(57)【要約】【課題】  原料投入による結晶成長の中断が無くて、結晶シートの製造効率を効果的に向上できる結晶シートの製造装置を提供すること。【解決手段】  ヒータ１５で周囲が囲まれた外側ルツボ３の内側に、円筒形状の内側ルツボ４を備え、ヒータ１５で加熱されて溶融したシリコン材料を、内側ルツボ４の下端の開口を介して、外側ルツボ３内から内側ルツボ４内に供給する。複数の基板８を支持する基板支持部６が、回転機構１２で回転駆動されて、基板８を内側ルツボ４内の溶融シリコン中に順次浸漬する。内側ルツボ４内の溶融シリコンの液面が限界高さに低下すると、固体のシリコン原料を、原料投入器５及び原料投入管を介して、外側ルツボ３と内側ルツボ４との間に供給する。外側ルツボ３を外側ルツボ用回転昇降機構１０によって鉛直軸周りに回転駆動して、溶融シリコンを攪拌することにより、固体シリコン原料を溶融シリコン中に迅速に混入させて溶解させる。【選択図】図１
2006179805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融した半導体材料を受ける第１ルツボと、
上記第１ルツボに、固体の半導体材料を供給する材料供給部と、
上記第１ルツボに供給された固体の半導体材料を溶融するヒータと、
上記第１ルツボから、溶融した上記半導体材料が供給される第２ルツボと、
上記第２ルツボ内の上記溶融した半導体材料に、上記半導体の結晶成長を行うべき基体を浸漬する基体浸漬部と
を備えることを特徴とする結晶シートの製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の結晶シートの製造装置において、
上記材料供給部が上記第１ルツボに上記固体の半導体材料を供給するときに、上記第１ルツボを回転させるルツボ回転部を備えることを特徴とする結晶シートの製造装置。
【請求項３】
請求項１に記載の結晶シートの製造装置において、
上記第２ルツボは、上記第１ルツボ内に収容されていると共に、この第１ルツボと上記第２ルツボとを連通する開口を有することを特徴とする結晶シートの製造装置。
【請求項４】
請求項１に記載の結晶シートの製造装置において、
上記基体浸漬部が浸漬する基体と、上記第２ルツボ内の上記溶融した半導体材料の表面との間の距離を変更する距離変更部を備えることを特徴とする結晶シートの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、結晶シートの製造装置に関し、特に、シリコンの結晶シートの製造に好適な結晶シートの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池等の半導体装置に使用されるシリコンの結晶シートは、従来、シリコン結晶塊をスライスして製造されている。上記シリコン結晶塊の製造方法としては、チョコラルスキー法（ＣＺ法）やキャスト法が一般に採用されている。
【０００３】
上記ＣＺ法は、シリコン原料の融液に、種となる単結晶シリコンの小片を直接接触させ、この小片を引き上げることで単結晶を育成し、円筒状のシリコン結晶塊を得る方法である。一方、上記キャスト法は、シリコン原料をルツボ内に置き、一旦加熱して溶融させた後、上記ルツボの底から溶融シリコンを冷却することにより、シリコン結晶塊を得る方法である。
【０００４】
これらの方法で製造されたシリコン結晶塊を、スライス工程にかけてスライスして、シリコンの結晶シートを製造している。
【０００５】
しかしながら、上記スライス工程にはコストがかかり、切り代はシリコン原料の損失になるため、スライス工程が不要となるシリコンリボン法の開発が注目されている。このシリコンリボン法としては、ＥＦＧ法やデントライトＷｅｂ法がある。上記ＥＦＧ法は、スリット状の開口部を有するカーボン製のダイを用いて、毛管現象でシリコン融液を引き上げ、このダイの上端部で種結晶を用いてリボン状のシリコンを引き出す方法である。一方、上記デントライトＷｅｂ法は、シリコン融液の表面を過冷却状態に保つことにより、この表面にシリコンの結晶シートを生成する方法である。
【０００６】
しかしながら、上記ＥＦＧ法やデントライトＷｅｂ法では、シリコン結晶の成長速度が、凝固熱と、固液界面近傍の温度分布とによって定まる熱の移動量に大きく影響され、結晶シートを連続的に安定して生成することができないという問題がある。
