(57)【要約】【課題】半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるなどのために使用される、特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の性状を有する銀粉末が高配合された、作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れるダイボンディングペーストを提供すること。【解決手段】常温で固形状のエポキシ樹脂、特定の構造を有するエポキシ樹脂、常温で固形状のフェノール樹脂系硬化剤、及び特定の性状を有する銀粉末を含むことを特徴とするダイボンディングペーストである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）常温で固形状のエポキシ樹脂、（Ａ’）式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）常温で固形状のフェノール樹脂系硬化剤、及び（Ｃ）銀粉末を含み、かつ前記（Ｃ）銀粉末の比表面積（ＳＡ）が１．３ｍ2／ｇ以下で、タップ密度（ＴＤ）が４．０〜７．０ｇ／ｃｍ3であることを特徴とするダイボンディングペースト。
【化１】
2006302834.tif 000006
（式中ｎは繰り返し単位数であり、０〜１の整数である。ＸはＳＯ、ＳＯ2、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ、ＣＯ及びＣＯＯから選ばれる１種の官能基であって、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリル基から選ばれる１種以上の原子を含む置換基を示す。また繰り返し単位中の８個のＲの内、少なくとも１つは置換基を有してもよいアリル基である。）
【請求項２】
（Ａ’）成分のエポキシ樹脂の含有量が、（Ａ）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量１．０に対して０．５〜３．０の割合である請求項１に記載のダイボンディングペースト。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のダイボンディングペーストに、さらに（メタ）アクリル基含有のシランカップリング剤を添加したダイボンディングペーストであって、該シランカップリング剤の含有量が該ダイボンディングペーストに対して０．０１〜２．０重量％であるダイボンディングペースト。
【請求項４】
（Ｃ）成分の銀粉末含有量が、ダイボンディングペースト総重量に対して９０重量％以上である請求項１〜３のいずれかに記載のダイボンディングペースト。
【請求項５】
（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤の数平均分子量が５００以上である請求項１〜４のいずれかに記載のダイボンディングペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンディングペースト、さらに詳しくは、半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるなどのために使用される、作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れるダイボンディングペーストに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置は半導体チップなどの素子をダイボンディング材によりリードフレームに接着して製造している。半導体チップ等の半導体素子は、高集積化および微細化に伴い集積密度が大きくなり、単位面積当たりの発熱量が増加する傾向にある。そのため、半導体素子が搭載された半導体装置においては、半導体素子から発生した熱を外部に効率的に放散する必要があり、ダイボンディング材の熱伝導性の向上が課題となっている。また、従来パワーデバイス用パッケージの素子接着ははんだ接合が主流であるが、環境問題から、はんだの脱鉛化の動きが盛んであり、それに伴い実装用途、ダイボンディング用途においては、はんだ代替え高熱伝導ペーストの要求が高まってきている。しかしながら、従来の導電性ペーストでは熱伝導率がはんだに比べて小さく、高熱伝導化が望まれている。
さらに、上記のような脱鉛化による実装や高熱伝導化の要請に対応して、金で表面処理を行った半導体チップ、およびリードフレームが主流となりつつあるが、従来の伝導性ペーストでは金との接着性が十分ではなく、界面剥離による信頼性の低下等が問題となっており、金表面との接着性の向上が望まれている。
【０００３】
導電性ペーストとしては、例えばエポキシ樹脂中にフレーク状の銀粉末が分散されたものが知られている。銀粉末の形状をフレーク状とすることにより、良好なチクソ性が得られる。しかしながら、樹脂ペーストは樹脂と銀粉末とを含む組成物であるため、上記したようなはんだに比べて熱伝導性は低くなる。一方、熱伝導性を向上させるために多くの銀粉末を添加すると、粘度が高くなり塗布作業性が低下する、また硬化物が脆くリードフレームと素子の接着力が低くなるといった問題がある。
【０００４】
