(57)【要約】    【課題】記録ヘッドの主磁極はイオンミリングにより逆台形形状に形成されるが、ミリング時間が長いと逆台形形状のばらつき及び寸法シフトによるトラック幅寸法のばらつきが問題になる。    【解決手段】記録ヘッド３０は、まず下部磁極３１、ギャップ層３２、導体コイル３３を形成し、ギャップ層３２の上に上部磁気ヨーク３４を浮上面から後退した位置に形成し、その後退した部分に無機絶縁層３５を形成する。下部磁極３１の後部には上部磁気ヨーク３４と接続される後部磁極３６を形成する。続いて、無機絶縁層３５及び上部磁気ヨーク３４の上面を平坦化し、その上にＲｈ等の下地膜３７を形成する。下地膜３７の上に、浮上面から上部磁気ヨーク３４に重なる位置まで、スパッタリングにて磁性薄膜を複数層積層して磁性層３８を形成する。続いて、イオンミリングを行い、浮上面から見て側面にテーパを有する逆台形形状の主磁極３９を形成する。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上部に再生ヘッドを形成し、
前記再生ヘッドの上部に下部磁極を形成し、
前記下部磁極の上部にギャップ層と導体コイルを形成し、
前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に、その上に形成される磁性層よりもミリングレートが早い材料の下地膜を形成し、
前記下地膜の上に媒体対向面と反対側において前記下部磁極と磁気的に結合された磁性層をスパッタリングで形成し、
前記磁性層をイオンミリングによりエッチングすることにより、媒体対向面が逆台形形状の主磁極を形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記主磁極の媒体対向面は、前記基板方向に向かってトラック幅方向の幅が狭くなっていることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記主磁極の逆台形の角度は、前記基板の面に垂直な方向に対して８度〜１１度であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記主磁極のスロートハイトは、３００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記下地膜は非磁性金属からなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記下地膜は、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＡｕの中から選ばれた一種あるいはこれらの合金からなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記下地膜はＳｉＣ又はＳｉＯ２からなることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記下地膜の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記下地膜は、前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に媒体対向面から後退した位置に上部磁気ヨークを形成し、前記上部磁気ヨークの媒体対向面側に無機絶縁層を形成した後、前記上部磁気ヨークと前記無機絶縁層の上に形成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記磁性層は複数の磁性薄膜を積層して形成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
前記主磁極は、前記磁性層の上に無機絶縁層を形成し、該無機絶縁層の上にマスクを形成した後、前記磁性層の面に垂直な方向に対して約３５度の角度でイオンミリングを約５０分行い、その後約７５度の角度でイオンミリングを５〜１０分行って形成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
前記再生ヘッドは、前記基板の上部に下部磁気シールド層を形成し、前記下部磁気シールド層の上部に下部ギャップ層を介して磁気抵抗効果素子を形成し、前記磁気抵抗効果素子の上部に上部ギャップ層を介して上部磁気シールド層を形成して形成することを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
基板の上部に形成された再生ヘッドと、
前記再生ヘッドの上部に形成された下部磁極と、
前記下部磁極の上部に形成されたギャップ層及び導体コイルと、
