(57)【要約】【課題】  入力電圧波を所定の減衰量で減衰し、所定の移相量で移相した電圧波を出力するベクトル調整器を、狭い実装面積で実現する。【解決手段】  可変抵抗器４０７、４０８及び可変容量器４０６、４０９によって、特性インピーダンスの抵抗成分及びリアクタンス成分の双方を制御可能な可変インピーダンス器４２１、４２２を構成し、これを、３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１に接続することにより、減衰量及び移相量の双方を調整可能な反射型ベクトル調整器を構成する。更に、目標とする減衰量及び移相量を入力すると、それを可変抵抗器４０７、４０８及び可変容量器４０６、４０９に印加するバイアス電圧に変換する制御信号出力部１３０を設ける。【選択図】        図４
2006253933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を所定の減衰量で減衰し、所定の移相量で移相する調整器において、
第一の端子と、上記第一の端子と結合した第二の端子と、上記第一の端子と結合し、上記第二の端子と絶縁した第三の端子と、上記第一の端子と絶縁し、上記第二の端子及び第三の端子と結合した第四の端子とを有する結合器と、
インピーダンス制御信号を入力するインピーダンス制御端子を有し、上記インピーダンス制御端子に入力したインピーダンス制御信号に基づいて特性インピーダンスが変化する、２つの可変インピーダンス器と、
上記減衰量及び上記移相量を制御する制御信号を入力する制御端子と、
を有し、
上記結合器の第一の端子は、上記入力信号を入力し、
上記結合器の第四の端子は、上記出力信号を出力し、
上記結合器の第二の端子は、一の上記可変インピーダンス器を介して、接地し、
上記結合器の第三の端子は、他の上記可変インピーダンス器を介して、接地し、
上記制御端子は、上記２つの可変インピーダンス器のインピーダンス制御端子に接続している
ことを特徴とする調整器。
【請求項２】
上記結合器は、３ｄＢ（デシベル）９０度ハイブリッドであることを特徴とする請求項１に記載の調整器。
【請求項３】
上記可変インピーダンス器は、
抵抗値制御信号を入力する可変抵抗制御端子を有し、上記可変抵抗制御端子に入力した抵抗値制御信号に基づいて抵抗値が変化する可変抵抗器と、
容量値制御信号を入力する可変容量制御端子を有し、上記可変容量制御端子に入力した容量値制御信号に基づいて容量値が変化する可変容量器と
を有し、
上記制御端子は、
上記可変抵抗制御端子に接続した抵抗値制御端子と、
上記可変容量制御端子に接続した容量値制御端子と、
を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の調整器。
【請求項４】
上記可変インピーダンス器は、上記可変抵抗器と上記可変容量器とを並列に接続したものであることを特徴とする請求項３に記載の調整器。
【請求項５】
上記可変インピーダンス器は、上記可変抵抗器と上記可変容量器とを直列に接続したものであることを特徴とする請求項３に記載の調整器。
【請求項６】
上記可変抵抗器は、ＰＩＮ（ピーアイエヌ）ダイオードを用いて構成することを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の調整器。
【請求項７】
上記可変容量器は、バリアブルキャパシタンスダイオードを用いて構成することを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の調整器。
【請求項８】
上記調整器は、更に、
上記減衰量の目標値を、減衰目標として取得する減衰目標取得部と、
上記移相量の目標値を、移相目標として取得する移相目標取得部と、
上記減衰目標取得部が取得した減衰目標及び上記移相目標取得部が取得した移相目標に基づいて、上記抵抗値制御信号及び上記容量値制御信号の値を算出し、上記抵抗値制御信号及び上記容量値制御信号を出力する制御信号出力部と、
を有し、
上記抵抗値制御端子及び上記容量値制御端子は、上記制御信号出力部の出力に接続している
ことを特徴とする請求項３乃至請求項７のいずれかに記載の調整器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、高周波回路における調整器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のベクトル調整器は、可変減衰器と可変移相器とを直列に配置することで実現されている（例えば、特許文献１）。
