(57)【要約】【課題】  半導体チップなどの電子部品が挿入するくり抜き部を簡単に形成して生産性の向上を図り、且つくり抜き部に電子部品を良好に搭載できるようにする。【解決手段】  第２基材２１に半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成し、この第２基材２１を第１基材２０上に配置するので、予め第２基材２１にくり抜き部２７を形成できる。このため、特殊な切削装置を用いずに、くり抜き部２７を第２基材２１に簡単に且つ正確に形成できるので、生産性の向上が図れる。また、第１基材２０上に肉盛部２８をチップ搭載領域Ｅの外周側に沿って枠状に形成し、この肉盛部２８の外周側に位置する第１基材２０に絶縁性接着剤層２９を設けて、第１、第２基材２０、２１を接合するので、その接合時に肉盛部２８によって絶縁性接着剤層２９がくり抜き部２７内に侵入するのを堰き止めることができ、これによりくり抜き部２７に半導体チップ２６を良好に搭載できる。【選択図】        図９
2006179733.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面に配線がそれぞれパターン形成された複数の基材が上下に積層され、この積層された内部に電子部品が搭載された多層配線基板であって、
上層側に位置する前記基材に前記電子部品が挿入するくり抜き部が形成され、この上層側の基材が配置される下層側の前記基材の上面に、前記電子部品が配置される部品搭載領域の外周を囲う枠状の肉盛部が形成され、この肉盛部の外周側に位置する部分の前記下層側の基材とこの部分に対向する前記上層側の基材との一方に絶縁性接着剤層が設けられ、この絶縁性接着剤層によって前記下層側の基材と前記上層側の基材とが接合され、この状態で前記くり抜き部に前記電子部品が挿入されて搭載されていることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記肉盛部は、前記絶縁性接着剤層の厚みよりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記くり抜き部は、前記肉盛部が前記電子部品と共に挿入する大きさに形成されていることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記肉盛部は、前記部品搭載領域の外周に位置する前記下層側の基材の上面と、前記上層側の基材に設けられた前記くり抜き部の内周面とに亘って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項５】
上下面に配線がそれぞれパターン形成されて上下に積層される複数の基材のうち、上層側に位置する基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成する工程と、
前記上層側の基材が配置される下層側の基材の上面に肉盛部を前記電子部品が配置される部品搭載領域の外周に沿って枠状に形成すると共に、前記肉盛部の外周側に位置する前記下層側の基材の上面に絶縁性接着剤層を設ける工程と、
前記絶縁性接着剤層を介して前記上層側の基材を前記下層側の基材上に重ね合わせて熱圧着することにより、前記絶縁性接着剤層を軟化させて前記上層側の基材と前記下層側の基材とを接合する工程と、
この接合された前記上層側の基材の前記くり抜き部に前記電子部品を挿入して搭載する工程と
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記肉盛部は、印刷やめっきによって前記絶縁性接着剤層の厚みよりも厚く形成されることを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
上下面に配線がそれぞれパターン形成されて上下に積層される複数の基材のうち、上層側に位置する基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成する工程と、
前記上層側の基材が配置される下層側の基材の上面に絶縁性接着剤層を前記くり抜き部に対応する部分を除いて設け、この絶縁性接着剤層を介して前記上層側の基材を前記下層側の基材上に重ね合わせて仮固定する工程と、
前記上層側の基材の前記くり抜き部を通して露呈する前記下層側の基材の上面に肉盛部を前記電子部品が配置される部品搭載領域の外周に沿って枠状に形成する工程と、
前記上層側の基材と前記下層側の基材とを熱圧着することにより、前記絶縁性接着剤層を軟化させて前記下層側の基材と前記上層側の基材とを接合する工程と、
この接合された前記上層側の基材の前記くり抜き部に前記電子部品を挿入して搭載する工程と
