(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィによるパターン形成方法において、検査工程を短縮すると共に、その検査の高精度化を図る。【解決手段】パターン形成方法は、フォトリソグラフィにより、表示領域に主パターンを形成すると共に、非表示領域に検査用パターン３０を形成するパターン形成工程と、検査用パターン３０を直接に検査することにより、主パターンの形成状態を間接的に検査する検査工程とを含んでいる。検査用パターン３０は、主パターンにおける検査対象部を含む所定領域と同じ構成を有する検査領域３５を備えている。検査工程では、検査用パターン３０の検査領域３５を計測することにより、主パターンにおける線幅とアライメントずれとを検査する。【選択図】図１
2006276747.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィにより、基板の中央領域に主パターンを形成すると共に、上記中央領域の外側の外側領域に検査用パターンを形成するパターン形成工程と、
上記検査用パターンを直接に検査することにより、上記主パターンの形成状態を間接的に検査する検査工程とを含むパターン形成方法であって、
上記パターン形成工程で形成される検査用パターンは、上記主パターンにおける検査対象部を含む所定領域と同じ構成を有する検査領域を備え、
上記検査工程では、上記検査用パターンの検査領域を計測することにより、主パターンにおける線幅とアライメントずれとを検査する
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１において、
上記パターン形成工程は、第１工程と、第２工程とを含み、
上記第１工程では、上記基板の中央領域に第１主パターンを形成する一方、上記外側領域に第１検査用パターンを形成し、
上記第２工程では、上記中央領域にレジストからなる第２主パターンを形成することにより、上記第１主パターン及び上記第２主パターンによって上記主パターンを形成する一方、上記外側領域にレジストからなる第２検査用パターンを形成することにより、上記第１検査用パターン及び上記第２検査用パターンによって上記検査用パターンを形成する
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項２において、
上記検査用パターンの検査領域における第１検査用パターンと第２検査用パターンとの重なり状態は、上記主パターンの所定領域における第１主パターンと第２主パターンとの重なり状態と同じである
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１において、
上記検査用パターンの検査領域における少なくとも一部のパターン密度は、上記主パターンにおける検査対象部のパターン密度と同じである
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１において、
上記検査用パターンの検査領域における少なくとも一部のパターンの方向は、上記主パターンにおける検査対象部のパターンの方向と同じである
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
複数のスイッチング素子が設けられたスイッチング素子基板と、該スイッチング素子基板に対向して配置された対向基板と、上記スイッチング素子基板及び上記対向基板との間に設けられた液晶層とを備える液晶表示装置を製造する方法であって、
上記請求項１のパターン形成方法によって、上記スイッチング素子基板をパターン形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィにより所定のパターンを形成するパターン形成方法、及び液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、携帯電話等のモバイル機器や、いわゆる液晶テレビ等の表示装置としての需要が高まっており、その表示品位や信頼性の向上が望まれている。液晶表示装置は、一般に、複数の薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）が形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向した配置された対向基板と、これらＴＦＴ基板及び対向基板の間に介装された液晶層とを備えている。
【０００３】
上記ＴＦＴ基板は、表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素を有し、各画素毎に上記ＴＦＴが設けられている。また、ＴＦＴ基板には、各ＴＦＴに接続される走査配線、信号配線及び容量線等が形成されている。これらＴＦＴや配線は、一般に、フォトリソグラフィによりパターン形成される。
