(57)【要約】【課題】誘電体セラミックに対する密着性に優れた埋め込み用コンデンサ素子を提供することにある。【解決手段】本発明の埋め込み用コンデンサ素子１０は、誘電体セラミック層２１と、誘電体セラミック層２１の表面上に形成されたアンカー層５５，５６と、アンカー層５５，５６の表面１１７，１１８上に形成された金属電極１１，３１とを備える。従って、アンカー層５５，５６と金属電極１１，３１との間に物理的結合力が得られる結果、金属電極１１，３１と誘電体セラミックとの密着性が改善される。【選択図】  図１
2006179745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層とを備える埋め込み用コンデンサ素子の構成部品。
【請求項２】
前記アンカー層の表面上に形成された金属電極を備える請求項１に記載の埋め込み用コンデンサ素子の構成部品。
【請求項３】
誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層とを備える埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法であって、
無機物粉を含有するアンカー層形成用材料を、前記誘電体セラミック層となるべき未焼結セラミック層の表面上に付着させる材料付着工程と、
前記未焼結セラミック層及び前記アンカー層形成用材料を加熱して焼結させることにより、前記誘電体セラミック層及び前記アンカー層を形成する焼成工程を行うことを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法。
【請求項４】
前記材料付着工程の後に、
アンカー層形成用材料上に、金属粉を含有する金属電極形成用ペーストを塗布するペースト塗布工程と、
前記未焼結セラミック層、前記アンカー層形成用材料及び金属電極形成用ペーストを加熱して焼結させることにより、前記誘電体セラミック層、前記アンカー層及び前記金属電極を形成する焼成工程と
を行うことを特徴とする請求項３に記載の埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法。
【請求項５】
誘電体セラミック層と、
前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層と、
前記アンカー層の表面上に形成された第１金属電極と、
前記誘電体セラミック層を挟んで前記第１金属電極と対向する第２金属電極と
を備える埋め込み用コンデンサ素子。
【請求項６】
誘電体セラミック層と、
前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層と、
前記アンカー層の表面上に形成された第１金属電極と、
前記誘電体セラミック層を挟んで前記第１金属電極と対向する第２金属電極と
を備えるコンデンサ素子が埋め込まれていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックからなる誘電体層を備える埋め込み用コンデンサ素子の構成部品及びその製造方法、埋め込み用コンデンサ素子、配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年における電子機器の高性能化や小型化の要求は高く、このような要求が高まるにつれて電子部品の高密度化や高機能化に対する要求も確実に高くなってきている。それゆえ、配線基板における電子部品の実装効率を上げるために、例えば、インダクタ、コンデンサ、抵抗などの電子部品（受動部品）を内蔵した構造の配線基板などが各種提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【０００３】
特許文献１においては、例えば、支持体層、金属層、高誘電率材料からなる受動部品形成層、金属層を順次積層配置した構造のコンデンサ素子が開示されるとともに、このコンデンサ素子を内蔵した配線基板が開示されている。また、特許文献１には、支持体層側の金属層に対して受動部品形成層を形成する方法として、例えば、高誘電率フィラーを充填・分散させた樹脂をシート状に硬化成形する方法、ゾルゲル法により無機化合物を層状に析出させる方法、溶射法などにより無機化合物の層を成膜する方法などが開示されている。また、デスミア処理を施して表面粗化を行った後にめっき等を行うことで、受動部品形成層の表面上に銅めっきからなる別の金属層を形成することも開示されている。
【０００４】
また、非特許文献１には、チタン酸バリウム表面にめっきを形成する際にアンカー効果による密着性を確保するため、酸系薬液を用いたエッチング処理を施して表面粗化を行うことが開示されている。
【特許文献１】特開平２００２−９４１６号公報（図１等）
【非特許文献１】岡村ら  著  「無電解めっきの応用」、槇書店（１９９１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、一般的に金属−セラミック間の化学的結合性は低いため、金属層とセラミックからなる誘電体層との界面の密着性は低く、しばしば当該界面にて剥離が生じやすい。よって、この場合には、電子部品に高い信頼性を付与することができない。
【０００６】
その点、上記従来技術では密着性改善のために薬液を用いてセラミック表面の粗化処理を行っているが、このような処理では密着性を改善しうる好適な粗さの表面、ひいては好適な形状のアンカー層の形成は実際上困難である。
【０００７】
即ち、電子部品がコンデンサ素子である場合、そもそも誘電体層となるセラミック層は非常に薄い。よって、十分なアンカー効果が得られるような処理条件を設定してエッチング処理を行うと、セラミック層にショートパスが形成されてしまう。なお、セラミック表面は一様にエッチされるわけではなく脆弱な箇所から優先的にエッチされるため、最大エッチング深さのコントロールはかなり難しい。ゆえに、十分なアンカー効果を得つつ確実に絶縁を確保しようとすると、誘電体層をかなり厚くしなければならず、部品全体が厚くなる。しかも、この場合にはコンデンサ素子の静電容量の低下につながってしまう。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、誘電体セラミックに対する密着性に優れた埋め込み用コンデンサ素子の構成部品、埋め込み用コンデンサ素子、配線基板を提供することにある。また、本発明の別の目的は、上記の優れた埋め込み用コンデンサ素子の構成部品を、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、比較的容易に得ることができる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層とを備える埋め込み用コンデンサ素子の構成部品がある。
従って、この手段１の構成部品によると、アンカー層上に他層（例えば金属電極など）を配置した場合には、アンカー層と当該他層との界面に化学的結合力のみならず物理的結合力が働き、セラミック誘電体層とアンカー層とからなる誘電体セラミック（誘電体部）に対する他層の密着性が改善される。よって、この構成部品を用いて得られるコンデンサ素子の信頼性が高くなる。
【００１０】
上記手段１にかかるコンデンサ素子は、配線基板の内部に埋め込んだ状態で使用するものであって、その埋込完了状態（即ち完成品状態）にあっては金属電極間に誘電体セラミック層を積層配置した構造となる。そして、手段１にかかる埋め込み用コンデンサ素子の構成部品とは、例えば、片方または両方の金属電極が未形成の状態のものや、片方または両方の金属電極が不完全に形成された状態のものなどを指す。
