(57)【要約】      （修正有）【課題】  誘電率異方性が負であってその絶対値が大きい単環性液晶化合物を提供することであり、それを含有する液晶組成物および表示素子を提供する。【解決手段】  一般式（１）2006151928.tif 000026で表されるトリフルオロナフタレン誘導体およびこれを含む液晶組成物及びこれを用いた表示素子を提供する。式中、R1およびR2は、アルキル基またはアルケニル基を表わし、A1およびA2は、それぞれ、-CH=CH2，-OCH2-，-OCO-または単結合を表わす。本発明の単環性液晶化合物は誘電率異方性が負であってその絶対値が大きく、粘度が低いという特徴を有し、これを用いた表示素子は垂直配向方式、IPS等向けの液晶組成物の構成部材として有用である。また、本発明の液晶組成物は誘電率異方性が負であってその絶対値が大きい特徴を有し、これを用いた表示素子は垂直配向方式、IPS等の液晶表示素子として有用である。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2006151928.tif 000025
（式中、R1およびR2はそれぞれ独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基または炭素原子数2〜10のアルケニル基（これらの基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個以上のCH2基はOに置換されてもよい）を表し、A1およびA2はそれぞれ独立的に-CH=CH-、-OCH2-、-OCO-または単結合を表す。）
で表されるトリフルオロナフタレン誘導体。
【請求項２】
一般式（１）において、R1およびR2がそれぞれ独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基（これらの基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個以上のCH2基はOに置換されてもよい。）を表し、A1およびA2がそれぞれ独立的に-OCH2-、-OCO-または単結合を表す請求項１記載の化合物。
【請求項３】
請求項１〜２記載の化合物を1種又は2種以上含有する液晶組成物。
【請求項４】
請求項３記載の液晶組成物を用いた液晶表示素子。
【請求項５】
アクティブマトリックス駆動される請求項４記載の液晶表示素子。
【請求項６】
垂直配向方式で表示される請求項５記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電気光学的液晶表示材料として有用な、トリフルオロナフタレン誘導体およびそれを含有する液晶組成物、さらにそれを用いた液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、低電圧作動、薄型表示等の優れた特徴から現在広く用いられている。従来の液晶表示素子の表示方式にはTN（ねじれネマチック）、STN（超ねじれネマチック）、又はTNをベースにしたアクティブマトリックス（TFT：薄膜トランジスタ）等があり、これらは誘電率異方性値が正の液晶組成物を利用するものである。しかし、これら表示方式の欠点の一つとして視野角の狭さがあり、近年高まっている液晶パネルの大型化の要求に伴い、その改善が大きな課題となっている。
【０００３】
この解決策として近年、垂直配向方式、IPS（インプレインスイッチング）等の表示方式が新たに実用化されてきた。垂直配向方式は液晶分子の垂直配向を利用して視野角の改善を図った方式であり、誘電異方性値が負の液晶材料が使用される。またIPSは、ガラス基板に対して水平方向の横電界を用いて液晶分子をスイッチングさせることで視野角の改善を図った方法であり、誘電異方性値が正又は負の液晶材料が使用される。このように、視野角改善のために有効な表示方式である垂直配向方式及びIPSには誘電率異方性値が負である液晶材料が必要であり、強く要望されるようになってきた。
【０００４】
絶対値の大きい負の誘電率異方性を有する化合物としてトリフルオロナフタレン誘導体が有り、多くの化合物を含む一般的な開示は既にされている（特許文献１参照）。しかし、トリフルオロナフタレン骨格の製造は必ずしも容易ではなく、当該引用文献においては開示する全ての範囲で化合物が開示されているとは認められない。さらに、当該引用文献は強誘電性液晶組成物に使用することを念頭に置いており、誘電率異方性が負のネマチック液晶組成物として広い開示範囲のどの化合物を具体的に使用し、どの様な化合物を併用し又その効果がどの様なものであるかについての開示は無い。
【０００５】
