(57)【要約】【課題】  良好な膜質を有する無電解めっき膜を積層形成することが可能な記録媒体基板、並びに、良好な膜質の無電解めっき膜を有する記録媒体基板および記録媒体を提供すること。【解決手段】  本発明の記録媒体基板Ｘ１は、無電解めっき膜形成用の下地膜１２を表面に有するか、或は、そのような下地膜１２とこの上に形成された無電解めっき膜３２とを有する。本発明における下地膜１２は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる。本発明の記録媒体Ｙ１は、例えばこのような記録媒体基板Ｘ１を用いて作製されるものである。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無電解めっき膜形成用の下地膜を表面に有する記録媒体基板であって、
前記下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体基板。
【請求項２】
下地膜と、当該下地膜上に形成された無電解めっき膜と、記録層とを含む積層構造を有する記録媒体であって、
前記下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体。
【請求項３】
無電解めっき膜形成用の下地膜を表面に有する記録媒体基板であって、
前記下地膜は、第１層および当該第１層上の第２層からなり、
前記第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなり、
前記第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体基板。
【請求項４】
下地膜と当該下地膜上に形成された無電解めっき膜とを有する記録媒体基板であって、
前記下地膜は、第１層および当該第１層上の第２層からなり、
前記第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなり、
前記第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体基板。
【請求項５】
下地膜と、当該下地膜上に形成された無電解めっき膜と、記録層とを含む積層構造を有する記録媒体であって、
前記下地膜は、第１層および当該第１層上の第２層からなり、
前記第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなり、
前記第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスクや光ディスクなどの記録媒体に用いることのできる基板、および、磁気ディスクや光ディスクなどの記録媒体に、関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクや光磁気ディスクにおいては、記録特性を向上すべく、軟磁性材料よりなる印加磁界エンハンス層が記録層の近傍に設けられる場合がある。また、光ディスクにおいては、再生特性を向上すべく、良好な金属光沢を有する反射層が記録層の近傍に設けられる場合がある。そして、これら印加磁界エンハンス層および反射層の形成手法としては、無電解めっき法が採用される場合がある。無電解めっき法により印加磁界エンハンス層を形成する技術については、例えば下記の特許文献１および特許文献２に記載されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平６−２４３４５６号公報
【特許文献２】特開２００４−１５２３６７号公報
【０００４】
無電解めっき法による印加磁界エンハンス層や反射層の形成においては、例えば、まず、当該層が積層形成される基材が、所定の酸性水溶液に浸漬され、めっき成長の基端となる基材表面が洗浄される（酸洗浄処理）。この洗浄は、基材表面において、酸化皮膜などの汚染皮膜を除去し、後述の触媒が吸着しやすい新生面を露出させるために、行われる。次に、水洗の後、基材は、例えば塩化パラジウム水溶液に浸漬される（触媒処理）。この水溶液に含まれるパラジウムは、基材表面に吸着し、後のめっき成長の開始時における触媒として機能する。次に、水洗の後、基材はめっき液（めっき浴）に浸漬される。これにより、基材表面のパラジウムを触媒核として無電解めっき膜が基材表面にて成長する。めっき液は、形成目的の無電解めっき膜の組成に応じた所定の組成を有する。例えばこのようにして、印加磁界エンハンス層や反射層としての無電解めっき膜が形成される。
【０００５】
上述のような無電解めっき法では、触媒処理を経た後の基材表面に吸着している触媒核の大きさや当該触媒核の分布状態が無電解めっき膜の膜質に大きく影響するところ、微細で均一な大きさの触媒核が高密度かつ均一に基材表面にて分散している状態が、理想的である。しかしながら、従来の技術によると、基材の構成材料種や表面化学状態によっては、酸洗浄処理において汚染皮膜を充分に除去できない場合あり、その場合、汚染皮膜が残存する箇所には触媒処理において触媒核が吸着しにくいために、基材表面における触媒核の分布に不当な斑が生じてしまう。
【０００６】
基材表面での触媒核の分布に不当な斑が存在する状態で当該基材表面に無電解めっき膜を成長させると、無電解めっき膜を構成するめっき粒子の部分的な優先成長が生じ、即ち粗大なめっき粒子が形成され、均一なめっき成長が阻害される。めっき成長の不均一化は、無電解めっき膜の成長端面の荒れや、無電解めっき膜の膜密度の低下を招来する。このように、酸洗浄処理により充分に汚染皮膜が除去されない場合には膜質不良が生じてしまうのである。この膜質不良は、記録媒体において所定の機能を担うべくして設けられる無電解めっき膜（印加磁界エンハンス層や反射層など）が当該機能を効果的に発揮するのを阻害し、ひいては、記録媒体の記録特性不良や再生特性不良の原因となり得るので、好ましくない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、良好な膜質を有する無電解めっき膜を積層形成することが可能な記録媒体基板、並びに、良好な膜質の無電解めっき膜を有する記録媒体基板および記録媒体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の側面によると、無電解めっき膜形成用の下地膜を表面に有する記録媒体基板が提供される。本記録媒体基板の下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる。本記録媒体基板は、磁気ディスクや光ディスクなどの記録媒体の一部を構成するための基板であって、本記録媒体基板の下地膜は、当該記録媒体において所定の機能を担うべくして設けられる無電解めっき膜を本記録媒体基板上に積層形成する際の下地として、機能する膜である。
【０００９】
本記録媒体基板上に無電解めっき法により無電解めっき膜を積層形成する際には、まず、酸化皮膜などの汚染皮膜が形成されて化学的に不均一になっている下地膜表面に対し、酸性水溶液を作用させる（酸洗浄処理）。下地膜は、Ｃｏとこれよりもイオン化傾向の大きな元素（即ち電気化学的にＣｏより卑な元素）とを含む合金、または、Ｃｕとこれよりもイオン化傾向の大きな元素（即ち電気化学的にＣｕより卑な元素）とを含む合金、を含んでなる。そのため、本酸洗浄処理では、下地膜素地（化学的に汚染されていない組織）の表面の各所において局部電池反応が生じ、当該素地に含まれる卑元素（ＣｏまたはＣｕよりもイオン化傾向の大きな元素）が酸性水溶液に溶解し、合金である下地膜素地表面の全体の溶解が促進される。したがって、本酸洗浄処理では、酸性水溶液による汚染皮膜の直接的な溶解作用に加え、局部電池反応による下地膜素地表面での溶解により、下地膜表面の全体が瞬時に均一に溶解し、汚染皮膜が全く又は殆ど残存しない下地膜新生面が露出する。また、下地膜に含まれるＣｏおよびＣｕは、イオン化傾向が共に比較的に小さい（即ち電気化学的に共に比較的に貴である）ため、酸洗浄処理に使用される酸性水溶液に対して溶解しにくい。Ｃｕの方が、Ｃｏよりもイオン化傾向が小さいので、その傾向は強い。これに対し、Ｃｏよりもイオン化傾向の大きな例えばＦｅ(II)は、酸洗浄処理に使用される酸性水溶液に対して溶解しやすい。そのため、例えば、Ｆｅ(II)とこれよりもイオン化傾向の大きな元素とを含む合金よりなる膜に対し、本酸洗浄処理における酸性水溶液を作用させると、当該Ｆｅ合金膜において多数のピンホール欠陥が発生してしまう場合がある。このように、Ｃｏよりもイオン化傾向の大きなＦｅ(II)のような元素と、これよりも更にイオン化傾向の大きな元素とからなる合金膜は、無電解めっき膜形成用の下地膜としては不適当なのである。
