(57)【要約】【課題】  基板端部の隙間に液晶が入り込んだ場合でも、短時間で洗浄除去する。【解決手段】  所定の隙間Ｇを隔てて対向する一対の基板１０、２０間に、シール材５２で囲まれた液晶５０を挟持してなる。シール材５２の外周側で一対の基板１０、２０が対向する幅Ｗは、液晶５０に対する洗浄特性に基づいて設定される。【選択図】      図３
2006276080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の隙間を隔てて対向する一対の基板間に、シール材で囲まれた液晶を挟持してなる液晶装置であって、
前記シール材の外周側で前記一対の基板が対向する幅は、前記液晶に対する洗浄特性に基づいて設定されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置において、
前記幅は、０．３ｍｍ以下であることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶装置において、
前記所定の隙間は、４〜７μｍであることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項５】
所定の隙間を隔てて対向する一対の基板間に、シール材で囲まれた液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、
前記シール材の外周側で前記一対の基板が対向する幅を、前記液晶に対する洗浄特性に基づいて設定する工程を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の液晶装置の製造方法において、
前記幅は、０．３ｍｍ以下であることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の液晶装置の製造方法において、
前記所定の隙間は、４〜７μｍであることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置とその製造方法並びに電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置、例えば液晶表示装置は、パネルを形成する互いに対向する一対の基板間のギャップ内に液晶が充填された構成を有している。
ギャップ内への液晶充填方法としては、まず下側基板と上側基板とを下側基板の外周に注入口を設けたシール材で貼り合わせ、注入口と連通してシール材で囲まれた液晶注入部を有する液晶セルを形成する。次に、この液晶セルと液晶の入った液晶容器を真空室内に配置し、該真空室内を減圧することにより、液晶セル内の排気と液晶の脱泡を行ったのち、液晶を注入口に接触させ、真空室内を大気圧に戻すことにより、セル内部と真空室の圧力差と毛細管現象によって液晶注入部内へ液晶注入を行い、その後注入口を封止して液晶セルを得る、所謂液晶注入法が広く実施されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２６４７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
液晶の注入時、毛細管現象によって基板外縁における一対の基板間の隙間から液晶が吸引され、基板端面からシール材までの間に充填されてしまうことがある。この隙間に液晶が残留した状態で導通されると、配線ないし外部接続端子に化学的作用による腐食（コロージョン）が生じる可能性がある。
通常、基板間の隙間は数μｍであり、隙間に残留した液晶を機械的に除去することは困難であるため、従来では、液晶注入後に、洗剤を用いてパネルを洗浄することにより、基板間の隙間に吸引（付着）された液晶を除去している。
【０００４】
ところが、隙間の奥行き、すなわち基板端部からシール材までの距離（シール材より外側の基板の対向領域の幅）が大きい場合には、洗浄時間が長くなるばかりでなく、洗剤によっては液晶を除去できないこともある。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、基板端部の隙間に液晶が入り込んだ場合でも、短時間で洗浄除去できる液晶装置とその製造方法、並びにこの液晶装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の液晶装置は、所定の隙間を隔てて対向する一対の基板間に、シール材で囲まれた液晶を挟持してなる液晶装置であって、前記シール材の外周側で前記一対の基板が対向する幅は、前記液晶に対する洗浄特性に基づいて設定されていることを特徴とするものである。
従って、本発明の液晶装置では、シール材の外側で前記一対の基板が対向する幅を、液晶の洗浄特性、具体的には液晶が洗浄で除去できる大きさに設定することにより、隙間に入り込んだ液晶を短時間で容易に洗浄除去可能となる。
【０００７】
前記一対の基板が対向する幅としては、０．３ｍｍ以下とすることにより、液晶を確実に洗浄除去できることが実験で確認することができたため好ましい。
また、このとき、基板間の隙間の大きさとしては、４〜７μｍであることが好ましい。
【０００８】
そして、本発明の電子機器は、先に記載した液晶装置を備えることを特徴とするものである。
従って、本発明では、短時間で液晶を洗浄除去可能な液晶装置を備えることにより、生産性に優れ、コストダウンに寄与できる電子機器を提供することが可能になる。
【０００９】
