(57)【要約】【課題】  ファインパターン用途のプリント配線基板の製造時に用いるキャリア付き極薄銅箔であって、ビルドアップ配線板のビア形成でレーザー穴あけ加工を行う際に、ビアホール周辺部にレーザー吸収層及び極薄銅が飛び散り、或いは銅の盛り上がりが生成することがなく、配線加工が極めて容易な極薄銅箔、および該極薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板を提供する。【解決手段】  キャリアの一方の面に、剥離層、極薄銅箔とがこの順序に形成され、キャリアのもう一方の面にＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が形成されているキャリア付き極薄銅箔である。前記ＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、マンガン、クロム、錫、リンからなる群より選ばれた１種以上の元素を含有する層からなる。  本発明のプリント配線板、多層プリント配線板は前記極薄銅箔を用いて作製されている。【選択図】  図１
2006312265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアの一方の面に、剥離層、極薄銅箔とがこの順序に形成され、キャリアのもう一方の面にＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が形成されているキャリア付き極薄銅箔。
【請求項２】
前記ＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、マンガン、クロム、錫、リンからなる群より選ばれた１種以上の元素を含有する層である請求項１に記載のキャリア付き極薄銅箔。
【請求項３】
前記ＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が、銅の酸化物である請求項１に記載のキャリア付き極薄銅箔。
【請求項４】
前記剥離層が、クロム、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデン、チタン、タングステン、リン又は／及びこれら元素の２種以上の元素を含有する層又はこれら元素の水和酸化物層、又は有機被膜である請求項１乃至３のいずれかに記載のキャリア付き極薄銅箔。
【請求項５】
キャリアの一方の面に、剥離層、極薄銅箔とがこの順序に形成され、キャリアのもう一方の面にＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が形成されているキャリア付き極薄銅箔の前記極薄銅箔を基板に張り合わせ、前記ＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層からＣＯ２ガスレーザーにより極薄銅箔に所定の回路を形成してキャリアを基板から剥離し、露出した極薄銅箔に高密度極薄微細配線を施したプリント配線板。
【請求項６】
キャリアの一方の面に、剥離層、極薄銅箔とがこの順序に形成され、キャリアのもう一方の面にＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を、純銅に比較して吸収しやすい層が形成されているキャリア付き極薄銅箔の前記極薄銅箔を基板に張り合わせ、前記ＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層からＣＯ２ガスレーザーにより極薄銅箔に所定の回路を形成してキャリアを基板から剥離し、露出した極薄銅箔に必要とする高密度極薄微細配線を施したことを特徴とするプリント配線板を複数枚積層してなる多層プリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はファインパターン用途のプリント配線板製造時に用いるキャリア付き極薄銅箔に関し、特にレーザー穴あけ加工性に優れるキャリア付き極薄銅箔に関するものであり、該極薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プリント配線基板は、次のようにして製造されている。
まず、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などから成る電気絶縁性の基板の表面に、表面回路形成用の薄い銅箔を置いたのち、加熱・加圧して銅張り積層板を製造する。
次いで、その銅張り積層板に、スルーホールの穿設、スルーホールめっきを順次行ったのち、該銅張り積層板の表面にある銅箔にエッチング処理を行って所望する線幅と所望する線間ピッチを備えた配線パターンを形成し、最後に、ソルダーレジストの形成やその他の仕上げ処理が行われる。