【０００７】
この問題点を解決するため、図６に示すような結晶シートの製造装置が提案されている（例えば特開２００１−２４７３９６号公報：特許文献１参照）。この製造装置は、チャンバ３１と、このチャンバ３１内に配置された断熱材３７と、この断熱材３７内に配置されて、結晶シートが形成されるべき主表面を有する複数の基板３３と、この複数の基板３３を支持すると共に円形経路に沿うように回動させる回動部材３２と、ヒータ３４と、ルツボ台３５と、シリコン原料の投入ポート３６と、ルツボ３８とを有する。
【０００８】
この結晶シートの製造装置は、以下のようにしてシリコンの結晶シートを製造する。
【０００９】
まず、ルツボ３８内にシリコン原料を入れた後、チャンバ３１内が所定の真空度になる様に真空ポンプで真空引きを行う。この後、アルゴンガスを導入してチャンバ３１内を常圧にし、続いて、このチャンバ３１の上部からアルゴンガスを常に所定量流し続ける。
【００１０】
引き続いて、ルツボ３８に隣接するヒータ３４により、ルツボ３８内の温度を上昇させて、このルツボ３８内のシリコン原料を溶融させる。
【００１１】
次に、ルツボ３８内の溶融シリコンに基板３３の表面が所定量浸漬するように、ルツボ台３５に設けた図示しない昇降機構によって、上記ルツボ３８の液面高さを調整する。
【００１２】
その後、上記回動部材３２によって複数の基板３３を矢印Ｒ３で示す方向に回転駆動し、この複数の基板３３を上記ルツボ３８内の溶融シリコンに順次浸漬させて、上記基板３３の主表面にシリコンを結晶成長させる。なお、上記回動部材３２は、カーボン製の円筒構造を有し、内部に、冷却ガスが流れる冷却回路を有して、この冷却回路によって回動部材３２の冷却を行うようになっている。
【００１３】
上記基板３３の主表面の結晶成長が終了した後、複数の基板３３を本体チャンバ３１から順次送り出し、剥離用のローラ（図示せず）によって基板３３からシリコン結晶を剥離させて、シリコンの結晶シートを得る。
【００１４】
上記従来の結晶シートの製造装置は、基板３３での結晶成長が進むに伴ってルツボ３８内の溶融シリコンの量が減少するところ、上記基板３３の溶融シリコンへの浸漬量を略一定にする必要がある。したがって、上記回動部材３２で基板３３を回転駆動しつつ、上記昇降機構によってルツボ３８の高さの調節を行っている。
【００１５】
しかしながら、上記昇降機構によって調節されるルツボ３８の高さには、このルツボ３８と回動部材３２とが接触する限界の高さがある。したがって、この限界高さに達する前に、回動部材３２を停止して、原料投入ポート３６からシリコン原料を追加投入して、ルツボ３８内の液面を所定の高さに戻すと共に、ルツボ３８の高さを当初の高さまで下げる作業が必要となる。その結果、シリコンの結晶成長が中止されるので、結晶シートの製造時間が長くなるという問題がある。
【００１６】
さらに、ルツボ３８内に追加投入されるシリコン原料は固体原料であり、シリコンは融液よりも固体の方が比重が小さいので、追加投入されたシリコン原料がルツボ３８内の溶融シリコンの表面に浮遊することになる。この溶融シリコンの表面に浮遊するシリコン原料の全体を溶融するには、シリコン原料の融液に接しない上側部分を確実に溶融するために、ルツボ３８内の温度をシリコンの融点よりも高い１５００℃程度に上昇させる必要がある。したがって、上記従来の結晶シートの製造装置では、回動部材３２の回動を停止し、ルツボ３８内の温度を結晶成長時の１４３０℃程度から１５００℃程度まで上昇させ、シリコン原料を投入してシリコン原料の全体を溶融し、その後、ルツボ３８内の温度を再度１４３０℃程度に下げている。ここで、ルツボ３８の温度及び溶融シリコンの温度を安定にするために、ルツボ３８内の温度を再度１４３０℃程度に低下させた後、３０分程度の休止時間をおいてから、回動部材３２の回動を再開してシリコンの結晶成長を再開している。したがって、シリコン原料の追加を行うために、結晶成長工程が３０分以上中断されてしまって、結晶シートの製造効率が低下するという問題がある。
【特許文献１】特開２００１−２４７３９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
