(57)【要約】      （修正有）【課題】  微細回路の形成が容易であり、かつコスト低減が可能であり、しかも接続部分の電気抵抗を小さくすることができる配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  貫通孔４を有する絶縁体１の両面に導電部２、３が形成され、貫通孔４内に、導電部２、３どうしを接続する接続体５が設けられている。接続体５は、ほぼ貫通孔４を満たすように形成されている。導電部２、３および接続体５は銅からなり、互いに直接接合されている。【選択図】  図１
2006179833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、前記貫通孔内に、前記導電部どうしを接続する接続体が設けられ、
前記接続体がほぼ前記貫通孔を満たすように形成され、
前記導電部および接続体は銅からなり、互いに直接接合されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、貫通孔内側面がほぼ全域にわたって前記接続体に接していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
貫通孔を有する絶縁体の両面に銅からなる導電部が形成され、前記貫通孔内に前記導電部どうしを接続する接続体が設けられた配線基板を製造する方法であって、
絶縁体の貫通孔に、接続粒子を入れる接続粒子導入工程と、
この接続粒子を絶縁体の厚さ方向に押圧し変形させて接続体とすることによって、この接続体を介して前記導電部どうしを接続する接続体形成工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記導入工程で用いられる接続粒子として、略球状または略楕円体状であるものを用いることを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁体の両面に導電部が形成された配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化、軽量化に伴い、絶縁体の両面に導電部が形成された配線基板が用いられている。
この種の配線基板としては、絶縁体に貫通孔を形成し、この貫通孔の内面にメッキ等により接続部を形成し、この接続部を介して絶縁体両面の導電部を互いに接続したものがある（例えば非特許文献１を参照）。
図２６は、従来の配線基板の一例を示すもので、この配線基板７０は、貫通孔４を有する絶縁体１の両面に、それぞれ第１および第２配線層２、３が形成されている。
貫通孔４の内面および配線層２、３の表面にはメッキ層７１が形成されており、このメッキ層７１によって配線層２、３が互いに接続されている。
図２７に示すように、この配線基板７０は、絶縁体１の両面に配線層２、３を形成し、絶縁体１に貫通孔４を形成した後、メッキ層７１を形成することによって作製できる。
【０００３】
図２８は、従来の配線基板の他の例を示すもので、この配線基板８０は、メッキ層７１が形成されておらず、導電性ペーストを硬化させて得られた接続部８１が貫通孔４内に形成され、この接続部８１によって配線層２、３が互いに接続されている。
接続部８１を形成するには、前記導電性ペーストを貫通孔４内に充填し、加熱により樹脂を硬化させるとともに導電性粒子を凝集させる。
導電性ペーストとしては、導電性粒子を熱硬化性樹脂に分散させたものを例示できる。
【非特許文献１】伊藤謹司著、「プリント配線技術読本」、日刊工業新聞社、１９８９年、ｐ．８−９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の配線基板では、次に示す問題があった。
メッキ層７１を用いる配線基板７０では、メッキ層７１が配線層２、３の表面にも形成されるため、配線層の厚さが増すことになり、サブトラクティブ法などによる微細回路の形成が難しくなる。
貫通孔４の内面にのみメッキ層７１を形成することもできるが、この場合にはコスト増大が避けられない。
導電性ペーストを用いる配線基板８０では、接続部８１の強度が低いこと、および接続部８１の電気抵抗が大きいことが問題であった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、微細回路の形成が容易であり、かつコスト低減が可能であり、しかも接続部分の強度を高め、電気抵抗を小さくすることができる配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の請求項１に係る配線基板は、貫通孔を有する絶縁体の両面に導電部が形成され、前記貫通孔内に、前記導電部どうしを接続する接続体が設けられ、前記接続体がほぼ前記貫通孔を満たすように形成され、前記導電部および接続体は銅からなり、互いに直接接合されていることを特徴とする。
