(57)【要約】【課題】  非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、更に量産性良く製造できるメタル基材装置およびＩＣカードモジュールの製造方法を提供する。【解決手段】  メタルサブストレート部材は、トランスファモールドタイプの非接触型ＩＣカード用のＩＣカードモジュールに用いられる多数の単位のメタルサブストレートを備えている。メタルサブストレート部材は、金属からなる帯状の薄い加工用素材からなり、単位のメタルサブストレートの各部が繋ぎ部で保持されている。各単位のメタルサブストレートは、ＩＣチップを搭載するためのダイパッドを有し、アンテナコイルと接続するためのアンテナ端子がダイパッドおよび樹脂封止領域よりも外側に配設されている。加工用素材の長手方向に隣接する単位のメタルサブストレート同志のアンテナ端子部は、幅方向の共通領域内にオーバラップして入っている。各単位のメタルサブストレートは、その外側の２本の連結線において加工用素材の長手方向に所定幅のカットを入れるだけで、樹脂封止した後に分離される。【選択図】  図１
2006179512.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非接触ＩＣカードモジュール用の多数のメタル基材を有するメタル基材装置において、
長手方向に延びる帯状の加工用素材をエッチングすることにより長手方向に連続して形成された多数のメタル基材を備え、
各メタル基材はＩＣチップ搭載用のダイパッドと、ダイパッドを含む樹脂封止領域と、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって長手方向に沿う両側に各々突設された少なくとも一対のアンテナ端子とを有し、
一のメタル基材のアンテナ端子と、このメタル基材の長手方向に隣接するメタル基材のアンテナ端子は、加工用素材の幅方向の共通の領域内に入っていることを特徴とするメタル基材装置。
【請求項２】
各メタル基材は、長手方向に沿う２本の連結線に設けられた連結部により加工用素材に連結され、
この２本の連結線に沿ってカットすることにより各メタル基材は加工用素材の他の部分から分離されることを特徴とする請求項１記載のメタル基材装置。
【請求項３】
各メタル基材は、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって、長手方向に沿う両側に各々突出された二対のアンテナ端子を有することを特徴とする請求項１記載のメタル基材装置。
【請求項４】
各メタル基材のダイパッドは、ＩＣチップより大形状となっており、かつダイパッドのＩＣチップ搭載領域は加工用素材をハーフエッチングすることにより加工用素材の厚みより薄く形成されていることを特徴とする請求項１記載のメタル基材装置。
【請求項５】
各メタル基材の樹脂封止領域に、樹脂との密着性を向上させるための凹部または貫通孔部を設けたことを特徴とする請求項１記載のメタル基材装置。
【請求項６】
各メタル基材は、ダイパッドとアンテナ端子との間に設けられた内部端子を有することを特徴とする請求項１記載のメタル基材装置。
【請求項７】
加工用素材はＣｕ材あるいは４２合金からなることを特徴とする請求項１記載のメタル基材装置。
【請求項８】
非接触ＩＣカードモジュール用の多数のメタル基材を有するメタル基材装置であって、長手方向に延びる帯状の加工用素材をエッチングすることにより長手方向に連続して形成された多数のメタル基材を備え、各メタル基材はＩＣチップ搭載用のダイパッドと、ダイパッドを含む樹脂封止領域と、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって長手方向に沿う両側に各々突設された少なくとも一対のアンテナ端子とを有し、一のメタル基材のアンテナ端子と、このメタル基材の長手方向に隣接するメタル基材のアンテナ端子は、加工用素材の幅方向の共通の領域内に入っていることを特徴とするメタル基材装置を準備する工程と、
各メタル基材のダイパッド上にＩＣチップを搭載する工程と、
ＩＣチップとメタル基材の所定部分とをワイヤを用いてワイヤボンディングにより接続する工程と、
各メタル基材の樹脂封止領域に、ＩＣチップとワイヤを覆って樹脂を設けて樹脂封止する工程と、
ＩＣチップ毎に加工用素材をカットする工程と、を備えたことを特徴とするＩＣカードモジュールの製造方法。
【請求項９】
加工用素材はＣｕ材あるいは４２合金からなることを特徴とする請求項８記載のメタル基材方法。
【請求項１０】
