(57)【要約】【課題】改良された位置合わせ測定を行うように構成されたリソグラフィ装置及び方法を提供すること。【解決手段】リソグラフィ装置は、行及び列の形で複数の構造１９を有したマークＭ３を有した対象物を移動するためのアクチュエータを含む。位置合わせ構成は、光源と、光学的要素と、検出器とを有する。光源及び光学的要素は、列に平行な第１の方向に延在した第１のスポット部分２４ｘ、及び行に平行な第２の方向に延在した第２のスポット部分２４ｙを有した位置合わせビームを生成する。光学的要素は、マークＭ３へ位置合わせビームを向け、マークＭ３から戻った位置合わせ放射を受け取り、位置合わせ放射を検出器に送る。検出器は、位置合わせ信号をプロセッサに送り、プロセッサは、位置合わせ信号に基づきマークＭ３の２次元位置を計算する。【選択図】図６
2006179929.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置において、
光源、光学的要素、及び検出器を含んだ位置合わせ構成であって、
前記光源が、光ビームを生成するように構成され、
前記光学的要素が、
前記光ビームを受け取り、
第１の方向に延在した第１の位置合わせビーム・スポット部分及び前記第１の方向に実質的に直角の第２の方向に延在した第２の位置合わせビーム・スポット部分を有した位置合わせビーム・スポットを有した位置合わせビームを生成し、
前記位置合わせビームを対象物上の少なくとも１つのマークに向けるように構成され、前記少なくとも１つのマークは、行及び列の形で配列された複数の構造を有しており、
前記少なくとも１つのマークから戻った位置合わせ放射を受け取り、
前記位置合わせ放射を前記検出器へ送り、
前記検出器が、
前記位置合わせ放射に基づき位置合わせ信号を生成するように構成される、
位置合わせ構成と、
前記位置合わせビームと前記対象物の間での相対的な移動を実施するアクチュエータと、
前記アクチュエータ及び前記検出器に接続されたプロセッサであって、
使用の際、前記少なくとも１つのマークの前記構造の列及び前記少なくとも１つのマークの前記構造の行が、それぞれ前記第１の位置合わせビーム・スポット部分及び前記第２の位置合わせビーム・スポット部分をそれぞれ受け取るように、前記アクチュエータを制御し、
前記検出器から前記位置合わせ信号を受け取り、
前記位置合わせ信号に基づき前記少なくとも１つのマークの２次元位置を算出するように構成されたプロセッサと
を含むリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記列が、列の長さを有し、前記行が行の長さを有し、
前記第１の位置合わせビーム・スポット部分が、前記列の長さより長いが、前記列の長さの２倍より短い又はそれに等しい第１の長さを有し、前記第２の位置合わせビーム・スポット部分が、前記行の長さより長いが、前記行の長さの２倍より短い又はそれに等しい第２の長さを有するように前記位置合わせビーム・スポットを、前記光源及び前記光学的要素が生成するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の位置合わせビーム・スポット部分が、互いに交差する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
使用の際、前記位置合わせビーム・スポットが、前記少なくとも１つのマークを横切って実質的に対角線上で移動するように、前記アクチュエータが構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記列が列の長さを有し、前記行が行の長さを有し、
前記第１の位置合わせビーム・スポット部分が、前記列の長さに実質的に等しい第１の長さを有し、前記第２の位置合わせビーム・スポット部分が、前記行の長さに実質的に等しい第２の長さを有するように前記位置合わせビーム・スポットを、前記光源及び前記光学的要素が生成するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記第１の位置合わせビーム・スポット部分が、第１の末端部部分を有し、
前記第２の位置合わせビーム・スポット部分が、第２の末端部部分を有し、
前記第１及び第２の末端部部分が、互いに接触する、請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記位置合わせ放射が、前記第１の位置合わせビーム・スポット部分によって生じた第１の回折パターンの第１のゼロ次回折次数と、前記第２の位置合わせビーム・スポット部分によって生じた第２の回折パターンの第２のゼロ次回折次数とを含み、
前記リソグラフィ装置が、前記第１及び第２のゼロ次回折次数をともに遮断するように構成された遮断デバイスを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記遮断デバイスが、前記第１の回折パターンの、１つ又は複数の第１のより高い回折次数と、前記第２の回折パターンの、１つ又は複数の第２のより高い回折次数とを送るように構成された複数のホールを有したプレートを含む、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記第１及び第２のゼロ次回折次数が、プレート部分によって連続的に遮断されるように、前記遮断デバイスが、前記プレート部分と、前記遮断デバイスを回転するように構成されたアクチュエータとを有したプレートを含む、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２のゼロ次回折次数が、連続的に遮断されるように、前記遮断デバイスが、第１のプレート部分と、第２のプレート部分を有した第２のプレートと、前記第１及び第２のプレートを移動するように構成されたアクチュエータとを含む、請求項７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記位置合わせビーム・スポットが、前記第１の方向及び前記第２の方向両方に、前記少なくとも１つのマークを横切ってステップ状に移動するように、前記アクチュエータが、前記対象物を移動するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記位置合わせビーム・スポットが、まず前記第１の方向に移動して列すべてを照射し、次に前記第２の方向に移動して行すべてを照射する、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記マークが、２次元の粗いマークであり、
前記プロセッサが、前記位置合わせ信号に基づき粗い２次元の位置を算出するように、構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記リソグラフィ装置が、
放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記放射ビームにその断面においてパターンを付与してパターン形成された放射ビームを形成することが可能なパターン形成デバイスを支持するように構築された支持部と、
