(57)【要約】【課題】レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるＡｒＦエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細に製造可能なレジストパターンの製造方法、半導体装置の製造方法等の提供。【解決手段】本発明のレジストパターンの製造方法は、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することを含み、前記レジストパターン厚肉化材料が、樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤から選択される非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも１種とを含有することを特徴とする。【選択図】図１
2006227633.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することを含み、
前記レジストパターン厚肉化材料が、樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤から選択される非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも１種とを含有することを特徴とするレジストパターンの製造方法。
【請求項２】
レジストパターンが、ＡｒＦレジストで形成された請求項１に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項３】
レジストパターン厚肉化材料の塗布後、現像処理を行う請求項１から２のいずれかに記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項４】
現像処理が純水を用いて行われる請求項３に記載のレジストパターンの製造方法。
【請求項５】
下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを形成する厚肉化レジストパターン形成工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含み、
前記レジストパターン厚肉化材料が、樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤から選択される非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも１種とを含有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
レジストパターンが、ＡｒＦレジストで形成された請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
厚肉化レジストパターン形成工程の前に、レジストパターンの表面に界面活性剤を塗布する界面活性剤塗布工程を含む請求項５から６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うようにレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを形成する厚肉化レジストパターン形成工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含み、
前記レジストパターン厚肉化材料が、樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤から選択される非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも１種とを含有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジストパターン上に塗付されて該レジストパターンを厚肉化し、既存の露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを形成可能なレジストパターン厚肉化材料、並びに、それを用いたレジストパターン及びその製造方法、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置等の製造においては、レジスト材料を用いてホールパターンやライン・アンド・スペース・パターンを形成することが行われている。近年、該ホールパターンにおけるホール以外の部分や該ライン・アンド・スペース・パターンにおけるライン部分を構成するレジストパターンを厚肉化し、前記ホールパターンにおけるホール部分や前記ライン・アンド・スペース・パターンにおけるスペース部分に該当するレジスト抜けパターン（前記レジストパターンにより形成されたレジスト抜けパターン）を微細化する技術の研究開発が盛んである。該抜けパターンの微細化が進むのに伴い、パターン形成時に必要とさる露光光も可視光、レーザー光等の光からＸ線、電子線へと変遷しつつある。しかし、その一方で、高量産性を維持する観点からは、微細パターンの形成に前記露光光として光を利用し続けたいという要求も依然として強い。そこで、短波長の光である深紫外線を露光光として使用し、微細パターンを効率良く形成可能な方法の開発が望まれている。
【０００３】
ところで、特許文献１には、フォトレジスト（以下「レジスト」と略称する）の前記露光光として前記深紫外線であるＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）を使用することにより、微細な抜けパターンを形成可能なＲＥＬＡＣＳと呼ばれるレジスト抜けパターンの微細化技術が記載されている。この技術は、前記露光光としてＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ）を使用し前記レジスト（ポジ型又はネガ型）を露光することによりレジストパターンを形成した後、水溶性樹脂組成物を用いて該レジストパターンを覆うように塗膜を設け、該塗膜と該レジストパターンとをその界面において該レジストパターンの材料中の残留酸を利用して相互作用させ、該レジストパターンを厚肉化（以下「膨潤」と称することがある）させることにより該レジストパターン間の距離を短くし、微細なレジスト抜けパターンを形成する技術である。この技術によると、例えばホールパターンであれば、露光限界を超えてより微細なホールパターンを形成することができる。
【０００４】
近時、前記ＫｒＦ（フッ化クリプトン）エキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）に代わる次世代の露光光としてＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）の実用化が進んでいるが、前記技術においては、前記露光光として該ＡｒＦエキシマレーザー光を使用することができない。その理由は、前記技術において前記レジストとして使用する前記ＫｒＦエキシマレーザー光用レジスト（以下「ＫｒＦレジスト」という）は、ノボラック樹脂、ナフトキノンジアジド等の芳香族系樹脂組成物であり、該芳香族系樹脂組成物に含まれる芳香環が前記ＡｒＦエキシマレーザー光を強く吸光してしまうため、前記技術において前記露光光を単に前記ＫｒＦエキシマレーザー光を前記ＡｒＦエキシマレーザー光に代えたとしても、該ＡｒＦエキシマレーザー光が前記ＫｒＦレジストの膜を透過できないからである。このため、前記技術において、前記露光光として前記ＡｒＦエキシマレーザー光乃至それよりも短波長光を使用する場合、前記ＫｒＦレジストは使用できず、光芳香環を含まないＡｒＦエキシマレーザー用レジスト（以下「ＡｒＦレジスト」という）を使用せざるを得ない。
【０００５】
しかし、前記技術においては、前記レジストとして前記ＡｒＦレジストを使用したのでは、レジストパターンの厚肉化を効率的に行うことができないという問題がある。
【０００６】
前記露光光としてＫｒＦエキシマレーザー光のみならずＡｒＦエキシマレーザー光を用いてレジストパターンを形成した後に該レジストパターン上に塗膜を形成して該レジストパターンを厚肉化することができる材料・方法等の技術は未だ開発されていないのが現状であり、かかる技術の開発が望まれている。
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−７３９２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、かかる要望に応え、従来における前記問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、レジストパターンに塗付すると該レジストパターンを効率良く厚肉化することができ、既存の露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを製造するのに好適なレジストパターン厚肉化材料を提供することを目的とする。
また、本発明は、レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるＡｒＦエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細に製造可能なレジストパターンの製造方法、及び該レジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを提供することを目的とする。
また、本発明は、微細に形成したレジスト抜けパターンを用いることにより、酸化膜等の下地層に微細パターンを形成することができ、微細な配線等を有する高性能な半導体装置を効率的に量産可能な半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造される高性能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために発明者らが鋭意検討した結果、以下の知見を得た。即ち、従来におけるレジストパターンの厚肉化技術において、ＫｒＦレジストの代わりに前記ＡｒＦレジストを使用したのでは、レジストパターンの厚肉化を効率的に行うことができない。ＡｒＦレジストを用いて形成したレジストパターンと、ＫｒＦレジストを用いて形成したレジストパターンとでは、その表面に塗布液を塗布してレジストパターンを厚肉化するための塗膜を形成した場合において、前記レジストパターンと前記塗膜との間の親和性が顕著に異なる。前記ＡｒＦレジストを用いて形成したレジストパターンの方が、前記ＫｒＦレジストを用いて形成したレジストパターンに比べて顕著に親和性が劣る。前記塗膜の組成を、前記ＡｒＦレジストを用いて形成したレジストパターンとの親和性が良好となるように改善することにより、該レジストパターンを効率的に厚肉化することができるという知見である。
【００１０】
本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、後述する付記に列挙した通りである。
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤及びエチレンジアミン系界面活性剤からなる非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも１種とを含有してなる。該レジストパターン厚肉化材料がレジストパターン上に塗付されると、塗布された該レジストパターン厚肉化材料のうち、該レジストパターンとの界面付近にあるものが該レジストパターンに染み込んで該レジストパターンの材料と架橋する。このとき、前記レジストパターン厚肉化材料と前記レジストパターンとの親和性が良好であるため、該レジストパターンを内層としてその表面上に、該レジストパターン厚肉化材料と該レジストパターンとが一体化してなる表層が効率よく形成される（前記レジストパターンが前記レジストパターン厚肉化材料により効率よく厚肉化される）。こうして形成されたレジストパターン（以下「厚肉化レジストパターン」と称することがある）は、前記レジストパターン厚肉化材料により厚肉化されている。このため、該厚肉化レジストパターンにより形成されるレジスト抜けパターンは、露光限界を超えてより微細な構造を有する。
