(57)【要約】  【課題】  有機半導体から成るチャネル層の電気伝導度が大きく、それによりスイッチング特性の良好な、低消費電力の有機電界効果トランジスタ（有機FET）の製造方法を提供する。  【解決手段】  絶縁層１２、ソース電極１３及びドレイン電極１４上に形成された有機半導体材料層１５の表面のうち少なくともソース電極１３−ドレイン電極１４間のチャネル領域の少なくとも一部において、鋭利な先端形状を有する部材２１を接触させて該表面に平行な力を加える(図(d))ことにより、その領域において有機半導体材料層１５を構成する微結晶を上記力の方向に応じた方向に配向させる。こうして微結晶が配向したチャネル領域は電気伝導度が大きくなり、それにより有機FETのスイッチング特性が向上する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極とドレイン電極の間に、絶縁層によってゲート電極と隔てられた有機半導体材料から成る有機半導体材料層が形成された有機電界効果型トランジスタを製造する方法であって、
前記有機半導体材料層を形成する有機半導体材料層形成工程と、
鋭利な先端形状を有する部材を用いて有機半導体材料層の表面に平行な方向の力を加えることにより、少なくともチャネル領域の一部において前記有機半導体材料層の分子又は微結晶又は微粒子の配向方向を所定の方向に変化させる配向工程と、
を有することを特徴とする有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項２】
前記分子又は微結晶又は微粒子がその向きにより電気伝導度に異方性を有するものであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項３】
分子又は微結晶又は微粒子を、電気伝導度の大きい方向がソース電極とドレイン電極を結ぶ方向と略平行になるように配向させることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項４】
前記配向工程において、前記領域の温度を制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項５】
前記配向工程において、前記領域に所定の方向の電界を印加することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項６】
前記配向工程において、前記領域に所定の方向の磁界を印加することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項７】
前記有機半導体材料層の前記領域を所定の方向に配向させた後、更にその上に有機半導体材料を積層することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項８】
前記部材を同時に複数個用いて分子又は微結晶又は微粒子を所定の方向に配向させることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の有機電界効果型トランジスタ製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかの方法により製造された、分子又は微結晶又は微粒子が所定の方向に配向した有機半導体から成るチャネル領域を有することを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。
【請求項１０】
ソース電極とドレイン電極の間のチャネル領域を含む領域に、絶縁層によってゲート電極と隔てられた有機半導体材料から成る有機半導体材料層が形成された有機電界効果型トランジスタであって、
少なくとも前記チャネル領域の一部において前記有機半導体材料層の分子又は微結晶又は微粒子が所定の方向に配向していることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。
【請求項１１】
ソース電極とドレイン電極の間のチャネル領域を含む領域に、ゲート電極、第１絶縁層、有機半導体材料から成る有機半導体材料層及び第２絶縁層から構成されるチャネル積層体が複数積層されて成る有機電界効果型トランジスタであって、
少なくとも１層の、少なくとも前記チャネル領域の一部において前記有機半導体材料層の分子又は微結晶又は微粒子が所定の方向に配向していることを特徴とする有機電界効果型トランジスタ。
【請求項１２】
前記分子又は微結晶又は微粒子がその向きにより電気伝導度に異方性を有するものであることを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の有機電界効果型トランジスタ。
