(57)【要約】【課題】プラスチックモールディングコンパウンドのリードフレーム及びＩＣチップへの結合を強化するために、リードフレーム全体にプライマーを付ける発明を提供することである。【解決手段】半導体装置をモールディングする前に、半導体装置をポリマープライマーによって被覆することによってリードフレームのようなキャリヤ上に取り付けられた半導体チップを備えた半導体装置とモールディングコンパウンドとの間の付着を強化する方法を提供する。このような被覆は、ポリマー溶液において又はポリマー溶液を用いて半導体装置をディッピング、ドリッピング又はスプレーによって実施してもよい。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置をモールディングする前にキャリヤ上に取り付けられた半導体チップを備えた半導体装置とモールディングコンパウンドとの間の付着を強化する方法であって、半導体装置をポリマープライマーによって被覆する段階を備えた方法。
【請求項２】
半導体装置が半導体チップとキャリヤとの間に形成された導電性ワイヤ接続を含み、前記被覆段階がさらにモールディング前にポリマープライマーでワイヤ接続を被覆する段階を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ポリマープライマーが窒素含有ポリマーコンパウンドを備えた請求項１に記載の方法。
【請求項４】
窒素含有ポリマーコンパウンドが、メラニン修飾されたフェノール樹脂、アクリルコポリマー及びベンズイミダゾールコポリマーからなる群から選択される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
フェノール樹脂が、多官能フェノールとアルデヒドとの反応を介して生成される請求項４に記載の方法。
【請求項６】
多官能フェノールが、フェノール、クレゾール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、及び、脂肪族鎖フェノールからなる群から選択される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ポリマープライマーが溶媒に溶解された一又は二以上のポリマーによって構成された溶液を備えた請求項１に記載の方法。
【請求項８】
溶液が0.01重量％から50重量％のポリマーを備えた請求項７に記載の方法。
【請求項９】
溶液が1.0重量％から10重量％のポリマーを備えた請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ポリマーがメラニン修飾されたフェノール樹脂を備え、溶媒が水及びアルコールを備えた請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
アルコールが、メタノール、エタノール、プロパノール及びブタノールからなる群から選択される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
ポリマーがアクリルコポリマーを備え、溶媒がアルコール、エーテル、エステル、ケトン、アルカン及びシクロアルカンからなる群から選択された請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
ポリマーがベンズイミダゾールコポリマーを備え、溶媒がジメチルホルムアミド及び／又はＮメチルピロリドンを備えた請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
ポリマープライマーがポリマーラテックスを備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
半導体装置をポリマープライマーで被覆する前に、半導体装置をプラズマでクリーニングする段階をさらに備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
半導体装置をポリマープライマーで被覆する前に、１分間から３０分間の時間、６０℃から２６０℃の温度で半導体装置をベーキングする段階をさらに備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
半導体装置を１６０℃から２１０℃の温度でベーキングする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
