(57)【要約】【課題】  例えば、層間絶縁膜の下層に形成されたＴＦＴ等の電子素子が層間絶縁膜の上側に形成された配線とショートした場合でも、装置が備える回路に不具合が生じることを防止する。【解決手段】  絶縁膜２４０を平坦化した際に、絶縁膜２４０の膜厚が他の領域より薄くなる部分に近いクロックドインバータＣＩ０が他のクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３と電気的に絶縁させているため、ショートによる破壊はクロックドインバータＣＩ０のみで済む。したがって、実質的に転送信号を転送するクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３が破壊されることを防止できる。【選択図】  図４
2006227340.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上の画像表示領域に設けられた複数の画素電極と、
前記基板の基板面における一の領域の端に形成されたダミートランジスタを含んでおり、前記基板面における前記一の領域と隣接する他の領域に比べて相対的に高い密度で前記一の領域に配置されるように形成された複数のトランジスタと、
該複数のトランジスタの上側に前記一の領域及び前記他の領域に渡って形成されており、平坦化処理された絶縁膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数のトランジスタの形状及びサイズは、前記絶縁膜を平坦化処理する際に前記絶縁膜の平坦性が高められるように揃っていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記複数のトランジスタのピッチ間隔が揃っていること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ダミートランジスタは、前記複数のトランジスタのうち前記ダミートランジスタを除く他のトランジスタと電気的に絶縁されていること
を特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記複数のトランジスタ及び前記絶縁膜間に形成された複数の配線層を更に備え、
前記複数の配線層のうち前記ダミートランジスタに電気的に接続されたダミー配線層は、他の配線層と電気的に絶縁されていること
を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、前記絶縁膜の表面を研磨することによって平坦化処理されていること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記絶縁膜の表面は、ＣＭＰ研磨法により研磨されていること
を特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記絶縁膜は、所定の温度で流動化する流動化材料を含んでおり、前記絶縁膜は、前記流動化材料を流動化させることによって平坦化処理されていること
を特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
基板上の画像表示領域に複数の画素電極を形成する工程と、
前記基板の基板面における一の領域の端に形成されたダミートランジスタを含んでおり、前記基板面における前記一の領域と隣接する他の領域に比べて相対的に高い密度で前記一の領域に配置される複数のトランジスタを形成する工程と、
該複数のトランジスタの上側に前記一の領域及び前記他の領域に渡って形成された絶縁膜を平坦化処理する工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から８の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、基板上に、表示用電極及びこれを駆動するための走査線、データ線等の配線や電子素子が互いに層間絶縁膜を介して積層されている。電気光学装置がアクティブマトリクス駆動形式を採る場合、基板上には画素スイッチング用の薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下適宜「ＴＦＴ」と呼ぶ）が形成される。
【０００３】
また、この種の電気光学装置においては、表示特性を改善するためにＴＦＴアレイ基板の表面の平坦化が盛んに行われており、例えば、特許文献１に示すように層間絶縁膜をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法によって平坦化処理している。このように平坦化された層間絶縁膜を有する液晶装置は、研磨レートの低い画素領域やシール領域に対応する層間絶縁膜に凹凸が形成されており、凹部に入り込んだスラリーによって見かけ上の研磨レートが高められている。よって、層間絶縁膜の表面全体を均一な研磨レートで研磨でき、層間絶縁膜の平坦性が高められている。このような液晶装置は、液晶配向不良に起因する光漏れ、ラビング時のこすれ痕によるスジ状の表示不良及び配向膜のはがれによる表示不良等を低減されており、高品質の画像を表示できる。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３４０５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の電気光学装置では、層間絶縁膜の下層側にＴＦＴ等の電子素子が配設されているため、これら電子素子に形状或いはサイズに応じて層間絶縁膜に凹凸が生じる場合がある。特に、電子素子が密に配置されている領域及び電子素子が疎に配置されている領域の境目で、層間絶縁膜に段差が生じ易い。したがって、このまま層間絶縁膜の表面を研磨した場合には、この境目付近における層間絶縁膜の膜厚が他の領域における膜厚より薄くなり、この境目付近に形成されたＴＦＴ等の電子素子に接続された配線と層間絶縁膜上に形成された配線がショートする不具合が生じ、製造歩留まりを低下させるという問題点がある。最近では、量産性等の向上のために層間絶縁膜は薄くされる傾向にあることから、この問題点が顕在化している。
