(57)【要約】【課題】ＳＯＩウェーハに形成されたテラス部とそれ以外の領域に区分して、ウェーハ表面に付着した微量の金属不純物による汚染状況を評価する方法を提供する。【解決手段】活性層ウェーハと、これを裏面側から支持する支持ウェーハとを埋め込み酸化膜を介して貼り合わせ、得られた貼り合わせウェーハに熱処理を施し全面に酸化膜を形成した後、前記活性層ウェーハの外周部を貼り合わせ界面付近まで研削し、前記埋め込み酸化膜の外周部を露出させてテラス部を形成したＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法であって、前記貼り合わせＳＯＩウェーハの前記テラス部以外の領域を疎水面処理し、その領域表面の金属不純物を回収した後、前記テラス部に弗酸系回収液を滴下し、当該テラス部表面の金属不純物を回収する、貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法である。【選択図】図２
2006228874.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層ウェーハと、これを裏面側から支持する支持ウェーハとを埋め込み酸化膜を介して貼り合わせ、得られた貼り合わせウェーハに熱処理を施し全面に酸化膜を形成した後、前記活性層ウェーハの外周部を貼り合わせ界面付近まで研削し、前記埋め込み酸化膜の外周部を露出させてテラス部を形成したＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法であって、
前記貼り合わせＳＯＩウェーハの前記テラス部以外の領域を疎水面処理し、その領域表面の金属不純物を回収した後、前記テラス部に弗酸系回収液を滴下し、当該テラス部表面の金属不純物を回収することを特徴とする、貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法。
【請求項２】
前記テラス部以外の領域を疎水面処理するに際し、前記テラス部を保護した後、前記テラス部以外の領域に形成された酸化膜を弗酸系溶液を含む蒸気と反応させて溶解することを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法。
【請求項３】
前記テラス部以外の領域を疎水面処理するに際し、前記テラス部をテフロン（登録商標）部材またはテフロン（登録商標）治具で覆い弗酸系溶液を含む蒸気との反応を遮蔽することを特徴とする請求項１または２に記載の貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貼り合わせＳＯＩウェーハの表面に付着した金属不純物の評価方法に関し、さらに詳しくは、ＳＯＩウェーハに形成されたテラス部とそれ以外の領域に区分して、ウェーハ表面に付着した微量の金属不純物による汚染状況を評価する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近では、絶縁体上にシリコン層（ＳＯＩ層）が形成されたＳＯＩ構造を有するＳＯＩウェーハが、デバイスの高速性、低消費電力性、高耐圧性、および耐環境性等に優れていることから、電子デバイス用の高性能ＬＳＩ用ウェーハとして、特に注目されるようになっている。
【０００３】
このＳＯＩウェーハの代表的な製造方法として、シリコンウェーハに酸素イオンを高濃度で打ち込み、その後に高温で熱処理を行ってウェーハ内部に酸化膜を形成するＳＩＭＯＸ法の他に、貼り合わせ法がある。この貼り合わせ法は、ＳＯＩ層を形成する活性層ウェーハに酸化膜を形成し、その酸化膜を介して支持ウェーハを貼り合わせた後、活性層ウェーハを薄膜化することによって、絶縁体である埋め込み酸化膜上にＳＯＩ層が形成されたＳＯＩウェーハを製造する方法である。
【０００４】
図１は、貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法を製造プロセスに沿って説明する図である。図１（ａ）では、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という）により引き上げられた単結晶シリコンインゴットをスライス、面取り、ラッピング、エッチング、研磨して、片面または両面が鏡面に仕上げられた２枚のシリコンウェーハ１、２を準備する。準備したウェーハのうち、活性層ウェーハ１には、熱酸化炉を用いた熱酸化処理により、その全面に絶縁性のシリコン酸化膜１ａを形成する。
【０００５】
