(57)【要約】  【課題】  簡単な構造で捻り負荷に対する基板剛性を向上させることができる基板の実装構造及びメモリーカードを提供する。  【解決手段】  制御回路基板１１と半導体メモリ基板１４ｂとが導電体を介して接合された実装構造体が筐体内に収納されており、制御回路基板１１上に列状に配設した複数の第１の端子５１と、前記第１の端子５１に対向させて前記半導体メモリ基板１４ｂに配設した複数の第２の端子５１とが、導電体を介して接合されており、各端子５１は縦長形状であり、各端子５１の長手方向の対称中心線を長軸５５とすると、長軸５５が制御回路基板１１の各端子の列方向の稜線５３に対して傾斜して配置されている。【選択図】図２
2006287058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板同士が導電体を介して接合された基板の実装構造であって、
第１の基板上に列状に配設した複数の第１の端子と、前記第１の端子に対向させて第２の基板に配設した複数の第２の端子とが、前記導電体を介して接合されており、
前記各端子は縦長形状であり、前記各端子の長手方向の対称中心線を長軸とすると、前記長軸が前記各基板の前記各端子の列方向の稜線に対して傾斜して配置されていることを特徴とする基板の実装構造。
【請求項２】
制御回路基板と半導体メモリ基板とが導電体を介して接合された実装構造体が筐体内に収納されたメモリーカードであって、
制御回路基板上に列状に配設した複数の第１の端子と、前記第１の端子に対向させて前記半導体メモリ基板に配設した複数の第２の端子とが、前記導電体を介して接合されており、
前記各端子は縦長形状であり、前記各端子の長手方向の対称中心線を長軸とすると、前記長軸が前記制御回路基板の前記各端子の列方向の稜線に対して傾斜して配置されていることを特徴とするメモリーカード。
【請求項３】
前記各端子の幅方向の長さと長手方向の長さとの比が１対ｎ（ｎ＞１）であり、前記傾斜の角度をθ（度）とし、角度θは反時計方向を正とし、θ＞９０のときはθ＝θ−９０とすると、
θ＝５２．５±（１０ｎ−２．５）の関係式を満足している請求項２に記載のメモリーカード。
【請求項４】
前記各端子の幅方向の長さと長手方向の長さとの比が１対ｎ（ｎ＞１）であり、前記傾斜の角度をθ（度）とし、角度θは反時計方向を正とし、θ＞９０のときはθ＝θ−９０とすると、
前記ｎが２以上であり、かつ角度θが３５度以上７０度以下である請求項２に記載のメモリーカード。
【請求項５】
前記ｎが２以上である請求項３又は４に記載のメモリーカード。
【請求項６】
前記ｎが２以上４以下である請求項３から５のいずれかに記載のメモリーカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板の実装構造に関し、特に導電体を介して基板同士を接合した実装構造体を筐体内に収納したメモリーカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今の電子機器の急速な小型化や薄型化に伴い、商品の筐体の肉厚や基板の板厚が薄くなる傾向が強くなってきている。このうち、基板については半導体メモリ回路基板、ヒューズ、コンデンサなどの電子部品をはんだ接合技術により、制御回路基板に実装する実装構造が一般的である。実装構造においては、基板の板厚のみに止まらず、実装構造全体として薄型化される傾向にある。実装構造を用いたものの一例として、メモリーカードが挙げられる。
【０００３】
メモリーカードは、軽量、薄型、小型であるという特徴があり、メモリ容量の増大に伴ってその用途も拡大している。例えば、携帯電話、携帯情報端末機器、ノートパソコンに代表されるモバイル機器や、電子スチルカメラやビデオカメラに代表される光学機器に広く利用されるようになっている。
【０００４】
このため、メモリーカードは着脱や持ち運びの頻度も多くなり、使用環境は従来よりも格段に厳しくなり、耐圧縮のみならず、耐引張り、耐曲げ、耐ねじり、耐衝撃性など数多くの項目に対して構造信頼性の確保が要求されるようになってきている。
【０００５】
メモリーカードは、半導体メモリ回路基板をはんだ接合技術により、制御回路基板に実装する実装構造が用いられている。この実装構造について、前記のような構造信頼性の観点から着目してみると、最も危険視される部分としては、はんだ接合面が挙げられる。