本発明の請求項２に係る配線基板は、請求項１において、前記絶縁層が、貫通孔内側面がほぼ全域にわたって前記接続体に接していることを特徴とする。
【０００６】
本発明の請求項３に係る配線基板の製造方法は、貫通孔を有する絶縁体の両面に銅からなる導電部が形成され、前記貫通孔内に前記導電部どうしを接続する接続体が設けられた配線基板を製造する方法であって、絶縁体の貫通孔に、接続粒子を入れる接続粒子導入工程と、この接続粒子を絶縁体の厚さ方向に押圧し変形させて接続体とすることによって、この接続体を介して前記導電部どうしを接続する接続体形成工程と、を含むことを特徴とする。
本発明の請求項４に係る配線基板の製造方法は、請求項３において、前記導入工程で用いられる接続粒子として、略球状または略楕円体状であるものを用いることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線基板の製造方法は、次に示す効果を奏する。
（１）貫通孔に接続粒子を入れ、この接続粒子を押圧し変形させて接続体とし、この接続体を介して導電部を互いに接続するので、導電部間の電気的抵抗を低減することができる。
（２）接続粒子を変形させて、接続体を形成するので、導電部と接続体とが強固に接合される。従って、接続部分の強度を高め、耐久性を高めることができる。
（３）接続体の形成に、メッキ工程などの煩雑な工程が必要ないため、製造コスト低減が可能となる。
（４）回路を構成する導電部をメッキ層で接続する場合に比べ、導電部の厚さが増すことがないため、微細回路を形成することができる。
【０００８】
本発明の配線基板は、次に示す効果を奏する。
（１）貫通孔内に、導電部を接続する接続体が設けられ、導電部および接続体は銅からなり、互いに直接接合されているので、導電部と接続体との間の電気的抵抗を低減することができる。
（２）導電部と接続体とを強固に接合でき、接続部分の強度を高め、耐久性を高めることができる。
（３）接続体の形成に、メッキ工程などの煩雑な工程が必要ないため、製造コスト低減が可能となる。
（４）回路を構成する導電部をメッキ層で接続する場合に比べ、導電部の厚さが増すことがないため、微細回路を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を参照して本発明の配線基板の第１の例を詳細に説明する。
図１は配線基板１０を示す断面図である。
配線基板１０は、絶縁体１と、絶縁体１の一方の面に形成された第１配線層２（導電部）と、絶縁体１の他方の面に形成された第２配線層３（導電部）とを備えている。
絶縁体１は、絶縁性材料からなり、例えばポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂、ガラスエポキシ、アラミド繊維、テフロン（登録商標）、のうち１または２以上を使用することができる。
絶縁体１には熱可塑性樹脂、例えばポリイミド系樹脂、ＬＣＰ樹脂を用いることもできる。  
【００１０】
絶縁体１には、貫通孔４が形成されている。
配線層２、３には、貫通孔４に相当する位置に、それぞれ開口部６、７が形成されている。開口部６、７は貫通孔４とほぼ同じ形状とされている。
貫通孔４および開口部６、７の形状は任意としてよく、例えば断面円形、断面多角形とすることができる。図示例では貫通孔４および開口部６、７は、内径がほぼ一定となるよう形成されている。
符号８は、貫通孔４および開口部６、７の内部空間を示す。
【００１１】
配線層２、３は銅からなる。配線層２、３は、できるだけ純度が高い銅からなることが好ましく、例えば純度９９％以上の銅からなることが好ましい。具体的には、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅のうち１または２以上を使用できる。
配線層２、３は、少なくとも接続体５に当接する部分において、配線層２、３を構成する材料と同じ材料からなるメッキを施してもよい。
【００１２】
貫通孔４および開口部６、７内には、配線層２、３を互いに接続する接続体５が設けられている。
接続体５は、一定外径の柱状（例えば円柱状）の主部１１と、その上端から配線層２に沿って外方に突出する板状の上部フランジ部１２と、主部１１の下端から配線層３に沿って外方に突出する板状の下部フランジ部１３とを備えている。
接続体５の主部１１は、開口部６から貫通孔４を経て開口部７に達するように形成されている。
主部１１は、貫通孔４を満たすように、すなわち貫通孔４の内側面の全域に接するように形成され、主部１１の側面１１ａは、配線層２、３に設けられた開口部６、７の内側面２ａ、３ａに当接している。
上部フランジ部１２はフランジ部下面１２ａで第１配線層２の表面２ｂに当接している。下部フランジ部１３はフランジ部上面１３ａで第２配線層３の表面３ｂに当接している。
【００１３】
