(57)【要約】【課題】  少なくとも配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間を確実に密閉可能な配線基板の製造方法を得る。【解決手段】  ガラス基板１１ａ上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成する第３ステップとを備える。フリットガラス１３によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、フォトマスク２０の配線用のパターンの側辺（Ｌａ・Ｌｂ・Ｌｃ・Ｌｄ）が、接合箇所に対応する領域において屈曲している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配線が形成されている配線基板であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板の製造方法において、
基板上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、
配線用のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、前記金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、
前記レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、前記配線を形成する第３ステップとを備え、
前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲していることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線用パターンの両側辺が、屈曲していることを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記両側辺が、それぞれ、複数箇所で屈曲していることを特徴とする請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記屈曲の形状がコの字形状であって、
前記側辺に沿った方向における前記コの字形状の辺の長さをＬ、前記側辺と垂直なる方向における前記コの字形状の辺の長さをｄとすると、
ｄ＞Ｌ／４の関係を満たしていることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線は、信号線と接地線とからなり、かつ、前記信号線と前記接地線とは一定の間隔を空けて配されており、
前記間隔をＷ０とし、前記信号線の幅をＤとすると、
（Ｄ−１８Ｗ０）／２０＜ｄ＜（Ｄ−３Ｗ０）／８の関係を満たしていることを特徴とする請求項４記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
基板上に配線が形成されている配線基板であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板の製造に用いられるフォトマスクであって、
配線用のパターンが形成されており、
前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲していることを特徴とするフォトマスク。
【請求項７】
基板上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板において、
前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、
前記配線の両側辺のうち何れか１つの側辺が、前記接合箇所において複数の屈曲部を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項８】
基板上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板において、
前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、
前記配線の両側辺が、前記接合箇所において屈曲部を備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記配線の両側辺が、それぞれ、複数の屈曲部を備えていることを特徴とする請求項８記載の配線基板。
【請求項１０】
前記屈曲部の形状がコの字形状であって、
前記側辺に沿った方向における前記コの字形状の辺の長さをＬ、前記側辺と垂直なる方向における前記コの字形状の辺の長さをｄとすると、
ｄ＞Ｌ／４の関係を満たしていることを特徴とする請求項７から９の何れか１項に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記配線は、信号線と接地線とからなり、かつ、前記信号線と前記接地線とは一定の間隔を空けて配されており、
前記間隔をＷ０とし、前記信号線の幅をＤとすると、
（Ｄ−１８Ｗ０）／２０＜ｄ＜（Ｄ−３Ｗ０）／８の関係を満たしていることを特徴とする請求項１０記載の配線基板。
【請求項１２】
請求項７から１１の何れか１項に記載の配線基板と、
前記蓋部と、
前記接合剤とを備え、
前記表面領域の上方の空間が、前記蓋部と前記接合剤とにより密閉されていることを特徴とする回路素子。
【請求項１３】
前記配線基板は、２本の信号線を有し、
基準電位に対して所定の電位差の電圧が印加された場合に、２本の信号線同士を接続させる接続部を、前記表面領域の上方の空間に備えることを特徴とする請求項１２記載の回路素子。
【請求項１４】
前記配線基板は、第１の信号線、第２の信号線、および第３の信号線を有し、このうち第１の信号線および第２の信号線が、入力側または出力側の信号線として用いられるものであって、
前記表面領域の上方の空間に、前記第３の信号線と、前記第１の信号線および第２の信号線のうち何れか１本の信号線とを選択的に接続させる選択部を備えることを特徴とする請求項１２記載の回路素子。
【請求項１５】
請求項１２から１４の何れか１項に記載の回路素子を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項１６】
請求項１２から１４の何れか１項に記載の回路素子を備えたことを特徴とする計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、フォトマスク、配線基板、回路素子、通信装置、および計測装置に関するものである。特に、本発明は、高周波信号を扱うマイクロデバイスの配線基板の製造方法等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、封着ガラスを用いて内部を密閉状態とした構造体が知られている。例えば、上記構造体のうち、大型のものとしてはブラウン管やプラズマディスプレイパネルが、小型のものとしては、ＳＡＷデバイスや水晶デバイス等が挙げられる。
【０００３】
また、近年、高速かつ大容量通信を行うために、ＧＨｚ帯の高周波信号が使用されるようになってきている。このため、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術による高周波用デバイス（以下、ＭＥＭＳデバイスと称する）のニーズが高まっている。例えば、ＭＥＭＳデバイスとして、スイッチ、リレー（スイッチング素子）、フィルタ、レゾネータ（共振器）、フェーズシフタ（移相器）等の素子が挙げられる。このようなＭＥＭＳデバイスにおいても、該デバイスの機構部（動作部や接点部等）を腐食や埃等から保護する必要があるため、および、該機構部を含む内部空間の減圧を行い応答性を向上させるため、上記封着ガラスを用いて機構部を含む空間を密閉することが行われている。
【０００４】
また、高周波信号の伝送を行うための構造としては、マイクロストリップライン型の構造やコプレーナ型の構造が挙げられる。特に、コプレーナ型の構造では、小型化が図りやすく、かつ、配線間の電気的な結合力が小さいため、ＭＥＭＳデバイスにはコプレーナ型の構造が用いられることが多い。
【０００５】
