(57)【要約】【課題】  表面実装型ＬＥＤ基板の製造方法において、振動や外圧等に対する製品信頼性が高く、低コストで容易に製造でき、１又は複数個のＬＥＤ素子の個別制御を可能とする。【解決手段】  アルミ板１の上面に絶縁層２を介して銅箔３が固定された３層基板４の銅箔を加工して、３以上に区分された回路を残し、その他の銅箔部分を除去する工程と、前記各回路のエンボス加工予定面Ｐａに位置する部分を銀メッキ（Ａｇ）する工程と、エンボス加工予定面Ｐａの反対側に位置するアルミ板１の下面部分に座グリ穴４ａを形成する工程と、エンボス加工予定面Ｐａをエンボス加工用押型５０で座グリ穴４ａを上方から押し潰す方向にエンボス加工して、下方に向かうに従って内側に傾斜した側壁と該側壁で囲まれた底面とを有する凹部Ｐを形成する工程とを行って、このエンボスによる凹部Ｐに導電性と光反射性に優れた３以上の電極を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ素子をワイヤーボンディングする電極を凹部内に備える表面実装型ＬＥＤ基板の製造方法であり、
Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の何れかよりなる放熱性に優れる金属板の上面に絶縁層を介して銅箔が固定された３層基板の銅箔を加工して、３以上に区分された回路を残し、その他の銅箔部分を除去する工程と、
前記各回路のエンボス加工予定面に位置する部分を銀メッキする工程と、
エンボス加工予定面の反対側に位置する金属板の下面部分に座グリ穴を形成する工程と、
エンボス加工予定面をエンボス加工用押型で前記座グリ穴を上方から押し潰す方向にエンボス加工して、下方に向かうに従って内側に傾斜した側壁と該側壁で囲まれた底面とを有する凹部を形成する工程と、を行って、
前記エンボスにより形成された凹部に銀メッキされた導電性と光反射性に優れた３以上の電極を形成することを特徴とする表面実装型ＬＥＤ用基板の製造方法。
【請求項２】
ＬＥＤ素子をワイヤーボンディングする電極を凹部内に備える表面実装型ＬＥＤ基板の製造方法であり、
Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の何れかよりなる放熱性に優れる金属板の上面に絶縁材料を介して銅箔が固定された３層基板の銅箔を加工して、３以上に区分された回路を残し、その他の銅箔部分を除去する工程と、
エンボス加工予定面の反対側に位置する金属板の下面部分に座グリ穴を形成する工程と、
エンボス加工予定面をエンボス加工用押型で前記座グリ穴を上方から押し潰す方向にエンボス加工して、下方に向かうに従って内側に傾斜した側壁と該側壁で囲まれた底面とを有する凹部を形成する工程と、
エンボス穴の内側に位置する前記回路の一方の電極を金メッキする工程と、を行って、
前記エンボスにより形成された凹部に金メッキされた導電性と光反射性に優れた電極を形成することを特徴とする表面実装型ＬＥＤ用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の製造方法により製造された表面実装型ＬＥＤ用基板であり、
Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の何れかよりなる放熱性に優れる金属板の表面に絶縁層を介して銅箔が固定された３層基板の表面の適所に、下方に向かうに従って内側に傾斜した傾斜側壁面と該傾斜側壁面で囲まれた底面とを有する凹部が形成され、
該凹部内に、ＬＥＤ素子をワイヤーボンディングするための面方向に３以上に区分された銅箔による回路から成る電極が基板表面より連続して設けられ、
凹部内に位置するこれら各電極が銀メッキ又は金メッキされて該凹部が光反射性を有していることを特徴とする表面実装型ＬＥＤ用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型ＬＥＤ用基板の製造方法及び表面実装型ＬＥＤ用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤは、化合物半導体（ＬＥＤ素子）に電圧を加えて接合部付近で発光させる光表示素子であり、半導体材料の種類の違いにより発振波長、即ち、発光色が異なる。ＬＥＤの種類の１つに、プリント回路基板（パッケージ）上にＬＥＤ素子が搭載されてワイヤーボンディングされた表面実装型ＬＥＤがあり、表面実装型ＬＥＤには、基板に放熱性に優れる材料（例えば、Ａｌ、Ｃｕ等の金属材料）が使用されて、ＬＥＤ素子の光出力の低下原因である過熱問題を改善させている。
