(57)【要約】    【課題】  絶縁層を厚くしないでマイグレーションを抑制する。    【解決手段】  発熱素子４を接続した導体パターン３と、導電性基板５の間に絶縁層７を備え、電気回路実装基板の本体を筐体５０の内部に配置し、筐体止め５１で導電性基板５と筐体５０を固定し、筐体５０をＧＮＤレベルに維持した構成において、絶縁層７の内部に、金属箔１１を層状に、導体パターン３と導電性基板５の間の位置で、かつ導体パターン３の全面積を覆う大きさに配置し、電気的に外部と遮断した状態とした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基板に、絶縁層を介して、導体パターンを形成した電気回路実装基板において、
上記絶縁層の内部に、金属箔を層状に、電気的に遮断された状態で配置したことを特徴とする電気回路実装基板。
【請求項２】
導電性基板の表裏二面に、各々絶縁層を介して、導体パターンを形成した電気回路実装基板において、
上記各絶縁層の内部に、金属箔を層状に、電気的に遮断された状態で、配置したことを特徴とする電気回路実装基板。
【請求項３】
上記導電性基板に表裏二面の上記導体パターンを導通する第１のスルーホールを設け、上記導電性基板に表裏二面の上記金属箔と導通する第２のスルーホールを設け、上記第１、第２のスルーホールの間及び上記第２のスルーホールと上記導電性基板との間を上記絶縁層で電気的に遮断したことを特徴とする請求項２に記載の電気回路実装基板。
【請求項４】
上記金属箔は上記導体パターンの全面積を覆う大きさで配置したことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の電気回路実装基板。
【請求項５】
上記表裏二面の絶縁層内部に内部導体パターンを形成し、インタースティシアルバイアホールで上記導体パターンと上記内部導体パターンとを導通したことを特徴とする請求項２又は３に記載の電気回路実装基板。
【請求項６】
導体パターンと導電性基板との間に、絶縁層を有する電気回路実装基板の銅イオンの拡散抑制方法において、
上記絶縁層の内部に、金属箔を層状に、電気的に遮断した状態で配置し、上記導体パターンから上記絶縁層への銅イオンの拡散を抑制することを特徴とする電気回路実装基板の銅イオンの拡散抑制方法。
【請求項７】
表裏二面に設けた導体パターンと導電性基板との間に、各々絶縁層を有する電気回路実装基板の銅イオンの拡散抑制方法において、
上記各絶縁層の内部に、金属箔を層状に、電気的に遮断した状態で配置し、上記導体パターンから上記絶縁層への銅イオンの拡散を抑制することを特徴とする電気回路実装基板の銅イオンの拡散抑制方法。
【請求項８】
上記導電性基板に表裏二面の上記導体パターンを導通する第１のスルーホールを設け、上記導電性基板に表裏二面の上記金属箔と導通する第２のスルーホールを設け、上記第１、第２のスルーホールの間及び上記第２のスルーホールと上記導電性基板との間を上記絶縁層で電気的に遮断し、上記第１のスルーホールから上記絶縁層への銅イオンの拡散を抑制することを特徴とする請求項７に記載の電気回路実装基板の銅イオンの拡散抑制方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気回路実装基板及び電気回路実装基板の銅イオンの拡散抑制方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の電気回路実装基板においては、ＦＥＴなどの発熱素子を実装する場合には、放熱性能を高めるため、金属ベース構造タイプの電気回路実装基板や金属コア構造タイプの電気回路実装基板等の、金属を材料とした導電性を有する導電性基板を使用した電気回路実装基板が多く使用されている。この場合、電気回路を構成する金属箔を材料とした導体パターンと、導電性基板との間の電気的絶縁性を確保するため、導体パターンと導電性基板との間に絶縁層を配置している。
【０００３】
また、導電性基板から周囲空間への放熱経路を権保し、放熱性能をより向上させるため、電気回路実装基板の本体を収納する筐体を金属で構成し、この金属の筐体に導電性基板を導電性を有するボルト等を用いて固定することが多い。その結果、例えば電気回路実装基板が自動車用の部品であり、自動車に搭載され、筐体が自動車の車体に接続される場合には、車体自体がＧＮＤ電位となっているために、導電性基板はＧＮＤ電位になることになる。