ここで、スイッチング素子（リレー）として機能する、コプレーナ型の構造を有するＭＥＭＳデバイス（以下、ＭＥＭＳスイッチング素子と称する）について説明する。図２２に示すとおり、ＭＥＭＳスイッチング素子９０は、配線基板９１、可動電極９２、フリットガラス（封着ガラス）９３、およびキャップ９４を備えている。また、配線基板９１は、ガラス基板９１ａ、信号線９１ｂ・９１ｃ、固定電極（ＧＮＤ）９１ｄ、固定接点９１ｅ・９１ｆ、およびボンディングパッド９１ｇ…を備えている。なお、信号線９１ｂ・９１ｃ、固定電極９１ｄ、固定接点９１ｅ・９１ｆ、およびボンディングパッド９１ｇ…は、ガラス基板９１ａ上に形成されている。さらに、可動電極９２は、可動接点９２ａを備えている。また、可動電極９２は、図示しないバネによって、キャップ９４方向に付勢されている。
【０００６】
また、ＭＥＭＳスイッチング素子９０は、ボンディングパッド９１ｇ…を介して、固定電極９１ｄと可動電極９２との間に電圧を印加可能な構成を有している。そして、この電圧により発生させた静電気力によって、可動電極９２を配線基板９１側に引きつけ、可動接点９２ａと固定接点９１ｅ・９１ｆとを接触させる。これにより、信号線９１ｂと信号線９１ｃとが電気的に接続される。一方、上記電圧の印加を停止することにより、上記信号線９１ｂと信号線９１ｃとの接続が解除（つまり、絶縁）される。このように、上記電圧の印加の有無により、スイッチのＯＮ／ＯＦＦの切り換えを実現している。
【０００７】
ところで、ＭＥＭＳスイッチング素子９０では、予めキャップ９４に接合されたフリットガラス９３に熱を加えて該フリットガラス９３を溶かし、キャップ９４と配線基板９１との間に所定の圧をかけることにより、配線基板９１とキャップ９４とが接合されている。また、配線基板９１の表面は、図２３に示すとおり、信号線９１ｂ・９１ｃおよびボンディングパッド９１ｇ…により、凹凸の形状（つまり段差が生じた形状）となっている。このため、フリットガラス９３が配線基板９１と接触する領域（以下、接合領域（図２２参照））においては、図２４に示すとおり、フリットガラス９３が、信号線９１ｂとボンディングパッド９１ｇとの隙間Ｇ１、およびボンディングパッド９１ｇ同士の隙間Ｇ２に入り込むこととなる。そして、このようにフリットガラス９３が上記隙間（Ｇ１・Ｇ２）に入り込むことにより、可動電極９２を含んだ空間を密閉している。
【０００８】
ここで、ＭＥＭＳスイッチング素子９０の製造方法について説明する。
【０００９】
まず、ガラスウェハ上に、信号線９１ｂ・９１ｃ、固定電極９１ｄ、およびボンディングパッド９１ｇ…用の金属薄膜を形成する。そして、この金属薄膜上に、所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、レジストによるパターン（以下、レジストパターン）を生成する。さらに、このレジストパターンをマスクとして、エッチングを行い、金属薄膜を選択的に除去する。その後、レジストを除去する。なお、固定電極９１ｄ上には、さらに、絶縁保護膜が形成される。以上により、複数の配線基板９１からなる固定基板が形成される。
【００１０】
そして、各可動電極９２を各配線基板９１上の所定の位置に生成した後、減圧下で、複数のキャップ９４が連続して形成された基板（以下、ガラスキャップ基板と称する）を、各キャップ９４が各可動電極９２を覆うように、固定基板に対して接合する。
【００１１】
この後、ガラスキャップ基板が接合された固定基板を、該ガラスキャップ基板と共にカットして、１個づつのチップ（ＭＥＭＳスイッチング素子）に切り取る（つまりダイシングを行う）。このように、所謂ウェハレベルパッケージ技術（個片に分割する前にパッケージする技術）を用いて、一度に複数個のＭＥＭＳスイッチング素子９０が製造される。また、上記エッチングとして、一般的に、ウェットエッチングが用いられる。
【００１２】
なお、特許文献１には、ガラスキャップ基板と固定基板との接合強度を上げるために、封止手段が接合手段を介して配線と接する部分において、上記配線のうち少なくとも１以上の配線に切欠部を設けた構成の封止構造が開示されている。
【特許文献１】特開２００３−１９７７９６号公報（公開日：平成１５年７月１１日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記従来の製造方法を用いると、同時に製造されたＭＥＭＳスイッチング素子９０のうち、いくつかのＭＥＭＳスイッチング素子９０において、可動電極９２を含んだ空間が完全に密閉されないといった問題が生じる。以下に、この理由について、図２５および図２６に基づいて、説明する。
【００１４】
図２５（ａ）に示すとおり、上述したレジストパターンを生成した後、図２５（ｂ）に示すとおり、ウェットエッチングが行われる。さらに、エッチングが進行すると、図２５（ｃ）に示すとおり、ガラスウェハの表面が露出する。
【００１５】
ここで、理想的には、図２５（ｄ）に示すとおり、サイドエッチング生じない状態で、全てのＭＥＭＳスイッチング素子９０に関し、エッチングを終了できればよい。しかしながら、ガラスウェハ面上においてはエッチングレートにばらつきが生じるため、エッチングレートが通常のレートよりも早い領域においては、図２５（ｅ）に示すとおり、サイドエッチングが発生してしまう。
【００１６】
特に、エッチングレートの早い領域では、レジストの端部が、図２５（ｆ）に示すとおり、ガラスウェハ側（つまりガラス基板９１ａ側）に傾斜して（つまり垂れ込んで）しまう。それゆえ、レジストに対する、ガラスウェハ寄りのエッチング液（例えば、上記金属薄膜が金（Ａｕ）の場合、ヨウ化カリウム水溶液（ＫＩ）等）の供給量が、レジスト寄りのエッチング液の供給量よりも多くなってしまう。このため、金属薄膜の形状が、図２５（ｇ）にも示すとおり、所謂、逆メサ状の構造となってしまう。つまり、金属薄膜に関し、ガラスウェハとの接触面の面積が、この接触面と対向する表面の面積よりも小さくなる。
【００１７】
その結果、図２６に示すとおり、逆メサ状の構造となったことにより生じた隙間Ｇ３に、フリットガラス９３が完全に流れ込むことができなくなる。それゆえ、可動電極９２を含んだ空間（所定の空間）が完全に密閉されないＭＥＭＳスイッチング素子９０が発生してしまう。
【００１８】
また、ＭＥＭＳスイッチング素子９０以外のＭＥＭＳデバイスでも、同様の問題が生じる。
【００１９】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、少なくとも配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間を確実に密閉可能な、配線基板の製造方法、フォトマスク、配線基板、回路素子、通信装置、および計測装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明に係る配線基板の製造方法は、上記の課題を解決するため、基板上に配線が形成されている配線基板であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板の製造方法において、基板上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、前記金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、前記レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、前記配線を形成する第３ステップとを備え、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲していることを特徴としている。
【００２１】
上記の方法によれば、第１ステップにより、基板上に配線用の金属薄膜を形成することができる。また、第２ステップにより、配線用のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、前記金属薄膜上に、レジストパターンを生成することができる。
【００２２】
ここで、上記配線用のパターンの側辺は、前記接合箇所に対応する領域において屈曲しているため、生成されたレジストパターンも、上記領域に対応する箇所（言換すれば、接合箇所に対応する箇所）において屈曲することとなる。
【００２３】
さらに、第３ステップにより、上記領域に対応する箇所において屈曲したレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成することができる。
【００２４】
それゆえ、上記レジストパターンが屈曲した箇所においては、ウェットエッチング時に用いるエッチング液の滞留が起こる。つまり、上記屈曲した箇所では、屈曲していない箇所に比べて、エッチングの速度が低下する。
【００２５】
