(57)【要約】【課題】輝度の低下を抑えつつ放電電流の低減を実現できる画像表示装置を提供する。【解決手段】蛍光体層と、蛍光体層の間に設けられた抵抗層と、蛍光体層および抵抗層上に設けられ、画像表示の走査方向と直交する方向である第１の方向ＸにはギャップＧｘで分断され、画像表示の走査方向である第２の方向Ｙには抵抗層上でギャップＧｙで分断されたメタルバック層と、前記メタルバック層に高圧を印加する高圧印加手段と、を有する前面基板と、前面基板に対向して設けられ、複数の電子放出素子を配置した背面基板とを具備する画像表示装置において、ギャップＧｙで分断された領域の間にある抵抗層の一部に、他の領域より相対的に低抵抗である低抵抗領域が離散的に設けられている。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光体層と、前記蛍光体層の間に設けられた抵抗層と、前記蛍光体層および抵抗層上に設けられ、画像表示の走査方向と直交する方向である第１の方向ＸにはギャップＧｘで分断され、画像表示の走査方向である第２の方向Ｙには前記抵抗層上でギャップＧｙで分断されたメタルバック層と、前記メタルバック層に高圧を印加する高圧印加手段と、を有する前面基板と、前記前面基板に対向して設けられ、複数の電子放出素子を配置した背面基板と、を具備する画像表示装置において、
前記ギャップＧｙで分断された領域の間にある抵抗層の一部に、他の領域より相対的に低抵抗である低抵抗領域が離散的に設けられていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記低抵抗領域は、前記他の領域とは別の材料で構成されていることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記低抵抗領域は、低抵抗の材料を付加することで形成されていることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記蛍光体層が形成された領域の外側に、前記高圧印加手段と接続された共通電極が配置され、前記分断メタルバック層の一部と接続抵抗を介して接続されていることを特徴とする請求項１ないし３記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記低抵抗領域を前記共通電極まで形成することで、前記接続抵抗が形成されていることを特徴とする請求項４記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記共通電極は、前記メタルバック層に前記第２の方向Ｙの両側から給電する一対の電極からなることを特徴とする請求項４又は５のいずれか１項記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子を用いた画像表示装置に関し、特に放電が起きた場合の放電電流を抑制するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の画像表示装置として、電子放出素子を多数並べ、蛍光面と対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるがいずれも基本的には電界放出を用いており、これらの電子放出素子を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）と呼ばれている。ＦＥＤの内、表面伝導型電子放出素子を用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）とも呼ばれているが、本願においてはＳＥＤも含む総称としてＦＥＤという用語を用いる。
【０００３】
ＦＥＤは、特許文献１に記載されているように、１〜２ｍｍ程度の狭いギャップを置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。真空容器の内部は、真空度が１０-4Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、両基板間には複数のスペーサが設けられている。
【０００４】
