(57)【要約】【課題】  製造の工数を増大させることのない液晶表示装置を提供する。柱状スペーサの周辺においても液晶の分子の配向に信頼性を有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】  液晶を介して対向配置される第１の基板と第２の基板と、この第１の基板の液晶側の面に形成された柱状スペーサと、前記第２の基板の液晶側の面に前記柱状スペーサの頭部に対向する部分に凹陥部を有して形成された配向膜を備え、  前記配向膜は光配向処理がなされたものである。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を介して対向配置される第１の基板と第２の基板と、この第１の基板の液晶側の面に形成された柱状スペーサと、前記第２の基板の液晶側の面に前記柱状スペーサの頭部に対向する部分に凹陥部を有して形成された配向膜を備え、
前記配向膜は光配向処理がなされたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記配向膜の前記凹陥部は、その凹陥部が形成されていない領域よりも膜厚が小さくなっている部分として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記配向膜の凹陥部は、その凹陥部が形成されていない領域よりも光強度を大きくして光配向処理がなされることにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記柱状スペーサは複数からなり、その幾つかが配向膜に形成された凹陥部に対向することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
液晶を介して対向配置される第１の基板と第２の基板と、この第１の基板の液晶側の面に形成された複数の柱状スペーサと、第２の基板の液晶側の面に前記複数の柱状スペーサのうちいくつかの柱状スペーサの頭部に当接すべく部分に凸部を有して形成された配向膜を備え、
前記配向膜は光配向処理がなされたものであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記配向膜の凸部は、その凸部が形成されていない領域よりも光強度を小さくして光配向処理がなされることにより形成されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、液晶を介して対向配置される各基板のギャップを精度よい値に保持するため、いわゆる柱状スペーサを用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置における柱状スペーサは、たとえば一方の基板の液晶側の面に形成された樹脂膜等をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングすることによって形成されるようになっている。
該樹脂膜の膜厚を均一に形成することによって、高さが等しい各柱状スペーサを所定の箇所に形成することができるという効果を有する。
【０００３】
この場合、柱状スペーサが形成された基板と異なる他方の基板の液晶側の面には、該柱状スペーサの頭部と対向する部分において凹部あるいは凸部を設けた構造のものも知られるに至っている。
このように構成することにより、たとえば、外力の印加による柱状スペーサの位置変動に起因する基板間位置や各基板のギャップの変動を抑制するようにしている。
なお、このような構成の液晶表示装置としては、たとえば、下記特許文献１に開示がなされている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−５１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述した構成のように、一方の基板の液晶側の面において、柱状スペーサの形成箇所に相当する部分に凹部あるいは凸部を形成することは以下に示す不都合が見出されることが判明する。
【０００６】
まず、一方の基板の液晶側の面において所定の箇所に凹部あるいは凸部を形成することは、それなりの処理を行わなければならず、通常は、該面に形成された絶縁膜等をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングを用いるため、製造の工数を増大させることになる。
【０００７】
