(57)【要約】【課題】  テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】  第一の半導体，第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてテープバンプ３の高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。【選択図】  図１
2006179622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に複数の積載された半導体基板を搭載して成る半導体装置であって、
前記基板が前記半導体基板と電気的に接続するための長さの異なる複数のバンプ
を有し、前記それぞれのバンプが対応する半導体基板に接続できる長さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記基板にポリイミドを使用し、前記基板の信号線にＣｕ配線を使用し、前記バンプにＡｕを使用することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板が接着剤で接合されていることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板の前記基板と電気的に接続する電極部分に電極バンプを有することを特徴とする請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
基板に複数の積載された半導体基板を搭載して成る半導体装置を製造するに際し、
前記基板上に信号線を形成する工程と、
前記基板上に第一のフォトレジストを塗布する工程と、
並列に並んだ前記信号線上を横切る様に連続して開口した部分を１つ以上有する第一のフォトマスクを用い前記第一のフォトレジストを露光する工程と、
露光された前記第一のフォトレジストを現像処理する工程と、
めっき液雰囲気中で前記信号線に電流を流し前記信号線上にめっきを成長させて第一の半導体基板用のバンプを形成する工程と、
前記基板上に第二のフォトレジストを塗布する工程と、
第二のフォトマスクマスクを用い第二のフォトレジストを露光する工程と、
露光された前記第二のフォトレジストを現像処理する工程と、
めっき液雰囲気中で前記信号線に電流を流し前記第一の半導体基板用のバンプ上にめっきを成長させて第二の半導体基板用の長いバンプを成長する工程と、
開口フォトレジストを除去することにより基板を完成させる工程と、
接合開口部を備えた前記第一の半導体基板を前記第一の半導体基板用のバンプと接合させる工程と、
前記第一の半導体基板に緩衝シートを貼り付ける工程と、
前記第一の半導体基板上に接合開口部を備えた前記第二の半導体基板を搭載する工程と、
前記第二の半導体基板を前記第二の半導体基板用の長いバンプと接合させる工程と
を有する事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第一の半導体基板上に前記第二の半導体基板を搭載するに、接着剤を用いて接合することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テープ基材に複数の半導体基板を搭載して成る半導体装置および半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路の高集積化、半導体チップの縮小に伴い、微細ピッチの端子接続に対応可能な実装技術が要求されている。この要求に対応しやすい実装技術として、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）等に利用されるＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）実装が挙げられる。その他の実装技術としては、また異方性導電膜、すなわちＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）を利用したＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  ＦｉｌｍまたはＦｌｅｘｉｂｌｅ）といった実装が知られている。
【０００３】
これらの実装形態の基本構成は、半導体基板上に形成された電極パッド上にバンプと呼ばれる突起をＡｕや半田を用いて形成した後、樹脂テープやガラス基板上に形成された金属配線上に半導体基板上のバンプを一括に加圧し接合する構成である。
【０００４】
また、半導体基板上にバンプを形成するのではなく逆に、樹脂テープ上に形成された金属配線上にバンプのみを形成した後、半導体基板上に形成された電極パッドと接続する構成もある。
【０００５】
従来の半導体装置について図１１，図１２を用いて詳細に説明する。
図１１は従来の半導体装置の構成を示す構成図、図１２は従来の半導体装置における製造方法の説明図である。
【０００６】
図１１，図１２において、５１はテープ基材、５２はテープリード、５３はテープバンプ、５４は半導体基板、５５は電極パッド、５６は表面保護膜、５７は電極開口部、６５は絶縁性液状樹脂、７３はボンディングツール、７４はボンディングステージである。
【０００７】
従来の半導体装置の構成について図１１を用いて説明する。