【００１１】
本発明のレジストパターンは、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布してなるので、微細パターンの形成に好適である。また、本発明のレジストパターンでは、レジストパターンの形成の際にＡｒＦエキシマレーザーを露光光として使用可能である。
【００１２】
本発明のレジストパターンの製造方法においては、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布する。本発明のレジストパターンの製造方法においては、レジストパターンが形成された後、該レジストパターン上に前記レジストパターン厚肉化材料が塗付されると、塗布された該レジストパターン厚肉化材料のうち、該レジストパターンとの界面付近にあるものが該レジストパターンに染み込んで該レジストパターンの材料と架橋する。このため、該レジストパターンを内層としてその表面上に、該レジストパターン厚肉化材料と該レジストパターンとが一体化してなる表層が形成される。こうして形成された厚肉化レジストパターンは、前記レジストパターン厚肉化材料により厚肉化されている。このため、該厚肉化レジストパターンにより形成されるレジスト抜けパターンは露光限界を超えてより微細な構造を有する。
【００１３】
本発明の半導体装置は、前記レジストパターン厚肉化材料を用いて形成された微細パターン（配線パターン等）を少なくとも有してなるので、高品質、高性能である。
本発明の半導体装置の製造方法は、下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを形成する厚肉化レジストパターン形成工程と、該厚肉化レジストパターンをマスク等として用いてエッチングを行うことにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含む。本発明の半導体装置の製造方法においては、下地層上にレジストパターンが形成された後、該レジストパターン上に前記レジストパターン厚肉化材料が塗付される。すると、塗布された該レジストパターン厚肉化材料のうち、該レジストパターンとの界面付近にあるものが該レジストパターンに染み込んで該レジストパターンの材料と架橋する。このため、該レジストパターンを内層としてその表面上に、該レジストパターン厚肉化材料と該レジストパターンとが一体化してなる表層が形成される。こうして形成された厚肉化レジストパターンは、前記レジストパターン厚肉化材料により厚肉化されている。このため、該厚肉化レジストパターンにより形成されるレジスト抜けパターンは露光限界を超えてより微細な構造を有する。そして、該レジストパターンをマスク等として用いてエッチングを行うことにより前記下地層がパターニングされるので、極めて微細なパターンを有する半導体装置が効率良く製造される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、前記要望に応え、従来における前記諸問題を解決することができる。
また、本発明によると、レジストパターンに塗付すると該レジストパターンを効率良く厚肉化することができ、既存の露光装置の光源における露光限界を超えて微細なレジスト抜けパターンを製造するのに好適なレジストパターン厚肉化材料を提供することができる。
また、本発明によると、レジストパターンのパターニング時に既存の露光装置におけるＡｒＦエキシマレーザー光等の光源をそのまま使用可能であり量産性に優れ、レジスト抜けパターンを前記光源の露光限界を超えて微細に製造可能なレジストパターンの製造方法、及び該レジストパターンの製造方法により製造されるレジストパターンを提供することができる。
また、本発明によると、微細に形成したレジスト抜けパターンを用いることにより、酸化膜等の下地層に微細パターンを形成することができ、微細な配線等を有する高性能な半導体装置を効率的に量産可能な半導体装置の製造方法、及び該半導体装置の製造方法により製造される高性能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（レジストパターン厚肉化材料）
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、第一の態様では、樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤及びエチレンジアミン系界面活性剤からなる非イオン性界面活性剤から選択されるの少なくとも１種とを含有してなり、更に必要に応じて適宜選択した、水溶性芳香族化合物、芳香族化合物を一部に有してなる樹脂、有機溶剤、その他の成分などを含有することができる。
【００１６】
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、水溶性乃至アルカリ可溶性である。
本発明のレジストパターン厚肉化材料の態様としては、水溶液状あるが、コロイド液状、エマルジョン液状等の態様であってもよいが、水溶液状であるのが好ましい。
【００１７】
−樹脂−
前記樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、水溶性乃至アルカリ可溶性であるのが好ましく、架橋反応を生ずることが可能あるいは架橋反応を生じないが水溶性架橋剤と混合可能であるのがより好ましく、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミド樹脂、などが挙げられる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテートなどが好ましい。本発明においては、前記樹脂が、前記ポリビニルアセタールを含有しているのが好ましく、架橋により容易に溶解性が変化可能である点で該ポリビニルアセタールを５〜４０質量％含有しているのがより好ましい。
【００１８】
前記樹脂の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記架橋剤、前記水溶性芳香族化合物等の種類、含有量等により異なり一概に規定することができないが、目的に応じて適宜決定することができる。
【００１９】
−架橋剤−
前記架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、熱又は酸によって架橋を生じる水溶性のものが好ましく、例えば、アミノ系架橋剤が好適に挙げられる。
前記アミノ系架橋剤としては、例えば、メラミン誘導体、ユリア誘導体、ウリル誘導体などが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
前記ユリア誘導体としては、例えば、尿素、アルコキシメチレン尿素、Ｎ−アルコキシメチレン尿素、エチレン尿素、エチレン尿素カルボン酸、これらの誘導体などが挙げられる。
前記メラミン誘導体としては、例えば、アルコキシメチルメラミン、これらの誘導体などが挙げられる。
前記ウリル誘導体としては、例えば、ベンゾグアナミン、グリコールウリル、これらの誘導体などが挙げられる。
【００２０】
前記架橋剤の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂等の種類・含有量等により異なり一概に規定することができないが、目的に応じて適宜決定することができる。
【００２１】
−カチオン性界面活性剤−
前記カチオン性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド型４級カチオン系界面活性剤、エステル型４級カチオン系界面活性剤などが挙げられる。
【００２２】
−両性界面活性剤−
前記両性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アミンオキサイド系界面活性剤、ベタイン系界面活性剤などが挙げられる。
【００２３】
−非イオン性界面活性剤−
前記非イオン性界面活性剤としては、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤から選択されるものが好適に挙げられる。なお、これらの具体例としては、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレン誘導体化合物、ソルビタン脂肪酸エステル化合物、グリセリン脂肪酸エステル化合物、第１級アルコールエトキシレート化合物、フェノールエトキシレート化合物、ノニルフェノールエトキシレート系、オクチルフェノールエトキシレート系、ラウリルアルコールエトキシレート系、オレイルアルコールエトキシレート系、脂肪酸エステル系、アミド系、天然アルコール系、エチレンジアミン系、第２級アルコールエトキシレート系などが挙げられる。
【００２４】
以上の界面活性剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよく、その前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂、前記架橋剤等の種類・含有量等に応じて適宜決定することができる。
【００２５】
−水溶性芳香族化合物−
前記レジストパターン厚肉化材料が水溶性芳香族化合物を含有していると、得られるレジストパターンのエッチング耐性を顕著に向上させることができる点で好ましい。
前記水溶性芳香族化合物としては、芳香族化合物であって水溶性を示すものであれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２５℃の水１００ｇに対し１ｇ以上溶解する水溶性を示すものが好ましく、２５℃の水１００ｇに対し３ｇ以上溶解する水溶性を示すものがより好ましく、２５℃の水１００ｇに対し５ｇ以上溶解する水溶性を示すものが特に好ましい。
【００２６】
前記水溶性芳香族化合物としては、例えば、ポリフェノール化合物、芳香族カルボン酸化合物、ナフタレン多価アルコール化合物、ベンゾフェノン化合物、フラボノイド化合物、ポルフィン、水溶性フェノキシ樹脂、芳香族含有水溶性色素、これらの誘導体、これらの配糖体、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２７】
前記ポリフェノール化合物及びその誘導体としては、例えば、カテキン、アントシアニジン（ペラルゴジン型（４’−ヒドロキシ），シアニジン型（３’，４’−ジヒドロキシ），デルフィニジン型（３’，４’，５’−トリヒドロキシ））、フラバン−３，４−ジオール、プロアントシアニジン、レゾルシン、レゾルシン［４］アレーン、ピロガロール、没食子酸、これらの誘導体又は配糖体などが挙げられる。
【００２８】
前記芳香族カルボン酸化合物及びその誘導体としては、例えば、サリチル酸、フタル酸、ジヒドロキシ安息香酸、タンニン、これらの誘導体又は配糖体、などが挙げられる。
【００２９】
前記ナフタレン多価アルコール化合物及びその誘導体としては、例えば、ナフタレンジオール、ナフタレントリオール、これらの誘導体又は配糖体などが挙げられる。
【００３０】
前記ベンゾフェノン化合物及びその誘導体としては、例えば、アリザリンイエローＡ、これらの誘導体又は配糖体などが挙げられる。
【００３１】
前記フラボノイド化合物及びその誘導体としては、例えば、フラボン、イソフラボン、フラバノール、フラボノン、フラボノール、フラバン−３−オール、オーロン、カルコン、ジヒドロカルコン、ケルセチン、これらの誘導体又は配糖体などが挙げられる。
【００３２】
前記水溶性芳香族化合物の中でも、水溶性に優れる点で、極性基を２以上有するものが好ましく、３個以上有するものがより好ましく、４個以上有するものが特に好ましい。
前記極性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、水酸基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホニル基などが挙げられる。
【００３３】
前記水溶性芳香族化合物の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂、前記架橋剤等の種類・含有量等に応じて適宜決定することができる。
