(57)【要約】【課題】  ドーナツ型パターンであっても強度が強いレティクルおよびそれを用いた磁気ディスク媒体の製造方法ならびに磁気ディスク媒体を得ることを可能にする。【解決手段】  ドーナツ型パターンを有し、ドーナツ型パターンの中心部のパターン１０が開口部１４と非開口部１２とを備えたことを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドーナツ型パターンを有し、前記ドーナツ型パターンの中心部のパターンが開口部と非開口部とを備えたことを特徴とするレティクル。
【請求項２】
前記中心部のパターンは、扇状、３角形の網目状、４角形の網目状、正６角形の網目状のいずれか、またはそれらの組み合わせからなることを特徴とする請求項１記載のレティクル。
【請求項３】
前記中心部のパターンが、全体として点対称な図形であることを特徴とする請求項１または２記載のレティクル。
【請求項４】
前記中心部のパターン内にアライメントマークまたは識別マークが設けられていることを特徴とする請求項１乃至３記載のレティクル。
【請求項５】
前記レティクルはメンブレン型であることを特徴とする１乃至４のいずれかに記載のレティクル。
【請求項６】
前記レティクルはステンシル型であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載のレティクル。
【請求項７】
前記ドーナツ型パターンの中心部の開口部面積率は、前記ドーナツ型パターンの開口部面積率以上であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のレティクル。
【請求項８】
前記ドーナツ型パターンの中心部の開口部面積率は、５０％以上かつ９８％以下であることを特徴とする請求項１乃至７いずれかに記載のレティクル。
【請求項９】
前記レティクルは、電子線縮小投影露光に用いられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のレティクル。
【請求項１０】
インプリント法を用いて磁気ディスク媒体の製造を行う磁気ディスク媒体の製造方法において、
前記インプリント法に用いるスタンパを作製するためのレジスト原盤を、請求項１乃至９記載のレティクルを用いて電子線投影露光を行うことにより形成することを特徴とする磁気ディスク媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の製造方法により製造されたことを特徴とする磁気ディスク媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスクリート型の磁気ディスク媒体と、その作製工程中のインプリントに用いるスタンパの型となる原盤の作製のための投影露光用レティクル、およびそれを用いた磁気ディスク媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク（以下、磁気ディスクともいう）の高密度化に対する技術潮流のなかで、磁気信号を発する磁性部領域が非磁性部によって区分けされたいわゆるディスクリート型の媒体構造が提案されており、データゾーンおよびサーボゾーンを有するディスクリート型の媒体の記録再生システムが特許文献１に記載されている。しかし、特許文献１に記載のディスクリート型の媒体がどのような手法で作製されるのかは明らかでない。
【０００３】
一方、特許文献２には、ナノインプリントリソグラフィと呼ばれる２００ｎｍ以下のモールドパターンをフィルムに転写する技術が記載されている。また、特許文献３にはディスクリート型の磁気ディスクパターンをインプリントによって転写する技術について記載されている。特許文献３においては、媒体パターンは電子線リソグラフィにより作製された原盤からおこしたスタンパによって形成した例が記載されているが、その電子線リソグラフィの手法については述べられていない。
【０００４】
一般に、磁気ディスク装置では、筐体の内部に、ドーナツ型の円盤形状の磁気ディスクと、磁気ヘッドを含むヘッドスライダと、ヘッドスライダを支持するヘッドサスペンションアッセンブリと、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）と、回路基板とを備える。
【０００５】
磁気ディスク内部は、輪切りされた同心円状のトラックに区分され、そのトラックが一定角度毎に区切られたセクタを有し、磁気ディスクはスピンドルモータに取り付けられて回転され、ヘッドにより各種のディジタルデータが記録・再生される。そのため円周方向にユーザーデータトラックが配される一方、位置制御のためのサーボマークが各トラックを跨ぐ方向に配される。サーボマークの中にはプリアンブル部、アドレス部、バースト部などの領域を含む。また、これらの領域に加えてギャップ部を含んでいることもある。
【０００６】
インプリント方式でディスクリート型の磁気ディスクを作製するためのスタンパ原盤においてはユーザーデータトラック領域およびサーボ領域双方を同時に形成することが望まれる。さもないと後からどちらかを付加するという、位置合わせが困難で、複雑な工程を経ることとなるからである。
【０００７】
原盤の作製においてはそのパターンを水銀ランプ、紫外線、電子線、エックス線等の化学線によって感光性樹脂を露光して形成することができる。特に、信号源と同期させた電子線で直接描画する手法が、電子線であれば偏向がかけられる点で同心円を描く必要性がある磁気ディスクパターンの形成にとって好ましい。例えば、１方向の移動軸の移動機構と回転機構を有するステージ連続移動方式の電子線描画装置を用い、ステージに載った基板上の感光性樹脂に対して当該移動軸上の１点からスポットビームを当てて電子線露光することでパターンの形成ができる。