長手方向に延びる帯状の加工用素材をエッチングすることにより長手方向に連続して形成された多数のメタル基材を備え、各メタル基材はＩＣチップ搭載用のダイパッドと、ダイパッドを含む樹脂封止領域と、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって長手方向に沿う両側に各々突設された少なくとも一対のアンテナ端子とを有し、一のメタル基材のアンテナ端子と、このメタル基材の長手方向に隣接するメタル基材のアンテナ端子は、加工用素材の幅方向の共通の領域内に入っているメタル基材装置と、
各メタル基材のダイパッド上に搭載されたＩＣチップと、
ＩＣチップとメタル基材の所定部分とをワイヤボンディングにより接続するワイヤと、
各メタル基材の樹脂封止領域に、ＩＣチップとワイヤを覆って設けられた封止樹脂とを備え、
加工用素材上に、封止樹脂に連結するとともに幅方向に延びるモールドゲート部が設けられていることを特徴とするＩＣカードモジュール体。
【請求項１１】
メタル基材は加工用素材の幅方向に多列に配置され、加工用素材上に各メタル基材の封止樹脂同志を連結するとともに幅方向に延びるモールドスルーゲート部が設けられていることを特徴とする請求項１０記載のＩＣカードモジュール体。
【請求項１２】
加工用素材の各メタル基材の一対のアンテナ端子の近傍に、各アンテナ端子を加工用素材の他の部分から絶縁する開口が設けられていることを特徴とする請求項１０記載のＩＣカードモジュール体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファーモールドタイプのＩＣカードモジュール用のメタル基材装置と、該メタル基材装置を用いた非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファーモールドタイプのＩＣカードモジュールの製造方法、及びＩＣカードモジュール体に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報の機密性の面からＩＣカードが次第に普及されつつある。近年では、読み書き装置（リーダライタ）と接触せずに情報の授受を行う非接触型のＩＣカードが提案され、中でも、外部の読み書き装置との信号交換を、あるいは信号交換と電力供給とを電磁波により行う方式のものが実用化されている。
【０００３】
このような非接触式のＩＣカードは、例えば、図８（ａ）に示すように、ＩＣモジュール８１２を有し、このＩＣモジュール８１２は、アンテナ８１１に接続されており、その回路構成は、通常、図８（ｂ）のようになっている。
【０００４】
図８（ａ）（ｂ）において、８１０はＩＣカード、８１１はアンテナ、８１２はＩＣモジュール、８１３は（ＩＣモジュールの）端子である。
【０００５】
このようなＩＣモジュールにおけるＩＣチップの実装方法としては、プリント基板にＩＣチップをマウントし、ボンディング線にてプリント基板上へ接続するＣＯＢ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ）が最も多く用いられている。しかしながらこの方法では実装厚を薄くできないという欠点がある。最近では、実装厚を薄くでき、量産にも対応できる実装形態として、導電性のダイパッドをハーフエッチングしたメタル基材（メタルサブストレート）上にＩＣチップをマウントし、ボンディングワイヤにてメタルサブストレートの端子部へ接続する形態が提案されている。
【０００６】
このような形態のＩＣモジュールにおいては、単位のメタルサブストレートは、加工用素材を加工してなり、ＩＣチップを搭載するための領域（ダイパッド部）と、アンテナ回路との接続用の領域と、入出力端子の領域とを有し、これら複数の領域が一部繋がった状態で分割形成されている。ＩＣモジュールを作製する際、これらの領城は繋ぎ部で加工用素材に接続され、加工用素材は単位のメタルサブストレートが多面付けされている。各単位のメタルサブストレートにＩＣチップを搭載して樹脂封止した後に、所定の繋ぎ部が切断分離される。
【０００７】
単位のメタルサブストレートをリードあるいはリードフレームと言う場合がある。また、単位のメタルサブストレートが多面付けされ、加工用素材に直接、あるいは枠部を設けて枠部に、繋ぎ部で繋がった状態のものを、リードフレームと言う場合もある。
【０００８】
このような、メタルサブストレートをプレスにて作製すると、プレス加工時にバリ９１１が発生し、図９（ａ）に示すように、樹脂封止した場合、裏面への樹脂漏れ９３１が発生してしまうため、エッチング加工方法が採られる。エッチング加工方法による場合には、図９（ｂ）に示すように、樹脂漏れを起こさずに封止ができる。
【０００９】
尚、図９（ａ）（ｂ）において、９１０はメタルサブストレート、９２０はＩＣチップ、９３０は封止用樹脂、９３１は樹脂漏れ、９４０はボンディングワイヤである。
