(57)【要約】【課題】  製造工程中に電流狭窄層の組成管理を確実に行い、安定したレーザ光の発振を可能とする半導体レーザを提供する。【解決手段】  活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とを順次積層形成することでリッジストライプ構造の半導体レーザを製造する製造方法であって、前記電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体を主成分として第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体を主成分として第2の層を形成して、前記第2の層の形成後には、外部より前記直接遷移型化合物半導体を励起させて前記第2の層から発せられる光学的特性を検査する検査工程を行う製造方法を用い、それによって得られる高出力で高精度なレーザ発振を可能とする半導体レーザの構成とする。【選択図】  図1
2006287055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とを順次積層形成することでリッジストライプ構造の半導体レーザを製造する製造方法であって、
前記電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体を主成分として第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体を主成分として第2の層を形成して、
前記第2の層の形成後には、外部より前記直接遷移型化合物半導体を励起させて前記第2の層から発せられる光学的特性を検査する検査工程を行う
ことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
【請求項２】
前記検査工程では、フォトルミネセンス法またはカソードルミネセンス法を用いる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項３】
前記クラッド層に接触した状態で前記第1の層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項４】
AlInPを主成分として前記第1の層を形成する
ことを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項５】
前記検査工程の後、前記第2の層を除去する除去工程を有する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項６】
（AlxGa1-x）yIn1-yP（0≦x≦1、0.4≦y≦0.6）を主成分として前記クラッド層を形成し、
（AltGa1-t）uIn1-uP（x≦t≦1、0.4≦u≦0.6）及び（AlrGa1-r）sIn1-sP（0≦r≦1、0.4≦s≦0.6）を組み合わせて前記電流狭窄層を形成する
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の半導体レーザの製造方法。
【請求項７】
活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とが順次積層され、且つリッジストライプ構造を有する半導体レーザであって、
前記電流狭窄層には、間接遷移型化合物半導体を主成分とする第1の層及び直接遷移型化合物半導体を主成分とする第2の層が含まれており、
前記第1の層は前記クラッド層に積層され、前記第2の層は前記第1の層に積層されている
ことを特徴とする半導体レーザ。
【請求項８】
前記第2の層のバンドギャップエネルギは前記活性層のバンドギャップエネルギよりも大きい
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ。
【請求項９】
前記第1の層の屈折率n1と、前記第2の層の屈折率n2と、前記クラッド層の屈折率n3とのそれぞれには、n2＞n1及びn3＞n1の関係が存在する
ことを特徴とする請求項7に記載の半導体レーザ。
【請求項１０】
前記電流狭窄層は、前記第2の層の上に、さらに前記第1の層と同質の第3の層が積層されてなる構成を有する
ことを特徴とする請求項7から9のいずれかに記載の半導体レーザ。
【請求項１１】
前記クラッド層が、（AlxGa1-x）yIn1-yP（0≦x≦1、0.4≦y≦0.6）を含んでなり、
電流狭窄層が、（AltGa1-t）uIn1-uP（x≦t≦1、0.4≦u≦0.6）及び（AlrGa1-r）sIn1-sP（0≦r≦1、0.4≦s≦0.6）の組み合わせからなる構成を有している
