(57)【要約】【課題】  記録処理の安定性を確保することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  エアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側およびリーディング側の双方に突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）を有するように、ライトシールド層３０を構成する。ライトシールド層３０の体積が後方において相対的に小さくなると共に前方において相対的に大きくなるため、前方においてエアベアリング面４０に露出した露出面３０Ｍの面積が十分に大きくなると共にエアベアリング面４０近傍の磁気ボリュームが十分に大きくなり、かつ後方において熱膨張量が十分に小さくなる。ライトシールド層３０の露出面３０Ｍから取り込まれた磁束がエアベアリング面４０において集中しにくくなると共に、ライトシールド層３０が熱の影響を受けて過度に膨張しにくくなる。【選択図】    図１
2006031774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、
前記磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより前記記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に前記記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結され、前記記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に前記記録媒体対向面に近い側において前記媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより前記第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有する磁気遮蔽層と、を備えた
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁気遮蔽層が、
前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方における前記記録媒体対向面と前記バックギャップとの間の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、
前記第１の磁気遮蔽層部分とは別体として構成され、前記第１の磁気遮蔽層部分の前記媒体進行方向側においてその第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方における少なくとも前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分と、を含んで構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の磁気遮蔽層部分が、第３の厚さを有すると共に、
前記第２の磁気遮蔽層部分が、前記記録媒体対向面から遠い側において前記第１の厚さを有すると共に前記記録媒体対向面に近い側において前記媒体進行方向側のみに突出することにより前記第１の厚さよりも大きな第４の厚さを有しており、
前記第２の厚さが、前記第３の厚さと前記第４の厚さとの和により規定されている
ことを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第２の磁気遮蔽層部分が、
前記第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方における少なくとも前記バックギャップまで延在すると共に前記第１の厚さを有する第２の主磁気遮蔽層部分と、
前記第２の主磁気遮蔽層部分の前記媒体進行方向側においてその第２の主磁気遮蔽層部分に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方における前記記録媒体対向面と前記バックギャップとの間の第２の位置まで延在すると共に第５の厚さを有する第２の副磁気遮蔽層部分と、を含んで構成されており、
前記第４の厚さが、前記第１の厚さと前記第５の厚さとの和により規定されている
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第２の位置が、前記第１の位置よりも後方である
ことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第２の主磁気遮蔽層部分と前記第２の副磁気遮蔽層部分とが、互いに別体として構成されている
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第２の主磁気遮蔽層部分が、前記第２の副磁気遮蔽層部分の比抵抗よりも大きな比抵抗を有する材料により構成されており、
前記第２の副磁気遮蔽層部分が、前記第２の主磁気遮蔽層部分の飽和磁束密度よりも大きな飽和磁束密度を有する材料により構成されている
ことを特徴とする請求項６記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第２の主磁気遮蔽層部分と前記第２の副磁気遮蔽層部分とが、互いに一体として構成されている
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記磁極層が、前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成されている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載した薄膜磁気ヘッドが取り付けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダを一端部において支持するサスペンションと、を備えた
ことを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載した薄膜磁気ヘッドが取り付けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダを一端部において支持するサスペンションと、
このサスペンションの他端部を支持するアームと、を備えた
ことを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
【請求項１２】
記録媒体と、ヘッドアームアセンブリとを搭載し、
前記ヘッドアームアセンブリが、
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載した薄膜磁気ヘッドが取り付けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダを一端部において支持するサスペンションと、
このサスペンションの他端部を支持するアームと、を備えた
ことを特徴とする磁気記録装置。
【請求項１３】
磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、前記磁極層の前記媒体進行方向側において前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより前記記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に前記記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結された磁気遮蔽層と、を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に前記記録媒体対向面に近い側において前記媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより前記第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有するように、磁気遮蔽層を形成する工程を含む
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記磁気遮蔽層を形成する工程が、
前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から後方における前記記録媒体対向面と前記バックギャップとの間の第１の位置まで延在するように、前記磁気遮蔽層のうちの一部を構成する第１の磁気遮蔽層部分を形成する工程と、
前記第１の磁気遮蔽層部分の前記媒体進行方向側においてその第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方における少なくとも前記バックギャップまで延在するように、前記磁気遮蔽層のうちの他の一部を構成する第２の磁気遮蔽層部分を前記第１の磁気遮蔽層部分とは別体として形成する工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
第３の厚さを有するように、前記第１の磁気遮蔽層部分を形成すると共に、
前記記録媒体対向面から遠い側において前記第１の厚さを有すると共に前記記録媒体対向面に近い側において前記媒体進行方向側のみに突出することにより前記第１の厚さよりも大きな第４の厚さを有するように、前記第２の磁気遮蔽層部分を形成し、
前記第２の厚さが、前記第３の厚さと前記第４の厚さとの和により規定されるようにする
ことを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記第２の磁気遮蔽層部分を形成する工程が、
前記第１の磁気遮蔽層部分に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方における少なくとも前記バックギャップまで延在すると共に前記第１の厚さを有するように、前記第２の磁気遮蔽層部分のうちの一部を構成する第２の主磁気遮蔽層部分を形成する工程と、
前記第２の主磁気遮蔽層部分の前記媒体進行方向側においてその第２の主磁気遮蔽層部分に乗り上げながら前記記録媒体対向面から後方における前記記録媒体対向面と前記バックギャップとの間の第２の位置まで延在すると共に第５の厚さを有するように、前記第２の磁気遮蔽層部分のうちの他の一部を構成する第２の副磁気遮蔽層部分を形成する工程と、を含み、
前記第４の厚さが、前記第１の厚さと前記第５の厚さとにより規定されるようにする
ことを特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
前記第２の位置を、前記第１の位置よりも後方にする
ことを特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】
前記磁気遮蔽層を形成する工程が、
めっき膜を成長させることにより、前記ギャップ層上に前記第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、
