(57)【要約】【課題】  高分子フィルムを基材として用い、さらに層間接続に電気特性の優れるポリイミド樹脂を用いた薄型の多層回路基板を提供する。【解決手段】  （１）基板（Ａ）上に第１の導体回路（Ｂ）を形成する、（２）導体回路（Ｂ）上にポリイミドの前駆体であるポリアミド酸溶液を塗布、乾燥する、（３）前記ポリアミド酸を３００℃以上の熱処理にて脱水閉環することによりポリイミド樹脂よりなる第１の層間絶縁層（Ｃ）を形成する、（４）  第１の層間絶縁層（Ｃ）上に第２の導体回路（Ｄ）を形成する、の少なくとも（１）〜（４）の工程を有する製造法によって得られる多層回路基板であって、基板（Ａ）として、引張弾性率が６ＧＰａ以上、３５０℃２時間処理時の熱収縮率が０．３％以下の高分子素材を用いることを特徴とする多層回路基板である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも（１）〜（４）の工程を有する製造法によって得られる多層回路基板であって、基板（Ａ）として、引張弾性率が６ＧＰａ以上、３５０℃２時間処理時の熱収縮率が０．３％以下の高分子素材を用いることを特徴とする多層回路基板。
（１）基板（Ａ）上に第１の導体回路（Ｂ）を形成する工程、
（２）導体回路（Ｂ）上にポリイミドの前駆体であるポリアミド酸溶液を塗布、乾燥する工程、
（３）前記ポリアミド酸を３００℃以上の熱処理にて脱水閉環することによりポリイミド樹脂よりなる第１の層間絶縁層（Ｃ）を形成する工程、
（４）第１の層間絶縁層（Ｃ）上に第２の導体回路（Ｄ）を形成する工程。
【請求項２】
基板（Ａ）としての高分子素材が、ポリイミドベンゾオキサゾールからなるフィルム又はシートである請求項１記載の多層回路基板。
【請求項３】
ポリアミド酸が、ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸無水物類の縮合により得られるポリアミド酸である請求項１記載の多層回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子素材を基板に使用した小型軽量化に対応し得る多層回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層回路基板の製造方法として、ビルドアップ法が知られている。支持基板となる絶縁基板上に、導体回路層と絶縁層を交互に、順次形成していく方法である。導体回路層の形成方法としては、めっき、蒸着、スパッタリング等の方法がある。その中でも、めっきによる方法は、製造方法が簡易であり、安価であるため、多用されている方法である。また、今後はスパッタリング、蒸着などの乾式製膜法と湿式のめっき法とを組み合わせて回路形成する方法が注目されている。一方、絶縁層の形成方法としては、感光性絶縁樹脂を塗布し、露光、現像により、あるいは感光性を有しない絶縁樹脂を塗布し、レーザー加工等の方法で、バイアホール部の樹脂を除去するという方法が知られている。
かかる感光性の樹脂、ないし感光性を有しない絶縁性樹脂としては、主に光架橋、熱架橋性のエポキシ樹脂が用いられてきた。エポキシ樹脂は液状にて塗布される場合と、ドライフィルム状に加工されたボンディングシートととして用いられる場合がある。かかるエポキシ樹脂は耐湿性、耐熱性に劣ることが指摘されているが、比較的安価であることと取り扱い性が容易であることから広く用いられている。
【０００３】
しかしながら、昨今の電子機器の高密度化、高信頼性化、高周波対応への要求より従来のエポキシ樹脂に代えて、より耐熱性、電気特性に優れる絶縁樹脂を用いようと云う要求が高まってきている。層間絶縁材料としてポリイミド樹脂を用いることは半導体加工分野では広く行われており、現状では一般的な技術であると云って良い。しかしながら、一般のプリント配線板加工において、層間絶縁にポリイミド樹脂を用いることを試みた場合、基板の反り、シワなどが生じ、実用化がされてはいなかった。
すなわち不溶不融の高分子であるポリイミド樹脂は一般にその前駆体であるポリアミド酸の状態で成形加工し、その後に加熱によりイミド化されることが常である。この加熱によるイミド化工程においては、通常、電子機器の半田付け温度よりさらに高い温度が必要とされる。そのため基板材料自体の耐熱性不足に加え銅箔回路の劣化等も生じるために実用的な回路基板を得ることが出来ないのである。基板材料としてセラミックなどの無機基板を用いれば、ポリイミド樹脂を層間絶縁に用いることが可能となるが、かかる形態では、昨今の電子機器の小型軽量化への対応に限界があるのは明白である。
電子機器のさらなる小型軽量化に伴い、これらフィルム基材のプリント配線板においても、フィルム基材のさらなる薄膜化、配線のさらなる微細化、それに伴い導電層のさらなる薄膜化が求められている。
【０００４】
高分子素材をこれらのプリント配線板や多層プリント配線板の基材として使用することが多数提案されている。例えば、２５μｍ厚さのポリイミドフィルム基材上にアディティブ法で形成した回路を設けたフレキシブルプリント配線板（特許文献１参照）、ＰＥＴフィルムなどの裏打材上にワニスを介して薄いポリイミドを積層しそのポリイミドフィルム上に細密な回路を設けたプリント配線板（特許文献２参照）、２５μｍ厚さのポリイミドフィルム上に熱可塑性ポリイミド層を設けその上に微細回路を設けたプリント配線板（特許文献３参照）、その他多数の提案がなされている。
【特許文献１】特開２００２−３１４２１５号公報
【特許文献２】特開２００３−２７３５２２号公報
【特許文献３】特開２００４−２７６４０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
以上述べてきたように、従来の有機基板では、層間絶縁に電気特性の優れるポリイミド樹脂を用いることが困難であり、また無機基板では小型軽量化に対応することが困難であった。