前記パターン形成された放射ビームを基板の対象部分上に投射するように構成された投射システムとを含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記リソグラフィ装置が、浸漬リソグラフィを実施するように構成される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記対象物が、前記リソグラフィ装置によって露光される上部側と、底部側とを有した基板であり、
前記少なくとも１つのマークが、前記底部側上に配置される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
第１の方向に延在した第１の位置合わせビーム・スポット部分と、前記第１の方向に直角の第２の方向に延在した第２の位置合わせビーム・スポット部分とを有した位置合わせビーム・スポットを生成するように構成された、光源及び光学的要素。
【請求項１８】
少なくとも１つのマーク・パターンを設けられたレチクルであって、
前記マーク・パターンが、行及び列の形で配列された複数の構造を有し、
前記行が、所定の行ピッチで配列され、
少なくとも１つの行ピッチが、他の行ピッチとは異なり、
前記列が、所定の列ピッチで配列され、
少なくとも１つの列ピッチが、他の列ピッチとは異なる、レチクル。
【請求項１９】
前記構造が、四角形又は正方形のどちらかで形作られる、請求項１６に記載のレチクル。
【請求項２０】
位置合わせマークを設けられた対象物であって、
前記位置合わせマークが、行及び列の形で配列された複数の構造を有し、
前記行が、所定の行ピッチで配列され、
少なくとも１つの行ピッチが、他の行ピッチとは異なり、
前記列が、所定の列ピッチで配列され、
少なくとも１つの列ピッチが、他の列ピッチとは異なる、対象物。
【請求項２１】
前記構造が、四角形又は正方形のどちらかで形作られる、請求項２０に記載の対象物。
【請求項２２】
前記対象物が、リソグラフィ装置によって露光される上部側と、底部側とを有した基板である、請求項２０に記載の対象物。
【請求項２３】
前記位置合わせマークが、前記底部側上に配置される、請求項２２に記載の対象物。
【請求項２４】
複数のホールを有したプレートを含む遮断デバイスであって、
前記ホールが、第１のセット及び第２のセットの形で配列され、
前記第１のセット中の前記ホールが、第１のライン上に配置され、
前記第２のセット中の前記ホールが、第２のライン上に配置され、
前記第１及び第２のラインが、互いに直交し、
前記プレートが、放射を遮断するために、前記第１及び第２のラインの交差点においてプレート部分を有する、遮断デバイス。
【請求項２５】
リソグラフィ装置中の位置合わせ測定方法において、
第１の方向に延在した第１の位置合わせビーム・スポット部分、及び前記第１の方向に実質的に直角の第２の方向に延在した第２の位置合わせビーム・スポット部分を有した位置合わせビームを生成し、前記位置合わせビームを対象物上の少なくとも１つのマークに向けるステップであって、前記少なくとも１つのマークは、行及び列の形で配列された複数の構造を有する、ステップと、
前記少なくとも１つのマークの前記構造の列を横切って前記第１の位置合わせビーム・スポット部分を走査し、
前記少なくとも１つのマークの前記構造の行を横切って前記第２の位置合わせビーム・スポット部分を走査するステップと、
前記少なくとも１つのマークから戻った位置合わせ放射を受け取るステップと、
前記位置合わせ放射に基づき位置合わせ信号を生成するステップと、
前記位置合わせ信号に基づき前記少なくとも１つのマークの２次元位置を算出するステップと
を含む方法。
【請求項２６】
前記対象物が、基板であり、
前記位置合わせ信号に基づき前記少なくとも１つのマークの２次元位置を算出するステップの前記処置の後、前記方法が、
前記対象物の対象部分上にパターン形成された放射ビームをもたらすステップと、
前記対象物からデバイスを製造するステップとを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
リソグラフィ装置のプロセッサにロードされ、前記リソグラフィ装置による、請求項２５に記載の前記位置合わせ測定方法の実施を可能にするように構成されたデータ及び命令を含む、コンピュータ・プログラム製品。
【請求項２８】
請求項２７に記載のコンピュータ・プログラム製品を含む、データ記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２次元位置合わせ構成及び２次元位置合わせ測定方法を有したリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常基板の対象部分上に貼り付ける機械である。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造中に使用することができる。その場合、パターン形成デバイスは、或いはマスク又はレチクルと呼ばれるが、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために使用することができる。このパターンは、基板（たとえば、シリコン・ウェハ）上の対象部分（たとえば、ダイの一部分、或いは１つのダイ又はいくつかのダイを含む）上に転送することができる。パターン転送は、通常、基板上に施された感光性材料（レジスト）の層上に写像することによって実施される。一般に、単一基板は、連続的にパターン形成される隣接した対象部分のネットワークを含むはずである。知られたリソグラフィ装置は、いわゆるステッパと、いわゆるスキャナとを含み、ステッパでは、各対象部分が、一度に対象部分上にパターン全体を照射して露光され、スキャナでは、各対象部分が、所与の方向（「走査」方向）で放射ビームによってパターンを走査することによって照射され、その間この方向に対して平行又は反平行で同期して基板が走査される。パターンを基板にインプリントすることによって、パターン形成デバイスから基板へパターンを転送することも可能である。
【０００３】
Ｋ．Ｏｔａ，他「ウェハ・ステッパ用新位置センサ（Ｎｅｗ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  Ｓｅｎｓｏｒｓ  ｆｏｒ  Ｗａｆｅｒ  Ｓｔｅｐｐｅｒ）」ＳＰＩＥ，Ｖｏｌ．１４６３、Ｏｐｔｉｃａｌ／Ｌａｓｅｒ  Ｍｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ  ＩＶ（１９９１）、ページ３０４〜３１４、及びＮ．Ｒ．Ｆａｒｒａｒ，他「スルーレンズ／オフアキシスのレーザ位置合わせシステム及び位置合わせアルゴリズムの、ニコン・ウェハ・ステッパにおける性能（Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ  ｏｆ  ｔｈｒｏｕｇｈ−ｔｈｅ  ｌｅｎｓ／ｏｆｆ−ａｘｉｓ  ｌａｓｅｒ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ｓｙｓｔｅｍｓ  ａｎｄ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ  ａｌｇｏｒｉｔｈｍｓ  ｏｎ  Ｎｉｋｏｎ  ｗａｆｅｒ  ｓｔｅｐｐｅｒｓ）」ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．