(57)【要約】【課題】  小型化、軽量化を図ることができるとともに、高性能化が可能な高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機を提供する。【解決手段】  高周波複合部品１０は、高周波回路部の一部を構成する低雑音増幅器ＬＮＡと帯域通過フィルタＢＰＦとからなり、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、制御端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２を備える。低雑音増幅器ＬＮＡはトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４で構成され、帯域通過フィルタＢＰＦはストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ２、コンデンサＣ４〜Ｃ８で構成される。なお、低雑音増幅器ＬＮＡと帯域通過フィルタＢＰＦとは、マッチング用コンデンサＣ９を介して接続されている。【選択図】        図１
2006246533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波回路部を構成する増幅器部及びフィルタ部を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一体化し、前記増幅器部のグランドと前記フィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、前記各グランドを前記多層基板に形成された別々の外部端子から引き出すことを特徴とする高周波複合部品。
【請求項２】
前記増幅器部を前記多層基板の上部に設け、前記フィルタ部を前記多層基板の下部に設けることを特徴とする請求項１に記載の高周波複合部品。
【請求項３】
前記増幅器部を構成する能動素子及び受動素子をチップ部品として前記多層基板に搭載するとともに、前記フィルタ部を構成する受動素子をストリップライン電極あるいはコンデンサ電極として前記多層基板に内蔵することを特徴とする請求項２に記載の高周波複合部品。
【請求項４】
高周波回路部を構成するミキサ部及びフィルタ部を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一体化し、
前記ミキサ部のグランドと前記フィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、前記各グランドを前記多層基板に形成された別々の外部端子から引き出すことを特徴とする高周波複合部品。
【請求項５】
前記ミキサ部を構成する能動素子及び受動素子を前記多層基板に搭載するとともに、前記フィルタ部を構成する受動素子をストリップライン電極あるいはコンデンサ電極として前記多層基板に内蔵することを特徴とする請求項４に記載の高周波複合部品
【請求項６】
請求項１乃至請求項５にいずれかに記載の高周波複合部品を用いることを特徴とする携帯無線機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、ページャなどにおいて電波の送信あるいは受信を行う高周波回路部に使用される高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＰＨＳ(Personal Handy-phone System)方式、ＰＤＣ(Personal Digital Cellular)方式などの携帯電話に代表される携帯無線機の高周波回路部では、小型化、高性能化、低価格化などを満足する高周波複合部品が要求され、例えば、特開平７−５８５８６号公報のような高周波複合部品が提案されている。
【０００３】
図１１は、従来の高周波複合部品の上面図である。高周波複合部品５０は、アンテナ５１で受信した微弱な電波を増幅する低雑音増幅器５２と、不要な周波数成分を取り除く高周波フィルタ５３と、それらが実装される実装基板５４とを備える。低雑音増幅器５２は、電界効果トランジスタＱ５１、コンデンサＣ５１〜Ｃ５３、インダクタＬ５１、抵抗Ｒ５１で構成される。また、高周波フィルタ５３は、弾性表面波共振器Ｓ５１，Ｓ５２、コンデンサＣ５４で構成される。
【特許文献１】特開平７−５８５８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の高周波複合部品においては、低雑音増幅器と高周波フィルタとを実装基板に実装しているため、さらなる小型化、軽量化は困難であるという問題があった。
【０００５】
