(57)【要約】【課題】光源の温度係数を追跡するための手段を提供する。【解決手段】光源の温度係数を追跡する出力信号を生成するための装置及び方法が提供される。光源(104)の温度係数（たとえば、発光ダイオード（LED）の温度係数）を追跡する出力信号を生成する光源温度係数追跡機構(150)（たとえば、電流源回路）が提供される。絶対温度比例電流源回路(230)（PTAT電流源回路）は第１の信号を生成する。絶対温度相補電流源回路(210)（CTAT電流源回路）は第２の信号を生成する。光源の温度係数を追跡する出力信号は第１の信号と第２の信号に基づく。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源の温度係数を追跡する出力信号を生成するための装置であって、
ａ）第１の信号を生成する絶対温度比例(PTAT)電流源回路と、
ｂ）第２の信号を生成する絶対温度相補（CTAT）電流源回路
を備え、
光源の温度係数を追跡する出力信号は、前記第１の信号と第２の信号に基づくことからなる、装置。
【請求項２】
前記光源が発光ダイオードであり、光源の温度係数が発光ダイオード（LED）の温度係数である、請求項１の装置。
【請求項３】
光源信号を生成する光源信号発生器と、
前記光源信号発生器に結合されて、前記光源信号に応答して光を生成する光源と、
前記光源に光学的に結合されて、前記光を受光し、該受光した光に応答して光検出器信号を生成する光検出器と、
温度に依存する基準信号を生成する機構
を備え、
前記温度に依存する基準信号を利用して、前記光源信号との信号整合を実質的に維持する出力信号を生成することからなる、システム。
【請求項４】
温度に依存する基準信号を生成する前記機構が、
前記光検出器と前記機構に結合されて、前記温度に依存する基準信号と前記光検出信号を比較する比較器
を備えることからなる、請求項３のシステム。
【請求項５】
温度に依存する基準信号を生成する前記機構が、
絶対温度に比例する第１の信号を生成する第１の回路と、
絶対温度と相補的な第２の信号を生成する第２の回路
を備え、
前記第１の信号と第２の信号を利用して、温度に依存する基準信号を生成することからなる、請求項３のシステム。
【請求項６】
前記第１の回路が絶対温度相補電流源を備える、請求項５のシステム。
【請求項７】
前記第１の回路が電流ミラーをさらに備える、請求項６のシステム。
【請求項８】
前記第２の回路が絶対温度比例電流源を備える、請求項５のシステム。
【請求項９】
前記第２の回路が電流ミラーをさらに備える。請求項８のシステム。
【請求項１０】
温度に依存する基準信号を生成する前記機構が電流ミラーをさらに備える、請求項３のシステム。
【請求項１１】
前記システムがオプトカプラシステムである、請求項３のシステム。
【請求項１２】
基準信号と光検出信号を比較するための方法であって、
温度に対して変化する温度依存性の基準信号を生成するステップと、
前記光検出信号を受け取るステップと、
前記温度依存性の基準信号と前記光検出信号を比較するステップと、
前記比較に基づいて、所定の入力信号との信号整合を維持する出力信号を生成するステップ
を含む方法。
【請求項１３】
温度に対して変化する温度依存性の基準信号を生成する前記ステップが、
絶対温度に比例する第１の信号を生成するステップと、
絶対温度と相補的である第２の信号を生成するステップと、
前記第１の信号及び第２の信号を利用して、前記温度依存性の基準信号を生成するステップ
を含むことからなる、請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記温度依存性の基準信号が光源の温度係数を追跡する、請求項１２の方法。
【請求項１５】
前記所定の入力信号が光源信号であり、前記出力信号が電圧出力信号である、請求項１２の方法。
【請求項１６】
前記方法がオプトカプラシステムにおいて実施される、請求項１２の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を電気信号に変換する装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