【０００６】
よって、本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、製造歩留まりが高く、高品質な表示を可能とする電気光学装置及びその製造方法、並びに、そのような電気光学装置を具備してなる電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画像表示領域に設けられた複数の画素電極と、前記基板の基板面における一の領域の端に形成されたダミートランジスタを含んでおり、前記基板面における前記一の領域と隣接する他の領域に比べて相対的に高い密度で前記一の領域に配置されるように形成された複数のトランジスタと、該複数のトランジスタの上側に前記一の領域及び前記他の領域に渡って形成されており、平坦化処理された絶縁膜とを備える。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置では、基板面における一の領域及び他の領域の夫々に形成されたトランジスタの密度に差がある。より具体的には、本発明の「密度」とは、基板面の単位面積当りに形成されたトランジスタの個数を意味し、単位面積当りに形成されたトランジスタの個数を比較した場合、基板面の一の領域に形成されたトランジスタの個数は、他の領域に形成されたトランジスタの個数より相対的に多い。ここで、「相対的に」とは、文字通り「他の領域に形成されたトランジスタの個数に比べて」という意味であり、基板面の他の領域に、トランジスタがまったく形成されていない場合も含む。また、本発明の「一の領域の配置されるように」とは、複数のトランジスタが一の領域に配列される場合、或いは一の領域内の所要の領域にランダムに配置される場合の両方の意味を含む。本発明の「一の領域の端」とは、一の領域のうちこの一の領域に隣接する他の領域に近い側の端を意味する。即ち、本発明の「一の領域の端」は、一の領域及び他の領域の境界付近を指す。
【０００９】
一の領域に形成された複数のトランジスタに含まれるダミートランジスタは、一の領域の端に形成されている。本発明の「ダミートランジスタ」とは、実質的にトランジスタとして機能しない素子であり、絶縁膜を平坦化処理する際にダミートランジスタの上側、即ち一の領域の端で絶縁膜の膜厚が薄くなることによってダミートランジスタに不具合が生じたとしても、他のトランジスタ或いは回路に影響を与えることがないトランジスタである。より具体的には、例えば、絶縁膜を平坦化処理する際に、一の領域の端、或いはこの端を含む一定の領域における絶縁膜の膜厚が、一の領域及び他の領域の境界において生じる絶縁膜の段差に起因して薄くなった場合でも、ダミートランジスタが他の配線等とショートするだけで済み、他のトランジスタ或いは回路に不具合が生じることを低減できる。加えて、ダミートランジスタは、他のトランジスタと同様の工程を経て形成されるため、新たな工程を経てダミートランジスタを形成する必要もない。
【００１０】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、別途新たな工程及び設計変更を加えることなく、トランジスタの個数の密度に相対的に差がある２つの領域の境界で絶縁膜の膜厚が顕著に薄くなった場合に、基板上に形成されたトランジスタ或いはこれらトランジスタを含む回路に不具合が生じることを低減でき、歩留まりを高めることが可能である。
【００１１】
本発明に係る電気光学装置の一の態様においては、前記複数のトランジスタの形状及びサイズは、前記絶縁膜を平坦化処理する際に前記絶縁膜の平坦性が高められるように揃っていてもよい。
【００１２】
この態様によれば、複数のトランジスタの形状及びサイズが揃っていることにより、微視的に見れば一の領域及び他の領域の境界で段差が生じるとしても、絶縁膜全体の実使用上問題ないレベルに平坦化できる。特に、複数のトランジスタ上に延在される絶縁膜の膜厚を、一の領域で均一に平坦化できる。例えば、複数のトランジスタを同一工程で形成することにより、これらトランジスタの高さ寸法を揃えることが可能であり、高さが揃ったトランジスタ上に形成された絶縁膜の膜厚が均一される。また、複数のトランジスタの形状、より具体的には絶縁膜の延在する面に沿った平面形状が揃っている場合には、より効果的に絶縁膜の膜厚を均一にできる。また、ダミートランジスタは、絶縁膜の均一性を損なわないように、複数のトランジスタのうちダミートランジスタを除く他のトランジスタと形状及びサイズを揃えて形成されていればよい。このため、ダミートランジスタは、配線等と電気的に接続を行うためのスルーホールが形成されていない場合、或いはイオン注入されていないことによって実質的にトランジスタとして機能しなくてもよい。即ち、ダミートランジスタは、絶縁膜を平坦化処理した際に膜厚が均一になるように形状及びサイズが揃っていればよい。
【００１３】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記複数のトランジスタのピッチ間隔が揃っていてもよい。
【００１４】
この態様によれば、複数のトランジスタ上に形成される絶縁膜の膜厚を一様にすることができる。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記ダミートランジスタは、前記複数のトランジスタのうち前記ダミートランジスタを除く他のトランジスタと電気的に絶縁されていてもよい。
【００１６】
この態様によれば、絶縁膜を平坦化する際にダミートランジスタ上の絶縁膜の膜厚が薄くなり、例えばダミートランジスタ及び絶縁膜上に形成された配線がショートした場合でも、複数のトランジスタのうちダミートランジスタの除く他のトランジスタに不具合が生じることを低減できる。