【００１０】
本記録媒体基板上への無電解めっき膜の積層形成においては、次に、水洗の後、下地膜表面に触媒溶液を作用させて触媒核（例えばパラジウム）を吸着させる（触媒処理）。このとき、下地膜表面に汚染皮膜が全く又は殆ど残存していないため、当該下地膜表面に対する触媒核の分散状態に不当な斑が生じず、且つ、下地膜表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着する。次に、水洗の後、下地膜表面に所定の組成の無電解めっき液を作用させ、下地膜表面に吸着している触媒核を基点として無電解めっき膜を下地膜上に成長させる。このとき、下地膜表面に対する触媒核の分散状態に不当な斑が生じていないため、無電解めっき膜を構成するめっき粒子の部分的な優先成長は抑制され、無電解めっき膜はその全体にわたって均質に成長する。また、下地膜表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着しているため、無電解めっき膜は緻密に成長する。したがって、成長端面の荒れが抑制され且つ膜密度の低下が抑制された、即ち良好な膜質を有する、無電解めっき膜が形成される。
【００１１】
このように、本発明の第１の側面の記録媒体基板に対しては、良好な膜質を有する無電解めっき膜を積層形成することが可能なのである。無電解めっき膜の膜質が良好であるほど、当該無電解めっき膜の所定の機能を効果的に発揮させることができ、記録媒体の記録特性や再生特性を向上するうえで好適である。
【００１２】
本発明の第２の側面によると、下地膜と当該下地膜上に形成された無電解めっき膜とを有する記録媒体基板が提供される。本記録媒体基板の下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる。本記録媒体基板は、本発明の第１の側面の記録媒体基板に対して上述のように無電解めっき膜を積層形成することにより、作製されるものである。したがって、本記録媒体基板の無電解めっき膜は、良好な膜質を有する。
【００１３】
本発明の第３の側面によると、下地膜と、当該下地膜上に形成された無電解めっき膜と、記録層とを含む積層構造を有する記録媒体が提供される。本記録媒体の下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる。本記録媒体は、本発明の第１の側面の記録媒体基板に対して上述のように無電解めっき膜を積層形成したうえで、更に所定の記録層を形成することにより、作製されるものである。したがって、本記録媒体の無電解めっき膜は、良好な膜質を有する。
【００１４】
本発明の第１から第３の側面では、好ましくは、下地膜の合金における一の金属元素（ＣｏまたはＣｕ）の含有率は、５０at％以上であり且つ１００at％未満である。上述の酸洗浄処理において使用される酸性水溶液に対する下地膜の耐性を確保しつつ、当該酸洗浄処理において下地膜にて局部電池反応を適切に生じさせるためには、ＣｏまたはＣｕの含有率についてはこのような範囲にあるのが好ましい。
【００１５】
本発明の第４の側面によると、無電解めっき膜形成用の下地膜を表面に有する記録媒体基板が提供される。本記録媒体基板の下地膜は、第１層、および当該第１層を覆って表面に露出する第２層からなる。第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなる。第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる。本記録媒体基板は、磁気ディスクや光ディスクなどの記録媒体の一部を構成するための基板であって、本記録媒体基板の下地膜は、当該記録媒体において所定の機能を担うべくして設けられる無電解めっき膜を本記録媒体基板上に積層形成する際の下地として、機能する膜である。また、本記録媒体基板上に無電解めっき法により無電解めっき膜を積層形成する際には、本発明の第１の側面の記録媒体基板に関して上述したのと同様に、酸洗浄処理および触媒処理の後に、下地膜上に無電解めっき膜を成長させる。酸洗浄処理においては、本発明の第１の側面の記録媒体基板における下地膜表面にて局部電池反応が生ずるのと同様に、下地膜ないし第２層の表面にて局部電池反応が生じて下地膜表面の全体が瞬時に均一に溶解し、汚染皮膜が全く又は殆ど残存しない下地膜新生面が露出する。
【００１６】
本記録媒体基板の下地膜における第１層は、ＮｉＰ，ＮｉＢ，ＮｉＣ，ＮｉＳ，ＣｏＰ，ＣｏＢ，ＣｏＣ，ＣｏＳ，ＣｕＰ，ＣｕＢ，ＣｕＣ，ＣｕＳからなる群より選択される合金を含んでなるところ、これら合金は、酸洗浄処理における酸性水溶液に対する耐性が相当程度に高い。したがって、酸洗浄処理において、酸性水溶液に対する活性が比較的に高い第２層にピンホール欠陥が万一発生しても、即ち第２層をその厚さ方向に貫通するピンホールが万一形成されても、第１層において当該ピンホールにて露出する部分は、酸性水溶液に対して実質的には溶解しない。そのため、触媒処理では、当該ピンホールに臨む第１層表面に触媒核が吸着することができ、従って、下地膜表面全体における触媒核の分散状態に不当な斑が生じず、且つ、下地膜表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着する。触媒処理を経た下地膜表面において触媒核の分散状態に不当な斑が生じておらず、且つ、当該下地膜表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着しているため、当該下地膜上には、均質かつ緻密に無電解めっき膜が成長することとなる。したがって、成長端面の荒れが抑制され且つ膜密度の低下が抑制された、即ち良好な膜質を有する、無電解めっき膜が形成される。このように、本発明の第４の側面の記録媒体基板に対しては、良好な膜質を有する無電解めっき膜を積層形成することが可能なのである。
【００１７】
本発明の第５の側面によると、下地膜と当該下地膜上に形成された無電解めっき膜とを有する記録媒体基板が提供される。本記録媒体基板の下地膜は、第１層、および当該第１層上の第２層からなる。第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなる。第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる。本記録媒体基板は、本発明の第４の側面の記録媒体基板に対して無電解めっき膜を積層形成することにより、作製されるものである。したがって、本記録媒体基板の無電解めっき膜は、良好な膜質を有する。
【００１８】
本発明の第６の側面によると、下地膜と、当該下地膜上に形成された無電解めっき膜と、記録層とを含む積層構造を有する記録媒体が提供される。本記録媒体の下地膜は、第１層、および当該第１層上の第２層からなる。第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなる。第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる。本記録媒体は、本発明の第４の側面の記録媒体基板に対して無電解めっき膜を積層形成したうえで、更に所定の記録層を形成することにより、作製されるものである。したがって、本記録媒体の無電解めっき膜は、良好な膜質を有する。
