(57)【要約】【課題】本発明は、製造コストの低減と共に製造工程を減らし、薄膜化を容易にし、光特性が改善されたプラズマディスプレイパネルを提供することにある。【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、所定の間隔を置いて結合された上部基板及び下部基板と、前記上部基板上に形成され、光特性の改善物質を含む上部誘電体層とを備える。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔を置いて結合された上部基板及び下部基板と、
前記上部基板上に形成され、光特性の改善物質を含む上部誘電体層とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記光特性の改善物質は、前記誘電体層の１％〜５０％の範囲内で含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記光特性の改善物質は、ネオンカッティング物質からなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記ネオンカッティング物質は、ポルフィリン系染料及びスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記誘電体層は、ＰｂＯ、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＣｏＯ、ＣｕＯのうち少なくとも二つ以上の誘電体形成物質を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記光特性の改善物質と前記上部誘電体層の誘電体形成物質は、スラリまたはペースト状態で混合され、塑性されて誘電体層として形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記上部基板の前面に形成され、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、またはＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
所定の間隔を置いて結合された上部基板及び下部基板と、
前記上部基板上に形成される上部誘電体層と、
前記上部誘電体層上に形成され、光特性の改善物質を含む保護膜とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記光特性の改善物質は、前記保護膜の１％〜５０％の範囲内で含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記光特性の改善物質は、ネオンカッティング物質からなることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記ネオンカッティング物質は、ポルフィリン系染料及びスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記保護膜は、ＭｇＯを含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記光特性の改善物質と前記保護膜の保護膜形成物質は、スラリまたはペースト状態で混合され、塑性されて保護膜として形成されることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記上部基板の前面に形成され、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、またはＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
光特性の改善物質を含む上部基板と、
前記上部基板と所定の間隔を置いて結合された下部基板とを備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記光特性の改善物質は、前記上部基板の１％〜５０％の範囲内で含むことを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記光特性の改善物質は、ネオンカッティング物質からなることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記ネオンカッティング物質は、ポルフィリン系染料及びスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１７に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記光特性の改善物質と前記上部基板の基板形成物質は、スラリまたはペースト状態で混合され、塑性されて上部基板として形成されることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記上部基板の前面に形成され、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、またはＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタをさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに係り、特にプラズマディスプレイパネルの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネル（以下、“ＰＤＰ”という）は、上部パネルと下部パネルとの間に形成された隔壁が一つの単位セルをなす。