(57)【要約】【課題】  表示エリアが実質的に楕円形又は円形形状であって、基板上に引き回される配線の幅及び配線同士のピッチを広く取ることができる液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】  一対の透光性基板１１、１５を対向させてシール材により貼り合わせ、透光性基板及びシール材により形成された空間に液晶１７を封入することにより表示エリアＤＡが形成され、透光性基板の一方の基板上に、信号線Ｙ１、…、Ｙｍ及び走査線Ｘ１、…、Ｘｎと画素トランジスタ１４と画素電極１２と補助容量電極１３とドライバＬＳＩ２２とを備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネル１０であって、表示エリアは楕円形状等に形成され、一対の基板は表示エリア近くまで切断され、信号線及び走査線は表示エリアの外縁部に配設された配線によってドライバＬＳＩに接続されており、補助容量電極がドレイン電極Ｄに絶縁膜を介して対向配置されると共に端部が走査線に接続される。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の透光性基板を対向させてシール材により貼り合わせ、前記透光性基板及びシール材により形成された空間に液晶を封入することにより表示エリアが形成されており、前記透光性基板の一方の基板上には、マトリクス状に配置された複数の信号線及び走査線と、前記各信号線及び走査線の交点近傍に配置された画素トランジスタと、前記各信号線及び走査線で囲まれた位置にそれぞれ配置されているとともに前記画素トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極の下部に設けられた補助容量電極と、前記各電極を駆動させるドライバＬＳＩと、を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルであって、
前記表示エリアは実質的に楕円形又は円形形状に形成され、前記一対の基板は前記表示エリア近くまで切断され、前記信号線及び走査線は前記表示エリアの外縁部に沿って配設された配線によって前記ドライバＬＳＩに接続されており、
前記補助容量電極は、ドレイン電極に絶縁膜を介して対向配置されると共に端部が前記走査線に接続されていることを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
前記補助容量電極及び走査線は同一の遮光性材料からなり、これらは一体成形により前記一方の基板上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示パネルに関し、特に実質的に楕円形あるいは円形の表示領域を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルにおけるアレイ基板側に配設される配線数を削減した液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
まず、従来のアクティブマトリクス型液晶表示パネルの一般的な構成を、数画素部分の平面図である図７、その１画素部分の模式的な等価回路図である図８及び図７のＢ−Ｂ断面図である図９を参照して簡単に説明する。従来の液晶表示パネル１０Ａは、第１の透光性基板１１上にマトリクス状に設けられた走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎと信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍで囲まれた領域毎に画素電極１２が設けられており、この画素電極１２は図６においては等価的に液晶容量ＣＬＣで表わされている。通常液晶容量ＣＬＣには補助容量電極１３により形成された補助容量Ｃｓが並列に接続されている。液晶容量ＣＬＣの一端は駆動用の画素トランジスタ１４に接続されているとともに、他端は第２の透光性基板１５にカラーフィルタ層ＣＦを介して設けられた対向電極１６に接続されて所定のコモン電位Ｖcが印加されている。
【０００３】
画素トランジスタ１４は絶縁ゲート電界効果型の薄膜トランジスタＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなり、そのソース電極Ｓは信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍに接続されて画像信号Ｖsの供給を受け、また、ドレイン電極Ｄは液晶容量ＣＬＣの一端、すなわち画素電極１２に接続されている。さらに、画素トランジスタ１４のゲート電極Ｇは走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎに接続されて所定の電圧を有するゲートパルスＶgが印加されるようになされている。また、画素電極１２と対向電極１６との間には液晶１７が封入されている。