オプトカプラ（光結合素子）システムは、互いに電気的に絶縁された第１の回路と第２の回路を備える。第１の回路は、発光ダイオード（LED）電流源に結合されたＬＥＤを備える。第１の回路は、第２の回路に光学的に結合される。第２の回路はフォトダイオード（PD）を備える。たとえば、LEDは、フォトダイオードに入射する光を放射するが、この光により、フォトダイオードに流れる電流（たとえば、フォトダイオード電流）が生じる。第２の回路は、また、フォトダイオード電流に基づく出力電圧信号を生成するためにフォトダイオードに結合されるトランスインピーダンスアンプ回路を備える。第２の回路は、また、基準電流を生成する電流源を備える。典型的にはフォトダイオード電流はこの基準信号と比較されるが、この比較は出力電圧信号を生成するために利用される。
【０００３】
基準電流は典型的には温度に依存しない（すなわち、温度が異なっても比較的一定である）が、フォトダイオード電流は温度に対して変化する。この温度依存性により、出力電圧信号に対する不要かつ望ましくない特徴すなわち属性が生じる。すなわち、１）温度が異なるとパルス幅が変動する。２）パルス幅が温度全域で歪む。
【０００４】
図６は、従来技術によるオプトカプラシステム（これによれば、温度が異なると出力電圧信号のパルス幅が変化する）により生成された種々の信号を表わすいくつかの波形を示す。第１の波形６１０は、温度に対して比較的一定である基準電流を表すことに留意されたい。
【０００５】
第１の波形６１０、第２の波形６２０、第３の波形６３０は、それぞれ、異なる温度（たとえば、低温、室温、高温）におけるフォトダイオード電流を表している。例示的な温度範囲は、−４０℃〜＋１２５℃である。たとえば、第２の波形６２０は、低温（たとえば、−４０℃）におけるフォトダイオード電流信号を表す。第３の波形６３０は、室温におけるフォトダイオード電流信号を表す。第４の波形６４０は、高温（たとえば、＋１２５℃）におけるフォトダイオード電流信号を表す。
【０００６】
第５の波形６５０、第６の波形６６０、第７の波形６７０は、従来技術のオプトカプラシステムにより異なる動作温度で生成された出力電圧信号を表す。たとえば、第５の波形６５０は、室温における出力電圧信号を表す。第６の波形６６０は、低温（たとえば、−４０℃）における出力電圧信号を表す。第７の波形６７０は、高温（たとえば、＋１２５℃）における出力電圧信号を表す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
理解されるように、各出力電圧信号波形６５０、６６０、６７０のパルス幅は異なっており、かつ、温度に依存している。オフ状態からオン状態とオン状態からオフ状態への伝播遅延は、低温と高温における非対称なトリガ動作によって異なる場合があることに留意されたい。伝播遅延がこのように異なることにより、さらに、全温度範囲にわたってパルス幅歪みが生じる。
【０００８】
したがって、光源の温度係数を追跡する出力信号を生成して、上記の不都合を解消するための装置及び方法が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
光源の温度係数を追跡するための装置及び方法が開示される。光源の温度係数（たとえば、発光ダイオード（LED）の温度係数）を追跡する出力信号を生成する光源温度係数追跡機構（たとえば、電流源回路）が提供される。絶対温度比例（式）電流源回路（PTAT電流源回路）は第１の信号を生成する。絶対温度相補（式）電流源回路（CTAT電流源回路。１実施形態では、絶対温度に相補的であるとは、絶対温度に反比例することを意味する）は第２の信号を生成する。第１及び第２の信号を利用して、光源の温度係数を追跡する出力信号を生成する。
【実施例】
【００１０】
本発明を、添付図面を参照して例を用いて説明するが、これは限定を意図したものではない。図面においては同様の要素には同じ参照符号を付している。
【００１１】
光源の温度係数を追跡する出力信号を生成するための装置及び方法を説明する。以下の説明では、説明の便宜上、本発明を十分に理解できるようにするために、多くの特定の細部が示される。しかしながら、当業者には、それらの特定の細部がなくても本発明を実施できることは明らかであろう。他のいくつかの例では、本発明を不必要に曖昧にするのを避けるために、周知の構造や装置をブロック図の形態で示している。
【００１２】
オプトカプラシステム１００
