(57)【要約】【課題】  無機追記型相変化光記録媒体を提供する。【解決手段】  光記録層および当該光記録層に付着する反応層を有する追記型光記録媒体であって、前記光記録層は相変化材料を含み、前記反応層はドーパントを含む。前記光記録層に所定の方式でデータが最初に書き込まれる場合、前記反応層のドーパントは前記光記録層の相変化材料中に拡散し、当該データが書き込まれた光記録層はアモルファス相であって、データが書き込まれていない光記録層より低い結晶化速度を有し、当該データが書き込まれた光記録層は書き換えられることができない。本発明の追記型光記録媒体にデータを書き込むためにレーザが使用されることができる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録層および当該光記録層に付着する反応層を有する追記型光記録媒体であって、
前記光記録層は相変化材料を含み、前記反応層はドーパントを含み、
前記光記録層に所定の方式でデータが最初に書き込まれる場合、前記反応層のドーパントは前記光記録層の相変化材料中に拡散し、当該データが書き込まれた光記録層はアモルファス相であって、データが書き込まれていない光記録層より低い結晶化速度を有し、当該データが書き込まれた光記録層は書き換えられることができないことを特徴とする追記型光記録媒体。
【請求項２】
前記反応層のドーパントは、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ、およびこれらの混合物からなる群より選択されることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
前記反応層のドーパントは、Ｇｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、およびＧａ−Ｔｅからなる群より選択されることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
前記反応層のドーパントは、Ｇｅであることを特徴とする請求項３に記載の光記録媒体。
【請求項５】
前記反応層は、５ｎｍ〜１５ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項６】
前記相変化材料は、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ−Ｉｎ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、およびＩｎ−Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅからなる群より選択される合金であることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項７】
前記光記録層は、５ｎｍ〜２５ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項８】
基板および当該基板の表面上に堆積される第１の誘電層をさらに有し、
前記光記録層は前記第１の誘電層上に堆積され、前記反応層は前記光記録層上に堆積されることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項９】
前記反応層上に堆積される第２の誘電層および当該第２の誘電層上に堆積される反射層をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体。
【請求項１０】
基板、当該基板の表面上に堆積される反射層、および当該反射層上に堆積される第１の誘電層をさらに有し、
前記反応層は前記第１の誘電層上に堆積され、前記光記録層は前記反応層上に堆積されることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項１１】
前記光記録層上に堆積される第２の誘電層をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の光記録媒体。
【請求項１２】
前記光記録層と前記第１の誘電層との間に界面層をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体。
【請求項１３】
前記反応層と前記第２の誘電層との間に界面層をさらに有することを特徴とする請求項８に記載の光記録媒体。
【請求項１４】
前記反応層と前記第１の誘電層との間に界面層をさらに有することを特徴とする請求項１０に記載の光記録媒体。
【請求項１５】
前記光記録層と前記第２の誘電層との間に界面層をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の光記録媒体。
【請求項１６】
