(57)【要約】【課題】本発明は、アドレス放電を進行させるアドレス電極とスキャン電極が近接するように電極構造を形成してアドレス電圧を低くし、かつ、一定に維持し、発光効率を向上させることができるプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】本発明は、アドレス放電を進行させるアドレス電極とスキャン電極が近接するように電極構造を形成してアドレス電圧を低くし、かつ、一定に維持し、発光効率を向上させるものである。【選択図】図１
2006302875.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び前記第１基板と対向する第２基板と、
前記第１基板と第２基板との間で一方向に沿って平行に配置される第１隔壁を含み、複数の放電セルを区画する隔壁と、
前記第１隔壁と平行した方向に前記第１隔壁内に形成され、前記放電セルを中心に交互に配置され、隣り合う前記放電セルに各々共有される第１電極及び第２電極と、
前記第１電極と第２電極と交差する方向に前記第１基板の上面に配置される複数のアドレス電極と、
前記アドレス電極とアドレス放電を起こす少なくとも前記第１電極に隣接し、前記放電セルに向けて前記アドレス電極から延びて形成されるアドレス補助電極と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記隔壁は、第１隔壁と交差する方向に配置されて、内部に前記アドレス電極が位置する第２隔壁を更に含んで形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記隔壁は誘電体層で形成されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記第１基板または第２基板のうちの少なくともいずれかの１つの基板に形成される蛍光体層を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記放電セルの内部に前記第２基板の下面に形成される第１蛍光体層と前記第１基板の上面に形成される第２蛍光体層とを備える蛍光体層を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記第１電極と第２電極は金属電極で形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記第１電極と第２電極は、垂直方向の断面を基準として水平方向の幅が垂直方向の高さより小さくなるように形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記アドレス補助電極は、前記放電セルを中心に対向する他のアドレス電極と所定距離離隔するように前記アドレス電極から延びて形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記アドレス補助電極は、垂直方向の断面を基準として水平方向の幅が垂直方向の高さより大きくなるように形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記アドレス補助電極は、水平方向の断面を基準として前記第１電極方向の側面が隣接する前記第１電極の側面と所定距離離隔するように形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記アドレス補助電極は、前記第１電極方向の側面が隣接する前記第１電極が配置される第１隔壁の側面と一致するか、所定距離離隔するように形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記アドレス補助電極は、垂直方向の断面を基準として第２基板方向上面の高さが前記第１電極の第１基板方向の下面の高さより低く形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記アドレス補助電極は、前記第１電極方向の側面と前記第１電極間の水平距離が第２電極方向の側面と前記第２電極間の水平距離より短くなるように形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記アドレス補助電極は、互いに隣接して配置され、前記第１電極を共有する両側の放電セルに同時に形成されることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
前記アドレス補助電極は、第１電極を基準として対称する形状で形成されることを特徴とする請求項１４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１６】