半導体装置を３分間から５分間の時間ベーキングする請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
ポリマー被覆の厚さが１０ｎｍから０．１ｍｍである請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
ポリマー被覆の厚さが３００ｎｍから３０μmである請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
請求項１に記載の方法で作製された半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子デバイスのパッケージングに関し、特に、フレーム若しくは他の基板等のキャリヤと共に集積回路を備えた電子デバイスの封入（エンキャプシュレーション、包み込み）に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウェハー製造後、半導体チップ若しくは集積回路（ＩＣ）チップは、最終的な利用のために準備すべき数段階を実施しなければならない。検査及び個別化後、個々のＩＣチップはピックアップされて、リードフレームのようなキャリヤに取り付けられる。ＩＣチップ上の個々の導電性パッドは微細な導電性パッドを介してリードフレームの内部リードに結合され、ワイヤ結合リードフレームアセンブリが製造される。その後、ワイヤ結合リードフレームアセンブリはプラスチックモールディングコンパウンドによって封入され、封入されたリードフレームアセンブリは他の装置若しくは用途に実装される前に、さらに整備される。
【０００３】
電子デバイス又はＩＣチップを封入するのに通常用いられる封入剤はエポキシ及び８０重量％以下の充填剤を備えたシリコーンプラスチックコンパウンドを含むプラスチックコンパウンドである。プラスチックモールディングコンパウンドは４つの基本的な機能を提供する：（１）チップ上の集積回路をチップを利用する外部コンポーネントシステムと電気的に接続するリードシステムを物理的に支持すること；（２）ＩＣチップをコンタミネーション、悪用、機械的損傷又は破損から保護すること；（３）湿気（水蒸気）、ダストやＩＣチップの性能を阻害する気体等の環境的な有害物からチップを化学的に保護すること；（４）ＩＣチップが作動するときに生ずる熱を散逸される熱経路を確保すること、である。他の封入技術と比較すると、プラスチック封入は、軽量、高製造効率、及び低製造コストのような主要な利点を有する。
【０００４】
しかしながら、プラスチック封入の不利な点のひとつは封入された電子デバイス若しくはＩＣチップのまわりの非気密性シーリングに関するものであり、これはプラスチックコンパウンドによる水の吸収又はコンパウンドを抜けての湿気の透過を生じてしまう。これによって、現在のモールディングコンパウンド技術に通常関係した問題を生ずる。この問題は、プラスチックコンパウンドとリードフレームのようなキャリヤとの間の熱膨張係数（ＣＴＥ）の大きな差によって悪化され得る。封入されたアセンブリはが大きく急激な温度変化を生ずるので、特に界面での結合が十分に強くないときに封入されたボディ内の熱応力が界面上に微細なひび割れを刺激し得る。微細なひび割れは、熱衝撃の循環の条件の下でクラックへと成長してしまうかもしれない。クラックは湿気の透過のためのルートを提供する。結果として、水が容易に封入されたボディに入り、閉じ込められることになる。吸収された水はいくつかのＩＣチップ用の化学的若しくは冶金学的な相互作用を促進するだけでなく、応用若しくは実装工程において装置の欠陥につながり得る。
【０００５】
例えば、吸収され若しくは混入された水は、封入されたリードフレームアセンブリがコンポーネントアセンブリ又は装置の使用中に急速加熱に曝されると、水蒸気になる。これは局所的に体積の迅速な増大を生じる。急速な膨張によって３組の界面上の層剥離につながり得る：リードフレーム／プラスチックコンパウンド界面、ＩＣチップ接着剤／チップ貼付パドル界面、ＩＣチップ／プラスチックコンパウンド界面。層剥離の結果として、通常のＩＣ機能又はＩＣチップと外部回路との結合が切断される。内部の層剥離はさらに、封入されたボディ内での応力及び張力の分散を妨げ得る。この結果、さらに、ワイヤ結合されたＩＣチップの破損又は適切な熱散逸経路の阻害につながり、これによって、封入された電子デバイスの性能を改善する。さらに厳しい状況においては、特に、ＩＣチップに対するキャリヤの面積比が最近の電子パッケージにおいては小さくなってきているので、封入されたボディは膨張し、水圧膨張によって破裂する。この現象は通常、封入された装置のはんだ溶接においては“ポップコーン”と称されており、表面実装アセンブリに関係してよく生ずる。
