(57)【要約】【課題】高周波モジュールの低背化を図りつつ、送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子のインピーダンスを容易に調整し不要反射の増加及び伝送特性の劣化を防止する。【解決手段】誘電体基板の表面に電力増幅用半導体素子３０７および弾性表面波素子からなる送信フィルタ３０６を実装してなり、弾性表面波素子における櫛歯状電極が半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなり、弾性表面波素子の気密空間内の誘電体基板表面の入出力用端子のうちの１つの端子３０８を、誘電体基板内部のインダクタンス素子Ｎ１を経由して誘電体基板の裏面に形成された外部端子３１９と接続され、他の１つの端子３０９は、誘電体基板内部に設けられたビア導体３２０ｈ、３２０ｉ及び導体線路３２１を経由して気密空間外の誘電体基板表面に形成された導体線路３１２と接続する。【選択図】図３
2006014030.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板と、電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、送信フィルタとを具備し、前記電力増幅用半導体素子が前記誘電体基板表面に実装され、前記送信フィルタが、前記誘電体基板の表面に半田実装された弾性表面波素子によって構成され、該弾性表面波素子における櫛歯状電極が、前記半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなる高周波モジュールであって、
前記弾性表面波素子の気密空間内の誘電体基板表面には入出力端子が形成されており、該入出力端子のうちの一つの端子は、前記誘電体基板内部に設けられたインダクタンス素子を経由して前記誘電体基板の裏面に形成された外部端子と接続され、他の１つの端子は、誘電体基板内部に設けられたビア導体及び導体線路を経由して気密空間外の誘電体基板表面に形成された導体線路と接続されてなることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
誘電体基板と、電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサとを具備し、前記電力増幅用半導体素子が前記誘電体基板表面に実装され、前記デュプレクサが、前記誘電体基板の表面に半田実装された弾性表面波素子によって構成され、該弾性表面波素子における櫛歯状電極が、前記半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなる高周波モジュールであって、
前記弾性表面波素子の気密空間内の誘電体基板表面には入出力用端子が形成されており、該入出力用端子のうちの一つの端子は前記誘電体基板内部に設けられたインダクタンス素子を経由して前記誘電体基板の裏面に形成された外部端子と接続され、他の１つの端子は、誘電体基板内部に設けられたビア導体及び導体線路を経由して気密空間外の誘電体基板表面に形成された導体線路と接続されてなることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項３】
誘電体基板と、電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、送信用フィルタ、送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサとを具備し、前記電力増幅用半導体素子が前記誘電体基板表面に実装され、前記送信フィルタ、デュプレクサが前記誘電体基板の表面に半田実装された弾性表面波素子によってそれぞれ構成され、該各弾性表面波素子における櫛歯状電極が、前記半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなる高周波モジュールであって、
前記各弾性表面波素子の気密空間内の該誘電体基板表面には、前記送信フィルタ用の入出力端子、前記デュプレクサ用入出力端子がそれぞれ形成されており、該各入出力端子のうちの少なくとも１つの端子は、誘電体基板内部に設けられたビア導体及び導体線路を経由して誘電体基板表面に形成された導体線路と接続されてなり、他の１つの端子は前記誘電体基板内部に設けられたインダクタンス素子を経由して前記誘電体基板の裏面に形成された外部端子とそれぞれ接続されていることを特徴とする高周波モジュール。
