(57)【要約】【課題】  磁気ディスク装置に好適に用いられ、飽和磁束密度が高く、光沢性が良好なＦｅ−Ｃｏ合金からなる磁性薄膜、及びＦｅ組成が高くても、光沢剤を使用することなく良好な光沢性を付与することができ、高飽和磁束密度の磁性薄膜を安定的かつ高効率に製造することができる磁性薄膜の製造方法、並びに、該磁性薄膜を備え、高記録かつ高性能な磁気ディスク装置の提供。【解決手段】  磁気ディスク装置に用いられ、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％である磁性薄膜を、スルファミン酸塩を少なくとも含み、かつ光沢剤を含まないめっき液を用いて形成させることを含む磁性薄膜の製造方法である。磁性薄膜の形成が、パルスめっきにより行われる態様、磁性薄膜の飽和磁束密度が２．３５Ｔ以上である態様等が好ましい。該磁性薄膜の製造方法により製造された磁性薄膜である。該磁性薄膜を少なくとも備えた磁気ディスク装置である。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスク装置に用いられ、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％以上である磁性薄膜を、スルファミン酸塩を少なくとも含み、かつ光沢剤を含まないめっき液を用いて形成させることを含むことを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
【請求項２】
磁性薄膜の形成が、パルスめっきにより行われる請求項１に記載の磁性薄膜の製造方法。
【請求項３】
磁性薄膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）が、２．３５Ｔ以上である請求項１から２のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法により製造されたことを特徴とする磁性薄膜。
【請求項５】
請求項４に記載の磁性薄膜を少なくとも備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気ディスク装置、特に薄膜磁気ヘッドに好適に用いられる磁性薄膜及びその製造方法、並びに、該磁性薄膜を備えた磁気ディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータの外部記憶装置であるハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気ディスク装置は、記録密度が著しく向上し、磁気ヘッドの素子サイズも小さく、記録媒体の高保磁力化が進んでおり、このような高保磁力の記録媒体に対しても充分な書き込み能力を有する磁性材料が要求されている。
高保磁力の記録媒体に対しても充分な書き込み能力を有するためには、薄膜磁気ヘッドから強い磁界を発生させることが必要であり、高飽和磁束密度（Ｂｓ）の磁性材料を用いることが必要である。
従来より、薄膜磁気ヘッドには、パーマロイ（ＮｉＦｅ合金）が広く用いられてきたが、現在は、より高飽和磁束密度の材料として、ＦｅＣｏ二元系の材料が使用されてきている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドに用いられる磁性薄膜の作製方法としては、成膜速度が速く安価なめっき法が主流であり、Ｃｏ、Ｎｉ、及びＦｅを主成分とした磁性薄膜を形成させるめっき法については、既に数多くの検討が進められている（特許文献１〜２参照）。しかし、Ｃｏ、Ｎｉ及びＦｅを主成分としためっき法では、硫酸塩をめっき浴として用いることが多く、特許文献１〜２に記載のめっき法を用いてＦｅＣｏ二元系の磁性薄膜を作製したところ、めっき条件のマージンが非常に狭く、また高飽和磁束密度（Ｂｓ）を得るためにはＦｅ組成を高くすることが必要であるが、Ｆｅ組成が高くなると、めっき膜（磁性薄膜）が白濁し易く、光沢性が得られないという問題が生じることが判った。
従来より、硫酸浴を用いためっき法では、光沢を有する磁性薄膜が得られないことがあり、この場合、一般的には光沢剤が使用される。しかし、光沢剤としては、通常、チオ尿素やサッカリン等の含硫黄有機化合物が添加されるため、得られる磁性薄膜に硫黄が不純物として存在すると、飽和磁束密度（Ｂｓ）等の磁気特性が低下するという問題がある。
【０００４】
