(57)【要約】【課題】  ガラス基材の表面に均一な帯電防止膜を成膜してなるスペーサを、スパッタ法を利用して効率よく且つ安価に製造する装置及び方法を提供する。【解決手段】  ガラス母材１０の端部をヒーター２で加熱して軟化させ、引き取りローラ３で引き延ばして形成された延伸母材１１の表面に帯電防止膜を成膜する成膜室８において、延伸母材１１の搬入口４にガスの噴出口を形成し、浮上用ガス７を延伸母材11に向けて噴出させることにより、延伸母材１１を搬入口４に非接触で成膜室８内に搬入する。【選択図】      図１
2006252846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基材の表面に帯電防止膜を成膜してなるスペーサの製造装置であって、
ガラス母材の端部を加熱する加熱手段と、
該加熱手段によって加熱され軟化したガラス母材端部から引き伸ばされた延伸母材を挟持して引き取るローラーと、
上記加熱手段と引き取りローラーとの間に配置された帯電防止膜の気相成膜室と
を有し、
上記気相成膜室が上記延伸母材の搬入口に該母材に向けてガスを噴出させるガス噴出口を有し、該搬入口において延伸母材を非接触で当該成膜室内に搬入することを特徴とするスペーサの製造装置。
【請求項２】
上記気相成膜室がスパッタ成膜室である請求項１に記載のスペーサの製造装置。
【請求項３】
上記搬入口において延伸母材に向けて噴出させるガスがスパッタガスである請求項２に記載のスペーサの製造装置。
【請求項４】
ガラス基材の表面に帯電防止膜を成膜してなるスペーサの製造方法であって、
ガラス母材の端部を加熱する工程と、
軟化したガラス母材を引き伸ばす延伸工程と、
上記延伸工程で得られた延伸母材を気相成膜室に搬入して帯電防止膜を成膜する工程と、
を有し、
上記延伸母材を気相成膜室に搬入する際に該気相成膜室の搬入口において噴出ガスを該母材に噴出させることにより、該搬入口に非接触で延伸母材を当該成膜室内に搬入することを特徴とするスペーサの製造方法。
【請求項５】
複数の電子放出素子と該電子放出素子に電圧を印加するための配線とを備えたリアプレートと、該リアプレートに対向配置され、該電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材とアノードとを備えたフェースプレートと、上記リアプレートとフェースプレートの周縁部に介在して両プレートと共に気密容器を形成する側壁と、上記二つのプレート間に介在して両プレート間距離を保持するスペーサとを有する画像表示装置の製造方法であって、
上記スペーサがガラス基材の表面に帯電防止膜を成膜してなり、
上記スペーサを、請求項４に記載のスペーサの製造方法により製造することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子と発光部材とを用いてなる平面型の画像表示装置において耐大気圧構造体として用いられるスペーサの製造方法及び製造装置に関し、さらに、該スペーサを用いた画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大画面で奥行きの小さい薄型ディスプレイとして、電界放出型（ＦＥＤ）ディスプレイが研究、開発されている。これは、電子放出素子から放出された電子を加速して蛍光体に衝突させることにより発光を行うもので、原理的にはＣＲＴと同じであるが、ＣＲＴとは異なり、基本的に一画素に対して一つ以上の電子放出素子を持つのが特徴である。
【０００３】
この方式で薄型ディスプレイを製造する場合、電子の飛翔を妨げないように容器内を真空にする必要がある。一般的には、２枚のガラス基板を平行に配置し、対向面の一方に複数の電子放出素子と配線とを配置し、他方に蛍光体を配置し、基板の外周を側壁を介して封止し、内部を真空に保つ形態が用いられることが多い。
【０００４】
