(57)【要約】【課題】光収差を測定するための光学マスク及びこれを利用して光収差測定方法を提供する。【解決手段】基準パターン及び比較パターンを具備する光学マスクを準備して、所定の露光ビームを使用する露光システム内に光学マスクをローディングした後、露光ビームを使用して光学マスクを所定の結像面に投映する段階を含む。これによって、基準パターン及び比較パターンに相応する基準イメージ及び比較イメージが前記結像面に結像される。以後、基準イメージと比較イメージとの間の距離を測定して露光ビームの収差角を決める。この際、基準パターン及び比較パターンはこれらを各々通過する露光ビームの方向が変わるように互いに異なる構造で形成されることを特徴とする。【選択図】図６
2006179904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光ビームの進行経路上に配置されるマスク基板と、
前記マスク基板に形成されて、前記露光ビームを所定の基準方向に進行させる基準パターンと、
前記マスク基板に形成され、前記露光ビームを前記基準方向に対して所定の勾配角を有する方向に進行させる少なくとも一つの比較パターンとを具備することを特徴とする光学マスク。
【請求項２】
前記基準パターンは、遮光パターン、クロムパターン、減衰パターン、及び位相シフトパターンの中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の光学マスク。
【請求項３】
前記比較パターンは、前記基準パターンの両側に各々配置される第１比較パターンと第２比較パターンとを含むことを特徴とする請求項１に記載の光学マスク。
【請求項４】
前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとは、前記基準パターンから同様の距離だけ離隔されて配置されることを特徴とする請求項３に記載の光学マスク。
【請求項５】
前記第１比較パターンは、前記第１比較パターンを通過した露光ビームが前記基準方向に対してθの天頂角及びφの方位角によって定義される方向に進行するように形成され、
前記第２比較パターンは、前記第２比較パターンを通過した露光ビームが前記基準方向に対してθの天頂角及び（φ＋π）の方位角によって定義される方向に進行されるように形成されることを特徴とする請求項３に記載の光学マスク。
【請求項６】
前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとを通過した露光ビームが前記基準方向に対して面対称的進行経路を有するように、前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとは前記基準パターンを基準に互いに面対称的構造であることを特徴とする請求項３に記載の光学マスク。
【請求項７】
前記第１比較パターン及び前記第２比較パターンは、プリズムパターン、階段型パターン、階段式回折格子、及び透過型回折格子の中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項３に記載の光学マスク。
【請求項８】
露光ビームの進行経路上に配置されるマスク基板と、
前記マスク基板に形成されて、前記露光ビームを所定の基準方向に進行させる第１及び第２基準パターンと、
前記第１及び第２基準パターンから離隔されて前記マスク基板に各々形成される第１及び第２比較パターンとを具備し、
前記第１及び第２比較パターンは前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとを通過した露光ビームが前記基準方向に対して対称的進行経路を有するように、前記基準パターンを基準に互いに対称的構造であることを特徴とする光学マスク。
【請求項９】
前記第１比較パターンは前記第１比較パターンを通過した露光ビームが前記基準方向に対してθの天井角及びφの方位角によって定義される方向に進行するように形成され、
前記第２比較パターンは前記第２比較パターンを通過した露光ビームが前記基準方向に対してθの天井角及び（φ＋π）の方位角によって定義される方向に進行するように形成されることを特徴とする請求項８に記載の光学マスク。
【請求項１０】
前記第１基準パターン及び第２基準パターンは、遮光パターン、クロムパターン、減衰パターン、及び位相シフトパターンの中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項８に記載の光学マスク。
【請求項１１】
前記第１比較パターン及び前記第２比較パターンは、プリズムパターン、階段型パターン、階段式回折格子、及び透過型回折格子の中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項８に記載の光学マスク。
【請求項１２】
基準パターン及び比較パターンを具備する光学マスクを準備する段階と、
所定の露光ビームを使用する露光システム内に前記光学マスクをローディングする段階と、
前記露光ビームを使用して前記光学マスクを所定の結像面に投映することによって、前記基準パターン及び前記比較パターンに相応する基準イメージ及び比較イメージを前記結像面に結像する段階と、
前記基準イメージと前記比較イメージとの間の距離を測定して、前記露光ビームの収差角を決める段階とを含み、
前記基準パターン及び前記比較パターンはこれらを各々通過する露光ビームの方向が変わるように互いに異なる構造で形成されることを特徴とする光収差測定方法。
【請求項１３】
前記露光ビームの収差角を決める段階は、
前記基準イメージと前記比較イメージとの間の距離（Ｄ）、前記露光システムの構造によって決められる構造変数（Ｓ）及び前記結像段階での工程条件によって決められる工程変数（Ｐ）によって表現されることができる下記（数１）式の関係を利用して前記露光ビームの収差角（Δθ）を決める段階を含むことを特徴とする請求項１２に記載の光収差測定方法。
【数１】
2006179904.tif 000023
【請求項１４】
前記露光システムは前記光学マスクと前記結像面との間に配置されて、前記光学マスクを通過した露光ビームの焦点を所定の焦点面に焦点あわせるレンズ系をさらに具備することを特徴とする請求項１２に記載の光収差測定方法。
【請求項１５】
前記基準及び比較イメージを前記結像面に結像する段階は、
前記結像面を前記焦点面から所定のデフォーカス長さだけ離隔されたデフォーカス位置に配置するデフォーカス条件で実施することを特徴とする請求項１４に記載の光収差測定方法。
【請求項１６】
前記露光ビームの収差角を決める段階は、
前記基準イメージと前記比較イメージとの間の距離（Ｄ）、前記結像面と焦点面との間のデフォーカス長さ（Ｚ）、前記比較イメージを結像する露光ビームの標準入射角（θ０）及び前記露光ビームの収差角（Δθ）の間の定量的関係を表現する下記（数２）式の方程式を使用して決め、