【０００６】
プラスチック封入に関連する他の問題は封入剤に組み込まれた添加剤から生ずる。添加剤はカップリング剤、フレーム遅延（抑制）剤、剥離剤等を含む。半導体パッケージング用のプラスチックモールディングコンパウンドにおいて通常用いられるフレーム遅延添加剤はアンチモン化合物及び臭素化エポキシである。封入コンパウンド（化合物）におけるフレーム遅延剤の組み込みは、封入された電子デバイスが以前にこのような熱を生じ、モールディングコンパウンドの引火点が達し、火が出たという事実によって必要となったものである。このフレーム遅延剤系を含む封入剤はがその引火温度に達するという事象において、アンチモン化合物及び臭素化エポキシはアンチモン三臭素化物（トリブロマイド）及び密でかつ重いフレーム遅延ガスを形成するように結合する。上述のフレーム遅延材料や他のフレーム遅延材料の採用は、現在のプラスチック封入技術と共に他の問題を生ずる。臭素化エポキシ等のフレーム遅延化学物質はの中には、封入されたワイヤ結合リードフレームアセンブリに接触するときに、ワイヤ接合の信頼性を低下させる傾向がある。この低下は典型的にはフレーム遅延の結果として生じて、結合するワイヤとチップ上の導電性パッドのうちの少なくとも一つとの間の金属間接合の劣化又はその失敗につながる。
【０００７】
リードフレーム又は基板からのプラスチックモールディングコンパウンドの層剥離を回避するために、多くの手段が界面結合を改善することを提案してきた。これらの手段は機械的インターロック及び化学結合を利用することを含む。機械的インターロックはホール、グルーブ（溝）及び半球のような凹みを含み、発明の名称“Semiconducor Device Lead Frame with Etched Through Holes”の米国特許第４，８６２，２４６号明細書、及び、発明の名称“Structure and Method for Securing a Molding Compound to a Leadframe Paddle”の米国特許第６，５０１，１５８号明細書に記載されているように、リードフレーム上に機械的に作製される。凹みはリードフレームの表面積を増大し、機械的インターロック用の隙間を提供する。従って、リードフレームのプラスチックコンパウンドへの付着が強化された。
【０００８】
他の技術では、黒色酸化物はある期間プリント基板の作製に使用されてきた。この技術は、発明の名称“Method for improving the Adhesion of a Plastic Encapsulant to Copper Containing Leadframes”の米国特許第４，９４６，５１８号明細書に記載されているような、リードフレームの処理に転用された。この技術の要点は、表面上の銅が活性酸素雰囲気において酸化されて、黒酸化第２銅に変換することである。黒酸化銅は、サブミクロンのスケールの針状構造を有数。従って、リードフレームの表面積が処理後に顕著に増大した。あるいは、発明の名称“Process for Improving Copper-Epoxy Adhesion”の米国特許第４，４２８，９８７号明細書に開示されているように、反応条件を変化させることによって、又は、酸化第２物の一部を電気的若しくは化学的還元によって酸化第１銅に変換することによって、茶色酸化物が表面上に酸化される。この茶色酸化物は黒酸化物より微細で不規則な構造を有する。
【０００９】
カップリング剤は長い間接着剤としても使用されてきた。通常、カップリング剤は基板及び接着剤のそれぞれに反応し得る２種類の官能基を有し、これによって、発明の名称“Cap Attach Surface for Improved Adhesion”の米国特許第６，３６９，４５２号明細書に開示されているように、基板と接着剤との間に強い化学結合を提供する。しかしながら、銅カップリング剤はパッケージングの通常の条件の下で加水分解を生じる。
【００１０】
