(57)【要約】【課題】  パーティクルの発生を抑制できる塗布装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る塗布装置は、シリコンウエハ１１上にＳＯＧの成膜材料を吐出する吐出部８と、前記吐出部に前記成膜材料を供給する材料供給ライン７と、前記材料供給ラインに繋げられた三方弁１７と、前記三方弁に繋げられ、前記成膜材料が収容され、前記材料供給ライン７に前記成膜材料を供給する容器２と、前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の成膜材料を加圧するガス供給ライン５と、前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ライン１６と、前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブ４とを具備することを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板上に液体材料を吐出する吐出部と、
前記吐出部に前記液体材料を供給する材料供給ラインと、
前記材料供給ラインに繋げられた三方弁と、
前記三方弁に繋げられ、前記液体材料が収容され、前記材料供給ラインに前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の液体材料を加圧するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブと、
を具備することを特徴とする塗布装置。
【請求項２】
前記三方弁に繋げられ、前記材料供給ラインに溶剤を供給する溶剤ラインをさらに具備する請求項１に記載の塗布装置。
【請求項３】
前記加圧ラインと前記ガス供給ラインとを接続する第１継手と、前記材料供給ラインと前記三方弁とを接続する第２継手とをさらに具備する請求項１又は２に記載の塗布装置。
【請求項４】
前記液体材料はＳＯＧの成膜材料であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の塗布装置。
【請求項５】
塗布装置において液体材料が収容された容器を交換する方法であって、
前記塗布装置は、被処理基板上に液体材料を吐出する吐出部と、
前記吐出部に液体材料を供給する材料供給ラインと、
前記材料供給ラインに繋げられた三方弁と、
前記三方弁に繋げられた溶剤ラインと、
前記三方弁に繋げられ、前記材料供給ラインに前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の液体材料を加圧するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられたバルブと、を備えており、
前記バルブを閉じることにより前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させ、前記溶剤ラインから前記三方弁を介して前記材料供給ラインに溶剤を供給して該材料供給ラインを洗浄する工程と、
前記ガス供給ラインを前記加圧ラインから分離し、前記三方弁を前記材料供給ラインから分離することにより、前記容器を前記塗布装置から取り外す工程と、
三方弁に繋げられ、バルブを有するガス供給ラインに繋げられ、液体材料が収容された容器を用意し、前記ガス供給ラインを前記加圧ラインに接続し、前記三方弁を前記材料供給ラインに接続することにより、前記容器を前記塗布装置に取り付ける工程と、
を具備することを特徴とする塗布装置の容器交換方法。
【請求項６】
吐出部に液体材料を供給する材料供給ラインと、
前記材料供給ラインに繋げられた三方弁と、
前記三方弁に繋げられ、前記液体材料が収容され、前記材料供給ラインに前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられたガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに繋げられた加圧ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブと、を備えた塗布装置を準備する工程と、
前記バルブを開放した状態で、前記加圧ライン及び前記ガス供給ラインを通して前記容器内に加圧ガスを供給し、前記加圧ガスによって前記容器内の液体材料を加圧することにより、前記容器内の液体材料を前記三方弁を通して前記材料供給ラインに押し出し、押し出された液体材料を前記吐出部に供給し、前記吐出部から液体材料を被処理基板上に吐出することにより、該被処理基板上に液体材料を塗布する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記塗布装置は、前記三方弁に繋げられ、前記材料供給ラインに溶剤を供給する溶剤ラインをさらに具備することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記準備する工程と前記塗布する工程との間に、液体材料が収容された容器を交換する容器交換工程をさらに具備し、