Ｆｅ及びＣｏを主成分とした磁性薄膜を形成させるめっき法としては、例えば、めっき膜を形成した後、該めっき膜に対して加熱処理を施すことにより高飽和磁束密度を有する磁性薄膜を形成させる方法が提案されている（特許文献３参照）。この方法によれば、硫酸浴ではなく、スルファミン酸浴を使用するため、光沢剤を使用しなくても適度な光沢性が得られるが、形成される磁性薄膜のＦｅ組成が４質量％と低く、飽和磁束密度（Ｂｓ）も低いため、記録能力の向上への要求を充たすことができないという問題がある。このほか、例えば、スルファミン酸浴を用い、該スルファミン酸浴のｐＨを調整しながら電解めっきを行う方法が知られている（特許文献４参照）。しかし、特許文献４に記載のめっき法は、芯線（Ｃｕ線）に対して電解めっきを行うことにより応力インピーダンス素子を得ることを目的としたものであり、磁性薄膜の製造への適用及びＦｅ組成が高い領域での飽和磁束密度については何ら開示されていない。
【０００５】
したがって、Ｆｅ組成が高くても、光沢剤を使用することなく、良好な光沢性を付与することができ、高記録かつ高性能な磁気ディスク装置などに好適な高飽和磁束密度の磁性薄膜を、安定的かつ高効率に製造することができる技術の開発が望まれている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１９６２２５号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４１２２号公報
【特許文献３】特許第３２９８９３０号公報
【特許文献４】特開２００３−４２８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁気ディスク装置に好適に用いられ、飽和磁束密度が高く、光沢性が良好なＦｅ−Ｃｏ合金からなる磁性薄膜、及びＦｅ組成が高くても、光沢剤を使用することなく良好な光沢性を付与することができ、高飽和磁束密度の磁性薄膜を安定的かつ高効率に製造することができる磁性薄膜の製造方法、並びに、該磁性薄膜を備え、高記録かつ高性能な磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に列挙した通りである。
本発明の磁性薄膜の製造方法は、磁気ディスク装置に用いられ、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％以上である磁性薄膜を、スルファミン酸塩を少なくとも含み、かつ光沢剤を含まないめっき液を用いて形成させることを含むことを特徴とする。
該磁性薄膜の製造方法においては、前記スルファミン酸塩を少なくとも含み、かつ前記光沢剤を含まないめっき液が用いられて、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％以上である磁性薄膜が形成される。該磁性薄膜は、磁気ディスク装置などに好適に用いられる。本発明の前記磁性薄膜の製造方法では、前記スルファミン酸塩を少なくとも含むめっき液を用いるので、Ｆｅ組成が高くても前記光沢剤を使用する必要がなく、また、得られるＦｅ−Ｃｏ二元系の磁性薄膜に良好な光沢性が付与される。また、前記光沢剤を含まないめっき液を用いるので、磁気特性の低下がなく、高飽和磁束密度の磁性薄膜が安定的かつ効率的に製造される。
【０００９】
本発明の磁性薄膜は、本発明の前記磁性薄膜の製造方法により製造されたことを特徴とする。このため、飽和磁束密度が高く、光沢性が良好であり、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）等の磁気ディスク装置、特に薄膜磁気ヘッドに好適に用いられる。
【００１０】
本発明の磁気ディスク装置は、本発明の前記磁性薄膜を少なくとも備えたことを特徴とする。このため、該磁気ディスク装置は、磁気記録能力が高く、高性能である。なお、該磁気ディスク装置は、前記磁性薄膜を、薄膜磁気ヘッドとして備えてもよいし、磁気ディスクの記録層として備えてもよい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、従来における諸問題を解決し、磁気ディスク装置に好適に用いられ、飽和磁束密度が高く、光沢性が良好なＦｅ−Ｃｏ合金からなる磁性薄膜、及びＦｅ組成が高くても、光沢剤を使用することなく良好な光沢性を付与することができ、高飽和磁束密度の磁性薄膜を安定的かつ高効率に製造することができる磁性薄膜の製造方法、並びに、該磁性薄膜を備え、高記録かつ高性能な磁気ディスク装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（磁性薄膜及びその製造方法）