【０００３】
表面実装型ＬＥＤには、平坦な基板上にＬＥＤ素子が搭載されてワイヤーボンディングされ、ＬＥＤ素子とワイヤーとが樹脂モールドされた構造のものがあるが、ＬＥＤ素子とワイヤーが樹脂モールドされていると、樹脂モールドがＬＥＤ素子の過熱を促す。また、ＬＥＤ素子とワイヤーの取り付け強度が樹脂モールドの接着力に影響されるため、取り付け強度の信頼性が劣る。また、ＬＥＤ素子による発光だけでは、上方のレンズを通過させても期待する明るさが得られない場合もある。
【０００４】
このため、基板の一部面に凹部を形成し、この凹部の内側にＬＥＤ素子を搭載してワイヤーボンディングすることにより、ＬＥＤ素子とワイヤーを周囲から保護し、取り付け強度が樹脂モールドに影響されない技術（特許文献１〜３参照）、更に、凹部の内側面を反射面にして、ＬＥＤ素子による発光を更に大きくする技術（特許文献１〜４参照）が提案されている。
【特許文献１】特開２００３−１６３３７８号公報
【特許文献２】特開２００３−２１８３９８号公報
【特許文献３】特開２００２−３１４４８号公報
【特許文献４】特開平７−３０７４９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１〜４に記載の表面実装型発光ダイオードのパッケージ及び金属基板は、押し出し成型用金型、プレス金型等を使用して製造されることが容易に判断できるため、製造コストが高く、パッケージ及び金属板の大きさをフレキシブルに変更させて所望の大きさの基板を製造することができなかった。特に、特許文献２〜４に記載のパッケージ及び金属板は、反りが生じ易い形状であるため、実装精度の信頼性に問題が残る。また、特許文献１〜４に記載の表面実装型発光ダイオードは、２電極を有しているため、例えば、同じ色の３個のＬＥＤを搭載して、これらを個別に点灯制御して、全体の光量（明るさ）を変化させる場合、色の異なる３個のＬＥＤを搭載して、これらを個別に点灯制御する場合、３又は４つのワイヤーボンディング用接点を有するＬＥＤ素子を接続する場合には対応できなかった。
【０００６】
本発明は、取り付け強度の信頼性が高く、低コストで容易に製造でき、複数個のＬＥＤ素子の個別制御が可能な回路構造を有し、ＬＥＤ素子による発光を周囲で反射させて光量（明るさ）を大きくすることができる表面実装型ＬＥＤ基板の製造方法と、この製造方法により製造され、複数個のＬＥＤ素子の搭載とＬＥＤ素子の個別制御が可能な表面実装型ＬＥＤ用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、ＬＥＤ素子をワイヤーボンディングする電極を凹部内に備える表面実装型ＬＥＤ基板の製造方法であり、Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の何れかよりなる放熱性に優れる金属板の上面に絶縁層を介して銅箔が固定された３層基板の銅箔を加工して、３以上に区分された回路を残し、その他の銅箔部分を除去する工程と、前記各回路のエンボス加工予定面に位置する部分を銀メッキする工程と、エンボス加工予定面の反対側に位置する金属板の下面部分に座グリ穴を形成する工程と、エンボス加工予定面をエンボス加工用押型で前記座グリ穴を上方から押し潰す方向にエンボス加工して、下方に向かうに従って内側に傾斜した側壁と該側壁で囲まれた底面とを有する凹部を形成する工程とを行って、前記エンボスにより形成された凹部に銀メッキされた導電性と光反射性に優れた３以上の電極を形成することを特徴とする。
【０００８】