リードフレームアセンブリのワイヤ接合の劣化を生ずることなく、界面間の弱い結合の問題を扱うことが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従って、本発明は、プラスチックモールディングコンパウンドのリードフレーム及びＩＣチップへの結合を強化するために、リードフレーム全体にプライマーを付けることが本発明の目的である。
【００１２】
また  プラスチックモールディングコンパウンドのリードフレーム及びＩＣチップへの結合を、その間に形成されたワイヤ結合の信頼性に影響することなく、強化することを探ることが本発明の関連する目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
さらに、本発明は、モールディングコンパウンドと半導体装置を実装する前にキャリヤ上に付着された半導体チップを備えた半導体装置との間の付着を強化する方法であって、半導体装置をポリマープライマーで被覆（コーティング）する段階を備えたものを提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の一実施形態を模式的に示す貼付図面を参照して詳細に本発明を説明するのが好都合である。図面及びそれに関連する説明の具体性は、特許請求の範囲で定義された発明の一般性を排除するものとして理解されてはならない。
【００１５】
本発明の封入材料の付着の強化の方法の好適な実施形態の例を図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、キャリヤより詳細には、ワイヤ結合されたリードフレームアセンブリ上に付けられた半導体チップを備えた半導体装置の平面図である。キャリヤはクワッドリードフレーム１０の形であり、複数のリード１１を有する。リード１１の外部１２は支持バー１３に結合されている。リード１１の内部端部はリードフレーム１０の中心を指示する内部リード１４を形成している。ダイアタッチパドル１５はリードフレーム１０の中心に位置する。ダイアタッチパドル１５はタイバー１６によって指示され、半導体若しくはＩＣチップ１７のような電子デバイスを取り付けるサイトを提供する。ＩＣチップ１７上の導電性パッドは微細な導電性ワイヤ１８を有する内部リード先端に電気的に接続されている。
【００１７】
リードフレーム用の原材料は通常銅又は銅ベース合金である。銅合金は高電気伝導度及び高熱伝導度を有するからである。また、熱膨張係数又は剛性係数が強調されるときは、合金４２のような他の鉄／ニッケル合金もリードフレームとして用いられ得る。リードフレーム１０の表面上では、特に内部リード１４及びダイアタッチパドル１５の先端上では、ニッケル、銀、金及び／又はパラジウム等の貴金属又は合金が鍍金されてもよい。リードフレームは機械的プレス又は化学的エッチングによって作製されてもよい。本発明は全リードフレームが適しており、これらがたとえ銅ベース合金からなろうが、鉄／ニッケル合金からなろうが、プレスによって作製されようが、エッチングによって作製されようが、予め鍍金されようが、部分的に鍍金されようが構わない。本発明はまた、ＩＣチップを保持する銅の面を有する他のキャリアに適している。
【００１８】
図２は、本発明の好適な実施形態によるポリマープライマーを付けることを含むパッケージング段階の全体像を示すものである。作製段階において、リードフレームアセンブリは数段階で処理される。第１に、ダイアタッチ２０中に、ＩＣチップ１７はダイアタッチパドル１５に配置し、固定する。いかなる都合のよいはんだ材料例えば、鉛／すずのような低融点はんだ、又は、銅／すずや金／シリコンのような共晶はんだをダイアタッチメント（ダイ付着）用に用いることができる。また、銀充填エポキシコンパウンド又はビスマレイミドコンパウンドのような有機接着剤を採用して、ＩＣチップ１７をダイアタッチパドル１５に固定してもよい。ＩＣチップ１７をダイアタッチパドル１５に固定した後、ＩＣチップ１７上の導電性パッドを、ワイヤ結合工程２１において、導電性ワイヤ１８を接続することによって内部リード１４に電気的に接続される。導電性ワイヤ１８はアルミニウム、金又は銅からなり得る。あるいは、チップ上の回路と外部回路との間の電気的内部接続は、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）装置において用いられているように、はんだボールを介して実現し得る。さらに、銅のようなエッチングされた金属フォイルが、テープ自動結合技術において用いられているように、電気的内部接続用に用いてもよい。
