(57)【要約】【課題】半導体デバイスの高集積化、高速化又は多機能化による端子の増加及び端子間隔の狭ピッチ化に有効であり、半導体デバイスを特に基板両面に高密度かつ高精度に搭載でき、更に信頼性にも優れた半導体搭載用配線基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体搭載用配線基板５は、少なくとも絶縁膜１と、絶縁膜１中に形成された配線２と、配線２とビア３で導通された複数の電極パッド４とからなる配線基板である。電極パッド４は絶縁膜１の表裏両面に、表面を露出して設けられ、かつ、前記電極パッドの側面の少なくとも一部は絶縁膜１に埋設されている。絶縁膜１は、２枚の金属板上に夫々電極パッド４を形成し、その後電極パッド４及び各金属板上に絶縁層と配線を積層形成した後、絶縁層を貼り合わせて一体化し、その後、金属板を除去することにより形成することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第１工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第３工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第４工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第５工程と、更に必要に応じて前記第３工程乃至前記第５工程を１又は複数回繰り返す第６工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第７工程と、により支持基板付き配線基板を２個形成した後、前記最上面となる絶縁層同士を面合わせで貼り付け、その後、前記支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項２】
支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第１工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第３工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第４工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第５工程と、前記第３工程乃至前記第５工程を１又は複数回繰り返す第６工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第７工程と、最上面となる絶縁層上に配線層を形成する第８工程とにより、支持基板付き配線基板を２個形成した後、前記最上面となる絶縁層同士を面合わせで貼り付け、その後、前記支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項３】
支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第１工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第３工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第４工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第５工程と、更に必要に応じて前記第３工程乃至前記第５工程を１又は複数回繰り返す第６工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第７工程と、により形成される第１の支持基板付き配線基板と、前記第１工程と、前記第２工程と、前記第３工程と、前記第４工程と、前記第５工程と、前記第６工程と、前記第７工程と、最上面となる絶縁層上に配線層を形成する第８工程とにより、形成される第２の支持基板付き配線基板と、を用意し、前記第１の支持基板付き配線基板の前記最上面となる絶縁層と、前記第２の支持基板付き配線基板の前記最上面となる絶縁層と、を面合わせで貼り付け、その後、前記第１及び第２の支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１工程の前に、前記支持基板と前記導電層との間に、下層絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板の一部又は全部を除去した後に、少なくとも１つ以上の前記電極パッドとなる導電層上の前記下層絶縁層に開口部を形成することを特徴とする請求項４に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記開口部をレーザ又はドライエッチングにより形成することを特徴とする請求項５に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記導体は導電性ペースト又は半田であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記支持基板が薄膜金属層と薄膜金属層よりも厚い支持金属層を構成要素とする支持基板であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体搭載用配線基板の前記電極パッド上にバンプを形成し、前記バンプと半導体素子とを接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程において、前記支持基板に凹部を形成し、前記凹部に電極パッドとなる導電層を埋め込むことを特徴とする請求項１に記載の半導体搭載用配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に半導体デバイスなどの各種デバイスを高密度かつ高精度に搭載でき、更に高速性及び信頼性も優れたパッケ−ジ及びモジュ−ルを得ることができる半導体搭載用配線基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化、高速化、及び多機能化により、端子の増加及び狭ピッチ化が進行しており、これらの半導体デバイスを搭載する半導体搭載用配線基板においては、これまで以上に高密度かつ高精度に半導体デバイスを搭載でき、かつ信頼性に優れたものが要求されている。現在よく用いられている半導体搭載用配線基板の例としては、コアのプリント基板上に逐次積層法で高密度な配線層を形成していくビルドアップ基板（例えば、特許文献１：特開２００１−２８４７８３号公報）と、配線層及びビアを形成した樹脂シートを一括積層して構成される一括積層基板（例えば、特許文献２：特開２００３−３４７７３８号公報）とが挙げられる。
【０００３】