前記基板は、０．０５ｍｍ〜１．２ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項８または請求項１０に記載の光記録媒体。
【請求項１７】
前記誘電層は、それぞれＺｎＳとＳｉＯ２の混合物、または、Ｇｅ、ＧｅＣｒ、Ａｌ、およびＳｉからなる群より選択される元素の窒化物、酸化物、もしくは、酸窒化物であることを特徴とする請求項８〜請求項１１のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【請求項１８】
前記反射層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、およびこれらの合金からなる群より選択されることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の光記録媒体。
【請求項１９】
前記界面層は、Ｇｅ、ＧｅＣｒ、Ａｌ、およびＳｉからなる群より選択される元素の窒化物、酸化物、または酸窒化物であることを特徴とする請求項１２〜請求項１５のいずれか１項に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、追記型光記録媒体に関し、特に、光記録層として無機材料を使用する追記型光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学情報記憶媒体において結晶相とアモルファス相との間の反射指数の差を利用することは、１９７０年にＯｖｓｈｉｎｓｋｙらによって始められた。当初は、Ｔｅ合金が主要な研究対象であった。Ｔｅ元素は、アモルファス相を容易に形成することができる。しかしながら、Ｔｅ元素の結晶化温度はわずかに１０℃であるとともに、速い結晶化速度を有する。したがって、Ｔｅ元素のアモルファス相は不安定である。アモルファス相の安定性を高めるために、他の元素が組み入れられてＴｅ合金が形成される。光記録材料として使用されることに適している多数の合金材料が、過去３０年以上にわたって、研究者によって作られてきた。これらの材料は、ＧｅＴｅ、ＧｅＴｅＳ、ＳｂＳｅ、ＳｂＴｅ、ＢｉＴｅ、ＴｅＳｅＳｂＳ、ＧｅＳｎＴｅ、ＴｅＳｅＧｅ、ＴｅＯＩｎＧｅＡｕ、ＳｂＳｅＢｉ、ＩｎＳｂ＋Ｍ、ＧａＳｂＴｅ、ＴｅＳｅ＋Ｍ、ＴｅＧｅＳｂＳｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＳｅ、ＩｎＴｅＳｅ、ＡｇＩｎＴｅ、およびＡｇＩｎＳｂＴｅなどを含む。しかしながら、これまで、わずかに２種類の一連の材料（ＧｅＳｂＴｅとＡｇＩｎＳｂＴｅ）のみが、書き換え可能な光ディスクの生産において商業的に実現可能な相変化材料である。
【０００３】
さらに、レーザ光線の焦点の大きさはレーザ光線の波長と比例しているので、記録密度は、使用するレーザ光線の波長に反比例する。光ディスクのＣＤシリーズは、波長７８０ｎｍの近赤外線（ＩＲ）光を採用して、６５０ＭＢの記録容量を有する。光ディスクのＤＶＤシリーズは、波長６３５ｎｍ〜６５０ｎｍのＩＲ光を採用して、４．７ＧＢの記録容量を有する。１５ＧＢ以上の記録容量を有する光ディスクの次世代ＨＤ−ＤＶＤシリーズに関しては、波長約４００ｎｍの青色レーザ光線が使用される。したがって、青色レーザ光線に適している相変化材料の探索は、書き換え可能な光ディスクであるＨＤ−ＤＶＤの開発において重要な課題になってきている。１９９９年以来、日本とヨーロッパの光ディスクの主要な製造業者は、主要な国際会議において青色レーザ光線に適している相変化材料を発表してきている。これらの材料の大部分は、ＧｅＳｂＴｅの化学量論的な一連の化合物および不純物（ドーパント）を添加されたＳｂ６９Ｔｅ３１の一連の共晶合金であって、これらは、現在のＣＤおよびＤＶＤディスクにおいて一般に使用されるものから派生したものである。これらの材料は、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＳｎＴｅ、Ｇｅ＋不純物を添加されたＳｂ６９Ｔｅ３１共晶、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、Ｇｅ（Ｓｂ６９Ｔｅ３１）＋Ｓｂ、およびＡｇＩｎＳｂＴｅＧｅなどを含む。
【０００４】