【００３４】
−芳香族化合物を一部に有してなる樹脂−
前記レジストパターン厚肉化材料が芳香族化合物を一部に有してなる樹脂を含有していると、得られるレジストパターンのエッチング耐性を顕著に向上させることができる点で好ましい。
前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、架橋反応を生ずることができるのが好ましく、例えば、ポリビニルアリールアセタール樹脂、ポリビニルアリールエーテル樹脂、ポリビニルアリールエステル樹脂、これらの誘導体などが好適に挙げられ、これらの中から選択される少なくとも１種であるのが好ましく、適度な水溶性乃至アルカリ可溶性を示す点でアセチル基を有するものがより好ましい。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３５】
前記ポリビニルアリールアセタール樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−レゾルシンアセタール、などが挙げられる。
前記ポリビニルアリールエーテル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、４−ヒドロキシベンジルエーテル、などが挙げられる。
前記ポリビニルアリールエステル樹脂としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、安息香酸エステル、などが挙げられる。
【００３６】
前記ポリビニルアリールアセタール樹脂の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、公知のポリビニルアセタール反応を利用した製造方法などが好適に挙げられる。該製造方法は、例えば、酸触媒下、ポリビニルアルコールと、該ポリビニルアルコールと化学量論的に必要とされる量のアルデヒドとをアセタール化反応させる方法であり、具体的には、ＵＳＰ５，１６９，８９７、同５，２６２，２７０、特開平５−７８４１４号公報等に開示された方法が好適に挙げられる。
【００３７】
前記ポリビニルアリールエーテル樹脂の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、対応するビニルアリールエーテルモノマーとビニルアセテートとの共重合反応、塩基性触媒の存在下、ポリビニルアルコールとハロゲン化アルキル基を有する芳香族化合物とのエーテル化反応（Williamsonのエーテル合成反応）などが挙げられ、具体的には、特開２００１−４００８６号公報、特開２００１−１８１３８３号、特開平６−１１６１９４号公報等に開示された方法などが好適に挙げられる。
【００３８】
前記ポリビニルアリールエステル樹脂の製造方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、対応するビニルアリールエステルモノマーとビニルアセテートとの共重合反応、塩基性触媒の存在下、ポリビニルアルコールと芳香族カルボン酸ハライド化合物とのエステル化反応などが挙げられる。
【００３９】
前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂における芳香族化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、単環性芳香族のベンゼン誘導体、ピリジン誘導体等、芳香族環が複数個連結した化合物（ナフタレン、アントラセン等の多環性芳香族）、などが好適に挙げられる。
【００４０】
前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂における芳香族化合物は、例えば、水酸基、シアノ基、アルコキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アミド基、アルコキシカルボニル基、ヒドロキシアルキル基、スルホニル基、酸無水物基、ラクトン基、シアネート基、イソシアネート基、ケトン基等の官能基や糖誘導体を少なくとも１つ有するのが適当な水溶性の観点からは好適であり、水酸基、アミノ基、スルホニル基、カルボキシル基、及びこれらの誘導体による基から選択される官能基を少なくとも１つ有するのがより好ましい。
【００４１】
前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂における芳香族化合物のモル含有率としては、エッチング耐性に影響がない限り特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、高いエッチング耐性を必要とする場合には５ｍｏｌ％以上であるのが好ましく、１０ｍｏｌ％以上であるのがより好ましい。
なお、前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂における芳香族化合物のモル含有率は、例えば、ＮＭＲ等を用いて測定することができる。
【００４２】
前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂、前記架橋剤等の種類・含有量等に応じて適宜決定することができる。
【００４３】
−有機溶剤−
前記有機溶剤は、前記レジストパターン厚肉化材料に含有させることにより、該レジストパターン厚肉化材料における、前記樹脂、前記架橋剤、前記水溶性芳香族化合物、前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂等の溶解性を向上させることができる。
【００４４】
前記有機溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルコール系有機溶剤、鎖状エステル系有機溶剤、環状エステル系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、鎖状エーテル系有機溶剤、環状エーテル系有機溶剤、などが挙げられる。
【００４５】
前記アルコール系有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコールなどが挙げられる。
前記鎖状エステル系有機溶剤としては、例えば、乳酸エチル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）などが挙げられる。
前記環状エステル系有機溶剤としては、例えば、γ−ブチロラクトン等のラクトン系有機溶剤などが挙げられる。
前記ケトン系有機溶剤としては、例えば、アセトン、シクロヘキサノン、ヘプタノン等のケトン系有機溶剤、などが挙げられる。
前記鎖状エーテル系有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、などが挙げられる。
前記環状エーテルとしては、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、などが挙げられる。
【００４６】
これらの有機溶剤は、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、厚肉化を精細に行うことができる点で、８０〜２００℃程度の沸点を有するものが好ましい。
【００４７】
前記有機溶剤の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂、前記架橋剤、前記水溶性芳香族化合物、前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂、前記界面活性剤等の種類・含有量等に応じて適宜決定することができる。
【００４８】
−その他の成分−
前記その他の成分としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、公知の各種添加剤、例えば、熱酸発生剤、アミン系、アミド系、アンモニウム塩素等に代表されるクエンチャーなどが挙げられる。
前記その他の成分の前記レジストパターン厚肉化材料における含有量としては、前記樹脂、前記界面活性剤、前記架橋剤、前記水溶性芳香族化合物、前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂、前記有機溶剤等の種類・含有量等に応じて適宜決定することができる。
【００４９】
−使用等−
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、前記レジストパターン上に塗布して使用することができる。
なお、前記塗布の際、前記界面活性剤については、前記レジストパターン厚肉化材料に含有させずに、あるいは含有させた上で更に、該レジストパターン厚肉化材料を塗布する前に別途に塗布してもよい。
【００５０】
前記レジストパターン厚肉化材料を前記レジストパターン上に塗布し架橋させると、該レジストパターンが厚肉化され、該レジストパターン上にエッチング耐性に優れる表層が形成され、厚肉化レジストパターンが形成される。その結果、該厚肉化レジストパターンにより形成されたレジスト抜けパターンの径乃至幅が、前記レジストパターンにより形成されていたレジスト抜けパターンよりも小さくなる。前記レジストパターンのパターニング時に用いた露光装置の光源の露光限界を超えて、より微細なレジスト抜けパターンが形成される。例えば、前記レジストパターンのパターニング時にＡｒＦエキシマレーザー光を用いた場合、得られたレジストパターンに対し、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化を行って厚肉化レジストパターンを形成すると、該厚肉化レジストパターンにより形成されたレジスト抜けパターンは、電子線を用いてパターニングした時と同様の微細なレジスト抜けパターンが得られる。
なお、このとき、前記レジストパターンの厚肉化量としては、前記レジストパターン厚肉化材料の粘度、塗布厚み、ベーク温度、ベーク時間等を適宜調節することにより、所望の程度に制御することができる。
【００５１】
−レジストパターンの材料−
前記レジストパターン（本発明のレジストパターン厚肉化材料が塗布されるレジストパターン）の材料としては、特に制限はなく、公知のレジスト材料の中から目的に応じて適宜選択することができ、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ２エキシマレーザー、電子線等でパターニング可能なｇ線レジスト、ｉ線レジスト、ＫｒＦレジスト、ＡｒＦレジスト、Ｆ２レジスト、電子線レジスト等が好適に挙げられる。これらは、化学増幅型であってもよいし、非化学増幅型であってもよい。これらの中でも、ＫｒＦレジスト、ＡｒＦレジストなどが好ましく、ＡｒＦレジストがより好ましい。
前記レジストパターンの材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ノボラック系レジスト、ＰＨＳ系レジスト、アクリル系レジスト、シクロオレフィン−マレイン酸無水物系（ＣＯＭＡ系）レジスト、シクロオレフィン系レジスト、ハイブリッド系（脂環族アクリル系−ＣＯＭＡ系共重合体）レジスト、などが挙げられる。これらは、フッ素修飾等されていてもよい。
【００５２】
前記レジストパターンの形成方法、大きさ、厚み等については、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、特に厚みについては、加工対象である下地、エッチング条件等により適宜決定することができるが、一般に０．２〜２００μｍ程度である。
【００５３】
本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いたレジストパターンの厚肉化について以下に図面を参照しながら説明する。
図１（ａ）に示すように、下地層（基材）５上にレジストパターン３を形成した後、レジストパターン３の表面にレジストパターン厚肉化材料１を塗布し、プリベーク（加温・乾燥）をして塗膜を形成する。すると、レジストパターン３とレジストパターン厚肉化材料１との界面においてレジストパターン厚肉化材料１のレジストパターン３へのミキシング（含浸）が起こる。