このため、例え上記屈曲していない箇所において、サイドエッチングが発生した場合であっても、上記屈曲している箇所では、サイドエッチングの発生を抑制できる。この結果、上記屈曲している箇所の配線については、レジストが基板側に垂れ込むことにより生じる、逆メサ状の構造（つまり、配線の幅が、基板に近いほど狭くなる構造）の発生を抑制できる。
【００２６】
それゆえ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間を、蓋部と接合剤とにより密閉する際に、接合剤を、基板に配線を形成することにより生じた段状の部分に完全に流れ込ませることができる。
【００２７】
したがって、上記表面領域の上方の空間を確実に密閉可能な配線基板を製造できるという効果を奏する。
【００２８】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、上記の配線基板の製造方法において、前記配線用パターンの両側辺が、屈曲していることを特徴としている。
【００２９】
上記の方法によれば、上記配線用パターンの両側辺が屈曲しているフォトマスクを用いて、配線を形成することができる。
【００３０】
したがって、一方の側辺しか屈曲していない構成と比較して、より一層、上記表面領域の上方の空間を密閉可能な配線基板の製造方法を提供できるという効果を奏する。
【００３１】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、上記の製造方法において、前記両側辺が、それぞれ、複数箇所で屈曲していることを特徴としている。
【００３２】
上記の方法によれば、両側辺がそれぞれ複数箇所で屈曲しているフォトマスクを用いて、配線を形成することができる。
【００３３】
したがって、各側辺が１箇所でしか屈曲していない構成と比べて、より一層、上記表面領域の上方の空間を密閉可能な配線基板の製造方法を提供できるという効果を奏する。
【００３４】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、上記の配線基板の製造方法において、前記屈曲の形状がコの字形状であって、前記側辺に沿った方向における前記コの字形状の辺の長さをＬ、前記側辺と垂直なる方向における前記コの字形状の辺の長さをｄとすると、ｄ＞Ｌ／４の関係を満たしていることを特徴としている。
【００３５】
上記の方法によれば、ｄ＞Ｌ／４の関係を満たしているため、上記エッチング液を十分に滞留させることができる。
【００３６】
したがって、逆メサ状の構造が発生することを、より一層、防止することができるという効果を奏する。
【００３７】
また、本発明に係る配線基板の製造方法は、上記の配線基板の製造方法において、前記配線は、信号線と接地線とからなり、かつ、前記信号線と前記接地線とは一定の間隔を空けて配されており、前記間隔をＷ０とし、前記信号線の幅をＤとすると、（Ｄ−１８Ｗ０）／２０＜ｄ＜（Ｄ−３Ｗ０）／８の関係を満たしていることを特徴としている。
【００３８】
上記の方法によれば、（Ｄ−１８Ｗ０）／２０＜ｄ＜（Ｄ−３Ｗ０）／８の関係を満たしている。
【００３９】
それゆえ、配線基板がコプレーナ型の配線経路をとる場合であって、かつ、屈曲していない箇所における配線の特性インピーダンスが５０Ωである場合、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を１．２５以下とすることができる。
【００４０】
したがって、上記の条件下において、配線を通る信号の伝送損失を一定の損失に留めることが可能となるという効果を奏する。
【００４１】
また、本発明に係るフォトマスクは、上記の課題を解決するために、基板上に配線が形成されている配線基板であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板の製造に用いられるフォトマスクであって、配線用のパターンが形成されており、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲していることを特徴としている。
【００４２】
上記の構成によれば、上記配線用のパターンの側辺は、前記接合箇所に対応する領域において屈曲しているため、このフォトマスクでマスクすることにより生成されるレジストパターンも、上記領域に対応する箇所において屈曲することとなる。
【００４３】
それゆえ、上記レジストパターンが屈曲した箇所においては、配線となる薄膜に対してウェットエッチングを行う場合、エッチングに用いるエッチング液の滞留が起こる。つまり、上記屈曲した箇所では、屈曲していない箇所に比べて、エッチングの速度が低下する。
【００４４】
このため、例え上記屈曲していない箇所において、サイドエッチングが発生した場合であっても、上記屈曲している箇所では、サイドエッチングの発生を抑制できる。この結果、上記屈曲している箇所の配線については、レジストが基板側に垂れ込むことにより生じる、逆メサ状の構造（つまり、配線の幅が、基板に近いほど狭くなる構造）の発生を抑制できる。
【００４５】
それゆえ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間を、蓋部と接合剤とにより密閉する際に、接合剤を、基板に配線を形成することにより生じた段状の部分に完全に流れ込ませることができる。
【００４６】
したがって、上記表面領域の上方の空間を確実に密閉できる配線基板を製造可能なフォトマスクを提供することができるという効果を奏する。
【００４７】
また、本発明に係る配線基板は、上記の課題を解決するために、基板上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板において、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線の両側辺のうち何れか１つの側辺が、前記接合箇所において複数の屈曲部を備えていることを特徴としている。
【００４８】
上記の構成によれば、上記配線の両側辺のうち何れか１つの側辺が、前記接合箇所において複数の屈曲部を備えているため、上記表面領域の上方の空間を蓋部と接合剤とにより密閉する場合、各屈曲部では接合剤が、屈曲部以外の箇所よりも優先的に充填される。
【００４９】
また、上記複数の屈曲部を備えているため、１つの屈曲部しか備えない構成と比較して、側辺の長さを長くできる。それゆえ、屈曲部を備える側辺に沿って上記表面領域の上方の空間から気体が外部に漏れる事象が発生する確率を、屈曲部を１つしか備えない構成に比べ、低くすることができる。
【００５０】
したがって、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い配線基板を提供することができるという効果を奏する。
【００５１】
また、本発明に係る配線基板は、上記の課題を解決するために、基板上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板において、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線の両側辺が、前記接合箇所において屈曲部を備えていることを特徴としている。
【００５２】
上記の構成によれば、上記配線の両側辺が、前記接合箇所において屈曲部を備えているため、上記表面領域の上方の空間を蓋部と接合剤とにより密閉する場合、各屈曲部では接合剤が、屈曲部以外の箇所よりも優先的に充填される。
【００５３】
また、両側辺が屈曲部を備えているため、一方の側辺にしか屈曲部を備えない構成と比較して、側辺に沿って上方の空間から気体が外部に漏れる事象が発生する確率を、低くすることができる。
【００５４】
したがって、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い配線基板を提供することができるという効果を奏する。
【００５５】
また、本発明に係る配線基板は、上記の配線基板において、前記配線の両側辺が、それぞれ、複数の屈曲部を備えていることを特徴としている。
【００５６】
上記の構成によれば、上記配線の両側辺が、それぞれ複数の屈曲部を備えているため、それぞれの側辺が１つの屈曲部を備えていない構成と比較して、側辺に沿って上方の空間から気体が外部に漏れる事象が発生する確率を、低くすることができる。
【００５７】
