(57)【要約】  【課題】パーティクルの拡散を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。  【解決手段】半導体装置の製造方法は、減圧可能な搬送チャンバ１１０と、減圧可能なプロセスチャンバ１２０と、前記搬送チャンバ１１０と前記プロセスチャンバ１２０との間に配置され、減圧可能な真空室１３０とを有し、搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０との間で基板を搬送するときに、前記搬送チャンバ１１０から前記真空室１３０へ、かつ前記プロセスチャンバ１２０から前記真空室１３０への気流を生成するように前記搬送チャンバ１１０、プロセスチャンバ１２０及び真空室１３０の圧力を制御する。【選択図】図１
2006287110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な第１のチャンバと、
減圧可能な第２のチャンバと、
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に配置され、減圧可能な第３のチャンバと、を有し、
前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間で基板を搬送するときに、前記第１のチャンバから前記第３のチャンバへ、かつ前記第２のチャンバから前記第３のチャンバへの気流を生成するように前記第１のチャンバ、前記第２のチャンバ及び前記第３のチャンバの圧力を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、減圧された雰囲気中で処理を行う真空処理装置などに用いられる半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造に用いられる真空処理装置としては、減圧可能な成膜チャンバ（プロセスチャンバ）と搬送チャンバとを備え、チャンバ外から搬送チャンバへ搬送された被処理ウエハ（基板）を、減圧されたプロセスチャンバへ移載し、原料ガスによって基板に所定の処理を実施するものが知られている。
例えば一つの搬送チャンバに複数のプロセスチャンバを隣接させた真空処理装置（クラスタ型と呼ばれる成膜処理装置）において、複数の異なる膜種を処理する場合には、各プロセスチャンバでの使用圧力帯がそれぞれ異なっており、基板を搬送の際に各プロセスチャンバの圧力を変更する必要があった。
【０００３】
上述した真空処理装置では、両チャンバ（搬送チャンバ及びプロセスチャンバ）間に設けられたゲートバルブを開放するときに、両チャンバ（搬送チャンバ及びプロセスチャンバ）間の圧力差に起因する気体の流れにより、チャンバ内に堆積したパーティクルが、搬送チャンバからプロセスチャンバへ又はプロセスチャンバから搬送チャンバへ拡散し、基板上にパーティクルが付着することが問題となっている。
【０００４】
そこで、上記問題を改善すべく、各チャンバ（搬送チャンバおよびプロセスチャンバ）に接続された（排気コンダクタンスを最大にした状態で接続された）真空ポンプにおける能力の限界圧力まで排気し、ウエハを両チャンバ（成膜チャンバ及び搬送チャンバ）間で搬送する方法が知られている。
【０００５】
図５に従来の半導体装置の製造方法が用いられる真空処理装置の一例を示す。図５に示すように、従来の真空処理装置は、減圧可能な搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０とを備え、チャンバ外と搬送チャンバ１１０とがゲートバルブ（図示せず）を介して連通され、さらに搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０とがゲートバルブ１３６を介して連通されている。また、搬送チャンバ１１０は、排気装置１１２に連通されており、この排気手段１１２によって搬送チャンバ１１０内の圧力が減圧される。このとき、排気手段１１２は、常時一定の状態で作動（排気）している。
上記同様に、プロセスチャンバ１２０においても、排気装置１２２と、圧力センサ１２１とが設けられている。
また、搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０の外部には、制御装置１００が設けられている。
【０００６】
この真空処理装置に用いられる半導体の搬送方法としては、搬送チャンバ１１０を排気装置１１２により真空の状態にし、プロセスチャンバ１２０を排気手段１２２により真空の状態にする。このとき制御装置１００は、搬送チャンバ１１０の圧力センサ１１１から搬送チャンバ１１０内の圧力値を受け付け、時間的に圧力値の変化（変動）が無くなったときに排気装置１１２の限界圧力と判断する。このような真空処理装置において、搬送チャンバ１１０は真空状態を保持しているため、上述した真空排気処理は真空処理装置の運転準備段階で一度だけ実施される。また、プロセスチャンバ１２０においても排気装置１２２の限界圧力まで真空排気処理を実施し、以後真空の状態を保持する。搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０が共に限界圧力になったところでゲートバルブ１３６を開放し、基板搬送装置１１３で基板をプロセスチャンバ１２０内の基板載置台１２３上に載置する。