(57)【要約】【課題】自発光性の表示素子の劣化を抑制し、高表示品位且つ長寿命化を実現可能な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  画素毎に形成された第１電極４１と、第１電極４１に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極４３と、第１電極４１と第２電極４３との間に保持された有機活性層４２と、によって構成された自発光性の表示素子４０を備え、表示素子４０のそれぞれは、抵抗の異なる複数の領域４０Ａ及び４０Ｂを備えたことを特徴とする。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置される画素毎に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された光活性層と、によって構成された自発光性の表示素子を備え、
前記表示素子のそれぞれは、第１素子部と前記第1素子部とはその抵抗値が異なる第２素子部と、を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第２素子部の抵抗値は、前記第1素子部の抵抗値の１．１倍以上１．５倍以内であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１電極の前記第1素子部に対応する領域は、前記第1電極の前記第2素子部に対応する領域より抵抗値が小さいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１電極の前記第1素子部に対応する領域は、前記第1電極の前記第２素子部に対応する領域とはその表面の膜質が異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記表示素子内において、前記第２素子部が占める割合が前記第1素子部よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
画素内に複数の有機層を有し、一つの画素内に抵抗値が異なる第１素子部と第２素子部を備えた表示装置。
【請求項７】
マトリクス状に配置される画素毎に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された光活性層と、によって構成された自発光性の表示素子を備え、
前記表示素子のそれぞれは、第１素子部と前記第1素子部とは前記第１電極の表面膜質が異なる第２素子部と、を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
画素毎に自発光性の表示素子を備えた表示装置の製造方法であって、
基板上において、画素毎に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極のそれぞれの一部を露出するような開口部を有するメタルマスクを介して前記第１電極の露出した表面に酸素プラズマ処理を施す工程と、
前記第１電極上に有機活性層を形成する工程と、
全画素の前記有機活性層上に共通に配置される第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記酸素プラズマ処理を施す工程において、第１電極について、前記メタルマスクによって覆われる部分の面積と、前記メタルマスクの開口部から露出する部分の面積と、が異なることを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、表示装置及びその製造方法に係り、特に、自発光性の表示素子によって構成された表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光性の表示素子を備えて構成されたことから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。
【０００３】
これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。このような有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板として陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を挟持した有機ＥＬ素子をマトリックス状に配置することにより構成される。
【０００４】
上述したような有機ＥＬ表示装置においては、高輝度且つ長寿命であることが要求されている。このような要求に対して、有機ＥＬ素子の陽極として機能するＩＴＯ薄膜を酸素プラズマ処理することによりその表面を改質し、発光効率を改善する試みが成されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−３１１８６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１によれば、各有機ＥＬ素子のＩＴＯ薄膜の全表面を改質することによって、ホール注入効率を改善している。
【０００６】