前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に形成された、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＡｕの中から選ばれた一種あるいはこれらの合金、又はＳｉＣ又はＳｉＯ２からなる下地膜と、
前記下地膜の上に媒体対向面と反対側において前記下部磁極と磁気的に結合され、媒体対向面が逆台形形状の複数の磁性薄膜が積層された主磁極と、
を有することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記主磁極の逆台形の角度は、前記基板の面に垂直な方向に対して８度〜１１度であることを特徴とする請求項１３記載の磁気ヘッド
【請求項１５】
前記下地膜は、前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に媒体対向面から後退して形成された上部磁気ヨークと、前記上部磁気ヨークの媒体対向面側に形成された無機絶縁層の上に形成され、前記主磁極は前記上部磁気ヨークと磁気的に結合されていることを特徴とする請求項１３記載の磁気ヘッド。
【請求項１６】
前記再生ヘッドは、前記基板上に形成された下部磁気シールド層と、前記下部シールド層上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上に上部ギャップ層を介して形成された上部磁気シールド層とを有することを特徴とする請求項１３記載の磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体の記録・再生に用いられる磁気ヘッド及びその製造方法に係り、特に垂直磁気記録に適した磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置では、記録媒体上のデータは磁気ヘッドによって読み書きされる。磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度(areal density)を高密度化する必要がある。しかしながら、現状の面内記録(longitudinal recording)方式では、記録されるビット長が小さくなると、媒体の磁化の熱揺らぎのために面記録密度があげられないという問題がある。
【０００３】
この問題を解決できる方法として、媒体に垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録(perpendicular recording)方式がある。垂直記録方式においても、再生には巨大磁気抵抗効果(Giant magneto-resistive)型ヘッド（ＧＭＲヘッド）及び、さらに再生出力が大きいトンネル型磁気抵抗効果(Tunneling magneto-resistive)型ヘッド（ＴＭＲヘッド）や膜面に垂直に電流を流すＣＰＰ(current perpendicular to the plane)型ＧＭＲヘッドを用いることができる。一方、記録には、単磁極ヘッドを用いる必要がある。垂直記録においても、面記録密度の向上のためには、トラック密度と線記録密度を向上する必要がある。線記録密度向上のためには、記録ヘッドの記録磁界勾配を向上させる必要がある。そのためには、記録媒体を２層化し、下層に軟磁性層(Soft under layer)を設ける構造とする。トラック密度向上のためには、磁気ヘッドのトラック幅(Track width)を微細、高精度化する必要がある。
【０００４】
また磁気ディスク装置では、ディスクの内周と外周にアクセスするためにスキュー(skew)角があるため、特に垂直記録では、主磁極形状に依存したサイドライト(side writing)の問題が発生する。この対策のためには、主磁極のトラック幅方向の幅に関して、トレーリング側が広く、磁気ヘッド基板側が狭い形状、すなわち基板方向に向かって逆台形形状にすることが望ましい。例えば、特許文献１には、フレームめっき法により形成された主磁極をイオンミリングによりエッチングすることにより、主磁極の側面を逆テーパ形状にする垂直記録用の磁気ヘッドの例が開示されている。特許文献２には、逆台形形状のライトポールを形成するために、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉあるいはこれらの合金からなる非磁性金属膜をマスクとして基板面に斜めにイオンビームを照射する垂直記録用磁気ヘッドの製造方法が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２６３７０５号公報
