(57)【要約】      （修正有）【課題】非デバイスパターン領域に形成されたマークのコントラストが高く、検出が容易であるグレートーンマスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンと、位置合わせに用いるマークパターンとが形成されたグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクに第１のレジストパターンを形成し、遮光膜をエッチングする遮光部パターン形成工程と、遮光部パターンが形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、第２のレジストパターンを形成し、半透光膜をエッチングする半透光部パターン形成工程とを有し、遮光部パターン形成工程において、遮光部と透光部とを有する所望のマークパターンを形成し、半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程を有する。【選択図】図１（ｂ）
2006227365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンと、位置合わせに用いるマークパターンとが形成されたグレートーンマスクの製造方法において、
透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、
遮光部パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画し、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、
前記遮光部パターンが形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、
半透光部パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画し、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をエッチングする工程を含む半透光部パターン形成工程と
を有し、
前記遮光部パターン形成工程において、遮光部パターン形成とともに、遮光部と透光部とを有する所望のマークパターンを形成し、
前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、前記マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程を有することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
【請求項２】
前記マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程が、前記半透光膜を形成する工程において、前記半透光膜を少なくとも前記マークパターンの透光部を除いて成膜する工程であることを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスクの製造方法。
【請求項３】
前記マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程が、前記半透光膜を形成後、少なくとも前記マークパターンの透光部における半透光膜を除去する工程であることを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスクの製造方法。
【請求項４】
前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、さらに、前記マークパターンにおける透光部に前記第２のレジスト膜が存在しないように、前記第２のレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部を除いて塗布する、又は前記第２のレジスト膜形成後、少なくともマークパターンの透光部における第２のレジスト膜を除去することを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のグレートーンマスクの製造方法。
【請求項５】
遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンと、位置合わせに用いるマークパターンとが形成されたグレートーンマスクの製造方法において、
透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、
遮光部パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画し、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、
前記遮光部パターンが形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、
半透光部パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画し、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をエッチングする工程を含む半透光部パターン形成工程と
を有し、
前記遮光部パターン形成工程において、遮光部パターン形成とともに、遮光部と透光部とを有する所望のマークパターンを形成し、
前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、前記マークパターンにおける透光部に前記第２のレジスト膜が存在しないように、前記第２のレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部を除いて塗布する、又は前記第２のレジスト膜形成後、少なくともマークパターンの透光部における第２のレジスト膜を除去することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法。
【請求項６】
遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンと、位置合わせに用いるマークパターンとが形成されたグレートーンマスクであって、
前記遮光部は、透明基板上に設けられた遮光膜及びその上の一部又は全部に積層された半透光膜より形成され、前記半透光部は、半透光膜から形成され、前記透光部は、透明基板が露出した部分により形成されてなり、
前記マークパターンは、少なくとも遮光膜からなる遮光部及び透明基板が露出した透光部より形成されていることを特徴とするグレートーンマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（Liquid Crystal Display：以下、ＬＣＤと呼ぶ）等の製造に使用されるグレートーンマスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＣＤの分野において、製造に必要なフォトマスク枚数を削減する方法が提案されている。即ち、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display：以下、ＴＦＴ−ＬＣＤと呼ぶ）は、ＣＲＴ（陰極線管）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在商品化が急速に進んでいる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド、グリーン、及びブルーの画素パターンが配列されたカラーフィルターが液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。ＴＦＴ−ＬＣＤでは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも５〜６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法が提案された（例えば下記非特許文献１）。