ことを特徴とする請求項7から10のいずれかに記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多様な光ディスクの光源として利用される半導体レーザ、特にリッジストライプ構造を有する半導体レーザの製造方法及びその構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザは、一般に、基板の上にn型クラッド層、活性層、p型クラッド層が順次積層された構成を含み、電極で挟まれることで活性層に電流が注入される。この注入電流の密度が高まり、しきい値に達すると活性層からレーザ発振（誘導放出）が行われる。
その中でも、消費電力の低減及び高効率な出力のような良い特性を発揮するために、リッジストライプ構造を有する半導体レーザが広く普及されている。上記特性の実現のためには、効率的な活性層への電流注入と、活性層内に巧く光を閉じ込めることが重要となる。そこで図7に示すように、電流の注入範囲を限定する電流狭窄層905が設けられている。
【０００３】
これにより電流の高密度化が図られるとともに活性層の一部分に光を閉じ込める効果を有することとなる。また、記録用DVDメディアの書き込み手段等に用いられる半導体レーザの場合には、特に高出力のレーザ発振が要求されるために、光の吸収率が低く反射特性の高いAlInPを主成分とする電流狭窄層905が結晶成長によって形成されている（例えば、特許文献1）。
【特許文献１】特開2000-022267号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記特性を有する電流狭窄層905ではあるが、光閉じ込め領域内での光の反射がその発振されるレーザ光の精度に大きく寄与している。特に、光閉じ込め領域にはp型クラッド層904が台形状の断面を有しているため、その斜面部（図7 (b)のB部）上に成長した電流狭窄層においても、屈折率や結晶性等の光閉じ込め機能に寄与する特性が平坦部上に成長した電流狭窄層と同じ特性であることが望ましい。
【０００５】
しかし、上記斜面部上と上記平坦部上とでは異なる方向に結晶成長されてなるため、図7 (c)における平坦部での結晶成長部分（A2部分）と斜面部分での結晶成長部分（A1部分）とでは、連続的に形成された同じ電流狭窄層905であっても、その配向性や構造、組成等などが異なってしまう。そのため、実際の半導体レーザを作製するにあたっては、このような領域によって変化する特性を事前に把握した上でデバイス設計を行う必要がある。また、工程を管理する上で、電流狭窄層905における配向性や構造に関して、これら2つの結晶成長部分、特にA1部分について確実に把握しておく必要がある。
【０００６】
しかしながら、半導体レーザ900の製造工程において、電流狭窄層905に関する組成等の管理が十分になされているとは言い難く、特に、そのレーザ光の精度については、半導体レーザ900の製造工程が終了し、発振されるレーザ光によって初めて検査が行われる。このような場合、仮に電流狭窄層905が所望どおりに形成されていなければ、高精度なレーザ光を得ることは難しく、電流狭窄層形成以降の工程が無駄に行われてしまう。
【０００７】
そこで、電流狭窄層を形成した後でその検査を行うことが望ましく、その検査方法としては、X線解析手法やルミネセンス法などが考えられる。しかし、X線解析手法の場合、上記斜面部に沿って形成される電流狭窄層905の幅W1（図7 (b)参照）は極めて微小であり、当該手法では検査は難しい。一方、ルミネセンス法の場合、上記微小部分の大きさにまで照射するスポット径を絞ることができるが、電流狭窄層905を形成しているAlInPは間接遷移型化合物半導体からなる物質であるため、極めて弱い光しか発することができず、十分な検査を行うことができない。
【０００８】
本発明は以上の課題に鑑みてなされたものであって、製造工程中に組成管理を確実に行い、安定したレーザ光の発振を可能とする半導体レーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の半導体レーザの製造工程及びその構成は以下のようにする。
活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とを順次積層形成することでリッジストライプ構造の半導体レーザを製造する製造方法であって、前記電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体を主成分として第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体を主成分として第2の層を形成して、前記第2の層の形成後には、外部より前記直接遷移型化合物半導体を励起させて前記第2の層から発せられる光学的特性を検査する検査工程を行う。
【００１０】