ところで、すべての表示方式にて用いられる液晶材料は、適切な誘電異方性値のみならず、その他の特性、例えば屈折率異方性値、弾性定数比といった諸物性も適切に調整されている必要があり、さらに適切な液晶相発現温度範囲を持ち、低温においても低粘度であることなどが要求される。これまで公知の液晶化合物の中で、単独でこれらの条件を全て満たすものはなかった。従って、通常液晶材料は、数種類から二十数種類の液晶相を有する化合物及び必要により更に数種類の液晶相を有しない化合物を混合して調製されている。通常の液晶材料には環構造を２〜４つ含む、いわゆる２環性、３環性および４環性の液晶性化合物が用いられるが、概して環の数が増加するに従って製造工程が複雑となる。それに加え、一般に環の数が増加するに従って、化合物の粘度は上昇するという問題も有していた。一方、環構造が１つである単環性の化合物は、２〜４環性の液晶化合物に比べて製造工程は複雑ではなく、粘度も低いと予想されるが、これまでのところ液晶材料への応用例はほとんど知られておらず、開発が遅れていた。
【０００６】
【特許文献１】独国特許出願公開第１９５２２１９５号明細書（１２頁製造方法）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
誘電率異方性が負であってその絶対値が大きい単環性液晶化合物を提供することであり、それを含有する液晶組成物および表示素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、トリフルオロナフタレン誘導体及びこれを用いたネマチック液晶組成物、表示素子を検討した結果、本件発明を完成するに至った。
本発明は、一般式（１）
【０００９】
【化１】
2006151928.tif 000002
【００１０】
（式中、R1およびR2はそれぞれ独立的に炭素原子数1〜10のアルキル基または炭素原子数2〜10のアルケニル基（これらの基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個以上のCH2基はOに置換されてもよい）を表し、A1およびA2はそれぞれ独立的に-CH=CH-、-OCH2-、-OCO-または単結合を表す。）
で表されるトリフルオロナフタレン誘導体を提供する。
また、それを含む液晶組成物および表示素子もあわせて提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の単環性液晶化合物は誘電率異方性が負であってその絶対値が大きく、粘度が低いという特徴を有し、これを用いた表示素子は垂直配向方式、IPS等向けの液晶組成物の構成部材として有用である。また、本発明の液晶組成物は誘電率異方性が負であってその絶対値が大きい特徴を有し、これを用いた表示素子は垂直配向方式、IPS等の液晶表示素子として有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
一般式（１）において、R1およびR2は炭素原子数1〜10のアルキル基が好ましい。A1およびA2は-OCH2-、-OCO-および単結合が好ましい。
【００１３】
本発明において、一般式（１）の化合物について、製造例を以下に挙げる。勿論本発明の主旨、及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。
【００１４】
(製法１)  1,7,8-トリフルオロ-2-ナフトールに対して塩基を作用させ、一般式（２）
【００１５】
【化２】
2006151928.tif 000003
（式中、M1はリチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属等の金属を表す。）で表される化合物を得る。
【００１６】
得られた一般式（２）の化合物を一般式（３）
【００１７】
【化３】
2006151928.tif 000004
（式中、R2は一般式（１）と同じ意味を表し、X1は塩素、臭素、よう素、ベンゼンスルホニル機、p-トルエンスルホニル基、メタンスルホニル基又はトリフルオロメタンスルホニル基を表す。）で表される化合物と反応させることにより、一般式（４）
【００１８】
【化４】
2006151928.tif 000005
（式中、R2は一般式（１）と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることができる。
得られた一般式（４）で表される化合物をリチオ化することにより一般式（５）
【００１９】
【化５】
2006151928.tif 000006
（式中、R2は一般式（１）と同じ意味を表す。）で表されるリチウム化合物を得ることができる。
得られた一般式（５）で表される化合物をほう酸トリメチルと反応させた後、過酸化水素、過酢酸又は過蟻酸により酸化することで一般式（６）
【００２０】
【化６】
2006151928.tif 000007
（式中、R2は一般式（１）と同じ意味を表す。）で表されるナフトール化合物を得ることができる。
得られた一般式（６）で表される化合物に塩基を作用させ、一般式（７）
【００２１】
【化７】
2006151928.tif 000008
（式中、R2は一般式（１）と同じ意味を表し、M2は一般式（２）におけるM1と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることができる。
