(57)【要約】【課題】  内部量子効率を低下させることなく、吸収損失を低減することができる半導体レーザを提供する。【解決手段】  本発明の半導体レーザは、ｐ型クラッド層と、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に設けられた活性層と、活性層とｐ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第１光閉じ込め層と、活性層とｎ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第２光閉じ込め層と、第１光閉じ込め層とｐ型クラッド層との間に設けられ、ｐ型クラッド層からの不純物が活性層へ拡散することを抑制する拡散抑制層とを備える。【選択図】  図１
2006253212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型クラッド層と、
ｎ型クラッド層と、
前記ｐ型クラッド層と前記ｎ型クラッド層との間に設けられた活性層と、
前記活性層と前記ｐ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第１光閉じ込め層と、
前記活性層と前記ｎ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第２光閉じ込め層と、
前記第１光閉じ込め層と前記ｐ型クラッド層との間に設けられ、前記ｐ型クラッド層からの不純物が前記活性層へ拡散することを抑制する拡散抑制層と、
を備える、
半導体レーザ。
【請求項２】
前記拡散抑制層が、前記ｐ型クラッド層の材料と同一な材料であり、ｉ型半導体から成る、
請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記拡散抑制層が、前記第１光閉じ込め層の材料と同一な材料であり、ｉ型半導体から成る、
請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記拡散抑制層の厚みが、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、
前記拡散抑制層はｎ型不純物を含み、該ｎ型不純物が、前記ｐ型クラッド層に添加されたｐ型不純物の濃度よりも小さい濃度で添加されている、
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記ｐ型クラッド層の前記不純物の濃度分布が、前記活性層から前記ｐ型クラッド層へ向かう方向に傾斜している、
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ｐ型クラッド層にＺｎをドーピングした半導体レーザが知られている。Ｚｎ等のｐ型不純物は熱により拡散しやすいので、このＺｎは、結晶成長中に活性層まで拡散してしまう。Ｚｎが活性層まで拡散すると、価電子帯間吸収や自由キャリア吸収等による吸収損失が増加する。したがって、上記の半導体レーザでは、しきい値電流の上昇、及び、効率の低下等のレーザ特性の劣化が生じていた。
【０００３】
このような活性層へのＺｎの拡散を防ぐために、特許文献１の半導体レーザでは、分離閉じ込めヘテロ構造（Separate Confinement Heterostructure：ＳＣＨ）が用いられ、活性層の両側に設けられた光閉じ込め層がいずれもドーピングされ、ｎ型になっている。特許文献１の半導体レーザでは、Ｚｎをドーピングしたｐ型クラッド層と活性層との間に設けられた光閉じ込め層が、ｎ型であるので、Ｚｎの活性層への拡散が抑制される。したがって、特許文献１の半導体レーザでは、Ｚｎの拡散に起因するしきい値電流の上昇、及び、効率の低下等のレーザ特性の劣化が低減される。
【特許文献１】特開平６−２４４４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の半導体レーザのように、活性層とｐ型クラッド層との間に設けられた光閉じ込め層の全部がn型にドーピングされていると、ｐn接合は活性層の位置ではなくて、光閉じ込め層とp型クラッド層との間に形成されるため、ｐｎ接合から空間的に離れた位置にある活性層へは、効率的なキャリアの注入が抑制される。具体的には、ｐ型電極側から注入された正孔は、ｐｎ接合を通過後、ｎ型電極側から注入された電子と再結合しながら活性層まで到達するので、この正孔濃度は、ｐｎ接合近傍で最大となり、ｐｎ接合から離れて位置する活性層では、正孔濃度が減少する。
