(57)【要約】【課題】  履歴効果を受けるデバイスによって生じる信号のタイミング変化を軽減または除去するシステム及び方法を提供する。【解決手段】  本発明を適用するデバイスは、タイミング信号の組み合わせを使用して動作可能にされ、前記タイミング信号のあるものは履歴効果から生じるタイミング変化を受け、また、あるものは履歴効果から生じるタイミング変化を受けない。一実施例において、センス増幅器は、センス増幅器と接地間に結合した一対の直列構成のトランジスタを有している。かかるトランジスタの1つは、履歴効果によるタイミング変化を受けないクロック信号によってスイッチオンオフされ、もう1つのトランジスタは履歴効果によるタイミング変化を受けるクロック信号によってスイッチオンオフされる。その2番目の信号は、選択的に遅延されたパルスを有し、前記クロック信号のパルスと重複する（あるいは重複しない）よう制御される。【選択図】  図３
2006031918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センス増幅器の操作部と、前記センス増幅器の動作制御部とからなり、前記センス増幅器の前記操作部は、履歴効果の影響を受けない１つ以上のタイミング信号及び履歴効果の影響を受ける１つ以上のタイミング信号の重なりにもとづいて、動作または不動作にされ、前記動作制御部は、前記操作部と接地間に直列構成されたトランジスタトランジスからなることを特徴とするシリコン・オン・インシュレータ構造のセンス増幅器。
【請求項２】
直列構成された前記トランジスタトランジスの少なくとも１つは、履歴効果の影響を受けない前記タイミング信号を受信し、スイッチオンオフされるよう構成されることを特徴とする請求項１記載のセンス増幅器。
【請求項３】
履歴効果の影響を受けることなく、前記直列構成のトランジスタによって受信される前記タイミング信号が、連続的に繰り返される固定パターンを有する信号からなることを特徴とする請求項２記載のセンス増幅器。
【請求項４】
センス増幅器と接地間に結合された2以上の直列構成のトランジスタを含むセンス増幅器を備え、前記トランジスタに対応し、履歴効果を受けない1以上のタイミング信号を与え、前記トランジスタに対応し、履歴効果を受ける1以上のタイミング信号を与え、履歴効果を受けない前記タイミング信号に履歴効果を受ける前記タイミング信号を重複するよう制御し、履歴効果の影響を受けることなく、前記直列構成のトランジスタによって受信される前記タイミング信号が、連続的に繰り返される固定パターンを有する信号からなることを特徴とするセンス増幅器を動作可能にする方法。
【請求項５】
履歴効果の影響を受けることなく、前記直列構成のトランジスタによって受信される前記タイミング信号が、クロック信号からなることを特徴とする請求項４記載のセンス増幅器を動作可能にする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子回路に関するもので、特に、シリコンが絶縁物上に形成されるシリコン・オン・インシュレータ（silicon-on-insulator: SOI）構造の半導体デバイスにおいて、履歴効果に関連したタイミングの変動を軽減または除去するシステムと方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
センス増幅器は、小電圧差を増幅するために共通して使われる半導体デバイスである。例えば、１０−１００ミリボルト程度の電圧差を増幅して、１−３ボルトの電圧にすることができる。あるタイプのセンス増幅器においては、一対の入力ラインに生じた電圧が検出され、対応する増幅された電圧が一対の出力ラインに供給される。他のタイプのセンス増幅器においては、一対のデータ線に生じた電圧が検出され、そのデータ線に、当初の電圧差を効果的に増幅したレベルの電圧が供給される。つまり、当初やや高い電圧を有していたデータラインが所定の高電圧（例えば、電源電圧Ｖｄｄ）にされ、当初やや低い電圧を有していたデータラインが所定の低電圧（例えば、接地電位）にされる。
【０００３】
図1には、先行技術の一例によるラッチ型センス増幅器の設計図が示されている。センス増幅器は、7個の相互に結合されたトランジスタから構成されている。データライン１１１、１１２は、ＰＲＯＭトランジスタ１２１、１２２を介して、結合点１３１，１３２にそれぞれ結合されている。トランジスタ１２１、１２２のゲートは、トランスファ信号”/xfer”を受信するために信号ライン１３２に結合されている。中間結合点１３１は、トランジスタ１４１を介して電源電圧Ｖｄｄが供給されるように結合され、そして、トランジスタ１５１、１６０を介して接地されている。同様に、中間結合点１３２は、トランジスタ１４２を介して電源電圧Ｖｄｄが供給されるように結合され、そして、トランジスタ１５２、１６０を介して接地されている。トランジスタ１４１、１４２がスイッチオンすると、トランジスタ１４１、１４２によって結合点１３１、１３２の電圧は電源電圧Ｖｄｄに近づき、トランジスタ１５１、１５２がスイッチオンすると、トランジスタ１５１、１５２によって結合点１３１、１３は接地電位に近づくことになる。トランジスタ１４１、１５１のゲートは、結合されており、結合点１３２に交差結合されている。トランジスタ１４２、１５２のゲートは、結合されており、結合点１３１に交差結合されている。
【０００４】
センス増幅器１００の動作を図2を参照して説明する。図2は、結合点１３１、１３２の電圧レベル及びイネーブル信号ＳＡＥＮを図示している。当初、結合点１３１、１３２は、電源電圧Ｖｄｄに予め充電されている。時点t1で、結合点１３１または結合点１３２の電圧が、電源電圧Ｖｄｄ以下になり始める。電圧差が、結合点１３１と結合点１３２に生じると、センス増幅器１００が動作可能にされる、つまり、「始動」される。この実施例においては、電圧差が約１００ミリボルトのときに、センス増幅器が動作可能にされる。図2においては、時点t2で立ち上がり、センス増幅器を動作可能にするイネーブル信号SAENが図示されている。
【０００５】
ここで、「動作可能にされる」とは、当該回路の上部がトランジスタ１６０を介して（すなわち、トランジスタ１６０がスイッチオンすることによって）、接地電位に結合されることである。同様に、「動作可能にされない」、あるいは、「動作不能にされる」とは、当該回路の上部のトランジスタ１６０がスイッチオフすることによって、接地電位との結合が外されることである。この用語を使用したからといって、センス増幅器が「動作可能にされない」ときに、回路全体が動作可能にされないことを示すものではない。従って、センス増幅器が動作可能にされていない（すなわち、トランジスタ１６０がスイッチオフされている）間に、センス増幅器１００内でいろいろなプロセス（例えば、中間結合点を予め充電することや、中間結合点間で電圧差を生じることなど）があることは、明らかである。これらの用語は、本発明のさまざまな実施例の記載についても、同様な態様で使用する。
