(57)【要約】【課題】個別に噴霧装置、吸着装置を設けることなく、燃焼炉排ガス中の塩化水素ガス、重金属類及びダイオキシン類等の有害物質を、低温でも効率的に処理することができる有害物質除去剤を提供する。【解決手段】本発明は、ダイオキシン類処理剤と消石灰粉末とを含むことを特徴とする、燃焼炉からの排ガス中に含まれる有害物質を処理するための有害物質除去剤に関する。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
次式ＩＶ：
【化１】
2006075827.tif 000021
（式中、Ｒ５及びＲ６は、同一でも異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリールアルキル基を表し、又はＲ５とＲ６とで環を形成していてもよい）
で示される化合物を含むダイオキシン類処理剤と消石灰粉末とを含むことを特徴とする、燃焼炉からの排ガス中に含まれる有害物質を処理するための有害物質除去剤。
【請求項２】
更に、活性炭及び活性コークスからなる群から選択される吸着剤粉末を含む請求項１に記載の有害物質除去剤。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の有害物質除去剤を、燃焼炉からの排ガスに加えて反応を行わせた後に、排ガスを集塵処理にかけることを特徴とする、燃焼炉からの排ガス中に含まれる有害物質を処理する方法。
【請求項４】
燃焼炉から排出される排ガスを所定温度に冷却するガス冷却装置；前記焼却炉からガス冷却装置への排出ガス及び／又はガス冷却装置からの排出ガスに請求項１又は２に記載の有害物質除去剤を供給するための有害物質除去剤供給装置；有害物質除去剤が加えられた排ガスを集塵処理するための集塵装置；を具備することを特徴とする燃焼炉排ガス中の有害物質除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、廃棄物焼却炉、ボイラ等の燃焼炉からの排ガスの処理に用いることのできる有害物質除去剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
燃焼炉から発生する排ガスには、有害物質が含まれることが多い。特に、廃棄物焼却炉からの排ガス中には、有害物質として、塩化水素、重金属類及びダイオキシン類が含まれる。従来、このような有害物質を含有する排ガスを処理する方法としては、以下のような方法が提案されていた。
【０００３】
(1) 消石灰を排ガスへ直接噴霧して排ガス中の有害物質と反応させ、下流に配置したバグフィルタ、電気集塵機、サイクロン等の集塵装置によって捕集する。
(2) 消石灰と粉末活性炭とを排ガスへ直接噴霧して、排ガス中の有害物質を、消石灰と反応させると共に粉末活性炭に吸着させ、下流に配置した集塵装置によって捕集する。
【０００４】
(3) 消石灰を排ガスへ直接噴霧して排ガス中の有害物質と反応させ、下流に配置した集塵装置によって捕集した後、活性炭移動層や活性炭充填層等を設けた活性炭吸着装置にガスを通して、ダイオキシン類等の有害物質を吸着・除去する。
【０００５】
(4) ダイオキシン類処理剤を排ガスへ直接噴霧して排ガス中のダイオキシン類と反応させ、下流に配置した集塵装置によって捕集する。
(5) 排ガスを集塵装置に通して集塵灰を捕集し、この捕集された集塵灰に、ダイオキシン類処理剤を添加して、加熱装置中で集塵灰中のダイオキシン類を分解・除去する。
【０００６】
なお、上記(4)及び(5)の方法において用いることのできるダイオキシン類処理剤として、本願発明者らが先に提案し特許出願を行っているものが挙げられる。これらの提案されたダイオキシン類処理剤は、従来法ではダイオキシン類を分解できないと考えられていた低温度域でも、短時間でダイオキシン類を分解処理することができ、更には酸素の存在下においてもダイオキシン類を効率よく分解処理することができる。
【０００７】
これらの提案されたダイオキシン類処理剤は、次の化合物を含むものである。
次式Ｉ：
【０００８】
【化２】
2006075827.tif 000002
（式中、Ｒ１及びＲ２は、同一でも異なっていてもよく、水素原子、ヒドロキシル基、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、ジアルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アルケニル基又はアリールアルケニル基を表す）
で示される化合物（特許文献１）；
次式ＩＩ：
【０００９】
【化３】
2006075827.tif 000003
で示される化合物のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩又はアミン塩（特許文献２）；
次式ＩＩＩ：
【００１０】
【化４】
2006075827.tif 000004
