(57)【要約】【課題】  信頼性の高い半導体装置、及び、これを効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。半導体基板１０上に、突起部２４を有する第１の絶縁部２０を形成する。第１の絶縁部２０上に、突起部２４の表面を通るように第１の導電部３０を形成する。第１の絶縁部２０上に、第１の導電部３０を部分的に覆う第２の絶縁部４０を、第１の導電部３０における突起部２４の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成する。第２の絶縁部４０上に、第１の導電部３０における第２の絶縁部４０からの露出部３１を介して第１の導電部３０に電気的に接続された第２の導電部５０を形成する。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、突起部を有する第１の絶縁部を形成すること、
前記第１の絶縁部上に、前記突起部の表面を通るように第１の導電部を形成すること、
前記第１の絶縁部上に、前記第１の導電部を部分的に覆う第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成すること、及び、
前記第２の絶縁部上に、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部を介して前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部を形成することを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記導電部を、前記突起部の上端面を通るように形成し、
前記第２の樹脂部を、前記導電部における前記上端面とオーバーラップする部分が露出するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部が前記第２の絶縁部の表面と面一になるように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部が前記第２の絶縁部の内側に配置されるように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部が前記第２の絶縁部の表面から突出するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、第２の突起部を有するように形成し、
前記第２の導電部を、前記第２の突起部の表面を通るように形成し、
前記第２の絶縁部上に、前記第２の導電部を部分的に覆う第３の絶縁部を、前記第２の導電部における前記第２の突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成すること、及び、
前記第３の絶縁部上に、前記第２の導電部における前記第３の絶縁部からの露出部を介して前記第２の導電部と電気的に接続された第３の導電部を形成することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた、突起部を有する第１の絶縁部と、
前記第１の絶縁部上に、前記突起部の表面を通るように設けられた第１の導電部と、
前記第１の絶縁部上に、前記第１の導電部における前記突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように設けられた、前記第１の導電部を部分的に覆う第２の絶縁部と、
前記第２の絶縁部上に設けられた、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部を介して前記第１の導電部と電気的に接続されてなる第２の導電部と、
を含む半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記第１の導電部は、前記突起部の上端面を通るように形成されてなり、
前記第１の導電部における前記上端面とオーバーラップする部分が、前記第２の樹脂部から露出してなる半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８記載の半導体装置において、
前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部は、前記第２の絶縁部の表面と面一に形成されてなる半導体装置。
【請求項１０】
請求項７又は請求項８記載の半導体装置において、
前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部は、前記第２の絶縁部の内側に配置されてなる半導体装置。
【請求項１１】
請求項７又は請求項８記載の半導体装置において、
前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部は、前記第２の絶縁部の表面から突出してなる半導体装置。
【請求項１２】
請求項７から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第２の絶縁部は第２の突起部を有し、
前記第２の導電部は、前記第２の突起部の表面を通るように設けられてなり、
前記第２の絶縁部上に、前記第２の導電部における前記第２の突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように設けられた、前記第２の導電部を部分的に覆う第３の絶縁部と、
前記第３の絶縁部上に設けられた、前記第２の導電部における前記第３の絶縁部からの露出部を介して前記第２の導電部と電気的に接続されてなる第３の導電部と、
をさらに含む半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数層に積層された絶縁層と絶縁層間に形成された配線とを有する半導体装置が知られている。また、絶縁層の両側の配線を、電気的に接続するように形成することが知られている。このとき、絶縁層の両側の配線を、確実に電気的に接続することができれば、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【特許文献１】特開２００４−１９３４９７号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、突起部を有する第１の絶縁部を形成すること、