【００１１】
構成部品全体の厚さは特に限定されないが、例えば１μｍ以上１００μｍ以下であることがよく、好ましくは５μｍ以上７５μｍ以下であることがよい。全体の厚さが薄すぎると、部品単体として取り扱うことが困難になる。一方、全体の厚さが厚すぎると、配線基板の高密度化や小型化の達成を阻害するおそれがある。また、構成部品を配線基板に内蔵させる場合には、段差が発生しやすくなるため、基板表面の平滑性を確保しにくくなるおそれがある。
【００１２】
前記コンデンサ素子の構成部品の一部をなす誘電体セラミック層は、コンデンサ素子における電荷蓄積部分として機能する。誘電体セラミック層は構成部品に１層のみ形成されていてもよく、２層以上形成されていてもよい。誘電体セラミックとは、誘電率が高いセラミック（比誘電率が１０以上のセラミックと定義する。）のことをいい、例えば、ペロブスカイト型結晶構造を有した複合酸化物がこれに該当する。かかる複合酸化物の具体例としては、例えば、チタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物を挙げることができる。
【００１３】
誘電体セラミック層の厚さは、例えば０．０１μｍ以上１０μｍ以下であることがよく、好ましくは０．１μｍ以上５μｍ以下であることがよい。誘電体セラミック層が薄いことはコンデンサ素子の高容量化にとって好ましいが、その反面でこれが薄くなりすぎると、金属電極間の絶縁を確保しにくくなるおそれがあるからである。一方、誘電体セラミック層が厚くなりすぎると、高容量化の達成が困難になるばかりでなく、部品全体の厚さが厚くなるおそれがあり、柔軟性の欠如に起因して取扱性が低下するおそれもあるからである。
【００１４】
誘電体セラミック層の表面上（具体的には第１主面及び第１主面の反対側にある第２主面の少なくとも一方の上）には、アンカー層が形成されている。アンカー層を構成する材料としては特に限定されないが、無機物であることが好ましく、例えば、セラミックや金属などがある。
【００１５】
アンカー層の材料として使用可能なセラミック材料としては、例えば、アルミナ、窒化珪素、窒化ほう素、炭化珪素、窒化アルミニウム、窒化珪素、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸亜鉛、チタン酸バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ストロンチウムなどが挙げられる。この場合、誘電体セラミック層と実質的に同じ無機物材料を選択して、誘電体アンカー層を形成することが好ましい。その理由は、誘電体セラミック層とは異なる材料を選択した場合に比べて、より強固な化学的結合性が得られるため、確実に密着性を向上できるからである。なお「誘電体セラミック層と実質的に同じ無機物材料」とは、誘電体セラミック層と成分が全く同じ無機物材料のことをいうほか、誘電体セラミック層を構成する無機物と主成分が共通している無機物材料なども含むものとする。従って、誘電体セラミック層が例えばチタン酸バリウムを主成分とする場合、アンカー層を構成する無機物はチタン酸バリウムを主成分として含むものであることが好適ということになる。
【００１６】
アンカー層の材料として使用可能な金属材料としては、例えば、銀、金、白金、銅、チタン、鉄、鉛、スズ、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステン等がある。
【００１７】
アンカー層は微小なアンカーを多数有しており、そのアンカー層において各々のアンカー間には空隙が存在している。そして、誘電体セラミック表面上に他層（例えば金属電極）を積層配置した場合には、アンカー層における空隙に対して他層の一部が入り込み、アンカー層と他層とが嵌合した状態となる。その結果、誘電体セラミック層と他層との間に強固な物理的結合力が得られ、より確実に密着性を向上することができる。例えば、このようなアンカーとしては、複数の無機物粉が凝集して形成されたものであることがよく、この場合にはその形状が好適なものとなる。よって、嵌合性が高くなり、強固な物理的結合力を得やすくなる。
【００１８】
アンカー層における無機物の平均粒径は０．３μｍ以上、好ましくは０．５μｍ以上であることがよい。その理由は、無機物の平均粒径が小さすぎると、好適な形状のアンカーが形成されにくくなり、他層との嵌合性を高くすることが困難になるからである。なお、アンカー層において好適な形状のアンカーを確実にかつ均一に得るためには、無機物の平均粒径及び金属の平均粒径がいずれもアンカー層の厚さ以下であることが好ましい。
【００１９】
ここで、アンカー層が無機物結晶と空隙とからなる層であると見なしたとき、アンカー層を構成する無機物結晶の量は、５体積％以上８０体積％以下であることが好ましい。その理由は、無機物結晶の量が多すぎても少なすぎても、十分な密着性が得られなくなるおそれがあるからである。ここで密着性の向上のみを考慮すれば、空隙及び無機物結晶の体積比は５０体積％前後の値が好ましいはずであるが、無機物結晶の量が多くなると、高容量化を阻害するおそれがある。また、空隙に比べて無機物結晶の体積比が多くなると、構成部品がセラミックに近い挙動を示すようになる結果、柔軟性が損なわれて取扱性が低下するおそれがある。以上のことを考慮すると、アンカー層を構成する無機物結晶の体積比は空隙の体積比よりも少ないことが好ましく（即ち５０体積％より少ないことが好ましく）、特には１５体積％以上４５体積％以下であることが好ましい。無機物結晶の体積比をこのような範囲内にて設定すれば、好適な電気的特性や機械的特性を維持しつつ高い密着性を得ることができる。
【００２０】
アンカー層の表面粗さＲａは、０．２μｍよりも大きく設定されることがよい。その理由は、アンカー層の表面粗さＲａがこの値以下であると、密着性改善につながる好適なアンカー層とはなりにくく、十分な物理的密着力が得られないおそれがあるからである。アンカー層の表面粗さＲａは、好ましくは０．２５μｍよりも大きく、より好ましくは０．３μｍよりも大きく設定される。なお、当然ながら、アンカー層の表面粗さＲａは、アンカー層の有効厚みを超えることはない。
【００２１】
また、アンカー層の有効厚みは１０μｍ以下（ただし０μｍは除く）に設定されることがよい。好ましくは５μｍ以下（ただし０μｍは除く）、より好ましくは３μｍ以下（ただし０μｍは除く）に設定される。その理由は、アンカー層が厚くなりすぎると、アンカー層の底部まで他層が入り込まないため、十分な物理的密着力が得られないからである。さらに、構成部品全体の厚肉化につながってしまうからである。また、アンカー層が誘電体セラミック層の一部であるとすると、誘電体セラミック層の厚さが実質的に増える結果、静電容量の低下につながってしまうからである。前記アンカー層の有効厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、特に好ましくは１μｍ以上に設定される。その理由は、アンカー層が薄すぎると、好適な表面粗さＲａを実現しにくくなるからである。ここでアンカー層の有効厚みとは、厚み方向に垂直なアンカー層のプロファイルに関してＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義される山と谷とがそれぞれ１０点以上含まれる任意の断面領域における、最大山高さと最大谷深さとの和を指すものとする。
