(57)【要約】【課題】  隣接画素へのインクの混入を防止し、安定した発光特性を得る。【解決手段】  本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板２上に複数の画素を区画する隔壁１１２を形成する工程と、隔壁１１２によって区画された領域に、発光素子の形成材料を含むインクを配置する工程とを有し、隔壁の形成工程は、隔壁１１２の上面１１２ｆに、該隔壁の上面１１２ｆに付着したインクミストを吸収するミスト吸収構造（凹部１５０）を形成する工程を含む。【選択図】    図３
2006228648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
前記画素を区画する隔壁と、
前記隔壁によって区画された領域に形成された発光素子と、
前記隔壁上に配置されたミスト吸収構造を有することを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記ミスト吸収構造は、凹部であることを特徴とする、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記凹部には、ビーズの凝集体が埋め込まれていることを特徴とする、請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記ミスト吸収構造は、無機絶縁材料からなる親液膜であることを特徴とする、請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記ミスト吸収構造は、少なくとも前記画素間の中央部に配置されていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
基板上に複数の画素を区画する隔壁を形成する工程と、
前記隔壁によって区画された領域に、発光素子の形成材料を含む機能液を配置する工程とを有し、
前記隔壁の形成工程は、前記隔壁の上面にミスト吸収構造を形成する工程を含むことを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項７】
前記ミスト吸収構造の形成工程は、前記隔壁の上面に凹部を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項８】
前記ミスト吸収構造の形成工程は、前記凹部にビーズの凝集体を埋め込む工程を含むことを特徴とする、請求項７記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項９】
前記ミスト吸収構造の形成工程は、前記隔壁の上面に無機絶縁材料からなる親液膜を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ミスト吸収構造は、画素間の中央部に形成されることを特徴とする、請求項６〜９のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜５のいずれかの項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置又は請求項６〜１０のいずれかの方法により製造されてなる有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光素子である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を画素として用いた有機ＥＬ装置の開発が進められている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に発光層等の有機機能層を挟持した構成を備えており、最近では、有機物材料を溶解した液体材料を、インクジェット法によって基板上にパターン配置する方法を採用した有機ＥＬ装置の開発が行われている（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−２６４０６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１には、バンク（隔壁）に区画された画素毎にインクジェット法により液体材料を塗布する技術が開示されている。この方法によれば、インクの広がりをバンクによって防止することができ、又インクジェット法を用いることで、バンク内に確実にインクを配置することができる。しかしながら、インクジェット法で塗布を行った場合でも、必ずしも画素内の一定位置に液体材料が着弾するわけではなく、有効画素の周りに部分的なインク滴（飛行曲がり等により生じたインクミスト）がサテライトとして描画されてしまうことがある。インクミストを回避するために、吐出用波形を最適化することや、インク自体を低粘度にすることが試みられているが、それでもインクミストの発生を完全に防止するには至っていない。フルカラーディスプレイのインクジェット製造プロセスにおいてインクミストが発生し、このインクミストがバンクを伝わって隣接画素に誤って混入されてしまうと、混色が起こり、必要な素子機能を損ねることがある。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、隣接画素へのインクの混入を防止し、安定した発光特性を得ることのできる有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法を提供することを目的とする。また、係る有機エレクトロルミネッセンス装置を備えた表示品質の高い電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決するため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、複数の画素と、前記画素を区画する隔壁と、前記隔壁によって区画された領域に形成された発光素子と、前記隔壁上に配置されたミスト吸収構造を有することを特徴とする。
この構成によれば、サテライトとして描画された機能液（インクミスト）はミスト吸収構造によって隔壁上に固定されるので、誤って隣接画素に混入されてしまうことはない。このため、安定した発光特性を有する有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。
【０００５】
本発明においては、前記ミスト吸収構造は、凹部であるものとすることができる。
この構成によれば、サテライトとして描画された機能液は凹部内に吸収されるので、隔壁の表面が平坦化され、この上に形成される陰極の膜質も良好なものとなる。すなわち、隔壁の上面に機能液が溜まり、不均一な形状で成膜されてしまうと、これによって陰極蒸着時に局所的な応力が発生し、陰極の膜質に影響を与え、素子劣化の起点になる可能性があるが、本構成においては、このような応力の発生が防止されるので、高品質且つ信頼性の高い陰極膜を形成することができる。
【０００６】
本発明においては、前記凹部には、ビーズの凝集体が埋め込まれているものとすることができる。
この構成によれば、ビーズの凝集体が一種の受容層を形成し、機能液の吸収を促すことができる。
【０００７】
本発明においては、前記ミスト吸収構造は、無機絶縁材料からなる親液膜であるものとすることができる。
この構成によれば、凹部を形成した場合と同様に、サテライトとして描画された機能液を確実に隔壁上に固定することができる。
【０００８】
本発明においては、前記ミスト吸収構造は、少なくとも前記画素間の中央部に配置されているものとすることができる。
