(57)【要約】【課題】  イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供する。【解決手段】  ウェハＷ１〜Ｗ８を装着する装着部５１、その装着部５１を取り付ける支持部５２及び装着部５１と支持部５２とがなすコーン角度θｃを調整する角度調整機構５３とを備える回転ディスク５０と、ウェハＷ１〜Ｗ８に照射されるイオンビーム１００の進行方向とウェハＷ１〜Ｗ８の表面Ｓの法線方向２００とがなすチルト角度θｔを検出する検出器４０と、チルト角度θｔに基づき角度調整機構５３を制御する角度制御装置７０とを備える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを装着する装着部、該装着部を取り付ける支持部及び前記装着部と前記支持部とがなすコーン角度を調整する角度調整機構とを備える回転ディスクと、
前記ウェハに照射されるイオンビームの進行方向と前記ウェハの表面の法線方向とがなすチルト角度を検出する検出器と、
前記チルト角度に基づき前記角度調整機構を制御する角度制御装置
とを備えることを特徴とするイオン注入装置。
【請求項２】
前記回転ディスクが、前記法線方向を回転軸として前記ウェハを回転する回転機構を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のイオン注入装置。
【請求項３】
導電性を有し、前記ウェハを前記装着部に固定するペディスタルを更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載のイオン注入装置。
【請求項４】
回転ディスクの装着部に複数のウェハを装着するステップと、
前記回転ディスクを回転させるステップと、
前記ウェハ及びウェハ間にイオンビームを照射するステップと、
前記イオンビームの進行方向と前記ウェハの表面の法線方向とがなすチルト角度を前記ウェハ間において検出するステップと
前記チルト角度に基づき、前記装着部と該装着部が取り付けられた前記回転ディスクの支持部とがなすコーン角度を調整するステップ
とを含むことを特徴とするイオン注入方法。
【請求項５】
前記法線方向を回転軸として前記ウェハを回転するステップを更に含むことを特徴とする請求項４に記載のイオン注入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造装置に係り、特にイオン注入装置及びイオン注入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程におけるウェハへの不純物のドーピング方法として、イオン注入装置が用いられている。複数のウェハを一度に処理するバッチ式イオン注入装置では、複数のウェハが円周に沿って並べて装着された回転ディスクを回転させながらイオン注入を行う。回転ディスクを回転させた際の遠心力によってウェハが移動しないように、回転ディスクの回転軸に垂直な面に対して、ウェハを装着した部分に傾きを設ける。そして回転ディスクを回転させてウェハのイオン注入を行っている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
しかし、回転ディスクの回転軸に垂直な面に対してウェハを装着した部分に傾きがある場合、イオンビームがウェハに照射される角度がウェハ面内で一定でなくなる。そのため、ウェハ径が大きくなるに従い、ウェハ面内に生じる不純物濃度のばらつきが問題となる。更に、その結果、半導体装置の特性にウェハ面内ばらつきが発生し、大口径ウェハでは、特に問題となってきている。
【特許文献１】特開２００２−１８４３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴は、（イ）ウェハを装着する装着部、その装着部を取り付ける支持部及び装着部と支持部とがなすコーン角度を調整する角度調整機構とを備える回転ディスクと、（ロ）ウェハに照射されるイオンビームの進行方向とウェハの表面の法線方向とがなすチルト角度を検出する検出器と、（ハ）チルト角度に基づき角度調整機構を制御する角度制御装置とを備えるイオン注入装置であることを要旨とする。
【０００６】
