(57)【要約】【課題】  エピタキシャルウェーハに対する重金属汚染を防止することが可能な枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を提供する。【解決手段】  ガス流路Ｇが設けられてなるとともに被処理基板６を水平に保持するサセプター９がガス流路Ｇ内に設けられてなる箱形の反応容器２と、反応容器２の一端２ａ側に備えられて反応容器２内にガスを供給するガス供給部３と、反応容器２の他端２ｂ側に備えられて反応容器２からガスを排出するガス排出部とが少なくとも備えられてなり、ガス供給部３とは別に反応容器２内にエッチングガスを供給する供給ノズル５が反応容器２に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を採用する。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にガス流路が設けられてなるとともに被処理基板を保持するサセプターが前記ガス流路内に設けられてなる箱形の反応容器と、該反応容器の一端側に備えられて前記反応容器内にガスを供給するガス供給部と、前記反応容器の他端側に備えられて前記反応容器からガスを排出するガス排出部とが少なくとも備えられてなる枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置であり、
前記ガス供給部とは別に前記反応容器内にエッチングガスを供給する供給ノズルが前記反応容器に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項２】
前記供給ノズルが前記ガス流路のガス流れ方向両側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項３】
前記供給ノズルが前記ガス流路のガス流れ方向上流側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項４】
前記供給ノズルの内面が石英により被覆されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の保守方法であり、
前記枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置によって前記被処理基板に形成されたエピタキシャル層における重金属濃度が１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上になったときに、前記供給ノズルを清掃するか若しくは新品の供給ノズルに交換することを特徴とする枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の保守方法。
【請求項６】
前記供給ノズルの材質がモリブデン含有ステンレス鋼であり、前記重金属がモリブデンであることを特徴とする請求項５に記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の保守方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびその保守方法に関するものであり、特に、ウェーハの重金属による汚染を低減させることが可能な枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびその保守方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、エピタキシャルウェーハ製造装置として、単一のシリコンウェーハ上にシリコン単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる枚葉式のエピタキシャルウェーハ製造装置が知られている。図８および図９に、従来の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の一例を示す。
【０００３】
図８及び図９に示す枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置５１（以下「製造装置」と表記する）は、箱形の反応容器５２と、反応容器５２の一端側に備えられたガス供給部５３と、反応容器５２の他端側に備えられたガス排出部５４とから概略構成されている。また、反応容器５２の一端側には、シリコンウェーハ等の被処理基板５６を反応容器５２の内部に出し入れするための搬送路５７が設けられている。この搬送路５７の外側には開閉扉５８が開閉自在に取り付けられている。また、反応容器５２の内部全体がガス流路Ｇとされており、このガス流路Ｇの途中に被処理基板５６をエピタキシャル成長させるためのサセプター５９が備えられている。
【０００４】
ガス排出部５４は、反応容器５２の底面の他端側寄りに設けられた排気管５４ａにより構成されている。
