(57)【要約】  【課題】本発明は、緊急度に応じて適切な温度保護動作を行い、延いては、システム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な温度保護回路、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器を提供することを目的とする。  【解決手段】本発明に係る温度保護回路は、監視対象温度Ｔｊの異常上昇時にイネーブルとされる遮断信号Ｓｔｓｄを生成する温度保護回路であって、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配に応じて監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達してから遮断信号Ｓｔｓｄをイネーブルとするまでのタイミングを制御する手段と、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達してから遮断信号Ｓｔｓｄがイネーブルとされるまでの期間にイネーブルとされる異常報知信号Ｓｅｒｒを生成する手段と、を有して成る構成とされている。【選択図】      図３
2006302951.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
監視対象温度の異常上昇時にイネーブルとされる遮断信号を生成する温度保護回路であって、前記監視対象温度の上昇勾配に応じて前記監視対象温度が第１閾値温度に達してから前記遮断信号をイネーブルとするまでのタイミングを制御する遮断信号制御手段と、前記監視対象温度が第１閾値温度に達してから前記遮断信号がイネーブルとされるまでの期間にイネーブルとされる異常報知信号を生成する異常報知手段を有して成ることを特徴とする温度保護回路。
【請求項２】
前記遮断信号制御手段は、前記監視対象温度が第１閾値温度よりも低い第２閾値温度に達したときに充電を始める充電手段と；前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときに前記充電手段の充電電圧と所定の閾値電圧とを比較する判定手段と；前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときにイネーブルとされる論理信号が入力され、前記判定手段の比較出力に応じて、前記充電手段の充電電圧が所定の閾値電圧に達していないときには、前記論理信号をそのまま前記遮断信号として送出する一方、前記充電手段の充電電圧が所定の閾値電圧に達しているときには、前記論理信号を所定時間分だけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を前記遮断信号として送出する遅延手段と；を有して成ることを特徴とする請求項１に記載の温度保護回路。
【請求項３】
前記遮断信号制御手段は、前記監視対象温度が第１閾値温度よりも低い第２閾値温度に達したときに充電を始め、前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときに放電を始める充放電手段と；前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときにイネーブルとされる論理信号が入力され、前記論理信号を前記充放電手段の放電量に応じた時間分だけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を前記遮断信号として送出する遅延手段と；を有して成ることを特徴とする請求項１に記載の温度保護回路。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の温度保護回路と；入力電圧から所定の出力電圧を生成する手段であって、前記遮断信号のイネーブルに応じてその駆動を遮断される電源回路と；を集積化して成ることを特徴とする電源装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電源装置と、前記電源装置の出力電圧を電源とするシステム回路と、を有して成る電子機器であって、前記システム回路は、前記異常報知信号のイネーブルに応じて、前記電源装置からの電源供給が遮断されるよりも先に、自身の駆動を遮断するものであることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度保護回路、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器に関するものであり、特に、異常発熱によるシステム遮断時の安全性向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電源装置やモータ駆動装置など、パワートランジスタを駆動する半導体集積回路装置（以下、ＩＣ［Integrated Circuit］と呼ぶ）の多くは、その異常発熱に起因するＩＣの破壊（特に、発熱源であるパワートランジスタの破壊）を防止する手段として、温度保護回路（いわゆるサーマルシャットダウン回路）を搭載して成る（例えば、本願出願人による特許文献１、２を参照）。
