(57)【要約】  【課題】緊急停止時等にウエハを迅速に回収する。  【解決手段】ウエハＷを搬送する負圧移載装置１２が設置された負圧移載室１０と、負圧移載室１０に連結されてウエハＷを処理する複数の処理モジュール６１、６２、６３、６４と、ウエハＷを搬入する搬入室２０および搬出する搬出室３０と、これらを制御する制御システム７０とを備えたマルチチャンバ型連続処理装置において、制御システム７０は処理前後ウエハの表示システム９０を備えている。表示システム９０は複数の処理モジュールのうち第二処理モジュール６２を選択する選択手段と、選択された第二処理モジュール６２で処理される前のウエハか処理された後のウエハかを表示する表示手段とを有する。緊急停止した場合に、作業者は処理後ウエハを表示システムによる表示を見て認識できるので、処理後ウエハを手動操作によって迅速に回収できる。【選択図】図３
2006253483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持部によって保持して搬送する搬送装置が設置された搬送室と、
前記搬送室に連結されて前記基板を処理する処理モジュールと、
前記搬送室に対して前記基板を搬入搬出する予備室と、
前記搬送装置や前記処理モジュールおよび前記予備室を制御する制御装置とを備えており、
前記制御装置は前記処理モジュールによって処理される前の基板または処理された後の基板を識別可能に表示する表示手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む集積回路が作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に金属膜や絶縁膜を形成するのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＩＣの一例であるＤＲＡＭ（Dynamic Random-Access Memory）やＤＲＡＭ混載システムＬＳＩ（以下、ＤＲＡＭという。）の製造方法において、ウエハに電気容量絶縁膜やゲート絶縁膜として適用される容量絶縁膜を形成するのに、搬送室の周りに複数の処理モジュール（プロセスチャンバ）が設置されたマルチチャンバ型連続処理装置が使用される場合がある。
従来のマルチチャンバ型連続処理装置を述べている例として、特許文献１がある。
【特許文献１】特開２００１−２３０２０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来のこの種のマルチチャンバ型連続処理装置においては、例えば、緊急停止した場合に、手動操作によってウエハを回収する必要が発生する。
【０００４】
本発明の目的は、緊急停止時等に基板を迅速に回収することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願において開示される発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）基板を保持部によって保持して搬送する搬送装置が設置された搬送室と、
前記搬送室に連結されて前記基板を処理する処理モジュールと、
前記搬送室に対して前記基板を搬入搬出する予備室と、
前記搬送装置や前記処理モジュールおよび前記予備室を制御する制御装置とを備えており、
前記制御装置は前記処理モジュールによって処理される前の基板または処理された後の基板を識別可能に表示する表示手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
（２）基板を保持部によって保持して搬送する搬送装置が設置された搬送室と、
前記搬送室にそれぞれ連結されて前記基板をそれぞれ処理する複数の処理モジュールと、
前記搬送室に対して前記基板を搬入搬出する予備室と、
前記搬送装置や前記処理モジュールおよび前記予備室を制御する制御装置とを備えており、
前記制御装置は、前記複数の処理モジュールのうち所定の処理を施す処理モジュールを選択する選択手段と、選択された前記処理モジュールによって処理される前の基板または処理された後の基板を識別可能に表示する表示手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
（３）前記搬送装置は、前記保持部を複数備えていることを特徴とする前記（１）または前記（２）に記載の基板処理装置。
（４）前記保持部のうち少なくとも一つは、前記選択された処理モジュールによって処理された後の基板を保持するのに専用に使用されることを特徴とする前記（３）に記載の基板処理装置。
（５）前記複数の処理モジュールが異なる処理を実施するように構成されており、少なくとも前記複数の処理モジュールのうちのいずれか一つは、二回以上使用されることを特徴とする前記（２）に記載の基板処理装置。
（６）同一の予備室に未処理基板と処理済基板を収容することを特徴とする前記（１）または前記（２）に記載の基板処理装置。
【発明の効果】
【０００６】
前記（１）によれば、例えば、緊急停止した場合に、処理された後の基板を認識することができるので、基板を手動操作によって迅速に回収することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
【０００８】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、図１および図２に示されているように、マルチチャンバ型連続処理装置（以下、連続処理装置という。）として構成されており、この連続処理装置はＩＣの製造方法にあってウエハに所望の薄膜を堆積させる成膜工程に使用されるように構成されている。