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記肉盛部は、ディスペンサによって、前記部品搭載領域の外周に位置する前記下層側の基材の上面と、前記上層側の基材に設けられた前記くり抜き部の内周面とに亘って形成されることを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子腕時計などの電子機器に用いられる多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子腕時計などの電子機器においては、小型化、薄型化を図るために、電子部品を高密度に実装する多層配線基板が用いられている。このような多層配線基板は、表裏面に配線をパターン形成した複数の基材をそれぞれ絶縁性接着剤層によって順次積層し、この積層された基材の最上面や最下面に半導体チップなどの電子部品を搭載した構成になっている。この多層配線基板では、その最上面や最下面に半導体チップなどの電子部品を搭載しているため、基板全体の厚みが厚くなるという問題がある。
【０００３】
そこで、このような問題を回避するため、従来の多層配線基板では、特許文献１に記載されているように、複数の基材が積層された内部側に半導体チップなどの電子部品を組み込むことにより、基板全体の薄型化を図っている。このような特許文献１の多層配線基板は、表裏面に配線をパターン形成した複数の基材をそれぞれ絶縁性接着剤層によって積層させた後、高周波スピンドルを用いて外層の基材を削り出すことにより、内層側の基材に形成された配線を露呈させ、この削り出された凹部内に電子部品を搭載している。
【特許文献１】特開２００３−１７９１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような従来の多層配線基板では、表裏面に配線が形成された複数の基材を貼り合わせて積層させた後に、外層の基材を削り出して内層側の基材に形成された配線を傷付けずに露呈させなければならないため、高い切削技術が要求される。すなわち、このような削り出し作業は、内層側の基材に設けられた配線上の複数点を予め測定し、その測定した各点の高さ方向の位置関係を計算して仮想面を算出し、この仮想面に沿って切削刃を制御しながら削り出す必要がある。このため、削り出し作業が煩雑で面倒であるばかりか、削り出し作業に時間がかかるため、生産性が悪いという問題がある。
【０００５】
この発明が解決しようとする課題は、半導体チップなどの電子部品が挿入するくり抜き部を簡単に形成して生産性の向上を図り、且つくり抜き部に電子部品を良好に搭載することができる多層配線基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、上記課題を解決するために、次のような構成要素を備えている。
なお、各構成要素には、後述する各実施形態の項で説明される各要素に付されている図面の参照番号などを括弧と共に付す。
【０００７】
請求項１に記載の発明は、図１〜図１９に示すように、表裏面に配線（第１〜第４配線２２〜２５）がそれぞれパターン形成された複数の基材（第１、第２基材２０、２１）が上下に積層され、この積層された内部に電子部品（半導体チップ２６、４５、４８、５０）が搭載された多層配線基板であって、
上層側に位置する前記基材（第２基材２１）に前記電子部品が挿入するくり抜き部（２７）が形成され、この上層側の基材が配置される下層側の前記基材（第１基材２０）の上面に、前記電子部品が配置される部品搭載領域（チップ搭載領域Ｅ）の外周を囲う枠状の肉盛部（２８、４１）が形成され、この肉盛部の外周側に位置する部分の前記下層側の基材とこの部分に対向する前記上層側の基材との一方に絶縁性接着剤層（２９）が設けられ、この絶縁性接着剤層によって前記下層側の基材と前記上層側の基材とが接合され、この状態で前記くり抜き部に前記電子部品が挿入されて搭載されていることを特徴とする多層配線基板（１３、４０）である。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、図２〜図９、図１７〜図１９に示すように、前記肉盛部（２８）が、前記絶縁性接着剤層（２９）の厚みよりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板である。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、図２〜図９、図１７〜図１９に示すように、前記くり抜き部（２７）が、前記肉盛部（２８）を前記電子部品（半導体チップ２６、４５、４８、５０）と共に挿入する大きさに形成されていることを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板である。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、図１０〜図１６に示すように、前記肉盛部（４１）が、前記部品搭載領域（チップ搭載領域Ｅ）の外周に位置する前記下層側の基材（第１基材２０）の上面と、前記上層側の基材（第２基材２１）に設けられた前記くり抜き部（２７）の内周面とに亘って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板である。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、図３〜図９、図１７〜図１９に示すように、上下面に配線（第１〜第４配線２２〜２５）がそれぞれパターン形成されて上下に積層される複数の基材（第１、第２基材２０、２１）のうち、上層側に位置する基材（第２基材２１）に電子部品（半導体チップ２６、４５、４８、５０）が挿入するくり抜き部（２７）を形成する工程と、
