(57)【要約】【課題】  位相同期精度の向上及び応答性の向上を図ることのできるマイクロ波発生装置及びマイクロ波送電装置並びに宇宙太陽発電システムを提供することを目的とする。【解決手段】  マグネトロン１には、マグネトロン１の固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号が注入同期回路２０により注入される。これにより、マグネトロン１の出力周波数は、この基準信号の周波数に引き込まれる。一方、このマグネトロン１の出力の一部、並びに、基準信号の一部は、フィードバック制御回路２１に入力され、ここで両者の位相誤差が求められ、この位相誤差に応じた制御量が注入同期回路２０にフィードバックされ、この制御量に応じて位相が調整された基準信号が、注入同期回路によりマグネトロン１に注入されることとなる。このようにして、フィードバック制御が行われることにより、マグネトロン１の出力の周波数及び位相を所望の値に収束させることが可能となる。【選択図】      図１
2006253826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を前記マグネトロンに注入して、前記マグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、
前記マグネトロンの出力位相と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて、前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段と
を具備するマイクロ波発生装置。
【請求項２】
前記注入同期手段は、前記フィードバック制御手段から与えられる制御量に基づいて、前記基準信号の移相量を変化させる可変移相器を備え、
前記フィードバック制御手段は、前記位相誤差と予め設定されている目標位相値とを比較し、前記目標位相値からの偏差に応じた制御量を前記可変移相器へフィードバックする移相器制御手段を備える請求項１に記載のマイクロ波発生装置。
【請求項３】
前記目標位相値は、前記フィードバック制御手段を開ループにした状態において、前記マグネトロンに注入される基準信号の位相を０°から３６０°まで変化させ、このときの前記基準信号と前記マグネトロンの出力との位相誤差に基づいて設定される請求項１又は請求項２に記載のマイクロ波発生装置。
【請求項４】
複数のマグネトロンと、
複数の前記マグネトロンに対して、各前記マグネトロンの固有発振周波数に近い共通の周波数を持つ基準信号を注入し、複数の前記マグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、
複数の前記マグネトロンの出力を合成して出力するハイブリッド型電力合成回路と、
前記ハイブリッド型電力合成回路によって合成された複数の前記マグネトロンの合成出力と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段と
を具備するマイクロ波発生装置。
【請求項５】
前記マグネトロンの温度を検出する温度検出手段と、
前記基準信号の周波数と前記マグネトロンの固有発振周波数との誤差がゼロとなる目標温度値に、前記マグネトロンの温度を調整する温度調整手段と
を具備する請求項１から請求項４のいずれかの項に記載のマイクロ波発生装置。
【請求項６】
マイクロ波を発振する発振モジュールと、前記発振モジュールにて発振されたマイクロ波を送電する送電アンテナとを備えるマイクロ波送電装置であって、
前記発振モジュールと前記送電アンテナとの間に設けられ、前記発振モジュールの初期調整を行う校正時には、前記送電アンテナからの不要な放射を避けるように、前記発振モジュールからのマイクロ波の出力方向を制御する出力制御手段を備えるマイクロ波送電装置。
【請求項７】
前記発振モジュールは、
マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を前記マグネトロンに注入してマグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、
前記マグネトロンの発振出力と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段と
を具備する請求項６に記載のマイクロ波送電装置。
【請求項８】
宇宙空間に設けられた太陽発電パネルと、
前記太陽発電パネルが発生した電力を受けてマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置と、
前記マイクロ波発生装置から出力されたマイクロ波を送電する送電アンテナと
を備える宇宙太陽発電システムであって、
前記マイクロ波発生装置は、
マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を前記マグネトロンに注入してマグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、
前記マグネトロンの出力位相と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段と
を具備する宇宙太陽発電システム。
【請求項９】
前記マイクロ波発生装置と前記送電アンテナとの間に設けられ、前記マイクロ波発生装置の初期調整を行う校正時には、前記送電アンテナからの不要な放射を避けるように、前記マイクロ波発生装置からのマイクロ波の出力方向を制御する出力制御手段を備える宇宙太陽発電システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、宇宙空間に巨大な太陽電池パネルを広げ、発生した電力をマイクロ波で地上に送信するようにした宇宙太陽発電システムに用いられるマイクロ波発生装置などに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、宇宙航空研究開発機構（ＪＡＸＡ：Japan Aerospace Exploration Agency）では、将来の化石燃料の枯渇に備えて太陽エネルギーの有効利用を目的に、宇宙空間に大型太陽電池パネルを設置し、得られた電力をマイクロ波やレーザ光に変換して地上に送るSSPS
（Space  Solar  Power  System）構想を発表している。