【特許文献１】特開２００４−２５３９３６号公報
【特許文献２】特公平６−１６５４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
確かに、上記従来の温度保護回路を搭載したＩＣであれば、誤動作や過負荷によるＩＣの異常発熱を検知・遮断して、ＩＣの破壊を未然に防止することが可能である。
【０００４】
しかしながら、上記従来の温度保護回路を搭載したＩＣでは、ＩＣ自身の異常発熱による温度上昇時も、ＩＣ外部での異常発熱による温度上昇時も、何ら区別されることなく、温度保護回路の監視対象温度が所定の閾値温度に達した時点で、ＩＣの駆動が即時遮断されていた。言い換えれば、上記従来の温度保護回路を搭載したＩＣでは、その駆動を遮断すべき緊急度が何ら考慮されることなく、一律的な温度保護動作が行われていた。そのため、当該ＩＣを組み込んだアプリケーションによっては、温度保護回路で異常発熱が検出された際、システム全体のシャットダウンを安全に行うことができないおそれがあった。
【０００５】
例えば、上記従来の温度保護回路を搭載した電源ＩＣをマイクロコンピュータの電源として用いる電子機器において、電源ＩＣ外部での異常発熱に起因して、温度保護回路の監視対象温度が所定の閾値温度に達した場合、電源ＩＣの駆動を遮断すべき緊急度は必ずしも高くないと考えられるが、従来の温度保護回路は、そのような緊急度を考慮をすることなく、一律的に電源ＩＣの駆動を遮断していた。そのため、マイクロコンピュータは、その初期化やメモリデータの保持を完了し得ないまま、電源供給を絶たれてしまうことになり、結果としてシステム全体のシャットダウンを正常に行うことができなくなっていた。
【０００６】
本発明は、上記の問題点に鑑み、緊急度に応じて適切な温度保護動作を行い、延いてはシステム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な温度保護回路、並びに、これを備えた電源装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る温度保護回路は、監視対象温度の異常上昇時にイネーブルとされる遮断信号を生成する温度保護回路であって、前記監視対象温度の上昇勾配に応じて前記監視対象温度が第１閾値温度に達してから前記遮断信号をイネーブルとするまでのタイミングを制御する遮断信号制御手段と、前記監視対象温度が第１閾値温度に達してから前記遮断信号がイネーブルとされるまでの期間にイネーブルとされる異常報知信号を生成する異常報知手段を有して成る構成（第１の構成）とされている。このような構成とすることにより、緊急度に応じて適切な温度保護動作を行い、延いては、システム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な温度保護回路を提供することができる。
【０００８】
なお、第１の構成から成る温度保護回路は、前記遮断信号制御手段は、前記監視対象温度が第１閾値温度よりも低い第２閾値温度に達したときに充電を始める充電手段と；前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときに前記充電手段の充電電圧と所定の閾値電圧とを比較する判定手段と；前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときにイネーブルとされる論理信号が入力され、前記判定手段の比較出力に応じて、前記充電手段の充電電圧が所定の閾値電圧に達していないときには、前記論理信号をそのまま前記遮断信号として送出する一方、前記充電手段の充電電圧が所定の閾値電圧に達しているときには、前記論理信号を所定時間分だけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を前記遮断信号として送出する遅延手段と；を有して成る構成（第２の構成）にするとよい。このような構成とすることにより、温度上昇が急峻であるか否かに応じて緊急度の判定を行い、その判定結果に応じて適切な温度保護動作を行うことが可能となる。
【０００９】
或いは、第１の構成から成る温度保護回路は、前記遮断信号制御手段は、前記監視対象温度が第１閾値温度よりも低い第２閾値温度に達したときに充電を始め、前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときに放電を始める充放電手段と；前記監視対象温度が第１閾値温度に達したときにイネーブルとされる論理信号が入力され、前記論理信号を前記充放電手段の放電量に応じた時間分だけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を前記遮断信号として送出する遅延手段と；を有して成る構成（第３の構成）にするとよい。このような構成とすることにより、特段の制御を要することなく、温度上昇の急緩に応じて適切な温度保護動作を行うことが可能となる。
【００１０】
