(57)【要約】【課題】キャビティおよびダイヤフラムを、より簡単に、付加的な手間を必要とせずに製作することができるようにする。【解決手段】キャビティをトレンチエッチングプロセスの第２の期間中に少なくとも１つのアクセス穴を通して形成し、その際、第２の期間中に、設定された第２の持続時間にわたる第２のトレンチステップを実施し、第２の持続時間が第１の持続時間よりも長いようにした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの基板（１００，３５０）と、１つのアクセス穴（１４０，３３０）と、１つの埋設されたキャビティ（１５５，３６０，５１０，６５０，６５５）とを有するマイクロマシニング型のセンサエレメントを、
少なくとも１つのアクセス穴およびキャビティをトレンチエッチングプロセスもしくは特に等方性のエッチングプロセスにより基板内に形成し、
その際、トレンチエッチングプロセスが、
種々異なるトレンチステップと、
第１の期間および第２の期間とを有しており、
第１の期間中に交互に、
設定された第１の持続時間にわたる第１のトレンチステップと、
第１のパッシベーションプロセスとを実施することにより
製作する方法において、
キャビティをトレンチエッチングプロセスの第２の期間中に少なくとも１つのアクセス穴を通して形成し、その際、
第２の期間中に、設定された第２の持続時間にわたる第２のトレンチステップを実施し、
第２の持続時間が第１の持続時間よりも長い
ことを特徴とする、マイクロマシニング型のセンサエレメントを製作する方法。
【請求項２】
トレンチエッチングプロセスの第２の期間を実施する前に、トレンチエッチングプロセスの第１の期間を少なくとも２度通して行う、請求項１記載の方法。
【請求項３】
第２のトレンチステップを、
等方性の気相エッチングステップにより実施する、かつ／または
第１のトレンチステップよりも遙かに長く継続する、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
キャビティの形成後、基板上に、有利には単結晶の層（１７０）を被着する、その際特に、
該層（１７０）が
エピタキシ法により被着される、かつ／または
少なくとも１つのアクセス穴を閉鎖する、かつ／または
アクセス穴および／またはキャビティの壁に、有利には単結晶の層（１７０）の前に、別のパッシベーション層（１２０，２１０）が被着される、かつ／または
アクセス穴の壁が前もってパッシベーション層から解放される
ようにする、請求項１記載の方法。
【請求項５】
基板が半導体材料、特にシリコンを有している、請求項１記載の方法。
【請求項６】
トレンチエッチングプロセスを実施するためにエッチングマスク（１１０，３００）を基板に被着する、その際特に、エッチングマスクが、基板表面におけるアクセス穴の分布を、エッチングマスクに設けられた穴により規定するようにする、請求項１記載の方法。
【請求項７】
多数のアクセス穴を基板表面に配置する、その際特に、第２の持続時間が基板表面におけるアクセス穴の分布および／またはエッチングマスクにおける穴の分布に依存して設定可能であるようにする、請求項１または６記載の方法。
【請求項８】
基板の表面から延びる少なくとも１つのアクセス穴を、キャビティ（５１０）の形成後に閉鎖し、別の方法ステップで、基板の裏面から、キャビティ（５１０）に通じるアクセス穴（５００）を形成する、請求項１記載の方法。
【請求項９】
トレンチプロセスの第２の期間後に、新たに別のトレンチプロセスの第１の期間および第２の期間を実施する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
マイクロマシニング型のセンサエレメントにおいて、特に請求項１から９までのいずれか１項記載の方法に従って製作されており、
基板（１００，３５０）と、
埋設されたキャビティ（１５５，３６０，５１０，６５０，６５５）と、
キャビティの上方に存在するダイヤフラム（１７０）と
が設けられており、
キャビティが、特に等方性のエッチングプロセスにより形成されており、
キャビティの上方に、少なくとも１つのアクセス穴（１４０，３３０）が、高いアスペクト比と波形付けられた側壁（１３０）とを伴って存在している
ことを特徴とする、マイクロマシニング型のセンサエレメント。
【請求項１１】
キャビティが、相並んで位置していて互いに接続された複数の空隙（１５０）を有しており、その際特に、
各空隙が１つのアクセス穴を有している、かつ／または
少なくとも１つのアクセス穴が閉鎖されている、
請求項１０記載の、マイクロマシニング型のセンサエレメント。
【請求項１２】