前記上層側の基材が配置される下層側の基材（第１基材２０）の上面に肉盛部（２８）を前記電子部品が配置される部品搭載領域（チップ搭載領域Ｅ）の外周に沿って枠状に形成すると共に、前記肉盛部の外周側に位置する前記下層側の基材の上面に絶縁性接着剤層（２９）を設ける工程と、
前記絶縁性接着剤層を介して前記上層側の基材を前記下層側の基材上に重ね合わせて熱圧着することにより、前記絶縁性接着剤層を軟化させて前記上層側の基材と前記下層側の基材とを接合する工程と、
この接合された前記上層側の基材の前記くり抜き部に前記電子部品を挿入して搭載する工程と
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００１２】
請求項６に記載の発明は、図３〜図９、図１７〜図１９に示すように、前記肉盛部（２８）を印刷やめっきによって前記絶縁性接着剤層（２９）の厚みよりも厚く形成することを特徴とする請求項５に記載の多層配線基板の製造方法である。
【００１３】
請求項７に記載の発明は、図１０〜図１６に示すように、上下面に配線（第１〜第４配線２２〜２５）がそれぞれパターン形成されて上下に積層される複数の基材（第１、第２基材２０、２１）のうち、上層側に位置する基材（第２基剤２１）に電子部品（半導体チップ２６）が挿入するくり抜き部（２７）を形成する工程と、
前記上層側の基材が配置される下層側の基材（第１基材２０）の上面に絶縁性接着剤層（２９）を前記くり抜き部に対応する部分を除いて設け、この絶縁性接着剤層を介して前記上層側の基材を前記下層側の基材上に重ね合わせて仮固定する工程と、
前記上層側の基材の前記くり抜き部を通して露呈する前記下層側の基材に肉盛部（４１）を前記電子部品が配置される部品搭載領域（チップ搭載領域Ｅ）の外周に沿って枠状に形成する工程と、
前記上層側の基材と前記下層側の基材とを熱圧着することにより、前記絶縁性接着剤層を軟化させて前記下層側の基材と前記上層側の基材とを接合する工程と、
この接合された前記上層側の基材の前記くり抜き部に前記電子部品を挿入して搭載する工程と
を有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００１４】
請求項８に記載の発明は、図１０〜図１６に示すように、前記肉盛部（４１）を、ディスペンサによって、前記部品搭載領域（チップ搭載領域Ｅ）の外周に位置する前記下層側の基材（第１基材２０）の上面と、前記上層側の基材（第２基材２１）に設けられた前記くり抜き部（２７）の内周面とに亘って形成することを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１に記載の発明によれば、表裏面に配線がそれぞれパターン形成された複数の基材が上下に積層され、この積層された内部に電子部品が搭載された多層配線基板であって、上層側の基材に電子部品が挿入するくり抜き部が形成され、この上層側の基材が下層側の基材上に配置されるので、上層側の基材を下層側の基材上に配置する前に、予め上層側の基材にくり抜き部を形成することができる。このため、特殊な切削装置を用いずに、くり抜き部を上層側の基材に簡単に且つ正確に形成することができ、これにより生産性の向上を図ることができる。
【００１６】
この場合、特に下層側の基材の上面に電子部品が配置される部品搭載領域の外周を囲う枠状の肉盛部が形成され、この肉盛部の外周側に位置する部分の下層側の基材とこの部分に対向する上層側の基材との一方に絶縁性接着剤層が設けられ、この絶縁性接着剤層によって下層側の基材と上層側の基材とが接合されているので、予め上層側の基材にくり抜き部を形成しても、下層側の基材と上層側の基材とを絶縁性接着剤層で接合するときに、肉盛部によって絶縁性接着剤層がくり抜き部内に侵入するのを堰き止めることができ、これによりくり抜き部に電子部品を挿入して良好に且つ確実に搭載することができる。
【００１７】
請求項２に記載の発明によれば、肉盛部が絶縁性接着剤層の厚みよりも厚く形成されていることにより、下層側の基材と上層側の基材とを熱圧着により接合するときに、絶縁性接着剤層が溶融しても、この溶融した絶縁性接着剤層が肉盛部を乗り越えないようにすることができる。このため、肉盛部によって絶縁性接着剤層が上層側の基材のくり抜き部内に侵入するのを確実に防ぐことができ、これによりくり抜き部に電子部品を挿入して正確に且つ精度良く搭載することができる。
【００１８】
請求項３に記載の発明によれば、くり抜き部が肉盛部を電子部品と共に挿入する大きさに形成されていることにより、肉盛部を絶縁性接着剤層の厚みよりも十分に厚く形成しても、下層側の基材と上層側の基材とを重ね合わせるときに、肉盛部がくり抜き部内に挿入するので、これによっても絶縁性接着剤層がくり抜き部内に侵入するのを確実に防ぐことができるほか、特に肉盛部によって基板全体が厚くならないようにすることができると共に、下層側の基材と上層側の基材とを確実に且つ良好に接合することができる。
