(57)【要約】【課題】従来より効率的で光学乃至輻射技術を使用しないセラミック素子形成プロセスを提供する。【解決手段】仮基板上にセラミック素子を形成する。仮基板としては例えば剥離層を有する基板を準備し（１２）その剥離層に搬送用被覆例えばビークル層を被着させ（１４）搬送用被覆上に素子例えばＰＺＴ素子を形成する（１６）。次に、水層等の仮接着層を有する焼成用基板上に素子を転写する。例えば、素子が仮接着層内に埋まるよう仮基板及び焼成用基板を一体化させ（２０）仮接着層に凍結等の相転移を引き起こし（２２）素子が仮接着層内に残るように仮基板及び剥離層を除去する（２４）。次いで、例えば素子が焼成用基板上に残るように仮接着層を除去した上で（２６）素子を焼成する（２８）。そして素子を本基板に転写する（３２）。これに前後して素子上に電極を堆積させてもよい（３０，３４）。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮基板上にセラミック素子を形成する工程と、
仮接着層を有する焼成用基板上に当該仮接着層の相転移を通じてセラミック素子を転写する工程と、
セラミック素子を焼成する工程と、
セラミック素子を本基板に転写する工程と、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、仮接着層が水である方法。
【請求項３】
剥離層を有する印刷用基板を準備する工程と、
剥離層に搬送用被覆を被着させる工程と、
搬送用被覆上にセラミック素子を形成する工程と、
仮接着層を有する焼成用基板を準備する工程と、
セラミック素子が仮接着層内に埋まるよう印刷用基板及び焼成用基板を一体化させる工程と、
仮接着層を相転移させる工程と、
セラミック素子が仮接着層内に残るよう印刷用基板及び剥離層を除去する工程と、
セラミック素子が焼成用基板上に残るよう仮接着層を除去する工程と、
焼成用基板上のセラミック素子を焼成する工程と、
セラミック素子上に電極を堆積させる工程と、
セラミック素子を本基板に転写する工程と、
を有する厚膜セラミック素子アレイ形成方法。
【請求項４】
剥離層を有する印刷用基板を準備する工程と、
剥離層にビークル層を被着させる工程と、
ビークル層上にＰＺＴ素子を形成する工程と、
水層を有する焼成用基板を準備する工程と、
ＰＺＴ素子が水層に濡れるよう印刷用基板及び焼成用基板を一体化させる工程と、
水層を凍らせる工程と、
ＰＺＴ素子が凍った水層内に残るよう印刷用基板及び剥離層を除去する工程と、
ＰＺＴ素子が焼成用基板上に残るよう水層を溶融及び乾燥させる工程と、
焼成用基板上のＰＺＴ素子を焼成する工程と、
ＰＺＴ素子上に電極を堆積させる工程と、
ＰＺＴ素子を本基板に転写する工程と、
を有するＰＺＴ厚膜セラミック素子アレイ形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック厚膜素子アレイ形成方法等に関する。本発明の実施形態に係るセラミック厚膜素子アレイ形成方法の用途としては、圧電厚膜素子アレイ等のセラミック素子アレイ、例えばＰＺＴ（lead zirconate titanate）厚膜素子アレイの形成という用途があるので、以下の説明においてはこの用途を採り上げることとするが、本発明が他種類似用途（例えば他種セラミック厚膜素子アレイの生産）にも変形適用できることを了解されたい。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＰＺＴ等のセラミック乃至圧電素材による厚膜（例えばその膜厚が１０〜１００μｍの範囲内の膜）を使用できそうな分野として、ＭＥＭＳ（micro electromechanical systems）デバイス、インクジェットプリンタ、超音波トランスデューサ等があった。しかしながら、通常使用される基板例えばシリコン、金属又はプラスチックの基板上にこの膜厚範囲に属する膜を形成するのは、非常に難しいことであった。それは、こうした基板が、セラミック厚膜焼成用の温度に耐えきれないためである。また、薄膜形成に使用されているゾルゲル法やスパッタリングでも或いはセラミックバルク向けのプロセスでも、普通は、その能力範囲外であることからこの種の厚膜を有するデバイスを好適に生産することはできない。
