(57)【要約】【課題】予め分離溝が形成されることなく製造されるとともに、チップ戴置部の反りを防止できる光学デバイス用キャビティ構造体及び光学デバイスを提供する。【解決手段】光学デバイス用キャビティ構造体１は、絶縁体層１９，１１，１３，１５と金属層１２，１８，１４，１６とが交互に積層されてなり、配線基板に実装される実装面に形成され、配線基板と電気的に接続される第１端子部１１２と、上面の中央部に略矩形の開口部２ａを有するキャビティ部２と、開口部２ａを取り囲む上面に形成され、光学素子チップ１２１が受光または発光する光を透過させる透光性部材１２４が戴置される透光性部材戴置部１５ａと、を備えている。そして、金属層（反り防止用金属層）１８は、チップ戴置部１１４の反りを防止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板に実装され、光学素子チップが戴置される光学デバイス用キャビティ構造体であって、
複数の絶縁体層と複数の金属層とが交互に積層されてなり、
前記配線基板に実装される実装面に形成され、該配線基板と電気的に接続される第１端子部と、
前記実装面と反対側の面の中央部分に略矩形の開口部を有するキャビティ部と、
前記光学素子チップが受光または発光する光を透過させる透光性部材が戴置される透光性部材戴置部と、
を備えており、
前記キャビティ部では、
底面は、第１の前記金属層の一部であるとともに、前記光学素子チップが戴置され  るチップ戴置部であり、
各内壁面は、前記底面から前記開口部へ向かう方向に、第１の前記絶縁体層、第２の  前記金属層及び第２の前記絶縁体層が積層され形成されており、表面には、該第１の絶  縁体層及び該第２の金属層で構成される突設部が複数形成され、
前記各突設部における前記第２の金属層は、各々、前記第１端子部と電気的に接続  されているとともに、前記光学素子チップと電気的に接続される第２端子部であり、
前記第１の金属層よりも前記実装面側には、第３の前記金属層が配置されている
ことを特徴とする光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項２】
請求項１に記載の光学デバイス用キャビティ構造体において、
前記第３の金属層は、前記チップ戴置部の反りを防止する、光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光学デバイス用キャビティ構造体において、
前記第１端子部は、前記実装面の周縁部に形成され、
前記実装面の前記周縁部の内側に設けられた第１放熱部と、
前記チップ戴置部から前記第１放熱部まで延び、且つ、前記第３の金属層を貫設している第２放熱部と、
を備えている、光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つに記載の光学デバイス用キャビティ構造体において、
前記チップ戴置部の表面は、Ｒｚが１μｍ以上５μｍ以下に形成されている、光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一つに記載の光学デバイス用キャビティ構造体において、
前記絶縁体層には、吸湿機能を有する多孔質材料が混合されている、光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一つに記載の光学デバイス用キャビティ構造体において、
前記実装面と反対側の前記面における前記キャビティ部の前記開口部の輪郭形状が、該開口部の略中心点に対して非点対称である、光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項７】
請求項６に記載の光学デバイス用キャビティ構造体において、
前記非点対称な輪郭形状が、前記第１端子部における端子の配置方向を示す機能を有している、光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項８】
請求項１から５のいずれか一つに記載の光学デバイス用キャビティ構造体において、
前記実装面と反対側の前記面には、前記第１端子部における端子の配置方向を示す穴部が形成されている、光学デバイス用キャビティ構造体。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一つに記載の光学デバイス用キャビティ構造体と、
前記光学デバイス用キャビティ構造体のチップ戴置部に戴置された光学素子チップと、
前記光学デバイス用キャビティ構造体の透光性部材戴置部に戴置された透光性部材と、
を備えていることを特徴とする光学デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載の光学デバイスにおいて、
前記光学素子チップと前記第２端子部の表面とは、導電性細線により電気的に接続されており、
前記導電性細線は、樹脂により封止されている、光学デバイス。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の光学デバイスにおいて、
前記光学素子チップの光学面は、前記第２端子部の前記表面よりも前記開口部側に位置する、光学デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学デバイス用キャビティ構造体及び光学デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ビデオカメラ、デジタルカメラ、デジタルスチルカメラなどに内蔵されているＣＣＤモジュールなどの光学系の半導体装置が知られている。光学系の半導体装置は、一般に、光学デバイスと、光学デバイスと電気的に接続されている配線基板とを備えている。光学デバイスは、光を受光または発光する光学素子チップと、その光を透過させる透光性部材と、配線基板と電気的に接続される第１端子部とを備えている。そして、光学素子チップは、第１端子部と電気的に接続されることにより、光を受光または発光する。
【０００３】