（式中、Ｒ３及びＲ４は、同一でも異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリールアルキル基を表し、又はＲ３とＲ４とで環を形成していてもよい）
で示される化合物のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩、アミン塩、亜鉛酸塩又はニッケル塩（特許文献３）；
次式ＩＶ：
【００１１】
【化５】
2006075827.tif 000005
（式中、Ｒ５及びＲ６は、同一でも異なっていてもよく、アルキル基、シクロアルキル基又はアリールアルキル基を表し、又はＲ５とＲ６とで環を形成していてもよい）
で示される化合物（特許文献４）；
次式Ｖ：
【００１２】
【化６】
2006075827.tif 000006
（式中、Ｍはアンモニウム又は金属を表す）
で示される化合物（特許文献５）；又は
次式ＶＩ：
【００１３】
【化７】
2006075827.tif 000007
（式中、Ｒ７は、それぞれ独立して、水素、メチル基を表し；Ｒ８は、それぞれ独立して、Ｒ７が水素の場合には、水素、フェニル基を表し、Ｒ７がメチル基の場合には、水素、メチル基を表す）
で示される化合物（特許文献６）。
【００１４】
上記式において、「アルキル」は、好ましくはＣ１〜Ｃ８アルキル、特にＣ１〜Ｃ４アルキルであり、具体例としては、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、sec-ブチル、tert-ブチル等が挙げられる。「アルコキシ」は、好ましくはＣ１〜Ｃ８アルコキシ、特にＣ１〜Ｃ４アルコキシであり、具体例としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ等が挙げられる。「アリール」は、好ましくはＣ６〜Ｃ１０アリールであり、具体例としては、フェニル、ナフチル、トリル等が挙げられる。「アルケニル」は、好ましくはＣ１〜Ｃ４アルケニル、特にＣ１〜Ｃ３アルケニルであり、具体例としてはビニル、アリル等などが挙げられる。また、アルキアルアミノ基の具体例としては、メチルアミノ、エチルアミノ等が挙げられ、ジアルキルアミノ基の具体例としては、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ等が挙げられ、アリールアミノ基の具体例としては、アニリノ等が挙げられ、アリールアルキル基の具体例としては、ベンジル、フェネチル等が挙げられ、アリールアルケニル基の具体例としては、スチリル等が挙げられる。また、「アルカリ金属塩」としては、例えば、リチウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩などが挙げられ、「アルカリ土類金属塩」としては、例えば、マグネシウム塩、カルシウム塩などが挙げられ、「アミン塩」としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、アミルアミン、ヘキシルアミン、オクチルアミンなどのモノアルキルアミン塩；ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジブチルアミン、ジアミルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミンなどのジアルキルアミン塩；トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリアミルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミンなどのトリアルキルアミン塩；シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミンなどのモノシクロアルキルアミン塩；ジシクロペンチルアミン、ジシクロヘキシルアミンなどのジシクロアルキルアミン塩；ベンジルアミン、フェネチルアミンなどのモノアラルキルアミン塩；ジベンジルアミン、ジフェネチルアミンなどのジアラルキルアミン塩；エタノールアミン、プロパノールアミンなどのアルカノールアミン塩；ジエタノールアミン、ジプロパノールアミンなどのジアルカノールアミン塩；トリエタノールアミン、トリプロパノールアミンなどのトリアルカノールアミン塩；ピロリジン、ピペリジン、ピペコリン、モロホリンなどの環状アミン塩；及びアニリン、トリイジン、キシリジンなどの芳香族アミン塩が挙げられる。
【００１５】
これらのダイオキシン類処理剤を用いてダイオキシン類と接触させることにより、ダイオキシン類と上記式で示される化合物とが反応して、ダイオキシン類の脱塩素反応又は六員環（ベンゼン環）の開裂反応が迅速に進行する。これによって、ダイオキシン類を３００℃以下、好ましくは２５０℃以下、更に好ましくは２３０℃以下、最も好ましくは２００℃以下の温度でも分解処理することができる。したがって、燃焼排ガスを３００℃以下の温度に冷却した後に、これらのダイオキシン類処理剤を排ガスに加えることによってダイオキシン類を分解処理することができる。また、上記のダイオキシン類処理剤は、例えば９００℃程度の高温下でもダイオキシン類を分解処理できることが分かった。したがって、上記のダイオキシン類処理剤を、例えば焼却炉からの高温の排ガスに直接加えることによって、排ガス中のダイオキシン類を分解処理することができる。この場合、処理後の排ガス中にはダイオキシン類処理剤が残留しており、その後に排ガスを冷却する際にダイオキシン類が再合成されても、残留しているダイオキシン類処理剤によって、再合成されたダイオキシン類を３００℃以下の温度で分解処理することができる。
