(57)【要約】【課題】最内周の記録トラックの半径が小さい磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置で、潤滑剤の不足に起因した磁気ヘッドのクラッシュを生じ難くすること。【解決手段】本発明の磁気ディスク１０は、最内周の記録トラックの半径が６ｍｍ以下の磁気ディスクであって、基板１と、基板１上に配置され且つ磁気記録層２２を含んだ堆積層２と、堆積層２を被覆した潤滑層３とを具備し、堆積層２の潤滑層３で被覆された表面には、記録トラックＴＲに平行な複数の溝部Ｇ１が設けられ、これら溝部Ｇ１は記録トラックＴＲの半径方向Ｄ２に配列していることを特徴とする。【選択図】      図３
2006031854.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最内周の記録トラックの半径が６ｍｍ以下の磁気ディスクであって、
基板と、
前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、
前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記記録トラックに平行な複数の第１溝部が設けられ、これら第１溝部は前記記録トラックの半径方向に配列していることを特徴とする磁気ディスク。
【請求項２】
前記潤滑層には、前記堆積層の前記複数の第１溝部に対応した位置に複数の溝がそれぞれ生じていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記記録トラックの半径方向に隣り合う前記第１溝部間の距離は、２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
【請求項４】
最外周の前記第１溝部は、それと隣り合う前記第１溝部と比較して、容積がより大きいことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
【請求項５】
最内周の前記第１溝部は、それと隣り合う第１溝部と比較して、容積がより大きいことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
【請求項６】
最外周の前記第１溝部と前記基板の外周との前記記録トラックの半径方向の距離は、前記記録トラックの幅と比較してより長いことを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
【請求項７】
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された前記表面には、前記記録トラックを横切る螺旋状の第２溝部がさらに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の磁気ディスク。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の磁気ディスクと、
前記潤滑層と向き合うように配置される磁気ヘッドと、
前記磁気ディスクを前記磁気ヘッドに対して前記記録トラックに沿った方向に回転させる駆動機構とを具備したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記堆積層の前記潤滑層で被覆された前記表面には、前記記録トラックを横切る螺旋状の第２溝部がさらに設けられており、
前記駆動機構は、前記第２溝部が右巻きである場合には前記磁気ディスクを左回りに回転させ、前記第２溝部が左巻きである場合には前記磁気ディスクを右回りに回転させることを特徴とする請求項８に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１０】
前記磁気ヘッドは浮上型磁気ヘッドであることを特徴とする請求項８に記載の磁気ディスク装置。
【請求項１１】
前記磁気ヘッドは接触型磁気ヘッドであることを特徴とする請求項８に記載の磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク及び磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置で使用する磁気ヘッドは、保護層などの固体と接触すると、比較的容易にクラッシュする。そのため、一般に、磁気ディスクには、その磁気ヘッドとの対向面に潤滑層を設けている。
【０００３】
優れた潤滑作用を得るためには、磁気ディスクの表面全体に亘り、常に十分な量の潤滑剤が存在していることが必要である。したがって、これを実現すべく、様々な研究が為されている。
【０００４】
例えば、以下の特許文献１には、最内周の記録トラックよりも内側にこれと同心の第１溝を設け、さらに、この第１溝から外周に向けて複数の第２溝を放射状に設けることが記載されている。この構造の磁気ディスクを回転させると、第１溝内の潤滑剤は第２溝を通って磁気ディスクの外周に向けて移動する。したがって、第１溝が十分な量の潤滑剤を収容していれば、磁気ディスクの表面全体に亘り、常に十分な量の潤滑剤が存在させることができると考えられる。
【０００５】
ところで、近年、携帯電子機器は、益々、小型化及び高機能化している。そのため、携帯電子機器に搭載される記憶装置には小型化及び大容量化が要求されており、そのような記憶装置の１つとして磁気ディスク装置が検討されている。
【０００６】
小型の磁気ディスク装置では、直径の小さな磁気ディスクを使用しなければならない。そのため、小型且つ大容量の磁気ディスク装置を実現するためには、最内周の記録トラックの半径をできる限り小さくする必要がある。しかしながら、本発明者らは、最内周の記録トラックの半径を小さくすると、潤滑剤の不足に起因して磁気ヘッドがクラッシュし易くなることを見出している。
【特許文献１】特開平５−６２１４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、最内周の記録トラックの半径が小さい磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置で、潤滑剤の不足に起因した磁気ヘッドのクラッシュを生じ難くすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１側面によると、最内周の記録トラックの半径が６ｍｍ以下の磁気ディスクであって、基板と、前記基板上に配置され且つ磁気記録層を含んだ堆積層と、前記堆積層を被覆した潤滑層とを具備し、前記堆積層の前記潤滑層で被覆された表面には、前記記録トラックに平行な複数の第１溝部が設けられ、これら第１溝部は前記記録トラックの半径方向に配列していることを特徴とする磁気ディスクが提供される。
【０００９】
本発明の第２側面によると、第１側面に係る磁気ディスクと、前記潤滑層と向き合うように配置される磁気ヘッドと、前記磁気ディスクを前記磁気ヘッドに対して前記記録トラックに沿った方向に回転させる駆動機構とを具備したことを特徴とする磁気ディスク装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、最内周の記録トラックの半径が小さい磁気ディスクを搭載した磁気ディスク装置で、潤滑剤の不足に起因した磁気ヘッドのクラッシュを生じ難くすることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の第１態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図である。図２は、図１の磁気ディスクの一部を拡大して示す平面図である。図３は、図２の磁気ディスクのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。なお、図中、両矢印Ｄ１はトラック方向である第１方向を示しており、両矢印Ｄ２は第１方向Ｄ１と交差する第２方向（ここでは、第１方向Ｄ１に垂直な方向、すなわち半径方向）を示している。
