(57)【要約】【課題】  レーザー光による修正処理を行っても異物不良を招く虞のない電気光学装置の構造を提供する。【解決手段】  本発明の電気光学装置１００は、一対の基板と、一対の基板間に配置された電気光学物質と、一方の前記基板に設けられたスイッチング手段を含む電位制御部１１２と、前記一方の基板に設けられてなり、前記スイッチング手段に電気的に接続されてなるとともに、前記電気光学物質の駆動電位を供給する配線１１１と、前記配線１１１を覆い、前記電位制御部１１２の少なくとも一部と重らない絶縁膜１１３と、前記絶縁膜上に設けられてなり、前記電位制御部の少なくとも一部と平面的に重ならず、前記スイッチング手段に電気的に接続されて前記電気光学物質に電界を印加するための駆動電極１１４と、を具備してなることを特徴とする。【選択図】図１
2006276586.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
前記一対の基板間に配置された電気光学物質と、
一方の前記基板に設けられたスイッチング手段を含む電位制御部と、
前記一方の基板に設けられてなり、前記スイッチング手段に電気的に接続されてなるとともに、前記電気光学物質の駆動電位を供給する配線と、
前記配線を覆い、前記電位制御部の少なくとも一部と重らない絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられてなり、前記電位制御部の少なくとも一部と平面的に重ならず、前記スイッチング手段に電気的に接続されて前記電気光学物質に電界を印加するための駆動電極と、
を具備してなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記電位制御部は、前記配線から前記駆動電極へ前記駆動電位を供給するための前記スイッチング手段が設けられた電位供給経路と、該電位供給経路に対して少なくとも一部に異なる経路部分を有し、該経路部分に予備スイッチング手段が設けられた予備電位供給経路とを有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記駆動電極が複数配列され、前記絶縁膜には、隣接する前記駆動電極の間の電極隣接領域に画素間開口部が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素間開口部は前記絶縁膜が前記電位制御部と重ならない領域と一体に構成されていることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記電位制御部と前記駆動電極とは、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して相互に導電接続され、前記絶縁膜が前記電位制御部と重ならない領域は前記コンタクトホールと一体に構成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学装置及び電子機器に係り、特に、レーザー光等を用いて点欠陥を修正する場合に好適な電気光学装置の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置、フィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置においては、一対の基板の間に電気光学層を配置し、この電気光学層に対して駆動電極を用いて電界を印加することによって所望の表示態様を得ることができるように構成されている。この場合、上記駆動電極に所定の駆動電位を供給するか否かを制御するために配線と駆動電極との間にスイッチング手段を介在させた装置（たとえば、アクティブマトリクス型の液晶表示装置など）が知られている。
【０００３】
上記のような電気光学装置には、上記スイッチング手段として、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などの３端子型スイッチング素子やＴＦＤ（薄膜ダイオード）などの２端子型スイッチング素子などの非線形素子が用いられる。これらのスイッチング手段は、通常、電気光学装置の駆動領域内において所定のパターンで配列された複数の画素毎に、上記駆動電極と対応して設けられている。
【０００４】
上記のスイッチング手段を備えた電気光学装置では、スイッチング手段に接合不良や絶縁不良などが生じることにより、点欠陥が発生することがある。そこで、これらの点欠陥を修復するため、配線と駆動電極との間に配置された電位制御部において予め複数のスイッチング手段及び複数の電位供給経路を設けておくなど、電位制御部に構造上の冗長性を持たせておき、電位制御部にレーザー光を照射することによって素子不良による影響を回避する方法が知られている（例えば、以下の特許文献１参照）。また、隣接する駆動電極間に短絡が生じた場合でも、上記と同様にレーザー光を照射することによって短絡部分を除去するといった修正処理が施される。