この方法は、遮光部と透光部と半透光部（グレートーン部）を有するフォトマスク（以下、グレートーンマスクという）を用いることにより、使用するマスク枚数を低減するというものである。
【０００３】
図４（ａ）及び図４（ｂ）（図４（ｂ）は図４（ａ）の製造工程の続き）に、グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程の一例を示す。
ガラス基板１上に、ゲート電極用金属膜が形成され、フォトマスクを用いたフォトリソプロセスによりゲート電極２が形成される。その後、ゲート絶縁膜３、第１半導体膜４（ａ−Ｓｉ）、第２半導体膜５（Ｎ＋ａ−Ｓｉ）、ソースドレイン用金属膜６、及びポジ型フォトレジスト膜７が形成される（図４（ａ）（１））。次に、遮光部１１と透光部１２と半透光部１３を有するグレートーンマスク１０を用いて、ポジ型フォトレジスト膜７を露光し、現像することにより、ＴＦＴチャネル部及びソースドレイン形成領域と、データライン形成領域を覆い、かつチャネル部形成領域がソースドレイン形成領域よりも薄くなるように第１レジストパターン７ａが形成される（図４（ａ）（２））。次に、第１レジストパターン７ａをマスクとして、ソースドレイン金属膜６及び第２、第１半導体膜５，４をエッチングする（図４（ａ）（３））。次に、チャネル部形成領域の薄いレジスト膜を酸素によるアッシングにより除去し、第２レジストパターン７ｂを形成する（図４（ｂ）（１））。しかる後、第２レジストパターン７ｂをマスクとして、ソースドレイン用金属膜６がエッチングされ、ソース／ドレイン６ａ、６ｂが形成され、次いで第２半導体膜５をエッチングし（図４（ｂ）（２））、最後に残存した第２レジストパターン７ｂを剥離する（図４（ｂ）（３））。
【０００４】
ここで用いられるグレートーンマスクとしては、半透光部が微細パターンで形成されている構造のものが知られている。例えば図５に示されるように、ソース／ドレインに対応する遮光部１１ａ、１１ｂと、透光部１２と、チャネル部に対応する半透光部（グレートーン部）１３とを有し、半透光部１３は、グレートーンマスクを使用するＬＣＤ用露光機の解像限界以下の微細パターンからなる遮光パターン１３ａを形成した領域である。遮光部１１ａ、１１ｂと遮光パターン１３ａはともにクロムやクロム化合物等の同じ材料からなる同じ厚さの膜から通常形成されている。グレートーンマスクを使用するＬＣＤ用露光機の解像限界は、ステッパ方式の露光機で約３μｍ、ミラープロジェクション方式の露光機で約４μｍである。このため、例えば、図５で半透光部１３における透過部１３ｂのスペース幅を３μｍ未満、遮光パターン１３ａのライン幅を露光機の解像限界以下の３μｍ未満とする。
【０００５】
ところが、上述の微細パターンタイプの半透光部は、グレートーン部分の設計、具体的には遮光部と透光部の中間的なハーフトーン効果を持たせるための微細パターンをライン・アンド・スペースタイプにするのかドット（網点）タイプにするのか、或いはその他のパターンにするのかの選択があり、さらにライン・アンド・スペースタイプの場合、線幅をどのくらいにするのか、光が透過する部分と遮光される部分の比率をどうするか、全体の透過率をどの程度に設計するかなど非常に多くのことを考慮し設計を行わなくてはならなかった。また、マスク製造においても線幅の中心値の管理及びマスク内の線幅のばらつき管理と非常に難しい生産技術が要求されていた。
【０００６】
そこで、ハーフトーン露光したい部分を半透過性のハーフトーン膜（半透光膜）とすることが従来提案されている。このハーフトーン膜を用いることでハーフトーン部分の露光量を少なくしてハーフトーン露光することが出来る。ハーフトーン膜に変更することで、設計においては全体の透過率がどのくらい必要かを検討するのみで済み、マスクにおいてもハーフトーン膜の膜種であるとか膜厚を選択するだけでマスクの生産が可能となる。従って、マスク製造ではハーフトーン膜の膜厚制御を行うだけで済み、比較的管理が容易である。また、ハーフトーン膜であればフォトリソ工程により容易にパターニングできるので、複雑なパターン形状であっても可能となる。
【０００７】
従来提案されているハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクの製造方法は、以下のような方法である。ここでは、一例として図６に示すようなＬＣＤ基板用のパターン１００を挙げて説明する。パターン１００は、パターン１０１ａ、１０１ｂからなる遮光部パターン１０１と、この遮光部のパターン１０１ａ，１０１ｂ間の半透光部パターン１０３と、これらパターンの周囲に形成される透光部パターン１０２とで構成されている。
【０００８】
まず、透明基板上に半透光膜及び遮光膜を順次形成したマスクブランクスを準備し、このマスクブランクス上にレジスト膜を形成する。次に、パターン描画を行って、現像することにより、上記パターン１００の遮光部パターン１０１及び半透光部パターン１０３に対応する領域にレジストパターンを形成する。次いで、適当な方法でエッチングすることにより、上記レジストパターンが形成されていない透光部パターン１０２に対応する領域の遮光膜とその下層の半透光膜が除去されて、図７（１）に示すようなパターンが形成される。すなわち、透光部２０２が形成され、同時に、前記パターン１００の遮光部と半透光部に対応する領域の遮光パターン２０１が形成される。残存するレジストパターンを除去してから、再び、レジスト膜を基板上に形成し、パターン描画を行って、現像することにより、今度は前記パターン１００の遮光部パターン１０１に対応する領域にレジストパターンを形成する。次いで、適当なエッチングにより、レジストパターンの形成されていない半透光部の領域の遮光膜のみを除去する。これにより、図７（２）に示すように前記パターン１００に対応するパターンが形成される。すなわち、半透光膜のパターン２０３による半透光部が形成され、同時に、遮光部のパターン２０１ａ、２０１ｂが形成される。
【０００９】
しかしながら、このような従来のグレートーンマスクの製造方法によると、遮光膜と半透光膜に例えば主成分が同じ材料（例えばクロムとクロム化合物など）を用いた場合、遮光膜と半透光膜のエッチング特性が近似しているので、前述の２度目のフォトリソ工程で、半透光部の領域の遮光膜のみをエッチングにより除去する際のエッチングの終点の判断が難しく、エッチングが足りないと半透光膜上に遮光膜が残ってしまい、エッチングがオーバーであると半透光膜の膜減りが起こり、何れにしても所望の半透光性が得られないという問題がある。従って、遮光膜及び半透光膜は少なくともエッチング特性が異なる材料の組合せを選択する必要があり、材料選択の幅が制約される。また、このように遮光膜及び半透光膜にエッチング特性が異なる材料の組合せを選択したとしても、上述の半透光膜の膜減りを完全に防止することが出来るわけではない。
