(57)【要約】【課題】低コストかつ最小の部品点数によって十分な精度の定電流垂下特性を実現することができるスイッチング電源装置を提供する。【解決手段】２次デューティ制限回路１２は、スイッチング素子１のターンオフのタイミングからトランス１１０の２次巻線１１０Ｂに流れ始める２次電流のオンデューティを所定値で一定にするタイミングでクロック信号ｓｅｔ＿２を出力する。負荷１３２が重くなり２次電流のオンデューティが所定値に達すると、クロック信号選択回路１３はクロック信号ｓｅｔ＿２を選択して出力する。その結果、出力電圧ＶＯが低下し、出力特性が定電流垂下特性となる。またこの時、ドレイン電流制御回路５は、スイッチング素子１のターンオフを決める信号を、素子電流検出信号ＶＣＬの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴに達すると出力するので、２次電流のピーク電流が一定値で維持される。【選択図】図１
2006014573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次巻線と２次巻線と補助巻線とを有するトランスと、
前記１次巻線に入力される第１の直流電圧をスイッチング動作によってスイッチング制御するスイッチング素子と、
前記スイッチング素子のスイッチング動作によって前記２次巻線に発生する２次側交流電圧を整流し且つ平滑化して、出力電圧として第２の直流電圧を生成する出力電圧生成部と、
前記スイッチング素子のスイッチング動作によって前記補助巻線に発生する補助側交流電圧を整流し且つ平滑化して、前記出力電圧に比例する補助電源電圧を生成する補助電源部と、
前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御回路と、
を備え、前記制御回路は、前記スイッチング素子がターンオフしてから前記２次巻線に流れ始める２次電流のオンデューティが所定値に達した場合、その所定値で前記２次電流のオンデューティが維持されるとともに、前記２次電流のピーク電流値が一定値で維持されるように前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御することを特徴とするスイッチング電源装置。
【請求項２】
請求項１記載のスイッチング電源装置であって、
前記制御回路は、
前記第１の直流電圧に基づく電流と前記補助電源電圧に基づく電流の一方を内部回路用電源へ供給して前記内部回路用電源の電圧を一定値にするレギュレータと、
前記補助電源電圧と安定化用基準電圧との差から誤差電圧信号を生成する誤差増幅器と、
前記スイッチング素子に流れる電流を検出してその電流値に応じた電圧信号である素子電流検出信号を出力する素子電流検出回路と、
前記スイッチング素子のターンオンを決める一定周期の第１のクロック信号を出力する発振器と、
前記素子電流検出信号の電圧が前記誤差電圧信号の電圧と過電流保護基準電圧のうちの低い方の電圧に達すると、前記スイッチング素子のターンオフを決める信号を出力する素子電流制御回路と、
前記誤差電圧信号の電圧が前記過電流保護基準電圧を越えた差分に応じて前記第１のクロック信号の周期を短くする発振周波数調整回路と、
前記補助側交流電圧を基に前記２次電流が流れ終わるタイミングを検出する２次電流オフ検出回路と、
前記スイッチング素子のターンオフのタイミングから前記２次電流が流れ終わるタイミングまでの期間を検出して、前記２次電流のオンデューティが前記所定値になるように前記スイッチング素子のターンオンを決める一定周期の第２のクロック信号を出力する２次デューティ制限回路と、
前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号を入力とし、前記２次電流のオンデューティが前記所定値に達していない場合は前記第１のクロック信号を出力し、前記所定値に達している場合は前記第２のクロック信号を出力するクロック信号選択回路と、
前記クロック信号選択回路から前記第１もしくは第２のクロック信号が入力されるとセット状態となり、前記素子電流制御回路から前記スイッチング素子のターンオフを決める信号が入力されるとリセット状態となるフリップフロップ回路を含み、前記フリップフロップ回路の状態に応じて前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御するスイッチング制御回路と、
を具備し、前記２次電流のオンデューティが前記所定値に達した場合、前記クロック信号選択回路により前記第２のクロック信号を選択して前記２次電流のオンデューティを前記所定値で維持するとともに、前記素子電流制御回路により前記スイッチング素子のターンオフを決める信号を前記素子電流検出信号の電圧が前記過電流保護基準電圧に達すると出力して前記２次電流のピーク電流値を一定値で維持することを特徴とするスイッチング電源装置。
【請求項３】
前記クロック信号選択回路は、前記発振器からの第１のクロック信号と前記２次デューティ制限回路からの前記第２のクロック信号を入力し、いずれか一方の周期の長いほうのクロック信号を出力することを特徴とする請求項２記載のスイッチング電源装置。
【請求項４】
前記２次デューティ制限回路は、前記２次電流のオンデューティが５０％程度になるように前記第２のクロック信号を出力することを特徴とする請求項２もしくは３のいずれかに記載のスイッチング電源装置。
【請求項５】
前記レギュレータは、
前記スイッチング素子のスイッチング動作開始前には、前記第１の直流電圧に基づく電流を前記内部回路用電源へ供給するとともに前記補助電源部へも供給し、
前記スイッチング素子のスイッチング動作開始後には、前記補助電源部への電流の供給を停止し、前記補助電源電圧が一定値を下回ると前記第１の直流電圧に基づく電流を前記内部回路用電源へ供給し、前記補助電源電圧が一定値以上になると前記補助電源電圧に基づく電流を前記内部回路用電源へ供給する
ことを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載のスイッチング電源装置。
【請求項６】
請求項２ないし５のいずれかに記載のスイッチング電源装置であって、
前記制御回路は、
第１の基準電圧と前記第１の基準電圧よりも高電位の第２の基準電圧が設定され、前記誤差電圧信号の電圧が低下して前記第１の基準電圧に達すると、その出力電圧を前記第１の基準電圧から前記第２の基準電圧へ切り替え、前記誤差電圧信号の電圧が上昇して前記第２の基準電圧に達すると、その出力電圧を前記第２の基準電圧から前記第１の基準電圧に切り替える軽負荷用基準電圧源と、
前記誤差電圧信号の電圧と前記軽負荷用基準電圧源の出力電圧を比較する軽負荷用コンパレータと、
前記軽負荷用コンパレータによる比較結果を受け、前記誤差電圧信号の電圧が低下して前記第１の基準電圧に達すると前記クロック信号選択回路から前記フリップフロップ回路への前記第１もしくは第２のクロック信号の出力を停止させ、前記誤差電圧信号の電圧が上昇して前記第２の基準電圧に達すると前記クロック信号選択回路から前記フリップフロップ回路への前記第１もしくは第２のクロック信号の出力を再開させるクロック信号制御回路と、
により構成された軽負荷間欠発振制御回路を具備することを特徴とするスイッチング電源装置。
【請求項７】
前記第１の基準電圧は、前記過電流保護基準電圧の１５％程度であり、前記第２の基準電圧は、前記過電流保護基準電圧の２０％程度であることを特徴とする請求項６記載のスイッチング電源装置。
【請求項８】
請求項２ないし７のいずれかに記載のスイッチング電源装置であって、前記制御回路は、前記補助電源電圧が設定値より小さくなると、その差に応じて前記過電流保護基準電圧を小さくする過電流保護基準電圧調整回路を備えることを特徴とするスイッチング電源装置。
【請求項９】
前記過電流保護基準電圧調整回路に設定された前記設定値は、前記安定化用基準電圧の３０％程度に設定されていることを特徴とする請求項８記載のスイッチング電源装置。
【請求項１０】
前記過電流保護基準電圧調整回路は、前記過電流保護基準電圧をその最小値が２０％程度になるように調整することを特徴とする請求項８記載のスイッチング電源装置。
【請求項１１】
前記スイッチング素子と前記制御回路は、同一半導体基板上に形成され、前記第１の直流電圧と前記スイッチング素子間の２つの接続端子と、前記制御回路と前記補助電源電圧間の接続端子と、前記２次電流オフ検出回路の入力端子と、を有する半導体装置として構成されることを特徴とする請求項２ないし１０のいずれかに記載のスイッチング電源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、出力特性として定電流垂下特性を持つスイッチング電源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、例えば充電器用の電源装置として、定電流垂下特性を有するスイッチング電源装置が必要であった。すなわち、従来は、定電流垂下特性を利用してバッテリー等を定電流で充電するために、例えばスイッチング電源装置の２次側に、出力電流を検出するための抵抗である出力電流検出抵抗と、この出力電流検出抵抗に流れる電流を一定に制御するための定電流制御回路と、この定電流制御回路の信号を１次側へ伝達するためのフォトカプラとを設け、出力電流が一定値以上になったときに定電流制御回路が働くように構成して、定電流垂下特性を実現していた。
【０００３】
しかし、この２次側に出力電流検出抵抗と定電流制御回路とフォトカプラを設ける従来の手法では、高精度な定電流垂下特性を実現できるものの、定電流制御回路やフォトカプラは高価であり、また定電流制御回路やフォトカプラを使用すると部品点数も多くなることから、スイッチング電源装置の小型化や低コスト化の妨げとなっていた。また、出力電流検出抵抗や、定電流制御回路、フォトカプラによる電力ロスも発生することから、省エネ化、高効率化の妨げともなっていた。
【０００４】
一方、スイッチング電源装置の２次側の出力電圧が単数あるいは複数の決められた出力電圧まで低下したときに１次側の過電流保護検出レベルを低下させることにより、短絡等の過負荷時に出力電流が過大とならないように垂下特性を改善する手法が従来より提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
しかしながら、この従来の垂下特性を改善する手法は、出力電圧の低下に合わせて１次側の過電流保護検出レベルを低下させることで、過負荷時にピーク出力電流を制限して、スイッチング電源装置を短絡等の重度の過負荷から安全に保護することを目的としており、出力電圧垂下時の出力電流を、定電流垂下特性を実現するほどには制御できないので、この手法で垂下特性を改善したスイッチング電源装置は、充電器としては使用できなかった。また、１次側の過電流保護検出レベルでピーク出力電流に制限をかけながら出力電圧を垂下させる場合、垂下特性に、発振周波数のばらつき、トランスのインダクタンスのばらつきが影響してくるため、垂下特性にトータルで非常に大きなばらつきが生じ、定電流垂下特性を実現することは非常に困難であった。
【０００６】
また、一方では、過負荷時にスイッチング素子に流れる電流が１次側の過電流保護検出レベルに達した後、発振周波数を低下させることにより、定電流垂下特性を実現する手法が従来より提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
しかしながら、この従来の定電流垂下特性を実現する手法も、垂下特性に、発振周波数のばらつき、トランスのインダクタンスのばらつきが影響してくるため、垂下特性にトータルで非常に大きなばらつきが生じ、定電流垂下特性を実現することは非常に困難であった。
【特許文献１】特開平６−１４９３９６号公報
