(57)【要約】【課題】色純度、色再現性を向上させ、かつ生産性を向上させることができるハーフミラー、ハーフミラーの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および電子機器を提供する。【解決手段】基体と、前記基体上の複数の色要素に対応する部分にそれぞれ形成された発光層Ｏｒと、一対の電極と、前記複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層Ｈｍとを備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、色要素となるべき複数の区画が形成された基体と、液滴吐出手段とを相対的に移動させ、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して前記複数の区画のうちの所定の区画に選択的に付与する工程と、前記液状材料を乾燥し、ハーフミラー層Ｈｍを形成する工程とを有する。【選択図】図３
2006252992.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備えるハーフミラーであって、
前記ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、乾燥することにより形成されたものであることを特徴とするハーフミラー。
【請求項２】
基体と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備えるハーフミラーの製造方法であって、
色要素となるべき複数の区画が形成された基体と、液滴を吐出するノズルを有する液滴吐出手段とを相対的に移動させ、ハーフミラー層形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画のうちの所定の区画に選択的に付与する工程と、
前記区画に付与されたハーフミラー層形成用の液状材料を加熱し、ハーフミラー層を形成する工程とを有することを特徴とするハーフミラーの製造方法。
【請求項３】
前記ハーフミラー層は、金属材料で構成され、
前記ハーフミラー層形成用の液状材料には、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粉末が含まれる請求項２に記載のハーフミラーの製造方法。
【請求項４】
前記ハーフミラー層の厚さは、５〜１０ｎｍである請求項２または３に記載のハーフミラーの製造方法。
【請求項５】
基体と、前記基体上の複数の色要素に対応する部分にそれぞれ形成された発光層と、前記発光層に通電するための一対の電極と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、乾燥することにより形成されたものであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
基体と、前記基体上の複数の色要素に対応する部分にそれぞれ形成された発光層と、前記発光層に通電するための一対の電極と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
色要素となるべき複数の区画が形成された基体と、液滴を吐出するノズルを有する液滴吐出手段とを相対的に移動させ、ハーフミラー層形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画のうちの所定の区画に選択的に付与する工程と、
前記区画に付与されたハーフミラー層形成用の液状材料を乾燥し、ハーフミラー層を形成する工程とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記基体と、前記液滴吐出手段とを相対的に移動させ、有機発光材料を含む発光層形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画に付与する工程と、
前記区画に付与された発光層形成用の液状材料を加熱し、発光層を形成する工程とを有する請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記ハーフミラー層は、前記発光層より光の出射側に設けられる請求項６または７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記ハーフミラー層は、光の出射側に位置する電極より光の出射側に設けられる請求項６または７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ハーフミラー層は、金属材料で構成され、
前記ハーフミラー層形成用の液状材料には、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粉末が含まれる請求項６ないし９のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ハーフミラー層の厚さは、５〜１０ｎｍである請求項６ないし１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１２】
当該有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、前記複数の色要素に対応する部分であって、光の出射側と反対側に位置する電極側に設けられた光反射層を有する請求項６ないし１１のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記光の出射側と反対側に位置する電極の少なくとも一部が、前記光反射層を兼ねる請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１４】
当該有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、前記複数の色要素に対応する部分に設けられた光透過性を有する導電性スペーサを有する請求項６ないし１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１５】
当該有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、前記複数の色要素に対応する部分であって、光の出射側と反対側に位置する電極側に設けられた光透過性を有する導電性スペーサを有する請求項６ないし１３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１６】
一方の前記電極の少なくとも一部が、前記導電性スペーサを兼ねる請求項１４または１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記基体と、前記液滴吐出手段とを相対的に移動させ、導電性材料を含む導電性スペーサ形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画に付与する工程と、
前記区画に付与された導電性スペーサ形成用の液状材料を加熱し、導電性スペーサを形成する工程とを有する請求項１４ないし１６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項６ないし１７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハーフミラー、ハーフミラーの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置（有機ＥＬディスプレイ）は、表示モジュールとして、例えば、携帯電話やＰＤＡ等の携帯用の電子機器に搭載されている。近年、これら電子機器においても精細な画像を見ることが多くなっているため、前記有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の色再現性の向上が望まれていた。
そこで、こうした有機ＥＬ素子の色再現性を改善させたマイクロキャビティ構造が提案されている。このマイクロキャビティ構造では、いわゆるトップエミッション構造において、反射層を有した陽極と半透過性のある陰極とその間に配置された有機ＥＬ層から構成されている。このマイクロキャビティ構造は、有機ＥＬ層から発光された光の波長のうち、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかに対応する波長を選択して出力する一種の光学フィルタとして機能する。
【０００３】
すなわち、有機ＥＬ層から発光されて陽極で反射した光（反射光）と、同様に有機ＥＬ層から発光されて陰極を透過する光（透過光）とが多重干渉し、所定の波長の光を出射している。そして、陽極と陰極との間の光学的距離を変化させることによって前記反射光と透過光との干渉が変化し、赤色、緑色、青色それぞれ異なる波長の光を選択的に出力することができる。そのため、このマイクロキャビティ構造においては、陽極と陰極との間に赤色、緑色、青色それぞれ異なる膜厚のＩＴＯ(Indium Tin Oxide)を配置することにより各色に応じて光学的距離を変化させ、各色に対応した波長の光を出射させていた。この結果、色純度の高い発光が得られ、鮮やかな色再現性を実現していた。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子のさらに良好な色再現性が望まれていた。