また、基板の液晶側の面には配向膜を形成するのが一般的であり、この配向膜を前記凹部あるいは凸部を形成した絶縁膜等の上面に形成するようなことがある場合、該配向膜のラビング処理の際において前記凹部あるいは凸部を含む周辺で精度よくできないという不都合が生じる。配向膜のラビング処理は、液晶の分子の初期配向方向を設定するもので、ローラによって該方向に筋を形成することから、該筋が前記凹部あるいは凸部を含む周辺で所定方向に形成されなくなるからである。
このため、柱状スペーサの周辺において液晶の分子の配向が所定通りになされず、その信頼性が充分でないことが見出される。
【０００８】
本発明は、このような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、製造の工数を増大させることのない液晶表示装置を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、柱状スペーサの周辺においても液晶の分子の配向に信頼性を有する液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１０】
（１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される第１の基板と第２の基板と、この第１の基板の液晶側の面に形成された柱状スペーサと、前記第２の基板の液晶側の面に前記柱状スペーサの頭部に対向する部分に凹陥部を有して形成された配向膜を備え、前記配向膜は光配向処理がなされたものであることを特徴とする。
【００１１】
（２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記配向膜の前記凹陥部は、その凹陥部が形成されていない領域よりも膜厚が小さくなっている部分として形成されていることを特徴とする。
【００１２】
（３）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記配向膜の凹陥部は、その凹陥部が形成されていない領域よりも光強度を大きくして光配向処理がなされることにより形成されることを特徴とする。
【００１３】
（４）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記柱状スペーサは複数からなり、その幾つかが配向膜に形成された凹陥部に対向することを特徴とする。
【００１４】
（５）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を介して対向配置される第１の基板と第２の基板と、この第１の基板の液晶側の面に形成された複数の柱状スペーサと、第２の基板の液晶側の面に前記複数の柱状スペーサのうちいくつかの柱状スペーサの頭部に当接すべく部分に凸部を有して形成された配向膜を備え、前記配向膜は光配向処理がなされたものであることを特徴とする。
【００１５】
（６）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（５）の構成を前提とし、前記配向膜の凸部は、その凸部が形成されていない領域よりも光強度を小さくして光配向処理がなされることにより形成されることを特徴とする。
【００１６】
なお、本発明は以上の構成に限定されず、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を用いて本発明による液晶表示装置の一実施例を説明する。
図２（ａ）は、本発明による液晶表示装置の一実施例を示す概略平面図である。
【００１８】
透明基板ＳＵＢ１の主表面に液晶を介して対向配置される透明基板ＳＵＢ２がある。透明基板ＳＵＢ１は透明基板ＳＵＢ２よりも若干大きめに形成され、該透明基板ＳＵＢ２と対向しない部分には電子回路（後述の半導体チップＶＣＰ、ＨＣＰ）が搭載されるようになっている。
【００１９】
透明基板ＳＵＢ１に対して透明基板ＳＵＢ２は、該透明基板ＳＵＢ２の周辺に形成されたシール材ＳＬによって固定されている。このシール材ＳＬは透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ２によって挟持される液晶を封止する機能をも兼ねている。
【００２０】
また、このシール材ＳＬによって囲まれる領域は液晶表示部ＡＲとして機能し、この液晶表示部ＡＲ内にはマトリックス状に配置された多数の画素が形成されるようになっている。
【００２１】
すなわち、透明基板ＳＵＢ１の主表面（液晶側の面）の液晶表示部ＡＲには、図中ｘ方向に延在されるゲート信号線ＧＬがｙ方向に多数並設されている。このゲート信号線ＧＬの一端側（図中、左側）は前記シール材ＳＬを越えて該シール材ＳＬの外側にまで延在されて構成され、その延在端にはゲート信号端子ＧＬＴが形成されている。
