(57)【要約】【課題】  チャンバの内壁表面への膜（副生成物）の堆積を少しでも抑制できるようにしたプラズマＣＶＤ装置及び成膜方法を提供する。【解決手段】  チャンバ１０内で原料ガスをプラズマ化して化学反応させ、化学反応によりウエーハＷ上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、チャンバ１０内に原料ガスを供給する原料ガス供給管３２と、アダプタ４０の表面に不活性ガスだけを供給する貫通孔４２及び不活性ガス供給部５０と、を有する。アダプタ４０の表面及びその近傍では、原料ガスは不活性ガスによって希釈される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内で原料ガスをプラズマ化して化学反応させ、前記化学反応により基板上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、
前記チャンバ内に前記原料ガスを供給する第１ガス供給手段と、
前記チャンバの内壁表面に不活性ガスだけを供給する第２ガス供給手段と、を有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記チャンバの内壁の少なくとも一部を覆う脱着可能な被覆部材を有し、
前記第２ガス供給手段は、
前記被覆部材の表面に前記不活性ガスだけを供給することを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記不活性ガスを加熱する加熱手段を有し、
前記第２ガス供給手段は、前記加熱手段によって加熱された前記不活性ガスを前記被覆部材に供給することを特徴とする請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記チャンバ内にクリーニングガスを供給する第３ガス供給手段、を有することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記第２ガス供給手段は、
前記被覆部材の裏面から前記表面にかけて設けられた複数の貫通孔を含み、
前記被覆部材の表面に前記不活性ガスだけを供給する際には、前記貫通孔を通して前記被覆部材の前記裏面側から前記表面側に前記不活性ガスだけを送出することを特徴とする請求項２から請求項４の何れか一項に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記貫通孔から送出される前記不活性ガスが前記被覆部材の表面に沿って流れるように、前記貫通孔の少なくとも前記表面側の開口端は前記被覆部材の前記表面に対して斜めになっていることを特徴とする請求項５に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
チャンバ内で原料ガスをプラズマ化して化学反応させ、前記化学反応により基板上に膜を形成する際に、
前記チャンバ内に前記原料ガスを供給すると共に、前記チャンバの内壁表面に不活性ガスだけを供給することを特徴とする基板上への成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置及び成膜方法に関し、特に、チャンバの内壁表面への膜の堆積を少しでも抑制できるようにした技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体デバイス等の製造装置として、プラズマによってウエーハ上に成膜処理を行う高密度プラズマ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｎｓｉｔｙ  Ｐｌａｓｍａ；ＨＤＰ）−ＣＶＤ装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
図６（Ａ）は、従来例に係るＨＤＰ−ＣＶＤ装置２００の構成例を示す図である。また、図６（Ｂ）は、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置２００のチャンバ内側の天井部分を当該チャンバ内から見た図である。図６（Ａ）に示すように、このＨＤＰ−ＣＶＤ装置２００は、チャンバ２１０と、チャンバ２１０内に配置されるウエーハ支持用のステージ２２０と、チャンバ２１０内に成膜用の原料ガスを供給する原料ガス供給管２３２と、を含んだ構成となっている。
【０００３】
図６（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、チャンバ２１０内側の天井部分２１２の形状はドーム状（以下、このドーム状の天井部分を、「ドーム」ともいう。）となっている。このドーム２１２の円頂と、チャンバ２１０内側の内周部分とにそれぞれ原料ガス供給管２３２が設けられている。そして、これらの原料ガス供給管２３２の先端は、その全てがチャンバ２１０内のステージ２２０に向けられている。