【請求項４】
前記誘電体基板における送信フィルタまたはデュプレクサの実装部直下および電力増幅用半導体素子の実装部の直下にグランド電極が形成されてなることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記グランド電極が分離して形成されていることを特徴とする請求項４記載の高周波モジュール。
【請求項６】
前記他の１つの端子が、ビア導体および表面に最も近接した誘電体基板内部に形成された導体線路を経由して誘電体基板表面に形成された導体線路と接続されてなることを特徴とする請求項１，２，３のいずれか記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は携帯電話などの通信装置に用いられる高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１に、携帯電話装置等の移動体通信機器における高周波信号処理回路の一般的構成で、ＣＤＭＡのデュアルバンド方式のブロックを示す。図１において、１はアンテナ、２は周波数を分ける分波器、３、４は８００ＭＨｚと１．９ＧＨｚのデュプレクサである。
【０００３】
送信系では、ＲＦＩＣ１７から出力された信号は、９、１０の送信フィルタでノイズを低減し、電力増幅器７、８に伝えられる。電力増幅器７、８はそれぞれ８００ＭＨｚ、１．９ＧＨｚの周波数で駆動し、送信電力を増幅させ、方向性結合器５、６に伝えられ、前記デュプレクサ３、４に入力される。方向性結合器は、電力増幅器からの出力信号のレベルをモニターする機能があり、検波用回路（デテクターＩＣ）１１に接続されている。
【０００４】
一方、受信系は、デュプレクサ３、４からの信号をＬＮＡ１３、１４が信号を増幅し、フィルタ１５、１６を介してＲＦＩＣ１８に伝えられ信号処理される。
【０００５】
また、近年ＧＰＳによる測位機能も機器に取り込まれつつあり、前記分波器からＧＰＳ用フィルタ１２を経て、ＲＦＩＣ１８で信号処理される。
【０００６】
このような移動無線装置においては、その携帯性等のために各部に対する小型化、軽量化の要求が大きく、従来においては要求を考慮して所望の特性が達成できる単位でモジュール化されており、その一例として図１中の破線に囲まれた１２の部分をモジュール化した製品が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−２９０２５７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一般に、高周波モジュールにおける誘電体基板上に送信フィルタ５、ＧＰＳ用フィルタ１１、デュプレクサ２を搭載したモジュール１２は、ディスクリート部品で回路を構成した場合に比較して製品高さが高くなるため、基板内に位相回路、能動素子などの機能を内蔵することが求められている。そのため、送信フィルタ５、デユプレクサ２などの素子は、直接基板表面に実装し、それ以外は基板内に内蔵することで、前記の課題をクリアしている。
【０００８】
しかし、誘電体基板に機能性素子を内蔵したモジュール１２は、ディスクリート部品に用いられる誘電体基板よりも厚みが大きくことから、モジュール表裏面間で線路のインピーダンスが変動し、反射損失が増加して特性を劣化することが多い。さらにモジュール搭載面で生じるインピーダンス不整合による特性劣化が起こりうるため、インピーダンス整合回路を設ける必要があった。
【０００９】
図５に、モジュール表面に形成した送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子を見たインピーダンスを示す。図５における周波数範囲は０〜６ＧＨｚであり、インピーダンスの軌跡はスミスチャートの中心である５０Ωから始まり、周波数が上がるにつれて容量性を示しながら低インピーダンス円の軌道を描いている。この原因は接続線路間でインピーダンスが低くなると同時に接続端子、接地パターン間で寄生容量が関与しているためである。このような状態で送信フィルタ用弾性表面波素子（ＳＡＷ素子）を実装してモジュール製品を構成した場合、送信フィルタと送信フィルタ入力端子との接続点において不整合が起こり、不要反射が増加したり、伝送損失が劣化するなどの問題があった。
【００１０】
