(57)【要約】【課題】  対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いて有機発光素子の電極膜や金属膜を形成するようにした有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明の有機発光素子の製造方法は、基板上に第１の電極を形成し、該第１の電極上に有機膜を形成し、有機膜上に対向ターゲット式のスパッタリング装置で第２の電極を形成し、有機膜に対するプラズマの損傷なく、低温で有機発光素子の電極膜を形成することによって、有機発光素子の発光効率、電気的、光学的の特性を向上できるようにしたものである。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極を形成する段階と;
前記第１の電極上に有機膜を形成する段階と;
前記有機膜上に前記基板温度を２０〜２００℃とし、スパッタリングで第２の電極を形成する段階とからなることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１の電極は、前記基板温度を２０〜２００℃としてスパッタリングで形成することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１の電極と前記第２の電極とは、非晶質からなることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１の電極と前記第２の電極とは、Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO、ATO のいずれか一つからなることを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記スパッタリングは、対向する２つの平行なターゲット位置に電力を印加し、前記ターゲット間には、前記ターゲット面に垂直な平行磁界を形成させ、前記ターゲット間の空間にプラズマ形成用の工程ガスを投入してプラズマを印加し、前記基板を前記２つのターゲットと垂直に設置して実施することを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記スパッタリング遂行時の圧力は、０．１mTorr〜５０mTorrであることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記電力は、５０Ｗ〜５ＫＷであることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記電力は、５０〜５００Ｗで電力を印加する第１の電力印加段階と、前記第１の電力印加段階後に、５００Ｗ〜５ＫＷで電力を印加する第２の電力印加段階とからなることを特徴とする請求項７に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記ターゲットの電力密度は、０.００１Ｗ/ｃｍ2内外であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１０】
前記２つのターゲットは、相互に異なる材質とからなることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の電極と前記第２の電極との成膜厚さは、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１２】
基板上に第１の電極を形成する段階と;
前記第１の電極上に有機膜を形成する段階と;
前記有機膜上に対向する２つの平行なターゲット位置に電力を印加する段階と;
前記ターゲット間には前記ターゲット面に垂直な平行磁界を形成させる段階と;
前記ターゲット間の空間にプラズマ形成用の工程ガスを投入してプラズマを印加する段階と;
前記基板を前記２つのターゲットと垂直に設置し、前記基板の温度を２０〜２００℃としてスパッタリングで第２の電極を形成する段階とからなることを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２の電極は、非晶質からなることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の電極は、Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO、ATO のいずれか一つからなることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記スパッタリング遂行時の圧力は、０.１mTorr〜５０mTorrであることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記電力は、５０Ｗ〜５ＫＷであるのを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記電力は、５０〜５００Ｗで電力を印加する第１の電力印加段階と、前記第１の電力印加段階後に、５００Ｗ〜５ＫＷで電力を印加する第２の電力印加段階とからなることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１８】