【特許文献１】特開２００５−３９８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、前述のレーザー光を用いた点欠陥の修正作業は、電気光学装置のパネル構造を完成させた後に点灯検査を行い、この点灯検査によって判明した点欠陥に対して行われる。この場合、レーザー光による修正処理によってパネル内における修正部近傍の構造部分が飛散することにより、異物不良を起こす場合がある。特に、配線と駆動電極との間の寄生容量に起因する縦クロストークを低減するために、或いは、画素の開口率を高めるために、配線と駆動電極との間に有機樹脂等で構成される比較的厚い絶縁膜を形成する場合には、レーザー光の照射によって修正部近傍の絶縁膜が周囲に拡散（飛散）し、上記の異物不良を招来するので、実質的にレーザー光による修正処理ができないという事情がある。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その目的は、レーザー光による修正処理を行っても異物不良を招く虞のない電気光学装置の構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
斯かる実情に鑑み、本発明の電気光学装置は、一対の基板と、前記一対の基板間に配置された電気光学物質と、一方の前記基板に設けられたスイッチング手段を含む電位制御部と、前記一方の基板に設けられてなり、前記スイッチング手段に電気的に接続されてなるとともに、前記電気光学物質の駆動電位を供給する配線と、前記配線を覆い、前記電位制御部の少なくとも一部と重ならない絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられてなり、前記電位制御部の少なくとも一部と平面的に重ならず、前記スイッチング手段に電気的に接続されて前記電気光学物質に電界を印加するための駆動電極と、を具備してなることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、スイッチング手段を含む電位制御部の少なくとも一部と重ならない絶縁膜を設けることにより、この絶縁膜が電位制御部と重ならない領域（絶縁膜の開口部）にレーザー光を照射しても絶縁膜の拡散を防止することができるため、異物不良による新たな欠陥の生成を防止することができる。すなわち、電位制御部の修正予定箇所に合わせて予め絶縁膜に電位制御部と重ならない領域を形成しておくことにより、レーザー光を照射しても、レーザー光が絶縁膜に直接当たったり、レーザー光による熱が絶縁膜に影響を及ぼしたりすることを防止することができる。
【０００９】
本発明において、前記電位制御部は、前記配線から前記駆動電極へ前記駆動電位を供給するための前記スイッチング手段が設けられた電位供給経路と、該電位供給経路に対して少なくとも一部に異なる経路部分を有し、該経路部分に予備スイッチング手段が設けられた予備電位供給経路とを有することが好ましい。これによって、電位供給経路上のスイッチング手段に不良が存在しても、予備スイッチング手段が設けられた予備電位供給経路を用いて配線の駆動電位を駆動電極へ供給することができる。
【００１０】
例えば、電位制御部において、予備電位供給経路の上記経路部分が電位供給経路上のスイッチング手段と直列に接続されている場合には、不良のあるスイッチング手段をレーザー光の照射によって導通させるとともに、電位供給経路のうちの上記経路部分と並列に構成されている部分をレーザー光により切断することによって、予備電位供給経路及び予備スイッチング手段を用いた新たな電位制御部を構成することができる。
【００１１】
本発明において、前記駆動電極が複数配列され、前記絶縁膜には、隣接する前記駆動電極の間の電極隣接領域に画素間開口部が設けられていることが好ましい。この画素間開口部を絶縁膜に設けることにより、隣接する駆動電極間に短絡が生じた場合でも、画素間開口部にレーザー光を照射することで短絡不良を修正できるため、レーザー光の照射による絶縁膜の拡散を回避でき、異物不良の発生を防止できる。
【００１２】
本発明において、前記画素間開口部は前記絶縁膜が前記電位制御部と重ならない領域と一体に構成されていることが好ましい。これによれば、電位制御部の一部に設けられた、絶縁膜が電位制御部と重ならない領域と、画素間開口部とが一体に構成されていることにより、絶縁膜の平面パターンをシンプルなものとし、絶縁膜の縁に設けられる傾斜面の面積率を低下させることができるため、電気光学物質に接する基板内面の平坦性を向上させることにより表示品位の向上を図ることができる。また、パネル構造内のスペース効率を高めることができ、例えば、画素開口率の向上などを図ることができる。
