果となり、耐高温放置特性又は耐湿信頼性等の信頼性にも悪影響を与える可能性がある。
【００３０】
（Ｄ）硬化促進剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであってよく、慣用の硬化促進剤を特に限定することなく用いることが可能である。本発明において使用可能な硬化促進剤として、例えば、リン化合物系硬化促進剤、アミン化合物系硬化促進剤、及びイミダゾール化合物系硬化促進剤が挙げられる。流動性又は硬化性等の成形性、及び耐湿信頼性又は耐高温放置特性等の信頼性の観点からは、有機リン化合物とキノン化合物との付加物が好ましく、これを単独で用いるか又は他の慣用の硬化促進剤と組み合わせて用いてもよい。なお、後者の場合、（Ｄ）硬化促進剤の全重量を基準として、有機リン化合物とキノン化合物との付加物の含有量を５０重量％以上とすることが好ましい。
【００３１】
有機リン化合物の具体例として、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン等のジアルキルアリールホスフィン、ジフェニルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン等のアルキルジアリールホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィン等のトリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（アルキル・アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィン、ジフェニルホスフィン、及びジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィンといった有機ホスフィンが挙げられる。中でも、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス（４−メチルフェニル）ホスフィンが好ましい。
【００３２】
キノン化合物の具体例として、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、１，４−アントラキノン、２，３−ジメチル−１，４−ベンゾキノン、２，５−ジメチル−１，４−ベンゾキノン、メチル−１，４−ベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，５−ジ−t−ブチル−１，４−ベンゾキノン、t−ブチル−１，４−ベンゾキノン等のアルキル基置換ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４ベンゾキノン、２，５−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、メトキシ−１，４−ベンゾキノン等のアルコキシ基置換ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン等のアルコキシアルキルベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のアリール基置換ベンゾキノン、及びこれらの誘導体が挙げられる。中でも、１，４−ベンゾキノンが好ましい。
【００３３】
有機リン化合物とキノン化合物との付加物としては、上記有機ホスフィンと上記キノン化合物との付加物が好ましい。中でも、トリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物、トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物、及びトリス（４−メチルフェニル）ホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物がより好ましい。
【００３４】
（Ｄ）硬化促進剤の配合量は、硬化促進効果が得られればよく、特に制限されるものではない。しかし、硬化性及び流動性の観点からは、配合量は０．００５〜２重量％の範囲であることが好ましく、０．０１〜０．５重量％がより好ましい。０．０５〜０．３重量％の範囲がさらに好ましい。配合量が０．００５重量％未満となると、短時間で十分な硬化を達成することが困難になる傾向があり、２重量％を超えると硬化速度が速すぎて良好な成形品を得ることが困難になる傾向がある。なお、硬化促進効果は、硬化促進剤の種類によって異なるため、（Ｄ）硬化促進剤の配合量は、上記範囲に制限されるものではなく、用いる硬化促進剤の硬化促進効果に応じて適宜調整されることが望ましい。
【００３５】
本発明では、先に説明した（Ｃ）密着付与剤として作用する特定の化合物と共に（Ｅ）密着促進剤として作用する化合物を使用することが好ましい。特に、下記一般式（II）で表される化合物を使用することが好ましい。下記一般式（II）で表される化合物を使用することによって、成形材料の密着性が向上し、リードフレームＡｇメッキ部、又はＣｕリードフレームにＮｉ-Ｐｄ-Ａｕ等のメッキを施したＰＰＦリードフレームとの密着力向上の効果をさらに高めることが可能である。
【００３６】
【化６】
2006291038.tif 000007