また、本発明に係る電源装置は、第１〜第３いずれかの構成から成る温度保護回路と；入力電圧から所定の出力電圧を生成する手段であって、前記遮断信号のイネーブルに応じてその駆動を遮断される電源回路と；を集積化して成る構成としている。このような構成とすることにより、緊急度に応じて適切な温度保護動作を行い、延いては、システム全体としてより安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な電源装置を提供できる。
【００１１】
また、本発明に係る電子機器は、上記構成から成る電源装置と、前記電源装置の出力電圧を電源とするシステム回路と、を有して成る電子機器であって、前記システム回路は、前記異常報知信号のイネーブルに応じて、前記電源装置からの電源供給が遮断されるよりも先に、自身の駆動を遮断するものである構成としている。このような構成とすることにより、システム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能な電子機器を提供することができる。
【発明の効果】
【００１２】
上記したように、本発明に係る温度保護回路、並びに、これを備えた電源回路及び電子機器であれば、緊急度に応じて適切な温度保護動作を行い、延いては、システム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、本発明に係る温度保護回路の搭載対象として、電子機器のシステム回路（マイクロコンピュータなど）に電源供給を行う電源ＩＣを例に挙げて、詳細な説明を行う。
【００１４】
図１は、本発明に係る電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【００１５】
本図に示す通り、本発明に係る電子機器は、入力電圧Ｖｉから所定の出力電圧Ｖｏを生成する電源ＩＣ１と、該電源ＩＣ１の出力電圧Ｖｏを電源とするシステム回路２と、を有して成る。また、電源ＩＣ１０は、温度保護回路１０と、電源回路２０と、を集積化して成る半導体集積回路装置である。
【００１６】
温度保護回路１０は、外部端子Ｔ１を介して供給される入力電圧Ｖｉを駆動電圧とし、その基本的機能として、監視対象温度Ｔｊの異常上昇時、すなわち、異常発熱が生じたときに電源ＩＣ１の駆動を停止させる遮断信号Ｓｔｓｄを生成する手段である。なお、遮断信号Ｓｔｓｄは、異常発熱が生じているときにイネーブル（例えばローレベル遷移）とされ、異常発熱が生じていないときにディセーブル（例えばハイレベル遷移）とされる２値信号である。
【００１７】
上記の遮断信号Ｓｔｓｄは、電源回路２０や不図示の内部回路に送出され、異常発熱時におけるシャットダウン制御に利用される。すなわち、温度保護回路１０から遮断信号Ｓｔｓｄの入力を受けた電源回路２０は、そのイネーブル／ディセーブルに応じて異常発熱が生じているか否かを認識し、電源出力動作の禁止／許可を制御することが可能となる。
【００１８】
このような温度保護回路１０を具備することにより、異常発熱に起因する電源ＩＣ１の破壊（特に、電源回路２０を構成するパワートランジスタの破壊）を未然に防止することが可能となる。
【００１９】
また、温度保護回路１０は、過熱監視対象である電源回路２０（特にそのパワートランジスタ）の近傍に設けられている。このような構成とすることにより、発熱源となるパワートランジスタの接合温度（監視対象温度Ｔｊ）を直接的に検出し、高精度の温度保護動作を行うことが可能となる。
【００２０】
また、温度保護回路１０は、その閾値温度にヒステリシスを有する自動復帰式とされている。このような構成であれば、監視対象温度Ｔｊが下がれば、外部からの復帰信号を待つことなく、迅速に電源ＩＣ１の駆動を自発復帰させることが可能となる。また、閾値温度にヒステリシスを有する構成とすることにより、遮断信号Ｓｔｓｄの論理発振を抑制することも可能となる。
【００２１】
また、温度保護回路１０は、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配に応じて監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達してから遮断信号Ｓｔｓｄをイネーブルとするまでのタイミングを制御する遮断信号制御手段と、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達してから遮断信号Ｓｔｓｄがイネーブルとされるまでの期間にイネーブルとされる異常報知信号Ｓｅｒｒを生成する異常報知手段を有して成る構成とされている。
【００２２】
なお、電源回路２０は、外部端子Ｔ１を介して供給される入力電圧Ｖｉを所望の出力電圧Ｖｏに変換し、外部端子Ｔ２を介してシステム回路２などに供給する直流変換手段であって、遮断信号Ｓｔｓｄのイネーブルに応じて、その駆動を遮断されるものである。
【００２３】
また、システム回路２は、外部端子Ｔ３を介して入力される異常報知信号Ｓｅｒｒのイネーブルに応じて、電源ＩＣ１からの電源供給が遮断されるよりも先に、自身の駆動を遮断するものである。より具体的に述べると、システム回路２としては、マイクロコンピュータなどを挙げることができ、当該システム回路２は、異常報知信号Ｓｅｒｒのイネーブルに応じて、その初期化やメモリデータの保持を開始する。
【００２４】