前記アドレス補助電極は、外面に補助電極誘電体層が形成されることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１７】
前記補助電極誘電体層は、前記アドレス電極が配置される第２隔壁から前記放電セルを中心に対向する他の第２隔壁と所定距離離隔するように形成されることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１８】
前記補助電極誘電体層は、前記アドレス電極が配置される第２隔壁から前記放電セルを中心に対向する他の第２隔壁と連結されるように形成されることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルに関し、特に、アドレス放電を進行させるアドレス電極とスキャン電極が近接するように電極構造を形成してアドレス電圧を低め、かつ、一定に維持することができるので、発光効率を向上させることができるプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（Plasma Display Panel）は、対向する２つの基板間に形成される放電空間に放電ガスを注入した状態で気体放電を行って得られるプラズマから発生する紫外線によって励起される蛍光体が放出する可視光線を利用して映像を具現するパネルであって、平板表示装置（Flat Display Device）の１つであるプラズマ表示装置に使われるパネルを意味する。このようなプラズマディスプレイパネルは構造と駆動原理によって直流型、交流型及び複合型に分けられる。また、プラズマディスプレイパネルは放電構造によって面放電型と対向放電型とに分けられ、交流型３極面放電プラズマパネルがよく使われている。
【０００３】
従来のプラズマディスプレイパネルは、一般的に、前面基板、前面基板に対向する背面基板及び放電に必要な電極を備えて形成される。
【０００４】
前記前面基板は蛍光体層から発生する可視光が透過するように透明なソーダガラスなどから構成された略２．８ｍｍ厚さのガラス基板であって、その下面には維持放電を発生させるＸ電極とＹ電極が一対をなして配置される。このような透明電極はＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成される透明な電極で形成される。透明電極の下部にはバス電極が形成される。このようなバス電極は透明電極に比べて狭い幅を有し、透明電極のライン抵抗を補償する機能を果たすことになる。前方パネルは透明電極が埋め込まれて露出しないように前面基板の下面に誘電体層が形成され、誘電体層を保護するための保護膜が形成される。
【０００５】
前記背面基板の前面基板と対向する上面にはアドレス電極が前面基板の透明電極と交差するように配置される。また、前面基板と同様に、アドレス電極が露出しないように背面基板の上面に誘電体層が形成される。背面基板の上面には放電距離を維持して放電セル間の電子光学的なクロストーク（cross-talk）を防止するための隔壁が形成される。このような隔壁は前面基板と背面基板との間に形成されて放電を起こす空間としてプラズマディスプレイパネルの画像を具現する基本単位である画素の最小構成要素である放電セルを画定する。放電セルを形成する隔壁の両側面と隔壁が形成されていない背面基板の誘電体層の上面には赤、緑、青の蛍光体が塗布されて単位画素を形成することになる。
【０００６】
このような構造を有するプラズマディスプレイパネルは、伝送される表示データによって維持放電回数を調節して映像表示に必要な階調（gray scale）を具現することになり、このような階調を表現するために通常的に１フレームを放電回数が異なるいろいろなサブフィールドに分けて駆動するＡＤＳ（address and display period separated）方式が利用される。ＡＤＳ方式において、それぞれのサブフィールドはまた放電を均一に起こすためのリセット期間と放電セルを選択するためのアドレス期間と放電回数によって階調を表現する維持期間及び消去期間に分けられる。
【０００７】
このようなサブフィールドの中で、アドレス期間では放電が発生するように選択された放電セルの下部に配置されたアドレス電極に印加されるアドレス電圧とスキャン電極であるＹ電極に順次に印加される接地電圧との差によってアドレス放電が起きる。一方、アドレス電極の中で発光するように選択された放電セルの下部に配置されたアドレス電極には正極性アドレス電圧が印加されるが、そうでないアドレス電極には接地電圧が印加される。これによって、接地電圧の走査パルスが印加される間に正極性アドレス電圧の表示データ信号が印加されれば、これに相応する放電セルではアドレス放電によって壁電荷が形成され、そうでない放電セルでは壁電荷が形成されなくなる。維持電極であるＸ電極はアドレス期間に一層効率のよいアドレス放電のために所定の電圧に維持される。ここで、アドレス放電に必要とするアドレス電圧の大きさはプラズマディスプレイパネルの光効率、構造及び材料の選択などに影響を及ぼすことになる。即ち、アドレス電圧が大きくなるほど消費電力が高まることになって光効率が減少し、背面基板誘電体層と前面基板誘電体層上で発生するスパッタリング現象が増加し、荷電粒子が隔壁を介して隣接する放電セルに移動するクロストークが増加する。従って、通常的にアドレス放電開始電圧が小さなことが有利になる。
