(57)【要約】【課題】  半導体装置の配線構造中の絶縁膜を低誘電率化するとともに、製造安定性を向上させる。【解決手段】  半導体装置１００は、銅含有金属により構成される第１配線１０８と、第１配線１０８の上部を被覆する第１のＣｕシリサイド層１１１と、Ｃｕシリサイド層１１１の上部に設けられ、第１配線１０８に接続される導電性の第１プラグ１１４と、第１プラグ１１４の上部を被覆するＣｕシリサイド層１１７と、第１配線１０８の側壁から第１プラグ１１４の側壁にわたって設けられ、第１配線１０８の側壁と、第１配線１０８の上部と、第１プラグ１１４の側壁とを覆うように形成された第１ポーラスＭＳＱ膜１０５と、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の下層にあって、第１配線１０８の側壁下部に接するとともに、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５よりも膜密度の高い第１ＳｉＣＮ膜１０３と、を有する配線構造を備える。【選択図】  図１０
2006253504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅含有金属により構成される第１の配線と、
前記第１の配線の上部に接して設けられて、前記第１の配線の上部を被覆する第１のキャップメタル膜と、
前記第１のキャップメタル膜の上部に設けられ、前記第１の配線に接続される導電性のビアと、
前記第１の配線の側壁から前記ビアの側壁にわたって設けられ、前記第１の配線の側壁と、前記第１の配線の上部と、前記ビアの側壁とを覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の下層にあって、前記第１の配線の側壁下部に接するとともに、前記絶縁膜よりも膜密度の高い補強絶縁膜と、
を有する配線構造を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記配線構造が、前記ビアの上部に接して設けられて、前記ビアの上部を被覆する第２のキャップメタル膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜が、低誘電率材料により構成されるとともに、前記絶縁膜の上部が、下部よりも高密度化されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜が、低誘電率材料により構成されるとともに、前記絶縁膜の上部の機械的強度が下部より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜が、構成元素として炭素を含む低誘電率材料により構成されるとともに、前記絶縁膜の上部の炭素濃度が下部より低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至５いずれかに記載の半導体装置において、
前記絶縁膜が、電子線照射または紫外線照射されてなる膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記絶縁膜が、ポリオルガノシロキサン膜、水素化シロキサン膜、またはこれらの膜がポーラス化された膜であって、
前記補強絶縁膜が、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＯＮ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記低誘電率材料の赤外吸収スペクトルにおいて、１１５０ｃｍ-1近傍にピークを有する赤外吸収帯のピーク強度Ｉ1が、前記絶縁膜の下部よりも上部において小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記低誘電率材料の赤外吸収スペクトルにおいて、１０５０ｃｍ-1近傍にピークを有する赤外吸収帯のピーク強度Ｉ2が、前記絶縁膜の下部よりも上部において大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記低誘電率材料の赤外吸収スペクトルにおいて、３０００ｃｍ-1近傍にピークを有する赤外吸収帯のピーク強度Ｉ3が、前記絶縁膜の下部よりも上部において小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１または２に記載の半導体装置において、前記絶縁膜中にエアギャップが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１いずれかに記載の半導体装置において、
前記ビアの上部に設けられて前記ビアに接続され、銅含有金属により構成される第２の配線と、
前記絶縁膜の上層にあって、前記第２の配線の側壁下部に接するとともに、前記絶縁膜よりも膜密度の高い第２の補強絶縁膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれかに記載の半導体装置において、
複数の前記配線構造が積層されており、
一の前記配線構造の前記ビアが、前記一の配線構造の上部に設けられた他の配線構造の前記第１の配線に接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１の補強絶縁膜と第１の犠牲層間膜とをこの順に形成する工程と、
前記第１の犠牲層間膜から前記第１の補強絶縁膜にわたる第１の溝部を形成し、前記第１の溝部中に、銅含有金属により構成される第１の配線を形成し、前記第１の配線の上部を被覆する第１のキャップメタル膜とを形成する工程と、
前記第１のキャップメタル膜の上部に、犠牲バリア絶縁膜と第２の犠牲層間膜とをこの順に形成する工程と、
前記第２の犠牲層間膜と前記犠牲バリア絶縁膜とを順次選択的に除去して底部に前記第１のキャップメタル膜が露出する孔を形成し、前記孔内に導電膜を形成して前記第１の配線に接続される導電性のビアを形成し、前記ビアの上部に、前記ビアを被覆する第２のキャップメタル膜を形成する工程と、
第２のキャップメタル膜を形成する前記工程の後、前記第２の犠牲層間膜と、前記犠牲バリア絶縁膜と、前記第１の犠牲層間膜とを順次除去し、前記第１の配線および前記ビアを露出させる工程と、
前記第１の配線の側壁から前記ビアの側壁にわたり、前記第１の配線の側壁と、前記第１の配線の上部と、前記第１の配線に接続される前記ビアの側壁とを覆う絶縁膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜が低誘電率材料により構成され、
絶縁膜を形成する前記工程の後、前記絶縁膜の上部を下部よりも高密度化する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法において、
絶縁膜の上部を下部よりも高密度化する前記工程が、前記絶縁膜に電子線または紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、絶縁膜を形成する前記工程が、前記絶縁膜中にエアギャップを設ける工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至１７いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、絶縁膜を形成する前記工程の後、前記絶縁膜の上部に、第２の補強絶縁膜と第３の犠牲層間膜とをこの順に形成する工程と、
前記第３の犠牲層間膜から前記第２の補強絶縁膜にわたる第２の溝部を形成し、前記第２の溝部中に、銅含有金属により構成される第２の配線を形成し、前記第２の配線の上部を被覆する第３のキャップメタル膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１４乃至１８いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、絶縁膜を形成する前記工程の後、前記絶縁膜の機械的化学研磨を実施し、前記ビア上の前記第２のキャップメタル膜で研磨をとめる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至１８いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、絶縁膜を形成する前記工程の後、前記絶縁膜を機械的化学研磨することにより、前記ビア上の前記絶縁膜と前記第２のキャップメタル膜とを除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線構造を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子の微細化が進むにつれ、メタル配線がしめる信号遅延が顕著になり、その改善が望まれている。その対策として、層間絶縁膜に低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が用いられている。Ｌｏｗ−ｋ膜を層間絶縁膜に用いた配線およびビアの構造に関して、従来、以下のものがある。
【０００３】
図１４は、従来の半導体装置の構成を示す断面図である。図１４に示した半導体装置２００は、以下の手順で製造される。
まず、シリコン基板（不図示）上に、ＳｉＯ2膜２０１およびバリア絶縁膜２０３を形成する。バリア絶縁膜２０３は、たとえばＳｉＣ膜またはＳｉＣＮ膜である。そして、バリア絶縁膜２０３上に、第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５として、ポーラスＳｉＯＣ膜を７０〜２００ｎｍ程度の膜厚で形成する。第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５の上に、ハードマスクＳｉＯ2膜（不図示）を約５０〜１５０ｎｍ形成する。その後、フォトリソグラフィー工程により、ハードマスクＳｉＯ2膜および第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５であるポーラスＳｉＯＣ膜のフロロカーボン系のガスを用いたエッチングおよびアッシングを行い、配線溝を形成する。配線溝中に、バリアメタル膜２１１および銅配線２１３を形成した後、バリア絶縁膜２０７として、ＳｉＣＮまたはＳｉＣ膜を形成する。さらにその上に、第２Ｌｏｗ−ｋ膜２０９として、ポーラスＳｉＯＣ膜を形成し、同様に加工を行い、ビアホール２１５を形成する。こうして、図１４に示した半導体装置２００が得られる。また、その後、ビアホール２１５中に金属膜を埋設し、ビアプラグ（不図示）を形成する。これを繰り返すことにより、多層配線が形成される。
