(57)【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置をより小型化、薄型化する。【解決手段】半導体装置１０は、第１主表面３２ａから露出する複数の電極パッド３４を有している半導体チップ３０と、半導体チップの第１側面部３３ａに設けられている接着材４０と、第１側面部に接着固定されている複数の柱状の突出基部２３、突出基部から第１主表面の上側に、先端部２４’の一部分が薄厚とされている段差部２４ｄを有するリード２４を有する外部端子部２５と、電極パッド及びリードの段差部を電気的に接続するボンディングワイヤ５０と、ボンディングワイヤ、半導体チップ及び段差部を封止し、かつ段差部を除く前記外部端子部２５を露出させて外部端子とする封止部６０とを具えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主表面、該第１主表面と対向する第２主表面、該第１及び第２主表面に挟まれて画成される第１側面部、該第１主表面から露出する複数の電極パッドを有している半導体チップと、
該半導体チップの前記第１側面部に設けられている接着材と、
該接着材により、前記第１側面部に接着固定されている複数の柱状の突出基部、及び該突出基部から前記第１主表面の上側に、その下面が当該第１主表面とは離間して突出延在し、かつ先端部の一部分が薄厚とされている段差部を有する短冊状のリードを有する外部端子部と、
前記電極パッド及び前記リードの段差部を、電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記ボンディングワイヤ、前記半導体チップ及び前記段差部を封止し、かつ当該段差部を除く前記外部端子部を露出させて外部端子とする封止部と
を具えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記接着材は、前記半導体チップの前記第１主表面及び前記リードの前記下面の間隙を埋め込んで接着固定していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップは、前記第１主表面から露出する複数の前記電極パッドの配列の外側の領域に設けられていて、前記第１及び第２主表面の間に位置して複数の前記電極パッドを囲む第３主表面及び該第３主表面と前記第１主表面に挟まれて画成される第２側面部を有していて、
前記接着材は、前記半導体チップの前記第３主表面及び前記リードの前記下面、並びに前記半導体チップの前記第１側面部及び前記突出基部の間隙を埋め込んで接着固定していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
円形枠状のリングフレーム部、該リングフレーム部からその内側に格子状に延在しているフレーム部、当該フレーム部によりマトリクス状に画成されている複数のチップ搭載領域、及び外部端子部を具えるリードフレームであって、当該外部端子部は、前記フレーム部の厚みと同一の厚みを有していて、前記チップ搭載領域内に突出する複数の柱状の突出基部及び当該突出基部からさらに前記チップ搭載領域内へ突出し、当該突出基部の厚みよりも薄い厚みを有し、かつその先端部の一部分がさらに薄厚とされている段差部を有するリードを具えている前記リードフレームを準備する工程と、
前記外部端子部の厚みよりも薄い厚みであり、かつ第１の面と当該第１の面と対向する第２の面を有するウェハであって、前記第１の面から露出する複数の電極パッドを有している複数の半導体チップがマトリクス状に作り込まれている当該ウェハを準備する工程と、
前記ウェハの前記第２の面に、下地を貼り付ける工程と、
前記ウェハを切断し、かつ前記下地を切断しない程度にダイシングして、第１主表面、該第１主表面と対向する第２主表面、該第１及び第２主表面に挟まれて画成される第１側面部、該第１主表面から露出する複数の電極パッドを具える複数の半導体チップとして個片化する工程と、
前記下地の端部を外側に向かって引き伸ばして、隣接する複数の前記半導体チップ同士の間に間隙を形成する工程と、
前記間隙に接着材を注入する工程と、
前記接着材が注入されている前記間隙に、前記リードフレームの前記フレーム部を、前記リードの下面を前記半導体チップの前記第１主表面に対向させて、挿入する工程と、
前記電極パッド及び前記段差部を、ボンディングワイヤを用いて、電気的に接続する工程と、
前記ボンディングワイヤ、前記半導体チップ及び前記段差部を封止する封止部を形成する工程と、
前記フレーム部を切削して、前記突出基部を露出してこれを外部端子とする半導体装置を個片化する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
円形枠状のリングフレーム部、該リングフレーム部からその内側に格子状に延在しているフレーム部、当該フレーム部によりマトリクス状に画成されている複数のチップ搭載領域、及び外部端子部を具えるリードフレームであって、当該外部端子部は、前記フレーム部の厚みと同一の厚みを有していて、前記チップ搭載領域内に突出する複数の柱状の突出基部及び当該突出基部からさらに前記チップ搭載領域内へ突出し、当該突出基部の厚みよりも薄い厚みを有し、かつその先端部の一部分がさらに薄厚とされている段差部を有するリードを具えている前記リードフレームを準備する工程と、
前記外部端子部の厚みよりも薄い厚みであり、かつ第１の面と当該第１の面と対向する第２の面を有するウェハであって、前記第１の面から露出する複数の電極パッドを有している複数の半導体チップがマトリクス状に作り込まれている当該ウェハを準備する工程と、
前記ウェハの前記第２の面に、下地を貼り付ける工程と、
前記ウェハを切断し、かつ前記下地を切断しない程度にダイシングして、第１主表面、該第１主表面と対向する第２主表面、該第１及び第２主表面に挟まれて画成される第１側面部、該第１主表面から露出する複数の電極パッドを具える複数の半導体チップとして個片化する工程と、
前記半導体チップの複数の前記電極パッドの配列の外側の領域に接着材を塗布する工程と、
前記下地の端部を外側に向かって引き伸ばして、隣接する複数の前記半導体チップ同士の間に間隙を形成する工程と、
前記間隙に、前記リードフレームの前記フレーム部を、前記リードの下面を前記半導体チップの前記第１主表面に対向させて挿入し、前記第１主表面と前記リードの下面とを前記接着材で接着する工程と、
前記電極パッド及び前記段差部を、ボンディングワイヤを用いて、電気的に接続する工程と、
前記電極パッド及び前記リードの段差部を、電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記ボンディングワイヤ、前記半導体チップ及び前記段差部を封止する封止部を形成する工程と、