一方、ガス供給部５３には、中空箱状の供給本体部６１と、供給本体部６１の内部に配置されたガス導入二重管６２とが備えられている。供給本体部６１の内部空間６１ａは、連結流路６０によって搬送路５７に連通されている。ガス導入二重管６２は、外挿管６２ａとこの外挿管６２ａの内部に挿入された内挿管６２ｂとから構成されており、その長手方向がガス流路Ｇと交差するように配置されている。内挿管６２ｂには、供給本体部６１外側の図示しないガス供給機構からエッチングガス、反応ガス等を供給する供給管６２ｃが接続されている。また、内挿管６２ｂの外径が外挿管６２ａの内径よりも小さく設定されており、これにより外挿管６２ａと内挿管６２ｂとの間に環状路６２ｄが形成されている。内挿管６２ｂの長手方向中央の下側には内挿側ガス供給孔６２ｅが１つだけ設けられ、この内挿側ガス供給孔６２ｅによって内挿管６２ｂの内部と環状路６２ｄとが連通されている。一方外挿管６２ａの上側にはその長手方向に沿って複数の外挿側ガス供給孔６２ｆが設けられ、この外装側ガス供給孔６２ｆによって環状路６２ｄと供給本体部６１の内部空間６１ａとが連通されている。
【０００５】
次に、上記構成の製造装置におけるガスの流通について説明する。まず、供給管を介して、エッチングガス、反応ガス等のガスを、図示しないガス供給機構からガス供給部５３に供給する。供給されたガスは供給管から内挿管６２ｂに送られ、内挿側ガス供給孔６２ｅを通過して環状路６２ｄに入り、環状路６２ｄに入ったガスは環状路６２ｄの上方に送られ、外挿側ガス供給孔６２ｆを通って供給本体部６１の内部空間６１ａに放出される。更にガスは内部空間６１ａの下側に送られ、連結流路６０および搬送路５７を経て反応容器５２に供給される。
反応容器５２に供給されたガスは内部のガス流路Ｇを通って反応容器５２の他端側に送られ、排気管５４ａから反応容器５２の外部に排出される。
【０００６】
反応容器５２を流れるガスには、パージガス、エッチングガス、反応ガス等が含まれる。パージガスには主に窒素が用いられ、エッチングガスには主に塩酸ガスが用いられ、反応ガスには主に水素等のキャリアガスにエピタキシャル層の原料となるシラン類が混合されたガスが用いられる。
エッチングガスは、反応容器５２の内壁面に堆積したシリコンや、被処理基板５６の表面をエッチングために供給される。また反応ガスは、エッチング後の被処理基板５６の表面にエピタキシャル層を形成するために供給される。こうしたガスは、当該製造装置５１におけるエピタキシャルウェーハの成長工程に合わせて、全て上述のガス供給部５３を経由して順次反応室５２内に供給される。
【０００７】
ところで上記の製造装置５１においては、ガス供給部５３における各種ガスの流路が複雑になっており、特にガス導入二重管６２の内部にガスが滞留しやすい構造になっている。エッチングガスである塩酸ガスは比較的重いガスなので特に滞留が起きやすい。このため、被処理基板５６のエッチング終了後にガスを塩化水素ガスから反応ガスに切り替えた場合、系内に残留する塩化水素ガスが徐々に反応容器５２に流出してエピタキシャル層の形成に悪影響を及ぼす場合があった。
【０００８】
また、製造装置５１の保守点検時にガス供給部５３を分解する場合があるが、この際に空気中の水分がガス導入二重管６２に付着する場合がある。こうした付着水をそのままにしてガス供給部５３を再度組み立ててエピタキシャルウェーハの製造を開始すると、ガス導入二重管６２の内部に滞留した塩化水素ガスと付着水とが反応して塩酸が生じてしまい、ガス導入二重管６２を腐食させるおそれがある。ガス導入二重管６２は一般に耐食性に優れたモリブデン含有ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６Ｌ等）が用いられるが、塩酸に対しては比較的弱いので腐食が進み、痕跡量のモリブデン等の重金属が反応容器５２中に飛散して被処理基板５８を汚染させてしまうという問題があった。
【特許文献１】特開２０００−６８２１０号公報
【特許文献２】特開平１１−３２９９７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１には、メンテナンス時の水分混入による塩酸の発生に対する解決手段が示されているが、塩酸による腐食部位を完全に無くすまでには至っていない。また特許文献２には、エッチングガスの供給管を別個に設けた技術が開示されているが、この供給管は反応容器と一体に形成されているので、水分混入による塩酸の発生に伴う腐食部位が生じたとしても、その腐食部位を取り除くのが容易ではない。