可変減衰器及び可変移相器としては、３ｄＢ（デシベル）９０度ハイブリッドを用いた反射型のものが知られている。
【特許文献１】特開平９−３１２５２６号公報（図１及び図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
３ｄＢ９０度ハイブリッドは、λ／４の伝送路４つで構成されるため、広い実装面積が必要である。
従来技術では、１つのベクトル調整器につき２つ以上の３ｄＢ９０度ハイブリッドが必要となり、実装面積を小さくできないという課題がある。
また、可変移相器の移相可能な範囲は、素子の特性等により制約される。これを拡大するためには、複数の可変移相器を直列に配置することとなるが、可変移相器の数を増やせば、必要となる実装面積が更に広くなってしまうという課題がある。
本発明は、例えば、上記のような課題を解決することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明にかかる調整器は、
入力信号を所定の減衰量で減衰し、所定の移相量で移相する調整器において、
第一の端子と、上記第一の端子と結合した第二の端子と、上記第一の端子と結合し、上記第二の端子と絶縁した第三の端子と、上記第一の端子と絶縁し、上記第二の端子及び第三の端子と結合した第四の端子とを有する結合器と、
インピーダンス制御信号を入力するインピーダンス制御端子を有し、上記インピーダンス制御端子に入力したインピーダンス制御信号に基づいて特性インピーダンスが変化する、２つの可変インピーダンス器と、
上記減衰量及び上記移相量を制御する制御信号を入力する制御端子と、
を有し、
上記結合器の第一の端子は、上記入力信号を入力し、
上記結合器の第四の端子は、上記出力信号を出力し、
上記結合器の第二の端子は、一の上記可変インピーダンス器を介して、接地し、
上記結合器の第三の端子は、他の上記可変インピーダンス器を介して、接地し、
上記制御端子は、上記２つの可変インピーダンス器のインピーダンス制御端子に接続している
ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、例えば、調整器を構成する結合器の数を少なくすることができるので、調整器の実装面積を小さくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
実施の形態１．
実施の形態１を図１及び図２を用いて説明する。
【０００７】
図１は、この実施の形態におけるベクトル調整器１００（調整器の一例）の回路構成の一例を示す図である。
ここで、ベクトル調整器とは、入力電圧波を所定の減衰量で減衰し、所定の移相量で移相した電圧波を出力する（すなわち、電圧波のベクトルの長さ及び角度を調整する）装置である。
なお、この図において、バイアス回路等は省略している。
４０１は、３ｄＢ（デシベル）９０度ハイブリッド（結合器の一例）である。
ここで、３ｄＢ９０度ハイブリッドとは、ブランチラインカプラとも呼ばれるものである。
４０２は、３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１の第一の端子であり、ベクトル調整器１００の入力信号を入力する。
４０３は、３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１の第二の端子である。
４０４は、３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１の第三の端子である。
４０５は、３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１の第四の端子であり、ベクトル調整器１００の出力信号を出力する。
４２１及び４２２は、制御信号（インピーダンス制御信号）によって、インピーダンスが変化する可変インピーダンス器である。
この例においては、可変インピーダンス器４２１、４２２はそれぞれ、可変抵抗器４０７、４０８と、可変容量器４０６、４０９とを並列に接続することで実現している。
【０００８】
しかし、可変インピーダンス器４２１、４２２は、可変抵抗器４０７、４０８と可変容量器４０６、４０９とを直列に接続することで実現してもよい。
