(57)【要約】【課題】  除電器を用いずに読み取り側の素子の静電気放電破壊を抑制しつつ書き込み信号の周波数特性低下を抑制可能とする。【解決手段】  ハードディスクに対して情報の書き込み，読み取りを行うスライダを有するヘッドに負荷荷重を与えるロードビームと、書き込み用及び読み取り用の配線２９，３１に接続されたスライダを支持してロードビームに取り付けられた導電性薄板のフレキシャ７とを備え、配線２９，３１を、フレキシャ７に可撓性樹脂のベース絶縁層３５を介して配設したヘッドサスペンション１において、読み取り用の配線３１側に、静電気を逃がすための導電可撓性樹脂のコーティング４３，４５をフレキシャ７の表面４７に渡って設けたことを特徴とする。【選択図】  図４
2006228386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハードディスクに対して情報の書き込み，読み取りを行うスライダに負荷荷重を与えるロードビームと、
前記スライダを書き込み用及び読み取り用の配線に接続すると共に該スライダを支持して前記ロードビームに取り付けられた導電性薄板のフレキシャとを備え、
前記配線を、前記フレキシャに可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設したヘッドサスペンションにおいて、
前記読み取り用の配線側に、静電気を逃がすための導電可撓性樹脂のコーティングを前記フレキシャの表面に渡って設けた
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項２】
請求項１記載のヘッドサスペンションであって、
前記配線を、前記ベース絶縁層に対してカバー絶縁層で覆い、
前記コーティングは、前記カバー絶縁層の表面と前記読み取り用の配線の表面とから前記フレキシャの表面に渡って設けた
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【請求項３】
請求項１又は２記載のヘッドサスペンションであって、
前記コーティングは、表面抵抗率を１０４〜１０１１Ω／□に設定した
ことを特徴とするヘッドサスペンション。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ等の情報処理装置に内蔵されるハード・ディスク・ドライブのヘッドサスペンションに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のハード・ディスク・ドライブ（ＨＤＤ「Hard Disk Drive」）に装備されるヘッドサスペンションにおいては、磁気ヘッドに接続される書き込み，読み取りの信号を電送する配線が、ばね性を有するステンレス製薄板のフレキシャに可撓性樹脂のベース絶縁層を介して配設され、この配線を可撓性樹脂のカバー絶縁層が覆う構造等となっている。
【０００３】
かかる構造においては、組み付け時におけるフレキシャのクランプなどによりカバー絶縁層の表面が擦れて静電気帯電し、カバー絶縁層を通して配線が帯電することがある。このため、組み付け時などに、磁気ヘッドが機器や治具に触れたときや、ＧＢＢ、ＳＢＢ時にスライダパッドとフレキシャパッドが接触したとき、配線に帯電した電荷が磁気ヘッドと配線間で移動することで、読み取り用の素子が劣化及び破壊される恐れがある。
【０００４】
特に近年では、ハードディスクの情報読み取りの感度を上げるためにＭＲヘッドや、更に感度の高いＧＭＲヘッドが用いられ、静電気などの外乱に益々弱くなっており、静電気放電（ＥＳＤ「Electro Static Discharge」）破壊対策が臨まれている。
【０００５】
一方、磁気ヘッドの書き込み側の素子は、一般的に誘導型磁気変換素子が用いられ、ＥＳＤによっては素子が破壊されることはほとんど無く、静電気放電破壊対策よりも書き込み信号の急峻な立ち上がり時間の維持や高周波化によって書き込み情報転送速度をより高めることが臨まれる。
【０００６】
この点、単に導電性材を用いて静電気放電破壊対策を採ると、導電性材により書き込み信号の周波数特性低下を招き、書き込み性能を低下させる恐れがある。
【０００７】
これに対し、静電気放電破壊対策としてイオナイザー（除電器）を用いた除電技術もある。しかし、除電のための設備を要すると共に、イオンバランス調整等に工数がかかり、コストアップの原因となる。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−２８２６２４号公報
【非特許文献１】名取章二（日立コンピュータ機器）著「ＧＭＲヘッドのＥＳＤ評価」２００３年１月３１日技術委員会ＥＳＤコントロール分科会