【００１０】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、エピタキシャルウェーハに対する重金属汚染を防止することが可能な枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびその保守方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置は、内部にガス流路が設けられてなるとともに被処理基板を保持するサセプターが前記ガス流路内に設けられてなる箱形の反応容器と、該反応容器の一端側に備えられて前記反応容器内にガスを供給するガス供給部と、前記反応容器の他端側に備えられて前記反応容器からガスを排出するガス排出部とが少なくとも備えられてなる枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置であり、前記ガス供給部とは別に前記反応容器内にエッチングガスを供給する供給ノズルが前記反応容器に着脱自在に取り付けられていることを特徴とする。
また、本発明の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置においては、前記供給ノズルが前記ガス流路のガス流れ方向両側に配置されていることが好ましい。
また、本発明の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置においては、前記供給ノズルが前記ガス流路のガス流れ方向上流側に配置されていることが好ましい。
また、本発明の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置においては、前記供給ノズルの内面が石英により被覆されていることが好ましい。
【００１２】
上記の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置（以下「製造装置」と表記する場合がある）によれば、エッチングガスを供給する供給ノズルがガス供給部とは別に備えられているので、ガス供給部の腐食が低減されて、ガス供給部の保守頻度が少なくなる。また供給ノズルが反応容器に対して着脱自在に取り付けられているので、保守作業を容易に行うことが可能となり、これにより供給ノズルに腐食が生じた場合であってもすぐに清掃または交換を行うことが可能となり、反応容器内部の汚染を防止することができる。
また、供給ノズルをガス流路のガス流れ方向両側に配置させることで、反応容器の内壁に堆積したシリコン等を効率よくエッチングして除去することが可能になる。また当該ノズルをガス流れ方向両側に配置することで、ノズルと被処理基板との距離が短くなり、被処理基板のエッチングを効率よく行える。
更に、供給ノズルをガス流路のガス流れ方向上流側に配置させることで、エッチングガスを反応容器全体に均一に拡散させることが可能になり、これにより反応容器の内壁に堆積したシリコン等を効率よくエッチングして除去することが可能になる。
また、供給ノズルの内面が石英によって被覆されているので、供給ノズルの腐食をより低減させることが可能になる。
【００１３】
次に、本発明の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の保守方法は、先のいずれかに記載の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の保守方法であり、前記枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置によって前記被処理基板に形成されたエピタキシャル層における重金属濃度が１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上になったときに、前記供給ノズルを清掃するか若しくは新品の供給ノズルに交換することを特徴とする。
また、本発明の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の保守方法においては、前記供給ノズルの材質がモリブデン含有ステンレス鋼であり、前記重金属がモリブデンであることが好ましい。
【００１４】
上記の製造装置の保守方法によれば、エピタキシャル層における重金属濃度が上記の濃度以上になったときに供給ノズルを清掃するか若しくは新品の供給ノズルに交換するので、エピタキシャル層の重金属による汚染を低減させることが可能となり、また反応容器内部の清浄度を向上させることができる。
また、供給ノズルの材質をモリブデン含有ステンレス鋼とした場合には、エピタキシャル層の重金属汚染を測る指標としてモリブデンを用いることが可能になる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、エピタキシャルウェーハに対する重金属汚染を防止することが可能な枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置およびその保守方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本実施形態の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の一例を示す斜視図であり、図２は図１の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の内部を示す平面断面図である。