したがって、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が更に高い配線基板を提供することができるという効果を奏する。
【００５８】
また、本発明に係る配線基板は、上記の配線基板において、前記屈曲部の形状がコの字形状であって、前記側辺に沿った方向における前記コの字形状の辺の長さをＬ、前記側辺と垂直なる方向における前記コの字形状の辺の長さをｄとすると、ｄ＞Ｌ／４の関係を満たしていることを特徴としている。
【００５９】
上記の構成によれば、ｄ＞Ｌ／４の関係を満たしているため、例えばウェハレベルパッケージ技術を用いてウェットエッチングにより配線基板を製造する際に、この屈曲部において、エッチングに用いるエッチング液を十分に滞留させることができる。つまり、上記屈曲部では、屈曲していない箇所に比べて、エッチングの速度が低下する。
【００６０】
このため、例え上記屈曲していない箇所において、サイドエッチングが発生した場合であっても、上記屈曲している箇所では、サイドエッチングの発生を抑制できる。この結果、上記屈曲している箇所の配線については、配線上に塗布されたレジストが基板側に垂れ込むことにより生じる、逆メサ状の構造（つまり、配線の幅が、基板に近いほど狭くなる構造）の発生を抑制できる。
【００６１】
それゆえ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間を、蓋部と接合剤とにより密閉する際に、接合剤を、基板に配線を形成することにより生じた段状の部分に完全に流れ込ませることができる。
【００６２】
したがって、上記表面領域の上方の空間を確実に密閉可能な配線基板を提供できるという効果を奏する。
【００６３】
また、本発明に係る配線基板は、上記の配線基板において、前記配線は、信号線と接地線とからなり、かつ、前記信号線と前記接地線とは一定の間隔を空けて配されており、前記間隔をＷ０とし、前記信号線の幅をＤとすると、（Ｄ−１８Ｗ０）／２０＜ｄ＜（Ｄ−３Ｗ０）／８の関係を満たしていることを特徴としている。
【００６４】
上記の構成によれば、（Ｄ−１８Ｗ０）／２０＜ｄ＜（Ｄ−３Ｗ０）／８の関係を満たしている。
【００６５】
それゆえ、配線基板がコプレーナ型の配線経路をとる場合であって、かつ、屈曲していない箇所における配線の特性インピーダンスが５０Ωである場合、電圧定在波比（ＶＳＷＲ）を１．２５以下とすることができる。
【００６６】
したがって、上記の条件下において、配線を通る信号の伝送損失を一定の損失に留めることが可能となるという効果を奏する。
【００６７】
また、本発明に係る回路素子は、上記の課題を解決するために、上記の配線基板と、前記蓋部と、前記接合剤とを備え、前記表面領域の上方の空間が、前記蓋部と前記接合剤とにより密閉されていることを特徴としている。
【００６８】
上記の構成によれば、上記回路素子は、上述した配線基板と、上記蓋部と、接合剤とを備え、上記表面領域の上方の空間が、前記蓋部と前記接合剤とにより密閉されている。
【００６９】
したがって、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い回路素子を提供することができるという効果を奏する。
【００７０】
また、本発明に係る回路素子は、上記の回路素子において、前記配線基板は、２本の信号線を有し、基準電位に対して所定の電位差の電圧が印加された場合に、２本の信号線同士を接続させる接続部を、前記表面領域の上方の空間に備えることを特徴としている。
【００７１】
上記の構成によれば、上記表面領域の上方の空間内に配された接続部に上記電圧が印加された場合、接続部により、配線基板に設けられた２本の信号線同士を接続させることができる。
【００７２】
したがって、スイッチング素子として機能する回路素子を提供できるという効果を奏する。
【００７３】
また、本発明に係る回路素子は、上記の回路素子において、前記配線基板は、第１の信号線、第２の信号線、および第３の信号線を有し、このうち第１の信号線および第２の信号線が、入力側または出力側の信号線として用いられるものであって、前記表面領域の上方の空間に、前記第３の信号線と、前記第１の信号線および第２の信号線のうち何れか１本の信号線とを選択的に接続させる選択部を備えることを特徴としている。
【００７４】
上記の構成によれば、上記表面領域の上方の空間内に配された選択部により、前記第３の信号線と、前記第１の信号線および第２の信号線のうち何れか１本の信号線とを選択的に接続できる。
【００７５】
したがって、接続先を選択するスイッチとして機能する回路素子を提供することができるという効果を奏する。
【００７６】
また、本発明に係る通信装置は、上記の課題を解決するために、上記の回路素子を備えたことを特徴としている。
【００７７】
上記の構成によれば、通信装置は、上述した回路素子を備える。
【００７８】
したがって、少なくとも密閉に関する信頼性の高い回路素子を備えた通信装置を提供することができるという効果を奏する。
【００７９】
また、本発明に係る計測装置は、上記の課題を解決するために、上記の回路素子を備えたことを特徴としている。
【００８０】
上記の構成によれば、計測装置は、上述した回路素子を備える。
【００８１】
したがって、少なくとも密閉に関する信頼性の高い回路素子を備えた計測装置を提供することができるという効果を奏する。
【発明の効果】
【００８２】
本発明に係る配線基板の製造方法は、以上のように、基板上に配線が形成されている配線基板であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板の製造方法において、基板上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、前記金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、前記レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、前記配線を形成する第３ステップとを備え、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲している方法である。
【００８３】
したがって、上記表面領域の上方の空間を確実に密閉可能な配線基板を製造できるという効果を奏する。
【００８４】
また、本発明に係るフォトマスクは、以上のように、基板上に配線が形成されている配線基板であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板の製造に用いられるフォトマスクであって、配線用のパターンが形成されており、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲している構成である。
【００８５】
したがって、上記表面領域の上方の空間を確実に密閉できる配線基板を製造可能なフォトマスクを提供することができるという効果を奏する。
【００８６】
また、本発明に係る配線基板は、以上のように、基板上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板において、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線の両側辺のうち何れか１つの側辺が、前記接合箇所において複数の屈曲部を備えている構成である。
【００８７】
したがって、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い配線基板を提供することができるという効果を奏する。
【００８８】
また、本発明に係る配線基板は、以上のように、基板上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、蓋部と、該蓋部と前記基板および前記配線とを接合させるための接合剤とにより密閉対象となる配線基板において、前記接合剤によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線の両側辺が、前記接合箇所において屈曲部を備えている構成である。
【００８９】
したがって、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い配線基板を提供することができるという効果を奏する。
【００９０】
また、本発明に係る回路素子は、以上のように、上記の配線基板と、前記蓋部と、前記接合剤とを備え、前記表面領域の上方の空間が、前記蓋部と前記接合剤とにより密閉されている構成である。