ところで、半導体装置には、光学系の半導体装置以外に、高周波用の半導体装置などが存在する。例えば、特許文献１には、複数の誘電体層が積層された誘電体多層基板と、誘電体多層基板に搭載された高周波信号増幅機能を有する半導体素子とを備えた高周波信号増幅装置及びその製造方法が開示されている。この高周波信号増幅装置を製造するためには、まず、複数の誘電体層の少なくとも１層として、複数の金属パターンを表面に形成した誘電体層を用い、かつ誘電体多層基板の一方の基板表面の所定領域内のいずれの範囲においても、この基板表面から前記基板の深さ方向に沿って進行していくと前記誘電体多層基板の他方の基板表面に到達する前に前記複数の金属パターンまたはこの複数の金属パターンよりも深い位置に配置された金属面に到達するように、前記誘電体多層基板を構成する。次に、誘電体多層基板の所定領域内にレーザ光を照射することにより、一方の基板表面から深さ方向に沿って複数の金属パターンまたは金属面に到達するまでに存在する誘電体層を除去し、所定領域から複数の金属パターンおよび金属面を露出させる。続いて、半導体素子に複数の金属パターンの一部を介して高周波信号が入力され、半導体素子から複数の金属パターンの別の一部を介して増幅された高周波信号が出力されるように、半導体素子を所定領域に搭載する。このような製造方法は、予め分離溝を形成する場合のように製造上のマージンを見込む必要はなく、製造された高周波信号増幅装置は、アイソレーション不足を補いながらも小型化を実現できる高周波信号増幅装置を提供できる、と記載されている。
【特許文献１】特願２００１−３３２６５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般に、光学系の半導体装置では、上述のように、透光性部材や鏡筒などが戴置されている場合が多い。そのため、チップ戴置部の反りを防止する工夫を施さなければ、鏡筒などを戴置するさいに煽りに影響を与えてしまう。一方、高周波用の半導体装置では、半導体素子チップの上面を樹脂で封じるため、チップ戴置部の反りを防止する工夫は施されていない。
【０００５】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、予め分離溝が形成されることなく製造されるとともに、チップ戴置部の反りを防止する工夫が施された光学デバイス用キャビティ構造体及び光学デバイスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の光学デバイス用キャビティ構造体は、配線基板に実装され、光学素子チップが戴置される光学デバイス用キャビティ構造体である。そして、複数の絶縁体層と複数の金属層とが交互に積層されてなり、前記配線基板に実装される実装面に形成され、該配線基板と電気的に接続される第１端子部と、前記実装面と反対側の面の中央部分に略矩形の開口部を有するキャビティ部と、前記光学素子チップが受光または発光する光を透過させる透光性部材が戴置される透光性部材戴置部と、を備えており、前記キャビティ部では、底面は、第１の前記金属層の一部であるとともに、前記光学素子チップが戴置されるチップ戴置部であり、各内壁面は、前記底面から前記開口部へ向かう方向に、第１の前記絶縁体層、第２の前記金属層及び第２の前記絶縁体層が積層され形成されており、表面には、該第１の絶縁体層及び該第２の金属層で構成される突設部が複数形成され、前記各突設部における前記第２の金属層は、各々、前記第１端子部と電気的に接続されているとともに、前記光学素子チップと電気的に接続される第２端子部であり、前記第１の金属層よりも前記実装面側には、第３の前記金属層が配置されている。
【０００７】
上記の構成により、本発明の光学デバイス用キャビティ構造体は、チップ戴置部などの平坦性を向上させることができる。よって、鏡筒などを搭載させるさいに、煽りに影響を与えてしまうことはない。
【０００８】
本発明の光学デバイス用キャビティ構造体では、前記第３の金属層は、前記チップ戴置部の反りを防止することが好ましい。このような構成により、本発明の光学デバイス用キャビティ構造体は、平坦度に優れた光学デバイスを提供できる。
【０００９】
また、本発明の光学デバイス用キャビティ構造体では、前記第１端子部は、前記実装面の周縁部に形成され、前記実装面の前記周縁部の内側に設けられた第１放熱部と、前記チップ戴置部から前記第１放熱部まで延び、且つ、前記第３の金属層を貫設している第２放熱部と、を備えていることが好ましい。このような構成により、本発明の光学デバイス用キャビティ構造体は、放熱性に優れた光学デバイスを提供することができる。
【００１０】
また、本発明の光学デバイス用キャビティ構造体では、前記チップ戴置部の表面は、Ｒｚが１μｍ以上５μｍ以下に形成されていることが好ましい。このような構成により、光学素子戴置部の平坦度を非常に高くすることができるため、この構造体に光学素子チップを戴置してなる光学デバイスに鏡筒などを搭載させるときに、煽りに影響を与えてしまうことはない。
【００１１】
また、本発明の光学デバイス用キャビティ構造体では、前記絶縁体層には、吸湿機能を有する多孔質材料が混合されていることが好ましい。このような構成により、結露が防止され、このキャビティ構造体に透光性部材などを戴置しても、その透光性部材が曇ってしまうことはない。
【００１２】
また、後述の好ましい実施形態では、前記実装面と反対側の前記面における前記キャビティ部の前記開口部の輪郭形状が、該開口部の略中心点に対して非点対称であり、前記非点対称な輪郭形状が、前記第１端子部における端子の配置方向を示す機能を有している。後述のまた別の実施形態では、前記実装面と反対側の前記面には、前記第１端子部における端子の配置方向を示す穴部が形成されている。このような構成により、光学素子チップを戴置した場合に、方向認識が可能となる。
【００１３】
本発明の光学デバイスは、本発明の光学デバイス用キャビティ構造体と、前記光学デバイス用キャビティ構造体のチップ戴置部に戴置された光学素子チップと、前記光学デバイス用キャビティ構造体の透光性部材戴置部に戴置された透光性部材と、を備えている。ここで、「透光性部材」とは、光を７０％以上透過する部材であり、好ましくは８０％以上の光を透過する部材、さらに好ましくは９０％以上の光を透過する部材である。具体的には、ガラス製の板である。
【００１４】
本発明の光学デバイスでは、前記光学素子チップと前記第２端子部の表面とは、導電性細線により電気的に接続されており、前記導電性細線は、樹脂により封止されていることが好ましい。このような構成により、光学素子チップが受光する光または発光した光が、導電性細線の表面で乱反射されることを阻止できる。また、導電性細線を光学素子チップや第２端子部の表面に強固に接続することができる。
【００１５】