本発明の第２の特徴は、（イ）回転ディスクの装着部に複数のウェハを装着するステップと、（ロ）回転ディスクを回転させるステップと、（ハ）ウェハ及びウェハ間にイオンビームを照射するステップと、（ニ）イオンビームの進行方向とウェハの表面の法線方向とがなすチルト角度をウェハ間において検出するステップと、（ホ）チルト角度に基づき、装着部とその装着部が取り付けられた回転ディスクの支持部とがなすコーン角度を調整するステップとを含むイオン注入方法であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、イオンビームがウェハに照射される角度のウェハ面内ばらつきを抑制するイオン注入装置及びイオン注入方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に、図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。又、以下に示す第１及び第２の実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の技術的思想は、構成部品の構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
【０００９】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るイオン注入装置は、図１及び図２に示すように、ウェハＷ１〜Ｗ８を装着する装着部５１、その装着部５１を取り付ける支持部５２及び装着部５１と支持部５２とがなすコーン角度θｃを調整する角度調整機構５３とを備える回転ディスク５０と、ウェハＷ１〜Ｗ８に照射されるイオンビーム１００の進行方向とウェハＷ１〜Ｗ８の表面Ｓの法線方向２００とがなすチルト角度θｔを検出する検出器４０と、チルト角度θｔに基づき角度調整機構５３を制御する角度制御装置７０とを備える。
【００１０】
図２に示すように、回転ディスク５０にウェハＷ１〜Ｗ８が装着されている。図１は、図２のＩ−Ｉ方向の回転ディスク５０の構造断面図である。そのため、図１では、ウェハＷ１、Ｗ５のみが示されている。図１に示したイオン注入装置では、回転ディスク５０が回転軸３００を中心に回転しながら、ウェハＷ１〜Ｗ８にイオン注入を行う。図２は、回転ディスク５０にウェハＷ１〜Ｗ８を装着した例を示しているが、回転ディスク５０に装着されるウェハの数は８枚に限定されないことは勿論である。
【００１１】
又、図１に示すように、ウェハＷ１〜Ｗ８はペディスタルＰ１〜Ｐ８によって、回転ディスクに固定される。ウェハＷ１〜Ｗ８を回転ディスク５０に固定する部分を、「ペディスタル」という。図１では、ペディスタルＰ１、Ｐ５のみ図示されているが、ウェハＷ１〜Ｗ８がペディスタルＰ１〜Ｐ８によって回転ディスク５０にそれぞれ固定される。ペディスタルＰ１〜Ｐ８の材料には、シリコンゴム等の絶縁物が採用可能である。
【００１２】
図１に示したイオン注入装置は、イオン源１０、質量分離器２０、加速器３０及びディスク制御器６０を更に備える。イオン源１０は、イオンビーム１００を出力する。質量分離器２０は、イオンビーム１００から所定の質量のイオンのみを分離して取り出す。加速器３０は、質量分離器２０により所定の質量のイオンのみが取り出されたイオンビーム１００を加速する。ディスク制御器６０は、回転ディスク５０の回転軸３００方向に対する垂直方向への移動を制御する。つまり、図１に示したイオン注入装置は、回転ディスク５０を上下左右に機械的に移動してイオン注入を行うメカニカルスキャン方式のイオン注入を行う。
【００１３】
図１に示したイオン注入装置では、装着部５１と支持部５２とがなす鋭角の大きさコーン角度θｃを調整する角度調整機構５３を備える。角度調整機構５３は、回転ディスク５０の回転軸３００に垂直な面とウェハＷ１〜Ｗ８の表面Ｓとがなす角度を調整可能である。以下では、説明をわかりやすくするために、回転軸３００に垂直な面とウェハＷ１〜Ｗ８の表面Ｓとがなす角度がコーン角度θｃである場合を説明する。
【００１４】
既に述べたように、チルト角度θｔは、イオンビーム１００の進行方向と、イオンビーム１００が照射されるウェハＷ１〜Ｗ８の表面Ｓの法線方向２００とがなす鋭角の大きさである（図３参照）。又、図４に示すように、イオンビーム１００のウェハ面への射影線１０１と、ウェハ中心とノッチを通過する直線２０１とがなす角度を、「ツイスト角度θｗ」とする。
【００１５】
コーン角度θｃが設定されているため、回転ディスク５０の回転軸３００方向とイオンビーム１００の進行方向が平行ではない場合は、ウェハの一点、例えばウェハ中心でチルト角度θｔを設定してイオン注入したときに、チルト角度θｔの面内ばらつきが生じる。特に、イオンビーム１００が回転ディスク５０の端部に近い部分に照射される場合と、回転ディスク５０の中心部に近い部分に照射される場合のチルト角度θｔの差が大きい。
【００１６】
一方、回転ディスク５０の回転軸３００の方向とイオンビーム１００の進入方向を一致させた場合は、ウェハ面内でチルト角度θｔはばらつかない。しかし、不純物を注入するウェハ面の結晶方位等の条件によって、回転ディスク５０の回転軸３００の方向とイオンビーム１００の進入方向に任意の角度を保持してイオン注入を行いたい場合がある。そのため、回転ディスク５０の回転軸３００方向とイオンビーム１００の進入方向を常に一致させることはできない。
