(57)【要約】【課題】多層光ディスクにデータを記録する際に、奥側の記録層の記録パワーを最適化する。【解決手段】光ディスクは第１層５０及び第２層５２を有する。第２層５２に記録する際に、スペース形成タイミングにおける戻り光量を検出し、戻り光量の大小に応じて第１層５０が未記録か記録済かを判別する。第１層５０の未記録／記録済の判別結果に応じて第２層５２の記録パワーを切り替える。判別結果に応じて切り替えるため、第１層５０と第２層５２の記録順序は任意に設定できる。【選択図】図２
2006179153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１層及び第２層を有する光ディスクにデータを記録する光ディスク装置であって、
前記第１層を透過したレーザ光により前記第２層にデータを記録する際に、前記第２層のスペース形成タイミングにおける戻り光量を検出する検出手段と、
前記戻り光量の大小に応じて前記第１層が未記録か記録済かを判別する判別手段と、
前記判別手段での判別結果に応じ、前記第１層が未記録である場合に前記第２層にデータを記録する際の記録パワーを第１記録パワーとし、前記第１層が記録済みである場合に前記記録パワーを前記第１記録パワーと異なる第２記録パワーとするパワー制御手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記第１層はデータ記録によりその透過率が低下するものであり、
前記判別手段は、前記戻り光量がしきい値以下であれば前記第１層が記録済と判別し、前記戻り光量が前記しきい値を超えれば前記第１層が未記録と判別する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項３】
請求項１記載の装置において、
前記第１層はデータ記録によりその透過率が増大するものであり、
前記判別手段は、前記戻り光量がしきい値以下であれば前記第１層が未記録と判別し、前記戻り光量が前記しきい値を超えれば前記第１層が記録済と判別する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項４】
少なくとも第１層及び第２層を有する光ディスクにデータを記録する光ディスク装置であって、
前記第１層を透過したレーザ光により前記第２層にデータを記録する際に、前記第２層のスペース形成タイミングにおける戻り光量を検出する検出手段と、
前記戻り光量の大小に応じて前記第１層が未記録領域、記録済領域、境界領域のいずれであるかを判別する判別手段と、
前記判別手段での判別結果に応じ、前記第１層が未記録である場合に前記第２層にデータを記録する際の記録パワーを第１記録パワーとし、前記第１層が記録済みである場合に前記記録パワーを前記第１記録パワーと異なる第２記録パワーとし、第１層が境界領域である場合に前記記録パワーを前記第１記録パワーと第２記録パワーの間の第３記録パワーとするパワー制御手段と、
を有することを特徴とする光ディスク装置。
【請求項５】
請求項１記載の装置において、
前記第１層はデータ記録によりその透過率が低下するものであり、
前記判別手段は、前記戻り光量が第１しきい値以下であれば前記第１層が記録済と判別し、前記戻り光量が前記第１しきい値より大きい第２しきい値を超えれば前記第１層が未記録と判別し、前記戻り光量が前記第１しきい値より大きく前記第２しきい値以下であれば境界領域と判別する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【請求項６】
請求項１記載の装置において、
前記第１層はデータ記録によりその透過率が増大するものであり、
前記判別手段は、前記戻り光量が第１しきい値以下であれば前記第１層が未記録と判別し、前記戻り光量が前記第１しきい値より大きい第２しきい値を超えれば前記第１層が記録済と判別し、前記戻り光量が前記第１しきい値より大きく前記第２しきい値以下であれば境界領域と判別する
ことを特徴とする光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスク装置、特に記録層を複数有する多層光ディスクに対してデータの記録を行う光ディスクの記録パワー調整に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、記憶容量の増大を図るために記録層を積層した多層光ディスクが開発されている。多層光ディスクでは、各層毎に記録パワーの最適化を行う必要があり、各層毎に設けられたテスト領域で試し書きし、最適記録パワーを選択している。