このSSPSでは、例えば、マイクロ波を利用する場合、赤道上空3万6000kmの静止軌道上に、図１１に示すような、5km×10km程度の大きさの太陽電池パネル１００を有した宇宙エネルギー利用システムを打ち上げ、太陽光１０１によって発電した電力をパネルの中の発振モジュール（1m×0.5m×0.3m程度の大きさ）１０２でマイクロ波１０３に変換して、送電アンテナ１０４により地上に設けた受信用アンテナ１０５に送り、電力などのエネルギーとして利用するもので、将来的には１００万ＫＷ級の発電を目指している。
【０００３】
上記SSPSに用いられる発振モジュールには、高効率、高出力な利点を持つマグネトロンの利用が検討されている。しかしながら、マグネトロンは周波数安定度が悪いため、マグネトロンを用いたマイクロ波発振モジュールは、出力位相の安定化が困難で、例えば、アクティブフェーズアレイのように高精度の位相制御が要求されるアンテナ装置には使用することができないという欠点があった。
【０００４】
そこで、例えば、図１２に示すように、近年、注入同期法において、マグネトロンの陽極電流のフィードバック制御を取り入れることにより、マグネトロンの発振周波数の安定化を図る技術が提案されている（例えば、特開平２００２−４３８４８号公報など）。
【０００５】
この図１２に示される従来のマイクロ波発生装置は、ＤＣ電源２００によりマグネトロン２０１のアノード（陽極）とカソード（陰極）との間に電流（以下「陽極電流」という。）を流して発振状態とし、この状態において、基準信号発生器２０２によって生成された基準信号をサーキュレータ２０３を介してマグネトロン２０１に注入し、マグネトロン２０１の発振周波数を基準信号に同期させる。このマグネトロン２０１から放射されるマイクロ波は、サーキュレータ２０３により取り出され、方向性結合器２０４によって一部分岐されて、ミキサ２０５に入力される。
【０００６】
ミキサ２０５では、基準信号との比較が行われ、この比較結果がＬＰＦ（ローパスフィルタ）２０６を介してＰＣ２０７に入力される。ＰＣ２０７では、マイクロ波出力と基準信号との周波数誤差及び位相誤差が求められ、この誤差分を解消させる制御量がＤＣ電源２００にフィードバックされる。これにより、ＤＣ電源２００からマグネトロン２０１に入力される電流量が調節され、マグネトロン２０１の出力が所定の周波数及び位相に収束されることとなる。
【特許文献１】特開平２００２−４３８４８号公報（第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上述した従来のマイクロ波発生装置によれば、マグネトロン２０１の出力位相を基準信号位相に収束させるために、例えば、初期校正時にミキサ２０５の出力目標値を決め、ＰＣ２０７に記憶させておく必要がある。
このとき、ミキサ２０５の出力ＶIFは、例えば、以下の（１）式で与えられる。
【数１】
2006253826.tif 000003
【０００８】
上記（１）式において、第１項は、ミキサ２０５において混合される基本直流成分であり、基準信号の振幅Ａ1及びマグネトロンの出力振幅Ａ2並びに位相差（θ1−θ2）に応じて変化する。第２項は、両信号の入力レベルによって変化するオフセット成分が足し合わされた成分であり、上記目標値を決定する際には、このオフセット成分を求める必要がある。第３項は、ミキサ出力のノイズ成分であり、ミキサ２０５の後段に設けられているＬＰＦ２０６により除去される成分である。
【０００９】
例えば、図１２に示したマイクロ波発生装置において、上記ミキサの出力目標値を決定する際には、例えば、ＰＣ２０７とＤＣ電源２００とを非接続状態とした開ループの状態において、ＤＣ電源２００からマグネトロン２０１に与える陽極電流を除々に変化させ、このときのＬＰＦ２０６の出力をＰＣ２０７にて計測し、この計測結果から上記ミキサの出力目標値を設定している。
【００１０】
しかしながら、一般的にマグネトロン２０１は、陽極電流を変化させると、その出力位相及び出力振幅が変化するという性質を有しているため、陽極電流を変化させながらミキサの出力目標値を設定するという従来の手法では、上述した（１）式における第１項及び第２項に含まれているマグネトロンの振幅Ａ2が変化してしまい、第２項に示されるオフセット成分を高い精度で求めることができないという問題があった。このため、従来のマイクロ波発生装置では、正確な出力目標値を設定することが困難であり、この結果、位相同期精度などの低下を招いているという問題があった。
【００１１】
また、上述したように、従来のマイクロ波発生装置では、陽極電流を変化させることによりマグネトロン２０１を制御するため、出力位相だけでなく、出力振幅の同期精度も低下するおそれがある。これにより、例えば、アクティブフェーズドアレイなどに使用された場合には、励振振幅分布の変動に起因した放射パターンの劣化が生じるという問題がある。
【００１２】
更に、上述した従来のマイクロ波発生装置では、フィードバックループ内に、応答の遅いＤＣ電源２００が含まれているために、応答性が悪いという問題があった。例えば、図１２に示した従来のマイクロ波発生装置では、基準信号の位相が変化して、位相の同期が外れた後、再び同期するまでに、約４秒程度の時間がかかるなどの不都合が生じていた。
【００１３】
本発明は、上記問題を解決するためになされたもので、位相同期精度の向上及び応答性の向上を図ることのできるマイクロ波発生装置及びマイクロ波送電装置並びに宇宙太陽発電システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明は、マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を前記マグネトロンに注入して、前記マグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、前記マグネトロンの出力位相と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて、前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段とを具備するマイクロ波発生装置を提供する。
【００１５】
上記構成によれば、マグネトロンには、マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号が注入同期手段により注入される。これにより、各マグネトロンの出力周波数は、この基準信号の周波数に引き込まれる。一方、このマグネトロンの出力の一部、並びに、基準信号の一部は、フィードバック制御手段に入力され、ここで両者の位相誤差が求められ、この位相誤差に応じた制御量が注入同期手段にフィードバックされ、この制御量に応じて位相が調整された基準信号が、注入同期手段によりマグネトロンに注入されることとなる。このようにして、フィードバック制御が行われることにより、マグネトロンの出力の周波数及び位相を所望の値に収束させることが可能となる。