少なくとも１つのアクセス穴の側壁がパッシベーション材料（１２０）により被覆されている、かつ／または
センサエレメントが圧力、空気質量、温度、加速度および／またはヨーレートを検出する、かつ／または
キャビティ壁が保護層またはパッシベーション層（２１０）、特に酸化物層を有している、かつ／または
センサエレメントが、少なくとも部分的に重なり合わせに位置する少なくとも２つのキャビティ（１５０，６５０）を有している、かつ／または
センサエレメントが、特にエピタキシャル成長させられたダイヤフラムを有している、
請求項１０記載の、マイクロマシニング型のセンサエレメント。
【請求項１３】
センサエレメントにより、圧力、温度、加速度またはヨーレートが検出可能である、請求項１０記載の、マイクロマシニング型のセンサエレメント。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも１つの基板と、１つのアクセス穴と、１つの埋設されたキャビティとを有するマイクロマシニング型のセンサエレメントを、
少なくとも１つのアクセス穴およびキャビティをトレンチエッチングプロセスもしくは特に等方性のエッチングプロセスにより基板内に形成し、
その際、トレンチエッチングプロセスが、
−種々異なるトレンチステップと、
−第１の期間および第２の期間とを有しており、
第１の期間中に交互に、
−設定された第１の持続時間にわたる第１のトレンチステップと、
−第１のパッシベーションプロセスとを実施することにより製作する方法に関する。
【０００２】
さらに本発明は、特にこの種の方法に従って製作されるマイクロマシニング型のセンサエレメントに関する。
【背景技術】
【０００３】
種々異なる物理量（圧力、温度、空気質量、加速度、ヨーレート）を検出するために、特に自動車分野では、マイクロマシニング型のセンサエレメントを有する素子が多数使用される。典型的には、キャビティの上方に配置されているダイヤフラム上に設けられた測定エレメントがしばしば使用される。ダイヤフラムもしくはキャビティを製作するために、犠牲層および機能層から成る積層が析出され、構造化され、かつ選択的に除去される、いわゆる表面マイクロマシニング法の他に、いわゆるバルクマイクロマシニング法が公知である。バルクマイクロマシニング法では、構造が中実の材料から作り出される。より新しい方法は表面マイクロマシニング法とバルクマイクロマシニング法との折衷である。
【０００４】
例えば国際公開第０２／０２４５８号パンフレットもしくはドイツ連邦共和国特許出願公開第１００３２５７９号明細書には、ダイヤフラムの下方に中空室を形成するために、種々異なる多孔質の領域が基板内に形成される方法が記載されている。
【０００５】
ドイツ連邦共和国特許出願公開第１００３０３５２号明細書から、キャビティの上方のダイヤフラムを安定化エレメントにより支持することが公知である。この種の安定化エレメントの形成は例えば、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０２００４０３６０３５号明細書およびドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３５８８５９号明細書に記載されているようなトレンチエッチングプロセスにより可能である。
【０００６】
基板内に中空室を形成する別の可能性は、ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０１１４０３６号明細書に示されている。この明細書に記載された方法では、まず開口が基板内に形成される。続いて、基板の熱処理が実施される。熱処理の温度および持続時間の選択により、基板の深部に、開口の閉鎖の下で中空室が形成される。相並んで位置する多数の開口の使用により、この方法によって、ダイヤフラムと、その下方に位置する中空室とが形成されることができる。
【０００７】
欧州特許出願公開第１０４３７７０号明細書には、まず第１のエッチングステップによって少なくとも１つの溝を基板に形成することによりキャビティを製作する方法が記載されている。溝の壁をパッシベーションした後、第２の異方性のエッチングステップの枠内で、キャビティが形成される。キャビティの拡大は、第３の、やはり異方性のエッチングステップで、相並んで位置する複数の溝の間の壁が除去されることにより実施されることができる。
【特許文献１】国際公開第０２／０２４５８号パンフレット
【特許文献２】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１００３２５７９号明細書
【特許文献３】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１００３０３５２号明細書