【００１３】
すなわち、絶縁膜の縁に形成される傾斜面は、基板内面上に段差部分を生じさせ、基板内面の平坦性を悪化させる。この平坦性の悪化は電気光学物質の厚さの変化を招くなど、良好な電気光学効果を得ることのできない領域を増加させ、表示品位の悪化の原因となる。また、パネル構造の設計上、表示品位を向上させるために基板内面上の平坦性の悪い領域を遮光する必要があるので、当該領域を機能的に利用することができなくなり、画素の開口率が低下する。このように、装置の機能を向上させるには上記傾斜面の面積率を低下させる必要があり、このためには、絶縁膜の縁の全長をなるべく小さくすることが求められる。本発明では、絶縁膜が電位制御部と平面的に重ならない領域と画素間開口部を一体に構成することで、絶縁膜の縁の長さを低減することができる。
【００１４】
本発明において、前記電位制御部と前記駆動電極とは、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して相互に導電接続され、前記絶縁膜が前記電位制御部と重ならない領域は前記コンタクトホールと一体に構成されていることが好ましい。これによれば、絶縁膜が電位制御部と平面的に重ならない領域とコンタクトホールとが一体に構成されることにより、上述と同じ理由によって、絶縁膜の縁の長さを低減できるため、傾斜面の面積率を低減することが可能になり、その結果、表示品位の向上やパネル構造内のスペース効率の向上を図ることができる。
【００１５】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置と、該電気光学装置を制御する制御手段とを有することを特徴とする。特に、本発明を適用することが特に有効な電子機器としては、電気光学装置に高い性能、例えば、高い表示品位が求められる高機能のモニタ装置などの高い表示性能を必要とする電子機器や、表示品位を確保しつつ小型化が求められる携帯電話などの携帯型電子機器が挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
［第１実施形態］
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は第１実施形態の電気光学装置の駆動領域の一部を拡大して示す拡大部分平面図、図３は図１のIII−III線に沿って切断した断面を模式的に示す縦断面図、図４は図１のIV−IV線に沿って切断した断面を模式的に示す縦断面図である。なお、これらの図面において、画素サイズや画素数、或いは、各構造部の厚さ等については、説明の都合上、実際とは大きく異なる態様で描いてある。
【００１７】
本実施形態の電気光学装置１００は、第１基板１１０の内面上に複数の配線１１１がストライプ状に配列形成され、この配線１１１に沿って複数の画素が配列されて画素列を構成し、複数の配線１１１にそれぞれ設けられた画素列によって、縦横に画素がマトリクス状に配列された駆動領域が構成されている。
【００１８】
上記駆動領域内の各画素には、図１に示すように、上記配線１１１に接続された第１導電層１１２ａと、この第２導電層１１２ａに接続された第２導電層１１２ｂと、この第２導電層１１２ｂに接続された第３導電層１１２ｃとからなる電位供給経路を備えた電位制御部１１２が形成されている。この電位制御部１１２には、上記配線１１１に接続された第４導電層１１２ｄと、この第４導電層１１２ｄに接続された第５導電層１１２ｅとからなる予備接続部分が設けられ、この予備接続部分と、第５導電層１１２ｅに接続された上記第１導電層１１２ａの一部（後述する経路部分１２１ｓを除いた部分）、第２導電層１１２ｂ及び第３導電層１１２ｃとによって予備電位供給経路が構成される。
【００１９】
ここで、上記第２導電層１１２ｂ、第５導電層１１２ｅはＴａ等の金属若しくはＴａに微量（例えば１ｗｔ％程度）の金属（例えば、Ｗなど）を添加してなる合金等で構成され、その表面には陽極酸化膜等からなる薄い絶縁層が形成されている。そして、この絶縁層上にＣｒなどの金属若しくは合金で構成された上記第１導電層１１２ａ、第３導電層１１２ｃ及び第４導電層１１２ｄが積層され、これによって、各導電層の交差部分にそれぞれＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）構造が形成される。このＭＩＭ構造は２端子型スイッチング素子の一種であるＴＦＤ素子を構成する。
【００２０】