【００１７】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記複数のトランジスタ及び前記絶縁膜間に形成された複数の配線層を更に備え、
前記複数の配線層のうち前記ダミートランジスタに電気的に接続されたダミー配線層は、他の配線層と電気的に絶縁されていてもよい。
【００１８】
この態様によれば、例えば一の領域の端上の絶縁膜の膜厚が、絶縁膜の平坦化処理に伴い薄くなり、絶縁膜上に形成された配線及びダミー配線層がショートした場合でも他の配線を介して複数のトランジスタ或いはその他の回路に不具合が生じることを低減できる。尚、ダミー配線層及び複数の配線層のうちダミー配線層を除く他の配線層を同様の工程で形成すれば、ダミー配線層を他の配線層と絶縁しておくだけでよいため、別途一の領域に特別な工程を経てダミー配線層を形成する手間がなくなり、製造コスト及び手間を増やすことなく高い信頼性を有する電気光学装置を製造できる。
【００１９】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記絶縁膜は、前記絶縁膜の表面を研磨することによって平坦化処理されていてもよい。
【００２０】
この態様によれば、例えば、一の領域及び他の領域に渡って形成された絶縁膜全体をＣＭＰで研磨することによって絶縁膜を平坦化できる。この際に、トランジスタの密度の差がある一の領域及び他の領域の境界付近で絶縁膜を微視的に見て段差が生じている場合でも、ダミートランジスタが設けられていることによって、絶縁膜を平坦化しつつ、複数のトランジスタの不具合を低減できる。
【００２１】
この態様では、前記絶縁膜の表面は、ＣＭＰ研磨法により研磨されていてもよい。この態様によれば、絶縁膜の表面の平滑性を高めつつ、絶縁膜の表面を平坦にすることができる。
【００２２】
本発明に係る電気光学装置の他の態様においては、前記絶縁膜は、所定の温度で流動化する流動化材料を含んでおり、前記絶縁膜は、前記流動化材料を流動化させることによって平坦化処理されていてもよい。
【００２３】
この態様によれば、絶縁膜が、例えば所定の温度で流動化するＢＰＳＧ等の流動化材料を含んでいる場合には、リフローによって絶縁膜を平坦化することが可能である。この際、一の領域及び他の領域の境界付近の絶縁膜の膜厚が薄くなる場合があるが、ダミートランジスタがショートする場合がありえるのみであり、ダミートランジスタのショートに応じて一の領域に形成されたトランジスタ及び他の回路等に不具合が発生することはない。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置の製造方法は上記課題を解決するために、基板上の画像表示領域に複数の画素電極を形成する工程と、前記基板の基板面における一の領域の端に形成されたダミートランジスタを含んでおり、前記基板面における前記一の領域と隣接する他の領域に比べて相対的に高い密度で前記一の領域に配置される複数のトランジスタを形成する工程と、該複数のトランジスタの上側に前記一の領域及び前記他の領域に渡って形成された絶縁膜を平坦化処理する工程とを備える。
【００２５】
本発明に係る電気光学装置の製造方法によれば、上述した本発明の電気光学装置と同様に、別途新たな工程及び設計変更を加えることなく、トランジスタの個数の密度に相対的に差がある２つの領域の境界で絶縁膜の膜厚が顕著に薄くなった場合に、基板上に形成されたトランジスタ或いはこれらトランジスタを含む回路に不具合が生じることを低減でき、歩留まりを高めることが可能である。したがって、製造コストを増大させることなく高品質の電気光学装置を製造できる。
できる。
【００２６】
本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。
【００２７】
本発明の電子機器は、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた装置としてDLP（Digital  Light  Processing）等を実現することも可能である。
【００２８】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照しながら本実施形態に係る電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器を説明する。本実施形態は、本発明に係る電気光学装置を液晶装置に適用したものである。
【００３０】
先ず、図１及び図２を参照しながら本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を説明する。図１は、液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。図２は、データ線駆動回路の回路図である。尚、本実施形態は、本発明をＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置に適用したものである。
【００３１】
図１において、液晶装置２００は、一対の基板間に液晶が封入されてなる液晶表示部１ａ、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４及びサンプリング回路３０１を備えて構成されている。これらの駆動回路等は、例えば石英基板、ガラス基板或いはシリコン基板等からなる基板１０上の周辺に位置する周辺領域に設けられている。基板１０上の中央に位置する画像表示領域には、マトリクス状に配置された複数の画素電極１１と、Ｘ方向に複数配列されており夫々がＹ方向に沿って伸びるデータ線３５と、Ｙ方向に複数配列されており夫々がＸ方向に沿って伸びる走査線３１とが形成され、液晶表示部１ａが構築されている。尚、ここでは図示しないが、各画素電極１１とデータ線３５との間には、走査線３１を介して夫々供給される走査信号に応じて夫々の導通状態及び非導通状態が制御されるＴＦＴや、画素電極１１に印加した電圧を長く維持する蓄積容量のための容量配線が形成されている。