【０００４】
フォトリソグラフィでは、まず、例えばメタル層やシリコン層等の上に、レジスト層を一様に塗布する。続いて、マスクを介してレジスト層を露光し、現像することによってレジスト層をパターン形成する。その後、レジスト層から露出している上記メタル層やシリコン層をエッチングして、レジスト層を除去することにより、上記メタル層やシリコン層をパターン形成する。このような一連の手順を各レイヤー毎に繰り返すことによって、ＴＦＴや配線等をパターン形成する。
【０００５】
上記ＴＦＴや配線等を高精度に形成するためには、（ａ）各レイヤー毎にフォトリソグラフィが高精度に行われているか、また、（ｂ）各レイヤー同士の重ね合わせにおけるアライメントずれが十分に小さいか、について検査して確認することが望ましい。そして、検査の結果に基づいて、フォトリソグラフィのパラメータを補正することが知られている（例えば、特許文献１等参照）。
【０００６】
ところが、表示領域に形成される実際のパターンは、複雑であり多数の種類のパターンが混在しているため、その実際のパターンを直接に精度良く計測することは難しい。そこで、表示領域におけるＴＦＴ等のパターンとは別に、その表示領域の外側の非表示領域において検査用のパターンを形成することも知られている。（ａ）各レイヤー毎にフォトリソグラフィが高精度に行われているかについて検査する場合には、例えば図１１に示すように、検査用パターン１０１を非表示領域に形成する。検査用パターン１０１は表示領域におけるＴＦＴ等の主パターンと同時にパターン形成され、例えば、所定間隔で平行に並ぶ３つの帯状部１０２により構成されている。各帯状部１０２は同じ線幅ａに設計されている。
【０００７】
そして、検査工程において、各帯状部１０２の線幅ａや間隔ｂを測定して設計値と比較する。その結果、線幅ａや間隔ｂが、設計値を含む所定の数値範囲内の数値であれば、高精度にフォトリソグラフィが行われていると判断する。一方、線幅ａや間隔ｂが、上記所定の数値範囲外の数値であれば、フォトリソグラフィの精度が低いと判断する。
【０００８】
また、（ｂ）各レイヤー同士の重ね合わせにおけるアライメントずれが十分に小さいかについて検査する場合には、例えば図１２に示すような検査用パターン１０３を非表示領域に形成する。検査用パターン１０３は、長方形状の第１パターン１０４と、第１パターン１０４の上に重ねられた十字状の第２パターン１０５とにより構成されている。第１パターン１０４は、表示領域における第１主パターン（図示省略）と同時に形成される。一方、第２パターン１０５は、レジストにより構成され、第１主パターンの上に重ねられる第２主パターン（図示省略）を形成するためのレジストパターン（図示省略）と同時に形成される。
【０００９】
そうして、検査工程において、第１パターン１０４におけるｘ方向の幅α１の中点座標と、第２パターン１０５におけるｘ方向の幅β１の中点座標との差により、ｘ方向のアライメントずれを検出する。一方、第１パターン１０４におけるｙ方向の幅α２の中点座標と、第２パターン１０５におけるｙ方向の幅β２の中点座標との差により、ｙ方向のアライメントずれを検出する。
【００１０】
その結果、ｘ方向及びｙ方向におけるアライメントずれが所定の数値範囲内の値である場合には、正確にアライメントされていると判断する。一方、上記アライメントずれが所定の数値範囲外の値である場合には、アライメントずれが大きいと判断され、表示領域のレジストパターン及び検査用パターン１０３は、新たに形成し直される。
【００１１】
このようにして、パターンの線幅及びアライメントずれの２種類の検査が行われる。
【特許文献１】特開２００３−１４２３７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、上記従来の検査方法では、２種類の検査を別個独立に行っていたため、検査工程を短縮することが難しいという問題がある。
【００１３】
また、隣り合うパターン（主パターン及び検査用パターン）を露光する光は互いに影響を受けるため、あるパターンが密集して形成されている場合と、単独で孤立して形成されている場合とでは、同じ条件でフォトリソグラフィを行っても、でき上がるパターンの線幅が異なってしまう。さらに、パターンの方向や他の膜との重なり状態が異なっている場合にも、でき上がるパターンの線幅が異なってしまう。
【００１４】
すなわち、従来の検査方法では、検査パターンを、主パターンにおける検査対象の部分の状態とは無関係に形成していたため、精密な検査を行うことが困難であるという問題がある。