前記ターゲットの電力密度は、０.００１Ｗ/ｃｍ2内外であることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記２つのターゲットは、相互に異なる材質からなることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第２の電極の成膜厚さは、２０ｎｍ〜１０００ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の有機発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いた有機発光素子の製造方法に関し、更に詳細には、対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いて非晶質有機発光素子に必要な膜を形成するようにした対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いた有機発光素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、有機発光表示装置は、自体発光、広視野角、高速応答特性などの優れている特性を持っている。このような有機発光表示装置に使用される有機発光素子(ＯＬＥＤ:Organic Light Emitting Diode)は、通常、ガラス基板上にアノード(Anode)に該当する第１の電極と、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などからなる有機膜及びカソード(Cathode)に該当する第２の電極とを備えてなる。
【０００３】
そして、その動作は、アノードとカソードとの間に数ボルト(Ｖ)程度の電圧を印加すれば、アノードには正孔が、カソードには分離された電子が生成される。生成された正孔と電子とがそれぞれ正孔輸送層または電子輸送層を経由して発光層で結合すると、高いエネルギー状態の励起子(Exciton)が生成される。そして、励起子が基底状態に戻りながら２つの状態のエネルギー差に該当するエネルギーを有した光が発生することによって、画像の表示がなされる。
【０００４】
有機発光表示装置は、大きく背面発光型と前面発光型とがある。背面発光型有機発光表示装置は、光がＩＴＯ(Indium Tin Oxide)などの透明電極からなる透明なアノードを透過し、基板を通じて出るようにする。そして、この時、カソードは、Alなどの金属を使用することになる。そして、前面発光型有機発光表示装置は、光を透明あるいは半透明のカソードを経て保護膜を通じて放出させるようにする。
【０００５】
一方、従来の電極は、通常、DC/RF(Direct Current/Radio Frequency)スパッタ(Sputter)を用いて、有機膜上に形成する。
【０００６】
ところで、従来のDC/RFスパッタの場合は、ターゲットに衝突するアルゴン(Ar)などの陽イオンを形成するために、プラズマ形成時に発生する高いエネルギーを持った粒子たち(Energetic Particles:中性Ar、陰イオン粒子、陽イオン粒子、熱電子)を発生させる。したがって、このような高エネルギーを持った粒子が有機膜上に衝突しながら蒸着すると、有機膜の温度上昇と変性とが生じて、有機膜を通じる２つの電極間の漏れ電流が増加することになる。また、DC/RFスパッタは、これらの粒子の基板衝突時に、基板表面の再スパッタリング(re-sputtering)現象、界面反応、二次電子の発生を起こして、素子特性の影響を与えるようになる。
【０００７】
また、前面発光でも背面発光でも透明電極の場合、概ね３００℃ 以上になると、決定化される性質がある。ところで、透明電極の特性を維持するためには、蒸着された透明電極が非晶質の特性をそのまま維持することが最も望ましい。しかしながら、従来のDC/RFスパッタの場合は、イオン粒子が高エネルギーを持つことから、工程遂行時に、膜の温度が３００℃以上に上昇することになり、透明電極を決定化するという問題点が発生する。したがって、これを防止するためには、工程速度を極めて遅くするか、イオン粒子のエネルギーを大幅に減らす方法が考案されなければならないという問題点がある。しかしながら、このような改善は、既存のDC/RFスパッタではほとんど困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、前述した問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いて有機発光素子の電極膜や金属膜を形成するようにした有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【０００９】