【０００６】
特に、ねじりを伴う大きな変形に対しては、はんだのみの接合では剥離防止は十分ではなかった。この対策として、例えばはんだ接合部以外に強度確保のみを目的としたダミーはんだを設け、電子部品と基板とを一体化させて、せん断歪をなくしてはんだ剥がれを防止する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
また、はんだ接合面のはんだ剥がれ防止の重要性は、メモリーカードに限らず、前記に例を挙げたような各種モバイル機器や光学機器における基板の実装構造においても同様である。
【特許文献１】特開平１１−２１４５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記のようなダミーはんだを設けるには、接合面に電気接続されているはんだ接合部とは別に、ダミーはんだを設けることができるスペースが必要であった。すなわち、ダミーはんだを設ける構成を採用するには、接合面にスペース上の余裕がある構成に限定されるという問題があった。
【０００９】
本発明は、前記のような従来の問題を解決するものであり、簡単な構造で捻り負荷に対する基板剛性を向上させた基板の実装構造及びメモリーカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明の基板の実装構造は、基板同士が導電体を介して接合された基板の実装構造であって、第１の基板上に列状に配設した複数の第１の端子と、前記第１の端子に対向させて第２の基板に配設した複数の第２の端子とが、前記導電体を介して接合されており、前記各端子は縦長形状であり、前記各端子の長手方向の対称中心線を長軸とすると、前記長軸が前記各基板の前記各端子の列方向の稜線に対して傾斜して配置されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明のメモリーカードは、制御回路基板と半導体メモリ基板とが導電体を介して接合された実装構造体が筐体内に収納されたメモリーカードであって、制御回路基板上に列状に配設した複数の第１の端子と、前記第１の端子に対向させて前記半導体メモリ基板に配設した複数の第２の端子とが、前記導電体を介して接合されており、前記各端子は縦長形状であり、前記各端子の長手方向の対称中心線を長軸とすると、前記長軸が前記制御回路基板の前記各端子の列方向の稜線に対して傾斜して配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の基板の実装構造及びメモリーカードよれば、簡単な構造で捻り負荷に対する基板剛性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明は、端子形状を縦長形状とし、各端子の長軸を制御回路基板の稜線に対して傾斜して配置することにより、簡単な構造で捻り負荷に対する基板剛性を向上させることができる。
【００１４】
前記本発明のメモリーカードにおいては、前記各端子の幅方向の長さと長手方向の長さとの比が１対ｎ（ｎ＞１）であり、前記傾斜の角度をθ（度）とし、角度θは反時計方向を正とし、θ＞９０のときはθ＝θ−９０とすると、θ＝５２．５±（１０ｎ−２．５）の関係式を満足していることが好ましい。この構成によれば、端子の面積を同じにした等価丸円に比べ、捻りの印加時の端子に加わる最大応力を小さくできる。
【００１５】
また、前記各端子の幅方向の長さと長手方向の長さとの比が１対ｎ（ｎ＞１）であり、前記傾斜の角度をθ（度）とし、角度θは反時計方向を正とし、θ＞９０のときはθ＝θ−９０とすると、前記ｎが２以上であり、かつ角度θが３５度以上７０度以下であることが好ましい。この構成においても、面積を同じにした等価丸円に比べ、捻りの印加時の端子に加わる最大応力を小さくできる。
【００１６】
また、前記ｎが２以上であることが好ましい。この構成によれば、端子に加わる最大応力の低下により効果的である。
【００１７】
また、前記ｎが２以上４以下であることが好ましい。この構成によれば、端子の成形性を良好にしつつ、基板剛性を向上させることができる。
【００１８】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係るメモリーカードの内部構造を示す断面図である。本図は、メモリーカードの筐体の図示は省略しており、筐体内部の基板の実装構造体１０のみを図示している。実装構造体１０は、半導体メモリ回路基板１４ａを、導電体１７を介して制御回路基板１１に実装した構造体である。