１６７３、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｍｅｔｒｏｌｏｇｙ，Ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ，ａｎｄ  Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ＶＩ（１９９２）、ページ３６９〜３８０に、レーザ・ステップ位置合わせ（ＬＳＡ：ｌａｓｅｒ  ｓｔｅｐ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）構成が開示されている。この従来技術の位置合わせ測定構成は、図２〜５を参照して詳細に議論する。そのようなレーザ・ステップ位置合わせ構成では、マークが使用され、そのマークは、行及び列の形で配列された複数の正方形に形作られた構造を含む。レーザが、細長い位置合わせ測定スポットを列中の正方形に形作られた構造上に生成する。入射位置合わせビームが、マークによって回折され、いくつかの回折次数が、発生し検出器に送り返される。ゼロ次の回折次数は、検出器に当たる前に遮断される。検出器は、スポットで照射されたマーク列の位置を決定するプロセッサへの検出器信号を発生する。スポットを列すべてに連続的に向け、このように列すべての位置を測定することによって、列の測定位置は、平均することができ、マークの位置を決定する。
【０００４】
この従来技術のセットアップでは、１つのそのようなマークが使用されて、第１の方向のマークの位置が測定される。他の第２の方向、たとえば第１の方向に直角の方向の位置を測定するために、第２の方向で走査される他のマークが設けられる。一般に、マークは、基板上のスクライブレーン（ｓｃｒｉｂｅｌａｎｅ）中に設けられることになり、ｘ方向に延在し、マークはスクライブレーン中のｙ方向に延在する。したがって、ｘ方向及びｙ方向で位置合わせ測定を実施するために、ｘスクライブレーン及びｙスクライブレーン中のマークが、使用する位置合わせ測定構成によって連続的に測定することができるように、移動されるべきである。そのような移動は、時間を費やす。さらに、これらのマークは、すべての種類の電気的試験回路のためにも使用されるスクライブレーン中の高価なスペースを占める。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
改良された位置合わせ測定を行うように構成されたリソグラフィ装置を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
その目的のために、第１の実施例では、本発明は、独立請求項１で定義されたリソグラフィ装置を提供する。
【０００７】
実施例では、本発明は、請求項１７で請求する光源に関する。
【０００８】
他の実施例では、本発明は、請求項１８で請求する、マーク・パターンを有したレチクルに関する。
【０００９】
他の実施例では、本発明は、請求項２０で請求する、位置合わせマークを有した対象物に関する。
【００１０】
他の実施例では、本発明は、請求項２４で請求する、遮断デバイスに関する。
【００１１】
さらに、本発明は、独立請求項２５で請求する、位置合わせ測定方法を提供する。
【００１２】
他の実施例では、本発明は、請求項２７で請求する、コンピュータ・プログラム製品に関する。
【００１３】
他の実施例では、本発明は、請求項２８で請求する、データ記憶媒体に関する。
【００１４】
ここで、本発明の実施例について例としてだけで添付した概略図面を参照して説明する。図面では、対応する参照記号は、対応する構成要素を示す。
【実施例】
【００１５】
図１に、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、
放射ビームＢ（たとえば、紫外（ＵＶ）線）を調整するように構成された照明システム（照明器）ＩＬと、
パターン形成デバイス（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、いくつかのパラメータに従ってパターン形成デバイスを正確に位置決めするように構成された第１の位置決め器ＰＭに接続された支持構造（たとえば、マスク・テーブル）ＭＴと、
基板（たとえば、レジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するように構築され、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め器ＰＷに接続された基板テーブル（たとえば、ウェハ・テーブル）ＷＴと、
パターン形成デバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの対象部分Ｃ（たとえば、１つ又は複数のダイを含む）上に投射するように構成された投射システム（たとえば、屈折投射レンズ・システム）ＰＳと
を含む。
【００１６】
照明システムは、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気や他のタイプの光学的構成要素、或いはその任意の組み合わせなど、様々なタイプの光学的構成要素を含むことができる。
【００１７】
支持構造はパターン形成デバイスの重量を支持、すなわち担う。それは、パターン形成デバイスの方向、リソグラフィ装置の設計、及びたとえばパターン形成デバイスが真空環境中に保持されるのかそうでないのかなど他の条件に依存して、パターン形成デバイスを保持する。支持構造は、機械的、真空、静電気や他の固定技術を使用してパターン形成デバイスを保持することができる。支持構造は、たとえばフレーム又はテーブルとしてもよく、それは必要に応じて固定する又は可動としてもよい。支持構造によって、パターン形成デバイスが、たとえば投射システムに対して所望の位置にあることが保証される。本明細書で用語「レチクル」又は「マスク」のどのような使用も、より一般的な用語「パターン形成デバイス」と同義であると考えられる。
【００１８】
本明細書で使用する用語「パターン形成デバイス」は、放射ビームにその断面においてパターンを付与し、基板の対象部分中にパターンを生成するために使用することができるどのような装置も呼ぶものとして広く解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、たとえばパターンが位相シフトのフィーチャ又はいわゆる支援のフィーチャを含む場合、基板の対象部分中に所望するパターンとは正確に対応しないことがあることに、留意すべきである。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路など、対象部分中に生成されるデバイス中の特定の機能層に対応することになるはずである。
【００１９】
パターン形成デバイスは、透過型又は反射型でもよい。パターン形成デバイスの例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイやプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィではよく知られており、マスクには、バイナリー、交互位相シフトや減衰型位相シフトなどのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッドのマスク・タイプが含まれる。プログラム可能なミラー・アレイの例は、小さなミラーの行列構成を用い、各ミラーは、個々に傾けて入射放射ビームを様々な方向に反射することができる。傾けられたミラーによって、ミラー行列が反射する放射ビーム中に、パターンが付与される。