本発明は、このような問題点を解消するためになされたものであり、小型化、軽量化を図ることができるとともに、高性能化が可能な高周波複合部品及びそれを用いた携帯無線機を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述する問題点を解決するため本発明の高周波複合部品は、高周波回路部を構成する増幅器部及びフィルタ部を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一体化し、前記増幅器部のグランドと前記フィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、前記各グランドを前記多層基板に形成された別々の外部端子から引き出すことを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の高周波複合部品は、前記増幅器部を前記多層基板の上部に設け、前記フィルタ部を前記多層基板の下部に設けることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の高周波複合部品は、前記増幅器部を構成する能動素子及び受動素子をチップ部品として前記多層基板に搭載するとともに、前記フィルタ部を構成する受動素子をストリップライン電極あるいはコンデンサ電極として前記多層基板に内蔵することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の高周波複合部品は、高周波回路部を構成するミキサ部及びフィルタ部を複数の誘電体層を積層してなる多層基板に一体化し、前記ミキサ部のグランドと前記フィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、前記各グランドを前記多層基板に形成された別々の外部端子から引き出すことを特徴とする高周波複合部品。
【００１０】
また、本発明の高周波複合部品は、前記ミキサ部を構成する能動素子及び受動素子を前記多層基板に搭載するとともに、前記フィルタ部を構成する受動素子をストリップライン電極あるいはコンデンサ電極として前記多層基板に内蔵することを特徴とする。
【００１１】
本発明の携帯無線機は、上記の高周波複合部品を用いることを特徴とする。
【００１２】
本発明の高周波複合部品によれば、多層基板に一体化した高周波回路部を構成する増幅器部及びフィルタ部のグランドをそれぞれ別々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成された別々の外部端子から引き出すため、増幅器部のグランドのポテンシャルとフィルタ部のグランドのポテンシャルとの間に差を付けることができる。
【００１３】
また、多層基板に一体化した高周波回路部を構成するミキサ部のグランドとフィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成された別々のグランド端子から引き出すため、ミキサ部とフィルタ部との間での高周波信号の漏れを抑えることができる。
【００１４】
本発明の携帯無線機によれば、発振を抑えることができる高周波複合部品やアイソレーションを確保することができるを用いているため、携帯無線機の特性の劣化を防止することができる。
【発明の効果】
【００１５】
請求項１の高周波複合部品によれば、増幅器部のグランドとフィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成された別々のグランド端子から引き出すため、増幅器部のグランドのポテンシャルとフィルタ部のグランドのポテンシャルとの間に差を付けることができる。したがって、フィルタ部から増幅器部への帰還により発生する発振を抑えることができる。
【００１６】
また、増幅器部とフィルタ部とを多層基板に一体化して設けるため、増幅器部とフィルタ部との間を接続する線路の長さが短縮され、接続線路による損失や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部品の損失も小さくすることができる。
【００１７】
加えて、増幅器部とフィルタ部とを同時設計することができ、増幅器部及びフィルタ部のインピーダンス整合を施した設計を行うことができるため、整合回路が不要となり、高周波複合部品の小型化及び軽量化が実現できる。
【００１８】
請求項２の高周波複合部品によれば、増幅器部を多層基板の上部に、フィルタ部を多層基板の下部に、それぞれ設けているため、増幅器部及びフィルタ部の特性を劣化させることなく高周波複合部品の実装面積を小さくすることができる。
【００１９】
請求項３の高周波複合部品によれば、複数の誘電体層を積層してなる多層基板に、増幅器部を構成する能動素子及び受動素子を搭載し、フィルタ部を構成する受動素子をストリップライン電極、コンデンサ電極として内蔵し、一体化するため、従来のディスクリートの増幅器部及びフィルタ部をプリント配線基板上に実装して、接続したものに比べて、プリント配線基板内での増幅器部及びフィルタ部の実装面積が削減でき、小型化及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実現できる。