【特許文献１】特開２００１−２４７８３７（特願２０００−６２９８０）
【特許文献２】特開２００１−２４７８３７（特願２０００−１１２９１０）
【特許文献３】特開２００１−２４７８４０（特願２０００−１１２９１２）
【特許文献４】特開２００１−２４７８４１（特願２０００−１１２９１３）
【特許文献５】特開２００１−２９４８４６（特願２０００−１１２９１４）
【特許文献６】特開２００１−２９３４６５（特願２０００−１１２９１６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記に説明した従来の方法(1)〜(5)では、燃焼炉排ガス中に含まれる塩化水素ガス、重金属類、ダイオキシン類を全て分解処理・除去するためには、個別に消石灰噴霧装置、粉末活性炭噴霧装置、活性炭吸着装置又はダイオキシン類処理剤噴霧装置等を必要としていた。
【００１７】
本発明は、個別に噴霧装置、吸着装置を設けることなく、燃焼炉排ガス中の塩化水素ガス、重金属類及びダイオキシン類等の有害物質を効率的に処理することのできる有害物質除去剤を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明は、ダイオキシン類処理剤と消石灰粉末とを含むことを特徴とする、燃焼炉からの排ガス中に含まれる有害物質を処理するための有害物質除去剤を提供する。また、本発明の他の態様は、ダイオキシン類処理剤と消石灰粉末とを含む有害物質除去材を燃焼炉からの排ガスに加え、集塵処理にかけることを特徴とする、燃焼炉からの排ガス中に含まれる有害物質を処理する方法に関する。
【００１９】
本発明の一態様に係る有害物質除去剤は、ダイオキシン類処理剤と消石灰粉末とを含むことを特徴とする。かかる有害物質除去剤においては、ダイオキシン類処理剤によってダイオキシン類の分解処理が行われると共に、消石灰粉末によって塩化水素ガスが中和されるので、個々の薬剤の噴霧装置等を設けることなしに、単一の混合薬剤を排ガスに添加するだけで、排ガス中のダイオキシン類及び塩化水素ガスを効率的に分解処理することができる。なお、本発明において、ダイオキシン類の分解処理には、ダイオキシン類の分解のほかに、その生成の抑制も含まれる。これは、(1)塩化水素ガスからの塩素ガスの生成抑制；(2)銅等金属触媒の不活性化；の二つの作用による。
【００２０】
本発明において用いることのできるダイオキシン類処理剤としては、上記の式(I)〜(VI)で示される化合物を含むダイオキシン類処理剤を好適に用いることができる。式(I)〜(VI)で示される化合物の１種だけを用いてもよく、或いは２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２１】
更に、本発明に係る有害物質除去剤においては、上記に説明したダイオキシン類処理剤及び消石灰粉末に、更に吸着剤粉末を加えることができる。即ち、本発明の他の態様は、ダイオキシン類処理剤と消石灰粉末とを含み、更に、吸着剤粉末を含むことを特徴とする、燃焼炉からの排ガス中に含まれる有害物質を分解処理するための有害物質除去剤に関する。本発明において用いることのできる吸着剤粉末としては、活性炭又は活性コークスの粉末を挙げることができる。このような吸着剤粉末を更に一成分として加えると、この吸着剤粉末によって燃焼炉排ガス中に含まれるダイオキシン類や重金属類などの有害物質を吸着・除去することができるので、ダイオキシン類処理剤及び消石灰粉末の機能と合わせて排ガス中の有害物質を更に効率的に除去することが可能になる。更には、ダイオキシン類が吸着剤に吸着・保持されるので、ダイオキシン類とダイオキシン類処理剤との接触時間（即ちダイオキシン類の分解処理反応時間）を大きくすることができ、ダイオキシン類の処理効率がより一層向上する。
【００２２】
本発明に係る有害物質除去剤は、粉末の形態で排ガス中に加えることが好ましい。粉末の形態の本発明に係る有害物質除去剤を排ガスに加えて有害物質と除去剤との反応を行わせた後、後述の集塵装置によって粒子を除去することにより、排ガス中から有害物質を分離除去することができる。また、集塵装置によって捕集される集塵飛灰中のダイオキシン類もダイオキシン類処理剤によって分解処理されているので、集塵飛灰のその後の処理が容易である。本発明に係る有害物質除去剤を粉末の形態にするには、本発明において用いられるダイオキシン類処理剤が常温で固体の場合には、ダイオキシン類処理剤、消石灰（及び用いる場合には吸着剤）を全て粉末の形態で混合することにより、本発明に係る有害物質除去剤を粉末の形態で形成することができる。また、用いられるダイオキシン類処理剤が常温で液体の場合には、消石灰粉末（及び用いる場合には吸着剤粉末）と液体のダイオキシン類処理剤とを混合して、これらの粉末にダイオキシン類処理剤を担持させることによって、本発明に係る有害物質除去剤を粉末の形態で形成することができる。例えば、上記式II、V及びVIで示されるダイオキシン類処理剤は常温で固体であり、上記式I、III及びIVで示されるダイオキシン類処理剤は常温で液体である。