【数２】
2006179904.tif 000024
前記標準入射角（θ０）は露光ビームの収差角がセロである条件で前記比較イメージを作る比較光が前記結像面に入射される角度であることを特徴とする請求項１５に記載の光収差測定方法。
【請求項１７】
前記基準パターンは、遮光パターン、クロムパターン、減衰パターン、及び位相シフトパターンの中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項１２に記載の光収差測定方法。
【請求項１８】
前記比較パターンは、プリズムパターン、階段型パターン、階段式回折格子、及び透過型回折格子の中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項１２に記載の光収差測定方法。
【請求項１９】
基準パターン及び前記基準パターンの両側に各々配置される第１比較パターンと第２比較パターンとを具備する光学マスクを準備する段階と、
所定の露光ビームを使用する露光システム内に前記光学マスクをローディングする段階と、
前記露光ビームを使用して前記光学マスクを所定の結像面に投映することによって、前記基準パターン、前記第１比較パターン及び前記第２比較パターンに相応する基準イメージ、第１比較イメージ及び第２比較イメージを前記結像面に結像する段階と、
前記基準イメージと前記第１比較イメージとの間の距離及び前記基準イメージと前記第２比較イメージとの間の距離を測定して、前記露光ビームの収差角を決める段階とを含み、
前記基準パターン及び前記第１及び第２比較パターンはこれらを各々通過する露光ビームの方向が変わるように互いに異なる構造で形成されることを特徴とする光収差測定方法。
【請求項２０】
前記露光ビームの収差角を決める段階は、
前記基準イメージと前記第１比較イメージとの間の距離（Ｄ１）、前記基準イメージと前記第２比較イメージとの間の距離（Ｄ２）、前記露光システムの構造によって決められる構造変数（Ｓ）及び前記結像段階での工程条件によって決められる工程変数（Ｐ）によって表現されることができる下記（数３）式の関係を利用して前記露光ビームの収差角（Δθ）を決める段階を含むことを特徴とする請求項１９に記載の光収差測定方法。
【数３】
2006179904.tif 000025
【請求項２１】
前記露光システムは前記光学マスクと前記結像面との間に配置されて、前記光学マスクを通過した露光ビームの焦点を所定の焦点面に焦点あわせるレンズ系をさらに具備することを特徴とする請求項１９に記載の光収差測定方法。
【請求項２２】
前記基準イメージ、第１比較イメージ、及び第２比較イメージを前記結像面に結像する段階は、
前記結像面を前記焦点面から所定のデフォーカス長さだけ離隔されたデフォーカス位置に配置するデフォーカス条件で実施することを特徴とする請求項２１に記載の光収差測定方法。
【請求項２３】
前記露光ビームの収差角を決める段階は、
前記基準イメージと前記第１比較イメージとの間の距離（Ｄ１）、前記基準イメージと前記第２比較イメージとの間の距離（Ｄ２）、前記結像面と焦点面との間のデフォーカス長さ（Ｚ）、前記比較イメージを結像する露光ビームの標準入射角（θ０）及び前記露光ビームの収差角（Δθ）の間の定量的関係を表現する下記（数４）式の方程式を使用して決め、
【数４】
2006179904.tif 000026
前記標準入射角（θ０）は露光ビームの収差角がゼロである条件で前記比較イメージを作る比較光が前記結像面に入射される角度であることを特徴とする請求項２２に記載の光収差測定方法。
【請求項２４】
前記基準パターンは遮光パターン、クロムパターン、減衰パターン及び位相シフトパターンの中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項１９に記載の光収差測定方法。
【請求項２５】
前記第１及び第２比較パターンはプリズムパターン、階段型パターン、階段式回折格子及び透過型回折格子の中から選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項１９に記載の光収差測定方法。
【請求項２６】
第１基準パターン、第２基準パターン、第１比較パターン、及び第２比較パターンを具備する光学マスクを準備する段階と、
所定の露光ビームを発生させる光源及び前記露光ビームを所定の焦点面に焦点あわせるレンズ系を具備する露光システム内に前記光学マスクをローディングする段階と、
前記露光ビームを使用して前記光学マスクを所定の結像面に投映することによって、前記第１及び第２基準パターンと前記第１及び第２比較パターンに相応する第１及び第２基準イメージと第１及び第２比較イメージを前記結像面に結像する段階と、
前記第１基準イメージと前記第１比較イメージとの間の距離及び前記第２基準イメージと前記第２比較イメージとの間の距離を測定して前記露光ビームの収差角を決める段階とを含み、
前記結像する段階は前記焦点面から所定のデフォーカス長さだけ離隔されたデフォーカス位置に前記結像面を配置するデフォーカス条件で実施して、
前記光学マスクを準備する段階は前記第１及び第２基準パターンを通過した露光ビームは互いに平行であり、前記第１及び第２比較パターンを通過した露光ビームは互いに異なる方向に進行するように前記第１及び第２基準パターン、そして前記第１及び第２比較パターンを形成する段階を含むことを特徴とする光収差測定方法。
【請求項２７】
前記露光ビームの収差角を決める段階は、
前記第１基準イメージと前記第１比較イメージとの間の距離（Ｄ１）、前記第２基準イメージと前記第２比較イメージとの間の距離（Ｄ２）、前記露光システムの構造によって決められる構造変数（Ｓ）及び前記結像段階での工程条件によって決められる工程変数（Ｐ）によって表現されることができる下記（数５）式の関係を利用して前記露光ビームの収差角（Δθ）を決める段階を含むことを特徴とする請求項２６に記載の光収差測定方法。
【数５】
2006179904.tif 000027
【請求項２８】
前記露光ビームの収差角を決める段階は、
前記第１基準イメージと前記第１比較イメージとの間の距離（Ｄ１）、前記第２基準イメージと前記第２比較イメージとの間の距離（Ｄ２）、前記結像面と焦点面との間のデフォーカス長さ（Ｚ）、前記比較イメージを結像する露光ビームの標準入射角（θ０）及び前記露光ビームの収差角（Δθ）の間の定量的関係を表現する下記（数６）式の方程式を使用して決め、
【数６】
2006179904.tif 000028
前記標準入射角（θ０）は露光ビームの収差角がゼロである条件で前記比較イメージを作る比較光が前記結像面に入射される角度であることを特徴とする請求項２６に記載の光収差測定方法。
【請求項２９】
