(57)【要約】【課題】高周波特性に優れた小型低背型のインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】コイル１１と、このコイル１１の芯部に形成したスルホール部１６と、多層磁性体層１を備え、前記多層磁性体層１は前記スルホール部１６の内壁とコイル１１の上面及び下面に連続して配置したインダクタンス部品において、前記多層磁性体層１は第一の金属層３と、第一の金属磁性体層４と、中間層５と、第二の金属磁性体層６からなる積層構造とし、且つ前記中間層５が磁性相と金属酸化物相からなるグラニュラ膜で構成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、このコイルの芯部に形成したスルホール部と、このスルホール部の内壁とコイルの上面及び下面に連続して配置した多層磁性体層とを備え、前記多層磁性体層は第一の金属層と、第一の金属磁性体層と、中間層と、第二の金属磁性体層からなる積層構造とし、且つ前記中間層が磁性相と金属酸化物相からなるグラニュラ膜であるインダクタンス部品。
【請求項２】
多層磁性体層を中間層と第二の金属磁性体層からなる積層体を２層以上に積層した多層磁性体層とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項３】
第一の金属層をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んだ金属層とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項４】
第一および第二の金属磁性体層をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んだ金属磁性体層とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項５】
グラニュラ膜の磁性相をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んだ磁性相とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項６】
グラニュラ膜の磁性相をＦｅとＮｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んだＦｅ系合金からなる磁性相とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項７】
グラニュラ膜の金属酸化物相をＺｎ、Ｃｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んだ金属酸化物相とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項８】
中間層の比抵抗を５００μΩｃｍ以上とした請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項９】
多層磁性体層の最表面を絶縁層にて被覆した請求項１に記載のインダクタンス部品。
【請求項１０】
コイルを形成する第一の工程と、このコイルの芯部にスルホール部を形成する第二の工程と、前記スルホール部の内壁とコイルの上面及び下面に連続して配置するように多層磁性体層を形成する第三の工程を少なくとも含むインダクタンス部品の製造方法において、前記多層磁性体層を形成する工程を第一の金属層と、第一の金属磁性体層と、中間層と、第二の金属磁性体層を形成するとともに、前記中間層を磁性相と金属酸化物相からなるグラニュラ膜で形成するインダクタンス部品の製造方法。
【請求項１１】
第三の工程において、第一の金属磁性体層の上に、中間層と第二の金属磁性体層の積層体を２層以上に積層して形成する請求項１０に記載のインダクタンス部品の製造方法。
【請求項１２】
第三の工程において、多層磁性体層の形成をめっき法で形成する請求項１０に記載のインダクタンス部品の製造方法。
【請求項１３】
第三の工程において、第一の金属層をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを含んだめっき液を用いて、めっき法で形成する請求項１０に記載のインダクタンス部品の製造方法。
【請求項１４】
第三の工程において、磁性相と金属酸化物相からなるグラニュラ膜をめっき法で形成する請求項１０に記載のインダクタンス部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話等の電源回路などに用いられるインダクタンス部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来この種の電源回路、例えば携帯電話に用いられる電源回路は図５のようになっている。図５に示すように、電池１０１は入力電圧として４Ｖの電池を用い、電源回路の出力として２Ｖの出力電圧を得ることがこの電源回路では可能である。ここで、コイル１０２はチョークコイルと呼ばれ、このコイルを電源回路に入れることで安定した出力電圧を得ることができる。また、より出力電圧を安定化させるためにはコイル１０２のインダクタンスを大きくする必要がある。これにより、図５に示す電源回路は、より直流安定化された出力電圧を供給することができる。