【００２２】
各ゲート信号線ＧＬは隣接するもの同士を１グループとし、これら各グループ内のゲート信号線ＧＬはシール材ＳＬを越えて延在される過程においてそれらが互いに収斂するように形成されて前記ゲート信号端子ＧＬＴに至るようになっている。
【００２３】
前記各グループのゲート信号端子ＧＬＴは走査信号駆動回路からなる１つの半導体チップＶＣＰの出力バンプに接続されるようになっている。前記ゲート信号線ＧＬの上述した収斂はゲート信号線ＧＬ同士の離間距離が前記半導体チップＶＣＰの出力バンプ同士の離間距離よりも大きいことによる。
【００２４】
なお、前記半導体チップＶＣＰの入力バンプに接続される端子も透明基板ＳＵＢ１面に形成され、この端子は該透明基板ＳＵＢ１の周辺から信号が供給されるようになっている。
【００２５】
また、透明基板ＳＵＢ１の主表面（液晶側の面）の液晶表示部ＡＲには、図中ｙ方向に延在されるドレイン信号線ＤＬがｘ方向に多数並設されている。このドレイン信号線ＤＬの一端側（図中、上側）は前記シール材ＳＬを越えて該シール材ＳＬの外側にまで延在されて構成され、その延在端にはドレイン信号端子ＤＬＴが形成されている。
【００２６】
各ドレイン信号線ＤＬは隣接するもの同士を１グループとし、これら各グループ内のドレイン信号線ＤＬはシール材ＳＬを越えて延在される過程においてそれらが互いに収斂するように形成されて前記ドレイン信号端子ＤＬＴに至るようになっている。
【００２７】
前記各グループのドレイン信号端子ＤＬＴは映像信号駆動回路からなる１つの半導体チップＨＣＰの出力バンプに接続されるようになっている。前記ドレイン信号線ＤＬの上述した収斂はドレイン信号線ＤＬ同士の離間距離が前記半導体チップＨＣＰの出力バンプ同士の離間距離よりも大きいことによる。
【００２８】
なお、前記半導体チップＨＣＰの入力バンプに接続される端子も透明基板ＳＵＢ１面に形成され、この端子は該透明基板ＳＵＢ１の周辺から信号が供給されるようになっている。
【００２９】
ここで、ゲート信号線ＧＬとドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域は画素領域として形成されるようになっている。
【００３０】
図２（ｂ）は、互いに隣接するゲート信号線ＧＬと互いに隣接するドレイン信号線ＤＬとで囲まれた画素領域内の構成を等価回路で示している。
【００３１】
ゲート信号線ＧＬからの信号（走査信号）の供給によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴを有し、ドレイン信号ＤＬからの信号（映像信号）は該薄膜トランジスタＴＦＴを介して画素電極ＰＸに供給されるようになっている。
【００３２】
画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間には該映像信号に応じた電界が発生し、この電界によってその大きさに応じて液晶を挙動させるようになっている。なお、図中において対向電極ＣＴは画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１とは異なる他の透明基板ＳＵＢ２側に形成されているため図示されていないものとなっている。
【００３３】
また、当該画素領域を間にして配置される各ゲート信号線ＧＬのうち該画素領域の薄膜トランジスタＴＦＴを駆動するゲート信号線ＧＬと異なる他のゲート信号線ＧＬと画素電極ＰＸとの間には容量素子Ｃａｄｄが形成され、この容量素子Ｃａｄｄによって該画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長い時間蓄積させるようになっている。
【００３４】
図３は、上述した画素領域における画素の一実施例を拡大して示した平面図である。なお、図４は図３のIV−IV線における断面図を示している。
【００３５】
まず、透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面（主表面）に図中ｘ方向に延在するゲート信号線ＧＬがｙ方向に並設されて形成されている。これら隣接する各ゲート信号線ＧＬは後述するドレイン信号線ＤＬとともに画素領域を画するようになっている。
【００３６】
透明基板ＳＵＢ１の主表面には前記ゲート信号線ＧＬをも被って絶縁膜ＧＩ（図４参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するもので、それに合わせて膜厚が設定されている。