【特許文献２】特開２００２−３００７７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑み、スイッチング素子のターンオフのタイミングから２次巻線に流れ始める２次電流のオンデューティが所定値に達した場合、その所定値で２次電流のオンデューティが維持されるとともに、２次電流のピーク電流値が一定値で維持されるようにスイッチング素子のスイッチング動作を制御することにより、定電流制御回路や、フォトカプラ、出力電流検出抵抗を不要にでき、さらに、その垂下特性に発振周波数のばらつき、トランスのインダクタンスのばらつきが影響せず、低コストかつ最小の部品点数によって十分な精度の定電流垂下特性を実現することができるスイッチング電源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の請求項１記載のスイッチング電源装置は、１次巻線と２次巻線と補助巻線とを有するトランスと、前記１次巻線に入力される第１の直流電圧をスイッチング動作によってスイッチング制御するスイッチング素子と、前記スイッチング素子のスイッチング動作によって前記２次巻線に発生する２次側交流電圧を整流し且つ平滑化して、出力電圧として第２の直流電圧を生成する出力電圧生成部と、前記スイッチング素子のスイッチング動作によって前記補助巻線に発生する補助側交流電圧を整流し且つ平滑化して、前記出力電圧に比例する補助電源電圧を生成する補助電源部と、前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御する制御回路と、を備え、前記制御回路は、前記スイッチング素子がターンオフしてから前記２次巻線に流れ始める２次電流のオンデューティが所定値に達した場合、その所定値で前記２次電流のオンデューティが維持されるとともに、前記２次電流のピーク電流値が一定値で維持されるように前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の請求項２記載のスイッチング電源装置は、請求項１記載のスイッチング電源装置であって、前記制御回路は、前記第１の直流電圧に基づく電流と前記補助電源電圧に基づく電流の一方を内部回路用電源へ供給して前記内部回路用電源の電圧を一定値にするレギュレータと、前記補助電源電圧と安定化用基準電圧との差から誤差電圧信号を生成する誤差増幅器と、前記スイッチング素子に流れる電流を検出してその電流値に応じた電圧信号である素子電流検出信号を出力する素子電流検出回路と、前記スイッチング素子のターンオンを決める一定周期の第１のクロック信号を出力する発振器と、前記素子電流検出信号の電圧が前記誤差電圧信号の電圧と過電流保護基準電圧のうちの低い方の電圧に達すると、前記スイッチング素子のターンオフを決める信号を出力する素子電流制御回路と、前記誤差電圧信号の電圧が前記過電流保護基準電圧を越えた差分に応じて前記第１のクロック信号の周期を短くする発振周波数調整回路と、前記補助側交流電圧を基に前記２次電流が流れ終わるタイミングを検出する２次電流オフ検出回路と、前記スイッチング素子のターンオフのタイミングから前記２次電流が流れ終わるタイミングまでの期間を検出して、前記２次電流のオンデューティが前記所定値になるように前記スイッチング素子のターンオンを決める一定周期の第２のクロック信号を出力する２次デューティ制限回路と、前記第１のクロック信号と前記第２のクロック信号を入力とし、前記２次電流のオンデューティが前記所定値に達していない場合は前記第１のクロック信号を出力し、前記所定値に達している場合は前記第２のクロック信号を出力するクロック信号選択回路と、前記クロック信号選択回路から前記第１もしくは第２のクロック信号が入力されるとセット状態となり、前記素子電流制御回路から前記スイッチング素子のターンオフを決める信号が入力されるとリセット状態となるフリップフロップ回路を含み、前記フリップフロップ回路の状態に応じて前記スイッチング素子のスイッチング動作を制御するスイッチング制御回路と、を具備し、前記２次電流のオンデューティが前記所定値に達した場合、前記クロック信号選択回路により前記第２のクロック信号を選択して前記２次電流のオンデューティを前記所定値で維持するとともに、前記素子電流制御回路により前記スイッチング素子のターンオフを決める信号を前記素子電流検出信号の電圧が前記過電流保護基準電圧に達すると出力して前記２次電流のピーク電流値を一定値で維持することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項３記載のスイッチング電源装置は、請求項２記載のスイッチング電源装置であって、前記クロック信号選択回路は、前記発振器からの第１のクロック信号と前記２次デューティ制限回路からの前記第２のクロック信号を入力し、いずれか一方の周期の長いほうのクロック信号を出力することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項４記載のスイッチング電源装置は、請求項２もしくは３のいずれかに記載のスイッチング電源装置であって、前記２次デューティ制限回路は、前記２次電流のオンデューティが５０％程度になるように前記第２のクロック信号を出力することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項５記載のスイッチング電源装置は、請求項２ないし４のいずれかに記載のスイッチング電源装置であって、前記レギュレータは、前記スイッチング素子のスイッチング動作開始前には、前記第１の直流電圧に基づく電流を前記内部回路用電源へ供給するとともに前記補助電源部へも供給し、前記スイッチング素子のスイッチング動作開始後には、前記補助電源部への電流の供給を停止し、前記補助電源電圧が一定値を下回ると前記第１の直流電圧に基づく電流を前記内部回路用電源へ供給し、前記補助電源電圧が一定値以上になると前記補助電源電圧に基づく電流を前記内部回路用電源へ供給することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項６記載のスイッチング電源装置は、請求項２ないし５のいずれかに記載のスイッチング電源装置であって、前記制御回路は、第１の基準電圧と前記第１の基準電圧よりも高電位の第２の基準電圧が設定され、前記誤差電圧信号の電圧が低下して前記第１の基準電圧に達すると、その出力電圧を前記第１の基準電圧から前記第２の基準電圧へ切り替え、前記誤差電圧信号の電圧が上昇して前記第２の基準電圧に達すると、その出力電圧を前記第２の基準電圧から前記第１の基準電圧に切り替える軽負荷用基準電圧源と、前記誤差電圧信号の電圧と前記軽負荷用基準電圧源の出力電圧を比較する軽負荷用コンパレータと、前記軽負荷用コンパレータによる比較結果を受け、前記誤差電圧信号の電圧が低下して前記第１の基準電圧に達すると前記クロック信号選択回路から前記フリップフロップ回路への前記第１もしくは第２のクロック信号の出力を停止させ、前記誤差電圧信号の電圧が上昇して前記第２の基準電圧に達すると前記クロック信号選択回路から前記フリップフロップ回路への前記第１もしくは第２のクロック信号の出力を再開させるクロック信号制御回路と、により構成された軽負荷間欠発振制御回路を具備することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項７記載のスイッチング電源装置は、請求項６記載のスイッチング電源装置であって、前記第１の基準電圧は、前記過電流保護基準電圧の１５％程度であり、前記第２の基準電圧は、前記過電流保護基準電圧の２０％程度であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項８記載のスイッチング電源装置は、請求項２ないし７のいずれかに記載のスイッチング電源装置であって、前記制御回路は、前記補助電源電圧が設定値より小さくなると、その差に応じて前記過電流保護基準電圧を小さくする過電流保護基準電圧調整回路を備えることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項９記載のスイッチング電源装置は、請求項８記載のスイッチング電源装置であって、前記過電流保護基準電圧調整回路に設定された前記設定値は、前記安定化用基準電圧の３０％程度に設定されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項１０記載のスイッチング電源装置は、請求項８記載のスイッチング電源装置であって、前記過電流保護基準電圧調整回路は、前記過電流保護基準電圧をその最小値が２０％程度になるように調整することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の請求項１１記載のスイッチング電源装置は、請求項２ないし１０のいずれかに記載のスイッチング電源装置であって、前記スイッチング素子と前記制御回路は、同一半導体基板上に形成され、前記第１の直流電圧と前記スイッチング素子間の２つの接続端子と、前記制御回路と前記補助電源電圧間の接続端子と、前記２次電流オフ検出回路の入力端子と、を有する半導体装置として構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、２次側の定電流制御回路や、出力電流検出抵抗、フォトカプラを不要にでき、低コスト、最小部品点数、かつ、最小電力ロスで十分な精度の定電流垂下特性を実現できる。従って、少ない部品点数で十分な精度の充電器用スイッチング電源を構成でき、充電器用スイッチング電源の低コスト化、小型化、省エネ化を実現できる。
【００２１】
また、定電流領域では、スイッチング素子に流れるピーク電流値を一定にすることにより２次電流のピーク電流値を一定にし、２次電流のオンデューティを一定に制御するので、一定の出力電流となり、定電流垂下特性を実現できる。さらに、発振周波数やトランスのインダクタンスのばらつきが出力電流の定電流値に影響しないため、トータルのばらつきも非常に小さくなり、高精度の定電流垂下特性を実現できる。
【００２２】
また、軽負荷時には、スイッチング素子に流れるピーク電流値を小さくした間欠発振になるため、軽負荷時の出力電圧上昇を抑え、消費電力を減らすことができ、待機時の省エネ化も実現できる。
【００２３】
また、過負荷時には、スイッチング素子に流れるピーク電流値を出力電圧の低下に合わせて低下させ、２次電流のオンデューティを一定に制御するので、出力電圧が下がるほど出力電流が小さくなるフの字保護機能を実現でき、安全性の高い電源装置を構成できる。
【００２４】
また、スイッチング素子と制御回路については同一半導体内に設けて容易に単一化することができる。従って、主要な回路部品を単一半導体内に設けることで、回路を構成するための部品点数を削減することができ、容易に小型化および軽量化さらにコスト低減を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態におけるスイッチング電源装置について、図面を参照しながら具体的に説明する。図１は本実施の形態におけるスイッチング電源装置の一構成例を示すブロック図である。
【００２６】
図１において、スイッチング電源装置制御用の半導体装置１００は、スイッチング素子１とスイッチング素子１のスイッチング動作を制御する制御回路から構成されている。また、半導体装置１００は、外部入力端子として、スイッチング素子１の入力端子（ＤＲＡＩＮ端子）、補助電源電圧入力端子（ＶＣＣ端子）、２次電流オフタイミング検出端子（ＴＲ端子）、スイッチング素子１の出力端子でもある制御回路のＧＮＤ端子（ＳＯＵＲＣＥ端子）の４端子を備えている。
【００２７】
トランス１１０は１次巻線１１０Ａと２次巻線１１０Ｂと補助巻線１１０Ｃとを有している。１次巻線１１０Ａと２次巻線１１０Ｂの極性は逆になっており、当該スイッチング電源装置はフライバック型となっている。
【００２８】
補助巻線１１０Ｃには、ダイオード１２０とコンデンサ１２１とで構成される整流平滑化回路が接続されており、この整流平滑化回路が半導体装置１００の補助電源部として活用される。つまり、補助巻線１１０Ｃは２次巻線１１０Ｂと同じ極性になっており、補助電源部は、スイッチング素子１のスイッチング動作によって補助巻線１１０Ｃに発生する交流電圧（補助側交流電圧）を整流し且つ平滑化して、出力電圧ＶＯに比例する補助電源電圧ＶＣＣを生成しＶＣＣ端子へ印加する。
【００２９】
また、補助巻線１１０Ｃにはダイオード１２２を介して抵抗１２３、１２４が接続されており、この抵抗１２３、１２４の接続点がＴＲ端子に接続される。後述するように、ＴＲ端子に印加される電圧（以下、ＴＲ端子電圧ＶＴＲと称す。）は、スイッチング素子１のスイッチング動作によって２次巻線１１０Ｂに流れる２次電流が流れ終わったタイミング（以下、オフタイミングと称す。）を検出するために用いられる。
【００３０】
２次巻線１１０Ｂには、ダイオード１３０とコンデンサ１３１とで構成される整流平滑化回路が接続されており、この整流平滑化回路が当該スイッチング電源装置の出力電圧生成部として活用される。つまり、出力電圧生成部は、スイッチング素子１のスイッチング動作によって２次巻線１１０Ｂに発生する交流電圧（２次側交流電圧）を整流し且つ平滑化して、出力電圧ＶＯ（第２の直流電圧）を生成し負荷１３２へ印加する。