【請求項１３】
分子又は微結晶又は微粒子を、電気伝導度の大きい方向がソース電極とドレイン電極を結ぶ方向と略平行な方向に配向させたことを特徴とする請求項１２に記載の有機電界効果型トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界効果型トランジスタ（Field Effect Transistor：FET）素子及びその製造方法に関し、特に、有機FETのチャネル領域を構成する分子又は微結晶又は微粒子（以下、「分子等」とする）の配向に特徴を有する有機FET素子及びその製造方法に関する。ここで、「チャネル領域」とは、ソース電極とドレイン電極の間にあり、ゲート電圧が印加されることにより電荷が誘起され、ソース−ドレイン間に電圧が印加されることによりその電荷が移動する領域を意味する。
【背景技術】
【０００２】
FETのチャネル領域に有機半導体を用いた有機FETは既に実用化されている。有機FETは、無機半導体を用いたFETと比較して、スピンコート法やインクジェット法等により安価に製造することが可能であるうえ、フレキシブルであり大面積化が容易である、という利点を有する。
【０００３】
FETでは、ゲート電圧VGの印加により、ソース電極とドレイン電極を接続するチャネル領域のゲート電極付近に電荷が誘起され、ソース−ドレイン間に電圧VSDを印加することによりこの電荷が移動してソース−ドレイン間電流ISDが流れる。ゲート電圧VGが印加されない時にはゲート電極付近に電荷が誘起されないため、ソース−ドレイン間電流ISDはほとんど流れない。即ち、ゲート電圧VGのON/OFFによりソース−ドレイン間電流ISDのON/OFFが制御される。
【０００４】
ここで、チャネル領域を構成する材料の電気伝導度を大きくすることにより、ソース−ドレイン間電流ISDをより大きくすることができ、スイッチング特性を向上させることができる。しかし、有機半導体の電気伝導度は一般に無機半導体よりも小さい。そこで、有機FETの性能を高めるために、チャネル領域を構成する有機半導体の電気伝導度を大きくすることが望まれている。
【０００５】
特許文献１には、有機半導体の前駆体に光を照射することによりチャネル領域を形成することが記載されている。この文献では、この方法により作製されるチャネル領域は従来の有機半導体と同程度又はそれよりも大きい電気伝導度を有する、とされている。しかし、この方法によれば有機半導体の材料が適切な前駆体が存在するものに限定されてしまう。
【０００６】
一方、本願発明者は、有機FETに限らず、有機物から成る薄膜の構造を制御することについて検討を行ってきた。特許文献２には、製膜途中又は製膜後の膜全体又は膜内の任意の領域にAFMの探針等（これに限定されない）の鋭利な先端形状を有する部材を用いて力を加えることにより、膜の内部構造を制御することが記載されている。この文献によれば、膜面上でAFM探針を走査してその走査方向に力学的な力を与えることにより、その力を受けた領域内の分子等が所定の方向に配向する。この方法によれば、領域内の分子等を任意の方向に配向させることができる。
【０００７】
【特許文献１】特開2004-266157号公報（[0008]〜[0009], [0025]〜[0038]）
【特許文献２】国際公開WO2004/026459号公報（第15頁26行目〜第17頁17行目、図2〜図6）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、有機半導体から成るチャネル領域の電気伝導度が大きく、それにより低いソース−ドレイン間電圧VSDで動作することが可能な高性能の有機FET及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために成された本発明に係る有機FET製造方法は、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル領域を含む領域に、絶縁層によってゲート電極と隔てられた有機半導体材料から成る有機半導体材料層が形成された有機電界効果型トランジスタを製造する方法であって、
前記領域に有機半導体材料層を形成する有機半導体材料層形成工程と、
鋭利な先端形状を有する部材を用いて有機半導体材料層の表面に平行な方向の力を加えることにより、少なくとも前記チャネル領域の一部において前記有機半導体材料層の分子又は微結晶又は微粒子の配向方向を所定の方向に変化させる配向工程と、
を有することを特徴とする。
【００１０】