そこで、有機ＥＬ素子にハーフミラー層を形成し、色純度をさらに向上させ、さらに良好な色再現性を実現することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、このような従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置では、ハーフミラー層を形成するためには、複数回のフォトリソグラフィ工程を必要としていた。この結果、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造するための製造工程数が多くなり、その生産性を損なっていた。
【０００５】
【特許文献１】特表２００３−５２８４２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、色純度、色再現性を向上させ、かつ生産性を向上させることができるハーフミラー、ハーフミラーの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のハーフミラーは、基体と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備えるハーフミラーであって、
前記ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、乾燥することにより形成されたものであることを特徴とする。
これにより、所定の色要素（画素）に対応する部分、すなわち、色純度の悪い色要素に対応する部分にハーフミラー層が設けられるので、その色要素から出射される光の色純度を向上させることができる。これによって、色再現性を向上させることができる。
【０００８】
また、ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、加熱することにより形成されるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、製造工程数が減少し、生産性を向上させることができる。さらに、所望の位置へ、所望の量のハーフミラー層形成用の液状材料を付与することができるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、使用するハーフミラー層形成用の液状材料の量を低減することができ（例えば、エッチング等により不要な部分を除去する必要がない）、所望の位置へ、所望の厚さのハーフミラー層を、迅速かつ確実に形成することができる。
また、ハーフミラー層の形成方法と同じ方法（インクジェット法）で、他の所定の層を形成することができるので、全体の製造時間を短縮することができる。
【０００９】
本発明のハーフミラーの製造方法は、基体と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備えるハーフミラーの製造方法であって、
色要素となるべき複数の区画が形成された基体と、液滴を吐出するノズルを有する液滴吐出手段とを相対的に移動させ、ハーフミラー層形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画のうちの所定の区画に選択的に付与する工程と、
前記区画に付与されたハーフミラー層形成用の液状材料を加熱し、ハーフミラー層を形成する工程とを有することを特徴とする。
これにより、所定の色要素（画素）に対応する部分、すなわち、色純度の悪い色要素に対応する部分にハーフミラー層が設けられるので、その色要素から出射される光の色純度を向上させることができる。これによって、色再現性を向上させることができる。
【００１０】
また、ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、乾燥することにより形成されるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、製造工程数が減少し、生産性を向上させることができる。さらに、所望の位置へ、所望の量のハーフミラー層形成用の液状材料を付与することができるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、使用するハーフミラー層形成用の液状材料の量を低減することができ、所望の位置へ、所望の厚さのハーフミラー層を、迅速かつ確実に形成することができる。
また、ハーフミラー層の形成方法と同じ方法（インクジェット法）で、他の所定の層を形成することができるので、全体の製造時間を短縮することができる。
【００１１】
本発明のハーフミラーの製造方法では、前記ハーフミラー層は、金属材料で構成され、
前記ハーフミラー層形成用の液状材料には、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粉末が含まれることが好ましい。
これにより、均一な厚さで、かつ好適な厚さのハーフミラー層を容易に形成することができる。また、ノズルの目詰りを防止することができる。
本発明のハーフミラーの製造方法では、前記ハーフミラー層の厚さは、５〜１０ｎｍであることが好ましい。
これにより、発光光量の減少を抑制しつつ、色純度を向上させることができる。
【００１２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、基体と、前記基体上の複数の色要素に対応する部分にそれぞれ形成された発光層と、前記発光層に通電するための一対の電極と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
前記ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、乾燥することにより形成されたものであることを特徴とする。
これにより、所定の色要素（画素）に対応する部分、すなわち、色純度の悪い色要素に対応する部分にハーフミラー層が設けられるので、その色要素から出射される光の色純度を向上させることができる。これによって、色再現性を向上させることができる。
【００１３】
また、ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、乾燥することにより形成されるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、製造工程数が減少し、生産性を向上させることができる。さらに、所望の位置へ、所望の量のハーフミラー層形成用の液状材料を付与することができるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、使用するハーフミラー層形成用の液状材料の量を低減することができ、所望の位置へ、所望の厚さのハーフミラー層を、迅速かつ確実に形成することができる。
また、ハーフミラー層の形成方法と同じ方法（インクジェット法）で、他の所定の層を形成することができるので、全体の製造時間を短縮することができる。
【００１４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、基体と、前記基体上の複数の色要素に対応する部分にそれぞれ形成された発光層と、前記発光層に通電するための一対の電極と、前記基体上の複数の色要素のうちの所定の色要素に対応する部分にそれぞれ形成されたハーフミラー層とを備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
色要素となるべき複数の区画が形成された基体と、液滴を吐出するノズルを有する液滴吐出手段とを相対的に移動させ、ハーフミラー層形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画のうちの所定の区画に選択的に付与する工程と、
前記区画に付与されたハーフミラー層形成用の液状材料を乾燥し、ハーフミラー層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１５】
これにより、所定の色要素（画素）に対応する部分、すなわち、色純度の悪い色要素に対応する部分にハーフミラー層が設けられるので、その色要素から出射される光の色純度を向上させることができる。これによって、色再現性を向上させることができる。
また、ハーフミラー層は、ハーフミラー層形成用の液状材料をノズルから液滴として吐出して付与し、乾燥することにより形成されるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、製造工程数が減少し、生産性を向上させることができる。さらに、所望の位置へ、所望の量のハーフミラー層形成用の液状材料を付与することができるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層を形成する場合に比べ、使用するハーフミラー層形成用の液状材料の量を低減することができ、所望の位置へ、所望の厚さのハーフミラー層を、迅速かつ確実に形成することができる。
また、ハーフミラー層の形成方法と同じ方法（インクジェット法）で、他の所定の層を形成することができるので、全体の製造時間を短縮することができる。
【００１６】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、前記基体と、前記液滴吐出手段とを相対的に移動させ、有機発光材料を含む発光層形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画に付与する工程と、
前記区画に付与された発光層形成用の液状材料を加熱し、発光層を形成する工程とを有することが好ましい。
これにより、全体の製造時間をより短縮することができる。
【００１７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、前記ハーフミラー層は、前記発光層より光の出射側に設けられることが好ましい。