ところで、このような有機ＥＬ表示装置においては、焼き付き現象を生ずることがある。すなわち、画面の一部の領域に高輝度な画像を表示し続けると、この領域の有機ＥＬ素子に他の領域の有機ＥＬ素子よりも多量の電流が流れるために早期に劣化する。このため、均一な輝度の画像を表示した場合であっても、画面の一部に他の領域よりも低輝度な画像が表示され、いわゆる焼き付き現象が生ずる。
【０００７】
この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、自発光性の表示素子の劣化を抑制し、高表示品位且つ長寿命化を実現可能な表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の第１の様態による表示装置は、
マトリクス状に配置される画素毎に形成された第１電極と、
前記第１電極に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に保持された光活性層と、によって構成された自発光性の表示素子を備え、
前記表示素子のそれぞれは、第１素子部と前記第1素子部とはその抵抗値が異なる第２素子部と、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この発明の第２の様態による表示装置の製造方法は、
画素毎に自発光性の表示素子を備えた表示装置の製造方法であって、
基板上において、画素毎に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極のそれぞれの一部を露出するような開口部を有するメタルマスクを介して前記第１電極の露出した表面に酸素プラズマ処理を施す工程と、
前記第１電極上に有機活性層を形成する工程と、
全画素の前記有機活性層上に共通に配置される第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、自発光性の表示素子の劣化を抑制し、高表示品位且つ長寿命化を実現可能な表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及びその製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。
【００１２】
図１及び図２に示すように、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１及び駆動回路基板５００を備えている。この表示パネル１は、画像を表示する表示エリア１０２を有するアレイ基板１００と、アレイ基板１００の少なくとも表示エリア１０２を密封する封止体２００とを備えて構成されている。
【００１３】
封止体２００は、例えばガラス基板などの絶縁基板である。アレイ基板１００と封止体２００とは、周縁部同士が例えば接着剤やフリットシールなどで結合しており、これにより、それらの間に気密空間を形成している。この気密空間は、例えば窒素ガスなどの不活性ガスが充填されているか又は真空である。また、表示パネル１の表示面側の最表面には外光反射を抑制するため、偏光板ＰＬを備えてもよい。図２に示した例は、表示面すなわち光出射面がアレイ基板１００の底面（支持基板１１０）側である下面発光型であり、支持基板１１０の外面に偏光板ＰＬを備えている。表示面が封止体２００側である上面発光型では、封止体２００の外面に偏光板ＰＬを備えても良い。
【００１４】
アレイ基板１００は、例えば、ガラス基板などの絶縁性の支持基板１１０を含んでいる。支持基板１１０上において、表示エリア１０２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。
【００１５】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチ１０と、画素スイッチ１０を介して供給される映像信号に基づき表示素子へ所望の駆動電流を供給する駆動トランジスタ２０と、駆動トランジスタ２０のゲート−ソース間電位を所定期間保持する蓄積容量素子３０と、自発光性の表示素子として有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と、を備えている。
【００１６】
画素スイッチ１０のゲート電極は走査線Ｙｍ（ｍ＝１、２、…）に接続され、ソース電極は信号線Ｘｎ（ｎ＝１、２、…）に接続され、ドレイン電極は蓄積容量素子３０の一端及び駆動トランジスタ２０のゲート電極２０Ｇに接続されている。駆動トランジスタ２０のソース電極２０Ｓは蓄積容量素子３０の他端及び電源供給線Ｐに接続され、ドレイン電極２０Ｄは有機ＥＬ素子４０に接続されている。
【００１７】
赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子４０Ｂを備えている。
【００１８】