ここで、図１（ｂ）に示すように、前記プリベーク（加温・乾燥）より高い温度で架橋ベーク（架橋反応）を行うと、レジストパターン３とレジストパターン厚肉化材料１との界面において前記ミキシング（含浸）した部分が架橋する。
この後、図１（ｃ）に示すように、現像処理を行うことによって、塗布したレジストパターン厚肉化材料１の内、レジストパターン３と架橋していない部分乃至架橋が弱い部分（水溶性の高い部分）が溶解除去され、厚肉化レジストパターン１０が形成（現像）される。
なお、前記現像処理は、水現像であってもよいし、弱アルカリ水溶液による現像であってもよいが、低コストで効率的に現像処理を行うことができる点で水現像が好ましい。
【００５４】
厚肉化レジストパターン１０は、レジストパターン１０ｂの表面に、レジストパターン厚肉化材料１がレジストパターン３上に架橋して形成された表層１０ａを有してなる。厚肉化レジストパターン１０は、レジストパターン３に比べて表層１０ａの厚み分だけ厚肉化されているので、厚肉化レジストパターン１０により形成される抜けパターンの幅は、レジストパターン３により形成されるレジスト抜けパターンの幅よりも小さく、厚肉化レジストパターン１０により形成されるレジスト抜けパターンは微細である。
【００５５】
厚肉化レジストパターン１０における表層１０ａは、レジストパターン厚肉化材料１により形成される。レジストパターン厚肉化材料１が前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に含有する樹脂の少なくとも一方を含有する場合には、レジストパターン３がエッチング耐性に劣る材料であっても、その表面にエッチング耐性に優れる表層１０ａを有する厚肉化レジストパターン１０は、エッチング耐性に顕著に優れたものとなる。
【００５６】
−用途−
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、パターニング時にＫｒＦエキシマレーザー光のみならずＡｒＦエキシマレーザー光をも利用可能なレジストパターンを厚肉化するのに好適に使用することができる。また、前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に含有する樹脂の少なくとも一方を含有する場合には、プラズマ等に晒され、表面のエッチング耐性を向上させる必要がある樹脂等によるパターンの被覆化乃至厚肉化に更に好適に使用することができ、本発明のレジストパターン及びその製造方法並びに本発明の半導体装置及びその製造方法に特に好適に使用することができる。
【００５７】
（レジストパターン）
本発明のレジストパターンは、前記厚肉化レジストパターンであり、前記レジストパターン上に表層を有してなる。
前記表層は、エッチング耐性に優れていることが好ましく、内側に存在する前記レジストパターンに比しエッチング速度（Å／ｓ）が同等以上であるのが好ましい。具体的には、同条件下で測定した場合における、前記表層のエッチング速度（Å／ｓ）と前記レジストパターンのエッチング速度（Å／ｓ）との比（レジストパターン／表層）が、１．１以上であるのが好ましく、１．２以上であるのがより好ましく、１．３以上であるのが特に好ましい。
なお、前記エッチング速度（Å／ｓ）は、例えば、公知のエッチング装置を用いて所定時間エッチング処理を行い試料の減膜量を測定し、単位時間当たりの減膜量を算出することにより測定することができる。
【００５８】
前記表層は、本発明の前記レジストパターン厚肉化材料を用いて好適に形成することができ、エッチング耐性の向上の観点からは前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂の少なくとも一方を含有してなるのが好ましい。
前記表層が前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に含有する樹脂の少なくとも一方を含有しているか否かについては、例えば、該表層につきＩＲ吸収スペクトルを分析すること等により確認することができる。
【００５９】
前記レジストパターンは、前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂の少なくとも一方を含有していてもよく、下地加工性の観点からはこの態様も好ましい。この場合には、前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に有してなる樹脂の少なくとも一方の含有量が前記表層から内部に向かって漸次減少するように設計してもよい。
【００６０】
本発明のレジストパターンにおいては、前記レジストパターンと前記表層との境界が明瞭な構造であってもよいし、不明瞭な構造であってもよい。
【００６１】
本発明のレジストパターンは、以下に説明する本発明のレジストパターンの製造方法により好適に製造することができる。
本発明のレジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置等の製造に好適に使用することができ、後述する本発明の半導体装置の製造に特に好適に使用することができる。
【００６２】
（レジストパターンの製造方法）
本発明のレジストパターンの製造方法においては、レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように本発明のレジストパターン厚肉化材料を塗布する。
【００６３】
前記レジストパターンの材料としては、本発明の前記レジストパターン厚肉化材料において上述したものが好適に挙げられる。
前記レジストパターンは、公知の方法に従って形成することができる。
前記レジストパターンは、下地（基材）上に形成することができ、該下地（基材）としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、該レジストパターンが半導体装置に形成される場合には、該下地（基材）は、シリコンウエハ等の基板である。
【００６４】
前記レジストパターン厚肉化材料の塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて公知の塗布方法の中から適宜選択することができ、例えば、スピンコート法などが好適に挙げられる。該スピンコート法の場合、その条件としては例えば、回転数が１００〜１０，０００ｒｐｍ程度であり、８００〜５，０００ｒｐｍが好ましく、時間が１秒〜１０分間程度であり、１〜９０秒間が好ましい。
前記塗布の際の塗布厚みとしては、通常、１００〜１０，０００Å（１０〜１，０００ｎｍ）程度であり、２，０００〜５，０００Å（２００〜５００ｎｍ）程度が好ましい。
なお、前記塗布の際、前記界面活性剤については、前記レジストパターン厚肉化材料に含有させずに、該レジストパターン厚肉化材料を塗布する前に別途に塗布してもよい。
【００６５】
前記塗布の際乃至その後で、塗布した前記レジストパターン厚肉化材料をプリベーク（加温・乾燥）するのが、該レジストパターンと前記レジストパターン厚肉化材料との界面において該レジストパターン厚肉化材料の該レジストパターンへのミキシング（含浸）を効率良く生じさせることができる等の点で好ましい。
なお、前記プリベーク（加温・乾燥）の条件・方法等としては、レジストパターンを軟化させない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、温度が４０〜１２０℃程度であり、７０〜１００℃が好ましく、時間が１０秒〜５分程度であり、４０秒〜１００秒が好ましい。
【００６６】
また、前記プリベーク（加温・乾燥）の後で、塗布した前記レジストパターン厚肉化材料を架橋ベーク（架橋反応）を行うのが、前記レジストパターンとレジストパターン厚肉化材料との界面において前記ミキシング（含浸）した部分の架橋反応を効率的に進行させることができる等の点で好ましい。
なお、前記架橋ベーク（架橋反応）の条件、方法等にとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記プリベーク（加温・乾燥）よりも通常高い温度条件が採用される。前記架橋ベーク（架橋反応）の条件としては、例えば、温度が７０〜１５０℃程度であり、９０〜１３０℃が好ましく、時間が１０秒〜５分程度であり、４０秒〜１００秒が好ましい。
【００６７】
更に、前記架橋ベーク（架橋反応）の後で、塗布した前記レジストパターン厚肉化材料に対し、現像処理を行うのが、塗布したレジストパターン厚肉化材料の内、前記レジストパターンと架橋していない部分乃至架橋が弱い部分（水溶性の高い部分）を溶解除去し、厚肉化された状態で製造された本発明のレジストパターンを現像することができる点で好ましい。
なお、前記現像処理については、上述した通りである。
【００６８】
ここで、本発明のレジストパターンの製造方法について以下に図面を参照しながら説明する。
図２（ａ）に示すように、下地層（基材）５上にレジスト材３ａを塗布した後、図２（ｂ）に示すように、これをパターニングしてレジストパターン３を形成した後、図２（ｃ）に示すように、レジストパターン３の表面にレジストパターン厚肉化材料１を塗布し、プリベーク（加温・乾燥）をして塗膜を形成する。すると、レジストパターン３とレジストパターン厚肉化材料１との界面においてレジストパターン厚肉化材料１のレジストパターン３へのミキシング（含浸）が起こる。
ここで、図２（ｄ）に示すように、前記プリベーク（加温・乾燥）より高い温度で架橋ベーク（架橋反応）を行うと、レジストパターン３とレジストパターン厚肉化材料１との界面において前記ミキシング（含浸）した部分が架橋する。この後、図２（ｅ）に示すように、現像処理を行うことによって、塗布したレジストパターン厚肉化材料１の内、レジストパターン３と架橋していない部分乃至架橋が弱い部分（水溶性の高い部分）が溶解除去され、レジストパターン１０ｂ上に表層１０ａを有してなる厚肉化レジストパターン１０が形成（現像）される。
なお、前記現像処理は、水現像であってもよいし、弱アルカリ水溶液による現像であってもよいが、低コストで効率的に現像処理を行うことができる点で水現像が好ましい。
【００６９】
厚肉化レジストパターン１０は、レジストパターン１０ｂの表面に、レジストパターン厚肉化材料１がレジストパターン３上に架橋して形成された表層１０ａを有してなる。厚肉化レジストパターン１０は、レジストパターン３に比べて表層１０ａの厚み分だけ厚肉化されているので、厚肉化レジストパターン１０により形成される抜けパターンの幅は、レジストパターン３により形成されるレジスト抜けパターンの幅よりも小さく、厚肉化レジストパターン１０により形成されるレジスト抜けパターンは微細である。
【００７０】
厚肉化レジストパターン１０における表層１０ａは、レジストパターン厚肉化材料１により形成される。レジストパターン厚肉化材料１が前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に含有する樹脂の少なくとも一方を含有する場合には、レジストパターン３がエッチング耐性に劣る材料であっても、その表面にエッチング耐性に優れる表層１０ａを有する厚肉化レジストパターン１０は、エッチング耐性に顕著に優れたものとなる。
【００７１】
本発明のレジストパターンの製造方法により製造されたレジストパターン（厚肉化レジストパターン）は、本発明の前記レジストパターンであり、該レジストパターンは、前記レジストパターンの表面に、本発明の前記レジストパターン厚肉化材料が前記レジストパターン上に架橋して形成された表層を有してなる。該レジストパターン厚肉化材料が前記芳香族化合物及び前記芳香族化合物を一部に含有する樹脂の少なくとも一方を含有すると、前記レジストパターンがエッチング耐性に劣る材料であったとしても、該レジストパターンの表面にエッチング耐性に優れる表層を有するレジストパターンを効率的に製造することができる。また、本発明のレジストパターンの製造方法により製造されたレジストパターン（厚肉化レジストパターン）は、前記レジストパターンに比べて前記表層の厚み分だけ厚肉化されているので、製造された厚肉化レジストパターンにより形成されるレジスト抜けパターンの径又は幅は、前記レジストパターンにより形成されるレジスト抜けパターンの径又は幅よりも小さいため、本発明のレジストパターンの製造方法によれば、微細なレジスト抜けパターンを効率的に製造することができる。