【０００８】
しかしながら、３電極面放電方式はスキャン電極とアドレス電極との間の距離が大きいので、相対的に大きい放電電圧が必要となり、２つの電極間が最も近い領域（略放電セルの中心部分）で放電が開始され、その後、放電は電極の縁部領域へ移動する。放電が中心領域で起きる理由はこの領域での放電開始電圧が低いためである。一旦、放電が開始されれば空間電荷の形成により放電開始電圧より低い電圧下で放電が維持され、両電極間にかかる電圧は時間によってますます低くなる。放電が開始された後には中心領域にイオンと電子が積まれることにつれて電場の強さは弱くなり、この領域で放電は消えることになる。即ち、両電極間でかかる電圧は時間が経ることにつれて減少するので、放電セル中心領域（発光効率が低い構造）では強放電が起きて、放電セル縁部（発光効率が高い構造）では弱放電が起きることになる。このような原理で３電極面放電構造は入力エネルギーの中で電子を加熱することに使われる比率が低くなり、結果的に発光効率も低くなる。
【０００９】
従って、最近では、３電極放電方式の短所を改善するために、対向放電方式のプラズマディスプレイパネルに対する開発が進行している。このような対向放電方式はＸ電極とＹ電極が前面基板と背面基板との間の空間で隔壁に形成されて互いに対向する構造で形成され、アドレス電極はＸ電極とＹ電極に交差して形成される。従って、このような対向放電方式ではスキャン電極とアドレス電極との間の距離が面放電方式に比べて短くなるので、アドレス電圧が相対的に低くなることになる。また、対向放電方式では放電セルの内部で全体的に放電が進行するので、放電空間が増加して放電効率が増加することができる。しかしながら、対向放電方式は隔壁に電極が形成されることによって隔壁間の距離、即ち、セルピッチによって放電がなされる電極間の距離が変わることになってアドレス電圧が変わる問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、前記のような問題を解決するためのものであって、アドレス放電を進行するアドレス電極とスキャン電極が近接するように電極構造を形成してアドレス電圧を低め、かつ、一定に維持できるので、発光効率を向上させることができるプラズマディスプレイパネルを提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の課題の解決のために案出した本発明のプラズマディスプレイパネルは、第１基板及び前記第１基板と対向する第２基板と、前記第１基板と第２基板との間で一方向に沿って平行に配置される第１隔壁を含み、複数の放電セルを区画する隔壁と、前記第１隔壁と平行した方向に前記第１隔壁内に形成され、前記放電セルを中心に交互に配置され、隣り合う前記放電セルに各々共有される第１電極及び第２電極と、前記第１電極と第２電極と交差する方向に前記第１基板の上面に配置される複数のアドレス電極と、前記アドレス電極とアドレス放電を起こす少なくとも前記第１電極に隣接し、前記放電セルに向けて前記アドレス電極から延びて形成されるアドレス補助電極と、を含むことを特徴とする。この際、前記隔壁は、第１隔壁と交差する方向に配置され、内部に前記アドレス電極が位置する第２隔壁を更に含んで形成されることができる。また、前記隔壁は誘電体層で形成されることができる。
【００１２】
また、本発明において、前記プラズマディスプレイパネルは、前記第１基板または第２基板のうちの少なくともいずれかの１つの基板に形成される蛍光体層を含んで形成される。また、前記プラズマディスプレイパネルは、前記放電セルの内部に前記第１基板の上面に形成される第１蛍光体層と前記第２基板の下面に形成される第２蛍光体層を備える蛍光体層を含むことができる。この際、前記第１電極と第２電極は金属電極で形成されることができる。また、前記第１電極と第２電極は垂直方向の断面を基準として水平方向の幅が垂直方向の高さより小さくなるように形成されることが好ましい。
【００１３】