【特許文献４】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０２００４０３６０３５号明細書
【特許文献５】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０３５８８５９号明細書
【特許文献６】ドイツ連邦共和国特許出願公開第１０１１４０３６号明細書
【特許文献７】欧州特許出願公開第１０４３７７０号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の課題は、冒頭で述べた形式のマイクロマシニング型のセンサエレメントならびに該センサエレメントを製作する方法を改良して、キャビティおよびダイヤフラムを、より簡単に、付加的な手間を必要とせずに製作することができるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明の方法では、キャビティをトレンチエッチングプロセスの第２の期間中に少なくとも１つのアクセス穴を通して形成し、その際、
−第２の期間中に、設定された第２の持続時間にわたる第２のトレンチステップを実施し、
−第２の持続時間が第１の持続時間よりも長いようにした。
【００１０】
さらに、上記課題を解決するために本発明の構成では、
−基板と、
−埋設されたキャビティと、
−キャビティの上方に存在するダイヤフラムと
が設けられており、
−キャビティが、特に等方性のエッチングプロセスにより形成されており、
−キャビティの上方に、少なくとも１つのアクセス穴が、高いアスペクト比と波形付けられた側壁とを伴って存在しているようにした。
【発明の効果】
【００１１】
本発明は、例えばマイクロマシニング型の素子内で、物理量を検出するために適しているマイクロマシニング型のセンサエレメントと、該マイクロマシニング型のセンサエレメントを製作する方法とに関する。その際、センサエレメントは、１つの基板と、少なくとも１つのアクセス穴と、１つの埋設されたキャビティとを有しており、少なくとも１つのアクセス穴およびキャビティがトレンチエッチングプロセスもしくは等方性のエッチングプロセスにより基板内に形成されるようになっている。その際、トレンチエッチングプロセスは、第１の期間と第２の期間とに分類されることができる種々異なるトレンチステップを有している。第１の期間中に、少なくとも１つの第１のトレンチステップが実施される。第１のトレンチステップで、設定可能な第１の持続時間にわたって材料が基板からエッチングにより除去され、凹部が形成される。このトレンチステップで、凹部の壁に、典型的な湾入部が生じる。引き続いて、この第１の期間中にパッシベーションプロセスが実施される。パッシベーションプロセスで、凹部の壁に第１のトレンチステップにより形成された湾入部がパッシベーション材料で被覆される。第１の期間中に、第１のトレンチステップおよび第１のパッシベーションプロセスが複数回相前後して交互に実施されることができる。その結果、そのようにして形成された凹部の壁に、典型的な波形が生じる。本発明の核心は、トレンチエッチングプロセスの第２の期間中に、第２のトレンチステップが、第１の持続時間に比して明らかに長い設定可能な第２の持続時間にわたって実施されることにより、キャビティが、凹部により形成される少なくとも１つのアクセス穴を通して形成される点にある。
【００１２】
キャビティを製作するこの種の方法の利点は、例えば湿式化学的なエッチングプロセスによる付加的な第２のエッチングプロセスが実施されずに済む点にある。それにより、プロセス材料の交換による付加的な方法手間を省略することができる。トレンチエッチングプロセスの第１の期間の繰り返し回数を選択することにより、凹部の間で基板に残されていて、別の方法ステップで別の層を被着することができるウェブの厚さは、広範な範囲で選択されることができる。同様に、キャビティの高さは第２の持続時間の選択を介して調節可能である。さらに、キャビティは、確立されたプロセス（トレンチエッチング）の応用により製作されることができる。
【００１３】
本発明の構成では、第１のトレンチステップとパッシベーションプロセスとを有する第１の期間中の方法ステップが、第２のトレンチステップを有する第２の期間の開始前に、少なくとも２度交互に遂行されるようになっている。さらに、第２のトレンチステップが、第１のトレンチステップよりも遙かに長い間、材料を基板から除去するようになっている。オプショナルに、凹部もしくはアクセス穴の壁および／またはキャビティの壁に、別のパッシベーション層が被着されることができる。
【００１４】