【００３２】
データ線駆動回路１０１は、サンプリング回路３０１を駆動することにより、画像信号線４００から供給される画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６をデータ信号印加の基準クロック信号であるＸ側クロック信号ＣＬＸ（及びその反転クロックＣＬＸ´）に応じてサンプリングして、複数のデータ線３５に対しデータ信号として夫々印加する。即ち、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、外部の画像信号処理回路により６相にシリアル−パラレル展開されており、６本の画像信号線４００を介してサンプリング回路３０１に入力されている。データ線駆動回路１０１内のイネーブル回路によりパルス幅が制限されてなるサンプリング回路駆動信号Ｓｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）は、６つに夫々分岐するサンプリング回路駆動信号線３０６を介して６個の隣接するサンプリングスイッチ３０２に入力される。従って、これらの６個のサンプリングスイッチ３０２の群毎に同時に、サンプリング回路３０１は駆動される。
【００３３】
走査線駆動回路１０４は、マトリクス状に配置された複数の画素部からなる液晶表示部１ａにおいて、データ信号及び走査信号により走査線３１に垂直な方向（Ｙ方向）に垂直走査を行うべく、走査信号印加の基準クロックであるＹ側クロック信号ＣＬＹ（及びその反転クロックＣＬＹ´）に基づいて、複数の走査線３１に対し走査信号を順次印加するように構成されている。
【００３４】
サンプリング回路３０１は、複数のデータ線３５に夫々接続された複数のサンプリングスイッチ３０２を備える。各サンプリングスイッチ３０２には、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６のいずれかが供給され、データ線駆動回路１０１に含まれる後述のシフトレジスタ回路からの転送信号により各サンプリングスイッチ３０２は順次閉じられる。即ち、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６をデータ線３５毎に転送信号に応じてサンプリングして、複数のデータ線３５にデータ信号として夫々印加するように構成されている。
【００３５】
サンプリングスイッチ３０２は、例えばＰチャネル型又はＮチャネル型の片チャネル型ＴＦＴ若しくは相補型のＴＦＴから構成されており、画像信号線４００がサンプリングスイッチ３０２のソース電極に接続されており、サンプリング回路駆動信号線３０６がサンプリングスイッチ３０２のゲート電極に接続されている。画像信号線４００を介して画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６が入力されると共にサンプリング回路駆動信号線３０６を介してデータ線駆動回路１０１からサンプリング回路駆動信号Ｓｉが入力されると、画像入力ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６をサンプリングして、各データ線３５に印加するように構成されている。
【００３６】
次に、図２を参照して、データ線駆動回路１０１の構成について詳細に説明する。
【００３７】
図２において、データ線駆動回路１０１は、複数段からなるシフトレジスタ回路５００、複数のイネーブル回路５０２及びパルス制御回路５０３を備える。
【００３８】
シフトレジスタ回路５００は、図２に示すように、左から右へ向かう方向に対応する転送方向で各段から転送信号Ａｉ（ｉ＝１、２、３、・・・）が順次出力されるように、外部の画像信号処理装置から供給される所定周期のクロック信号ＣＬＸ及びその反転信号ＣＬＸ´の２値レベルが変化する毎に転送信号に帰還をかけて次段に転送する３つのクロックドインバータ５０１を夫々含んで構成されている。尚、シフトレジスタ回路５００には、転送信号Ａｉの転送をスタートさせるためのシフトレジスタスタート信号ＤＸが図中左側から入力され、各クロックドインバータ５０１の駆動に必要な電源電圧等もまた外部から供給されるように構成されている。
【００３９】
イネーブル回路５０２は、転送信号Ａ１、Ａ２、Ａ３、・・・とイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかとの論理積を演算し、サンプリング回路駆動信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・・としてサンプリング駆動信号線３０６に夫々出力するように構成されている。より具体的には、イネーブル回路５０２は、図２に示すように、夫々が入力される転送信号Ａ１、Ａ２、Ａ３、・・・をイネーブル信号ＥＮＢ１、ＥＮＢ２、ＥＮＢ３及びＥＮＢ４のいずれかのパルス印加タイミングで切り取り、サンプリング回路駆動信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・・として出力するＮＡＮＤ回路５０５により構成されている。イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４は、クロック信号ＣＬＸ又は反転信号ＣＬＸ´のおよそ半分のパルス幅しか持たず、１つの転送信号Ａｉの前半と後半の夫々に対応するように出力される。このため、得られるサンプリング回路駆動信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・・は、転送信号Ａｉに対し倍周されたことになる。更に本実施形態では、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４相互間には、互いの時間的なオーバーラップを防ぐために予め僅かな時間間隔が設けてある。