【０００６】
上記に指摘した通り、結合点１３１、１３２は、センス増幅器１００において、それぞれ対向側のトランジスタのゲートに交差して結合されている。結合点１３１、１３２は、双方とも当初予め電源電圧Vddに充電され、トランジスタ１５１、１５２は当初スイッチオンされているが、トランジスタ１４１、１４２はスイッチオフされている。しかし、トランジスタ１５１、１５２はスイッチオンされても、イネーブル信号SAENが低く、トランジスタ１６０はスイッチオフされているので、結合点１３１、１３２は接地電位にならない。結合点１３１、１３２のいずれかの電圧が電源電圧Vddより低くなり始めると、センス増幅器１００の対向するトランジスタは、充分ではないが、スイッチオンおよびオフになる。例えば、図２に示されているように、結合点１３２の電圧が電源電圧Vddより低くなり始めると、トランジスタ１４１は、時点t0ほど充分ではないが、スイッチオフにされ、トランジスタ１５１は、時点t0ほど充分ではないが、スイッチオンにされる。その結果、結合点１３１の電圧が、結合点１３２より強力に、電源電圧Vddに向けて引き上げられる。
【０００７】
イネーブル信号SAENが高くなると、センス増幅器１００は時点t2で動作可能にされる。より具体的には、トランジスタ１６０がスイッチオンにされ、結合点１３１、１３２は、それぞれトランジスタ１５１、１５２を介して接地電位に向けて引き下げられる。結合点１３１の電圧は、結合点１３２の電圧より高いので、トランジスタ１５２は、トランジスタ１５１より強力に、スイッチオンにされる。その結果、結合点１３２の電圧（結合点１３１の電圧より既に低くなっている）は、結合点１３１の電圧よりもっと強力に接地電位に引き下げられる。従って、結合点１３１は電源電圧Vddに引き上げられ、結合点１３２は接地電位に引き下げられる（図２の時点t3参照）。
【０００８】
センス増幅器１００とイネーブル信号SAENを発生する回路は、シリコン・オン・インシュレータ（SOI）技術を用いて製造することができる。シリコン・オン・インシュレータ（SOI）技術を用いて製造されたトランジスタは、シリコン層からなり、そのシリコン層は絶縁物基板上に形成される。これらのシリコン層は絶縁物の上部に形成されるから、複数のトランジスタ本体は、一般的には「電気的に浮いて（フロートになって）」おり、当該トランジスタ本体の電圧は、異なる時点で異なる値になる。例えば、接地されている２箇所の結合点間にトランジスタが設けられていると、トランジスタ本体の電圧は、接地電位に近くなる。他方、これらの結合点の１つが電源電圧Vddであれば、トランジスタ本体の電圧は、接地電位より高くなる（例えば、１００ミリボルト）。このため、トランジスタ本体の電圧は、使われている回路の状態と共に変化する。
【０００９】
各トランジスタの閾値電圧がそれぞれのトランジスタ本体の電圧と共に変化するから、トランジスタ本体の電圧の変化は重要である。また、トランジスタのレスポンス（トランジスタがスイッチするさいの遅延）は、トランジスタの閾値電圧と共に変化するから、これもまた重要である。従って、トランジスタのレスポンスは、ある程度、使用されている回路の以前の状態に依存する。このように、以前の状態に依存することを、しばしば履歴効果と称している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この履歴効果は、イネーブル信号SAENのタイミングの変化を生じさせることもあるから、センス増幅器１００の関連において重要である。図２において、イネーブル信号SAENは、時点t2で立ち上がる。この時点t2の結合点１３１、１３２の電圧差は、充分大きいと予測され、低電圧（本例では、結合点１３２の電圧）は接地電位に引き下げられ、高電圧（本例では、結合点１３１の電圧）は電源電圧Vddに引き上げられる。しかしながら、履歴効果によってイネーブル信号SAENのタイミングが変化すると、予測よりも遅かれ早かれ、イネーブル信号は上昇し得る。もし、イネーブル信号SAENが高くなるのが早すぎると、結合点１３１、１３２の電圧差が生じるために必要な時間が充分でなくなることもある。電圧が小さすぎると、結合点１３１、１３２は誤った電圧になる（すなわち、結合点１３２の電圧が高く引き上げられ、結合点１３１の電圧が低く引き下げられることになる）。この場合に、センス増幅器１００は、誤動作して、データラインに生じる信号を反転させてしまう。
【００１１】
履歴効果は、イネーブル信号SAENのタイミングの変化を生じさせる代わりに、これを遅延させることもある。この場合には、結合点１３１、１３２の間で電圧差が生じるために充分な時間があり、センス増幅器１００が信号を反転しないという点では、適切に動作する。しかしながら、イネーブル信号SAENが上昇した後で、データラインが接地電位及び電源電圧Vddとなるために、充分な時間を許容する必要がある。言い換えれば、センス増幅器１００は適切に動作するが、予測されたタイミングよりももっと遅く動作する。従って、センス増幅器１００を望ましい速度より遅い速度で動作させる必要があり得る。
【００１２】
上述した技術的な課題の１つまたはそれ以上が、本発明の実施例で解決される。広義には、本発明は、履歴効果を受けるデバイスが発生する信号のタイミング変化を軽減するか、または、生じないようにするシステム及び方法を構成するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一実施例では、センス増幅器のような回路が２つ信号の組み合わせを使用して、動作可能にされるが、それらの信号のうち１つの信号は履歴効果から生じるタイミング変化を受け、もう１つの信号はそのようなタイミング変化を受けない。この実施例においては、（従来装置のように）トランジスタのゲートに印加されるイネーブル信号によって決まる接地電位との結合と切断を制御する単一のトランジスタの代わりに、並列構成の２つのトランジスタが使用される。１つのトランジスタは、履歴効果の影響を受けないクロック信号によってスイッチオンオフされ、もう１つのトランジスタは、履歴効果の影響を受ける信号によってスイッチオンオフされる。履歴効果の影響を受ける信号は、その信号のパルスを選択的に遅延することによって制御される。パルスが短時間遅延されるのであれば、他のトランジスタをスイッチオンするクロック信号と重なる。このため、両方のトランジスタは同時にスイッチオンされ、センス増幅器は動作可能にされる。パルスが長時間遅延されるのであれば、他のトランジスタをスイッチオンするクロック信号と重ならないので、センス増幅器は動作可能にされることはない。