上記形成方法によって形成されたリッジストライプ構造の半導体レーザは、活性層の上にクラッド層と電流狭窄層とが順次積層されており、前記電流狭窄層は、前記第1の層、前記第2の層が積層された構成を有している。なお、上記形成方法における検査工程の実施後であれば、前記第2の層を除去しても構わない。つまり、この場合、半導体レーザにおける電流狭窄層は、第2の層が含まれていない構成であっても構わない。
【００１１】
また、前記第1の層は、前記クラッド層に直接積層された構成であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のように電流狭窄層の形成工程において、間接遷移型化合物半導体からなる第1の層を形成し、その上に直接遷移型化合物半導体からなる第2の層を形成して、第2の層の形成後にその光学的特性を検査する工程を含ませた製造方法を用いることで、その電流狭窄層を構成する結晶の配向等を非破壊で確実に把握することができ、半導体レーザの製造途中に、発振されるレーザ光の精度に関して検査することが可能となる。これにより、発振されるレーザ光の精度が所望のレベルに達しないと判断できる場合には、電流狭窄層が形成された時点で半導体レーザ製造を中止させることができ、電流狭窄層形成よりも後の工程を無駄に実施する必要がなくなる。従って、半導体レーザの製造における製造コストの低減に繋がる。
【００１３】
上記検査工程に関しては、フォトルミネセンス法（以下、「PL法」と記す。）またはカソードルミネセンス法（以下、「CL法」と記す。）を用いることで、上記斜面部のような微小領域であっても、その大きさにまで対応して検査を行うことが可能となる。
クラッド層に接触させて第1層を形成させることで、従来どおり有効な光閉じ込め効果を得ることができ、レーザ光の高出力化に役立つ。
【００１４】
また、形成される電流狭窄層の厚みの縮小化を図る場合には、本発明に係る検査工程の終了後、第2の層を除去する工程を含ませることが有効となる。
上記検査工程を経て製造された半導体レーザは、活性層からの光が十分に光閉じ込め領域に閉じ込められ、製造時点で第2の層の有無に関わらず、高出力でかつ高精度なレーザ光の発振を可能とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下で説明する半導体レーザの構成例については、本発明の構成上の特徴及び作用などを説明するための一例として用いるものであって、本発明はこれに限定を受けるものではない。
（実施形態1）
（全体構成）
本実施形態の半導体レーザも、基本的に従来例（図7参照）と同じように各層が積層された構成を有しており、その詳細については図1を用いて説明する。図1は、本実施形態における半導体レーザ100の断面図である。
【００１６】
半導体レーザ100は、n型基板1上に、n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4、電流狭窄層5、コンタクト層6が順次積層されてなる積層体に、n型電極101及びp型電極102が接続された構成を有している。
n型基板1は、GaAs：Siからなる基板であり、例えば、X方向の長さ（以下、「幅」と記す。）が50〜1000μｍの範囲であり、Y方向の長さ（以下、「長さ」と記す。）が50〜3000μｍの範囲であり、Z方向の長さ（以下、「厚み」と記す。）が30〜1000μｍの範囲である。なお、GaAsだけでなくサファイア基板、SiC基板、n型GaN基板などのように、基板上で後述する半導体材料がエピタキシャル成長できる基板であれば他も適用可能である。
【００１７】
n型クラッド層2は、（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P：Siからなり、幅及び長さはn型基板1と同等であり、厚みは2.0μｍである。
活性層3は、GaInP/（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5Pを含む多重量子井戸構造からなる。その幅及び長さに関しては基板1と同等であり、その厚みは0.08μｍである。
p型クラッド層4は、（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P：Znからなり、XZ断面において略中央部が台形状に突出した形状を有している。当該p型クラッド層4の幅及び長さは基板1と同等であり、その厚みD（拡大図参照）は上記突出部分D1の厚みも含めて1.6μｍである。また、当該突出部分の頂上部の幅Ｗは約0.3〜2.0μｍの範囲である。なお、上記突出部は、図示されるような台形形状だけでなく他の形状であっても構わない。
【００１８】
電流狭窄層5は、図示のとおり、p型クラッド層4に沿った状態で積層されている。ただし、p型クラッド層4の頂上部（図中のWの範囲）には、電流狭窄層5は積層されていない。この電流狭窄層5は図示のとおり、第2の層52が第1の層51と第3の層53とで挟まれてなる。