この構成によれば、より効果的に隣接画素間での機能液の混入を防止することができる。
【０００９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法は、基板上に複数の画素を区画する隔壁を形成する工程と、前記隔壁によって区画された領域に、発光素子の形成材料を含む機能液を配置する工程とを有し、前記隔壁の形成工程は、前記隔壁の上面にミスト吸収構造を形成する工程を含むことを特徴とする。
この方法によれば、サテライトとして描画された機能液（インクミスト）は、ミスト吸収構造によって隔壁上に固定されるので、誤って隣接画素に混入されてしまうことはない。このため、安定した発光特性を有する有機エレクトロルミネッセンス装置を提供することができる。
【００１０】
本発明においては、前記ミスト吸収構造の形成工程は、前記隔壁の上面に凹部を形成する工程を含むものとすることができる。
この方法によれば、サテライトとして描画された機能液は凹部内に吸収されるので、隔壁の表面が平坦化され、この上に形成される陰極の膜質も良好なものとなる。
【００１１】
本発明においては、前記ミスト吸収構造の形成工程は、前記凹部にビーズの凝集体を埋め込む工程を含むものとすることができる。
この方法によれば、ビーズの凝集体が一種の受容層を形成し、機能液の吸収を促すことができる。
【００１２】
本発明においては、前記ミスト吸収構造の形成工程は、前記隔壁の上面に無機絶縁材料からなる親液膜を形成する工程を含むものとすることができる。
この方法によれば、凹部を形成した場合と同様に、サテライトとして描画された機能液を確実に隔壁上に固定することができる。
【００１３】
本発明においては、前記ミスト吸収構造は、画素間の中央部に形成されるものとすることができる。
この方法によれば、より効果的に隣接画素間での機能液の混入を防止することができる。
【００１４】
本発明の電子機器は、前述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置又は前述した本発明の方法により製造されてなる有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、表示品質の高い電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。以下では、本発明の有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）の一実施の形態として、有機ＥＬ素子を画素として基体上に配列してなる有機ＥＬ表示装置を例示して説明する。
図１は本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す説明図、図２は有機ＥＬ装置の平面模式図、図３は有機ＥＬ装置の表示領域の断面模式図である。
【００１６】
（有機ＥＬ装置）
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に対して並列する方向に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された構成を有し、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近には画素領域Ｐが設けられている。
【００１７】
信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ側駆動回路１０４が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査側駆動回路１０５が接続されている。
更に、画素領域Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量capと、該保持容量capによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）１１１と、この画素電極１１１と陰極（対向電極）１２との間に挟み込まれた有機ＥＬ層１１０とが設けられている。電極１１１と対向電極１２と有機ＥＬ層１１０により、発光素子が構成されている。
【００１８】
走査線１０１が駆動されてスイッチング用の薄膜トランジスタ１２２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量capに保持され、該保持容量capの状態に応じて駆動用の薄膜トランジスタ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用の薄膜トランジスタ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極１１１に電流が流れ、更に有機ＥＬ層１１０を介して陰極１２に電流が流れる。有機ＥＬ層１１０では、流れる電流量に応じて発光が生じる。
【００１９】
本実施形態の有機ＥＬ装置は、図３に示すように、ガラス等からなる透明な基板２と、マトリックス状に配置された発光素子を具備して基板２上に形成された発光素子部１１と、発光素子部１１上に形成された陰極１２とを具備している。ここで、発光素子部１１と陰極１２とにより表示素子１０が構成される。
基板２は、例えばガラス等の透明基板であり、図２に示すように、当該基板２の中央に位置する表示領域２ａを備えている。なお、表示領域２ａは、マトリックス状に配置された発光素子によって形成される領域である。
【００２０】
また、表示領域２ａの外側周辺には、前述の電源線１０３（１０３Ｒ、１０３Ｇ、１０３Ｂ）が配線されている。表示領域２ａの両側には、前述の走査側駆動回路１０５、１０５が配置されている。更に、走査側駆動回路１０５、１０５の両側には、走査側駆動回路１０５、１０５に接続される駆動回路用制御信号配線１０５ａと駆動回路用電源配線１０５ｂとが設けられている。表示領域２ａの図示上側には製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行う検査回路１０６が配置されている。
【００２１】
図３の断面構成図には、３つの画素領域Ｐが図示されている。本実施形態の有機ＥＬ装置では、基板２上に、ＴＦＴなどの回路等が形成された回路素子部１４、有機ＥＬ層１１０が形成された発光素子部１１及び陰極１２が順次積層されて構成されており、有機ＥＬ層１１０から基板２側に発せられた光が、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるとともに、有機ＥＬ層１１０から基板２の反対側に発せられた光が陰極１２により反射されて、回路素子部１４及び基板２を透過して基板２の下側（観測者側）に出射されるようになっている。
なお、上記陰極１２として、透明な材料を用いるならば、陰極側から発光する光を出射させることができる。透明な陰極材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｎｉ、もしくはＰｄを挙げることができる。
【００２２】
回路素子部１４には、基板２上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜２ｃが形成され、この下地保護膜２ｃ上に多結晶シリコンからなる島状の半導体膜１４１が形成されている。半導体膜１４１には、ソース領域１４１ａ及びドレイン領域１４１ｂが高濃度リンイオン打ち込みにより形成されている。前記リンイオンが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。
【００２３】