したがって、本発明は、高周波モジュールの低背化を図りつつ、送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子のインピーダンスを容易に調整し、不要反射の増加及び伝送特性の劣化を防止した高品質の高周波モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の高周波モジュールは、誘電体基板と、電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、送信フィルタとを具備し、前記電力増幅用半導体素子が前記誘電体基板表面に実装され、前記送信フィルタが、前記誘電体基板の表面に半田実装された弾性表面波素子によって構成され、該弾性表面波素子における櫛歯状電極が、前記半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなる高周波モジュールであって、
前記弾性表面波素子の気密空間内の誘電体基板表面には入出力用の端子が形成されており、入出力用の端子のうちの１つの端子は、前記誘電体基板内部に設けられたインダクタンス素子を経由して前記誘電体基板の裏面に形成された外部端子と接続され、他の１つの端子は、誘電体基板内部に設けられたビア導体及び導体線路を経由して気密空間外の誘電体基板表面に形成された導体線路と接続されてなることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の高周波モジュールは、誘電体基板と、電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサとを具備し、前記電力増幅用半導体素子が前記誘電体基板表面に実装され、前記デュプレクサが、前記誘電体基板の表面に半田実装された弾性表面波素子によって構成され、該弾性表面波素子における櫛歯状電極が、前記半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなる高周波モジュールであって、前記弾性表面波素子の気密空間内の誘電体基板表面には入出力用端子が形成されており、該入出力用端子のうちの１つの端子は前記誘電体基板内部に設けられたインダクタンス素子を経由して前記誘電体基板の裏面に形成された外部端子と接続され、他の１つの端子は、誘電体基板内部に設けられたビア導体及び導体線路を経由して気密空間外の誘電体基板表面に形成された導体線路と接続されてなることを特徴とする。
【００１３】
さらに、本発明の高周波モジュールは、誘電体基板と、電力増幅用半導体素子と整合回路で構成された電力増幅器と、送信用フィルタ、送受信系の信号を送信信号と受信信号に分波するデュプレクサとを具備し、前記電力増幅用半導体素子が前記誘電体基板表面に実装され、前記送信フィルタ、デュプレクサが前記誘電体基板の表面に半田実装された弾性表面波素子によってそれぞれ構成され、該各弾性表面波素子における櫛歯状電極が、前記半田実装時に形成される気密空間内に封止されてなる高周波モジュールであって、
前記各弾性表面波素子の気密空間内の該誘電体基板表面には、前記送信フィルタ用の入出力端子、前記デュプレクサ用の入出力用端子がそれぞれ形成されており、該各入出力用端子のうちの１つの端子は前記誘電体基板内部に設けられたインダクタンス素子を経由して前記誘電体基板の裏面に形成された外部端子とそれぞれ接続され、他の１つの端子は、誘電体基板内部に設けられたビア導体及び導体線路を経由して誘電体基板表面に形成された導体線路と接続されてなることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明によれば、前記誘電体基板における送信フィルタまたはデュプレクサの実装部直下および電力増幅用半導体素子の実装部の直下にグランド電極が形成され、そのグランド電極を分離して形成することによって、高調波の減衰量を改善することができる。
【００１５】
また、前記入出力用の一対の端子のうちの他方の端子を、ビア導体および表面に最も近接した誘電体基板内部に形成された導体線路を経由して誘電体基板表面に形成された導体線路と接続することによって、高周波モジュールのゲインを向上することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、送信フィルタや入力端子と送信フィルタ用外部端子との間の伝送線路を誘電体基板内部に形成したインダクタンス素子で構成することでインピーダンスを高くできるので５０Ω近くに調整することができ、高周波モジュールの低背化を可能にすることで薄型の高周波モジュールを提供できる。また、デュプレクサ用受信フィルタ出力端子とデュプレクサ用受信信号外部端子間においても同様に誘電体層上にパターンで形成したインダクタンス素子を接続することでインピーダンスを高くすることができる。また、送信フィルタと送信フィルタ入力端子との接続点の不整合が解消できるため、不要反射の低減及び伝送損失の低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図２は、本発明の高周波モジュールの一実施例の分解斜視図である。図２の高周波モジュールは、誘電体層３０１〜３０５を順次積層した多層の誘電体基板をベースとし、この基板表面には、送信用フィルタとしてベアＳＡＷチップ３０６および電力増幅器を構成する電力増幅用半導体素子３０７が実装、搭載される。