【０００４】
更には、ノイズ発生・ＥＭＩ対策のために、導電性基板を広くＧＮＤ電位として電気的に接続する必要性も高い。ところが、これら電気回路実装基板における導電性基板をＧＮＤ電位として使用することは、電気回路を構成する導体パターンと導電性基板との間に配置した絶縁層に電位差を生じさせることとなる。このため、一般的に知られている高温高湿環境下における銅イオンのマイグレーション（以下単にマイグレーションと記す。）を引き起こす結果となる。
【０００５】
ここに、マイグレーションとは、電位差の生じている環境中に吸湿した絶縁層が存在した場合に、電気回路を構成する導体パターンとして使用されている銅箔から銅イオンが溶出し絶縁層の中を拡散する現象をいい、最悪の場合、銅イオンが絶縁層を通過し、反対極のＧＮＤ電極である導電性基板まで到達し、絶縁機能を失う事態を生じる。この結果、電気回路としての働きができなくなることがある。マイグレーションが発生する主要因は温度、湿度及び電位差であり、発生原理から、マイグレーションは高温で絶縁層の吸湿率が高いほど、また絶縁層にかかる電位差が大きいほど発生し易くなる。特に自動車用部品においては、そのアプリケーション（電気回路実装基板）を使用する温湿度環境や電気回路の使用電圧は、より厳しい方向、即ち、高温高湿環境、高電圧環境に移行しつつあり、マイグレーションの発生を抑制する技術が必要不可欠である。
【０００６】
かかる背景の下、従来のマイグレーションを抑制する手段としては、アプリケーションが使用されるライフタイムを想定して、そのライフタイムに耐え得るよう導電性基板の材料を選定し、導電性基板と電気回路を構成する導体パターンとの間の絶縁層を厚くし、両者の絶縁距離を十分に確保する方法が用いられていた。
【０００７】
なお、この種の従来技術について記載されている文献としては、特許文献１を挙げることができる。
【０００８】
【特許文献１】特開平０９−０５１１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、この絶縁層を厚くし、両者の絶縁距離を十分確保する方法に対しては、金属べース構造タイプの電気回路実装基板においては、絶縁層を厚くすることはＦＦＴなどの発熱素子からの発生熱を導電性基板に熱伝導させる際に抵抗となる抵抗部分の距離が長くなり、放熱性能が低下する問題を生じる。ー方、金属コア構造タイプの電気回路実装基板においては絶縁層を厚くするということは、一般的には電気回路実装基板全体の高さ寸法に制約があり、発熱素子の下部に配置する導電性基板の厚さを減らす必要が生じ、導電性基板の体積が減少し、導電性基板での熱容量が小さくなり、本来の発熱素子の放熱性能を損なうという間題を生じる。
【００１０】
そこで、本発明においては、絶縁層を厚くしないでマイグレーションを抑制することを目的とした。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的を達成するため、絶縁層の内部に金属箔を配置し、この金属箔を電気的に遮断された状態とした。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る電気回路実装基板においては、絶縁層の内部に、金属箔を配置し、この金属箔を電気的に遮断された状態とすることにより、絶縁層を厚くしないでマイグレーションを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
第１の実施の形態
図１は第１の実施の形態に係る金属ベース構造タイプの電気回路実装基板の断面構成を示す図である。３は銅箔などの導体で電気回路を構成する導体パターン、４は導体パターン３に接続されているＦＥＴ等の発熱素子、５は発熱素子４からの放熱を促進するための金属を材料とした導電性基板、７は樹脂を材料とした絶縁層、１１は絶縁層７の内部に層状に配置した金属箔、５０は電気回路実装基板を収納する金属材料で構成された筐体、５１は筐体５０に導電性基板５を固定する筐体止めで、筐体５０はＧＮＤレベルに維持されている。
【００１４】