本発明はかかる課題を両立すべく、薄い有機フィルムを基材として用い、さらに層間接続に電気特性の優れるポリイミド樹脂を用いた薄型の多層回路基板を実現することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、層間絶縁にポリイミド樹脂を用いた多層回路基板を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、次なる発明に到達した。すなわち本発明は、（１）基板（Ａ）上に第１の導体回路（Ｂ）を形成する、（２）導体回路（Ｂ）上にポリイミドの前駆体であるポリアミド酸溶液を塗布、乾燥する、（３）前記ポリアミド酸を３００℃以上の熱処理にて脱水閉環することによりポリイミド樹脂よりなる第１の層間絶縁層（Ｃ）を形成する、（４）第１の層間絶縁層（Ｃ）上に第２の導体回路（Ｄ）を形成する、の少なくとも（１）〜（４）の工程を有する製造法によって得られる多層回路基板であって、基板（Ａ）として、引張弾性率が６ＧＰａ以上、３５０℃２時間処理時の熱収縮率が０．３％以下の高分子素材を用いることを特徴とする多層回路基板である。好ましい態様は、基板としての高分子素材がポリイミドベンゾオキサゾールのフィルム又はシートである前記の多層回路基板であり、さらにまたポリアミド酸が、ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸無水物類の縮合により得られるポリアミド酸である前記の多層回路基板である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明においては特定の高分子素材を基板として用い、導体回路とポリイミドによる層間絶縁層とを交互に積層して多層回路基板を得る。層間絶縁層を形成するには、ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸溶液を導体パターン上に塗布乾燥−熱イミド化を繰り返すことにより実施する。
熱イミド化に要する温度は通常３００℃以上であり非常に高いため、基材として熱可塑性の高分子フィルムは論外であり、ガラスクロス補強エポキシ樹脂基板においても、エポキシ樹脂が軟化してしまうために基板の平面性を保つことが出来ない。熱イミド化温度に耐えうるフィルム素材として考えられるのはポリイミドフィルムであるが、本発明者らが知見するところによれば、一般的なポリイミドフィルムを基材に用いた場合でも、得られる基板の平面性は大きく損なわれてしまうことが明らかとなっている。ポリイミドフィルムを用いた場合には、フィルム自体が軟化する訳ではないので、かかる平面性の低下はむしろ各層の伸縮のミスマッチに起因すると考えるべきである。
また、銅回路とポリイミドフィルム、ポリイミド樹脂との線膨張係数に注意が必要となるが、ポリイミド素材の線膨張係数を銅にマッチさせたからといって、必ずしも平面性が得られるわけではない。ここに本発明者らは、基材そのものの熱イミド化温度での熱収縮率が、得られる多層回路基板の平面性に大きく影響することを見出し、本発明に至ったものであり、本発明の多層回路基板は薄型の多層回路基板を得るに極めて効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。
本発明における、多層回路基板の製造法は、（１）基板（Ａ）上に第１の導体回路（Ｂ）を形成する、（２）導体回路（Ｂ）上にポリイミどの前駆体であるポリアミド酸溶液を塗布、乾燥する、（３）前記ポリアミド酸を３００℃以上の熱処理にて脱水閉環することによりポリイミド樹脂よりなる第１の層間絶縁層（Ｃ）を形成する、（４）第１の層間絶縁層（Ｃ）上に第２の導体回路（Ｄ）を形成する、の少なくとも（１）〜（４）の工程を有するものであるが、（３）と（４）との間に、得られたポリイミド層に層間接続用の穴あけ加工を行う工程を挿入することや、さらにこれらの一連の工程を繰り返し行うことなどは必要に応じて実施されるものである。
【０００９】
本発明における基板（Ａ）としての高分子素材は、引張弾性率（流れ（ＭＤ）方向の引張弾性率と幅（ＴＤ）方向の引張弾性率の平均値）が６ＧＰａ以上であることが必須であり、７．５ＧＰａ以上が好ましく、８．５ＧＰａ以上がなお好ましく、なおさらには１０ＧＰａ以上であることが好ましい。高分子素材の引張弾性率は、それがポリイミドの場合、テトラカルボン酸無水物類にビフェニルテトラカルボン酸無水物を好ましくは３０ｍｏｌ％以上、さらに好ましくは５０ｍｏｌ％以上用いることにより実現できる。またジアミン成分にｐ−ＤＡＭＢＯ（下記、化１又は化２で示す）を３０ｍｏｌ％以上、好ましくは５０ｍｏｌ％以上、なお好ましくは７０ｍｏｌ％以上用いることによっても実現可能である。引張弾性率の上限は特に限定されないが、ハンドリング上最低限の柔軟性を確保する上で３０ＧＰａ以下程度であることが好ましい。
【００１０】
本発明における基板（Ａ）としての高分子素材の熱収縮率（流れ（ＭＤ）方向の熱収縮率と幅（ＴＤ）方向の熱収縮率の平均値）は、３５０℃２時間処理において０．３％以下であることが必須であり、０．２％以下であることが好ましく、０．１％以下であることがなお好ましい。
さらに本発明では、高分子素材の熱収縮率が４００℃２時間処理後の熱収縮率が０．３％以下であることが好ましく０．２％以下であることがさらに好ましく、なおさらに０．１％以下であることが好ましい。
【００１１】
本発明における高分子素材の引張弾性率が６ＧＰａ以上、３５０℃２時間処理時の熱収縮率が０．３％以下である高分子素材としては、剛直鎖構造を有するポリイミド、剛直鎖構造を有する芳香族ポリアミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリイミドベンゾオキサゾールなどから好ましく選択採用することができる。それらの中でも特に好ましいのは、ポリイミドベンゾオキサゾールである。
以下、基板（Ａ）としての高分子素材に好適に使用されるポリイミドについて詳述する。
ポリイミドの製造、特に基板（Ａ）として使用されるフィルムやシートの製造における重合反応は、まず溶媒中で芳香族ジアミン類と芳香族テトラカルボン酸無水物類とを開環重付加反応に供してポリアミド酸溶液を得て、次いで、このポリアミド酸溶液からポリイミドの前駆体フィルムであるグリーンフィルム（シート）を成形した後に脱水縮合（イミド化）することによりなされる。
【００１２】
本発明においては、前記したように層間絶縁層としてのポリイミドは、以下に詳述するポリイミドが好適に使用できる。
本発明においては、ポリイミドを構成するジアミンおよびテトラカルボン酸において、以下に述べるものが使用され得るが、特にベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類が好適なジアミンである。
