(57)【要約】【課題】  フローティング電極による放電発生を防止して、表示欠陥の発生のない高信頼性の画像表示装置を提供する。【解決手段】  陰極基板１０の表面にある導電性ターゲットパターンＡＭ等を封止枠ＭＦＬの外側、すなわち真空容器の外部に配置した。これにより、ターゲットパターンＡＭ等は真空容器内部の電界とは無関係となり、帯電による電子軌道への影響、あるいは放電発生が防止され、表示欠陥の発生のない高信頼性の画像表示装置が得られる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の薄膜型電子源を表示領域内にマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置して複数の画素を形成する複数色の蛍光体層と陽極を有する蛍光体基板と、前記表示領域を周回して前記陰極基板と前記蛍光体基板との間に介在して両基板を貼り合せる封止枠とで真空容器を構成してなる画像表示装置であって、
前記陰極基板と前記蛍光体基板の一方又は双方の内面に有する孤立した導電部材は前記封止枠の外側に配置され、前記封止枠の内側に有する導電部材は当該基板に形成された電極の何れかと同電位に接続されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記孤立した導電部材は、前記陰極基板と前記蛍光体基板に画素を形成するプロセスで用いられる位置合わせのためのターゲットパターン、あるいは前記陰極基板と前記蛍光体基板の貼り合せプロセスで用いられる位置合わせのためのターゲットパターン、前記陰極基板と前記蛍光体基板の管理コード等の孤立した導電部材の全てを含むことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記封止枠の内側に有して前記陰極基板と前記蛍光体基板の一方又は双方に形成された電極の何れかと同電位に接続されている導電部材は、当該基板に形成された画素の構成部材から分離される部分であることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
下部電極と、走査線バス配線で給電される上部電極と、前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源を表示領域内にマトリクス状に配置した陰極基板と、
前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層と陽極を有する蛍光体基板と、
を具備した画像表示装置であって、
前記上部電極は、前記走査線バス配線の上層から前記電子加速層を覆って成膜されており、
前記上部電極が、前記表示領域内では、隣接する走査線に対しては互いに電気的に絶縁される如く機械的に分離されており、前記表示領域の周辺では、当該表示領域の最外周の走査線と電気的および機械的に接続されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
下部電極と、走査線バス配線で給電される上部電極と、前記下部電極と上部電極の間に挟持される電子加速層を有し、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加することで前記電子加速層と積層した前記上部電極側より電子を放出する多数の薄膜型電子源を表示領域内にマトリクス状に配置した陰極基板と、前記電子源のそれぞれに対応して配置した複数色の蛍光体層と陽極を有する蛍光体基板と、前記表示領域を周回して前記陰極基板と前記蛍光体基板との間に介在して両基板を貼り合せる封止枠とで真空容器を構成してなる画像表示装置であって、
前記上部電極は、前記走査線バス配線の上層から前記電子加速層を覆って成膜されており、
前記上部電極が、前記表示領域内では、隣接する走査線に対しては互いに電気的に絶縁される如く機械的に分離されており、前記表示領域の周辺では、当該表示領域の最外周の走査線と電気的および機械的に接続されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
前記走査線バス配線は、前記下部電極とは層間絶縁層で隔てられた少なくとも下層とその上の２層からなる構造であり、前記３層構造は前記層間絶縁層に接する金属下層と、この金属下層の上に形成された金属中間層と、この金属中間層の上に形成された金属上層とからなり、