なお、本実施の形態に係る連続処理装置においてはウエハ搬送用のキャリアとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。
以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、ウエハ移載室４０側が前側、その反対側すなわちウエハ移載室１０側が後側、第一予備室２０側が左側、第二予備室３０側が右側とする。
【０００９】
図１および図２に示されているように、連続処理装置は搬送室としての第一ウエハ移載室１０を備えており、第一ウエハ移載室１０は大気圧未満の圧力（負圧）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成されている。第一ウエハ移載室（以下、負圧移載室という。）１０の筐体（以下、負圧移載室筐体という。）１１は、平面視が六角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
【００１０】
負圧移載室１０の中央部には、ウエハを保持して搬送する搬送装置としてのウエハ移載装置１２が設置されており、ウエハ移載装置１２は負圧下においてウエハＷを移載するように構成されている。ウエハ移載装置（以下、負圧移載装置という。）１２は、スカラ形ロボット（selective compliance assembly robot arm ＳＣＡＲＡ）によって構成されており、負圧移載室筐体１１の底壁に設置されたエレベータ１３によって気密シールを維持しつつ昇降するように構成されている。
負圧移載装置１２はウエハＷを保持する保持部としての一対のアーム１４、１５を備えている。上側に位置する第一アーム（以下、上側アームという。）１４の先端部には、二股のフォーク形状に形成された上側エンドエフェクタ１６が取り付けられており、下側に位置する第二アーム（以下、下側アームという。）１５の先端部には、下側エンドエフェクタ１７が取り付けられている。
【００１１】
負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち正面側に位置する二枚の側壁には、負圧移載室１０に対してウエハＷを搬入搬出する予備室としての第一予備室２０と第二予備室３０とがそれぞれ隣接して連結されている。
第一予備室２０の筐体（以下、第一予備室筐体という。）２１および第二予備室３０の筐体（以下、第二予備室筐体という。）３１はいずれも、平面視が大略四角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されているとともに、負圧に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成されている。
【００１２】
互いに隣接した第一予備室筐体２１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入搬出口２２、２３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入搬出口２３には搬入搬出口２２、２３を開閉するゲートバルブ２４が設置されている。第一予備室２０には第一予備室用仮置き台２５が設置されている。
互いに隣接した第二予備室筐体３１の側壁および負圧移載室筐体１１の側壁には搬入搬出口３２、３３がそれぞれ開設されており、負圧移載室１０側の搬入搬出口３３には搬入搬出口３２、３３を開閉するゲートバルブ３４が設置されている。第二予備室３０には第二予備室用仮置き台３５が設置されている。
【００１３】
第一予備室２０および第二予備室３０の前側には、大気圧以上の圧力（正圧）を維持可能な構造に構成された第二ウエハ移載室（以下、正圧移載室という。）４０が隣接して連結されており、正圧移載室４０の筐体（以下、正圧移載室筐体という。）４１は、平面視が横長の長方形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
正圧移載室４０には正圧下でウエハＷを移載する第二ウエハ移載装置（以下、正圧移載装置という。）４２が設置されており、正圧移載装置４２はスカラ形ロボットによって二枚のウエハを同時に搬送し得るように構成されている。
正圧移載装置４２は正圧移載室４０に設置されたエレベータ４３によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ４４によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１４】
互いに隣接した第一予備室筐体２１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬入搬出口２６、２７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬入搬出口２７には搬入搬出口２６、２７を開閉するゲートバルブ２８が設置されている。
互いに隣接した第二予備室筐体３１の側壁および正圧移載室筐体４１の側壁には搬入搬出口３６、３７がそれぞれ開設されており、正圧移載室４０側の搬入搬出口３７には搬入搬出口３６、３７を開閉するゲートバルブ３８が設置されている。
図１に示されているように、正圧移載室４０の左側にはノッチ合わせ装置４５が設置されている。
また、図２に示されているように、正圧移載室４０の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット４６が設置されている。
【００１５】
