(57)【要約】【課題】  高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透力を弱め、十分な溶解速度を有するレジスト現像液と該レジスト現像液を使用して、低いラインエッジラフネスのパターンを形成可能としたパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】  ラインエッジラフネスを低減するためには、溶解速度を低下させることなく、溶剤の分子量を大きくする必要がある有機高分子への溶解速度は、ベンゼン環と、酸素の存在が大きく影響する。また、水酸基ＯＨが存在すると逆に溶解速度が著しく低下する。また、溶解速度は、溶媒の温度によっても大きく変化する。すなわち、フェニル基、酢酸基、ケトン基、エーテル基を複数有し、かつ大きな分子量を有する溶剤を含有する現像液により、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。【選択図】  図４
2006227174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム等の放射線の照射により、ポリマー鎖が切断されて低分子化することにより、溶剤に対して溶解するレジスト材料の現像液において、
前記現像液は、酢酸基またはケトン基、エーテル基、フェニル基を少なくとも２つ以上有し、かつ分子量が１５０以上であることを特徴とするレジスト現像液。
【請求項２】
前記現像液はベンゼン系溶剤であり、該ベンゼン系溶剤は、酸素を１つ以上有し、かつ、分子量が１５０以上であることを特徴とする請求項１記載のレジスト現像液。
【請求項３】
前記現像液は、酢酸系の溶剤で、酢酸基とは別に酸素を１つ以上有し、かつ分子量が１５０以上であることを特徴とする請求項１記載のレジスト現像液。
【請求項４】
前記現像液は、エーテル系の溶剤で、エーテル基とは別に酸素を１つ以上有し、かつ分子量が１５０以上であることを特徴とする請求項１記載のレジスト現像液。
【請求項５】
基板上に電子ビーム等の放射線を照射する工程と、
前記照射する工程によって、ポリマーの鎖が切断されて低分子化することにより、溶剤に対して溶解するレジスト材料を塗布し、焼付けする工程と、
前記焼付けする工程によって得られたレジスト膜に、選択的に電子ビーム、遠紫外線、イオンビームまたはＸ線を照射し露光する工程と、
請求項１から４のいずれか１項に記載のレジスト現像液で現像する工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
前記現像する工程では、前記レジスト現像液を加熱することで現像速度を高めて現像することを特徴とする請求項５記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記現像する工程では、前記レジスト現像液を冷却することで現像速度を下げて現像することを特徴とする請求項５記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜を形成するためのレジスト現像液及びパターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩのさらなる微細化や単電子トランジスタに代表されるよういなナノデバイスの研究開発の活発化に伴い、構造体を１００ｎｍ以下の高精度で加工する技術が使用されている。このような加工は、リソグラフィ技術により実現される。リソグラフィ技術とは、レジストを被加工基板に塗布してレジスト膜を形成し、レジスト膜を選択的に感光させて領域内に潜像を形成した後、現像液に浸漬することにより、照射領域と被照射領域との現像液に対する溶解速度の差に基づいて、レジスト膜にパターンを形成する技術である。
【０００３】
なお、照射領域内側が溶解除去されるタイプをポジ型という。１００ｎｍ以下の寸法をなす微細なパターンをレジスト膜に形成する場合には、パターンの側壁の表面の微小な凸凹（ラインエッジラフネス）を無視することができず、パターンの寸法揺らぎ（パターンの寸法の最大値と最小値との差）を生じてしまう。この寸法揺らぎは、素子特性のバラつきにそのまま結びついてしまうため、素子の許容度以下に抑える必要がある。
【０００４】
半導体素子におけるＩＴＲＳ（International Technology Roadmap for Semiconductors）のロードマップでは、パターンサイズ１００ｎｍ、ラインエッジラフネスは、５ｎｍ以下が求められている。また、一般的にラインエッジラフネスとは、パターン側面の寸法揺らぎの主原因については、特許文献１で寸法揺らぎを低減するため、電子散乱を抑制する技術が開示されている。
【０００５】