各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）、またはネオンとヘリウムの混合ガス（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電ガスと、少量のキセノンを含有する不活性ガスが充填されている。高周波電圧により放電されるとき、不活性ガスは、真空紫外線を発生し、隔壁間に形成された蛍光体を発光させて画像が表示される。
【０００３】
特に、３電極交流面放電型のＰＤＰは、放電時に表面に壁電荷が蓄積され、放電により発生するスパッタリングから電極を保護するため、低電圧駆動及び長寿名の長所を有する。
【０００４】
図１は、従来のＰＤＰの構造を示す斜視図である。
【０００５】
図１に示すように、従来のＰＤＰの放電セルは、上部基板１０上に形成された走査電極Ｙ及び維持電極Ｚと、下部基板１８上に形成されたアドレス電極Ｘとを備える。走査電極Ｙ及び維持電極Ｚは、それぞれ透明電極１２Ｙ、１２Ｚと、透明電極１２Ｙ、１２Ｚの線幅より狭い線幅を有し、透明電極の一側のエッジに形成される金属バス電極１３Ｙ、１３Ｚとを備える。
【０００６】
透明電極１２Ｙ、１２Ｚは、通常、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）で上部基板１０上に形成される。金属バス電極１３Ｙ、１３Ｚは、通常、クロム（Ｃｒ）などの金属で透明電極１２Ｙ、１２Ｚ上に形成されて、抵抗が高い透明電極１２Ｙ、１２Ｚによる電圧降下を減らす役割を担う。走査電極Ｙ及び維持電極Ｚが並べて形成された上部基板１０には、上部誘電体層１４及び保護膜１６が積層される。上部誘電体層１４には、プラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜１６は、プラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層１４の損傷を防止すると共に、２次電子の放出効率を向上させる。保護膜１６としては、通常、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が利用される。
【０００７】
アドレス電極Ｘが形成された下部基板１８上には、下部誘電体層２２及び隔壁２４が形成され、下部誘電体層２２及び隔壁２４の表面には、蛍光体層２６が塗布される。アドレス電極Ｘは、走査電極Ｙ及び維持電極Ｚと交差する方向に形成される。隔壁２４は、ストライプ状または格子型に形成されて、放電により生成された紫外線及び可視光が隣接した放電セルに漏れることを防止する。蛍光体層２６は、プラズマ放電時に発生した紫外線により励起されて、赤色、緑色または青色のうちいずれか一つの可視光線を発生させる。上部基板１０及び下部基板１８と隔壁２４との間に設けられた放電空間には、不活性の混合ガスが注入される。
【０００８】
図２は、従来のＰＤＰの画像を具現する方法を示す図である。
【０００９】
図２に示すように、ＰＤＰは、一つのフレーム期間を放電回数が異なる複数のサブフィールドに分けて、入力される映像信号の諧調値に該当するサブフィールド期間にＰＤＰを発光させることにより、画像が具現される。
【００１０】
各サブフィールドは、放電を均一に引き起こすための初期化期間、放電セルを選択するためのアドレス期間、及び放電回数によって階調を具現する維持期間に分けられる。例えば、２５６階調で画像を表示しようとする場合に、１／６０秒に該当するフレーム期間（１６．６７ｍｓ）は、８個のサブフィールドに分けられる。
【００１１】
また、８個のサブフィールドそれぞれは、初期化期間、アドレス期間及び維持期間に分けられる。ここで、維持期間は、各サブフィールドで２ｎ（ｎ＝０、１、２、３、４、５、６、７）の割合で増加する。このように、各サブフィールドにおける維持期間が異なるので、画像の諧調を具現することができる。
【００１２】
このように駆動されるＰＤＰでは、上部基板１０上に、多機能性の前面フィルタが設置される。すなわち、従来には、電磁波の遮蔽、近赤外線（以下、“ＮＩＲ”という）の遮蔽、色純度の向上及び外光の反射などの目的を達成するために、前面フィルタを使用する。しかし、従来の前面フィルタは、複数の層からなるため、所定以上の厚さに形成されるという問題点が発生する。特に、前面フィルタに備えられる光特性改善膜は、光特性の改善物質自体のみで改善膜を形成しにくいので、工程時間が長くなり、製造単価が上昇するという問題点が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の目的は、製造コストの低減すると共に、製造工程を減らすことができるＰＤＰを提供するところにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、薄膜化を容易にすることができるＰＤＰを提供するところにある。