本発明の光学デバイスでは、前記光学素子チップの光学面は、前記第２端子部の前記表面よりも前記開口部側に位置することが好ましい。これにより、光学素子チップが受光する光または発光した光が導電性細線の表面で乱反射されることを阻止できる。なお、「光学面」とは、光学素子チップが光を発光または受光する面を意味する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の光学キャビティ構造体及び光学デバイスでは、予め分離溝が形成されることなく製造されるとともに、チップ戴置部の反りを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。なお、本発明は以下に示す実施形態に限定されない。
【００１８】
《発明の実施形態１》
実施形態１では、図１から図７を用いて、光学デバイス用キャビティ構造体１の構造及び製造方法と光学デバイス１００の構造及び製造方法とを示す。図１及び図２は、各々、光学デバイス用キャビティ構造体１の構造を示す斜視図及び断面図である。なお、図２（ａ）は、図２（ｂ）に示すIIＡ−IIＡ線における断面図である。図３から図５は、光
学デバイス用キャビティ構造体１の製造工程を示す断面図である。図６及び図７は、各々、光学デバイス１００の製造工程を示す断面図及び斜視図である。
【００１９】
−光学デバイス用キャビティ構造体１の構造−
光学デバイス用キャビティ構造体１は、図６（ｃ）に示すように、後述の光学素子チップ１２１が戴置されて配線基板（不図示）に実装される。そして、図１及び図２に示すように、配線基板に実装される実装面（図１の裏面）から第１金属層１２、第１絶縁体層１９、反り阻止用金属層１８、第２絶縁体層１１、第２金属層１４、第３絶縁体層１３、第３金属層１６、第４絶縁体層１５の順に積層されてなり、透光性部材戴置部１５ａ、キャビティ部２、チップ戴置部１１４、第１端子部１１２、第２端子部１１６，１１６，…、第１放熱部１１８及び第２放熱部１０６を備えている。なお、第１、第２、第３及び第４絶縁体層１９，１１，１３，１５は、各々、吸湿機能を有する多孔質材料（不図示）を含有している。
【００２０】
透光性部材戴置部１５ａは、粗面化された第４絶縁体層１５の表面である。これにより、後述の透光性部材１２４を透光性部材戴置部１５ａに密着させて固定させることができる。なお、この表面を粗面化させる方法は特に限定されないが、この表面のＲｚが５μｍ以上２０μｍ以下に粗面化されていれば、透光性部材１２４を透光性部材戴置部１５ａに強固に密着させて固定できるため、好ましい。
【００２１】
第１端子部１１２は、図２に示すように、第１金属層１２の表面の周縁部にめっき１０２，１０４が施されてなる。第１金属層については、後述する。ここで、一般的なめっきの構成は、金属層がＣｕ箔よりなり、その上のめっき１０２，１０４にはＮｉ−Ａｕめっきが施される。
【００２２】
キャビティ部２は、図１に示すように、上面の中央部に略矩形の開口部２ａを有する。キャビティ部２の底面は、第２金属層１４の中央部分の表面にめっき１０４が施されてなり、チップ戴置部１１４である。そのため、その表面は平坦性に優れていることが好ましく、具体的には、そのＲｚは１μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。チップ戴置部１１４が優れた平坦性を有していなければ、光学素子チップ１２１を戴置したときに、光学素子チップ１２１の光学面と実装面とを平行にすることができず、その結果、光学素子チップ１２１が受光素子である場合には、受光すべき光の一部が光学デバイス用キャビティ構造体１の側面などに遮られて受光されず、光学素子チップ１２１が発光素子である場合には、発光すべき光の一部がキャビティ部２に遮られて出射されないためである。。
【００２３】
キャビティ部２の各内壁面は、底面から開口部へ向かう方向に、第３絶縁体層１３、第３金属層１６、第４絶縁体層１５の順に積層されて形成されている。その各内壁面の表面には、４個の突設部２１，２１，…が略等間隔に配置されている。各突設部２１は、底面から開口部２ａへ向かう方向に略平行な３つの側面において、各々、第３絶縁体層１３と第３金属層１６とが面一に形成されてなる。突設部２１における第３金属層１６の表面には、めっき１０４が施されている。そして、めっき１０４が施されている部分が、第２端子部１１６である。
【００２４】
キャビティ部２の積層方向において、チップ戴置部１１４とチップ戴置部１１４に略平行な第２端子部上面との間の距離は、光学素子チップ１２１の厚み以下であることが好ましい。具体的には、その距離は、５０μｍ以上５７５μｍ以下であることが好ましい。これにより、導電性細線１２３，１２３，…の表面で乱反射した光が光学素子チップ１２１で受光されることを阻止できるとともに、光学素子チップ１２１で発光された光が導電性細線１２３，１２３，…の表面で乱反射して出射してしまうことを阻止できる。この理由を以下に示す。光学素子チップ１２１は、図７（ｂ）に示すように、導電性細線１２３，１２３，…を用いて、各々、第２端子部１１６，１１６，…と電気的に接続される。導電性細線１２３，１２３，…は一般的に金属製であるため、光学素子チップ１２１で受光または発光される光は導電性細線１２３，１２３，…の表面で乱反射されてしまう。しかし、上記の構成とすることにより、光学素子チップ１２１の光学面が第２端子部上面に比べて開口部２ａ側に配置される。そのため、第２端子部上面が光学素子チップ１２１の光学面よりも開口部２ａ側に配置される場合に比べて、その光が通過する領域に配置される各導電性細線１２３の部分は小さくなる。従って、チップ戴置部１１４と第２端子部上面との位置関係を上記のように設定することにより、導電性細線１２３，１２３，…の表面で乱反射した光が光学素子チップ１２１で受光されることを阻止できるとともに、光学素子チップ１２１で発光された光が導電性細線１２３，１２３，…の表面で乱反射して出射してしまうことを阻止できる。
【００２５】
なお、上記距離の範囲であるが、５０μｍより小さければ第３絶縁体層１３を設けることができないため好ましくなく、５７５μｍよりも大きければ第２端子部上面が光学素子チップ１２１の光学面よりも開口部２ａ側に配置されてしまうため好ましくない。
【００２６】
第１端子部１１２と第２端子部１１６とは、電気的に接続されている。詳細には、第１端子部１１２は、図２（ａ）に示すように、第１端子部１１２と第１絶縁体層１１と第２金属層１４とを貫設する樹脂部１０３の側面に被覆して形成されためっき１０２により、第２金属層１１４と電気的に接続されている。また、第２金属層１４の周縁部分（チップ戴置部１１４以外の第２金属層１４の部分）は、図２（ａ）に示すように、接触により第３金属層１６と電気的に接続される。そして、上述のように、第３金属層１６の一部が第２端子部１１６であるため、第１端子部１１２と第２端子部１１６とは電気的に接続されている。