前記第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げると共に全体に渡って前記第１の厚さを有しながら前記記録媒体対向面から後方における少なくとも前記バックギャップまで延在するように、前記第２の主磁気遮蔽層部分を形成する第２の工程と、
めっき膜を成長させることにより、前記第２の主磁気遮蔽層部分上に前記第２の副磁気遮蔽層部分を前記第２の主磁気遮蔽層部分とは別体として形成することにより、これらの第２の主磁気遮蔽層部分および第２の副磁気遮蔽層部分を含むように、前記第２の磁気遮蔽層部分を形成する第３の工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１９】
前記磁気遮蔽層を形成する工程が、
めっき膜を成長させることにより、前記ギャップ層上に前記第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、
前記第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げると共に全体に渡って前記第４の厚さを有しながら前記記録媒体対向面から後方における少なくとも前記バックギャップまで延在するように、前記第２の磁気遮蔽層部分の前準備層としての前駆磁気遮蔽層を形成する第２の工程と、
前記前駆磁気遮蔽層のうちの前記記録媒体対向面から遠い側の部分を選択的にエッチングして前記第１の厚さとなるまで掘り下げることにより、前記第２の主磁気遮蔽層部分および前記第２の副磁気遮蔽層部分を一体として含むように、前記第２の磁気遮蔽層部分を形成する第３の工程と、を含む
ことを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気記録層、ならびに薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ；Hard Disk Drive ）などの磁気記録装置（以下、単に「記録装置」という。）に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを記録媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、記録媒体の面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、主に、磁束を発生させる薄膜コイルと、その薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出することにより記録処理を実行する磁極層と、この磁極層から放出された磁束の広がりを防止するライトシールド層とを備えている。この薄膜磁気ヘッドは、一般に、磁気ヘッドスライダに取り付けられた状態においてサスペンションによって支持されることにより構成された集合構造体、すなわちヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ；Head Gimbals Assembly ）として記録装置に搭載されたり、あるいは上記したサスペンションがさらにアームによって支持されることにより構成された集合構造体、すなわちヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ；Head Arm Assembly ）として記録装置に搭載されている。この種の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、磁極層のトレーリング側にライトシールド層が配置されたものが知られている（例えば、特許文献１，２参照）。この種の薄膜磁気ヘッドを使用すれば、記録時においてライトシールド層により磁束の広がりが防止される結果、記録媒体上の記録トラック幅が適性に狭まるため、記録密度を向上させることが可能である。
【特許文献１】特開２００１−２５０２０４号公報
【特許文献２】欧州特許出願公開第０３６０９７８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの作動特性を確保するためには、記録処理の安定性を確保する必要がある。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、主に構造的要因に起因して記録処理の安定性が未だ十分とは言えないため、作動特性を確保する観点において未だ改善の余地があった。したがって、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの作動特性を確保するためには、記録処理の安定性を確保することが可能なヘッド構造の確立が望まれるところである。この場合には、特に、薄膜磁気ヘッドの量産性を考慮して、その薄膜磁気ヘッドを容易に製造することが可能な製造プロセスを確立することも重要である。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、記録処理の安定性を確保することが可能な薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気記録装置を提供することにある。
【０００６】
また、本発明の第２の目的は、記録処理の安定性が確保された薄膜磁気ヘッドを容易に製造することが可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結され、記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有する磁気遮蔽層とを備えたものである。
【０００８】
本発明に係るヘッドジンバルアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドが取り付けられた磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダを一端部において支持するサスペンションとを備えたものである。
【０００９】
本発明に係るヘッドアームアセンブリは、本発明の薄膜磁気ヘッドが取り付けられた磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダを一端部において支持するサスペンションと、このサスペンションの他端部を支持するアームとを備えたものである。
【００１０】
本発明に係る磁気記録装置は、記録媒体と、ヘッドアームアセンブリとを搭載し、ヘッドアームアセンブリが、本発明の薄膜磁気ヘッドが取り付けられた磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダを一端部において支持するサスペンションと、このサスペンションの他端部を支持するアームとを備えたものである。
【００１１】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリまたは磁気記録装置では、記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有するように磁気遮蔽層が構成されているため、その磁気遮蔽層の体積が後方において相対的に小さくなると共に前方において相対的に大きくなる。この場合には、磁気遮蔽層のうちの前方において記録媒体対向面に露出した露出面の面積が十分に大きくなると共に記録媒体対向面近傍の磁気ボリュームが十分に大きくなり、かつ後方において熱膨張量が十分に小さくなる。これにより、記録媒体対向面に露出した磁気遮蔽層の露出面から取り込まれた磁束が記録媒体対向面近傍において集中しにくくなるため、意図しない情報の上書きが発生しにくくなると共に、磁気遮蔽層が熱の影響を受けて過度に膨張しにくくなるため、突起欠陥が発生しにくくなる。
【００１２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、磁極層の媒体進行方向側において記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に記録媒体対向面から遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結された磁気遮蔽層とを備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有するように磁気遮蔽層を形成する工程を含むものである。
【００１３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有する磁気遮蔽層を形成するために、成膜技術、パターニング技術およびエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。
【００１４】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリまたは磁気記録装置では、磁気遮蔽層が、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方における記録媒体対向面とバックギャップとの間の第１の位置まで延在する第１の磁気遮蔽層部分と、第１の磁気遮蔽層部分とは別体として構成され、第１の磁気遮蔽層部分の媒体進行方向側においてその第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方における少なくともバックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを含んで構成されていてもよい。この場合には、第１の磁気遮蔽層部分が第３の厚さを有すると共に、第２の磁気遮蔽層部分が記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側のみに突出することにより第１の厚さよりも大きな第４の厚さを有しており、第２の厚さが第３の厚さと第４の厚さとの和により規定されていてもよい。また、第２の磁気遮蔽層部分が、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方における少なくともバックギャップまで延在すると共に第１の厚さを有する第２の主磁気遮蔽層部分と、第２の主磁気遮蔽層部分の媒体進行方向側においてその第２の主磁気遮蔽層部分に乗り上げながら記録媒体対向面から後方における記録媒体対向面とバックギャップとの間の第２の位置まで延在すると共に第５の厚さを有する第２の副磁気遮蔽層部分とを含んで構成されており、第４の厚さが第１の厚さと第５の厚さとの和により規定されていてもよく、第２の位置が第１の位置よりも後方であるのが好ましい。特に、第２の主磁気遮蔽層部分と第２の副磁気遮蔽層部分とが互いに別体として構成されていてもよいし、あるいは互いに一体として構成されていてもよい。第２の主磁気遮蔽層部分と第２の副磁気遮蔽層部分とが互いに別体として構成されている場合には、第２の主磁気遮蔽層部分が第２の副磁気遮蔽層部分の比抵抗よりも大きな比抵抗を有する材料により構成されており、第２の副磁気遮蔽層部分が第２の主磁気遮蔽層部分の飽和磁束密度よりも大きな飽和磁束密度を有する材料により構成されているのが好ましい。なお、磁極層が記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁束を放出するように構成されていてもよい。