【０００８】
しかし、電子線になにも外力を与えないと、螺旋を描くことになる。これを防止するために、その露光工程において１回転毎にその強度を次第に変化させながら電子線に偏向をかけることにより、同心円を描くことができる。一方、半径方向の線はその角度位置に来たときのみ毎周ビームを出すもしくは出さないようにすれば、それが繋がって線を描くことができる。具体的には、サーボ領域とデータ領域が配置される媒体を得ようとする場合には、各回転ごとにステージが回転するにつれて偏向量を線形に増大させ、１回転して元の位置に戻ると偏向量を零にするような偏向をかけてやることにより、線が繋がった所望の露光パターンを得ることができる。ポジ型レジストを使用した場合、露光部は現像後凹部となり、電鋳してスタンパ化すると凸部となる。なお、媒体のサーボ部は、半径方向にまっすぐでなく、ヘッド部のアームの軌跡である弧状になっていても構わない。
【０００９】
ところで、露光の際、実際には１方向の移動軸の移動機構と回転機構にその送り精度誤差や回転ジッタがいくらか存在するため、パターンの崩れが生ずる。この問題を解決する手法の一つとして、縮小投影露光を用いることができる。
【００１０】
この縮小投影露光によれば、パターンにムラがある場合においても、縮小投影されることにより、そのムラの大きさも低減する。縮小投影にあたっては、その投影したいパターンが開口したマスク（以下、レティクルともいう）に電子線等のビームを照射し、その開口部を通過したビームを光学系で縮小化して、その縮小化されたビームを被露光基板に照射する。
【００１１】
電子線縮小投影露光技術としては、非特許文献１に示されるSCALPEL(Scattering with Angular Limitation in Projection Electron Lithography)方式や特許文献４のPREVAIL(Projection  Exposure  with  Variable  Axis  Immersion  Lens)方式が主なものとして挙げられ、これらの方式で用いるマスクとして、ステンシルタイプのマスク（以下、ステンシルマスクとも云う）と、メンブレンタイプのマスク（以下、メンブレンマスクとも云う）がある。
【００１２】
ステンシルマスクを用いた場合は、電子ビームがステンシルマスクの開口部を通過し、非開口部で散乱する。メンブレンマスクは、電子ビームが透過し易い軽元素からなるメンブレン部と、メンブレン上に形成された電子ビームを散乱させる重金属パターン層から成る。メンブレン部はシリコンやシリコン窒化膜などが、パターン層はクロム（Ｃｒ）やタングステン（Ｗ）などが用いられる。
【００１３】
ステンシルマスクの、ビームが通過する開口部は貫通しているため、メンブレンマスクにあるような低散乱や色収差が起こらない。しかし、その構造上、中央に開口を有するドーナツ型パターンなどのパターンは抜けが生じてしまうためマスク化することができない。そのため相補的なマスクを用い、複数回露光をして対応する手法などが取られている。このような対応は位置合わせやスループット上の問題が存在する。また、片持ちパターンは機械的強度が低くなりがちで、破損が生じ易い。
【００１４】
一方、メンブレンマスクではメンブレン部が存在するため、ドーナツ型パターンなどのパターンでも形成可能である。しかし、ドーナツ型パターンや片持ちパターンは機械的強度が弱くなる傾向はステンシルマスクの場合と同様である。また、メンブレンマスクでは電子線がメンブレンを透過する際に、わずかながらも低散乱を起こしてしまい、色収差が出てしまう欠点がある。
【００１５】
また、特にステンシルマスクにおいて、細いパターン線で大きな非開口パターンを支えることは強度的に問題である。逆に大きな開口パターンがある場合はその周辺パターンが、支えが不足したパターンとなり、片持ちパターンと同様の問題が生じ易い。メンブレンマスクではこのような強度的な問題は比較的緩和されるが、重金属と軽元素薄膜と間の応力差によってパターンに依存する歪が発生し易い問題がある。
【００１６】
ここで、ハードディスク媒体、コンパクトディスク、およびＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等はドーナツ型形状であるので、必然的にその原盤作製に用いるマスクもドーナツ型パターンを有するものとなる。そのようなドーナツ型ディスクの原盤作製に用いる投影マスクを作製しようとした場合、通常そのドーナツパターンの中心部は非開口もしくは開口パターンとなるが、そのようなマスクは上述のように強度が脆弱となる問題がある。
【特許文献１】特開２００４−１１０８９６号公報
【特許文献２】米国特許第５，７７２，９０５号明細書
【特許文献３】特開２００３−１５７５２０号公報
【非特許文献１】S. D. Berger et al., Applied Physics Letters, 57, 153 (1990)
【特許文献４】特許第２８２９９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであって、ドーナツ型パターンであっても強度が強いレティクルおよびそれを用いた磁気ディスク媒体の製造方法ならびに磁気ディスク媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の第１の態様によるレティクルは、ドーナツ型パターンを有し、前記ドーナツ型パターンの中心部のパターンが開口部と非開口部とを備えたことを特徴とする。