【０００３】
また、薄膜形成方法の中には、輻射に対し透明なサファイア基板を仮基板として使用し、仮基板上に成長させた素子をレーザリフトオフ法等の輻射利用型プロセスによって仮基板から剥離させる、という方法がある。しかしながら、本件技術分野における習熟者（いわゆる当業者）にとっては明らかなことに、サファイアは高価であるから、この種の方法を用いて大型デバイスを実現しようとするのは非現実的であろう。
【０００４】
更に、従来から知られているセラミック厚膜例えばスクリーン印刷により形成されたＰＺＴ膜の焼成は、１１００°Ｃを超える温度で行わねばならない。こうした高温焼成に耐えられる基板は限られており、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等、数種しかない。従って、仮にサファイア基板を使用した薄膜形成方法を応用して厚膜形成を行おうとしたとしても、明らかに次のような問題が生じるため達成できないであろう。第１に、この方法により生産を行うには、高価なサファイア基板を購入するための大規模な先行投資が必要である。普通、サファイア基板にかかったコストを正当化できる程の見返り（利益等）を、その方法により生産されたセラミック製品からは期待できないであろう。第２に、セラミック素子の焼成温度が１２５０°Ｃ以上でありまた焼成環境が鉛リッチ環境である場合、確実に何らかの拡散乃至相互反応が生じ、それによってセラミック膜例えばＰＺＴ膜と基板との間に望ましくない結合が生じるであろう。こうした結合があると、レーザリフトオフ法によって素子を剥離させるのは非常に難しいであろうし、その結果としてプロセスコストが増大するであろう。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第４３４５９６７号明細書
【特許文献２】米国特許第６０７１７９５号明細書
【特許文献３】米国特許第６３３５２６３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、従来のプロセスを改善することによって、ＰＺＴ厚膜素子等のセラミック素子をその形成先基板から他の部材へと転写する工程を有し且つより効率的なプロセス、特に形成先基板を焼成用基板として使用せず且つ光学技術乃至輻射技術も使用しないプロセスを提供することが、望まれているといえよう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態に係る方法は、仮基板（temporaly substrate）上にセラミック素子を形成する工程と、仮接着層（temporary adhesion layer）を有する焼成用基板（sintering substrate）上に当該仮接着層の相転移を通じてセラミック素子を転写する工程と、セラミック素子を焼成する工程と、セラミック素子を本基板（target substrate）に転写する工程と、を有する。
【０００８】
本方法におけるセラミック素子は例えば圧電素子である。
【０００９】
本方法におけるセラミック素子は例えばＰＺＴ素子である。
【００１０】
本方法における仮接着層は例えば水である。
【００１１】
本発明の他の実施形態に係る厚膜セラミック素子アレイ形成方法は、剥離層（release layer）を有する印刷用基板（printing substrate）を準備する工程と、剥離層に搬送用被覆（carrier coating）を被着させる工程と、搬送用被覆上にセラミック素子を形成する工程と、仮接着層を有する焼成用基板を準備する工程と、セラミック素子が仮接着層内に埋まるよう印刷用基板及び焼成用基板を一体化させる工程と、仮接着層を相転移させ強く接着させる工程と、セラミック素子が仮接着層内に残るよう印刷用基板及び剥離層を除去する工程と、セラミック素子が焼成用基板上に残るよう仮接着層を除去する工程と、焼成用基板上のセラミック素子を焼成する工程と、（これは必須ではないが）セラミック素子上に電極を堆積させる工程と、セラミック素子を本基板に転写する工程と、（これも必須ではないが）セラミック素子上に第２の電極を堆積させる工程と、を有する。