前記フレーム部を切削して、前記突出基部を露出してこれを外部端子とする半導体装置を個片化する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
円形枠状のリングフレーム部、該リングフレーム部からその内側に格子状に延在しているフレーム部、当該フレーム部によりマトリクス状に画成されている複数のチップ搭載領域、及び外部端子部を具えるリードフレームであって、当該外部端子部は、前記フレーム部の厚みと同一の厚みを有していて、前記チップ搭載領域内に突出する複数の柱状の突出基部及び当該突出基部からさらに前記チップ搭載領域内へ突出し、当該突出基部の厚みよりも薄い厚みを有し、かつその先端部の一部分がさらに薄厚とされている段差部を有するリードを具えている前記リードフレームを準備する工程と、
前記外部端子部の厚みよりも薄い厚みであり、かつ第１の面と当該第１の面と対向する第２の面を有するウェハであって、前記第１の面から露出する複数の電極パッドを有している複数の半導体チップがマトリクス状に作り込まれている当該ウェハを準備する工程と、
前記ウェハの前記第２の面に、下地を貼り付ける工程と、
前記ウェハを切断し、かつ前記下地を切断しない程度にダイシングして、第１主表面、該第１主表面と対向する第２主表面、該第１及び第２主表面に挟まれて画成される第１側面部、該第１主表面から露出する複数の電極パッドを具える複数の半導体チップとして個片化する工程と、
前記半導体チップの前記電極パッドの配列の外側の領域に、前記第１及び第２主表面の間に位置して複数の前記電極パッドを囲む第３主表面及び該第３主表面と前記第１主表面に挟まれて画成される第２側面部からなる段部を形成する工程と、
前記下地の端部を外側に向かって引き伸ばして、隣接する複数の前記半導体チップ同士の間に間隙を形成する工程と、
前記半導体チップの前記第３主表面及び前記第１側面部に接着材を塗布する工程と、
前記間隙に、前記リードフレームの前記フレーム部を、前記リードの下面を前記半導体チップの前記第３主表面に対向させて挿入し、前記第３主表面と前記リードの下面とを前記接着材で接着する工程と、
前記電極パッド及び前記段差部を、ボンディングワイヤを用いて、電気的に接続する工程と、
前記ボンディングワイヤ、前記半導体チップ及び前記段差部を封止する封止部を形成する工程と、
前記フレーム部を切削して、前記突出基部を露出してこれを外部端子とする半導体装置を個片化する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体チップの前記段部を形成する工程は、前記ウェハを切断しない程度の深さに、ダイシングラインの延在方向に垂直な方向に幅を持ってまたがる前駆段部を格子状に形成する工程であり、
前記個片化する工程は、前記前駆段部の中央を前記幅よりも小さい幅で、前記ウェハを切断し、かつ前記下地を切断しない程度にダイシングする工程であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導体チップを樹脂封止した樹脂封止型の半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
導体端子が形成されているリードフレーム上で、半導体チップの電極パッドと、導体端子とをボンディングワイヤにより電気的に接続して、これら半導体チップ、ボンディングワイヤ及び導体端子を絶縁体により封止した後、個片化を行う半導体装置、すなわち樹脂封止型半導体装置が知られている。
【０００３】
このような樹脂封止型半導体装置の製造においては、半導体チップが搭載される、複数のダイパッドと、このダイパッドを支持する吊りリードと、半導体チップの電極パッドと接続される金属細線とを１組として、樹脂封止される。
【０００４】
また、リードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置において、多端子化に対応でき、かつ一層の小型化に対応できる半導体装置を提供することを目的とした、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
この従来の半導体装置は、リードフレーム素材よりも薄肉のインナーリードと、インナーリードに一体的に連結したリードフレーム素材と同じ厚さの外部回路と接続するための柱状の端子柱とを有し、かつ、端子柱はインナーリードの外部側においてインナーリードに対して厚み方向に直交し、かつ半導体素子搭載側と反対方向に設けられている。
【０００６】
さらに、端子柱の先端部面には半田等からなる端子部を設け、端子部を封止用樹脂部から露出させ、端子柱の外部側の側面を封止用樹脂部から露出させている。半導体素子は、電極部を有する面がインナーリードに絶縁接着材を介して搭載されて、封止用樹脂により樹脂封止されている。
【特許文献１】特開平９−００８２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
パッケージ化された樹脂封止型半導体装置には、近年の携帯機器の需要の増大に伴う技術の進展により、さらなる薄型化、小型化が要求されている。上述した従来の樹脂封止型半導体装置では、リードフレームの厚みに、搭載される半導体チップの厚みが加重されるためパッケージ化された半導体装置全体としてのさらなる薄型化、小型化を図ることが困難である。
【０００８】
従って、樹脂封止型半導体装置のさらなる小型化、薄型化を可能にする技術の開発が望まれている。
【０００９】
また、上述した従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、リードフレームに予め第１の下地を貼付して封止工程を行い、封止工程終了後に、個片化用の第２の下地を使用して個片化を行う必要がある。
【００１０】
このように、従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法では、手間とコストが余計にかかることから、より簡易な工程で、製造コストを低減することができる樹脂封止型半導体装置の製造方法が嘱望されている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。上述した課題を解決するにあたり、この発明の樹脂封止型半導体装置は、下記のような構成を具えている。
【００１２】
すなわち、半導体装置は、半導体チップを含んでいる。半導体チップは、第１の主表面、この第１主表面と対向する第２主表面、これら第１及び第２主表面に挟まれて画成される第１側面部、この第１主表面から露出する複数の電極パッドを有している。
【００１３】
接着材は、半導体チップの第１側面部に設けられている。
【００１４】
複数の柱状の突出基部は、この接着材により、第１側面部に接着固定されている。
【００１５】
外部端子部は、この突出基部、及び突出基部から第１主表面の上側に、その下面が第１主表面とは離間して突出延在し、かつ先端部の一部分が薄厚とされている段差部を有する短冊状のリードとを有している。
