(57)【要約】【課題】  電子機器内の導体ライン、回路基板あるいは電子機器筐体等のＥＳＤ抑制対象物に対して、適切な導電性をもった軟磁性体を配設することでＥＳＤの影響を抑制可能であり、またＥＳＤ抑制対象物に対して後付け可能なＥＳＤ抑制方法を得る。【解決手段】  表面抵抗率が１００Ω／□以下のシート状複合磁性体１０を、電子機器内の導体ライン、回路基板、電子機器筐体等のＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に直接装着できるように、シート状複合磁性体１０の片面に絶縁性の誘電体層２０を貼り合わせてＥＳＤ抑制用シート品３０を作製する。そして、ＥＳＤ抑制用シート品３０を、誘電体層２０に設けた絶縁性粘着層２２によって、ＥＳＤ抑制対象物としての電子機器内の基板４０に形成された導体ライン４１に装着する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に、表面抵抗率が１００Ω／□以下の軟磁性体を配置したことを特徴とするＥＳＤ抑制方法。
【請求項２】
前記ＥＳＤ抑制対象物が電子機器内の導体ライン、回路基板又は電子機器筐体である請求項１記載のＥＳＤ抑制方法。
【請求項３】
ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に配置された表面抵抗率が１００Ω／□以下の軟磁性体を備えることを特徴とするＥＳＤ抑制構造。
【請求項４】
前記軟磁性体の少なくとも一部の面に絶縁層が設けられている請求項３記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項５】
前記絶縁層が設けられた面の表面抵抗率が１ＧΩ／□以上である請求項４記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項６】
前記絶縁層の少なくとも一部の面が粘着性を有していて、前記軟磁性体が前記粘着性によって前記ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に貼り付けられている請求項４又は５記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項７】
前記絶縁層の平均厚さが３μｍ〜１５μｍである請求項４，５又は６記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項８】
前記絶縁層の少なくとも一部がポリアミド樹脂からなる請求項４，５，６又は７に記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項９】
前記軟磁性体の少なくとも一部の面に導電体層を設けている請求項４，５，６，７又は８記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項１０】
前記導電体層の少なくとも一部の面が粘着性を有していて、前記軟磁性体が前記粘着性によって前記ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に貼り付けられている請求項９記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項１１】
前記軟磁性体が磁性粉と有機結合材からなる複合磁性体である請求項４，５，６，７，９又は１０記載のＥＳＤ抑制構造。
【請求項１２】
前記軟磁性体が軟磁性金属の圧粉体である請求項４，５，６，７，８，９又は１０記載のＥＳＤ抑制構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＳＤ（静電気放電）による影響を抑制するための軟磁性体を用いたＥＳＤ抑制方法及び抑制構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
帯電した物体が他の導電性の物体に接触、あるいは近接すると、激しい放電現象が起こることが知られている。この現象はＥＳＤ（electro-static discharge：静電気放電）と呼ばれ、電子機器の破壊や誤動作等の問題を引き起こす。
【０００３】