ダイボンディングペーストとして、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤および（Ｃ）銀粉末を必須成分として含有するダイボンディングペーストであって、（Ｃ）銀粉末の比表面積（ＳＡ）が０．５７ｍ2／ｇ以下、かつタップ密度（ＴＤ）が４．０〜７．０ｇ／ｃｍ3であるダイボンディングペーストが開示されている（例えば、特許文献１参照）。
このダイボンディングペーストは、作業性及び熱伝導性は良好であるが、接着性、とりわけ金表面との接着性については、さらなる改良が望まれている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−６３３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような状況下で、特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の性状を有する銀粉末を高配合することで、作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れる半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるなどのために使用されるダイボンディングペーストを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れるダイボンディングペーストを開発すべく鋭意研究を重ねた結果、常温で固形状のエポキシ樹脂及び常温で固形状のフェノール樹脂系硬化剤からなる混合物に、特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の性状を有する銀粉末を用いることにより、その目的を達成し得ることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
すなわち、本発明は、
（１）（Ａ）常温で固形状のエポキシ樹脂、（Ａ’）式（１）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）常温で固形状のフェノール樹脂系硬化剤、及び（Ｃ）銀粉末を含み、かつ前記（Ｃ）銀粉末の比表面積（ＳＡ）が１．３ｍ2／ｇ以下で、タップ密度（ＴＤ）が４．０〜７．０ｇ／ｃｍ3であることを特徴とするダイボンディングペースト、
【０００８】
【化１】
2006302834.tif 000002
【０００９】
（式中ｎは繰り返し単位数であり、０〜１の整数である。ＸはＳＯ、ＳＯ2、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ、ＣＯ及びＣＯＯから選ばれる１種の官能基であって、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリル基から選ばれる１種以上の原子を含む置換基を示す。また繰り返し単位中の８個のＲの内、少なくとも１つは置換基を有してもよいアリル基である。）
（２）（Ａ’）成分のエポキシ樹脂の含有量が、（Ａ）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量１．０に対して０．５〜３．０の割合である上記（１）に記載のダイボンディングペースト、
（３）上記（１）又は（２）に記載のダイボンディングペーストに、さらに（メタ）アクリル基含有のシランカップリング剤を添加したダイボンディングペーストであって、該シランカップリング剤の含有量が該ダイボンディングペーストに対して０．０１〜２．０重量％であるダイボンディングペースト、
（４）（Ｃ）成分の銀粉末含有量が、ダイボンディングペースト総重量に対して９０重量％以上である上記（１）〜（３）のいずれかに記載のダイボンディングペースト、及び
（５）（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤の数平均分子量が５００以上である上記（１）〜（４）のいずれかに記載のダイボンディングペースト、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、常温で固形状のエポキシ樹脂及び常温で固形状のフェノール樹脂系硬化剤からなる混合物に、特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の性状を有する銀粉末を配合することにより、半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるなどのために使用される、作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れるダイボンディングペーストを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明のダイボンディングペーストは、（Ａ）常温で固形状のエポキシ樹脂、（Ａ’）特定の構造を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）常温で固形状のフェノール樹脂系硬化剤、及び（Ｃ）特定の性状を有する銀粉末を含む導電性ペーストである。
