(57)【要約】【課題】従来の技術では、処理ガスに添加されたＣとＦを含むガスによってハードマスク開口部への付着物を抑制しているが、本来のエッチングガスとは別に、付着物を抑制ためのＣとＦを含むガスを添加しなくてはならず、また、ＣとＦを含むガスはハードハードマスク自体を減膜させるため、ＣとＦを含むガスの添加量や添加のタイミングを適正に制御しなくてはならない。つまり、開口寸法が０．２μｍ以下で高アスペクト比のホールまたはトレンチを形成する場合には、エッチング中にマスク開口部の堆積物を除去し、あるいはその成長を抑制しなくてはならない。【解決手段】本発明のエッチング方法は、プラズマを利用するエッチング方法において、側壁がボーイング形状の開口部２０１Ａを有するＳｉＯ２膜２０１をハードマスクとして用いてＳｉ層２０２をエッチングする。【選択図】図３
2006228846.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを利用するエッチング方法において、マスクの厚み方向を上下方向としたとき、マスク上下両面それぞれの開口寸法に対し、上記上下両面間の開口寸法が拡大した開口部を有するマスクを用いて被エッチング層をエッチングすることを特徴とするエッチング方法
【請求項２】
上記マスクがシリコン酸化膜であり、上記被エッチング層がシリコン層であって、フロロカーボンガスを含むガスを用いて上記開口部を形成することを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
【請求項３】
シリコン酸化膜をマスクとし、シリコン層を被エッチング層としてエッチングする方法において、マスクの厚み方向を上下方向としたとき、マスク上下両面それぞれの開口寸法に対し、上記上下両面間の開口寸法が拡大した開口部を上記シリコン酸化膜に形成した後、ハロゲン元素を含むガスを用いて上記シリコン層をエッチングすることを特徴とするエッチング方法
【請求項４】
上記ハロゲン元素を含むガスとして、ＨＢｒガス、ＮＦ３ガス及びＯ２ガスを含むガスを用いることを特徴とする請求項３に記載のエッチング方法。
【請求項５】
上記被エッチング層に開口径または開口幅が０．２μｍ以下のホールまたはトレンチを形成することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のエッチング方法。
【請求項６】
上記被エッチング層にアスペクト比が４０以上のホールまたはトレンチを形成することを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載のエッチング方法。
【請求項７】
コンピュータを機能させて、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のエッチング方法を実行するように処理装置を制御することを特徴とする制御プログラム。
【請求項８】
コンピュータを機能させて処理装置を制御する制御プログラムが記憶された記憶媒体であって、上記制御プログラムは、上記コンピュータを機能させて、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のエッチング方法を実行するように処理装置を制御することを特徴とする制御プログラム記憶媒体。
【請求項９】
真空排気可能な処理容器と、この処理容器内に配置され且つ被処理体の載置台を兼ねる電極と、この電極に高周波電力を印加する高周波電源と、上記処理容器内にエッチングガスを供給するガス供給手段と、を有する、少なくとも２つのエッチング装置と、これらのエッチング装置を制御する制御装置と、を備え、上記制御装置は、請求項１〜請求項６のいずれか１項のエッチング方法を実行するように上記各エッチング装置を制御することを特徴とする処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高アスペクト比のホールまたはトレンチを形成することができるエッチング方法、エッチング方法を実行するための制御プログラム、制御プログラム記憶媒体及び処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、半導体装置が高密度化、高集積化するに伴ってその配線構造が急速に微細化している。微細な配線構造を形成するためには、開口寸法が小さくアスペクト比の高いホールやトレンチを形成することが重要である。
【０００３】