テープ基材５１上に、リソグラフィー工程とエッチング工程などの工法でテープリード５２が形成されている。テープリード５２上に、リソグラフィー工程とめっき工程などの工法でテープバンプ５３が形成されている。また、半導体基板５４上に外界との電気的信号をやり取りする電極パッド５５と半導体基板５４表面を保護する表面保護膜５６があり、電極パッド５５は、表面保護膜５６を開口した電極開口部５７により開口している。
【０００８】
以下、従来の半導体装置の製造方法について図１２を用いて説明する。
まず、ボンディングステージ７４上にテープ基材５１をのせる。次に、テープ基材５１上に、表面保護膜５６やパッド電極５５との間にも入る様に絶縁性液状樹脂６５をのせる（図１２（ａ））。
【０００９】
テープバンプ５３と電極パッド５５の位置を合わせして接続させ、ボンディングツール７３を用いて接続部に超音波や荷重を加えることにより、テープバンプ５３と電極パッド５５の接続部に金属間化合物の形成や接続が強固にする（図１２（ｂ））。
【００１０】
最後に、ボンディングツール７３を離し、ボンディングステージ７４から、テープ基材５１を取り出す（図１２（ｃ））（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−３３５３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、複数の半導体基板を積載して半導体装置を構成する場合には、テープ基材に対する各半導体基板の電極の接続高さが異なるために、上記従来の半導体装置の構成では、複数の半導体基板をテープバンプとパッド電極との接続によってテープ基材に接合できないという問題点があった。
【００１２】
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体装置は、基板に複数の積載された半導体基板を搭載して成る半導体装置であって、前記基板が前記半導体基板と電気的に接続するための長さの異なる複数のバンプを有し、前記それぞれのバンプが対応する半導体基板に接続できる長さであることを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記基板にポリイミドを使用し、前記基板の信号線にＣｕ配線を使用し、前記バンプにＡｕを使用することを特徴とする。
【００１５】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体装置において、前記半導体基板が接着剤で接合されていることを特徴とする。
請求項４記載の半導体装置は、請求項１または請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体装置において、前記半導体基板の前記基板と電気的に接続する電極部分に電極バンプを有することを特徴とする。
【００１６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、基板に複数の積載された半導体基板を搭載して成る半導体装置を製造するに際し、前記基板上に信号線を形成する工程と、前記基板上に第一のフォトレジストを塗布する工程と、並列に並んだ前記信号線上を横切る様に連続して開口した部分を１つ以上有する第一のフォトマスクを用い前記第一のフォトレジストを露光する工程と、露光された前記第一のフォトレジストを現像処理する工程と、めっき液雰囲気中で前記信号線に電流を流し前記信号線上にめっきを成長させて第一の半導体基板用のバンプを形成する工程と、前記基板上に第二のフォトレジストを塗布する工程と、第二のフォトマスクマスクを用い第二のフォトレジストを露光する工程と、露光された前記第二のフォトレジストを現像処理する工程と、めっき液雰囲気中で前記信号線に電流を流し前記第一の半導体基板用のバンプ上にめっきを成長させて第二の半導体基板用の長いバンプを成長する工程と、開口フォトレジストを除去することにより基板を完成させる工程と、接合開口部を備えた前記第一の半導体基板を前記第一の半導体基板用のバンプと接合させる工程と、前記第一の半導体基板に緩衝シートを貼り付ける工程と、前記第一の半導体基板上に接合開口部を備えた前記第二の半導体基板を搭載する工程と、前記第二の半導体基板を前記第二の半導体基板用の長いバンプと接合させる工程とを有する事を特徴とする。
【００１７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記第一の半導体基板上に前記第二の半導体基板を搭載するに、接着剤を用いて接合することを特徴とする。
【００１８】
以上のように、第一の半導体，第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてテープバンプの高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明による半導体装置は、第一の半導体，第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてテープバンプの高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
まず、図１を用いて本発明の実施の形態１における半導体装置の構造について説明する。
【００２１】
図１は本発明の実施の形態１における半導体装置の構造図である。