【００２０】
本明細書で使用する用語「投射システム」は、使用される露光用放射に適した、或いは浸漬液又は真空状態の使用などの他の要因に適した、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、及び静電気の光学的システム、或いはそれらのすべての組み合わせを含め、どのようなタイプの投射システムも包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書での用語「投射レンズ」の使用はすべて、より一般的な用語「投射システム」と同義であると考えることができる。
【００２１】
本明細書で示すように、装置は、透過タイプ（たとえば、透過型マスクを使用）のものである。或いは、装置は、反射タイプ（たとえば、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイ、又は反射型マスクを使用）のものであってもよい。
【００２２】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアル・ステージ）又はそれより多い基板テーブル（及び／又は２つ又はそれより多いマスク・テーブル）を有したタイプのものでもよい。そのような「複数ステージ」の機械では、追加のテーブルは、並列に使用してもよく、或いは準備ステップを１つ又は複数のテーブル上で実施してもよく、その間に１つ又は複数の他のテーブルが、露光のために使用されていてもよい。
【００２３】
リソグラフィ装置は、投射システムと基板の間のスペースを充填するために、少なくとも基板の一部分が、比較的高屈折率の液体、たとえば水で覆われることがあるタイプのものでもよい。浸漬液は、リソグラフィ装置中の他のスペース、たとえばマスクと投射システムの間に施してもよい。浸漬技術は、投射システムの開口数を増加するものとして、この技術でよく知られている。本明細書で使用する用語「浸漬」は、基板などの構造を液体中に沈めなければならないことを意味するものではなく、むしろ、露光中、投射システムと基板の間に液体が置かれることを単に意味する。
【００２４】
図１を参照すると、照明器ＩＬが、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源及びリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマ・レーザのとき、別の実体としてもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部分を形成するとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び／又はビーム・エクスパンダを含んだビーム転送システムＢＤの助けによって、放射源ＳＯから照明器ＩＬへ送られる。他のケースでは、たとえば放射源が水銀ランプのとき、放射源は、リソグラフィ装置と一体にすることができる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬは、必要ならビーム転送システムＢＤとともに、放射システムと呼ばれることがある。
【００２５】
照明器ＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するための調節器ＡＤを含むことができる。一般に、照明器の瞳面中の強度分布の、少なくとも外側及び／又は内側の半径方向の程度（一般に、それぞれ外側σ及び内側σとして呼ばれる）は、調節することができる。さらに、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮやコンデンサＣＯなど、様々な他の構成要素を含むことができる。照明器を使用して、放射ビームを、その断面において所望の一様性及び強度分布を有するように、調整することができる。
【００２６】
放射ビームＢは、支持構造（たとえば、マスク・テーブルＭＴ）上に保持されたパターン形成デバイス（たとえば、マスクＭＡ）上に入射し、パターン形成デバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを横切った後、放射ビームＢは、投射システムＰＳを通過し、投射システムＰＳは、基板Ｗの対象部分Ｃ上にそのビームを合焦する。第２の位置決め器ＰＷ及び位置センサＩＦ（たとえば、干渉計装置、リニア・エンコーダや容量性センサ）の助けによって、たとえば放射ビームＢの経路中に様々な対象部分Ｃを配置するために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、たとえばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後又は走査中、第１の位置決め器ＰＭ及び他の位置センサ（図１に明示せず）を使用して、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め用）及び短行程モジュール（精密な位置決め用）の助けによって実現することができ、それらは、第１の位置決め器ＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、長行程モジュール及び短行程モジュールを使用して実現することができ、それらは、第２の位置決め器ＰＷの一部を形成する。ステッパのケースでは（スキャナとは異なり）、マスク・テーブルＭＴは、短行程アクチュエータだけに接続してもよく、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して、位置合わせすることができる。基板位置合わせマークは、対象部分を専用に占めるように示されているが、それらは、対象部分間のスペース中に配置することができる（これらは、スクライブレーン位置合わせマークとして知られる）。同様に、２つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられた場合、マスク位置合わせマークは、ダイ間に配置してもよい。
【００２７】
述べてきた装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができるはずである。
１．ステップ・モード：
マスク・テーブルＭＴ、及び基板テーブルＷＴが、基本的に静止状態に保たれ、その間に放射ビームに付与されたパターン全体が、対象部分Ｃ上に１回で投射される（すなわち、１回の静的露光）。次に、基板テーブルＷＴが、異なる対象部分Ｃを露光することができるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で写像される対象部分Ｃのサイズが限定される。
２、走査モード：
マスク・テーブルＭＴ、及び基板テーブルＷＴが、同期して走査され、その間に放射ビームに付与されたパターンが、対象部分Ｃ上に投射される（すなわち、１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、倍率（縮小率）、及び投射システムＰＳのイメージ反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光中の対象部分の幅（非走査方向）が限定され、一方走査運動の距離によって、対象部分の高さ（走査方向）が決定される。
