(57)【要約】【目的】  熱膨張による記録ヘッド部の過度な突出を抑制し、高記録密度化及び高速記録化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。【構成】  積層方向に対向する下部コア層と上部コア層と、この下部コア層と上部コア層の間で媒体対向面に臨む磁気ギャップ層と、下部コア層及び上部コア層に誘電磁界を与えるコイル層とを備えた記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、上記記録ヘッド部の近傍に、コイル層と直列に接続したＰＴＣ薄膜サーミスタを設けた。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層方向で上下に位置する下部コア層と上部コア層と、該下部コア層と上部コア層の間に位置する磁気ギャップ層と、前記下部コア層及び上部コア層に誘電磁界を与えるコイル層とを備えた記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記記録ヘッド部の近傍に、前記コイル層と直列に接続したＰＴＣ薄膜サーミスタを設けたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ＰＴＣ薄膜サーミスタは、前記記録媒体との対向面に臨んで配置されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ＰＴＣ薄膜サーミスタは、絶縁層を介し、積層方向において前記上部コア層の上方位置に配置されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記ＰＴＣ薄膜サーミスタは、前記コイル層と同一の積層高さに位置させて、前記下部コア層と前記上部コア層の間を埋める絶縁層内に埋設されている薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録用または録再用の薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
記録用または録再用の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体との対向面（以下、「媒体対向面」という。）から後退した位置で磁気的に接続した下部コア層と上部コア層と、この下部コア層及び上部コア層の間に位置して媒体対向面に臨む磁気ギャップ層と、下部コア層及び上部コア層に記録磁界を与えるコイル層とを備えた記録ヘッド部を有している。この記録ヘッド部は一般に、例えばＡｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる保護層によって覆われている。このような記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドは、コイル層を流れる電流によって上部コア層と下部コア層に誘電磁界を生じさせ、磁気ギャップ層から洩れる洩れ磁界を記録磁界として記録媒体に付与することで、記録動作する。この記録動作は、薄膜磁気ヘッドが記録媒体の表面から微小間隔をもって浮上した姿勢で行なわれる。
【特許文献１】特開２００３−９１８０２号公報
【特許文献２】特開２００４−５５０６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
薄膜磁気ヘッドの記録動作中は、コイル層を流れる電流により該コイル層が発熱し、記録ヘッド部全体の温度が上昇する。上述したように記録ヘッド部は絶縁材料からなる保護層で覆われているため、記録ヘッド部の熱は外方へ放出され難く、記録ヘッド部は高温となる。この記録ヘッド部での温度上昇は、記録ヘッド部を熱膨張させ、媒体対向面から突出させてしまう。特に、高記録密度化に対応している薄膜磁気ヘッドは、コイル層に与えられる記録電流の周波数が高いことから、記録ヘッド部の温度が１００℃を超えることが多く、記録ヘッド部の突出量も大きい。また、高記録密度化及び高速記録化に対応している薄膜磁気ヘッドは、記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの対向間隔が狭く（薄膜磁気ヘッドの浮上量が小さく）設定されているため、記録ヘッド部が媒体対向面から突出すると、記録ヘッド部が記録媒体に当接し、記録媒体または記録媒体に記録された磁気情報を損傷させたり、記録ヘッド部自体を損傷する危険性が高くなる。