本発明の磁性薄膜の製造方法は、磁気ディスク装置に用いられ、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％以上である磁性薄膜を、スルファミン酸塩を少なくとも含み、かつ光沢剤を含まないめっき液を用いてを形成させることを少なくとも含む。
本発明の磁性薄膜は、本発明の磁性薄膜の製造方法により製造される。
本発明の前記磁性薄膜の好ましい態様としては、飽和磁束密度（Ｂｓ）が２．３５Ｔ以上である。
以下、本発明の磁性薄膜の製造方法の説明を通じて、本発明の磁性薄膜の詳細も明らかにする。
【００１３】
−めっき液−
前記めっき液は、スルファミン酸塩を少なくとも含み、更に必要に応じて適宜選択した、その他の成分を含むが、光沢剤を含まないことが必要である。
ここで、前記光沢剤としては、磁性薄膜の表面に光沢性を付与する機能を有する化合物が挙げられ、例えば、サッカリン、チオ尿酸、２−ブチン−１，４−ジオール、クマリンなどが挙げられる。これらの光沢剤を含むと、磁気特性が低下し、特に硫黄が不純物として含まれると、飽和磁束密度（Ｂｓ）が低下することがあるため、前記めっき液が該光沢剤を含まないことが必要とされる。
【００１４】
−−スルファミン酸塩−−
前記スルファミン酸塩は、前記めっき液中でスルファミン酸を生じ、該スルファミン酸が結晶粒を微細化する機能を有する。このため、前記スルファミン酸塩を用いると、表面に光沢性を有する磁性薄膜を形成可能な点で有利である。
前記スルファミン酸塩としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなる磁性薄膜を形成可能な点で、スルファミン酸鉄、スルファミン酸コバルト、などが好ましい。なお、前記スルファミン酸塩は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記スルファミン酸塩は、水溶性として用いられるのが好ましく、例えば、スルファミン酸鉄五水和物、スルファミン酸コバルト四水和物、などが好適に使用可能である。
【００１５】
前記スルファミン酸塩の前記めっき液における含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０〜４００ｇ／Ｌが好ましい。
【００１６】
−−その他の成分−−
前記その他の成分としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の各種添加剤、例えば、導電助剤、ｐＨ緩衝剤、界面活性剤などが挙げられる。
【００１７】
前記導電助剤としては、前記めっき液の導電性を向上させるものである限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アミド硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、塩化ナトリウムなどが挙げられる。これらの中でも、金属塩と組合せて好適に使用することができる点で、アミド硫酸アンモニウムが好ましい。
前記ｐＨ緩衝剤としては、前記めっき液自体のｐＨの変動を抑えるものである限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ほう酸、しゅう酸、酒石酸、コハク酸、クエン酸、アスコルビン酸などが挙げられる。これらの中でも、安定性が良好で一般に広く用いられている点で、ほう酸が好ましい。
なお、前記めっき液におけるｐＨとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、４以下が好ましい。前記ｐＨが４を超えると、鉄が沈殿することがある。また、前記ｐＨが低すぎると、水素の発生量が多くなり、析出効率が低下することがあるため、前記ｐＨとしては、１．５〜３がより好ましい。
前記ｐＨの調整は、例えば、炭酸ナトリウム、アミド硫酸を用いて行うことができる。
前記界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドデシル硫酸ナトリウム、ホルムアミド界面活性剤などが挙げられる。これらの中でも、汎用性及び実績の点で、ドデシル硫酸ナトリウムが好ましい。
前記その他の成分の前記めっき液における含有量としては、前記スルファミン酸塩の種類や含有量などに応じて適宜選択することができる。
【００１８】
前記磁性薄膜の形成は、前記めっき液を用い、公知のめっき方法、例えば、電気めっき、無電解めっき、化成処理などにより行うことができるが、これらの中でも、粗面に対してめっき層の形成を有効に行うことができる点で、前記電気めっきとしてのパルスめっきを用いるのが好ましい。