【０００３】
また、一般的にコイル１０２のインダクタンスを大きくするためにはコイル１０２のコア断面積を大きくするとともに巻き数を多くする必要があり、その結果コイル１０２は大きな容積となってしまうという問題点があった。さらに、スイッチング周波数も高周波化が進み、数ＭＨｚで用いられる電源回路も出てきており、このスイッチング周波数の高周波化に伴ってコア損失の低減が求められている。
【０００４】
また、電子機器の小型低背化の要求に対して、更なるインダクタンス部品の小型低背化が求められており、例えば基板上の設置面積が５ｍｍ×５ｍｍ以下で厚さ１ｍｍ以下のインダクタンス部品が必要とされるとともに、電子機器の低電圧、大電流化に対応できる許容電流の大きなインダクタンス部品の要求が大きくなってきている。
【０００５】
前記問題点を解決するために、図６に示すようなインダクタンス部品が提案されている。このインダクタンス部品は、コイル１１１を多層磁性膜１１２で絶縁状態で挟持させ、磁性体１１３を充填したスルホール部１１４を前記コイル１１１の側面及び中央に配置した構成を有しており、このコイル１１１は銅などの高導電率材料を板状に巻くことで形成されるためにコイル１１１を薄くすることができる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２２３６３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来の構成ではスルホール部１１４の中を磁性体１１３で形成するため、その磁性体１１３の断面積は大きなものとなる。このコイル１１１に電流を流すと、スルホール部１１４を垂直方向に貫く磁束が生じることによって磁性体１１３の水平面に渦電流が生じる。しかしながら、磁性体１１３の断面積が大きいことから、この渦電流が大きくなってしまい、結果としてスルホール部１１４を垂直方向に貫く磁束を打ち消してしまうことになる。その結果として、高周波帯域で用いることが困難であるという課題があった。
【０００７】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、渦電流損失が少なく、小型低背化しても高周波特性に優れたインダクタンス部品およびその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記従来の課題を解決するために、本発明は、コイルと、このコイルの芯部に形成したスルホール部と、多層磁性体層を備え、前記多層磁性体層は前記スルホール部の内壁とコイルの上面及び下面に連続して配置したインダクタンス部品において、前記多層磁性体層は第一の金属層と、第一の金属磁性体層と、中間層と、第二の金属磁性体層からなる積層構造とし、且つ前記中間層が磁性相と金属酸化物相からなるグラニュラ膜で構成したインダクタンス部品とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のインダクタンス部品およびその製造方法は、コイルのスルホール部の内壁に形成した磁性相を多層磁性体層とすることによって、磁性相の厚さ方向の断面積を小さくすることができるとともに、中間層に磁性を有する高抵抗なグラニュラ膜で構成することによって渦電流損失の少ない磁気特性を有する多層磁性体層を実現することにより、小型低背化しても高周波特性に優れ、十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品およびその製造方法を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品およびその製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１１】
図１は本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の斜視図であり、図２は図１のＡ−Ａ部における断面図である。また、図３はインダクタンス部品の多層磁性体層１の拡大断面図である。
【００１２】
図１〜図３において、本実施の形態１におけるインダクタンス部品の構造はコイル絶縁部２の中に内蔵されるようにコイル１１を配置しており、このコイル絶縁部２はコイル１１がショートするのを防ぐためである。また、このコイル１１は例えば銅や銀などの高導電率材料を樹脂フィルムなどからなるコイル絶縁部１２の上にめっき法などでパターニングしながら薄型の平面コイルパターンを形成することができる。この他に、スパッタリングあるいは蒸着などによって薄型の平面コイルパターンを形成することができる。