【０００４】
この液晶表示パネル１０Ａにおいては、液晶容量ＣＬＣとゲート電極Ｇとの間には結合容量ＣＧＤが形成される。この結合容量ＣＧＤは画素電極１２とゲートラインＸｎとの間の浮遊容量成分と画素トランジスタ１４内部のドレイン領域とゲート領域との間の寄生容量成分が合わさったものであり、後者の寄生容量成分が支配的であるとともにその値は個々の画素トランジスタ１４によってかなりのばらつきが存在している。
【０００５】
この一画素の各部分の電圧波形を図１０を用いて説明する。この液晶表示パネル１０Ａにおいては、対向電極１６に印加されるコモン電位Ｖｃは周期的に反転されており、それに伴って信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍに印加される画像信号Ｖsも周期的に反転するバイアス電圧が重畳されている。まず、所定の画素の選択期間中にゲートパルスＶgがゲート電極Ｇに印加されると、この画素の画素トランジスタ１４はオン状態になる。この時、信号線Ｙｍから供給された画像信号Ｖsが画素トランジスタ１４を介して画素電極１２に書き込まれて、いわゆるサンプリングが行なわれる。次にこの画素が非選択期間になるとゲートパルスＶgの印加が停止されてローレベルゲート電圧が印加され、画素トランジスタ１４はオフ状態となるが、書き込まれた画像信号は液晶容量ＣＬＣに保持されている。
【０００６】
選択期間から非選択期間に移行するとき、矩形波ゲートパルスＶgはハイレベルからローレベルに急激に立ち下がるので、このとき前述した結合容量ＣＧＤを介してカップリングにより液晶容量ＣＬＣに蓄えられた電荷が瞬間的に放電する。このため、画素電極に書き込まれた画像信号Ｖsに電圧シフトΔＶ（図示せず）が生じてしまう。したがって、液晶表示パネルの個々の画素ごとに結合容量ＣＧＤの値にばらつきがあるため、前記電圧シフトΔＶにもばらつきが生じるので、結果として液晶パネルの表示画面を周期的に変化させ、いわゆるフリッカ及び残像を生じて表示品位を著しく劣化させる。
【０００７】
従来、電圧シフトΔＶの絶対量及びばらつきを抑制するため、液晶容量ＣＬＣに並列接続されている補助容量Ｃｓを大きめに形成するという対策が講じられていた。すなわち結合容量ＣＧＤを介して放電される電荷量を補うに足る電荷を予め補助容量Ｃｓに蓄えるものである。そして、この補助容量Ｃｓは、他の電極から独立した補助容量電極１３を画素電極１２に重畳して配置し、その補助容量電極１３に共通の電圧を与えるいわゆるＣｓ on Common方式の蓄積容量型のものと、走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎの一部を延在形成して画素電極１２に重畳配置したいわゆるＣｓ on Gate方式の付加容量型のものとが存在している。上述の図７〜図９に示した液晶表示パネル１０ＡはＣｓ on Common方式のものである。Ｃｓ on Gate方式の液晶表示パネルは、Ｃｓ on Common方式のものと比較すると、補助容量Ｃｓの一方の電極が画素トランジスタ１４のドレイン電極Ｄに接続されている点では前者と同じであるが、補助容量Ｃｓの他方の電極は走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎに接続されている点で前者とは異なっている。
【０００８】
ところで、近年、液晶表示パネルを搭載した小型携帯端末が種々存在し、広く普及している。このような小型携帯端末として、特に携帯電話機の普及率は高く、その機能も通常の通話機能に加えてゲーム、時計、カメラ、電子メール及びインターネット端末等の機能が加わり、今後、更に各種の機能が追加されて、日常生活に欠かせないものとなってきている。
【０００９】
このような多種の機能が携帯電話機に搭載されるのに伴って、電話機自体、いわゆるハード面も、一方でより利便性、軽量及び携帯性が要求されると共に、他方でデザイン性、或いはユーザの嗜好に合わせたファッション性が求められ、機器の形状はこれに合わせたものとなってきている。
【００１０】
このような傾向に対応して、表示パネルの表示エリアにも工夫が凝らされて、その表示エリアは、大方、矩形形状のものであるが、一部で非矩形状にしたものも使用されるようになってきている（例えば、下記特許文献１参照）。
【００１１】
図１１は、下記特許文献１に記載された携帯電話を示し、図１１（ａ）は外観斜視図、図１１（ｂ）は図１の携帯電話機に搭載された液晶表示装置の分解斜視図である。
【００１２】