キャビティを基板内に形成した後、本発明の別の構成では、層が基板上に、ダイヤフラムを形成するために被着されるようになっていることができる。その際、特別な構成では、この層が単結晶の層として、例えばエピタキシ法の枠内で被着されるようになっていることができる。この層は付加的に、少なくとも１つのアクセス穴を閉鎖するために使用されることができる。オプショナルに、凹部、アクセス穴もしくはキャビティの壁が、本来の層析出前に、トレンチプロセスのパッシベーション層から解放されることができる。
【００１５】
有利には、基板材料として、半導体材料、例えばシリコンが使用される。半導体材料の使用により、センサエレメントを製作するのに、マイクロマシニング技術を用いた加工および構造化の現行の方法が使用されることができる。
【００１６】
トレンチエッチングプロセスを実施するために、別の方法ステップで、エッチングマスクが基板上に被着される。その際、有利には、エッチングマスクがアクセス穴の将来的な分布を、基板表面上に設けられたエッチングマスクの穴により規定するようになっていることができる。エッチングマスクにおける穴の分布は、特別な構成では、幾何学的もしくは対称的であることができる。その際、ランダムな分布も可能である。ただし、穴の配分、ひいてはアクセス穴の形成時に、等方性のエッチングプロセス中の、第２の期間中に行われるサイドエッチングにより、穴／アクセス穴の下方に生ぜしめられた空隙が集合して１つのキャビティに成長するようになっていることが考慮されなければならない。そのようにしてのみ、埋設された、互いに関連し合うキャビティが形成されることができる。この理由から、第２の持続時間は、エッチングマスクに設けられた穴の平均的な間隔もしくはアクセス穴の分布に依存していなければならない。
【００１７】
本発明の特別な構成では、キャビティの形成後に、基板の表面から延びる少なくとも１つのアクセス穴が閉鎖される。引き続いて別の方法ステップで、基板の裏面からアクセス穴がキャビティまで形成される。それにより、例えば差圧センサが形成されることができる。
【００１８】
本発明の別の構成では、埋設された複数の格子平面が、第１の期間および第２の期間から成るトレンチプロセスを繰り返すことにより形成されることができる。その際、この繰り返しは何度でも実施されることができる。
【００１９】
有利には、トレンチエッチングプロセスの助けを借りて形成される凹部が、高いアスペクト比を有している。さらに、有利には単結晶の層を被着する前に、酸化物層がキャビティ壁に、キャビティ内での層材料の成長を阻止するために被着されることができる。
【００２０】
一般に、本発明によるセンサエレメントを、有利には圧力、温度、空気質量、加速度および／またはヨーレートを検出するために使用することが意図されているべきである。このために場合によっては、例えば有利には単結晶の層により形成されるダイヤフラムを構造化することが必要であることができる。
【００２１】
さらに、本発明による方法により、（埋設された）通路を半導体基板内に製作する可能性が存在する。このために、例えば相応の層により閉鎖されるもしくは被覆されるキャビティが製作されることができる。引き続いて、キャビティの、種々異なる端部に、通り穴が、前記層、場合によってはキャビティの上方の基板を通して形成されることができる。
【００２２】
別の利点は以下の実施例の説明もしくは従属請求項から得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
この実施例では、有利には圧力センサにおいて使用可能な、ダイヤフラムおよびキャビティを有するセンサエレメントを製作する方法を参照しながら、本発明による方法を明らかにする。ただし、以下に説明する方法は、圧力センサの他に、エアマスセンサ、温度センサ、加速度センサおよび／またはヨーレートセンサのセンサエレメントを製作するためにも使用可能である。さらに、通路を形成することも可能である。通路は例えば、埋設されたキャビティに２つの通り穴がキャビティのそれぞれ異なる箇所に設けられることにより形成される。
【００２４】