図１は、本発明の１実施形態による温度追跡閾値信号生成機構１５０を備えるオプトカプラシステム１００を示す。オプトカプラシステム１００は、光源１０４（たとえば、発光ダイオード、レーザ、あるいは、他の光源）と、光源を駆動するための電流（たとえば、Ｉ_light-sourceすなわちI_LS）を生成する電流源１０８を備える。１実施形態では、光源１０４は発光ダイオード（LED）であり、電流源１０８は、LEDを駆動するための電流（すなわち、I_LED）を生成する。
【００１３】
光源１０４と対応する電流源１０８はシステム１００の残りの部分から分離（すなわち、電気的に絶縁）されることに注意されたい。これについてはより詳細に後述する。２つの側が光１０６によって結合される。信号情報が光１０６を介して光源１０４から光検出器１１４に伝達される。
【００１４】
光源１０４は、所定の光出力パワー（LOP）を有する光１０６を生成する。電流伝達率（CTR）は、光源電流（I_LS）と光検出器電流（I_LD）との比である。I_LSとI_LDとの関係は、I_LD＝I_LS×CTRと表すことができる。１実施形態では、CTRは、LED電流（I_LED）とフォトデテクタ電流（I_PD）との比である。この場合、上記式は、I_PD=I_LED×CTRとなる。
【００１５】
I_LEDが一定の場合を考える。CTRは、負の温度係数（tempco）を有し、温度に関して変化し、これによって、I_PDが温度に関して変化することになる。この場合、I_PD は温度が上がると減少する。本発明による温度追跡閾値信号生成機構１５０がなければ、I_PD は温度に関して一定である基準信号すなわち閾値信号と比較され、歪んだ出力信号（たとえば、立ち上がりエッジと立下りエッジの傾斜が異なるV_out信号）が生成されることになる。１実施形態では、温度追跡閾値信号生成機構は、異なる温度間でI_PDの約５０％であるI_refを生成し、これによって、V_out信号の歪みは非常に小さく、かつ、そのパルス幅は比較的一定となる。
【００１６】
オプトカプラシステム１００はさらに、光検出器１１４（たとえば、フォトデタクタまたはフォトダイオード）を備える。オプトカプラシステム１００はまた光源の状態に依存して、論理高信号（たとえば、論理「１」信号）または論理低信号（たとえば、論理「０」信号）を生成する出力を備える。LEDがオン状態のときには、出力信号がアサートされる（たとえば、論理高すなわち「１」になる）。同様に、LEDがオフ状態のときには、出力信号は非アサートされる（たとえば、論理低すなわち「０」になる）。
【００１７】
光源（たとえば、LED）の光出力は、典型的には、たとえば、約３０００ppm／℃と約４０００ppm／℃の間といったある範囲の値である大きな負の温度係数を有する。これに関して、LEDスイッチング閾値電流（I_LS）は、一定のまたは予め設定された光検出器（またはフォトデタクタ）スイッチング閾値信号（I_ref_constant）が提供されるときは、温度に対して同様に変動する。
【００１８】
良好なオプトカプラシステム構成の１つの側面は、光源を駆動するために使用される電流（I_LS）とシステムの出力電流（たとえば、V_out）との間の信号の整合（たとえば、パルス幅、デューティサイクル、他の信号特性などが同様であること。すなわち、信号の特性に一貫性があること、以下、信号整合という）を維持することである。オプトカプラシステム１００は、温度追跡閾値信号生成機構１５０を利用して、光源を駆動するために利用される電流（I_LS）とシステムの出力電流（たとえば、V_out）との信号整合を維持する。たとえば、光源電流が５０ナノ秒のパルス幅を有するときは、オプトカプラシステム１００は、ほぼ同様（たとえば、約５０ナノ秒）のパルス幅を有する出力信号（V_out）を生成する。同様に、光源電流が１０ナノ秒のパルス幅または１００ナノ秒のパルス幅を有するときは、オプトカプラシステム１００は、それぞれ、約１０ナノ秒、約１００ナノ秒とほぼ同様のパルス幅を有する出力信号（V_out）を生成する。
【００１９】
オプトカプラシステム１００はまた、基準信号（たとえば、I_ref）と光検出器信号（たとえば、I_LDまたはI_PD）を比較する比較回路を備える。１実施形態によれば、比較回路は、第１の増幅器１２０、第２の増幅器１３０、及び第３の増幅器１４０を備える。第１の増幅器１２０は、入力電極１２２と出力電極１２４を備える。第１の抵抗（R1）１２８は、入力電極１２２に結合される第１の端子と、出力電極１２４に結合される第２の端子を備える。光検出器１１４は、第１の増幅器の入力電極１２２に結合される第１の端子と、第１の所定の電力信号（たとえば、接地電力信号）に結合される第２の端子を有する。