（式中、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、及び置換又は非置換の炭素数１〜１０のアルコキシル基からなる群より選ばれ、全てが同一でも異なってもよく、Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して、置換又は非置換の炭素数１〜１２の２価の炭化水素基であり、同一でも異なってもよく、ｎは１以上の整数を示す。）
ここで、上記一般式（II）のＲ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８として記載した「炭素数１〜１０の１価の炭化水素基」は、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、イソプロピル基、イソブチル基等の炭素数１〜１０のアルキル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数６〜１０のアリール基、及びベンジル基、フェネチル基等の炭素数６〜１０のアラルキル基等を含むことを意味する。また、「炭素数１〜１０のアルコキシル基」とは、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜１０のアルコキシル基等を含むことを意味する。なお、それぞれの基は、非置換に限らず、又はアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、水酸基、ハロゲン原子等で置換されたものであってもよい。Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８は、それぞれ独立して選ばれ、アルキル基又はアルコキシル基であることが好ましく、密着性の観点からはＲ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８の少なくとも１つ以上がアルコキシル基であることがより好ましい。
【００３７】
上記一般式（II）のＲ４及びＲ５として記載した「炭素数１〜１２の２価の炭化水素基」とは、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基、イソプロピレン基、イソブチレン基等の炭素数１〜１２のアルキレン基、及びフェニレン基、ビフェニレン基、ナフタレン基、トリレン基等の炭素数６〜１２のアリーレン基、及び炭素数６〜１２の芳香族環を含むことを意味する。なお、それぞれの基は、非置換に限らず、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシル基、水酸基、ハロゲン原子等で置換されたものであってもよい。Ｒ４及びＲ５は、それぞれ独立して選ばれ、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ヘキシレン基等のアルキル基が好ましく、プロピレン基がより好ましい。
【００３８】
上記一般式（II）の「ｎ」は、１以上の整数を示し、１〜１０であることが好ましく、２〜５であることがより好ましい。密着性及び耐湿性の観点から、本発明では、（Ｅ）密着促進剤の全重量を基準として、ｎ＝２〜５である化合物の含有量が、５０重量％以上となることが好ましく、７０重量％以上となることがより好ましい。中でも、ｎ＝３〜４となる化合物の含有量が３０重量％以上となることが好ましく、４０重量％以上となることがより好ましい。（Ｅ）密着促進剤中のｎ＝１の化合物の含有量が多くなると、硫黄原子に対するＡｇ等の金属原子の配位性が低下し、密着性向上の効果が不十分となる傾向がある。そのため、ｎ＝１の化合物の含有量は、（Ｅ）密着促進剤の全重量を基準として、２０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましく、５重量％以下であることがさらに好ましい。一方、（Ｅ）密着促進剤中のｎ＝６以上の化合物の含有量が多くなると、スルフィド結合の開裂によって、ＳＯ４−イオン等のイオン性不純物が発生し易くなり、耐湿性が低下する傾向がある。そのため、ｎ＝６以上の化合物の含有量は、（Ｅ）密着促進剤の全重量を基準として、３０重量％以下であることが好ましく、２０重量％以下であることがより好ましい。
【００３９】
上記一般式（II）で表される化合物の中でも、好ましい化合物の一例として、Ｒ１〜Ｒ３及びＲ６〜Ｒ８がそれぞれエトキシ基であり、Ｒ４及びＲ５がそれぞれプロピル基であり、ｎが３又は４である化合物が挙げられる。そのような化合物を主成分とする試薬は市販されており、商品名「Ａ−１２８９」として日本ユニカー株式会社から入手可能である。
【００４０】
上記一般式（II）で表される化合物の配合量は、封止用エポキシ樹脂成形材料を構成する全成分の重量を基準として、０．０５〜３重量％の範囲とすることが好ましい。配合量が０．０５重量％未満であると密着力向上の効果が不十分となる可能性があり、３重量％を超えると耐湿信頼性又は耐高温放置特性等の信頼性が低下する可能性がある。
【００４１】
本発明では、上記一般式（II）で表される化合物を（Ｅ）密着促進剤として用いるが、かかる化合物以外に、必要に応じて、成形材料の密着性を高め、リードフレーム等のインサート部品との密着性を高める効果が得られる周知の化合物を併用してもよい。Ｃｕリードフレームと封止用エポキシ樹脂成形材料との密着性向上に効果的な密着促進剤の具体例として、例えば、イミダゾール、トリアゾール、テトラゾール、トリアジン等及びこれらの誘導体、アントラニル酸、没食子酸、マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、アミノフェノール、キノリン等及びこれらの誘導体、脂肪族酸アミド化合物、ジチオカルバミン酸塩、及びチアジアゾール誘導体が挙げられる。
