(57)【要約】【課題】      イメージセンサや指紋センサなどの半導体デバイスを適切にバーンイン試験を行う方法及び装置を提供する。【解決手段】  半導体デバイスを所定の温度雰囲気中で動作させて試験を行うバーンイン試験方法において、半導体デバイスに電源を供給しながら、半導体デバイスの動作を指令する動作指令信号を繰り返し供給し、動作指令信号に対応する電源電流の増減をカウントする。カウントした増減回数が所定の保証回数に達しているか否かによって、初期故障期を過ぎた良品か否かを確認することができ、バーンイン試験により適切に不良デバイスを除去することができる。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを所定の温度雰囲気中で動作させて試験を行う試験方法において、
前記半導体デバイスに電源を供給しながら、前記半導体デバイスの動作を指令する動作指令信号を繰り返し供給し、前記動作指令信号に対応する電源電流の増減をカウントすることを特徴とする試験方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体デバイスは、電源供給中に前記動作指令信号に応答して撮像動作を行うイメージセンサであることを特徴とする試験方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記半導体デバイスは、電源供給中に動作指令信号に応答して指紋形状の認識動作を行う指紋センサであることを特徴とする試験方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記半導体デバイスは、電源供給状態では所期の動作を行わずにスタンバイ状態となり、動作指令に応答して所期の動作を実行する動作状態となる半導体デバイスであることを特徴とする試験方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記動作指令信号に対応する電源電流の増減回数が、第１の回数に達した場合に良品とし、当該第１の回数に達しない場合に不良品と判断することを特徴とする試験方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記動作指令信号の供給は、前記第１の回数より大きい第２の回数に達するまでに繰り返し行われることを特徴とする試験方法。
【請求項７】
半導体デバイスを所定の温度雰囲気中で動作させて試験を行う試験装置において、
前記半導体デバイスを収容し、前記所定の温度雰囲気中に維持する恒温槽と、
前記恒温槽内に収容された半導体デバイスに電源を供給しながら、前記半導体デバイスの動作を指令する動作指令信号を繰り返し供給し、前記動作指令信号に対応する電源電流の増減をカウントする試験ユニットとを有することを特徴とする試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの試験方法及び試験装置に関し、特に、電源通電状態では動作しない特殊な半導体デバイスに対する有効な試験方法及び試験装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
初期不良を起こす半導体デバイスを取り除くために行われる試験を、バーンイン試験と呼んでいる。
【０００３】
図１は、半導体デバイスの一般的な故障率変化を示す図である。横軸は動作時間、縦軸は故障率である。図１は、一般にバスタブ曲線と呼ばれるものであり、動作時間が短い間の初期故障期T1では故障率が高く、初期故障期T1を過ぎると故障率は低く安定し、偶発的にしか故障せず、この期間は偶発故障期T2と呼ばれ、最後に動作時間が限界に近づくと故障率が上昇し、この期間は摩耗故障期T3と呼ばれる。
【０００４】
このように、半導体デバイスは、初期故障期T1を過ぎると故障率が大きく低下するので、出荷時において、高温状態に制御された恒温槽内に半導体デバイスを挿入し、通電して加速試験を行って初期故障を促進させて、初期故障期T1で故障になる可能性のある半導体デバイスを取り除くことが行われている。これがバーンイン試験である。かかるバーンイン試験については、例えば、以下の特許文献１，２などに示されている。
【０００５】
特許文献１に示されたバーンイン試験方法では、恒温槽に挿入した被試験デバイスのＣＭＯＳ型集積回路に電源電圧と入力テストパターンを供給し、被試験デバイスが安定状態の時に、静止電源電流が所定の閾値を超えるか否かにより故障を検出する。また、特許文献２には、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）集積回路といった、特殊な構造のデバイスに対するバーンイン試験方法が記載されている。