前記容器交換工程は、前記バルブを閉じることにより前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させ、前記溶剤ラインから前記材料供給ラインに溶剤を供給して該材料供給ラインを洗浄する工程と、
前記ガス供給ラインを前記加圧ラインから分離し、前記三方弁を前記材料供給ラインから分離することにより、前記容器を前記塗布装置から取り外す工程と、
三方弁に繋げられ、バルブを有するガス供給ラインに繋げられ、液体材料が収容された容器を用意し、前記ガス供給ラインを前記加圧ラインに接続し、前記三方弁を前記材料供給ラインに接続することにより、前記容器を前記塗布装置に取り付ける工程と、を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
液体材料が収容され、塗布装置において液体材料を交換するための交換用容器であって、
三方弁と、
前記三方弁に繋げられ、前記液体材料が収容され、前記塗布装置に前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の液体材料を加圧するガス供給ラインと、
を具備することを特徴とする交換用容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体材料を被処理基板に塗布する塗布装置、塗布装置の容器交換方法、半導体装置の製造方法及び交換用容器に係わり、特に、パーティクルの発生を抑制できる塗布装置、塗布装置の容器交換方法、半導体装置の製造方法及び交換用容器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図３は、従来の塗布装置を模式的に示す構成図である。この塗布装置は、シリコンウエハにＳＯＧ(Spin on glass)の成膜材料を塗布する装置である。この装置は容器１０２を備えており、この容器１０２は装着ユニット１０３に装着されている。前記容器１０２内にはＳｉ化合物を有する混合液であるＳＯＧの成膜材料１０１が収容されている。前記装着ユニット１０３は前記容器１０２の上部の口に装着されるようになっている。容器１０２が装着ユニット１０３に装着されると、容器１０２内はパッキン１０４でシールされ、容器内には成膜材料の他に不活性ガスが充填されるようになっている。
【０００３】
装着ユニット１０３にはガス供給ライン１０５が設けられており、このガス供給ライン１０５は容器外部から容器上部に加圧した不活性ガスを導入するものである。また、装着ユニット１０３にはノズル１０６が設けられており、このノズル１０６は容器内の成膜材料１０１を材料供給ライン１０７に流すものである。材料供給ライン１０７の一端はノズル１０６に繋げられており、材料供給ライン１０７の他端は成膜ユニット１１０の液体吐出部１０８に接続されている。
【０００４】
つまり、塗布装置は、ガス供給ライン１０５によって容器内に加圧した不活性ガスが導入され、この不活性ガスによって成膜材料１０１が加圧され、それによって成膜材料１０１がノズル１０６を通じて材料供給ライン１０７に押し流されるようになっている。
【０００５】
成膜ユニット１１０は、液体吐出部１０８、カップ１０９、スピンチャック１１２、回転軸１１２ａ及びモーター１１３を有している。スピンチャック１１２はシリコンウエハ１１１を吸着するものである。スピンチャック１１２は、回転軸１１２ａを介してモーター１１３に繋がっており、モーター１１３を動力源として回転するようになっている。液体吐出部１０８の下面には液体吐出ノズル１０８ａが設けられており、液体吐出ノズル１０８ａは材料供給ライン１０７によって供給された成膜材料１０１をシリコンウエハ１１１の中央部上に吐出するものである。カップ１０９は、回転しているシリコンウエハ１１１上に成膜材料１０１を吐出し、シリコンウエハの回転によって周囲に飛散した成膜材料を受け止めるものである。
【０００６】
図４は、図３に示す容器を交換する手順を左から順に説明する模式図である。
塗布装置によってシリコンウエハ１１１上に成膜材料１０１を塗布する処理を行うことにより、容器１０２内の成膜材料１０１が少なくなるか（ＳＴ１）、又は無くなった後に、ガス供給ライン１０５からの不活性ガスの供給を停止する。次に、装着ユニット１０３から前記容器１０２を取り外す（ＳＴ２）。
【０００７】
次に、成膜材料１０１が収容された新容器１０２ａを用意する（ＳＴ３）。この新容器１０２ａは密封されており、新容器１０２ａ内には成膜材料の他に不活性ガスが充填されている。次いで、新容器１０２ａの封をきり（ＳＴ４）、この新容器１０２ａを装着ユニット１０３に装着する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した従来の塗布装置では、容器１０２を交換する際に、装着ユニット１０３から容器１０２を取り外した直後から新容器１０２ａを装着ユニット１０３に装着するまでの間（ＳＴ２〜ＳＴ５）に、装着ユニットのノズル１０６に付着した多少の成膜材料が大気中の酸素に触れてしまう。このため、ノズル１０６に付着した成膜材料中のＳｉ化合物が酸化されて結晶化されることがある。
【０００９】