図１（ｂ）では、活性層ウェーハ１と、支持ウェーハ２とを常温で重ね合わせ、埋め込み酸化膜１ａを介して貼り合わせウェーハ３を形成する。次いで、この貼り合わせウェーハ３に、雰囲気ガスに酸素を使用し、加熱温度８００℃以上の貼り合わせ熱処理を施す。これにより、接合強度を高めるとともに、貼り合わせウェーハ３の全面にシリコン酸化膜３ａを形成することができる。
【０００６】
図１（ｃ）では、面取りされた活性層ウェーハ１と支持ウェーハ２との外周部形状に起因した貼り合わせ不良領域を除去するため、活性層ウェーハ１の外周部を研削する。すなわち、貼り合わせ不良領域が存在すれば、その後の洗浄工程、研磨工程などにおいて、この不良部分が剥がれて飛散し、それが付着してＳＯＩ層（活性層）の表面を汚染したり、付着した飛散物により、後工程のウェーハ加工時にＳＯＩ層の表面を傷つけるおそれがあることによる。この外周部の研削は、貼り合わせ界面に達しない程度に止められる。
【０００７】
図１（ｄ）では、前記外周部の研削で活性層ウェーハ１の外周部に生じた削り残し部１ｃを選択エッチング（アルカリエッチ）により除去する。言い換えると、貼り合わせウェーハ３がＫＯＨなどのアルカリ性エッチング液と接触し、その削り残し部１ｃが溶解されることにより、支持ウェーハ２の外周部上の埋め込み酸化膜１ａの外周部が露出し、テラス部４を形成する。
【０００８】
図１（ｅ）では、さらに、活性層ウェーハ１を所望の厚みまで表面研削し、さらに鏡面研磨することにより薄いＳＯＩ層５を形成して、貼り合わせＳＯＩウェーハ６を製造することができる。
【０００９】
前記図１（ａ）〜（ｅ）に示す貼り合わせＳＯＩウェーハ６の製造プロセスにおいて、活性層ウェーハ１の表面は所望の厚みまで表面研削し、さらに鏡面研磨を重ねて最終研磨されることにより、ＳＯＩ層５の平坦度は良好であり加工工程で付加されたダメージも充分に除去することができる。
【００１０】
一方、貼り合わせＳＯＩウェーハ６のテラス部４においては、前述の通り、外周部形状に起因した貼り合わせ不良領域を除去するために外周部を研削する、いわゆるテラス研磨が１回行われるだけである。しかも、テラス研磨の条件は、通常のシリコンウェーハで行われる研磨条件と同等である。このため、ＳＯＩウェーハにおけるテラス部での平坦度は悪化し、加工工程で付加されたダメージを充分に除去することができないことから、金属不純物によって汚染され易くなる。
【００１１】
ところが、ＳＯＩウェーハが金属不純物によって汚染され、ウェーハ表面にナトリウム（Ｎａ）、アルミニウム（Ａｌ）、カリウム（Ｋ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）等の不純物が付着すると、その量が微量であっても、デバイスの電気的特性に大きな影響を及ぼすことになる。したがって、デバイス特性を向上させるには、ウェーハ表面から金属不純物の付着を極力抑制することが必須であり、ウェーハ表面金属不純物による汚染状況を正確に分析し、評価する必要がある。
【００１２】
このため、従来から、種々の金属不純物の分析方法や不純物の回収装置が提案されている。例えば、特許文献１では、弗化水素酸および硝酸を混合した溶融液をシリコンウェーハの片側表面に噴霧し、滴下する溶融液を回収して元素分析を行うウェーハの表面分析方法が提案されている。
【００１３】
また、特許文献２では、シリコン基板表面に存在する金属不純物を定量分析する前に、基板表面に弗化水素酸蒸気を１〜１０分間接触させたのち、定量分析を全反射蛍光Ｘ線分析法により行うシリコン基板表面の金属不純物分析方法を提案している。この分析方法によれば、弗化水素酸蒸気処理を行うことにより、標準試料または被測定試料の履歴に関係なく、常に同一形態を有する金属不純物を分析することが可能となり、検量線の安定化、測定精度の向上が図ることができるとしている。
【００１４】
さらに、特許文献３では、シリコンウェーハの表面に対して疎水性の関係にある液体、例えば、弗化水素酸を被測定物の表面に供給し、この液体をウェーハの表面に接触させるように保持しながらウェーハに対して相対的に移動させて、この液体に上記ウェーハ表面上に存在する不純物を取り込むようにし、そののち上記液体に取り込まれた不純物を測定する不純物の測定方法および不純物の回収方法が提案されている。
【００１５】
特許文献１〜３で提案される金属不純物の分析方法は、シリコンウェーハの気相分解法（以下、ＶＰＤ：Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎという）に基づくものであり、シリコンウェーハの表面に付着している金属不純物を、高感度、かつ高精度に測定することができ、同時に分析に要するコストが安く、しかも信頼性も高いことから、従来から金属不純物の評価方法として広く適用されている方法である。