【００４０】
本実施形態においては、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４は、イネーブル回路５０２の前段においてパルス制御回路５０３に入力される。パルス制御回路５０３は、転送信号Ａｉ（ｉ＝１、２、３、・・・）がシフトレジスタ回路５００の各段から受ける遅延及び歪みよりも大きな遅延及び歪みをイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４に与えるように構成されている。具体的には、パルス制御回路５０３は、インバータ３個が直列に接続されてなり、クロックドインバータ５０１の２つ分（つまり、転送信号Ａｉの遅延に寄与するインバータ）より個数が多いことから、そこを通過することでイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４の遅延及び歪みが転送信号Ａｉよりも大きくなるように構成されている。このように、パルス制御回路５０３における遅延特性をクロックドインバータ５０１と同等以上に設定するには、クロックドインバータ５０１と同数以上のインバータを用いることで足りると考えられ、各インバータの構成をクロックドインバータ５０１と必ずしも同一構成とする必要はない。但し、単に特性に差を設けるだけでなく、特性差を回路数で制御するには、各インバータを構成するトランジスタ特性を略等しくしておく必要があり、パルス制御回路５０３とシフトレジスタ回路５００とを同一工程にて形成することが好ましい。
【００４１】
次に、データ線駆動回路１０１又はパルス制御回路５０３に設けられたクロックインバータの具体的な構成の一例を説明する。図３は、データ線駆動回路１０１の一部の具体的な構成の一例を示す平面図であり、図４は、図３のＡ−Ａ´線断面図である。例えば、シフトレジスタ５００に含まれるクロックドインバータは、サンプリング回路駆動信号Ｓｉの信号数に応じて基板１０上に狭い間隔で密に形成される。尚、図２に示したパルス制御回路５０３に含まれるクロックドインバータも図３及び図４に示すクロックドインバータと同様な構成にすることができる。
【００４２】
図３において、クロックドインバータＣＩ０、ＣＩ１、ＣＩ２、及びＣＩ３が基板１０上に形成されている。図中では説明の便宜上クロックドインバータを４つ示しているが、例えば、シフトレジスタ５００では、シフトレジスタ５００の段数に応じた個数のクロックドインバータが設けられている。
【００４３】
クロックドインバータＣＩ０は、ＴＦＴ６１、６２、６３、及び６４を含んでおり、本発明の「一の領域」の一例である領域Ｄ１の端に設けられている。クロックドインバータＣＩ１は領域Ｄ１においてクロックドインバータＣＩ０と隣り合うように形成されており、クロックドインバータＣＩ２及びＣＩ３は、クロックドインバータＣＩ１からみて図中右側に並ぶように形成されている。クロックドインバータＣＩ０は、ＴＦＴ６１、６２、６３及び６４の上層に設けられた配線層Ｌ０を備えている。
【００４４】
配線層Ｌ０は、本発明の「ダミー配線層」の一例であり、例えばアルミニウムを蒸着法等により成膜することによって形成されている。配線層Ｌ０は、コンタクトホールＣ０２及びＣ０３を介してＴＦＴ６２及び６３と電気的に接続されているが、電源線ＶＤＤ及びＶＳＳと電気的に接続されていない。後述するように配線層Ｌ０は、他の配線層Ｌ１、Ｌ２及びＬ３とも電気的に絶縁されてため、配線層Ｌ０は、基板１０上の他の配線及び回路等と電気的に接続されていないことになる。したがって、クロックドインバータＣＩ０が備えるＴＦＴが破壊された場合でも、電源線ＶＤＤ及びＶＳＳを介してクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３が電気的に破壊されることを防止できる。
【００４５】
クロックドインバータＣＩ０は、ＴＦＴ６２及び６３のゲート電極Ｇ０を備えている。ゲート電極Ｇ０は、ＴＦＴ６２及び６３がＴＦＴとして機能しないことから電気的にゲート電極として機能しないが、後述するクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３の夫々が備えるゲート電極Ｇ１、Ｇ２及びＧ３と同時に基板１０上に形成される。
【００４６】
ＴＦＴ６１、６２、６３及び６４は、本発明の「ダミートランジスタ」の夫々一例であり、実質的にはＴＦＴとして機能しない素子である。より具体的には、ＴＦＴ６１、６２、６３及び６３は、後述するクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３の夫々に含まれるＴＦＴのうち夫々対応するＴＦＴと同様の構成を有しているが、チャネル層に対するイオン注入等がなされていなくもよい。例えば、ＴＦＴ６２は、ＴＦＴ７２、８２及び９２の同様の構成を有しており、本実施形態では、クロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３の夫々が備えるＴＦＴと同様の平面形状となるように形成されている。
【００４７】
クロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３は、図中左右方向に延在された電源線ＶＤＤ及びＶＳＳに電気的に接続されており、電源線ＶＤＤ及びＶＳＳを介してクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３を駆動するための電源が供給される。クロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３は、図中左右方向に沿って延在するクロック信号線２０１及び２０２と電気的に接続されており、クロック信号線２０１及び２０２の夫々からクロック信号ＣＬＫ及びＣＬＫ´が供給される。