【特許文献１】特開平１１−１４２４７１号公報
【特許文献２】特開平７−５２３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載されたバーンイン試験方法では、被試験デバイスに対応した入力テストパターンを生成する必要がありコストアップになる。そのため、特定用途向け半導体デバイスなど様々な機能を有する半導体デバイスに対しては、恒温槽内に被試験デバイスを挿入し、電源電圧だけを印加し、その電源電流の変化を監視するにとどまっている。高温状態で電源電圧が印加されることで、半導体デバイスにある程度のストレスをかけることができ、加速試験中の電源電流が所定のレベルであれば良品、所定のレベルを超えれば何らかの不良が発生したとして不良品と判別される。つまり、この方法では、入力テストパターンを利用することによる通常の動作状態を再現することができず、不完全な試験方法であることを否定できない。
【０００７】
半導体デバイスでも、メモリの場合は、アドレスを変化させながら書き込みと読み出しを繰り返すというバーンイン試験方法が行われる。メモリの場合は、データの書き込みと読み出し動作を確認している。
【０００８】
半導体デバイスのうち、撮像機能を有するイメージセンサや指紋センサなどは、使用上所定の動作回数を保証するものであり、通常状態では何ら動作を行うことなく、動作指令に応答して所定の内部動作を行い、その後通常状態に戻るものである。従って、かかる半導体デバイスは、特定用途向け半導体デバイスのような複雑な論理機能を有するものではなく、また、メモリのような書き込みと読み出しが行われるものでもない。そのため、このような半導体デバイスに対しては、まだ適切なバーンイン試験方法が提案されていない。上記のような特定用途向け半導体デバイスのように単に電源電圧を印加して加速試験を行うだけでは、バーンイン試験としては不十分であり、適切なバーンイン試験方法の提案が要望されている。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、イメージセンサや指紋センサなどの半導体デバイスを適切にバーンイン試験を行う方法及び装置を提供するものである。
【００１０】
また、今回の発明は高温状態だけでなく、常温状態での加速試験も含めるものとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明の側面によれば、半導体デバイスを所定の温度雰囲気中で動作させて試験を行うバーンイン試験方法において、前記半導体デバイスに電源を供給しながら、前記半導体デバイスの動作を指令する動作指令信号を繰り返し供給し、前記動作指令信号に対応する電源電流の増減をカウントすることを特徴とする。
【００１２】
上記の側面において、好ましい実施例によれば、半導体デバイスは、動作指令信号に応答して撮像動作を実行するイメージセンサ、または、動作指令信号に応答して指紋形状の認識動作を実行する指紋センサを含み、電源供給状態では所期の動作を行わずにスタンバイ状態となり、動作指令に応答して所期の動作を実行する動作状態となる半導体デバイスを含む。
【００１３】
上記の側面において、好ましい実施例によれば、前記動作指令信号に対応する電源電流の増減回数が、第１の回数に達した場合に良品とし、当該第１の回数に達しない場合に不良品と判断することを特徴とする。更に好ましくは、前記動作指令信号の供給は、前記第１の回数より大きい第２の回数に達するまで繰り返し行われることを特徴とする。このように、動作指令信号に対応する電源電流の増減回数が第１の回数に達した半導体デバイスは、初期故障期を超えて動作可能であると判断することができる。従って、第１の回数は、所期故障期を超えて動作可能と判断できるような回数に設定する。また、偶発的に電源電流の増減が生じなかったデバイスを救済するために、動作指令信号の供給回数を、第１の回数より多い第２の回数までにする。これにより、バーンイン試験が不必要に長時間を要することを回避することができる。  
【発明の効果】
【００１４】
本発明の側面によれば、半導体デバイスに電源供給しながら動作指令信号を繰り返し供給し、その動作指令信号に対応する電源電流の増減回数をカウントし、その増減回数によって、初期故障期を過ぎた良品か否かを確認することができる。従って、バーンイン試験により適切に不良デバイスを除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。