【００１６】
【特許文献１】特開昭６２−２４５９４０号公報
【特許文献２】特開２００１−１５３７６８号公報
【特許文献３】特許２９４４０９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
前述の通り、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部では、製造プロセスにおいて充分な研磨条件を加えることができないことから、テラス部の平坦度は悪化し、加工工程で付加されたダメージを除去することができない。このため、残留したダメージは、金属不純物によって汚染され易くなる。このように、ＳＯＩウェーハのテラス部が金属汚染されると、その後のデバイスプロセスにおいて、その金属汚染が貼り合わせＳＯＩウェーハの活性層の汚染源となり、デバイス特性に重大な悪影響を及ぼすことになる。
【００１８】
このため、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部表面における金属不純物による汚染状況を正確に分析し、評価することが必要になる。そこで、特許文献１〜３に提案されたＶＰＤ法を用いて、貼り合わせＳＯＩウェーハの全面に形成された酸化膜を溶解した後、ＳＯＩウェーハのテラス部とそれ以外の領域を区分し、別々に回収酸液を走査させ、表面に付着する金属不純物を回収する方法が行われる。
【００１９】
しかしながら、ＶＰＤ法による貼り合わせＳＯＩウェーハ全面に形成された酸化膜を溶解する方法では、ＳＯＩウェーハ全面を一括して疎水面処理するものであることから、その後に回収酸液をテラス部のみに走査させる場合に、金属不純物の回収領域がテラス部のみに限定されずに、貼り合わせＳＯＩウェーハ全面領域、さらにウェーハ端面や裏面まで回収酸液により走査することになる。このため、テラス部の金属汚染にあわせウェーハ端面や裏面の金属汚染をも回収することから、特に、Ｎａ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、およびＦｅによる汚染が高く検出されることになる。
【００２０】
さらに、ＶＰＤ法による貼り合わせＳＯＩウェーハの酸化膜を溶解する方法では、酸化膜の溶解にともない、酸化膜に含有される銅（Ｃｕ2+）が（Ｃｕ0+）に変換し、回収酸液に不溶となるので、ＳＯＩウェーハ表面を汚染するＣｕ不純物の回収率が低下する問題もある。
【００２１】
ＶＰＤ法による貼り合わせＳＯＩウェーハ全面に形成された酸化膜を溶解する方法では、上述の問題があることから、直接に、ウェーハ表面に弗酸系回収液を滴下して、ＳＯＩウェーハのテラス部とそれ以外の領域を区分し、表面金属不純物を回収する方法も試みられている。しかし、この回収方法をＳＯＩウェーハのテラス部に適用すると、テラス部以外の領域の酸化膜と弗酸系回収液とが反応し、弗酸系回収液がテラス部以外の領域も走査することから、テラス部表面のみの汚染回収が困難であり、テラス部表面の金属不純物による汚染状態を評価することができない。
【００２２】
本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、貼り合わせＳＯＩウェーハにおけるテラス部以外の領域を疎水面とし、テラス部のみを親水面とすることにより、その後に走査する弗酸系回収液はテラス部のみの金属汚染を選択的に回収することができ、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部表面のみの金属不純物による汚染状況を正確に分析し、評価できる、貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するため、本発明の金属不純物の評価方法は、活性層ウェーハと、これを裏面側から支持する支持ウェーハとを埋め込み酸化膜を介して貼り合わせ、得られた貼り合わせウェーハに熱処理を施し全面に酸化膜を形成した後、前記活性層ウェーハの外周部を貼り合わせ界面付近まで研削し、前記埋め込み酸化膜の外周部を露出させてテラス部を形成したＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法であって、前記貼り合わせＳＯＩウェーハの前記テラス部以外の領域を疎水面処理し、その領域表面の金属不純物を回収した後、前記テラス部に弗酸系回収液を滴下し、当該テラス部表面の金属不純物を回収することを特徴としている。
【００２４】
