(57)【要約】【課題】  モリブデン等の端子等の表面に生じた酸化膜を容易に除去でき、端子と電子部品等との電気的接続の信頼性を向上させ、製造コストを軽減できる電気光学装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  純水３４で電極用端子１８等に空気中の水分等により生じた酸化膜３３を除去することとしたので、その材料の扱いや除去作業が容易であり製造コストを軽減できる。  また、洗浄後直ちに電子部品や回路基板としてのＸドライバＩＣ１６等やフレキシブル基板３を実装、接続することとしたので、酸化膜３３が純水３４の洗浄により除去された後に再び当該電極用端子等に酸化膜３３が生じることを防ぐことができる。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電気光学物質が保持されてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記基板に配線と、その配線に電気的に接続され少なくとも最表面がモリブデンもしくはモリブデンを主成分とする合金である端子とを形成する形成工程と、
前記端子の表面に生じた酸化膜を除去するように少なくとも前記端子を純水で洗浄する洗浄工程と、
前記洗浄工程の直後に前記端子に電子部品及び回路基板の少なくとも一方を実装する実装工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、相対向する第１及び第２の基板からなり、
前記電気光学物質は、前記第１及び第２の基板間に密封されてなり、
前記端子は、前記第１の基板と第２の基板とが平面的に重ならない領域に設けられており、
前記洗浄工程は、前記電気光学物質が密封された前記第１及び第２の基板を前記純水で洗浄するものであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記基板は、
前記電気光学物質に電圧を印加する画素電極と、
前記画素電極に信号を印加する信号線と
を有し、
前記信号線と前記配線及び前記端子とは同一工程で形成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄工程は、前記純水の温度が６０℃以上で８０℃以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記洗浄工程は、少なくとも前記端子を前記純水に約１５分間浸漬することを特徴とする請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記実装工程は、前記洗浄工程の直後に異方性導電膜を前記端子に配置し、その上に前記電子部品及び回路基板の少なくとも一方を実装するものであることを特徴とする請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記洗浄工程は、前記純水が蓄えられた洗浄槽に前記基板を少なくとも前記端子が前記純水に浸漬されるように入れることを特徴とする請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記洗浄工程は、前記酸化膜が前記洗浄槽中の前記純水に溶出するものであることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等に用いられる電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として液晶装置等の電気光学装置が用いられている。しかし、近年、パーソナルコンピュータや携帯電話機等も高機能化しており、用いられる液晶装置等の電気光学装置も高機能化・高精度化が求められている。
【０００３】
そこで、例えば素子基板と他の基板とを貼り合せて液晶を注入し、密封した後に素子基板に設けられたＡｌ（アルミニウム）の配線等をアルコールで洗浄して余分な液晶等を除去し配線等の電気的接続の信頼性を向上させている。また、当該配線等にＴａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ａｌ（アルミニウム）等を用いて配線の抵抗値を低減させることなどが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−２１２８６４号公報（段落[０００８]）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述の方法により当該配線の抵抗値を低減することが可能となったが、該配線にモリブデン等を用い、そのモリブデン等と同じ材料で形成された端子に液晶駆動用ＩＣ等の電子部品等を実装する際に該端子が空気中の水分等により容易に酸化され、そのモリブデンの表面に酸化膜が生じている場合が起こり、かかる場合にその酸化膜により基板上の端子と電子部品等との電気的接続の信頼性を著しく低下させるという問題があった。