請求項２の発明は、ＬＥＤ素子をワイヤーボンディングする電極を凹部内に備える表面実装型ＬＥＤ基板の製造方法であり、Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の何れかよりなる放熱性に優れる金属板の上面に絶縁材料を介して銅箔が固定された３層基板の銅箔を加工して、３以上に区分された回路を残し、その他の銅箔部分を除去する工程と、エンボス加工予定面の反対側に位置する金属板の下面部分に座グリ穴を形成する工程と、エンボス加工予定面をエンボス加工用押型で前記座グリ穴を上方から押し潰す方向にエンボス加工して、下方に向かうに従って内側に傾斜した側壁と該側壁で囲まれた底面とを有する凹部を形成する工程と、エンボス穴の内側に位置する前記回路の一方の電極を金メッキする工程と、を行って、前記エンボスにより形成された凹部に金メッキされた導電性と光反射性に優れた電極を形成することを特徴とする。
【０００９】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載の製造方法により製造された表面実装型ＬＥＤ用基板であり、Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の何れかよりなる放熱性に優れる金属板の表面に絶縁層を介して銅箔が固定された３層基板の表面の適所に、下方に向かうに従って内側に傾斜した傾斜側壁面と該傾斜側壁面で囲まれた底面とを有する凹部が形成され、該凹部内に、ＬＥＤ素子をワイヤーボンディングするための面方向に３以上に区分された銅箔による回路から成る電極が基板表面より連続して設けられ、凹部内に位置するこれら各電極が銀メッキ又は金メッキされて該凹部が光反射性を有していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、次のような効果を奏する。第１に、ＬＥＤ素子を搭載してワイヤーボンディングする凹部を基板に形成した結果、ＬＥＤ素子とボンディングワイヤーが外部から保護され、取り付け強度の信頼性を向上させた信頼性の高い基板にすることができ、更には、基板の大部分を占める金属板を、加工が容易なＡｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の材料で形成し、その下面に座グリ穴を形成した後、エンボス型を使用して座グリ穴を上方から押し潰す方向にエンボス成形する方法で凹部を形成した結果、肉厚の金属板でも容易に凹部が形成できるようになり、しかも、肉厚の金属板は、反りが極めて生じ難く、下面を平坦面にすることができるので、基板及びＬＥＤ素子の実装精度が良くなる。
【００１１】
更には、Ａｌ，Ｃｕ，Ｍｇ系の材料は、熱伝導性に優れるため、ＬＥＤ素子による発熱を効率良く放散させ、ＬＥＤ素子の光出力効率を高めることができる。また、エンボス加工は、金型を使用したプレス成型よりも安価に凹部が形成でき、金属板の大きさの違い、凹部の数及び位置の違いに対してもフレキシブルに対応して凹部が形成でき、この結果、スポット光源、ライン光源、面方向に広い光源、ドットパターンの幅広い光源にすることができる。
【００１２】
また、凹部内にＬＥＤ素子をワイヤーボンディングする電極を３面以上設けた結果、複数のＬＥＤ素子の個別制御、及び、３又は４端子を有するＬＥＤ素子の点灯制御ができるようになり、特に、凹部内の大部分の面を、銀メッキ又は金メッキされた電極で占めるようにした結果、ＬＥＤ素子による発光を反射させて、より明るい光を外に向けて出力できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施例１）
図１は、実施例１の表面実装型ＬＥＤ用基板（銀メッキエンボス基板）の製造工程を示しており、この図に示すように、この基板の製造には、矩形肉厚のアルミ板１の上面に絶縁層２が形成され、更に、その上面に銅箔３が固定された３層基板４が使用される（ステップ１）。絶縁層２は、例えば、フェノール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエステル樹脂等の合成樹脂で形成され、或いは、熱酸化法、ＣＶＤ、スパッタリング等の何れかにより固定された二酸化シリコン層で形成されている。銅箔３は、接着剤による接着、或いは、加熱を伴う圧着により固定されている。
【００１４】