図２は、可変抵抗器４０７、４０８と可変容量器４０６、４０９とを直列に接続することによって可変インピーダンス器４２１、４２２を構成した場合における、ベクトル調整器１００の回路構成の一例を示す図である。
【０００９】
４１１及び４１２は、ベクトル調整器１００の制御端子である。このうち、抵抗値制御端子４１２は、可変抵抗器４０７及び４０８の可変抵抗制御端子４３２、４４２（インピーダンス制御端子の一例）に接続している。また、容量値制御端子４１１は、可変容量器４０６及び４０９の可変容量制御端子４３１、４４１（インピーダンス制御端子の一例）に接続している。
【００１０】
図３は、この実施の形態におけるベクトル調整器１００の回路構成の具体例を示す図である。
可変抵抗器４０７は、例えば、ＰＩＮ（ピーアイエヌ）ダイオード４５４、コンデンサ４５３、固定抵抗器４６２から構成する。
可変抵抗器４０８は、同様に、ＰＩＮダイオード４５６、コンデンサ４５５、固定抵抗器４６３から構成する。
可変容量器４０６は、例えば、バリアブルキャパシタンスダイオード４５２、コンデンサ４５１、固定抵抗器４６１から構成する。
可変容量器４０９は、同様に、バリアブルキャパシタンスダイオード４５８、コンデンサ４５７、固定抵抗器４６４から構成する。
４５２、４５８は、バイアス電圧により、容量値が変化するバリアブルキャパシタンスダイオードである。
４５４、４５６は、バイアス電圧により、抵抗値が変化するＰＩＮダイオードである。
４５１、４５３、４５５、４５７は、バイアス回路を交流回路から遮断するためのコンデンサである。
４６１、４６２、４６３、４６４は、バイアス電圧をＰＩＮダイオード４５４、４５６、バリアブルキャパシタンスダイオード４５２、４５８に印加するための固定抵抗器である。
可変容量器の容量値制御端子４１１の電圧を変化させることでバリアブルキャパシタンスダイオード４５２、４５８に印加するバイアス電圧を変化させて、可変容量器４０６、４０９の容量を変化させる。可変抵抗器の抵抗値制御端子４１２の電圧を変化させたことでＰＩＮダイオード４５４、４５６に流れる電流を変化させて、可変抵抗器４０７、４０８の抵抗値を変化させる。
【００１１】
可変抵抗器４０７及び４０８は、同一の抵抗値制御端子４１２に接続しており、常に同一の抵抗値となる。
また、可変容量器４０６及び４０９も、同一の容量値制御端子４１１に接続しており、常に同一の容量値となる。
したがって、可変インピーダンス器４２１及び４２２の特性インピーダンスは、常に等しい。
【００１２】
この例では、可変抵抗器４０７及び４０８はＰＩＮダイオードを用いて実現しているが、電気的に制御可能な可変抵抗器であれば、他の構成で実現してもかまわない。
同様に、可変容量器４０６、４０９も、バリアブルキャパシタンスダイオードでなくとも、電気的に制御可能な可変容量器であれば、他の構成で実現してもかまわない。
【００１３】
３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１は、第一の端子に信号を入力すると、第二の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が９０度遅れた信号を出力する。また、第三の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が１８０度遅れた信号を出力する。すなわち、第二の端子と第三の端子には、振幅が等しく、位相が９０度ずれた信号が出力される。第一の端子及び第四の端子は、信号を出力しない。
第二の端子に信号を入力すると、第一の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が９０度遅れた信号を出力する。また、第四の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が１８０度遅れた信号を出力する。第二の端子及び第三の端子は、信号を出力しない。
第三の端子に信号を入力すると、第四の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が９０度遅れた信号を出力する。また、第一の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が１８０度遅れた信号を出力する。第二の端子及び第三の端子は、信号を出力しない。