【００３７】
前記絶縁膜ＧＩの上面であってゲート信号線ＧＬの一部に重畳する箇所にたとえばアモルファスシリコンからなる半導体層ＡＳが形成されている。この半導体層ＡＳは薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるもので、その上面にドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴを形成することによりＭＩＳ（Metal  Insulator  Semiconductor）型トランジスタが形成される。
【００３８】
ここで、前記ドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴはたとえばドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時に形成されるようになっている。
【００３９】
すなわち、図中ｙ方向に延在するドレイン信号線ＤＬがｘ方向に並設されて形成され、このドレイン信号線ＤＬの一部において半導体層ＡＳの上面に至るまで延在されてドレイン電極ＤＴが形成され、このドレイン電極ＤＴと薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル長に相当する長さだけ離間されてソース電極ＳＴが形成されている。また、このソース電極ＳＴは半導体層ＡＳの形成領域を越えて画素領域内に若干延在する部分を有し、この延在部分は後述する画素電極ＰＸとの接続のためのコンタクト部を構成するようになっている。
【００４０】
透明基板ＳＵＢ１の主表面にはドレイン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＤＴおよびソース電極ＳＴをも被って絶縁膜ＩＮＳが形成されている。
【００４１】
この絶縁膜ＩＮＳの表面にはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性の導電膜からなる画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは画素領域の僅かな周辺を除く中央の大部分の領域に形成され、その一部においてその下層の絶縁膜ＩＮＳに形成されたコンタクトホールを通して前記ソース電極ＳＴに接続されている。
【００４２】
また、透明基板ＳＵＢ１の主表面には画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は液晶ＬＣと直接に接触する膜となり、該液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００４３】
ここで、この配向膜ＯＲＩ１はたとえば樹脂膜からなり、その表面にいわゆる光照射（偏光ＵＶ照射）することにより配向膜ＯＲＩ１として構成するようになっている。なお、この明細書では、このように構成される配向膜を光配向処理がなされた配向膜と称し、たとえばローラ等を用いてラビング処理される配向膜とは区別される概念である。
【００４４】
さらに、この配向膜ＯＲＩ１は、その一部の箇所に凹陥部ＤＮＴが形成され、この凹陥部ＤＮＴの底面は後述の柱状スペーサＳＯＣと対向あるいは当接するようになっている。
【００４５】
この場合、配向膜ＯＲＩ１の凹陥部ＤＮＴの形成は、前記樹脂膜を光照射（偏光ＵＶ照射）して配向膜ＯＲＩ１を構成する際に、該凹陥部ＤＮＴの形成箇所において、それ以外の領域に照射する光の強度よりも大きな強度で光を照射することにより、膜減りを起こしたとえば１０〜２０ｎｍの深さの凹陥部ＤＮＴを形成することができる。
【００４６】
そして、この際、凹陥部ＤＮＴの形成箇所における光照射および凹陥部ＤＮＴの形成領域以外の領域における光照射は時間的に同じであっても、あるいはずれがあっても同様の効果が得られる。
【００４７】
これにより、配向膜ＯＲＩ１にあって、その所定の箇所に凹陥部ＤＮＴを形成する場合において、その部分に照射する光の強度を他の部分に照射する光の強度よりも大きくすることにより容易に形成でき、製造工数の増大を免れる。
【００４８】
そして、後に詳述するように、該配向膜ＯＲＩ１に凹陥部ＤＮＴを形成しても、その凹陥部ＤＮＴの部分およびその部分から段差を有して外方に延在する配向膜ＯＲＩ１の表面に至って配向処理が充分になされるものとなる。
【００４９】
また、液晶ＬＣを介して透明基板ＳＵＢ１と対向する透明基板ＳＵＢ２があり、この透明基板ＳＵＢ２の液晶側の面には各画素領域を隣接する他の画素領域と画するブラックマトリクスＢＭが形成されている。