【特許文献２】特開２００４−９５００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように主磁極形状は、主磁極のトラック幅方向の幅に関して、トレーリング側が広く、磁気ヘッド基板側が狭い形状、すなわち基板方向に向かって逆台形形状にすることが望ましい。このとき、逆台形形状にするためにイオンミリング法を用いるが、このミリング時間が長いと逆台形形状のばらつき及び寸法シフトによるトラック幅寸法のばらつきが問題になる。
【０００７】
最近の高記録密度化においては、トラック幅が１５０ｎｍ以下の狭トラック幅が要求されている。特許文献１に記載の方法は、めっき法により逆台形形状を作成するものであるが、狭トラック幅における逆台形形状を作成するときのトラック幅寸法ばらつきなどの考慮が不十分である。特許文献２に記載の方法は、逆台形形状のライトポールを形成するために、イオンビームに対するエッチングレートが主磁極を構成する磁性層のエッチングレートより小さな非磁性金属膜をマスクとして基板面に斜めにイオンビームを照射するものであるが、主磁極の下にはギャップ材となるアルミナ等の非磁性金属膜があるため、主磁極の下側の部分が削れ難く、逆台形形状になりにくいという欠点が有る。
【０００８】
本発明の目的は、短時間のイオンミリングで逆台形形状の主磁極を形成することができる磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【０００９】
本発明の他の目的は、主磁極の逆台形形状を維持しながらトラック幅寸法のばらつきが少ない磁気ヘッドを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドの製造方法においては、
基板の上部に再生ヘッドを形成し、
前記再生ヘッドの上部に下部磁極を形成し、
前記下部磁極の上部にギャップ層と導体コイルを形成し、
前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に、その上に形成される磁性層よりもミリングレートが早い材料の下地膜を形成し、
前記下地層の上に媒体対向面と反対側において前記下部磁極と磁気的に結合された磁性層をスパッタリングで形成し、
前記磁性層をイオンミリングによりエッチングすることにより、媒体対向面が逆台形形状の主磁極を形成することを特徴とする。
【００１１】
前記主磁極の媒体対向面は、前記基板方向に向かってトラック幅方向の幅が狭くなっている。
【００１２】
前記主磁極の逆台形の角度は、前記基板の面に垂直な方向に対して８度〜１１度である。
【００１３】
前記主磁極のスロートハイトは、３００ｎｍ以下であることが望ましい。
【００１４】
前記下地膜は非磁性材料からなる。
【００１５】
前記下地膜は、Ｒｈ，Ｒｕ、Ｃｕ、Ｃｒ及びＡｕの中から選ばれた一種あるいはこれらの合金等からなる非磁性金属であることが望ましい。
【００１６】
前記下地膜は、ＳｉＣ、ＳｉＯ２等の絶縁材料であっても良い。
【００１７】
前記下地膜の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍであることが望ましい。
【００１８】
前記下地膜は、前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に媒体対向面から後退した位置に上部磁気ヨークを形成し、前記上部磁気ヨークの媒体対向面側に無機絶縁層を形成した後、前記上部磁気ヨークと前記無機絶縁層の上に形成することが望ましい。
【００１９】
前記磁性層は複数の磁性薄膜を積層して形成することが望ましい。
【００２０】
前記主磁極は、前記磁性層の上に無機絶縁層を形成し、該無機絶縁層の上にマスクを形成した後、前記磁性層の面に垂直な方向に対して約３５度の角度でイオンミリングを約５０分行い、その後約７５度の角度でイオンミリングを５〜１０分行って形成する。
【００２１】
前記再生ヘッドは、前記基板の上部に下部磁気シールド層を形成し、前記下部磁気シールド層の上部に下部ギャップ層を介して磁気抵抗効果素子を形成し、前記磁気抵抗効果素子の上部に上部ギャップ層を介して上部磁気シールド層を形成して形成する。
【００２２】
上記他の目的を達成するために、本発明の磁気ヘッドにおいては、
基板の上部に形成された再生ヘッドと、
前記再生ヘッドの上部に形成された下部磁極と、
前記下部磁極の上部に形成されたギャップ層及び導体コイルと、
前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に形成されたＲｈ，Ｒｕ，Ｃｕ、Ｃｒ及びＡｕの中から選ばれた一種あるいはこれらの合金、又はＳｉＣ又はＳｉＯ２からなる下地膜と、