図１および図２に示されているように、正圧移載室筐体４１の正面壁には三つのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９が左右方向に並べられて開設されており、これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９はウエハＷを正圧移載室４０に対して搬入搬出し得るように設定されている。これらのウエハ搬入搬出口４７、４８、４９にはポッドオープナ５０がそれぞれ設置されている。
【００１６】
ポッドオープナ５０はポッドＰを載置する載置台５１と、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップを着脱するキャップ着脱機構５２とを備えており、載置台５１に載置されたポッドＰのキャップをキャップ着脱機構５２によって着脱することにより、ポッドＰのウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
ポッドオープナ５０の載置台５１に対してはポッドＰが、図示しない工程内搬送装置（ＲＧＶ）によって供給および排出されるようになっている。したがって、載置台５１によってキャリアステージとしてのポッドステージが構成されていることになる。
【００１７】
図１に示されているように、負圧移載室筐体１１の六枚の側壁のうち背面側に位置する二枚の側壁には、第一処理モジュールとしての第一ＣＶＤモジュール６１と、第二処理モジュールとしての第二ＣＶＤモジュール６２とがそれぞれ隣接して連結されている。第一ＣＶＤモジュール６１および第二ＣＶＤモジュール６２はいずれも、枚葉式ＣＶＤ装置（枚葉式コールドウオール形ＣＶＤ装置）によってそれぞれ構成されている。
また、負圧移載室筐体１１における六枚の側壁のうちの残りの互いに対向する二枚の側壁には、第三処理モジュールとしての第一クーリングモジュール６３と、第四処理モジュールとしての第二クーリングモジュール６４とがそれぞれ連結されており、第一クーリングモジュール６３および第二クーリングモジュール６４はいずれも、処理済みのウエハＷを冷却するように構成されている。
【００１８】
連続処理装置は図３に示された制御システム７０を備えている。
図３に示されているように、制御システム７０はパーソナルコンピュータ等から構築されたメインコントローラ７１を備えている。メインコントローラ７１にはＬＡＮシステム７２を介して、負圧移載装置１２を制御するサブコントローラ７３、正圧移載装置４２を制御するサブコントローラ７４、第一ＣＶＤモジュール（第一処理モジュール）６１を制御するサブコントローラ７５、第二ＣＶＤモジュール（第二処理モジュール）６２を制御するサブコントローラ７６、第一クーリングモジュール（第三処理モジュール）６３を制御するサブコントローラ７７、第二クーリングモジュール（第四処理モジュール）６４を制御するサブコントローラ７８等が接続されている。
メインコントローラ７１にはキーボード等によって構成された入力装置８１、テレビモニタ等によって構成された表示装置８２、フロッピディスク駆動装置等によって構成された記憶装置８３等が接続されている。また、メインコントローラ７１はホストコンピュータ８４に接続することができるように構成されている。
メインコントローラ７１の一部（ソフトウエア）には、処理前ウエハおよび処理後ウエハ表示システム（以下、表示システムという。）９０がプログラミングされて組み込まれており、表示システム９０は図４に示されているように構成されている。すなわち、表示システム９０はシーケンス記憶部９１と、処理完了報告受信部９２と、正常異常判断部９３と、ステータス更新部９４と、ステータス判断部９５と、表示制御部９６とを備えており、これらは後述するプロセスフローを実行するように構成されている。
【００１９】
以下、前記構成に係る連続処理装置が使用されたＩＣの製造方法における成膜工程を、説明する。
【００２０】
これから成膜すべきウエハＷは二十五枚がポッドＰに収納された状態で、成膜工程を実施する連続処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。
図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッドＰは第一予備室２０におけるポッドオープナ５０の載置台５１の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッドＰのキャップがキャップ着脱機構５２によって取り外され、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放される。
【００２１】
ポッドＰがポッドオープナ５０によって開放されると、正圧移載室４０に設置された正圧移載装置４２はウエハ搬入搬出口４７を通してポッドＰからウエハＷを一枚ずつピックアップし、第一予備室２０に搬入搬出口２６、２７を通して搬入（ウエハローディング）し、ウエハＷを第一予備室用仮置き台２５に移載して行く。この移載作業中には、負圧移載室１０側の搬入搬出口２２、２３はゲートバルブ２４によって閉じられており、負圧移載室１０の負圧は維持されている。
【００２２】
ポッドＰ内のウエハＷの第一予備室用仮置き台２５への移載が完了すると、正圧移載室４０側の搬入搬出口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられ、第一予備室２０が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。第一予備室２０が予め設定された圧力値に減圧されると、負圧移載室１０側の搬入搬出口２２、２３がゲートバルブ２４によって開かれる。
【００２３】
次に、負圧移載室１０の負圧移載装置１２は搬入搬出口２２、２３を通して第一予備室用仮置き台２５から処理前のウエハＷを一枚ずつピックアップして負圧移載室１０に搬入する。