【０００３】
一方、例えば結晶状態にある記録膜に高パワーのレーザ光を照射してアモルファス状態に遷移させることでデータを記録する光ディスク等の場合には、アモルファス状態と結晶状態とでは光の透過率が異なるため、奥側の記録層にデータを記録する際に手前側の記録層の記録状態の影響を受けてしまう問題がある。すなわち、手前側の記録層が記録済である場合、その透過率が低下するため、手前側の記録層が未記録である場合に比べて奥側の記録層に到達するレーザ光量が減少し、手前側の記録層が未記録の状態で得られた最適記録パワーではパワー不足となってしまう。
【０００４】
そこで、下記に示す特許文献では、奥側の記録層に補正係数を予め記録しておき、まず手前の層からデータを記録し、奥側の記録層にデータを記録する際にはこの補正係数を用いてパワーを補正する技術が記載されている。
【０００５】
図５は、従来技術における多層光ディスク１の断面を示す。光ディスク１は、ポリカーボネートからなる厚さ約１．１ｍｍの基板６上に、厚さ約２００ｎｍの第１の記録層５、厚さ約０．０３ｍｍの透明分離層４、厚さ約１００ｎｍの第２の記録層３及び保護層２が順次積層される。記録層３、５には記録再生時にレーザ光をトラッキングする深さ約２０ｎｍ、幅約０．２μｍの情報トラックが形成されている。レーザ光は、図示のように保護層２側の面から照射される。したがって、第１の記録層５へのデータの記録は、第２の記録層３を透過したレーザ光により行われる。第２の記録層３は、データ記録により結晶状態からアモルファス状態に変化することにより透過率が低下する材料で形成されている。第１の記録層５のリードイン領域１０４には、レーザ光強度を補正するための補正情報が記録されている。補正情報は、データの記録による第２の記録層３の透過率の低下に基づくレーザ光強度の低下を補正するための補正係数αであり、未記録状態の第２の記録層３の透過率をＴ１、記録状態の第２の記録層３の透過率をＴ２としたときに、α＝Ｔ１／Ｔ２で定義される。
【０００６】
このような構成において、起動時に、まず第１の記録層５のリードイン領域１０４に記録されている補正係数αを読み出し、次に、手前側の記録層である第２の記録層３に対してデータを記録する。その後、奥側の記録層である第１の記録層５にデータを記録する際には、第２の記録層３は既に記録状態となっていることから、補正係数αを用いてレーザ光強度を補正した上で第１の記録層５にデータを記録する。
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−１７１７４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術では、まず手前側の記録層からデータを記録し、その後に奥側の記録層にデータを記録する必要があり、記録の順序が規定されてしまう問題がある。すなわち、ユーザはまず最初に奥側の記録層から記録したい、あるいは最初に手前側の記録層に記録するものの、その後に任意の順番で手前の記録層あるいは奥側の記録層のいずれかにデータを記録したいと欲する場合もあるが、このような要求に応えることができない問題があった。
【０００９】
なお、上記の従来技術においても、第２の記録層３が未記録状態の場合に補正レーザ光を用いて第１の記録層５にデータを記録した際、記録されたデータの再生信号の品質が所定の基準を満たす範囲となるように補正係数αを設定しておけば、第２の記録層３の記録の有無にかかわらず第１の記録層５にデータを記録できるとも記載されている。しかしながら、補正係数αの設定が煩雑になるとともに、たとえこのように補正係数αを設定できたとしても、最適の記録パワーで記録できないことに変わりなく、再生信号品質の低下は免れない。
【００１０】