また、本発明において、前記アドレス補助電極は前記放電セルを中心に対向する他のアドレス電極と所定距離離隔するように前記アドレス電極から延びて形成されることができる。この際、前記アドレス補助電極は垂直方向の断面を基準として水平方向の幅が垂直方向の高さより大きくなるように形成されることができる。また、前記アドレス補助電極は水平方向の断面を基準として前記第１電極方向の側面が隣接する前記第１電極の側面と所定距離離隔するように形成されることができる。また、前記アドレス補助電極は前記第１電極方向の側面が隣接する前記第１電極が配置される第１隔壁の側面と一致するか、所定距離離隔するように形成されることができる。また、前記アドレス補助電極は垂直方向の断面を基準として第２基板方向上面の高さが前記第１電極の第１基板方向の下面の高さより低く形成されることができる。また、前記アドレス補助電極は前記第１電極方向の側面と前記第１電極間の水平距離が第２電極方向の側面と前記第２電極間の水平距離より短くなるように形成されることができる。
【００１４】
また、本発明において、前記アドレス補助電極は、互いに隣接して配置され、前記第１電極を共有する両側の放電セルに同時に形成されることができる。この際、前記アドレス補助電極は第１電極を基準として対称する形状で形成されることができる。
【００１５】
また、本発明において、前記アドレス補助電極は外面に補助電極誘電体層が形成されることができる。この際、前記補助電極誘電体層は前記アドレス電極が配置される第２隔壁から前記放電セルを中心に対向する他の第２隔壁と所定距離離隔するように形成されることができる。また、前記補助電極誘電体層は前記アドレス電極が配置される第２隔壁から前記放電セルを中心に対向する他の第２隔壁と連結されるように形成されることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るプラズマディスプレイパネルによれば、アドレス補助電極がスキャン電極に隣接して形成されてアドレス放電が進行するので、アドレス電圧を低くすることができる効果がある。
【００１７】
また、本発明によれば、アドレス放電が進行するアドレス補助電極とスキャン電極との間の距離を一定に維持できるので、スキャン電極と維持電極との間の距離、即ち、隔壁間の距離が変更されてもアドレス電圧を一定に維持できる効果がある。
【００１８】
また、本発明によれば、アドレス放電と維持放電のための電極が隔壁の内部及び背面基板側に位置するので、前面基板側に蛍光体層が形成でき、発光効率が向上する効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付の図面及び実施形態を通じて本発明に係るプラズマディスプレイパネルをより詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの部分分解斜視図である。図２は図１のＡ−Ａ水平断面図である。図３は図１のＢ−Ｂ水平断面図である。図４は図１の垂直断面図である。
【００２１】
本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、図１乃至図４を参照すれば、第１基板（以下、“背面基板”という）１０と第２基板（以下、“前面基板”という）２０と隔壁３０と第１電極４０と第２電極５０とを含んで形成される。前記背面基板１０と前面基板２０は所定の間隔で互いに対向し、背面基板１０と前面基板２０との間の空間には前記隔壁３０によって複数の放電セル８０が区画されて形成される。前記放電セル８０は真空紫外線を吸収して可視光を放出する蛍光体層７０を備えて、プラズマ放電によって真空紫外線を発生させる放電ガスが充満されている。
【００２２】
前記背面基板１０はガラスのような材質で形成され、前面基板２０と共にプラズマディスプレイパネルを形成することになる。前記前面基板２０はソーダガラスのような透明な素材で形成され、前記背面基板１０と対向して形成される。また、前記前面基板２０は前記背面基板１０と対向する下面に前面隔壁３５を含んで形成されることができる。以下では、前面基板２０方向（図１で＋Ｚ方向）に向かう構成要素の平面を上面に、背面基板１０方向（図１で−Ｚ方向）に向かう構成要素の平面を下面に区分して説明する。
【００２３】
前記隔壁３０は、一方向（図１のｙ方向）に並べて形成される第１隔壁３０ａと前記第１隔壁３０ａと交差する方向（図１のｘ方向）に形成される第２隔壁３０ｂを含んで形成される。また、前記隔壁３０は、背面基板１０及び前面基板２０と共に放電を起こす空間である複数の放電セル８０を区画することになる。前記第１隔壁３０ａは内部に第１電極４０及び第２電極５０が放電セル８０を中心に交互に配置される。また、前記第２隔壁３０ｂは内部に前記アドレス電極６０が配置される。
【００２４】