【００３１】
図２は本実施の形態におけるスイッチング電源装置を構成するスイッチング電源装置制御用の半導体装置１００の一構成例を示すブロック図である。図２において、レギュレータ２は、ＤＲＡＩＮ端子もしくはＶＣＣ端子のいずれか一方の端子から半導体装置１００の内部回路用電源ＶＤＤへ電流を供給し、内部回路用電源ＶＤＤの電圧を一定値に安定化する。
【００３２】
すなわち、レギュレータ２は、スイッチング素子１のスイッチング動作開始前には、ＤＲＡＩＮ端子から内部回路用電源ＶＤＤへ電流を供給するとともにＶＣＣ端子を介して補助電源部のコンデンサ１２１へも電流を供給して、補助電源電圧ＶＣＣおよび内部回路用電源ＶＤＤの電圧を上昇させる。そして、内部回路用電源ＶＤＤの電圧が一定値に達した時に、ＮＡＮＤ回路２０への出力信号を信号レベルがローレベルの信号（以下、ローレベル信号と称す。）から信号レベルがハイレベルの信号（以下、ハイレベル信号と称す。）へ切り替え、スイッチング素子１のスイッチング動作を開始させる。
【００３３】
スイッチング素子１のスイッチング動作開始後は、ＤＲＡＩＮ端子からＶＣＣ端子への電流供給が停止し、補助電源電圧ＶＣＣの値によって内部回路用電源ＶＤＤへの電流供給端子が決まる。つまり、補助電源電圧ＶＣＣが一定値以上になると、レギュレータ２はＶＣＣ端子から内部回路用電源ＶＤＤへ電流を供給して、半導体装置１００の消費電力を削減する。一方、定電流領域で出力電圧ＶＯが低下している時など、補助電源電圧ＶＣＣが一定値を下回ると、レギュレータ２はＤＲＡＩＮ端子から内部回路用電源ＶＤＤへ電流を供給する。このようにして、レギュレータ２は、内部回路用電源ＶＤＤを一定値に安定化する。
【００３４】
誤差増幅器３は、安定化用基準電圧と補助電源電圧ＶＣＣを比較して、その差から誤差電圧信号ＶＥＡＯを生成する。ドレイン電流検出回路（素子電流検出回路）４は、スイッチング素子１に流れる電流（ドレイン電流）ＩＤを検出してその電流値に応じた電圧信号である素子電流検出信号ＶＣＬをドレイン電流制御回路（素子電流制御回路）５へ出力する。
【００３５】
ドレイン電流制御回路５には、過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴと誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯが基準電圧として入力される。そして、ドレイン電流制御回路５は、素子電流検出信号ＶＣＬの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴと誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧のうちの低い方の電圧に達すると、ＡＮＤ回路１８に、スイッチング素子１のターンオフを決める信号（ここではハイレベル信号）を出力する。
【００３６】
発振器６は、スイッチング素子１のターンオンを決める一定周期のクロック信号ｓｅｔ＿１（第１のクロック信号）をクロック信号選択回路１３へ出力する。このクロック信号ｓｅｔ＿１が軽負荷時、定電圧領域におけるスイッチング素子１の発振周波数を決める。
【００３７】
発振周波数調整回路７は、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴを越えた差分に応じてクロック信号ｓｅｔ＿１の周波数を高くする（周期を短くする）。つまり、発振周波数調整回路７は、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴより高い場合にのみその電圧差に応じた電流値となる信号を発振器６へ出力して、その電圧差が大きくなるのに応じて発振器６より出力されるクロック信号ｓｅｔ＿１の周波数が高くなる（周期が短くなる）ようにする。これにより、負荷１３２が重くなっても出力電圧ＶＯを一定値に安定化できる。
【００３８】
軽負荷間欠発振制御回路８は、コンパレータ９、基準電圧源１０、および、ＡＮＤ回路１４により構成され、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧に応じて、スイッチング素子１のターンオンを決める一定周期のクロック信号のフリップフロップ回路１５のセット端子への入力を停止、再開することで、スイッチング素子１のスイッチング動作を停止、再開させ、スイッチング素子１を間欠発振動作させる。
【００３９】
コンパレータ（軽負荷用コンパレータ）９は、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧と基準電圧源１０から出力される出力電圧ＶＲを比較し、出力信号を基準電圧源１０およびＡＮＤ回路１４に出力する。
【００４０】
基準電圧源（軽負荷用基準電圧源）１０には、基準電圧ＶＲ１（第１の基準電圧）と、この基準電圧ＶＲ１よりも高電位の基準電圧ＶＲ２（第２の基準電圧）が設定されており、コンパレータ９の出力信号に応じて一方の電圧をコンパレータ９の反転入力端子へ与える。つまり、基準電圧源１０は、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が低下して基準電圧ＶＲ１に達し、コンパレータ９の出力信号がハイレベル信号からローレベル信号に反転した時に、基準電圧ＶＲ１から基準電圧ＶＲ２へ切り替え、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が上昇して基準電圧ＶＲ２に達し、コンパレータ９の出力信号がローレベル信号からハイレベル信号に反転した時に、基準電圧ＶＲ２から基準電圧ＶＲ１へ切り替える。
【００４１】
上記のように構成された軽負荷間欠発振制御回路８は、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧と基準電圧源１０から出力される基準電圧ＶＲ１を比較し、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が低下して基準電圧ＶＲ１に達すると、ＡＮＤ回路１４にローレベル信号を出力して、スイッチング素子１のターンオンを決める一定周期のクロック信号のフリップフロップ回路１５のセット端子への入力を停止することで、スイッチング素子１のスイッチング動作を停止させる。
【００４２】
また、軽負荷間欠発振制御回路８は、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧と基準電圧源１０から出力される基準電圧ＶＲ２を比較し、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が上昇して基準電圧ＶＲ２に達すると、ＡＮＤ回路１４にハイレベル信号を出力して、スイッチング素子１のターンオンを決める一定周期のクロック信号のフリップフロップ回路１５のセット端子への入力を再開することで、スイッチング素子１のスイッチング動作を再開させる。
【００４３】
２次電流オフ検出回路１１はＴＲ端子に接続され、ＴＲ端子電圧ＶＴＲ、すなわち補助側交流電圧に基づいて２次電流のオフタイミングを検出し、出力信号Ｄ２＿ｏｎを発振器６と２次デューティ制限回路１２へ出力する。出力信号Ｄ２＿ｏｎは、スイッチング素子１がターンオフした後、２次電流オフタイミングを検出するまでの間、すなわち、２次電流が流れている期間においてハイレベル信号となる。
【００４４】
フライバック型のスイッチング電源装置では、スイッチング素子１のオン期間にトランス１１０の１次巻線１１０Ａに電流が流れてトランス１１０にエネルギが蓄えられ、スイッチング素子１のオフ期間にトランス１１０に蓄えられたエネルギが放出されてトランス１１０の２次巻線１１０Ｂに電流が流れる。その後、２次巻線１１０Ｂに流れる電流がゼロになると、トランス１１０のインダクタンスとスイッチング素子１の寄生容量による共振現象が起こる。この共振現象がトランス１１０の各巻線に現れるので、当該スイッチング電源装置では、スイッチング素子１がターンオフした後の補助巻線１１０Ｃの電圧波形に現れる立ち下がりを検出することで、２次電流のオフタイミングを検出する。
【００４５】
２次デューティ制限回路１２は、２次電流オフ検出回路１１の出力信号Ｄ２＿ｏｎを入力とし、スイッチング素子１のターンオフのタイミングから２次電流が流れ終わるタイミングまでの期間を検出して、２次電流のオンデューティ（以下、２次電流オンデューティと称す。）が所定値で一定となるタイミングで、スイッチング素子１をターンオンするためのクロック信号ｓｅｔ＿２（第２のクロック信号）をクロック信号選択回路１３へ出力する。
【００４６】
つまり、２次デューティ制限回路１２の出力信号ｓｅｔ＿２は、２次電流オンデューティが所定値で維持されるようにスイッチング素子１のターンオンを決めるクロック信号となり、その周波数は、負荷１３２に流れる電流が大きくなり２次電流のオン期間（２次電流が流れている期間）が長くなるにつれて低くなる。このクロック信号ｓｅｔ＿２が定電流領域、フの字保護領域におけるスイッチング素子１の発振周波数を決める。なお、所定値としては、例えば、２次電流オンデューティが５０％程度（より好ましくは５０％。）で維持されるようにする。
【００４７】
クロック信号選択回路１３は、発振器６からの出力信号ｓｅｔ＿１と２次デューティ制限回路１２からの出力信号ｓｅｔ＿２を入力とし、周波数の低い方、つまり周期の長い方の信号をＡＮＤ回路１４へ出力する。
【００４８】
つまり、クロック信号選択回路１３は、負荷が軽く第１のクロック信号ｓｅｔ＿１の周波数が第２のクロック信号ｓｅｔ＿２の周波数より低いときには（もしくは、以下のときには）第１のクロック信号ｓｅｔ＿１を出力し、負荷が重くなり発振周波数調整回路７により第１のクロック信号ｓｅｔ＿１の周波数が第２のクロック信号ｓｅｔ＿２の周波数以上になると（もしくは、高くなると）第２のクロック信号ｓｅｔ＿２をＡＮＤ回路１４へ出力する。
【００４９】
従って、クロック信号選択回路１３は、２次電流オンデューティが所定値よりも小さいときには第１のクロック信号ｓｅｔ＿１をＡＮＤ回路１４へ出力し、負荷が重くなって２次電流オンデューティが所定値に達すると第２のクロック信号ｓｅｔ＿２をＡＮＤ回路１４へ出力して、２次電流オンデューティをその所定値で維持する。
【００５０】
ＡＮＤ回路１４は、クロック信号選択回路１３からの出力信号（クロック信号）と軽負荷間欠発振制御回路８内のコンパレータ９の出力信号を入力とし、その出力信号（セット信号ｓｅｔ）は、フリップフロップ回路１５のセット端子に入力される。
【００５１】
ここでは、クロック信号選択回路１３とＡＮＤ回路１４により、最終的なスイッチング素子のターンオンを決定するクロック信号を出力するためのクロック信号制御回路が構成される。つまり、クロック信号制御回路は、２次電流オンデューティが所定値よりも小さいときには発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１を出力し、２次電流オンデューティが所定値に達すると２次デューティ制限回路１２からのクロック信号ｓｅｔ＿２を出力して、２次電流オンデューティをその所定値で維持する。
【００５２】
また、クロック信号制御回路は、軽負荷間欠発振制御回路８内のコンパレータ９による比較結果を受け、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が低下して基準電圧ＶＲ１に達するとフリップフロップ回路１５への第１もしくは第２のクロック信号ｓｅｔ＿１、ｓｅｔ＿２の出力を停止させ、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が上昇して基準電圧ＶＲ２に達するとフリップフロップ回路１５への第１もしくは第２のクロック信号ｓｅｔ＿１、ｓｅｔ＿２の出力を再開させる。つまり、クロック信号制御回路は、軽負荷時には、コンパレータ９の出力信号に応じてスイッチング素子１のスイッチング動作を停止、再開して、スイッチング素子１を間欠発振動作させる。
【００５３】
フリップフロップ回路１５は、そのセット端子にＡＮＤ回路１４を介してクロック信号ｓｅｔ＿１もしくはクロック信号ｓｅｔ＿２が入力されるとセット状態になり、そのリセット端子にＡＮＤ回路１８を介してドレイン電流制御回路５からのスイッチング素子１のターンオフを決める信号が入力されるとリセット状態になり、それぞれの状態に応じた出力信号をＮＡＮＤ回路２０へ出力する。