【００１９】
半導体メモリ回路基板１４ａは、フラシュメモリ等の半導体メモリ１５を基板１６に担持させたものである。制御回路基板１１は、マイクロプロセッサ等の制御用電子部品１２を基板１３に担持させたものである。導電体１７は、基板１３及び基板１６の各基板に対向配置した電源回路端子、Ｉ／Ｏ端子、駆動端子等の端子（図示せず）を短絡させるものである。また、本図の例では制御回路基板１１の横方向の長さは、半導体メモリ回路基板１４ａより長くしている。
【００２０】
以下、実装構造体１０についてより具体的に説明する。半導体メモリ回路基板１４ａと制御回路基板１１とは、導電体１７の接合力で積層されている。導電体１７の材料は、はんだ合金、Ａｇ等の導電性金属粉体を樹脂結着材に分散した導電性ペースト等が用いられる。このうち、はんだ合金は、密着性に優れしかも機械的強度が強い点で好ましい。
【００２１】
制御回路基板１１に半導体メモリ回路基板１４ａを積層し、なおかつ実装構造体１０の薄型化を図るには、制御回路基板１１と半導体メモリ回路基板１４ａとの基板間隔をでき得る限り小さくすることが有効である。この薄型化は、Ｃｕ球などの導電性球体をスペース材にして導電体１７を形成することによって容易に成し得ることができる。
【００２２】
なお、図１では１個の半導体メモリ１５を１個担持した半導体メモリ回路基板１４ａを１枚積層した構成にしているが、半導体メモリの数及び基板の積層枚数は、メモリ容量に応じて適宜決定すればよい。
【００２３】
図２（ａ）は、図１に示した実装構造体１０の平面図である。本図は図１の矢印Ａ方向から見た図であり、主要部のみの図示としている。以下の説明において、直交する２軸のうち、制御回路基板１１の短辺２５の方向の軸をＸ軸、長辺２４の方向の軸をＹ軸、制御回路基板１１の厚さ方向の軸をＺ軸とする。本図に示したように、半導体メモリ回路基板１４ａの表面には、制御回路基板１１の長辺２４に沿って端子２１の列が形成されている。この端子２１と対応する半導体メモリ回路基板１４ａの裏面、及び制御回路基板１１の表面にも、端子２１と同一形状の端子２１が形成されており、両基板の端子２１が対向していることになる。
【００２４】
これらの対向する両基板の端子２１は図１に示したように、導電体１７を介して接合されている。したがって、図１に示したような半導体メモリ回路基板１４ａが１層の構成では、図２（ａ）に示した半導体メモリ回路基板１４ａの表面の端子２１は接合用としては用いていないことになる。
【００２５】
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ部の拡大図を示しており、端子２１の１個分の拡大図を示している。端子２１は円形状ではなく、縦長形状とし、かつ傾斜させて配置している。端子２１は長手方向の長さがＬ１、幅方向の長さがＬ２であり、Ｌ１＞Ｌ２の関係になっている。端子２１の中心（重心）２２を通る長手方向の対称中心線を長軸２６、幅方向の対称中心線を短軸２７とすると、図２（ａ）の例では、端子２１は長軸２６が制御回路基板１１の２本の対角線２３のうち、最も近い対角線２３に略平行になるように配列されている。
【００２６】
詳細は後に説明するように、端子２１の形状を縦長形状とし、かつ傾斜させて配置したことにより、制御回路基板１１と半導体メモリ回路基板１４ａとを積層した実装構造体をＸ軸又はＹ軸を回転軸にして、ねじりモーメントを負荷したときの、耐ねじり強度を向上させるようにしている。
【００２７】
図３は、ＳＤ（Secure Digital）メモリーカードの規格で規定されている筐体の外形図を示している。筐体内には、例えば図１に示したような実装構造体１０が収納されていることになる。筐体３１には、誤消去防止用ロック３２を装着するための切り欠き部が形成されている。ＳＤメモリーカードの筐体の外形寸法は規格で規定されており、図３に示したように、長辺寸法が３２ｍｍ、短辺寸法が２４ｍｍ、厚みｔが２．１ｍｍである。この場合、体積は０．１６ｃｍ3である。ＳＤメモリーカードは、外形寸法に規格上の制限があるが、内部の部品や基板の形状はある程度設計の自由度がある。
【００２８】