【００１６】
ここで、上記構成では、陽極電流を変化させて、マグネトロンの出力を制御するのではなく、基準信号の位相を変化させることによりマグネトロンの出力を制御するので、陽極電流に起因するマグネトロンの出力振幅の変動、出力位相の変動を解消させることが可能となる。これにより、同期精度を向上させることが可能となる。
【００１７】
また、陽極電流をフィードバック制御しないことから、応答の遅い高圧直流安定化電源をフィードバックループの外に設けることが可能となるので、応答性を向上させることが可能となる。この結果、例えば、位相の同期状態が外れてから、再び同期するまでの時間を大幅に短縮することができる。
【００１８】
上記記載のマイクロ波発生装置において、前記注入同期手段は、前記フィードバック制御手段から与えられる制御量に基づいて、前記基準信号の移相量を変化させる可変移相器を備え、前記フィードバック制御手段は、前記位相誤差と予め設定されている目標位相値とを比較し、前記目標位相値からの偏差に応じた制御量を前記可変移相器へフィードバックする移相器制御手段を備えると良い。
【００１９】
上記構成によれば、フィードバック制御手段が備える移相器制御手段により、マグネトロンの出力と基準信号との位相誤差が求められ、更に、この位相誤差と予め設定されている目標位相値との偏差分に応じた制御量が、注入同期手段が備える可変移相器に入力される。そして、可変移相器により、基準信号の位相が上記移相器制御手段から与えられた制御量に応じて調整され、この調整後の基準信号がマグネトロンに注入されることとなる。そして、このようなフィードバック制御が行われることにより、マグネトロンの出力位相を所望の位相に収束させることが可能となる。
【００２０】
上記記載のマイクロ波発生装置において、前記目標位相値は、前記フィードバック制御手段を開ループにした状態において、前記マグネトロンに注入される基準信号の位相を０°から３６０°まで変化させ、このときの前記基準信号と前記マグネトロンの出力との位相誤差に基づいて設定されると良い。
【００２１】
上記構成によれば、目標位相値は、以下のようにして設定される。まず、フィードバック制御手段を開ループにした状態、つまり、所定の制御量が注入同期手段にフィードバックされない状態において、マグネトロンに対して位相を０°から３６０°変化させた基準信号を注入する。そして、このときのマグネトロンの出力と基準信号との位相誤差を計測し、この計測結果の中央値を目標位相値として設定する。
【００２２】
このように、マグネトロンの陽極電流を変化させずに、目標位相値が設定されるので、マグネトロンの出力振幅の変化に起因する目標位相値のオフセット誤差などを解消することが可能となる。これにより、高い精度で設定された目標位相値に基づいてフィードバック制御が行われるので、同期制度を更に向上させることが可能となる。
【００２３】
本発明は、複数のマグネトロンと、複数の前記マグネトロンに対して、各前記マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を注入し、複数の前記マグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、複数の前記マグネトロンの出力を合成して出力するハイブリッド型電力合成回路と、前記ハイブリッド型電力合成回路によって合成された複数の前記マグネトロンの合成出力と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段とを具備するマイクロ波発生装置を提供する。
【００２４】
上記構成によれば、複数のマグネトロンには、マグネトロンの固有発振周波数に近い共通の周波数を持つ基準信号が注入同期手段により注入される。これにより、各マグネトロンの出力周波数は、この基準信号の周波数に引き込まれ、この出力は、ハイブリッド型電力合成回路により合成されて出力される。ハイブリッド型電力合成回路の合成出力、並びに、基準信号は、フィードバック制御手段に入力され、ここで両者の位相誤差が求められ、この位相誤差に応じた制御量が注入同期手段にフィードバックされ、この制御量に応じて位相が調整された基準信号が、注入同期手段によりマグネトロンに注入されることとなる。このようにして、フィードバック制御が行われることにより、各マグネトロンの出力周波数及び出力位相を所望の値に収束させることが可能となる。
【００２５】
この場合において、上記構成では、個々のマグネトロンの出力をハイブリッド型電力合成回路により合成し、この合成出力に基づいてフィードバック制御が実施されるため、位相制御などに用いられる移相制御回路やサーキュレータなどの各種構成要素の削減を図ることが可能となる。
【００２６】
なお、上記ハイブリッド型電力合成回路によって合成された複数の前記マグネトロンの出力の位相は、例えば、各前記マグネトロンの出力位相の中心位相となる。また、上記ハイブリッド型電力合成回路によって合成された複数の前記マグネトロンの出力の振幅は、例えば、各前記マグネトロンの出力の相対位相によって決定される。
【００２７】
上記記載のマイクロ波発生装置は、前記マグネトロンの温度を検出する温度検出手段と、前記基準信号の周波数と前記マグネトロンの固有発振周波数との誤差がゼロとなる目標温度値に、前記マグネトロンの温度を調整する温度調整手段とを更に備えると良い。
【００２８】
マグネトロンの出力位相は、マグネトロンの温度によって変化し、外気温度の変化などの外乱により変動することとなる。
そこで、上記構成によれば、マグネトロンの温度を温度検出手段により検出し、温度調整手段により、基準信号の周波数とマグネトロンの固有発振周波数との誤差がゼロとなる目標温度値に、マグネトロンの温度が調整されるので、温度に起因する出力位相の誤差を解消することが可能となる。これにより、同期制御の精度を更に向上させることが可能となる。
【００２９】
本発明は、マイクロ波を発振する発振モジュールと、前記発振モジュールにて発振されたマイクロ波を送電する送電アンテナとを備えるマイクロ波送電装置であって、前記発振モジュールと前記送電アンテナとの間に設けられ、前記発振モジュールの初期調整を行う校正時には、前記送電アンテナからの不要な放射を避けるように、前記発振モジュールからのマイクロ波の出力方向を制御する出力制御手段を備えるマイクロ波送電装置を提供する。
【００３０】
上記構成によれば、発振モジュールの初期調整を行う校正時において、送電アンテナからの不要な放射を避けるように、発振モジュールからのマイクロ波の出力方向が制御されるので、マイクロ波の不要放射を抑制することが可能となる。