また図３は、図１のエピタキシャルウェーハ製造装置において運転時間とエピタキシャル層のモリブデン濃度との関係を示すグラフである。また、図４は本実施形態の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の他の例を示す斜視図であり、図５は図４の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の内部を示す平面断面図である。更に図６は本実施形態の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の別の例を示す斜視図であり、図７は枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置に備えられる供給ノズルの一例を示す断面図である。
尚、これらの図は枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の構成を説明するためのものであり、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の寸法関係とは異なる場合がある。
【００１７】
図１及び図２に示す枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置１（以下「製造装置」と表記する場合がある）は、箱形の反応容器２と、反応容器２の一端２ａ側に備えられたガス供給部３と、反応容器２の他端２ｂ側に備えられたガス排出部４と、一対の供給ノズル５とから概略構成されている。また、反応容器２の一端２ａ側には、シリコンウェーハ等の被処理基板６を反応容器２内部に出し入れするための搬送路７が設けられている。この搬送路７の外側には開閉扉８が開閉自在に取り付けられている。なお、図１では開閉扉の図示を省略している。また、反応容器２の内部全体がガス流路Ｇとされており、このガス流路Ｇの途中には被処理基板６を回転自在に保持するためのサセプター９が備えられている。また搬送路７は、図示略のウェーハ供給部に連結されており、搬送路７とウェーハ供給部は前記の開閉扉８によって仕切られている。ウェーハ供給部には被処理基板６を一時的に貯留するスペースが設けられており、反応容器２に対して被処理基板６を１枚ずつ供給できるように構成されている。
【００１８】
ガス排出部４は、反応容器２の底面２ｃの他端２ｂ側寄りに設けられた排気管４ａにより構成されている。
一方、ガス供給部３には、中空箱状の供給本体部１１と、供給本体部１１の内部に配置されたガス導入二重管１２とが備えられている。供給本体部１１の内部空間１１ａは、図示略の連結流路によって搬送路７に連通されている。ガス導入二重管１２は、断面視円環状の外挿管１２ａとこの外挿管１２ａの内部に挿入された断面視円環状の内挿管１２ｂとから構成されており、その長手方向がガス流路と交差するように配置されている。内挿管１２ｂには、供給本体部１１外側の図示しないガス供給機構から反応ガス等を供給するための供給管１２ｃが接続されている。また、内挿管１２ｂの外径が外挿管１２ａの内径よりも小さく設定されており、これにより外挿管１２ａと内挿管１２ｂとの間に環状路１２ｄが形成されている。内挿管１２ｂの長手方向中央の下側には内挿側ガス供給孔１２ｅが１つだけ設けられ、この内挿側ガス供給孔１２ｅによって内挿管１２ｂの内部と環状路１２ｄとが連通されている。一方外挿管１２ａの上側にはその長手方向に沿って図示略の複数の外挿側ガス供給孔が設けられ、この外装側ガス供給孔によって環状路１２ｄと供給本体部１１の内部空間１１ａとが連通されている。
【００１９】
また、反応容器２の側壁２ｄ、２ｄには、エッチングガスを反応容器２に供給する一対の供給ノズル５、５が着脱自在に取り付けられている。反応容器２の側壁２ｄには貫通孔２ｅが設けられており、この貫通孔２ｅに供給ノズル５が着脱自在に挿入されている。貫通孔２ｅは側壁２ｄの厚み方向に対して斜め方向に穿孔されており、これにより供給ノズル５が反応容器２に装着された時に供給ノズル５の先端部５ａがガス排出部４側を向くようになっている。供給ノズル５の基端５ｂ側には、図示略のエッチングガス供給管が接続されており、供給ノズル５とエッチングガス供給管は相互に着脱できるようになっている。供給ノズル５の材質はモリブデン含有ステンレス鋼等の耐食性に優れた材質が好ましく、具体的にはSUS316L等が好ましい。
【００２０】
次に、上記構成の製造装置１におけるガスの流通形態について説明する。パージガス及び反応ガスは、図示しないガス供給機構から供給管１２ｃを介してガス供給部３に供給される。供給されたガスは供給管１２ｃから内挿管１２ｂに送られ、内挿側ガス供給孔１２ｅを通過して環状路１２ｄに入り、環状路１２ｄに入ったガスは環状路１２ｄの上方に送られ、外挿側ガス供給孔を通って供給本体部１１の内部空間１１ａに放出される。更にガスは内部空間１１ａの下側に送られ、連結流路および搬送路７を経て反応容器２に供給される。