【０００４】
このようなＨＤＰ−ＣＶＤ装置２００を用いて成膜処理を行う際には、まず始めに、ステージ２２０上にウエーハＷを載置する。次に、チャンバ２１０内を減圧雰囲気にし、ガス供給管からチャンバ２１０内にＳｉＨ４等の原料ガスを供給する。また、例えばドーム２１２の外側に設けられたコイル及びＲＦジェネレータ等（図示せず）によって、チャンバ２１０内にプラズマを生成する。このプラズマによって原料ガスは化学反応し、ウエーハＷ上に所定の膜が形成されることとなる。
【特許文献１】特開２００３−１３３３０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、図７（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、上記のＨＤＰ−ＣＶＤ装置２００では、原料ガス供給管２３２から供給される原料ガスはステージ２１０に向かって流れ、その後、その流れが互いにぶつかり合って、チャンバの内壁方向にも広がる。従って、所定の膜は、ウエーハＷ上だけでなくチャンバ２１０の内壁（特に、ドーム２１２形状の天井部分）にも堆積する。
【０００６】
このように、チャンバ２１０の内壁に堆積した所定の膜（以下、「副生成物」ともいう。）を除去しないでそのまま残しておくと、ウエーハＷに対する成膜処理時にチャンバ２１０の内壁から副生成物が剥がれ落ち、パーティクルの原因となってしまうので、チャンバ２１０の内壁を成膜処理前に毎回クリーニングする必要があった。従来の技術では、ドーム２１２への膜の堆積を抑制する方法はとられておらず、ウエーハＷ上に所定の膜を膜厚１だけ成膜したとき、ドーム２１２には副生成物が例えば膜厚０．６だけ堆積していた。
【０００７】
そのため、従来の技術では、成膜処理に要する時間に対して、クリーニングに要する時間は２〜３倍必要であり、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置２００の単位時間当たりの処理枚数（処理能力）が向上しない、という問題があった。
本発明は、このような解決すべき問題に着目してなされたものであって、チャンバの内壁表面への膜（副生成物）の堆積を少しでも抑制できるようにしたプラズマＣＶＤ装置及び成膜方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１のプラズマＣＶＤ装置は、チャンバ内で原料ガスをプラズマ化して化学反応させ、前記化学反応により基板上に膜を形成するプラズマＣＶＤ装置であって、前記チャンバ内に前記原料ガスを供給する第１ガス供給手段と、前記チャンバの内壁表面に不活性ガスだけを供給する第２ガス供給手段と、を有することを特徴とするものである。
【０００９】
ここで、「原料ガス」とは、一例を挙げると、形成する膜が例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の場合、ＳｉＨ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２の何れか一、又はその混合ガス＋Ｏ２等のことである。また、「不活性ガス」とは、例えば希ガス（Ｈｅ、Ａｒ等）若しくは窒素のような反応性に乏しい気体の何れか一、又はその混合ガス等のことである。
このような構成であれば、チャンバの内壁表面及びその近傍では、原料ガスは不活性ガスによって希釈されるので、チャンバの内壁表面への膜（即ち、副生成物）の堆積を少しでも抑制することができる。従って、従来の技術と比べて、チャンバのクリーニング時間を短くすることが可能である。
〔発明２〕  発明２のプラズマＣＶＤ装置は、発明１のプラズマＣＶＤ装置において、前記チャンバの内壁の少なくとも一部を覆う脱着可能な被覆部材を有し、前記第２ガス供給手段は、前記被覆部材の表面に前記不活性ガスだけを供給することを特徴とするものである。
【００１０】
このような構成であれば、被覆部材表面及びその近傍では、原料ガスは不活性ガスによって希釈されるので、被覆部材表面への膜の堆積を少しでも抑制することができる。また、チャンバの内壁表面は被覆部材で保護されているので、チャンバの内壁表面への膜の堆積を防ぐことができる。
〔発明３〕  発明３のプラズマＣＶＤ装置は、発明２のプラズマＣＶＤ装置において、前記不活性ガスを加熱する加熱手段を有し、前記第２ガス供給手段は、前記加熱手段によって加熱された前記不活性ガスを前記被覆部材に供給することを特徴とするものである。
【００１１】