【００３１】
上記記載のマイクロ波送電装置において、前記発振モジュールは、マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を前記マグネトロンに注入してマグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、前記マグネトロンの発振出力と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段とを備えると良い。
【００３２】
上記構成によれば、マグネトロンの出力位相と基準信号の位相とを比較し、両者の位相誤差に基づいて、基準信号の位相を変化させるので、陽極電流を変化させずに、マグネトロンの出力を基準信号に引き込むことが可能となる。これにより、陽極電流と出力位相の関係が非線形なマグネトロンに対しても安定な位相制御を実現させることが可能となる。この結果、マグネトロンの製品偏差によらず安定した制御を実現させることができる。
【００３３】
更に、陽極電流を変化させないので、マグネトロンの位相制御時におけるマグネトロンの出力振幅も変化しないこととなる。これにより、振幅安定度を向上させることが可能となる。
また、応答の遅い高圧直流安定化電源をフィードバックループの外に設けることが可能となるので、応答性を向上させることが可能となる。これにより、位相の同期状態が外れてから、再び同期するまでの時間を大幅に短縮することが可能となる。
【００３４】
本発明は、宇宙空間に設けられた太陽発電パネルと、前記太陽発電パネルが発生した電力を受けてマイクロ波を発生するマイクロ波発生装置と、前記マイクロ波発生装置から出力されたマイクロ波を送電する送電アンテナとを備える宇宙太陽発電システムであって、前記マイクロ波発生装置は、マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を前記マグネトロンに注入してマグネトロンの発振周波数を前記基準信号の周波数に引き込んで同期させる注入同期手段と、前記マグネトロンの出力位相と前記基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、前記位相誤差に基づいて前記基準信号の位相を変化させる制御量を前記注入同期手段にフィードバックするフィードバック制御手段とを具備する宇宙太陽発電システムを提供する。
【００３５】
上記記載の宇宙太陽発電システムは、前記マイクロ波発生装置と前記送電アンテナとの間に設けられ、前記マイクロ波発生装置の初期調整を行う校正時には、前記送電アンテナからの不要な放射を避けるように、前記マイクロ波発生装置からのマイクロ波の出力方向を制御する出力制御手段を更に備えると良い。
これにより、マイクロ波発生装置の初期調整を行う校正時において、マイクロ波の不要放射を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明のマイクロ波発生装置及びマイクロ波送電装置並びに宇宙太陽発電システムによれば、位相同期精度の向上及び応答性の向上を図ることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に、本発明に係るマイクロ波発生装置の実施形態について、〔第１の実施形態〕、〔第２の実施形態〕、〔第３の実施形態〕の順に、図面を参照して説明する。
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明の第１の実施形態に係るマイクロ波発生装置の概略構成を示したブロック図である。
図１に示されるように、本実施形態に係るマイクロ波発生装置は、注入同期回路（注入同期手段）２０とフィードバック制御回路（フィードバック制御手段）２１とを備えている。注入同期回路２０は、マグネトロン１の固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号をマグネトロン１に注入してマグネトロン１の発振周波数を基準信号の周波数に引き込んで同期させるものであり、例えば、後述の基準信号発生器３、分配器５、第２の可変移相器６、及びサーキュレータ８などを備えて構成されている。
また、フィードバック制御回路２１は、マグネトロン１の出力位相と基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、位相誤差に基づいて、基準信号の位相を変化させる制御量を注入同期回路２０にフィードバックするものであり、例えば、後述のミキサ９、移相器制御回路１２、初期校正用演算器１３、及びスイッチ１４などを備えて構成されている。
【００３８】
このようなマイクロ波発生装置において、マグネトロン１のアノード（陽極）及びカソード（陰極）との間には、高圧直流安定化電源２により陽極電流が流され、これによってマグネトロン１は発振状態に設定される。
基準信号発生器３は、マグネトロン１の固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号を発生するもので、ここで発生された基準信号は第１の可変移相器４を介して分配器５に供給される。この分配器５は入力した基準信号を２系統に分配するもので、一方の系統の基準信号は、第２の可変移相器６、高周波増幅器７を介して、サーキュレータ８に供給され、他方の系統の基準信号はミキサ９に供給される。
【００３９】
上記サーキュレータ８は、分配器５から供給される基準信号を第１端子（図示略）から入力し、この基準信号を第２端子（図示略）から出力してマグネトロン１に注入し、マグネトロン１から放射されるマイクロ波を第２端子（図示略）から取り込んで第３端子（図示略）から出力する。このサーキュレータ８から出力されるマイクロ波は、方向性結合器１０を介して外部出力されるとともに、その一部が分岐されて減衰器１１へ出力される。
【００４０】
減衰器１１に入力された一部のマイクロ波は減衰されて、上記ミキサ９に供給される。このミキサ９は、分配器５からの基準信号と減衰器１１からのマイクロ波を混合するものであり、これら両入力信号の位相差に相当する部分（例えば、上述した（１）式の第１項）と、各信号の入力レベルに依存したオフセット成分（例えば、上述した（１）式の第２項）とを足し合わせて出力する。
【００４１】
ミキサ９からの出力は、移相器制御回路１２に入力される。移相器制御回路１２は、運用時において、ミキサ９からの出力と、初期校正用演算器１３に予め設定されている目標値（Ｖref）とを比較し、目標値Ｖrefからの偏差をスイッチ１４を介して第２の可変移相器６にフィードバックする。ここで、移相器制御回路１２は、例えば、図２に示すように、＋側入力端子に目標値Ｖrefが入力され、−側入力端子にミキサ９の出力、つまり、基準信号とマイクロ波との混合出力Ｖinが入力され、この差分に応じた出力を行う差動増幅回路１２１と、差動増幅回路１２１の出力が入力され、この入力を積分して出力する積分回路１２２とを備えて構成されている。