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁気遮蔽層を形成する工程が、ギャップ層に隣接しながら記録媒体対向面から後方における記録媒体対向面とバックギャップとの間の第１の位置まで延在するように、磁気遮蔽層のうちの一部を構成する第１の磁気遮蔽層部分を形成する工程と、第１の磁気遮蔽層部分の媒体進行方向側においてその第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方における少なくともバックギャップまで延在するように、磁気遮蔽層のうちの他の一部を構成する第２の磁気遮蔽層部分を第１の磁気遮蔽層部分とは別体として形成する工程とを含むようにしてもよい。この場合には、第３の厚さを有するように第１の磁気遮蔽層部分を形成すると共に、記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側のみに突出することにより第１の厚さよりも大きな第４の厚さを有するように第２の磁気遮蔽層部分を形成し、第２の厚さが第３の厚さと第４の厚さとの和により規定されるようにしてもよい。また、第２の磁気遮蔽層部分を形成する工程が、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げながら記録媒体対向面から後方における少なくともバックギャップまで延在すると共に第１の厚さを有するように、第２の磁気遮蔽層部分のうちの一部を構成する第２の主磁気遮蔽層部分を形成する工程と、第２の主磁気遮蔽層部分の媒体進行方向側においてその第２の主磁気遮蔽層部分に乗り上げながら記録媒体対向面から後方における記録媒体対向面とバックギャップとの間の第２の位置まで延在すると共に第５の厚さを有するように、第２の磁気遮蔽層部分のうちの他の一部を構成する第２の副磁気遮蔽層部分を形成する工程とを含み、第４の厚さが第１の厚さと第５の厚さとにより規定されるようにしてもよく、第２の位置を第１の位置よりも後方にするのが好ましい。特に、磁気遮蔽層を形成する工程が、めっき膜を成長させることによりギャップ層上に第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げると共に全体に渡って第１の厚さを有しながら記録媒体対向面から後方における少なくともバックギャップまで延在するように第２の主磁気遮蔽層部分を形成する第２の工程と、めっき膜を成長させることにより第２の主磁気遮蔽層部分上に第２の副磁気遮蔽層部分を第２の主磁気遮蔽層部分とは別体として形成することにより、これらの第２の主磁気遮蔽層部分および第２の副磁気遮蔽層部分を含むように第２の磁気遮蔽層部分を形成する第３の工程とを含むようにしてもよいし、あるいはめっき膜を成長させることによりギャップ層上に第１の磁気遮蔽層部分を形成する第１の工程と、第１の磁気遮蔽層部分に部分的に乗り上げると共に全体に渡って第４の厚さを有しながら記録媒体対向面から後方における少なくともバックギャップまで延在するように第２の磁気遮蔽層部分の前準備層としての前駆磁気遮蔽層を形成する第２の工程と、前駆磁気遮蔽層のうちの記録媒体対向面から遠い側の部分を選択的にエッチングして第１の厚さとなるまで掘り下げることにより、第２の主磁気遮蔽層部分および第２の副磁気遮蔽層部分を一体として含むように第２の磁気遮蔽層部分を形成する第３の工程とを含むようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリまたは磁気記録装置によれば、記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有するように磁気遮蔽層が構成されている構造的特徴に基づき、記録媒体対向面に露出した磁気遮蔽層の露出面から取り込まれた磁束が記録媒体対向面近傍において集中しにくくなるため、意図しない情報の上書きが発生しにくくなると共に、磁気遮蔽層が熱の影響を受けて過度に膨張しにくくなるため、突起欠陥が発生しにくくなる。したがって、意図しない情報の上書きの発生抑制および突起欠陥の発生抑制の双方の観点において記録処理が安定化するため、その記録処理の安定性を確保することができる。
【００１７】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、記録媒体対向面から遠い側において第１の厚さを有すると共に記録媒体対向面に近い側において媒体進行方向側およびその反対側の双方に突出することにより第１の厚さよりも大きな第２の厚さを有する磁気遮蔽層を形成するために、成膜技術、パターニング技術およびエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない製法的特徴に基づき、その既存の薄膜プロセスのみを使用して、記録処理の安定性が確保された薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
まず、図１〜図３を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１および図２は薄膜磁気ヘッドの断面構成を表しており、図１はエアベアリング面に垂直な断面構成（ＹＺ面に平行な断面構成）を示し、図２はエアベアリング面に平行な断面構成（ＸＺ面に平行な断面構成）を示している。また、図３は、図１および図２に示した薄膜磁気ヘッドの平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を表している。なお、図１および図２に示した上向きの矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッドに対して磁気記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向Ｍ）を示している。
【００２０】
以下の説明では、図１〜図３に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」とそれぞれ表記する。これらの表記内容は、後述する図４以降においても同様とする。
【００２１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドは、媒体進行方向Ｍに移動する例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）に磁気的処理を施すために、例えばハードディスクドライブ（ＨＤＤ；Hard Disk Drive ）などの磁気記録装置に搭載されるものである。この薄膜磁気ヘッドは、例えば、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-resistive effect）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層９と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１９とがこの順に積層された構成を有している。
【００２２】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、絶縁層４により周囲を埋設された下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜５と、絶縁層８により周囲を埋設された上部リードシールド層７とがこの順に積層された積層構造を有している。このシールドギャップ膜５には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）４０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００２３】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層７は、いずれもＭＲ素子６を周辺から磁気的に分離するものである。これらの下部リードシールド層３および上部リードシールド層７は、エアベアリング面４０から後方に向かって延在しており、例えば、図３に示したように、幅Ｗ３を有する矩形型の平面形状を有している。また、下部リードシールド層３および上部リードシールド層７は、例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。なお、絶縁層４，８は、それぞれ下部リードシールド層３および上部リードシールド層７を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、いずれもアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００２４】
シールドギャップ膜５は、ＭＲ素子６を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００２５】
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive effect）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive effect）などを利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものである。
【００２６】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層１１，１３により周囲を埋設された磁極層２０と、磁気連結用の開口（バックギャップ１４ＢＧ）が設けられたギャップ層１４と、絶縁層１７により埋設された薄膜コイル１６と、ライトシールド層３０とがこの順に積層された構成を有している。
【００２７】
磁極層２０は、薄膜コイル１６において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより磁気的処理（記録処理）を実行するものであり、エアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層１４に設けられたバックギャップ１４ＢＧまで延在している。この磁極層２０は、例えば、磁束の放出部分として機能する主磁極層１２と、この主磁極層１２の磁気ボリューム（磁束収容量）を確保するために磁束の収容部分として機能する補助磁極層１０とが積層された２層構造を有している。なお、絶縁層１１，１３は、それぞれ補助磁極層１０および主磁極層１２を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、いずれもアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。
【００２８】