そこで、本発明の課題は、原料投入による結晶成長の中断が無くて、結晶シートの製造効率を効果的に向上できる結晶シートの製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するため、本発明の結晶シートの製造装置は、
溶融した半導体材料を受ける第１ルツボと、
上記第１ルツボに、固体の半導体材料を供給する材料供給部と、
上記第１ルツボに供給された固体の半導体材料を溶融するヒータと、
上記第１ルツボから、溶融した上記半導体材料が供給される第２ルツボと、
上記第２ルツボ内の上記溶融した半導体材料に、上記半導体の結晶成長を行うべき基体を浸漬する基体浸漬部と
を備えることを特徴としている。
【００１９】
上記構成によれば、上記第１ルツボに、上記材料供給部によって固体の半導体材料が供給される一方、上記第２ルツボ内の溶融した半導体材料に、上記基体浸漬部によって基体が浸漬される。したがって、上記第２ルツボ内で上記基体に半導体の結晶成長を行いつつ、上記第１ルツボに固体の半導体材料を供給できるので、従来におけるように半導体材料を供給するために結晶成長を停止する必要が無い。その結果、従来よりも高い効率で、上記基体に結晶成長を行って、結晶シートを製造することができる。
【００２０】
また、上記固体の半導体材料が供給される第１ルツボと、上記基体が浸漬される第２ルツボとに分かれていると共に、上記第１ルツボから第２ルツボに溶融した上記半導体材料が供給されるので、固体の半導体材料が基体の結晶成長面に付着して半導体結晶の品質を低下させる不都合を、効果的に防止できる。また、上記第１ルツボに固体の半導体材料が供給されるに伴って、この第１ルツボの溶融半導体材料の液面が動いても、この液面の動きが第２ルツボに伝わることを防止できるので、液面の動きによって半導体結晶の品質が低下する不都合を防止できる。
【００２１】
なお、本発明の結晶シートの製造装置は、半導体材料としてシリコンを用いて、シリコンの結晶シートを製造するのに好適である。
【００２２】
一実施形態の結晶シートの製造装置は、上記材料供給部が上記第１ルツボに上記固体の半導体材料を供給するときに、上記第１ルツボを回転させるルツボ回転部を備える。
【００２３】
上記実施形態によれば、上記ルツボ回転部によって第１ルツボが回転された状態で、この第１ルツボに上記固体の半導体材料が供給されるので、この固体の半導体材料は、上記第１ルツボ内の既に溶融した半導体材料に対して均一に攪拌されて混合される。したがって、上記固体の半導体材料が迅速に溶融すると共に、上記第１ルツボ内の半導体材料の温度分布が迅速に均一になる。その結果、上記第２ルツボに溶融した半導体材料を迅速に供給できるので、この第２ルツボ内の溶融した半導体材料の液面位置を安定にできて、結晶シートの製造効率を効果的に向上できる。また、上記第１ルツボ内において、溶融した半導体材料の表面が凝固することを防止できる。
【００２４】
一実施形態の結晶シートの製造装置は、上記第２ルツボは、上記第１ルツボ内に収容されていると共に、この第１ルツボと上記第２ルツボとを連通する開口を有する。
【００２５】
上記実施形態によれば、比較的小さいスペースに第１及び第２ルツボを配置することができると共に、簡易な構成で、上記第２のルツボから第１のルツボに溶融した半導体材料を供給することができる。
【００２６】
一実施形態の結晶シートの製造装置は、上記基体浸漬部が浸漬する基体と、上記第２ルツボ内の上記溶融した半導体材料の表面との間の距離を変更する距離変更部を備える。
【００２７】
上記実施形態によれば、上記第１ルツボ内に半導体材料が供給されることにより、上記第２ルツボ内の溶融半導体材料の表面の高さが変わっても、上記距離変更部によって、上記基体と上記溶融半導体材料の表面との間の距離が変更されるので、この溶融半導体材料の所定深さまで上記基体を安定して浸漬できる。
【発明の効果】
【００２８】
以上のように、本発明の結晶シートの製造装置は、第１ルツボに、材料供給部によって固体の半導体材料を供給する一方、第２ルツボ内の溶融した半導体材料に、基体浸漬部によって基体を浸漬するので、上記第２ルツボ内で上記基体に半導体の結晶成長を行いつつ、上記第１ルツボに固体の半導体材料を供給できるから、従来よりも高い効率で、上記基体に結晶成長を行って結晶シートを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施形態としての結晶シート製造装置を示す断面図である。図２は、上記結晶シート製造装置の図１の断面と直交する断面を示す断面図である。