【００１３】
そして、このコイル１１は二段の平面コイルで形成しており、上段のコイル１１はインダクタンス部品の一方の側面にある端子部１０ｂから芯部へ向かって渦巻き状に巻かれた後、中心部でスルホール電極１５を介して下段のコイル１１に移り、他方の側面に設けた端子部１０ａに向かって今度は渦巻き状に広がるように形成している。
【００１４】
なお、このコイル１１の上段と下段のコイルパターンの巻き軸は同じ方向でなければならない。これによって、コイル１１の上段と下段で磁束を打ち消し合うことなくスルホール電極１５を介してコイル１１の上段から下段に電流が流れ、大きなインダクタンス値を実現することができる。
【００１５】
なお、このような構成の平面コイルパターンを順次積層することによって、より大きなインダクタンスを有する薄型の平面コイルを実現することができる。
【００１６】
さらに、この他にもコイル１１の形成方法としては、大電流に対応できるコイルを実現するためには銅線の加工あるいは薄板状の金属板を加工した後、コイル絶縁部２に埋設することによりコイル１１を形成することも可能である。そして、このコイル１１の厚み（断面積）は用いられる用途の電子機器により異なるが、少なくとも大電流に対応するためには１０μｍ以上の厚みが好ましい。
【００１７】
次に、前記コイル１１の芯部にはスルホール部１６を設けるとともに、このスルホール部１６の内壁には多層磁性体層１を設けている。
【００１８】
さらに、この多層磁性体層１はコイル１１の上面と下面にもスルホール部１６に設けた多層磁性体層１に連続して設けている。
【００１９】
次に、この多層磁性体層１の構成について図３を用いて詳細に説明する。
【００２０】
この多層磁性体層１は平面コイルが埋設されたコイル絶縁部２の上に無電解めっきなどにより第一の金属層３を設け、この第一の金属層３の上に電解めっきなどによって第一の金属磁性体層４を形成する。この第一の金属層３は第一の金属磁性体層４を電解めっき法で形成しやすくするために設けたものであり、導電性に優れたＣｕなどの金属が好ましく、さらに磁性を有するＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏを用いることが磁気特性の観点からより好ましい。従って、磁性を有しないＣｕなどの金属を用いるときは第一の金属層３の厚みは薄いことが望ましい。
【００２１】
また、この第一の金属磁性体層４をＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏのうちの少なくとも一つを用いることが磁気特性の観点からより好ましい。
【００２２】
次に、前記第一の金属磁性体層４の上に電解めっきなどによって磁性相８と金属酸化物相９からなるグラニュラ膜である中間層５を形成する。このグラニュラ膜は、例えば磁性相８と絶縁性を有する金属酸化物相９が相分離した状態で存在する膜構造をしており、特にここでのグラニュラ膜構造とは強磁性を有する金属相が微細な粒子として絶縁体相中に分散した状態、あるいは強磁性を有する金属相が絶縁体相に包み込まれた状態で存在するような膜構造を表すものである。このような膜構造を有するグラニュラ膜としては、「Ｆｅ−Ｍ−Ｏ」（Ｍは３Ａ族元素および４Ａ族元素から選択される一種以上の元素）で表されるグラニュラ膜、「Ｃｏ−Ｍ−Ｏ」（Ｍは３Ａ族元素および４Ａ族元素および５Ａ族元素から選択される一種以上の元素）で表されるグラニュラ膜があり、特に中間層５に含まれる磁性相８としてはＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含む金属組成の磁性相８が磁束密度、磁気損失の観点から好ましい。
【００２３】
また、特にＦｅとＮｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含むＦｅ系合金すなわちＦｅＮｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉＣｏのうち少なくとも一つを含む組成の磁性相８とすることにより高透磁率を実現できることからインダクタンスのより大きなインダクタンス部品とすることができる。さらに、その磁性相８の平均粒径を１０００Å以下、より好ましくは５００Å以下とした場合、優れた磁気特性（低保磁力；Ｈｃ＜１０Ｏｅ、高透磁率；μ＞５００）を実現できる中間層５を形成できることから、よりインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。
【００２４】