図１７は、ビルドアップ基板を示す断面図である。この図１７に示すように、ベースコア基板１０３は絶縁層の中に多層配線構造が形成され、ベースコア基板１０３の上面及び下面に設けられた導体配線層１０２は前記絶縁層を貫通するスルーホール１０１により接続されている。このベースコア基板１０３の上下両面には、層間絶縁膜１０５が形成され、各層間絶縁膜１０５の上に導体配線層１０６が形成され、更にこの導体配線層１０６を一部覆うようにして層間絶縁膜１０５上にソルダーレジスト層１０７が形成されている。層間絶縁膜１０５には上下導体配線を電気的に接続するためのビア１０４が形成されている。更に一層の多層化が必要ならば、層間絶縁膜１０５の形成工程と導体配線層１０６の形成工程とを順次繰り返すことにより、多層の配線構造を形成することができる。
【０００４】
一方、図１８（ａ）乃至（ｃ）は一括積層基板の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。この従来の一括積層基板においては、図１８（ａ）に示すように、樹脂シート１１１上に導体配線層１１２がパターン形成され、樹脂シート１１１内にはこの導体配線層１１２に接続されたビア１１３が設けられている。図１８（ｂ）に示すように、このような樹脂シート１１１を複数個用意して、一括して積層することにより、図１８（ｃ）に示すように、一括積層基板１１４が形成されている。
【０００５】
ところで、これらの従来のビルドアップ基板及び一括積層基板は、絶縁膜上に導体配線層が形成された構造となっており、半導体搭載用の電極パッドも絶縁膜上に形成されたものとなっている。ここで、最近ではこれらの配線基板の高密度微細配線化に伴い、導体配線層１０２，１０６，１１２の形成方法が、銅箔をエッチングする方法（サブトラクティブ法）から、電極を設けてレジストをパターニングし、電解めっき層を析出させて積み上げていく方法（アディティブ法）に変化しつつある。しかしながら、アディティブ法で形成された電極パッドは、高さのばらつきが大きく、電極パッド上面の形状が平坦ではなく凸形状になるといった欠点があり、多ピンかつ狭ピッチな半導体デバイスを搭載することが困難になってきている。また、電極パッド上には一般的にソルダーレジスト層１０７を形成することが多いが、電極パッドの高さばらつきが大きいため、ソルダーレジスト層の膜厚及び開口径の高精度化が極めて困難になってきている。更には、電極パッドの微細化に伴い、電極パッドと絶縁膜との接着面積が低減しまうため、電極パッドと絶縁膜との間の密着力が低下し、特に鉛フリー半田を適用した高温プロセスの半導体デバイス搭載工程で、電極パッドが絶縁膜から剥離してしまうという問題点が生じる。
【０００６】
本願出願人は、上述した多くの問題点を解決するために、平坦性が優れた金属板からなる支持体上に、配線構造とその上に半導体デバイスを搭載するための電極パッドを形成し、この電極パッド上に半導体デバイスを搭載するという方法を提案した（特許文献３：特開２００２−８３８９３号公報）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２８４７８３号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７７３８号公報
【特許文献３】特開２００２−８３８９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、最近のモバイル機器などのめざましい高性能化及び多機能化に伴い、半導体デバイスを高密度に搭載するために、配線基板の表面と裏面の両面に半導体デバイスを搭載する要求が極めて高まってきている。しかしながら、上述した特許文献３に記載の従来の配線基板では、半導体デバイスを片面に搭載する場合にはよいが、両面に搭載する場合には高密度に搭載することは困難である。
【０００９】
更には、半導体パッケージの高信頼性化実現のため、半導体搭載用配線基板を構成する一部の層間絶縁膜に、熱膨張率が低いもの又は弾性率が低いものを適用することが望ましいが、上述した従来の配線基板では異なる物性値の絶縁膜を適用すると、構造上信頼性の低下を招いてしまうという難点がある。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、半導体デバイスの高集積化、高速化又は多機能化による端子の増加及び端子間隔の狭ピッチ化に有効であり、半導体デバイスを特に基板両面に高密度かつ高精度に搭載でき、更に信頼性にも優れた半導体搭載用配線基板の製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る半導体搭載用配線基板の製造方法は、支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第１工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第３工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第４工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第５工程と、更に必要に応じて前記第３工程乃至前記第５工程を１又は複数回繰り返す第６工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第７工程と、により支持基板付き配線基板を２個形成した後、前記最上面となる絶縁層同士を面合わせで貼り付け、その後、前記支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする。
【００１２】
本発明においては、支持基板上に形成した配線基板２枚を面付けで貼り合わせて形成するので、従来からの樹脂シートを複数枚一括に積層した一括積層基板よりも貼り合わせ時の位置精度が良好であり、より高密度かつ信頼性に優れた半導体搭載用配線基板を形成することができる。又は、従来からのビルドアップ基板に比較して、高多層化が短期間で形成できる利点がある。
【００１３】
本発明においては、前記第１工程の前に、前記支持基板と前記導電層との間に、下層絶縁層を形成する工程を有することができる。
【００１４】
この方法では、支持基板上に先ず下層絶縁層を形成し、その後パッド等の金属層を形成するため、支持基板上の絶縁層が強固なエッチングバリアー層として作用するため、銅板エッチング時にパッド部、配線部がエッチング液によりダメージを受ける可能性が少なく、信頼性の高いパッケージ基板が得られる。また、開口後の下層絶縁層はＳＲとして機能するため、支持体エッチング後にＳＲを形成する方法に比べ、パッドや配線を形成する金属との密着性に優れるため、安定なＳＲ層が形成できると共に、パッド位置を確認した上でパッド上に開口部を形成できるため、位置精度よくパッド上開口部を形成できる。