これにより、色純度をより向上させることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、前記ハーフミラー層は、光の出射側に位置する電極より光の出射側に設けられることが好ましい。
これにより、色純度をより向上させることができる。また、ハーフミラー層の、色要素を構成する他の部位への悪影響を無くすことができる。
【００１８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、前記ハーフミラー層は、金属材料で構成され、
前記ハーフミラー層形成用の液状材料には、平均粒径が１００ｎｍ以下の金属粉末が含まれることが好ましい。
これにより、均一な厚さで、かつ好適な厚さのハーフミラー層を容易に形成することができる。また、ノズルの目詰りを防止することができる。
【００１９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、前記ハーフミラー層の厚さは、５〜１０ｎｍであることが好ましい。
これにより、発光光量の減少を抑制しつつ、色純度を向上させることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、当該有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、前記複数の色要素に対応する部分であって、光の出射側と反対側に位置する電極側に設けられた光反射層を有することが好ましい。
これにより、色純度をより向上させることができる。
【００２０】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、前記光の出射側と反対側に位置する電極の少なくとも一部が、前記光反射層を兼ねることが好ましい。
これにより、全体の製造時間をより短縮することができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、当該有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、前記複数の色要素に対応する部分に設けられた光透過性を有する導電性スペーサを有することが好ましい。
これにより、色純度をより向上させることができる。
【００２１】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、当該有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、前記複数の色要素に対応する部分であって、光の出射側と反対側に位置する電極側に設けられた光透過性を有する導電性スペーサを有することが好ましい。
これにより、色純度をより向上させることができる。
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、一方の前記電極の少なくとも一部が、前記導電性スペーサを兼ねることが好ましい。
これにより、導電性スペーサを有する有機エレクトロルミネッセンスの製造時間をより短縮することができる。
【００２２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法では、前記基体と、前記液滴吐出手段とを相対的に移動させ、導電性材料を含む導電性スペーサ形成用の液状材料を前記ノズルから液滴として吐出して前記複数の区画に付与する工程と、
前記区画に付与された導電性スペーサ形成用の液状材料を加熱し、導電性スペーサを形成する工程とを有することが好ましい。
これにより、導電性スペーサを有する有機エレクトロルミネッセンスの製造時間をより短縮することができる。
本発明の電子機器は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法により製造された有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、色純度が高く、色再現性が高い有機エレクトロルミネッセンス表示装置を有する電子機器を実現することができ、生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明のハーフミラー、ハーフミラーの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置（有機ＥＬディスプレイ）を有する有機ＥＬ表示モジュールの実施形態を示す平面図、図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態におけるガラス基板上に形成された赤色、緑色、青色の各色に対応するサブピクセルのうち、赤色に対応したサブピクセルを示す断面図、図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態における有機ＥＬ素子を示す断面図、図４は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態における各色に対応する画素回路（各色に対応するサブピクセル）からの光の出射を説明するための図、図５は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態におけるスペーサの形成方法を説明するための図、図６は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態におけるハーフミラーの形成方法を説明するための図である。
【００２４】
なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１および図２中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。図３〜図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
また、ハーフミラー（ハーフミラーの製造方法）は、有機ＥＬ表示装置１１（有機ＥＬ表示装置１１の製造方法）に含まれるので、その有機ＥＬ表示装置１１の説明が、ハーフミラーの説明を兼ねる。
【００２５】
図１に示すように、有機ＥＬ表示モジュール１０は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置（有機ＥＬディスプレイ）１１を有しており、その有機ＥＬ表示装置１１の図中下側にはフレキシブル基板１２が接続されている。
有機ＥＬ表示装置１１は、本実施形態ではトップエミッション型（トップエミッション構造）の表示装置（ディスプレイ）であって、平面板状の基板としてのガラス基板（基板）１３を備えている。そのガラス基板１３の表面（画素形成面１３ａ）の略中央位置には、四角形状の表示領域１４が形成されている。
【００２６】
その表示領域１４内には、図１において上下方向（列方向）に延びる複数のデータ線Ｌｄと、各データ線Ｌｄに併設される電源線Ｌｖとが所定の間隔をおいて配列されている。また、データ線Ｌｄと直交する方向（行方向）に延びる複数の走査線Ｌｓが所定の間隔をおいて配列されている。これらデータ線Ｌｄと走査線Ｌｓの交差する位置には、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）にそれぞれ対応したサブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂが形成されている。すなわち、サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂが、それぞれ対応するデータ線Ｌｄ、電源線Ｌｖおよび走査線Ｌｓに接続されることによってマトリックス状に、繰り返し配列されている。そして、走査線Ｌｓ上の、順番に繰り返し配設される赤色、緑色、青色に対応したサブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂをそれぞれ一つの組として、画素回路１５を構成している。
画素回路１５は、駆動電流が供給されることによって発光する電気光学素子としての有機ＥＬ素子（有機エレクロトルミネッセンス素子）１６、その有機ＥＬ素子１６の発光を制御する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７、さらには図示しない容量素子等を有している。
【００２７】
画素形成面１３ａの一側端であって表示領域１４の左側には、ＣＯＧ（Chip on glass ）方式で実装される走査線駆動回路１８が形成されている。走査線駆動回路１８は、前記各走査線Ｌｓに対して、走査線Ｌｓ上のサブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂを選択するための走査信号を出力するようになっている。また、走査線駆動回路１８は、図示しないプリント基板に接続されて、そのプリント基板の制御用ＩＣ等から出力される制御信号に基づいて、前記走査信号を所定の走査線Ｌｓに所定のタイミングで出力するようになっている。そして、画素形成面１３ａの略全面を四角形状の保護ガラス基板１３ｂ（図１における２点鎖線）で覆うことによって、これら走査線駆動回路１８および表示領域１４が保護されるようになっている。
【００２８】