【００１６】
図２は、本実施の形態における半導体デバイスのバーンイン試験装置の構成図である。恒温槽１０には、恒温槽内を所望の温度状態にする恒温槽制御部１４有する。恒温槽１０内には、被試験デバイスである半導体デバイスが複数挿入され、駆動部１２により電源が供給される。また、駆動部１２は、恒温槽制御部１４の指令に応答して、半導体デバイスに動作指令信号を繰り返し供給する。そして、電流監視部１６は、動作指令信号に対応する電源電流の増減を監視し、電源電流の増減を検出する。
【００１７】
バーンイン試験制御ユニット２０は、恒温槽１０内に挿入された半導体デバイスのバーンイン試験の制御を行う。具体的には、このバーンイン試験制御ユニット２０では、動作指令信号の供給回数の上限値（第２の回数）と、良品と判定される電源電流の増減回数（第１の回数）の設定が行われる。また、電源電流の増加と減少を判定するための閾値の設定も行われる。そして、かかる設定値に対応するバーンイン試験の指示が恒温槽制御部１４に対して行われる。例えば、第１の回数として１０００回、第２の回数として１１００回が設定されると、バーンイン試験制御ユニット２０は、恒温槽制御部１４を介して、駆動部１２に動作指令信号を繰り返し供給させ、電流監視部１６が検出する電源電流の増減回数をカウントし、動作指令信号が１１００回供給される間に、増減回数が１０００回に達した半導体デバイスを良品と判定し、増減回数が１０００回に達しない半導体デバイスは不良品と判定する。全ての半導体デバイスが、増減回数１０００回に達した場合は、全てのデバイスが良品と判定され、動作指令信号の供給は停止される。１個でも増減回数１０００回に達しない間は、動作指令信号が繰り返し供給され、但し、その動作指令信号の供給が１１００回に達したら、そのロットのバーンイン試験は終了する。
【００１８】
図３は、被試験半導体デバイスの一例であるイメージセンサの構成図である。この例は、例えばＣＭＯＳイメージセンサであり、イメージセンサ３０は、光電変換素子を有するセルをマトリクス状に有するセルアレイ３４と、セルアレイに対してリセット信号、走査信号などを供給する駆動回路３２と、セルアレイの各セルから読み出される信号を検出する出力回路３６と、出力回路により検出された信号を画像処理して撮像出力ＯＵＴを生成する画像処理回路３８などを有する。また、イメージセンサ３０には、電源電圧Ｖｃｃとグランド電源ＧＮＤとが接続される。そして、バーンイン試験のために電源電圧Ｖｃｃの電源電流を検出する電流検出手段ＰＣが接続される。この電流検出手段ＰＣは、図２の電流監視部１６に含まれ、この電流検出手段ＰＣが検出する電流値が、所定の閾値を上回りそして下回ることで、電源電流の増減が検出される。
【００１９】
イメージセンサは、電源Ｖｃｃが供給された状態では、所期の動作を行わず一種のスタンバイ状態になっている。この状態では、電源電流はほぼゼロまたはわずかに消費されるにすぎない。そして、撮像指令などの動作指令信号ＩＮＳＴが供給されると、それに応答して、例えば、セルのリセット、光電変換を行う撮像動作、撮像期間終了後のセルの信号を読み出す信号検出動作、検出された信号を処理する画像処理動作とそれぞれ実行し、撮像出力ＯＵＴを出力する。つまり、動作指令信号に応答して一定期間にわたり動作状態になる。この動作状態では、内部回路が動作し電源電流を消費するため、電源電流が増加し、動作状態が終了してスタンバイ状態に戻ると電源電流は減少する。したがって、動作指令信号ＩＮＳＴに対応して電源電流が増減するか否かを確認することで、間接的に正常動作したか否かを確認することができる。
【００２０】
図４、図５は、本実施の形態におけるバーンイン試験方法を説明する図である。図中、動作指令信号ＩＮＳＴの供給タイミングと、それに対応する電源電流ＰＣの増減波形が示されている。電源電流ＰＣの波形に対して、電流値０より高い最小監視電流値ＭＩＮと最大監視電流値ＭＡＸと、電源電流の増減を判定する閾値Ｖｔｈとが設定されている。そして、図２の電流監視部１６は、電源電流ＰＣの電流値を最小監視電流値ＭＩＮと最大監視電流値ＭＡＸの間で監視し、その電流値が閾値Ｖｔｈを上回った時と、下回った時とを検出する。
【００２１】
