(57)【要約】【課題】  磁壁移動を利用した従来の光磁気記録媒体においては、磁壁移動現象が良好な安定性を持って再現されない場合があった。  そこで、本発明は良好な安定性を持って磁壁の移動が再現され、かつ、隣接トラック間のクロスライト特性も良好な、光磁気記録媒体を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明のランド部とグルーブ部が形成され、磁壁移動を利用した光磁気記録媒体は、ランド部の傾斜面を上下に分けた場合、上部の表面粗さをＲａ１と下部の表面粗さＲａ２とが、Ｒａ１＜Ｒａ２の関係であることを特徴とする光磁気記録媒体である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板上に形成した磁性層の磁壁を移動させることによって、磁区を拡大させて再生する光磁気記録媒体において、
前記基板の表面には、ランド部とグルーブ部が形成され、
前記ランド部の傾斜面を上下に分けた場合、上部の表面粗さをＲａ１と下部の表面粗さＲａ２とが、Ｒａ１＜Ｒａ２の関係であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ランド部の傾斜面を、ランドの半値全幅よりもランド側で上下に分けたことを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性層は、少なくとも第１の磁性層、第二の磁性層および第３の磁性層が順次積層されている光磁気記録媒体であって、第１の磁性層は周囲温度近傍の温度において前記第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、第２の磁性層は前記第１の磁性層および第３の磁性層のキュリー温度の低い磁性層であることを特徴とする請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記再生磁性層が各情報トラック間で互いに磁気的に分離されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】
ＯＫです。
前記再生磁性層のランド部の上部およびグルーブ表面の表面粗さＲａが１．２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】
前記ランド部の傾斜面の角度が、３０〜９０度であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光磁気記録媒体。
【請求項７】
前記ランド部の傾斜面を、ランドの半値全幅よりもランド側で上下に分けた場合のそれぞれの表面粗さを、上部Ｒａ１、下部Ｒａ２とすると、Ｒａ１＜Ｒａ２であることを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項８】
ランド部とグルーブ部とを有する光磁器記録媒体用の基板をガラス原盤から形成されたスタンパを用いて製造するガラス原盤の製造方法であって、
ガラス基板上にマスクパターンを形成する工程と、
該マスクパターンをマスクとして基板をエッチング除去しガラス基板表面に基板のランド部とグルーブ部に対応する凹凸を形成する工程と、
マスクパターンを前記ガラス基板の前記凹凸部の前記基板のランド部の傾斜面の上部に対応する面の表面粗さをＲａ１とし下部に対応する面の表面粗さをＲａ２としたときに、Ｒａ１＜Ｒａ２の関係となるようにプラズマアッシングを用いてマスクパターンを除去する工程とを有することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気光学効果を利用してレーザー光により情報の記録再生を行う光磁気記録媒体に関し、特に再生時に磁壁の移動を利用した光磁気記録媒体をさらに高密度化する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
書換可能な高密度記録媒体として光磁気記録媒体が注目されている。さらに大容量の記録媒体とする為に、光磁気記録媒体の記録密度を高める要求が高まっている。
【０００３】