このような真空処理装置における基板の搬送においては、両チャンバ（搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０）内の気体分子の存在数は少なくなり、両チャンバ（搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０）間に差圧が発生してもパーティクルを拡散させる現象は少ないと考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０とではチャンバ内の構造が異なるので、チャンバの容積が異なる。また、プロセスチャンバ１１０は、目的とするプロセス処理が最適に実施できるような排気システムが設計されているため、搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０とでは、排気速度および到達限界圧力に差異が生じるため、搬送チャンバ１１０からプロセスチャンバ１２０へ又はプロセスチャンバ１２０から搬送チャンバ１１０へのパーティクルの拡散が発生する。
【０００８】
本発明の目的は、上記問題を解消し、パーティクルの拡散を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の特徴とするところは、減圧可能な第１のチャンバと、減圧可能な第２のチャンバと、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間に配置され、減圧可能な第３のチャンバとを有し、前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間で基板を搬送するときに、前記第１のチャンバから前記第３のチャンバへ、かつ前記第２のチャンバから前記第３のチャンバへの気流を生成するように前記第１のチャンバ、前記第２のチャンバ及び前記第３のチャンバの圧力を制御する半導体装置の製造方法にある。
【００１０】
好適には、前記第３のチャンバは第１のゲートバルブ及び第２のゲートバルブを有し、同一の昇降機構により前記第１のチャンバと前記第２のチャンバとの間を遮断もしくは開放するゲートバルブ制御機構をさらに有する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、第１のチャンバから第３のチャンバかつ第２のチャンバから第３のチャンバへの気流を生成することにより、第１のチャンバ及び第２のチャンバへのパーティクルの拡散を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明が用いられる真空処理装置１０の構成を示す図である。
【００１３】
真空処理装置１０は、減圧可能な第１のチャンバとしての搬送チャンバ１１０及び第２のチャンバとしてのプロセスチャンバ１２０を有する。また、真空処理装置１０は、搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０との間に隣接する第３のチャンバとしての真空室１３０を有する。さらに、真空処理装置１０は、搬送チャンバ１１０と真空室１３０とを雰囲気的に分離可能な第１のゲートバルブ１３６ａと、プロセスチャンバ１２０と真空室１３０とを雰囲気的に分離可能な第２のゲートバルブ１３６ｂとを有する。すなわち、第１のゲートバルブ１３６ａは、搬送チャンバ１１０と真空室１３０間を遮断または開放するようになっている。同様に、第２のゲートバルブ１３６ｂは、プロセスチャンバ１２０と真空室１３０間を遮断または開放するようになっている。また、第１のゲートバルブ１３６ａには、第１のゲートバルブ昇降装置１３３ａが接続され、第２のゲートバルブ１３６ｂには、第２のゲートバルブ昇降装置１３３ｂが接続されている。これらの第１のゲートバルブ昇降装置１３３ａ及び第２のゲートバルブ昇降装置１３３ｂは、後述する制御装置１００によって制御され、第１のゲートバルブ昇降装置１３３ａが駆動されることにより第１のゲートバルブ１３６ａが、第２のゲートバルブ昇降装置１３３ｂが駆動されることにより第２のゲートバルブ１３６ｂが遮断または開放される（開閉動作する）ようになっている。
【００１４】
搬送チャンバ１１０には、この搬送チャンバ１１０内の圧力を測定する第１の圧力センサ１１１が配設され、プロセスチャンバ１２０には、このプロセスチャンバ１２０内の圧力を測定する第２の圧力センサ１２１が配設され、真空室１３０には、この真空室１３０内の圧力を測定する第３の圧力センサ１３１が配設されている。これらの圧力センサ（第１の圧力センサ１１１、第２の圧力センサ１２１及び第３の圧力センサ１３１）は、後述する制御装置１００に接続され、測定した圧力値を制御装置１００に出力するようになっている。
【００１５】
また、搬送チャンバ１１０には、例えば真空ポンプからなる第１の排気装置１１２が連通して接続されている。この第１の排気装置１１２により搬送チャンバ１１０内の圧力が減圧される（真空排気処理）ようになっている。また、プロセスチャンバ１２０においても、例えば真空ポンプからなる第２の排気装置１２２が連通して接続され、この第２の排気装置１２２によりプロセスチャンバ１２０内の圧力が減圧される（真空排気処理）ようになっている。さらに、真空室１３０においても、例えば真空ポンプからなる排気手段としての第３の排気装置１３２が連通して接続され、この第３の排気装置１３２により真空室１３０内の圧力が減圧される（真空排気処理）ようになっている。