【００１０】
エッチング加工方法においては、加工用素材として、薄いＣｕ材、あるいは４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）が用いられ、また通常、製版処理、エッチング処理がリール・トウー・リールで行なわれる（リール方式）。
【００１１】
そして、加工用素材をエッチング加工してメタルサブストレートを面付けした後、面付け状態のまま、順に、部分銀めっきまたは部分パラジュームめっき処理あるいは全面パラジュームめっき処理、ＩＣチップマウント、ワイヤボンディング、個別樹脂封止等の処理が連続して、あるいは、分けて、リール方式で行なわれる。
【００１２】
そして、従来、加工用素材をエッチング加工することにより、ＩＣモジュール用のメタルサブストレートを面付けしてリール方式で作製する場合、図７（ａ）に示すように、１面毎に、その絵柄がオーバラップしないように配列して作製していた。
【００１３】
尚、図７（ｂ）は、図７（ａ）のように面付けされてエッチングされた、メタルサブストレート部材の各ダイパッド部６２１にＩＣチップを搭載し、更にトランスファー方式で樹脂封止した状態を示している。
【００１４】
その後、所定の位置をカットすることにより、個片化されたＩＣカードモジュールが得られる。
【００１５】
図７（ａ）（ｂ）において、６１１は加工用素材、６２０は単位のメタルサブストレート、６２１はダイパッド、６２１Ｈはハーフエッチング部、６２２Ａ、６２２Ｂは（アンテナと接続する）端子、６２５は貫通孔部、６２６は繋ぎ部、６２８はスプロケット、６４０は封止用樹脂である。
【００１６】
ここで従来のメタルサブストレートの作製方法として、特開２０００−１７４１７６号公報に示すものを挙げることができる。
【００１７】
上記のように、最近、ＩＣモジェール用にメタルサブストレートを用いる形態が提案され、エッチング加工により、ＩＣモジュール用のメタルサブストレートを面付けして、リール方式で作製する作製方法が知られている。この場合、特に、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールにおいては、更なる、量産化、低コスト化が求められている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、更に量産性良く製造できるメタル基材装置およびＩＣカードモジュールの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明は、非接触ＩＣカードモジュール用の多数のメタル基材を有するメタル基材装置において、長手方向に延びる帯状の加工用素材をエッチングすることにより長手方向に連続して形成された多数のメタル基材を備え、各メタル基材はＩＣチップ搭載用のダイパッドと、ダイパッドを含む樹脂封止領域と、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって長手方向に沿う両側に各々突設された少なくとも一対のアンテナ端子とを有し、一のメタル基材のアンテナ端子と、このメタル基材の長手方向に隣接するメタル基材のアンテナ端子は、加工用素材の幅方向の共通の領域内に入っていることを特徴とするメタル基材装置である。
【００２０】
本発明は、各メタル基材は、長手方向に沿う２本の連結線に設けられた連結部により加工用素材に連結され、この２本の連結線に沿ってカットすることにより各メタル基材は加工用素材の他の部分から分離されることを特徴とするメタル基材装置である。
【００２１】
本発明は、各メタル基材は、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって、長手方向に沿う両側に各々突出された二対のアンテナ端子を有することを特徴とするメタル基材装置である。
【００２２】
本発明は、各メタル基材のダイパッドは、ＩＣチップより大形状となっており、かつダイパッドのＩＣチップ搭載領域は加工用素材をハーフエッチングすることにより加工用素材の厚みより薄く形成されていることを特徴とするメタル基材装置である。
【００２３】
本発明は、各メタル基材の樹脂封止領域に、樹脂との密着性を向上させるための凹部または貫通孔部を設けたことを特徴とするメタル基材装置である。
【００２４】
本発明は、各メタル基材は、ダイパッドとアンテナ端子との間に設けられた内部端子を有することを特徴とするメタル基材装置である。
【００２５】
本発明は、加工用素材はＣｕ材あるいは４２合金からなることを特徴とするメタル基材装置である。
【００２６】