第2の層52は、Al0.5In0.5P：Siを含む間接遷移型化合物半導体からなり、その厚みD51は約0.1〜0.2μｍである。第1の層51は、（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P：Siを含む直接遷移型化合物半導体からなり、その厚みは0.05μｍである。第3の層53は、第1の層51と同様にAl0.5In0.5P：Siを含む間接遷移型化合物半導体からなり、その厚みも0.1〜0.2μｍである。
【００１９】
コンタクト層6は、GaAs:Znからなり、幅及び長さはn型基板1と同等であり、厚みは1.0〜5.0μｍである。
なお、図示されていないが、Y方向における両端面には、例えば、SiO2、Ta2O5、SiONなどによって形成された誘電体膜が形成されている。この誘電体膜は、それぞれ、上記積層体の大きさに対応した大きさを有しており、一方には高反射膜、他方には低反射膜となる所望の反射率を有するものである。この誘電体膜の配設により、電流注入された活性層3から光が発生し、主にp型クラッド層4及びn型クラッド層2で挟まれた領域において閉じ込められた状態で反射を繰り返しながらY方向に沿って移動し、当該誘電体膜からY方向に向けて、レーザ光を効率的に発振する構成とされている。
（半導体レーザ100の製造方法）
次に、本実施形態に係る半導体レーザ100の製造方法について図2を用いて説明する。図2及び図3は、半導体レーザ100の製造工程を示すXZ断面図である。
【００２０】
先ず、第1工程として、基板1上にMOCVD法（有機金属化学気相蒸着法）により、n型クラッド層2、活性層3、p型クラッド層4を順次成長させて、図2(a)のように積層体を形成する。
第2工程（クラッド層加工工程）として、一様に平坦な面を有するp型クラッド層4aの上に熱CVD法により堆積されたSiO2201をパターン化されたマスク202を用いて、可視光又は紫外線光を照射する、所謂フォトリソグラフィ法によりパターニング加工する（図2(b)）。この際、マスク202にはSiO2201を露光抑制部分202aが形成され、当該部分202a以外を通過した光により、SiO2201は一部分201aだけが残存する。更に、残存したSiO2201aを含むp型クラッド層4aをエッチングする（図2(c)）。p型クラッド層4aの途中までエッチングを行い、図2(d)に示すように台形断面となるように突出した形状に加工する。
【００２１】
次に、第3工程（電流狭窄層形成工程）として、パターニングされているSiO2201aが残存した状態から、CVD法を行い、エピタキシャル成長によって第1の層51を形成させる。このとき、p型クラッド層の頂上部はSiO2201aによって覆われていることにより、露出している結晶表面（p型クラッド層4の露出部分）にのみ結晶成長、所謂、選択成長が行われて、図3(b)に示されている範囲、つまり斜面部及び平坦部において第1の層51が連続的に形成される。
【００２２】
同様にして、第1の層51の上に第2の層52と第3の層53とを順次選択成長させて、図3(c)のように電流狭窄層5を形成させる。電流狭窄層5の形成後、残存しているSiO2201aを除去する（不図示）。なお、この際に、当該半導体レーザ100の駆動時において、第2の層52により活性層3からの光が吸収されることを防止するために、第2の層52の発光波長が活性層3の発光波長よりも短くなるように、組成や厚みなどを設定することが好ましい。
【００２３】
第4工程（電流狭窄層検査工程）として、フォトルミネセンス法（以下、「PL法」と記す。）を用いて電流狭窄層5に光を照射し、第2の層52から発せられる発光波長を検査する。その際、特に図3(d)のP部分 に該当するp型クラッド層4の突出部に沿った部分（以下、「斜面部P」と記す）に関して集中して行い、斜面部P以外との結晶構造の相違等について把握する。当該工程の詳細については後述する。この第4工程で良好に製造することのできたものについて、次の第5工程を行うものとする。
【００２４】
そして、第5工程として、p型クラッド層4及び電流狭窄層5の露出部分を覆うようにしてコンタクト層6を形成する。以上の工程により形成された積層体の上側（Z方向正方向側）表面にp型電極102を蒸着し、さらに当該積層体の下側（Z方向負方向側）表面にはn型電極101を蒸着して形成する。
（電流狭窄層検査工程について）
本工程について図4を用いて説明する。図4は、PL測定装置のブロック図である。
【００２５】