【０００５】
その結果、活性層における電子濃度の分布と正孔濃度の分布との重なりがアンバランスになる。一般的に、レーザ光を得るためのキャリアの発光再結合は、電子濃度の分布と正孔濃度の分布とが重なるところで生じ易い。したがって、特許文献１の半導体レーザでは、キャリアの発光再結合が減少する。故に、特許文献１の半導体レーザでは、活性層へのキャリア、特に正孔の注入効率の抑制に起因する内部量子効率の低下が生じる。
【０００６】
このように、特許文献１の半導体レーザでは、発光効率の低下等のレーザ特性の劣化が生じてしまう。
【０００７】
そこで、本発明は、内部量子効率を低下させることなく、吸収損失を低減することができる半導体レーザを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体レーザは、ｐ型クラッド層と、ｎ型クラッド層と、ｐ型クラッド層とｎ型クラッド層との間に設けられた活性層と、活性層とｐ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第１光閉じ込め層と、活性層とｎ型クラッド層との間に設けられ、ｉ型半導体から成る第２光閉じ込め層と、第１光閉じ込め層とｐ型クラッド層との間に設けられ、ｐ型クラッド層の不純物が活性層へ拡散することを抑制する拡散抑制層とを備える。
【０００９】
この発明によれば、ｐ型クラッド層と第１光閉じ込め層との間に設けられた拡散抑制層がｎ型不純物を含んでいるので、ｐ型クラッド層からの不純物の拡散が活性層まで及ばない。また、拡散抑制層と活性層との間の第１光閉じ込め層がｉ型半導体から成る。ここで、ｉ型半導体（またはｉ型半導体層）とは、一般にｎ型半導体またはｐ型半導体に比して、電気的に活性なキャリア密度が小さい半導体（または半導体層）をいう。
【００１０】
したがって、ｎ型クラッド層、第２光閉じ込め層（ｉ層）、活性層（ｉ層）、第１光閉じ込め層（ｉ層）、拡散抑制層（i層またはp型）、及び、p型クラッド層とで、ｐ−ｉ−ｎ構造を形成し、半導体レーザに電流を流したときに、ｉ層である活性層に、ｎ側及びｐ側電極から電子及び正孔の両キャリアが効率よく注入される。この結果、活性層における電子濃度の分布と正孔濃度の分布とが重なり、活性層中でキャリアの再結合が生じ易い。
【００１１】
このように、本発明の半導体レーザでは、ｐ型クラッド層からの不純物の拡散を抑制することで光の吸収係数の増加を抑制すると同時に活性層をｉ層のまま維持したｐ−ｉ−ｎ構造を採用しているので、活性層での効率的な発光再結合が得られ、高い発光効率を有する半導体レーザを得ることができる。
【００１２】
また、光の伝搬経路である第１光閉じ込め層がｉ型半導体から成るので、第１光閉じ込め層における自由キャリア吸収が低減される。したがって、本発明の半導体レーザでは、しきい値電流の低減、及び、発光効率の増加などの効果が期待できる。
【００１３】
本発明の半導体レーザの拡散抑制層は、ｐ型クラッド層の材料と同一な材料であり、ｉ型半導体から成ることが好ましい。
【００１４】
また、本発明の半導体レーザの拡散抑制層は、第１光閉じ込め層の材料と同一な材料であり、ｉ型半導体から成っていてもよい。
【００１５】
また、本発明の半導体レーザの拡散抑制層は、厚みが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、該拡散抑制層はｎ型不純物を含み、該ｎ型不純物が、上記ｐ型クラッド層に添加されたｐ型不純物の濃度よりも小さい濃度で添加されていることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の半導体レーザのｐ型クラッド層の不純物の濃度分布が、活性層からｐ型クラッド層へ向かう方向に傾斜していてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高い内部量子効率を有し、且つ、低いしきい値電流を有する半導体レーザが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザの構造を示す断面図である。図１に示すように、半導体レーザ１０は、下記のようにｎ型ＩｎＰ基板１２上に複数の半導体層を積層する。