【００７２】
本発明のレジストパターンの製造方法により製造されたレジストパターン（厚肉化レジストパターン）は、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置の製造などに好適に使用することができ、後述する本発明の半導体装置の製造に特に好適に使用することができる。
【００７３】
（半導体装置及び半導体装置の製造方法）
本発明の半導体装置は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて製造され、本発明のレジストパターン（厚肉化レジストパターン）により形成さいた微細パターン（配線パターン等）を有してなること以外には、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択した公知の部材等を有してなる。
本発明の半導体装置の具体例としては、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭなどが好適に挙げられる。
本発明の半導体装置は、以下に説明する本発明の半導体装置の製造方法により好適に製造することができる。
【００７４】
本発明の半導体装置の製造方法は、厚肉化レジストパターン形成工程と、パターニング工程とを含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程とを含む。
【００７５】
前記厚肉化レジストパターン形成工程は、下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように本発明の前記レジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを形成する工程である。
なお、前記下地層としては、半導体装置における各種部材の表面層が挙げられるが、シリコンウエハ等の基板、各種酸化膜等が好適に挙げられる。前記塗布の方法は上述した通りである。また、該塗布の後では、上述のプリベーク、架橋ベーク等を行うのが好ましい。
【００７６】
前記パターニング工程は、前記厚肉化レジストパターン形成工程により形成した厚肉化レジストパターンをマスク等として用いてエッチング（ドライエッチング等）を行うことにより前記下地層（例えば配線層）をパターニングする工程である。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ドライエッチングが好適に挙げられる。該エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００７７】
前記その他の工程としては、例えば、界面活性剤塗布工程、現像処理工程などが好適に挙げられる。
【００７８】
前記界面活性剤塗布工程は、前記厚肉化レジストパターン形成工程の前に、前記レジストパターンの表面に前記界面活性剤を塗布する工程である。
前記界面活性剤としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、上述したものが好適に挙げられ、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレン誘導体化合物、ソルビタン脂肪酸エステル化合物、グリセリン脂肪酸エステル化合物、第１級アルコールエトキシレート化合物、フェノールエトキシレート化合物、ノニルフェノールエトキシレート系、オクチルフェノールエトキシレート系、ラウリルアルコールエトキシレート系、オレイルアルコールエトキシレート系、脂肪酸エステル系、アミド系、天然アルコール系、エチレンジアミン系、第２級アルコールエトキシレート系、アルキルカチオン系、アミド型４級カチオン系、エステル型４級カチオン系、アミンオキサイド系、ベタイン系などが挙げられる。
【００７９】
前記現像処理工程は、前記厚肉化レジストパターン形成工程の後であって前記パターニング工程の前に、現像処理を行う工程である。なお、前記現像処理は、上述した通りである。
【００８０】
本発明の半導体装置の製造方法によると、例えば、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ、等をはじめとする各種半導体装置を効率的に製造することができる。
【実施例】
【００８１】
以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００８２】
（実施例１）
−レジストパターン厚肉化材料の調製−
表１に示す組成を有する本発明のレジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏを調製した。なお、表１において、カッコ内の数値の単位は、質量部を表す。「樹脂」の欄における、「ＫＷ−３」は、ポリビニルアセタール樹脂（積水化学社製）を表す。「架橋剤」の欄における、「ウリル」は、テトラメトキシメチルグリコールウリルを表し、「ユリア」は、Ｎ、Ｎ’−ジメトキシメチルジメトキシエチレンユリアを表す。「界面活性剤」の欄における、「ＳＯ−１３５」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、第２級アルコールエトキシレート系界面活性剤）を表し、「ＮＰ−６７５」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、ノニルフェノールエトキシレート系界面活性剤）を表し、「ＳＰ−１２」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、特殊フェノールエトキシレート系界面活性剤）を表し、「Ｔ−８１」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、ソルビタンエステル系界面活性剤）を表し、「ＬＢ−５３Ｂ」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、天然アルコール系界面活性剤）を表し、「ＬＯ−７」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、第１級アルコールエトキシレート系界面活性剤）を表し、「ＴＲ−７０４」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、エチレンジアミン系界面活性剤）を表し、「ＬＡ−７７５」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、天然アルコール系界面活性剤）を表し、「ＹＡ−６」は、カチオン性界面活性剤（旭電化製、アミド型４級カチオン系界面活性剤）を表し、「ＳＦ−１０７」は、カチオン性界面活性剤（旭電化製、エステル型カチオン系界面活性剤）を表し、「ＬＤＭ」は、両性界面活性剤（旭電化製、アミンオキサイド系界面活性剤）を表し、「ＡＢ−３５Ｌ」は、両性界面活性剤（旭電化製、ベタイン系界面活性剤）を表し、「Ｂ−７３３」は、非イオン性界面活性剤（旭電化製、高級アルコール系界面活性剤）を表す。また、前記樹脂及び前記架橋剤を除いた主溶剤成分として、純水（脱イオン水）とイソプロピルアルコールとの混合液（質量比が純水（脱イオン水）：イソプロピルアルコール＝９８．６：０．４）を使用した。
【００８３】
【表１】
2006227633.tif 000003
【００８４】
−レジストパターン及びその製造−
以上により調製した本発明のレジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏを、前記ＡｒＦレジスト（住友化学（株）製、ＰＡＲ７００）により形成した溝パターン（溝幅１５０ｎｍ）上に、スピンコート法により、初めに１，０００ｒｐｍ／５ｓの条件で、次に３，５００ｒｐｍ／４０ｓの条件で塗布した後、８５℃／７０ｓの条件で前記プリベークを行い、更に９０〜１１０℃／７０ｓの条件で前記架橋ベークを行った後、純水でレジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏを６０秒間リンスし、未架橋部を除去し、レジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏにより厚肉化したレジストパターンを現像させることにより、レジストパターン（厚肉化レジストパターン）を製造した。
【００８５】
製造したレジストパターン（厚肉化レジストパターン）により形成されたレジスト抜けパターンのサイズについて、初期パターン（厚肉化する前のレジスト抜けパターン）により形成されたレジスト抜けパターンのサイズと共に表２に示した。なお、表２において、「Ａ」〜「Ｏ」は、前記レジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏに対応する。
【００８６】
【表２】
2006227633.tif 000004
【００８７】
以上により調製した本発明のレジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏを、前記ＡｒＦレジスト（住友化学（株）製、ＰＡＲ７００）により形成したホールパターン（ホール直径１５０ｎｍ）上に、スピンコート法により、初めに１，０００ｒｐｍ／５ｓの条件で、次に３，５００ｒｐｍ／４０ｓの条件で塗布した後、８５℃／７０ｓの条件で前記プリベークを行い、更に９０〜１１０℃／７０ｓの条件で前記架橋ベークを行った後、純水でレジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏを６０秒間リンスし、未架橋部を除去し、レジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏにより厚肉化したレジストパターンを現像させることにより、レジストパターン（厚肉化レジストパターン）を製造した。
【００８８】
製造したレジストパターン（厚肉化レジストパターン）により形成されたレジスト抜けパターンのサイズについて、初期パターン（厚肉化する前のレジスト抜けパターン）により形成されたレジスト抜けパターンのサイズと共に表３に示した。なお、表３において、「Ａ」〜「Ｏ」は、前記レジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏに対応する。
【００８９】
【表３】
2006227633.tif 000005
【００９０】
表２及び表３の結果より、本発明のレジストパターン厚肉化材料は、溝パターン（ライン＆スペースパターン）、ホールパターンのいずれに対しても、適用可能であり、厚肉化可能であることが判る。本発明のレジストパターン厚肉化材料を、ホールパターンの形成に用いると、該ホールパターン内径を狭く微細にすることができ、また、溝パターン（ライン＆スペースパターン）の形成に用いると、該溝パターン（ライン＆スペースパターン）における溝幅（該線状パターンを形成するレジストパターン相互の間隔）を小さく微細にすることができ、また、孤立パターンの形成に用いると、該孤立パターンの面積を大きくすることができる。
【００９１】
次に、シリコン基板上に形成したレジストパターンの表面に、本発明のレジストパターン厚肉化材料Ｎ、Ｏを塗布し架橋させて厚みが０．５μｍである表層を形成した。これらの表層と、比較のための前記ＫｒＦレジスト（シプレイ社製、ＵＶ−６）と、比較のためのポリメチルメタクリレート（PMMA）とに対し、エッチング装置（平行平板型ＲＩＥ装置、富士通（株）製）を用いて、Ｐμ＝２００W、圧力＝０．０２Ｔｏｒｒ、ＣＦ４ガス＝１００ｓｃｃｍの条件下で３分間エッチングを行い、サンプルの減膜量を測定し、エッチングレートを算出し、前記ＫｒＦレジストのエッチングレートを基準として相対評価を行った。
【００９２】
【表４】
2006227633.tif 000006
【００９３】
表４に示す結果から、本発明のレジストパターン厚肉化材料のエッチング耐性は、前記ＫｒＦレジストに近く、前記ＰＭＭＡより顕著に優れていることが判る。