例えばシリコン層（Ｓｉ層）にホールやトレンチを形成する方法として、プラズマを利用するエッチング方法が多数提案されている。プラズマエッチング方法では、例えば図４の（ａ）に示すように、所定パターンの開口部１Ａを有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１をハードマスクとして、その下層のシリコン層（Ｓｉ層）２を開口部１Ａに即してエッチングすることによって、同図の（ｂ）に示すホールまたはトレンチ２Ａを形成している。しかし、エッチング時には反応生成物（例えば、ＳｉＢｒＸＯｙ）が生成し、この反応生成物が同図の（ｂ）に示すようにマスクの開口部１Ａに付着し、堆積物３を形成する。
【０００４】
反応生成物は、マスクの開口部１Ａに堆積物３を形成し易いため、ホールまたはトレンチが深くなるほど開口部１Ａで堆積物３が成長し、同図の（ｂ）に示すように堆積物３が開口部１Ａを狭くする。その結果、開口部１Ａの実質的な開口寸法ｄ’が小さくなり、見掛けのアスペクト比（ｈ／ｄ’）が高くなって、ホールまたはトレンチ２Ａ内でのエッチングレートが遅くなり、所望の深さに達するまでに多くの時間を要する。ホールまたはトレンチ２Ａが深くなってエッチングレートが遅くなると、ホールまたはトレンチ２Ａの側壁がテーパ化し、場合によってはエッチングが止まることもある。
【０００５】
そこで、本出願人は、例えば特許文献１においてマスク開口部への反応生成物の付着を抑制する技術を提案した。この技術では、エッチングガスとしては、ＨＢｒガス、Ｏ２ガス及びＳｉＦ４ガスに、ＳＦ６ガスとＮＦ３ガスの両方またはいずれか一方を加えた混合ガスを含む処理ガスに、更にＣとＦを含むガスを添加したガスが用いられている。この場合、ＣとＦを含むガス（例えば、ＣＦ４ガス）をエッチングガスに添加するタイミングを適宜制御することによって、開口部での堆積物を抑制することができ、高アスペクト比のホールまたはトレンチを得ることができる。
【０００６】
また、特許文献２には、エッチングの異方性を高めることができるエッチング方法が提案されている。この場合には、断面が庇状のマスクを半導体基体上に形成し、このマスクを介して半導体基体をエッチングすると、マスク開口部に斜め方向から入るエッチング粒子は庇内に導入され、エッチング粒子のトレンチの側壁への散乱を防止することができ、その結果として異方性エッチングを行えるようにしている。
【０００７】
【特許文献１】特開２１０４―３０４０３０号公報
【特許文献２】特開平０１−２２６５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、処理ガスに添加されたＣとＦを含むガスによってハードマスク開口部への堆積物を抑制しているが、本来のエッチングガスとは別に、堆積物を抑制するためのＣとＦを含むガスを添加しなくてはならず、また、ＣとＦを含むガスはハードマスク自体を減膜させるため、ＣとＦを含むガスの添加量や添加のタイミングを適正に制御しなくてはならない。つまり、開口寸法が０．２μｍ以下で高アスペクト比のホールまたはトレンチを形成する場合には、エッチング中にマスク開口部の堆積物を除去し、あるいはその成長を抑制しなくてはならない。
【０００９】
また、特許文献２には、マスクの庇によってエッチング粒子の散乱を抑制する技術について開示されているに過ぎず、反応生成物の付着やその弊害について何等記載されていない。
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、エッチングによる反応生成物がマスク開口部に付着してもエッチングレートが低下することなく、良好な形状のホールまたはトレンチを形成することができるエッチング方法、エッチング方法を実行するための制御プログラム、制御プログラム記憶媒体及び処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の請求項１に記載のエッチング方法は、プラズマを利用するエッチング方法において、マスクの厚み方向を上下方向としたとき、マスク上下両面それぞれの開口寸法に対し、上記上下両面間の開口寸法が拡大した開口部を有するマスクを用いて被エッチング層をエッチングすることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項２に記載のエッチング方法は、請求項１に記載の発明において、上記マスクがシリコン酸化膜であり、上記被エッチング層がシリコン層であって、フロロカーボンガスを含むガスを用