【００１２】
本方法は例えば更に剥離層と印刷用基板との間にテープを設ける工程を有する。
【００１３】
本方法における搬送用被覆被着工程は例えばスピンコーティング工程を含む。
【００１４】
本方法における搬送用被覆は例えばセラミックペースト形成用のビークルである。
【００１５】
本方法におけるセラミック素子形成工程は例えば圧電素子形成工程を含む。
【００１６】
本方法におけるセラミック素子形成工程は例えばＰＺＴ素子形成工程を含む。
【００１７】
本方法における仮接着層は例えば水である。
【００１８】
本方法における相転移工程は例えば水を液相から固相に変化させる工程を含む。
【００１９】
本方法における相転移工程は例えば凍結工程を含む。
【００２０】
本方法における仮接着層除去工程は例えば溶解及び乾燥工程を含む。
【００２１】
本方法におけるセラミック素子形成工程は例えばスクリーン印刷工程或いはジェット印刷、押出成形その他の堆積法による工程を含む。本方法における焼成後セラミック素子厚は例えば約１０〜約１００μｍの範囲内又は１０μｍ未満若しくは１００μｍ超である。
【００２２】
本発明の更に他の実施形態に係るＰＺＴ厚膜セラミック素子アレイ形成方法は、剥離層を有する印刷用基板を準備する工程と、剥離層にビークル層を被着させる工程と、ビークル層上にＰＺＴ素子を形成する工程と、水層を有する焼成用基板を準備する工程と、ＰＺＴ素子が水層に濡れるよう印刷用基板及び焼成用基板を一体化させる工程と、水層を凍らせる工程と、ＰＺＴ素子が凍った水層内に残るよう印刷用基板及び剥離層を除去する工程と、（ＰＺＴ素子が焼成用基板上に残るよう）水層を溶融及び乾燥させる工程と、焼成用基板上のＰＺＴ素子を焼成する工程と、ＰＺＴ素子上に電極を堆積させる工程と、ＰＺＴ素子を本基板に転写する工程と、（これは必須ではないが）ＰＺＴ素子上に電極を堆積させる工程と、を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下説明する実施形態に係るセラミック厚膜素子アレイ形成方法は、従来に比べ改善された方法である。本方法においては、まず、仮基板乃至印刷用基板上にセラミック素子が例えばスクリーン印刷法により形成される。重要なことに、この仮基板乃至印刷用基板には剥離層が設けられている。この剥離層は、印刷が済み更に軟焼付（ソフトベーキング）が済んだセラミック素子を、仮基板から剥離可能にする層である。素子を仮基板から剥離させるのはその素子を焼成用基板に転写するためである。本実施形態における素子剥離手法は工夫が凝らされた手法であり、液体例えば水の相転移を有益に利用するという特徴を有している。焼成（及び望みなら電極堆積）後、セラミック素子アレイは本基板に接合乃至転写される。接合手法としては、例えば薄いエポキシボンドを用いる手法を採り得る。この手法を用いれば、セラミック素子又は本基板の表面上にあるアスペリティポイントを介し、電気的接触を形成することができる。その後、焼成用基板を除去すれば、期待されている様々な環境にて使用可能なアレイが得られる。焼成用基板を除去した後にセラミック素子上に第２の電極を堆積させてもよい（必須ではない）。
【００２４】