【００９１】
したがって、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い回路素子を提供することができるという効果を奏する。
【００９２】
また、本発明に係る通信装置は、以上のように、上記の回路素子を備えた構成である。
【００９３】
したがって、少なくとも密閉に関する信頼性の高い回路素子を備えた通信装置を提供することができるという効果を奏する。
【００９４】
また、本発明に係る計測装置は、以上のように、上記の回路素子を備えた構成である。
【００９５】
したがって、少なくとも密閉に関する信頼性の高い回路素子を備えた計測装置を提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００９６】
本発明の一実施形態について図１ないし図２１に基づいて説明すると以下の通りである。まず、本実施の形態に係る製造方法により製造されるＭＥＭＳスイッチング素子の概略構成について説明する。なお、本実施の形態に係るＭＥＭＳスイッチング素子の特徴的構成の詳細については、後述する。
【００９７】
ＭＥＭＳスイッチング素子（回路素子）１は、図２に示すとおり、配線基板１１、可動電極（接続部）１２、フリットガラス（接合剤・封着ガラス）１３、およびキャップ（蓋部）１４を備えている。
【００９８】
また、配線基板１１は、ガラス基板１１ａ、信号線（配線）１１ｂ・１１ｃ、固定電極（ＧＮＤ）１１ｄ、固定接点１１ｅ・１１ｆ、およびボンディングパッド（配線・接地線）１１ｇ…を備えている。なお、信号線１１ｂ・１１ｃ、固定電極１１ｄ、固定接点１１ｅ・１１ｆ、およびボンディングパッド１１ｇ…は、ガラス基板１１ａ上に形成されている。
【００９９】
可動電極１２は、可動接点１２ａを備えている。また、可動電極１２は、図示しないバネによって、キャップ１４方向に付勢されている。なお、可動電極１２は、シリコン基板から製造される。
【０１００】
また、ＭＥＭＳスイッチング素子１は、従来技術に示したＭＥＭＳスイッチング素子９０と同様に、固定電極１１ｄと可動電極１２と間に電圧を印加することにより、信号線１１ｂと信号線１１ｃとが電気的に接続し、上記電圧の印加を停止することにより上記接続を解除（開放）する。
【０１０１】
また、同図中、接合領域として示した配線基板１１上の領域が、フリットガラス１３と接触する領域となる。さらに、この接合領域に対応する、信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｆ…の箇所が、特許請求の範囲に記載の接合箇所に該当する。つまり、上記接合領域となる信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｆ…の表面（側面を含む）を含んだ信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｆ…の箇所が、上記接合箇所に該当する。
【０１０２】
ここで、上記ＭＥＭＳスイッチング素子１の製造方法について、以下の〈１〉から〈５〉に基づいて説明する。なお、ＭＥＭＳスイッチング素子１は、ウェハレベルパッケージ技術を用いて製造される。この技術を用いた場合の利点は、複数の素子を一括して製造するため、各製造工程における各素子に対する処理内容にばらつきが生じない点である。したがって、素子を個別に製造するような場合よりも、容易に、品質を一定に保つことができる。また、同じ個数の素子を製造する場合、素子を個別に製造するような場合よりも、全体としての工程数も少なくすることができる。
【０１０３】
〈１〉複数のキャップ１４を有するガラスキャップ基板の製造
まず、ガラスウェハの所定の位置に、図３（ａ）、（ｂ）および図４（ａ）に示すとおり、エッチングにより空洞１４ａ…を形成する。さらに、このガラスウェハの所定の位置に、エッチングにより溝部１９…を形成する。
【０１０４】
ここで、空洞１４ａ…は、図３（ａ）のＸ方向およびＹ方向において、それぞれの方向で定められた間隔で形成される。つまり、空洞１４ａ…は、マトリクス状に形成される。また、溝部１９は、同図のＸ方向において、空洞１４ａ…を挟むように、一定の間隔で形成される。また、各空洞１４ａは、可動電極１２の可動接点１２ａが、固定接点１１ｅ・１１ｆと非接触の状態を担保できるだけの深さを有する形状としておく。さらに、各空洞１４ａにおける、深さ方向に垂直な面（開口面）は、少なくとも、可動電極１２を収容可能な大きさを有する形状としておく。
【０１０５】
以上のようにして、複数のキャップ１４を有するガラスキャップ基板が形成される。
【０１０６】
〈２〉フリットガラス１３の生成
図５および図４（ｂ）に示すとおり、配線基板１１に対向する面であって、空洞１４ａの底面および溝部１９の底面を除いた面Ｓ１（以下、対向面Ｓ１）に、各空洞１４ａの周囲を囲むように、かつ、所定の位置に、封着ガラス粉末と有機物を含んだバインダ（以下、有機バインダと称する）とを混ぜ合わせたガラスペーストを印刷する。ここで、所定の位置とは、図２に示した接合領域に対応する位置である。
【０１０７】
なお、上記ガラスペーストの印刷は、スクリーンマスクと印刷装置とを用いて（つまりスクリーン印刷により）、一度に、複数の空洞１４ａ…の周囲に対して行う。また、スクリーン印刷を行う理由は、線幅が１００μｍ以下となる微細加工が可能であるため、および、ウェハ上での印刷が可能であるためである。
【０１０８】
そして、上記ガラスペーストに含まれる有機バインダを蒸発させ、かつ、封着ガラス粉末を焼結させるために、ガラスペーストが印刷されたガラスキャップ基板を、オーブンにより焼成する（図４（ｃ））。なお、有機バインダを蒸発させたものが、フリットガラスに該当する。
【０１０９】
以上により、ガラスキャップ基板にフリットガラス１３が生成される。
【０１１０】
〈３〉複数の配線基板１１からなる固定基板の製造
まず、上述したガラスウェハとは別のガラスウェハ上に、図６に示すとおり、信号線１１ｂ・１１ｃ、固定電極１１ｄ、およびボンディングパッド１１ｇ…用の金属薄膜を形成する。そして、この金属薄膜上に、所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いて、レジストパターンを生成する。
【０１１１】
ここで、フォトマスクのパターンについて説明する。図１に示すとおり、フォトマスク２０のパターンは、上記接合領域に対応する領域（同図の２つの点線の長方形で囲まれた領域Ａ）おいて、信号線１１ｂ・１１ｃを形成するためのパターン（以下、信号線用パターン）の両側辺Ｌａ・Ｌｂと、ボンディングパッド１１ｇ…を形成するためのパターン（以下、ボンディングパッド用パターン）の両側辺Ｌｃ・Ｌｄとが屈曲している。
【０１１２】
より詳しくは、フォトマスク２０は、上記領域Ａ内において、信号線用パターンが該パターンの両側辺側に、それぞれ凹部２１と凹部２２とを有し、かつ、ボンディングパッド用パターンが該パターンの両側辺側に、それぞれ凹部２３と凹部２４とを有している。また、同図では、凹部２１〜２４がコの字形状を有している。
【０１１３】
なお、図１においては、説明の便宜上、一つの配線基板１１に対応するパターンしか示していないが、フォトマスクには、同図に示すパターンが複数個形成される。
【０１１４】
このようなフォトマスク２０を用いて、レジストパターンを生成すると、金属薄膜上の上記接合領域には、図７（ａ）に示すような、信号線用パターン（あるいはボンディングパッド用パターン）に応じたレジストパターンが形成される。なお、以下では、説明の便宜上、信号線１１ｂに着目して説明を行う。ただし、信号線１１ｃ、およびボンディングパッド１１ｇ…に関しても、信号線１１ｂと同様である。
【０１１５】
上記レジストパターンが形成された後、図７（ｂ）に示すとおり、金属薄膜を、ウェットエッチングによりエッチングする。そして、上記エッチングが終了した後は、図７（ｃ）および図８に示すとおり、レジストを除去する。
【０１１６】
ところで、上記エッチング時においては、凹部２１および凹部２２に対応する箇所では、エッチングに用いるエッチング液の滞留が起こり、エッチングレートが遅くなる。つまり、凹部２１および凹部２２の両側の直線状の側辺部に対応する箇所におけるエッチングレートよりも、凹部２１および凹部２２に対応する箇所におけるエッチングレートは遅くなる。
【０１１７】
