(57)【要約】【課題】  磁気センサの出力と比較する基準値（しきい値）を容易な方法でかつ正確な値に設定することができる位置検出装置および磁気センサ出力信号検出方法を提供すること。【解決手段】  磁気テープ８は、ピッチλにて繰り返し着磁がなされており、磁気センサ７は、磁気テープ８に対し相対的に移動可能であり、移動に伴い繰り返しなされている着磁に応じて繰り返し変化する信号を出力する。比較器３２、３４は、磁気センサ７の出力信号を入力し、基準値Ｒｅｆと比較して比較結果をパルス信号として出力する。コントローラ３５は、比較器３２、３４からのパル信号をカウントし磁気センサ７と磁気テープ８の相対的な移動量を演算し、演算された相対的な移動量に基づきレンズ４の位置を検出する。このとき、基準値Ｒｅｆは、磁気センサ７が非着磁部２２ａにおいて出力する出力値を取得して設定する。【選択図】        図２
2006242709.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置検出対象物の位置を検出する位置検出装置であって、
所定のピッチにて繰り返し着磁がなされている磁気記録手段と、
前記磁気記録手段に対し相対的に移動可能であり、移動に伴い前記繰り返しなされている着磁に応じて出力が繰り返し変化する磁気センサ手段と、
前記磁気センサ手段の出力を入力し、所定の基準値と比較して比較結果を出力する比較手段と、
前記比較手段の出力に基づき前記磁気記録手段と前記磁気センサ手段の相対的な移動量を演算し、前記演算された相対的な移動量に基づき前記位置検出対象物の位置を検出する制御手段とを備え、
前記所定の基準値は、前記磁気センサ手段が実質的に着磁がないところで出力する出力値とすることを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の位置検出装置において、
前記磁気記録手段は、前記所定のピッチにて繰り返し着磁がなされている第１の領域と実質的に着磁がない第２の領域とを有し、
前記磁気センサ手段は、前記第１の領域および前記第２の領域の範囲を移動可能であり、
前記制御手段は、前記磁気センサ手段が前記第２の領域へ移動したときに出力する値を取得し、前記取得した値を前記所定の基準値として前記比較手段に出力することを特徴とする位置検出装置。
【請求項３】
請求項２に記載の位置検出装置において、
前記制御手段は、Ａ／Ｄ変換手段と記憶手段とＤ／Ａ変換手段とを有し、前記磁気センサ手段が前記第２の領域へ移動したときに出力するアナログ値を前記Ａ／Ｄ変換手段を介してデジタル値として取得し、前記取得したデジタル値を前記記憶手段に記憶し、前記記憶手段に記憶したデジタル値を前記Ｄ／Ａ変換手段によりアナログ値に変換して前記所定の基準値として前記比較手段に出力することを特徴とする位置検出装置。
【請求項４】
請求項２から３のいずれかに記載の位置検出装置において、
前記磁気記録手段は、磁気テープ状部材で構成され、
前記第２の領域は、前記第１の領域に隣接して前記磁気テープ状部材の端部に形成されていることを特徴とする位置検出装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の位置検出装置において、
前記磁気センサ手段は、前記磁気記録手段の繰り返し着磁がなされている方向に配列した複数の磁気抵抗素子からなることを特徴とする位置検出装置。
【請求項６】
レンズ鏡筒であって、
請求項１から５のいずれかに記載の位置検出装置を備え、
前記磁気記録手段は、レンズ鏡筒内を移動するレンズおよびレンズ鏡筒筐体のいずれか一方に設けられ、
前記磁気センサ手段は、前記レンズおよび前記レンズ鏡筒筐体のいずれか他方に設けられ、
前記制御手段は、前記演算された前記磁気記録手段と前記磁気センサ手段の相対的な移動量に基づき前記位置検出対象物である前記レンズの位置を検出して出力することを特徴とするレンズ鏡筒。
【請求項７】
２つの磁気抵抗素子を直列に接続しその接続中点から信号を出力する構成と等価な磁気センサの出力信号を検出する磁気センサ出力信号検出方法であって、