すなわち、貼り合わせＳＯＩウェーハにおけるテラス部以外の領域を疎水面とし、テラス部のみを親水面とするように構成することにより、テラス部を走査する回収酸液はテラス部のみの金属汚染のみ選択的に回収できる。これにより、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部のみの金属汚染濃度を正確に評価でき、貼り合わせＳＯＩウェーハの特有の構造であるテラス部の清浄度管理を高感度、かつ高精度に行うことができる。
【００２５】
本発明の金属不純物の評価方法は、貼り合わせＳＯＩウェーハにおけるテラス部以外の領域を疎水面処理するに際し、前記テラス部を保護した後、テラス部以外の領域に形成された酸化膜を弗酸系溶液を含む蒸気と反応させて溶解する。これにより、効率的にテラス部以外の領域を疎水面とし、テラス部のみを親水面とするように構成することができる。
【００２６】
本発明の金属不純物の評価方法は、テラス部以外の領域を疎水面処理するに際し、前記テラス部をテフロン（登録商標）部材またはテフロン（登録商標）治具で覆い、弗酸系溶液を含む蒸気との反応を遮蔽することができる。テフロン（登録商標）治具等を用いることにより、テラス部表面のＶＰＤ反応を有効に阻止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法によれば、テラス部以外の領域を疎水面とし、テラス部のみを親水面とすることにより、走査する回収酸液はテラス部のみの金属汚染を選択的に回収することができるので、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部表面の金属不純物による汚染状況を正確に分析し、評価できる。これにより、特有の構造であるテラス部の清浄度管理を高感度、かつ高精度に行うことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の金属不純物の評価方法は、特有のテラス構造を具備する貼り合わせＳＯＩウェーハの表面に付着する金属不純物の評価方法であって、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部以外の領域をＶＰＤ処理により疎水面処理すると同時に、前記テラス部をテフロン（登録商標）治具等で覆い親水面のままで保持し、テラス部以外の領域表面を回収酸液で走査して金属不純物を回収した後、前記テラス部に弗酸系回収液を滴下し、当該テラス部表面の金属不純物を回収して、テラス部表面のみの金属不純物による汚染状況を正確に分析し、評価することができる。
【００２９】
本発明の金属不純物の評価方法では、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部以外の領域をＶＰＤ処理することにより、テラス部には酸化膜が残り親水面が保持され、その他の領域の酸化膜は除去され疎水面となる。このため、次工程でテラス部の酸化膜を溶解するため、直接、弗酸系回収液をテラス部に滴下した場合でも、酸化膜が除去された領域には弗酸系回収液が進行しないので、滴下された弗酸系回収液はテラス部のみに保持される。
【００３０】
さらに、本発明の金属不純物の評価方法では、既に回収酸液で走査したテラス部以外の領域は金属不純物を除去した状態であることから、テラス部表面の金属不純物を弗酸系回収液を用いて回収するときに、当該弗酸系回収液への金属不純物による汚染を防止することができる。
【００３１】
本発明に適用する弗酸系回収液または弗酸系溶液は、酸化膜の溶解用として用いるものであり、弗酸溶液（ＨＦ）または弗化水素酸溶液（ＨＦ＋Ｈ2Ｏ2）を例示することができる。また、本発明に適用する回収酸液は、金属不純物の回収用として、塩化水素酸溶液（ＨＣｌ＋Ｈ2Ｏ2）を例示することができる。
【００３２】
さらに、回収された回収酸液および弗酸系回収液の元素分析としては、誘導結合プラズマ質量分析装置（以下、ＩＣＰ−ＭＳ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ−Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）を用いて金属不純物を定量分析するのが望ましい。ＩＣＰ−ＭＳは、誘導結合プラズマにより微量元素をイオン化して分離定量する方法であり、超微量成分分析に優れ、検出感度は回収液濃度で０．１〜１ｐｐｔレベルを確保できることによる。
【実施例】
【００３３】
本発明の金属不純物の評価方法による効果を、本発明例１、２および比較例１、２による具体的な実施例に基づいて説明する。