前面基板の内面には赤、青、緑の蛍光体層を含む蛍光面が形成され、背面基板の内面には、蛍光体を励起して発光させる電子を放出する多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線および信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。蛍光面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から出た電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が表示される。
【０００５】
上記のように構成されたＦＥＤにおいて、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を形成した蛍光面を用いることが必要となる。この場合、蛍光面に印加するアノード電圧は最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。
【０００６】
しかし、前面基板と背面基板との間のギャップは、解像度やスペーサの特性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。したがって、ＦＥＤでは、前面基板と背面基板との小さいギャップに強電界が形成されることが避けられず、両基板間の放電が問題となる。
【０００７】
放電ダメージ抑制に関して何の対策も導入しないと、放電により電子放出素子、蛍光面、ドライバＩＣ、駆動回路の破壊や劣化が引き起こされる。これらをまとめて放電ダメージと呼ぶことにする。このようなダメージが起こる状況では、ＦＥＤを実用化するためには、長期間に渡り、放電が絶対に発生しないようにしなければならない。しかし、これを実現するのは非常に難しい。
【０００８】
そこで、放電が起きても放電ダメージが発生しないか無視できるレベルに抑制できるように、放電電流を低減する対策が重要となる。このための技術として、メタルバック（一般的にはアノード電極）を分断する技術が公知である。メタルバック分断には大きく分けて、１方向のみに分断し短冊状の分割メタルバックにする１次元分断と、２方向に分割し、アイランド状の分割メタルバックにする２次元分断とがある。２次元分断では１次元分断よりも放電電流を小さくすることが可能である。本発明は２次元分断に関するものであり、１次元分断についての公知例の例示は省略するが、その基本構成は特許文献１に開示されている。２次元分断については、特許文献１（実施例９）、特許文献２、特許文献３に開示がされている。
【０００９】
メタルバックを分断した場合、ビーム電流の経路を確保し輝度低下を許容レベルにすることと、放電時に分断したギャップ間に発生する電位差による放電を防ぐようにすることが必要である。これに関し、特許文献１、特許文献３では、分割メタルバック間に抵抗層を設ける構成が開示されている。また、特許文献２では、分割メタルバックをそれぞれ抵抗層を介して近傍まで延びた給電ラインに接続する構成が開示されている。なお、分割メタルバック間に抵抗層を設けることに関しては、２次元分断の実施例は例示されてはいないものの、特許文献４にも開示がされている。
【特許文献１】特開平１０−３２６５８３号公報
【特許文献２】特開２００１−２４３８９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８２３２号公報
【特許文献４】特開２０００−２５１７９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来技術のメタルバックを分断する構成においては、（１）放電電流を許容レベル以下にすること、（２）ギャップ間の抵抗により発生するアノード電圧の低下により起こる輝度低下を許容レベル以下にすること、（３）放電時に分割されたギャップ間に発生する電圧による放電が起こらないようにすることの３つが課題としてあげられる。なお、例えば特許文献２に記載された分断メタルバックを個々に給電線に接続する構成は、放電電流を減らす観点からは限界があるので、以後は、特許文献１および特許文献３に示されているような分断メタルバック間に抵抗層を設ける構成を前提として従来の問題点について説明する。
【００１１】
上記の課題（１）の観点からは、分割ギャップ間の抵抗Ｒｇを高くすることが要求される。一方、課題（２）と（３）の観点からは、逆に分割ギャップ間の抵抗Ｒｇを低くすることが要求される。このように課題（１）と課題（２）（３）とは、一方を立てれば他方が成立しないトレードオフの関係にあり、両立させることが難しい。
