(57)【要約】【課題】形状、膜厚均一性に優れた反射面と、金属配線の断線を防いだ半導体レーザ装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板200の上に、酸化膜201を形成した後、窒化膜202を堆積する。次いでその上に第１のレジストパターンを形成し、それをマスクとして、窒化膜202をエッチング処理し、酸化膜201を露出させ、露出した酸化膜201を熱酸化し、厚膜化された第２の酸化膜を形成する。窒化膜202の開口部近傍は庇形状部になる。庇形状部にレジストがなく露出した状態になるよう窒化膜201上部に第２のレジストパターンを形成する。このとき、第２の酸化膜周囲に窒化膜202が露出したオフセット部50を設ける。次に、第２のレジストパターンをマスクとして、エッチング処理により、庇形状部を含めた窒化膜202の一部を除去し、その後、断面逆台形形状の溝形成及び反射面の形成工程に入る。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１の酸化膜とその上に耐酸化膜を形成する工程と、
前記耐酸化膜の一部をリソグラフィ処理、エッチング処理により除去し、パターン化した耐酸化膜を形成する工程と、
前記パターン化した耐酸化膜をマスクとして、前記第１の酸化膜の一部を厚膜化した第２の酸化膜を形成する工程と、
前記耐酸化膜の前記第２の酸化膜が形成されている側の縁部近傍周辺を除いた前記耐酸化膜の一部をリソグラフィ処理によりレジストで覆う工程と、
前記レジストをマスクとして、エッチング処理により、少なくとも庇形状部を含む前記耐酸化膜の一部を除去する工程と、
露出した前記第２の酸化膜、前記第１の酸化膜及び前記耐酸化膜の上部に第３の酸化膜を形成する工程と、
前記第２および第３の酸化膜の一部を除去し、前記半導体基板の一部を露出させる工程と、
前記露出した半導体基板をウェットエッチング処理により断面形状が略逆台形状の溝を形成する工程と、
前記第２および第３の酸化膜を除去して前記溝上部を開口させる工程と、
前記溝内面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜が形成された溝斜面の少なくとも一斜面に金属膜を形成し、前記金属膜が形成された斜面のうちの一斜面を反射面とする工程と、さらに前記絶縁膜の形成されている溝底面の上部に半導体レーザ素子を設置する工程と、を少なくとも備えた半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の酸化膜および前記耐酸化膜を備えた前記半導体基板上に受光素子を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項３】
前記反射面を形成するための溝斜面および前記反射面は前記溝の底面に対し４５度の角度を有することを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体基板は単結晶半導体基板であり、前記反射面を形成するための前記溝斜面は単結晶半導体基板の最稠密面であることを特徴とする請求項１または３記載の半導体レーザ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピックアップ装置などに用いる半導体レーザ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ピックアップに用いる半導体レ−ザ装置は、半導体基板に溝を形成し、その溝底面上に半導体レーザ素子を、溝斜面に反射面を備えている。そして、半導体レーザ素子より出射したレーザ光を反射面で反射させ、その反射光を光ディスクに送るように構成されている。
【０００３】
以下、図１６から図２０を参照しながら、特許文献１に示された半導体基板上に溝を形成する方法を用いて、半導体レーザ装置を製造する方法について説明する。
【０００４】
まず、図１６に示すように、半導体基板１００上面に、酸化膜１０１と耐酸化膜である窒化膜１０２を順次形成する。さらに、窒化膜１０２の上面に、リソグラフィ法によりパターン化したレジスト膜（図示せず）を形成し、このパターン化したレジスト膜をマスクとして、窒化膜１０２にエッチング処理を行ない、酸化膜１０１の一部を露出させる。
【０００５】