図１において、１はテープ基材、２はテープリード、３はテープバンプ、３ａは第一のテープバンプ、３ｂは第二のテープバンプ、３ｃは第三のテープバンプ、４は第一の半導体基板、５は第一の電極パッド、６は第一の表面保護膜、７は第一の電極開口部、８は第二の半導体基板、９は第二の電極パッド、１０は第二の表面保護膜、１１は第二の電極開口部、１２は緩衝材料、１３はバンプ、１５は絶縁性液状樹脂である。
【００２２】
図１に示すように、実施の形態１における半導体装置は、テープ基材１に第一の半導体を搭載し、さらに、第一の半導体に第二の半導体を積載されて成り、テープ基材１はテープバンプの高さを、第一の半導体，第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応して、あらかじめ異なる高さに形成している。つまり、第一のテープバンプ３ａと第二のテープバンプ３ｂの高さを第一の半導体における第一の電極パッドの高さに対応して形成し、第三のテープバンプ３ｃの高さを第一の半導体に積載した第二の半導体におけるバンプ１３の高さに対応して形成しているため、第一のテープバンプ３ａ，第二のテープバンプ３ｂに対して第三のテープバンプ３ｃの高さが高くなっている。
【００２３】
次に、半導体の製造方法について図４，図５，図６，図７，図８を用いて説明する。
図４は本発明の半導体装置におけるテープ基材のフォトレジスト製造方法を説明する工程断面図、図５は本発明の半導体装置におけるテープ基材の第一の半導体基板用テープバンプ製造方法を説明する工程断面図、図６は本発明の半導体装置におけるテープ基材の第二の半導体基板用テープバンプ製造方法を説明する工程断面図、図７は本発明の実施の形態１における半導体装置の第一の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図、図８は本発明の実施の形態１における半導体装置の第二の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図である。
【００２４】
図４〜図８において、図１と記号が同じ部分は説明を省略する。１６はフォトレジスト、１７は第一のフォトマスク、１８は第二のフォトマスクパターン、１９は第一のフォトレジストマスク開口部、２０は第二のフォトマスク、２１は第二のフォトマスクパターン、２２は第二のフォトレジスト開口部、２３は第一のボンディングツール、２４は第二のボンディングツール、２５はボンディングステージである。
また図４，図５のそれぞれ（ａ）〜（ｃ）、図６の（ａ）〜（ｄ）は上面図を示す。また、図４，図５のそれぞれ（ｄ）〜（ｆ）、図６の（ｅ）〜（ｈ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ‘面における断面図を示す。
【００２５】
まず、テープ基材の形成方法を説明する。
最初に、約４０μｍ厚のテープ基材１上に約１０μｍ厚みのＣｕなどの金属箔の貼り付け後、フォトエッチング工程により幅が約２０μｍのテープリード２の形状を形成する（図４（ａ）（ｄ））。次に、テープリード２表面にテープバンプ３の下地用にＮｉなどをめっき法により被覆させる。
【００２６】
次に、テープ基材１とテープリード２の面を全て覆うように、約２０μｍ厚のフォトレジスト１６をドライフィルムや回転塗布法やローラ転写方法などを用い被覆させる（図４（ｂ）（ｅ））。
【００２７】
次に、石英やソーダガラスなどの材質を用いた第一のフォトマスク１７に、並列に並んだ複数のテープリード２と直行するようなパターンをＣｒなどの材料によって形成された第一のフォトマスクパターン１８が描かれている。また、一つのパターンは不連続部が無く連続しており、第一のフォトマスク１７内に複数の連続したパターンが描かれて、第一のフォトマスクパターン１８が形成されている。第一のフォトマスク１７をテープ基材１の所定の位置に合うように、第一のフォトマスク１７とテープ基材１を合わせた後、第一のフォトマスク１７の上方向から紫外線光を所定のエネルギー量あて、フォトレジスト１６を露光する（図４（ｃ）（ｆ））。
【００２８】
次に、露光されたフォトレジスト１６を現像液に浸し現像することにより、第一のフォトレジスト開口部１９を形成する（図５（ａ）（ｄ））。次に、テープ基材１をＡｕ等のめっき液雰囲気中にさらし、めっき液をアノード側、テープ基材１上のテープリード２に電流密度の値が約０．４Ａ／ｄｍ２で電流を印加しカソード側として電解めっき処理をおこなう。テープリード２が存在し、かつ、フォトレジスト開口部１２の部分にはめっき液が触れ、電子供給がされるので、テープバンプ３が形成される。めっき厚みを５〜１０μｍになるように電流を印加する時間を調節する（図５（ｂ）（ｅ））。
【００２９】
次に、再び、次にテープ基材１とテープリード２の面を全て覆うように、約２０μｍ厚のフォトレジスト１６をドライフィルムや回転塗布法やローラ転写方法などを用い被覆させる（図５（ｃ）（ｆ））。
【００３０】
次に、石英やソーダガラスなどの材質で形成された第二のフォトマスク２０に、並列に並んだ複数のテープリード２と直行するようなパターンをＣｒなどの材料によって形成された第二のフォトマスクパターン２１が描かれている。また、一つのパターンは不連続部が無く連続しており、第二のフォトマスク２０内に複数の連続したパターンが描かれて、第二のフォトマスクパターン２１が形成されている。また、第二のフォトマスクパターン２１は、第一のフォトマスクパターン１８の内、第３のテープバンプ３ｃに当たる部分のみ、フォトレジストに作用するパターンになっている。