【０００４】
本発明は、熱膨張による記録ヘッド部の過度な突出を抑制し、高記録密度化及び高速記録化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、記録ヘッド部の温度に応じて記録ヘッド部に流れる電流が自動的に増減すれば、記録ヘッド部の熱膨張による過度な突出を容易に防止できることに着目し、さらに上記電流制御手段としてはＰＴＣ薄膜サーミスタが最適であることを提案するものである。
【０００６】
すなわち、本発明は、積層方向で上下に位置する下部コア層と上部コア層と、該下部コア層と上部コア層の間に位置する磁気ギャップ層と、下部コア層及び上部コア層に誘電磁界を与えるコイル層とを備えた記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、上記記録ヘッド部の近傍に、コイル層と直列に接続したＰＴＣ薄膜サーミスタを設けたことを特徴としている。
【０００７】
ＰＴＣ薄膜サーミスタは、記録媒体との対向面に臨んで配置されていることが好ましい。この態様によれば、ＰＴＣ薄膜サーミスタが媒体対向面での記録ヘッド部の温度を感知してその抵抗値が増減するので、記録ヘッド部を流れる電流量を精度良く制御することができる。
【０００８】
ＰＴＣ薄膜サーミスタは、絶縁層を介し、積層方向において上部コア層の上方位置に配置することが好ましい。あるいは、コイル層と同一の積層高さに位置させて、下部コア層と上部コア層の間を埋める絶縁層内に埋設されていてもよい。これらの態様によれば、記録ヘッド部の構成を大幅に変更することなく、ＰＴＣ薄膜サーミスタによる電流制御を実現可能である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、熱膨張により記録ヘッド部が媒体対向面から過度に突出することがなく、高記録密度化及び高速記録化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
図１は、本発明による薄膜磁気ヘッドＨ（ｈ１、ｈ２）を搭載したスライダの全体斜視図である。薄膜磁気ヘッドＨは、再生部ｈ１と記録部ｈ２を有する録再用の薄膜磁気ヘッドであり、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣからなる略直方体の浮上式スライダ１のトレーリング側端面１ａに設けられている。スライダ１のトレーリング側端面１ａには、薄膜磁気ヘッドＨを挟んで一対の端子部６０、６１も設けられている。端子部６０は薄膜磁気ヘッドＨの記録部ｈ２のコイル層に接続し、端子部６１は薄膜磁気ヘッドＨの再生部ｈ１の磁気抵抗効果素子に接続している。
【００１１】
図２は、本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッドＨ１の積層構造をヘッド中央で切断して示す断面図であり、図３は、同薄膜磁気ヘッドＨ１の積層構造を媒体対向面から見て示す断面図である。図２及び図３においてＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向は、トラック幅方向、デプス方向（ハイト方向）及び薄膜磁気ヘッドＨ１を構成する各層の積層方向とそれぞれ定義する。
【００１２】
スライダ１のトレーリング側端面１ａの表面は、基板保護層として、Ａｌ2Ｏ3からなるアンダーコート２により覆われており、このアンダーコート２の上に、薄膜磁気ヘッドＨ１の再生部ｈ１と記録部ｈ２とこれらを覆う絶縁保護層２０とが順に積層形成されている。
【００１３】