配線１１１及び電位制御部１１２上には、アクリル樹脂等の有機樹脂などで構成された絶縁膜１１３が形成される。この絶縁膜１１３は透明樹脂であり、好ましくは、感光性樹脂を基板内面上に塗布してから露光・現像を行うフォトリソグラフィ法によるパターニングで形成されたものである。この絶縁膜１１３は、配線１１１と後述する駆動電極１１４との間に生ずる寄生容量を低減し、この寄生容量に起因して生ずる縦クロストークを防止するために設けられたものである。ここで、縦クロストークとは、配線１１１に沿った画素列の表示階調が寄生容量の影響を受けることによって生ずる配線１１１に沿った線状の表示不良を言う。また、絶縁膜１１３を形成することで、上記の寄生容量を低減しつつ、配線１１１を駆動電極１１４に対して接近させたり、或いは、図示例のように駆動電極１１４と平面的に重ねたりすることが可能になるため、画素の開口率を高めることができるという効果も有するものである。
【００２１】
絶縁膜１１３は開口部１１３ａを有し、この開口部１１３ａには、上記電位供給部１１２の少なくとも一部に形成された制御部開口領域１１３ｂと、上記第３導電層１１２ｃの端部を中心とする部分に形成されたコンタクトホール開口領域１１３ｃと、画素間領域のうち、後述する駆動電極１１４の間に形成された電極隣接部分に設けられた画素間開口領域１１３ｄとを備えている。開口部１１３ａは、上記の各開口領域１１３ｂ、１１３ｃ、１１３ｄが一体に（すなわち連続するように）形成されたものとなっている。
【００２２】
絶縁膜１１３上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）等の透明導電体で構成された駆動電極１１４が画素毎に形成されている。この駆動電極１１４は、上記コンタクトホール開口領域１１３ｃを通してその下層に配置される上記第３電極層１１２ｃの端部に導電接続される。
【００２３】
また、図１に示すように、上記絶縁膜１１３上における上記駆動電極１１４を回避した位置にスペーサ１１５が形成される。このスペーサ１１５は、基板内面上に固定された状態で形成される柱状スペーサであり、例えば、感光性樹脂により、フォトリソグラフィ法を用いて形成される。なお、この柱状スペーサ１１５の代わりに位置固定されない球状や円柱状のスペーサを用いても構わない。さらに、上記絶縁膜１１３及び駆動電極１１４上にはポリイミド樹脂等で構成された配向膜１１６が形成される。
【００２４】
一方、第２基板１２０の内面上には、黒色樹脂やＣｒなどの金属等の遮光材料で遮光膜１２１が形成される。この遮光膜１２１は、上記駆動電極１１４の形状に沿った画素形状と対応して、画素間開口領域を遮光する平面パターンを有している。実際には、駆動電極１１４と後述する対向電極１２４との対向領域以外を遮光する平面パターンを有し、好ましくは、当該対向領域のうちの外縁部をも遮光するパターンとされる。
【００２５】
また、基板１２０の内面上には、上記遮光膜１２１によって画成された画素毎に、所定の色相を呈する複数色の着色層１２２が形成されている。着色層１２２としては、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の三色の層が挙げられ、これらの着色層１２２は、画素配列と対応する所定のパターンで配列される。この配列パターンとしては、ストライプ配列、デルタ配列、斜めモザイク配列、ペンタイル配列などが挙げられる。上記着色層１２２上にはアクリル樹脂等で構成される透明な保護膜１２３が形成される。この保護膜１２３は着色層１２２への不純物の侵入を防止するとともに、表面の平坦性を確保するためのものである。上記複数色の着色層１２２及び保護膜１２３はカラーフィルタを構成する。
【００２６】
上記カラーフィルタ上には、ＩＴＯ等の透明導電体で構成される対向電極１２４が形成される。この対向電極１２４は、２端子型スイッチング素子をスイッチング手段として用いる本実施形態の場合、上記配線１１１の延長方向と直交する方向に伸びる帯状の電極パターンを有し、複数の対向電極１２４が全体としてストライプ状に構成されている。なお、この対向電極１２４と上記駆動電極１１４の対向領域のうち、上記遮光膜１２１によって遮光されていない領域が画素（の光透過領域）として機能する。
【００２７】
対向電極１２４上には、上記と同様のポリイミド樹脂等からなる配向膜１２５が形成される。この配向膜１２５は、上記配向膜１１６と同様に、後述する液晶層１３１内の液晶に初期配向状態を付与するためのものである。
【００２８】
上記の第１基板１１０と第２基板１２０は、熱硬化性樹脂等で構成されるシール材１３０によって貼り合わされる。そして、第１基板１１０と第２基板１２０の間のシール材１３０によって囲まれた領域に液晶を封入することによって液晶層１３１が形成される。液晶層１３１は、上記駆動電極１１４と対向電極１２４にそれぞれ所定の電位を供給することにより所定の電界を印加された状態となり、この印加電圧の有無若しくは大小によってその電気光学状態が変化する。