また、中間層５に含まれる金属酸化物相９として金属酸化物がＺｎ、Ｃｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうちの少なくとも一つを含む金属酸化物組成とすることにより、これらの金属酸化物相９をめっき法により形成することが可能になり、スルホール部１６の内壁とコイル１１の上下面に一括して形成できることから生産性に優れるとともに磁気特性の観点からも好ましい。
【００２５】
また、中間層５の比抵抗値を５００μΩｃｍ以上という比抵抗の大きな中間層５を実現することも可能であり、このような比抵抗値を有する中間層５を実現することにより、高周波特性に優れたインダクタンス部品を実現することができる。
【００２６】
また、この中間層５は第一の金属磁性体層４と第二の金属磁性体層６とを隔てるように設けており、この中間層５の比抵抗を第一および第二の金属磁性体層４、６より大きくすることによって、第一の金属磁性体層４と第二の金属磁性体層６にまたがる渦電流を遮断することができる。そのとき、中間層５の比抵抗値が５００μΩｃｍ以上であれば特にその効果は顕著となる。さらに、この中間層５を磁性相８を有するグラニュラ膜で構成することで、中間層５の上に形成する第二の金属磁性体層６を第一の金属磁性体層４と同じめっき法で形成するための給電層の役割を果たすことができるものである。
【００２７】
さらに、この中間層５の厚みは磁気特性の観点から薄いことが望ましく、例えばチョークコイルなどで３０Ａ程度の電流を流したいときには、この中間層５の厚みは１μｍもあれば十分その機能を発揮することができる。
【００２８】
次に、この中間層５の上に電解めっきによって第二の金属磁性体層６を形成するが、その構成は第一の金属磁性体層４と同様である。ここで、多層磁性体層１の第一および第二の金属磁性体層４、６の組成は必ずしも同じである必要はなく、前記の通り主成分がＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏからなる群のうち少なくとも一つを含むことでその効果は得られる。
【００２９】
なお、この多層磁性体層１をいかなる方法で積層しても同じ効果が得られることは言うまでもない。
【００３０】
また、中間層５と第二の金属磁性体層６の積層体を基本として、この積層体を２層以上に積層することにより、よりインダクタンス値が大きく、且つ高周波特性に優れたインダクタンス部品とすることができる。
【００３１】
前記構成のインダクタンス部品について、以下その動作を説明する。
【００３２】
コイル１１は、十分な長さの導電経路を有しており、さらには二段構造で巻き軸方向も一致していることから、電流をコイル１１に流すと、強い磁束を得ることができ、インダクタンス部品のインダクタンスを大きくすることができる。これによって、小型低背化しても十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品を得ることができる。
【００３３】
また、コイル１１は断面が円形ではなく四角形で構成していることから、コイル１１の断面積を大きくすることによって高占積率なコイル１１を実現しており、コイル１１に発生する損失（銅損）も低減できる。
【００３４】
そして、このコイル１１に電流を流すとインダクタンス部品には磁束が生じる。この磁束はスルホール部１６の内壁と、コイル１１の上面及び下面の面内方向に生じることによって渦電流が生じる。しかしながら、本発明のインダクタンス部品は、スルホール部１６の内壁とコイル１１の上面及び下面を多層磁性体層１で形成し、この多層磁性体層１は第一の金属層３と、第一の金属磁性体層４と、磁性相と金属酸化物相からなるグラニュラ膜で形成した中間層５と、第二の金属磁性体層６の積層構造とすることによって、多層磁性体層１の厚さ方向に生じる渦電流を抑制することができることから、高周波特性に優れた小型低背型のインダクタンス部品を実現することができる。
【００３５】
さらに、コイル１１の上下面に設けている多層磁性体層１はスルホール部１６の内壁に設けた多層磁性体層１を介して連続した積層膜として形成することができることにより、磁気ギャップが無くなるとともに漏洩磁束もより少なくなり、さらにインダクタンス値の大きなインダクタンス部品とすることができる。
【００３６】
なお、図２ではこのスルホール部１６の隙間には絶縁層７を充填しているが、磁性体および樹脂フェライト等で充填することも可能であり、より磁気特性の向上が期待できる。
【００３７】
また、上下面の多層磁性体層１の一部あるいはスルホール部１６の内壁に設けられている多層磁性体層１の一部に、スリットおよび切り欠きを入れることで高周波域での渦電流損失をさらに抑制することが可能となり、より高周波特性の向上が期待できる。
【００３８】
また、このような構成を有する多層磁性体層１はめっき法で一括して形成することが容易にできることから、生産性に優れたインダクタンス部品を提供することができる。例えば、スルホール部１６の直径が１ｍｍ以下で、深さが０．１ｍｍ以上のスルホール部１６にスパッタ、蒸着等で多層磁性体層１を形成することは困難であるが、めっき法で形成することにより容易に形成することができるインダクタンス部品とすることができる。