画素形成面１３ａの一側端であって表示領域１４の下側には、データ線端子形成部１９が形成されている。そのデータ線端子形成部１９には、各データ線Ｌｄに対応する複数のデータ線端子（図示しない）が形成されている。各データ線端子は、例えば、銅箔等で形成される端子であって、ガラス基板１３の下側辺１３ｃに沿って等ピッチで配列されてそれぞれ対応するデータ線Ｌｄに電気的に接続されている。そして、各データ線端子が前記保護ガラス基板１３ｂから露出することによって、各データ線Ｌｄが、外部との電気的な接続を可能にする。
【００２９】
図１に示すように、画素形成面１３ａの一側端であってデータ線端子形成部１９の表側には、フレキシブル基板１２が接続されている。そのフレキシブル基板１２には、基板本体２０が備えられている。基板本体２０は、上下方向に長い長尺状に形成された可撓性基板であって電気的絶縁性を有するポリイミド樹脂等で形成されている。そして、フレキシブル基板１２は、その基板本体２０の表面（図１における裏側の面）を画素形成面１３ａと向かい合わせるように配設されている。基板本体２０の表面であって、前記データ線端子形成部１９と対向する位置には、外部端子形成部２３が設けられている。その外部端子形成部２３には、複数の接続端子（図示しない）が前記データ線端子と相対するピッチ幅で形成されている。そして、フレキシブル基板１２は、いわゆる異方性導電膜（ＡＣＦ）方式によって各接続端子と対応するデータ線端子とを電気的に接続して有機ＥＬ表示装置１１（有機ＥＬ表示モジュール１０）に実装される。
【００３０】
外部端子形成部２３の下側には、駆動用ＩＣチップ２７が配設されている。駆動用ＩＣチップ２７は、有機ＥＬ素子１６を発光させるための駆動信号および駆動電圧を生成し供給する。駆動用ＩＣチップ２７は、前記異方性導電膜（ＡＣＦ）方式によって基板本体２０（フレキシブル基板１２）に実装されている。
そして、その駆動用ＩＣチップ２７の出力側（有機ＥＬ表示装置１１側）に形成された図示しない接続端子と前記外部端子形成部２３に形成された接続端子とが出力配線３０によって接続されることによって、駆動用ＩＣチップ２７が、各データ線Ｌｄおよび電源線Ｌｖと電気的に接続される。また、駆動用ＩＣチップ２７の入力側（図１中下側）に形成された図示しない接続端子と図示しないプリント基板の制御用ＩＣが入力配線３１によって接続されることによって、駆動用ＩＣチップ２７が、その制御用ＩＣと電気的に接続される。
【００３１】
そして、駆動用ＩＣチップ２７は、制御用ＩＣから出力される制御信号に基づいて、駆動電圧を電源線Ｌｖに供給するとともに、データ信号を所定のデータ線Ｌｄに所定のタイミングで出力する。すなわち、駆動用ＩＣチップ２７が前記走査信号によって選択された画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）に前記データ信号を出力すると、画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）の有機ＥＬ素子１６がそのデータ信号に基づいて発光する。
【００３２】
このように、本実施形態では、赤色、緑色、青色にそれぞれ対応したサブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂを設けることにより、フルカラー表示を行うように構成されている。
次に、前記サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂについて説明するが、これらは、後述する陽極Ｐｃ、すなわち、スペーサＰｓの膜厚（厚さ）が互いに異なり、発光層Ｏｒの構成材料が異なる以外は同様であるので、以下、代表的に、サブピクセル１５Ｒについて説明する（サブピクセル１５Ｇ、１５Ｂの図示および説明は省略する）。
図２に示すように、ＴＦＴ１７は、その最下層にチャンネル膜Ｂ１を備えている。チャンネル膜Ｂ１は、画素形成面１３ａ上に形成される島状のｐ型ポリシリコン膜であって、図２における左右両側には、活性化した図示しないｎ型領域（ソース領域およびドレイン領域）を備えている。すなわち、ＴＦＴ１７は、いわゆるポリシリコン形ＴＦＴである。
【００３３】
チャンネル膜Ｂ１の上側中央位置には、画素形成面１３ａ側から順に、ゲート絶縁膜Ｄ０、ゲート電極Ｐｇおよびゲート配線Ｍ１が形成されている。ゲート絶縁膜Ｄ０は、例えば、シリコン酸化膜等の光透過性を有する絶縁膜であって、画素形成面１３ａの略全面に堆積されている。ゲート電極Ｐｇは、例えば、タンタル等の低抵抗金属膜であって、チャンネル膜Ｂ１の略中央位置に形成されている。ゲート配線Ｍ１は、例えば、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜であって、ゲート電極Ｐｇと駆動用ＩＣチップ２７（図１参照）とを電気的に接続している。そして、駆動用ＩＣチップ２７がゲート配線Ｍ１を介してゲート電極Ｐｇにデータ信号を入力すると、ＴＦＴ１７は、そのデータ信号に基づいてオン状態となる。
【００３４】
チャンネル膜Ｂ１であって前記ソース領域およびドレイン領域の上側には、図２において上側に延びるソースコンタクトＳｃおよびドレインコンタクトＤｃが形成されている。各コンタクトＳｃ、Ｄｃは、例えば、チャンネル膜Ｂ１とのコンタクト抵抗を低くする金属シリサイド等の金属膜で形成されている。そして、これら各コンタクトＳｃ、Ｄｃおよびゲート電極Ｐｇ（ゲート配線Ｍ１）は、例えば、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜Ｄ１によってそれぞれ電気的に絶縁されている。
【００３５】
各コンタクトＳｃ、コンタクトＤｃの上側には、それぞれ、例えば、アルミニウム等の低抵抗金属膜からなる電源線Ｍ２ｓおよび陽極線Ｍ２ｄが形成されている。電源線Ｍ２ｓは、ソースコンタクトＳｃと図示しない駆動電源とを電気的に接続している。陽極線Ｍ２ｄは、ドレインコンタクトＤｃと有機ＥＬ素子１６とを電気的に接続している。これら電源線Ｍ２ｓおよび陽極線Ｍ２ｄは、例えば、シリコン酸化膜等の絶縁性材料からなる平坦化膜Ｄ２によってそれぞれ電気的に絶縁されている。また、この平坦化膜Ｄ２を形成することで、その平坦化膜Ｄ２上に形成される有機ＥＬ素子１６を平坦化することができる。そして、ＴＦＴ１７がデータ信号に基づいてオン状態となると、そのデータ信号に応じた駆動電流が、電源線Ｍ２ｓ（駆動電源）から陽極線Ｍ２ｄ（有機ＥＬ素子１６）に供給される。
【００３６】
図２に示すように、平坦化膜Ｄ２の上側には、有機ＥＬ素子１６が形成されている。その有機ＥＬ素子１６の最下層には、陽極（電極）Ｐｃが形成されている。
陽極Ｐｃは、図３に示すように、反射層（光反射層）Ｐｒと、この上部に積層された光透過性の導電性スペーサとしてのスペーサＰｓとの積層構造で構成されている。
ここで、光反射層は、平坦化膜Ｄ２の上側で、かつ隔壁Ｄ３ａの内側であって、陽極Ｐｃ側（光の出射側と反対側に位置する電極側）に配置されるのが好ましい。本実施形態では、陽極Ｐｃ（光の出射側と反対側に位置する電極）の一部（下層の一部）が、光反射層を兼ねる。すなわち、反射層Ｐｒの一部が、光反射層を構成する。なお、本発明では、光反射層が、陽極Ｐｃとは、別の部材で構成されていてもよい。
【００３７】
反射層Ｐｒは、本実施形態では、例えば、Ｃｒ等の金属材料で形成されている。反射層Ｐｒの膜厚（厚さ）は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、２０〜５００ｎｍ程度とするのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度とするのがより好ましい。
導電性スペーサは、反射層Ｐｒの上側で、かつ隔壁Ｄ３ａの内側であって、陽極Ｐｃ側（光の出射側と反対側に位置する電極側）に配置されるのが好ましい。本実施形態では、陽極Ｐｃ（光の出射側と反対側に位置する電極）の一部（上層）が、導電性スペーサを兼ねる。すなわち、スペーサＰｓが、導電性スペーサを構成する。なお、本発明では、導電性スペーサが、陽極Ｐｃと、別部材で構成されていてもよい。
【００３８】
スペーサＰｓは、本実施形態では、例えば、ＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜であって、例えば、１０ｎｍ以上の膜厚で形成されているのが好ましい。このスペーサＰｓは、本実施形態では、各色に応じてその膜厚を異ならせており、図４に示すように、青色に対応するサブピクセル１５ＢのスペーサＰｓｂ、緑色に対応するサブピクセル１５ＧのスペーサＰｓｇ、赤色に対応するサブピクセル１５ＲのスペーサＰｓｒの順で厚くなるように形成されている。
【００３９】
図２に示すように、陽極Ｐｃは、その一端が陽極線Ｍ２ｄに接続されている。陽極Ｐｃの上側外周には、その陽極Ｐｃを囲むように第３層間絶縁膜Ｄ３が堆積されている。第３層間絶縁膜Ｄ３は、例えば、感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜で形成され、各有機ＥＬ素子１６の陽極Ｐｃを電気的に絶縁している。また、第３層間絶縁膜Ｄ３は、陽極Ｐｃの上側を開放して、その内周面からなる隔壁Ｄ３ａを形成している。
陽極Ｐｃの上側であって隔壁Ｄ３ａの内側には、有機材料を主材料とする有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）Ｏｅが形成されている。有機ＥＬ層Ｏｅは、図３に示すように、正孔輸送層Ｏｔと発光層Ｏｒの２層からなる有機化合物層である。
【００４０】
正孔輸送層Ｏｔの膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、２０〜２００ｎｍ程度とするのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度とするのがより好ましい。