【００１５】
本発明は、斯かる諸点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、フォトリソグラフィによるパターン形成方法において、検査工程を短縮すると共に、その検査の高精度化を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、この発明では、主パターンの検査対象部を含む所定領域と同じ構成を有する検査領域を、検査用パターンに形成するようにした。
【００１７】
具体的に、本発明に係るパターン形成方法は、フォトリソグラフィにより、基板の中央領域に主パターンを形成すると共に、上記中央領域の外側の外側領域に検査用パターンを形成するパターン形成工程と、上記検査用パターンを直接に検査することにより、上記主パターンの形成状態を間接的に検査する検査工程とを含むパターン形成方法であって、上記パターン形成工程で形成される検査用パターンは、上記主パターンにおける検査対象部を含む所定領域と同じ構成を有する検査領域を備え、上記検査工程では、上記検査用パターンの検査領域を計測することにより、主パターンにおける線幅とアライメントずれとを検査する。
【００１８】
上記パターン形成工程は、第１工程と、第２工程とを含み、上記第１工程では、上記基板の中央領域に第１主パターンを形成する一方、上記外側領域に第１検査用パターンを形成し、上記第２工程では、上記中央領域にレジストからなる第２主パターンを形成することにより、上記第１主パターン及び上記第２主パターンによって上記主パターンを形成する一方、上記外側領域にレジストからなる第２検査用パターンを形成することにより、上記第１検査用パターン及び上記第２検査用パターンによって上記検査用パターンを形成することが好ましい。
【００１９】
上記検査用パターンの検査領域における第１検査用パターンと第２検査用パターンとの重なり状態は、上記主パターンの所定領域における第１主パターンと第２主パターンとの重なり状態と同じであることが好ましい。
【００２０】
上記検査用パターンの検査領域における少なくとも一部のパターン密度は、上記主パターンにおける検査対象部のパターン密度と同じであってもよい。
【００２１】
上記検査用パターンの検査領域における少なくとも一部のパターンの方向は、上記主パターンにおける検査対象部のパターンの方向と同じであってもよい。
【００２２】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、複数のスイッチング素子が設けられたスイッチング素子基板と、該スイッチング素子基板に対向して配置された対向基板と、上記スイッチング素子基板及び上記対向基板との間に設けられた液晶層とを備える液晶表示装置を製造する方法であって、上記請求項１のパターン形成方法によって、上記スイッチング素子基板をパターン形成する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、主パターンの検査対象部を含む所定領域と同じ構成を有する検査領域を、検査用パターンに形成するようにしたので、検査用パターンにおける主パターンの検査対象部の再現性を高めて、検査の高精度化を図ることができる。さらに、１つの検査用パターンにより、検査用パターンにおける線幅とアライメントずれとを同時に検査できるために検査工程を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００２５】
《発明の実施形態１》
図１〜４は、本発明に係るパターン形成方法の実施形態１を示している。また、図９は液晶表示装置１を概略的に示す断面図であり、図１０は後述のスイッチング素子基板２を模式的に示す平面図である。
【００２６】
液晶表示装置１は、図９に示すように、スイッチング素子基板２と、このスイッチング素子基板２に対向して設けられた対向基板３と、これらの基板２，３の間に設けられた液晶層４とを備えている。
【００２７】
上記スイッチング素子基板２には、ガラス基板１２にスイッチング素子である薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）が複数形成されている。また、スイッチング素子基板２は、液晶層４側の表面に配向膜５が設けられると共に、液晶層４とは反対側の表面に偏光板６が積層されている。また、図示を省略するが、スイッチング素子基板２には、各ＴＦＴを駆動制御するためのＩＣドライバや、ＴＦＴに接続される走査配線、信号配線及び容量線等が設けられている。ＴＦＴや上記各配線等を構成する薄膜は、フォトリソグラフィ法によりパターン形成される。
【００２８】