光磁気記録媒体の線記録密度は、再生光学系のレーザー波長λおよび対物レンズの開口数ＮＡに大きく依存し、信号再生時の空間周波数は、ＮＡ／λ程度が検出可能な限界である。従って、従来の光ディスクで高密度化を実現する為には、再生光学系のレーザー波長を短くし、対物レンズの開口数ＮＡを大きくする必要がある。しかしながら、レーザー波長や対物レンズの開口数の改善にも限界がある。このため、記録媒体の構成や読み取り方法を工夫して記録密度を改善する磁気超解像と呼ばれる技術や、磁区拡大再生方式といった様々な方式の再生方法が提案されている。
【０００４】
しかしながら、上述の再生方法は、再生信号振幅が小さくなるという欠点を持っている。
【０００５】
出願人は、特開平６−２９４９６号公報で、再生信号振幅を低下させること無く光の回折限界以下の周期の信号を高速で再生可能として光磁気記録媒体およびその再生方式およびその再生装置を提案した。
【０００６】
この提案は、光磁気記録媒体の再生磁性層に光ビーム等の加熱手段によって温度分布を形成すると、磁壁エネルギーの低い方に磁壁を移動させることができる。この結果、再生信号振幅は記録されている磁壁の間隔（すなわち、記録ビット長）によらず、常に一定かつ最大の振幅となる再生方法で、磁壁移動検出方式（ＤＷＤＤ（Ｄｏｍａｉｎ  Ｗａｌｌ  Ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ  Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ））と呼ばれている。
【０００７】
この再生方式は、原理的には再生上の分解能の限界がなく、更に、記録密度向上に伴う再生出力の必然的な低下が大幅に改善され、更なる高密度化が実現される特徴を持っている。
【特許文献１】特開平６−２９４９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、以上のような磁壁移動を利用した従来の光磁気記録媒体においては、磁壁移動現象が良好な安定性を持って再現されない場合があった。
【０００９】
そこで、本発明は良好な安定性を持って磁壁の移動が再現され、かつ、隣接トラック間のクロスライト特性も良好な、光磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、基板の表面に形成され、少なくとも再生する磁性層の磁壁を移動させることによって、磁区を拡大させて再生する光磁気記録媒体において、基板の表面は、基板表面側から見て相対的に凸のランド部と相対的に凹のグルーブ部からなり、ランド部の傾斜面を上下に分けた場合のそれぞれの表面粗さを、上部Ｒａ１、下部Ｒａ２とすると、Ｒａ１＜Ｒａ２であることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光磁気記録媒体は、温度勾配を利用した磁壁移動型磁区拡大再生方式による光磁気記録媒体を良好な安定性を持って再現することが可能となると同時に再生信号品位（ジッター）を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
発明者は、スタンパを作成するためのガラス原盤に対してＯ2プラズマアッシングを行うことで表面性は向上できるが、溝形状がなだらかになってしまい、隣接トラック間のクロスライト特性が悪化してしまう場合があるということを知見し、良好な安定性を持って磁壁の移動が再現される、磁壁移動を利用した超高密度光磁気記録媒体を提供するという目的を達成する為に、光磁気記録媒体の再生に関与する磁性層の表面性（表面粗さ）が磁壁の移動し易さと関係していることを見出し、信号特性（ジッター）が良好かつクロスライト特性も良好な基板形状を見出した。
【００１３】
以上の目的を達成するものとして、本発明は、基板の表面に形成され、少なくとも再生する磁性層の磁壁を移動させることによって、磁区を拡大させて再生する光磁気記録媒体において、基板の表面が、基板表面側から見て相対的に凸のランド部と相対的に凹のグルーブ部からなり、ランド部の傾斜面を上下に分けた場合のそれぞれの表面粗さを、上部Ｒａ１、下部Ｒａ２とすると、Ｒａ１＜Ｒａ２であることを特徴とする光磁気記録媒体である。この場合、ランド部の傾斜面を、ランドの半値全幅よりもランド側で上下に分けることができる。