また、発光層Ｏｒは、赤色の光を発光する発光層である。発光層Ｏｒの膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、２０〜２００ｎｍ程度とするのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度とするのがより好ましい。
なお、サブピクセル１５Ｇ、１５Ｂの発光層Ｏｒは、それぞれ、緑色の光、青色の光を発光する発光層である。
【００４１】
前記有機ＥＬ層Ｏｅの上側には、陰極（電極）Ｐａが形成されている。陰極Ｐａの膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、２〜２００ｎｍ程度とするのが好ましく、５〜５０ｎｍ程度とするのがより好ましい。
また、陰極Ｐａの構成材料は、導電性および光透過性を有するものであれば、特に限定されない。この陰極Ｐａは、本実施形態では、例えば、下層にＭｇとＡｇの合金等の金属膜、上層にＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜の積層構造で構成されている。
【００４２】
この場合、下層の膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、２〜２００ｎｍ程度とするのが好ましく、５〜５０ｎｍ程度とするのがより好ましい。また、上層の膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、２〜２００ｎｍ程度とするのが好ましく、５〜５０ｎｍ程度とするのがより好ましい。
図２に示すように、陰極Ｐａは、画素形成面１３ａ側全面を覆うように形成され、各画素回路１５が共有することによって各有機ＥＬ素子１６に共通する電位を供給するようになっている。
【００４３】
陰極Ｐａの上側であって隔壁Ｄ３ａの内側には、ハーフミラー層Ｈｍが形成されている。このハーフミラー層Ｈｍにより、光の色順度を向上させることができる。
ここで、「ハーフミラー層」は、そのハーフミラー層への入射光のうち、５０％を透過し、５０％を反射する構成のものに限らず、入射光の一部を透過し、残部を反射するものが含まれる。また、ハーフミラー層としては、例えば、屈折率の異なる複数の膜を積層して干渉させる積層構造や、偏光板のような構造のものも含まれる。
【００４４】
ハーフミラー層Ｈｍの構成材料は、特に限定されないが、本実施形態では、例えば、ＡｌとＣｕの合金等の金属材料で形成されている。ハーフミラー層Ｈｍの膜厚（厚さ）は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、５〜１０ｎｍ程度であるのが好ましい。ハーフミラー層Ｈｍの膜厚が前記下限値より薄いと、その他の諸条件によっては、外部へ出射する光の光量（発光光量）が、小さ過ぎてしまい、また、前記上限値より厚いと、その他の諸条件によっては、色純度を向上させる効果が小さくなってしまう。
【００４５】
また、ハーフミラー層Ｈｍは、発光層Ｏｒより光の出射側に配置されるのが好ましい。本実施形態では、ハーフミラー層Ｈｍは、陰極Ｐａ（光の出射側に位置する電極）より光の出射面（出射側）に配置されている。これにより、光の色純度をより向上させることができる。また、ハーフミラー層Ｈｍの、有機ＥＬ素子１６を構成する他の部位への悪影響を無くすことができる。
【００４６】
なお、ハーフミラー層Ｈｍは、例えば、陰極Ｐａと発光層Ｏｒとの間に配置することもできる。
また、図４に示すように、サブピクセル１５Ｇ、１５Ｂの陰極Ｐａの上側であって隔壁Ｄ３ａの内側にも、それぞれ、サブピクセル１５Ｒと同様に、ハーフミラー層Ｈｍが形成されている。
【００４７】
なお、ハーフミラー層Ｈｍは、必ずしもすべてのサブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの有機ＥＬ素子１６に設ける必要はなく、光の色純度の悪いサブピクセルの有機ＥＬ素子１６のみに設けるのが好ましい。
これにより、光の色純度の良いサブピクセルの有機ＥＬ素子１６には、ハーフミラー層Ｈｍが設けられないので、そのサブピクセルの有機ＥＬ素子１６の発光効率を高く維持することができ、寿命を長くすることができる。
【００４８】
以上のように、有機ＥＬ素子１６は、前記陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ、スペーサＰｓ）、有機ＥＬ層Ｏｅ、陰極Ｐａおよびハーフミラー層Ｈｍによって構成される。この有機ＥＬ素子１６のうちの隔壁Ｄ３ａの内側に位置する部分により、色要素の主要部が構成される。
図２に示すように、ハーフミラー層Ｈｍおよび陰極Ｐａの上側には、例えば、樹脂等のコーティング材で形成され、各種金属膜や有機ＥＬ層Ｏｅの酸化等を防止するための封止部Ｐ１が形成されている。
【００４９】
そして、データ信号に応じた駆動電流が陽極線Ｍ２ｄに供給されると、有機ＥＬ層Ｏｅは、その駆動電流に応じた輝度で発光する。この際、有機ＥＬ層Ｏｅから陰極Ｐａ側（図２における上側）に向かって発光された光は、陰極Ｐａ、ハーフミラー層Ｈｍ（ここでは、一部が透過する）、封止部Ｐ１を透過（通過）する（以下、透過光という）。また、有機ＥＬ層Ｏｅから陽極Ｐｃ側（図２における下側）に向かって発光された光は、陽極Ｐｃの反射層Ｐｒによって反射され（以下、反射光という）、スペーサＰｓ、有機ＥＬ層Ｏｅ、陰極Ｐａ、ハーフミラー層Ｈｍ（ここでは、一部が透過する）、封止部Ｐ１を透過する。
【００５０】
すなわち、前記透過光と反射光とは、陰極Ｐａ内等において干渉し、その光は、ハーフミラー層Ｈｍに向って進む。
このハーフミラー層Ｈｍに向って進む光のスペクトルの波長λは、反射層Ｐｒと陰極Ｐａとの距離である光学的距離Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂ（図４参照）に依存するので、各色（赤色、緑色、青色）に応じてこの光学的距離Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂを異ならせる（変化させる）ことによって、各色に対応した光の波長λを得ることができる。本実施形態では、各色に応じて異なる厚さのスペーサＰｓ（Ｐｓｒ、Ｐｓｇ、Ｐｓｂ）を形成することによって光学的距離Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂを変化させ、各色に対応した光の波長λを得ている。
【００５１】
この結果として、図４に示すように、光の波長が最も長い赤色に対応したサブピクセル１５Ｒにおいては、光学的距離Ｌｒが最も長くなるように、スペーサＰｓｒの膜厚を最も厚くする。一方、光の波長が最も短い青色に対応したサブピクセル１５Ｂにおいては、光学的距離Ｌｂが最も短くなるように、スペーサＰｓｂの膜厚を最も薄くする。そして、光の波長が両者の間である緑色に対応したサブピクセル１５Ｇにおいては、光学的距離Ｌｇが両者の間となるように、スペーサＰｓｇの膜厚を両者の間となるようにする。
【００５２】
前記ハーフミラー層Ｈｍに向って進む光の一部は、ハーフミラー層Ｈｍを透過し、残部は、ハーフミラー層Ｈｍで反射する。
したがって、特定の周波数の整数倍の光だけを選択的に透過させるため、光の色純度が向上する。
ハーフミラー層Ｈｍを透過した光は、封止部Ｐ１を透過し、保護ガラス基板１３ｂ側から外部に出射する。
次に、有機ＥＬ表示装置１１の製造方法について説明する。
【００５３】
まず、ガラス基板１３を用意する。そして、そのガラス基板１３上の画素形成面１３ａ全面にジシラン等を原料ガスにするＣＶＤ法等によってアモルファスシリコン膜を堆積する。次に、エキシマレーザ等によってそのアモルファスシリコン膜に紫外光を照射し、画素形成面１３ａ全面に結晶化したポリシリコン膜を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法およびエッチング法等によってそのポリシリコン膜をパターニングし、チャンネル膜Ｂ１を形成する。
【００５４】
チャンネル膜Ｂ１を形成すると、シラン等を原料ガスにするＣＶＤ法等によってチャンネル膜Ｂ１および画素形成面１３ａの上側全面にシリコン酸化膜等を堆積してゲート絶縁膜Ｄ０を形成する。ゲート絶縁膜Ｄ０を形成すると、スパッタ法等によってゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にタンタル等の低抵抗金属膜を堆積し、その低抵抗金属膜をパターニングすることによって、ゲート絶縁膜Ｄ０の上側にゲート電極Ｐｇを形成する。ゲート電極Ｐｇを形成すると、そのゲート電極Ｐｇをマスクにしたイオンドーピング法によって、チャンネル膜Ｂ１にｎ型領域（ソース領域およびドレイン領域）を形成する。続いて、スパッタ法等によってゲート電極Ｐｇおよびゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にＩＴＯ等の光透過性を有する透明導電膜を堆積し、その透明導電膜をパターニングすることによって、ゲート電極Ｐｇの上側にゲート配線Ｍ１を形成する。
【００５５】
ゲート配線Ｍ１を形成すると、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を原料にするＣＶＤ法によってゲート配線Ｍ１およびゲート絶縁膜Ｄ０の上側全面にシリコン酸化膜等を堆積して第１層間絶縁膜Ｄ１を形成する。第１層間絶縁膜Ｄ１を形成すると、フォトリソグラフィ法やエッチング法等によって、ソース領域およびドレイン領域から図２における上側に第１層間絶縁膜Ｄ１の上側までを開放する一対の円形孔（コンタクトホールＨｄ、Ｈｓ）を形成する。コンタクトホールＨｄ、Ｈｓを形成すると、スパッタ法等によってそのコンタクトホールＨｄ、Ｈｓ内を金属シリサイド等で埋め込みながら第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面に金属膜を堆積する。そして、エッチング法等によってコンタクトホールＨｄ、Ｈｓ内以外の金属膜を除去し、ソースコンタクトＳｃおよびドレインコンタクトＤｃを形成する。