【００１８】
誘電体層３０１の表面には、ベアＳＡＷチップ３０６を実装するための、送信フィルタ入力端子３０８、送信フィルタ出力端子３０９、グランド接続端子３１０、封止リング３１１が形成される。さらに、誘電体層３０１の表面には、ベアＳＡＷチップ３０６と電力増幅用半導体素子３０７とを接続するための接続線路３１２、電力増幅器３０７とデュプレクサ（図示せず）を接続する接続線路３１３が形成されている。
【００１９】
電力増幅用半導体素子３０７は、半導体素子と、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｉ、半田、熱硬化型Ａｇペースト等のダイアタッチ材により固定されるとともに電気的にも接続されており、Ａｕ等から成るワイヤボンディング３１４により、誘電体層３０１上面に導出された接続線路３１２、３１３にワイヤボンディングなどによって電気的に接続される。
【００２０】
ベアＳＡＷチップ３０６は、誘電体層３０１表面の送信フィルタ入力端子３０８、送信フィルタ出力端子３０９、グランド接続端子３１０、封止リング３１１と導電性樹脂や半田等の導電性接着材によって接続されて誘電体基板３０１表面に実装される。この実装によって、ベアＳＡＷチップ３０６の送信フィルタ入力端子３０８、送信フィルタ出力端子３０９、グランド接続端子３１０との実装接続部は、封止リング３１１と導電性樹脂や半田等の導電性接着材によって形成された気密空間内に封止される。
【００２１】
一方、誘電体層３０２の、ベアＳＡＷチップ３０６の実装部直下にはグランド電極３１７ａが、また、半導体素子３０７の実装部直下にはグランド電極３１７ｂがそれぞれ独立分離して形成されている。このように、ベアＳＡＷチップ３０６の実装部直下のグランド電極３１７ａと、電力増幅用半導体素子３０７の実装部直下のグランド電極３１７ｂとを独立分離して形成することによって、高調波の減衰量を改善することができる。
【００２２】
なお、グランド電極３１７ａ、３１７ｂは、ビア３２０ｅ、ビア３２０ｆによって、多層基板の誘電体層３０５の裏面に形成されたグランド導体３１８とそれぞれ接続されている。ベアＳＡＷチップ３０６を実装するためのグランド接続端子３１０は、ビア３２０ａを介してグランド電極３１７ａに接続されている。
【００２３】
また、誘電体層３０５の裏面には、グランド導体３１８とともに、送信フィルタ外部接続端子３１９が形成されている。なお、誘電体層３０２のグランド電極３１７ａ，３１７ｂとグランド導体３１８とを接続するビアの本数は２本以上でもよい。
【００２４】
また、電力増幅器３０７の実装部には、グランド導体３１８と接続されたビア３２０ｇが設けられ、電力増幅器３０７で発生した熱を誘電体基板の底面を通じて放熱する役目も具備する。
【００２５】
誘電体層３０３および誘電体層３０４には、インダクタンス素子Ｎ１を構成する伝送線路３１５、３１６がそれぞれ形成され、線路端部がビア３２０ｅによって接続され、スパイラル形状になるように形成され誘導性を高められている。そして、このインダクタンス素子Ｎ１の一方の端部は、送信フィルタ入力端子３０８とビア３２０ｂによって接続され、他端部は、ビア３２０ｄを介して送信フィルタ外部接続端子３１９と接続されている。
【００２６】
また、本発明によれば、気密封止された領域に形成された送信用フィルタ出力端子３０９を誘電体基板表面の導体線路３１２に接続する場合、封止リング３１１が存在するため、誘電体基板表面で直接接続することはできない。そこで、本発明によれば、送信用フィルタ出力端子３０９を一旦、ビア３２０ｈで誘電体基板内部に形成された導体線路３２１の一端に接続し、導体線路３２１の他端部をビア３２０ｉによって、導体線路３１２に接続する。これによって、送信用フィルタ出力端子３０９と導体線路３１２とを電気的に接続することができる。ところが、かかる場合、送信用フィルタ出力端子３０９から導体線路３１２までの線路長が長くなると、高周波モジュールのゲインが小さくなり効率が低下してしまう。そこで、導体線路３２１を誘電体基板の表面に最近接した誘電体基板内部に設けることによって送信用フィルタ出力端子３０９から導体線路３１２までの線路長を最短にすることができる結果、高周波モジュールのゲインの低下を防止し効率を高めることができる。