【００１６】
ボンディングワイヤは、電極パッド及び前記リードの段差部を電気的に接続している。
【００１７】
封止部は、ボンディングワイヤ、半導体チップ及び段差部を封止し、かつ段差部を除く外部端子部を露出させて外部端子としている。
【００１８】
また、この発明の半導体装置の製造方法は、主として、下記のような工程を含んでいる。
【００１９】
すなわち、リードフレームを準備する。リードフレームは、円形枠状のリングフレーム部、このリングフレーム部からその内側に格子状に延在しているフレーム部、及びフレーム部によりマトリクス状に画成されている複数のチップ搭載領域を具えている。
【００２０】
加えて、リードフレームは、外部端子部を具えている。外部端子部は、フレーム部の厚みと同一の厚みを有していて、チップ搭載領域内に突出する複数の柱状の突出基部を具えている。さらに外部端子部は、突出基部からさらにチップ搭載領域内へ突出していて、この突出基部の厚みよりも薄い厚みを有し、その先端部の一部分がさらに薄厚とされている段差部を有するリードを具えている。
【００２１】
ウェハを準備する。ウェハは、リードフレームの外部端子部の厚みよりも薄い厚みを有している。ウェハには複数の半導体チップがマトリクス状に作り込まれている。ウェハは、第１の面とこの第１の面と対向する第２の面を有し、かつ第１の面から露出する複数の電極パッドを有している。
【００２２】
ウェハの第２の面に、下地を貼り付ける。このウェハを切断し、かつ下地を切断しない程度にダイシングする。このダイシングにより、複数の半導体チップが個片化される。得られる半導体チップは、ウェハの第１の面であった第１主表面、ウェハの第２の面であった第１主表面と対向する第２主表面、第１及び第２主表面に挟まれて画成される第１側面部、この第１主表面から露出する複数の電極パッドを具えている。
【００２３】
下地の端部を外側に向かって引き伸ばして、下地の面積を拡張する。これにより、隣接する複数の半導体チップ同士の間に間隙を形成する。
【００２４】
生じた間隙に接着材を注入する。
【００２５】
接着材が注入されている間隙に、リードフレームのフレーム部を、リードの下面を半導体チップの第１主表面に対向させて、挿入する。
【００２６】
半導体チップの電極パッド及びリードの段差部を、ボンディングワイヤを用いて、電気的に接続する。
【００２７】
ボンディングワイヤ、半導体チップ及び段差部を封止する封止部を形成する。
【００２８】
フレーム部を切削して、突出基部を露出してこれを外部端子とする半導体装置を個片化する。
【発明の効果】
【００２９】
この発明の半導体装置の構成によれば、リードフレームの厚み範囲内に、半導体チップを納めて封止することができるので、リードフレームの厚みが、実質的に半導体装置の厚みとなる。また、搭載される半導体チップとリードとの間隔も、より狭めることができる。従って、樹脂封止型半導体装置のさらなる小型化及び薄型化を図ることができる。また、外部端子部は、半導体装置の上面、下面、側面のいずれからも露出する構成とすることができるので、実装基板等への半導体装置の実装及び他の半導体装置との電気的な接続がより容易となる。
【００３０】
また、この発明の半導体装置の製造方法によれば、１枚の下地で、ウェハのダイシングから、半導体装置の組立及び個片化工程までを行うことができるので、従来の複数の下地が必要な製造方法と比較して、半導体装置の製造コストをより削減することができる。また、リードフレームへの半導体チップの搭載工程において、複数個の半導体チップをリードフレームの複数のチップ搭載領域に、同時に搭載することができる。従って、簡易な工程で同一構成の半導体装置の大量生産が可能である。これにより、さらなる製造コストの削減が期待できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態につき説明する。なお、図面には、この発明が理解できる程度に各構成成分の形状、大きさ及び配置関係が概略的に示されているに過ぎず、これによりこの発明が特に限定されるものではない。また、以下の説明において、特定の材料、条件及び数値条件等を用いることがあるが、これらは好適例の１つに過ぎず、従って、何らこれらに限定されない。
【００３２】
（第１の実施の形態）
１．半導体装置の構成例
図１及び図２を参照して、この発明の半導体装置の構成例につき説明する。
【００３３】
図１（Ａ）及び（Ｂ）は、この発明の半導体装置の構成例を、上面側からみた、構成要素を説明するための概略的な平面図である。なお、図１（Ａ）においては、構成要素の説明のため、封止部（後述する。）の図示を省略してある。図１（Ｂ）は、半導体装置の構成例を、上面側からみた、概略的な平面図である。
【００３４】
図２（Ａ）は、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、Ａ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。図２（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した部分領域１０ａを拡大して示した要部斜視図である。
【００３５】
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、半導体装置１０は、半導体チップ３０を含んでいる。
【００３６】
半導体チップ３０は、後述する突出基部２３の厚みｔ１よりも薄い厚みｔ２とされている。
【００３７】
この例では、半導体チップ３０は、直方体状の形状を有している。すなわち、半導体チップ３０は、第１主表面３２ａ、この第１主表面３２ａと対向する第２主表面３２ｂ、これら第１及び第２主表面３２ａ及び３２ｂに挟まれて画成される４つの面からなる第１側面部３３ａを有している。
【００３８】
半導体チップ３０は、第１主表面３２ａから露出する複数の電極パッド３４を有している。この例では、電極パッド３４は、矩形状の第１主表面３２ａを構成する各辺の端縁から等距離に離間して沿うように、かつ互いに等間隔に、３個ずつが一列に配列されて設けられている。
【００３９】
接着材４０は、半導体チップ３０の第１側面部３３ａに設けられている。
【００４０】
複数の柱状の突出基部２３は、この接着材４０により、第１側面部３３ａに接着固定されている。すなわち、半導体チップ３０の第１側面部３３ａ及び突出基部２３の間隙は、接着材４０により埋め込まれて接着固定されている。この接着材４０としては、好ましくは、従来公知の絶縁性の液状樹脂を用いるのがよい。
【００４１】
図２に示すように、外部端子部２５は、この突出基部２３を含む構成要素である。
【００４２】