このため、固定基板における位置に関係なく、凹部２１および凹部２２に対応する部分では、従来のような、レジストの傾斜（垂れ込み）が発生しなくなる。したがって、凹部２１および凹部２２に対応して形成される、信号線１１ｂの凹部（屈曲部）２１′および凹部（屈曲部）２２′においては、図９に示すとおり、信号線１１ｂが逆メサ状の構造となることを防止することが可能となる。
【０１１８】
以上のようにして、複数の配線基板１１からなる固定基板が製造される。
【０１１９】
〈４〉フリットガラス１３が印刷されたガラスキャップ基板と、固定基板との接合
フリットガラス１３が印刷されたガラスキャップを４００℃程度に加温し、その後、ガラスキャップと固定基板との間に５００ｋｇｆ程度の荷重を加えることにより、フリットガラス１３が印刷されたガラスキャップと固定基板とを、図１０および図１１に示すとおり、接合する。より詳しくは、図４（ｄ）に示すとおり、各可動電極１２を各配線基板１１上の所定の位置に生成した後、減圧下で、上記ガラスキャップ基板を、図４（ｅ）に示すとおり、各キャップ１４が各可動電極１２を覆うように、固定基板に対して接合する。なお、この接合時のフリットガラス１３の粘度は、１０００（Ｐａ・ｓ）程度である。
【０１２０】
〈５〉ダイシング
上記ガラスキャップ基板と固定基板とを接合した後、ガラスキャップ基板が接合された固定基板を、該ガラスキャップ基板と共にカットして、図１２および図４（ｆ）に示すとおり、１個づつのチップ（ＭＥＭＳスイッチング素子１）に切り取る。なお、図１２の破線は、ガラスキャップ基板のみを切断する箇所を示している。
【０１２１】
以上のように、上記（１）から（５）で示した工程を経て、一度に複数個のＭＥＭＳスイッチング素子１が製造される。
【０１２２】
このような方法で製造されたＭＥＭＳスイッチング素子１の信号線１１ｂに関しては、凹部２１′および凹部２２′において逆メサ状の構造を有しない。それゆえ、凹部２１′および凹部２２′（より詳しくは、凹部２１′および凹部２２′における、ガラス基板１１ａに信号線１１ｂを形成することにより生じた段状の部分）では、フリットガラス１３を、図１３に示すとおり、隙間を生じることなく流し込むことができる。つまり、リークパス（ガス漏れ経路）の遮断部分を必ず形成することができる。
【０１２３】
また、信号線１１ｂに限らず、信号線１１ｃおよびボンディングパッド１１ｇ…についても、同様に、各凹部において隙間を生じることなくフリットガラス１３を流し込むことができる。
【０１２４】
したがって、可動電極１２、および、少なくとも信号線１１ｂ・１１ｃの一部を含んだ表面領域の上方の空間を、キャップ１４とフリットガラス１３とによって、完全に密閉することができる。
【０１２５】
また、逆メサ状の構造の発生を防止できるという利点以外にも、上記フォトマスク２０を用いることによる利点が、少なくとも２つ存在する。
【０１２６】
まず、１つ目の利点として、上記側辺を屈曲させた構成とすることにより、フリットガラス１３の充填度合に変化をもたらすことができる。具体的には、図１４に示すとおり、フリットガラス１３は、凹部２１′および凹部２２′の角Ｃ１に優先的に充填される。したがって、この角Ｃ１において更に確実に可動電極１２および上記空間を密閉できるため、密閉に関する信頼性がより向上する。
【０１２７】
また、リークのしやすさを表すコンダクタンスＣは、以下の式（１）で示される。
【０１２８】
Ｃ＝１．２１×１０２×（ＤＬ３／ＬＬ）  …  （１）
ただし、ＤＬはリーク孔が形成される領域の直径を、ＬＬはリーク孔が形成される経路の長さを示している。ここで、上記式（１）に示すとおり、ＤＬが一定であると仮定すると、コンダクタンスはＬＬに反比例することがわかる。
【０１２９】
したがって、２つ目の利点として、リークパスとなりうる上記側辺の経路を長くすることにより、リークパスが形成される確率を低減することができる。このため、密閉に関する信頼性がより向上する。
【０１３０】
また、逆メサ状の構造の発生をさらに効果的に防止するためには、信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｇ…の各凹部に関し、図１５に示すとおり、凹部の側辺方向の長さ（以下、幅Ｌ）に対して、該側辺方向と垂直となる辺の長さ（以下、奥行ｄ）を或る程度の長さにする必要がある。具体的には、以下の式（２）の関係を満たす必要があることが、実験により確認されている。
【０１３１】
ｄ＞Ｌ／４  …  （２）
さらにＭＥＭＳスイッチング素子１は高周波用の素子として利用されるが、該素子１がコプレーナ型の構成をとる場合には、固定電極（ＧＮＤ）１１ｄに接続されるボンディングパッド１１ｇとの間における信号線１１ｂ・１１ｃの特性インピーダンスの整合についても考慮する必要がある。
【０１３２】
つまり、信号線１１ｂ・１１ｃの凹部２１′および凹部２２′の奥行ｄを大きくしすぎると、凹部２１′・２２′が形成されていない箇所との特性インピーダンスの不整合が生じ、信号線１１ｂ・１１ｃを通る信号の伝送損失が大きくなってしまう。
【０１３３】
一般的に、特性インピーダンスと、上記信号の伝送損失を表す電圧定在波比（ＶＳＷＲ）との間には、以下の式（３）および式（４）の関係がある。
【０１３４】
ＶＳＷＲ＝Ｚ１／Ｚ０  （Ｚ１＞Ｚ０のとき）  …  （３）
ＶＳＷＲ＝Ｚ０／Ｚ１  （Ｚ０＞Ｚ１のとき）  …  （４）
ただし、Ｚ０は、固定電極１１ｄに接続されるボンディングパッド１１ｇとの間における、凹部２１′および凹部２２′が形成されていない箇所での信号線１１ｂ・１１ｃの特性インピーダンスを示しており、Ｚ１は、固定電極１１ｄに接続されるボンディングパッド１１ｇとの間における、凹部２１′および凹部２２′が形成されている箇所での信号線１１ｂ・１１ｃの特性インピーダンスを示している。
【０１３５】
したがって、式（３）および式（４）より、以下の式（５）の関係が成立する。
【０１３６】
Ｚ０×ＶＳＷＲ＜Ｚ１＜Ｚ０／ＶＳＷＲ  …  （５）
ここで、ＶＳＷＲを１．２５以下、Ｚ０を５０Ωとして設計する場合には、Ｚ１は、以下の式（６）の関係を満たす必要がある。
【０１３７】
４０＜Ｚ１＜６２．５  …  （６）
一方、特性インピーダンスＺ１は、以下の式（７）で示される。
【０１３８】
【数１】
2006253604.tif 000003
【０１３９】
ただし、η０＝μ０／ε０であり、μ０は真空での透磁率、ε０は真空での誘電率である。また、εｅｆｆは、実効誘電率である。また、ｋ、ｋ１は、それぞれ、以下の式（８）および式（９）で示される。
【０１４０】
【数２】
2006253604.tif 000004
【０１４１】
【数３】
2006253604.tif 000005
【０１４２】
ただし、ｈはガラス基板１１ａの厚みであり、Ｗ０は、上述した直線上の側辺部と固定電極１１ｄとの距離である。また、Ｄは、図１５にも示すとおり、凹部２１′および凹部２２′が形成されていない箇所での信号線１１ｂ・１１ｃの幅を示している。
【０１４３】
ここで、上記式（６）の条件を満たす範囲の奥行ｄを、上記式（７）より求めると、以下の式（１０）となる。
【０１４４】
【数４】
2006253604.tif 000006
【０１４５】
したがって、ｄの値を、上記式（１０）を満たす範囲とすることにより、Ｚ０が５０Ωの場合には、ＶＳＷＲを１．２５以下とすることができる。
【０１４６】
なお、ＶＳＷＲの値を小さくすることよりも、密閉に関する信頼性の向上を目的とする場合には、奥行ｄを上記式（１０）を満たすように設定する必要はない。あくまでも、上記式（２）の関係を満たすように、奥行ｄを設定すればよい。
【０１４７】
ここで、実際にＭＥＭＳスイッチング素子１を製造した。この際、上述したマスクパターンを用いて、図１６に示すとおり、配線基板１１に関して、信号線の延設方向の長さと該延設方向に垂直な方向の長さとを、それぞれ３．０ｍｍと２．０ｍｍとすると共に、キャップ１４の上面（空洞１４ａの開口と反対側の面）のサイズが２．０ｍｍ×２．０ｍｍとした。また、信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｇ…における凹部の上記幅Ｌと上記奥行ｄとを、それぞれ、１５μｍと５μｍとした。さらに、フリットガラス１３の幅（図５のＷｆ）を２８０μｍとした。また、各ボンディングパッド１１ｇ…において信号線１１ｂ・１１ｃの延設方向と垂直方向の長さをボンディングパッド１１ｇ…の幅とすると、最も幅の広いボンディングパッド１１ｇにおける幅を５００μｍとした。
【０１４８】