【００１４】
他の実施例は、操作回路を選択的に動作可能にするために、操作回路に結合される動作制御回路を有している。動作制御回路は、例えば、操作回路と接地間に複数の直列トランジスタを含むことができる。複数の直列トランジスタが全てスイッチオンになると、操作回路が動作可能にされる。それ以外では、操作回路は動作可能にされることはない。一実施例においては、動作制御回路が２つのトランジスタからなり、それらのトランジスタのうちの１つのトランジスタは、履歴効果の影響を受けるタイミング信号によってスイッチオンオフされ、もう１つのトランジスタは、履歴効果の影響を受けない。例えば、１つのトランジスタは、簡単なクロック信号によってスイッチオンオフされるが、もう１つのトランジスタは、履歴効果のためにタイミングが変化するイネーブル信号または選択信号によってスイッチオンオフされる。
【００１５】
他の実施例は、操作回路を備え、その操作回路を動作制御回路を介して接地するか、または、電圧源に結合し、履歴効果による変化のない時点で、上述した操作回路を動作可能にする信号（履歴効果によるタイミング変化するものも変化しないものもある）を供給することを含む方法である。この方法は、センス増幅器やそのほかのデバイスでも実施できる。
【００１６】
他の多くの実施例が可能である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の実施例は、公知技術より多くの利点がある。例えば、タイミング信号に履歴効果が存在しても、それらの信号は、上述したセンス増幅器のような回路が動作可能になるタイミングに影響を及ぼさない。履歴効果は、本質的には中和されるので、履歴効果を（例えば、ＳＯＩではないセンス増幅器を使用して）除去する必要はない。従って、センス増幅器を使用する装置は、ＳＯＩデバイスが動作できる高速による利益を享受することができる。
【００１８】
本発明は、特定の実施例が一例として図示され、詳細な説明がなされるが、さまざまな修正や変更が可能である。しかし、かかる図面や説明が、発明を特定の実施例に限定するためのものではないことを理解すべきである。ここでの開示は、クレームで定義された発明の範囲に属するあらゆる修正、等価及び変更を包括するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の実施例を以下に説明する。これらの実施例は、発明を限定するものではなく、例示を意図しているものと解すべきである。
【００２０】
この出願明細書で記述する、本発明のさまざまな実施例は、履歴効果を受けるデバイスの発生信号におけるタイミング変化の影響を軽減または除去するシステムと方法からなる。一実施例では、センス増幅器のような回路が2つの信号を使って動作可能になり、そのうち1つの信号は履歴効果から生じるタイミング変化を受けるが、他の1つの信号はそのようなタイミング変化を受けない。センス増幅器は、2つの信号が共に高くなると、動作可能になる。
【００２１】
一実施例では、ゲームシステム用のプロセッサのようなデバイスが、複数のセンス増幅器と結合される。センス増幅器と関連する回路は、少なくとも一部が、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）技術によって製造される。１つ以上のセンス増幅器が、2セットのタイミング信号を使って動作可能になる。第1セットのタイミング信号は、ＳＯＩベースのデバイスによって発生され、従って、履歴効果から生じる変化の影響を受ける信号を含んでいる。第２セットのタイミング信号は、履歴効果から生じる変化の影響を受けない信号である。これらの信号を組み合わせてセンス増幅器を動作可能にすることによって、センス増幅器が動作可能にされたタイミングにおいて、履歴効果から生じる変化が軽減、または、除去される。
【００２２】
この実施例において、各センス増幅器は、本質的には従来のセンス増幅器と同じように設計されている。ただし、従来のセンス増幅器が履歴効果によるタイミング変化を受ける信号によって動作可能にされる場合に、本発明のセンス増幅器は、履歴効果によるタイミング変化をする信号と、そうでない信号からなる一対の信号によって動作可能にされる。これらの信号の各々は、センス増幅器のプル・ダウントランジスタと接地間を直列結合された２つのトランジスタの1つに結合される。その結果、直列結合の２つのトランジスタの両方がスイッチオンにされたときに（これに比べて、従来のセンス増幅器は、単一のトランジスタのみスイッチオンされる場合に）のみ、センス増幅器が動作可能にされる。
【００２３】
特定の一実施例によると、第1信号（履歴効果による変化を受けない信号）は、既知の周期とタイミングで高くなったり低くなったりするクロック信号である。第２信号（履歴効果による変化を受ける信号）は、従来のセンス増幅器に供給されるイネーブル信号ときわめて類似する。ただし、第2信号は、回路の別の入力（選択信号）に基づいて、信号を選択的に遅延する回路によって処理される。第2信号が遅延されない場合には、第1信号と重なり、両方のトランジスタは同時にオンされ、センス増幅器を動作可能にする。第2信号が遅延されると、その第2信号は押し戻され、第1信号と重ならない。その結果、トランジスタは同時にオンされず、従って、センス増幅器は動作可能にされない。
【００２４】
図３を参照すると、上述したものと類似するセンス増幅器を使用した回路の一例を示すダイアグラムが図示されている。この図に示されているように、デバイスは、複数対の入力ライン３１０の電圧差を選択的に増幅する回路３００を含んでいる。回路３００は、一連のセンス増幅器３２１−３２３を有しており、各センス増幅器はビットライン３１０の対応するペアから入力信号を受信する。センス増幅器３２１−３２３の各々は、対応する制御ライン３３１−３３３を介して受信する信号によって動作可能にされる。制御ライン３３１−３３３の各々のイネーブル信号は、対応するセンス増幅器３２１−３２３によって発生される。ここでは、３セットのセンス増幅器、制御ライン及びデコーダのみ図示されているが、セット数の制限はないと解すべきである。
【００２５】
デコーダ３４１−３４３の各々は、それぞれのデコーダの入力となる複数の信号を、対応する信号ラインを介して、受信する。この実施例において、各デコーダは、単純ＡＮＤゲートから構成されている。ＡＮＤゲートに入力が全て高いと、ＡＮＤゲートの出力が高くなる。ＡＮＤゲートの1つ、または、それ以上に入力が高くなければ、ＡＮＤゲートの出力は高くない。デコーダ３４１−３４３及びこれらのデコーダへの入力を発生するロジックゲートはＳＯＩ技術を用いて製造され、デコーダの出力に生じるイネーブル信号は、履歴効果によるタイミングの変化を受ける。つまり、さまざまなデコーダ（３４１−３４３）に供給されるイネーブル信号は、理想的な信号より早く、または、遅く生じる立ち上がり/立ち下りエッジを有することがある。上述した通り、イネーブル信号が理想的な時点より早く生じると、データラインの電圧差が充分大きくならず、センス増幅器は誤動作する。しかし、イネーブル信号が理想的な時点より遅く生じると、センス増幅器は所望よりも遅く動作する。