本発明で特に好適に用いられるベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミン類としては、具体的には以下のものが挙げられる。
【００１３】
【化１】
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【００１４】
【化２】
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【００１５】
【化３】
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【００１６】
【化４】
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【００１７】
【化５】
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【００１８】
【化６】
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【００１９】
【化７】
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【００２０】
【化８】
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【００２１】
【化９】
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【００２２】
【化１０】
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【００２３】
【化１１】
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【００２４】
【化１２】
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【００２５】
【化１３】
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【００２６】
これらの中でも、合成のし易さの観点から、アミノ（アミノフェニル）ベンゾオキサゾールの各異性体が好ましい。ここで、「各異性体」とは、アミノ（アミノフェニル）ベンゾオキサゾールが有する２つアミノ基が配位位置に応じて定められる各異性体である（例；上記「化１」〜「化４」に記載の各化合物）。これらのジアミンは、単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
本発明においては、前記ベンゾオキサゾール構造を有する芳香族ジアミンを７０モル％以上使用することが好ましい。
【００２７】
本発明は、前記事項に限定されず下記の芳香族ジアミンを使用してもよいが、好ましくは全芳香族ジアミンの３０モル％未満であれば下記に例示されるベンゾオキサゾール構造を有しないジアミン類を一種又は二種以上、併用してのポリイミドフィルムである。
そのようなジアミン類としては、例えば、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ｍ−フェニレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−アミノベンジルアミン、ｐ−アミノベンジルアミン、
【００２８】
３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホキシド、３，４’−ジアミノジフェニルスルホキシド、４，４’−ジアミノジフェニルスルホキシド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、３，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、
【００２９】
１，１−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノシ）フェニル］ブタン、２，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ブタン、２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−２−［４−（４−アミノフェノキシ）−３−メチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−３−メチルフェニル］プロパン、２−［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−２−［４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）−３，５−ジメチルフェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、
【００３０】
１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルフィド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，４−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、４，４’−ビス［（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ベンゼン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、１，３−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、
【００３１】