なお、本願においては、ソース電極、ドレイン電極及びチャネル層と絶縁層及びゲート電極の相対的な位置関係を表すために、便宜上、「絶縁層上」、「有機半導体材料層上」等の表現を用いるが、各電極及び各層の相対的な位置関係が変わらなければ、素子自体の向きは問わない。
【００１１】
本発明に係る有機FET製造方法においては、前記分子等がその向きにより電気伝導度に異方性を有するものであることがより望ましい。ソース電極とドレイン電極を結ぶ方向と、前記分子等の電気伝導度の大きい方向とが成す角度を制御して配向させることにより、ソース−ドレイン間電流を制御することができ、スイッチング特性や消費電力などのFET特性を高精度に制御することができる。
【００１２】
分子等を配向させる際には、前記領域、即ち分子等の配向方向を所定の方向に変化させる領域の温度を制御し、或いは該領域に所定の方向の電界及び／又は磁界を印加してもよい。
【発明の実施の形態及び効果】
【００１３】
本発明の有機FET製造方法においては、まず、ゲート電極の表面に形成された絶縁層上に、有機半導体材料から成る層を形成する。ソース電極及びドレイン電極は、有機半導体材料層を形成した後、あるいは有機半導体材料層に対して下記の操作を行った後に形成してもよいし、有機半導体材料層を形成する前に絶縁層上に形成してもよい。後者の方が電極の作製が容易であるうえ、電極作製時の熱等により有機半導体材料層を劣化させることがない。有機半導体材料層は、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル領域を含む領域に形成すればよい。本発明の有機FET製造方法では少なくとも前記チャネル領域の一部に対して以下の操作を行う。以下では、この操作を行う領域を「操作領域」と呼ぶ。
【００１４】
操作領域の表面に、鋭利な先端形状を有する部材を用いて該表面に平行な方向の力を加える。これにより、この領域において、有機半導体材料層を構成する分子等が、部材が加えた力の方向に応じた方向に配向する。このようにして本発明に係る有機FETのチャネル領域は作製される。本発明によれば、配向させた領域においても平坦且つ平滑な有機半導体材料層を得ることができる。例えば、本発明の方法により加工される有機半導体材料層の加工領域の平均粗さ(Ra)を100nm以下とすることは容易であり、50nm以下、さらには20nm以下とすることができる。なお、本発明に係る有機FETの製造方法は、これら有機半導体材料層、絶縁層及び各電極以外の各種構成要素を有する有機FETに対しても同様に適用することができる。例えば、チャネル領域の上に保護層を形成したFETに対しても適用することができる。
【００１５】
鋭利な先端形状を有する部材には、原子間力顕微鏡(AFM)の探針と同様の部材を用いることができる。
【００１６】
操作領域の表面に平行な方向の力を加える方法としては、例えば、上記部材を定常的または間欠的にこの表面に接触させた状態で、該部材を表面に平行な方向に微小距離だけ移動または振動させることが挙げられる。ここで、「定常的に接触させた状態」とは、部材と上記表面の間の距離又は接触圧が一定になるように制御された状態を指す。また、「間欠的に接触させた状態」とは、両者の間の距離または接触圧が周期的又は非周期的に変化するように制御された状態を指す。また、先端位置が静止していても、表面に平行な力を上記部材に対して加えた時に該部材が弾性変形すれば、表面にこの方向の力を加えることができる。あるいは、上記部材に対して、表面に平行方向に振動する超音波振動を伝播させるなどの手段によっても上記の力を加えることが可能である。さらに、表面に平行な力として力学的な力以外の力、例えば、電磁気的な力を用いることも可能である。
【００１７】
分子等を配向させる方向は、目的に応じて設定する。例えば、チャネル領域の電気伝導度を大きくしたい場合には、分子等の電気伝導度の大きい方向がソース電極とドレイン電極を結ぶ方向と略平行になるように分子等を配向させることにより、その目的を達することができる。分子が鎖状である場合には、多くの場合、主鎖の方向がソース電極とドレイン電極を結ぶ方向と略平行になるようにすることにより、ソース−ドレイン間の電気伝導度を大きくすることができる。但し、主鎖方向と電気伝導度の関係はこれに限定されない。
このような配向性を有する有機FETは、従来のものよりもソース−ドレイン間電流ISDをより大きくすることができ、スイッチング特性を向上させることができる。また、ソース−ドレイン間電圧を下げて使用することも可能であり、素子の耐久特性の向上にもつながる。また、分子等の配向方向とソース−ドレイン電極間を結ぶ直線とが成す角度を制御することにより、スイッチング特性を高精細に制御できる。
【００１８】
