(57)【要約】【課題】本発明は、直配向型の液晶表示装置及びその製造方法に関し、特異点の制御を充分に行うことができ、良好な表示品質を得られる液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】電気的に接続された１つ以上の電極ユニットから成る画素電極を持つ第一の基板と、画素に対向し、金属膜による遮光部と、その開口部に色分解フィルタ、その表面に  共通電極をを持つ第二の基板があり、第一の基板と第二の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、電極ユニットのほぼ中央部分に対向する共通電極表面に比べ、電極ユニット外周の非電極部の少なくとも１／４に対向する、共通電極表面を０．２μｍ以上、できれば０．４〜１．５μｍ高く形成するように構成する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に接続された１つ以上の電極ユニットからなる画素電極を持つ第一の基板と、
前記画素に対向し、金属膜による遮光部と、その開口部に色分解フィルタ、その表面に  共通電極を持つ第二の基板があり、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、
電極ユニットのほぼ中央部分に対向する共通電極表面に比べ、電極ユニット外周の非電極部の少なくとも１／４に対向する、共通電極表面が０．２μｍ以上高いこと
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記電極ユニットのほぼ中央に対向する前記第二の基板上にある共通電極上に、液晶配向制御用突起を設けること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１記載の液晶表示装置において、
金属遮光膜上に、フォトレジスト、色分解フィルタ層の順で積層させること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３記載の液晶表示装置において、
金属遮光膜の形成に、フォトリソグラフとエッチングを用い、パターニングに用いたフォトレジストを焼成し、金属遮光膜の上に残すことにより、共通電極の表面高さを調整すること
を特徴とする液晶表示装置製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の液晶表示装置において、
金属遮光膜上に、異なる色の色分解フィルタ層を積層させること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係り、特に、垂直配向型の液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直配向型の液晶表示装置では、負の誘電異方性を有する液晶を、垂直配向膜を用いて電圧無印加時に垂直配向させ、電圧印加時に傾斜配向させている。垂直配向型の液晶表示装置は、電圧無印加時に液晶分子を垂直配向させているため、黒表示品位が良好であり高コントラストの表示が可能であるとともに、視野角が広く応答性も速いという利点を有している。
【０００３】
このような垂直配向型の液晶表示装置において、液晶の配向規制を行う方法として、例えば特願２００４−２６６５６０号の明細書に記載されているような画素構成が提案されている。図２５は当該明細書に記載された画素構成を示す画素平面図である。図２５において、ゲートバスライン１４とドレインバスライン１６とで画定される領域が画素領域であり、当該画素領域内に角部が丸みを帯びた長方形状の３つの電極ユニットを有する画素電極２０が形成されている。また、画素中央にはゲートバスライン１４にほぼ平行に蓄積容量バスライン２２が形成され、不図示の絶縁膜を介して蓄積容量バスライン２２上に蓄積容量電極３４が形成されている。画素領域に液晶を介して対向する対向基板には、各電極ユニットのほぼ中心位置に点状の配向規制用構造物が形成されている。この構成により、図２６に示すように、電圧印加時には電極ユニット端部で発生する電界の歪と、対向基板の配向規制用構造物とにより、基板に対して垂直配向の液晶分子が、電極ユニットの外周部から中心部に向かう方向に液晶分子７６が傾斜して配向することとなる。
【０００４】
しかしながら図２７に示すように、上記例の液晶表示装置における電極ユニット自体が全面ベタのパターンとなっているため、そのパターンが大きくなると、液晶分子の配向方向を電極ユニットでは制御することができない領域が大きくなってしまう。特に、電極ユニットの外側においては、液晶配向の特異点を固定する手段がないため、特異点の発生位置にばらつきが生じる。このため、液晶分子を電極ユニットの外側から中心部に向けて一律に配向させることが困難となり、図示のような配向異常領域が発生して表示にざらつきが生じてしまう。
【０００５】