再生部ｈ１は、アンダーコート２側から順に積層した下部シールド層３、下部ギャップ層４、磁気抵抗効果素子５、上部ギャップ層８及び上部シールド層９を備えている。下部シールド層３及び上部シールド層９はＮｉＦｅ等の軟磁性材料で形成され、下部ギャップ層４及び上部ギャップ層８はＡｌ2Ｏ3等の非磁性材料で形成されている。磁気抵抗効果素子５は、スピンバルブ膜に代表される巨大磁気抵抗効果を発揮するＧＭＲ素子や、異方性磁気抵抗効果を発揮するＡＭＲ素子である。この磁気抵抗効果素子５の図示Ｘ方向の両側には、下部ギャップ層４の上に、ＣｏＰｔ合金等の高磁性材料からなるバイアス層６と、Ａｕ等の良導電材料からなり該磁気抵抗効果素子５とトレーリング側端面１ａの端子部６１とを電気的に接続する一対の電極層７が形成されている。この一対の電極層７の間隔が再生トラック幅寸法と同等である。一対の電極層７の上には、上述の上部ギャップ層８及び上部シールド層９が位置している。図示されていないが、下部ギャップ層４とバイアス層６との間には、ＣｒやＴａ等の金属膜からなるバイアス下地層が形成されている。再生部ｈ１を構成する各層（下部シールド層３、下部ギャップ層、磁気抵抗効果素子５、上部ギャップ層８及び上部シールド層９）は、図３に示されるように、それらの先端がスライダ１の媒体対向面１ｂに露出している。薄膜磁気ヘッドＨ１は、磁気抵抗効果素子５に一定電流を与え、外部磁界に対する磁気抵抗効果素子５の抵抗変化を電圧変化として読み出すことで、再生動作する。
【００１４】
再生部ｈ１の最上層である上部シールド層９の上には、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる分離絶縁層１０が形成されている。記録部ｈ２は、この分離絶縁層１０を介して再生部ｈ１の上に積層されている。
【００１５】
記録部ｈ２は、媒体対向面に臨ませて分離絶縁層１０側から順に積層した下部コア層１１、メッキ下地層１２及び記録コア部１３と、記録コア部１３の上に積層され媒体対向面には露出しない上部コア層１４と、レジスト等の有機絶縁材料からなるＧｄ決め絶縁層１５と、メッキ下地層１２を挟んで下部コア層１１と上部コア層１４を磁気的に接続する磁気接続部１６と、絶縁層１７内に埋設されたコイル層Ｌとを備えている。下部コア層１１及び上部コア層１４はパーマロイやＣｏ合金、Ｆｅ合金等の磁性膜により形成され、メッキ下地層１２は導電材料により形成されている。
【００１６】
記録コア部１３は、メッキ下地層１２を介して下部コア層１１に磁気的に接続する下部磁極層１３ａ、非磁性金属材料からなるギャップ層１３ｂ及び上部コア層１４と磁気的に接続する上部磁極層１３ｃの三層構造をなしている。下部磁極層１３ａ及び上部磁極層１３ｃは、パーマロイやＣｏ合金、Ｆｅ合金等の磁性材料により形成することができ、下部コア層１１よりも飽和磁束密度の高い磁性材料で形成されていることが好ましい。記録コア部１３のトラック幅方向の両側には、絶縁層１７の一部である絶縁下地層１７ａ及び第１コイル絶縁層１７ｂが形成されている。
【００１７】
薄膜磁気ヘッドＨ１の書込みトラック幅Ｗ−Ｔｗは、この記録コア部１３の媒体対向面に露出するトラック幅方向の寸法により規定される。具体的に、記録コア部１３の媒体対向面に露出するトラック幅方向の寸法は、高記録密度化に対応できるよう０．７μｍ以下で形成されていることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。また、下部磁極層１３ａの厚み寸法は例えば０．３μｍ程度、ギャップ層１３ｂの厚み寸法は例えば０．１μｍ程度、上部磁極層１３ｃの厚み寸法は例えば２．４〜２．７μｍ程度である。
【００１８】
Ｇｄ決め絶縁層１５は、媒体対向面からデプス方向に所定長さ後退させた位置に形成され、記録コア部１３のギャップ層１３ｂのデプス方向の寸法を規定している。すなわち、薄膜磁気ヘッドＨ１のギャップデプス（Ｇｄ）は、媒体対向面からＧｄ決め絶縁層１５の先端までの距離によって規制されている。磁気接続部１６は、パーマロイやＣｏ合金、Ｆｅ合金等の磁性材料により形成されている。
【００１９】
絶縁層１７は、上部磁極層１３ｃ、Ｇｄ決め絶縁層１５、メッキ下地層１２及び磁気接続部１６の露出面を覆う絶縁下地層１７ａと、この絶縁下地層１７ａの上に形成されて第１コイル層１８及び該第１コイル層１８のピッチ間を覆う第１コイル絶縁層１７ｂと、第１コイル絶縁層１７ｂの上に形成されて第２コイル層１９及び該第２コイル層１９のピッチ間を覆う第２コイル絶縁層１７ｃから構成されている。第２コイル絶縁層１７ｃの上には、上述の上部コア層１４が形成されている。絶縁下地層１７ａ及び第１コイル絶縁層１７ｂは、図３に示されるように媒体対向面に露出している。この絶縁層１７は、Ａｌ2Ｏ3やＳｉＯ2等の無機絶縁材料またはレジスト等の有機絶縁材料により形成されている。
【００２０】