ｎ型ＩｎＰ基板１２上にはｎ型ＩｎＰクラッド層１４が設けられ、ｎ型クラッド層１４上にはＩｎＧａＡｓＰ第２光閉じ込め層１６が設けられ、第２光閉じ込め層１６上にはｉ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層１８が設けられ、活性層１８上にはｉ型ＩｎＧａＡｓＰ第１光閉じ込め層２０が設けられ、ｉ型第１光閉じ込め層２０上にはＩｎＰ拡散抑制層２２が設けられ、拡散抑制層２２上にはｐ型ＩｎＰ第１クラッド層２３が設けられ、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層２３上にはｐ型ＩｎＰ第２クラッド層２４が設けられ、ｐ型第２クラッド層２４上にはコンタクト層２７が設けられている。第２光閉じ込め層１６は、例えば、ｉ型半導体から成ることができる。
【００２０】
第２光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、ｉ型第１光閉じ込め層２０は、分離閉じ込めヘテロ構造（Separate ConfinementHeterostructure：ＳＣＨ）を構成する。活性層１８は、第２光閉じ込め１６及びｉ型第１光閉じ込め層２０の間に位置するので、第２光閉じ込め層１６及びｉ型第１光閉じ込め層２０は、活性層１８中にキャリア（電子及び正孔）を閉じ込めるように作用する。
【００２１】
第２光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、第１光閉じ込め層２０は、ｎ型クラッド層１４とｐ型クラッド層２３、２４との間に位置する。ｎ型クラッド層１４及びｐ型クラッド層２３、２４は、第２光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、第１光閉じ込め層２０の材料より屈折率が小さい材料から成るので、これらの層１６、１８、２０に光を閉じ込めるように作用する。
【００２２】
拡散抑制層２２は、ｉ型第１光閉じ込め層２０とｐ型第１クラッド層２３との間に位置する。拡散抑制層２２は、ｐ型クラッド層２３の材料と同一な材料から成るので、第２光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、第１光閉じ込め層２０に光を閉じ込めるように作用する。すなわち、本実施形態では、ｎ型クラッド層１４と、拡散抑制層２２及びｐ型クラッド層２３との間に光が閉じ込められることとなる。
【００２３】
活性層１８は、例えば多重量子井戸（Multiple Quantum Well：ＭＱＷ）構造を有する。活性層１８には、第２光閉じ込め層１６及びｉ型第１光閉じ込め層２０を介して、ｎ型クラッド層１４及びｐ型クラッド層２３、２４から電子と正孔が注入される。活性層１８では、これらの電子と正孔が再結合し、光が発生する。
【００２４】
また、ｉ型第２光閉じ込め層１６、活性層１８、ｉ型第１光閉じ込め層２０、拡散抑制層２２、及び、ｐ型第１クラッド層２３は、図１に示すＸＹ面に直交するＺ方向に延びるメサを成している。このメサは、電流ブロック層２６で埋め込まれている。電流ブロック層２６は、ｐ型クラッド層２３からｎ型クラッド層１４へ流れる電流をブロックする。したがって、ｎ型クラッド層１４及びｐ型クラッド層２３から注入される電子と正孔は、効率良く活性層１８に導かれる。
【００２５】
このような半導体レーザ１０の半導体層の一例を示せば、拡散抑制層２２はｉ型半導体から成る。拡散抑制層２２の厚みは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。この層２２は、ｎ型不純物Ｓｉがドープされている。ｎ型基板１２のｎ型不純物の濃度は２×１０１８ｃｍ−３程度である。ｎ型クラッド層１４の厚みは５００ｎｍ程度であり、この層１４のｎ型不純物はＳｉであり、その濃度は１×１０１８ｃｍ−３程度である。第２光閉じ込め層１６及びｉ型第１光閉じ込め層２０の厚みはそれぞれ５０ｎｍ程度であり、これらの層１６、２０は、不純物濃度が１×１０１７ｃｍ−３以下であり、又はアンドープ半導体である。活性層１８は、不純物濃度が１×１０１７ｃｍ−３以下であり、又はアンドープ半導体である。ｐ型第１クラッド層２３及びｐ型第２クラッド層２４のｐ型不純物はＺｎであり、それぞれの濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０１８ｃｍ−３以下である。これらの層２３、２４の総厚みは５００ｎｍ程度である。
【００２６】