このような形態の真空容器においては、外部より大気圧が印加されるため、このままでは容器が破損しやすい。そのため、２枚のガラス基板間に、スペーサと呼ばれる耐大気圧構造体を介在させることにより大気圧に耐える構造となっている。
【０００５】
上記スペーサとしては、平板型、十字型、円柱型、球形など、さまざまな形態をとりうるが、基本的に必要な条件としては、機械的強度が十分であることに加えて、帯電しにくいことが挙げられる。スペーサ近傍には電子放出素子が存在し、蛍光体面からの反射電子がスペーサに入射したり、トリプルジャンクションからの電子放出により、帯電しやすい環境になっている。スペーサが帯電した場合、該スペーサ近傍の電子放出素子からの電子軌道に影響を及ぼし、画像品位を低下させたり、放電現象を誘起する可能性がある。
【０００６】
このようなスペーサの帯電による影響を防止するため、スペーサ表面に帯電防止膜を設けたり（特許文献１参照）、また、スペーサ表面に凹凸形状を設ける（特許文献２参照）、或いはこれらを組み合わせて凹凸形状を形成した表面に帯電防止膜を形成するという方法が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平８−７８０６号公報
【特許文献２】米国特許第５３０９１０２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
帯電防止膜の形成方法としては、従来から薄膜の成膜技術として知られている、ＣＶＤやスパッタリングに代表される気相成膜法や、ディッピングやスプレー、スピンコートに代表される液相成膜法、噴霧熱分解法が挙げられる。
【０００９】
液相成膜法は大型の装置や真空系が不要であり、成膜速度も速いため、生産性が良く、コストの面でも気相成膜法に比べて有利である。しかしながら、膜の品質、例えば密着性や平坦性、電気特性に関して気相成膜法ほどの特性が得られない場合が多い。また、表面に凹凸を有する基材の表面に均一な成膜を行うことが難しく、特に、凹凸のアスペクト比が高く、微細な凹凸の場合、毛細管現象を生じることから均一な被覆を行うことが困難である。
【００１０】
一方、気相成膜法はアスペクト比が高く微細な凹凸を有する基材表面にも均一な成膜が可能であるが、成膜室を真空状態に保つ必要があり、被成膜基材を成膜室（或いは成膜準備室）に搬入した後に該成膜室内を排気する時間が必要とされている。基材自体は加熱延伸法により安価に且つ生産性良く連続生産できるため、スペーサの生産性を向上する上で帯電防止膜の成膜工程の効率を向上することは必須である。具体的には、基材を大気中から真空系の成膜室内に連続的に搬入して成膜することができれば、スパッタ法においても液相成膜法に劣ることのない効率の良いローコストな成膜を行うことができる。
【００１１】
スパッタ法で連続的に成膜を行い、タクトタイムを改善する方法としては、ゴムローラなどで真空系と大気との間を仕切って差圧を作り、フィルムなど薄い試料をゴムローラの間から搬入する事により、大気から直接成膜室に搬入する方法が公知の技術として知られている。
【００１２】
しかしながらゴムローラを用いた方式では、フィルムなどのように柔軟性に富み、ほとんど厚みがないほどの薄い基材には対応できるが、ガラスなどのように厚みがあり、柔軟性が無く、欠けやすい基材には対応できない。厚みがある基材では成膜室の気密性を保つためにゴムローラで強く基材を押さえつけなければならず、ガラスのように欠けやすい基材にゴムローラを強く押しつけた場合には基材の汚染、破損の危険性が高くなる。
【００１３】
また、上記のゴムローラを用いた方式を基材を形成する加熱延伸法と組み合わせた場合、別の問題もある。加熱延伸法は、ガラス母材を加熱炉で加熱し、軟化した母材の一端を引き伸ばして延伸母材を得、次いで所定の長さに切断して基材を得る方法であるが、加熱炉を出た直後の延伸母材は高熱になっており、特に加熱炉直下においては５００℃以上になっているのが一般的である。このような高熱の延伸母材を被成膜基材としてゴムローラに直接接触させると、基材が変形したり、ゴムローラの融解が起こり、基材の汚染や真空系のリークが引き起こされる。特に、ゴムローラの耐熱性は問題であり、テフロン（登録商標）ゴムやシリコーンゴムなどの耐熱性ゴムでも連続使用耐熱温度は２００℃以下であり、ウレタンゴムでは７０℃程度の耐熱性しかない。従って、時間にして数分、距離にして数ｍ程度の冷却のためのタクト、スペースが必要となりローコストを実現するのが困難である。