コイル層Ｌは、Ｃｕ等の電気抵抗の低い導電材料から形成されており、巻き中心部１８ａを中心として螺旋状に巻かれた第１コイル層１８と、この第１コイル層１８とは逆向きに巻かれた螺旋状の第２コイル層１９とによる二層構造をなしている。第１コイル層１８及び第２コイル層１９は、コンタクト導体αを介して巻き中心部１８ａ、１９ａで互いに接続されている。図示されていないが、第１コイル層１８の巻き終端部には、該第１コイル層１８とスライダ１のトレーリング側端面１ａに配設された一対の端子部６０の一方とを電気的に接続する第１コイルリード層が形成されている。コイル層Ｌは、単層構造であっても三層以上の多層構造であってもよい。薄膜磁気ヘッドＨ１は、コイル層Ｌを流れる記録電流によって上部コア層１４と下部コア層１１に誘電磁界を生じさせ、記録コア部１３のギャップ層１３ｂから洩れる洩れ磁界を記録磁界として記録媒体に付与することで、記録動作する。
【００２１】
絶縁保護層２０は、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなり、記録部ｈ２及び再生部ｈ１全体を覆って形成されている。
【００２２】
以上の全体構造を有する薄膜磁気ヘッドＨ１は、さらに、図２及び図３に示されるように記録部ｈ２の近傍、より具体的には上部コア層１４の上方位置に、コイル層Ｌに直列に接続したＰＴＣ薄膜サーミスタ３０を備えている。ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０は、温度上昇により抵抗値が増大する温度センサであり、その一端面が媒体対向面に露出している（臨んでいる）。
【００２３】
ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０は、Ａｌ2Ｏ3等の絶縁材料からなる絶縁下地層３１を介して上部コア層１４の上に積層されており、この絶縁下地層３１上に部分的に形成された、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕの中から選ばれる少なくとも２種類以上の元素を含む複合酸化物膜からなるサーミスタ薄膜３２と、該サーミスタ薄膜３２の両端部に形成された一対の薄膜電極層３３とから構成されている。
【００２４】
絶縁下地層３１は上部コア層１４を全体的に覆って形成されており、媒体対向面には、上部コア層１４ではなくこの絶縁下地層３１が露出している。記録コア部１３のトラック幅方向の両側において絶縁下地層３１と下部コア層１１の間は、絶縁層１７の一部である絶縁下地層１７ａ及び第１コイル絶縁層１７ｂによって埋められている。
【００２５】
サーミスタ薄膜３２は、周知のように、例えばＭｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ等からなる複合酸化物の焼結体をターゲットとしたスパッタリング法により形成することができる。一対の薄膜電極層３３は、図示されていないが、一方がデプス方向に引き延ばされて第２コイル層１９の巻き終端部に接続され、他方がスライダ１のトレーリング側端面１ａに配設された一対の端子部６０の他方に接続されている。この薄膜電極層３３は、Ａｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｐｔ等の導電材料により形成されている。
【００２６】
図４は、記録部ｈ２の電気回路系を示す模式図である。記録回路４０は、コイル層ＬとＰＴＣ薄膜サーミスタ３０による直列回路である。外部電源Ｖから一対の端子部６０を介して記録回路４０（記録部ｈ２）への電力供給が開始されると、記録回路４０を流れる電流Ｉによってコイル層Ｌが発熱し、この発熱によりコイル層Ｌを含む記録部ｈ２全体の温度が上昇する。このとき、記録部ｈ２は該記録部ｈ２の温度上昇に伴い膨張して媒体対向面から突出するが、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０は記録部ｈ２の温度上昇に伴い抵抗が増大し、記録回路４０内を流れる電流Ｉを減少させる。すると、コイル層Ｌを流れる電流Ｉの減少によりコイル層Ｌの発熱は減少し、記録部ｈ２の温度は徐々に降下する。これにより、記録部ｈ２の熱膨張は緩和され、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０は記録部ｈ２の温度降下に伴い抵抗が減少し、記録回路４０内を流れる電流Ｉを増大させる。すると、コイル層Ｌを流れる電流Ｉの増大によりコイル層Ｌの発熱は再び増大し、コイル層Ｌを含む記録部ｈ２全体の温度が上昇する。