【００９４】
次に、シリコン基板上に形成するレジストパターンとして、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）を用い、５０ｋｅＶの電子線露光装置を用いて１５０ｎｍ幅の溝パターンを形成した。このレジストパターンに対し、本発明のレジストパターン厚肉化材料Ａ、Ｅ、Ｍを塗布し架橋させたところ、上記同様に厚肉化効果が観られた。
【００９５】
【表５】
2006227633.tif 000007
【００９６】
次に、本発明のレジストパターン厚肉化材料Ａ〜Ｏを、露光後１年間クリーンルーム外に放置したウエハ基板上のレジストパターン上に塗布したところ、露光後すぐに塗布した場合と同様のパターン厚肉化効果が得られた。
この結果により、本発明のレジストパターン厚肉化材料は、従来におけるＲＥＬＡＣＳと呼ばれる技術のような、酸の拡散による架橋反応を利用して前記レジストパターンを厚肉化するのではなく、前記レジストパターンとの間の相溶性に依存して該レジストパターンを厚肉化しているものと推測される。
以上のように、本発明のレジストパターン厚肉化材料は、塗布する対象であるレジストパターンが、化学増幅型レジストであっても、非化学増幅型レジストであっても適用可能である。
【００９７】
（実施例２）
−フラッシュメモリ及びその製造−
実施例２は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いた本発明の半導体装置及びその製造方法の一例である。なお、この実施例２では、以下のレジスト膜（レジストパターン）２６、２７、２９、３２及び３４が、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて実施例１におけるのと同様の方法により厚肉化されたものである。
【００９８】
図３における（ａ）及び（ｂ）は、ＦＬＯＴＯＸ型又はＥＴＯＸ型と呼ばれるＦＬＯＴＯＸ型又はＥＴＯＸ型と呼ばれるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの上面図（平面図）であり、図４における（ａ）〜（ｃ）、図５における（ｄ）〜（ｆ）、図６（ｇ）〜（ｉ）は、該ＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法に関する一例を説明するための断面概略図であり、図４〜図６における、左図はメモリセル部（第１素子領域）であって、フローティングゲート電極を有するＭＯＳトランジスタの形成される部分のゲート幅方向（図３におけるＸ方向）の断面（Ａ方向断面）概略図であり、中央図は前記左図と同部分のメモリセル部であって、前記Ｘ方向と直交するゲート長方向（図３におけるＹ方向）の断面（Ｂ方向断面）概略図であり、右図は周辺回路部（第２素子領域）のＭＯＳトランジスタの形成される部分の断面（図３におけるＡ方向断面）概略図である。
【００９９】
まず、図４（ａ）に示すように、ｐ型のＳｉ基板２２上の素子分離領域に選択的にＳｉＯ２膜によるフィールド酸化膜２３を形成した。その後、メモリセル部（第１素子領域）のＭＯＳトランジスタにおける第１ゲート絶縁膜２４ａを厚みが１００〜３００Å（１０〜３０ｎｍ）となるように熱酸化にてＳｉＯ２膜により形成し、また別の工程で、周辺回路部（第２素子領域）のＭＯＳトランジスタにおける第２ゲート絶縁膜２４ｂを厚みが１００〜５００Å（１０〜５０ｎｍ）となるように熱酸化にてＳｉＯ２膜により形成した。なお、第１ゲート絶縁膜２４ａ及び第２ゲート絶縁膜２４ｂを同一厚みにする場合には、同一の工程で同時に酸化膜を形成してもよい。
【０１００】
次に、前記メモリセル部（図４（ａ）の左図及び中央図）にｎ型ディプレションタイプのチャネルを有するＭＯＳトランジスタを形成するため、閾値電圧を制御する目的で前記周辺回路部（図４（ａ）の右図）をレジスト膜２６によりマスクした。そして、フローティングゲート電極直下のチャネル領域となる領域に、ｎ型不純物としてドーズ量１×１０１１〜１×１０１４ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、第１閾値制御層２５ａを形成した。なお、このときのドーズ量及び不純物の導電型は、ディプレッションタイプにするかアキュミレーションタイプにするかにより適宜選択することができる。
【０１０１】
次に、前記周辺回路部（図４（ｂ）の右図）にｎ型ディプレションタイプのチャネルを有するＭＯＳトランジスタを形成するため、閾値電圧を制御する目的でメモリセル部（図４（ｂ）の左図及び中央図）をレジスト膜２７によりマスクした。そして、ゲート電極直下のチャネル領域となる領域に、ｎ型不純物としてドーズ量１×１０１１〜１×１０１４ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、第２閾値制御層２５ｂを形成した。
【０１０２】
次に、前記メモリセル部（図４（ｃ）の左図及び中央図）のＭＯＳトランジスタのフローティングゲート電極、及び前記周辺回路部（図４（ｃ）の右図）のＭＯＳトランジスタのゲート電極として、厚みが５００〜２，０００Å（５０〜２００ｎｍ）である第１ポリシリコン膜（第１導電体膜）２８を全面に形成した。
【０１０３】
その後、図５（ｄ）に示すように、マスクとして形成したレジスト膜２９により第１ポリシリコン膜２８をパターニングして前記メモリセル部（図５（ｄ）の左図及び中央図）のＭＯＳトランジスタにおけるフローティングゲート電極２８ａを形成した。このとき、図５（ｄ）に示すように、Ｘ方向は最終的な寸法幅になるようにパターニングし、Ｙ方向はパターニングせずＳ／Ｄ領域層となる領域はレジスト膜２９により被覆されたままにした。
【０１０４】
次に、（図５（ｅ）の左図及び中央図）に示すように、レジスト膜２９を除去した後、フローティングゲート電極２８ａを被覆するようにして、ＳｉＯ２膜からなるキャパシタ絶縁膜３０ａを厚みが約２００〜５００Å（２０〜５０ｎｍ）となるように熱酸化にて形成した。このとき、前記周辺回路部（図５（ｅ）の右図）の第１ポリシリコン膜２８上にもＳｉＯ２膜からなるキャパシタ絶縁膜３０ｂが形成される。なお、ここでは、キャパシタ絶縁膜３０ａ及び３０ｂはＳｉＯ２膜のみで形成されているが、ＳｉＯ２膜及びＳｉ３Ｎ４膜が２〜３積層された複合膜で形成されていてもよい。
【０１０５】
次に、図５（ｅ）に示すように、フローティングゲート電極２８ａ及びキャパシタ絶縁膜３０ａを被覆するようにして、コントロールゲート電極となる第２ポリシリコン膜（第２導電体膜）３１を厚みが５００〜２，０００Å（５０〜２００ｎｍ）となるように形成した。
【０１０６】
次に、図５（ｆ）に示すように、前記メモリセル部（図５（ｆ）の左図及び中央図）をレジスト膜３２によりマスクし、前記周辺回路部（図５（ｆ）の右図）の第２ポリシリコン膜３１及びキャパシタ絶縁膜３０ｂを順次、エッチングにより除去し、第１ポリシリコン膜２８を表出させた。
【０１０７】
次に、図６（ｇ）に示すように、前記メモリセル部（図６（ｇ）の左図及び中央図）の第２ポリシリコン膜３１、キャパシタ絶縁膜３０ａ及びＸ方向だけパターニングされている第１ポリシリコン膜２８ａに対し、レジスト膜３２をマスクとして、第１ゲート部３３ａの最終的な寸法となるようにＹ方向のパターニングを行い、Ｙ方向に幅約１μｍのコントロールゲート電極３１ａ／キャパシタ絶縁膜３０ｃ／フローティングゲート電極２８ｃによる積層を形成すると共に、前記周辺回路部（図６（ｇ）の右図）の第１ポリシリコン膜２８に対し、レジスト膜３２をマスクとして、第２ゲート部３３ｂの最終的な寸法となるようにパターニングを行い、幅約１μｍのゲート電極２８ｂを形成した。
【０１０８】
次に、前記メモリセル部（図６（ｈ）の左図及び中央図）のコントロールゲート電極３１ａ／キャパシタ絶縁膜３０ｃ／フローティングゲート電極２８ｃによる積層をマスクとして、素子形成領域のＳｉ基板２２にドーズ量１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、ｎ型のＳ／Ｄ領域層３５ａ及び３５ｂを形成すると共に、前記周辺回路部（図５（ｈ）の右図）のゲート電極２８ｂをマスクとして、素子形成領域のＳｉ基板２２にｎ型不純物としてドーズ量１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−２のリン（Ｐ）又は砒素（Ａｓ）をイオン注入法により導入し、Ｓ／Ｄ領域層３６ａ及び３６ｂを形成した。
【０１０９】
次に、前記メモリセル部（図６（ｉ）の左図及び中央図）の第１ゲート部３３ａ及び前記周辺回路部（図６（ｉ）の右図）の第２ゲート部３３ｂを、ＰＳＧ膜による層間絶縁膜３７を厚みが約５，０００Å（５００ｎｍ）となるようにして被覆形成した。
その後、Ｓ／Ｄ領域層３５ａ及び３５ｂ並びにＳ／Ｄ領域層３６ａ及び３６ｂ上に形成した層間絶縁膜３７に、コンタクトホール３８ａ及び３８ｂ並びにコンタクトホール３９ａ及び３９ｂを形成した後、Ｓ／Ｄ電極４０ａ及び４０ｂ並びにＳ／Ｄ電極４１ａ及び４１ｂを形成した。
以上により、図６（ｉ）に示すように、半導体装置としてＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭを製造した。
【０１１０】
このＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭにおいては、前記周辺回路部（図４（ａ）〜図６（ｆ）における右図）の第２ゲート絶縁膜２４ｂが形成後から終始、第１ポリシリコン膜２８又はゲート電極２８ｂにより被覆されている（図５（ｃ）〜図６（ｆ）における右図）ので、第２ゲート絶縁膜２４ｂは最初に形成された時の厚みを保持したままである。このため、第２ゲート絶縁膜２４ｂの厚みの制御を容易に行うことができると共に、閾値電圧の制御のための導電型不純物濃度の調整も容易に行うことができる。
なお、上記実施例では、第１ゲート部３３ａを形成するのに、まずゲート幅方向（図３におけるＸ方向）に所定幅でパターニングした後、ゲート長方向（図３におけるＹ方向）にパターニングして最終的な所定幅としているが、逆に、ゲート長方向（図３におけるＹ方向）に所定幅でパターニングした後、ゲート幅方向（図３におけるＸ方向）にパターニングして最終的な所定幅としてもよい。
【０１１１】
図７（ａ）〜（ｃ）に示すＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造例は、上記実施例において図５（ｆ）で示した工程の後が図７（ａ）〜（ｃ）に示すように変更した以外は上記実施例と同様である。即ち、図７（ａ）に示すように、前記メモリセル部図７（ａ）における左図及び中央図の第２ポリシリコン膜３１及び前記周辺回路部図７（ａ）の右図の第１ポリシリコン膜２８上に、タングステン（Ｗ）膜又はチタン（Ｔｉ）膜からなる高融点金属膜（第４導電体膜）４２を厚みが約２，０００Å（２００ｎｍ）となるようにして形成しポリサイド膜を設けた点でのみ上記実施例と異なる。図７（ａ）の後の工程、即ち図７（ｂ）〜（ｃ）に示す工程は、図６（ｇ）〜（ｉ）と同様に行った。図６（ｇ）〜（ｉ）と同様の工程については説明を省略し、図７（ａ）〜（ｃ）においては図６（ｇ）〜（ｉ）と同じものは同記号で表示した。
以上により、図７（ｃ）に示すように、半導体装置としてＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭを製造した。
【０１１２】
このＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭにおいては、コントロールゲート電極３１ａ及びゲート電極２８ｂ上に、高融点金属膜（第４導電体膜）４２ａ及び４２ｂを有するので、電気抵抗値を一層低減することができる。
なお、ここでは、高融点金属膜（第４導電体膜）として高融点金属膜（第４導電体膜）４２ａ及び４２ｂを用いているが、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）膜等の高融点金属シリサイド膜を用いてもよい。
【０１１３】