動作指令信号ＩＮＳＴが供給されると、スタンバイ状態にあったイメージセンサは、一連の撮像動作を行い、スタンバイ状態に戻る。そこで、例えば動作状態ＴＡを０．５秒、スタンバイ状態Ｔｓを１．５秒で繰り返すように、動作指令信号ＩＮＳＴが２秒間隔で繰り返し供給される。良品のデバイスであれば、動作指令信号ＩＮＳＴに応答して撮像動作を実行し、その間のＴＡ期間は、電源電流が増加する。図４の例は、良品デバイスの場合の電源電流ＰＣの波形であり、全ての動作指令信号ＩＮＳＴに対応して電源電流が増減している。例えば、スタンバイ状態ＴＳでは電源電流１０ｍＡ（デバイス１個当たり）で、動作状態ＴＡでは電源電流３０ｍＡである。この電流値は、被試験デバイスに固有の値である。
【００２２】
一方、図５の例は、不良品デバイスの場合の電源電流波形である。つまり、最初の２回の動作指令信号ＩＮＳＴに対応しては電源電流ＰＣが増減したが、３回目以降の動作指令信号ＩＮＳＴに対応する電源電流ＰＣの増減は発生していない。つまり、最初の２回の動作による加速動作の結果、欠陥が顕在化され、初期不良に陥った例である。
【００２３】
このように、バーンイン試験において、所定の高温雰囲気中に被試験デバイスのイメージセンサを挿入し、電源を供給しながら、動作指令信号の供給を繰り返すことで、イメージセンサを実際に動作させることができる。そして、それが正常に動作しているか否かを電源電流の増減の有無で確認することができる。そこで、動作指令信号の供給を繰り返し、それに対応する電源電流の増減回数をカウントし、正常動作に対応する増減回数が所定の保証回数（第１の回数）に達したら良品と判定し、所定の保証回数に達することができなかったら不良品と判定することで、初期不良を起こすデバイスを除去することができる。この方法であれば、複雑な入力テストパターンを生成する必要もなく、出力信号の良否判定をする必要もないので、低コストで適切なバーンイン試験を行うことができる。
【００２４】
図６は、本実施の形態におけるバーンイン試験方法を説明する図である。図６には、３つのデバイス（ａ）（ｂ）（ｃ）の電源電流波形が示されている。デバイス（ａ）は全ての動作指令信号に対応して電源電流の増減が生じる良品デバイスであり、デバイス（ｂ）は何らかの理由で偶発的に電源電流の増減が生じないことがあるデバイスであり、デバイス（ｃ）は電源電流の増減は生じない不良デバイスである。この場合、良品デバイス（ａ）は、動作指令信号をＮ１回供給すると、電源電流の増減回数もＮ１回に達している。これに対して、デバイス（ｂ）は、偶発的に電源電流の増減が生じないで、増減回数がＮ１に達していない。また、不良デバイス（ｃ）は、電源電流の増減が生じていない。
【００２５】
このような場合、本実施の形態のバーンイン試験では、動作指令信号をＮ１回を超えて供給を繰り返す。それにより、デバイス（ｂ）の電源電流の増減回数がＮ１回に達する場合があり、そのようなデバイス（ｂ）は良品デバイスと判定する。但し、動作指令信号を無限に供給すると、バーンイン試験自体が長時間になるので、動作指令信号の供給回数の上限をＮ２回（第２の回数）に設定し、その上限回数の動作指令信号を供給しても、電源電流の増減回数がＮ１回に達しない場合は、不良品と判定する。これにより、デバイス（ｂ）のようなものを良品として救済することができる。
【００２６】
図７は、本実施の形態におけるバーンイン試験方法のフローチャート図である。まず、バーンインボードに被試験デバイスを実装し（Ｓ１０）、そのバーンインボードを恒温槽に挿入する（Ｓ１２）。一方で、バーンイン試験制御ユニット２０に、保証回数Ｎ１と、動作指令信号の最大供給回数Ｎ２と、電源電流増減判定のための閾値Ｖｔｈなどの設定情報を入力する（Ｓ１４）。そして、バーンイン試験が開始される（Ｓ１６）。このバーンイン試験では、恒温槽内を高温状態に維持し、被試験デバイスに電源を供給しながら動作指令信号を繰り返し供給し、それに対応する電源電流の増減をカウントする（Ｓ１８）。電源電流の増減については、電源電流が閾値Ｖｔｈを上回り且つ下回ることで、１回の増減が検出される。
【００２７】
バーンイン試験制御ユニット２０は、電源電流監視部１６からの電源電流が閾値を上回ったことの検出と、下回ったことの検出とから、動作回数を換算する（Ｓ２０）。例えば、１対の上回った検出と下回った検出とで、１回の動作とみなす。そして、検出した動作回数が動作保証回数Ｎ１を超えたか否かを確認する（Ｓ２２）。全ての被試験デバイスの動作回数が動作保証回数Ｎ１を超えると、全デバイス良品となってバーンイン試験は終了する。一部の被試験デバイスの動作回数が動作保証回数Ｎ１に満たない場合は、動作指令信号の供給を動作指令回数の上限値Ｎ２まで繰り返し（Ｓ２４）、その間に動作回数が動作保証回数Ｎ１に達したデバイスは良品と判定し（Ｓ２２）、それでも動作回数が動作保証回数Ｎ１に達しないデバイスは不良品と判定する。