２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、１，１−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、１，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］エタン、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホキシド、４，４’−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）ベンゾイル］ジフェニルエーテル、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾフェノン、４，４’−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ジフェニルスルホン、ビス［４−｛４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ｝フェニル］スルホン、１，４−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェノキシ−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−トリフルオロメチルフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−フルオロフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−メチルフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、１，３−ビス［４−（４−アミノ−６−シアノフェノキシ）−α，α−ジメチルベンジル］ベンゼン、
【００３２】
３，３’−ジアミノ−４，４’−ジフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５，５’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４，５’−ジフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５−フェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４−フェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−５’−フェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４，４’−ジビフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５，５’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４，５’−ジビフェノキシベンゾフェノン、３，３’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、４，４’−ジアミノ−５−ビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−４−ビフェノキシベンゾフェノン、３，４’−ジアミノ−５’−ビフェノキシベンゾフェノン、１，３−ビス（３−アミノ−４−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−５−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−５−フェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノ−４−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノ−４−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノ−５−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノ−５−ビフェノキシベンゾイル）ベンゼン、２，６−ビス［４−（４−アミノ−α，α−ジメチルベンジル）フェノキシ］ベンゾニトリルおよび上記芳香族ジアミンにおける芳香環上の水素原子の一部もしくは全てがハロゲン原子、炭素数１〜３のアルキル基又はアルコキシル基、シアノ基、又はアルキル基又はアルコキシル基の水素原子の一部もしくは全部がハロゲン原子で置換された炭素数１〜３のハロゲン化アルキル基又はアルコキシル基で置換された芳香族ジアミン等が挙げられる。
【００３３】
本発明で用いられるテトラカルボン酸無水物は、好ましくは芳香族テトラカルボン酸無水物類である。芳香族テトラカルボン酸無水物類としては、具体的には、以下のものが挙げられる。
【００３４】
【化１４】
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【００３５】
【化１５】
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【００３６】
【化１６】
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【００３７】
【化１７】
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【００３８】
【化１８】
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【００３９】
【化１９】
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【００４０】
これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
【００４１】
本発明においては、全テトラカルボン酸二無水物の３０モル％未満であれば下記に例示される非芳香族のテトラカルボン酸二無水物類を一種又は二種以上、併用しても構わない。そのようなテトラカルボン酸無水物としては、例えば、ブタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ペンタン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン−１，２，４，５−テトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサ−１−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、３−エチルシクロヘキサ−１−エン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−メチル−３−エチルシクロヘキサン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−メチル−３−エチルシクロヘキサ−１−エン−３−（１，２），５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−エチルシクロヘキサン−１−（１，２），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１−プロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジプロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３−（２，３）−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−３，４，３’，４’−テトラカルボン酸二無水物、