【００１６】
搬送チャンバ１１０内には、基板を搬送する基板搬送装置１１３が設けられ、プロセスチャンバ１２０内には基板が載置される基板載置台１２３が設けられている。この基板搬送装置１１３により、真空室１３０を介して、搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０の基板載置台１２３との間で基板が搬送されるようになっている。
【００１７】
上述したチャンバ（搬送チャンバ１１０、プロセスチャンバ１２０及び真空室１３０）の外部には、制御手段としての制御装置１００が設けられている。この制御装置１００は、第１のゲートバルブ昇降装置１３３ａ及び第２のゲートバルブ昇降装置１３３ｂに接続されており、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂの開放または遮断（開閉動作）を制御する。また、制御装置１００は、第１の圧力センサ１１１、第２の圧力センサ１２１及び第３の圧力センサ１３１に接続されており、各センサ（第１の圧力センサ１１１、第２の圧力センサ１２１及び第３の圧力センサ１３１）で測定された各チャンバ（搬送チャンバ１１０、プロセスチャンバ１２０及び真空室１３０）の圧力値が入力されるようになっている。
この制御手段１００は、第１の圧力センサ１１１及び第２の圧力センサ１２１の測定値と、第３の圧力センサ１３１の測定値とを比較して、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂの開閉を制御するようになっている。
【００１８】
次に、上記実施形態の作用について説明する。
【００１９】
搬送チャンバ１１０を第１の排気装置１１２により、プロセスチャンバ１２０を第２の排気装置１２２により真空の状態まで排気する（真空排気処理）。次に、真空室１３０を第３の排気装置１３２により真空の状態まで排気する（真空排気処理）。このとき、真空室１３０内の圧力は、搬送チャンバ１１０内の圧力及びプロセスチャンバ１２０内の圧力よりも低い圧力となるようにする。すなわち、制御装置１００は、第１の圧力センサ１１１の測定値および第２の圧力センサ１２１の測定値と、第３の圧力センサ１３１の測定値とを監視しながら比較し、真空室１３０内の圧力を搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０の圧力よりも低圧となるように制御する。
このとき、第１の排気装置１１２及び第２の排気装置１２２は、搬送チャンバ１１０内の圧力及びプロセスチャンバ内１２０の圧力を限界圧力まで低下させた後も真空排気処理を継続し、搬送チャンバ１１０内、プロセスチャンバ１２０内及び真空室１３０内の圧力のバランスを保持する。
このように、制御部１００は、後述する搬送チャンバ１１０から真空室１３０へ、かつプロセスチャンバ１２０から真空室１３０への気流を生成するように搬送チャンバ１１０、プロセスチャンバ１２０及び真空室１３０の圧力を制御する。
【００２０】
次に、真空室１３０内の圧力が搬送チャンバ１１０内の圧力及びプロセスチャンバ１２０内の圧力よりも低い圧力となったら、制御手段１００は、第１のゲートバルブ昇降装置１３３ａ及び第２のゲートバルブ昇降装置１３３ｂを駆動し、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを開放する。
なお、制御手段１００は、第１のゲートバルブ１３６ａを開放した後に、第２のゲートバルブ１３６ｂを開放するようにしてもよいし、第２のゲートバルブ１３６ｂを開放した後に、第１のゲートバルブ１３６ａを開放するように制御してもよい。
【００２１】
このとき、図２に示すように、搬送チャンバ１１０内及びプロセスチャンバ１２０内にパーティクル１５０が存在（堆積）していた場合、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂが開放することにより、搬送チャンバ１１０内及びプロセスチャンバ１２０内に圧力変動が生じパーティクル１５０が拡散しようとする。しかし、真空室１３０内の圧力が、他の２つのチャンバ（搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０）内の圧力より低いので、搬送チャンバ１１０から真空室１３０へ且つプロセスチャンバ１２０から真空室１３０へ流れるような気流１５２が生成する。この気流１５２によりパーティクル１５０は、真空室１３０に連通して接続された第３の排気装置１３２を介して真空装置１０の外部に排出される。
【００２２】
次に、ゲートバルブ１３６ａ及びゲートバルブ１３６ｂが開放された後、基板搬送装置１１３は、基板の搬入もしくは基板の搬出を行う。すなわち、搬送チャンバ１１０に設けられた基板搬送装置１１３は、真空室１３０を介してプロセスチャンバ１２０内に設けられた基板載置台１２３上に基板を載置する。もしくは、基板搬送装置１１３は、プロセスチャンバ１２０内の基板載置台１２３の基板を搬送チャンバ１１０へ搬出する。
この基板搬送装置１１３による基板の搬送中においても、真空室１３０に接続された第３の排気装置１３２は排気を継続しているので、搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０から真空室１３０への流れが生じている。よって搬送中においても搬送チャンバ１１０またはプロセスチャンバ１２０へのパーティクルの拡散が生じない。