図２に示すように、支持基板１１０上には、アンダーコート層１１２として、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）層と酸化シリコン（ＳｉＯＸ）層とが順次積層されている。アンダーコート層１１２上には、例えばチャネル及びソース・ドレインが形成されたポリシリコン層である半導体層１１３、例えばＴＥＯＳ（ＴｅｔｒａＥｔｈｙｌ  ＯｒｔｈｏＳｉｌｉｃａｔｅ）などを用いて形成されるゲート絶縁膜１１４、及び、例えばモリブデン−タングステン（ＭｏＷ）などからなるゲート電極２０Ｇが順次積層されており、それらはトップゲート型の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）を構成している。この例では、画素スイッチ１０、駆動トランジスタ２０などのＴＦＴとして利用している。また、ゲート絶縁膜１１４上には、ゲート電極１５と同一工程で形成可能な走査線Ｙｍがさらに配置されている。
【００１９】
ゲート絶縁膜１１４及びゲート電極１１５は、例えばプラズマＣＶＤ法などにより成膜された酸化シリコン（ＳｉＯＸ）などからなる層間絶縁膜１１７で被覆されている。層間絶縁膜１１７上にはソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄが配置されており、それらは、例えば窒化シリコン（ＳｉＮＸ）などからなるパッシベーション膜１１８で被覆されている。ソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄは、例えばＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有しており、それぞれゲート絶縁膜１１４及び層間絶縁膜１１７に設けられたコンタクトホールを介してＴＦＴのソース及びドレインにそれぞれ電気的に接続されている。また、層間絶縁膜１１７上には、ソース電極２０Ｓ及びドレイン電極２０Ｄと同一の工程で形成可能な信号線Ｘｎがさらに配置されている。
【００２０】
各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）にそれぞれ配置される有機ＥＬ素子４０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極４１と、第１電極４１に対向して配置され全画素ＰＸに共通に形成された第２電極４３と、これら第１電極４１と第２電極４３との間に保持された有機活性層４２と、によって構成される。
【００２１】
すなわち、第１電極４１は、パッシベーション膜１１８上において、互いから離間されて並置されている。各第１電極４１は、パッシベーション膜１１８に設けた貫通孔を介して駆動トランジスタ２０のドレイン電極２０Ｄに電気的に接続されている。この第１電極４１は、ここではＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：インジウム・ティン・オキサイド）やＩＺＯ（インジウム・ジンク・オキサイド）などの光透過性を有する導電部材によって形成され、陽極として機能する。
【００２２】
有機活性層４２は、発光層を含んでいる。この有機活性層４２は、発光層以外の層を含むことができ、例えば、各色共通に形成される正孔輸送層、及び各色画素に形成される発光層の２層構造で構成されても良いし、正孔注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含むこともでき、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。有機活性層４２においては、発光層が有機系材料であればよく、発光層以外の層は無機系材料でも有機系材料でも構わない。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。
【００２３】
第２電極４３は、有機活性層４２上に各有機ＥＬ素子４０に共通に配置される。この第２電極４３は、例えばＣａ（カルシウム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｂａ（バリウム）、Ａｇ（銀）、Ｙｂ（イッテルビウム）、ＬｉＦ／Ａｌなどの電子注入機能を有する金属膜によって形成され、陰極として機能している。この第２電極４３は、陰極として機能する金属膜の表面をカバーメタルで被覆した２層構造であっても良い。カバーメタルは、例えばアルミニウムによって形成される。
【００２４】
また、アレイ基板１００は、表示エリア１０２において、各画素ＲＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁５０を備えている。この隔壁５０は、パッシベーション膜１１８上において、第１電極４１の周縁に沿って格子状またはストライプ状に配置されている。このような隔壁５０は、例えば、有機絶縁層であり、フォトリソグラフィ技術を用いて形成可能である。
【００２５】
さらに、アレイ基板１００は、表示エリア１０２の外周に沿った周辺エリア１０４に、走査線Ｙｍに走査信号を供給する走査線駆動回路１０７の少なくとも一部と、信号線Ｘｎに映像信号を供給する信号線駆動回路１０８の少なくとも一部と、を備えている。すべての走査線Ｙｍは、走査線駆動回路１０７に接続されている。また、すべての信号線Ｘｎは、信号線駆動回路１０８に接続されている。
【００２６】
駆動回路基板５００は、表示パネル１に対して駆動信号を供給する。すなわち、この駆動回路基板５００には、走査線駆動回路１０７及び信号線駆動回路１０８を制御するための回路や電源などの回路が実装されている。このような駆動回路基板５００は、フレキシブル基板６００を介して表示パネル１のアレイ基板１００に接続されている。