【００１４】
さらに、延伸母材を上記ゴムローラの耐熱範囲にまで冷却したとしても、依然問題がある。一般的なソーダライムガラスの歪点は５１０℃付近であるので、何かに触れることで直接的に変形する可能性は低い。しかしながら、ガラスの微小部分に１００℃程度の温度差が生じた場合には、熱膨張の原理によりガラスが割れてしまったり、強度が低下する可能性が高くなる。即ち、１５０℃近くもあるような高温のガラス基材が直接ローラなどの常温の部材に触れた場合、ガラス基材の接触箇所が一気に冷却されて強度が低下してしまう。また、基材の表面に微細加工、例えばミクロンサイズの凹凸形状を有する場合、この形状を再現、維持するためには成膜室への搬入温度が重要であり、タクトタイムの短縮のため、高温のまま成膜を開始すると基材の表面形状が変形する場合があり、加熱延伸された基材への成膜温度の最適化が望まれる。
【００１５】
本願発明の課題は、上記問題点を解決し、ガラス基材の表面に均一な帯電防止膜を成膜してなるスペーサを、スパッタ法を利用して効率よく且つ安価に製造する装置及び方法を提供し、これを利用して当該スペーサを有する画像表示装置をより安価に提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の第一は、ガラス基材の表面に帯電防止膜を成膜してなるスペーサの製造装置であって、
ガラス母材の端部を加熱する加熱手段と、
該加熱手段によって加熱され軟化したガラス母材端部から引き伸ばされた延伸母材を挟持して引き取るローラーと、
上記加熱手段と引き取りローラーとの間に配置された帯電防止膜の気相成膜室と
を有し、
上記気相成膜室が上記延伸母材の搬入口に該母材に向けてガスを噴出させるガス噴出口を有し、該搬入口において延伸母材を非接触で当該成膜室内に搬入することを特徴とする。
【００１７】
本発明の第二は、ガラス基材の表面に帯電防止膜を成膜してなるスペーサの製造方法であって、
ガラス母材の端部を加熱する工程と、
軟化したガラス母材を引き伸ばす延伸工程と、
上記延伸工程で得られた延伸母材を気相成膜室に搬入して帯電防止膜を成膜する工程と、
を有し、
上記延伸母材を気相成膜室に搬入する際に該気相成膜室の搬入口において噴出ガスを該母材に噴出させることにより、該搬入口に非接触で延伸母材を当該成膜室内に搬入することを特徴とする。
【００１８】
本発明の第三は、複数の電子放出素子と該電子放出素子に電圧を印加するための配線とを備えたリアプレートと、該リアプレートに対向配置され、該電子放出素子から放出された電子の照射によって発光する発光部材とアノードとを備えたフェースプレートと、上記リアプレートとフェースプレートの周縁部に介在して両プレートと共に気密容器を形成する側壁と、上記二つのプレート間に介在して両プレート間距離を保持するスペーサとを有する画像表示装置の製造方法であって、
上記スペーサがガラス基材の表面に帯電防止膜を成膜してなり、
上記スペーサを、上記本発明の第二のスペーサの製造方法により製造することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、表面に微細な凹凸を有するガラス基材であっても、該基材の加熱延伸工程に連続してスパッタ法により均一な帯電防止膜を成膜することができ、効率よく且つ安価にスペーサを製造することができる。よって、当該スペーサを用いてより安価に画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に図面を参照して、本発明の好適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。但し、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、相対配置などは特に特定的な記載がない限りは、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００２１】