上記対向基板３には、図示を省略するが、ガラス基板１３にカラーフィルタやＩＴＯからなる共通電極等が形成されている。また、対向基板３は、液晶層４側の表面に配向膜７が設けられると共に、液晶層４とは反対側の表面に偏光板８が積層されている。また、上記液晶層４は、スイッチング素子基板２と対向基板３との間に介在されたスペーサ９によって封止されている。こうして、液晶表示装置１は、ＴＦＴにより液晶層４における液晶分子の配向状態を制御して、所望の表示を行うようになっている。
【００２９】
また、上記スイッチング素子基板２には、図１０に示すように、ガラス基板１２の中央領域であって表示に寄与する表示領域１４と、その外側の外側領域であって表示に寄与しない非表示領域１５とを有している。表示領域には、上記ＴＦＴや各配線等の一部を形成するための主パターン２０が形成される。一方、非表示領域１５には、上記主パターン２０の形成状態を検査するための検査用パターン３０が形成されている。検査用パターン３０は、例えば、非表示領域の四隅にそれぞれ形成することが可能である。
【００３０】
図１は、検査用パターン３０を拡大して示す平面図である。また、図２は、主パターン２０の一部を拡大して示す平面図である。
【００３１】
主パターン２０は、図２に示すように、例えば、ガラス基板１２の上に図示省略の絶縁膜等を介してパターン形成されたソースバスラインである第１主パターン２１と、この第１主パターン２１に接続される引き出し配線を形成するためのレジストパターンである第２主パターン２２とにより構成されている。
【００３２】
第１主パターン２１は、複数設けられると共に互いに密集して形成されている。第２主パターン２２は、複数設けられると共に、上記各第１主パターン２１の一部にそれぞれ重なっている。例えば、この第１主パターン２１と第２主パターン２２とが重なっている部分が、検査対象部２３となっている。
【００３３】
一方、検査用パターン３０は、図１に示すように、例えば、ガラス基板１２の上に図示省略の絶縁膜等を介してパターン形成された矩形枠形状の第１検査用パターン３１と、複数の折れ線又は直線により構成された第２検査用パターン３２とにより構成されている。
【００３４】
第１検査用パターン３１には、正方形の枠パターンの中央に正方形板状の基準部３３が含まれる。基準部３３は、検査用パターン３０の計測の際に基準点を規定するためのものである。尚、この基準部３３は省略してもよい。
【００３５】
第２検査用パターン３２は、第１検査用パターン３１の各辺の中央位置からその辺に直交するように外側に延びる直線部３２ａと、隣り合う直線部３２ａとそれぞれ平行に延びる２つの直線部からなる折曲線部３２ｂとにより構成されている。そして、正方形の第１検査用パターン３１の各辺の外側には、１つの直線部３２ａと４つの折曲線部３２ｂの４つの直線部との合計５本の直線部が、それぞれ平行に形成されている。
【００３６】
そして、検査用パターン３０の検査領域３５は、主パターン２０の検査対象部２３を含む所定領域２５と同じ構成を有している。すなわち、検査用パターン３０の検査領域３５の計測部分３６における第１検査用パターン３１と第２検査用パターン３２との重なり状態は、主パターン２０の所定領域２５における第１主パターン２１と第２主パターン２２との重なり状態と同じである。
【００３７】
また、検査領域３５における少なくとも一部のパターン密度は、主パターン２０における検査対象部２３のパターン密度と同じである。ここでは、検査対象部２３を有する第２主パターン２２の線幅及び密度が、検査領域３５の直線部３２ａ及び折曲線部３２ｂの線幅及び密度と略同じになっている。
【００３８】
さらに、検査領域３５における少なくとも一部のパターンの方向は、主パターン２０における検査対象部２３のパターンの方向と同じである。つまり、第２主パターン２２の検査対象部２３における長さ方向が、折曲線部３２ｂにおける計測部分３６の長さ方向と同じになっている。
【００３９】
−パターン形成方法−
次に、本実施形態のパターン形成方法について、図１〜図４を参照して説明する。
【００４０】
本実施形態のパターン形成方法は、フォトリソグラフィにより、ガラス基板１２の表示領域１４に主パターン２０を形成すると共に、非表示領域１５に検査用パターン３０を形成するパターン形成工程と、検査用パターン３０を直接に検査することにより、主パターン２０の形成状態を間接的に検査する検査工程とを含んでいる。
【００４１】
上記パターン形成工程は、第１工程と、第２工程とを含んでいる。第１工程では、図４に示すように、ガラス基板１２の表示領域１４に第１主パターン２１を形成する一方、図３に示すように、非表示領域１５に第１検査用パターン３１を形成する。
【００４２】