いて上記開口部を形成することを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項３に記載のエッチング方法は、シリコン酸化膜をマスクとし、シリコン層を被エッチング層としてエッチングする方法において、マスクの厚み方向を上下方向としたとき、マスク上下両面それぞれの開口寸法に対し、上記上下両面間の開口寸法が拡大した開口部を上記シリコン酸化膜に形成した後、ハロゲン元素を含むガスを用いて上記シリコン層をエッチングすることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項４に記載のエッチング方法は、請求項３に記載の発明において、上記ハロゲン元素を含むガスとして、ＨＢｒガス、ＮＦ３ガス及びＯ２ガスを含むガスを用いることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項５に記載のエッチング方法は、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の発明において、上記被エッチング層に開口径または開口幅が０．２μｍ以下のホールまたはトレンチを形成することを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の請求項６に記載のエッチング方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の発明において、上記被エッチング層にアスペクト比が４０以上のホールまたはトレンチを形成することを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の請求項７に記載の制御プログラムは、コンピュータを機能させて、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のエッチング方法を実行するように処理装置を制御することを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の請求項８に記載の制御プログラム記憶媒体は、コンピュータを機能させて処理装置を制御する制御プログラムが記憶された記憶媒体であって、上記制御プログラムは、上記コンピュータを機能させて、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載のエッチング方法を実行するように処理装置を制御することを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の請求項９に記載の処理装置は、真空排気可能な処理容器と、この処理容器内に配置され且つ被処理体の載置台を兼ねる電極と、この電極に高周波電力を印加する高周波電源と、上記処理容器内にエッチングガスを供給するガス供給手段と、を有する、少なくとも２つのエッチング装置と、これらのエッチング装置を制御する制御装置と、を備え、上記制御装置は、請求項１〜請求項６のいずれか１項のエッチング方法を実行するように上記各エッチング装置を制御することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の請求項１〜請求項９に記載の発明によれば、エッチングによる反応生成物がマスク開口部に付着してもエッチングレートが低下することなく、良好な形状のホールまたはトレンチを形成することができるエッチング方法、エッチング方法を実行するための制御プログラム、制御プログラム記憶媒体及び処理装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図１〜図４に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。本発明のエッチング方法では、例えば図１に示すように、第１のエッチング装置１０と、第２のエッチング装置５０とを組み合わせたマルチチャンバータイプの処理装置１００によって好適に実施することができる。処理装置１００は、第１、第２のエッチング装置１０、５０を制御する制御プログラム記憶媒体が搭載された制御装置１００Ａを備えている。この制御装置１００Ａは、制御プログラム記憶媒体で記憶された制御プログラムに基づいて機能することによって、第１、第２のエッチング装置１０、５０を制御して、第１のエッチング装置１０において被処理体（例えば、ウエハ）Ｗの上面にハードマスクとして形成されたシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）２０１に開口部２０１Ａを形成した後、第２のエッチング装置５０においてＳｉＯ２膜２０１の下層のシリコン層（Ｓｉ層）２０２にホールまたはトレンチ２０２Ａを形成する（図３参照）。ウエハＷのＳｉＯ２膜２０１の上面には、ホールまたはトレンチ２０２Ａのパターンに即したパターンの開口部２０３Ａを有するレジスト膜２０３が予め形成されている（図３の（ａ）参照）。尚、ＳｉＯ２膜２０１はＣＶＤ成膜法によって形成され、その開口パターンはリソグラフィー技術によって形成される。
