(57)【要約】【課題】塑性温度が低いプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物を提供することを目的とする。  【解決手段】プラズマディスプレイパネル１００の誘電体層１０４，１１５を形成する為の誘電体組成物であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、またはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤（ｎｅｔｗｏｒｋ−ｍｏｄｉｆｉｅｒ）と、ＰｂＯと、Ｂ２Ｏ３と、ＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３とを含み、前記修飾剤は０．０００１重量％以上５重量％以下の割合で含まれることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物であって、
ＢａＯ、ＭｇＯ、またはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤（ｎｅｔｗｏｒｋ−ｍｏｄｉｆｉｅｒ）、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含み、
前記修飾剤は０．０００１重量％以上５重量％以下の割合で含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項２】
前記ＰｂＯは、６０重量％以上７５重量％以下の割合で含まれることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項３】
前記Ｂ２Ｏ３は、３重量％以上２０重量％以下の割合で含まれることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項４】
前記ＳｉＯ２は、５重量％以上３０重量％以下の割合で含まれることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項５】
前記Ａｌ２Ｏ３は、０．０００１重量％以上６重量％の割合で含まれることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項６】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層のガラス転移温度は、４２５℃以上４５５℃以下であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項７】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の熱膨脹系数値は、７０×１０−７／℃以上８８×１０−７／℃以下であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイ用誘電体組成物。
【請求項８】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度は、５００℃以上５２０℃以下であることを特徴とする、請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項９】
６０重量％以上７５重量％以下で含まれるＰｂＯと、
３重量％以上２０重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、
５重量％以上３０重量％以下で含まれるＳｉＯ２と、
０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれるＡｌ２Ｏ３と、
０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、
を含むプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１０】
前記修飾剤は、０．５重量％以上３．５重量％以下で含まれることを特徴とする、請求項９記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１１】
６３．７重量％以上６８．５重量％以下で含まれるＰｂＯと、
３．５重量％以上１９重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、
５．８重量％以上２９重量％以下で含まれるＳｉＯ２と、
０．０００１重量％以上５．５重量％以下で含まれるＡｌ２Ｏ３と、
０．５重量％以上３．５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、
を含むプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１２】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層のガラス転移温度は、４２５℃以上４５５℃以下であることを特徴とする、請求項１１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１３】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の熱膨脹系数値は、７０×１０−７／℃以上８８×１０−７／℃以下であるのを特徴とする、請求項１１記載のプラズマディスプレイ用誘電体組成物。
【請求項１４】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度は、５００℃以上５２０℃以下であるのを特徴とする、請求項１１記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１５】
ＰｂＯ-Ｂ２Ｏ３-ＳｉＯ２系ガラスパウダーと、
０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれる中間酸化物と、
０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、
を含むプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１６】
前記ガラスパウダーは、６０重量％以上７５重量％以下で含まれるＰｂＯと、３重量％以上２０重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、５重量％以上３０重量％以下であるＳｉＯ２と、を含むことを特徴とする、請求項１５記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１７】
前記中間酸化物は、Ａｌ２Ｏ３を含むことを特徴とする、請求項１５記載のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物。
【請求項１８】
基板と、
前記基板上に形成された電極と、
前記電極上に形成された誘電体層と、を含み、
前記誘電体層は、ＢａＯ、ＭｇＯまたはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含む誘電体組成物によって形成されており、
