(57)【要約】【課題】バーンインテストプロセスを効率的に行うことができるシステムを提供する。【解決手段】このシステムは、１つ以上のテスト中の回路内のロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）回路構成１１０と、テスト中の回路内のＬＢＩＳＴ回路構成に結合されると共にこれを制御するように構成された１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラ１２０と、１つ以上のテスト中の回路に対応する温度を測定するように構成された１つ以上の熱センサ１３０と、を具備する。１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、１つ以上の熱センサ１３０からの温度を示す１つ以上の信号を受信すると共に、温度を所望のレベルへ駆動するように、１つ以上のテスト中の回路内のＬＢＩＳＴ回路構成１１０の動作を制御するように構成される。【選択図】      図１
2006084472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のテスト中の回路の夫々の温度をモニタする工程と、ここで、前記テスト中の回路の夫々はロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）回路構成を組込むことと、
前記テスト中の回路の温度測定値に応答して、前記テスト中の回路の夫々の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御する工程と、
を具備し、前記ＬＢＩＳＴ回路構成は、前記テスト中の回路の夫々の前記温度を目標温度範囲に向けて駆動するように制御される方法。
【請求項２】
１つ以上のテスト中の回路の夫々の温度をモニタする工程と、ここで、前記テスト中の回路の夫々はロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）回路構成を組込むことと、
前記テスト中の回路の温度測定値に応答して、前記テスト中の回路の夫々の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御する工程と、
を具備し、前記テスト中の回路の夫々の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御する工程は、前記ＬＢＩＳＴ回路構成が動作される速度を調整する工程を具備する方法。
【請求項３】
前記ＬＢＩＳＴ回路構成が動作される速度を調整する工程は、前記ＬＢＩＳＴ回路構成内の１つ以上の走査チェーンへデータが走査されるレートを調整する工程を具備する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）コントローラを具備するデバイスであって、前記コントローラは、
１つ以上の熱センサからの信号を受信することと、前記信号は、１つ以上のテスト中のデバイスの温度に対応することと、
前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルにあるかを決定することと、
前記１つ以上のテスト中のデバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成を駆動する制御信号を生成することと、前記制御信号は、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルより低い時に熱を多く発生し、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルより高い時に熱を少なく発生するように、前記ＬＢＩＳＴ回路構成を駆動することと、
を行うように構成され、
前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度を１つ以上の温度閾値と比較するように構成された第１のコンパレータを含み、
前記第１のコンパレータは、上側閾値及び下側閾値を記憶するように構成された１つ以上のレジスタに結合され、また、前記第１のコンパレータは、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度を上側温度閾値と比較して前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が前記所望のレベルよりも上にあるかを決定すると共に、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度を下側温度閾値と比較して前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が前記所望のレベルよりも下あるかを決定するように構成される。
【請求項５】
ロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）コントローラを具備するデバイスであって、前記コントローラは、
１つ以上の熱センサからの信号を受信することと、前記信号は、１つ以上のテスト中のデバイスの温度に対応することと、
前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルにあるかを決定することと、
前記１つ以上のテスト中のデバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成を駆動する制御信号を生成することと、前記制御信号は、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルより低い時に熱を多く発生し、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルより高い時に熱を少なく発生するように、前記ＬＢＩＳＴ回路構成を駆動することと、
を行うように構成され、
前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記１つ以上のテスト中のデバイス内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成を前記ＬＢＩＳＴコントローラが駆動する走査移動速度を選択するように構成された走査移動速度セレクタを含む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、全般的には電子回路のテストに関し、より具体的には、テスト条件に影響するように、利用可能なロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）構成部品を使用して、テスト条件を制御するためのシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスは、デバイスの機能性を提供するように相互接続された多数の個別の構成部品から構成される。デバイスを構成する個別の構成部品の夫々は、相互に関連して故障する可能性がある。１つの構成部品が故障すると、それによって行われる機能が損なわれ、従って、デバイスも故障する。
【０００３】
通常、電子デバイスの故障率は時間と共に変化する。典型的なデバイスにおいては、初期に故障率が比較的高くなる。この高い初期故障率は、欠陥があるために故障しやすい構成部品によるものである。欠陥があるためにこの初期段階に故障しやすい構成部品を全く含んでいないようなデバイスにおいては、故障率は、比較的高い初期レベルから非常に低いレベルに低下すると共に、この低いレベルに比較的長期間留まることができる。ある時点で、構成部品が疲労し始めることにより故障率は再び上昇する。この時点で、デバイスは、その使用寿命の終わりに到達しており、故障は、欠陥構成部品によるのではなく、「老化」による結果である。
【０００４】
購入後直ぐに故障するような製品を顧客に提供するのを避けるため、多くの製品製造業者は、欠陥製品を同定するためのあるタイプのテストを行い、顧客にそれらが売却されないようにしている。典型的には、「バーンイン（Burn-in）」テストと呼ばれるタイプのテストが、これらの欠陥製品を同定するために使用される。バーンインテストは、製品の実際の使用のシミュレーションを行うと共に、製品寿命の初期部分をテストのために使用する。これにより、欠陥製品は、顧客による通常運転中に顧客側で故障するのではなく、テスト中に製造業者の設備で故障するようになる。製品寿命の初期部分が経過すると共に、故障の可能性が初期の高いレベルからより低い許容可能なレベルに低下した後、製品が比較的長期間故障しないという高いレベルの信頼性をもって、製品が顧客に売却される。
【０００５】