【００１４】
本発明の光磁気記録媒体は、少なくとも第１の磁性層、第二の磁性層および第３の磁性層が順次積層され、第１の磁性層は周囲温度近傍の温度において第３の磁性層に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく磁壁移動度の大きな磁性層からなり、第２の磁性層は第１の磁性層および第３の磁性層のキュリー温度の低い磁性層であることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１５】
更に本発明は、再生磁性層が各情報トラック間で互いに磁気的に分離され、磁性層のランド部の上部およびグルーブ表面の表面粗さＲａが１．２ｎｍ以下であり、ランド部の傾斜面の角度が、５０〜９０度であることを特徴とする光磁気記録媒体である。
【００１６】
本発明の光磁気記録媒体は、スタンパ作成工程において、表面粗さを、上部Ｒａ１、下部Ｒａ２が、Ｒａ１＜Ｒａ２とするために、ガラス原盤にＲＩＥを行った後に、Ｏ２プラズマアッシングを行うことを特徴とするものである。
【００１７】
表面粗さＲａは中心線平均粗さであり、走査型プローブ顕微鏡等を用いて測定することができる。
【００１８】
本発明を、図面を参照しながら更に詳細に説明する。
【００１９】
本実施形態の光磁気記録媒体の磁性層の構造を、図４を用いて説明する。図４に示すように、透明基板１１上に、第１の誘電体層１２、磁性層（記録層）１３および第２の誘電体層１４がこの順に積層形成されている。
【００２０】
透明基板１１としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、熱可塑性ノルボルネン系樹脂等を用いることができる。
【００２１】
記録層１３は、再生時に磁壁を移動させ、磁区を拡大して再生するタイプの光磁気情報記録層であり、例えば、特開平６−２９０４９６号公報で開示されているような、第１の磁性層１３１、第２の磁性層１３２、および第３の磁性層１３３の３層構成のものである。ここで、第１の磁性層１３１は周囲温度近傍において第３の磁性層１３３に比べて相対的に磁壁抗磁力が小さく、磁壁移動度の大きな磁性層（移動層かつ再生層）であり、第２の磁性層１３２は、第１の磁性層１３１および、第３の磁性層１３３よりキュリー温度の低い磁性層（スイッチング層）であり、第３の磁性層１３３は磁区の保存安定性に優れた通常の磁気記録層（メモリ層）である。この場合、各磁性層はスパッタリングや真空蒸着等の物理蒸着法で連続成膜することにより、互いに交換結合あるいは静磁結合をしている。
【００２２】
第１の磁性層１３１としては、例えばＧｄＣｏ系、ＧｄＦｅ系、ＧｄＦｅＣｏ系、ＴｂＣｏ系などの磁気異方性の比較的小さな希土類−鉄族非晶質合金やガーネット等のバブルメモリ用の材料が好ましい。
【００２３】
第２の磁性層１３２としては、例えば、Ｃｏ系、あるいはＦｅ系合金磁性層で、キュリー温度が第１の磁性層１３１および第３の磁性層１３３より小さいものが好ましい。また、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔｉ等の添加量でキュリー温度が調整可能である。
【００２４】
第３の磁性層１３３としては、例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏなどの希土類−鉄非晶質合金やＰｔ／Ｃｏ／、Ｐｄ／Ｃｏなどの白金族−鉄族周期構造膜等、飽和磁化と磁気異方性の値が大きく、磁化状態（磁区）が安定に保持できるものが好ましい。
【００２５】
第１および第２の誘電体層１２、１４は、特に限定されないが、例えば、ＳＩＮ、ＳｉＯ２、ＺｎＳ等が好ましい。
【００２６】
また、必要に応じてＡｌ合金等の放熱層を形成しても良い。
【００２７】
再生に関与する第１の磁性層１３１の表面粗さは、ほぼ基板１１の表面粗さが直接反映される。従って、磁性層の表面粗さを制御する手法としては、基板１１の磁性層が形成される面の表面粗さを制御するのが直接的かつ簡便である。
【００２８】
本実施の形態の光磁性記録媒体は、基板表面にランド部とグルーブ部が形成されている。図２に示す基板は、幅２ａのグルーブ部と、基板表面からの上程の幅が１ａで基板との角度がθで高さｈ４の台形形状のランド部からなっている。