【０００５】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、モリブデン等の端子等の表面に生じた酸化膜を容易に除去でき、端子と電子部品等との電気的接続の信頼性を向上させ、製造コストを軽減できる電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電気光学装置の製造方法は、基板に電気光学物質が保持されてなる電気光学装置の製造方法であって、前記基板に配線と、その配線に電気的に接続され少なくとも最表面がモリブデンもしくはモリブデンを主成分とする合金である端子とを形成する形成工程と、前記端子の表面に生じた酸化膜を除去するように少なくとも前記端子を純水で洗浄する洗浄工程と、前記洗浄工程の直後に前記端子に電子部品及び回路基板の少なくとも一方を実装する実装工程とを具備することを特徴とする。
【０００７】
ここで、「生じた酸化膜」とは、例えば最表面にモリブデンが形成された端子が空気中の水分により酸化して形成される酸化膜のことであり、「電子部品」とは例えば液晶駆動用ＩＣ等をいう。また、「回路基板」とは例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）等をいい、「洗浄工程」とは例えば純水による洗浄の後に該洗浄により濡れた端子等を乾燥させる乾燥工程も含むものとする。更に「モリブデンを主成分とする合金」とは、例えばモリブデン・タングステン（ＭｏＷ）、モリブデン・ニオブ（ＭｏＮｂ）、モリブデン・ジルコニウム（ＭｏＺｒ）、モリブデン・アルミニウム（ＭｏＡｌ）等をいう。
【０００８】
本発明は、純水で酸化膜を除去することとしたのでその扱いが容易であり製造コストを軽減できる。また、洗浄後直ちに電子部品や回路基板を実装することとしたので、除去された後に再び酸化膜が生じることを防ぐことができる。更に端子の少なくとも最表面は、モリブデンもしくはモリブデンを主成分とする合金であるとしたので、電気的抵抗を小さくすることができ、端子と電子部品や回路基板との電気的接続をより良好なものとすることができる。
【０００９】
本発明の一の形態によれば、前記基板は、相対向する第１及び第２の基板からなり、前記電気光学物質は、前記第１及び第２の基板間に密封されてなり、前記端子は、前記第１の基板と第２の基板とが平面的に重ならない領域に設けられており、前記洗浄工程は、前記電気光学物質が密封された前記第１及び第２の基板を前記純水で洗浄するものであることを特徴とする。これにより、例えば第１及び第２の基板のいずれか一方に電子部品や回路基板を実装する端子が設けられている場合も、単純に二枚貼り合わされたパネルを例えば純水が入れられた洗浄槽に全部を浸けるだけで済み、洗浄が容易となり、製造コストの低減が図れる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記基板は、前記電気光学物質に電圧を印加する画素電極と、前記画素電極に信号を印加する信号線とを有し、前記信号線と前記配線及び前記端子とは同一工程で形成されることを特徴とする。ここで「信号線」とは、例えばＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス型の液晶装置のソース電極等をいう。これにより、信号線と配線及び端子とを別々の工程で形成する場合に比べ、電気光学装置の製造工程を削減することができ、製造コストの軽減となる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記洗浄工程は、前記純水の温度が６０℃以上で８０℃以下であることを特徴とする。これにより、他の部材を傷めず端子から酸化膜を速やかに、かつ、確実に除去できる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記洗浄工程は、少なくとも前記端子を前記純水に約１５分間浸漬することを特徴とする。これにより、端子から酸化膜を速やかに、かつ、確実に除去できる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記実装工程は、前記洗浄工程の直後に異方性導電膜を前記端子に配置し、その上に前記電子部品及び回路基板の少なくとも一方を実装するものであることを特徴とする。これにより、洗浄後直ちに異方性導電膜で端子を覆うことができるので、酸化膜の除去された端子を電子部品等の実装前に迅速に空気中の水分から保護することが可能となる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記洗浄工程は、前記純水が蓄えられた洗浄槽に前記基板を少なくとも前記端子が前記純水に浸漬されるように入れることを特徴とする。これにより、洗浄槽をより小型化できると共に純水の使用量を少なくすることができ、製造コストを軽減することができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記洗浄工程は、前記酸化膜が前記洗浄槽中の前記純水に溶出するものであることを特徴とする。これにより、特に物理的振動を与えたりしなくても自然に酸化膜が純水に溶け出し、端子表面から除去でき、特殊な洗浄装置も必要としないので製造コストをより軽減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置の例としてＴＦＴアクティブマトリックス型の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。更に以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００１７】