【００１２】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、輝度の低下を抑えつつ放電電流の低減を実現できる画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、トレードオフの関係にある課題（１）と課題（２）、（３）とをともに解決するために分断メタルバック層間の抵抗Ｒｇについて鋭意検討を積み重ねた。抵抗Ｒｇは詳細には、Ｘ方向（走査方向と直交する方向；典型的にはＲＧＢの画素の配列方向である横方向）のギャップの抵抗Ｒｘと、Ｙ方向（走査方向、典型的には縦方向）のギャップの抵抗Ｒｙからなり、Ｒｘ，Ｒｙをそれぞれ最適化する自由度がある。しかし、本発明者らが検討した結果、放電電流をとりわけ小さくしたい場合、ギャップ抵抗Ｒｘ，Ｒｙを調整するだけでは、課題（１）〜（３）を同時に満たすことが困難な場合もあることが判明した。そこで、本発明者らは、次善の方策として低抵抗材を給電ラインの適所に設けることを検討し、本発明を完成させるに至った。
【００１４】
本発明に係る画像表示装置は、蛍光体層と、前記蛍光体層の間に設けられた抵抗層と、前記蛍光体層および抵抗層上に設けられ、画像表示の走査方向と直交する方向である第１の方向ＸにはギャップＧｘで分断され、画像表示の走査方向である第２の方向Ｙには前記抵抗層上でギャップＧｙで分断されたメタルバック層と、前記メタルバック層に高圧を印加する高圧印加手段と、を有する前面基板と、前記前面基板に対向して設けられ、複数の電子放出素子を配置した背面基板とを具備する画像表示装置において、前記ギャップＧｙで分断された領域の間にある抵抗層の一部に、他の領域より相対的に低抵抗である低抵抗領域が離散的に設けられていることを特徴とする。
【００１５】
上記の低抵抗領域は、他の領域とは別の材料で構成することができる。この場合に、他の領域の構成材料に低抵抗の材料をさらに付加することにより、低抵抗領域を形成することが望ましい。例えば、低抵抗領域に良導体であるインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの粒子をバインダ剤中に適量分散させることで、周囲の他の領域（ＲｕＯ2などの粒子を含む高抵抗領域）よりも低抵抗とすることができる。
【００１６】
また、蛍光体層が形成された領域の外側に、高圧印加手段と接続された共通電極が配置され、前記分断メタルバック層の一部と接続抵抗を介して接続されていることが望ましい。さらに、低抵抗領域を共通電極まで形成することで、接続抵抗が形成されるようにしてもよい。さらに抵抗を下げるために、共通電極をメタルバック層に第２の方向Ｙの両側から給電する一対の電極からなる両側給電方式としてもよい。共通電極と低抵抗領域との間には接続抵抗が挿入される。なお、本発明において、共通電極は必須の要素ではなく任意の要素である。究極の給電回路を考えた場合に、高圧端子をそのまま共通電極として用いることもでき、共通電極を省略することが可能であるからである。
【００１７】
ここで、「走査方向」の定義について説明をしておく。以後、Ｘ，Ｙについては典型的な方向を用いて説明する。ＦＥＤにおいては、Ｘ方向に延びる走査配線とＹ方向に延びる変調配線がマトリックス状に形成されており、いわゆる単純マトリックス駆動を行う。この場合、走査配線に例えば１／６０秒かけて順々にＹ方向にシフトしながら走査信号を印加していき、走査信号が印加されている期間にその走査配線に対応する画素に関する変調信号を、変調配線に印加する。前面基板における給電を考えると、Ｘ方向から給電しようとすると、同じタイミングに走査配線に対応する複数の画素に電流を供給しなければならないため、効率が悪い。このため、Ｙ方向から給電する方が給電効率の面では有利になる。このような技術背景と関連して、本発明ではＸ，Ｙに言及している。Ｘ，Ｙは典型的には、それぞれ横方向と縦方向になるが、一般には、そのように限定されず、それと直交した設定になることもありうる。
【００１８】