【００１５】
本発明のまた他の目的は、光特性が改善されたＰＤＰを提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記の目的を達成するために、本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰは、所定の間隔を置いて結合された上部基板及び下部基板と、前記上部基板上に形成され、光特性の改善物質を含む上部誘電体層とを備えることを特徴とする。
【００１７】
前記光特性の改善物質は、前記誘電体層の１％〜５０％の範囲内で混合されることを特徴とする。
【００１８】
前記光特性の改善物質は、ネオンカッティング物質からなることを特徴とする。
【００１９】
前記ネオンカッティング物質は、ポルフィリン系染料及びスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする。
【００２０】
前記誘電体層は、ＰｂＯ、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＣｏＯ、ＣｕＯのうち少なくとも二つ以上の誘電体形成物質を含むことを特徴とする。
【００２１】
前記光特性の改善物質と前記上部誘電体層の誘電体形成物質は、スラリまたはペースト状態で混合され、塑性されて誘電体層として形成されることを特徴とする。
【００２２】
前記上部基板の前面に形成され、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、ＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタをさらに備えることを特徴とする。
【００２３】
本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰは、所定の間隔を置いて結合された上部基板及び下部基板と、前記上部基板上に形成される上部誘電体層と、前記上部誘電体層上に形成され、光特性の改善物質を含む保護膜とを備えることを特徴とする。
【００２４】
前記光特性の改善物質は、前記保護膜の１％〜５０％の範囲内で混合されることを特徴とする。
【００２５】
前記光特性の改善物質は、ネオンカッティング物質からなることを特徴とする。
【００２６】
前記ネオンカッティング物質は、ポルフィリン系染料及びスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする。
【００２７】
前記保護膜は、ＭｇＯを含むことを特徴とする。
【００２８】
前記光特性の改善物質と前記保護膜の保護膜形成物質は、スラリまたはペースト状態で混合され、所定の温度で塑性されて保護膜として形成されることを特徴とする。
【００２９】
前記上部基板の前面に形成され、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、ＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタをさらに備えることを特徴とする。
【００３０】
本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰは、光特性の改善物質を含む上部基板と、前記上部基板と所定の間隔を置いて結合された下部基板とを備えることを特徴とする。
【００３１】
前記光特性の改善物質は、前記上部基板の１％〜５０％の範囲内で混合されることを特徴とする。
【００３２】
前記光特性の改善物質は、ネオンカッティング物質からなることを特徴とする。
【００３３】
前記ネオンカッティング物質は、ポルフィリン系染料及びスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする。
【００３４】
前記光特性の改善物質と前記上部基板の基板形成物質は、スラリまたはペースト状態で混合され、所定の温度で塑性されて上部基板として形成されることを特徴とする。
【００３５】
前記上部基板の前面に形成され、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、ＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタをさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、ＰＤＰの製造コストの低減すると共に、製造工程を減らすことができるという効果がある。
【００３７】
また、ＰＤＰの薄膜化を容易にすることができるという効果がある。
【００３８】
また、ＰＤＰの光特性を改善することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