従来、ＥＳＤによる電子機器の破壊に対する防御として、例えば、下記特許文献１に記載されているようなＥＳＤ対策用のチップ部品を基板に実装する方法が知られている。また、下記特許文献２に記載のように、例えば電子機器の筐体部に複合磁性体を装着することにより、複合磁性体の磁気シールド効果により、近接するＦＰＣや主要な基板への高周波電流を抑制する方法が知られている。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１４１０３号公報
【特許文献２】特開２００１−３０８５７４号公報
【０００５】
特許文献１に記載のＥＳＤ対策方法では、各種電子機器を製作する際、電子部品の装着スペースをあらかじめ設計段階から盛り込む必要があり、製作の最終段階でのＥＳＤ試験において、不適合となった場合、一から基板を設計し直す必要がでてしまい、製品の市場への投入が遅くなってしまう。
【０００６】
また、特許文献２に記載のＥＳＤ対策方法では、電子機器の筐体等から流れる高周波電流による高周波磁界によるＦＰＣ等への２次的な電流の発生を抑制する手法であるため、電子機器内の主要な線路や基板に既に流れてしまっている、ＥＳＤによる高周波電流を直接抑制することはできない。また、ＥＳＤ対策にどのような特性の軟磁性体が有効であるのかについての考察もなされていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑み、電子機器内の導体ライン、回路基板あるいは電子機器筐体等のＥＳＤ抑制対象物に対して、適切な導電性をもった軟磁性体を配設することでＥＳＤの影響を抑制可能であり、またＥＳＤ抑制対象物に対して後付け可能なＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を提供することを目的とする。
【０００８】
本発明のその他の目的や新規な特徴は後述の実施の形態において明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係るＥＳＤ抑制方法は、ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に、表面抵抗率が１００Ω／□以下の軟磁性体を配置したことを特徴としている。
【００１０】
前記ＥＳＤ抑制方法において、前記ＥＳＤ抑制対象物が電子機器内の導体ライン、回路基板又は電子機器筐体であってもよい。
【００１１】
本発明に係るＥＳＤ抑制構造は、ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に配置された表面抵抗率が１００Ω／□以下の軟磁性体を備えることを特徴としている。
【００１２】
前記ＥＳＤ抑制構造において、前記軟磁性体の少なくとも一部の面に絶縁層が設けられているとよい。
【００１３】
また、前記絶縁層が設けられた面の表面抵抗率が１ＧΩ／□以上であるとよい。
【００１４】
前記絶縁層の少なくとも一部の面が粘着性を有していて、前記軟磁性体が前記粘着性によって前記ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に貼り付けられる構成でもよい。
【００１５】
前記絶縁層の平均厚さが３μｍ〜１５μｍであるとよい。
【００１６】
前記絶縁層の少なくとも一部がポリアミド樹脂からなっているとよい。
【００１７】
前記ＥＳＤ抑制構造において、前記軟磁性体の少なくとも一部の面に導電体層を設けてもよい。
【００１８】
前記導電体層の少なくとも一部の面が粘着性を有していて、前記軟磁性体が前記粘着性によって前記ＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に貼り付けられる構成でもよい。
【００１９】
前記軟磁性体が磁性粉と有機結合材からなる複合磁性体であってもよいし、あるいは前記軟磁性体が軟磁性金属の圧粉体であってもよい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、電子機器内の導体ライン、回路基板、電子機器筐体等のＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に、表面抵抗率が１００Ω／□以下の軟磁性体を配置したことにより、ＥＳＤの影響を効果的に抑制可能である。すなわち、表面抵抗率が１００Ω／□以下の適切な導電性を持った前記軟磁性体は、放電電流を導電特性、磁気特性の両方の作用により、減衰、反射させることが可能である。また、前記軟磁性体は、製作の最終段階でのＥＳＤ試験において不適合となった場合等において、電子機器の導体ライン、回路基板、筐体等に対して後付けすることでＥＳＤ抑制が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための最良の形態として、ＥＳＤ抑制方法及び抑制構造の実施の形態を図面に従って説明する。