【００１９】
請求項４に記載の発明によれば、肉盛部が、部品搭載領域の外周に位置する下層側の基材の上面と、上側側の基材に設けられたくり抜き部の内周面とに亘って形成されていることにより、上層側の基材に設けられたくり抜き部の内周面に沿って生じる下層側の基材と上層側の基材との隙間を肉盛部によって確実に塞ぐことができる。このため、下層側の基材と上層側の基材とを熱圧着により接合するときに、絶縁性接着剤層が溶融しても、肉盛部によって絶縁性接着剤層がくり抜き部内に侵入するのを確実に防ぐことができ、これによってもくり抜き部に電子部品を挿入して正確に且つ精度良く搭載することができる。
【００２０】
請求項５に記載の発明によれば、上下面に配線がそれぞれパターン形成されて上下に積層される複数の基材のうち、上層側に位置する基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成し、このくり抜き部が形成された上層側の基材を下層側の基材に接合するので、上層側の基材と下層側の基材とを接合する前に、予め上層側の基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成することができる。このため、請求項１に記載の発明と同様、特殊な切削装置を用いずに、くり抜き部を上層側の基材に簡単に且つ正確に形成することができ、これにより生産性の向上を図ることができる。
【００２１】
この場合には、特に下層側の基材の上面に肉盛部を電子部品が配置される部品搭載領域の外周に沿って枠状に形成すると共に、肉盛部の外周側に位置する下層側の基材の上面に絶縁性接着剤層を設けるので、予め上層側の基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成しても、上層側の基材を下層側の基材に重ね合わせて熱圧着するときに、肉盛部によって絶縁性接着剤層がくり抜き部内に侵入するのを堰き止めることができる。このため、予め上層側の基材にくり抜き部を形成して、上層側の基材と下層側の基材とを絶縁性接着剤層で接合しても、くり抜き部に電子部品を挿入して良好に且つ確実に搭載することができる。
【００２２】
請求項６に記載の発明によれば、肉盛部を印刷やめっきによって絶縁性接着剤層の厚みよりも厚く形成することにより、肉盛部を印刷やめっきによって簡単に且つ容易に形成することができると共に、絶縁性接着剤層の厚みよりも肉盛部を厚く形成するので、下層側の基材と上層側の基材とを熱圧着するときに、絶縁性接着剤層が溶融しても、その絶縁性接着剤層が肉盛部を乗り越えないようにすることができる。このため、絶縁性接着剤層が上層側の基材のくり抜き部内に侵入するのを確実に防ぐことができ、これによりくり抜き部に電子部品を挿入して確実に且つ精度良く搭載することができる。
【００２３】
請求項７に記載の発明によれば、上下面に配線がそれぞれパターン形成されて上下に積層される複数の基材のうち、上層側の基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成し、このくり抜き部が形成された上層側の基材を下層側の基材に接合するので、請求項５に記載の発明と同様、下層側の基材と上層側の基材とを接合する前に、予め上層側の基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成することができる。このため、特殊な切削装置を用いずに、くり抜き部を上層側の基材に簡単に且つ正確に形成することができ、これにより生産性の向上を図ることができる。
【００２４】
この場合には、特に電子部品が配置される部品搭載領域の外周側に位置する下層側の基材の上面に絶縁性接着剤層を設け、この絶縁性接着剤層を介して下層側の基材上に上層側の基材を重ね合わせて仮固定し、この状態で上層側の基材のくり抜き部を通して露呈する下層側の基材に肉盛部を部品搭載領域の外周に沿って枠状に形成するので、予め上層側の基材に電子部品が挿入するくり抜き部を形成しても、下層側の基材と上層側の基材とを熱圧着して接合するときに、肉盛部によって絶縁性接着剤層がくり抜き部内に侵入するのを堰き止めることができ、これにより予め上層側の基材にくり抜き部を形成して上層側の基材と下層側の基材とを絶縁性接着剤層で接合しても、くり抜き部に電子部品を挿入して良好に且つ確実に搭載することができる。
【００２５】
請求項８に記載の発明によれば、肉盛部をディスペンサによって、部品搭載領域の外周に位置する下層側の基材の上面と、上層側の基材に設けられたくり抜き部の内周面とに亘って形成することにより、下層側の基材と上層側の基材とを重ね合わせて仮固定した状態でも、ディスペンサによって肉盛部を簡単に且つ容易に形成することができる。特に、肉盛部を部品搭載領域の外周に位置する下層側の基材の上面と、上層側の基材に設けられたくり抜き部の内周面とに亘って形成するので、くり抜き部の内周面に沿って生じる下層側の基材と上層側の基材との隙間を肉盛部によって確実に塞ぐことができる。このため、下層側の基材と上層側の基材とを熱圧着するときに、絶縁性接着剤層が溶融しても、この溶融した絶縁性接着剤層が肉盛部によってくり抜き部内に侵入するのを確実に防ぐことができ、これによってもくり抜き部に電子部品を挿入して正確に且つ精度良く搭載することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