【００４２】
ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、１−プロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３，４−テトラカルボン酸二無水物、１，３−ジプロピルシクロヘキサン−１−（２，３），３−（２，３）−テトラカルボン酸二無水物、ジシクロヘキシル−３，４，３’，４’−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクタン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物等が挙げられる。これらのテトラカルボン酸二無水物は単独で用いてもよいし、二種以上を併用してもよい。
【００４３】
芳香族ジアミン類と、芳香族テトラカルボン酸無水物類とを重合してポリアミド酸を得るときに用いる溶媒は、原料となるモノマーおよび生成するポリアミド酸のいずれをも溶解するものであれば特に限定されないが、極性有機溶媒が好ましく、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリックアミド、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、スルホラン、ハロゲン化フェノール類等があげられる。これらの溶媒は、単独あるいは混合して使用することができる。溶媒の使用量は、原料となるモノマーを溶解するのに十分な量であればよく、具体的な使用量としては、モノマーを溶解した溶液に占めるモノマーの質量が、通常５〜４０質量％、好ましくは１０〜３０質量％となるような量が挙げられる。
【００４４】
ポリアミド酸を得るための重合反応（以下、単に「重合反応」ともいう）の条件は従来公知の条件を適用すればよく、具体例として、有機溶媒中、０〜８０℃の温度範囲で、１０分〜３０時間連続して撹拌および／又は混合することが挙げられる。必要により重合反応を分割したり、温度を上下させてもかまわない。この場合に、両モノマーの添加順序には特に制限はないが、芳香族ジアミン類の溶液中に芳香族テトラカルボン酸無水物類を添加するのが好ましい。
【００４５】
重合反応によって得られるポリアミド酸溶液に占めるポリアミド酸の質量は、好ましくは５〜４０質量％、より好ましくは１０〜３０質量％であり、前記溶液の粘度はブルックフィールド粘度計による測定（２５℃）で、送液の安定性の点から、好ましくは２０〜２０００Ｐａ・ｓであり、より好ましくは２００〜１０００Ｐａ・ｓである。
本発明におけるポリアミド酸の還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は、特に限定するものではないが２．０ｄｌ／ｇ以上が好ましく、３．０ｄｌ／ｇ以上がさらに好ましく、なおさらに５．０ｄｌ／ｇ以上が好ましい。
【００４６】
重合反応中に真空脱泡することは、良質なポリアミド酸の有機溶媒溶液を製造するのに有効である。また、重合反応の前に芳香族ジアミン類に少量の末端封止剤を添加して重合を制御することを行ってもよい。末端封止剤としては、無水マレイン酸等といった炭素−炭素二重結合を有する化合物が挙げられる。無水マレイン酸を使用する場合の使用量は、芳香族ジアミン類１モル当たり好ましくは０．００１〜１．０モルである。
重合反応により得られるポリアミド酸溶液から、ポリイミドフィルムを形成するためには、ポリアミド酸溶液を支持体上に塗布して乾燥するなどによりグリーンフィルムを得て、次いで、グリーンフィルムを熱処理に供することでイミド化反応させる方法が挙げられる。
支持体上で乾燥し、自己支持性となったフィルムは支持体より剥離され、１５０〜５００℃の温度にて最終乾燥、および熱処理によるアミド酸の脱水閉環がなされポリイミドフィルムとなる。
【００４７】
上記のポリイミドフィルムには、滑剤をポリイミド中に添加含有せしめるなどしてフィルム表面に微細な凹凸を付与しフィルムの滑り性を改善することもできる。
滑剤としては、無機や有機の０．０３μｍ〜３μｍ程度の平均粒子径を有する微粒子が使用でき、具体例として、酸化チタン、アルミナ、シリカ、炭酸カルシウム、燐酸カルシウム、燐酸水素カルシウム、ピロ燐酸カルシウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、粘土鉱物などが挙げられる。
これらのポリイミドフィルムは、通常は無延伸フィルムであるが、１軸又は２軸に延伸しても構わない。ここで、無延伸フィルムとは、テンター延伸、ロール延伸、インフレーション延伸などによってフィルムの面拡張方向に機械的な外力を意図的に加えずに得られるフィルムをいう。
【００４８】
本発明は、（１）基板（Ａ）上に第１の導体回路（Ｂ）を形成する、（２）導体回路（Ｂ）上にポリアミド酸溶液を塗布、乾燥する、（３）前記ポリアミド酸を３００℃以上の熱処理にて脱水閉環することによりポリイミド樹脂よりなる第１の層間絶縁層（Ｃ）を形成する、（４）  第１の層間絶縁層（Ｃ）上に第２の導体回路（Ｄ）を形成するの少なくとも（１）〜（４）の工程を有する製造法によって得られる多層回路基板であって、基板（Ａ）として、引張弾性率が６ＧＰａ以上、３５０℃２時間処理時の熱収縮率が０．３％以下の高分子素材を用いることを特徴とする多層回路基板である。
【００４９】
本発明の多層回路基板の製造法について、以下例示を挙げて説明する。