この携帯電話機４０は、図１１に示すように、液晶パネル４１Ａ、４１Ｂと、これらの液晶パネルを収容するハウジング４２と、を備え、ハウジング４２は、その表面に円形形状の開口４２ａが形成され、この開口４２ａから液晶パネル４１Ｂの表示エリアが露出されるようになっている。
【００１３】
この表示エリアは、矩形形状の液晶パネル４１Ｂと、円形形状の表示窓を設けたハウジング４２とを組合せることによって形成されている。すなわち、液晶パネルをハウジングに収容する際に、このハウジングで矩形形状の液晶パネルの表面を覆い、ハウジングの円形形状の開口、すなわち表示窓から表示面を露出させるようにしている。
【特許文献１】特開２００２−２８７１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、上記特許文献１に記載のように円形形状の表示窓に矩形形状の表示パネルを適用すると、パネルの隅部がハウジングで覆われて表示エリアとして利用されず、また、この隅部は、ハウジング内で所定のスペースを占めている。このため、液晶パネルは、各隅部が表示エリアとして使用されないので、表示エリアにおける有効表示面積を低減させると共に、この表示エリアとして使用されない隅部がハウジング内で所定のスペースを占有して、ハウジングの小型化或いは他の部品等の収容を制限してしまう。
【００１５】
そこで本発明者らは、上記問題点に鑑み、液晶表示パネルが不必要なスペースを占有しないように、液晶表示パネルの表示エリアの形状自体を表示窓の形状、例えば円形形状に変更すると共にパネルの形状自体を表示エリアの形状に近い形状に加工することにより、不必要なスペースを占有することのない液晶表示パネルが提供できることを見出した。
【００１６】
図１２は表示窓の形状に合わせて表示パネルを楕円形状とした液晶表示パネルのアレイ基板を示す平面図である。
【００１７】
図１２に示す液晶表示パネルは、楕円形状からなる表示エリアＤＡの形状に合わせて矩形状のアレイ基板１１Ａ及びカラーフィルタ基板（図示省略）の隅部が切断された多角形状の液晶表示パネルである。このような形状の液晶表示パネルにおいては、従来不必要なスペースを占有していたパネル隅部が切断されているため、携帯電話機等で使用した際には、この隅部に他の機器を配置することができ、携帯電話機等の小型化を実現できる。
【００１８】
しかしながら、このような液晶表示パネルにおいては、図１２に示すように、アレイ基板１１Ａ側の複数本の走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎ及び信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍをアレイ基板１１Ａの一側端に設けられるドライバ載置領域２１まで配線する際には、隅部が切断されたことにより幅狭になった表示エリアＤＡと側部との間に配線されるため、隣接する配線間のピッチが極めて狭くなる。特にこの液晶表示パネルがＣｓ On Common方式の補助容量電極を備えていると、図７及び図１２に示すように、アレイ基板１１Ａ上には補助容量電極Ｃｓに接続される配線Ｚ１、・・・、Ｚｎが走査線と同じ本数配設されることとなり、表示エリアＤＡの周縁部に引き回される配線本数は更に増え、配線自体の幅や配線間の間隔を狭くせざるを得なくなり、以って配線の断線や配線間の短絡等を誘発する恐れがある。
【００１９】
そこで、本発明者らは上記問題点を解決する方法を種々検討した結果、補助容量電極に接続される配線Ｚ１、・・・、Ｚｎを省略できれば、配線自体の幅及び隣接する配線同士のピッチをより広くとることができることを見出し、本発明に至ったものである。
【００２０】
すなわち、本発明の目的は、表示エリアの形状が実質的に楕円形又は円形形状の液晶表示パネルにおいて、基板上に引き回される配線の幅及び配線同士のピッチを広く取ることができる液晶表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の液晶表示パネルは、一対の透光性基板を対向させてシール材により貼り合わせ、前記透光性基板及びシール材により形成された空間に液晶を封入することにより表示エリアが形成されており、前記透光性基板の一方の基板上には、マトリクス状に配置された複数の信号線及び走査線と、前記各信号線及び走査線の交点近傍に配置された画素トランジスタと、前記各信号線及び走査線で囲まれた位置にそれぞれ配置されているとともに前記画素トランジスタに接続された画素電極と、前記画素電極の下部に設けられた補助容量電極と、前記各電極を駆動させるドライバＬＳＩと、を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示パネルであって、