そして、密閉不良の発生割合を求めたところ、上記の凹部を設けない従来の構成では９０％にも達していたのに対し、凹部を設けたＭＥＭＳスイッチング素子１では０％となった。このように、凹部を設けることにより、密閉不良が発生することを防止できた。
【０１４９】
ところで、上記においては、図１に示したフォトマスク２０を用いて、ＭＥＭＳスイッチング素子１を製造したが、フォトマスクのパターン形状は、上述した形状に限定されるものではない。
【０１５０】
例えば、図１７に示すとおり、上述した領域Ａ内において、信号線用パターンが該パターンの両側辺側に、それぞれ複数個の凹部２１と複数個の凹部２２とを有し、かつ、ボンディングパッド用パターンが該パターンの両側辺側に、それぞれ複数個の凹部２３と複数個の凹部２４とを有する構成としてもよい。ここで、上記のようなパターンを用いた場合には、図１８に示されるような形状を有する、信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｇ…が得られる。また、各凹部の数は限定されるものではなく、適宜設定すればよい。
【０１５１】
そして、このように凹部の数を増やすことにより、より多くの箇所で、フリットガラス１３の充填度合に変化をもたらすことができる。さらに、リークパスとなりうる上記側辺の経路を、より一層長くすることができる。
【０１５２】
したがって、上記のように凹部の数を増やすことにより、密閉に関する信頼性を、より一層向上させることができる。
【０１５３】
また、上記においては、信号線用パターンの両側辺側に、凹部２１・２２を設けたが、片辺側だけに凹部を設ける構成としてもよい。また、ボンディングパッド用パターンについても同様である。この場合、両側辺側に設ける構成に比べて、密閉に関する信頼性は劣る（つまり、リークの発生確率は上がる）が、従来の構成に比べると、上記信頼性を向上させることはできる。
【０１５４】
また、上記の実施形態においては、上記パターンの各凹部において窪ませた部分の形状を、図１に示すとおり矩形状としたがこれに限定されるものでない。例えば、図１９（ａ）に示すとおりの三角状や、図１９（ｂ）に示すとおりの六角状といった様々な多角形状としてもよい。あるいは、図１９（ｃ）に示すとおり、円の２つに分割した際の一方の形状としてもよい。あくまでも、上記信号線用およびボンディングパッド用のパターンの側辺が、上述した領域Ａにおいて、屈曲していればよい。
【０１５５】
さらに、窪ませた部分を複数設ける場合（凹部の数を増やす場合）には、上記様々な形状を組み合わせてもよい。また、ある所定の形に屈曲した形状が、繰り返し設けられたパターンを用いてもよい。
【０１５６】
なお、上記のようにパターンを変更した場合には、変更したパターンに従った信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｇ…が形成されるのは言うまでもない。
【０１５７】
また、図２０に示すとおり、固定電極１１ｄに接続されるボンディングパッド１１ｇの凹部と、信号線１１ｂ・１１ｃの凹部とは、真正面で対向させずに、互いに位置をずらして形成することが好ましい。このような構成とすることにより、上記ＶＳＷＲを所定の値以下に保ちつつも、上記互いに位置をずらさない場合に比べて、奥行ｄの値を大きくすることができる。それゆえ、上記位置をずらさない場合に比べて、リークパスとなりうる上記側辺の経路を長くすることができる。したがって、密閉に関する信頼性をより向上させることができる。
【０１５８】
なお、上記においては、ＭＥＭＳスイッチング素子（リレー）を例に挙げて説明したが、これに限定されるものではない。例えば、スイッチ、フィルタ、レゾネータ（共振器）、フェーズシフタ（移相器）等の素子、およびこれらの素子を備える回路にも本発明は適用可能である。
【０１５９】
次に、上記スイッチ（静電マイクロスイッチ）を用いた携帯情報端末について説明する。図２１に示すとおり、携帯情報端末（通信装置）６１では、２つのスイッチ（選択部）６２ａ・６２ｂが利用されている。一方のスイッチ６２ａは、内部アンテナ６３と外部アンテナ６４とを切り替える働きをしており、他方のスイッチ６２ｂは、信号の流れを送信回路側の電力増幅器６５と受信回路側の低ノイズ増幅器６６とに切り替えられるようにしている。
【０１６０】
以上のように、上述した配線基板１１の製造方法は、ガラス基板１１ａ上に配線（信号線１１ｂ・１１ｃおよびボンディングパッド１１ｇ）が形成されている配線基板１１であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、ガラスキャップ（蓋部）１４と、該ガラスキャップ１４とガラス基板１１ａおよび前記配線とを接合させるためのフリットガラス（接合剤）１３とにより密閉対象となる配線基板１１の製造方法において、ガラス基板１１ａ上に、配線用の金属薄膜を形成する第１ステップと、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、前記金属薄膜上に、レジストパターンを生成する第２ステップと、前記レジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、前記配線を形成する第３ステップとを備え、フリットガラス１３によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺（Ｌａ・Ｌｂ・Ｌｃ・Ｌｄ）が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲している方法である。
【０１６１】
この方法によれば、第１ステップにより、ガラス基板１１ａ上に配線用の金属薄膜を形成することができる。また、第２ステップにより、配線用のパターンが形成されたフォトマスク２０を用いて、前記金属薄膜上に、レジストパターンを生成することができる。
【０１６２】
ここで、上記配線用のパターンの側辺（Ｌａ・Ｌｂ・Ｌｃ・Ｌｄ）は、前記接合箇所に対応する領域において屈曲しているため、生成されたレジストパターンも、上記領域に対応する箇所（言換すれば、接合箇所に対応する箇所）において屈曲することとなる。
【０１６３】
さらに、第３ステップにより、上記領域に対応する箇所において屈曲したレジストパターンをマスクとして、ウェットエッチングにより金属薄膜を選択的に除去し、配線を形成することができる。
【０１６４】
それゆえ、上記レジストパターンが屈曲した箇所においては、上述したように、ウェットエッチング時に用いるエッチング液の滞留が起こる。つまり、上記屈曲した箇所では、屈曲していない箇所に比べて、エッチングの速度が低下する。
【０１６５】
このため、例え上記屈曲していない箇所において、サイドエッチングが発生した場合であっても、上記屈曲している箇所では、サイドエッチングの発生を抑制できる。この結果、上記屈曲している箇所の配線については、レジストがガラス基板１１ａ側に垂れ込むことにより生じる、逆メサ状の構造（つまり、配線の幅が、基板に近いほど狭くなる構造）の発生を抑制できる。
【０１６６】
それゆえ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間を、ガラスキャップ１４とフリットガラス１３とにより密閉する際にフリットガラス１３を、ガラス基板１１ａに配線を形成することにより生じた段状の部分に完全に流れ込ませることができる。
【０１６７】
したがって、本実施の形態に係る製造方法を用いることにより、上記表面領域の上方の空間を確実に密閉可能な配線基板１１を製造できる。
【０１６８】
また、フォトマスク２０は、以上のように、ガラス基板１１ａ上に配線が形成されている配線基板１１であって、かつ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、ガラスキャップ１４と、該ガラスキャップ１４とガラス基板１１ａおよび前記配線とを接合させるためのフリットガラス１３とにより密閉対象となる配線基板１１の製造に用いられるフォトマスク２０であって、配線用のパターンが形成されており、フリットガラス１３によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線用のパターンの側辺が、前記接合箇所に対応する領域において屈曲している構成である。
【０１６９】
この構成によれば、上記配線用のパターンの側辺は、上記接合箇所に対応する領域において屈曲しているため、このフォトマスク２０でマスクすることにより生成されるレジストパターンも、上記領域に対応する箇所において屈曲することとなる。