【００５６】
各コンタクトＳｃ、Ｄｃを形成すると、スパッタ法等によって各コンタクトＳｃ、Ｄｃおよび第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面にアルミニウム等の金属膜を堆積し、その金属膜をパターニングして各コンタクトＳｃ、Ｄｃに接続する電源線Ｍ２ｓおよび陽極線Ｍ２ｄを形成する。次に、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）等を原料にするＣＶＤ法によって、これら電源線Ｍ２ｓ、陽極線Ｍ２ｄおよび第１層間絶縁膜Ｄ１の上側全面にシリコン酸化膜等を堆積して平坦化膜Ｄ２を形成する。続いて、フォトリソグラフィ法やエッチング法等によって、陽極線Ｍ２ｄの一部から図２における上側に平坦化膜Ｄ２の上側まで開放する円形孔（ビアホールＨｖ）を形成する。ビアホールＨｖを形成すると、スパッタ法等によって、そのビアホールＨｖ内を埋め込みながら平坦化膜Ｄ２の上側全面にクロム等の金属膜を堆積する。そして、この金属膜をパターニングして、ビアホールＨｖを介して陽極線Ｍ２ｄと接続する陽極Ｐｃ（反射層Ｐｒ）を形成する。
【００５７】
反射層Ｐｒを形成すると、その反射層Ｐｒ上にレジスト等のマスクを形成して、反射層Ｐｒおよび平坦化膜Ｄ２の上側全面に感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜を堆積する。そして、前記レジスト等を剥離して、隔壁Ｄ３ａを備えた第３層間絶縁膜Ｄ３を形成する。
なお、ガラス基板１３と、ここまでの各工程でそのガラス基板１３上に形成された各構成要素により、色要素となるべき複数の区画が形成された基体の主要部が構成される。また、隔壁Ｄ３ａの内部、すなわち、隔壁Ｄ３ａで規定（画性）される凹部は、前記区画に対応する。
【００５８】
隔壁Ｄ３ａを形成すると、続いて、その隔壁Ｄ３ａ内に陽極Ｐｃ（スペーサＰｓ）を形成する。
ここで、本実施形態では、いわゆるインクジェット法により、スペーサＰｓ、有機ＥＬ層Ｏｅ（正孔輸送層Ｏｔ、発光層Ｏｒ）、ハーフミラー層Ｈｍを形成する。
すなわち、スペーサＰｓの形成は、ガラス基板１３（基体）と、後述する液滴吐出ヘッド４４とを相対的に移動させ、導電性材料を含んだ機能液（導電性スペーサ形成用の液状材料）としてのＩＴＯ形成材料５１をノズルＮから液滴として吐出して複数の隔壁Ｄ３ａ内（区画）に付与し、前記隔壁Ｄ３ａ内に付与されたＩＴＯ形成材料５１を加熱して行う。
【００５９】
同様に、正孔輸送層Ｏｔの形成は、ガラス基板１３（基体）と、液滴吐出ヘッド４４とを相対的に移動させ、正孔輸送層Ｏｔの構成材料として有機材料を含んだ機能液（正孔輸送層形成用の液状材料）をノズルＮから液滴として吐出して複数の隔壁Ｄ３ａ内（区画）に付与し、前記隔壁Ｄ３ａ内に付与された機能液を加熱して行う。
同様に、発光層Ｏｒの形成は、ガラス基板１３（基体）と、液滴吐出ヘッド４４とを相対的に移動させ、発光層Ｏｒの構成材料として有機発光材料を含んだ機能液（発光層形成用の液状材料）をノズルＮから液滴として吐出して複数の隔壁Ｄ３ａ内（区画）に付与し、前記隔壁Ｄ３ａ内に付与された機能液を加熱して行う。
【００６０】
同様に、ハーフミラー層Ｈｍの形成は、ガラス基板１３（基体）と、液滴吐出ヘッド４４とを相対的に移動させ、ハーフミラー層Ｈｍの構成材料を含んだ機能液、すなわち、ハーフミラー層形成材料（ハーフミラー層形成用の液状材料）５２をノズルＮから液滴として吐出して複数の隔壁Ｄ３ａ内（区画）のうちの所定の隔壁Ｄ３ａ内（区画）に選択的に付与し、前記隔壁Ｄ３ａ内に付与されたハーフミラー層形成材料５２を乾燥して行う。
なお、スペーサＰｓ、有機ＥＬ層Ｏｅ（正孔輸送層Ｏｔ、発光層Ｏｒ）については、それぞれ、他の方法で形成してもよい。
まず、スペーサＰｓを形成するための液滴吐出装置の構成について説明する。なお、有機ＥＬ層Ｏｅ（正孔輸送層Ｏｔ、発光層Ｏｒ）、ハーフミラーＨｍを形成するための液滴吐出装置については、スペーサＰｓを形成するための液滴吐出装置と同様であるので、その説明は、省略する。
【００６１】
図５に示すように、ガラス基板１３（基体）の上側には、液滴吐出装置の液滴吐出手段の主要部を構成する液滴吐出ヘッド４４が配置されている。その液滴吐出ヘッド４４には、ノズルプレート４５が備えられている。そのノズルプレート４５の一側面であってガラス基板１３側の面（ノズル形成面４５ａ）には、導電性材料を含んだ機能液（導電性スペーサ形勢用の液状材料）としてのＩＴＯ形成材料５１を吐出する多数のノズルＮが、その中心線が鉛直方向Ｚと略並行になるように形成されている。また、ガラス基板１３は、その画素形成面１３ａがノズル形成面４５ａと平行になるように、液滴吐出装置の図示しないステージ上に載置されている。そして、ステージ（ガラス基板１３）と液滴吐出ヘッド４４とを相対的に移動させ、ガラス基板１３上の各隔壁Ｄ３ａの中心位置がそれぞれノズルＮの中心位置と相対向するように位置決めされる。
【００６２】
各ノズルＮの上側には、図示しない収容タンクに連通してＩＴＯ形成材料５１をノズルＮ内に供給可能にする供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色の各色に対応して形成されている。各供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂの上側には、鉛直方向Ｚに沿って往復振動して各供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂ内の容積を拡大縮小する振動板４７が配設されている。その振動板４７の上側であって各供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂと相対向する位置には、それぞれ鉛直方向Ｚに沿って伸縮動して振動板４７を振動させる圧電素子４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂがそれぞれ赤色、緑色、青色の各色に対応して配設されている。
次に、上記した液滴吐出装置によるスペーサＰｓの形成方法について説明する。
【００６３】
まず、液滴吐出ヘッド４４にスペーサＰｓを形成するため駆動信号を入力する。すると、その駆動信号に基づいて各圧電素子４８Ｒ、４８Ｇ、４８Ｂがそれぞれ伸縮動し、各供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂの容積がそれぞれ拡大縮小する。この時、各供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂの容積が縮小すると、縮小した容積分のＩＴＯ形成材料５１が、各ノズルＮから液滴Ｄｓとして対応する隔壁Ｄ３ａ内に吐出、付与される。続いて、各供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂの容積が拡大すると、拡大した容積分のＩＴＯ形成材料５１が、図示しない収容タンクから供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂ内にそれぞれ供給される。
【００６４】
すなわち、液滴吐出ヘッド４４は、こうした各供給室４６Ｒ、４６Ｇ、４６Ｂをそれぞれ拡大縮小させることによって、各色について、それぞれ、スペーサＰｓ（Ｐｓｒ、Ｐｓｇ、Ｐｓｂ）の目標の膜厚に対応した所定量のＩＴＯ形成材料５１を隔壁Ｄ３ａ内に吐出、付与する。そして、隔壁Ｄ３ａ内に付与されたＩＴＯ形成材料５１を所定時間だけ放置してそのＩＴＯ形成材料５１を乾燥させた後、ガラス基板１３を図示しない焼成室に搬送して焼成（加熱）することにより、導電性を有するスペーサＰｓ（Ｐｓｒ、Ｐｓｇ、Ｐｓｂ）が、色毎にそれぞれ異なる目標の膜厚で形成される。
【００６５】
このように、インクジェット法を用いることにより、例えば、フォトリソグラフィ法によってスペーサＰｓ（Ｐｓｒ、Ｐｓｇ、Ｐｓｂ）を形成するときのように、色毎に膜厚を変えるための複数回のフォトリソグラフィ工程が不要となるため、製造工程を低減することができ、生産性を向上させることができる。さらに、所望の位置へ、所望の量のＩＴＯ形成材料５１を付与することができるので、フォトリソグラフィ工程によってスペーサＰｓを形成する場合に比べ、使用するＩＴＯ形成材料５１の量を低減することができ（例えば、エッチング等により不要な部分を除去する必要がない）、所望の位置へ、所望の膜厚のスペーサＰｓを、迅速かつ確実に形成することができる。
【００６６】
スペーサＰｓを形成すると、前記インクジェット法によって、隔壁Ｄ３ａに囲まれたスペーサＰｓ上に、正孔輸送層Ｏｔの構成材料として有機材料を含んだ正孔輸送層形成用の液状材料を液滴として吐出、付与し、その液状材料を乾燥および固化（加熱）することによって正孔輸送層Ｏｔを形成する。さらに、前記インクジェット法によって、隔壁Ｄ３ａに囲まれた正孔輸送層Ｏｔ上に、発光層Ｏｒの構成材料として有機発光材料を含んだ発光層形成用の液状材料を液滴として吐出、付与し、その液状材料を乾燥および固化（加熱）することによって発光層Ｏｒを形成する。これによって、正孔輸送層Ｏｔと発光層Ｏｒとを備えた有機ＥＬ層Ｏｅを形成する。このように、インクジェット法を用いることにより、前記スペーサＰｓの形成において述べた効果と同様の効果が得られる。
