(57)【要約】【課題】光取り出し効率が高く簡単な工程で製造可能な発光素子を提供する。【解決手段】本発明の発光素子は、第１面及び第２面を有する発光素子層３と、記発光素子層３の第１面の一部に形成された第１電極４と、発光素子層３の第２面の一部に形成された第２電極８とを備え、第１電極４と第２電極８とが互いに位置をずらして配置されている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面及び第２面を有する発光素子層と、
前記発光素子層の前記第１面の一部に形成された第１電極と、
前記発光素子層の前記第２面の一部に形成された第２電極と、
を備え、前記第１電極と前記第２電極とが互いに位置をずらして配置されている、
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極とが互いに重ならないように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記発光素子層がｐｎ接合面を含み、前記ｐｎ接合面で発生する光が前記第２面を通して外部に取り出され、
前記第１面と前記ｐｎ接合面との第１距離が前記第２面と前記ｐｎ接合面との第２距離よりも短い、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記発光素子層が活性層を含み、前記活性層で発生する光が前記第２面を通して外部に取り出され、
前記第１面と前記活性層との第１距離が前記第２面と前記活性層との第２距離よりも短い、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項５】
前記発光素子層が井戸層を含み、前記井戸層で発生する光が前記第２面を通して外部に取り出され、
前記第１面と前記井戸層との第１距離が前記第２面と前記井戸層との第２距離よりも短い、
ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の発光素子。
【請求項６】
発光素子の製造方法であって、
シード基板の上に分離用構造体を形成する工程と、
前記分離用構造体の上に発光素子層を形成する工程と、
前記発光素子層の露出面である第１面の一部に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極が内側になるように前記シード基板に支持体を結合させて複合部材を形成する工程と、
前記分離用構造体を利用して前記複合部材を分割して前記シード基板から前記支持体に前記発光素子層及び前記第１電極を移設する工程と、
移設後における前記発光素子層の露出面である第２面の一部に第２電極を形成する工程と、
を含み、前記第１電極と前記第２電極とが互いに位置をずらして形成される、
ことを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記発光素子層が、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択される材料で構成される積層構造を有することを特徴とする請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記シード基板は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｇｅ、Ｓｉからなるグループから選択されるいずれかの材料で形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記分離用構造体は、格子定数及び／又は熱膨張係数が前記シード基板と異なる材料で構成された分離層を含むことを特徴とする請求項６に記載の発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ素子の中でも、活性層を、該活性層のバンドギャップより大きくなるようにそれぞれ組成、材料を設定したｎ型クラッド層とｐ型クラッド層で挟む積層構造からなるダブルへテロ構造は、ＬＥＤ素子の内部の発光効率を高めることに有効である。高輝度のＬＥＤ素子の形成には、内部の発光効率の向上はもとより、素子内部での吸収、電極による遮蔽等を改善することによる、外部への有効な光取り出しを実現することが重要である。発光部へのキャリア注入は、素子表面に形成された金属電極を介して行われるが、金属電極の真下で発光し、電極側に進行した光は金属電極に遮光され有効に取り出すことが困難である。