前記第１及び第２比較パターンは各々前記第１及び第２基準パターンのまわりに互いに対称的構造を有するように形成することを特徴とする請求項２６に記載の光収差測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は所定の光学的特性を測定するための方法及びここに使用される光学的部品に係り、さらに詳細には光収差を測定するための光学マスク及びこれを利用した光収差測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
屈折（ｒｅｆｒａｃｔｉｏｎ）、回折（ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）、反射（ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）、偏光（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ）、及び干渉（ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ  ）などのような光の光学的特性は物理学によって解析し設計に用いることが可能である。したがって、高いレベルの光学技術が多様な産業分野で幅広く活用されている。特に、短波長を有する光は半導体装置の露光工程のように高解像度（ＨＩＧＨ  ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）が要求される産業分野で非常に有用に利用されている。これまでの半導体産業の急速な成長（特に、半導体装置の高集積化）は前記光学技術が成功的に適用された典型的な例である。
【０００３】
しかし、より高い解像度を得るためには、光の特性をさらに精緻に制御することができる技術を確保することが必要である。例えば、半導体装置の露光工程の場合、露光ビームの強さ（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ）、焦点の長さ（ｆｏｃａｌ  ｌｅｎｇｔｈ）、及びテレセントリック性（ｔｅｌｅｃｅｎｔｒｉｃｉｔｙ）のような光学的特性を精密に制御しなければならない。しかし、このような精緻な光学的特性は光学システムを構成する光学的及び機械的部品の内在的誤差によって影響を受けるので、新しい技術が適用されなければ、その精密度の向上は制限的である。すなわち、前記光学システムを構成する光学的部品及び機械的部品は温度変化、重力、運動による加速または摩耗などによって変形されることができるので、たとえ光の特性に関する知識が十分であっても、前記精密度の向上は制限的しかない。
【０００４】
このような光学的精密度に対する制限を克服するために多様な技術が提案されている。特に高解像度が要求される露光システムでは、イメージの倍率変化または形状の歪曲と係わる光学的特性である前記テレセントリック性に対する厳密な制御が必要である。図１Ａ及び図１Ｂは完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図であり、図２Ａ、図２Ｂ、図３Ａ及び図３Ｂは互いに異なる二つの類型の不完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図である。
【０００５】
図１Ａ及び図１Ｂを参照すると、光線１０ａは互いに平行に所定の基準面５に垂直に入射される。この場合、前記光線１０ａによるイメージは前記基準面の位置にかかわらず同様の形状と大きさとを有する。（すなわち、Ｗａ１＝Ｗａ２、Ｗａｘ１＝Ｗａｙ１＝Ｗａｘ２＝Ｗａｙ２）。これに比べて、図２Ａ及び図２Ｂに示したように、光線１０ｂが平行ではない場合、前記基準面５に入射される前記光線１０ｂの入射角は多様である。この場合、前記基準面５の位置が変わる場合、イメージの大きさが拡大、または縮小することができる。（すなわち、Ｗｂ１≠Ｗｂ２、Ｗｂｘ１＝Ｗｂｙ１、Ｗｂｘ２＝Ｗｂｙ２、Ｗｂｙ１≠Ｗｂｙ２）。このような類型の非テレセントリック性（ｎｏｎ−ｔｅｌｅｃｅｎｔｒｉｃｉｔｙ）を有する露光システムの場合、焦点の長さの変化による倍率の変化があり得る。しかし、最近の露光システムは焦点の距離を精密に制御するように構成されるので、このような類型の非テレセントリック性よりは、図３Ａ及び図３Ｂに示した類型の非テレセントリック性がさらに目立っている。
【０００６】
図３Ａを参照すると、光線１０ｃは互いに平行であるが、図１Ａの場合とは異なり、所定の基準方向から離脱して前記基準面５に傾くように入射される。この場合、図３Ｂに示したように、イメージの形状は元々の円形から卵円形へ変形されることができる。（すなわち、Ｗｃ１＝Ｗｃ２、Ｗｃ１≠Ｗｃｐ、Ｗｃｘ１＝Ｗｃｙ１、Ｗｃｘ２≠Ｗｃｙ２）。
【０００７】
これに加えて、リソグラフィ工程の解像度（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）は下記（数１）式のように工程定数ｋ１及び使用される光の波長λに比例して、開口数ＮＡに反比例するので、前記解像度の向上のためには前記工程定数を減少させることが要求される。しかし、最近の露光装置は前記工程定数ｋ１の減少のためにレンズの端まで使用する露光工程を採択するので、露光システムが図３Ａに示した類型の非テレセントリック性を有する場合、露光工程で使用される露光ビームがレンズを脱する深刻な問題が発生することができる。
【０００８】
【数１】
2006179904.tif 000003
【０００９】
これによって、図３Ａに示した類型の非テレセントリック性（すなわち、光収差（ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｂｅａｍ）の程度）を精密に測定することができる技術が要請されている。このような光収差の測定のために、所定のデフォーカスされた結像面（ｄｅｆｏｃｕｓｅｄ  ｉｍａｇｅ  ｐｌａｎｅ）に形成される照明系（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）の形状の変形を測定するか、フォトマスクの整列キー（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｋｅｙ）または重畳キー（ｏｖｅｒｌａｙ  ｋｅｙ）をウェーハに転写して、転写されたイメージを測定する方法などが使用されることができる。
【００１０】
前記照明系の形状の変形を測定する方法では、図４に示したように、光源２１と前記レティクル２３との間に配置されるフライアイレンズ、シリンダレンズ、鏡及び集光レンズなどを含む照明系要素（ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ）２２による影響のため前記形状の変形の程度を定量化しにくい。例えば、結像面２５に形成されるイメージは前記照明系要素２２による影響によって、イメージの境界が不明になるので、その形状の変形の程度を客観的に定量化することができない。