従って、本実施形態によれば、セラミック厚膜素子アレイ、例えばＰＺＴ厚膜素子アレイ等の圧電厚膜素子アレイを原理的にはどのような種類の基板上にも作成可能なプロセスが得られる。本プロセスの利点の一つは、光学技術も輻射技術も使用しないで実施できることであり、また一つは、高価な素材及びプロセスという過重負担のないプロセスであることである。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態に係る方法１０においては、まず、剥離層を有する印刷用の仮基板を準備し（１２）、搬送用被覆例えばビークルの層を剥離層の表面上にスピンコーティング等により被着させ更に軟焼付する（１４）。次に、ＰＺＴ素子等のセラミック素子をスクリーン印刷法等により仮基板上に形成する（１６）。その一方で、水層等の仮接着層を有する焼成用基板、例えばセラミックアルミナ基板を準備する（１８）。例えば、印刷が済んだ仮基板と焼成用基板とを一体化させたときにセラミック素子及びその周りにある乾いたビークル層を全面的に濡らすことができるよう、焼成用基板を十分な量の水によって濡らしておく。この水の層が仮接着層となる。その上で、印刷が済んだ仮基板を焼成用基板に対し重ね合わせる等して一体化させる（２０）。その際には、焼成用基板に対して適切に位置合わせした上で、仮基板の印刷側の面を水層に対向配置し、軟焼付後のセラミック素子及びビークル層が全面的に水に濡れるようにする。しみ出した水を除去した上で、この基板積層体を−４３°Ｃの冷凍庫内に約２０分間置き、水を液相から固相へと相転移させる（２２）。凍結したら冷凍庫内のアセンブリを冷凍庫から取り出し、仮基板を剥離層と共に除去する（２４）。このとき、凍り付いているセラミック素子及びビークル層は焼成用基板及び氷の側に残留する。残った方のアセンブリは、水を蒸発させるため例えば１０５°Ｃの乾燥用オーブン内に１０分間入れる（２６）。更に、この乾燥させたアセンブリを焼成し（２８）、適当な電極を堆積させ（３０）、そしてセラミック素子を適当な本基板上に転写する（３２）。その際には、エポキシ接合法その他の適切な方法を用いる。望みであれば、更なる電極を堆積させてもよい（３４）。以下、図２〜図１５を参照してより詳細に説明する。
【００２６】
まず、図２に示すように、印刷用の仮基板１００としては、その上に剥離層１０２が堆積乃至形成されている基板を準備する。この剥離層１０２は、その上にセラミック素子例えばＰＺＴ素子等の圧電素子を印刷できる層とする。本実施形態における仮基板１００は様々な形態を採り得、例えばガラス基板を使用できる。剥離層１０２も同じく望ましい限りにおいて様々な形態を採り得る。また、剥離層１０２を仮基板１００に被着する手法も様々な手法とすることができ、例えば、アクリル等から形成されているテープ１０４を用いて剥離層１０２を仮基板１００に接着することができる。剥離層１０２が低粘着剥離面及び高粘着剥離面を有しており、テープ１０４が高粘着面及び低粘着面を有しており、更にテープ１０４の高粘着面に剥離ライナが付されているとすると、可能性としてはどのように使用することもできるが、例えば、アクリルテープ１０４の低粘着面を仮基板１００側に貼り付け、アクリルテープ１０４の剥離ライナを剥がし、剥離層１０２の低粘着剥離面をアクリルテープ１０４の高粘着面に貼り付けるのが望ましい。このようにすると、剥離層１０２の高粘着剥離面がテープ１０４及び仮基板１００とは逆の側を向く。従って、印刷等によりセラミック素子例えばＰＺＴ素子が形成されるのが、剥離層１０２の高粘着剥離面上となるため、形成したセラミック素子の予定外早期脱落を防ぐことができる。
【００２７】
いわゆる当業者であれば理解できるように、商業的に入手可能な両面テープを剥離層１０２及び対応するテープ１０４として使用すること（又はその種の両面テープを利用して剥離層及びテープを構成すること）も可能である。例えば、３Ｍブランドで販売されている3M Repositionable Tape 9415PC等のテープであれば、好適に使用することができる（なお「３Ｍ」は登録商標である）。無論、商業的に入手できるテープを使用できるとはいえそれをそのまま使用するのが望ましいわけではなく、本発明の実施目的に沿うように調整、改変等を施す必要があろう。例えば、その種のテープであれば通常はライナが付されている。このライナは剥離層１０２として使用できるものであるが、印刷面上における接着レベルを適当なレベルにする必要があり、そのため上記の如く向き又は構成を設定又は改変する必要が生じ得ることに、注意する必要があろう。