（実施形態１）
以下、図１〜図９を参照して、この発明の多層配線基板を電子腕時計に用いた場合の実施形態１について説明する。
図１はこの発明を適用した電子腕時計を示した要部の拡大断面図、図２はその電子腕時計に組み込まれた多層配線基板の要部を拡大して示した断面図である。
この電子腕時計は、図１に示すように、腕時計ケース１を備えている。この腕時計ケース１の上部には、時計ガラス２が取り付けられており、この時計ガラス２の下面における外周部には、リング状に形成されたソーラーパネル３が設けられている。また、腕時計ケース１の内部には、時計モジュール４が収納されており、腕時計ケース１の下部には、裏蓋５が防水リング６を介して取り付けられている。
【００２７】
時計モジュール４は、図１に示すように、上部ハウジング７と下部ハウジング８とを備えている。上部ハウジング７の上方には、液晶表示パネル１０がインターコネクタ１１によって支持されており、この液晶表示パネル１０の下側に位置する上部ハウジング７の上面には、バックライトパネル１２が配置されている。また、上部ハウジング７と下部ハウジング８との間には、後述する多層配線基板１３が配置されており、これら上部ハウジング７と下部ハウジング８とは、下部ハウジング８の下面に配置された地板１４によって多層配線基板１３を挟んだ状態で相互に取り付けられている。さらに、下部ハウジング８内には、電池１５が電池押え板１６によって押え付けられた状態で収納されている。この電池押え板１６の下面には、裏蓋５に設けられた圧電素子１７との導通を防ぐための絶縁シート１６ａが貼り付けられている。
【００２８】
この場合、ソーラーパネル３は、外部光を受光して起電力を発生するものであり、スプリングなどの接続部材（図示せず）によって多層配線基板１３と電気的に接続されている。液晶表示パネル１０は、時刻などの情報を電気光学的に表示するものであり、インターコネクタ１１によって多層配線基板１３と電気的に接続されている。バックライトパネル１２は、液晶表示パネル１０を照明するものであり、ＥＬ素子（エレクトロルミネッセンス素子）などの平面型の発光素子からなり、スプリングなどの接続部材（図示せず）によって多層配線基板１３と電気的に接続されている。電池１５は、時計モジュール４の回路全体に電源を供給するものであり、電極板（図示せず）によって多層配線基板１３と電気的に接続されている。
【００２９】
ところで、多層配線基板１３は、図２に示すように、第１、第２基材２０、２１の各上下面にそれぞれ第１〜第４配線２２〜２５が形成され、これら第１、第２基材２０、２１が上下に積層され、この積層された内部にＬＳＩなどの半導体チップ２６が搭載された構成になっている。すなわち、下層側に位置する第１基材２０の下面には、銅箔を所定形状にパターンニングした第１配線２２が設けられており、その上面にも、銅箔を所定形状にパターンニングした第２配線２３が設けられている。また、上層側に位置する第２基材２１の下面には、銅箔を所定形状にパターンニングした第３配線２４が設けられており、その上面にも、銅箔を所定形状にパターンニングした第４配線２５が設けられている。
【００３０】
また、上層側の第２基材２１には、半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７が形成されている。下層側の第１基材２０の上面には、半導体チップ２６が載置されるチップ搭載領域Ｅが設けられていると共に、このチップ搭載領域Ｅの外周を囲んで肉盛部２８が枠状に設けられている。この肉盛部２８の外周側に位置する下層側の第１基材２０の上面には、プリプレグなどの半硬化状態の絶縁性接着シートからなる絶縁性接着剤層２９が設けられており、この絶縁性接着剤層２９によって下層側の第１基材２０と上層側の第２基材２１とが接合されている。この場合、肉盛部２８は、絶縁性接着剤層２９の厚みよりも厚く形成されており、くり抜き部２７は、肉盛部２８が半導体チップ２６と共に挿入する大きさに形成されている。
【００３１】
また、下層側の第１基材２０のチップ搭載領域Ｅ上には、図２に示すように、半導体チップ２６が上層側の第２基材２１に設けられたくり抜き部２７内に挿入されて導電性接着剤３０によりグランドに接続された状態で接着されている。そして、この半導体チップ２６は、その上面に設けられた複数のパッド電極２６ａがボンディングワイヤ３１によって上層側の第２基材２１の上面に設けられた第４配線２５の各接続電極２５ａ（図６参照）と電気的に接続され、この状態でモールド樹脂３２によって封止されている。なお、第１、第２基材２０、２１の上下面に形成された第１〜第４配線２２〜２５は、図示しないが、接続を必要とする層間に設けられたＩＶＨ（インターステシャルバイアホール）によって電気的に接続されている。
【００３２】
次に、このような多層配線基板１３の製造方法について、図３〜図９を参照して説明する。