また、装着ユニット１０３に装着する直前に新容器１０２ａの封をきり（ＳＴ４）、装着ユニットに新容器を装着しているが、新容器の封をきった直後から酸素が新容器内の成膜材料に触れてしまう。このため、新容器内の成膜材料中のＳｉ化合物が酸化されて結晶化されることがある。このようにノズル１０２に付着した成膜材料や新容器内の成膜材料が結晶化されると、その結晶がパーティクルとなって材料供給ライン１０７に流されてしまい、その結果、シリコンウエハ１１１上に塗布される成膜材料中にパーティクルが入るという問題が生じることがある。
【００１０】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、パーティクルの発生を抑制できる塗布装置、塗布装置の容器交換方法、半導体装置の製造方法及び交換用容器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る塗布装置は、被処理基板上に液体材料を吐出する吐出部と、
前記吐出部に前記液体材料を供給する材料供給ラインと、
前記材料供給ラインに繋げられた三方弁と、
前記三方弁に繋げられ、前記液体材料が収容され、前記材料供給ラインに前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の液体材料を加圧するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブと、
を具備することを特徴とする。
【００１２】
上記塗布装置によれば、液体材料が収容された容器を交換する際に、バルブ及び三方弁を閉じることによって容器内が大気中の酸素に触れることを抑制することができ、その状態で、ガス供給ラインを加圧ラインから分離し、三方弁を材料供給ラインから分離することにより、前記容器を塗布装置から取り外すことができる。したがって、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００１３】
また、本発明に係る塗布装置において、前記三方弁に繋げられ、前記材料供給ラインに溶剤を供給する溶剤ラインをさらに具備することも可能である。これにより、溶剤ラインから三方弁を介して材料供給ラインに溶剤を供給して該材料供給ラインを洗浄することがえきる。
【００１４】
また、本発明に係る塗布装置において、前記加圧ラインと前記ガス供給ラインとを接続する第１継手と、前記材料供給ラインと前記三方弁とを接続する第２継手とをさらに具備することも可能である。これにより、液体材料が収容された容器を交換する際には、第１継手の部分でガス供給ラインを加圧ラインから分離でき、第２継手の部分で三方弁を材料供給ラインから分離できる。
【００１５】
また、本発明に係る塗布装置において、前記液体材料はＳＯＧの成膜材料であることが好ましい。これにより、ＳＯＧの成膜材料が収容された容器を交換する際に、ＳＯＧの成膜材料が大気中の酸素に触れて酸化することを抑制できる。
【００１６】
本発明に係る塗布装置の容器交換方法は、塗布装置において液体材料が収容された容器を交換する方法であって、
前記塗布装置は、被処理基板上に液体材料を吐出する吐出部と、
前記吐出部に液体材料を供給する材料供給ラインと、
前記材料供給ラインに繋げられた三方弁と、
前記三方弁に繋げられた溶剤ラインと、
前記三方弁に繋げられ、前記材料供給ラインに前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の液体材料を加圧するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに繋げられ、前記加圧ガスを前記ガス供給ラインに供給する加圧ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられたバルブと、を備えており、
前記バルブを閉じることにより前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させ、前記溶剤ラインから前記三方弁を介して前記材料供給ラインに溶剤を供給して該材料供給ラインを洗浄する工程と、
前記ガス供給ラインを前記加圧ラインから分離し、前記三方弁を前記材料供給ラインから分離することにより、前記容器を前記塗布装置から取り外す工程と、
三方弁に繋げられ、バルブを有するガス供給ラインに繋げられ、液体材料が収容された容器を用意し、前記ガス供給ラインを前記加圧ラインに接続し、前記三方弁を前記材料供給ラインに接続することにより、前記容器を前記塗布装置に取り付ける工程と、
を具備することを特徴とする。
【００１７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、吐出部に液体材料を供給する材料供給ラインと、
前記材料供給ラインに繋げられた三方弁と、
前記三方弁に繋げられ、前記液体材料が収容され、前記材料供給ラインに前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられたガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに繋げられた加圧ラインと、
前記ガス供給ラインに設けられ、前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させるバルブと、を備えた塗布装置を準備する工程と、