なお、拡散抑制層２２にドープされている不純物Ｓｉの濃度は、ｐ型クラッド層のｐ型不純物濃度以下にドープされており、ｐ型クラッド層から拡散した不純物と補償され、拡散抑制層２２の導電型がｐ型で、電気的に活性なキャリア密度が、５×１０１７ｃｍ−３以下になるように調整されている。
【００２７】
本実施形態の半導体レーザ１０によれば、ｐ型クラッド層２３と第１光閉じ込め層２０との間に設けられた拡散抑制層２２が、ｎ型不純物Ｓｉを含んでいるので、ｐ型クラッド層２３、２４からの不純物Ｚｎの拡散が活性層１８まで及ばない。また、拡散抑制層２２と活性層１８との間の第１光閉じ込め層２０がｉ型半導体から成る。したがって、活性層１８における電子濃度の分布と正孔濃度の分布とが重なり、活性層１８中でキャリアの再結合が生じ易い。故に、半導体レーザ１０では、電子と正孔の空間分布の差に起因する内部量子効率の低下を生じさせることなく、ｐ型クラッド層からの不純物Ｚｎの拡散に起因する吸収損失が低減される。
【００２８】
また、光の伝搬経路である第１光閉じ込め層２０に加えて第２光閉じ込め層１６もｉ型半導体から成れば、第１光閉じ込め層２０及び第２光閉じ込め層１６における自由キャリア吸収が低減される。したがって、半導体レーザ１０では、しきい値電流の増加が低減される、発光効率が増加するなどの効果がある。
【００２９】
また、拡散抑制層２２がＩｎＰ半導体から成るので、第１光閉じ込め層２０にｐ型不純物Ｚｎが拡散しない。このため、光が多く分布している光閉じ込め層における光吸収が減少できるという利点がある。
【００３０】
また、拡散抑制層２２の厚みが５ｎｍ以上であれば、５nm以上で厚ければ厚いほどｐ型不純物Ｚｎの拡散を抑制できる。
【００３１】
また、拡散抑制層２２の厚みが３０ｎｍ以下であれば、レーザの直列抵抗もそれ程上げることなく、またキャリアのオーバフローの影響も少ない。
【００３２】
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザの製造方法について説明する。図２及び図３は、半導体レーザ１０の製造工程を示す断面図である。
【００３３】
（第１半導体層堆積工程）
まず、ｎ型ＩｎＰ基板５２上に半導体層の積層構造を形成する。図２（ａ）に示すように、ｎ型ＩｎＰ基板５２上に、ｎ型ＩｎＰクラッド層５４、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰ第２光閉じ込め層５６、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰ活性層５８、及び、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰ第１光閉じ込め層６０、ｎ型ＩｎＰ拡散抑制層６２、ｐ型ＩｎＰ第１クラッド層６３を順次に形成する。これらの半導体層は、例えば有機金属気相エピタキシ法（Organometallic Vapor Phase Epitaxy：ＯＭＶＰＥ）を用いて成長される。
【００３４】
（マスク形成工程）
次いで、ｉ型第１光閉じ込め層上にエッチングマスク層を形成する。図２（ａ）に示すように、エッチングマスク層６５は、ｐ型第１クラッド層６３上にマスク層を堆積し、このマスク層をフォトリソグラフィ技術によって所定形状にエッチングすることによって形成される。マスク層６５は、ＸＹ面に直交するＺ方向に延びる短冊形に形成される。例示すれば、マスク層の材料には、二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）または窒化シリコン（ＳｉＮ）等が用いられる。
【００３５】
（メサ形成工程）
次いで、図２（ｂ）に示すように、ｉ型第２光閉じ込め層５６、活性層５８、ｉ型第１光閉じ込め層６０、ｎ型拡散抑制層６２、及び、ｐ型第１クラッド層６３をエッチングすることによって、ｉ型第２光閉じ込め層５６ａ、活性層５８ａ、ｉ型第１光閉じ込め層６０ａ、ｎ型拡散抑制層６２ａ、及び、ｐ型第１クラッド層６３ａで構成されるメサに形成する。
【００３６】
（電流ブロック層形成工程）
次いで、マスク材を除去することなく、ｎ型クラッド層５４上にＩｎＰ電流ブロック層６６を形成して、ｉ型第２光閉じ込め層５６ａ、活性層５８ａ、ｉ型第１光閉じ込め層６０ａ、ｎ型拡散抑制層６２ａ、及び、ｐ型第１クラッド層６３ａから成るメサを埋め込む。図３（ａ）に示すように、この電流ブロック層６６は、マスク層６５上には堆積されず、ｎ型クラッド層５４上のみに選択的に成長する。したがって、エッチングで残されたメサは埋め込まれて、平坦化される。