【００３１】
本実施形態の結晶シート製造装置１は、チャンバ２と、このチャンバ２内に配置された断熱材１６と、この断熱材１６の内側に配置されて、コイルを用いた高周波誘導によって熱を生成するヒータ１５を備える。このヒータ１５に囲まれるように、第１ルツボとしての外側ルツボ３が配置されている。この外側ルツボ３は、高純度カーボンで形成されている。この外側ルツボ３内には、第２ルツボとしての内側ルツボ４が収容されている。この内側ルツボ４は、略円筒形状を有し、下端の開口を介して上記外側ルツボ３の内部と連通している。この内側ルツボ４は、カーボンで形成されている。
【００３２】
上記チャンバ２の天板には、固体シリコン原料１４が投入される原料投入器５を備え、この原料投入器５に連なる原料投入管を介して、上記外側ルツボ３内に上記固体シリコン原料１４が供給されるようになっている。上記原料投入部５と原料投入管とで、本発明の材料供給部を構成している。
【００３３】
上記内側ルツボ４の上方には、シリコンが結晶成長される基体としての基板８を周面に複数個支持すると共に、上記内側ルツボ４内の溶融シリコンに上記基板８を浸漬するように形成された基体浸漬部としての基板支持部６を備える。この基板支持部６は、リング形状を有し、このリング形状の基板支持部６の内側に、この基板支持部６を回転駆動する回転機構１２が収容されている。
【００３４】
上記チャンバ２の天板に、上記基板支持部６及び回転機構１２を昇降駆動する基板用昇降機構１１を備える。この基板用昇降機構１１は、モータ駆動されるボールねじ２２と、このボールねじ２２に螺合する移動子２３と、この移動子２３に連結されて上記回転機構１２を吊り下げる吊下部材２４とで構成されている。
【００３５】
上記チャンバ２内には、上記内側ルツボ４を支持すると共に、この内側ルツボ４内の液面に対応して、この内側ルツボ４を昇降させる内側ルツボ用昇降機構９を備える。この内側ルツボ用昇降機構９は、図示しないモータで回転駆動されるボールねじ２０と、このボールねじ２０に螺合する移動子２１と、この移動子２１に一端が連結されたアーム２５とで構成され、上記アーム２５の他端に、上記内側ルツボ４が連結されている。
【００３６】
また、上記チャンバ２内に、上記外側ルツボ３を鉛直軸周りに回転させると共に、この外側ルツボ３を鉛直方向に移動させて高さを調整する外側ルツボ用回転昇降機構１０を備える。
【００３７】
また、上記チャンバ２に形成された窓を介して、レーザを用いて上記外側ルツボ３内の溶融シリコンの液面を監視する液面監視センサー１３が、上記チャンバ２の天板に設けられている。
【００３８】
また、結晶成長すべき基板８を基板支持部６に取り付けると共に、この基板支持部６から結晶成長された基板８を取り外すプッシャ機構１９を備える。更に、結晶成長すべき基板８を、チャンバ２の外部から内部に供給して上記プッシャ機構１９に受け渡す供給ベルトコンベア１７ａと、上記プッシャ機構１９から結晶成長された基板８を受け取ってチャンバ２の内部から外部に搬出する搬出ベルトコンベア１７ｂを備える。これあのベルトコンベア１７ａ，１７ｂには、基板８の落下防止用のガイドが長手方向両側に設けられている。
【００３９】
上記構成の結晶シート製造装置１の動作について、太陽電池の部品として用いられるシリコンの結晶シートを製造する場合を例に挙げて説明する。
【００４０】
まず、チャンバ２内を大気開放した状態で、内側ルツボ用昇降機構９によって内側ルツボ４を鉛直上向きに駆動して、外側ルツボ３よりも上方に移動させる。そして、この外側ルツボ３内に固体のシリコン原料を入れ、チャンバ２の扉（図示せず）を閉じて、上記チャンバ２内が所定の真空度になる様に真空ポンプ（図示せず）によって真空引きを行う。なお、上記チャンバ２の外側壁面及び扉には、冷却管（図示せず）が取り付けられて水冷が行われる。
【００４１】
次に、上記チャンバ２内を６．７×１０−１Ｐａ以下に減圧後、アルゴンガスを導入してチャンバ２内を常圧環境とした後、チャンバ２の上部から１ｄｍ３/分の流量でアルゴンガスの供給を開始する。
【００４２】