【００２３】
次に、制御装置１００は、基板搬送装置１１３による基板の搬送（搬入または搬出）が完了したら第１のゲートバルブ昇降装置１３３ａ及び第２のゲートバルブ昇降装置１３３ｂを駆動し、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを遮断する（閉じる）。
【００２４】
上述したように、制御装置１００は、真空室１３０内の圧力が搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０よりも低い圧力となったら、第３の排気装置１３２の排気処理を実行しながら、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを開放するように制御することで、搬送チャンバ１１０から真空室１３０へ、かつプロセスチャンバ１２０から真空室１３０への気流１５２を生成させることができる。また、この気流１５２によって搬送チャンバ１１０内及びプロセスチャンバ１２０内に存在（堆積）したパーティクル１５０が真空室１３０から排出され、パーティクル１５０が搬送チャンバ１１０またはプロセスチャンバ１２０へ拡散することを防止することができる。
【００２５】
次に、本発明が用いられる真空処理装置における第２の実施形態を図３に基づいて説明する。
【００２６】
なお、第１の実施形態で説明したものと実質的に同一の部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２７】
図３に示すように、第２の実施形態における真空処理装置２０は、搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０を有する。また、真空処理装置２０は、搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０との間に隣接する真空室１３０を有する。さらに、真空処理装置２０は、搬送チャンバ１１０と真空室１３０とを雰囲気的に分離可能な第１のゲートバルブ１３６ａと、プロセスチャンバ１２０と真空室１３０とを雰囲気的に分離可能な第２のゲートバルブ１３６ｂとを有する。すなわち、第１のゲートバルブ１３６ａは、搬送チャンバ１１０と真空室１３０間を遮断または開放するようになっている。同様に、第２のゲートバルブ１３６ｂは、プロセスチャンバ１２０と真空室１３０間を遮断または開放するようになっている。
【００２８】
真空処理装置２０は、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを同一の昇降機構により、各チャンバ間（搬送チャンバ１１０と真空室１３０間およびプロセスチャンバ１２０と真空室間１３０）を遮断もしくは開放することができるゲートバルブ制御機構としてのゲートバルブ昇降装置１３３を有する。
【００２９】
すなわち、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂには、ゲートバルブ昇降装置１３３が接続されており、このゲートバルブ昇降装置１３３は、制御装置１００によって制御され、ゲートバルブ昇降装置１３３を駆動することにより第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂが遮断または開放されるようになっている。
【００３０】
上述した第１の実施形態においては、制御装置１００は、第１のゲートバルブ昇降装置１３３ａ及び第２のゲートバルブ昇降装置１３３ｂを制御することにより、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを遮断または開放（開閉動作）していたが、本実施形態においては、ゲートバルブ昇降装置１３３のみを制御することで第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂの開閉動作を制御するようになっている。
【００３１】
図４（ａ）に真空装置２０におけるゲートバルブ（第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂ）が遮断した状態の拡大断面図を示し、図４（ｂ）に真空装置２０におけるゲートバルブ（第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂ）が開放した状態の拡大断面図を示す。
【００３２】
図４（ａ）に示すように、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂは、少なくとも１つ以上のバネ（第１のバネ１３７及び第２のバネ１３８）で連結されている。また、第１のゲートバルブ１３６ａと第２のゲートバルブ１３６ｂとの間には、ゲートバルブ支持部材１３５が配設されている。このゲートバルブ支持部材１３５は、上部から下部にかけて径が大きくなる略円錐形状をしており、側面には傾斜部１４２を有し、上端部には傾斜部１４２より大径に形成された大径部１３５ａを有している。このゲートバルブ支持部材１３５の形状は、ゲートバルブ１３５に作用する上昇方向（上方向）の力を後述する第１のコロ１３９ａ及び第２のコロ１３９ｂを介して水平方向の力に変換する形状となっている。これにより、ゲートバルブ支持部材１３５に上昇方向の力を作用させることで、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを真空室１３０の内壁に押し付け気密性を向上させるようになっている。