【００２３】
本発明によれば、上記に説明した有害物質除去剤を、燃焼炉排ガスに添加して、排ガス中の有害物質と除去剤の各成分とを反応させ、次に排ガスを集塵処理にかけることによって、排ガス中から有害物質を分離除去することができる。本発明に係る有害物質除去剤の排ガスへの添加時期は、焼却炉からの高温の排ガスに直接加えてもよく、或いは焼却炉排ガスを冷却塔で冷却した後の１００℃以上３００℃未満の温度の排ガスに加えてもよい。また、上記の目的で用いられる集塵装置としては、バグフィルタ、サイクロン、電気集塵機など、ガスの集塵装置として当該技術において慣用されているものを用いることができる。
【００２４】
なお、特に集塵装置としてバグフィルタなどの濾過装置を用いる場合には、有害物質除去剤に、更に、シリカ、アルミナ等の不活性無機粉末を加えると更に好ましい。本発明に係る有害物質除去剤を加えた排ガスをバグフィルタで集塵する際には、排ガスの流れによりバグフィルタの濾布表面に堆積層が形成されるが、上記のような不活性無機粉末を有害物質除去剤に加えると、形成される堆積層は、ダイオキシン類処理剤、消石灰粉末（及び用いる場合には吸着剤粉末）、並びに不活性無機粉末が排ガス中のダストと共に均一に分散した層となるので、不活性無機粉末が濾過助剤として機能してフィルタの通気抵抗を低減して目詰まりを防止することができる。また、このような不活性無機粉末を加えると、フィルタの逆洗の際に剥離剤として機能するので、装置の操作上好ましい。更には、これらの不活性無機粉末は、ダイオキシン類処理剤の担体としても機能させることができるので、ダイオキシン類処理剤が常温で液体の場合に好ましく用いることができる。この目的で用いることのできる不活性無機粉末としては、シリカ、アルミナ、ゼオライト及び珪藻土の粉末を挙げることができる。
【００２５】
本発明に係る有害物質除去剤において、消石灰粉末の混合割合は、ダイオキシン類処理剤の重量（吸着剤粉末及び／又は不活性無機粉末を更に含む場合にはこれらの混合粉末の合計重量）に対して消石灰粉末を１０〜１０，０００重量％の割合で用いることが好ましく、５０〜５，０００重量％の割合が更に好ましい。また、吸着剤粉末を加える場合には、その添加量は、ダイオキシン類処理剤に対して１０〜１０，０００重量％の割合が好ましく、５０〜５，０００重量％が更に好ましい。更に、シリカ等の不活性無機粉末を加える場合には、ダイオキシン類処理剤（及び用いる場合には吸着剤粉末）の量が、不活性無機粉末に対してそれぞれ１〜１００重量％、より好ましくは５〜５０重量％となるような割合で用いることが好ましい。
【００２６】
また、本発明に係る有害物質除去剤の好適な使用量は、処理される燃焼炉排ガス中に含まれるダイオキシン類や重金属類或いは塩化水素ガスなどの有害物質の濃度によって変動し、当業者が経験的に決定することができるが、燃焼炉が廃棄物焼却炉の場合には、一般に、焼却炉で焼却処理されるゴミの重量に対して０．１〜１０重量％の本発明に係る有害物質除去剤を排ガス中に加えることが好ましい。
【００２７】
本発明に係る有害物質除去剤において、「粉末」は、当該技術において通常的に使用されている任意の粒径を有することができるが、一般に、消石灰粉末、吸着剤粉末、不活性無機粉末及びダイオキシン処理剤粉末（常温で固体の場合）は、いずれも１００μｍ以下の粒径を有するものを好ましく用いることができる。
【００２８】
本発明は、更に上記有害物質除去剤を用いて燃焼炉排ガス中の有害物質を除去するための装置をも包含する。即ち、本発明の更に他の態様は、燃焼炉から排出される排ガスを所定温度に冷却するガス冷却装置；前記焼却炉からガス冷却装置への排出ガス及び／又はガス冷却装置からの排出ガスに上記に記載の本発明に係る有害物質除去剤を供給するための有害物質除去剤供給装置；有害物質除去剤が加えられた排ガスを集塵処理するための集塵装置；を具備することを特徴とする燃焼炉排ガス中の有害物質除去装置に関する。
【００２９】
以下において、図面を参照しながら、本発明に係るダイオキシン類処理装置の具体的な一態様を説明する。図１は、本発明の一態様に係るダイオキシン類処理装置の構成を示す概念図である。以下の説明は、図１に示す本発明の一態様に係るダイオキシン類処理装置に関するもので、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３０】