【００１７】
図５に、コーン角度θｃ＝５°の場合に、ウェハ中心のチルト角度θｔ＝５°且つツイスト角度θｗ＝０°に設定してウェハＷ１〜Ｗ８にイオン注入したときの、チルト角度θｔのウェハ面内ばらつきΔθｔを示す。又、図６にコーン角度θｃ＝５°の場合に、ウェハ中心のチルト角度θｔ＝７°且つツイスト角度θｗ＝２３°に設定してイオン注入したときの、チルト角度θｔのウェハ面内ばらつきΔθｔを示す。図６と比較して、図５で示したチルト角度θｔのウェハ面内ばらつきΔθｔは小さい。つまり、コーン角度θｃとチルト角度θｔを一致させてイオン注入を行うことにより、チルト角度θｔのウェハ面内ばらつきΔθｔを抑制できる。
【００１８】
ここで、検出器４０がチルト角度θｔを検出する方法の例を図７（ａ）及び図７（ｂ）を用いて説明する。イオンビーム１００を検出器４０に入射させるには、例えば装着部５１に装着されたウェハＷ１〜Ｗ８の間にそれぞれ隙間を設け、イオンビーム１００が回転ディスク５０を通過するようにすればよい。
【００１９】
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように検出器４０は、第１スリット４１、第２スリット４２及び検出部４３を有する。第１スリット４１及び第２スリット４２を通過したイオンビーム１００が検出部４３に照射される。検出部４３は、照射されたイオンビーム１００の照射量によってチルト角度θｔを検出する。尚、図７（ａ）及び図７（ｂ）においては、イオンビーム１００をグレイ表示している。
【００２０】
例えば、図７（ａ）に示すように、第１スリット４１と第２スリット４２を結ぶ直線と平行にイオンビーム１００が検出器４０に入射された場合、検出部４３に照射されるイオンビーム量は最大になる。又、第１スリット４１、第２スリット４２或いは検出部４３を移動して、移動量とイオンビーム１００の照射量を解析することで、チルト角度θｔを検出できる。一方、図７（ｂ）に示すように、第１スリット４１と第２スリット４２を結ぶ直線に対して角度をもってイオンビーム１００が検出器４０に入射された場合、その角度に応じて検出部４３に照射されるイオンビーム量は変化する。その結果、検出部４３はチルト角度θｔの変化を検出できる。図７（ａ）及び図７（ｂ）では、スリットが２つである例を示したが、スリットが３つ以上あってもよい。
【００２１】
以下に、第１の実施の形態に係るイオン注入方法を説明する。図１に示すイオン源１０からイオンビーム１００が出力される。出力されたイオンビーム１００は、質量分離器２０により所定の質量のイオンが取り出された後、加速器３０によって加速され、回転ディスク５０に装着されたウェハＷ１〜Ｗ８に照射される。その際、検出器４０が、チルト角度θｔを検出する。検出器４０によって検出されたチルト角度θｔは、角度制御装置７０に送られる。角度制御装置７０は、角度調整機構５３を制御するため制御信号を角度調整機構５３に送り、チルト角度θｔに応じてコーン角度θｃを調整して、コーン角度θｃとチルト角度θｔを一致させるようにフィードバック制御する。
【００２２】
コーン角度θｃを調整する角度調整機構５３としては、例えば図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、回転ディスク５０の支持部５２と装着部５１の間隔を調整する調整部５３ａを回転軸３００方向に移動させる機構がある。図８（ａ）は、図示を省略したマイクロアクチュエータを駆動して調整部５３ａがイオン源１０の方向に移動した状態を示す。マイクロアクチュエータとしては、ステップモータ、電磁駆動素子、電歪素子、磁歪素子、或いはこれらの組み合わせを使用できる。一方、図８（ｂ）は、調整部５３ａが支持部５２に設けられた孔をマイクロアクチュエータによりスライドして検出器４０の方向に移動した状態を示す。そのため、図８（ａ）に示したコーン角度θｃa1より図８（ｂ）に示したコーン角度θｃa2が小さくなるように調整できる。
【００２３】
コーン角度θｃを調整する他の方法としては、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、回転ディスク５０の支持部５２と装着部５１の間に設置される調整部５３ｂを、回転ディスク５０の中心部と周辺部の間で回転ディスク５０のラジアル方向（半径方向）にシフトさせる方法がある。図９（ａ）は、マイクロアクチュエータを駆動して調整部５３ｂが回転ディスク５０の中心部に近い位置に配置した状態を示す。一方、図９（ｂ）は調整部５３ｂが回転ディスク５０の周辺部に近い位置に配置された状態を示す。そのため、図９（ａ）に示したコーン角度θｃb1より図９（ｂ）に示したコーン角度θｃb2が小さくなるように調整できる。