（第１の実施形態）
【００１８】
図１は本発明の第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線概略断面図（ＸドライバＩＣは切断していない）及び図３は図２の張出し部の部分拡大図である。
【００１９】
（液晶装置の構成）
【００２０】
液晶装置１は、例えば図１に示すように液晶パネル２、その液晶パネル２に接続された回路基板としてのフレキシブル基板３を有する。ここで、液晶パネル２には、フレキシブル基板３の他にもバックライト等の照明装置やその他の付帯機構が必要に応じて付設される（図示しない）。
【００２１】
ここで、液晶パネル２は例えば図２に示すようにシール材４を介して貼り合わされた基板としての第１の基板５及び第２の基板６、その第１及び第２の基板５，６の間に封止された電気光学物質としての液晶、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型の液晶７とを有する。
【００２２】
第１及び第２の基板５，６は例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材であり、図２に示すように第１及び第２の基板５，６の外側（液晶７とは反対側）には、入射光を偏光させるための夫々偏光板８，９が貼着されている。
【００２３】
また、第１の基板５はその内側（液晶側）に例えば図１及び図２に示すようにＹ軸方向にゲート電極１０が形成され、Ｘ軸方向に信号線としてのソース電極１１が形成されており、更にそのゲート電極１０及びソース電極１１等の液晶側には配向膜１２が形成されている。
【００２４】
ゲート電極１０及びソース電極１１は、例えばモリブデンにより形成されており、図示しないＴＦＴに電気的に接続されている。また、ＴＦＴはやはり図示しない画素電極に電気的に接続されている。
【００２５】
これにより、ゲート電極１０及びソース電極１１はゲート電極１０に電圧を印加したときにソース電極１１から画素電極に、またはその逆に電流が流れるように構成されている。ここで、信号線であるソース電極１１は画素電極にデータ信号を印加し、画素電極は後述する共通電極とでその間に挟まれた液晶７に電圧を印加するものである。
【００２６】
更に第１の基板５は、第１の基板と第２の基板とが平面的に重ならない領域としての第２の基板６の外周縁から張り出した張出し部１３を有し、当該張出し部１３には、例えばゲート電極１０及びソース電極１１がシール材４で囲まれる領域から当該張出し部１３に延びた配線としてのゲート電極用配線１４及びソース電極用配線１５等が形成され、その各電極用配線に電気的に接続された電子部品としての液晶駆動用のＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７が実装されている。
【００２７】
張出し部１３は、例えば図３に示すようにＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装面に対応する領域内にゲート電極用配線１４及びソース電極用配線１５に電気的に接続された端子としての電極用端子１８、更にフレキシブル基板３等からの電流をＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７に入力する同じく端子としての入力用端子１９を有する。
【００２８】
また、張出し部１３は例えば図２及び図３に示すようにフレキシブル基板３等から電流を受取る端子としての外部用端子２０、その外部からの電流を入力用端子１９に供給する配線としての入力用配線２１等を有する。
【００２９】
更にＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７は、例えば図２及び図３に示すようにその張出し部１３に実装する実装面に電極用端子１８及び入力用端子１９に電気的に接続する複数のバンプ２２を有する。この電気的接続は電極用端子１８及び入力用端子１９とバンプ２２との間に接着剤でもある異方性導電膜（ＡＣＦ）２３を介して行なわれる。
【００３０】
ここで、電極用端子１８及び入力用端子１９は例えばモリブデンにより形成されており、後述するように純水による洗浄で酸化膜が除去された表面となっている。
【００３１】
更に電極用端子１８及び入力用端子１９は、例えば図３に示すように導電粒子２４を介してバンプ２２に電気的に接続されており、その材料は具体的にはモリブデン以外にもモリブデンを主成分とする合金であるＭｏＷ（モリブデン・タングステン）、ＭｏＮｂ（モリブデン・ニオブ）、ＭｏＺｒ（モリブデン・ジルコニウム）、ＭｏＡｌ（モリブデン・アルミニウム）等でもよい。