次世代追記型光ディスクのための無機材料に関する既存の研究は、以下の５つのグループに分類される。（１）変形：気体放出とともに、熱吸収および熱放出を経て基板に凹部が形成される。（２）二重層の合金：２つの隣接する記録層をスパッタ堆積し、レーザ熱でこれらの層を溶解させて合金を形成する。合金の形成前後での反射率差が重要である。（３）分解：金属窒化物をスパッタ堆積し、レーザ熱で金属窒化物を分解する。分解前後での反射率差が重要である。（４）酸化：金属酸化混合物をスパッタ堆積し、レーザ熱により金属酸化混合物から安定した化学量論的な酸化物を形成する。酸化前後での反射率差が重要である。（５）相変化：アモルファス相変化材料層をスパッタ堆積し、レーザ熱により結晶相へ変化させる。相変化前後の反射率差が重要である。高融点性または高結晶化速度材料が使用されることができて、結晶性の記録スポットが再びアモルファスになることを防止する。この書き込み機構は、結晶相からアモルファス記録スポットに変化する現在の相変化光ディスク（例えば、ＤＶＤ−ＲＷ）の機構と反対である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。したがって、本発明の目的は、無機追記型相変化光記録媒体を提供することである。
【０００６】
本発明の他の目的は、レーザによってデータを書き込むことができる追記型光記録媒体を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、レーザによる結晶相からアモルファス相への記録スポット相変化の書き込み機構を有する追記型光記録媒体を提供することである。
【０００８】
本発明の更なる目的は、高初期化速度を有するとともに、レーザによる結晶相からアモルファス相への記録スポット相変化の書き込み機構を有する追記型光記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の上記目的は、下記の手段によって達成される。
【００１０】
光記録層および当該光記録層に付着する反応層を有する追記型光記録媒体であって、前記光記録層は相変化材料を含み、前記反応層はドーパントを含み、前記光記録層に所定の方式でデータが最初に書き込まれる場合、前記反応層のドーパントは前記光記録層の相変化材料中に拡散し、当該データが書き込まれた光記録層はアモルファス相であって、データが書き込まれていない光記録層より低い結晶化速度を有し、当該データが書き込まれた光記録層は書き換えられることができないことを特徴とする。
【００１１】
好ましくは、前記反応層のドーパントは、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ、およびこれらの混合物からなる群より選択される。
【００１２】
より好ましくは、前記反応層のドーパントは、Ｇｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、およびＧａ−Ｔｅからなる群より選択される。
【００１３】
本発明の好ましい実施例において、前記反応層のドーパントは、Ｇｅである。
【００１４】
好ましくは、前記反応層は、５ｎｍ〜１５ｎｍの厚さを有する。
【００１５】
好ましくは、前記相変化材料は、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ−Ｉｎ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、およびＩｎ−Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅからなる群より選択される合金である。
【００１６】
好ましくは、前記光記録層は、５ｎｍ〜２５ｎｍの層さを有する。
【００１７】
好ましくは、本発明の光学記録媒体は、基板および当該基板の表面上に堆積される第１の誘電層をさらに有し、前記光記録層は前記第１の誘電層上に堆積され、前記反応層は前記光記録層上に堆積される。
【００１８】
より好ましくは、本発明の光学記録媒体は、前記反応層上に堆積される第２の誘電層および当該第２の誘電層上に堆積される反射層をさらに有する。
【００１９】
任意に、前記光記録層と前記第１の誘電層との間に界面層、または、前記反応層と前記第２の誘電層との間に界面層がさらに提供される。
【００２０】
好ましくは、本発明の光学記録媒体は、基板、当該基板の表面上に堆積される反射層、および当該反射層上に堆積される第１の誘電層をさらに有し、前記反応層は前記第１の誘電層上に堆積され、前記光記録層は前記反応層上に堆積される。
【００２１】
より好ましくは、本発明の光学記録媒体は、前記光記録層上に堆積される第２の誘電層をさらに有する。
【００２２】
任意に前記反応層と前記第１の誘電層との間に界面層、または、前記光記録層と前記第２の誘電層との間に界面層がさらに提供される。
【００２３】
好ましくは、前記基板は、０．０５ｍｍ〜１．２ｍｍの厚さを有する。
【００２４】
好ましくは、前記第１および第２の誘電層は、それぞれＺｎＳとＳｉＯ２の混合物、または、Ｇｅ、ＧｅＣｒ、Ａｌ、およびＳｉからなる群より選択される元素の窒化物、酸化物、もしくは、酸窒化物である。
【００２５】
好ましくは、前記反射層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、およびこれらの合金からなる群より選択される。