特に、図２（Ｂ）に示すように、外部端子部２５は、半導体装置として個片化されている状態ではその概形が略直方体である柱状とされている。すなわち、柱状の外部端子部２５、すなわち突出基部２３は、半導体チップ３０のこの例では４面存在する第１側面部３３ａの各面に離間して対向し、かつ第１及び第２主表面に対して垂直方向に直立するように、第１側面部３３ａ一面あたり３個ずつの外部端子部２５を等間隔に配置してある。
【００４３】
外部端子部２５それぞれは、厚み（高さ）ｔ１を有している。
【００４４】
突出基部２３からは、リード２４が半導体チップ３０側、すなわちチップ搭載領域２６に突出している。リード２４は、柱状の突出基部２３の延在方向に対して垂直方向であって、第１側面部３３ａのある面から、このある面と対向する対向面に向かう方向に突出延在している。リード２４は、半導体チップ３０の第１主表面３２ａの上側に、その下面２４ｂが第１主表面３２ａとは離間し、かつ第１主表面３２ａに平行にするように突出延在している。
【００４５】
リード２４は、その形状が短冊状とされている。リード２４は、対向する平行な上面及び下面２４ａ及び２４ｂ、及びこれら上面及び下面２４ａ及び２４ｂに挟まれる、すなわち双方向を垂直に連絡する側面２４ｃを有している。これら上面及び下面２４ａ及び２４ｂは、突出基部２３の厚みｔ１内に存在している。すなわち、リード２４は、突出基部２３より薄い厚みを有している。
【００４６】
図２（Ｂ）に詳細に示すように、短冊状のリード２４は、好ましくは、段差部２４ｄを具える構成とするのがよい。段差部２４ｄは、好ましくは、リード２４の先端部２４’の一部分が、一段低くなる段差を有する階段状にさらに薄厚とされることにより設けられている。この例では、段差部２４ｄは、半導体チップ３０側の一側面が開放されている直方体状の窪み（凹部）として、リード２４の先端部２４’に設けてある。
【００４７】
このような段差部２４ｄを形成しておけば、後述するワイヤボンディング工程における位置合わせが容易となる。
【００４８】
なお、外部端子部２５、すなわち、突出基部２３及びリード２４は、後述する半導体装置の製造工程の説明で詳細に説明されるリードフレーム２０の構成要素である。また、詳細は後述するが、リードフレーム２０が、半導体チップ３０を納める領域（空間）として定義されるチップ搭載領域２６を図示してある。
【００４９】
半導体チップ３０は、その第１主表面３２ａを、上述した複数のリード２４の下面２４ｂと対向させてチップ搭載領域２６内に納められている。このとき、半導体チップ３０は、外部端子部２５、すなわちリード２４及び突出基部２３とは非接触とされている。
【００５０】
ボンディングワイヤ５０は、電極パッド３４及びリード２４の段差部２４ｄを、電気的に接続している。
【００５１】
封止部６０は、ボンディングワイヤ５０、半導体チップ３０及び段差部２４ｄを封止している。封止部６０は、段差部２４ｄを除く外部端子部２５を露出させてこれを外部端子としている。
【００５２】
結果として、複数の外部端子部２５は、半導体チップ３０の第１側面部３３ａの周囲、すなわち半導体チップ３０の第１及び第２主表面３２ａ及び３２ｂを除く４つの面に沿って配置されて、設けられている。この例では第１側面部３３ａ一面あたり３個ずつの外部端子部２５が等間隔に配置されて外部端子とされる。
【００５３】
２．半導体装置の製造方法
以下、図３から図１０を参照して、この発明の半導体装置の製造方法例につき説明する。なお、この発明の半導体装置の製造工程は、従来公知の材料を用いて、従来公知の製造工程により形成できる。従って、各製造工程における材料、条件等の詳細な説明は省略する場合もある。
【００５４】
２−１．リードフレームの構造
先ず、図３を参照して、この発明の半導体装置の製造方法に適用して好適なリードフレームの構造について説明する。
【００５５】
図３（Ａ）は、この発明の半導体装置の製造方法に適用して好適なリードフレームの模式的な平面図である。図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の部分領域２０’を拡大して示した要部拡大図であり、図３（Ｃ）は、図３（Ｂ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す概略的な図である。
【００５６】
リードフレーム２０は、好ましくは例えば、銅、銅合金等の一般的な金属材料により形成されている。具体的には、好ましくは、厚みが０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの導体金属板を、従来公知のエッチング工程により、パターニングすることによって、形作られる。さらにリードフレーム２０には、所望によりメッキ処理が施される。好ましくはこの例では全面にパラジウムによるメッキ処理を施したリードフレーム２０を使用するのがよい。このメッキ処理としては、いわゆる外装メッキ工程を行ってもよい。
【００５７】
図３（Ａ）に示すように、リードフレーム２０は、リングフレーム部２１を含んでいる。リングフレーム部２１は、幅ｗ１の円形枠状体である。リードフレーム２０は、リングフレーム部２１からその内側に格子状に延在している、幅ｗ２のフレーム部２２を有している。リードフレーム２０全体の強度を確保するために、好ましくは、幅ｗ１は、幅ｗ２よりも幅広とするのがよい。これらリングフレーム部２１とフレーム部２２は、上述したように導体金属板をパターニングすることにより形成されるので、一体として構成されることとなる。
【００５８】
また、リードフレーム２０は、フレーム部２２によりマトリクス状に画成されている複数のチップ搭載領域２６を具えている。チップ搭載領域２６は、半導体チップを納める領域（空間）である。
【００５９】
図３（Ｂ）及び（Ｃ）にも示すように、チップ搭載領域２６は、フレーム部２２に囲まれて画成される、この例では箱体状の空間である。
【００６０】
複数の外部端子部２５は、チップ搭載領域２６の周囲、すなわち箱体状の空間の上面及び底面を除く、フレーム部２２により囲まれている周囲４面に沿ってチップ搭載領域２６に突出するように配置されて、設けられている。
【００６１】
外部端子部２５は、この例では柱状体とされている。すなわち、柱状の外部端子部２５は、チップ搭載領域２６の周囲４面の各面に沿って、チップ搭載領域２６のフレーム部２２に囲まれていない上面又は下面に対して直立するように、チップ搭載領域２６の周囲４面の一面あたり３個ずつの外部端子部２５を等間隔に配置する例を示してある。
【００６２】
半導体装置１０の上面１０ａ、下面１０ｂ及び側面１０ｃから外部端子部２５の突出基部２３が露出され、これらは外部端子として使用される。
【００６３】
外部端子部２５それぞれは、フレーム部２２と等しい厚み（高さ）、すなわち、リードフレーム２０の表面２０ａから底面２０ｂまでの厚みｔ１を有していて、チップ搭載領域２６内に突出する突出基部２３を含んでいる。突出基部２３は、チップ搭載領域２６のフレーム部２２により囲まれている周囲４面のある面から、このある面と対向する対向面に向かう方向にそれぞれが突出延在している。