励起光源装置511からArレーザ光を出射し、図示のとおり照射部分500となる電流狭窄層5に照射する。次に、分光器513の前に配置され、レーザの乱反射光などのカットを目的とするロングパスフィルター504を通して電流狭窄層5から発光された光を分光器513に導入させる。分光器513から出射された光を分光して出射し、レンズ505で結像して光検出器514に導入させる。そして、光検出器514で電流狭窄層5からのPL光を検出し必要な発光スペクトルのデータをとる。その得られたデータから電流狭窄層5における結晶内の不純物および欠陥に関する情報を得ることが可能となる。
【００２６】
このとき、照射部分から微弱なPL光が発せられる場合には、Arレーザのプラズマ発光線の混入がPL信号を妨害する恐れがあるために干渉フィルター501等を用いて不要な発光線を除外することが望ましい。また、照射された部分から正反射されたレーザ光が分光器513に導入されると迷光の原因になる可能性があるので、鏡502やレンズ503等を用いて正反射光が分光器513に入らないような光学配置にすることが望ましい。この時、電流狭窄層5に照射される光が微弱な場合などにおいても高精度な測定を行うため、光チョッパ512を用いて光を断続させ、適宜所定の光を測定させることや、ロックインアンプを用いて微小な出力信号を検出し、パソコン516で管理し、プロッター517などを利用して出力する。また、光を多くの色に分解する分光器513に、必要となる波長駆動範囲などがパソコン516から入力される。
【００２７】
当該検査工程には、PL法だけではなく、電子線を照射してPL法と同様の検査を行うCL法を利用しても構わない。
（本実施形態の優位性）
本実施形態のように、電流狭窄層5の中に直接遷移半導体からなる第2の層52が含まれていることにより、第2の層52からの発光スペクトルをPL法やCL法によって観測することが可能となる。特に、上記手法であれば、微小範囲である斜面部Pでも十分に検査することが可能である。そのため、その発光波長などを適切に管理することにより、第2の層52の組成及び結晶の面配向などを非破壊で把握することができる。上記製造方法の中でも述べたように、電流狭窄層5の各層は結晶成長されて形成されているため、それらの結晶構造は基板となる下層の結晶状態に大きく依存するものとなる。従って、第2の層52の組成及び結晶の面配向などを把握することは、第1の層51及び第3の層53の組成及び結晶の面配向などの把握に繋がる。
【００２８】
上述したように本実施形態における電流狭窄層検査工程は、電流狭窄層5が形成されて第5工程が行われる前、つまり半導体レーザ100の製造途中において行われる。従って、高出力なレーザ発振の実現に寄与する第1の層51に関して、その組成及び結晶状態を把握することで、従来では行うことのできなかった製造過程における発振レーザの精度検査を実現することが可能となる。これにより、良好なものだけを選択して第5工程を行うことができるので、仮に電流狭窄層5が設定どおりに形成されていない場合には、それ以降の製造工程を無駄に実施することを防止でき、第5工程以降の歩留が向上される。結果、半導体レーザ100の製造コストを大きく低減できるものとなる。
【００２９】
また、本実施形態のようにp型クラッド層4の上には第1の層51が積層されていることにより、p型クラッド層4から漏れてくる光の吸収を抑制し、光の反射に寄与することが可能となり、光の閉じ込め効果が向上し、より高出力なレーザ発振の実現にとって大きな有効性を備えている。なお、この電流狭窄層5における第1の層51、第2の層52、第3の層53の積層順序に関しては、屈折率が小さい第1の層51又は第3の層53がp型クラッド層4上に積層されていることでさらに光の閉じ込め効果が向上する。
（実施形態2）
本実施形態における半導体レーザ100aは、（実施形態1）と基本的な構成及び製造方法は同じであるが、電流狭窄層の構成のみ異なる。本実施形態では、図5に示すように、電流狭窄層50aが第1の層51及び第2の層52が順次積層された構成を有している。
【００３０】
本実施例における製造方法では、（実施形態1）における第1工程から第2工程までは同様にして行う。その後の第3工程としては、p型クラッド層4の上に第1の層51と第2の層52を結晶成長させた時点で電流狭窄層の形成工程を終了する。その後、SiO2を除去し、（実施形態1）と同様の電流狭窄層検査工程を実施する。当該検査工程の終了後、コンタクト層6及び電極101、102を形成して半導体レーザ100aを製造する。
【００３１】
なお、本実施形態の場合、検査工程を実施している時には第2の層52が大気に曝されている状態であるため、（実施形態1）の場合よりも直接的に第2の層52のPLを測定できるが、逆に酸化等の化学変化を起こしやすい状態でもあるので、迅速な検査を必要とする。
（実施形態3）
上記実施形態とは異なる半導体レーザ100bの構成について図6を用いて説明する。本実施形態においても、異なる部分は電流狭窄層だけであり、他の部分に関する説明は省略する。