前記磁気センサを実質的に磁界のないところに移動させ、そのときの前記磁気センサからの出力値を取得して記憶手段に記憶し、
前記記憶手段に記憶した出力値を基準値として比較手段へ出力し、
前記比較手段は、磁界内を移動する前記磁気センサからの出力信号を入力し、前記基準値と比較して比較結果を出力すること特徴とする磁気センサ出力信号検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位置検出装置および磁気センサ出力信号検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁気抵抗素子からなる磁気センサを用いた位置検出装置は、光学式エンコーダを用いた位置検出装置と比べ安価に構成できる。従って、カメラ用交換レンズにおけるレンズ位置検出用等、さまざまな分野で使用されている。このような位置検出装置は、特許文献１にあるように、磁気抵抗素子からの信号をマイクロコンピュータ等で処理するため、磁気抵抗素子からの信号をしきい値と比較し、矩形波に変換後、パルス列として出力する構成となっているものが多い。
【０００３】
磁気抵抗素子からの信号をしきい値と比較し、矩形波として位置情報を得る場合、磁気抵抗素子のバラツキも考慮する必要があるため、前記しきい値が適正でないと出力パルスのＤｕｔｙが５０％一定とならない。その結果、精度の高い正確な位置の測定ができない。そのため、特許文献２のように、予め設定されたしきい値が得られるように抵抗等を付加し調整する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１０８４８５号公報
【特許文献２】特開平１０−１９７６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記のようにしきい値を設定する場合、製造時に調整工程が入るため、コストアップにつながる。一方、センサ処理回路側で対応するためには、相対的に磁気抵抗素子と磁気記録媒体を移動させ、その出力パルスのＤｕｔｙが５０％一定となるように調整する方法が考えられる。しかし、磁気センサの取り付け角度や、接触する場合はその接触状態により、パルスのＤｕｔｙが安定せず、最適なしきい値を設定することが難しかった。
【０００６】
本発明は、磁気センサの出力と比較する基準値（しきい値）を容易な方法でかつ正確な値に設定することができる位置検出装置および磁気センサ出力信号検出方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、位置検出対象物の位置を検出する位置検出装置に適用され、所定のピッチにて繰り返し着磁がなされている磁気記録手段と、磁気記録手段に対し相対的に移動可能であり、移動に伴い繰り返しなされている着磁に応じて出力が繰り返し変化する磁気センサ手段と、磁気センサ手段の出力を入力し、所定の基準値と比較して比較結果を出力する比較手段と、比較手段の出力に基づき磁気記録手段と磁気センサ手段の相対的な移動量を演算し、演算された相対的な移動量に基づき位置検出対象物の位置を検出する制御手段とを備え、所定の基準値は、磁気センサ手段が実質的に着磁がないところで出力する出力値とすることを特徴とするものである。
請求項２の発明は、請求項１に記載の位置検出装置において、磁気記録手段は、所定のピッチにて繰り返し着磁がなされている第１の領域と実質的に着磁がない第２の領域とを有し、磁気センサ手段は、第１の領域および第２の領域の範囲を移動可能であり、制御手段は、磁気センサ手段が第２の領域へ移動したときに出力する値を取得し、取得した値を所定の基準値として比較手段に出力することを特徴とするものである。
請求項３の発明は、請求項２に記載の位置検出装置において、制御手段は、Ａ／Ｄ変換手段と記憶手段とＤ／Ａ変換手段とを有し、磁気センサ手段が第２の領域へ移動したときに出力するアナログ値をＡ／Ｄ変換手段を介してデジタル値として取得し、取得したデジタル値を記憶手段に記憶し、記憶手段に記憶したデジタル値をＤ／Ａ変換手段によりアナログ値に変換して所定の基準値として比較手段に出力することを特徴とするものである。