【００２６】
好ましくは、前記界面層は、Ｇｅ、ＧｅＣｒ、Ａｌ、およびＳｉからなる群より選択される元素の窒化物、酸化物、または酸窒化物である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、無機追記型相変化光記録媒体を提供することができる。
【００２８】
本発明によれば、レーザによってデータを書き込むことができる追記型光記録媒体を提供することができる。
【００２９】
本発明によれば、レーザによる結晶相からアモルファス相への記録スポット相変化の書き込み機構を有する追記型光記録媒体を提供することができる。
【００３０】
本発明によれば、高初期化速度を有するとともに、レーザによる結晶相からアモルファス相への記録スポット相変化の書き込み機構を有する追記型光記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の無機追記型相変化光ディスクの原理は、特定の元素を相変化材料に添加して、結晶化速度を大きく低下させることに基づく。特定の元素は、たとえば、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｔｉ、およびＡｌ−Ｓｉ層である。
【００３２】
本発明の書き込み機構は、記録スポットが結晶相からアモルファスへ相変化する既存の光ディスク（たとえば、ＤＶＤ−ＲＷ）の書き込み機構と同様である。したがって、データ書き込み前には、堆積されたままのアモルファス状態である記録スポットを結晶相へ相変化させるディスクの初期化が不可欠である。
【００３３】
低速の結晶化速度を有する材料が追記型光ディスクの光記録層として使用されることができる。これは、低速の結晶化速度を有する材料は、高速に消去（再結晶化）されることができないからである。しかしながら、低速の結晶化速度を有する材料は、それでもなお低速で書き換えられることができ、あるいは、低速で初期化されてから書き換えられることができる。このことは、データが不安定であることを意味する。（低速の結晶化速度を有する材料と比較して）より低い結晶化速度の相変化材料が使用される場合、追記型およびデータ安定性の両方の要求が満足される。しかしながら、より低い結晶化速度の相変化材料が使用される場合、初期化速度は、既存のディスクより非常に遅く、あるいは初期化されることができなくさえある。したがって、本発明の発明者は、本発明に係る無機追記型相変化光ディスクを開示する。これは、追記型、データ安定性、および高初期化速度の要求を同時に満足する。
【００３４】
本発明の光記録媒体では、高結晶化速度の相変化記録層と誘電層との間に反応層が形成されている。反応層は、たとえば、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇａ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｔｉ、およびＡｌ−Ｓｉ薄膜である。記録層の結晶化速度はコーティング直後には低下しない。そうでなければ、初期化期間が長くなる。あるいは、記録層の初期化さえも完了されることができない。以下、本発明の一実施の形態における光記録媒体について詳細に説明する。
【００３５】
本発明の一実施の形態における光記録媒体は、基板、当該基板の表面上に堆積される下部誘電層（第１の誘電層）、当該下部誘電層上に堆積される光記録層、当該光記録層上に堆積される反応層、当該反応層上に堆積される上部誘電層（第２の誘電層）、および当該上部誘電層上に堆積される反射層を有する。
【００３６】
好ましくは、本発明の光記録媒体は、光記録層と下部誘電層との間に界面層をさらに有する。また、好ましくは、本発明の光記録媒体は、反応層と上部誘電層との間に界面層をさらに有する。
【００３７】
光記録層は、５ｎｍ〜２５ｎｍの膜厚を有し、相変化材料を含む。相変化材料は、Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ−Ｉｎ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、およびＩｎ−Ａｇ−Ｓｂ−Ｔｅからなる群より選択される合金である。
【００３８】
反応層は、５ｎｍ〜１５ｎｍの膜厚を有し、ドーパントを含む。反応層のドーパントは、Ａｌ、Ａｇ、Ｇｅ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｚｎ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｇ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｓｉ、およびこれらの混合物からなる群より選択される。好ましくは、反応層のドーパントは、Ｇｅ、Ｇｅ−Ｔｅ、およびＧａ−Ｔｅからなる群より選択され、より好ましくは、反応層のドーパントは、Ｇｅである。