【００２０】
請求項４の高周波複合部品によれば、ミキサ部のグランドとフィルタ部のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成された別々のグランド端子から引き出すため、ミキサ部とフィルタ部との間での高周波信号の漏れを抑えることができる。したがって、ミキサ部とフィルタ部との間のアイソレーションを確保することができる。
【００２１】
また、ミキサ部とフィルタ部とを多層基板に一体化して設けるため、ミキサ部とフィルタ部との間を接続する線路の長さが短縮され、接続線路による損失や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部品の損失も小さくすることができる。
【００２２】
加えて、ミキサ部とフィルタ部とを同時設計することができ、ミキサ部及びフィルタ部のインピーダンス整合を施した設計を行うことができるため、整合回路が不要となり、高周波複合部品の小型化及び軽量化が実現できる。
【００２３】
請求項５の高周波複合部品によれば、複数の誘電体層を積層してなる多層基板に、ミキサ部を構成する能動素子及び受動素子を搭載し、フィルタ部を構成する受動素子をストリップライン電極、コンデンサ電極として内蔵し、一体化するため、従来のディスクリートのミキサ部及びフィルタ部をプリント配線基板上に実装して、接続したものに比べて、プリント配線基板内でのミキサ部及びフィルタ部の実装面積が削減でき、小型化及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実現できる。
【００２４】
請求項６の携帯無線機によれば、発振を抑えることができる高周波複合部品やアイソレーションを確保することができる高周波複合部品を用いているため、携帯無線機の特性の劣化を防止することができる。
【００２５】
また、小型化した高周波複合部品を携帯無線機における高周波回路部に使用するため、携帯無線機を小型化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１に、本発明に係る高周波複合部品の第１の実施例の等価回路図を示す。高周波複合部品１０は、ＰＨＳ方式、ＰＤＣ方式の携帯電話やページャの高周波回路部の一部を構成する増幅器部である低雑音増幅器ＬＮＡとフィルタ部である帯域通過フィルタＢＰＦとからなり、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、制御端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２を備える。
【００２７】
低雑音増幅器ＬＮＡはトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４で構成され、入力端子ＩＮから入力されるアンテナＡＮＴで受信された受信信号を増幅させ、帯域通過フィルタＢＰＦに送る役割を果たす。
【００２８】
帯域通過フィルタＢＰＦはストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ２、コンデンサＣ４〜Ｃ８で構成され、低雑音増幅器ＬＮＡで増幅された受信信号に含まれる不必要な信号を取り除くために用いられる。
【００２９】
なお、低雑音増幅器ＬＮＡと帯域通過フィルタＢＰＦとは、マッチング用コンデンサＣ９を介して接続されている。
【００３０】
図２は、図１の高周波複合部品の斜視図である。高周波複合部品１０は、帯域通過フィルタＢＰＦを構成するストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ２、コンデンサＣ４〜Ｃ８をなすストリップライン電極及びコンデンサ電極（図示せず）を内蔵した多層基板１１を備える。
【００３１】
多層基板１１の上面には、低雑音増幅器ＬＮＡを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４が搭載される。また、多層基板１１の側面から下面に架けて外部端子Ｔ１〜Ｔ１２が設けられる。
【００３２】
なお、外部端子Ｔ１，Ｔ１１は高周波複合部品１０の入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴ、外部端子Ｔ５，Ｔ７は高周波複合部品１０の制御端子Ｖｃｃ１，Ｖｃｃ２、外部端子Ｔ２，Ｔ１０，Ｔ１２は低雑音増幅器ＬＮＡ側のグランドを引き出すグランド端子、外部端子Ｔ３，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ８，Ｔ９は帯域通過フィルタＢＰＦ側のグランドを引き出すグランド端子となる。