【００１９】
なお、前記中心部のパターンは、扇状、３角形の網目状、４角形の網目状、正６角形の網目状のいずれか、またはそれらの組み合わせからなっていてもよく、また、点対称な図形であることが好ましい。
【００２０】
なお、前記中心部のパターン内にアライメントマークまたは識別マークが設けられてもよい。
【００２１】
なお、前記レティクルはメンブレン型であってもよい。
【００２２】
なお、前記レティクルはステンシル型であってもよい。
【００２３】
なお、前記ドーナツ型パターンの中心部の開口部面積率は、前記ドーナツ型パターンの開口部面積率以上であることが好ましい。
【００２４】
なお、前記ドーナツ型パターンの中心部の開口部面積率は、５０％以上かつ９８％以下であることが好ましい。
【００２５】
なお、前記レティクルは、電子線縮小投影露光に用いることが好ましい。
【００２６】
また、本発明の第２の態様による磁気ディスク媒体の製造方法は、インプリント法を用いて磁気ディスク媒体の製造を行う磁気ディスク媒体の製造方法において、前記インプリント法に用いるスタンパを作製するためのレジスト原盤を、上記レティクルを用いて電子線投影露光を行うことにより形成することを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の第３の態様による磁気ディスク媒体は、上記製造方法により製造されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、ドーナツ型パターンであっても強度が強いレティクルおよびそれを用いた磁気ディスク媒体の製造方法ならびに磁気ディスク媒体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００３０】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態およびその変形例によるレティクルを説明する。本実施形態のレティクルは、投影露光装置に用いられる。この投影露光装置は、図９に示すように、電子ビーム源１００から放射された電子ビーム１０１が、偏向器１０２によってある範囲内偏向され、本実施形態のレティクル２を透過したビームのみが複数の投影レンズ１０４およびアパーチャー１０６を通って、ステージ１１０に載置された基板１２０上に形成された感光性樹脂からなるレジスト１２２に照射される。図１０に示すようにレティクル２と、基板１２０が載置されたステージ１１０が駆動系１１２、１１５によってそれぞれ駆動されて、移動回転することにより、電子ビーム１０１が均一に照射され、レティクル２を通して得られるパターンがレジスト１２２に投影露光される。
【００３１】
以下、磁気ディスク媒体としては、図１１に示すように、４個のデータ領域ｄ１〜ｄ４と、これらデータ領域ｄ１〜ｄ４の間に設けられたサーボ領域ｓ１〜ｓ４とを備えているものを例にとって説明する。図１１は磁気ディスク媒体の一具体例の上面図である。各データ領域は複数のトラックｔｒを有している。なお、図１１においてはサーボ領域ｓ１〜ｓ４はアームの軌跡に沿った弧状に形成されている。このような磁気ディスク媒体を作製するための、ドーナツ型パターンを有する従来のレティクルは、一般に図１２〜図１４に示すような中心部に穴が開いているか、中心部が塞がっているかのいずれかである。例えば、図１２、図１４は、中心部が塞がっているレティクルのドーナツ型パターンを示し、図１３は中心部に穴があいているレティクルのドーナツ型パターンを示す。なお、図１２においては、サーボ領域ｓ１〜ｓ４は外周に向かって直線的に延びている。
【００３２】
これに対して、本実施形態によるレティクル２のドーナツ型パターンは、図１に示すように、中心部１０が放射状の線（非開口部）１２を備えるように構成されている。すなわち、従来の  場合と異なり、本実施形態では、中心部１０は非開口部１２と、開口部１４とを備えた構成となっている。なお、図１においては、放射状の線は非開口部と一致しており、開口部は複数の扇状の組み合わせとなっており、また、点対称な図形となっている。
【００３３】
このように、ドーナツ型パターンの中心部のパターンが非開口部１２と、開口部１４とを備えた構成であれば、図２に示すように、非開口部１２が放射状の線１２ａと、円１２ｂとからなっていてもよい。また、図３に示すように、非開口部１２が放射状の線１２ａと、四角形もしくは三角形を構成する辺１２ｃとからなっていてもよい。さらに、図４に示すように、開口部が四角形状の穴１４ａが複数個並んだパターンであってもよい。また、図５に示すように、開口部が正６角形状の穴１４ｂが並んだパターンであってもよい。また、図６に示すように、四角形状と三角形状の穴１４ｃが並んだパターンにさらに文字が形成されているものでもよい。さらに、図７に示すように、四角形状と三角形状の穴１４ｃが並んだパターンにアライメントマークパターンが形成されていてもよい。また、図７に示すように、四角形状と三角形状の穴１４ｃが並んだパターンに識別マーク、例えばバーコード図形が形成されているものであってもよい。したがって、ドーナツ型パターンの中心部のパターンは扇状、３角形の網目状、４角形の網目状、正６角形の網目状のいずれか、またはそれらの組み合わせからなっていてもよい。
【００３４】
いずれにしても、ドーナツ型パターンの中心部のパターンが非開口部１２と、開口部１４とを備えたレティクル２であればよく、さらに、均一性を得るために点対称な図形であることが好ましい。
【００３５】