３、他のモード：
マスク・テーブルＭＴが、基本的に静止状態に保たれてプログラム可能なパターン形成デバイスを保持し、放射ビームに付与されたパターンが対象部分Ｃ上に投射されている間、基板テーブルＷＴが、移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス化された放射源が使用され、プログラム可能なパターン形成デバイスが、基板テーブルＷＴの移動の後毎に、又は走査中の連続した放射パルスの間の中で、必要に応じて更新される。この動作のモードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン形成デバイスを利用した、マスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２８】
上記に述べた使用モードについての組み合わせ及び／又は変更、或いはまったく異なる使用モードも、用いることができる。
【００２９】
図２に、レーザ・ステップ位置合わせ構成の実施例を示す。図２に示す構成は、レーザ源２、ミラー１０、半透過型ミラー１２、ミラー１４、検出器４、及びプロセッサ６を含む。図２に、投射システムＰＳ、基板Ｗ、及び基板テーブルＷＴ、並びにアクチュエータ８も示す。
【００３０】
使用の際、レーザ源２は、ミラー１０に向けられるレーザ・ビーム１６を発生する。ミラー１０は、レーザ・ビーム１６を第２のミラー１２へ反射する。ミラー１２が反射するのでレーザ・ビーム１６は、ミラー１４に向けられる。ミラー１４が反射したレーザ・ビーム１６は、位置合わせビーム１８として基板Ｗ上のマークＭ３（図３参照）上に向けられる。位置合わせビーム１８は、マークＭ３が受け取ったとき、マークＭ３によって回折され、回折放射１６’としてミラー１４に戻る。ミラー１４は、回折放射１６’をミラー１２へ反射する。ミラー１２は半透過型であり、回折放射１６’の一部分を検出器４へ送る。検出器４は、回折放射１６’の一部分を受け取り、プロセッサ６のために出力信号を発生する。
【００３１】
図２に示すアクチュエータは、マークＭ３を位置合わせビーム１８と位置合わせすることができるような位置に、基板テーブルＷＴを移動することができることを示そうと意図されている。さらに、アクチュエータ８は、当業者に知られているように、基板テーブルＷＴを移動して、投射システムＰＳを介した露光用光による基板Ｗの露光が可能になるように構成される。アクチュエータ８は、プロセッサ６によって制御される。もちろん実際には、複数の方向に基板テーブルＷＴの移動を可能にする２つ以上のアクチュエータが存在することになる。プロセッサ６が、検出器４及びアクチュエータ８両方に接続された１つの単一プロセッサ・ユニットとして示されていることに留意されたい。しかし、所望の場合、プロセッサ６の複数の様々な機能は、異なるプロセッサ中に実装することができる。これらのプロセッサは、必ずしもリソグラフィ装置内に存在する必要がなく、リソグラフィ装置の外部に位置してもよい。
【００３２】
図３に、位置合わせの目的のために、基板Ｗ上に配置することができるマークＭ３の実施例を示す。しかし、マークＭ３は、基板テーブルＷＴ上、又は位置合わせするどのような他の対象物上にも配置することができる。
【００３３】
図３は、マークＭ３の平面図である。マークは、行及び列の形で配列された複数の正方形に形作られた構造１９を含む。正方形形状の構造１９は、その環境から区別可能な材料又は構造からなる。正方形形状の構造１９は、たとえばマークＭ３の残された表面より高い又は低いいずれかの部分としてもよい。正方形形状構造１９の代わりに、他の形状を使用してもよい。正方形形状構造１９は、長さがＬ１、幅がＷ１である。列内の隣接した正方形形状構造は、ピッチがＰ１であり、一方列内の隣接した正方形形状構造間のその間の距離は、Ｓ１を有していると言われる。行内の隣接した正方形形状構造１９は、ピッチがＰ２である。
【００３４】
位置合わせビーム１８は、幅がＷｓで、長さがＬｓである実質的に四角形に形作られたスポット１７を有して示される。ここに示す実施例では、位置合わせビーム・スポット１７の位置が固定される。マークＭ３は、図３に示す走査方向の、マークＭ３の列に直角な方向に移動することができる。走査方向にマークＭ３を移動することによって、位置合わせビーム・スポット１７は、一列内の正方形形状構造１９の上に配置することができる。移動は、アクチュエータ８によって実施される。
【００３５】
使用することができる測定の実施例は、以下に示す。
Ｗ１＝Ｌ１＝４μｍ
Ｐ１＝８μｍ
Ｓ１＝４μｍ
Ｐ２＝２０μｍ
Ｗｓ＝２μｍ
Ｌｓ＝７０μｍ
【００３６】
しかし、所望に応じて他の数値を使用してもよい。
【００３７】
位置合わせビーム・スポット１７が、図３に示すように、正方形形状構造１９の列の１つに向けられたとき、回折パターンが、当業者に知られているように、複数の次数を有して生じる。
【００３８】
図４に、そのような回折パターンの断面を示す。図４に、マークＭ３によって回折された次の次数の位置合わせ放射の回折パターン、すなわち１６’（ｉ）（ｉ＝−３、−２、−１、０、１、２、３、ここでｉ＝回折次数）を示す。回折次数１６’（０）だけ、点線で示す。その理由は、図４に、２つのホール２０、２２を有したプレート２１も示しているからである。プレート２１は、次数１６’（ｉ）、ｉ＝−３、−２、−１、１、２、３だけがホール２０、２２を通ることができるように構成される。回折次数１６’（０）は、プレート２１によって遮断される。回折次数１６’（ｉ）、ｉ＝−３、−２、−１、１、２、３は、検出器４に向けられる。
【００３９】
図５に、回折次数１６’（ｉ）、ｉ＝−３、−２、−１、１、２、３を受け取ったときの検出器４の出力信号を示す。受け取った回折次数の光強度は、検出器４によって積分される。ホール２０、２２が回折次数１６’（ｉ）、ｉ＝−３、−２、−１、１、２、３をできるだけ多く通しているとき、検出器４の出力信号は、最大値Ｉｍａｘを有することになる。基板テーブルＷＴが走査方向に移動したとき、位置合わせビーム・スポット１７が主に正方形形状構造１９間の領域を照明し、回折強度が限定される際の最小値Ｉｍｉｎまで、検出器４の出力信号の強度が減少される。基板テーブルＷＴが走査方向にさらに移動したとき、検出器４の出力信号の強度は、正方形形状構造１９の次の列の回折次数１６’（ｉ）、ｉ＝−３、−２、−１、１、２、３が検出器４によって受け取られるまで、再び増加することになる。正方形形状構造１９の列がすべて検出器４によって検出されるまで、このパターンが繰り返されることになる。ゼロ次１６’（０）がプレート２１によって遮断されたとき、図５に示す信号の周期的な性質が雑音比に対する最適信号をもたらすと見られる。
【００４０】
プロセッサ６が受け取る図５の信号は、プロセッサ６が使用して、マークＭ３が配置された対象物の位置を合わせることができる。その目的のために、当業者に知られたように、様々なアルゴリズムを使用することができる。たとえば、図３に示す正方形形状構造１９の列の、図５に示す信号から導出された位置は、平均してマークＭ３の位置のより良好な推定値に到達することができる。