前記隔壁３０は、Ｐｂ、Ｂ、Ｓｉ、Ａｌ及びＯなどのような元素を含むガラス成分で形成され、好ましくは、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３のようなフィラー（filler）と、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｆｅなどのような顔料が含まれる誘電体で形成される。但し、ここで前記背面隔壁層３０の成分を限るのではなく、多様な誘電体で形成できることは勿論である。前記隔壁３０は内部に配置される電極の放電が容易に進行できるようにし、放電時に加速される荷電粒子の衝突によって内部に配置される電極の損傷を防止することになる。
【００２５】
前記隔壁３０は第１電極４０と第２電極５０が形成される領域に対応する領域の側面にＭｇＯ保護層３８が形成されることが好ましい。前記ＭｇＯ保護層３８はＰＤＰで誘電体を保護することに使われるＭｇＯを含む材質で形成され、放電過程で電極が損傷することを防止し、２次電子を放出して放電電圧を低くする役割をする。前記ＭｇＯ保護層３８は主にスパッタリング（sputtering）方法、電子ビーム蒸着（E-beam evaporation）方法による薄膜で形成される。
【００２６】
前記前面隔壁３５は前記隔壁３０の水平断面に対応する形状と所定の高さで、前記前面基板２０の下面、即ち、前記隔壁３０と前面基板２０との間に形成されることができる。従って、前記前面隔壁３５は背面基板１０と前面基板２０が結合する際、隔壁３０と一致して結合しながら前記隔壁３０と放電セル８０を区画することになる。従って、前記前面隔壁３５は前記前面基板２０の下面に蛍光体層６０が形成される際、蛍光体層が一定の厚さで形成できるようにして、隣り合う放電セル８０に他の色相の蛍光体が塗布されることが防止できることになる。但し、前記前面基板２０の下面に塗布される蛍光体層６０が一定の厚さで形成されるか、隣り合う放電セル８０に他の蛍光体が塗布されることが防止できると、前記前面隔壁３５が形成できないことは勿論である。前記前面隔壁３５は前面基板２０がエッチングされて前面基板２０と一体形成でき、別途の隔壁材料で形成されることができる。前記前面隔壁３５は前記隔壁３０と同様に誘電体で形成されることができ、このような場合は外面にＭｇＯ保護層が形成できることは勿論である。
【００２７】
前記第１電極４０と第２電極５０は隔壁３０の第１隔壁３０ａに平行に形成され、放電セル８０を中心に交互に配置され、各々隣接する放電セル８０に各々共有される。また、前記第１電極４０と第２電極５０は第１隔壁３０ａの内部に形成され、好ましくは、前面基板２０側（図１の＋Ｚ軸方向）に偏って配置される。従って、前記第１電極４０と第２電極５０は放電セル８０を中心に互いに対向しながら一対をなして放電を進行することになる。また、前記第１電極４０と第２電極５０は、好ましくは、長手方向に垂直に切断した際、水平方向の長さである幅が垂直方向の長さである高さより短くなるように形成される。従って、前記第１電極４０と第２電極５０は、より広い面積で対向放電が進行して、より強い紫外線を形成し、強い紫外線は放電セル８０のより広い面積に亘って蛍光体層７０に衝突して可視光の発光量を増加させることになる。また、前記第１電極４０（以下では、第１電極をアドレス電極とアドレス放電を起こすスキャン電極に設定する）はより広い面積で前記アドレス電極６０と対向放電方式でアドレス放電を起こすことになって、アドレス放電が効率よく進行することができる。ただし、ここでは、前記第１電極４０はスキャン電極に、第２電極５０は維持電極に設定したが、勿論その反対の設定も可能である。
【００２８】
前記第１電極４０と第２電極５０は第１隔壁３０ａ内に配置されて透明性を要しないので、一般的な導電性金属の金属電極からなることができる。前記第１電極４０と第２電極５０は、好ましくは、Ａｇ、Ａｌ、または、Ｃｕなどの導電性が優れ、抵抗が低い金属材料で形成され、放電による応答速度が速くて、信号が歪まなく、維持放電に必要とする消費電力を減らすことになって、いろいろな長所がある。但し、ここで、第１電極４０と第２電極５０の材質を限るのではなく、導電性が優れ、かつ、抵抗の低い多様な金属が使用できることは勿論である。
【００２９】
前記アドレス電極６０は第２隔壁３０ｂと平行な方向に前記第２隔壁３０ｂの内で背面基板１０側（即ち、図１の−Ｚ軸方向）に偏って、放電セル８０の両側に並べて配置される。また、前記アドレス電極６０は第１電極４０とアドレス放電を起こし、前記アドレス電極６０から放電セル８０方向に延びるアドレス補助電極６４を含んで形成される。
【００３０】