また、指で押される等して外力が液晶表示装置のパネルに加わった場合には、一旦崩れた特異点を元の状態に戻すことが困難になってしまう。
さらに、電極ユニットのエッジがゲートバスラインやドレインバスラインに近くなるとバスラインとの電界の影響を受け、本来の液晶配向に影響を及ぼしてしまう。
【０００６】
また、特許文献１に記載のＣＦ製造方法は、基板上に遮光層を形成し、該遮光層上に感光性レジスト層を形成し、次いで、前記感光性レジスト層を所定パターンで露光して現像し、露出した遮光層をエッチングして除去することにより所定のパターンの遮光層からなるブラックマトリックスを形成し、その後、該ブラックマトリックス上の感光性レジスト層を硬化してレジスト層とする第１の工程、前記基板上のブラックマトリックス非形成領域内の所定色の着色層形成領域と、前記レジスト層の柱状凸部形成領域とに着色層を形成する操作を、着色層の色数分繰り返す第２の工程、を有するような構成となっている。
【０００７】
しかしながら、本先行文献においては、ブラックマトリクス上のレジストに着色層を積層させて、セルギャップを保持するスペーサーを形成することが目的となっており、該明細書に開示されている構造は、画素電極ユニットの中央部に対向するＣＦ基板の共通電極表面と、電極ユニット外周の非電極部に対向するＣＦ基板の共通電極表面が同じ高さとなっており、このため、電極ユニットの外側において、液晶配向の特異点を固定する手段がないために、液晶分子の配向方向を制御することができない領域が大きくなってしまうという課題があった。
このように、電極ユニットの大きさを大きくした場合には、特異点の制御がさらに困難となる。このため、実際には、電極ユニットの大きさは所定の大きさに制限されている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−１７７１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、特異点の制御を充分に行うことができ、良好な表示品質を得られる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この課題を解決するため、電気的に接続された１つ以上の電極ユニットから成る画素電極を持つ第一の基板と、前記画素に対向し、金属膜による遮光部と、その開口部に色分解フィルタ、その表面に  共通電極をを持つ第二の基板があり、前記第一の基板と前記第二の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、電極ユニットのほぼ中央部分に対向する共通電極表面に比べ、電極ユニット外周の非電極部の少なくとも１／４に対向する、共通電極表面を０．２μｍ以上、できれば０．４〜１．５μｍ高く形成する。
【００１１】
さらに、前記電極ユニットのほぼ中央に対向する前記第二の基板上にある共通電極上に、液晶配向制御用突起を設けると効果的である。
【００１２】
また、金属遮光膜上に、フォトレジスト、色分解フィルタ層の順で積層させることで共通電極の下にこの段差を形成することが可能となる。
【００１３】
この場合、金属遮光膜の形成に、フォトリソグラフとエッチングを用い、パターニングに用いたフォトレジストを焼成し、金属遮光膜の上に残すことにより、共通電極の表面高さを調整することで、工程の簡略化が可能となる。
【００１４】
また、金属遮光膜上に、異なる色の色分解フィルタ層を積層させることでも同様の効果が期待できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電極ユニットのほぼ中央部分に対向する共通電極表面に比べ、電極ユニット外周の非電極部に対向する、共通電極表面が０．２μｍ以上高いこと、できれば、０．４〜１．５μｍ高いことで電極ユニット外周の電界による液晶の配向規制力が強くなり、より安定な液晶配向が得られ、外力により発生する配向の乱れを補正することができ、表示品位の高い安定した液晶表示装置を実現することができる。
【００１６】
また、金属遮光膜上に、フォトレジスト、色分解フィルタ層の順で積層させたり、金属遮光膜上に、異なる色の色分解フィルタ層を積層させることで、透過部に不要パターンがはみ出すことなく共通電極の段差が形成することができ、形成プロセスを増加させること無く、安価で、高品位の液晶表示装置を提供することができる。
さらに、金属遮光膜の形成に、フォトリソグラフとエッチングを用い、パターニングに用いたフォトレジストを焼成し、金属遮光膜の上に残すことにより、理想的な位置で共通電極の表面高さを調整することで可能となり、プロセスの増加無く高精度で、高品位の液晶表示装置が提供可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法について図１乃至図１１を用いて説明する。