本発明の目的は、手前側の記録層の記録状態にかかわらず、最適の記録パワーで奥側の記録層にデータを記録することができる装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、少なくとも第１層及び第２層を有する光ディスクにデータを記録する光ディスク装置であって、前記第１層を透過したレーザ光により前記第２層にデータを記録する際に、前記第２層のスペース形成タイミングにおける戻り光量を検出する検出手段と、前記戻り光量の大小に応じて前記第１層が未記録か記録済かを判別する判別手段と、前記判別手段での判別結果に応じ、前記第１層が未記録である場合に前記第２層にデータを記録する際の記録パワーを第１記録パワーとし、前記第１層が記録済みである場合に前記記録パワーを前記第１記録パワーと異なる第２記録パワーとするパワー制御手段とを有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、少なくとも第１層及び第２層を有する光ディスクにデータを記録する光ディスク装置であって、前記第１層を透過したレーザ光により前記第２層にデータを記録する際に、前記第２層のスペース形成タイミングにおける戻り光量を検出する検出手段と、前記戻り光量の大小に応じて前記第１層が未記録領域、記録済領域、境界領域のいずれであるかを判別する判別手段と、前記判別手段での判別結果に応じ、前記第１層が未記録である場合に前記第２層にデータを記録する際の記録パワーを第１記録パワーとし、前記第１層が記録済みである場合に前記記録パワーを前記第１記録パワーと異なる第２記録パワーとし、第１層が境界領域である場合に前記記録パワーを前記第１記録パワーと第２記録パワーの間の第３記録パワーとするパワー制御手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
本発明では、戻り光量に基づいて第１層が未記録か記録済みかを判別し、その判別結果に応じて第２層の記録パワーを最適化する。したがって、最初に第１層を記録し、第１層を記録済とした後に第２層に記録する必要はなく、任意の順序で第２層にデータを記録できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、第１層が未記録であれば未記録用の記録パワーで、第２層が記録済であれば記録済用の記録パワーで記録するため、第１層に先立って第２層に記録する、第１層の次に第２層を記録する等、任意の順次で第２層にデータを記録できる。また、第１層の状態に応じて最適記録パワーに制御するため、高い再生信号品質を確保できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面に基づき本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
図１は、本実施形態に係る光ディスク装置の全体構成図を示す。ＤＶＤ−Ｒ／ＲＷ等の記録可能な光ディスク１０はスピンドルモータ（ＳＰＭ）１２により回転駆動される。光ディスク１０は、図５に示す従来の光ディスク構造と同様に多層構造であり、第１の記録層及び第２の記録層を有する。なお、本実施形態では、レーザ光から見て手前側の記録層を第１層、奥側の記録層を第２層と称する。スピンドルモータＳＰＭ１２は、ドライバ１４で駆動され、ドライバ１４はサーボプロセッサ３０により所望の回転速度となるようにサーボ制御される。
【００１７】
光ピックアップ１６は、レーザ光を光ディスク１０に照射するためのレーザダイオード（ＬＤ）や光ディスク１０からの反射光を受光して電気信号に変換するフォトディテクタ（ＰＤ）を含み、光ディスク１０に対向配置される。光ピックアップ１６はスレッドモータ１８により光ディスク１０の半径方向に駆動され、スレッドモータ１８はドライバ２０で駆動される。ドライバ２０は、ドライバ１４と同様にサーボプロセッサ３０によりサーボ制御される。また、光ピックアップ１６のＬＤはドライバ２２により駆動され、ドライバ２２はオートパワーコントロール回路（ＡＰＣ）２４により駆動電流が所望の値となるように制御される。ＡＰＣ２４は、光ディスク１０のテストエリア（ＰＣＡ）において実行されたＯＰＣ（Optimum Power Control）により選択された最適記録パワーとなるようにドライバ２２の駆動電流を制御する。ＯＰＣは、光ディスク１０のＰＣＡに記録パワーを複数段に変化させてテストデータを記録し、該テストデータを再生してその信号品質を評価し、所望の信号品質が得られる記録パワーを選択する処理である。信号品質には、β値やγ値、変調度、ジッタ等が用いられる。光ディスク１０の記録層が第１層及び第２層から構成されている場合、ＯＰＣは各記録層毎に実行される。但し、奥側の第２層に関しては、第１層が未記録の場合と記録済の場合とで、それぞれ異なる記録パワーが設定される。
【００１８】