【００１９】
本発明の第４から第６側面では、好ましくは、第２層の合金における一の金属元素の含有率は、５０at％以上であり且つ１００at％未満である。上述の酸洗浄処理において使用される酸性水溶液に対する下地膜の耐性を確保しつつ、当該酸洗浄処理において下地膜にて局部電池反応を適切に生じさせるためには、Ｎｉ、Ｃｏ、またはＣｕの含有率についてはこのような範囲にあるのが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る記録媒体基板Ｘ１の部分断面を表す。記録媒体基板Ｘ１は、基材１１および下地膜１２を有し、磁気ディスクや光ディスクなどの記録媒体を作製するのに用いることのできるディスク基板として構成されている。
【００２１】
基材１１は、記録媒体の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金基板、シリコン基板、ガラス基板、または樹脂基板である。
【００２２】
下地膜１２は、記録媒体基板Ｘ１上に無電解めっき膜を積層形成する際の下地として機能する部位であり、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金よりなる。例えば、下地膜１２はＣｏＦｅ合金やＣｕＮｉ合金よりなる。図２に示すように、Ｆｅ(II)は、Ｃｏよりもイオン化傾向が大きく、従ってＣｏよりも電気化学的に卑であり、Ｎｉは、Ｃｕよりもイオン化傾向が大きく、従ってＣｕよりも電気化学的に卑である。また、下地膜１２を構成する合金におけるＣｏまたはＣｕの含有率は、５０at％以上であり且つ１００at％未満であるのが好ましい。
【００２３】
このような下地膜１２は、例えばスパッタリング法により、基材１１上に積層形成することができる。基材１１と下地膜１２との間において高い密着力を得るべく、基材１１および下地膜１２の間に密着層（図示略）を設けてもよい。下地膜１２を構成する合金の母材としてＣｕを採用する場合には、そのような密着層を構成する材料としては、例えばＴｉを採用することができる。
【００２４】
図３は、記録媒体基板Ｘ１を用いて作製された記録媒体の一例である磁気ディスクＹ１の積層構成を表す。磁気ディスクＹ１は、記録媒体基板Ｘ１と、記録層３１と、軟磁性層３２と、非磁性層３３と、保護層３４とからなる積層構造を有し、垂直磁気記録方式の磁気ディスクとして構成されたものである。
【００２５】
記録層３１は、この層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有して磁化された垂直磁化膜であり、情報が記録される部位である。このような記録層３１は、例えば、所定の組成のＴｂＦｅＣｏまたはＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2よりなる。
【００２６】
軟磁性層３２は、磁気ディスクＹ１に対する記録処理の際に記録層３１に印加される磁界の磁束密度を増大させることによって記録層３１の正味の記録感度を向上するための印加磁界エンハンス層であり、後述のように無電解めっき法により形成された、軟磁性めっき膜よりなる。軟磁性層３２を構成するための軟磁性材料は、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する材料であり、当該軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉ、またはＣｏＮｉを採用することができる。このような軟磁性層３２の厚さは例えば０.５〜１μｍである。
【００２７】
非磁性層３３は、記録層３１と軟磁性層３２とを磁性的に分離するとともに、記録層３１の積層形成の際に軟磁性層３２の結晶格子構造の影響を回避するためのものである。このような非磁性層３３は、例えばＳｉ，Ｃ，ＮｉＰなど、非磁性材料よりなる。
【００２８】
保護層３４は、記録層３１を外界から物理的および化学的に保護するためのものであり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボンよりなる。
【００２９】
磁気ディスクＹ１においては、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性層３２が記録層３１の近傍に存在するため、記録処理時において、磁気記録ヘッドから記録層３１に印加される記録磁界の磁束は記録層３１にて拡散せずに集中する。したがって、磁気記録ヘッドにより記録層３１に印加される正味の記録磁界は、軟磁性層３２が存在しない場合よりも大きい。正味の記録磁界が大きいほど、より大きな保持力を有する記録層３１への磁気記録が可能であり、記録層３１の設定保持力の増大により、記録層３１に形成される磁気記録マークの熱安定性が向上する。したがって、軟磁性層３２の存在による正味の記録磁界の向上は、保持力の大きな記録層を有する垂直磁気記録方式磁気ディスクの実用化を図るうえで重要である。
【００３０】
このような磁気ディスクＹ１の製造においては、無電解めっき法により記録媒体基板Ｘ１上に軟磁性層３２（軟磁性めっき膜）を形成した後、例えばスパッタリング法により、軟磁性層３２上に、非磁性層３３、記録層３１、および保護層３４を順次形成する。
【００３１】
記録媒体基板Ｘ１上への軟磁性層３２の形成においては、まず、記録媒体基板Ｘ１を酸性水溶液に浸漬し、酸化皮膜などの汚染皮膜が形成されて化学的に不均一になっている下地膜１２の表面に対して酸洗浄処理を施す。酸性水溶液としては、例えば、所定濃度の塩酸、硝酸、または硫酸を採用することができる。
【００３２】
下地膜１２は、Ｃｏとこれよりも卑な元素とを含む合金、または、Ｃｕとこれよりも卑な元素とを含む合金よりなるため、本酸洗浄処理では、下地膜１２の素地（化学的に汚染されていない組織）の表面の各所において局部電池反応が生じ、当該素地に含まれる卑元素（ＣｏまたはＣｕよりもイオン化傾向の大きな元素）が酸性水溶液に溶解し、合金である素地の表面全体の溶解が促進される。したがって、本酸洗浄処理では、酸性水溶液による汚染皮膜の直接的な溶解作用に加え、局部電池反応による下地膜素地表面での溶解により、下地膜１２の表面の全体が瞬時に均一に溶解し、下地膜１２において、汚染皮膜が全く又は殆ど残存しない新生面が露出する。酸性水溶液に対する下地膜１２の耐性を確保しつつ、本酸洗浄処理において下地膜１２にて局部電池反応を適切に生じさせるためには、下地膜１２を構成する合金におけるＣｏまたはＣｕの含有率は、上述のように、５０at％以上であり且つ１００at％未満であるのが好ましい。また、下地膜１２に含まれるＣｏおよびＣｕは、イオン化傾向が共に比較的に小さい（即ち電気化学的に共に比較的に貴である）ため、例えばＦｅ(II)（ＣｏおよびＣｕよりもイオン化傾向は大きい）よりも、酸洗浄処理に使用される酸性水溶液に対して溶解しにくい。
【００３３】
軟磁性層３２の形成においては、次に、記録媒体基板Ｘ１を水洗した後、記録媒体基板Ｘ１を触媒溶液に浸漬し、下地膜１２の表面に触媒溶液を作用させて触媒核を吸着させる。触媒溶液としては、例えば、所定濃度の塩化パラジウム水溶液や硝酸パラジウム水溶液を採用することができる。下地膜１２の表面に汚染皮膜が全く又は殆ど残存していないため、本触媒処理では、下地膜１２の表面に対する触媒核の分散状態に不当な斑が生じず、且つ、下地膜１２の表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着する。
【００３４】
次に、記録媒体基板Ｘ１を水洗した後、記録媒体基板Ｘ１を無電解めっき液に浸漬し、下地膜１２の表面に無電解めっき液を作用させて触媒核を基点として軟磁性めっき膜を下地膜１２上に成長させる。無電解めっき液は、軟磁性層３２を構成するための軟磁性材料に応じた組成を有する。本工程では、下地膜１２の表面に対する触媒核の分散状態に不当な斑が生じていないため、軟磁性めっき膜を構成するめっき粒子の部分的な優先成長は抑制され、軟磁性めっき膜はその全体にわたって均質に成長する。また、下地膜１２の表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着しているため、軟磁性めっき膜は緻密に成長する。したがって、成長端面の荒れが抑制され且つ膜密度の低下が抑制された、即ち良好な膜質を有する、軟磁性層３２が形成される。