【００１１】
また、図５に示したように、前記整列キーまたは重畳キーの転写されたイメージを測定する方法では、正焦点（ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓ）条件で基準キーを使用して基準パターンを形成した後（３１）、デフォーカスされた条件で比較キーを使用して比較パターンを形成する段階（３２）を含む。以後、前記基準パターンと比較パターンとの間の間隔を測定して露光ビームの光収差を決める（３３）。
【００１２】
この際、前記基準パターンと比較パターンとの間の間隔を測定するためには、前記基準パターンと前記比較パターンとは互いに区別されるべきであり、このような区別のためには前記基準キーと前記比較キーとは互いに異なる形状を有すると同時に測定可能な距離内で互いに離隔されなければならない。このような条件を満たすためには、前記比較パターンが前記基準パターンのあたりに形成されることができるように、ウェーハを移動する過程が遂行されなければならない。しかし、最近の高解像度を有する露光装置で提供する光学的精密度は前記ウェーハ移動の精密度の誤差レベルであるので、ウェーハの移動段階を含む測定方法を通じて前記光収差に対する意味ある測定結果を得ることができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の第１の課題は光収差（ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｂｅａｍ）を測定することができる測定方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の第２の課題は、機械的誤差による影響なしに光収差を測定することができる測定方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の第３の課題は、機械的誤差による影響なしに光収差を測定するのに利用されることができる光学マスクを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上述の課題を達成するために、本発明は基準パターンと比較パターンとを具備する光学マスクを提供する。この光学マスクは露光ビーム（ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｂｅａｍ）の進行経路上に配置されるマスク基板、前記マスク基板に形成されて前記露光ビームを所定の基準方向（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）に進行させる基準パターン（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）、及び前記マスク基板に形成されて前記露光ビームを前記基準方向に対して所定の勾配角を有する方向に進行させる少なくとも一つの比較パターン（Ｃｏｍｐａｒａｔｉｖｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）を具備することを特徴とする。
【００１７】
望ましくは、前記基準パターンは、遮光パターン、クロムパターン、減衰パターン（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  ｐａｔｔｅｒｎ）、及び位相シフトパターンの中から選択された少なくとも一つであり、前記比較パターンはプリズムパターン（ｐｒｉｓｍａｔｉｃ  ｐａｔｔｅｒｎ）、階段型パターン（ｅｃｈｅｌｏｎ  ｐａｔｔｅｒｎ）、階段式回折格子（ｅｃｈｅｌｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）、及び透過型回折格子（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）のうちで選択された少なくとも一つである。
【００１８】
本発明の一実施例によると、前記比較パターンは前記基準パターンの両側に各々配置される第１比較パターンと第２比較パターンとを含む。この場合、前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとは前記基準パターンから同様の距離だけ離隔されて配置されることが望ましい。また、前記第１比較パターンは前記第１比較パターンを通過した露光ビームが前記基準方向に対してθの天頂角（ｚｅｎｉｔｈ  ａｎｇｌｅ）及びφの方位角（ａｚｉｍｕｔｈａｌ  ａｎｇｌｅ）によって定義される方向に進行するように形成され、前記第２比較パターンは前記第２比較パターンを通過した露光ビームが前記基準方向に対してθの天頂角及び（φ＋π）の方位角によって定義される方向に進行するように形成される。
【００１９】
また、前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとは、前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとを通過した露光ビームが前記基準方向に対して面対称的（ｐｌａｎｅ−ｓｙｍｍｅｔｒｉｃａｌ）進行経路を有するように、前記基準パターンを基準に互いに面対称的構造であることが望ましい。
【００２０】
本発明の他の実施例による光学マスクは露光ビームの進行経路上に配置されるマスク基板、前記マスク基板に形成されて前記露光ビームを所定の基準方向に進行させる第１及び第２基準パターン及び前記第１及び第２基準パターンから離隔されて前記マスク基板に各々形成される第１及び第２比較パターンを具備する。この際、前記第１及び第２比較パターンは前記第１比較パターンと前記第２比較パターンとを通過した露光ビームが前記基準方向に対して対称的進行経路を有するように、前記基準パターンを基準に互いに対称的構造である。
【００２１】
前記他の課題を達成するために、本発明は基準パターン及び比較パターンを具備する光学マスクを使用してデフォーカス条件で結像する段階を含む光収差測定方法を提供する。この方法は基準パターン及び比較パターンを具備する光学マスクを準備して、所定の露光ビームを使用する露光システム（ｅｘｐｏｓｕｒｅ  ｓｙｓｔｅｍ）内に前記光学マスクをローディングした後、前記露光ビームを使用して前記光学マスクを所定の結像面に投影する段階を含む。これによって、前記基準パターン及び前記比較パターンに相応する基準イメージ及び比較イメージが前記結像面（ｉｍａｇｅ  ｐｌａｎｅ）に結像（ｉｍａｇｉｎｇ）される。以後、前記基準イメージと前記比較イメージとの間の距離を測定して前記露光ビームの収差角（ａｂｅｒｒａｔｉｏｎ  ａｎｇｌｅ）を決める。この際、前記基準パターン及び前記比較パターンはこれらを各々通過する露光ビームの方向が変わるように互いに異なる構造で形成されることを特徴とする。