（実施例１）
１−１．本発明例１
本発明例１として、ＣＺ法により引き上がられたシリコン単結晶インゴットから、直径２００ｍｍで切り出した後、鏡面研磨したウェーハを準備し、前記図１に示す製造プロセスに沿って、テラス部が形成された貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した。
【００３４】
図２は、本発明例１で採用した密閉容器およびテラス部の保護形態を示す図である。密閉容器７はテフロン（登録商標）製で構成されており、密閉容器７内には５０％ＨＦ溶液８を収容した。準備した貼り合わせＳＯＩウェーハ６は、図２に示すように、テラス部４がテフロン（登録商標）容器の上端部（テフロン（登録商標）部材）でカバーされるように密閉容器７に載置した。同時に、密閉容器７は、貼り合わせＳＯＩウェーハ６の載置により密閉状態になる。この密閉空間内でテラス部４以外の領域に５０％ＨＦ溶液８が発生するＨＦ蒸気を３０分間接触させてＶＰＤ処理する。
【００３５】
ＶＰＤ処理後、貼り合わせＳＯＩウェーハ６をテフロン（登録商標）製の密閉容器７から汚染が発生しないように取り外した。次に、ウェーハ表面金属不純物の自動回収装置（ゲメテック製）を用いて、貼り合わせＳＯＩウェーハのうち酸化膜が溶解された領域を回収酸液として５％ＨＣｌ＋５％Ｈ2０2溶液の１００μｌで走査し、その領域の金属不純物を回収した。このとき、エッジ排除機能（ｅｄｇｅ  ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ）を作動させ、テフロン（登録商標）製の容器上端部でカバーしたテラス部４には回収酸液を走査させなかった。
【００３６】
これらの作業により、テラス部には酸化膜が残り親水面が保持され、その他の領域の酸化膜は除去され疎水面を構成することができる。その後、酸化膜が残っているテラス部４に弗酸系回収液として２％ＨＦ＋２％Ｈ2０2の１００μｌを滴下した。滴下直後には、テラス部４は親水面であるので弗酸系回収液はテラス部４に広がり覆う。しかし、数分後、酸化膜が溶解されると疎水面となり、弗酸系回収液は水滴を形成する。
【００３７】
その弗酸系回収液の水滴をテラス部４のみ走査させ、テラス部４表面の金属不純物を回収した。このとき、既にテラス部以外の領域表面の金属不純物は回収しているので、テラス部以外の金属不純物が混入することがない。
１−２．比較例１
比較例１として、本発明例１と同様に、直径２００ｍｍのウェーハを準備し、前記図１に示す製造プロセスに沿って、テラス部が形成された貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した。
【００３８】
比較例１では、密閉容器内でのＶＰＤ処理を行うことなく、直接に、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部表面に弗酸系回収液として２％ＨＦ＋２％Ｈ2０2の５００μｌを滴下した。このとき、テラス部には酸化膜が残り親水面であると同時に、その他の領域も酸化膜が残存しており親水面であることから、テラス部以外の領域の酸化膜と弗酸系回収液とが反応し、弗酸系回収液がテラス部以外の領域も走査した。
１−３．定量分析結果
本発明例１および比較例１で回収された弗酸系回収液をＩＣＰ−ＭＳを用いて金属不純物の定量分析を行った。その結果を表１に示す。
【００３９】
【表１】
2006228874.tif 000003
【００４０】
表１に示す定量分析結果から、比較例１では端面や裏面まで回収液滴が走査することにより、特に、Ｎａ、Ａｌ、Ｋ、ＣａおよびＦｅが端面裏面の汚染を回収してしまい、高く検出するのに対し、本発明例１では、弗酸系回収液によりテラス部のみの金属汚染を選択的に回収できることが分かる。
（実施例２）
２−１．本発明例２
本発明例２として、本発明例１と同様に、直径２００ｍｍのウェーハを準備し、前記図１に示す製造プロセスに沿って、テラス部が形成された貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した。
【００４１】
図３は、本発明例２で採用した密閉容器およびテラス部の保護形態を示す図である。密閉容器７の内部に５０％ＨＦ溶液８を収容し、図３に示すように、準備した貼り合わせＳＯＩウェーハ６のテラス部４をテフロン（登録商標）治具９でカバーし、密閉容器７内のステージ７ａに載置したのち、密閉容器７に上蓋７ｂをカバーして密閉状態とした。この密閉空間内で貼り合わせＳＯＩウェーハ６の全面に５０％ＨＦ溶液８が発生するＨＦ蒸気を３０分間接触させてＶＰＤ処理した。