【００２６】
イネーブル信号に生じるタイミング変化による効果が、図４Ａ−４Ｃに示されている。図４Ａ−４Ｃは、図２のダイアグラムと同様に、センス増幅器のデータラインの電圧を図示したダイアグラムである。これらの図の各々は、データラインの電圧と、対応するイネーブル信号のタイミングを図示している。図４Ａはイネーブル信号ＳＡＥＮが所望より早く生じた場合の状況を示し、図４Ｂはイネーブル信号ＳＡＥＮが所望時点で生じた場合の状況を示し、更に、図４Ｃはイネーブル信号が所望より遅く生じた場合の状況を示している。
【００２７】
図４Ｂを参照すると、意図されたタイミングの場合が例示されている。当初、データライン信号data及びデータライン信号/dataが電源電圧Ｖｄｄに予め充電される。時点t1で、データライン信号/dataの電圧は、データライン信号dataの電圧以下に下がり始めるが、その電圧は電源電圧Ｖｄｄに留まることが分かる。時点t3で、イネーブル信号SEANが生じる。イネーブル信号SEANは、実線で示されている。図示下方の点線は、イネーブル信号SEANが生じたタイミングにおいて、生じ得る変化を示している。時点t3でデータライン信号data及びデータライン信号/data間の差分は、２つのデータライン信号のうちの低いデータライン信号（/data）が接地電位に引き込まれ、高いデータライン信号（data）が電源電圧Ｖｄｄに引っぱられる。
【００２８】
図４Ａを参照すると、イネーブル信号が所望より早く生じた場合が図示されている。この場合も、データライン信号data及びデータライン信号/dataが、当初、電源電圧Ｖｄｄに予め充電される。時点t1で、データライン信号/dataの電圧は、データライン信号dataの電圧以下に下がり始める。しかし、この場合には、イネーブル信号SEANが、時点t3ではなく、時点t2で生じる。データライン信号/dataの電圧は、実際には、データライン信号dataの電圧より僅かに低いが、その電圧差は、センス増幅器における閾値の変化のようなファクタが、誤ったデータラインを接地電位に引き込むようにするのを防ぐに足るほど大きくはない。
【００２９】
図４Ｃを参照すると、反対の状況が生じている。つまり、イネーブル信号SEANが意図したより遅く生じる。図４Ａ、４Ｃに図示している状況と同様に、データ信号data、/data電圧が、当初、電源電圧Ｖｄｄに充電され、時点t1でデータ信号/data電圧が、データ信号data電圧以下に下降開始する。時点t3でデータ信号dataとデータ信号/dataの電圧差が、センス増幅器の適切な動作を確実にするに充分な大きさになるが、イネーブル信号SEANはまだ生じていない。イネーブル信号SEANは、結局、時点t4で生じる。イネーブル信号SEANが遅れたためにセンス増幅器が誤動作をおこすことはないが、図示の通り、センス増幅器が所望より遅れて動作可能になるために、センス増幅器がデータ信号/dataを接地電位に引き込むのにより長い時間がかかる。従って、データ信号/dataの電圧が低くなるまで、少し長い時間待つ必要がある。データ信号/dataを接地電位に引き込むのにより長い時間がかかるので、センス増幅器はより遅い速度で動作させなければならない。このことは、まず、ＳＯＩ構造のデバイスを使用する目的の一つ（つまり、高速度の達成）ができなくなることである。
【００３０】
図４Ａ−４Ｃから明らかなように、センス増幅器が動作可能になるタイミングが非常に重要である。ＳＯＩベースのデバイス履歴効果を除去することができなくても、本発明の実施例は履歴効果による変化のインパクトを軽減したり、あるいは、除去するものである。これは、従来装置で使用したものと同じタイプのイネーブル信号を使用して、達成されるが、そのイネーブル信号は履歴効果を受けない他の信号と組み合わせて使用する。
【００３１】
本発明の一実施例は、図5に図示されている。図５はセンス増幅器の構成図である。センス増幅器５００は、2つのデータラインの間の電圧差を検出し、その電圧差を増幅できるように、相互結合された8つのトランジスタを有している。増幅された電圧差は、同じデータラインに出力される。
【００３２】
センス増幅器５００は、４つのＮＭＯＳトランジスタと、４つのＰＭＯＳトランジスタとからなる。各データラインは、異なるＮＭＯＳトランジスタの1つに結合されている。データライン５１１は、対応する電圧データライン信号dataを有し、トランジスタ５２１に結合されている。データライン５１１は、中間結合点５３１に結合され、トランジスタ５２１がスイッチオンされたときに、データライン５１１と中間結合点５３１との間に電流が流れる。トランジスタ５２１は、ライン５３３を介してトランジスタ５２１に供給されるトランスファ信号/xferによって制御される。同様に、データライン５１２も、対応する電圧データライン信号/dataを有し、トランジスタ５２２を介して中間結合点５３２に結合されている。トランジスタ５２２のゲートは、ライン５３３に結合され、トランジスタ５２２は、トランスファ信号/xferによって制御される。
【００３３】
中間結合点５３１は、ＰＭＯＳトランジスタ５４１を介して電源電圧Ｖｄｄに結合されている。結合点５３１は、３つのＮＭＯＳトランジスタ５５１、５６０、５７０を介して接地電位に結合されている。ＰＭＯＳトランジスタ５４１とＮＭＯＳトランジスタ５５１は、相互に結合され、3つのトランジスタの1つがスイッチオンされると、他の１つがスイッチオフされ、反対に、3つのトランジスタの1つがスイッチオフされると、他の１つがスイッチオンされる。トランジスタ５４１、５５１のゲートは中間結合点５３２（センス増幅器の５００の反対側の中間結合点）に結合される。
【００３４】
中間結合点５３２は、中間結合点５３１とは対称的な態様で、電源電圧と接地電位に結合されている。すなわち、中間結合点５３２は、ＰＭＯＳトランジスタ５４２を介して、電源電圧に結合され、３つのＮＭＯＳトランジスタ５５２、５６０、５７０を介して、接地電位に結合されている。トランジスタ５４２、５５２のゲートは、相互に結合され、１つのトランジスタがスイッチオンされると、他の１つのトランジスタがスイッチオフされ、反対に、１つのトランジスタがスイッチオフされると、他の１つのトランジスタがスイッチオンされる。トランジスタ５４２、５５２のゲートは、センス増幅器の反対側の中間結合点５３１に結合される。