【００２９】
さらに、第１基板１１０の外面上には偏光板１３２が配置され、第２基板１２０の外面上には偏光板１３３が配置される。これらの偏光板１３２，１３３の偏光軸（例えば偏光透過軸）を適宜の関係になるように構成することによって、上記液晶層１３１の電気光学効果との関係で、透過光或いは反射光の量を画素毎に制御することができる。
【００３０】
図６は、本実施形態の電位制御部１１２を拡大して示す拡大部分平面図（ａ）、及び、この電位制御部１１２の複数の領域を拡大して示す拡大部分断面図（ｂ）である。電位制御部１１２には、第１電極層１１２ａと第２電極層１１２ｂとの交差部分にＴＦＤ素子１１２Ａが形成され、第２電極層１１２ｂと第３電極層１１２ｃとの交差部分にＴＦＤ素子１１２Ｂが形成され、これによって、電位供給経路に沿って一対のＴＦＤ素子１１２Ａ及び１１２Ｂが直列に接続され、かつ、これらの一対のＴＦＤ素子１１２Ａと１１２Ｂの電流電圧特性の極性が反対になるように構成されている。これをバック・トゥー・バック（Ｂａｃｋ  ｔｏ  Ｂａｃｋ）構造と言う。すなわち、ＴＦＤ素子１１２Ａは、電位供給方向に見たとき、Ｃｒ等の第１金属（第１導電層１１２ａ）、絶縁層１１２ｚ、Ｔａ等の第２金属（第２導電層１１２ｂ）の順で積層された接合構造を有し、ＴＦＤ素子１１２Ｂは、電位供給方向に見たとき、Ｔａ等の第２金属（第２導電層１１２ｂ）、絶縁層１１２ｚ、Ｃｒ等の第１金属（第３導電層１１２ｃ）の順で積層された接合構造を有するため、相互に逆の電気特性を備えたものとなる。そして、このような逆の電気特性を有するダイオード素子を直列に接続することで、スイッチング手段の電流電圧特性の対称性を実現し、これによって液晶層１３１の交流反転駆動の安定性を確保している。
【００３１】
本実施形態では、上記の電位供給経路の他に、もう一つの予備電位供給経路が構成される。この予備電位供給経路は、上記第４導電層１１２ｄ、第５導電層１１２ｅを経て第１導電層１１２ａ、第２導電層１１２ｂ及び第３導電層１１２ｃに進む経路である。ここで、電位供給経路には含まれない予備接続部分である第４導電層１１２ｄ及び第５導電層１１２ｅには、第４導電層１１２ｄと第５導電層１１２ｅの交差部分に絶縁層１１２ｚを介して構成されたＴＦＤ素子１１２Ｃと、第５導電層１１２ｅと第１導電層１１２ａの交差部分に絶縁層１１２ｚを介して構成されたＴＦＤ素子１１２Ｄとが設けられている。なお、これらのＴＦＤ素子１１２Ｃ及び１１２Ｄは、上記ＴＦＤ素子１１２Ａ及び１１２Ｂと同様の関係にあり、バック・トゥー・バック構造を構成している。
【００３２】
上記の電位制御部１１２では、通常は、第１導電層１１２ａ、第２導電層１１２ｂ及び第３導電層１１２ｃからなる電位供給経路によって配線１１１から駆動電極１１４へ駆動電位が供給される。そして、上記電位供給経路中に構成されたＴＦＤ素子１１２Ａ及び１１２Ｂからなるスイッチング手段によって駆動電位の供給状態が制御される。このとき、第４導電層１１２ｄ及び第５導電層１１２ｅからなる予備接続部分は、上記ＴＦＤ素子１１２Ｃ及び１１２Ｄが存在することにより生ずる直列抵抗によって実質的には機能していない。
【００３３】
本実施形態において、絶縁層１１３に設けられた開口部１１３ａの一部である制御部開口領域１１３ｂは、上記電位制御部１１２のうちの少なくともＴＦＤ素子１１２Ａ及び１１２Ｂを含む領域ＸＡ、ＸＢと、電位供給経路のうち、上記予備電位供給経路の経路部分である第４導電層１１２ｄ及び第５導電層１１２ｅと並列に形成された経路部分１１２ｓを含む領域ＸＳとを開口するように設けられる。これらの領域ＸＡ，ＸＢ，ＸＳは、後述するレーザー光を用いて行う修正処理において、レーザー光を照射する必要のある領域である。これらの複数の領域ＸＡ，ＸＢ，ＸＳは、本実施形態の場合、制御部開口領域１１３ｂによって一体に開口された状態となっている。
【００３４】
図９は、レーザー光による修正処理の様子を模式的に示す概略説明図である。上記の電気光学装置１００には、配線１１１に所定の駆動電位を供給し、上記電位制御部１１２を介して画素内の駆動電極１１４に駆動電極が供給された状態とし、また、対向電極１２４にも所定の駆動電位が供給された状態とすることにより、電気光学装置１００の駆動領域内に配列された全ての画素を点灯させた状態（例えば、光透過状態）とすることができる。このような全灯状態、或いは、全ての画素を消灯させた状態（例えば、光遮断状態）、さらには、適宜の表示パターンが表示された状態とすることによって、電気光学装置１００の構造不良の検査（点灯検査）を行うことができる。この検査を行うと、輝点や黒点となる画素があれば、当該画素には欠陥があることとなる。このような点欠陥は、基本的には、電位制御部１１２の構造不良、すなわち、ＴＦＤ素子の接合不良や絶縁不良、その他の電位供給経路の短絡不良や断線不良などによって生ずる。また、隣接する画素間の駆動電極１１４同士の短絡不良、すなわち、隣接する駆動電極１１４の対向部分のパターン残りによりパターン不良が生ずると、やはり点灯状態に問題が生ずる。