【００３２】
また、バンプ２２はＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装面に複数配列されており、例えば略直方体に形成されているがこれに限られるものではなく、円柱形等の形状であってもよく、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等で形成されている。
【００３３】
更に異方性導電膜２３は、導電粒子２４が接着剤であるエポキシまたはアクリルを主成分とするフィルム状の樹脂２５中に分散されている。
【００３４】
また、例えば図３に示すように電極用端子１８及び入力用端子１９とその付近に空けられた開口部を除きゲート電極用配線１４、ソース電極用配線１５及び入力用配線２１等を覆うように絶縁材２６が積層されており、配線間の絶縁や保護を図っている。
【００３５】
更に配向膜１２は、例えばポリイミド等の有機薄膜であり電圧が印加されていないときの液晶７の配向状態を規定するためのラビング処理が施されている。
【００３６】
一方、第２の基板６はその内側（液晶側）表面に共通電極２７が形成されており、その共通電極２７の液晶側には配向膜２８が形成されている。
【００３７】
ここで、共通電極２７は表示領域の全体に形成された面電極でありＩＴＯ等の透明導電膜である。また、配向膜２８は例えばポリイミド等の有機薄膜であり電圧が印加されていないときの液晶７の配向状態を規定するためのラビング処理が施されている。
【００３８】
尚、第１及び第２の基板５，６のいずれか一方の内側には、図示しないが必要に応じて下地層、反射層、着色層及び光遮蔽層等が形成されている。
【００３９】
次に、フレキシブル基板３は例えば図１に示すようにベース基材２９の上に配線パターン３０等が形成、実装されている。
【００４０】
ここで、ベース基材２９は可撓性を有するフィルム状の部材であり、配線パターン３０は例えば銅等から形成されている。また、配線パターン３０はベース基材２９の張出し部側の端に形成されている接続用端子（図示しない）に電気的に接続されており、その接続用端子は、例えば液晶パネル２の外部用端子２０に異方性導電膜２３と材質及び形状等が同様な異方性導電膜３１を介して電気的に接続されている。
【００４１】
（液晶装置の製造方法）
【００４２】
次に、以上のように構成された液晶装置（電気光学装置）の製造方法について端子に生じた酸化膜の除去を中心に説明する。
【００４３】
図４は液晶装置の製造方法のフローチャート図、図５は端子に生じた酸化膜の除去の説明図、図６は洗浄槽による酸化膜除去の説明図及び図７は酸化膜が除去された端子に電子部品を実装する説明図である。
【００４４】
まず、例えば図４に示すように第１の基板５上にＴＦＴ、ゲート電極１０、ソース電極１１、画素電極等をスパッタやスピンコートにより成膜し、フォトリソグラフィ法等で形成する（ＳＴ１０１）。
【００４５】
例えばゲート電極１０やソース電極１１は、スパッタリング法でモリブデンの薄膜を形成し、フォトリソグラフィ法でパターニングする。その際、同時に同じ材料でゲート電極用配線１４、ソース電極用配線１５、電極用端子１８、入力用端子１９、外部用端子２０及び入力用配線２１も形成する。勿論、ゲート電極１０やソース電極１１とゲート電極用配線１４、ソース電極用配線１５、電極用端子１８及び入力用端子１９等とを別工程或は別材料のモリブデンを主成分とする合金で形成してもよい。
【００４６】
例えば信号線としてのソース電極１１と配線としてのソース電極用配線１５とを同じ材料、同一工程で形成し、端子としての電極用端子１８及び入力用端子１９等をそれらと異なる材料、異なる工程で形成してもよい。また、信号線としてのソース電極１１と端子としての電極用端子１８及び入力用端子１９等とを同じ材料、同一工程で形成し、配線としてのソース電極用配線１５をそれらと異なる材料、異なる工程で形成してもよい。このように色々な組み合わせにより、最もその液晶装置１に適した製造方法を採用しながら製造コストを低減できる。
【００４７】
また、画素電極は例えばＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）を成膜しフォトリソグラフィ法でパターニングし形成する。
【００４８】
そして、そのＴＦＴ、ゲート電極１０、ソース電極１１、画素電極等の上（液晶側）に配向膜１２を形成してラビング処理を施して第１の基板側を製造する（ＳＴ１０２）。
【００４９】
また、例えば図４に示すように第２の基板６上（液晶側）に必要に応じて下地層や反射膜、着色層、オーバーコート層等を夫々形成すると共にその上（液晶側）にＩＴＯをスパッタリング法により成膜し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして共通電極２７を形成する（ＳＴ１０３）。
【００５０】
更にその共通電極２７等の上（液晶側）に配向膜２８を形成してラビング処理を施して第２の基板側を製造する（ＳＴ１０４）。