例えば、負圧移載装置１２は処理前のウエハＷを第一ＣＶＤモジュール６１のウエハ搬入搬出口６５に搬送して、ウエハ搬入搬出口６５から第一ＣＶＤモジュール６１である枚葉式ＣＶＤ装置の処理室へ搬入（ウエハローディング）する。
【００２４】
第一ＣＶＤモジュール６１において所定の成膜処理が終了すると、成膜処理後（成膜済）のウエハＷは第一ＣＶＤモジュール６１から負圧移載装置１２によってピックアップされて、負圧に維持されている負圧移載室１０に第一ＣＶＤモジュール６１のウエハ搬入搬出口６５から搬出（ウエハアンローディング）される。
【００２５】
成膜処理後のウエハＷを第一ＣＶＤモジュール６１から負圧移載室１０に搬出すると、負圧移載装置１２は成膜処理後のウエハＷを第一クーリングモジュール６３の冷却室へウエハ搬入搬出口６７を通して搬入するとともに、冷却室のウエハ載置台に移載する。
ウエハＷは第一クーリングモジュール６３において冷却処理される。
【００２６】
第一クーリングモジュール６３において予め設定された冷却時間が経過すると、冷却処理後のウエハＷは負圧移載装置１２によって第一クーリングモジュール６３からピックアップされて、負圧移載室１０の搬入搬出口２３へ搬送され、第一予備室２０に搬入搬出口２３を通して搬出されて第一予備室用仮置き台２５に移載される。
【００２７】
第一予備室２０のロードロックが解除された後に、正圧移載室４０の第一予備室２０に対応したウエハ搬入搬出口４７がポッドオープナ５０によって開かれるとともに、載置台５１に載置された空のポッドＰのキャップがポッドオープナ５０によって開かれる。
続いて、正圧移載室４０の正圧移載装置４２は第一予備室用仮置き台２５からウエハＷを搬入搬出口２７を通してピックアップして正圧移載室４０に搬出し、正圧移載室４０のウエハ搬入搬出口４７を通してポッドＰに収納（チャージング）して行く。
【００２８】
処理済の二十五枚のウエハＷのポッドＰへの収納が完了すると、ポッドＰのキャップがポッドオープナ５０のキャップ着脱機構５２によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッドＰが閉じられる。閉じられたポッドＰは載置台５１の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
以上の作動が繰り返されることにより、ウエハが一枚ずつ順次に処理されて行く。
【００２９】
以上の作動において、負圧移載装置１２に保持されたウエハＷが第一ＣＶＤモジュール６１によって処理される前のウエハであるのか処理された後のウエハであるのかを識別することができる表示を、制御システム７０は表示装置８２の画面に図７に示されているように映し出す。
なお、図７では実際の連続処理装置構成が表示されるので、ウエハがどの位置にあるかを目視することができる。
【００３０】
この表示制御に際しては、表示システム９０において、図５に示されたウエハの処理ステータスの更新フローおよび図６に示された表示フローが実際に連続処理装置上にあるウエハに対して実行される。
図５に示された更新フローにおいては、処理完了報告受信部９２が第一ＣＶＤモジュール６１のサブコントローラ７５から処理完了報告を受信すると（ステップＡ１）、正常異常判断部９３は受信したウエハのＩＤ（識別番号）をシーケンス記憶部９１に照会して、当該ウエハに関するシーケンスデータと比較し、受信したウエハの処理は「正常に実施されたか」を判断する（ステップＡ２）。
ウエハの処理が正常に実施された場合（ＹＥＳ）にはステップＡ３に進み、ウエハの処理ステータスが「処理済」に更新される。
ウエハの処理が正常に実施されなかった場合（ＮＯ）にはステップＡ４に進み、ウエハの処理ステータスが「エラー」に更新される。
【００３１】
図６に示された表示フローにおいては、第一ＣＶＤモジュール６１のサブコントローラ７５からの処理完了報告を受信すると（ステップＢ１）、処理ステータス判断部９５は「受信したウエハの処理ステータスは処理済か」を判断する（ステップＢ２）。
処理ステータスが処理済である場合（ＹＥＳ）にはステップＢ３に進み、図７に示されているように、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハに処理済を表す色、例えば、赤色を表示させる。
処理ステータスが処理済でない場合（ＮＯ）にはステップＢ４に進み、「ウエハの処理ステータスは未処理か」を判断する。
処理ステータスが未処理である場合（ＹＥＳ）にはステップＢ５に進んで、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハに未処理を表す色、例えば、青色を表示させる。
処理ステータスが未処理でない場合（ＮＯ）にはステップＢ６に進み、「ウエハの処理ステータスはエラーか」を判断する。
処理ステータスがエラーである場合（ＹＥＳ）にはステップＢ７に進んで、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハにエラーを表す色、例えば、茶色を表示させる。
処理ステータスがエラーでない場合（ＮＯ）にはステップＢ８に進み、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハに無色を表示させる。
【００３２】
ところで、連続処理装置が地震等に際して自動的に緊急停止した場合のように、処理済のウエハＷをポッドＰに負圧移載装置１２の手動操作によって回収したい場合がある。
本実施の形態においては、このような場合に処理済のウエハを識別する色分け（赤色）が表示装置８２の画面に表示されているので、処理済のウエハを特定して、負圧移載装置１２の手動操作によってポッドＰに回収することができる。