バーンインテストは、典型的には、通常使用において製品が経験すると思われる最悪事態条件をシミュレーションする。例えば、電子デバイスの場合、バーンインテストは、高電圧且つ高温におけるデバイスの動作をしばしば伴う。テスト条件が過酷であっても、バーンインテストを受けるデバイスの夫々に対して一貫して適用できるように、テスト条件を制御することがいずれにしても望ましい。テスト条件の制御が望ましい理由は次のようなものである。即ち、デバイスに対して、通常使用において出会うであろう最も過酷な条件を与えることが有用である一方、予想されるよりも過酷な条件を形成することは非生産的であり、この場合、通常使用では故障しないはずの製品を故障させる可能性がある。
【０００６】
バーンインテストのための適正な条件を維持するため、複雑なテスト機器を設計または購入することが必要となる可能性がある。例えば、マイクロプロセッサまたは他の大規模集積回路のような電子デバイスの場合、多くの異なるデバイスのためのテスト条件を同時に個別に制御可能な高価なテスト機械を使用してデバイスをテストすることは珍しくない。これらのテスト機械は、典型的には、デバイスの夫々に提供される電圧を個別に制御すると共に、適正な温度を維持するように異なるデバイスを個別に加熱及び／または冷却することも行う。これらのテスト機械は複雑であるため、典型的には、購入するのが非常に高価であると共に、運転するのも非常に高価であることが容易に理解できる。
【０００７】
従って、マイクロプロセッサまたは大規模集積回路のようなデバイスのバーンインテストを行うため、現在使用されているような複雑なテスト機械が不要で、バーンインテストプロセスを、従来のシステム及び方法よりも効率的且つ安価にすることができるシステム及び方法を提供することが望ましい。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題は、本発明の様々な実施形態によって解消することが可能である。概略的には、本発明は、テスト条件に影響するように、ロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）構成部品を使用して、テスト条件を制御するためのシステム及び方法を含む。１実施形態において、ＬＢＩＳＴコントローラは、テスト中のデバイスの設計に組込まれるＬＢＩＳＴ回路構成と、前記テスト中のデバイスと熱的に連通する熱センサとに結合される。前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記熱センサからデバイス温度情報を受信すると共に、前記ＬＢＩＳＴ回路構成に提供される制御信号を変更し、前記デバイス温度を所望のレベルに駆動する態様で前記ＬＢＩＳＴ回路構成を動作させるように構成される。１実施形態において、前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記ＬＢＩＳＴ回路構成が複数の走査チェーン中へ及び中からデータを走査する速度を調整することにより、この動作によって発生される熱量を調整し、これは一方で前記デバイスの温度に影響する。
【０００９】
１実施形態は、１つ以上のテスト中のデバイスの夫々の温度をモニタする工程と、ここで、各デバイスはＬＢＩＳＴ回路構成を組込むことと、前記デバイスの温度に応答して各デバイスの前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御する工程と、を含む方法を具備する。前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作は、各デバイス内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成が動作される速度（例えば、走査移動速度）を調整することにより、制御可能となる。前記デバイスの温度が低すぎる場合、前記走査移動速度が増加され、前記温度が押し上げられる。前記デバイスの温度が高すぎる場合、前記走査移動速度が減少され、前記温度が押し下げられる。前記方法は、各デバイスの前記ＬＢＩＳＴ回路構成を独立的に制御すると共に、各デバイスの温度を目標温度範囲に向けて駆動するように使用可能となる。
【００１０】
代替実施形態は、ＬＢＩＳＴコントローラを具備する。前記ＬＢＩＳＴコントローラは、熱センサからの温度信号を受信し、対応するテスト中のデバイスの温度が所望のレベルにあるかを決定し、更に、より多い、より少ない、または同じ熱量を発生するように、前記デバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成を駆動するための制御信号を生成するように構成される。１実施形態において、前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記テスト中のデバイスの温度を、上側及び下側温度閾値と比較するように構成された第１のコンパレータを含む。前記第１のコンパレータは、前記ＬＢＩＳＴコントローラが前記テスト中のデバイス内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成を駆動する走査移動速度を選択する走査移動速度セレクタに、制御信号を提供する。前記走査移動速度セレクタは、前記選択された走査移動速度をバイナリカウンタ及びゲート信号と比較するように構成された第２のコンパレータに、選択されたレートを提供する。前記ゲート信号は、クロック信号と共に論理積処理を受け、選択されたレートで前記テスト中のデバイス内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成にクロックパルスを提供するようになされる。前記選択された走査移動レートを変更することにより、前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記ＬＢＩＳＴ回路構成によって消費されるパワーと、前記ＬＢＩＳＴ回路構成によって発生される対応する熱量とを変更し、これは一方で前記テスト中のデバイスの温度に影響する。
【００１１】
他の代替実施形態は、テスト中のデバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成と、前記ＬＢＩＳＴ回路構成に結合されると共にこれを制御するように構成されたＬＢＩＳＴコントローラと、前記テスト中のデバイスの温度を測定するように構成された熱センサと、を含むシステムを具備する。前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記熱センサからの温度信号を受信すると共に、前記温度を所望のレベルに駆動するために前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御するように構成される。前記デバイスの温度が低すぎる場合、前記温度が押し上げられるように前記ＬＢＩＳＴ回路構成が動作される。前記デバイスの温度が高すぎる場合、前記温度が押し下げられるように前記ＬＢＩＳＴ回路構成が動作される。前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作は、前記ＬＢＩＳＴ回路構成の走査移動速度を調整することにより調整可能となる。前記ＬＢＩＳＴコントローラ及び前記熱センサは、前記テスト中のデバイスの内部に配設されるか、または外部に配設される（例えば、テストステーションの一部として）ことができる。
【００１２】
多数の他の実施形態もまた可能である。本発明のその他の目的及び利点は以下の詳細な説明と、添付図面の参照により明白になるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は種々の変形及び代替形態を取るが、その特定の実施形態を図面及び付随する詳細な説明の例によって示す。しかしながら、図面及び詳細な説明は、本発明を説明した特定の実施形態に限定することを意図するものではないことを理解すべきである。即ち、この説明は、特許請求の範囲により規定される本発明の技術的範囲内に入る全ての変形、等価物、及び別の実施形態をカバーすることを意図する。
【００１４】
本発明の１以上の実施形態を以下説明する。以下説明するこれら及び任意の他の実施形態は例示であり、本発明の技術的範囲を限定するものではなく本発明の説明を意図するものであることに注意すべきである。
【００１５】
概略的には、本発明は、テスト条件に影響するように、ロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）構成部品を使用して、テスト条件を制御するためのシステム及び方法を含む。１実施形態において、ＬＢＩＳＴコントローラは、テスト中のデバイスの設計に組込まれるＬＢＩＳＴ回路構成と、テスト中のデバイスと熱的に連通する熱センサとに結合される。ＬＢＩＳＴコントローラは、熱センサからデバイス温度情報を受信すると共に、ＬＢＩＳＴ回路構成に提供される制御信号を変更し、デバイス温度を所望のレベルに駆動する態様でＬＢＩＳＴ回路構成を動作させるように構成される。
【００１６】