請求項４の発明は、請求項２から３のいずれかに記載の位置検出装置において、磁気記録手段は、磁気テープ状部材で構成され、第２の領域は、第１の領域に隣接して磁気テープ状部材の端部に形成されていることを特徴とするものである。
請求項５の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の位置検出装置において、磁気センサ手段は、磁気記録手段の繰り返し着磁がなされている方向に配列した複数の磁気抵抗素子からなることを特徴とするものである。
請求項６の発明は、レンズ鏡筒に適用され、請求項１から５のいずれかに記載の位置検出装置を備え、磁気記録手段は、レンズ鏡筒内を移動するレンズおよびレンズ鏡筒筐体のいずれか一方に設けられ、磁気センサ手段は、レンズおよびレンズ鏡筒筐体のいずれか他方に設けられ、制御手段は、演算された磁気記録手段と磁気センサ手段の相対的な移動量に基づき位置検出対象物であるレンズの位置を検出して出力することを特徴とするものである。
請求項７の発明は、２つの磁気抵抗素子を直列に接続しその接続中点から信号を出力する構成と等価な磁気センサの出力信号を検出する磁気センサ出力信号検出方法に適用され、磁気センサを実質的に磁界のないところに移動させ、そのときの磁気センサからの出力値を取得して記憶手段に記憶し、記憶手段に記憶した出力値を基準値として比較手段へ出力し、比較手段は、磁界内を移動する磁気センサからの出力信号を入力し、基準値と比較して比較結果を出力すること特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明は、以上説明したように構成しているので、次のような効果を奏する。
磁気センサの出力と比較する基準値（しきい値）を容易な方法でかつ正確な値に設定することができる。その結果、容易かつ正確にＤｕｔｙ５０％のパルスを生成することができ、精度の高い位置検出などが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１は、本発明の一実施の形態の位置検出装置を使用したレンズ鏡筒１、およびこのレンズ鏡筒１が取り付けられたカメラ２を示す図である。レンズ鏡筒１内には、ガイドレール３ａ，３ｂに沿って移動するレンズ４、レンズ４の移動を駆動する駆動部５、駆動部５の制御およびレンズ鏡筒１内の制御全般を行う制御部６が設けられている。
【００１０】
さらに、レンズ鏡筒１内を移動するレンズ４に磁気センサ７が設けられ、レンズ鏡筒１の筐体９側に磁器記録媒体である磁気テープ８が筐体９に固定するように設けられている。筐体９は、レンズ鏡筒１のボディ（本体）部あるいはレンズ鏡筒１のケース部と言ってもよい。
【００１１】
磁気センサ７は、レンズ４の移動に伴い磁気テープ８上を十分に密着して移動し、レンズ４の移動に伴って変化する信号を制御部６へ出力する。制御部６は、磁気センサ７からの出力を受信し、所定の演算を行ってレンズ４の位置を検出し、検出したレンズ４の位置情報をカメラ２のカメラ制御部１０へ出力する。カメラ制御部１０は、受信したレンズ４の位置情報を合焦などの種々の制御に使用する。
【００１２】
次に、磁気センサ７から出力される信号について説明する。
【００１３】
図２は、磁気センサ７および磁気テープ８の詳細を示す図である。磁気テープ８は、着磁部２１の領域と着磁部２１の両端に非着磁部２２ａ、２２ｂの領域が設けられている。着磁部２１は、図２の横方向すなわち磁気テープ８の長手方向に、所定のピッチλでＮＳ，ＳＮ、ＮＳ・・・と交互に繰り返し着磁されている。非着磁部２２ａ、２２ｂは、磁性材料は塗布されているが着磁（磁化）されていない領域である。ピッチλは例えば１００μ、磁気テープ８の長さは例えば５０ｍｍとする。
【００１４】
着磁部２１は、磁気センサ７がその上を移動することにより出力が変化する磁場（磁界）を有する領域である。非着磁部２２ａ、２２ｂは、着磁部２１に対し相対的に磁場が小さく、磁気センサ７の出力が変化しない領域である。非着磁部は、非磁性部と言ってもよい。すなわち、実質的に磁界のない領域である。
【００１５】