【０００４】
また、非特許文献１および特許文献１には、ポーラスＬｏｗ−ｋ膜に銅配線を形成し、その上にポーラスＬｏｗ−ｋ膜を形成し、そこにビアを形成する構造が記載されている。同文献記載の技術によれば、絶縁膜をポーラスＬｏｗ−ｋ膜にすることで低誘電率にすることができるとされている。
【非特許文献１】S.Nitta他１５名、「Successful Dual Damascene Integration of Extreme Low k Materials(k<2.0) Using a Novel Gap Fill Based Integration Scheme」、IEDM2004 Proceedings、米国、IEEE、2004.12
【特許文献１】米国特許第６４１３８５２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、上記文献に記載の技術について本発明者が検討したところ、以下の点で改善の余地があった。
【０００６】
まず、図１４を参照して前述した半導体装置２００では、フォトリソグラフィー工程により、ハードマスクＳｉＯ2膜（不図示）およびポーラスＳｉＯＣ膜の除去を行う。具体的には、フロロカーボン系のガスを用いたエッチングおよびアッシングを行う。この加工プロセスにより、第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５および第２Ｌｏｗ−ｋ膜２０９の露出部に劣化層２１７が形成されてしまう。このため、劣化層２１７の形成領域では、Ｌｏｗ−ｋ膜中のＳｉ−ＣH3結合が切断されて、Ｌｏｗ−ｋ膜の誘電率が上昇してしまった。
【０００７】
また、銅配線２１３の形成層すなわち配線層上に、配線層よりもメタルの面積が少ないビアが形成された層が設けられた積層部分において、剥離が生じる懸念があった。具体的には、第２Ｌｏｗ−ｋ膜２０９であるポーラスＳｉＯＣ膜とバリア絶縁膜２０７膜であるＳｉＣＮ膜またはＳｉＣ膜との密着性が悪かった。このため、多層配線を形成し、組み立て後、Ｔ／Ｃ（熱サイクル）試験を行ったときに、それぞれの膜の熱膨張係数の違いにより、これらが剥離して、剥離界面２１９が生じてしまう懸念があった。
【０００８】
また、界面における剥離を抑制するためには、第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５と第２Ｌｏｗ−ｋ膜２０９との界面にバリア絶縁膜２０７膜を設けない構成とすることが考えられる。図１５は、このような半導体装置の構成を示す断面図である。図１５に示した半導体装置２１０においては、バリア絶縁膜２０７を有しないため、ビアホールを形成する際のエッチングストッパが必要となる。そこで、半導体装置２１０においては、銅配線２１３の上部にキャップメタル膜２２１が設けられている。
【０００９】
ところが、配線やビア径が微細になると、ビアの形成時の目合わせでずれが生じたり、大きな直径のウェーハでは、一部の領域で配線とビアとの目合わせずれが発生したりすることがある。図１５の半導体装置２１０では、配線層をなす第１のＬｏｗ−ｋ膜２０５および第２のＬｏｗ−ｋ膜２０９としてポーラスＳｉＯＣ膜が積層されており、第２のＬｏｗ−ｋ膜２０９中にビアホールを形成する際の目合わせずれにより、アンランデッドビア２２６が形成されている。この構造では、ビアホールがアンランデッドビア２２６となる目合わせずれが生じると、加工対象であるＬｏｗ−ｋ膜がポーラスであるため、エッチング速度が速く、いわゆるビアの踏み外しが起こってしまう。具体的には、目合わせずれが生じなければビアホールが銅配線２１３の上部で止まるところが、目合わせのずれたところでは、第１のＬｏｗ−ｋ膜２０５領域まで深さ方向に速やかにエッチングが進行してしまう。これにより、ビアホール中にバリアメタル膜や銅膜を埋設する際に、埋設不良が生じる懸念があった。
【００１０】
また、背景技術の項で前述した特許文献１においては、デュアルダマシン法により配線構造を作製しているが、デュアルダマシン法で配線および接続プラグを銅により構成した場合、半導体装置の歩留が悪く、安定的に生産されないという課題があった。また、半導体装置を安定的に長期間利用するためには、なお改善の余地を有しており、半導体装置の素子の信頼性を高めるため、さらなる改良が望まれていた。
【００１１】
そこで、特許文献１に記載の技術をシングルダマシン工程に適用しようとした場合、以下の構成となると考えられる。図１６（ａ）および図１６（ｂ）は、特許文献１に記載の技術をシングルダマシン工程に適用しようとした際の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【００１２】
まず、図１６（ａ）に示したように、シリコン基板（不図示）の上部に、ＳｉＯ2膜２０１およびバリア絶縁膜２０３を形成する。そして、バリア絶縁膜２０３上に、第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５およびハードマスクＳｉＯ2膜（不図示）を形成する。その後、フォトリソグラフィー工程により、ハードマスクＳｉＯ2膜および第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５のフロロカーボン系のガスを用いたエッチングおよびアッシングを行い、配線溝を形成する。配線溝中に、バリアメタル膜２１１および銅配線２１３を形成する。そして、銅配線２１３の上部に選択的にキャップメタル膜２２１としてＣｕシリサイド層を形成する（図１６（ａ））。
【００１３】
つづいて、図１６（ｂ）に示したように、第１Ｌｏｗ−ｋ膜２０５およびバリア絶縁膜２０３をこの順に除去し、銅配線２１３を露出させる。
【００１４】
ところが、この構成では、銅配線２１３のストッパーであるバリア絶縁膜２０３をエッチングで取り去る段階で、エッチング条件の制御が困難で配線がリフトオフしてしまうことがあった。その理由としては、図１６（ｂ）に示すように、銅配線２１３と下層（ＳｉＯ2膜２０１）との界面にエッチャントが入り込み、銅配線２１３が浮き上がってしまうことが挙げられる。
【００１５】
以上のように、層間絶縁膜に低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）の適用が採用されつつあるが、シングルダマシン工程において、層間絶縁膜のＬｏｗ−ｋ化をおこなうと、Ｌｏｗ−ｋ膜の加工時のＬｏｗ−ｋ膜の劣化が起こり、実質的には誘電率の低下が困難である懸念があった。また、Ｌｏｗ−ｋ膜の採用による層間絶縁膜の機械的強度の低下により、特に、データ率の少ないビア部の層間膜界面による剥がれの発生が顕著になっていた。また、配線構造が微細になることで、配線とビアの間で目合わせずれが起こり、配線とＬｏｗ−ｋ膜の間に空隙ができてしまう懸念があった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明によれば、
銅含有金属により構成される第１の配線と、
前記第１の配線の上部に接して設けられて、前記第１の配線の上部を被覆する第１のキャップメタル膜と、
前記第１のキャップメタル膜の上部に設けられ、前記第１の配線に接続される導電性のビアと、
前記第１の配線の側壁から前記ビアの側壁にわたって設けられ、前記第１の配線の側壁と、前記第１の配線の上部と、前記ビアの側壁とを覆うように形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜の下層にあって、前記第１の配線の側壁下部に接するとともに、前記絶縁膜よりも膜密度の高い補強絶縁膜と、
を有する配線構造を備えることを特徴とする半導体装置が提供される。
【００１７】
この構成において、下層にある第１の配線の形成層と上層にあるビアの形成層との境界部は、絶縁膜中のデータ率が不連続的に顕著に変化する部分である。このような部分に異種材料からなる膜が設けられていると、膜の界面において剥離が生じる原因となる。これに対し、本発明によれば、第１の配線の上部に第１のキャップメタル膜が設けられているとともに、第１の配線の側壁からビアの側壁にわたって絶縁膜が設けられており、当該絶縁膜が第１の配線の側壁、第１の配線の上部、およびビアの側壁を覆うように形成されている。このため、第１の配線の形成層とビアの形成層との境界部に異種材料からなる膜が設けられていない構成とすることができるので、第１の配線の形成層とビアの形成層との境界部における絶縁膜の剥離を抑制することができる。また、異種材料からなる膜が設けられていないため、絶縁膜の誘電率を効果的に低下させることができる。
【００１８】
なお、本明細書において、データ率とは、絶縁層において金属膜の占める面積割合をいう。一般に、配線が形成された層はデータ率が高く、ビアが形成された層はデータ率が低く、これらのデータ率は顕著に異なる。
【００１９】
また、第１の配線の上部に第１のキャップメタル膜が設けられているため、前述した異種材料からなる膜を有しない構成であっても、ビアを安定的に形成することができる。また、絶縁膜が第１の配線の側壁、第１の配線の上部、およびビアの側壁を覆うように形成されているため、第１のキャップメタル膜上に設けられるビアに目合わせずれが生じた場合にも、ビアの埋設不良やそれに伴う製造歩留まりの低下が抑制されている。
【００２０】
また、この構成によれば、第１の配線の側壁下部に接して、絶縁膜よりも膜密度の高い補強絶縁膜が設けられているため、第１の絶縁膜の底面を補強して保護するともに、第１の配線が補強絶縁膜中に支持されて、製造工程中で第１の配線の底面が剥離することを抑制できる。
【００２１】
よって、本発明の半導体装置によれば、絶縁膜の誘電率を効果的に低下させることが可能な構成であるとともに、製造安定性に優れた構成となっている。