１実施形態において、テスト中のデバイスに組込まれるＬＢＩＳＴ回路構成は次のように構成される。即ち、擬似ランダムビットパターンを生成し；テスト中のデバイスの機能ロジック間に配設された走査ラッチのチェーン中にこれらのビットパターンをロードし；機能ロジックを通してビットパターンを伝播し；そしてそれによりもたらされるビットパターンをアンロードする。これにより、これらを審査して、テスト中のデバイスが適正に動作しているかどうか決定できるようにする。走査チェーンに対するデータのロード及びアンロードは、走査移動フェーズとして言及される場面で発生する。機能ロジックを通るデータの伝播は、機能フェーズとして言及される場面で発生する。
【００１７】
バーンインテスト中、ＬＢＩＳＴ回路構成は、走査チェーン内のデータが交互にロード／アンロードされる（走査移動フェーズ中）と共に、機能ロジックを通して伝播される（機能フェーズ中）ように動作される。バーンインテスト中、テスト中のデバイスによって熱が発生される。この熱の１成分は比較的一定の要因に対応し、例えば、ＬＢＩＳＴ動作の機能フェーズ中の、ＤＣパワー漏洩、クロック漏洩、及びデバイスの通常運転である。デバイスによって発生されるこの熱の他の成分は、走査移動フェーズ中のＬＢＩＳＴ回路構成の動作に対応する。この動作は、デバイスにおいて発生される対応する熱量が増加されるまたは減少されるように制御可能である。従って、デバイスの温度が高すぎる場合、走査移動動作は、消費されるパワーが小さくなって発生される熱が少なくなるように制御可能である。他方、デバイスの温度が低すぎる場合、走査移動動作は、消費されるパワーが大きくなって発生される熱が多くなるように制御可能である。その結果、走査移動フェーズ中のＬＢＩＳＴ回路構成の動作によって、デバイスの温度を所望のレベルに駆動できるようになる。
【００１８】
１実施形態において、ＬＢＩＳＴコントローラは、ＬＢＩＳＴ回路構成が複数の走査チェーン中へ及び中からデータを走査する速度を調整することにより、走査移動フェーズ中のＬＢＩＳＴの動作を制御するように構成される。走査チェーンの１つをデータが移動される各時に、対応するパワーの増分量が消費される（及び熱が発生される）。これらの移動をより高いまたはより低いレートで発生させることにより、ＬＢＩＳＴコントローラは、消費されるパワーを多くまたは少なくする（及び発生される熱を多くまたは少なくする）ことができる。従って、この実施形態において、ＬＢＩＳＴコントローラは、デバイスの温度をモニタし、温度が所望値より高い場合、ＬＢＩＳＴ回路構成の走査移動速度を減少させ、デバイスが冷却されるようにする。他方、温度が所望値より低い場合、ＬＢＩＳＴ回路構成の走査移動速度を増加させ、デバイスが加熱されるようにする。この実施形態の詳細は以下に述べる。
【００１９】
上述のように、１実施形態は電気回路構成テスト環境において実施される。特に、この実施形態は、マイクロプロセッサのような集積回路をテストするために使用可能となる。典型的には、多数の集積回路に対して、同じテスト機器を使用して同時にバーンインテストが行われる。例えば、テストシステムの一部であるマザーボード上のソケットに複数のマルチプロセッサが差し込み接続されることができる。ここで、全てのプロセッサに対して、同じ一組のテスト条件（テストプロファイル）を行うことが望ましい。
【００２０】
留意すべき点として、ここに記載の実施形態はマイクロプロセッサのテストを示しているが、本発明の種々の実施形態は、他のタイプの集積回路及び組込み自己テストを使用する他のタイプのデバイスのテストにおいて実施される可能性がある。従って、「マイクロプロセッサ」、「集積回路」、「回路構成」などに対する言及は広義に解釈されるべきであり、本発明の範囲を制限するものと解釈されるべきでない。
【００２１】
バーンインテスト中、テストされているデバイス（例えば、マイクロプロセッサ）が動作され、これにより熱が発生される。各デバイスによって発生される熱は、幾つかの成分を有しているものとして特徴付けることができる。例えば、この熱の１成分はデバイスにパワーを単純に印加することによってもたらされる。この成分は、ＤＣ漏洩成分として言及可能である。この熱の他の成分は、デバイスの通常運転によってもたらされる。マイクロプロセッサの場合、プログラム指令の実行にパワーが消費され、結果として対応する熱量の発生がもたらされる。この成分は、ＡＣ漏洩成分として言及可能である。このＡＣ漏洩成分は、デバイスの「通常動作」内のものとしてみなされないデバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成の動作によって発生される熱も含む可能性がある（何故なら、ＬＢＩＳＴ回路構成は、機能を与えるのではなく、デバイスのテストの目的で存在する）。
【００２２】
従来、テスト中のデバイスは、テスト条件に関係なく動作される。換言すると、各デバイスが動作される態様は、デバイスのためのテスト条件と関係していない。従って、テスト手順のための温度、電圧などの所望の範囲内にデバイスの温度があるか否かにかかわらず、デバイスの動作（故障にかかわらず）は、同じである。これらの条件は、テスト中のデバイスではなく、テスト機器によって制御される。例えば、上述のように、集積回路のための典型的なバーンインテスト機器は、テスト中のデバイスの夫々に対応する加熱及び冷却素子を含み、各デバイスの温度が他のデバイスの温度から独立して制御できるようにする。
【００２３】
１実施形態において、テスト中のデバイスの夫々は、ＬＢＩＳＴ回路構成を組込む。ＬＢＩＳＴ回路構成は、バーンインテスト中に動作されると共に、デバイスによって発生される熱を制御するような態様で制御される。デバイスの温度が所望の温度より低い場合、ＬＢＩＳＴ回路構成は、より多くの熱を発生してデバイスの温度を上げるように動作される。デバイスの温度が所望の温度より高い場合、ＬＢＩＳＴ回路構成は、デバイスによって発生される熱量を減少させてデバイスの温度を下げるように動作される。
【００２４】
図１は、１実施形態に係るシステムを示す機能ブロック図である。この実施形態において、システム１００は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０、及び熱センサ１３０を含む。ＬＢＩＳＴ回路構成１１０は、以下に詳細を説明するように、テスト中のデバイスの設計に組込まれる。ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０に結合されると共に、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０が動作する態様を制御するように構成される。ＬＢＩＳＴコントローラ１２０はまた、熱センサ１３０に結合される。熱センサ１３０は、テスト中のデバイス（即ちＬＢＩＳＴ回路構成１１０）に、またはその近傍に配置され、テスト中のデバイスの温度を感知できるようにする。温度情報は、次に、熱センサ１３０によってＬＢＩＳＴコントローラ１２０に提供される。ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０が制御される態様を調整し、これにより、テスト中のデバイスの温度を調整するように構成される。
【００２５】
留意すべき点として、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０はテスト中のデバイスの設計に必ず組込まれる一方、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０及び熱センサ１３０は、この設計に組込まれるか、或いは別のテスト構成部品として構成される可能性がある。ＬＢＩＳＴコントローラ１２０及び熱センサ１３０がテスト中のデバイスの設計に組込まれる場合、外部テストシステム（例えば、バーンインテストの目的でマイクロプロセッサが接続されるマザーボードや、電圧及び他のテストパラメータを制御するための対応するシステム）が、従来のテスト装置に非常に類似する態様で構成される可能性がある。しかしながら、テスト中のデバイスの温度を個別に制御するために通常使用される構成部品（例えば、デバイス夫々の個別のヒータ及びクーラ）は、不要となる。ＬＢＩＳＴコントローラ１２０及び熱センサ１３０がテスト装置に組込まれる場合、オンチップＬＢＩＳＴ回路構成の制御のための適切な接続を提供すること（また、テスト中のデバイス内に熱センサ１３０が配設されている場合、このセンサから温度情報を受信すること）が明らかに必要となる。
【００２６】
留意すべき別の点として、図１は、ＬＢＩＳＴコントローラ、ＬＢＩＳＴ回路構成、及び熱センサの夫々について、単一の構成部品を示す。これは、テスト中のデバイスの夫々がこれらの構成部品の対応する１つを有する（即ち、テスト中のデバイスの夫々において図１の構造の複製が存在する）という実施形態を例示する。しかしながら、全ての実施形態においてこの通りになっているとは限らない。例えば、１実施形態において、単一のコントローラが、複数の熱センサから温度情報を受信すると共に、この情報を複数のテスト中のデバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成の動作を調整するために使用することができる。その他の変更例もまた可能である。