【００１３】
この磁気ディスク１０は、図３に示すように、基板１を含んでいる。基板１上には、堆積層２が形成されている。堆積層２は、潤滑剤からなる潤滑層３で被覆されている。
【００１４】
堆積層２は、磁気記録層２２を含んでいる。ここでは一例として、堆積層２として、下地層２１と磁気記録層２２と埋め込み層２３と保護層２４との積層体を形成している。
【００１５】
この磁気ディスク１０は、図１及び図２に示すように、基板１の一主面上にデータ領域Ａdとサーボ領域Ａsとを設けた構造を有している。
【００１６】
堆積層２のデータ領域Ａdに対応した部分は、図２及び図３に示すように、複数の記録トラックＴＲと複数の第１溝部Ｇ１とを含んでいる。なお、図１では、第１溝部Ｇ１のうち、最内周及び最外周に位置したもののみを描いており、それら第１溝部Ｇ１間に位置したものは省略している。記録トラックＴＲ及び第１溝部Ｇ１は、螺旋状又は同心円状に形成されている。また、記録トラックＴＲと第１溝部Ｇ１とは、１つの第１溝部Ｇ１と１つ又は複数の記録トラックＴＲとが第２方向Ｄ２に交互に配列するように形成されている。
【００１７】
図２及び図３では、一例として、記録トラックＴＲと第１溝部Ｇ１とは、１つの第１溝部Ｇ１と１つの記録トラックＴＲとが第２方向Ｄ２に交互に配列するように形成している。また、ここでは、一例として、磁気記録層２２をパターニングすることにより第１溝部Ｇ１を形成している。さらに、ここでは、一例として、最内周及び最外周の第１溝部Ｇ１以外の第１溝部Ｇ１は、データ領域Ａdにのみ形成し、サーボ領域Ａsには形成していない。
【００１８】
サーボ領域Ａsは、データ領域Ａdに対し、第１方向Ｄ１に隣接している。サーボ領域Ａsは、例えば、ＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）部Ｐ１、アドレス部Ｐ２、パッド部Ｐ３、バースト部Ｐ４、及びパッド部Ｐ５を含んでいる。なお、図２に示す例では、情報の書き込み時及び読み出し時において、磁気ディスク１０は磁気ヘッド（図示せず）に対して左方向に相対移動させる。したがって、ＡＧＣ部Ｐ１、アドレス部Ｐ２、パッド部Ｐ３、バースト部Ｐ４、及びパッド部Ｐ５は、図中、左側から右側へ向けて順次配列している。
【００１９】
ＡＧＣ部Ｐ１は、アドレス部Ｐ２やバースト部Ｐ４や記録トラックＴＲなどからの信号を適正な大きさに増幅するための基準として利用可能な信号，例えばＨｉｇｈレベルの信号，を出力する。ＡＧＣ部Ｐ１は、第２方向Ｄ２に連続しており、磁気ヘッドを第２方向Ｄ２に移動させた場合でも一定強度の信号を出力するように構成されている。ＡＧＣ部Ｐ１は必ずしも設ける必要はないが、ＡＧＣ部Ｐ１を設けると、アドレス部Ｐ２やバースト部Ｐ４や記録トラックＴＲなどからの信号を増幅するに際し、ＡＧＣ部Ｐ１からの信号強度に応じて、磁気ディスク装置の利得を変化させることができる。したがって、情報の書き込み及び読み出しをより高い精度で実施可能となる。
【００２０】
アドレス部Ｐ２は、各記録トラックＴＲに対応したアドレス情報を保持している。アドレス部Ｐ２の各記録トラックＴＲに対応したそれぞれの部分は、例えば、Ｈｉｇｈレベルの信号を出力する第１信号レベル部ＰＨとＬｏｗレベルの信号を出力する第２信号レベル部ＰＬとを第１方向Ｄ１に沿って配列した構造を有しており、それら第１信号レベル部ＰＨと第２信号レベル部ＰＬとの配列パターンはアドレス情報に対応して定められている。また、アドレス部Ｐ２において第２方向Ｄ２に隣り合う第１信号レベル部ＰＨと第２信号レベル部ＰＬとは、隣接した記録トラックＴＲ間を通り且つ第１方向Ｄ１に沿った線を境界としている。
【００２１】
パッド部Ｐ３は必ずしも設ける必要はないが、パッド部Ｐ３を設けた場合、アドレス部Ｐ２からの信号とバースト部Ｐ４からの信号とを分離するうえで有利である。同様に、パッド部Ｐ５は必ずしも設ける必要はないが、パッド部Ｐ５を設けた場合、バースト部Ｐ４からの信号と記録トラックＴＲからの信号とを分離するうえで有利である。
【００２２】
バースト部Ｐ４は、磁気ヘッドと選択した記録トラックＴＲとの第２方向Ｄ２に関する相対位置の情報を与える。バースト部Ｐ４は、例えば、第１方向Ｄ１に配列した第１乃至第４領域Ｐ４１乃至Ｐ４４を含んでいる。また、第１乃至第４領域Ｐ４１乃至Ｐ４４のそれぞれにおいては、例えば、Ｈｉｇｈレベルの信号を出力する第１信号レベル部ＰＨとＬｏｗレベルの信号を出力する第２信号レベル部ＰＬとが第２方向Ｄ２に配列している。
【００２３】
第１信号レベル部ＰＨには、例えば、記録トラックＴＲと同様の層構造を採用することができる。第２信号レベル部ＰＬには、例えば、記録トラックＴＲと同様の層構造を採用してもよく、或いは、第１溝部Ｇ１と同様の層構造を採用してもよい。或いは、第２信号レベル部ＰＬの一部に記録トラックＴＲと同様の層構造を採用し、第２信号レベル部ＰＬの他の一部に第１溝部Ｇ１と同様の層構造を採用してもよい。
【００２４】
第１信号レベル部ＰＨ及び第２信号レベル部ＰＬに記録トラックＴＲと同様の層構造を採用する場合、例えば、第１信号レベル部ＰＨと第２信号レベル部ＰＬとで磁気記録層２２の磁化の向きを異ならしめることにより、それらの信号レベルを異ならしめることができる。また、第１信号レベル部ＰＨに記録トラックＴＲと同様の層構造を採用し且つ第２信号レベル部ＰＬに第１溝部Ｇ１と同様の層構造を採用する場合、磁気記録層２２の成膜後にサーボ領域Ａsに各種情報を記録する必要がない。
【００２５】
上記の通り、最内周の記録トラックの半径を小さくすると、潤滑剤の不足に起因して磁気ヘッドがクラッシュし易くなる。具体的には、最内周の記録トラックの半径を６ｍｍ以下とする（最内周の記録トラックの内径を１２ｍｍ以下とする）と、潤滑剤の不足に起因して磁気ヘッドがクラッシュし易くなる。これは、最内周の記録トラックの半径を小さくすると、最内周の記録トラック近傍で、潤滑剤に作用する遠心力が小さくなるためであると考えられる。
【００２６】
本態様に係る磁気ディスク１０において、第１溝部Ｇ１は、記録トラックＴＲに潤滑剤を供給するリザーバとしての役割を果たす。また、記録トラックＴＲと第１溝部Ｇ１とは、１つの第１溝部Ｇ１と１つ又は複数の記録トラックＴＲとが第２方向Ｄ２に交互に配列するように形成している。そのため、この磁気ディスク１０では、各記録トラックＴＲからその内側に位置した第１溝部Ｇ１までの平均距離は短い。
【００２７】
したがって、潤滑剤に大きな遠心力が作用しなくても、各記録トラックＴＲに十分な量の潤滑剤を供給することができる。それゆえ、磁気ディスク１０の表面全体に亘り、常に十分な量の潤滑剤を存在させることができ、潤滑剤の不足に起因した磁気ヘッドのクラッシュを生じ難くすることが可能となる。
【００２８】
第２方向Ｄ２に隣り合う第１溝部Ｄ１間の距離が大きい場合、上記の効果は顕著には現れない。この距離は、例えば、２００ｎｍ以下としてもよい。
【００２９】
最外周の第１溝部Ｇ１は、それと隣り合う第１溝部Ｇ１と比較して、容積がより大きくてもよい。先に説明した通り、磁気ディスク１０を回転させると、潤滑剤は遠心力によって外周に向けて移動する。また、磁気ディスク１０の回転を停止すると、潤滑剤の拡散が生じる。したがって、最外周の第１溝部Ｇ１の容積が大きければ、磁気ディスク１０の回転によって最外周の第１溝部Ｇ１内へと移動した潤滑剤を、停止時に他の第１溝部Ｇ１内へと拡散させることができる。