このような構成とすることにより、電源ＩＣ１の温度保護回路１０では、緊急度に応じて適切な温度保護動作が行われることになり、延いては電子機器のシステム全体として、より安全性の高い温度保護動作を行うことが可能となる。
【００２５】
以下、図２〜図５を参照しながら、温度保護回路１０の回路構成及び動作について、より具体的かつ詳細な説明を行う。
【００２６】
まず、温度保護回路１０の第１実施形態について、図２及び図３を参照しながら説明する。図２は、温度保護回路１０の第１実施形態を示すブロック図であり、図３は、温度保護信号Ｓｔｓｄ及び異常報知信号Ｓｅｒｒのイネーブル制御を説明するための図である。
【００２７】
図２に示すように、本実施形態の温度保護回路１０は、発熱検出部１１と、第１比較部１２と、第２比較部１３と、充放電部１４と、判定部１５と、遅延部１６と、異常報知部１７と、を有して成る。
【００２８】
発熱検出部１１は、例えば、ダイオードの順方向降下電圧が周囲温度に依存して変動するという特性（約−２［ｍＶ／℃］の負の温度特性）を利用して、発熱検出電圧Ｖａ（監視対象温度Ｔｊが高いほど、電圧レベルが低下する電圧信号）を生成する手段である。
【００２９】
第１比較部１２は、発熱検出部１１で生成された発熱検出電圧Ｖａと、第１閾値温度Ｔｔｈ１（例えば、１７５［℃］）に相当する第１閾値電圧Ｖｔｈ１とを比較し、両電圧信号の相対的な高低に応じて、その出力論理が変遷される論理信号Ｖｂを生成する。なお、論理信号Ｖｂは、発熱検出電圧Ｖａが第１閾値電圧Ｖｔｈ１よりも高ければディセーブル状態（ハイレベル）とされ、逆に、前者が後者よりも低ければイネーブル状態（ローレベル）とされる。すなわち、論理信号Ｖｂは、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達したときにイネーブルとされる信号となる。
【００３０】
第２比較部１３は、発熱検出部１１で生成された発熱検出電圧Ｖａと、第１閾値温度Ｔｔｈ１より低い第２閾値温度Ｔｔｈ２（例えば１５０［℃］）に相当する第２閾値電圧Ｖｔｈ２（＞Ｖｔｈ１）とを比較し、両電圧信号の相対的な高低に応じてその出力論理が変遷される論理信号Ｖｃを生成する。なお、論理信号Ｖｃは、発熱検出電圧Ｖａが第２閾値電圧Ｖｔｈ２よりも高ければディセーブル状態（ハイレベル）とされ、逆に、前者が後者よりも低ければイネーブル状態（ローレベル）とされる。すなわち、論理信号Ｖｃは、監視対象温度Ｔｊが第２閾値温度Ｔｔｈ２に達したときにイネーブルとされる信号となる。
【００３１】
充放電部１４は、論理信号Ｖｃのイネーブルに応じて充電を始め、論理信号Ｖｂのイネーブルに応じて充電を停止（放電を開始）する手段である。言い換えれば、充放電部１４は、監視対象温度Ｔｊが第２閾値温度Ｔｔｈ２に達したときに充電を始め、さらに監視対象温度Ｔｊが上昇して第１閾値温度Ｔｔｈ１に達したときに充電を停止（放電を開始）する手段である。従って、充放電部１４の充電電圧Ｖｄは、論理信号Ｖｃがイネーブルとされてから論理信号Ｖｂのイネーブルとされるまでの期間、すなわち、監視対象温度Ｔｊが第２閾値温度Ｔｔｈ２に達してから第１閾値温度Ｔｔｈ１に達するまでの期間が短いほど低値となり、長いほど高値となる（図３（ａ）、（ｂ）を対比参照）。なお、充放電部１４は、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達して以後、急速にその充電電圧Ｖｄを放電する。また、充放電部１４は、監視対象温度Ｔｊが第２閾値温度Ｔｔｈ２に達して以後、所定時間内に第１閾値温度Ｔｔｈ１に達しない場合、或いは、再び第２閾値温度Ｔｔｈ２を下回った場合に、その充電電圧Ｖｄを強制的に放電する機能を備えている。
【００３２】
判定部１５は、論理信号Ｖｂのイネーブルに応じて充放電部１４の充電電圧Ｖｄと所定の閾値電圧Ｖｔｈ３とを比較する手段である。すなわち、判定部１５は、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達したときに、充放電部１４の充電電圧Ｖｄと所定の閾値電圧Ｖｔｈ３とを比較することで監視対象温度Ｔｊの上昇勾配を判定する手段である。具体的に述べると、判定部１５は、充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達していなければ、監視対象温度Ｔｊが第２閾値温度Ｔｔｈ２に達してから第１閾値温度Ｔｔｈ１に達するまでの期間が短い、すなわち、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配が急峻であると判定し、逆に、充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達していれば、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配が急峻でないと判定する（図３（ａ）、（ｂ）を対比参照）。
【００３３】