図１中、１は焼却炉、２はガス冷却塔、３はガス冷却塔から集塵装置への煙道、１０は焼却炉からガス冷却塔への煙道、４は集塵装置、５は本発明に係る有害物質除去剤ホッパ、６及び９は有害物質除去剤供給配管である。焼却炉１から排出される排ガスは、９００℃〜９５０℃の高温であるが、ガス冷却塔２により３００℃以下の適当な温度に冷却される。ここでいう適当な温度とは、配管６を通して排ガス中に供給される有害物質除去剤によって、ダイオキシン類の再合成温度以下の温度でダイオキシン類を分解処理する反応の反応温度であり、ガス中のダイオキシン類の濃度や用いられる有害物質除去剤の種類、ガスの流量などによって変動するが、一般に、１５０℃以上、好ましくは１８０℃以上であって、３００℃以下、好ましくは２５０℃以下、更に好ましくは２３０℃以下、最も好ましくは２００℃以下の温度である。ガス冷却塔２を適宜制御することにより、所望の温度に排ガスを冷却することができる。なお、ガス冷却塔に代えて、排ガスを所望の温度に制御しながら冷却することのできる当該技術において公知の任意の冷却装置を用いることができる。冷却塔２で冷却された排ガスは、煙道３を通って集塵装置４に送られ、そこで集塵処理されて、焼却飛灰が排ガスから分離される。
【００３１】
図１に示す装置においては、煙道３及び／又は１０に本発明に係る有害物質除去剤ホッパ５が配管６及び／又は９を介して接続されており、所定量の有害物質除去剤が煙道３及び／又は１０内に供給される。これにより、煙道３及び／又は１０を流れる排ガス中に含まれるダイオキシン類や重金属類又は塩化水素ガスなどの有害物質が、本発明に係る有害物質除去剤と反応して分解処理或いは吸着除去される。なお、本発明に係る有害物質除去剤は、図１に示すように焼却炉１からガス冷却塔２への煙道１０に供給しても、又はガス冷却塔２から集塵装置４への煙道３に供給してもよく、或いはこれらの両方に供給することもできる。更には、本発明に係る有害物質除去剤は、集塵装置４に直接供給することもできる。いずれの態様においても、本発明に係る有害物質除去剤とダイオキシン類、重金属類、塩化水素ガスなどの有害物質との反応が十分に進行して有害物質が分解処理或いは吸着除去される。
【００３２】
以下の参考例及び実施例により、本発明をより具体的に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。
なお、以下の参考例及び実施例において、ダイオキシン類の濃度（ｎｇ／ｇ）は、ガスクロマトグラフィー−質量分析法によってダイオキシン類（ＰＣＤＤｓ・ＰＣＤＦｓの合計）の濃度として測定し、また、ダイオキシン類毒性等量値（ｎｇ−ＴＥＱ／ｇ）は、国際毒性等価係数（Ｉ−ＴＥＦ）を用いて算出した。
【００３３】
参考例：各種ダイオキシン類処理剤の調製及び分解能の評価
参考例１
シリカに吸着させたニトロベンゼン５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２３０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００３４】
参考例２
シリカに吸着させたニトロフェノール５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例１と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示す。
【００３５】
参考例３
ｐ−ニトロトルエン５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例１と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示す。
【００３６】
参考例４
ｐ−ｎ−ブチルニトロベンゼン５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、２００℃、３００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００３７】
参考例５
ｐ−メトキシニトロベンゼン５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示す。
【００３８】
参考例６
ｐ−ニトロビフェニル５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示す。
【００３９】
参考例７
ｐ−アリルニトロベンゼン５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示す。
【００４０】
参考例８
ｐ−ジメチルアミノニトロベンゼン５ｇと飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）をよく混合し、参考例４と同様にダイオキシン類除去試験を行った。結果を表１に示す。
【００４１】
比較例１
シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃、２３０℃、３００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表１に示す。
【００４２】
【表１】
2006075827.tif 000008
参考例９
トリメルカプトトリアジンの１ナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００４３】
参考例１０
トリメルカプトトリアジンの２ナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００４４】
参考例１１
トリメルカプトトリアジンの３ナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００４５】
参考例１２
トリメルカプトトリアジンのカルシウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００４６】
参考例１３
トリメルカプトトリアジンのメチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００４７】
参考例１４
トリメルカプトトリアジンのオクチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００４８】
参考例１５
トリメルカプトトリアジンのジメチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００４９】
参考例１６
トリメルカプトトリアジンのトリメチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００５０】
参考例１７
トリメルカプトトリアジンのシクロヘキシルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００５１】
参考例１８
トリメルカプトトリアジンのベンジルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００５２】
参考例１９
トリメルカプトトリアジンのジベンジルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００５３】
参考例２０
トリメルカプトトリアジンのエタノールアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００５４】
参考例２１
トリメルカプトトリアジンのメチルアミン塩５ｇにシリカ５ｇを混合したものと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００５５】
参考例２２
トリメルカプトトリアジンのモノピペリジン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表２に示す。
【００５６】
比較例２
シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考例９と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン類濃度を表２に示す。
【００５７】
【表２】
2006075827.tif 000009
参考例２３
ジメチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００５８】
参考例２４
ジオクチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００５９】
参考例２５
ジベンジルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６０】
参考例２６
ジシクロヘキシルジチオカルバミン酸のナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６１】
参考例２７
ジメチルジチオカルバミン酸のカルシウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６２】
参考例２８
ジメチルジチオカルバミン酸のメチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６３】
参考例２９
ジメチルジチオカルバミン酸のオクチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６４】
参考例３０
ジメチルジチオカルバミン酸のジメチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６５】
参考例３１
ジメチルジチオカルバミン酸のトリメチルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６６】
参考例３２
ジメチルジチオカルバミン酸のシクロヘキシルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６７】