前記バルブを開放した状態で、前記加圧ライン及び前記ガス供給ラインを通して前記容器内に加圧ガスを供給し、前記加圧ガスによって前記容器内の液体材料を加圧することにより、前記容器内の液体材料を前記三方弁を通して前記材料供給ラインに押し出し、押し出された液体材料を前記吐出部に供給し、前記吐出部から液体材料を被処理基板上に吐出することにより、該被処理基板上に液体材料を塗布する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記塗布装置は、前記三方弁に繋げられ、前記材料供給ラインに溶剤を供給する溶剤ラインをさらに具備することも可能である。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法において、前記準備する工程と前記塗布する工程との間に、液体材料が収容された容器を交換する容器交換工程をさらに具備し、
前記容器交換工程は、前記バルブを閉じることにより前記ガス供給ラインのガスの流れを停止させ、前記溶剤ラインから前記材料供給ラインに溶剤を供給して該材料供給ラインを洗浄する工程と、
前記ガス供給ラインを前記加圧ラインから分離し、前記三方弁を前記材料供給ラインから分離することにより、前記容器を前記塗布装置から取り外す工程と、
三方弁に繋げられ、バルブを有するガス供給ラインに繋げられ、液体材料が収容された容器を用意し、前記ガス供給ラインを前記加圧ラインに接続し、前記三方弁を前記材料供給ラインに接続することにより、前記容器を前記塗布装置に取り付ける工程と、を有することも可能である。
【００１９】
本発明に係る交換用容器は、液体材料が収容され、塗布装置において液体材料を交換するための交換用容器であって、
三方弁と、
前記三方弁に繋げられ、前記液体材料が収容され、前記塗布装置に前記液体材料を供給する容器と、
前記容器に繋げられ、前記容器内に加圧ガスが供給され、前記加圧ガスが前記容器内の液体材料を加圧するガス供給ラインと、
を具備することを特徴とする。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態による塗布装置を模式的に示す構成図である。この塗布装置は、被処理基板（例えばシリコンウエハ）に液体材料（例えばＳＯＧの成膜材料）を塗布する装置である。この塗布装置は成膜ユニット１０及びその成膜ユニット１０に液体材料を供給する供給ユニット２０を備えている。
【００２１】
供給ユニット２０は容器２を有しており、容器２内にはＳｉ化合物を有する混合液であるＳＯＧの成膜材料１が収容されている。容器２の上部の口はガス供給ライン５に接続されており、このガス供給ライン５は加圧された不活性ガス又は窒素を容器２内に導入するものである。ガス供給ライン５の一端は容器２の上部の口に繋がっており、ガス供給ライン５と容器内は装着部３によって密封されている。ガス供給ライン５の他端は継手１４を介して加圧ライン１６に接続されている。加圧ライン１６は加圧された不活性ガス又は窒素をガス供給ライン５に導入するものである。また、ガス供給ライン５にはバルブ４が設けられており、このバルブ４によってガス供給ライン５を閉じることができるようになっている。
【００２２】
容器２内には成膜材料１の他に不活性ガスが充填され、不活性ガスで成膜材料１を加圧するようになっている。この理由は、成膜材料中のＳｉ化合物が酸化されて結晶化されるのを防止するためである。Ｓｉ化合物が結晶化されると、それがパーティクルとなって材料供給ライン（塗布ライン）７に流されてしまうからである。
【００２３】
容器２の下部には配管６の一端が繋げられており、この配管６の他端は三方弁１７に接続されている。三方弁１７は配管１８の一端に接続されており、配管１８の他端は継手１５を介して材料供給ライン７の一端に接続されている。また、三方弁１７は溶剤ライン１９に接続されている。三方弁１７は、材料供給ライン７に成膜材料を流すか、溶剤を流すかを切り替えるものである。成膜材料を流す場合は、配管６と配管１８が繋がるように弁が操作される。また、溶剤を流す場合は、溶剤ライン１９と配管１８が繋がるように弁が操作される。
【００２４】
成膜ユニット１０は、液体吐出部８、カップ９、スピンチャック１２、回転軸１２ａ及びモーター１３を有している。スピンチャック１２はシリコンウエハ１１を吸着するものである。スピンチャック１２は、回転軸１２ａを介してモーター１３に繋がっており、モーター１３を動力源として回転するようになっている。液体吐出部８の下面には液体吐出ノズル８ａが設けられており、液体吐出ノズル８ａは材料供給ライン７によって供給された成膜材料１をシリコンウエハ１１の中央部上に吐出するものである。カップ９は、回転しているシリコンウエハ１１上に成膜材料１を吐出し、シリコンウエハの回転によって周囲に飛散した成膜材料を受け止めるものである。
【００２５】
次に、上記塗布装置を用いて被処理基板であるシリコンウエハ上にＳＯＧ法で成膜材料を塗布する方法について説明する。
まず、スピンチャック１２にシリコンウエハ１１を吸着させて保持させる。次いで、モーター１３によって回転軸１２ａを回転させることにより、スピンチャック１２とともにシリコンウエハ１１を回転させる。
【００２６】