【００４２】
（Ｆ）イオントラップ剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されているものであってよく、本発明では慣用のイオントラップ剤を特に制限なく使用することが可能である。封止用エポキシ樹脂成形材料への（Ｆ）イオントラップ剤の配合は、パッケージの耐湿信頼性又は耐高温放置特性等の信頼性の点で有利である。イオントラップ剤の具体例として、ハイドロタルサイト、又はアンチモン、ビスマス、ジルコニウム、チタン、スズ、マグネシウム、及びアルミニウムからなる群より選ばれる元素の含水酸化物等が挙げられ、これらを単独で用いても又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。環境保護等の観点からは、下記一般式（V）で示されるハイドロタルサイトが好ましい。
【００４３】
（化７）
Ｍｇ１−ＸＡｌＸ（ＯＨ）２（ＣＯ３）Ｘ／２・ｍＨ２Ｏ      （V）
（０＜Ｘ≦０.５、ｍは正の整数）
イオントラップ剤の配合量は、成形材料の調製時に生じるハロゲンイオン等のイオン性不純物を捕捉するのに十分な量であればよい。特に制限されるものではないが、実用面では（Ａ）エポキシ樹脂の全重量を基準として、０．１〜３０重量％の範囲が好ましく、１〜１０重量％がより好ましく、２〜５重量％がさらに好ましい。イオントラップ剤の配合量が０．１重量％未満の場合にはイオン性不純物の捕捉が不十分となる傾向がある。一方、配合量が３０重量％を超えると捕捉効果は大きく変化しないため経済的に不利となる。
（その他添加剤）
本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料は、先に説明した（Ａ）〜（Ｆ）成分以外にも、当技術分野で周知の各種添加剤を含んでもよい。
【００４４】
例えば、無機充填剤を成形材料に配合してよい。無機充填剤の配合は、吸湿性、線膨張係数低減、熱伝導性向上及び強度向上の観点から好ましい。無機充填剤は、封止用エポキシ樹脂成形材料に一般に使用されるものであってよく、本発明では慣用の無機充填剤を特に制限なく使用することが可能である。無機充填剤の具体例として、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ジルコン、珪酸カルシウム、炭酸カルシウム、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリア、ジルコニア、ジルコン、フォステライト、ステアタイト、スピネル、ムライト、チタニア等の粉体、又はこれらを球形化したビーズ、ガラス繊維が挙げられる。さらに難燃効果のある無機充填剤として、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、及びモリブデン酸亜鉛が挙げられる。上記無機充填剤は、単独で用いても又はそれらの２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが好ましい。また、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましい。なお、無機充填剤の形状は、成形時の流動性及び金型摩耗性の観点から、球形であることが好ましい。無機充填剤の配合量は、難燃性、成形性、吸湿性、線膨張係数低減及び強度向上の観点から、封止用エポキシ樹脂成形材料の全重量を基準として、６０重量％以上が好ましく、７０〜９５重量％がより好ましく、７５〜９２重量％がさらに好ましい。配合量が６０重量％未満の場合は難燃性及び耐リフロー性の改善が不十分となる傾向があり、９５重量％を超えると流動性が低下する傾向がある。
【００４５】
また、カップリング剤を成形材料に配合することも可能である。カップリング剤の配合は、無機充填剤とその他樹脂成分との密着性改善の観点から好ましい。本発明において使用可能なカップリング剤の具体例として、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、ビニルシラン等の各種シラン系化合物、チタン系化合物、アルミニウムキレート類、アルミニウム／ジルコニウム系化合物が挙げられるが、その他、慣用のカップリング剤を使用してもよい。
【００４６】
さらに、必要に応じて、金型からの離型性を確保するための離型剤、応力緩和剤、及び着色剤等の慣用の添加剤を成形材料に配合することが可能である。特に限定されるものではないが、離型剤の具体例として、カルナバワックス、モンタン酸、ステアリン酸、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、モンタン酸エステル等のエステル系ワックス、ポリエチレン、酸化ポリエチレン等の酸化型又は非酸化型のポリオレフィン系ワックスが挙げられる。また、応力緩和剤の具体例として、シリコーンオイル及びシリコーンゴム粉末が挙げられる。さらに、着色剤の具体例として、カーボンブラック、有機染料、有機顔料、酸化チタン、鉛丹、ベンガラが挙げられる。