前記３層構造の走査線バス配線を覆って前記上部電極が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記金属下層が、前記上部電極が前記電子源に至る前記３層構造の走査線バス配線の側面での接続電極として機能することを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記表示領域内では、前記上部電極が前記電子源とは上もしくは下の片側で接続、反対側で分離する如く前記金属下層の端部が前記金属中間層の端縁から後退していることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記表示領域の周辺では、前記金属下層の端部は前記３層構造の走査線バス配線の前記電子源とは反対側の側面で前記金属中間層の端縁から突出して前記上部電極と電気的かつ機械的に接続していることを特徴とする請求項６に記載の画像表示装置。
【請求項１０】
前記下部電極は、アルミニウム又はアルミニウム合金であり、前記上部電極がイリジウム、白金、金、またはこれら２種以上の合金の薄膜であることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置。
【請求項１１】
前記走査線バス配線の金属中間層は厚膜のアルミニウムで形成されていることを特徴とする請求項５乃至１０の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項１２】
前記走査線バス配線金属下層は、スパッタで形成されていることを特徴とする請求項５乃至１１の何れかに記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置にかかり、特に薄膜型電子源アレイを用いた自発光型のフラット・パネル・ディスプレイとも称する画像表示装置に好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
微少で集積可能な薄膜電子源とも称する電子放出型電子源を利用する画像表示装置（フィールド・エミッション・ディスプレイ:ＦＥＤ）が開発されている。この種の画像表示装置の電子源は、電子放出型電子源とホットエレクトロン型電子源とに分類される。前者には、スピント型電子源、表面伝導型電子源、カーボンナノチューブ型電子源等が属し、後者には金属―絶縁体―金属を積層したＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型、金属―絶縁体―半導体を積層したＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型、金属―絶縁体―半導体−金属型等の薄膜型電子源がある。
【０００３】
ＭＩＭ型について、例えば特許文献１に、金属―絶縁体―半導体型についてはＭＯＳ型（非特許文献１）、金属―絶縁体―半導体−金属型ではＨＥＥＤ型(非特許文献２などに記載)、ＥＬ型（非特許文献３などに記載）、ポーラスシリコン型（非特許文献４などに記載）などが報告されている。
【０００４】
ＭＩＭ型電子源については、例えば特許文献２にも開示されている。ＭＩＭ型電子源の構造と動作は以下のとおりである。すなわち、上部電極と下部電極との間に絶縁層を介在させた構造を有し、上部電極と下部電極との間に電圧を印加することで、下部電極中のフェルミ準位近傍の電子がトンネル現象により障壁を透過し、電子加速層である絶縁層の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなり、上部電極の伝導帯へ流入する。これらのホットエレクトロンのうち、上部電極の仕事関数φ以上のエネルギーをもって上部電極表面に達したものが真空中に放出される。
【特許文献１】特開平７−６５７１０号公報
【特許文献２】特開平１０−１５３９７９号公報
【非特許文献１】ｊ.Ｖａｃ.Ｓｃｉ.Ｔｅｃｈｏｎｏｌ.Ｂ１１(２)ｐ.４２９−４３２(１９９３)
【非特許文献２】ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ−ｅｌｅｃｔｒｏ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｅｖｉｃｅ、Ｊｐｎ、ｊ、Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏｌ．３６、ｐｐ.９３９
【非特許文献３】Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、応用物理 第６３巻、第６号、５９２頁
【非特許文献４】応用物理  第６６巻、第５号、４３７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この種の画像表示装置では、その製造プロセス上で様々な電気的に孤立した導電層のパターン（以下、孤立電極、あるいはフローティング電極とも称する）が必然的に存在、あるいはプロセス途上で生じる。このようなフローティング電極が真空容器内に存在すると、迷走電子等により帯電して電子軌道を歪めたり、放電を誘発して表示機能を破壊することがある。これらのフローティング電極には、基板内面における電極のパターニングプロセスで切り離されたものに限らず、位置合わせマーク（ターゲットパターン）、プロセス管理用のコードなども含まれる。