前記修飾剤は、前記誘電体組成物の全体重量に対して０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項１９】
前記ＰｂＯは、前記誘電体組成物の全体重量に対して６０重量％以上７５重量％以下で含まれることを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２０】
前記Ｂ２Ｏ３は、前記誘電体組成物の全体重量に対して３重量％以上２０重量％以下で含まれることを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２１】
前記ＳｉＯ２は、前記誘電体組成物の全体重量に対して５重量％以上３０重量％以下で含まれることを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２２】
前記Ａｌ２Ｏ３は、前記誘電体組成物の全体重量に対して０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれることを特徴とする、請求項１８記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項２３】
前記基板は、ソーダライムガラスからなることを特徴とする、請求項１８乃至２２何れか記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物及び誘電体組成物によって形成された誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なプラズマディスプレイパネルは、前面パネルと背面パネルを含む。前面パネルと背面パネルとの間に形成された隔壁は放電セルを形成する。各セル内にはネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）またはネオンとヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノンを含む不活性ガスが充填される。
【０００３】
一般的なプラズマディスプレイパネルに印加された高周波電圧によって不活性ガスの放電が起きて、不活性ガスの放電は真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ Ｒａｙｓ）を発生させる。真空紫外線は、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることでプラズマディスプレイパネルは映像データにあたる画像を表示する。
【０００４】
プラズマディスプレイパネルは薄く軽い構成が可能なので次世代表示装置として脚光を浴びている。
【０００５】
一般的なプラズマディスプレイパネルは、ＰＤ２００という高歪点（ｈｉｇｈ  ｓｔｒａｉｎ  ｐｏｉｎｔ）ガラス基板を使って製造されていたが、高歪点ガラス基板は高価である為、ソーダライムガラス基板に置き換えられる趨勢である。
【０００６】
ソーダライムガラス基板は、安値な一方、一定温度以上の熱が加えられれば熱変形がひどく起きる問題点が発生する。これによって、ソーダライムガラス基板がプラズマディスプレイパネルに適用されるためには、プラズマディスプレイパネルの誘電体層の塑性温度が５２０℃以下でなければならないという問題点が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、塑性温度が低いプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物を提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、塑性温度が低いプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物によって形成された誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、ＢａＯ、ＭｇＯ、またはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含み、前記修飾剤は０．０００１重量％以上５重量％以下の割合で含まれる。
【００１０】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、６０重量％以上７５重量％以下で含まれるＰｂＯと、３重量％以上２０重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、５重量％以上３０重量％以下で含まれるＳｉＯ２と、０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれるＡｌ２Ｏ３と、０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、を含む。
【００１１】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、６３．７重量％以上６８．５重量％以下で含まれるＰｂＯと、３．５重量％以上１９重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、５．８重量％以上２９重量％以下で含まれるＳｉＯ２と、０．０００１重量％以上５．５重量％以下で含まれるＡｌ２Ｏ３と、０．５重量％以上３．５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、を含む。
【００１２】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、ＰｂＯ-Ｂ２Ｏ３-ＳｉＯ２系ガラスパウダーと、０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれる中間酸化物と、０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、を含む。
【００１３】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成された電極と、前記電極上に形成された誘電体層とを含み、前記誘電体層は、ＢａＯ、ＭｇＯまたはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含む誘電体組成物によって形成されており、前記修飾剤は、前記誘電体組成物の全体重量に対して０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる。
【００１４】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、ＢａＯ、ＭｇＯ、またはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含み、前記修飾剤は０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる。
【００１５】
前記ＰｂＯは６０重量％以上７５重量％以下で含まれる。
【００１６】
前記Ｂ２Ｏ３は３重量％以上２０重量％以下で含まれる。
【００１７】
前記ＳｉＯ２は５重量％以上３０重量％以下で含まれる。
【００１８】