【００２２】
実施の形態１
図１は本発明の実施の形態１であって、ＥＳＤ抑制に適したシート状複合磁性体を用いたＥＳＤ抑制方法及び抑制構造について説明する。まず、扁平状で良好な導電性の軟磁性金属磁性粉を、樹脂等を主材とする結合材に混合し、攪拌して複合磁性材ペースト１を作製し、これを図１（Ａ）のようにＰＥＴ等のリリース用フィルム２に一定厚みで塗布し、乾燥させる。それから、圧延、必要に応じて架橋処理を行ってから、リリース用フィルム２を剥がすことで図１（Ｂ）のシート状複合磁性体１０が得られる。ここで、シート状複合磁性体１０が半導電性となるように、換言すれば、導電性金属ほど低抵抗ではなく、かつ絶縁体ほど高抵抗でもない、中間の抵抗値を呈するようにするため、軟磁性金属磁性粉同士の接触が生じる程度に、扁平状の軟磁性金属磁性粉のアスペクト比や混合比率を設定する。
【００２３】
具体的に言えば、シート状複合磁性体１０の表面抵抗率が１００Ω／□以下となるように設定する。ここで、軟磁性体の表面抵抗率が１００Ω／□を超えると、導電性による効果が低下してしまうため、軟磁性体の表面抵抗率は前述のように１００Ω／□以下であることが好ましい。なお、表面抵抗率が０.０１Ω／□未満では、渦電流損により、高周波領域では複合磁性体の透磁率が低下してしまうので、０.０１Ω／□以上であることがいっそう好ましい。
【００２４】
このように、適切な導電性をもった軟磁性体は、放電電流を導電特性、磁気特性の両方の作用により、減衰、反射させることが可能である。
【００２５】
前記シート状複合磁性体１０を、電子機器内の導体ライン、回路基板、電子機器筐体等のＥＳＤ抑制対象物又はその近傍に直接装着できるように、図１（Ｃ）に示す絶縁性の誘電体層２０を用意し、これを同図（Ｄ）のようにシート状複合磁性体１０の片面に貼り合わせてＥＳＤ抑制用シート品３０を作製する。ここでは、誘電体層２０として絶縁性樹脂フィルム２１の両面に絶縁性粘着剤を塗布して絶縁性粘着層２２を形成したものを用い、一方の面の絶縁性粘着層２２でシート状複合磁性体１０に貼り合わせる。誘電体層２０を設ける領域は全面でもよいし、必要な領域のみに設けるようにしてもよい。
【００２６】
そして、図１（Ｄ）のように、シート状複合磁性体１０の片側に絶縁性誘電体層２０を貼り合わせたＥＳＤ抑制用シート品３０を、誘電体層２０の他方の面（複合磁性体１０に対面しない方）の絶縁性粘着層２２によって、ＥＳＤ抑制対象物としての電子機器内の基板４０に形成された導体ライン（導体パターン）４１上に直接装着、固定する。
【００２７】
前記シート状複合磁性体１０を作製するのに用いる良好な導電性の軟磁性金属磁性粉としては、鉄、鉄−シリコン合金、鉄−シリコン−アルミ合金、鉄−クロム合金、鉄−ニッケル合金等の各種金属磁性材料を用いることができる。特に鉄−ニッケル合金は、耐腐食性に優れるため、磁性粉の導電性の維持が可能であり、かつ、高い透磁率を持つために本発明の磁性粉用材料として好適である。
【００２８】
また、前記軟磁性金属磁性粉においては、アスペクト比の高い扁平形状のものを用いることによって、磁性粉同士の接触が生じて、適切な導電性が確保され、また、磁性粉の反磁界が抑制されるため、高い透磁率を得ることが可能となる。このような、アスペクト比の高い磁性粉は、球状のアトマイズ粉をアトライタ等を用いて、加工が可能である。アスペクト比については特に限定されないが磁性粉の反磁界を抑えるために２０以上とすることが好ましい。
【００２９】
前記シート状複合磁性体１０を作製するにあたって、軟磁性金属磁性粉の結合材への充填量は特に限定されず、前記軟磁性金属磁性粉の導電率や透磁率、粒度分布、粒子形状等を考慮し適宜調整すればよいが、電磁気特性上からは２０体積％以上とすることが好ましく、柔軟性の要求されるシートとしての機械特性上からは６０体積％以下とすることが好ましい。
【００３０】
シート状複合磁性体１０の結合材としては、柔軟性を有するのであれば、特に限定されず、各種熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂並びに各種合成ゴムが使用される。そのなかでも比較的安価で、熱安定性に優れ、柔軟性に優れ、また、環境対策として、塩素、臭素系材料を含まないアクリルゴム、エチレン−エチルアクリレート共重合樹脂（ＥＥＡ）が好適に使用される。また必要に応じて、可塑剤や酸化防止剤、架橋剤、難燃剤等の添加剤を加えても良い。