【００３１】
第二のフォトマスク２０をテープ基材１の所定の位置に合うように、第二のフォトマスク２０とテープ基材１を合わせた後、第二のフォトマスク２０の上方向から紫外線光を所定のエネルギー量あて、フォトレジスト１６を露光する（図６（ａ）（ｅ））。
【００３２】
次に、露光されたフォトレジスト１６を現像液に浸し現像することにより、第二のフォトレジスト開口部２２を形成する（図６（ｂ）（ｆ））。
次に、テープ基材１をめっき液雰囲気中にさらし、めっき液をアノード側、テープ基材１上のテープリード２に電流密度の値が約０．４Ａ／ｄｍ２で電流を印加しカソード側として電解めっき処理をおこなう。テープリード２が存在し、かつ、フォトレジスト開口部１２の部分にはめっき液が触れ、電子供給がされるので、テープバンプ３が形成される。この時、テープバンプ３の内、テープバンプ３ｃのみにめっき液があたり、テープバンプ３ａ及び、テープバンプ３ｂについては、フォトレジスト１６により、めっき液雰囲気に触れないため、めっきが成長しない。めっき厚みを、さらに、１０〜２０μｍになるように電流を印加する時間を調節する（図６（ｃ）（ｇ））。
【００３３】
次に、テープ基材１を例えばシンナーのレジスト除去液に浸し、フォトレジスト１６を除去する。次に、金属結晶を安定化させる熱処理を行う（図６（ｄ）（ｈ））。
テープ基材１上のテープリード２にテープバンプ３が形成されている。また、テープバンプ３は、第一のテープバンプ３ａ、第二のテープバンプ３ｂ、第三のテープバンプ３ｃより成り立っている。また、テープバンプ３ｃは、テープバンプ３ａ及びテープバンプ３ｂより金属めっきの厚みが厚く、バンプ高さが高くなっている。
【００３４】
一方、第一の半導体基板４上に第一の電極パッド５があり、第一の表面保護膜６を第一の電極開口部７にて開口することにより露出している。また、第一の半導体基板４の厚みは４０〜６０μｍの厚みである。
【００３５】
次に、テープ基材と半導体基板との接合方法について説明する。
図７，図８に示す様に、まず、ボンディングステージ２５上に置かれた、テープ基材１上に絶縁性液状樹脂１５を載せる。その後、テープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂと第一の電極開口部７の位置が合うように調整してテープ基材１上に第一の半導体基板４を載置したあと、第一のボンディングツール２３を用い、第一の半導体基板４に荷重や熱エネルギーを加え、テープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂと第一の電極パッド５を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、第一のパッド電極５の材料であるＡｌとテープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂの材料であるＡｕとで金属間化合物を造り接続する（図７（ａ））。
【００３６】
次に、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８が当たっても衝撃が発生しないように、第一の半導体基板４の裏面に緩衝材料１２を付ける（図７（ｂ））。
第二の半導体基板８上に第二の電極パッド９があり、第二の電極開口部１１により第二の表面保護膜１０を開口することにより露出している。また、第二の電極パッド９上に高さ１０〜２０μｍの高さのバンプ１３が形成されている。
【００３７】
テープバンプ３ｃと、第二の半導体基板８に形成されている第二の電極パッド９上のバンプ１３の位置が合うように調整してテープ基材１上に第二の半導体基８を載置したあと、第二のボンディングツール２４を用い、第二の半導体基板８に荷重や熱エネルギーを加え、テープバンプ３ｃとバンプ１３を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、バンプ１３の材料であるＡｕとテープバンプ３ｃの材料であるＡｕとで金属間化合物を造り接続する（図７（ｃ），図８（ａ））。
【００３８】
その後、第二のボンディングツール２４を離し、ボンディングステージ２５から、テープ基材１をはずす（図８（ｂ））。
以上の様に、本実施の形態によれば、テープバンプの高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、第一の半導体，第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてそれぞれのテープバンプの高さを設定することができるため、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。
（実施の形態２）
図２は本発明の実施の形態２における半導体装置の構造図、図９は本発明の実施の形態２における半導体装置の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図である。
【００３９】