本発明のダイボンディングペーストは、上記のような特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の性状を有する銀粉末を配合することにより、ダイボンディングペーストの熱伝導性を向上させ、半導体素子から発生した熱を該ダイボンディングペーストを通じてパッケージ外部に効率的に放散し、半導体素子自体の温度上昇を抑制することが可能となり、また、特に金表面との接着性を向上させることが可能となる。
【００１２】
［（Ａ）成分］
本発明のダイボンディングペーストにおいて、（Ａ）成分であるエポキシ樹脂は、１分子中に２個以上のエポキシ基を有し、かつ常温（２３℃）で固形状であれば、いかなるエポキシ樹脂も使用することができる。例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、特殊多官能型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらの常温（２３℃）で固形状のエポキシ樹脂は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、上記エポキシ樹脂であって、常温（２３℃）で液状ものも、必要に応じ、前記固形状のエポキシ樹脂の全部又は一部を置き替えて併用することができる。
本発明においては、前記（Ａ）成分のエポキシ樹脂と共に、応力の緩和や密着性付与などの目的で、本発明の効果を損なわない範囲において、他の樹脂を併用することができる。この他の樹脂としては、例えばポリエステル樹脂、ポリブタジエン樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹脂、キシレン樹脂等が挙げられる。
【００１３】
［（Ａ’）成分］
本発明で用いられる（Ａ’）成分であるエポキシ樹脂は、下記の式（１）で表される。
【００１４】
【化１】
2006302834.tif 000003
【００１５】
（式中ｎは繰り返し単位数であり、０〜１の整数である。ＸはＳＯ、ＳＯ2、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2、Ｃ（ＣＦ3）2、Ｏ、ＣＯ及びＣＯＯから選ばれる１種の官能基であって、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒは水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよいアリル基から選ばれる１種以上の原子を含む置換基を示す。また繰り返し単位中の８個のＲの内、少なくとも１つは置換基を有してもよいアリル基である。）
ｎは繰り返し単位数であり、０もしくは１であるが、より良好なペースト粘度を得るには、０が好ましい。Ｘは上記の官能基より選ばれるが、接着性を向上させる観点から、ＣＨ2、Ｃ（ＣＨ3）2が好ましい。Ｒはアルキル基、又はアリル基であれば特に限定されないが、繰り返し単位中の８個のＲの内、少なくとも１つはアリル基であることを要する。
また、（Ａ’）成分のエポキシ樹脂の含有量は、（Ａ）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量１．０に対して０．５〜３．０の割合であることが好ましい。（Ａ’）成分のエポキシ樹脂の含有量が上記範囲内であれば、ダイボンディングペーストの良好な接着性を得ることができる。
【００１６】
［（Ｂ）成分］
本発明のダイボンディングペーストにおいて、（Ｂ）成分として用いられる硬化剤は、常温（２３℃）で固形状のフェノール樹脂系硬化剤であって、数平均分子量５００以上のものが好ましい。数平均分子量の上限については特に制限はないが、通常１００００程度である。このような硬化剤としては、例えばノボラック型フェノール樹脂、ノボラック型クレゾール樹脂、ビニルフェノールの重合物（ポリ−ｐ−ビニルフェノール等）、ビスフェノール樹脂、フェノールビフェニレン樹脂等が挙げられる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
この（Ｂ）成分であるフェノール樹脂系硬化剤の使用量は、前記（Ａ）成分のエポキシ樹脂及び（Ａ’）成分のエポキシ樹脂のエポキシ当量１．０当たり、水酸基が０．５〜１．５当量になるような量が好ましい。
【００１７】
［（Ｃ）成分］
本発明のダイボンディングペーストにおける（Ｃ）成分の銀粉末は、比表面積（ＳＡ）が１．３ｍ2／ｇ以下で、かつタップ密度（ＴＤ）が４．０〜７．０ｇ／ｃｍ3の特性を有する粉末である。
比表面積（ＳＡ）が１．３ｍ2／ｇ以下であれば、銀粉末の充填化率が良好となり、ダイボンディングペーストの熱伝導性の向上が期待できると共に、ダイボンディングペーストは適度の粘度を有し、拡がり性の面でも良好となる。この比表面積の下限については特に制限はないが、通常０．２ｍ2／ｇ程度であり、好ましい比表面積は０．２〜０．７ｍ2／ｇの範囲である。
一方、タップ密度が４．０ｍ2／ｇ以上であれば、ダイボンディングペーストの硬化物の熱伝導性が良好であり、また７．０ｍ2／ｇ以下であれば、ダイボンディングペーストのチクソ性が良好となり、該ペーストのディスペンス時における糸引きの発生が抑制される。
当該銀粉末のタップ密度が４．０〜７．０ｇ／ｃｍ3であれば十分な効果が得られるが、このような範囲の中でもさらにタップ密度の大きいもの、すなわち７．０ｇ／ｃｍ3に近いものの方がより特性の向上が可能となるため好ましい。
【００１８】