前記第１の絶縁部上に、前記突起部の表面を通るように第１の導電部を形成すること、
前記第１の絶縁部上に、前記第１の導電部を部分的に覆う第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成すること、及び、
前記第２の絶縁部上に、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部を介して前記第１の導電部に電気的に接続された第２の導電部を形成することを含む。本発明によると、第１の導電部の少なくとも一部が、第２の絶縁部から露出している。そのため、第２の導電部を、容易に、第１の導電部と電気的に接続するように形成することができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記導電部を、前記突起部の上端面を通るように形成し、
前記第２の樹脂部を、前記導電部における前記上端面とオーバーラップする部分が露出するように形成してもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部が前記第２の絶縁部の表面と面一になるように形成してもよい。これによれば、第２の導電部を平坦に形成することができる。すなわち、第２の導電部を、応力が集中しないように形成することができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部が前記第２の絶縁部の内側に配置されるように形成してもよい。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部が前記第２の絶縁部の表面から突出するように形成してもよい。これによれば、第２の導電部を、第１の導電部との接触面積が大きくなるように形成することができる。そのため、電気的な接続信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記第２の絶縁部を、第２の突起部を有するように形成し、
前記第２の導電部を、前記第２の突起部の表面を通るように形成し、
前記第２の絶縁部上に、前記第２の導電部を部分的に覆う第３の絶縁部を、前記第２の導電部における前記第２の突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成すること、及び、
前記第３の絶縁部上に、前記第２の導電部における前記第３の絶縁部からの露出部を介して前記第２の導電部と電気的に接続された第３の導電部を形成することをさらに含んでもよい。
（７）本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた、突起部を有する第１の絶縁部と、
前記第１の絶縁部上に、前記突起部の表面を通るように設けられた第１の導電部と、
前記第１の絶縁部上に、前記第１の導電部における前記突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように設けられた、前記第１の導電部を部分的に覆う第２の絶縁部と、
前記第２の絶縁部上に設けられた、前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部を介して前記第１の導電部と電気的に接続されてなる第２の導電部と、
を含む。本発明によると、第１及び第２の導電部が確実に電気的に接続された、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（８）この半導体装置において、
前記第１の導電部は、前記突起部の上端面を通るように形成されてなり、
前記第１の導電部における前記上端面とオーバーラップする部分が、前記第２の樹脂部から露出していてもよい。
（９）この半導体装置において、
前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部は、前記第２の絶縁部の表面と面一に形成されていてもよい。これによれば、第２の導電部を平坦に形成することができる。すなわち、第２の導電部を、応力が集中しないように形成することができる。そのため、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（１０）この半導体装置において、
前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部は、前記第２の絶縁部の内側に配置されていてもよい。
（１１）この半導体装置において、
前記第１の導電部における前記第２の絶縁部からの露出部は、前記第２の絶縁部の表面から突出していてもよい。これによれば、第１の導電部と第２の導電部との接触面積を大きくすることができる。そのため、電気的な接続信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（１２）この半導体装置において、
前記第２の絶縁部は第２の突起部を有し、
前記第２の導電部は、前記第２の突起部の表面を通るように設けられてなり、
前記第２の絶縁部上に、前記第２の導電部における前記第２の突起部の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように設けられた、前記第２の導電部を部分的に覆う第３の絶縁部と、
前記第３の絶縁部上に設けられた、前記第２の導電部における前記第３の絶縁部からの露出部を介して前記第２の導電部と電気的に接続されてなる第３の導電部と、
をさらに含んでもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。なお、本発明は、以下に説明する実施の形態及び変形例を相互に組み合わせたものを含むものとする。
【０００６】