【００２２】
上記埋め込み用コンデンサ素子の構成部品は、アンカー層の表面上に形成された金属電極をさらに備えていてもよい。
【００２３】
金属電極は導電性に優れた材料を用いて形成されることが好ましく、具体的には、銀、金、白金、銅、チタン、アルミニウム、パラジウム、ニッケル、タングステン等から選択される１種または２種以上の合金を用いて形成されることがよい。焼成工程を経た金属層を金属電極として使用するような場合、金属電極の形成用材料として例えばニッケルを用いることが好ましい。ニッケルは比較的安価な材料であることに加え、比較的融点が高いため高誘電率セラミックとの同時焼結が可能だからである。また、焼成工程を経た金属層を金属電極として使用しないような場合、金属電極の形成用材料として例えば銅や銀を用いることが好ましい。銅や銀は高い導電性を有しており、電極用材料として好適だからである。
【００２４】
金属電極の厚さは、例えば０．２μｍ以上２０μｍ以下であることがよい。金属電極が薄すぎると、電気的信頼性を確保しにくくなるおそれがあるからである。一方、金属電極が厚くなりすぎると、素子全体の厚さが厚くなるおそれがあるからである。その点、０．２μｍ以上２０μｍ以下の範囲内で厚さを設定すれば、電気的信頼性を確保しつつ素子全体の厚肉化を防止することができる。さらに、金属電極の厚さは０．５μｍ以上１０μｍ以下であることがより好ましい。この範囲内で厚さを設定すれば、さらに金属電極の表面にアンカー層の凹凸の影響を及ぼすことができ、金属電極の表面粗さを大きくすることが可能となる。
【００２５】
焼成工程を経た金属層をそのまま使用しない金属電極として使用しない場合の金属電極の例としては、めっき層、金属ペースト層、金属箔貼付層、スパッタリング層、蒸着層、イオンプレーティング層などが挙げられるが、これらの中でもめっき層が好適である。めっき層はアンカー層との嵌合性がよく、高い密着力が得やすいからである。
【００２６】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層と、前記アンカー層の表面上に形成された第１金属電極と、前記誘電体セラミック層を挟んで前記第１金属電極と対向する第２金属電極とを備える埋め込み用コンデンサ素子がある。従って、この手段２の素子によれば、アンカー層と第１金属電極との界面に化学的結合力のみならず物理的結合力が働き、誘電体セラミックに対する第１金属電極の密着性が改善される。よって、信頼性の高いコンデンサ素子を実現することができる。
【００２７】
上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層と、前記アンカー層の表面上に形成された第１金属電極と、前記誘電体セラミック層を挟んで前記第１金属電極と対向する第２金属電極とを備えるコンデンサ素子が埋め込まれていることを特徴とする配線基板がある。
【００２８】
従って、この手段３の配線基板によれば、アンカー層と第１金属電極との界面に化学的結合力のみならず物理的結合力が働き、誘電体セラミックに対する第１金属電極の密着性が改善される。よって、信頼性の高いコンデンサ素子を実現することができ、ひいては信頼性の高い配線基板を実現することができる。
【００２９】
上記配線基板は、例えばコア基板上に絶縁層及び導体層を形成した構成を有している。コア基板の形成材料については特に限定されず、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。コア基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、金属基板などが挙げられる。樹脂基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。前記セラミック基板の具体例としては、例えば、アルミナ基板、ベリリア基板、ガラスセラミック基板、結晶化ガラス等の低温焼成材料からなる基板などがある。前記金属基板の具体例としては、例えば、銅基板や銅合金基板、銅以外の金属単体からなる基板、銅以外の金属の合金からなる基板などがある。
【００３０】
コア基板上に形成される好適な絶縁層としては、樹脂絶縁層を挙げることができる。その理由は、樹脂製の絶縁層はコンデンサ素子の支持体として好ましいため、例えばコンデンサ素子を埋め込んだ構造を実現しやすくなるからである。樹脂絶縁層は、例えば、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、フェノール樹脂、キシレン樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂を用いて形成される。
【００３１】
導体層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって、コア基板上や絶縁層上にパターン形成される。導体層の形成に用いられる金属材料の例としては、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金、スズ、スズ合金などが挙げられる。なお、コア基板の片面または両面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されていてもよい。
【００３２】
上記配線基板において、コンデンサ素子は、配線基板の表面にて露出した状態で実装されるのではなく、配線基板の内部に埋め込まれた状態で実装される。この場合、コンデンサ素子をコア基板内に埋め込む構造、コンデンサ素子をコア基板と絶縁層との間に埋め込む構造、コンデンサ素子を絶縁層内に埋め込む構造のいずれにしてもよい。この場合、併せてコンデンサ素子以外の電子部品である抵抗素子やインダクタ等を配線基板の内部に埋め込むようにしてもよい。
【００３３】
なお、コンデンサ素子を内部に埋め込む実装態様の利点としては、以下のようなことがある。例えば、当該コンデンサ素子が配線基板内に埋め込まれた結果、配線基板表面上の部品実装可能領域が増えるため、そこに他の電子部品を実装することが可能となる。ここで、上記の他の電子部品としては、例えば、半導体集積回路チップ、チップトランジスタ、チップダイオード等の能動部品や、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップコイル等の受動部品を挙げることができる。
【００３４】
上記課題を解決するための別の手段（手段４）としては、誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層とを備える埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法であって、無機物粉を含有するアンカー層形成用材料を、前記誘電体セラミック層となるべき未焼結セラミック層の表面上に付着させる材料付着工程と、前記未焼結セラミック層及び前記アンカー層形成用材料を加熱して焼結させることにより、前記誘電体セラミック層及び前記アンカー層を形成する焼成工程を行うことを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法がある。
【００３５】