前記アドレス補助電極６４は前記第１電極４０と第２電極５０との間でアドレス電極６０と接する一側の放電セル８０の内部方向に形成され、特に、スキャン電極で設定される前記第１電極４０に隣接して形成される。従って、前記アドレス電極６０は前記アドレス補助電極６４と第１電極４０との間でアドレス放電を起こすことになる。また、前記アドレス補助電極６４は第１電極４０方向の側面と前記第１電極４０との間の水平距離が第２電極５０方向の側面と第２電極５０との間の水平距離より短く形成され、アドレス放電は距離が相対的に短いアドレス補助電極６４と第１電極４０との間で進行する。また、前記アドレス補助電極６４は１つの放電セル８０に１つずつ形成される。即ち、前記アドレス補助電極６４は隣接して第１電極４０を共有する第１電極４０の両側の放電セル８０に各々形成され、好ましくは、第１電極４０を基準として対称する形状で形成される。従って、前記アドレス補助電極６４は各放電セル８０で第１電極４０と一定の位置に形成されるので、アドレス放電が均一に起きることになる。
【００３１】
前記アドレス補助電極６４はアドレス電極６０から延びる方向に垂直な方向（即ち、ｘ軸方向）に切断される際、水平方向の距離である幅（ｘ軸方向の長さ）が垂直方向の距離である高さ（ｚ軸方向の長さ）より長くなるように形成される。従って、前記アドレス補助電極６４はより広い面積で第１電極４０と対向放電方式によりアドレス放電を起こすことになる。
【００３２】
前記アドレス補助電極６４はアドレス電極６０から放電セル８０を中心に対向する他のアドレス電極６０と所定距離離隔するように延びて形成される。従って、前記アドレス補助電極６４は延びるアドレス電極６０と放電セル８０を中心に対向する他のアドレス電極６０が互いに電気的に絶縁するように形成される。
【００３３】
前記アドレス補助電極６４は外面に絶縁層が形成され、好ましくは、誘電体層で形成される補助電極誘電体層３４が所定の厚さで形成される。即ち、前記補助電極誘電体層３４はアドレス補助電極６４を全体的に覆うように形成される。また、前記補助電極誘電体層３４は、好ましくは、隔壁３０と同一な材質で形成され、隔壁３０と一体形成されることができる。また、前記補助電極誘電体層３４は放電セル８０を中心に対向する他の第２隔壁３０ｂと所定距離離隔するように形成される。即ち、前記補助電極誘電体層３４は放電セル８０の一側に全体的に形成されないし、背面基板１０の上部のより多い面積に蛍光体層を形成できることになって発光効率が増加する。
【００３４】
前記補助電極誘電体層３４は外面に誘電体層を保護するＭｇＯ保護層３９が形成されることが好ましい。前記ＭｇＯ保護層３９はＰＤＰで誘電体を保護することに使われるＭｇＯ材質で形成され、電極の放電の際、電極が損傷することを防止し、２次電子を放出して放電電圧を低くする役割をする。前記ＭｇＯ保護層３９は、主にスパッタリング（sputtering）方法、電子ビーム蒸着（E-beam evaporation）方法による薄膜で形成される。
【００３５】
前記アドレス補助電極６４は、図４を参照すれば、水平方向断面を基準として隣接する第１電極４０方向の側面６４ａが前記第１電極４０の側面４０ａと所定距離離隔するか一致するように配置される。即ち、前記アドレス補助電極６４は上面６４ｂが第１電極４０の下面４０ｂと直接に対向しなくなる。従って、前記アドレス補助電極６４の上面６４ｂはより広い面積で全体的に第１電極４０の側面４０ａと対向放電方式によりアドレス放電を起こすことになって、アドレス放電が效率のよく進行することができる。
【００３６】
また、前記アドレス補助電極６４は、垂直方向断面を基準として上面６４ｂが前記第１電極４０の下面４０ｂの高さと等しいか低く形成される。前記アドレス補助電極６４は維持放電が起きる第１電極４０と第２電極５０との間で干渉を起こさないようになって、より安定な維持放電を進行することができることになる。好ましくは、前記アドレス補助電極６４は上面６４ｂに形成される補助電極誘電体層３４の上面３４ａの高さが第１電極４０の下面４０ｂの高さより高くないように形成される。即ち、前記補助電極誘電体層３４はその高さが第１電極４０の下面４０ｂの高さより等しいか低くなるように形成される。従って、前記第１電極４０は、第１隔壁３０ａの側面３０ａａにアドレス放電の際、より多い面積の表面に壁電荷が蓄積されることができ、より効果的にアドレス放電が進行できることになる。
【００３７】
また、前記アドレス補助電極６４は、好ましくは、水平方向断面を基準として第１電極方向の側面６４ａが第１電極４０が配置される第１隔壁３０ａのアドレス補助電極６４方向の一側面３０ａと一致するように形成される。従って、前記アドレス補助電極６４はより多い面積の表面に壁電荷が形成されることができ、より効果的にアドレス放電が進行できることになる。
【００３８】