【００２７】
なお、チップ戴置部１１４は、図２（ａ）に示すように、第３絶縁体層１３の一部の介在により、第２金属層１４の周縁部分と電気的に不通であるため、第１端子部１１２と電気的に接続されることはない。
【００２８】
そして、第１放熱部１１８は、第１金属層１２の一部であり、第１端子部１１２と絶縁部１７を介在して、実装面に形成されている。また、第２放熱部１０６は、第１放熱部１１８と第１絶縁体層１９と反り防止用金属層１８と第２絶縁体層１１とチップ戴置部１１４とを貫設する樹脂部１０３の側面を被覆して形成されている。これにより、受光時または発光時に光学素子チップで発生した熱は、チップ戴置部１１４から第２放熱部１０６へ伝わって、第１放熱部１１８から外部へ放出される。
【００２９】
以上より、光学デバイス用キャビティ構造体１は、チップ戴置部１１４よりも実装面側に反り防止用金属層１８を備えているため、チップ戴置部１１４の反りを防止できる。よって、光学デバイス用キャビティ構造体１は、平坦度に優れた光学デバイスを提供できる。そのため、光学素子チップ１２１を戴置したときに、光学素子チップ１２１の光学面と実装面とを平行にすることができる。その結果、光学素子チップ１２１が受光素子である場合には、受光すべき光は光学デバイス用キャビティ構造体１の側面などに遮られることなく光学素子チップ１２１に受光され、光学素子チップ１２１が発光素子である場合には、発光すべき光はキャビティ部に遮られることなく出射される。また、透光性部材戴置部１５ａが優れた平坦性を有しているため、透光性部材１２４を実装面と略平行に戴置することができ、その結果、鏡筒などを搭載させるさいに煽りに影響を与えることはない。
【００３０】
また、光学デバイス用キャビティ構造体１は、第１及び第２放熱部１１８，１０６を備えているため、放熱性に優れた光学デバイスを提供できる。
【００３１】
−光学デバイス１００の構造−
図６（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、光学デバイス１００は、光学デバイス用キャビティ構造体１と光学素子チップ１２１と透光性部材１２４とを備えている。光学素子チップ１２１は、光を受光する受光素子、または、光を発光する発光素子である。透光性部材１２４は、光を７０％以上透過する部材であり、好ましくは８０％以上の光を透過する部材、さらに好ましくは９０％以上の光を透過する部材である。具体的には、ガラス製の板である。そして、この光学デバイス１００を配線基板に実装させると、第１端子部１１２、第２端子部１１６，１１６，…及び導電性細線１２３，１２３，…を介して、光学素子チップ１２１に電圧が印加される。その結果、光学素子チップ１２１は、光の発光または受光を行う。光学素子チップ１２１が発光素子である場合には、発光された光は透光性部材１２４を透過して光学デバイス１００の外部へ出射される。光学素子チップ１２１が受光素子である場合には、光は、透光性部材１２４を透過して光学素子チップ１２１で受光される。
【００３２】
光学デバイス１００は、光学デバイス用キャビティ構造体１を備えているため、平坦度及び放熱性に優れている。
【００３３】
また、従来の光学デバイスでは、平板上に光学素子チップが戴置されているため、透光性部材や光学部品などを光学素子チップから離して配置するために、リブを設ける必要がある。一方、光学デバイス１００では、第３及び第４絶縁体層１３，１５と第３金属層１６とがリブの機能を奏するため、わざわざリブを設置する必要はない。
【００３４】
−光学デバイス用キャビティ構造体１の製造方法−
図３（ａ）から図４（ｅ）に示す工程に従って母材基板を製造後、図５（ａ）に示すレーザ光照射を行い、その後、図５（ｂ）に示す第２放熱部１０６形成工程を行うことにより、図５（ｃ）に示す光学デバイス用キャビティ構造体を製造する。以下、詳細に示す。
１．母材基板１０の形成工程
まず、図３（ａ）に示すように、第１絶縁体層１９の裏面に、第１金属層１２を形成する。また、第１絶縁体層１９の表面には、反り防止用金属層１８、第２絶縁体層１１及び第２金属層１４を、この順に積層させる。
【００３５】
次に、第１金属層１２の表面もしくは第２金属層１４の表面に、その表面における各辺と略平行な直線上に、等間隔にレーザ光を照射する。これにより、図３（ｂ）に示すように、積層体を貫通するスルーホール部１０１，１０１，…が形成される。
【００３６】
続いて、図３（ｃ）に示すように、第１及び第２金属層１２，１４の表面及び各スルーホール部１０１の表面に、めっき１０２を施す。このとき、表面にNi層を形成後、Ni層の表面にAu層を形成する。これにより、第１金属層１２と第２金属層１４とがめっき１０４を介して電気的に接続される。
【００３７】
続いて、図３（ｄ）に示すように、内壁にめっき１０２が施された各スルーホール部内に樹脂を注入し、樹脂注入後、開口されていた部分にめっき（不図示）を施して蓋をする。これにより、積層体を貫通する樹脂部１０３，１０３，…が形成される。
【００３８】
続いて、不図示であるが、第１及び第２金属層１２，１４の表面をパターニングし、それらの層をエッチングする。具体的には、第１及び第２金属層１２，１４の表面に、各々樹脂部１０３よりも中央側のある一部以外の表面を覆うようにエッチングマスクを形成する。次に、エッチングマスクが形成された積層体をエッチングする。これにより、図３（ｅ）に示すように、第１及び第２金属層１２，１４には、エッチング部１２ａ，１４ａが形成される。そして、エッチング部１２ａよりも中央側の第１金属層が、第１放熱部１１８となる。
【００３９】
続いて、図４（ａ）に示すように、第２金属層１４の表面と図３（ｅ）におけるエッチングで露出された第２絶縁体層１１の表面とに、第３絶縁体層１３を形成する。これにより、第３絶縁体層１３がエッチング部１４ａに充填される。その結果、エッチング部１４ａよりも周縁側の第２金属層１４の部分（第２金属層の周縁部分）とエッチング部１４ａよりも中央側の第２金属層１４の部分（第２金属層の中央部分）とが、電気的に不通となる。
【００４０】
続いて、不図示であるが、第３絶縁体層１３の表面をパターニングして、第３絶縁体層１３をエッチングする。具体的には、まず、各樹脂部１０３よりも周縁側の第３絶縁体層１３の表面の一部分以外の部分に、エッチングマスクを形成する。このとき、エッチングマスクが形成されていない部分は、第３絶縁体層１３の表面における各辺と略平行な直線上であって、各樹脂部１０３と対応する部分である。次に、エッチングマスクが形成された積層体をエッチングする。これにより、図４（ｂ）に示すように、エッチング部１３ａ，１３ａ，…が、樹脂部１０３よりも周縁側に形成される。