さらに、特許文献２では、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）やα−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名：ＺＥＰ５２０（日本ゼオン株式会社））等の有機高分子からなる一般的なレジストを用いたレジスト膜中には２０〜３０ｎｍ径の高分子集合体が存在し、これらの高分子集合体が現像時に集合体脱離現象を起こしてパターンの側壁に露出して、ラインエッジラフネスを生じてしまうことが寸法揺らぎの主原因であると述べており、集合体脱離現象を防ぐために集合体同士を結合させることにより、ラインエッジラフネスを低減する技術が開示されている。
【０００６】
同様に、特許文献３では、高分子集合体を小径化するレジスト材料により、ラインエッジラフネスを低減する技術が開示されている。このような材料の小径化は、レジスト材料として、ＰＭＭＡのような有機高分子でなく、カリックスアレーン、ＳｉＯ2等の無機材料を含有する材料により実現されている。しかし、このような材料は有機高分子に比べて感度が著しく低い問題があるため、用途が非常に限られる問題を有する。
【０００７】
さらに、実際に形成したパターンを切断してＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察すると、特許文献３（図１を参照）に示すようにレジスト内部（レジスト破断面）に高分子集合体が観察され、同様な周期の凹凸がパターン側面にも観察されていることから、これらの高分子集合体が寸法揺らぎの一因であると考えられる。ただし、パターン側面に観察される凹凸は、レジスト破断面での凹凸の高さに比べて明らかに小さく、露光現像条件により変化することから、レジスト材料だけでなく、現像条件によってもラインエッジラフネスが発生すると考えられる。
【０００８】
上記のような電子ビーム等の放射線を照射して現像してパターンを形成する技術で、現像液に特徴があるものとしては、特許文献４、特許文献５に記載されており、特許文献４には、ケトン系溶剤を使用し、特許文献５には、ケトン系溶剤とエーテル系溶剤の混液を用いている。
【特許文献１】特開２００４−１１９４１４号公報
【特許文献２】特許第３５４２１０６号公報
【特許文献３】特許第３４７９２３６号公報
【特許文献４】特開昭６３−２３６０３３号公報
【特許文献５】特開２００１−２１５７３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１〜５には、以下に示す問題を有する。
特許文献１に記載されている発明では、電子散乱を低減することは可能であるが、ラインエッジラフネスは電子散乱ではなく高分子集合体に起因するために、ラインエッジラフネスを低減することはできない。
【００１０】
また、特許文献２に記載されている発明は、高分子集合体同士をリンクさせて高分子集合体と高分子集合体の隙間への溶剤の新というを防止し、ラインエッジラフネスを低減することは可能であるが、感度の低下が著しといった問題が発生してしまう。
【００１１】
また、特許文献３に記載されている発明は、高分子集合体を小径化するレジスト材料により、ラインエッジラフネスを低減することが可能であるが、このような材料は有機高分子に比べて感度が著しく低い問題があるため、用途が非常に限られてしまうといった問題を有する。
【００１２】
また、特許文献４に記載されている発明は、ケトン系溶剤を使用しているため、分子量を大きくすると溶解性が下がってしまうためにラインエッジラフネスを低減することができない。
【００１３】
また、特許文献５に記載されている発明は、ケトン系溶剤とエーテル系溶剤との混液現像液を使用することで、混合した場合でも高分子への浸透作用は単独で作用することから、溶解度の高い溶剤に溶解度の低い溶剤を混合することは溶解度の調整にはなるが、同じ分子サイズの現像液の溶解度を下げたことと等価であることから、ラインエッジラフネスを低減させることができない。
【００１４】
本発明は係る問題に鑑みてなされたものであり、高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透力を弱め、十分な溶解速度を有するレジスト現像液と該レジスト現像液を使用して、低いラインエッジラフネスのパターンを形成可能としたパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するために、請求項１記載のレジスト現像液は、電子ビーム等の放射線の照射により、ポリマー鎖が切断されて低分子化することにより、溶剤に対して溶解するレジスト材料の現像液において、現像液は、酢酸基またはケトン基、エーテル基、フェニル基を少なくとも２つ以上有し、かつ分子量が１５０以上であることを特徴とする。
【００１６】
請求項２記載の発明は、請求項１記載のレジスト現像液であって、現像液はベンゼン系溶剤であり、該ベンゼン系溶剤は、酸素を１つ以上有し、かつ、分子量が１５０以上であることを特徴とする。
【００１７】
請求項３記載の発明は、請求項１記載のレジスト現像液であって、現像液は、酢酸系の溶剤で、酢酸基とは別に酸素を１つ以上有し、かつ分子量が１５０以上であることを特徴とする。
【００１８】
請求項４記載の発明は、請求項１記載のレジスト現像液であって、現像液は、エーテル系の溶剤で、エーテル基とは別に酸素を１つ以上有し、かつ分子量が１５０以上であることを特徴とする。