本実施の形態に係る連続処理装置の場合のように、処理後のウエハと処理前のウエハとが同一の第一予備室２０に対して搬入搬出される場合に、特に、優れた効果を得ることができる。
【００３３】
なお、以上の作動は、第一予備室２０、第一ＣＶＤモジュール６１および第一クーリングモジュール６３が使用される場合を例にして説明したが、第二予備室３０、第二ＣＶＤモジュール６２および第二クーリングモジュール６４が使用される場合についても、同様の作動が実施される。
【００３４】
図８は本発明の第二の実施の形態であるマルチチャンバ型連続処理装置を示す平面断面図である。
【００３５】
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、界面酸化防止膜形成処理、金属酸化膜形成処理および金属酸化膜膜質改善処理を連続して処理する連続処理装置として構成されている。
本実施の形態に係る連続処理装置が、前記第一の実施の形態に係る連続処理装置と異なる点は、次の通りである。
第一予備室２０が搬入専用の予備室（以下、搬入室２０という。）として使用されるように設定されており、第二予備室３０が搬出専用の予備室（以下、搬出室３０という。）として使用されるように設定されている。
第一処理モジュール６１にはマグネトロン型プラズマ源（Modified Magnetron Typed Plasma Source）を用いた処理装置（以下、ＭＭＴ装置という。）が使用されており、第一処理としての界面酸化防止膜形成処理がＭＭＴ装置によって実施されるように構成されている。
第二処理モジュール６２には熱ＣＶＤ装置が使用されており、第二処理としての金属酸化膜形成処理が、熱ＣＶＤ装置によって実施されるように構成されている。
第三処理モジュール６３にはラピッド・サーマル・プロセッサ（以下、ＲＴＰ装置という。）が使用されており、第三処理としての金属酸化膜膜質改善処理がＲＴＰ装置によって実施されるように構成されている。
第四処理モジュール６４には冷却装置が使用されており、処理済みのウエハの冷却が冷却装置によって実施されるように構成されている。
【００３６】
以下、図８に示された連続処理装置を使用して、キャパシタの絶縁膜形成工程（方法）を実施する例を図９について説明する。
なお、図１０は図９に示されたキャパシタの絶縁膜形成方法が実施される場合における同一のウエハの流れを示している。
例えば、図１０において、Ｓ１は図９においてＭＭＴ装置への搬送ステップＳ１に対応する。図９において、界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２は、図１０において第一ＣＶＤモジュール６１で処理されているとわかる。
【００３７】
図９に示されているように、これから連続処理すべきウエハには、下部電極形成工程において下部電極が予め形成されている。すなわち、下部電極形成工程においては、不純物を所定濃度で含むＨＳＧ（Hemispherical Grain ）膜またはドープドシリコン膜がシリコンから成るウエハに形成され、必要に応じて、ホスフィン（ＰＨ3 ） アニールが実施されることにより、下部電極がウエハに形成される。
なお、下部電極が形成されたウエハは洗浄工程において自然酸化膜を除去される。
【００３８】
これから連続処理すべきウエハＷはポッドＰに収納された状態で、キャパシタの絶縁体膜形成工程を実施する連続処理装置へ工程間搬送装置によって搬送されて来る。
ポッドＰは搬入室２０におけるポッドオープナ５０の載置台５１の上に工程間搬送装置から受け渡されて載置される。ポッドＰのキャップがキャップ着脱機構５２によって取り外され、ポッドＰのウエハ出し入れ口が開放される。ポッドＰがポッドオープナ５０によって開放されると、正圧移載装置４２はウエハ搬入搬出口４７を通してポッドＰからウエハＷを一枚ずつピックアップし、搬入室２０に搬入口２６、２７を通して搬入（ウエハローディング）し、ウエハＷを搬入室用仮置き台２５に移載して行く。
この移載作業中には、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３はゲートバルブ２４によって閉じられており、負圧移載室１０の負圧は維持されている。ウエハＷの搬入室用仮置き台２５への移載が完了すると、正圧移載室４０側の搬入口２６、２７がゲートバルブ２８によって閉じられ、搬入室２０が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
搬入室２０が予め設定された圧力値に減圧されると、負圧移載室１０側の搬入口２２、２３がゲートバルブ２４によって開かれる。負圧移載室１０の負圧移載装置１２は搬入口２２、２３を通して搬入室用仮置き台２５からウエハＷを一枚ずつピックアップして負圧移載室１０に搬入する。
【００３９】
ＭＭＴ装置への搬送ステップＳ１においては、図１０に示されているように、負圧移載装置１２は搬入室用仮置き台２５からピックアップしたウエハＷを、第一処理モジュール６１のウエハ搬入搬出口６５に搬送して、ウエハ搬入搬出口６５から第一処理モジュール６１であるＭＭＴ装置の処理室へ搬入（ウエハローディング）する。
なお、ウエハの第一処理モジュール６１への搬入に際しては、搬入室２０および負圧移載室１０が真空排気されることによって内部の酸素や水分が予め除去されているため、外部の酸素や水分がウエハＷの搬入に伴って第一処理モジュール６１であるＭＭＴ装置の処理室に侵入するのを防止することができる。
【００４０】
次の界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２においては、ウエハＷの表面に界面酸化防止膜としてのプラズマ窒化膜がＭＭＴ装置によって形成される。このプラズマ窒化膜の形成に際してのＭＭＴ装置の処理条件は、次の通りである。