ここに、電気回路実装基板は、発熱素子４等の部品の保護と発熱素子４で発生した熱を積極的に周囲空間に放熱させる放熱路確保のため、アルミ等の金属材料で構成されている筐体５０に収納され、金属の筐体止め５１で導電性基板５を固定している。絶縁層７は、導体パターン３と導電性基板５の間に位置し、導電性基板５の全面を覆うサイズとしてある。絶縁層７の内部には銅又は銅よりイオン化傾向の小さい金属、例えばタングステン等の金属箔１１を層状に配置している。この金属箔１１の層は電気回路を構成した導体パターン３の面積より広い面積とし、導体パターン３と導電性基板５の間に位置し、少なくとも導体パターン３の面積全体を覆う構成で配置されている。なお、この金属箔１１の層は電気的にどこにも接続せず、周囲と電気的に遮断した状態としてある。
【００１５】
図１に示した電気回路実装基板においては、導体パターン３にプラス電位、導電性基板５にＧＮＤ電位が印加された場合、時間経過に伴いマイグレーションが始まり、導体パターン３から絶縁層７へ銅イオンが溶出する。しかし、この銅イオンは絶縁層７の内部に配置された金属箔１１により遮られ、金属箔１１より遠くには進行できない。一方、金属箔１１は電気的に周囲と遮断された構成となっているため、その配置された位置に応じた電位となり、金属箔１１からは印加された電位に比例した量の金属イオンが発生する。しかし、一般に、金属イオンを発生させて絶縁層７に溶出させるエネルギーは保有する電力量に比例するため、金属箔１１位置ではこの金属イオンを溶出させるエネルギーは導体パターン３の位置に比べて電圧の分圧比以上に低減する。また、金属イオンの発生量は温度の影響も受け、環境温度が高い程、発生量が多くなる。このため、発熱素子４と接している導体パターン３の位置に比べて、発熱素子４から離れている金属箔１１の位置では環境温度は低く、温度影響からも金属イオンの発生量は電位の分圧比以上に減少する。従って、マイグレーションを低減することができる。なお、この場合、金属箔１１を銅よりイオン化傾向の小さい、イオン化しにくい金属、例えばタングステン等の金属箔とすれば、金属イオンの発生量は更に低減されるため、マイグレーションを大幅に低減することができる。
【００１６】
即ち、本実施の形態における電気回路実装基板の銅イオンの拡散抑制方法は、絶縁層７の内部に金属箔１１を層状に、導体パターン３の全面積を覆う大きさで配置し、かつ、金属箔１１を電気的に遮断した状態とすることで、導体パターン３から絶縁層７への銅イオンの拡散を抑制するものである。
【００１７】
次に、図２により、第１の実施の形態における電気配線実装基板の製造方法を説明する。先ず、図２（Ａ）に示すように、絶縁層７の一部を構成する樹脂層７ａ、１８〜１００μｍ程度の厚さの圧延した金属箔２３、導電性基板５を準備する。樹脂層７ａ、金属箔２３は導電性基板５の上部全面を覆う寸法とする。
【００１８】
次に、図２（Ｂ）に示すように、導電性基板５の上に樹脂層７ａ、金属箔２３をこの順に積層し固定する。次に、金属箔２３をエッチング加工で、絶縁層７の内部に配置する金属箔１１の形状に加工する。
【００１９】
次に、図２（Ｃ）に示すように、絶縁層７の一部を構成する樹脂層７ｂ、金属箔２４を準備し、樹脂層７ｂ、金属箔２４の順に図２（Ｂ）で加工した樹脂層７ａ、金属箔１１の上に積層し固定する。本工程により金属箔１１を内部に配置した樹脂の絶縁層７が完成する。
【００２０】
次に、図２（Ｄ）に示すように、金属箔２４を選択的にエッチングすることにより電気回路を構成する銅箔の導体パターン３を形成する。また、導電性基板５と絶縁層７を貫通する固定用の穴５３の加工も行う。
【００２１】
最後に、図２（Ｅ）に示すように、発熱素子４等の部品を導体パターン３に接続し完成する。
【００２２】
図１に示した電気配線実装基板、その銅イオンの拡散抑制方法においては、絶縁層７の内部に、層状の金属箔１１を配置し、この金属箔１１を電気的に遮断した状態とすることにより、マイグレーション発生部位の電位、温度を低減できるため、絶縁層を厚くしないでマイグレーションを抑制することができる。このため、従来とマイグレーション発生量を同一レベルに維持する場合には導体パターン３の耐電圧を従来より向上させることができる。また、マイグレーションの抑制、耐電圧向上が可能であるため、絶縁層の薄膜化が可能となり、絶縁層を薄くした分の熱抵抗を下げることができる。その結果、放熱性能を向上させることができる。また、マイグレーション防止を目的とした吸湿対策の必要が無く、電気配線実装基板を安価に構成できる効果も生じる。
【００２３】
第２の実施の形態