前記下地膜の上に媒体対向面と反対側において前記下部磁極と磁気的に結合され、媒体対向面が逆台形形状の複数の磁性薄膜が積層された主磁極と、
を有することを特徴とする。
【００２３】
前記主磁極の逆台形の角度は、前記基板の面に垂直な方向に対して８度〜１１度である。
【００２４】
前記下地膜は、前記ギャップ層及び前記導体コイルの上部に媒体対向面から後退して形成された上部磁気ヨークと、前記上部磁気ヨークの媒体対向面側に形成された絶縁層の上部に形成され、前記主磁極は前記上部磁気ヨークと磁気的に結合されている。
【００２５】
前記再生ヘッドは、前記基板上に形成された下部磁気シールド層と、前記下部シールド層上に下部ギャップ層を介して形成された磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子上に上部ギャップ層を介して形成された上部磁気シールド層とを有する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、短時間のイオンミリングで逆台形形状の主磁極を形成することができる。
【００２７】
また、本発明によれば、主磁極の逆台形形状を維持しながらトラック幅寸法のばらつきが少ない磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。以下の図において、理解を容易にするため、同様の構成部分あるいは機能部分には同じ符号を付してある。図７は、実施例による垂直記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドという）が搭載される磁気ディスク装置の概略構成図であり、上側の図はカバーを外した状態の平面図、下側の図はスピンドルモータ及びアクチュエータ部分の断面図である。磁気ディスク装置は、スピンドルモータ６により回転駆動する磁気ディスク５上に、サスペンション２の先端に固定された磁気ヘッド１によって磁化信号の記録、再生を行う。サスペンション２はアーム３に取り付けられ、アーム３はアクチュエータ４に支持される。磁気ヘッド１はアクチュエータ４によりディスク半径方向に駆動し、記録あるいは再生を行うトラック７上に位置決めされる。磁気ヘッド１に供給する記録信号あるいは磁気ヘッド１から送出される再生信号は信号処理回路８によって処理される。
【００２９】
図８に、磁気ヘッド１が磁気ディスク５の半径方向に駆動する状態の概略図を示す。アクチュエータ４はロータリータイプであり、図に示すように磁気ディスク５の内周位置及び外周位置では、磁気ディスク５のトラック７の接線方向に対して磁気ヘッド１の中心を通る線が角度を持つスキュー角が発生する。スキュー角の範囲は±２０度程度である。
【００３０】
図９に、実施例の製造方法が適用される磁気ヘッド１と磁気ディスク５との関係を示す。但し、磁気ヘッド１は拡大して示してある。図１０に、垂直磁気記録の原理を示す。磁気ヘッド１は記録ヘッド３０と再生ヘッド２０とからなる。記録ヘッド３０は磁気ディスク５の磁気記録層５１に記録するための磁界を発生するヘッドであり、主磁極３８、下部磁極（補助磁極）３１、及び主磁極３８と下部磁極３１が作る磁気回路に鎖交する導体コイル３３を備える単磁極ヘッドである。再生ヘッド２０は磁気ディスク５の磁気記録層５１に書き込まれた情報を読み取るためのヘッドであり、一対の下部磁気シールド層２１及び上部磁気シールド層２６に挟まれたＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果素子２３を備える。記録ヘッド３０の主磁極３９からでた磁界は磁気ディスク５の磁気記録層５１、軟磁性裏打層５２を通り、補助磁極３１に入る磁気回路を形成し、磁気記録層５１に磁化パターン５４を記録する。このとき、ディスク回転方向との関係から、主磁極３９が磁気ディスク５のある点から最後に離れる部分即ち主磁極３９の上面(トレーリング側)及び側面の形状が磁化パターン５４の形状に大きな影響を及ぼす。
【００３１】
図２Ａと図２Ｂを参照して実施例の磁気ヘッド１の製造方法と構成を説明する。図２Ａは、磁気ヘッド１の浮上面側（媒体対向面側）から見た形状を示す図であり、図２Ｂは図２ＡのＡ−Ａ線断面図（ｂ）である。再生ヘッド２０は、まずAl2O3-TiC等のセラミックスからなる基板１０を用意し、基板１０の上に絶縁層１１を形成した後、下部磁気シールド層２１を形成する。下部磁気シールド層２１の上にはアルミナ等からなる下部ギャップ層２２を形成し、下部ギャップ層２２の上に磁気抵抗効果素子２３（以下、ＭＲ素子という）を形成する。ＭＲ素子２３には、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、さらに再生出力が大きいトンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子、膜面に垂直に電流を流すＣＰＰ型ＧＭＲ素子等が好適である。ＭＲ素子２３の両端に抵抗変化を電気信号として引き出すための一対の電極２４を形成し、ＭＲ素子２３及び電極２４の上にはアルミナ等からなる上部ギャップ層２５を形成する。上部ギャップ層２５の上には上部磁気シールド層２６を形成する。