補助磁極層１０は、主磁極層１２のリーディング側においてエアベアリング面４０よりも後退した位置から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ１４ＢＧまで延在しており、その主磁極層１２に連結されている。この「連結」とは、単に物理的に接触しているだけでなく、物理的に接触した上で磁気的導通が可能な状態にあることを意味しており、この「連結」の意味するところは、以降においても同様である。この補助磁極層１０は、例えば、主磁極層１２の構成材料と同様の材料により構成されており、図３に示したように、幅Ｗ３よりも小さな幅Ｗ２（Ｗ２＜Ｗ３）を有する矩形型の平面形状を有している。なお、「リーディング側」とは、図１および図２に示した媒体進行方向Ｍに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｍ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における下側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｍ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における上側をいう。
【００２９】
主磁極層１２は、補助磁極層１０のトレーリング側においてエアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的には補助磁極層１０と同様にバックギャップ１４ＢＧまで延在しており、例えば、パーマロイまたは鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されている。この「鉄コバルト系合金」としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。特に、主磁極層１２は、例えば、上記した鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されているのが好ましい。この主磁極層１２は、例えば、図３に示したように、エアベアリング面４０に近い側から順に、記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１（例えばＷ１＝約０．１５μｍ）を有する先端部１２Ａと、この先端部１２Ａの後方に連結され、先端部１２Ａの幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１２Ｂとを含んで構成されている。後端部１２Ｂの幅は、例えば、後方において一定（幅Ｗ２）であり、前方において先端部１２Ａに近づくにしたがって次第に狭まっている。この主磁極層１２の幅が先端部１２Ａ（幅Ｗ１）から後端部１２Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録特性を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイント（ＦＰ）」である。
【００３０】
ギャップ層１４は、磁極層２０とライトシールド層３０とを磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１４は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．２μｍ以下である。
【００３１】
薄膜コイル１６は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１６は、例えば、図１に示したように、バックギャップ１４ＢＧを中心として巻回された巻線構造（スパイラル構造）を有している。特に、薄膜コイル１６を構成する各巻線の長さ（Ｙ軸方向の寸法）は、例えば、バックギャップ１４ＢＧよりも前方において相対的に狭くなっていると共に、後方において相対的に広くなっている。なお、図１では、薄膜コイル１６を構成する複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００３２】
絶縁層１７は、薄膜コイル１６を覆って周辺から電気的に分離するものであり、バックギャップ１４ＢＧを塞がないようにギャップ層１４上に配置されている。この絶縁層１７は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ；Spin On Glass ）などの非磁性絶縁材料により構成されており、その絶縁層１７の端縁近傍部分は、丸みを帯びた斜面を構成している。この絶縁層１７の最前端の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの他の１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」であり、エアベアリング面４０とスロートハイトゼロ位置ＴＰとの間の距離は「スロートハイトＴＨ」である。なお、図１および図３では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰ１に一致している場合を示している。
【００３３】
ライトシールド層３０は、磁極層２０から放出された磁束の広がり成分を取り込み、その磁束の広がりを防止する磁気遮蔽層である。なお、ライトシールド層３０は、例えば、上記したように磁束の広がりを防止する機能の他、磁極層２０から記録媒体へ向けて磁束が放出された際に、記録媒体を経由した（記録処理に利用された）磁束を回収することにより磁極層２０へ再供給し、すなわち薄膜磁気ヘッドと記録媒体との間で磁束を循環させる機能を担っている。このライトシールド層３０は、磁極層２０のトレーリング側においてエアベアリング面４０から後方に向かって延在することにより、エアベアリング面４０に近い側においてギャップ層１４により磁極層２０から隔てられると共にエアベアリング面４０から遠い側においてバックギャップ１４ＢＧを通じて磁極層２０に連結されている。すなわち、ライトシールド層３０は、エアベアリング面４０から後方における少なくともバックギャップ１４ＢＧまで延在し、具体的にはバックギャップ１４ＢＧの後方まで延在しており、エアベアリング面４０に露出した一端面（露出面）３０Ｍを有している。
【００３４】
特に、ライトシールド層３０は、図１に示したように、エアベアリング面４０に近い側と遠い側との間において厚さが異なる特徴的な構成を有しており、すなわちエアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１（第１の厚さ）を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側およびリーディング側の双方に突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ２（Ｔ２＞Ｔ１：第２の厚さ）を有している。このライトシールド層３０の構造的特徴をより簡単に説明すれば、図１に太線で示したライトシールド層３０の輪郭から明らかなように、そのライトシールド層３０のうちのバックギャップ１４ＢＧよりも前方の主要部は、エアベアリング面４０から遠い側においてほぼ一定の厚さＴ１を有しながらＹ軸方向（横方向）に延在すると共にエアベアリング４０に近い側において厚さＴ２となるようにＺ軸方向（上下方向）に厚さが拡張した略Ｔ字型の断面構成を有している。
【００３５】
このライトシールド層３０は、例えば、ギャップ層１４に隣接しながらエアベアリング面４０から後方におけるエアベアリング面４０とバックギャップ１４ＢＧとの間の位置Ｐ１（第１の位置）まで延在するＴＨ規定層１５（第１の磁気遮蔽層部分）と、このＴＨ規定層１５とは別体として構成され、ＴＨ規定層１５のトレーリング側においてそのＴＨ規定層１５に部分的に乗り上げながらエアベアリング面４０から後方における少なくともバックギャップ１４ＢＧまで延在するヨーク層１８（第２の磁気遮蔽層部分）とを含んで構成されており、すなわちＴＨ規定層１５とヨーク層１８とがこの順に積層された積層構造を有している。
【００３６】
ＴＨ規定層１５は、主要な磁束の取り込み口として機能するものであり、図１に示したように、厚さＴ３（第３の厚さ）を有している。このＴＨ規定層１５は、例えば、パーマロイ、鉄ニッケル合金（ＦｅＮｉ）または鉄コバルト系合金などの磁性材料により構成されており、図３に示したように、幅Ｗ３を有する矩形型の平面形状を有している。このＴＨ規定層１５には、薄膜コイル１６を埋設している絶縁層１７が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１５は、絶縁層１７の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定する役割を担っている。
【００３７】
ヨーク層１８は、ＴＨ規定層１５から取り込まれた磁束の流路として機能するものであり、例えば、エアベアリング面４０からバックギャップ１４ＢＧの後方まで延在することにより、バックギャップ１４ＢＧよりも前方においてＴＨ規定層１５に部分的に乗り上げることにより連結されていると共にそのバックギャップ１４ＢＧを通じて磁極層２０に部分的に連結されている。特に、ヨーク層１８は、例えば、図１に示したように、エアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側のみに突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ４（Ｔ４＞Ｔ１；第４の厚さ）を有している。このヨーク層１８は、例えば、ＴＨ規定層１５の構成材料と同様の磁性材料により構成されており、図３に示したように、幅Ｗ３を有する矩形型の平面形状を有している。上記したライトシールド層３０の厚さＴ２は、ＴＨ規定層１５の厚さＴ３とヨーク層１８のうちの前方部分の厚さＴ４との和により規定されている（Ｔ２＝Ｔ３＋Ｔ４）。
【００３８】
特に、ヨーク層１８は、例えば、互いに別体として構成された２つの構成部分が連結された構成を有している。具体的には、ヨーク層１８は、例えば、ＴＨ規定層１５に部分的に乗り上げならエアベアリング面４０から後方における少なくともバックギャップ１４ＢＧまで延在し、具体的にはエアベアリング面４０からバックギャップ１４ＢＧの後方まで延在すると共に厚さＴ１を有するヨーク層部分１８Ａ（第２の主磁気遮蔽層部分）と、ヨーク層部分１８Ａのトレーリング側においてそのヨーク層部分１８Ａに乗り上げながらエアベアリング面４０から後方におけるエアベアリング面４０とバックギャップ１４ＢＧとの間の位置Ｐ２（第２の位置）まで延在すると共に厚さＴ５（第５の厚さ）を有するヨーク層部分１８Ｂ（第２の副磁気遮蔽層部分）とを含んで構成されており、すなわちヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂがこの順に積層された積層構造を有している。ヨーク層部分１８Ａは、例えば、高比抵抗を有する材料により構成されており、具体的にはヨーク層部分１８Ｂの比抵抗ＲＢよりも大きな比抵抗ＲＡ（ＲＡ＞ＲＢ）を有する材料により構成されているのが好ましい。一方、ヨーク層部分１８Ｂは、例えば、高飽和磁束密度材料により構成されており、具体的にはヨーク層部分１８Ａの飽和磁束密度ＳＡよりも大きな飽和磁束密度ＳＢ（ＳＢ＞ＳＡ）を有する材料により構成されているのが好ましい。ここでは、例えば、ヨーク層部分１８Ａが鉄ニッケル合金（ＦｅＮｉ；比抵抗ＲＡ＝約４５μΩｃｍ，飽和磁束密度ＳＡ＝約１．５Ｔ〜１．６Ｔ）により構成されており、ヨーク層部分１８Ｂが鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ；比抵抗ＲＢ＝約１８μΩｃｍ，飽和磁束密度ＳＢ＝約１．８Ｔ〜２．０Ｔ）により構成されている。上記したヨーク層１８の厚さＴ４は、ヨーク層部分１８Ａの厚さＴ１とヨーク層部分１８Ｂの厚さＴ５との和により規定されている（Ｔ４＝Ｔ１＋Ｔ５）。このヨーク層部分１８ＢとＴＨ規定層１５との間の位置関係としては、例えば、ヨーク層部分１８Ｂの延在端である位置Ｐ２はＴＨ規定層１５の延在端である位置Ｐ１よりも後方であり、すなわちヨーク層部分１８ＢはＴＨ規定層１５よりも後方まで延在している。なお、ヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂは、例えば、図３に示したように、いずれも矩形型の平面形状を有している。