上下に積層される第１、第２基材２０、２１のうち、図３に示すように、まず、第１基材２０の下面に銅箔をパターンニングしてなる第１配線２２を形成すると共に、第１基材２０の上面にも銅箔をパターンニングしてなる第２配線２３を形成する。この後、図４に示すように、第１基材２０の上面に形成された第２配線２３上に、半導体チップ２６が載置されるチップ搭載領域Ｅの外周を囲う肉盛部２８を印刷またはめっきによって枠状に形成する。そして、図５に示すように、肉盛部２８の外周側に位置する第１基材２０の上面にプリプレグなどの半硬化状態の絶縁性接着シートからなる絶縁性接着剤層２９を設ける。この場合、肉盛部２８は、絶縁性接着剤層２９の厚みよりも十分に厚く形成する。
【００３３】
この後、図６に示すように、第１基材２０上に第２基材２１を配置する。このときには、予め、第２基材２１の下面に銅箔をパターンニングしてなる第３配線２４を形成すると共に、第２基材２１の上面にも銅箔をパターンニングしてなる第４配線２５を形成するほか、半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成する。この場合、くり抜き部２７は、第１基材２０に形成された肉盛部２８が半導体チップ２６と共に挿入する大きさに形成する。そして、この第２基材２１を第１基材２０上に配置する際には、第１基材２０の第２配線２３と第２基材２１の第３配線２４とを上下に対向させて、第１基材２０に形成された肉盛部２８を第２基材２１のくり抜き部２７内に挿入させ、この状態で第１基材２０上に第２基材２１を重ね合わせて配置する。
【００３４】
そして、図７に示すように、下層側の第１基材２０と上層側の第２基材２１とを熱圧着によって絶縁性接着剤層２９を軟化させて接合する。この後、第２基材２１のくり抜き部２７を通して露呈する第１基材２０の第２配線２３上に導電性接着剤３０を塗布する。この状態で、図８に示すように、第２基材２１のくり抜き部２７に半導体チップ２６を挿入し、この挿入した半導体チップ２６を第１基材２０上に導電性接着剤３０によって接着する。そして、半導体チップ２６の上面に設けられたパッド電極２６ａと第２基材２１の上面に設けられた第４配線２５の各接続電極２５ａとをボンディングワイヤー３１によって電気的に接続する。この後、図９に示すように、第２基材２１のくり抜き部２７から露呈する半導体チップ２６および第２基材２１の第４配線２５の各接続電極２５ａをボンディングワイヤー３１と共にモールド樹脂３２によって封止する。
【００３５】
このように、この多層配線基板１３によれば、上下面に第１〜第４配線２２、〜２５がそれぞれパターン形成されて上下に積層される第１、第２基材２０、２１のうち、上層側に位置する第２基材２１に半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成し、このくり抜き部２７が形成された第２基材２１を下層側の第１基材２０上に配置して接合するので、上層側の第２基材２１と下層側の第１基材２０とを接合する前に、予め上層側の第２基材２１に半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成することができる。このため、従来例のような特殊な切削装置を用いずに、くり抜き部２７を上層側の第２基材２１に簡単に且つ正確に形成することができ、これにより生産性の向上を図ることができる。
【００３６】
この場合、特に下層側の第１基材２０の上面に肉盛部２８を半導体チップ２６が載置されるチップ搭載領域Ｅの外周に沿って枠状に形成すると共に、この肉盛部２８の外周側に位置する第１基材２０の上面に絶縁性接着剤層２９を設けているので、予め上層側の第２基材２１に半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成しても、第２基材２１を第１基材２０上に重ね合わせて熱圧着するときに、肉盛部２８によって絶縁性接着剤層２９がくり抜き部２７内に侵入するのを堰き止めることができる。このため、予め上層側の第２基材２１にくり抜き部２７を形成して、第２基材２１と第１基材２０とを絶縁性接着剤層２９で接合しても、くり抜き部２７に半導体チップ２６を挿入して確実に且つ正確に搭載することができる。
【００３７】
また、このときには、肉盛部２８を印刷やめっきによって絶縁性接着剤層２９の厚みよりも厚く形成しているので、肉盛部２８を第１基材２０上に印刷やめっきによって簡単に且つ容易に形成することができる。特に、肉盛部２８を絶縁性接着剤層２９の厚みよりも十分に厚く形成しているので、下層側の第１基材２０と上層側の第２基材２１とを熱圧着するときに、絶縁性接着剤層２９が溶融しても、その溶融した絶縁性接着剤層２９が肉盛部２８を乗り越えないようにすることができる。このため、絶縁性接着剤層２９が上層側の第２基材２１に設けられたくり抜き部２７内に侵入するのを確実に防ぐことができ、これによりくり抜き部２７に半導体チップ２６を挿入させて確実に且つ精度良く搭載することができる。
【００３８】
（実施形態２）