【００６７】
有機ＥＬ層Ｏｅを形成すると、スパッタ法等によって、その有機ＥＬ層Ｏｅおよび第３層間絶縁膜Ｄ３の上側全面にアルミニウム等の金属膜を堆積して陰極Ｐａを形成する。
陰極Ｐａの上側表面であって、かつ、隔壁Ｄ３ａの外側には、所定の表面処理（下地処理）がなされてもよい。この表面処理としては、例えば、所定の気相成膜法等により、撥液性の膜等を形成する。これにより、ハーフミラー層形成材料５２の隔壁Ｄ３ａの外側への濡れ広がりを防止することができる。
【００６８】
陰極Ｐａを形成すると、図６に示すように、前記インクジェット法によって、隔壁Ｄ３ａ内の陰極Ｐａ上にハーフミラー層Ｈｍを形成する。
すなわち、各色について、それぞれ、ハーフミラー層Ｈｍの目標の膜厚に対応した所定量のハーフミラー層形成材料５２を隔壁Ｄ３ａ内に吐出、付与する。そして、隔壁Ｄ３ａ内に付与されたハーフミラー層形成材料５２を所定時間だけ放置してそのハーフミラー層形成材料５２を乾燥させる。
【００６９】
また、ハーフミラー層Ｈｍの膜厚（厚さ）は、５〜１０ｎｍ程度であるのが好ましい。
ハーフミラー層Ｈｍの膜厚が前記下限値より薄いと、その他の諸条件によっては、外部へ出射する光の光量（発光光量）が、小さ過ぎてしまい、また、前記上限値より厚いと、その他の諸条件によっては、色純度を向上させる効果が小さくなってしまう。
なお、前述したように、ハーフミラー層Ｈｍは、光の色純度の悪いサブピクセルの有機ＥＬ素子１６のみに設けるのが好ましい。
【００７０】
このように、インクジェット法を用いることにより、例えば、フォトリソグラフィ法によってハーフミラー層Ｈｍを形成するときのように、複数回のフォトリソグラフィ工程が不要となるため、製造工程を低減することができ、生産性を向上させることができる。さらに、所望の位置へ、所望の量のハーフミラー層形成材料５２を付与することができるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層Ｈｍを形成する場合に比べ、使用するハーフミラー層形成材料５２の量を低減することができ（例えば、エッチング等により不要な部分を除去する必要がない）、所望の位置へ、所望の膜厚のハーフミラー層Ｈｍを、迅速かつ確実に形成することができる。
【００７１】
ここで、ハーフミラー層形成材料５２は、本実施形態では、溶媒（有機溶媒または無機溶媒）中に、例えば、ＡｌとＣｕの合金等の金属粉末（金属粒子）を分散させたものである。
前記金属粉末の平均粒径（直径）は、１００ｎｍ以下であるのが好ましく、１〜５ｎｍ程度であるのがより好ましい。
金属粉末の平均粒径が前記上限値より大きいと、ノズルＮの目詰りがし生じ易くなる。
また、ハーフミラー層形成材料５２の粘度は、１〜２０ｃｐ程度であるのが好ましく、２〜８ｃｐ程度であるのがより好ましい。
【００７２】
ハーフミラー層形成材料５２の粘度が前記上限値より大きいと、ノズルＮからハーフミラー層形成材料５２を円滑に吐出させることができず、ノズルＮの孔径を大きくする等の装置の仕様を変更する必要等が生じる。また、粘度が大きい場合、ハーフミラー層形成材料５２が乾燥し易くなり、ノズルＮの目詰りの発生頻度が高くなる。
また、ハーフミラー層形成材料５２の粘度が前記下限値より小さいと、ノズルＮからハーフミラー層形成材料５２を安定的に吐出させるのが困難となる。
【００７３】
また、ハーフミラー層形成材料５２のノズルプレート４５のノズル形成面４５ａに対する接触角は、３０〜７０°程度であるのが好ましく、３５〜６５°程度であるのがより好ましい。
これにより、ハーフミラー層形成材料５２の飛行曲がりを抑制することができ、精密なパターニングが可能となる。
すなわち、ハーフミラー層形成材料５２のノズル形成面４５ａに対する接触角が前記上限値より大きいと、ハーフミラー層形成材料５２とノズルＮとの相互作用が極小となり、ノズルＮの先端でのメニスカス形状が安定しないため、ハーフミラー層形成材料５２の吐出量、吐出タイミングの制御が困難となる。
【００７４】
また、ハーフミラー層形成材料５２のノズル形成面４５ａに対する接触角が前記下限値より小さいと、ハーフミラー層形成材料５２のノズル形成面４５ａに対する濡れ性が増大するため、ハーフミラー層形成材料５２を吐出する際、ハーフミラー層形成材料５２がノズルＮの先端開口の周囲に非対称に付着することがある。この場合、ノズルＮの先端開口に付着したハーフミラー層形成材料５２と、吐出しようとするハーフミラー層形成材料５２との相互間に引力が働くため、ハーフミラー層形成材料５２は不均一な力により吐出されることになり、目標位置に到達できない所謂飛行曲がりが生じ、また飛行曲がり頻度も高くなる。
【００７５】
また、ハーフミラー層形成材料５２の表面張力は、２０〜７０ｄｙｎｅ程度であるのが好ましく、２５〜４５ｄｙｎｅ程度であるのがより好ましい。
これにより、前記接触角の場合と同様、ハーフミラー層形成材料５２の飛行曲がりを抑制することができ、精密なパターニングが可能となる。
すなわち、ハーフミラー層形成材料５２の表面張力が前記上限値より大きいと、ノズルＮの先端でのメニスカス形状が安定しないため、前記接触角の場合と同様、ハーフミラー層形成材料５２の吐出量、吐出タイミングの制御が困難となる。
【００７６】
また、ハーフミラー層形成材料５２の表面張力が前記下限値より小さいと、ハーフミラー層形成材料５２のノズル形成面４５ａに対する濡れ性が増大するため、前記接触角の場合と同様、飛行曲がりが生じ、飛行曲がり頻度も高くなる。
なお、前記ＩＴＯ形成材料５１、正孔輸送層形成用の液状材料、発光層形成用の液状材料の各物性や特性についても、それぞれ、前記ハーフミラー層形成材料５２と同様であるのが好ましい。
【００７７】
ハーフミラー層Ｈｍを形成すると、ＣＶＤ法等によって、陰極Ｐａおよびハーフミラー層Ｈｍの上側全面に樹脂等のコーティング材を堆積して封止部Ｐ１を形成する。続いて、封止部Ｐ１上にレジスト等のマスクを形成して、その封止部Ｐ１の上側全面に感光性ポリイミドやアクリル等の樹脂膜を堆積する。そして、前記レジスト等を剥離して、隔壁Ｄ４ａを備えた第４層間絶縁膜Ｄ４を形成する。そして、隔壁Ｄ４ａ内にカラーフィルタＣＦＲ（ＣＦＧ、ＣＦＢ）を形成して封止部Ｐ２によって封止することにより、画素形成面１３ａ上に有機ＥＬ素子１６を備えた画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）が形成される。
以上説明したように、この有機ＥＬ表示装置によれば、光の色純度が向上し、これによって、色再現性を向上させることができる。
【００７８】
また、ハーフミラー層Ｈｍは、ハーフミラー層形成材料５２をノズルＮから液滴として吐出して付与し、加熱することにより形成されるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層Ｈｍを形成する場合に比べ、製造工程数が減少し、生産性を向上させることができる。さらに、所望の位置へ、所望の量のハーフミラー層形成材料を付与することができるので、フォトリソグラフィ工程によってハーフミラー層Ｈｍを形成する場合に比べ、使用するハーフミラー層形成材料の量を低減することができ、所望の位置へ、所望の膜厚のハーフミラー層Ｈｍを、迅速かつ確実に形成することができる。
また、ハーフミラー層Ｈｍの形成方法と同じ方法（インクジェット法）で、他の所定の層（スペーサＰｓ、有機ＥＬ層Ｏｅ（正孔輸送層Ｏｔ、発光層Ｏｒ））を形成することができるので、全体の製造時間を短縮することができる。
【００７９】
なお、上記実施形態では、サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの発光層Ｏｒとして、それぞれ、赤色、緑色、青色の光を発光する発光層Ｏｒを用いているが、本発明では、これに限らず、例えば、サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの発光層Ｏｒとして、すべて、白色光を発光する発光層Ｏｒを用い、それぞれの有機ＥＬ素子１６の上面に、カラーフィルタを配置してフルカラー表示を行うように構成してもよい。また、サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂの発光層Ｏｒとして、それぞれ、赤色、緑色、青色の光を発光する発光層Ｏｒを用い、それぞれの有機ＥＬ素子１６の上面に、カラーフィルタを配置してもよい。
また、上記実施形態では、ガラス基板（基板）１３は、光透過性を有しているが（透明であるが）、これに限らず、基板は、例えば、ステンレス鋼等で構成された光透過性を有さない（透明でない）基板であってもよい。また、基板の構成材料は、ガラス以外の光透過性を有するものであってもよい。
【００８０】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法の第２実施形態について説明する。
図７は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第２実施形態における赤色に対応したサブピクセル（有機ＥＬ素子）を示す平面図である。
【００８１】
なお、以下の説明では、説明の便宜上、図７中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