レンズ４は、駆動部５により着磁部２１および非着磁部２２ａ、２２ｂの範囲にわたって移動可能に構成されている。すなわち、磁気センサ７は着磁部２１および非着磁部２２ａ、２２ｂの範囲にわたって移動可能である。ただし、レンズ４の位置を検出すべき範囲は、着磁部２１の範囲である。
【００１６】
図３は、磁気センサ７の出力波形および後述する比較器の出力波形を示す図である。本実施の形態の磁気センサ７は、着磁部２１の範囲を移動すると、図３（ａ）、図３（ｂ）に示す信号波形の信号を出力する。
【００１７】
本実施の形態の磁気センサ７は、４つの磁気抵抗素子（ＭＲ素子）Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４から構成されている。図４は、磁気センサ７の等価回路を示す図である。４つの磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４はブリッジ回路を構成している。ただし、２つの磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２に着目すれば、電源ＶｃｃとＧＮＤ間に直列に接続され、その中点からＢ相信号が出力されている。同様に、２つの磁気抵抗素子Ｒ３、Ｒ４に着目すれば、電源ＶｃｃとＧＮＤ間に直列に接続され、その中点からＡ相信号が出力されている。
【００１８】
図５は、磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の物理的配置を示す図である。４つの磁気抵抗素子は、磁気テープ８の着磁方向すなわち図２の横方向に、磁気抵抗素子Ｒ１、磁気抵抗素子Ｒ３、磁気抵抗素子Ｒ２、磁気抵抗素子Ｒ４の順に、λ／４の間隔で配置されている。磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４がこのように配置されることにより、それぞれの磁気抵抗素子は、磁気テープ８の着磁による磁界の影響を異なって受ける。
【００１９】
図６は、磁気抵抗素子の磁界感度曲線を示す図である。すなわち、磁気抵抗素子の抵抗値と磁界強度との関係を示す図である。図６は、磁界強度が磁界の方向にかかわらず大きくなることにより磁気抵抗素子の抵抗値が小さくなることを示している。このような特性を示す磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４が図５のように配置された磁気センサ７が図２の着磁部２１を移動すると、図３（ａ）図３（ｂ）のような信号を出力する。
【００２０】
図７は、磁気センサ７、磁気テープ８、および、制御部６のブロック図を示す図である。磁気センサ７のＡ相出力信号は、増幅器３１で所定の増幅率で増幅され、比較器３２に入力される。比較器３２は、増幅器３１からの信号をＤ／Ａ変換器３７から出力されるアナログ基準値Ｒｅｆと大小を比較し、その比較結果の信号Ｙ１をコントローラ３５に出力する。同様に、磁気センサ７のＢ相出力信号は、増幅器３３で所定の増幅率で増幅され、比較器３４に入力される。比較器３４は、増幅器３３からの信号をＤ／Ａ変換器３７から出力されるアナログ基準値Ｒｅｆと大小を比較し、その比較結果の信号Ｙ２をコントローラ３５に出力する。
【００２１】
図３（ｃ）図３（ｄ）は、信号Ｙ１、Ｙ２の波形を示す。信号Ｙ１は、増幅器３１で増幅されたＡ相出力信号が、アナログ基準値Ｒｅｆより大きくなるとＨｉｇｈ（ハイ）になり、小さくなるとＬｏｗ（ロー）になる。同様に、信号Ｙ２は、増幅器３３で増幅されたＢ相出力信号が、アナログ基準値Ｒｅｆより大きくなるとＨｉｇｈ（ハイ）になり、小さくなるとＬｏｗ（ロー）になる。
【００２２】
本実施の形態では、このアナログ基準値（しきい値）Ｒｅｆの設定に特徴を有する。図８は、アナログ基準値Ｒｅｆを設定する処理のフローチャートを示す図である。制御部６のコントローラ３５が、所定のプログラムを実行することにより処理を実行する。コントローラ３５は、マイクロプロセッサおよびその周辺回路からなり、内部に上記所定のプログラムを格納するメモリ３８を有する。
【００２３】