図４は、図３に示したＳＤメモリーカードの一例の断面図である。図４に示した断面図は、図３のＡＡ′線における断面図に相当し、半導体メモリ回路基板が１４ａと１４ｂとの２層の例である。第１層部分の構成は、図１に示した断面構造と同様であるが、第１の半導体メモリ回路基板１４ａの上に、導電体１８を介して第２の半導体メモリ回路基板１４ｂが搭載されている。また、図１の構成では、半導体メモリ回路基板１４ａの片面のみに、半導体メモリ１５が搭載されているのに対して、図５の例では半導体メモリ回路基板１４ａ、１４ｂの両面に、半導体メモリ１５が搭載されている。
【００２９】
図５（ａ）は、図４に示したメモリーカードの筐体内部の平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示した端子５１の拡大図である。制御回路基板１１上には、第２層の半導体メモリ回路基板として２枚の半導体メモリ回路基板１４ｂが搭載されている。同様にして、第２層の裏面には第１層として、２枚の半導体メモリ回路基板１４ａ（図示せず）が搭載されている。
【００３０】
各半導体メモリ回路基板１４ａ、１４ｂには、各回路基板に搭載された２個の半導体メモリ１５の端子と短絡させる端子５１が半導体メモリ１５を挟むように左右に２分されて配置されている。
【００３１】
図５に示した構成においても、端子５１は縦長形状とし、長軸５５を制御回路基板１１の稜線５３に対して傾斜して配列することにより、実装構造体の剛性を向上させるようにしている。
【００３２】
このことについて、以下解析結果を参照しながら説明する。解析対象は、図４、５に示した構成と同様の構成のＳＤメモリーカード（試料１−３）と、後に図６を用いて説明するＳＤメモリーカード（試料４）とした。まず、試料について、具体的に説明する。試料１−３は、図４、５に示したように、筐体内部の半導体メモリ回路基板が２層構造のＳＤメモリーカードである。制御回路基板１１には板厚０．２ｍｍのガラスエポキシを、半導体メモリ回路基板１４ａ及び１４ｂには板厚０．１５ｍｍのガラスエポキシを用いた。
【００３３】
半導体メモリ１５としては、厚さ０．１２ｍｍ、メモリ容量２５６ＭＢのフラシュメモリ（９．８ｍｍ×１１．２８ｍｍ）を用い、各半導体メモリ回路基板１４ａ及び１４ｂの両面にそれぞれ２個ずつ合計８個を具備させ、１ＧＢのメモリ容量にした。
【００３４】
制御回路基板１１と半導体メモリ回路基板１４ａとにそれぞれ対向配置した端子間、及び半導体メモリ回路基板１４ａと１４ｂとにそれぞれ対向配置した端子間を、Ｓｎ3Ａｇ3Ｉｎ0.5Ｂｉ（組成：３ｗｔ％Ａｇ、３ｗｔ％Ｉｎ、０．５ｗｔ％Ｂｉ、残りＳｎ）のはんだ合金で接合して、制御回路基板１１と半導体メモリ回路基板１４ａと１４ｂとを積層した。
【００３５】
端子５１は、各半導体メモリ回路基板の左右にそれぞれ１１個、直線状上に配列した。各端子５１は、幅方向の長さは０．４ｍｍ、長手方向の長さは１．１５ｍｍ（直線部の長さは０．７５ｍｍ）、配列ピッチ（端子の中心間距離）は１．１５ｍｍとした。また、制御回路基板１１、半導体メモリ回路基板１４ａ、１４ｂにおける端子形状は統一し、それぞれ同じ形状にした。
【００３６】
実装構造体４１は、ポリカーボネート製の筐体３１に収納させた。筐体３１は、上部中央部の最も薄い肉厚を０．１５ｍｍとし、下部の肉厚は０．２３ｍｍとした。
【００３７】
試料１−３の基本構成は前記の通りであるが、各試料間において、端子５１の縦横比を変化させている。縦横比は、横寸法（幅方向）の寸法と縦寸法（長手方向の寸法）との比であり、図５（ｂ）に示したように、横寸法を１としたときに、縦寸法をｎ（ｎ＞１）とする。縦横比が１対２のものを試料１、縦横比が１対２．５のものを試料２、縦横比が１対３のものを試料３とした。なお、縦横比は異なっていても、各端子の面積は同じである。
【００３８】
図６は、試料４に係るメモリーカードの筐体内部の平面図である。試料４は、端子形状を除き、図４、５に示した試料１−３と同様の構成である。試料１−３では図５に示したように、端子形状が縦長であるのに対して、試料４では、丸型である。すなわち、試料４は従来から一般的に使用されているＢＧＡはんだ接合技術で設計されたＳＤメモリーカードである。
【００３９】