【００１９】
プラスチックモールディングコンパウンドで封入する前に、ワイヤ結合リードフレームアセンブリをポリマープライマー好適には、ポリマー溶液で被覆する。ポリマー溶液を付ける方法は、限定的ではないが、以下に記載するように、ドロッピング、ドリッピング、又はスプレーであり得る。ポリマーコーティングは、プラスチックコンパウンドのリードフレーム及びＩＣチップへの結合を促進し、パッケージングされた電子デバイスの信頼性を改善する。
【００２０】
乾燥後、次の段階は、リードフレームアセンブリをプラスチックモールディングコンパウンド２３によって封入する段階である。封入は転写モールディング機械で実施することができる。広く用いられているモールディングコンパウンドは、ビスフェノールエポキシ樹脂、フェノールノバラックエポキシ樹脂、クレゾールエポキシ樹脂のようなエポキシ樹脂をベースにしている。通常、モールディングコンパウンドは周囲温度で固体であるが、これらは高温で液体に転移するようにされている。封入については、モールディングコンパウンドのペレットはまず、熱い樽（バレル）に挿入され、熱い樽において液状になる。しばらくして、リードフレームアセンブリは加熱されたモールドキャビティに配置される。次いで、液体化合物はラムによって熱いモールドキャビティの中へ力を付与され、モールドキャビティ内に充填される。典型的には、内部リード１４、ダイアタッチパドル１５、及びＩＣチップ１７はモールディングコンパウンドでシールされる。液体モールディングコンパウンドは熱いモールド（鋳型）で固化し、硬化することが許容されている。このモールディング工程は通常、数分で終了する。必要なら、封入されたアセンブリは、転写モールディング後にモールド外でポスト硬化することができる。封入は、電気的に接続された半導体チップ上全体に液体プラスチックコンパウンドを塗布し（散布し）、次いで、高温でコンパウンドを硬化することによって達成することもできる。本発明はいずれの封入方法にも適している。
【００２１】
モールディング及び硬化後、モールディングされた電子パッケージは切断され、及び／又は結合されている他のパッケージから分断され、適当なものに形成２４され得る。電子パッケージはさらに、それらが他の装置に用いられる前にマークが付けられ、検査され得る。
【００２２】
プライマーコーティングは詳細に記載されている。ポリマー溶液はリードフレームアセンブリ全体に付けられ、リードフレームアセンブリの表面上に形成されたポリマー膜が形成される。ポリマーは、熱、光、又はガンマ線、電子ビームやプラズマのような他のエネルギーによって励起された後に互いに架橋結合され得る。ポリマーは好適には分子中に窒素を含む。窒素含有ポリマーは好適には、メラミンで修飾されたフェノール・ホルムアルデヒド濃縮ポリマー若しくは樹脂、アクリルコポリマー、ベンズイミダゾールコポリマーから選択されたポリマーであるのが好ましいが、これに限定されない。これらのポリマーは複合結合を介して銅及び貴金属と結びつき、それらに実施される乾燥及び硬化工程を行って化学結合を介してエポキシモールディングコンパウンドと結合することができる。モールディングコンパウンドのリードフレーム及びＩＣチップへの結合力は強化され、パッケージングされた電子デバイスの信頼性が改善される。あるいは、ラテックス型ポリマーがリードフレームアセンブリを被覆するために採用し得る。
【００２３】
前述のフェノール樹脂は多官能フェノールとアルデヒドの反応を介して生成されるのが好ましい。前記多官能フェノールは、フェノール、クレゾール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、及び／又は、脂肪族鎖フェノールの一又は二以上を備えてもよい。前記アルデヒドはホルムアルデヒドであるのが好ましいが、他のアルデヒドも可能である。ポリマーはモノマー若しくはオリゴマーを備えてもよい。これらが、熱、光、又はガンマ線、電子ビームやプラズマのような他のエネルギーによって励起された後に、化学結合を介して結合してマクロ分子を生成し得るからである。
【００２４】