【００１５】
ところで、支持基板上に形成した配線基板２枚を面付けで貼り合わせる場合、あまりにも高温及び高圧力で積層すると、支持基板上にあらかじめ形成した配線基板が歪みを持ち、信頼性が低下してしまうという課題があった。これを改善するために本発明においては、最上面に絶縁層を形成して平坦化し、更に絶縁層中にビアを形成して導電性ペースト又は半田などの導体を埋め込み、この導体を埋め込んだビア同士を重ね合わせて電気的な接続を得ている。平坦な面同士を貼り合わせるため、低温かつ低圧力の条件でも支持基板上に形成した配線基板２枚を面付けで貼り合わせることができ、高精度かつ信頼性に優れた半導体搭載用配線基板を得ることができる。
【００１６】
本発明に係る他の半導体搭載用配線基板の製造方法は、支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第１工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第３工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第４工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第５工程と、前記第３工程乃至銭第５工程を１又は複数回繰り返す第６工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第７工程と、最上面となる絶縁層上に配線層を形成する第８工程とにより、支持基板付き配線基板を２個形成した後、前記最上面となる絶縁層同士を面合わせで貼り付け、その後、前記支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする。
【００１７】
本発明においては、上述した方式に比較して多少貼り合わせ精度が落ちるが、絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む工程がどちらか一方の支持基板上に形成した配線基板にのみ必要なために、工程を短縮することができる利点がある。ただし、しかるべき低温かつ低圧力な条件で支持基板上に形成した配線基板２枚を面付けで貼り合わせるためには、上記第７の工程における絶縁層の特性が重要である。すなわち、他の絶縁層に対して、硬化温度が低く、かつ積層時圧力が小さくても形成できる絶縁層を適用することが望ましい。これにより、低コストで信頼性に優れた半導体搭載用配線基板を形成することができる。
【００１８】
この方法において、前記第１工程の前に、前記支持基板と前記導電層との間に、下層絶縁層を形成する工程を有することができる。
【００１９】
本発明においては、絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む工程がどちらか一方の支持基板上に形成した配線基板にのみ必要なために、工程を短縮することができる利点がある一方、支持基板上の絶縁層が強固なエッチングバリアー層として作用するため、信頼性の高いパッケージ基板が得られ、また、パッド又は配線を形成する金属との密着性に優れ、パッド位置精度よく開口部を形成できる。
【００２０】
また、支持基板上に下層絶縁層を形成する場合は、支持基板の一部又は全部を除去した後に少なくとも１つ以上の電極パッド上の絶縁膜に開口部を形成することができる。このような開口部を形成する方法として種々の方法があるが、特に位置精度及び形成の容易さの点からレーザー又はドライエッチングにより形成したものが望ましい。
【００２１】
本発明の半導体搭載用配線基板の製造方法においては使用する支持基板が薄膜金属層と薄膜金属層よりも厚い支持金属層を構成要素とする支持基板であることを特徴とする。
【００２２】
支持基板が薄膜金属層と薄膜金属層よりも厚い支持金属層より構成されている場合には、薄膜金属層のみを基板側に残すようにして厚い支持金属層のみを剥がすことができる。これによりその後エッチング等で除去する必要のある金属層を極めて薄くすることができる。
【００２３】
さらに、支持基板上に絶縁層を形成し、当該絶縁層にレーザー等で開口を形成する方法においては、薄膜金属層を残したままレーザーにより開口を形成し、その後、デスミア処理等を行うことができる。この方法においては、デスミア処理時にビア開口部以外が薄膜金属層に覆われているためデスミア液等による樹脂ダメージが無く、またデスミア液への汚染の問題も軽減することができる。
【００２４】
なお、前記導体は例えば導電性ペースト又は半田である。
【００２５】
本発明に係る更に他の半導体搭載用配線基板の製造方法は、支持基板上に電極パッドとなる導電層を形成する第１工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、前記絶縁層中にビアを形成する第３工程と、前記絶縁層上に配線層を形成する第４工程と、前記配線層上に他の絶縁層を形成する第５工程と、更に必要に応じて前記第３工程乃至前記第５工程を１又は複数回繰り返す第６工程と、最上面となる絶縁層中にビアを形成して導体を埋め込む第７工程と、により形成される第１の支持基板付き配線基板と、前記第１工程と、前記第２工程と、前記第３工程と、前記第４工程と、前記第５工程と、前記第６工程と、前記第７工程と、最上面となる絶縁層上に配線層を形成する第８工程とにより、形成される第２の支持基板付き配線基板と、を用意し、前記第１の支持基板付き配線基板の前記最上面となる絶縁層と、前記第２の支持基板付き配線基板の前記最上面となる絶縁層と、を面合わせで貼り付け、その後、前記第１及び第２の支持基板の一部又は全部を除去することを特徴とする。本発明も、他の発明と同様の作用効果を奏する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、半導体デバイスの高集積化、高速化、多機能化による端子の増加及び狭ピッチ化に有効であり、半導体デバイスを特に両面に高密度かつ高精度に搭載でき、更には信頼性にも優れた新規な半導体搭載用配線基板を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。先ず、本発明の第１の実施の形態について図１を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。本実施形態に係る半導体搭載用配線基板５においては、絶縁膜１内に配線２及び上下の配線２を電気的に接続するためのビア３が設けられており、基板５の表裏両面、即ち絶縁膜１の表裏両面には電極パッド４が設けられている。この電極パッド４は、その側面の少なくとも一部が絶縁膜１に埋設されている。
【００２８】