【００３１】
前記誘電体層２０における絶縁性樹脂フィルム２１として、ＰＥＴ、ＰＰＳ、ポリイミド、ポリアミド等の絶縁性樹脂が使用でき、この両面に塗布されて絶縁性粘着層２２を形成する絶縁性粘着剤としては、ゴム系樹脂やアクリル系樹脂等の各種粘着剤を用いることができる。
【００３２】
前記誘電体層２０の絶縁性としては、１ＭΩ／□以上が一つの目安であるが、安全性を考慮し、１ＧΩ／□以上とすることにより、より高い安全性が確保される。
【００３３】
前記誘電体層２０の厚さについて考察すると、その厚さを大きくした場合、絶縁性並びに機械強度を向上させることは可能となる一方、ＥＳＤ抑制用シート品全体としては、磁性体層厚さの比率が相対的に減少するため、磁気特性が相対的に低下し、また、特に誘電体層としてフィルムを用いた場合には、柔軟性が低下するという問題がある。従って、誘電体層２０の平均厚さは１５μｍ以下のできるだけ薄い厚さであることが望まれるが、誘電体層を薄くした場合、絶縁性の低下、ピンホール発生の問題があるため、厚さを薄くしすぎると絶縁性の確保が非常に問題となり、フィルム自体の取り扱い性が低下し、複合磁性体１０への装着が困難となる。このため、前記誘電体層２０の平均厚さは、絶縁性を確保するために３μｍ以上とすることが好ましいといえる。
【００３４】
前記誘電体層２０としてフィルムを用いた場合、フィルム材料は複合磁性体よりも一般的に機械強度が高いため、複合磁性体１０に誘電体層２０を付加することにより、複合磁性体単体時よりも機械強度を向上させることが可能となる。とくに、強度の高い樹脂フィルム２１を用いた場合、シート幅１ｍｍ当たりの引張強度を１Ｎ以上とすることができる。前記樹脂フィルム２１の中でポリアミド樹脂フィルムは、機械的強度が大きいため、３μｍ程度まで薄型化が可能であり、また、薄くても比較的取り扱い性に優れるため、本発明用の誘電体層として比較的好ましい。
【００３５】
また、ポリアミド樹脂は、高い難燃性を有するため、ポリアミド樹脂を誘電体層２０として使用し、また、シート状複合磁性体１０に水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、赤燐、リン酸エステル等の非ハロゲン系難燃剤を適宜添加することにより、ハロゲンフリーで難燃性を有するＥＳＤ抑制用シート品３０を実現でき、ひいては難燃性を有するＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を実現できる。
【００３６】
また、難燃性を得るためにシート状複合磁性体１０に水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、赤燐、リン酸エステル等の非ハロゲン系難燃剤を添加した場合、複合磁性体の機械特性が低下するが、誘電体を一体化、特に樹脂フィルム２１として強度の高いポリアミド樹脂フィルムを一体化することにより、機械特性に優れ、かつ難燃性を有するＥＳＤ抑制用シート品３０が得られ、これを用いることで、難燃性を有するＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を実現できる。
【００３７】
この実施の形態１に係るＥＳＤ抑制方法及び抑制構造によれば、次の通りの効果を得ることができる。
【００３８】
(1)  シート状複合磁性体１０は軟磁性金属磁性粉と結合材とを含み半導電性（好ましくは表面抵抗率：０.０１Ω／□〜１００Ω／□）であるため、ＥＳＤに起因する放電電流を導電特性、磁気特性の両方の作用により、減衰、反射させることが可能である。とくに、複合磁性体が絶縁性のときに比べ、単層構造であっても高いＥＳＤ抑制効果を発揮可能である。
【００３９】
(2)  前記軟磁性金属磁性粉として、アスペクト比の高い扁平形状のものを用いれば、磁性粉同士の接触が起こることにより、適切な導電性を確保でき、磁性粉の形状に伴う反磁界が抑制されるため、高い透磁率を得ることが可能となる。
【００４０】
(3)  シート状複合磁性体１０に用いる軟磁性金属磁性粉として、耐腐食性に優れるＦｅ−Ｎｉ系合金粉を用いれば、軟磁性金属磁性粉の導電性の維持が確実に可能であり、かつ高い透磁率を持つので、所望の磁気特性並びに導電性の両方の特性を得ることが可能となり、前記ＥＳＤ抑制効果の向上に有効である。