従って、この手段４の製造方法によれば、材料付着工程後に焼成工程を行うことにより、所望構造の構成部品を比較的容易に得ることができる。また、従来方法では薬液を用いて表面粗化処理を行うため誘電体セラミック層側への浸食を伴うが、この製造方法によると基本的に誘電体セラミック層の表面上にアンカー層を付着させることから、誘電体セラミック層側への浸食を何ら伴わない。そのため、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、確実に所望のアンカー層を形成することができる。
【００３６】
以下、上記手段４にかかる埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法について説明する。
【００３７】
材料付着工程では、無機物粉を含有するアンカー層形成用材料を、前記誘電体セラミック層となるべき未焼結セラミック層の表面上に付着させる。この場合、無機物粉が微視的に疎らとなるようにアンカー層形成用材料を付着させることが好ましい。その理由は、無機物粉が微視的に密すぎると、例えば表面粗さＲａの値が小さくなって、密着性改善に適したアンカー層が得にくくなるおそれがあるからである。
【００３８】
未焼結セラミック層としては、例えば、誘電体粉を含有する未焼結セラミック層形成用ペーストを材料として用いて、これを塗布及び乾燥して形成されたものなどが用いられる。誘電体粉としては、上述したチタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物などが、好適である。このほか、誘電体粉を含有するグリーンシート（未焼結誘電体グリーンシート）を未焼結セラミック層として用いてもよい。このような未焼結誘電体グリーンシートは、誘電体粉を含有するスラリーをシート状にキャスティングする手法により比較的簡単に得ることができる。この手法の利点は、ペーストを用いた手法に比べて、薄くて均一な厚さの誘電体セラミック層が効率よく得られることにある。よって、ショート不良やキャパシタンスのばらつきの低減を達成しやすくなる。
【００３９】
また、無機物粉を含有するアンカー層形成用材料としては、例えば、無機物粉を含有するアンカー層形成用ペーストが好適である。このペーストを未焼結セラミック層の表面上に付着させる手法としては、例えば、印刷、塗布、吹き付けまたは転写等の方法が挙げられる。ここに列挙した方法でペーストを付着させた後、さらに乾燥及び焼付けを行うことが好ましい。その理由は、好適な形状のアンカーを有するアンカー層が得やすくなるからである。ペースト中に含有される無機物粉を微視的に疎らに付着させるための具体的な手法としては、ペースト粘度を極めて低く設定することや、ペーストにおける無機物含有量を少なくすること等が好適である。ペーストにおける無機物粉の分散性を低下させること、具体的には分散剤を含有しないペーストを使用することも有効である。なお、ペースト中に含有されるべき誘電体粉としては、上述したチタン酸バリウム、チタン酸鉛及びチタン酸ストロンチウムから選択される１種または２種以上にて構成された化合物などが、好適である。
【００４０】
次に、必要に応じて脱脂工程を行った後、焼成工程を行う。焼成工程では、前記セラミック層及び前記アンカー層形成用材料を加熱して焼結させる。この焼成により、誘電体セラミック層及びアンカー層を形成する。
【００４１】
焼成工程を行った後、さらに金属電極形成工程を行って、アンカー層上に金属電極を形成してもよい。具体的な方法としては、めっき、金属ペーストの印刷焼成、金属箔の貼付、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられる。例えば５μｍ以下の極めて薄層の金属電極を形成したいような場合には、特に、めっき、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティング等の手法を選択することが好ましい。そして、これらの手法により形成された金属電極は、好適な表面粗さを備えたものとなりやすい。また、金属電極を形成するにあたり、スパッタリング等のような成膜法よりも、めっきや蒸着等のような成膜法を採用することが好ましい。一般的にスパッタリング等では金属成分が一方向に（ターゲットの方向に向かって）堆積しやすいのに対し、めっきや蒸着等ではアンカー層における凹凸部への金属成分の回り込みが容易に生じる。よって、後者の成膜法のほうが、入り組んだ形状のアンカー層に確実に金属層を形成するのに適しているからである。従って、この場合には金属電極とアンカー層との嵌合性がよくなり、両者間に高い密着力を付与することが可能となる。なお、化学的成膜法のなかでもめっき法によれば、大量の処理が可能となるため、コンデンサ素子の低コスト化に有利となる。
【００４２】
金属電極は、焼成工程後に形成されてもよいほか、下記のように焼成工程と同時に形成されてもよい。具体的には、前記材料付着工程の後に、アンカー層形成用材料上に、金属粉を含有する金属電極形成用ペーストを塗布するペースト塗布工程と、前記セラミック層、前記アンカー層形成用材料及び金属電極形成用ペーストを加熱して焼結させることにより、前記誘電体セラミック層、前記アンカー層及び前記金属電極を形成する焼成工程とを行うようにする。この方法の利点は、焼成工程を経ることで金属電極の形成も可能なため生産効率がよく、金属電極とアンカー層との密着性も良好となるからである。ペースト塗布工程で使用する金属電極形成用ペーストとしては、例えば、ニッケル粉、パラジウム粉、タングステン粉等の導電性金属粉を含有するペーストが使用される。同ペーストには誘電体粉などの無機物粉が所定量含有されていてもよい。
【００４３】
上記課題を解決するための別の手段（手段５）としては、誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成された誘電体アンカー層とを備える埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法であって、粗化された表面を有するアンカー層形成用金属体上に前記誘電体セラミック層となるべき未焼結セラミック層を形成する未焼結セラミック層形成工程と、前記未焼結セラミック層を加熱して焼結させることにより、前記誘電体アンカー層を表面に備える前記誘電体セラミック層を形成する焼成工程とを含むことを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法がある。
【００４４】
そして、手段５にかかる製造方法によると、未焼結セラミック層形成工程にて粗化面に未焼結セラミック層の形成時に、その未焼結セラミック層の表層部が粗化面の凹部に入り込んだ状態となる。よって、前記粗化面がいわば誘電体アンカー層形成のための型となる。この状態で焼成工程を行うと、未焼結セラミック層が焼結して好適な形状の誘電体アンカー層を比較的容易に得ることができる。また、手段５にかかる製造方法では、誘電体アンカー層の形成にあたり誘電体セラミック層側への浸食を何ら伴わないため、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、確実に所望の誘電体アンカー層を形成することができる。
【００４５】
アンカー層形成用金属体が不要であれば、焼成工程後にこれを除去してもよいが、そのまま残して金属電極として用いてもよい。つまり、アンカー層形成用金属体は、金属電極形成用金属体を兼ねるものであってもよい。
また、アンカー層形成用金属体の表面を粗化する方法としては、サンドブラスト、ショットブラスト、バフ研磨といった砥粒加工等や、スクラッチ加工等のような物理的粗化方法があるほか、エッチング処理等のような化学的粗化方法がある。これらの方法は、いずれもアンカー層形成用金属体の表面の一部を除去する方法であるが、金型を用いた粗面転写加工等により粗化を行ってもよい。