ポリマー溶液は上述の単一ポリマー又は、溶媒に溶解された上述のポリマーの二以上からなるブレンドからなってもよい。溶液中のポリマーの含有量は0.01重量％から50重量％、好適には0.1重量％から40重量％、さらに好適には1.0重量％から10重量％であり得る。溶媒は、溶解されるポリマーに対して良好な溶媒であって、ワイヤ接合／リードやＩＣチップ及びパッドと干渉し合わないことが望ましい。メラミンで修飾されたフェノール樹脂については、溶媒は水及びアルコールであり得、ここで、アルコールはメタノール、エタノール、プロパノール及び／又はブタノールを含むのが好ましい。窒素含有アクリルコポリマーについては、溶媒はアルコール、エーテル、エステル、ケトン、アルカン、及び／又はシクロアルカンを含んでもよい。ベンズイミダゾールコポリマーについては、溶媒はジメチルホルムアミド及び／又はＮメチルピロリドンを備えることができる。上述のポリマーを分散するのに用いられる溶媒は一の溶媒又は二以上の溶媒の混合であり得、溶液について決定可能な蒸発率を有する。溶媒又は溶媒混合物は低粘度のポリマープライマー溶液を付与し、リードフレームアセンブリ上のしずくを回避し、コーティングやベーキングのような乾燥工程中にリードフレームアセンブリ全体に均一なポリマー膜の形成を保証する。
【００２５】
封入前にリードフレームアセンブリ上にポリマー溶液を付ける方法が採用され得るが、ドロッピング、ドリッピング、及び／又は、スプレーに限定されない。ポリマー溶液で被覆する前に、リードフレームアセンブリはプラズマでクリーニングされるが、これは必須ではない。コーティング工程は、封入、ばり取り（トリミング）、リード仕上げに対して、リードフレームアセンブリの性能を損なわない。例えば、リードフレームアセンブリから、ポリマー溶液を付ける前に、クワッドフラットノーリード（“ＱＦＮ”）フレームの裏側に付けられたダミー膜のようないかなる保護膜を除去することも必要とされない。
【００２６】
ポリマー溶液を付けた後、ウェットなリードフレームアセンブリは、オーブン若しくはトンネルにおいて高温でベークされる。ベーキング温度は好適には６０℃から２６０℃であり、さらに好適には１００℃から２２０℃であり、もっと好適には１６０℃から２１０℃である。ベーキング時間は好適には１分から３０分であり、さらに好適には２分から１０分であり、もっと好適には３分から５分である。溶媒を蒸発後、付けられた溶液が、ＩＣチップ及びボンディングワイヤと共にリードフレームの表面全体に均一なポリマー膜になる。ポリマー膜の厚さは１０ｎｍから０．１ｍｍであってよく、より好適には５０ｎｍから５０μｍであってよく、もっと好適には３００ｎｍから３０μmであってもいい。
【００２７】
ベーキング後、リードフレームアセンブリはプラスチックコンパウンドによって封入される準備ができ、従来のモールディング方法を用いて通常のように封入し得る。例えば、被覆（コーティング）されたリードフレームアセンブリはモールドにおいてエポキシモールディングコンパウンドで１５０℃から１９０℃の範囲の温度で封入され、熱いモールドにおいて１分から３分間硬化される。必要なら、封入されたアセンブリは転写モールディング後にさらに、モールドの外でポスト硬化を行うことができる。ポスト硬化の温度は１６０℃から２００℃の範囲であり得る。被覆されたポリマー膜はエポキシモールディングコンパウンドをリードフレーム及びＩＣチップに結合するのを促進し、封入された電子デバイスの信頼性を向上させる。
【００２８】
例１
寸法58×15×0.2mmを有する銅合金Ｃ１９４（公称重量組成は97.5％銅、2.35％鉄、0.12％亜鉛、及び0.07％燐）を、ジクロロメタン、メタノール、10％水酸化ナトリウム及び10％硫酸で洗い、最後に脱イオン化水ですすいで窒素ガスでブローした。ダイボンディング及びワイヤボンディング用の条件をシミュレートして、洗った銅プレートをオーブンにおいて約６０分間約１５０℃で、次いで３分間２３０℃で加熱した。ニッケルメッキ及びパラジウム若しくは金仕上げの銅プレートを同じ加熱プロファイルで熱的に処理した。酸化された試料を、異なる量のメラミンフェノールホルムアルデヒド樹脂を含むアルコール溶液にドロップした。被覆された試料（標本）を１８０℃でベークした。長さ７ｍｍのラップ長を有する単一ラップジョイントは、約１０分間１６０℃でスミトモ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ）ＥＭＥ６６５０Ｒエポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）によって被覆された銅プレートを圧縮モールディングによって作製した。ラップ−シアー（lap-shear）試料を約４時間１７５℃でポスト硬化（キュア）した。ラップ−シアーテストを室温でクロスヘッド速度1.3mm/minでインストロン材料テスタ上で行った。５個の試料を各サンプルについてテストし、サンプルのラップ−シアー長として平均をとった。表１は得られた結果をまとめたものである。