【００６４】
外部端子部２５それぞれは、突出基部２３からチップ搭載領域２６内にさらに突出するリード２４を有している。
【００６５】
リード２４は、図１及び図２を参照して既に説明した通りの構造を有している。このリード２４は、突出基部２３より薄い厚みを有している。下面２４ｂから底面２０ｂまでの高さｔ３は、チップ搭載領域２６に納められる半導体チップ３０の厚みｔ２（図２（Ａ）参照。）を考慮して、半導体チップ３０がチップ搭載領域２６内に収まるように決定すればよい。
【００６６】
このリード２４は、銅等の金属薄板に対して、従来公知の任意好適なエッチング工程を行うことにより、任意好適なパターンに形成すればよい。
【００６７】
短冊状のリード２４は、図１及び図２を参照して既に説明した通りの構造を有している段差部２４ｄを具えている。
【００６８】
この段差部２４ｄは、従来公知のいわゆるハーフエッチング工程により形成すればよい。なお、段差部２４ｄの凹部の底面は、ボンディングワイヤがボンディングされるボンディングパッドとなる（詳細は後述する。）。従って、段差部２４ｄの凹部の底面には、好ましくは、例えば銀（Ａｇ）メッキ処理を行っておくのがよい。
【００６９】
上述したリードフレームの構成例は、好適例であり、この発明の目的を損なわない範囲で、これに限定されない。例えば、リード２４の数、形状等は、複数本が互いに接触しない屈曲した形状のパターンであってもよい。
【００７０】
２−２．半導体装置の製造方法
上述した構成を有するリードフレーム２０を使用した半導体装置の製造方法について、図４から図１０を参照して説明する。
【００７１】
図４（Ａ）は、製造途中の半導体装置の概略的な平面図であり、図４（Ｂ）は、製造途中の半導体装置を、図４（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す概略的な要部拡大図である。
【００７２】
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、図４から続く模式的な説明図である。図６（Ａ）及び（Ｂ）は、図５から続く模式的な説明図である。図７（Ａ）〜（Ｃ）は、図６から続く模式的な説明図である。図８（Ａ）及び（Ｂ）は、図７から続く模式的な説明図である。図９（Ａ）及び（Ｂ）は、図８から続く模式的な説明図である。図１０は、図９から続く模式的な説明図である。
【００７３】
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、先ず、所望の所定の機能を発揮すべく設計され、回路素子等が作り込まれた複数の半導体チップ（３０）がマトリクス状に配設されて作り込まれているウェハ７０を準備する。
【００７４】
ウェハ７０は、第１の面７２ａと、この第１の面７２ａと対向する第２の面７２ｂとを有している。
【００７５】
ウェハ７０の厚みｔ２は、図３（Ｃ）に示した高さｔ３よりも小さくする。
【００７６】
ウェハ７０は、第１の面７２ａから露出する複数の電極パッド３４を有している。電極パッド３４は、この例では後述するダイシング工程において、半導体チップ（３０）の端縁となるダイシングラインＬ２に沿って、等間隔に配設されている。
【００７７】
次いで、ウェハ７０の第２の面７２ｂ全面に、下地８０を貼り付ける。この下地８０は、ウェハ７０の径よりも大きな径を有するシート状の部材である。
【００７８】
下地８０としては、好ましくは、ウェハのダイシング工程に一般的に使用される市販の個片化用シート（テープ）を使用するのがよい。
【００７９】
次に、ウェハ７０をダイシングラインＬ２でダイシング（切断）して半導体チップ（３０）として個片化する。このダイシング工程は、従来公知のダイシング装置を使用して行う。このダイシング工程は、ウェハ７０は切断するが下地８０を切断しない程度に、すなわち、下地８０の厚み内でダイシングを止めるようにダイシングする工程とする。
【００８０】
図５（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、かかるダイシング工程により、第１主表面３２ａ、この第１主表面３２ａと対向する第２主表面３２ｂ、第１及び第２主表面３２ａ及び３２ａに挟まれて画成される第１側面部３３ａ、第１主表面３２ａから露出し、第１主表面３２ａの端縁に沿って等間隔に配設されている複数の電極パッド３４を具える複数個の半導体チップ３０が一続きの下地８０上に載置（固定）された状態で個片化される。
【００８１】
次に、下地８０を、図中、白抜き矢印で示す方向、すなわち、下地８０の径の中心部Ｃから放射状に、外側に向かって、好ましくは、下地８０のあらゆる部位の面積が均等な拡張率となるよう引き伸ばす。
【００８２】
この工程は、例えば、従来公知のウェハ用フィルムエキスパンダ等を用いて実施することができる。この工程により、下地８０は、中心部Ｃを中心として、全方向に均一な力で引き伸ばされ、その面積は拡張（展張）される。
【００８３】
下地８０の面積拡張状態を維持することにより、下地８０上に載置されている隣接する複数の半導体チップ３０同士の間に、間隙７６が形成される。
【００８４】
次いで、図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、間隙７６内に、接着材４０を注入する。図において、間隙７６内を埋め込むように接着材４０を注入する例を示したが、例えば、個片化された半導体チップ３０それぞれの第１側面部３３ａに、接着材４０を個別に塗布してもよい。
【００８５】
接着材４０としては、絶縁性接着材が使用される。接着材４０としては、好ましくは、従来公知の絶縁性の液状樹脂を用いるのがよい。
【００８６】
具体的には、例えば絶縁性の液状樹脂である接着材４０を、従来公知のディスペンサ等を用いて、いわゆるディスペンス方式により、間隙７６内に注入（塗布）すればよい。
【００８７】
この工程により、接着材４０を、半導体チップ３０の側面、すなわち第２主表面３３ａを覆うように塗布する。
【００８８】
次に、図７（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、間隙７６に、既に説明した構成を有するリードフレーム２０のフレーム部２２を、リード２４の下面２４ｂを半導体チップ３０の第１主表面３２ａに対向させて、かつ半導体チップ３０の第２主表面３３ａがリードフレーム２０に接触しないように挿入する。このとき、注入されている接着材４０は、まだ硬化されていない状態である。
【００８９】