次に、図１７に示すように、熱処理によって、露出した酸化膜１０１を厚膜化した第２の酸化膜１０１ａを形成する。
【０００６】
次に、図１８に示すように、第２の酸化膜１０１ａ上にリソグラフィ法によりパターン化したレジスト膜（図示せず）を形成し、このパターン化したレジスト膜をマスクとして、第２の酸化膜１０１ａの一部を除去し、半導体基板１００の一部を露出させる。
【０００７】
次に、図１９に示すように、露出した半導体基板１００から、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液などのアルカリ水溶液でエッチングを行ない、断面形状が略逆台形状の溝１０を形成する。
【０００８】
次に、図２０に示すように、第２の酸化膜１０１ａをフッ酸により除去し、溝１０上部を開口する。
【０００９】
以上の工程により、半導体基板１００に断面形状が略逆台形状の溝１０を形成する。
【００１０】
その後、図２１に示すように、溝１０内面と窒化膜１０２の上部に、絶縁膜である第２の窒化膜１０７形成する。さらに、第２の窒化膜１０７の上部に金属膜からなる反射面６０および金属配線７０を形成する。
【００１１】
また、溝１０底面は第２の窒化膜１０７、金属膜の上に、半導体レ−ザ素子やヒートシンクなどを備えた半導体レーザ部８０を形成する。
【特許文献１】特開平５−１７５３２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１に示された溝形成方法では、窒化膜１０２の開口縁近傍の下側にも酸素が入り込み、図１７に示したように、窒化膜１０２の開口縁近傍の下もバーズビーク形状になりながら第２の酸化膜１０１ａが形成されるため、第２の酸化膜１０１ａを除去して溝１０形成すると、シリコン窒化膜１０２が図２０に示したように庇形状１０２ａとなる。
【００１３】
そのため、図２１に示すように、溝１０内面や窒化膜１０２上に形成した第２の窒化膜１０７は被膜されない領域が生じるとともに、膜厚、形状が均一な膜を形成することが出来ない。
【００１４】
したがって、金属膜を設けて反射面６０を形成すると、金属膜の形状（平面形状や厚みの均一性など）が不均一なため半導体レーザ素子から出射したレーザ光を正確に光ディスクに送ることが出来ないという課題を有していた。
【００１５】
また、第２の窒化膜１０７と同様に、金属膜は庇形状部１０２ａ周辺に被膜されないため、金属膜にパターン化して形成した金属配線７０の断線が生じるという課題を有していた。
【００１６】
そこで本発明は、前記課題に鑑み、形状、膜厚均一性に優れた反射面の形成と、金属配線の断線を防止する、半導体レーザ装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の半導体レーザ装置の製造方法は、半導体基板上に第１の酸化膜とその上に耐酸化膜を形成する工程と、耐酸化膜の一部をリソグラフィ処理、エッチング処理により除去し、パターン化した耐酸化膜を形成する工程と、パターン化した耐酸化膜をマスクとして、第１の酸化膜の一部を厚膜化した第２の酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化膜の前記第２の酸化膜が形成されている側の縁部近傍周辺を除いた前記耐酸化膜の一部をリソグラフィ処理によりレジストで覆う工程と、レジストをマスクとして、エッチング処理により、少なくとも庇形状部を含む耐酸化膜の一部を除去する工程と、露出した前記第２の酸化膜、前記第１の酸化膜及び前記耐酸化膜の上部に第３の酸化膜を形成する工程と、第２および第３の酸化膜の一部を除去し、半導体基板の一部を露出させる工程と、露出した半導体基板をウェットエッチング処理により断面形状が略逆台形状の溝を形成する工程と、第２および第３の酸化膜を除去して溝上部を開口させる工程と、溝内面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜が形成された溝斜面の少なくとも一斜面に金属膜を形成し、前記金属膜が形成された斜面のうちの一斜面を反射面とする工程と、さらに前記絶縁膜の形成されている溝底面の上部に半導体レーザ素子を設置する工程と、を少なくとも備えている。
【００１８】
なお、本発明の半導体レーザ装置の製造方法では、第１の酸化膜および耐酸化膜を備えた半導体基板上に受光素子を設けることがより好ましい。
【００１９】