前記パルスめっきは、めっき対象物に対して正負の電位を交互に与えて（パルス波形の電流を与えて）めっき層を形成する方法であり、例えば、正の電位を与えたときにめっき層が成長し、負の電位を与えたときにめっき層が除去される。このめっき層の成長量は、粗面である方が滑面であるよりも大きく、前記除去量は滑面である方が粗面であるよりも大きくなる。このため、パルスめっきの場合、粗面に対して集中的にめっき層を形成させることができる点で有利である。
【００１９】
前記パルスめっきによりＦｅ−Ｃｏ合金を形成させる際のめっき電流としては、パルス電流であることが必要であり、該パルス電流は、電流の付与と休止とが適切な間隔で行われる波形を有するのが好ましい。
前記電流の付与の際の電流密度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ＤＣのめっきでは、０．５〜１００ｍＡ／ｃｍ２が好ましく、１０〜３０ｍＡ／ｃｍ２がより好ましい。
前記ＤＣめっきの電流密度が１０ｍＡ／ｃｍ２未満であると、成膜速度が遅く生産性に劣る傾向が観られることがあり、０．５ｍＡ／ｃｍ２未満であると、生産性に劣ることがある。３０ｍＡ／ｃｍ２を超えると、表面光沢が損なわれる傾向が観られることがあり、１００ｍＡ／ｃｍ２を超えると、表面光沢が損なわれることがある。
前記パルスめっきの平均電流密度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、０．１〜１００ｍＡ／ｃｍ２が好ましく、０．１〜２０ｍＡ／ｃｍ２がより好ましい。
前記パルスめっきの電流密度が２０ｍＡ／ｃｍ２を超えると、表面光沢が損なわれる傾向が観られることがあり、１００ｍＡ／ｃｍ２を超えると、表面光沢が損なわれることがある。
ｏｎ時間、ｏｆｆ時間、デューティー比等のパルス条件については、めっき液や被めっき物の種類に応じて適宜選択することができる。
【００２０】
本発明の前記磁性薄膜の製造方法により製造された本発明の磁性薄膜は、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％以上であること以外は、その形状、構造、大きさ、厚み等の諸物性については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、磁気ディスク装置に好適に使用可能な、以下のような、Ｆｅ−Ｃｏ組成、飽和磁束密度（Ｂｓ）、表面粗さ（Ｒａ）等を有していることが好ましい。
【００２１】
前記形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基材の全面に形成されたベタの膜形状、パターン状などが挙げられる。
前記ベタの膜形状を有する磁性薄膜の形成方法としては、例えば、前記めっき液からなるめっき浴に前記基材を浸漬し、該基材表面の全面にベタのめっき膜を形成する方法、などが挙げられる。
前記パターン状の磁性薄膜の形成方法としては、例えば、前記基材の表面にレジストでパターン（例えば、ライン状）を形成してめっきを行い、パターン状のめっき膜を形成する方法、ベタ膜のめっき膜を形成後にレジストを塗布し所望のパターンを形成した後に、ウェット又はドライでエッチングする方法などが挙げられる。
前記構造としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。
前記磁性薄膜が、前記パターン状である場合、及び前記積層構造を有する場合、各パターン及び各層における飽和磁束密度（Ｂｓ）は、同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。
【００２２】
前記大きさとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記磁性薄膜を薄膜磁気ヘッド、磁気ディスクにおける記録層などに適用する場合には、既存の薄膜磁気ヘッド、記録層などの大きさに対応した大きさが好ましい。
前記厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前記磁性薄膜を薄膜磁気ヘッドに用いる場合、その構造上、１００〜５，０００ｎｍが好ましい。
【００２３】
前記Ｆｅ−Ｃｏ組成としては、前記Ｆｅの前記磁性薄膜における含有量が、６０質量％以上である限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、高飽和磁束密度（Ｂｓ）が得られる点で、７５％以上であるのが好ましい。なお、本発明の前記磁性薄膜の製造方法においては、前記光沢剤を使用しないので、前記Ｆｅの含有量が６０質量％以上であっても、得られる磁性薄膜の表面は、白濁することがなく適度な光沢性を有する。