まず、例えばシリコンのような半導体材料から成る基板１００上に、後続のトレンチエッチングプロセスのための適当な（エッチング）マスク１１０、例えばＳｉＯ２層が形成されて、構造化される。マスク１１０の構造化時、穴１４５が例えば等間隔に形成される。その際、種々異なる模様、例えば方形状、対角線状、六角形状、環状または帯状の模様が可能である。さらに、穴の配置が変更可能であるばかりでなく、個々の穴の形状も変更可能である。つまり、穴は例えば円形（特に図３ａ参照）に構成されていても、正方形（図４ｂ参照）に構成されていてもよい。図１ｂに示した次の方法ステップで、異方性エッチングプロセス、すなわちトレンチが実施される（トレンチ、すなわちエッチングプロセスは全体として異方性に方向付けられている；個々のＳＦ６−サイクルは等方性である）。まず、トレンチにとって典型的な、エッチング（例えばＳＦ６によるエッチング）とパッシベーション（例えばＣ４Ｆ８によるパッシベーション）との間のサイクル切換が選択される。その際、一般的なトレンチ穴もしくはアクセス穴１４０が、高いアスペクト比と、典型的な、波形付けられた側壁１３０とを伴って生じる。アクセス穴１４０の深部で、横方向の広がりを一定に保ったまま材料を除去することができるように、側壁１３０には、トレンチステップ毎に、相応のパッシベーション層１２０が、新しく生ぜしめられた波形の上に被着される。最終的に、明らかに長いトレンチエッチングステップが実施される。この明らかに長いトレンチエッチングステップにおいて、等方性の（ドライ）エッチングプロセスが空隙の形成のために遂行される。この比較的長いトレンチエッチングプロセスの間、相並んで位置する複数のアクセス穴１４０の、それまで互いに隔絶されていた空隙が、格子１６０の下で接続されて１つのキャビティ１５０を形成することができる。次の方法ステップで、エッチングマスク１１０と、場合によっては［Ｃ４Ｆ８］ｎから成るトレンチパッシベーション層とが除去されることができる（図１ｃ参照）。最後のプロセスステップで、層１７０の被着が実施される。層１７０はアクセス穴１４０を閉鎖するかつ／またはダイヤフラムをキャビティ１５５の上方に形成する（図１ｄ参照）。その際、特別な実施例では、まずアクセス穴１４０を閉じるもしくは覆うようにエピタキシ法によりシリコンが成長させられ、引き続いて同じステップで、全面的に単結晶のＳｉダイヤフラムが形成されるようになっていることができる。その際、エピタキシ層の厚さはダイヤフラムの厚さを決定する。（半導体）基板１００がシリコンから成る場合、水素プリベーク（表面の清浄化、例えば酸化物および／または有機物の、本来の成長前の清浄化）およびエピタキシ中の、高いプロセス温度（典型的には１０００℃超）により、Ｓｉ原子のミグレーションが、自由な表面で実施される。これにより、波形付けられた構造１３０は丸みを帯び、図１ｄに見て取れるように、丸み付けられた格子ウェブ１６５を生ぜしめる。
【００２５】
エピタキシ中にアクセス穴１４０および埋設されたキャビティ１５０内への、場合によっては存在するＳｉの成長を最小化するために、その壁は、有利にはエッチングプロセスの完了後に別個のプロセスステップで、適当な層２１０、例えば酸化物で被覆されることができる。典型的には、この種の被覆が、図２ａに示されているように熱酸化により実施される。ただし、引き続いてシリコンをエピタキシャル成長させることができる前に、基板１００の表面に形成された保護層２００は選択的に、例えば物理的なエッチングにより除去されなければならない（図２ｂ参照）。引き続いて、表面２２０に単結晶のシリコンが成長させられることができる。
【００２６】
本発明による方法経過の概略平面図が図３ａ〜図３ｃに示されている。既に述べたように、まず基板上に、構造化されたエッチングマスク３００が被着される。エッチングマスク３００は将来的なダイヤフラム領域３２０に穴３１０を有している。穴３１０により、まずアクセス穴３３０が形成され、延長されたトレンチエッチングステップで、空隙３４０がアクセス開口３３０の下に形成されることができる。エッチングマスク３００を剥離した後の平面図からは、アクセス穴３３０を有する基板３５０が見て取れる。アクセス穴３３０は、埋設されたキャビティ３６０に通じている。
【００２７】
ダイヤフラム縁部の、基板との固定部は、ダイヤフラム縁部における格子幾何学形状の局所的な最適化、例えば：
−ダイヤフラム縁部の格子穴を省略する、例えば第１列の穴を１つおきに省略する（方形の格子を示す図４ａ参照）、
−ダイヤフラム縁部の穴、例えば第１列の穴を小さくする、
−ダイヤフラム縁部の格子ウェブの幅を広くする
ことにより改善されることができる。
【００２８】
相応の幾何学形状は所属のエッチングマスク１１０もしくは３００において考慮されることができる。
【００２９】
さらに、単純な格子構造の他に、異なる幾何学形状から成る複合形も可能である。図４ｂには、方形の格子４２０が、第２の（やはり方形の）上位格子４１０を有している例が示されている。相応の幾何学形状はやはり相応のエッチングマスク１１０／３００において考慮されることができる。
【００３０】