また、前記下地保護膜２ｃ及び半導体膜１４１を覆う透明なゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線１０１）が形成され、ゲート電極１４３及びゲート絶縁膜１４２上には透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂが形成されている。ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、第１、第２層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂを貫通して、半導体膜１４１のソース、ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５，１４６が形成されている。
【００２４】
そして、第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＩＴＯ等からなる透明な画素電極１１１が所定の形状にパターニングされて形成され、一方のコンタクトホール１４５がこの画素電極１１１に接続されている。また、もう一方のコンタクトホール１４６が電源線１０３に接続されている。このようにして、回路素子部１４には、各画素電極１１１に接続された駆動用の薄膜トランジスタ１２３が形成されている。
【００２５】
発光素子部１１は、複数の画素電極１１１…上の各々に積層された有機ＥＬ層１１０と、各画素電極１１１及び有機ＥＬ層１１０の間に備えられて各有機ＥＬ層１１０を区画するバンク部（隔壁）１１２とを主体として構成されている。有機ＥＬ層１１０上には陰極１２が配置されている。これら画素電極１１１、有機ＥＬ層１１０及び陰極１２によって発光素子が構成されている。ここで、画素電極１１１は、例えばＩＴＯにより形成されてなり、平面視略矩形状にパターン形成されている。この画素電極１１１…を含む各画素を仕切る形にてバンク部１１２が備えられている。
【００２６】
バンク部１１２は、図３に示すように、基板２側に位置する第１隔壁部としての無機物バンク層（第１バンク層）１１２ａと、基板２から離れて位置する第２隔壁部としての有機物バンク層（第２バンク層）１１２ｂとが積層された構成を備えている。無機物バンク層１１２ａは、例えばＴｉＯ２やＳｉＯ２等により形成され、有機物バンク層１１２ｂは、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等により形成される。
【００２７】
無機物、有機物バンク層１１２ａ、１１２ｂは、画素電極１１１の周縁部上に乗上げるように形成されている。平面的には、画素電極１１１の周囲と無機物バンク層１１２ａとが部分的に重なるように配置された構造となっている。また、有機物バンク層１１２ｂも同様であり、画素電極１１１の一部と平面的に重なるように配置されている。また無機物バンク層１１２ａは、有機物バンク層１１２ｂの縁端よりも画素電極１１１の中央側に更に突出するように形成されている。このようにして、無機物バンク層１１２ａの各第１積層部（突出部）１１２ｅが画素電極１１１の内側に形成されることにより、画素電極１１１の形成位置に対応する下部開口部１１２ｃが設けられている。
【００２８】
また、有機物バンク層１１２ｂには、上部開口部１１２ｄが形成されている。この上部開口部１１２ｄは、画素電極１１１の形成位置及び下部開口部１１２ｃに対応するように設けられている。上部開口部１１２ｄは、図３に示すように、下部開口部１１２ｃより間口が広く、画素電極１１１より狭く形成されている。また、上部開口部１１２ｄの上部の位置と、画素電極１１１の端部とがほぼ同じ位置になるように形成される場合もある。この場合は、図３に示すように、有機物バンク層１１２ｂの上部開口部１１２ｄの断面が傾斜した形状となる。このようにして、バンク部１１２には、下部開口部１１２ｃ及び上部開口部１１２ｄが連通された開口部１１２ｇが形成されている。
【００２９】
また、バンク部１１２には、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域が形成されている。親液性を示す領域は、無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅ及び画素電極１１１の電極面１１１ａであり、これらの領域は、酸素を処理ガスとするプラズマ処理によって親液性に表面処理されている。また、撥液性を示す領域は、上部開口部１１２ｄの壁面及び有機物バンク層１１２の上面１１２ｆであり、これらの領域は、４フッ化メタン、テトラフルオロメタン、もしくは四フッ化炭素を処理ガスとするプラズマ処理によって表面がフッ化処理（撥液性に処理）されている。
【００３０】
また、バンク部１１２の上面、すなわち有機物バンク層１１２ｂの上面には、飛行曲がり等により生じたインク滴（インクミスト）を吸収するためのミスト吸収構造１５０が形成されている。後述するように、本実施形態の有機ＥＬ装置では、有機ＥＬ層１１０を液滴吐出法により形成する。この場合、吐出されたインク滴は必ずしもバンク開口部のみに着弾せず、例えば、有効画素の周りにサテライトとして描画されてしまう場合がある。通常、バンクの表面は撥液化されているので、このようなインク滴はバンク表面を伝わって開口部内に流れ込むが、誤って他の画素に流れ込むと、混色等を起こし、必要な素子機能を阻害する虞がある。そこで、本実施形態では、バンク部１１２の上面にミスト吸収構造１５０を形成し、サテライトとして描画されたインク滴をバンク部上に固定するようにしている。
【００３１】
ミスト吸収構造１５０は、例えば、図３に示すようなミスト吸収用の凹部として形成することができる。凹部とすることで、インク滴を確実に吸収することができ、又吸収したインク滴によってバンク上面に凸条部が形成されることもない。すなわち、サテライトとして描画されたインク滴は全部がバンクの開口部に流れ込むわけではなく、その一部がバンク上面にそのまま残り、乾燥処理によってバンク上面に凸条部を形成する場合がある。このような凸条部は、陰極形成時に局所的な応力を発生させ、膜質に影響を与え、素子劣化の起点になる可能性があるが、本実施形態では、バンク上面に残ったインク滴は全て凹部内に吸収されるので、このような問題は生じない。
【００３２】
なお、凹部１５０には、スペーサに用いられるビーズの凝集体等を埋め込んでもよい。こうすることで、ビーズの凝集体が一種の受容層を形成し、インク滴の吸収を促すことができる。ビーズの配置方法としては、インクジェット法等が配置精度を高められることから好適である。インクジェット法を用いたビーズの配置方法については、特開平１１−２４０８３号公報、特開２００１−８３５２４等を参照されたい。また、特開２００３−９１０１０号公報等にある樹脂を塗布して硬化する方法でもよい。
【００３３】
図４は、ミスト吸収構造（凹部１５０）の平面構成を示す模式図である。
図４（ａ）は、凹部１５０をストライプ状の溝として形成した例を示している。溝は、画素間の中央部において画素の長辺方向（すなわち信号線１０２に平行な方向）に延在するように形成されている。図４（ａ）では、このような溝を画素間に１本ずつ形成しているが、溝の本数はこれに限定されない。例えば、画素間に複数本の溝を形成することもできる。