実施例１の銀メッキエンボス基板の製造における最初の工程では、前記３層基板４の銅箔３を加工して、回路パターン３０，３０，・・を、一定間隔を設けて４組形成すると共に、回路パターン３０，３０，・・以外の銅箔部分が除去される（ステップ２）。銅箔の加工は、フォトエッチング、イオンビームエッチング、ウエットエッチング等によるエッチング加工が最適であるが、回路パターンに形成された銅箔を転写して貼り付けてもよく、蒸着、スパッタ、電気メッキ、無電極電気メッキ、電気分解、ＣＶＤ等の何れかにより銅薄膜を形成してもよい。
【００１５】
回路パターン３０は、図２に示すように、面方向に４つに区分された回路３１，３２，３３，３４で構成され、これらのうち、３つの回路３２，３３，３４における各一方の電極３２a，３３a，３４aは、横向きに接近して並んだ比較的広い矩形状を有し、他の１つの回路３１の一方の電極３１ａは、前記各電極３２a，３３a，３４aの各一端に沿って近接した横方向に長い広幅の矩形面に形成されている。そして、４つの回路３１，３２，３３，３４における各他方の電極３１b，３２b，３３b，３４ｂは、縦方向に突出した向きで横方向に並んだ比較的狭幅の矩形面に形成されている。
【００１６】
図１に示す次の工程では、各回路パターン３０，３０，・・の使用時通電を必要としない部分が、縁被膜５，５・・でレジスト印刷されて、外部から絶縁保護される（ステップ３）。
【００１７】
次の工程では、各回路パターン３０，３０・・のエンボス加工予定面Ｐａの内側に位置する面が部分メッキ法により銀メッキされる（ステップ４）。Ａｇは銀メッキ面である。銀メッキは、銀を主材料とする銀合金のメッキも含まれる。詳述すると、銀メッキされる面Ａｇは、図３（ａ）（ｂ）に示す各電極３１ａ，３２a，３３a，３４aに行われる。銀は導電性に極めて優れ、銅箔による各電極３１ａ，３２a，３３a，３４aと通電可能な状態になる。
【００１８】
更に、次の工程では、エンボス加工予定面Ｐａの反対側に位置するアルミ面が座グリ加工されて、円形の座グリ穴４ａ，４ａが形成される（ステップ５）。座グリ穴４ａ，４ａ・・は、平坦な円形を有し、その大きさ及び深さは、エンボス加工する大きさ及び深さに略等しい。
【００１９】
そして、次の工程で、エンボス加工予定面Ｐａがエンボス加工用押型５０でエンボス加工されて、エンボス加工予定面Ｐａに凹部Ｐ，Ｐ・・が形成される（ステップ６）。エンボス加工は、図４に示すように、平坦な肉厚金属テーブル６０の上に座グリ加工後の基板４を載置して、上方からエンボス加工予定面Ｐａにエンボス加工用押型５０を押し当てて、強く加圧することにより行われる。エンボス加工用押型５０は、下面が平坦な円形面で形成され、周壁５０ａが下方に向かうに従って内側に傾斜した面で形成されたものが使用される。エンボス加工は、専用の加工機又はエンボス加工用押型５０を装着したプレス機で行われ、一度に複数個の凹部Ｐ，Ｐ・・が連続して形成される。
【００２０】
エンボス加工すると、図５（ａ）（ｂ）に示すように、アルミ板１のエンボス加工予定面Ｐａからその下方の凹部４ａの上面に至る板厚部分が、その周囲の部分の塑性変形を伴って下方に移動して、上面に  凹部Ｐが形成されて、座グリ穴４ａが押し潰される。エンボス加工は、アルミ板１の上面に固定されている絶縁被膜５と、その上面に固定されている銀メッキされた電極３１a，３２a，３３a，３４ａも合わせて行われ、銅箔と銀と絶縁被膜５は面方向に延び易い材料であるために、エンボス加工によって、破断したりクラックが生じることは無く、特に、銀メッキ面Ａｇはエンボス加工により広く延びた鏡面になる。
【００２１】
エンボス加工によって形成された凹部Ｐは、平坦な円形の底面４ｃとその周囲の傾斜した側壁４ｂで形成され、これらの面４ｃ，４ｂの大部分を銀メッキされた電極３１a，３２a，３３a，３４ａで占め、前記底面４ｃに位置する銀メッキされた電極３１a，３２a，３３a，３４ａにＬＥＤ素子が搭載されてワイヤーボンドされる。銀メッキ面ＡｇはＬＥＤ素子から出力した発光を反射して、凹部Ｐの外に更に明るい光を出力する。このため、前記側壁４ｂは、下方に向かうに従って径が小さくなる方向に、４５°〜３０°程度に傾斜していることが好ましい。
【００２２】