【００２２】
本発明の実施例によると、前記露光ビームの収差角を決める段階は、前記基準イメージと前記比較イメージとの間の距離Ｄ、前記露光システムの構造によって決められる構造変数Ｓ、及び前記結像段階での工程条件によって決められる工程変数Ｐによって表現されることができる下記（数２）式の関係を利用して前記露光ビームの収差角Δθを決める段階を含む。
【００２３】
【数２】
2006179904.tif 000004
【００２４】
また、前記露光システムは前記光学マスクと前記結像面との間に配置されるレンズ系（ｌｅｎｓ  ｓｙｓｔｅｍ）をさらに具備する。前記光学マスクを通過した露光ビームは前記レンズ系によって所定の焦点面（ｆｏｃａｌ  ｐｌａｎｅ）に焦点あわせられる。この際、前記基準及び比較イメージを前記結像面に結像する段階は前記結像面を前記焦点面から所定のデフォーカスの長さ（ｄｅｆｏｃｕｓ  ｌｅｎｇｔｈ）だけ離隔されたデフォーカス位置（ｄｅｆｏｃｕｓｅｄ  ｐｏｓｉｔｉｏｎ）に配置するデフォーカス条件で実施することができる。この場合、前記露光ビームの収差角は前記基準イメージと前記比較イメージとの間の距離Ｄ、前記結像面と焦点面との間のデフォーカスの長さＺ、前記比較イメージを結像する露光ビームの標準入射角θ０及び前記露光ビームの収差角Δθの間の定量的関係を表現する下記（数３）式の方程式によって決めることができる。
【００２５】
【数３】
2006179904.tif 000005
【００２６】
また前記標準入射角θ０は露光ビームの収差角が０である条件で前記比較イメージを作る比較光が前記結像面に入射される角度を意味する。
【００２７】
本発明によると、前記基準パターンは遮光パターン、クロムパターン、減衰パターン、及び位相シフトパターンの中から選択された少なくとも一つであり、前記比較パターンはプリズムパターン、階段型パターン、階段式回折格子、及び透過型回折格子の中から選択された少なくとも一つであることが望ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によると、基準光を作る基準パターン及び前記基準光に対して傾いた比較光を作る比較パターンを具備する光学マスクを提供する。前記基準光と前記比較光との間の勾配角によって、所定の露光ビームがゼロではない収差角で前記光学マスクに入射される場合、前記基準光と前記比較光とによって結像されるイメージの変位が変わる。
【００２９】
本発明の光収差測定方法によると、前記収差角とイメージ変位との間の上述した関係を利用して、イメージ変位に対する測定を通じて露光ビームの収差角を決めることができる。イメージ変位は一度の結像過程を通じて測定されることができるので、前記露光ビームの収差角は機械的位置移動によるシステムの機械的誤差による影響なしに精密に測定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下では、添付の図を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明される実施例に限定されず、他の形態に具体化されることもできる。むしろ、ここで紹介される実施例は開示された内容が徹底して完全になれるように、そして当業者に本発明の思想を十分に伝達するために提供されるものである。図において、層及び領域の厚さは明確性のために誇張されたものである。また層が他の層、または基板上にあると言及される場合に、それは他の層または基板上に直接形成されることができるもの、またはそれらの間に第３の層が介在されることもできるものである。
【００３１】
図６は本発明の実施例による光収差を測定する方法を説明するためのフローチャートである。
【００３２】
図６を参照すると、本発明による光収差の測定方法は少なくとも一つの基準パターン及び少なくとも一つの比較パターンを具備する光学マスクを準備して（１１０）、所定の露光ビームを使用する露光システムの内部に光学マスクをローディング（１２０）した後、露光ビームを使用して光学マスクを所定の結像面に投影することによって、基準パターン及び比較パターンに相応する基準イメージ及び比較イメージを結像面に結像（１３）する段階を含む。
【００３３】
前記光学マスクは通常に使用されるフォトマスク、すなわちレティクル（ｒｅｔｉｃｌｅ）であることが望ましい。前記基準パターンと比較パターンとは対をなす。すなわち、一つの基準パターンは相応する比較パターンと対をなすように構成される。この際、一つの基準パターンと対をなす比較パターンは（図７乃至図１０に示した実施例のように）複数個でありうる。これに加えて、前記基準パターンも（図１０に示した実施例のように）複数個でありうる。
【００３４】
本発明によると、前記基準パターン及び前記比較パターンはこれらを各々通過する基準光及び比較光が互いに異なる方向に進行するように形成される。この際、前記基準光及び比較光は前記基準パターン及び前記比較パターンによって形成される光学的位相が伝わる経路を意味する。例えば、前記基準パターンが遮光パターンの場合、実際に前記基準パターンを通過する光はない。しかし、遮光パターンが形成された領域と遮光パターンが形成されない領域とを各々通る光は光学的位相で差があり、このような位相差はフォトレジストに転写されてパターン形成に利用されることができる。このような点で、遮光パターンが使用される場合、前記基準光及び比較光は光学的位相の伝播過程を意味すると理解されることができる。下では、このような意味で前記基準光及び比較光の用語を使用する。
【００３５】
前記基準パターンは二進位相パターン（ｂｉｎａｒｙ  ｐｈａｓｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）であり、前記比較パターンは多位相パターン（ｍｕｌｔｉ−ｐｈａｓｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）でありうる。例えば、前記基準パターンは、遮光パターン（ｓｈａｄｉｎｇ  ｐａｔｔｅｒｎ）、クロムパターン（ｃｈｒｏｍｅ  ｐａｔｔｅｒｎ）、減衰パターン（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ  ｐａｔｔｅｒｎ）、及び位相シフトパターン（ｐｈａｓｅ  ｓｈｉｆｔ  ｐａｔｔｅｒｎ）の中から選択された少なくとも一つであり、前記比較パターンは、プリズムパターン（ｐｒｉｓｍａｔｉｃ  ｐａｔｔｅｒｎ）、階段型パターン（ｅｃｈｅｌｏｎ  ｐａｔｔｅｒｎ）、階段式回折格子（ｅｃｈｅｌｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）、及び透過型回折格子（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）の中から選択された少なくとも一つであることが望ましい。