【００４８】
クロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３の夫々は、クロックドインバータＣＩ０と異なり、実質的にクロックドインバータとして機能する。クロックドインバータＣＩ１は、ＴＦＴ７１、７２、７３及び７４を備えており、ＴＦＴ７１及び７４がコンタクトホールＣ１１及びＣ１４を介して電源線ＶＤＤ及びＶＳＳと電気的に接続されている。クロック信号線２０１は、ＴＦＴ７１のゲート電極と共通化されており、クロック信号線２０２は、ＴＦＴ７４のゲート電極と共通化されている。したがって、クロックドインバータＣＩ１は、電源線ＶＤＤ及びＶＳＳから供給される電源、並びにクロック信号線２０１及び２０２の夫々から供給されるクロック信号によって駆動される。クロックドインバータＣＩ１が備えるゲート電極Ｇ１は、ＦＴ７２及び７３の夫々のゲート電極として機能する。クロックドインバータＣＩ１が、データ線駆動回１０１が備えるシフトレジスタ５０１の初段として機能する場合には、クロックスタート信号ＤＸが不図示の配線を介してゲート電極Ｇ１に供給される。クロックドインバータＣＩ２及びＣＩ３の夫々が備えるゲート電極Ｇ２及びＧ３は、クロックドインバータＣＩ１及びＣＩ２の夫々が備える配線層Ｌ１及びＬ２とコンタクトホールＣ４１及びＣ４２の夫々を介して電気的に接続されている。したがって、例えばクロックドインバータＣＩ１から出力される転送信号は、配線層Ｌ１を介して次段のクロックドインバータＣＩ２に転送される。クロックドインバータＣＩ２及びＣＩ３もクロックドインバータＣＩ１と同様に、ＴＦＴ８１、・・・、８４及びＴＦＴ９１、・・・、９４を備えており、クロックドインバータＣＩ１と同様に電源及びクロック信号によって駆動され、次段のクロックドインバータに転送信号を転送する。
【００４９】
クロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３の夫々が備える配線層Ｌ１、Ｌ２及びＬ３は、配線層Ｌ０と同時に同一層上に形成されている。配線層Ｌ１は、コンタクトホールＣ１２及び１３を介してＴＦＴ７２及び７３の夫々と電気的に接続されている。配線層Ｌ２及びＬ３も配線層Ｌ１と同様にコンタクトホールＣ２２、２３、３２、及び３３の夫々を介してＴＦＴ８２、８３、９２、及び９３と電気的に接続されている。
【００５０】
ここで、基板１０の基板面における図中領域Ｄ１の左側に広がる領域Ｄ２は、本発明の「他の領域」の一例であり、ＴＦＴ等の素子が殆ど形成されていない領域である。即ち、領域Ｄ２は、ＴＦＴ等の素子が複数形成された領域Ｄ１に比べて単位面積当たりに形成された素子の個数が少ない。言い換えれば、領域Ｄ１は領域Ｄ２に比べて素子密度が相対的に高い領域である。尚、本実施形態は、領域Ｄ１は領域Ｄ２に比べて形成された素子の密度が高ければよく、領域Ｄ２にＴＦＴ等の素子が全く形成されていない場合、又は領域Ｄ１に形成された素子の個数より少ない個数の素子が領域Ｄ２に形成されている場合の両方を含む。領域Ｄ１に形成されたＴＦＴ等の素子は、本実施形態のように領域Ｄ１に配列される場合だけでなく、領域Ｄ１にランダムに配置されていてもよい。
【００５１】
図４において、ＴＦＴ６２、７２、８２及び９２は、基板１０の基板面における領域Ｄ１に形成されており、ＴＦＴ６２、７２、８２及び９２を埋め込んで絶縁膜２３０が基板１０上に形成されている。絶縁膜２３０上には絶縁膜２４０が形成されており、その上に順次配線層２５０及び絶縁膜２６０が形成されている。絶縁膜２４０上に形成された配線層２５０は、液晶装置が備える各回路を互いに電気的に接続しており、例えばアルミニウムを成膜することによって形成されている。絶縁膜２６０は、ＢＰＳＧ膜等の低温で形成可能な絶縁膜である。
【００５２】
クロックドインバータＣＩ０、ＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３に含まれる各ＴＦＴが高温プロセス型ポリシリコンＴＦＴである場合、熱酸化ゲート絶縁膜の形成に１０００℃以上の熱処理を必要とするため、層間絶縁膜には、基本的には耐熱性が要求される。したがって、絶縁膜２３０としては、例えば不純物が無添加の酸化シリコン（non-doped silicate glass：ＮＳＧ）膜が好適に用いられる。
【００５３】
絶縁膜２３０上には、配線層Ｌ０、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３が延在しており、これら配線層Ｌ０、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３を埋め込んで絶縁膜２４０が形成されている。絶縁膜２４０は、領域Ｄ１及びＤ２に渡って一旦形成された後、平坦化処理されている。例えば、絶縁膜２４０を形成した後に絶縁膜２４０の表面をＣＭＰ処理することによって絶縁膜２４０の表面を平坦にすることが可能である。また、絶縁膜２４０を所定の温度まで加熱して流動化させることによって、絶縁膜２４０を平坦化することも可能である。より具体的には、絶縁膜２４０をボロンリンガラス（Borophosphosilicateglass：以下適宜、「ＢＰＳＧ」と呼ぶ）膜、又はある条件下で成膜されたＮＳＧ膜などの、低温でも形成可能な流動化材料で形成することもできる。このような流動化材料で絶縁膜２４０を形成すれば、絶縁膜２４０の下層側に形成された配線層が高温に曝されることによって変形等することを防止できる。特に、本実施形態では、配線層Ｌ０、Ｌ１、Ｌ２及びＬ３をアルミニウム等の、高温で揮発したり変形したりする可能性がある材料で配線等を形成しているため、少なくともその上層の絶縁膜２４０は、その耐熱温度以下の温度で成膜される必要がある。Ａｌは融点が低く、Ａｌを含む構成要素には比較的低温（例えば４００℃程度）から上記不都合が生じる。そこで、こうした耐熱性が低い構成要素よりも上層の層間絶縁膜としては、ＢＰＳＧ膜、又はある条件下で成膜されたＮＳＧ膜などで形成された絶縁膜２４０が、低温でも平坦化可能な絶縁膜として好適である。