【０００３】
光取り出し効率を向上させるために、また電極下部の電流拡散層に導電型の異なる電流阻止層を設けることにより電流を電極の下部に流れないようにし、光取り出し効率を上げる例が、特許文献１に記載されている。
【０００４】
更に、電極下部の電流拡散層の一部を除去することで電流を電極の下部に流れないようにし、光取り出し効率を上げる例が、特許文献２に記載されている。
【特許文献１】特開平４−２２９６６５号公報
【特許文献２】特開平８−３３５７１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のＬＥＤ素子の光取り出し効率の向上のためには、電流狭窄構造、電流阻止層、電流拡散層の除去等のプロセスを必要とし、製造工程が増大する。
【０００６】
本発明は、上記の従来技術における問題点の認識を基礎としてなされたものであり、例えば、光取り出し効率が高く簡単な工程で製造可能な発光素子を提供すること、及び、光取り出し効率が高い発光素子を簡単な工程で製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面は、発光素子に係り、前記発光素子は、第１面及び第２面を有する発光素子層と、前記発光素子層の前記第１面の一部に形成された第１電極と、前記発光素子層の前記第２面の一部に形成された第２電極とを備え、ここで、前記第１電極と前記第２電極とが互いに位置をずらして配置される。
本発明の好適な実施形態によれば、前記第１電極と前記第２電極とは、互いに重ならないように配置されていることが好ましい。
【０００８】
本発明の好適な実施形態によれば、前記発光素子層がｐｎ接合面を含み、前記ｐｎ接合面で発生する光が前記第２面を通して外部に取り出され、前記第１面と前記ｐｎ接合面との第１距離が前記第２面と前記ｐｎ接合面との第２距離よりも短いことが好ましい。
本発明の好適な実施形態によれば、前記発光素子層が活性層を含み、前記活性層で発生する光が前記第２面を通して外部に取り出され、前記第１面と前記活性層との第１距離が前記第２面と前記活性層との第２距離よりも短いことが好ましい。
【０００９】
本発明の好適な実施形態によれば、前記発光素子層が井戸層を含み、前記井戸層で発生する光が前記第２面を通して外部に取り出され、前記第１面と前記井戸層との第１距離が前記第２面と前記井戸層との第２距離よりも短いことが好ましい。
れうる。
【００１０】
本発明の第２の側面は、発光素子の製造方法に係り、前記製造方法は、第１面及び第２面を有する発光素子層を形成する工程と、前記発光素子層の前記第１面の一部に第１電極を形成する工程と、前記発光素子層の前記第２面の一部に第２電極を形成する工程とを含み、ここで、前記第１電極と前記第２電極とが互いに位置をずらして形成される。
本発明の好適な実施形態によれば、前記発光素子層が、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択される材料で構成される積層構造を有することが好ましい。
本発明の好適な実施形態によれば、前記シード基板は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｇｅ、Ｓｉからなるグループから選択されるいずれかの材料で形成さることが好ましい。
【００１１】
本発明の好適な実施形態によれば、前記分離用構造体は、格子定数及び／又は熱膨張係数が前記シード基板と異なる材料で構成された分離層を含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、光取り出し効率が高く簡単な工程で製造可能な発光素子を提供することができる。
本発明によれば、光取り出し効率が高い発光素子を簡単な工程で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態に係る発光素子の製造方法について説明する。
【００１４】
図１乃至図７は、本発明の好適な実施形態に係る発光素子の製造方法を示す概念図である。
【００１５】
まず、図１に示す工程では、ゲルマニウム（Ｇｅ）基板等の結晶性を有するシード基板１の上に分離用構造体としての分離層２を形成する。分離層２は、基板１とは格子定数及び／又は熱膨張係数が異なるＩｎＧａＡｓ等の物質をシード基板１の上に直接又は他の層を介してヘテロエピタキシャル成長させることで構成されうる。