【００３５】
このように、記録媒体基板Ｘ１に対しては、良好な膜質を有する軟磁性層３２（無電解めっき膜）を積層形成することが可能なのである。軟磁性層３２の膜質が良好であるほど、軟磁性層３２の印加磁界エンハンス機能を効果的に発揮させることができ、磁気ディスクＹ１の記録特性を向上するうえで好適である。
【００３６】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る記録媒体基板Ｘ２の部分断面を表す。記録媒体基板Ｘ２は、基材２１および下地膜２２を有し、磁気ディスクや光ディスクなどの記録媒体を作製するのに用いることのできるディスク基板として構成されている。
【００３７】
基材２１は、記録媒体の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金基板、シリコン基板、ガラス基板、または樹脂基板である。下地膜２２は、記録媒体基板Ｘ２上に無電解めっき膜を積層形成する際の下地として機能する部位であり、第１層２２ａおよび第２層２２ｂからなる。
【００３８】
第１層２２ａは、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金よりなる。例えば、第１層２２ａは、ＮｉＰ合金やＣｏＢ合金よりなる。また、第１層２２ａにおける金属元素（Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ）の含有率は、６０〜９５at％であるのが好ましい。すなわち、第１層２２ａにおける非金属元素（Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓ）の含有率は、５〜４０at％であるのが好ましい。非金属元素の含有率が５at％未満であると、後述の酸洗浄処理における酸性水溶液に対して第１層２２ａが充分な耐性を有さない傾向があり、非金属元素の含有率が４０at％を越えると、第１層２２ａが脆くなって割れる傾向がある。
【００３９】
第２層２２ｂは、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金よりなる。例えば、第２層２２ｂはＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金、またはＣｕＮｉ合金よりなる。図２に示すように、Ｆｅ(II)は、ＮｉおよびＣｏよりもイオン化傾向が大きく、従ってＮｉおよびＣｏよりも電気化学的に卑であり、Ｎｉは、Ｃｕよりもイオン化傾向が大きく、従ってＣｕよりも電気化学的に卑である。また、第２層２２ｂにおけるＮｉ、Ｃｏ、またはＣｕの含有率は、５０at％以上であり且つ１００at％未満であるのが好ましい。
【００４０】
このような下地膜２２は、例えばスパッタリング法により基材２１上に第１層２２ａおよび第２層２２ｂを順次積層することによって、形成することができる。基材２１と第１層２２ａとの間において高い密着力を得るべく、基材２１および第１層２２ａの間に密着層（図示略）を設けてもよい。また、第１層２２ａと第２層２２ｂとの間において高い密着力を得るべく、第１層２２ａおよび第２層２２ｂの間に密着層（図示略）を設けてもよい。第１層２２ａや第２層２２ｂを構成する合金の母材としてＣｕを採用する場合には、そのような密着層を構成する材料としては、例えばＴｉを採用することができる。
【００４１】
図５は、記録媒体基板Ｘ２を用いて作製される記録媒体の一例である光磁気ディスクＹ２の積層構成を表す。光磁気ディスクＹ２は、記録媒体基板Ｘ２と、記録磁性部４１と、軟磁性層４２と、プリグルーブ層４３と、放熱層４４と、誘電体層４５，４６と、保護膜４７とを備え、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担う書換え可能な、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。
【００４２】
記録磁性部４１は、熱磁気的な記録および磁気光学効果を利用した再生という２つの機能を担うことが可能な、１または２以上の磁性膜よりなる磁性構造を有し、情報が記録される部位である。例えば、記録磁性部４１は、記録機能および再生機能を併有する単一の記録層よりなる。或は、記録磁性部４１は、相対的に保磁力が大きくて記録機能を担う記録層と、再生用レーザにおけるカー回転角が相対的に大きくて再生機能を担う再生層とからなる、２層構造を有する。或は、記録磁性部４１は、ＭＳＲ方式、ＭＡＭＭＯＳ方式、またはＤＷＤＤ方式を実現するための、記録層、再生層、およびこれらの間の中間層よりなる３層構造を有する。記録磁性部４１のとり得る各構造における各層は、希土類元素と遷移金属とのアモルファス合金よりなり、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。具体的には、記録層は、例えば、所定の組成を有するＴｂＦｅＣо、ＤｙＦｅＣо、またはＴｂＤｙＦｅＣоよりなる。再生層を設ける場合、当該再生層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅＣо、ＧｄＤｙＦｅＣо、ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо、ＮｄＤｙＦｅＣо、ＮｄＧｄＦｅＣо、またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。中間層を設ける場合、当該中間層は、例えば、所定の組成を有するＧｄＦｅ、ＴｂＦｅ、ＧｄＦｅＣо、ＧｄＤｙＦｅＣо、ＧｄＴｂＤｙＦｅＣо、ＮｄＤｙＦｅＣо、ＮｄＧｄＦｅＣо、またはＰｒＤｙＦｅＣоよりなる。
【００４３】
軟磁性層４２は、光磁気ディスクＹ２に対する記録処理の際に記録磁性部４１に印加される磁界の磁束密度を増大させることによって記録磁性部４１の正味の記録感度を向上するための印加磁界エンハンス層であり、無電解めっき法により形成された軟磁性めっき膜よりなる。軟磁性層４２を構成するための軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮｉ、またはＣｏＮｉを採用することができる。このような軟磁性層４２の厚さは例えば０.５〜５μｍである。
【００４４】
プリグルーブ層４３は、樹脂材料よりなり、その放熱層４４との接触面には、渦巻き状または同心円状のプリグルーブ（図示略）が形成されている。このプリグルーブを基に、光磁気ディスクＹ２におけるランドグルーブ形状が実現される。プリグルーブ層４３を構成する樹脂材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、エポキシ樹脂、またはポリオレフィン樹脂を採用することができる。
【００４５】
放熱層４４は、光磁気ディスクＹ２に対するレーザ照射時に記録磁性部４１などにて発生する熱を効率よく記録媒体基板Ｘ２ないし基材２１へ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの高熱伝導材料よりなる。
【００４６】
誘電体層４５，４６は、記録磁性部４１に対する外部からの磁気的影響や化学的影響などを回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＹＳｉＯ2、ＺｎＳｉＯ2、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。また、誘電体層４６は、記録磁性部４１における保護膜４７側の表面での反射光のカー回転角をみかけ上増大させる機能を有していてもよい。
【００４７】