【００３２】
記録ヘッド３０は、まず再生ヘッド２０の上部磁気シールド層２６の上にアルミナ等からなる上部磁気シールド絶縁層２７を形成し、上部磁気シールド絶縁層２７の上に下部磁極３１を形成し、下部磁極３１の上にアルミナ等からなるギャップ層３２と、ギャップ層３２の中に導体コイル３３を形成する。導体コイル３３は、ギャップ層３２とは別に有機絶縁体からなる層間絶縁層の中に形成しても良い。ギャップ層３２の上に上部磁気ヨーク３４を浮上面から後退した位置に形成し、その後退した部分にはアルミナ等の無機絶縁層３５を形成する。下部磁極３１の後部には上部磁気ヨーク３４の後部と接続されて磁気回路を構成する後部磁極３６を形成する。続いて、無機絶縁層３５及び上部磁気ヨーク３４の上面をＣＭＰ等により平坦化し、その上にＲｈ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒあるいはこれらの合金からなる非磁性金属膜（下地膜）３７を形成する。下地膜３７の上に、浮上面から上部磁気ヨーク３４に重なる位置まで、主磁極３９となる磁性層をスパッタリングにて磁性薄膜を複数層積層して形成する。続いて、イオンミリングによるエッチングを行い、浮上面から見て側面にテーパを有する逆台形形状の主磁極３９を形成する。続いて、これまで成膜した素子全体を覆うようにアルミナ等からなる硬質保護層４０を形成する。最後に、導体コイル３３に電流を供給するための記録用端子（図示せず）と、電極２４からの信号電流を外部に伝達するための再生用端子（図示せず）を形成する。
【００３３】
上記下地膜３７の材料は、主磁極３９となる磁性層よりもミリングレートが早い材料が選択される。また、主磁極３９の逆台形形状は、主磁極３９の最下部までテーパが付いた形の形状でも良いし、主磁極３９の途中までテーパが付いていて、その下から最下部まではストレートの形状でも良い。
【００３４】
上記のように、主磁極３９となる磁性層をスパッタリング法で形成する前に形成する下地膜３７を、磁性層よりもミリングレートが早い非磁性金属で形成することにより、ミリングレートが早い下地膜を形成しない場合に比べて、より短い時間で主磁極３９を台形形状にすることが可能となる。そのため、トラック幅寸法のばらつきが小さくなり、ヘッドのライト性能が安定する。また、主磁極３９の膜厚が素子の高さ方向上方から基板１０に向かって薄くなっているテーパ構造により、記録磁界強度をテーパがない場合に比べて３割程度向上させることが可能となる。
【００３５】
次に、上記記録ヘッド３０の主磁極３９に要求される構成及び製造条件について説明する。図３に、主磁極３９を上面から見たところを示す。磁気ヘッド１が磁気ディスク上を浮上する浮上面から、トラック部の幅が広がる部分（フレアポイントと呼ばれる）までの長さをスロートハイトという。図４に、記録磁界強度とスロートハイトとの関係を示す。スロートハイトが大きくなるとともに、記録磁界強度が減少するため、スロートハイトは、３００ｎｍ以下が望ましい。
【００３６】
また、図８に示したように、ロータリータイプのアクチェータを使用する磁気ディスク装置では、磁気ヘッド１にスキュー角が付くため、記録ヘッド３０の主磁極浮上面形状を逆台形にする必要があり、主磁極を逆台形形状にするための方法は、上記のように主磁極をイオンミリング法でエッチングして所望の形状にするが、ミリング時間が長いと図５に示すように、トラック幅寸法のばらつきが大きくなる。そのため、上記実施例においては、主磁極をスパッタリング法で形成する前に主磁極よりもミリングレートが早い材料からなる下地膜を形成して逆台形形状を形成するためのミリング時間を短くするという方法を採っている。図６に同じミリング時間１０分の時に、主磁極をスパッタリング法で形成する前に形成するミリングレートが早い材料Ｒｈの下地膜の膜厚と逆台形形状のテーパ角との関係を示す。ここでテーパ角は、基板１０の面に垂直な方向からの角度である。図６からわかるように、テーパ角を付けるという意味では、Ｒｈの膜厚１ｎｍ以上で効果が有り、Ｒｈの膜厚５ｎｍ以上が好ましい。またＲｈの膜厚が５０ｎｍ以上になると、主磁極の下部が極端に狭くなり、逆台形形状として成立しなくなる。
【００３７】