高周波電力は１００〜５００Ｗ、処理圧力は２〜１００Ｐａ、窒素ガス流量は１００〜１０００ｓｃｃｍ、処理温度は２５〜６００℃、処理時間は１秒以上、膜厚は１〜３ｎｍ、である。
【００４１】
熱ＣＶＤ装置への搬送ステップＳ３においては、負圧移載装置１２はプラズマ窒化膜が形成されたウエハＷをＭＭＴ装置のサセプタからピックアップして、第一処理モジュール６１から第二処理モジュール６２である熱ＣＶＤ装置へ負圧移載室１０を介して搬送し、その処理室へ搬入（ウエハローディング）する。
【００４２】
金属酸化膜の成膜ステップＳ４においては、界面酸化防止膜としてのプラズマ窒化膜が形成されたウエハＷの上に、金属酸化膜としての酸化タンタル膜が熱ＣＶＤ装置によって形成される。
この酸化タンタル膜の形成に際しての熱ＣＶＤ装置の処理条件は、次の通りである。
成膜温度は３５０〜５００℃、ＰＥＴａの流量は０．０５〜０．５ｓｃｃｍ、処理圧力は１０〜１００Ｐａ、成膜時間は任意であり、膜厚は１ｎｍ以上（通常は８〜１０ｎｍ）、である。
【００４３】
ＲＴＰ装置への搬送ステップＳ５においては、負圧移載装置１２は金属酸化膜としての酸化タンタル膜が形成されたウエハＷを、熱ＣＶＤ装置のウエハ支持台からピックアップして、第二処理モジュール６２から第三処理モジュール６３であるＲＴＰ装置へ負圧移載室１０を介して搬送し、その処理室へ搬入する。
【００４４】
金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６においては、ウエハＷの上に形成された金属酸化膜としての酸化タンタル膜の改善処理が、ＲＴＰ装置によって実施される。金属酸化膜の膜質改善処理はＲＴＰ装置の熱処理によって実施される。この熱処理により、化学量論的に五酸化タンタル（Ｔａ2 Ｏ5 ）に近い組成を有する絶縁体膜が形成される。
【００４５】
冷却装置への搬送ステップＳ７においては、負圧移載装置１２は金属酸化膜の膜質改善処理が施されたウエハＷを、第三処理モジュール６３から第四処理モジュール６４である冷却装置へ負圧移載室１０を介して搬送し、その冷却室へ搬入する。
【００４６】
冷却ステップＳ８においては、ウエハＷの冷却が冷却装置によって実施される。この冷却処理により、ウエハＷはポッドＰに回収可能な温度になる。
【００４７】
ウエハ搬出ステップＳ９においては、冷却されたウエハＷが第四処理モジュール６４から負圧移載室１０を介して搬出室３０へ搬送され、搬出口３３を通して搬出されて搬出室用仮置き台３５に移載される。
【００４８】
この後、搬出室３０のロードロックが解除され、正圧移載室４０の搬出室３０に対応したウエハ搬入搬出口４８がポッドオープナ５０によって開かれるとともに、載置台５１に載置された空のポッドＰのキャップがポッドオープナ５０によって開かれる。続いて、正圧移載室４０の正圧移載装置４２は搬出口３７を通して搬出室用仮置き台３５からウエハＷをピックアップして正圧移載室４０に搬出し、正圧移載室４０のウエハ搬入搬出口４８を通してポッドＰに収納（チャージング）して行く。
処理済みのウエハＷのポッドＰへの収納が完了すると、ポッドＰのキャップがポッドオープナ５０のキャップ着脱機構５２によってウエハ出し入れ口に装着され、ポッドＰが閉じられる。閉じられたポッドＰは載置台５１の上から次の工程へ工程間搬送装置によって搬送されて行く。
【００４９】
図９に示されているように、次の工程は金属酸化膜の結晶化アニール工程である場合が多い。そして、金属酸化膜が結晶化された後に、上部電極形成工程において、窒化チタン等の上部電極が形成され、ＭＩＳ構造のキャパシタ部材が得られる。
【００５０】
ところで、第二処理モジュール６２として使用された熱ＣＶＤ装置においては、金属酸化膜が堆積されるために、処理済のウエハの裏面に反応生成物や未反応生成物等が異物として付着する場合がある。この処理済のウエハを負圧移載装置１２がエンドエフェクタで下から支えて搬送すると、裏面に付着した異物が負圧移載装置１２のエンドエフェクタに転写し、当該転写した異物が処理前のウエハの裏面に転写することにより、連続処理装置の歩留りを低下させる原因になる。
第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハの裏面の異物が処理前のウエハの裏面に転写するのを防止するためには、第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハを搬送するエンドエフェクタを処理前のウエハを搬送するエンドエフェクタと別に設定することが、望ましい。
また、連続処理装置が地震等に際して自動的に緊急停止した場合のように、第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハＷをポッドＰに負圧移載装置１２の手動操作によって回収したい場合においては、第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハを識別する色分けが表示装置８２の画面に表示されていると、第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハを特定して、負圧移載装置１２の専用のエンドエフェクタを使用して手動操作によってポッドＰに回収することができる。
【００５１】
そこで、本実施の形態においては、前述した作動において、負圧移載装置１２に保持されたウエハＷが所定の処理である金属酸化膜形成処理を施す処理モジュールとしての第二処理モジュール６２によって処理される前のウエハであるのか処理された後のウエハであるのかを識別することができる表示を、制御システム７０は表示装置８２の画面に図１１に示されているように映し出す。