本実施の形態による液晶表示装置は、図１に示すように、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴＦＴ基板１０とＣＦ（Ｃｏｌｏｒ  Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成されたＣＦ基板１２とを対向させて貼り合わせ、両基板１０、１２間に液晶を封止した構造を有している。
【００１８】
図２は、ＴＦＴ基板１０上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。ＴＦＴ基板１０上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１４が互いに平行に複数形成されている。絶縁膜を介してゲートバスライン１４に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１６が互いに平行に複数形成されている。複数のゲートバスライン１４とドレインバスライン１６とで囲まれた各領域が画素領域となる。マトリクス状に配置された各画素領域には、ＴＦＴ１８と画素電極２０が形成されている。各ＴＦＴ１８のドレイン電極は隣接するドレインバスライン１６に接続され、ゲート電極は隣接するゲートバスライン１４に接続され、ソース電極は画素電極２０に接続されている。各画素領域のほぼ中央には、ゲートバスライン１４と平行に蓄積容量バスライン２２が形成されている。
【００１９】
図１に戻り、ＴＦＴ基板１０には、複数のゲートバスライン１４を駆動するドライバＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）が実装されたゲートバスライン駆動回路２４ａと、複数のドレインバスライン１６を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路２４ｂとが設けられている。これらの駆動回路２４ａ、２４ｂは、制御回路２６から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１４あるいはドレインバスライン１６に出力するようになっている。ＴＦＴ基板１０の素子形成面と反対側の基板面には偏光板２８が配置され、偏光板２８のＴＦＴ基板１０と反対側の面にはバックライトユニット３０が取り付けられている。一方、ＣＦ基板１２のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板３２が貼り付けられている。
【００２０】
以下、液晶表示装置を構成する基板及び、セルについて詳細を説明する。
図３は本実施例の液晶表示装置の画素部分についての正面図である。図４は図３のＡ−Ａ線での断面を示している。図４に示すように、ＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板１０とＣＦ等が形成されたＣＦ基板１２とを対向させて貼り合わせ、両基板１０、１２間に液晶を封止した構造を有している。
【００２１】
ＴＦＴ基板１０は、絶縁膜８４上にドレインバスライン１６が形成され、ドレインバスライン１６上の保護膜３６上に最終保護膜１０５上に画素電極が形成されている。
【００２２】
本実施形態では、ＣＦ基板１２作成工程において、ＢＭ層１０をフォトリソグラフィ法によりＢＭパターンをパターニングする際に用いたフォトレジストを剥離せずに基板上に残し、さらにその上にＣＦ層１０３を形成することで、ＢＭパターン上の共通電極の高さが調整された構造となっている。ＣＦ層１０３条には共通電極１０４が形成されている。共通電極１０４上の画素中央には配向規制用構造物６４が形成されている。
【００２３】
本実施形態におけるＴＦＴ基板１０の構造について説明する。
図５及び図６は、本実施形態による液晶表示装置の１画素の構成を示している。図６（ａ）は、図５のＡ−Ａ’線での断面を示し、図６（ｂ）は、図５のＢ−Ｂ’線での断面を示し、図６（ｃ）は、図５のＣ−Ｃ’線での断面を示している。図示するように、ＴＦＴ基板１０上には、図中左右方向に延びるゲートバスライン１４が、互いにほぼ平行に例えば３００μｍ間隔で複数形成されている（図５では２本示している）。例えばシリコン酸化膜等の絶縁膜８４を介してゲートバスライン１４にほぼ垂直に交差して、図中上下方向に延びるドレインバスライン１６が、互いにほぼ平行に例えば１００μｍ間隔で複数形成されている（図５では２本示している）。ゲートバスライン１４及びドレインバスライン１６の幅は、それぞれ例えば１０μｍと７μｍである。複数のゲートバスライン１４とドレインバスライン１６とで囲まれた領域が画素領域になっている。画素領域のほぼ中央を横切って、ゲートバスライン１４にほぼ平行に延びる蓄積容量バスライン２２が形成されている。蓄積容量バスライン２２上には、絶縁膜を介して、画素毎に蓄積容量電極３４が形成されている。ドレインバスライン、ドレイン電極、ソース電極、及び蓄積容量電極は同層で一括に形成されており、この層の上に例えばＳｉＮを用いて保護膜３６が形成されている。保護膜３６の上には透明樹脂絶縁層１０５が例えば膜厚３μｍで形成されており、保護膜３６及び樹脂透明絶縁層１０５に設けられたコンタクトホール８６を介して透明樹脂絶縁層上に設けられた画素電極２０とドレイン電極が導通する。