【００２２】
本発明において、前記絶縁膜が、前記第１の配線の側壁から前記ビアの側壁にわたって連続一体に形成された構成とすることができる。本明細書において、連続一体とは、連続体として一体に成形されていることをいう。また、単一部材からなり、接合部を有しない構造であることが好ましい。絶縁膜が、複数の膜が積層された構成の場合、膜と膜との界面が存在するため、界面において剥離が生じる懸念があるが、この構成によれば、このような界面が存在しないため、絶縁膜の熱サイクル特性をさらに向上させることができる。また、絶縁膜の誘電率をより一層効果的に低下させることができる。
【００２３】
また、本発明によれば、
第１の補強絶縁膜と第１の犠牲層間膜とをこの順に形成する工程と、
前記第１の犠牲層間膜から前記第１の補強絶縁膜にわたる第１の溝部を形成し、前記第１の溝部中に、銅含有金属により構成される第１の配線を形成し、前記第１の配線の上部を被覆する第１のキャップメタル膜とを形成する工程と、
前記第１のキャップメタル膜の上部に、犠牲バリア絶縁膜と第２の犠牲層間膜とをこの順に形成する工程と、
前記第２の犠牲層間膜と前記犠牲バリア絶縁膜とを順次選択的に除去して底部に前記キャップメタル膜が露出する孔を形成し、前記孔内に導電膜を形成して前記第１の配線に接続される導電性のビアを形成し、前記ビアの上部に、前記ビアを被覆する第２のキャップメタル膜を形成する工程と、
第２のキャップメタル膜を形成する前記工程の後、前記第２の犠牲層間膜と、前記犠牲バリア絶縁膜と、前記第１の犠牲層間膜とを順次除去し、前記第１の配線および前記ビアを露出させる工程と、
前記第１の配線の側壁から前記ビアの側壁にわたり、前記第１の配線の側壁と、前記第１の配線の上部と、前記第１の配線に接続される前記ビアの側壁とを覆う絶縁膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２４】
本発明によれば、第１の犠牲層間膜、犠牲バリア絶縁膜、および第２の犠牲層間膜を除去して第１の配線とビアとを露出させた後、第１の絶縁膜の側壁からビアの側壁にわたる絶縁膜を形成する。このため、絶縁膜を形成した後、これを選択的に除去して溝部や孔を形成する工程が生じない。このため、絶縁膜の加工処理による劣化を抑制することができる。また、これらの犠牲膜を除去する工程を、第１の配線が第１の補強絶縁膜に支持された状態で行うため、犠牲膜の除去工程における第１の配線の剥離を抑制することができる。
【００２５】
また、第１の配線の上部に第１のキャップメタルを形成し、第１のキャップメタルの上部に犠牲バリア絶縁膜を形成する工程を含むため、第１の配線の上部にビアホールを形成する際に、下層にある第１の配線とビアホールとの目合わせずれが生じた場合にも、ビアホールが第１の配線の側方に過度に深く形成されることが抑制される。このため、その後のビアの埋設不良およびそれに伴う歩留まりの低下を抑制することができる。
【００２６】
このように、本発明によれば、絶縁膜の誘電率が効果的に低下した構成の半導体装置を安定的に製造し、製造歩留まりを向上させることができる。
【発明の効果】
【００２７】
以上説明したように本発明によれば、半導体装置の配線構造中の絶縁膜を低誘電率化するとともに、製造安定性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、低誘電率膜中に銅含有金属の多層配線構造が設けられた半導体装置をシングルダマシンプロセスにより製造する場合について、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、すべての図面において、共通の構成要素には同一の符号を付し、以下の説明において共通する説明を適宜省略する。
【００２９】
（第一の実施形態）
図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図１０（ｂ）に示した半導体装置１１０は、図１０（ａ）に示した半導体装置１００において、配線とビアとの接続部分に目ずれが生じた場合の構成を示している。
【００３０】
図１０（ａ）に示した半導体装置１００は、シリコン基板上に層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜中に銅配線およびビアからなる多層配線構造が設けられた構造を有する。図示した構造は、こうした多層配線構造の一部を示すものであり、下層配線が導電性のビア（プラグ）を介して、上層配線に接続されたシングルダマシン構造を有している。
半導体装置１００は、銅含有金属により構成される第１の配線（第１配線１０８）と、第１配線１０８の上部に接して設けられて、第１配線１０８の上部を被覆する第１のキャップメタル膜（Ｃｕシリサイド層１１１）と、Ｃｕシリサイド層１１１の上部に設けられ、第１配線１０８に接続される導電性のビア（第１プラグ１１４）と、第１配線１０８の側壁から第１プラグ１１４の側壁にわたって設けられ、第１配線１０８の側壁と、第１配線１０８の上部と、第１プラグ１１４の側壁とを覆うように形成された絶縁膜（第１ポーラスＭＳＱ膜１０５）と、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の下層にあって、第１配線１０８の側壁下部に接するとともに、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５よりも膜密度の高い補強絶縁膜（第１ＳｉＣＮ膜１０３）と、を有する配線構造を備える。
また、この配線構造は、第１プラグ１１４の上部に接して設けられて、第１プラグ１１４の上部を被覆する第２のキャップメタル膜（Ｃｕシリサイド層１１７）を有する。
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、第１配線１０８の側面から第１プラグ１１４の側面にわたって連続一体に設けられている。第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、第１配線１０８の配線間および第１プラグ１１４間に埋設された中実の膜である。
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、低誘電率材料により構成されるとともに、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上部が、下部よりも高密度化されている。また、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、上部の機械的強度が下部より高い膜である。また、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、構成元素として炭素を含む低誘電率材料により構成され、上部の炭素濃度が下部よりも低い。
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、電子線照射または紫外線照射されてなる膜である。
低誘電率材料の赤外吸収スペクトルにおいて、１１５０ｃｍ-1近傍にピークを有する赤外吸収帯のピーク強度Ｉ1が、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の下部よりも上部において小さい。この吸収帯は、Ｃａｇｅ（かご）型Ｓｉ−Ｏ構造を反映する吸収帯である。なお、１１５０ｃｍ-1近傍とは、たとえば１１００〜１２００ｃｍ-1である。
前記低誘電率材料の赤外吸収スペクトルにおいて、１０５０ｃｍ-1近傍にピークを有する赤外吸収帯のピーク強度Ｉ2が、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の下部よりも上部において大きい。この吸収帯は、Ｌａｄｄｅｒ（梯子）型Ｓｉ−Ｏ構造を反映する吸収帯である。なお、１０５０ｃｍ-1近傍とは、たとえば１０００〜１１００ｃｍ-1である。
前記低誘電率材料の赤外吸収スペクトルにおいて、３０００ｃｍ-1近傍にピークを有する赤外吸収帯のピーク強度Ｉ3が、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の下部よりも上部において小さい。この吸収帯は、Ｃ−Ｈ結合を由来の吸収帯であり、Ｉ3が大きいほど、膜中の炭素濃度が高い。なお、３０００ｃｍ-1近傍とは、たとえば２９５０〜３０５０ｃｍ-1である。
【００３１】
なお、本明細書において、「ピーク強度」とは、赤外吸収スペクトル中の赤外吸収帯、つまり吸収曲線とそのベースラインとで囲まれる領域において、ピーク位置の吸光度から、ピーク位置の波数におけるベースラインの吸光度を差し引いた値である。それぞれの赤外吸収帯のベースラインは、通常、以下の範囲内でひくことができる。
Ｉ1：１０００〜１１００ｃｍ-1
Ｉ2：１１００〜１２００ｃｍ-1
Ｉ3：３０５０〜２８００ｃｍ-1
半導体装置１００は、このような配線構造が複数積層されており、一の前記配線構造の第１プラグ１１４が、当該一の配線構造の上部に設けられた他の配線構造の第１の配線（第２配線１２４）に接続されている。
また、半導体装置１００は、第１プラグ１１４の上部に設けられ、第１プラグ１１４に接続され、銅含有金属により構成される第２の配線（第２配線１２４）と、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上層にあって、第２配線１２４の側壁下部に接するとともに、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５よりも膜密度の高い第２の補強絶縁膜（第２ＳｉＣＮ膜１１９）と、を有する。第２ＳｉＣＮ膜１１９の上部には第２ポーラスＭＳＱ膜１２１が設けられ、第２ＳｉＣＮ膜１１９は第２ポーラスＭＳＱ膜１２１よりも膜密度が高い膜である。
【００３２】
以下、半導体装置１００の構成をさらに詳細に説明する。