本発明は、非接触ＩＣカードモジュール用の多数のメタル基材を有するメタル基材装置であって、長手方向に延びる帯状の加工用素材をエッチングすることにより長手方向に連続して形成された多数のメタル基材を備え、各メタル基材はＩＣチップ搭載用のダイパッドと、ダイパッドを含む樹脂封止領域と、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって長手方向に沿う両側に各々突設された少なくとも一対のアンテナ端子とを有し、一のメタル基材のアンテナ端子と、このメタル基材の長手方向に隣接するメタル基材のアンテナ端子は、加工用素材の幅方向の共通の領域内に入っていることを特徴とするメタル基材装置を準備する工程と、各メタル基材のダイパッド上にＩＣチップを搭載する工程と、ＩＣチップとメタル基材の所定部分とをワイヤを用いてワイヤボンディングにより接続する工程と、各メタル基材の樹脂封止領域に、ＩＣチップとワイヤを覆って樹脂を設けて樹脂封止する工程と、ＩＣチップ毎に加工用素材をカットする工程と、を備えたことを特徴とするＩＣカードモジュールの製造方法である。
【００２７】
本発明は、加工用素材はＣｕ材あるいは４２合金からなることを特徴とするメタル基材方法である。
【００２８】
本発明は、長手方向に延びる帯状の加工用素材をエッチングすることにより長手方向に連続して形成された多数のメタル基材を備え、各メタル基材はＩＣチップ搭載用のダイパッドと、ダイパッドを含む樹脂封止領域と、ダイパッドおよび樹脂封止領域の外側であって長手方向に沿う両側に各々突設された少なくとも一対のアンテナ端子とを有し、一のメタル基材のアンテナ端子と、このメタル基材の長手方向に隣接するメタル基材のアンテナ端子は、加工用素材の幅方向の共通の領域内に入っているメタル基材装置と、各メタル基材のダイパッド上に搭載されたＩＣチップと、ＩＣチップとメタル基材の所定部分とをワイヤボンディングにより接続するワイヤと、各メタル基材の樹脂封止領域に、ＩＣチップとワイヤを覆って設けられた封止樹脂とを備え、加工用素材上に、封止樹脂に連結するとともに幅方向に延びるモールドゲート部が設けられていることを特徴とするＩＣカードモジュール体である。
【００２９】
本発明は、メタル基材は加工用素材の幅方向に多列に配置され、加工用素材上に各メタル基材の封止樹脂同志を連結するとともに幅方向に延びるモールドスルーゲート部が設けられていることを特徴とするＩＣカードモジュール体である。
【００３０】
本発明は、加工用素材の各メタル基材の一対のアンテナ端子の近傍に、各アンテナ端子を加工用素材の他の部分から絶縁する開口が設けられていることを特徴とするＩＣカードモジュール体である。
【００３１】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置は、このような構成にすることにより、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、更に量産性良く製造できる。
【００３２】
具体的には、単位のメタル基材は、ＩＣチップを搭載するためのダイパッドを有し、アンテナコイルと接続するためのアンテナ端子がダイパッドおよび樹脂封止領域よりも外側に、アンテナコイル１ループ用として２個あるいはアンテナコイル２ループ用として４個を設けられている。帯状の加工用素材の長手方向に隣接する単位のメタル基材同志のアンテナ端子領域が幅方向の共通領域としてオーバラップするよう、単位のメタル基材が加工用素材の長手方向に面付けされている。各単位のメタル基材は樹脂封止した後に、その外側（２箇所）において加工用素材の長手方向に所定幅のカットを入れるだけで、樹脂封止した後に加工用素材の他の部分から分離できる。
【００３３】
詳しくは、本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置を、リール・トウー・リールで、製版処理、エッチング処理を行い作製することを可能とし、更に、本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置を用いて、ＩＣカードモジュールを、量産性良く、リール・トウー・リールで各種の処理を行うことを可能としている。
【００３４】
また、ＩＣチップを搭載するため、ＩＣチップより大サイズのダイパッドを有し、該ダイパッドのＩＣチップ搭載領域はハーフエッチングにより、メタルサブストレートの基材厚よりも薄く形成されている。このことにより、特に、ＩＣモジュールを薄型化要求に対応できる。
【００３５】
また、金属からなる帯状の薄い加工用素材としては、導電性、処理性、汎用性等から、通常は、Ｃｕ材あるいは４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）が用いられるが、これらに限定はされない。