【００２２】
まず、ＳｉＯ２膜２０１に開口部２０１Ａを形成する第１のエッチング装置１０について説明する。このエッチング装置１０は、図１に示すように、表面にアルマイト処理が施されたアルミニウム製の真空排気可能な処理容器１１と、処理容器１１内に配置され且つウエハＷの載置台を兼ねる下部電極１２と、下部電極１２に接続され且つ高周波電力を下部電極１２に印加する高周波電源１３と、下部電極１２の上方に配置され且つエッチングガスを吐出する複数の吐出孔１４Ａを有する上部電極１４と、上部電極１４に接続されたエッチングガスのガス供給手段１５と、を有し、高周波電源１３から下部電極１２に印加された高周波電力によって処理容器１１内のエッチングガスをプラズマ化してウエハＷをエッチングする。また、処理容器１１上部の周囲には処理容器１１内に磁場を印加する磁石１６が配置され、この磁石１６が形成した磁場によってプラズマ密度を高めることができる。
【００２３】
処理容器１１の天井壁には上部電極１４内で開口するガス導入口１１Ａが形成され、このガス導入口１１Ａにはガス供給手段１５がガス供給管１７を介して接続されている。ガス供給手段１５は、例えばガス供給管１７から分岐する３本の分岐管にそれぞれ接続されたガス供給源１８Ａ、１８Ｂ、１８Ｃと、これらの分岐管にそれぞれ上流側から下流側へ順次設けられた流量調整バルブ１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃ及び開閉バルブ２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃと、を有している。ガス供給源１８ＡはＣ５Ｆ８ガスを供給し、ガス供給源１８ＢはＡｒガスを供給し、ガス供給源１８ＣはＯ２ガスを供給し、これらの混合ガスをガス供給管１７から上部電極１４へエッチングガスとして供給する。また、処理容器１１の下部には排気口１１Ｂが形成され、この排気口１１Ｂには排気管２１を介して真空排気装置（図示せず）が接続されている。
【００２４】
図１ではエッチングガスの組成としてＣ５Ｆ８ガス、Ａｒガスを及びＯ２ガスを例示してあるが、エッチングガスとしては、例えばフロロカーボンガスを含むガスであれば好ましく用いることができる。フロロカーボンガスを含むガスは、ＳｉＯ２膜２０１に対して等方性エッチングを行うことができ、その結果、開口部２０１Ａの上下方向の中央部ほど開口寸法が拡大して湾曲する、いわゆるボーイング形状の開口部２０１Ａを形成することができる。ボーイング形状の開口部２０１ＡがＳｉＯ２膜２０１に形成されることによって、第２のエッチング装置５０でＳｉ層２０２にホールまたはトレンチ２０２Ａを形成する場合に、エッチング時の反応生成物が開口部２０１Ａに付着しても、ホールまたはトレンチ２０２Ａの深部までエッチングレートは低下することがなく、垂直な側壁を有するホールまたはトレンチ２０２Ａを形成することができる。ボーイング形状の開口部２０１Ａは、特に、０.２μｍ以下の開口径を有するホールまたは０.２μｍ以下の幅を有するトレンチ２０２Ａを形成する場合に優れた効果を発揮する。
【００２５】
図１に示すように、下部電極１２は、例えばアルミニウムで構成されており、絶縁体２２を介して導体の支持台２３に支持されている。下部電極１２は、処理容器１１の下部に形成された搬出入口１１ＣにおいてウエハＷの授受を行うようにしてある。搬出入口１１Ｃにはゲートバルブ２４が取り付けられ、ゲートバルブ２４によって搬出入口１１Ｃを開閉する。下部電極１２の上面には静電チャック２５が配置されている。静電チャック２５は、例えば銅等の導電材料からなる電極２５Ａと、この電極２５Ａを挟むポリイミド樹脂２５Ｂとからなっている。静電チャック２５には高圧直流電源２６が接続され、この高圧直流電源２６から静電チャック２５に高圧直流電圧を印加することによって静電チャック２５上のウエハＷを静電吸着して固定する。