さらに、従来公知の図示しないローラ等を用いて、リードフレーム２０の表面２０ａを、図７（Ｃ）に示す白抜き矢印方向に押圧する。これによりリードフレーム２０を、その底面２０ｂが下地８０に確実に接触するまで押し込む。この状態で、選択された接着材４０に適切な処理、例えば、接着剤４０が熱硬化性樹脂である場合には、適切な温度での加熱処理を行って、個片化された複数の半導体チップ３０がリードフレーム２０とは絶縁された状態で接合された構造体を得る。
【００９０】
次に、図８（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、半導体チップ３０の電極パッド３４及びリード２４の段差部２４ｄを、ボンディングワイヤ５０を用いて、電気的に接続する。
【００９１】
このボンディング工程は、従来公知のボンディング装置を用いて、例えば、従来公知の熱圧着法、超音波熱圧着法により、金属細線（ボンディングワイヤ）をボンディングすることにより行う。このとき、１本のボンディングワイヤ５０は、１個の電極パッド３４と、１つのリード２４とを１対１の対応関係で接続する。
【００９２】
次いで、図９（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、ボンディングワイヤ５０、半導体チップ３０及び段差部２４ｄを封止する封止部６０を形成する。
【００９３】
この封止工程は、例えば、従来公知のトランスファモールド工程として行うことができる。
【００９４】
かかる封止工程は、周知の技術であるので図示は省略するが、簡単に説明すると、まず、金型のキャビティ内に、下地８０、複数個の半導体チップ３０、リードフレーム２０が接着材４０により一体として組み立てられた構造体を格納する。次に、キャビティ内に溶融した封止樹脂を供給し、この封止樹脂を硬化処理することにより行われる。ただし、この封止工程は、金型をリードフレーム２０の表面２０ａに接触させて、表面２０ａが封止部６０に覆われないように行われる。この封止工程により、外部端子部２５と半導体チップ３０との隙間は、埋め込まれて封止される。
【００９５】
然る後、半導体装置１０を個片化する。この個片化工程は、図９（Ａ）及び（Ｂ）に示すスクライブラインＬ１に沿って、リードフレーム２０のフレーム部２２を切削することにより行われる。この個片化工程は、従来公知のダイシング装置を使用して、ブレードの刃幅を、フレーム部２２が切削され、かつ突出基部２３を残存させる程度の刃幅としてこれを行う。切削終了後に下地８０を半導体装置１０から剥離する。
【００９６】
図１０に示すように、この個片化工程により、同一構成の複数の半導体装置１０を得ることができる。この個片化工程により得られる半導体装置１０の上面１０ａ、下面１０ｂ及び側面１０ｃからは、リードフレーム（２０）の一部であった外部端子部２５の突出基部２３が露出していて、これらは外部端子として使用される。
【００９７】
（第２の実施の形態）
１．半導体装置の構成例
図１１を参照して、この発明の半導体装置の別の構成例につき説明する。
【００９８】
この第２の実施の形態の半導体装置は、第１の実施の形態の構成と比較すると、接着材を設ける位置に特徴を有している。この接着材の位置以外の構成については第１の実施の形態の半導体装置と何ら変わるところがない。従って、第１の実施の形態と共通の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略する。なお、半導体装置を上面側からみた平面図については、図１と同様であるのでその図示は省略する。
【００９９】
図１１は、この実施の形態の半導体装置を、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、Ａ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。
【０１００】
図１１に示すように、半導体装置１０は、半導体チップ３０を含んでいる。
【０１０１】
接着材４０は、半導体チップ３０の第１主表面３２ａのうち、複数の電極パッド３４の配列より外側から半導体チップ３０の端縁まで至る外側領域３２ａａに設けられている。
【０１０２】
従って、リード２４の下面２４ｂは、外側領域３２ａａ上に、接着材４０によって接着固定される。このとき、半導体チップ３０は、外部端子部２５、すなわちリード２４及び突出基部２３とは非接触とされている。
【０１０３】
封止部６０は、ボンディングワイヤ５０、半導体チップ３０及び段差部２４ｄを封止している。封止部６０は、段差部２４ｄを除く外部端子部２５を露出させてこれを外部端子としている。また、この例では、封止部６０は、外部端子部２５と半導体チップ３０との隙間を埋め込んで、半導体チップ３０の側面、すなわち第１側面部３３ａを覆うように設けられている。
【０１０４】
このような第２の実施の形態の半導体装置の構成例によれば、既に説明した第１の実施の形態の半導体装置の構成例により得られる効果と同様の効果を得ることができる。
【０１０５】
２．半導体装置の製造方法
第２の実施の形態の半導体装置の製造工程は、接着材の塗布工程以外には、既に説明した第１の実施の形態の製造工程と何ら変わるところがない。従って、この塗布工程のみ説明する。
【０１０６】
第１の実施の形態と同様に、間隙７６の形成工程までを実施する。
【０１０７】
然る後、接着材４０の塗布工程を行う。接着材４０としては、第１の実施の形態と同様に、従来公知の絶縁性の液状樹脂を用いるのがよい。
【０１０８】
図１１に示すように、絶縁性の液状樹脂である接着材４０は、従来公知のディスペンサ等を用いて、例えば、いわゆるディスペンス方式により、上述した半導体チップ３０の外側領域３２ａａ上に塗布（注入）すればよい。
【０１０９】
この工程により、接着材４０は、半導体チップ３０の外側領域３２ａａ上を覆うように塗布される。
【０１１０】
次いで、第１の実施の形態と同様に、リードフレーム２０を間隙７６（図７（Ｃ）参照。）に挿入して、リード２４の下面２４ｂと外側領域３２ａａとを互いに離間した状態を保ちつつ、接着材４０により接着固定する。
【０１１１】
以下、第１の実施の形態と同様に、個片化工程までを行って、図１１を用いて既に説明した構成を有する複数の半導体装置１０を得ることができる。
【０１１２】
この第２の実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、接着材の使用量をより減ずることができる。従って、第１の実施の形態と比較して、さらなる製造コストの削減が期待できる。
【０１１３】
また、ワイヤボンディング工程を行うときに、リード２４の下面２４ｂは、接着材４０により半導体チップ３０に固定されているので、例えば超音波熱圧着工程において、応力によるリード２４の変形を防止しつつ、より大きな応力を加えるボンディング工程とすることができる。従って、ボンディングワイヤによる接合を、より強固かつ確実なものとすることができる。結果として、製造される半導体装置の歩留まりの向上が期待できる。
【０１１４】