図３は第２の実施の形態に係る金属コア構成タイプの電気配線実装基板の断面構成を示す図である。６は導電性基板で、導電性基板６の表面には導体パターン３を、裏面には導体パターン１５を配置してある。導体パターン３、１５と導電性基板６との間には、それぞれ絶縁層７を配置し、絶縁性能を確保している。絶縁層７の内部には導体パターン３側に金属箔１１、導体パターン１５側に金属箔１７を配置してある。また、発熱素子４等の部品や導体パターン３、１５が筐体５０の周囲壁面に接触しないよう、筐体５０の内部位置に収納し、導電性基板６の開口穴５３を使用し、筐体止め５１を用いて筐体５０に固定してある。また、第１のスルーホール１４により導体パターン３と導体パターン１５を導通してある。なお、スルーホール１４と導電性基板６との間には、絶縁層７を配置し、絶縁性能を確保しており、絶縁層７の内部には金属のメッキ層からなる第２のスルーホール１３を配置している。スルーホール１３は金属箔１１、１７と導通しており、金属箔１１、１７、スルーホール１３は電気的に周囲と遮断された状態となっている。即ち、スルーホール１４とスルーホール１３との間及び、スルーホール１３と導電性基板６との間は絶縁層７で電気的に遮断されている。
【００２４】
図３に示した電気回路実装基板において、導体パターン３、１５にプラス電位、導電性基板６にＧＮＤ電位が印加された場合、導体パターン３、１５と導電性基板６との間のマイグレーションの発生とその抑制に関する考え方は第１の実施の形態と同一であり、説明は省略する。本実施の形態において新たに発生するスルーホール１４位置における作用について以下説明する。導体パターン３、１５にプラス電位、導電性基板６にＧＮＤ電位が印加された場合、スルーホール１４もプラス電位となり、スルーホール１４と導電性基板６の間の電位差によりマイグレーションが発生する。この場合、スルーホール１４から発生する銅イオンは外周部に位置しているスルーホール１３により遮られ、それ以上は進行しない。一方、スルーホール１３はその配置された位置に応じた電位となり、電位に比例した量の金属イオンが発生する。しかし、この場合は、スルーホール１３位置における金属イオンを発生させ、絶縁層７へ溶出させるエネルギーは保有する電力量に比例するため、スルーホール１３位置ではこの金属イオンを溶出させるエネルギーはスルーホール１４位置に比べて電圧の分圧比以上に低減する。また、金属イオンの発生は環境温度の影響も受け、温度が高い程、発生しやすくなる。このため、発熱素子４に近接しているスルーホール１４位置に比べて、発熱素子４から離れているスルーホール１３の位置では温度は低く、発生するマイグレーションの発生量を分圧比以上に減少させることができる。
【００２５】
即ち、導体パターン３、１５と導電性基板６との間の絶縁層７に発生する銅イオンの拡散抑制方法については、表裏二面に設けた導体パターン３、１５と導電性基板６との間に、各々絶縁層７を有する電気回路実装基板において、金属箔１１、１７を表裏二面の各絶縁層７の内部に、電気的に遮断した状態で配置し、導体パターン３、１５から絶縁層７への銅イオンの拡散を抑制し、また、スルーホール１４と導電性基板６の間に発生する銅イオンの拡散抑制方法については、スルーホール１４と導電性基板６との間に金属箔１１、１７同士を導通するスルーホール１３を配置し、スルーホール１３を電気的に遮断された状態とすることにより、スルーホール１４から絶縁層７への銅イオンの拡散を抑制するものである。
【００２６】
次に、図４により、第２の実施の形態における電気配線実装基板の製造方法を説明する。先ず、図４（Ａ）に示すように、導電性基板６のスルーホール１４の位置に、前もってドリルで貫通穴１２を開口しておく。次に、絶縁層７の一部を構成する樹脂層７ａ、７ｃと金属箔２３、１９を準備する。
【００２７】
次に、図４（Ｂ）に示すように、貫通穴１２を開口した基板６の表裏面に、準備した樹脂層７ａ、７ｃを挾み込んで金属箔２３、１９を積層し固定する。このとき高温、高圧環境で積層処理を行うため、樹脂層７ａ、７ｃは柔らかくなり、基板６の貫通穴１２に樹脂層７ａ、７ｃが流れ込んで埋めつくし、貫通穴１２を塞いでしまう。樹脂が固まった後は、導電性基板６の表裏にそれぞれ一層ずつの金属箔２３、１９をもった導電性基板６が仕上がる。
【００２８】