続いて、外側ルツボ３の周りに設置したヒータ１５を起動し、上記外側ルツボ３内の温度が１５００℃になるまで外側ルツボ３の加熱を行って、この外側ルツボ３内に投入された固体シリコン原料を溶融させる。溶融したシリコンは、内側ルツボ４の下端の開口を介して、外側ルツボ３から内側ルツボ４内に供給される。
【００４３】
次に、ヒータ１５の発熱量を低減して、上記外側ルツボ３内の温度を１４３０℃まで下げ、この温度状態を約３０分保持して、溶融シリコンの温度分布等を安定化させる。
【００４４】
その後、内側ルツボ用昇降機構９を駆動して、上記内側ルツボ４を、上記外側ルツボ３内の溶融シリコン中に浸かる高さまで降下させる。
【００４５】
続いて、基板用昇降機構１１を駆動して、基板支持部６の高さを調整する。詳しくは、上記基板支持部６に支持された基板８が、上記内側ルツボ４内の溶融シリコン中に約３ｍｍの深さで浸漬するように、上記基板支持部６の高さを調節する。
【００４６】
そして、回転機構１２による基板支持部６の回転駆動を開始して、この基板支持部６の周面に支持された複数の上記基板８を、内側ルツボ４内の溶融シリコン中に順次浸漬する。これにより、上記基板８の主表面上に、シリコン結晶成長が行われて、結晶シート７が形成される。
【００４７】
図３は、上記基板支持部６及び基板８と、この基板８の主表面に結晶成長が行われて形成された結晶シート７とを示す概略図である。図３に示すように、上記基板支持部６及び基板８が、矢印Ｒ１に示す方向に毎分０．５回転の速度で回転駆動されることにより、上記基板８の主表面に適切にシリコンの結晶成長を行うことができる。
【００４８】
なお、上記基板支持部６は、カーボン製で中空構造となっており、内部に冷却ガスを流す冷却回路を設けて、上記冷却ガスで基板支持部６の冷却を行っている。
【００４９】
上記基板８上に結晶シート７が形成された後、プッシャ機構１９によって、上記結晶シート７が形成されたシート形成基板１８を基板支持部６から取り外す。
【００５０】
図４は、上記シート形成基板１８を基板支持部６から取り外す様子を説明する斜視図である。
【００５１】
まず、結晶シート７が形成されたシート形成基板１８が、上記基板支持部６で回動されて基板支持部６の最上端に位置したとき、供給ベルトコンベア１７ａの端部に、結晶シートを形成すべき処理前の基板８が待機位置に配置していて、上記シート形成基板１８と処理前の基板８とが、上記基板支持部６の回転軸方向と略平行を向くことになる。ここで、プッシャ機構１９は、プッシャアーム２７をシート形成基板１８の側面と処理前の基板８の側面とに当接させて、２００ｍｍ／ｓｅｃの速度で、上記シート形成基板１８と処理前の基板８とを、基板支持部６の回転軸が延びる方向、すなわち、図４の矢印Ｌの方向に駆動する。これにより、上記シート形成基板１８は基板支持部６から搬出ベルトコンベア１７ｂに移されると共に、上記処理前の基板８は供給ベルトコンベア１７ｂから基板支持部６に移される。こうして、上記基板支持部６が支持していたシート形成基板１８が、処理前の基板８に交換される。なお、上記基板支持部６にはアリ溝が設けられていると共に、上記基板８の底面には鳩尾状突起が設けられており、この基板８の鳩尾状突起が上記基板支持部６のアリ溝に嵌合して、上記基板８が基板支持部６に固定されるようになっている。
【００５２】
上記搬出ベルトコンベア１７ｂに移されてチャンバ２の外に搬出されたシート形成基板１８は、図示しないローラによって、シリコンの結晶シート７が基板８から剥離される。こうして、シリコンの結晶シート７が得られる。
【００５３】
上記結晶シート製造装置１において、シリコンの結晶シート７の製造が進むに伴って、内側ルツボ４及び外側ルツボ３内の溶融シリコンの量が減少して液面が低下する。この液面の低下を液面監視センサー１３で検知し、この液面の低下に対応して、外側ルツボ用回転昇降機構１０によって外側ルツボ３を上昇させる。これにより、上記内側ルツボ４及び外側ルツボ３内の溶融シリコンの液面位置を上昇させて、溶融シリコンの量が減少しても、基板８が内側ルツボ４内の溶融シリコンに、安定して３ｍｍの深さまで浸漬するようにしている。すなわち、外側ルツボ用回転昇降機構１０が、本発明の距離変更部として機能する。
【００５４】
また、上記内側ルツボ４を支持しているアーム２５に外側ルツボ３の上端が接触することを防止するため、上記外側ルツボ３の上昇に伴って、上記内側ルツボ４を内側ルツボ用昇降機構９で上昇させる。
【００５５】