このような構成であれば、不活性ガスによって被覆部材は暖められるので、被覆部材表面への原料ガスの吸着を防ぐことができる。従って、被覆部材表面への膜の堆積をより効果的に抑制することができる。
〔発明４〕  発明４のプラズマＣＶＤ装置は、発明２又は発明３のプラズマＣＶＤ装置において、前記チャンバ内にクリーニングガスを供給する第３ガス供給手段、を有することを特徴とするものである。ここで、クリーニングガスとは、例えばＮＦ３とＡｒとの混合ガスのことである。
【００１２】
このような構成であれば、チャンバの内壁表面は被覆部材で保護されているので、たとえチャンバ内でクリーニングガスをプラズマ化しても、チャンバの内壁表面はほとんど劣化しない。従って、チャンバ内でクリーニングガスをプラズマ化することができる。また、このとき、被覆部材の表面はチャンバの内壁表面の代わりに劣化してしまうが、そのときは、チャンバを交換するのではなく被覆部材だけを交換すればよい。チャンバを交換する場合と比べて、部品コストを少なくすることが可能である。
〔発明５，６〕  発明５のプラズマＣＶＤ装置は、発明２から発明４の何れか一のプラズマＣＶＤ装置において、前記第２ガス供給手段は、前記被覆部材の裏面から前記表面にかけて設けられた複数の貫通孔を含み、前記被覆部材の表面に前記不活性ガスだけを供給する際には、前記貫通孔を通して前記被覆部材の前記裏面側から前記表面側に前記不活性ガスだけを送出することを特徴とするものである。
【００１３】
発明６のプラズマＣＶＤ装置は、発明５のプラズマＣＶＤ装置において、前記貫通孔から送出される前記不活性ガスが前記被覆部材の表面に沿って流れるように、前記貫通孔の少なくとも前記表面側の開口端は前記被覆部材の前記表面に対して斜めになっていることを特徴とするものである。
このような構成であれば、被覆部材の表面に不活性ガスを効率良く供給することが可能である。
〔発明７〕  発明７の基板上への成膜方法は、チャンバ内で原料ガスをプラズマ化して化学反応させ、前記化学反応により基板上に膜を形成する際に、前記チャンバ内に前記原料ガスを供給すると共に、前記チャンバの内壁表面に不活性ガスだけを供給することを特徴とするものである。
【００１４】
このような構成であれば、チャンバの内壁表面及びその近傍では、原料ガスは不活性ガスによって希釈されるので、チャンバの内壁表面への膜の堆積を少しでも抑制することができる。従って、従来の技術と比べて、チャンバのクリーニング時間を短くすることが可能である。
この発明は、副生成物が堆積し易いドームを有するＨＤＰ−ＣＶＤ装置に適用して極めて好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１（Ａ）は、本発明の実施の形態に係るＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００の構成例を示す図である。また、図１（Ｂ）は、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００のチャンバ内側の天井部分（即ち、ドーム）を当該チャンバ内から見た図である。
図１（Ａ）に示すように、このＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００は、密閉可能なチャンバ１０と、チャンバ１０内に配置されるウエーハ支持用のステージ２０と、チャンバ１０内に成膜用の原料ガスを供給する原料ガス供給管３２と、チャンバ１０の内壁に取り付けられるアダプタ４０と、不活性ガス供給部５０と、チャンバ１０内を排気するためのポンプ（図示せず）と、クリーニングガス供給部６０と、を含んだ構成となっている。ポンプに接続する排気口は、例えばチャンバ１０の下部に設けられている。
【００１６】
図１（Ａ）に示すように、チャンバ１０は、略円筒状の胴部１１の上端部にドーム１２を結合したような形状となっている。ドーム１２の外側には、図示しないコイルが取り付けられている。各コイルは、それぞれＲＦジェネレータに接続されており、これらのＲＦジェネレータからの高周波電力の印加により、チャンバ１０内にプラズマが生成されるようになっている。
【００１７】
また、図１（Ａ）に示すように、原料ガス供給管３２は、ドーム１２の円頂と、チャンバ１０内側の内周部分とにそれぞれ設けられており、原料ガス供給管３２の先端全てがステージ２０に向けられている。図１（Ｂ）に示すように、チャンバ１０内側の内周部分に設けられた原料ガス供給管３２は、チャンバ１０の中心部を軸にして、例えば４５゜の等間隔で配置されている。
【００１８】