ステップＳ１では、磁気センサ７を非着磁部２２ａ（あるいは非着磁部２２ｂ）へ駆動する。具体的には、駆動部５を使用してレンズ４を非着磁部２２ａまで駆動する。ステップＳ２では、非着磁部２２ａにおける磁気センサ７のＡ相出力信号およびＢ相出力信号の出力値を取得する。Ａ相出力信号およびＢ相出力信号は、増幅器３１および増幅器３３でそれぞれ所定の増幅率で増幅され、Ａ／Ｄ変換器３６でＡ／Ｄ変換されてコントローラ３５により読み込まれる。
【００２４】
ステップＳ３では、デジタル変換されたＡ相出力信号値およびＢ相出力信号値を平均し、平均した値を基準値Ｒｅｆとしてメモリ３８に記憶する。ステップＳ４では、メモリ３８に記憶された基準値ＲｅｆをＤ／Ａ変換器３７へ出力する。Ｄ／Ａ変換器３７は、入力されたデジタルデータである基準値Ｒｅｆをアナログ基準値Ｒｅｆへ変換し、比較器３２および比較器３４へ出力する。
【００２５】
このようにして、比較器３２および比較器３４への基準値Ｒｅｆが設定された後、レンズ４の位置の検出の処理がなされる。図９は、レンズ４の位置を検出する処理のフローチャートを示す図である。コントローラ３５が、所定のプログラムを実行することにより行う。
【００２６】
ステップＳ１１では、信号Ｙ１および信号Ｙ２のパルス数をカウントする。ステップＳ１２では、カウントしたパルス数に基づき、レンズ４の所定の基準位置からの移動量を演算する。レンズ４は、所定の基準位置を基準に駆動部５により駆動される。焦点調節などの通常の駆動範囲は、磁気テープ８の着磁部２１の範囲である。レンズ４が移動することにより、磁気センサ７は磁気テープ８の着磁部２１の表面を不図示の保護層を介して密着しながら滑るように移動する。これにより、図３（ａ）図３（ｂ）に示す波形の信号を出力する。
【００２７】
本実施の形態では、磁気センサ７は、位相がλ／４ずれたＡ相出力信号およびＢ相出力信号の２つの信号を出力する。このように位相がずれた２つの信号を評価することにより、磁気センサ７がどちらの方向へ移動しているかを把握することができる。これにより、カウントするパルス数を加算したり減算したりし、現在の位置に相当するパルス数を得ることができる。そして、取得したパルス数とピッチλとを使用して、所定の基準位置からの移動量を得ることができる。
【００２８】
ステップＳ１３では、ステップＳ１２で得たレンズ４の移動量からレンズ位置を演算し、レンズ位置情報をカメラ２のカメラ制御部１０へ出力する。カメラ制御部１０は、受信したレンズ４の位置情報を、焦点調節などの種々の制御に使用する。なお、位相がλ／４ずれた２つの波形を使用することにより、検出精度も２倍となる。
【００２９】
図３（ａ）を参照して、Ａ相出力信号についてさらに説明をする。図３（ａ）では、Ａ相出力信号は、基準値Ｒｅｆを基準に＋−する波長λの正弦波を示している。この基準値Ｒｅｆは、磁気抵抗素子Ｒ３と磁気抵抗素子Ｒ４の特性がまったく等しいのであれば、図４の等価回路からも分かるようにＶｃｃ／２となるのが通常である。
【００３０】
しかし、磁気抵抗素子のばらつきなどから必ずしもＶｃｃ／２を基準に＋−する正弦波とはならない。また、磁気センサ７の取り付け角度や、磁気センサ７が磁気テープ８と接触する場合にはその接触状態により、出力信号にもばらつきが生じる。その結果、基準値Ｒｅｆを単にＶｃｃ／２に対応した値、すなわち増幅器３１の増幅率に対応した係数を掛けた値とすると、パルス信号である信号Ｙ１のＤｕｔｙが、５０％を達成することができない。その結果、精度の高い測定が困難となる。
【００３１】
そこで、本実施の形態では、上述したように、磁気センサ７を着磁のないところへ駆動し、そこで得られる磁気センサ７の出力信号を基準値Ｒｅｆとするようにした。着磁のないところでは、磁気抵抗素子Ｒ３と磁気抵抗素子Ｒ４は、同じように磁界の影響を受けない。このことは、着磁部２１において、磁気抵抗素子Ｒ３と磁気抵抗素子Ｒ４が、Ｎ極と隣接するＳ極、Ｎ極と隣接するＮ極、Ｓ極と隣接するＳ極から同じ磁界の強さを受けることに相当する。Ｂ相出力信号についても同様である。
【００３２】
以上のように構成された本実施の形態のレンズ鏡筒１は、次のような効果を奏する。