【００１０】
下記特許文献１には、上述の２度目のフォトリソ工程で、半透光部の領域の遮光膜のみをエッチングにより除去する際に、下層の半透光膜の膜減りを防止するために、マスクブランクスにおける透明基板上の半透光膜と遮光膜との間にエッチングストッパー膜を設けることが開示されている。特許文献１に記載のように、使用するマスクブランクスにおける透明基板上の半透光膜と遮光膜との間にエッチングストッパー膜を設けることにより、半透光部領域の遮光膜のエッチングを多少オーバー気味に行っても下層の半透光膜の膜減りを防ぐことができる。しかし、使用するマスクブランクスの層構成が、半透光膜、エッチングストッパー膜及び遮光膜の３層となり、成膜が３段階必要で、製造コストを圧迫する。また、全体の膜厚が厚くなるため、アスペクト比（パターン寸法と高さの比）が大きく、その結果遮光部のパターン形状やパターン精度が悪くなり、またエッチング時間が長くなるという問題もある。また、遮光膜のエッチング後、残存するエッチングストッパー膜を除去する際に、やはり下地の半透光膜の膜減りの問題が生じる。エッチングストッパー膜が残っていても半透光膜の透過率に影響を与えないような材料であれば、そのまま除去せずに残しておくことも出来るが、エッチングストッパー膜の材料や膜厚が制約される。
【００１１】
このような問題点を解決することが可能なグレートーンマスクとして、遮光部が、透明基板上に設けられた遮光膜及びその上に成膜された半透光膜より形成され、半透光部は、半透光部に対応する領域を露出させた透明基板上に成膜された半透光膜より形成されているグレートーンマスクが本出願人により先に提案されている（特願２００４−６５１１５）。
【００１２】
この種のグレートーンマスクの製造方法としては、例えば、次のような方法により製造することができる。
まず、透明基板上に遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する。
次に、前記マスクブランク上に前記遮光部に対応する領域のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより遮光膜パターンを形成し、前記半透光部及び透光部に対応する領域の透明基板を露出させる。
次に前記工程で残存したレジストパターンを除去し、得られた基板上の全面に半透光膜を成膜する。
さらに、前記遮光部及び半透光部に対応する領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜をエッチングすることにより、透光部を形成する。
また、次の方法でも製造することができる。
すなわち、前記マスクブランク上に前記遮光部及び透光部に対応する領域のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、前記半透光部に対応する領域の透明基板を露出させる。
次に前記工程で残存したレジストパターンを除去し、得られた基板上の全面に半透光膜を成膜する。
さらに、前記遮光部及び半透光部に対応する領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した半透光膜及び遮光膜をエッチングすることにより、透光部及び遮光部を形成する。
【００１３】
上記グレートーンマスクによれば、半透光部は、半透光部に対応する領域を露出させた透明基板上に直接半透光膜を成膜してなるため、従来のように半透光部を形成する場合に、上層の遮光膜のみをエッチングにより除去して下層の半透光膜を露出させる必要がなくなり、それゆえ遮光膜と半透光膜を共にエッチング特性が同じか或いは近似した膜材料で形成することもでき、膜材料の選択の幅が広がる。従って、従来の遮光膜と半透光膜の間に設けていたエッチングストッパー膜は不要であり、全体の膜厚を薄く出来て、アクペクト比を小さくすることができる。
【００１４】
【特許文献１】特開２００２−１８９２８１号公報
【非特許文献１】「月刊エフピーディ・インテリジェンス（ＦＰＤ Intelligence）」、１９９９年５月、ｐ．３１−３５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
ところで、上述の半透光部が半透光部に対応する領域を露出させた透明基板上に成膜された半透光膜より形成されているグレートーンマスクの製造方法においては、レジストパターンを形成するためのパターン描画を２回行う必要があるため、２回のパターン描画の位置を合わせるためのマークを１回目のパターン形成時に通常パターン同様に遮光膜をエッチングすることにより形成し、そのマークを基に位置合わせを行い２回目の描画を行うことが考えられる。
【００１６】
ここで図８（ａ）及び図８（ｂ）を用いて具体的に説明すると、透明基板２１上に遮光膜２２が形成されたマスクブランク（図８（ａ）（１））上に遮光部に対応する領域のレジストパターン２４ａを形成し（同図（２））、該レジストパターン２４ａをマスクとして、露出した遮光膜２２をエッチングすることにより遮光膜パターン２２ａを形成し、遮光部を除く半透光部及び透光部に対応する領域の透明基板２１を露出させる（同図（３））。
次に前記工程で残存したレジストパターン２４ａを除去し（同図（４））、得られた基板上の全面に半透光膜２３を成膜する（図８（ｂ）（５））。なお、デバイスパターン部は、半透光部（図示するＡ（ｄ）領域）、遮光部（図示するＢ（ｄ）領域）及び透光部（図示するＣ（ｄ）領域）を有し、位置合わせ用のマークパターン部は、遮光部（図示するＢ（ｍ）領域）及び透光部（図示するＣ（ｍ）領域）を有するものとする。
【００１７】
次いで、基板上の全面にレジスト膜２４を形成し（図８（ｂ）（６））、デバイスパターン部の透光部に対応する領域（Ｃ（ｄ）領域）を露出させるための描画、現像を行ってレジストパターン２４ｂを形成し（同図（７））、該レジストパターン２４ｂをマスクとして、露出したデバイスパターン透光部の半透光膜２３をエッチングすることにより、透光部を形成する（同図（８））。
残存するレジストパターン２４ｂを除去することにより、デバイスパターンとマークパターンが形成されたグレートーンマスク２０Ａが得られる（同図（９））。また、図９中の（ａ）はグレートーンマスク２０Ａの平面図、（ｂ）はマスクの非デバイスパターン領域に形成したマークパターン（Ｍ）部分の断面図、（ｃ）はデバイスパターン（Ｄ）の断面図である。なお、図９中のマークパターン（Ｍ）と拡大図で示したデバイスパターン（Ｄ）はその一例である。また、前述の図８（ａ）及び図８（ｂ）では、デバイスパターン及びマークパターンを模式的に示したものであり、図９に示すデバイスパターン及びマークパターンと厳密に一致するものではない。
【００１８】