半導体装置１００は、シリコン基板（不図示）上に、多層膜１０１、第１ＳｉＣＮ膜１０３、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５、第２ＳｉＣＮ膜１１９および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１がこの順に積層された構成である。多層膜１０１は、層間絶縁膜と配線層との積層膜である。
【００３３】
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、第１配線１０８の底面近傍を除く領域と第１プラグ１１４とを内包する連続一体の膜である。第２ポーラスＭＳＱ膜１２１は、第２配線１２４の底面近傍を除く領域と第２プラグ１３０とを内包する連続一体の膜である。
【００３４】
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１は、低誘電率材料により構成された層間絶縁膜である。第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１は、上面側から紫外線照射または電子線照射されてなる膜である。紫外線の波長は、たとえば１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。また、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１は、下部すなわちシリコン基板側よりも上部の膜密度が高く、機械的強度が強化された膜である。第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１において、たとえば膜の上部の機械的強度が下部の機械的強度の２倍以上である構成とすることができる。こうすれば、データ率の低い第１プラグ１１４の形成層の上部の強度をさらに確実に高めることができるため、製造安定性をより一層向上させることができる。
【００３５】
また、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１は、下部よりも上部において、ポーラスＭＳＱ中のＣ−Ｈ結合の量が減少していてもよいし、ポーラスＭＳＱ中のＬａｄｄｅｒ（梯子）型のＳｉ−Ｏ結合量が増加していてもよいし、ポーラスＭＳＱ中のＣａｇｅ（かご）型のＳｉ−Ｏ結合量が減少していてもよく、さらに、これらの複数が同時に満たされていてもよい。これらの結合量の変化は、たとえば赤外線吸収測定により検出することができる。
【００３６】
また、さらなる機械的強度向上が必要な場合は、後処理条件の制御により、上層の炭素濃度を容易に減少させることができ、結果的に炭素濃度の減少は、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）やＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析法）などの測定により、簡単に観測できる。
【００３７】
なお、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１において、膜密度、機械的強度、ポーラスＭＳＱ中のＣ−Ｈ結合量、ポーラスＭＳＱ中のＬａｄｄｅｒ型のＳｉ−Ｏ結合量、およびポーラスＭＳＱ中のＣａｇｅ型のＳｉ−Ｏ結合の量といった膜の組成および物性は、膜の上部と下部において異なる構成であればよく、たとえば第１ＳｉＣＮ膜１０３から遠ざかるに従って漸次的に変化している構成とすることができる。
【００３８】
また、半導体装置１００は、データ率が不連続的に変化する不連続面に、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の組成または物性が不連続的に変化する不連続面が位置しない構成である。特に、データ率の高い領域上にデータ率の低い領域が設けられている際に、データ率の低い領域の底面の位置する水準に、ポーラスＭＳＱ膜の組成または物性の不連続面が存在しない。具体的には、第１配線１０８と第１プラグ１１４との境界面と同一水準、および第２配線１２４と第２プラグ１３０との境界面と同一水準に、それぞれ、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の組成または物性の不連続面が存在しない。
【００３９】
また、少なくとも第１配線１０８の底面と同一の水準から第１プラグ１１４の底面と同一の水準までの範囲、および第２配線１２４の底面と同一の水準から第２プラグ１３０の底面と同一の水準までの範囲においては、両端を含めて、それぞれ、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の組成または物性の不連続面が存在しない。
【００４０】
なお、第１プラグ１１４の底面よりも上部であって、第１プラグ１１４の上面以下の水準の領域、および第２プラグ１３０の底面よりも上部であって、第２プラグ１３０の上面以下の水準の領域には、それぞれ、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の組成または物性の不連続面が設けられていてもよい。第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１が、膜全体において組成または物性の不連続面を有しない構成とすることがさらに好ましい。こうすれば、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の熱サイクル特性をより一層向上させることができる。
【００４１】
第１ＳｉＣＮ膜１０３および第２ＳｉＣＮ膜１１９は、それぞれ、第１配線１０８および第２配線１２４の側面下部に接し、それぞれ、第１配線１０８および第２配線１２４を支持する膜として機能する。また、第２ＳｉＣＮ膜１１９は、金属膜のデータ率が急激に大きくなる第１プラグ１１４と第２配線１２４との境界部において、第２ポーラスＭＳＱ膜１２１と第１ポーラスＭＳＱ膜１０５との間に介在して配線構造間を補強する補強膜として機能する。
【００４２】
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５中には、第１配線１０８、Ｃｕシリサイド層１１１、第１プラグ１１４、およびＣｕシリサイド層１１７がこの順に接続された状態で埋設されている。また、第２ポーラスＭＳＱ膜１２１中には、Ｃｕシリサイド層１１７に接続された第２配線１２４、Ｃｕシリサイド層１２７、第２プラグ１３０、およびＣｕシリサイド層１３３がこの順に接続された状態で埋設されている。第１プラグ１１４および第２プラグ１３０は、配線に接続された導電性のビアプラグである。
【００４３】
第１配線１０８は、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５から第１ＳｉＣＮ膜１０３にわたって設けられており、第１Ｃｕ配線１０９と第１Ｃｕ配線１０９の側面および底面を被覆するバリアメタル膜１０７とから構成され、第１Ｃｕ配線１０９の上面がＣｕシリサイド層１１１により被覆されている。第１配線１０８は、側面下部において、第１ＳｉＣＮ膜１０３により支持され、多層膜１０１上に固定されている。
【００４４】
Ｃｕシリサイド層１１１上には、第１配線１０８に電気的に接続される第１プラグ１１４が設けられている。第１プラグ１１４は、第１Ｃｕビア１１５と第１Ｃｕビア１１５の側面および底面を被覆するバリアメタル膜１１３とから構成され、第１Ｃｕビア１１５の上面はＣｕシリサイド層１１７により被覆されている。
【００４５】
第２配線１２４は、第２ポーラスＭＳＱ膜１２１から第２ＳｉＣＮ膜１１９にわたって設けられており、第２Ｃｕ配線１２５と第２Ｃｕ配線１２５の側面および底面を被覆するバリアメタル膜１２３とから構成され、第２Ｃｕ配線１２５の上面がＣｕシリサイド層１２７により被覆されている。第２配線１２４は、側面下部において、第２ＳｉＣＮ膜１１９により支持されて、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５上に固定されている。
【００４６】
Ｃｕシリサイド層１２７上には、第２配線１２４に電気的に接続される第２プラグ１３０が設けられている。第２プラグ１３０は、第２Ｃｕビア１３１と第２Ｃｕビア１３１の側面および底面を被覆するバリアメタル膜１２９とから構成され、第２Ｃｕビア１３１の上面はＣｕシリサイド層１３３により被覆されている。
【００４７】
また、図１０（ｂ）に示した半導体装置１１０の基本構成は図１０（ａ）に示した半導体装置１００と同様であるが、第１プラグ１１４に代わり、バリアメタル膜１１２と第１Ｃｕビア１１６とから構成される第１プラグ１１８が設けられており、第１プラグ１１８が目ずれ部１３７を有する点が異なる。また、第２プラグ１３０に代わり、バリアメタル膜１２８と第２Ｃｕビア１３２とから構成される第２プラグ１３４が設けられており、第２プラグ１３４が目ずれ部１３９を有する点が異なる。
【００４８】
次に、図１０（ａ）に示した半導体装置１００の製造方法を説明する。図１（ａ）〜図９（ａ）は、半導体装置１００の製造工程を示す断面図である。
【００４９】
本実施形態の製造方法は、第１の補強絶縁膜（第１ＳｉＣＮ膜１０３）と第１の犠牲層間膜（第１ＳｉＯ2膜１４１）とをこの順に形成する工程と、第１ＳｉＯ2膜１４１から第１ＳｉＣＮ膜１０３にわたる第１の溝部を形成し、第１の溝部中に、銅含有金属により構成される第１の配線（第１配線１０８）を形成し、第１配線１０８の上部を被覆する第１のキャップメタル膜（Ｃｕシリサイド層１１１）を形成する工程と、Ｃｕシリサイド層１１１の上部に、犠牲バリア絶縁膜（犠牲ＳｉＣＮ膜１４３）と第２の犠牲層間膜（第２犠牲ＳｉＯ2膜１４５）とをこの順に形成する工程と、第２犠牲ＳｉＯ2膜１４５と犠牲ＳｉＣＮ膜１４３とを順次選択的に除去して底部にＣｕシリサイド層１１１が露出する孔を形成し、孔内に導電膜を形成して第１配線１０８に接続される導電性のビア（第１プラグ１１４）と、第１プラグ１１４の上部に、第１プラグ１１４を被覆する第２のキャップメタル膜（Ｃｕシリサイド層１１７）とを形成する工程と、Ｃｕシリサイド層１１７を形成する工程の後、第２犠牲ＳｉＯ2膜１４５と、犠牲ＳｉＣＮ膜１４３と、第１ＳｉＯ2膜１４１とを順次除去し、第１配線１０８および第１プラグ１１４を露出させる工程と、第１配線１０８の側壁から第１プラグ１１４の側壁にわたり、第１配線１０８の側壁と、第１配線１０８の上部と、第１プラグ１１４の側壁とを覆う絶縁膜（第１ポーラスＭＳＱ膜１０５）を形成する工程と、を含む。また、各上記工程を繰り返して、多層配線構造を形成する。