前記蛍光体層７０は、放電セル８０の内部で第１基板１０または第２基板２０の中、少なくともいずれかの１つの基板に形成されることができ、真空紫外線を吸収して可視光を発生させることになる。前記蛍光体層７０は、好ましくは、放電セル８０の内部で背面基板１０の表面に形成される第１蛍光体層７０ａと、前面基板２０の表面に形成される第２蛍光体層７０ｂを含んで形成される。従って、前記第１蛍光体層７０ａは背面基板１０の表面に形成されて真空紫外線を吸収して可視光を発生させ、前面基板２０方向に反射することになる。従って、前記第１蛍光体層７０ａは反射型蛍光体層で形成される。前記第２蛍光体層７０ｂは前面基板２０の内面に形成されて真空紫外線を吸収して可視光を前面基板２０方向に透過させることになる。また、前記第２蛍光体層７０ｂは第１蛍光体層７０ａで反射された可視光を透過させることになる。従って、前記蛍光体層７０は前面基板２０に透過する可視光の透過率を高めるために透過型蛍光体層である第２蛍光体層７０ｂの厚さを反射型蛍光体層である第１蛍光体層７０ａの厚さより薄く形成することが好ましい。従って、前記第２蛍光体層７０ｂにおける可視光の透過率は蛍光体層の厚さに略比例することになるので、第２蛍光体層７０ｂは放電セル８０の発光効率などを考えて適正な厚さで形成される。また、前記第１蛍光体層７０ａは放電セル８０の発光効率を考えて充分な厚さで形成される。一方、対向放電方式を有する電極構造は放電セル８０の前面に別途の電極が形成されなくて、放電セル８０の前面に第２蛍光体層７０ｂが追加形成される構造であるので、面放電方式に比べて可視光の透過率と放電効率が高くなることは勿論である。
【００３９】
前記蛍光体層７０は紫外線を受けて可視光線を発生する成分を有するが、赤色発光放電セルに形成された赤色蛍光体層はＹ（Ｖ、Ｐ）Ｏ４：Ｅｕなどのような蛍光体を含み、緑色発光放電セルに形成された緑色蛍光体層はＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎなどのような蛍光体を含み、青色発光放電セルに形成された青色蛍光体層はＢＡＭ：Ｅｕなどのような蛍光体を含んで形成されることができる。前記蛍光体層７０は、赤色発光、緑色発光、青色発光の蛍光体層に分けられて、隣接するそれぞれの放電セル８０の内部に形成され、赤色発光、緑色発光、青色発光の蛍光体層が形成された互いに隣接する放電セル８０を組み合わせてカラー画像を具現する単位画素を形成することになる。
【００４０】
前記放電セル８０は前記背面基板１０と前記隔壁３０及び前記前面基板２０によって画定されて形成される。前記放電セル８０は内部にプラズマ放電を起こすことができるように放電ガス（例えば、ゼノン（Ｘｅ）、ネオン（Ｎｅ）等を含んだ混合ガス）が充電されている。また、前記放電セル８０は内部に紫外線を吸収して可視光を放出する蛍光体層７０が背面基板１０の上面領域と隔壁３０の所定高さ領域、即ち、前記隔壁３０において前記背面基板１０の上面で前記第１電極４０及び第２電極５０が配置される高さに相応する領域に塗布される。前記放電セル８０は各蛍光体の発光効率によって幅や長さが異なることができる。
【００４１】
次に、本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルについて説明する。図５は本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの部分水平断面図である。本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは図１乃至図４の実施形態と一部の構成要素が同一であるか類似するので、以下では図１乃至図４の実施形態と構成要素に差がある部分を中心に説明する。
【００４２】
本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルで補助電極誘電体層１３４は、図５を参照すれば、アドレス補助電極６４の外面を覆うように形成される。但し、前記補助電極誘電体層１３４は放電セル８０を中心に対向する他の第２隔壁３０ｂに連結されるように形成される。即ち、前記補助電極誘電体層１３４は放電セル８０の一側に全体的に形成される。従って、前記補助電極誘電体層１３４は図１の実施形態に比べて放電セル８０の内部の形状が単純になるので、より容易に形成されることができる。一方、補助電極誘電体層１３４は絶縁層であるので、アドレス補助電極６４を、放電セル８０を中心に対向する他のアドレス電極６０と電気的に絶縁させることに問題がなくなる。
【００４３】
次に、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの放電過程について説明する。
【００４４】
前記プラズマディスプレイパネルでの放電は、リセット放電、アドレス放電及び維持放電の順に進行し、以下ではアドレス放電と維持放電を中心に説明する。
【００４５】