接続体５は、銅からなる。接続体５は、できるだけ純度が高い銅からなることが好ましく、例えば純度９９％以上の銅からなることが好ましい。具体的には、圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅のうち１または２以上を使用できる。
接続体５は、配線層２、３に直接接合されている。すなわち、接続体５と配線層２、３は、ほぼ介在物なしに接合されている。接続体５と配線層２、３とは、金属結合などにより強固に接合している。
【００１４】
次に、図２〜図８を参照して、配線基板１０を製造する方法を説明する。
図２に示すように、絶縁体１の両面に、銅箔などを用いて金属層２２、２３を形成した後、図３〜５に示すように、サブトラクティブ法により金属層２２、２３にパターンを形成する。
すなわち、フォトリソグラフィー技術によりレジスト１６にパターンを形成し、金属層２２、２３をエッチングし、配線層２、３を得る（図３および図４）。この際、第１配線層２に開口部６が形成される。次いで、レジスト１６を除去する（図５）。
【００１５】
図６に示すように、レーザ加工（ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ等）、ドリル加工などによって、開口部６に相当する位置の絶縁体１に貫通孔４を形成するとともに、第２配線層３に開口部７を形成する。
レーザ加工により貫通孔４を形成する際には、第１配線層２はコンフォーマルマスクとして機能する。また、開口部６に相当する位置に貫通孔４を形成するため、加工位置決めが容易である。
【００１６】
図７に示すように、銅からなる接続粒子１７を貫通孔４内に配置する。
接続粒子１７は、後述する工程において圧力を加えることにより変形し、接続体５となる形状であればよく、例えば略球状、略楕円体状、略円柱状、略多角柱状、略円錐状、略多角錘状のうちいずれかとすることができる。
図示例では、貫通孔４および開口部６、７が一定の内径を有する形状であるのに対し、接続粒子１７は略楕円体である。
接続粒子１７は、内部空間８より長く形成されているため、配線層２、３の表面２ｂ、３ｂのうち少なくともいずれか一方から突出した状態となっている。この状態では、接続粒子１７は配線層２、３に対し非接触である。
接続粒子１７は、内部空間８の容積より１０％以上（好ましくは１０〜３０％）大きい体積をもつものが好ましい。接続粒子１７の直径は、１０μｍ以上とするのが好ましい。
接続粒子１７は、これを構成する材料と同じ材料からなるメッキを施してもよい。
【００１７】
接続粒子１７は、銅（例えば純度９９％以上）からなり、例えば圧延銅、電気銅、タフピッチ銅、無酸素銅のうち１または２以上を使用できる。
接続粒子１７を貫通孔４に入れるには、接続粒子１７を第１配線層２上に供給し貫通孔４内に落とし込む方法をとってもよいし、マウンタを用いて接続粒子１７を把持して貫通孔４内に供給してもよい。
貫通孔４は、接続粒子１７とほぼ同径にするか、またはこの配線基板１０の一方の面側に向けて徐々に径が小さくなるテーパ状に形成することによって、接続粒子１７が貫通孔４から脱落するのを防ぐことができる。
以下、接続粒子１７を貫通孔４内に入れる工程を接続粒子導入工程という。
【００１８】
図８に示すように、ステンレス鋼などからなる押圧用プレート１９、１９を用いて、絶縁体１、配線層２、３および接続粒子１７を挟み込み、矢印で示すように、押圧用プレート１９、１９を互いに接近する方向に押圧する。
この際、温度条件は２００℃以上（好ましくは２５０℃以上、さらに好ましくは３００℃以上）が好適である。押圧力は３０ｋｇ／ｃｍ２以上（好ましくは５０ｋｇ／ｃｍ２以上）が好適である。
これによって、略楕円体の接続粒子１７が押圧方向（絶縁体１の厚さ方向）に変形し、内部空間８全体に拡がり、その結果、一定外径の主部１１とフランジ部１２、１３とを有する接続体５が形成され、図１に示す配線基板１０が得られる。
以下、接続粒子１７を変形させて接続体５を得る工程を接続体形成工程という。
【００１９】
上記配線基板１０の製造方法は、次に示す効果を奏する。
（１）貫通孔４に接続粒子１７を入れ、この接続粒子１７を押圧し変形させて接続体５とし、この接続体５を介して配線層２、３を互いに接続するので、配線層２、３間の電気的抵抗を低減することができる。
配線層２、３と接続体５との間の電気的抵抗を小さくすることができる理由については、次の推測が可能である。
配線層２、３および接続粒子１７の表面には、外気中の酸素の影響により酸化被膜が形成されることがある。
接続体５を形成する際には、接続粒子１７が変形し、内部空間８に即した形状となる。接続粒子１７が変形する際には、接続粒子１７の表面の酸化被膜の一部が破壊される。
このため、配線層２、３と接続体５は、少なくとも一部が、酸化被膜がほとんど介在することなく、金属結合などにより直接接合されることになる。よって、これらの間の電気的抵抗が低くなると考えられる。