【００４１】
(4)  シート状複合磁性体１０に絶縁性誘電体層２０が一体化されたＥＳＤ抑制用シート品３０は、誘電体層２０表面の絶縁性粘着層２２を利用してＥＳＤ抑制対象物としての電子機器内の導体ライン４１上に直接貼り付けることができ、ＥＳＤにより導体ライン４１に発生する高周波電流を直接抑制できる。
【００４２】
(5)  シート状複合磁性体１０の表面の少なくとも一部に絶縁性誘電体層２０（好ましくは表面抵抗率が１ＧΩ／□以上）をもつことにより、高い表面絶縁性が確保でき、ＥＳＤ発生源に直接装着して使用しても、短絡事故の発生を防止できる。
【００４３】
(6)  前記誘電体層２０の平均厚さを３μｍ〜１５μｍとすることにより、ＥＳＤ抑制用シート品３０の柔軟性を損なわずかつ絶縁不良の発生を防止できる。
【００４４】
(7)  シート状複合磁性体１０に非ハロゲン系難燃剤を添加するとともに、樹脂フィルム２１として強度の高いポリアミド樹脂フィルムを一体化することにより、機械特性に優れ、かつ難燃性を有するＥＳＤ抑制用シート品３０を作製でき、ひいては機械特性に優れ、かつ難燃性を有するＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を実現できる。
【００４５】
なお、上記実施の形態１において、軟磁性金属磁性粉に加えてカーボン、グラファイト、各種非磁性金属等の非磁性導電性粉を添加して適切な導電性を持たせてもよいが、軟磁性金属磁性粉として適切な導電性を有するものを用い、他の非磁性導電性粉を用いない方が、特性上並びに生産上好ましい。
【００４６】
実施の形態２
本発明の実施の形態１のＥＳＤ抑制方法及び抑制構造で用いたＥＳＤ抑制用シート品は片面のみに誘電体層を設けたが、両面に誘電体層を設けたＥＳＤ抑制用シート品を用いたＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を本発明の実施の形態２として図２で説明する。
【００４７】
図２（Ａ）に示す第１の絶縁性誘電体層２０は実施の形態１の場合と同様にＰＥＴ、ＰＰＳ、ポリイミド、ポリアミド等の絶縁性樹脂フィルム２１の両面にゴム系樹脂やアクリル系樹脂等の絶縁性粘着剤を塗布して絶縁性粘着層２２を形成した構成である。
【００４８】
図２（Ｂ）に示す第２の絶縁性誘電体層２５はＰＥＴ、ＰＰＳ、ポリイミド、ポリアミド等の絶縁性樹脂フィルム２６の片面にゴム系樹脂やアクリル系樹脂等の絶縁性粘着剤を塗布して絶縁性粘着層２７を形成した構成である。
【００４９】
それから、図２（Ａ）の第１の絶縁性誘電体層２０を、その一方の絶縁性粘着層２２でシート状複合磁性体１０の下面（装着側）に貼り付け、同図（Ｂ）の第２の絶縁性誘電体層２５を、その片面の絶縁性粘着層２７でシート状複合磁性体１０の上面（非装着側）に貼り付けてＥＳＤ抑制用シート品３０Ａを作製する。
【００５０】
そして、図２（Ｄ）のように、ＥＳＤ抑制用シート品３０Ａを、絶縁性誘電体層２０の他方の面（複合磁性体１０に対面しない方）の絶縁性粘着層２２によって、ＥＳＤ抑制対象物としての電子機器内の基板４０に形成された導体ライン（導体パターン）４１上に直接装着、固定する。
【００５１】
この実施の形態２に係るＥＳＤ抑制方法及び抑制構造によれば、実施の形態１の効果に加えて以下の効果を得ることができる。
【００５２】
(1)  ＥＳＤ抑制用シート品３０ＡはＥＳＤ抑制対象物への装着側が絶縁性となっているだけでなく、装着面の反対側も絶縁性となっており、シート品３０Ａの装着に伴う短絡事故の発生を確実に防止できる。
【００５３】
(2)  シート状複合磁性体１０の両面が誘電体層２０，２５で補強されることになるため、機械的強度の向上を図ることができる。とくに、誘電体層２０，２５として強度の高いポリアミド樹脂フィルムを用いれば、よりいっそうの強度向上が可能である。例えば、シート幅１ｍｍ当たりの引張強度１Ｎ以上を十分確保できる。
【００５４】
上記実施の形態１，２では絶縁性の誘電体層として樹脂フィルムに粘着剤を設けたものを例示したが、前記誘電体層を、ウレタン系、アクリル系、スチレン系、ポリオレフィン系等の各樹脂によるコーティング処理で形成してもよい。コーティングの場合は薄くするとピンホール発生の問題があるため、前記誘電体層を薄くしたい場合には樹脂フィルムの使用がどちらかと言えば好ましい。
【００５５】
実施の形態３