上記部材を用いた操作を行う際に有機半導体の温度を制御することにより、分子等がより配向し易くなったり、配向方向を制御したりすることができる場合がある。その場合、上記操作の際に有機半導体材料層の温度を制御してもよい。この温度制御は、有機半導体材料層全体を加熱又は冷却するものであってもよいし、上記部材を加熱又は冷却することにより有機半導体材料層を局所的に加熱又は冷却するものであってもよい。
【００１９】
有機半導体材料が電気双極子を有する場合には、有機半導体材料層に電界が印加されると、分子等は分極を該電界に平行にするように該電界から力を受ける。そのため、上記部材を用いた操作を行う際に、分子等を配向させようとする方向に応じた方向に電界を印加することにより、分子等を更に高い割合で配向させることができる。同様に、有機半導体材料が磁性を有する場合には、上記部材を用いた操作を行う際に、分子等を配向させようとする方向に応じた方向に磁界を印加することにより、分子等を更に高い割合で配向させることができる。
【００２０】
複数個の部材を同時に用いて有機半導体材料の表面に平行な方向の力を加えてもよい。これにより、生産効率を向上させることができる。
【００２１】
上記方法により有機半導体材料層を所定の方向に配向させた後に、更にその上に同じ有機半導体材料を積層させてもよい。この場合、材料によっては第２の有機半導体材料層は第１の有機半導体材料層の配向方向に倣って同じ方向に配向することがある。その場合には、より確実に分子等を配向させることができるようになる。また、第２の有機半導体材料層にも第１の有機半導体材料層と同様の加工を施すことにより同様の効果を得ることができる。
【００２２】
本発明の製造方法は、現在有機FETのチャネル領域に用いられている有機半導体材料のほとんどに適用することができる。そのような有機半導体材料には、例えば、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアニリン誘導体等のポリマーや、オリゴチオフェン誘導体、チオフェン／フェニレンオリゴ共重合体、アントラセン誘導体、ペンタセン誘導体等のモノマーやオリゴマー等がある。
【００２３】
上記配向処理は必ずしも有機半導体材料層の全体に対して行う必要はなく、その一部の領域のみに行ってもよい。例えば、ソース−ドレイン間の有効なチャネル領域のみに上記配向処理を施すことにより、その部分のみにおいて分子等が所定の方向に配向した有機FETを得ることができる。更にはチャネル領域の一部分のみの分子等を配向させることも可能である。また、その配向処理を行う領域の大きさ(幅)を調節することもできる。これにより、ソース−ドレイン間の電圧VSD−電流ISD特性を高精度に制御することができる。
【００２４】
本発明に係る有機FETは、次のような多層構造を成すものであってもよい。すなわち、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル領域を含む領域に、ゲート電極、第１絶縁層、有機半導体材料から成る有機半導体材料層及び第２絶縁層から構成されるチャネル積層体が複数積層され、少なくとも１層の、少なくとも前記チャネル領域の一部において前記有機半導体材料層の分子等が所定の方向に配向しているものである。このような構造を有する有機電界効果型トランジスタは、チャネル領域を含む有機半導体材料層が１層のみである場合よりもソース−ドレイン間電流ISDを大きくすることができる。
【００２５】
（発明の効果）
本発明に係る製造方法を用いることにより、有機FETのチャネル領域の有機半導体を構成する分子等を所定の方向に配向させ、チャネル領域の電気伝導度を大きくすることができる。それにより、ノイズ等に強い、スイッチング特性の良好な有機FETを製造することができる。また、低いソース−ドレイン間電圧VSDで動作させることも可能であり、素子の耐久性向上にもつながる。
【００２６】
また、本発明に係る有機FET製造方法は、現在有機FETのチャネル領域に用いられている有機半導体材料をほとんどそのまま用いることができるため、従来の有機FETに必要とされる特性を犠牲にすることなく、更に本発明による効果を得ることができる。
【実施例】
【００２７】
本発明に係る有機FET及びその製造方法の実施例を、図１〜図８を用いて説明する。
図１は、有機FETの製造方法の一例を示す断面図である。まず、導電性材料から成るゲート電極１１の上に、その上面を酸化させる等の方法により、絶縁層１２を形成する(a)。ゲート電極１１の材料には、例えば高濃度ドープされたSiを用いることができ、その場合には絶縁層１２はSiO2により形成される。次に、絶縁層１２の上に、Au等の金属を蒸着させる等の方法により、ソース電極１３及びドレイン電極１４を形成する(b)。そして、絶縁層１２、ソース電極１３及びドレイン電極１４を覆うように、両電極間を含む領域に有機半導体材料層１５を形成する(c)。有機半導体材料層１５には前述の材料を用いることができる。また、有機半導体材料層１５はスピンコート法、蒸着法、インクジェット法等、従来の有機FETの製造において用いられる方法により作製することができる。