保護膜４７は、記録磁性部４１を塵埃などから保護すべく記録磁性部４１を覆い、記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂材料よりなる。
【００４８】
光磁気ディスクＹ２においては、大きな飽和磁化と小さな保磁力とを有する軟磁性層４２が記録磁性部４１の近傍に存在するため、記録処理時において、磁気記録ヘッドから記録磁性部４１ないしこれに含まれる記録層に印加される記録磁界の磁束は記録磁性部４１ないし記録層にて拡散せずに集中する。したがって、記録磁性部４１ないし記録層の正味の記録感度は、軟磁性層４２が存在しない場合よりも高い。記録磁性部４１ないし記録層の記録感度の向上は、磁気記録ヘッドによる印加磁界の低減を可能にし、印加磁界の低減は、より高周波での記録すなわち高速記録を適切に実現することを可能にする。このような高速記録化は、記録密度の高い光磁気記録媒体の実用化を図るうえで重要である。また、印加磁界が小さいほど、磁界発生に要する電流は小さく、記録処理における消費電力を低減するうえで好適である。
【００４９】
このような光磁気ディスクＹ２の製造においては、まず、無電解めっき法により、記録媒体基板Ｘ２上に軟磁性層４２（軟磁性めっき膜）を形成する。次に、例えばいわゆる２Ｐ法により、軟磁性層４２上にプリグルーブ層４３を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、プリグルーブ層４３上に、放熱層４４、誘電体層４５、記録磁性部４１、および誘電体層４６を順次形成する。その後、例えばスピンコーティング法により、誘電体層４６上に保護膜４７を形成する。
【００５０】
記録媒体基板Ｘ２上への軟磁性層４２の形成においては、記録媒体基板Ｘ１上への軟磁性層３２に関して上述したのと同様に、酸洗浄処理および触媒処理の後に、下地膜２２上ないし第２層２２ｂ上に軟磁性層４２（軟磁性めっき膜）を成長させる。酸洗浄処理においては、第２層２２ｂ表面にて局部電池反応が生じて下地膜２２の表面の全体が瞬時に均一に溶解し、汚染皮膜が全く又は殆ど残存しない下地膜２２の新生面が露出する。
【００５１】
記録媒体基板Ｘ２の下地膜２２における第１層２２ａは、ＮｉＰ，ＮｉＢ，ＮｉＣ，ＮｉＳ，ＣｏＰ，ＣｏＢ，ＣｏＣ，ＣｏＳ，ＣｕＰ，ＣｕＢ，ＣｕＣ，ＣｕＳからなる群より選択される合金よりなるところ、これら合金は、酸洗浄処理における酸性水溶液に対する耐性が相当程度に高い。したがって、酸洗浄処理において、酸性水溶液に対する活性が比較的に高い第２層２２ｂにピンホール欠陥が万一発生しても、即ち第２層２２ｂをその厚さ方向に貫通するピンホールが万一形成されても、第１層２２ａにおいて当該ピンホールにて露出する部分は、酸性水溶液に対して実質的には溶解しない。そのため、触媒処理では、当該ピンホールに臨む第１層２２ａの表面に触媒核が吸着することができ、従って、下地膜２２の表面全体における触媒核の分散状態に不当な斑が生じず、且つ、下地膜２２の表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着する。触媒処理を経た下地膜２２の表面において触媒核の分散状態に不当な斑が生じておらず、且つ、下地膜２２の表面の各所に充分な密度で触媒核が吸着しているため、下地膜２２上には、均質かつ緻密に軟磁性めっき膜が成長することとなる。したがって、成長端面の荒れが抑制され且つ膜密度の低下が抑制された、即ち良好な膜質を有する軟磁性層４２が形成される。このように、記録媒体基板Ｘ２に対しては、良好な膜質を有する軟磁性層４２（無電解めっき膜）を積層形成することが可能なのである。軟磁性層４２の膜質が良好であるほど、軟磁性層４２の印加磁界エンハンス機能を効果的に発揮させることができ、光磁気ディスクＹ２の記録特性を向上するうえで好適である。
【実施例】
【００５２】
次に、本発明の実施例について、比較例とともに記載する。
【００５３】
〔実施例１〕
記録媒体基板Ｘ１に関して上述したうちの一の構成を有する基板として、本実施例の記録媒体基板を４０枚作製した。本実施例の各記録媒体基板の作製においては、ガラスディスク基板（直径９０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）の上にスパッタリング法によりＮｉ80Ｆｅ20を成膜することによって、下地膜として、厚さ３０ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した。本スパッタリングでは、ＮｉＦｅ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。また、本スパッタリングでは、スパッタガスとしてＡｒガスを使用し、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、放電電力を１.０Ｗとした。後出のスパッタリングにおいても、同じスパッタリング条件を採用した。本実施例の記録媒体基板の積層構成については、図６〜９の表に掲げる。後出の実施例２〜６の記録媒体基板の積層構成についても、図６〜９の表に掲げる。
【００５４】
〔実施例２〕
記録媒体基板Ｘ１に係る基板として、本実施例の記録媒体基板を４０枚作製した。本実施例の各記録媒体基板の作製においては、ガラスディスク基板（直径９０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）の上にスパッタリング法によりＣｏ80Ｆｅ20を成膜することによって、下地膜として、厚さ３０ｎｍのＣｏＦｅ層を形成した。本スパッタリングでは、ＣｏＦｅ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。
【００５５】
〔実施例３〕
記録媒体基板Ｘ１に係る基板として、本実施例の記録媒体基板を４０枚作製した。本実施例の各記録媒体基板の作製においては、まず、ガラスディスク基板（直径９０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）の上にスパッタリング法によりＴｉを成膜することによって、密着層として、厚さ５ｎｍのＴｉ層を形成した。本スパッタリングでは、Ｔｉターゲット（直径６インチ）を用いた。次に、スパッタリング法によりＣｕ85Ｎｉ15を成膜することによって、下地膜として、厚さ３０ｎｍのＣｕＮｉ層を形成した。本スパッタリングでは、ＣｕＮｉ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。
【００５６】
〔実施例４〕
記録媒体基板Ｘ２に関して上述したうちの一の構成を有する基板として、本実施例の記録媒体基板を４０枚作製した。本実施例の各記録媒体基板の作製においては、まず、ガラスディスク基板（直径９０ｍｍ，厚さ１.２ｍｍ）の上にスパッタリング法によりＮｉ88Ｐ12を成膜することによって、下地膜の第１層として、厚さ３０ｎｍのＮｉＰ層を形成した。本スパッタリングでは、ＮｉＰ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。次に、スパッタリング法によりＮｉＰ層上にＮｉ80Ｆｅ20を成膜することによって、下地膜の第２層として、厚さ３０ｎｍのＮｉＦｅ層を形成した。当該ＮｉＦｅ層の具体的形成手法は、実施例１のＮｉＦｅ層（下地膜）の形成手法と同様である。このようにして、ＮｉＰ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に形成した。
【００５７】
〔実施例５〕
記録媒体基板Ｘ２に係る基板として、本実施例の記録媒体基板を４０枚作製した。本実施例の各記録媒体基板の作製においては、まず、実施例４と同様にして、スパッタリング法によりガラスディスク基板の上に厚さ３０ｎｍのＮｉＰ層（第１層）を形成した。次に、スパッタリング法によりＮｉＰ層上にＣｏ80Ｆｅ20を成膜することによって、下地膜の第２層として、厚さ３０ｎｍのＣｏＦｅ層を形成した。当該ＣｏＦｅ層の具体的形成手法は、実施例２のＣｏＦｅ（下地膜）の形成手法と同様である。このようにして、ＮｉＰ層（第１層）およびＣｏＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に形成した。