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
解決しようとする問題点は、読み取り側の素子の静電気放電破壊を招き、単に静電気放電破壊対策を採ると書き込み信号の周波数特性の低下を招く恐れがあり、イオナイザーを用いるとコストアップの原因となる点である。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、読み取り側の素子の静電気放電破壊を抑制しつつ書き込み信号の周波数特性低下を抑制可能とするため、読み取り用の配線側に、静電気を逃がすための導電可撓性樹脂のコーティングをフレキシャの表面に渡って設けたことを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のヘッドサスペンションは、読み取り用の配線側に、静電気を逃がすための導電可撓性樹脂のコーティングをフレキシャの表面に渡って設けたため、読み取り用の配線側へ帯電した電荷を、コーティングを介してフレキシャから治具、装置、ＧＮＤへ電荷をゆっくり逃がすことができ、スライダの情報読み取り用の素子と配線間での電荷の移動を抑制し、情報読み取り用の素子の静電気放電破壊を抑制することができる。また、書き込み側の配線への帯電による書き込み用の素子への影響はなく、破壊されることはないので、書き込み側の静電気放電破壊対策は不要となり、書き込み信号の周波数特性が導電性材により低下することはなく、書き込み性能（特性）の低下を抑制することができる。さらに、除電器に関わる設備費、イオンバランス調整等の工数を抑制でき、コストアップを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
除電器を用いずに読み取り側の磁気ヘッド素子の静電気放電破壊を抑制しつつ書き込み書き込み信号の周波数特性低下を抑制可能とするという目的を、読み取り側に静電気放電破壊対策を行って実現した。
【実施例１】
【００１３】
［ヘッドサスペンションの全体構成］
図１は、本発明実施例１を適用したヘッドサスペンションの平面図である。
【００１４】
図１のように、ヘッドサスペンション１は、ロードビーム３と、ベース部５と、フレキシャ７とを備えている。
【００１５】
前記ロードビーム３は、ヘッド２１に負荷荷重を与えるもので、剛体部９とばね部１１とを備えている。前記剛体部９は、例えばステンレス鋼で形成され、その厚みは比較的厚く、例えば１００μｍ程度に設定されている。
【００１６】
前記ばね部１１は、前記剛体部９とは別体に形成されたもので、例えばばね性のある薄いステンレス鋼圧延板からなり、前記剛体部９よりもそのばね定数が低く、精度の高い低ばね定数を有している。このばね部１１の板厚は例えば、ｔ＝４０μｍ程度に設定されている。このばね部１１は、その一端部が前記剛体部９の後端部にレーザ溶接などによって固着されている。前記ばね部１１の他端部には、補強プレート１３が一体に設けられている。
【００１７】
前記ベース部５は、ベースプレート１５を有している。このベースプレート１５は前記補強プレート１３に重ね合わされ、レーザ溶接などによって相互に固着されている。従って、ベースプレート１５が補強プレート１３により補強されてベース部５が構成されている。このベース部５が、キャリッジのアームに取り付けられ、軸回りに回転駆動される。
【００１８】
前記フレキシャ７は、ばね性を有する薄いステンレス鋼圧延板（ＳＳＴ）などの厚さ３０μｍ程度の導電性薄板であり、後述する電気絶縁層を介して配線パターン１９を形成している。フレキシャ７は、レーザ溶接などによって剛体部９に固着されている。前記配線パターン１９の一端は、ヘッド２１の書き込み用の端子２３、読み取り用の端子２５に導通接続され、他端はベース部５側に延設されている。
【００１９】
前記ヘッド２１には、前記フレキシャ７のタング２７が片持ち状に設けられている。このタング２７に、書き込み用、読み取り用のスライダが装着されている。スライダには、前記端子２３，２５に対応し且つ書き込み用の素子及び読み取り用の素子に接続した端子が備えられ、相互に導通接続されている。
【００２０】
前記スライダの書き込み用の素子は、例えば一般的な誘導型磁気変換素子である。同読み取り用の素子は、ＭＲ素子、或いはＧＭＲ素子、ＴｕＭＲ素子が用いられ、読み取り感度が高くなっている。
［コーティング］
図２は、配線パターンを有したフレキシャの平面図、図３は、図２のＡ部拡大平面図、図４は、図３のＳＡ−ＳＡ矢視断面図、図５は、図３のＳＢ−ＳＢ矢視断面図、図６は、図３のＳＣ−ＳＣ矢視断面図である。
【００２１】