遅延部１６は、判定部１５の比較出力に応じて、充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達していないときには、論理信号Ｖｂをそのまま遮断信号Ｓｔｓｄとして送出する一方、充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達しているときには、論理信号Ｖｂを所定の遅延時間ｄだけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を遮断信号Ｓｔｓｄとして送出する手段である（図３（ａ）、（ｂ）を対比参照）。なお、遅延時間ｄとしては、電源ＩＣ１の破壊回避とシステム全体の安全なシャットダウンというトレードオフの関係に鑑み、異常報知信号Ｓｅｒｒのイネーブルに応じてシステム回路２が正常なシャットダウン動作（その初期化やメモリデータの保持）を完了するために必要十分な時間（１００〜５００［ｍｓ］程度）とすればよい。
【００３４】
異常報知部１７は、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達してから遮断信号Ｓｔｓｄがイネーブルとされるまでの期間にイネーブルとされる異常報知信号Ｓｅｒｒを生成する手段である。なお、本実施形態の異常報知部１７は、判定部１５の比較出力に応じて充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達していると判断されたときに、異常報知信号Ｓｅｒｒをイネーブル（ハイレベル遷移）とし、遮断信号Ｓｔｓｄがイネーブルとされた時点で、異常報知信号Ｓｅｒｒをディセーブル（ローレベル遷移）とする構成とされている。
【００３５】
上記した通り、本実施形態の温度保護回路１０は、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配に応じて監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達してから遮断信号Ｓｔｓｄをイネーブルとするまでのタイミングを制御する遮断信号制御手段として、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１よりも低い第２閾値温度Ｔｔｈ２に達したときに充電を始める充放電部１４と；監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達したときに充放電部１４の充電電圧Ｖｄと所定の閾値電圧Ｖｔｈ３とを比較する判定部１５と；監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達したときにイネーブルとされる論理信号Ｖｂが入力され、判定部１５の比較出力に応じて、充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達していないときには、論理信号Ｖｂをそのまま遮断信号Ｓｔｓｄとして送出する一方、充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達しているときには、論理信号Ｖｂを所定の遅延時間ｄだけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を遮断信号Ｓｔｓｄとして送出する遅延部１６と；を有して成る構成とされている。このような構成とすることにより、監視対象温度Ｔｊの温度上昇が急峻であるか否かに応じて、電源ＩＣ１の駆動を遮断すべき緊急度の判定を行い、その判定結果に応じて適切な温度保護動作を行うことが可能となる。
【００３６】
例えば、電源ＩＣ１の出力短絡（天絡、地絡）などに起因して、電源ＩＣ１自身が異常発熱を生じている場合、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配は急峻となることが多い。このような場合、温度保護回路１０は、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配に応じて、電源ＩＣ１の駆動を遮断すべき緊急度が高いと判断し、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達した時点で、即座に遮断信号Ｓｔｓｄをイネーブルとする（図３（ａ）を参照）。このような温度保護動作により、電源ＩＣ１における以後の異常発熱を極力抑えて、電源ＩＣ１の破壊を未然に防止することが可能となる。
【００３７】
一方、電源ＩＣ１外部での異常発熱に起因して、温度保護回路１０の監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達した場合、その温度上昇は必ずしも急峻でない。このような場合、温度保護回路１０は、監視対象温度Ｔｊの上昇勾配に応じて、電源ＩＣ１の駆動を即時遮断してその破壊防止を図るよりもむしろ、当該電源ＩＣ１以外の構成回路（本実施形態ではシステム回路２）の駆動を優先的に遮断すべきであると判断する。そして、温度保護回路１０は、上記判断結果に基づき、まず、異常報知信号Ｓｅｒｒをイネーブルとしてシステム回路２の正常なシャットダウン完了を待機した後、引き続いて、遮断信号Ｓｔｓｄをイネーブルとし、電源ＩＣ１の駆動を停止させる。このような温度保護動作によって、システム回路２がその初期化やメモリデータの保持を完了し得ないまま、電源供給が絶たれるという事態を回避することができるので、電子機器のシステム全体として、そのシャットダウンを正常に行うことが可能となる。