第四の端子に信号を入力すると、第三の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が９０度遅れた信号を出力する。また、第二の端子は、３ｄＢ減衰し、位相が１８０度遅れた信号を出力する。第一の端子及び第四の端子は、信号を出力しない。
これをＳパラメータで表示すると、数１となる。
【００１４】
【数１】
2006253933.tif 000003
【００１５】
ここで、Ｖｎ＋は端子ｎ（ｎ＝１〜４、ｎは自然数、ｎ＝１なら第一の端子、ｎ＝２なら第二の端子等を示す）の入力電圧波、Ｖｎ−は端子ｎの出力電圧波、Ｓは３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１のＳパラメータ、Ｓｍｎ（ｍ＝１〜４、ｎ＝１〜４、ｍ、ｎは自然数）は端子ｎの入力電圧波Ｖｎ＋と端子ｍの出力電圧波Ｖｍ−との比を示す伝達係数、ｊは虚数単位（√−１）である。
【００１６】
３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１の第二の端子及び第三の端子には、可変インピーダンス器４２１、４２２が、それぞれ接続されている。ここで、可変インピーダンス器４２１と可変インピーダンス器４２２の特性インピーダンスが等しくなるよう、制御するものとすると、数２が成り立つ。
【００１７】
【数２】
2006253933.tif 000004
【００１８】
ここで、Γは可変インピーダンス器４２１、４２２の入射電圧波と反射電圧波の比を示す反射係数、Ｚは可変インピーダンス器４２１、４２２の特性インピーダンス、Ｚ０は、３ｄＢ９０度ハイブリッド４０１の特性インピーダンスである。
【００１９】
よって、第四の端子の出力電圧波Ｖ４−は、数３となる。
【００２０】
【数３】
2006253933.tif 000005
【００２１】
ここで、反射係数Γは、可変インピーダンス器４２１、４２２の特性インピーダンスＺによって変化する。そこで、可変インピーダンス器４２１、４２２の特性インピーダンスを制御すれば、出力電圧波Ｖ４−の減衰量および移相量を制御することができる。
【００２２】
従来、３ｄＢ９０度ハイブリッドのこのような特性を利用した、反射型可変減衰器及び反射型可変移相器が存在している。
しかし、従来の可変減衰器及び可変移相器は、可変インピーダンス器４２１、４２２として、可変抵抗器あるいは可変容量器を用いていた。
すなわち、可変インピーダンス器４２１、４２２として、可変抵抗器を用いると、特性インピーダンスＺのリアクタンス成分が０であるため、反射係数Γは実数となり、出力電圧波Ｖ４−と、入力電圧波Ｖ１＋との位相差は、９０度で固定され、減衰量のみが変化する可変減衰器として働く。
また、可変インピーダンス器４２１、４２２として、可変容量器を用いると、特性インピーダンスＺの抵抗成分が０となるため、反射係数Γの絶対値が１となり、入力電圧波Ｖ１＋に対する出力電圧波Ｖ４−の減衰はなく、位相差のみが変化する可変移相器として働く。
【００２３】
この実施の形態において、可変インピーダンス器４２１、４２２は、可変抵抗器４０７、４０８と、可変容量器４０６、４０９とを並列に接続したものであるから、可変インピーダンス器４２１、４２２の特性インピーダンスＺは、数４となる。
【００２４】
【数４】
2006253933.tif 000006
【００２５】
ここで、Ｒは可変抵抗器４０７、４０８の抵抗値、Ｃは可変容量器４０６、４０９の容量値、ωは信号の角周波数、ｊは虚数単位である。
【００２６】
したがって、可変抵抗器４０７、４０８及び可変容量器４０６、４０９の抵抗値、容量値を変化させれば、それにしたがって出力電圧波Ｖ４−の減衰量及び移相量が変化することとなり、減衰量及びび移相量を制御できるベクトル調整器を得ることができる。
【００２７】
これにより、減衰量及び移相量の双方を制御できるベクトル調整器を、３ｄＢ９０度ハイブリッド１つで構成できるので、実装面積に制約のある場合であっても、可変移相器と可変減衰器とを別々の回路とする必要がなく、回路を省スペースに構成でき、部品点数も減らすことができる。
したがって、実装面積に制約があるなどの理由で可変移相器と可変減衰器を別々に構成できないときでも、単一の回路で可変移相器と可変減衰器を実現できる。
【００２８】
実施の形態２．
実施の形態２を図４及び図５を用いて説明する。