本発明による、ダイヤフラムおよびキャビティ１５５を有するセンサエレメントは、例えば絶対圧力センサのために使用されることができる。その際、ダイヤフラムには圧電抵抗が被着されるようになっていることができる。加えて、回路がダイヤフラムの横または上に組み込まれることができる。差圧センサの製作のために、埋設されたキャビティ５１０に通じる別個の接続開口が必要である。つまり、別のエッチングプロセスもしくはトレンチエッチングプロセスにより、基板１００の背面から、相応のアクセス穴５００が形成される。その際、トレンチエッチングプロセスは自動的に、キャビティの下面に既に存在する酸化物２１０で停止する（図５ａ参照）。図５ｂに示したように、最終的なエッチングステップ、例えばＨＦ蒸気内でのエッチングステップにより、酸化物層２１０が基板材料、例えばシリコンに対して選択的に除去されることができる。これにより、アクセス穴が最終的に開通される。
【００３１】
マイクロマシンでの別の応用のために、ダイヤフラムを、例えば加速度センサのための振動子構造を製作するために構造化することも可能である。
【００３２】
上記方法の別の構成として、エッチングマスク１１０内での、個々の空隙１５０を接続するための最終的な等方性のエッチングステップが、択一的な等方性のエッチング媒体、例えばＸｅＦ２またはＣＩＦ３のようなガスにより、または湿式化学的に、例えばＨＮＯ３およびＨＦの混合物により実施されることができる。
【００３３】
別の実施例を図６ａもしくは図６ｂに示す。この実施例により、本発明による方法が繰り返し適用されることにより、埋設された格子６１０が製作されることができる。その際、アクセス穴１４０およびキャビティ１５０を形成した後に、アクセス穴１４０を形成したトレンチエッチングプロセスが続行される。トレンチエッチングプロセスの続行の結果として、アクセス穴１４０の下方に、より深い通り穴６４０が形成される。最後のトレンチエッチングプロセスがやはり通り穴の形成時に比べて時間的に長く実施されると、やはり、より深部に位置する１つのキャビティ６５０へと成長する空隙が形成される。原理的に、このプロセスの繰り返しにより、別の埋設された平面が可能である。全体として、複数の個別的なキャビティ１５０もしくは６５０を有する、互いに関連し合う領域６５５が形成されることができる。
【００３４】
一般に、空隙を生ぜしめ、かつ最終的にキャビティを生ぜしめることになる第２の持続時間は、表面におけるアクセス穴１４０の分布もしくは平均的な間隔に依存していることができる。相応の依存性はもちろん、アクセス穴の位置を規定する、エッチングマスクに設けられた穴１４５にも見出すことができる。
【００３５】
別の実施形態では、説明したトレンチプロセス（図１ａ〜図１ｄ）が、例えば加速度センサのためのインターディジタル構造を製作するために使用されることもできる。それにより、犠牲酸化物析出、エピポリ析出、トレンチおよびＨＦ蒸気エッチングから成る、さもなければ一般的な製作プロセスは、唯一のトレンチプロセスにより代替される。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明によるキャビティを製作するためのプロセス経過を順に示す概略断面図である。
【図２】キャビティ内での材料の成長を阻止すべき特別な被覆の、相前後するステップを示す断面図である。
【図３】別のプロセス経過を順に示す平面図である。
【図４】エッチングプロセスの、基板へのアクセスを維持するための穴の幾何学形状の、２つの異なる特別な構成を示す平面図である。
【図５】差圧センサを製作する本発明による方法の経過を順に示す図である。
【図６】本発明による方法でもって第２の平面をダイヤフラムの下方に形成する可能性を順に示す図である。
【符号の説明】
【００３７】
１００  基板、  １１０  エッチングマスク、  １２０  パッシベーション層、  １３０  側壁、  １４０  アクセス穴、  １４５  穴、  １５０  キャビティ、  １５５  キャビティ、  １６０  格子、  １６５  格子ウェブ、  １７０  層、  ２００  保護層、  ２１０  層、  ２２０  表面、  ３００  エッチングマスク、  ３１０  穴、  ３２０  ダイヤフラム領域、  ３３０  アクセス穴、  ３４０  空隙、  ３５０  基板、  ３６０  キャビティ、  ４００  穴、  ４１０  上位格子、  ４２０  格子、  ５００  アクセス穴、  ５１０  キャビティ、  ６１０  格子、  ６４０  通り穴、  ６５０  キャビティ、  ６５５  領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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