(57)【要約】【課題】  垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関し、裏打層の結晶化を防ぐことによって表面を平坦化し、中間層及び磁気記録層の任意のエピタキシャルな結晶成長を可能にする。【解決手段】  非晶質或いは析出型微結晶の軟磁性体膜からなる裏打層１と磁気記録層３との間に非磁性中間層２を設けた垂直磁気記録媒体の裏打層１の表面粗さＲa を１．０ｎｍ以下とし、表面うねり振幅を２ｎｍ以下、うねり周期を１μｍ以上とする。【選択図】          図１
2006252605.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質或いは析出型微結晶の軟磁性体膜からなる裏打層と磁気記録層との間に非磁性中間層を設けた垂直磁気記録媒体において、前記裏打層の表面粗さＲa が１．０ｎｍ以下であり、表面うねり振幅が２ｎｍ以下、うねり周期が１μｍ以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
上記非磁性中間層の膜厚が、３〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
非晶質或いは析出型微結晶の軟磁性体膜からなる裏打層と磁気記録層との間に非磁性中間層を設けた垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記裏打層をスパッタ法によって成膜する際に、成膜基板に−５０Ｖ以下の直流バイアスを印加しながら成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記裏打層をスパッタ法によって成膜する時の堆積速度を、０．５ｎｍ／秒以上としたことを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
上記スパッタ法が、ＤＣマグネトロンスパッタ法であることを特徴とする請求項３または４に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関するものであり、特に、再生ヘッド−裏打層間の距離を短くすることで記録磁界を増大させる際に、磁気記録層と裏打層との間の磁気相互作用による磁化のリップル（垂直磁化成分の揺らぎ）を低減するために、裏打層の表面を平坦化のための構成に特徴のある垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置、磁気テープ装置などの磁気記録装置では、記録媒体上のデータは薄膜磁気ヘッドによって読み書きが行われるが、読み出しは薄膜磁気ヘッドを構成する巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子等を用いた再生ヘッドにより行われ、書き込みは誘導型記録ヘッドにより行われる。
【０００３】
この場合の記録方式は、現在すでに実用化されている磁化信号の向きが記録媒体面内方向とする長手磁気記録方式と、磁化信号の向きが記録媒体面に垂直な方向とする垂直磁気記録方式があり、一般に、後者の垂直磁気記録方式は前者の長手磁気記録方式に比べて記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であるといわれている。
【０００４】
このうち、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドは、長手磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドと同様のリングヘッド型と、単一の主磁極によって記録媒体に対して垂直方向の磁界を印加する単磁極ヘッド型があるが、ここでは、図８を参照して単磁極ヘッド型の垂直磁気記録方式を説明する。
【０００５】
図８参照  
図８は、単磁極ヘッド型の垂直磁気記録方式の原理を示す概略図であり、垂直記録媒体２０の回転方向の下流側がトレーリング側、上流側が再生ヘッドを備えたリーディング側となる。
主磁極３１から絞り込まれた磁束２５は磁気記録層２４及び非磁性中間層２３を通り、軟磁性体からなる裏打層２２に到達し、補助磁極、即ち、リターンヨーク３２に入る磁気的回路を形成する。  なお、図における符号２１、２６、３３、３４、３５、３６は、夫々ガラス基板、ビット、接続部、ライトコイル、被覆絶縁層、及び、主磁極補助層である。
【０００６】