【００３６】
尚、金属からなる帯状の薄い加工用素材の厚さは、ＩＣモジュールの薄化要求に対応できる厚さであれば良く、０．１ｍｍ厚程度の薄いものが、特に、薄化要求からは、好ましい。
【００３７】
また、ダイパッド領域の外側に、封止樹脂の密着性を向上させるための凹部または貫通孔部を設け、前記アンテナ端子と一体的に接続する封止用樹脂支持部を設けることができ、樹脂封止を信頼性の良いものとしている。
【００３８】
本発明のＩＣカードモジュールの作製方法は、このような構成にすることにより、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールを、量産性良く製造できる。
【００３９】
即ち、各処理をリール・トウー・リールで行うことにより、これを達成している。
【００４０】
金属からなる帯状の薄い加工用素材としては、導電性、処理性、汎用性等から、通常は、Ｃｕ材あるいは４２含金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）が用いられるが、これらに限定はされない。
【発明の効果】
【００４１】
本発明によれば、上記のように、非接触型のＩＣカード用のＩＣモジュールに用いられるメタルサブストレート部材を、更に、量産性良く製造できる。同時に、そのような、メタルサブストレート部材を用いたＩＣモジュールの製造を容易に行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００４３】
図１（ａ）は本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置の実施の形態の第１の例の一部を示した概略構成図、図１（ｂ）は図１（ａ）における単位のメタル基材を示した図、図２（ａ）は図１（ａ）に示すＩＣカードモジュール用のメタル基材装置の各単位のメタル基材のダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した図、図２（ｂ）は図２（ａ）における単位のメタル基材を示した図、図３は図２（ａ）に示すメタル基材装置にトランスファモールド処理を施した図、図４は本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置の実施の形態の第２の例の一部を示した概略構成図、図５は図４に示すＩＣカードモジュール用のメタル基材装置の各単位のメタル基材のダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した図、図６は図５に示すメタル基材装置にトランスファモールド処理を施した図である。
【００４４】
図１〜図６において、１１１は加工用素材、１２０は単位のメタル基材、１２１はダイパッド、１２１Ｈはハーフエッチング部、１２２Ａ、１２２Ｂは（アンテナと接続する）端子、１２３Ａ、１２３Ｂは内部端子、１２４は貫通孔、１２５は貫通孔部、１２６は繋ぎ部、１２８はスプロケット、１３０はＩＣチップ、１３１は端子、１３５はボンディングワイヤ、１４０は封止用樹脂、２２１はダイパッド、２２１Ｈはハーフエッチング部、２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄは（アンテナと接続する）端子、２２３Ａ、２２３Ｂ、２２３Ｃ、２２３Ｄは内部端子、２２５は貫通孔部、２２６は繋ぎ部、２２８はスプロケット、２３０はＩＣチップ、２３１は端子、２３５はボンディングワイヤ、２４０は封止用樹脂である。
【００４５】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置（メタルサブストレート部材）の実施の形態の第１の例を、図１（ａ）（ｂ）および図２（ａ）（ｂ）に基づいて説明する。
【００４６】
第１の例のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置（メタルサブストレート部材）は、トランスファモールドタイプの非接触型ＩＣカード用のＩＣカードモジュールであって、アンテナを１ループで配するＩＣモジュールに用いられる多数の単位のメタル基材（メタルサブストレート）１２０（図１（ｂ）参照）を有している。このメタルサブストレート部材は導電性の金属からなる帯状の薄い加工用素材１１１をエッチングしてなり、単位のメタルサブストレート１２０の各部は繋ぎ部１２６で互いに保持されている。
【００４７】