【００２７】
図２は、特定のテスト中のデバイスの温度に対する、１実施形態に係るバーンインテストシステムの効果を示す図である。この図において、テスト中のデバイスの温度が、時間の連続点に対応する一組の垂直バーとして示される。時間の連続点の夫々において、テスト中のデバイスの温度は、陰線部分及び非陰線部分を有する単一の垂直バーによって示される。垂直バーの高さ（陰線部分及び非陰線部分の両者を含む）は、その時間におけるデバイスの温度を表す。バーの陰線部分は、発生される熱及びそれによりもたらされる温度に対するＤＣ漏洩の分担を表す。バーの非陰線部分は、発生される熱及びそれによりもたらされる温度に対するＡＣ漏洩の分担を表す。発生される熱のＡＣ漏洩成分は、種々のサブ成分に分類され、それらは例えば、クロック漏洩、デバイスの機能回路構成の動作、及びデバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成の動作に対応する分担である。
【００２８】
２つの温度ＴＨＩ及びＴＬＯが、対応する点線によって図２のグラフに示される。１実施形態において、これらの温度は、上側及び下側温度閾値として夫々機能する。ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、対応するテスト中のデバイスの温度を、これらの２つの温度閾値間に保持するように設計される。デバイスの温度が温度ＴＨＩより上に上昇すると、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０がＬＢＩＳＴ回路構成１１０の動作を変更し、テスト中のデバイスによって発生される熱が少なくなるようにする。例えば、時間ｔ２及びｔ３において、デバイスの温度がＴＨＩより上にあり、従って、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０は、発生される熱が少なくなるように動作され、これにより、温度を下げる。デバイスの温度が温度ＴＬＯより下に下降すると、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０がＬＢＩＳＴ回路構成１１０の動作を変更し、デバイスによって発生される熱が多くなるようにする。例えば、時間ｔ１及びｔ４において、温度がＴＬＯより下にあり、従って、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０は、発生される熱が多くなるように動作され、これにより、温度を上げる。
【００２９】
留意すべき点として、１実施形態において、温度ＴＨＩ及びＴＬＯは、所望の温度範囲内に完全に存在するように選択されることができる。例えば、テスト中のデバイスの温度を１２０Ｆ及び１３０Ｆ間に維持することが望ましい場合、ＴＨＩを１２８Ｆに設定すると共にＴＬＯを１２２Ｆに設定することができる。ＴＬＯからＴＨＩへの範囲を所望の温度範囲よりも小さくすることにより、デバイスの温度が所望の上側温度（１３０Ｆ）を上回る或いは所望の下側温度（１２０Ｆ）を下回るのを防止することが可能となる。代わりに、単一の温度値がＴＬＯ及びＴＨＩの両者用として使用可能となる。この場合、ＬＢＩＳＴコントローラは、テスト中のデバイスの温度が単一の閾値よりも上または下であることに基づいて、ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を常に更新する。
【００３０】
１実施形態において、ＬＢＩＳＴコントローラは、ＬＢＩＳＴ回路構成が動作する速度を制御することにより、ＬＢＩＳＴ回路構成によって発生される熱が多くまたは少なくなるようにする。特に、ＬＢＩＳＴコントローラは、ＬＢＩＳＴ回路構成によって生成されるデータパターンがテスト中のデバイス内の直列接続された走査ラッチの中へ及び中から走査されるレートを、調整することができる。このレートは走査移動速度としても言及される。ＬＢＩＳＴ回路構成が動作する態様（走査ラッチの中へ及び中からのデータの走査を含む）は、以下で詳述される。この点に関し、単純に言えば、データがよりゆっくりと走査ラッチへ走査される場合、ＬＢＩＳＴ回路構成で使用されるパワーが小さくなり、発生される熱が少なくなる。データがより速く走査ラッチへ走査される場合、ＬＢＩＳＴ回路構成で使用されるパワーが大きくなり、発生される熱が多くなる。データが走査ラッチへ走査される速度はまた、テスト中のデバイス内の機能回路構成によって使用されるパワー量に影響し、即ち、データを走査ラッチ中に走査する時間が長くなると、機能回路構成は、平均として、時間的により低い割合だけ動作し、従って、使用パワーが小さくなる。
【００３１】
このシステムの動作は、図３に要約して示される。図３は、テスト中のデバイスの温度を目標温度範囲へ駆動するため、ＬＢＩＳＴコントローラにおいて実施される方法を示すフロー図である。図３の方法は連続的に繰り返される。この方法の各反復は、図２の垂直バーの１つから別の１つへの移行に対応する。
【００３２】
図３に示されるように、この方法は、ＬＢＩＳＴコントローラが熱センサから温度情報を受信するところから始まる（ブロック３１０）。ＬＢＩＳＴコントローラは、まず、この温度を上側温度閾値と比較する（ブロック３２０）。熱センサから受信した温度が上側温度閾値より高い場合、ＬＢＩＳＴコントローラはＬＢＩＳＴ回路構成の走査移動速度を減少させる（ブロック３３０）。上述のように、これにより、テスト中のデバイスによって発生される熱が少なくなり、従って、デバイスの温度が下降する。次に、この方法は、熱センサから温度情報を受信するところに戻る（ブロック３１０）。
【００３３】
ＬＢＩＳＴコントローラがデバイス温度を上側温度閾値（ブロック３２０）と比較した時、この温度が上側温度閾値以下である場合、ＬＢＩＳＴコントローラは、デバイス温度を下側温度閾値と比較する（ブロック３４０）。熱センサから受信した温度が下側温度閾値より低い場合、ＬＢＩＳＴコントローラはＬＢＩＳＴ回路構成の走査移動速度を増加させる（ブロック３５０）。これにより、デバイスによって発生される熱が多くなり、従って、デバイスの温度が上昇する。次に、この方法は、熱センサから温度情報を受信するところに戻る（ブロック３１０）。
【００３４】
デバイス温度が上側温度閾値よりも高くなく（ブロック３２０）且つ下側温度閾値（ブロック３４０）よりも低くない場合、デバイス温度は所望の温度範囲内にあることとなる。従って、ＬＢＩＳＴコントローラは、ＬＢＩＳＴ回路構成の現在の走査移動速度を維持する（ブロック３６０）。これにより、デバイスによって発生される熱量が同じとなり、概ね一定の温度レベルが維持される。次に、この方法は、ＬＢＩＳＴコントローラが熱センサから温度情報を受信するところに戻る（ブロック３１０）。
【００３５】
ＬＢＩＳＴ回路構成が発生する熱を多くまたは少なくするようにＬＢＩＳＴコントローラが作用する態様を述べる前に、１実施形態において実施されるＬＢＩＳＴシステムの構造及び動作について述べることが有益であろう。
【００３６】
上述のように、ＬＢＩＳＴは、「ロジック組込み自己テスト」を表す。ＬＢＩＳＴシステムは、テストされる回路の設計に回路構成部品を組込み、ここで、追加のＬＢＩＳＴ回路構成部品が、回路構成の機能部分をテストする目的で使用される。１実施形態において、図１に示されるように、ＬＢＩＳＴシステムは、テスト中のデバイス内に、ＬＢＩＳＴコントローラ及びＬＢＩＳＴ回路構成を含む。デバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成は、デバイスの機能ロジックのレベル間に配設された複数の走査チェーンを含む。典型的には、ビットの擬似ランダムパターンが生成されると共に走査チェーン内に記憶される。これは、走査チェーンへのデータの走査として言及可能となる。擬似ランダムビットパターンが走査チェーンへ走査された後、データは機能ロジックを通して後続の走査チェーンへ伝播される。次に、データは、後続の走査チェーン外へ走査されると共に、機能ロジックが適正に動作したか否かを決定するように処理される。通常、機能ロジックが期待通りに動作したか否かを決定するようにデータが審査される前に、走査チェーンへデータを走査し、機能ロジックを通してデータを伝播し、走査チェーン外へデータを走査し、そしてデータを処理するプロセスが、多数回繰り返される。
【００３７】
図４及び図５は、１実施形態に係るＬＢＩＳＴアーキテクチャを示す機能ブロック図である。図４はＬＢＩＳＴ回路構成をより詳細に示す一方、図５はＬＢＩＳＴコントローラをより詳細に示す。
【００３８】