【００５４】
ここでは、フリップフロップ回路１５、ＮＡＮＤ回路２０、ゲートドライバ２１によりスイッチング制御回路が構成され、このスイッチング制御回路はフリップフロップ回路１５のセット／リセット状態に応じてスイッチング素子１のスイッチング動作（オンオフ動作の繰り返し）を制御する。
【００５５】
過電流保護基準電圧調整回路１６は、補助電源電圧ＶＣＣが設定値よりも低くなると、その低下に応じて過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴを低くする。これにより、当該スイッチング電源装置では、負荷短絡時などの過負荷時に、スイッチング素子１に流れるピーク電流値を出力電圧ＶＯの低下に合わせて低下させ、２次電流オンデューティを所定値で一定となるように制御するので、出力電圧ＶＯが下がるほど出力電流ＩＯを小さく抑えることができ、安全性の高いフの字保護を実現できるようになる。
【００５６】
オン時ブランキングパルス発生回路１７は、スイッチング素子１をターンオンするターンオンパルス信号がゲートドライバ２１から出力されてから設定時間の間、ＡＮＤ回路１８へローレベル信号を出力する。これにより、ターンオン時のスパイク電流による誤検出動作を防止する。
【００５７】
ＡＮＤ回路１８は、ドレイン電流制御回路５からの出力信号とオン時ブランキングパルス発生回路１７からの出力信号を入力とし、フリップフロップ回路１５のリセット端子へ出力信号を出力する。
【００５８】
過熱保護回路１９は、半導体装置１００の温度が設定温度以上に達した時にＮＡＮＤ回路２０へローレベル信号を出力して、スイッチング素子１のスイッチング動作を停止させる。
【００５９】
ＮＡＮＤ回路２０には、レギュレータ２からの出力信号と、フリップフロップ回路１５からの出力信号と、過熱保護回路１９からの出力信号が入力され、ゲートドライバ２１へ出力信号を出力する。
【００６０】
ゲートドライバ２１は、ＮＡＮＤ回路２０からの出力信号を入力とし、スイッチング素子１のスイッチング動作を制御する信号をスイッチング素子１の制御端子（ゲート端子）へ出力する。
【００６１】
スイッチング素子１は、ゲートドライバ２１からのターンオンパルス信号に従ってオンオフ動作を繰り返すことで（スイッチング動作）、トランス１１０の１次巻線１１０Ａへ入力される第１の直流電圧（直流電圧ＶＩＮ）をスイッチング制御して、２次巻線１１０Ｂに２次側交流電圧を発生させるとともに補助巻線１１０Ｃに補助側交流電圧を発生させる。
【００６２】
このように、制御回路は、スイッチング素子１に流れるピーク電流を過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴで決まる電流値で一定値にし、スイッチング素子１がターンオフしてからトランス１１０の２次巻線１１０Ｂに流れ始める２次電流のオンデューティが所定値に達すると、その所定値で２次電流オンデューティが維持されるようにスイッチング素子１のスイッチング動作を制御するので、２次側の定電流制御回路や、出力電流検出抵抗、フォトカプラを不要にでき、低コスト、最小部品点数、かつ、最小電力ロスで十分な精度の定電流垂下特性を実現できる。従って、少ない部品点数で十分な精度の充電器用スイッチング電源を構成でき、充電器用スイッチング電源の低コスト化、小型化、省エネ化を実現できる。
【００６３】
また、スイッチング素子１とその制御回路を、同一半導体基板上に形成し、直流電圧ＶＩＮとスイッチング素子１間の２つの接続端子（ＤＲＡＩＮ端子とＧＮＤ端子）と、制御回路と補助電源電圧ＶＣＣ間の接続端子（ＶＣＣ端子）と、２次電流オフ検出回路１１の入力端子（ＴＲ端子）とを有する半導体装置１００として構成することで、回路を構成するための部品点数を削減することができ、容易に小型化および軽量化さらにコスト低減を実現することができる。
【００６４】
図３は本実施の形態におけるスイッチング電源装置のスイッチング電源装置制御用の半導体装置１００の一部を構成する２次電流オフ検出回路１１と２次デューティ制限回路１２の一構成例を示すブロック図である。
【００６５】
２次電流オフ検出回路１１は、コンパレータ２２、ワンパルス信号発生回路２３、２４およびフリップフロップ回路２５より構成されており、図３に示すように各素子が接続されている。
【００６６】
ワンパルス信号発生回路２４はゲートドライバ２１の出力信号を入力とし、ゲートドライバ２１の出力信号であるターンオンパルス信号の立ち下がり、すなわちスイッチング素子１のターンオフのタイミングにおいてワンパルス信号を発生し、フリップフロップ回路２５のセット端子へ入力する。
【００６７】
コンパレータ２２はＴＲ端子電圧ＶＴＲと基準電圧を比較して、ＴＲ端子電圧ＶＴＲの立ち下がり、すなわちスイッチング素子１がターンオフした後の補助巻線１１０Ｃの電圧波形に現れる立ち下がりを検出し、出力信号をワンパルス信号発生回路２３へ出力する。このようにして、２次電流オフ検出回路１１は２次電流のオフタイミングを検出する。
【００６８】
ワンパルス信号発生回路２３は、ＴＲ端子電圧ＶＴＲが基準電圧よりも低くなったタイミング、すなわち２次電流のオフタイミングにおいてワンパルス信号を発生し、フリップフロップ回路２５のリセット端子へ入力する。これにより、スイッチング素子１がターンオフした後のＴＲ端子電圧ＶＴＲの最初の立ち下がりのタイミング（２次電流のオフタイミング）において、フリップフロップ回路２５の出力信号と反転出力信号が反転する。
【００６９】
このように、ワンパルス信号発生回路２３、２４により、スイッチング素子１がターンオフしてから２次電流が流れ終わるまでの間、すなわち２次電流が流れている期間（２次電流のオン期間）において、フリップフロップ回路２５の出力信号はハイレベル信号となり、反転出力信号はローレベル信号となる。そして、２次電流のオフタイミングにおいて出力信号と反転出力信号が反転し、スイッチング素子１に次のターンオンパルス信号が入力されスイッチング素子１がターンオフするまでの間、すなわち２次電流が流れていない期間において、フリップフロップ回路２５の出力信号はローレベル信号となり、反転出力信号はハイレベル信号となる。
【００７０】
２次デューティ制限回路１２は、インバータ回路２６、ＡＮＤ回路２７、３６、定電流源２８、スイッチ２９、３０、３１、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ３２、３３、コンデンサ３４、コンパレータ３５、ワンパルス信号発生回路３７より構成されており、図３に示すように各素子が接続されている。
【００７１】
スイッチ２９、３０は、２次電流オフ検出回路１１内のフリップフロップ回路２５の出力信号と反転出力信号によりオンオフする。そして、このスイッチ２９、３０の動作によりコンデンサ３４の充放電が行われる。
【００７２】
つまり、スイッチング素子１がターンオフしてから２次電流が流れ終わるまでの間、すなわち２次電流が流れている期間は、フリップフロップ回路２５の出力信号がハイレベル信号となり、反転出力信号がローレベル信号となるため、スイッチ２９がオンとなり、スイッチ３０がオフとなる。これにより、定電流源２８の定電流Ｉ２によりコンデンサ３４が充電され、コンデンサ３４の電圧ＶＣ２が上昇する。また、２次電流が流れ終わってから次のターンオンパルス信号が入力されてスイッチング素子１がターンオフするまでの間、すなわち２次電流が流れていない期間は、スイッチ２９がオフとなり、スイッチ３０がオンとなるため、コンデンサ３４は放電される。この時の放電電流は、定電流源２８の定電流Ｉ２とＮｃｈＭＯＳＦＥＴ３２、３３によるカレントミラー回路により決定される。
【００７３】
ここで、スイッチ３０がオンの間であって、スイッチング素子１がオフの条件において、インバータ回路２６とＡＮＤ回路２７により、スイッチ３１はオンとなる。このように、スイッチ２９がオフ、スイッチ３０がオン、スイッチ３１がオンの間、すなわち２次電流が流れていない期間であって且つスイッチング素子１がオフの間、コンデンサ３４の電圧ＶＣ２は基準電圧（ＶＡ−α）で保持されるため、コンデンサ３４の放電期間においてその電圧ＶＣ２が一定値（ＶＡ−α）に保持される期間ができる。これにより、スイッチング素子１のターンオン時のコンデンサ３４の放電開始電圧を固定できる。
【００７４】
コンパレータ３５は、コンデンサ３４の電圧ＶＣ２と基準電圧ＶＡを比較し、ＡＮＤ回路３６へ信号（比較結果）を出力する。コンデンサ３４の電圧ＶＣ２が基準電圧ＶＡより低い場合、コンパレータ３５の出力はハイレベル信号となり、コンデンサ３４の電圧ＶＣ２が基準電圧ＶＡより高い場合は、コンパレータ３５の出力はローレベル信号となる。
【００７５】
ＡＮＤ回路３６は、２次電流オフ検出回路１１内のフリップフロップ回路２５の反転出力信号とコンパレータ３５の出力信号を入力とし、ワンパルス信号発生回路３７へ出力信号を出力する。ワンパルス信号発生回路３７は、ＡＮＤ回路３６の出力信号がローレベル信号からハイレベル信号へ反転したタイミングにおいて、すなわち２次電流が流れていない期間にてコンデンサ３４の電圧ＶＣ２が基準電圧ＶＡを下回ると、ワンパルス信号（クロック信号ｓｅｔ＿２）をクロック信号選択回路１３に出力する。
【００７６】
以上の構成により、スイッチング素子１のターンオン時に基準電圧（ＶＡ−α）で固定されていたコンデンサ３４の電圧ＶＣ２は、スイッチング素子１のターンオンと同時に放電を開始する。そして、スイッチング素子１のターンオフのタイミングで放電から充電に切り替わり、２次電流が流れている期間に充電され、２次電流のオフタイミングを検出すると再び充電から放電に切り替わる。そして、再び基準電圧ＶＡを下回ったときにワンパルス信号ｓｅｔ＿２が出力される。したがって、クロック信号ｓｅｔ＿２は、２次電流オンデューティが所定値となるタイミングでスイッチング素子１がターンオンするように出力される。このように、２次デューティ制限回路１２は、２次電流オンデューティを所定値にするクロック信号ｓｅｔ＿２をクロック信号選択回路１３へ出力する。
【００７７】
図４は本実施の形態におけるスイッチング電源装置のスイッチング電源装置制御用の半導体装置１００の一部を構成するクロック信号選択回路１３の一構成例を示すブロック図である。
【００７８】
クロック信号選択回路１３は、ワンパルス信号発生回路３８、３９、４４、ＯＲ回路４０、フリップフロップ回路４１、４２、ＡＮＤ回路４３より構成されており、図４に示すように各素子が接続されている。
【００７９】
ワンパルス信号発生回路３８はゲートドライバ２１の出力信号を入力とし、ゲートドライバ２１の出力信号であるターンオンパルス信号の立ち下がり、すなわちスイッチング素子１のターンオフのタイミングにおいてワンパルス信号を発生し、ＯＲ回路４０へ入力する。また、ワンパルス信号発生回路３９は軽負荷間欠発振制御回路８内のコンパレータ９の出力信号を入力とし、コンパレータ９の出力信号の立ち上がり、すなわち軽負荷間欠発振期間におけるスイッチング素子１のスイッチング動作再開のタイミングでワンパルス信号を発生し、ＯＲ回路４０へ入力する。
【００８０】
ＯＲ回路４０は、フリップフロップ回路４１、４２のリセット端子に信号を入力する。すなわち、スイッチング素子１のターンオフのタイミング、もしくは、軽負荷間欠発振期間におけるスイッチング素子１のスイッチング動作再開のタイミングで、フリップフロップ回路４１、４２のリセット端子に信号を入力する。
【００８１】
フリップフロップ回路４１は、セット端子に発振器６の出力信号（クロック信号ｓｅｔ＿１）を入力し、リセット端子にＯＲ回路４０の出力信号を入力し、ＡＮＤ回路４３に出力信号を出力する。
【００８２】
フリップフロップ回路４２は、セット端子に２次デューティ制限回路１２の出力信号（クロック信号ｓｅｔ＿２）を入力し、リセット端子にＯＲ回路４０の出力信号を入力し、ＡＮＤ回路４３に出力信号を出力する。
【００８３】
ＡＮＤ回路４３は、フリップフロップ回路４１、４２の出力信号を入力とし、ワンパルス信号発生回路４４へ出力信号を出力する。ワンパルス信号発生回路４４は、ＡＮＤ回路４３の出力信号がローレベル信号からハイレベル信号へ反転するタイミング、すなわち、クロック信号ｓｅｔ＿１とクロック信号ｓｅｔ＿２の両方のクロック信号が入力されたタイミングでワンパルス信号ｓｅｔをＡＮＤ回路１４へ出力する。
【００８４】