ところで、１回目のパターン（遮光膜パターン２２ａ）形成時（図８（ａ）（４））に、遮光部（Ｂ（ｍ）領域）及び透光部（Ｃ（ｍ）領域）を有するマークパターンを一緒に形成するが、次工程で行う半透光膜２３の成膜によって半透光膜がマークパターンの透光部にも成膜されてしまう。そのマークを基に透過光又は反射光を用いてマークを検出することにより位置合わせを行い２回目の描画（レジストパターン２４ｂを形成するための描画）を行おうとすると、マーク検出の際に、マークパターンの透光部に半透光膜２３ａ及びレジスト膜２４が形成されているためにマークパターンの透光部と遮光部とのコントラストが低く、マークを認識しずらく検出が困難になるという問題点があった。即ち、透過光でマークを検出する場合、マークパターンの透光部の透過率が半透光膜２３ａ及びレジスト膜２４により減衰し、マークパターンの遮光部との透過率差が小さくなるため、コントラストが低くなる。また、反射光でマークを検出する場合は、マークパターンの透光部及び遮光部が同等の反射率となってしまうため、コントラストが低くなる。
【００１９】
さらに、グレートーンマスクにおいても、通常のフォトマスク同様、マスク使用時に被転写基板との位置合わせに用いるためのアライメントマーク等の各種マークをマスクの非デバイスパターン領域に形成する必要があり、通常の遮光膜パターンが形成されたマスクでは、非デバイスパターン領域の遮光膜をエッチングすることによってマークが形成される。しかしながら、上記グレートーンマスクにおいては、上述のパターン描画の位置合わせ用のマークと兼用或いは別のマークを同様に形成した場合、マスクの非デバイスパターン領域の遮光膜に形成されたマークパターンの透光部が半透光膜に覆われてしまい、半透光部（Ａ領域）を形成してしまうので（図８（ｂ）（９）参照）、透過光及び反射光を用いたマーク検出の際にコントラストが低く検出が困難になるという問題点があった。
【００２０】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、遮光部が、透明基板上に設けられた遮光膜及びその上に成膜された半透光膜より形成され、半透光部は、半透光部に対応する領域を露出させた透明基板上に成膜された半透光膜より形成されているグレートーンマスクにおける、非デバイスパターン領域に形成されたマークのコントラストが高く、検出が容易であるグレートーンマスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンと、位置合わせに用いるマークパターンとが形成されたグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、遮光部パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画し、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、前記遮光部パターンが形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、半透光部パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画し、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をエッチングする工程を含む半透光部パターン形成工程とを有し、前記遮光部パターン形成工程において、遮光部パターン形成とともに、遮光部と透光部とを有する所望のマークパターンを形成し、前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、前記マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程を有することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法である。
【００２２】
（構成２）前記マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程が、前記半透光膜を形成する工程において、前記半透光膜を少なくとも前記マークパターンの透光部を除いて成膜する工程であることを特徴とする構成１に記載のグレートーンマスクの製造方法である。
（構成３）前記マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程が、前記半透光膜を形成後、少なくとも前記マークパターンの透光部における半透光膜を除去する工程であることを特徴とする構成１に記載のグレートーンマスクの製造方法である。
（構成４）前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、さらに、前記マークパターンにおける透光部に前記第２のレジスト膜が存在しないように、前記第２のレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部を除いて塗布する、又は前記第２のレジスト膜形成後、少なくともマークパターンの透光部における第２のレジスト膜を除去することを特徴とする構成１乃至３の何れかに記載のグレートーンマスクの製造方法である。
【００２３】
（構成５）遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンと、位置合わせに用いるマークパターンとが形成されたグレートーンマスクの製造方法において、透明基板上に、少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、遮光部パターンを形成するための第１のレジスト膜に第１の描画パターンを描画し、現像して第１のレジストパターンを形成し、該第１のレジストパターンをマスクとして前記遮光膜をエッチングする工程を含む遮光部パターン形成工程と、前記遮光部パターンが形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、半透光部パターンを形成するために前記半透光膜上に形成した第２のレジスト膜に第２の描画パターンを描画し、現像して第２のレジストパターンを形成し、該第２のレジストパターンをマスクとして前記半透光膜をエッチングする工程を含む半透光部パターン形成工程とを有し、前記遮光部パターン形成工程において、遮光部パターン形成とともに、遮光部と透光部とを有する所望のマークパターンを形成し、前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、前記マークパターンにおける透光部に前記第２のレジスト膜が存在しないように、前記第２のレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部を除いて塗布する、又は前記第２のレジスト膜形成後、少なくともマークパターンの透光部における第２のレジスト膜を除去することを特徴とするグレートーンマスクの製造方法である。
（構成６）遮光部、透光部及び半透光部を有するデバイスパターンと、位置合わせに用いるマークパターンとが形成されたグレートーンマスクであって、前記遮光部は、透明基板上に設けられた遮光膜及びその上の一部又は全部に積層された半透光膜より形成され、前記半透光部は、半透光膜から形成され、前記透光部は、透明基板が露出した部分により形成されてなり、前記マークパターンは、少なくとも遮光膜からなる遮光部及び透明基板が露出した透光部より形成されていることを特徴とするグレートーンマスクである。
【００２４】