本明細書中において、分割メタルバック層のギャップとは、メタルバック層の一部が除去されることで形成されるもののみに限られず、例えばメタルバック層の一部を酸化等の処理により変質させて、抵抗値を高めることで形成されるギャップをも含むものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ギャップＧｙで分断された領域の間にある抵抗層の一部に他の領域より相対的に低抵抗である低抵抗領域を離散的に設けているので、アノードの電圧降下ΔＶａにより起こる輝度低下を抑えつつ放電電流を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明を実施するための最良の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００２１】
図１と図２に、本実施形態に共通のＦＥＤの構造を示す。ＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラスからなる前面基板２と背面基板１を有し、両基板１，２は１〜２ｍｍの間隔をおいて対向配置されている。これら前面基板２と背面基板１は、矩形枠状の側壁３を介して周縁部同士が接合させ、内部が１０-4Ｐａ程度以下の高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器４を構成している。
【００２２】
前面基板２の内面には蛍光面６が形成されている。この蛍光面６は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に発光する蛍光体層２３とマトリックス状の遮光層２２とで構成されている。蛍光面６上には、アノード電極として機能するとともに蛍光体層２３の光を反射する光反射膜として機能するメタルバック層７が形成されている。表示動作時、メタルバック層７には共通電極２４を有する給電回路により所定のアノード電圧が印加されるようになっている。メタルバック層７は蒸着等の薄膜プロセスにより形成される。蛍光面６は凹凸を有しているため、メタルバック層７を蛍光面６に直接成膜すると、鏡面を形成することができない。このため、例えば樹脂フィルムの貼り付けにより平滑化処理を行った後、Ａｌを蒸着する。なお、メタルバック層７は複数の分断された分割領域７ａからなっている。メタルバック層の各分割領域７ａは、ＲＧＢ蛍光体層２３からなる画素に対応してマトリックス状に形成されている。
【００２３】
共通電極２４は導電性材料で構成され、例えばＡｇ等の金属ペーストをスクリーン印刷することにより形成されている。メタルバック層の各分割領域７ａは、接続抵抗３０を介して共通電極２４に電気的に接続されている。このような構造にすることで、蛍光面６と背面基板１との間で発生する放電によるダメージが抑制される。また、絶縁性または高抵抗性の被覆材３２で共通電極２４を被覆し、共通電極２４と背面基板１との間における放電の発生を防ぐ構成としている。被覆材３２は、例えば低融点ガラスや抵抗調整材粒子を分散させた低融点ガラスを用いて、例えばスクリーン印刷法により形成されている。
【００２４】
一方、背面基板１の内面上には、蛍光体層２３を励起するための電子ビームを放出する多数の電子放出素子８が設けられている。これらの電子放出素子８は、蛍光面６の画素ごとに対応して複数列および複数行に配列され、マトリックス状に配設された図示しない配線により駆動されるようになっている。また、背面基板１と前面基板２との間には、これら基板１，２に作用する大気圧に耐えられるようにするために補強として、板状または柱状の多数のスペーサ１０が所定ピッチ間隔ごとに設けられている。
【００２５】
このような画像表示装置では、蛍光面６にメタルバック層７を介してアノード電圧Ｖａが印加され、電子放出素子８から放出された電子ビームはアノード電圧Ｖａにより加速されて蛍光面６に衝突する。これにより対応する蛍光体層２３が発光し、所望の画像が表示される。
【００２６】
（第１の実施形態）  
次に、図３と図４を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。
【００２７】
第１の実施形態では、低抵抗材３４からなる接続抵抗Ｒ２ｙを画素に対して飛び飛びに接続するとともに、ギャップＧｙにおいて高抵抗材３３からなる高抵抗領域の中に低抵抗材３４からなる低抵抗領域ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３，…ＦＬｎを離散的に配置し、かつ低抵抗材３４からなるカット間抵抗Ｒｘを横並び配列された画素間に全数配置している。具体的には、従来のように画素列ごとに給電ラインを設けるのではなく、第１の給電ラインと第２の給電ラインとの間に３つの画素列が介在するように、両給電ラインを互いに離している。なお、図示していないが、第３〜第ｎの給電ラインが第２の給電ラインに続いて同様に３つの画素列ごとに飛び飛びに配置されている。これらの離散的に配置された縦給電ラインは、上下一対の共通電極２４−１，２４−２にそれぞれ接続されている。