絶縁膜１は、複数の絶縁層を積層して構成され、配線２は各絶縁層上に導電膜をパターン形成することにより設けられている。この配線２を形成する際、絶縁層に下層配線２に到達するビアホールを形成しておき、配線用導電材料を前記ビアホールに埋め込むことにより、ビア３が形成される。
【００２９】
絶縁膜１を構成する各絶縁層の材料は全て同一である。絶縁膜１の材料としては、半田耐熱性及び耐薬品性などに優れているものであれば特に制限はないが、ガラス転移温度が高く、膜強度及び破断伸び率等の機械的特性に優れたエポキシ樹脂、ポリイミド、液晶ポリマーなどの耐熱性樹脂を適用することが好適である。また、絶縁膜１を０．３ｍｍ以下に薄くする場合には、半導体デバイス搭載時におけるハンドリング性を向上させるために、絶縁膜１用の材料として、ガラスクロス又はアラミド不織布などを含浸した曲げ弾性率の高い材料を適用することが望ましい。
【００３０】
本発明の半導体搭載用配線基板５においては、基板５の表裏両面の電極パッド４が絶縁膜１内に埋め込まれた構造となっているので、基板５の表裏両面とも電極パッド４の高さばらつきを抑えることができ、半導体搭載用配線基板５の両面に半導体デバイスを高密度かつ高精度に搭載することができる。更に、電極パッド４の側面が同一の材料から構成される絶縁膜１に埋設されているため、電極パッド４と絶縁膜１との密着性が向上し、半導体デバイスとの接続信頼性にも優れた半導体搭載用配線基板５を得ることができる。
【００３１】
図２（ａ）乃至（ｃ）は、本実施形態の変形例に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。即ち、絶縁膜１の表裏両面に形成された電極パッド４は、図２（ａ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の表面又は裏面と同じ位置にある電極パッド４ａ、図２（ｂ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の表面又は裏面よりも窪んだ位置にある電極パッド４ｂ、又は、図２（ｃ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の表面又は裏面よりも突出した位置にある電極パッド４ｃのいずれかにすることができる。
【００３２】
ここで、図２（ａ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の表面又は裏面と同じ位置となった電極パッド４ａでは、ここに金バンプを用いて半導体デバイスを搭載する場合、電極パッド４ａの高さばらつきが全く存在しないために、最も高精度かつ微細ピッチな半導体デバイスの接続を実現することができる。また、図２（ｂ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の表面若しくは裏面よりも窪んだ位置となった電極パッド４ｂでは、ここに金ワイヤーボンディング又は半田を用いて半導体デバイスを搭載する場合、電極パッド４ｂから凸の位置にある絶縁膜１が金又は半田の過剰な変形を防止するので、最も高精度かつ微細ピッチな半導体デバイスの接続を実現することができる。更に、図２（ｃ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の表面若しくは裏面よりも突出した位置となった電極パッド４ｃでは、ここに半田ボールを搭載し、更にマザーボードに搭載したときに、半田ボールの根元からのクラック発生を防ぐことができ、より一層信頼性に優れた半導体パッケージを得ることができる。
【００３３】
図１３（ａ）及び（ｂ）は、本実施形態の変形例に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。即ち、絶縁膜の表裏両面に形成された電極パッドは、図１３（ａ）に示すように表面の一部が前記絶縁膜により覆われている。一方、図１３（ｂ）では裏面（図の下側）にある電極パッドの露出した表面の一部が前記絶縁膜により覆われており、表面（図の上側）にある電極パッドは絶縁膜の表面と同じ位置にある。図１３においては、絶縁膜の表面または裏面に形成された、表面の一部が前記絶縁膜により覆われている電極パッドは、絶縁膜１の表面又は裏面よりも窪んだ位置にあるが、これに限定されるものではない。
【００３４】
図３（ａ）乃至（ｃ）は、本実施形態の更に別の変形例に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。即ち、図３（ａ）に示す配線基板は、絶縁膜１の表面又は裏面の少なくとも一部に、支持体６を設けたものである。支持体６を設けることにより、半導体デバイスを搭載するときの熱履歴による半導体搭載用配線基板５のそり及びうねり等を抑えることができ、より高精度に半導体デバイスを搭載することができる。
【００３５】
また、図３（ｂ）に示すように、絶縁膜１の表面又は裏面の少なくとも一方の面上に、ソルダーレジスト７を形成することもできる。特に、本発明の半導体搭載用配線基板５では、電極パッド４の高さばらつきが極めて小さいため、高精度にソルダーレジスト７を形成することができる。更に、図３（ｃ）に示すように、ソルダーレジスト７の面上の少なくとも一部に、支持体８を設けることもできる。
【００３６】
次に、本発明の実施形態に係る半導体パッケージについて説明する。図４は、本実施形態に係る半導体パッケージを示す断面図である。本実施形態に係る半導体パッケージ１４は、図４（ａ）に示すように、前述の半導体搭載用配線基板５に、バンプ９を設けて電極パッド４と半導体デバイス１１とを接続し、更に、他の半導体デバイス１１の一面の端子と電極パッド４とを重ねて接続し、他の半導体デバイス１１の他面の端子と電極パッド４とをボンディングワイヤー１０を介して電気的に接続する等して、半導体デバイス１１を半導体搭載用配線基板５に搭載したものである。更に、このパッケージ１４においては、導電性接着剤１２等を介して外部端子ピン１３が接続されている。
【００３７】
半導体デバイス１１を搭載する箇所に設けられた電極パッド４は、図２（ａ）の電極パッド４の露出した面が絶縁膜１の表面又は裏面と同じ位置となった電極パッド４ａか、又は図２（ｂ）の露出した面が絶縁膜１の表面又は裏面よりも窪んだ位置となった電極パッド４ｂとなっており、高精度かつ高密度な半導体パッケージ１４を実現することができる。なお、本実施例では、バンプ９を用いたフリップチップ接続及びワイヤー１０を用いたワイヤーボンディング接続による半導体デバイス１１の搭載例を示したが、このほかテープオートメイテッドボンディング、又はリボンボンディング法等を用いて半導体デバイス１１を搭載することもできる。
【００３８】
また、必要に応じて、図４（ｂ）に示すように、モールディング１５を形成することもできる。
【００３９】