本発明は、スパッタリングのためのプラズマ形成によって有機膜の損傷を防止し、また、これによる有機膜を通じる電流漏れの発生防止と、有機発光層の効率低下の防止とを可能とした有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した目的を達成するための本発明に係る有機発光素子の製造方法は、基板上に第１の電極を形成し、前記第１の電極上に有機膜を形成し、前記有機膜上に対向ターゲット式のスパッタリング装置で第２の電極を形成する工程を備える。
【００１１】
望ましくは、前記第１の電極は、前記対向ターゲット式のスパッタリング装置で形成され、 前記第１の電極は、非晶質からなり、また、第１の電極は、Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO、ATOのいずれか一つからなる。
【００１２】
望ましくは、前記第２の電極は、非晶質からなり、また、 Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO、IZO、AZO、GZO、GTO、ATOのいずれか一つからなる。
【００１３】
そして、望ましくは、前記対向ターゲット式のスパッタリング装置は、対向する２つの平行なターゲット位置に電力を印加し、前記ターゲット間には、前記ターゲット面に垂直な平行磁界を形成させ、前記ターゲット間の空間にプラズマ形成用の工程ガスを投入してプラズマを印加し、前記基板を前記２つのターゲットと垂直に設置してスパッタリングを実施するようにする。
【００１４】
また、望ましくは、前記対向ターゲット式のスパッタリング装置の工程遂行時の圧力は、０.１mTorr〜５０mTorrからなり、前記基板の温度は、２０℃〜２００℃ 程度を維持する。そして前記電力は、５０Ｗ〜５ＫＷを採用する。
【００１５】
そして、望ましくは、前記電力は、５０〜５００Ｗで電力を印加する第１の電力印加段階と、前記第１の電力印加段階後に、５００Ｗ〜５ＫＷで電力を印加する第２の電力印加段階とを備え、前記ターゲットの電力密度は、０.００１Ｗ/ｃｍ2内外を確保する。また、前記２つのターゲットは、相互に異なる材質からなることができ、前記第１の電極と前記第２の電極との成膜厚さは、２０ｎｍ〜１０００ｎｍからなる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、対向ターゲット式のスパッタリング装置の方式を用いて、有機膜の上方に有機膜に対するプラズマの損傷なく、低温で有機発光素子の電極膜を形成することによって、有機発光素子の発光効率、電気的、光学的な特性を向上することができ、また、電極膜の形成時、多段で工程条件を変化させて形成するようにすることで、有機発光素子のこのような特性及び寿命を更に向上することができる。
【００１７】
また、良質の透明電極を有機膜の上に形成することができるので、優れる特性の前面発光型有機発光素子を製造できるようになる。
【００１８】
また、本発明の方法は、２つのターゲットを用いて、その間に高密度のプラズマを形成して電極膜の蒸着時間を少なくするので、工程の効率性を高め、又、既存の蒸着方法に比べて、本発明の方法を使用する場合、工程コストを節減することができる。
【００１９】
そして、本発明によれば、低温成膜が可能であるので、熱に弱い基板を使用することになるフレキシブル型有機発光素子を容易に具現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら、実施例を通じて本発明をより詳しく説明することにする。
【００２１】
まず、以下で本発明に関連して、２つのターゲット２００、２１０が互いに平行に対向し、２つのターゲット２００、２１０間の空間には、ターゲット２００とターゲット２１０とを繋ぐ方向に磁界(B)が形成された状態で、空間に工程ガスを投入して高密度のプラズマを形成する対向ターゲット式のスパッタリング装置(対向ターゲット式のスパッタリング装置: Mirror Shape Target Sputter)を膜の形成のために用いる。
【００２２】
図１を参照して、対向ターゲット式のスパッタリング装置を説明すれば、チャンバー１００と、このチャンバー１００内部に反応ガスであるアルゴンと酸素ガスとを供給する反応ガス供給部１３０とを備え、チャンバー１００内部を低圧真空状態で形成するためのポンプ１２０を備える。そして、チャンバー１００内部には、向い合っているミラー型(Mirror Shape) ターゲット(Target)２００、２１０が設置される。このターゲット２００、２１０には、独立的あるいは並列的に(-)電源が印加される。
【００２３】
ここで、ターゲット２００、２１０間には、同一方向に均一な磁界が形成され、また、ターゲット２００、２１０間の中央部には、電圧が一定でありながら、弱い量の値を有する領域が形成される。そして、ターゲット２００、２１０間においてこの領域をはずれた部分の電圧は、ターゲット２００、２１０の方に行くに従って一定の傾きに小くなり、ターゲット２００、２１０面では、ターゲット２００、２１０にかかった負電圧の大きさになる。
【００２４】