当該銀粉末の粒径に特に制限はなく、前記したような比表面積及びタップ密度を満たすものであれば様々な粒径の銀粉末を用いることができる。当該銀粉末の比表面積及びタップ密度を上記のような範囲とするには、例えば銀粉末の形状を制御することにより行うことができる。具体的には、銀粉末の形状を球状と鱗片状との中間程度の形状（扁平状）とすることにより、上記したような比表面積及びタップ密度を実現することが可能となる。
【００１９】
（Ｃ）成分の銀粉末の含有量は、本発明のダイボンディングペースト総重量の９０質量％以上であることが好ましい。銀粉末の含有量が９０質量％以上であれば、当該銀粉末の充填化率が高くなり、ダイボンディングペーストの熱伝導性が向上する。
また、ダイボンディングペースト硬化物の接着力の観点から、当該銀粉末の含有量は、９９質量％以下が好ましい。
本発明のダイボンディングペーストにおいては、前記（Ｃ）成分の銀粉末の一部を、他の導電性粉末と置き換えることができる。他の導電性粉末としては、例えばニッケル粉末、金粉末、銅粉末などが挙げられる。この場合、他の導電性粉末の含有量は、全導電性粉末中、２０質量％以下であることが好ましい。
【００２０】
本発明のダイボンディングペーストには、さらに（メタ）アクリル基を含有するシランカップリング剤を添加することができる。該シランカップリング剤は、良好な接着性を得る観点より、（メタ）アクリル基を含有するものであれば、特に限定されることはないが、例えば３−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−（メタ）アクリロキシプロピルジメチルエトキシシラン等が挙げられる。これらのシランカップリング剤は、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
また、上記シランカップリング剤は、本発明のダイボンディングペースト総重量の０．０１〜２．０重量％の範囲であることが好ましい。０．０１重量％以上とすることで十分な接着性を確保でき、２．０重量％以下とすることでアウトガス、すなわちシランカップリング剤に起因する気泡の発生を抑えられ、十分な接着性を得ることができる。
【００２１】
本発明のダイボンディングペーストにおいては、前記した各成分以外に、イミダゾール類などの硬化促進剤、ダイボンディングペーストの粘度を調整するための溶剤、エポキシ基の開環重合性を有する反応性希釈剤、さらにはカップリング剤や酸無水物などの接着力向上剤、微細シリカ粉末、消泡剤、その他各種の添加剤を、ダイボンディングペーストの機能を妨げない範囲で配合することができる。
【００２２】
前記溶剤としては、例えば酢酸セロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールフェニルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジアセトンアルコール等を挙げることができる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
反応性希釈剤としては、例えばｎ−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキシド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル等を挙げることができる。これらは、一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
本発明のダイボンディングペーストは、前記した（Ａ）成分のエポキシ樹脂、（Ａ’）成分のエポキシ樹脂、（Ｂ）成分のフェノール樹脂系硬化剤、（Ｃ）成分の銀粉末及び必要に応じて用いられるシランカップリング剤、硬化促進剤、溶剤、反応性希釈剤などを加えて十分に混合したのち、さらにディスパース、ニーダー、３本ロールミルなどにより混練処理を行い、次いで脱泡することにより、容易に調製することができる。
このようにして得られた本発明のダイボンディングペーストは作業性に優れ、前記したような特定の構造を有するエポキシ樹脂及び特定の性状を有する銀粉末を配合し、ダイボンディングペーストの熱伝導性を向上させることで、半導体素子から発生した熱を該ダイボンディングペーストを通じてパッケージ外部に効率的に放散し、半導体素子自体の温度上昇を抑制することが可能となり、また、特に金表面との接着性を向上させることが可能となる。
【００２４】
本発明のダイボンディングペーストをシリンジに充填し、ディスペンサを用いて基板上に吐出し、その硬化により半導体素子を接合することができる。さらにワイヤボンディングを行い、樹脂封止材で封止することにより、樹脂封止型の半導体装置を製造することができる。なお、本発明のダイボンディングペーストを硬化するにあたっては、通常１００〜２５０℃で１時間から３時間の加熱を行うことが好ましい。
【実施例】
【００２５】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、各例で用いた成分は以下のとおりである。
（１）固形状エポキシ樹脂Ａ［クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬（株）社製：ＥＯＣＮ４５００、エポキシ当量２００）］
（２）エポキシ樹脂Ａ’−Ｉ［（日本化薬（株）社製：ＲＥ−８１０ＮＭ、エポキシ当量２２０）］