初期校正用演算器１３は、上記目標値Ｖrefを設定する際に用いられる演算装置であり、例えば、ＣＰＵなどを備えるマイクロコンピュータなどにより構成されている。なお、この初期校正用演算器１３により設定される上記目標値Ｖrefの詳細については後述する。
【００４２】
また、スイッチ１４は、移相器制御回路１２によるフィードバックループを開ループ或いは閉ループに切換えるためのスイッチであり、初期校正時においては、初期校正用演算器１４と接続することにより、フィードバックループを開ループとし、運用時においては、第２の可変移相器６と接続することにより、フィードバックループを閉ループとする。
第２の可変移相器６は、運用時において、移相器制御回路１２から入力された偏差を補完するように、基準信号の移相量を変化させる。これにより、マグネトロン１の出力位相は、基準信号の位相に同期される。
【００４３】
次に、上述した構成を備えるマイクロ波発生装置の処理動作について説明する。
まず、マグネトロン１は高圧直流安定化電源２によって陽極電流が流され、発振状態にあるとする。この状態で、基準信号発生器３で発生された、マグネトロン１の固有発振周波数に近い周波数を持つ基準信号が、可変移相器６、高周波増幅器７、サーキュレータ８を介してマグネトロン１１に注入される。この結果、マグネトロン１の発振周波数は基準信号の周波数に引き込まれていく。
【００４４】
マグネトロン１から放射されるマイクロ波は、サーキュレータ８、方向性結合器１０を介して外部出力されるとともに、その一部が減衰器１１出力される。減衰器１１により減衰されたマイクロ波は、ミキサ９に入力される。そして、ミキサ９により、分配器５からの基準信号と減衰器１１からのマイクロ波が混合され、これら両入力信号の位相差に相当する部分と、各信号の入力レベルに依存したオフセット成分とが足し合わされた出力が移相器制御回路１２に送られる。移相器制御回路１２では、ミキサ９からの出力と、予め設定されている目標値Ｖrefとが比較されて、目標値Ｖrefからの偏差が求められ、この偏差に応じた制御量がスイッチ１４を介して第２の可変移相器６にフィードバックされる。
【００４５】
そして、第２の可変移相器６により、移相器制御回路１２からフィードバックされた偏差を補完するように、基準信号の移相量が変化され、移相量変化後の基準信号が同様に高周波増幅器７、サーキュレータ８を介してマグネトロン１に注入されることとなる。
このようにして、基準信号の位相をフィードバックループによって制御することにより、マグネトロン１の発振周波数を基準信号に一致させることが可能となるとともに、位相をロックすることが可能となる。
【００４６】
次に、上記移相器制御回路１２にて取り扱われる目標値Ｖrefは、初期校正時において、以下のように決定される。
まず、初期校正時においては、スイッチ１４は、初期校正用演算器１３と接続され、これにより、フィードバックループは開ループとされる。この状態において、移相器制御回路１２の用いるＶrefをゼロに設定し、第２の可変移相器６の移相量を０°乃至３６０°に変化させ、そのときの移相器制御回路１２の出力を初期校正用演算器１３にて計測する。これにより、初期校正用演算器１３にて得られる計測結果は、例えば、図３に示されるような曲線を描くこととなる。
【００４７】
ここで、図３において、横軸は第２の可変移相器６の移相量、縦軸は移相器制御回路１２の出力を示している。この図に示されるように、移相器制御回路１２の出力は、第２の可変移相器６の移相量（０°乃至３６０°）に応じた正弦波（或いは余弦波）を描くこととなる。そして、初期校正用演算器１３は、このようにして得られた移相器制御回路１２の出力において、図３に示されるように、中央値を求め、この値を目標値Ｖrefとして設定する。
【００４８】
ここで、図１に示した本実施形態のマイクロ波発生装置では、マグネトロン１に供給する陽極電流をフィードバック制御することにより、マグネトロンの出力を収束させる従来のマイクロ波発生装置（例えば、図１２参照）と異なり、初期校正時において、マグネトロン１の陽極電流を変化させない。このため、上述した従来のマイクロ波発生装置において問題となっていた、マグネトロン１の位相及び振幅の変動を解消させることが可能となる。これにより、例えば、上述した（１）式における第１項及び第２項におけるマイクロ波の振幅Ａ２が変化しないこととなり、オフセット成分（（１）式における第２項）を高い精度で求めることが可能となる。これにより、精度の高い目標値Ｖrefを設定することが可能となるため、上述した運用時におけるフィードバック制御を高精度で実施することが可能となる。これにより、位相同期制御の精度を向上させることができる。
【００４９】
以上、説明してきたように、本実施形態に係るマイクロ波発生装置によれば、陽極電流を変化させずにマグネトロン１の出力を制御するため、同期精度を向上させることが可能となる。更に、陽極電流を変動させることなく、マグネトロンの出力制御を行うため、出力振幅の変動を解消できる。これにより、例えば、アクティブフェーズドアレイを構成する上で、送電面の励振振幅分布が変動せず、放射パターンの劣化を防止することが可能となる。
また、応答の遅い高圧直流安定化電源２をフィードバックループ外に設けているので、応答性を向上させることが可能となる。これにより、位相の同期状態が外れてから、再び同期するまでの時間を大幅に短縮することが可能となる。
【００５０】
〔第２の実施形態〕
次に、本発明の第２の実施形態に係るマイクロ波発生装置について、図を用いて説明する。図４は、本実施形態に係るマイクロ波発生装置の概略構成を示した図である。
この図において、上述した第１の実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付し、説明を省略する。
【００５１】
図４に示されるように、本実施形態に係るマイクロ波発生装置は、複数のマグネトロン１ａ、１ｂを備えており、これらのマグネトロン１ａ、１ｂの出力周波数及び位相を所望の値に収束させるべく動作する。
ここで、本実施形態に係るマイクロ波発生装置は、注入同期回路（注入同期手段）２０ａと、ハイブリッド型電力合成回路３０と、複数のフィードバック制御回路（フィードバック制御手段）２１ａ及び２１ｂとを備えている。
【００５２】