【００５８】
〔実施例６〕
記録媒体基板Ｘ２に係る基板として、本実施例の記録媒体基板を４０枚作製した。本実施例の各記録媒体基板の作製においては、まず、実施例４と同様にして、スパッタリング法によりガラスディスク基板の上に厚さ３０ｎｍのＮｉＰ層（第１層）を形成した。次に、スパッタリング法によりＮｉＰ層上にＴｉを成膜することによって、密着層として、厚さ５ｎｍのＴｉ層を形成した。次に、スパッタリング法によりＴｉ層上にＣｕ85Ｎｉ15を成膜することによって、下地膜の第２層として、厚さ３０ｎｍのＣｕＮｉ層を形成した。本実施例のＴｉ層およびＣｕＮｉ層の具体的形成手法は、実施例３のＴｉ（密着層）およびＣｕＮｉ層（下地膜）の形成手法と同様である。このようにして、ＮｉＰ層（第１層）、Ｔｉ層（密着層）、およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に形成した。
【００５９】
〔実施例７〕
ＮｉＰ層に代えてＮｉＢ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＮｉＢ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＮｉ85Ｂ15を成膜した。本スパッタリングでは、Ｎｉターゲット（直径６インチ）上に１２個のＢチップ（１０ｍｍ角）を載置してなる複合ターゲット用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＮｉＢ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。本実施例の記録媒体基板の積層構成については、図９の表に掲げる。後出の実施例８〜１７の記録媒体基板の積層構成についても、図９の表に掲げる。
【００６０】
〔実施例８〕
ＮｉＰ層に代えてＮｉＣ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＮｉＣ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＮｉ85Ｃ15を成膜した。本スパッタリングでは、Ｎｉターゲット（直径６インチ）上に１２個のＣチップ（１０ｍｍ角）を載置してなる複合ターゲット用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＮｉＣ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６１】
〔実施例９〕
ＮｉＰ層に代えてＮｉＳ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＮｉＳ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＮｉ88Ｓ12を成膜した。本スパッタリングでは、ＮｉＳ合金ターゲットを用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＮｉＳ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６２】
〔実施例１０〕
ＮｉＰ層に代えてＣｏＰ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｏＰ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｏ90Ｐ10を成膜した。本スパッタリングでは、ＣｏＰ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｏＰ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６３】
〔実施例１１〕
ＮｉＰ層に代えてＣｏＢ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｏＢ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｏ85Ｂ15を成膜した。本スパッタリングでは、Ｃｏターゲット（直径６インチ）上に１２個のＢチップ（１０ｍｍ角）を載置してなる複合ターゲット用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｏＢ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６４】
〔実施例１２〕
ＮｉＰ層に代えてＣｏＣ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｏＣ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｏ85Ｃ15を成膜した。本スパッタリングでは、Ｃｏターゲット（直径６インチ）上に１２個のＣチップ（１０ｍｍ角）を載置してなる複合ターゲット用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｏＣ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６５】
〔実施例１３〕
ＮｉＰ層に代えてＣｏＳ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｏＳ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｏ90Ｓ10を成膜した。本スパッタリングでは、ＣｏＳ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｏＳ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６６】
〔実施例１４〕
ＮｉＰ層に代えてＣｕＰ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｕＰ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｕ88Ｐ12を成膜した。本スパッタリングでは、ＣｕＰ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｕＰ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６７】
〔実施例１５〕
ＮｉＰ層に代えてＣｕＢ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｕＢ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｕ90Ｂ10を成膜した。本スパッタリングでは、Ｃｕターゲット（直径６インチ）上に１２個のＢチップ（１０ｍｍ角）を載置してなる複合ターゲット用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｕＢ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６８】
〔実施例１６〕
ＮｉＰ層に代えてＣｕＣ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｕＣ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｕ90Ｃ10を成膜した。本スパッタリングでは、Ｃｕターゲット（直径６インチ）上に１２個のＣチップ（１０ｍｍ角）を載置してなる複合ターゲット用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｕＣ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００６９】