【００４７】
本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料は、各種原材料を均一に分散混合できるのであれば、いかなる手法を用いても調製できる。一般的な手法として、所定の配合量の原材料をミキサー等によって十分に混合した後、ミキシングロール、ニーダ、押出機等によって溶融混練を行い、次いで冷却し、粉砕する方法を挙げることができる。なお、成形材料は、取り扱いを容易にするために成形条件に適した寸法及び重量でタブレット化してもよい。
【００４８】
また、本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料は、液状樹脂を用いるか又は各種有機溶剤に溶解して液状の成形材料として使用することも可能である。さらに、そのような液状の封止用エポキシ樹脂成形材料を、板又はフィルム上に薄く塗布し、次いで樹脂の硬化反応が過度に進行しない条件下で有機溶剤を飛散させることによって得られるシート又はフィルムの形態で使用することも可能である。
【００４９】
本発明による電子部品装置は、リードフレーム、配線済みのテープキャリア、配線板、ガラス、シリコンウエハ等の支持部材に、半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子、コンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子等の素子を搭載したものであって、素子部が先に説明した本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料によって封止されていることを特徴とする。本発明による電子部品装置の一例として、リードフレーム上に半導体素子を固定し、ボンディングパッド等の素子の端子部とリード部をワイヤボンディングやバンプで接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を用いてトランスファ成形等により封止してなる、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＰＬＣＣ（Plastic Leaded Chip Carrier）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-lead package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）等の樹脂封止型ＩＣ、
テープキャリアにリードポンディングした半導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したＴＣＰ（Tape Carrier Package）、
配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップを、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したＣＯＢ（Chip On Board）、ＣＯＧ（Chip On Glass）等のベアチップ実装した半導体装置、
配線板やガラス上に形成した配線に、ワイヤーボンディング、フリップチップボンディング、はんだ等で接続した半導体チップ、トランジスタ、ダイオード、サイリスタ等の能動素子及び／又はコンデンサ、抵抗体、コイル等の受動素子を、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で封止したハイブリッドＩＣ、
マルチチップモジュール、マザーボード接続用の端子を形成したインターポーザ基板に半導体チップを搭載し、バンプ又はワイヤーボンディングによって半導体チップとインターポーザ基板に形成された配線を接続した後、本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料で半導体チップ搭載側を封止したＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＣＳＰ（Chip Size Package）、ＭＣＰ（Multi Chip Package）
等が挙げられる。その他、プリント回路板の封止にも本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料を有効に使用することが可能である。
【００５０】
本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて素子を封止する方法としては、低圧トランスファ成形法が最も一般的である。しかし、インジェクション成形法、圧縮成形法等を用いてもよい。封止用エポキシ樹脂成形材料が、常温において液状又はペースト状となる場合、ディスペンス方式、注型方式、印刷方式等を適用することも可能である。また、封止方法は、素子を樹脂によって直接封止する一般的な方法に限定されるものではなく、素子に電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料が直接接触しない形態（中空パッケージ方式）での封止方法であってもよい。本発明による封止用エポキシ樹脂成形材料は、そのような中空パッケージ方式の封止方法においても成形材料として好適に使用することが可能である。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明するが、本発明の範囲は以下の実施例によって限定されるものではない。