図４（ｂ）は、凹部１５０をドット状に形成した例を示している。ドットは、画素間の中央部において画素の長手方向に密に形成されている。この例において、ドットの配置は任意である。例えば、各ドットを図４（ｂ）のように直線状に配置する代わりに、市松状に配置することも可能である。なお、図４（ｂ）では、画素の短辺において隣接する画素と画素の間にはドットは形成されていないが、これは、短辺側で隣接する画素の間隔は長辺側で隣接する画素の間隔よりも広く、サテライトとして描画されたインク滴が隣の画素に流れ込む可能性が少ないからである。ただし、このような領域にドットを形成することも勿論可能である。
図４（ｃ）は、凹部１５０を各画素の周囲を囲むように格子状に形成した例を示している。こうすることで、インクミストによる混色の影響をより確実に防止することができる。なお、凹部１５０は、必ずしも画素の周囲を完全に囲む構成とする必要はなく、一部を開口した状態で形成してもよい。すなわち、各画素の周囲は凹部１５０によって概ね囲まれる構成であればよい。
【００３４】
一方、有機ＥＬ層１１０は、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層１１０ａと、正孔注入／輸送層１１０ａ上に隣接して形成された発光層１１０ｂとから構成されている。
正孔注入／輸送層１１０ａは、発光層１１０ｂに正孔を注入する機能を有するとともに、正孔注入／輸送層１１０ａ内部において正孔を輸送する機能を有する。このような正孔注入／輸送層１１０ａを画素電極１１１と発光層１１０ｂの間に設けることにより、発光層１１０ｂの発光効率、寿命等の素子特性が向上する。また、発光層１１０ｂでは、正孔注入／輸送層１１０ａから注入された正孔と、陰極１２から注入される電子が発光層で再結合し、発光が行われる。
【００３５】
正孔注入／輸送層１１０ａは、下部開口部１１２ｃ内に位置して画素電極面１１１ａ上に形成される平坦部１１０ａ１と、上部開口部１１２ｄ内に位置して無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に形成される周縁部１１０ａ２から構成されている。また、正孔注入／輸送層１１０ａは、構造によっては、画素電極１１１上であって、且つ無機物バンク層１１２ａの間（下部開口部１１２ｃ）にのみ形成されている（前述に記載した平坦部にのみ形成される形態もある）。
【００３６】
また、発光層１１０ｂは、正孔注入／輸送層１１０ａの平坦部１１０ａ１及び周縁部１１０ａ２上に渡って形成されており、平坦部１１２ａ１上での厚さが５０ｎｍ〜８０ｎｍの範囲とされている。発光層１１０ｂは、赤色（Ｒ）に発光する赤色発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）に発光する緑色発光層１１０ｂ２、及び青色（Ｂ）に発光する青色発光層１１０ｂ３の３種類を有し、図２に示したように、各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３がストライプ配置されている。
【００３７】
無機物バンク層の第１積層部１１２ｅ上に不均一な厚さの周縁部１１０ａ２が形成されているため、周縁部１１０ａ２が第１積層部１１２ｅによって画素電極１１１から絶縁された状態となり、周縁部１１０ａ２から発光層１１０ｂに正孔が注入されることがない。
これにより、画素電極１１１からの電流が平坦部１１２ａ１のみに流れ、正孔を平坦部１１２ａ１から発光層１１０ｂに均一に輸送させることができ、発光層１１０ｂの中央部分のみを発光させることができるとともに、発光層１１０ｂにおける発光量を一定にすることができる。
また、無機物バンク層１１２ａが有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に更に延出されているので、この無機物バンク層１１２ａによって画素電極１１１と平坦部１１０ａ１との接合部分の形状をトリミングすることができ、各発光層１１０ｂ間の発光強度のばらつきを抑えることができる。
【００３８】
更に、画素電極１１１の電極面１１１ａ及び無機物バンク層１１２ａの第１積層部１１２ｅが親液性を示すので、有機ＥＬ層１１０が画素電極１１１及び無機物バンク層１１２ａに均一に密着し、無機物バンク層１１２ａ上で有機ＥＬ層１１０が極端に薄くならず、画素電極１１１と陰極１２との短絡を防止できる。また、有機物バンク層１１２ｂの上面１１２ｆ及び上部開口部１１２ｄの壁面が撥液性を示すので、有機ＥＬ層１１０が開口部１１２ｇから溢れて形成されることがない。
【００３９】
なお、正孔注入／輸送層形成材料としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸等の混合物を用いることができる。また、発光層１１０ｂの材料としては、例えば、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、またはこれらの高分子材料にルブレン、ペリレン、９，１０-ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることができる。
【００４０】
陰極１２は、発光素子部１１の全面に形成されており、画素電極１１１と対になって有機ＥＬ層１１０に電流を流す役割を果たす。この陰極１２は、例えば、カルシウム層とアルミニウム層とが積層されて構成されている。このとき、発光層に近い側の陰極には仕事関数が低いものを設けることが好ましく、特にこの形態においては発光層１１０ｂに直接に接して発光層１１０ｂに電子を注入する役割を果たす。
【００４１】
また、発光層１１０ｂと陰極１２との間に発光効率を高めるためのＬｉＦを形成する場合もある。なお、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウムに限らず、他の材料を用いても良い。従ってこの場合は青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３のみにフッ化リチウムからなる層を形成し、他の赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２にはフッ化リチウム以外のものを積層しても良い。また、赤色及び緑色の発光層１１０ｂ１、１１０ｂ２上にはフッ化リチウムを形成せず、カルシウムのみを形成しても良い。
【００４２】
また、陰極１２を形成するアルミニウムは、発光層１１０ｂから発した光を基板２側に反射させるもので、Ａｌ膜の他、Ａｇ膜、ＡｌとＡｇの積層膜等からなることが好ましい。更にアルミニウム上にＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる酸化防止用の保護層を設けても良い。
【００４３】
図３に示す発光素子部１１上には、実際の有機ＥＬ装置では封止部が備えられる。この封止部は、例えば基板２の周囲に環状に封止樹脂を塗布し、さらに封止缶により封止することにより形成することができる。前記封止樹脂は、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等からなり、特に、熱硬化樹脂の１種であるエポキシ樹脂よりなることが好ましい。この封止部は、陰極１２または発光素子部１１内に形成された発光層の酸化を防止する目的で設けられる。また、前記封止缶の内側には水、酸素等を吸収するゲッター剤を設け、封止缶の内部に侵入した水又は酸素を吸収できるようにしてもよい。
【００４４】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、上記有機ＥＬ装置を製造する方法について図面を参照して説明する。