その後、第２工程では、図２に示すように、表示領域１４にレジストからなる第２主パターン２２を形成することにより、第１主パターン２１及び第２主パターン２２によって主パターン２０を形成する。一方、図１に示すように、非表示領域１５にレジストからなる第２検査用パターン３２を形成することにより、第１検査用パターン３１及び第２検査用パターン３２によって検査用パターン３０を形成する。
【００４３】
次に、検査工程では、検査用パターン３０の検査領域３５を計測することにより、主パターン２０における線幅とアライメントずれとを検査する。検査工程は、上記検査用パターン３０を用いて同時に行われる。すなわち、実際の検査対象部２３に対応する検査用パターン３０の計測部分３６において線幅ｔを計測する。これより、検査対象部２３の線幅ｓを間接的に計測し、所定の数値範囲内であるかを判断する。
【００４４】
一方、第１検査用パターン３１のｘ方向の幅Ａ１の中点座標と、折曲線部３２ｂのｘ方向の幅Ｂ１の中点座標との差により、ｘ方向のアライメントずれを計測する。また、第１検査用パターン３１のｙ方向の幅Ａ２の中点座標と、折曲線部３２ｂのｙ方向の幅Ｂ２の中点座標との差により、ｙ方向のアライメントずれを計測する。その結果、ｘ方向及びｙ方向におけるアライメントずれが所定の数値範囲内の値である場合には、正確にアライメントされていると判断する。
【００４５】
こうして、線幅及びアライメントずれの検査の結果、第１主パターン２１に対して第２主パターン２２が精度良く形成されていることが分かれば、次の工程に進んで、そのレジスト（つまり第２主パターン２２）に基づいて、フォトリソグラフィによるパターン形成を行う。一方、第２主パターン２２の精度が低いことが分かれば、再び、第２主パターン２２を形成し直す。
【００４６】
また、液晶表示装置を製造する場合には、上述の各工程を含む工程によりスイッチング素子基板２を形成する。さらに、別途形成した対向基板３と上記スイッチング素子基板２とを貼り付けると共に、液晶層４を封入する。そのことにより、液晶表示装置を製造する。
【００４７】
したがって、この実施形態１によると、主パターン２０の検査対象部２３を含む所定領域２５と同じ構成を有する検査領域３５を、検査用パターン３０に形成するようにしたので、検査用パターン３０における主パターン２０の検査対象部２３の再現性を高めて、検査の高精度化を図ることができる。さらに、１つの検査用パターン３０により、検査用パターン３０における線幅とアライメントずれとを同時に検査できるために検査工程を短縮することができる。
【００４８】
《発明の実施形態２》
図５及び図６は、本発明の実施形態２を示している。尚、以降の各実施形態では、図１〜図４、図９及び図１０と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
【００４９】
本実施形態の主パターン２０は、図６に示すように、ＴＦＴを形成するためのパターンである。ガラス基板１２には、ゲート電極４１と、ゲート電極に重なるシリコン層４２と、シリコン層４２に接続されたドレイン電極４３とにより構成された第１主パターン２１がフォトリソグラフィによりパターン形成されている。さらに、ガラス基板１２には、ソース配線を形成するためのレジストパターンである第２主パターン２２が形成されている。本実施形態では、第２主パターン２２が、孤立して形成されている点で、上記実施形態１と異なっている。
【００５０】
一方、検査用パターン３０は、図５に示すように、上記実施形態１と同様に矩形形状を有する第１検査用パターン３１と、４つの折曲線部３２により構成されたレジストパターンである第２検査用パターン３２とにより構成されている。
【００５１】
そして、本実施形態の検査工程も、上記実施形態１と同様に行う。すなわち、線幅の検査では、主パターン２０の検査対象部２３（線幅ｓ）に対応する検査用パターン３０の計測部分３６の線幅ｔを計測する。一方、アライメントずれの検査では、第１検査用パターン３１のｘ方向の幅Ａ１の中点座標と、折曲線部３２のｘ方向の幅Ｂ１の中点座標との差により、ｘ方向のアライメントずれを計測する。また、第１検査用パターン３１のｙ方向の幅Ａ２の中点座標と、折曲線部３２のｙ方向の幅Ｂ２の中点座標との差により、ｙ方向のアライメントずれを計測する。
【００５２】
したがって、本実施形態のように、検査対象部が孤立してパターン形成されている場合であっても、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５３】
《発明の実施形態３》
図７及び図８は、本発明の実施形態３を示している。
【００５４】