構成１によれば、本発明のグレートーンマスクの製造方法は、透明基板上に少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、前記遮光部パターン形成工程と、前記遮光部パターンが形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、前記半透光部パターン形成工程とを有し、前記遮光部パターン形成工程において、遮光部パターン形成とともに、遮光部と透光部とを有する所望のマークパターンを形成し、前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、前記マークパターンにおける透光部に半透光膜が存在しないようにする工程を有する。
【００２５】
従って、レジストパターンを形成するためのパターン描画を２回行い、２回のパターン描画の位置を合わせるためのマークを１回目のパターン形成時にマスクの非デバイスパターン領域に通常パターン（デバイスパターン）と同様に形成し、そのマークを基に位置合わせを行い２回目の描画を行う場合、２回目の描画の前に、上記マークの透光部に半透光膜が存在しないようにするため、マークパターンにおける透光部と遮光部との透過光及び反射光のコントラストが高く、マークを認識しやすくなるので、２回目の描画の際のマーク検出が容易である。さらに、最終的に得られたグレートーンマスクにおいても、マークパターンは、少なくとも遮光膜からなる遮光部及び透明基板が露出した透光部より形成されているため、マークパターンにおける透光部と遮光部とのコントラストが高く、マスク使用時に被転写基板との位置合わせに用いる際にマークの検出が容易である。
【００２６】
また、構成２にあるように、前記半透光膜を形成する工程において、前記半透光膜を少なくとも前記マークパターンの透光部を除いて成膜することにより、前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、少なくとも前記マークパターンの透光部に半透光膜が存在しないようにすることができる。これにより、マークの透過光及び反射光のコントラストが高くなり、位置合わせの際のマーク検出が容易になる。前記半透光膜を少なくとも前記マークパターンの透光部を除いて成膜する方法としては、例えば、少なくとも前記マークパターンの透光部を覆う遮蔽部材を介して前記半透光膜を成膜することが挙げられる。
また、構成３にあるように、前記半透光膜を形成後、少なくとも前記マークパターンの透光部における半透光膜を除去することにより、前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、少なくとも前記マークパターンの透光部に半透光膜が存在しないようにすることができる。これにより、マークの透過光及び反射光のコントラストが高くなり、位置合わせの際のマーク検出が容易になる。
【００２７】
また、構成４にあるように、前記第２のレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部を除いて塗布する、又は前記第２のレジスト膜形成後、少なくともマークパターンの透光部における第２のレジスト膜を除去することにより、前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、前記マークパターンにおける透光部に前記第２のレジスト膜が存在しないようにすることができる。これにより、前述の少なくとも前記マークパターンの透光部に半透光膜が存在しないことに加えて、さらに第２のレジスト膜が存在しないため、マークパターンの透光部は透明基板が露出し、レジスト膜による透過率低下を抑え、マークパターンの遮光部と透光部との透過光及び反射光のさらに高いコントラストが得られ、マークを一層認識しやすくなるので、２回目の描画の際のマーク検出がさらに容易となる。
【００２８】
また、構成５によれば、本発明のグレートーンマスクの製造方法は、透明基板上に少なくとも遮光膜が形成されたマスクブランクを準備する工程と、前記遮光部パターン形成工程と、前記遮光部パターンが形成された透明基板上に半透光膜を形成する工程と、前記半透光部パターン形成工程とを有し、前記遮光部パターン形成工程において、遮光部パターン形成とともに、遮光部と透光部とを有する所望のマークパターンを形成し、前記半透光部パターン形成工程における第２の描画パターンの描画の前に、前記マークパターンにおける透光部に前記第２のレジスト膜が存在しないように、前記第２のレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部を除いて塗布する、又は前記第２のレジスト膜形成後、少なくともマークパターンの透光部における第２のレジスト膜を除去する。
これにより、前述の少なくともマークパターンの透光部に第２のレジスト膜が存在しないため、第２のレジスト膜によるマークパターンの透光部の透過率低下を抑えることができるので、マークパターンの透光部に第２のレジスト膜が存在している場合に比べ、透過光及び反射光のコントラストが向上され、２回目の描画の際のマーク検出がさらに容易となる。
【００２９】
また、構成６にあるように、本発明のグレートーンマスクは、デバイスパターンの遮光部は、透明基板上に設けられた遮光膜及びその上の一部又は全部に積層された半透光膜より形成され、半透光部は半透光膜から形成され、透光部は透明基板が露出した部分により形成されており、さらにマークパターンが少なくとも遮光膜からなる遮光部及び透明基板が露出した透光部より形成されているため、マークパターンにおける透光部と遮光部との透過光及び反射光のコントラストが高く、マスク使用時に被転写基板との位置合わせに用いる際のマークの検出が容易である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のグレートーンマスクの製造方法によれば、レジストパターンを形成するためのパターン描画を２回行い、２回のパターン描画の位置を合わせるためのマークを１回目のパターン形成時にマスクの非デバイスパターン領域に通常パターン（デバイスパターン）と同様に形成し、そのマークを基に位置合わせを行い２回目の描画を行う場合、２回目の描画の前に、上記マークの透光部に半透光膜が存在しないようにするため、マークのコントラストが高く、２回目の描画の際のマーク検出が容易である。
また、本発明のグレートーンマスクの製造方法によれば、レジストパターンを形成するためのパターン描画を２回行い、２回のパターン描画の位置を合わせるためのマークを１回目のパターン形成時にマスクの非デバイスパターン領域に通常パターン（デバイスパターン）と同様に形成し、そのマークを基に位置合わせを行い２回目の描画を行う場合、２回目の描画の前に、上記マークの透光部にレジスト膜が存在しないようにするため、マークのコントラストが高く、２回目の描画の際のマーク検出が容易である。
また、本発明のグレートーンマスクによれば、遮光部が、透明基板上に設けられた遮光膜及びその上の一部又は全部に積層された半透光膜より形成され、半透光部は半透光膜から形成され、透光部は透明基板が露出した部分により形成されているグレートーンマスクにおける非デバイスパターン領域に形成された、マスク使用時に被転写基板との位置合わせに用いるためのアライメントマーク等の各種マークのマークパターンが少なくとも遮光膜からなる遮光部及び透明基板が露出した透光部より形成されているため、マーク検出の際にマークのコントラストが高く検出が容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本発明に係るグレートーンマスクの製造方法の実施の形態１を示すもので、その製造工程を順に示す模式的断面図である。