前記Ｆｅ−Ｃｏ組成は、例えば、エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ（Energy  Dispersive  X-ray  Fluorescence  Spectrometer）、「ＥＭＡＸ−５７７０Ｗ」；堀場製作所製）を用いて測定することができる。
【００２４】
前記飽和磁束密度（Ｂｓ）は、磁界の増加に対してこれ以上磁束密度が上がらないときの値であり、例えば、磁気ヘッドのライト特性を向上させるためには、少しでも前記飽和磁束密度（Ｂｓ）が高いことが望ましく、この出願の時点では、該飽和磁束密度（Ｂｓ）は、例えば、２．３５Ｔ以上が好ましい。
前記飽和磁束密度（Ｂｓ）は、例えば、試料振動型磁束計（「ＭＯＤＥＬ  ＴＴ−５００」；理研電子製）により測定することができる。
【００２５】
前記表面粗さ（Ｒａ）としては、前記磁性薄膜表面が適度に光沢性を有する限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、触針式の表面粗さ計（「ＤＥＫＴＡＫ」；日本真空技術製）を用い、５０μｍライン分析により測定した値が、２ｎｍ以下が好ましく、１ｎｍ以下がより好ましい。
前記表面粗さ（Ｒａ）が２ｎｍを超えると、前記磁性薄膜表面の光沢性に劣ることがある。
【００２６】
本発明の磁性薄膜の製造方法は、Ｆｅ組成が高くても光沢剤を使用することなく良好な光沢性を付与することができ、高飽和磁束密度の磁性薄膜を安定的かつ高効率に製造することができる。
本発明の磁性薄膜は、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％以上であり、飽和磁束密度が高く、光沢性が良好であるため、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気ディスク装置、特に薄膜磁気ヘッドに好適に用いられる。
【００２７】
（磁気ディスク装置）
本発明の磁気ディスク装置は、本発明の前記磁性薄膜を少なくとも備え、更に必要に応じて適宜選択したその他の部材を備えてなる。
本発明の前記磁気ディスク装置は、前記磁性薄膜を、例えば、薄膜磁気ヘッドとして備えてもよいし、磁気ディスクにおける記録層として備えてもよい。
本発明の前記磁気ディスク装置の構成としては、本発明の前記磁性薄膜を備える限り、特に制限はなく、目的に応じて公知の磁気ディスク装置の構成を適宜選択することができる。
本発明の磁気ディスク装置は、本発明の前記磁性薄膜を少なくとも備えるので、磁気記録能力が高く、高性能である。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００２９】
（実施例１）
−磁性薄膜の製造−
まず、Ｓｉ基板の全面に、めっき用のシード層としてＮｉＦｅ膜を形成した。
【００３０】
−−めっき液の調製−−
下記組成に基づいて、めっき液を調製した。
スルファミン酸鉄五水和物                １００ｇ／Ｌ
スルファミン酸コバルト四水和物            ３２ｇ／Ｌ
ホウ酸（ｐＨ緩衝剤）                      ３０ｇ／Ｌ
アミド硫酸アンモニウム（導電助剤）        ５０ｇ／Ｌ
ドデシル硫酸ナトリウム（界面活性剤）  ０．０５ｇ／Ｌ    
【００３１】
−−パルスめっき−−
得られためっき液をめっき浴として用い、パルスめっきにより、Ｓｉ基板上の前記シート層表面に磁性薄膜を形成させた。該パルスめっきは、ｐＨ２．３、温度２５℃、電流付与の際の電流密度４０ｍＡ／ｃｍ２、ｏｎ時間１０ｍｓｅｃ、及びｏｆｆ時間９０ｍｓｅｃの条件にて行った。なお、ｐＨ調整に炭酸ナトリウムを使用した。
得られた磁性薄膜について、エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ（Energy  Dispersive  X-ray  Fluorescence  Spectrometer）、「ＥＭＡＸ−５７７０Ｗ」；堀場製作所製）を用いてＦｅ−Ｃｏ組成を測定した。その結果、Ｆｅ組成は７０．４質量％であった。
また、このときのＦｅ組成を基準として、スルファミン酸鉄五水和物の使用量を一定にしつつ、スルファミン酸コバルト四水和物の使用量を減少させてＦｅ組成が高い磁性薄膜を、スルファミン酸コバルト四水和物の使用量を増加させてＦｅ組成が低い磁性薄膜を、それぞれ作製した。磁性薄膜におけるＦｅ組成（含有量）と磁性薄膜の光沢性との関係を表１に示す。