【００４１】
続いて、図４（ｃ）に示すように、第３絶縁体層１３の表面と図４（ｂ）におけるエッチングで露出された第２金属層１４の表面とに、第３金属層１６を積層させる。このとき、第３金属層１６は、第２金属層１４の周縁部分と接触することにより電気的に接続されるため、第２金属層１４の周縁部分を介してエッチング部１２ａよりも周縁側の第１金属層１２の部分と電気的に接続される。
【００４２】
続いて、不図示であるが、第３金属層１６の表面にエッチングマスクを形成する。このエッチングマスクは、第３金属層１６の表面の周縁部に形成されるとともに、周縁部から第３金属層の表面の中心部へ向かう複数の舌片状に形成される。そして、積層体をエッチングすると、図４（ｄ）に示すように、エッチングマスクが形成されていた第３金属層が残存する。すなわち、この工程により、第３金属層１６は、第３絶縁体層１３の周縁部と、周縁部から第３絶縁体層１３の表面の中心部へ向かう複数の舌片状部１６ａ，１６ａ，…とに形成される。
【００４３】
続いて、図４（ｅ）に示すように、第３金属層１６の表面と図４（ｄ）におけるエッチングで露出された第３絶縁体層１３の表面とに、第４絶縁体層１５を積層する。これにより、母材基板１０を製造することができる。
２．レーザ光照射工程
図４（ｅ）に示す母材基板１０の表面全体に、レーザ光を照射する。このとき、レーザ強度などが相対的に強いレーザ光を母材基板１０の表面の中央部へ照射し、レーザ強度などが相対的に弱いレーザ光を母材基板１０の表面の周縁部へ照射する。なお、母材基板１０の表面の中央部は、第３金属層１６が形成されていない部分と舌片状部１６ａ，１６ａ，…とに対応する母材基板１０の表面である。そして、相対的に強いレーザ光を母材基板１０の表面の中央部に照射することにより、図５（ａ）に示すように、このレーザ光が照射された第４絶縁体層１５の部分と第３金属層１６で被覆されていない第３絶縁体層１３の部分とが除去される。第３絶縁体層１３の除去により、第２金属層１４の中央部分が露出されて、キャビティ部２の底面を形成する。また、第４絶縁体層１５の除去により、複数の舌片状部１６ａ，１６ａ，…が露出され、キャビティ部２の各内壁面に複数の突設部２１，２１，…が形成される。すなわち、金属層は、レーザストップ層として機能する。そのため、各突設部２１の端面では、第３絶縁体層１３と第３金属層１６とが面一となる。なお、このとき、第２金属層１４の表面のＲｚが１μｍ以上５μｍ以下となるように、レーザ照射条件を調整することが好ましい。
【００４４】
また、相対的に弱いレーザ光を母材基板の表面の周縁部に照射することにより、除去されずに残った第４絶縁体層１５の表面は、粗面化されて透光性部材戴置部１５ａとなる。
３．第２放熱部１０６形成工程
図３（ｃ）から図３（ｅ）に示す工程と略同一の工程を経て、第２放熱部１０６及び樹脂部１０３を形成する。具体的には、まず、図５（ａ）の工程で露出された第２金属層１４の部分の表面または第１放熱部１１８の表面に、レーザ光を照射する。これにより、第１放熱部１１８、第１絶縁体層１９、反り防止用金属層１８、第２絶縁体層１１及びチップ戴置部１１４を貫通するスルーホール（不図示）が形成される。次に、スルーホールの側壁にめっきを施す。これにより、第２放熱部１０６が形成される。そして、側壁に第２放熱部１０６が形成されたスルーホールの内部に樹脂を注入し、樹脂部１０３を形成する。
【００４５】
その後、エッチング部１２ａより周縁側の第１金属層１２の部分の表面と図５（ａ）に示す工程で露出された第２金属層１４の部分の表面と各舌片状部１６ａの表面とにめっき１０４を施し、各々、第１端子部１１２とチップ戴置部１１４と各第２端子部１１６とを形成する。
【００４６】
そして、エッチング部１２ａに絶縁部１７を形成する。これにより、第１端子部１１２と第１放熱部１１８とは完全に電気的に不通となり、光学デバイス用キャビティ構造体１を製造することができる。
【００４７】
以上より、光学デバイス用キャビティ構造体１の製造方法では、チップ戴置部１１４よりも実装面側に反り防止用金属層１８を形成している。また、第１及び第２放熱部１１８，１０６が形成されているため、光学素子チップ１２１で発生する熱は、第１及び第２放熱部１１８，１０６を介して外部へ放出される。そのため、得られる光学デバイス用キャビティ構造体１は、チップ戴置部１１４の反りを阻止できるとともに、放熱性に優れている。
【００４８】
なお、第１、第２、第３及び第４絶縁体層１９，１１，１３，１５は、吸湿機能を有する多孔質材料が混合された絶縁体層であることが好ましい。これにより、吸湿性に優れた光学デバイスを提供できる。
【００４９】
−光学デバイス１００の製造方法−
まず、図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、光学素子チップ１２１の裏面に接着剤１２２を塗布して、図５（ｃ）に示す光学デバイス用キャビティ構造体１のチップ戴置部１１４に光学素子チップ１２１を戴置する。
【００５０】
次に、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、複数本の導電性細線１２３，１２３，…を用いて、各々、光学素子チップ１２１の表面と第２端子部１１６，１１６，…とを電気的に接続する。その後、導電性細線１２３，１２３，…を樹脂（不図示）で封じる。これにより、光学素子チップ１２１で受光または発光される光が導電性細線１２３，１２３，…の表面で乱反射されてしまうことを阻止できるとともに、光学素子チップ１２１の表面または第２端子部１１６，１６，…に導電性細線１２３，１２３，…を強固に固定できる。
【００５１】
続いて、図６（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、透光性部材１２４の周縁部に接着剤（不図示）を塗布して、透光性部材１２４を透光性部材戴置部１５ａに接着させて、光学デバイス１００を製造する。このとき、透光性部材戴置部１５ａが粗面化されているため、透光性部材１２４を透光性部材戴置部１５ａに密着させて固定させることができる。
【００５２】
そして、第１端子部１１２が形成されてなる実装面を配線基板に実装させることにより、光学装置（不図示）を製造できる。
【００５３】
なお、光学デバイス用キャビティ構造体１は、チップ戴置部１１４の反り防止機能と優れた放熱性との他に、第１端子部における配線方向を視認するための方向認識機能を備えていてもよい。方向認識機能を備えた光学デバイス用キャビティ構造体１０１，２０１を以下に示す。