このようにして、実施例１の表面実装型ＬＥＤ用基板（銀メッキエンボス基板）１０が製造される。そして、図１に示す最後の工程で、この表面実装型ＬＥＤ用基板（銀メッキエンボス基板）１０が、回路パターン３０を単位にした任意の大きさに打ち抜かれると共にビス止め用の孔が開設される（ステップ７）。ビス止め用の孔４ｅ，４ｅ・・は、この基板１０の四隅近傍面に形成され、図５（ａ）（ｂ）及び図６に見られるように、凹部Ｐの内側の大部分が銀メッキ面Ａｇによる光の反射面で占められている。
【００２３】
図７（ａ）（ｂ）は表面実装型ＬＥＤ基板１０の使用例を示しており、この例では、３個のＬＥＤ素子７Ａ，７Ｂ，７Ｃが搭載されて並列にワイヤーボンディングされている。このように該基板１０に３個のＬＥＤ素子７Ａ，７Ｂ，７Ｃを搭載すると、同じ色の発光色を出力する３個のＬＥＤ素子のそれぞれを個別に出力制御できるようになる。このため、光量（明るさ）を３段階に分けた制御、発光色の異なる３個のＬＥＤ素子の個別制御が可能になる。これらの制御は、前記基板１０に外部接続されたマイコンによるプログラム制御、又はスイッチ制御により行われる。凹部Ｐの上方を、凸レンズ、又は、光通過が可能なプラスチック板、ガラス板、表面に多数の凹凸が形成された椀形状のプラスチックカバー等で覆ってもよい。
【００２４】
図８は実施例１の表面実装型ＬＥＤ１０の他の使用例を示しており、この例では、１個のＬＥＤ素子７Ｄが搭載されてワイヤーボンディングされている。このＬＥＤ素子７Ｄは、４端子を有し、これら端子のうちの共通端子が中央の電極３３ａにワイヤーボンディングされ、他の３つの端子が電極３１ａ，３２ａ，３４ａに分配されてワイヤーボンディングされている。この４端子構造を有するＬＥＤ素子７Ｄは、複数の色に分けて発光させることができ、このＬＥＤ素子７Ｄの出力制御は、前記基板１０に外部接続されたマイコンによるプログラム制御、又はスイッチ制御により行われる。
【００２５】
図９は表面実装型ＬＥＤ基板の他の回路パターン例を平面図で示しており、この図に示す表面実装型ＬＥＤ１０Ａは、面方向に３組の回路３１，３２，３４が形成されている。この基板１０Ａは、前記表面実装型ＬＥＤ用基板（銀メッキエンボス基板）１０と同様の方法で製造されているが、４回路ではなく、３つの回路３１，３２，３４を備える。そして、２つの回路３２，３４の一方の電極３２ａ，３４ａは、左右に接近した位置にあり、他の１つの電極３３ａは、左右の電極３２ａ，３４ａの各一辺に沿った位置にある。凹部Ｐの内側に位置する各電極３１ａ，３２ａ，３４ａは、銀メッキされており、電極３２ａ，３４ａの凹部Ｐの底面４ｃに位置する面にＬＥＤ素子７Ｅ，７Ｆを搭載して、各電極３１ａ，３２ａ，３４ａにワイヤーボンディングされる。このようにすると、２個のＬＥＤ素子７Ｅ，７Ｆを個別に出力制御できる。
【００２６】
（実施例２）
図１０は、実施例２の表面実装型ＬＥＤ用基板（金メッキエンボス基板）の製造工程を示しており、この図に示すように、この基板の製造には、矩形肉厚のアルミ板１の上面に絶縁層２が形成され、更に、その上面に銅箔３が固定された３層基板４が使用される（ステップ１）。絶縁層２は、実施例１の基板の絶縁層と同じ材料で形成され、銅箔３は、接着剤による接着、或いは、加熱を伴う圧着により固定されている。
【００２７】
最初の工程では、前記基板４を加工して、面方向に４つに区分された回路パターン３０，３０，・・を４組形成し、該回路パターン３０，３０，・・以外の銅箔部分の除去が行われる（ステップ２）。この加工も実施例１の欄で説明したエッチング法、又は、回路パターンの形を有する銅箔を貼り付ける方法で行われる。また、蒸着、スパッタ、電気メッキ、無電極電気メッキ、電気分解、ＣＶＤ等の何れかにより銅薄膜を形成してもよい。
【００２８】
次の工程で、各回路パターン３０，３０，・・の使用時通電を必要としない部分が、縁被膜５，５・・でレジスト印刷されて、外部から絶縁保護される（ステップ３）。
【００２９】
更に、次の工程で、エンボス加工予定面Ｐａの反対側に位置するアルミ面が座グリ加工されて、円形の座グリ穴４ａ，４ａが形成される（ステップ４）。
【００３０】