まず、上記で詳述したようにして得られるポリイミドフィルムなどの高分子素材の基板（Ａ）上に第１の導体回路（Ｂ）を形成する。
第１の導体回路を形成する方法は特に限定されず、好ましい例としては接着剤を用いずに銅箔を張り合わせ、定法であるサブトラクティブ法により回路パターンに加工することである。また、スパッタリング、蒸着などにより、必要に応じて下地金属、導電化金属を形成し、電気メッキで厚付けした導体をエッチング加工して回路パターンとする事もできる。
さらに、無電解メッキ、あるいはスパッタリング、蒸着、あるいは、キャリアなどを併用して極薄金属箔を貼り付けるなどの方法により、下地層を形成し、セミアディティブ法を用いて第１の導体回路（第１の回路パターン）形成を行っても良い。
第１の導体回路の厚みに特に制限はなく、要求される回路密度に応じて０．７〜３５μｍ程度の厚みにて作成すれば問題ない。
【００５０】
次いで第１の導体回路（Ｂ）の上に第１の層間絶縁層（Ｃ）を形成する。この層間絶縁層（Ｃ）はこの上に形成される第２の導体回路（Ｄ）と前記第１の導体回路（Ｂ）との層間の絶縁層となる。第１の層間絶縁層（Ｃ）はポリイミド樹脂にて構成される。ここに用いられるポリイミド樹脂としては、ポリアミド酸を前駆体とし、熱イミド化後には溶剤に不溶となり、かつ、イミド化温度では溶融しないポリイミド樹脂を好ましく用いることができる。かかる層間絶縁層はポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸溶液を第１の導体回路上に塗布し、６０℃〜２５０℃程度、好ましくは８０℃〜１４０℃の温度にて乾燥させることにより大部分の溶剤を除去し、さらに２５０〜５００℃、好ましくは３３０℃〜５００℃にて熱イミド化させる事により形成する。
【００５１】
本発明において層間絶縁層に用いられるポリイミド樹脂としては、公知のポリイミドが使用でき特に限定されるものではないが、好ましくは基板（Ａ）に好ましく使用されるところのポリイミドであり、より好ましくは前記詳述のポリイミドベンゾオキサゾールであり、ベンゾオキサゾール構造を持つジアミン類と芳香族テトラカルボン酸無水物類より得られるポリイミドベンゾオキサゾール樹脂の使用がより好ましい。
第１の層間絶縁層にレーザー等を用いて層間接続を行うための接続孔をあける工程を施してもよく、第２、第３・・・の層間絶縁層に必要に応じて施してもよいものである。
層間接続を行うための接続孔についてはオープンヴィアないしはフィルドヴィアの何れでも良い。また場合によっては導電ペーストヴィアを用いてもかまわない。
【００５２】
次いで第１の層間絶縁層（Ｃ）上に第２の導体回路（Ｄ）の形成を行う。第２の導体回路の形成方法に付いても第１の導体回路と同様に特に制限はなく、ビルドアップ法で用いられている回路形成方法を用いればよい。例えば、全面に無電解メッキ、ないしはスパッタリングなどで下地金属を形成し、さらに厚付けを行うことにより、まず全面を導体化させ、サブトラクティブ法によりパターン形成する方法が例示し得る。これらの方法の他にセミアディティブ法により回路形成するのも好ましい態様である。
このようにして形成された第２の導体回路（Ｄ）の上に、第１の層間絶縁層（Ｃ）と同様に第２の層間絶縁層を形成し、以下同様に必要な層数だけ繰り返し、最表面に半田レジストなどにより表面絶縁層を設けて多層回路基板を得る。
簡単のために基板（Ａ）の片面側のみについての製造法を例示したが、基板（Ａ）の両面を同様にビルドアップしてもよい。また基材には両面スルホール加工を行った両面回路基板を用いてもよい。
【実施例】
【００５３】
以下、実施例および比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。なお、以下の実施例における物性の評価方法は以下の通りである。
【００５４】
１．ポリアミド酸の還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）
ポリマー濃度が０．２ｇ／ｄｌとなるようにＮ−メチル−２−ピロリドンに溶解した溶液をウベローデ型の粘度管により３０℃で測定した。
【００５５】
２．ポリイミドフィルムの厚さ
マイクロメーター（ファインリューフ社製、ミリトロン（Ｒ）１２４５Ｄ）を用いて測定した。
【００５６】
３．ポリイミドフィルムの引張弾性率
測定対象のポリイミドフィルムを、流れ方向（ＭＤ方向）および幅方向（ＴＤ方向）にそれぞれ１００ｍｍ×１０ｍｍの短冊状に切り出したものを試験片とした。引張試験機（島津製作所製、オートグラフ（Ｒ）機種名ＡＧ−５０００Ａ）を用い、引張速度５０ｍｍ／分、チャック間距離４０ｍｍの条件で、ＭＤ方向、ＴＤ方向それぞれについて、引張弾性率、引張破断強度および引張破断伸度を測定した。引張弾性率は、流れ方向（ＭＤ方向）および幅方向（ＴＤ方向）の平均値を計算した。
【００５７】
４．ポリイミドフィルムの線膨張係数（ＣＴＥ）
測定対象のポリイミドフィルムについて、下記条件にてＭＤ方向およびＴＤ方向の伸縮率を測定し、３０℃〜４５℃、４５℃〜６０℃、…と１５℃の間隔での伸縮率／温度を測定し、この測定を３００℃まで行い、全測定値の平均値をＣＴＥとして算出した。ＭＤ方向、ＴＤ方向の意味は上記「３．」の測定と同様である。
装置名        ；  ＭＡＣサイエンス社製ＴＭＡ４０００Ｓ
試料長さ      ；  ２０ｍｍ
試料幅        ；  ２ｍｍ
昇温開始温度  ；  ２５℃
昇温終了温度  ；  ４００℃
昇温速度      ；  ５℃／ｍｉｎ
雰囲気        ；  アルゴン
【００５８】
５．熱収縮率
測定対象の基板に、２００ｍｍ間隔で２カ所パンチングを施し、３５０℃で２時間処理、および４００℃で２時間処理し、処理前後に２００ｍｍ間隔で２カ所パンチングした部位の長さを測定し熱収縮率を算出した。
【００５９】
６．基板の反り量
５０ｍｍ×５０ｍｍの試験片を定盤上に、上側に凹となるように置いた場合の、定盤面から試験片の四隅までの距離（ｈ１、ｈ２、ｈ３、ｈ４：単位ｍｍ）の平均値を反り量（ｍｍ）とた。
反り量（ｍｍ）＝（ｈ１＋ｈ２＋ｈ３＋ｈ４）／４
７．層間の位置のずれ
試験片をエポキシ樹脂にて包埋して切断し、断面を研磨してヴィアホール部のずれを実体顕微鏡で観察した。
【００６０】
参考例１（ポリアミド酸溶液Ａの調製）