【０００６】
また、ＭＩＭ、ＨＥＥＤなど、絶縁層で電子を加速し、上部電極から電子を放出するＦＥＤでは、走査線での電圧降下による面内輝度傾斜を解決するために走査線の低抵抗化が要求される。また、上部電極を隣接する走査線から分離するために、上部電極をスパッタ等の蒸着で形成する際に、所謂セルフアライメント（自己整合）により機械的に分離する方法がある。
【０００７】
しかし、セルフアライメントによる分離では、分離された上部電極を形成する金属薄膜が表示領域の外側にフローティング電極となって孤立した状態で残る。このようなフローティング電極が真空排気された画像表示装置の真空容器内に存在すると、陽極（アノード）電極等との間で放電を招くことがある。このような放電は陰極基板の電子源にまで及ぶと、これを破壊して表示欠陥をもたらし、信頼度を低下させる。
【０００８】
本発明の目的は、上記したフローティング電極による放電発生を防止して、表示欠陥の発生のない高信頼性の画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は、表示領域から外側に離れたフローティング電極は封止枠の外側に配置し、表示領域に近接して封止枠の外側に配置できないフローティング電極は当該表示領域にある電極の何れかと同電位となるように電気的、機械的に接続した。
【００１０】
また、薄膜電子源を用いたＭＩＭ型の画像表示装置の場合には、走査線バス配線を薄膜（金属下層）―肉厚膜（金属中間層）―薄膜（金属上層）の３層構造とし、表示領域内では金属下層の隣接走査線側を金属中間層の端縁から後退させることでセルフアライメントによる上部電極の分離を可能とし、表示領域の外周においては、金属下層の隣接走査線側を金属中間層の端縁から突出させて上部電極を分離しない構造とした。
【発明の効果】
【００１１】
画像表示装置の真空容器内にフローティング電極を存在させないため、帯電による電子軌道への影響や放電発生が防止され、表示欠陥のない高信頼性の画像表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態につき、実施例の図面を用いて詳細に説明する。なお、以下では本発明の実施例をＭＩＭ（金属−絶縁体−金属）型カソードを例として説明するが、他の薄膜型カソードについても同様に適用できるものである。
【実施例１】
【００１３】
図１は、本発明の画素表示装置の実施例１を説明する陰極基板の平面図である。陰極基板は、ガラスを好適とする陰極基板１０のアノードに対向する面に下部電極１１としての信号線と図示しない走査線（走査線バス配線）で給電される上部電極１３を絶縁層を介して交差（通常は直交）配置し、交差部に電子源をマトリクス的に配置する。電子源は、下部電極１１とこの下部電極１１の表面を陽極酸化して形成した電子加速層であるトンネル絶縁層１２と上部電極１３の積層で構成される。図１では、トンネル絶縁層１２で電子源を示した。電子源をマトリクス配置した領域を表示領域ＡＲで示す。
【００１４】
図１中、符号５０Ａは信号線駆動回路チップ、６０Ａは走査線駆動回路チップを示し、それぞれ複数個で信号線駆動回路、走査線駆動回路を構成する。なお、符号ＡＭは蛍光体基板との位置合わせマーク（アライメントマーク）であるが、このアライメントマーク以外にも製造プロセスで用いる各種の位置合わせマーク（ターゲットパターンとも称する）やプロセス管理用のコードなども含まれる。ここでは、ターゲットパターンＡＭを代表として説明する。ターゲットパターンＡＭは、陰極基板１０の導電薄膜パターニングプロセスで同時に形成されるものとする。この陰極基板１０は、封止枠（枠ガラス）ＭＦＬを介在して図示しない蛍光体基板と貼り合わされる。封止枠ＭＦＬは表示領域ＡＲの周りを周回して設置される。
【００１５】
実施例１では、ターゲットパターンＡＭ等が導電性薄膜パターン（電極パターン）であり、これを封止枠ＭＦＬの外側、すなわち真空容器の外部に配置した。これにより、ターゲットパターンＡＭ等は真空容器内部の電界とは無関係となり、帯電による電子軌道への影響、あるいは放電発生が防止され、表示欠陥の発生のない高信頼性の画像表示装置が得られる。
【実施例２】
【００１６】
図２は、本発明の実施例２を説明するための図１における表示領域の「Ａ’」部分（ａ）と「Ａ」部分(ｂ)の断面図であり、図１のＹ方向すなわち走査線と交差する方向で切断した断面図である。図２において、ガラス基板１０の上に下部電極１１、フィールド絶縁層１４、層間絶縁層１５が形成されている。そして、層間絶縁層１５の上層に金属下層１６、金属中間層１７、金属上層１８の３層構造の走査線バス配線が形成され、その上に上部電極１３が成膜されている。金属下層１６と金属上層１８はスパッタ等による薄膜である。金属中間層１７はアルミニウムの肉厚膜であるが、導電ペーストの印刷による厚膜としてもよい。