したがって、記録ヘッドとして単磁極ヘッドを用い、記録媒体として磁気記録層２４と軟磁性体からなる裏打層２２とを積層した２層構造の垂直記録媒体を用いた場合、上述の磁気的回路を構成する上で、単磁極ヘッドと垂直記録媒体２０との相関がかなり大きくなる。
【０００７】
即ち、２層構造の垂直記録媒体では、裏打層を用いることで強いヘッド磁界で記録することができ、裏打層がない垂直記録媒体だけでなく、長手記録媒体と比べても倍以上の高保磁力化が可能になる。
【０００８】
このような垂直磁気記録媒体において、高密度記録化のためには媒体ノイズを小さくする必要があるが、媒体ノイズは遷移ノイズ（磁化の遷移領域幅）によるため、記録磁界の勾配を急峻にすることによって磁化遷移領域を狭くできるため、遷移ノイズを低減することができ、そのためには、中間層を薄くすれば良い。
【０００９】
また、高記録密度化・媒体ノイズ低減を可能にするためには活性化体積を小さくすることが必須であるが、小さくすると熱揺らぎに対して弱くなるため、グラニュラ化等により磁性粒の孤立化を図りながら磁気記録膜の保磁力（Ｈc ）を増大させることで安定化を図っている。
【００１０】
しかし、磁性粒を孤立化すると、同時に飽和磁化（Ｍs ）の低下を招き、再生ヘッドへの漏れ磁束が小さくなってしまい、再生出力の低下によるＳ／Ｎ劣化を生じるが、再生ヘッド−裏打層間の距離を短くすることで信号を増大（鏡像効果）することができ、そのためには、やはり、中間層を薄くすれば良い。
【００１１】
このような垂直磁気記録媒体の製造方法としては、各種の提案がなされているが、スパッタ法によって成膜することが一般的であり、磁気記録層の特性を改善するためにスパッタに際して基板に直流バイアスを印加しておくことによって、裏打層の磁気異方性を低減することも提案されてる（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１５１１２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、中間層を薄くすれば、軟磁性体で構成する裏打層と磁気記録層との間の磁気的相互作用が強くなるため、裏打層表面に表面の凹凸に起因して磁化のリップル（垂直磁化成分の揺らぎ）を生じ媒体ノイズが増大するという問題があるので、この事情を図９を参照して説明する。
【００１３】
図９参照  
図９の上図は中間層が厚い場合の磁化方向の説明図であり、下図は中間層が薄い場合の磁化方向の説明図であり、非磁性中間層２３が薄い場合には、非磁性中間層２３が厚い場合に比べて裏打層２２と磁気記録層２４との相互作用が強くなるため、非磁性中間層／裏打層界面における磁化方向３０の垂直成分のゆらぎが大きくなり、媒体ノイズの増大の原因となる。
なお、図における符号２７，２８，２９はそれぞれ磁壁、書込領域、及び、消去領域である。
【００１４】
また、磁気記録層２４は非磁性中間層２３の結晶性を反映してエピタキシャル成長するが、下地層の界面が平坦でないと本来垂直方向に成長させたい非磁性中間層２３や磁気記録層２４の結晶が斜め方向に結晶成長するために、磁気記録層３４の磁気異方性の分散が大きくなり、それによって、媒体ノイズが増大するという問題がある。
【００１５】
このような問題を解決するために、下地となる裏打層２２の表面を平坦化するためには、裏打層２２を非晶質化するとともに膜厚を薄くすれば良いが、上述のように２層垂直磁気記録媒体では裏打層２２は短磁極記録ヘッドの磁束を還流させるための磁路の一部を構成するため、裏打層２２を薄膜化すると記録電流を増大させてしまい、消費電力の増大を招くという問題がある。
【００１６】
また、上記の特許文献１のようにバイアススパッタを行った場合には、一般には媒体温度の上昇を招くため、裏打層を成膜する場合には、非晶質磁性膜の結晶化を招き、表面の凹凸が大きくなるという問題がある。
【００１７】
したがって、本発明は、裏打層の結晶化を防ぐことによって表面を平坦化し、中間層及び磁気記録層の任意のエピタキシャルな結晶成長を可能にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
図１は本発明の原理的構成図であり、ここで図１を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図における符号５は、磁束である。
図１参照
上記課題を解決するために、本発明は、非晶質或いは析出型微結晶の軟磁性体膜からなる裏打層１と磁気記録層３との間に非磁性中間層２を設けた垂直磁気記録媒体において、裏打層１の表面粗さＲa が１．０ｎｍ以下であり、表面うねり振幅が２ｎｍ以下、うねり周期が１μｍ以上であることを特徴とする。