次に、図４（Ｃ）に示すように、塞がれた貫通穴１２を絶縁に必要な樹脂層厚さを残して金属箔２３、１９を含めてドリルで開口し、貫通穴１２の表面に金属メッキを行いスルーホール１３を形成する。次に、金属箔２３、１９にエッチングを施し表裏面の金属箔１１、１７のパターンを形成する。このとき、金属箔１１、１７は、電気回路を構成する導体パターン３、１５の各全面積より広い面積とし、導体パターン３、１５と重なる位置に配置する。また、この場合、金属箔１１、１７は導電性基板６の端面や、筐体５０と接続する筐体止め５１より内側に配置するようにエッチングする。
【００２９】
次に、図４（Ｄ）に示すように、表裏面の金属箔１１、１７の上に樹脂層７ｂ、７ｄを挾み込んで金属箔２４、２１を積層する。本工程により内部に金属箔１１、１７を配置する表裏面の絶縁層７、１８が完成する。また、このとき、貫通穴１２が再度、樹脂７ｂ、７ｄで埋められ、塞がれてしまう。
【００３０】
次に、図４（Ｅ）に示すように、塞がれた貫通穴１２を絶縁に必要な樹脂層厚さを残して金属箔２４、２１を含めてドリルで開口し、貫通穴１２の表面に金属メッキを行いスルーホール１４を形成する。次に金属箔２４、２１にエッチングを施し表裏面の導体パターン３、１５を形成する。最後に、所定位置に発熱素子４等の部品を導体パターン３に接続して完成する。
【００３１】
図３に示した電気回路実装基板、その銅イオンの拡散抑制方法においては、表裏面の絶縁層７の内部に、層状の金属箔１１、１７を配置し、金属箔１１、１７は電気的に遮断された構成とすることにより、マイグレーション発生部位の電位、温度を低減できるため、絶縁層７を厚くしないでマイグレーションを抑制することができる。また、スルーホール１４位置においても絶縁層７の内部に、層状のスルーホール１３を配置し、このスルーホール１３を電気的に遮断された構成とすることにより、マイグレーション発生部位の電位、温度を低減できるため、絶縁層７を厚くしないでマイグレーションを抑制することができる。このため、スルーホール１４と導電性基板６との距離が短くできるため、導電性基板６の貫通穴１２の径を小さくすることが可能となる。これにより発熱素子４の下の導電性基板６の占有面積を上げることができ、放熱性能も向上させることができる。また、従来とマイグレーション発生量を同一にする場合には導体パターン３、１５の耐電圧を従来より高くすることができる。また更に、マイグレーションの抑制、耐電圧向上が可能となるため、絶縁層７の薄膜化が可能であり、絶縁層７を薄くできる分、熱抵抗を下げることができる。その結果放熱性能も向上させることができる。また、吸湿対策の必要が無く、安価に構成できる効果も生じる。
【００３２】
第３の実施の形態
図５は第３の実施の形態に係る金属コア構造タイプの電気回路実装基板の断面構成を示す図である。１８、１９は絶縁層７の内部に設けられた金属箔で電気回路を構成した内部導体パターンである。内部導体パターン１８は導体パターン３とインタースティシアルバイアホール（ＩＶＨ）２０を用いて導通されており、内部導体パターン１９は導体パターン１５とインタースティシアルバイアホール２０を用いて導通されている。他は第２の実施の形態の構成と同様である。
【００３３】
図６により、第３の実施の形態における電気配線実装基板の製造方法を説明する。先ず、図６（Ａ）に示すように、導電性基板６のスルーホール位置に、前もってドリルで貫通穴１２を開口しておき、絶縁層７の一部を構成する樹脂層７ａ、７ｃと、金属箔２３、１９を導電性基板６の表裏面に積層し固定する。このとき高温、高圧な環境下で積層処理を行うため、樹脂層７ａ、７ｃは柔らかくなり、基板６の貫通穴１２に、樹脂層７ａ、７ｃが流れ込んで埋めつくし、貫通穴１２を塞いでしまう。樹脂が固まった後は、基板６の表裏にそれぞれ一層ずつの金属箔２３、１９をもつ導電性基板６が仕上がる。
【００３４】
次に、図６（Ｂ）に示すように、塞がれた貫通穴１２を絶縁に必要な樹脂層厚さを残して金属箔２３、１９を含めてドリルで開口し、貫通穴１２の表面に金属メッキを行いスルーホール１３を形成する。次に、金属箔２３、１９に選択的にエッチングを施し、金属箔２３、１９を分割し、一部を貫通穴１２の周囲に配置し表裏面の金属箔１１、１７のパターンを、その他の部分には電気回路の内部導体パターン１８、１９を形成する。このとき、金属箔１１、１７は、電気回路を構成する導体パターン３、１５の各全面積より広い面積とし、導体パターン３と重なる位置に配置する。
【００３５】