【００１９】
請求項５記載のパターン形成方法は、基板上に電子ビーム等の放射線を照射する工程と、照射する工程によって、ポリマーの鎖が切断されて低分子化することにより、溶剤に対して溶解するレジスト材料を塗布し、焼付けする工程と、焼付けする工程によって得られたレジスト膜に、選択的に電子ビーム、遠紫外線、イオンビームまたはＸ線を照射し露光する工程と、請求項１から４のいずれか１項に記載のレジスト現像液で現像する工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
請求項６記載のパターン形成方法は、現像する工程では、レジスト現像液を加熱することで現像速度を高めて現像することを特徴とする。
【００２１】
請求項７記載のパターン形成方法は、現像する工程では、レジスト現像液を冷却することで現像速度を下げて現像することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、大きな分子量で高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透力を弱め、かつ２つ以上の溶解性を高める官能基を有するので、十分な感度を有し、かつラインエッジラフネスの低い１００ｎｍ以下のパターンを形成することができるレジスト現像液を実現できる。
また、高分子量でかつ十分な溶解性を有する現像液で現像することにより、十分な感度を有し、かつラインエッジラフネスの低い１００ｎｍ以下のパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、図面を参照して、本実施形態を説明する。
ＰＭＭＡ、ＰＭＩＰＫ（ポリメチルイソプロピルケトン）、ＰＢＳ（ポリブタジエンスチレン）、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチル−２−クロロアクリレート）、α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体に代表される有機高分子からなるポジ型レジストは、１０００〜１００万程度の分子量を有する糸状のポリマーが数個〜数１００程度凝集した数１０ｎｍの高分子集合体からなる。
【００２４】
実際には高分子集合体は糸球のようなものなので、高分子集合体同士もお互いに有る程度からみあっている。レジストに電子線等の放射線が照射されると高分子の鎖が切断され、分子量が減少する。ＰＭＭＡの場合の露光量（Ｄｏｓｅ量）と分子量の関係を図３に示す。分子量が小さくなると溶剤に対する溶解性が高くなるので、露光されたレジストを溶剤で現像すると照射領域が溶解して除去されパターンが形成される。
【００２５】
ＰＭＭＡの場合の分子量と４−メチル−２−ペンタノンに対する溶解速度の関係を図４に示す。溶剤の種類と溶解速度の関係は、同じ種類の溶剤の場合、図５のように分子量が大きくなるほど（溶剤の分子サイズが大きくなるほど）溶解速度が遅くなる。
【００２６】
これは、溶剤の分子サイズが大きくなるほど有機高分子への溶剤の浸透力が弱くなるためで、有機高分子の溶解現象は、浸透した溶剤により糸状の有機高分子の絡み合いが解かれ、溶剤側に引き離されていくことによって説明される。
【００２７】
この有機高分子への溶剤の浸透は、当然のことながら高分子集合体への浸透に比べ、高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透の方が高速に起きるため、図１、図２のようにパターンの側面に高分子集合体と同様な周期の凹凸が形成され、ラインエッジラフネスが発生する。
【００２８】
高分子集合体と高分子集合体との隙間へ溶剤が浸透と同等な速度で高分子集合体へ溶剤が浸透して溶解すれば、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。すなわち、溶剤の分子サイズが同じ場合には、溶剤の溶解速度を高めることにより、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。
【００２９】
しかし、溶剤の溶解速度を高めると、電子線が照射されていない領域の溶解速度も高くなるため、パターン形状の悪化、未露光領域の面粗さの悪化などの問題が生じるため、実際には溶剤の溶解速度を高めることにより、ラインエッジラフネスを低減することはできない。さらに、未露光領域の面粗さの悪化は、ランドラフネスも悪化させるので、すなわち、現像液としては、溶解速度はある範囲に限定される。
【００３０】
また、高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透を抑えることにより、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。すなわち、溶剤の高分子集合体を溶解する速度が同じ場合には、溶剤の分子量を大きくして分子サイズを大きくして、高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透を抑えることにより、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。