【００１９】
このような裏打層１の表面の条件を満たすことによって、中間層２を薄くしても磁化のリップルによる媒体ノイズを低減することができるとともに、裏打層１を厚くしても磁気記録層３の磁気異方性の分散を小さくして媒体ノイズを低減することができる。
【００２０】
この場合、うねり周期はスライダ形状の制約から５０μｍ〜２ｍｍとすることがより好適であり、それによって、スライダを安定に浮上させることができる。
なお、うねりは、表面粗さＲa が微視的凹凸であるのに対して長周期の凹凸であり、うねり振幅及びうねり周期は断面のＴＥＭ像から目視的に平均値として求めたものであり、また、その数値範囲は実験的に良否を判定して決定したものである。
【００２１】
この場合の非磁性中間層２の膜厚としては３〜３０ｎｍが好適であり、それによって、記録ヘッドを構成する単磁極４−裏打層１間の距離を短くすることができる。
なお、３ｎｍ未満であると、磁気記録層３の結晶性を充分改善するための効果が得られ、３０ｎｍを超えると必要とする実効的な記録磁界より小さくなる。
【００２２】
また、磁気記録層３としては、非磁性母材の中に強磁性粒子が分散させたグラニュラ膜が好適であり、それによって、活性化体積がより小さくなるので、高密度記録化が可能になる。
【００２３】
また、上述の表面状態を有する裏打層１を形成するためには、ＤＣマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法用いる場合に、成膜基板に−５０Ｖ以下、より好適には−１００Ｖ〜−２５０Ｖの直流バイアスを印加しながら成膜すれば良い。
【００２４】
このように、成膜基板に負バイアスを印加することによって、裏打層１の表面の凹凸の凹部が優先して埋め込まれるので表面の平坦化が可能になる。
なお、基板バイアスが−５０Ｖより絶対値において小さな値の場合には、非磁性中間層２の結晶配向分散Δθ50が大きくなり結晶清雅劣化し、−２５０Ｖ以下になると媒体ノイズＮm が増加し始める。
【００２５】
また、裏打層１をスパッタ法によって成膜する時の堆積速度を、０．５ｎｍ／秒以上とすることが望ましく、それによって、成膜時の裏打層１を構成する軟磁性体の結晶化を抑制することができる。
【００２６】
この場合の堆積速度の上限は、２ｎｍ／秒とすることが望ましく、２ｎｍ／秒を超えると媒体ノイズが急速に増大しだす。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、裏打層を形成する際のＤＣマグネトロンスパッタ法等のスパッタ法の成膜条件における基板バイアスと堆積速度を最適化することによって、裏打層の表面を平坦化するとともに、非晶質或いは析出型微結晶構造を保つことができ、それによって、中間層を薄くしても磁化のリップルの発生を低減するともに、中間層及び磁気記録層を下地に影響されることなく任意にエピタキシャル成長することができるので磁気異方性の分散を小さくすることができ、ひいては媒体ノイズを低減して高密度記録が可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明は、裏打層を形成する際に例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、基板に−５０Ｖ以下、より好適には−１００〜−２５０Ｖの直流バイアスを印加した状態で、０．５ｎｍ／秒〜２ｎｍ／秒の堆積速度で非晶質或いは析出型微結晶構造の裏打層を堆積したのち、非磁性中間層及び磁気記録層等を順次堆積させて垂直磁気記録媒体を構成するものである。
【実施例１】
【００２９】
ここで、図２及び図７を参照して、本発明の実施例１の２層垂直磁気記録媒体の製造方法を説明する。
図２参照  
まず、直径が２．５インチ（≒６ｃｍ）のガラス基板１１上にＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、厚さが５〜１０ｎｍのＴａ下地層１２を堆積させたのち、基板バイアスを−５０Ｖ以上とし、０．５ｎｍ／秒〜２ｎｍ／秒、例えば、０．５ｎｍ／秒の堆積速度で厚さが、例えば、２００ｎｍのＣｏＺｒＮｂ裏打層１３を形成する。
【００３０】
この時のＣｏＺｒＮｂ裏打層１３の表面の表面粗さＲa をＮａｎｏ  Ｓｃｏｐｅ  1II   ＡＦＭ  ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ（デジタルインスツルメント／日本ビーコ社製商品名）を用いて測定したところ、−１００Ｖの場合にＲa ＝０．３３６ｎｍ、−３００Ｖの場合にＲa ＝０．２３７ｎｍであり、無バイアスの場合のＲa ＝０．４１５に比べて大きな改善が見られた。