【００５４】
＜変形の形態１＞
変形の形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１０１を図８に示す。図８に示すように、キャビティ部の開口部１０２ａの輪郭形状は、開口部１０２ａの略中点に対して非点対称であり、具体的には、矩形の頂点が曲線状に切り取られてなる形状である（以下、矩形の頂点が曲線状に切り取られてなる部分８１ａを「非点対称部８１ａ」という）。換言すると、開口部１０２ａの輪郭形状は、矩形の４つの頂点のうちの１つの頂点が円弧に形成されてなる。また別の言い方をすると、開口部１０２ａの輪郭形状は、矩形の４つの頂点のうちの１つの頂点が丸コーナーである。そして、特定の機能を有する第１端子部と最も近い開口部の輪郭部分に非点対称部８１ａを形成すれば、開口部１０２ａ側から光学デバイス用キャビティ構造体１０１を観察することによりその特定の機能を有する第１端子部の位置を視認できる。
【００５５】
なお、非点対称部８１ａの形状は、特に限定されず、矩形の頂点が曲線状に切り取られてなる形状であってもよい。
【００５６】
＜変形の形態２＞
変形の形態２における光学デバイス用キャビティ構造体２０１を図９に示す。図９に示すように、穴９１ａが、光学デバイス用キャビティ構造体２０１の表面に形成されている。そして、特定の機能を有する第１端子部の近くの光学デバイス用キャビティ構造体２０１の表面に穴９１ａを形成すれば、開口部２０２ａ側から光学デバイス用キャビティ構造体２０１を観察することによりその特定の機能を有する第１端子部の位置を視認できる。
【００５７】
《発明の実施形態２》
実施形態２では、図１０を用いて、光学デバイス用キャビティ構造体３の構造を示す。図１０は、光学デバイス用キャビティ構造体３の構造を示す断面図である。
【００５８】
−光学デバイス用キャビティ構造体３の構造−
光学デバイス用キャビティ構造体３は、上記実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１と透光性部材戴置部の構成のみを異にする。すなわち、透光性部材戴置部１３５は、図１０に示すように、レジスト層３１の表面である。そのため、光学デバイス用キャビティ構造体３は透光性部材１２４を密着させて固定させることができる。
【００５９】
そして、光学デバイス用キャビティ構造体３は、反り防止用金属層１８を備えているためにチップ戴置部１１４の反りを阻止でき、第１及び第２放熱部１１８，１０６を備えているために放熱性に優れた光学デバイスを提供できる。
【００６０】
−光学デバイス用キャビティ構造体３の製造方法−
光学デバイス用キャビティ構造体３は、上記実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１の第４絶縁体層１５の表面にレジスト層３１を形成することにより、製造できる。
【００６１】
なお、この場合、母材基板の表面全体にレーザ光を照射する必要はない。例えば、第３金属層１６が形成されていない部分と各舌片状部１６ａとに対応する母材基板の表面に、レーザ光を照射すればよい。このレーザ光の照射により、レーザ光が照射された第４絶縁体層１５の部分と第３金属層１６に被覆されていない第３絶縁体層１３の部分とが除去されるため、光学デバイス用キャビティ構造体３を得ることができる。
【００６２】
なお、レジスト層３１は、配線の防鎖や、配線間のショート防止（絶縁信頼性の維持）など、耐衝撃性、耐湿性、耐熱性を向上させたるために基板の最表面に位置し、一般的な材質はアクリル系樹脂にエポキシ系硬化材を使用し、絶縁体の役割ともなる。
【００６３】
《発明の実施形態３》
実施形態３では、図１１から図１３を用いて、光学デバイス用キャビティ構造体５の構造及び製造方法と光学デバイス５００の構造及び製造方法とを示す。図１１は、光学デバイス用キャビティ構造体５の構造を示す断面図である。図１２及び図１３は、光学デバイス用キャビティ構造体５の製造工程と光学デバイス５００の製造工程とを示す断面図である。
【００６４】
−光学デバイス用キャビティ構造体５の構造−
光学デバイス用キャビティ構造体５は、上記実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１と異なり、図１１に示すように、第４絶縁体層１５の上に、第４金属層５２及び第５絶縁体層５３がこの順に積層されてなる。
【００６５】
キャビティ部４の各内壁面は、底面から開口部へ向かう方向に、第３絶縁体層１３、第３金属層１６、第４絶縁体層１５、第４金属層５２、第５絶縁体層５３の順に積層されて形成されている。その各内壁面の表面には、第１突設部４１，４１，…と第２突設部４２とが形成されている。各第１突設部４１は、第３絶縁体層１３及び第３金属層１６で構成される。第２突設部４２は、第４絶縁体層１５及び第４金属層５２で構成され、各第１突設部４１よりも短く突設されており、表面には透光性部材戴置部５２ａが形成されている。すなわち、透光性部材戴置部５２ａは、第４金属層５２の一部であるため、キャビティ部４内に配置されている。よって、光学デバイス用キャビティ構造体５は、光学デバイス用キャビティ構造体１に比べて、コンパクトな光学デバイスを提供できる。
【００６６】
そして、光学デバイス用キャビティ構造体５は、反り防止用金属層１８を備えているためにチップ戴置部１１４の反りを阻止でき、第１及び第２放熱部１１８，１０６を備えているために放熱性に優れた光学デバイスを提供できる。
【００６７】
−光学デバイス用キャビティ構造体５の製造方法−
まず、上記実施形態１に記載した図３及び図４に示す方法で、図４（ｅ）に示す積層体を形成する。
【００６８】
次に、第４絶縁体層１５の表面に、第３金属層１６よりも狭く第４金属層５２を形成する。具体的には、第４絶縁体層１５の表面に第４金属層５２を形成し、その後、第４金属層５２の表面の大部分にエッチングマスクを形成してエッチングを行う。これにより、図１２（ａ）に示すように、第４絶縁体層１５の表面の周縁部付近に第４金属層５２が形成される。
【００６９】
続いて、第４金属層５２の表面と図１２（ａ）におけるエッチングにより露出された第４絶縁体層１５の表面とに、第５絶縁体層５３を形成する。このとき、第５絶縁体層５３は、吸湿機能を有する多孔質材料が含有された絶縁体層であることが好ましい。これにより、図１２（ｂ）に示す光学デバイス用キャビティ構造体５の母材基板５０を製造できる。
【００７０】