【００５１】
次に、例えば第２の基板６側の配向膜２８上にギャップ材３２をドライ散布等により散布し、シール材４を介して第１の基板側と第２の基板側とを貼り合わせる（ＳＴ１０５）。
【００５２】
その後、シール材４の図示しない注入口から液晶７を注入し、その注入口を紫外線硬化性樹脂等の封止材によって封止して液晶７を密封する（ＳＴ１０６）。
【００５３】
次に、図４に示すようにＳＴ１０６により密封された第１及び第２の基板５，６を純水により洗浄する（ＳＴ１０７）。
【００５４】
例えば図５（ａ）に示すように張出し部１３に露出したゲート電極用配線１４や電極用端子１８、入力用端子１９等は、最表面がモリブデンにより形成されており、図５（ｂ）に示すように空気中の水分等により容易に酸化され電極用端子等の表面に酸化膜３３が生じる。
【００５５】
ここで、例えば図６に示すように純水３４を所定量、ＳＴ１０６により密封された第１及び第２の基板５，６の全体が純水３４に浸るように洗浄槽３５に入れ、ヒータ３６等により当該純水３４を所定の温度、例えば６０℃以上で８０℃以下に保持する。ここで、６０℃以上で８０℃以下としたのは、６０℃より液温が低いと電極用端子等に生じた酸化膜が十分純水３４に溶出できず安定した電気的接続を図ることができないし、反対に液温が８０℃より高いと第１及び第２の基板５，６の他の部材を痛めてしまう可能性が生じることによる。
【００５６】
そして、洗浄槽３５の準備ができたら例えば図６に示すように純水３４中に第１及び第２の基板５，６全体を沈め、電極用端子１８等を純水３４に約１５分間浸漬することにより洗浄する。ここで洗浄時間の約１５分間は、純水３４の温度が６０℃以上で８０℃以下である場合に例えばモリブデンで形成された電極用端子１８等の酸化膜３３を完全に除去するために必要な時間である。
【００５７】
例えば図５（ｃ）に示すように第１及び第２の基板５，６のゲート電極用配線１４や電極用端子１８、入力用端子１９等の表面に生じた酸化膜３３がその周りを取り囲む純水３４中に溶出しだし、約１５分後に図５（ｄ）に示すようにゲート電極用配線１４や電極用端子１８、入力用端子１９等の表面に生じていた酸化膜３３が除去される。
【００５８】
勿論、図６のように第１及び第２の基板５，６の全体を純水３４に沈めなくても酸化膜３３の除去をする必要があるところだけ、例えば電極用端子１８等の端子だけを純水３４に浸漬するようにしてもよい。これにより、洗浄槽３５を小型化或はより多数の基板を同時に処理できて効率化が図れる。また、必要となる純水３４の量をより少なくすることができコストの軽減を図ることが可能となる。
【００５９】
更に約１５分間経過したら純水３４中から第１及び第２の基板５，６を取り出し乾燥させ、ゲート電極用配線１４や電極用端子１８、入力用端子１９等の表面等から水分を除去して洗浄工程を終了する。
【００６０】
次に、洗浄工程終了後直ちに、例えば図７（ａ）に示すように酸化膜３３が除去された電極用端子１８や入力用端子１９、外部用端子２０が露出するような開口部３７を形成するように、張出し部１３に絶縁材２６をゲート電極用配線１４やソース電極用配線１５、入力用配線２１等の上から積層する。
【００６１】
更に例えば図７（ｂ）に示すように異方性導電膜（ＡＣＦ）２３を張出し部１３のＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７の実装領域に電極用端子１８及び入力用端子１９等を覆うようにアライメントして配置する（ＳＴ１０８）。
【００６２】
これにより、純水３４により酸化膜３３を除去した後時間を置かずに直ちに、露出したモリブデンの表面を覆うように異方性導電膜２３を配置するので、電極用端子１８や入力用端子１９等が再び空気中の水分等により酸化されることを極力抑えることができる。
【００６３】
その後、例えば図７（ｃ）に示すように当該異方性導電膜２３の上に該電極用端子１８や入力用端子１９に対応してバンプ２２が位置するように、ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を配置して仮圧着する。
【００６４】
更に該ＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を所定の圧力及び温度で押圧し加熱して本圧着し、実装する（ＳＴ１０９）。すると、図７（ｃ）に示すように異方性導電膜２３の接着剤である樹脂２５中の導電粒子２４が電極用端子１８や入力用端子１９とバンプ２２との間に挟まれ、電極用端子１８及び入力用端子１９とバンプ２２との良好な電気的接続が得られることとなる。
【００６５】
次に、偏光板８，９等を第１及び第２の基板５，６の各外面（液晶側と反対側）に貼着する。
【００６６】
また、予め例えば図１に示すようにベース基材２９に必要な配線パターン３０や接続用端子等を形成し実装して製造しておいたフレキシブル基板３の当該配線パターン３０に電気的に接続された接続用端子を、ＳＴ１０９でＸドライバＩＣ１６及びＹドライバＩＣ１７を実装したのと同様に、異方性導電膜２３と略同様な材料等で構成される異方性導電膜３１を介して液晶パネル２の外部用端子２０に電気的に接続させる。更に必要に応じてバックライトやケース等を取り付けて（ＳＴ１１０）、液晶装置１が完成する（ＳＴ１１１）。