光ディスク１０に記録されたデータを再生する際には、光ピックアップ１６のＬＤから再生パワーのレーザ光が照射され、その反射光がＰＤで電気信号に変換されて出力される。光ピックアップ１６からの再生信号はＲＦ回路２６に供給される。ＲＦ回路２６は、再生信号からフォーカスエラー信号やトラッキングエラー信号を生成し、サーボプロセッサ３０に供給する。サーボプロセッサ３０は、これらのエラー信号に基づいて光ピックアップ１６をサーボ制御し、光ピックアップ１６をオンフォーカス状態及びオントラック状態に維持する。また、ＲＦ回路２６は、再生信号に含まれるアドレス信号をアドレスデコード回路２８に供給する。アドレスデコード回路２８はアドレス信号から光ディスク１０のアドレスデータを復調し、サーボプロセッサ３０やシステムコントローラ３２に供給する。また、ＲＦ回路２６は、再生ＲＦ信号を２値化回路３４に供給する。２値化回路３４は、再生信号を２値化し、得られた８−１６変調信号をエンコード／デコード回路３６に供給する。エンコード／デコード回路３６では、２値化信号を８−１６復調及びエラー訂正して再生データを得、当該再生データをインタフェースＩ／Ｆ４０を介してパーソナルコンピュータなどのホスト装置に出力する。なお、再生データをホスト装置に出力する際には、エンコード／デコード回路３６はバッファメモリ３８に再生データを一旦蓄積した後に出力する。
【００１９】
光ディスク１０にデータを記録する際には、ホスト装置からの記録すべきデータはインターフェースＩ／Ｆ４０を介してエンコード／デコード回路３６に供給される。エンコード／デコード回路３６は、記録すべきデータをバッファメモリ３８に格納し、当該記録すべきデータをエンコードして８−１６変調データとしてライトストラテジ回路４２に供給する。ライトストラテジ回路４２は、変調データを所定の記録ストラテジに従ってマルチパルス（パルストレーン）に変換し、記録データとしてドライバ２２に供給する。記録ストラテジは、例えばマルチパルスにおける先頭パルスのパルス幅や後続パルスのパルス幅、パルスデューティから構成される。記録ストラテジは記録品質に影響することから、通常はある最適ストラテジに固定される。ＯＰＣ時に記録ストラテジを併せて設定してもよい。記録データによりパワー変調されたレーザ光は光ピックアップ１６のＬＤから照射されて光ディスク１０にデータが記録される。データは、記録パワーのレーザ光を照射して形成されるマーク部と、記録パワー以外のレーザ光（再生パワーやゼロパワーあるいはイレースパワー）が照射されるだけのスペース部の長さ、すなわちマークの前端及び後端のエッジ位置により記録されるマークエッジ方式である。データを記録した後、光ピックアップ１６は再生パワーのレーザ光を照射して当該記録データを再生し、ＲＦ回路２６に供給する。ＲＦ回路２６は再生信号を２値化回路３４に供給し、２値化された８−１６変調データはエンコード／デコード回路３６に供給される。エンコード／デコード回路３６は、８−１６変調データをデコードし、正常にデコードできない場合は交替処理を行う。具体的には、バッファメモリ３８に記憶されている記録済みデータを交替領域へ記録する。光ディスク１０の有する第１層及び第２層のいずれにデータを記録するかは、ホストからの指令に基づきシステムコントローラ３２が制御する。すなわち、手前の第１層にデータを記録する際には、光ピックアップ１６のレンズを駆動して第１層にレーザ光が集光するように制御し、奥側の第１層にデータを記録する際には、光ピックアップ１６のレンズを駆動して第２層にレーザ光が集光するように制御する。第２層へのデータ記録は、第１層を透過したレーザ光により行われる。システムコントローラ３２は、記録すべき層が第１層か第２層かを判別し、第１層への記録の際にはＯＰＣで設定された最適記録パワーで記録すべくＡＰＣ２４を制御し、第２層への記録の際には第１層が未記録か記録済かを判別し、その判別結果に応じて記録パワーを切り替えるべくＡＰＣ２４を制御する。
【００２０】
本実施形態における第２層へのデータ記録時の記録パワー制御の基本原理は以下のとおりである。
【００２１】