図６おいて、丸型の端子６１は、制御回路基板１１の稜線５３に沿って、直線状に配設している。端子６１の配設個数、配列ピッチともに、試料１−３と同じである。また、丸型の端子６１の面積は、試料１−３の縦長の端子５１の面積と同一面積になるように、直径を０．５８ｍｍとしている。
【００４０】
以上のような試料１−４について、接合部であるはんだ合金に印加される最大応力を解析した。試料１−３については、端子５１の角度θを変化させて解析した。解析には、有限要素法を使用し、各メモリーカードに対し捻りを負荷した。
【００４１】
端子５１の角度θは、図５（ｂ）に示したように、長軸５５と制御回路基板１１の端子５１の列方向の稜線５３とのなす角度である。長軸５５は、端子５１の中心（重心）５４を通る長手方向の対称中心線である。長軸５５が稜線５３と平行の状態のとき角度θは０度であり、反時計方向を正方向とした。
【００４２】
解析条件としては、図３に示した筐体において、Ｙ軸方向の端面のうち、一方の端面３３を含む端部を固定端３３ａとし、他方の端面３４を含む端部を解析負荷端３４ａとした。ねじりの解析は、固定端３３ａを固定し、解析負荷端３４ａにＹ軸を回転軸とし、５００Ｎ・ｍｍのねじり応力を負荷した。
【００４３】
以下の表１に解析結果を示す。図７は、表１の結果に基づいて、角度とはんだ応力との関係を示したものである。
【００４４】
【表１】
2006287058.tif 000003
【００４５】
図７において、線４０−４２は試料１−３の解析結果を表しており、線４３は試料４の解析結果を表している。線４０−４２は、下に凸になっており、試料１−３のように端子形状を縦長形状にしたものは、試料４のような等価丸面のものよりも、最大応力を小さくできる角度の範囲があることが分かる。すなわち、縦横比がいずれの場合であっても、最大応力を最小にする最適角度があり、この角度から離れるにつれて、最大応力は大きくなっている。
【００４６】
したがって、縦長形状にした場合は、角度を所定の範囲内に設定すれば、等価丸面よりも、最大応力を小さくでき、剛性を向上できることになる。すなわち、はんだ応力が小さくなれば、端子にかかる応力も低下し、剥離を防止できることになる。
【００４７】
この解析においては、試料４の最大応力値が４３５ＭＰａであるのに対して、試料１−３の最大応力値は、それぞれ角度５５度において最小値を示し、試料１−３は、試料４に比べ最大応力値を２０−３０％程度低減している。
【００４８】
次に、前記の所定の範囲内の角度について解析してみると、角度θ（度）が下記の式（１）を満足すれば、最大応力は等価丸面の値を１５％程度以上下回ることになる。ただし、θ＞９０のときはθ＝θ−９０とする。
【００４９】
式（１）θ＝５２．５±（１０ｎ−２．５）
また、図７のグラフから分かるように、ｎが大きくなるにつれて最大応力も小さくなっており、ｎは２以上が好ましいといえる。さらに、破線４４は、最大応力値が等価丸円の値（４３５ＭＰａ）に比べ１５％減少させた値（３７０ＭＰａ）の位置を表している。ｎが２以上であり、角度θ（度）が３５度から７０度の範囲内であれば、最大応力は等価丸面の値を１５％以上下回ることになる。
【００５０】
ここで、一般に基板は樹脂の中に強化繊維が入ったＧＦＲＰ（ガラス繊維強化樹脂）等で形成されている。この場合、図８（ａ）に示した基板１００のように、繊維は直交配列されているのが通例である。一方、図８（ｂ）に示した基板１０１のように、繊維の方向をねじりの軸（Ｙ軸又はＸ軸）に対して傾けることにより、すなわち外力を加えたときに、変形が大きくなる方向に繊維方向を近づけることにより、基板単体でねじれに強い構造にすることできることが知られている。このことは、複合材料力学における強化繊維の配向理論により裏付けされている。
【００５１】
しかしながら、基板は１枚の長方形状の板をカットして複数毎の基板を取り出すことになる。この場合、図８（ａ）のような基板１００の場合には、長方形状の板を各辺に沿った方向にカットすればよいが、図８（ｂ）のような基板１０１の場合には、長方形状の板の各辺に対して斜めの方向にカットしなければならない。このため、基板１０１は基板１００に比べ、切り出し枚数が少なくなり、コスト面で不利になる。
【００５２】
一方、前記の解析結果は、端子形状を縦長にし、かつ傾斜させて配置した構成がねじれに強い構造であることを裏付けており、強化繊維の配向理論は、端子部分においても成立すると考えることができる。このため、本実施の形態は、コストの高い強化基板を用いることなく、基板自体は通常の基板を用いながらも、ねじれに強い構造にすることができる。