【００４１】
本発明は、レーザ・ステップ位置合わせシステムを参照して説明し、その実施例は、図２〜５を参照して示してきた。しかし、本発明は、他のタイプの位置合わせセットアップ、たとえばいわゆる「アテナ（Ａｔｈｅｎａ）」センサを有したセットアップ中でも適用可能である。この位置合わせセンサは、位置合わせマークの位置を測定する。位置合わせ中、位置合わせマークは放射の位置合わせビームによって照明される。放射の位置合わせビームは、位置合わせマークによって、＋１、−１、＋２、−２などのいくつかの回折次数として回折される。光学的要素を使用し、対応する回折次数（たとえば、＋１及び−１）の各セットを使用して、位置合わせマークの像を基準プレート上に形成する。基準プレートは、測定する対応した回折次数の各セット用の基準格子を含む。各基準格子の背後には、別々の検出器が配列されて、基準格子を通り抜けた像中の放射強度を測定する。基準プレートに対して位置合わせマークを移動することによって、１つ又は複数の像について最大強度を有した位置が見つかり、それが位置合わせされた位置を与える。
【００４２】
性能を高めるために、いくつかの像の強度を測定することができ、放射の位置合わせビームは、複数のカラーから構成することができる。
【００４３】
他のタイプのセンサ、容量性又は音響の測定原理に基づくようなセンサを使用することは、排除されない。
【００４４】
図６に、本発明の実施例によるマークＭ３及び位置合わせビーム・スポット２４の概略図を示す。位置合わせビーム・スポット２４は、２つの部分、すなわちｙ方向に延在するが、ｘ方向に後続したマークＭ３の列を測定するために使用される第１のスポット部分２４ｘと、ｘ方向に延在するが、ｙ方向に後続したマークＭ３の行を測定するために使用される第２のスポット部分２４ｙとを有する。
【００４５】
使用の際、第１の実施例では、位置合わせビーム・スポット２４が、図６の矢印Ａで示すように、マークＭ３に対して対角線上に移動するように、マークＭ３が、プロセッサ６によって制御されるアクチュエータ８によって移動される。図６に、位置合わせビーム・スポット２４が、マークＭ３に対して左側最低部の正方形形状構造１９１１から右側最高部の正方形形状構造１９ｒｕへ移動する状況を示す。さらに、スポット部分２４ｘ及び２４ｙが、細長い棒状の断面を含んで示されており、スポット部分２４ｘは、長さがｙ方向のマークＭ３の長さＬｙの約２倍であり、スポット部分２４ｙは、長さがｘ方向のマークＭ３の長さＬｘの約２倍である。さらに、ここに示す実施例では、スポット部分２４ｘ及び２４ｙは、互いに実質的にそのそれぞれの中心で交差する。長さＬｘ及びＬｙは、それぞれ行及び列の長さにそれぞれ対応する。
【００４６】
矢印Ａで示すように、スポット２４及びマークＭ３を互いに対して移動したとき、マークＭ３の正方形形状構造１９は、すべて後続の測定動作中にスポット２４によって照射されることになる。すなわち、各列中の正方形形状構造１９は、すべて位置に合わせビーム・スポット部分２４ｘによって一度照射されることになり、各行中の正方形形状構造１９は、すべて位置合わせビーム・スポット部分２４ｙによって一度照射されることになる。
【００４７】
好ましいことであるが、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘ、２４ｙの長さは、必ずしもそれぞれマーク長さＬｙ、Ｌｘのそれぞれ２倍（又はそれより長い）でない。長さがより短くても、間に合うことができる。唯一の条件は、十分な放射強度が、ゼロ次回折次数より高い回折次数中に存在しており、検出器４が十分な光強度を受け取り、それによってプロセッサ６への有効な信号を発生することである。
【００４８】
ホール２０、２２を通り抜ける回折次数が、正方形形状構造のサイズ及びピッチに依存することは、当業者に明らかなはずである。本発明は、回折次数１６’（ｉ）、ｉ＝−３、−２、−１、１、２、３が検出器４に向けられる状況に限定されない。検出器４に向けられる回折次数１６’（ｉ）がより少ない又はより多いことも、本発明の範囲内である。
【００４９】
位置合わせビーム・スポット部分２４ｘ、２４ｙによって生じるゼロ次回折次数を遮断し、検出器４へ１つだけ又は複数のより高い回折次数を送るために、いくつかの任意選択肢がある。
【００５０】
図７に、本発明の一実施例で使用されるプレート２９を示す。プレート２９は、４つのホール３１、３３、３５、及び３７を含む。スポット部分２４ｘ、２４ｙが、それぞれ正方形形状構造１９の列及び行にそれぞれ向けられたとき、これらのスポット部分２４ｘ、２４ｙは、それぞれ回折次数１６ｘ’（ｉ）及び１６ｙ’（ｉ）をそれぞれ発生する。これらの回折パターンの次数の強度が、同時に列及び行の方向で等しい強さである必要はないことに、留意されたい。スポット部分２４ｘが正方形形状構造１９の列に当たり、一方同時に、スポット部分２４ｙが正方形形状構造１９の行に隣接した領域に当たる、又はその逆の場合であっても十分であり得る。
【００５１】
検出器４は、回折次数１６ｘ’（ｉ）及び１６ｙ’（ｉ）を別々に受け取り、回折次数１６ｘ’（ｉ）に関する第１の検出信号をプロセッサ６に送り、回折次数１６ｙ’（ｉ）に関する第２の検出信号をプロセッサ６に送るように、構成すべきである。第１及び第２の検出信号は、ともに図５に示すような形になるはずである。
【００５２】
或いは、図１０に示すように、プロセッサ６によって制御されたアクチュエータ２６によって、左右に約９０°、プレート２１を回転することが可能である。アクチュエータ２６は、適切な接続用デバイス（図示せず）によってプレート２１に接続される。回転は、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘが、列上に衝突し、それと同時に位置合わせビーム・スポット部分２４ｙが、行上に衝突したとき、実施することができる。しかし、或いは、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘが、列上に衝突したときはいつでも、位置合わせビーム・スポット部分２４ｙが、１つの行に隣接した又は２つの行間にあるマーク部分上に衝突するように、及びその逆の場合になるように、スポット２４及びマークＭ３の互いに対する移動を可能にすることができる。したがって、回折次数は、移動中、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘ及び位置合わせビーム・スポット部分２４ｙどちらかが起源となることができる。
【００５３】
アクチュエータ２６によってプレート２１を連続的に約９０°回転することによって、検出器４は、図５に示す信号のような検出器信号をプロセッサ６へ送るが、連続的な最大値Ｉｍａｘは、マークＭ３の行及び列に連続的に合致することになる。プロセッサ６が最大値Ｉｍａｘを検出したときはいつでも、プレート２１は、プロセッサ６によって制御され約９０°回転することができる。次いで、制御信号が、プロセッサ６によって発生されて、プレート２１を回転するように構成されたアクチュエータ２６に送られる。
【００５４】