（第１の実施の形態）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１（Ａ）〜図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す、半導体基板１０を用意することを含んでいてもよい。なお、図１（Ａ）は、半導体基板１０の概略図であり、図１（Ｂ）は、半導体基板の断面図の一部拡大図である。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０は、ウエハ状をなしていてもよい（図１（Ａ）参照）。ウエハ状の半導体基板１０は、複数の半導体装置となる領域１１を含んでいてもよい。ただし、半導体基板１０は、チップ状をなしていてもよい。半導体基板１０は、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路１２を有していてもよい。集積回路１２は、領域１１毎に形成されていてもよい。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体基板１０は複数の電極１４を有する。電極１４は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていないパッドを含めて、電極１４と称してもよい。電極１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。
【０００８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板１０上に、突起部２４を有する第１の絶縁部２０を形成することを含む（図３（Ｃ）参照）。第１の絶縁部２０を形成する方法は特に限定されないが、以下、図２〜図３（Ｃ）を参照して、第１の絶縁部２０を形成する方法について説明する。第１の絶縁部２０を形成する方法は、図２に示すように、半導体基板１０に、絶縁層２２を形成することを含んでいてもよい。絶縁層２２は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等で形成してもよい。すなわち、半導体基板１０を、酸化させ、あるいは窒化させることによって、絶縁層２２を形成してもよい。このとき、絶縁層２２を、パッシベーション膜と称してもよい。あるいは、絶縁層２２は、ポリイミドなどの樹脂で形成してもよい。この場合、半導体基板には、予めパッシベーション膜が形成されていてもよい。なお、絶縁層２２はそれぞれの電極１４（例えば、電極１４の中央部）を露出させる開口を有する。第１の絶縁部２０を形成する方法は、さらに、絶縁層２２上に突起部２４を形成することを含んでいてもよい。図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、突起部２４を形成する方法について説明するための図である。はじめに、図３（Ａ）に示すように、半導体基板１０上（絶縁層２２上）に、突起部２４の材料２５を設ける。突起部２４は、樹脂で形成してもよく、このとき、材料２５は、樹脂の前駆体であってもよい。そして、図３（Ｂ）に示すように、材料２５の上方にマスク１００を配置して、エネルギーを照射する。ここで、マスク１００は、部分的にエネルギーを遮断する構造をなしていてもよい。材料２５として、エネルギーが照射されることで現像液への溶解性が増す性質の材料を利用してもよい。すなわち、材料２５として、ポジ型の材料を利用してもよい。このとき、図３（Ｂ）に示すように、マスク１００は、突起部２４を形成する領域上でエネルギーを遮断する構造になっていてもよい。そして、現像工程によって、エネルギーが照射された領域を除去して、材料２５を硬化（重合）させて、図３（Ｃ）に示す突起部２４を形成してもよい。絶縁層２２と突起部２４とをあわせて、第１の絶縁部２０と称してもよい。突起部２４を、図３（Ｃ）に示すように、先端に向かって径が細くなるように形成してもよい。材料２５としてポジ型の材料を利用することで、突起部２４を、先端に向かって細くなるように形成することができる。また、突起部２４を、上端面２６が平坦面になるように形成してもよい。突起部２４の底面及び上端面は、円形をなしていてもよい。すなわち、突起部２４の形状は、円錐台であってもよい。あるいは、突起部２４の底面及び上端面は、矩形をなしていてもよい。突起部２４の材料は特に限定されるものではない。突起部２４は、例えば、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等で形成してもよい。以上の工程によって、半導体基板１０に、第１の絶縁部２０を形成してもよい。第１の絶縁部２０を、材料の異なる２つの部分を有するように形成してもよい。なお、予めパッシベーション膜が形成されてなる半導体基板��利用する場合、突起部２４を形成する工程のみによって、第１の絶縁部２０を形成してもよい。すなわち、半導体基板上（パッシベーション膜上）に突起部２４を形成することによって、第１の絶縁部２０を形成することができる。
【０００９】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、第１の導電部３０を形成することを含む。第１の導電部３０は、第１の絶縁部２０上に、突起部２４の表面を通るように形成する。このとき、第１の導電部３０を、突起部２４の上端面２６を通るように形成してもよい。第１の導電部３０は、絶縁層２２上を通るように形成してもよい。また、第１の導電部３０は、電極１４と電気的に接続されるように形成してもよい。第１の導電部３０を形成する方法は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。例えば、第１の導電部３０を形成する工程は、第１の絶縁部２０上に導電層を形成することを含んでいてもよい。導電層は、例えば、スパッタリングによって形成してもよい。導電層は、突起部２４の側面を含む領域に形成してもよい。突起部２４が先端に向かって細くなる形状をなす場合、容易に、突起部２４の側面に導電層を形成することができる。第１の導電部３０を形成する工程は、導電層上にパターニングされたレジスト層を形成することを含んでいてもよい。レジスト層を、導電層における第１の導電部３０を形成するための領域が露出するように形成してもよい。第１の導電部３０を形成する工程は、めっき処理によって、導電層上に金属層を形成することを含んでいてもよい。そして、レジスト層及び導電層を除去して、第１の導電部３０を形成してもよい。なお、第１の導電部３０を、突起部２４の上端面２６を通るように形成してもよい（図４（Ａ）参照）。また、第１の導電部３０を、突起部２４の表面（上端面２６及び側面）のすべてを覆うように形成してもよい（図４（Ｂ）参照）。なお、図４（Ｂ）は、第１の導電部３０の上視図であり、突起部２４及び上端面２６が破線で示されている。