本実施の形態で使用するマスクブランクは、図１（ａ）（１）に示すように、石英ガラス等の透明基板２１上に遮光膜２２を形成したものである。
ここで、遮光膜２２の材質としては、薄膜で高い遮光性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ，Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。
なお、上記マスクブランクは、透明基板２１上に遮光膜２２を形成することで得られるが、その成膜方法は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、膜厚に関しては、特に制約はないが、要は良好な遮光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。
【００３２】
上記マスクブランクを用いて得られる本実施の形態のグレートーンマスク２０Ｂは、図１（ｂ）（９）に示したように、デバイスパターンとマークパターンとが形成されている。デバイスパターンは、半透光部（図示するＡ（ｄ）領域）、遮光部（図示するＢ（ｄ）領域）及び透光部（図示するＣ（ｄ）領域）を有し、位置合わせ用のマークパターンは、遮光部（図示するＢ（ｍ）領域）及び透光部（図示するＣ（ｍ）領域）を有する。デバイスパターンの遮光部は、透明基板２１上に設けられた遮光膜２２ａ及びその上の半透光膜２３より形成され、半透光部は、透明基板２１上に成膜された半透光膜２３より形成され、透光部は、透明基板２１が露出した部分により形成されている。また、マークパターンは、マスクの非デバイスパターン領域に形成しており、透明基板２１上に設けられた遮光膜２２ａからなる遮光部及び透明基板２１が露出した透光部より形成されている。上記デバイスパターンとマークパターンは、平面図では例えば前述の図９中のマークパターン（Ｍ）と拡大図で示したデバイスパターン（Ｄ）のようになっている。但し、本実施の形態の図１（ａ）及び図１（ｂ）では、デバイスパターン及びマークパターンを模式的に示したものであり、図９に示すデバイスパターン及びマークパターンと厳密に一致するものではない。
【００３３】
次に、上記マスクブランクを使用したグレートーンマスク２０Ｂの製造工程を説明する。
まず、このマスクブランク（図１（ａ）（１））上に例えば描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜を形成し、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。この場合の描画データは、例えば前述の図９に示すデバイスパターン（Ｄ）の場合を例にとると、そのうちの半透光部パターン（Ａ領域）及び透光部（Ｃ領域）に対応するパターンデータと、位置合わせ用のマークパターンの透光部に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に、デバイスパターンの半透光部及び透光部を形成する領域（図１（ａ）に図示するＡ（ｄ）及びＣ（ｄ）の領域）、並びにマークパターンの透光部を形成する領域（図１（ａ）に図示するＣ（ｍ）の領域）ではレジスト膜が除去され、デバイスパターンの遮光部を形成する領域（図１（ａ）に図示するＢ（ｄ）の領域）及びマークパターンの遮光部を形成する領域（図１（ａ）に図示するＢ（ｍ）の領域）にはレジスト膜が残存するレジストパターン２４ａを形成する（図１（ａ）（２）参照）。
【００３４】
次に、形成されたレジストパターン２４ａをマスクとして、露出した遮光膜２２をエッチングして、デバイスパターンとマークパターンのそれぞれの遮光部に対応する遮光膜パターン２２ａを形成する（図１（ａ）（３）参照）。デバイスパターンの半透光部及び透光部に対応する領域（Ａ（ｄ）及びＣ（ｄ）領域）、並びにマークパターンの透光部に対応する領域（Ｃ（ｍ）領域）では、上記遮光膜２２のエッチングにより下地の透明基板２１が露出した状態である。従って、この工程において、デバイスパターンの遮光部パターンと一緒に所望のマークパターンが形成される。
残存するレジストパターン２４ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図１（ａ）（４）参照）。
【００３５】
次に、以上のようにして得られた透明基板２１上に遮光膜パターン２２ａを有する基板上に半透光膜２３を成膜する（図１（ｂ）（５）参照）。この際、少なくともマークパターンの透光部に対応する領域を覆う遮蔽板３０を配置して半透光膜２３を成膜することにより、少なくともマークパターンの透光部に半透光膜２３が形成されないようにする。デバイスパターンの半透光部及び透光部に対応する領域では、露出した透明基板２１上に直接半透光膜２３が成膜される。
なお半透光膜２３の材質としては、薄膜で、透光部の透過率を１００％とした場合に透過率５０％程度の半透過性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ化合物（Ｃｒの酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物など）、ＭｏＳｉ、Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等は、その膜厚によって高い遮光性も得られ、或いは半透過性も得られる材質である。なお、ここで透過率とは、グレートーンマスクを使用する例えば大型ＬＣＤ用露光機の露光光の波長に対する透過率のことである。また、半透光膜の透過率は５０％程度に限定される必要は全くない。半透光部の透過性をどの程度に設定するかは設計上の問題である。
【００３６】
また、上記遮光膜２２と半透光膜２３の材質の組合せに関しては、本発明においては特に制約されない。互いの膜のエッチング特性が同一又は近似していてもよく、或いは、互いの膜のエッチング特性が異なっていてもよい。すなわち、本発明では、半透光部に対応する領域を露出させた透明基板上に直接半透光膜を成膜することにより半透光部を形成するので、膜材料に関して特に制約されることは無く、遮光膜と半透光膜のエッチング特性が同一或いは近似した材質の組合せを選択することが出来る。例えば、同一の材質、主成分が同一の材質（例えばＣｒとＣｒ化合物など）等の組合せを任意に選択することができるので、選択の幅が広い。
半透光膜２３の成膜方法については、前述の遮光膜２２の場合と同様、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、半透光膜２３の膜厚に関しては、特に制約はないが、所望の半透光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。
【００３７】
次に、再び全面に前記ポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜２４を形成する（図１（ｂ）（６）参照）。