なお、本発明の半導体レーザ装置の製造方法では、前記反射面を形成するための溝斜面および反射面は前記溝の底面に対し４５度の角度を有することがより好ましい。
【００２０】
なお、本発明の半導体レーザ装置の製造方法では、半導体基板は単結晶半導体基板であり、反射面を形成するための溝斜面は単結晶半導体基板の最稠密面であることがより好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
溝上部に庇形状部を有しないため、溝斜面を含む内面部および半導体基板上に形状、膜厚均一性にすぐれた窒化膜や金属膜を形成することが出来る。したがって、形状均一性に優れた反射面を形成することができ、また金属配線の断線を防いだ半導体レーザ装置の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の半導体レーザ装置の実施形態の一つである本発明の実施形態に係る光ピックアップ装置について、図１および図２を用いて説明する。図１、２では、光ピックアップ装置の一部（以下、この部分を「半導体レーザ装置」という。）を示している。
【００２３】
図１に示すように、本実施形態に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置には、光ディスク（図示せず）に対してレーザ光を出射する半導体レーザ素子２０とともに、受光素子４０、反射面６０、金属配線７０、ボンディングパッド９０が形成されている。
【００２４】
また、この半導体レーザ装置は全体が略直方体状をしており、装置中央部分に設けられた最も大きな溝の内側底面には、半導体レーザ素子２０が収納されている。
【００２５】
そして、半導体レーザ素子２０が収納された溝の少なくとも反射面を形成するための側壁面（溝斜面）は、当該側壁面における深さ方向の下側部分の側壁面が装置の基板表面に対して４５°の傾斜角を有する反射面６０を有しており、当該反射面は表面がＡｕ層で覆われている。
【００２６】
即ち、半導体レーザ素子２０からシリコン基板表面と略平行方向に出射されたレーザ光（出射光）は、反射面６０で反射し、図１における装置上方に向けレーザ光を出射することができる。
【００２７】
また、半導体レーザ装置の片方側（図１では左側）であって、半導体レーザ素子２０が収納された溝の両側周辺領域には、少し間隙をあけて受光素子４０が形成されている。この受光素子部４０は、光ディスクで反射し戻ってきたレーザ光を受光するためのものである。
【００２８】
金属配線７０は、受光素子４０で発生した電気信号を処理する信号処理回路や、半導体レーザ素子２０を駆動させるための駆動回路を構成する回路配線である。または、受光素子４０と信号処理回路と、あるいは半導体レーザ素子２０と駆動回路とをつなげる接続配線である。
【００２９】
次に、図２を用いて、本実施の形態に係る光ピックアップ装置における半導体レーザ装置の内部構成について説明する。図２は、図１におけるＪ−Ｊ‘ラインの断面図（端面図）である。
【００３０】
まず、半導体基板２００の上に、第１の酸化膜である酸化膜２０１、耐酸化膜である窒化膜２０２、層間絶縁膜である窒化膜２０７が順に積層されている。この酸化膜２０１、窒化膜２０２上には受光素子４０を形成するが、図２では、受光素子４０の具体的な構造は図示せず、受光素子４０を形成する領域４０ａのみを示す。
【００３１】
さらに、半導体基板２００には、半導体レーザ素子２０を搭載するために溝３０を形成し、その溝３０周辺にはオフセット部５０を有している。
【００３２】
また、半導体レーザ素子２０は、半導体基板２００上に形成された窒化膜２０７との間に、Ｔｉ層２０８ａ、２０８ｂおよびＡｕ層２０９ａ、２０９ｂに加えてヒートシンク層２１０およびはんだ層２１１を介して載置、接合されている。下層のＴｉ層２０８ａ／Ａｕ層２０９ａは、半導体レーザ素子２０における片側の電極の役割も兼ねるヒートシンク層２１０を電解メッキ法で形成する場合のシード層としての役割も持っている。また、上層のＴｉ層２０８ｂ／Ａｕ層２０９ｂは、ヒートシンク層２１０とはんだ層２１１とが合金化するのを防止するためのバリア膜としての役割も持っている。
【００３３】
ヒートシンク層２１０は、Ａｕ層２０９ａとＴｉ層２０８ｂとの間に介挿されており、２０μｍ程度の厚みを有する。このようにヒートシンク層１０５がＡｕ層２０９ａ、２０９ｂよりも厚いのは、これにより装置の厚み方向における半導体レーザ素子２０の取り付け位置を確保するためである。