【００３０】
最内周の第１溝部Ｇ１は、それと隣り合う第１溝部Ｇ１と比較して、容積がより大きくてもよい。最内周の第１溝部Ｇ１の容積が十分に大きければ、磁気ディスク１０を回転させている間中、最内周の第１溝部Ｇ１から、これを取り囲む記録トラックＴＲへ潤滑剤を供給し続けることができる。
【００３１】
最外周の第１溝部Ｇ１と基板１の外周との第２方向Ｄ２の距離は、記録トラックＴＲの幅と比較してより長くてもよい。さらに、最外周の第１溝部Ｇ１と基板１の外周との間における堆積層２の高さは、記録トラックＴＲの高さとほぼ等しくてもよい。この場合、最外周の記録トラックＴＲに対応した位置において、ＨＤＩ（Head Disk Interface）が安定する。
【００３２】
第１溝部Ｇ１の深さは、例えば、１ｎｍ乃至６０ｎｍの範囲内とする。第１溝部Ｇ１の深さは、潤滑層３の表面形状に影響を与える。第１溝部Ｇ１の幅などにもよるが、通常、第１溝部Ｇ１の深さが５ｎｍ以下の場合、潤滑層３の表面は平坦になる。また、通常、第１溝部Ｇ１がこれよりも深い場合、潤滑層３には、図３に示すように、堆積層２の第１溝部Ｇ１に対応した位置に複数の溝がそれぞれ生じる。なお、磁気ヘッドが潤滑層３に接触している状態では、後者の場合、前者の場合と比較して、第１溝部Ｇ１から記録トラックＴＲへと潤滑剤が供給され易い。また、後者の場合に接触型磁気ヘッドを使用すると、ＨＤＩがメニスカスによって安定する。
【００３３】
次に、磁気ディスク１０に使用可能な材料などについて説明する。
【００３４】
基板１としては、例えば、ガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、酸化表面を有するＳｉ単結晶基板、及びこれらの基板の表面にＮｉＰ層を形成したものなどを用いることができる。ガラス基板には、アモルファスガラス又は結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては、例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどがある。セラミック基板としては、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。基板の表面にＮｉＰ層を形成するには、例えば、メッキやスパッタリングを利用することができる。基板１の直径は、例えば、１インチ（２．５４ｃｍ）以下とする。
【００３５】
堆積層２は、磁気記録層２２を含んでいる。典型的には、堆積層２は、下地層２１や埋め込み層２３や保護層２４をさらに含んでいる。
【００３６】
下地層２１は、軟磁性層を含むことができる。例えば、磁気記録層２２が垂直磁気記録層である場合、この軟磁性層は、書込磁極からの記録磁界を磁気記録層２２に通過させ、書込磁極の近傍に配置されたリターンヨークへ記録磁界を還流させる役割を果たす。すなわち、軟磁性層は、記録ヘッドの機能の一部を担っており、磁気記録層２２に急峻な垂直磁界を印加して、記録効率を向上させる役割を果たす。
【００３７】
この軟磁性層には、例えば、Ｆｅ、Ｎｉ及びＣｏのうち少なくとも１種を含む高透磁率材料が用いられる。このような材料としては、例えば、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＶなどのＦｅＣｏ系合金、ＦｅＮｉ、ＦｅＮｉＭｏ、ＦｅＮｉＣｒ、ＦｅＮｉＳｉなどのＦｅＮｉ系合金、ＦｅＡｌ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＡｌＳｉＣｒ、ＦｅＡｌＳｉＴｉＲｕ、ＦｅＡｌＯなどのＦｅＡｌ系及びＦｅＳｉ系合金、ＦｅＴａ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＴａＮなどのＦｅＴａ系合金、ＦｅＺｒＮなどのＦｅＺｒ系合金が挙げられる。
【００３８】
軟磁性層には、Ｆｅを６０原子％以上含有するＦｅＡｌＯ、ＦｅＭｇＯ、ＦｅＴａＮ、ＦｅＺｒＮなどの微結晶構造、又は微細な結晶粒子がマトリクス中に分散されたグラニュラ構造を有する材料を用いることもできる。
【００３９】
軟磁性層の他の材料として、Ｃｏと、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｉ及びＹのうち少なくとも１種とを含有するＣｏ合金を用いることもできる。軟磁性層中のＣｏ含量は、例えば８０原子％以上とする。このようなＣｏ合金をスパッタリングにより成膜した場合には、アモルファス層が形成され易い。アモルファス軟磁性材料は、結晶磁気異方性、結晶欠陥及び粒界がないため、非常に優れた軟磁性を示す。また、アモルファス軟磁性材料を用いることにより、媒体の低ノイズ化を図ることができる。アモルファス軟磁性材料としては、例えば、ＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａ系合金などを挙げることができる。
【００４０】
下地層２１は、軟磁性層の結晶性の向上又は軟磁性層と基板１との密着性の向上のために、軟磁性層と基板１との間に他の層をさらに含むことができる。そのような層には、例えば、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、これらを含む合金、これらの酸化物、これらの窒化物などを用いることができる。
【００４１】
下地層２１は、軟磁性層と磁気記録層２２との間に、非磁性層をさらに含むことができる。この非磁性層の役割は、軟磁性層と磁気記録層２２との交換結合相互作用を遮断すること、及び磁気記録層２２の結晶性を制御することである。非磁性層の材料としては、例えば、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、これらを含む合金、これらの酸化物、これらの窒化物などを挙げることができる。
【００４２】
スパイクノイズ防止のために複数の軟磁性層を設けると共に、これら軟磁性層間に例えば厚さ０．５ｎｍ乃至１．５ｎｍ程度のＲｕ層を介在させて、それら軟磁性層同士を反強磁性結合させてもよい。さらに、軟磁性層と、ＣｏＣｒＰｔ、ＳｍＣｏ、ＦｅＰｔなどの面内異方性を持った硬磁性膜又はＩｒＭｎ、ＰｔＭｎなどの反強磁性体からなるピニング層とを交換結合させてもよい。この場合、交換結合力を制御するために、Ｒｕ層の上下に、Ｃｏ層などの磁性層又はＰｔ層などの非磁性層を配置してもよい。
【００４３】
磁気記録層２２が垂直磁気記録層である場合、その材料としては、例えば、Ｃｏを主成分として含有し、さらにＰｔと酸化物とを含有した材料を使用することができる。この材料は、Ｃｒをさらに含有することができる。また、この材料が含有する酸化物としては、例えば、酸化シリコン及び酸化チタンなどを挙げることができる。
【００４４】
磁気記録層２２中で、磁性結晶粒子は柱状構造を形成していてもよい。このような構造を有する磁気記録層２２では、磁性結晶粒子の配向性及び結晶性が良好である。そのため、そのような磁気記録層２２によると、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）を得ることができる。
【００４５】