続いて、この母材基板５０の表面にレーザ光を照射する。具体的には、第３金属層１６が形成されていない部分と各舌片状部１６ａと各舌片状部１６ａの外周部とに対応する母材基板５０の表面にレーザ光を照射する。すると、図１３（ａ）に示すように、レーザ光が照射された第５絶縁体層５３の部分と第４金属層５２に被覆されていない第４絶縁体層１５の部分と第３金属層１６に被覆されていない第３絶縁体層１３の部分とが除去される。そして、第５絶縁体層５３の除去により、第４金属層５２の一部が露出されて、第２突設部４２が形成される。これにより、透光性部材戴置部５２ａが形成される。
【００７１】
続いて、上記実施形態１に記載した図５（ｂ）に示す第２放熱部１０６の形成工程を行うことにより、キャビティ構造体５を製造できる。
【００７２】
その後、図１３（ｂ）に示すように、接着剤１２２を用いてチップ戴置部１１４に光学素子チップ１２１を固定して、導電性細線１２３，１２３，…を用いて第２端子部１１６と光学素子チップ１２１とを電気的に接続する。
【００７３】
そして、図１３（ｃ）に示すように、透光性部材戴置部５２ａに透光性部材１２４を戴置させる。これにより、光学デバイス５００を製造することができる。
【００７４】
《発明の実施形態４》
実施形態４では、図１４から図１６を用いて、光学デバイス用キャビティ構造体７の構造及び製造方法と光学デバイス７００の構造及び製造方法とを示す。図１４は、光学デバイス用キャビティ構造体７の構造を示す断面図である。図１５は、光学デバイス用キャビティ構造体７の製造工程を示す断面図である。図１６は、光学デバイス７００の斜視図である。
【００７５】
−光学デバイス用キャビティ構造体７の構造−
光学デバイス用キャビティ構造体７は、上記実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１と異なり、図１４に示すように、第４絶縁体層１５の上に、第４金属層７２及び第５絶縁体層７３がこの順に積層されてなり、鏡筒などの光学部品を勘合させる光学部品嵌合部１７５を備えている。光学部品嵌合部１７５は、キャビティ部２の開口部を取り囲むように凹部状に形成されており、キャビティ部２の底面と略平行な面は、第４金属層７２の一部である。
【００７６】
そして、光学デバイス用キャビティ構造体７は、反り防止用金属層１８を備えているためにチップ戴置部１１４の反りを阻止でき、第１及び第２放熱部１１８，１０６を備えているために放熱性に優れた光学デバイスを提供できる。
【００７７】
−光学デバイス用キャビティ構造体７の製造方法−
まず、上記実施形態１に記載した図３及び図４に示す方法に従って、図４（ｅ）に示す積層体を形成する。
【００７８】
次に、第４絶縁体層１５の表面の周縁部に、第３金属層１６よりも狭く第４金属層７２を形成する。具体的には、第４絶縁体層１５の表面に第４金属層７２を形成し、その後、第４金属層７２の中央部にエッチングマスクを形成してエッチングを行う。これにより、第４金属層７２は、図１５（ａ）に示すように、第４絶縁体層１５の周縁部上に形成される。
【００７９】
続いて、第４金属層７２の表面及び図１５（ａ）におけるエッチングにより露出された第４絶縁体層１５の表面に、第５絶縁体層７３を形成する。このとき、第５絶縁体層７３は、吸湿機能を有する多孔質材料が含有された絶縁体層であることが好ましい。これにより、図１５（ｂ）に示す母材基板７０を製造することができる。
【００８０】
続いて、この母材基板７０にレーザ光を照射する。具体的には、第３金属層１６が形成されていない部分と各舌片状部１６ａとに対応する母材基板７０の表面にレーザ光を照射する。また、第４金属層７２に対応する母材基板７０の表面にレーザ光を照射する。そして、第４金属層７２に対応する母材基板７０の表面にレーザ光を照射することにより、第４金属層７２上に積層された第５絶縁体層７３の部分が除去されて、第４金属層７２が露出されて、光学部品嵌合部１７５が形成される。
【００８１】
続いて、上記実施形態１に記載した図５（ｂ）に示す第２放熱部１０６の形成工程を行うことにより、キャビティ構造体７を製造できる。
【００８２】
そして、接着剤を用いてチップ戴置部１１４に光学素子チップ１２１を固定して、導電性細線１２３，１２３，…を用いて第２端子部１１６と光学素子チップ１２１とを電気的に接続し、光学部品戴置部１７５に光学部品（不図示）を戴置させる。これにより、図１６に示す光学デバイス７００を製造できる。
【００８３】
《発明の実施形態５》
実施形態５では、図１７から図１９を用いて、光学デバイス用キャビティ構造体９の構造及び製造方法を示す。図１７及び図１８は、光学デバイス用キャビティ構造体９の製造工程を示す断面図であり、図１９は、光学デバイス用キャビティ構造体９の裏面側の斜視図である。
【００８４】
−光学デバイス用キャビティ構造体９の構造−
光学デバイス用キャビティ構造体９は、上記実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１と異なり、図１８（ｂ）に示すように、第１金属層１２と第１絶縁体層１９との間に、スタンドオフ用絶縁体層９３及びスタンドオフ用金属層９２が積層されてなる。キャビティ部８の各内壁面は、底面から開口部へ向かう方向に、第３絶縁体層１３、第３金属層１６、第４絶縁体層１５の順に積層されて形成されている。そして、第１端子部９４は、実装面で突設されている。そのため、光学デバイス用キャビティ構造体９を配線基板上に強固に固定させることができる。
【００８５】
なお、光学デバイス用キャビティ構造体９は、反り防止用金属層１８を備えているが、第１及び第２放熱部を備えいていないため、チップ戴置部１１４の反りを阻止できるにすぎない。
【００８６】
−光学デバイス用キャビティ構造体９の製造方法−
まず、図１７（ａ）に示すように、第１絶縁体層１９の表面に第２金属層１４を形成し、第２絶縁体層１１の裏面にスタンドオフ用金属層９２を形成する。
【００８７】
次に、不図示であるが、スタンドオフ用金属層９２の表面をパターニングし、エッチングする。具体的には、スタンドオフ用金属層９２の表面の周縁部にエッチングマスクを形成してエッチングを行う。これにより、図１７（ｂ）に示すように、第１絶縁体層１９の裏面の中央部に、スタンドオフ用金属層９２を形成することができる。
【００８８】