【００３４】
つまり、ヒートシンク層２１０は、駆動時における半導体レーザ素子２０の熱を逃がすという機能とともに、半導体レーザ素子２０における片側の電極という機能と、取り付け時における装置厚み方向の寸法精度確保のための台座としての機能を有する。ヒートシンク層２１０は特に限定するものではないがＡｕ等の材料が用いられる。
【００３５】
なお、図２では、ヒートシンク層２１０は、何処とも接続されていないように図示されているが、金属配線７０（図１も参照）を介して溝３０の外部の駆動用電源と接続している。
【００３６】
また、溝３０は、半導体基板２００の厚み方向小程までが垂直の側壁面を有し、小程から内底面にかけての側壁面が半導体基板２００の表面方向に対して角αが４５度の傾斜角を有している。少なくとも反射面６０が形成される側の前記小程から内底面にかけての側壁面は、半導体基板２００の表面方向に対して４５度の傾斜角を有していることが必要である。
【００３７】
さらに、溝３０における内面および半導体基板２００上部には、窒化膜２０７の上にＴｉ層２０８ａ、２０８ｂおよびＡｕ層２０９ａ、２０９ｂが順次積層されている。Ｔｉ層２０８ａ、２０８ｂは、ともに０．２μｍの厚みを有しており、Ａｕ層２０９ａ、２０９ｂは、ともに０．４μｍの膜厚を有している。
【００３８】
このうち、溝３０の一方の側の側壁面（図１、図２では、図の左側の側壁面）は、最表面に形成されたＡｕ層２０９ｂによって半導体レーザ素子２０から出射されたレーザ光を装置上方に送るための反射面６０である。
【００３９】
また、金属膜２０８、２０９（図２では、図の略中央部から右側方向に存在する金属膜）はリソグラフィ、エッチング処理によりパターン化して金属配線７０となる。
【００４０】
但し、少なくとも受光素子４０を形成する領域４０ａの上部は金属膜２０８、２０９で覆われないように、金属膜２０８、２０９を除去する。同様に、反射面６０とヒートシンク２１０、反射面６０と半導体レーザ素子２０とが金属膜２０８、２０９で直接接続されないように、これらの間に存在する金属膜２０８、２０９も一部除去する。
【００４１】
尚、図２において、反射面６０の左上方の金属膜２０８、２０９の端は、その先端で途切れているわけではなく、金属配線を形成し、受光素子４０に接続するものであるが、その回路は、図２中の右側に図示された金属配線のように単純には図示できないし、本発明の本質的な部分ではないので、反射面６０の左上方の金属膜２０８、２０９の端に破断線記号を図示して金属配線の図示を省略している。
【００４２】
また、上記において、この実施の形態の光ピックアップに用いる半導体レーザ装置においては、少なくとも反射面６０が形成される側の前記小程から内底面にかけての側壁面は、半導体基板２００の表面方向に対して４５度の傾斜角を有していることが、光信号を所定の位置に位置の狂いがないように正確に送るために必要であるが、半導体基板２００の表面方向に対して４５度とは、当然のことながら、図２に示した態様においては、前記略逆台形状の溝３０の底面に対して４５度、半導体レーザ素子２０の下面に対して４５度であること等も意味する。したがって、本発明においては、これらのいずれか１つの面を取り上げて、それに対して４５度の傾斜角を有すると表現した場合には、上記すべての面に対して４５度の傾斜角を有することを意味している。
【００４３】
次に、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図３から図１５は、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程断面図（端面図）である。
【００４４】
まず、図３に示すように、熱酸化法によって半導体基板２００の上に、厚さ３０ｎｍの第１の酸化膜である酸化膜２０１を形成した後、ＣＶＤ法によって厚さ２００ｎｍの耐酸化膜である窒化膜２０２を堆積する。
【００４５】
本実施形態では、半導体基板２００の具体的な一例として、主面が（１００）面に対して［１１０］方向に約９．７°傾斜しているシリコン基板を用いた。
【００４６】
次に、図４に示すように、リソグラフィ処理により、窒化膜２０２上に第１のレジストパターン２０３を形成する。このレジストパターン２０３のレジスト抜き領域は後の工程で溝を形成する領域となる。