図４において、ＬＢＩＳＴ回路構成のアーキテクチャが、全体的にＳＴＵＭＰＳ・ＬＢＩＳＴアーキテクチャとして言及される。ＳＴＵＭＰＳアーキテクチャは擬似ランダムパターンを利用し、これらは、走査ラッチへロードされ、テスト中のロジック回路の機能構成部品を通して伝播され、走査ラッチからアンロードされ、そして多入力シグネチャ・レジスタに捕捉される。図４に示されるように、ＬＢＩＳＴシステムは、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０及びＬＢＩＳＴ回路構成１１０を具備する。ＬＢＩＳＴ回路構成１１０は、ＰＲＰＧ４２０、フェーズシフタ４３０、一組の走査チェーン４４０、コンパクタ４６０及びＭＩＳＲ４７０を含む。これらのＬＢＩＳＴ構成部品はロジック回路４５０と一体的に配設され、このロジック回路４５０をテストするようにこれらのＬＢＩＳＴ構成部品が設計される。
【００３９】
ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０の動作を制御する制御回路構成を含む。（明確化のため、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０の構成部品が１グループとしてＬＢＩＳＴコントローラ１２０に結合されるように示されるが、典型的には、種々な構成部品の１つがこのコントローラに直接結合される）。ＬＢＩＳＴコントローラ１２０の機能の１つは、ＰＲＰＧ４２０にシード値を提供することである。このシード値に基づいて、ＰＲＰＧ４２０はビットの擬似ランダムシーケンスを生成し、これらは、フェーズシフタ４３０によって処理されると共に、走査チェーン４４０へロードされる。留意すべき点として、図４には４つの走査チェーンだけが示されるが、ＬＢＩＳＴ設計には多数の走査チェーンが存在する可能性がある。
【００４０】
ＰＲＰＧ４２０は、線形フィードバック移動レジスタ（ＬＦＳＲ)として実施可能である。ＰＲＰＧ４２０によって生成されるビットの擬似ランダムシーケンスの目的は、ロジック回路４５０の機能ロジック構成部品を通して伝播される一組の入力ビットを提供することである。従って、擬似ランダムシーケンスは、各走査チェーン４４０に提供される。しかしながら、留意すべき点として、擬似ランダムビットシーケンスが走査チェーン４４０へロードされるのは、フェーズシフタ４３０によって処理された後だけである。
【００４１】
フェーズシフタ４３０の目的は、走査チェーン４４０へロードされるビットシーケンスの特性をよりランダムにすることである。ＬＦＳＲが、走査チェーンへ移動される擬似ランダムビットパターンを生成するために使用される時、各後続列内のシーケンスは、先行列内のシーケンスと同一となる可能性があるが、但し、シーケンスが１ビット分だけ下に移動される。従って、ビットの「ランダム」シーケンス内に明らかに同一視可能なパターンが存在する。フェーズシフタ４３０は、ビットの擬似ランダムシーケンスのフェーズを移動し、後続のビットシーケンス内に同一視可能なそのようなパターンが存在しないようにする。基本的には、フェーズシフタ４３０は、先行列に対して、各後続列のフェーズを移動するように動作する。換言すると、各後続列において単一のビット分だけオフセットされるのではなく、後続列におけるビットパターンが互いに異なる量だけ移動される。テストアーキテクチャにとって本質的ではないが、フェーズシフタ４３０はテスト回路構成の動作を向上させる。
【００４２】
ＰＲＰＧ４２０及びフェーズシフタ４３０によって生成される擬似ランダムビットパターンは、走査チェーン４４０へロードされる。各走査チェーン４４０は一連の走査ラッチを具備し、これらは、走査チェーンを通してデータ（擬似ランダムビットパターンまたは機能ロジック出力）を交互に移動するか、或いは、機能ロジックを通して伝播されていたデータを保持するように構成される。上述のように、別のシーケンスが各走査チェーン４４０へロードされる。各走査チェーン４４０は、ロジック回路４５０夫々の部分の前または後（挟まれて）に配置される。従って、ロジック回路４５０の各部分において、この部分に先行すると共に対応するロジックのへの入力を提供する走査チェーンと、この部分に続くと共に対応するロジックの出力を受信する走査チェーンとが存在する。例えば、ロジック回路４５０のある部分は、走査チェーン４４１からの入力ビットを受信すると共に、走査チェーン４４２に出力ビットを提供する可能性がある。同様に、ロジック回路４５０の他の部分は、走査チェーン４４３からの入力ビットを受信すると共に、走査チェーン４４４に出力ビットを提供する可能性がある。走査チェーン４４０の幾つかは、ロジック回路４５０の後続部分へ入力ビットを提供すること、及びロジック回路４５０の先行部分から出力ビットを受信することの両者に機能する可能性がある。
【００４３】
擬似ランダムビットパターンがロジック回路４５０の機能構成部品を通して伝播されることが許されると共に、その結果が走査チェーン４４０内に捕捉された後、走査チェーン４４０の内容が走査チェーンの外へ走査され（即ち、これらが走査チェーンからアンロードされる）、コンパクタ４６０及びＭＩＳＲ４７０に向かう。コンパクタ４６０の目的は、単純に、ＭＩＳＲ４７０によって取り扱うことが必要なビットの数を減らすことである。コンパクタ４６０は種々の態様で実施可能となる。典型的には、コンパクタ４６０は一連のＸＯＲゲートを使用し、ここで、各ＸＯＲゲートの出力が一対の走査チェーンから受信される入力に基づく。従って、次にＭＩＳＲ４７０へ通過されるビットの数は、１／２に減少させることができる。別の環境において、より複雑な回路構成によって、ビットの数を更に何分の一にも減少させることができる可能性がある。
【００４４】
走査チェーン４４０からのビットがコンパクタ４６０によって圧縮された後、これらがＭＩＳＲ４７０へ提供される。ＭＩＳＲ４７０は、結果として得られたデータビットを観察すると共に、この情報をテストシステムの期待される出力と比較する手段を提供する。１実施形態において、ＭＩＳＲ４７０は、コンパクタ４６０の出力に対してモジュロ（modulo）演算を行う。即ち、ＭＩＳＲ４７０は、ＭＩＳＲ４７０に記憶された現在値をコンパクタ４６０の出力で割ると共に、この計算の余りを保持する。各機能サイクルの後、この計算が行われると共に、ＭＩＳＲ４７０に記憶された値が更新される。所定の数の機能サイクルの後、ＭＩＳＲ４７０に記憶された値が期待値と比較される。記憶値が期待値と適合しない場合、ロジック回路４５０の機能構成部品によって行われた動作の１つ以上が故障しており、これにより、出力走査チェーン内に誤ったデータビットが提供され、更にコンパクタ４６０を通してＭＩＳＲ４７０へ伝播されたことになる。
【００４５】
図５において、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０は、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０によって制御される。上述のように、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０の速度を制御するように設計され、これにより、テスト中のデバイス内で消費されるパワーを調整してデバイスの温度を調整する。従って、図５は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０の動作のこの部分を制御するＬＢＩＳＴコントローラ１２０の構成部品を示す。留意すべき点として、ＬＢＩＳＴコントローラは、ＬＢＩＳＴシステムの他の機能を制御する他の構成部品を含むが、これらの構成部品は図に示されていない。何故なら、これらは、本発明の分野においてよく知られ且つ理解されているからである。
【００４６】
図１及び図５において、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０が、熱センサ１３０に結合され、これはテスト中のデバイスと熱的に連通する。ここで使用される「熱的連通」は、テスト中のデバイスの温度を効果的に感知できるように、熱センサ１３０がデバイスに十分に近接しているという事実を述べている。熱センサ１３０は、テスト中のデバイスに組込まれる、或いは、デバイスの外部に配設されることができる。熱センサ１３０がテスト中のデバイスの外部に配設される場合、センサはデバイスに接触してまたはデバイスに十分に近くなるように配設され、デバイスの温度が許容可能な確実性をもって決定できるようにする（例えば、所定の温度範囲内）。
【００４７】
再び図５において、熱センサ１３０によって感知された温度を示す信号が、デコーダ５１０で受信される。デコーダ５１０は、熱センサ１３０からの温度信号を復号すると共に、復号された信号をコンパレータ５２０に送信する。コンパレータ５２０は、復号された温度信号を、レジスタ５２５に記憶された１つ以上の温度閾値と比較する。上述のように、これらの閾値は、上側温度閾値（ＴＨＩ）、下側温度閾値（ＴＬＯ）、或いは上側及び下側温度閾値の両者として機能する単一の温度値を含むことができる。復号された温度値とレジスタ５２５からの１つ以上の閾値との比較に基づいて、コンパレータ５２０は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０における現在の選択された走査移動速度が、高すぎる、低すぎる、または許容可能な温度範囲内にあるかを決定する。