【００１０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、第１の絶縁部２０上に、第１の導電部３０を部分的に覆う第２の絶縁部４０を形成することを含む（図５（Ｂ）参照）。第２の絶縁部４０は、第１の導電部３０における突起部２４の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成する。このとき、第１の導電部３０における第２の絶縁部４０から露出した部分を、露出部３１と称してもよい。第１の導電部３０が突起部２４の上端面２６を通るように形成されている場合、第２の絶縁部４０を、第１の導電部３０における突起部２４の上端面２６とオーバーラップする部分が露出するように形成してもよい。第２の絶縁部４０を形成する方法は特に限定されるものではない。例えば、図５（Ａ）に示すように、第１の絶縁部２０及び第１の導電部３０を覆うように絶縁層４２を形成し、その後、図５（Ｂ）に示すように、絶縁層４２を薄くして第１の導電部３０を露出させてもよい。絶縁層４２を薄くする方法は特に限定されないが、例えば機械研磨や、化学反応によるエッチングを利用してもよい。これにより、第２の絶縁部４０を形成してもよい。第２の絶縁部４０は、突起部２４よりも厚くなるように形成してもよい。すなわち、突起部２４は、第２の絶縁部４０の内側に配置されていてもよい。そして、第２の絶縁部４０は、露出部３１（露出部３１の表面）が、第２の絶縁部４０の表面と面一になるように形成してもよい。絶縁層４２を薄くする工程で、第１の導電部３０及び絶縁層４２の表面を除去することによって、露出部３１の表面と第２の絶縁部４０の表面とを面一にしてもよい。なお、第２の絶縁部４０は、第１の絶縁部２０（突起部２４）が露出しないように形成してもよい。また、第２の絶縁部４０の材料は特に限定されるものではなく、突起部２４の材料として例示したいずれかの材料を利用してもよい。
【００１１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図６に示すように、第２の絶縁部４０上に第２の導電部５０を形成することを含む。第２の導電部５０を、第１の導電部３０における第２の絶縁部４０からの露出部（露出部３１）を介して、第１の導電部３０と電気的に接続されるように形成する。先に説明したように、第１の導電部３０の一部は、第２の絶縁部４０から露出してなる。そのため、第２の導電部５０を、容易に、第１の導電部３０と電気的に接続するように形成することができる。
【００１２】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、外部端子６０を形成することを含んでいてもよい。外部端子６０は、第２の導電部５０上に形成してもよい。外部端子６０を形成する方法は特に限定されない。例えば、開口を有するソルダーレジスト６２を形成し、その後、開口の内側に外部端子６０を形成してもよい。そして、外部端子６０の一部を覆う根元補強層６４を形成し、検査工程を経て、図７に示す半導体装置１を形成してもよい。先に説明したように、上記方法によれば、第２の導電部５０を、容易に、第１の導電部３０と電気的に接続するように形成することができる。そのため、本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、信頼性の高い半導体装置を、効率よく製造することができる。なお、半導体ウエハの状態を指して半導体装置１と称してもよいが、半導体ウエハを領域１１毎に分割した状態を半導体装置１と称してもよい。そして、図８には、チップ状に分割された半導体装置１が実装された回路基板１０００を示す。
【００１３】
半導体装置１は、半導体基板１０を含む。半導体装置１は、半導体基板１０上に設けられた、突起部２４を有する第１の絶縁部２０を含む。なお、第１の絶縁部２０は、絶縁層２２を含んでいてもよく、このとき、突起部２４は絶縁層２２上に形成されていてもよい。すなわち、絶縁層２２と突起部２４とをあわせて、第１の絶縁部２０と称してもよい。また、絶縁層２２を、パッシベーション膜と称してもよい。半導体装置１は、第１の導電部３０を含む。第１の導電部３０は、第１の絶縁部２０上に形成されてなる。第１の導電部３０は、突起部２４の表面を通るように形成されてなる。第１の導電部３０は、突起部２４の上端面２６を通るように形成されていてもよい。また、第１の導電部３０は、絶縁層２２上を通るように形成されていてもよい。第１の導電部３０は、電極１４と電気的に接続されていてもよい。半導体装置１は、第１の絶縁部２０上に設けられた、第１の導電部３０を部分的に覆う第２の絶縁部４０を含む。第２の絶縁部４０は、第１の導電部３０における突起部２４の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成されてなる。このとき、第１の導電部３０における第２の絶縁部４０から露出した部分を、露出部３１と称してもよい。なお、露出部３１は、突起部２４の上端面２６とオーバーラップする部分であってもよい。また、露出部３１の表面と第２の絶縁部４０の表面とは、面一に形成されていてもよい。半導体装置１は、第２の導電部５０を含む。第２の導電部５０は、第２の絶縁部４０上に形成されてなる。第２の導電部５０は、露出部３１を介して、第１の導電部３０と電気的に接続されてなる。これによると、第１の導電部３０と第２の導電部５０とが、確実に電気的に接続された、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。なお、露出部３１が第２の絶縁部４０と面一になっている場合、第２の導電部５０を、平坦に形成することができる。そのため、第２の導電部５０を、応力の影響を受けにくくすることができ、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００１４】