【００３７】
（第２半導体層堆積工程）
次いで、マスク材を除去した後に、ｐ型第１クラッド層６３ａ上に半導体層の積層構造を形成する。図３（ｂ）に示すように、ｐ型第１クラッド層６３ａ及び電流ブロック層６６上に、ｐ型ＩｎＰ第２クラッド層６４及びコンタクト層６７を順次に形成する。これらの半導体層は、例えばＯＭＶＰＥを用いて成長される。
【００３８】
一例を示せば、ｎ型拡散抑制層６２ａのｎ型不純物はＳｉであり、その濃度は、ｐ型第１クラッド層６３及びｐ型第２クラッド層６４のｐ型不純物濃度以下であることが好ましい。ｐ型第１クラッド層６３ａ及びｐ型第２クラッド層６４のｐ型不純物はＺｎであり、それぞれの濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上であることが好ましい。また、それぞれの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以下であることが好ましい。
【００３９】
ＯＭＶＰＥを用いて、これらの半導体層６３ａ、６４を成長する際の環境温度は高いので、ｐ型クラッド層６３ａ、６４の結晶成長中に、ｐ型クラッド層６３ａ、６４にドーピングされたＺｎは、ｎ型拡散抑制層６２ａへ拡散する。そのため、ｎ型拡散抑制層６２ａは、このＺｎと自身にドーピングされているＳｉとを含むこととなる。好適には、ｎ型拡散抑制層６２ａはｉ型半導体を成す。
【００４０】
この後に、電極を形成する工程等を行う。このようにして、図１に示す半導体レーザ１０が製造される。
【００４１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザについて説明する。図４は、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザの構造を示す断面図である。図４に示す半導体レーザ１０ａは、図１に示すＩｎＰ拡散抑制層２２がＩｎＧａＡｓＰ拡散抑制層２２ａである点において、第１の実施形態と異なる。
【００４２】
拡散抑制層２２ａは、ｉ型第１光閉じ込め層２０とｐ型第１クラッド層２３との間に位置する。拡散抑制層２２ａは、第２光閉じ込め層１６、活性層１８、及び、第１光閉じ込め層２０の材料と同一な材料から成る。したがって、半導体レーザ１０ａでは、ｎ型クラッド層１４とｐ型クラッド層２３とによって、ｉ型第２光閉じ込め層１６、活性層１８、ｉ型第１光閉じ込め層２０、及び、拡散抑制層２２ａに光が閉じ込められる。
【００４３】
拡散抑制層２２ａは、第２半導体層堆積工程初期ではｎ型ＩｎＧａＡｓＰ半導体から成る。一例を示せば、このｎ型半導体層の厚みは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、この半導体層のｎ型不純物はＳｉであり、その濃度は１×１０１７ｃｍ−３以上２×１０１８ｃｍ−３以下である。このｎ型半導体層は、ｐ型クラッド層２３、２４の結晶成長中に、ｐ型クラッド層２３、２４から拡散してきたＺｎを含み、拡散抑制層２２ａと成る。拡散抑制層２２ａは、この拡散したＺｎと自身にドーピングされているＳｉとを含む。拡散抑制層２２ａは、好ましくはｉ半導体を成す。一例を示せば、拡散抑制層２２ａの厚みは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、この層のキャリア密度は５×１０１７ｃｍ−３以下である。
【００４４】
本実施形態の半導体レーザ１０ａによれば、ｐ型クラッド層２３と第１光閉じ込め層２０との間に設けられた拡散抑制層２２ａが、ｎ型不純物Ｓｉを含んでいるので、ｐ型クラッド層２３、２４からの不純物Ｚｎの拡散が活性層１８まで及ばない。また、拡散抑制層２２ａと活性層１８との間の第１光閉じ込め層２０がｉ型半導体から成る。したがって、活性層１８における電子濃度の分布と正孔濃度の分布とが重なり、活性層１８中でキャリアの再結合が生じ易い。故に、半導体レーザ１０ａでは、電子と正孔の空間分布の差に起因する内部量子効率の低下を生じさせることなく、ｐ型クラッド層からの不純物Ｚｎの拡散に起因する吸収損失が低減される。
【００４５】
また、光の伝搬経路である第１光閉じ込め層２０に加えて第２光閉じ込め層１６及び拡散抑制層２２ａもｉ型半導体から成れば、第１光閉じ込め層２０、第２光閉じ込め層１６、及び、拡散抑制層２２ａにおける自由キャリア吸収が低減される。したがって、半導体レーザ１０ａでは、しきい値電流の増加が低減される。