アモルファスシリカの球状粒子シーホスター（Ｒ）ＫＥ−Ｐ３０（日本触媒株式会社製）を０．８１質量部、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４２０質量部を、容器に入れホモジナイザーＴ−２５ベイシック（ＩＫＡ  Ｌａｂｏｒ  ｔｅｃｈｎｉｋ社製）にて、回転数１０００回転／分で１分間攪拌し予備分散液を得た。予備分散液中の平均粒子径は０．３８μｍ、標準偏差０．０３２μｍ、ＣＶ値８．４％、であり、球形度０．９８であった。
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器を窒素置換した後、２２３質量部の５−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾオキサゾールを入れた。次いで、４０００質量部のＮ−メチル−２−ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を４２０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物を加えて、２５℃にて４８時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Ａが得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は５．０ｄｌ／ｇであった。
【００６１】
参考例２（ポリアミド酸溶液Ｂの調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器を窒素置換した後、２２３質量部の５−アミノ−２−（ｐ−アミノフェニル）ベンゾオキサゾールを入れた。次いで、４０００質量部のＮ−メチル−２−ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、参考例１と同様にして先に得た予備分散液を４２０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物を加えて、２５℃にて３時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Ｂが得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は３．０ｄｌ／ｇであった。
【００６２】
参考例３（ポリアミド酸溶液Ｃの調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器を窒素置換した後、２００質量部のジアミノジフェニルエーテルを入れた。次いで、３８００質量部のＮ−メチル−２−ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、参考例１と同様にして先に得た予備分散液を３９０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物を加えて、２５℃にて５時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Ｃが得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は３．０ｄｌ／ｇであった。
【００６３】
参考例４  （無機粒子の予備分散）
アモルファスシリカの球状粒子シーホスター（Ｒ）ＫＥ−Ｐ３０（日本触媒株式会社製）を３．７質量部、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４２０質量部を容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである容器に入れホモジナイザーＴ−２５ベイシック（ＩＫＡ  Ｌａｂｏｒ  ｔｅｃｈｎｉｋ社製）にて、回転数１０００回転／分で１分間攪拌し予備分散液を得た。
（ポリアミド酸溶液Ｄの調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、１０８質量部のフェニレンジアミンを入れた。次いで、３６００質量部のＮ−メチル−２−ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を４２０質量部と２９２．５質量部のジフェニルテトラカルボン酸二無水物を加えて、２５℃にて１２時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Ｄが得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は４．５ｄｌ／ｇであった。
【００６４】
参考例５
（無機粒子の予備分散）
アモルファスシリカの球状粒子シーホスター（Ｒ）ＫＥ−Ｐ３０（日本触媒株式会社製）を７．６質量部、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３９０質量部を容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである容器に入れホモジナイザーＴ−２５ベイシック（ＩＫＡ  Ｌａｂｏｒ  ｔｅｃｈｎｉｋ社製）にて、回転数１０００回転／分で１分間攪拌し予備分散液を得た。
（ポリアミド酸溶液の調製）
窒素導入管、温度計、攪拌棒を備えた容器の接液部、および輸液用配管はオーステナイト系ステンレス鋼ＳＵＳ３１６Ｌである反応容器内を窒素置換した後、２００質量部のジアミノジフェニルエーテルを入れた。次いで、３８００質量部のＮ−メチル−２−ピロリドンを加えて完全に溶解させてから、先に得た予備分散液を３９０質量部と２１７質量部のピロメリット酸二無水物を加えて、２５℃にて５時間攪拌すると、褐色の粘調なポリアミド酸溶液Ｅが得られた。この還元粘度（ηｓｐ／Ｃ）は３．７ｄｌ／ｇであった。
【００６５】
製造例１（ポリイミドフィルム（Ｉ）の製造）
参考例１で得たポリアミド酸溶液Ａを送液し、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの支持体上にコーティングし（スキージ／ベルト間のギャップは、９５０μｍ）、９０℃にて６０分間乾燥した。乾燥後に自己支持性となったポリアミド酸フィルムを支持体から剥離して、厚さ７１μｍのポリアミド酸フィルム（グリーンフィルム）を得た。