前記Ａｌ２Ｏ３は０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれる。
【００１９】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層のガラス転移温度は、４２５℃以上４５５℃以下である。
【００２０】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の熱膨脹系数値は、７０×１０−７／℃以上８８×１０−７／℃以下である。
【００２１】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度は、５００℃以上５２０℃以下である。
【００２２】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、６０重量％７５重量％以下で含まれるＰｂＯと、３重量％以上２０重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、５重量％以上３０重量％以下で含まれるＳｉＯ２と、０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれるＡｌ２Ｏ３と、０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、 ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、を含む。
【００２３】
前記修飾剤は０．５重量％以上３．５重量％以下とすることが可能である。
【００２４】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、６３．７重量％以上６８．５重量％以下で含まれるＰｂＯと、３．５重量％以上１９重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、５．８重量％以上２９重量％以下で含まれるＳｉＯ２と、０．０００１重量％以上５．５重量％以下で含まれるＡｌ２Ｏ３と、０．５重量％以上３．５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、を含む。
【００２５】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層のガラス転移温度は、４２５℃以上４５５℃以下である。
【００２６】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の熱膨脹系数値は、７０×１０−７／℃以上８８×１０−７／℃以下である。
【００２７】
前記プラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度は、５００℃以上５２０℃以下である。
【００２８】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、ＰｂＯ-Ｂ２Ｏ３-ＳｉＯ２系ガラスパウダーと、０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれる中間酸化物と、０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる修飾剤であって、ＢａＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯの内の少なくとも一つを含む前記修飾剤と、を含む。
【００２９】
前記ガラスパウダーは、６０重量％以上７５重量％以下で含まれるＰｂＯと、３重量％以上２０重量％以下で含まれるＢ２Ｏ３と、5重量％以上30重量％以下で含まれるＳｉＯ２と、を含む。
【００３０】
前記中間酸化物はＡｌ２Ｏ３を含む。
【００３１】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、基板、前記基板上に形成された電極、前記電極上に形成された誘電体層とを備えており、前記誘電体層は、ＢａＯ、ＭｇＯまたはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３を含む誘電体組成物によって形成されて、前記修飾剤は前記誘電体組成物に全体重量に対して０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる。
【００３２】
前記ＰｂＯは前記誘電体組成物に全体重量に対して６０重量％以上７５重量％以下で含まれる。
【００３３】
前記Ｂ２Ｏ３は前記誘電体組成物に全体重量に対して３重量％以上２０重量％以下で含まれる。
【００３４】
前記ＳｉＯ２は前記誘電体組成物に全体重量に対して５重量％以上３０重量％以下で含まれる。
【００３５】
前記Ａｌ２Ｏ３は前記誘電体組成物に全体重量に対して０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、誘電体層の塑性温度を低めることが可能である。
【００３７】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、誘電体組成物によって塑性温度が低くなった誘電体層を含んでおり、ソーダライムガラス基板の使用を容易にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態に対して詳しく説明する。
【００３９】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物は、ＢａＯ、ＭｇＯ、またはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤、ＰｂＯ-Ｂ２Ｏ３-ＳｉＯ２系ガラスパウダー及び中間酸化物を含む。中間酸化物はＡｌ２Ｏ３を含む。ＰｂＯ-Ｂ２Ｏ３-ＳｉＯ２系ガラスパウダーは、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３及びＳｉＯ２を含む。
【００４０】
ＰｂＯは６０重量％以上７５重量％以下で含まれることが望ましい．６０重量％未満で含まれる場合には、誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度が高くなり過ぎ、焼成温度が高くする必要がある。７５重量％を超過して含まれる場合には、前記誘電体層の熱膨脹系数が高くなって塑性温度が低くなり過ぎる問題点がある。
【００４１】
Ｂ２Ｏ３は３重量％以上２０重量％以下で含まれることが望ましい。Ｂ２Ｏ３が３重量％以上２０重量％以下の範囲を外れると、ガラス（ｇｌａｓｓ）のガラス化が困難になったり、粘性が高くなって誘電体層の塑性温度が高くなる問題点が発生する。
【００４２】
ＳｉＯ２は５重量％以上３０重量％以下で含まれることが望ましい。ＳｉＯ２が５重量％以上３０重量％以下の範囲を外れると、誘電体塑性物のガラス化が困難になったり、誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度が高くなる問題点が発生する。
【００４３】