更に、図４（ｃ）に示す半導体パッケージ２０は、マザーボード１９上に搭載されている。マザーボード１９は、その表面に、電極パッド１７とソルダーレジスト１８を有するものであり、半導体パッケージ２０の下面（裏面）に、図２（ｃ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の裏面よりも突出した位置となった電極パッド４ｃを設け、この電極パッド４ｃに半田ボール１６を介してマザーボードの電極パッド１７を接続することにより、パッケージ２０がマザーボード１９上に搭載されている。また、半導体パッケージ２０の上面（表面）には、図２（ｂ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の表面よりも窪んだ位置となった電極パッド４ｂを設け、この電極パッド４ｂにバンプ９を介して半導体デバイス１１が搭載されている。また、パッケージ２０の下面（裏面）には、更に、図２（ａ）に示すように、露出した面が絶縁膜１の裏面と同じ位置となった電極パッド４ａを設け、この電極パッド４ａにバンプ９を介して半導体デバイス１１が搭載されている。なお、半導体デバイス１１をバンプ９を介して接続される電極パッド４は電極パッド４ａ又は４ｂ、半田ボール１６を搭載する箇所に設けられた電極パッド４は電極パッド４ａ又は４ｃとすることが好ましい。これによって、半導体デバイス１１を高精度かつ高密度に搭載でき、更に半田ボール１６の根元からのクラック発生を防ぐことができ、より一層信頼性に優れた半導体パッケージ１４を得ることができる。
【００４０】
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体搭載用配線基板について説明する。図５（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。図５（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板２９は、その表面に位置する第１の絶縁層２１と、その裏面に位置する第２の絶縁層２２と、その中間に位置する第３の絶縁層２３とを少なくとも有する絶縁膜２４を設け、第３の絶縁層２３にはその表裏面に埋設された配線２５と、更に配線２５を電気的に接続するためのビア２６を有し、更に絶縁膜２４の表裏面に、表面を露出して設けられ、かつ側面の少なくとも一部は絶縁膜２４に埋設された電極パッド２７を有し、電極パッド２７と配線２５はビア２８で電気的に接続されている。電極パッド２７は、前述したように、図２（ａ）に示すように、絶縁膜２４に埋没された電極パッドの露出した面が、絶縁膜２４の表面若しくは裏面と同じ位置にあるもの、図２（ｂ）に示すように、絶縁膜２４の表面若しくは裏面よりも窪んだ位置にあるもの、又は図２（ｃ）に示すように、絶縁膜２４の表面若しくは裏面よりも突出した位置にあるもののいずれかとすることができる。
【００４１】
従来の配線基板では、内部に位置する絶縁層の表裏上面に配線を設けた構造となっているので、内部に位置する絶縁層とは異なる材料からなる絶縁層を積層して配線基板を形成した場合、半導体デバイス作動に伴う熱負荷により熱膨張率などの違いから絶縁層界面を引き剥がす応力が発生し、構造上密着性が弱い配線端部を起点に絶縁層界面の剥離が進行してしまう虞がある。これに対して、本発明の半導体搭載用配線基板２９は、その内部に位置する第３の絶縁層２３の表裏面に埋設された配線２５を有する構造となっているため、第３の絶縁層２３とは異なる材料で第１の絶縁層２１及び第２の絶縁層２２を形成して絶縁膜２４を構成しても、半導体デバイスの作動による熱負荷又はバイアスが繰り返し印加されて発生する引き剥がし応力に対し、その応力を第３の絶縁層２３の全面で受けるため、配線端部を起点とした絶縁層界面剥離を完全に防ぐことができる。
【００４２】
よって、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板２９は、その表面に位置する第１の絶縁層２１と、その裏面に位置する第２の絶縁層２２と、その内部に位置する第３の絶縁層２３とで、目的に応じた任意の物性からなる材料を選択することができる。
【００４３】
また、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板２９は、図５（ｂ）に示すように、その表面に位置する第１の絶縁層２１と、その裏面に位置する第２の絶縁層２２と、その内部に位置する第３の絶縁層２３との内部に、夫々、配線３０とビア３１を設け、更に一層の多層配線化構造とすることもできる。
【００４４】
更に、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板２９を用いても、前述した半導体搭載用配線基板５と同様に半導体パッケージ１４及び２０を形成することができる。半導体搭載用配線基板２９の両面に半導体デバイスを搭載する場合には、例えば第３の絶縁層２３にはハンドリング性向上のため弾性率の高い剛性のある材料を選択し、更に第１の絶縁層２１と第２の絶縁層２２には同じ材料であって、第３の絶縁層２３よりも膜強度が高いか、又は熱膨張率の低いものを適用することにより、半導体デバイスを搭載した場合の熱膨張率差による半導体搭載用配線基板２９表面からのクラック発生を防ぐ効果も得ることができる。また、半導体搭載用配線基板２９の第１の絶縁層２１側には半導体デバイスを、第２の絶縁層２２側には半導体デバイスのみならず、半田ボールも搭載してマザーボードに搭載する場合には、第３の絶縁層２３にはハンドリング性向上のため弾性率の高い剛性のある材料を選択し、第１の絶縁層２１には第３の絶縁層２３よりも膜強度が高いか、又は熱膨張率の低いものを適用し、第２の絶縁層２２には第３の絶縁層２３よりも弾性率の低いものを適用するというように、全ての絶縁層に異なる材料を適用し、信頼性上最適となる半導体搭載用配線基板２９を形成することができる。
【００４５】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図６は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。本実施形態に係る半導体搭載用配線基板５２は、その表面に位置する第１の絶縁層４１と、その裏面に位置する第２の絶縁層４２と、その内部に位置する第３の絶縁層４３と、第１の絶縁層４１と第３の絶縁層４３との間及び第２の絶縁層４２と第３の絶縁層４３との間の少なくとも一方に設けられた第４の絶縁層４６とを有する絶縁膜４７が設けられている。そして、第４の絶縁層４６には配線４４とビア４５を形成し、第３の絶縁層４３にはその表裏面に埋設された配線４８と、さらに配線４８を電気的に接続するためのビア４９を形成し、更に絶縁膜４７の表裏面には、表面が露出され、かつ側面の少なくとも一部が絶縁膜４７に埋設された電極パッド５０を形成し、電極パッド５０と配線４４はビア５１により電気的に接続されている。