【００１６】
ここで、分離用構造体は、分離層２の他、緩衝層及び／又は分離補助膜を含んで構成されてもよい。分離用構造体は、その内部（例えば、分離層２の内部、分離層２とバッファー層との界面、分離層２と分離補助層との界面）、及び／又は、分離用構造体とその上に形成される発光素子層３との界面、及び／又は、分離用構造体とシード基板１との界面に、格子定数及び／又は熱膨張係数の不整合に起因する歪みエネルギーを集中的に生じさせる。
【００１７】
次いで、分離層２の上にＧａＡｓ等の化合物半導体からなる発光素子層（ＬＥＤ層）３を形成する。発光素子層３は、例えば、シングルへテロ構造、ダブルへテロ構造又は単一量子井戸構造として構成されうる。
【００１８】
次いで、図２に示す工程では、発光素子層３の第１面の上の一部に、キャリア注入のための第１金属電極（下部電極）４を形成する。
【００１９】
次いで、図３に示す工程では、金属電極４が形成された基板の全面に、例えばプラズマ酸化膜などの絶縁物をＣＶＤなどで成膜し、その後、金属電極４の表面が露出するように、ＣＭＰなどのプロセスにより該絶縁膜を研磨し該基板の表面を平坦化して絶縁層５を形成する。これにより、シード基板１上に分離用構造体としての分離層２を有し、その上に発光素子層３を有し、その上に第１金属電極４及び絶縁層５を有する基板（以下、ドナー基板という）１０が得られる。ここで、絶縁層５を配置する代わりに、絶縁層５の部分を空隙としてもよい。
次いで、図４に示す工程では、第１金属電極４及び絶縁層５が内側になるようにドナー基板１０（シード基板１）をハンドル基板（支持体）６に結合させて複合部材２０を形成する。ハンドル基板６としては、例えば、Ｓｉ基板を採用することができる。
次いで、図５に示す工程では、分離用構造体（分離層２）を利用して複合部材２０を分割する。具体的には、複合部材２０の分割を誘発するための力又はエネルギーを複合部材２０（より具体的には、歪みエネルギーが生じている部分）に与えることにより、複合部材２０を分離用構造体の内部（例えば、分離層２の内部、分離層２とバッファー層との界面、分離層２と分離補助層との界面）、及び／又は、分離用構造体と発光素子層３との界面、及び／又は、分離用構造体とシード基板１との界面に、面方向に広がる亀裂を発生させ、複合部材２０を２つの部材に分割する。このような分割工程において、複合部材２０の分離用構造体又はその近傍に流体を打ち込むことによって分割を誘発することが好ましい。
【００２０】
この分割工程によって、シード基板１（ドナー基板１０）からハンドル基板６に発光素子層３が移設され、図６に示すように、ハンドル基板６の上に、金属電極４及び絶縁層４（又は、空隙）からなる層、並びに、発光素子層３を有する基板が得られる。
【００２１】
次いで、図７に示すように、発光素子層３の第２面の上であって第１金属電極４の位置から面方向にずれた位置（好ましくは、第２金属電極（上部電極）８の領域が第１金属電極（下部電極）３の領域に重ならない位置）に第２金属電極（上部電極）８を形成する。
【００２２】
発光素子層３、第１金属電極４及び第２金属電極８は、発光素子層３がシングルへテロ構造であれば、ｐｎ接合面から第１金属電極４までの厚さが該ｐｎ接合面から第２金属電極８までの厚さに対して十分に小さくなるように構成されることが好ましい。ｐｎ接合面から第１金属電極４までの厚さは、例えば、１０Å〜１μｍの範囲であることが好ましい。
【００２３】
発光素子層３、第１金属電極４及び第２金属電極８は、発光素子層３がダブルへテロ構造又は単一量子井戸構造であれば、活性層から第１金属電極４までの厚さが該活性層から第２金属電極８までの厚さに対して十分に小さくなるように構成されることが好ましい。活性層から第１金属電極４までの厚さは、例えば、１０Å〜１μｍの範囲であることが好ましい。
【００２４】
第１金属電極４は、発光素子層３の構成する複数の半導体層のうち第１金属電極４に接する半導体層がｐ型である場合には陽極として構成され、第１金属電極４に接する半導体層がｎ型である場合には陰極として構成される。
【００２５】
ＬＥＤ素子は、電流拡散層、クラッド層を拡散してきた電子と正孔が活性層もしくは井戸層で再結合する発光する。キャリアの注入位置に発光箇所が近接していれば、再結合はキャリアの注入位置近傍で起こる。
【００２６】