【００２７】
本モジュールにおいては、外部からの送信信号は、送信フィルタ外部端子３１９に入力され、ビア３２０ｄ、インダクタンス素子Ｎ１を経由して、ビア３２０ｂ、送信フィルタ入力端子３０８の順番に伝送された後、ベアＳＡＷチップ３０６に入力される。
【００２８】
なお、本実施例では誘電体層３０３と誘電体層３０４の計２枚の誘電体層の表面にインダクタンス素子を構成する伝送線路パターンを形成しているが、これが誘電体層１枚であっても、３枚以上であってもよい。
【００２９】
図３に、本発明の実施例１における送信フィルタ入力端子３０８から送信フィルタ外部端子３１９をみたインピーダンスのスミスチャートを示す。図４から広い周波数範囲で５０Ωに近いインピーダンスを達成していることが分かる。具体的な数値比較を行なうための指標として５０Ω±３Ωに収まる周波数帯域の比較を行なうと、図２では０〜１６５９ＭＨｚの狭い周波数範囲に対して図４では０〜４５２６ＭＨｚの広い周波数範囲に収まっている。本高周波モジュールの使用周波数が１〜２ＧＨｚであるので、従来例の２ＧＨｚ付近では、不整合量が大きくなるので送信フィルタを接続した場合に不要反射の増加と伝送損失の劣化を招く。一方本発明の実施例１では主な使用周波数範囲では十分に５０Ω付近のインピーダンスを達成できるので、送信フィルタを接続した際、不要反射と伝送損失を低減することが出来る。
【００３０】
次に図４に第２の発明における一実施例の分解斜視図を示す。図４の高周波モジュールは、誘電体層５０１〜５０５を順次積層した多層の誘電体基板をベースとし、この基板表面には、電力増幅器を構成する電力増幅用半導体素子５０６およびベアＳＡＷチップからなるデュプレクサ用フィルタ５０７が実装、搭載される。
【００３１】
そして、誘電体層５０１の表面には、デュプレクサ用フィルタ搭載部が形成されており、そこにはデュプレクサ用フィルタ５０７を接続するためのデュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８、デュプレクサ用フィルタ送信出力端子５０９、デュプレクサ用フィルタ受信入力端子５１０、デュプレクサ用フィルタ受信出力端子５１１、グランド接続端子５１２、封止リング５１３が形成される。デュプレクサ用フィルタ５０７は、誘電体層５０１表面の上記端子や封止リング５１３と導電性樹脂や半田等の導電性接着材によって接続されて誘電体基板５０１表面に実装される。
【００３２】
さらに、誘電体層５０１の表面には、実装される電力増幅用半導体素子５０６と送信フィルタ（図示せず）を接続するための接続線路５１４、電力増幅用半導体素子５０６とデュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８を接続するための接続線路５１５が形成されている。
【００３３】
電力増幅用半導体素子５０６は、半導体素子と、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｓｉ、半田、熱硬化型Ａｇペースト等のダイアタッチ材により固定されるとともに電気的にも接続されており、Ａｕ等から成るワイヤボンディング５１６により、誘電体層５０１上面に導出された接続線路５１４、５１５にワイヤボンディングなどによって電気的に接続される。
【００３４】
誘電体層５０２の表面における半導体素子５０６の実装部直下にはグランド電極５２０ａが、デュプレクサ用フィルタ５０７の実装部直下にはグランド電極５２０ｂがそれぞれ独立分離して形成されている。このように、デュプレクサ用フィルタ５０７の実装部直下のグランド電極５２０ｂと、電力増幅用半導体素子５０６の実装部直下のグランド電極５２０ｂとを独立分離して形成することによって、高調波の減衰量を改善することができる。
【００３５】
なお、グランド電極５２０ａ、５２０ｂは、ビア５２３ａ、ビア５２３ｆによって、多層基板の誘電体層５０５の裏面に形成されたグランド導体５２１とそれぞれ接続されている。なお、グランド電極５２０ａ、５２０ｂと裏面グランド導体５２１を接続するビアの本数は１本でも３本以上でもよい。
【００３６】
そして、デュプレクサ用フィルタ５０７の搭載部におけるグランド接続端子５１２は、ビア５２３ｈを介してグランド電極５２０ｂに接続されている。