一方、本発明の液晶装置の製造方法は、所定の隙間を隔てて対向する一対の基板間に、シール材で囲まれた液晶を挟持してなる液晶装置の製造方法であって、前記シール材の外周側で前記一対の基板が対向する幅を、前記液晶に対する洗浄特性に基づいて設定する工程を有することを特徴とするものである。
従って、本発明の液晶装置の製造方法では、シール材の外側で前記一対の基板が対向する幅を、液晶の洗浄特性、具体的には液晶が洗浄で除去できる大きさに設定することにより、隙間に入り込んだ液晶を短時間で容易に洗浄除去することが可能となる。
【００１０】
前記一対の基板が対向する幅としては、０．３ｍｍ以下とすることにより、液晶を確実に洗浄除去できることが実験で確認することができたため好ましい。
また、このとき、基板間の隙間の大きさとしては、４〜７μｍであることが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の液晶装置とその製造方法並びに電子機器の実施の形態を、図１ないし図７を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、画素のスイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin Film Transistor）を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置である。図１（ａ）は、本実施形態の液晶装置の全体構成を示す平面構成図、図１（ｂ）は、同図（ａ）に示すＨ−Ｈ線に沿う断面構成図、図２は、同、回路構成を示す図、図３は、図１（ａ）に示すＨ−Ｈ線における基板辺端部の部分断面構成図である。
【００１２】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置は、互いに対向する素子基板（ＴＦＴアレイ基板）１０と、対向基板２０との一対の基板が平面視略矩形枠状のシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内に液晶層（液晶）５０が封入された構成を備えている。シール材５２内周側に沿って平面視矩形枠状の周辺見切り５３が形成され、この周辺見切りの内側の領域が画像表示領域１１とされている。シール材５２の外周側の領域には、データ線駆動回路２０１及び外部回路実装端子２０２が素子基板１０の１辺（図示下辺）に沿って形成されており、この１辺に隣接する２辺に沿ってそれぞれ走査線駆動回路２０４，２０４が形成されている。素子基板１０の残る１辺（図示上辺）には、画像表示領域１１の両側の走査線駆動回路２０４，２０４間を接続する複数の配線２０５が設けられている。また、対向基板２０の各角部においては、素子基板１０と対向基板２０との間の電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
【００１３】
なお、データ線駆動回路２０１および走査線駆動回路２０４，２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＣＯＦ（Chip On Film）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。また、液晶装置においては、液晶装置の構成の違い、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、垂直配向モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモード等の別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
【００１４】
次に、図２に示すように、本実施形態の液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に配置された複数のドットには、画素電極９と当該画素電極９を制御するためのスイッチング素子であるＴＦＴ３０がそれぞれ形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給されるか、あるいは相隣接する複数のデータ線６ａに対してグループ毎に供給される。また、走査線３ａがＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続されており、複数の走査線３ａに対して走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが所定のタイミングでパルス的に線順次で印加される。また、画素電極９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオンすることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。
【００１５】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、後述する共通電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ここで、保持された画像信号がリークするのを防止するために、画素電極９と共通電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。なお、符号３ｂは容量線である。
【００１６】