次に、図１０〜図１６を参照して、この発明の多層配線基板の実施形態２について説明する。なお、図１〜図９に示された実施形態１と同一部分には同一符号を付して説明する。
この多層配線基板４０の製造方法では、まず、図１０に示すように、第１基材２０の下面に銅箔をパターンニングしてなる第１配線２２を形成すると共に、第１基材２０の上面にも銅箔をパターンニングしてなる第２配線２３を形成する。この後、図１１に示すように、第１基材２０の上面における半導体チップ２６が載置されるチップ搭載領域Ｅの外周側に位置する部分に、プリプレグなどの絶縁性接着剤層２９を設ける。
【００３９】
この後、図１２に示すように、絶縁性接着剤層２９を介して第１基材２０上に第２基材２１を配置して絶縁性接着剤層２９が軟化しない程度に仮固定する。このときには、予め、第２基材２１の下面に銅箔をパターンニングしてなる第３配線２４を形成すると共に、第２基材２１の上面にも銅箔をパターンニングしてなる第４配線２５を形成するほか、半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成する。この状態で、図１３に示すように、くり抜き部２７を通して露呈する下層側の第１基材２０の上面に、肉盛部４１をチップ搭載領域Ｅの外周に沿って枠状に形成する。この肉盛部４１は、図１３に示すように、ディスペンサによって、チップ搭載領域Ｅの外周に位置する下層側の第１基材２０の上面と、上層側の第２基材２１に形成されたくり抜き部２７の内周面とに亘って形成される。
【００４０】
そして、図１４に示すように、下層側の第１基材２０と上層側の第２基材２１とを熱圧着によって絶縁性接着剤層２９を軟化させて接合する。この後、第２基材２１のくり抜き部２７を通して露呈する第１基材２０の第２配線２３上に導電性接着剤３０を塗布する。この状態で、図１５に示すように、第２基材２１のくり抜き部２７に半導体チップ２６を挿入して第１基材２０上に導電性接着剤３０によって接着する。そして、半導体チップ２６の上面に設けられたパッド電極２６ａと第２基材２１の上面に設けられた第４配線２５の各接続電極２５ａとをボンディングワイヤー３１によって電気的に接続する。この後、図１６に示すように、第２基材２１のくり抜き部２７から露呈する半導体チップ２６および第２基材２１の第４配線２５の各接続電極２５ａをボンディングワイヤー３１と共にモールド樹脂３２によって封止する。
【００４１】
このように、この多層配線基板４０の製造方法によれば、上下面に第１〜第４配線２２〜２５がパターン形成されて上下に積層される第１、第２基材２０、２１のうち、上層側の第２基材２１に半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成し、このくり抜き部２７が形成された上層側の第２基材２１を下層側の第１基材２０に接合するので、実施形態１と同様、下層側の第１基材２０と上層側の第２基材２１とを接合する前に、予め上層側の第２基材２１に半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成することができる。このため、特殊な切削装置を用いずに、くり抜き部２７を上層側の第２基材２１に簡単に且つ正確に形成することができ、これにより生産性の向上を図ることができる。
【００４２】
この場合、特に下層側の第１基材２０の上面における半導体チップ２６のチップ搭載領域Ｅの外周側に位置する部分に絶縁性接着剤層２９を設け、この絶縁性接着剤層２９を介して第１基材２０上に第２基材２１を重ね合わせて仮固定し、この状態で第２基材２１のくり抜き部２７を通して露呈する下層側の第１基材２０上に肉盛部４１をチップ搭載領域Ｅの外周に沿って枠状に形成するので、予め第２基材２１に半導体チップ２６が挿入するくり抜き部２７を形成しても、第１基材２０と第２基材２１とを熱圧着して接合するときに、肉盛部４１によって絶縁性接着剤層２９がくり抜き部２７内に侵入するのを堰き止めることができる。このため、予め第２基材２１にくり抜き部２７を形成して第２基材２１と第１基材２０とを絶縁性接着剤層２９で接合しても、くり抜き部２７に半導体チップ２６を挿入して正確に且つ確実に搭載することができる。。
【００４３】
また、このときには、肉盛部４１をディスペンサによって、チップ搭載領域Ｅの外周に位置する下層側の第１基材２０の上面と、上層側の第２基材２１に設けられたくり抜き部２７の内周面とに亘って形成するので、第１基材２０と第２基材２１とを重ね合わせて仮固定した状態でも、ディスペンサによって肉盛部４１を簡単に且つ容易に形成することができる。特に、肉盛部４１を、チップ搭載領域Ｅの外周に位置する第１基材２０の上面と、第２基材２１のくり抜き部２７の内周面とに亘って形成しているので、くり抜き部２７の内周面に沿って生じる第１基材２０と第２基材２１との隙間を肉盛部４１によって確実に塞ぐことができる。このため、第１基材２０と第２基材２１とを熱圧着するときに、絶縁性接着剤層２９が溶融しても、その溶融した絶縁性接着剤層２９が肉盛部４１によってくり抜き部２７内に侵入するのを確実に防ぐことができ、これによりくり抜き部２７に半導体チップ２６を挿入させて確実に且つ精度良く搭載することができる。