図１は、本発明の製造装置及び製造方法を模式的に示した図であり、図中の１はスペーサ、２はヒーター、３は引き取りローラ、４は基材の搬入口、５は搬出口、６はカッター、７は浮上用ガス、８は成膜室、１０はガラス母材、１１は延伸母材である。
【００２２】
図１に示すように、延伸方向に直交する断面形状がスペーサ１と相似形であるガラス母材１０の一端をヒーター２で加熱して軟化させる。軟化したガラス母材１０の端部を引き取りローラ３で挟持して引き伸ばすことにより、母材１０と相似形の延伸母材１１が形成される。即ち、ガラス母材１０の表面に凹凸を形成しておけば、延伸母材１１の表面にも該凹凸と相似形状の凹凸を形成することができる。
【００２３】
加熱延伸法のバリエーションの一つとして、まだ流動性のある延伸母材１１を延伸ローラで延伸し、その際、延伸ローラに凹凸を形成しておくことにより、同様の形状を延伸母材１１上に形成する方法もある。但し、本発明の特色である被成膜基材である延伸母材１１の清浄性や、装置スペースの縮小などの利点を最大限に引き出すためには、成膜後に引き取りローラ３で引き出すことが望ましい。
【００２４】
ガラス母材１０はヒーター２により軟化点以上の温度に加熱される。ディスプレイ構成材料として一般的に用いられる低アルカリ金属含有ガラスは通常８００〜９００℃以上に加熱されることになる。本発明においては、軟化して延伸された延伸母材１１を高温のまま成膜室８に搬入する。本発明の製造装置には、成膜室８の搬入口４にガス噴出口が設けられており、該ガス噴出口から浮上用ガス７を延伸母材１１に向けて噴出させることで該延伸母材１１を搬入口４に非接触で成膜室８内に搬入する。従って、延伸母材１１が２００℃近くの高温であっても成膜室８内に搬入する事が可能であり、同時に、ガスを吹き付けることで延伸母材１１を冷却する効果も併せ持つ。尚、タクトタイム及びスペーサの形状制御の観点から、加熱炉（ヒーター２）の搬出口部位からガスを延伸母材１１に吹き付け、そのまま（ガスを吹き付けたまま）成膜室８内に搬入することも可能である。この場合、ガス吹きつけにより制御された環境下で延伸母材１１が冷却固化されるため、形状制御性が良くなる。
【００２５】
通常の条件下では、加熱延伸直後の延伸母材１１の温度は約５００℃であり、加熱炉から約５０ｃｍ引き出した時点で２００℃以上の温度を有している。タクトタイムや装置スペースを考慮すると、加熱炉から引き出した後、５０ｃｍ程度の距離で成膜室８の搬入口４に到達するのが望ましい。
【００２６】
また、ガス噴出条件にもよるが、搬入口４を通過した後の延伸母材１１はほぼ室温まで冷却されており、成膜終了後に室温近くの部材、例えば引き取りローラ３などに接触しても劣化などの問題を生じる恐れはない。
【００２７】
延伸された延伸母材１１は切断されることなく搬入口４を通過し、成膜室８内において帯電防止膜を成膜された後、搬出口５から搬出され、カッター６により所望の長さに切断される。本発明においては、搬出口５においても搬入口４と同様のガス噴出口を設け、浮上用ガスを成膜済みの延伸母材１１に吹き付けて搬出口５に非接触で延伸母材１１を搬出することが望ましい。
【００２８】
図１の構成においては、搬入口４、搬出口５の幅は延伸母材１１の幅に合わせて形成されており、成膜室８の中と外の間のコンダクタンスは非常に小さくなっており、搬入口４、搬出口５付近で大きな差圧が形成されている。
【００２９】