前記表示エリアは実質的に楕円形又は円形形状に形成され、前記一対の基板は前記表示エリア近くまで切断され、前記信号線及び走査線は前記表示エリアの外縁部に沿って配設された配線によって前記ドライバＬＳＩに接続されており、
前記補助容量電極は、ドレイン電極に絶縁膜を介して対向配置されると共に端部が前記走査線に接続されていることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の液晶表示パネルに係り、前記補助容量電極及び走査線は同一の遮光性材料からなり、これらは一体成形により前記一方の基板上に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は上記構成を備えることにより以下に示す優れた効果を奏する、すなわち、請求項１の発明によれば、実質的に楕円形又は円形形状等に形成された表示エリアに合わせて透光性基板の隅部が切断された液晶表示パネルにおいて、補助容量電極の端部を走査線に接続したので、基板の隅部を引き回される配線数を少なくでき、以って配線スペースを有効に使用することができるとともに配線を太くすることができるため、配線の断線や配線間の短絡等の危険性を抑制した液晶表示パネルを提供できる。
【００２４】
また、請求項２の発明によれば、補助容量電極と走査線が同一の遮光性材料からなるので、一度の工程で補助容量電極と走査線を形成できるため、製造工程を簡略化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示パネルを例示するものであって、本発明をこれらに特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものも等しく適応し得るものである。なお、以下の実施例においては従来液晶表示パネルと同様の構成からなる部分には同一の符号を付している。
【実施例１】
【００２６】
図１は本発明の実施例にかかる液晶表示パネルを示す平面図、図２は図１の液晶表示パネルのアレイ基板を示す平面図、図３は図２のアレイ基板上に形成される複数の画素のうち数画素部分を拡大して示す平面図、図４は１画素の模式的な等価回路図、図５は図３のＡ−Ａ断面図、図６は一画素の各部分の電圧波形を示す図である。
【００２７】
本発明の液晶表示パネル１０は、図１に示すように、縦方向の長さＬ１が横方向の長さＬ２より長い楕円形状の表示エリアＤＡを備え、一対のガラス基板等からなる透光性基板１１、１５を対向させてシール材により貼り合わせ、内部に液晶が封入されて構成されている。一対の透光性基板１１、１５は表示エリアＤＡの形状に合わせて、矩形状の基板の隅部が切断された多角形状に形成されており、切断された隅部は、携帯電話機等に実装された際に他の構成部品の設置スペースとなる。
【００２８】
また、一対の透光性基板１１、１５のうち、背面に配置された第１の透光性基板１１は、図２に示すように、液晶が封入される面に複数本の走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎ及び信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍがマトリクス状に配線されており、その一側端１１４には前記走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎ及び信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍに接続されて制御信号を出力するドライバＬＳＩ２２が載置されるドライバ載置領域２１が形成され、このドライバ載置領域２１に前記走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎ及び信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍが引き回されたアレイ基板を形成し、前面に配置された第２の透光性基板１５は、液晶が封入される面にカラーフィルタ層ＣＦ及び対向電極１６（図５参照）が形成されたカラーフィルタ基板を形成する。なお、第２の透光性基板１５は、ドライバ載置領域が形成されていないために、第１の透光性基板１１に比べて一側端が短くなっている。
【００２９】
第１の透光性基板１１に形成される走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎは、図１及び図２に示すように、表示エリアＤＡの端部と第１の透光性基板１１の長辺１１１あるいは１１２との間に導電パターンが形成され、この隙間Ｌ３を通ってドライバ載置領域２１まで配線されている。しかしながら、この隙間Ｌ３は第１の透光性基板１１が表示エリアＤＡの形状に合わせて形成されていることから、比較的幅狭であり、この隙間Ｌ３に短絡等がなされることなく導電パターンを形成する必要がある。