なお、この表面粗さＲa は、１．０ｎｍ以下であれば特に問題がない。
【００３１】
引き続いて、非磁性中間層として、厚さが、例えば、１５ｎｍのＲｕ層１４を堆積する。
【００３２】
図３参照  
図３は、この段階における試料の断面にＴＥＭ像を模写したものであり、上図が−３００Ｖのバイアスを印加した場合であり、下図が無バイアスの場合を参考に示したものである。
上図の場合には、Ｒｕ層１４が〈００２〉方向に揃った柱状多結晶１５から構成されるのが観察される。
この場合の２θ法で測定した〈００２〉結晶面に対する結晶配向分散Δθ50（半値幅）は、３．０°であり、ほぼ垂直方向に揃っていることが分かる。
【００３３】
一方、無バイアスの下図の場合には、一見して柱状多結晶１５が傾いており、２θ法で測定した〈００２〉結晶面に対する結晶配向分散Δθ50（半値幅）は、１３．８°であり、かなりの傾きを示している。
【００３４】
また、上図から裏打層１３の表面のうねりを測定したところ、うねり振幅は、０．４０ｎｍであり、また、うねり周期は２μｍ以上であった。
【００３５】
再び、図２参照  
引き続いて、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2 複合ターゲットを用いて、Ｒｕ層１４の上にＳｉＯ2 母材中にＣｏＣｒＰｔ粒子が分散したグラニュラ構造の厚さが、例えば、１５ｎｍの磁気記録層１６を成膜する。
【００３６】
以降は、磁気記録層１６上にスパッタ法により厚さが、例えば、４ｎｍのＤＬＣからなる保護膜１７を堆積させたのち、保護膜１７上にパーフルオロカーボンからなる潤滑材１８を設けることによって、垂直磁気記録媒体の基本構造が完成する。
【００３７】
図４参照  
図４は、垂直磁気記録媒体の媒体ノイズＮm のＲｕ層の結晶配向分散Δθ50依存性と磁気特性を示したものである。
まず、媒体ノイズＮm は結晶配向分散Δθ50の増大とともに増加することが理解される。
【００３８】
また、３つの試料のうち、媒体ノイズＮm の小さいものをＴｙｐｅ−Ａとし、媒体ノイズＮm の大きなものをＴｙｐｅ−Ｂとしてその磁気特性を見てみると、Ｔｙｐｅ−Ａの場合には、磁化困難軸の特性がほぼ直線状で良好な特性を示している。
【００３９】
一方、Ｔｙｐｅ−Ｂの場合には、磁化困難軸の特性が中央部に脹らみを有するとともに、全体の傾斜においてキンクがみられ良好な磁気特性とはいえない。
これらの結果は、磁気記録層の下地となるＲｕ層１４を構成する柱状多結晶１５が傾いて成長すると媒体ノイズＮm が大きくなるとともに、磁気特性が劣化することを示している。
【００４０】
図５参照  
図５は、異方性磁界Ｈk の分布とＲｕ層の結晶配向角度θj の相関図であり、上図にＴｙｐｅ−Ａを示し、下図にＴｙｐｅ−Ｂを示している。
Ｔｙｐｅ−ＡとＴｙｐｅ−Ｂの対比から明らかなように、Δθ50の大きなＴｙｐｅ−Ｂにおいて、異方性磁界Ｈk の分布の広がりΔＨk 及び結晶配向角度θj の広がりΔθj が大ききくなっており、これが媒体ノイズＮm の増大と磁気特性の劣化の原因であると考えられる。
【００４１】
図６参照  
図６は、Ｒｕ層の結晶配向分散Δθ50、異方性磁界Ｈk 及び媒体ノイズＮm の基板バイアス依存性の説明図であり、まず、下図に示すように基板バイアスの増大とともに結晶配向分散Δθ50が小さくなり、−３００Ｖ程度でほぼ飽和する。
なお、図においては堆積速度が０．５ｎｍ／秒の場合と２ｎｍ／秒の場合の２例を示している。
【００４２】
また、中図に示すように、異方性磁界Ｈk は基板バイアスの増大とともに増大するが堆積速度依存性はみられない。
【００４３】
また、下図に示すように、媒体ノイズＮm は、基板バイアスの増大とともに低下傾向を示したのち、−１００〜−１５０Ｖの位置で増加に転じ、０．５ｎｍ／秒の堆積速度の場合にかなりの増加が見られる。
なお、トータルノイズＮt を参考のために図示している。
【００４４】
図７参照  
図７は、無バイアスの場合のＲｕ層の結晶配向分散Δθ50、異方性磁界Ｈk 及び媒体ノイズＮm の堆積速度依存性を参考に示したもので、まず、下図に示すように堆積速度の増大とともに結晶配向分散Δθ50が小さくなる。
これは堆積速度が小さいと、裏打層が結晶化してその表面の凹凸が顕著になり、この凹凸の影響でＲｕ層を構成する柱状多結晶の傾きが大きくなるものと考えられる。