前記アドレス放電は第２隔壁３０ｂに形成されたアドレス電極６０とスキャン電極に設定された第１電極４０との間にアドレス電圧が印加されて進行する。より詳しくは、前記アドレス放電はアドレス電極６０から第１電極４０と第２電極５０との間から放電セル６０方向に延びて形成されたアドレス補助電極６４と第１電極４０との間で進行して維持放電が進行する放電セル８０をアドレッシングすることになる。この際、アドレス放電が進行するアドレス補助電極６４と第１電極４０との間の距離は非常に短くなるので、アドレス電圧を小さくすることが可能になる。また、第１電極４０と第２電極５０との間の距離、即ち、第１隔壁３０ａ間の距離が変更されても、第１電極４０とアドレス補助電極６４の距離を一定に維持することが可能であるので、アドレス電圧を一定に維持することができる。また、アドレス放電でアドレス電圧が小さくなるので、第１電極４０とアドレス補助電極６４に印加された電位により放電セル内に形成される電気場の大きさが増加し、放電セル８０に発生する荷電粒子がより大きいエネルギーを有するように加速されることができ、アドレス放電がより容易に進行できることになる。即ち、対向放電方式のプラズマディスプレイパネルは放電セル８０内に形成される電場の大きさが増大することによって、要求される水準のアドレス放電条件のためにアドレス電極６０に印加される電位を低くすることができ、これはアドレス電極６０に印加される電気的信号を制御する集積回路チップの単価が低減できることになって、結果的に、プラズマディスプレイパネルの製造費用を減らすことができる。一方、前記第１電極４０は第２隔壁３０ｂ方向に隣接する２つの放電セル８０に共有され、アドレス電極６０は第２隔壁３０ｂ方向に形成される放電セル８０に共有される。従って、アドレス放電は一回の放電で第１電極４０を中心に第２隔壁３０ｂ方向に隣接する２つの放電セル８０で同時に進行することができる。
【００４６】
次に、維持放電はアドレッシングされた放電セル８０の両側で互いに対向する第１電極４０と第２電極５０に所定の維持電圧が印加されて進行する。この際、第１電極４０は隣り合う放電セル８０に共有され、第２電極５０は隣り合う各放電セル８０を中心に第１電極４０と対向するように配置される。従って、維持放電は維持放電が進行しなければならない放電セル８０を中心に第１電極４０及び第１電極４０と対向する第２電極５０に維持電圧が印加されて進行する。従って、前記第１電極４０と第２電極５０によって選択される１つの放電セル８０のみに維持放電が進行する。また、前記アドレス補助電極６４は対向する第１電極４０及び第２電極５０より下に配置されるので、維持放電の際、干渉を起こさないことになる。前記維持放電は放電セル８０を中心にロングギャップ（long gap）をなして対向する第１電極４０と第２電極５０との間で対向放電方式により進行するので、放電効率と放電均一性が向上する。一方、前記維持放電は前記第１電極４０を共有する放電セル８０を中心に対向する２つの第２電極５０に維持電圧を印加することになれば隣接する２つの放電セル８０で同時に進行することができ、より効率のよく維持放電が進行できることになる。
【００４７】
以上、説明したように、本発明は上述の特定の好ましい実施形態に限るのではなく、特許請求範囲に記載する本発明の要旨を外れない範囲で当該発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば誰でも多様な変形の実施が可能なことは勿論であり、そのような変更は特許請求範囲の記載の範囲内にあることになる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの部分分離斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ水平断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ水平断面図である。
【図４】図１の垂直断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの水平断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  背面基板
２０  前面基板
３０  隔壁
３４  補助電極誘電層
４０  第１電極
５０  第２電極
６０  アドレス電極
６４  アドレス補助電極
７０  蛍光体層
７０ａ  第１蛍光体層
７０ｂ  第２蛍光体層
８０  放電セル
【図１】
2006302875.tif 000003
【図２】
2006302875.tif 000004
【図３】
2006302875.tif 000005
【図４】
2006302875.tif 000006
【図５】
2006302875.tif 000007