チャンバ１０内でウエーハＷ上に形成する膜がシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）の場合、ドーム１２の円頂と、チャンバ１０内側の内周部分とにそれぞれ設けられた原料ガス供給管３２からは、原料ガスとして例えば、ＳｉＨ４、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＨ２Ｃｌ２の何れか一、又はその混合ガス＋Ｏ２等が供給される。
図１（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、アダプタ４０は、チャンバ１０のドーム１２内壁を覆うものであり、その形状はドーム１２内壁の形状とほぼ一致するようになっている。アダプタ４０の材質は、例えばセラミックである。また、このアダプタ４０には、その裏面から表面にかけて複数の貫通孔４２が設けられており、これらの貫通孔４２はアダプタ４０の円頂から一定距離離れた位置に等間隔で配置されている。
【００１９】
図１（Ｂ）に示すように、これらの貫通孔４２はアダプタ４０の表面に対して斜めに設けられている。これは、貫通孔４２から送出される不活性ガスがアダプタ４０の表面に沿って流れるようにするためである。貫通孔４２とアダプタ４０表面とがなす角度は、例えば２０〜４０［゜］程度である。
図２は、ドーム１２に対するアダプタ４０の取付例を示す図である。図２に示すように、ドーム１２とアダプタ４０とにはそれぞれ外側は張り出したフランジ１２ａ及び４０ａが設けられており、ドーム１２とアダプタ４０との間にＯリング９９を挟んだ状態で、フランジ１２ａ及び４０ａをバックル（留金具）９８で固定するようになっている。このような方法により、ドーム１２に対してアダプタ４０が固定され、また、Ｏリング９９の存在によってドーム１２の内壁と、アダプタ４０の裏面側との間に隙間Ｓが確保されるようになっている。この隙間Ｓは、例えば３〜８［ｍｍ］程度である。
【００２０】
図１（Ａ）に戻って、不活性ガス供給部５０は、チャンバ１０とアダプタ４０との間の隙間に接続する不活性ガス供給管を有し、この不活性ガス供給管を通して上記隙間にＮ２、Ａｒ等の不活性ガス（成膜抑制ガス）だけを供給するものである。図３に示すように、チャンバ１０とアダプタ４０との間の隙間Ｓに供給された不活性ガスは、貫通孔４２を通ってチャンバ１０内に供給されるようになっている。
【００２１】
また、図１（Ａ）に示すクリーニングガス供給部６０は、チャンバ１０とアダプタ４０との間の隙間に接続するクリーニングガス供給管を有し、このクリーニングガス供給管を通して上記隙間にクリーニングガスを供給するものである。クリーニングガスは、アダプタ４０の表面に堆積したシリコン酸化膜等（副生成物）を除去可能なガスである。この実施の形態では、このようなガスとして例えばＮＦ３及びＡｒ等の混合ガスを用いる。チャンバ１０とアダプタ４０との間の隙間に供給されたクリーニングガスは、貫通孔４２を通ってチャンバ１０内に供給されるようになっている。
【００２２】
次に、上述したＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００を用いてウエーハＷ上に所定の膜を形成する方法について説明する。ここでは、所定の膜として例えばシリコン酸化膜を形成する場合を想定する。
図１（Ａ）において、まず始めにステージ２０上にウエーハＷを載置する。次に、図示しないポンプを動作させて、チャンバ１０内をほぼ真空状態にする。そして、この真空状態のチャンバ１０内に例えばＳｉＨ４、Ｏ２等の原料ガスを供給すると共に、ＲＦジェネレータを動作させ、原料ガスをチャンバ１０内でプラズマ化させる。
【００２３】
また、この原料ガスのプラズマ化と同時に、又は前後して、不活性ガス供給部５０から貫通孔４２を通してチャンバ１０内にＮ２、Ａｒ等の不活性ガスだけを供給する。ここで、貫通孔４２からチャンバ１０内に供給される不活性ガスの量は、ウエーハＷ上への成膜に影響が出ない程度とする。例えば、各貫通孔４２からチャンバ１０内に流れる不活性ガスの流量を１［ｓｃｃｍ］以下にし、不活性ガスがアダプタ４０の表面から染み出る程度にする。
【００２４】
図１（Ｂ）に示したように、各貫通孔４２からチャンバ１０内に不活性ガスを供給する際に、供給される不活性ガスは貫通孔４２からアダプタ４０の表面に斜めに送出される。そして、チャンバ１０内に入った後はその下部に設けられた排気口に引き寄せられる。従って、図４に示すように、不活性ガスはアダプタ４０の表面に沿ってあたかも上方から下方へ螺旋を描くようにして流れることとなる。
【００２５】