本実施形態の製造方法は、（１）バンク部形成工程、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程、（４）陰極形成工程及び（５）封止工程等を有する。なお、ここで説明する製造方法は一例であって、必要に応じてその他の工程が追加されたり、上記の工程の一部が除かれたりする。
なお、（２）正孔注入／輸送層形成工程、（３）発光層形成工程は、液滴吐出装置を用いた液体吐出法（インクジェット法）を用いて行われる。
【００４５】
（１）バンク部形成工程
バンク部形成工程では、基板２の所定位置にバンク部１１２を形成する。バンク部１１２は、第１のバンク層として無機物バンク層１１２ａが形成され、第２のバンク層として有機物バンク層１１２ｂが形成された構造を有している。
【００４６】
（１）−１  無機物バンク層１１２ａの形成
まず、図５に示すように、基板上の所定位置に無機物バンク層１１２ａを形成する。無機物バンク層１１２ａが形成される位置は、第２層間絶縁膜１４４ｂ及び画素電極１１１上である。なお、第２層間絶縁膜１４４ｂは薄膜トランジスタ、走査線、信号線、等が配置された回路素子部１４上に形成されている。無機物バンク層１１２ａは、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２等の無機物材料にて構成することができる。これらの材料は、例えばＣＶＤ法、コート法、スパッタ法、蒸着法等によって形成される。更に、無機物バンク層１１２ａの膜厚は５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲が好ましく、特に１５０ｎｍがよい。
【００４７】
無機物バンク層１１２ａは、層間絶縁層１４４及び画素電極１１１の全面に無機物膜を形成し、その後無機物膜をフォトリソグラフィ法等によりパターニングすることにより、開口部を有する形にて形成される。この開口部は、画素電極１１１の電極面１１１ａの形成位置に対応するもので、図５に示すように下部開口部１１２ｃとして設けられる。なお、このとき、無機物バンク層１１２ａは画素電極１１１の周縁部と一部重なるように形成され、これにより発光層１１０の平面的な発光領域が制御される。
【００４８】
（１）−２  有機物バンク層１１２ｂの形成
次に、第２のバンク層としての有機物バンク層１１２ｂを形成する。
具体的には、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａ上に有機物バンク層１１２ｂを形成する。有機物バンク層１１２ｂを構成する材料として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性、耐溶剤性を有する材料を用いる。これらの材料を用い、有機物バンク層１１２ｂをフォトリソグラフィ技術等によりパターニングして形成される。なお、パターニングする際、有機物バンク層１１２ｂに上部開口部１１２ｄを形成する。上部開口部１１２ｄは、電極面１１１ａ及び下部開口部１１２ｃに対応する位置に設けられ、全画素共通のパターンを有して形成するものとする。また、有機物バンク層１１２ｂをパターニングする際に、露光条件を変更して２度露光することにより、バンク上面１１２ｆにミスト吸収用の凹部１５０を形成する。この凹部１５０は画素間の中央部に対応する位置に設けられ、その深さは上部開口部１１２ｄよりも浅い深さ（すなわち無機物バンク層１１２ａに達しない程度の深さ）に形成するものとする。
【００４９】
上部開口部１１２ｄは、図５に示すように、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃより広く形成する事が好ましい。更に、有機物バンク層１１２ｂは断面形状がテーパー状をなすことが好ましく、有機物バンク層１１２ｂの最底面では画素電極１１１の幅より狭く、有機物バンク層１１２ｂの最上面では画素電極１１１の幅とほぼ同一の幅に形成する事が好ましい。
これにより、無機物バンク層１１２ａの下部開口部１１２ｃを囲む第１積層部１１２ｅが、有機物バンク層１１２ｂよりも画素電極１１１の中央側に突出された形になる。このようにして、有機物バンク層１１２ｂに形成された上部開口部１１２ｄ、無機物バンク層１１２ａに形成された下部開口部１１２ｃを連通させることにより、無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂを貫通する開口部１１２ｇが形成される。
【００５０】
有機物バンク層１１２ｂの厚さは、０．１μｍ〜３．５μｍの範囲が好ましく、特に２μｍ程度がよい。このような範囲とする理由は以下の通りである。
すなわち、厚さが０．１μｍ未満では、後述する正孔注入／輸送層及び発光層の合計厚より有機物バンク層１１２ｂが薄くなり、発光層１１０ｂが上部開口部１１２ｄから溢れてしまうおそれがあるので好ましくない。また、厚さが３．５μｍを越えると、上部開口部１１２ｄによる段差が大きくなり、上部開口部１１２ｄにおける陰極１２のステップカバレッジが確保できなくなるので好ましくない。また、有機物バンク層１１２ｂの厚さを２μｍ以上とすれば、陰極１２と駆動用の薄膜トランジスタ１２３との絶縁を高めることができる点で好ましい。
【００５１】
さらに、形成されたバンク部１１２、及び画素電極１１１の表面は、プラズマ処理により適切な表面処理を施すことが好ましく、具体的にはバンク部１１２表面の撥液化処理、及び画素電極１１１の親液化処理を行う。
まず、画素電極１１１の表面処理は、酸素ガスを用いたＯ２プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、酸素ガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、画素電極１１１表面を含む領域を親液化することができる。また、このＯ２プラズマ処理により画素電極１１１表面の洗浄、及び仕事関数の調整も同時に行われる。
次いで、バンク部１１２の表面処理は、テトラフルオロメタンを用いたＣＦ４プラズマ処理により行うことができ、例えばプラズマパワー１００ｋＷ〜８００ｋＷ、テトラフルオロメタンガス流量５０ｍｌ／ｍｉｎ〜１００ｍｌ／ｍｉｎ、基板搬送速度０．５ｍｍ／ｓｅｃ〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基板温度７０℃〜９０℃の条件で処理することで、バンク部１１２の上部開口部１１２ｄ及び上面１１２ｆを撥液化することができる。
【００５２】
（２）正孔注入／輸送層形成工程
次に発光素子形成工程では、まず画素電極１１１上に正孔注入／輸送層を形成する。
正孔注入／輸送層形成工程では、液滴吐出装置として例えばインクジェット装置を用いることにより、正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を電極面１１１ａ上に吐出する。その後に乾燥処理及び熱処理を行い、画素電極１１１上及び無機物バンク層１１２ａ上に正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。なお、ここで、正孔注入／輸送層１１０ａは第１積層部１１２ｅ上に形成されないこともあり、つまり画素電極１１１上にのみ正孔注入／輸送層が形成される形態もある。
【００５３】
インクジェットによる製造方法は以下の通りである。すなわち、図６に示すように、インクジェットヘッドＨ１に形成された複数のノズルから正孔注入／輸送層形成材料を含む液状組成物を吐出する。ここではインクジェットヘッドを走査することにより各画素毎に組成物を充填しているが、基板２を走査することによっても可能である。更に、インクジェットヘッドと基板２とを相対的に移動させることによっても組成物を充填させることができる。なお、これ以降のインクジェットヘッドを用いて行う工程では上記の点は同様である。