そして、２つのターゲット２００、２１０の裏部分には、ターゲット２００、２１０間の空間に均一な磁界を形成するために、板型磁石２２０、２３０が相互に異なる極性が対向するように設置される。この時磁石２２０、２３０の構成は、多数のペレット型の磁石２２０、２３０を並べるか、棒状の磁石２２０、２３０を用いることができる。あるいは、電磁石２２０、２３０を用いて磁場を調節することもできる。
【００２５】
また、２つのターゲット２００、２１０を含むスパッタリングソースを可動型に形成する場合、スパッタリングソースを動かして、スキャニングを通じて発光層を含む有機膜が形成された大型の基板１１０の全面に電極膜を形成することができる。この時、スパッタリングソースの２つのターゲット２００、２１０の周辺にシールド２４０を設けると、基板１１０以外の方向にターゲット２００、２１０の物質が放出されることを防止することができ、一方のみに積層物質を放出することができるので、一種の‘スパッタリングガン(Gun)’を構成することができる。この時、ターゲット２００、２１０の物質が放出されるシールド２４０の開放部あるいはスリットの大きさは、一定の範囲で調節可能となるように形成できる。
【００２６】
このように構成された対向ターゲット式のスパッタリング装置の作用は、図３に示すように、ポンプ１２０を用いてチャンバー１００内部を概ね１０-５Torr 以下のベース圧力で形成する。その後、先に言及したように、２つのターゲット２００、２１０に電力を印加する。この時の電力は、５０Ｗ〜５ＫＷ程度を適用する(Ｓ２００)。すると、２つのターゲット２００、２１０間に均一な平行磁界(B)が形成される(Ｓ２１０)。
【００２７】
以後、アルゴンと酸素工程ガスとをチャンバー１００内部に投入する(Ｓ２２０)。この時、工程ガスが投入されると、チャンバー１００内部の圧力は上昇するようになる。したがって、工程遂行のために、チャンバー１００内部は、０.１mTorr〜５０mTorrを維持するようにし、電力密度は、０.００１Ｗ/ｃｍ2以上を維持するようにする。
【００２８】
このような過程を経ながら、プラズマが形成される(Ｓ２３０)。この時、注入される工程ガスは、スパッタリングガン(Gun)の裏側、膜の形成のためにターゲット２００、２１０の物質が放出される出口の裏側の方向から供給して、プラズマの形成効率を増大するようにする。
【００２９】
一方、プラズマ内の電子は、一側のターゲット２００と反対側のターゲット２１０とを繋がった磁気力線のほぼ垂直な面でローレンツ力によって回転運動をしながら、高密度のプラズマを形成させると同時に、対向ターゲット２００、２１０にかかった負電圧のために往復運動をして、結局、螺旋運動をする。
【００３０】
同じく、電荷を帯びたイオン粒子も磁気力線とほぼ垂直な面で回転運動をしながら、ターゲット２００、２１０間を往復運動する。したがって、高いエネルギーを持ったプラズマ構成の荷電粒子たちがターゲット２００、２１０間のプラズマ空間内に拘束されることができる。
【００３１】
そして、ある一つのターゲット２００で陽イオンの衝突によってスパッタされた粒子もまた、高いエネルギーを持った粒子は反対側のターゲット２１０に加速されるようになる。したがって、プラズマ形成部に垂直に置かれている有機膜が形成された基板１１０には影響を与えない。結局、比較的低いエネルギーを持った中性のターゲット２００、２１０の物質粒子の拡散によって、基板１１０や基板１１０に形成された有機膜上に電極薄膜形成がなされる。
【００３２】
したがって、従来のDC/RFスパッタリング方式で現われる、高いエネルギーを持った粒子の衝突による有機発光素子の劣化現象は防止される。高いエネルギーを持った粒子の衝突がないので、別途の基板１１０の冷却システムがなくても、常温状態で基板１１０の温度を維持できるようになり、これによって、基板１１０、特に有機膜に対する熱損傷が最小化される。
【００３３】
このような構成と作用をする対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いた有機発光素子の製造方法は、図２に示されたように、基板１１０上に第１の電極を形成し(Ｓ１００)、第１の電極上に有機膜を形成した(Ｓ１１０)後に、有機膜上に第２の電極を形成する段階(Ｓ１２０)を経る。
【００３４】
ここで、有機膜上に第２の電極を形成する際に、対向ターゲット式のスパッタリング装置を使用する(Ｓ１２０)。そして、第１の電極を形成する際にも対向ターゲット式のスパッタリング装置を使用できる。
【００３５】
一方、第２の電極を形成する際には、有機膜の損傷を更に低減するために、工程条件を変えることができる。すなわち、図４に示されたように、有機膜上に電極を形成するかどうかによって工程進行を一つの条件で進行し続けることができ、あるいは、２つの他の工程条件を付与して進行することができる。
【００３６】