上記の構造を得るうえでは、酸化物の量が重要である。酸化物含量は、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｃｒの総量に対して、例えば、３ｍｏｌ％乃至１２ｍｏｌ％の範囲内としてもよく、５ｍｏｌ％乃至１０ｍｏｌ％の範囲内としてもよい。磁気記録層２２中の酸化物含量が上記の範囲であれば、磁性粒子の周りに酸化物が析出し、磁性粒子を孤立化及び微細化させることができる。酸化物含量が上記範囲を超えると、酸化物が磁性粒子中に残留し、磁性粒子の配向性及び結晶性を損ね、さらには磁性粒子の上下に酸化物が析出することがある。その結果、磁性粒子が磁気記録層２２を上下に貫いた柱状構造が形成されなくなることがある。他方、酸化物含量が上記範囲未満であると、磁性粒子の孤立化及び微細化が不十分となることがある。その結果、記録再生時におけるノイズが増大し、高密度記録に適した信号／ノイズ比（Ｓ／Ｎ比）が得られなくなることがある。
【００４６】
磁気記録層２２のＰｔ含量は、例えば、１０原子％乃至２５原子％の範囲内とする。Ｐｔ含量が上記範囲内にある場合、垂直磁気記録層に必要な一軸磁気異方性定数Ｋｕが得られ、さらに磁性粒子の結晶性及び配向性が良好になる。その結果、高密度記録に適した熱揺らぎ特性及び記録再生特性が得られる。Ｐｔ含量が上記範囲を超えると、磁性粒子中にｆｃｃ構造の層が形成され、結晶性及び配向性が損なわれるおそれがある。他方、Ｐｔ含量が上記範囲未満であると、高密度記録に適したＫｕが得られず、したがって、高密度記録に適した熱揺らぎ特性が得られなくなることがある。
【００４７】
磁気記録層２２のＣｒ含量は、例えば、０原子％乃至１６原子％の範囲内としてもよく、１０原子％乃至１４原子％の範囲内としてもよい。Ｃｒ含量が上記範囲内にあると、磁性粒子の一軸磁気異方性定数Ｋｕを下げることなく高い磁化を維持できる。その結果、高密度記録に適した記録再生特性と十分な熱揺らぎ特性とが得られる。Ｃｒ含量が上記範囲を超えると、磁性粒子のＫｕが小さくなるため熱揺らぎ特性が悪化し且つ磁性粒子の結晶性及び配向性が悪化することがある。その結果、記録再生特性が劣化するおそれがある。
【００４８】
磁気記録層２２は、Ｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｒｕ、Ｒｅから選ばれる１種類以上の元素をさらに含むことができる。これらの元素を添加すると、磁性粒子の微細化を促進するか又は磁性粒子の結晶性や配向性を向上させることができる。したがって、より高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性を得ることができる。これら添加元素の合計含量は、例えば、８原子％以下とする。添加元素の合計含量が８原子％を超えると、磁性粒子中にｈｃｐ相以外の相が形成され、磁性粒子の結晶性及び配向性が乱れることがある。その結果、高密度記録に適した記録再生特性及び熱揺らぎ特性が得られなくなることがある。
【００４９】
磁気記録層２２に使用可能な他の材料としては、例えば、ＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＰｔＣｒ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉなどが挙げられる。磁気記録層２２としては、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ及びＲｕからなる群より選択される少なくとも一種を主成分とする合金層とＣｏ層との多層膜を用いることもできる。また、磁気記録層２２としては、これらの多層膜の少なくとも１つの層に、Ｃｒ、Ｂ又はＯを添加したものも使用することができる。そのような多層膜としては、例えば、ＣｏＣｒ／ＰｔＣｒ膜、ＣｏＢ／ＰｄＢ膜、ＣｏＯ／ＲｈＯ膜などを挙げることができる。
【００５０】
磁気記録層２２の厚さは、例えば、５ｎｍ乃至６０ｎｍの範囲内としてもよく、１０ｎｍ乃至４０ｎｍの範囲内としてもよい。厚さがこの範囲内にある磁気記録層２２は、高記録密度に適している。磁気記録層２２が薄いと、再生出力が低過ぎてノイズ成分の方が高くなる傾向がある。他方、磁気記録層２２が厚いと、再生出力が高過ぎて波形が歪む傾向がある。
【００５１】
磁気記録層２２の保磁力は、例えば、２３７０００Ａ／ｍ（３０００Ｏｅ）以上とする。保磁力が小さいと、熱揺らぎ耐性が劣る傾向がある。また、磁気記録層２２の垂直角型比は、例えば、０．８以上とする。垂直角型比が小さいと、熱揺らぎ耐性に劣る傾向がある。
【００５２】
埋め込み層２３は、第１溝部Ｇ１の深さや断面形状などを調節する役割を果たす。また、埋め込み層は、保護層２４と同様、磁気記録層２２の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触したときにその表面の損傷を防ぐ役割を果たす。埋め込み層２３の材料としては、例えば、ＳｉＯ2やＺｒＯ2などを含む材料が挙げられる。
【００５３】
保護層２４は、磁気記録層２２の腐食を防ぐとともに、磁気ヘッドが磁気ディスクに接触したときにその表面の損傷を防ぐ役割を果たす。保護層２４の材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボンなどＣが挙げられる。
【００５４】
記録トラックＴＲに対応した位置における埋め込み層２３の厚さと保護層２４の厚さとの和は、例えば、１ｎｍ乃至１０ｎｍの範囲内とする。これらの厚さの和が上記範囲内にあると、磁気ヘッドと磁気ディスクとの距離を小さくできる。これは、高密度記録の観点で有利である。
【００５５】
上述した堆積層２が含む各層は、例えば、スパッタリング、真空蒸着、電解メッキなどの方法で形成することができる。
【００５６】
潤滑層３の材料としては、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を使用することができる。潤滑層３は、例えば、保護層２４に潤滑剤を塗布することにより形成することができる。
【００５７】
次に、本発明の第２態様について説明する。
【００５８】
図４は、本発明の第２態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図である。この磁気ディスク１０は、データ領域Ａd及びサーボ領域Ａsの形状を変更し且つ堆積層２に第２溝部Ｇ２をさらに設けたこと以外は、図１乃至図３に示した磁気ディスク１０と同様の構造を有している。
【００５９】
具体的には、図４の磁気ディスク１０では、データ領域Ａdとサーボ領域Ａsとの境界は、螺旋状である。図４では、一例として、データ領域Ａdとサーボ領域Ａsとの境界を、左巻きの螺旋形状としている。
【００６０】
第２溝部Ｇ２は、この例では、データ領域Ａdとサーボ領域Ａsとの境界上に設けており、左巻きの螺旋形状としている。第２溝部Ｇ２は、サーボ領域Ａs内に設けてもよい。
【００６１】
各第２溝部Ｇ２の一端は、この例では、最内周の第１溝部Ｇ１に接続している。また、各第２溝部Ｇ２の他端は、この例では、最外周の第１溝部Ｇ１に接続している。各第２溝部Ｇ２は、最内周の第１溝部Ｇ１や最外周の第１溝部Ｇ１に接続しなくてもよい。また、各第２溝部Ｇ２は、最内周の第１溝部Ｇ１と最外周の第１溝部Ｇ１との間で複数の部分に分断されていてもよい。
【００６２】
この磁気ディスク１０を図中時計回りに回転させると、潤滑剤の一部は、遠心力及び気流などの作用によって、第２溝部Ｇ２内を外周方向へと移動する。それゆえ、この磁気ディスク１０は、図１乃至図３に示した磁気ディスク１０と比較して、各記録トラックＴＲでの潤滑剤不足がより生じ難い。
【００６３】