【００５４】
尚、絶縁膜２４０としてＢＰＳＧ膜を形成する場合の成膜方法は特に限定されない。ＢＰＳＧ膜は、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法や常圧ＣＶＤ法によって成膜される。その際、ＴＥＯＳ（テトラエチルオルソシリケート）ガス、ＴＭＯＰ（トリメチルフォスフェイト：ＰＯ（ＯＣＨ3）3）ガス、及び、ＴＥＢ（トリエチルボレート：Ｂ（ＯＣ2Ｈ5）3）ガス又はＴＭＢ（トリメチルボレート：Ｂ（ＯＣＨ3）3）ガスの各ソースガスと、オゾン（Ｏ3）を含有する酸素（Ｏ2）ガスとの混合ガスが反応ガスとして供給される。また、これらガスの流量や成膜温度等の条件は適宜に設定可能である。
【００５５】
ここで、平坦化処理された絶縁膜２４０には、基板１０上に形成されたＴＦＴ等の素子の粗密に応じて、微視的に見て領域Ｄ１及びＤ２の境界で段差が生じ、絶縁膜２４０の膜厚が部分的に薄くなる。より具体的には、領域Ｄ１及びＤ２の境界付近の領域Ｒで絶縁膜２４０の膜厚が薄くなることによって、絶縁膜２４０上に形成された配線層２５０及び絶縁膜２４０の下層側に形成された配線層Ｌ０の距離が他の領域に比べて相対的に近くなり、配線層２５０及び配線層Ｌ０間がショートし易くなっている。配線層Ｌ０が配線層２５０とショートした場合、配線層Ｌ０に電気的に接続されたＴＦＴ６２及び６３も破壊されることになる。仮に、クロックドインバータＣＩ０が他のクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３と電気的に接続されていた場合、ＴＦＴ６２及び６３等が破壊されるに伴い、クロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３に含まれるＴＦＴ等の素子も破壊され、データ線駆動回路に不具合が生じることになる。
【００５６】
しかしながら、本実施形態では、絶縁膜２４０を平坦化処理した際に、絶縁膜２４０の膜厚が他の領域より薄くなる部分に近いクロックドインバータＣＩ０が他のクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３と電気的に絶縁させているため、ショートによる破壊はクロックドインバータＣＩ０のみで済む。したがって、実質的に転送信号を転送するクロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３が破壊されることを防止できる。
【００５７】
また、クロックドインバータＣＩ０が備えるＴＦＴ６１、６２、６３及び６４は、クロックドインバータＣＩ１、ＣＩ２及びＣＩ３が備えるＴＦＴのうち夫々対応するＴＦＴと同一構造を有しているため、これらＴＦＴの形状及びサイズは同一であり、領域Ｄ１における絶縁膜２４０の膜厚を均一にできる。より具体的には、ＴＦＴ６２と、ＴＦＴ７２、８２及び９２の高さが同一であるため、絶縁膜２４０の膜厚を均一にできる。加えて、基板１０上に形成された各クロックドインバータが備えるＴＦＴは、同一工程を経て形成されるため、破壊されてもよいＴＦＴを領域Ｄ１の端に別途新たに形成する工程を設ける必要もなく、製造コストを増大させることもない。
【００５８】
したがって、本実施形態に係る液晶装置によれば、別途新たな工程及び設計変更を加えることなく、トランジスタの個数の密度に相対的に差がある２つの領域の境界で絶縁膜の膜厚が顕著に薄くなった場合に、トランジスタ或いはこれらトランジスタを含む回路に不具合が生じることを低減でき、装置の歩留まりを高めることが可能である。
【００５９】
＜液晶装置の全体構成＞
以上のように構成された液晶装置の各実施の形態の全体構成を図５及び図６を参照して説明する。尚、図５は、基板１０をその上に形成された各構成要素と共に対向基板２０の側から見た平面図であり、図６は、対向基板２０を含めて示す図７のＨ−Ｈ´断面図である。
【００６０】
図５及び図６において、基板１０の上には対向基板２０が対向配置されている。基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域の周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００６１】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいて基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。また、シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域の額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００６２】
画像表示領域の周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置された領域の外側には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が、基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域の両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００６３】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００６４】