図２は、光ディスク１０の第１層５０と第２層５２を示す。いずれも第２層５２にデータを記録する場合であるが、図２（ａ）は第１層５０が未記録状態の場合、図２（ｂ）は第１層５０が既に記録済の場合である。本実施形態において、第１層５０は上記従来技術と同様にデータの記録によりその透過率が低下する特性の材料で形成されているものとする。このような材料の一例は上記従来技術で示されるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系である。図２（ａ）の場合、第１層５０は未記録状態であるため、第１層５０の透過率は相対的に高く、第１層５０を透過して第２層５２に照射されるレーザ光量も大きい。したがって、第２層５２で反射して光ピックアップ１６に戻る光量も相対的に大きくなる。一方、図２（ｂ）の場合、第１層５０は記録済であるため、第１層５０の透過率は相対的に低下し、第１層５０を透過して第２層５２に照射されるレーザ光量も小さくなる。したがって、第２層５２で反射して光ピックアップ１６に戻る光量も相対的に小さくなる。よって、第２層５２からの戻り光量を検出し、戻り光量の大小に応じて第１層５０の透過率の大小、すなわち第１層が未記録か記録済かを判別することができる。
【００２２】
但し、第２層５２にマーク６０が形成されているタイミングにおける戻り光量は、マーク６０の形成過程に伴って複雑に変化し得るため（マーク６０未形成時には戻り光量は大きく、マーク６０形成途中では徐々に戻り光量が低下し、やがてマーク６０の形成が完了すると戻り光量は低い値で安定する）、戻り光量の大小を評価することは困難である。そこで、図２に示すように、第２層５２にデータを記録するタイミングであって、かつ、マーク６０ではなくスペース６２が形成されるタイミングにおいて戻り光量をサンプリングし、このタイミングにおける戻り光量の大小に応じて第１層５０が未記録か記録済かを判別する。
【００２３】
そして、第１層５０が未記録であると判別した場合、システムコントローラ３２は第２層５２の記録パワーとして、第１層５０が未記録の場合の最適記録パワーＰ２（未）に設定し、第１層５０が記録済であると判別した場合、第２層５２の記録パワーとして、第１層５０が記録済の場合の最適記録パワーＰ２（記）に設定する。第１層５０が記録済の場合、その透過率は未記録の場合よりも透過率が低下するから、一般にＰ２（未）＜Ｐ２（記）である。Ｐ２（未）、Ｐ２（記）は、第２層５２へのデータ記録に先立って予め求めておき、システムコントローラ３２のメモリ等に格納しておく。ＯＰＣによりＰ２（未）を求め、これに対して係数を乗じてＰ２（記）を演算で算出してもよい。システムコントローラ３２は、第２層５２へのデータ記録に際し、第１層５０が未記録か記録済かを判別し、その判別結果に応じて第２層５２へのデータ記録の記録パワー（レーザ光強度）を切替制御するため、第１層５０と第２層５２の記録順序は任意である。すなわち、最初に第２層５２から記録し、その後に第１層５０に記録してもよい。最初に第１層５０から記録し、その後に第２層５２に記録してもよく、第２層５２→第１層５０→第２層５２→第１層５０→・・・等の交番記録も可能である。
【００２４】
図３は、本実施形態の処理フローチャートを示す。装置の起動後、システムコントローラ３２は、ＯＰＣを実行することで第１層５０が未記録時における第２層５２の最適記録パワーＰ２（未）を選択しメモリに記憶する（Ｓ１０１）。例えば、第１層５０と第２層５２のテストエリアを図５に示すように厚さ方向に異なる位置に形成し、第１層５０及び第２層５２のＯＰＣを順次実行して、第１層５０が未記録状態（テスト領域が互いに異なっているため常に未記録状態となる）における最適記録パワーＰ２（未）を選択する。もちろん、第１層５０と第２層５２のテスト領域が互いに一部重複していてもよく、重複していない領域でＯＰＣを実行することでＰ２（未）を求めてもよい。
【００２５】
次に、システムコントローラ３２は、ＯＰＣを実行することで第１層５０が既記録時における第２層４２の最適記録パワー（記）を選択しメモリに記憶する（Ｓ１０２）。第１層５０と第２層５２のテスト領域を互いに一部重複させ、その重複領域においてまず第１層５０でＯＰＣを実行し、次いでテストデータが記録された第１層５０のテスト領域を介して第２層５２のテスト領域でＯＰＣを実行することで、最適記録パワーＰ２（記）を選択できる。もちろん、上記の従来技術と同様に、第１層５０と第２層５２の透過率の比から補正係数αを求め、Ｐ２（記）＝α・Ｐ２（未）によりＰ２（記）を演算により算出してメモリに記憶してもよい。ここに、α＞１である。メモリは不揮発性のフラッシュメモリ等で構成できる。なお、第２層５２の最適記録パワーの他、第１層５０の最適記録パワーもメモリに記憶してもよいのはいうまでもない。メモリには、第１層５０の最適記録パワーＰ１、第２層５２の最適記録パワーＰ２（未）、Ｐ２（記）が格納される。