上記注入同期回路２０ａは、複数のマグネトロン１ａ、１ｂに対して、マグネトロンの固有発振周波数に近い周波数を持つ共通の基準信号（以下「共通基準信号」という。）を注入し、複数のマグネトロン１ａ、１ｂの発振周波数を共通基準信号の周波数に引き込んで同期させるものである。この注入同期回路２０ａは、上述した第１の実施形態に係る注入同期回路２０と略同様であり、例えば、共通基準信号を発生させる基準信号発生器（図示略）、基準信号を分配して出力する分配器５、可変移相器６、高周波増幅器７、及びサーキュレータ８などを備えて構成されている。
【００５３】
また、ハイブリッド型電力合成回路３０は、上記共通基準信号をそれぞれのマグネトロン１ａ、１ｂに注入するとともに、複数のマグネトロン１ａ及び１ｂの出力を合成して出力するものである。本実施形態において、ハイブリッド型電力合成回路３０のポートＰ１は、マグネトロン１ａに接続され、ポートＰ２は導波管移相器３１を介してマグネトロン１ｂに接続されている。また、ポート３は、同期注入回路２０ａのサーキュレータ８に接続されており、これによりポート３からは共通基準信号が入力されることとなる。また、ポートＰ４は、マグネトロン１ａ及び１ｂの合成出力を外部などに出力すべく、方向性結合器１０ａに接続されている。
【００５４】
ここで、図５に示すように、ハイブリッド型電力合成回路３０は、以下に示すような性能を備えている。例えば、ポートＰ３から入力される信号は、ポートＰ１及びＰ２に等分配され、且つ、逆相の信号として出力される。また、ポートＰ４から入力される信号は、ポートＰ１及びＰ２に等分配され、且つ、同相の信号として出力される。一方、ポートＰＰ１及びＰ２から逆相で大きさの等しい信号を入力した場合には、ポートＰ３に合成出力が現れる。また、ポートＰ１及びＰ２から同相で大きさの等しい信号を入力した場合には、ポートＰ４に合成出力が現れる。
【００５５】
本実施形態では、マグネトロン１ａ及び１ｂから出力されるマイクロ波は、ハイブリッド電力合成回路３０によって合成され、ポートＰ４に出力されることとなるが、このときの合成出力は、図６に示すように、その位相が、各マイクロ波の中心位相により変化し、その振幅が、各マイクロ波の相対位相差によって変化することとなる。
【００５６】
次に、本実施形態に係るマイクロ波発生装置の構成要素である上記フィードバック制御回路２１ａは、ハイブリッド型電力合成回路３０によって合成された複数のマグネトロン１ａ、１ｂの合成出力と共通基準信号の位相とを比較して両者の位相誤差を求め、位相誤差に基づいて基準信号の位相を変化させる制御量を注入同期回路２０ａにフィードバックするものであり、例えば、ミキサ９、第１の移相器制御回路１２ａを備えている。
また、フィードバック制御回路２１ｂは、マグネトロン１ｂとハイブリッド型電力合成回路３０との間に設けられている導波管移相器３１を制御するものであり、例えば、整流回路３２と、整流回路３２からの出力に基づいて、所定の制御量を求め、この制御量を導波管移相器３１にフィードバックさせる第２の移相器制御回路１２ｂを備えている。
【００５７】
このような構成を備える本実施形態のマイクロ波発生装置において、各マグネトロン１ａ、１ｂには、高圧直流安定化電源２ａ、２ｂがそれぞれ接続されており、これら高圧直流安定化電源２ａ、２ｂから陽極電流が各マグネトロン１ａ、１ｂに供給されることにより、マグネトロン１ａ、１ｂを発振状態とする。
一方、注入同期回路２０ａを構成する基準信号発生器（図示略）により生成された共通基準信号は、分配器５により２系統に分配され、一方の系統の共通基準信号は、可変移相器６、高周波増幅器７を介して、サーキュレータ８に供給され、他方の系統の基準信号は第１のフィードバック制御回路２１ａのミキサ９に供給される。
【００５８】
上記サーキュレータ８は、分配器５から供給される共通基準信号を第１端子（図示略）から入力し、この共通基準信号を第２端子（図示略）から出力して、上記ハイブリッド型電力合成回路３０のポートＰ３に注入する。これにより、ポートＰ３に注入された共通基準信号は、ハイブリッド型電力合成回路３０により、当分配され、逆相の信号としてポート１及びポートＰ２に出力される。ポートＰ１に出力された共通基準信号は、マグネトロン１ａに注入され、ポートＰ２に出力された逆相の共通基準信号は、導波管移相器３１によって９０°回転されて、マグネトロン１ｂに注入される。
【００５９】
続いて、マグネトロン１ａから放射されるマイクロ波は、ハイブリッド型電力合成回路３０のポートＰ１から取り込まれ、一方、マグネトロン１ｂから放射されるマイクロ波は、導波管移相器３１を介してハイブリッド型電力合成回路３０のポートＰ２から取り込まれる。ハイブリッド型電力合成回路３０は、これらポートＰ１及びＰ２から入力された各マイクロ波を合成し、ポートＰ４から出力する。なお、このとき出力される合成出力については、図６を用いて説明した通りである。
このようにして、ポートＰ４から出力されたマグネトロン１ａ及び１ｂの合成出力は、方向性結合器１０ａを介して外部出力されるとともに、その一部が分岐されて、第１のフィードバック制御回路２１ａを構成するミキサ９に入力されるとともに、第２のフィードバック制御回路２１ｂを構成する２１整流回路３２に入力される。
【００６０】
第１のフィードバック制御回路２１ａでは、上記ミキサ９により、分配器５を介して入力される基準信号と、上述の方向性結合器１０ａから入力される合成出力とが混合され、上述した第１の実施形態に係るマイクロ波発生装置と同様、これら両入力信号の位相差に相当する部分と、各信号の入力レベルに依存したオフセット成分とが足し合わされた出力が得られる。このミキサ９の出力は、第１の移相器制御回路１２ａに入力され、このミキサ９からの出力と、予め設定されている目標値Ｖrefとが比較されて、目標値Ｖrefからの偏差が求められ、この偏差に応じた制御量が可変移相器６にフィードバックされる。なお、ここで用いられる目標値Ｖrefは、上述した第１の実施形態と同様の手法により設定されたものである。
【００６１】
一方、第２のフィードバック制御回路２０ｂにおいて、整流回路３２に入力された合成出力は、ここで、直流成分に変換され、第２の移相器制御回路１２ｂに入力される。第２の移相器制御回路１２ｂは、この直流成分に応じた制御量を導波管移相器３１にフィードバックさせることにより、合成出力を一定の目標値に収束させることが出来る。
【００６２】
このようにして、マグネトロン１ａ及び１ｂの合成出力に応じた制御量が共通基準信号の移相量にフィードバックされることにより、除々に、各マグネトロン１ａ、１ｂの出力周波数及び出力位相が所望の値に収束されることとなる。
【００６３】