【００３９】
なお、コイル１１は図２に示したような二段ではなく一段あるいは三段以上であっても良いことは言うまでもない。
【００４０】
また、絶縁層７は絶縁性を確保するという役割から、少なくとも多層磁性体層１の表層を被覆していれば良い。この絶縁層７はインダクタンス部品が実装基板などに搭載された場合、ショートするのを防ぐためである。そして、この絶縁層７の材料としてはエポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂あるいはこれらの混合物等の有機樹脂材料が好ましい。さらに、耐熱性と機械的強度を高めるために無機フィラーを混合しても良い。
【００４１】
以上のような構成とすることにより、多層磁性体層１の厚さ方向に生じる渦電流を抑制することができることからインダクタンス値を大きくすることができるとともに、インダクタンス部品からの発熱も抑制することができる。さらに、コイル１１を平板状に形成することにより、より低背型のインダクタンス部品を実現することができるとともに、コイル１１を多段にすることにより低背化しても十分にインダクタンス値の大きいインダクタンス部品を実現することができる。
【００４２】
また、このコイル１１は銅あるいは銀などを用いてめっきで形成することができ、コイル１１の断面が四角形であることから高占積率を有する低背型のコイル１１を得ることができる。
【００４３】
特に、このようなパターニング技術により微細な電極パターンを平面上に形成することができることから、実施の形態１の構成に比較してより低背型のインダクタンス部品を実現することができる。
【００４４】
次に、このインダクタンス部品の製造方法について詳細に説明する。
【００４５】
前記構成を有するインダクタンス部品の製造方法は図４の製造フローチャートに示す製造プロセスを経て製造することができる。
【００４６】
まず、第一の工程Ａとして、ポリイミドフィルムなどの基板の片面にコイル１１の下段のコイルパターンになるようにレジスト膜を形成した後、銅あるいは銀などの高導電率を有する金属をめっき法により数１０μｍの厚みになるようにめっきすることによりコイル１１の下段のコイルパターンを形成する。次に、形成したコイル１１の下段のコイルパターンの上に再度レジスト膜を設けるとともに、スルホール電極１５を形成する箇所にはエッチングなどによって孔加工をしておき、その後コイル１１の上段のコイルパターンとスルホール電極１５を形成するためのレジスト膜を基板の他面に形成し、再び前記めっき法により銅あるいは銀などの金属を数１０μｍの厚みになるように形成してコイル１１の上段のコイルパターンとスルホール電極１５を形成する。
【００４７】
その後、コイル１１を絶縁する保護膜を形成することによって、図２に示したシート状のコイル絶縁部２に埋設されたコイル１１を製造することができる。
【００４８】
次に、第二の工程Ｂとして、シート状のコイル１１を形成した後、コイル１１の芯部にパンチャーあるいはレーザー加工、エッチング加工などの方法により孔あけ加工によってスルホール部１６を形成する。
【００４９】
次に、第三の工程Ｃとして、コイル絶縁部２の上下面とスルホール部１６の内壁に連続した多層磁性体層１を形成する。そのために、平面コイルが埋設されたコイル絶縁部２の表層に第一の金属層３として無電解めっきを用いて、厚み０．２〜０．５μｍのＮｉ層を形成する。
【００５０】
次に、この第一の金属層３を給電層としてこの上に電解めっきにより厚みが２０μｍのＦｅ−Ｎｉ合金を第一の金属磁性体層４として形成する。このＦｅ−Ｎｉ合金膜の形成に用いるめっき浴にはＦｅ−Ｎｉ合金膜を形成するために必要な金属イオンを溶解させておくことが好ましい。このめっき浴を用いて通常の電解めっき法によってＦｅ−Ｎｉ合金膜を形成するが、陽極を分離しためっき装置や磁場中でめっきを行う等の工夫をすることで磁気特性に優れたＦｅ−Ｎｉ合金膜を形成することが可能となる。
【００５１】
次に、この第一の金属磁性体層４の上に、電解めっきにより磁性相８と金属酸化物相９からなるグラニュラ膜を中間層５として形成する。このグラニュラ膜の形成に用いるめっき浴には磁性相８を形成するために必要な金属イオンと、金属酸化物相９を形成するために必要な金属イオンとを混合して溶解させておく。さらに、めっき浴の各種添加剤として、応力緩和剤、ピット防止剤、錯化剤を入れておくことが好ましい。この応力緩和剤としてはサッカリンが有名であり、スルホン酸塩を含有する物質でその効果を発揮することができる。また、錯化剤としては各種金属イオンを安定化するためにアミノ酸、モノカルボン酸、ジカルボン酸、トリカルボン酸をはじめとした有機分子や無機分子を含有させることで金属イオンと安定な錯体を形成することができる。
【００５２】