図２〜図６のように、前記配線パターン１９は、書き込み用の配線（Write1,Write2）２９及び読み取り用の配線（Read１，Read２）３１からなり、フレキシャ７に、可撓性樹脂のベース絶縁層３５を介して配設されている。
【００２２】
前記ベース絶縁層３５は、可撓性樹脂としてポリイミドが用いられ、厚さ１０μｍ程度に形成されている。ベース絶縁層３５の表面抵抗率は、１０１４Ω／□程度であり、高い抵抗値で絶縁性能を備えている。ベース絶縁層３５には、適所に孔部３７，３９が設けられ、フレキシャ７の一部が孔部３７，３９から露出している。
【００２３】
前記読み取り用の配線３１は、一部を除き、前記ベース絶縁層３５に対してカバー絶縁層４１で覆われている。カバー絶縁層４１は、ベース絶縁層３５に対する積層方向での厚みが、２０μｍ程度に形成されている。カバー絶縁層４１は、読み取り用の配線３１の表面をカバーし、配線３１を外力などから保護しつつ絶縁性も有している。カバー絶縁層４１の表面抵抗率は、ベース絶縁層３５と同様に１０１４Ω／□程度であり、高い抵抗値で絶縁性能を備えている。
【００２４】
前記読み取り用の配線３１側には、静電気を逃がすための導電可撓性樹脂のコーティング４３，４５がマスキングなどを用いて形成され、前記フレキシャ７の表面に渡って設けられている。コーティング４３，４５は、積層方向での厚みが数μｍ程度に形成され、表面抵抗率が１０４〜１０１１Ω／□に設定されて導電性と絶縁性の中間の値を持つ。
【００２５】
前記コーティング４３は、前記カバー絶縁層４１の表面４９を覆うように形成され、さらに孔部３７，３９側へ延設され、孔部３７，３９内でフレキシャ７の表面４７を覆うように接地されている。
【００２６】
前記コーティング４５は、前記読み取り用の配線３１の表面５１を覆うように形成され、さらに孔部３９側へ延設され、孔部３９内でフレキシャ７の表面４７を覆うように接地されている。
【００２７】
前記ベース絶縁層３５によりフレキシャ７に対する書き込み用の配線２９及び読み取り用の配線３１の絶縁が行われる。読み取り用の配線３１は、カバー絶縁層４１により、外力から保護されると共に絶縁が行われる。
［静電気放電］
組み付け時のフレキシャ７のクランプなどによりコーティング４３の表面が擦れて静電気帯電する。このコーティング４３への帯電は、コーティング４３を介して孔部３７，３９内のフレキシャ７の表面４７へ移動し、フレキシャ７に接する治工具等へ逃がされる。
【００２８】
前記カバー絶縁層４１を通して読み取り用の配線３１へ帯電したときは、コーティング４５を介して孔部３９内の表面４７へ電荷は移動し、フレキシャ７に接する治工具等へ逃がされる。
【００２９】
従って、組み付け時等に、スライダパッドが読み取り用端子２５に触れたとき配線３１とスライダ間で電荷の移動がなく、読み取り用の素子劣化及び素子破壊を抑制することができる。このため、読み取り用の素子として、ＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＴｕＭＲ素子を用いて感度良く情報の読み取りを行わせることができる。
【００３０】
また、ヘッドサスペンション１そのものが除電構造となっており、イオナイザー等を用いる必要が無く、設備費、工数がかからず、コストアップを抑制することができる。
【００３１】
さらに、書き込み用の配線２９側には、導電性材のコーティング４３，４５を設けないため、導電性材による書き込み信号の周波数特性低下が無く、書き込み特性を容易に高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】ヘッドサスペンションの平面図である（実施例１）。
【図２】フレキシャの平面図である（実施例１）。
【図３】図２のＡ部の拡大平面図である（実施例１）。
【図４】図３のＳＡ−ＳＡ矢視断面図である（実施例１）。
【図５】図３のＳＢ−ＳＢ矢視断面図である（実施例１）。
【図６】図３のＳＣ−ＳＣ矢視断面図である（実施例１）。
【符号の説明】
【００３３】
１  ヘッドサスペンション
３  ロードビーム
７  フレキシャ
２９  書き込み用の配線
３１  読み取り用の配線
３５  ベース絶縁層
４１  カバー絶縁層
４３，４５  コーティング
４９  カバー絶縁層の表面
５１  読み取り用の配線の表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006228386.tif 000006
【図５】
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【図６】
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