【００４５】
また、中図に示すように、無バイアスの場合にも、異方性磁界Ｈk に堆積速度依存性はみられない。
また、下図に示すように、媒体ノイズＮm は、堆積速度が小さい場合には殆ど依存性は見られないものの、２ｎｍ／秒を超えるあたりから僅かに媒体ノイズＮm の増加が見られる。
なお、この場合もトータルノイズＮt を参考のために図示している。
【００４６】
以上を纏めると、得られた各特性曲線からは、基板バイアスとしては、−５０Ｖ以下とする必要があり、また、−２５０Ｖを超えると異方性磁界Ｈk が大きくなるとともに、低堆積速度における媒体ノイズＮm の増加が大きくなるので、−１００Ｖ〜−２５０Ｖの範囲が好適である。
【００４７】
また、堆積速度としては、裏打層の結晶化を防止するためには０．５ｎｍ／秒以上にする必要があり、また、図７の上図を参照するならば、２．０ｎｍ／秒以下にすることが望ましい。
【００４８】
このように、本発明においては、裏打層を堆積する際の基板バイアスと堆積速度を最適化することによって、裏打層の表面を平坦化するとともに、非晶質或いは析出型微結晶構造を保つことができ、それによって、中間層を薄くしても磁化のリップルの発生を低減するともに、中間層及び磁気記録層の結晶配向分散Δθ50を小さくすることができ、それによって、媒体ノイズＮm を低減して高密度記録が可能になる。
【００４９】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は実施例に記載した構成及び条件に限られるものではなく、各種の変更が可能である。
例えば、上記の各実施の形態においては、基板としてガラス基板を用いているが、ガラス基板としては例えば、結晶化ガラス基板或いは強化ガラス基板を用いれば良い。
【００５０】
さらに、本発明はガラス基板に限られるものではなく、非磁性基板であれば良く、例えば、Ａｌ−Ｍｇ合金基板等の金属基板を用いても良いものである。
【００５１】
また、上記の実施例においてはＲｕ層の膜厚を１５ｎｍとしているが、３〜３０ｎｍの範囲であれば良く、３ｎｍ未満であると、磁気記録層の結晶性を充分改善するための効果が得られず、一方、３０ｎｍを超えると必要とする実効的な記録磁界より小さくなる。
【００５２】
また、上記の実施例においては非磁性中間層としてＲｕを用いているが、Ｒｕに限られるものではなく、ＲｕとＰｔ、Ｐｄ、ＣｒＣｏ等を少なくとも一種類以上混ぜた合金や多層膜を用いても良いものであり、記録層の結晶構造と同じｈｃｐ構造の金属であれば良い。
【００５３】
また、上記の実施例においては、裏打層を非晶質としているが、厳密に非晶質である必要はなく、析出型微結晶構造であっても良いものである。
【００５４】
また、上記の実施例においては、裏打層を特別の磁場中の熱処理等を必要とせずにディスクの円周方向或いは径方向の磁化容易軸が配列するＣｏＺｒＮｂで構成しているが、ＣｏＺｒＮｂである必要はなく、ＣｏＮｂＴａ、ＦｅＣ、ＦｅＡｌＳｉ等の等の他の軟磁性体を用いても良いものである。
【００５５】
また、上記の実施例においては、磁気記録層としてＣｏＣｒＰｔ／ＳｉＯ2 グラニュラ膜を用いているが、強磁性粒子としては、ＣｏＰｔ等の少なくともＣｏ及びＰｔを含む合金磁性材料であれば良く、また、非磁性母材としてはＳｉＯ2 に限られるものではなく、Ａｌ2 Ｏ3 等の他の安定な非磁性絶縁物を用いても良いものである。
【００５６】
また、磁気記録層はグラニュラ膜に限られるものではなく、公知の各種の磁気記録膜を用いても良いものである。
【００５７】
また、上記の実施例においては、スパッタ装置としてＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いているが、ＤＣマグネトロンスパッタ装置に限られるものではない。
【００５８】
ここで再び図１を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図１参照  