【００３９】
基板は、０．０５ｍｍ〜１．２ｍｍの厚さを有し、たとえば、ポリカーボネートより形成される。上部誘電層および下部誘電層は、それぞれＺｎＳとＳｉＯ２の混合物、または、Ｇｅ、ＧｅＣｒ、Ａｌ、およびＳｉからなる群より選択される元素の窒化物、酸化物、もしくは、酸窒化物である。反射層は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、およびこれらの合金からなる群より選択される。界面層は、Ｇｅ、ＧｅＣｒ、Ａｌ、およびＳｉからなる群より選択される元素の窒化物、酸化物、または酸窒化物である。
【００４０】
以上のとおり構成される本実施の形態の追記型光記録媒体では、光記録層に所定の方式でデータが最初に書き込まれる場合、反応層のドーパントは前記光記録層の相変化材料中に拡散する。データが書き込まれた光記録層はアモルファス相であって、データが書き込まれていない光記録層より低い結晶化速度を有し、当該データが書き込まれた光記録層は書き換えられることができない。
【００４１】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
【００４２】
作用メカニズムは、書き込みスポットにデータが書き込まれる間、記録層の書き込みスポットの温度を記録層の融点より高くすることである。なお、既存のＤＶＤ−ＲＷによって使われる記録層の相変化材料の融点は、およそ５００〜６００℃である。したがって、書き込みスポットの結晶状態にある相変化材料が融解されて、同時に書き込みスポットの相変化材料中へ反応層材料であるドーパントが拡散される。その結果、書き込みスポットにデータが書き込まれる間、高結晶化速度を有する相変化記録層は、反応層材料の添加に起因して、結晶化速度が著しく低下する。このような方式による最初の書き込みの後、データが書き込まれたアモルファス記録スポットは消去されることができない。したがって、追記型およびデータ安定性の要求は満足されることができる。堆積されたままのアモルファス状態の膜が結晶状態に初期化される場合、記録層の温度はその結晶化温度と融点との間である（約３００度）。反応層はこの温度では溶解せず、拡散も起こらない。したがって、堆積されたままの状態の記録層は、劣化することなく、依然として（高初期化速度で）急速に結晶化することができる。
【００４３】
反応層材料の選択のために、以下のことが考慮されなければならない。（１）反応層材料の添加は、記録層の結晶化速度の大きな低下を引き起こす。（２）記録層にデータが書き込まれる場合、反応層材料は記録層中に拡散することができる。（３）反応層材料の拡散を伴うアモルファス記録スポットと記録層の結晶相領域との反射率のコントラスト比は、低下されることができない（光学的特性が適切でなければならない）。（４）反応層材料が添加された後、記録層に書き込むことによって発生する熱損失は、マイナスとなることができない。したがって、記録スポットのサイズおよび書き込み電力は、影響を受けない（熱特性が適当でなければならない）。
【００４４】
なお、本発明の光記録媒体の構造は、本実施の形態に限定されるものではない。本発明の他の実施の形態において、たとえば、光記録媒体は、基板、当該基板の表面上に堆積される反射層、および当該反射層上に堆積される下部誘電層、当該下部誘電層上に堆積される反応層、当該反応層上に堆積される光記録層、および当該光記録層上に堆積される上部誘電層を有することができる。好ましくは、他の実施の形態における光記録媒体は、反応層と下部誘電層との間に界面層をさらに有する。また、好ましくは、他の実施の形態における光記録媒体は、光記録層と上部誘電層との間に界面層をさらに有する。
【実施例】
【００４５】
本実施例の追記型相変化光ディスクは、記録層の相変化材料としてＩｎ５Ｇｅ２（ＳｂｘＴｅ１−ｘ）９３を使用し、光ディスク（ディスクＡ）の製造において反応層としてＧｅを使用する。追記型相変化光ディスクは、ＰＣ基板上に、下部誘電層、界面層、記録層、反応層、上部誘電層、および反射層の順番で堆積された構造を有する。比較例は、発明者によって準備される４倍速ＤＶＤ−ＲＷ（ディスクＢ）である。４倍速ＤＶＤ−ＲＷは、層構造であって、反応層を除いてはディスクＡの構造と同様である。
【００４６】