【００２９】
上述の基板は、石英ガラス基板を加工して作ったガラス原盤をマスターに鍍金法を用いてスタンパを製造し、該スタンパを用いて作られる。以下図面を用いて説明する。
【００３０】
図３（１）〜（５）は、ガラス原盤（マスター）３０の製造工程を示す製造工程断面図で、図３（６）〜（９）はガラス原盤２０を用いたスタンパ３１の製造工程を示す製造工程断面図である。
【００３１】
ガラス原盤２０は、
（１）表面粗さＲａを１ｎｍ以下に精密研磨された石英ガラス基板２０の上にシランカップリング剤等のプライマーを表面に塗布し、ついで、フォトレジスト２１を塗布する（図３（１））。
（２）光ビーム２２で所望の仕様に露光し（図３（２））、
（３）無機アルカリ等の現像液を用いて現像処理し、原盤表面に所望のレジストパターン２４を形成する（図３（３））。ポジ型のレジストであれば現像時に未露光部が残り、露光部２３（図３（２）参照）は現像液に溶解する。
（４）現像後にＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）１５を行い凹部２８と凸部１９とからなる所望の凹凸形状を作成した（図３（４）、（５））、
本実施形態では、凸部の傾斜角が６０°になるエッチング条件を用いた。
（５）プラズマアッシングを行い、残留レジストを除去し、ガラス原盤（マスター）３０が形成される（図３（５））。
【００３２】
尚、後述するがプラズマアッシング条件は、凸部１９の表面粗さが所望の表面粗さとなる条件を適宜選択することができる。
【００３３】
次に、ガラス原盤３０を用いてスタンパの製造を図３（６）〜（１０）を用いて説明する。
（６）ガラス原盤３０にＮｉ導電膜３６をスパッタ成膜２６した後（図３（６））、
（７）Ｎｉ電鋳層３７を形成し（図３（８））、
（８）剥離し（図３（９））、その後、
（９）剥離したＮｉ電鋳層３７に対して、更にプラズマアッシングを行い、パターン表面に付着した残留レジストを除去してスタンパ２１が完成する（図３（１０））。
【００３４】
従って、ガラス面の表面粗さがスタンパ３１の表面粗さに反映され、スタンパの表面粗さが光磁気記録媒体に用いる基板の表面粗さに反映される。
【００３５】
スタンパ３１を用いて基板を製造する場合、スタンパ３１の凸部が基板のグルーブ部になり凹部がランド部となる。スタンパ３１の凸部を基板のランド面として使いたい場合は、作成したスタンパをマザーにして逆性のスタンパを作成すればよい。
【００３６】
ＲＩＥの工程（４）、（５）後にアッシングを行う（６）ことで、ランドの傾斜部の表面粗さが改善される。
【００３７】
基板１１のランド傾斜部の表面粗さはガラス原盤２０を製造する際のプラズマアッシングを行うことで凸部の傾斜部の上部下部ともにその値は小さくなる。ここでプラズマアッシングを制御することで、図１に示すようにランド傾斜部の表面粗さを、上部３ａの表面粗さ（Ｒａ１）と下部３ｂの表面粗さ（Ｒａ２）とを変えることができ、Ｒａ１＜Ｒａ２とすることが可能となる。
【００３８】
ランド部の傾斜面を、ランドの半値全幅（図１において点線で示してある）で上下に分けた場合のそれぞれの表面粗さを、上部Ｒａ１、下部Ｒａ２とした場合に、Ｒａ１＜Ｒａ２であることがさらに好ましい。
【００３９】
再生に関与する第１の磁性層１３１の表面粗さおよびその他の表面の表面粗さは、走査型プローブ顕微鏡により測定されるＲａ（平均中心線粗さ）を持って示す。
【００４０】
ここで表面粗さは、ＡＦＭ（Ａｔｏｍ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：原子間力顕微鏡）を用い、探針には通常のブレードチップを用い、傾斜部をトラック方向へ走査させることにより測定した。
【００４１】
原盤から作成されるスタンパ、射出成形基板、および記録媒体の表面性は、それぞれ原盤のＲａとほぼ同等となる。
【００４２】