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、低誘電率材料により構成され、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を形成する工程の後、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上部を下部よりも高密度化する。第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上部を下部よりも高密度化する工程は、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５に電子線または紫外線を照射する工程を含む。
第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を形成する工程の後、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上部に、第２の補強絶縁膜（第２ＳｉＣＮ膜１１９）と第３の犠牲層間膜（不図示のＳｉＯ2膜）とをこの順に形成する工程と、第３犠牲層間膜から第２ＳｉＣＮ膜１１９にわたる第２の溝部を形成し、第２の溝部中に、銅含有金属により構成される第２の配線（第２配線１２４）を形成し、第２配線１２４の上部を被覆する第３のキャップメタル膜（Ｃｕシリサイド層１２７）を形成する工程と、を含む。
また、本実施形態の製造方法は、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を形成する工程の後、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を機械的化学研磨により平坦化し、第１プラグ１１４上のＣｕシリサイド層１１７で、研磨をとめる工程を含む。
【００５０】
以下、半導体装置１００の製造方法をさらに詳細に説明する。
まず、図１（ａ）に示したように、多層膜１０１上に、第１の補強絶縁膜として、第１ＳｉＣＮ膜１０３を約２０〜５０ｎｍ形成し、次に、第１犠牲層間膜として、７０〜２００ｎｍ程度の膜厚の第１ＳｉＯ2膜１４１を形成する。リソグラフィー技術を用いて、第１ＳｉＣＮ膜１０３と第１ＳｉＯ2膜１４１の加工を行い、配線溝を形成する。
【００５１】
つづいて、バリアメタル膜１０７として、Ｔａ系メタル膜を１０〜３０ｎｍ程度形成する。そして、スパッタリング法によりＣｕシード膜（不図示）を５０〜１５０ｎｍ程度形成する。さらに、めっき技術を用いて、配線溝を埋め込むようにＣｕめっき膜を２００〜６００ｎｍ程度形成し、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ）技術を用いて、配線溝中に埋設された第１配線１０８を形成する。
【００５２】
次に、第１Ｃｕ配線１０９の上面のシリサイド化、具体的にはＳｉＨ4処理を行い、第１Ｃｕ配線１０９の上部に、キャップメタルとして機能するＣｕシリサイド層１１１を２〜１５ｎｍ程度選択的に形成する。そして、Ｃｕシリサイド層１１１の上に、犠牲ＳｉＣＮ膜１４３を２０〜５０ｎｍ程度形成する。次に、犠牲ＳｉＣＮ膜１４３の上に、第２犠牲ＳｉＯ2膜１４５を７０〜２００ｎｍ程度形成する。
【００５３】
つづいて、リソグラフィー技術を用いて、第２犠牲ＳｉＯ2膜１４５および犠牲ＳｉＣＮ膜１４３を貫通するビアホール１４７を形成し、第２犠牲ＳｉＯ2膜１４５の上面全面に、バリアメタル膜１１３としてＴａ系メタル膜を１０〜３０ｎｍ程度形成する（図１（ａ））。その後、Ｃｕシード膜（不図示）をスパッタで５０〜１５０ｎｍ程度形成する。さらに、めっき技術を用いて、Ｃｕシード膜を起点としてＣｕめっき膜を１００〜３００ｎｍ程度成長させて、ビアホール１４７をＣｕめっき膜で埋め込む。
【００５４】
次に、ＣＭＰ法により、ビアホール１４７の外部に設けられたＣｕめっき膜を除去し、第１Ｃｕビア１１５を得る。これにより、ビアホール１４７中に埋設された第１プラグ１１４が形成される。そして、第１Ｃｕビア１１５上面のシリサイド化、具体的にはＳｉＨ4処理を行い、第１Ｃｕビア１１５の上部に、キャップメタルとして機能するＣｕシリサイド層１１７を２〜１５ｎｍ程度選択的に形成する（図２（ａ））。
【００５５】
つづいて、このＣｕシリサイド層１１７をエッチングマスクにして、第２犠牲ＳｉＯ2膜１４５をウェットエッチングにより除去する（図３（ａ））。エッチング液として、たとえばバファードＨＦ（フッ酸）を用いる。さらに、ドライエッチング法により犠牲ＳｉＣＮ膜１４３を除去する（図４（ａ））。つづいて、バファードＨＦを用い、第１ＳｉＯ2膜１４１をウェットエッチングにより除去する（図５（ａ））。これにより、第１プラグ１１４および第１配線１０８の側面および上面を露出させる。
【００５６】
こうして、犠牲膜として設けられた絶縁膜を除去した後、シリコン基板の上面全面を覆い、第１配線１０８間を埋め込むように、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を約７０〜２００ｎｍ塗布して焼成し、第１プラグ１１４および第１配線１０８に接する絶縁膜とする（図６（ａ））。その後、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上面全面にＥＢ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ）を照射するＥＢ処理を行い、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を高強度化する（図７（ａ））。その後、Ｃｕシリサイド層１１７をＣＭＰマスクにして、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５のＣＭＰ処理を行い、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の表面を平坦化する（図８（ａ））。
【００５７】
その後、第２ＳｉＣＮ膜１１９の形成工程（図９（ａ））から、以上の手順を繰り返して、犠牲膜中にバリアメタル膜１２３、第２Ｃｕ配線１２５、Ｃｕシリサイド層１２７、バリアメタル膜１２９、第２Ｃｕビア１３１、およびＣｕシリサイド層１３３を形成し、犠牲膜を除去した後、除去した領域に第２ポーラスＭＳＱ膜１２１を埋めこみ、高強度化する。以上により、シリコン基板（不図示）上に図１０（ａ）に示した多層配線構造が形成されて、半導体装置１００が得られる。
【００５８】
なお、図１０（ｂ）に示した半導体装置１１０は、図１（ｂ）〜図９（ｂ）に示した手順で製造される。図１（ｂ）〜図９（ｂ）の各工程は、それぞれ、図１（ａ）〜図９（ａ）の各工程に対応している。半導体装置１１０の基本的な製造工程は半導体装置１００の場合と同様であるが、図１（ｂ）に示したように、第１Ｃｕ配線１０９の上部にビアホールを形成する際に目ずれが生じることにより、第１Ｃｕビア１１５にかわり、目ずれ部１３７を有するビアホール１４８中に第１Ｃｕビア１１６が埋設される。また、第２Ｃｕ配線１２５の上部にも、第２Ｃｕビア１３１にかわり、目ずれ部１３９を有する第２Ｃｕビア１３２が形成される。
【００５９】
次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態においては、第１配線１０８の側面から第１プラグ１１４の側面にわたって連続一体の第１ポーラスＭＳＱ膜１０５が設けられている。そして、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、第１配線１０８および第１プラグ１１４を形成した後、形成される。第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の層についても同様の構成となっている。そして、配線およびプラグの上部にキャップメタルが設けられている。さらに、第１配線１０８および第２配線１２４の側面下部がそれぞれ第１ＳｉＣＮ膜１０３および第２ＳｉＣＮ膜１１９によって支持されている。このため、以下の効果が得られる。
【００６０】
まず、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５は、第１配線１０８および第１プラグ１１４の形成後、埋め込まれた膜である。このため、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の成膜後の微細化工程が存在せず、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５のエッチングやアッシングがなされない。よって、第１配線１０８や第１プラグ１１４との界面近傍における劣化を抑制することができる。したがって、図１４を参照して前述した場合のような劣化層の形成が抑制されて、製造安定性を向上させることができる。
【００６１】
また、第１配線１０８の形成後、第１Ｃｕ配線１０９上にＣｕシリサイド層１１１が形成されているとともに、後工程で除去される第１ＳｉＯ2膜１４１と犠牲ＳｉＣＮ膜１４３が積層された状態でビアホール１４７が形成される（図１（ａ）、図１（ｂ））。このため、図１（ｂ）および図１０（ｂ）に示したように、ビアホール１４８の形成時に目ずれが生じた場合にも、ビアホール１４８のエッチングが目ずれ部１３７において深さ方向に進行することを抑制できる。よって、第１プラグ１１４を構成するバリアメタル膜１１３および第１Ｃｕビア１１５の埋め込み特性不良を抑制することができる。したがって、図１５を参照して前述した構成に対し、目ずれが生じた場合の製造安定性を向上させることができる。また、ビアホール１４７またはビアホール１４８の形成時に、エッチングストッパ膜として機能する犠牲ＳｉＣＮ膜１４３と第１ＳｉＯ2膜１４１とを加工し、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５中のいわゆるｕｎｌａｎｄｅｄ  ｖｉａの加工工程が存在しないため、目ずれによりｕｎｌａｎｄｅｄ  ｖｉａが存在する場合にも、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５中に第１プラグ１１８を安定的に製造可能することができる。