【００１７】
表示領域ＡＲの一方の外周である「Ａ’」部分を示す図２（ａ）では、上部電極１３が当該表示領域ＡＲの最外周の走査線と電気的および機械的に一体となっている。また、表示領域ＡＲ内では、図２（ｂ）に示したように、隣接する走査線に対してはセルフアライメントで互いに電気的に絶縁される如く機械的に分離されている。図２（ａ）の「Ａ’」部分に示したように、表示領域ＡＲの外側に残る上部電極１３形成用の金属薄膜は表示領域ＡＲの当該最外側にある走査線およびその上の上部電極１３と連続している（この連続は、図１における表示領域ＡＲの上側長辺に沿っている）。したがって、表示領域ＡＲの外側に孤立したフローティング電極は存在しない。よって、前記したような放電は生じることがなく、放電に起因する表示欠陥も発生しない。
【００１８】
次に、本発明による画像表示装置の製造方法の１例について、図３〜図１４を参照して説明する。先ず、図３に示したように、ガラス基板１０上に下部電極１１用の金属膜を成膜する。下部電極１１の材料としてＡｌ系金属を用いる。Ａｌ系金属を用いるのは、陽極酸化により良質の絶縁膜を形成できるからである。ここでは、ＡｌにＮｄを２原子量％ドープしたＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。成膜には、例えば、スパッタリング法を用いる。膜厚は３００ｎｍとした。
【００１９】
成膜後はパターニング工程、エッチング工程によりストライプ形状の下部電極１１を形成した(図４)。下部電極１１の電極幅は画像表示装置のサイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルのピッチ程度、大体１００〜２００ミクロン程度とする。エッチングは例えば燐酸、酢酸、硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この電極は幅の広い簡易なストライプ構造のため、レジストのパターニングは安価なプロキシミティ露光や、印刷法などで行うことができる。
【００２０】
次に、電子放出部を制限し、下部電極１１のエッジへの電界集中を防止するフィールド絶縁層（保護絶縁層とも言う）１４と、トンネル絶縁層１２を形成する。まず、図５に示した下部電極１１上の電子放出部となる部分をレジスト膜２５でマスクし、その他の部分を選択的に厚く陽極酸化してフィールド絶縁層１４とする。化成電圧を１００Ｖとすれば、厚さ約１４０ｎｍの保護絶縁層１４が形成される。その後、レジスト膜２５を除去して残りの下部電極１１の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を６Ｖとすれば、下部電極１１上に厚さ約１０ｎｍの絶縁層（トンネル絶縁層）１２が形成される（図６）。
【００２１】
次に、層間絶縁層１５と、上部電極１３への給電線となる走査線バス配線とスペーサ（後述する）を配置するための金属膜を例えばスパッタリング法等で成膜する（図７）。この層間絶縁層１５は、陽極酸化で形成するフィールド絶縁膜１４にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極11と走査線バス配線間の絶縁を保つ役割を果たす。走査線バス配線の金属中間層１７としてＡｌの肉厚配線を用い、金属下層１６と金属上層１８との間に挟んだ３層膜とする。なお、ここでは、金属下層１６と金属上層１８にはＣｒを用いた。Ａｌの膜厚は配線抵抗を低減するため、できるだけ厚くしておく。ここでは、金属下層１６を１００ｎｍ、金属中間層１７を４μｍ、金属上層１８を１００ｎｍの膜厚とした。金属中間層１７を導電性ペーストのスクリーン印刷等で形成することも可能である。
【００２２】
続いて、パターニングとエッチング工程により金属上層１８を、下部電極１１とは直交するストライプ形状に加工する。このエッチングには、例えば硝酸アンモニウムセリウム＋硝酸水溶液でのウェットエッチングを用いる。（図８）。
【００２３】
先ず、表示領域内の加工について説明する。なお、後述する表示領域外周の加工も表示領域内の加工と同時に行われるが、理解し易いように分けて説明する。図９に示したように、パターニングとエッチング工程により金属下層１６を下部電極１１とは直交するストライプ形状に加工する。エッチングは硝酸アンモニウムセリウム＋硝酸水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、金属下層１６の片側（電子源形成側、図９Ｂ−Ｂ'線断面図の左側）は金属中間層１７より張り出させ（突出させ）て、後の工程で上部電極１３との接続を確保する接続電極（コンタクト部）とし、金属下層１６の反対側（電子源形成側と反対側、図９Ｂ−Ｂ'線断面図の右側）では金属中間層１７をマスクとしてアンダーカットを形成し、後の工程で上部電極１３を分離する庇を形成する。これにより、上部電極１３を自己整合的に分離し、かつ給電を行う走査線バス配線を形成することができる。