（第３の実施の形態）
１．半導体装置の構成例
図１２を参照して、この発明の半導体装置のさらに別の構成例につき説明する。
【０１１５】
この第３の実施の形態の半導体装置は、搭載される半導体チップの形状に特徴を有している。この半導体チップの構成以外の構成要素については第１及び第２の実施の形態の半導体装置と実質的に変わるところがない。従って、第１及び第２の実施の形態と共通の構成要素については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。なお、半導体装置を上面側からみた平面図については、図１と同様であるのでその図示は省略する。
【０１１６】
図１２は、この実施の形態の半導体装置を、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、Ａ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。
【０１１７】
この例の半導体装置１０が含む半導体チップ３０は、第１主表面３２ａから露出する複数の電極パッド３４の配列の外側から半導体チップ３０の端縁までの外側領域３２ａａに、階段ピラミッド状の段部３５を有している。
【０１１８】
すなわち、段部３５は、第１主表面３２ａ及び第２主表面３２ｂの間に位置するように設けられている。段部３５は、半導体チップ３０を上面側からみたときに、第１主表面３２ａの端縁に沿って設けられている複数の電極パッド３４の配列を囲むように設けられている。
【０１１９】
段部３５は、第３主表面３２ｃ及びこの第３主表面３２ｃと第１主表面３２ａに挟まれて画成される第２側面部３３ｂを含んでいる。この例では、第３主表面３２ｃと第２側面部３３ｂとは、互いに垂直に交差する方向に延在している。
【０１２０】
この構成例のリードフレーム２０のリード２４は、その厚みを段部３５の高さに合わせて最適化する。具体的には、リード２４の上面２４ａ（図１（Ａ）参照。）を、半導体チップ３０の電極パッド３４より高い位置に位置させる。また、半導体チップ３０と外部端子部２５、すなわちリード２４及び突出端部２３との接着材４０を介する接合を考慮して、半導体チップ３０の第３主表面３２ｃ及びリード２４の下面２４ｂ、並びにリード２４の先端部２４’及び半導体チップ３０の第２側面部３３ｂを、離間させつつもできる限り近接させることができるようリード２４の厚みｔ４を設定する。
【０１２１】
接着材４０は、半導体チップ３０の第３主表面３２ｃ及びリード２４の下面２４ｂに設けられている。加えて、接着材４０は、半導体チップ３０の第１側面部３３ａ及び突出基部２３の間に生ずる間隙を埋め込んで、外部端子部２５、すなわち、突出基部２３及びリード２４と半導体チップ３０とを互いに接着固定している。
【０１２２】
この第３の実施の形態の半導体装置の構成によれば、第１の実施の形態の構成と比較して、半導体チップ３０と外部端子部２５との接合強度をより高めることができる。
【０１２３】
２．半導体装置の製造方法
図１３〜図１５を参照して、第３の実施の形態の半導体装置の製造工程につき説明する。
【０１２４】
図１３（Ａ）は、製造途中の半導体装置の概略的な平面図であり、図１３（Ｂ）は、製造途中の半導体装置を、図１３（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す概略的な要部拡大図である。
【０１２５】
図１４（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図１３（Ｂ）から続く模式的な説明図である。図１５（Ａ）及び（Ｂ）は、図１４から続く模式的な説明図である。
【０１２６】
この実施の形態の半導体装置の製造工程は、半導体チップの個片化工程及び接着材の塗布工程以外には、既に説明した第１の実施の形態の製造工程と何ら変わるところがない。従って、これらの工程以外の詳細な説明は省略する。
【０１２７】
まず、リードフレーム２０を準備する（図示せず。）。この例のリードフレーム２０は、リード２４の厚みｔ４に特徴を有している（図１２参照。）。リードフレーム２０は、リード２４を含む外部端子部２５を具えている。リード２４の厚みｔ４は、図１２を参照して説明した半導体チップ３０の段部３５の形状及びサイズを勘案して、任意好適な厚みとされる。
【０１２８】
図１３（Ｂ）に示すように、第１の実施の形態と同様にして、ウェハ７０の第２の面７２ｂに、下地８０を貼り付ける。
【０１２９】
次いで、ウェハ７０の第１の面７２ａ側に、前駆段部３５Ｘを形成する。この前駆段部３５Ｘは、ウェハ７０が個片化されて半導体チップ３０とされたときに、段部３５となる（図１２参照）。すなわち、段部３５の形成工程は、以下に説明するように、例えば、２段階の切削（ダイシング）工程を含んでいる。
【０１３０】
図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、まず、ダイシングラインＬ２に沿って第１段階の切削工程を行う。この切削工程により、ウェハ７０を切断しない深さであって、半導体チップ３０と接着されるリードフレームに所定の形状、すなわち幅及び深さを有する前駆段部３５Ｘを、ダイシングラインＬ２の延在方向に垂直な方向に幅を持ってまたがる格子状に形成する。前駆段部３５Ｘの幅及び深さは、半導体チップの機能を損なわないことを条件として、決定される。
【０１３１】
次に、ダイシングラインＬ２に沿って、第２段階の切削工程を行う。この切削（ダイシング）工程は、ウェハ７０は切断され、かつ下地８０は切断されない程度に行われる。
【０１３２】
この第２段階の切削工程により、ウェハ７０から複数個の半導体チップ３０が個片化される。
【０１３３】
図１４（Ａ）に示すように、個片化された半導体チップ３０は、第１主表面３２ａから露出する複数の電極パッド３４の配列より外側の領域である外側領域３２ａａに、電極パッド３４を囲むように、段部３５を有することとなる。より具体的には、この段部３５は、第１及び第２主表面３２ａ及び３２ｂの間に位置して第３主表面３２ｃ及びこの第３主表面３２ｃと第１主表面３２ａに挟まれて、第３主表面３２ｃと直交する第２側面部３３ｂを含んでいる。
【０１３４】
この第１段階及び第２段階の切削工程は、好ましくは、例えば、従来公知のダイシング装置を使用して行うのがよい。すなわち、第１段階の切削工程は、ウェハ７０の厚みよりも小さい高さ範囲で切削を行う、ウェハ７０をいわゆるハーフカットする工程とすればよい。第１段階の切削工程のブレードと第２段階の切削工程のブレードとは、互いに異なる刃幅のブレードが使用される。すなわち、第１段階の切削工程において使用されるブレードの刃幅は、第２段階の切削工程で使用されるブレードの刃幅よりも幅広とされる。第２段階の切削工程で使用されるブレードは、先に形成された前駆段部３５Ｘの幅の中央をより小さい幅で、ダイシングするブレードである。