上記実施の形態１，２はＥＳＤ抑制対象物が基板４０に形成された導体ライン４１であったが、電子機器内の基板間、あるいは基板と各種装置間を接続するフラット・ケーブル（ＦＰＣ等も含む）４０をＥＳＤ抑制対象物とした場合のＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を、本発明の実施の形態３として図３で説明する。
【００５６】
図３において、フラット・ケーブル５０の両端にはそれぞれ基板等への接続のためのコネクタ５１が接続されており、そのフラット・ケーブル５０をサンドイッチ状に挟むように、もしくは周回するように前記ＥＳＤ抑制用シート品３０又は３０Ａが装着、固定（粘着層により粘着固定）されている。
【００５７】
この場合もＥＳＤによりフラット・ケーブル５０の導体ラインに発生する高周波電流を直接抑制できる。
【００５８】
実施の形態４
図４は本発明の実施の形態４であって、電子機器の筐体６０をＥＳＤ抑制対象物とした場合のＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を示す。
【００５９】
図４において、電子機器の筐体６０の内側に前記ＥＳＤ抑制用シート品３０又は３０Ａを貼り付け、固定する。この場合、ＥＳＤに起因して筐体６０に放電電流が流れることで電磁界が発生するが、ＥＳＤ抑制用シート品３０又は３０Ａが筐体６０の内側に配置されていることで、基板４０へのＥＳＤの影響は抑制される。
【００６０】
実施の形態５
導電性を積極的に利用する用途には、本発明の実施の形態１で述べたシート状複合磁性体１０に導電体層を設ければよく、この場合を本発明の実施の形態５として図５に示す。この図において、ＥＳＤ抑制用シート品３０Ｂは、シート状複合磁性体１０の片面に導電体層７１が一体化されている。この導電体層７１は、例えば金属箔７２に導電性粘着剤を塗布して導電性粘着層７３を形成したものであり、金属箔７２の片面はシート状複合磁性体１０に固着されている。そして、導電性粘着層７３を利用してＥＳＤ抑制対象物８０にＥＳＤ抑制用シート品３０Ｂを貼り付け、固定する。
【００６１】
この実施の形態５に示したＥＳＤ抑制用シート品３０Ｂを用いたＥＳＤ抑制方法及び抑制構造によれば、接触面との導電性を必要とする用途に好適に利用できる。
【００６２】
なお、実施の形態５において、直接貼り付けの必要のない用途には、導電性粘着層７３を省略できる。また、金属箔を省略してシート状複合磁性体１０に直接導電性粘着層を形成する構成としてもよい。さらに、導電性が必要な部分のみに導電体層７１を設け、その他の領域には絶縁性誘電体層を設けることにより、導電性と絶縁性の必要な面の使い分けができる。
【実施例】
【００６３】
以下、本発明に係るＥＳＤ抑制方法及び抑制構造の実施例について詳述する。
【００６４】
複合磁性体に用いる軟磁性粉
累積５０％径約３０μｍのモリブデンパーマロイアトマイズ粉を出発材料とし、アトライタで累積５０％径約１００μｍ、比表面積約１.５ｍ２／ｇ、アスペクト比約８０の扁平状に加工した。この加工による歪みを除くために窒素雰囲気中にて６００℃で１時間熱処理を実施し、この粉を本実施例の磁性粉として使用した。
【００６５】
複合磁性体に用いる結合材
結合材として、エチレン−エチルアクリレート共重合樹脂を主材として用い、その他、添加剤として、水酸化物、赤燐、リン酸エステル等の難燃剤や架橋のための過酸化物等の架橋剤を加えたものを結合材として使用した。
【００６６】
シート状複合磁性体
前記結合材をトルエンで溶解し、この溶解したものに前記軟磁性粉を混合攪拌して、ペーストを作成した。このペーストをナイフコーターにてリリース用ＰＥＴフィルムに塗布乾燥させた後、カレンダーロールで圧延し、ロール状に巻き取った後、加硫釜で架橋を行い、厚さ０.１ｍｍの半導電性のシート状複合磁性体を作成した（試料１とする。）。
【００６７】
ここで、試料１の材料配合量は下記表１の通りである。
表１

軟磁性粉                              ７９重量部        
結合材              主材              １３重量部
添加剤              ８重量部        
【００６８】
誘電体層１
厚さ４μｍのポリアミドフィルム（東レ製ミクトロン）の両面にそれぞれ厚さ５μｍのアクリル系粘着剤を塗布し、厚さ７５μｍのリリース用ＰＥＴフィルムで裏打ちしたものを作成した。