【００３９】
次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００４０】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から記録ヘッド部１００Ｂのうちの薄膜コイル１６に電流が流れると、その薄膜コイル１６において磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層２０を構成している補助磁極層１０および主磁極層１２に収容されたのち、主に主磁極層１２内を後端部１２Ｂから先端部１２Ａへ流れる。この際、磁極層２０内を流れる磁束は、その磁極層２０の幅の減少に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれることにより集束するため、先端部１２Ａのうちのトレーリング側部分に集中する。このトレーリング側部分に集中した磁束が先端部１２Ａから外部へ放出されると、記録媒体の表面と直交する方向に記録磁界（垂直磁界）が発生し、この垂直磁界に基づいて記録媒体が垂直方向に磁化されるため、その記録媒体に情報が磁気的に記録される。なお、情報の記録時には、先端部１２Ａから放出された磁束の広がり成分がライトシールド層３０に取り込まれるため、その磁束の広がりが防止される。また、先端部１２Ａから放出されることにより記録媒体を経由した（記録処理に利用された）磁束がライトシールド層３０において回収されるため、薄膜磁気ヘッドと記録媒体との間で磁束が循環される。
【００４１】
一方、情報の再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのうちのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体からの信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。このＭＲ素子６の抵抗変化がセンス電流の変化として検出されることにより、記録媒体に記録されている情報が磁気的に読み出される。
【００４２】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、ライトシールド層３０がエアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側およびリーディング側の双方に突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）を有するようにしたので、以下の理由により、記録処理の安定性を確保することができる。
【００４３】
図４は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する第１の比較例としての薄膜磁気ヘッドの構成を表していると共に、図５は本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する第２の比較例の薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、いずれも図１に対応する断面構成を示している。第１の比較例の薄膜磁気ヘッドは、ライトシールド層３０が、上記したヨーク層１８に代えて、全体に渡って一律な厚さＴ４を有するヨーク層１１８を含んで構成されており、すなわちライトシールド層３０がエアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ４を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてリーディング側のみに突出することにより厚さＴ４よりも大きな厚さＴ６（Ｔ６＞Ｔ４，Ｔ６＝Ｔ３＋Ｔ４）を有している点を除き、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。また、第２の比較例の薄膜磁気ヘッドは、ライトシールド層３０が、上記したヨーク層１８に代えて、全体に渡って一律な厚さＴ１を有するヨーク層２１８を含んで構成されており、すなわちライトシールド層３０がエアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてリーディング側のみに突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ７（Ｔ７＞Ｔ１，Ｔ７＝Ｔ１＋Ｔ３）を有している点を除き、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の構成を有している。
【００４４】
第１の比較例の薄膜磁気ヘッド（図４参照）では、ヨーク層１１８が全体に渡って比較的大きな厚さＴ４を有しているため、ライトシールド層３０全体の体積が比較的大きくなる。この場合には、ライトシールド層３０のうちの前方において、露出面３０Ｍの面積が十分に大きくなると共に、エアベアリング面４０近傍の磁気ボリュームが十分に大きくなる。これにより、ライトシールド層３０の露出面３０Ｍから取り込まれた磁束がエアベアリング面４０近傍において集中しにくくなるため、意図しない情報の上書きが発生しにくくなる。この「意図しない情報の上書き」とは、ライトシールド層３０のうちのエアベアリング面４０近傍部分に磁束が集中することに起因して不要な記録磁界が発生し、その不要な記録磁界に基づいて記録媒体に記録されていた情報が意図せずに上書きされる不具合である。しかしながら、第１の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、上記した意図しない情報の上書きが発生しにくくなる一方で、ライトシールド層３０全体の体積が大きすぎることに起因して、そのライトシールド層３０のうちの後方において熱膨張量が過度に大きくなる。この場合には、薄膜磁気ヘッドの記録動作時に発熱することにより環境温度が上昇すると、その熱の影響を受けてライトシールド層３０が過度に膨張しやすいため、突起欠陥が発生しやすくなる。この「突起欠陥」とは、薄膜磁気ヘッドの構成要素（ここでは例えばライトシールド層３０）が熱膨張することにより意図せずにエアベアリング面４０（自由端）から突出する不具合であり、薄膜磁気ヘッドを記録媒体に衝突させ得る重大な欠陥である。このことから、第１の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、意図しない情報の上書きの発生を抑制し得る一方で、突起欠陥の発生を抑制し得ないため、これらの意図しない情報の上書きの発生抑制および突起欠陥の発生抑制の双方の観点において記録処理を安定化することが困難である。
【００４５】
一方、第２の比較例の薄膜磁気ヘッド（図５参照）では、ヨーク層２１８が全体に渡って比較的小さな厚さＴ１を有しているため、ライトシールド層３０全体の体積が比較的小さくなる。この場合には、ライトシールド層３０のうちの後方において、熱膨張量が十分に小さくなる。これにより、薄膜磁気ヘッドの記録動作時に環境温度が上昇したとしても、その熱の影響を受けてライトシールド層３０が過度に膨張しにくいため、突起欠陥が発生しにくくなる。しかしながら、第２の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、上記した突起欠陥が発生しにくくなる一方で、ライトシールド層３０の全体の体積が小さすぎることに起因して、そのライトシールド層３０のうちの前方において、露出面３０Ｍの面積が過度に小さくなると共にエアベアリング面４０近傍の磁気ボリュームが過度に小さくなる。この場合には、ライトシールド層３０の露出面３０Ｍから取り込まれた磁束がエアベアリング面近傍において集中しやすくなるため、意図しない情報の上書きが発生しやすくなる。これらのことから、第２の比較例の薄膜磁気ヘッドでは、突起欠陥の発生を抑制し得る一方で、意図しない情報の上書きの発生を抑制し得ないため、やはり意図しない情報の上書きの発生抑制および突起欠陥の発生抑制の双方の観点において記録処理を安定化することが困難である。
【００４６】
これに対して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（図１参照）では、ヨーク層１８が後方において比較的小さな厚さＴ１を有すると共に前方において比較的大きな厚さＴ４を有しているため、ライトシールド層３０の体積が後方において相対的に小さくなると共に前方において相対的に大きくなる。この場合には、ライトシールド層３０のうちの前方において露出面３０Ｍの面積が十分に大きくなると共にエアベアリング面４０近傍の磁気ボリュームが十分に大きくなり、かつ後方において熱膨張量が十分に小さくなる。これにより、ライトシールド層３０の露出面３０Ｍから取り込まれた磁束がエアベアリング面４０近傍において集中しにくくなるため、意図しない情報の上書きが発生しにくくなると共に、ライトシールド層３０が熱の影響を受けて過度に膨張しにくくなるため、突起欠陥が発生しにくくなる。したがって、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、意図しない情報の上書きの発生を抑制し得ると共に、突起欠陥の発生も抑制し得る結果、これらの意図しない情報の上書きの発生抑制および突起欠陥の発生抑制の双方の観点において記録処理が安定化するため、その記録処理の安定性を確保することができるのである。
【００４７】
特に、本実施の形態では、ライトシールド層３０のうちのヨーク層部分１８Ｂの延在端の位置Ｐ２がＴＨ規定層１５の延在端の位置Ｐ１よりも後方であり、すなわちヨーク層部分１８ＢがＴＨ規定層１５よりも後方まで延在するようにしたので、ＴＨ規定層１５よりもヨーク層部分１８Ｂにおいて体積が十分に大きくなる。したがって、ヨーク層部分１８Ｂの磁気ボリュームが十分に大きくなるため、上記した意図しない情報の上書きの発生をより効果的に抑制することができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、ヨーク層１８のうちのヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂを互いに別体として構成した上で、ヨーク層部分１８Ａがヨーク層部分１８Ｂの比抵抗ＲＢよりも大きな比抵抗ＲＡ（ＲＡ＞ＲＢ）を有する材料により構成され、ヨーク層部分１８Ｂがヨーク層部分１８Ａの飽和磁束密度ＳＡよりも大きな飽和磁束密度ＳＢ（ＳＢ＞ＳＡ）を有する材料により構成されるようにしたので、ヨーク層部分１８Ａの高比抵抗特性に基づいて高周波特性を確保することができると共に、ヨーク層部分１８Ｂの高飽和磁束密度特性に基づいて磁気飽和の発生を防止することができる。