【００２８】
Ｙ方向でみると、ギャップＧｙにおいて、一行目の横ラインＨＬ１上には低抵抗領域ＦＬ１が３つの画素列ごとに飛び飛びに設けられ、二行目横ラインＨＬ２上には低抵抗領域ＦＬ２が３つの画素ごとに飛び飛びに設けられ、三行目の横ラインＨＬ３上には低抵抗領域ＦＬ３が３つの画素列ごとに飛び飛びに設けられている。一方、Ｘ方向でみると、低抵抗領域ＦＬ１，ＦＬ２，ＦＬ３〜ＦＬｎが縦並び直列に配置されている。なお、図示しない三列目以降の低抵抗領域も同様に縦並び直列に配置されている。
【００２９】
共通電極２４−１，２４−２は、適当な高圧印加手段（図示せず）を通じて高圧電源（図示せず）に接続されている。
【００３０】
なお、本実施形態においては、上下の共通電極から給電する両側給電の構成を想定しているが、上だけからあるいは下だけからの片側給電方式としてもよい。ただし、両側給電とすることで、片側給電に比べ、アノード電圧低下量ΔＶａを１／４にできるので、輝度向上の観点からは両側給電方式とすることが好適である。
【００３１】
上記の実施の形態においては、低抵抗部のピッチを３画素間隔としたが、一般には、この間隔は、与えられたビーム電流、放電電流、輝度低下などの仕様を考慮して、最適ピッチを選択すれば良い。このピッチを大きくしすぎると、低抵抗部が担う電流量が大きくなりすぎ、低抵抗部近傍での放電電流増大が問題になってしまう。ピッチ間隔の制約について本発明者が検討した結果によると、低抵抗部のピッチは２〜１０分割単位の範囲が望ましく、最大でも２０分割単位程度以下の範囲で選択することが好ましい。なお、ここで分割単位とは、本実施の形態では１画素に対応するが、一般には分割単位は画素より細かくしたり粗くしたりすることが可能であり、たとえばＲとＧのペアにしたり、ＲＧＢＲＧの５サブピクセルで分割する等とすることも可能である。
【００３２】
次に、図４を参照して本発明の画像表示装置を製造プロセスについて説明する。
【００３３】
ＦＥＤの前面基板となるガラス基板２を所定の薬液を用いて洗浄し、乾燥させ、所望の清浄面を得る（工程Ｓ１）。洗浄した前面基板２の内面に黒色顔料などの光吸収物質を含む遮光層形成溶液を塗布する。塗布膜をベーキングした後に、マトリックスパターンに対応する位置に開孔を有するマスクを用いて露光し、現像して、マトリックスパターンの遮光層２２を形成する（工程Ｓ２）。遮光層２２の膜厚は例えば２μｍとする。
【００３４】
次いで、遮光層２２の上下に共通電極２４−１，２４−２をパターン形成する（工程Ｓ３）。共通電極２４−１，２４−２は例えばＡｇペーストのスクリーン印刷法等を用いて形成する。
【００３５】
次いで、遮光層２２の上にフォトリソグラフィ法によって低抵抗材３４によるパターン（ＲｘおよびＦＬ１〜ｎ）を形成する。低抵抗材３４には、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）などの良導体の粒子を例えば１０〜４０質量％含有するペーストを用いることができる。ＩＴＯの平均粒径は例えば１０〜９０ｎｍである。その焼成温度は例えば４５０±５０℃とすることができる。
【００３６】
典型的な大型ＴＶ用ＦＥＤを想定すると、高抵抗材のシート抵抗は、例えば１０5〜１０8Ω／□、低抵抗材のシート抵抗は１０4〜１０6Ω／□の範囲で適宜設定される。本実施の形態では、例えば、低抵抗材のシート抵抗を１×１０5Ω／□程度、高抵抗材のシート抵抗を５×１０5Ω／□程度としている。
【００３７】
次いで、赤（Ｒ）の蛍光体粒子をフォトレジスト溶液（溶剤を含む）に対して所定の割合で調合した混合溶液をスピンコーティング法によって前面基板２上に所定膜厚に塗布する。塗布膜を加熱乾燥した後に、赤（Ｒ）パターンに対応する位置に開孔を有するスクリーンマスクを用いて露光し、現像する。緑（Ｇ）と青（Ｂ）についても同様のフォトリソグラフィ法を用いて所定のパターンをそれぞれ形成する（工程Ｓ５）。そして、最終的に基板２を焼成して、矩形状又は短冊状の３色パターンの蛍光体層２３が縦横に規則配列された蛍光面６を得る。例えばピッチ６００μｍの正方画素の場合には、蛍光体層２３の横区画線（ストライプ）の幅は例えば２００〜４００μｍの範囲とする。これらの縦横区画線の下にはマトリックスパターンの遮光層２２が存在する。蛍光体層２３の膜厚は例えば５〜１５μｍとする。なお、蛍光体層２３は一部が遮光層２２と重なり合っていてもよい。