〔実施例１７〕
ＮｉＰ層に代えてＣｕＳ層（厚さ３０ｎｍ）を第１層として形成した以外は実施例４と同様にして、本実施例の記録媒体基板を２０枚作製した。ＣｕＳ層の形成においては、スパッタリング法により、ガラスディスク基板上にＣｕ88Ｓ12を成膜した。本スパッタリングでは、ＣｕＳ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。本実施例の記録媒体基板は、ＣｕＳ層（第１層）およびＮｉＦｅ層（第２層）よりなる下地膜をガラスディスク基板上に有する。
【００７０】
〔比較例１〕
ＮｉＦｅ層に代えてＮｉＰ層（厚さ３０ｎｍ）を下地膜として形成した以外は実施例１と同様にして、本比較例の記録媒体基板を４０枚作製した。ＮｉＰ層の形成においては、実施例４におけるＮｉＰ層の形成と同様に、スパッタリング法によりガラスディスク基板上にＮｉ88Ｐ12を成膜した。本比較例の記録媒体基板の積層構成については、図６〜８の表に掲げる。後出の比較例２,３の記録媒体基板の積層構成についても、図６〜８の表に掲げる。
【００７１】
〔比較例２〕
ＮｉＦｅ層に代えてＣｏＰ層（厚さ３０ｎｍ）を下地膜として形成した以外は実施例１と同様にして、本比較例の記録媒体基板を４０枚作製した。ＣｏＰ層の形成においては、実施例１０におけるＣｏＰ層の形成と同様に、スパッタリング法によりガラスディスク基板上にＣｏ90Ｐ10を成膜した。
【００７２】
〔比較例３〕
ＮｉＦｅ層に代えて、密着層であるＴｉ層（厚さ５ｎｍ）およびその上に下地膜であるＣｕＰｔ層（厚さ３０ｎｍ）を形成した以外は実施例１と同様にして、本比較例の記録媒体基板を４０枚作製した。Ｔｉ層の具体的形成手法は、実施例３におけるＴｉ層の形成手法と同様である。ＣｕＰｔ層の形成においては、スパッタリング法により、Ｔｉ層（密着層）上にＣｕ85Ｐｔ15を成膜した。本スパッタリングでは、ＣｕＰｔ合金ターゲット（直径６インチ）を用いた。
【００７３】
〔無電解めっき膜の形成〕
実施例１〜１７および比較例１〜３の各記録媒体基板の下地膜上に、無電解めっき法により無電解めっき膜を形成した。実施例１〜６および比較例１〜３の各２０枚の記録媒体基板については、厚さ３００ｎｍの無電解めっき膜を形成し、実施例１〜６および比較例１〜３の他の各２０枚の記録媒体基板、並びに、実施例７〜１７の各２０枚の記録媒体基板については、厚さ１０００ｎｍの無電解めっき膜を形成した。
【００７４】
各記録媒体基板の下地膜上への無電解めっき膜の形成においては、まず、記録媒体基板の下地膜表面に酸洗浄処理を施した。具体的には、酸性水溶液である５vol％の塩酸（室温）に、１５〜３０秒間、記録媒体基板を浸漬した。次に、室温の流水で３０〜６０秒間、記録媒体基板を洗浄した。次に、記録媒体基板の下地膜表面に触媒処理を施した。具体的には、触媒溶液である０.２５ｇ/ｄｍ3の塩化パラジウム水溶液（室温）に、１５〜３０秒間、記録媒体基板を浸漬した。次に、室温の流水で３０〜６０秒間、記録媒体基板を洗浄した。次に、下地膜上にＣｏＦｅＮｉ膜（無電解めっき膜）を成長させた。具体的には、無電解めっき液（６５℃，ｐＨ９）に、５分間（厚さ３００ｎｍ）または１５分間（厚さ１０００ｎｍ）、記録媒体基板を浸漬した。使用した無電解めっき液は、０.０２５mol/ｄｍ3のジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、０.０５mol/ｄｍ3のクエン酸三ナトリウム、０.２０mol/ｄｍ3の酒石酸ナトリウム、０.２０mol/ｄｍ3の硫酸アンモニウム、０.０６mol/ｄｍ3の亜リン酸、０.０１mol/ｄｍ3の硫酸鉄、０.０１mol/ｄｍ3の硫酸ニッケル、および０.０９mol/ｄｍ3の硫酸コバルトを含む。また、ＣｏＦｅＮｉは軟磁性材料である。次に、室温の流水で６０〜１２０秒間、無電解めっき膜付き記録媒体基板を洗浄した。この後、当該基板を乾燥した。以上のようにして、ＣｏＦｅＮｉ膜（無電解めっき膜）を各記録媒体基板の下地膜上に形成した。
【００７５】
〔表面観察〕
実施例１〜６および比較例１〜３の合計３６０枚の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜について、目視で観察することにより膜表面の白濁状態を調べた。この結果を図６の表に掲げる。めっき膜の成長が均一であるほど、また、めっき膜が緻密に成長するほど（即ち、めっき膜を構成するめっき粒子の配向状態が緻密であるほど）、めっき膜表面における荒れは小さく、従って、めっき膜表面は白濁しにくい。これに対し、めっき膜の成長が不均一であるほど、また、めっき膜が粗く成長するほど（即ち、めっき膜を構成するめっき粒子の配向状態が粗いほど）、めっき膜表面における荒れは大きく、従って、めっき膜表面は白濁しやすい。そのため、白濁の有無および程度は、めっき膜表面の荒れの程度やめっき膜の膜質についての判断の指標となり得る。
【００７６】
比較例１,２の全ての記録媒体基板において、無電解めっき膜は部分的に白濁していた。すなわち、これら無電解めっき膜では、表面の各所に白濁箇所が確認された。一方、厚さ３００ｎｍの無電解めっき膜が積層形成された比較例３の記録媒体基板のうちの５枚の記録媒体基板において、無電解めっき膜は部分的に白濁しており、厚さ１０００ｎｍの無電解めっき膜が積層形成された比較例３の記録媒体基板のうちの１７枚の記録媒体基板において、無電解めっき膜は部分的に白濁していた。また、比較例１〜３の記録媒体基板において、無電解めっき膜の厚さが３００ｎｍよりも１０００ｎｍである方が、白濁の程度が高い傾向にあった。無電解めっき膜の厚さの相違によってこのような白濁程度の差異が生じたり、比較例３の記録媒体基板において見られるように、無電解めっき膜の厚さの相違によって白濁発生傾向の差異が生ずるのは、無電解めっき膜が厚いほど当該無電解めっき膜内に生ずる粗大粒の粒径が大きくなり、その結果、膜表面が荒れるためである。
【００７７】
これに対し、実施例１〜６の全ての記録媒体基板において、無電解めっき膜は、その厚さが３００ｎｍであっても１０００ｎｍであっても、表面に白濁箇所を有しなかった。以上より、本発明に係る実施例１〜６の記録媒体基板に対しては、比較例１〜３の記録媒体基板に対するよりも、表面荒れの小さい無電解めっき膜を形成することが可能であることが理解できよう。加えて、実施例１〜６の記録媒体基板に対しては、無電解めっき膜の膜厚が１０００ｎｍと厚くとも、表面荒れの小さい無電解めっき膜を形成することが可能であることが理解できよう。
【００７８】
〔割断面ＳＥＭ観察〕
実施例１〜６および比較例１〜３の合計３６０枚の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜について、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して割断面を観察した。この結果を図７の表に掲げる。実施例１〜６の記録媒体基板に形成された無電解めっき膜の膜組織は、全ての無電解めっき膜において、微細で緻密であった。一方、比較例１〜３の記録媒体基板に形成された無電解めっき膜には、全て、粗大粒が存在し、当該粗大粒の粒径は、無電解めっき膜の厚さが３００ｎｍであるよりも１０００ｎｍである方が大きい傾向にあった。めっき膜中の粗大粒の存在は、無電解めっき法による無電解めっき膜の形成過程の触媒処理において下地膜表面にパラジウム触媒核が不均一に吸着することに起因する。以上より、本発明に係る実施例１〜６の記録媒体基板に対しては、比較例１〜３の記録媒体基板に対するよりも、微細で緻密な膜組織を有する無電解めっき膜を形成することが可能であることが理解できよう。
【００７９】
〔飽和磁束密度測定〕