【００４６】
上記課題を解決するための別の手段（手段６）としては、誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成された誘電体アンカー層とを備える埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法であって、前記誘電体セラミック層となるべき未焼結セラミック層上に、金属粉と誘電体粉とを含有する混合層形成用層を配置する層配置工程と、前記未焼結セラミック層及び前記混合層形成用層を加熱して焼結させることにより、前記誘電体セラミック層を形成するとともに、金属アンカー層と誘電体アンカー層とが混在する混合層を形成する焼成工程と、前記混合層から前記金属アンカー層を選択的に除去して、前記誘電体アンカー層を露出させる金属除去工程とを含むことを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品の製造方法がある。
【００４７】
そして、手段６にかかる製造方法によると、層配置工程で未焼結セラミック層上に混合層形成用層を配置した後、焼成工程でその混合層形成用層を焼結させることにより、金属と誘電体とが混在する混合層が形成される。混合層においては焼結により形成された誘電体セラミック層側に連結する誘電体アンカー層の空隙に金属アンカー層が入り込んだ状態となっており、逆に、誘電体アンカー層が金属アンカー層に入り込んでいると見なすこともできる。次いで、金属除去工程で混合層から金属アンカー層を選択的に除去することで、好適な凹凸を有する誘電体アンカー層を外部に露出させることができる。また、手段６にかかる製造方法では、誘電体アンカー層の形成にあたり誘電体セラミック層側への浸食を何ら伴わないため、全体の厚肉化や絶縁性の低下を伴うことなく、確実に所望の誘電体アンカー層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４８】
［第１の実施形態］
以下、本発明を具体化した第１実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板及びその製造方法を図１〜図８に基づき説明する。
【００４９】
図１に示されるように、このセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１は、ガラスエポキシからなるコア基板７２上に、ビルドアップ層７３を形成してなるものである。ビルドアップ層７３は、同じくエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４（いわゆる層間絶縁層）を４層備えている。コア基板７２と樹脂絶縁層８１との界面には、銅からなる導体層９０がパターン形成されている。樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４同士の界面には、銅からなる導体層９１，９２，９３がパターン形成されている。また、最表層の樹脂絶縁層８４の表面上における複数箇所には、銅にニッケル−金めっきを被覆した端子パッド９４が形成されている。樹脂絶縁層８１，８２，８３，８４内には、それぞれビア導体９６が設けられている。これらのビア導体９６のほとんどは同軸上に配置されるとともに、それらを介して導体層９１，９２，９３及び端子パッド９４が相互に電気的に接続されている。
【００５０】
ビルドアップ層７３の内部（具体的には第１層の樹脂絶縁層８１と第２層の樹脂絶縁層８２との界面）には、図６に示すセラミックコンデンサ１０（コンデンサ素子）が、埋め込んだ状態で実装されている。本実施形態のセラミックコンデンサ１０はチタン酸バリウムからなる誘電体セラミック層２１を備えている。誘電体セラミック層２１の上面の全域、及び誘電体セラミック層２１の下面の全域には、同じくチタン酸バリウムからなる誘電体アンカー層５５，５６が形成されている。誘電体セラミック層２１及び誘電体アンカー層５５，５６は誘電体部４１（誘電体セラミック）を構成している。そして、誘電体アンカー層５５の表面（第１主面１１７）の上には第１ニッケル電極１１が形成され、誘電体アンカー層５６の裏面（第２主面１１８）の上には第２ニッケル電極３１が形成されている。
【００５１】
本実施形態では、誘電体セラミック層２１の厚さは約４μｍに設定されている。この誘電体セラミック層２１は、厚さばらつきが±０．５μｍ程度であって、比較的均一な厚さを有している。アンカー層５５，５６の有効厚みは約４μｍに設定されるとともに、誘電体粒子の平均粒径が約０．５μｍであって、表面粗さＲａが０．３μｍ〜０．５μｍ程度に設定されている。また、第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１の厚さは約４μｍ〜５μｍに設定されている。このため、セラミックコンデンサ１０の全体の厚さは、約１２μｍ〜１４μｍ程度となっている。
【００５２】
図１に示されるように、第１金属電極１１は配線基板実装時に上向きの状態となるため、第２層の樹脂絶縁層８２内にあるビア導体９６に電気的に接続されている。一方、第２金属電極３１は配線基板実装時に下向きの状態となるため、第１層の樹脂絶縁層８１内にあるビア導体９６に電気的に接続されている。
【００５３】
そして、このような構成のセラミックコンデンサ１０に通電を行い、第１ニッケル電極１１−第２ニッケル電極３１間に所定の電圧を加えると、一方の電極にプラスの電荷が蓄積し、他方の電極にマイナスの電荷が蓄積するようになっている。
【００５４】
次に、このセラミックコンデンサ１０の製造方法を図２〜図８に基づいて説明する。
（１）未焼結誘電体グリーンシート２２の作製
【００５５】
まず以下の手順で誘電体スラリーを調製した。平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）、エタノールとトルエンとの混合溶剤、分散剤、可塑剤、有機バインダをポットで湿式混合することにより、未焼結誘電体グリーンシート２２を形成する際の出発材料となる誘電体スラリーを得る。このとき、各成分の配合比率を適宜変更することにより、誘電体スラリーを約０．５Ｐａ・ｓの粘度（リオン株式会社製ビスコテスター  ＶＴ−０４型粘度計  Ｎｏ．１ロータ  ６２．５ｒｐｍ  １分値  ２５℃で測定した粘度をいう。）に調製する。次に、この誘電体スラリーを用いて未焼結誘電体グリーンシート２２の形成を以下のように行う。即ち、所定幅のＰＥＴフィルムのロールを用意して、このロールをキャスティング装置の供給側にセットし、ドクターブレード法やリップコーティーングなどの従来周知の手法によりＰＥＴフィルムの上面に誘電体スラリーを薄く均一な厚さでキャスティング（塗工）する。その後、シート状にキャスティングされた誘電体スラリーをキャスティング装置の供給側と巻き取り側との間に配置されているヒータで加熱乾燥し、厚さ７μｍの未焼結誘電体グリーンシート２２（誘電体セラミック層２１となるべき未焼結セラミック層）を形成する。
（２）アンカー層形成用ペースト２５の作製
【００５６】
平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）に可塑剤を加える。これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で３本ロールで混合し、アンカー層形成用ペースト２５を得る。ここでは、焼成後に好適な凹凸が得られるように、分散剤を添加しないことで、誘電体粉末の凝集の多い低分散性ペーストとした。なお、分散媒として、親水基の多い（極性の強い）溶剤を用いることでも、同様の性質のペーストを得ることができる。