図８（ａ）〜（ｃ）に示すＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造例は、上記実施例において、前記周辺回路部（第２素子領域）（図８（ａ）における右図）の第２ゲート部３３ｃも、前記メモリセル部（第１素子領域）（図８（ａ）における左図及び中央図）の第１ゲート部３３ａと同様に、第１ポリシリコン膜２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ２膜３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）／第２ポリシリコン膜３１ｂ（第２導電体膜）という構成にし、図８（ｂ）又は（ｃ）に示すように、第１ポリシリコン膜２８ｂ及び第２ポリシリコン膜３１ｂをショートさせてゲート電極を形成している点で異なること以外は上記実施例と同様である。
【０１１４】
ここでは、図８（ｂ）に示すように、第１ポリシリコン膜２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ２膜３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）／第２ポリシリコン膜３１ｂ（第２導電体膜）を貫通する開口部５２ａを、例えば図８（ａ）に示す第２ゲート部３３ｃとは別の箇所、例えば絶縁膜５４上に形成し、開口部５２ａ内に第３導電体膜、例えばＷ膜又はＴｉ膜等の高融点金属膜５３ａを埋め込むことにより、第１ポリシリコン膜２８ｂ及び第２ポリシリコン膜３１ｂをショートさせている。また、図８（ｃ）に示すように、第１ポリシリコン膜２８ｂ（第１導電体膜）／ＳｉＯ２膜３０ｄ（キャパシタ絶縁膜）を貫通する開口部５２ｂを形成して開口部５２ｂの底部に下層の第１ポリシリコン膜２８ｂを表出させた後、開口部５２ｂ内に第３導電体膜、例えばＷ膜又はＴｉ膜等の高融点金属膜５３ｂを埋め込むことにより、第１ポリシリコン膜２８ｂ及び第２ポリシリコン膜３１ｂをショートさせている。
【０１１５】
このＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭにおいては、前記周辺回路部の第２ゲート部３３ｃは、前記メモリセル部の第１ゲート部３３ａと同構造であるので、前記メモリセル部を形成する際に同時に前記周辺回路部を形成することができ、製造工程を簡単にすることができ効率的である。
なお、ここでは、第３導電体膜５３ａ又は５３ｂと、高融点金属膜（第４導電体膜）４２とをそれぞれ別々に形成しているが、共通の高融点金属膜として同時に形成してもよい。
【０１１６】
（実施例３）
−磁気ヘッドの製造−
実施例３は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いた本発明のレジストパターンの応用例としての磁気ヘッドの製造に関する。なお、この実施例３では、以下のレジストパターン１０２及び１２６が、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて実施例１におけるのと同様の方法により厚肉化されたものである。
【０１１７】
図９（Ａ）〜（Ｄ）は、磁気ヘッドの製造を説明するための工程図である。
まず、図９（Ａ）に示すように、層間絶縁層１００上に、厚みが６μｍとなるようにレジスト膜を形成し、露光、現像を行って、渦巻状の薄膜磁気コイル形成用の開口パターンを有するレジストパターン１０２を形成した。
次に、図９（Ｂ）に示すように、層間絶縁層１００上における、レジストパターン１０２上及びレジストパターン１０２が形成されていない部位、即ち開口部１０４の露出面上に、厚みが０．０１μｍであるＴｉ密着膜と厚みが０．０５μｍであるＣｕ密着膜とが積層されてなるメッキ下地層１０６を蒸着法により形成した。
次に、図９（Ｃ）に示すように、層間絶縁層１００上における、レジストパターン１０２が形成されていない部位、即ち開口部１０４の露出面上に形成されたメッキ下地層１０６の表面に、厚みが３μｍであるＣｕメッキ膜からなる薄膜導体１０８を形成した。
次に、図９（Ｄ）に示すように、レジストパターン１０２を溶解除去し層間絶縁層１００上からリフトオフすると、薄膜導体１０８の渦巻状パターンによる薄膜磁気コイル１１０が形成される。
以上により磁気ヘッドを製造した。
【０１１８】
ここで得られた磁気ヘッドは、本発明の厚肉化材料を用いて厚肉化されたレジストパターン１０２により渦巻状パターンが微細に形成されているので、薄膜磁気コイル１１０は微細かつ精細であり、しかも量産性に優れる。
【０１１９】
図１０〜図１５は、他の磁気ヘッドの製造を説明するための工程図である。
図１０に示すように、セラミック製の非磁性基板１１２上にスパッタリング法によりギャップ層１１４を被覆形成した。なお、非磁性基板１１２上には、図示していないが予め酸化ケイ素による絶縁体層及びＮｉ−Ｆｅパーマロイからなる導電性下地層がスパッタリング法により被覆形成され、更にＮｉ−Ｆｅパーマロイからなる下部磁性層が形成されている。そして、図示しない前記下部磁性層の磁性先端部となる部分を除くギャップ層１１４上の所定領域に熱硬化樹脂により樹脂絶縁膜１１６を形成した。次に、樹脂絶縁膜１１６上にレジスト材を塗布してレジスト膜１１８を形成した。
【０１２０】
次に、図１１に示すように、レジスト膜１１８に露光、現像を行い、渦巻状パターンを形成した。そして、図１２に示すように、この渦巻状パターンのレジスト膜１１８を数百℃で一時間程度熱硬化処理を行い、突起状の第１渦巻状パターン１２０を形成した。更に、その表面にＣｕからなる導電性下地層１２２を被覆形成した。
【０１２１】
次に、図１３に示すように、導電性下地層１２２上にレジスト材をスピンコート法により塗布してレジスト膜１２４を形成した後、レジスト膜１２４を第１渦巻状パターン１２０上にパターニングしてレジストパターン１２６を形成した。
次に、図１４に示すように、導電性下地層１２２の露出面上に、即ちレジストパターン１２６が形成されていない部位上に、Ｃｕ導体層１２８をメッキ法により形成した。その後、図１５に示すように、レジストパターン１２６を溶解除去することにより、導電性下地層１２２上からリフトオフし、Ｃｕ導体層１２８による渦巻状の薄膜磁気コイル１３０を形成した。
以上により、図１６の平面図に示すような、樹脂絶縁膜１１６上に磁性層１３２を有し、表面に薄膜磁気コイル１３０が設けられた磁気ヘッドを製造した。
【０１２２】
ここで得られた磁気ヘッドは、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化されたレジストパターン１２６により渦巻状パターンが微細に形成されているので、薄膜磁気コイル１３０は微細かつ精細であり、しかも量産性に優れる。
【０１２３】
ここで、本発明の好ましい態様を付記すると、以下の通りである。
（付記１）  樹脂と、架橋剤と、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤、並びに、アルコキシレート系界面活性剤、脂肪酸エステル系界面活性剤、アミド系界面活性剤、アルコール系界面活性剤、及びエチレンジアミン系界面活性剤から選択される非イオン性界面活性剤から選択される少なくとも１種とを含有することを特徴とするレジストパターン厚肉化材料。
（付記２）  カチオン性界面活性剤が、アルキルカチオン系界面活性剤、アミド型４級カチオン系界面活性剤、及びエステル型４級カチオン系界面活性剤から選択される少なくとも１種である付記１に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記３）  両性界面活性剤が、アミンオキサイド系界面活性剤、及びベタイン系界面活性剤から選択される少なくとも１種である付記１又は２に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記４）  アルコキシレート系界面活性剤が、ノニルフェノールエトキシレート系界面活性剤、オクチルフェノールエトキシレート系界面活性剤、ラウリルアルコールエトキシレート系界面活性剤、オレイルアルコールエトキシレート系界面活性剤、及び第２級アルコールエトキシレート系界面活性剤から選択される少なくとも１種である付記１から３のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記５）  水溶性乃至アルカリ可溶性である付記１から４のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記６）  樹脂が、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール及びポリビニルアセテートから選択される少なくとも１種である付記１から５のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記７）  樹脂がポリビニルアセタールを５〜４０質量％含有する付記１から６のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記８）  架橋剤が、メラミン誘導体、ユリア誘導体及びウリル誘導体から選択される少なくとも１種である付記１から７のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記９）  水溶性芳香族化合物を含有する付記１から８のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１０）  水溶性芳香族化合物が、２５℃の水１００ｇに対し１ｇ以上溶解する水溶性を示す付記９に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１１）  水溶性芳香族化合物が極性基を２以上有する付記９又は１０に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１２）  極性基が水酸基、カルボキシル基及びカルボニル基から選択される付記１１に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１３）  水溶性芳香族化合物が、ポリフェノール化合物、芳香族カルボン酸化合物、ナフタレン多価アルコール化合物、ベンゾフェノン化合物、フラボノイド化合物、これらの誘導体及びこれらの配糖体から選択される少なくとも１種である付記９から１２のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１４）  芳香族化合物を一部に有してなる樹脂を含有する付記１から１３のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１５）  芳香族化合物を一部に有してなる樹脂が、ポリビニルアリールアセタール樹脂、ポリビニルアリールエーテル樹脂、及びポリビニルアリールエステル樹脂から選択される少なくとも１種である付記１４に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１６）  芳香族化合物を一部に有してなる樹脂における芳香族化合物が、水酸基、アミノ基、スルホニル基、カルボキシル基、及びこれらの誘導体による基から選択される官能基を少なくとも１つ有する付記１４又は１５に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１７）  芳香族化合物を一部に有してなる樹脂がアセチル基を有する付記１４から１６のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１８）  芳香族化合物を一部に有してなる樹脂における芳香族化合物のモル含有率が、５ｍｏｌ％以上である付記１４から１７のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記１９）  有機溶剤を含む付記１から１８のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記２０）  有機溶剤が、アルコール系溶剤、鎖状エステル系溶剤、環状エステル系溶剤、ケトン系溶剤、鎖状エーテル系溶剤、及び環状エーテル系溶剤から選択される少なくとも１種である付記１９に記載のレジストパターン厚肉化材料。