更に、下部電極１２の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させることによって、ウエハＷを所定温度に制御できるようにしてある。下部電極１２の上方の外周にはフォーカスリング２７が設けられ、フォーカスリング２７の外側にはバッフルプレート２８が設けられている。下部電極１２と支持台２３は、ボールネジ２９を含むボールネジ機構によって昇降可能に構成され、支持台２３の下方の駆動部分はステンレス製のベローズ３０で覆われている。また、ベローズ３０の外側にはベローズカバー３１が設けられている。支持台２３は、ベローズ３０を介して処理容器１１と導通し、接地されている。
【００２６】
次に、ＳｉＯ２膜２０１をハードマスクとしてＳｉ層２０２にホールまたはトレンチ２０２Ａを形成する第２のエッチング装置５０について説明する。第２のエッチング装置５０は、第１のエッチング装置１０よりも高い圧力領域で使用されて高プラズマ密度を得るように構成されている。
【００２７】
第２のエッチング装置５０は、例えば図２に示すように、表面にアルマイト処理が施されたアルミニウム製の真空排気可能な処理容器５１と、処理容器５１内に昇降可能に配置され且つウエハＷの載置台を兼ねる下部電極５２と、下部電極５２に接続され且つ周波数が異なる第１、第２の高周波電力を独立して下部電極５２に印加する第１、第２の高周波電源５３、５４と、下部電極５２の上方に配置され且つエッチングガスを吐出する複数の吐出孔５５Ａを有する上部電極５５と、上部電極５５に接続されたエッチングガスのガス供給手段５６と、を有し、第１、第２の高周波電源５３、５４から下部電極５２にそれぞれ独立して印加された周波数の異なる第１、第２の高周波電力によって処理容器５１内でエッチングガスをプラズマ化してウエハＷをエッチングする。また、処理容器５１上部の周囲には処理容器５１内に磁場を印加する磁石５６が配置され、この磁石５６が形成した磁場によってプラズマ密度を高めることができる。
【００２８】
処理容器５１の天井壁には上部電極５５内で開口するガス導入口が形成され、このガス導入口にはガス供給手段５６がガス供給管５８を介して接続されている。ガス供給手段５６には複数のガス供給源が接続され、これらのガス供給源から複数種のガスを混合してエッチングガスとして供給する。処理容器５１の下部には排気口５１Ｂが形成され、この排気口５１Ｂには排気管５９を介して真空排気装置（図示せず）が接続されている。
【００２９】
エッチングガスの組成としては、ハロゲン元素を含むガスとＯ２ガスを混合したガスが好ましい。ハロゲン元素を含むガスとしては、例えばＨＢｒガス、ＮＦ３ガス、ＳＦ６ガス及びＳｉＦ４ガスがあり、これらのガスは、例えば表１に示すようにＯ２ガスと適宜組み合わせたガス組成として用いられる。
【００３０】
【表１】
2006228846.tif 000003
【００３１】
図２に示すように、下部電極５２の下側には絶縁体６０及び導電体６１が配置され、下部電極５２、絶縁体６０及び導電体６１は昇降機構（図示せず）を介して昇降可能になっている。下部電極５２の上面にはウエハＷの載置面となる静電チャック６２が配置され、この静電チャック６２に高圧直流電源６３が接続されている。また、静電チャック６２は、その外周がフォーカスリング６４によって囲まれている。更に、導電体６１はステンレス製のベローズ６５を介して処理容器５１の底部に接地されている。下部電極５２及び静電チャック６２にはウエハＷの中心部及び周縁部の複数個所で開口するガス流路（図示せず）が形成され、このガス流路からウエハＷの裏面へＨｅガスを供給する。また、ベローズ６５は、ベローズカバー６６によって処理容器５１の空間から遮断されている。尚、６７は整合器である。
【００３２】
次に、上記処理装置１００を用いて、例えば２００ｍｍのウエハＷのＳｉ層２０２にホールまたはトレンチ２０２Ａを形成するエッチング方法の一実施態様について説明する。処理装置１００の制御装置１００Ａは、制御プログラムに基づいて機能して第１、第２のエッチング装置１０、５０を制御して以下で説明するようにウエハＷに対してエッチングを施す。
【００３３】