【００３５】
トランジスタ５６０、５７０は、センス増幅器５００の操作部（５８０）と接地との間に直列結合されている。ここで、トランジスタ５６０、５７０を除くセンス増幅器５００の一部を記述する用語である「操作部」の使用は、トランジスタ５６０、５７０が、ある態様では、操作しないことを暗示するものではなく、トランジスタ５６０、５７０がなくても、センス増幅器５００の「操作部」が適切に機能することを暗示するものでもない。「操作部」の用語は、トランジスタ５６０、５７０を含まないセンス増幅器５００の部分を単に特定するに過ぎない。トランジスタ５６０、５７０は、センス増幅器５００の動作制御部分とみなされる部分の一部を形成している。それは、センス増幅器が動作可能にされるときを制御するセンス増幅器の部分である。
【００３６】
従来、センス増幅器の操作部と接地間に単一のトランジスタが結合され、そのトランジスタがスイッチオンまたはオフすることによって、それに応じてセンス増幅器が動作可能にされるか動作不能にされる。例えば、センス増幅器１００のトランジスタ１６０を参照されたい。トランジスタ１６０がスイッチオンされると、センス増幅器１００が動作可能にされ、結合点１３１，１３２からそれぞれトランジスタ１５１、１５２に電流が流れ、ついにはトランジスタ１６０を介して接地に電流が流れる。これに対して、トランジスタ５６０、５７０を両方ともスイッチオンすることによって、センス増幅器５００が動作可能にされる。トランジスタ５６０、５７０のいずれか一方がスイッチオフにされると、中間結合点５３１、５３２は接地から絶縁され、センス増幅器は動作不能にされる。
【００３７】
上述の通り、トランジスタ１６０は、従来、履歴効果から生じるタイミングの変化を受けるイネーブル信号によって制御されている。センス増幅器５００に２つのトランジスタ５６０、５７０を使用し、トランジスタ５６０、５７０をそれぞれ履歴効果の影響を受ける信号と履歴効果の影響を受けない信号を組み合わせて２つの信号で制御することによって、タイミング変化を軽減または除去できる。
【００３８】
トランジスタ５６０、５７０のゲートに適用される駆動信号が重複したとき、センス増幅器５００は動作可能になるから、これらの駆動信号の重複を制御することによってセンス増幅器５００は制御（動作可能に）される。一実施例において、トランジスタ５６０のゲートに適用される信号は、履歴効果によるタイミングの変化を受ける。履歴効果は単純で周期的な繰り返しパターンを持っていないので、トランジスタ５６０に適用される信号は、履歴効果によるタイミングの変化を受けることになる。トランジスタ５７０のゲートに適用される信号（enable_clock）は、単純で周期的な繰り返し信号（本質的にはクロック信号）であるので、同じタイプのタイミングの変化を受けない。
【００３９】
一実施例において、トランジスタ５７０のゲートに適用されるイネーブルクロック信号enable_clockは、クロック信号clockとセレクト信号/selectを受信する回路によって発生され、クロック信号clockを選択的に遅延したものであるから、トランジスタ５７０に適用される繰り返しイネーブルクロック信号enable_clockと重複するか重複しないかのいずれかになる。その回路の設計例が、図６に図示されている。
【００４０】
図６を参照すると、タイミング回路の一実施例の構成図が図示されている。回路６００は、セレクト信号/selectとクロック信号clockを受信し、それにもとづいてイネーブルセレクト信号enable_selectという第３の信号を発生する。回路６００は、２つの経路のうちの1つを介して、セレクト信号/selectを処理する。２つの経路のうちの1つは第1の時間で通過されうるが、他のもう1つの経路の通過には、第1の時間とは異なった時間が必要とされる。従って、「短い経路」と「長い経路」がある。回路６００の出力信号enable_selectは、クロック信号clockのパルスと同じ平均周波数で生じ、同じ波形を有しているが、各パルスはクロック信号clockの対応パルスについて、「短」時間か「長」時間のいずれかの遅延を受ける。その結果、イネーブルセレクト信号enable_selectのパルスは、イネーブルクロック信号enable_clockのレギュラーパルスと必然的に重複する（あるいは、それぞれ、重複しない）。
【００４１】
図６に図示されているように、回路６００は、/selet信号を受信する第１ライン６１１を備えている。回路６００は、また、クロック信号clockを受信する第２ライン６１２を有している。セレクト信号/selectとクロック信号clockは、「短い」経路と「長い」経路の両方の入力となる。「短い」経路は、単一のＮＡＮＤゲート６２２から構成されている。インバータ６２１も「短い」経路の一部とみなすことができるが、インバータ６２１の目的は、以下に詳述するように、１つの経路または他の経路の選択を単に許容するものである。クロック信号clock及び反転セレクト信号/selectは、ＮＡＮＤゲート６２２の入力として与えられる。
【００４２】
「長い」経路は、ＮＡＮＤゲート６３１とインバータ６３２−６３５から構成されている。ＮＡＮＤゲート６３１は、/selet信号とクロック信号clockの両信号を入力信号として受信する。ＮＡＮＤゲート６３１の出力は、入力信号として、直列配列されたインバータ６３２−６３５に供給される。従って、ＮＡＮＤゲート６３１の出力は、４回反転される。多段のインバータ６３２−６３５を使用することによって信号を反転せずに（一対のインバータは、各々互いに打ち消しあい）、ＮＡＮＤゲート６３１の出力を遅延している。
【００４３】
「短い」及び「長い」経路の出力（それぞれ、ＮＡＮＤゲート６２２とインバータ６３５の出力）は、他のＮＡＮＤゲート６４０の入力として供給される。ＮＡＮＤゲート６４０の出力は、他のＮＡＮＤゲート６５０の入力として供給される。ＮＡＮＤゲート６５０の第2入力は、クロック信号clockを４つの直列配列のインバータを介して供給される。クロック信号clockは、偶数個のインバータを介して供給されるから、ＮＡＮＤゲート６５０の入力信号は、当初受信したクロック信号clockの反転したものとはならず、その結果、イネーブルセレクト信号enable_selectがトランジスタ５６０に供給される（図５参照）。
【００４４】
セレクト信号/selectは、回路６００の「短い」経路か、「長い」経路かのいずれかを選択するために、信号が生じない（信号が低いとき）か、生じる（信号が高いとき）のいずれかになる。経路は、セレクト信号/select及びその反転信号を最初のＮＡＮＤゲート（６２２、６３１）に供給することによって、いずれかが選択される。これらのＮＡＮＤゲートのうち、高い信号を受信したゲートが、選択されることになる。従って、セレクト信号/selectが高いと、「長い」経路が選択され、「短い」経路は選択されない。セレクト信号/selectが低いと、「短い」経路が選択され、「長い」経路は選択されない。