【００５４】
インクジェットヘッドによる吐出は以下の通りである。すなわち、インクジェットヘッドＨ１に形成された吐出ノズルＨ２を電極面１１１ａに対向させて配置し、ノズルＨ２から液状組成物を吐出する。画素電極１１１の周囲には下部開口部１１２ｃを区画するバンク１１２が形成されており、この下部開口部１１２ｃ内に位置する画素電極面１１１ａにインクジェットヘッドＨ１を対向させ、このインクジェットヘッドＨ１と基板２とを相対移動させながら、吐出ノズルＨ２から１滴当たりの液量が制御された液状組成物の液滴１１０ｃを電極面１１１ａ上に吐出する。
【００５５】
本工程で用いる液状組成物としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）等の混合物を、極性溶媒に溶解させた組成物を用いることができる。極性溶媒としては、例えば、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ノルマルブタノール、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン（ＤＭＩ）及びその誘導体、カルビト−ルアセテート、ブチルカルビト−ルアセテート等のグリコールエーテル類等を挙げることができる。
【００５６】
より具体的な組成としては、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１：２０）：１２．５２重量％、ＩＰＡ：１０重量％、ＮＭＰ：２７．４８重量％、ＤＭＩ：５０重量％のものを例示できる。なお、上記液状組成物の粘度は１ｍＰａ・ｓ〜２０ｍＰａ・ｓ程度が好ましく、特に４ｍＰａ・ｓ〜１５ｍＰａ・ｓ程度が良い。
【００５７】
上記の液状組成物を用いることにより、吐出ノズルＨ２に詰まりが生じることがなく安定吐出できる。なお、正孔注入／輸送層形成材料は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３に対して同じ材料を用いても良く、発光層毎に変えても良い。
【００５８】
吐出された組成物の液滴１１０ｃは、親液処理された電極面１１１ａ及び第１積層部１１２ｅ上に広がり、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に充填される。仮に、第１組成物滴１１０ｃが所定の吐出位置から外れて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても（インクミスト１１０ｃｍ）、上面１１２ｆが第１組成物滴１１０ｃで濡れることがなく、弾かれた第１組成物滴１１０ｃが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。ただし、必ずしも全ての液滴１１０ｃｍが弾かれるわけではなく、一部がそのままバンク上面に残る場合もある。しかし、本実施形態では、バンク上面に液滴１１０ｃｍが残ったとしても、それは全てミスト吸収用の凹部１５０に吸収されるので、これが乾燥膜として凸条部を形成し、その後の陰極の形成時に悪影響を及ぼすことはない。
【００５９】
電極面１１１ａ上に吐出する組成物の量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする正孔注入／輸送層の厚さ、液状組成物中の正孔注入／輸送層形成材料の濃度等により決定される。また、液状組成物の液滴１１０ｃは１回のみならず、数回に分けて同一の電極面１１１ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物を変えても良い。更に電極面１１１ａの同一箇所のみならず、各回毎に電極面１１１ａ内の異なる箇所に前記液状組成物を吐出しても良い。
【００６０】
インクジェットヘッドの構造については、図１２に示すようなヘッドＨを用いる事ができる。更に、基板とインクジェットヘッドの配置に関しては図１３のように配置することが好ましい。
図１２中、符号Ｈ７は前記のインクジェットヘッドＨ１を支持する支持基板であり、この支持基板Ｈ７上に複数のインクジェットヘッドＨ１が備えられている。
インクジェットヘッドＨ１のインク吐出面（基板との対向面）には、ヘッドの長さ方向に沿って列状に、且つヘッドの幅方向に間隔をあけて２列で吐出ノズルが複数（例えば、１列１８０ノズル、合計３６０ノズル）設けられている。また、このインクジェットヘッドＨ１は、吐出ノズルを基板側に向けるとともに、Ｘ軸（またはＹ軸）に対して所定角度傾いた状態で略Ｘ軸方向に沿って列状に、且つＹ方向に所定間隔をあけて２列に配列された状態で平面視略矩形状の支持板２０に複数（図１２では１列６個、合計１２個）位置決めされて支持されている。
【００６１】
また図１３に示すインクジェット装置において、符号１１１５は基板２を載置するステージであり、符号１１１６はステージ１１１５を図中ｘ軸方向（主走査方向）に案内するガイドレールである。またヘッドＨは、支持部材１１１１を介してガイドレール１１１３により図中ｙ軸方向（副主走査方向）に移動できるようになっており、更にヘッドＨは図中θ軸方向に回転できるようになっており、インクジェットヘッドＨ１を主走査方向に対して所定の角度に傾けることができるようになっている。このように、インクジェットヘッドを走査方向に対して傾けて配置することにより、ノズルピッチを画素ピッチに対応させることができる。
【００６２】
図１３に示す基板２は、マザー基板に複数のチップを配置した構造となっている。即ち、１チップの領域が１つの表示装置に相当する。ここでは、３つの表示領域２ａが形成されているが、これに限られるものではない。例えば、基板２上の左側の表示領域２ａに対して組成物を塗布する場合は、ガイドレール１１１３を介してヘッドＨを図中左側に移動させるとともに、ガイドレール１１１６を介して基板２を図中上側に移動させ、基板２を走査させながら塗布を行う。次に、ヘッドＨを図中右側に移動させて基板の中央の表示領域２ａに対して組成物を塗布する。右端にある表示領域２ａに対しても前記と同様である。なお、図１２に示すヘッドＨ及び図１３に示すインクジェット装置は、正孔注入／輸送層形成工程のみならず、発光層形成工程にも用いるものである。
【００６３】
次に、図７に示すような乾燥工程を行う。つまり、吐出後の第１組成物を乾燥処理し、第１組成物に含まれる溶媒を蒸発させ、正孔注入／輸送層１１０ａを形成する。乾燥処理を行うと、液状組成物に含まれる溶媒の蒸発が、主に無機物バンク層１１２ａ及び有機物バンク層１１２ｂに近いところで起き、溶媒の蒸発に併せて正孔注入／輸送層形成材料が濃縮されて析出する。これにより図７に示すように、第１積層部１１２ｅ上に、正孔注入／輸送層形成材料からなる周縁部１１０ａ２が形成される。この周縁部１１０ａ２は、上部開口部１１２ｄの壁面（有機物バンク層１１２ｂ）に密着しており、その厚さが電極面１１１ａに近い側では薄く、電極面１１１ａから離れた側、即ち有機物バンク層１１２ｂに近い側で厚くなっている。
また、バンク上面１１２ｆには、ミスト吸収構造（凹部１５０）によって吸収した液滴による膜が形成される。ただし、この膜は、凹部内に形成されるものであるので、バンク上面１１２ｆに凸条部を形成することはなく、従って、この上に形成される陰極膜質に影響することはない。
【００６４】