【００２７】
ところで、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）にそれぞれ配置された有機ＥＬ素子４０は、抵抗の異なる複数の領域を備えている。すなわち、有機ＥＬ素子４０は、比較的低抵抗な領域に相当する第１素子部４０Ａ及び第１素子部４０Ａより高抵抗な第２素子部４０Ｂを有している。
【００２８】
このような構成により、図３Ａに示すように、駆動開始当初においては、有機ＥＬ素子４０に供給される電流Ｉは、主に第１素子部４０Ａを流れる（ＩＡ１＞ＩＢ１）ため、１画素ＰＸ内において、第１素子部４０Ａが相対的に高輝度で発光するとともに第２素子部４０Ｂが第１素子部４０Ａより低輝度で発光する。これにより、１画素ＰＸにおいて、所定の輝度が得られる。
【００２９】
また、表示画面内で局所的に高輝度表示を行う場合、第１素子部４０Ａに、第２素子部４０Ｂよりも多くの電流を流すことができる。そして、第１素子部４０Ａにおける抵抗値が次第に第２素子部４０Ｂに近づく。このため、図３Ｂに示すように、有機ＥＬ素子４０に供給される電流のうち、第１素子部４０Ａに流れる電流ＩＡ２は駆動開始当初より減少する（ＩＡ１＞ＩＡ２）とともに、第２素子部４０ｂに流れる電流ＩＢ２は駆動開始当初より増加する（ＩＢ２＞ＩＢ１）。つまり、１画素ＰＸ内において、駆動開始当初と比較して第１素子部４０Ａの輝度は低下するものの第２素子部４０Ｂの輝度が増加する。これにより、１画素ＰＸにおいて、駆動開始当初とほぼ同等の所定の輝度が得られる。また、局所的に高輝度表示を行う際、１画素全体に高電流を流すのではなく、第１素子部および第２素子部で分割するため、供給電流量に対する輝度低下領域を分散させることが可能となり、各画素内で輝度を平均化することが可能となる。
【００３０】
このように、１画素ＰＸの面内において抵抗値の異なる領域すなわち第１素子部４０Ａ及び第２素子部４０Ｂを設けたことにより、１画素ＰＸの駆動電流は、各領域の抵抗値に応じて配分される。このため、１画素ＰＸに供給される駆動電流の各領域への配分割合が変化する。各領域は、供給された電流量に応じた輝度で発光するため、第１素子部４０Ａは、駆動開始当初に高輝度で発光し、使用時間の経過に伴って輝度が次第に低下するのに対して、第２素子部４０Ｂは、駆動開始当初に低輝度で発光し、使用時間の経過に伴って輝度が次第に増加する。
【００３１】
したがって、使用時間の経過に伴う各画素の輝度の低下を抑制することが可能となり、長寿命化が可能である。つまり、長期にわたって、１画素を所定の輝度で発光させるのに必要な駆動電流をほぼ一定に保持することができる。このため、画素の輝度を一定に維持するための駆動回路側での制御が不要であり、また、焼き付き現象の発生も抑制可能であることから高表示品位を実現可能である。
【００３２】
一有機ＥＬ素子４０内に、第１素子部４０Ａ及び第２素子部４０Ｂを設ける具体的な手段としては、例えば、図２に示したように、第１電極４１の一部に低抵抗領域４１Ａを設けることが挙げられる。すなわち、第１電極４１は、ＩＴＯなどの金属膜を成膜した後に、画素毎にパターン化されることによって形成される。低抵抗領域４１Ａは、パターン化された第１電極４１の表面を改質することによって形成される。つまり、低抵抗領域４１Ａに相当する表面は、第１電極４１の他の部分、ここでは第２素子部に対応する領域とは膜質が異なる。
【００３３】
例えば、パターン化された第１電極４１に対向してメタルマスクを配置し、メタルマスクの開口部から露出した第１電極４１の一部を酸素プラズマ処理する。このような酸素プラズマ処理では、酸素プラズマ中に生成されたイオンを金属膜の表面に入射させ、金属膜の表面をクリーニングするとともに酸素欠陥を修復し、金属膜の表面改質を行う。
【００３４】
これにより、低抵抗領域４１Ａの表面のイオン化ポテンシャル（仕事関数）が負の方向に増加させることができ、結果として第１電極４１の他の部分より低抵抗化する。このため、有機活性層４２との仕事関数の差が小さくなり、第１素子部４０Ａが形成される。
【００３５】
一有機ＥＬ素子４０内に設ける第１素子部４０Ａ及び第２素子部４０Ｂのそれぞれの面積の割合は、ほぼ同一であっても良いが、第２素子部４０Ｂの占める割合を第１素子部４０Ａの占める割合よりも大きくすることにより、より長寿命化が可能となる。このような面積の差は、酸素プラズマ処理を施す際に用いるメタルマスクの開口部のサイズによって制御可能である。
【００３６】
次に、上述したような構成の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。なお、ここで参照する図面では、要部のみを図示しており、他の構成については省略するものとする。
【００３７】
まず、図４Ａに示すように、絶縁層（パッシベーション膜）１１８上に各画素の有機ＥＬ素子４０を構成するＩＴＯからなる第１電極４１を形成する。すなわち、絶縁層１１８の全面にＩＴＯを成膜する。その後、フォトリソグラフィプロセスにより、ＩＴＯ膜を各画素に対応して島状にパターニングすることにより、第１電極４１を形成する。なお、この第１電極４１については、マスクスパッタ法で形成しても良い。