前記の目的以外に本発明の他の目的及び特徴は、添付図面を参照した実施形態についての説明を通じて明白に表れる。
【００４０】
＜第１の実施の形態＞
図３は、本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰを示す斜視図である。
【００４１】
図３に示すように、本実施の形態によるＰＤＰは、上部基板１１０と下部基板１１８が、所定の間隔を置いて結合されて形成される。
【００４２】
上部基板１１０上には、走査電極Ｙ及び維持電極Ｚが形成される。走査電極Ｙ及び維持電極Ｚは、それぞれ透明電極１１２Ｙ、１１２Ｚと、透明電極１１２Ｙ、１１２Ｚの線幅より狭い線幅を有し、透明電極の一側のエッジに形成される金属バス電極１１３Ｙ、１１３Ｚとを備える。
【００４３】
透明電極１１２Ｙ、１１２Ｚは、通常、ＩＴＯで上部基板１１０上に形成される。金属バス電極１１３Ｙ、１１３Ｚは、通常、クロム（Ｃｒ）などの金属で透明電極１１２Ｙ、１１２Ｚ上に形成されて、抵抗が高い透明電極１１２Ｙ、１１２Ｚによる電圧降下を減らす役割を担う。
【００４４】
走査電極Ｙ及び維持電極Ｚが平行に形成された上部基板１１０には、上部誘電体層１１４及び保護膜１１６が積層される。上部誘電体層１１４には、プラズマ放電時に発生した壁電荷が蓄積される。保護膜１１６は、プラズマ放電時に発生したスパッタリングによる上部誘電体層１１４の損傷を防止すると共に、２次電子の放出効率を向上させる。保護膜１１６としては、通常、ＭｇＯが利用される。
【００４５】
このような本実施の形態による上部誘電体層１１４には、光特性を改善するために光特性の改善物質が含まれる。光特性の改善物質は、ＰＤＰから放出されるイエロー波長の光を吸収する。イエロー波長の光を吸収することによって、相対的に赤色光の色純度が向上する。光特性の改善物質は、イエロー波長の光を吸収できるネオンカッティング物質で形成することが好ましい。光特性の改善物質が、上部誘電体層１１４に含まれると、従来の前面フィルタに含まれた光特性改善膜を除去することができる。これについての詳細な説明は後述する。
【００４６】
下部基板１１８上には、アドレス電極Ｘが形成される。アドレス電極Ｘが形成された下部基板１１８上には、下部誘電体層１２２及び隔壁１２４が積層される。下部誘電体層１２２及び隔壁１２４の表面には、蛍光体層１２６が塗布される。
【００４７】
アドレス電極Ｘは、走査電極Ｙ及び維持電極Ｚと交差する方向に形成される。下部誘電体層１２２は、アドレス電極Ｘを保護すると共に、放電により生成された可視光を、上部基板１１０の方向に反射する。隔壁１２４は、ストライプ状または格子型に形成されて、放電により生成された紫外線及び可視光が隣接した放電セルに漏れることを防止する。
【００４８】
蛍光体層１２６は、プラズマ放電時に発生した紫外線により励起されて、赤色、緑色または青色のうちいずれか一つの可視光線を発生させる。このような上部基板１１０及び下部基板１１８と隔壁１２４との間に設けられた放電空間には、不活性の混合ガスが注入される。
【００４９】
なお、本実施の形態では、上部基板１１０の前面に前面フィルタ１３０が形成される。前面フィルタ１３０は、電磁波を遮蔽すると共に外光の反射を防止する。ここで、本実施の形態による前面フィルタ１３０は、図４に示すように、光特性の改善膜が含まれていない。
【００５０】
図４は、本実施の形態による前面フィルタを示す断面図である。
【００５１】
図４に示すように、本実施の形態による前面フィルタ１３０は、無反射膜１５０、ガラス１５４、ＥＭＩ遮蔽膜１５６、ＮＩＲ遮蔽膜１５８のうち少なくとも一つで構成される。すなわち、前記無反射膜１５０、ガラス１５４、ＥＭＩ遮蔽膜１５６、ＮＩＲ遮蔽膜１５８のうち少なくとも一つ、あるいは、２つ以上で構成され、従来とは異なり、光特性改善膜が除去される。
【００５２】
無反射膜１５０は、外部からＰＤＰに入射される光が再び外部に反射されることを防止する。これによって、ＰＤＰの明室コントラストを向上させる。
【００５３】
ガラス１５４は、前面フィルタ１３０を支持し、外部の衝撃による前面フィルタ１３０の破損を防止する。このガラス１５４は、前面フィルタ１３０に備えられないこともある。
【００５４】
ＥＭＩ遮蔽膜１５６は、ＥＭＩを遮蔽してＰＤＰの駆動時に発生するＥＭＩが外部に放出されることを防止する。
【００５５】
ＮＩＲ遮蔽膜１５８は、ＰＤＰから入射されるＮＩＲを遮蔽する。前記ＮＩＲ遮蔽膜１５８は、リモコンなどからＰＤＰに供給される信号が正常的に伝達可能に、基準以上のＮＩＲがＰＤＰの外部に放出されることを防止する。
【００５６】
また、本実施の形態では、前面フィルタ１３０の各膜１５０、１５４、１５６、１５８間には、図示していない接着層がさらに形成されていてもよい。
【００５７】
このように前面フィルタ１３０に、光特性改善膜が備えられていないことにより、従来に比べてＰＤＰを薄型化できる。そして、別途の光特性改善膜を形成しないことにより、製造コストの低減と共に工程時間を短縮できる。
【００５８】
図５は、本実施の形態による上部誘電体層を形成する過程を説明するための図である。