【００２７】
電力供給中（薄膜磁気ヘッドＨ１の書込み動作中）は、以上の記録部ｈ２の温度上昇→ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０の抵抗増大→供給電流減少→記録部ｈ２の温度降下→ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０の抵抗減少→供給電流増大→記録部ｈ２の温度上昇…というサイクルが繰り返し実行される。
【００２８】
このように本実施形態では、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０を介して、記録部ｈ２の温度が検知され、該検知温度に応じてコイル層Ｌを流れる電流Ｉの大きさが自動制御される。つまり、熱膨張により記録部ｈ２が突出して該記録部ｈ２と記録媒体との距離間隔が短くなる、記録部ｈ２の温度が高い場合には、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０によりコイル層Ｌを流れる電流Ｉが減少することから、記録部ｈ２の熱膨張は緩和され、記録媒体や記録媒体に記録された磁気情報及び記録部ｈ２自体の損傷を防止することができる。コイル層Ｌを流れる電流Ｉが減少すると記録コア部１３（ギャップ層１３ｂ）に生じる記録磁界は規定の強さよりも弱くなるが、熱膨張により記録部ｈ２と記録媒体との距離間隔は短くなっているので、書込能力が劣化する虞はない。一方、記録部ｈ２は熱膨張により突出せず該記録部ｈ２と記録媒体との距離間隔が規定の間隔で保たれる、記録部ｈ２の温度が低い場合には、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０によりコイル層Ｌに流れる電流Ｉが増大する（元に戻る）ので、記録部ｈ２は規定の強さの記録磁界で記録動作する。これにより、記録部ｈ２の温度によらず、記録媒体に対して略一定強さの記録磁界で記録動作可能である。
【００２９】
図５は、本発明の第２実施形態による薄膜磁気ヘッドＨ２の積層構造を媒体対向面から見て示す断面図である。この第２実施形態は、ＰＴＣ薄膜サーミスタの配置以外は第１実施形態と同一である。図５では、第１実施形態と実質的に同様の構成要素に対し、図２及び図３と同一の符号を付して示してある。
【００３０】
第２実施形態による薄膜磁気ヘッドＨ２は、記録部ｈ２の近傍、より具体的には記録コア部１３のトラック幅方向の両側に、コイル層Ｌと略同一の積層高さに位置させて、該コイル層Ｌと直列に接続したＰＴＣ薄膜サーミスタ１３０を一対で備えている。記録コア部１３のトラック幅方向の両側には、下部コア層１１と上部コア層１４の間を満たす第１コイル絶縁層１７ｂが形成されており、この第１コイル絶縁層１７ｂ内に、ＰＴＣ薄膜サーミスタ１３０は埋設されている。
【００３１】
各ＰＴＣ薄膜サーミスタ１３０は、端面が媒体対向面に露出するサーミスタ薄膜１３２と、媒体対向面には露出せず第１コイル絶縁層１７ｂ内でサーミスタ薄膜１３２に接続された一対の電極層（不図示）とから構成され、記録部ｈ２の温度上昇により抵抗値が増大してコイル層Ｌに流れる電流量を制御する。図示されていないが、一対の電極層は、一方がデプス方向に引き延ばされて第２コイル層１９の巻き終端部に接続され、他方がスライダ１のトレーリング側端面１ａに配設された一対の端子部６０の他方に接続されている。サーミスタ薄膜１３２及び一対の電極層の材質は、第１実施形態と同一である。
【００３２】
この第２実施形態によっても、ＰＴＣ薄膜サーミスタ１３０を介して記録部ｈ２の温度を感度良く検知することができ、該検知温度に応じてコイル層Ｌを流れる電流量を自動制御可能である。本第２実施形態のように記録コア部１３のトラック幅方向の両端にＰＴＣ薄膜サーミスタ１３０を一対で備えれば記録部ｈ２の温度を偏りなく検知でき記録部ｈ２の温度検知精度を更に高められるが、ＰＴＣ薄膜サーミスタ１３０は、記録コア部１３のトラック幅方向の両端のいずれか一方のみに配置してもよい。
【００３３】