【００４７】
次に、図５に示すように、第１のレジストパターン２０３をマスクとして、窒化膜２０２をエッチング処理してその一部を除去し、酸化膜２０１を露出させる。その後、第１のレジストパターン２０３を除去する。
【００４８】
次に、図６に示すように、エッチングにより露出した第１の酸化膜２０１を熱酸化し、その膜厚を増やして１１００ｎｍ以上にした第２の酸化膜２０１ａを形成する。このとき、前記窒化膜２０２の開口側近傍下部の酸化膜も酸化が一部進行するので、窒化膜２０２は酸化膜２０１の厚膜化に伴い、庇形状部２０２ａが形成されてしまう。
【００４９】
次に、図７に示すように、リソグラフィ処理により、窒化膜２０２上部に第２のレジストパターン２０４を形成する。第２のレジストパターン２０４は、窒化膜２０２上の庇形状部２０２ａとその周辺近傍（オフセット部５０を形成する部分）を除いて、窒化膜２０２上に形成する（これを、本発明では「耐酸化膜の前記第２の酸化膜が形成されている側の縁部近傍周辺を除いた前記耐酸化膜の一部をリソグラフィ処理によりレジストで覆う工程」と称している。）。
【００５０】
すなわち、庇形状部２０２ａをレジストがなく露出した状態するため、第２の酸化膜２０１ａ周囲に窒化膜２０２が露出したオフセット部５０を設ける。
【００５１】
このとき、オフセット部５０の領域を拡げると、庇形状部２０２ａの露出が容易になる。しかし、オフセット部５０の拡大は、半導体レーザ装置の拡大にもなるため、出来る限り狭くしたほうがよい。オフセット領域５０を全くなくすことは、庇形状部２０２ａのみの部分をレジストがなく露出した状態するようレジストマスクの形成部分の位置合わせを極めて厳密にする必要があるので、生産性が低下する恐れがあり、その意味でも、オフセット部５０を設けることが好ましい。
【００５２】
次に、図８に示すように、第２のレジストパターン２０４をマスクとして、エッチング処理により、庇形状部２０２ａを含めた窒化膜２０２の一部を除去する。その後、第２のレジストパターン２０４を除去する。
【００５３】
この窒化膜２０２、２０２ａをエッチングする際、第１の酸化膜２０１が耐エッチング保護膜として機能するため、半導体基板２００へのダメージを防ぐことが出来る。
【００５４】
一方、残した酸化膜２０１、窒化膜２０２上は受光素子４０を形成する領域４０ａ（図１５参照）となる。また、本実施形態では図示しないが、信号処理回路、駆動回路を酸化膜２０１、窒化膜２０２上に形成してもよい。
【００５５】
次に、図９に示すように、酸化膜２０１、２０１ａおよび窒化膜２０２の上部に、ＣＶＤ法により第３の酸化膜２０５を２０００ｎｍ堆積する。図１２を引用して後述する溝３０の形成工程の溝形成時のウェットエッチングの際に、オフセット部５０上には薄い酸化膜２０１しか存在しないため、酸化膜２０１だけでは耐エッチング膜としては薄すぎる。そのため、この第３の酸化膜２０５を形成する。しかも、酸化膜とすることにより、図１３を引用して後述する溝３０の形成工程後のすべての酸化膜（２０１ａ、２０１、２０５）を同一工程で除去できる利点がある。
【００５６】
次に、図１０に示すように、第２の酸化膜２０１ａ上部の第３の酸化膜２０５が一部露出するように、リソグラフィ法により第３のレジストパターン２０６を形成する。
【００５７】
次に、図１１に示すように、第３のレジストパターン２０６をマスクとしてエッチング処理を行ない、第３の酸化膜２０５及び第２の酸化膜２０１ａの一部を除去し、半導体基板２００を露出させる。その後、第３のレジストパターン２０６を除去する。
【００５８】
次に、図１２に示すように、酸化膜２０５、２０１ａをマスクとして、半導体基板２００をウェットエッチングして、溝３０を形成する。エッチング液は、ＫＯＨ水溶液を用いる。
【００５９】
このとき、半導体基板２００の表面方向に対するサイドエッチングにより、溝３０は断面形状が略逆台形状（逆メサ形状）になるが、後工程で反射面を形成するための溝３０の一斜面３５は溝の底面に対して角αが４５度の角度になるようにエッチングを行なう。
【００６０】
本実施形態では、半導体基板２００として主面が（１００）面に対して［１１０］方向に約９．７°傾斜しているシリコン基板を用いているため、シリコン基板の（１１１）面の一部が底面に対して４５度となる。すなわち、この場合、反射面を形成するための一斜面３５は、単結晶半導体基板の最稠密面で形成される。