【００６７】
以上で液晶装置１の製造方法の説明を終了する。
【００６８】
このように本実施形態によれば、純水３４で電極用端子１８等に空気中の水分等により生じた酸化膜３３を除去することとしたので、その材料の扱いや除去作業が容易であり製造コストを軽減できる。
【００６９】
また、洗浄後直ちに電子部品や回路基板としてのＸドライバＩＣ１６等やフレキシブル基板３を実装、接続することとしたので、酸化膜３３が純水３４の洗浄により除去された後に再び当該電極用端子等に酸化膜３３が生じることを防ぐことができる。
【００７０】
更に電極用端子１８等の少なくとも最表面をモリブデンやモリブデンを主成分とする合金とすることとしたので、電気的抵抗を少なくすることができ、電極用端子１８等とＸドライバＩＣ１６等やフレキシブル基板３等との電気的接続をより良好なものとすることが可能となる。
【００７１】
また、洗浄工程は液晶７が密封された第１及び第２の基板５，６を純水３４で洗浄するものであることとしたので、第１及び第２の基板５，６のいずれか一方に電極用端子１８等が設けられている場合も、単純に二枚貼り合わされた液晶パネル２を例えば純水３４が入れられた洗浄槽３５に全部を浸けるだけで済み、洗浄が容易となり、製造コストの低減が図れる。
【００７２】
更に基板５は、液晶７に電圧を印加する画素電極と、該画素電極に信号を印加する例えばソース電極１１とを有し、ソース電極１１とソース電極用配線１５及び電極用端子１８等とは同一工程で形成されることとしたので、ソース電極１１とソース電極用配線１５及び電極用端子１８等とを別々の工程で形成する場合に比べ、液晶装置１の製造工程を削減することができ、製造コストの軽減となる。勿論、製造する液晶装置１に最適な方法を選択して、ソース電極１１と、ソース電極用配線１５若しくは電極用端子１８等のいずれか一方とのみ同一工程とすることも可能である。これによっても、それぞれ別工程で製造するより製造コストを低減できる。
【００７３】
また、洗浄工程は純水３４の温度が６０℃以上で８０℃以下であることとしたので、他の部材を傷めず電極用端子１８等から酸化膜３３を速やかに、かつ、確実に除去できる。
【００７４】
更に洗浄工程は、少なくとも電極用端子１８等を純水３４に約１５分間浸漬することとしたので、電極用端子１８等から酸化膜３３を速やかに、かつ、確実に除去できる。
【００７５】
また、実装工程は洗浄工程の直後に異方性導電膜２３を電極用端子１８等に配置し、その上にＸドライバＩＣ１６等を実装するものであることとしたので、洗浄後直ちに異方性導電膜２３で電極用端子１８等を覆うことができ、酸化膜３３の除去された電極用端子１８等をＸドライバＩＣ１６等の実装前に迅速に空気中の水分から保護することが可能となる。
【００７６】
更に洗浄工程は、酸化膜３３が洗浄槽中の純水３４に溶出するものであることとしたので、特に物理的振動を与えたりしなくても自然に酸化膜３３が純水３４に溶け出し、電極用端子等の表面から除去できる。
【００７７】
尚、実際に純水３４の温度を６０℃以上８０℃以下で、約１５分間当該純水３４中にモリブデンで形成されたゲート電極用配線１４や電極用端子１８、入力用端子１９等を入れて試験したところ、酸化されて目視で少しくすんでいたモリブデンの表面が、もとの酸化膜３３が生成されていないときの金属光沢に戻っていたことを視認できた。また、そのときの接続抵抗値は約０．６Ωであった。
【００７８】
（第２の実施形態・電子機器）
【００７９】
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第２の実施形態に係る電子機器について説明する。尚、第１の実施形態の構成要素と共通する構成要素については、第１の実施形態の構成要素と同一の符号を付しその説明を省略する。
【００８０】
図８は本発明の第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成を示す概略構成図である。
【００８１】
電子機器３００は、表示制御系として例えば図８に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。
【００８２】
また、液晶パネル２には表示領域Ｌを駆動する駆動回路３６１を有する。
【００８３】
表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。
【００８４】
また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
【００８５】
このように本実施形態によれば、電子機器３００に用いられる液晶装置１は、モリブデンで形成された電極用端子１８等に空気中の水分等により生じた酸化膜３３を純水３４で洗浄し除去して製造することとしたので、酸化膜３３を容易に除去でき、電極用端子１８等とＸドライバＩＣ１６等との電気的接続の信頼性の高い、より高精度化・高機能化した電子機器を提供できる。