【００３６】
図７乃至図１０は各々本発明の第１乃至第４実施例による光学マスクを示す斜視図である。図１１Ａ乃至図１１Ｃは本発明の実施例による光学マスクを通じて得ることができる光学的効果を説明するための図である。
【００３７】
図７及び図１１Ａを参照すると、この実施例による光学マスクはマスク基板２００の所定領域に配置する基準パターン２１０及び前記基準パターン２１０の両方に配置される第１比較パターン２２１及び第２比較パターン２２２を具備する。
【００３８】
この実施例によると、前記第１比較パターン２２１と前記第２比較パターン２２２とを通過する第１比較光２５１及び第２比較光２５２は前記基準光２５０に対して対称的進行経路を有する。このために、前記第１及び第２比較パターン２２１、２２２は前記基準パターン２１０からの同様の距離だけ離隔されて、前記基準パターン２１０の両方に各々一つずつ配置される。望ましくは、前記第１及び第２比較パターン２２１、２２２は前記基準パターン２１０を基準に互いに対称的構造を有する。
【００３９】
これに加えて、前記第１及び第２比較光２５１、２５２は前記基準光２５０から遠くなる進行経路を有する。すなわち、前記マスク基板２００に対して垂直に入射される露光ビームに対して、前記第１比較光２５１は前記基準光２５０に対してθの天頂角及びφの方位角によって定義される方向に進行して、前記第２比較光２５２は前記基準光２５０に対してθの天頂角及び（φ＋π）の方位角によって定義される方向に進行する（図１２参照）。
【００４０】
このために、前記基準パターン２１０はクロムパターンであり、前記第１及び第２比較パターン２２１、２２２は前記マスク基板２００とは異なる厚さを有するように形成されたパターン、すなわち階段型パターンである（すなわち、ｔ０≠ｔ１）。前記マスク基板２００と前記比較パターン２２１、２２２との間のこのような厚さの差は前記比較パターン２２１、２２２を通過する光の経路を屈折させる。
【００４１】
本発明の第２及び第３実施例による光学マスクは、第１比較光２５１及び第２比較光２５２の進行方向を屈折させる第１比較パターン２２３、２２５及び第２比較パターン２２４、２２６の構造での差を除いたら、第１実施例による光学マスクと類似の構造を有する（図８、図１１Ｂ、図９及び図１１Ｃ参照）。すなわち、本発明の第２及び第３実施例で、前記第１比較パターン２２３、２２５及び前記第２比較パターン２２４、２２６は、図示したように、入射される露光ビームを所定の方向に屈折させることができるプリズムパターンである。
【００４２】
また、前記第１比較パターン２２３、２２５及び前記第２比較パターン２２４、２２６は、上述した第１実施例と同様に、前記第１比較光２５１及び第２比較光２５２が前記基準光２５０に対して対称的に進行するように対称的に形成される。すなわち、前記第１比較パターン２２３、２２５及び前記第２比較パターン２２４、２２６によって、前記第１比較光２５１は前記基準光２５０に対してθの天頂角及びφの方位角によって定義される方向に進行して、前記第２比較光２５２は前記基準方向に対してθの天頂角及び（φ＋π）の方位角によって定義される方向に進行する（図１２参照）。
【００４３】
本発明の変形された実施例によると、前記第１比較パターン２２１及び第２比較パターン２２２は上述した階段式回折格子（ｅｃｈｅｌｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）及び透過型回折格子（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）で形成されるか、これらにプリズムがさらに付着した構造を有することもできる。
【００４４】
本発明の第４実施例による光学マスクは、マスク基板２００の所定領域に配置される第１基準パターン２１１、第２基準パターン２１２、第１比較パターン２２７及び第２比較パターン２２８を具備する（図１０参照）。前記第１基準パターン２１１及び前記第２基準パターン２１２は互いに離隔されて配置される遮光パターンであり、前記第１比較パターン２２７及び前記第２比較パターン２２８は各々前記第１及び第２基準パターン２１１、２１２のまわりに配置される屈折誘発パターンである。例えば、図１０に示したように、前記第１及び第２比較パターン２２７、２２８は前記マスク基板２００と異なる厚さを有するように形成されたパターン、すなわち階段型パターンである。上述したように、前記マスク基板２００と前記比較パターン２２７、２２８との間のこのような厚さの差は前記比較パターン２２７、２２８を通過する光の進行経路を屈折させる。これによって、前記第１及び第２比較光２５１、２５２の屈折角は前記マスク基板２００と前記比較パターン２２７、２２８との間の厚さの差を調節することによって変化させることができる。
【００４５】
これに加えて、前記基準パターン２１１、２１２と前記比較パターン２２７、２２８とは所定の重畳精密度（ｏｖｅｒｌａｙ）測定装置を通じて測定されるように、重畳精密度キー（ｏｖｅｒｌａｙ  ｋｅｙ）を形成する。すなわち、前記第１及び第２基準パターン２１１、  ２１２によって形成されるフォトレジストパターンは前記比較パターン２２７、２２８によって形成されるフォトレジストパターンの位置的変化を測定するための基準マーク（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｍａｒｋ）として使用される。一般的な露光工程によると、前記重畳精密度は互いに異なるマークパターンを使用する二度のフォトリソグラフィ工程を通じて形成されたフォトレジストパターンの間の位置的変化を意味する。
【００４６】
これに比べて、本発明によると、前記第１及び第２比較パターン２２７、２２８によって形成されるイメージは前記基準パターン２１１、２１２によって形成されるイメージの周辺に隣接して形成される。この際、前記基準光２５０と前記比較光２５１、２５２によって形成されるイメージは前記マスク基板２００に入射される露光ビームの角度によって異なる変位（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を有する。例えば、同様の露光ビームを使用する場合でも、前記比較光２５１、２５２によって形成されるイメージの変位が前記基準光２５０によって形成されるイメージの変位より大きい。本発明は、このような露光ビームの入射角とイメージの変位との間の関係を利用して、前記露光ビームの収差の程度を判断することができる方法を提供する。これによって、本発明は一度の結像過程（図６の１３０）を通じて露光ビームの収差を決めることができ、この点で、本発明は一般的な重畳精密度測定過程とは区別される。
【００４７】
図１３は図６で説明した結像過程１３０を説明するための図である。
【００４８】