【００２８】
更に理解されるべきことに、剥離紙上にＰＺＴ素子を直接することが難しいという事情もある。即ち、剥離紙上にＰＺＴスラリを多層印刷したくても、大抵、印刷及び軟焼付した一層目のＰＺＴスラリと剥離紙との間の接着力が十分にならず、二層目以降のＰＺＴスラリを印刷できないであろう。そこで、本実施形態においては、剥離層１０２上にまた別の層として搬送用被覆を設けることによって、高品質ＰＺＴ素子を印刷可能としている。また、それによって得られる品質も、サファイア上に直接印刷したとき得られる品質に匹敵するものになる。そして、そうした搬送用被覆が被着されていれば、ＰＺＴ素子を仮基板１００上に一層又は多層スクリーン印刷することができる。多層印刷時には各層を互いに位置合わせし、また層毎に軟焼付を行う。
【００２９】
そうした搬送用被覆は、１０６として図３に示すように、スピンコーティング等によって剥離層１０２上に被着させる。搬送用被覆１０６の厚みは、使用する素材の仔細、プロセス上の条件等によって変わるけれども、プロセスを実施している間この仕掛品の構造を完全な状態に保つのに十分な厚みとする。また、ＰＺＴ素子乃至圧電素子を印刷する領域だけに素材をスピンコーティングするよりは、剥離層１０２の全面に亘ってスピンコーティングする方が、良い結果が得られる。被着された搬送用被覆１０６については、更に、例えば約６０〜８０°Ｃでの軟焼付を実施する。
【００３０】
搬送用被覆１０６は様々な素材によりまた様々な形態にて実現できるが、本実施形態では、セラミックペースト製造時に使用される有機ビークルを使用して搬送用被覆１０６を形成している。例えば、後に搬送用被覆１０６上にＰＺＴペーストを印刷してセラミック素子たるＰＺＴ素子を形成するのであれば、ＰＺＴペースト製造用のビークルとして常用されているエチルセルロースによって、搬送用被覆１０６を形成するのが望ましい。
【００３１】
図４に示すＰＺＴ素子等のセラミック素子１０８は、セラミックペーストの一層又は多層スクリーン印刷によって、軟焼付済搬送用被覆１０６上に形成されたものである。理解されようが、本実施形態にてセラミックペーストとして使用しているのはＰＺＴペーストである。即ち、ＰＺＴパウダ、エチルセルロース等のビークル、並びにテレピン油等の溶剤を含むペーストである。スクリーン印刷法としては、不要加圧無しに多層素子を形成できる印刷法を採用するのが適切であるし、また層と層とを位置合わせできる印刷法を用いるのが適切であろう。更に、どのようなスクリーン印刷パターン及び印刷法を用いるかは、最終的に得られる製品の用途によって変わる。こうして形成されたセラミック素子１０８については、更に、約６０〜８０°Ｃで軟焼付を施す。多層印刷時は一層毎に軟焼付を行う。この軟焼付によってセラミック素子１０８はペースト状から固体状に変化する。即ち、軟焼付によって溶剤が取り除かれるため、通常、スラリはペースト状から固体状に変わる。但し、これによって組成が硬化するわけではないから、セラミック素子１０８はやや脆弱な状態に留まる。なお、スクリーン印刷法に代え又はこれと共に、他の形成法をセラミック素子形成に使用することもできる。例えば、ジェット印刷、押出成形、テープ成形等の形成（堆積・成長）法である（但しこれらに限られるものではない）。
【００３２】
他方で、図５に示すように、仮接着層乃至仮接合層１５２を有する焼成用基板１５０を準備する。焼成用基板１５０は、例えばセラミックアルミナその他、高熱に耐え得る素材から形成されている基板である。また、本実施形態における仮接着層乃至仮接合層１５２は、ＰＺＴ素子１０８及びその周辺の軟焼付済ビークル乃至搬送用被覆１０６全体を濡らすのに十分な液体を含む層であり、例えば水の層として実現されている。理解されるように、水は仮接着層１５２として使用するのに適した素材である。それは、固相になったときの接着品質がよいこと、並びに例えば気化蒸散により跡形もなく除去できることによる。但し、理解されるように、水以外の素材から仮接着層１５２を形成することもできる。例えば、水以外の昇華可能な素材を使用してもよいし、より広義には、その相転移を通じ仮接着層１５２としての機能を果たすことができる素材であれば、どのような素材でも使用できる。