【００３５】
そこで、上記の検査で不良が発見された場合には、図９に示すように、電位制御部１１２や駆動電極１１４の対向領域に第１基板１１０側からレーザー光Ｌを照射し、各部を断線させたり、短絡させたりすることによって構造不良を修復する。図７は、電位制御部１１２の修復例を示すための拡大部分平面図（ａ）及び拡大部分断面図（ｂ）である。この例では、上記領域ＸＡ，ＸＢにレーザー光を照射することによってＴＦＤ素子１１２Ａ及び１１２Ｂを破壊し、短絡させている。
【００３６】
このとき、レーザー光の照射部位は、ＴＦＤ素子１１２Ａ及び１１２Ｂを構成する各導電層間の交差部分の範囲内であればどこであってもよいが、より容易にかつ確実に素子を短絡破壊するために、それぞれの交差領域の角部にレーザー光を照射する。これによって、レーザー光の強度が同じであってもより確実に、或いは短時間に素子部の短絡破壊を実現することができる。
【００３７】
また、上記交差部分の角部はそれぞれ４箇所ずつあるが、制御部開口領域１１３ｂの開口縁になるべく遠い位置にレーザー光を照射して、絶縁膜１１３が拡散（飛散）する可能性をなるべく低減するために、上記交差領域の内側の角部ＣＡ，ＣＢを照射ターゲットとすることが好ましい。ここで内側の角部とは、第１導電層１１２ａ、第２導電層１１２ｂ又は第３導電層１１２ｃに対して制御部開口領域１１３ｂの開口縁とは反対側にある角部を言う。したがって、図示例の場合、ＴＦＤ素子１１２Ａにおいては、交差部分の内側の角部とは図示上側左右の角部を言い、外側の角部とは図示下側左右の角部を言う。また、ＴＦＤ素子１１２Ｂにおいては、内側の角部とは図示下側左右の角部と言い、外側の角部とは図示上側左右の角部を言う。
【００３８】
また、本実施形態の修正処理では、領域ＸＳにレーザー光を照射することにより、第１導電層１１２ａのうちの経路部分１１２ｓを切断する。このレーザー光による導電層の切断は、周囲への影響をなるべく小さくするために、レーザー光の強度を上げずに、照射スポットを第１導電層１１２ａの幅方向に移動させながら行うことが好ましい。
【００３９】
上記のようにして、ＴＦＤ素子１１２Ａ及び１１２Ｂの短絡破壊及び経路部分１１２ｓの切断を行うことにより、電位供給経路は経路部分１１２ｓで断絶されるため、予備電位供給経路が有効となり、第４導電層１１２ｄ、第５導電層１１２ｅ、第１導電層１１２ａ、第２導電層１１２ｂ、第３導電層１１２ｃの順で電位が駆動電極１１４へ供給されることとなる。そして、この予備電位供給経路では、上記ＴＦＤ素子１１２Ｃ及び１１２Ｄが予備スイッチング手段として機能する。
【００４０】
上記のようにレーザー光による電位供給部１１２の修正を行う場合、本実施形態では、修正すべき部分が制御部開口領域１１３ｂによって露出しているため、レーザー光を照射しても、絶縁膜１１３が拡散（飛散）して異物不良を起こすといったことが防止される。
【００４１】
図８は、隣接する駆動電極１１４間にパターニング不良によりパターン残りが発生した様子を示す拡大部分断面図（ａ）及びこれをレーザー光によって除去した様子を示す拡大部分断面図（ｂ）である。図８（ａ）に示すように、隣接する駆動電極１１４間にパターン残り部分１１４ｘが生じた場合には、絶縁層１１３の開口部１１３ａの一部として構成された画素間開口領域１１３ｄにレーザー光を照射することによって、図８（ｂ）に示すように、パターン残り部分１１４ｘを切断し、短絡状態を解消することができる。
【００４２】
上記の駆動電極１１４間の短絡不良の修正作業においても、レーザー光が絶縁膜１１３の存在しない画素間開口領域１１３ｄに照射されるので、レーザー光により絶縁膜１１３が拡散（飛散）することがなくなるため、異物不良は発生しない。
【００４３】
本実施形態では、絶縁膜１１３の開口部１１３ａを、上記制御部開口領域１１３ｂ、コンタクトホール開口領域１１３ｃ及び画素間開口領域１１３ｄを一体に形成してなる平面パターンで構成されるため、各開口領域を別々に開口させた場合と比べると、開口部１１３ａの開口縁の長さが低減される。したがって、開口縁に必然的に形成される傾斜面１１３ｘ（図８参照）の面積を低減することができるため、当該傾斜面１１３ｘの存在によって第１基板１１０の内面上に形成される段差部分もまた低減することができる。したがって、第１基板１１０の内面に接する液晶層１３１の厚さを均一化することができ、その結果、表示品位を向上させることができる。また、第１基板１１０の内面上に形成される上記段差部分が低減されると、この段差部分を上記遮光膜１２１等によって遮光する場合の遮光範囲も低減することが可能になるので、結果的に画素の開口率を高めることが可能になる。