図６及び図１３を再び参照すると、前記光学マスク２７０を通過した基準光２５０及び第１及び第２比較光２５１、２５２は所定の結像面（ｉｍａｇｅ  ｐｌａｎｅ）３００に結像される。前記光学マスク２７０と前記結像面３００との間にはレンズ系２８０が配置されて、前記光学マスク２７０を通過した基準光２５０と第１及び第２比較光２５１、２５２を所定の焦点面２９０に投影する。前記焦点面２９０は前記レンズ系２８０の光学的構造によって決められる正焦点（ｂｅｓｔ  ｆｏｃｕｓ）位置によって定義される。
【００４９】
本発明の実施例によると、前記結像する段階１３０は前記焦点面２９０ではないデフォーカス（ｄｅｆｏｃｕｓ）位置に前記結像面３００を位置させるデフォーカス条件で実施することを特徴とする。前記デフォーカス条件で、前記基準光２５０及び前記第１及び第２比較光２５１、２５２は互いに離隔された基準イメージｘ０と比較イメージｘ１、ｘ２とを前記結像面３００に結像する。上述したように、前記第１及び第２比較光２５１、２５２は前記光学マスク２７０で屈折されて前記基準光２５０に対して所定の勾配角θを形成する。前記レンズ系２８０は前記第１及び第２比較光２５１、２５２の勾配角θを変化させるので、前記焦点面２９０及び前記結像面３００に入射される前記第１及び第２比較光２５１、２５２は前記基準光２５０に対して傾いた所定の入射角θ０を形成する。前記入射角θ０は前記勾配角θと同様でありうる。
【００５０】
図１４は露光ビームの収差角Δθとイメージｘ０、ｘ１及びｘの変位との間の関係を説明するための図である。
【００５１】
図１４を参照すると、前記露光ビームが標準経路で所定の収差角Δθだけ脱して前記光学マスク２７０に入射される場合、前記基準光２５０及び前記第１及び第２比較光２５１、２５２も図示したように前記収差角Δθだけ標準経路から離脱される。前記標準経路は完全なテレセントリック性を有する露光システムで前記露光ビームが進行する経路を意味して、図面の参照番号ＳＰ０、ＳＰ１、及びＳＰ２は各々前記基準光２５０、第１比較光２５１及び第２比較光２５２の標準経路を示す。一般的な場合、前記露光ビームの標準経路は前記光学マスク２７０に垂直に入射されるが、変型照明（ｏｆｆ−ａｘｉｓ  ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ）が適用される場合、前記露光ビームは前記光学マスク２７０に傾くように入射される標準経路を有することもできる。結果的に、前記収差角Δθは実際露光工程で使用される露光ビームが理想的な露光工程で要求される露光ビームの標準経路に対して形成する角度差を意味する。
【００５２】
前記収差角が消えない時（すなわち、Δθ≠０）、前記結像面３００に形成される基準イメージｘ１０、第１比較イメージｘ１１及び第２比較イメージｘ１２は前記標準経路に従う時（すなわち、Δθ＝０）前記結像面３００に形成される基準イメージｘ０、第１比較イメージｘ１及び第２比較イメージｘ２から脱する。このような基準イメージの変位Δｘ０）、第１比較イメージの変位Δｘ１及び第２比較イメージの変位Δｘ２は各々下記（数４）乃至（数６）式のように表現される。
【００５３】
【数４】
2006179904.tif 000006
【００５４】
【数５】
2006179904.tif 000007
【００５５】
【数６】
2006179904.tif 000008
【００５６】
一方、実際測定では前記収差角がゼロである場合のイメージｘ０、ｘ１、ｘ２は観察されない。したがって、前記変位の各々Δｘ０、Δｘ１、Δｘ２は実際に測定されることができない。しかし、図１４に示したように、前記基準光２５０に比べて前記第１及び第２比較光２５１、２５２は傾いた角度で前記焦点面２９０及び前記結像面３００に入射されるので、前記比較光２５１、２５２によって形成されるイメージ変位Δｘ１、Δｘ２は前記基準光２５０によって形成されるイメージ変位Δｘ０に比べて大きい。このような変位の間の差は上記下記（数４）乃至（数６）式を利用して下記（数７）及び（数８）式のように表現することができる。
【００５７】
【数７】
2006179904.tif 000009
【００５８】
【数８】
2006179904.tif 000010
【００５９】
上記（数７）及び（数８）式で基準イメージｘ１０、第１比較イメージｘ１１、及び第２比較イメージｘ１２の位置は測定することができる値であり、前記長さＬ１及びＬ２は前記焦点面２９０と前記結像面３００との間の距離Ｚ及び前記第１及び第２比較光２５１、２５２の入射角θ０が分かる場合の下記（数９）式によって計算することができる大きさである。
【００６０】
【数９】
2006179904.tif 000011
【００６１】
しかし、本発明によると、前記第１及び第２比較光２５１、２５２が前記基準光２５０に対して対称的経路を有するので、前記長さＬ１及びＬ２に対する依存なしに（ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔｌｙ）前記変位Δｘ０、Δｘ１、Δｘ２と前記収差角Δθとの間の関係を表現することができる。すなわち、上記（数７）乃至（数９）式から前記長さＬ１及びＬ２に対する依存性を持たない下記（数１０）式を得ることができる。
【００６２】
【数１０】
2006179904.tif 000012
【００６３】
一方、前記変位Δｘ０、Δｘ１、Δｘ２は、図１４に示したように、下記（数１１）乃至（数１３）式によって表現される幾何学的関係を有する。
【００６４】
【数１１】
2006179904.tif 000013
【００６５】
【数１２】
2006179904.tif 000014
【００６６】
【数１３】
2006179904.tif 000015
【００６７】
ここで、上記（数１０）式の左辺は上記（数１１）乃至上記（数１３）式を利用して下記（数１４）式のように書き換えることができる。
【００６８】
【数１４】
2006179904.tif 000016
【００６９】
知られたように、前記収差角Δθが非常に小さい大きさである場合、上式のｔａｎΔθ項はΔθに近似することができる（ｔａｎΔθ〜Δθ、ｆｏｒΔθ≪１）。本発明によると、前記露光ビームの収差角Δθはこのような近似式を満たす程度に小さくて、上記（数１４）式は下記（数１５）式のように書き換えられることができる。
【００７０】
【数１５】
2006179904.tif 000017
【００７１】
上記（数１０）式と上記（数１５）式を組み合わせることによって、露光ビームの収差角Δθとイメージの位置との間の定量的関係を測定可能な変数によって表現する下記（数１６）及び（数１７）式を得ることができる。
【００７２】
【数１６】
2006179904.tif 000018
【００７３】
【数１７】
2006179904.tif 000019
【００７４】