【００６９】
誘電体層２
厚さ４μｍのポリアミドフィルム（東レ製ミクトロン）の片面に厚さ５μｍのアクリル系粘着剤を塗布し、厚さ７５μｍのリリース用ＰＥＴフィルムで裏打ちしたものを作成した。
【００７０】
試料２
前記試料１に、リリース用ＰＥＴフィルムを剥がして誘電体層１を貼り合せし、シート状複合磁性体の片側に誘電体層を一体化した試料２を作成した。
【００７１】
試料３
前記試料２に、リリース用ＰＥＴフィルムを剥がして誘電体層２を貼り合せし、シート状複合磁性体の両側に誘電体層を一体化した試料３を作成した。
【００７２】
比較試料１
比較的絶縁性の高いシート状複合磁性体として以下のものを使用した。軟磁性粉として表面に酸化皮膜を有するＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金粉末８０重量部、有機結合材としてＥＶＡ樹脂２０重量部を有するもの。厚さ０.１ｍｍとする。
【００７３】
比較試料２
導電性であり、かつ、非磁性であるアルミ蒸着膜付きＰＥＴフィルムを使用した。
【００７４】
磁気特性
インピーダンスマテリアルアナライザ（アジレントテクノロジー製４２９１Ｂ）で測定した本実施例の複合磁性体（試料１）の複素透磁率を図６の実線に示すとともに、比較のために、比較試料１の透磁率も同時に示す（但し、μ’：複素透磁率の実数部、μ”：複素透磁率の虚数部）。
【００７５】
絶縁性（表面抵抗）
本実施例のシート状複合磁性体（試料１）に関し、四探針法（ＪＩＳ  Ｋ  ７１９４）にて、表面抵抗率を測定した結果、約１０Ω／□であった。さらに、試料２について誘電体層側の表面抵抗率をリング電極法（ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１）にて測定したところ、約１００ＧΩ／□であった。また、試料３について、試料２とは逆の誘電体層面について表面抵抗率を測定したところ、約１ＴΩ／□であった。
【００７６】
比較試料１について、表面抵抗率を測定したところ、約５００ＭΩ／□であった。なお、比較試料２の表面抵抗は０Ω／□であった。
【００７７】
ＥＳＤ抑制効果
ＥＳＤ抑制効果を確認するため、以下の２つの方法で評価を行った。なお、評価法１は、ＥＳＤ抑制対象物として回路基板を想定したもの、評価法２は導体ラインを想定したものである。
【００７８】
評価法１
図７の評価法１の測定系に示すように、特性インピーダンスが５０ΩであるマイクロストリップラインにＥＳＤ放電装置（ＥＳＤシミュレータ：ノイズ研ＥＳＳ−６３０Ａ、及びＥＳＤ放電ガン：ＴＣ−８１５Ｃ）より放電を行い、マイクロストリップライン上に試料（５０ｍｍ×５０ｍｍ）を装着した場合としない場合についてオシロスコープ（Tektronix  ＴＤＳ３０５２）により電圧の測定を行った。
【００７９】
評価法２
図８の評価法２の測定系に示すように、同軸導波管（ＷＸ−３９Ｄ）の内導体にＥＳＤ放電装置（ＥＳＤシミュレータ：ノイズ研ＥＳＳ−６３０Ａ、及びＥＳＤ放電ガン：ＴＣ−８１５Ｃ）より放電を行い、内導体に試料（長さ３００ｍｍを１ターン巻きつけた場合と巻きつけない場合についてオシロスコープ（Tektronix  ＴＤＳ３０５２）により電圧の測定を行った。
【００８０】
評価結果
評価法１
本発明品（本実施例に係る試料２）をマイクロストリップラインに装着する前の結果（基準値）を図９に、試料２を装着したときの（誘電体層がマイクロストリップラインに対面する配置とする）の評価結果を図１０に示す。また、比較試料１及び２の評価結果をそれぞれ図１１及び図１２に示す。本発明品（試料２）は比較試料２と比較して、ほぼ同等のＥＳＤ抑制効果を示し、また、比較試料１と比較して、高いＥＳＤの抑制効果を示している。すなわち、本発明品である試料２による電圧の減衰量：約８０Ｖ、比較試料１による電圧の減衰量：約２０Ｖであった。
【００８１】
評価法２
本発明品（試料２）を内導体に装着する前の結果（基準値）を図１３に、試料２を内導体に装着したときのの評価結果を図１４に示す。また、比較試料１及び２の評価結果をそれぞれ図１５及び図１６に示す。本発明品（試料２）は比較試料１と比較してほぼ同等のＥＳＤ抑制効果を示し、比較試料２と比較して、高いＥＳＤの抑制効果を示している。すなわち、本発明品である試料２による電圧の減衰量が約１００Ｖであるのに対して、比較試料２による電圧の減衰量はほとんど認められなかった。
【００８２】
引張強度