図６は搬入口４の拡大図である。尚、図６においては上下に分離した状態を示しているが、実際の搬入口４は上下が分離しておらず、長方形の穴があいたトンネル内部の上下にガスの噴出口６１が存在する構成となっている。成膜室８内外のコンダクタンスを小さくするためには、図中のＬを大きくとり、浮上用ガス７の噴出口６１を多数形成するのが好ましい。また、浮上用ガス７の噴出圧は大気に一番近い噴出口６１で、大気圧よりわずかに大きく設定し、成膜室８内に近い噴出口６１で真空に近い（真空よりも少し高い）傾斜配分することが望ましい。図７は浮上用ガス圧の傾斜配分例を示した断面模式図である。このように浮上用ガス圧を調整することにより、成膜室８内に流入するガス量を不必要に増やさずに、Ｌを長く設計することができる。
【００３０】
本発明の製造装置においては、搬入口４、搬出口５において十分にコンダクタンスを小さく設計すれば、成膜室８の外から中に流入するリークガスを、成膜の際に膜質に影響を与えない程度に少なくすることができる。また、延伸母材１１を浮上させるガス７は、スパッタを行う際に用いるスパッタガスと同じ成分にすれば、浮上用ガス７がそのまま成膜室８内に流入するので、膜質に影響を与えることなく、また、ガスを無駄に使わずにスパッタを行うことができる。
【００３１】
また、成膜室８における成膜はスパッタ法が用いられるが、生産性を考慮して、両面に同時に成膜することが好ましい。図２に両面成膜を行う成膜室の断面構成を模式的に示す。図中、２２ａ、２２ｂはカソード、２３ａ、２３ｂはターゲット、２４ａ、２４ｂはアノードである。
【００３２】
図３に、本発明により製造されるスペーサを用いて構成される画像表示装置の好ましい一例の表示パネルを示す。図３は当該表示パネルの概略構成を示す斜視図であり、内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。図中、３１はリアプレート、３２はフェースプレート、３４は側壁、３５はＸ方向配線、３６はＹ方向配線、３８は電子放出素子、３９は電子源基板、４０は蛍光膜、４１はメタルバック、４２はスペーサ固定部材である。
【００３３】
本構成においては、リアプレート３１，フェースプレート３２，側壁３４とで内部を真空に維持するための気密容器が形成されている。気密容器を組み立てるに当たっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要があるが、例えばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中或いは窒素雰囲気中で４００〜５００℃で１０分以上焼成することにより封着を達成する。また、気密容器内部は１０−４Ｐａ程度の真空に保持されるので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的で、耐大気圧構造体としてスペーサ１が設けられる。
【００３４】
電子源基板３９には電子放出素子３８がｎ×ｍ個形成されている（ｎ，ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。例えば、高品位テレビジョンの表示を目的とした装置においては、ｎ＝３０００，ｍ＝１０００以上の数を設定することが望ましい。）。ｎ×ｍ個の電子放出素子３８はｍ本のＸ方向配線３５とｎ本のＹ方向配線３６により単純マトリクス配線されている。電子放出素子３８の材料や形状、製法に制限はないが、例えば表面伝導型電子放出素子やＦＥ型、或いはＭＩＭ型などの冷陰極素子を用いることができる。
【００３５】
図４に、図３の表示パネルに好ましく用いられる電子放出素子３８の一例の平面模式図を示す。図中、４５、４６は素子電極、４７は導電性膜、４８は導電性膜４７に形成された電子放出部である。本例の電子放出素子は表面伝導型であり、当該素子はＸ方向配線３５とＹ方向配線３６により単純マトリクス状に配線され、Ｘ方向配線３５の下部には不図示の層間絶縁層が形成され、Ｙ方向配線３６との電気的な絶縁が保たれている。