【００３７】
また、誘電体層５０５の裏面には、グランド導体５２１とともに、デュプレクサ用受信信号外部出力端子５２２、およびアンテナ端子５２４が形成されている。
【００３８】
また、電力増幅用半導体素子５０６の搭載部には、ビア５２３ａが設けられ、グランド電極５２０ａおよびグランド導体５２１と接続されている。なお、このビア５２３ａは、電力増幅用半導体素子５０６から発生する熱を放熱する役目も具備する。
【００３９】
誘電体層５０３および誘電体層５０４には、インダクタンス素子Ｎ２を構成する伝送線路５１８、５１９がそれぞれ形成され、線路端部がビア５２３ｄによって接続され、スパイラル形状になるように形成され誘導性を高められている。そして、このインダクタンス素子Ｎ２の一方の端部は、デュプレクサ用フィルタ受信出力端子５１１とビア５２３ｃによって接続され、他端部は、ビア５２３ｅを介してデュプレクサ用受信信号外部出力端子５２２と接続されている。
【００４０】
また、誘電体層５０３には、デュプレクサ用フィルタ送信出力端子５０９とデュプレクサ用フィルタ受信入力端子５１０を接続するための接続線路５１７が形成される。接続線路５１７の端部は、ビア５２３ｉ，５２３ｊによって、デュプレクサ用フィルタ送信出力端子５０９、デュプレクサ用フィルタ受信入力端子５１０とそれぞれ接続されている。この接続線路５１７は、位相を調節するためのものである。
【００４１】
また、本発明によれば、気密封止された領域に形成されたデュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８を誘電体基板表面の導体線路５１５に接続する場合、封止リング５１３が存在するため、誘電体基板表面で直接接続することはできない。そこで、本発明によれば、導体線路５１５の一端をビア５２３ｍで誘電体基板内部に形成された導体線路５２４の一端に接続し、導体線路５２４の他端部をビア５２３ｋによってデュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８に接続する。これによって、導体線路５１５とデュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８とを電気的に接続することができる。ところが、かかる場合、導体線路５１５からデュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８からまでの線路長が長くなると、高周波モジュールのゲインが劣化してしまう。そこで、導体線路５２４を誘電体基板の表面に最近接した誘電体基板内部に設けることによって導体線路５１５からデュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８までの線路長を最短にすることができる結果、高周波モジュールのゲインの劣化を防止することができる。
【００４２】
本モジュールにおいては、送信信号は、送信フィルタ（図示せず）を出た後、接続線路５１４、電力増幅用半導体素子５０６、接続線路５１５、デュプレクサ用フィルタ送信入力端子５０８を介してデュプレクサ用フィルタ（ベアＳＡＷチップ）５０７に入力される。その後、デュプレクサ用フィルタ送信出力端子５０９、ビア５２３ｂ、分波回路（図示せず）を介してアンテナ端子５２４へ伝送する。
【００４３】
アンテナ端子５２４からの受信信号は、分波回路（図示せず）を介してビア５２３ｂ、接続線路５１７、デュプレクサ用フィルタ受信入力端子５１０を介してデュプレクサ用フィルタ５０７に入力される。その後、デュプレクサ用フィルタ受信出力端子５１１からビア５２３ｃ、インダクタンスＮ２を構成する伝送線路５１８、ビア５２３ｄ、伝送線路５１９、ビア５２３ｅを介して裏面のデュプレクサ用受信信号外部端子５２２に接続される。
【００４４】
これによりこの実施例では、主な使用周波数範囲では十分に５０Ω付近のインピーダンスを達成できるのでデュプレクサ用受信フィルタ５０７を接続した場合に不要反射と伝送損失の劣化を低減できる。なお、本実施例では誘電体層５０３と誘電体層５０４の計２枚の誘電体層の表面にインダクタンス素子を構成する伝送線路パターンを形成しているが、これが誘電体層１層であっても、３層以上であってもよい。
【００４５】