以上説明してきたように、本実施形態に係るマイクロ波発生装置によれば、個々のマグネトロン１ａ及び１ｂの出力をハイブリッド型電力合成回路３０により合成し、この合成出力に基づいてフィードバック制御が実施されるため、位相制御などに用いられる移相制御回路やサーキュレータなどの各種構成要素の削減を図ることが可能となる。これにより、部品点数を大幅に削減させることが可能となるので、装置の効率の向上、重量の軽減、コスト削減を図ることができる。
なお、上述した実施形態では、マグネトロンを一例として２つ備えたマイクロ波発生装置について説明したが、マグネトロンの数はこの例に限定されることなく、多数設けることも可能である。また、上記実施形態では、４ポートを有するハイブリッド型電力合成回路３０を利用したが、この例に限られず、８ポートのものを採用することも可能である。
【００６４】
〔第３の実施形態〕
次に、本発明の第３の実施形態に係るマイクロ波発生装置について、図を用いて説明する。図７は、本実施形態に係るマイクロ波発生装置の概略構成を示した図である。なお、この図において、図１と同一の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００６５】
図７に示すように、本実施形態に係るマイクロ波発生装置は、上述した第１の実施形態に係るマイクロ波発生装置に、更に、マグネトロンの温度を検出する熱電対（温度検出手段）４１と、この熱電対４１により検出されるマグネトロンの温度に基づいて、マグネトロンの温度を調整する温度調整装置（温度調整手段）４２とを備えている。温度調整装置４２は、例えば、マグネトロン温度制御回路４２１、サーモモジュール駆動電源４２２、及びサーモモジュール４２３などを備えて構成されている。また、サーモモジュール４２３には、熱を放射するための放射板４３がヒートパイプを介して接続されている。
【００６６】
更に、フィードバック制御回路２１におけるスイッチ１４と、初期校正用演算器１３との間には、分配器４４が配置されている。これにより、校正時における移相器制御回路１２の出力は、スイッチ１４を介して分配器４４に入力され、ここで２系統に分配され、１系統が初期校正用演算器１３に、もう１系統がマグネトロン温度制御回路４２１に入力されるような構成となっている。
【００６７】
以下、このような構成を備える本実施形態のマイクロ波発生装置について、第１の実施形態と共通する点については説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
【００６８】
まず、初期校正時において、スイッチ１４が分配器４４に接続されることにより、フィードバック制御回路２１は開ループ状態とされる。また、このようにスイッチ１４が接続されることにより、移相器制御回路１２の出力は、分配器４４を介して初期校正用演算器１３及びマグネトロン温度制御回路４２１に入力されることとなる。
次に、このような回路構成において、基準信号発生器３から基準信号が発振され、この基準信号が、第１の可変移相器４を介して、分配器５に入力されることにより、２系統に分配される。この結果、分配された１系統は、ミキサ９へ供給され、もう１系統は、第２の可変移相器、高周波増幅器７、及びサーキュレータ８を介してマグネトロン１に注入されることとなる。
【００６９】
このように基準信号が注入されると、温度調整装置４２によるマグネトロン１の冷却が実施されない状態で、高圧直流安定化電源２がマグネトロン１に陽極電流を与えることにより、マグネトロン１を発振させる。これにより、マグネトロン１の出力は、上述のように、サーキュレータ８、方向性結合器１０、及び減衰器１１を介してミキサ９に入力されることとなる。そして、ミキサ９により基準信号とこのマグネトロンの出力とが比較され、この比較結果が移相器制御回路１２に入力されることにより、位相誤差がスイッチ１４を介して初期校正用演算器１３及びマグネトロン温度制御回路４２１に入力されることとなる。
【００７０】
ここで、マグネトロン１の出力周波数のスペクトラムは、図８に示すように、マグネトロン１の温度上昇に伴い除々に低下することにより、基準信号による引き込み範囲に入り、やがて、引き込み範囲を外れて、更にその周波数が低下することとなる。一方、このときの移相器制御回路１２の出力特性は、図９に示すような曲線を示すこととなる。
マグネトロン温度制御回路４２１は、図８に示した周波数スペクトラム並びに図９に示した移相器制御回路１２の出力特性を参照することにより、マグネトロンの出力周波数が引き込み範囲に入るときのマグネトロンの温度Ｔａ、並びに、マグネトロンの出力周波数が引き込み範囲から外れるときのマグネトロンの温度Ｔｂを求め、更に、マグネトロン温度制御回路４２１は、求めた温度ＴａとＴｂとの中央値を求め、この中央値をマグネトロン１の目標温度値に設定する。なお、図９において、横軸は、マグネトロン１の温度、縦軸は移相器制御回路１２の出力である。
【００７１】
そして、このように目標温度値が設定されると、マグネトロン温度制御回路４２１は、熱電対４１により検出されるマグネトロン１の温度がこの目標温度値に一致するような制御信号をサーモモジュール駆動電源４２２に出力する。これにより、サーモモジュール駆動電源４２２がこの制御信号に基づいて、サーモモジュール４２３を駆動することにより、マグネトロン１の温度を目標温度値に保持することが可能となる。
【００７２】
そして、このようなマグネトロン１の温度制御が実施されている状態において、上述の第１の実施形態において説明した、初期校正時における目標値Ｖrefの設定が初期校正用演算器１３などにより実施される。そして、初期校正時における目標値Ｖrefの設定が終了すると、スイッチ１４が、第２の可変移相器６に接続されて、これによりフィードバックループは閉ループとなり、フィードバック制御回路２１によるフィードバック制御が実施されることとなる。
【００７３】
以上説明してきたように、本実施形態に係るマイクロ波発生装置によれば、マグネトロン１の温度変化に起因するマグネトロン１の出力位相の変動を解消させることが可能となるので、初期校正時における目標値Ｖrefの設定などを高精度で行うことが可能となるとともに、運用時においても温度調整装置４２によりマグネトロン１の温度が目標温度値に保持されるため、同期制御の精度を更に向上させることが可能となる。
【００７４】
次に、本発明の一実施形態に係るマイクロ波送電装置の一実施形態について、図を参照して説明する。
本発明の一実施形態に係るマイクロ波送電装置は、図１０に示されるように、上述した一実施形態に係るマイクロ波発生装置が複数配置され、強力なマイクロ波を発振する発振モジュール５１を備えている。この発振モジュール５１は、例えば、マグネトロン１を１０６個程度備えている。この発振モジュール５１から出力されるマイクロ波は、第１の電力合成回路５２のポートＰ１に入力されることにより、電力分配される。