得られた一般式（７）で表される化合物を一般式（８）
【００２２】
【化８】
2006151928.tif 000009
（式中、R1は一般式（１）と同じ意味を表し、X2は一般式（３）におけるX1と同じ意味を表す。）で表される化合物と反応させることにより、一般式（９）
【００２３】
【化９】
2006151928.tif 000010
（式中、R1およびR2は一般式（１）と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることができる。
【００２４】
(製法２)  1,7,8-トリフルオロ-2-ナフトールをトリフルオロメタンスルホニル化し、トリフルオロメタンスルホン酸  1,7,8-トリフルオロナフタレン-2-イルを得る。これを一般式（１０）
【００２５】
【化１０】
2006151928.tif 000011
（式中、R3は炭素数1〜8のアルキル基を表す。）で表されるアセチレン化合物とカップリング反応させることにより、一般式（１１）
【００２６】
【化１１】
2006151928.tif 000012
（式中、R3は一般式（１０）と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることができる。これを水素添加することにより一般式（１２）
【００２７】
【化１２】
2006151928.tif 000013
（式中、R3は一般式（１０）と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることができる。これを、製法1における一般式（４）の代わりに用い、同様の反応を行うことで、一般式（１３）
【００２８】
【化１３】
2006151928.tif 000014
（式中、R1は一般式（１）と同じ意味を表し、R3は一般式（１０）と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることができる。
【００２９】
(製法３)  一般式（６）で表される化合物と一般式（１４）
【００３０】
【化１４】
2006151928.tif 000015
（式中、R1は一般式（１）と同じ意味を表す。）で表される化合物と脱水縮合することにより、一般式（１５）
【００３１】
【化１５】
2006151928.tif 000016
（式中、R1およびR1は一般式（１）と同じ意味を表す。）で表される化合物を得ることができる。
【００３２】
(製法４)  一般式（６）で表される化合物をトリフェニルホスフィンおよびアゾジカルボン酸ジアルキル存在下、一般式（１６）
【００３３】
【化１６】
2006151928.tif 000017
（式中、R1は一般式（１）と同じ意味を表す。）で表される化合物と反応させることにより、一般式（９）で表される化合物を得ることができる。
【実施例１】
【００３４】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。化合物の構造は、核磁気共鳴スペクトル(NMR)、質量スペクトル(MS)等により確認した。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「%」は『質量%』を意味する。
【００３５】
化合物記載に下記の略号を使用する。
THF      ：テトラヒドロフラン
DMF    ：N, N-ジメチルホルムアミド
Me      ：メチル基
Et      ：エチル基
Pr      ：プロピル基
Bu      ：ブチル基
Ac      ：アセチル基
Hep      ：ヘプチル基
Pen      ：ペンチル基
Ph      ：フェニル基
iPr      ：イソプロピル基
Hex      ：ヘキシル基
Ms      ：メタンスルホニル基
Tf      ：トリフルオロメタンスルホニル基
WSC    ：N-エチル-N'-(3-ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩
（実施例１）2-ブトキシ-6-ヘプトキシ-1,7,8-トリフルオロナフタレン(Ia)の合成
【００３６】
【化１７】
2006151928.tif 000018
【００３７】
(1-1) 2-ブトキシ-1,7,8-トリフルオロナフタレンの合成
1,7,8-トリフルオロ-2-ナフトール230 gをアセトン800 mLに溶解し、1-ヨードブタン306 g及び無水炭酸カリウム230 gを加え、3時間加熱還流した。反応混合物から溶媒を減圧留去し、ヘキサン200 mLを加えて30分撹拌し、不溶の塩をろ別した。ろ液をカラムクロマトグラフィー（アルミナ／ヘキサン）に付し、溶媒を減圧留去後、残渣を減圧蒸留（1.05  1.15 mmHg, 145  154℃）で精製し、ほぼ無色固体226 gを得た。
【００３８】
(1-2) 6-ブトキシ-3,4,5-トリフルオロナフタレン-2-ほう酸の合成