得られたグリーンフィルムを、窒素置換された連続式の熱処理炉に通し、第１段が１８０℃で３分、昇温速度４℃／秒で昇温して第２段として４６０℃で５分の条件で２段階の加熱を施して、イミド化反応を進行させた。その後、５分間で室温にまで冷却することで、褐色を呈する、厚さ４８μｍ、幅６０ｃｍポリイミドフィルム（Ｉ）を得て、両端部（耳部）をそれぞれ５ｃｍずつスリットし、中央部のみの幅５０ｃｍのフィルムを製品とした。
得られたポリイミドフィルム（Ｉ）の３５０℃２時間処理後の熱収縮率は、ＭＤ方向で０．０４％、ＴＤ方向で０．０１％、４００℃２時間処理後の熱収縮率は、ＭＤ方向で０．０９％、ＴＤ方向で０．０３％であった。また、引張弾性率は１０．２ＧＰａであった。
【００６６】
製造例２（ポリイミドフィルム（ＩＩ）の製造）
参考例４で得られたポリアミド酸溶液Ｄを用い、以下製造例１と同様に操作してポリイミドフィルム（ＩＩ）を得た。得られたポリイミドフィルム（ＩＩ）の３５０℃２時間処理後の熱収縮率は、ＭＤ方向０．４５％、ＴＤ方向０．４６％、４００℃２時間処理後の熱収縮率はＭＤ方向０．６０％、ＴＤ方向０．６５％であった。また、引張弾性率は８．４ＧＰａであった。
【００６７】
製造例３（ポリイミドフィルム（ＩＩＩ）の製造）
参考例５で得られたポリアミド酸溶液Ｅを用い、以下製造例１と同様に操作してポリイミドフィルム（ＩＩＩ）を得た。得られたポリイミドフィルム（ＩＩＩ）の３５０℃２時間処理後の熱収縮率は、ＭＤ方向０．５１％、ＴＤ方向０．５３％であった。４００℃２時間処理後の熱収縮率はＭＤ方向０．７４％、ＴＤ方向０．７５％であった。また、引張弾性率は６．３ＧＰａであった。
【００６８】
実施例１
製造例１により得られたポリイミドフィルム（Ｉ）を２５ｃｍ×２５ｃｍの正方形に切り取り、直系２４ｃｍの開口部を有するステンレス製の枠に挟んで固定した。次いでフィルム表面のプラズマ処理を行った。プラズマ処理条件はキセノンガス中で、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力１００Ｗ、ガス圧０．８Ｐａの条件であり、処理時の温度は２５℃、処理時間は５分間であった。次いで、周波数１３．５６ＭＨｚ、出力４５０Ｗ、ガス圧０．７Ｐａの条件、ニッケル−クロム（７％）合金のターゲットを用い、キセノン雰囲気下にてＲＦスパッタ法により、１０Å／秒のレートで厚さ１５０Åのニッケル−クロム合金被膜（下地層）を形成した。次いで、基板の温度を２５０℃にあげ、１００Å／秒のレートで銅を蒸着し、厚さ０．４μｍの銅薄膜（導電化層）を形成させた。
得られた金属化フィルムをプラスチック製の枠に固定し直し、硫酸銅メッキ浴をもちいて、厚さ１２μｍの厚付け銅メッキ層（厚付け層）を形成し、フィルム厚５０μｍ、銅箔厚１２μｍのＦＣＣＬ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃｕｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）を得た。
次いで以下定法に従い、ドライフィルムレジストによるパターニング、塩化第二銅水溶液によるエッチング、片面に第１の導体回路層が形成された片面回路基板を得た。
【００６９】
得られた片面回路基板に、参考例２で得られたポリアミド酸溶液Ｂをスキージにてコーティングし、ステンレス鋼製の枠に固定して８０℃にて６０分間乾燥後、１８０℃にて１０分間、次いで３００℃にて１０分間、さらに４２０℃にて５分間の熱処理を行い、厚み８μｍのポリイミド層を第１層間絶縁層として形成した。なお絶縁層厚みは銅箔パターン上での厚みである。得られた第１導体層にＹＡＧレーザーにて層間接続孔をあけ、過マンガン酸カリウム溶液によるデスミア処理を行い、次いで定法による洗浄、脱脂工程を経て塩化銀／塩化パラジウムコロイドによる触媒付与、活性化、ホルマリン還元浴による無電解銅メッキにより下地銅層を形成した。得られた下地銅層の上に液状感光レジストを用いて、第２導体層のネガパターンに相当するレジストを形成し、開口部を電気銅メッキにより８μｍ厚付けし、その後レジスト剥離して、硫酸／過酸化水素系エッチング液にて下地銅層をフラッシュエッチし、第２導体層を得た。いわゆるセミアディティブ法によるパターン形成である。得られた導体二層の回路基板を８０℃２時間の条件にて真空乾燥し、以下同様の製造例２のポリアミド酸溶液溶液を塗布し、以下同様に第２絶縁層、さらに層間接続用の孔あけを経て第３導体層を形成し、最後に第３導体層上に感光性ソルダーレジストを用いて表面絶縁層を形成し、所定のサイズにカッティングし、三層の導体層を有する５０ｍｍ四方の多層回路基板を得た。
得られた多層回路基板の反り量は０．１ｍｍ以下であった。層間の位置合わせ等についても特に問題は無かった。
【００７０】
実施例２
実施例１において層間絶縁層形成に用いるポリアミド酸溶液を参考例３にて得られたポリアミド酸溶液Ｃに変更した以外は、実施例１と同様に操作し、三層の導体層を有する５０ｍｍ四方の多層回路基板を得た。得られた多層回路基板の反り量は０．１ｍｍ以下であった。層間の位置合わせ等についても特に問題は無かった。
【００７１】
比較例１
実施例２において基材（Ａ）を製造例２にて得られたポリイミドフィルム（ＩＩ）に代えた以外は、以下同様に操作し３層の導体層を有する５０ｍｍ四方の多層回路基板を得た。得られた多層回路基板の反り量は１．８ｍｍであった。また、層間接続用のヴィアホール位置が所定の位置から１２０〜１６０μｍずれたために、基板の端に近い部分では接続不良となる箇所が生じた。
【００７２】
比較例２
実施例２において基材（Ａ）を製造例３にて得られたポリイミドフィルム（ＩＩＩ）に代えた以外は、以下同様に操作し３層の導体層を有する５０ｍｍ四方の多層回路基板を得た。得られた多層回路基板の反り量は３．２ｍｍであった。また、層間接続用のヴィアホール位置が所定の位置から１５０〜２００μｍずれたために、基板の端に近い部分では接続不良となる箇所が生じた。さらに第１絶縁層形成直後より基板の反り量が大きいために第２導体層、第３導体層形成のさいのレジストへの露光に際し、良好なコンタクトが得られず、レジストパターンが太ったため、導体回路の断線が生じた。
【００７３】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明の多層回路基板は、軽少短薄である多層回路基板を経済的に生産し得る利点を有し、電子機器の回路部品として有効に利用することができる。