このときに用いる銅箔に対しては、基板に熱圧着される側の表面を粗化面とし、この粗化面で該基板に対するアンカー効果を発揮させ、もって該基板と銅箔との接合強度を高めてプリント配線板としての信頼性を確保することがなされている。
【０００３】
更に最近では、銅箔の粗化面を予めエポキシ樹脂のような接着用樹脂に貼着し、該接着用樹脂を半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁樹脂層にした樹脂付き銅箔を表面回路形成用の銅箔として用い、その絶縁樹脂層の側を基板（絶縁基板）に熱圧着してプリント配線基板、とりわけビルドアップ配線基板を製造することが行われている。
こうしたビルドアップ配線基板では、各種電子部品を高度に集積化する要望がなされ、これに対応して、配線パターンも高密度化が要求され、微細な線幅や線間ピッチの配線から成る配線パターン、いわゆるファインパターンのプリント配線基板が求められるようになってきている。例えば、線幅や線間ピッチがそれぞれ２０μm前後という高密度極微細配線を有するプリント配線基板が要求されている。
【０００４】
このようなプリント配線を形成する銅箔として厚い銅箔を用いると、回路形成時のエッチングにおいて、銅箔を基材の表面までエッチングするために必要な時間が長くなり、その結果、形成される配線パターンにおける側壁の垂直性が崩れて、次式：
Ｅｆ＝２Ｈ／（Ｂ−Ｔ）
（ここで、Ｈは銅箔の厚み、Ｂは形成された配線パターンのボトム幅、Ｔは形成された配線パターンのトップ幅である）で示されるエッチングファクター（Ｅｆ）が小さくなる。
このような問題は、形成する配線パターンにおける配線の線幅が広い場合にはそれほど深刻な問題にならないが、線幅が狭い配線パターンの場合には断線に結びつくことも起こり得る。
【０００５】
一方、薄い銅箔の場合はＥｆ値を大きくすることができる。しかしながら、基板との接合強度を確保するためにこの銅箔の基板側の表面は粗化面になっており、この粗化面の突起部が基板に喰い込むため、この喰い込んだ突起部を完全にエッチング除去するためには長時間のエッチング処理が必要とされる。該喰い込んだ突起部を完全に除去しないと、それが残銅となり、配線パターンの線間ピッチが狭い場合には絶縁不良を引き起こすからである。
したがって、該喰い込んだ突起部をエッチング除去する過程で、既に形成されている配線パターンの側壁のエッチングも進行してしまい、結局はＥｆ値が小さくなってしまう。
【０００６】
薄い銅箔を用いる場合、その表面粗度を小さくすればこのような問題を解消できることは事実であるが、その場合には銅箔と基板との接合強度が小さくなるため信頼性に富むファインな配線パターンのプリント配線基板を製造することは困難である。
また、薄い銅箔の場合は、その機械的強度が低いので、プリント配線基板の製造時に銅箔に皺や折れ目が発生しやすく、更には銅箔が破れたりすることがあり、取り扱いに細心の注意を払わなければならず、作業に高度の熟練を要するという問題もある。
【０００７】
このように、Ｅｆ値が大きく、かつ基板との接合強度も高いファインな配線パターンが形成可能なプリント配線基板を製造することは、実際問題としてかなり困難である。特に、線間や線幅が２０μm前後の高密度極微細配線の配線パターンを市販されている銅箔を用いて形成することは事実上不可能であり、それを可能にする銅箔の開発が強く望まれているのが実状である。
【０００８】
こうしたファインパターン用途に使われる銅箔としては、厚さ９μm以下、特に５μm以下の銅箔が適している。
このようなファインパターン用途に使われる極薄銅箔として、本願出願人は先に、キャリア付極薄銅箔であって、表面粗さ：Ｒｚが１．５μ以下の銅箔をキャリアとし、その表面に剥離層と極薄銅箔をこの順序に形成し、該極薄銅箔の最外層表面が粗化面とした銅箔（特許文献１参照）、及び銅箔をキャリアとし、その表面に剥離層と極薄銅箔をこの順序に形成したキャリア付き銅箔であって、該キャリア銅箔と該極薄銅箔とがそれらの左右エッジ近傍部分がそれらの中央部に比較して強く結合され、かつ、該極薄銅箔の最外層表面が粗面化であるキャリア付き極薄銅箔（特許文献２参照）を開発した。
なお、ここでキャリア付き極薄銅箔の極薄銅箔とは、通常０．５μｍから１２μｍ位の厚さのものを指す。これは０．５μｍより薄くなるとピンホールが多くなり実用的でないためである。また１２μｍを越えるような厚さであるとキャリアを付ける必要がなくなってくるからである。
【０００９】