【００３１】
ただし、溶剤の分子量を大きくすると、前述に示すように溶解速度が低下して、ラインエッジラフネスを悪化させるばかりでなく、パターニングの感度が悪くなる問題が生じる。
よって、ラインエッジラフネスを低減するためには、溶解速度を低下させることなく、溶剤の分子量を大きくする必要がある有機高分子への溶解速度は、ベンゼン環と、酸素の存在が大きく影響する。また、水酸基ＯＨが存在すると逆に溶解速度が著しく低下する。また、溶解速度は、溶媒の温度によっても大きく変化する。
すなわち、フェニル基、酢酸基、ケトン基、エーテル基を複数有し、かつ大きな分子量を有する溶剤を含有する現像液により、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。
【００３２】
図１、図２に示すようにＰＭＭＡ、ＰＭＩＰＫ（ポリメチルイソプロピルケトン）、ＰＢＳ（ポリブタジエンスチレン）、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチル−２−クロロアクリレート）、α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体に代表される有機高分子からなるポジ型レジストは、数１０ｎｍの高分子集合体からなり、ラインエッジラフネスの発生に関与する。
【００３３】
これらの有機高分子からなるポジ型レジストは、電子ビーム、遠紫外線、イオンビームまたはＸ線等の放射線が照射されると高分子の鎖が切断され、図３に示すように分子量が減少し、図４に示すように現像液に対する溶解速度が増加し、放射線の照射部が現像液に溶解してパターンが形成される。
【００３４】
図３、図４では、ＰＭＭＡを４−メチル−２−ペンタノンで現像した場合の溶解速度を示す。
溶剤の種類と溶解速度の関係は、同じ種類の溶剤の場合図５のように分子量が大きくなるほど溶剤の分子サイズが大きくなるほど）溶解速度が遅くなる。これは、溶剤の分子サイズが大きくなるほど有機高分子への溶剤の浸透力が弱くなるためで、有機高分子の溶解現象は、新党した溶剤により糸状の有機高分子の絡み合いが解かれ、溶剤側に引き離されていくことによって説明される。
【００３５】
この有機高分子への溶剤の浸透は、当然のことながら高分子集合体への浸透に比べ、高分子集合体と高分子集合体の隙間への浸透の方が高速に起きるため、図１、図２のようにパターンの側面に高分子集合体と同様な周期の凹凸が形成され、ラインエッジラフネスが発生する。
【００３６】
このことは、高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透を抑えることにより、ラインエッジラフネスを低減することが可能であることを意味する。すなわち、溶剤の高分子集合体を溶解する速度が同じ場合には、溶剤の分子量を大きくして分子サイズを大きくして、高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透を抑えることにより、ラインエッジラフネスを低減することが可能になる。
【００３７】
実際には、α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名：ＺＥＰ−５２０Ａ）を電子ビームで完全露光し（露光量：１５０μＣ／ｃｍ2）、各種現像液で現像した場合の溶解速度を図６に示す。
【００３８】
ラインエッジラフネスは、加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍでライン＆スペースパターンを複数の露光量で描画し、溝とスペースがともに１００ｎｍになった領域のパターンをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で撮影し、撮影された画像から溝のエッジを画像処理で検出してエッジ座標から測定した。
【００３９】
図７は、溶解速度が２００〜３００ｎｍと５００〜６００ｎｍに分類して現像液分子量と、ラインエッジラフネスの関係をグラフ化した。酢酸ｎアミルが、一般的に使用されている標準現像液である。
図６、図７から明らかなようにラインエッジラフネスは、現像液の分子量を大きくすることにより、低減される。同様に、分子量４９５０００のＰＭＭＡを電子ビームで完全露光し（露光量：３００μＣ／ｃｍ2）、各種現像液で現像した場合の溶解速度を図１１に示す（ラインエッジラフネスの測定は、前述の通り）。
【００４０】
図１２は、溶解速度が１５０〜２５０ｎｍの場合の現像液分子量とラインエッジラフネスの関係をグラフ化した。
図１１、図１２から明らかなようにＰＭＭＡの場合にもラインエッジラフネスは５ｎｍ以下が求められており、図７、図１２から明らかなように、現像液分子量は、１５０以上が必要条件となる。ただし、前述のように現像液の分子量を大きくすると、溶解速度が落ち、大きな露光量で露光しないとパターン形成できなくなる問題がある。
【００４１】