図１Ａ、図１Ｂを用いて、上記主磁極３９の形成方法を比較例と対比して説明する。比較例においては図１Ｂ（ａ）に示すように、無機絶縁層３５の上に単層の磁性層５０を形成し、その上にアルミナ等の無機絶縁層４１を形成しているのに対して、実施例においては図１Ａ（ａ）に示すように、無機絶縁層３５の上にＲｈの下地膜３７を約２０ｎｍ成膜し、その上にスパッタリングにより複数の磁性薄膜を積層して磁性層３８を形成し、その上にアルミナ等の無機絶縁層４１を形成している。続いて、図１Ａ（ｂ）、図１Ｂ（ｂ）に示すように、主磁極のトレーリング側の幅（トラック幅）を決めるためのレジスト等からなるマスク材４２を形成し、約３５度の角度でイオンミリングを約５０分行い、磁性層３８，５０をノッチ状に切る。続いて、実施例においては図１Ａ（ｃ）に示すように、イオンミリングを約７５度の角度で５分〜１０分行った段階で主磁極３９は逆台形形状となる。比較例では図１Ｂ（ｃ）に示すように、イオンミリングを約７５度の角度で約３０分行った段階で主磁極５１は矩形になり、さらに２０分イオンミリングを行うことで図１Ｂ（ｄ）に示すように逆台形形状となる。
【００３８】
上記実施例においては、磁性層３８を形成する前に磁性層３８よりもミリングレートが早い材料の下地膜３７を形成しているために、主磁極３９の上部に対して下部のエッチング速度が速く、イオンミリング時間が５５分〜６０分という短時間で主磁極３９を逆台形形状にすることができる。逆台形のテーパ角目標７〜１３度に対して、本実施例の出来栄えは８度〜１１度であり、目標を満たすことができた。目標トラック幅は１２０ｎｍであり、このときのトラック幅精度は、目標３σで３０ｎｍ以下に対して２８ｎｍであり目標を満たすことができた。逆台形の形状は、図１Ａ（ｃ）に示すような主磁極３９の最下部までテーパが付いた形状でも良いし、主磁極３９の途中までテーパが付いていて、その下から最下部まではストレートの形状でも良い。すなわち、テーパが付いている最下部の位置は、任意の位置で目的を達成することができる。
【００３９】
これに対して比較例では、イオンミリング時間は１００分必要とし、逆台形のテーパ角は、８度〜１２度と目標を満たしたが、トラック幅精度は目標３σで３０ｎｍ以下に対して４２ｎｍと本実施例に対して約５０％劣化し、目標にも到達しなかった。
【００４０】
なお、上記実施例において、主磁極３９の下に置く材料としてＲｈを用いたが、他にＲｕ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ等の非磁性金属あるいはこれらの合金、又はＳｉＣ、ＳｉＯ２等の絶縁体が使用可能である。また、磁性層３８を減磁効果を抑えるために複数の磁性薄膜を積層して形成したが、減磁が問題にならなければ、単層であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１Ａ】本発明の一実施例による記録ヘッド主磁極の形成方法を示す工程図である。
【図１Ｂ】比較例の主磁極の形成方法を示す工程図である。
【図２Ａ】実施例による磁気ヘッドの浮上面側から見た形状を示す図である。
【図２Ｂ】図２ＡのＡ−Ａ線断面図である。
【図３】記録磁界強度とスロートハイトとの関係を示す図である。
【図４】記録ヘッドの主磁極の上面図である。
【図５】イオンミリング時間とトラック幅寸法精度との関係を示す図である。
【図６】下地層Ｒｈの膜厚と主磁極の台形形状のテーパ角との関係を示す図である。
【図７】実施例の磁気ヘッドが搭載される磁気ディスク装置の概略構成図である。
【図８】磁気ヘッドのトラックに対するスキュー角を示す図である。
【図９】垂直記録用磁気ヘッドと磁気ディスクとの関係を示す図である。
【図１０】垂直記録の原理を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…磁気ヘッド、２…サスペンション、３…アーム、４…アクチュエータ、５…磁気ディスク、６…スピンドルモータ、７…トラック、８…信号処理回路、１０…基板、１１…絶縁層、２０…再生ヘッド、２１…下部磁気シールド層、２２…下部ギャップ層、２３…ＭＲ素子、２４…電極、２５…上部ギャップ層、２６上部磁気シールド層、２７…上部磁気シールド絶縁層、３０…記録ヘッド、３１…下部磁極、３２…ギャップ層、３３…導体コイル、３４…上部磁気ヨーク、３５…無機絶縁層、３６…後部磁極、３７…下地膜、３８…磁性層、３９…主磁極、４０…硬質保護層、４１…無機絶縁層、４２…主磁極のマスク材。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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