【００３３】
図３（ａ）〜図３（ｆ）及び図４（ａ）〜図４（ｆ）は、図２の高周波複合部品の多層基板を構成する各誘電体層の上面図及び下面図である。多層基板１１は例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能な酸化バリウム。酸化アルミニウム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックからなる第１〜第１１の誘電体層ａ〜ｋを順次積層することによって形成される。
【００３４】
第１の誘電体層ａの上面には低雑音増幅器ＬＮＡを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４を実装するためのランドＬａが形成される。また、第２の誘電体層ｂの上面には配線パターンＷｐが形成される。
【００３５】
さらに、第３の誘電体層ｃの上面には低雑音増幅器ＬＮＡ側のグランドとなるグランド電極Ｇｐ１、第６の誘電体層ｆの上面には帯域通過フィルタＢＰＦ側のグランドとなるグランド電極Ｇｐ２がそれぞれ形成される。また、第４、第５、第９〜第１１の誘電体層ｄ，ｅ，ｉ〜ｋの上面にはコンデンサ電極Ｃｐ１〜Ｃｐ１０がそれぞれ形成される。
【００３６】
さらに、第７及び第８の誘電体層ｇ，ｈの上面にはストリップライン電極Ｓｐ１〜Ｓｐ４がそれぞれ形成される。また、第１１の誘電体層ｋの下面（図４（ｆ）中において、ｋｕと符号を付す）には外部端子Ｔ１〜Ｔ１２が形成される。さらに、第１〜第１０の誘電体層ａ〜ｊには各誘電体層ａ〜ｊを貫通するようにビアホール電極Ｖｈが形成される。
【００３７】
この際、コンデンサ電極Ｃｐ３とコンデンサ電極Ｃｐ５、コンデンサ電極Ｃｐ４とコンデンサ電極Ｃｐ７、コンデンサ電極Ｃｐ５とコンデンサ電極Ｃｐ８、コンデンサ電極Ｃｐ７とコンデンサ電極Ｃｐ１０、コンデンサ電極Ｃｐ６とコンデンサ電極Ｃｐ９とで帯域通過フィルタＢＰＦのコンデンサＣ４〜Ｃ８をそれぞれ構成する。また、コンデンサ電極Ｃｐ１とコンデンサ電極Ｃｐ２とでマッチング用コンデンサＣ９を構成する。
【００３８】
さらに、ストリップライン電極Ｓｐ１で帯域通過フィルタＢＰＦのインダクタＬ２を、ストリップライン電極Ｓｐ２〜Ｓｐ４で帯域通過フィルタＢＰＦのストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３をそれぞれ構成する。
【００３９】
また、低雑音増幅器ＬＮＡを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４、帯域通過フィルタＢＰＦを構成するストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ２、コンデンサＣ４〜Ｃ８、及びマッチング用コンデンサＣ９は、多層基板１１の内部で配線パターンＷｐやビアホールＶｈにより接続される。
【００４０】
以上のような構成で、図２の高周波複合部品１０の帯域通過フィルタＢＰＦを構成するストリップラインＳＴ１〜ＳＴ３、インダクタＬ２、コンデンサＣ４〜Ｃ８、及びマッチング用コンデンサＣ９を内蔵する多層基板１１が形成される。
【００４１】
そして、低雑音増幅器ＬＮＡを構成するトランジスタＱ１，Ｑ２、インダクタＬ１、コンデンサＣ１〜Ｃ３、抵抗Ｒ１〜Ｒ４をランドＬａを用いて多層基板１１の上面に実装し、搭載することにより高周波複合部品１０が形成される。
【００４２】
上述の第１の実施例の高周波複合部品によれば、低雑音増幅器側のグランドと帯域通過フィルタ側のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成された別々のグランド端子から引き出すため、低雑音増幅器側のグランドのポテンシャルと帯域通過フィルタ側のグランドのポテンシャルとの間に差を付けることができる。したがって、帯域通過フィルタから低雑音増幅器への帰還により発生する発振を抑えることができる。
【００４３】
また、低雑音増幅器を多層基板の上部に、帯域通過フィルタを多層基板の下部に、それぞれ設けているため、低雑音増幅器及び帯域通過フィルタの特性を劣化させることなく高周波複合部品の実装面積を小さくすることができる。
【００４４】
さらに、複数の誘電体層を積層してなる多層基板に、低雑音増幅器を構成するトランジスタ、インダクタ、コンデンサ、抵抗を搭載し、帯域通過フィルタを構成するストリップライン、インダクタ、コンデンサをストリップライン電極、コンデンサ電極として内蔵し、一体化するため、従来のディスクリートの低雑音増幅器及び帯域通過フィルタをプリント配線基板上に実装して、接続したものに比べて、プリント配線基板内での低雑音増幅器及び帯域通過フィルタの実装面積が削減でき、小型化及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実現できる。