（変形例）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明する。
【００１５】
図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００１６】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、絶縁層２２に、突起部２３を形成することを含んでいてもよい。このとき、絶縁層２２と突起部２３とを合わせて、第１の絶縁部と称してもよい。突起部２３は、図９（Ａ）に示すように、上端が、凸曲面になるように形成する。そして、本変形例に係る半導体装置の製造方法は、第１の導電部３４を形成することを含む。第１の導電部３４を、図９（Ｂ）に示すように、突起部２３とオーバーラップする領域の内外で太さが変わらないように形成してもよい。これによっても、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。なお、図９（Ａ）は、突起部２３及び第１の導電部３４の断面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）の上視図である。
【００１７】
図１０及び図１１は、本発明を適用した第１の実施の形態の第２の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００１８】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図１０に示すように、絶縁層４２（図５（Ａ）参照）に穴４３を形成することを含んでいてもよい。穴４３を、突起部２４とオーバーラップするように形成してもよい。また、穴４３を、第１の導電部３０の一部が露出するように形成してもよい。すなわち、穴４３を介して、第１の導電部３０を露出させてもよい。これにより、第２の絶縁部４４を形成してもよい。このとき、第１の導電部３０における第２の絶縁部４４から露出する部分を、露出部３２と称してもよい。そして、露出部３２は、第２の絶縁部４４の内側に配置されていてもよい。
【００１９】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図１１に示すように、第２の導電部５２を形成することを含む。第２の導電部５２は、図１１に示すように、一部が穴４３に充填されるように形成してもよい。これにより、第２の導電部５２と第２の絶縁部４４との接触面積を広げることができ、また、穴４３の内側に形成された部分がくさびの役割を果たすため、応力に対する信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２０】
図１２及び図１３は、本発明を適用した第１の実施の形態の第３の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００２１】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図１２に示すように、第２の絶縁部４６を形成することを含んでいてもよい。第２の絶縁部４６を、第１の導電部３０における第２の絶縁部４６からの露出部３３が、第２の絶縁部４６の表面から突出するように形成する。なお、第２の絶縁部４６は、図１２に示すように、突起部２４と同じ厚みに形成してもよい。言い換えると、第２の絶縁部４６を、その表面が、突起部２４の上端面２６と同じ高さに配置されるように形成してもよい。ただし、第２の絶縁部４６を、突起部２４よりも薄くなるように形成してもよい（図示せず）。
【００２２】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図１３に示すように、第２の導電部５４を形成することを含む。第２の導電部５４は、露出部３３を介して、第１の導電部３０と電気的に接続されるように形成する。第２の絶縁部４６の表面から露出部３３が突出していることから、第１の導電部３０（露出部３３）と第２の導電部５４との接触面積を広くすることができる。そのため、電気的な接続信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２３】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１４〜図１８は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００２４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１４に示すように、第１の絶縁部２０（絶縁層２２及び突起部２４）上に、第１の導電部３０を部分的に覆う第２の絶縁部７０を形成することを含む。第２の絶縁部７０は、第２の突起部７２を有するように形成する。第２の絶縁部７０を形成する方法は特に限定されるものではない。例えば、第２の絶縁部４０（図５（Ｂ）参照）上に第２の突起部７２を形成することで、第２の絶縁部７０を形成してもよい。このとき、第２の絶縁部４０と第２の突起部７２とをあわせて、第２の絶縁部７０と称してもよい。第２の突起部７２を形成する方法は特に限定されず、突起部２４の製造方法として説明した方法を適用してもよい。第２の絶縁部４０と第２の突起部７２とは、同じ材料で形成してもよい。
【００２５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１５に示すように、第２の絶縁部７０上に、第２の導電部５５を形成することを含む。第２の導電部５５は、第２の突起部７２の表面を通るように形成する。