図３は、図１（ａ）に示すＨ−Ｈ線における基板辺端部の部分断面構成図である。この図に示すように、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に、液晶層５０が挟持されている。素子基板１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる素子基板本体１０Ａとその液晶層５０側表面に積層形成されたＴＦＴ層３５と、層間絶縁膜（オーバーコート層）７と、電極層１９と、配向膜４０とを主体として構成されている。対向基板２０はガラスや石英等の透光性材料からなる対向基板本体２０Ａとその液晶層５０側表面に形成されたカラーフィルタ層２２と、平坦化膜２３と、共通電極２１と、配向膜６０とを主体として構成されている。
尚、図３ではデータ線駆動回路２０１の図示を省略しているが、実際は、データ線駆動回路２０１は、ＴＦＴ層３５において画素スイッチング用のＴＦＴと同層にて形成されており、シール材５２の外周側において配線層６を介して図１（ａ）に示す外部接続端子２０２と電気的に接続されている。
【００１７】
前記ＴＦＴ層３５は、各画素を駆動するＴＦＴ３０が複数形成された層であり、その詳細な構成は後述するが、図３に示すように、アクリル樹脂等からなる層間絶縁膜４に設けられたコンタクトホール５を介して、配線層６と図示略のＴＦＴとが電気的に接続されている。上記ＴＦＴ層３５上にアクリル樹脂等からなる層間絶縁膜７を介して画素電極９を含む電極層１９が形成され、層間絶縁膜４，７を貫通するコンタクトホール（図示略）を介して電極層１９とＴＦＴ層３５のＴＦＴとが電気的に接続されている。対向基板２０の辺端部に設けられたシール材５２により前記両基板１０，２０が所定の隙間Ｇを隔てて貼り合わされている。なお、両基板１０、２０間の隙間Ｇは、ここでは層間絶縁膜７と平坦化膜２３との間に形成される。
【００１８】
素子基板１０上の画素電極９が設けられた層及び配向膜４０が設けられた層の端縁部と、対向基板２０上の共通電極２０、配向膜６０の端縁部とは、シール材５２の形成領域と一部平面的に重なっている。
なお、上記電極層１９は、図２ではシール材５２と一部重なる位置から面方向に延在する平面形状に図示しているが、実際には、先の画素電極９が平面視略矩形状を成して配列形成されたものである。また、カラーフィルタ層２２は、上記画素電極９の形成領域と対応する平面形状を有し、異なる色（例えば赤、緑、青）を呈する色材層が配列形成されたものである。
【００１９】
上記構成を備えた本実施形態の液晶装置は、例えば、（１）ＴＦＴアレイ作製工程、（２）配向処理工程、（３）シール材印刷工程、（４）貼り合わせ工程、（５）液晶注入・封止工程、（６）パネル洗浄工程、（７）パネル検査工程、を基本とする製造工程を経る製造方法により製造することができる。これらの工程の他、複数の液晶装置を同時に製造するべく大型のマザー基板を用いて製造を行う場合には、上記各工程に加えて、マザー基板を複数の液晶装置に分離する分離工程が適宜追加される。
【００２０】
より詳細には、（１）ＴＦＴアレイ作製工程において、図３に示す素子基板本体１０Ａ上に、ＴＦＴ３０や画素電極９、配向膜４０等を形成して素子基板１０を得る。次いで、（２）配向処理工程において前記配向膜４０にラビング処理等の配向処理が施される。次に、（３）シール材印刷工程において、図１に示すように平面視略矩形枠状のシール材５２を素子基板１０上に印刷した後、（４）貼り合わせ工程にて、別途作製された対向基板２０と素子基板１０とを上記シール材５２を介して貼り合わせる。
次に、（５）液晶注入・封止工程にて、図１に示すシール材５２の開口部から液晶を注入した後、封止材５４によりシール材５２の開口部を封止する。次いで、（６）パネル洗浄工程にて、液晶注入時にシール材５２の外周側に付着した余分の液晶を洗浄・すすぎする。次に、（７）パネル検査工程にて、作製された液晶装置の製品検査を行う。
【００２１】
ここで、シール材印刷工程においては、液晶注入工程で一対の基板１０、２０間の隙間に吸い込まれた液晶を洗浄する際の特性に基づく位置にシール材５２が形成される。すなわち、シール材５２は、液晶注入工程で隙間Ｇに入り込んで付着した液晶を洗剤を用いた洗浄で除去可能な位置に形成される。
【００２２】
具体的には、素子基板１０及び対向基板２０で形成されるパネル端部（基板の外周部）における、シール材５２の外周側の隙間Ｇの奥行きＷは０．３ｍｍ以下に設定されている。このときの奥行きＷは、シール材５２の外周側で素子基板１０及び対向基板２０が対向する幅で規定される。つまり、シール材５２の外周側に位置する基板１０、２０の幅が略同一の場合は、当該幅が奥行きＷとなり、図３に示すように、シール材５２の外周側に位置する基板１０、２０の幅が同一でない場合は、短い方である対向基板２０の端部までの長さが奥行きＷとなる。
【００２３】
（実施例）
液晶としてアクティブ型液晶を用い、２種類の洗剤Ａ、Ｂ（Ａ；液晶用水系洗剤、サンウォッシュＬＨ−８０００（商標）、ライオン株式会社、Ｂ；液晶用準水系洗剤、クリーンスルーＬＣ−８４１（商標）、花王株式会社）をそれぞれ用いて、隙間Ｇに付着する液晶を洗浄除去したときの、隙間Ｇの奥行きと洗浄時間との関係を図４（ａ）に示す。このときの隙間Ｇは６μｍであった。
【００２４】
この図に示すように、洗剤Ａを用いて洗浄を行った場合、奥行きＷが０．３ｍｍを超えると急激に洗浄時間が増加し、洗剤Ｂを用いて洗浄・リンスを行った場合には奥行きＷが０．３ｍｍまでは液晶を洗浄除去できたが、奥行きＷが０．３ｍｍを超えた場合には結局残留液晶を除去できなかった。
【００２５】
また、図４（ｂ）には、奥行きＷを０．３ｍｍとしたときの隙間Ｇの量（ギャップ）と洗浄時間との関係が示されている。隙間Ｇとしては、４〜７μｍの範囲でそれぞれ洗浄を実施した。