【００４５】
セレクト信号/selectが低い（「短い」経路が選択される）と、この信号の反転信号であるＮＡＮＤゲート６２２の入力が高くなる。その結果、ＮＡＮＤゲート６２２は、他の入力端子で受信した信号（clock）を反転する。従って、ＮＡＮＤゲート６２２の出力は、僅かに遅延された反転クロック信号clockである。セレクト信号/selectが低いとき、ＮＡＮＤゲート６３１の対応入力は低くなり、他の入力ラインの信号（clock）に関係なく、そのゲート出力は高くなる。ＮＡＮＤゲート６３１の出力信号は、長い経路の終端まで到達する前に４回反転される。従って、ＮＡＮＤゲート６４０の1つの入力が高く、他の入力はクロック信号clockを反転したものである。ＮＡＮＤゲート６４０は、反転クロック信号clockをさらに反転し、僅か遅延するよう作用する。ＮＡＮＤゲート６４０は、この信号の立ち上がりエッジのタイミングに幾らかの不確定性を生じさせる。従って、ＮＡＮＤゲート６４０は、出力信号が当初のクロック信号clockから僅かに遅延されるのを除き、その出力信号がクロック信号clockにきわめて似ている。この信号はＮＡＮＤゲート６５０に入力される。ＮＡＮＤゲート６５０の他の入力も、また、クロック信号clockの模写であるが、遅延されている。この入力は、インバータ６６１−６６４を通して形成されるが、インバータ６６１−６６４は、クロック信号clockを累積効果で遅延はするが、反転はしない。ＮＡＮＤゲートの２つの入力は、ほぼ同じときに高く（そして低く）なるから、ＮＡＮＤゲート６５０の出力は、本質的には、これらの信号を反転したものである。次いで、ＮＡＮＤゲート６５０の出力は、インバータ６７０で反転され、イネーブルセレクト信号enable_selectを形成し、その信号は、クロック信号clockの模写であるが、僅かに遅延されている。
【００４６】
セレクト信号/selectが高くなれば（長い経路が選択され）、インバータ６２１から受信するＮＡＮＤゲート６２２の入力は低くなる。その結果、ゲートの他の入力で受信する信号（clock）に関らず、ＮＡＮＤゲート６２２の出力は高くなる。ＮＡＮＤゲート６３１の１つの入力のセレクト信号/selectが高いから、ＮＡＮＤゲート６３１は、その他の入力で受信する信号（clock）を反転するよう働く。NANDゲート６３１の出力は、信号が長い経路を通過するにつれて、４回反転される。従って、ＮＡＮＤゲート６４０の入力は、ＮＡＮＤゲート６２２の高出力と、インバータ６３５によって出力される遅延され反転されたクロック信号clockからなる。ＮＡＮＤゲートからの入力は高いから、ＮＡＮＤゲート６４０は、遅延され反転されたクロック信号clockを反転するように働く。ＮＡＮＤゲート６４０は、この信号の立ち上がりエッジのタイミングに幾らかの不確実性を生じさせることもある。
【００４７】
この点から、信号処理は、セレクト信号/selectが低いときと本質的には同じである。その信号が、インバータ６６１−６６４を介して受信した第2の遅延を受けたクロック信号clockの模写信号と共に、ＮＡＮＤゲート６５０に入力される。ＮＡＮＤゲート６５０の出力は、遅延を受けたクロック信号clockの模写信号であり、この信号は、インバータ６７０で再び反転される。これらの２との状態の違いは、セレクト信号/selectが低いとき、ＮＡＮＤゲート６４０の出力になる遅延を受けたクロック信号clockの模写信号は、短い時間遅延され、セレクト信号/selectが高いとき、ＮＡＮＤゲート６４０の出力の遅延を受けたクロック信号clockの模写信号は、長い時間遅延される。
【００４８】
上述したいろいろな信号は、図７に図示されている。図７は、回路６００の入力信号、出力信号及び回路内のさまざまな信号のタイミング図である。図7の最上部の信号は、回路６００の入力されるクロック信号clockである。クロック信号clockは、一定期間に立ち上がり及び立ち下がるエッジを有する単純な周期的信号である。次の信号は、回路６００に入力されるセレクト信号/selectである。このセレクト信号/selectは、周期的信号ではない。セレクト信号/selectは、回路６００の対応するセンス増幅器が選択されたときに生じる。従って、セレクト信号/selectは、センス増幅器３２１−３２３の１つを選択するために、システム３００に入力される信号に類似している。
【００４９】
図７の次の信号は、ＮＡＮＤゲート６４０の出力に生じる信号である。この中間信号は、単に“Ａ”と指定されている。信号Ａのパルスの立ち上がりエッジに関する多数の線は、タイミングの変化を示していることに注意すべきである。実際に単一の立ち上がりエッジがあるが、そのエッジの位置は、図の多数の線によって示されている範囲内で異なる場所に降下する。ここで、特に他の方法で記述されている場合を除き、それらの信号の他の点でタイミングの変化があり得ることにも注意すべきである。これらの変化は、説明上重要ではないので、図示されていない。
【００５０】
図から分かることは、信号Ａは、クロック信号clockのパルスに相当しているが、クロック信号clockの対応するパルスに関して遅延されているパルスを有している。その遅延の大きさは、セレクト信号/selectが生じているかどうかに依存していることも分かる。セレクト信号/selectが生じていない（低い）場合には、信号Ａのパルスは、クロック信号clockの対応パルスから短時間遅延する。セレクト信号/selectが生じている（高い）場合には、信号Ａのパルスは、クロック信号clockの対応パルスからより長い時間遅延する。履歴効果に起因する幾らかのタイミング変化が、信号Ａのパルスの立ち上がりエッジに生じることが分かる。
【００５１】
図7の次の信号は、インバータ６６４の出力に生じる信号である。この中間信号は、単に“Ｂ”と指定されている。信号Ｂは、クロック信号clockを単に４つの直列構成のインバータを介して形成されるから、信号Ｂは、インバータによる遅延を除き、本質的にはクロック信号clockと同一であり、履歴効果の影響を受けない。
【００５２】