【００２６】
以上のようにしてシステムコントローラ３２のメモリにＰ２（未）、Ｐ２（記）を格納した後、ホストからのライトコマンドが第２層５２への記録を要求しているか否かを判定する（Ｓ１０３）。第２層５２へのデータ記録である場合、システムコントローラ３２は、第２層５２へのデータ記録のうち、スペース形成タイミングにおける戻り光量（反射光量）Ｒを検出する（Ｓ１０４）。具体的には、ＲＦ回路２６の再生信号（光ピックアップ１６の４分割フォトディテクタの和信号）をスペース形成タイミングにおいてサンプリングし、戻り光量レベルを検出する。スペースタイミングは照射レーザ光のパワーが記録パワー以外のタイミングであり、例えば再生パワーのタイミングである。第２層５２へデータを記録する際のデフォルトパワーは例えばＰ２（未）とし、Ｐ２（未）以外の再生パワーあるいはイレースパワーのタイミングで再生信号をサンプリングする。戻り光量検出は、ＲＦ回路２６で行いその検出結果をシステムコントローラ３２に供給してもよく、２値化回路３４で２値化する前段でスペース形成タイミングにおいてサンプリングし、その結果をシステムコントローラ３２に供給してもよい。
【００２７】
スペース形成タイミングにおける戻り光量Ｒを検出した後、戻り光量Ｒを所定のしきい値Ｒｔｈと大小比較する（Ｓ１０５）。しきい値Ｒｔｈは、第１層５０が未記録のときに得られる戻り光量と、第１層５０が記録済のときに得られる戻り光量の間に設定される。しきい値Ｒｔｈは、予め装置の工場出荷時にメモリに格納させる他、ＯＰＣ時に検出してメモリに格納することができる。例えば、第１層５０と第２層５２のテスト領域を厚さ方向に一部重複させ、まず重複しない領域で第１層５０及び第２層５２のＯＰＣを行い、第１層５０が未記録の場合の第２層５２のＯＰＣ時におけるスペース形成タイミングの戻り光量を検出する。次に、重複する領域で第１層５０及び第２層５２のＯＰＣを行い、第１層５０が記録済の場合の第２層のＯＰＣ時におけるスペース形成タイミングの戻り光量を検出し、両検出値の中間値としてしきい値Ｒ０を算出する。戻り光量Ｒとしきい値Ｒｔｈとを大小比較した結果、Ｒ≦Ｒｔｈであれば第１層５０が記録済であると判定する（Ｓ１０６）。そして、第１層５０が記録済であると判定した場合には、システムコントローラ３２は第２層５２に対する最適記録パワーとしてＰ２（記）を設定する（Ｓ１０７）。一方、Ｒ＞Ｒｔｈであれば第１層５０は未記録であると判定する（Ｓ１０８）。そして、第１層５０が未記録であると判定した場合には、システムコントローラ３２は第２層に対する最適記録パワーとしてＰ２（未）を設定する（Ｓ１０９）。ここに、Ｐ２（記）＞Ｐ２（未）である。以上のようにして、第１層５０が未記録か記録済かを判別し、その結果に応じて第２層５２の記録パワーを制御できる。
【００２８】
なお、第２層５２にデータを記録する際の第２層５２でのレーザ光スポット径は１μｍ程度であるが、第１層５０でのレーザ光スポット径は２０〜３０μｍ程度にもなる。したがって、第１層５０の全面が未記録あるいは記録済ではなく、未記録領域と記録済領域が混在する場合には、スポット径の大きさに起因して未記録領域と記録済領域の境界近傍では戻り光量が連続的に変化し得る。このような場合、第２層５２の最適記録パワーも、Ｐ２（未）とＰ２（記）との間で連続的に変化させることが好適である。
【００２９】
図４は、第１層５０に記録済領域と未記録領域が存在する場合の、戻り光量変化及び第２層５２の記録パワー変化を示す。図において、横軸は第１層５０の状態を示し、記録済と未記録とが存在する。横軸を第１層５０の半径方向としてもよく、内周側に記録済領域、外周側に未記録領域が存在するものとしてもよい。左縦軸は第２層５２の最適記録パワーを示し、右縦軸は戻り光量を示す。また、グラフＡは戻り光量を示し、グラフＢは第２層５２の記録パワーを示す。第１層５０が記録済領域である場合、その奥側の第２層５２からの戻り光量はＲ（記）となり、第１層５０が未記録領域である場合の戻り光量Ｒ（未）に対してＲ（記）＜Ｒ（未）である。記録済領域と未記録領域の境界では、第１層５０でのレーザ光が十分集光されていれば急峻にＲ（記）→Ｒ（未）と変化するはずであるが、実際にはレーザ光５０は第１層５０では十分集光されておらずデフォーカス状態にあるためその境界がぼやけ、戻り光量は境界近傍において徐々に変化する。図において、記録済領域から未記録領域に向けて徐々に戻り光量は増大していく。