【００３０】
以下には実施例の液晶表示パネル１０の配線構造について主に図３〜図５を参照して説明する。
【００３１】
図３は基板上に形成されるいくつかの画素を拡大して示した平面図である。図３によれば、液晶表示パネル１０はＣｓ On Gate方式の液晶表示パネルであり、詳しくは、第１の透光性基板１１上にマトリクス状に設けられた走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎと信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍで囲まれた領域毎に画素電極１２が設けられており、この画素電極１２の下部には補助容量電極１３及び画素トランジスタ１４が設けられている。また、第２の透光性基板１５にはカラーフィルタ層ＣＦを介して設けられた対向電極１６が設けられている（図５参照）。そして、画素電極１２と対向電極１６との間には液晶１７が封入されている。
【００３２】
画素トランジスタ１４はＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなり、そのソース電極Ｓは信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍに接続され、また、ドレイン電極Ｄは画素電極１２に接続されており、さらに、画素トランジスタ１４のゲート電極Ｇは走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎに接続されている。
【００３３】
さらに、補助容量電極１３はドレイン電極Ｄに絶縁膜１８を介して対向させて配置され、その端部は走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎに電気的に接続されており、この補助容量電極１３及び走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎは遮光性部材から形成されている。
【００３４】
次に、この液晶表示パネル１０の製造方法を説明する。先ず、第１の透光性基板１１の表面に直接ないしは絶縁膜（図示せず）を介して、所定パターンに走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎを形成する。このとき、ゲート電極Ｇが走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎと同時に形成されると共に、補助容量電極１３もこの走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎと同時に形成される。この走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎ、ゲート電極Ｇ及び補助容量電極１３はアルミニウム又はアルミニウム合金等の遮光性導電性部材からなる。
【００３５】
次にこの第１の透光性部材１１表面をＳｉＯ２ないしＳｉＮからなる絶縁材１８により被覆し、この絶縁材１８を介してゲート電極Ｇと対向するようにアモルファス−Ｓｉ層２０を形成し、信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍを前記走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎに直交する方向に形成し、アモルファス−Ｓｉ層２０上の部分的に重なるように、信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍから延設されたソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄを設けることにより画素トランジスタ１４を形成する。なお、信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極ＤはＭｏ／Ａｌ／Ｍｏから形成される。
【００３６】
この画素トランジスタ１４のドレイン電極Ｄは絶縁膜を介して補助容量電極１３に対向配置され、これにより補助容量Ｃｓが形成さる。また、ドレイン電極Ｄは一端が画素電極１２に接続されて液晶容量ＣＬＣが形成さる。なお、画素電極１２は画素トランジスタ１４のドレイン電極Ｄに電気的に接続され、走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎ及び信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍにより区画された領域を覆うように形成する。
【００３７】