第１のエッチング装置１０は制御装置１００Ａの制御下で駆動して、ウエハＷのＳｉＯ２膜２０１に開口部２０１Ａを形成してＳｉ層２０２上にハードマスクを作製する。使用されるウエハＷは、例えば図３の（ａ）に示すように、ハードマスク用として形成されたＳｉＯ２膜２０１と、ＳｉＯ２膜２０１の下側に被エッチング層として形成されたＳｉ層２０２と、ＳｉＯ２膜２０１上にマスク用として形成されたレジスト膜２０３と、を有している。レジスト膜２０３にはホールまたはトレンチ２０２Ａのパターンに即した開口部２０３Ａが予め形成されている。この開口部２０３Ａは、ハードマスクとしてのＳｉ層２０２に開口部２０２Ａを形成するためのパターンとして形成されている。
【００３４】
始めに、ウエハＷが第１のエッチング装置１０の搬出入口１１Ｃから処理容器１１内に搬入されて下部電極１２上に載置されると、ウエハＷは、静電チャック２５上に静電吸着によって固定される。搬出入口がゲートバルブ２４で閉じられた後、ガス供給手段１５の各ガス供給源１８Ａ、１８Ｂ、１８ＣからＣ５Ｆ８ガス、Ａｒガス及びＯ２ガスがそれぞれの流量調整バルブ１９Ａ、１９Ｂ、１９Ｃによって所定の流量比に調整されて、上部電極１４の吐出口１４ＡからウエハＷ上に向けてエッチングガスとして供給される。この時のＣ５Ｆ８ガス、Ａｒガス及びＯ２ガスそれぞれの流量は、例えば５〜３０ｓｃｃｍ、５０〜１０００ｓｃｃｍ、１〜２０ｓｃｃｍの範囲が好ましく、処理容器１１内のガス圧力は、例えば１５〜１００ｍＴｏｒｒの範囲が好ましい。エッチングガスを導入する間にもウエハＷの裏面にＨｅガスが流量調整して供給され、ウエハＷを冷却する。ウエハＷ裏面のＨｅガスの圧力は、中央で５〜３０Ｔｏｒｒ、周縁部で１０〜５０Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。また、下部電極温度、処理容器１１の側壁温度及び上部電極温度は、それぞれ例えば−２０〜６０℃、  ５０〜１００℃、５０〜１００℃の範囲が好ましい。
【００３５】
処理容器１１内が所定の真空度に設定されると高周波電源１３から高周波電力が印加されて、下部電極１２と上部電極１４の間でエッチングガスのプラズマを発生する。高周波電力は、１０００〜２５００Ｗの範囲が好ましい。また、必要に応じて磁石１６から処理容器１１内に磁場が印加される。磁場が印加される場合には、その強度は  ５０〜３００ガウスの範囲が好ましい。
【００３６】
上述の条件でレジスト膜２０３をマスクとしてＳｉＯ２膜２０１がエッチングされると、図３の（ａ）に示すＳｉＯ２膜２０１は等方性エッチングを受けて、同図の（ｂ）に示すようにボーイング形状の側壁を有する開口部２０１Ａが形成される。
【００３７】
第１のエッチング装置１０でＳｉＯ２膜２０１にボーイング形状の開口部２０１Ａが形成された後、ウエハＷは第１のエッチング装置１０から搬出され、処理装置１００のアッシング装置（図示せず）によってレジスト膜２０３が除去される（図３の（ｃ）参照）。その後、このウエハＷは第２のエッチング装置５０の処理容器５１内に搬入されて下部電極５２上の静電チャック６２上に静電吸着により固定される。
【００３８】
次いで、ガス供給手段５６から上部電極５５内に例えばＨＢｒガス、ＮＦ３ガス、ＳｉＦ４ガス及びＯ２ガスがそれぞれ所定の流量比に調整されて供給され、上部電極５５の吐出口５５ＡからウエハＷ上に向けてエッチングガスとして供給される。この時のＨＢｒガス、ＮＦ３ガス、ＳｉＦ４ガス及びＯ２ガスそれぞれの流量は、例えば１５０〜３５０ｓｃｃｍ、１０〜５０ｓｃｃｍ、０〜２０ｓｃｃｍ、１０〜５０ｓｃｃｍの範囲が好ましく、処理容器５１内のガス圧力は、例えば１００〜３００ｍＴｏｒｒの範囲が好ましい。一方、Ｈｅガス供給源からウエハＷの裏面に向けてＨｅガスが流量調整して供給され、ウエハＷは冷却される。この時のＨｅガスの圧力は、中央で５〜３０Ｔｏｒｒ、周縁部で１０〜５０Ｔｏｒｒの範囲が好ましい。また、下部電極温度、処理容器１１の側壁温度及び上部電極温度は、それぞれ５０〜１２０℃、５０〜１００℃、５０〜１００℃の範囲が好ましい。
【００３９】
処理容器５１内が所定の真空度に設定されると、第１、第２の高周波電源５３、５４から第１、第２の高周波電力が下部電極５２に印加されて、下部電極５２と上部電極５５の間でエッチングガスのプラズマを発生する。この時、第１の高周波電力は、第２の高周波電力よりも高い周波数に設定されている。第１、第２の高周波電力はそれぞれ独立に制御されるため、Ｓｉ層２０２に形成されるホールまたはトレンチ２０２Ａの側壁が曲面形状に削られる、いわゆるボーイング現象の発生を防止することができ、開口面に対して垂直な壁面が形成される。第１の高周波電力の周波数は、２７．１２ＭＨｚ以上に設定されることが好ましく、特に磁場を印加しない場合には２７．１２ＭＨｚ以上に設定されることが好ましい。