参考例３３
ジメチルジチオカルバミン酸のベンジルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６８】
参考例３４
ジメチルジチオカルバミン酸のジベンジルアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００６９】
参考例３５
ジメチルジチオカルバミン酸のエタノールアミン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００７０】
参考例３６
ジメチルジチオカルバミン酸のジメチルアミン塩５ｇにシリカ５ｇを混合したものと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００７１】
参考例３７
ペンタメチレンジチオカルバミン酸のピペリジン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表３に示す。
【００７２】
比較例３
シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考例２３と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン類濃度を表４に示す。
【００７３】
【表３】
2006075827.tif 000010
参考例３８
テトラメチルチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００７４】
参考例３９
シリカに吸着させたテトラオクチルチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００７５】
参考例４０
テトラベンジルチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００７６】
参考例４１
テトラシクロヘキシルチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００７７】
参考例４２
ジペンタメチレンチウラムジスルフィド５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表４に示す。
【００７８】
比較例４
シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考例３８と同様に熱処理を行った。処理物のダイオキシン類濃度を表５に示す。
【００７９】
【表４】
2006075827.tif 000011
参考例４３
ペルオクソ二硫酸のアンモニウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表５に示す。
【００８０】
参考例４４
ペルオクソ二硫酸のナトリウム塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃、２００℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表５に示す。
【００８１】
比較例５
シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考例４３と同様に試験を実施した。処理物のダイオキシン類濃度を表５に示す。
【００８２】
【表５】
2006075827.tif 000012
参考例４５
ジチオカルバジン酸ヒドラジン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表６に示す。
【００８３】
参考例４６
２−メチルジチオカルバジン酸メチルヒドラジン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表６に示す。
【００８４】
参考例４７
３−フェニルジチオカルバジン酸フェニルヒドラジン塩５ｇと、飛灰１００ｇ（ダイオキシン類濃度９５０ｎｇ／ｇ）とをよく混合し、容量５００ｍＬの蓋付き角型こう鉢へ移し入れた後、室温（２０℃）、５０℃、１００℃、１５０℃の各温度で３０分間加熱した。その後、処理物のダイオキシン濃度を測定した。結果を表６に示す。
【００８５】
比較例６
シリカ粒子５ｇと、飛灰１００ｇとをよく混合し、参考例４５と同様に試験を実施した。処理物のダイオキシン類濃度を表６に示す。
【００８６】
【表６】
2006075827.tif 000013
実施例１〜１２及び比較例７〜１０
図１に示す実験装置を用いて燃焼排ガスの処理実験を行った。燃焼炉１からの排ガスをガス冷却塔２によって冷却し、煙道３において、有害物質除去剤を、薬剤供給装置５から配管６を通して排ガス中に吹き込んだ後、集塵装置４において集塵処理を行った。薬剤添加前の排ガス３中及び集塵処理後の排ガス７中のダスト濃度、塩化水素ガス濃度、水銀濃度、ダイオキシン類濃度、及び集塵装置４から排出される集塵灰８中のダイオキシン類の濃度を測定した。また、集塵装置４の圧力損失を測定した。