【００３６】
図４のような構造の電子放出素子３８は予め基板３９上にＸ方向配線３５、層間絶縁層（不図示）、Ｙ方向配線３６、及び素子電極４５，４６と導電性膜４７を形成した後、Ｘ方向配線３５及びＹ方向配線３６を介して各導電性膜４７に給電して通電フォーミング処理と通電活性化処理を行うことにより電子放出部４８を形成して製造される。
【００３７】
また、フェースプレート３２の内面には蛍光膜４０、さらにはＣＲＴの分野では公知のメタルバック４１が設けられている。メタルバック４１を設ける目的は、蛍光膜４０が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上させること、負イオンの衝突から蛍光膜４０を保護すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させること、蛍光膜４０を励起した電子の導電路として作用させること、などである。メタルバック４１は、蛍光膜４０をフェースプレート（ガラス基板）３２に形成した後、蛍光膜４０の表面を平滑化処理（通常、フィルミングと呼ばれる）し、その上にＡｌを真空蒸着する方法により形成される。
【００３８】
また、本形態では用いていないが、加速電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フェースプレート３２と蛍光膜４０との間に、例えばＩＴＯを材料とする透明電極を設けても良い。
【実施例】
【００３９】
（実施例１）
図３の構成の画像表示装置を製造した。スペーサ１は図１の装置により製造した。
【００４０】
本例においては、ガラス母材１０として電子線ディスプレイ用低Ｎａガラスを用い、８００℃に加熱して、厚さ２００μｍ、幅１．６ｍｍの延伸母材１１が形成されるように引き取りローラ３の回転速度を調整した。延伸母材１１の表面には、ガラス母材１０の表面と相似形の凹凸が形成された。図５に示すように、該凹凸は、凸部頂の最小間隔Ｓ＝３０μｍ、深さｈ＝１０μｍであった。尚、図５（ａ）は延伸母材１１の部分平面模式図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’部分断面図である。
【００４１】
上記延伸母材１１を成膜室８内に搬入した。加熱炉から出た直後の延伸母材１１の温度は約５００℃であり、成膜室８の搬入口４までの距離を５０ｃｍ、引き出し速度を５００ｍｍ／ｍｉｎに設定することで、加熱炉から出て１分後に搬入口４に到達するように調整した。本例において、搬入口４に搬入される直前の延伸母材１１の温度を放射温度計で測定したところ、約３００℃であった。
【００４２】
本例の成膜室８の搬入口４は、延伸母材１１に対して上下に１５μｍ、左右に２０μｍの余裕を持たせ、図６においてＨ＝０．２３ｍｍ、Ｗ＝１．６３ｍｍ、Ｌ＝５０ｃｍとした。また、浮上用ガス７にはＡｒガスを用い、噴出圧は図７に示すように傾斜配分した。本例では、約９５ｓｃｃｍのＡｒガスが成膜室８内に流れ込むことになり、搬出口５とあわせて約２００ｓｃｃｍのＡｒガスが成膜室８内に流れ込んだ。
【００４３】
帯電防止膜の成膜には、Ｃｒ−Ａｌ−Ｎ、即ちＣｒとＡｌの複合窒化物のターゲットを用いた。Ｃｒ／Ａｌ＝０．２（原子比）である。また、メインバルブの開度を調整することにより、成膜時圧力を１．５Ｐａに調節した。ターゲットは成膜搬送方向に沿って長い長方形をしたものを用い、成膜範囲は約２．５ｍｍとした。また、上下両面からスパッタすることにより、両面同時成膜を行った。図３に示したターゲット２３ａ、２３ｂと延伸母材１１との距離を上下共に約３０ｍｍとなるように設定した。本例では以上の設定により実質的な成膜時間は約５分で、厚さが約１５０ｍｍのＣｒ−Ａｌ−Ｎ膜が得られ、その比抵抗は約１×１０７Ω・ｃｍであった。
【００４４】
成膜室８から搬出された成膜済みの延伸母材１１はカッター６で８２５ｍｍの長さに切断し、スペーサ１とした。
【００４５】