【００６２】
また、本実施形態においては、第１配線１０８および第２配線１２４の下方部の側壁に、それぞれ、第１ＳｉＣＮ膜１０３および第２ＳｉＣＮ膜１１９が形成されており、配線下部を支持するとともに、配線下部の界面を補強して保護している。このため、第１ＳｉＯ2膜１４１を除去するためのエッチング工程において、配線のリフトオフが生じることを抑制できる。よって、図１６（ｂ）を参照して前述した場合に比べて、製造安定性を向上させることができる。また、配線下方部の側壁にＳｉＣＮ膜が形成されているため、配線が固定され、層間絶縁膜として、比較的低密度で機械的強度の低いポーラスＭＳＱ膜を用いた場合にも、ポーラスＭＳＱ膜の底部側を補強して機械的強度を向上することができる。よって、組み立て工程のボンデイングなどの工程が解決できる。
【００６３】
また、本実施形態においては、製造工程中で配線層とプラグ層との間に設けられた犠牲ＳｉＣＮ膜１４３が除去されており、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５が連続一体の膜である。このため、第１配線１０８の底部が位置する水準から第１プラグ１１４の底面が位置する水準の範囲に、異種材料からなる膜の積層構造が存在しない。第１配線１０８上に第１プラグ１１４が接続された構成においては、第１プラグ１１４の形成層のデータ率が第１配線１０８の形成層のデータ率よりも顕著に小さいことから、これらの境界領域において、データ率が不連続的に大きく変化している。従来の構成においては、図１４を参照して前述したように、データ率が大きく変わる境界領域に、比較的密なバリア絶縁膜２０７と第２Ｌｏｗ−ｋ膜２０９との界面が存在していた。この構成では、データ率の不連続面と膜構造の不連続面が同じ水準にあったため、データ率の低いプラグの形成層の層間絶縁膜すなわち第２Ｌｏｗ−ｋ膜２０９とバリア絶縁膜２０７との界面で、Ｔ／Ｃサイクルにおける剥離が生じやすかった。
【００６４】
これに対し、本実施形態では、第１プラグ１１４および第２プラグ１３０の底面が位置する水準に、それぞれ、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１と他の膜との界面が存在しない。また、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１は、膜の法線方向に沿って漸次的に組成または物性が変化した膜であって、組成および物性の不連続面が、それぞれ、第１プラグ１１４および第２プラグ１３０の底面が位置する水準に存在しない。このため、積層膜において熱膨張係数の差に起因して生じる剥離が生じず、熱サイクル特性を向上させることができる。また、誘電率の異なる膜の界面が存在しない構成とすることにより、層間絶縁膜を実効的に低誘電率化することができる。
【００６５】
また、第１配線１０８の底部が位置する水準から第１プラグ１１４の底面が位置する水準の範囲に、組成および物性の不連続面が存在しないため、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５における低密度の領域における剥離や劣化をさらに確実に抑制することができる。なお、第１プラグ１１４の底面が位置する水準よりも上部においては、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５が下部よりも高密度化されているため、組成および物性の不連続面が存在してもよいが、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の組成および物性が漸次的に変化し、不連続面が存在しない構成とすることが好ましい。こうすることにより、配線構造の製造安定性をさらに向上させることができる。
【００６６】
また、本実施形態においては、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上面近傍、すなわち、第２配線１２４形成層との界面近傍において、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５が高密度化されて、機械的強度が向上している。そして、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５と第２ポーラスＭＳＱ膜１２１との間に第２ＳｉＣＮ膜１１９を設け、第２ＳｉＣＮ膜１１９を第２配線１２４の支持膜としても機能させている。
【００６７】
このため、半導体基板（不図示）の法線方向において、金属膜のデータ率の大きい領域においては、低密度な第２ポーラスＭＳＱ膜１２１を設けて比誘電率を充分に低下させて、配線間容量を低下させている。それとともに、第１プラグ１１４の形成領域との境界面においては、ポーラスＭＳＱ膜の形成領域の面積が急激に減少する領域の強度を充分に確保するために、第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の下層として第２ＳｉＣＮ膜１１９を設け、第２ＳｉＣＮ膜１１９により第２ポーラスＭＳＱ膜１２１を補強している。このため、第２ポーラスＭＳＱ膜１２１と第１ポーラスＭＳＱ膜１０５とが連続一体に設けられて、第１プラグ１１４と第２配線１２４との界面近傍が一つの膜で覆われた構成に比べて、より一層配線構造の強度を向上させることができる。
【００６８】
このように、本実施形態では、第１配線１０８と第１プラグ１１４との間のエッチングストッパ、および第２配線１２４と第２プラグ１３０との間のエッチングストッパを除去し、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１を連続的に形成して低密度化し、低誘電率化を図るとともに、データ率が顕著に増加する第１プラグ１１４と第２配線１２４との間を高密度化して、さらに第１ＳｉＣＮ膜１０３および第２ＳｉＣＮ膜１１９を設けて第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１を補強することにより、低誘電率化と製造安定性とをともに向上させることができる。
【００６９】
また、本実施形態においては、配線とプラグとをシングルダマシン工程により形成するとともに、配線およびプラグの上部にキャップメタル膜としてシリサイド層を設けているため、背景技術の項で前述した特許文献１および非特許文献１のようなデュアルダマシンプロセスに対し、配線やプラグを構成する銅や銅含有金属のマイグレーションを抑制し、製造安定性および製造歩留まりを向上させることができる。
【００７０】
また、本実施形態においては、第１プラグ１１４および第２プラグ１３０の上部にそれぞれメタルキャップとして機能するＣｕシリサイド層１１７およびＣｕシリサイド層１３３が設けられている。このため、銅配線と、その上部に接続するビアプラグとの界面近傍におけるいわゆるＳｔｒｅｓｓ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｖｏｉｄ（ＳＩＶ）の発生を抑制することができる。このため、コンタクト不良や配線抵抗の増加を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【００７１】
なお、本実施形態においては、低誘電率絶縁膜が第１ポーラスＭＳＱ膜である場合を例に説明したが、本実施形態および以下の実施形態において、絶縁膜が、ポリオルガノシロキサン膜、水素化シロキサン膜、またはこれらの膜がポーラス化された膜であってもよい。これらの膜の製造方法は特に限定されず、たとえばＣＶＤ法や塗布法により形成される。
【００７２】
ポリオルガノシロキサンとしては、たとえば、ＭＳＱ（メチルシルセスキオキサン）等のメチルポリシロキサン；
ＭＨＳＱ（メチル化ハイドロジェンシルセスキオキサン）等の水素化メチルポリシロキサン；
ＯＳＧ（Ｏｒｇａｎｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）；および
ＣＤＯ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｄｏｐｅｄ  Ｏｘｉｄｅ）が挙げられる。
【００７３】
また、水素化シロキサンとしては、たとえば、ＨＳＱ（ハイドロジェンシルセスキオキサン）；および
梯子型水素化シロキサン等のラダーオキサイドが挙げられる。このうち、梯子型水素化シロキサンとは、梯子型の分子構造を有するポリマーのことであり、配線遅延防止の観点から誘電率２．９以下のものが好ましく、また膜密度が低いものが好ましい。たとえば、膜密度が１．５０ｇ／ｃｍ2以上１．５８ｇ／ｃｍ2以下、６３３ｎｍの屈折率が１．３８以上１．４０以下であることが好ましい。こうした膜材料の具体例としてラダーオキサイドとよばれるＬ−ＯｘTM（商標）（以下単にＬ−Ｏｘと示す。）等を例示することができる。なお、Ｌ−Ｏｘをポーラス化した絶縁材料を用いることもできる。
【００７４】
また、低誘電率絶縁膜として、パリレン系樹脂；
サイトップ（登録商標）等のフッ素系樹脂；
ＳｉＬＫ（登録商標）等の非フッ素系芳香族含有有機樹脂；
ポリアリールエーテル（ＰＡＥ）；および
ポリフェニレン等の有機樹脂の膜を用いることもできる。
【００７５】
低誘電率膜の比誘電率は、たとえば３．５以下、好ましくは３以下とすることができる。また、低誘電率膜は、Ｓｉ、ＯおよびＨを構成元素として含む膜とすることができる。また、低誘電率膜は、Ｓｉ、Ｃ、ＯおよびＨを構成元素として含む膜とすることができる。こうした他の膜を用いた場合においても、以上の実施形態に示した構成を採用することにより、図１（ａ）および図１（ｂ）に示した半導体装置１００および半導体装置１１０と同様の効果が得られる。
【００７６】