また、これと同時に、乾燥処理によって電極面１１１ａ上でも溶媒の蒸発が起き、これにより電極面１１１ａ上に正孔注入／輸送層形成材料からなる平坦部１１０ａ１が形成される。電極面１１１ａ上では溶媒の蒸発速度がほぼ均一であるため、正孔注入／輸送層の形成材料が電極面１１１ａ上で均一に濃縮され、これにより均一な厚さの平坦部１１０ａ１が形成される。このようにして、周縁部１１０ａ２及び平坦部１１０ａ１からなる正孔注入／輸送層１１０ａが形成される。なお、周縁部１１０ａ２には形成されず、電極面１１１ａ上のみに正孔注入／輸送層が形成される態様であっても構わない。
【００６５】
上記の乾燥処理は、例えば窒素雰囲気中、室温で圧力を例えば大気圧から１３３．３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）程度まで減圧することにより行う。減圧に要する時間は数分から１０分程度とする。圧力を急減に低くすると組成物の液滴１１０ｃが突沸してしまうので好ましくない。また、温度を室温以上にすると、極性溶媒の蒸発速度が高まり、平坦な膜を形成する事ができない。乾燥処理後は、窒素中、好ましくは真空中、２００℃で１０分程度加熱する熱処理を行うことで、正孔注入／輸送層１１０ａ内に残存する極性溶媒や水を除去することが好ましい。
【００６６】
（３）発光層形成工程
発光層形成工程は、発光層形成材料吐出工程及び乾燥工程とからなる。
前述の正孔注入／輸送層形成工程と同様、インクジェット法により発光層形成用の液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。その後、吐出した液状組成物を乾燥処理（及び熱処理）して、正孔注入／輸送層１１０ａ上に発光層１１０ｂを形成する。
【００６７】
図８に、インクジェットにより発光層形成用材料を含む液状組成物の吐出工程を示す。
図示の通り、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対的に移動し、インクジェットヘッドに形成された吐出ノズルＨ６から各色（例えばここでは青色（Ｂ））発光層形成材料を含有する液状組成物が吐出される。
吐出の際には、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に位置する正孔注入／輸送層１１０ａに吐出ノズルを対向させ、インクジェットヘッドＨ５と基板２とを相対移動させながら液状組成物が吐出される。吐出ノズルＨ６から吐出される液量は１滴当たりの液量が制御されている。このように液量が制御された液（液状組成物滴１１０ｅ）が吐出ノズルから吐出され、この液状組成物滴１１０ｅを正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する。
【００６８】
本実施形態では、上記液状組成物滴１１０ｅの配置に続けて、他の発光層用の液状組成物の吐出を行う。つまり、図９に示すように、基板２上に滴下された液状組成物滴１１０ｅを乾燥させることなく、液状組成物滴１１０ｆ及び１１０ｇの吐出配置を行うようになっている。このように各色の発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３を形成するための液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇの滴下を行うに際しては、各色用の液状組成物をそれぞれ充填した複数の吐出ヘッドを、それぞれ独立に走査して基板２上への液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇの配置を行ってもよく、前記複数の吐出ヘッドを一体的に走査することにより、ほぼ同時に液状組成物１１０ｅ〜１１０ｆの配置を行えるようにしてもよい。
【００６９】
図８、図９に示すように、吐出された各液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは、正孔注入／輸送層１１０ａ上に広がって下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に満たされる。その一方で、撥液処理された上面１１２ｆでは各液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが所定の吐出位置からはずれて上面１１２ｆ上に吐出されたとしても（インクミスト１１０ｅｍ）、上面１１２ｆが液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇで濡れることがなく、液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇが下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄ内に転がり込む。ただし、必ずしも全ての液滴１１０ｅｍが適切な開口部に流れ込むわけではなく、一部が誤って隣の画素の開口部に流れ込むことも考えられる。しかし、本実施形態では、画素間の中央部にミスト吸収構造１５０を形成しているので、このような隣接画素への流れ込みは確実に防止される。また、ミスト吸収構造１５０を凹部として形成しているので、吸収した液滴１１０ｅｍが凸条部として形成されることはない。すなわち、液滴１１０ｅｍの乾燥膜が陰極形成時に悪影響を及ぼすことはない。
【００７０】
各正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出する液状組成物量は、下部、上部開口部１１２ｃ、１１２ｄの大きさ、形成しようとする発光層１１０ｂの厚さ、液状組成物中の発光層材料の濃度等により決定される。また、液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇは１回のみならず、数回に分けて同一の正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても良い。この場合、各回における液状組成物の量は同一でも良く、各回毎に液状組成物の液量を変えても良い。更に正孔注入／輸送層１１０ａの同一箇所のみならず、各回毎に正孔注入／輸送層１１０ａ内の異なる箇所に液状組成物を吐出配置しても良い。
【００７１】
発光層形成材料としては、前述のものを用いる事ができる。発光層形成材料を溶解ないし分散させるための溶媒は、各色発光層毎に同じ種類のものを用いることができる。
【００７２】
次に、上記各色用の液状組成物１１０ｅ〜１１０ｇを所定の位置に配置し終えた後、一括に乾燥処理することにより発光層１１０ｂ１〜１１０ｂ３が形成される。すなわち、乾燥により液状組成物滴１１０ｅ〜１１０ｇに含まれる溶媒が蒸発し、図１０に示すような赤色（Ｒ）発光層１１０ｂ１、緑色（Ｇ）発光層１１０ｂ２、青色（Ｂ）発光層１１０ｂ３が形成される。なお、図１０においては赤、緑、青に発光する発光層が１つずつ図示されているが、図１やその他の図より明らかなように本来は発光素子がマトリックス状に形成されたものであり、図示しない多数の発光層（各色に対応）が形成されている。
また、バンク上面１１２ｆには、ミスト吸収構造（凹部１５０）によって吸収した液滴による膜が形成される。ただし、この膜は、凹部内に形成されるものであるので、バンク上面１１２ｆに凸条部を形成することはなく、従って、この上に形成される陰極膜質に影響することはない。
【００７３】
発光層の液状組成物の乾燥は、正孔注入／輸送層の乾燥工程と同様の方法を用いることができる。この際、温度を室温以上にすると、溶媒の蒸発速度が高まり、発光層形成材料が上部開口部１１２ｄ壁面に多く付着してしまうので好ましくない。なお、当該発光層１１０ｂを形成する液状組成物の乾燥処理において、正孔注入／輸送層１１０ａと同様に基板外周部において膜厚むらが生じた場合にも、突出部１１２ｈ１の働きにより、表示不具合の発生が防止ないし抑制されることとなる。