【００４９】
なお、本実施の形態では、図１に示したように、ヨーク層１８のうちのヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂを互いに別体として構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図６に示したように、ヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂを互いに一体として構成してもよい。もちろん、図６に示した薄膜磁気ヘッドにおいても、厚さＴ１〜Ｔ４間の関係は、上記実施の形態において説明した場合と同様である。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図６に示した薄膜磁気ヘッドに関する上記以外の構成は、図１に示した場合と同様である。
【００５０】
次に、図１〜図３および図７〜図１０を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図７〜図１０は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１に対応する断面構成を示している。
【００５１】
以下では、まず、図１を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図３および図７〜図１０を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部（ライトシールド層３０）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドを構成する一連の構成要素の材質、寸法ならびに構造的特徴に関しては既に詳述したので、それらの説明を随時省略するものとする。
【００５２】
この薄膜磁気ヘッドは、主に、めっき処理またはスパッタリングなどの成膜技術、フォトリソグラフィ処理などのパターニング技術、ならびにドライエッチングまたはウェットエッチングなどのエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスを使用して、各構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。すなわち、図１に示したように、まず、基板１上に絶縁層２を形成したのち、この絶縁層２上に、絶縁層４により周囲を埋設された下部リードシールド層３と、ＭＲ素子６が埋設されたシールドギャップ膜５と、絶縁層８により周囲を埋設された上部リードシールド層７とをこの順に積層させることにより、再生ヘッド部１００Ａを形成する。続いて、再生ヘッド部１００Ａ上に分離層９を形成したのち、この分離層９上に、絶縁層１１，１３により周囲を埋設された磁極層２０（補助磁極層１０，主磁極層１２）と、バックギャップ１４ＢＧが設けられたギャップ層１４と、薄膜コイル１６が埋設された絶縁層１７と、ライトシールド層３０（ＴＨ規定層１５，ヨーク層１８）とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド部１００Ｂを形成する。最後に、記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１９を形成したのち、機械加工や研磨加工を利用してエアベアリング面４０を形成することにより、薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００５３】
薄膜磁気ヘッドの主要部であるライトシールド層３０を形成する際には、バックギャップ１４ＢＧが設けられたギャップ層１４を形成したのち、まず、図７に示したように、ギャップ層１４上のうちのフレアポイントＦＰよりも前方の領域に選択的にめっき膜を成長させることにより、ライトシールド層３０のうちの一部を構成するＴＨ規定層１５をパターン形成する。このＴＨ規定層１５を形成する際には、ギャップ層１４に隣接しながら後工程においてエアベアリング面４０（図１参照）となる位置から後方におけるエアベアリング面４０とバックギャップ１４ＢＧとの間の位置Ｐ１まで延在すると共に、厚さＴ３を有するようにする。この場合には、特に、上記したように、最終的にＴＨ規定層１５の形成位置に基づいてスロートハイトゼロ位置ＴＰ（図１参照）が規定されることを考慮して、そのＴＨ規定層１５の延在端の位置Ｐ１を設定する。なお、めっき成長処理を使用してＴＨ規定層１５をパターン形成するためには、例えば、図示しないパターン膜形成用のフレーム（フォトレジストパターン）を使用するが、このフォトレジストパターンの形成工程に関しては後述する。
【００５４】
続いて、図７に示したように、ギャップ層１４上に薄膜コイル１６をパターン形成し、引き続き薄膜コイル１６の各巻線間およびその周辺のギャップ層１４を覆うと共にバックギャップ１４ＢＧを埋め込まないように絶縁層１７をパターン形成することにより、その絶縁層１７の最前端位置に基づいてスロートハイトゼロ位置ＴＰを規定したのち、絶縁層１７およびその周辺のギャップ層１４を覆うようにフォトレジストパターン５１を形成する。このフォトレジストパターン５１を形成する際には、例えば、ギャップ層１４、ＴＨ規定層１５、絶縁層１７およびその周辺領域の表面にフォトレジストを塗布することによりフォトレジスト膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理を使用してフォトレジスト膜をパターニング（露光・現像）することにより、後工程においてヨーク層部分１８Ａ（図８参照）が形成されることとなる領域に開口を有し、すなわちヨーク層部分１８Ａが形成されることとなる領域を除く領域を覆うようにする。ここでは、例えば、フォトレジストパターン５１の前端がバックギャップ１４ＢＧよりも後方に位置し、すなわちバックギャップ１４ＢＧよりも後方において絶縁層１７を部分的に覆うようにフォトレジストパターン５１を配置させる。
【００５５】
続いて、フォトレジストパターン５１を使用して選択的にめっき膜を成長させることにより、図８に示したように、フォトレジストパターン５１の開口に、ヨーク層１８のうちの一部を構成するヨーク層部分１８Ａをパターン形成する。このヨーク層部分１８Ａを形成する際には、ＴＨ規定層１５に部分的に乗り上げると共に全体に渡って厚さＴ１を有しながら後工程においてエアベアリング面４０となる位置から後方における少なくともバックギャップ１４ＢＧまで延在し、具体的にはバックギャップ１４ＢＧの後方まで延在するようにする。
【００５６】
続いて、使用済みのフォトレジストパターン５１を除去したのち、図９に示したように、ギャップ層１４、絶縁層１７およびヨーク層部分１８Ａを覆うようにフォトレジストパターン５２を形成する。このフォトレジストパターン５２を形成する際には、例えば、後工程においてヨーク層部分１８Ｂ（図１０参照）が形成されることとなる領域に開口を有し、すなわちヨーク層部分１８Ｂが形成されることとなる領域を除く領域を覆うようにする。ここでは、例えば、フォトレジストパターン５２の前端が位置Ｐ１よりも後方の位置Ｐ２に位置し、すなわちＴＨ規定層１５よりも後方においてヨーク層部分１８Ａを部分的に覆うようにフォトレジストパターン５２を配置させる。
【００５７】
続いて、フォトレジストパターン５２を使用して選択的にめっき膜を成長させることにより、図１０に示したように、フォトレジストパターン５２の開口に、ヨーク層１８のうちの他の一部を構成するヨーク層部分１８Ｂをヨーク層部分１８Ａとは別体としてパターン形成する。このヨーク層部分１８Ｂを形成する際には、ヨーク層部分１８Ａのトレーリング側においてそのヨーク層部分１８Ａに乗り上げながら後工程においてエアベアリング面４０となる位置から後方におけるエアベアリング面４０とバックギャップ１４ＢＧとの間の位置Ｐ２まで延在すると共に、厚さＴ５を有するようにする。これにより、ヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂを含むと共にヨーク層部分１８Ａの厚さＴ１とヨーク層部分１８ＢのＴ５の厚さとの和により厚さＴ４（Ｔ４＝Ｔ１＋Ｔ５）が規定されるようにヨーク層１８が形成され、すなわち後工程においてエアベアリング面４０となる位置から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０となる位置に近い側においてトレーリング側のみに突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ４（Ｔ４＞Ｔ１）を有するようにヨーク層１８が形成される。この結果、ＴＨ規定層１５およびヨーク層１８を含み、エアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側およびリーディング側の双方に突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）を有するようにライトシールド層３０が形成されるため、そのライトシールド層３０が完成する。
【００５８】
なお、上記では、説明を簡略化する関係上、図１０に示した時点においてライトシールド層３０（ＴＨ規定層１５，ヨーク層１８（ヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂ））が完成することとしているが、厳密には、使用済みのフォトレジストパターン５２を除去したのち、例えばラッピング技術などを使用して基板１からライトシールド層３０に至る積層構造物の一端面を研磨し、図１に示したように、研磨後の平坦面としてライトシールド層３０の露出面３０Ｍを含むエアベアリング面４０を形成することにより、ライトシールド層３０が実質的に完成する。
【００５９】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、エアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側およびリーディング側の双方に突出することにより厚さＴ１よりも大きな厚さＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）を有するライトシールド層３０を形成するために、成膜技術、パターニング技術およびエッチング技術等を含む既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態では、既存の薄膜プロセスのみを使用して、記録処理の安定性が確保された薄膜磁気ヘッドを容易に製造することができる。
【００６０】