【００５３】
また、前記の強化繊維の配向理論に基づいて考えてみると、前記の解析は、ねじりの中心軸がＹ軸の例であるが、ねじりの中心軸をＸ軸とした場合であっても、ねじれに強い構造であることには変りないといえる。さらに、基板の層数を変えた場合、外形寸法をＳＤメモリーカードとは異なる外形寸法とした場合であっても、同様であるといえる。すなわち、本実施の形態は、基板同士が導電体を介して接合された基板の実装構造全般に応用しても、ねじりに強い構造にすることができるといえる。
【００５４】
すなわち、前記実施の形態は、メモリーカードの実装構造の例で説明したが、これに限るものではなく、各基板に形成した端子同士を導電体を介して接合した基板の実装構造であればよい。例えば、前記実施の形態では、実装基板として半導体メモリ回路基板の例で説明したが、半導体メモリパッケージ、ＣＳＰ、ヒューズ、コンデンサ等の電子部品であってもよい。
【００５５】
なお、前記のように、最大応力を小さくするには、ｎは大きい程好ましいが、ｎが大きくなるにつれて成形性は困難になる。例えば、現状使用されている１ＧＢのＳＤメモリーカードにおける円形の端子（はんだ直径０．４ｍｍ）をモデルとして、図５（ｂ）に示した長円端子において、ｎ＝４とすると、両サイドの半円の直径は０．２ｍｍより小さくなる。成形および実装信頼性を考慮すると、ＳＤメモリーカードにおいては、この寸法が上限であると考えられ、長円形状はｎが４以下の範囲内において決定するのが好ましいといえる。ただし、端子形状大きくできる場合は、ｎが４以上でもよい。
【００５６】
また、制御回路基板１１上の端子の数が多くなるほど、端子１個当りの応力は低下するので、本発明は特に端子数の多い大容量の半導体メモリを用いる場合に好適である。
【００５７】
また、端子形状は、縦長形状であればよく、長方形、楕円形又は図２、５に示したような両端部が円形の長方形でもよい。ただし、破壊の起点をなくし端子部の剥離をより確実にするためには、端部形状については、コーナ部やエッジ部をできるだけ含まない円形形状が望ましい。
【００５８】
また、端子の形状は、制御回路基板の形状、端子数、実装構造に加わる捻り、曲げ応力、導電体の物性などによって、適宜最適化して決定すればよい。
【００５９】
また、端子部の剥離をより確実にするためには、対向設置した端子同士は、同一形状にするのが好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、ねじりが加わった際のはんだ剥離を防止することができ、強固かつ生産性にも優れた基板の実装構造及びメモリーカードの実現に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の一実施の形態１に係るメモリーカードの内部構造を示す断面面図。
【図２】（ａ）は図１に示した制御回路基板１１の平面図、（ｂ）は（ａ）図に示した端子２１の１個分の拡大図。
【図３】ＳＤメモリーカードの規格で規定されている筐体の外形図。
【図４】端子形状の縦横比を変化させた場合において、端子の角度とはんだ部の応力との関係を示す図。
【図５】本発明の別の実施の形態に係るメモリーカードの内部構造を示す断面面図。
【図６】図５に示したメモリーカードの筐体内部の平面図。
【図７】比較例に係るメモリーカードの筐体内部の平面図。
【図８】（ａ）は、従来の通常の基板における繊維配列を示す平面図、（ｂ）は従来の強化基板における繊維配列を示す平面図。
【符号の説明】
【００６２】
１０  実装構造体
１１  制御回路基板
１４ａ，１４ｂ  半導体メモリ回路基板
１７  導電体
２１，５１  端子
２６，５５  長軸
５３  制御回路基板の稜線
【図１】
2006287058.tif 000004
【図２】
2006287058.tif 000005
【図３】
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【図４】
2006287058.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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