【００３３】
また、真空室１３０の内壁には、第１の突起部１３４ａ及び第２の突起部１３４ｂが形成されており、これらの突起部（第１の突起部１３４ａ及び第２の突起部１３４ｂ）は、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂの上方向の動きを規制している。
【００３４】
第１のゲートバルブ１３６ａには、ゲートバルブ支持部材１３５方向に向けて複数の突起部が形成されており、上方から第１の上段係合部１４０ａ、第１の下段係合部１４１ａが形成されている。同様に、第２のゲートバルブ１３６ｂにおいても、ゲートバルブ支持部材１３５方向に向けて複数の突起部が形成されており、上方から第２の上段係合部１４０ｂ、第２の下段係合部１４１ｂが形成されている。
【００３５】
また、上述した第１のコロ１３９ａは、球形状または円柱形状に形成されており、第１のゲートバルブ１３６ａに回転自在に支持され、ゲートバルブ支持部材１３５の傾斜部１４２に当接するように配置されている。同様に、第２のコロ１３９ｂは、球形状または円柱形状に形成されており、第２のゲートバルブ１３６ｂに回転自在に支持され、ゲートバルブ支持部材１３５の傾斜部１４２に当接するように配置されている。
【００３６】
次に、第２の実施形態の作用について説明する。
【００３７】
搬送チャンバ１１０を第１の排気装置１１２により、プロセスチャンバ１２０を第２の排気装置１２２により真空の状態まで排気する（真空排気処理）。次に、真空室１３０を第３の排気装置１３２により真空の状態まで排気する（真空排気処理）。このとき、真空室１３０内の圧力は、搬送チャンバ１１０内の圧力及びプロセスチャンバ１２０内の圧力よりも低い圧力となるようにする。すなわち、制御装置１００は、第１の圧力センサ１１１の測定値および第２の圧力センサ１２１の測定値と、第３の圧力センサ１３１の測定値とを監視しながら比較し、真空室１３０内の圧力を搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０内の圧力よりも低圧となるように制御する。
このとき、第１の排気装置１１２及び第２の排気装置１２２は、搬送チャンバ１１０内の圧力及びプロセスチャンバ内１２０の圧力を限界圧力まで低下させた後も真空排気を継続し、搬送チャンバ１１０内、プロセスチャンバ１２０内及び真空室１３０内の圧力のバランスを保持する。
このように、制御部１００は、後述する搬送チャンバ１１０から真空室１３０へ、かつプロセスチャンバ１２０から真空室１３０への気流を生成するように搬送チャンバ１１０、プロセスチャンバ１２０及び真空室１３０の圧力を制御する。
【００３８】
次に、真空室１３０内の圧力が搬送チャンバ１１０内の圧力及びプロセスチャンバ１２０内の圧力よりも低い圧力となったら、制御手段１００は、ゲートバルブ昇降装置１３３を駆動し、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを開放する。
【００３９】
すなわち、図４（ｂ）に示すように、ゲートバルブ昇降装置１３３（図３）は、ゲートバルブ支持部材１３５を下降させる。ゲートバルブ支持部材１３５が下降すると、第１のコロ１３９ａ及び第２のコロ１３９ｂは、ゲートバルブ支持部材１３５の傾斜部１４２におけるより小径の部分に当接するようになる。これにより、ゲート支持部材１３５から第１のコロ１３９ａ及び第２のコロ１３９ｂを介して第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂの水平方向に作用していた力が弱くなり、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂによる真空室１３０の内壁に押し付ける力が弱くなる。
従って、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂは、第１のバネ１３７及び第２のバネ１３８によって互いに引き付け合い、真空室１３０とのシール（当接）が解除される。シールが解除された第１のゲートバルブ１３６ａと第２のゲートバルブ１３６ｂは、ゲートバルブ支持部材１３５の下降と共に下方に移動する。すなわち、ゲートバルブ支持部材１３５は、ゲートバルブ支持部材１３５の大径部１４２と第１の下段係合部１４１ａ及び第２の下段係合部１４１ｂとを係合させて、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを共に下降させる。
【００４０】
このとき、搬送チャンバ１１０内及びプロセスチャンバ１２０内にパーティクルが存在（堆積）していた場合、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂが開放することにより、搬送チャンバ１１０内及びプロセスチャンバ１２０内に圧力変動が生じパーティクルが拡散しようとする。しかし、真空室１３０内の圧力が、他の２つのチャンバ（搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０）内の圧力より低いので、搬送チャンバ１１０から真空室１３０へ且つプロセスチャンバ１２０から真空室１３０へ流れるような気流が生成する。この気流によりパーティクルは、真空室１３０に連通して接続された第３の排気装置１３２を介して真空装置１０の外部に排出される。