図７の次の信号は、回路６００の出力に生じるイネーブルセレクト信号enable_selectである。上述した通り、イネーブルセレクト信号enable_selectは、ＮＡＮＤゲート６４０とインバータ６４０の出力（すなわち、信号Ａ、Ｂ）の論理積によって形成される。具体的には、信号Ａ、Ｂは、ＮＡＮＤゲート６４０の入力であり、その結果は、インバータ６７０によって反転される。信号Ａ、Ｂが重なり合う場合に、イネーブルセレクト信号enable_selectは高くなり、それ以外は低くなることが分かる。信号Ａのパルスは、クロック信号clockの対応パルスを基準にして、遅延されるが、その遅延量は変化し、信号Ａ、Ｂが重なり合った部分も、クロック信号clockのパルスを基準にして、遅延されるが、その遅延量は変化する。ゲートでの遅延があるために、イネーブルセレクト信号enable_selectは、信号Ａ、Ｂが重なり合った部分を基準にして、僅かに遅延されることが分かる。
【００５３】
図７の最後の信号は、イネーブルクロック信号enable_clockである。このイネーブルクロック信号enable_clockは、連続的に繰り返される一定のパターンを有している。この実施例では、イネーブルクロック信号enable_clockは、所定期間高くなり、ある期間低くなり、そしてそれを繰り返す。この信号のデュティサイクルは、５０％以下である必要はない。イネーブルクロック信号enable_clockは、回路６００内では見当たらない。イネーブルクロック信号enable_clockは、イネーブルセレクト信号enable_selectとの関連で、センス増幅器５００を動作可能にする信号であるから、図７に図示されている。上述した通り、トランジスタ５６０、５７０がいずれもスイッチオンされているときのみ、センス増幅器５００は動作可能になる。これは、トランジスタ５６０をスイッチオンオフするイネーブルセレクト信号enable_selectと、トランジスタ５７０をスイッチオンオフするイネーブルクロック信号enable_clockが重なった期間に対応する。
【００５４】
図７に図示されているように、イネーブルセレクト信号enable_selectとイネーブルクロック信号enable_clockは、センス増幅器用のセレクト信号/selectが低く、信号Ａとクロック信号clockのパルス間の遅延が短いときに重複する。これは、図７の左側に図示されている。これらの信号が重複する期間、センス増幅器は動作可能にされる。センス増幅器用のセレクト信号/selectが高いとき、信号Ａのパルスとクロック信号clockのパルスとの間の遅延はもっと長くなる。その結果、イネーブルセレクト信号enable_selectのパルスは、十分遅延し、これらのパルスは重複しない。そのため、センス増幅器は動作されることはない。
【００５５】
図７に図示されているイネーブルセレクト信号enable_selectとイネーブルクロック信号enable_clockをもっと詳しく調べてみると、これらの信号の重複は、イネーブルセレクト信号enable_selectの立ち上がりエッジで始まり、イネーブルクロック信号enable_clockの立ち下りエッジで終わっている。従って、イネーブルクロック信号enable_clockの立ち下がりエッジに前に、イネーブルセレクト信号enable_selectの立ち上がりエッジが生じるときに、センス増幅器は動作可能にされる。最初に、イネーブルセレクト信号enable_selectは、部分的に、履歴効果による変化がある信号Ａに依存しているから、これは履歴効果から生じる問題を除去できないと思われる。しかしながら、イネーブルセレクト信号enable_selectは、信号Ａ、Ｂが重複することによって生じていることに注意すべきである。信号Ａのパルスに生じるタイミング変動は、センス増幅器が選択されたとき、信号Ｂの立ち上がり前に生じていることを確かめて、イネーブルセレクト信号enable_selectの立ち上がりエッジが、履歴効果を受けない信号Ｂの立ち上がりエッジにもとづいていることも確かめられる。
【００５６】
同様に、この実施例において、センス増幅器が選択されていない（セレクト信号/selectが高い）とき、クロック信号clockパルスと信号Ａの対応間の遅延は、十分大きく、信号Ａの立ち上がりエッジは、イネーブルクロック信号enable_clockの立下りエッジ後に生じることを確かめる必要がある。このことは図７の右側に図示されている。
【００５７】
上述のセンス増幅器とタイミング回路は、本発明の一実施例を示すためのものである。当業者にとって、ここでの開示にもとづく他の多くの実施例があることは明らかである。例えば、センス増幅器は、設計を変更して（多くのものは周知である）センス増幅器を動作可能にするために、重複しなければならない2以上の対応信号によって制御される。上述の2以上の直列構成のトランジスタを有するセンス増幅器を動作可能または不能にするために、データラインと接地間に配列された単一のトランジスタで置き換えることができる。更に、他の実施例としては、履歴効果を受ける信号と履歴効果を受けない信号を組み合わせて単一信号を形成し、データラインと接地間に配置された単一の駆動トランジスタをスイッチオンオフするように構成してもよい。また、上述の電源電圧供給線と接地との代わりに、異なる電圧を使用する他の設計として、データラインと非接地あるいは電源電圧供給線間に駆動トランジスタを配置することもできる。その上、他の多くの設計により駆動トランジスタをスイッチオンオフする信号を発生するタイミング回路を使用することができる。
【００５８】
他のセンス増幅器に加えて、本発明の実施例には、センス増幅器以外の応用も可能である。例えば、トランジスタをスイッチオン（またはオフ）することによって動作可能となる回路は、上述の直列構成のトランジスタ回路を使用することができる。タイミング回路の設計を変更することは、センス増幅器の実施例の構成が可能であるのと同様に、可能であることは明らかである。本発明は、デバイスの操作部が、電圧シンク、または、電圧源に結合することによって動作可能になる実施例及び、デバイスの動作部は、履歴効果から生じるタイミング変化を受ける少なくとも１つの信号と、履歴効果から生じるタイミング変化を受けない少なくとも１つの信号を含む複数の信号にもとづいて、そのデバイスの動作部分に電圧シンク/電源電圧を結合したり、しなかったりするように構成された実施例を含むと解すべきである。
【００５９】
この技術分野で通常の知識を有する者は、情報及び信号が、いろいろな異なる技術や技法を使って表現されることを知っている。例えば、上述の記述で引用されているデータ、インストラクション、コマンド、情報、信号、ビット、シンボル及びチップは、電圧、電流、電磁波、磁界または磁気粒子、光学界または光粒子、あるいは、それらの組み合わせによって表現されうる。情報及び信号は、有線、金属とレース、バイアス、オプティカルファイバーなどを含む適切なメディアを使って、開示されているシステムのコンポーネント間を通信されうる。
【００６０】