戻り光量がＲ（記）の場合、Ｒ（記）≦Ｒｔｈとなるため第２層５２の記録パワーはＰ２（記）に設定される。また、戻り光量がＲ（未）の場合、Ｒ（未）＞Ｒｔｈとなるため第２層５２の記録パワーはＰ２（未）に設定される。境界近傍では、戻り光量は連続的に変化し、しきい値Ｒｔｈとの大小関係はいずれかに決定され得るものの、しきい値Ｒｔｈとの差は小さくなっていく。そこで、このような戻り光量Ｒが連続的に変化する境界近傍では、戻り光量Ｒの変化に応じ、第２層５２の記録パワーも徐々に変化させていく。図において、記録済領域から未記録領域に向けて徐々に記録パワーは減少していく。以上のようにして、境界近傍においても、最適記録パワーが設定される。
【００３０】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく種々の変更が可能である。例えば、本実施形態では単一のしきい値Ｒｔｈを用いているが、境界近傍でのパワー設定を考慮して２つのしきい値Ｒｔｈ１、Ｒｔｈ２を用いてもよい（Ｒｔｈ１＜Ｒｔｈ２）。この場合、図３の処理フローチャートにおいて、Ｓ１０５で戻り光量Ｒと２つのしきい値Ｒｔｈ１、Ｒｔｈ２とを大小比較する。Ｒ≦Ｒｔｈ１であれば第１層５０が記録済として最適記録パワーをＰ２（記）に設定する。Ｒ＞Ｒｔｈ２であれば第１層５０が未記録として最適記録パワーをＰ２（未）に設定する。Ｒｔｈ１＜Ｒ≦Ｒｔｈ２であれば、第１層５０の境界領域（境界近傍）であるとして、最適記録パワーをＰ２（記）とＰ２（未）の間に設定する。この場合の最適記録パワーをＰ２（境）とすると、Ｐ２（未）＜Ｐ２（境）＜Ｐ２（記）である。Ｐ２（境）をＲの関数とし、Ｐ２（境）＝Ｐ２（Ｒ）とするのも好適である。Ｐ２（境）はＲに対して負の相関を有し、Ｒが増大するほどＰ２（境）は小さくなる。
【００３１】
また、本実施形態では、図４に示すように境界領域では最適記録パワーを連続的に変化させているが、不連続的にあるいはステップ的に変化させてもよい。
【００３２】
また、本実施形態では、記録層の材料として記録により透過率が低下する材料を例にとり説明したが、記録により透過率が増大する材料の場合にも適用できる。この場合には、Ｒ（記）＞Ｒ（未）であり、Ｐ２（記）＜Ｐ２（未）となる。図３の処理フローチャートに即して説明すると、Ｓ１０５でＲ≦Ｒｔｈと判定された場合には第１層５０は未記録と判定されてＰ２（未）に設定され、Ｒ＞Ｒｔｈと判定された場合には第１層５０は記録済と判定されてＰ２（記）に設定される。２つのしきい値Ｒｔｈ１、Ｒｔｈ２を用いる場合も同様であり、Ｒ≦Ｒｔｈ１であれば第１層５０が未記録として最適記録パワーをＰ２（未）に設定し、Ｒ＞Ｒｔｈ２であれば第１層５０が記録済として最適記録パワーをＰ２（記）に設定する。Ｒｔｈ１＜Ｒ≦Ｒｔｈ２であれば、第１層５０の境界領域（境界近傍）であるとしＰ２（未）とＰ２（記）の間に設定する。
【００３３】
さらに、本実施形態では、第１層５０と第２層５２の２層構造の光ディスク１０を例示したが、３層あるいはそれ以上の光ディスク１０においても同様である。３層光ディスクの記録層をレーザ光照射面側から第１層、第２層、第３層とし、第３層に記録する場合には、第１層、第２層が未記録／記録済のいずれであるかによりスペース形成時の戻り光量が変化するから、戻り光量に応じて記録パワーを切り替えればよい。一般に、第１層あるいは第２層のいずれかが記録済みである場合にはＰ２（記）とし、第１層及び第２層がともに記録済みである場合には、透過率がその分変化するから、これに応じて記録パワーを切り替えればよい。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】実施形態の光ディスク装置の全体構成図である。
【図２】第２層記録時の戻り光量検出タイミング説明図である。
【図３】実施形態の処理フローチャートである。
【図４】第１層の境界近傍でのパワー設定説明図である。
【図５】従来技術の光ディスク構成図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  光ディスク、１６  光ピックアップ、３２  システムコントローラ、５０  第１層、５２  第２層、６０  マーク、６２  スペース。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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