以上の各実施形態によれば、コイル層Ｌに直列接続されたＰＴＣ薄膜サーミスタ３０を記録部ｈ２の近傍に備えているので、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０により記録部ｈ２の温度に応じてコイル層Ｌを流れる電流量を自動制御することが可能である。これにより、熱膨張により記録部ｈ２が媒体対向面から過度に突出しないよう抑制することができ、記録媒体や記録媒体に記録された磁気情報、及び記録部ｈ２自体を損傷する虞がない。同時に、記録部ｈ２及び記録媒体の距離間隔とコイル層Ｌを流れる電流量との相互関係により、記録コア部１３から記録媒体に与える記録磁界の強さを略一定に保つことができ、安定した書込性能を得ることができる。これにより、今後の更なる高記録密度化及び高速記録化にも対応可能である。
【００３４】
各実施形態では、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０を媒体対向面に臨ませて、上部コア層１４の上方位置またはコイル層Ｌと同一の積層高さ位置に配置する構成としたので、薄膜磁気ヘッドの素子部構造を大幅に変更することなく、ＰＴＣ薄膜サーミスタ３０による温度制御を実現可能である。またＰＴＣ薄膜サーミスタ３０は、上述のように媒体対向面に露出していなくても、記録部ｈ２の近傍に備えられていればよい。このＰＴＣ薄膜サーミスタ３０の構造は、上述のようにサーミスタ薄膜３２の両側に一対の電極が形成されたものに限らず、サーミスタ薄膜の表面上に一対のくし形電極を設けるようにしてもよく、また電極の上下にサーミスタ薄膜を積層した積層構造で形成してもよい。
【００３５】
以上では、本発明を録再用の薄膜磁気ヘッドＨに適用した実施形態について説明したが、本発明は、記録部ｈ２のみを備える（再生部ｈ１を備えない）記録用の薄膜磁気ヘッドにも勿論適用することができる。また録再用の薄膜磁気ヘッドＨとしては、上述した再生部ｈ１の上部シールド層９と記録部ｈ２の下部コア層１１とを別々に備えるピギーバック型に限らず、再生部の上部シールド層と記録部の下部コア層とを兼用するマージド型にも勿論適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明による薄膜磁気ヘッドを搭載したスライダの全体斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を、ヘッド中央で切断して示す断面図である。
【図３】同薄膜磁気ヘッドの積層構造を、媒体対向面から見て示す断面図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの記録部の電気回路系を示す模式回路図である
【図５】本発明の第２実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を、媒体対向面から見て示す断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  スライダ
１ａ  トレーリング側端面
１ｂ  媒体対向面
２  アンダーコート
３  下部シールド層
４  下部ギャップ層
５  磁気抵抗効果素子
６  バイアス層
７  電極層
８  上部ギャップ層
９  上部シールド層
１０  分離絶縁層
１１  下部コア層
１２  メッキ下地層
１３  記録コア部
１３ａ  下部磁極層
１３ｂ  ギャップ層
１３ｃ  上部磁極層
１４  上部コア層
１５  Ｇｄ決め絶縁層
１６  磁気接続部
１７  絶縁層
１７ａ  絶縁下地層
１７ｂ  第１コイル絶縁層
１７ｃ  第２コイル絶縁層
１８  第１コイル層
１９  第２コイル層
２０  絶縁保護層
３０、１３０  ＰＴＣ薄膜サーミスタ
３１  絶縁下地層
３２、１３２  サーミスタ薄膜
３３  薄膜電極層
４０  記録回路
６０、６１  端子部
Ｈ（Ｈ１、Ｈ２）  薄膜磁気ヘッド
ｈ１  再生部
ｈ２  記録部（記録ヘッド部）
Ｉ  電流
Ｌ  コイル層
Ｖ  外部電源
Ｗ−Ｔｗ  書込みトラック幅
Ｘ  トラック幅方向
Ｙ  デプス方向（ハイト方向）
Ｚ  積層（高さ）方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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