次に、図６（Ｃ）に示すように、表裏面の金属箔１１、１７及び内部導体パターン１８、１９の上に樹脂層７ｂ、７ｄを積層し、樹脂層７ｂ、７ｄ上に金属箔２４、２１を積層する。本工程により内部に金属箔１１、１７及び内部導体パターン１８、１９を配置する表裏面の絶縁層７が完成する。次に、表裏の金属箔２４、２１、絶縁層７の所定の位置に、内部導体パターン１８、１９まで貫通するインタースティシアルバイアホール（ＩＶＨ）２０を形成する穴をレーザーなどの加工方法で形成する。また、絶縁層７の形成時に、貫通穴１２が再度、樹脂７ｂ、７ｄで埋められ、塞がれてしまうため、塞がれた貫通穴１２を絶縁に必要な樹脂層厚さを残して金属箔２４、２１を含めてドリルで開口する。
【００３６】
次に、図４（Ｄ）に示すように、貫通穴１２の表面に金属メッキを行いスルーホール１４を形成する。次に金属箔２４、２１に選択的にエッチングを施し表裏面の導体パターン３、１５を形成する。次に、インタースティシアルバイアホール２０の穴のメッキを行い導体パターン３、１５と内部導体パターン１８、１９とを接続するインタースティシアルバイアホール２０を形成する。最後に、所定位置に発熱素子４等の部品を導体パターン３に接続して完成する。
【００３７】
図５に示した電気回路実装基板においては、スルーホール１４が形成される部位は、その製造工法上の品質や、その部位を構成する材料の特性によって、最も絶縁性のウィークポイントとなる部位である。このスルーホール１４の位置において、絶縁層７の内部に層状の金属箔１１、１７を配置し、この金属箔１１、１７を電気的に遮断された構成とすることにより、マイグレーション発生部位の電位、温度を低減できるため、絶縁層７を厚くしないでマイグレーションを抑制することができる。更に、絶縁層７の内部に、層状のスルーホール１３を配置し、このスルーホール１３を電気的に遮断された構成とすることにより、マイグレーション発生部位の電位、温度を低減できるため、絶縁層７を厚くしないでマイグレーションを抑制することができる。このため、従来とマイグレーション発生量を同一にする場合には導体パターン３、１５の耐電圧を従来より向上させることができる。また、マイグレーションの抑制、耐電圧向上が可能であるため、絶縁層７の薄膜化が可能であり絶縁層７を薄くできる分、熱抵抗を下げることができ、熱抵抗を下げた分だけ放熱性能も向上させることができる。また、吸湿対策の必要がなく、安価に構成できる効果も生じる。更に、絶縁性と放熱性能の最も重要な部位となるスルーホール１４の位置での性能、品質及び信頼性を確保しながら、表裏二面の導体パターン３、１５と内部導体パターン１８、１９をそれぞれインタースティシアルバイアホール２０を用いて集積化しており、導体パターン３、１５と内部導体パターン１８、１９を回路層４層で構成することができ、高密度な実装が可能となり、アプリケーションの小型化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１の実施の形態における基本構成の断面を示す図である。
【図２】第１の実施の形態における製造方法の説明図である。
【図３】第２の実施の形態における基本構成の断面を示す図である。
【図４】第２の実施の形態における製造方法の説明図である。
【図５】第３の実施の形態における基本構成の断面を示す図である。
【図６】第３の実施の形態における製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００３９】
３…導体パターン        ４…発熱素子
５…導電性基板          ６…導電性基板
７…絶縁層            １１…金属箔層
１２…貫通穴            １３…スルーホール
１４…スルーホール      １５…導体パターン
１７…金属箔            １８…内部導体パターン
１９…内部導体パターン  ２０…インタースティシアルバイアホール
５０…筐体              ５１…筐体止め
【図１】
2006179549.tif 000003
【図２】
2006179549.tif 000004
【図３】
2006179549.tif 000005
【図４】
2006179549.tif 000006
【図５】
2006179549.tif 000007
【図６】
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