上記（数１７）式によって、所定の結像面３００で測定される基準イメージｘ１０と比較イメージｘ１１、ｘ１２との間の距離Ｄ１及びＤ２を測定すれば、前記露光ビームの収差角Δθを決めることができる（図６の１４０）。この際、前記比較光２５１、２５２の標準入射角θ０は前記レンズ系２８０を含む露光システムが最適化された状態で決められる構造的変数の一つである。また、前記焦点面２９０と実際結像面３００との間の距離Ｚは光収差測定過程で任意的に調節されることができる工程的変数の一つである。このようなシステムの構造的変数または工程的変数は測定または計算を通じて精密に決められることができる。
【００７５】
本発明の他の実施例によると、前記光学マスク２７０は一つの基準パターンと一つの比較パターンで構成されることもできる。このような実施例の場合、上記（数７）式、（数１１）式、及び（数１２）式を利用すれば、露光ビームの収差角Δθとイメージの位置との間に成り立つ下記（数１８）および（数１９）式を得ることができる。
【００７６】
【数１８】
2006179904.tif 000020
【００７７】
【数１９】
2006179904.tif 000021
【００７８】
以上整理すれば、本発明は基準パターン及び比較パターンを具備する光学マスクを提供する。この際、前記基準パターンは所定の基準光を結像するのに利用され、前記比較パターンは前記基準光との比較のための比較光を結像するのに利用される。前記比較光は前記基準光に対して平行ではないように進行する。このために、前記比較パターンは前記露光ビームを屈折させることができる屈折誘発パターンである。例えば、前記比較パターンはプリズムパターン（ｐｒｉｓｍａｔｉｃ  ｐａｔｔｅｒｎ）、階段型パターン（ｅｃｈｅｌｏｎ  ｐａｔｔｅｒｎ）、階段式回折格子、及び透過型回折格子（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｇｒａｔｉｎｇ）の中から選択された少なくとも一つでありうる。
【００７９】
これに加えて、本発明によると、結像過程はデフォーカスされた条件で実行される。このようなデフォーカス結像過程によると、収差角Δθが０ではない場合、前記比較光と基準光によって形成されるイメージの変位は変わる。これによって、前記収差角Δθは、下記（数２０）式によって表現されるように、互いに異なる角度で入射される基準光と比較光が作るイメージの位置、前記比較光の標準入射角θ０を含む構造的変数Ｓ、前記デフォーカス条件を含む工程的変数Ｐの関数で表現されることができる。
【００８０】
【数２０】
2006179904.tif 000022
【００８１】
結果的に、計算または測定を通じて上記（数２０）式の右辺の変数を決めれば、前記露光ビームの収差角Δθが決められることができる。ゼロ（ｎｕｌｌ）ではない収差角Δθが検出される場合、これを補正する段階が前記収差角を決める段階（１４０）の以後に、追加的に実施されることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１Ａ】完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図である。
【図１Ｂ】完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図である。
【図２Ａ】第１類型の不完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図である。
【図２Ｂ】第１類型の不完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図である。
【図３Ａ】第２類型の不完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図である。
【図３Ｂ】第２類型の不完全なテレセントリック性を有する光学システムを説明するための図である。
【図４】一般的な露光システムの構造を概略的に説明するための図である。
【図５】従来技術による光収差の測定方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】本発明の実施例による光収差を測定する方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】本発明の第１実施例による光学マスクを示す斜視図である。
【図８】本発明の第２実施例による光学マスクを示す斜視図である。
【図９】本発明の第３実施例による光学マスクを示す斜視図である。
【図１０】本発明の第４実施例による光学マスクを示す斜視図である。
【図１１Ａ】本発明の実施例による光学マスクを通じて得ることができる光学的効果を説明するための図である。
【図１１Ｂ】本発明の実施例による光学マスクを通じて得ることができる光学的効果を説明するための図である。
【図１１Ｃ】本発明の実施例による光学マスクを通じて得ることができる光学的効果を説明するための図である。
【図１２】本発明による基準光と比較光との間の角度を説明するための図である。
【図１３】本発明による結像段階を説明するための図である。
【図１４】本発明による露光ビームの収差角とイメージの変位との間の関係を説明するための図である。
【符号の説明】
【００８３】
２００…マスク基板、
２１０…基準パターン、
２１１…第１基準パターン
２１２…第２基準パターン、
２２１、２２３、２２５、２２７…第１比較パターン、
２２２、２２４、２２６、２２８…第２比較パターン、
２５０…基準光、
２５１…第１比較光、
２５２…第２比較光、
２７０…光学マスク、
２８０…レンズ系、
２９０…焦点面、
３００…結像面。
【図１Ａ】
2006179904.tif 000029
【図１Ｂ】
2006179904.tif 000030
【図２Ａ】
2006179904.tif 000031
【図２Ｂ】
2006179904.tif 000032
【図３Ａ】
2006179904.tif 000033
【図３Ｂ】
2006179904.tif 000034
【図４】
2006179904.tif 000035
【図５】
2006179904.tif 000036
【図６】
2006179904.tif 000037
【図７】
2006179904.tif 000038
【図８】
2006179904.tif 000039
【図９】
2006179904.tif 000040
【図１０】
2006179904.tif 000041
【図１１Ａ】
2006179904.tif 000042
【図１１Ｂ】
2006179904.tif 000043
【図１１Ｃ】
2006179904.tif 000044
【図１２】
2006179904.tif 000045
【図１３】
2006179904.tif 000046
【図１４】
2006179904.tif 000047