このようなめっき浴を用いて、析出膜近傍のｐＨを金属酸化物が発生しやすくなるｐＨ３．５以上とし、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属が析出する電解電位である−０．４Ｖ（Ａｇ／ＡｇＣｌを基準電位として）より負の電位に設定することが望ましい。このような条件で電位電解および定電流電解を行うことで溶液中から磁性相８と金属酸化物相９の両方を同時に析出させることができるのでグラニュラ膜を形成することが可能となる。
【００５３】
なお、第一の金属磁性体層４と中間層５との密着性を確保するために層間にバッファ層を入れること、あるいは第一の金属磁性体層４の組成を工夫すること、また第一の金属磁性体層４の表面に処理を行う工程を導入するなど様々な工夫を凝らすことで密着性の確保を行うことが可能である。
【００５４】
次に、前記中間層５の上に第二の金属磁性体層６を形成するのであるが、その形成方法は第一の金属磁性体層４の形成方法と同様の製造方法によって形成することができる。
【００５５】
なお、第一および第二の金属磁性体層４、６の一層あたりの厚みはスイッチング周波数によっても異なるが、数１００ｋＨｚから数１０ＭＨｚを想定した場合には１μｍから５０μｍが好ましく、さらに中間層５の一層あたりの厚みは中間層５の比抵抗値にもよるが、０．１〜１０μｍが好ましい。
【００５６】
また、中間層５の比抵抗値も高ければ高いほどよいが、第一および第二の金属磁性体層４、６との比抵抗値の比が１０3以上とすることがより好ましい。
【００５７】
さらに、前記中間層５と第二の金属磁性体層６の積層体を形成する成膜プロセスを繰り返すことによって、より多層化された多層磁性体層１を製造することができ、よりインダクタンス値の大きなインダクタンス部品を製造することが可能である。
【００５８】
その後、必要に応じてエポキシ樹脂などをこの多層磁性体層１の表面に絶縁層７として被覆することで絶縁保護膜の形成を行うことによって、インダクタンス部品が実装基板などに搭載された場合にもショートすることのないインダクタンス部品の製造法を提供することができる。
【００５９】
次に、第一の工程〜第三の工程を経て、ダイシング工法やエッチング工法を用いて個片化処理を行い、個別のインダクタンス部品を得ることができる。
【００６０】
以上説明してきたような製造方法を実現することによって、設備が比較的安価なめっき装置により製造することが可能となる。すなわち、第一の金属層３を無電解めっきで形成し、この第一の金属層３を給電層として第一の金属磁性体層４を電解めっきで形成し、その後グラニュラ膜である中間層５を電解めっきで形成し、さらにこの中間層５を給電層として、第二の金属磁性体層６を電解めっきで形成することによって、多層磁性体層１の全ての工程をめっきプロセスで製膜することが可能となるものである。さらに、このめっき法を用いることによって成膜速度を速くすることができるとともに、小さな孔径を有するスルホール部１６の内壁にも均一な膜質の多層磁性体層１を連続して形成することが可能となる。
【００６１】
以上のように、本発明のインダクタンス部品およびその製造方法によれば、安価な設備で量産性に優れるとともに、中間層５を高抵抗なグラニュラ膜で形成することによって渦電流損失を低減することができることから、小型低背化しても高周波特性に優れ、且つ十分にインダクタンスの大きいインダクタンス部品およびその製造方法を提供することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
以上のように、本発明にかかるインダクタンス部品およびその製造方法は、高周波特性に優れるとともに小型低背化しても充分なインダクタンスを有するインダクタンス部品およびその製造方法を実現できることから、例えば携帯用の電子機器の電源回路などに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施の形態１におけるインダクタンス部品の斜視図
【図２】同断面図
【図３】同多層磁性体層の拡大断面図
【図４】同製造方法を説明するための製造フローチャート
【図５】従来の電源回路の回路図
【図６】従来のインダクタンス部品の断面図
【符号の説明】
【００６４】
１  多層磁性体層
２  コイル絶縁部
３  第一の金属層
４  第一の金属磁性体層
５  中間層
６  第二の金属磁性体層
７  絶縁層
８  磁性相
９  金属酸化物相
１０ａ  端子部
１０ｂ  端子部
１１  コイル
１５  スルホール電極
１６  スルホール部
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006287093.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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