実施例１〜６および比較例１〜３の合計３６０枚の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜について、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を使用して飽和磁束密度を測定した。この結果を図８の表に掲げる。めっき膜の膜質が粗いほど（即ち、めっき膜の膜密度が小さいほど）、めっき膜の見かけの体積（＝膜面積×膜厚）は当該めっき膜の実効体積より大きくなり、従って、飽和磁束密度を 測定磁化÷見かけの体積 により算出する場合には、当該飽和磁束密度の値は小さくなる。そのため、飽和磁束密度（＝測定磁化÷見かけの体積）の値は、めっき膜の膜密度の大小の指標となり得る。
【００８０】
実施例１〜６の記録媒体基板に形成された無電解めっき膜は、全て、相対的に高い飽和磁束密度を示した。これに対し、比較例１〜３の記録媒体基板に形成された無電解めっき膜は、全て、相対的に低い飽和磁束密度を示した。また、比較例１〜３の記録媒体基板に形成された厚さ３００ｎｍの無電解めっき膜は、比較例１〜３の記録媒体基板に形成された厚さ１０００ｎｍの無電解めっき膜よりも、低い飽和磁束密度を示した。これは、めっき成長開始端およびその近傍で無電解めっき膜の膜組織が粗くなりやすいことに起因する。以上より、本発明に係る実施例１〜６の記録媒体基板に対しては、比較例１〜３の記録媒体基板に対するよりも、膜組織が緻密であって膜密度の高い無電解めっき膜を形成することが可能であることが理解できよう。加えて、実施例１〜６の記録媒体基板に対しては、無電解めっき膜の膜厚が３００ｎｍと薄くとも、膜組織が緻密であって膜密度の高い無電解めっき膜を形成することが可能であることが理解できよう。
【００８１】
〔ピンホール欠陥の計数〕
実施例１〜１７の各２０枚の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜について、ピンホール欠陥の計数を目視で行い、実施例ごとに、単一の記録媒体基板上の無電解めっき膜において発生しているピンホール欠陥の平均数を算出した。この結果を図９の表に掲げる。めっき膜におけるピンホール欠陥は、下地膜においてピンホールが形成されている場合に生ずるところ、下地膜に形成されているピンホールの数が少ないほど、下地膜上に形成されためっき膜のピンホール欠陥数は少ない。
【００８２】
実施例１〜３の記録媒体基板に形成された無電解めっき膜よりも、実施例４〜１７の記録媒体基板に形成された無電解めっき膜の方が、ピンホール欠陥は発生しにくかった。実施例４〜１７の記録媒体基板の下地膜における第１層は、ＮｉＰ、ＮｉＢ、ＮｉＣ、ＮｉＳ、ＣｏＰ、ＣｏＢ、ＣｏＣ、ＣｏＳ、ＣｕＰ、ＣｕＢ、ＣｕＣ、またはＣｕＳよりなるところ、これら合金は、酸洗浄処理における酸性水溶液に対する耐性が相当程度に高い。したがって、酸洗浄処理において、酸性水溶液に対する活性が比較的に高い第２層に、当該第２層を貫通するピンホールが形成される場合であっても、第１層において当該ピンホールにて露出する部分は、酸性水溶液に対して実質的には溶解しない。すなわち、第１層の存在により、下地膜を貫通するピンホールの発生は抑制される。触媒処理では、第２層を貫通するピンホールに臨む第１層表面にも触媒核は吸着し得るので、触媒核を基点として成長する無電解めっき膜において、ピンホールの形成は抑制されたと考えられる。以上より、多層構造（第１層および第２層）の下地膜を有する実施例４〜１７の記録媒体基板によると、ピンホール欠陥の少ない無電解めっき膜を形成することが可能であることが理解できよう。
【００８３】
以上のまとめとして、本発明の構成およびそのバリエーションを以下に付記として列挙する。
【００８４】
（付記１）無電解めっき膜形成用の下地膜を表面に有する記録媒体基板であって、
前記下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体基板。
（付記２）下地膜と当該下地膜上に形成された無電解めっき膜とを有する記録媒体基板であって、
前記下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体基板。
（付記３）下地膜と、当該下地膜上に形成された無電解めっき膜と、記録層とを含む積層構造を有する記録媒体であって、
前記下地膜は、ＣｏおよびＣｕから選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体。
（付記４）前記合金における前記一の金属元素の含有率は、５０at％以上であり且つ１００at％未満である、付記１から３のいずれか一つに記載の記録媒体基板または記録媒体。
（付記５）無電解めっき膜形成用の下地膜を表面に有する記録媒体基板であって、
前記下地膜は、第１層および当該第１層上の第２層からなり、
前記第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなり、
前記第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体基板。
（付記６）下地膜と当該下地膜上に形成された無電解めっき膜とを有する記録媒体基板であって、
前記下地膜は、第１層および当該第１層上の第２層からなり、
前記第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなり、
前記第２層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体基板。
（付記７）下地膜と、当該下地膜上に形成された無電解めっき膜と、記録層とを含む積層構造を有する記録媒体であって、
前記下地膜は、第１層および当該第１層上の第２層からなり、
前記第１層は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される金属元素と、Ｐ，Ｂ，Ｃ，Ｓからなる群より選択される非金属元素と、を含む合金を含んでなり、
前記第２層は、Ｎｉ,Ｃｏ，Ｃｕからなる群より選択される一の金属元素と、当該金属元素よりもイオン化傾向の大きな元素と、を含む合金を含んでなる、記録媒体。
（付記８）前記第２層の前記合金における前記一の金属元素の含有率は、５０at％以上であり且つ１００at％未満である、付記５から７のいずれか一つに記載の記録媒体基板または記録媒体。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る記録媒体基板の部分断面を表す。
【図２】イオン化傾向を示すイオン化列の一例を表す。
【図３】図１の記録媒体基板を用いて作製された磁気ディスクの積層構成を表す。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る記録媒体基板の部分断面を表す。
【図５】図４の記録媒体基板を用いて作製された光磁気ディスクの積層構成を表す。
【図６】実施例１〜６および比較例１〜３の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜の表面観察の結果をまとめた表である。
【図７】実施例１〜６および比較例１〜３の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜の割断面ＳＥＭ観察の結果をまとめた表である。
【図８】実施例１〜６および比較例１〜３の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜の飽和磁束密度測定の結果をまとめた表である。
【図９】実施例１〜１７の記録媒体基板上に形成された無電解めっき膜のピンホール欠陥計測の結果をまとめた表である。
【符号の説明】
【００８６】
Ｘ１，Ｘ２      記録媒体基板
１１，２１      基材
１２，２２      下地膜
２２ａ      第１層
２２ｂ      第２層
３１      記録層
３２，４２      軟磁性層
４１      記録磁性部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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