以下、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置１１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図７に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置１１は、ボトムエミッション型（ボトムエミッション構造）の表示装置である。
【００８２】
この場合、ハーフミラー層Ｈｍは、陽極Ｐｃより光の出射面（出射側）に配置されている。
なお、ハーフミラー層Ｈｍは、例えば、陽極Ｐｃと正孔輸送層Ｏｔとの間に配置することもできる。
また、陽極Ｐｃは、例えば、ＩＴＯ等で形成され、例えば、１０ｎｍ以上の膜厚で形成されているのが好ましい。その陽極Ｐｃの膜厚は、液滴吐出装置のノズルＮから吐出される機能液の吐出量を調整することによって、各色に対応する画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）毎に、それぞれ異なる目標の膜厚にする。
【００８３】
そして、陰極Ｐａと陽極Ｐｃとの距離である光学的距離Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂをを異ならせる（変化させる）ことによって、各色に対応した光の波長λを得ることができる。
陰極Ｐａの膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、５〜５００ｎｍ程度とするのが好ましく、１００〜２００ｎｍ程度とするのがより好ましい。
また、陰極Ｐａの構成材料は、導電性および光反射性を有するものであれば、特に限定されない。この陰極Ｐａは、本実施形態では、例えば、下層にＭｇとＡｇの合金等の金属膜、上層にＡｌ等の金属膜の積層構造で構成されている。
【００８４】
この場合、下層の膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、２〜５０ｎｍ程度とするのが好ましく、５〜３０ｎｍ程度とするのがより好ましい。また、上層の膜厚は、諸条件に応じて適宜設定されるが、例えば、５〜５００ｎｍ程度とするのが好ましく、５０〜２００ｎｍ程度とするのがより好ましい。
ここで、陰極Ｐａ（光の出射側と反対側に位置する電極）の一部が、光反射層を兼ねる。すなわち、陰極Ｐａの一部が、光反射層を構成する。
【００８５】
なお、本発明では、光反射層が、陽極Ｐｃとは、別の部材で構成されていてもよい。すなわち、このボトムエミッション構造において、陰極Ｐａを光透過性を有する電極で構成し、陰極Ｐａの発光層Ｏｒと反対側にＣｒ等の金属材料からなる反射層（光反射層）を形成する構成としてもよい。
この第２実施形態によれば、前述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８６】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置および有機ＥＬ表示装置の製造方法の第３実施形態について説明する。
図８は、本発明の有機ＥＬ表示装置の第３実施形態における有機ＥＬ素子を示す平面図である。
【００８７】
なお、以下の説明では、説明の便宜上、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第３実施形態の有機ＥＬ表示装置１１について、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
図８に示すように、第３実施形態の有機ＥＬ表示装置１１は、トップエミッション構造の有機ＥＬ素子１６を積層したマルチフォトン構造の表示装置である。
【００８８】
スペーサＰｓの膜厚は、液滴吐出装置のノズルＮから吐出される機能液の吐出量を調整することによって、各色に対応する画素回路１５（サブピクセル１５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ）毎に、それぞれ異なる目標の膜厚にする。
そして、陰極Ｐａと陽極Ｐｃとの距離である光学的距離Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂを異ならせる（変化させる）ことによって、各色に対応した光の波長λを得ることができる。
【００８９】
また、マルチフォトン構造、すなわち有機ＥＬ層Ｏｅ（発光層Ｏｒ）を重ねることによって発生するフォトンの量が増加し、１００％超相当の内部量子効率が可能となる。この結果、色再現性を向上しながらも、輝度が高く（明るく）、長寿命の有機ＥＬ表示装置１１（有機ＥＬ素子１６）を少ない製造工程数で製造することができる。
この第３実施形態によれば、前述した第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００９０】
＜本発明の電子機器の実施形態＞
前述したようなエレクトロルミネッセンス表示装置等の画像表示装置（電気光学装置）１０００は、各種電子機器の表示部に用いることができる。
図９は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【００９１】
このパーソナルコンピュータ１１００においては、表示ユニット１１０６が画像表示装置１０００を備えている。
図１０は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、画像表示装置１０００を表示部に備えている。
【００９２】
図１１は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００９３】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、画像表示装置１０００が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【００９４】
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００９５】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００９６】
なお、本発明の電子機器は、上述したパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類等に適用することができる。
【００９７】
以上、本発明のハーフミラー、ハーフミラーの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
また、本発明は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９８】
【図１】本発明の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置（有機ＥＬディスプレイ）を有する有機ＥＬ表示モジュールの実施形態を示す平面図。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態におけるサブピクセルを示す断面図。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態における有機ＥＬ素子を示す断面図。
【図４】本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態における画素回路（サブピクセル）からの光の出射を説明するための図。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態におけるスペーサの形成方法を説明するための図。
【図６】本発明の有機ＥＬ表示装置の第１実施形態におけるハーフミラーの形成方法を説明するための図。
【図７】本発明の有機ＥＬ表示装置の第２実施形態における赤色に対応したサブピクセル（有機ＥＬ素子）を示す平面図。
【図８】本発明の有機ＥＬ表示装置の第３実施形態における有機ＥＬ素子を示す平面図。
【図９】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図。
【図１０】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図。
【図１１】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図。
【符号の説明】
【００９９】
１０…有機ＥＬ表示モジュール  １１…有機ＥＬ表示装置  １３…ガラス基板  １５…画素回路  １５Ｒ、１５Ｇ、１５Ｂ…サブピクセル  １６…有機ＥＬ素子  ４４…液滴吐出ヘッド  Ｄｓ…液滴  Ｈｍ…ハーフミラー層  Ｌｒ、Ｌｇ、Ｌｂ…光学的距離  Ｏｅ…有機ＥＬ層  Ｏｒ…発光層  Ｏｔ…正孔輸送層  Ｐａ…陰極  Ｐｃ…陽極  Ｐｒ…反射層  Ｐｓ、Ｐｓｒ、Ｐｓｇ、Ｐｓｂ…スペーサ  ５１…ＩＴＯ形成材料  ５２…ハーフミラー層形成材料  Ｎ…ノズル
【図１】
2006252992.tif 000003
【図２】
2006252992.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006252992.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006252992.tif 000008
【図７】
2006252992.tif 000009
【図８】
2006252992.tif 000010
【図９】
2006252992.tif 000011
【図１０】
2006252992.tif 000012
【図１１】
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