【００４５】
また、低雑音増幅器と帯域通過フィルタとを同時設計することができ、低雑音増幅器及び帯域通過フィルタのインピーダンス整合を施した設計を行うことができる。その結果、整合回路が不要となり、小型化及び軽量化が実現できる。
【００４６】
さらに、低雑音増幅器と帯域通過フィルタとを多層基板に一体化して設けるため、低雑音増幅器と帯域通過フィルタとの間を接続する線路の長さが短縮され、接続線路による損失や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部品の損失も小さくすることができる。
【００４７】
また、多層基板に低温焼成セラミック基板を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘電体層上のストリップライン及びコンデンサを形成する電極とを一体焼成することができる。従って、製造工程の短縮化が可能となり、コストダウンを図ることができる。
【００４８】
図５に、本発明に係る高周波複合部品の第２の実施例の等価回路図を示す。高周波複合部品２０は、ＰＨＳ方式、ＰＤＣ方式の携帯電話やページャの高周波回路部の一部を構成するミキサ部である高周波ミキサＭＩＸとフィルタ部である高域通過フィルタＨＰＦとからなり、入力端子ＩＮ１，ＩＮ２、出力端子ＯＵＴ、制御端子Ｖｃｃを備える。
【００４９】
高域通過フィルタＨＰＦはインダクタＬ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３で構成され、入力端子ＩＮ１から入力されるアンテナＡＮＴで受信された受信信号に含まれる不必要な信号を取り除くために用いられる。
【００５０】
高周波ミキサＭＩＸはトランジスタＱ２１，Ｑ２２、コンデンサＣ２４、抵抗Ｒ２１〜Ｒ２３で構成され、高域通過フィルタＨＰＦを通過した受信信号と入力端子ＩＮ２から入力される局部発振信号とを混合させ、中間周波信号を出力する役割を果たす。
【００５１】
図６は、図５の高周波複合部品の斜視図である。高周波複合部品２０は、高域通過フィルタＨＰＦを構成するインダクタＬ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３をなすストリップライン電極及びコンデンサ電極（図示せず）を内蔵した多層基板２１を備える。
【００５２】
多層基板２１の上面には、ＭＭＩＣからなる高周波ミキサＭＩＸが搭載される。
また、多層基板２１の側面から下面に架けて外部端子Ｔ２１〜Ｔ２８が設けられる。
【００５３】
なお、外部端子Ｔ２１，Ｔ２３は高周波複合部品２０の入力端子ＩＮ１，ＩＮ２、外部端子Ｔ２７は高周波複合部品２０の出力端子ＯＵＴ、外部端子Ｔ２５は高周波複合部品２０の制御端子Ｖｃｃ、外部端子Ｔ２２，Ｔ２６は高周波ミキサＭＩＸ側のグランドを引き出すグランド端子、外部端子Ｔ２４，Ｔ２８は高域通過フィルタＨＰＦ側のグランドを引き出すグランド端子となる。
【００５４】
図７（ａ）〜図７（ｈ）は、図６の高周波複合部品の多層基板を構成する各誘電体層の上面図及び下面図である。多層基板２１は例えば、８５０℃〜１０００℃の温度で焼成可能な酸化バリウム。酸化アルミニウム、シリカを主成分とする低温焼成セラミックからなる第１〜第７の誘電体層ａ２〜ｇ２を順次積層することによって形成される。
【００５５】
第１の誘電体層ａ２の上面にはＭＭＩＣからなる高周波ミキサＭＩＸを実装するためのランドＬａ２が形成される。また、第２の誘電体層ｂ２の上面には高周波ミキサＭＩＸ側のグランドとなるグランド電極Ｇｐ２１、第４の誘電体層ｄ２の上面には高域通過フィルタＨＰＦ側のグランドとなるグランド電極Ｇｐ２２がそれぞれ形成される。
【００５６】
さらに、第３、第６、第７の誘電体層ｃ２，ｆ２，ｇ２の上面にはコンデンサ電極Ｃｐ２１〜Ｃｐ２５がそれぞれ形成される。また、第５の誘電体層ｅ２の上面にはストリップライン電極Ｓｐ２１〜Ｓｐ２３がそれぞれ形成される。
【００５７】
さらに、第７の誘電体層ｇ２の下面（図７（ｈ）中において、ｇ２ｕと符号を付す）には外部端子Ｔ２１〜Ｔ２８が形成される。また、第１〜第６の誘電体層ａ２〜ｆ２には各誘電体層ａ２〜ｆ２を貫通するようにビアホール電極Ｖｈ２が形成される。
【００５８】
この際、コンデンサ電極Ｃｐ２２とコンデンサ電極Ｃｐ２４、コンデンサ電極Ｃｐ２３とコンデンサ電極Ｃｐ２５、コンデンサ電極Ｃｐ２１とグランド電極Ｇｐ２とで高域通過フィルタＨＰＦのコンデンサＣ２１〜Ｃ２３をそれぞれ構成する。また、ストリップライン電極Ｓｐ２１〜Ｓｐ２３で高域通過フィルタＨＰＦのインダクタＬ２１〜Ｌ２３ををそれぞれ構成する。