（１）磁気センサ７からの出力信号を比較する基準値Ｒｅｆを、磁気センサ７が実質的に着磁のないところ、すなわち実質的に磁界あるいは磁場のないところで出力する出力値としたので、簡単な構成で正確に比較器３２比較器３４の出力信号のＤｕｔｙを５０％にすることができる。その結果、製造時のコストアップを招くことなく精度の高いレンズ位置の検出を可能とする。
（２）姿勢差や接触状態といった磁気センサ７と磁気テープ（磁気記録媒体）８の位置関係に寄らず、原理的に磁気センサ７が有している出力の中心値をしきい値とするパルスを出力できるようになる。そのため、磁気センサ７の磁気抵抗素子を調整することなく、磁気抵抗素子のばらつきを補正することができ、信号処理回路側で安定した位置検出を行うことができる。すなわち、２つの直列に接続された磁気抵抗素子の抵抗値等のばらつきによる中点電位のばらつきに応じた値を基準値（しきい値）とするので、磁気センサ７の姿勢変動が多少あっても、正確にＤｕｔｙ５０％のパルス信号を得ることができる。
（３）磁気テープ８の着磁部２１に隣接する端部に非着磁部２２ａ、２２ｂを設けるようにしたので、磁気センサ７すなわちレンズ４を駆動端まで移動するだけで容易に着磁のないところでの出力を得ることができる。
（４）着磁のないところでの磁気センサ７の出力をＡ／Ｄ変換器３６で取得して記憶し、次に、記憶したデータに基づきＤ／Ａ変換器３７でアナログ信号に変換して基準値Ｒｅｆとして出力するようにしたので、基準値Ｒｅｆを容易な構成で設定することができる。また、レンズ鏡筒１の使用条件異なる場合にも、容易に基準値Ｒｅｆの設定を変更することができる。その結果、使用条件の変化に応じて容易に精度の高いレンズ位置の測定を行うことができる。
（５）磁気センサ７に磁気抵抗素子を使用しているので、安価に精度の高いレンズ位置の検出を行うことができる。
（６）磁気センサ７は、４つの磁気抵抗素子からなるブリッジ型を使用している。すなわち、２つの磁気抵抗素子を直列に接続しその接続中点から信号を出力する構成を２組使用し、その出力信号は位相がλ／４ずれるように構成されている。これにより、磁気センサ７の移動方向を把握しながら位置検出分解能を２倍とすることが可能である。
【００３３】
上記の実施の形態では、レンズ鏡筒１内のレンズ４の位置を検出する例を説明をしたが、必ずしもこの内容に限定する必要はない。位置検出対象は、どのようなものであってもよい。すなわち、本発明は、あらゆる位置検出対象物の位置を検出する位置検出装置全般に適用することができる。
【００３４】
上記の実施の形態では、磁気テープ８上、すなわち磁性材料が塗布されている（存在する）ところで着磁をしていない領域を非着磁部２２ａ、２２ｂとする例を説明をしたが、必ずしもこの内容に限定する必要はない。磁性材料を塗布しないようにしてもよい。また、磁気テープ８自体がないところを非着磁部としてもよい。すなわち、磁気センサ７に対して実質的に磁界の影響を与えないような領域が非着磁部である。
【００３５】
上記の実施の形態では、磁気テープ８の着磁の状態を図２のように説明をした。また、磁気センサ７の磁気抵抗素子の配置の状態を図５のように説明をした。しかし、必ずしもこれらの内容に限定する必要はない。磁気センサ７が、着磁部２１上を移動することにより所定の基準値を基準に＋−するような信号が出力されるようなものであれば、どのような着磁状態およびどのような磁気抵抗素子の配置状態であってもよい。
【００３６】
上記の実施の形態では、４つの磁気抵抗素子からなる磁気センサ７の例を説明したが、必ずしもこの内容に限定する必要はない。２つの磁気抵抗素子からなる磁気センサであってもよいし、６個以上の磁気抵抗素子からなる磁気センサであってもよい。
【００３７】
上記の実施の形態では、磁気抵抗素子からなる磁気センサ７の例を説明したが、必ずしもこの内容に限定する必要はない。他の素子からなる磁気センサであってもよい。すなわち、磁気センサが、着磁部２１上を移動することにより所定の基準値を基準に＋−するような信号が出力するようなものであれば、どのようなものであってもよい。
