(57)【要約】【課題】  実際のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造に対して適用が容易であるとともに、硬度の確保にも有効なめっき膜を備えたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の提供を目的とする。【解決手段】  Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする１種又は２種以上の遷移金属元素）からなる主相結晶粒と、主相結晶粒よりＲを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体２と、磁石素体２表面を被覆する、Ｃ含有量をＣｃ（ｗｔ％）としたとき、０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％であるめっき膜３と、を備え、めっき膜３は、磁石素体２表面側に配置される第１めっき層３ａと、第１めっき層３ａ上に配置される第２めっき層３ｂを含み、第１めっき層３ａと第２めっき層３ｂのＣ含有量の差が０．１ｗｔ％以下であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１により上記課題を解決する。【選択図】図２
2006179801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする１種又は２種以上の遷移金属元素）からなる主相結晶粒と、前記主相結晶粒よりＲを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体と、
前記磁石素体表面を被覆する、Ｃ含有量をＣｃ（ｗｔ％）としたとき、０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％であるめっき膜と、
を備え、
前記めっき膜は、前記磁石素体表面側に配置される第１めっき層と、前記第１めっき層上に配置される第２めっき層を含み、
前記第１めっき層と前記第２めっき層のＣ含有量の差が０．１ｗｔ％以下であることを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項２】
前記第２めっき層は前記第１めっき層よりもＣ含有量が０．１ｗｔ％以下の範囲で少ないことを特徴とする請求項１記載のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項３】
前記第１めっき層及び前記第２めっき層は、電解Ｎｉめっきであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石。
【請求項４】
耐食性向上のために基体上に被覆され、Ｃ含有量をＣｃ（ｗｔ％）としたとき０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％のＣを含有するめっき膜であって、
前記めっき膜は、前記基体側に配置される第１めっき層と、前記第１めっき層上に配置される第２めっき層を含み、
前記第１めっき層と前記第２めっき層のＣ含有量の差が０．１ｗｔ％以下であることを特徴とするめっき膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面にめっき膜が形成されたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石及びめっき膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ2Ｔ14Ｂ型金属間化合物を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石（ＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上であり、ＴはＦｅ又はＦｅとＣｏを必須とする１種又は２種以上の遷移金属元素）は、磁気特性に優れていること、主成分であるＮｄが資源的に豊富で比較的安価であることから、各種電気機器に使用されている。
優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石にもいくつかの技術的な課題がある。その一つが耐食性である。つまり、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、主構成元素であるＲ及びＦｅが酸化されやすい元素であるために耐食性が劣る。そのため、磁石表面に腐食防止のための保護膜を形成している。保護膜としては、樹脂コーティング、クロメート膜あるいはめっきなどが採用されているが、特にＮｉめっき、ＣｕめっきあるいはＳｎめっきに代表される金属めっき層を表面に形成する方法が耐食性および耐磨耗性等に優れており多用されている。