Ａｌ２Ｏ３は０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれることが望ましい。Ａｌ２Ｏ３は、中間酸化物としてガラスの構造を安定化させ、結晶化を防止する特性を持つ。Ａｌ２Ｏ３が６重量％を超過して含まれる場合には結晶化を誘発して粘性が高くなり、誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度が高くなる問題が発生する。一方、Ａｌ２Ｏ３が、０．０００１重量％未満で含まれる場合には、誘電体組成物のガラス構造の安定化の効果が十分得られない問題がある。
【００４４】
ＢａＯ、ＭｇＯまたはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤は、０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれることが望ましい。本発明の実施形態での修飾剤は、ガラスの構造を開放させる役目をする。本発明の実施形態での修飾剤は、０．０００１重量％未満の非常に少ない量で含まれれば、ガラスの結合が切れ難くなるので、誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度を低める效果が少なくなる。本発明の実施形態での修飾剤が５重量％を超過して使われれば、ガラスネットワーク（ｎｅｔｗｏｒｋ）が切れて誘電体層の塑性温度は低くなるが、熱膨脹系数は高くなる問題が発生する。
【００４５】
本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層のガラス転移温度（Ｔｇ）は、４２５℃以上４５５℃以下の範囲の値を持って、熱膨脹系数（ＣＴＥ、Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ ｏｆ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｅｘｐａｎｓｉｏｎ）値は、７０×１０−７／℃以上８８×１０−７／℃以下の範囲の値を持って、塑性温度は５００℃以上５２０℃以下の範囲の値を持つことを特徴とする。
【００４６】
実施形態を通じて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明の範囲が実施形態に限定されるものではない。
【００４７】
［第１〜９実施形態］
【００４８】
表１は、ＢａＯ、ＭｇＯまたはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２及びＡｌ２Ｏ３の各含有量と、誘電体組成物のガラス転移温度、 熱膨脹系数及び塑性温度との関係を示す。
【００４９】
【表１】
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【００５０】
表１から分かるように、第１〜９実施形態のプラズマディスプレイパネル用誘電体組成物から形成された誘電体層の塑性温度は、５２０℃以下すなわち、５００℃以上５２０℃以下の値をしめす。また、前記誘電体層の熱膨脹系数値は、７１．８×１０−７／℃以上８７．９×１０−７／℃以下の範囲の値を持っており、熱膨脹系数の変化も大きくない。修飾剤の組成比は、０．０００１重量％以上５重量％以下であり、０．５重量％以上３．５重量％以下がより望ましい。
【００５１】
図１は、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルの構造を示す。図１に示すように、本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルは、前面パネル１００と背面パネル１１０からなる。前面パネル１００は前面ガラス基板１０１を含み、背面パネル１１０は背面ガラス基板１１２を含む。
【００５２】
前面ガラス基板１０１上には、相互放電によってセルの発光を維持するための維持電極対が形成される。維持電極対は、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３からなる。スキャン電極１０２とサステイン電極１０３それぞれは、透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極（１０２ａ、１０３ａ）と、金属材質で形成されたバス電極（１０２ｂ、１０３ｂ）とからなる。スキャン電極１０２は、プラズマディスプレイパネルのスキャンのためのスキャンパルスと、放電の維持のためのサステインパルスとの入力を受け付ける。サステイン電極１０３は、サステインパルスの入力を主に受け付ける。上部誘電体層１０４は、維持電極対の上部に形成されて放電電流を制限すると共に、電極の間を絶縁させる。保護層１０５は、上部誘電体層１０４上面に形成されて、上部誘電体層１０４をプラズマによるスパッタリングから保護すると共に、放電開始電圧を低減して放電条件を容易にする。
【００５３】
背面ガラス基板１１１上には、維持電極対と交差されるようにアドレス電極１１３が形成される。下部誘電体層１１５は、アドレス電極１１３の上部に形成されて複数のアドレス電極１１３を覆い、アドレス電極１１３の間を絶縁させる。隔壁１１２は、下部誘電体層１１５上に形成されて、アドレス電極１１３に略垂直な方向に沿って隣接する放電セルを分離する。蛍光層１１４は、隔壁１１２と隔壁１１２の間に塗布されて可視光線を放出する。蛍光体層１１４は、隔壁１１２間に露出する下部誘電体層１１５の表面から隔壁１１２の側面に亘って形成されている。
【００５４】
上部誘電体層１０４及び下部誘電体層１１５の少なくとも一方は、本発明の実施形態による誘電体組成物によって形成される。すなわち、本発明の実施形態による誘電体組成物がスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３上や、アドレス電極１１３上に形成された後、塑性される。例えば、本発明の実施形態による誘電体層は、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３上や、アドレス電極１１３上に、上記誘電体組成物からなるペーストがスクリーン印刷法等で塗布された後、乾燥処理され、焼成処理により塑性される。
【００５５】
本発明の実施形態によるプラズマディスプレイパネルの誘電体層を形成するための誘電体組成物は、ＰｂＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３及びＲＯ（ＢａＯ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ)を含む。ここで、ＲＯ（ＢａＯ＋ＭｇＯ＋ＺｎＯ)は、ＢａＯ、ＭｇＯまたはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤を意味する。例えば、ＰｂＯは６０重量％以上７５重量％以下で含まれ、Ｂ２Ｏ３は３重量％以上２０重量％以下で含まれ、ＳｉＯ２は５重量％以上３０重量％以下で含まれ、Ａｌ２Ｏ３は０．０００１重量％以上６重量％以下で含まれ、ＢａＯ、ＭｇＯまたはＺｎＯの内の少なくとも一つを含む修飾剤は０．０００１重量％以上５重量％以下で含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示すのである。
【図１】
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