【００５９】
図５に示すように、まず、誘電体形成物質と光特性の改善物質とを混合する（Ｓ２００）。誘電体形成物質は、ＰｂＯ、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＣｏＯ、ＣｕＯであり、光特性の改善物質は、図６ａのポルフィリン系染料、または、図６ｂのスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つ以上の物質を含むネオンカッティング物質である。この際、上部誘電体層は、誘電体形成物質のうち少なくとも２つ以上と、光特性の改善物質、すなわち、ネオンカッティング物質のうち少なくとも一つを含んで構成される。光特性の改善特性と誘電体特性が効果的に得られるように、光特性の改善物質が誘電体層の１％〜５０％の範囲内で追加される。以後、説明の便宜上、誘電体物質と光特性の改善物質との混合物を第１混合物質と称する。
【００６０】
次に、第１混合物質は、上部基板上に塗布可能にスラリまたはペースト状態に変化する（Ｓ２０２）。このために、第１混合物質に所定の溶媒が追加される。ここで、溶媒は、誘電体層形成物質をスラリまたはペースト状態に変化させるときに使われる公知の溶液が選択されうる。
【００６１】
次に、スラリまたはペースト状態に変化した第１混合物質を、上部基板に塗布する（Ｓ２０４）。塗布方法としては、搬送テーブルに位置した上部基板に、スラリまたはペーストの供給ユニットを用いて第１混合物質を塗布するスロットコート法がある。また、ロールを用いるロールコート法がある。さらに、グリーンシートを用いてラミネートするグリーンシートラミネート法がある。
【００６２】
次に、塗布された第１混合物質は、塑性して上部誘電体層の形成過程を完成する（Ｓ２０６）。第１混合物質で形成された上部誘電体層は、誘電体層の役割及び光特性改善膜の役割を同時に担う。すなわち、上部誘電体層には、放電により所定の壁電荷が形成される。そして、上部誘電体層は、プラズマ放電により生成されたイエロー波長の光を一部吸収することによって、赤色光の色純度を向上させる。
【００６３】
＜第２の実施の形態＞
本発明の第２の実施の形態によるＰＤＰも、上述した第１の実施の形態によるＰＤＰと同様に、上部基板と下部基板が、所定の間隔を置いて結合されて形成される。
【００６４】
上部基板上には、走査電極及び維持電極が形成される。走査電極及び維持電極は、それぞれ透明電極と、透明電極の線幅より狭い線幅を有し、透明電極の一側のエッジに形成される金属バス電極とを備える。さらに、操作電極と維持電極が平行に形成された上部基板には、上部誘電体層と保護膜が積層される。
【００６５】
ここで、本実施の形態による保護膜には、光特性を改善するために光特性の改善物質が含まれる。光特性の改善物質は、ＰＤＰから放出されるイエロー波長の光を吸収する。イエロー波長の光を吸収することによって、相対的に赤色光の色純度が向上する。光特性の改善物質は、イエロー波長の光を吸収できるネオンカッティング物質で形成することが好ましい。光特性の改善物質が、保護膜に含まれると、従来の前面フィルタに含まれた光特性改善膜を除去することができる。
【００６６】
下部基板上には、アドレス電極が形成される。アドレス電極が形成された下部基板上には、下部誘電体層及び隔壁が積層される。下部誘電体層及び隔壁の表面には、蛍光体層が塗布される。ここで、保護膜を除いた各構成要素については、図３の第１の実施の形態によるＰＤＰと実質的に同様であるので、重複する説明は省略する。
【００６７】
なお、本実施の形態でも、上部基板の前面に、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、ＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタが形成され、従来とは異なり、光特性改善膜が除去される。このように前面フィルタに、光特性改善膜が備えられていないことにより、従来に比べてＰＤＰを薄型化できる。そして、別途の光特性改善膜を形成しないことにより、製造コストの低減と共に工程時間を短縮できる。
【００６８】
図７は、本実施の形態による保護膜を形成する過程を説明するための図である。
【００６９】
図７に示すように、まず、保護膜形成物質と光特性の改善物質とを混合する（Ｓ２１０）。保護膜形成物質は、ＭｇＯを含む。また、光特性の改善物質は、図６ａのポルフィリン系染料、または、図６ｂのスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つ以上の物質を含むネオンカッティング物質である。この際、保護膜は、ポルフィリン系染料またはスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つとＭｇＯを含んで構成される。光特性の改善特性と保護膜特性が効果的に得られるように、光特性の改善物質が保護膜の１％〜５０％の範囲内で追加される。以後、説明の便宜上、保護膜形成物質と光特性の改善物質との混合物を第２混合物質と称する。
【００７０】