【００２４】
コーン角度θｃを調整する更に他の方法としては、例えば図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、回転ディスク５０の支持部５２と装着部５１の間隔をばね等の伸縮性のある調整部５３ｃにより調整する方法がある。図１０（ａ）は、調整部５３ｃが伸びた状態を示す。一方、図１０（ｂ）は調整部５３ｃが縮んだ状態を示す。そのため、図１０（ａ）に示したコーン角度θｃc1より図１０（ｂ）に示したコーン角度θｃc2が小さくなるように調整できる。
【００２５】
図１に示したイオン注入装置は、イオンビーム１００とイオンビーム１００が照射されるウェハＷ１〜Ｗ８の表面Ｓの法線方向２００とがなすチルト角度θｔを検出し、検出されたチルト角度θｔに一致するようにコーン角度θｃを調整する。そのため、チルト角度θｔのウェハ面内ばらつきを抑制できる。その結果、半導体装置の特性のウェハ面内ばらつきを抑制できる。
【００２６】
＜第１の変形例＞
本発明の第１の実施の形態の第１の変形例に係るイオン注入装置は、ペディスタルＰ１〜Ｐ８の、少なくともウェハＷ１〜Ｗ８とそれぞれ接する部分が導電性を有する。
【００２７】
一般に、イオン注入装置では、ウェハＷ１〜Ｗ８との接触面積が広くなるシリコンゴム等の絶縁物がペディスタルＰ１〜Ｐ８に使用される。一方、ウェハ裏面は、イオン注入工程の段階では、絶縁性の保護膜や自然酸化膜等の酸化膜が存在している場合が多い。そのため、イオン注入工程後にウェハＷ１〜Ｗ８をペディスタルＰ１〜Ｐ８から取り外すときに、絶縁物同士を引き離すことになる。その結果、静電気が発生する。発生した静電気により、イオン注入装置内に存在する微粒子等がウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に付着する。そして、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に付着した微粒子が、イオン注入工程後の製造工程においてウェハＷ１〜Ｗ８の表面に付着する。その結果、ウェハＷ１〜Ｗ８の表面に形成する膜の形状不良や、導電層間のコンタクト不良等が発生して、半導体装置の歩留まりが低下する場合がある。
【００２８】
一方、ペディスタルＰ１〜Ｐ８を導電性の材料で形成する、或いは、少なくともウェハＷ１〜Ｗ８とそれぞれ接するペディスタルＰ１〜Ｐ８の部分を導電性の材料にすることにより、上記の静電気の発生を防止することができる。ペディスタルＰ１〜Ｐ８を形成する材料は、シート抵抗が１×１０12Ω以下程度であることが好ましい。
【００２９】
ペディスタルＰ１〜Ｐ８を形成する材料には、導電性シリコンゴム、導電性ポリマー（ポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリフェニレン等）、導電性セラミック、金属等が採用可能である。
【００３０】
或いは、ペディスタルＰ１〜Ｐ８を絶縁性のシリコンゴム等で形成し、少なくともウェハ裏面と接触する部分を含むペディスタルＰ１〜Ｐ８の表面を、上記の導電性の材料でコーティングしても良い。
【００３１】
その結果、ウェハＷ１〜Ｗ８をペディスタルＰ１〜Ｐ８から取り外すときに発生する静電気を抑制することができる。そのため、半導体装置の歩留まりの低下を抑制することができる。
【００３２】
＜第２の変形例＞
第１の変形例では、ペディスタルＰ１〜Ｐ８の材料を導電性にすることにより、ウェハＷ１〜Ｗ８をペディスタルＰ１〜Ｐ８から取り外すときに発生する静電気を抑制する方法を説明した。一方、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面を導電性にすることにより、上記の静電気の発生を抑制することができる。
【００３３】
ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面を導電性にするために、例えば、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に砒素（Ａｓ）イオンを注入する。具体的には、加速電圧５０ｋｅＶ、ドーズ量５×１０15個／ｃｍ2程度の条件でＡｓイオンをウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に注入し、９００℃、３０分の条件でアニールする。その結果、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面のシート抵抗を６０Ω程度にすることができる。
【００３４】