また、本実施形態においては、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１の直下に設けられる補強絶縁膜がＳｉＣＮ膜である構成を例に説明したが、補強絶縁膜は、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１よりも高密度で、配線層とプラグ層との境界部に設けられた低誘電率層間絶縁膜の表面、具体的には、低誘電率層間絶縁膜の底面近傍の低密度で強度が低い領域を補強することができる膜であればよく、たとえばＳｉＣＮ膜に代わり、ＳｉＣ膜またはＳｉＯＮ膜を用いてもよい。
【００７７】
また、低誘電率膜と補強絶縁膜の組み合わせとしては、絶縁膜が、上述したポリオルガノシロキサン膜、水素化シロキサン膜、またはこれらの膜がポーラス化された膜であって、補強絶縁膜が、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜またはＳｉＯＮ膜である構成とすることができる。また、ポーラスＳｉＯＣ膜とＳｉＣとの組み合わせを用いることがさらに好ましい。
【００７８】
以下の実施形態においては、第一の実施形態と異なる点を中心に説明する。
【００７９】
（第二の実施形態）
第一の実施形態においては、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１が中実である構成を示したが、第１配線１０８の側壁から第１プラグ１１４の側壁にわたって設けられ、第１配線１０８の側壁と、第１配線１０８の上部と、第１プラグ１１４の側壁とを覆うように形成された絶縁膜中にエアギャップが設けられている構成とすることもできる。また、第２配線１２４の側壁から第２プラグ１３０の側壁にわたって設けられた絶縁膜についても、同様に、エアギャップを有する構成とすることができる。本実施形態では、このような態様について説明する。
【００８０】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図１１（ｂ）に示した半導体装置１６０は、図１１（ａ）に示した半導体装置１５０において、配線とビアとの接続部分に目ずれが生じた場合の構成を示している。
【００８１】
図１１（ａ）および図１１（ｂ）に示した半導体装置の基本構成としては、それぞれ、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示した半導体装置の構成が用いられているが、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１に代えて、それぞれ、第１ＳｉＯＣ膜１５１および第２ＳｉＯＣ膜１５３が設けられている点が異なる。第１ＳｉＯＣ膜１５１および第２ＳｉＯＣ膜１５３には、それぞれ、エアギャップ１５５およびエアギャップ１５７が設けられている。エアギャップ１５５およびエアギャップ１５７は、それぞれ、第１配線１０８間および第２配線１２４間ならびにこれらの周辺に設けられている。第１ＳｉＯＣ膜１５１および第２ＳｉＯＣ膜１５３は、膜中の組成、密度強度の分布を有しない膜とすることができる。
【００８２】
次に、本実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。半導体装置１５０および半導体装置１６０の製造工程には、それぞれ、半導体装置１００および半導体装置１１０の製造工程を用いることができる。そして、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５および第２ポーラスＭＳＱ膜１２１を設ける工程に代えて、それぞれ、第１ＳｉＯＣ膜１５１および第２ＳｉＯＣ膜１５３を設ける。第１ＳｉＯＣ膜１５１および第２ＳｉＯＣ膜１５３を設ける工程は、それぞれ、エアギャップ１５５およびエアギャップ１５７を設ける工程を含む。
【００８３】
半導体装置１５０の製造方法は、具体的には、図１（ａ）〜図５（ａ）を参照して前述した手順を用いて、多層膜１０１上に、第１ＳｉＣＮ膜１０３、第１配線１０８および第１プラグ１１４を露出させる。
【００８４】
そして、第１ＳｉＣＮ膜１０３上に、低誘電率膜である第１ＳｉＯＣ膜１５１を成膜し、エアギャップ１５５が形成されるように第１配線１０８間を埋め込む。このとき、第１配線１０８の幅よりも、第１ＳｉＣＮ膜１０３の上面からＣｕシリサイド層１１７の上面までの高さを大きくする。これにより、第１ＳｉＯＣ膜１５１が埋設される凹部のアスペクト比を大きくすることができるため、エアギャップ１５５を確実に設けることができる。第１ＳｉＯＣ膜１５１は、ＣＶＤ法で成膜し、その成膜条件をたとえば３５０℃以上４００℃以下、５Ｔｏｒｒ以上８Ｔｏｒｒ以下とする。これにより、第１ＳｉＯＣ膜１５１中にエアギャップ１５５が形成される。
【００８５】
その後、Ｃｕシリサイド層１１７をＣＭＰマスクにして、第１ＳｉＯＣ膜１５１のＣＭＰ処理を行い、第１ＳｉＯＣ膜１５１の表面を平坦化する（図８（ａ））。その後、第２ＳｉＣＮ膜１１９の形成工程（図９（ａ））から、以上の手順を繰り返して、第１ＳｉＯＣ膜１５１上に第２ＳｉＣＮ膜１１９、第２配線１２４および第２プラグ１３０を露出させる。そして、第２Ｃｕ配線１２５間および第２プラグ１３０間に第２ＳｉＯＣ膜１５３を埋め込むとともに第２ＳｉＯＣ膜１５３中にエアギャップ１５７を設ける。第２ＳｉＯＣ膜１５３の形成方法は、第１ＳｉＯＣ膜１５１の形成方法とすることができる。そして、第２ＳｉＯＣ膜１５３を平坦化することにより、図１１（ａ）に示した多層配線構造を形成されて、半導体装置１５０が得られる。
【００８６】
なお、図１１（ｂ）に示した半導体装置１６０は、基本的な製造工程は半導体装置１５０の場合と同様であるが、図１（ｂ）に示したように、第１Ｃｕ配線１０９の上部にビアホールを形成する際に目ずれが生じることにより、第１Ｃｕビア１１５にかわり、目ずれ部１３７を有するビアホール１４８中に第１Ｃｕビア１１６が埋設される。また、第２Ｃｕ配線１２５の上部にも、第２Ｃｕビア１３１にかわり、目ずれ部１３９を有する第２Ｃｕビア１３２が形成される。
【００８７】
次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態においても、第１配線１０８の側面から第１プラグ１１４の側面にわたって連続一体の第１ＳｉＯＣ膜１５１が設けられている。そして、第１ＳｉＯＣ膜１５１は、第１配線１０８および第１プラグ１１４を形成した後、形成される。第２ＳｉＯＣ膜１５３の層についても同様の構成となっている。そして、配線およびプラグの上部にキャップメタルが設けられている。さらに、第１配線１０８および第２配線１２４の側面下部がそれぞれ第１ＳｉＣＮ膜１０３および第２ＳｉＣＮ膜１１９によって支持されている。このため、第一の実施形態と同様の効果が得られる。
【００８８】
また、層間絶縁膜として機能する第１ＳｉＯＣ膜１５１および第２ＳｉＯＣ膜１５３が、それぞれ、エアギャップ１５５およびエアギャップ１５７を有する構成であるため、第１配線１０８および第２配線１２４の配線間容量を好適に低下させることができる。このため、層間絶縁膜の比誘電率の低下の要求は、第一の実施形態の場合よりも低い。よって、これらの膜は第一の実施形態の場合よりもポーラス化の度合いが小さくてよく、密度を増加させることができる。このため、層間絶縁膜の強度を向上させることができる。よって、成膜後の電子線照射または紫外線照射等の高強度化処理が不要であり、製造工程をさらに簡素化することができる。
【００８９】
なお、本実施形態では、エアギャップ１５５およびエアギャップ１５７を有する層間絶縁膜が、第１ＳｉＯＣ膜１５１および第２ＳｉＯＣ膜１５３である構成を例に説明したが、これらの絶縁膜は、たとえば第一の実施形態において例示した他の材料としてもよい。また、低誘電率膜に代えて、ＳｉＯ2膜を用いることもできる。
【００９０】
また、本実施形態では、層間絶縁膜の比誘電率をたとえば３．５以下、好ましくは３．２以下とすることができる。こうすることにより、第１配線１０８および第２配線１２４の配線間容量を好適に低下させることができる。また、層間絶縁膜の比誘電率を、たとえば２．０以上、好ましくは２．５以上とすることができる。こうすることにより、層間絶縁膜の強度をさらに向上させることができる。よって、熱サイクル特性をさらに向上させることができる。
【００９１】
（第三の実施形態）
以上の実施形態においては、ビアプラグ上にキャップメタル膜として機能するＣｕシリサイド層が設けられている構成を例に説明したが、ビアプラグ上にキャップメタルが設けられていない構造を形成することもできる。以下、第一の実施形態の構成の場合を例に説明するが、第二の実施形態に本実施形態の構成を適用することもできる。
【００９２】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の構成を示す断面図である。図１２（ｂ）に示した半導体装置１７２は、図１２（ａ）に示した半導体装置１７０において、配線とビアとの接続部分に目ずれが生じた場合の構成を示している。
【００９３】
図１２（ａ）および図１２（ｂ）に示した半導体装置の基本構成としては、それぞれ、図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示した半導体装置の構成が用いられているが、第１プラグ１１４、第１プラグ１１８、第２プラグ１３０および第２プラグ１３４の上部にＣｕシリサイド層が設けられていない点が異なる。第１プラグ１１４および第１プラグ１１８は第２ＳｉＣＮ膜１１９に接して設けられ、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上部が第２ＳｉＣＮ膜１１９に被覆されている。
【００９４】
次に、半導体装置１７０および半導体装置１７２の製造方法を説明する。本実施形態の製造方法は、絶縁膜（第１ポーラスＭＳＱ膜１０５）を形成する工程の後、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を機械的化学研磨により平坦化し、ビア（第１プラグ１１４）上の第１ポーラスＭＳＱ膜１０５と第２のメタルキャップ膜（Ｃｕシリサイド層１１７）とを除去する工程を含む。