【００３８】
上記の実施の形態では、焦点調節制御のためにレンズ鏡筒１内のレンズ４の位置を検出する例を説明したが、必ずしもこの内容に限定する必要はない。ズームレンズのレンズ位置を検出する場合であってもよい。
【００３９】
上記の実施の形態では、レンズ鏡筒１の筐体９側に磁気テープ８を固定し、移動するレンズ４側に磁気センサ７を取り付ける例を説明したが、必ずしもこの内容に限定する必要はない。レンズ鏡筒１の筐体９側に磁気センサ７を設け、移動するレンズ４側の支持部等に磁気テープ８を貼りつける場合であってもよい。すなわち、磁気センサ７と着磁部２１が相対的に移動する関係であればどのような態様であってもよい。
【００４０】
上記の実施の形態では、取得したＡ相出力信号値およびＢ相出力信号値を平均した値を基準値Ｒｅｆとする例を説明したが、必ずしもこの内容に限定する必要はない。Ｄ／Ａ変換器３７を２回路設け、磁気センサ７が非着磁部２２ａに位置するときに取得したＡ相出力信号値およびＢ相出力信号値を、それぞれの基準値Ｒｅｆとするようにしてもよい。
【００４１】
上記では、種々の実施の形態および変形例を説明したが、本発明はこれらの内容に限定されるものではない。本発明の技術的思想の範囲内で考えられるその他の態様も本発明の範囲内に含まれる。
【００４２】
以下、請求項の構成要素と上記実施の形態の構成要素との対応付けについて説明する。本発明の位置検出対象物はレンズ４に対応し、磁気記録手段は磁気テープ８に対応し、磁気センサ手段は磁気センサ７に対応し、所定の基準値は基準値Ｒｅｆに対応し、比較手段は比較器３２、３４に対応し、制御手段はコントローラ３５に対応する。第１の領域は着磁部２１に対応し、第２の領域は非着磁部２２ａ、２２ｂに対応する。Ａ／Ｄ変換手段はＡ／Ｄ変換器３６に対応し、記憶手段はメモリ３８に対応し、Ｄ／Ａ変換手段はＤ／Ａ変換器３７に対応する。複数の磁気抵抗素子は磁気抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４に対応する。なお、これらの対応付けの説明はあくまで一例であり、本発明はこの対応付けに限定して解釈されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態の位置検出装置を使用したレンズ鏡筒１、およびこのレンズ鏡筒１が取り付けられたカメラ２を示す図である。
【図２】磁気センサ７および磁気テープ８の詳細を示す図である。
【図３】磁気センサ７の出力波形および後述する比較器の出力波形を示す図である。
【図４】磁気センサ７の等価回路を示す図である。
【図５】磁気抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４の物理的配置を示す図である。
【図６】磁気抵抗素子の磁界感度曲線を示す図である。
【図７】磁気センサ７、磁気テープ８、および、制御部６のブロック図を示す図である。
【図８】アナログ基準値Ｒｅｆを設定する処理のフローチャートを示す図である。
【図９】レンズ４の位置を検出する処理のフローチャートを示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  レンズ鏡筒
２  カメラ
３ａ，３ｂ  ガイドレール
４  レンズ
５  駆動部
６  制御部
７  磁気センサ
８  磁気テープ
９  筐体
１０  カメラ制御部
２１  着磁部
２２ａ、２２ｂ  非着磁部
３１、３３  増幅器
３２、３４  比較器
３５  コントローラ
３６  Ａ／Ｄ変換器
３７  Ｄ／Ａ変換器
【図１】
2006242709.tif 000003
【図２】
2006242709.tif 000004
【図３】
2006242709.tif 000005
【図４】
2006242709.tif 000006
【図５】
2006242709.tif 000007
【図６】
2006242709.tif 000008
【図７】
2006242709.tif 000009
【図８】
2006242709.tif 000010
【図９】
2006242709.tif 000011