そして、２回目の描画を行う。この時の描画データは、デバイスパターンの透光部（Ｃ（ｄ）領域）に対応するパターンデータである。この２回目の描画は、先の遮光膜パターン２２ａ形成工程（図１（ａ）（４））で形成されたマークを基に例えば波長４１３ｎｍの光を照射し、その反射光を検出して位置合わせを行うが、上記マークの透光部には半透光膜２３が形成されていないため、マークにおける透光部と遮光部とのコントラストが高く、マークを認識しやすいので、２回目の描画の際のマーク検出が容易である。なお、マークの透光部にはレジスト膜２４が形成されているが、位置合わせに用いるアライメント光に対するレジスト膜の透過率は比較的高いので、遮光膜２２ａで形成されたマークの遮光部との関係では高いコントラストが得られる。
描画後、これを現像して、デバイスパターンの透光部ではレジスト膜が除去され、それ以外の領域ではレジスト膜が残存するレジストパターン２４ｂを形成する（図１（ｂ）（７）参照）。
【００３８】
次に、形成されたレジストパターン２４ｂをマスクとして、デバイスパターンの透光部となる領域の半透光膜２３をドライエッチングにより除去する。これにより、デバイスパターンの半透光部は透光部と画され、デバイスパターンの半透光部（Ａ（ｄ）領域）及び透光部（Ｃ（ｄ）領域）が形成される（図１（ｂ）（８）参照）。
なお、残存するレジストパターン２４ｂは、酸素アッシング等を用いて除去する。
【００３９】
以上のようにして本実施の形態のグレートーンマスク２０Ｂが出来上がる（図１（ｂ）（９）参照）。最終的に得られたグレートーンマスク２０Ｂにおいても、マークパターン部は、遮光膜２２ａからなる遮光部（図示するＢ領域）及び透明基板２１が露出した透光部（図示するＣ領域）より形成されているため、マークパターン部における透光部と遮光部とのコントラストは高いものとなり、マスク使用時に被転写基板との位置合わせに用いる際にマークの検出が容易である。
尚、本実施例では遮蔽板を配置して、少なくともマークパターンの透光部に半透光膜が形成されないようにしたが、少なくともマークパターンの透光部に遮蔽用テープ又は遮蔽用膜（例えばレジスト膜）を付着し、半透光膜を成膜後、前記遮蔽用テープ又は遮蔽用膜を除去することにより、少なくともマークパターンの透光部に半透光膜が形成されないようにしてもよい。
【００４０】
（実施の形態２）
図２は、本発明に係るグレートーンマスクの製造方法の実施の形態２を示すもので、その製造工程の一部を順に示す模式的断面図である。
本実施の形態では、透明基板２１上に遮光膜２２を形成したマスクブランクを用いて所定の遮光膜パターン２２ａを形成するまでの工程は、前述の実施の形態１に係る図１（ａ）の（１）乃至（４）の工程と全く同様であるので、ここでは図示と重複説明を省略する。
【００４１】
前述のようにして得られた透明基板２１上に遮光膜パターン２２ａを有する基板上の全面に半透光膜２３を成膜する（図２（５）参照）。
次に、再び全面に前記ポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、前記半透光膜２３上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に少なくとも前記マークパターンの透光部（Ｃ（ｍ）領域）を露出させるための描画、現像を行ってレジストパターン２４ｃを形成する（図２（６）参照）。尚、この場合の描画の位置ずれを考慮し、図示するようにマージンを設けてマークパターンの透光部（Ｃ（ｍ）領域）より少し大きめの領域を露出させるようにしてもよい。次いで、該レジストパターン２４ｃをマスクとしてマークパターンの透光部に形成された半透光膜２３をエッチング除去する（図２（７）参照）。
【００４２】
次に、残存するレジストパターン２４ｃを除去してから、再び全面に前記ポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、レジスト膜２４を形成する（図２（８）参照）。
そして、２回目のデバイスパターン描画を行う。この時の描画データは、デバイスパターンの透光部（Ｃ（ｄ）領域）に対応するパターンデータであるが、この描画の際、位置合わせをするためのマークの透光部には、先に半透光膜２３をエッチング除去することにより半透光膜２３が存在していないため、マークを認識しやすく、描画の際のマーク検出が容易である。なお、本実施の形態においてもマークの透光部にはレジスト膜２４が形成されているが、遮光膜２２ａで形成されたマークの遮光部との関係では高いコントラストが得られる。
描画後、これを現像して、デバイスパターンの透光部ではレジスト膜が除去され、それ以外の領域ではレジスト膜が残存するレジストパターン２４ｂを形成する（図２（９）参照）。
【００４３】
次に、形成されたレジストパターン２４ｂをマスクとして、デバイスパターンの透光部となる領域の半透光膜２３をドライエッチングにより除去することにより、デバイスパターンの半透光部は透光部と画され、デバイスパターンの半透光部（Ａ（ｄ）領域）及び透光部（Ｃ（ｄ）領域）が形成される（図２（１０）参照）。
なお、残存するレジストパターン２４ｂは、酸素アッシング等を用いて除去する。
【００４４】
以上のようにして本実施の形態のグレートーンマスク２０Ｃが出来上がる（図２（１１）参照）。得られた本実施の形態のグレートーンマスク２０Ｃにおいても、マークパターン部は、遮光膜２２ａ及びその上の半透光膜２３からなる遮光部（図示するＢ領域）及び透明基板２１が露出した透光部（図示するＣ領域）より形成されているため、マークパターン部における透光部と遮光部との透過光及び反射光のコントラストは高いものとなり、マスク使用時に被転写基板との位置合わせを行う際にマークの検出が容易である。
尚、本実施の形態では、レジストパターン２４ｃをマスクとして、マークパターンの透光部に形成された半透光膜２３をエッチング除去したが、レジストパターン２４ｃを形成せずに、エッチング液による拭取等による部分的処理により、マークパターンの透光部に形成された半透光膜を除去してもよい。
【００４５】
（実施の形態３）
図３は、本発明に係るグレートーンマスクの製造方法の実施の形態３を示すもので、その製造工程の一部を順に示す模式的断面図である。
本実施の形態においても、透明基板２１上に遮光膜２２を形成したマスクブランクを用いて所定の遮光膜パターン２２ａを形成するまでの工程は、前述の実施の形態１に係る図１（ａ）の（１）乃至（４）の工程と全く同様であるので、ここでは図示と重複説明を省略する。
【００４６】
前述のようにして得られた透明基板２１上に遮光膜パターン２２ａを有する基板上の全面に半透光膜２３を成膜する（図３（５）参照）。
次に、再び全面に前記ポジ型レジストを塗布してレジスト膜２４を形成（図３（６）参照）後、少なくとも前記マークパターンの透光部（Ｃ（ｍ）領域）に形成されたレジスト膜を除去することにより、マークパターンにおける透光部には上記レジスト膜が存在しないようにする（図３（７）参照）。なお、マークパターンにおける透光部に上記レジスト膜２４が存在しないようにするため、上記レジスト膜を少なくともマークパターンの透光部領域を除いて塗布することにより形成してもよい。また、本実施の形態では、少なくともマークパターンの透光部に上記レジスト膜２４が存在しないようにするため、図示するように遮光部を含むマークパターン全体にレジスト膜２４が形成されないようにしてもよいことは勿論である。
次いで、レジストパターン２４ｄをマスクとしてマークパターン部に露出している半透光膜２３をエッチング除去する（図３（８）参照）。これにより、少なくともマークパターンにおける透光部は透明基板２１が露出した状態となる。
【００４７】