これらのキャリア付き銅箔の具体例を図２に模式図として示す。キャリア付き銅箔は、キャリアとしての銅箔１（以下、「キャリア銅箔」と言う）の片面に、剥離層２と極薄銅箔４がこの順序で形成されている。該極薄銅箔４の表面が粗化面４ａとなっている。そして、その粗化面４ａをガラスエポキシ基板（図示せず）に重ね合わせたのち全体を熱圧着し、ついでキャリア銅箔１を剥離・除去し、該極薄銅箔の該キャリア銅箔との接合側を表出せしめ、そこに所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。
なお、ここでキャリアの材質は銅、ＳＵＳ、アルミニウム、鋼等から選ぶことが可能である。しかし、取り扱いのしやすさ、キャリア上への剥離層２、極薄銅箔４の形成のしやすさから、銅箔が最も適している。
【００１０】
キャリア銅箔１は前記の極薄銅箔４を基板と接合するまで極薄銅箔の強度をバックアップする補強材（キャリア）として機能する。更に、剥離層２は、前記の極薄銅箔４と該キャリア銅箔１とを分離する際の剥離をよくするための層であり、該キャリア銅箔１をきれいにかつ容易に剥がすことが出来るようになっている（剥離層２はキャリア銅箔１を銅箔４から剥離除去する際にキャリア銅箔１と一体的に除去される）。
【００１１】
一方ガラスエポキシ基板と張り合わされた極薄銅箔４は、スルーホールの穿設，スルーホールめっきを順次行ったのち、該銅張り積層板の表面にある銅箔にエッチング処理を行って所望する線幅と所望する線間ピッチを備えた配線パターンを形成し、最後に、ソルダーレジストの形成やその他の仕上げ処理が行われる。
こうしたキャリア付き極薄銅箔は、銅箔自体を数μｍといったレベルに薄くすることができるため、ファインパターンを切ることが可能であり、しかも、取り扱い時のハンドリング性に優れるという理由から、特にビルドアップ配線基板を製造する際に適した銅箔である。
【００１２】
しかし、その一方で以下のような問題点が顕在化してきた。
ビルドアップ配線板のビア形成には、高生産性等の理由からＣＯ２ ガスレーザーによるレーザービア法が主流となっている。しかし、従来のキャリア付き極薄箔にＣＯ２ ガスレーザーを用いる場合、ＣＯ２ ガスレーザーの波長は１０，６００ｎｍ前後の赤外線の領域であるため、銅箔表面はこの領域の光及び電磁波のほとんどを反射してしまい、したがって直接穴明け加工ができず、そのため、ビア形成部分の銅箔を前もってエッチングにて除去し、基材に穴明け加工を行うコンフォーマルマスク法が行われている。
【００１３】
コンフォーマルマスク法は、図２の極薄銅箔４のビヤホールを開けたい部分にエッチングレジストを被覆せず、他の部分にはエッチングレジストを被覆し、前もって極薄銅箔をエッチングしてからＣＯ２ ガスレーザーで基板（樹脂部分）に穴あけ加工をするという煩雑なやり方をとる。これに対してＣＯ２ ガスレーザーを用いて、極薄銅箔と樹脂部分が同時に穴あけ加工が出来れば、穴あけ加工を簡略化することが可能となる。
【００１４】
この問題に対して本願出願人はキャリアの表面に、剥離層と、拡散防止層と、極薄銅箔をこの順序に形成し、前記剥離層がクロム層であり、前記拡散防止層がＣＯ２ ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層であり、極薄銅箔の表面が粗面化されているキャリア付き極薄銅箔を開発した（特許文献３参照）。
これは、ＣＯ２ ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層は、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、タングステン、銅、アルミニウム、及びリンからなる群から選ばれる元素からなり、単一金属の層、２種以上の金属の合金層または１種以上の金属酸化物層であるキャリア付き極薄銅箔である。
【特許文献１】特願平１１−０７３８０３号公報
【特許文献２】特願平１１−１３７９８３号公報
【特許文献３】特願２００２−５２８４８８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかし、この極薄銅箔を使った場合、以下の問題点が顕在化してきた。
（１）ビルドアップ配線板でレーザー穴あけ加工を行う際に、穴周辺部に前記ＣＯ２ ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層及び極薄銅が飛び散り、銅の盛り上がりが生成する。通常、それを過酸化水素−硫酸系のソフトエッチング液により溶解除去しないと、その後に行うスルーホールめっきが正常にめっきできない。すなわち、穴周囲の銅盛り上がりの上にさらに銅めっきがなされると、他の部分に比較して、その部分だけ銅めっきの厚さが厚くなってしまう。従って銅の盛り上がりをソフトエッチングにより除去しているが、銅の盛り上がり部分だけを選択的に除去することは困難である。