次いで、ガス供給ライン５によって容器２内に加圧した不活性ガスを導し、この不活性ガスによって成膜材料を加圧する。それによって成膜材料１を配管６、三方弁１７、配管１８を通って材料供給ライン７に押し流す。押し流された成膜材料１が液体吐出部８に供給され、液体吐出ノズル８ａから成膜材料を吐出する。これにより、回転しているシリコンウエハ１１の中央部上に成膜材料が吐出され、この成膜材料はシリコンウエハの回転によって広げられ、シリコンウエハ全面上に成膜材料が塗布される。
【００２７】
次いで、モーター１３を停止してシリコンウエハ１１の回転を停止させ、シリコンウエハ１１をスピンチャック１２から取り外す。この後、ＳＯＧの成膜材料が塗布されたシリコンウエハ１１を、例えば４００℃で熱処理する。これにより、シリコンウエハ１１にはＳＯＧ膜が形成される。ＳＯＧ膜は、例えば層間絶縁膜として使用される。尚、ＳＯＧ膜は平坦性を高めるための膜である。したがって、下地が凹凸を有するシリコンウエハ上にＳＯＧの成膜材料を塗布すると塗布された成膜材料は平坦化された状態となり、この状態で熱処理を施すことによりＳＯＧ膜の表面は平坦性の良いものとなる。
【００２８】
図２は、図１に示す供給ユニットを交換する手順を左から順に説明する模式図である。
塗布装置によってシリコンウエハ１１上に成膜材料１を塗布する処理を行うことにより、容器６内の成膜材料１が少なくなるか（ＳＴ１１）、又は無くなった時点で、バルブ４を閉じる。これにより、加圧ライン１６及びガス供給ライン５からの不活性ガスの供給が停止される。
【００２９】
次いで、三方弁１７を切り換えることにより、配管６から配管１８への成膜材料１の流れを、溶剤ライン１９から配管１８への溶剤の流れに切り換える。これにより、配管１８及び材料供給ライン７に溶剤が流され、この溶剤によって材料供給ライン７に付着している成膜材料が洗い流され、材料供給ライン７が溶剤置換される（ＳＴ１２）。
【００３０】
次に、加圧ライン１６の継手１４からガス供給ライン５を取り外し、材料供給ライン７の継手１５から配管１８を取り外す。このようにして供給ユニット２０を取り外す。そして、材料供給ライン７の先端を溶剤２１に浸す（ＳＴ３）。これにより、材料供給ライン７に酸素が付着するのを抑制することができる。
【００３１】
次いで、容器２内に成膜材料１が十分に収容され、成膜材料以外には不活性ガスが充填された新たな供給ユニット２０ａを用意する。次いで、この供給ユニット２０のガス供給ライン５を加圧ライン１６の継手１４に取り付け、供給ユニット２０の配管１８を材料供給ライン７の継手１５に取り付ける。即ち、ガス供給ライン５を継手１４を介して加圧ラインに接続し、配管１８を継手１５を介して材料供給ライン７に接続する。このようにして新たな供給ユニット２０が塗布装置に取り付けられる（ＳＴ１４）。
【００３２】
この後、三方弁１７を切り換えることにより、溶剤ライン１９から配管１８への溶剤の流れを、配管６から配管１８への成膜材料１の流れに切り換える。次いで、バルブ４を開放することにより、加圧ライン１６及びガス供給ライン５を通して容器２内に加圧された不活性ガスを導入し、この不活性ガスによって成膜材料を加圧する。それによって成膜材料１を配管６、三方弁１７、配管１８を通って材料供給ライン７に押し流す。押し流された成膜材料１が液体吐出部８に供給される（ＳＴ１５）。
供給ユニットを交換した後は、前述したＳＯＧの成膜材料をシリコンウエハ上に塗布する方法と同様の方法によって成膜材料の塗布処理が行われる。
【００３３】
上記実施の形態によれば、供給ユニット２０を交換する際に、バルブ４を閉じ、三方弁１７によって配管６を閉じているため、容器２内の成膜材料１が大気中の酸素に触れることを抑制できる。これにより、成膜材料が結晶化されてその結晶がパーティクルとなって材料供給ライン７に流されてしまうことを抑制でき、その結果、シリコンウエハ１１上に塗布される成膜材料中にパーティクルが入ることを抑制できる。
【００３４】
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態による塗布装置を模式的に示す構成図。
【図２】図１に示す供給ユニットを交換する手順を左から順に説明する模式図。
【図３】従来の塗布装置を模式的に示す構成図。
【図４】図３に示す容器を交換する手順を左から順に説明する模式図。
【符号の説明】
【００３６】
１，１０１…成膜材料、２，１０２，１０２ａ…容器、３…装着部、４…バルブ、５，１０５…ガス供給ライン、６…配管、７，１０７…材料供給ライン、８，１０８…液体吐出部、８ａ，１０８ａ…液体吐出ノズル、９，１０９…カップ、１０，１１０…成膜ユニット、１１，１１１…シリコンウエハ、１２，１１２…スピンチャック、１２ａ，１１２ａ…回転軸、１３，１１３…モーター、１４，１５…継手、１６…加圧ライン、１７…三方弁、１８…配管、１９…溶剤ライン、２０，２０ａ…供給ユニット、２１…溶剤、１０３…装着ユニット、１０４…パッキン、１０６…ノズル
【図１】
2006228880.tif 000003
【図２】
2006228880.tif 000004
【図３】
2006228880.tif 000005
【図４】
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