この技術分野で通常の知識を有する者は、更に、論理ブロック、モジュール、回路及びここで開示されている実施例に関連して記載されたアルゴリズムステップが、電子的ハードウエア、コンピュータソフトウエアあるいはその両方を組み合わせたものとして設けられてもよいことが分かるであろう。このハードウエアとソフトウエアの互換性を明確にするため、いろいろなコンポーネント、ブロック、モジュール及びステップが、機能性との関係で一般的に既にこれまでに記載されている。ハードウエアまたはソフトウエアとしてかかる機能性が備えられるかどうかは、特定の応用やシステム全体に課せられるデザイン上の制約に依存する。この技術分野で通常の知識を有する者は、各特定の応用に対してさまざまな方法で記述された機能性を実施することができるが、そのうちのどれを実施するかの決定によっては、本発明の範囲を逸脱すると解釈されるべきではない。
【００６１】
上記実施例に関連して記述したさまざまな論理ブロック、モジュール及び回路は、記述された機能を実行するよう設計された汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰｓ）または他の論理デバイス、特定応用集積回路（ＡＳＩＣ）、ディスクリート・ゲートまたはトランジスタ・ロジック、ディスクリート・ハードウエアコンポーネントあるいはこれらの組み合わせで構成し、または、実行してもよい。汎用プロセッサは、従来のプロセッサ、コントローラ、マイクロコントローラなどであってもよい。プロセッサは、計算デバイスの組み合わせ、例えば、ＤＰＳとマイクロプロセッサの組み合わせ、複数のマイクロプロセッサ、ＤＰＳコアに結合した1以上のマイクロプロセッサ、または、他の同様な構成として設けてもよい。
【００６２】
実施例に関連して記述した方法またはアルゴリズムのステップは、直接、ハードウエア、プロセッサによって実行されるソフトウエアまたはファームウエア、もしくは、それらの組み合わせによって実施できる。ソフトウエアプロダクトは、ＲＡＭメモリ、フラシュメモリ、ＲＯＭメモリ、ＥＰＲＯＭメモリ、ＥＥＰＲＯＭメモリ、レジスタ、ハードディスク、リムーバブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、この技術分野で知られている他の形式のストレージ媒体にあってもよい。ある特定のストレージ媒体にプロセッサが結合されると、そのプロセッサは、ストレージ媒体から情報を読み出し、書き込むことができる。これに代えて、ストレージ媒体は、プロセッサと統合してもよい。これらのストレージ媒体及びプロセッサは、ＡＳＩＣで構成することができる。そのＡＳＩＣは、ユーザ端末に設けてもよい。
【００６３】
本発明による利益と効果は、特定の実施例について既に上述した。これらの利益及び効果ならびにそれらを生ぜしめる要素や制約が、特許権の技術範囲の重要で、必要とされる、または必須の要件と解すべきではない。ここで使用されている用語の「から構成する」、「からなる」またはその他の同義語は、この用語に続く要件や制約を非排他的に含むものと解される。従って、まとまった要件から構成されたシステム、方法または他の実施例は、これらの要件のみに限定されるのではなく、明示的に列挙されていないもしくは特定の実施例固有の他の要件を含んでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】公知技術のラッチ型センス増幅器の一例を示す設計図である。
【図２】図１のセンス増幅器の中間結合点の電圧レベルを示す図である。
【図３】選択的に動作可能にされる複数のセンス増幅器を使用した回路の一例を示す図である。
【図４Ａ】一実施例のセンス増幅器におけるデータラインの電圧を示す図である。
【図４Ｂ】一実施例のセンス増幅器におけるデータラインの電圧を示す図である。
【図４Ｃ】一実施例のセンス増幅器におけるデータラインの電圧を示す図である。
【図５】一実施例のセンス増幅器の構成図である。
【図６】一実施例のタイミング回路の構成図である。
【図７】図６のタイミング回路の入出力及びいろいろな結合点の信号を示すタイミング図である。
【符号の説明】
【００６５】
１００    センス増幅器    
１１１    データライン
１１２    データライン
１２１    ＰＲＯＭトランジスタ
１２２    ＰＲＯＭトランジスタ
１３１    結合点
１３２   結合点  
１４１    トランジスタ
１４２    トランジスタ
１５１    トランジスタ
１５２    トランジスタ
１６０    トランジスタ
３００    電圧差を選択的に増幅する回路
３１０    入力ライン
３２１    センス増幅器
３２２    センス増幅器
３２３    センス増幅器  
３３１    制御ライン
３３２    制御ライン
３３３    制御ライン
３４１    デコーダ
３４２    デコーダ
３４３    デコーダ
５００    センス増幅器
５１１    データライン
５１２    データライン
５２１    トランジスタ
５２２    トランジスタ
５３１    中間結合点    
５３２    中間結合点
５３３    ライン
５４１    ＰＭＯＳトランジス
５４２    ＰＭＯＳトランジス
５５１    ＮＭＯＳトランジスタ
５５２    ＮＭＯＳトランジスタ
５６０    ＮＭＯＳトランジスタ
５７０    ＮＭＯＳトランジスタ
５８０    操作部
６００    回路
６１１    第１ライン
６１２    第２ライン
６２１    インバータ
６２２    ＮＡＮＤゲート
６３１    ＮＡＮＤゲート
６３２    インバータ
６３３    インバータ
６３４    インバータ
６３５    インバータ
６４０    ＮＡＮＤゲート
６５０    ＮＡＮＤゲート
６６１    インバータ
６６２    インバータ
６６３    インバータ
６６４    インバータ
６７０    インバータ
/xfer   トランスファ信号
data   データライン信号
/data  データライン信号
SAEN  イネーブル信号
Vdd    電源電圧
enable_select    イネーブルセレクト信号
enable_clock    イネーブルクロック信号
clock    クロック信号
/select    セレクト信号
【図１】
2006031918.tif 000003
【図２】
2006031918.tif 000004
【図３】
2006031918.tif 000005
【図４Ａ】
2006031918.tif 000006
【図４Ｂ】
2006031918.tif 000007
【図４Ｃ】
2006031918.tif 000008
【図５】
2006031918.tif 000009
【図６】
2006031918.tif 000010
【図７】
2006031918.tif 000011