（２）レーザー穴あけ加工後、スルーホール銅めっきを行う際、回路部分にも同時に銅めっきを行うが、ＣＯ２ ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層であるニッケルあるいはコバルト等の金属層が存在したままでは、銅めっきの密着性が悪くなる。このため、ニッケルあるいはコバルト等の金属層をエッチングにより溶解除去する。ここで、通常使用されている過酸化水素−硫酸系のソフトエッチング液は、ニッケル、コバルト金属層とともに銅も溶解し、極薄銅箔の厚さにばらつきが生じる。さらには、エッチング条件が悪い場合には極薄銅箔が全て溶解してしまうといった問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明はファインパターン用途のプリント配線基板の製造時に用いるキャリア付き極薄銅箔であって、上記２つの問題点を解決したキャリア付き極薄銅箔である。
本発明は、キャリアの一方の面に、剥離層、極薄銅箔とがこの順序に形成されたキャリア付き極薄銅箔であり、キャリアのもう一方の面にＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層が形成されているキャリア付き極薄銅箔である。
なお、本発明における「ＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層」を以下「レーザー吸収層」と表現する。
好ましくは前記レーザー吸収層を、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、マンガン、クロム、錫、リンからなる群より選ばれた１種以上の元素を含有する層で，或いは銅の酸化物で形成する。
【００１７】
好ましくは前記剥離層を、クロム、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデン、チタン、タングステン、リン又は／及びこれら元素の２種以上の元素を含有する層又はこれら元素の水和酸化物層、又は有機被膜で形成する。
【００１８】
本発明は、前記記載のキャリア付き極薄銅箔により高密度微細配線を施したことを特徴とするプリント配線板であり、該プリント配線板を複数枚積層した多層プリント配線板である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明はファインパターン用途のプリント配線基板の製造時に用いるキャリア付き極薄銅箔であって、ビルドアップ配線板のビア形成でレーザー穴あけ加工を行う際に、ビアホール周辺部にレーザー吸収層及び極薄銅が飛び散り、或いは銅の盛り上がりが生成することがなく、配線加工が極めて容易な極薄銅箔、および該極薄銅箔を用いたプリント配線板、多層プリント配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は本発明の一実施形態を示すキャリア付き極薄銅箔の模式図である。
キャリア銅箔１の一方の面には、剥離層２、極薄銅箔４とがこの順序に形成されている。キャリア銅箔１のもう一方の面にはレーザー吸収層３が形成されている。
【００２１】
前記レーザー吸収層３は、ニッケル、コバルト、鉄、亜鉛、マンガン、クロム、錫、リンからなる群より選ばれた１種以上の元素を含有する層で形成する。
前記レーザー吸収層３の形成方法は、電気めっき、無電解めっき、スパッタリング等の方法で形成できるが、電気めっきで形成するのが最も低コストで実用的である。
また、レーザー吸収層３は銅の酸化物等で形成することもできる。銅の酸化物の形成は、化成処理、陽極電解酸化等により形成することができる。
上記レーザー吸収層３は、０．０１〜５０ｍｇ／ｄｍ２付着させるのが良い。これは０．０１ｍｇ／ｄｍ２より少ない付着量ではＣＯ２ ガスレーザーが発振する波長の光を吸収する効果が充分でなく、５０ｍｇ／ｄｍ２より多くしても効果が飽和してしまうためである。
レーザー吸収層３にＣＯ２ ガスレーザーが発振する波長の光を照射した場合、レーザー光の吸収率が良いためキャリア及び極薄銅箔、樹脂基板と連続して穴あけが可能である。
【００２２】
前記剥離層２は、クロム、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデン、チタン、タングステン、リン又は／及びこれら元素の２種以上の元素を含有する層又はこれら元素の水和酸化物層で形成する。又は有機被膜で形成してもよい。