実際には、完全露光された状態で溶解速度が１００Å／ｓｅｃ以上なければパターン形成困難である。また、逆に、７００Å／ｓｅｃを超える溶解速度では、未露光部（露光しない領域）が溶解して、ランド部の膜減り、ランド部の荒れの発生が起きるので、パターン形成困難である。すなわち、分子量を大きくしても、溶解速度は所定領域に存在しないと現像液としては使用できないので、分子量を大きくすることによって低下する溶解性を官能基等で補う必要がある。
【００４２】
実際には、有機高分子からなるポジ型レジストの溶解性には、酸素の存在が大きく寄与する。よって、酢酸基、ケトン基、エーテル基、フェニル基のうち１つ以上の官能基を複数有することにより、溶解速度を低下させることなく、１５０以上の分子量を実現することができ、ラインエッジラフネスを５ｎｍ以下にさせることが可能となる。
【００４３】
[実施例１]
α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名ＺＥＰ−５２０Ａ）を加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光して１００ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、酢酸基とエーテル基を１つづつ有し、分子量が１６０．２の酢酸２ブトキシエチルで現像した。
パターンをＳＥＭにより、ラインエッジラフネスを測定したところ４．７ｎｍであった。
【００４４】
[比較例１]
α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名ＺＥＰ−５２０Ａ）を加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、１００ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、酢酸基１つを有し、分子量が１３０の酢酸ｎアミルで現像したところラインエッジラフネスは、５．５ｎｍであった。
【００４５】
[実施例２]
α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名ＺＥＰ−５２０Ａ）を加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、１２０ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、ベンゼン環とエーテル基を１つづつ有し、分子量が１６４．２のペンチルフェニルエーテルで現像したところラインエッジラフネスは４．７ｎｍであった。
【００４６】
[比較例２]
α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名ＺＥＰ−５２０Ａ）を加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、１２０ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、酢酸基１つを分子量が１３０の酢酸ｎアミルで現像したところラインエッジラフネスは、５．４ｎｍであった。
【００４７】
[実施例３]
α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名ＺＥＰ−５２０Ａ）を加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、６０ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、ベンゼン環と２個の酸素を有し、分子量が１６６．２のフェニルアセトアルデヒドジメチルアセタールで現像したところラインエッジラフネスは、４．５ｎｍであった。
【００４８】
[比較例３]
α−クロロアクリル酸メチルとα−メチルスチレンとの共重合体（商品名ＺＥＰ−５２０Ａ）を加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、６０ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、酢酸基１つを有し、分子量が１３０の酢酸ｎアミルで現像したところラインエッジラフネスは５．５ｎｍであった。
【００４９】
[実施例４]
分子量４９５０００のＰＭＭＡを加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、１００ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、酢酸基とエーテル基を１つづつ有し、分子量が１６０．２の酢酸２ブトキシエチルで現像したところラインエッジラフネスは、４．６ｎｍであった。
【００５０】
[比較例４]
分子量４９５０００のＰＭＭＡを加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、１００ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、分子量１００の４−メチル−２−ペンタノンと分子量６０のＩＰＡの混液で現像したところラインエッジラフネスは、５．８ｎｍであった。