【００３３】
次に、図６に示すように、図４に示した印刷済の仮基板１００の印刷済面を、図５に示した焼成用基板１５０上の仮接着層１５２に対面させ、両基板を一体化させる。一体化させる際には、はみ出る液体を除去し、またセラミック素子１０８が基本的に仮接着層１５２内に埋まるようにする。次いで、一体化により形成された基板積層体を、約−４３°Ｃの冷凍庫内に約２０分間入れる。勿論この温度及び時間は一例に過ぎず、用途に応じて変えることができる。
【００３４】
更に、図７に示すように、図６に示したアセンブリを冷凍庫から取り出してくる。注記すべきことに、仮接着層１５２は液相から固相へと相転移しているが、他の構成要素は実質的に冷凍前と同様の状態である。
【００３５】
次に、図８に示すように、仮基板１００及び剥離層１０２を取り除く。このとき、ＰＺＴ素子等のセラミック素子１０８及び搬送用被覆乃至ビークル層１０６は、焼成用基板１５０上の仮接着層１５２に凍り付いた状態で残留する。仮基板１００を焼成用基板１５０から剥離させるには、単純にそれに十分な力を加えるだけでよい。上述した通り、氷結した水即ち氷の層１５２は効果的接着層として機能する有益な層であり、この層１５２があることによって、セラミック素子１０８が焼成用基板１５０につながった状態が保たれる。そのため、仮基板１００及び剥離層１０２を取り除いてもセラミック素子１０８は損傷しない。
【００３６】
更に、その結果残ったアセンブリを例えば１０５°Ｃの乾燥用オーブン内に例えば約１０分間入れると、図９に示すように水が蒸発する。
【００３７】
次いで、図１０に示すように、搬送用被覆１０６を焼きとばし更にＰＺＴ素子等のセラミック素子１０８を約１１００〜１３００°Ｃで焼成して緻密化する。焼成プロセスは、セラミック素子１０８を形成している素材次第で１段階プロセスとすることもできるが、例えばＰＺＴ素子を焼成する際には２段階焼成プロセスにするとよい。ＰＺＴの２段階焼成プロセスにおいては、第１段階にてＰＺＴ素子を低速で、例えば０．２〜２°Ｃ／分の温度上昇勾配で４００〜８００°Ｃまで加熱する。これによって、搬送用被覆１０６と、ＰＺＴ素子１０８内の有機ビークルとが、焼きとばされる。この段階を実行する際にはＰＺＴ素子１０８を開放環境内に置く。第２段階は、ＰＺＴ素子１０８をさました後に実施される段階であり、高温時鉛損失を抑えるべく、制御された閉鎖環境内例えば閉じたるつぼの中にＰＺＴ素子１０８を置いて実施する。この段階においては、緻密化のため、ＰＺＴ素子１０８を比較的高速例えば４〜１０°Ｃ／分の温度上昇勾配で、１１００〜１３００°Ｃまで加熱する。焼成プロセスを何段階で行うにせよ、セラミック素子１０８が適切な位置を保つよう、取り扱いに注意すべきである。必要であれば、セラミック素子１０８を優しく捕捉する窪みを焼成用基板１５０又はその表層に形成しておき、セラミック素子１０８のアレイ状配置やアレイ内位置関係をこの窪みによりあるがままに保持するようにすることもできる。また、横方向収縮を妨げるものがないから、より緻密なセラミック素子１０８を得ることができ、層構造がない又は少ないものを得ることができる。
【００３８】
更に、図１１に示すように、電極１５４を適宜堆積（成長）させる。電極堆積工程は、素子の位置関係を保てる限りあらゆる手法で好適に実施できる。また、この時点では電極堆積工程を実施しない、という形態で本発明を実施することもできる。
【００３９】