【００２０】
第２の増幅器１３０は、第１の入力電極１３２（たとえば、正極性端子または非反転入力）、第２の入力電極１３４（たとえば、負極性端子または反転入力）、及び、出力電極１３６を有する。第2の抵抗（R2）１３８は、第２の入力電極１３４に結合される第1の端子と、出力電極１３６に結合される第２の端子を有する。
【００２１】
本発明の１実施形態によれば、オプトカプラシステム１００は、温度の変化に起因するターンオン閾値信号の変動を低減するために温度追跡閾値信号生成機構１５０を備える。１実施形態では、温度追跡閾値信号生成機構１５０は、光源温度係数追跡電流源（LSTCTCS）で実施される。この電流源は、第２の増幅器１３０の第２の入力電極１３４に結合された第１の電極と、第１の所定の電力信号（たとえば、接地電力信号）に結合された第２の端子を有する。
【００２２】
１実施形態では、LSTCTCS１５０は、温度変化に起因するターンオン閾値信号の変動を低減する。たとえば、LSTCTCS１５０は、トランスインピーダンスアンプが、光源の温度係数を追跡する閾値信号を提供する機構（メカニズム）を利用することによって光源電流の信号整合を維持する出力信号（たとえば、出力電圧信号）を発生できるようにする。温度追跡閾値信号生成機構１５０については、図２及び図３を参照してより詳細に後述する。
【００２３】
第３の増幅器１４０は、第１の入力電極１４２（たとえば、正極性端子または非反転入力）、第２の入力電極１４４（たとえば、負極性端子または反転入力）、及び出力電極１４６を有する。第１の入力電極１４２は、第１の増幅器１２０の出力電極１２４に結合され、第2の入力電極１４４は、第２の増幅器１３０の出力電極１３６に結合される。
【００２４】
温度追跡閾値信号生成機構１５０
図２は、本発明の１実施形態による図１の温度追跡閾値信号生成機構１５０をより詳細に示すブロック図である。１実施形態によれば、温度追跡閾値信号生成機構１５０は、光源の温度係数（たとえば、発光ダイオード（LED）の温度係数）を追跡するものであって、光源温度係数追跡電流源で実施される。
【００２５】
温度追跡閾値信号生成機構（たとえば、光源温度係数追跡電流源）は、絶対温度と相補的な（すなわち、絶対温度に反比例する）第１の信号（たとえば、第１の電流信号１１）を生成する絶対温度相補電流源２１０と、絶対温度に比例する第２の信号（たとえば、第２の電流信号１２）を生成する絶対温度比例電流源２３０を備える。以下では、絶対温度相補電流源２１０を「CTAT電流源」と、絶対温度比例電流源２３０を「PTAT電流源」ともいう。
【００２６】
オプションとして、CTAT電流源２１０によって生成される電流をミラーリングして第１の信号（たとえば、I1）を提供する第１の電流ミラー回路２２０が設けられる。同様に、オプションとして、第２の電流ミラー回路２４０がPTAT電流源２３０に結合され、PTAT電流源２３０によって生成される電流をミラーリングして第２の信号（たとえば、I2）を提供する。オプションとして、第３の電流ミラー回路２５０が、第１の電流ミラー２２０及び第２の電流ミラー２４０に結合されて第１の信号（たとえば、I1）及び第２の信号（たとえば、I2）を受け取り、I3をミラーリングして基準信号（たとえば、基準電流信号I_ref）を提供する。電流I3は電流I1とI2の和であることに留意されたい。
【００２７】
CTAT電流源２１０、第１の電流ミラー２２０、PTAT電流源２３０、第２の電流ミラー２４０、第３の電流ミラー２５０、及び、それらの例示的な回路実装については図３を参照してより詳細に後述する。
【００２８】
本発明の１実施形態によれば、温度追跡閾値信号生成機構は閾値信号（たとえば、基準電流I_ref）に対して、光源（たとえば、LED）のLOP温度係数に整合（または一致）するように温度係数を導入し、これにより、等価な光源（たとえば、LED）の電流閾値が温度範囲全体（たとえば、温度変化）に対して維持されるようにする。別の言い方をすれば、温度追跡閾値信号生成機構は、光源閾値電流（たとえば、I_LS）を振幅の中央値付近に設定でき、これによって、対称的なターンオン遅延とターンオフ遅延（たとえば、ターンオン伝播遅延とターンオフ伝播遅延）を生じさせる。したがって、出力信号（たとえば、V_out）の信号整合が維持され、及び、信号歪み（たとえば、パルス幅の歪み）が最小限にされるかまたは低減される。