【００２４】
次に本実施形態におけるＣＦ基板の形成方法について、図７乃至図１１を用いて説明する。図７乃至図１１は、各工程におけるＣＦ基板の断面図を示している。ＴＦＴ基板１０に対向配置されるＣＦ基板１２側には、色間を遮光する遮光層としてＢＭ（Ｂｌａｃｋ  Ｍａｔｒｉｘ）が形成されている。ＢＭは例えば色間が幅１０μｍで格子状に形成されている。
【００２５】
まず、ＢＭ層の形成方法について、図７乃至図９を用いて説明する。ガラス等の透明絶縁基板６０上にＣｒ等の遮光金属１０１等を成膜する（図７）。次いで、ポジ型レジスト１０２を例えば１．５μｍの膜厚で塗布し、フォトリソグライフィ法を用いて所望のＢＭパターンを形成する（図８）。次いで、硝酸等を用いて前記遮光金属膜をエッチングした後、２２０℃のオーブンで１時間焼成し、ＢＭ層が完成する（図９）。
【００２６】
次いで、ＢＭ層が形成された基板上に、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の顔料分散型レジストを用いて、それぞれ３色のＣＦ層を、例えば１．８μｍの膜厚で形成する（図１０）。ＢＭ開口部には、Ｒ、Ｇ、ＢいずれかのＣＦ層１０３が形成されている。
【００２７】
ＢＭ層はおよそ１．５μｍの膜厚で形成されているため、このＢＭ層の上に塗布されたＣＦ層は、レベリングされ、開口部のＣＦ層表面からおよそ０．８μｍの段差で形成されている。
【００２８】
前記基板上に、例えばＩＴＯ１０４を用いて基板全面に共通電極を設け、その上にレジストを用いて配向規制用の突起物６４および、セルギャップを保持するスペーサー層（図示せず）をそれぞれ形成し、ＣＦ基板が完成する（図１１）。
【００２９】
本実施例においては、ＢＭパターンをパターニングする際に用いたフォトレジストを、そのまま遮光用金属膜上に残し、その上にＣＦ層が形成することにより、電極ユニットのほぼ中央の対向する部分の共通電極表面に比べ、電極ユニット外周に対向する非共通電極表面が０．８μｍ高い構造となっている。これにより、電極ユニット外周と対向する共通電極との間により強い電界をかけることが可能となる。電極ユニット中央に設けられた配向規制突起は、電極ユニット外周付近では配向規制力が弱いので、本実施例のように電極ユニット外周付近の電界を強くすることで、この付近での液晶配向が安定する。これにより、ざらつき等の表示不良が改善され、高品位の液晶表示装置を実現できる。
【００３０】
〔第２の実施の形態〕
本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法について図１２乃至図１７を用いて説明する。本実施形態におけるＴＦＴ基板およびＣＦ基板の構造は、第１の実施形態と同じである。但し、ＣＦ基板のＢＭ層の製造方法が、第１の実施形態と異なる。そこで、本実施形態におけるＣＦ基板の製造方法について、図１２乃至図１７を用いて説明する。
【００３１】
ガラス等の透明絶縁基板６０上にＣｒ等の遮光金属１０１等を成膜し、この基板上にポジ型レジストを膜厚１．５μｍで塗布し、１００℃程度の温度で塗膜を乾燥した後、プロキシミティ露光機を用い所望のＢＭパターン１０２を７０ｍＪ程度の露光量で露光し、アルカリ濃度２．３８％のＴＭＡＨ現像液を用いて該基板をシャワー現像し、純水を用いてリンスする（図１２）。
【００３２】
次いで、例えば８：２の割合で純水と硝酸を混合したエッチング液に浸して、該遮光金属膜１０１をエッチングした後、剥離液を用いてレジスト１０２を剥離する（図１３、図１４）。
次に、この基板上に再びポジ型レジスト１０２−ｂを膜厚１．５μｍで塗布し、乾燥ベークを施す（図１５）。
【００３３】
基板上に形成されているＢＭパターンの金属膜をマスクにして、基板裏面より紫外線を１００ｍＪ程度照射する（図１６）。次いでレジストを現像し、２２０℃程度の温度のオーブンで１時間焼成する。
【００３４】
その後、第１の実施形態と同様にして、ＣＦ層、共通電極層、配向規制突起、およびスペーサ層を形成し、ＣＦ基板が完成する。このようにして作成されたＣＦ基板と、ＴＦＴ基板を対向させて貼り合わせ、液晶を封入し、これに偏光板を貼り付けて、液晶表示用パネルが完成する（図１７）。
【００３５】
本実施形態は、ＢＭ層の製造方法が第１の実施形態とは異なるだけで、構造は第１の実施形態と同じであるため、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
さらに、第１の実施形態では、ＢＭ層として基板上に形成されたレジストは、遮光膜の金属をエッチングする際にエッチング液にさらされているが、本実施形態ではＢＭ層として形成されたレジスト膜は、エッチング液にはさらされておらず、第１の実施形態に比べて工数は増加するものの、より信頼性の高い液晶表示用パネルが実現できる。