【０１３５】
次いで、図１４（Ａ）に示すように、第１の実施の形態と同様にして、下地８０の端部を外側に向かって引き伸ばして、個片化された隣接する複数の半導体チップ３０同士の間に間隙７６を形成する。
【０１３６】
段部３５の形成は、上述した第１段階の切削工程と第２段階の切削工程を入れ換えて行うこともできる。すなわち、まず、第１の実施の形態と同様に、半導体チップ３０の個片化を行った後に、刃幅がより幅広のブレードを用いて、個片化された半導体チップ３０それぞれに、段部３５を形成することができる。
【０１３７】
次に、図１４（Ｂ）に示すように、半導体チップ３０の第３主表面３２ｃ及び第１側面部３３ａに、第１の実施の形態と同様のディスペンス法により、接着材４０を塗布する。
【０１３８】
さらに、図１４（Ｃ）に示すように、第１の実施の形態と同様にして、間隙７６に、リードフレーム２０のフレーム部２２を、挿入し、図示しないローラ等を使用してリードフレーム２０を押圧する。これにより、リード２４の下面２４ｂを半導体チップ３０の第３主表面３２ｃに対向させて、第３主表面３２ｃとリードの下面２４ｂとを接着材４０で接着する。
【０１３９】
次に、図１５（Ａ）に示すように、電極パッド３４及び段差部２４ｄを、ボンディングワイヤ５０を用いて、電気的に接続する。
【０１４０】
ボンディングワイヤ５０、半導体チップ３０及び段差部２４ｄを封止する封止部６０を形成する。このとき封止部６０は、外部端子部２５と半導体チップ３０との隙間を埋め込んで、すなわち、第２側面部３３ｂを覆うように形成される。
【０１４１】
然る後、図１５（Ｂ）に示すように、スクライブラインＬ１に沿って、フレーム部２２を切削して、個片化を行う。さらに、下地８０を剥離する。
【０１４２】
以上の工程により、突出基部２３を露出してこれを外部端子とする複数の半導体装置１０を得ることができる。
【０１４３】
第３の実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、ワイヤボンディング工程を行うときに、リード２４は接着材４０により半導体チップ３０に固定されているので、例えば超音波熱圧着工程において、応力によるリード２４の変形を防止しつつ、より大きな応力を加えるボンディング工程とすることができる。従って、ボンディングワイヤによる接合を、より強固かつ確実なものとすることができる。結果として、製造される半導体装置の歩留まりの向上が期待できる。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】（Ａ）及び（Ｂ）は、半導体装置を、上面側からみた、構成要素を説明するための概略的な平面図である。
【図２】（Ａ）は、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、Ａ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図であり、（Ｂ）は、図１（Ａ）に示した部分領域１０ａを拡大して示した要部斜視図である。
【図３】（Ａ）は、この発明の半導体装置の製造方法に適用して好適なリードフレームの模式的な平面図である。（Ｂ）は、（Ａ）の部分領域２０’を拡大して示した要部拡大図であり、（Ｃ）は、（Ｂ）のＡ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す概略的な図である。
【図４】（Ａ）は、製造途中の半導体装置の概略的な平面図であり、（Ｂ）は、製造途中の半導体装置を、（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す概略的な要部拡大図である。
【図５】（Ａ）及び（Ｂ）は、図４から続く模式的な説明図である。
【図６】（Ａ）及び（Ｂ）は、図５から続く模式的な説明図である。
【図７】（Ａ）〜（Ｃ）は、図６から続く模式的な説明図である。
【図８】（Ａ）及び（Ｂ）は、図７から続く模式的な説明図である。
【図９】（Ａ）及び（Ｂ）は、図８から続く模式的な説明図である。
【図１０】図９から続く模式的な説明図である。
【図１１】半導体装置を、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、Ａ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。
【図１２】半導体装置を、図１（Ａ）及び（Ｂ）において、Ａ−Ａ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す模式的な図である。
【図１３】（Ａ）は、製造途中の半導体装置の概略的な平面図であり、（Ｂ）は、製造途中の半導体装置を、（Ａ）のＢ−Ｂ’で示した一点鎖線で切断した切り口を示す概略的な要部拡大図である。
【図１４】（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、図１３から続く模式的な説明図である。
【図１５】（Ａ）及び（Ｂ）は、図１４から続く模式的な説明図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１０：半導体装置
１０ａ、２０’：部分領域
２０：リードフレーム
２０’：部分領域
２０ａ：表面
２０ｂ：底面
２１：リングフレーム部
２２：フレーム部
２３：突出基部
２４：リード
２４’：先端部
２４ａ：上面
２４ｂ：下面
２４ｃ：側面
２４ｄ：段差部
２５：外部端子部
２６：チップ搭載領域
３０：半導体チップ
３２ａ：第１主表面
３２ａａ：外側領域
３２ｂ：第２主表面
３２ｃ：第３主表面
３３ａ：第１側面部
３３ｂ：第２側面部
３４：電極パッド
３５：段部
３５Ｘ：前駆段部
４０：接着材
５０：ボンディングワイヤ
６０：封止部
７０：ウェハ
７２ａ：第１の面
７２ｂ：第２の面
７６：間隙
８０：下地
【図１】
2006228975.tif 000003
【図２】
2006228975.tif 000004
【図３】
2006228975.tif 000005
【図４】
2006228975.tif 000006
【図５】
2006228975.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006228975.tif 000009
【図８】
2006228975.tif 000010
【図９】
2006228975.tif 000011
【図１０】
2006228975.tif 000012
【図１１】
2006228975.tif 000013
【図１２】
2006228975.tif 000014
【図１３】
2006228975.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2006228975.tif 000017