以上の説明では、Ａｓイオンをウェハ裏面に注入する例を説明したが、Ａイオンの代わりにボロン（Ｂ）、燐（Ｐ）等をウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に注入してもよい。
【００３５】
又、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に金属膜を蒸着等で形成することにより、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面を導電性にすることができる。金属膜としては、以下の材料が採用可能である。即ち、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌシリサイド、チタン（Ｔｉ）、Ｔｉシリサイド、窒化チタン（ＴｉＮ）、タングステン（Ｗ）、Ｗシリサイド、コバルト（Ｃｏ）、Ｃｏシリサイド、ニッケル（Ｎｉ）、Ｎｉシリサイド、銅（Ｃｕ）、ＣｕＡｌ、モリブデン（Ｍｏ）、Ｍｏシリサイド、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴｉＮ）、プラチナ（Ｐｔ）、Ｐｔシリサイド、インジウム（Ｉｎ）等である。或いは、上記の金属以外の、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、アンチモン含有機酸化錫（ＡＴＯ）、導電性ポリマー等の導電性材料を、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に塗布してもよい。
【００３６】
又、導電性のポリシリコン膜をウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に形成してもよい。即ち、ポリシリコン膜をウェハＷ１〜Ｗ８の裏面に形成する。そして、このポリシリコン膜にＡｓイオン、Ｂイオン、Ｐイオン等を注入する。その後、ポリシリコン膜の加熱処理を行うことにより注入したイオンを活性化させ、ウェハＷ１〜Ｗ８の裏面を導電性にする。
【００３７】
以上に説明した方法により、イオン注入する前にウェハＷ１〜Ｗ８の裏面を導電性にする工程を実施することにより、ウェハＷ１〜Ｗ８をペディスタルＰ１〜Ｐ８から取り外すときの静電気の発生を抑制することができ、半導体装置の歩留まりを上げることができる。
【００３８】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係るイオン注入装置は、図１１に示すように、回転ディスク５０が、ウェハ中心の法線を回転軸としてウェハＷ１〜Ｗ８をそれぞれ回転させる回転機構５４１〜５４８を更に備える点が、第１の実施の形態と異なる。ただし、図１１では、ウェハＷ１を回転させる回転機構５４１、及びウェハＷ２を回転させる回転機構５４５のみ図示されている。回転機構５４１〜５４８は、例えば装着部５１に配置され、ペディスタルＰ１〜Ｐ８にそれぞれ接続される。そして、回転機構５４１〜５４８は、回転制御装置８０により制御され、ペディスタルＰ１〜Ｐ８を回転させることによりウェハＷ１〜Ｗ８を回転させ、ウェハＷ１〜Ｗ８のツイスト角度θｗ1〜θｗ8をそれぞれ調整する。例えば、回転機構５４１は、ウェハＷ１の中心点の法線を回転軸としてペディスタルＰ１を回転させ、ウェハＷ１のツイスト角度θｗ1を調整する。
【００３９】
イオン注入を行うウェハ面の結晶方位によっては、ツイスト角度θｗを一定の値にしてイオン注入を実施しなければ、注入される不純物濃度にばらつきが生じる場合がある。したがって、ウェハ面の結晶方位に応じて、回転ディスク５０に装着したウェハＷ１〜Ｗ８のツイスト角度θｗ1〜θｗ8を所望の角度に調整する必要がある。図１１に示した回転ディスク５０によれば、イオン注入をする前に、ウェハＷ１〜Ｗ８のツイスト角度θｗ1〜θｗ8を所望の角度にそれぞれ調整することができる。
【００４０】
又、スキャン動作させながらイオン注入した場合に、スキャン動作の途中でイオンビーム１００の表面Ｓへの進入角度のばらつきが変化することがある。その結果、ウェハ面内に不純物濃度のばらつきが生じ、例えば図１２に示すように高濃度領域Ａ１と低濃度領域Ａ２が形成される場合がある。
【００４１】
そのため、回転機構５４１〜５４８によって、非イオン注入時にウェハＷ１〜Ｗ８を、例えば時計方向に９０度、１８０度、２７０度回転させる。その結果、イオン注入毎にツイスト角度θｗ1〜θｗ8が変化するため、ウェハＷ１〜Ｗ８における不純物濃度のウェハ面内ばらつきを抑制することができる。
【００４２】