また、この磁気ディスク１０の回転を停止すると、潤滑剤は、運動量保存則に従い、堆積層２上を移動し続けようとする。第２溝部は左巻きの螺旋形状であり且つ磁気ディスク１０は時計回りに回転させていたので、第２溝部内の潤滑剤は、磁気ディスク１０の外周から内周に向けて移動する。また、第１溝部内の潤滑剤の一部は、何れかの第２溝部内へと移動し、その後、第２溝部内を磁気ディスク１０の外周から内周に向けて移動する。すなわち、この磁気ディスク１０は、これを回転させることにより外周側に移動した潤滑剤を、その回転を停止することにより速やかに内周側へと戻すことができる。
【００６４】
なお、上記の効果は、第２溝部Ｇ２を右巻きの螺旋形状とし且つ磁気ディスク１０を半時計回りに回転させた場合にも得ることができる。
【００６５】
次に、第１及び第２態様に係る磁気ディスク１０を搭載した磁気ディスク装置について説明する。
【００６６】
図５は、第１及び第２態様に係る磁気ディスク１０を搭載可能な記録ディスク装置の一例を概略的に示す斜視図である。  
この磁気ディスク装置は、第１又は第２態様に係る磁気ディスク１０、スピンドル２０、ピボット３０、磁気ヘッドアセンブリ４０及びボイスコイルモータ５０などを含んでいる。これらは、筐体６０内に配置されている。
【００６７】
磁気ディスク１０はスピンドル２０に回転可能に支持されており、スピンドル２０には制御部（図示せず）が含む制御回路からの制御信号に応じて動作するモータ（図示せず）が接続されている。図５に示す磁気ディスク装置では、これにより、磁気ディスク１０の回転などを制御可能としている。
【００６８】
磁気ディスク１０の外周近傍にはピボット３０が配置されており、このピボット３０は、その上下２ヶ所に配置されたボールベアリング（図示せず）を介して磁気ヘッドアセンブリ４０を揺動可能に支持している。磁気ヘッドアセンブリ４０のボビン部にはコイル（図示せず）が巻きつけられており、このコイルとそれを挟んで対向して配置された永久磁石と対向ヨークとは磁気回路を形成するとともにボイスコイルモータ５０を構成している。このボイスコイルモータ５０も制御部に接続されており、それにより、磁気ヘッドアセンブリ４０の先端のヘッドスライダ４０１を、磁気ディスク１０の所望の記録トラックＴＲ上へと位置させることを可能としている。
【００６９】
磁気ヘッドアセンブリ４０は、例えば、駆動コイルを保持するボビン部などを備えたアクチュエータアーム４０２を有している。このアクチュエータアーム４０２にはサスペンション４０３の一端が取り付けられており、サスペンション４０３の他端にはヘッドスライダ４０１が取り付けられている。なお、アクチュエータアーム４０２の先端には微小位置制御を行うためのピエゾ素子が設置されている。
【００７０】
ヘッドスライダ４０１には、磁気ヘッドが組み込まれている。この磁気ヘッドは、例えば、複合型ヘッドであり、単磁極構造の書込ヘッドと、ＧＭＲ素子やＴＭＲ素子などのシールド型ＭＲ素子を用いた読出ヘッドとを含んでいる。
【００７１】
サスペンション４０３上には信号の書き込み及び読み取り用などのリード線（図示せず）が形成されており、これらリード線はヘッドスライダ４０１に組み込まれた磁気ヘッドの電極にそれぞれ電気的に接続されている。なお、この磁気ディスク装置において、情報の記録及び再生は、磁気ディスク１０を回転させ、それによって生じる気流によりヘッドスライダ４０１を磁気ディスク１０から浮上させた状態で行う。また、図５に示す磁気ディスク装置において、スピンドル２０に接続されたモータ及びボイスコイルモータ５０などは駆動機構を構成している。この磁気ディスク装置の内部にはサーボ領域Ａsからの信号に基づいてトラッキング信号を発生するためのマイクロプロセッサが設置されている。
【００７２】
以上、浮上型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置について説明したが、磁気ヘッドとして接触型磁気ヘッドを用いてもよい。
【００７３】
図６は、接触型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の一部を概略的に示す断面図である。なお、図６において、参照符号４０１０はヘッドスライダ本体を示し、参照符号４０１１は書込磁極を示している。
【００７４】
図６に示すヘッドスライダ４０１は、接触型ヘッドスライダである。図６に示すように、接触型ヘッドスライダ４０１を使用した場合、ＨＤＩがメニスカスによって安定する。
【実施例】
【００７５】
以下、本発明の実施例について説明する。
【００７６】
（実施例１）
図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を以下の方法で作成した。  
まず、直径０．８５インチのガラス基板１上に、下地層２１として、厚さ１００ｎｍの軟磁性層及び厚さ３０ｎｍのＰｄ層を順次形成した。次に、この下地層２１上に、磁気記録層２２として、ＣｏＣｒＰｔとＳｉＯ2との混合物からなるグラニュラ構造の垂直磁気記録層を形成した。この磁気記録層２２の厚さは２０ｎｍとした。
【００７７】
次に、磁気記録層２２をパターニングするために、以下の工程を実施した。  
すなわち、まず、磁気記録層２２上に、厚さ５０ｎｍのＳｉＯ2膜を形成した。このＳｉＯ2膜上にスピンコート法によりレジスト膜を形成し、これに、第１溝部Ｇ１と第２信号レベル部ＰＬとに対応した位置に凸部を設けたＮｉ金型（スタンパ）を押し当てた。これにより、レジスト膜に、Ｎｉ金型の凸パターンに対応した形状の凹パターンを形成した。
【００７８】
なお、Ｎｉ金型としては、電子線リソグラフィー及びメッキなどを利用して形成したものを使用した。Ｎｉ金型の凸部の高さは、５０ｎｍとした。また、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は５０ｎｍとし、隣り合うリング状凸部間の間隔は１００ｎｍとした。
【００７９】
次に、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、レジスト層及びＳｉＯ2膜をエッチングした。このエッチングは、レジスト層に形成した凹部の位置で、磁気記録層２２の表面が露出するまで行った。これにより、レジスト層の凹パターンに対応した位置で開口した、ＳｉＯ2パターンを得た。
【００８０】
続いて、Ａｒイオンミリングにより、ＳｉＯ2パターンの開口に対応した位置で磁気記録層２２をエッチングすると共に、このＳｉＯ2パターンもエッチングした。以上のようにして、磁気記録層２２をパターニングした。
【００８１】
次に、基板１の磁気記録層２２側の面に、ＳｉＯ2膜を製膜した。このＳｉＯ2膜をエッチバックにより部分的に除去して、埋め込み層２３を得た。続いて、埋め込み層２３上に、保護層２４としてダイアモンドライクカーボン層を形成した。
【００８２】
この段階で、最内周の記録トラックＴＲの半径は４．７ｍｍであった。また、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）による測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも４ｎｍ低かった。
【００８３】
その後、フッ素化アルキル基を有する潤滑剤を保護層２４上に塗布して潤滑層３を形成した。以上のようにして、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を完成した。なお、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の表面は平坦であった。
【００８４】
次に、この磁気ディスク１０を図５の磁気ディスク装置に搭載し、以下の条件で加速寿命試験を行った。
【００８５】