特に、本実施の形態では、ライトシールド層３０のうちのヨーク層１８を分割形成し、具体的には厚さＴ１を有するヨーク層部分１８Ａと厚さＴ５を有するヨーク層部分１８Ｂとを互いに別体として形成することによりライトシールド層３０を形成するようにしたので、厚さＴ１がヨーク層部分１８Ａの形成工程において規定されると共に厚さＴ５がヨーク層部分１８Ｂの形成工程において規定され、すなわち厚さＴ１、Ｔ５が別個の工程において互いに独立して規定される。したがって、各工程において厚さＴ１，Ｔ５が厳密に制御されるため、それらの厚さＴ１，Ｔ５の和により規定される厚さＴ４（Ｔ４＝Ｔ１＋Ｔ５）を厳密に制御することができる。
【００６１】
この場合には、さらに、ヨーク層部分１８Ａ、１８Ｂを互いに別体として形成することにより、互いに異なる材質となるようにヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂを形成することが可能なため、薄膜磁気ヘッドの性能等を考慮してヨーク層部分１８Ａ、１８Ｂのそれぞれの材質を自由に設定することができる。
【００６２】
なお、本実施の形態では、図７〜図１０に示したように、ライトシールド層３０のうちのヨーク層１８を分割形成するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、薄膜磁気ヘッドの構成に関する変形例として図６に示したように、ヨーク層１８を一体形成し、すなわちヨーク層部分１８Ａ，１８Ｂを互いに一体として形成するようにしてもよい。この一体型のヨーク層１８は、以下で説明するように、例えば、図１１〜図１４に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程を経ることにより形成可能である。
【００６３】
すなわち、一体型のヨーク層１８を形成する際には、図７を参照して説明した工程と同様の工程を経ることによりＴＨ規定層１５を形成したのち、まず、図１１に示したように、上記実施の形態においてフォトレジストパターン５１を形成した場合と同様の手順を使用して、後工程において前駆ヨーク層１８Ｚ（図１２参照）が形成されることとなる領域に開口を有するようにフォトレジストパターン６１を形成する。続いて、フォトレジストパターン６１の開口に選択的にめっき膜を成長させることにより、図１２に示したように、ヨーク層１８の前準備層としての前駆ヨーク層１８Ｚを形成する。この前駆ヨーク層１８Ｚを形成する際には、ＴＨ規定層１５に部分的に乗り上げると共に全体に渡って厚さＴ４を有しながら後工程においてエアベアリング面４０となる位置から後方における少なくともバックギャップ１４ＢＧまで延在し、具体的には絶縁層１７を覆いながらバックギャップ１４ＢＧよりも後方まで延在するようにする。すなわち、前駆ヨーク層１８Ｚの構成は、上記実施の形態において説明したヨーク部分層１８Ａの厚さをＴ１からＴ４に変更した構成に相当する。続いて、フォトレジストパターン６１を残存させたまま、図１３に示したように、前駆ヨーク層１８Ｚ上に、上記実施の形態においてライトシールド層３０が厚さＴ１を有していた領域、すなわち位置Ｐ２よりも後方の領域にフォトレジストパターン６１と共に開口を有するようにフォトレジストパターン６２を形成する。続いて、フォトレジストパターン６１，６２をマスクとして、例えばイオンミリングを使用して、前駆ヨーク層１８Ｚのうちの後工程においてエアベアリング面４０となる位置から遠い側の部分を選択的にエッチングして厚さＴ１となるまで掘り下げることにより、図１４に示したように、後工程においてエアベアリング面４０となる位置から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側において厚さＴ４を有するようにヨーク層１８を形成する。これにより、一体型のヨーク層１８が完成する。もちろん、この場合においても、厳密には、使用済みのフォトレジストパターン６１，６２を除去したのち、例えばラッピング技術などを使用してエアベアリング面４０を形成することにより、ヨーク層１８が実質的に完成する。なお、前駆ヨーク層１８Ｚをエッチングするためのエッチング方法としては、必ずしもイオンミリングに限らず、そのイオンミリング以外の他のエッチング方法を使用してもよい。なお、図１１〜図１４に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程に関する上記以外の手順は、図７〜図１０に示した薄膜磁気ヘッドの製造工程と同様である。
【００６４】
以上をもって、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法についての説明を終了する。
【００６５】
次に、図１５および図１６を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図１５および図１６は磁気記録装置の構成を表しており、図１５は全体の斜視構成を示し、図１６は主要部の斜視構成を拡大して示している。なお、本発明の「ヘッドジンバルアセンブリ」および「ヘッドアームアセンブリ」はいずれも磁気記録装置の一部を構成するものであるため、それらのヘッドジンバルアセンブリおよびヘッドアームアセンブリに関しては以下で併せて説明する。
【００６６】
図１５および図１６に示した磁気記録装置は、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。この磁気記録装置は、図１５に示したように、例えば、筐体２００の内部に、情報が磁気的に記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク（例えばハードディスク）２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配置され、磁気ヘッドスライダ２０２を一端部において支持する複数のサスペンション２０３と、このサスペンション２０３の他端部を支持する複数のアーム２０４とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０５を中心として回転可能になっている。アーム２０４は、動力源としての駆動部２０６に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０７を中心として、ベアリング２０８を介して旋回可能になっている。駆動部２０６は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。この磁気記録装置は、例えば、固定軸２０７を中心として複数のアーム２０４が一体的に旋回可能なモデルである。なお、図１５では、磁気記録装置の内部構造を見やすくするために、筐体２００を部分的に切り欠いて示している。
【００６７】
磁気ヘッドスライダ２０２は、図１６に示したように、例えばアルティックなどの非磁性絶縁材料により構成された略直方体構造を有する基体２１１の一面に、記録処理および再生処理の双方を実行する薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられた構成を有している。この基体２１１は、例えば、アーム２０４の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が設けられた一面（エアベアリング面２２０）を有しており、そのエアベアリング面２２０と直交する他の面（図１６中、右手前側の面）に薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられいる。この薄膜磁気ヘッド２１２は、上記実施の形態において説明した構成を有するものである。このヘッドスライダ２０２は、情報の記録時または再生時において磁気ディスク２０１が回転すると、その磁気ディスク２０１の記録面（ヘッドスライダ２０２と対向する面）とエアベアリング面２２０との間に生じる空気流を利用して、磁気ディスク２０１の記録面から浮上するようになっている。なお、図１６では、磁気ヘッドスライダ２０２のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図１５に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
【００６８】
この磁気記録装置のうち、薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられた磁気ヘッドスライダ２０２と、この磁気ヘッドスライダ２０２を一端部において支持するサスペンション２０３とを備えた集合構造体が、いわゆるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ；Head Gimbals Assembly ）３００である。また、上記した磁気ヘッドスライダ２０２およびサスペンション２０３と共に、このサスペンション２０３の他端部を支持するアーム２０４および駆動部２０６を備えた集合構造体が、いわゆるヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ；Head Arm Assembly ）４００である。
【００６９】
この磁気記録装置では、情報の記録時または再生時においてアーム２０４が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の領域（記録領域）まで磁気ヘッドスライダ２０２が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記実施の形態において説明したように動作することにより、薄膜磁気ヘッド２１２が磁気ディスク２０１に記録処理または再生処理を施す。
【００７０】
この磁気記録装置では、本発明の薄膜磁気ヘッド２１２を備えるようにしたので、意図しない情報の上書きの発生抑制および突起欠陥の発生抑制の双方の観点において記録処理が安定化する。したがって、記録処理の安定性を確保することができる。
【００７１】
なお、磁気記録装置に搭載されている薄膜磁気ヘッド２１２に関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例は上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【実施例】
【００７２】
次に、本発明に関する実施例について説明する。
【００７３】
上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッド（以下、単に「本発明の薄膜磁気ヘッド」という。）の諸特性を調べたところ、以下の一連の結果が得られた。
【００７４】
まず、意図しない情報の上書きの発生状況を調べたところ、表１に示した結果が得られた。表１は、ライトシールド層３０のうちのヨーク層１８の構成と磁界強度との間の相関を表している。意図しない情報の上書きの発生状況を調べる際には、ライトシールド層３０のうちのヨーク層１８のエアベアリング面４０から遠い側の厚さＴ１を１．０μｍに固定したまま、エアベアリング面４０に近い側の厚さＴ４を３．０μｍ，２．０μｍ，１．０μｍの３段階に変化させることにより、そのライトシールド層３０のうちのリーディング側端縁部（リーディングエッジ）の磁界強度の変動状況をモデリングして調べた。なお、表１では、上記したライトシールド層３０のうちのリーディングエッジの磁界強度として、その磁界強度の変動状況を把握しやすくするために、厚さＴ４＝３．０μｍのときの磁界強度を基準（１．００）として換算した磁界強度（規格化磁界強度）を示している。