（２）接続粒子１７を変形させて、内部空間８に沿う接続体５を形成するので、配線層２、３と接続体５とが強固に接合される。従って、接続部分の強度を高め、耐久性を高めることができる。
配線層２、３と接続体５とが強固に接合されるのは、これらの間に存在する酸化被膜が破壊され、これらが、酸化被膜がほとんど介在することなく直接接合されるためであると推測できる。
（３）接続体５の形成に、メッキ工程などの煩雑な工程が必要ないため、製造コスト低減が可能となる。
（４）回路を構成する配線層２、３をメッキ層で接続する場合に比べ、配線層２、３の厚さが増すことがないため、微細回路を形成することができる。
（５）配線層２、３を形成した後に、貫通孔４および接続体５を形成するため、２つの配線層２、３の形成位置が不整合となるのを防ぐことができる。
（６）略球状または略楕円体状の接続粒子１７を用いる場合には、接続体５を形成する際の変形量が大きくなるため、配線層２、３と接続体５との間の電気的抵抗を小さくするとともに、接合強度を高めることができる。
【００２０】
上記配線基板１０では、次に示す効果が得られる。
（１）貫通孔４内に、配線層２、３を接続する接続体５が設けられているので、配線層２、３と接続体５との間の電気的抵抗を低減することができる。
（２）配線層２、３と接続体５とを強固に接合でき、接続部分の強度を高め、耐久性を高めることができる。
（３）接続体５が、メッキ工程などの煩雑な工程を経ることなく形成できるため、製造コスト低減が可能となる。
（４）回路を構成する配線層２、３をメッキ層で接続する場合に比べ、配線層２、３の厚さが増すことがないため、微細回路を形成することができる。
（５）貫通孔４が接続体５で塞がれるため、配線基板１０をはんだによって他の配線基板に接続する場合でも、実装面積を大きくすることができ、設計自由度が高められる。
（６）絶縁体１が、貫通孔４の内側面のほぼ全域に接するように形成されているので、強度の点で優れた配線基板１０が得られる。
【００２１】
なお、上記製造方法では、１つの貫通孔４に対し１つの接続粒子１７を用いたが、複数の接続粒子１７を貫通孔４に入れ、これらを変形させて１つの接続体５を得る製造方法をとることもできる。
【００２２】
次に、本発明の配線基板の第２の例を説明する。以下、図１に示す配線基板１０との共通部分については同一符号を付してその説明を省略する。
図９に示す配線基板２０は、第２配線層３に開口部７が形成されていない点、および接続体５に代えて接続体２５が用いられている点で配線基板１０と異なる。
接続体２５は、配線層２、３を互いに接続するものであって、貫通孔４および開口部６内に設けられている。
接続体２５は、一定外径の柱状（例えば円柱状）の主部３１と、その上端から配線層２に沿って外方に突出する板状の上部フランジ部３２とを備えている。
接続体２５の主部３１は、開口部６から貫通孔４を経て第２配線層３に達するように形成されている。
主部３１は、貫通孔４を満たすように、すなわち貫通孔４の内側面の全域に接するように形成されている。
主部３１は、側面３１ａで第１配線層２の開口部６の内側面２ａに当接し、底面３１ｂで第２配線層３の上面３ｃに当接している。
上部フランジ部３２の下面３２ａは第１配線層２の表面２ｂに当接している。
【００２３】
接続体２５の材料は、接続体５と同様とすることができる。
接続体２５は、配線層２、３に直接接合されている。すなわち、接続体２５と配線層２、３は、ほぼ介在物なしに接合されている。
接続体２５と配線層２、３とは、金属結合などにより強固に接合している。
【００２４】
次に、図１０〜図１３を参照して、配線基板２０を製造する方法を説明する。
図１０および図１１に示すように、絶縁体１の両面に、銅箔などを用いて金属層２２、２３を形成した後、サブトラクティブ法により金属層２２、２３にパターンを形成し、配線層２、３を得る。この際、第１配線層２に開口部６が形成される。
図１２に示すように、レーザ加工などによって、絶縁体１に貫通孔４を形成する。
【００２５】
図１３に示すように、銅からなる接続粒子１７を貫通孔４内に配置する。
接続粒子１７は、配線層３に対し点接触する形状、例えば略球状、略楕円体状などとするのが好ましい。
図示例では、貫通孔４および開口部６が一定の内径を有する形状であるのに対し、接続粒子１７は略楕円体である。接続粒子１７は、内部空間２８より長く形成されているため、第１配線層２の表面２ｂから突出した状態となっている（接続粒子導入工程）。
【００２６】
図１３に示すように、絶縁体１、配線層２および接続粒子１７を押圧用プレート１９、１９で挟み込み、矢印で示すように、押圧用プレート１９、１９を互いに接近する方向に押圧する。