図６において、基板１０上には、画素スイッチング用ＴＦＴや各種配線等の上に画素電極１１が、更にその上から配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が、更にその上から配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００６５】
尚、ここでは図示しないが、基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他にサンプリング回路３０１が形成されている。また、これに加えて、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路や、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。また、対向基板２０の投射光が入射する側及び基板１０の出射光が出射する側には各々、例えば、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、 ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード、Ｄ−ＳＴＮ（ダブル−ＳＴＮ）モード等の動作モードや、ノーマリーホワイトモード／ノーマリーブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【００６６】
＜電子機器＞
次に、以上に説明した液晶装置を、各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００６７】
（プロジェクタ）
先ず、本発明の「電気光学装置」の一例たる液晶装置を、ライトバルブに適用したプロジェクタについて説明する。図７は、このプロジェクタの構成例を示す平面図である。同図に示したように、プロジェクタ１１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。液晶装置１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、例えば上記実施形態における液晶装置と同等であり、夫々において、画像信号処理回路（図示せず）から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２では、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写される。
【００６８】
（モバイル型コンピュータ）
次に、この電気光学装置たる液晶装置を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図８は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。パーソナルコンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、前述の電気光学装置としての液晶装置１００５に、バックライトを付加した構成となっている。
【００６９】
（携帯電話）
更に、この電気光学装置たる液晶装置を、携帯電話に適用した例について説明する。図９は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。同図における携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２及び内蔵回路と共に、液晶装置１００５を備える。ここに液晶装置１００５は反射型であり、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。
【００７０】
以上では、本発明の電気光学装置について、液晶装置を例に挙げて具体的に説明したが、本発明の電気光学装置は、その他にもＤＭＤ（Digital Micro mirror Device）を利用した表示装置や、電気泳動装置、電子放出素子を利用した表示装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等に広く可能である。
【００７１】
また、このような本発明の電気光学装置は、先に説明した電子機器の他にも、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等などに適用可能である。
【００７２】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及びこれを具備する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を表すブロック図である。
【図２】図１におけるデータ線駆動回路の回路図である。
【図３】データ線駆動回路の一部の具体的な構成を示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ´線断面図である。
【図５】本実施形態の液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図６】図５のＨ−Ｈ´断面図である。
【図７】本発明の電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す断面図である。
【図８】本発明の電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す断面図である。
【図９】本発明の電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０１・・・データ線駆動回路、１０４・・・走査線駆動回路、２００・・・液晶装置、３０１・・・サンプリング回路、５０１，５０３，ＣＩ０，ＣＩ１，ＣＩ２，ＣＩ３・・・クロックドインバータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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