【００３２】
【表１】
2006253418.tif 000002
【００３３】
表１より、実施例１のめっき液はスルファミン酸を含むので、光沢剤を含まないにもかかわらず、磁性薄膜表面に光沢性を付与することができ、Ｆｅ組成が高い領域（６０質量％以上）において、磁性薄膜表面が白濁しないことが判った。
次に、前記磁性薄膜について、触針式の表面粗さ計（「ＤＥＫＴＡＫ」；日本真空技術製）を用い、５０μｍライン分析により、表面粗さ（Ｒａ）を測定した。磁性薄膜におけるＦｅ組成（Ｆｅ（含有量）と磁性薄膜の表面粗さ（Ｒａ）との関係を表２に示す。
【００３４】
【表２】
2006253418.tif 000003
【００３５】
表２より、実施例１のめっき液はスルファミン酸を含むので、光沢剤を含まないにもかかわらず、得られる磁性薄膜の表面は平滑であり、Ｆｅ組成が高い領域において光沢性を有することが判った。
また、前記磁性薄膜について、試料振動型磁束計（「ＭＯＤＥＬ  ＴＴ−５００」；理研電子製）を用いて飽和磁束密度（Ｂｓ）を測定した。磁性薄膜におけるＦｅ組成（Ｆｅの含有量）と飽和磁束密度（Ｂｓ）との関係を表３に示す。
【００３６】
【表３】
2006253418.tif 000004
表３より、実施例１のめっき液を用いて形成した磁性薄膜は、Ｆｅ組成が高い領域において、高飽和磁束密度を有することが判った。
【００３７】
（比較例１）
−磁性薄膜の製造−
まず、Ｓｉ基板の全面に、めっき用のシード層としてＮｉＦｅ膜を形成した。
【００３８】
−−めっき液の調製−−
下記組成に基づいて、めっき液を調製した。
硫酸鉄七水和物                                      ２０ｇ／Ｌ
硫酸コバルト七水和物                            ０〜１２ｇ／Ｌ
ホウ酸（ｐＨ緩衝剤）                          ２０〜４０ｇ／Ｌ
塩化ナトリウム（導電助剤）                    ２０〜５０ｇ／Ｌ
サッカリンナトリウム二水和物（光沢剤）        ０．５〜２ｇ／Ｌ
ラウリル硫酸ナトリウム（界面活性剤）    ０．０１〜０．１ｇ／Ｌ    
なお、サッカリンナトリウム二水和物を添加しないでめっき液を調製し、該めっき液をめっき浴として用いたところ、磁性薄膜が基板から剥離し、正常に磁性薄膜の形成を行うことができなかった。
【００３９】
−−パルスめっき−−
得られためっき液をめっき浴として用い、パルスめっきにより、Ｓｉ基板上の前記シード層表面に磁性薄膜を形成させた。該パルスめっきは、ｐＨ２．３、温度２５℃、電流付与の際の電流密度４０ｍＡ／ｃｍ２、ｏｎ時間１０ｍｓｅｃ、及びｏｆｆ時間９０ｍｓｅｃの条件にて行った。なお、ｐＨ調整に炭酸ナトリウムを使用した。
得られた磁性薄膜について、エネルギー分散型蛍光Ｘ線分析装置（ＥＤＸ（Energy  Dispersive  X-ray  Fluorescence  Spectrometer）、「ＥＭＡＸ−５７７０Ｗ」；堀場製作所製）を用いてＦｅ−Ｃｏ組成を測定した。磁性薄膜におけるＦｅ組成（Ｆｅの含有量）と磁性薄膜の光沢性との関係を表４に示す。
【００４０】
【表４】
2006253418.tif 000005
【００４１】
表４より、比較例１では、光沢剤を使用したにもかかわらず、Ｆｅの組成（含有量）が高くなると、磁性薄膜の表面の光沢性が無くなり、７５質量％を超えると白濁が生じることが判った。
次に、前記磁性薄膜について、触針式の表面粗さ計（「ＤＥＫＴＡＫ」；日本真空技術製）を用い、５０μｍライン分析により、表面粗さ（Ｒａ）を測定した。磁性薄膜におけるＦｅ組成（Ｆｅ含有量）と磁性薄膜の表面粗さ（Ｒａ）との関係を表５に示す。
【００４２】
【表５】
2006253418.tif 000006
【００４３】
表５より、比較例１の磁性薄膜の表面は、Ｆｅの含有量が６０質量％程度の場合には平滑であることが判った。
また、前記磁性薄膜について、試料振動型磁束計（「ＭＯＤＥＬ  ＴＴ−５００」；理研電子製）を用いて飽和磁束密度（Ｂｓ）を測定した。磁性薄膜におけるＦｅ組成（含有量）と飽和磁束密度（Ｂｓ）との関係を表６に示す。
【００４４】
【表６】
2006253418.tif 000007
【００４５】