【００４０】
処理容器５１内の磁場は、必要に応じて印加され、プラズマは高密度化する。磁場を印加する場合には、第１の高周波電力は１３．５６ＭＨｚの周波数に設定される。この場合には第１の高周波電力の周波数が２７．１２ＭＨｚより低くても、磁場によってプラズマを高密度化できるからである。第２の高周波電力の周波数は、例えば３．２ＭＨｚに設定されることが好ましい。また、第１の高周波電力は、５００〜１０００Ｗ、第２の高周波電力は、５００〜１０００Ｗの範囲が好ましい。磁場を印加する場合には、その強度は  ５０〜３００ガウスの範囲が好ましい。
【００４１】
上記の各処理条件でウエハＷのＳｉＯ２膜２０１をマスクとしてＳｉ層２０２をエッチングすると、図３の（ｄ）に示すようにＳｉＯ２膜２０１のボーイング形状の側壁に反応生成物が付着し、堆積物２０４が形成される。しかし、本実施形態では、同図に示すように堆積物２０４が形成されても、開口部２０１Ａはボーイング形状であるため、堆積物２０４は側壁の拡径部を埋めるだけで開口部２０１Ａを狭くすることがないため、堆積物２０４によって見掛けのアスペクト比が高くなることもなく、ホールまたはトレンチ２０２Ａの深部でのエッチングレートの低下が防止され、あるいは抑制される。その結果、ホールまたはトレンチ２０２Ａの深部でも底部及び側壁がそれまでと変わりなくエッチングされて、側壁がテーパ形状になることが防止され、あるいは抑制される。尚、上記各処理条件は、ウエハサイズが２００ｍｍの場合のものであり、ウエハサイズが変われば、そのウエハサイズに適した処理条件を処理装置１００に設定することは云うまでもない。
【００４２】
以上説明したように本実施形態によれば、側壁がボーイング形状の開口部２０１Ａを有するＳｉＯ２膜２０１をハードマスクとして用いてＳｉ層２０２をエッチングするため、エッチング時に反応生成物が側壁に付着してもその堆積物２０４によって開口部２０１Ａが狭くならず、エッチングレートが低下せず、所望の深さまで安定したエッチングを行って高アスペクト比のホールまたはトレンチ２０２Ａを形成することができ、深部における側壁のテーパ化を防止することができる。また、本実施形態によれば、ＳｉＯ２膜２０１をハードマスクとしてＳｉ層２０２をエッチングするに当って、Ｃ５Ｆ８ガスを含むガスを用いてＳｉＯ２膜２０１の開口部２０１Ａを形成するため、ＳｉＯ２膜２０１の等方性エッチングによってボーイング状の開口部２０１Ａを確実に形成することができる。
【００４３】
また、本実施形態によれば、ＳｉＯ２膜２０１にボーイング形状の開口部２０１Ａを形成した後、ハロゲン元素を含むガス（例えば、ＨＢｒガス、ＮＦ３ガス、ＳＦ６ガス及びＳｉＦ４ガス）を用いてＳｉ層２０２をエッチングするため、Ｓｉ層２０２に形成されるホールまたはトレンチ２０２Ａの側壁に保護膜を形成して垂直な側壁を形成することができる。特に、ハロゲン元素を含むガスとして、ＨＢｒガス、ＮＦ３ガス及びＯ２ガスを含むガスを用いることによって垂直な側壁をより確実に形成することができる。
【００４４】
また、本実施形態によれば、Ｓｉ層２０２に開口径が０．２μｍ以下のホールまたは開口幅が０．２μｍ以下のトレンチを形成する場合であっても、ＳｉＯ２膜２０１の開口部２０１Ａがボーイング形状であるため、開口部２０１Ａに堆積物２０４が形成されても、開口部２０１Ａが狭くならず、所望の高アスペクト比を有するホールまたはトレンチ２０２Ａを確実に形成することができる。更に、Ｓｉ層２０２にアスペクト比が４０以上のホールまたはトレンチ２０２Ａを形成する場合であっても、ホールまたはトレンチ２０２Ａの深部におけるエッチングレートが低下せず、所望の形状で確実にホールまたはトレンチ２０２Ａを形成することができる。
【００４５】
更に、本実施形態によれば、制御装置（コンピュータ）１００Ａは制御プログラムに基づいて機能して、第１、第２のエッチング装置１０、５０を制御するため、第１のエッチング装置１０においてＳｉＯ２膜２０１にボーイング形状の開口部２０１Ａを形成した後、第２のエッチング装置５０においてＳｉＯ２膜２０１をハードマスクとしてＳｉ層２０２をエッチングし、開口径または開口幅が０．２μｍ以下で、アスペクト比が４０以上のホールまたはトレンチ２０２Ａを形成し、所望の形状でホールまたはトレンチ２０２Ａを確実に形成することができる。また、本実施形態によれば、制御プログラム記憶媒体を制御装置１００Ａにインストールすることによって、制御プログラムは制御装置１００Ａを機能させて、処理装置１００の第１、第２のエッチング装置１０、５０を制御し、第１のエッチング装置１０においてＳｉＯ２膜２０１にボーイング形状の開口部２０１Ａを形成した後、第２のエッチング装置５０においてＳｉＯ２膜２０１をハードマスクとしてＳｉ層２０２をエッチングして、開口径または開口幅が０．２μｍ以下で、アスペクト比が４０以上のホールまたはトレンチ２０２Ａを形成し、所望の形状でホールまたはトレンチ２０２Ａ形成することができる。