この図に示すように、奥行きＷが０．３ｍｍの場合は、洗剤Ａ、Ｂの双方とも通常の液晶装置で設定される隙間Ｇのギャップでは問題なくほぼ１０分以内で残留液晶を洗浄除去できた。
上記の洗浄結果は、アクティブ型液晶のみならず、ＴＮ型液晶に対しても同様の結果であった。
【００２６】
このように、本実施形態では、液晶に対する洗浄特性に基づいて、基板１０、２０間の隙間Ｇの奥行きを０．３ｍｍ以下とすることにより、短時間で液晶を洗浄除去することが可能になり、液晶が残留した場合に生じるコロージョン及びそれに起因する配線不良を防止することができるとともに、洗浄工程の短縮化による生産性向上を実現することができる。
特に、本実施の形態では、液晶装置で通常用いられる４〜７μｍの隙間Ｇにおいて液晶を洗浄除去できるため、種々の形態の液晶装置に対して適用することができる。
【００２７】
続いて、本実施形態のアクティブマトリクス型液晶装置の各部の詳細構成を図面を参照して説明する。
図５は、上記実施形態に係る素子基板１０における１ドット領域の平面構成を示す図である。同図に示すように、素子基板１０上に、平面視略矩形状の画素電極９が設けられており、画素電極９の縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａ、走査線３ａおよび容量線３ｂが設けられている。本実施の形態において、各画素電極９および各画素電極９を囲むように配置されたデータ線６ａ、走査線３ａ、容量線３ｂ等が形成された領域の内側が一つのドット領域であり、マトリクス状に配置された各ドット領域毎に表示が可能な構造になっている。図５では、画素電極９を１つのみ図示しているが、本実施の形態の液晶装置では、平面視略長方形状の画素電極９を備えた３ドットにより１画素が構成されるようになっている。
【００２８】
データ線６ａは、ＴＦＴ３０を構成する、例えばポリシリコン膜からなる半導体層１ｆのうち、後述のソース領域にコンタクトホール５を介して電気的に接続されており、画素電極９は、半導体層１ｆのうち、後述のドレイン領域にコンタクトホール８を介して電気的に接続されている。また、半導体層１ｆと走査線３ａとが平面視において交差している領域（図中左上がりの斜線で示す領域）にＴＦＴ３０のチャネル領域１ａが形成されており、走査線３ａはチャネル領域１ａに対向する部分でゲート電極として機能する。
【００２９】
容量線３ｂは、走査線３ａに沿って略直線状に延びる本線部（すなわち、平面的に見て、走査線３ａに沿って形成された第１領域）と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って前段側（図中上向き）に突出した突出部（すなわち、平面的に見て、データ線６ａに沿って延設された第２領域）とを有する。
そして、図５中、右上がりの斜線で示した領域には、複数の遮光膜１１ａが設けられている。
【００３０】
上記遮光膜１１ａは、各々、半導体層１ｆのチャネル領域１ａを含むＴＦＴ３０を素子基板本体１０Ａ側から見て覆う位置に設けられており、さらに、容量線３ｂの本線部に対向して走査線３ａに沿って直線状に延びる本線部と、データ線６ａと交差する箇所からデータ線６ａに沿って隣接する後段側（すなわち、図中下向き）に突出した突出部とを有する。遮光膜１１ａの各段（画素行）における下向きの突出部の先端は、データ線６ａ下において次段における容量線３ｂの上向きの突出部の先端と平面的に重なっている。この重なった箇所には、遮光膜１１ａと容量線３ｂとを相互に電気的に接続するコンタクトホール１３が設けられている。すなわち、遮光膜１１ａは、コンタクトホール１３によって前段あるいは後段の容量線３ｂと電気的に接続されている。
【００３１】
次に、図６に基づいて、本実施形態の液晶装置の詳細な断面構造について説明する。
図６は、図５に示すＡ−Ａ’線に沿う断面構造を示す図である。
同図に示すように、本実施形態の透過型液晶装置においては、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０との間に誘電異方性が負の液晶からなる垂直配向モードの液晶層５０が挟持されている。素子基板１０は、素子基板本体１０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された、ＴＦＴ３０、画素電極９、配向膜４０とを主体として構成され、対向基板２０は対向基板本体２０Ａと、その液晶層５０側表面に形成された、カラーフィルタ層２２、平坦化膜２３、共通電極２１、配向膜６０とを主体として構成されている。
【００３２】
素子基板１０において、画素電極９に隣接する位置に、各画素電極９をスイッチング制御する画素スイッチング用ＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、走査線３ａと、当該走査線３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ’と、走査線３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜２と、データ線６ａと、半導体層１ａの低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ、半導体層１ａの高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅとを備えている。
【００３３】