【００５０】
これにより、該ブラックマトリクスＢＭは画素領域の僅かな周辺を除く中央の大部分に開口が形成され、この開口を被うようにしてカラーフィルタＦＩＬが形成されている。
【００５１】
ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬを被うようにしてたとえば樹脂膜からなる平坦化膜ＯＣが形成され、この平坦化膜ＯＣの上面にはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性の導電膜からなる対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは各画素領域に共通に形成されている。
【００５２】
そして、この対向電極ＣＴの上面には柱状スペーサＳＯＣが形成されている。この柱状スペーサＳＯＣは透明基板ＳＵＢ１と透明基板ＳＵＢ２とのギャップを均一にして液晶ＬＣの層厚を均等にするためのものである。
【００５３】
柱状スペーサＳＯＣは対向電極ＣＴ上に形成された樹脂膜をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングにより形成することにより、所定の箇所に所定の高さに形成することができるようになる。
【００５４】
柱状スペーサＳＯＣは、この実施例の場合、図３に示すようにたとえば一画素において一個あてがわれ、ドレイン信号線ＤＬの一部に対向するようにして配置されている。
【００５５】
なお、上述したように、これら柱状スペーサＳＯＣの配置される部分と対向する透明基板ＳＵＢ１側の配向膜ＯＲＩ１の表面には凹陥部ＤＮＴが形成され、これにより、該柱状スペーサＳＯＣの頭部（該柱状スペーサＳＯＣが形成される透明基板ＳＵＢ２と反対側の先端部）は前記凹陥部ＤＮＴの底面と対向あるいは当接されるようになっている。
【００５６】
そして、柱状スペーサＳＯＣをも被って前記対向電極ＣＴの上面には配向膜ＯＲＩ２が形成されている。この配向膜ＯＲＩ２は上述した配向膜ＯＲＩ１と同様に液晶ＬＣの分子の初期配向方向を決定づけるようになっている。
【００５７】
この場合の配向膜ＯＲＩ２は、配向膜ＯＲＩ１と同様にたとえば樹脂膜からなり、その表面にいわゆる光照射（偏光ＵＶ照射）することにより配向膜ＯＲＩ２として構成するようになっている。
【００５８】
このように構成した液晶表示装置は、凹陥部ＤＮＴが形成された配向膜ＯＲＩ１において、光照射（偏光ＵＶ照射）による配向処理がなされることによって、該凹陥部ＤＮＴの近傍部においても配向の乱れが生じることのない配向膜ＯＲＩ１を形成できる効果を奏することができるようになる。光照射（偏光ＵＶ照射）による配向処理は、段差部を有する場合においてもその段差に影響されることなく、均一な配向処理を達成できるからである。
【００５９】
ちなみに、樹脂膜の表面にいわゆるローラを回転させながら一方向に移動させて同様の配向膜ＯＲＩを形成する方法（ラビング処理）を採用することを考えると、その表面に凹陥部ＤＮＴからなる段差部を有する場合には、該凹陥部ＤＮＴ内あるいはその近傍部において配向処理の乱れが生じ、そこの部分においての液晶分子の初期配向方向が他の部分においてのそれと大きく異なってしまうことが確認されている。
【００６０】
このことから、配向膜ＯＲＩ１がその全域にわたって平坦化され、凹陥部ＤＮＴが存在しない場合には、上述したラビング処理を施したとしても不都合が生じないが、上述した実施例のように、凹陥部ＤＮＴを形成せざるを得ない場合には、その配向膜ＯＲＩ１の配向処理として光照射（偏光ＵＶ照射）による方法を採用することは極めて好都合となる。
【００６１】
図１は、該凹陥部ＤＮＴを形成した配向膜ＯＲＩ１と、該凹陥部ＤＮＴに頭部が対向して配置される柱状スペーサＳＯＣとの関係を示した図である。ここで、柱状スペーサＳＯＣを被って形成される配向膜ＯＲＩ２はその図示を省略している。
【００６２】
柱状スペーサＳＯＣの高さが約４０００ｎｍであり、凹陥部ＤＮＴの深さが約１５ｎｍの場合を示している。
【００６３】
該凹陥部ＤＮＴの深さをこの程度にすることにより、柱状スペーサＳＯＣの図中左右方向のずれに対する摩擦係数が増大し、該凹陥部ＤＮＴを形成した意義を有することになる。
【００６４】