【００２４】
続いて、層間絶縁層１５を加工して電子放出部を開口する。電子放出部はサブピクセル内の１本の下部電極１１と、この下部電極１１と直交する２本の上部バス電極に挟まれた空間の直交部の一部に形成する。エッチングは、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる（図１０）。
【００２５】
最後に、上部電極１３の成膜を行う。この成膜法は、例えばスパッタ成膜を用いる。上部電極１３としては、例えばＩｒ、Ｐｔ、Ａｕの積層膜を用い、膜厚は例えば６ｎｍとした。この時、上部電極１３は、電子放出部を挟む２本の走査線バス配線の一方（図１１Ｂ−Ｂ'線断面図の右側）で、金属下層１６の後退で形成された庇構造により切断される。一方、図１１の左側では、走査線バス配線の金属下層１６のコンタクト部（矢印１９で示す）により断線を起こさずに接続され給電される構造となる（図１１）。
【００２６】
次に、表示領域外周の加工について図１２乃至図１４を参照して説明する。前記図９に対応する図１２に示したように、パターニングとエッチング工程により金属下層１６を下部電極１１とは直交するストライプ形状に加工する。エッチングは硝酸アンモニウムセリウム＋硝酸水溶液水溶液でのウェットエッチングで行う。その際、表示領域の最外周（図１の上側長辺の最端に沿って位置する走査線）における金属下層１６の片側（電子源形成側、図１２の左側）は前記した表示領域ＡＲの内側と同様に、金属上層１８より張り出した（突出した）形状として、後の工程で上部電極１３との接続を確保する接続電極（コンタクト部）とし、金属下層１６の反対側（電子源形成側と反対側、図１２の右側、図２（a）Ａ'の部分、すなわち表示領域の境界に位置する部分、図１の上側長辺の最端に沿って表示領域の最外周に位置する部分）では、図９と異ならせた形状すなわち金属中間層１７よりも外側に突出させた形状とする（アンダーカットしない）。
【００２７】
続いて、層間絶縁層１５を加工して電子放出部を開口する。電子放出部はサブピクセル内の１本の下部電極１１と、この下部電極１１と直交する２本の上部バス電極に挟まれた空間の直交部の一部に形成する。エッチングは、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチング剤を用いたドライエッチングによって行うことができる（図１３）。
【００２８】
そして、最後に、上部電極１３の成膜を行うが、前記した上部電極１３は、電子放出部を挟む２本の走査線バス配線の一方（図１４Ｂ−Ｂ'線断面図の右側）で、金属下層１６の突出した部分で金属下層１６の上にも連続して成膜される。この金属下層１６の上に成膜された上部電極１３と同様の金属膜は表示領域の外側に延びる。一方、図１４Ｂ−Ｂ'線断面図の左側では、走査線バス配線の金属下層１６のコンタクト部（矢印１９で示す）により断線を起こさずに接続され給電される構造となる（図１４）。
【００２９】
このような構造としたことで、表示領域の外側で画像表示装置の真空容器内部にフローティング電極がなくなり、放電の発生が抑制され、放電に起因する表示欠陥のない高信頼性を有する画像表示装置が得られる。
【００３０】
図１５は、本発明の画像表示装置の全体構成例の説明図であり、ＭＩＭ型薄膜電子源を用いた画像表示装置を例とした模式平面図である。なお、図１５では、主として電子源を有する一方のガラス基板（陰極基板）１０の平面を示すが、一部に蛍光体を形成した他方のガラス基板（蛍光体基板、表示側基板、カラーフィルタ基板）は、その内面に有するブラックマトリクス１２０と蛍光体１１１，１１２，１１３のみを部分的に示し、基板自体は図示していない。
【００３１】
陰極基板１０には、信号線駆動回路５０に接続する信号線（データ線、信号電極配線）を構成する下部電極１１、走査線駆動回路６０に接続して信号線と直交配置された走査線（３層の走査線バス配線）２１を構成する金属下層１６と金属中間層１７および金属上層１８、フィールド絶縁膜１４、その他の後述する機能膜等が形成されている。なお、陰極（電子放出部、電子源）は、上部バス電極に接続し、絶縁層を介して下部電極１１に積層する上部電極（図示せず）で形成され、絶縁層の薄層部分で形成される絶縁層（トンネル絶縁層１２）の部分から電子が放出される。
【００３２】