また、上記走査線３ａ上、ゲート絶縁膜２上を含む素子基板本体１０Ａ上には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール５、及び高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第２層間絶縁膜４が形成されている。つまり、データ線６ａは、第２層間絶縁膜４を貫通するコンタクトホール５を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。さらに、データ線６ａ上及び第２層間絶縁膜４上には、高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８が開孔した第３層間絶縁膜７が形成されている。つまり、高濃度ドレイン領域１ｅは、第２層間絶縁膜４及び第３層間絶縁膜７を貫通するコンタクトホール８を介して画素電極９に電気的に接続されている。また、本実施形態では、ゲート絶縁膜２を走査線３ａに対向する位置から延設して誘電体膜として用い、半導体膜１ａを延設して第１蓄積容量電極１ｆとし、更にこれらに対向する容量線３ｂの一部を第２蓄積容量電極とすることにより、蓄積容量７０が構成されている。
【００３４】
素子基板本体１０Ａの液晶層５０側表面において、各画素スイッチング用ＴＦＴ３０が形成された領域には、遮光膜１１ａが設けられており、係る遮光膜１１ａは、素子基板１０を透過した後、素子基板１０の図示下面で反射されて液晶層５０側へ戻る光が、少なくとも半導体層１ａのチャネル領域１ａ'及び低濃度ソース、ドレイン領域１ｂ、１ｃに入射するのを防止するために設けられている。
前記遮光膜１１ａとＴＦＴ３０との間には、ＴＦＴ３０を構成する半導体層１ａを遮光膜１１ａから電気的に絶縁するための第１層間絶縁膜１２が形成されている。さらに、図５に示したように、素子基板１０に遮光膜１１ａを設けるのに加えて、コンタクトホール１３を介して遮光膜１１ａは、前段あるいは後段の容量線３ｂに電気的に接続するように構成されている。
また、素子基板１０の液晶層５０側最表面、すなわち、画素電極９及び第３層間絶縁膜７上には、電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜４０が形成されている。
【００３５】
他方、対向基板本体２０Ａの液晶層５０側表面であって、データ線６ａ、走査線３ａ、画素スイッチング用ＴＦＴ３０の形成領域に対向する領域、すなわち各画素部の開口領域と対応する平面形状を有する複数色の色材層を備えたカラーフィルタ層２２が設けられている。さらに、カラーフィルタ層２２が形成された対向基板本体２０Ａの液晶層５０側には、そのほぼ全面に渡って、アクリル樹脂等からなる平坦化膜２３が設けられ、平坦化膜２３上にＩＴＯ等からなる共通電極２１、及び電圧無印加時における液晶層５０内の液晶分子の配向を制御する配向膜６０が形成されている。
【００３６】
尚、図５及び図６を参照して説明した液晶装置の詳細構成は、本発明の実施の形態の一例であり、本発明の技術範囲を何ら限定するものではない。
【００３７】
（電子機器）
図７は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、本発明の液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
本実施形態の携帯電話１３００は、上記の液晶装置を備えているので、配線不良等が生じず高品質を実現できるとともに、生産性向上によるコストダウンに寄与できる。
【００３８】
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器に対しても高画質で高信頼性の表示部を提供し得るものである。
【００３９】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００４０】
例えば、上記実施形態で例示した液晶や洗剤は、一例を示したものであり、他の種類であっても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】（ａ）は、実施形態の液晶装置の平面構成図、（ｂ）はＨ−Ｈ線に沿う断面構成図である。
【図２】同、回路構成図である。
【図３】同、基板辺端部における断面構成図である。
【図４】（ａ）は隙間の奥行きと洗浄時間との関係を示す図であり、（ｂ）は隙間の量と洗浄時間との関係を示す図である。
【図５】実施形態の液晶装置の１ドット領域の平面構成図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図である。
【図７】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｇ…隙間、  Ｗ…奥行き（対向幅）、  １０…素子基板（ＴＦＴアレイ基板、基板）、  ２０…対向基板（基板）、  ５０…液晶層（液晶）、  ５２…シール材、  １３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
2006276080.tif 000003
【図２】
2006276080.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006276080.tif 000006
【図５】
2006276080.tif 000007
【図６】
2006276080.tif 000008
【図７】
2006276080.tif 000009