【００２８】
なお、動作回数が動作保証回数Ｎ１に達した被試験デバイスには、その後、動作指令信号を与えないで、無駄に動作を繰り返すことを回避するようにするのがより好ましい、この場合は、被試験デバイス毎に動作指令信号の供給と供給停止とを制御可能にする必要がある。
【００２９】
以上のように、高温状態で電源を供給しながら、動作指令信号を所定の時間間隔で繰り返し供給することで、被試験デバイスをスタンバイ状態と動作状態とに繰り返し制御し、動作指令信号に対応する電源電流の増減をカウントして、動作保証回数Ｎ１に達すれば良品、達しなければ初期不良発生とみなし不良品と判定する。また、動作指令回数をＮ１より高いＮ２回にすることにより、本来良品であるがたまたま偶発的な理由により少ない回数しか電源電流の増減が検出されなかったデバイスも良品として救済することが可能となる。
【００３０】
図８は、被試験半導体デバイスの一例である指紋センサの構成図である。指紋センサ４０は、センサアレイ４１に検体である指紋が押しつけられた時に、その指紋の凹凸に対応したセルの蓄積電荷の違いを電気信号で検出し出力する。つまり、通常状態では、センサアレイによる指紋パターンの検出は行われず、指紋が押しつけられた時だけ指紋パターンの検出動作が行われる。
【００３１】
図８に示した指紋センサ４０は、指紋の凹凸を検出するセンサアレイ４１と、センサアレイのセルの信号を検出するサンプル・ホールド回路４２と、検出されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡＤ変換部４３とを有する。更に、デバイス４０は、８ビットのデータ入出力端子Ｄと、データレジスタ４７と、インデックスレジスタ４６と、制御ユニット４５と、ファンクションレジスタ４４と、発振器ＯＳＣとを有する。指紋センサには、種々の動作モードがあり、その動作モードは、ファンクションレジスタ４４に登録される。即ち、データ入出力端子Ｄに供給されたコマンドが、イネーブル信号ＥＮＢに応答してインデックスレジスタ４６に取り込まれ、ファンクションレジスタ４４に登録される。動作モードには、例えば、指紋が押しつけられた時のみ動作する通常動作モード、省電力状態のパワーダウンモードなどである。更に、動作モードには、指紋が押しつけられることなくセンサアレイの信号を検出し出力する疑似動作モードが含まれる。
【００３２】
通常動作モードに設定された場合は、指紋がセンサアレイ４１に押しつけられることに応答して、センサアレイのセル信号がサンプル・ホールド回路４２、ＡＤコンバータ４３、ファンクションレジスタ４４、データレジスタ４７を経由して、データ入出力端子Ｄから出力される。また、疑似動作モードに設定された場合は、センサアレイのセル信号が同様に出力される。そして、パワーダウンモードに設定されると、省電力状態にされる。
【００３３】
上記指紋センサのバーンイン試験は、次のように行われる。指紋センサの場合、通常動作モードでは、指紋をセンサアレイに押しつけなければ検出動作を実行しないので、電源を供給しながら、上記の疑似動作モードの設定と、パワーダウンモードの設定とを交互に繰り返す。疑似動作モードの設定には、疑似動作モードコマンドをデータ入出力端子Ｄに与えると共に、イネーブル信号ＥＮＢを与える。これにより、疑似動作モードが設定され、センサアレイに指紋を押しつけることなく擬似的な検出動作が実行される。また、パターダウンモードコマンドをデータ入出力端子Ｄに与えると共に、イネーブル信号ＥＮＢを与える。これにより省電力状態にされる。
【００３４】
上記のように、疑似動作モードとパワーダウンモードの設定を交互に繰り返しながら、電源電流ＰＣを監視することで、イメージセンサと同様に動作保証回数の動作確認を行うことができる。
【００３５】
図９は、イメージセンサや指紋センサ以外の被試験デバイスの構成図である。この被試験デバイスも、イメージセンサや指紋センサのように、電源Ｖｃｃ供給状態では動作せずスタンバイ状態であり、動作指令信号ＩＮＳＴの供給を受けた時に初めて動作するものとする。この被試験デバイス５０は、入力回路５２と、論理回路５４，５６と、出力回路５８とを有し、入力回路５２に動作指令信号ＩＮＳＴが供給されると、入力パターンＩＮＰＵＴが取り込まれ、論理回路５４に転送される。そして、論理回路５４，５６で所定の論理演算が実行され、出力回路５８が演算結果を出力する。このように、被試験デバイスが、電源Ｖｃｃに接続しただけではスタンバイ状態にしかならず、動作指令信号ＩＮＳＴを供給して初めて所定の内部動作を実行し、その動作が完了すると再度スタンバイ状態に戻る場合、上記のバーンイン試験方法が有効である。従来のように、試験のための入力テストパターンを入力パターンＩＮＰＵＴに供給し、それに対応する出力ＯＵＴが期待出力パターンと一致するか否かを確認するような試験は、試験コストが高くなり、現実的ではない場合がある。それに対して、上記のバーンイン試験方法では、その工程が簡単で試験コストを低く抑えることができる。