一般的なＬＥＤ素子では、一方の電極（光取り出し側（表面側）の電極）は、ＬＥＤ素子層上の領域内の一部に形成され、他方の電極は、基板裏面の全体にわたって形成されるか、又は、基板側の半導体層に一様な電圧が加えられるように形成される。したがって、一般的なＬＥＤ素子では、再結合が光取り出し側の電極の近傍で多く発生する。この場合、光取り出し側の電極による光学遮蔽のために、光取り出し効率の低下が避けられない。
【００２７】
一方、この実施形態では、第１金属電極４に近接した発光領域でのキャリア再結合が支配的になり、ハンドル基板側に位置した第１金属電極４の直上に発光を集中させることができる。
【００２８】
また、第２金属電極８を第１金属電極４から面方向にずれた位置、好ましくは第１金属電極４に重ならない位置に配置することにより、発光部と光取り出し側の電極との重なり部分を小さくし、好ましくは重なりをなくすことができ、光学遮蔽の影響を大幅に低減することができる。
【００２９】
シード基板１は、単結晶構造を有する材料で構成されることが好ましく、Ｇｅ基板のほか、例えば、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉからなるグループから選択される材料で構成される基板が好適である。
【００３０】
分離層２は、シード基板１とは格子定数及び／又は熱膨張係数の異なる材料で構成されることが好ましく、ＩｎＧａＡｓのほか、例えば、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択される化合物半導体材料が好適である。
【００３１】
発光素子層３は、ＧａＡｓのほか、例えば、ＧａＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｌＰ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰからなるグループから選択される少なくとも１つの材料を含む化合物半導体材料で構成される。
【００３２】
ハンドル基板６としては、Ｓｉ等の半導体基板のほか、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、ＣｕＷ等の金属基板、ガラス等の絶縁性基板、プラスチック等の可撓性基板が好適である。特に、Ｓｉ基板や金属基板は、導電性及び熱伝導性に優れ、また、良好な発光特性に寄与する。或いは、ハンドル基板６の表面は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｔｉ、ＡｕＧｅ、Ｎｉ、ＡｕＳｎ、ＡｕＺｎ、ＡｕＳｂのグループから選択される１つの材料、若しくは該グループから選択される少なくとも２つの材料の積層構造により被覆されることが好ましい。このような金属の被服膜は、反射膜として機能しうる。また、被服膜としてＡｕ系の共晶材料を使用し、２５０℃等で熱処理を実施することによってドナー基板とハンドル基板との結合強度を高めることができる。
また、ハンドル基板６には、発光素子層３に形成された発光素子を駆動するための駆動回路が設けられていることが好ましい。この場合、発光素子層３に形成された発光素子とハンドル基板６に形成された駆動回路とが電気的に接続される。
【００３３】
この実施形態によれば、ドナー基板の製造において発光素子層３の上に形成される第１電極は、ｐｎ接合又は活性層に近接して配置されるので、第１電極の近傍における電子と正孔の再結合確率（すなわち、発光）が高くなり、しかも、第１電極と第２電極とが互いに位置（面方向における位置）をずらして配置されるので、第２電極による光遮蔽が大幅に低減され、光取り出し効率を向上させることができる。
【００３４】
これに関して、光取り出し側（発光素子層の第２面側）には、第１電極から位置をずらして第２の電極を形成すればよいだけであるので、プロセス数の増加を最小限に押えることができる。
この実施の形態では、発光素子層の第１面（ハンドル基板側の面）に第１電極を形成し、その対面である第２面（光取り出し側の面）に第２電極を形成するため、第１電極に対して第２電極を位置合わせする必要がある。しかしながら、その位置合わせには高い精度は不要である。位置合わせは例えば、第１電極の形成に際して分離用構造体を貫通する孔をエッチング等で形成し、第１電極及び発光素子層をハンドル基板に移設した後に、第２電極を形成する際に、その孔を位置合わせマークとして使用することによって行うことができる。