（実施例１〜３０、比較例１〜９）
以下、各実施例及び各比較例で使用した各種原材料を示す。
【００５２】
（Ａ）エポキシ樹脂
ビフェニル型エポキシ樹脂：エポキシ当量１９６、融点１０６℃、油化シェルエポキシ株式会社製、商品名「エピコートＹＸ−４０００Ｈ」。  
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂：エポキシ当量１９５、軟化点６８℃、新日鉄化学株式会社製、商品名「ＹＤＦ−８１７０Ｃ」。  
硫黄原子含有エポキシ樹脂：エポキシ当量２４５、軟化点１１３℃、新日鐵化学社製、商品名「ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ」。
【００５３】
（Ｂ）硬化剤
フェノール・アラルキル樹脂：水酸基当量１７５、軟化点７０℃、三井化学株式会社製、商品名「ミレックスＸＬ−２２５」。  
ビフェニル・アラルキル樹脂：水酸基当量１９９、軟化点６６℃、明和化成株式会社製、商品名「ＭＥＨ−７８５１」。
【００５４】
（Ｃ）密着付与剤
ＴＣＭＡ：下記化学式（Ｉ）で表される化合物（式中、Ｒはメチル基である）を主成分とする試薬（協和発酵ケミカル株式会社製、商品名「ＴＣＭＡ」）。式（I）において、である。
【化８】
2006291038.tif 000008
【００５５】
ＴＭ−００７：下記一般式（IV）で示される化合物（式中、Ｒはメチル基、ｌおよびｍはともに４２である）を主成分とする試薬（協和発酵ケミカル株式会社製、商品名「ＴＭ−００７」）。
【化９】
2006291038.tif 000009
【００５６】
ＤＴＣＥ：（Ｃ）本発明の比較として、下記化学式(VI)で表される化合物（協和発酵ケミカル株式会社製、商品名「ＤＴＣＥ」）。
【化１０】
2006291038.tif 000010
【００５７】
（Ｄ）硬化促進剤
硬化促進剤１：トリフェニルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物。  
硬化促進剤２：トリス（４−メチルフェニル）ホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物。  
硬化促進剤３：トリブチルホスフィンと１，４−ベンゾキノンとの付加物。  
硬化促進剤４：テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（北興化学株式会社製、商品名「ＴＰＰ−Ｋ」）とフェノールノボラック樹脂（明和化成株式会社製、商品名「Ｈ−１」、水酸基当量１０６、軟化点８０℃）との混融物（ＴＰＰ−Ｋ含有率１０重量％）。  
硬化促進剤５：１，８−ジアザ−ビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７と１，４−ベンゾキノンとの付加物。  
硬化促進剤６：１，８−ジアザ−ビシクロ［５，４，０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）のフェノールノボラック塩（ＤＢＵ含有率３０重量％）。  
硬化促進剤７：２−フェニル−４−メチルイミダゾール（２Ｐ４ＭＺ）とフェノールノボラック樹脂の混融物（２Ｐ４ＭＺ含有率１０重量％）。
【００５８】
（Ｅ）密着促進剤
Ａ−１２８９：下記化学式(VII)で表される化合物を主成分とした試薬（日本ユニカー株式会社製、商品名「Ａ−１２８９」）。
【化１１】
2006291038.tif 000011
【００５９】
（Ｆ）イオントラップ剤
ハイドロタルサイト（協和化学工業株式会社製、商品名「ＤＨＴ−４Ａ」）。
【００６０】
（その他添加剤）
無機充填剤：平均粒径１７．５μｍ、比表面積３．８ｍ２／ｇの球状溶融シリカ。  
離型剤：酸化型ポリエチレン（クラリアント株式会社製、商品名「ＰＥＤ１９１」）及びモンタン酸エステル（クラリアント社製、商品名「Ｈｏｅｃｈｓｔ−Ｗａｘ  Ｅ」）。
【００６１】
難燃剤：三酸化アンチモン及びエポキシ当量３７５、軟化点８０℃、臭素含量４８重量％のビスフェノールＡ型ブロム化エポキシ樹脂（住友化学工業株式会社製、商品名「ＥＳＢ−４００Ｔ」）。  
着色剤：カーボンブラック（三菱化学株式会社製、商品名「ＭＡ−１００」）。
【００６２】
上述の各種原材料をそれぞれ表１〜３に示す重量部で配合し、混練温度８０℃、混練時間１０分の条件下でロール混練を行い、実施例１〜３０及び比較例１〜９に該当する各封止用エポキシ樹脂成形材料を調製した。
【００６３】
【表１】
2006291038.tif 000012
【００６４】
【表２】
2006291038.tif 000013
【００６５】
【表３】
2006291038.tif 000014
【００６６】
次に、先に調製した各封止用エポキシ樹脂成形材料を用いてパッケージを成形し、以下に示す各試験によって各種特性について評価した。評価結果を表４〜６に示す。なお、封止用エポキシ樹脂成形材料の成形は、トランスファ成形機によって、金型温度１８０℃、成形圧力６．９ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件下で行った。また、後硬化は１７５℃で６時間にわたって行った。