【０１７０】
それゆえ、上記レジストパターンが屈曲した箇所においては、配線となる薄膜（金属薄膜）に対してウェットエッチングを行う場合、エッチングに用いるエッチング液の滞留が起こる。つまり、上記屈曲した箇所では、屈曲していない箇所に比べて、エッチングの速度が低下する。
【０１７１】
このため、例え上記屈曲していない箇所において、サイドエッチングが発生した場合であっても、上記屈曲している箇所では、サイドエッチングの発生を抑制できる。この結果、上記屈曲している箇所の配線については、レジストがガラス基板１１ａ側に垂れ込むことにより生じる、逆メサ状の構造（つまり、配線の幅が、基板に近いほど狭くなる構造）の発生を抑制できる。
【０１７２】
それゆえ、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間を、ガラスキャップ１４とフリットガラス１３とにより密閉する際に、フリットガラス１３を、ガラス基板１１ａに配線を形成することにより生じた段状の部分に完全に流れ込ませることができる。
【０１７３】
したがって、フォトマスク２０により、上記表面領域の上方の空間を確実に密閉できる配線基板１１を製造可能となる。
【０１７４】
また、配線基板１１を、ガラス基板１１ａ上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、ガラスキャップ１４と、該ガラスキャップ１４とガラス基板１１ａおよび前記配線とを接合させるためのフリットガラス１３とにより密閉対象となる配線基板１１において、フリットガラス１３によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線の両側辺（ＬａおよびＬｂ（あるいは、ＬｃおよびＬｄ））のうち何れか１つの側辺が、前記接合箇所において複数の凹部（屈曲部）を備える構成としてもよい。
【０１７５】
この構成によれば、上記配線の両側辺のうち何れか１つの側辺が、前記接合箇所において複数の屈曲部を備えているため、上記表面領域の上方の空間をガラスキャップ１４とフリットガラス１３とにより密閉する場合、各屈曲部ではフリットガラス１３が、屈曲部以外の箇所よりも優先的に充填される。
【０１７６】
また、上記複数の屈曲部を備えているため、１つの屈曲部しか備えない構成と比較して、側辺の長さを長くできる。それゆえ、屈曲部を備える側辺に沿って上方の空間から気体が外部に漏れる事象が発生する確率を、屈曲部を１つしか備えない構成に比べ、低くすることができる。
【０１７７】
したがって、配線基板１１は、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い配線基板となる。
【０１７８】
また、配線基板１１を、ガラス基板１１ａ上に配線が形成されていると共に、少なくとも前記配線の一部を含んだ表面領域の上方の空間が、ガラスキャップ１４と、該ガラスキャップ１４と前記基板および前記配線とを接合させるためのフリットガラス１３とにより密閉対象となる配線基板１１において、フリットガラス１３によって接合される配線の箇所を接合箇所とすると、前記配線の両側辺（ＬａおよびＬｂ（あるいは、ＬｃおよびＬｄ））が、前記接合箇所において凹部（屈曲部）を備える構成としてもよい。
【０１７９】
この構成によれば、上記配線の両側辺が、前記接合箇所において屈曲部を備えているため、上記表面領域の上方の空間をガラスキャップ１４とフリットガラス１３とにより密閉する場合、各屈曲部ではフリットガラス１３が、屈曲部以外の箇所よりも優先的に充填される。
【０１８０】
また、両側辺が屈曲部を備えているため、一方の側辺にしか屈曲部を備えない構成と比較して、側辺に沿って上方の空間から気体が外部に漏れる事象が発生する確率を、低くすることができる。
【０１８１】
したがって、配線基板１１は、上記表面領域の上方の空間の密閉に関する信頼性が高い配線基板となる。
【０１８２】
ところで、上記実施の形態においては、ウェットエッチングを用いて配線基板１１を製造する方法を示したが、ドライエッチングを用いて、あるいは、サンドブラスと加工により、上述した配線基板１１を製造してもよい。
【０１８３】
本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１８４】
リレー、スイッチ、フィルタ、レゾネータ、フェーズシフタ、これらを備える通信機器（例えば、携帯情報無線端末）、計測機器等にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１８５】
【図１】本実施の形態に係るフォトマスクの一部の上面図である。
【図２】本実施の形態に係るＭＥＭＳスイッチング素子の分解組立図である。
【図３】（ａ）は、ガラスキャップ基板の斜視図であって、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ′線矢視断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、上記ＭＥＭＳスイッチング素子の製造工程の一例を示す断面図である。
【図５】ガラスキャップ基板の表面にガラスペーストを塗布した後のガラスペースト付きガラスキャップ基板の斜視図である。
【図６】ガラスウェハ上に金属薄膜を形成した後の固定基板の断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、上記固定基板の製造工程の一例を示す斜視図である。
【図８】フリットガラスにより接合される接合領域における信号線の上面図である。
【図９】図７（ｃ）におけるＢＢ′線矢視断面図である。
【図１０】固定基板とガラスキャップ基板との接合を説明するための図である。
【図１１】ＭＥＭＳスイッチング素子群の断面図である。
【図１２】上記ダイシングにより１チップ化された後の、各ＭＥＭＳスイッチング素子の上面図である。
【図１３】ＭＥＭＳスイッチング素子の一部の断面であって、信号線の延設方向に対して垂直な断面を示す図である。
【図１４】信号線の凹部におけるフリットガラスの流れ込みを説明するための図である。
【図１５】上記ＭＥＭＳスイッチング素子の構成部材である配線基板の一部の上面図である。
【図１６】所定のサイズに形成したＭＥＭＳスイッチング素子の斜視図である。
【図１７】本実施の形態に係る他のフォトマスクの一部の上面図である。
【図１８】上記他のフォトマスクを用いることにより形成された、配線基板の一部の上面図である。
【図１９】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ、さらに他の形態に係るフォトマスクの一部の上面図である。
【図２０】更に他のフォトマスクを用いて形成された配線基板の一部の上面図である。
【図２１】本実施の形態に係る製造方法により製造された選択型のスイッチを備えた携帯情報端末の要部構成を示す回路図である。
【図２２】従来のＭＥＭＳスイッチング素子の分解組立図である。
【図２３】上記従来のＭＥＭＳスイッチング素子の配線基板の断面であって、信号線の延設方向に対して垂直な断面を示した図である。
【図２４】上記従来のＭＥＭＳスイッチング素子の断面であって、信号線の延設方向に対して垂直な断面を示した図である。
【図２５】（ａ）〜（ｇ）は、図２２のＭＥＭＳスイッチング素子の製造工程の一例を示す断面図である。
【図２６】従来の他のＭＥＭＳスイッチング素子の一部の断面であって、信号線の延設方向に対して垂直な断面を示す図である。
【符号の説明】
【０１８６】
１  ＭＥＭＳスイッチング素子（回路素子）
１１  配線基板
１１ａ  ガラス基板
１１ｂ  信号線（配線）
１１ｃ  信号線（配線）
１１ｄ  固定電極
１１ｅ・１１ｆ  固定接点
１１ｇ  ボンディングパッド（配線・接地線）
１２  可動電極（接続部）
１２ａ  可動接点
１３  フリットガラス（接合剤）
１４  キャップ（蓋部）
１４ａ  空洞
１９  溝部
２０  フォトマスク
２１・２２・２３・２４  凹部
２１′・２２′  凹部（屈曲部）
６１  携帯情報端末（通信装置）
６２ａ・６２ｂ  スイッチ（選択部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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