シード基板は、分割工程後に必要に応じて処理した後に再利用することができる。このような再利用は、発光素子の生産コストの低減に寄与する。
【００３５】
発光素子層をハンドル基板で支持することにより、例えばＨＶＰＥ等のエピタキシャル成長により厚く形成した支持膜等によって発光素子層を支持させる必要がなくなる。
以下、本発明の好適な実施例を例示的に説明する。
【００３６】
［第１実施例］
図８〜図１０は、本発明の第１実施例に係る発光素子及びその製造方法を示す図である。図８に示すように、Ｇｅ基板（シード基板）９の上にＡｌＡｓ層（分離補助層）１０、ＩｎＧａＡｓ層（分離層）１１を形成し、次いで、発光素子層として、ｎ型ＧａＡｓ層１２、ｎ型ＡｌｘＧａ1−ｘＡｓ層１３、ｐ型ＡｌyＧａ1−ｙＡｓ層１４、ｐ型ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ層１５、ｐ型ＧａＡｓ層１６（ｙ＜ｘ）を順次エピタキシャル成長させる。
【００３７】
エピタキシャル成長層の不純物濃度や厚さは、デバイスの設計に依存するが、第１金属電極に近接した箇所の発光が支配的になり、発光効率が改善される本発明に適した構成は、ダブルへテロ型のＬＥＤ素子では、例えば以下の通りである。
【００３８】
ｎ型ＧａＡｓ層１２              ：  ０．５μｍ  ；  Ｓｉドーピング
ｎ型Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ層１３  ：  １μｍ  ；  Ｓｉドーピング
ｐ型Ａｌ0.13Ｇａ0.87Ａｓ層１４  ：  ０．３μｍ  ；  Ｚｎドーピング
ｐ型Ａｌ0.23Ｇａ0.77Ａｓ層１５  ：  ０．３μｍ  ；  Ｚｎドーピング
ｐ型ＧａＡｓ層１６              ：  ０．１μｍ  ；  Ｚｎドーピング
Ｓｉドーピングは、キャリア濃度が、例えば１０17／ｃｍ3程度となるように行われうる。
【００３９】
なお、活性層としてのｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＡｓ層１４に対してｐ型の電極を近接させ、ｐ型電極からのホールの注入が活性層としてのｐ型ＡｌyＧａ1−ｙＡｓ層１４中での電子−正孔の再結合において支配的になるように、ｐ型Ａｌ０．２３Ｇａ０．７７Ａｓ層１５及びｐ型ＧａＡｓ層１６を薄くし、ｎ型ＧａＡｓ層１２及びｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層１３を厚く設計することが好ましい。
【００４０】
次いで、ｐ型ＧａＡｓ層１６の上にＴｉ（１０ｎｍ）、Ｐｔ（１０ｎｍ）、Ａｕ（５０ｎｍ）を順にスパッタした後、それらをリフトオフ法によってパタニングしてｎ型金属電極（第１電極）１７を形成する。その後、厚さ３００ｎｍのプラズマ酸化膜を成膜し、ＣＭＰで平坦化し、かつ金属電極１７上面を露出させることで絶縁層１８を形成し、この面にＳｉ基板（ハンドル基板）１９を接合させて複合部材３０を形成する。
【００４１】
次いで、図９に示すように、ＡｌＡｓ層（分離補助層）１０及びＩｎＧａＡｓ層（分離層１１）側面又はその近傍に細く絞った高圧水流（ウォータジェット）Ｗを吹き付けて、複合部材３０をＡｌＡｓ層（分離補助層）１０とＧｅ基板（シード基板）９との界面で分割する。
【００４２】
次いで、図１０に示すように、ｎ型ＧａＡｓ層１２の上であってｎ型金属電極層１７と重ならない位置にｐ型金属電極２２を形成する。
【００４３】
このようにして、発光取り出し効率の高い面発光型ＬＥＤ素子を得ることができる。
【００４４】
なお、この実施例では、金属電極層を除去した領域に絶縁膜１８を形成しているが、電極１７を形成した後に絶縁膜１８を形成することなくドナー基板をＳｉ基板（ハンドル基板）１９に結合させて複合部材を形成してもよい。
【００４５】
また、この実施例では、シード基板としてＧｅ基板を用いたが、シード基板としてＧａＡｓ基板を用いてもよい。
【００４６】
［第２実施例］
Ａｌ２Ｏ３基板を１０００℃以上の高温で水素に曝して洗浄及び平坦化した後に、水素のキャリヤガスにＧａ、Ａｌ有機金属化合物とＮＨ３ガスを用いたＭＯＣＶＤ法により、ＡｌＮ層を５００℃で２０〜１００ｎｍの厚みに堆積して緩衝層を形成する。この緩衝層は微結晶粒界構造を有しており、５００℃程度の低温で堆積しているため、１０００℃程度の高温で成長する場合と比較すると空間的に均一かつ平坦に堆積することができる。その微結晶粒径の大きさはＡｌＮの場合には十数ｎｍ程度ある。