【００２３】
前記剥離層２の上に極薄銅箔４を電気めっきにより形成する。次いで、電解銅めっきで形成した極薄銅箔４の表面を粗化面４ａとする。具体的には、極薄銅箔４を電解銅めっきで形成する最終段階で、浴組成や浴温、電流密度や電解時間などを変化させることにより、既に形成されている銅めっき層の表面に０．２〜２．０μm程度の銅粒子を突起物として析出させる粗化処理を行う。このような粗化処理によって極薄銅箔の最外層表面を粗化面とするのは、極薄銅箔を樹脂基材に熱圧着したときに樹脂基材との間の接合強度を高めるためである。
【００２４】
粗化面４ａの上に更にニッケル層、亜鉛層をこの順序で形成することが好ましい。
この亜鉛層は、極薄銅箔と樹脂基板を熱圧着したときに、極薄銅箔４と基板樹脂との反応による該基板樹脂の劣化や極薄銅箔４の表面酸化を防止して基板との接合強度を高める働きをする。またニッケル層は、樹脂基板への熱圧着時に該亜鉛層の亜鉛が極薄銅箔（電解銅めっき層）側へ熱拡散することを防止し、もって亜鉛層の上記機能を有効に発揮させる働きをする。
なお、これらのニッケル層や亜鉛層は、公知の電解めっき法や無電解めっき法を適用して形成することができる。また、該ニッケル層は純ニッケルで形成してもよいし、含リンニッケルで形成してもよい。
【００２５】
また、亜鉛層の表面に更にクロメート処理を行うと、該表面に酸化防止層が形成されるので好ましい。適用するクロメート処理としては、公知の方法に従えばよく、例えば、特開昭６０−８６８９４号公報に開示されている方法をあげることができる。クロム量に換算して０．０１〜０．３mg/dm２程度のクロム酸化物とその水和物などを付着させることにより、銅箔に優れた防錆能を付与することができる。
また、前記のクロメート処理した表面に対し更にシランカップリング剤を用いた表面処理を行うと、極薄銅箔表面（基板との接合側の表面）には接着剤との親和力の強い官能基が付与されるので、該銅箔と基板との接合強度は一層向上し、銅箔の防錆性，吸湿耐熱性を更に向上するので好適である。
【００２６】
シランカップリング剤としては、ビニル系シラン、エポキシ系シラン、スチリル系シラン、メタクリロキシ系シラン、アクリロキシ系シラン、アミノ系シラン、ウレイド系シラン、クロロプロピル系シラン、メルカプト系シラン、スルフィド系シラン、イソシアネート系シランなどをあげることができる。これらのシランカップリング剤は通常０．００１〜５％の水溶液にし、これを銅箔の表面に塗布したのちそのまま加熱乾燥すればよい。なお、シランカップリング剤に代えて、チタネート系，ジルコネート系などのカップリング剤を用いても同様の効果を得ることができる。
【００２７】
次に、本発明のキャリア付き極薄銅箔の使用方法を説明する。
最初にガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂などから成る電気絶縁性の基板の表面に、キャリア付き極薄銅箔の極薄銅箔面を重ねて置き、加熱・加圧してキャリア付き銅張り積層板を製造する。
次いで、該キャリア付き銅張り積層板のキャリア側にＣＯ２ガスレーザーを照射して穴あけを行う。すなわち、キャリアのレーザー吸収層が形成されている面からＣＯ２ガスレーザーを照射してキャリア及び極薄銅箔、樹脂基板を貫通する穴あけ加工を行う。
【００２８】
従来のキャリア付き極薄銅箔（図２参照）では、キャリアが純銅であるためＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光を反射してしまい、キャリア及び極薄銅箔、樹脂基板を連続して穴あけ加工を行うには高エネルギーを必要として、穴あけ加工が殆ど不可能であった。
これに対して本発明におけるキャリア付き極薄銅箔では、キャリアにレーザー吸収層が形成してあるので、ＣＯ２ガスレーザーが発振する波長の光に対して反射が少なく、エネルギー損失が少ないため容易にキャリア及び極薄銅箔、樹脂基板を連続して貫通する穴あけ加工が可能である。
【００２９】
また、穴あけを行ったときの穴周辺部へのレーザー吸収層の形成素材が飛び散っても、飛び散った素材はキャリア部分で受け止められ、また、銅の盛り上がりは、キャリア部分で発生するのみで極薄銅箔では発生しない。吸収層の飛び散りや銅の盛り上がりはレーザー穴あけ加工後にキャリア箔は引き剥がされるので、極薄銅箔表面の穴周囲には飛び散りや銅の盛り上がりは全くなく、極薄銅箔表面の穴周囲は清潔で平滑な面を保てる。従って、次工程で穴周囲の盛り上がりをエッチングする必要は全くなく。極薄銅箔表面をソフトエッチング後銅めっきを行うことが可能で、極薄銅箔の厚さバラつきが従来とは比較にならないほどに小さい。