以上のように、クロック信号選択回路１３は、発振器６からの出力信号ｓｅｔ＿１と２次デューティ制限回路１２からの出力信号ｓｅｔ＿２を入力とし、両方の出力信号が入力されたときに、つまり、いずれか一方の周波数の低い方のクロック信号をＡＮＤ回路１４へ出力する。従って、２次電流オンデューティが所定値よりも小さいときには第１のクロック信号ｓｅｔ＿１をＡＮＤ回路１４へ出力し、２次電流オンデューティが所定値に達すると第２のクロック信号ｓｅｔ＿２をＡＮＤ回路１４へ出力して、その所定値で２次電流オンデューティが維持されるようにする。
【００８５】
図５は本実施の形態におけるスイッチング電源装置のスイッチング電源装置制御用の半導体装置１００の一部を構成する発振器６と発振周波数調整回路７の一構成例を示すブロック図である。
【００８６】
発振器６は、コンパレータ４５、基準電圧源４６、コンデンサ４７、ワンパルス信号発生回路４８、インバータ回路４９、ＡＮＤ回路５０、定電流源５１、スイッチ５２、５３、５４、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ５５、５６より構成されており、図５に示すように各素子が接続されている。
【００８７】
コンパレータ４５は、コンデンサ４７の電圧ＶＣ１と基準電圧源４６の基準電圧を比較して、コンデンサ４７の電圧ＶＣ１が基準電圧より低くなるとローレベル信号を出力し、基準電圧より高くなるとハイレベル信号を出力する。
【００８８】
基準電圧源４６には、コンパレータ４５の出力信号によって切り替わる２つの異なる基準電圧Ｖ１、Ｖ２が設定されており、基準電圧Ｖ２は基準電圧Ｖ１よりも高い電圧である。基準電圧源４６の基準電圧は、コンパレータ４５の出力信号がハイレベル信号からローレベル信号に反転した時に、基準電圧Ｖ１から基準電圧Ｖ２に切り替わり、ローレベル信号からハイレベル信号に反転した時に、基準電圧Ｖ２から基準電圧Ｖ１に切り替わる。
【００８９】
つまり、コンデンサ４７の電圧ＶＣ１が基準電圧Ｖ１より低くなると、コンパレータ４５の出力信号がハイレベル信号からローレベル信号へ反転し、スイッチ５２がオン、スイッチ５３がオフとなる。従って、定電流源５１の定電流Ｉ１がコンデンサ４７を充電し、その電圧ＶＣ１は上昇する。そして、コンデンサ４７の電圧ＶＣ１が基準電圧Ｖ２よりも高くなると、コンパレータ４５の出力信号がローレベル信号からハイレベル信号となり、スイッチ５２がオフ、スイッチ５３がオンとなり、コンデンサ４７は放電される。この時の放電電流は、定電流源５１の定電流Ｉ１とＮｃｈＭＯＳＦＥＴ５５、５６によるカレントミラー回路により決定される。
【００９０】
このように、スイッチ５２、５３は、コンパレータ４５の出力信号によりオンオフしてコンデンサ４７を充放電し、コンデンサ４７の電圧ＶＣ１は、２つの基準電圧Ｖ１、Ｖ２間で発振する波形となる。
【００９１】
ただし、２次電流オフ検出回路１１内のフリップフロップ回路２５の出力信号Ｄ２＿ｏｎがハイレベル信号の期間、つまり、２次電流が流れている期間はスイッチ５４がオンとなる。従ってこの期間コンデンサ４７の電圧ＶＣ１は、放電期間において基準電圧ＶＢまで下がるとその基準電圧ＶＢで保持されるようになる。
【００９２】
ワンパルス信号発生回路４８は、コンパレータ４５の出力信号がハイレベル信号からローレベル信号に反転するタイミング、つまりコンデンサ４７の放電期間から充電期間へ切り替わるタイミングにおいて、ワンパルス信号を出力する。これにより、一定周期のクロック信号ｓｅｔ＿１がクロック信号選択回路１３に入力されることになる。
【００９３】
前述したように、ＡＮＤ回路５０とスイッチ５４により、２次電流が流れている期間、コンデンサ４７の電圧ＶＣ１は基準電圧ＶＢより低くなることはない。従って、２次電流が流れ終わらない限り、クロック信号ｓｅｔ＿１が出力されないことになる。すなわち、当該スイッチング電源装置は、必ず非連続モードで動作することになる。このように、発振器６は、スイッチング素子１の発振周波数を決める一定周期のクロック信号ｓｅｔ＿１をクロック信号選択回路１３へ出力する。
【００９４】
発振周波数調整回路７は、ＮＰＮトランジスタ５７、５８、抵抗５９、６０、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６１、６２、６３、６４、６７、６８、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ６５、６６より構成されており、図５に示すように各素子が接続されている。
【００９５】
ＮＰＮトランジスタ５７のベース端子には誤差電圧信号ＶＥＡＯが入力され、抵抗５９と、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６１、６２によるカレントミラー回路と、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ６５、６６によるカレントミラー回路とにより、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧に比例した電流がＮｃｈＭＯＳＦＥＴ６６に流れる。
【００９６】
一方、ＮＰＮトランジスタ５８のベース端子には過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴが入力され、抵抗６０と、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６３、６４によるカレントミラー回路とにより、過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴに比例した電流がＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６４に流れる。
【００９７】
ここで、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ６６に流れる電流がＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６４に流れる電流よりも小さい場合は、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６７、６８によるカレントミラー回路に電流が流れない。一方、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ６６に流れる電流がＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６４に流れる電流よりも大きい場合には、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ６６に流れる電流とＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６４に流れる電流の差分の電流が、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６７、６８によるカレントミラー回路に流れる。そして、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ６８に流れる電流が、定電流源５１の定電流Ｉ１に加算されることで、コンデンサ４７の充放電周期が短くなる。
【００９８】
従って、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも高くなると、発振器６から出力されるクロック信号ｓｅｔ＿１の周期が短くなり、その差が大きくなるほど周波数が高くなる。
【００９９】
このように、発振周波数調整回路７は、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴより高い場合にのみその電圧差に応じた電流値となる信号を発振器６へ出力する。これにより、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴより高くなると、その差が大きくなるのに応じて発振器６から出力されるクロック信号ｓｅｔ＿１の周波数が高くなる（周期が短くなる）。
【０１００】
図６は本実施の形態におけるスイッチング電源装置のスイッチング電源装置制御用の半導体装置１００の一部を構成する過電流保護基準電圧調整回路１６の一構成例を示すブロック図である。
【０１０１】
過電流保護基準電圧調整回路１６は、抵抗６９、７０、７３、８６、コンパレータ７１、ＮＰＮトランジスタ７２、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ７４、７５、８４、８５、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ７６、７７、７９、８０、８２、８３、定電流源７８、８１、スイッチ８７より構成されており、図６に示すように各素子が接続されている。
【０１０２】
コンパレータ７１は、抵抗６９と抵抗７０により分圧された補助電源電圧ＶＣＣを基準電圧と比較し、補助電源電圧ＶＣＣが設定値（基準電圧）よりも低くなるとハイレベル信号を出力し、スイッチ８７をオンさせる。また、抵抗６９と抵抗７０により分圧された補助電源電圧ＶＣＣは、ＮＰＮトランジスタ７２と抵抗７３により、補助電源電圧ＶＣＣに比例した電流Ｉ６に変換される。この電流Ｉ６は、ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ７４、７５によるカレントミラー回路とＮｃｈＭＯＳＦＥＴ７６、７７によるカレントミラー回路を流れる。
【０１０３】
補助電源電圧ＶＣＣが設定値よりも低い場合、スイッチ８７がオンとなるため、定電流源７８で設定された定電流Ｉ４がスイッチ８７を通って流れ、定電流Ｉ４から電流Ｉ６を差し引いた電流がＮｃｈＭＯＳＦＥＴ７９、８０によるカレントミラー回路を流れる。さらに、定電流源８１で設定された定電流Ｉ５に対して、定電流Ｉ４から電流Ｉ６を差し引いた電流を差し引いた電流が、ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ８２、８３によるカレントミラー回路とＰｃｈＭＯＳＦＥＴ８４、８５によるカレントミラー回路に電流Ｉ７として流れ、この電流Ｉ７が抵抗８６に流れる。
【０１０４】
この電流Ｉ７と抵抗８６の抵抗値Ｒ１により作られる電圧が、過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴとして出力される。すなわち、
ＶＬＩＭＩＴ＝Ｒ１×Ｉ７＝Ｒ１×（Ｉ５−（Ｉ４−Ｉ６））
となる。
【０１０５】
電流Ｉ６は補助電源電圧ＶＣＣに比例した電流となるため、過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴは、補助電源電圧ＶＣＣに比例した電圧となる。ただし、抵抗６９、７０により分圧された補助電源電圧ＶＣＣがコンパレータ７１の基準電圧よりも高い場合には、スイッチ８７がオフとなっているため、抵抗８６に流れる電流は定電流源８１で設定された定電流Ｉ５と等しくなる。従って、補助電源電圧ＶＣＣが設定値以上の場合は、過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴは一定であり、補助電源電圧ＶＣＣが設定値よりも低くなると、補助電源電圧ＶＣＣが低下するのに応じて過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴが小さくなる。
【０１０６】
このように、過電流保護基準電圧調整回路１６は、補助電源電圧ＶＣＣが設定値よりも低い場合にのみ、補助電源電圧ＶＣＣが低くなるのに応じて過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴを低くする。
【０１０７】
以上のように構成されたスイッチング電源装置の動作について、図面を用いて以下に説明する。
図１において、当該スイッチング電源装置の入力端子には、例えば商用の交流電源が整流され且つ平滑化された直流電圧ＶＩＮ（第１の直流電圧）が入力される。直流電圧ＶＩＮは、トランス１１０の１次巻線１１０Ａを介して、半導体装置１００のＤＲＡＩＮ端子に印加される。
【０１０８】