また、配向膜ＯＲＩ１に形成する凹陥部ＤＮＴは、その凹陥部ＤＮＴが形成されていない領域よりも膜厚が小さくなっている部分として形成されたものとなっている。配向膜ＯＲＩ１がその下層の画素電極ＰＸ等を保護する保護膜としての機能を有するからである。しかし、前記凹陥部ＤＮＴが形成される部分において該配向膜ＯＲＩ１を貫通する孔として形成してもよいことはもちろんである。この部分は柱状スペーサＳＯＣと対向する部分であり、配向処理された配向膜が存在していなくても差し支えないからである。
【００６５】
図５は、本発明による液晶表示装置の他の実施例を示した構成図で、上述した構成と異なる部分は、配向膜ＯＲＩ１には突出部ＰＲＪが形成され、柱状スペーサの幾つかにおいてその頭部が該突出部ＰＲＪと対向して配置されていることにある。
【００６６】
配向膜ＯＲＩ１は、光照射によって形成される配向膜であり、その表面に形成される突出部ＰＲＪは、該光照射の際の光の強度を弱めることで形成されるようになっている。すなわち、該突出部ＰＲＪの形成部以外の領域において光照射の際の光の強度を強くすることにより、この部分において膜減りを起こさせ、この結果として該突出部ＰＲＪが形成されるようになる。
【００６７】
この突出部ＰＲＪは、柱状スペーサＳＯＣの台座として機能させるもので、該柱状スペーサＳＯＣと対向する部分に形成されるようになっている。
【００６８】
なお、同図では、複数ある柱状スペーサＳＯＣのうちその幾つかが前記突出部ＰＲＪを台座として配置されることになる。これは、柱状スペーサＳＯＣと突出部ＰＲＪとで各基板（透明基板ＳＵＢ１および透明基板ＳＵＢ２）のギャップを確保するものであるが、該各基板側からの圧力に対して遊びを備える構成となっているからである。
【００６９】
このことから、配向膜ＯＲＩ１に形成する突出部ＰＲＪは全ての柱状スペーサＳＯＣにそれぞれ対向するようにして形成するようにしてもよいことはいうまでもない。
【００７０】
しかし、このように突出部ＰＲＪを有する配向膜ＯＲＩ１においても光配向処理がなされたものが用いられ、該突起部ＰＲＪの形成においてその製造工数を増大させることなく、また、該突起部ＰＲＪの部分およびその周辺において配向処理の信頼性を確保したものとなっている。
【００７１】
上述した実施例では、画素の構成として一方の基板側に画素電極ＰＸ、他方の基板側に対向電極ＣＴが形成されたものであるが、透明基板ＳＵＢ１の各画素に画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴが形成された構成のものについても適用できることはいうまでもない。
【００７２】
この構成による液晶表示装置の場合、液晶を挙動させる電界の方向が若干異なるものとなるが、液晶の分子の初期配向方向を決定づけるための配向膜を必要とし、また、透明基板ＳＵＢ１とＳＵＢ２との間のギャップを均一にするためのスペーサとして柱状スペーサＳＯＣを用いることにおいて、実施例に示した液晶表示装置と何ら変りはないからである。
【００７３】
上述した各実施例はそれぞれ単独に、あるいは組み合わせて用いても良い。それぞれの実施例での効果を単独であるいは相乗して奏することができるからである。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す概略図で、配向膜と柱状スペーサとの関係を示した図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の一実施例を示す平面図、およびその画素の等価回路を示す図である。
【図３】図２に示した液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線における断面図である。
【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す概略図で、配向膜と柱状スペーサとの関係を示した図である。
【符号の説明】
【００７５】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２…基板、ＧＩ…絶縁膜、ＤＬ…ドレイン信号線、ＩＮＳ…絶縁膜、ＰＸ…画素電極、ＯＲＩ１、ＯＲＩ２…配向膜、ＤＮＴ…凹陥部、ＯＣ…平坦化膜、ＣＴ…対向電極、ＳＯＣ…柱状スペーサ、ＰＲＪ…突出部。
【図１】
2006227459.tif 000003
【図２】
2006227459.tif 000004
【図３】
2006227459.tif 000005
【図４】
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【図５】
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