【００５９】
さらに、ＭＭＩＣからなる高周波フィルタＭＩＸ、高域通過フィルタＨＰＦを構成するインダクタＬ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３は、多層基板２１の内部でビアホールＶｈ２により接続される。
【００６０】
以上のような構成で、図６の高周波複合部品２０の高域通過フィルタＨＰＦを構成するインダクタＬ２１〜Ｌ２３、コンデンサＣ２１〜Ｃ２３を内蔵する多層基板２１が形成される。
【００６１】
そして、ＭＭＩＣからなる高周波ミキサＭＩＸをランドＬａ２を用いて多層基板２１の上面に実装し、搭載することにより高周波複合部品２０が形成される。
【００６２】
上述の第２の実施例の高周波複合部品によれば、高周波ミキサ側のグランドと高域通過フィルタ側のグランドとをそれぞれ別々に設けるとともに、各グランドを多層基板に形成された別々のグランド端子から引き出すため、高周波ミキサと高域通過フィルタとの間での高周波信号の漏れを抑えることができる。したがって、高周波ミキサと高域通過フィルタとの間のアイソレーションを確保することができる。
【００６３】
また、複数の誘電体層を積層してなる多層基板に、ＭＭＩＣからなる高周波ミキサを搭載し、高域通過フィルタを構成するインダクタ、コンデンサをストリップライン電極、コンデンサ電極として内蔵し、一体化するため、従来のディスクリートの高周波ミキサ及び高域通過フィルタをプリント配線基板上に実装して、接続したものに比べて、プリント配線基板内での高周波ミキサ及び高域通過フィルタの実装面積が削減でき、小型化及び軽量化が実現できる。また、製造コストの低減も実現できる。
【００６４】
さらに、高周波ミキサと高域通過フィルタとを同時設計することができ、高周波ミキサ及び高域通過フィルタのインピーダンス整合を施した設計を行うことができる。その結果、整合回路が不要となり、小型化及び軽量化が実現できる。
【００６５】
さらに、高周波ミキサと高域通過フィルタとを多層基板に一体化して設けるため、高周波ミキサと高域通過フィルタとの間を接続する線路の長さが短縮され、接続線路による損失や消費電流が小さくなる。したがって、高周波複合部品の損失も小さくすることができる。
【００６６】
また、多層基板に低温焼成セラミック基板を用いているため、複数の誘電体層と、その複数の誘電体層上のストリップライン及びコンデンサを形成する電極とを一体焼成することができる。従って、製造工程の短縮化が可能となり、コストダウンを図ることができる。
【００６７】
図８は、一般的な携帯無線機であるページャのＲＦブロック図である。ページャ３０ａは、アンテナＡＮＴと、アンテナＡＮＴに接続される受信回路Ｒｘと、受信回路Ｒｘをカバーする筐体ＣＯＶとを含む。
【００６８】
なお、受信回路Ｒｘは、低雑音増幅器ＬＮＡ、帯域通過フィルタＢＰＦ及びミキサＭＩＸで構成される。また、受信回路ＲｘのミキサＭＩＸの一方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮが接続される。
【００６９】
そして、ページャ３０ａの高周波回路部である受信回路Ｒｘの低雑音増幅器ＬＮＡ及び帯域通過フィルタＢＰＦに、図２に示す高周波複合部品１０を用いるものである。
【００７０】
図９は、一般的な携帯無線機である携帯電話のＲＦブロック図である。携帯電話３０ｂは、アンテナＡＮＴと、スイッチＳＷを介してアンテナＡＮＴに接続される受信回路Ｒｘ及び送信回路Ｔｘと、スイッチＳＷ、受信回路Ｒｘ及び送信回路Ｔｘをカバーする筐体ＣＯＶとを含む。
【００７１】
なお、受信回路Ｒｘは、低雑音増幅器ＬＮＡ、高域通過フィルタＨＰＦ及びミキサＭＩＸを備え、送信回路Ｔｘは、高出力増幅器ＰＡ、帯域通過フィルタＢＰＦ及びミキサＭＩＸで構成される。また、受信回路ＲｘのミキサＭＩＸ及び送信回路ＴｘのミキサＭＩＸの一方の入力には局部信号を発生するシンセサイザＳＹＮが接続される。
【００７２】
そして、携帯電話３０ｂの高周波回路部である受信回路ＲｘのミキサＭＩＸ及び高域通過フィルタＨＰＦに、図６に示す高周波複合部品２０を用いるものである。
【００７３】
上述の実施例の携帯無線機によれば、発振を抑えることができる高周波複合部品やアイソレーションを確保することができる高周波複合部品を用いているため、携帯無線機の特性の劣化を防止することができる。
【００７４】
また、小型化した高周波複合部品を携帯無線機における受信回路に使用するため、携帯無線機を小型化することができる。
【００７５】
なお、上記の実施例では、高周波回路部を構成する増幅器部として低雑音増幅器、ミキサ部としてシングルの高周波ミキサ、フィルタ部として帯域通過フィルタ、高域通過フィルタを例にして説明したが、増幅器部としては高出力増幅器など、ミキサ部としてダブルバランスミキサなど、フィルタ部としては低域通過フィルタ、帯域阻止フィルタなど、にしても同様の効果が得られる。