本実施形態の主パターン２０は、図８に示すように、スイッチング素子基板２に搭載されるＩＣチップ（図示省略）の実装端子２１により構成された第１主パターン２１と、第１主パターン２１の上方（紙面手前側）にコンタクトホールを形成するためのレジストパターンである第２主パターン２２とにより構成されている。
【００５５】
すなわち、ガラス基板１２には、絶縁膜等を介して第１主パターン２１である実装端子２１がフォトリソグラフィによりパターン形成されている。この実装端子２１は絶縁膜５０により覆われている。そして、絶縁膜５０の表面には、上記実装端子２１の上方位置に円形のレジストパターンである第２主パターン２２が形成されている。
【００５６】
一方、検査用パターン３０は、図７に示すように、リング状の第１検査用パターン３１と、その略中央位置に形成された円形状のレジストパターンである第２検査用パターン３２とにより構成されている。
【００５７】
本実施形態の検査工程も、上記実施形態１と同様に行う。すなわち、線幅の検査では、主パターン２０の検査対象部２３（線幅ｓ）に対応する検査用パターン３０の計測部分３６の線幅ｔを計測する。一方、アライメントずれの検査では、第１検査用パターン３１のｘ方向の幅Ａ１の中点座標と、円形の第２検査用パターン３２のｘ方向の幅Ｂ１の中点座標との差により、ｘ方向のアライメントずれを計測する。また、第１検査用パターン３１のｙ方向の幅Ａ２の中点座標と、第２検査用パターン３２のｙ方向の幅Ｂ２の中点座標との差により、ｙ方向のアライメントずれを計測する。
【００５８】
したがって、本実施形態のように、検査対象部が円形のパターンであっても、上記実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５９】
尚、本発明に係るパターン形成方法に用いるパターン形状は、上述した各実施形態のものに限定されない。検査用パターン３０が、主パターン２０の検査対象部２３を含む所定領域２５と同じ構成を有する検査領域３５を有していればよく、検査用パターン３０におけるその他の形状は適宜変更することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
以上説明したように、本発明は、パターン形成方法及び液晶表示装置の製造方法について有用であり、特に、フォトリソグラフィによるパターン形成方法において、検査工程を短縮すると共に、その検査の高精度化を図る場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施形態１の検査パターンを示す平面図である。
【図２】実施形態１の主パターンを示す平面図である。
【図３】実施形態１の第１主パターンを示す平面図である。
【図４】実施形態１の第１検査用パターンを示す平面図である。
【図５】実施形態２の検査パターンを示す平面図である。
【図６】実施形態２の主パターンを示す平面図である。
【図７】実施形態３の検査パターンを示す平面図である。
【図８】実施形態３の主パターンを示す平面図である。
【図９】液晶表示装置を概略的に示す断面図である。
【図１０】スイッチング素子基板を概略的に示す平面図である。
【図１１】従来の検査工程においてパターンの線幅を計測するための検査パターンである。
【図１２】従来の検査工程においてアライメントずれを計測するための検査パターンである。
【符号の説明】
【００６２】
１      液晶表示装置
２      スイッチング素子基板
３      対向基板
４      液晶層
１２      ガラス基板（基板）
１４      表示領域（中央領域）
１５      非表示領域（外側領域）
２０      主パターン
２１      第１主パターン、実装端子
２２      第２主パターン
２３      検査対象部
２５      所定領域
３０      検査用パターン
３１      第１検査用パターン
３２      第２検査用パターン、折曲線部
３５      検査領域
【図１】
2006276747.tif 000003
【図２】
2006276747.tif 000004
【図３】
2006276747.tif 000005
【図４】
2006276747.tif 000006
【図５】
2006276747.tif 000007
【図６】
2006276747.tif 000008
【図７】
2006276747.tif 000009
【図８】
2006276747.tif 000010
【図９】
2006276747.tif 000011
【図１０】
2006276747.tif 000012
【図１１】
2006276747.tif 000013
【図１２】
2006276747.tif 000014