そして、レギュレータ２によって、ＤＲＡＩＮ端子から内部回路用電源ＶＤＤへ直流電圧ＶＩＮに基づく電流が供給されるとともに、ＶＣＣ端子を介して補助電源部のコンデンサ１２１へも直流電圧ＶＩＮに基づく電流が供給され、補助電源電圧ＶＣＣおよび内部回路用電源ＶＤＤの電圧が上昇する。そして、内部回路用電源ＶＤＤの電圧が一定値に達すると、スイッチング素子１のスイッチング動作が開始される。
【０１０９】
スイッチング素子１のスイッチング動作が開始されると、トランス１１０の各巻線にエネルギが供給されるようになり、２次巻線１１０Ｂ、補助巻線１１０Ｃに交流電圧が発生して、電流が流れる。
【０１１０】
２次巻線１１０Ｂに流れる電流（２次電流）は、ダイオード１３０とコンデンサ１３１により整流され且つ平滑化されて、直流電力（出力電圧ＶＯと出力電流ＩＯ）となって負荷１３２に供給される。補助巻線１１０Ｃに流れる電流は、ダイオード１２０とコンデンサ１２１により整流され且つ平滑化されて、半導体装置１１０の補助電源として活用される。補助巻線１１０Ｃの極性が２次巻線１１０Ｂと同一であるので、補助電源電圧ＶＣＣは出力電圧ＶＯに比例した電圧となる。
【０１１１】
スイッチング素子１のスイッチング動作が開始されると、出力電圧ＶＯおよび補助電源電圧ＶＣＣが上昇する。補助電源電圧ＶＣＣが上昇すると、誤差増幅器３の誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が低下する。誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が低下すると、ドレイン電流検出回路４およびドレイン電流制御回路５によりスイッチング素子１に流れる電流（ドレイン電流ＩＤ）が小さくなるように制御される。このような負帰還がかかることで、出力電圧ＶＯは安定化される。つまり、補助電源電圧ＶＣＣは出力電圧ＶＯの安定化にも利用される。
【０１１２】
また、補助巻線１１０Ｃに発生する交流電圧は、ダイオード１２２により整流され、抵抗１２３と抵抗１２４により分圧されてＴＲ端子に入力される。２次巻線１１０Ｂに流れる電流（２次電流）がゼロになると、トランス１１０のインダクタンスとスイッチング素子１の寄生容量による共振現象が起こるので、２次電流オフ検出回路１１は、スイッチング素子１がターンオフした後の補助巻線１１０Ｃの電圧波形に現れる立ち下がりを検出して、２次電流のオフタイミングを検出する。
【０１１３】
レギュレータ２は、スイッチング動作開始後、補助電源部への電流供給を停止し、補助電源電圧ＶＣＣが一定値以上になるとＶＣＣ端子から内部回路用電源ＶＤＤへ補助電源電圧ＶＣＣに基づく電流を供給する。これにより、通常動作時の半導体装置１００による消費電力を低く抑えている。一方、レギュレータ２は、補助電源電圧ＶＣＣが一定値を下回るとＤＲＡＩＮ端子から内部回路用電源ＶＤＤへ直流電圧ＶＩＮに基づく電流を供給する。
【０１１４】
スイッチング素子１のスイッチング動作は、フリップフロップ回路１５からの出力信号がＮＡＮＤ回路２０を介してゲートドライバ２１に入力されることにより行われる。フリップフロップ回路１５のセット端子には、発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１もしくは２次デューティ制限回路１２からのクロック信号ｓｅｔ＿２のいずれか一方の信号が、クロック信号選択回路１３とＡＮＤ回路１４を介して入力される。これにより、スイッチング素子１にはターンオンパルス信号が入力される。
【０１１５】
一方、フリップフロップ回路１５のリセット端子には、オン時ブランキングパルス発生回路１７とドレイン電流制御回路５の出力信号がＡＮＤ回路１８を介して入力される。ドレイン電流制御回路５の出力信号は、ドレイン電流検出回路４の素子電流検出信号ＶＣＬの電圧が、過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴと誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧のうちの低い方の電圧に達すると出力される。従って、ドレイン電流ＩＤが、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧もしくは過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴで決まる電流値に達すると、スイッチング素子１はターンオフする。
【０１１６】
以上のように、当該スイッチング電源装置は、発振周波数固定のピーク電流制御方式が基本動作となっている。また、スイッチング素子１のスイッチング動作が開始され、出力電圧ＶＯが安定化された後の動作は、図７に示すように、負荷１３２に流れる出力電流ＩＯの状態によって異なる。以下、当該スイッチング電源装置の動作について、負荷１３２が軽負荷から重負荷に変化する順に従って、＜（１）軽負荷時＞、＜（２）定電圧領域１＞、＜（３）定電圧領域２＞、＜（４）定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞、＜（５）定電流領域＞、＜（６）フの字保護領域＞のそれぞれの状態に分けて説明する。
【０１１７】
＜（１）軽負荷時＞
図８は、当該スイッチング電源装置の＜軽負荷時＞における各部の動作を表すタイミングチャートを示す図である。＜軽負荷時＞とは、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が、基準電圧源１０から出力された基準電圧ＶＲよりも低くなっている状態のことである。
【０１１８】
なお、図８〜１３において、ＶＣＣは補助電源電圧、ＶＤはスイッチング素子１の入力端子であるＤＲＡＩＮ端子の電圧、ＩＤはドレイン電流（すなわち素子電流検出信号ＶＣＬの電圧）、ＩＤ２は２次側のダイオード１３０を流れる電流、ＶＴＲはＴＲ端子電圧、ＶＥＡＯは誤差電圧信号の電圧、ＶＲは基準電圧源１０の基準電圧、ＶＣ１は発振器６内のコンデンサ４７の電圧、ｓｅｔ＿１は発振器６が出力するクロック信号、ＶＣ２は２次デューティ制限回路１２内のコンデンサ３４の電圧、ｓｅｔ＿２は２次デューティ制限回路１２が出力するクロック信号、ｓｅｔはフリップフロップ回路１５のセット端子へ入力されるセット信号（ＡＮＤ回路１４の出力信号）、ｒｅｓｅｔはフリップフロップ回路１５のリセット端子へ入力されるリセット信号（ＡＮＤ回路１８の出力信号）、ＶＧはスイッチング素子の制御端子（ゲート端子）の電圧を表す。
【０１１９】
負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが小さい場合、２次巻線１１０Ｂに流れる電流も小さくなり、２次電流が流れる期間が短くなるので、２次デューティ制限回路１２の出力信号ｓｅｔ＿２が出力されるタイミングは、発振器６の出力信号ｓｅｔ＿１よりも速くなっている。よって、フリップフロップ回路１５のセット端子には発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１が入力される（セット信号ｓｅｔ）。
【０１２０】
一方、負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが小さくなると、出力電圧ＶＯおよび補助電源電圧ＶＣＣが若干上昇する。補助電源電圧ＶＣＣが上昇するに従って誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が小さくなり、ドレイン電流検出回路４とドレイン電流制御回路５によりドレイン電流ＩＤが小さくなるように制御される。
【０１２１】
ここで、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が基準電圧源１０に設定された２つの基準電圧ＶＲ１、ＶＲ２のうちの低電位側の基準電圧ＶＲ１になると、軽負荷間欠発振制御回路８内のコンパレータ９の出力信号はローレベル信号となってＡＮＤ回路１４に入力され、フリップフロップ回路１５のセット端子へ入力されるセット信号ｓｅｔはローレベル信号となる。従って、フリップフロップ回路１５のセット端子にスイッチング素子１のターンオンを決めるクロック信号が入力されなくなり、スイッチング素子１のスイッチング動作が停止する。また、この時、同時に、基準電圧源１０の基準電圧ＶＲが基準電圧ＶＲ１から高電位側の基準電圧ＶＲ２に切り替わる。
【０１２２】
スイッチング素子１のスイッチング動作が停止すると、トランス１１０を介したエネルギの供給が停止するため、出力電圧ＶＯおよび補助電源電圧ＶＣＣが徐々に低下する。補助電源電圧ＶＣＣが低下すると、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が上昇するが、基準電圧源１０の基準電圧ＶＲが基準電圧ＶＲ１よりも高い基準電圧ＶＲ２となっているため、フリップフロップ回路１５のセット端子へ入力されるセット信号ｓｅｔはローレベル信号のままとなり、スイッチング素子１のスイッチング動作はすぐには再開されない。
【０１２３】
出力電圧ＶＯと補助電源電圧ＶＣＣがさらに低下し、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が基準電圧ＶＲ２に達すると、コンパレータ９の出力信号がハイレベル信号となってＡＮＤ回路１４に入力され、発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１によってスイッチング素子１のスイッチング動作が再開される。また、この時、同時に、基準電圧源１０の基準電圧ＶＲが基準電圧ＶＲ２から低電位側の基準電圧ＶＲ１に切り替わる。
【０１２４】
スイッチング素子１のスイッチング動作が再開された時の誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧は基準電圧ＶＲ２であり、スイッチング素子１に流れるドレイン電流ＩＤは、スイッチング素子１のスイッチング動作停止時の電流よりも大きくなっている。従って、出力電圧ＶＯおよび補助電源電圧ＶＣＣが上昇して誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が低下する。そして、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が基準電圧ＶＲ１に達すると再びスイッチング素子１のスイッチング動作が停止する。
【０１２５】
このように、負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが小さい場合には、スイッチング素子１のスイッチング動作が停止、再開する間欠発振動作になる。このスイッチング素子１のスイッチング動作の停止、再開は、出力電圧ＶＯと補助電源電圧ＶＣＣの上昇、低下の速度に依存している。つまり、負荷１３２への出力電流ＩＯが小さいほど、出力電圧ＶＯと補助電源電圧ＶＣＣの上昇が早く、低下が遅くなるため、スイッチング素子１のスイッチング動作停止期間が長くなる。
【０１２６】
以上の動作により、＜軽負荷時＞にはスイッチング素子１のスイッチング動作が停止、再開する間欠発振制御となり、負荷１３２への出力電流ＩＯが小さくなるほど、スイッチング素子１のスイッチング動作停止期間が長くなる。これにより、＜軽負荷時＞のスイッチング素子１のスイッチング動作によるロスを削減でき、消費電力、効率の改善が可能となる。また、この間欠発振制御により、＜軽負荷時＞の出力電圧ＶＯの上昇も抑えることが可能となる。
【０１２７】
なお、間欠発振制御時には、スイッチング素子１の発振周波数が低くなり、可聴周波数帯域に入ると、通常、トランスの磁気歪音が聞こえるようになるが、当該スイッチング電源装置では、間欠発振制御時のスイッチング素子１に流れるピーク電流が基準電圧ＶＲ１と基準電圧ＶＲ２で決まる電流値で低く制御されるので、実質的な磁気歪音を聞こえなくすることができる。よって、トランスの磁気歪音の影響を考慮することなく、間欠発振の周波数を十分に低くでき、待機時の消費電力を大幅に削減することができる。
【０１２８】
例えば、基準電圧源１０の第１の基準電圧ＶＲ１と第２の基準電圧ＶＲ２をそれぞれ過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴの１５％程度（より好ましくは１５％。）、２０％程度（より好ましくは２０％。）に設定することで、間欠発振制御時のスイッチング素子１に流れるピーク電流を十分に小さくできるので、トランスの磁気歪音の影響をなくすことができ、かつ、間欠発振の周波数を十分に小さくすることができるので、待機時の消費電力を大幅に削減できる。