（付記１）  非晶質或いは析出型微結晶の軟磁性体膜からなる裏打層１と磁気記録層３との間に非磁性中間層２を設けた垂直磁気記録媒体において、前記裏打層１の表面粗さＲa が１．０ｎｍ以下であり、表面うねり振幅が２ｎｍ以下、うねり周期が１μｍ以上であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（付記２）  上記うねり周期が、２ｍｍ以下であることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記３）  上記非磁性中間層２の膜厚が、３〜３０ｎｍであることを特徴とする付記１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記４）  上記裏打層１の膜厚が、３０ｎｍ以上であることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記５）  上記磁気記録層３が、非磁性母材の中に強磁性粒子が分散させたグラニュラ膜からなることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体。
（付記６）  非晶質或いは析出型微結晶の軟磁性体膜からなる裏打層１と磁気記録層３との間に非磁性中間層２を設けた垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記裏打層１をスパッタ法によって成膜する際に、成膜基板に−５０Ｖ以下の直流バイアスを印加しながら成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記７）  上記成膜基板に印加する直流バイアスが、−１００Ｖ〜−２５０Ｖであることを特徴とする付記６記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記８）  前記裏打層１をスパッタ法によって成膜する時の堆積速度を、０．５ｎｍ／秒以上としたことを特徴とする付記６または７に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。  （付記９）  上記裏打層１をスパッタ法によって成膜する時の堆積速度が、２ｎｍ／秒以下であることを特徴とする付記８記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
（付記１０）  上記スパッタ法が、ＤＣマグネトロンスパッタ法であることを特徴とする付記６乃至９のいずれか１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の活用例としては、磁気ディスク装置用の垂直磁気記録媒体が典型的なものであるが、ディスク状の媒体に限られるものではなく、テープ状の磁気記録媒体にも適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の実施例１の垂直磁気記録媒体の製造工程の説明図である。
【図３】Ｒｕ層成長段階における試料の断面のＴＥＭ像の模写図である。
【図４】垂直磁気記録媒体の媒体ノイズＮm のＲｕ層の結晶配向分散Δθ50依存性と磁気特性の説明図である。
【図５】異方性磁界Ｈk の分布とＲｕ層の結晶配向角度θj の相関図である。
【図６】Ｒｕ層の結晶配向分散Δθ50、異方性磁界Ｈk 及び媒体ノイズＮm の基板バイアス依存性の説明図である。
【図７】無バイアスの場合のＲｕ層の結晶配向分散Δθ50、異方性磁界Ｈk 及び媒体ノイズＮm の堆積速度依存性の説明図である。
【図８】単磁極ヘッド型の垂直磁気記録方式の原理を示す概略図である。
【図９】裏打層／中間層界面近傍における磁化方向の揺らぎの説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  裏打層
２  非磁性中間層
３  磁気記録層
４  単磁極
５  磁束
１１  ガラス基板
１２  Ｔａ下地層
１３  ＣｏＺｒＮｂ裏打層
１４  Ｒｕ層
１５  柱状多結晶
１６  磁気記録層
１７  保護膜
１８  潤滑材
２０  垂直記録媒体
２１  ガラス基板
２２  裏打層
２３  非磁性中間層
２４  磁気記録層
２５  磁束
２６  ビット
２７  磁壁
２８  書込領域
２９  消去領域
３０  磁化方向
３１  主磁極
３２  リターンヨーク
３３  接続部
３４  ライトコイル
３５  被覆絶縁層
３６  主磁極補助層
【図１】
2006252605.tif 000003
【図２】
2006252605.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2006252605.tif 000007
【図６】
2006252605.tif 000008
【図７】
2006252605.tif 000009
【図８】
2006252605.tif 000010
【図９】
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