【００７４】
次いで、上記真空乾燥が終了したならば、ホットプレート等の加熱手段を用いて発光層１１０ｂのアニール処理を行うことが好ましい。このアニール処理は、各有機ＥＬ層の発光特性を最大限に引き出せる共通の温度と時間で行う。
このようにして、画素電極１１１上に正孔注入／輸送層１１０ａ及び発光層１１０ｂが形成される。
【００７５】
なお、前記発光層形成材料吐出工程に先立ち、正孔注入／輸送層１１０ａの表面を表面改質するために表面改質工程を行うものとしても良い。
発光層形成工程では、正孔注入／輸送層１１０ａの再溶解を防止するために、発光層形成の際に用いる液状組成物の溶媒として、正孔注入／輸送層１１０ａに対して不溶な溶媒を用いるものとするのが好ましい。しかし、その一方で正孔注入／輸送層１１０ａは、溶媒に対する親和性が低いため、溶媒を含む液状組成物を正孔注入／輸送層１１０ａ上に吐出しても、正孔注入／輸送層１１０ａと発光層１１０ｂとを密着させることができなくなるか、あるいは発光層１１０ｂを均一に塗布できないおそれがある。そこで、溶媒ならびに発光層形成材料に対する正孔注入／輸送層１１０ａの表面の親和性を高めるために、発光層形成の前に表面改質工程を行うことが好ましい。
【００７６】
表面改質工程は、発光層形成の際に用いる液状組成物の溶媒と同一溶媒又はこれに類する溶媒である表面改質材を、インクジェット法（液滴吐出法）、スピンコート法又はディップ法により正孔注入／輸送層１１０ａ上に塗布した後に乾燥することにより行うことができる。ここで用いる表面改質材としては、液状組成物の溶媒と同一なものとして例えば、シクロへキシルベンゼン、イソプロピルビフェニル、トリメチルベンゼン等を例示でき、液状組成物の溶媒に類するものとして例えば、テトラメチルベンゼントルエン、トルエン、キシレン等を例示できる。
【００７７】
（４）陰極形成工程
次に、図１１に示すように、画素電極（陽極）１１１と対をなす陰極１２を形成する。
即ち、各色発光層１１０ｂ及び有機物バンク層１１２ｂを含む基板２上の領域全面に、例えばカルシウム層とアルミニウム層とを順次積層した構成の陰極１２を形成する。これにより、各色発光層１１０ｂの形成領域全体に、陰極１２が積層され、赤色、緑色、青色の各色に対応する有機ＥＬ素子がそれぞれ形成される。
【００７８】
陰極１２は、例えば蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等で形成することが好ましく、特に蒸着法で形成することが、熱による発光層１１０ｂの損傷を防止できる点で好ましい。また陰極１２上に、酸化防止のためにＳｉＯ２、ＳｉＮ等の保護層を設けても良い。
【００７９】
（５）封止工程
最後に、有機ＥＬ素子が形成された基板２と、別途用意した封止基板とを封止樹脂を介して封止する。例えば、熱硬化樹脂または紫外線硬化樹脂からなる封止樹脂を基板２の周縁部に塗布し、封止樹脂上に封止基板を配置する。封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。大気中で行うと、陰極１２にピンホール等の欠陥が生じていた場合にこの欠陥部分から水や酸素等が陰極１２に侵入して陰極１２が酸化されるおそれがあるので好ましくない。
【００８０】
この後、基板２の配線に陰極１２を接続するとともに、基板２上あるいは外部に設けられる駆動ＩＣ（駆動回路）に回路素子部１４の配線を接続することにより、本実施形態の有機ＥＬ装置が完成する。
【００８１】
以上説明したように、本実施形態では、バンク部１１２の上面１１２ｆにミスト吸収用の凹部１５０を形成し、有機ＥＬ層の形成工程において生じるインクミストを吸収している。このため、インクミストが誤って隣の画素に混入して混色を起こしたり、バンク上に残ったインクミストが凸条部として形成され、陰極膜質に悪影響を及ぼす等の問題は生じず、従って、従来のものに比べて高品質且つ信頼性の高い有機ＥＬ装置を提供することができる。
【００８２】
なお、本実施形態では、ミスト吸収構造を凹部とした場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、バンク上面に酸化珪素や酸化チタン等の無機絶縁膜からなる親液膜（ミスト吸収構造）を形成し、この親液膜にインクミストを吸収させることも可能である。この場合には、まず、無機物バンク層１１２ａを形成した基板の表面に、アクリル等からなる第１の材料膜と酸化珪素等からなる第２の材料膜を形成し、第２の材料膜を親液膜の形状にパターニングした後、第１の材料膜を有機物バンク層１１２ｂの形状にパターニングする。こうすることで、無機物バンク層１１２ａ、有機物バンク層１１２ｂ、親液膜の３層構造を容易に形成することができる。
【００８３】
（電子機器）
図１４は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。本実施形態の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を表示手段として備えている。ここでは、携帯電話の一例を斜視図で示しており、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記の有機ＥＬ装置１を用いた表示部を示している。このように本実施形態に係る有機ＥＬ装置を表示手段として備える電子機器では、良好な発光特性を得ることができる。
【００８４】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本実施形態の有機ＥＬ装置の回路図。
【図２】同、平面構成図。
【図３】同、表示領域の断面構成図。
【図４】下部開口部と上部開口部の位置関係を模式的に示す平面図。
【図５】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図６】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図７】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図８】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図９】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１０】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１１】実施形態に係る製造方法を説明する工程図。
【図１２】実施形態に係るヘッドの平面構成図。
【図１３】実施形態に係るインクジェット装置の平面構成図。
【図１４】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００８６】
２…基板、１１０ｃ，１１０ｅ…インク（機能液）、１１０ｃｍ，１１０ｅｍ…インクミスト（機能液のミスト）、１１２…バンク部（隔壁）、１１２ｆ…バンク上面、１１２ｇ…開口部（隔壁によって区画された領域）、１５０…ミスト吸収構造、１０００…電子機器、Ｐ…画素領域（画素）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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