また、ドーナツ型パターンの中心部の開口部面積率（＝中心部の開口部の面積／中心部の面積）は、少なくともドーナツ型パターンの開口面積率（＝パターン全体の開口部の面積／パターン全体の面積）と同等以上、より好ましくは５０％以上であって、９８％以下であることが望ましい。ドーナツ型パターンの中心部の開口部面積率が９８％を超えるようであると、ドーナツ型パターンを十分に支えられず、片持ちパターンの強度と比べてあまり強化が図ることができない。逆に、ドーナツ型パターンの中心部の開口部面積率が５０％未満、特にドーナツ型パターンの開口面積率以下であると、ドーナツ型パターンの中心部を周りのドーナツパターン部が支えることが難しいという非開口の状態とあまり変わらず、強度が強いレティクルを得る可能性が少なくなるからである。
【００３６】
図１〜図８に示すようなパターンであれば抜け落ちることもなく、大きな片持ち部もなく、強度が強いレティクル２が得られる。なお、ここで、レティクル２はステンシルタイプであっても、メンブレンタイプであっても構わない。但し、図６〜図８に示すパターンの場合は、ステンシルタイプであると抜け落ちてしまうため、メンブレンタイプでなければならない。
【００３７】
レティクルの製法は特に問わないが、一般によく用いられるサブフィールドは位置合わせを省く観点から、無いことが好ましい。
【００３８】
セクタ数は本実施形態では、説明を簡単にするため４個である場合を示したが、もっと多く、１００個を超ても構わない。また、トラック間にある半径方向の非開口部（図示せず）は連続に真っ直ぐでなくても構わない。ただし、ある程度一定な範囲の間隔で配置されることが、強度のムラをなくすためには好ましい。
【００３９】
また、図１乃至図８においては、レティクルの外枠部は円形で図示しているが、必ずしも円形でなくてはならないことはなく、正方形等であっても構わない。ただし、強度の均一性を保つためにはパターンと同心円の円形に近い形状であるか、レティクルのパターン部に対してレティクルの外枠が、強度の均一性が得られる程度の距離を置いた外側があることが好ましい。
【００４０】
本実施形態においては、レティクルのサイズおよび磁気ディスク媒体のサイズおよびそのサイズ比率に限定されるものではない。しかし、レティクルのサイズが大きいと強度不足や装置が大型化する問題があり、縮小率が小さくレティクルと磁気ディスク媒体のサイズがあまり変わらなければ、縮小投影露光を用いた場合に得られるパターンのムラを低減する効果の達成が難しくなる。このため、例えば、磁気ディスク媒体のサイズが２インチ以下であり、レティクルのサイズが８インチ以下であり、かつ、縮小倍率が１／２乃至１／５程度であることが好ましい。
【００４１】
なお、レティクルのパターンと磁気ディスク媒体のパターンは必ずしも相似形でなくても良く、レティクルのパターンは露光による光学的な補償を見込んだパターンであっても良い。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態およびその変形例によれば、ドーナツ型パターンであっても強度が強いレティクルを得ることができる。
【００４３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態によるディスクリート型の磁気ディスク媒体の製造方法を図１５（ａ）乃至１６（ｆ）を参照して説明する。本実施形態の磁気ディスク媒体の製造方法は、露光工程で第１実施形態で説明したレティクルを用いる。
【００４４】
基板２２上に感光性樹脂（以下、レジストという）２４を塗布する（図１５（ａ）参照）。レジスト２４はポジ型でもネガ型でも、化学増幅型でも非化学増幅型でも構わないが、非化学増幅型のポジ型レジストなどが、電子線に対する感度が良好で、解像度も良く好ましい。他にもＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）やノボラック樹脂などを主成分とする材料を用いることができる。レジスト２４を塗布後、プリベークを行った後、電子線描画装置の真空チャンバー内に入れられ、縮小投影露光される（図１５（ｂ）参照）。この縮小投影露光に例えば第１実施形態のレティクルが使用される。なお、図１５（ｂ）に示している電子線は、レティクルを通過後のコンデンサレンズ等のレンズ以降を示している。また、ポジ型レジストを使用した場合を示している。このようにしてレジスト２４が露光される。
【００４５】
その後、レジスト２４を、現像液によって現像し、レジストパターン２４ａを形成し、レジスト原盤を作製する（図１５（ｃ）参照）。なお、レジスト２４を現像する前にポストベーク工程を行っても良い。
【００４６】
次に、レジスト原盤のレジストパターン２４ａ上に、Ｎｉスパッタ等によって薄い導電膜２６を形成する（図１５（ｄ）参照）。このとき、レジストパターン２４ａの膜厚はレジストパターン２４ａの凹部の形状が充分に保たれる程度の厚さとする。その後、電鋳によってＮｉ膜２８を、レジストパターン２４ａの凹部に充分埋め込み、所望の膜厚となるように形成する（図１５（ｅ）参照）。
【００４７】
次に、Ｎｉ膜２８を、レジスト２４ａおよび基板２２からなるレジスト原盤から剥離し、導電膜２６およびＮｉ膜からなるスタンパ３０を形成する（図１５（ｆ）参照）。その後、スタンパ３０についたレジストを除去するため、酸素ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等を行う（図１５（ｇ）参照）。
【００４８】
次に、図１６（ａ）に示すように、基板３０上に記録層となる磁性層３２が形成され、この磁性層３２上にレジスト３４が塗布された磁気ディスク媒体基板を用意する。この磁気ディスク媒体基板上に塗布されたレジスト３４に上述のスタンパ３０を用いてインプリントし（図１６（ａ）参照）、スタンパ３０のパターンをレジスト３４に転写する（図１６（ｂ）参照）。