【００４６】
本発明の半導体搭載用配線基板５２は、その内部に位置する第３の絶縁層４３の表裏面に埋設された配線４８を有し、さらに配線４４も第４の絶縁層４６に埋設された構造となっているため、すべての絶縁層で異なる材料を適用して絶縁膜４７を形成しても、半導体デバイスの作動による熱負荷及びバイアスが繰り返し印加されて発生する引き剥がし応力に対し、その応力を第３の絶縁層４３及び第４の絶縁層４６の全面で受けるため、配線端部を起点とした絶縁層界面剥離を完全に防ぐことができる。
【００４７】
本実施形態に係る半導体搭載用配線基板５２についても、前述した半導体搭載用配線基板５及び半導体搭載用配線基板２９と同様に、これを用いて半導体パッケージ１４及び半導体パッケージ２０を形成することができる。ここで、半導体搭載用配線基板５２の両面に半導体デバイスを搭載する場合には、第３の絶縁層４３にはハンドリング性向上のため弾性率が高い剛性のある材料を選択し、第４の絶縁層４６には応力緩和のため弾性率が低い材料を例えば適用し、更に第１の絶縁層４１と第２の絶縁層４２には、第３の絶縁層４３及び第４の絶縁層４６よりも膜強度が高いか、又は熱膨張率の低いものを適用することにより、半導体デバイスを搭載した場合の熱膨張率差による半導体搭載用配線基板５２の表面からのクラック発生を防ぎ、かつ応力緩和機能も有した半導体搭載用配線基板５２を形成することができる。
【００４８】
更には、半導体搭載用配線基板５２の第１の絶縁層４１側には半導体デバイスを、第２の絶縁層４２側には半導体デバイスのみならず、半田ボールも搭載してマザーボードに搭載する場合には、第３の絶縁層２３にはハンドリング性向上のため弾性率の高い剛性のある材料を選択し、第４の絶縁層４２には熱膨張率の低いものを適用し、更に第１の絶縁層４１には第３の絶縁層４３及び第４の絶縁層４６よりも膜強度が高いものを適用し、第２の絶縁層４２には第３の絶縁層４３及び第４の絶縁層４６よりも弾性率が低いものを適用するというように、全ての絶縁層に異なる材料を適用し、信頼性上最適となる半導体搭載用配線基板５２を形成することができる。
【００４９】
次に、本発明の他の実施形態に係る半導体搭載用配線基板について、図１４及び図１５を参照して説明する。この半導体搭載基板においては第１の絶縁層に形成されたビア９４，９５の表面側サイズが裏面側サイズよりも小さく、第２の絶縁層に形成されたビア９４，９５の裏面側サイズが表面側サイズよりも小さい。このようなビア形状を有する構造は、例えばレーザーによるビア形成又は感光性樹脂を用いたフォトビアにより実現できる。通常、レーザー照射工程又は露光工程において、レーザー又は光の入射側と反対側ではビアサイズが異なるものとなる。これにより、第１の絶縁層に形成されたビア９４，９５の表面側サイズが裏面側サイズよりも小さく、第２の絶縁層に形成されたビア９４，９５の裏面側サイズが表面側サイズよりも小さいビアを有する基板が得られ、半導体素子との接続密度を高くした基板を形成することができる。
【００５０】
なお、ここでいうビア９４，９５のサイズはビア形状が円錐台状であればその上部又は下部における直径を示すが、ビア形状は必ずしも円形であることは要せず、その場合においても周囲長等、適当な量をサイズとして定義することができる。
【００５１】
本発明の半導体搭載用配線基板を構成するビアは図１４のようにフィルドビア９４であってもよいし、図１５のようにコンフォーマルビア９５であってもよい。フィルドビア９４の場合、ビア上にも配線を描くことができ、フィルドビア９４がスタックされるような配線又はパッドの設計ができるため、配線密度を高くできるという利点がある。一方、コンフォーマルビア９５の場合は、ビアに応力を緩和する効果があるため、温度サイクル等の信頼性特性が改善されるという利点がある。
【００５２】
また、ビア９４，９５の表面側サイズと裏面側サイズの大小関係は図１４及び図１５に示すものと逆の関係であってもよい。
【００５３】
次に、本発明の半導体搭載用配線基板の製造方法の実施形態について説明する。図７（ａ）乃至（ｅ）、図８（ａ）乃至（ｃ）は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。図７（ａ）に示すように、先ず支持基板６１上に電極パッド６２となる導電層を、例えば、めっき法などによって形成する。ここで、図７（ｂ）に示すように、予め支持基板６１にエッチングにより凹部６３を形成してから導電層を埋め込み形成することにより支持基板６１の表面内に一部埋め込まれた電極パッド６４を形成することもできる。又は、図７（ｃ）に示すように、支持基板６１上に先ずバリア層６５を設け、次にバリア層６５上に導電層を形成することにより、バリア層６５との２層構造の電極パッド６６を形成することもできる。
【００５４】
次に、図７（ｄ）に示すように、上述の如くして形成された導電層６２、６４又は６６を有する支持基板６１上に絶縁層６７ａを形成し、更に絶縁層６７ａ内にビアホール６８ａを形成する。その後、図７（ｅ）に示すように、絶縁層６７ａ上に配線６９ａを形成する。これにより、ビアホール６８ａ内が導電材料で埋め込まれて上下の配線を接続するビア６８ｂが形成される。
【００５５】
なお、必要であれば、図８（ａ）に示すように、配線６９ａ上に絶縁層６７ｂを形成し、絶縁層６７ｂ内にビア６８ｃを形成すると共に、絶縁層６７ｂ上に配線６９ｂを形成することにより、多層化することができる。さらに、この工程を繰り返すことにより、必要な層数まで多層化することができる。
【００５６】
次いで、図８（ｂ）に示すように、最上層の配線６９ｂを研磨して除去することにより、配線６９ａ上に絶縁層６７ｂとビア６８ｃが設けられた支持基板付き配線基板７３が形成される。なお、ビア６８ｃを形成する際に、配線６９ｂを形成して、その導体材料をビアホール内に埋め込むことにより形成することができるが、これに限らず、ビアホールのみを導体材料で埋め込むことによりビア６８ｃを形成することとしてもよい。
【００５７】
次に、図８（ｃ）に示すように、この支持基板付き配線基板７３同士を、絶縁層６７ｂ同士が接触するように重ね、更に絶縁層６７ｂの表面に露出したビア６８ｃが相互に接触するように面合わせして、貼り付ける。
【００５８】
その後、両支持基板６１を全てエッチング等により除去すると、図９（ａ）に示すように、電極パッド６２が表裏両面で露出し、内部に多層配線構造を有する半導体搭載用配線基板７５を得ることができる。
【００５９】
又は、図９（ｂ）に示すように、支持基板６１の一部を残して、これを支持体７６とすれば、支持体７６が設けられた半導体搭載用配線基板７５を得ることができる。更に、必要であれば、図９（ｃ）に示すように、半導体搭載用配線基板７５の両面の任意の箇所に、ソルダーレジスト７７を形成することもできる。