このアダプタ４０表面に沿って流れる不活性ガスによって、アダプタ４０の表面及びその近傍では原料ガスが希釈されるので、アダプタ４０表面へのシリコン酸化膜（副生成物）の堆積をある程度抑制することができる。また、チャンバ１０内で不活性ガスが上側から下側へ螺旋状に流れることによって、パーティクルの溜まり易い部分に不活性ガスを入れることができ、このような部分に対してパージを行うことができる。
【００２６】
次に、原料ガス供給管３２からの原料ガスの供給と、貫通孔４２からの不活性ガスの供給とを同時に、一定時間行った後、原料ガス供給管３２からの原料ガスの供給を停止する。次に、図示しないアーム等でウエーハＷをステージ２０上から持ち上げ、持ち上げたウエーハＷをチャンバ１０の外へ搬出する。
次に、不活性ガス供給部５０からの不活性ガスの供給を停止する。そして、ＮＦ３及びＡｒ等の混合ガスからなるクリーニングガスをクリーニングガス供給部６０から貫通孔４２を通してチャンバ１０内に供給する。これにより、アダプタ４０表面に堆積してしまったシリコン酸化膜（副生成物）を取り除く。
【００２７】
ここで、ドーム１２の内壁表面はアダプタ４０で保護されている（覆われている）ので、チャンバ１０内でクリーニングガスをプラズマ化しても、ドーム１２の内壁表面はほとんど劣化しない。従って、チャンバ１０内でクリーニングガスをプラズマ化することができ、アダプタ４０表面やドーム１２以外のチャンバ１０内壁に付着したシリコン酸化膜（副生成物）を効率良く取り除くことができる。
【００２８】
次に、クリーニングガス供給部６０からのクリーニングガスの供給を停止する。そして、不活性ガス供給部５０からチャンバ１０内に不活性ガスを供給し、チャンバ１０内をパージする。このパージ用の不活性ガス（即ち、パージガス）も、チャンバ１０内では上側から下側へ螺旋状に流れるので、チャンバ１０内のパーティクルの溜まり易い部分にパージガスを入れることができ、このような部分からパーティクルを効率良く取り除くことができる。
【００２９】
次に、不活性ガス供給部５０からの不活性ガス（パージガス）の供給を停止する。そして、チャンバ１０内をほぼ真空状態にし、この真空状態のチャンバ１０内に例えばＳｉＨ４、Ｏ２等の原料ガスを原料ガス供給部から供給する。また、ＲＦジェネレータを動作させ、原料ガスをチャンバ１０内でプラズマ化させる。これにより、アダプタ４０の表面や、チャンバ１０の内壁表面にシーズニング膜を形成する。
【００３０】
ここで、シーズニング膜とは、アダプタ４０の表面や、チャンバ１０の内壁表面からパーティクル等が剥がれ落ちないように、その表面をコーティングする膜である。シーズニング膜を形成した後、原料ガス供給管３２からの原料ガスの供給を停止する。その後、次に処理するウエーハＷをチャンバ１０内に搬入し、搬入したウエーハＷをステージ２０上に載置して、次ウエーハＷに対する成膜処理を開始する。
【００３１】
このように、本発明の実施の形態に係るＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００によれば、アダプタ４０の表面及びその近傍では、原料ガスは不活性ガスによって希釈されるので、アダプタ４０表面へのシリコン酸化膜（副生物）の堆積を少しでも抑制することができる。従って、従来の技術と比べて、チャンバ１０のクリーニング時間を短くすることが可能であり、クリーニング時間を短縮した分だけ、プラズマＣＶＤ装置１００の処理能力を向上させることが可能である。
【００３２】
また、上記ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００では、ドーム１２の外側にコイルが設けられているので、チャンバ１０内でクリーニングガスをプラズマ化した場合、ドーム１２の内壁表面に代わってアダプタ４０の表面がエッチングされ劣化してしまうが、そのときは、チャンバ１０を交換するのではなく、略円筒状の胴部１１の上端部からドーム１２を離して、アダプタ４０だけを交換すればよい。チャンバ１０を交換する場合と比べて、手間がかからず、部品コストを少なくすることが可能である。
【００３３】
さらに、従来の技術では、ドーム１２の内壁表面の劣化を防ぐために、クリーニングガスのプラズマ化はリモートプラズマ方式（即ち、チャンバ１０の外でクリーニングガスをプラズマ化し、プラズマ化したクリーニングガスをチャンバ１０に導入する方式。この方式では、チャンバ１０内でクリーニングガスをプラズマ化しない。）で行うことが普通であったが、リモートプラズマ方式では、プラズマ発生源とチャンバ１０との距離が長いため、チャンバ１０に入る前に正イオンと電子とがある程度再結合してしまい、クリーニング効率が低くなってしまう場合があった。
【００３４】