【００４９】
次に、レジスト３４に転写されたパターンをマスクとしてレジスト３４をエッチングし、レジストパターン３４ａを形成する（図１６（ｃ）参照）。その後、このレジストパターン３４ａをマスクとして磁性層３２をイオンミリングする（図１６（ｄ）参照）。続いて、レジストパターン３４ａをドライエッチングまたは薬液によって除去し、ディスクリートな磁性層３２ａ形成される（図１６（ｅ）参照）。
【００５０】
次に、全面に保護膜３６を形成し、磁気ディスク媒体を完成する（図１６（ｆ）参照）。なお、別途、溝等の凹の部分を非磁性材料で埋め込む工程を有していても構わない。
【００５１】
本実施形態の製造方法によって製造される磁気ディスク媒体の形状はその方式上、円盤形状、特にドーナツ型形状が好ましいが、そのサイズは方式上特に限定されるものではない。しかしながら、電子線による描画時間が過剰なものにならないよう３．５インチ以下であることが望ましく、さらにインプリント時に用いるプレス能力が過大なものにならないために、２．５インチ以下であることが望ましく、より好ましくは縮小露光投影を用いる場合特に、マスク生産性の観点から、０．８５インチ等、１インチのサイズであることが望ましい。また、磁気ディスク媒体として使われる面が片面であっても両面であっても構わない。
【００５２】
また、本実施形態の製造方法を用いてパターンを形成する基板の形状は、特に限定されるものではないが、円盤形状のもの、例えばシリコンウエハーなどが好ましい。ここで、円盤にノッチやオリフラがあっても構わない。他に基板としては、ガラス基板、Ａｌ系合金基板、セラミック基板、カーボン基板、化合物半導体基板などを用いることができる。ガラス基板には、アモルファスガラスまたは結晶化ガラスを用いることができる。アモルファスガラスとしては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスなどがある。結晶化ガラスとしては、リチウム系結晶化ガラスなどがある。セラミック基板としては、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体や、これらの焼結体を繊維強化したものなどを用いることができる。化合物半導体基板としては、ＧａＡｓ，ＡｌＧａＡｓなどがある。
【００５３】
磁気ディスク媒体内部は、輪切りされた同心円状のトラックに区分され、そのトラックが一定角度毎に区切られたセクタを有し、磁気ディスクはスピンドルモータに取り付けられて回転され、ヘッドにより各種のディジタルデータが記録・再生される。そのため円周方向にユーザーデータトラックが配される一方、位置制御のためのサーボマークが各トラックを跨ぐ方向に配される。サーボマークの中にはプリアンブル部、トラックまたはセクタ番号情報が書きこまれたアドレス部、トラックに対するヘッドの相対位置検出のためのバースト部などの領域を含む。また、これらの領域に加えてギャップ部を含んでいることもある。
【００５４】
以下、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
本発明の実施例１によるレティクルの製造方法を図１７（ａ）乃至図図１８（ｃ）を参照して説明する。本実施例の製造方法によって製造されるレティクル（マスク）はメンブレン型である。
【００５５】
まず、シリコン基板４０上に、プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法により０．１μｍ厚のダイヤモンドからなるメンブレン膜４１を形成し、その上にエッチング時のストッパーとなるシリコン酸化膜４２を形成した（図１７（ａ）参照）。続いて、プラズマＣＶＤにより１．２μｍ厚のダイヤモンドからなるメンブレン膜４３を形成し、その上にレジストをアニソールで１．５倍に希釈し、０．２μｍのメンブランフィルタでろ過後、スピンコートし、２００℃で３分間プリベークして、０．２μｍ厚のレジスト層４４を形成した（図１７（ａ）参照）。
【００５６】
次に、この基板を電子線描画装置（図示せず）内の所定位置に装置の搬送系（図示せず）によって搬送し、真空のもと、ｘ−ｙ型電子線描画装置内で電子線により図７に示すドーナツ型パターンの中心部のパターンを露光した。次に、同様に真空のもと、ｒ−θ型電子描画装置内で電子線により得ようとするハードディスクパターンの４倍のサイズとなる外径３．４インチに拡大したパターン（図７のドーナツ部）を露光した。露光後、上記シリコン基板を現像液に９０秒間浸漬して現像し、その後、リンス液に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させることにより、レジストパターン４４ａを形成した（図１７（ｂ）参照）。
【００５７】
その後、レジストパターン４４ａをマスクとしてメンブレン膜４３をシリコン酸化膜４２が露出するまで酸素ガスプラズマによりドライエッチングし、メンブレン膜パターン４３ａを形成した（図１７（ｃ）参照）。その後、レジストパターン４４ａを除去した。
【００５８】
次に、シリコン基板４０の裏面にレジストを塗布し、リソグラフィー技術でレジストパターン４５を形成した（図１８（ａ）参照）。その後、シリコン基板４０をメンブレン膜４１が露出するまでＫＯＨ（水酸化カリウム）でエッチングし（図１８（ｂ）参照）、その後、レジストパターン４５を除去してメンブレンマスク（レティクル）を得た（図１８（ｃ）参照）。
【００５９】