ところで、本実施の形態においては、ウエハは第一処理モジュール６１において界面酸化膜防止膜の成膜ステップＳ２を施された後に、第二処理モジュール６２に搬送される。この場合、第一処理モジュール６１でのウエハと第二処理モジュール６２でのウエハとが、図１１のように同じ画面上に表示されることがある。
第一処理モジュール６１でのウエハの表示制御は、前記第一の実施の形態の場合と同様に実施される。すなわち、第一処理モジュール６１でのウエハの表示制御に際しては、表示システム９０において、図５に示されたウエハの処理ステータスの更新フローおよび図６に示された表示フローが実行され、表示装置８２の画面に第一処理モジュール６１でのウエハが図１１に示されているように映し出される。
【００５２】
図１１に示された第二処理モジュール６２でのウエハの画面表示の制御に際しては、表示システム９０（図４参照）において、図１２に示されたウエハのサブステータスの更新フローおよび図１３に示された表示フローが実行される。
図１２に示された更新フローにおいては、処理完了報告受信部９２が第二処理モジュール６２のサブコントローラ７６（図３参照）からの処理完了報告を受信すると（ステップＣ１）、正常異常判断部９３は受信したウエハに付されたＩＤ（識別番号）をシーケンス記憶部９１に照会して、当該ウエハに関するシーケンスデータと比較し、受信したウエハの処理は「正常に実施されたか」を判断する（ステップＣ２）。
ウエハの処理が正常に実施された場合（ＹＥＳ）にはステップＣ３に進み、ウエハのサブステータスが「処理済」に更新される。
ウエハの処理が正常に実施されなかった場合（ＮＯ）にはステップＣ４に進み、ウエハのサブステータスが「エラー」に更新される。
【００５３】
図１３に示された表示フローにおいては、処理完了報告受信部９２が第二処理モジュール６２のサブコントローラ７６からの処理完了報告を受信すると（ステップＤ１）、処理ステータス判断部９５は「受信したウエハの処理ステータスは処理済か」を判断する（ステップＤ２）。
処理ステータスが処理済である場合（ＹＥＳ）にはステップＤ３に進み、図１１に示されているように、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハに処理済を表す色、例えば、赤色を表示させる。
処理ステータスが処理済でない場合（ＮＯ）にはステップＤ４に進み、「ウエハの処理ステータスは未処理か」を判断する。
処理ステータスが未処理である場合（ＹＥＳ）にはステップＤ５に進んで、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハに未処理を表す色、例えば、青色を表示させる。
処理ステータスが未処理でない場合（ＮＯ）にはステップＤ６に進み、「ウエハの処理ステータスはエラーか」を判断する。
処理ステータスがエラーである場合（ＹＥＳ）にはステップＤ７に進んで、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハにエラーを表す色、例えば、茶色を表示させる。
処理ステータスがエラーでない場合（ＮＯ）にはステップＤ８に進み、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハに無色を表示させる。
翻って、ステップＤ３において画面のウエハに処理済色（例えば、赤色）が表示されると、処理ステータス判断部９５は「受信したウエハのサブステータスは更新されているか」を判断する（ステップＤ９）。なお、このサブステータスは、各処理モジュールに対して個別に設定することができる。
サブステータスが更新されている場合（ＹＥＳ）にはステップＤ１０に進み、図１１に示されているように、表示制御部９６は表示装置８２の画面のウエハに「第二処理モジュール６２によって処理されたウエハ」である旨を表す色、例えば、オレンジ色の枠を表示させる。
サブステータスが無い場合（ＮＯ）には表示フローの終了に進む。
【００５４】
以上のようにして、第二処理モジュール６２によって処理されたウエハであることが判断されると、制御システム７０は負圧移載装置１２のサブコントローラ７３（図３参照）に対して、第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハＷを搬送する専用のエンドエフェクタ、例えば、下側エンドエフェクタ１７を使用して当該処理済のウエハＷを搬送するように指令する。
このようにして、第二処理モジュール６２で処理されたウエハＷを専用のエンドエフェクタを使用して搬送することにより、ウエハＷの裏面に異物が第二処理モジュール６２の成膜処理によって付着した場合であっても、第二処理モジュール６２によって処理される前のウエハＷに異物が転写するのを防止することができる。
【００５５】
また、連続処理装置が地震等に際して自動的に緊急停止した場合のように、第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハＷをポッドＰに負圧移載装置１２の手動操作によって回収したい場合においては、第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハを識別する色分け（オレンジ色の枠）が表示装置８２の画面に表示されているので、作業者は第二処理モジュール６２によって処理された処理済のウエハを認識することにより、負圧移載装置１２の専用のエンドエフェクタを使用して手動操作によってポッドＰに回収することができる。
なお、処理済のウエハＷの色は各モジュールの処理に対応させて、異ならせることが可能である。こうすることにより、第二処理モジュール６２において処理されたウエハＷが複数存在する場合に、どのウエハＷを優先させるとよいかの一つの指標となる。
【００５６】