【００４７】
次いで、Ａｌ２Ｏ３基板の基板温度を１０００℃程度に昇温し、この緩衝層の上にＧａＮ層を形成し、更にその上部にＬＥＤの活性層もしくは井戸層のためのＰＮ接合の多層構造を形成する。
【００４８】
活性層もしくは井戸層の上下に形成するクラッド層は、上側のクラッドを０．３μｍとし、下側のクラッドを１μｍとして、それらの厚さを異ならせることで、上部電極からのキャリア注入が活性層もしくは井戸層での再結合に支配的になるように設定する。
【００４９】
次いで、Ａｌ２Ｏ３基板上のＬＥＤ多層構造の上にＰｄ膜、Ａｕ膜を順次堆積した後に、これらをリフトオフ法でパタニングして金属電極を形成する。パタニングによって金属電極層を除去した領域には、第１実施例と同様に絶縁膜を形成する。
【００５０】
ハンドル基板としてＳｉ基板を準備し、該Ｓｉ基板の表面にＡｌ膜、Ｓｎ膜を順次成膜して金属電極層を形成する。
【００５１】
その後、ＬＥＤ多層構造上の電極層とＳｉ基板上の電極層とを互いの表面を密着させ、更に３００℃で加熱処理して、接合界面のＡｕ／Ｓｎを合金化させることにより融着させ、接合界面の接合強度を著しく強化した複合部材を形成する。
【００５２】
次いで、この複合部材を燐酸溶液に浸漬し、歪及び結晶欠陥が集中するＡｌＮの緩衝層を、複合部材の外周端面の全周に沿って、数十ミクロン、端面から中心に向かって後退させて凹部を形成する。
【００５３】
次いで、複合部材を略垂直に通る軸を中心に回転させながらこの凹部へ０．１ｍｍに絞った純水の収束流体を０．３Ｎの圧力をもって注入し、ＡｌＮ層の内部及び／又はＡｌＮ層とＧａＮ層及びＡｌ２Ｏ３基板との界面で、Ａｌ２Ｏ３基板をＧａＮ層にダメージを与えることなく分離する。その結果、その上部に形成されていたＬＥＤ構造である多層膜がＳｉ基板の上に移設される。
【００５４】
この実施例ではシード基板にＡｌ２Ｏ３を用いるが、これに代えてＳｉＣ基板を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】シード基板の上に分離用構造体及び発光素子層を形成する工程を模式的に示す図である。
【図２】発光素子層の第１面の上の一部に第１電極を形成する工程を模式的に示す図である。
【図３】第１電極の間の領域に絶縁層を形成する工程を模式的に示す図である。
【図４】第１電極及び絶縁層を有する基板（ドナー基板）をハンドル基板に結合して複合部材を形成する工程を模式的に示す図である。
【図５】分離用構造体を利用して複合部材を分割する工程を模式的に示す図である。
【図６】シード基板から第１電極及び絶縁層が移設されたハンドル基板を模式的に示す図である。
【図７】複合部材の分割後に発光素子層の第２面の上の位置に第２電極を形成する工程を模式的に示す図である。
【図８】シード基板の上に分離用構造体（分離補助層、分離層）、発光素子層、第１電極を順に形成してドナー基板を形成し、ドナー基板とハンドル基板とを結合して複合部材を形成する工程を模式的に示す図である。
【図９】分離用構造体を利用して複合部材を分割する工程を模式的に示す図である。
【図１０】複合部材の分割後に発光素子層の第２面の上の位置に第２電極を形成する工程を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１  シード基板
２  分活用構造体（分離層）
３  発光素子層
４  第１電極
５  絶縁層
６  ハンドル基板
８  第２電極
１０  ドナー基板
２０  複合部材
１７  第１電極
１８  絶縁層
１９  ハンドル基板
２２  第２電極
【図１】
2006287120.tif 000003
【図２】
2006287120.tif 000004
【図３】
2006287120.tif 000005
【図４】
2006287120.tif 000006
【図５】
2006287120.tif 000007
【図６】
2006287120.tif 000008
【図７】
2006287120.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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