言い替えれば、まず、有機膜上に電極を形成するかどうかを予め判断する(Ｓ３００)。その後に、有機膜上に電極を形成する(Ｓ３１０)場合であると判断されると、初期工程の進行のために、電力を印加する第１の電力印加段階(Ｓ３１１)を行い、スパッタリング(Ｓ３１２)を行い、続いて、第１の電力印加段階を経て所定の厚さ以上に電極膜が形成された場合に、第１の電力印加段階よりも高い電力を印加する第２の電力印加段階(Ｓ３１３)を経てスパッタリング(Ｓ３１４)を進行し続ける。
【００３７】
したがって、このような方法を適用することになると、有機膜が保護された状態で一番目のスパッタリングを安全に行い、安全な電極膜の厚さを確保した後、迅速に二番目のスパッタリングを通じて必要な厚さで電極を形成することによって、工程効率をより一層向上することができる。
【００３８】
この時、第１の電力印加段階(Ｓ３１１)で提供される電力は、５０Ｗ〜５００Ｗ程度が望ましく、第２の電力印加段階(Ｓ３１３)で提供される電力は、５００Ｗ〜５ＫＷ程度が望ましく、基板１１０の温度は、別途の冷却装置なしに、電極形成時に２０℃〜２００℃を維持するようにすることが望ましい。
【００３９】
一方、このような方法で形成される電極は、透明電極の場合と金属膜の場合とによってターゲット２００、２１０の物質を同じにまたは異ならせて使用することで、様々な種類の透明電極や金属膜の形成が可能である。したがって、本発明の方法で形成される膜の種類は、Al、Ag、Mg、Ca、Cu、Au、Pt、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、AZO(Aluminium doped Zinc Oxide)、GZO(Gallium Zinc Oxide)、GTO(Gallium Tin Oxide)、ATO(Antimonic Tin Oxide)のようなもので形成される。そして、この時の膜の厚さは、２０ｎｍ〜１０００ｎｍで形成される。
【００４０】
図５は、Al電極をガラス基板に対向ターゲット式のスパッタリング装置と従来のDC/RFスパッタとを用いて成膜した後に測定したXRD(X ray Diffraction)結果であり、図６は、透明電極を有機物上に対向ターゲット式のスパッタリング装置と従来のDC/RFスパッタとを用いて成膜した後に測定したXRD(X ray Diffraction)結果である。
【００４１】
２つの膜の形成のために、DC/RFスパッタの場合、作業圧力５mTorr、２００ＷのDC電力、ターゲットと基板との間の距離１０cmを維持し、Arガスを注入させながら、ガラス基板上に１０００nmの厚さで成長させた。そして、本発明の対向ターゲット式のスパッタリング装置の場合は、作業圧力５mTorr、ターゲットそれぞれに１ＫＷのDC電力、ターゲットと基板との間の距離２０cmを維持し、Ar ガスを注入させながら、ガラス基板上にやはり１０００nmの厚さで成長させた。
【００４２】
これによる結果、従来のDC/RFスパッタで成長させたAl電極膜と透明電極膜の場合、膜の特定の構造でピーク(Peak)を示す多結晶構造の薄膜特性を示している反面、本発明でのように、対向ターゲット式のスパッタリング装置で成長させた薄膜の場合は、結晶性のピークのない非晶質構造の膜が成長されていることが分かる。
【００４３】
このような薄膜の構造的な違いは、基板の局所的な温度差に起因するものであると判断される。すなわち、既存のDC/RFスパッタの場合、高いエネルギーを持った粒子たちの衝突によって基板の温度が上昇するため、多結晶構造の膜が比較的大きい粒子の大きさを持つように成長することになる。
【００４４】
しかし、本発明による対向ターゲット式のスパッタリング装置で成長させた薄膜の場合、高いエネルギーを持った粒子の衝突を排除することができ、常温状態の低い基板温度を維持することができるので、非晶質の薄膜が成長することが分かる。これは、対向ターゲット式のスパッタリング装置による膜蒸着の場合、高いエネルギーを持った粒子の衝突に影響を受けないことを示している。
【００４５】
図７Ａは、従来のDC/RFスパッタを用いてAl 膜を成膜した後に観察したSEM(電子走査顕微鏡)の写真であり、図７Ｂは、本発明に係る対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いてAl膜を成膜した後に観察したSEM(電子走査顕微鏡)の写真である。
【００４６】
ここに示されているように、図５のXRD結果に相応する結果であることが分かる。この時、前面発光型有機発光素子の有機膜上に電極膜を形成しており、この時、有機発光素子は、電子注入層(EIL)/電子輸送層(ETL)/ホール遮断層(HBL)/ホール輸送層(HTL)/ホール注入層(HIL)/ITO/ガラス基板の構造からなっている。
【００４７】
XRD結果と同様に、従来のDC/RFスパッタで成長させたAl薄膜に比べて、本発明の対向ターゲット式のスパッタリング装置で成長させたAl薄膜は、極めて微細な粒子からなっていることが分かる。これは、低い基板温度により、Alがグレイン(結晶領域:grain)の成長に必要な十分な温度とエネルギーを提供されないからである。
【００４８】