【００４２】
ＶＰＤ処理後、貼り合わせＳＯＩウェーハ６を密閉容器７から取り出し、汚染が発生しないようにテフロン（登録商標）治具９から外した。次に、ウェーハ表面金属不純物の自動回収装置（ゲメテック製）を用いて、貼り合わせＳＯＩウェーハ６のうち酸化膜が溶解された領域を回収酸液として５％ＨＣｌ＋５％Ｈ2０2溶液の１００μｌで走査し、その領域の金属不純物を回収した。このとき、実施例１と同様に、テフロン（登録商標）治具９でカバーしたテラス部４には回収酸液を走査させなかった。
【００４３】
次に、酸化膜が残っているテラス部４に弗酸系回収液として２％ＨＦ＋２％Ｈ2０2の１００μｌを滴下した。滴下直後には、テラス部は親水面であるので弗酸系回収液はテラス部に広がり覆う。しかし、数分後、酸化膜が溶解されると疎水面となり、弗酸系回収液は水滴を形成する。その弗酸系回収液の水滴をテラス部のみ走査させ、テラス部表面の金属不純物を回収した。
２−２．比較例２
比較例２として、本発明例１、２と同様に、直径２００ｍｍのウェーハを準備し、前記図１に示す製造プロセスに沿って、テラス部が形成された貼り合わせＳＯＩウェーハを作製した。
【００４４】
前記図３に示す密閉容器７を用い、密閉容器７の内部に５０％ＨＦ溶液８を収容した。しかし、比較例２では準備した貼り合わせＳＯＩウェーハ６のテラス部４を保護することなく、密閉容器内のステージ７ａに載置したのち、密閉容器に上蓋７ｂをカバーして密閉状態とした。この密閉空間内で貼り合わせＳＯＩウェーハ６のテラス部４を含む全面に５０％ＨＦ溶液８が発生するＨＦ蒸気を３０分間接触させてＶＰＤ処理した。
【００４５】
ＶＰＤ処理後、テラス部およびその他の領域の酸化膜は除去され、貼り合わせＳＯＩウェーハ６の全面に疎水面が構成された。次いで、ウェーハ表面金属不純物の自動回収装置（ゲメテック製）を用いて、貼り合わせＳＯＩウェーハのうち酸化膜が溶解された領域を回収酸液として５％ＨＣｌ＋５％Ｈ2０2溶液の１００μｌで走査し、その領域の金属不純物を回収した。このとき、実施例１、２と同様に、テラス部４には回収酸液を走査させなかった。
【００４６】
次に、テラス部４に弗酸系回収液として２％ＨＦ＋２％Ｈ2０2の１００μｌを滴下し、テラス部のみを走査したが、貼り合わせＳＯＩウェーハ全面領域、さらにウェーハ端面や裏面まで回収液滴が走査した。
２−３．定量分析結果
本発明例２および比較例２で回収された弗酸系回収液をＩＣＰ−ＭＳを用いて金属不純物の定量分析を行った。その結果を表２に示す。
【００４７】
【表２】
2006228874.tif 000004
【００４８】
表２に示す定量分析結果によれば、比較例２では貼り合わせＳＯＩウェーハ全面領域、さらに端面や裏面まで回収液滴が走査することにより、これらの汚染を回収し、特に、Ｎａ、Ａｌ、Ｋ、ＣａおよびＦｅは高い検出値であった。これに対し、本発明例２では、弗酸系回収液によりテラス部のみの金属汚染を選択的に回収でき、また、Ｃｕ不純物の回収率も適正であり、金属不純物による汚染状況を正確に評価できることが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法によれば、テラス部以外の領域を疎水面とし、テラス部のみを親水面とすることにより、走査する回収液はテラス部のみの金属汚染を選択的に回収することができるので、貼り合わせＳＯＩウェーハのテラス部表面のみの金属不純物による汚染状況を正確に分析し、評価できる。これにより、特有の構造であるテラス部の清浄度管理を高感度、かつ高精度に行うことが可能になり、好適な貼り合わせＳＯＩウェーハ表面金属不純物の評価方法として、広く利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】貼り合わせＳＯＩ基板の製造方法を製造プロセスに沿って説明する図である。
【図２】本発明例１で採用した密閉容器およびテラス部の保護形態を示す図である。
【図３】本発明例２で採用した密閉容器およびテラス部の保護形態を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１：活性層ウェーハ、  ２：支持ウェーハ
３：貼り合わせウェーハ、  ４：テラス部
５：ＳＯＩ層、  ６：貼り合わせＳＯＩウェーハ
７：密閉容器、テフロン（登録商標）部材、  ８：弗酸系溶液
９：テフロン（登録商標）治具
【図１】
2006228874.tif 000005
【図２】
2006228874.tif 000006
【図３】
2006228874.tif 000007