次に、本実施例の製造方法によって製造されたメンブレンマスク（レティクル）を用いた磁気ディスク媒体の製造方法の実施例を図１５（ａ）乃至図１６（ｆ）を参照して説明する。
【００６０】
図１５（ａ）に示すようにシリコン基板２２上に、レジスト２４をアニソールで２倍に希釈し、０．２μｍのメンブランフィルタでろ過後、スピンコートした。その直後、２００℃で３分間プリベークして、０．１μｍ厚のレジストを得た。
【００６１】
上述のメンブレンマスクを介して縮小投影電子線露光装置を用いて、マスクサイズの１／４にあたる外径０．８５インチに縮小したパターンを、露光することにより上記レジストに転写した。露光後、上記シリコン基板を現像液に９０秒間浸漬して現像し、その後、リンス液に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させることにより、レジストパターン２４ａを有するレジスト原盤を得た（図１５（ｃ）参照）。
【００６２】
次に、図１５（ｄ）に示すようにレジスト原盤上にスパッタリング法によっての薄い導電膜２６を形成した。ターゲットには純ニッケルを使用し、８×１０-3Ｐａ迄真空引きした後、アルゴンガスを導入して１Ｐａに調整されたチャンバー内で４００ＷのＤＣパワーをかけて４０秒間スパッタリングさせて、膜厚３０ｎｍの導電膜２６を得た。
【００６３】
その後、導電膜２６のついたレジスト原盤をスルファミン酸ニッケルメッキ液を使用し、９０分間電鋳し、電鋳膜２８を形成した（図１５（ｅ）参照）。電鋳浴条件は次の通りである。
スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ
ホウ酸：４０ｇ／Ｌ
界面活性剤（ラウリル硫酸ナトリウム）：０.１５ｇ／Ｌ
液の温度：５５℃
Ｐ.Ｈ：４.０
電流密度：２０Ａ／ｄｍ２
このとき得られた電鋳膜２８の厚さは３００μｍであった。
【００６４】
この後、レジスト原盤から電鋳膜を剥離することにより、導電膜２６及び電鋳膜２８並びにレジスト残渣を備えたスタンパ３０を得た（図１５（ｆ）参照）。続いて、レジスト残渣を酸素プラズマアッシング法で除去した（図１５（ｇ）参照）。酸素プラズマアッシングは酸素ガスを１００ｍｌ/ｍｉｎで導入し４Ｐａの真空に調整されたチャンバー内で１００Ｗで２０分間プラズマアッシングを行なった。これにより、導電膜２６及び電鋳膜２８を備えたファザースタンパ３０を得た。その後、得られたスタンパの不要部を金属刃で打ち抜くことによりインプリント用スタンパとした。
【００６５】
スタンパ３０をアセトンで１５分間超音波洗浄をした後、インプリント時の離型性を高めるため、フルオロアルキルシラン［ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＭｅ）３］(GE東芝シリコーン株式会社製、TSL8233)をエタノールで５％に希釈した溶液で３０分浸し、ブロアーで溶液を飛ばした後に、１２０℃で１時間アニールした。
【００６６】
一方、図１６（ａ）に示すように、被加工材基板３０として、０．８５インチドーナツ型ガラス基板上に垂直記録用の磁気記録層３２をスパッタリング法で形成したものノボラック系レジストを回転数３８００ｒｐｍでスピンコータし、レジスト膜３４を形成した。その後、上述のスタンパ３０の４つの十字のアライメントマーク（図示せず）の中心を光学的に検出しながら、被加工材基板３０の位置合わせを行って、両者を重ね合わせた後、２０００ｂａｒで１分間プレスすることによって、レジスト膜３４にそのパターンを転写した。パターンが転写されたレジスト膜３４を５分間ＵＶ照射した後、１６０ ℃ で３０分間加熱した。
【００６７】
以上のようにインプリントされた基板をＩＣＰ（誘導結合プラズマ）エッチング装置を用い、２ｍＴｏｒｒのエッチング圧下でレジスト膜３４に酸素ＲＩＥを行ってレジストパターン３４ａを形成した（図１６（ｃ）参照）。続いて、レジストパターン３４ａをマスクとして、Ａｒイオンミリングを用いて磁気記録膜３２をエッチングし、ディスクリートな磁気記録層３２ａが形成された（図１６（ｅ）参照）。磁気記録層３２ａを形成後、エッチングマスクとなっていたレジストパターン３４ａを剥離するため、４００Ｗ、１Ｔｏｒｒで酸素ＲＩＥを行った。
【００６８】
磁気記録層３２ａの形成後、保護膜としてＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)法で３ｎｍ厚のＤＬＣ(Diamond Like Carbon)３６を成膜した（図１６（ｆ）参照）。さらに、潤滑剤をディップ法で１ｎｍ厚となるように塗布し、磁気ディスク媒体を得た。本実施例で得た磁気ディスク媒体を磁気記録装置に組みこみ、信号評価を行ったところ、良好に磁気信号が得られた。また位置エラー信号からの検出値も小さかった。
【００６９】
（実施例２）
次に、本発明の実施例２によるレティクルの製造方法を図１９（ａ）乃至図２０（ｃ）を参照して説明する。本実施例の製造方法によって製造されるレティクル（マスク）はステンシル型である。
【００７０】
まず、図１９（ａ）に示すように、シリコン基板５０上にエッチング時のストッパーとなるシリコン酸化膜５１が形成され、その上にＳＯＩ(Silicon on Insulator)層５２が形成されたＳＯＩ基板を準備する。ＳＯＩ層５２上にレジストをアニソールで１．５倍に希釈し、０．２μｍのメンブランフィルタでろ過後、スピンコートし、２００℃で３分間プリベークして、０．２μｍ厚のレジスト層を形成した（図１９（ａ）参照）。
【００７１】