【００４８】
この決定の結果、コンパレータ５２０は、走査移動速度セレクタ５３０に提供される信号を生成する。走査移動速度セレクタ５３０は、対応する走査移動速度値を記憶する一組のレジスタ５３５に結合される。コンパレータ５２０から受信した信号に基づいて、走査移動速度セレクタ５３０は、レジスタ５３５の１つを選択すると共に、対応する値をコンパレータ５４０に提供する。コンパレータ５２０が、熱センサ１３０によって示された温度が許容可能な範囲内であると決定した場合、走査移動速度セレクタ５３０に提供される信号は、走査移動速度セレクタが現在の選択を維持するようにさせる。換言すると、以前に選択されたレジスタ５３５の１つが選択されたままとなって同じ値がコンパレータ５４０に提供される。一方、コンパレータ５２０が、熱センサによって示された温度が高すぎるまたは低すぎると決定した場合、コンパレータは、走査移動速度セレクタ５３０が異なるレジスタ５３５の１つを選択してコンパレータ５４０に異なる値を提供するように、信号を生成する。
【００４９】
コンパレータ５４０の目的は、フェーズ固定ループ（ＰＬＬ）５７０によって生成されるクロック信号を制御するように、ＡＮＤゲート５６０に提供可能な信号（以下、ゲート信号という）を生成することである。コンパレータ５４０がＡＮＤゲート５６０に提供されるゲート信号をアサートした時、ＰＬＬ５７０からのクロックパルスがＬＢＩＳＴ回路構成１１０に提供され、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０内の走査移動プロセスが進められる。クロックパルスがＬＢＩＳＴ回路構成１１０に提供される頻度は、ＬＢＩＳＴ回路構成の走査移動速度を決定し、従って、ＬＢＩＳＴ回路構成の消費パワー及び発生熱を決定する。
【００５０】
コンパレータ５４０は、走査移動速度セレクタ５３０から受信した値をバイナリカウンタ５５０から受信した値と比較することにより、ＡＮＤゲート５６０に提供されるゲート信号を生成する。走査移動速度セレクタ５３０から受信した値がバイナリカウンタ５５０から受信した値と適合する時、コンパレータ５４０はゲート信号をアサートし、これにより、ＰＬＬ５７０からのクロックパルスがＬＢＩＳＴ回路構成１１０に提供できるようになる。１実施形態において、バイナリカウンタ５５０は、ＰＬＬ５７０がクロックパルスを生成するのと同じレートでインクレメントされる（即ち、最高走査移動速度）。バイナリカウンタ５５０が走査移動速度セレクタ５３０によって選択された値に到達すると、コンパレータ５４０がＡＮＤゲート５６０に対する上記信号をアサートすると共に、バイナリカウンタ５５０をリセットし、これは、再びゼロからカウントを開始する。
【００５１】
従って、走査移動速度セレクタ５３０が１の値を含むレジスタ５３５の１つを選択する場合、走査移動速度セレクタ５３０及びバイナリカウンタ５５０からコンパレータ５４０が受信する値は、バイナリカウンタ５５０がインクレメントされる毎に互いに適合する。従って、ＡＮＤゲート５６０に提供されるゲート信号が常にアサートされ、ＰＬＬ５７０によって生成されるクロック信号は、単純にＡＮＤゲート５６０を通ってＬＢＩＳＴ回路構成１１０に送信される。一方、走査移動速度セレクタ５３０がレジスタ５３５の１つからのより高い値を選択する場合、コンパレータ５４０は、バイナリカウンタ５５０が選択された値の数だけインクレメントされた後においてのみ、ゲート信号をアサートする。例えば、走査移動速度セレクタ５３０が８の値を選択する場合、コンパレータ５４０は、バイナリカウンタ５５０がこの値に到達した時にゲート信号をアサートし、次に、ゲート信号を脱アサートしてバイナリカウンタをリセットする。このサイクルは、バイナリカウンタ５５０のインクレメントの８回目毎に繰り返され、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０に提供されるクロック信号は、最高走査移動速度の１/８で、ゲート制御される。
【００５２】
１実施形態において、所望のテスト温度は一定である。バーンインテストが開始されると、テスト中のデバイスの温度が所望の温度よりも低くなるように意図される。その結果、この実施形態において、コンパレータ５２０は、まず、走査移動速度セレクタ５３０が最高走査移動速度を選択するようにする。テスト中のデバイスの温度が上昇するのにつれて、コンパレータ５２０は、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０の走査移動速度を減少させるように、レジスタ５３５から適切な値を選ぶために、走査移動速度セレクタ５３０に提供される信号を調整する。そして、ある程度の平衡に到達することが期待され、ここで、殆どの時間においてある特定の値が選択される一方、より高いまたはより低い値が選択されて一時的に走査移動速度を増加または減少させることにより、テスト中のデバイスの温度を調整する。
【００５３】
留意すべき点として、代替実施形態において、温度プロファイルは、一定に維持されるのではなく、経時的に変化することが望ましい可能性がある。そのような実施形態において、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、経時的に目標温度範囲を変更するように、別の態様で構成されることができる。留意すべき別の点として、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、ソフトウェア構造化が可能なように設計されることができる。即ち、ＬＢＩＳＴコントローラ１２０は、走査移動速度を選択するのに使用されるアルゴリズム、選択可能な走査移動速度のためのレジスタ値、温度閾値などのようなものを変更するように、ソフトウェアを介して変更可能とすることができる。
【００５４】
図６において、ＬＢＩＳＴ回路構成１１０の走査移動速度を変化させることによるパワーへの影響が示される。図６は、時間の関数として、テスト中のデバイス（ＬＢＩＳＴ回路構成を含む）によって消費されるパワーを示すグラフである。留意すべき点として、この図は、変化する走査移動速度に対応するパワーの変化を示すためだけに提供されるもので、全てのパワーの浪費または熱源を精確に説明する或いは一定の比率で示すことを意図するものではない。
【００５５】
図６に示されるように、テスト中のデバイスによって使用されるパワーは、３つの成分を含む。第１の成分６１０は、デバイスにおいてＤＣ漏洩によって消費されるパワーである。上述のように、これは、パワーオンされることにより単純にデバイスによって消費されるパワーである。第２の成分６２０は、クロック漏洩の結果として消費されるパワーである。これは、最低限のデバイスの動作（即ち、システムクロックは動作するが、デバイスは有用な処理を行わない）の結果として消費されるパワー量である。第３の成分６３０は、デバイス内のＬＢＩＳＴ動作の結果として消費されるパワーである。これは、ＬＢＩＳＴ走査チェーン中へ及び中からデータを移動する（走査する）と共に関連の処理を行う過程においてＬＢＩＳＴ回路構成によって消費されるパワーと、ＬＢＩＳＴ走査チェーン間でデータを伝播する際にデバイスの機能ロジックによって消費されるパワーである。
【００５６】
図６に示されるように、テスト中のデバイスによって使用されるパワーのＤＣ漏洩成分（６１０）は、経時的に概ね一定である。同様に、クロック漏洩成分６２０も比較的一定である。しかしながら、ＬＢＩＳＴデバイスの動作（６３０）に起因するパワー部分は、動作のフェーズ及び１実施形態において動作の速度に依存して、経時的に変化する。
【００５７】
パワーの動作成分（６３０）は複数のフェーズに分類することができる。上述のように、ＬＢＩＳＴ回路構成は、走査移動フェーズと機能フェーズとで交互に動作する。図６において、走査移動フェーズはそのまま表記される一方、機能フェーズは単に「Ｆ」と表記される。走査移動フェーズ中、データがＬＢＩＳＴ回路構成の走査チェーン構成部品中へ及び中から走査される。機能フェーズ中、走査チェーンのデータがテスト中のデバイスの機能ロジックを通して伝播され、そして後続の走査チェーン内に捕捉される。従って、走査チェーン中へ及び中からデータを走査し、次に機能ロジックを通してデータを伝播するテストサイクルが、連続的に繰り返される。図６には、４つのテストサイクルが示される。
【００５８】
この図に示されるように、第１のテストサイクルにおいて、走査移動及び機能フェーズが、テスト中のデバイスの全パワーに対して、比較的軽微な貢献を行う。これは、全ての実施形態においてこの通りになっている或いはなっていない可能性がある。初期テストサイクル後、ＬＢＩＳＴコントローラによって決定されるように、機能デバイスの動作が全速度（及び全パワー）で進行すると共に、走査移動動作が適切な速度で進行する。この実施形態において、各機能フェーズ中のデバイスの動作は、デバイスの通常動作速度（全速度/パワー）で行われる。各機能フェーズ中に消費されるパワーは、ＬＢＩＳＴ回路構成によって生成される擬似ランダムデータに基づいており、従って、比較的一定である。即ち、各機能フェーズ中、概ね同じ量のパワーが消費される。従って、機能フェーズのパワーレベルは、図において一定なものとして示される。