【０１２９】
＜（２）定電圧領域１＞
図９は、当該スイッチング電源装置の＜定電圧領域１＞における各部の動作を表すタイミングチャートを示す図である。この＜定電圧領域１＞とは、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が基準電圧源１０から出力された基準電圧ＶＲよりも高く、かつ過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも低くなっている状態のことである。
【０１３０】
負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが軽負荷時よりも大きくなり、出力電圧ＶＯが軽負荷時よりも若干低くなって、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が基準電圧源１０から出力された基準電圧ＶＲよりも高く、かつ過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも低い状態になると、軽負荷間欠発振制御回路８内のコンパレータ９の出力信号はハイレベル信号となってＡＮＤ回路１４に入力される。
【０１３１】
また、この＜定電圧領域１＞では、２次巻線１１０Ｂに流れる電流も小さく、２次電流が流れる期間が短くなるので、２次デューティ制限回路１２の出力信号ｓｅｔ＿２が出力されるタイミングは、発振器６の出力信号ｓｅｔ＿１よりも速くなっている。よって、フリップフロップ回路１５のセット端子には発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１が入力される（セット信号ｓｅｔ）。
【０１３２】
このように、＜定電圧領域１＞では、当該スイッチング電源装置は、間欠発振制御から外れ、発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１をセット信号ｓｅｔとし、ドレイン電流検出回路４から出力される素子電流検出信号ＶＣＬの電圧と誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧を比較して出力されるドレイン電流制御回路５からの出力信号をリセット信号ｒｅｓｅｔとした、固定発振周波数のピーク電流制御方式による動作状態となる。
【０１３３】
＜（３）定電圧領域２＞
図１０は、当該スイッチング電源装置の＜定電圧領域２＞における各部の動作を表すタイミングチャートを示す図である。この＜定電圧領域２＞とは、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも高くなっている状態のことである。
【０１３４】
負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが＜定電圧領域１＞よりも大きくなり、出力電圧ＶＯが＜定電圧領域１＞よりも若干低くなって、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも高くなると、ドレイン電流制御回路５は、ドレイン電流検出回路４から出力される素子電流検出信号ＶＣＬの電圧を過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴと比較する。これにより、定電圧領域２においては、スイッチング素子１に流れるピーク電流が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴで決まる電流値で固定されることになる。
【０１３５】
また、この＜定電圧領域２＞では、２次巻線１１０Ｂに流れる電流は最大値に達しているが、２次電流オンデューティが２次デューティ制限回路１２で設定された所定値まで達していないため、２次デューティ制限回路１２の出力信号ｓｅｔ＿２が出力されるタイミングは、発振器６の出力信号ｓｅｔ＿１よりも速くなっている。よって、フリップフロップ回路１５のセット端子には発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１が入力される（セット信号ｓｅｔ）。
【０１３６】
さらに、
誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧  ＞  過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴ
の状態では、発振周波数調整回路７が、誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧と過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴの差に応じてスイッチング素子１の発振周波数を高くする信号を発振器６へ出力する。
【０１３７】
このように、＜定電圧領域２＞では、当該スイッチング電源装置は、負荷が重くなるほど発振周波数が高くなる発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１をセット信号ｓｅｔとし、ドレイン電流検出回路４から出力される素子電流検出信号ＶＣＬの電圧と過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴを比較して出力されるドレイン電流制御回路５からの出力信号をリセット信号とした、固定ピーク電流の発振周波数制御方式による動作状態となる。
【０１３８】
なお、負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが大きくなると、スイッチング素子１の発振周波数が高くなるが、２次電流オフ検出回路１０から発振器６への出力信号Ｄ２＿ｏｎがハイレベル信号の間、発振器６から次のワンパルス信号ｓｅｔ＿１が出力されないようになっているため、２次電流が流れ終わった後に次のターンオンパルス信号が発生する。つまり、当該スイッチング電源装置は非連続モード動作となっている。
【０１３９】
＜（４）定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞
図１１は、当該スイッチング電源装置の＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞における各部の動作を表すタイミングチャートを示す図である。この＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞とは、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも高く、かつ発振器６から出力される第１のクロック信号ｓｅｔ＿１と２次デューティ制限回路１２から出力される第２のクロック信号ｓｅｔ＿２のタイミングが同時になる状態、つまり、２次電流のオンデューティが設定値に達した状態のことである。
【０１４０】
＜定電圧領域２＞では、スイッチング素子１に流れるピーク電流が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴで決まる電流値で固定され、発振周波数調整回路７により負荷が重くなるに従ってクロック信号ｓｅｔ＿１の発振周波数が高くなるように制御されている。従って、＜定電圧領域２＞では、負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが大きくなるとクロック信号ｓｅｔ＿１の発振周波数が高くなって２次電流オンデューティが大きくなる。
【０１４１】
そして、２次電流オンデューティが２次デューティ制限回路１２で設定された所定値になると、２次デューティ制限回路１２からのクロック信号ｓｅｔ＿２と発振器６からのクロック信号ｓｅｔ＿１のタイミングが等しくなる。従って、この＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞において、２次電流オンデューティが２次デューティ制限回路１２で設定された所定値に達する。
【０１４２】
なお、当該スイッチング電源装置は非連続モード動作となっているので、負荷１３２に供給されるエネルギは、出力電圧ＶＯ、出力電流ＩＯ、トランス１１０の１次巻線１１０ＡのインダクタンスＬｐ、スイッチング素子１に流れるピーク電流値Ｉｐ、スイッチング素子１の発振周波数ｆｏｓｃより、
ＶＯ×ＩＯ＝（１／２）×Ｌｐ×Ｉｐ×Ｉｐ×ｆｏｓｃ  ・・・  （１）
と表される。
【０１４３】
ここで、この＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞では、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも高くなっているため、スイッチング素子１に流れるピーク電流Ｉｐが過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴで決まる電流値で固定される。つまり、スイッチング素子１に流れるドレイン電流ＩＤが過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴで決められた電流値に達した時に、スイッチング素子１がターンオフする。そして、スイッチング素子１がターンオフして２次巻線１１０Ｂに電流が流れ始める時の電流値、すなわち２次電流のピーク電流値は、トランス１１０の１次巻線１１０Ａと２次巻線１１０Ｂの巻数比で決まる電流値となるため、２次電流のピーク電流値も一定となる。
【０１４４】
出力電圧ＶＯが一定の場合、２次電流の傾きも一定であるため、２次電流のピーク電流値が一定のときの２次電流が流れる期間は常に一定となる。従って、この＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞においては、２次電流が流れる期間は常に一定となる。この結果、＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞では、クロック信号ｓｅｔ＿２の発振周波数は常に一定の値となる。つまり、＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞ではクロック信号ｓｅｔ＿１とクロック信号ｓｅｔ＿２の発振周波数が等しくなるので、スイッチング素子１の発振周波数ｆｏｓｃは常に一定の値となる。
【０１４５】
また、トランス１１０の１次巻線１１０ＡのインダクタンスＬｐが変化した場合、２次電流の傾きも変化する。２次電流のピーク電流値が一定になっている場合、インダクタンスＬｐが大きくなると２次電流の傾きが大きくなり、２次電流が流れる期間が長くなる。その結果、クロック信号ｓｅｔ＿２の発振周波数が低くなる。つまり、＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞ではクロック信号ｓｅｔ＿１とクロック信号ｓｅｔ＿２の発振周波数が等しくなるので、スイッチング素子１の発振周波数ｆｏｓｃは低くなる。
【０１４６】
これとは逆に、インダクタンスＬｐが小さくなると２次電流の傾きが小さくなり、２次電流が流れる期間は短くなる。その結果、クロック信号ｓｅｔ＿２の発振周波数が高くなる。つまり、＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞ではクロック信号ｓｅｔ＿１とクロック信号ｓｅｔ＿２の発振周波数が等しくなるので、スイッチング素子１の発振周波数ｆｏｓｃは高くなる。
【０１４７】
以上より、＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞においては、トランス１１０の１次巻線１１０ＡのインダクタンスＬｐとスイッチング素子１の発振周波数ｆｏｓｃの積が一定になるため、（１）式の関係から、出力電流ＩＯが一定となる。従って、＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞での出力電流ＩＯは、発振周波数とトランスのインダクタンス値のばらつきの影響を受けない。
【０１４８】
＜（５）定電流領域＞
図１２は、当該スイッチング電源装置の＜定電流領域＞における各部の動作を表すタイミングチャートを示す図である。この＜定電流領域＞とは、誤差増幅器３から出力される誤差電圧信号ＶＥＡＯの電圧が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴよりも高く、かつ２次デューティ制限回路１２より出力されるクロック信号ｓｅｔ＿２によってスイッチング素子１のスイッチング動作が行われている領域のことである。