【００３０】
以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００３１】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次の条件でレーザー吸収層３としてＮｉめっき層を形成した。
レーザー吸収層：
ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ  ：  ２４０〜３３０ｇ／Ｌ
ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ  ：  ４５ｇ／Ｌ
Ｈ３ＢＯ３            ：            ３０〜４０ｇ／Ｌ
ｐＨ                 ：  ４．５〜５．５
電流密度             ：  ２〜１０Ａ／ｄｍ２
次いで剥離層２として、前記キャリア銅箔のＳ面にクロムの電解めっきを連続的に行って厚み０．００５μmのクロムめっき層を形成した。
次いで、形成された剥離層２上に極薄銅箔４を硫酸銅めっき液で下記の条件で５μｍめっきした。
極薄銅箔：
銅        ：    ８０ｇ／Ｌ
硫酸      ：  １６０ｇ／Ｌ
電流密度  ：  ５５Ａ／ｄｍ２ 
前記極薄銅箔の製箔終了時点で従来公知の方法により粗化処理を施し銅の粒子を付着させた粗化面４aを形成した。
最後に、粗化処理が施された極薄銅層上に従来公知の方法により、亜鉛めっき及びクロメート処理を行い、更に、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン２g／Lの水溶液に５秒間浸漬したのち取り出し、温度１００℃の温風で乾燥してシランカップリング剤処理を行い図１に示すキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【実施例２】
【００３２】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次のめっき条件でレーザー吸収層３としてＣｏめっき層を形成した。
レーザー吸収層：
ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ   ：    ５５ｇ／Ｌ
Ｋ２Ｐ２Ｏ７・３Ｈ２Ｏ   ：  ３９０ｇ／Ｌ
ＫＣｌ                ：  ７〜８ｇ／Ｌ
ブチンジオール        ：  ０．１ｇ／Ｌ
ｐＨ                  ：  ９．５〜１０
電流密度              ：  １〜３Ａ／ｄｍ２
次いで、剥離層２、極薄銅箔４、粗化処理、防錆処理及び表面処理を実施例１と同じに施しキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【実施例３】
【００３３】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次のめっき条件でレーザー吸収層３としてＮｉ−Ｃｏ合金層を形成した。
レーザー吸収層：
ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ   ：１３０〜１４０ｇ／Ｌ
ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ   ：１１０〜１２０ｇ／Ｌ
Ｈ３ＢＯ３             ：２０〜３０ｇ／Ｌ
ｐＨ                  ：４．０〜５．０
電流密度              ：１０〜１５Ａ／ｄｍ２
次いで、剥離層２、極薄銅箔４、粗化処理、防錆処理及び表面処理を実施例１と同じに施しキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【実施例４】
【００３４】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次のめっき条件でレーザー吸収層３としてＦｅ−Ｎｉ合金層を形成した。
レーザー吸収層：
ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ     ：    ７０ｇ／Ｌ
ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ     ：    １５ｇ／Ｌ
Ｋ４Ｐ２Ｏ７・３Ｈ２Ｏ     ：  ２５０ｇ／Ｌ
ＮＨ４Ｃｌ               ：    ５０ｇ／Ｌ