ＪＩＳ  Ｋ  ６２５１に基づき評価した結果を以下に示す。なお、引張強度はシートの単位巾あたりの値である。
試料１      ０.７Ｎ／ｍｍ
試料２      １.４Ｎ／ｍｍ
試料３      ２.３Ｎ／ｍｍ
比較試料１  ０.５Ｎ／ｍｍ
比較試料２  １.５Ｎ／ｍｍ
【００８３】
難燃性
試料３についてＵＬ５１０の方法にて難燃性を評価した結果、難燃性が得られることが確認された。
【００８４】
以上本発明の実施の形態及び実施例について説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当業者には自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施の形態１であって、（Ａ）はシート状複合磁性体の製造過程を示す説明図、（Ｂ）はシート状複合磁性体の正断面図、（Ｃ）はシート状複合磁性体に貼り合わせる誘電体層の正断面図、（Ｄ）は前記誘電体層をシート状複合磁性体の片面に設けたＥＳＤ抑制用シート品の正断面図、（Ｅ）はＥＳＤ抑制用シート品を用いたＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を示す正断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２であって、（Ａ）はシート状複合磁性体に貼り合わせるための第１の誘電体層の正断面図、（Ｂ）は第２の誘電体層の正断面図、（Ｃ）は第１の誘電体層をシート状複合磁性体の一方の面に、第２の誘電体層をシート状複合磁性体の他方の面に設けたＥＳＤ抑制用シート品の正断面図、（Ｄ）はＥＳＤ抑制用シート品を用いたＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を示す正断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３であって、フラット・ケーブルにＥＳＤ抑制用シート品を装着するＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を示す正面図である。
【図４】本発明の実施の形態４であって、ＥＳＤ抑制対象物が電子機器筐体、あるいは電子機器内の基板に搭載された搭載素子である場合のＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を示す正断面図である。
【図５】本発明の実施の形態５であって、導電性を積極的に利用する用途に適したＥＳＤ抑制用シート品を用いたＥＳＤ抑制方法及び抑制構造を示す正断面図である。
【図６】本発明の実施例に係るシート状複合磁性体（試料１）の磁気特性を比較試料１と対比して示すグラフである。
【図７】ＥＳＤ抑制効果を評価する評価法１の測定系を示す説明図である。
【図８】ＥＳＤ抑制効果を評価する評価法２の測定系を示す説明図である。
【図９】評価法１において、ＥＳＤ抑制のための試料を装着する前の測定基準となる電圧波形図である。
【図１０】評価法１において、本発明品である試料２をＥＳＤ抑制のために装着したときの電圧波形図である。
【図１１】評価法１において、試料２の代わりに比較試料１を装着したときの電圧波形図である。
【図１２】評価法１において、試料２の代わりに比較試料２を装着したときの電圧波形図である。
【図１３】評価法２において、ＥＳＤ抑制のための試料を装着する前の測定基準となる電圧波形図である。
【図１４】評価法２において、本発明品である試料２をＥＳＤ抑制のために装着したときの電圧波形図である。
【図１５】評価法２において、試料２の代わりに比較試料１を装着したときの電圧波形図である。
【図１６】評価法２において、試料２の代わりに比較試料２を装着したときの電圧波形図である。
【符号の説明】
【００８６】
１  複合磁性材ペースト
１０  シート状複合磁性体
２０，２５  誘電体層
２１，２６  絶縁性樹脂フィルム
２２，２７  絶縁性粘着層
３０，３０Ａ，３０Ｂ  ＥＳＤ抑制用シート品
４０  基板
４１  導体ライン
５０  フラット・ケーブル
６０  筐体
７１  導電体層
７２  金属箔
７３  導電性粘着層
８０  ＥＳＤ抑制対象物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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