【００４１】
次に、ゲートバルブ１３６ａ及びゲートバルブ１３６ｂが開放された後、基板搬送装置１１３は、基板の搬入もしくは基板の搬出を行う。すなわち、搬送チャンバ１１０に設けられた基板搬送装置１１３は、真空室１３０を介してプロセスチャンバ１２０内に設けられた基板載置台１２３上に基板を載置する。もしくは、基板搬送装置１１３は、プロセスチャンバ１２０内の基板載置台１２３の基板を搬送チャンバ１１０へ搬出する。
この基板搬送装置１１３による基板の搬送中においても、真空室１３０接続された第３の排気装置１３２は排気を継続しているので、搬送チャンバ１１０及びプロセスチャンバ１２０から真空室１３０への流れが生じている。よって搬送中においても搬送チャンバ１１０またはプロセスチャンバ１２０へのパーティクルの拡散が生じない。
【００４２】
次に、制御装置１００は、基板搬送装置１１３による基板の搬送（搬入または搬出）が完了したらゲートバルブ昇降装置１３３を駆動し、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂを遮断する（閉じる）。
【００４３】
すなわち、図４（ａ）に示すように、ゲートバルブ昇降装置１３３（図３）は、ゲートバルブ支持部材１３５を上昇させる。第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂは、ゲートバルブ支持部材１３５と、ゲートバルブ支持部材１３５の傾斜部１４２と当接する第１のコロ１３９ａ及び第２のコロ１３９ｂと共に上昇する。第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂは、真空室１３０の内壁に設けられた第１の突起部１３４ａ及び第２の突起部１３４ｂに当接することにより上昇が止まる（上昇方向の移動が規制される）。このとき、ゲートバルブ支持部材１３５は、上昇移動を継続し、ゲートバルブ支持部材１３５の大径部１３５ａ上面が第１の上段係合部１４０ａ及び第２の上段係合部１４０ｂの位置に達する。またこのとき、ゲートバルブ支持部材１３５の傾斜部１４２により、第１のゲートバルブ１３６ａの第１のコロ１３９ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂの第２のコロ１３９ｂが水平方向（真空室１３０の壁面方向）に押されることで、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂが真空室１３０の内壁に押し付けられてシール（当接）する。これにより、第１のゲートバルブ１３６ａ及び第２のゲートバルブ１３６ｂは、搬送チャンバ１１０と真空室１３０との間及びプロセスチャンバ１２０と真空室１３０との間を遮断する。
【００４４】
なお、上述した本発明の実施形態においては、第３の排気装置１３２を真空室１３０上側から排気するように設けているが、特にこの形態には限らず、真空室１３０の下側から排気するように設けてもよい。また、排気装置がチャンバ毎に設けられているが、これに限らず第１のチャンバと第２のチャンバの排気装置を共用にしたり、第３のチャンバと第１のチャンバまたは第２のチャンバの排気装置を共用にするなど種々の変更が可能である。
【００４５】
なお、本発明が用いられる真空処理装置は、基板処理装置として、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置においても適用することができる。
さらに、本発明が用いられる真空処理装置における炉内の処理（プロセスチャンバ等における処理）には何等関係なく、例えば酸化、拡散、アニール等にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の実施形態に用いられる真空処理装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に用いられる真空処理装置のゲートバルブが開放した状態を示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に用いられる真空処理装置の構成を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に用いられる真空処理装置のゲートバルブを中心に示した、（ａ）は、ゲートバルブを閉じた状態を示す拡大図、（ｂ）は、ゲートバルブを開いた状態を示す拡大図である。
【図５】従来の真空処理装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０，２０  真空処理装置
１１０  搬送チャンバ
１２０  プロセスチャンバ
１３０  真空室
１３６  ゲートバルブ
１３６ａ  第１のゲートバルブ
１３６ｂ  第２のゲートバルブ
１３３ａ  第１のゲートバルブ昇降装置
１３３ｂ  第２のゲートバルブ昇降装置
１１２  第１の排気装置
１２２  第２の排気装置
１３２  第３の排気装置
１００  制御装置
１５０  気流
【図１】
2006287110.tif 000003
【図２】
2006287110.tif 000004
【図３】
2006287110.tif 000005
【図４】
2006287110.tif 000006
【図５】
2006287110.tif 000007