【０００３】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の表面に形成する金属めっき層の耐食性を向上する提案がなされている。例えば、特許第２９４１４４６号公報（特許文献１）では、０．００１〜０．０１ｗｔ％のＳを含有するＮｉめっき層を下層として設け、その上に０．００１〜１．０ｗｔ％のＳを含有するＮｉめっき層を上層として設け、上層のＮｉめっき層に下層のＮｉめっき層よりも０．０１ｗｔ％以上多くＳを含有させることにより、耐食性の向上を図っている。特許文献１は、以上のようなＳ含有量の関係を有する２層のＮｉめっき層を設けることにより、上層がアノード化して陽極効果を発生することにより、下層が防食されることを示している。
【０００４】
【特許文献１】特許第２９４１４４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１によれば、改善された耐食性をＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に付与することができる。しかし、本発明者等の検討によれば、めっき膜中のＳ含有量を制御することは容易ではない。めっき膜中に含まれるＳは、主にめっき浴に添加される光沢剤に由来する。ところが、光沢剤の種類が特定されると、めっき膜中に含まれるＳの量を自由に設定することが困難である。したがって、めっき膜中のＳ含有量を制御することによる耐食性の向上手法は、実際のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造に対して汎用性が小さいといわなければならない。
【０００６】
また、めっき膜に要求される特性として硬度が掲げられる。Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造過程又は用途によっては、めっき膜表面に対して相当の応力が付与される場合があったり、周囲の環境に対して耐磨耗性が要求される場合があるためである。しかしながら、これまでめっき膜の硬度を向上する有効な手法は提案されていない。特に、めっき膜に要求される本質的な特性である耐食性を含めた硬度の向上についての提案を本発明者等は見出していない。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、実際のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の製造に対して適用が容易であるとともに、硬度の確保にも有効なめっき膜及びそのめっき膜を備えたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者等は、めっき膜の耐食性向上のためのめっき膜中における含有量の制御が容易であるとともに、めっき膜の硬度向上に対して、Ｃが有効な元素であることを確認した。また、めっき膜中に所定量のＣを含有させることにより、めっき膜の密着性を向上できることも知見した。すなわち本発明は、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする１種又は２種以上の遷移金属元素）からなる主相結晶粒と、主相結晶粒よりＲを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体からなる磁石素体と、磁石素体表面を被覆する、Ｃ含有量をＣｃ（ｗｔ％）としたとき、０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％であるめっき膜と、を備え、めっき膜は、磁石素体表面側に配置される第１めっき層と、第１めっき層上に配置される第２めっき層を含み、第１めっき層と第２めっき層のＣ含有量の差が０．１ｗｔ％以下であるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石により上記課題を解決する。
本発明において、めっき膜のＣ含有量が０．００７≦Ｃｃ≦０．１８ｗｔ％とすることが好ましい。また、第１めっき層及び第２めっき層は、電解Ｎｉめっきであることが好ましい。
【０００８】
本発明のめっき層は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の表面に形成される場合に限らず、他のいかなる部材にも耐食性向上のために被覆して用いることができる。したがって本発明は、０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％のＣを含有するめっき膜であって、めっき膜は、基体側に配置される第１めっき層と、第１めっき層上に配置される第２めっき層を含み、第１めっき層と第２めっき層のＣ含有量の差が０．１ｗｔ％以下であることを特徴とするめっき膜を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、めっき膜中における含有量制御が容易なＣを用いて、めっき膜の耐食性を向上することができる。