更に、次の工程で、エンボス加工予定面Ｐａがエンボス加工用押型５０でエンボス加工されて、エンボス加工予定面Ｐａに凹部Ｐ，Ｐ・・が形成される（ステップ６）。凹部Ｐ，Ｐ・・の形成方法は、実施例１による方法と同様の方法で行われる。エンボス加工は、図１２（ａ）（ｂ）に示すように、アルミ板１の上面に固定されている絶縁被膜５と、その上面に固定されている電極３１a，３２a，３３a，３４ａも合わせて行われる。エンボス加工によって形成された凹部Ｐは、平坦な円形の底面４ｃとその周囲の傾斜した側壁４ｄで形成され、これらの面４ｃ，４ｄの大部分が銅箔の電極３１a，３２a，３３a，３４ａで占められる。
【００３１】
そして、図１０示す次の工程で、エンボス部Ｐの内側に位置する回路が、部分メッキ法による金メッキがされる（ステップ６）。Ａｕは金メッキ面である。金メッキ面Ａｕは、図１１ａ）（ｂ）に示すように、エンボス部Ｐの内側に位置する電極３１ｂ，３２ｂ，３３ｂ，３４ｂに形成される。金メッキは、金を主材料とする金合金によるメッキを含まれる。金メッキは、エンボス加工予定面Ｐａを光反射面にするために行われ、導電性に優れた金メッキ面は、各電極３１a，３２a，３３a，３４ａと電気接続された状態にある。
【００３２】
このようにして、実施例２の表面実装型ＬＥＤ用基板（金メッキエンボス基板）１１が製造され、所望により、回路パターン３０を単位にした任意の大きさに打ち抜かれると共にビス止め用の孔が開設される（ステップ７）。ビス止め用の孔４ｅ，４ｅ・・は、この基板４Ｅの四隅近傍面に形成され、図１３に見られるように、凹部Ｐの内側の大部分が金メッキ面Ａｕによる光の反射面で占められている。
【００３３】
実施例２の表面実装型ＬＥＤ用基板（金メッキエンボス基板）１１の製造において、エンボス加工後に金メッキを行った理由は、凹部Ｐの内側に位置する電極３１a，３２a，３３a，３４ａの部分を金メッキすることにより、価格が高価な金の節約を図るためである。
【００３４】
なお、上記各実施例では、円形のエンボス部について説明したが、直線上に幅の広い溝形状のエンボス部に形成しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施例１による表面実装型ＬＥＤ用基板（銀メッキエンボス基板）の製造工程を示した図。
【図２】同上実施例１の銀メッキエンボス基板における回路パターンの１組を拡大して示した図。
【図３】銀メッキされる部分とその周辺部分を拡大した平面図、（ｂ）は正面断面図。
【図４】銀メッキ後の基板の主要部を拡大して示した正面断面図。
【図５】（ａ）はエンボス加工後の回路基板の主要部を拡大して示した平面図、（ｂ）は同じく正面断面。
【図６】同上実施例１の表面実装型ＬＥＤ用基板（銀メッキエンボス回路基板）を示した斜視図。
【図７】表面実装型ＬＥＤの１例を示した平面図、（ｂ）は正面断面図。
【図８】表面実装型ＬＥＤの１使用例を示した斜視図。
【図９】表面実装型ＬＥＤの他例を示した平面図。
【図１０】本発明の実施例２による表面実装型ＬＥＤ用基板（金メッキエンボス基板）の製造工程を示した図。
【図１１】（ａ）は同上実施例２のエンボス加工後の回路基板を示した平面図、（ｂ）は正面断面図。
【図１２】同上実施例２の金メッキ後のエンボス基板を示した平面図、（ｂ）は正面断面図。
【図１３】同上実施例２の表面実装型ＬＥＤの１使用例を示した斜視図。
【符号の説明】
【００３６】
１    アルミ板
２    絶縁層
３    銅箔
３０  回路パターン
３１〜３４  回路
３１a，３２a，３３a，３４a  電極
３１b，３２b，３３b，３４ｂ  電極
４    ３層基板
４ａ  座グリ穴
４ｃ  平坦面
４ｄ  壁面
４ｅ  孔
５    絶縁被膜
５ａ  開口部
７Ａ，７Ｂ，７Ｃ  ＬＥＤ素子
９    凸レンズ
１０，１１  基板
５０    エンボス押型
６０    テーブル
Ａｇ    銀メッキ面
Ａｕ    金メッキ面
Ｐ      凹部
Ｐａ    エンボス加工予定面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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