【実施例】
【００４６】
以下具体的な実施例について説明する。
【００４７】
実施例１
本実施例では、上記処理装置を用いて表２、表３に示す条件で、予め０．１６μｍの開口部を有するレジスト膜が形成された２００ｍｍのウエハを用いてエッチングし、Ｓｉ層にトレンチを形成した。この際、第１のエッチング装置においてウエハを３分間エッチングしてＳｉＯ２膜にボーイング形状の開口部を形成した後、ボーイング形状の開口部を有するＳｉＯ２膜をハードマスクとして第２のエッチング装置において１３．５分間エッチングしてＳｉ層にトレンチを形成した。次いで、処理後のウエハの断面を観察し、ボーイング形状の開口部の開口幅ＣＤと、Ｓｉ層に形成されたトレンチのアスペクト比を測定し、測定結果を表４に示した。尚、表４では本実施例のウエハはボーイングマスクとして示した。
【００４８】
また、比較例として、実施例１と同一の開口幅で垂直な開口部を有するＳｉＯ２膜をハードマスクとして用い、表３に示すエッチング条件でＳｉ層をエッチングした後、実施例１と同様にウエハ断面を観察し、垂直壁の開口部の開口幅ＣＤと、Ｓｉ層に形成されたトレンチのアスペクト比を測定し、測定結果を表４に示した。尚、表４では本比較例のウエハは垂直マスクとして示した。
【００４９】
【表２】
2006228846.tif 000004
【００５０】
【表３】
2006228846.tif 000005
【００５１】
【表４】
2006228846.tif 000006
【００５２】
表４に示す結果によれば、本実施例のボーイングマスクは、垂直マスクと比べて開口幅が大きく、堆積物によって開口部が狭くなっていないことが判った。その結果、本実施例のボーイングマスクは、垂直マスクと比べてアスペクト比が１５％以上も高いトレンチを形成できることが判った。
【００５３】
尚、本発明は上記実施形態に何等制限されるものではない。上記実施形態ではＳｉＯ２膜をマスクとしてＳｉ層をエッチングするシリコン半導体を例に挙げて説明したが、マスク及び被エッチング層はシリコン半導体以外の化合物半導体などにも適用することができる。従って、エッチングガスも被エッチング層に適した組成のガスを適宜用いることができる。また、エッチング装置も上記実施形態に何等制限されるものではない。要は、マスク上下両面それぞれの開口寸法に対し、上下両面間の開口寸法が拡大した開口部を有するマスクを用いて被エッチング層をエッチングするエッチング方法、エッチング方法を実行するための制御プログラム及び制御プログラム記憶媒体及び処理装置であれば、本発明に包含される。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、半導体製造分野のドライエッチングに好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態の要部を示す図で、第１のエッチング装置を中心に示す断面図である。
【図２】図１に示す処理装置のうち、第２のエッチング装置を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図１に示す処理装置を用いたエッチング方法を示す工程図である。
【図４】従来のエッチング方法を用いた工程図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０、５０    エッチング装置
１１、５１    処理容器
１２、５２    下部電極
１３、５３、５４    高周波電源
１４、５５    上部電極
１５、５６    ガス供給手段
１００    処理装置
１００Ａ  制御装置
２０１    ＳｉＯ２膜
２０１Ａ  開口部
２０２    Ｓｉ層
２０２Ａ  ホールまたはトレンチ
【図１】
2006228846.tif 000007
【図２】
2006228846.tif 000008
【図３】
2006228846.tif 000009
【図４】
2006228846.tif 000010