【００２９】
図４は、この実施の形態におけるベクトル調整器１００の構成の一例を示す図である。
４７４は、ベクトル調整器１００における移相量の目標値（移相目標）を取得する移相目標取得部である。
４７５は、ベクトル調整器１００における減衰量の目標値（減衰目標）を取得する減衰目標取得部である。
１３０は、減衰目標及び移相目標に基づいて、抵抗値制御信号及び容量値制御信号の値を算出し、出力する制御信号出力部である。
４７１、４７２は、デジタル信号をアナログ電圧に変換するＤ／Ａ（デジタルアナログ）変換器である。
４７３は、減衰目標及び移相目標と、抵抗値制御信号及び容量値制御信号の値との関係を示す表を記憶する、制御信号対応記憶部である。
１３１は、制御信号対応記憶部４７３が記憶した対応表に基づいて、減衰目標及び移相目標から、抵抗値制御信号及び容量値制御信号の値を算出する制御信号変換部である。
【００３０】
１１０は、入力端子４０２に入力された信号を所定の減衰量で減衰し、所定の移相量で移相して、出力端子４０５から出力するベクトル調整部である。
ベクトル調整部１１０は、実施の形態１で説明したベクトル調整器と同一であるので、ここでは説明を省略する。
【００３１】
図５は、この実施の形態におけるベクトル調整器１００を用いて構成したフィードフォワード歪補償電力増幅器２００の全体構成を示す図である。
２０１は、フィードフォワード歪補償電力増幅器２００の入力端子である。
２０２は、フィードフォワード歪補償電力増幅器２００の出力端子である。
２０３は、入力信号を分配して、歪抽出の参照信号を得るための分配器である。
２０４は、歪抽出ループのベクトル調整器であり、図４のベクトル調整器１００により構成する。
２０５は、信号を増幅するメインアンプである。
２０６は、メインアンプにより歪んだ信号を分配するための分配器である。
２０７は、歪キャンセル用の遅延装置である。
２０８は、歪キャンセル用の合成器である。
２０９は、歪抽出ループの遅延装置である。
２１０は、歪抽出用の合成器である。
２１１は、歪キャンセルループのベクトル調整器であり、図４のベクトル調整器１００により構成する。
２１２は、歪信号を増幅するアンプである。
２１３は、ベクトル調整器２０４、ベクトル調整器２１１を制御するための制御装置である。
入力端子２０１より入力された信号は、分配器２０３によりメインアンプ２０５に行く信号と歪抽出の参照信号となる信号に分岐される。
分配器２０３によりメインアンプ側に分岐された信号はベクトル調整器２０４を経てメインアンプ２０５に入力され出力電力まで増幅される。メインアンプ２０５では、このとき歪が発生する。
メインアンプ２０５により増幅された信号は分配器２０６により出力端子２０２に行く信号と歪抽出用の合成器２１０に行く信号に分岐される。
合成器２１０では、分配器２０６から入力されるメインアンプ２０５により発生した歪を含む信号と分配器２０３により分岐された後、遅延装置２０９をへた信号とが足しあわされる。ベクトル調整器２０４を制御装置２１３により制御することにより分配器２０６からの信号と遅延装置２０９からの信号を同振幅、逆位相となるように調整し、歪成分のみを抽出する。抽出された歪信号はベクトル調整器２１１を経て歪アンプ２１２により増幅される。
合成器２０８ではメインアンプ２０５から遅延装置２０７を経た歪を含んだ信号と歪アンプ２１２より出力された歪信号が足しあわされる。
ベクトル調整器２１１を制御装置２１３により制御することによりメインアンプ２０５からの歪を含んだ信号と歪アンプからの歪信号を歪に関して同位相、逆振幅となるように調整する。合成器２０８の出力、すなわち出力端子２０２からは歪がキャンセルされた信号が出力される。
【００３２】
フィードフォワード歪補償電力増幅器２００においては、合成器２１０及び合成器２０８で合成される信号の振幅及び位相が合うようにするために、ベクトル調整器２０４及び２１１が必要である。
【００３３】
したがって、ベクトル調整器２０４及び２１１は、目標とする減衰量及び目標とする移相量により制御できるほうが、制御しやすい。
【００３４】
ベクトル調整器２０４及び２１１において、減衰量は、可変インピーダンス器４２１、４２２の反射係数Γの絶対値によって定まる。また、移相量は、可変インピーダンス器４２１、４２２の反射係数Γの位相によって定まる。
【００３５】