また前記本発明の第１の実施例では電力増幅器と送信フィルタを実装した高周波モジュールについて、前記第２の実施例では、電力増幅器とデュプレクサを実装した高周波モジュールについて述べたが、両者の組み合わせとして少なくとも電力増幅器と送信フィルタとデュプレクサが実装された高周波モジュールについても、上記に述べたようなインダクタンス素子を構成する伝送線路を用いることで本発明の実施例１や本発明の実施例２で示した効果と同様の効果を得ることができる。
【００４６】
即ち、１つの誘電体基板の表面に、電力増幅器と、送信フィルタと、デュプレクサとが実装され、第１の実施例における電力増幅器３０７と、第２の実施例における電力増幅器５０６とが同一の電力増幅器とみなして、第１の実施例、第２の実施例を適用することができる。その場合、第１の実施例、第２の実施例で説明したようなインダクタンス素子Ｎ１、Ｎ２を誘電体層内に形成することによって、本発明の第１の実施例や第２の実施例で示した効果と同様の効果を有する薄型化を図ることのできる高周波モジュールを得ることができる。
【００４７】
上記実施例で用いられるベアＳＡＷチップは、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ランガサイト型結晶構造を有する例えばランタン−ガリウム−ニオブ系単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶から成る基板上に、励振電極である櫛歯状の共振子電極の複数が例えばラダー型回路に接続されており、その接続電極、及び入出力電極と接地用電極を形成し、さらにその上にシリコンや酸化シリコン等の半導電性もしくは絶縁性の保護膜を形成して成るチップ状の弾性表面波フィルタ素子を構成している。
【００４８】
また、高周波モジュールを構成する誘電体基板は、複数の誘電体層を積層して成るものであり、誘電体層には、例えばアルミナセラミックス、ムライトセラミックス、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックスや、有機樹脂材料とセラミック材料との混合材料を用いた複合材料や、有機樹脂材料単独で構成することができる。とりわけ、導体としてＣｕ、Ａｇを使用し同時焼成にて形成する上では、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックス、有機樹脂材料とセラミック材料との混合材料が挙げられ、熱的安定性に優れる点で、ガラスセラミックスなどの低温焼成セラミックスが最も望ましい。
【００４９】
電力増幅器用半導体素子としては、例えばｐｎ接合ゲート型電界効果型トランジスタやショットキー障壁ゲート型電界効果型トランジスタ、ヘテロ接合型電界効果型トランジスタ、ｐｎ接合ゲート型へテロ接合型電界効果型トランジスタ等が用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】一般的な移動体通信機器の高周波信号処理回路図を示す。
【図２】本発明の高周波モジュールの第１の実施例の分解斜視図を示す。
【図３】本発明の第１の実施例１の送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子を見た場合のインピーダンスを示したスミスチャートを示す。
【図４】本発明の高周波モジュールの第２の実施例の分解斜視図を示す。
【図５】従来の高周波モジュールにおける送信フィルタ入力端子から送信フィルタ外部端子を見た場合のインピーダンスを示したスミスチャートである。
【符号の説明】
【００５１】
３０１〜３０５、５０１〜５０５：誘電体層
３０６：送信フィルタ
３０７、５０６：電力増幅器
３０８：送信フィルタ入力端子
３０９：送信フィルタ出力端子
３１０、５１２：グランド接続端子
３１１、５１３：封止リング
３１２、３１３、５１４、５１５：接続線路
５１７：位相調整線路
３１４、５１６：ワイヤボンディング
３１５、３１６、５１８、５１９：インダクタンス素子を構成する伝送線路
３１７、５２０：グランド電極
３１８、５２１：裏面グランド導体
３１９：送信フィルタ外部接続端子
３２０ａ〜３２０ｇ、５２３ａ〜５２３ｍ：ビア
５０７：デュプレクサ用フィルタ
５０８：デュプレクサ用フィルタ送信入力端子
５０９：デュプレクサ用フィルタ送信出力端子
５１０：デュプレクサ用フィルタ受信入力端子
５１１：デュプレクサ用フィルタ受信出力端子
５２２：デュプレクサ用受信信号外部出力端子
５２４：アンテナ端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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