【００６０】
支持基板６１の材質には特に制限はないが、最終的に除去することを考慮すれば、加工性の良好なものが望ましい。支持基板６１の具体的ものとして、銅、銅合金、ステンレス、アルミニウム等の金属、又はガラス、シリコン等の材料が好適である。また、ビア６８ｃ内に設けられる導体材料としては、支持基板付き配線基板７３同士を貼り合わせるときの加熱と圧力で確実に融着して接続されるものが望ましい。このビア６８ｃの導体材料としては、具体的には、樹脂に金属粒子が分散された導電性ペースト又は半田等が好適である。また、絶縁層６７ａ、６７ｂは、製造プロセス上、耐熱性及び耐薬品性等が必要になるが、その点で問題がなければ、任意の材料を選択することができる。
【００６１】
上述した本発明の半導体搭載用配線基板の製造方法においては、図８（ｃ）に示すように、寸法安定性が優れた支持基板６１上に絶縁層及び配線を形成した支持基板付き配線基板７３同士を面合わせで貼り付けるので、図９（ａ）に示すように、電極パッド６２の位置精度が良好であり、高密度かつ高精度な半導体搭載用配線基板７５を得ることができる。更に、面合わせで貼り付けるときの両表面は、配線６９ａ上に絶縁層６７ｂを形成して平坦化しているため、絶縁層６７ｂを加熱及び加圧により変形させて貼り付ける必要がなく、よって極めて低温かつ低加圧力で貼り合わせることができる。このため、貼り合わせ時に支持基板付き配線基板７３全体に歪みを持つこともなく、信頼性が優れた半導体搭載用配線基板７５を得ることができる。
【００６２】
また、図７（ｂ）に示すように、予め支持基板６１にエッチングにより凹部６３を形成してから導電層を凹部６３に埋め込んで電極パッド６４を形成した場合には、支持基板６１の全部、又は一部を除去することにより、図１０（ａ）に示すように、電極パッド６４の露出した面が絶縁膜７８の表面又は裏面よりも突出する半導体搭載用配線基板を得ることができる。
【００６３】
一方、図７（ｃ）に示すように、予め支持基板６１上に、バリア層６５を設け、次に導電層をバリア層６５上に積層することにより電極パッド６６を形成した場合には、支持基板６１の全部、又は一部を除去し、更にバリア層６５を除去することにより、図１０（ｂ）に示すように、電極パッド６６の露出した面は、絶縁膜７８の表面又は裏面よりも窪んだ位置にある半導体搭載用配線基板を得ることができる。
【００６４】
次に、本発明の他の半導体搭載用配線基板の製造方法の実施形態について、図１６（ａ）乃至（ｉ）を参照して説明する。図１６（ａ）乃至（ｉ）は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。この製造方法においては、図１６（ａ）に示すように、先ず支持基板６１上に下層絶縁層９３を形成し、図１６（ｂ）に示すように、この下層絶縁層９３の上に電極パッド６２となる導電層を形成する。その後、図１６（ｃ）乃至（ｉ）に示すように、図７の実施例と同様に配線層等を形成し、２枚の基板を貼り合わせた後、支持基板を除去する。図１６（ｈ）はこの支持基板を除去した状態を示す。その後、図１６（ｉ）に示すように、支持基板６１上に最初に形成した下層絶縁層９３に、電極パッド６２を露出させるために、開口部を形成する。開口部の形成には、レーザー又はドライエッチング等を使用することができる。
【００６５】
次に、本発明の他の半導体搭載用配線基板の製造方法の実施形態について説明する。図１１（ａ）乃至（ｄ）及び図１２（ａ）乃至（ｃ）は、本実施形態に係る半導体搭載用配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。
【００６６】
先ず、図１１（ａ）に示すように、支持基板８１上に導電層をパターン形成して電極パッド８２を形成する。なお、前述したように、予め支持基板８１にエッチングにより凹部を形成してから導電層を前記凹部内に埋め込むように形成し、後述するように、最終的に支持基板８１の全部又は一部を除去した場合に、電極パッドの露出した面が絶縁膜の表面又は裏面から突出した形状の電極パッドを形成することができる。更に、予め支持基板８１上にまずバリア層を設け、次に電極パッド８２となる導電層を形成し、支持基板８１の全部又は一部を除去し、更にバリア層を除去することにより、露出した面が絶縁膜の表面又は裏面よりも窪んだ位置にある電極パッドを形成することもできる。以下、図１１（ａ）に示す支持基板８１上電極パッド８２を形成した場合について説明する。
【００６７】
次に、図１１（ｂ）に示すように、支持基板８１上に絶縁層８３を形成し、更に絶縁層８３に、電極パッド８２に到達するビアホール８３ａを形成する。
【００６８】
次いで、図１１（ｃ）に示すように、絶縁層８３上に配線８５を形成する。この場合に配線８５の導電材料がビアホール８３ａ内にも埋め込まれて、配線８５と電極パッド８２とを接続するビア８４が形成される。これにより、支持基板付き配線基板８６が得られる。
【００６９】
なお、必要であれば、図１１（ｄ）に示すように、配線８５及び絶縁層８３上に絶縁層８３ｂを形成し、絶縁層８３ｂ上に配線８５ａを形成すると共に、絶縁層８３ｂ内にビア８４ａを形成する。このような絶縁層、配線及びビアの形成工程を繰り返すことにより、多層配線化した支持基板付き配線基板８６を得ることができる。
【００７０】
次に、図１１（ｃ）に示す支持基板８６及び配線８５上に、図１２（ａ）に示すように、絶縁層８７を形成し、絶縁層８７内にビアホールを形成し、更にこのビアホール内に導体材料を埋め込んでビア８８を形成する。これにより、ビア８８を有する支持基板付き配線基板９０が得られる。この導体材料は、導電性ペースト又は半田を使用することができる。
【００７１】
次に、図１２（ｂ）に示すように、図１１（ｃ）の支持基板付き配線基板８６と、図１２（ａ）のビア８８を有する支持基板付き配線基板９０とを、面合わせで貼り付ける。
【００７２】
最後に、図１２（ｃ）に示すように、支持基板８１の全部を除去して電極パッド８２を露出させると、半導体搭載用配線基板９２が得られる。
【００７３】
なお、必要であれば、図９（ｂ）に示したように、支持基板８１の全部ではなく、一部を除去することにより、支持基板の一部を残存させて、支持体（支持体７６）を有する半導体搭載用配線基板９２とすることもでき、更に、図９（ｃ）に示したように、半導体搭載用配線基板９２の両面の任意の箇所に、ソルダーレジスト（ソルダーレジスト７７）を形成することができる。
【００７４】
上述した本発明の半導体搭載用配線基板の製造方法においては、支持基板付き配線基板８６の表面が平坦ではないので貼り合わせ時に多少精度が落ちるが、絶縁層８７及び絶縁層８７内のビア８８を形成した支持基板付き配線基板９０が、面合わせを行う一方の支持基板付き配線基板９０のみを形成すればよいので、工程を短縮し、低コスト化を実現できるという利点がある。