【００４４】
［第２実施形態］
次に、図２及び図５を参照して、本発明に係る第２実施形態の電気光学装置１００′について説明する。この実施形態では、上記第１実施形態と同様の部分には同一符号を付し、それらの説明は省略する。図２は本実施形態の拡大部分平面図、図５は図２のＶ−Ｖ線に沿って切断した断面を模式的に示す拡大部分断面図である。なお、本実施形態の図２のIII−III線に沿って切断した断面構造は図３と同じに表れる。
【００４５】
本実施形態では、絶縁膜１１３′の開口部１１３ａ′は、電位制御部１１２の一部を露出させる制御部開口領域１１３ｂと、電位制御部１１２と駆動電極１１４とを導電接続させるためのコンタクトホール開口領域１１３ｃとを有し、これらが一体に構成された開口形状を有するが、第１実施形態の画素間開口領域１１３ｄに相当する開口領域は形成されていない。
【００４６】
これによって、隣接する画素間の駆動電極１１４の対向領域にも絶縁膜１１３′が存在することとなるので、隣接する駆動電極１１４間の短絡不良に対しては対処できないか、或いは、レーザー光による修正処理時において絶縁膜１１３′に多少の影響を与えざるを得ないが、その代わりに、隣接する駆動電極１１４の対向領域に設ける遮光範囲の幅を小さくすることができるため、画素の開口率を第１実施形態よりも高めることができる。すなわち、第１実施形態では、画素間開口領域１１３ｄを設けることによって、当該領域１１３ｄだけでなく、その両側の傾斜面１１３ｘ（図８参照）上の部分をも光抜けなどを防止するために遮光する必要が生ずるため、駆動電極１１４の対向領域の遮光幅を大きく確保する必要がある。しかし、本実施形態では、画素間開口領域１１３ｄが存在しないことにより、対向領域の平坦性も確保されるため、遮光範囲としては隣接する駆動電極１１４間に必要な間隙幅に若干の余裕を見込むだけでよくなることから、対向領域における遮光幅を大幅に削減できる。
【００４７】
本発明者が実際に電気光学装置１００，１００′を試作して画素の開口率を確認したところ、以下の結果が得られた。画素ピッチを６６μｍ×１９８μｍとした精細度１２８ｐｐｉ（ピクセル／インチ）の液晶表示パネルでは、第１実施形態の構成で画素の開口率は従来構造に比べて１６．５％低下した。また、画素ピッチを５４μｍ×１６２μｍとした精細度１５７ｐｐｉの液晶表示パネルでは、第１実施形態の構成で画素の開口率が従来構造に比べて２１．２％低下した。ただし、この結果は、絶縁膜１１３の開口部１１３ａを、上記制御部開口領域１１３ｂ、コンタクトホール開口領域１１３ｃ及び画素間開口領域１１３ｄを一体化したものとすることにより、各開口領域を別々に構成する場合に比べれば改善されたものとなっている。
【００４８】
一方、上記の２種類の液晶表示パネルの構成として第２実施形態の構成を採用すると、画素の開口率の低下は精細度１２８ｐｐｉの場合に２．１％、精細度１５７ｐｐｉの場合に１．１％と極めて僅かなものとなった。これらの結果は、本実施形態の構成により実質的に画素の開口率の低下が防止されることを示している。特に、高精細な液晶表示パネルであるほど、開口率の低下が少なくなることはきわめて重要である。
【００４９】
［電子機器］
最後に、上述の実施形態に係る電気光学装置を電子機器に用いた実施形態に説明する。図１１は、電子機器における電気光学装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源２９１と、表示情報処理回路２９２と、電源回路２９３と、タイミングジェネレータ２９４と、バックライト１４０への電力供給を行う光源制御回路１９５とを含む表示制御回路２９０を有する。また、電気光学装置１００には、上述の構成を有する液晶表示パネル１００Ｐと、この液晶表示パネル１００Ｐを駆動する駆動回路１００Ｄと、バックライト１４０とが設けられている。この駆動回路１００Ｄは、液晶表示パネル１００Ｐに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣなど、上記の駆動回路１３２など）で構成される。ただし、駆動回路１００Ｄは、上記のような態様の他に、液晶表示パネル１００Ｐの基板表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶表示パネル１００Ｐに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００５０】