【００３８】
続いて、図４Ｂに示すように、第１電極４１上にメタルマスクＭを配置する。このメタルマスクＭは、第１電極４１の一部を露出するような開口部ＡＰを有している。このとき、例えば、メタルマスクＭによって第１電極４１が覆われる部分の面積Ｓ１と、開口部ＡＰから第１電極４１が露出する部分の面積Ｓ２とは、異なっており、ここでは、面積Ｓ１が面積Ｓ２より大きく設定されている。このようなメタルマスクＭを配置した状態で、第１電極４１の露出した表面に酸素プラズマ処理を施す。この酸素プラズマ処理が施された第１電極４１は、その表面クリーニングされるとともに酸素欠陥が修復される。これにより、第１電極４１について、酸素プラズマ処理を施された部分と未処理部分とでは、表面の膜質が異なり、また、イオン化ポテンシャルも異なる。この実施形態においては、酸素プラズマ処理を施した部分すなわち低抵抗領域４１Ａのイオン化ポテンシャルは、その他の部分より負の方向に０．２Ｖ増加した。
【００３９】
続いて、図４Ｃに示すように、各画素の第１電極４１上に有機活性層４２を形成する。すなわち、正孔注入層４２ＡとしてのＣｕＰｃ、正孔輸送剤４２Ｂとしてのα−ＮＰＤ、発光層４２ＣとしてのＡｌｑ３（トリスヒドロキシキノンアルミニウム）４２Ｃを順次第１電極４１上に蒸着し、有機活性層４２を形成する。
【００４０】
続いて、図４Ｄに示すように、全画素の有機活性層４２上に共通の第２電極４３を形成する。すなわち、陰極として機能する金属膜としてＬｉＦ／Ａｌを有機活性層４２上に蒸着する。このような工程により、各画素に有機ＥＬ素子４０が形成される。
【００４１】
このようにして形成したカラー表示型アクティブマトリクス有機ＥＬ表示装置において、画素の電流−輝度特性を顕微分光で部分的に測定したところ、酸素プラズマ処理を施した低抵抗領域４１Ａを含む画素の第１素子部４０Ａは、未処理部分を含む画素の第２素子部４０Ｂに比べて同一輝度を得るための駆動電圧が０．５Ｖ低下していた。
【００４２】
また、表示パネル１の輝度を１００ｃｄ／ｍ２に設定し、焼き付き評価を実施したところ、各画素の第１電極の一部に酸素プラズマ処理を施さずに構成した表示パネルでは、輝度が１％低下する時間（焼き付き時間）が約１０時間であったのに対して、第１電極の略半分に酸素プラズマ処理を施して構成した表示パネルでは、輝度が１％低下する時間が約３０時間であった。
【００４３】
以上説明したように、各画素に配置される自発光性の表示素子は、抵抗値の異なる複数の領域を備えており、各領域での使用時間の経過に伴う劣化速度を異ならせている。つまり、比較的低抵抗な第１素子部は駆動開始当初から使用時間の経過に伴って次第に輝度が低下するのに対して、比較的高抵抗な第２素子部は使用時間の経過に伴って次第に輝度が増加する。このように、１画素内で第１素子部の劣化が自己補償され、長期にわたって、１画素を所定の輝度で発光させるのに必要な駆動電流を略一定に保持することができる。したがって、高表示品位且つ長寿命化を実現可能な表示装置を提供することができる。
【００４４】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の１画素分の構造を概略的に示す断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、駆動開始当初における１有機ＥＬ素子に供給される駆動電流の配分を説明するための図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、使用時間の経過に伴った１有機ＥＬ素子に供給される駆動電流の配分を説明するための図である。
【図４Ａ】図４Ａは、有機ＥＬ素子の第１電極を形成するための工程を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、第１電極の一部に酸素プラズマ処理を施すための工程を示す図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、有機ＥＬ素子の有機活性層を形成するための工程を示す図である。
【図４Ｄ】図４Ｄは、有機ＥＬ素子の第２電極を形成するための工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１…表示パネル、１０…画素スイッチ、２０…駆動トランジスタ、３０…蓄積容量素子、４０…有機ＥＬ素子（表示素子）、４０Ａ…第１素子部、４０Ｂ…第２素子部、４１…第１電極、４１Ａ…低抵抗領域、４２…有機活性層、４３…第２電極、５０…隔壁、１００…アレイ基板、２００…封止体、５００…駆動回路基板、６００…フレキシブル基板
【図１】
2006164630.tif 000003
【図２】
2006164630.tif 000004
【図３Ａ】
2006164630.tif 000005
【図３Ｂ】
2006164630.tif 000006
【図４Ａ】
2006164630.tif 000007
【図４Ｂ】
2006164630.tif 000008
【図４Ｃ】
2006164630.tif 000009
【図４Ｄ】
2006164630.tif 000010