また、めっき膜におけるＣの所定量の含有は、めっき膜の硬度向上、磁石素体への密着性の向上を図ることもできる。特に、本発明のように、めっき膜をＣ含有量の異なる複数の層とすることにより、その効果は顕著となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１は、図１に示すように、磁石素体２と、磁石素体２の表面に被覆されためっき膜３を備えている。本発明は、めっき膜３に特徴を有し、このめっき膜３は０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％のＣを含有することにより、めっき膜３に優れた耐食性を付与することができる。また、このような量のＣを含有するめっき膜３は、硬度向上の効果を有するとともに、磁石素体２に対するめっき膜３の密着性を向上することができる。Ｃ含有量が０．００５ｗｔ％以下（ゼロを含む）しか含まないと、上記効果を得ることかできない。一方、Ｃ含有量が０．２ｗｔ％を超えるとめっき膜３にクラックが発生してしまい耐食性を確保することができなくなる。したがって、本発明はめっき膜３に含有するＣ量を０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％とする。めっき膜３に含有する好ましいＣ量は０．００７≦Ｃｃ≦０．１８ｗｔ％、さらに好ましいＣ量は０．００７≦Ｃｃ≦０．１５ｗｔ％である。
【００１１】
Ｃを０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％含有するめっき膜３が、耐食性向上に有効であり、磁石素体２への密着性が向上し、さらに硬度が向上する理由は明らかでない。しかし、めっき膜３に含有されたＣが、めっき膜３を構成する組織の成長、特に面方向への成長を抑制する効果を有し、そのためにめっき膜３の組織が微細化し、かつ緻密化して耐食性、密着性が向上したものと推定される。また同様に、組織の微細化が硬度向上に寄与したものと推定される。
【００１２】
特に本発明は、図２に示すように、めっき膜３を磁石素体２表面側に配置される第１めっき層３ａと、第１めっき層３ａ上に配置される第２めっき層３ｂを含み、第１めっき層３ａと第２めっき層３ｂのＣ含有量の差を０．１ｗｔ％以下とすることにより、耐食性向上に寄与する。第１めっき層３ａと第２めっき層３ｂのＣ含有量の差が０．１ｗｔ％を超えると耐食性が低下する理由は定かではないが、Ｃ量の違いに起因する第１めっき層３ａと第２めっき層３ｂの粒径の違いが発生し、界面近傍にて不整合をおこし耐食性が低下しているものと推測する。第１めっき層３ａと第２めっき層３ｂとのＣ含有量の差は、さらに望ましくは０．０８ｗｔ％以下である。
第１めっき層３ａ及び第２めっき層３ｂに含有されるＣは、第１めっき層３ａ及び第２めっき層３ｂの全域でその含有量が均等であってもよいし、含有量が変動してもよい。
【００１３】
本発明はめっき膜３を構成する金属を限定するものではないが、Ｎｉ、Ｃｕ及びＳｎのいずれかからなるめっき膜３とすることが好ましい。Ｎｉ、Ｃｕ及びＳｎは、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１のめっき膜３を構成した場合に優れた耐食性を有するからである。もちろん本発明を適用することにより、さらなる耐食性向上を成し遂げる。
めっき膜３は、単一の金属から構成することができる。例えば、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき又はＳｎめっきのみからめっき膜３を構成することができる。
また、めっき膜３は、複数種の金属を積層して構成することもできる。例えば、図２に示すように、磁石素体２側からＣｕめっき及びＮｉめっきを順次積層してめっき膜３を構成することができる。また、例えば図３に示すように、磁石素体２側からＣｕめっき３ｃ、Ｎｉめっき３ｄ及びＳｎめっき３ｅを順次積層して３層のめっき膜３を構成することもできる。この場合、Ｃｕめっき３ｃ及びＮｉめっき３ｄについては、Ｃｕめっき３ｃが第１めっき層、Ｎｉめっき３ｄが第２めっき層となる。また、Ｎｉめっき３ｄ及びＳｎめっき３ｅについては、Ｎｉめっき３ｄが第１めっき層、Ｓｎめっき３ｅが第２めっき層となる。
【００１４】
さらに、同一種の金属を複数積層することによりめっき膜３を構成することもできる。例えば、磁石素体２にＮｉめっきを１層（第１めっき層）形成した後に、さらにＮｉめっき（第２めっき層）を積層することができる。めっき膜３を複数層とする場合、Ｎｉめっきを複数層形成することが特に好ましい。積層数は、２層又は３層に限らず、４層以上とすることもできる。
【００１５】