【００５１】
[実施例５]
分子量４９５０００のＰＭＭＡを加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、１２０ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、酢酸基１個とエーテル基２個を有し、分子量１７６．２の酢酸２（エトキシエトキシ）エチルで現像したところラインエッジラフネスは、４．４ｎｍであった。
【００５２】
[比較例５]
分子量４９５０００のＰＭＭＡを加速電圧５０ｋＶ、ビーム径２０ｎｍの電子ビームで露光し、１２０ｎｍのライン＆スペースパターンの潜像を形成し、分子量１００の４−メチル−２−ペンタノンと分子量６０のＩＰＡの混液で現像したところラインエッジラフネスは、５．８ｎｍであった。
【００５３】
現像液は、上記に限定されるものではなく、酢酸基、ケトン棋、エーテル基、フェニル基のうち１つ以上の官能基を複数有し、かつ分子量が１５０以上の溶剤が該当する。また、上記レジスト材料に限定されるわけではなく、電子ビーム等放射線の照射により、ポリマーの鎖が切断されて低分子化することにより、溶剤に対して溶解するレジスト材料が該当する。
【００５４】
以上の説明から、本実施形態では、大きな分子量で高分子集合体と高分子集合体の隙間への浸透力を弱め、かつ２つ以上の溶解性を高める官能基を有するので、十分な感度を有し、かつラインエッジラフネスの低い１００ｎｍ以下のパターンを形成できる現像液を実現することができる。
【００５５】
また、大きな分子量で高分子集合体と高分子集合体の隙間への浸透力を弱め、かつベンゼン環と酸素により、十分な感度を有し、かつラインエッジラフネスの低い１００ｎｍ以下のパターンを形成できる現像液を実現できる。
【００５６】
また、大きな分子量で高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透力を弱め、かつ酢酸基と酸素により、十分な感度を有し、かつラインエッジラフネスの低い１００ｎｍ以下のパターンを形成できる現像液を実現することができる。
【００５７】
また、大きな分子量で高分子集合体と高分子集合体との隙間への浸透力を弱め、かつエーテル基と酸素により、十分な感度を有し、かつラインエッジラフネスの低い１００ｎｍ以下のパターンを形成できる現像液を実現することができる。
【００５８】
また、溶解速度の不足する現像液に対し、低いラインエッジラフネスの１００ｎｍ以下のパターンを形成することができる。
【００５９】
さらに、溶解速度が大きすぎて未露光部の荒れが発生する現像液に対し、低いラインエッジラフネスの１００ｎｍ以下のパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】レジスト内部の高分子集合体とパターン側面の高分子集合体のＳＥＭ写真を示した図である。
【図２】レジスト内部の高分子集合体とパターン側面の高分子集合体のＳＥＭ写真を示した図である。
【図３】露光量とレジスト分子量との関係を示したグラフである。
【図４】露光量とレジストの溶解速度及び現像液温度との温度の関係示したグラフである。
【図５】現像液分子量と現像速度の関係を示したグラフである。
【図６】各種現像液の分子量と溶解速度とラインエッジラフネス（ＬＥＲ）との関係を示した表である。
【図７】溶解速度が一定値の場合の現像液分子量とラインエッジラフネス（ＬＥＲ）との関係を示したグラフである。
【図８】各種現像液の分子量と溶解速度とラインエッジラフネス（ＬＥＲ）との関係を示した表である。
【図９】現像液分子量が一定値の場合の溶解速度とラインエッジラフネス（ＬＥＲ）との関係を示したグラフである。
【図１０】各種現像液の溶解速度と分子量との関係を示したグラフである。
【図１１】各種現像液の分子量と溶解速度とラインエッジラフネス（ＬＥＲ）との関係を示した表である。
【図１２】溶解速度が一定値の場合の現像液分子量とラインエッジラフネス（ＬＥＲ）との関係を示したグラフである。
【図１３】各種現像液の分子量と溶解速度と現像液温度とラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の関係を示した表である。
【図１】
2006227174.tif 000003
【図２】
2006227174.tif 000004
【図３】
2006227174.tif 000005
【図４】
2006227174.tif 000006
【図５】
2006227174.tif 000007
【図６】
2006227174.tif 000008
【図７】
2006227174.tif 000009
【図８】
2006227174.tif 000010
【図９】
2006227174.tif 000011
【図１０】
2006227174.tif 000012
【図１１】
2006227174.tif 000013
【図１２】
2006227174.tif 000014
【図１３】
2006227174.tif 000015