一方、表示側基板１０の内面には、表示画像のコントラストを上げるための遮光層すなわちブラックマトリクス１２０と、赤色蛍光体１１１、緑色蛍光体１１２、青色蛍光体１１３とからなる。蛍光体としては、例えば、赤色にＹ2Ｏ2Ｓ:Ｅｕ(Ｐ２２−Ｒ)、緑色にＺｎＳ:Ｃｕ、Ａｌ(Ｐ２２−Ｇ)、青色にＺｎＳ:Ａｇ、Ｃｌ(Ｐ２２−Ｂ)を用いることができる。陰極基板１０と蛍光体基板とはガラス板又はセラミックス板からなるスペーサ３０を介在させて所定の間隔で保持され、表示領域の外周に枠ガラス（封止枠、図示せず）を介在させて内部が真空封止される。
【００３３】
スペーサ３０は、陰極基板１０の走査線２１の上部に配置し、蛍光面基板のブラックマトリクス１２０の下に隠れるように配置する。下部電極１１は信号線駆動回路５０へ接続し、走査線バス配線を構成する走査電極２１は走査線駆動回路６０に接続する。
【００３４】
この陰極構造では、低抵抗のＡｌまたはＡｌ合金（例えば、Ａｌ―Ｎｄ）の配線を耐熱性と耐酸化性のあるＣｒまたはＣｒ合金などにより挟んで積層構造をもつ走査線バス配線としたことにより、表示領域では上部電極１３を自己整合的に加工でき、また封着工程を通しても劣化しない走査線バス配線を作成することができ、表示装置の配線抵抗により電圧降下を抑制することができる。
【００３５】
図１５に示したＭＩＭ電子源は、陰極基板１０上に信号線となる下部電極１１、トンネル絶縁層１２、上部電極１３が積層されて電子放出部を形成し、トンネル絶縁層１２以外の部分はフィールド絶縁層１４、層間絶縁層１５で走査電極と電気的に分離されている。上部電極１３は、表示領域内では、走査電極２１と配線の片側で接続されており、反対側で下層ＣｒまたはＣｒ合金１６のアンダーカットにより分離されている。これにより、各走査電極を電気的に分離する（走査方向の隣接画素の分離）ことが可能である。そして、表示領域の外周では表示領域内での分離がなさないため、当該表示領域の外周に電気的に孤立した電極（フローティング電極）が残ることがない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の画素表示装置の実施例１を説明する陰極基板の平面図である。
【図２】本発明の画素表示装置の実施例２を説明する図１における表示領域の「Ａ」部分（ａ）と「Ａ’」部分(ｂ)の断面図である。
【図３】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図である。
【図４】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図３に続く図である。
【図５】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図４に続く図である。
【図６】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図５に続く図である。
【図７】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図６に続く図である。
【図８】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図７に続く図である。
【図９】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図８に続く図である。
【図１０】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図９に続く図である。
【図１１】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１０に続く図である。
【図１２】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図９と同プロセスの図である。
【図１３】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１０と同プロセスの図である。
【図１４】本発明の薄膜型電子源の製法を示す図１１と同プロセスの図である。
【図１５】本発明の画像表示装置の全体構成例の説明図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０・・・陰極基板、１１・・・下部電極、１２・・・トンネル絶縁層、１３・・・上部電極、１４・・・フィールド絶縁膜（保護絶縁膜）、１５・・・層間絶縁層、２１・・走査線、２５・・・レジスト膜、３０・・・スペーサ、５０・・・信号線駆動回路、６０・・・走査線駆動回路、１１１・・・赤色蛍光、１１２・・・緑色蛍光体、１１３・・・青色蛍光体、１２０・・・ブラックマトリクス、ＡＲ・・・表示領域、ＡＭ・・・ターゲットマーク（アライメントマーク）。
【図１】
2006253018.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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