そして、別途第２の透光性基板１５の表面にカラーフィルタ層ＣＦ及びＩＴＯからなる透明な対向電極１６を形成したカラーフィルタ基板を対向させ、その間に液晶１７を封入することにより本実施例の液晶表示パネル１０が完成される。この液晶表示パネルの１画素分の等価回路は図４に示したとおりとなり、補助容量Ｃｓは、画素電極１２とゲート電極Ｇとの間に形成されているので、Ｃｓ on Gate方式の補助容量となる。
【００３８】
次にこの一画素の各部分の電圧波形を図６を用いて説明する。液晶表示パネル１０においては、対向電極１６に印加されるコモン電位Ｖｃは周期的に反転されており、それに伴って信号線Ｙ１、・・・、Ｙｍに印加される画像信号Ｖsも周期的に反転するバイアス電圧が重畳されている。
【００３９】
また、走査信号Ｖｇは非選択期間中はコモン電位と同期した電圧が印加されており、この画素の選択期間中にはゲートパルスをゲート電極に印加することにより画素トランジスタ１４をオン状態として、信号線Ｙｍから供給された画像信号Ｖsが画素トランジスタ１４を介して画素電極１２に書き込まれる。次にこの画素が非選択期間になるとゲートパルスＶgの印加が停止されてローレベルゲート電圧が印加され、画素トランジスタ１４はオフ状態となるが、書き込まれた画像信号は液晶容量ＣＬＣに保持されている。
【００４０】
そして、選択期間から非選択期間に移行するとき、矩形波ゲートパルスＶgはハイレベルからローレベルに急激に立ち下がるので、このとき前述した結合容量ＣＧＤを介してカップリングにより液晶容量ＣＬＣに蓄えられた電荷が瞬間的に放電するために、画素電極に書き込まれた画像信号Ｖsに電圧シフトΔＶ（図示せず）が生じてしまう。しかしながら、本実施例の液晶表示パネル１０では、Ｃｓ on Gate方式の大きな補助容量が形成されているため、結合容量ＣＧＤを介して放電される電荷量を十分に補うことができるので、フリッカ及び残像を生じることがなくなり、表示品質の良好な液晶表示装置が得られる。
【００４１】
加えて、本発明の液晶表示パネル１０においては、表示エリアを楕円形状等に変更したことに伴って基板形状を変更したことにより、導電パターンを形成する領域が狭い場合であっても、別途補助容量電極１３を走査線Ｘ１、・・・、Ｘｎに接続したため、従来例のように別途補助容量電極１３に接続するための配線Ｚ１、・・・、Ｚｎを省略することができ、以って配線スペースを有効に使用することができるようになるため、配線の断線や配線間の短絡等を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は本発明の実施例にかかる液晶表示パネルを示す平面図、
【図２】図２は図１の液晶表示パネルのアレイ基板を示す平面図、
【図３】図３は図２のアレイ基板上に形成される複数の画素のうち数画素部分を拡大して示す平面図、
【図４】図４は本実施例に係る１画素の模式的な等価回路図、
【図５】図５は図３のＡ−Ａ断面図、
【図６】図６は本実施例に係る一画素の各部分の電圧波形を示す図、
【図７】図７は従来の液晶表示パネルの画素のうち数画素部分を拡大して示す平面図、
【図８】図８は従来技術に係る１画素の模式的な等価回路図、
【図９】図９は図７のＢ−Ｂ断面図、
【図１０】図１０は従来技術に係る一画素の各部分の電圧波形を示す図、
【図１１】図１１は公知の携帯電話機を示す図であり、図１１（ａ）は外観斜視図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）の携帯電話機に搭載された液晶表示装置の分解斜視図、
【図１２】図１２は表示窓の形状に合わせて表示パネルを楕円形状とした液晶表示パネルのアレイ基板を示す平面図。
【符号の説明】
【００４３】
１０          液晶表示パネル
１１          第１の透光性基板
１２          画素電極
１３          補助容量電極
１４          画素トランジスタ
１５          第２の透光性基板
１６          対向電極
１７          液晶
１８          絶縁膜
２０          アモルファス−Ｓｉ層
２１          ドライバ載置領域
２２          ドライバＬＳＩ
Ｓ            ソース電極
Ｇ            ゲート電極
Ｄ            ドレイン電極
ＣＦ          カラーフィルタ層
ＣＬＣ          液晶容量
Ｃｓ          補助容量
Ｘ１、・・・、Ｘｎ  走査線
Ｙ１、・・・、Ｙｍ  信号線
【図１】
2006276361.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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