続いて、図１７（ｃ）に示すように、スタンドオフ用金属層９２の下面と図１７（ｂ）におけるエッチングにより露出された第２絶縁体層１１の裏面とに、スタンドオフ用絶縁体層９３を形成し、スタンドオフ用絶縁体層９３の裏面に第１金属層１２を形成する。また、反り防止用金属層１８の表面に第２絶縁体層１１を形成し、第２絶縁体層１１の表面に第２金属層１４を形成する。このとき、スタンドオフ用絶縁体層９３は、吸湿機能を有する多孔質材料が含有された絶縁体層であることが好ましい。
【００８９】
続いて、上記実施形態１に記載した図３（ｄ）及び図３（ｅ）と略同一の手法で、積層体を貫通するめっき１０２及び樹脂層１０３を形成する。また、パターニングにより、第１金属層１２には反り防止用凹部１２ａを形成し、第２金属層１４にはエッチング部１４ａを形成する。これにより、図１７（ｄ）に示す積層体を形成することができる。
【００９０】
その後、上記実施形態１に記載した図４に示す工程に従って、光学デバイス用キャビティ構造体９の母材基板を形成する。
【００９１】
それから、その母材基板の表面及び裏面にレーザ光を照射する。このとき、母材基板の表面へは上記実施形態１におけるレーザ照射工程と略同一の方法で照射し、母材基板の裏面へは裏面全体に亘って強度が略同一のレーザ光を照射する。そして、母材基板の裏面へレーザ光を照射することにより、第１金属層１２が形成されていないスタンドオフ用絶縁体層９３の部分がエッチングされ、その結果、スタンドオフ用金属層９２が露出される。
【００９２】
そして、上記実施形態１に記載した図５（ｃ）に示すめっき加工を行うことにより、第１端子部９４、チップ戴置部１１４及び第２端子部１１６，１１６，…が形成され、図１８（ｂ）に示す光学デバイス用キャビティ構造体９を製造することができる。
【００９３】
《その他の実施形態》
本発明は、上記実施形態１から５について、以下のような構成としてもよい。
【００９４】
キャビティ部２，４，６，８の各内壁には、４個の突設部２１（第１突設部４１）が形成されているとしたが、その個数は限定されない。
【００９５】
光学デバイス用キャビティ構造体１，３，５，７，９の製造方法において、積層により母材基板１０，３０，５０，７０を製造したが、すでに積層された母材基板を用いてもよい。
【００９６】
上記実施形態２から５について、上記実施形態１における変形の形態１または変形の形態２に示す方向認識機能を備えていてもよい。
【００９７】
上記実施形態１から４について、第１端子部１１２は、上記実施形態５における第１端子部９４であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９８】
以上説明したように、本発明は、光学デバイス用キャビティ構造体及び光学デバイスについて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１の構造を示す斜視図である。
【図２】実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１の構造を示す断面図である。
【図３】実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１の製造工程の一部を示す断面図である。
【図４】実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１の製造工程の別の一部を示す断面図である。
【図５】実施形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１の製造工程のまた別の一部を示す断面図である。
【図６】実施形態１における光学デバイス１００の製造工程を示す断面図である。
【図７】実施形態１における光学デバイス１００の製造工程を示す工程図である。
【図８】実施形態１の変形の形態１における光学デバイス用キャビティ構造体１０１の構造を示す斜視図である。
【図９】実施形態１の変形の形態２における光学デバイス用キャビティ構造体２０１の構造を示す斜視図である。
【図１０】実施形態２における光学デバイス用キャビティ構造体３の構造を示す断面図である。
【図１１】実施形態３における光学デバイス用キャビティ構造体５の構造を示す断面図である。
【図１２】実施形態３における光学デバイス用キャビティ構造体３の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１３】実施形態３における光学デバイス３００の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１４】実施形態４における光学デバイス用キャビティ構造体７の構造を示す断面図である。
【図１５】実施形態４における光学デバイス用キャビティ構造体７の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１６】実施形態４における光学デバイス７００の斜視図である。
【図１７】実施形態５における光学デバイス用キャビティ構造体９の製造工程の一部を示す断面図である。
【図１８】実施形態５における光学デバイス用キャビティ構造体９の製造工程の別の一部を示す断面図である。
【図１９】実施形態５における光学デバイス用キャビティ構造体９の裏面側の斜視図である。
【符号の説明】
【０１００】
１，３，５，７，９，１０１，２０１    光学デバイス用キャビティ構造体
２，４，６，８    キャビティ部
２ａ，１０２ａ，２０２ａ    開口部
１１，１３，１５，１９    絶縁体層
１２，１４，１６    金属層
１８    反り防止用金属層（第３の金属層）
１５ａ，５２ａ，１３５    透光性部材戴置部
１６ａ    舌片状部
２１    突設部
４１    第１突設部
４２    第２突設部
９４，１１２    第１端子部
１１４    チップ戴置部
１１６    第２端子部
１２１    光学素子チップ
１２４    透光性部材
【図１】
2006287125.tif 000003
【図２】
2006287125.tif 000004
【図３】
2006287125.tif 000005
【図４】
2006287125.tif 000006
【図５】
2006287125.tif 000007
【図６】
2006287125.tif 000008
【図７】
2006287125.tif 000009
【図８】
2006287125.tif 000010
【図９】
2006287125.tif 000011
【図１０】
2006287125.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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