【００９５】
さらに具体的には、半導体装置１７０および半導体装置１７２の製造工程には、それぞれ、第一の実施形態における半導体装置１００および半導体装置１１０の製造工程を用いることができる。そして、Ｃｕシリサイド層１１７をＣＭＰマスクにして、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５のＣＭＰ処理を行い、第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の表面を平坦化する工程（図８（ａ））の後、さらにＣＭＰ法によりＣｕシリサイド層１１７を除去する。また、第２ポーラスＭＳＱ膜１２１を平坦化した後、さらにＣＭＰ法によりＣｕシリサイド層１３３を除去する。これらのＣｕシリサイド層の除去は、たとえば、Ｃｕシリサイド層１１７をマスクとしてその上部の第１ポーラスＭＳＱ膜１０５を研磨により除去した後、Ｃｕ膜が研磨されずＣｕシリサイド層が研磨されるものにスラリーを変えて研磨することにより行う。
【００９６】
なお、図１２（ｂ）に示した半導体装置１７２は、基本的な製造工程は半導体装置１７０の場合と同様であるが、図１（ｂ）に示したように、第１Ｃｕ配線１０９の上部にビアホールを形成する際に目ずれが生じることにより、第１Ｃｕビア１１５にかわり、目ずれ部１３７を有するビアホール１４８中に第１Ｃｕビア１１６が埋設される。また、第２Ｃｕ配線１２５の上部にも、第２Ｃｕビア１３１にかわり、目ずれ部１３９を有する第２Ｃｕビア１３２が形成される。
【００９７】
本実施形態によれば、第１プラグ１１４および第２プラグ１３０上にキャップメタルが設けられていないため、これらのプラグと、その上部に設けられた配線との接続抵抗をより一層効果的に低下させることができる。また、本実施形態では、第１プラグ１１４および１１８が設けられた第１ポーラスＭＳＱ膜１０５の上部が第２ＳｉＣ膜１１９に被覆されているため、層間絶縁膜へのＣｕの拡散を抑制することができる。
【００９８】
以上、本発明を実施形態に基づいて説明した。この実施形態はあくまで例示であり、種々の変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００９９】
たとえば、以上の実施形態において、絶縁膜の膜密度は半導体装置の断面のＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察により把握することができる。
【０１００】
また、本実施形態においては、配線層上にプラグが設けられた配線構造が２層積層された構成を例に説明したが、配線構造の積層数に特に制限はない。本実施形態の構成を用いれば、３層以上の積層体の場合にも、配線間容量を効果的に低下させるとともに、製造安定性を向上させることができる。
【０１０１】
また、本実施形態では、キャップメタル膜としてＣＶＤ法によりＣｕシリサイド層を選択成長させる場合を例に説明したが、窒化Ｃｕシリサイド層を選択成長させることもできる。また、キャップメタル膜としては、他に、ＣｏＷＰ膜またはＣｏＷＢ膜を選択めっき法により形成することもできる。また、ＣＶＤ法によりＷ膜を選択成長させることもできる。
【実施例】
【０１０２】
本実施例では、低誘電率層間絶縁材料であるポーラスＳｉＯＣについて、成膜後の後処理による膜質変化について検討した。
【０１０３】
２００ｎｍ程度の膜厚を有するポーラスＳｉＯＣ膜を形成し、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ：電子線）の照射処理を行ったところ、膜質が向上した。たとえば、ＥＢの条件を０．２ｍＣ／ｃｍ2とし、酸素濃度１００ｐｐｍ以下の雰囲気で、３５０℃で実施すると、誘電率が２．３５で機械的強度（Ｍｏｄｕｌｕｓ）が７ＧＰａまでとなり、ＥＢ処理を行う前の約２倍に向上できた。
【０１０４】
また、ＥＢ処理前後のポーラスＳｉＯＣ膜の断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察したところ、ＥＢの照射面の側は、反対側の面の側よりも高密度化されている様子が観察された。また、この膜は、ＥＢ照射面の裏面から遠ざかるにつれて高密度化されており、密度が不連続的に変化する領域は観察されなかった。
【０１０５】
このときの膜質をＦＴＩＲスペクトル（Ｆｕｒｉｅｒ  Ｔｒａｎｓｍｉｔｔａｎｃｅ  Ｉｎｆｒａ  Ｒｅｄ  Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）により評価した。図１３は、ポーラスＳｉＯＣ膜のＦＴＩＲスペクトルを示す図である。図１３より、ＥＢ処理前は、Ｃａｇｅ（かご）型Ｓｉ−Ｏ構造と想定される約１１５０ｃｍ-1（１１００〜１２００ｃｍ-1）にピークが存在する結合の吸収スペクトル、およびＬａｄｄｅｒ（梯子）型Ｓｉ−Ｏ構造と想定される約１０５０ｃｍ-1（１０００〜１１００ｃｍ-1）にピークが存在する結合の吸収スペクトルとが確認された。これに対し、上述したＥＢ処理を実施した後は、Ｃａｇｅ型Ｓｉ−Ｏ構造を反映する１１５０ｃｍ-1付近のピーク強度が減少し、Ｌａｄｄｅｒ型Ｓｉ−Ｏ構造を反映する約１０５０ｃｍ-1付近のピーク強度が増加した。これより、ＥＢ処理により、Ｓｉ−Ｏの結合状態を変えることができた。
【０１０６】
また、ポーラスＳｉＯＣ膜の膜厚をさらに厚くして同様の処理を行ったところ、深さ方向に膜の構造の分布が生じ、表面は深いところに比較して、Ｌａｄｄｅｒ型Ｓｉ−Ｏ構造リッチとなり、深いところは、浅いところに比較してＣａｇｅ型Ｓｉ−Ｏリッチの構造となった。
【０１０７】
また、ＥＢ処理により、Ｃ−Ｈ結合由来の３０００ｃｍ-1付近にピークが存在する結合の吸収帯のピーク強度が減少した。これより、ＥＢ照射面の炭素濃度が、反対側の面の炭素濃度よりも低下したと推察される。
【０１０８】
また、ＥＢ時のドーズ量をさらに増加させることにより、機械的強度をさらに向上させることができた。このとき、ＥＢ処理後の膜は、処理前の膜に比べてＳｉ−Ｏ結合が増加し、かつ、Ｃ−Ｈ結合がＥＢ照射面で減少する膜になるという特徴が確認された。
【０１０９】
また、ＥＢに代えて、ＵＶ（紫外線）光を用いたランプを用いても以上と同様の傾向が確認された。
【０１１０】
また、低誘電率材料として、ＳｉＯＣに代えて水素化ポリシロキサンを用いた場合においても、同様のＥＢ照射効果が確認できた。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図２】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図７】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図８】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図９】実施形態における半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１０】実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１１】実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１２】実施形態における半導体装置の構成を示す断面図である。
【図１３】実施例におけるポーラスＳｉＯＣ膜のＦＴＩＲスペクトルを示す図である。
【図１４】従来の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図１５】従来の半導体装置の構成を示す図である。
【図１６】半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１００  半導体装置
１０１  多層膜
１０３  第１ＳｉＣＮ膜
１０５  第１ポーラスＭＳＱ膜
１０７  バリアメタル膜
１０８  第１配線
１０９  第１Ｃｕ配線
１１０  半導体装置
１１１  Ｃｕシリサイド層
１１２  バリアメタル膜
１１３  バリアメタル膜
１１４  第１プラグ
１１５  第１Ｃｕビア
１１６  第１Ｃｕビア
１１７  Ｃｕシリサイド層
１１８  第１プラグ
１１９  第２ＳｉＣＮ膜
１２１  第２ポーラスＭＳＱ膜
１２３  バリアメタル膜
１２４  第２配線
１２５  第２Ｃｕ配線
１２７  Ｃｕシリサイド層
１２８  バリアメタル膜
１２９  バリアメタル膜
１３０  第２プラグ
１３１  第２Ｃｕビア
１３２  第２Ｃｕビア
１３３  Ｃｕシリサイド層
１３４  第２プラグ
１３７  目ずれ部
１３９  目ずれ部
１４１  第１ＳｉＯ2膜
１４３  犠牲ＳｉＣＮ膜
１４５  第２犠牲ＳｉＯ2膜
１４７  ビアホール
１４８  ビアホール
１５０  半導体装置
１５１  第１ＳｉＯＣ膜
１５３  第２ＳｉＯＣ膜
１５５  エアギャップ
１５７  エアギャップ
１６０  半導体装置
１７０  半導体装置
１７２  半導体装置
【図１】
2006253504.tif 000003
【図２】
2006253504.tif 000004
【図３】
2006253504.tif 000005
【図４】
2006253504.tif 000006
【図５】
2006253504.tif 000007
【図６】
2006253504.tif 000008
【図７】
2006253504.tif 000009
【図８】
2006253504.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2006253504.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2006253504.tif 000014
【図１３】
2006253504.tif 000015
【図１４】
2006253504.tif 000016
【図１５】
2006253504.tif 000017
【図１６】
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