【００６７】
（１）熱時硬度
中央部に直径３０ｍｍ、深さ４ｍｍのカル部分を持ったバリ金型（三富金属株式会社製）を用い、封止用エポキシ樹脂成形材料を上記成形条件下で、直径３０ｍｍ×厚さ４ｍｍの円板形状に成形した。成形後直ちに（トランスファプレスの下型が開き始めてから５秒後に金型を取リ出し、その直後に）、成形品（金型中央部のカル部分）のショアＤ硬度を測定した。
（２）スパイラルフロー（流動性の指標）
ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用金型を用いて、封止用エポキシ樹脂成形材料を上記条件で成形し、流動距離（ｃｍ）を求めた。
【００６８】
（３）密着性
リード先端にＡｇメッキが施されたＣｕ（Ｃ−１９４）製のリードフレームに、Ａｇペースト（日立化成工業株式会社製、商品名「ＥＮ‐４９００Ｇ」）を用いてダミーチップ（８×１０×０．３ｍｍ厚）を固定した。次いで、封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて上記条件下で成形及び後硬化を行い、十字スリットのアイランド形状を持った外形寸法２０ｍｍ×１４ｍｍ×１．４ｍｍ厚の８０ピンフラットパッケージ（ＬＱＦＰ１４２０−８０ｐ）を作製した。作製したパッケージを８５℃、８５％ＲＨの条件で１６８時間にわたって吸湿させ、次いでＩＲリフロー炉（株式会社ジャード製）を通過させ、最高温度２５０℃、１０秒の条件でリフロー処理を行った。処理後のパッケージ内部について、株式会社日立製作所製ＳＡＴを用いて観察した。なお、密着性は、リード先端のＡｇメッキ部分と封止用エポキシ樹脂成形材料との剥離面積が、Ａｇメッキ部分全体の３０％以上に及んでいるパッケージ数（不良パッケージ数）をカウントし、試験パッケージ数（１２）に対する不良パッケージ数によって評価した。
【００６９】
（４）耐リフロークラック性
上記（３）と同様にして、８０ピンフラットパッケージを作製し、リフロー処理を行い、次いでパッケージの内部及び外部を観察した。なお、耐リフロークラック性は、パッケージにおけるクラックの有無を確認し、試験パッケージ数（１２個）に対するクラック発生パッケージ数によって評価した。
【００７０】
（５）耐湿信頼性
４２Ａｌｌｏｙ合金製のリードフレームに、Ａｇペースト（日立化成工業株式会社製、品名「Ｎ‐４０００Ｇ」を用いてチップ（９．６×５．１ｍｍ）を固定し、これらをＡｕ線（φ２５μｍ）を用いて電気的に導通させた。これを、封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて上記条件で成形し、次いで後硬化することによってＳＯＰ−２８ｐパッケージ（１８×８．４×２．６ｍｍ厚）を作製した。作製したパッケージを、８５℃、８５％ＲＨの条件で、４８時間にわたって吸湿させ、次いでＩＲリフロー炉（株式会社ジャード製）を通過させ、最高温度２４０℃、１０秒の条件でリフロー処理を行った。引き続き、パッケージをＰＣＴ（プレッシャークッカーテスト：１２１℃、２×１０５Ｐａ）に投入し、５００時間経過後の不良パッケージ数をカウントした。耐湿信頼性は、試験パッケージ数（１０個）に対する不良パッケージ数によって評価した。なお、外部からの電圧に対して電気的導通のないパッケージを不良と判定した。
【００７１】
（６）耐高温放置特性
酸化膜を有するシリコンサブストレート上に、ライン/スペース１０μｍのアルミ配線を形成した外形サイズ５×９ｍｍ、厚さ５μｍのテスト素子を、部分銀メッキを施した１６ピン型ＤＩＰ（Dual Inline Package）４２アロイリードフレームに銀ペーストを用いて搭載し、次いでサーモニックワイヤによって、２００℃で素子のボンディングパッドとインナーリードとをＡｕ線を用いて接続した。これを、封止用エポキシ樹脂成形材料を用いて上記条件で成形し、次いで後硬化することによってパッケージを作製した。作製したパッケージを、２００℃の高温槽中に５００時間、及び１０００時間にわたって保管した後、取り出して導通試験を行った。耐高温放置特性は、試験パッケージ数（１０個）に対する不良発生パッケージ数によって評価した。
【００７２】
【表４】
2006291038.tif 000015
【００７３】
【表５】
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【００７４】
【表６】
2006291038.tif 000017
【００７５】
密着付与剤を含まないか（比較例１〜３）、密着付与剤として本発明による特定の化合物とは異なる化合物を含むか（比較例４〜６）、又は密着促進剤のみを含む（比較例７〜９）の場合には、密着性及び耐リフロークラック性に劣る結果となった。一方、密着付与剤として本発明による特定の化合物を含む実施例１〜３０は、密着性及び耐リフロークラック性に優れ、さらに耐湿信頼性及び耐高温放置特性等の信頼性にも優れる結果となった。中でも、特に、密着促進剤を併用する実施例１４及び１５では密着性に優れ、硬化促進剤として有機リン化合物とキノン化合物との付加物を用いた実施例１〜４、９〜１５、１６〜１９、２４〜３０では流動性及び硬化性等の成形性に優れ、イオントラップ剤を用いた実施例１５及び３０では耐湿信頼性又は耐高温放置特性に優れることが分かった。