焼成（及び必要なら電極堆積）の後は、図１２に示すように、各種の接合法を用いセラミック素子１０８を最終的な本基板１６０に接合する。最終的な本基板１６０は実施形態毎に異なる形態を採り得るものであり、例えばセラミック素材による基板を本基板１６０として用いてもよいしシリコンベースの素材による基板を本基板１６０として用いてもよい。セラミック素子１０８上の電極と本基板１６０乃至その表面とを電気的に接触させる必要があるのなら、接合法として例えば薄いエポキシボンドによる接合（薄エポキシ接合法）を使用することができる。薄エポキシ接合法を使用した場合、セラミック素子１０８上、本基板１６０表面上又はその双方にあるアスペリティポイントを介して、当該電気的接触が形成される。また、図１２に示す例においては、本基板１６０上に適当な接合用エポキシ１６２を被着しておきこの本基板１６０を仕掛品アセンブリ上に位置合わせして載せるようにしている。無論、他の接合法例えばメタルボンディング（金属接合法）を用いてもよい。
【００４０】
このとき十分な力を加えて接合を行うと、図１３に示すように、本基板１６０が電極１５４上に接合された状態となる。
【００４１】
その上で、図１４に示すように焼成用基板１５０を取り払う。これに要する力はわずかである。
【００４２】
そして、図１５に示すように、導電性のある最後の電極１５６を堆積、被着させる。その前にセラミック素子１０８の表面を清掃又は研磨しておくとよい。但し、先に述べたように、この時点で電極を堆積させる必要はない。
【００４３】
以上述べたことから明らかなように、本実施形態には数多くの利点がある。例えば、第１に、光学技術や輻射技術無しで転写法を実施できる。
【００４４】
第２に、焼成温度が基板により制約されていないため、セラミック膜例えばＰＺＴ厚膜素子として高品質なものを得ることができる。第３に、最終使用基板即ち本基板にとってどういうプロセスかを考えると、本実施形態にて実施されるプロセスは清浄且つ低温なプロセスであり、望ましいものである。このプロセスはシリコンによる微小電気機械の製作にも良好に適合している。
【００４５】
そして、このプロセスは、その実施に要するコストが顕著に低く且つ大面積セラミック素子アレイを製作できるプロセスである。それは、サファイアその他の顕著な基板を使用する必要がないからである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態に係る方法を示すフローチャートである。
【図２】本方法の一段階を示す図である。
【図３】本方法の一段階を示す図である。
【図４】本方法の一段階を示す図である。
【図５】本方法の一段階を示す図である。
【図６】本方法の一段階を示す図である。
【図７】本方法の一段階を示す図である。
【図８】本方法の一段階を示す図である。
【図９】本方法の一段階を示す図である。
【図１０】本方法の一段階を示す図である。
【図１１】本方法の一段階を示す図である。
【図１２】本方法の一段階を示す図である。
【図１３】本方法の一段階を示す図である。
【図１４】本方法の一段階を示す図である。
【図１５】本方法の一段階を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０  方法、１２  印刷用基板準備工程、１４  搬送用被覆（ビークル層）被着工程、１６  セラミック素子（ＰＺＴ素子）形成工程、１８  焼成用基板準備工程、２０  基板一体化工程、２２  相転移（凍結）工程、２４  印刷用基板除去工程、２６  仮接着層除去（乾燥）工程、２８  焼成工程、３０，３４  電極堆積工程、３２  転写工程、１００  印刷用基板（仮基板）、１０２  剥離層、１０６  搬送用被覆、１０８  セラミック素子、１５０  焼成用基板、１５２  仮接着層、１５４，１５６  電極、１６０  本基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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