上記外側ルツボ３及び内側ルツボ４内の溶融シリコンの減少に伴って上昇駆動される外側ルツボ３の位置が、予め定められた限界位置に達した場合、上記外側ルツボ３内に固体シリコン原料の供給を行う。すなわち、原料投入器５に、粉末状又は微細に砕いたシリコン原料を投入し、この粉末又は微細に砕いたシリコン原料が、原料投入管を介して、上記外側ルツボ３と内側ルツボ４との間に供給される。このとき、上記外側ルツボ用回転昇降機構１０によって、図５の矢印Ｒ２で示すように外側ルツボ３を鉛直軸周りに回転駆動する。この外側ルツボ３の回転方向は、図５のような時計回りであってあってもよく、あるいは、反時計回りであってもよい。シリコンは、液体よりも固体の方が、比重が小さいので、上記外側ルツボ３に投入されたシリコン原料は、その殆どが溶融シリコンの液面の表面に浮遊する。ここで、本実施形態の結晶シート製造装置１は、固体シリコン原料の投入時に外側ルツボ３を回転駆動しているので、この外側ルツボ８の回転によって溶融シリコンが攪拌される。したがって、上記液面の表面に浮遊したシリコン原料は、攪拌されて流動する溶融シリコン中に巻き込まれて、迅速に溶融する。したがって、従来のように、溶融シリコンの液面に浮遊する固体シリコン原料を溶融するためにヒータの加熱温度を上昇させる必要が無く、また、このヒータの加熱温度の上昇の後に、結晶成長温度に戻してから約３０分かけて溶融シリコン温度を安定にする必要も無い。したがって、本実施形態の結晶シート製造装置１は、固体シリコン原料を追加投入する際に、基板８上への結晶成長を停止する必要が無いので、結晶シートの製造効率を従来よりも大幅に向上することができる。また、固体シリコン原料は、基板８上への結晶成長が行われる内側ルツボ４よりも外側に供給されるので、固体シリコン原料が結晶成長面に付着して結晶品質に悪影響を与える不都合を、効果的に防止できる。
【００５６】
上記シリコン原料が外側ルツボ３に供給されて迅速に溶融したシリコンは、円筒形状を有する上記内側ルツボ４の下端の開口から内側ルツボ４内に流入し、これにより、上記外側ルツボ３及び内側ルツボ４の溶融シリコンの液面高さが上昇する。この液面高さの上昇が液面監視センサー１３で検知され、この液面高さの上昇量に応じて、外側ルツボ用回転昇降機構１０によって外側ルツボ３を降下させる。その結果、上記内側ルツボ４の液面高さが降下して、この内側ルツボ４内において、基板８の溶融シリコンへの浸漬深さが安定して３ｍｍに保たれる。
【００５７】
上記実施形態において、内側ルツボ４及び外側ルツボ３内の溶融シリコンの液面低下に応じて、距離変更部としての外側ルツボ用回転昇降機構１０によって外側ルツボ３を上昇及び降下させたが、基板用昇降機構１１によって基板支持部６及び基板８を上昇及び降下させてもよい。つまり、基板用昇降機構１１で距離変更部を構成してもよい。また、基板用昇降機構１１と外側ルツボ用回転昇降機構１０とで距離変更部を構成してもよい。
【００５８】
また、本実施形態では、結晶シートの製造装置の一例として、シリコンの結晶シートの製造装置を説明したが、シリコン以外の半導体の結晶シートの製造装置についても、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施形態としての結晶シート製造装置を示す断面図である。
【図２】結晶シート製造装置の図１の断面と直交する断面を示す断面図である。
【図３】基板支持部及び基板と、この基板の主表面に形成された結晶シートとを示す概略図である。
【図４】シート形成基板を基板支持部から取り外す様子を説明する斜視図である。
【図５】外側ルツボを回転駆動する様子を、外側ルツボの上方から見た図である。
【図６】従来の結晶シートの製造装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  結晶シート製造装置
３  外側ルツボ
４  内側ルツボ
５  原料投入部
６  基板支持部
８  基板
１５  ヒータ
【図１】
2006179805.tif 000003
【図２】
2006179805.tif 000004
【図３】
2006179805.tif 000005
【図４】
2006179805.tif 000006
【図５】
2006179805.tif 000007
【図６】
2006179805.tif 000008