本発明において、めっき膜３を複数層（２層以上）とする場合、各めっき層のＣ含有量をＣｃ（ｗｔ％）としたとき、０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％の範囲にあることが必要である。また、直接接触している２つのめっき層において、Ｃ含有量の差を０．１ｗｔ％以下、さらに望ましくは０．０８ｗｔ％以下とする。
【００１６】
めっき膜３中のＣ含有量を本発明で規定する０．００５＜Ｃｃ≦０．２ｗｔ％の範囲にし、さらに第１めっき層３ａと第２めっき層３ｂのＣ含有量の差を０．１ｗｔ％以下とする手法は問われないが、以下の事項を調整することによりめっき膜３中のＣ含有量を制御することができる。
めっき膜３中のＣ含有量は、めっき浴中のＣ−Ｃ結合数を変えることによって変動させることができる。具体的には、めっき浴中の有機官能基の種類を変えることにより、めっき膜３中のＣ含有量を制御することができる。例えば、めっき浴中に含まれることのある半光沢剤の一種であるＨＣＨＯをＣＨ3ＣＨＯ、さらにはＣ2Ｈ5ＣＨＯに変えることによりめっき膜３中のＣ含有量を変えることができる。また、めっき浴中に含まれることのある光沢剤の濃度を変えることによってもめっき膜３中のＣ含有量を変えることができる。光沢剤としては、１，５ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、１，３，６ナフタレントリスルホン酸ナトリウム等のスルホン酸塩、パラトルエンスルホンアミド、サッカリン、ホルムアルデヒド、１，４ブチンジオール、プロパギルアルコール、エチレンシアンヒドリン等を用いることができる。
【００１７】
めっき膜３中のＣ含有量を制御することができる他の方法として、めっき工程中のめっき浴に印加される電流密度を変動する方法が存在する。めっき浴中に添加される添加剤によってＣ含有量は変動するが、一般に電流密度を大きくすると形成されるめっき膜３中のＣ含有量を増加することができる。したがって、めっき膜３中のＣ含有量を多くしたいときには、めっき工程中のめっき浴の電流密度を大きくすればよい。逆に、めっき膜３中のＣ含有量を少なくしたいときには、めっき工程中のめっき浴の電流密度を小さくすればよい。
【００１８】
めっき膜３の厚さは、１〜３０μｍの範囲とすることが好ましい。めっき膜３の厚さが１μｍ未満では、本発明を適用しても十分な耐食性を得ることができない。また、めっき膜３の厚さが３０μｍを超えても、耐食性の効果が飽和するとともに、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１に占める磁石素体２の体積が減少することにより、単位体積当たりの磁気特性が低下してしまう。この磁気特性の低下は、小型のＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石１になるほど顕著となる。さらに好ましいめっき膜３の厚さは５〜２５μｍである。
【００１９】
次に、磁石素体２について説明する。磁石素体２としてＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を用いた場合に本発明の効果は顕著となる。前述したように、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は耐食性が劣るためである。以下、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の好ましい化学組成について説明する。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、希土類元素（Ｒ）を２７．０〜３５．０ｗｔ％含有する。ここで、希土類元素は、Ｙを含む概念を有しており、したがって本発明のＲは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｌｕ及びＹの１種又は２種以上から選択される。磁石素体２の希土類元素の量が２７．０ｗｔ％未満であると、軟磁性を持つα−Ｆｅなどが析出し、保磁力が著しく低下する。また、２７．０ｗｔ％未満では、焼結性が劣ってくる。一方、希土類元素が３５．０ｗｔ％を超えるとＲリッチ相の量が多くなることにより耐食性が劣化するとともに、主相であるＲ2Ｔ14Ｂ結晶粒の体積比率が低下し、残留磁束密度が低下する。したがって、希土類元素の量は２７．０〜３５．０ｗｔ％とする。好ましい希土類元素の量は２８．０〜３３．０ｗｔ％、さらに好ましい希土類元素の量は２９．０〜３１．０ｗｔ％である。
【００２０】
Ｒの中ではＮｄやＰｒが最も磁気特性のバランスが良いことと、資源的に豊富で比較的安価であることから、希土類元素としての主成分をＮｄやＰｒとすることが好ましい。またＤｙやＴｂは異方性磁界が大きく、保磁力を向上させる上で有効である。よって、ＲとしてＮｄやＰｒ及びＤｙやＴｂを選択し、ＮｄやＰｒ及びＤｙやＴｂの合計を２７．０〜３５．０ｗｔ％とすることが好ましい。ＤｙやＴｂは、残留磁束密度及び保磁力のいずれを重視するかによって上記範囲内においてその量を定めることが好ましい。つまり、高い残留磁束密度を得たい場合にはＤｙとＴｂの合計量を０．１〜４．０ｗｔ％とし、高い保磁力を得たい場合にはＤｙとＴｂの合計量を４．０〜１２．０ｗｔ％とすることが好ましい。