【００６１】
次に、図１３に示すように、酸化膜２０１、２０１ａ、２０５をウェットエッチングにより除去する。エッチング液は、フッ酸水溶液を用いる。
【００６２】
但し、窒化膜２０２および窒化膜２０２下部の酸化膜２０１はエッチングされないため、前工程で形成した受光素子４０を保持することが出来る。
【００６３】
次に、図１４に示すように、溝３０内面および半導体基板２００上部に層間絶縁膜である第２の窒化膜２０７を形成する。
【００６４】
このとき、溝３０上部には庇形状部２０２ａがないため、第２の窒化膜２０７は優れた形状、膜厚均一性を得ることが出来る。したがって、後工程で反射面を形成するための溝３０の一斜面３５の角度αは４５度を保持することが出来る。
【００６５】
最後に、図１５に示すように、第２の窒化膜２０７上に、Ｔｉ層２０８ａ、Ａｕ層２０９ａ、Ｔｉ層２０８ｂ、Ａｕ層２０９ｂを順次形成する。
【００６６】
このうち、溝３０の一斜面３５の最上部は反射面６０となり、反射面６０の半導体基板２００の溝３０の底面に対する角度αは４５度を保持することが出来る。
【００６７】
また、溝３０の底面にレーザ発信部としてＴｉ層２０８ａ、Ａｕ層２０９ａ、ヒートシンク層２１０、Ｔｉ層２０８ｂ、Ａｕ層２０９ｂ、はんだ層２１１、半導体レーザ素子２０を順次形成する。このとき、半導体レーザ素子２０は半導体基板２００の表面及び溝３０の底面に対して平衡に設置することが出来る。
【００６８】
また、金属膜２０８、２０９の図１５におけるほぼ中央部近傍から右側部分はリソグラフィ、エッチング処理によって、金属配線７０とする。但し、受光素子を形成する領域４０ａの上部は金属膜２０８、２０９で覆われないように、金属膜２０８、２０９を一部除去する。同様に、反射面６０とヒートシンク２１０、反射面６０と半導体レーザ素子２０とが金属膜２０８、２０９で直接接続されないように、これらの間に存在する金属膜２０８、２０９も一部除去する。
【００６９】
尚、図２においても説明したように、図１５においても、反射面６０の左上方の金属膜２０８、２０９の端は、その先端で途切れているわけではなく、金属配線を形成し、受光素子４０に接続するものであるが、その回路は、図１５中の右側に図示された金属配線７０のように単純には図示できないし、本発明の本質的な部分ではないので、反射面６０の左上方の金属膜２０８、２０９の端に破断線記号を図示して金属配線の図示を省略している。
【００７０】
かくして、Ｔｉ層２０８ａ、Ａｕ層２０９ａ、Ｔｉ層２０８ｂ、Ａｕ層２０９ｂは、第２の窒化膜２０７と同様に優れた形状、膜厚均一性を得ることが出来る。
【００７１】
このため、反射面６０の半導体基板２００の基板表面に対する角度αは４５度を保持するとともに、半導体レーザ素子２０から出射したレーザ光を、正確に装置上方に位置する光ディスク（図示せず）に送ることが出来る。
【００７２】
また、同様に金属膜２０８、２０９の被膜不良から生じる金属配線７０の断線（例えば図２１参照）を防ぐことが出来る。
【００７３】
以上の工程から、本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置を形成する。
【００７４】
なお、本発明の実施形態は、第３の酸化膜２０５としては、ＮＳＧ膜（non dope silicate glass film：不純物を含まないＳｉＯ2系ガラス膜）、ＢＰＳＧ膜(boro-phospho silicate glass film：ボロンリンガラス膜)、ＳＯＧ膜(spin-on-glass film：スピンガラス法で形成したＳｉＯ2系ガラス膜)を用いることが可能である。
【００７５】
また、溝３０形成のウェットエッチングは、エッチャントとしてＫＯＨ水溶液を使用したが、例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ水溶液）を用いてよい。
【００７６】
また、本発明に実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法は、半導体レーザ素子２０と反射面６０のみを有する半導体レーザ装置を一例に説明したが、本発明は、これに限定を受けるものではない。例えば、光通信用のレーザサブマウント装置としても使用することができる。