（３）ニッケルペースト１２の作製
【００５７】
平均粒径０．４μｍのニッケル粉末（金属粉）に分散剤、可塑剤を加える。これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で３本ロールで混合し、金属電極形成用ペーストであるニッケルペースト１２を得る。
（４）各ペーストの印刷塗布による材料の付着
【００５８】
未焼結誘電体グリーンシート２２を、打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する（図２参照）。この未焼結誘電体グリーンシート２２の片面上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いてアンカー層形成用ペースト２５を印刷塗布する。このとき、アンカー層形成用ペースト２５に含有されている誘電体粉２７が、未焼結誘電体グリーンシート２２の片面上において微視的に疎らになるように付着させる。図３はその様子を概念的に示している。この後、印刷されたアンカー層形成用ペースト２５を８０℃で乾燥する。このときの印刷厚みは、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。この後、印刷されたアンカー層形成用ペースト２５上に、同様の手段によりニッケルペースト１２を５μｍ〜８μｍほど印刷塗布し、８０℃で乾燥する（図４参照）。
【００５９】
そして今度は未焼結誘電体グリーンシート２２の反対側の面に同様にアンカー層形成用ペースト２５及びニッケルペースト１２を印刷塗布し、未焼結積層体５０とする（図５参照）。この未焼結積層体５０は、ニッケルペースト１２の層、アンカー層形成用ペースト２５の層、未焼結誘電体グリーンシート２２、アンカー層形成用ペースト２５の層、ニッケルペースト１２の層の順で積層配置した構造となっている。
（５）脱脂、同時焼成等
【００６０】
次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、所望構造のセラミックコンデンサ１０が得られる（図６参照）。この焼成により、未焼結誘電体グリーンシート２２については、チタン酸バリウムからなる誘電体セラミック層２１となる。第１主面１１７側のニッケルペースト１２については第１ニッケル電極１１となり、第２主面１１８側のニッケルペースト１２については第２ニッケル電極３１となる。そして、第１主面１１７側のアンカー層形成用ペースト２５については、微細な複数のアンカー５１からなる第１の誘電体アンカー層５５となる。第２主面１１８側のアンカー層形成用ペースト２５については、微細な複数のアンカー５１からなる第２の誘電体アンカー層５６となる。
（６）第１層の樹脂絶縁層８１の形成、部品実装
【００６１】
次に、導体層９０及び第１層の樹脂絶縁層８１が形成されたコア基板７２を用意し、その第１層の樹脂絶縁層８１上に、第１主面１１７側を上向きにしたセラミックコンデンサ１０を搭載する（図７参照）。
【００６２】
より詳細にいうと、第１層の樹脂絶縁層８１を形成するための未硬化のフィルム材を用意し、それをラミネータ等でコア基板７２の表面上に貼付する。前記フィルム材としては、例えば、未硬化の熱硬化性樹脂からなるものが好適である。次いで、セラミックコンデンサ１０をフィルム材上に搭載し、所定の圧力で押し付ける。この時点では、まだフィルム材は未硬化であるため、セラミックコンデンサ１０をフィルム材内に容易に埋め込むことができる。この場合の埋込深さは、セラミックコンデンサ１０の全体の厚さの半分程度に設定されることがよい。次に、加熱を行ってフィルム材を硬化させ、第１層の樹脂絶縁層８１にセラミックコンデンサ１０を支持固定させる。
（７）第２層から第５層の樹脂絶縁層８２，８３，８４の形成
【００６３】
従来周知の手法に従って、第１層の樹脂絶縁層８１におけるビア導体９６の形成や導体層９１の形成を行う。次いで、第１層の樹脂絶縁層８１上に上記の未硬化のフィルム材をラミネータ等で貼付した後、熱硬化させて第２層の樹脂絶縁層８２とする。この時点でセラミックコンデンサ１０が完全に埋め込まれる（図８参照）。次に、第２層の樹脂絶縁層８２に対するビア穴あけを行った後、さらに銅めっきまたは銅ペーストの充填、印刷等を行って、ビア導体９６を形成するとともに、第２層の導体層９２を形成する。この後、同様の手法により、第３層及び第４層（最表層）の樹脂絶縁層８３，８４の形成を行い、図１のセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を完成させる。
【００６４】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６５】
（１）本実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１の場合、セラミックコンデンサ１０における誘電体セラミック層２１の表面に好適な誘電体アンカー層５５が形成され、裏面に好適な誘電体アンカー層５６が形成されている。このため、誘電体セラミック層２１と第１ニッケル電極１１との界面、誘電体セラミック層２１と第２ニッケル電極３１との界面に、化学的結合力のみならず物理的結合力が働き、誘電体セラミックである誘電体部４１に対するこれらの密着性が改善される。よって、前記界面において剥離が生じにくくなり、信頼性に優れたセラミックコンデンサ１０、ひいては信頼性に優れたセラミックコンデンサ内蔵配線基板７１を実現することができる。
【００６６】
（２）本実施形態の製造方法では、あらかじめ未焼結積層体５０を形成してそれを焼成することで、未焼結誘電体グリーンシート２２、アンカー層形成用ペースト２５及びニッケルペースト１２を同時に焼結させることを特徴とする。従って、焼成工程を経た段階で、誘電体セラミック層２１、誘電体アンカー層５５，５６、第１ニッケル電極１１、第２ニッケル電極３１が形成される。つまり、この製造方法によれば、所望構造のセラミックコンデンサ１０を比較的容易にしかも効率よく得ることができる。
【００６７】
（３）また、従来の製造方法では、薬液を用いて表面粗化処理を行うため、誘電体セラミック層２１側への浸食を伴ってしまう。これに対して本実施形態の製造方法によると、誘電体セラミック層２１側への浸食を何ら伴わずに確実に所望の誘電体アンカー層５５，５６を形成することができる。そしてこの製造方法によると、従来とは異なり誘電体セラミック層２１にショートパスが形成される心配がないため、第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１間の絶縁性の低下が回避される。また、誘電体セラミック層２１を非常に薄く形成できる結果、セラミックコンデンサ１０の薄肉化が図られるとともに、大きな静電容量を達成しやすくなる。
［第２の実施形態］
【００６８】
以下、本発明を具体化した第２実施形態のセラミックコンデンサ１１０及びその製造方法を図９〜図１２に基づき説明する。
【００６９】
ここでは、素子一方側の誘電体アンカー層５５を形成するにあたり、粗化されたニッケル箔１１２を用いている。また、素子他方側の誘電体アンカー層５６を形成するにあたり、ニッケル粉と誘電体粉とを含有するアンカー層形成及び電極形成用ペースト４０を用いている。