【００２１】
磁石素体２を構成するＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、ホウ素（Ｂ）を０．５〜２．０ｗｔ％含有する。Ｂが０．５ｗｔ％未満の場合には高い保磁力を得ることができない。ただし、Ｂが２．０ｗｔ％を超えると残留磁束密度が低下する傾向がある。したがって、上限を２．０ｗｔ％とする。好ましいＢの量は０．５〜１．５ｗｔ％、さらに好ましいＢの量は０．９〜１．１ｗｔ％である。
【００２２】
磁石素体２を構成するＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、Ｎｂ：０．１〜２．０ｗｔ％、Ｚｒ：０．０５〜０．２５ｗｔ％、Ａｌ：０．０２〜２．０ｗｔ％、Ｃｏ：０．３〜５．０ｗｔ％及びＣｕ：０．０１〜１．０ｗｔ％の１種又は２種以上の含有を許容する。これらは、Ｆｅの一部を置換する元素として位置付けられている。
【００２３】
上記元素以外の元素を含有することを本発明は許容する。例えば、Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｎを適宜含有することが本発明にとって好ましい。Ｇａ、Ｂｉ、Ｓｎは保磁力の向上と保磁力の温度特性向上に効果がある。ただし、これらの元素の過剰な添加は残留磁束密度の低下を招くため、０．０２〜０．２ｗｔ％とすることが好ましい。また、例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｈｆの１種又は２種以上を含有させることもできる。
【００２４】
次に、磁石素体２の製造方法について説明する。
磁石素体２を構成するＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石は、よく知られているように、Ｒ2Ｆｅ14Ｂ結晶粒からなる主相と、この主相よりもＲを多く含む粒界相とを少なくとも含む焼結体から構成される。この焼結体を得るための好適な製造方法について説明する。
【００２５】
原料合金は、真空又は不活性ガス、好ましくはＡｒ雰囲気中でストリップキャスティング、その他公知の溶解法により作製することができる。Ｒ2Ｆｅ14Ｂ結晶粒を主体とする合金（低Ｒ合金）と、低Ｒ合金よりＲを多く含む合金（高Ｒ合金）とを用いる所謂混合法で本発明にかかるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を製造する場合も同様である。
【００２６】
原料合金は粉砕工程に供される。混合法による場合には、低Ｒ合金及び高Ｒ合金は別々に又は一緒に粉砕される。粉砕工程には、粗粉砕工程と微粉砕工程とがある。まず、原料合金を、粒径数百μｍ程度になるまで粗粉砕する。粗粉砕は、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等を用い、不活性ガス雰囲気中にて行なうことが好ましい。粗粉砕に先立って、原料合金に水素を吸蔵させた後に放出させることにより粉砕を行なうことが効果的である。この水素粉砕を粗粉砕と位置付けて、機械的な粗粉砕を省略することもできる。
【００２７】
粗粉砕工程後、微粉砕工程に移る。微粉砕には主にジェットミルが用いられ、粒径数百μｍ程度の粗粉砕粉末を、平均粒径２〜１０μｍ、好ましくは３〜８μｍとする。ジェットミルは、高圧の不活性ガスを狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により粗粉砕粉末を加速し、粗粉砕粉末同士の衝突やターゲットあるいは容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。
【００２８】
混合法による場合、２種の合金を混合するタイミングは限定されるものではないが、微粉砕工程において低Ｒ合金及び高Ｒ合金を別々に粉砕した場合には、微粉砕された低Ｒ合金粉末及び高Ｒ合金粉末とを好ましくは不活性ガス雰囲気中で混合する。低Ｒ合金粉末及び高Ｒ合金粉末の混合比率は、重量比で８０：２０〜９７：３程度とすればよい。低Ｒ合金及び高Ｒ合金を一緒に粉砕する場合の混合比率も同様である。微粉砕時に、ステアリン酸亜鉛等の粉砕助剤を０．０１〜０．３ｗｔ％程度添加することにより、次の磁場中成形時に配向性の高い微粉を得ることができる。
以上のようにして得られた微粉末は磁場中成形に供される。この磁場中成形は、９６０〜１６００ｋＡ／ｍ（１２〜２０ｋＯｅ）前後の磁場中で、６８．６〜１４７ＭＰａ（０．７〜１．５ｔ／ｃｍ２）前後の圧力で行なえばよい。
【００２９】