このようにして得られたスペーサ１を用い、以下に示す工程により図３に示した構成の画像表示装置を構成した。電子放出素子３８の構成は図４に示した通りである。
【００４６】
［工程１］
青板ガラスを基板３９として洗剤と純水により洗浄した後、スクリーン印刷法により素子電極４５，４６のパターンをＭＯＤペースト（ノリタケ社製：ＤＵ−２１１０）で形成した。このＭＯＤペーストは金属成分として金を含んでいる。印刷後、１１０℃で２０分乾燥し、次いで熱処理装置によりピーク温度５８０℃、ピーク保持時間８分間の条件で焼成し、厚さ０．３μｍの素子電極４５，４６を形成した。素子電極４５と４６の間隔は１０μｍとした。
【００４７】
［工程２］
金属成分として銀を含むペースト材料（ノリタケ社製：ＮＰ−４０２８Ａ）を用い、スクリーン印刷によりＹ方向配線３６パターンを形成し、工程１と同様の条件で焼成してＹ方向配線３６を形成した。次に、ＰｂＯを主成分とするペーストを用い、Ｘ方向配線３５の下層となる層間絶縁層パターンを印刷により形成し、Ｙ方向配線３６と同様の条件で焼成して層間絶縁層を形成した。さらに、Ｙ方向配線３６と同様の方法でＸ方向配線３５を形成した。
【００４８】
［工程３］
有機パラジウム溶液をインクジェット噴射装置を用いて素子電極４５，４６に跨るように幅２００μｍで付与し、３５０℃で１０分間の加熱処理を行って酸化パラジウム微粒子からなる導電性膜４７を得た。その後、基板３９を弱アルカリ洗浄液で超音波洗浄した。洗浄液は０．４質量％ＴＭＡＨ（トリメチルアンモニウムハライド）を用い、超音波洗浄は２分間行った。洗浄後は純水で流水置換すすぎを５分間行い、付着水をエアーナイフで除去した後、オーブンにて１２０℃、２分間の乾燥を行った。
【００４９】
［工程４］
基板３９上に抵抗膜を被覆した。抵抗膜は酸化スズに酸化アンチモンをドープした酸化物微粒子をエタノールとイソプロパノールの１：１混合液に分散させたものを用いた。固形物の濃度は約０．１質量％であった。この分散液をスプレー装置を用い、液圧０．０２５ＭＰａ、エアー圧１．５ｋｇ／ｃｍ２、基板−ヘッド間距離５０ｍｍ、ヘッド移動速度０．８ｍ／ｓｅｃの条件でスプレー塗布した。塗布後は膜の安定化のために４２５℃、２０分の大気焼成を行った。
【００５０】
［工程５］
上記基板３９をリアプレート３１に固定した後、スペーサ１をＸ方向配線３５上に等間隔で１１本、両側から張力をかけて引っ張り、固定することにより配置した。その後、内面に蛍光膜４０とメタルバック４１を形成したガラス基板からなるフェースプレート３２を側壁３４とスペーサ１を介して配置し、フェースプレート３２と側壁３４、側壁３４とリアプレート３１との接合部にフリットガラスを塗布し、大気中で４５０℃で１０分間以上焼成して封着した。尚、リアプレート３１への電子源基板３９の固定もフリットガラスで行った。また、蛍光膜４０はモノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、本例ではストライプ形状を採用し、先にブラックストライプを形成した後、その開口部に各色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の蛍光体を塗布し、蛍光膜４０を形成した。ブラックストライプの材料としては、通常良く用いられる黒鉛を主成分とする材料を用い、ガラス基板に蛍光体を塗布する方法としてはスラリー法を用いた。さらに、メタルバック４１は蛍光膜４０の作製後、内面側表面を平滑化処理し、その後Ａｌを蒸着することで形成した。
【００５１】
［工程６］
以上のようにして得られた気密容器内の雰囲気を不図示の排気管を通じて真空ポンプにより排気し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘｍとＤｙ１〜Ｄｙｎを通じて、電子放出素子３８の素子電極４５，４６間に三角波のパルス電圧（パルス幅１ｍｓｅｃ、パルス間隔１０ｍｓｅｃ）を印加し、導電性膜４７にフォーミング処理を施して電子放出部４８を形成した。フォーミング時の内部圧力は約２×１０−３Ｐａであった。このようにして得られた電子放出部４８は、パラジウム元素を主成分とする微粒子が分散配置した状態となり、その微粒子の平均粒径は３ｎｍであった。