これによって、接続粒子１７が押圧方向（絶縁体１の厚さ方向）に変形し、内部空間２８全体に拡がり、その結果、一定外径の主部３１とフランジ部３２とを有する接続体２５が形成され、図９に示す配線基板２０が得られる（接続体形成工程）。
【００２７】
配線基板２０では、配線基板１０と同様に、配線層２、３と接続体２５との間の電気的抵抗を低減するとともに、配線層２、３と接続体２５とを強固に接合できる。
また、接続体２５を形成するのが容易であるため、製造コスト低減が可能となる。
さらには、配線層２、３をメッキ層で接続する場合に比べ、配線層２、３の厚さが増すことがないため、微細回路を形成することができる。
【００２８】
次に、本発明の配線基板の第３の例を、製造工程に沿って説明する。
図１４に示すように、レーザ加工などにより貫通孔４を形成した絶縁体１を、銅箔などからなる金属層２３上に設置し、接続粒子３７を貫通孔４に入れる。絶縁体１としては、熱可塑性樹脂（ＬＣＰ樹脂など）からなるものが好ましい。
図示例において、接続粒子３７は、略球状であること以外は接続粒子１７と同じ構成である。接続粒子３７は、金属層２２、２３に対し点接触する形状、例えば略球状または略楕円体状とするのが好ましい。
接続粒子３７は、直径が絶縁体１の厚さより大きいため、接続粒子３７の一部は絶縁体１の表面から突出した状態となっている。
【００２９】
図１５および図１６に示すように、接続粒子３７を貫通孔４に入れるには、接続粒子３７を絶縁体１上に供給し貫通孔４内に落とし込む方法をとることができる。
図１７および図１８に示すように、マウンタ３６を用いて接続粒子３７を把持して貫通孔４内に供給する方法をとることもできる。
この際、貫通孔４以外の部分を覆うフィルムを絶縁体１上に載せた状態で接続粒子３７を供給した後、前記フィルムを除去する方法をとることもできる。この方法によれば、貫通孔４に入らなかった接続粒子３７がフィルムとともに除去される。
【００３０】
図１９に示すように、絶縁体１上に銅箔などからなる金属層２２を配置した後、押圧用プレート１９、１９を用いて、絶縁体１、金属層２２、２３および接続粒子３７を挟み込み、矢印で示すように、押圧用プレート１９、１９を互いに接近する方向に押圧する。
図２０に示すように、これによって、略球状の接続粒子３７が押圧方向（絶縁体１の厚さ方向）に変形し、接続体３５が形成される。
この際、温度条件および押圧力は第１の例と同様とすることができるが、温度条件を２５０℃以上とすることによって、熱可塑性樹脂からなる絶縁体１を金属層２２、２３に十分に密着させることができる。
接続体３５は、ほぼ貫通孔４を満たすように、すなわち貫通孔４の内側面のほぼ全域に接するように形成されており、貫通孔４に沿う形状（例えば円柱状）となっている。
【００３１】
図２１に示すように、サブトラクティブ法などにより金属層２２、２３にパターンを形成し、配線層２、３とする。
これによって、貫通孔４内の接続体３５によって配線層２、３が互いに接続された配線基板である第１基板４１が得られる。
第１基板４１では、配線基板１０と同様に、配線層２、３と接続体３５との間の電気的抵抗を低減するとともに、配線層２、３と接続体３５とを強固に接合できる。
【００３２】
図２２に示すように、第１基板４１上に、接着樹脂層３９を形成する。接着樹脂層３９としては、熱可塑性樹脂（例えばポリイミド系樹脂）が使用できる。例えば熱可塑性樹脂からなる樹脂層を両面に形成した多層構造体が使用できる。
図２３に示すように、レーザ加工などにより接着樹脂層３９に貫通孔４４を形成する。
貫通孔４４は、第１配線層２上に相当する位置に形成する。これによって、貫通孔４４内で第１配線層２が露出する。
【００３３】
図２４に示すように、銅からなる接続粒子４７を貫通孔４４内に配置し、その上に第２基板４２を配置する。接続粒子４７は、接続粒子３７と同様の構成とすることができる。
この際、第２基板４２の第２配線層３と、接続粒子４７とが当接するようにする。
図２５に示すように、押圧用プレート１９、１９を用いて、第１および第２基板４１、４２を押圧することによって、接続粒子４７を押圧方向に変形させ、接続体４５とする。
これによって、略球状の接続粒子４７が押圧方向（絶縁体１の厚さ方向）に変形し、接続体４５が形成される。
接続体４５によって、第１基板４１の第１配線層２と、第２基板４２の第２配線層３とが互いに接続された配線基板５０が得られる。
上記配線基板５０では、第１基板４１と第２基板４２との間の電気的抵抗を低減するとともに、第１基板４１と第２基板４２とを強固に接合できる。
【００３４】
なお、配線層（導電部）と接続体との境界部分には、酸素濃度が他の部分（例えば配線層や接続体の内部）より高い酸化層が形成されることがある。この酸化層は、酸素濃度が高い部分（高酸素領域）と、酸素濃度が低い部分（低酸素領域）とを有する。