【００７５】
【表１】
2006031774.tif 000003
【００７６】
表１に示した結果から判るように、規格化磁界強度は、厚さＴ４が小さくなるにしたがって次第に大きくなった。この結果は、厚さＴ４が小さくなるにしたがってライトシールド層３０のうちのエアベアリング面４０近傍に磁束が集中しやすくなる結果、そのライトシールド層３０のうちのリーディングエッジにおいて磁界強度が増加するため、そのリーディングエッジにおいて意図しない情報の上書きが発生しやすくなることを表している。すなわち、逆に言えば、厚さＴ４が大きくなるにしたがってライトシールド層３０のうちのエアベアリング面４０近傍に磁束が集中しにくくなる結果、そのライトシールド層３０のうちのリーディングエッジにおいて磁界強度が減少するため、そのリーディングエッジにおいて意図しない情報の上書きが発生しにくくなることを表している。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、厚さＴ１よりも厚さＴ４を大きくすることにより、意図しない情報の上書きの発生を抑制可能であることが確認された。
【００７７】
続いて、突起欠陥の発生状況を調べたところ、表２に示した結果が得られた。表２は、ライトシールド層３０のうちのヨーク層１８の構成と突出量との間の相関を表している。突起欠陥の発生状況を調べる際には、ライトシールド層３０のうちのヨーク層１８のエアベアリング面４０に近い側の厚さＴ４を３．０μｍに固定したまま、エアベアリング面４０から遠い側の厚さＴ１を３．０μｍ，２．０μｍ，１．０μｍの３段階に変化させることにより、そのライトシールド層３０の突出量、すなわち熱の影響を受けて膨張することによりライトシールド層３０がエアベアリング面４０から突出した長さ（突出長さ）を調べた。このライトシールド層３０の突出量を調べる際には、そのライトシールド層３０の構成材料を鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ；線膨張係数＝１２．０×１０-6／Ｋ）とし、ライトシールド層３０の周囲を覆っているオーバーコート層１９の構成材料をアルミナ（線膨張係数＝８．０×１０-6／Ｋ）とすると共に、ライトシールド層３０の周辺温度（環境温度）を２５℃から６０℃まで３５℃上昇させた。なお、表２では、上記したライトシールド層３０の突出量として、その突出量の変動状況を把握しやすくするために、厚さＴ１＝３．０μｍのときの突出量を基準（１．００）として換算した突出量（規格化突出量）を示している。
【００７８】
【表２】
2006031774.tif 000004
【００７９】
表２に示した結果から判るように、規格化突出量は、厚さＴ１が小さくなるにしたがって次第に小さくなった。この結果は、厚さＴ１が小さくなるにしたがってライトシールド層３０の熱膨張量が小さくなるため、そのライトシールド層３０が熱の影響を受けてエアベアリング面４０から突出しにくくなることを表している。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、厚さＴ４よりも厚さＴ１を小さくすることにより、突起欠陥の発生を抑制可能であることが確認された。
【００８０】
以上説明したように、表１および表２から得られた結果を総合すると、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、エアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側においてトレーリング側のみに突出することにより厚さＴ１よりも大きなＴ４（Ｔ４＞Ｔ１）を有するようにヨーク層１８を構成し、すなわちエアベアリング面４０から遠い側において厚さＴ１を有すると共にエアベアリング面４０に近い側において厚さＴ１よりも大きな厚さＴ２（Ｔ２＞Ｔ１）を有するようにライトシールド層３０を構成することにより、意図しない情報の上書きの発生を抑制可能であると共に突起欠陥の発生も抑制可能であるため、これらの意図しない情報の上書きの発生抑制および突起欠陥の発生抑制の双方の観点において記録処理の安定性を確保可能であることが確認された。
【００８１】
最後に、参考までに、ヨーク層１８のうちのヨーク層部分１８Ｂの構成に基づく突起欠陥の発生状況を調べたところ、図１７に示した結果が得られた。図１７は、ヨーク層１８のうちのヨーク層部分１８Ｂの構成と突出量との間の相関を表しており、「横軸」はヨーク層部分１８Ｂの長さ（μｍ）を示し、「縦軸」は規格化突出量を示している。ヨーク層部分１８Ｂの構成に基づく突起欠陥の発生状況を調べる際には、ヨーク層部分１８Ｂの厚さＴ５を３．０μｍおよび幅Ｗ３を８０．０μｍに固定したまま、そのヨーク層部分１８Ｂの長さを変化させることにより、ライトシールド層の突出量（突出長さ）を調べた。上記した「規格化突出量」とは、ヨーク層部分１８Ｂの長さ＝２０．０μｍのときの突出量を基準（１．００）として換算した突出量を示している。
【００８２】
図１７に示した結果から判るように、規格化突出量は、ヨーク層部分１８Ｂの長さが小さくなるにしたがって次第に小さくなった。この結果は、ライトシールド層３０の長さが小さくなるにしたがって熱膨張量が小さくなるため、そのライトシールド層３０が熱の影響を受けてエアベアリング面４０から突出しにくくなることを表している。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、上記したヨーク層１８の厚さＴ４だけでなく、ヨーク層部分１８Ｂの長さを小さくすることによっても突起欠陥の発生を抑制可能であることが確認された。
【００８３】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態および実施例では、本発明をシールド型ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、単磁極型ヘッドに適用してもよい。また、上記実施の形態および実施例では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【００８４】
また、上記実施の形態および実施例では、本発明を垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明を長手記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気記録装置、ならびに薄膜磁気ヘッドの製造方法は、例えば、ハードディスクに情報を磁気的に記録するハードディスクドライブなどに適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成（ＹＺ面に平行な断面構成）を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドの他の断面構成（ＸＺ面に平行な断面構成）を表す断面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を表す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する第１の比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成（ＹＺ面に平行な断面構成）を表す断面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する第２の比較例としての薄膜磁気ヘッドの断面構成（ＹＺ面に平行な断面構成）を表す断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成に関する変形例を表す断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する一工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】図８に続く工程を説明するための断面図である。
【図１０】図９に続く工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する変形例の一工程を説明するための断面図である。
【図１２】図１１に続く工程を説明するための断面図である。
【図１３】図１２に続く工程を説明するための断面図である。
【図１４】図１３に続く工程を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の斜視構成を表す斜視図である。
【図１６】図１５に示した磁気記録装置のうちの主要部の斜視構成を拡大して表す斜視図である。
【図１７】ヨーク層部分の構成と突出量との間の相関を表す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１…基板、２，４，８，１１，１３，１７…絶縁層、３…下部リードシールド層、５…シールドギャップ膜、６…ＭＲ素子、７…上部リードシールド層、９…分離層、１０…補助磁極層、１２…主磁極層、１２Ａ…先端部、１２Ｂ…後端部、１４…ギャップ層、１４ＢＧ…バックギャップ、１５…ＴＨ規定層、１６…薄膜コイル、１８…ヨーク層、１８Ａ，１８Ｂ…ヨーク層部分、１９…オーバーコート層、２０…磁極層、３０…ライトシールド層、４０，２２０…エアベアリング面、５１，５２，６１，６２…フォトレジストパターン、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…磁気ヘッドスライダ、２０３…サスペンション、２０４…アーム、２０５…スピンドルモータ、２０６…駆動部、２０７…固定軸、２０８…ベアリング、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、３００…ＨＧＡ、４００…ＨＡＡ、ＦＰ…フレアポイント、Ｍ…媒体進行方向、Ｐ１，Ｐ２…位置、Ｔ１〜Ｔ５…厚さ、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置。
【図１】
2006031774.tif 000005
【図２】
2006031774.tif 000006
【図３】
2006031774.tif 000007
【図４】
2006031774.tif 000008
【図５】
2006031774.tif 000009
【図６】
2006031774.tif 000010
【図７】
2006031774.tif 000011
【図８】
2006031774.tif 000012
【図９】
2006031774.tif 000013
【図１０】
2006031774.tif 000014
【図１１】
2006031774.tif 000015
【図１２】
2006031774.tif 000016
【図１３】
2006031774.tif 000017
【図１４】
2006031774.tif 000018
【図１５】
2006031774.tif 000019
【図１６】
2006031774.tif 000020
【図１７】
2006031774.tif 000021