【００４４】
なお、上記実施形態１、２では、半導体チップ２６の各パッド電極２６ａを上層側の第２基材２１の上面に形成された第４配線２５の各接続電極２５ａにワイヤーボンディングによって接続した場合について述べたが、これに限らず、例えば図１７〜図１９にそれぞれ示すように接続した構成でも良い。
【００４５】
すなわち、図１７に示した第１変形例では、半導体チップ４５の下面に各パッド電極（図示せず）を設け、この半導体チップ４５を第２基材２１のくり抜き部２７内に挿入し、この状態で第１基材２０のチップ搭載領域Ｅに形成された第２配線２３の各接続電極２３ａと半導体チップ４５の各パッド電極とをＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）方式による半田ボール４６でそれぞれ接続している。この場合、第１基材２０の第２配線２３の各接続電極２３ａは、ＩＶＨ４７によって下面側の第１配線２２と電気的に接続されている。
【００４６】
また、図１８に示した第２変形例では、半導体チップ４８の側面から延出された各接続リード４８ａを第１基材２０のチップ搭載領域Ｅに形成された第２配線２３の各接続電極２３ｂに半田４９でそれぞれ接続している。また、図１９に示した第３変形例では、半導体チップ５０の側面に設けられた各パッド電極（図示せず）を第１基材２０のチップ搭載領域Ｅに形成された第２配線２３の各接続電極２３ｂに半田５１でそれぞれ接続している。このような第１〜第３変形例においても、第１基材２０の上面に肉盛部２８をチップ搭載領域Ｅの外周に沿って枠状に形成することにより、実施形態１と同様の作用効果がある。
【００４７】
なおまた、上記実施形態１、２およびその各変形例では、第１、第２基材２０、２１を上下に積層させた２層構造の多層配線基板１３、４０について述べたが、これに限らず、３枚以上の基材を順次絶縁性接着剤層２９によって積層させた構成でも良い。このような多層配線基板では、更なる高密度実装が可能になる。
【００４８】
さらに、上記実施形態１、２およびその各変形例では、多層配線基板１３、４０を電子腕時計に用いた場合について述べたが、これに限らず、例えばトラベルウォッチ、置き時計、掛け時計などの電子時計に適用することができるほか、必ずしも電子時計である必要はなく、携帯電話機、電子辞書、電子カメラ、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスタント）、パーソナルコンピュータなどの各種の電子機器に広く用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】この発明を適用した電子腕時計の要部を示した拡大断面図である。（実施形態１）
【図２】図１の電子腕時計に組み込まれた多層配線基板の要部を示した拡大断面図である。
【図３】図２の多層配線基板の製造方法において下層側の第１基材の上下面に配線を形成した状態の断面図である。
【図４】図３の第１基材上に肉盛部を形成した状態の断面図である。
【図５】図４の肉盛部の外周側に位置する第１基材の上面に絶縁性接着剤層を設けた状態の断面図である。
【図６】図５の第１基材上に第２基材を配置した状態の断面図である。
【図７】図６の第１、第２基材を熱圧着により接合した状態の断面図である。
【図８】図７の第２基材のくり抜き部内に半導体チップを配置してワイヤーボンディングした状態の断面図である。
【図９】図８の半導体チップをモールド樹脂で封止した状態の断面図である。
【図１０】この発明の多層配線基板の製造方法において下層側の第１基材の上下面に配線を形成した状態の断面図である。（実施形態２）
【図１１】図１０の第１基材の上面に絶縁性接着剤層を設けた状態の断面図である。
【図１２】図１１の第１基材上に第２基材を仮固定した状態の断面図である。
【図１３】図１２の第１基材上に肉盛部を形成した状態の断面図である。
【図１４】図１３の第１、第２基材を熱圧着により接合して半導体チップをくり抜き部内に挿入した状態の断面図である。
【図１５】図１４の半導体チップをワイヤーボンディングした状態の断面図である。
【図１６】図１５の半導体チップをモールド樹脂で封止した状態の断面図である。
【図１７】この発明の多層配線基板に組み込まれる半導体チップの接続構造の第１変形例を示した断面図である。
【図１８】この発明の多層配線基板に組み込まれる半導体チップの接続構造の第２変形例を示した断面図である。
【図１９】この発明の多層配線基板に組み込まれる半導体チップの接続構造の第３変形例を示した断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１３、４０  多層配線基板
２０  第１基材
２１  第２基材
２２〜２５  第１〜第４配線
２６、４５、４８、５０  半導体チップ
２７  くり抜き部
２８、４１  肉盛部
２９  絶縁性接着剤層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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