次に、第２混合物質は、上部誘電体層上に塗布可能にスラリまたはペースト状態に変化する（Ｓ２１２）。このために、第２混合物質に所定の溶媒が追加される。ここで、溶媒は、保護膜形成物質をスラリまたはペースト状態に変化させるときに使われる公知の溶液が選択されうる。
【００７１】
次に、スラリまたはペースト状態に変化した第２混合物質を、上部誘電体層上に塗布する（Ｓ２０４）。塗布方法としては、搬送テーブルに位置した上部誘電体層が形成された上部基板に、スラリまたはペーストの供給ユニットを用いて第２混合物質を塗布するスロットコート法がある。また、ロールを用いるロールコート法がある。さらに、グリーンシートを用いてラミネートするグリーンシートラミネート法がある。
【００７２】
次に、塗布された第２混合物質は、所定の温度で塑性して保護膜の形成過程を完成する（Ｓ２０６）。第２混合物質で形成された保護膜は、保護膜の役割及び光特性改善膜の役割を同時に担う。すなわち、保護膜は、上部誘電体膜を保護すると共に、プラズマ放電により生成されたイエロー波長の光を一部吸収することによって、赤色光の色純度を向上させる。
【００７３】
＜第３の実施の形態＞
本発明の第３の実施の形態によるＰＤＰも、上述した第１及び第２の実施の形態によるＰＤＰと同様に、上部基板と下部基板が、所定の間隔を置いて結合されて形成される。
【００７４】
この際、本実施の形態では、上述した第１及び第２の実施の形態とは異なり、上部基板に光特性を改善するために光特性の改善物質が含まれる。これによって、従来の前面フィルタに含まれた光特性改善膜を除去することができる。
【００７５】
下部基板上には、アドレス電極が形成される。アドレス電極が形成された下部基板上には、下部誘電体層及び隔壁が積層される。下部誘電体層及び隔壁の表面には、蛍光体層が塗布される。ここで、保護膜を除いた各構成要素については、図３の第１の実施の形態によるＰＤＰと実質的に同様であるので、重複する説明は省略する。
【００７６】
なお、本実施の形態でも、上部基板の前面に、無反射膜、ガラス、ＥＭＩ遮蔽膜、ＮＩＲ遮蔽膜のうち少なくとも一つで構成される前面フィルタが形成され、従来とは異なり、光特性改善膜が除去される。このように前面フィルタに、光特性改善膜が備えられていないことにより、従来に比べてＰＤＰを薄型化できる。そして、別途の光特性改善膜を形成しないことにより、製造コストの低減と共に工程時間を短縮できる。
【００７７】
また、本実施の形態による上部基板は、ポルフィリン系染料またはスクアリリウム系染料のうち少なくとも一つ以上の物質を含むネオンカッティング物質、すなわち、光特性の改善物質と、上部基板の基板形成物質とをスラリまたはペースト状態で混合して形成する。この際、光特性の改善物質が上部基板の１％〜５０％の範囲内で追加される。
【００７８】
前述したように、本発明の実施形態のＰＤＰによれば、上部誘電体層、保護膜または上部基板のうち少なくとも一つに光特性の改善物質が含まれる。このため、ＰＤＰから外部に放出されるイエロー波長の光を吸収する。これによって、本発明は、前面フィルタにおける光特性改善膜を除去でき、ＰＤＰの薄型化と共に製造コストを低減できる。
【００７９】
以上説明した内容を通じて、当業者であれば、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であるということが分かる。したがって、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明は、ＰＤＰ関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】従来のＰＤＰの構造を示す斜視図である。
【図２】従来のＰＤＰの画像を具現する方法を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態によるＰＤＰを示す斜視図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による前面フィルタを示す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による上部誘電体層を形成する過程を説明するための図である。
【図６】図６ａ及び図６ｂは、本発明の一実施の形態による光特性の改善物質を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態による保護膜を形成する過程を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８２】
１１０ 上部基板
１１２Ｙ、１１２Ｚ 透明電極
１１３Ｙ、１１３Ｚ バス電極
１１４、１２２ 誘電体層
１１６ 保護膜
１１８ 下部基板
１２４ 隔壁
１２６ 蛍光体層
１３０ 前面フィルタ
１５０ 無反射膜
１５４ ガラス
１５６ ＥＭＩ遮蔽膜
１５８ ＮＩＲ遮蔽膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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