このような表面粗さを具備した光磁気記録媒体を用いることによって、磁壁移動検出方式を用いた再生方式で、磁壁の移動現象を良好な安定性を持って再現することが可能となった。このことは、光磁気記録媒体のランド部の肩部（図１において点線で示した部分よりランド側の部分で、ランド傾斜部の上側）の表面粗さ（表面凹凸）が小さいと磁壁の移動がスムーズに行われることを示唆している。一方、グルーブ部においては、ランド傾斜部の下側の平滑性が多少劣っているが、ランド角度θが大きく保たれるため、成膜後のグルーブ部端部の磁性膜に図８に示すような不連続部が生じ、それがグルーブ部の隣接するランド部との磁気的な分断をもたらすために、磁壁の移動が安定に行われると思われる。また、磁性膜の不連続部は、磁気的な分断だけでなく、熱的な分断効果も有するので、隣接するトラックからのクロスライト特性を向上させることが出来る。
【実施例】
【００４３】
以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明がこれらに限定されるものではない。なお、これらの実施例において、表面粗さＲａは、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ：（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ））ＮａｎｏＳｃｏｐｅIII（米国デジタルインスツルメンツ社製）のタッピングモードＡＦＭ（Ａｔｏｍ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：原子間力顕微鏡）を用い、探針には通常のブレードチップを用い、傾斜部の上述の位置の表面粗さを測定した。
（実施例１）
図４に示す光磁気記録媒体を製造した。
【００４４】
レジストを塗布した原盤に露光（レーザー波長：３５１ｎｍ）および現像を行い、残ったレジストをマスクとしてＲＩＥ（ＣＨＦ3、ＲＦ２００Ｗ、３０ｓｃｃｍ、３．０Ｐａ、９ｍｉｎ）を行った。残ったレジストを除去した原盤に対してＯ2アッシング（ＲＦ１５０Ｗ、８０ｓｃｃｍ、８．０Ｐａ、３０ｍｉｎ）を行った。得られた原盤は、トラックピッチ０．３２μｍ間隔のランド・グルーブ記録用の基板である。ランド部の高さ４は１００ｎｍ、ランド部の角度θは６０度である。Ｏ2プラズマアッシングの時間が、全面をなだらかにする場合よりも短くて済むため、ランド部の角度θはＯ2プラズマアッシングにおいてほとんど変化しない。ランド上部およびグルーブ表面の表面粗さはともに０．４３ｎｍであった。ランド傾斜部の表面粗さは、基板１１および光異磁気記録媒体両方においてＲａ１＝０．５６ｎｍ、Ｒａ２＝１．５２ｎｍであった。この原盤にＮｉスパッタおよび電鋳を行いスタンパを作成し、射出成形によって基板を作成した。基板１１はポリカーボネートを用いた。
【００４５】
基板１１上に干渉層であるＳｉＮ層１２を厚さ８０ｎｍ形成し、次に第１の磁性層（磁壁移動層）としてＧｄＦｅＣｏ層１３１を厚さ３０ｎｍ、第２の磁性層（スイッチング層）としてＤｙＦｅ層１３２を厚さ１０ｎｍ、第３の磁性層（メモリ層）としてＴｂＦｅＣｏ層１３３を厚さ４０ｎｍ、順次スパッタリングにより形成した。最後に、保護層としてＳｉＮ層を厚さ８０ｎｍ形成した。
【００４６】
このようにして得られた光磁気記録媒体のランド形状を図５に示す。傾斜部（実際には保護層である第２誘電体層１４の上面）表面粗さを測定したところ、基板１１のランド傾斜部の表面粗さとほぼ同等であった。従って、磁壁移動層（再生層）１３１の表面粗さもほぼ同等であるといえる。
【００４７】
このようにして得られた光磁気ディスクに磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１５μｍの連続磁区を記録し、既に提案されている『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６号公報参照）を用いて再生したところ、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）においてランド／グルーブともにジッター値８％が安定して再現性良く得られた。また、隣接トラックからのクロスライト特性も良好で、ランドおよびグルーブの記録パワー中心値±２０％のパワーマージンが得られた。但し、パワーマージンは、ジッター値が１５％以下である範囲で定義した。
（比較例１）