【００２９】
例示的な回路実装
図３は、本発明の１実施形態による図２の温度追跡閾値信号生成機構１５０の例示的な回路実装を示す。CTAT電流源２１０と第１の電流ミラー２２０は、トランジスタQ1、Q4、Q5、Q6、抵抗R1及びR2で実施される。トランジスタQ5及びQ6は第１の電流ミラー２２０を形成することに留意されたい。PTAT電流源２３０と第２の電流ミラー２４０はトランジスタQ2、Q3、Q7、Q8、Q9及び抵抗R2で実施される。トランジスタQ7、Q8及びQ9は第２の電流ミラー２４０を形成することに留意されたい。電流I1とI2が加算されてI3が生成される。トランジスタQ10とQ11によって形成される第３の電流ミラーは、電流I3をミラーリングして基準信号（I_ref）を提供する。
【００３０】
「m1」はトランジスタQ5のエミッタのサイズを示し、「n1」はトランジスタQ6のエミッタのサイズを示し、「n2」はトランジスタQ7のエミッタのサイズを示し、「m2」はトランジスタQ8及びQ9のエミッタのサイズを示し、「a」はトランジスタQ2のエミッタのサイズを示し、「b」はトランジスタQ3のエミッタのサイズを示す。電流ミラーは電流I3をミラーリングして温度に依存する基準信号（たとえば、I_ref）を生成する。トランジスタのサイズ間の関係（たとえば、トランジスタのサイズの比）は、光源の温度係数（tempco）、電流源温度係数（tempco）及び特定の用途の特定の用件によって決まりうるということに留意されたい。
【００３１】
１実施形態によれば、電流I1は、トランジスタQ1のベース−エミッタ間電圧（V_be）と抵抗R1によって決まり、電流I2は、トランジスタQ3とトランジスタQ4とのベース−エミッタ電圧（V_be）差及び抵抗R2によって決まる。１実施形態では、出力電流I3の温度係数を以下の式で記述することができる。
【００３２】
【数１】
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【００３３】
上記式を利用することにより、所定の出力電流温度係数（tempco）を実現するために、トランジスタのサイズをしかるべく設定することができる。付録Ｉには、電流I1及びI2を生成することによって温度に依存する基準電流（I_ref）を生成するための例示的な設計手順が記載されている。
【００３４】
図４は、本発明の１実施形態による温度追跡閾値信号生成機構の出力波形を示すタイミング図である。第１の波形４１０、第２の波形４２０、第３の波形４３０は、異なる温度（たとえば、低温、室温、高温）におけるフォトダイオード電流を表している。例示的な温度範囲は、−４０℃〜＋１２５℃である。たとえば、第１の波形４１０は、低温（たとえば、−４０℃）におけるフォトダイオード電流信号を表す。第２の波形４２０は、室温におけるフォトダイオード電流信号を表す。第３の波形４３０は、高温（たとえば、＋１２５℃）におけるフォトダイオード電流信号を表す。
【００３５】
第４の波形４４０、第５の波形４５０、第６の波形４６０は、本発明の１実施形態による温度追跡閾値信号生成機構によって異なる動作温度において生成された基準電流信号を表している。たとえば、第４の波形４４０は、低温（たとえば、−４０℃）における基準電流信号（I_ref＠cold）を表す。第５の波形４５０は、室温における基準電流信号（I_ref＠room）を表す。第６の波形４６０は、高温（たとえば、＋１２５℃）における基準電流信号（I_ref＠hot）を表す。
【００３６】
温度追跡閾値信号生成機構は、対応する光検出信号（たとえば、フォトダイオード電流信号I_PD）に対して異なる基準信号（たとえば、温度に依存する基準信号）を提供するので、出力電圧信号波形の特性（たとえば、パルス幅４８０、デューティサイクル、及び他の特性）を、温度（たとえば、＠cold（すなわち、低温）、＠room（すなわち、室温）、＠hot（すなわち、高温））に対して実質的に異ならない波形４７０によって表すことができるということに留意されたい。さらに、出力電圧信号の信号整合は、入力信号（たとえば、光源の信号I_LED）に関して実質的に維持されることに留意されたい。
【００３７】
温度追跡閾値生成機構によって実施される処理