これに対して、上記ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００では、チャンバ１０内でクリーニングガスをプラズマ化するので、リモートプラズマ方式と比べて、再結合が進む前にアダプタ４０の表面をクリーニングすることができ、クリーニング効率が高い。さらに、リモートプラズマ装置を必ずしも必要としないので、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００の装置構成を簡単にすることが可能である。
【００３５】
また、このＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００では、クリーニングガス供給部６０から供給されるクリーニングガスもチャンバ１０内で螺旋状に流れるので、クリーニングガスのチャンバ１０内での滞在時間は比較的長く、それゆえクリーニング効率が高い。また、クリーニングガスがチャンバ１０内で螺旋状に流れることで、チャンバ１０内にプラズマが発生し易い状態を作ることができる。
【００３６】
この実施の形態では、ウエーハＷが本発明の「基板」に対応し、シリコン酸化膜が本発明の「膜」に対応し、原料ガス供給管３２が本発明の「第１ガス供給手段」に対応している。また、不活性ガス供給部５０及び貫通孔４２が本発明の「第２ガス供給手段」に対応し、アダプタ４０が本発明の「被覆部材」に対応している。さらに、クリーニングガス供給部６０及び貫通孔４２が本発明の「第３ガス供給手段」に対応し、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００が本発明の「プラズマＣＶＤ装置」に対応している。
【００３７】
なお、上述したＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００では、図５に示すように、不活性ガス供給部５０とチャンバ１０との間にヒータ５５を設け、ヒータ５５によって加熱した不活性ガスをチャンバ１０内に供給しても良い。このような構成であれば、不活性ガスによってアダプタ４０は暖められるので、アダプタ４０表面への原料ガスの吸着を防ぐことができる。従って、アダプタ４０表面へのシリコン酸化膜（副生成物）の堆積をより効果的に抑制することができる。図５では、ヒータ５５が本発明の「加熱手段」に対応している。
【００３８】
また、この実施の形態では、本発明の「プラズマＣＶＤ装置」の一例としてＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００について説明したが、本発明の「プラズマＣＶＤ装置」はこれに限られることはなく、例えば平行平板式のプラズマＣＶＤ装置でも良い。
さらに、この実施の形態では、本発明の「膜」が例えばシリコン酸化膜である場合について説明したが、本発明の「膜」はこれに限られることはなく、例えばシリコン窒化膜でも良い。この場合には、アダプタ４０の表面に意図せず堆積してしまう副生成物もシリコン窒化膜である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】実施の形態に係るＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００の構成例を示す図。
【図２】ドーム１２に対するアダプタ４０の取付例を示す図。
【図３】アダプタ４０の裏面側から表面側への不活性ガスの流れを示す図。
【図４】不活性ガスの螺旋状の流れを示す図。
【図５】ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１００の他の構成例を示す図。
【図６】従来例に係るＨＤＰ−ＣＶＤ装置２００の構成例を示す図。
【図７】副生成物の堆積の様子を示す図。
【符号の説明】
【００４０】
１０  チャンバ、１１  （略円筒状の）胴部、１２  ドーム、１２ａ  （ドームの）フランジ、２０  ステージ、３２  原料ガス供給管、４０  アダプタ、４０ａ  （アダプタの）フランジ、４２  貫通孔、５０  不活性ガス供給部、５５  ヒータ、６０  クリーニングガス供給部、９８  バックル、９９  Ｏリング、１００  ＨＤＰ−ＣＶＤ装置、Ｓ  隙間、Ｗ  ウエーハ
【図１】
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【図２】
2006287023.tif 000004
【図３】
2006287023.tif 000005
【図４】
2006287023.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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