2-ブトキシ-1,7,8-トリフルオロナフタレン191 gをTHF 760 mLに溶解して窒素置換し、-60℃へ冷却した。そこへブチルリチウム（1.58 M in hexane）500 mLを30分かけて滴下し、さらに30分撹拌した。続いてほう酸トリメチル94 gを30分かけて滴下し、ゆっくり0℃まで昇温した。その後10%塩酸300 mLをゆっくり加え、2時間攪拌した。反応溶液から有機層を分取し、水層をヘキサン／THF混合溶媒で抽出し、有機層を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して淡黄色固体を得た。これを再結晶（ヘキサン／THF）により2回精製し、灰白色固体150 gを得た。
【００３９】
(1-3) 6-ブトキシ-3,4,5-トリフルオロ-2-ナフトールの合成
6-ブトキシ-3,4,5-トリフルオロナフタレン-2-ほう酸150 gをTHF 750 mLに溶解し、40℃に加温した。そこへ15%過酸化水素水溶液136 mLを30分かけて滴下し、さらに2時間攪拌した。水500 mLおよびヘキサン500 mLを加え、濃塩酸を加えて中和した。有機層を分取し、水層をヘキサン／THF混合溶媒で抽出し、有機層を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去して淡黄色固体を得た。これを再結晶（ヘキサン／トルエン）により精製し、ほぼ無色固体70 gを得た。
【００４０】
(1-4) 2-ブトキシ-6-ヘプトキシ-1,7,8-トリフルオロナフタレン(Ia)の合成
反応容器に6-ブトキシ-3,4,5-トリフルオロ-2-ナフトール20 g、1-ブロモヘプタン15.9 g、炭酸カリウム15.3 gおよびアセトン80 mLを取り、5時間加熱還流した。溶媒を減圧留去し、残渣に酢酸エチルを加え、不溶の塩をろ別した。溶媒を減圧留去し、残渣を再結晶（メタノール）、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／ヘキサン）および再結晶（エタノール／アセトン）により精製し、無色結晶として2-ブトキシ-6-ヘプトキシ-1,7,8-トリフルオロナフタレン(Ia)14 gを得た。
【００４１】
相転移温度 : Cr 75 I
MS  m/z : 368 (M+), 214 (100)
1H-NMR (400 MHz, CDCl3)
δ: 0.90 (t, J = 7.1 Hz, 3 H), 0.99 (t, J = 7.6 Hz, 3 H), 1.25  1.45 (m, 6H), 1.45  1.60 (m, 4 H) , 1.75  1.95 (m, 4 H), 4.09 (t, J = 6.6 Hz, 2 H), 4.15 (t, J = 6.6 Hz, 2 H), 6.91 (dt, J = 7.1 Hz, 1.7 Hz, 1 H) , 7.21 (t, J = 8.8 Hz, 1 H), 7.38 (dt, J = 9.0 Hz, 1.7 Hz, 1 H)
【実施例２】
【００４２】
（実施例２）2-ブトキシ-6-(2-ブトキシエトキシ)-1,7,8-トリフルオロナフタレン(IIa)の合成
【００４３】
【化１８】
2006151928.tif 000019
【００４４】
反応容器に6-ブトキシ-3,4,5-トリフルオロ-2-ナフトール20 g、メタンスルホン酸  2-ブトキシエチル16.0 g、炭酸ナトリウム11.8 gおよびDMF 80 mLを入れ、3時間加熱還流した。反応混合物に水およびトルエンを加え、有機層を分取した。これを水、10%塩酸、飽和食塩水の順で洗浄し、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／トルエン）に付した。溶媒を減圧留去し、残渣を再結晶（ヘキサン）、カラムクロマトグラフィー（アルミナ、シリカゲル／ヘキサン）、再結晶（メタノール）、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／ヘキサン）および再結晶（ヘキサン／酢酸エチル）により精製し、ほぼ無色結晶として2-ブトキシ-6-(2-ブトキシエトキシ)-1,7,8-トリフルオロナフタレン(IIa)3.8 gを得た。
【００４５】
相転移温度 : Cr 32 I
MS  m/z : 370 (M+), 57 (100)
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) 
δ: 0.93 (t, J = 7.3 Hz, 3 H), 0.99 (t, J = 7.3 Hz, 3 H), 1.39 (sextet, J = 7.3 Hz, 2 H), 1.45  1.65 (m, 4H), 1.81 (quintet, J = 6.8 Hz, 2 H) , 3.57 (t, J = 6.6 Hz, 2 H), 3.87 (t, J = 4.9 Hz, 2 H), 4.16 (t, J = 6.3 Hz, 2 H), 4.26 (t, J = 4.9 Hz, 2 H), 6.97 (d, J = 7.3 Hz, 1 H), 7.15  7.25 (m, 1H), 7.35  7.45 (m, 1H)