表示情報出力源２９１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ２９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路２９２に供給するように構成されている。
【００５１】
表示情報処理回路２９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１００Ｄへ供給する。駆動回路１００Ｄは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路２９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００５２】
光源制御回路２９５は、電源回路２９３から供給される電圧に基づいてバックライト１４０の光源に電力を供給し、所定の制御信号に基づいて光源の点灯の有無及びその輝度等を制御するようになっている。
【００５３】
図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１０００は、複数の操作ボタン、送話口などを備えた操作部１００１と、受話口などを備えた表示部１００２とを有し、表示部１００２の内部に上記の電気光学装置１００が組み込まれてなる。そして表示部１００２の表面（内面）上において電気光学装置１００の駆動領域（表示領域）を視認することができるようになっている。この場合、携帯電話機１０００の内部には、上記電気光学装置１００を制御する上記の表示制御回路などが設けられる。この表示制御回路は、液晶表示パネル１００Ｐを駆動する公知の駆動回路（液晶ドライバ回路）に対して所定の制御信号を送り、電気光学装置１００の表示態様を決定する。
【００５４】
また、本発明に係る電子機器としては、図１１に示す携帯電話機の他に、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末機などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として本発明に係る液晶表示装置を用いることができる。
【００５５】
尚、本発明は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、本実施形態においては、液晶表示パネルを備えた液晶表示装置について説明したが、本発明は、液晶表示装置に限らず、有機ルミネッセンス表示装置、フィールドエミッション表示装置、プラズマディスプレイ表示装置、電気泳動表示装置などの他の電気光学装置であっても構わない。また、上記実施形態では、２端子型非線形素子であるＴＦＤ素子を備えた電位制御部を設けてあるが、ＴＦＴなどの３端子型非線形素子を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１実施形態の電気光学装置の画素構造を示す拡大部分平面図。
【図２】第２実施形態の電気光学装置の画素構造を示す拡大部分平面図。
【図３】図１のIII−III線に沿った断面構造を模式的に示す概略断面図。
【図４】図１のIV−IV線に沿った断面構造を模式的に示す概略断面図。
【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿った断面構造を模式的に示す概略断面図。
【図６】第１実施形態の電位制御部の拡大部分平面図（ａ）及び部分断面図（ｂ）。
【図７】レーザー修正後の電位制御部の拡大部分平面図（ａ）及び部分断面図（ｂ）。
【図８】レーザー修正前後の画素間領域の拡大部分平面図（ａ）及び（ｂ）。
【図９】レーザー修正方法を示す概略説明図。
【図１０】電子機器の表示制御系を示す概略構成図。
【図１１】電子機器の外観を示す概略斜視図。
【符号の説明】
【００５７】
１００…電気光学装置、１１０…第１基板、１１１…配線、１１２…電位制御部、１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃ，１１２Ｄ…ＴＦＤ素子、１１３…絶縁膜、１１３ａ…開口部、１１３ｂ…制御部開口領域、１１３ｃ…コンタクトホール開口領域、１１３ｄ…画素間開口領域、１１４…駆動電極、１２０…第２基板、１２１…遮光膜、１２２…着色層、１２３…保護膜、１２４…対向電極、１３０…シール材、１３１…液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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