反応容器２に供給されたガスは内部のガス流路Ｇを通って反応容器２の他端２ｂ側に送られ、排気管４ａから反応容器２の外部に排出される。
一方、エッチングガスは、図示略のエッチングガス供給管から一対の供給ノズル５、５に送られ、供給ノズル５から反応容器２内部に供給される。反応容器２に供給されたエッチングガスは、上記の反応ガス等と同様に、ガス流路Ｇを通って反応容器２の他端２ｂ側に送られ、排気管４ａから反応容器２の外部に排出される。
【００２１】
反応容器２を流通するガスには、上述の通りパージガス、エッチングガス、反応ガス等が含まれる。パージガスには主に窒素および水素が用いられ、エッチングガスには主に塩酸ガスが用いられ、反応ガスには主に水素等のキャリアガスにエピタキシャル層の原料となるシラン類が混合されたガスが用いられる。
パージガスは、反応容器２の雰囲気制御のために供給される。またエッチングガスは、反応容器２の内壁面に堆積したシリコンや、被処理基板６の表面をエッチングために供給される。更に反応ガスは、エッチング後の被処理基板６の表面にエピタキシャル層を形成するために供給される。上述の通り、パージガス及び反応ガスはガス供給部３から反応容器２に供給され、エッチングガスは供給ノズル５から反応容器２に供給される。
【００２２】
上記の製造装置１によりシリコンウェーハにエピタキシャル層を形成する方法について説明する。まず、水素雰囲気下で被処理基板６をサセプター９上に載置して開閉扉８を閉じる。次に、反応容器２内を所定のエッチング温度まで加熱して被処理基板６の表面を水素ベークする。次に、供給ノズル５から塩化水素ガスを供給して被処理基板６の表面をエッチングし、パーティクル等を除去する。次に反応容器２内の温度を所定の成長温度に設定し、シラン等の反応ガスをガス供給部３から導入してエピタキシャル層を成長させる。エピタキシャル成長後、反応容器２内を降温する。次に、反応容器２から処理済の被処理基板６を取り出し、供給ノズル５から反応容器２の内部に塩化水素ガスを供給して反応容器２の内壁面に付着したシリコンの堆積物をエッチングして除去する。このようにして一連の処理が終了したなら、別の被処理基板を反応容器２内部に設置して成膜処理を続行する。
【００２３】
以上のように、塩化水素ガスが供給ノズル５から反応容器２に供給されるので、ガス供給部３に塩化水素が滞留するおそれがなく、ガス供給部３における腐食を防止することができる。また、供給ノズル５が脱着自在とされているので、供給ノズル５が腐食した場合でもその保守作業を容易に行うことができ、反応容器２内部の汚染を防止できる。また、供給ノズル５の腐食の程度が酷くなって交換を要する場合でも交換作業を容易に行うことができる。
また、供給ノズル５をガス流路Ｇのガス流れ方向Ａの両側に配置させることで、反応容器２の内壁面に堆積したシリコン等を効率よくエッチングして除去することができる。また供給ノズル５をガス流れ方向のＡ両側に配置することで、ノズル５と被処理基板６との距離が短くなり、被処理基板６のエッチングを効率よく行える。
【００２４】
また上記の製造装置１において、供給ノズル５を保守する際の目安としては、前記製造装置１によって被処理基板６に形成されたエピタキシャル層における重金属濃度が、１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上になったときに、供給ノズル５を清掃するか、若しくは新品の供給ノズルに交換することが望ましい。供給ノズル５の材質がモリブデン含有ステンレス鋼である場合は、供給ノズル５の腐食に伴ってエピタキシャル層がモリブデンにより汚染されるので、モリブデンの濃度を監視することで反応容器２内部の重金属汚染状況を監視できる。
なお、一例として交換の目安を１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上としたのは、エピタキシャル層における重金属濃度がこの範囲になると、エピタキシャルウェーハを用いて製造されたデバイスの歩留まり、性能等に悪影響を及ぼすおそれがあるためである。
【００２５】
図３には、供給ノズル５の材質をSUS316Lとした上記の製造装置１において、運転時間とエピタキシャル層のモリブデン濃度との関係をグラフで示す。図３に示すように、エピタキシャル層のモリブデン濃度は、保守作業の後から徐々に上昇していく。これは、保守作業時に供給ノズル５に水分が付着し、この水分と塩酸ガスとが化合して塩酸を形成し、この塩酸によって供給ノズル５が腐食されてエピタキシャル層のモリブデン濃度が増加するためである。そして、モリブデン濃度が１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上になった時点で供給ノズル５を清掃するか、あるいは交換することで、エピタキシャル層におけるモリブデン濃度が大幅に低下する。