赤色レーザと動的試験装置を用いて、本発明のディスクＡおよび比較例のディスクＢの第１回目から第１０回目までの書き込み／消去の４倍速の動特性試験が実施された。ディスクＡの構造は、順番に、ＤＶＤ−ＲＷのＰＣ基板（０．６ｍｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（７０ｎｍ）、ＧｅＮ（５ｎｍ）、ＩｎＧｅＳｂＴｅ（１５ｎｍ）、Ｇｅ（５ｎｍ）、ＧｅＮ（１５ｎｍ）、Ａｇ（１５０ｎｍ）、接着材（５５μｍ）、およびＰＣプレート（０．６ｍｍ）であった。ディスクＢの構造は、順番に、ＤＶＤ−ＲＷのＰＣ基板（０．６ｍｍ）、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物（７０ｎｍ）、ＧｅＮ（５ｎｍ）、ＩｎＧｅＳｂＴｅ（１５ｎｍ）、ＧｅＮ（１５ｎｍ）、Ａｇ（１５０ｎｍ）、接着材（５５μｍ）、ＰＣプレート（０．６ｍｍ）であった。
【００４７】
ＳＩＮＧＵＬＵＳ社から市販されているＤＶＤ−ＲＷスパッタ装置（ＭＯＤＵＬＵＳ）を用いた真空スパッタリングによって、ＺｎＳＳｉＯ２、ＧｅＮ、ＩｎＧｅＳｂＴｅ、Ｇｅ、およびＡｇ層は、ＤＶＤ−ＲＷのＰＣ基板上に積み重ねられた。スパッタリング条件は、以下の通りであった。
【００４８】
ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物層の準備のために、高周波スパッタリングが使用され、ＺｎＳ−ＳｉＯ２ターゲットが使用された。スパッタリングガスは水素であって、スパッタリング圧力は２ｍＴｏｒｒであった。ＧｅＮ層の準備のために、Ｇｅターゲットの反応性スパッタリングが使用された。スパッタリングガスはアルゴンと窒素（アルゴン：窒素＝１：３）であって、スパッタリング圧力は、３ｍＴｏｒｒであった。ＩｎＧｅＳｂＴｅの準備のために、直流スパッタリングが使用された。それは４倍速ＤＶＤ−ＲＷ光ディスクの相変化膜と同じものである。また、ＩｎＧｅＳｂＴｅターゲットが使用された。スパッタリングガスはアルゴンであって、スパッタリング圧力は２ｍＴｏｒｒであった。Ｇｅ層の準備のために、直流スパッタリングが使用された。スパッタリングガスはアルゴンであって、スパッタリング圧力は２ｍＴｏｒｒであった。Ａｇ層の準備のために、直流スパッタリングが使用された。スパッタリングガスはアルゴンであって、スパッタリング圧力は５ｍＴｏｒｒであった。スパッタリングの後、ＵＶ硬化接着剤を用いて、厚さ０．６ｍｍのＰＣプレートが上記の構造体に結合されて光ディスクが得られる。
【００４９】
光ディスクの製造後、ディスクＡおよびディスクＢは、それぞれイニシャライザによって初期化された（回転速度＝１４のｍ／ｓ、レーザ出力光＝１０００ｍＷ）。スパッタされたままのアモルファス記録層の相変化材料の温度は、その結晶化温度よりも高く上昇し、それによって、スパッタされたままのアモルファス記録層は結晶相に変化した。
【００５０】
次に、４倍速の書き込み／消去方式において、専用のＤＶＤ−ＲＷ試験装置を利用して、以下の条件下でディスクＡおよびディスクＢに対する第１回目から第１０回目までの読み込み／消去の動特性試験を実施した。書き込み電力Ｐｗ＝２１ｍＷ、先頭パルス幅Ｔｔｏｐ＝０６５Ｔ、マルチパルス幅Ｔｍｐ＝０．５Ｔ、冷却パルス幅Ｔｃｌ＝０Ｔ、および消去出力Ｐｅ＝６．０９ｍＷであった。なお、上記の単位Ｔは、基準クロック幅である。試験結果は、表１および表２に示される。
【００５１】
【表１】
2006164484.tif 000002
【００５２】
【表２】
2006164484.tif 000003
【００５３】
表１は、４倍速での１回目から１０回目（Ｗ１からＯＷ１０）までの書き込み／消去操作における本発明のディスクＡの試験結果である。
【００５４】
表２は、４倍速での１回目から１０回目（Ｗ１からＯＷ１０）までの書き込み／消去操作における比較例のディスクＢの試験結果である。
【００５５】
なお、表１および表２の試験項目は、以下の表３に示すとおりである。
【００５６】
【表３】
2006164484.tif 000004
【００５７】
ディスクＡについて表１に示されるとおり、第１回目の書き込み（Ｗ１）に対するジッタは９．４５％であって、ＰＩエラー平均は１８．４である。第２回目の書き込みの以降の全てのジッタは１８．６３％より大きい。全てのＰＩエラー平均は、２８０という仕様値よりも非常に高い。第１回目の書き込みの間の記録層中への反応層（それは相変化記録層と上部誘電層の間にある）の拡散によって、アモルファス記録スポットの結晶化速度は低下する。したがって、追記性の要求が満足される。表２に示されるとおり、第１回目（Ｗ１）から第１０回目（Ｗ１０）までの書き込みにおけるディスクＢのジッタは、すべて８．５８％より小さい。なぜなら、アモルファス記録スポットの結晶化速度は、スパッタされたままの記録層と比較して著しくは変化しないからである。ディスクＢは複数回書き換えられることができる。
【００５８】
本発明は、その好ましい実施に形態において説明された。しかしながら、多くの他の可能な修正および変更が、添付の特許請求の範囲に記載された本発明の精神と範囲から逸脱することなくなされることは理解できることである。