（３）エポキシ樹脂Ａ’−ＩＩ［ビスフェノールＦグリシジルエーテル（ジャパンエポキシレジン（株）社製：ＹＬ９８３Ｕ、エポキシ当量１７０）］
（４）固形状フェノール樹脂Ｂ−Ｉ［フェノール・ビフェニレン樹脂（明和化成（株）社製：ＭＥＨ−７８５１、水酸基当量２００、数平均分子量８００）］
（５）固形状フェノール樹脂Ｂ−ＩＩ［ノボラック型樹脂（明和化成（株）社製：Ｈ−４、水酸基当量１０５、数平均分子量４００）］
（６）銀粉末Ｃ−Ｉ（鱗片状、タップ密度４．２ｇ／ｃｍ3、比表面積０．６ｍ2／ｇ）
（７）銀粉末Ｃ−ＩＩ（鱗片状、タップ密度６．４ｇ／ｃｍ3、比表面積０．２ｍ2／ｇ）
（８）銀粉末Ｃ−ＩＩＩ（鱗片状、タップ密度７．８ｇ／ｃｍ3、比表面積０．１ｍ2／ｇ）
（９）銀粉末Ｃ−ＩＶ（鱗片状、タップ密度２．０ｇ／ｃｍ3、比表面積１．８ｍ2／ｇ）
（１０）溶剤（ブチルカルビトールアセテート）
（１１）硬化促進剤［イミダゾール（四国化成工業（株）社製：２ＭＡ−ＯＫ）］
（１２）カップリング剤Ｉ（３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン）
（１３）カップリング剤ＩＩ（３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）
また、上記銀粉末の比表面積（ＳＡ）及びタップ密度（ＴＤ）は、下記の方法により測定した値である。
［銀粉末の比表面積（ＳＡ）］
Ｂ．Ｅ．Ｔ．Ｑｕａｎｔａｃｈｒｏｍｅ  Ｍｏｎｏｓｏｒｂにて、粉末の単位質量当たりの表面積（単位：ｍ2／ｇ）を測定した。
［銀粉末のタップ密度（ＴＤ）］
Ｔａｐ−Ｐａｋ  Ｖｏｌｕｍｍｅｔｅｒにて、振動させた容器内粉末の単位体積当たりの質量を測定した（単位：ｇ／ｃｍ3）。
【００２６】
実施例１〜５及び比較例１〜８
表１及び表２に示す種類と量の各成分を十分に混合し、さらに３本ロールで混練してダイボンディングペーストを調製し、その特性（粘度、作業性）を、以下に示す方法で求めた。結果を表１及び表２に示す。
次に、前記で得られたダイボンディングペーストを用いて、半導体チップと基板とを接着硬化させ、硬化物特性（チップ接着強度、熱伝導率、吸水率）を、以下に示す方法で求めた。結果を表１及び表２に示す。
［ダイボンディングペーストの特性］
（１）粘度
Ｅ型粘度計（３°コーン、０．５ｒｐｍ）を用い、温度２５℃の粘度を測定した（単位：Ｐａ・ｓ）。
（２）作業性
（イ）糸引き性
ディスペンス糸引き性を、下記の判定基準で評価した。
○：糸引きなし
△：若干糸引きあり
（ロ）拡がり性
表面を銀メッキ処理した銅フレーム上にペーストを０．１ｍｍ3塗布し、すぐにプレパラート（１８ｍｍ角ガラス板）をペーストの上に被せ、２０ｇの加重を１０秒間かけた際の、ペーストの広がり面積の直径を測定し、下記の判定基準で評価した。なお、評価測定は２５℃の室内で行った。
○：５ｍｍ以上（良い）
×：５ｍｍ未満（悪い）
［ダイボンディングペースト硬化物特性］
（３）チップ接着強度
チップ（４ｍｍ口）と基板（Ｃｕ／Ａｇメッキリードフレーム）との接着強度を、温度：２６０℃、測定方法：ダイシェア強度の条件で接着強度を測定した（単位：Ｎ）。
（４）剪断破壊モード
（３）の評価試験で破壊したペーストの状況を目視にて確認した。
○：ペースト層凝集破壊
×：界面剥離
（５）熱伝導率
レーザーフラッシュ法にて測定した（単位：Ｗ／ｍ・Ｋ）。
（６）吸水率
８５℃、ＲＨ８５％の環境下に１６８時間曝露後の質量変化率を測定し、吸水率とした（単位：質量％）。
［パッケージ特性］
（７）ＩＣパッケージ抵抗率変化（ΔＤＶＳ）
本発明のダイボンディングペーストを用いた表面実装型ＩＣパッケージ（ＳＯＰ−８ｐｉｎ）の抵抗率を測定後、８５℃、ＲＨ８５％の環境下に７２時曝露し、２６０℃でリフロー熱処理を３回施す。次に熱サイクル試験（−６０℃で３０分と−１５０℃で３０分の環境変化のサイクルを５００サイクル行う）を行い、該試験後の抵抗率を測定し、その変化ΔＤＶＳ（％）を算出した。
【００２７】
【表１】
2006302834.tif 000004
【００２８】
【表２】
2006302834.tif 000005
【００２９】
表１及び表２から分かるように、実施例のダイボンディングペーストは、比較例のものに比べて、銀粉末を高充填させても、糸引き性や拡がり性などの作業性が良好であり、チップとフレームの種々の組合せにおいても良好なチップ接着強度を示すとともに、界面解離が生じることなく良好な剪断破壊モードを示した。また、高い熱伝導性を示しており、実施例のダイボンディングペーストは、作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れるペーストであった。
なお、吸水率が低いことから吸湿信頼特性も良好であり、さらに実施例のダイボンディングペーストを用いたＩＣパッケージは良好な性能を示した。
一方、比較例のダイボンディングペーストは、良好なペースト特性及び接着強度を示すものはあったが、界面解離が生じる、ＩＣパッケージ抵抗率が高い等、ペーストとして十分な性能を示すものではなかった。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明によれば、半導体チップなどの素子をリードフレームに接着させるためなどに使用され、作業性に優れ、かつ熱伝導性および特に金表面との接着性に優れるダイボンディングペーストを得ることができる。