【００７７】
また、本発明に実施形態に係る半導体装置および製造方法において、図３から図１３までに示した溝３０の形成は、光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置に限定を受けるものではなく、半導体プロセスに係わる全てのデバイスに対しても適用することができる。例えば、ＭＯＳデバイスにおけるトレンチ分離などの素子分離やキャパシタ形成に用いることも出来る。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は、形状均一性に優れた反射面を形成することができ、また金属配線の断線を防ぎ、光ディスク等に用いる半導体レーザ装置の製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の示す斜視図
【図２】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す構造断面図
【図３】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図４】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図５】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図６】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図７】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図８】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図９】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１０】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１１】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１２】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１３】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１４】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１５】本発明の実施形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１６】従来技術の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１７】従来技術の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１８】従来技術の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図１９】従来技術の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図２０】従来技術の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【図２１】従来技術の半導体レーザ装置の製造方法を示す工程の一部の工程断面図
【符号の説明】
【００８０】
２０  半導体レーザ素子
３０  溝
３５  反射面６０を形成するための溝３０の一斜面
４０  受光素子
４０ａ  受光素子を形成する領域
５０  オフセット部
６０  反射面
７０  金属配線
９０  ボンディングパッド
２００  半導体基板
２０１  酸化膜
２０１ａ  第２の酸化膜
２０２  窒化膜
２０２ａ  庇形状部
２０５  第３の酸化膜
２０７  第２の窒化膜
２０８ａ  Ｔｉ層
２０９ａ  Ａｕ層
２０８ｂ  Ｔｉ層
２０９ｂ  Ａｕ層
２１０  ヒートシンク
２１１  はんだ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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