【実施例３】
【００４６】
（実施例３）ヘプタン酸  2-ブトキシ-1,7,8-トリフルオロナフタレン-6-イル(IIIa)の合成
【００４７】
【化１９】
2006151928.tif 000020
【００４８】
反応容器に6-ブトキシ-3,4,5-トリフルオロ-2-ナフトール23.9 g、ヘプタン酸12.5 mL、N-エチル-N'-(3-ジメチルアミノプロピル)カルボジイミド塩酸塩（WSC）18.7 g、4-ジメチルアミノピリジン1.1 gおよびジクロロメタン200 mLを取り、室温で8時間攪拌した。ヘキサンおよび10%塩酸を加えて有機層を分取し、10%塩酸および飽和食塩水2回で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／ヘキサン）、再結晶（ヘキサン）および再結晶（メタノール）により精製し、無色結晶としてヘプタン酸  2-ブトキシ-1,7,8-トリフルオロナフタレン-6-イル(IIIa)19.5 gを得た。
【００４９】
相転移温度 : Cr 50 I
MS  m/z : 382 (M+), 214 (100)
1H-NMR (400 MHz, CDCl3)
δ: 0.92 (t, J = 7.1 Hz, 3 H), 0.99 (t, J = 7.3 Hz, 3 H), 1.30  1.60 (m, 8H), 1.75  1.85 (m, 4 H) , 2.64 (t, J = 7.6 Hz, 2 H), 4.19 (t, J = 6.6 Hz, 2 H), 7.20  7.35 (m, 2 H), 7.47 (dt, J = 9.0 Hz, 1.5 Hz, 1 H)
【実施例４】
【００５０】
（実施例４）2-ブトキシ-6-（2-エチルヘキソキシ）-1,7,8-トリフルオロナフタレン(IVa)の合成
【００５１】
【化２０】
2006151928.tif 000021
【００５２】
2-エチル-1-ヘキサノール11.6 g、6-ブトキシ-3,4,5-トリフルオロ-2-ナフトール20 gおよびトリフェニルホスフィン19.4 gをTHF 120 mLに溶解し、氷冷下、アゾジカルボン酸ジイソプロピル15 gのTHF（20 mL）溶液を30分かけて滴下した。室温まで昇温後、2時間攪拌した。反応溶液に水およびトルエンを加え、有機層を分取し、水（２回）、水／メタノール＝１／１（３回）、飽和食塩水の順で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥後溶媒を減圧留去し、残渣を再結晶、蒸留（1 mmHg／222  232℃）、活性炭処理、カラムクロマトグラフィー（シリカゲル／ヘキサン）、再結晶（メタノール／アセトン）の順で精製し、無色油状物質として2-ブトキシ-6-（2-エチルヘキソキシ）-1,7,8-トリフルオロナフタレン(IVa)12.4 gを得た。
【００５３】
MS  m/z : 382 (M+), 214 (100)
相転移温度  C 1.5 I
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) 
δ: 0.92 (t, J = 7.2 Hz, 3 H), 0.96 (t, J = 7.2 Hz, 3 H), 0.99 (t, J = 7.2 Hz, 3 H), 1.25  1.90 (m, 13 H), 3.98 (d, J = 5.2 Hz, 2 H), 4.15 (t, J = 6.4 Hz, 2 H), 6.91 (d, J = 7.2 Hz, 1 H), 7.21 (t, J = 8.8 Hz, 1 H), 7.38 (d, J = 8.8 Hz, 1 H)
【実施例５】
【００５４】
（実施例５）1,7,8-トリフルオロ-6-ヘプトキシ-2-ペンチルナフタレン(Va)の合成
【００５５】
【化２１】
2006151928.tif 000022
【００５６】
(5-1)トリフルオロメタンスルホン酸 1,7,8-トリフルオロ-2-ナフチルの合成
1,7,8-トリフルオロ-2-ナフトール109 gのジクロロメタン(500 ml)溶液を、10 ℃以下で激しく攪拌している中に、内温を保ちながらトリフルオロメタンスルホン酸無水物(93 ml)を滴下して加えた。内温を保ちながら、ピリジン(67 ml)を滴下して加えた。その温度を保ったまま1時間攪拌を続けた後、水を滴下して加えた。有機層を分離し、水層からジクロロメタンで抽出した。有機層を集めた後、10%塩酸、水、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル／ヘキサン)を用いて精製し、減圧蒸留(3 mmHg, 141-146 ℃)し、さらに再結晶(メタノール)することにより、ほぼ無色結晶としてトリフルオロメタンスルホン酸 1,7,8-トリフルオロ-2-ナフチル95 gを得た。
【００５７】
(5-2)1,7,8-トリフルオロ-2-(1-ペンチニル)ナフタレンの合成