図１１に示す代替構成では、プレート２１が回転されず、測定構成が２つのプレート２１及び２１’を含み、両方がプレート２１と同様に形作られるが、一方のプレート２１は、図４に示すようにｙ方向に互いに隣接したホール２０、２２を有し、他方のプレート２１’は、ｘ方向に互いに隣接したホール２０’、２２’を有する。次に、これらのプレート２１、２１’は、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘ、２４ｙがそれぞれ生じる回折次数のゼロ次回折次数を連続的に妨げるように、アクチュエータ２６’によって駆動される。アクチュエータ２６’は、適切な接続用デバイス（図示せず）によってプレート２１、２１’に接続され、プロセッサ６によって制御される。
【００５５】
代替実施例では、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘ、２４ｙが同時に発生されず、時間的に交互に発生される。これは、２つの交互に駆動されるレーザ源によって実施することができ、それらの一方が位置合わせビーム・スポット部分２４ｘを発生し、他方のレーザ源が位置合わせビーム・スポット部分２４ｙを発生する。しかし、他の代替実施例では、これは、単一レーザ源を使用し、異なって形作られたシャッタを用いて実施することができ、その一方のシャッタがある方向にスリットを有し、他方が別の直角の方向にスリットを有し、レーザ源のレーザ・ビーム中で交互に駆動される。他の実施例では、２つのビーム整形用対物部及び周波数変調器と組み合わせて、ビーム・スプリッタを使用する。本発明は、その技術的に等価な実施例に限定されない。
【００５６】
スポット２４とマークＭ３の間の相対的な移動が、矢印Ａで示したように、直線に従う必要はないことが、当業者に明らかなはずである。相対的移動は、ともにｘ方向及びｙ方向にそれぞれステップ状でもよく、１つ又は複数のそれぞれ列及び行のステップ・サイズである。その最も簡単な形では、そのようなステップ状の移動は、図３に示しその図を参照して説明したように、まずｘ方向に相対的に移動して位置合わせビーム・スポット部分２４ｘによって列すべてを測定し、次いで、ｙ方向に相対的に移動して位置合わせビーム・スポット部分２４ｙによって行すべてを測定することになり、又はその逆もまた同様になる。後者のケースでは、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘは、長さがＬｙに等しく、位置合わせビーム・スポット部分２４ｙは、長さがＬｘに等しくすることができる。さらに、このステップ状の移動をさせたとき、マークＭ３によって放射された回折次数のセットは、位置合わせビーム・スポット部分２４ｘ及び２４ｙが交互に起源しないことがある。他の次数の起源があり得る、たとえばまず位置合わせビーム・スポット部分２４ｘが起源の２つのセットの回折次数があり得、次いで位置合わせビーム・スポット部分２４ｙからの２セットがあり得る。
【００５７】
示した実施例では、マークＭ３は、ｙ方向と同じように多いｘ方向の正方形形状構造を含む。しかし、これらの数は、変わってもよく、ｘ及びｙ方向で違ってもよい。さらに、正方形形状構造１９のサイズ、並びにピッチは、ｘ及びｙ方向では異なってもよい。構造は、所望なら他の形状を有することができる。
【００５８】
図８ａに、従来技術の粗いマークＭ４を示し、一方図８ｂに、本発明による粗いマークＭ５を示す。マークＭ４及びＭ５は、ともに列及び行の形で配列された複数の正方形形状構造を含む。マークＭ４は、ｙ方向のピッチがＰｙであり、行すべてに等しいが、２つの隣接した列間の１つのピッチが、他の隣接した列間の他のピッチＰｘ１とは異なるＰｘ２である。当業者に知られているように、マークＭ４は、粗い位置合わせを実施するのに使用することができる。というのは、それは位置合わせ放射を生成し、その結果、検出器４の信号は、図５に示す信号と類似の信号になるが、信号中の他の相互間隔から別の相互間隔で、２つの隣接した最大値を有することになるからである。これによって、より大きいピッチＰｘ２を有したスペースに隣接した２つの列を粗く識別するための、プロセッサ６への任意選択肢が得られる。
【００５９】
図８ｂに、ｘ方向に１つの（又は複数の）異なるピッチ（等）Ｐｘ２を有するだけでなく、ｙ方向にもｙ方向の他のピッチＰｙ１とは異なる１つの（又は複数の）ピッチ等Ｐｙ２を有するマークＭ５を示す。したがって、マークＭ５によって、ｘ方向及びｙ方向ともに粗い位置合わせを実施するための、図２の位置合わせ構成への任意選択肢が得られる。
【００６０】
マークＭ３に関して見られたように、マークＭ５は、ｘ方向及びｙ方向のサイズ、及びピッチが異なる四角形形状構造を有してもよい。さらに、列の数は、行の数と必ずしも同じである必要はない。必要なら、正方形又は四角形形状構造でない他の構造を使用してもよい。
【００６１】
当業者に明らかになるように、マークＭ３及びＭ５は、対象物、たとえば基板又は基板テーブル上に、リソグラフィ装置中の露光プロセスによって作ることができる。その目的で、適切なマーク・パターンを有したレチクルが、そのようなリソグラフィ装置中で使用される。図９に、概略的に示すように、１つ又は複数のマーク・パターンＭＰを有したそのようなレチクルＭＡ１を示す。１つ又は複数のマーク・パターンＭＰは、基板Ｗ上のｘ方向及びｙ方向のスクライブレーンと対応したレチクル・スクライブレーン３０中に配置され、当業者に知られた方法で図１に示す装置によって基板Ｗ上に投射される。図８に、レチクルＭＡ１が、当業者に知られたように、基板Ｗ上のダイ領域上に写像される構造と対応したレチクル領域３２も有することを示す。
【００６２】
図２を参照して示す構造によって、アクチュエータ８が基板テーブルＷＴを移動し、それによって基板Ｗを横切る位置合わせビーム１８が移動することが示されているが、位置合わせビーム１８は、適切な装置、たとえば位置合わせビーム１８、したがってスポット部分２４ｘ、２４ｙを、基板Ｗを横切って掃引するように駆動されるミラーによって移動することができ、一方それゆえ基板テーブルＷＴ、したがって基板Ｗが固定位置に留まることになることを理解すべきである。
【００６３】
本文においてＩＣ製造中のリソグラフィ装置の使用について具体的に言及してきたかもしれないが、本明細書に述べたリソグラフィ装置は、光集積システム、磁気領域メモリ（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｄｏｍａｉｎ  ｍｅｍｏｒｙ）の誘導及び検出パターン、フラット・パネル表示装置、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド他の製造など、他の用途を有することができることを理解すべきである。そのような代替用途の文脈では、用語「ウェハ」又は「ダイ」の本明細書でのどのような使用も、それぞれより一般的な用語「基板」又は「対象部分」と同義であると見なすことができることを、当業者は理解されるはずである。本明細書で言及される基板は、露光前又はその後、たとえばトラック（通常、レジスト層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、測定ツール、及び／又は検査ツール中で処理することができる。適用できる場合、本明細書での開示は、そのような及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば複数層のＩＣを生成するために、一度より多く処理することができ、したがって本明細書で使用する用語「基板」は、複数の処理された層をすでに含んだ基板を言うこともある。