以上の実施の形態をまとめると以下の付記の通りである。
【００３６】
（付記１）半導体デバイスを所定の温度雰囲気中で動作させて試験を行う試験方法において、
前記半導体デバイスに電源を供給しながら、前記半導体デバイスの動作を指令する動作指令信号を繰り返し供給し、前記動作指令信号に対応する電源電流の増減をカウントすることを特徴とする試験方法。
【００３７】
（付記２）付記１において、
前記半導体デバイスは、電源供給中に前記動作指令信号に応答して撮像動作を行うイメージセンサであることを特徴とする試験方法。
【００３８】
（付記３）付記２において、
前記動作指令信号は、撮像指令信号であることを特徴とする試験方法。
【００３９】
（付記４）付記１において、
前記半導体デバイスは、電源供給中に動作指令信号に応答して指紋形状の認識動作を行う指紋センサであることを特徴とする試験方法。
【００４０】
（付記５）付記４において、
前記動作指令信号は、指紋の押しつけにかかわらず指紋形状の認識動作を行う疑似動作モードを指定する信号であることを特徴とする試験方法。
【００４１】
（付記６）付記１において、
前記半導体デバイスは、電源供給状態では所期の動作を行わずにスタンバイ状態となり、動作指令に応答して所期の動作を実行する動作状態となる半導体デバイスであることを特徴とする試験方法。
【００４２】
（付記７）付記１において、
前記動作指令信号に対応する電源電流の増減回数が、第１の回数に達した場合に良品とし、当該第１の回数に達しない場合に不良品と判断することを特徴とする試験方法。
【００４３】
（付記８）付記７において、
前記動作指令信号の供給は、前記第１の回数より大きい第２の回数に達するまでに繰り返し行われることを特徴とする試験方法。
【００４４】
（付記９）半導体デバイスを所定の温度雰囲気中で動作させて試験を行う試験装置において、
前記半導体デバイスを収容し、前記所定の温度雰囲気中に維持する恒温槽と、
前記恒温槽内に収容された半導体デバイスに電源を供給しながら、前記半導体デバイスの動作を指令する動作指令信号を繰り返し供給し、前記動作指令信号に対応する電源電流の増減をカウントする試験ユニットとを有することを特徴とする試験装置。
【００４５】
（付記１０）付記９において、
前記試験ユニットは、前記動作指令信号に対応する電源電流の増減回数が、第１の回数に達した場合に良品とし、当該第１の回数に達しない場合に不良品と判断することを特徴とする試験装置。
【００４６】
（付記１１）付記９において、
前記試験ユニットは、前記動作指令信号の供給を、前記第１の回数より大きい第２の回数に達するまでに繰り返し行うことを特徴とする試験装置。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】半導体デバイスの一般的な故障率変化を示す図である。
【図２】本実施の形態における半導体デバイスのバーンイン試験装置の構成図である。
【図３】被試験半導体デバイスの一例であるイメージセンサの構成図である。
【図４】本実施の形態におけるバーンイン試験方法を説明する図である。
【図５】本実施の形態におけるバーンイン試験方法を説明する図である。
【図６】本実施の形態におけるバーンイン試験方法を説明する図である。
【図７】本実施の形態におけるバーンイン試験方法のフローチャート図である。
【図８】被試験半導体デバイスの一例である指紋センサの構成図である。
【図９】イメージセンサや指紋センサ以外の被試験デバイスの構成図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０：恒温槽、１２：駆動部、１４：恒温槽制御部、１６：電源電流監視部
２０：バーンイン試験制御ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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