すなわち、ここでは、ヘッドスライダ４０１としては、磁気ディスク１０から１０ｎｍ浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第２方向Ｄ２の寸法は１００ｎｍとし、書込ヘッドの書込磁極の第２方向Ｄ２の寸法は１２０ｎｍとした。３００Ｔｏｒｒの減圧環境下で、磁気ディスク１０を３６００ｒｐｍで回転させて、ヘッドクラッシュが生じるまでシークを繰り返した。
【００８６】
その結果、試験開始から約９００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【００８７】
（比較例１）
磁気記録層２２をパターニングしなかったこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込み、最内周の記録トラックの半径は実施例１と同様に４．７ｍｍとした。
【００８８】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約２００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【００８９】
（実施例２）
直径１インチのガラス基板１を用いたこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は５．７ｍｍとした。また、ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも５ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の表面は平坦であった。
【００９０】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１０００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【００９１】
（比較例２）
磁気記録層２２をパターニングしなかったこと以外は、実施例２で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込み、最内周の記録トラックの半径は実施例２と同様に５．７ｍｍとした。
【００９２】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約６００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。  
実施例１及び２並びに比較例１及び２の結果から、第１溝部Ｇ１が、ヘッドクラッシュ防止に有効であることが分かる。
【００９３】
（比較例３）
直径１インチのガラス基板１を用いたこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は６．３ｍｍとした。また、ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも５ｎｍ低かった。さらに、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の表面は平坦であった。
【００９４】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１０００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【００９５】
（比較例４）
磁気記録層２２をパターニングしなかったこと以外は、比較例３で説明したのと同様の方法により、磁気ディスクを作製した。なお、本例では、サーボ領域内の各種情報はサーボライタを用いて書き込み、最内周の記録トラックの半径は比較例３と同様に６．３ｍｍとした。
【００９６】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１０００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。  
実施例２及び比較例２乃至４の結果から、第１溝部Ｇ１がヘッドクラッシュ発生を抑制する効果は、最内周の記録トラックＴＲの半径を約６ｍｍ以下とした場合にのみ得られることが分かる。
【００９７】
（実施例３）
実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、実施例１と同様に４．７ｍｍとした。また、本例では、より深い第１溝部Ｇ１を形成するために、埋め込み層２３を形成するためのエッチバックの条件を実施例１とは異ならしめた。
【００９８】
ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも１０ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の記録トラックＴＲに対応した部分は、潤滑層３の第１溝部Ｇ１に対応した部分と比較して、２ｎｍ乃至３ｎｍ程度高かった。
【００９９】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１１００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【０１００】
実施例１及び３の結果から、潤滑層３の記録トラックＴＲに対応した部分が潤滑層３の第１溝部Ｇ１に対応した部分よりも高い場合、潤滑層３の表面が平坦な場合と比較して、ヘッドクラッシュがより発生し難くなることが分かる。これは、前者の場合、仮に、ヘッドスライダ４０１が磁気ディスク１０に接触して、その接触部で潤滑層３が薄くなったとしても、その近傍の第１溝部Ｇ１から速やかに潤滑剤が供給されるためであると考えられる。
【０１０１】
（実施例４）
実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。  
この磁気ディスク１０を用いると共にスライダヘッド４０１として接触型スライダヘッドを使用したこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。なお、ここでも、実施例１と同様、読出ヘッドの磁気検出部の第２方向Ｄ２の寸法は１００ｎｍとし、書込ヘッドの書込磁極の第２方向Ｄ２の寸法は１２０ｎｍとした。また、３００Ｔｏｒｒの減圧環境下で、磁気ディスク１０を３６００ｒｐｍで回転させて、ヘッドクラッシュが生じるまでシークを繰り返した。
【０１０２】
その結果、試験開始から約７００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【０１０３】
（比較例５）
比較例１で説明したのと同様の方法により磁気ディスクを作成した。この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例４で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約５０時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。  
実施例４及び比較例５の結果から、接触型スライダヘッドを使用した場合にも、第１溝部Ｇ１が、ヘッドクラッシュ防止に有効であることが分かる。
【０１０４】
（実施例５）
実施例３で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、実施例３と同様に４．７ｍｍとした。また、ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも１０ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の記録トラックＴＲに対応した部分は、潤滑層３の第１溝部Ｇ１に対応した部分と比較して、２ｎｍ乃至３ｎｍ程度高かった。