【００３６】
〔第３の実施の形態〕
本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法について図１８乃至図２４を用いて説明する。図１８は、本実施例の形態の液晶表示装置の断面図を示している。第１の実施形態と同様に、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とを対向して貼り合わせ、両基板間に液晶を封入した構造を有している。ＴＦＴ基板は第１の実施の形態と同様の構造を有している。ＣＦ基板は以下に説明する構造を有している。すなわち、ガラス等の透明絶縁基板上に形成された金属遮光膜から成るＢＭ層の上に、異なる色の色分解フィルタを積層させることにより、ドレイン配線部及び蓄積容量部の遮光領域上の共通電極の表面段差が０．４〜０．６μｍに調整されている。
【００３７】
本実施形態における、ＣＦ基板の作成方法について、図２０乃至図２４を用いて説明する。まず、ガラス等の透明絶縁基板上に、Ｃｒと酸化Ｃｒの積層構造から成るＢＭパターンをフォトリソグラフィー法等を用いて形成する（図２０）。
【００３８】
次に、顔料分散型フォトレジストを用いて、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色からなるＣＦ層を、フォトリソグラフィ法を用いて、前記ＢＭ基板上に順次形成する。図２１は、着色層の第１層目のＲｅｄ層形成後の断面を示す。これに第２層目のＧｒｅｅｎ層を形成後の断面図が図２２である。図２２に示すように、第１層目のＲｅｄ層と重なるように第２層目のＧｒｅｅｎ層を形成したので、この２色のストライプの間に積層された部分の表面段差は、約０．４μｍとなっている。次いで着色層の３層目としてＢｌｕｅ層を形成し、着色層が完成する。
なお、平面図１９のＡ−Ａ’線での断面図を図２４に示す。
この基板全面を覆うようにＩＴＯ等を用いて透明共通電極を形成し、これに配向規制突起物と、スペーサー層を順次形成して、ＣＦ基板が完成する。
【００３９】
以上説明したように、上記実施の形態によれば、電極ユニットのほぼ中央部分に対向する共通電極表面に比べ、電極ユニット外周の非電極部に対向する、共通電極表面が０．２μｍ以上高いこと、出来れば、０．４〜１．５μｍ高いことで電極ユニット外周の電界による液晶の配向規制力が強くなり、より安定な液晶配向が得られ、外力により発生する配向の乱れを補正することができ、表示品位の高い安定した液晶表示装置を実現することができる。
【００４０】
また、金属遮光膜上に、フォトレジスト、色分解フィルタ層の順で積層させたり、金属遮光膜上に、異なる色の色分解フィルタ層を積層させることで、透過部に不要パターンがはみ出すことなく共通電極の段差が形成することができ、形成プロセスを増加させること無く、安価で、高品位の液晶表示装置を提供することができる。
【００４１】
さらに、金属遮光膜の形成に、フォトリソグラフとエッチングを用い、パターニングに用いたフォトレジストを焼成し、金属遮光膜の上に残すことにより、理想的な位置で共通電極の表面高さを調整することで可能となり、プロセスの増加無く高精度で、高品位の液晶表示装置が提供可能となる。
【００４２】
以上説明した本実施の形態による液晶表示装置及びその製造方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
電気的に接続された１つ以上の電極ユニットからなる画素電極を持つ第一の基板と、
前記画素に対向し、金属膜による遮光部と、その開口部に色分解フィルタ、その表面に共通電極を持つ第二の基板があり、
前記第一の基板と前記第二の基板との間に封入され、負の誘電率異方性を有する液晶層とを有する液晶表示装置であって、
電極ユニットのほぼ中央部分に対向する共通電極表面に比べ、電極ユニット外周の非電極部の少なくとも１／４に対向する、共通電極表面が０．２μｍ以上高いこと
を特徴とする液晶表示装置。
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記電極ユニットのほぼ中央に対向する前記第二の基板上にある共通電極上に、液晶配向制御用突起を設けること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記３）
付記１記載の液晶表示装置において、
金属遮光膜上に、フォトレジスト、色分解フィルタ層の順で積層させること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記４）
付記３記載の液晶表示装置において、
金属遮光膜の形成に、フォトリソグラフとエッチングを用い、パターニングに用いたフォトレジストを焼成し、金属遮光膜の上に残すことにより、共通電極の表面高さを調整すること
を特徴とする液晶表示装置製造方法。
（付記５）
付記１記載の液晶表示装置において、