ブチンジオール          ：  ０．１ｇ／Ｌ
ｐＨ                    ：  ５〜７
電流密度                ：  １〜７Ａ／ｄｍ２
次いで、剥離層２、極薄銅箔４、粗化処理、防錆処理及び表面処理を実施例１と同じに施しキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【実施例５】
【００３５】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次のめっき条件でレーザー吸収層３としてＺｎ−Ｓｎ合金層を形成した。
レーザー吸収層：
Ｎａ２ＳｎＯ３     ：    ５０〜６５ｇ／Ｌ
Ｎａ２ＺｎＯ２     ：        ５〜７ｇ／Ｌ
ＮａＯＨ          ：  ４〜６ｇ／Ｌ
電流密度          ：  １〜３Ａ／ｄｍ２
次いで、剥離層２、極薄銅箔４、粗化処理、防錆処理及び表面処理を実施例１と同じに施しキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【実施例６】
【００３６】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次のめっき条件でレーザー吸収層３としてＣｏ−Ｍｎ合金層を形成した。
レーザー吸収層：
ＣｏＣｌ２・６Ｈ２Ｏ     ：    ０．２〜１２ｇ／Ｌ
ＭｎＣｌ２・４Ｈ２Ｏ     ：  １４０〜２８０ｇ／Ｌ
ＮＨ４Ｃｌ               ：      ３０〜６０ｇ／Ｌ
ジメチルスルホキシド    ：    ２．５〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ                    ：  １．６〜４．０
電流密度                ：  １〜４０Ａ／ｄｍ２
次いで、剥離層２、極薄銅箔４、粗化処理、防錆処理及び表面処理を実施例１と同じに施しキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【実施例７】
【００３７】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次のめっき条件でレーザー吸収層３としてＣｒ−Ｎｉ合金層を形成した。
レーザー吸収層：
ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ     ：  ２０〜５０ｇ／Ｌ
ＣｒＯ３                ：  ４０〜６０ｇ／Ｌ
ＭｇＳＯ４・７Ｈ２Ｏ     ：  ２０〜５０ｇ／Ｌ
ｐＨ                    ：  ０．６〜１．０
電流密度                ：  １５〜３０Ａ／ｄｍ２
次いで、剥離層２、極薄銅箔４、粗化処理、防錆処理及び表面処理を実施例１と同じに施しキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【実施例８】
【００３８】
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔１）のＭ面に、次のめっき条件でレーザー吸収層３としてＮｉ−Ｐ合金層を形成した。
レーザー吸収層：
ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ      ：    ２４０ｇ／Ｌ
（ＮＨ４）２ＳＯ４         ：      ４５ｇ／Ｌ
ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ      ：      ４５ｇ／Ｌ
Ｈ３ＢＯ３                ：      ３０ｇ／Ｌ
Ｈ３ＰＯ３                ：  ５〜５０ｇ／Ｌ
ｐＨ                    ：  １〜３
電流密度                ：  ２Ａ／ｄｍ２
次いで、剥離層２、極薄銅箔４、粗化処理、防錆処理及び表面処理を実施例１と同じに施しキャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【００３９】
＜比較例１＞
厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔）のＭ面に、何のめっきも行わず、S面に実施例１と同じ製法で剥離層、極薄銅箔、粗化処理、防錆処理及び表面処理を設け、キャリア銅箔付き極薄銅箔を製造した。
【００４０】
＜比較例２＞
図２に示すキャリア付き極薄銅箔を製造した。