【０１０５】
次に、この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例４で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約９００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。なお、本例では、ＨＤＩがメニスカスによって安定した。
【０１０６】
（実施例６）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。すなわち、本例では、Ｎｉ金型の凸部の高さは、実施例１と同様、５０ｎｍとした。また、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は、実施例１と同様、５０ｎｍとした。但し、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部間の間隔は１８０ｎｍとした。
【０１０７】
なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、実施例１と同様に４．７ｍｍとした。また、ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１９０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも４ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３は平坦であった。
【０１０８】
この磁気ディスク１０を用いると共に以下のスライダヘッド４０１を使用したこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。すなわち、ここでは、ヘッドスライダ４０１としては、磁気ディスク１０から１０ｎｍ浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第２方向Ｄ２の寸法は１９０ｎｍとし、書込ヘッドの書込磁極の第２方向Ｄ２の寸法は２００ｎｍとした。３００Ｔｏｒｒの減圧環境下で、磁気ディスク１０を３６００ｒｐｍで回転させて、ヘッドクラッシュが生じるまでシークを繰り返した。  
その結果、試験開始から約８００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【０１０９】
（実施例７）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。すなわち、本例では、Ｎｉ金型の凸部の高さは、実施例１と同様、５０ｎｍとした。また、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は、実施例１と同様、５０ｎｍとした。但し、本例では、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部間の間隔は２００ｎｍとした。
【０１１０】
なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、実施例１と同様に４．７ｍｍとした。また、ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は２１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも４ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３は平坦であった。
【０１１１】
この磁気ディスク１０を用いると共に以下のスライダヘッド４０１を使用したこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。すなわち、ここでは、ヘッドスライダ４０１としては、磁気ディスク１０から１０ｎｍ浮上するものを使用した。また、読出ヘッドの磁気検出部の第２方向Ｄ２の寸法は１９０ｎｍとし、書込ヘッドの書込磁極の第２方向Ｄ２の寸法は２２０ｎｍとした。３００Ｔｏｒｒの減圧環境下で、磁気ディスク１０を３６００ｒｐｍで回転させて、ヘッドクラッシュが生じるまでシークを繰り返した。  
その結果、試験開始から約８００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【０１１２】
（実施例８）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図４に示す磁気ディスク１０を作成した。
【０１１３】
すなわち、本例では、Ｎｉ金型のデータ領域Ａdに対応した部分とサーボ領域Ａsに対応した部分との境界を螺旋状とした。Ｎｉ金型の凸部の高さは、５０ｎｍとした。Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部のそれぞれの幅は５０ｎｍとし、隣り合うリング状凸部間の間隔は１００ｎｍとした。また、第２溝部Ｇ２に対応した凸部は右巻きの螺旋形状とし、その幅は５０ｎｍとした。
【０１１４】
なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、実施例１と同様に４．７ｍｍとした。また、本例では、より深い第１溝部Ｇ１を形成するために、埋め込み層２３を形成するためのエッチバックの条件を実施例１とは異ならしめた。
【０１１５】
ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであり、第１溝部Ｇ１の底部は保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも８ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の記録トラックＴＲに対応した部分は、潤滑層３の第１溝部Ｇ１に対応した部分と比較して、２ｎｍ乃至３ｎｍ程度高かった。
【０１１６】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。なお、本例では、第２溝部Ｇ２は右巻きの螺旋形状としたため、磁気ディスク１０は左回りに回転させた。その結果、試験開始から約１２００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【０１１７】
実施例１、３及び８の結果から、第２溝部Ｇ２を設け且つ磁気ディスク１０を所定の向きに回転させると、第２溝部Ｇ２を設けない場合と比較して、ヘッドクラッシュがより生じ難くなることが分かる。
【０１１８】
（実施例９）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。
【０１１９】
すなわち、本例では、Ｎｉ金型の凸部の高さは、実施例１と同様に５０ｎｍとした。また、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部間の間隔は、実施例１と同様、１００ｎｍとした。但し、本例では、これらリング状凸部のうち、最外周のリング状凸部の幅を２５０ｎｍとし、それ以外のリング状凸部の幅は５０ｎｍとした。
【０１２０】
なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、実施例１と同様に４．７ｍｍとした。また、本例では、より深い第１溝部Ｇ１を形成するために、埋め込み層２３を形成するためのエッチバックの条件を実施例１とは異ならしめた。