図４に示す光磁気記録媒体を製造した。ＲＩＥ後のプラズマアッシング条件を（ＲＦ１５０Ｗ、８０ｓｃｃｍ、８．０Ｐａ、３ｍｉｎ）で行い、原盤におけるランド傾斜部の表面粗さはＲａ１＝１．５２ｎｍ、Ｒａ２＝１．５２ｎｍとした。また、ランド上部およびグルーブ表面の表面粗さはともに０．４３ｎｍとした。得られた光磁気記録媒体のランド形状を図６に示す。他条件は全て実施例１と同様とした。
【００４８】
このようにして得られた光磁気ディスクに磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１５μｍの連続磁区を記録し、既に提案されている『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６号公報参照）を用いて再生したところ、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）において、ジッター値がランド部１６％、グルーブ部で１４％であった。
【００４９】
ランド部のジッター値が悪化したのは、ランド肩部の平滑性が本発明の実施例に対して劣っており、ランド部において磁壁移動の障害となったものと思われる。
（比較例２）
図４に示す光磁気記録媒体を製造した。ＲＩＥ後のプラズマアッシング条件を（ＲＦ１５０Ｗ、８０ｓｃｃｍ、８．０Ｐａ、７５ｍｉｎ）で行い、原盤におけるランド傾斜部の表面粗さはＲａ１＝Ｒａ２＝０．５６ｎｍであった。（ランド上部およびグルーブ表面の表面粗さはともに０．４３ｎｍとした。）得られた光磁気記録媒体のランド形状を図７に示す。他条件は全て実施例１と同様とした。
【００５０】
このようにして得られた光磁気ディスクに磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１５μｍの連続磁区を記録し、既に提案されている『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６号公報参照）を用いて再生したところ、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）においてランド／グルーブともにジッター値１２％／１４％が安定して再現性良く得られた。しかし、隣接トラックからのクロスライト特性は悪化し、ランドおよびグルーブの記録パワー中心値±１０％のパワーマージンしか得られなかった。パワーマージンが悪化したのは、プラズマアッシングにより側壁部の平滑性は向上したものの、ランドの角度θが４０°となだらかになり、隣接トラック記録時の熱が伝達しやすくなったためと思われる。
（実施例２）
図４に示す光磁気記録媒体を製造した。ＲＩＥ後のプラズマアッシング条件を（ＲＦ１００Ｗ、３０ｓｃｃｍ、３．０Ｐａ、３ｍｉｎ）で行い、原盤におけるランド傾斜部の表面粗さはＲａ１＝０．５６ｎｍ、Ｒａ２＝１．５２ｎｍとした。ランド表面およびグルーブ表面の表面粗さはともに１．２ｎｍとした。得られた光磁気記録媒体のランド形状を図６に示す。他条件は全て実施例１と同様とした。
【００５１】
このようにして得られた光磁気ディスクに磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１５μｍの連続磁区を記録し、既に提案されている『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６号公報参照）を用いて再生したところ、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）において、ジッター値がランド部１２％、グルーブ部で１２％であった。
（比較例３）
図４に示す光磁気記録媒体を製造した。ＲＩＥ後のプラズマアッシング条件を（ＲＦ１００Ｗ、３０ｓｃｃｍ、３．０Ｐａ、２ｍｉｎ）で行い、原盤におけるランド傾斜部の表面粗さはＲａ１＝０．５６ｎｍ、Ｒａ２＝１．５２ｎｍとした。また、ランド上部およびグルーブ表面の表面粗さはともに１．８ｎｍとした。得られた光磁気記録媒体のランド形状を図６に示す。他条件は全て実施例１と同様とした。
【００５２】