図５は、本発明の１実施形態による温度追跡閾値生成機構によって実施される１方法を示すフローチャートである。ステップ５１０では、温度に対して変化する温度依存性の基準信号が生成される。ステップ５１０は、１）絶対温度に比例する第１の信号を生成するステップ、２）絶対温度と相補的である第２の信号を生成するステップ、及び、３）第１の信号と第２の信号を利用して温度依存性の基準信号を生成するステップ、を含むことができる。１実施形態では、温度依存性の基準信号は光源（たとえば、LED）の温度係数を追跡する。
【００３８】
ステップ５２０では、光検出信号（たとえば、I_LD）を受信する。ステップ５３０では、温度依存性の基準信号（たとえば、I_TDREF）と光検出信号（たとえば、I_LD）を比較する。この比較に基づいて、所定の入力信号（たとえば、I_LS）との信号整合を維持する出力信号が生成される。
【００３９】
本発明によるこの機構は種々の用途において有用である。そのような用途として、たとえば、２つの接地電位が必要とされる用途やシステム、レベルシフティングが要求される用途、第１の回路と第２の回路との電気的絶縁を必要とする他の用途がある。たとえば、ある論理回路（たとえば、標準的な５ボルト電力信号を有するもの）と、それより高い電力信号で、かつ、場合により浮動接地で動作するアナログ制御回路（たとえば、モータ制御回路や他の産業用の応用物）との分離を提供するために、本発明によるオプトカプラシステムを実施することができる。本発明によるこの機構は、また、高電圧信号とヒューマン・インタフェース（たとえば、論理インターフェース）との間の分離が要求される用途でも有用である。
【００４０】
本発明によるこの機構は、上記の実施形態や用途に限定されず、動作温度の変化に起因するターンオン閾値信号の変動（たとえば、基準信号の変動）を低減するために他の用途において利用することができることに留意されたい。さらに、本発明によるこの機構を他の用途において利用して、入力信号（たとえば、光源電流）と出力信号（たとえば、V_out）との信号整合を温度変化に対して維持することができる。
【００４１】
本発明は、光源の温度係数を追跡する出力信号を生成するための装置及び方法に関する。光源(104)の温度係数（たとえば、発光ダイオード（LED）の温度係数）を追跡する出力信号を生成する光源温度係数追跡機構(150)（たとえば、電流源回路）が提供される。絶対温度比例電流源回路(230)（PTAT電流源回路）は第１の信号を生成する。絶対温度相補電流源回路(210)（CTAT電流源回路）は第２の信号を生成する。光源の温度係数を追跡する出力信号は第１の信号と第２の信号に基づく。
【００４２】
以上、本発明を特定の実施形態を参照して説明した。しかしながら、本発明のより広い範囲から逸脱することなくそれらの実施形態に対して種々の修正及び変更をなすことができることは明らかであろう。したがって、本明細書及び図面は、限定することを意図したものではなく例示的なものである。
【００４３】
付録Ｉ：例示的な設計手段
【００４４】
【数２】
2006246479.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の１実施形態による温度追跡閾値信号生成機構を備えるオプトカプラシステムを示す。
【図２】本発明の１実施形態による図１の温度追跡閾値信号生成機構をより詳しく示すブロック図である。
【図３】本発明の１実施形態による図２の温度追跡閾値信号生成機構の回路例を示す。
【図４】本発明の１実施形態による光源温度係数追跡電流源の出力波形を示すタイミング図である。
【図５】本発明の１実施形態による温度追跡閾値生成機構によって実施される１方法を示すフローチャートである。
【図６】異なる温度間で出力電圧信号のパルス幅が変化する従来技術のオプトカプラシステムによって生成された様々な信号を表すいくつかの波形を示す。
【符号の説明】
【００４６】
１０４  光源
１０８  電流源
１５０  温度追跡閾値信号生成機構
２１０  絶対温度相補電流源回路
２３０  絶対温度比例電流源回路
【図１】
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【図２】
2006246479.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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