【００７５】
第１の電力合成回路５２により分配されたマイクロ波の一部は、直接的に第２の電力合成回路５３のポートＰ１に入力され、他の一部は、導波管移相器５４を介して、第２の電力合成回路５３のポートＰ２に入力される。第２の電力合成回路５３は、ポートＰ１及びＰ２から入力される第１の電力合成回路５２からのマイクロ波を再合成し、この出力をポートＰ３に接続される整合終端５５、或いはポートＰ４に接続される方向性結合器５６に出力する。方向性結合器５６に出力されたマイクロ波は、送電アンテナ５７により外部に出力されることとなる。ここで、上記第１の電力合成回路５２及び第２の電力合成回路５３としては、例えば、上述した第２の実施形態に係るマイクロ波発生装置において用いられたハイブリッド型電力合成回路３０が用いられる。
第１の電力合成回路５２と第２の電力合成回路５３との間に設けられた導波管移相器５４は、出力制御回路（出力制御手段）５８から出力される出力設定値に基づいて、移相器制御回路５９により制御される。
【００７６】
このような構成を備えるマイクロ波送電装置は、例えば、図１１に示したように、宇宙太陽発電システムに適用されるものであり、大型の太陽電池パネルにより太陽光を受けることにより発電した電力をマイクロ波に変換し、このマイクロ波を地上に送信するために用いられる。
【００７７】
このような構成を備えるマイクロ波送電装置において、上記発振モジュール５１を構成する各マイクロ波発生装置の初期校正時においては、出力制御回路５８は、送電アンテナ５７へのマイクロ波の不要放射を防ぐため、第２の電力合成回路５３の出力が整合終端５５に取り出されるような出力設定値を生成し、これを移相器制御回路５９に出力する。
【００７８】
これにより、移相器制御回路５９が出力制御回路５８からの出力設定値に基づいて導波管移相器５４を制御することにより、第１の電力合成回路５２からのマイクロ波は、第２の電力合成回路５３の整合終端５５に取り出されることとなり、送電アンテナ５７には供給されないこととなる。これにより、上述した目標値Ｖrefや目標温度値を設定するための初期校正時において、マイクロ波が送電アンテナ５７を介して外部に放出されるのを回避することが可能となる。
【００７９】
そして、上述した初期校正が終了し、上述したマイクロ波発生装置を構成するフィードバック制御装置２１（図１参照）によるフィードバック制御が実施されると、出力制御回路５８は、発振モジュール５１からのマイクロ波を送電アンテナ５７へ供給するべく移相器制御回路５９に対して出力設定値を出力する。これにより、移相器制御回路５９によって、導波管移相器５４が制御されることにより、発振モジュール５１からのマイクロ波は、第１の電力合成回路５２、第２の電力合成回路５３、及び方向性結合器５６を介して送電アンテナ５７に供給されることとなり、送電アンテナ５７によりマイクロ波が外部へ放射されることとなる。
【００８０】
以上、説明してきたように、本実施形態に係るマイクロ波送電装置によれば、発振モジュール５１の初期調整を行う初期校正時において、送電アンテナ５７からの不要な放射を避けるように、発振モジュール５１からのマイクロ波の出力方向が出力制御回路５９により制御されるので、マイクロ波の不要放射を抑制することが可能となる。
【００８１】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマイクロ波発生装置の概略構成図である。
【図２】図１の移相器制御回路の内部構成の一例を示した回路図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るマイクロ波発生装置において、初期校正時における目標値を決定する際に参照される移相器制御回路の出力特性を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るマイクロ波発生装置の概略構成図である。
【図５】図４に示したハイブリッド型電力合成回路についての入出力について説明するための図である。
【図６】図４に示したハイブリッド型電力合成回路により合成される出力について説明するための図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ波発生装置の概略構成図である。
【図８】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ波発生装置において、マグネトロンの温度を変化させたときの周波数スペクトラムの推移を示した図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るマイクロ波発生装置において、マグネトロンの温度を変化させたときの移相器制御回路の出力特性を示した図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係るマイクロ波送電装置の概略構成を示す図である。
【図１１】宇宙太陽発電システムについて説明するための図である。
【図１２】従来のマイクロ波発生装置の一概略構成を示した図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  マグネトロン
２  高圧電流安定化電源
３  基準信号発生器
６  第２の可変移相器
８  サーキュレータ
９  ミキサ
１２  移相器制御回路
１３  初期校正用演算器
１４  スイッチ
２０  注入同期回路
２１  フィードバック制御回路
３０  ハイブリッド型電力合成回路
４１  熱電対
４２  温度調整装置
５１  発振モジュール
５７  送電アンテナ
５８  出力制御回路
４２１  マグネトロン温度制御回路
【図１】
2006253826.tif 000004
【図２】
2006253826.tif 000005
【図３】
2006253826.tif 000006
【図４】
2006253826.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006253826.tif 000011
【図９】
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【図１０】
2006253826.tif 000013
【図１１】
2006253826.tif 000014
【図１２】
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