表１と表４とより、実施例１では、Ｆｅの含有量が７５質量％を超えても磁性薄膜の表面は光沢性を有するのに対し、比較例１では、光沢剤を使用したにもかかわらず、Ｆｅの含有量が７５質量％を超えると、磁性薄膜の表面には光沢性が無く、白濁が生じることが判った。また、表２と表５とより、実施例１の磁性薄膜は、Ｆｅの含有量が７８．２５質量％と多い場合にも表面粗さ（Ｒａ）が０．８ｎｍと滑らかである一方、比較例１の磁性薄膜は、Ｆｅの含有量が６１．６質量％の場合に、表面粗さ（Ｒａ）が０．９ｎｍであり、実施例１と比較してＦｅ含有量が多い場合の表面粗さ（Ｒａ）に劣ることが判った。更に、表３と表６とを比較すると、実施例１の磁性薄膜は、比較例１の磁性薄膜と同等あるいはそれ以上の高飽和磁束密度（Ｂｓ）を有することが判った。一方、比較例１の磁性薄膜は、光沢剤としてサッカリンナトリウム二水和物を用いたので、得られる磁性薄膜中に硫黄が不純物として存在し、飽和磁束密度がやや低いことが判った。
以上のことより、本発明の磁性薄膜の製造方法によれば、めっき条件のマージンが広く、光沢剤を使用しないにもかかわらず、Ｆｅ組成の高い領域においても、光沢剤を使用して形成した従来の磁性薄膜と比較して光沢性に優れ、しかも高飽和磁束密度を有する磁性薄膜が得られることが判った。本発明の磁性薄膜を薄膜磁気ヘッド等として磁気ディスク装置に用いると、該磁気ディスク装置は高記録及び高性能となり、製品の歩留まり向上及び信頼性向上を実現することができると認められる。
【００４６】
ここで、本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  磁気ディスク装置に用いられ、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％である磁性薄膜を、スルファミン酸塩を少なくとも含み、かつ光沢剤を含まないめっき液を用いて形成させることを含むことを特徴とする磁性薄膜の製造方法。
（付記２）  磁性薄膜の形成が、パルスめっきにより行われる付記１に記載の磁性薄膜の製造方法。
（付記３）  パルスめっきが、電流密度０．１〜１００ｍＡ／ｃｍ２で行われる付記２に記載の磁性薄膜の製造方法。
（付記４）  Ｆｅの磁性薄膜における含有量が、７５質量％以上である付記１から３のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法。
（付記５）  磁性薄膜の飽和磁束密度（Ｂｓ）が、２．３５Ｔ以上である付記１から４のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法。
（付記６）  触針式の表面粗さ計を用いた５０μｍライン分析による磁性薄膜の表面粗さ（Ｒａ）が、２ｎｍ以下である付記１から５のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法。
（付記７）  触針式の表面粗さ計を用いた５０μｍライン分析による磁性薄膜の表面粗さ（Ｒａ）が、１ｎｍ以下である付記１から６のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法。
（付記８）  光沢剤が、サッカリン、２−ブチン−１，４−ジオール、チオ尿酸、及びクマリンから選択される少なくとも１種である付記１から７のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法。
（付記９）  付記１から８のいずれかに記載の磁性薄膜の製造方法により製造されたことを特徴とする磁性薄膜。
（付記１０）  磁気ディスク装置に用いられ、Ｆｅ−Ｃｏ合金からなり、かつＦｅの含有量が６０質量％以上であり、飽和磁束密度（Ｂｓ）が２．３５Ｔ以上であることを特徴とする磁性薄膜。
（付記１１）  付記９から１０のいずれかに記載の磁性薄膜を少なくとも備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明の磁性薄膜はＦｅ−Ｃｏ合金からなり、飽和磁束密度が高く、光沢性が良好であり、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）等の磁気ディスク装置など、特に薄膜磁気ヘッド、磁気ディスクの記録層などに好適に使用することができる。
本発明の磁性薄膜の製造方法は、例えば、磁気ディスク装置、特に薄膜磁気ヘッドに用いられる磁性薄膜の製造に好適に使用することができ、Ｆｅ組成が高くても、光沢剤を使用することなく良好な光沢性を付与することができ、高飽和磁束密度の磁性薄膜を安定的かつ高効率に製造することができる。該磁性薄膜の製造方法は、本発明の前記磁性薄膜の製造に好適に使用することができる。
本発明の磁気ディスク装置は、本発明の前記磁性薄膜を少なくとも備え、高記録かつ高性能である。