このようにして得られた光磁気ディスクに磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１５μｍの連続磁区を記録し、既に提案されている『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６号公報参照）を用いて再生したところ、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）において、ジッター値がランド部２０％、グルーブ部で１８％であった。
（実施例３）
図４に示す光磁気記録媒体を製造した。ＲＩＥ後のプラズマアッシング条件を（ＲＦ３００Ｗ、８０ｓｃｃｍ、８．０Ｐａ、３０ｍｉｎ）で行い、原盤におけるランド傾斜部の表面粗さはＲａ１＝０．５６ｎｍ、Ｒａ２＝１．５２ｎｍとした。ランド上部およびグルーブ表面の表面粗さはともに０．４３ｎｍとした。傾斜部角度は３０°とした。得られた光磁気記録媒体のランド形状を図６に示す。他条件は全て実施例１と同様とした。
【００５３】
このようにして得られた光磁気ディスクに磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１５μｍの連続磁区を記録し、既に提案されている『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６号公報参照）を用いて再生したところ、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）において、ジッター値がランド部１１％、グルーブ部で１２％であった。
（比較例４）
図４に示す光磁気記録媒体を製造した。ＲＩＥ後のプラズマアッシング条件を（ＲＦ３００Ｗ、８０ｓｃｃｍ、８．０Ｐａ、４０ｍｉｎ）で行い、原盤におけるランド傾斜部の表面粗さはＲａ１＝０．５６ｎｍ、Ｒａ２＝１．５２ｎｍとした。ランド上部およびグルーブ表面の表面粗さはともに０．４３ｎｍとした。傾斜部角度は２０〜２５°とした。得られた光磁気記録媒体のランド形状を図６に示す。他条件は全て実施例１と同様とした。
【００５４】
このようにして得られた光磁気ディスクに磁界変調方式でトラック方向にピット長０．１５μｍの連続磁区を記録し、既に提案されている『温度勾配を利用した磁壁移動型拡大再生方法（特開平６−２９０４９６号公報参照）を用いて再生したところ、波長４０５ｎｍ、ＮＡ０．６５の光学系（相対速度２ｍ／ｓ）において、ジッター値がランド部２１％、グルーブ部で２０％であった。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の光磁気記録媒体に使用する基板の上方から見た模式的断面図である。
【図２】本発明の光磁気記録媒体に使用する基板の模式的断面図である。
【図３】従来の基板の製造方法の一工程例を示す機略断面図である。
【図４】光磁気記録媒体の膜構成の一例を示す断面図である。
【図５】本発明の光磁気記録媒体に使用する基板のＳＰＭ像（実施例１）である。
【図６】光磁気記録媒体に使用する基板のＳＰＭ像（比較例１）である。
【図７】光磁気記録媒体に使用する基板のＳＰＭ像（比較例２）である。
【図８】本発明の光磁気記録媒体の磁性膜の様子を説明するためのＳＥＭ像である。
【符号の説明】
【００５６】
１  ランド部
１ａ  ランド上部
２  グルーブ部
２ｂ  グルーブ表面
３  ランド部の傾斜部
３ａ  ランド部の傾斜部の上部
３ｂ  ランド部の傾斜部の下部
４  ランド部の高さ
θ  ランド部の角度
１１  透明基板
１２  第１の誘電体層
１３  磁性層
１４  第２の誘電体層
１３１  第１の磁性層
１３２  第２の磁性層
１３３  第３の磁性層
２０  石英ガラス基板
２１  フォトレジスト
２２  光ビーム
２３  露光部
２４  レジストパターン
２５  ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）
２６  スパッタ成膜
２８  凹部
２９  凸部
３０  ガラス原盤（マスター）
３１  スタンパ
３６  Ｎｉ導電膜
３７  Ｎｉ電鋳層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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