【表１】
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【００２９】
例２
寸法30×7×0.2mmを有する銅合金Ｃ１９４（公称重量組成は97.5％銅、2.35％鉄、0.12％亜鉛、及び0.07％燐）をジクロロメタン及びエタノールに浸すことによって脱脂し、約２分間室温で10重量％の硫酸で活性化した。次いで、酸洗いした銅を脱イオン化水ですすいで窒素ガスでブローした。乾燥後、試料を１０％メラミンフェノールホルムアルデヒド樹脂を含むアルコール溶液にドロップした。被覆された試料（標本）を１８０℃又は２００℃でベークした。直径３ｍｍのモールドされたボタンを、温度１７５℃及び１０００ｋｇｆでスミトモ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ）ＥＭＥ６６００ＣＳエポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）によって転写モールディングを介して各プライマー被覆された試料上に作製した。ＥＭＣボタンを有する銅試料を約４時間１７５℃でポスト硬化し、次いで、ＪＥＤＥＣ ＭＳＬ Ｉに従って約１６８時間８５℃で８５％ＲＨ環境で事前処理（プレコンディショニング）した。プレコンディショニング後２時間以内に、試料を２６０℃までリフロー加熱プロファイルを行った。加熱処理された試料のＥＭＣボタンをＤａｇｅ−４０００マシーン上でシアーテストし、基板からボタンを分離する最大ロードを報告した。得られた結果を表２にまとめた。
【表２】
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【００３０】
例３
貴金属へのＥＭＣ付着の改善におけるプライマーの硬化を証明するために、寸法30×7×0.2mmを有する銅合金Ｃ１９４をクリーンにして、ニッケル／銀薄層でメッキした。メッキされた試料を、さらにクリーニングすることなしに１０％メラミンフェノールホルムアルデヒド樹脂を含むアルコール溶液にドロップした。被覆された試料（標本）を１８０℃で５分間ベークした。直径３ｍｍのモールドされたＥＭＣボタンを、温度１７５℃及び１０００ｋｇｆでスミトモ（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ）ＥＭＥ６６００ＣＳＥＭＣによって転写モールディングすることによって各プライマー被覆された試料上に作製した。ＥＭＣボタンを有する試料を約４時間１７５℃でポスト硬化し、次いで、ＪＥＤＥＣ ＭＳＬ Ｉに従って約１６８時間８５℃で８５％ＲＨ環境でプレコンディショニングを行った。プレコンディショニング後２時間以内に、試料を２６０℃までリフロー加熱プロファイルを行った。加熱処理された試料のＥＭＣボタンをメッキした基板から押しのけて、最大ロードを得た。表３は得られた結果まとめたものである。
【表３】
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【００３１】
上述のテストの結果等は、ＥＭＣとリードフレートとの間のボンディング（結合）の強さの実質的な改善は、ＥＭＣでモールディングする前にポリマープライマーでリードフレームを被覆することによって達成することができる。
【００３２】
ここに記載した発明は特に記載したもの以外に変形、変更及び／又は付加を受け入れる余地があり、本発明は上述の記載の精神及び範囲内に入るこのような変形、変更及び／又は付加の全てを含む。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】ワイヤ結合リードフレームアセンブリの平面図を示す。
【図２】本発明の好適な実施形態によってポリマープライマーを付けることを含むパッケージング工程のフロー図である。
【図１】
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【図２】
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