【０１４９】
負荷１３２に流れる出力電流ＩＯが＜定電圧領域２と定電流領域の境界領域＞における出力電流ＩＯよりも大きくなるように負荷を重くすると、上述したように２次電流のピーク電流値と２次電流オンデューティが一定で、トランス１１０の２次巻線１１０Ｂに供給されるエネルギが既に最大となっているので、出力電圧ＶＯが低下する。
【０１５０】
出力電圧ＶＯが低下すると、２次電流の傾きが大きくなって２次電流が流れる期間が長くなり、２次デューティ制限回路１２からの出力信号ｓｅｔ＿２が出力されるタイミングは、発振器６からの出力信号ｓｅｔ＿１よりも遅くなるため、クロック信号選択回路１３からは、クロック信号ｓｅｔ＿２が出力される。クロック信号ｓｅｔ＿２は、２次電流オンデューティが所定値で一定となるように出力されるため、２次電流オンデューティが所定値に制御されたまま、スイッチング素子１の発振周波数が低くなる。従って、負荷を重くするに従って、２次電流のピーク電流値と２次電流オンデューティが一定のまま、スイッチング素子１の発振周波数が低下するように制御される。
【０１５１】
ここで、２次電流オンデューティが所定値の場合、出力電流ＩＯは、２次電流オンデューティをＤ２、２次電流のピーク電流値をＩ２ｐとすると、以下の式で表される。
ＩＯ＝（１／２）×Ｉ２ｐ×Ｄ２  ・・・  （２）
２次電流のピーク電流値Ｉ２ｐは、スイッチング素子１に流れるピーク電流が過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴで決まる電流値で制御されているため一定である。従って、トランス１１０の１次巻線１１０ＡのインダクタンスＬｐ、スイッチング素子１の発振周波数ｆｏｓｃに関係なく、一定の出力電流ＩＯを得ることができ、ばらつきの少ない、高精度の定電流垂下特性を得られる。
【０１５２】
＜（６）フの字保護領域＞
図１３は、当該スイッチング電源装置の＜フの字保護領域＞における各部の動作を表すタイミングチャートを示す図である。この＜フの字保護領域＞とは、＜定電流領域＞において、補助電源電圧ＶＣＣが過電流保護基準電圧調整回路１６で設定された電圧値よりも低くなり、過電流保護基準電圧調整回路１６により過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴが調整されている領域のことである。
【０１５３】
＜定電流領域＞では、負荷１３２の負荷を重くするとそれに従って一定の出力電流ＩＯのまま出力電圧ＶＯと補助電源電圧ＶＣＣが垂下していく。ここで、補助電源電圧ＶＣＣが過電流保護基準電圧調整回路１６で設定された電圧値よりも低くなると、過電流保護基準電圧調整回路１６は、補助電源電圧ＶＣＣの低下に従って過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴを小さくするように動作する。
【０１５４】
これにより、スイッチング素子１に流れるピーク電流及び２次巻線１１０Ｂに流れるピーク電流が低くなるため、（２）式に従って出力電流ＩＯが小さくなる。この動作により、出力電圧ＶＯが低下した時の出力電流ＩＯが小さくなるため、負荷短絡時などの過負荷時に出力電流ＩＯを小さく抑えることができ、安全性の高いフの字保護を実現できる。
【０１５５】
例えば、過電流保護基準電圧調整回路１６における設定値を、＜定電圧領域＞で安定化されているときの補助電源電圧ＶＣＣの３０％程度（安定化用基準電圧の３０％程度。より好ましくは、３０％。）に設定する。これにより、出力電圧ＶＯが十分に垂下してから出力電流ＩＯを小さくできるため、充電器の定電流垂下領域を十分に確保しつつ、負荷短絡時などの過負荷時に出力電流ＩＯを十分に小さくできるようになる。
【０１５６】
また、例えば過電流保護基準電圧調整回路１６により、過電流保護基準電圧の最小値を過電流保護基準電圧ＶＬＩＭＩＴ（過電流保護基準電圧の最大値）の２０％程度（より好ましくは２０％。）まで調整できるように設定する。これにより、負荷短絡時の出力電流ＩＯも定電流垂下領域における出力電流ＩＯの２０％程度になるため、負荷短絡時などの過負荷時に出力電流ＩＯを十分に小さく抑えることができ、安全性の高いフの字保護を実現できる。
【０１５７】
また、出力電圧ＶＯが低くなると、２次電流オンデューティが所定値で制御されているためにスイッチング素子１の発振周波数が低くなる。通常、発振周波数が低くなり、可聴周波数帯域に入ると、トランスの磁気歪音が聞こえるようになるが、当該スイッチング電源装置では、出力電圧ＶＯが低くなって発振周波数が低くなると、スイッチング素子１に流れるピーク電流及び２次巻線１１０Ｂに流れるピーク電流も低くなるので、発振周波数の低下が抑制され、可聴周波数帯域に入ることを防ぐことができる。
【０１５８】
また、可聴周波数帯域に入った場合でも、スイッチング素子１に流れるピーク電流及び２次巻線１１０Ｂに流れるピーク電流が非常に小さくなっているため、実質的な磁気歪音を聞こえなくすることができる。
【０１５９】
以上のように、本実施の形態によれば、２次側の定電流制御回路や、出力電流検出抵抗、フォトカプラを不要にでき、低コスト、最小部品点数、最小電力ロスで十分な精度の定電流垂下特性を実現できる。従って、少ない部品点数で十分な精度の充電器用スイッチング電源を構成でき、充電器用スイッチング電源の低コスト化、小型化、省エネ化を実現できる。
【０１６０】
また、定電流領域では、スイッチング素子に流れるピーク電流を一定値にして２次電流のピーク電流を一定値にし、２次電流オンデューティを所定値に制御することで、定電流垂下特性を実現している。さらに、発振周波数やトランスのインダクタンスのばらつきが出力電流の定電流値に影響しないため、トータルのばらつきも非常に小さくなり、高精度の定電流垂下特性を実現できる。
【０１６１】
また、軽負荷時には、スイッチング素子に流れるピーク電流を小さくした間欠発振になるので、軽負荷時の出力電圧上昇を抑え、消費電力を減らすことができ、待機時の省エネ化も実現できる。
【０１６２】
また、過負荷時には、スイッチング素子に流れるピーク電流を出力電圧の低下に合わせて低下させ、２次電流オンデューティを所定値に制御するので、出力電圧が下がるほど出力電流が小さくなるフの字保護機能を実現でき、安全性の高い電源装置を構成できる。
【０１６３】
また、スイッチング素子と制御回路については同一半導体内に設けて容易に単一化することができる。従って、主要な回路部品を単一半導体内に設けることで、回路を構成するための部品点数を削減することができ、電源装置として、容易に小型化および軽量化さらにコスト低減化を実現することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１６４】
本発明にかかるスイッチング電源装置は、低コストかつ最小の部品点数によって十分な精度の定電流垂下特性を実現することができ、携帯電話やデジタルスチルカメラ等のポータブル機器用充電器などに有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１６５】
【図１】本発明の実施の形態におけるスイッチング電源装置の一構成例を示すブロック図
【図２】同実施の形態のスイッチング電源装置におけるスイッチング電源装置制御用の半導体装置の一構成例を示すブロック図
【図３】同実施の形態のスイッチング電源装置における２次電流オフ検出回路と２次デューティ制限回路の一構成例を示すブロック図
【図４】同実施の形態のスイッチング電源装置におけるクロック信号選択回路の一構成例を示すブロック図
【図５】同実施の形態のスイッチング電源装置における発振器と発振周波数調整回路の一構成例を示すブロック図
【図６】同実施の形態のスイッチング電源装置における過電流保護基準電圧調整回路の一構成例を示すブロック図
【図７】同実施の形態のスイッチング電源装置における出力電圧−出力電流特性の一例を示す図
【図８】同実施の形態のスイッチング電源装置における軽負荷時の動作を表すタイミングチャートを示す図
【図９】同実施の形態のスイッチング電源装置における定電圧領域１の動作を表すタイミングチャートを示す図
【図１０】同実施の形態のスイッチング電源装置における定電圧領域２の動作を表すタイミングチャートを示す図
【図１１】同実施の形態のスイッチング電源装置における定電圧領域２と定電流領域の境界領域の動作を表すタイミングチャートを示す図
【図１２】同実施の形態のスイッチング電源装置における定電流領域の動作を表すタイミングチャートを示す図
【図１３】同実施の形態のスイッチング電源装置におけるフの字保護領域（過負荷時）の動作を表すタイミングチャートを示す図
【符号の説明】
【０１６６】
１          スイッチング素子
２          レギュレータ
３          誤差増幅器
４          ドレイン電流検出回路
５          ドレイン電流制御回路
６          発振器
７          発振周波数調整回路
８          軽負荷間欠発振制御回路
９          コンパレータ
１０        基準電圧源
１１        ２次電流オフ検出回路
１２        ２次デューティ制限回路
１３        クロック信号選択回路
１４        ＡＮＤ回路
１５        フリップフロップ回路
１６        過電流保護基準電圧調整回路
１７        オン時ブランキングパルス発生回路
１８        ＡＮＤ回路
１９        過熱保護回路
２０        ＮＡＮＤ回路
２１        ゲートドライバ
２２        コンパレータ
２３、２４        ワンパルス信号発生回路
２５        フリップフロップ回路
２６        インバータ回路
２７、３６        ＡＮＤ回路
２８        定電流源
２９、３０、３１        スイッチ
３２、３３        ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ
３４        コンデンサ
３５        コンパレータ
３７        ワンパルス信号発生回路
３８、３９、４４        ワンパルス信号発生回路
４０        ＯＲ回路
４１、４２        フリップフロップ回路
４３        ＡＮＤ回路
４５        コンパレータ
４６        基準電圧源
４７        コンデンサ
４８        ワンパルス信号発生回路
４９        インバータ回路
５０        ＡＮＤ回路
５１        定電流源
５２、５３、５４        スイッチ
５５、５６        ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ
５７、５８        ＮＰＮトランジスタ
５９、６０        抵抗
６１、６２、６３、６４、６７、６８        ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ
６５、６６        ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ
６９、７０、７３、８６        抵抗
７１        コンパレータ
７２        ＮＰＮトランジスタ
７４、７５、８４、８５        ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ
７６、７７、７９、８０、８２、８３        ＮｃｈＭＯＳＦＥＴ
７８、８１        定電流源
８７        スイッチ
１００      スイッチング電源装置制御用の半導体装置
１１０      トランス
１１０Ａ    １次巻線
１１０Ｂ    ２次巻線
１１０Ｃ    補助巻線
１２０、１３０      ダイオード
１２１、１３１      コンデンサ
１２２      ダイオード
１２３、１２４      抵抗
１３２      負荷
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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