実施の形態１と異なる点は、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８を接着剤層１４となる接着剤を用いて接合する点である。ここでは、図１と記号が同じ部分については同じ記号を用い、説明を省略する。
【００４０】
次に、半導体の製造方法について図面を用いて説明する。
実施の形態２におけるテープ基材の製造方法は実施の形態１と同じなので説明を省略し、以下、テープ基材と半導体基板との接合方法について説明する。
【００４１】
図９に示す様に、まず、緩衝材料１２の両面にもうけた接着剤層１４を使用し、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８を接合させる。この時、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８の間には緩材料１２をもうける事により、第二の半導体基板８上の第二の表面保護膜１０に傷は入らない（図９（ａ））。
【００４２】
次に、ボンディングステージ２５上に置かれたテープ基材１上に絶縁性液状樹脂１５を載せる。その後、テープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂと第一の電極開口部７の位置が合うように、また、テープバンプ３ｃと第二の電極開口部１１の上に形成されているバンプ１３の位置が合うように調整を行う、第二のボンディングツール２４を用い、第一の半導体基板４や第二の半導体基板８に荷重や熱エネルギーを加え、テープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂと第一の電極パッド５を接合させ、テープバンプ３ｃとバンプ１３を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、第一のパッド電極５の材料であるＡｌとテープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂの材料であるＡｕとで金属間化合物を造り接続する。また、バンプ１３の材料であるＡｕとテープバンプ３ｃの材料であるＡｕとで金属間化合物を造り接続する（図９（ｂ））。
【００４３】
接着剤層１４を使用することにより、第一の電極パッド５、第二の電極開口部１１の上に形成されているバンプ１３とテープバンプ３を接続する前に、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８を接合させることが可能になる。このことより、電極パッドとテープバンプの位置合わせ工程を、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８とで、別々に実施しなくても良い。同様に、また、緩衝材料１２のみを使用した場合に比べ、緩衝効果が大きくなるため、第二の表面保護膜１０上に入る傷の発生確率を減らすことが可能となる。
【００４４】
また、接着剤層１４を使用することにより、第一の半導体基板４が、第二の半導体基板８上に固定されるので、第二の半導体基板が動き、触れてはいけないリード端子などの導体に触れる危険性が下がる。
【００４５】
その後、第二のボンディングツール２４を離し、ボンディングステージ２５から、テープ基材１をはずし、半導体装置が完成する（図９（ｃ））。
以上の様に、本実施の形態によれば、テープバンプの高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、第一の半導体，第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてそれぞれのテープバンプの高さを設定することができるため、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。
（実施の形態３）
図３は本発明の実施の形態３における半導体装置の構造図、図１０は本発明の実施の形態３における半導体装置の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図である。
【００４６】
実施の形態２と異なる点は、バンプ１３をなくし、第二の電極パッド９と第三のテープバンプ３ｃを直接接続することにより、テープ基材１に第二の半導体を搭載する点である。
【００４７】
バンプ１３を無くす事によって、第二の半導体基板８上にあらかじめ、バンプ形成をする工程を省くことが可能になる。バンプ１３を形成工程は、一般に大きな投資を必要とし、工数も必要なため、短タクト化に向けて不向きな点がある。
ここでは、図２と記号が同じ部分については同じ記号を用い、説明を省略する。
【００４８】
次に、半導体の製造方法について図面を用いて説明する。
実施の形態３におけるテープ基材の製造方法は実施の形態１と同じなので説明を省略し、以下、テープ基材と半導体基板との接合方法について説明する。
【００４９】
図１０に示す様に、まず、接着剤層１４を使用し、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８を接合させる。この時、第一の半導体基板４と第二の半導体基板８の間には緩材料１２をもうける事により、第二の半導体基板上の第二の表面保護膜１０に傷は入らない（図１０（ａ））。
【００５０】