【００７５】
但し、しかるべき低温かつ低圧の条件で支持基板付き配線基板８６とビア８８を有する支持基板付き配線基板９０とを面付けで貼り合わせるためには、絶縁層８７の特性が重要である。絶縁層８７としては、絶縁層８３に比較して硬化温度が低く、かつ積層時の加熱と圧力で容易に流動する熱硬化性樹脂を適用することができ、具体的にはエポキシ樹脂及び変性ポリイミド等が挙げられるが、望ましくはエラストマー成分を含有したエポキシ樹脂である。絶縁層８７にこれらの材料を適用することにより、低コストで信頼性に優れた半導体搭載用配線基板９２を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
以上詳述したように、本発明によれば、少なくとも絶縁膜と、前記絶縁膜中に形成された配線と、前記配線と導通された複数の電極パッドとからなる配線基板において、前記電極パッドは前記絶縁膜の表裏面に、表面を露出して設けられ、かつ、前記電極パッドの側面の少なくとも一部は前記絶縁膜に埋設されているので、半導体デバイスの高集積化、高速化、多機能化による端子の増加及び狭ピッチ化に有効であり、半導体デバイスを特に両面に高密度かつ高精度に搭載でき、更には信頼性にも優れた新規な半導体搭載用配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明に係る半導体搭載用配線基板の第１の実施形態を示す断面図である。
【図２】（ａ）乃至（ｃ）は夫々この第１の実施形態の変形例に係る半導体搭載用配 線基板を示す断面図である。
【図３】同じく、（ａ）乃至（ｃ）はこの第１の実施形態の変形例に係る半導体搭載 用配線基板を示す断面図である。
【図４】（ａ）乃至（ｃ）は夫々本発明に係る半導体パッケージの実施形態を示す断 面図である。
【図５】（ａ）及び（ｂ）は夫々本発明に係る半導体搭載用配線基板の第２の実施形 態を示す断面図である。
【図６】本発明に係る半導体搭載用配線基板の第３の実施形態を示す断面図である。
【図７】（ａ）乃至（ｅ）は本発明に係る半導体搭載用配線基板の製造方法の第１実 施形態を工程順に示す断面図である。
【図８】同じく、（ａ）乃至（ｅ）は本発明に係る半導体搭載用配線基板の製造方法 の第１実施形態の次の工程を工程順に示す断面図である。
【図９】（ａ）乃至（ｃ）は同じくその変形例を示す断面図である。
【図１０】（ａ）乃至（ｃ）は同じくその変形例を示す断面図である。
【図１１】（ａ）乃至（ｄ）は本発明に係る半導体搭載用配線基板の製造方法の第２ 実施形態を工程順に示す断面図である。
【図１２】同じく、（ａ）乃至（ｃ）は本発明に係る半導体搭載用配線基板の製造方 法の第２実施形態の次の工程を工程順に示す断面図である。
【図１３】（ａ）乃至（ｂ）は第１実施形態の変形例に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。
【図１５】同じく本発明の他の実施形態に係る半導体搭載用配線基板を示す断面図である。
【図１６】（ａ）乃至（ｉ）は、他の実施形態に係る半導体搭載用配線基板の製造方法をその工程順に示す断面図である。
【図１７】従来のビルドアップ基板を示す断面図である。
【図１８】（ａ）乃至（ｃ）は従来の一括積層基板の製造方法を工程順に示す断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
１    絶縁膜
２    配線
３    ビア
４    電極パッド
４ａ    パッド
４ｂ    パッド
４ｃ    パッド
５    半導体搭載用配線基板
６    支持体
７    ソルダーレジスト
８    支持体
９    バンプ
１０    ワイヤー
１１    半導体デバイス
１２    導電性接着剤
１３    外部端子ピン
１４    半導体パッケージ
１５    モールディング
１６    半田ボール
１７    電極パッド
１８    ソルダーレジスト
１９    マザーボード
２０    半導体パッケージ
２１    第１の絶縁層
２２    第２の絶縁層
２３    第３の絶縁層
２４    絶縁膜
２５    配線
２６    ビア
２７    電極パッド
２８    ビア
２９    半導体搭載用配線基板
３０    配線
３１    ビア
４１    第１の絶縁層
４２    第２の絶縁層
４３    第３の絶縁層
４４    配線
４５    ビア
４６    第４の絶縁層
４７    絶縁膜
４８    配線
４９    ビア
５０    電極パッド
５１    ビア
５２    半導体搭載用配線基板
６１    支持基板
６２    電極パッド
６３    凹部
６４    電極パッド
６５    バリア層
６６    電極パッド
６７ａ    絶縁層
６７ｂ    絶縁層
６８ａ    ビアホール
６８ｂ    ビア
６８ｃ    ビア
６９ａ    配線
６９ｂ    配線
７３    支持基板付き配線基板
７５    半導体搭載用配線基板
７６    支持体
７７    ソルダーレジスト
７８    絶縁膜
８１    支持基板
８２    電極パッド
８３    絶縁層
８３ａ    ビアホール
８３ａ    絶縁層
８４    ビア
８４ａ    ビア
８５    配線
８５ａ    配線
８６    支持基板付き配線基板
８７    絶縁層
８８    ビア
９０    支持基板付き配線基板
９２    半導体搭載用配線基板
９３    下層絶縁層
９４    ビア
９５    ビア
１０１    スルーホール
１０２    配線層
１０３    ベースコア基板
１０４    ビア
１０５    層間絶縁膜
１０６    導体配線層
１０７    ソルダーレジスト層
１１１    樹脂シート
１１２    導体配線層
１１３    ビア
１１４    一括積層基板
【図１】
2006179952.tif 000003
【図２】
2006179952.tif 000004
【図３】
2006179952.tif 000005
【図４】
2006179952.tif 000006
【図５】
2006179952.tif 000007
【図６】
2006179952.tif 000008
【図７】
2006179952.tif 000009
【図８】
2006179952.tif 000010
【図９】
2006179952.tif 000011
【図１０】
2006179952.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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