磁場中成形後、その成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結する。焼結温度は、組成、粉砕方法、平均粒径と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、１０００〜１１００℃で１〜１０時間程度焼結すればよい。焼結工程の前に成形体に含まれている粉砕助剤、ガスなどを除去する処理を行なってもよい。焼結後、得られた焼結体に時効処理を施すことができる。この工程は、保磁力を制御する重要な工程である。時効処理を２段に分けて行なう場合には、８００℃近傍、６００℃近傍での所定時間の保持が有効である。８００℃近傍での熱処理を焼結後に行なうと、保磁力が増大するため、混合法においては特に有効である。また、６００℃近傍の熱処理で保磁力が大きく増加するため、時効処理を１段で行なう場合には、６００℃近傍の時効処理を施すとよい。
【００３０】
焼結体を得た後に、めっき膜３を形成する。本発明によるめっき膜３は、電解めっき、無電解めっきのいずれで形成しても良いが、電解めっきで形成することがより好ましい。Ｃ含有量の制御が容易なためである。電解めっきを行なう場合、電解めっきを行う前の処理（前処理）を焼結体に対して行なう。この前処理は、例えば、焼結体を所定形状・精度に加工した後に、バレル研磨、脱脂、水洗、エッチング（例えば硝酸）、水洗を施す。この工程は、あくまで一例であって、本発明を限定する要素とはならない。次いで電解めっきによりめっき膜３を成膜する。めっき膜３を成膜した後に、水洗、乾燥して電解めっきによるめっき膜３形成のための一連の工程を終了する。
【００３１】
めっき膜３の成膜についてさらに言及する。
めっき膜３として電解ニッケルめっき膜を形成する場合の典型的なめっき条件として以下のものを適用することができる。ただし、以下はあくまで一例であって、本発明を限定するものではない。
（１）めっき浴：硫酸ニッケル、塩化アンモニウム、ホウ酸
ｐＨ：５．６〜５．８
温度：２０〜３０℃
電流密度：０．５〜５Ａ／ｄｍ2
（２）めっき浴（ワット浴）：硫酸ニッケル、塩化ニッケル、ホウ酸
ｐＨ：４．５〜５．５
温度：４０〜６０℃
電流密度：１〜７Ａ／ｄｍ2
（３）めっき浴：スルファンミン酸ニッケル、臭化ニッケル、ホウ酸
ｐＨ：４．０〜５．０
温度：４０〜５０℃
電流密度：１〜１５Ａ／ｄｍ2
【００３２】
めっき膜３として電解銅めっき膜を形成する場合の典型的なめっき条件として以下のものを適用することができる。ただし、以下はあくまで一例であって、本発明を限定するものではない。
（１）めっき浴：ピロリン酸銅３水和物、ピロリン酸カリウム、アンモニア
ｐＨ：８〜１０
温度：５０〜６０℃
電流密度：２〜６Ａ／ｄｍ2
（２）めっき浴：銅塩、リン酸塩、脂肪族ホスホン酸化合物、金属水酸化物
ｐＨ：９．５〜１０．５
温度：５５〜６５℃
電流密度：１〜１０Ａ／ｄｍ2
【００３３】
めっき膜３として電解Ｓｎめっき膜を形成する場合、フェロスタン法、ハロゲン法、アルカリ法のいずれかを採用することができる。フェロスタン法及びハロゲン法は酸性浴を用いるめっき法であり、ＳｎはＳｎ2+から析出する。フェロスタン法ではフェノールスルホン酸すずを、ハロゲン法では塩化第一すずを使用する。アルカリ法では、すず酸ソーダを主成分とし、ＳｎはＳｎ2+から析出する。
【００３４】
以上、本発明によるめっき膜３をＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石に適用する例について説明した。しかし、本発明によるめっき膜３は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の保護膜としての利用に限定されず、耐食性が要求される他の希土類永久磁石、さらには耐食性の要求される他の部材の保護膜として利用することができることはいうまでもない。
【実施例】
【００３５】
所定の組成を有する薄帯状合金をストリップキャスト法で作製した。この薄帯状合金に室温にて水素を吸蔵させた後、Ａｒ雰囲気中で４００〜７００℃前後まで昇温して脱水素を行なうことにより粗粉末を得た。
ジェットミルを用いてこの粗粉末を微粉砕した。微粉砕は、ジェットミル内をＮ2ガスで置換した後に高圧Ｎ2ガス気流を用いて行った。得られた微粉末の平均粒径は４．０μｍであった。なお、微粉砕を行なう前に粉砕助剤としてステアリン酸亜鉛を０．０１〜０．１０ｗｔ％添加した。
【００３６】
得られた微粉末を１２００ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁場中で９８ＭＰａ（１．０ｔｏｎ／ｃｍ2）の圧力で成形して成形体を得た。この成形体を真空中において、１０３０℃で４時間焼結した後に、急冷した。次いで得られた焼結体に８５０℃×１時間と５４０℃×１時間（ともにＡｒ雰囲気中）の２段時効処理を施した。焼結体の組成を分析したところ、２６．５ｗｔ％Ｎｄ−５．９ｗｔ％Ｄｙ−０．２５ｗｔ％Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｏ−０．０７ｗｔ％Ｃｕ−１．０ｗｔ％Ｂ−Ｆｅ．ｂａｌの組成を有していた。