【００７６】
また、増幅器部、ミキサ部及びフィルタ部がそれぞれ１つの場合について説明したが、図１０のように、増幅器部、ミキサ部及びフィルタ部を複数備えた高周波複合部品４０であってもよい。図１０において、ＬＮＡ１，ＬＮＡ２は増幅器部、ＭＩＸ１，ＭＩＸ２はミキサ部、ＨＰＦ１，ＨＰＦ２はフィルタ部を示す。この場合には、それらのグランドは同一であっても別々であってもよいが、別々に設け、その各グランドを多層基板に形成された別々の外部端子から引き出せばより大きな効果が得られる。
【００７７】
さらに、増幅器部がディスクリートで、ミキサ部がＭＭＩＣからなる場合について説明したが、増幅器部がＭＭＩＣで、ミキサ部がディスクリートで構成され、多層基板上に搭載されていてもよい。
【００７８】
また、増幅器部及びミキサ部を構成する能動部品及び受動部品を多層基板に搭載する場合について説明したが、多層基板に設けたキャビティの内部に搭載してもよい。この場合には、多層基板の表面に増幅器部やミキサ部が飛び出すことがなくなるため、増幅器部やミキサ部が多層基板から剥がれる恐れが少なくなり、高周波複合部品の信頼性が向上する。特に、多層基板に設けたキャビティを金属あるいはセラミックスからなるキャップにより封止する場合には、そのキャップ上に他の電子部品を搭載することが可能となり、その結果、高周波複合部品のより小型化が達成できる。
【００７９】
さらに、増幅器部及びフィルタ部、ミキサ部及びフィルタ部が多層基板に一体化される場合について説明したが、増幅器部、ミキサ部及びフィルタ部が多層基板に一体化されていてもよい。この場合には、高周波複合部品をさらに小型化することができる。
【００８０】
また、多層基板に、酸化バリウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする材料を用いる場合について説明したが、その他に、酸化バリウム、シリカ、酸化ストロンチウム、酸化ジルコニウムを主成分とする材料、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム、ガラスを主成分とする材料等がある。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明に係る高周波複合部品の第１の実施例の等価回路図である。
【図２】図１の高周波複合部品の斜視図である。
【図３】図１の高周波複合部品の多層基板を構成する（ａ）第１の誘電体層〜（ｆ）第６の誘電体層の上面図である。
【図４】図１の高周波複合部品の多層基板を構成する（ａ）第７の誘電体層〜（ｅ）第１１の誘電体層の上面図及び（ｆ）第１１の誘電体層の下面図である。
【図５】本発明に係る高周波複合部品の第２の実施例の等価回路図である。
【図６】図５の高周波複合部品の斜視図である。
【図７】図５の高周波複合部品の多層基板を構成する（ａ）第１の誘電体層〜（ｇ）第７の誘電体層の上面図及び（ｈ）第７の誘電体層の下面図である。
【図８】一般的な携帯無線機であるページャのＲＦブロック図である。
【図９】一般的な携帯無線機である携帯電話のＲＦブロック図である。
【図１０】本発明に係る高周波複合部品の第３の実施例のブロック図である。
【図１１】従来の高周波複合部品の上面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１０，２０，４０      高周波複合部品
１１，２１      多層基板
３０ａ，３０ｂ      携帯無線機
ａ〜ｋ，ａ２〜ｇ２      誘電体層
ＢＰＦ，ＨＰＦ，ＨＰＦ１，ＨＰＦ２      フィルタ部
Ｃ１〜Ｃ９，Ｃ２１〜Ｃ２４      コンデンサ（受動素子）
Ｃｐ１〜Ｃｐ１０，Ｃｐ２１〜Ｃｐ２５      コンデンサ電極
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ２１〜Ｌ２３      インダクタ（受動素子）
ＬＮＡ，ＬＮＡ１，ＬＮＡ２      増幅器部
ＭＩＸ，ＭＩＸ１，ＭＩＸ２      ミキサ部
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ２１，Ｑ２２      トランジスタ（能動素子）
Ｒ１〜Ｒ４，Ｒ２１〜Ｒ２３      抵抗（受動素子）
Ｓｐ１〜Ｓｐ４，Ｓｐ２１〜Ｓｐ２３      ストリップライン電極
ＳＴ１〜ＳＴ３      ストリップライン（受動素子）
Ｔ１〜Ｔ１２，Ｔ２１〜Ｔ２８      外部端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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