トリフルオロメタンスルホン酸1,7,8-トリフルオロ-2-ナフチル(94.4 g)のDMF(300 ml)溶液を室温で攪拌している中に、トリエチルアミン(100 ml)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(3.3 g)、ヨウ化銅(I)(1.1 g)を加えた。全量を加え終わった後、内温90 ℃ - 95℃で1-ペンチン25.3 gのDMF（25 mL）溶液を滴下し、その後適時1-ペンチンを追加しながら80  100℃で原料がほぼ消失するまで攪拌を続けた。反応液を放冷した後、水を加えて反応を終了させた。液性が酸性になるまで10%塩酸を加えた後酢酸エチルを加え、ろ過した（セライト使用）。有機層を分離し、水層から酢酸エチルで抽出した。有機層を集めた後、水、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル／トルエン)を用いて精製することにより、褐色固体として1,7,8-トリフルオロ-2-(1-ペンチニル)ナフタレン85 gを得た。
【００５８】
(5-3)  1,7,8-トリフルオロ-2-ペンチルナフタレンの合成
1,7,8-トリフルオロ-2-(1-ペンチニル)ナフタレン85 gの酢酸エチル（340 mL）溶液中に、5%パラジウム炭素(8.5 g、50%含水品)を加えた後、水素圧下(0.5 MPa)、室温で攪拌した。反応液をろ過（セルロース使用）した後溶媒を留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル／ヘキサン)を用いて精製し、減圧蒸留(0.5 mmHg／132  144℃)することにより、淡黄色油状物質として1,7,8-トリフルオロ-2-ペンチルナフタレン58 gを得た。
【００５９】
(5-4)  3,4,5-トリフルオロ-6-ペンチル-2-ナフトールの合成
1,7,8-トリフルオロ-2-ペンチルナフタレン15 gのTHF(150 ml)溶液を、-50 ℃以下で激しく攪拌している中に、内温を保ちながら1.54 Mブチルリチウムヘキサン溶液42 mLを滴下して加えた後、その温度を保ったまま30分攪拌を続けた。内温を保ちながら、ホウ酸トリメチル7.4 gを滴下して加え、35℃まで昇温した。15%過酸化水素水20 mLを滴下して加え、1時間攪拌を続けた。10%塩酸およびトルエンを加えて有機層を分取し、水、飽和食塩水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を減圧留去し褐色油状物質として3,4,5-トリフルオロ-6-ペンチル-2-ナフトール18.6 gを得た。
【００６０】
(5-5)  1,7,8-トリフルオロ-6-ヘプトキシ-2-ペンチルナフタレン(Va)の合成
1-ブロモヘプタン12.8 gおよび3,4,5-トリフルオロ-6-ペンチル-2-ナフトール18.6 gをメチルエチルケトン70 mLに溶解し、無水炭酸カリウム12.3 gを加えて3時間加熱還流した。溶媒を減圧留去し、残渣をカラムクロマトグラフィー（シリカゲル／トルエン）、再結晶（メタノール）、蒸留（1.5 mmHg／220  228℃）、活性炭処理、カラムクロマトグラフィー（シリカ／ヘキサン）、再結晶（メタノール／アセトン）の順で精製し、無色結晶として1,7,8-トリフルオロ-6-ヘプトキシ-2-ペンチルナフタレン(Va)7.8 gを得た。
【００６１】
MS  m/z : 366 (M+), 211 (100)
相転移温度  C 34.0 I
1H-NMR (400 MHz, CDCl3) 
δ: 0.85  0.95 (m, 6 H), 1.25  1.45 (m, 10 H), 1.45  1.55 (m, 2 H), 1.60  1.70 (m, 2H), 1.89 (quintet, J = 7.6 Hz, 2 H) , 2.75 (t, J = 7.8 Hz, 2 H), 4.11 (t, J = 6.6 Hz, 2 H), 6.94 (d, J = 7.3 Hz, 1 H), 7.15  7.25 (m, 1 H), 7.39 (d, J = 8.3 Hz, 1 H)    
【実施例６】
【００６２】
（実施例６）液晶組成物の調製（１）
以下の組成からなるホスト液晶組成物(H)
【００６３】
【化２２】
2006151928.tif 000023
【００６４】
を調製した。ここで(H)の物性値は以下の通りである。
【００６５】
ネマチック相上限温度(TN-I)：  103.2℃
誘電率異方性(Δε)：          0.03
屈折率異方性(Δn)：            0.099
粘度（mPa・s）：              15.2
このホスト液晶(H)95％と実施例1で得られた(Ia)5％からなる液晶組成物(M-1)を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。
【００６６】
ネマチック相上限温度(TN-I)：  95.9℃