【００３７】
得られたＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石を加工して３０ｍｍ×４０ｍｍ×５ｍｍのサイズの試料を作製した。この試料をバレル研磨後、アルカリ脱脂、硝酸洗浄、アルカリ超音波洗浄を施した。試料を乾燥後、表１に示す条件で試料表面にＮｉめっきを施した。なお、試験Ｎｏ．ａ及びｂは単層のＮｉめっき、試験Ｎｏ．ｃ〜ｈは複層（２層）のＮｉめっきを施した。また、試験Ｎｏ．ｃ〜ｅは第１めっき層及び第２めっき層の成膜条件を調整することにより、第１めっき層及び第２めっき層のＣ含有量を変動させた。また、試験Ｎｏ．ｆ〜ｈは第２めっき層の電流密度を調整することにより、第２めっき層のＣ含有量を変動させた。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
Ｎｉめっき完了後、形成されためっき膜の評価を行った。評価項目、評価方法を以下に示す。また、評価結果を表２に示す。
＜めっき膜厚測定＞：蛍光Ｘ線微小部膜厚計にて膜厚を測定した。膜厚の測定は、試料の平面中心部で行い、５個の試料の平均値とした。
＜めっき膜組成分析＞：めっき膜のみを剥がし取り、酸素気流中燃焼−赤外吸光法を用いてＣおよびＳ量を分析した。なお試験Ｎｏ．ｃ〜ｈ（２層めっき）については、焼結体からなる試料（磁石素体）に第１めっき層と同一条件にてめっきした単層の試料、および第２めっき層と同一条件にてめっきした単層の試料を用いた。２層めっきの場合、第１めっき層と第２めっき層を分離して組成分析をすることが困難なためである。
＜硬度＞：ビッカース硬度計により、ビッカース硬度を測定した。５個の試料の平均値である。
＜耐食性＞：１２０℃、１００％ＲＨ、２ａｔｍ．なる条件にて１００ｈｒ保持した後の試料表面状態(フクレ、錆)を目視にて観察した。２０個の試料中、フクレおよび錆の発生した試料個数の割合にて評価した。
＜密着性＞：めっき膜に１０ｍｍの幅で深さ３０〜４０μｍ、長さ２０ｍｍの切れ目を２本平行にいれて、２本の切れ目同士を同様の深さの切れ目で結んで、その部分から垂直にめっき膜のみを引き剥がし、そのときの引き剥がし力を測定した。５個の試料の平均値である。
【００４０】
表２において、試験Ｎｏ．ａ及びｂは、単層Ｎｉめっきであるが、Ｃ含有量が０．００５ｗｔ％と少ない試験Ｎｏ．ａは耐食性及びめっき膜の密着性が劣る。逆にＣ含有量が０．２２０ｗｔ％と多い試験Ｎｏ．ｂはめっき膜にクラックが発生した。なお、クラックが発生した試験Ｎｏ．ｂは、硬さ、耐食性及び密着性の評価を行わなかった。
【００４１】
試験Ｎｏ．ｃ〜ｅは、第１めっき層及び第２めっき層ともにＣ含有量が本発明で推奨する０．００５〜０．２ｗｔ％の範囲にあり、かつ第２めっき層の方が第１めっき層よりもＣ含有量が少ない。ただし、試験Ｎｏ．ｅは、第１めっき層と第２めっき層のＣ含有量の差（｜第１めっき層−第２めっき層｜）が０．１１５ｗｔ％と大きい。このように、第１めっき層と第２めっき層のＣ含有量の差が大きいと、耐食性が劣ることがわかる。また、硬さも低い。さらに、試験Ｎｏ．ｃ及びｄを比較すると、第１めっき層と第２めっき層のＣ含有量の差が小さいほど、あるいは第２めっき層のＣ含有量が多いほど、めっき膜が硬いことがわかる。
【００４２】
試験Ｎｏ．ｆ〜ｈは、第２めっき層成膜時の電流密度を調整したものである。成膜時の電流密度を高くするとめっき層に含まれるＣ含有量が多くなることがわかる。そして、試験Ｎｏ．ｆ〜ｈにおいて、第１めっき層と第２めっき層のＣ含有量の差が小さくなるにつれて、あるいは第２めっき層のＣ含有量が増加するにつれて、めっき膜の硬さが向上することがわかる。
【００４３】
【表２】
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【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石の構成を示す図である。
【図２】本発明によるめっき膜の構成例を示す図である。
【図３】本発明によるめっき膜の他の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…Ｒ−Ｔ−Ｂ系永久磁石、２…磁石素体、３…めっき膜、３ａ…第１めっき層、３ｂ…第２めっき層、３ｃ…Ｃｕめっき、３ｄ…Ｎｉめっき、３ｅ…Ｓｎめっき
【図１】
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【図２】
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【図３】
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