次に、ボンディングステージ２５上に置かれたテープ基材１上に絶縁性液状樹脂１５を載せる。その後、テープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂと第一の電極開口部７の位置が合うように、テープバンプ３ｃと第二の電極開口部１１の位置が合うように調整を行ったあと、第二のボンディングツール２４を用い、第一の半導体基板４や第二の半導体基板８に荷重や熱エネルギーを加え、テープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂと第一の電極パッド５を接合させ、テープバンプ３ｃと第二の電極開口部１１を接合させる。接合時に超音波などで、ストレスを加えることにより、第一の半導体基板４は、第一のパッド電極５の材料であるＡｌとテープバンプ３ａ、テープバンプ３ｂの材料であるＡｕとで金属間化合物を造り接続する。同様に、第二の半導体基板８は、第二のパッド電極９の材料であるＡｌとテープバンプ３ｃの材料であるＡｕとで金属間化合物を造り接続する（図１０（ｂ））。
【００５１】
その後、第二のボンディングツール２４を離し、ボンディングステージ２５から、テープ基材１をはずし、半導体装置が完成する（図１０（ｃ））。
以上の様に構成された本実施例の半導体装置について説明をする。
【００５２】
以上の様に、本実施の形態によれば、テープバンプの高さをあらかじめ異なる高さに形成する事により、第一の半導体，第二の半導体のテープバンプ接続高さに対応させてそれぞれのテープバンプの高さを設定することができるため、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事が可能となる半導体装置を提供することができる。
【００５３】
以上の説明では、半導体装置の基板としてテープ基材を用いる場合について説明したが、テープ基材以外の基板の場合にも同様に適応できる。
また、積載する半導体基板が２つの場合について説明したが、２つ以上の場合もそれぞれの半導体基板の電極高さに合わせてバンプの長さを調整することにより同様に対応できる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、テープバンプ材料と電極パッド材料を変更することなく、一つのテープ基材に対して複数の半導体基板を接合する事ができ、テープ基材に複数の半導体基板を搭載して成る半導体装置および半導体装置の製造方法等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の構造図
【図２】本発明の実施の形態２における半導体装置の構造図
【図３】本発明の実施の形態３における半導体装置の構造図
【図４】本発明の半導体装置におけるテープ基材のフォトレジスト製造方法を説明する工程断面図
【図５】本発明の半導体装置におけるテープ基材の第一の半導体基板用テープバンプ製造方法を説明する工程断面図
【図６】本発明の半導体装置におけるテープ基材の第二の半導体基板用テープバンプ製造方法を説明する工程断面図
【図７】本発明の実施の形態１における半導体装置の第一の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図
【図８】本発明の実施の形態１における半導体装置の第二の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図
【図９】本発明の実施の形態２における半導体装置の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図
【図１０】本発明の実施の形態３における半導体装置の半導体基板搭載方法を説明する工程断面図
【図１１】従来の半導体装置の構成を示す構成図
【図１２】従来の半導体装置における製造方法の説明図
【符号の説明】
【００５６】
１    テープ基材
２    テープリード
３    テープバンプ
３ａ    第一のテープバンプ
３ｂ    第二のテープバンプ
３ｃ    第三のテープバンプ
４    第一の半導体基板
５    第一の電極パッド
６    第一の表面保護膜
７    第一の電極開口部
８    第二の半導体基板
９    第二の電極パッド
１０    第二の表面保護膜
１１    第二の電極開口部
１２    緩衝材料
１３    バンプ
１４    接着剤層
１５    絶縁性液状樹脂
１６    フォトレジスト
１７    第一のフォトマスク
１８    第一のフォトマスクパターン
１９    第一のフォトレジスト開口部
２０    第二のフォトマスク
２１    第二のフォトマスクパターン
２２    第二のフォトレジスト開口部
２３    第一のボンディングツール
２４    第二のボンディングツール
２５    ボンディングステージ
５１    テープ基材
５２    テープリード
５３    テープバンプ
５４    半導体基板
５５    電極パッド
５６    表面保護膜
５７    電極開口部
６５    絶縁性液状樹脂
７３    ボンディングツール
７４    ボンディングステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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