すなわち、メタル基材装置（メタルサブストレート部材）は、長手方向に延びる加工用素材１１１をエッチングすることにより加工形成された多数の単位のメタル基材装置（メタルサブストレート）１２０を有し、一対のリール１００Ａ，１００Ｂ間に延びている。
【００４８】
メタルサブストレート１２０は加工用素材１１１に、幅方向に４列にかつ長手方向に連続して形成されている。
【００４９】
各メタルサブストレート１２０はＩＣチップ搭載用のダイパッド１２１と、ダイパッド１２１を含む樹脂封止領域１４０Ａとを有し、ダイパッド１２１および樹脂封止領域１４０Ａの外側であって、長手方向に沿う両側に一対のアンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂが突設されている。一対のアンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂは、樹脂封止領域１４０Ａの対角に配設されている。封止用樹脂１４０のアンテナ端子１２２Ｂ側の角部は面取りされ、アンテナ端子１２２Ｂ側の極地のインデックスとして使用される。
【００５０】
また一のメタルサブストレート１２０のアンテナ端子１２２Ａと、このメタルサブストレート１２０の長手方向に隣接するメタルサブストレート１２０のアンテナ端子１２２Ｂは、加工用素材１１１の幅方向において共通の領域１１１Ａ内に入っている。
【００５１】
そして、各単位のメタルサブストレート１２０は、長手方向に沿う２本の連結線Ｌ１、Ｌ２に設けられた繋ぎ部（連結部）１２６により加工用素材１１１の他の部分１１１Ｂに連結され（図１（ｂ））、樹脂封止した後、図１（ｂ）の連結線Ｌ１、Ｌ２に沿って、加工用素材１１１の長手方向に所定幅のカットを入れるだけで、メタルサブストレート１２０は加工用素材１１１の他の部分１１１Ｂから分離され、所望の外形を有する。
【００５２】
本例では、メタルサブストレート１２０のダイパッド１２１とアンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂとの間に、アンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂとそれぞれ一体的に接続する内部端子１２３Ａ、１２３Ｂが設けられている。この内部端子１２３Ａ、１２３Ｂは樹脂封止領域１４０Ａ内にあり、この内部端子１２３Ａ、１２３Ｂに樹脂との密着性を向上させるための貫通孔１２４が設けられている。この貫通孔１２４は凹部として機能するが、凹部は貫通していなくてもよい。
【００５３】
加工用素材１１１としては、通常は、Ｃｕ材あるいは４２合金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）が、導電性や処理性、処理性、汎用性から用いられるが、これらに限定はされない。
【００５４】
金属からなる帯状の薄い加工用素材の厚さは、ＩＣモジュールの薄化要求に対応できる厚さであれば良い。
【００５５】
第１の例の変形例としては、メタルサブストレート１２０は端子面を上側にしてＩＣチップを搭載するための、ＩＣチップ１３０より大サイズのダイパッド１２１を有し、該ダイパッド１２１のＩＣチップ搭載領域１３０Ａはハーフエッチングにより加工用素材１１１の厚みよりも薄く形成されている。
【００５６】
この変形例の場合は、薄型化を第１の例より一層可能とすることができる。
【００５７】
本発明のＩＣカードモジュール用のメタル基材装置の実施の形態の第２の例を、図４（ａ）（ｂ）〜図６に基づいて、簡単に説明する。
【００５８】
第２の例は、メタル基材装置（メタルサブストレート部材）はトランスファモールドタイプの非接触型ＩＣカード用のＩＣカードモジュールであって、アンテナコイルを２ループで配するＩＣモジュールに用いられる多数の単位のメタル基材（メタルサブストレート）２２０有している。このメタルサブストレート部材は、導電性の金属からなる帯状の薄い加工用素材２１１をエッチングしてなり、単位のメタルサブストレート２２０の各部は繋ぎ部２２６で互いに保持されている。
【００５９】
第２の例においては、各メタルサブストレート２２０は端子面を上側にしてＩＣチップ２３０を搭載するため、ＩＣチップ２３０より大サイズのダイパッド２２１を有し、該ダイパッド２２１のＩＣチップ搭載領域２２１Ｈはハーフエッチングにより加工用素材２１１の厚みよりも薄く形成されている。
【００６０】
この第２の例の場合も、薄型化を第１の例より一層可能とすることができる。
【００６１】
ここで、図４は、加工用素材２１１の長手方向に隣接する単位のメタルサブストレート２個の状態を拡大して示したものである。
【００６２】