【００８６】
また、純水３４による洗浄後直ちに電子部品や回路基板としてのＸドライバＩＣ１６等やフレキシブル基板３を実装、接続することとしたので、酸化膜３３が純水３４の洗浄により除去された後に再び酸化膜３３が生じることを防ぐことができる。
【００８７】
特に最近の電子機器にあっては、より高精度化・高機能化された電子機器であることが要求されており、係る導通信頼性の高い電子機器を提供する本発明の意義は大きいといえる。
【００８８】
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１が適用可能なのは言うまでもない。
【００８９】
尚、本発明の電気光学装置及び電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加え得ることは勿論である。
【００９０】
以上、好ましい実施形態を上げて本発明を説明したが、本発明は上述したいずれの実施形態にも限定されず、本発明の技術思想の範囲内で適宜変更して実施できる。
【００９１】
例えば、上述の実施形態では薄膜トランジスタ素子アクティブマトリクス型の液晶装置について説明したがこれに限られるものではなく、例えば、薄膜ダイオード素子アクティブマトリクス型やパッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。更には反射半透過型、反射型や透過型のいずれであってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、モリブデン等の端子の表面に生じた酸化膜を容易に除去でき、端子と電子部品等との電気的接続を向上させることができる液晶装置を提供できる。
【００９２】
また、上述の実施形態では異方性導電膜を用いて実装するものとしてＩＣやフレキシブル基板について説明したがこれに限られるものではなく、例えば抵抗やコンデンサ等の電子部品であってもよい。これにより、より多種多様な電子部品の電気的接続の信頼性を向上させ、液晶装置をより高機能化・高精度化できる。
【００９３】
更に上述の実施形態では、Ｘ，ＹドライバＩＣ実装をＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）として説明したがこれに限られるものではなく、例えばフレキシブル基板３に実装するＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、モリブデン等の端子の表面に生じた酸化膜を容易に除去でき、端子と電子部品等との電気的接続を向上させた液晶装置の提供が可能となる。
【００９４】
また、上述の実施形態では液晶パネル２の第１の基板５に形成された端子を純水で洗浄するものとして説明したがこれに限られるものではなく、例えば他の基板、例えばフレキシブル基板やプリント基板に形成された端子等に酸化膜が生じた場合に該フレキシブル基板やプリント基板を洗浄する場合であってもよい。これにより、多種多様な液晶装置についても、モリブデン等の端子の表面に生じた酸化膜を容易に除去でき、端子と電子部品等との電気的接続を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略断面図（ＸドライバＩＣは切断していない）である。
【図３】図２の張出し部の部分拡大図である。
【図４】第１の実施形態に係る液晶装置の製造方法のフローチャート図である。
【図５】第１の実施形態に係る端子に生じた酸化膜の除去の説明図である。
【図６】第１の実施形態に係る洗浄槽による酸化膜除去の説明図である。
【図７】酸化膜が除去された端子に電子部品を実装する説明図である。
【図８】第２の実施形態に係る電子機器の表示制御系の概略構成図である。
【符号の説明】
【００９６】
１  液晶装置、  ２  液晶パネル、  ３  フレキシブル基板、  ４  シール材、  ５  第１の基板、  ６  第２の基板、  ７  液晶、  ８，９  偏光板、  １０  ゲート電極、  １１  ソース電極、  １２，２８  配向膜、  １３  張出し部、  １４  ゲート電極用配線、  １５  ソース電極用配線、  １６  ＸドライバＩＣ、  １７  ＹドライバＩＣ、  １８  電極用端子、  １９  入力用端子、  ２０  外部用端子、  ２１  入力用配線、  ２２  バンプ、  ２３，３１  異方性導電膜、  ２４  導電粒子、  ２５  樹脂、  ２６  絶縁材、  ２７  共通電極、  ２９  ベース基材、  ３０  配線パターン、  ３２  ギャップ材、  ３３  酸化膜、  ３４  純水、  ３５  洗浄槽、  ３６  ヒータ、  ３７  開口部、  ３００  電子機器、  ３６１  駆動回路、  ３９０  表示制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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