実施の形態１におけるベクトル調整器は、容量値制御端子４１１に印加する電圧を変化して可変容量器の容量値を制御すると、移相量のみでなく減衰量も変化する。また、抵抗値制御端子４１２に印加する電圧を変化して可変抵抗器の抵抗値を制御すると、減衰量のみでなく移相量も変化する。フィードフォワード歪補償電力増幅器において減衰量と移相量を別々に制御する場合には、減衰量一定で移相量を変化できる、また移相量一定で減衰量を変化できる方が制御が行い易い。
【００３６】
そこで、この実施の形態では、減衰目標及び移相目標から、可変抵抗器４０７、４０８の抵抗値及び可変容量器４０６、４０９の容量値を算出し、その算出結果に基づいて、可変抵抗器４０７、４０８及び可変容量器４０６、４０９に対する制御信号を出力する構成としている。
【００３７】
図４において、減衰目標取得部４７５は、ベクトル調整器１００の減衰量の目標値（減衰目標）を取得する。
移相目標取得部４７４は、ベクトル調整器１００の移相量の目標値（移相目標）を取得する。
例えば、図５のフィードフォワード歪補償電力増幅器２００においては、制御装置２１３が、減衰目標及び移相目標を与える。
【００３８】
次に、制御信号変換部１３１は、減衰目標取得部４７５が取得した減衰目標及び移相目標取得部４７４が取得した移相目標に基づいて、制御信号対応記憶部４７３が記憶した表を参照し、制御信号の値を算出する。
【００３９】
なお、この例では、対応表をあらかじめ記憶して参照する構成としているが、変換式を記憶して、計算により求める構成としてもよい。
【００４０】
また、制御信号変換部１３１は、制御装置２１３が有する構成とし、ベクトル調整器２２０４及び２１１は、実施の形態１で説明したベクトル調整器を用いることとしてもよい。
【００４１】
制御信号変換部１３１が算出した制御信号の値はデジタル信号なので、Ｄ／Ａ変換器４７１及び４７２によって、可変抵抗器４０７、４０８及び可変容量器４０６、４０９に印加する電圧に変換する。
【００４２】
これにより、減衰量を一定に保ったまま移相量だけ変化させたい場合や、逆に移相量を一定に保ったまま減衰量だけ変化させたい場合に、減衰目標及び移相目標によりベクトル調整器１００を制御できるので、制御が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】実施の形態１におけるベクトル調整器１００の回路構成の一例を示す図。
【図２】実施の形態１におけるベクトル調整器１００の回路構成の別の例を示す図。
【図３】実施の形態１におけるベクトル調整器１００の回路構成の具体例を示す図。
【図４】実施の形態２におけるベクトル調整器１００の構成の一例を示す図。
【図５】実施の形態２におけるベクトル調整器１００を用いて構成したフィードフォワード歪補償電力増幅器２００の全体構成を示す図。
【符号の説明】
【００４４】
１００  ベクトル調整器、４０１  ３ｄＢ９０度ハイブリッド（結合器の一例）、４０２  入力端子、４０３  ３ｄＢ９０度ハイブリッドの第二の端子、４０４  ３ｄＢ９０度ハイブリッドの第三の端子、４０５  出力端子、４２１〜４２２  可変インピーダンス器、４０７〜４０８  可変抵抗器、４０６，４０９  可変容量器、４１２  抵抗値制御端子（制御端子の一例）、４１１  容量値制御端子（制御端子の一例）、４３２，４４２  可変抵抗制御端子（インピーダンス制御端子の一例）、４３１，４４１  可変容量制御端子（インピーダンス制御端子の一例）、４５４，４５６  ＰＩＮダイオード、４５２，４５８  バリアブルキャパシタンスダイオード、４５１，４５３，４５５，４５７  コンデンサ、４６１〜４６４  固定抵抗器、１１０  ベクトル調整部、１３０  制御信号出力部、４７５  減衰目標取得部、４７４  移相目標取得部、１３１  制御信号変換部、４７３  制御信号対応記憶部、４７１〜４７２  Ｄ／Ａ変換器、２０１  入力端子、２０２  出力端子、２０３，２０６  分配器、２０４，２１１  ベクトル調整器、２０５  メインアンプ、２０７，２０９  遅延装置、２０８，２１０  合成器、２１２  歪アンプ、２１３  制御装置。
【図１】
2006253933.tif 000007
【図２】
2006253933.tif 000008
【図３】
2006253933.tif 000009
【図４】
2006253933.tif 000010
【図５】
2006253933.tif 000011