製造は、厚み１２μmの電解銅箔（キャリア銅箔）１のＭ面に、何のめっきも行わず、Ｓ面に実施例１と同じ条件で剥離層２をめっきした後、それに続いて、実施例1と同様の方法によりＮｉめっきを行い、剥離層２の上にレーザー吸収層５を形成し、該レーザー吸収層５の上に、極薄銅箔４を電解銅めっきで形成し、粗化処理、防錆処理及び表面処理を施し、キャリア付き極薄銅箔とした。
【００４１】
各実施例、比較例で製造したキャリア付き極薄銅箔につき、ＣＯ２レーザーによる穴あけ試験を実施し、評価した。
評価試料の作成
片面銅張り積層板の作成（レーザー穴あけ用）：  
実施例１〜８、比較例１〜２で製造したキャリア付き極薄銅箔を、縦２５０mm，横２５０mmに切断したのち、厚み１mmのガラス繊維エポキシプレプリグシート（ＦＲ−４）の上に粗化面４ａが対向するように配置し、全体を２枚の平滑なステンレス鋼板で挟み、温度１７０℃，圧力５ＭＰａ／ｍ２で６０分間熱圧着し、片面銅張り積層板を製造した。
【００４２】
特性評価
レーザー穴あけ：
各実施例と比較例１のサンプルについては、評価試料作成の方法により作成した片面銅張り積層板を、以下の条件によりＣＯ２ガスレーザーにより穴あけ加工を行った。結果を表１に示した。
比較例２については、評価試料作成後、キャリアを剥離し、レーザー吸収層５の上からレーザーを照射して穴あけを行った。結果を表１に併記した。
レーザー加工条件（穴あけ条件）：
装置      ：ＣＯ２ガスレーザー穴あけ加工機
マスク            ：φ１．８ｍｍ
パルス幅          ：４０，６０μｓｅｃ
パルスエネルギー  ：２０，３５ｍＪ
ショット数        ：１ショット
【００４３】
【表１】
2006312265.tif 000003
【００４４】
表１から明らかはように、実施例１〜８で製造したキャリア付き極薄銅箔では、ＣＯ２ガスレーザーで穴あけ加工を行う際に、ビアホール周辺部にレーザー吸収層形成素材や極薄銅が飛び散り、或いは銅の盛り上がりが生成することなく、綺麗な穴を空ける（ビア形成）ことができた。
これに対し、比較例２ではビアホール周辺部にレーザー吸収層形成素材や極薄銅の飛び散りが見られ、銅の盛り上がりが形成された。
一方、レーザー穴あけ加工性は、各実施例ではレーザーエネルギー２０ｍJで５０〜６０μmと目的とする穴あけができたにもかかわらず、比較例１では穴が空けられず、比較例２では７０μmを越える大きさになった。比較例２は、レーザー穴あけ加工性という点だけに関して言えば、良好であると言える。しかし、穴周囲にレーザー穴あけ時のレーザー吸収層形成素材や極薄銅が飛び散り、穴周囲に盛り上がりができてしまった。このため、後工程のスルーホールめっきを行う際に、ソフトエッチング液によりその盛り上がりを除去しなければ、正常なスルーホールめっきを行うことができなかった。すなわち、本発明による銅箔を使う場合に比較して製造工程が1工程増えてしまうことになる。
またレーザーエネルギー３５ｍＪでは目的とする８０〜９０μmの穴あけができたが、比較例１では６２μmと小さく、また、比較例２では、１００μｍ程度の穴となった。
この場合も、比較例２では穴周囲にレーザー穴あけ時のレーザー吸収層形成素材や極薄銅が飛び散り、穴周囲に盛り上がりができてしまった。
【００４５】
本発明は上述したように、ファインパターン用途のプリント配線基板の製造時に用いるキャリア付き極薄銅箔であり、ビルドアップ配線板のビア形成でレーザー穴あけ加工を行っても、ビアホール周辺部にレーザー吸収層の素材や極薄銅が飛び散り、或いは銅の盛り上がりが生成するようなことはなく、配線加工が極めて容易な極薄銅箔であり、該極薄銅箔を用いることで、極薄微細配線のプリント配線板、多層プリント配線板を製造し提供できる、優れた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明のキャリア付き極薄銅箔の断面模式図である。
【図２】従来のキャリア付き極薄銅箔の一例を示す断面模式図である。
【図３】従来のキャリア付き極薄銅箔の他の例を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００４７】
１：キャリア
２：剥離層
３：ＣＯ２ ガスレーザーが発振する波長の光を吸収しやすい層（レーザー吸収層）
４：極薄銅箔
４a：粗化面
５：レーザー吸収層
【図１】
2006312265.tif 000004
【図２】
2006312265.tif 000005
【図３】
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