次に、２回目の描画を行う。この時の描画データは、デバイスパターンの透光部（Ｃ（ｄ）領域）に対応するパターンデータである。この描画の際、位置合わせをするためのマークパターンの透光部には、先に半透光膜２３をエッチング除去することにより半透光膜２３が存在しておらず、しかもレジスト膜も存在していないため、透明基板２１が露出している。従って、マークパターンの遮光部と透光部とのさらに高いコントラストが得られ、マークを一層認識しやすくなるので、２回目の描画の際のマーク検出がさらに容易となる。
描画後、これを現像して、デバイスパターンの透光部ではレジスト膜が除去され、デバイスパターンのそれ以外の領域ではレジスト膜が残存するレジストパターン２４ｅを形成する（図３（９）参照）。
【００４８】
次に、形成されたレジストパターン２４ｅをマスクとして、デバイスパターンの透光部となる領域の半透光膜２３をドライエッチングにより除去することにより、デバイスパターンの半透光部は透光部と画され、デバイスパターンの半透光部（Ａ（ｄ）領域）及び透光部（Ｃ（ｄ）領域）が形成される（図３（１０）参照）。なお、このときマークパターンにおける遮光膜２２ａが露出しているので、多少の膜減りが予想されるが、それでも高いコントラストが得られるので問題はない。
なお、残存するレジストパターン２４ｅは、酸素アッシング等を用いて除去する。
【００４９】
以上のようにして本実施の形態のグレートーンマスク２０Ｄが出来上がる（図３（１１）参照）。得られた本実施の形態のグレートーンマスク２０Ｄにおいても、マークパターン部は、遮光膜２２ａからなる遮光部（図示するＢ領域）及び透明基板２１が露出した透光部（図示するＣ領域）より形成されているため、マークパターン部における透光部と遮光部とのコントラストは高いものとなり、マスク使用時に被転写基板との位置合わせに用いる際にマークの検出が容易である。
【００５０】
なお、上述の実施の形態３に関連して説明すると、前述した実施の形態１における、２回目の描画を行うためのレジスト膜２４を形成する工程（図１（ｂ）（６））においても、レジスト膜２４を全面に形成してから、少なくとも前記マークパターンの透光部（Ｃ（ｍ）領域）に形成されたレジスト膜を除去することにより、或いはレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部領域を除いて塗布形成することにより、マークパターンにおける透光部には上記レジスト膜が存在しないようにすることができるので、マーク検出の際にコントラストをさらに高められる。
また、前述した実施の形態２における、２回目のデバイスパターン描画を行うためのレジスト膜２４を形成する工程（図２（８））においても、レジスト膜２４を全面に形成してから、少なくとも前記マークパターンの透光部（Ｃ（ｍ）領域）に形成されたレジスト膜を除去することにより、或いはレジスト膜を少なくともマークパターンの透光部領域を除いて塗布形成することにより、マークパターンにおける透光部には上記レジスト膜が存在しないようにすることができるので、マーク検出の際にコントラストをさらに高められる。
また、実施の形態３においては、マークパターン部に露出している半透光膜２３を除去したが、半透光膜２３を除去しない場合であっても、レジスト膜２４が除去されていれば、レジスト膜２４が除去されない場合に比べ、コントラストを向上することができる。
【００５１】
なお、デバイスパターン部の形成方法としては、以上説明した実施の形態に限らず、たとえば、１回目の描画により前記マスクブランク上にデバイスパターンの遮光部及び透光部に対応する領域のレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した遮光膜をエッチングすることにより、デバイスパターンの半透光部に対応する領域の透明基板を露出させ、レジストパターン除去後、基板上の全面に半透光膜を成膜し、さらに２回目の描画により、前記遮光部及び半透光部に対応する領域にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとして、露出した前記透光部の半透光膜及び遮光膜をエッチングすることにより、透光部及び遮光部を形成するようにしてもよい。
また、以上説明した実施の形態では、ポジ型のレジストを用いた場合を例示したが、ネガ型レジストを用いてもよい。この場合、描画データが反転するだけで、工程は上述と全く同様にして実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１（ａ）】本発明の実施の形態１に係るグレートーンマスクの製造工程を示す模式的断面図である。
【図１（ｂ）】本発明の実施の形態１に係るグレートーンマスクの製造工程（図１（ａ）の製造工程の続き）を示す模式的断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係るグレートーンマスクの製造工程を示す模式的断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係るグレートーンマスクの製造工程を示す模式的断面図である。
【図４（ａ）】グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程を示す概略断面図である。
【図４（ｂ）】グレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造工程（図４（ａ）の製造工程の続き）を示す概略断面図である。
【図５】微細パターンタイプのグレートーンマスクの一例を示す平面図である。
【図６】ハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクパターンの一例を示す平面図である。
【図７】ハーフトーン膜タイプのグレートーンマスクの製造方法を説明するためのマスクパターン平面図である。
【図８（ａ）】グレートーンマスクの製造工程の一例を示す模式的断面図である。
【図８（ｂ）】グレートーンマスクの製造工程の一例（図８（ａ）の製造工程の続き）を示す模式的断面図である。
【図９】（ａ）はグレートーンマスク２０Ａの平面図、（ｂ）はマスクの非デバイスパターン領域に形成したマークパターン（Ｍ）部分の断面図、（ｃ）はデバイスパターン（Ｄ）の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ  グレートーンマスク
２１  透明基板
２２  遮光膜
２３  半透光膜
２４  レジスト膜
【図１（ａ）】
2006227365.tif 000003
【図１（ｂ）】
2006227365.tif 000004
【図２】
2006227365.tif 000005
【図３】
2006227365.tif 000006
【図４（ａ）】
2006227365.tif 000007
【図４（ｂ）】
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【図５】
2006227365.tif 000009
【図６】
2006227365.tif 000010
【図７】
2006227365.tif 000011
【図８（ａ）】
2006227365.tif 000012
【図８（ｂ）】
2006227365.tif 000013
【図９】
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