【００５９】
図６に示されるように、走査移動フェーズに対応するパワーレベルは、機能フェーズに対応するパワーレベルとは異なり、ある走査移動フェーズから次のものへと変動する。上述のように、これらの変動するパワーレベルは、熱センサからの入力に基づいてＬＢＩＳＴコントローラによって決定されるのに従って、走査移動フェーズの夫々のための走査移動速度が変化することによりもたらされる。パワーが比較的低い走査移動フェーズ中、デバイスによって発生される熱が比較的少ない。パワーが比較的高い走査移動フェーズ中、デバイスによって発生される熱が比較的多い。これにより、バーンインテスト中のデバイスの温度が制御される。
【００６０】
留意すべき点として、上述の実施形態に関連して述べた構成部品及び特徴の多くの変更例が本発明の当業者にとって明白であり、そのような変更例は本件出願の開示の範囲内に含まれるものである。そのような変更例は、制限的ではないが、次のようなものを含むことができる。即ち、それらは、種々のタイプのデバイスにおける実施（例えば、マイクロプロセッサ、非マイクロプロセッサ集積回路など）、テスト中のデバイスの内部/外部におけるＬＢＩＳＴコントローラの実施、ＬＢＩＳＴコントローラによって実施される制御アルゴリズムにおける変更例、コントローラによって制御されるＬＢＩＳＴ動作の視点における変更例（例えば、走査移動速度、走査移動/機能フェーズの間隔など）、ＬＢＩＳＴ回路構成を制御することにより維持されるテストパラメータのタイプ、（例えば、温度、パワーなど）、等々である。
【００６１】
当業者は情報及び信号が任意の種々の異なる技術を使用して表されることができることを理解するであろう。例えば、前述の説明を通して参照したデータ、命令、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル、チップは、電圧、電流、電磁波、磁界または粒子、光フィールドまたは粒子、或いは任意のその組合せにより表されることができる。情報及び信号は、ワイヤ、金属トレース、貫通孔、光ファイバなどを含めた任意の適切な転送媒体を使用して、説明したシステムの構成部品間で通信されることができる。
【００６２】
当業者は更に、ここで開示した実施形態に関して説明した種々の例示的な論理ブロック、モジュール、回路、アルゴリズムステップが、電子ハードウェア、コンピュータソフトウェア、またはその両者の組合せとして実施されてもよいことを認識するであろう。このハードウェアとソフトウェアとの交換能力を明白に示すため、種々の例示的な構成部品、ブロック、モジュール、回路、ステップをそれらの機能に関して一般的に前述した。このような機能がハードウェアまたはソフトウェアのいずれとして構成されるかは特定の応用と、システム全体に課された設計制約に従う。当業者は、各特定の応用に対して、説明した機能を種々の方法で実行できるが、このような実行の決定は本発明の技術的範囲からの逸脱として解釈されるべきではない。
【００６３】
ここで開示した実施形態に関して説明した種々の例示的な論理ブロック、モジュール、回路は、特定用途用集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、汎用目的のプロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰＳ）または他のロジック、ディスクリートなゲートまたはトランジスタロジック、ディスクリートなハードウェア構成部品、或いはここで説明した機能を実行するように設計された任意のその組合せによって構成または実行されることができる。汎用目的のプロセッサは任意の通常のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラ、状態マシン等であってもよい。プロセッサはまたコンピュータデバイスの組合せ、例えばＤＳＰとマイクロプロセッサ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＳＰコアと連結した１以上のマイクロプロセッサ、或いは任意の他のこのような構造として構成されることもできる。
【００６４】
ここで開示した実施形態に関連して説明した方法またはアルゴリズムのステップは、直接的にハードウェア、プロセッサにより実行されるソフトウェア（プログラム命令）、またはその２つの組み合わせで実施されてもよい。ソフトウェアはＲＡＭメモリ、フラッシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、取出し可能なディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、または技術的に知られるその他の形態の記憶媒体中に存在してもよい。例示的な記憶媒体はプロセッサに結合され、このようなプロセッサは情報を記憶媒体から読み出し、そこに情報を書込むことができる。その代りとして、記憶装置はプロセッサに一体化されることもできる。プロセッサ及び記憶媒体は例えばＡＳＩＣ中に存在してもよい。ＡＳＩＣはユーザ端末に存在してもよい。プロセッサ及び記憶媒体は代わりにユーザ端末またはその他のデバイスでディスクリートな構成部品として存在することもできる。
【００６５】
以上、本発明により与えられる効果及び利点が、特定の実施形態に関して説明された。これらの効果及び利点、ならびにこれらを生じさせる或いはより明白にさせるいかなる要件または限定も、特許請求の範囲に記載された任意または全ての特徴の、決定的、必須、或いは本質的な特徴として解釈されるべきではない。ここで使用されるように、用語「具備する」、「具備している」または任意の他のその変更例は排他的ではなく、これらの用語に付随する要件または限定を含むとして解釈されることを意図する。従って、１組の要件を含むシステム、方法、またはその他の実施形態は、これらの要件だけに限定されることを意図するものではなく、記載されていない或いは請求された実施形態に固有ではないその他の要件を含むことができる。
【００６６】
開示される実施形態の以上の説明は、当業者が本発明を実行または使用可能にするために提供される。これらの実施形態に対する種々の変形は当業者にとって容易に明白であり、ここで規定される一般原理は本発明の技術的範囲を逸脱せずに他の実施形態に適用されることができる。従って、本発明はここで示された実施形態に限定されず、ここで説明され且つ特許請求の範囲で列挙される原理及び新規な特徴と一貫して最も広い範囲に従うことを意図する。
【００６７】
例えば、本発明によれば、下記のような方法、デバイス、及びシステムを提供することができる。
【００６８】
（１）１つ以上のテスト中の回路の夫々の温度をモニタする工程と、ここで、前記テスト中の回路の夫々はロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）回路構成を組込むことと、
前記テスト中の回路の温度測定値に応答して、前記テスト中の回路の夫々の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御する工程と、
を具備する方法。
【００６９】
（２）上記（１）の方法において、前記テスト中の回路の夫々の前記ＬＢＩＳＴ回路構成は独立的に制御される。
【００７０】
（３）上記（１）の方法において、前記ＬＢＩＳＴ回路構成は、前記テスト中の回路の夫々の前記温度を目標温度範囲に向けて駆動するように制御される。
【００７１】
（４）上記（１）の方法において、前記テスト中の回路の夫々の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御する工程は、前記ＬＢＩＳＴ回路構成が動作される速度を調整する工程を具備する。
【００７２】
（５）上記（４）の方法において、前記ＬＢＩＳＴ回路構成が動作される速度を調整する工程は、前記ＬＢＩＳＴ回路構成内の１つ以上の走査チェーンへデータが走査されるレートを調整する工程を具備する。
【００７３】
（６）上記（５）の方法において、前記ＬＢＩＳＴ回路構成内の１つ以上の走査チェーンへデータが走査されるレートを調整する工程は、前記テスト中の回路の前記温度が下側閾値より低い場合に前記レートを増加させる工程と、前記テスト中の回路の前記温度が上側閾値より高い場合に前記レートを減少させる工程とを具備する。
【００７４】
（７）ロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）コントローラを具備するデバイスであって、前記コントローラは、
１つ以上の熱センサからの信号を受信することと、前記信号は、１つ以上のテスト中のデバイスの温度に対応することと、