低酸素領域は、例えば接続体を形成する工程において、接続粒子の変形により表面の酸化被膜が破壊されることにより形成されると考えることができる。低酸素領域においては、配線層（導電部）と接続体とが金属結合などにより接合し、電気抵抗値が低く、かつ接合強度が高くなる傾向がある。
また、配線層（導電部）と接続体との間には介在物がないことが望ましいが、本発明の製造方法を用いることによって、配線層と接続体との間に、Ｃｕ以外の材料を含む層（例えばＰｔ、Ｎｉ、Ａｇなどからなる層）が介在する場合でも、実使用上問題ない接続が可能である。
例えば、銅粒子の表面にＰｔ等からなる被覆層が形成された接続粒子を用いて、上記製造方法に従って接続粒子と配線層とを接続することができる。また、配線層表面にＮｉ等からなる被覆層を形成しておき、この被覆層に、上記製造方法に従って接続粒子を接続することもできる。
これらの方法によれば、Ｃｕ以外の材料を含む層が配線層と接続体との間に介在することになるが、配線層と接続体との間の電気的抵抗を十分に低くすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の配線基板は、表示デバイスやセンサデバイスが搭載されるプリント配線基板などの回路基板や半導体基板に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の配線基板の第１の例を示す概略構成図である。
【図２】前図に示す配線基板を製造する方法の一例を示す工程図である。
【図３】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図４】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図５】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図６】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図７】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図８】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図９】本発明の配線基板の第２の例を示す概略構成図である。
【図１０】前図に示す配線基板を製造する方法の一例を示す工程図である。
【図１１】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図１２】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図１３】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図１４】本発明の配線基板の第３の例を製造する方法の一例を示す工程図である。
【図１５】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図１６】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図１７】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図１８】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図１９】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図２０】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図２１】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図２２】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図２３】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図２４】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図２５】前図に続く配線基板の製造工程を示す図である。
【図２６】従来の配線基板の一例を示す概略構成図である。
【図２７】前図に示す配線基板を製造する方法の一例を示す工程図である。
【図２８】従来の配線基板の他の例を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…絶縁体、２、３…配線層（導電部）、４、４４…貫通孔、５、２５、３５、４５…接続体、１７、３７、４７…接続粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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