【０１２１】
ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであった。最外周の第１溝部Ｇ１の底部の幅は２８０ｎｍであり、それ以外の第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであった。また、第１溝部Ｇ１の底部は、保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも８ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の記録トラックＴＲに対応した部分は、潤滑層３の第１溝部Ｇ１に対応した部分と比較して、２ｎｍ乃至３ｎｍ程度高かった。
【０１２２】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１１００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【０１２３】
実施例１、３及び９の結果から、最外周の第１溝部Ｇ１の幅をそれと隣り合う第１溝部の幅よりも広くすると、第１溝部Ｇ１の幅を一定とした場合と比較して、ヘッドクラッシュがより生じ難くなることが分かる。
【０１２４】
（実施例１０）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図１乃至図３に示す磁気ディスク１０を作成した。
【０１２５】
すなわち、本例では、Ｎｉ金型の凸部の高さは、実施例１と同様に５０ｎｍとした。また、Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部間の間隔は、実施例１と同様、１００ｎｍとした。但し、本例では、これらリング状凸部のうち、最内周のリング状凸部の幅を３００ｎｍとし、それ以外のリング状凸部の幅は５０ｎｍとした。
【０１２６】
なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、４．９ｍｍとした。また、本例では、より深い第１溝部Ｇ１を形成するために、埋め込み層２３を形成するためのエッチバックの条件を実施例１とは異ならしめた。
【０１２７】
ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであった。最内周の第１溝部Ｇ１の底部の幅は２８０ｎｍであり、それ以外の第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであった。また、第１溝部Ｇ１の底部は、保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも８ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の記録トラックＴＲに対応した部分は、潤滑層３の第１溝部Ｇ１に対応した部分と比較して、２ｎｍ乃至３ｎｍ程度高かった。
【０１２８】
この磁気ディスクを用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。その結果、試験開始から約１２００時間経過後にヘッドクラッシュが生じた。
【０１２９】
実施例１、３及び１０の結果から、最内周の第１溝部Ｇ１の幅をそれと隣り合う第１溝部の幅よりも広くすると、第１溝部Ｇ１の幅を一定とした場合と比較して、ヘッドクラッシュがより生じ難くなることが分かる。
【０１３０】
（実施例１１）
以下のＮｉ金型を使用したこと以外は、実施例１で説明したのと同様の方法により、図４に示す磁気ディスク１０を作成した。
【０１３１】
すなわち、本例では、Ｎｉ金型のデータ領域Ａdに対応した部分とサーボ領域Ａsに対応した部分との境界を螺旋状とした。Ｎｉ金型の凸部の高さは、実施例１と同様に５０ｎｍとした。Ｎｉ金型の凸部のうち、第１溝部Ｇ１に対応したリング状凸部間の間隔は、実施例１と同様、１００ｎｍとした。但し、本例では、これらリング状凸部のうち、最内周及び最外周のリング状凸部の幅を２５０ｎｍとし、それら以外のリング状凸部の幅は５０ｎｍとした。また、第２溝部Ｇ２に対応した凸部は右巻きの螺旋形状とし、その幅は５０ｎｍとした。
【０１３２】
なお、本例では、最内周の記録トラックＴＲの半径は、４．９ｍｍとした。また、本例では、より深い第１溝部Ｇ１を形成するために、埋め込み層２３を形成するためのエッチバックの条件を実施例１とは異ならしめた。
【０１３３】
ＡＦＭによる測定の結果、記録トラックＴＲの幅は１１０ｎｍであった。最内周及び最外周の第１溝部Ｇ１の底部の幅は２２０ｎｍであり、それら以外の第１溝部Ｇ１の底部の幅は３０ｎｍであった。また、第１溝部Ｇ１の底部は、保護層２４の記録トラックＴＲに対応した部分よりも８ｎｍ低かった。さらに、ＡＦＭによる観察の結果、この磁気ディスク１０において、潤滑層３の記録トラックＴＲに対応した部分は、潤滑層３の第１溝部Ｇ１に対応した部分と比較して、２ｎｍ乃至３ｎｍ程度高かった。また、最外周の第１溝部Ｇ１と基板１の外周との第２方向Ｄ２の距離は約１０μｍであり、最外周の第１溝部Ｇ１と基板１の外周との間における堆積層２の高さは記録トラックＴＲの高さとほぼ等しかった。
【０１３４】
この磁気ディスク１０を用いたこと以外は実施例１で説明したのと同様の加速寿命試験を行った。なお、本例では、第２溝部Ｇ２は右巻きの螺旋形状としたため、磁気ディスク１０は左回りに回転させた。その結果、試験開始から約１５００時間経過してもヘッドクラッシュは生じなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１３５】
【図１】本発明の第１態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図。
【図２】図１の磁気ディスクの一部を拡大して示す平面図。
【図３】図２の磁気ディスクのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】本発明の第２態様に係る磁気ディスクを概略的に示す平面図。
【図５】第１及び第２態様に係る磁気ディスクを搭載可能な記録ディスク装置の一例を概略的に示す斜視図。
【図６】接触型磁気ヘッドを用いた磁気ディスク装置の一部を概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【０１３６】
１…基板、２…堆積層、３…潤滑層、１０…磁気ディスク、２０…スピンドル、２１…下地層、２２…磁気記録層、２３…埋め込み層、２４…保護層、３０…ピボット、４０…磁気ヘッドアセンブリ、５０…ボイスコイルモータ、６０…筐体、４０１…ヘッドスライダ、４０２…アクチュエータアーム、４０３…サスペンション、４０１０…ヘッドスライダ本体、４０１１…書込磁極、Ａd…データ領域、Ａs…サーボ領域、Ｄ１…第１方向、Ｄ２…第２方向、Ｇ１…第１溝部、Ｇ２…第２溝部、Ｐ１…ＡＧＣ部、Ｐ２…アドレス部、Ｐ３…パッド部、Ｐ４…バースト部、Ｐ５…パッド部、Ｐ４１…第１領域、Ｐ４２…第２領域、Ｐ４３…第３領域、Ｐ４４…第４領域、ＰＨ…第１信号レベル部、ＰＬ…第２信号レベル部、ＴＲ…記録トラック。
【図１】
2006031854.tif 000003
【図２】
2006031854.tif 000004
【図３】
2006031854.tif 000005
【図４】
2006031854.tif 000006
【図５】
2006031854.tif 000007
【図６】
2006031854.tif 000008