【００２８】
上記方法で形成した有機半導体材料層１５の内部では、一般に分子等はランダムな方向を向いている。本実施例では、このような状態となっている有機半導体材料層１５の表面に、鋭利な先端形状を有する部材２１を接触させ、ソース電極１３−ドレイン電極１４間のチャネル領域の一部を含む領域において該表面に平行に移動させる(図１(d))ことにより、この表面に平行な方向の力を加える。部材２１にはAFMの探針と同様のものを用いることができる。
【００２９】
これにより、部材２１により力が加えられた領域においてその材料と部材２１の移動方向、即ち加えた力の方向に分子等が配向する(図１(e))。例えば、有機半導体材料層１５が剛直鎖を有する高分子で構成されている場合には、部材２１により力が加えられた方向に分子が配向する場合が多い。有機半導体材料層１５が当初アモルファスである場合には、この処理を行うことにより、図２に示すように、その部分において配向した分子鎖１５ａから成る微結晶１５ｂが所定方向に配向した構造が得られる。また、有機半導体材料層１５が低分子、高分子又はオリゴマーが配向して形成された多数の微結晶で構成され、これらの微結晶が有機半導体材料層１５の面内において互いにランダムな方向を向いている場合や、さらには有機半導体材料層１５が電気伝導率に異方性を有する多数の微粒子で構成され、しかもこれらの微粒子が有機半導体材料層１５の面内において互いにランダムな方向を向いている場合には、部材２１を用いて上記の力を加えることにより、微結晶又は微粒子が回転し、その結果、微結晶又は微粒子を所定の方向に配向させ、そのスイッチング特性を向上させることができる。
【００３０】
こうして、ソース電極１３−ドレイン電極１４間のチャネル領域の少なくとも一部の領域が所定の方向に配向した有機半導体材料層１６を有する有機FET素子１０が完成する。なお、有機半導体材料層１５の材料の違いにより、図２に示す以外の向きに配向する場合もある。この有機半導体材料層１６中のチャネル領域における分子等の配向方向を、前記のようにソース−ドレイン間の電気伝導率が最大となるような方向に設定することにより、従来よりも消費電力の低い、スイッチング特性の良好な有機FET素子を製造することができる。
【００３１】
図１(d)の工程において上記操作を行う際、図３に示すように有機半導体材料層１５の温度を制御することにより、分子を配向しやすくしたり、分子の配向方向を制御したりすることができる場合がある。加熱方法は、図３(a)に示すように有機FETの構成要素及び部材２１の全体を加熱する方法でもよいし、(b)に示すようにヒータ２２で部材２１を加熱することにより、加工領域の近傍のみを加熱する方法でもよい。
【００３２】
図１(d)の工程において有機半導体材料層１５に電界を印加しつつ部材２１による操作を行う例を図４に示す。部材２１の前後（部材２１の移動方向２３を基準とする）に１対の電極２４ａ及び２４ｂを設け、両電極の間に直流電圧を印加する。これにより、部材２１の移動方向２３と同じ向きの電界を生成する。有機半導体材料層１５が電気分極を有する場合には、この状態で部材２１を有機半導体材料層１５の表面に接触させて該表面に平行に移動させることにより、部材２１による力と電界による力の双方により、分子の配向方向を制御することができる。
【００３３】
図５に示すように、部材２１を複数個同時に有機半導体材料層上で移動させることにより、部材１個で行う場合よりも有機半導体材料層１５内の分子を配向させるのに要する時間を短くすることができ、有機FETの生産効率を向上させることができる。
【００３４】
図６に、チャネル領域の加工例を２種類示す。図６(a)は断面図であり、図６(b-1)はソース−ドレイン間の全部を加工した例、(b-2)はその一部のみを加工した例の平面図である。ゲート電極１１、絶縁層１２、ソース電極１３及びドレイン電極１４の構成は通常の有機FETと同様である。いずれも、分子等の配向方向はソース電極１３とドレイン電極１４を結ぶ方向に一致している。(b-1)の構成では、ソース−ドレイン間の電気伝導度を最大限にすることができる一方、(b-2)の構成では、その加工領域の幅を調節することにより、種々の特性を有する有機FETを作製することができる。
【００３５】