金属遮光膜上に、異なる色の色分解フィルタ層を積層させること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記６）
付記１記載の液晶表示装置において、
電極ユニットのほぼ中央の対向する部分の共通電極表面に比べ、電極ユニット外周の少なくとも１／４に対向する、共通電極表面が０．４〜１．５μｍ高いこと
を特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の概略構成を図である。
【図２】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の等価回路図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置（平面図）を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置（断面図）を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態によるＴＦＴ基板（平面図）を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態によるＴＦＴ基板（断面図）を示す図である。
【図７】本発明の第１実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ａ−Ａ’断面図）である。
【図８】本発明の第１実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ａ−Ａ’断面図）である。
【図９】本発明の第１実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ａ−Ａ’断面図）である。
【図１０】本発明の第１実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ａ−Ａ’断面図）である。
【図１１】本発明の第１実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ａ−Ａ’断面図）である。
【図１２】本発明の第２実施形態によるＣＦ製造方法説明図（断面図）である。
【図１３】本発明の第２実施形態によるＣＦ製造方法説明図（断面図）である。
【図１４】本発明の第２実施形態によるＣＦ製造方法説明図（断面図）である。
【図１５】本発明の第２実施形態によるＣＦ製造方法説明図（断面図）である。
【図１６】本発明の第２実施形態によるＣＦ製造方法説明図（断面図）である。
【図１７】本発明の第２実施形態によるＣＦ製造方法説明図（断面図）である。
【図１８】本発明の第３実施形態による液晶表示装置（断面図）を示す図である。
【図１９】本発明の第３実施形態による液晶表示装置（平面図）を示す図である。
【図２０】本発明の第３実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ｂ−Ｂ’断面図）である。
【図２１】本発明の第３実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ｂ−Ｂ’断面図）である。
【図２２】本発明の第３実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ｂ−Ｂ’断面図）である。
【図２３】本発明の第３実施形態によるＣＦ製造方法説明図（Ｂ−Ｂ’断面図）である。
【図２４】本発明の第３実施形態によるＣＦ断面図液晶表示装置（Ａ−Ａ’断面図）である。
【図２５】従来の液晶表示装置（ＴＦＴ側正面断面図）を示す図である。
【図２６】理想的な液晶配向を示す図である。
【図２７】異常な液晶配向を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  ＴＦＴ基板
１２  ＣＦ基板
１４  ゲートバスライン
１６  ドレインバスライン
１８  ＴＦＴ
２０  画素電極
２２  蓄積容量バスライン
２４ａ  ゲートバスライン駆動回路
２４ｂ  ドレインバスライン駆動回路
２６  制御回路
２８  偏光板
３０  バックライトユニット
３２  偏光板
３４  蓄積容量電極
３６  保護膜
６０  ガラス基板
６４  配向制御用構造物
７６  液晶分子
８４  絶縁膜
８６  コンタクトホール
１０１  遮光金属
１０２  ポジ型フォトレジスト
１０２−ｂ  ポジ型フォトレジスト
１０３  ＣＦ層
１０３−Ｒ  ＣＦ−Ｒ層
１０３−Ｇ  ＣＦ−Ｇ層
１０３  ＣＦ−Ｂ層
１０４  ＩＴＯ
１０５  透明樹脂絶縁膜
【図１】
2006276327.tif 000003
【図２】
2006276327.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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