【００３２】
図6に示されるように、電流狭窄層は直接遷移型化合物半導体で構成される第1の層51のみで構成されている。
半導体レーザ100bの製造方法に関しては、（実施形態1）における第1工程から第3工程までは同様にして行い、第1の層51と第2の層52と第3の層53が順次積層された3層構成の電流狭窄層（図示省略）とする。そして、同様に電流狭窄層検査工程を実施し、電流狭窄層の組成及び結晶の面配向などの構造について把握する。その後、第2の層52及び第3の層53をエッチングなどにより除去し、第1の層51だけ残存する状態とする。その後、上記実施形態と同様にしてコンタクト層6及び各電極101、102を形成し、半導体レーザ100bを製造する。
【００３３】
本実施形態における半導体レーザ100bにおいても、その製造工程中に電流狭窄層の組成管理等を行っているため、製造された半導体レーザ100bから発振されるレーザ光は高出力かつ高精度な安定したものとなる。従って、本製造方法によって製造された半導体レーザ100bに関して、上記各実施形態と比較すると、電流狭窄層の一部の層を除去する工程が必要なるが、電流狭窄層の厚みが第1の層51の厚み分だけとなり、より薄膜化されるとともに同じ精度の安定したレーザ発振を行うことのできる半導体レーザを提供できる。
【００３４】
なお、本実施形態においては、電流狭窄層検査工程を行う前に、3層からなる電流狭窄層を形成することとしたが、第3の層53は形成しないで、第1の層51と第2の層52とで電流狭窄層を形成し、上記検査工程終了後、第2の層52を除去して、第1の層51のみからなる電流狭窄層を有する半導体レーザ100aとしても構わない。また、本実施形態と同じように、3層からなる電流狭窄層を形成し、上記検査工程終了後、第3の層53だけを除去し、第1の層51と第2の層52とからなる電流狭窄層を備える半導体レーザとしても、同じ効果を得ることができるため構わない。
（その他の事項）
本実施形態に用いた各層については他の材質、他の組成率でも適用可能であり、例えば、p型クラッド層を屈折率の小さい層を含ませて多層化することにより、更なる光閉じ込め効果を図る構成を用いても構わない。また、層の形成する半導体材料の組成比や層の大きさについても、半導体レーザから高効率な光特性を得ることができれば適宜変更可能である。
【００３５】
リッジストライプ構造の形成や電流狭窄層の形成方法に関しても他の方法を用いても構わない。例えば、エッチングガスについてAr2ガスを利用したり、Cl2とF2の混合ガスを用いてレジストをマスクとして用いる方法を採っても構わない。
また、上記の電流狭窄層のように、第2の層52が第1の層51及び第3の層53で挟まれる構成を用いる場合、第1の層51と第2の層52、又は第2の層52と第3の層53との間に第2の層52よりもバンドギャップの大きな半導体などの材料からなるものを介挿していても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の半導体レーザは、安定したレーザ特性を得ることができ、DVD/CDを中心とした光ディスクのピックアップ用光源、及びその他の光情報処理、光通信等の高出力な光源として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施形態1に係る半導体レーザの斜視図である。
【図２】実施形態1に係る半導体レーザの形成工程断面図である。
【図３】実施形態1に係る半導体レーザの形成工程断面図である。
【図４】フォトルミネセンス測定装置を示すブロック図である。
【図５】実施形態2に係る半導体レーザの断面図である。
【図６】実施形態3に係る半導体レーザの断面図である。
【図７】従来の技術に係る半導体レーザの断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
1  n型GaAs基板
2  n型クラッド層
3  活性層
4  p型クラッド層
5  電流狭窄層
6  コンタクト層
51  第1の層
52  第2の層
53  第3の層
100  半導体レーザ
101  n型電極
102  p型電極
【図１】
2006287055.tif 000003
【図２】
2006287055.tif 000004
【図３】
2006287055.tif 000005
【図４】
2006287055.tif 000006
【図５】
2006287055.tif 000007
【図６】
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【図７】
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