図４において、各単位のメタルサブストレート２２０は、ダイパッド２２１と、アンテナ端子２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄと、内部端子２２３Ａ、２２３Ｂ、２２３Ｃ、２２３Ｄと、これらを加工用素材２１１の他の部分２１１Ｂに連結するための繋ぎ部２２６とからなっている。加工用素材２１１の長手方向に隣接する単位のサブストレート２２０同志のアンテナ端子部２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄが、加工用素材２１１の幅方向の共通領域２１１Ａ内でオーバラップするよう単位のメタルサブストレート２２０が、加工用素材２１１の長手方向に面付けされている。
【００６３】
第２の例は、アンテナコイル２ループ用のもので、ダイパッド２２１および封止領域２４０の外側であって、長手方向に沿う両側に二対のアンテナ端子２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄが突設されている。
【００６４】
尚、第２の例では、第１の例のように、内部端子に貫通孔（図１の１２４に相当）が設けていないが、適宜設けても良い。図４に示すように、各単位のメタルサブストレート１２０は長手方向に沿う２本の連結線Ｌ３、Ｌ４に設けられた繋ぎ部２２６により加工用素材２１１の他の部分２１１Ｂに連結され、樹脂封止した後に連結線Ｌ３、Ｌ４に沿って加工用素材２１１の長手方向に所定幅のカットを入れることにより、メタルサブストレート２２０は加工用素材２１１の他の部分２１１Ｂから分離され、所望の外形を有する。
【００６５】
次に、本発明のＩＣカードモジュールの製造方法の１例を、図１〜図３に基づいて簡単に説明する。
【００６６】
本例のＩＣカードモジュールの製造方法は、図１に示す第１の例のメタルサブストレート部材を用いて作製するものである。
【００６７】
本例は、非接触型のＩＣカードに用いられるトランスファモールドタイプのＩＣカードモジュールの製造方法で、金属からなる薄い加工用素材１１１に対し、リール・トウー・リールで、製版処理、エッチング処理を行い、図１に示す第１の例のメタルサブストレート部材を形成する。（図１）
加工用素材１１１としては、通常、厚さ０．１ｍｍ程度の帯状のＣｕ材あるいは４２含金（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）材を用い、製版処理により、その両面に耐エッチング性のレジストパターンを形成した後、所定のエッチング液を用い、両面からスプレーエッチングを行い、メタルサブストレート部材をエッチング形成する。
【００６８】
尚、ハーフエッチングをより精度良く行うために、エッチングを２段に分け、ハーフエッチング形成面側に第１のエッチングを行った後、所定の充填材をエッチング形成された孔部に埋め込んだ状態で、反対側から第２のエッチングを行う方法を採っても良い。
【００６９】
次いで、リール・トウー・リールで、エッチング形成されたメタルサブストレート部材（図１（ａ））の各単位のメタルサブストレート１２０の所定の領城に銀メッキ処理を施し、メタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレート１２０のダイパッド１２１上のＩＣチップ搭載領域１３０ＡにＩＣチップ１３０を搭載する。メタルサブストレート１２０の所定の領域へ銀メッキ処理する代わりに、メタルサブストレート１２０の全面にパラジュームめっきを施しても良い。
【００７０】
その後、ＩＣチップ１３０の端子（図示していない）と内部端子１２３Ａ、１２３Ｂとをワイヤ１３５によりワイヤボンディング接続する（図２（ａ））。
【００７１】
次いで、トランスファ方式により、ＩＣチップ１３０、ボンディングワイヤ１３５を含む樹脂封止領域１４０Ａを封止用樹脂１４０により樹脂封止する（図３）。
【００７２】
このようにしてメタル基材装置と、各メタルサブストレート１２０のダイパッド１２１上に搭載されたＩＣチップ１３０と、ＩＣチップ１３０と内部端子１２３Ａ、１２３Ｂとを接続するワイヤ１３５と、ＩＣチップ１３０とワイヤ１３５を覆う封止用樹脂１４０とからなるＩＣカードモジュール体１５０ａが得られる（図３）。この場合、加工用素材１１１上に、メタルサブストレート１２０が幅方向に４列配置され、これに伴なってＩＣチップ１３０を覆う封止用樹脂１４０も幅方向に４列配置されている。
【００７３】
加工用素材１１１上に、封止用樹脂１４０同志を連結するとともに幅方向に延びるモールドスルーゲート部１４０ｂが設けられ、さらに加工用素材１１１側部の封止用樹脂１４０と加工用素材１１１の側縁との間には、モールドゲート部１４０ａが設けられている。これらモールドゲート部１４０ａとモールドスルーゲート部１４０ｂは加工用素材１１１上にわずかの厚みで形成されている。封止用樹脂１４０は、加工用素材１１１の側方からモールドゲート部１４０ａおよびモールドスルーゲート部１４０ｂを通って流れる樹脂により形成される。