【００８７】
有害物質除去剤としては、下表７〜１０に示す各成分を配合したものを用いた。珪藻土粉末、ゼオライト粉末、活性炭粉末、活性コークス粉末は、いずれも粒径１００μｍ以下のものを用いた。ダイオキシン類処理剤がテトラメチルチウラムジスルフィド又はジメチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩の場合には、液状のダイオキシン類処理剤を、消石灰、吸着剤及び不活性無機物質の混合粉末と混合することによって、これらの粉末粒子上にダイオキシン類処理剤を担持させて用いた。また、ダイオキシン類処理剤がジチオカルバジン酸ヒドラジン塩の場合には、粒径１００μｍ以下の粉末として用いた。実験装置としては次の２種類の実験装置を用いた。実験装置１においては、燃焼炉１として、流動床焼却炉（処理量４．２t/hr×３基）を用い、排ガス量は３０，０００（m3(NTP)/hr）であった。また、集塵装置４の入口の排ガス温度は１７０℃であった。実験装置２においては、燃焼炉１として、ストーカ炉（６．３t/hr×２基）を用い、排ガス量は３２，０００（m3(NTP)/hr）であった。集塵装置４の入口の排ガス温度は１８０℃であった。いずれの実験装置においても、集塵装置４としてはバグフィルタを用いた。
【００８８】
結果を表７〜１０に示す。
【００８９】
【表７】
2006075827.tif 000014
【００９０】
【表８】
2006075827.tif 000015
【００９１】
【表９】
2006075827.tif 000016
【００９２】
【表１０】
2006075827.tif 000017
上記表に示す結果から、本発明に係る有害物質除去剤を用いると、燃焼排ガス中の塩化水素ガス、水銀及びダイオキシンなどの有害物質を有効に除去することができ、更に、集塵灰中のダイオキシン濃度が従来のものと比較して極めて低いことが分かる。
【００９３】
実施例１３〜２４
実施例１と同様に、図１に示す実験装置を用いて燃焼排ガスの処理実験を行った。燃焼炉１からの排ガスに、煙道１０において、有害物質除去剤を薬剤供給装置５から配管９を通して吹き込んだ後、排ガスをガス冷却塔２によって冷却し、次に集塵装置４において集塵処理を行った。薬剤添加前の排ガス１０中及び集塵処理後の排ガス７中のダスト濃度、塩化水素ガス濃度、水銀濃度、ダイオキシン類濃度、及び集塵装置４から排出される集塵灰８中のダイオキシン類の濃度を測定した。また、集塵装置４の圧力損失を測定した。
【００９４】
有害物質除去剤としては、下表１１〜１３に示す各成分を配合したものを用いた。珪藻土粉末、ゼオライト粉末、活性炭粉末、活性コークス粉末は、いずれも粒径１００μｍ以下のものを用いた。ダイオキシン類処理剤がテトラメチルチウラムジスルフィド又はジメチルジチオカルバミン酸のナトリウム塩の場合には、液状のダイオキシン類処理剤を、消石灰、吸着剤及び不活性無機物質の混合粉末と混合することによって、これらの粉末粒子上にダイオキシン類処理剤を担持させて用いた。また、ダイオキシン類処理剤がジチオカルバジン酸ヒドラジン塩の場合には、粒径１００μｍ以下の粉末として用いた。実験装置としては次の２種類の実験装置を用いた。実験装置１においては、燃焼炉１として、流動床焼却炉（処理量４．２t/hr×３基）を用い、排ガス量は３０，０００（m3(NTP)/hr）であった。また、集塵装置４の入口の排ガス温度は１７０℃であった。実験装置２においては、燃焼炉１として、ストーカ炉（６．３t/hr×２基）を用い、排ガス量は３２，０００（m3(NTP)/hr）であった。集塵装置４の入口の排ガス温度は１８０℃であった。いずれの実験装置においても、集塵装置４としてはバグフィルタを用いた。
【００９５】
結果を表１１〜１３に示す。
【００９６】
【表１１】
2006075827.tif 000018
【００９７】
【表１２】
2006075827.tif 000019
【００９８】
【表１３】
2006075827.tif 000020
表１１〜１３に示す結果から、本発明に係る有害物質除去剤を、焼却炉からガス冷却塔への煙道中に加えても、実施例１〜１２（有害物質除去剤をガス冷却塔から集塵装置への煙道へ添加）と同様に、燃焼排ガス中の塩化水素ガス、水銀及びダイオキシンなどの有害物質を有効に除去することができ、更に集塵灰中のダイオキシン濃度が極めて低かったことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明に係る有害物質除去剤によれば、個別に噴霧装置、吸着装置を設けることなく、燃焼炉排ガス中の塩化水素ガス、重金属類及びダイオキシン類等の有害物質を、低温でも効率的に分解処理することができ、環境問題に資すること大である。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明に係る燃焼炉排ガス処理実験装置の一具体例を示す概略図である。
【図１】
2006075827.tif 000022