本発明の第２の実施の形態に係るイオン注入装置によれば、ツイスト角度θｗを調整することにより、結晶方位を持つウェハ面に対して不純物濃度のばらつきを抑制したイオン注入を行うことができる。更に、スキャン動作に起因するウェハ面内の不純物濃度のばらつきを抑制できる。他は、第１の実施の形態と実質的に同様であり、重複した記載を省略する。
【００４３】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００４４】
既に述べた第１及び第２の実施の形態の説明においては、装着部５１と支持部５２の間に配置された角度調整機構５３を用いてチルト角度θｔとコーン角度θｃを一致させる例を示したが、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、装着部５１の中心部を折ることにより、コーン角度θｃを調整する角度調整機構５３を構成することができる。図１３（ｂ）は、装着部５１の中心部をイオン源１０の方向に折ることにより、図１３（ａ）に示したコーン角度θｃd1よりコーン角度θｃd2を小さくした状態を示す。
【００４５】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るイオン注入装置の構成を示す模式図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るイオン注入装置の回転ディスクを示す模式図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係るチルト角度を説明するための模式図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るツイスト角度を説明するための模式図である。
【図５】チルト角度のウェハ面内ばらつきを示す図である（その１）。
【図６】チルト角度のウェハ面内ばらつきを示す図である（その２）。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係るイオン注入装置の検出器の構成を示す模式図であり、図７（ａ）はイオンビームが検出器に垂直に入射した場合、図７（ｂ）はイオンビームが検出器に角度をもって入射した場合である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係るイオン注入装置によってコーン角度を調整する方法の例を説明するための模式図であり、図８（ａ）はコーン角度を広くする場合、図８（ｂ）はコーン角度を狭くする場合である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係るイオン注入装置によってコーン角度を調整する方法の他の例を説明するための模式図であり、図９（ａ）はコーン角度を広くする場合、図９（ｂ）はコーン角度を狭くする場合である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係るイオン注入装置によってコーン角度を調整する方法の更に他の例を説明するための模式図であり、図１０（ａ）はコーン角度を広くする場合、図１０（ｂ）はコーン角度を狭くする場合である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態に係るイオン注入装置の構成を示す模式図である。
【図１２】ウェハ面内の不純物濃度のばらつきを説明するための模式図である。
【図１３】本発明のその他の実施の形態に係るイオン注入装置によってコーン角度を調整する方法の他の例を説明するための模式図であり、図１３（ａ）はコーン角度を広くする場合、図１３（ｂ）はコーン角度を狭くする場合である。
【符号の説明】
【００４７】
１０…イオン源
２０…質量分離器
３０…加速器
４０…検出器
５０…回転ディスク
５１…装着部
５２…支持部
５３…角度調整機構
６０…ディスク制御器
７０…角度制御装置
８０…回転制御装置
１００…イオンビーム
５４１〜５４８…回転機構
Ｐ１〜Ｐ８…ペディスタル
【図１】
2006253029.tif 000003
【図２】
2006253029.tif 000004
【図３】
2006253029.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2006253029.tif 000008
【図７】
2006253029.tif 000009
【図８】
2006253029.tif 000010
【図９】
2006253029.tif 000011
【図１０】
2006253029.tif 000012
【図１１】
2006253029.tif 000013
【図１２】
2006253029.tif 000014
【図１３】
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