以下に、有機半導体材料としてポリフェニレンビニレン誘導体であるMEH-PPV（Poly(2-methoxy,5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene)）を用いた場合の本発明の効果を示す。膜厚300nmのSiO2膜付きの高濃度ドープSi基板上に、Au蒸着によりソース電極及びドレイン電極を形成した。ソース−ドレイン間距離（チャネル長）は10μm、電極幅（チャネル幅）は20μmとした。また、上記基板の裏面の酸化膜を除去した後、ゲート電極を形成した。次に、MEH-PPVの0.5wt%クロルベンゼン溶液を上記基板上にスピンコートした後、室温真空下で２時間乾燥させ、膜厚50nmの薄膜を形成し、有機FET素子（「素子Ａ」と呼ぶ）を作製した。次に、室温でAFM探針を上記基板のソース−ドレイン間の領域内のMEH-PPV膜表面に接触させながら移動させることにより力を印加してMEH-PPV分子を探針の移動方向に配向させた。ここで、探針の移動方向は両電極を結ぶ直線に平行な方向とした。上記の配向加工をソース−ドレイン間の領域全体に行った有機FET素子を「素子Ｂ」と呼ぶ。本発明の配向加工を行った素子Ｂと配向加工を行わなかった素子Ａの特性を評価した結果、素子Ａに比べて素子Ｂはゲート電圧印加時のソース−ドレイン間電流が大幅に増加し、スイッチング特性が向上した。
【００３６】
図７に、チャネル積層体が複数積層した有機FETの一実施例の断面図を示す。１つのチャネル積層体３７ａは、ゲート電極３３ａ、第１絶縁層３４ａ、有機半導体材料層３５ａ及び第２絶縁体層３６ａが順に積層されて成る。このようなチャネル積層体３７ａ、３７ｂ、…が、ソース電極３１とドレイン電極３２の間に複数積層されている。ここで、有機半導体材料層３５ａ、３５ｂ…のうち少なくとも１つは、少なくともチャネル領域の一部を含む領域において分子等が所定の方向、例えばソース電極３１とドレイン電極３２を結ぶ直線に平行な方向に配向している。これにより、ソース−ドレイン間電流ISDを大きくすることができる。そして、複数の有機半導体材料層のチャネル領域を上記のように配向させることにより、ソース−ドレイン間電流ISDを更に大きくすることができる。この場合、各ゲート電極は同一電位にしてもよく、また、異なる電位にしてもよい。
【００３７】
図８に、MEH-PPV膜に前記処理を行う前後の膜表面のAFM像を示す。ここで、部材の移動時の膜の温度は30℃に設定し、電界や磁界は印加しなかった。部材の移動方向は、矢印４１の通りである。これらのAFM像を比較すると、処理前(a)には膜は分子がランダムな方向を向いたアモルファス状態であったのに対し、処理後(b)は分子が同じ方向（探針により力を加えた方向）に配向したものに変化していることがわかる。図８(a)、(b)に示される表面の平均表面粗さRaはそれぞれ2.61nm及び4.85nm、最大高低差Rzはそれぞれ26.8nm及び42.8nmであった。このように、本発明の技術を用いることにより、表面が非常に平坦且つ平滑な分子配向膜を実現できることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る有機FET製造方法の一実施例を示す断面図。
【図２】有機半導体材料層１５内の微結晶の配向の一例を示す平面図。
【図３】有機半導体材料層１５の加熱方法の一例を示す断面図。
【図４】有機半導体材料層１５への電界印加方法の一例を示す断面図。
【図５】部材２１を複数個用いる場合を示す斜視図。
【図６】チャネル領域内の少なくとも一部の領域の分子等を配向させた有機FET素子の例を示す断面図及び上面図。
【図７】チャネル積層体が複数積層した有機FETの一実施例を示す断面図。
【図８】部材で処理を行う前(a)及び後(b)のMEH-PPV膜のAFM像。
【符号の説明】
【００３９】
１０…有機FET
１１、３３ａ…ゲート電極
１２…絶縁層
１３、３１…ソース電極
１４、３２…ドレイン電極
１５…有機半導体材料層
１５ａ…分子鎖
１５ｂ…微結晶
１６、３５ａ…少なくとも一部の領域の分子等が配向した有機半導体材料層
２１…部材
２２…ヒータ
２３…移動方向
２４ａ、２４ｂ…電極
３４ａ…第１絶縁層
３６ａ…第２絶縁層
３７ａ…チャネル積層体
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006228860.tif 000005
【図４】
2006228860.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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