次に、この基板を電子線描画装置（図示せず）内の所定位置に電子線描画装置の搬送系によって搬送し、真空の下、ｒ−θ型電子線描画装置内で電子線により図２に示すパターンをレジスト層５３に露光した。露光後、上記ＳＯＩ基板を現像液に９０秒間浸漬してレジスト層５３を現像し、その後、リンス液に９０秒間浸漬してリンスを行い、エアーブローにより乾燥させ、レジストパターン５３ａを形成した（図１９（ｂ）参照）。
【００７２】
続いて、レジストパターン５３ａをマスクとしてＳＯＩ層５２をシリコン酸化膜５１が露出するまで異方性エッチングを行い、パターニングされたＳＯＩ層５２ａを得た（図１９（ｃ）参照）。その後、レジストパターン５３ａを除去した。
【００７３】
次に、シリコン基板５０の裏面にレジストを塗布し、リソグラフィー技術でレジストパターン５４を形成した（図１９（ｄ）参照）。その後、レジストパターン５４をマスクとしてシリコン基板５０をシリコン酸化膜５１が露出するまでＫＯＨ（水酸化カリウム）でエッチングした（図２０（ａ）参照）。続いて、レジストパターン５４を除去した（図２０（ｂ）参照）。さらに、フッ酸によりシリコン基板５０とパターニングされたＳＯＩ層５２ａとの間のシリコン酸化膜を除いて他のシリコン酸化膜５１を除去して、ステンシルマスクを得た（図２０（ｃ）参照）。
【００７４】
このステンシルマスクを用いて、以下、実施例１と同様の工程で、磁気ディスク媒体を作製した。このようにして得た磁気ディスク媒体を磁気記録装置に組みこみ、信号評価を行ったところ、良好に磁気信号が得られた。
【００７５】
上記実施例１および実施例２で説明した磁気ディスク媒体は、磁性体加工型、すなわち、基板上に形成された磁性体（磁気記録層）を加工することにより得られたが、基板加工型であってもよい。この基板加工型の磁気記録媒体（磁気ディスク媒体）の製造方法を実施例３として説明する。
【００７６】
（実施例３）
次に、本発明の実施例３による磁気記録異媒体の製造方法を図２１を参照して説明する。本実施例の製造方法によって製造される磁気記録媒体は、基板加工型の磁気記録媒体（Substrate-patterned Discrete track media）である。
【００７７】
まず、インプリントスタンパを、図１５（ａ）乃至図１５（ｇ）に示した手法と同様の手法を用いて作製する。
【００７８】
次に、以下のようにインプリントリソグラフィー法を用いて凹凸加工基板を作製する。図２１（ａ）に示すように、基板６０上にインプリント用のレジスト６１を塗布する。続いて、図２１（ｂ）に示すように、基板６０上のレジスト６１にスタンパ３０を対向させ、圧力をかけてレジスト６１にスタンパ３０を押し付けてスタンパ３０の表面の凸部パターンをレジスト６１の表面に転写する。その後、スタンパを取り外す。これにより、レジスト６１に凹凸パターンが形成されたレジストパターン６１ａとなる（図２１（ｂ）参照）。
【００７９】
次に、レジストパターン６１ａをマスクとして基板６０をエッチングすることにより、凹凸パターンが形成された基板６１ａを得る。その後、レジストパターン６１ａを除去する（図２１（ｃ）参照）。
【００８０】
続いて、図２１（ｄ）に示すように、基板６１ａ上に垂直記録に適した材料からなる磁性膜６３を成膜する。このとき、基板６０ａの凸部に成膜された磁性膜が凸部磁性体部６３ａとなり、基板６０ａの凹部に成膜された磁性膜が凹部磁性体部６３ｂとなる。なお、磁性膜６３として、軟磁性下地層と強磁性記録層との積層膜とすることが好ましい。さらに磁性膜６３上にカーボンからなる保護膜６５を設け、さらに潤滑剤を塗布することにより、磁気記録媒体を作製する。
【００８１】
図１６（ｆ）に述べた磁性体加工型の磁気記録媒体(Magnetic film-patterned Discrete track media)の磁性体部位と非磁性体部位が、それぞれ本実施例の凸部磁性体部６３ａと凹部磁性体部６３ｂに相当する。磁気記録装置中での両者の機能は同じである。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図２】第１実施形態の第１変形例によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図３】第１実施形態の第２変形例によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図４】第１実施形態の第３変形例によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図５】第１実施形態の第４変形例によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図６】第１実施形態の第５変形例によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図７】第１実施形態の第６変形例によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図８】第１実施形態の第７変形例によるレティクルのパターンを示す上面図。
【図９】第１実施形態のレティクルが用いられる投影露光装置の構成を示す図。
【図１０】第１実施形態のレティクルが用いられる投影露光装置の構成を示す図。
【図１１】磁気ディスク媒体の一具体例の上面図。
【図１２】ドーナツ型パターンを有する従来のレティクルのパターンを示す上面図。
【図１３】ドーナツ型パターンを有する従来のレティクルのパターンを示す上面図。
【図１４】ドーナツ型パターンを有する従来のレティクルのパターンを示す上面図。
【図１５】本発明の第２実施形態によるディスクリート型の磁気ディスク媒体の製造方法を示す断面図。