対向ターゲット式のスパッタリング装置で成長させたAlの粒子は、DC/RFスパッタで成長させたAl薄膜に比べて平均的に１０倍小さい結晶粒子の大きさを示している。これは、対向ターゲット式のスパッタリング装置でAl膜を成長させる時、高いエネルギーを持った粒子たちの衝突が排除されて、プラズマ損傷のない電極成膜がなされていることを示す。
【００４９】
一般的に、金属をスパッタを用いて非晶質薄膜で成長させることは難しいが、これは、DC/RFスパッタ工程時に起こるプラズマ損傷の効果のためである。しかし、対向ターゲット式のスパッタリング装置を用いた本発明の方法で、温度テープを用いて測定した結果、常時６０℃以下の温度を維持していることが確認できた。結局、本発明を用いる場合、有機膜に影響を与えない温度で、スパッタ方式を通じて非晶質の金属薄膜を有機発光素子の有機膜の上に形成することができる。
【００５０】
図７Ｂは、本発明の一つの実施例によってITO透明電極を前面発光型有機発光素子の有機膜上に対向ターゲット式のスパッタリング装置と既存のDCスパッタとを用いて成膜した後に観察したAFM(Atomic Force Microscope)結果の写真である。DC/RFスパッタの場合、作業圧力５mTorr、３００Ｗ DC power、ターゲットとサンプルとの間の距離１０cmを維持し、ArとＯ２ガスとを注入させながら、前面発光型有機発光素子の有機物上に１０００nmの厚さで成長させた。対向ターゲット式のスパッタリング装置の場合ね作業圧力５mTorr、ターゲットそれぞれに１ｋＷ DC power、ターゲットとサンプルとの間の距離２０cmを維持し、ArとＯ２ガスとを注入させながら、同一の構造の前面発光型有機発光素子の有機物上に１０００nmの厚さで成長させた。
【００５１】
ここで、図７Ａと７Ｂと類似する結果が観察できるが、対向ターゲット式のスパッタリング装置で成長させたITO 薄膜の表面の粗さ(Root mean square roughness: ２.３nm)がDC/RFスパッタで成長させたITOの表面の粗さ(RMS roughness: ７.8nm)よりも遥かに低いことが分かる。粒子の大きさもAl の実験時と同じく、低い基板の温度のために対向ターゲット式のスパッタリング装置で成長させたITO薄膜が小さいことが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る有機発光素子の製造方法のための対向ターゲット式のスパッタリング装置を示した概略図である。
【図２】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を示したフローチャートである。
【図３】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、対向ターゲット式のスパッタリング方法を示したフローチャートである。
【図４】本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、有機膜上に電極を形成する時と基板上に電極を形成する時との製造方法を示したフローチャートである。
【図５】本発明に係る有機発光素子の製造方法でAl電極を成膜したことと、従来のDC/RFスパッタを用いてAl電極を成膜した後に測定したXRD(X ray Diffraction)結果のグラフである。
【図６】本発明に係る有機発光素子の製造方法で ITO を成膜したことと、従来のDC/RFスパッタを用いて ITO を成膜した後に測定したXRD(X ray Diffraction)結果のグラフである。
【図７Ａ】従来のDC/RFスパッタを用いてAl薄膜を成膜した後に観察したSEM(電子走査顕微鏡)の写真である。
【図７Ｂ】本発明に係る有機発光素子の製造方法でAl薄膜を成膜した後に観察したSEM(電子走査顕微鏡)の写真である。
【図８Ａ】従来のDC/RFスパッタを用いて ITO を成膜した後に観察したAFM(Atomic Force Microscope)の写真である。
【図８Ｂ】本発明に係る有機発光素子の製造方法で ITO を成膜した後に観察したAFMの写真である。
【符号の説明】
【００５３】
１００    チャンバー
１１０    基板
１２０    ポンプ
１３０    反応ガス供給部
２００、２１０    ターゲット
２２０、２３０    磁石
２４０    シールド
【図１】
2006164941.tif 000003
【図２】
2006164941.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006164941.tif 000006
【図５】
2006164941.tif 000007
【図６】
2006164941.tif 000008
【図７Ａ】
2006164941.tif 000009
【図７Ｂ】
2006164941.tif 000010
【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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