【００４６】
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。
【００４７】
本実施形態に係る半導体レーザでは、ｐ型クラッド層の不純物の濃度分布が、活性層からｐ型クラッド層へ向かう方向に傾斜していてもよい。
【００４８】
ｐ型クラッド層の不純物の濃度分布が、活性層からｐ型クラッド層に向かうにつれて不純物濃度が高くなる場合、ｐ型クラッド層における光がより多く分布する活性層側のドーピング濃度が薄いため、ｐ型クラッド層の活性層側における吸収を減らすことができる。したがって、半導体レーザの抵抗を大きく上げることなく、等価的に全体のロスを減らすことができる。
【００４９】
一方、ｐ型クラッド層の不純物の濃度分布が、活性層からｐ型クラッド層に向かうにつれて不純物濃度が低くなる場合、ｐ型クラッド層における光閉じ込め層との界面のp型不純物の濃度が高いので、この濃度が低い場合に比べて、電子のp型クラッド層へのキャリアオーバーフローを抑制することができる。
【００５０】
また、本実施形態に係る半導体レーザは、拡散抑制層２２又は２２ａとｐ型クラッド層２３の間にｐ＋型ＩｎＰキャリアストップ層２８を設けた構成であってもよい（図５（ａ））。一例を示せば、キャリアストップ層２８の厚さは２０ｎｍ程度であり、キャリアストップ層２８の不純物Ｚｎの濃度は２×１０１８ｃｍ−３以上である。
【００５１】
この構成によれば、通常のキャリアストップ層と同様に、電子のキャリアオーバーフローを抑制することができる。
【００５２】
また、本実施形態に係る半導体レーザは、分布期間型半導体レーザであってもよい（図５（ｂ））。この半導体レーザでは、拡散抑制層２２又は２２ａと第１光閉じ込め層２０との間にＩｎＧａＡｓＰ回折格子形成層３０が設けられ、回折格子形成層３０と拡散抑制層２２又は２２ａとの間の境界面に回折格子３２が形成される。一例を示せば、回折格子形成層３０の厚みは２０ｎｍ程度である。
【００５３】
また、本実施形態に係る半導体レーザでは、光閉じ込め層１６、２０及び活性層１８が、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体から成っていてもよい。また、これらの層１６、１８、２０がＡｌＧａＡｓ半導体から成り、且つ、基板１２、クラッド層１４、２３、２４、及び、拡散抑制層２２が、ＧａＡｓ半導体から成っていてもよい。また、本実施形態に係る半導体レーザは、ｎ型基板上に半導体層を積層する構造であるが、ｐ型基板上に半導体層を積層する構造であってもよい。
【００５４】
また、本実施形態に係る半導体レーザでは、ｎ型不純物としてＳｉを例示したが、これに限られるものではない。また、本実施形態に係る半導体レーザでは、半導体層の厚みを例示したが、上述した値に限られるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図２】図２（ａ）及び図２（ｂ）は、本発明の実施形態に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）及び図３（ｂ）は、本発明の実施形態に係る半導体レーザの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザの構造を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）及び図５（ｂ）は、本発明の実施形態に係る半導体レーザの一変形例の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…半導体レーザ、１２…基板、１４…ｎ型クラッド層、１６…第２光閉じ込め層、１８…活性層、２０…第１光閉じ込め層、２２…拡散抑制層、２３、２４…ｐ型クラッド層、２６…電流ブロック層、コンタクト層２７。
【図１】
2006253212.tif 000003
【図２】
2006253212.tif 000004
【図３】
2006253212.tif 000005
【図４】
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【図５】
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