【００７４】
さらに図３に示すように、各メタルサブストレート１２０の一対のアンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂ近傍には、各アンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂを加工用素材１１１の他の部分から絶縁する開口１４０ｃが設けられている。
【００７５】
このように開口１４０ｃを設けて各アンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂを加工用素材１１１の他の部分から絶縁することにより、多数のＩＣチップ１３０を有するＩＣカードモジュール体１５０ａの状態で、ＩＣチップ１３０に対してアンテナ端子１２２Ａ、１２２Ｂを利用して一対の測定端子（図示せず）により電気的特性を一括して測定することができる。このため、ＩＣチップ１３０毎に加工用素材１１１を切断してＩＣモジュール１５０を得た後、各ＩＣモジュール１５０毎にＩＣチップ１３０の電気的特性を測定する場合に比べて迅速かつ容易にＩＣチップ１３０の電気的特性を測定することができる。
【００７６】
その後、所定のカッターにて、図１（ｂ）の連結線Ｌ１、Ｌ２に沿って、繋ぎ部１２６を切断し、加工用素材１１１を個片化し、それぞれ、ＩＣモジュール１５０を得る。
【００７７】
上記の方法において、図４に示す第２の例のメタルサブストレート部材を用いた場合も、同様に、リール・トウー・リールで、エッチング形成されたメタルサブストレート部材（図４）の各単位のメタルサブストレート２２０の所定の領域に銀めっきまたはパラジュームめっき処理を施す。次にメタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレート２２０のタイパッド２２１上に、ＩＣチップ２３０を搭載した後、ワイヤ２３５によりワイヤボンディング接続する（図５）。その後、トランスファ方式により、ＩＣチップ２３０、ボンディングワイヤ２３５を含む樹脂封止領域２４０Ａを封止樹脂２４０により樹脂封止する（図６）。
【００７８】
そして、この後、所定のカッターにて、図４の連結線Ｌ３、Ｌ４に沿って、繋ぎ部２２６を切断し、加工用素材１１１を個片化し、それぞれ、ＩＣモジュール２５０を得る。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第１の例の一部および単位のメタルサブストレートを示した図。
【図２】図１（ａ）に示すＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した状態、および単位のメタルサブストレート部を示した図。
【図３】図２（ａ）に示す部材にトランスファモールド処理を施した図。
【図４】本発明のＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の実施の形態の第２の例の一部を示した概略構成図。
【図５】図４に示すＩＣカードモジュール用のメタルサブストレート部材の各単位のメタルサブストレートのダイパッド上にＩＣチップを搭載し、ワイヤボンディング結線した図。
【図６】図５に示す部材にトランスファモールド処理を施した図。
【図７】従来のメタルサブストレートとＩＣモジュールの作製方法を説明するための図。
【図８】非接触式のＩＣカードにおけるＩＣモジュールとその回路構成を説明するための図。
【図９】メタルサブストレートの加工方法と樹脂漏れとの関係を説明するための図。
【符号の説明】
【００８０】
１００Ａ、１００Ｂ  リール
１１１  加工用素材
１２０  メタルサブストレート
１２１  ダイパッド
１２２Ａ、１２２Ｂ  アンテナ端子
１２３Ａ、１２３Ｂ  内部端子
１２４  貫通孔
１２５  貫通孔部
１３０  ＩＣチップ
１３５  ボンディングワイヤ
１４０  封止用樹脂
２２０  メタルサブストレート
２２１  ダイパッド
２２２Ａ、２２２Ｂ、２２２Ｃ、２２２Ｄ  アンテナ端子
２２３Ａ、２２３Ｂ、２２３Ｃ、２２３Ｄ  内部端子
２２５  貫通孔部
２３０  ＩＣチップ
２３５  ボンディングワイヤ
２４０  封止用樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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