誘電率異方性(Δε)：          −0.4
屈折率異方性(Δn)：            0.099
粘度（mPa・s）：              15.9
本発明の化合物(Ia)を含有する液晶組成物(M-1)は、ホスト液晶(H)に比べ、誘電率異方性(Δε)は減少して負の値となり、粘度はほぼ同等の値となった。このことから、本発明の化合物は(Ia)は、誘電率異方性が負であり、その絶対値が極めて大きく、また低粘度であることがわかる。
【実施例７】
【００６７】
（実施例７）液晶組成物の調製（２）
実施例６で調製したホスト液晶 (H) 95％と実施例２で得られた(IIa)5％からなる液晶組成物(M-２)を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。
ネマチック相上限温度(TN-I)：  96.1℃
誘電率異方性(Δε)：          −0.27
屈折率異方性(Δn)：            0.099
粘度（mPa・s）：              15.7
本発明の化合物(IIa)を含有する液晶組成物(M-２)は、ホスト液晶(H)に比べ、誘電率異方性(Δε)は減少して負の値となり、粘度はほぼ同等の値となった。このことから、本発明の化合物は(IIa)は、誘電率異方性が負であり、その絶対値が大きく、また低粘度であることがわかる。
【実施例８】
【００６８】
（実施例８）液晶組成物の調製（３）
実施例６で調製したホスト液晶 (H) 95％と実施例３で得られた(IIIa)5％からなる液晶組成物(M-３)を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。
【００６９】
ネマチック相上限温度(TN-I)：  93.7℃
誘電率異方性(Δε)：          −0.29
屈折率異方性(Δn)：            0.099
粘度（mPa・s）：              16.3
本発明の化合物(IIIa)を含有する液晶組成物(M-３)は、ホスト液晶(H)に比べ、誘電率異方性(Δε)は減少して負の値となり、粘度はほぼ同等の値となった。このことから、本発明の化合物は(IIIa)は、誘電率異方性が負であり、その絶対値が大きく、また低粘度であることがわかる。
【実施例９】
【００７０】
（実施例９）液晶組成物の調製（４）
実施例６で調製したホスト液晶 (H) 95％と実施例４で得られた(IVa)5％からなる液晶組成物(M-４)を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。
【００７１】
ネマチック相上限温度(TN-I)：  88.7℃
誘電率異方性(Δε)：          −0.23
屈折率異方性(Δn)：            0.096
粘度（mPa・s）：              16.9
本発明の化合物(IVa)を含有する液晶組成物(M-４)は、ホスト液晶(H)に比べ、誘電率異方性(Δε)は減少して負の値となった。このことから、本発明の化合物は(IVa)は、誘電率異方性が負であり、その絶対値が大きいことがわかる。
【実施例１０】
【００７２】
（実施例１０）液晶組成物の調製（５）
実施例６で調製したホスト液晶 (H) 95％と実施例５で得られた(Va)5％からなる液晶組成物(M-５)を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。
【００７３】
ネマチック相上限温度(TN-I)：  93.7℃
誘電率異方性(Δε)：          −0.27
屈折率異方性(Δn)：            0.098
粘度（mPa・s）：              16.0
本発明の化合物(Va)を含有する液晶組成物(M-５)は、ホスト液晶(H)に比べ、誘電率異方性(Δε)は減少して負の値となり、粘度はほぼ同等の値となった。このことから、本発明の化合物は(Va)は、誘電率異方性が負であり、その絶対値が大きく、また低粘度であることがわかる。
（比較例１）
実施例６で調製したホスト液晶 (H) 95％と二環性液晶化合物（Ｉb）
【００７４】
【化２３】
2006151928.tif 000024
5％からなる液晶組成物(M-６)を調製した。この組成物の物性値は以下の通りである。
【００７５】
ネマチック相上限温度(TN-I)：  95.9℃
誘電率異方性(Δε)：          −0.10
屈折率異方性(Δn)：            0.097
粘度（mPa・s）：              17.1
二環性液晶化合物 (Ib)を含有する液晶組成物(M-６)は、実施例６〜１０記載の(M-１)〜（M-５）と比べ、誘電率異方性の絶対値が小さく、また粘度が大きいことがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の化合物および液晶組成物、表示素子は、垂直配向方式、IPS等の液晶表示素子の構成部材として有用である。