【図１６】本発明の第２実施形態によるディスクリート型の磁気ディスク媒体の製造方法を示す断面図。
【図１７】本発明の実施例１によるメンブレン型のレティクルの製造方法を示す断面図。
【図１８】本発明の実施例１によるメンブレン型のレティクルの製造方法を示す断面図。
【図１９】本発明の実施例２によるステンシル型のレティクルの製造方法を示す断面図。
【図２０】本発明の実施例２によるステンシル型のレティクルの製造方法を示す断面図。
【図２１】本発明の実施例３によるディスクリート型の磁気ディスク媒体の製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００８３】
２  レティクル
１０  ドーナツ型パターンの中心部
１２  非開口部
１４  開口部
２２  基板
２４  レジスト
２４ａ  レジストパターン
２６  導電膜
２８  Ｎｉ膜（電鋳膜）
３０  スタンパ
【図１】
2006276266.tif 000003
【図２】
2006276266.tif 000004
【図３】
2006276266.tif 000005
【図４】
2006276266.tif 000006
【図５】
2006276266.tif 000007
【図６】
2006276266.tif 000008
【図７】
2006276266.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2006276266.tif 000013
【図１２】
2006276266.tif 000014
【図１３】
2006276266.tif 000015
【図１４】
2006276266.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2006276266.tif 000018
【図１７】
2006276266.tif 000019
【図１８】
2006276266.tif 000020
【図１９】
2006276266.tif 000021
【図２０】
2006276266.tif 000022
【図２１】
2006276266.tif 000023
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このように、ドーナツ型パターンの中心部のパターンが非開口部１２と、開口部１４とを備えた構成であれば、図２に示すように、非開口部１２が放射状の線１２ａと、円１２ｂとからなっていてもよい。また、図３に示すように、非開口部１２が放射状の線１２ａと、四角形もしくは三角形を構成する辺１２ｃとからなっていてもよい。さらに、図４に示すように、開口部が四角形状の穴１４ａが複数個並んだパターンであってもよい。また、図５に示すように、開口部が正６角形状の穴１４ｂが並んだパターンであってもよい。また、図６に示すように、四角形状と三角形状の穴１４ｃが並んだパターンにさらに文字が形成されているものでもよい。さらに、図７に示すように、四角形状と三角形状の穴１４ｃが並んだパターンにアライメントマークパターンが形成されていてもよい。また、図８に示すように、四角形状と三角形状の穴１４ｃが並んだパターンに識別マーク、例えばバーコード図形が形成されているものであってもよい。したがって、ドーナツ型パターンの中心部のパターンは扇状、３角形の網目状、４角形の網目状、正６角形の網目状のいずれか、またはそれらの組み合わせからなっていてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
基板２２上に感光性樹脂（以下、レジストという）２４を塗布する（図１５Ａ参照）。レジスト２４はポジ型でもネガ型でも、化学増幅型でも非化学増幅型でも構わないが、非化学増幅型のポジ型レジストなどが、電子線に対する感度が安定で、解像度も良く好ましい。他にもＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）やノボラック樹脂などを主成分とする材料を用いることができる。レジスト２４を塗布後、プリベークを行った後、電子線描画装置の真空チャンバー内に入れられ、縮小投影露光される（図１５Ｂ参照）。この縮小投影露光に例えば第１実施形態のレティクルが使用される。なお、図１５Ｂに示している電子線は、レティクルを通過後のコンデンサレンズ等のレンズ以降を示している。また、ポジ型レジストを使用した場合を示している。このようにしてレジスト２４が露光される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
一方、図１６Ａに示すように、被加工材基板３０として、０．８５インチドーナツ型ガラス基板上に垂直記録用の磁気記録層３２をスパッタリング法で形成し、この磁気記録層３２上にノボラック系レジストを回転数３８００ｒｐｍでスピンコータし、レジスト膜３４を形成した。その後、上述のスタンパ３０の４つの十字のアライメントマーク（図示せず）の中心を光学的に検出しながら、被加工材基板３０の位置合わせを行って、両者を重ね合わせた後、２０００ｂａｒで１分間プレスすることによって、レジスト膜３４にそのパターンを転写した（図１６Ｂ参照）。パターンが転写されたレジスト膜３４を５分間ＵＶ照射した後、１６０ ℃ で３０分間加熱した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
次に、レジストパターン６１ａをマスクとして基板６０をエッチングすることにより、凹凸パターンが形成された基板６０ａを得る。その後、レジストパターン６１ａを除去する（図２１Ｃ参照）。