図１４はキャパシタの絶縁体膜形成工程の他の実施の形態を示すフローチャートであり、図１５はそのウエハの流れを示す模式図である。
本実施の形態が前記実施の形態と異なる点は、界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２と金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６とがいずれも、第一処理モジュール６１であるＭＭＴ装置によって実施される点である。
本実施の形態によれば、界面酸化防止膜の成膜ステップＳ２と金属酸化膜の膜質改善ステップＳ６とが、第一処理モジュール６１であるＭＭＴ装置によって実施されるので、処理モジュールの数を低減することができる。
【００５７】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００５８】
例えば、界面酸化防止膜を形成する処理モジュールは、ランプ、ホットウオール、サセプタ加熱、プラズマ等のタイプ（方式）には依存しない。
金属酸化膜を形成する処理モジュールは、ホットウオール、コールドウオール等のタイプには依存しない。
金属酸化膜の膜質改善処理を実施する処理モジュールは、ランプ、ホットウオール、サセプタ加熱、プラズマ、紫外線等のタイプには依存しない。
【００５９】
連続処理装置に投入されるウエハの表面の下部電極は、ＨＳＧ膜またはドープドシリコン膜によって形成するに限らず、ポリシリコン、不純物がドープされたＨＳＧ、不純物がドープされたポリシリコン、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）または窒化チタンによって形成してもよい。
【００６０】
キャパシタ部材は、ＭＩＳ構造に限らず、ＳＩＳ構造やＭＩＭ構造を有するものであってもよい。ＭＩＭ構造のキャパシタ部材の場合には、例えば、下部電極としてルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）等の金属をＣＶＤ法またはＰＶＤ法によって形成し、その上に、絶縁体膜の形成工程によって誘電体層を形成してもよい。
さらに、その場合の上部電極として、ルテニウム、白金、窒化チタン等の金属をＣＶＤ法またはＰＶＤ法によって形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の一実施の形態であるマルチチャンバ型連続処理装置を示す平面断面図である。
【図２】その側面断面図である。
【図３】その制御システムを示すブロック図である。
【図４】表示システムを示すブロック図である。
【図５】処理ステータス更新フローを示すプロセスフローチャートである。
【図６】表示フローを示すプロセスフローチャートである。
【図７】表示画面を示す画面図である。
【図８】本発明の第二の実施の形態であるマルチチャンバ型連続処理装置を示す平面断面図である。
【図９】ＤＲＡＭの製造方法におけるキャパシタの絶縁体膜形成工程を示すフローチャートである。
【図１０】ウエハの流れを示す模式図である。
【図１１】表示画面を示す画面図である。
【図１２】サブステータス更新フローを示すプロセスフローチャートである。
【図１３】表示フローを示すプロセスフローチャートである。
【図１４】キャパシタの絶縁体膜形成工程の他の実施の形態を示すフローチャートである。
【図１５】そのウエハの流れを示す模式図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｗ…ウエハ（基板）、Ｐ…ポッド（基板キャリア）、１０…負圧移載室（搬送室）、１１…負圧移載室筐体、１２…負圧移載装置（搬送装置）、１３…エレベータ、１４…上側アーム（保持部）、１５…下側アーム（保持部）、１６、１７…エンドエフェクタ、２０…第一予備室、２１…第一予備室筐体、２２、２３…搬入搬出口、２４…ゲートバルブ、２５…第一予備室用仮置き台、２６、２７…搬入搬出口、２８…ゲートバルブ、３０…第二予備室、３１…第二予備室筐体、３２、３３…搬入搬出口、３４…ゲートバルブ、３５…第二予備室用仮置き台、３６、３７…搬入搬出口、３８…ゲートバルブ、４０…正圧移載室（ウエハ移載室）、４１…正圧移載室筐体、４２…正圧移載装置（ウエハ移載装置）、４３…エレベータ、４４…リニアアクチュエータ、４５…ノッチ合わせ装置、４６…クリーンユニット、４７、４８、４９…ウエハ搬入搬出口、５０…ポッドオープナ、５１…載置台、５２…キャップ着脱機構、６１…第一ＣＶＤモジュール（第一処理モジュール）、６２…第二ＣＶＤモジュール（第二処理モジュール）、６３…第一クーリングモジュール（第三処理モジュール）、６４…第二クーリングモジュール（第四処理モジュール）、６５、６６、６７、６８…ウエハ搬入搬出口、７０…制御システム（制御装置）、７１…メインコントローラ、７２…ＬＡＮシステム、７３〜７８…サブコントローラ、８１…入力装置、８２…表示装置、８３…記憶装置、８４…ホストコンピュータ、９０…処理前ウエハおよび処理後ウエハ表示システム、９１…シーケンス記憶部、９２…処理完了報告受信部、９３…正常異常判断部、９４…処理ステータス更新部、９５…処理ステータス判断部、９６…表示制御部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006253483.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2006253483.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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