（１）ニッケル箔１１２の粗化
【００７０】
厚さ３０μｍのニッケル箔１１２（アンカー層形成用金属箔）を用意するとともに、そのニッケル箔１１２を打ち抜き金型等の従来周知の手段を用いて所定の大きさに切断する（図９参照）。次に、そのニッケル箔１１２をエッチング液で所定時間処理することにより、微細な凹凸部１３２を有する粗化面１３１をニッケル箔１１２に形成する（図１０参照）。なお、このような手法に代えて、湿式または乾式でのブラスト処理（サンドブラストやショットブラストなど）を行うようにしてもよい。
（２）未焼結セラミック層形成用ペースト１２０の調製
【００７１】
平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉（誘電体粉）に分散剤、可塑剤を加え、これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で３本ロールで混合し、未焼結セラミック層１２２を形成する際の出発材料となる未焼結セラミック層形成用ペースト１２０を得る。
（３）アンカー層形成及び電極形成用ペースト４０の調整
【００７２】
平均粒径０．４μｍのニッケル粉（金属粉）と、平均粒径０．７μｍのチタン酸バリウム粉末（誘電体粉）とを体積比が７：３となるように秤量し、これに分散剤、可塑剤を加える。これをターピネオールを分散媒として、さらに有機バインダを加えた上で３本ロールで混合し、誘電体アンカー層５６と第２ニッケル電極３１とを形成する際の出発材料となるアンカー層形成及び電極形成用ペースト４０を得る。
（４）未焼結積層体５０の作製
【００７３】
ニッケル箔１１２の粗化面１３１上に、従来周知のペースト印刷装置（例えばスクリーン印刷装置）を用いて未焼結セラミック層形成用ペースト１２０を印刷塗布し、未焼結セラミック層１２２を形成する（図１１参照）。このときの塗布厚み（粗化面１３１を基準としたときの塗布層の厚み）は、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。ペースト印刷塗布を行うと、粗化面１３１の凹凸部１３２内に未焼結セラミック層形成用ペースト１２０が埋まり込んだ状態となる。この部分のペースト１２０は、後に誘電体アンカー層５５となる。
【００７４】
次いで、同様にアンカー層形成及び電極形成用ペースト４０を印刷塗布し、混合層３２を形成することで、未焼結積層体５０とする（図１１参照）。このときの塗布厚み（粗化面１３１を基準としたときの塗布層の厚み）は、後の焼成工程を経た段階で約４μｍとなるように、５μｍ〜８μｍ程度に設定される。なお、この未焼結積層体５０は、ニッケル箔１１２、未焼結セラミック層１２２及び混合層３２をこの順序で積層配置した状態となっている。
（５）脱脂、同時焼成等
【００７５】
次に、上記未焼結積層体５０を大気中にて２５０℃で１０時間脱脂し、さらに窒素−水素−水蒸気からなる雰囲気中１２６０℃にて所定時間焼成する。その結果、チタン酸バリウム及びニッケルが同時焼結し、所望構造のセラミックコンデンサ１１０が得られる（図１２参照）。この焼成により、未焼結セラミック層１２２については、チタン酸バリウムからなる誘電体セラミック層２１となる。ニッケル箔１１２の粗化面１３１の凹部に入り込んでいる未焼結セラミック層１２２の表層部については、いわば粗化面１３１が誘電体アンカー層５５の形成のための型となる。ゆえにこの焼結により、誘電体セラミック層２１の表層部に好適な形状の誘電体アンカー層５５となる。一方、アンカー層形成及び電極形成用ペースト４０については、この焼成により誘電体アンカー層５６及び第２ニッケル電極３１となる。なお、第２ニッケル電極３１の一部は、誘電体アンカー層５６の空隙内に入り込んで嵌合している。
【００７６】
従って、本実施形態においても上記第１実施形態と同様の作用効果が奏される。つまり、第１ニッケル電極１１１と誘電体セラミック層２１との密着性、第２ニッケル電極３１と誘電体セラミック層２１との密着性が改善されるため、信頼性の高いセラミックコンデンサ１１０を得ることができる。また、本実施形態の製造方法であったとしても、信頼性に優れた上記構造のセラミックコンデンサ１１０を比較的容易に得ることができる。
［第３の実施形態］
【００７７】
以下、本発明を具体化した第３実施形態のセラミックコンデンサ２１０及びその製造方法を図１３，図１４に基づき説明する。
【００７８】
ここでは図６のセラミックコンデンサ１０を出発材料として用いる。そして、ニッケルを溶解するエッチャント（例えば塩化第２鉄の４０重量％水溶液）を用いて、第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１を溶解除去する。勿論、これとは異なる組成のエッチャントを用いることも可能である。この処理を経ると、隠れていた誘電体アンカー層５５，５６がともに露出する（図１３参照）。この状態のものは、セラミックコンデンサ２１０の完成品ではなく、その構成部品であると把握できる。なお、エッチング処理に代えて第１ニッケル電極１１及び第２ニッケル電極３１を物理的に引き剥がすようにしてもよい。
【００７９】
次に、露出した誘電体アンカー層５５，５６の表面上に、従来公知の手法に基づいて無電解銅めっきを行った後にさらに電解銅めっきを行って、厚さ１μｍの第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２を形成する（図１４参照）。この処理を経ると、所望構造のセラミックコンデンサ２１０が完成する。
【００８０】
従って、本実施形態においても上記第１実施形態と同様の作用効果が奏される。つまり、第１銅電極２３１と誘電体セラミック層２１との密着性、第２銅電極２３２と誘電体セラミック層２１との密着性が改善されるため、信頼性の高いセラミックコンデンサ２１０を得ることができる。特にこの構成によると、第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２の表面に凹凸が生じているため、配線基板に埋め込んだときに樹脂絶縁層に対する密着性がよくなる。また、本実施形態の製造方法であったとしても、信頼性に優れた上記構造のセラミックコンデンサ２１０を比較的容易に得ることができる。
【００８１】
［第４の実施形態］
以下、本発明を具体化した第４実施形態のセラミックコンデンサ３１０及びその製造方法を図１５，図１６に基づき説明する。
【００８２】
ここでは図１２のセラミックコンデンサ１１０を出発材料として用いる。そして、ニッケルを溶解するエッチャント（例えば塩化第２鉄の４０重量％水溶液）を用いて、第１ニッケル電極１１１及び第２ニッケル電極３１を溶解除去する。勿論、これとは異なる組成のエッチャントを用いることも可能である。この処理を経ると、隠れていた誘電体アンカー層５５，５６がともに露出する（図１５参照）。この状態のものは、セラミックコンデンサ３１０の完成品ではなく、その構成部品であると把握できる。なお、エッチング処理に代えて第１ニッケル電極１１１及び第２ニッケル電極３１を物理的に引き剥がすようにしてもよい。
【００８３】
次に、露出した誘電体アンカー層５５，５６の表面上に、従来公知の手法に基づいて無電解銅めっきを行った後にさらに電解銅めっきを行って、厚さ１μｍの第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２を形成する（図１６参照）。この処理を経ると、所望構造のセラミックコンデンサ３１０が完成する。
【００８４】