前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルにあるかを決定することと、
前記１つ以上のテスト中のデバイス内のＬＢＩＳＴ回路構成を駆動する制御信号を生成することと、前記制御信号は、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルより低い時に熱を多く発生し、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が所望のレベルより高い時に熱を少なく発生するように、前記ＬＢＩＳＴ回路構成を駆動することと、
を行うように構成される。
【００７５】
（８）上記（７）のデバイスにおいて、前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度を１つ以上の温度閾値と比較するように構成された第１のコンパレータを含む。
【００７６】
（９）上記（８）のデバイスにおいて、前記第１のコンパレータは、上側閾値及び下側閾値を記憶するように構成された１つ以上のレジスタに結合され、また、前記第１のコンパレータは、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度を上側温度閾値と比較して前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が前記所望のレベルよりも上にあるかを決定すると共に、前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度を下側温度閾値と比較して前記１つ以上のテスト中のデバイスの前記温度が前記所望のレベルよりも下あるかを決定するように構成される。
【００７７】
（１０）上記（７）のデバイスにおいて、前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記１つ以上のテスト中のデバイス内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成を前記ＬＢＩＳＴコントローラが駆動する走査移動速度を選択するように構成された走査移動速度セレクタを含む。
【００７８】
（１１）上記（１０）のデバイスにおいて、前記走査移動速度セレクタは、前記走査移動速度セレクタによって選択可能な走査移動速度値を記憶するように構成された複数のレジスタに結合される。
【００７９】
（１２）上記（７）のデバイスにおいて、前記ＬＢＩＳＴコントローラは、前記選択された走査移動速度をバイナリカウンタと比較するように構成された第２のコンパレータを含み、前記第２のコンパレータは、ゲート信号を生成するように構成される。
【００８０】
（１３）上記（１２）のデバイスにおいて、ＡＮＤゲート及びフェーズ固定ループ回路（ＰＬＬ)を更に具備し、前記ＡＮＤゲートは、前記ＰＬＬからクロック信号を受信すると共に前記第２のコンパレータから前記ゲート信号を受信し、そして、前記１つ以上のテスト中のデバイス内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成に提供されるゲート制御されたクロック信号を生成するように構成される。
【００８１】
（１４）１つ以上のテスト中の回路内のロジック組込み自己テスト（ＬＢＩＳＴ）回路構成と、
前記テスト中の回路内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成に結合されると共にこれを制御するように構成された１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラと、
前記１つ以上のテスト中の回路に対応する温度を測定するように構成された１つ以上の熱センサと、
を具備するシステムであって、
前記１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラは、前記１つ以上の熱センサからの前記温度を示す１つ以上の信号を受信すると共に、前記温度を所望のレベルへ駆動するように、前記１つ以上のテスト中の回路内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御するように構成される。
【００８２】
（１５）上記（１４）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、前記テスト中の回路に対応する前記温度が上側閾値より高い場合、前記ＬＢＩＳＴコントローラの対応する１つは、前記テスト中の回路の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作によって発生される熱を減少させるように、前記テスト中の回路内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成を駆動するように構成される。
【００８３】
（１６）上記（１５）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、前記テスト中の回路に対応する前記温度が下側閾値より低い場合、前記ＬＢＩＳＴコントローラの対応する１つは、前記テスト中の回路の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作によって発生される熱を増加させるように、前記テスト中の回路内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成を駆動するように構成される。
【００８４】
（１７）上記（１６）のシステムにおいて、前記１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラは、前記テスト中の回路内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成を、他の前記テスト中の回路内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成から独立して駆動するように構成される。
【００８５】
（１８）上記（１４）のシステムにおいて、前記１つ以上のＬＢＩＳＴコントローラは、前記対応するＬＢＩＳＴ回路構成内の走査チェーン中へ及び中からデータが走査される対応するレートを調整することにより、前記１つ以上のテスト中の回路内の前記ＬＢＩＳＴ回路構成の動作を制御するように構成される。
【００８６】
（１９）上記（１８）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、前記テスト中の回路に対応する前記温度が高すぎる時、前記走査チェーン中へ及び中からデータが走査される対応するレートが減少される。
【００８７】
（２０）上記（１９）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、前記テスト中の回路に対応する前記温度が低すぎる時、前記走査チェーン中へ及び中からデータが走査される対応するレートが増加される。
【００８８】
（２１）上記（１４）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、対応するＬＢＩＳＴコントローラは前記テスト中の回路の内部に存在する。
【００８９】
（２２）上記（１４）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、対応するＬＢＩＳＴコントローラは前記テスト中の回路の外部に存在する。
【００９０】
（２３）上記（１４）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、対応する熱センサは前記テスト中の回路の内部に存在する。
【００９１】
（２４）上記（１４）のシステムにおいて、前記テスト中の回路の夫々において、対応する熱センサは前記テスト中の回路の外部に存在する。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】１実施形態に係るＬＢＩＳＴシステムを示す機能ブロック図ある。
【図２】特定のテスト中のデバイスの温度に対する、１実施形態に係るバーンインテストシステムの効果を示す図である。
【図３】テスト中のデバイスの温度を目標温度範囲へ駆動するため、１実施形態に係るＬＢＩＳＴコントローラにおいて実施される方法を示すフロー図である。
【図４】１実施形態に係るテスト中のデバイスにおけるＬＢＩＳＴ回路構成の構造を示す機能ブロック図である。
【図５】１実施形態に係るＬＢＩＳＴコントローラの構造を示す機能ブロック図である。
【図６】１実施形態に係る、走査移動速度の変化に関連するテスト中のデバイスによって消費されるパワーを示す図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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