【００２６】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１６に示すように、第２の絶縁部７０上に、第２の導電部５５を部分的に覆う第３の絶縁部８０を形成することを含む。第３の絶縁部８０は、第２の導電部５５における第２の突起部７２の表面に形成された部分の少なくとも一部が露出するように形成する。このとき、第２の導電部５５における第３の絶縁部８０から露出した部分を、露出部５６と称してもよい。
【００２７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図１７に示すように、第３の絶縁部８０上に、第２の導電部５５と電気的に接続された第３の導電部５７を形成することを含む。第３の導電部５７は、露出部５６を介して、第２の導電部５５と電気的に接続されていてもよい。第２の導電部５５の一部が露出していることから、第３の導電部５７を、容易に、第２の導電部５５と電気的に接続されるように形成することができる。
【００２８】
そして、第３の導電部５７に外部端子６０を形成する工程や、検査工程等を経て、図１８に示す、半導体装置２を形成してもよい。以上の工程によって、複数層に積層された絶縁部を有する半導体装置を、効率よく製造することができる。なお、上記の工程を繰り返すことによって、三層以上に積層された絶縁部を有する半導体装置を製造してもよい。
【００２９】
（変形例）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明する。図１９〜図２１は、本変形例に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００３０】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、第２の絶縁部４０上に、第２の導電部５０を形成することを含む（図６参照）。そして、本変形例に係る半導体装置の製造方法は図１９に示すように、第２の絶縁部４０上に、絶縁層９０を形成することを含む。絶縁層９０には、第２の導電部５０の一部を露出させる貫通穴９２が形成されてなる。貫通穴９２を、ビアホールと称してもよい。絶縁層９０を形成する方法は特に限定されない。例えば、第２の絶縁部４０及び第２の導電部５０を覆う絶縁層を形成し、その後、貫通穴９２を形成することによって、絶縁層９０を形成してもよい。
【００３１】
本変形例に係る半導体装置の製造方法は、図２０に示すように、絶縁層９０上に、導電部５８を形成することを含んでいてもよい。導電部５８は、第２の導電部５０と電気的に接続されるように形成する。導電部５８は、絶縁層９０の貫通穴９２を介して、第２の導電部５０と電気的に接続させてもよい。
【００３２】
そして、導電部５８に外部端子６０を形成する工程や、検査工程等を経て、図２１に示す、半導体装置３を製造してもよい。以上の工程によって、複数層に形成された絶縁部を有する半導体装置を製造してもよい。
【００３３】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】図８は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図９】図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の第１の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第１の実施の形態の第２の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第１の実施の形態の第２の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第１の実施の形態の第３の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第１の実施の形態の第３の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１４】図１４は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１７】図１７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１８】図１８は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１９】図１９は、本発明を適用した第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２０】図２０は、本発明を適用した第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２１】図２１は、本発明を適用した第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０…半導体基板、  １２…集積回路、  １４…電極、  ２０…第１の絶縁部、  ２２…絶縁層、  ２３…突起部、  ２４…突起部、  ２５…材料、  ２６…上端面、  ３０…第１の導電部、  ３１…露出部、  ３３…露出部、  ３４…第１の導電部、  ４０…第２の絶縁部、  ４２…絶縁層、  ４４…第２の絶縁部、  ４６…第２の絶縁部、  ５２…第２の導電部、  ５４…第２の導電部、  ５５…第２の導電部、  ５６…露出部、  ５７…第３の導電部、  ５８…導電部、  ６０…外部端子、  ６２…ソルダーレジスト、  ６４…根元補強層、  ７０…第２の絶縁部、  ７２…第２の突起部、  ８０…第３の絶縁部、  ９０…絶縁層、  ９２…貫通穴、  １００…マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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