上記の製造装置１の保守方法によれば、エピタキシャル層における重金属濃度が上記の濃度以上になったときに供給ノズル５を清掃するか若しくは新品の供給ノズルに交換するので、エピタキシャル層の重金属による汚染を低減させることが可能となり、また反応容器２内部の清浄度を低減させることができる。
【００２６】
図４及び図５には、本実施形態の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の他の例を示す。この製造装置２１には、反応容器２のガス流路Ｇの上流側に供給ノズル２５が着脱自在に取り付けられている。すなわち、反応容器２のガス供給部３側の両側の壁部２２ａに貫通孔２２ｂが設けられ、この貫通孔２２ｂに供給ノズル２５が着脱自在に取り付けられている。この構成によって、パージガス等の供給手段であるガス供給部３の両側からエッチングガスを供給できるようになる。これにより、エッチングガスを反応容器２全体に均一に拡散させることが可能になり、反応容器２の内壁に堆積したシリコン等を効率よくエッチングして除去することが可能になる。
【００２７】
図６には、本実施形態の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の別の例を示す。この製造装置には、反応容器２のガス流路の上流側に供給ノズル３５が着脱自在に取り付けられている。すなわち、ガス供給部３の搬送路７の左右両側に供給ノズル３５が引き込まれ、供給ノズル３５の先端部３５ａが反応容器２内部に挿入されている。この構成によって、パージガス等の供給手段である搬送路７の両側からエッチングガスを供給できるようになる。これにより、エッチングガスを反応容器２全体に均一に拡散させることが可能になり、反応容器２の内壁面に堆積したシリコン等を効率よくエッチングして除去することが可能になる。
また図７に示すように、供給ノズル３５の内面３５ｂを石英層（石英）３５ｃによって被覆させてもよい。これにより、供給ノズル３５の腐食をより低減させることが可能になる。
【００２８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記の実施形態では、図６の製造装置の供給ノズル３５の内面３５ｂを石英３５ｃで被覆させた例について説明したが、石英による供給ノズル内面の被覆を、図１もしくは図４の製造装置１、２１に適用しても良い。
また、供給ノズルの取り付け位置は本実施形態に限定されるものではなく、例えばガス流通路の上下方向、上方向または下方向のいずれかの位置に取り付けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】図１は本発明の実施形態である枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の一例を示す斜視図。
【図２】図２は図１の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の内部を示す平面断面図。
【図３】図３は、図１のエピタキシャルウェーハ製造装置において運転時間とエピタキシャル層のモリブデン濃度との関係を示すグラフ。
【図４】図４は本発明の実施形態である枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の他の例を示す斜視図。
【図５】図５は図４の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の内部を示す平面断面図。
【図６】図６は本発明の実施形態である枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置の別の例を示す斜視図。
【図７】図７は枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置に備えられる供給ノズルの一例を示す断面図。
【図８】図８は従来の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を示す側面断面図。
【図９】図９は従来の枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置を示す平面断面図。
【符号の説明】
【００３０】
１、２１…製造装置（枚葉式エピタキシャルウェーハ製造装置）、９…サセプター、２…反応容器、２ａ…一端、２ｂ…他端、３…ガス供給部、４…ガス排出部、５…供給ノズル、３５ｂ…内面、３５ｃ…石英層（石英）、６…被処理基板、Ｇ…ガス流路
【図１】
2006228782.tif 000003
【図２】
2006228782.tif 000004
【図３】
2006228782.tif 000005
【図４】
2006228782.tif 000006
【図５】
2006228782.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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