【００３８】
すなわち、本発明によれば、電源ＩＣ１の異常発熱が電源ＩＣ１自体の不具合に起因するのか、或いは、電源ＩＣ１外部（システム全体或いは周辺部品）の不具合に起因するのかを区別して、システム全体のシャットダウン手順を変更することができ、延いては、より安全に安定した温度保護動作を行うことが可能となる。
【００３９】
次に、温度保護回路１０の第２実施形態について、図４及び図５を参照しながら説明する。図４は、温度保護回路１０の第２実施形態を示すブロック図であり、図５は、温度保護信号Ｓｔｓｄ及び異常報知信号Ｓｅｒｒのイネーブル制御を説明するための図である。
【００４０】
図４に示すように、本実施形態の温度保護回路１０は、先述の第１実施形態とほぼ同様の構成から成るが、その相違点として、本実施形態の遅延部１６は、論理信号Ｖｂを充放電部１４の放電量に応じた時間分だけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を遮断信号Ｓｔｓｄとして送出する構成とされている。より具体的に述べると、本実施形態の充放電部１４は、監視対象温度Ｔｊが第１閾値温度Ｔｔｈ１に達すると、それ以後は、所定の時定数をもって緩やかにその充電電圧Ｖｄを放電する構成とされており、遅延部１６は、充放電部１４の放電完了に要する所要時間分だけ論理信号Ｖｂを遅らせる構成とされている。従って、遅延部１６で生成される遅延時間は、論理信号Ｖｃがイネーブルとされてから論理信号Ｖｂのイネーブルとされるまでの期間、すなわち、監視対象温度Ｔｊが第２閾値温度Ｔｔｈ２に達してから第１閾値温度Ｔｔｈ１に達するまでの期間が短いほど短くなり、長いほど長くなる（図５の遅延時間ｄ１、ｄ２を対比参照）。このような構成とすることにより、電源ＩＣ１の駆動を遮断すべき緊急度を特段の手順で判定することなく、温度上昇の急緩に応じて、適切な温度保護動作を行うことが可能となる。
【００４１】
なお、上記の実施形態では、本発明に係る温度保護回路の搭載対象として、電子機器のシステム回路（マイクロコンピュータなど）に電源供給を行う電源ＩＣを例に挙げたが、その搭載対象はこれに限定されるものではなく、モータ駆動ＩＣなど、他の半導体集積回路装置にも広く搭載することが可能である。
【００４２】
また、本発明の構成は、上記実施形態のほか、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。
【００４３】
例えば、上記実施形態では、温度上昇勾配の検出手法として、充放電部１４を用いたアナログ的手法を例示して説明を行ったが、その手法はこれに限定されるものではなく、カウンタなどを用いたディジタル的手法で温度上昇勾配を検出する構成としても構わない。
【００４４】
また、上記では、説明上の便宜のため、第１、第２実施形態をそれぞれ別個に説明したが、本発明の構成はこれに限定されるものではなく、両実施形態を組み合わせた構成としても構わない。より具体的に述べると、第１実施形態の判定部１５で充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達していないと判定されたときには、遅延部１６で論理信号Ｖｂをそのまま遮断信号Ｓｔｓｄとして送出する一方、充電電圧Ｖｄが閾値電圧Ｖｔｈ３に達していると判定されたときには、遅延部１６で論理信号Ｖｂを充放電部１４の放電量に応じた時間分だけ遅らせて遅延論理信号を生成し、該遅延論理信号を遮断信号Ｓｔｓｄとして送出する構成としても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、例えば、温度保護回路を搭載した電源ＩＣをマイクロコンピュータの電源として用いる電子機器につき、その温度保護動作の最適化技術として好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】は、本発明に係る電子機器の概略を示すブロック図である。
【図２】は、温度保護回路１０の第１実施形態を示すブロック図である。
【図３】は、温度保護信号Ｓｔｓｄ及び異常報知信号Ｓｅｒｒのイネーブル制御を説明するための図である。
【図４】は、温度保護回路１０の第２実施形態を示すブロック図である。
【図５】は、温度保護信号Ｓｔｓｄ及び異常報知信号Ｓｅｒｒのイネーブル制御を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    電源ＩＣ
２    システム回路（マイクロコンピュータなど）
１０    温度保護回路
１１    発熱検出部
１２    第１比較部
１３    第２比較部
１４    充放電部
１５    判定部
１６    遅延部
１７    異常報知部
２０    電源回路
Ｔ１〜Ｔ３    外部端子
【図１】
2006302951.tif 000003
【図２】
2006302951.tif 000004
【図３】
2006302951.tif 000005
【図４】
2006302951.tif 000006
【図５】
2006302951.tif 000007