【００６４】
光学的リソグラフィの文脈で本発明の実施例の使用について、上記で具体的に言及したことがあるかもしれないが、本発明は、他の用途、たとえばインプリント・リソグラフィ又は浸漬リソグラフィで使用することができ、文脈が許す場合、光学的リソグラフィに限定されないことが、理解されるはずである。インプリント・リソグラフィでは、パターン形成デバイス中のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画定する。パターン形成デバイスのトポグラフィが、基板に施されたレジスト層中に押圧され、その基板上でレジストが、電磁気放射、熱、圧力又はその組み合わせを加えることによって、硬化することができる。パターン形成デバイスは、レジストから取り外され、レジストが硬化後、その中にパターンが残される。
【００６５】
上部側の位置合わせの文脈で本発明の実施例の使用について、上記に具体的に言及してきたかもしれないが、本発明は、位置合わせマークがウェハの底部側に配置された用途において、使用することができることを理解されるはずである。
【００６６】
具体的な位置合わせマークの寸法を有した実施例の使用について、上記に具体的に言及してきたかもしれないが、ＣＭＰ（化学的機械研磨）、ＰＶＤ（物理的気相成長法）、又はエッチングのようないくつかのプロセスについて、位置合わせマークの感度を減少するようなマーク寸法の調節が、本発明の範囲を逸脱せず実施できることを理解されるはずである。
【００６７】
本明細書で使用する用語「放射」及び「ビーム」は、紫外（ＵＶ）線（たとえば、波長が、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍ、或いはほぼそれらの値の波長）、及び極紫外（ＥＵＶ）線（たとえば、波長が、５〜２０ｎｍの範囲内）、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含め、すべてのタイプの電磁気放射を包含する。
【００６８】
文脈が許す場合、用語「レンズ」は、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電気の光学的要素を含め、様々なタイプの光学的要素のいずれか１つ又はその組み合わせを言うことができる。
【００６９】
本発明の具体的な実施例について、上記に述べてきたが、本発明は、述べたようにではなく実施できることを、理解されるはずである。たとえば、本発明は、上記に開示した方法を記述した、１つ又は複数のシーケンスの機械可読の命令を含んだコンピュータ・プログラム、或いはそのようなコンピュータ・プログラムをその中に格納したデータ格納媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスクや光ディスク）の形を取ることができる。
【００７０】
上記の記述は、説明するもので、限定するようには企図されていない。したがって、変更が、特許請求の範囲に述べられた範囲を逸脱せず、説明した本発明に実施できることは、当業者に明らかなはずである。たとえば、図面に、１つの装置から他の装置に信号を送る物理的接続部が示されていることがある。しかし、通信接続部は、すべて無線式であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】レーザ・ステップ位置合わせ構成の概略図である。
【図３】図２のレーザ・ステップ位置合わせ構成中に使用することができるマークを示す図である。
【図４】図２の位置合わせ構成中のマーク及びその放射の一部分を送るためのプレートによって伝達される位置合わせ放射の例を示す図である。
【図５】図４に示す位置合わせ放射を受け取る検出器の出力信号を示す図である。
【図６】単一位置合わせマークに基づき２次元位置合わせ測定を行うために使用することができる位置合わせビーム測定スポットの概略例を示す図である。
【図７】遮断デバイスを示す図である。
【図８ａ】１次元の粗いマーク及び２次元の粗いマークの例をそれぞれ示す図である。
【図８ｂ】１次元の粗いマーク及び２次元の粗いマークの例をそれぞれ示す図である。
【図９】マーク・パターンを有したレチクルを示す図である。
【図１０】回折パターンの回折次数を遮断するための、代替の遮断デバイスを示す図である。
【図１１】回折パターンの回折次数を遮断するための、代替の遮断デバイスを示す図である。
【符号の説明】
【００７２】
ＳＯ  放射源
ＢＤ  ビーム転送システム
ＩＬ  照明器、照明システム
ＩＮ  インテグレータ
ＣＯ  コンデンサ
ＷＴ  基板テーブル、ウェハ・テーブル
Ｂ  放射ビーム
ＡＤ  調節器
ＭＴ  支持構造、マスク・テーブル
ＰＳ  投射システム、屈折投射レンズ・システム
Ｗ  基板、レジスト被覆ウェハ
ＰＷ  第２の位置決め器
ＩＦ  位置センサ
ＭＡ  パターン形成デバイス、マスク
ＰＭ  第１の位置決め器
Ｍ１、Ｍ２  マスク位置合わせマーク
Ｐ１、Ｐ２  基板位置合わせマーク
２  レーザ源
４  検出器
６  プロセッサ
８  アクチュエータ
１０  ミラー
１２  半透過型ミラー、第２のミラー
１４  ミラー
１６  レーザ・ビーム
１６’  回折放射
１６’（ｉ）  位置合わせ放射の回折パターン、回折次数
１６ｘ’（ｉ）  回折次数
１６ｙ’（ｉ）  回折次数
１７  位置合わせビーム・スポット、スポット
１８  位置合わせビーム
１９  正方形形状構造、構造
１９１１  左側最低部の正方形形状構造
１９ｒｕ  右側最高部の正方形形状構造
２０  ホール
２１  プレート
２２  ホール
２０’  ホール
２１’  プレート
２２’  ホール
２４  位置合わせビーム・スポット、スポット
２４ｘ  位置合わせビーム・スポット部分、第１のスポット部分、スポット部分
２４ｙ  位置合わせビーム・スポット部分、第２のスポット部分、スポット部分
２６  アクチュエータ
２６’  アクチュエータ
２９  プレート
３１、３３、３５、３７  ホール
３０  レチクル・スクライブレーン
３２  レチクル領域
Ｍ３  マーク
Ｍ４  粗いマーク、マーク
Ｍ５  粗いマーク、マーク
Ｗ１  幅
Ｌ１  長さ
Ｓ１  間の距離
Ｗｓ  幅
Ｌｓ  長さ
Ｐ１  ピッチ
Ｐ２  ピッチ
Ｌｘ  ｘ方向のマークＭ３の長さ、長さ
Ｌｙ  ｙ方向のマークＭ３の長さ、長さ
Ａ  矢印
Ｐｘ１  他の隣接した列間の他のピッチ
Ｐｘ２  異なるピッチ、ピッチ
Ｐｙ  ｙ方向のピッチ
Ｐｙ１  ｙ方向の他のピッチ
Ｐｙ２  ピッチ
ＭＰ  １つ又は複数のマーク・パターン
ＭＡ１  レチクル
【図１】
2006179929.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８ａ】
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【図８ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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