【００５２】
次に、不図示の排気管よりアセトンをスローリークバルブを通して気密容器内に導入し、０．１Ｐａを維持しながら矩形波のパルス電圧（波高値１４Ｖ）を印加し、素子電極４５，４６間に流れる素子電流、メタルバック４１に到達する放出電流を測定しながら活性化処理を行った。
【００５３】
その後、気密容器内を１０−６Ｐａ程度の圧力まで排気し、不図示の排気管をガスバーナーで熱することで溶着して封止した。最後に、封止後の真空度を維持するために、高周波加熱法でゲッター処理を行った。
【００５４】
以上のようにして完成した画像表示装置において、各電子放出素子３８には、容器外端子Ｄｘ１〜Ｄｘｍ、Ｄｙ１〜Ｄｙｎを通じて走査信号及び変調信号を不図示の信号発生手段よりそれぞれ印加することにより、所望の素子に電子放出させ、同時に高圧端子Ｈｖを通じてメタルバック４１にＶａ＝１０ｋＶ以上の高圧を印加して電子ビームを加速し、蛍光膜４０に衝突させて励起・発光させることで画像を表示した。
【００５５】
その結果、安定した高品位な画像を表示し、電子ビームの偏向等も起きず、放電による破壊も見られなかった。また、スペーサ１周辺において、他の領域と異なるような電子到達位置（発光位置）の乱れは生じず、スペーサ１の帯電に起因すると考えられるような固定パターンは全く見られなかった。
【００５６】
（実施例２）
スペーサ１の製造工程において、成膜室８の搬入口４における浮上用ガス７としてＡｒと窒素の混合ガス（Ａｒ：窒素＝１：１）を用い、帯電防止膜の厚さを約２００ｎｍとした以外は実施例１と同様にしてスペーサを形成し、画像表示装置を構成した。
【００５７】
その結果、実施例１と同様の高品位な画像表示が得られ、電子ビームの偏向、放電による破壊もなく、スペーサ１の帯電に起因すると考えられるような固定パターンは全く見られなかった。
【００５８】
尚、画像表示装置に必要とされる１１本のスペーサ１の製造に必要なタクトタイムは実施例１，２共に約１８分であった。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明のスペーサの製造装置及び製造方法を模式的に示す図である。
【図２】本発明において両面成膜を行う際の成膜室の断面構成を模式的に示す図である。
【図３】本発明により製造される画像表示装置の表示パネルの概略構成を示す斜視図である。
【図４】図３の表示パネルに用いられる電子放出素子の構成を示す平面模式図である。
【図５】本発明の実施例で形成したスペーサを示す図である。
【図６】本発明のスペーサの製造装置の成膜室の搬入口の拡大図である。
【図７】本発明の実施例における浮上用ガスの噴出圧の傾斜配分を示す図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  スペーサ
２  ヒーター
３  引き取りローラ
４  搬入口
５  搬出口
６  カッター
７  浮上用ガス
８  成膜室
１０  ガラス母材
１１  延伸母材
２１  被成膜基材
２２ａ，２２ｂ  カソード
２３ａ，２３ｂ  ターゲット
２４ａ，２４ｂ  アノード
３１  リアプレート
３２  フェースプレート
３４  側壁
３５  Ｘ方向配線
３６  Ｙ方向配線
３８  電子放出素子
３９  電子源基板
４０  蛍光膜
４１  メタルバック
４２  スペーサ固定部材
４５，４６  素子電極
４７  導電性膜
４８  電子放出部
６１  ガス噴出口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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