従って、本実施形態においても上記第１実施形態と同様の作用効果が奏される。つまり、第１銅電極２３１と誘電体セラミック層２１との密着性、第２銅電極２３２と誘電体セラミック層２１との密着性が改善されるため、信頼性の高いセラミックコンデンサ３１０を得ることができる。特にこの構成によると、第１銅電極２３１及び第２銅電極２３２の表面に凹凸が生じているため、配線基板に埋め込んだときに樹脂絶縁層に対する密着性がよくなる。また、本実施形態の製造方法であったとしても、信頼性に優れた上記構造のセラミックコンデンサ３１０を比較的容易に得ることができる。
【００８５】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００８６】
・上記第１実施形態では、セラミックコンデンサ１０を第１層の樹脂絶縁層８１と第２層の樹脂絶縁層８２との界面に埋め込むようにして実装を行ったが、例えば、第２層の樹脂絶縁層８２と第３層の樹脂絶縁層８３との界面、第３層の樹脂絶縁層８３と第４層の樹脂絶縁層８４との界面に埋め込むようにしてもよい。
【００８７】
・上記第１実施形態では、既に完成品となっているセラミックコンデンサ１０を樹脂絶縁層上に実装する製造方法を例示しているが、以下のようにしてもよい。まず、第１主面１１７側にのみ金属電極を有し、第２主面１１８側に金属電極を有しない未完成のセラミックコンデンサ（いわばコンデンサ構成部品）を樹脂絶縁層上に実装する。実装完了後、上側を向いている第２主面１１８上に従来周知の手法（めっき、スパッタリング等）により金属層を形成し、その金属層をもう一方の金属電極として用いるようにする。
【００８８】
・また上記第１実施形態は、コア基板７２の片面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されているセラミックコンデンサ内蔵片面積層配線基板の例であるが、コア基板７２の両面に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層が形成されているセラミックコンデンサ内蔵配線基板としてもよい。
【００８９】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００９０】
（１）誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成されたアンカー層とを備え、前記アンカー層の表面粗さＲａが０．２μｍよりも大きくて有効厚みが１０μｍ以下であることを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品。
【００９１】
（２）第１主面及び前記第１主面の反対側にある第２主面を有する誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の第１主面上及び第２主面上に形成されたアンカー層とを備え、前記アンカー層の表面粗さＲａが０．２μｍよりも大きくて有効厚みが１０μｍ以下であることを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品。
【００９２】
（３）誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成された誘電体アンカー層とを備えることを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品。
【００９３】
（４）誘電体セラミック層と、前記誘電体セラミック層の表面上に形成された無機物アンカー層とを備え、前記無機物アンカー層を構成する無機物が、前記誘電体セラミック層と実質的に同材料であることを特徴とする埋め込み用コンデンサ素子の構成部品。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明を具体化した第１実施形態のセラミックコンデンサ内蔵配線基板を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図３】第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図４】第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図５】第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図６】第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図７】第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図８】第１実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図９】第２実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。
【図１０】第２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１１】第２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１２】第２実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１３】第３実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。
【図１４】第３実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【図１５】第４実施形態のセラミックコンデンサの製造方法を説明するための概略断面図。
【図１６】第４実施形態の製造方法を説明するための概略断面図。
【符号の説明】
【００９５】
１０，１１０，２１０，３１０…埋め込み用コンデンサ素子としてのセラミックコンデンサ
１１，１１１…金属電極としての第１ニッケル電極
１２…金属電極形成用ペーストとしてのニッケルペースト
２１…誘電体セラミック層
２２，１２２…未焼結セラミック層としての未焼結誘電体グリーンシート
２５…アンカー層形成用材料としてのアンカー層形成用ペースト
２７…無機物粉としての誘電体粉
３１…金属電極としての第２ニッケル電極
５５，５６…（誘電体）アンカー層
７１…配線基板としてのセラミックコンデンサ内蔵配線基板
２３１…金属電極としての第１銅電極
２３２…金属電極としての第２銅電極
【図１】
2006179745.tif 000003
【図２】
2006179745.tif 000004
【図３】
2006179745.tif 000005
【図４】
2006179745.tif 000006
【図５】
2006179745.tif 000007
【図６】
2006179745.tif 000008
【図７】
2006179745.tif 000009
【図８】
2006179745.tif 000010
【図９】
2006179745.tif 000011
【図１０】
2006179745.tif 000012
【図１１】
2006179745.tif 000013
【図１２】
2006179745.tif 000014
【図１３】
2006179745.tif 000015
【図１４】
2006179745.tif 000016
【図１５】
2006179745.tif 000017
【図１６】
2006179745.tif 000018