（付記２１）  レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように付記１から２０のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料を塗布してなることを特徴とするレジストパターン。
（付記２２）  レジストパターンの材料が、ノボラック系レジスト、ＰＨＳ系レジスト、アクリル系レジスト、シクロオレフィン−マレイン酸無水物系レジスト、シクロオレフィン系レジスト、及びシクロオレフィン−アクリルハイブリッド系レジストから選択される少なくとも１種である付記２１に記載のレジストパターン。
（付記２３）  レジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように付記１から２０のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料を塗布することを特徴とするレジストパターンの製造方法。
（付記２４）  レジストパターン厚肉化材料の塗布後、現像処理を行う付記２３に記載のレジストパターンの製造方法。
（付記２５）  現像処理が純水を用いて行われる付記２４に記載のレジストパターンの製造方法。
（付記２６）  付記１から２０のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料を用いて形成されたパターンを少なくとも有してなることを特徴とする半導体装置。
（付記２７）  下地層上にレジストパターンを形成後、該レジストパターンの表面を覆うように付記１から２０のいずれかに記載のレジストパターン厚肉化材料を塗布することにより該レジストパターンを厚肉化し厚肉化レジストパターンを形成する厚肉化レジストパターン形成工程と、該厚肉化レジストパターンを用いてエッチングにより前記下地層をパターニングするパターニング工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２８）  厚肉化レジストパターン形成工程の前に、レジストパターンの表面に界面活性剤を塗布する界面活性剤塗布工程を含む付記２７に記載の半導体装置の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明のレジストパターン厚肉化材料は、ＡｒＦレジスト等によるレジストパターンを厚肉化し、パターニングの露光時には光を使用しつつも、該光の露光限界を超えてレジスト抜けパターン乃至配線パターン等のパターンを微細化に形成するのに好適に用いることができ、各種のパターニング方法、半導体の製造方法等に好適に適用することができ、本発明のレジストパターン厚肉化材料は、本発明のレジストパターンの製造方法、本発明の半導体装置の製造方法に特に好適に用いることができる。
本発明のレジストパターンの製造方法は、例えば、マスクパターン、レチクルパターン、磁気ヘッド、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置の製造に好適に適用することができ、本発明の半導体装置の製造方法に好適に用いることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭ、等を初めとする各種半導体装置の製造に好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】図１は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いたレジストパターンの厚肉化のメカニズムを説明するための概略図である。
【図２】図２は、本発明のレジストパターンの製造方法を説明するための概略図である。
【図３】図３は、本発明の半導体装置の一例であるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭを説明するための上面図である。
【図４】図４は、本発明の半導体装置の製造方法に関する一例であるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図（その１）である。
【図５】図５は、本発明の半導体装置の製造方法に関する一例であるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図（その２）である。
【図６】図６は、本発明の半導体装置の製造方法に関する一例であるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図（その３）である。
【図７】図７は、本発明の半導体装置の製造方法に関する他の一例であるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図である。
【図８】図８は、本発明の半導体装置の製造方法に関する他の一例であるＦＬＡＳＨ  ＥＰＲＯＭの製造方法を説明するための断面概略図である。
【図９】図９は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化した厚肉化レジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した一例を説明するための断面概略図である。
【図１０】図１０は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化した厚肉化レジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その１）を説明するための断面概略図である。
【図１１】図１１は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化した厚肉化レジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その２）を説明するための断面概略図である。
【図１２】図１２は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化した厚肉化レジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その３）を説明するための断面概略図である。
【図１３】図１３は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化した厚肉化レジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その４）を説明するための断面概略図である。
【図１４】図１４は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化した厚肉化レジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その５）を説明するための断面概略図である。
【図１５】図１５は、本発明のレジストパターン厚肉化材料を用いて厚肉化した厚肉化レジストパターンを磁気ヘッドの製造に応用した他の例の工程（その６）を説明するための断面概略図である。
【図１６】図１６は、図１０〜図１５の工程で製造された磁気ヘッドの一例を示す平面図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１        レジストパターン厚肉化材料
３        レジストパターン
５        下地層（基材）
１０      厚肉化レジストパターン
１０ａ    表層
１０ｂ    レジストパターン
２２      Ｓｉ基板（半導体基板）
２３      フィールド酸化膜
２４ａ    第１ゲート絶縁膜
２４ｂ    第２ゲート絶縁膜
２５ａ    第１閾値制御層
２５ｂ    第２閾値制御層
２６      レジスト膜
２７      レジスト膜
２８      第１ポリシリコン層（第１導電体膜）
２８ａ    フローティングゲート電極
２８ｂ    ゲート電極（第１ポリシリコン膜）
２８ｃ    フローティングゲート電極
２９      レジスト膜
３０ａ    キャパシタ絶縁膜
３０ｂ    キャパシタ絶縁膜
３０ｃ    キャパシタ絶縁膜
３０ｄ    ＳｉＯ２膜
３１      第２ポリシリコン層（第２導電体膜）
３１ａ    コントロールゲート電極
３１ｂ    第２ポリシリコン膜
３２      レジスト膜
３３ａ    第１ゲート部
３３ｂ    第２ゲート部
３３ｃ    第２ゲート部
３４      レジスト膜
３５ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
３５ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
３６ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
３６ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
３７      層間絶縁膜
３８ａ    コンタクトホール
３８ｂ    コンタクトホール
３９ａ    コンタクトホール
３９ｂ    コンタクトホール
４０ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
４０ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
４１ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
４１ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
４２      高融点金属膜（第４導電体膜）
４２ａ    高融点金属膜（第４導電体膜）
４２ｂ    高融点金属膜（第４導電体膜）
４４ａ    第１ゲート部
４４ｂ    第２ゲート部
４５ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
４５ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
４６ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
４６ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）領域層
４７      層間絶縁膜
４８ａ    コンタクトホール
４８ｂ    コンタクトホール
４９ａ    コンタクトホール
４９ｂ    コンタクトホール
５０ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
５０ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
５１ａ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
５１ｂ    Ｓ／Ｄ（ソース・ドレイン）電極
５２ａ    開口部
５２ｂ    開口部
５３ａ    高融点金属膜（第３導電体膜）
５３ｂ    高融点金属膜（第３導電体膜）
５４      絶縁膜
１００    層間絶縁層
１０２    レジストパターン
１０４    開口部
１０６    メッキ下地層
１０８    薄膜導体（Ｃｕメッキ膜）
１１０    薄膜磁気コイル
１１２    非磁性基板
１１４    ギャップ層
１１６    樹脂絶縁層
１１８    レジスト膜
１１８ａ  レジストパターン
１２０    第１渦巻状パターン
１２２    導電性下地層
１２４    レジスト膜
１２６    レジストパターン
１２８    Ｃｕ導体膜
１３０    薄膜磁気コイル
１３２    磁性層
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図２】
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