【００３８】
次いで、ギャップＧｙにフォトリソ法によって所定パターンの高抵抗材３３からなるカット間抵抗Ｒｙを形成する（工程Ｓ６）。高抵抗材３３として、例えばＲｕＯ２などの適当な抵抗材粒子を含有するペーストを用いることができる。カット間抵抗Ｒｙ形成後に所定温度に加熱して焼成する（工程Ｓ７）。その焼成温度は例えば４５０±５０℃とすることができる。
【００３９】
なお、低抵抗領域ＦＬ１〜ＦＬｎは、高抵抗領域に別の低抵抗材料を付加することにより形成しても良い。この場合は、工程Ｓ４と工程Ｓ６の順序を逆にし、先に高抵抗領域を作るようにすればよい。
【００４０】
次いで、蛍光体層２３および抵抗材３３，３４の上に樹脂フィルム層を形成する（工程Ｓ８）。この樹脂フィルム層は、例えばスピンコーティング法で形成されたニトロセルロース等の有機樹脂からなる薄い膜である。
【００４１】
次いで、樹脂フィルム層の上に真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着し、所定膜厚のメタルバック層７を形成する（工程Ｓ９）。さらに、これを所定温度に加熱して樹脂フィルム層を焼失させる。
【００４２】
次いで、所定の分断手段を用いてメタルバック層７を分断し、二次元的に分断されたメタルバック層７ａとする（工程Ｓ１０）。
【００４３】
次いで、このようにして形成した前面基板２を、電子放出素子が形成された背面基板１とともに真空チャンバ内に配置し、パターンの上からＴｉやＢａからなる所定のゲッタ材を蒸着し、メタルバック層７の領域に図示しないゲッタ材の蒸着膜を形成する（工程Ｓ１１）。なお、このようなゲッタ膜を形成する場合には、ゲッタによりメタルバック間のギャップが導通しないように、ギャップ部を形成する抵抗材に蒸着膜を電気的に分断する作用を付与する。あるいは、追加で抵抗材とは別にゲッタ分断作用を有する膜を形成する（工程Ｓ１２）。表面の凹凸によりゲッタを分断する技術は例えば特開２００３−０６８２３７号公報に記載されているように公知である。
【００４４】
最後に、適当な封着材を用いて、前面基板と背面基板が封着され真空容器が形成される。なお、側壁３はあらかじめ適当なタイミングで背面基板１や前面基板２と一体化しておき、封着は側壁３と背面基板２または前面基板１との間で行うのが好適である。
【００４５】
（第２の実施形態）  
次に、図５を参照して本発明の第２の実施形態について説明する。なお、本実施形態が上記実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００４６】
本実施形態の蛍光面は、カット間抵抗Ｒｘを給電ラインの構成材料とは別の工程と別の材料で形成している。すなわち、カット間抵抗Ｒｘのシート抵抗を５×１０5Ω／□程度として、上記第１の実施形態のそれ（１×１０5Ω／□程度）よりも高く設定している。こうすることで、工程は増えるが、それぞれに最適な抵抗値設定を行うことができるので、より望ましい特性を得ることができる。
【００４７】
第２の実施形態の製造方法は、抵抗材形成の工程が追加になること以外は、第１の実施形態と同様なので詳細な説明は省略する。
【００４８】
（第３の実施形態）  
次に、図６を参照して本発明の第３の実施形態について説明する。なお、本実施形態が上記実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００４９】
第３の実施形態では、三行目の横ラインＨＬ３上の低抵抗領域ＦＬ３を、一行目と二行目ラインＨＬ１，ＨＬ２の低抵抗領域ＦＬ１，ＦＬ２の縦並びからＹ方向（走査方向）に１画素分だけシフトさせている。また、第２の給電ラインにおいても、一行目の横ラインＨＬ１上の低抵抗領域ＦＬ１を、二行目と三行目ラインＨＬ２，ＨＬ３の低抵抗領域ＦＬ２，ＦＬ３の縦並びから１画素分だけＹ方向にシフトさせている。
【００５０】
さらに、第１の給電ラインと第２の給電ラインとの中間の位置にあたる二行目ラインＨＬ２上にもエキストラ低抵抗領域ＦＬＥを配置している。このエキストラ低抵抗領域ＦＬＥは、第１及び第２の給電ラインから等距離に位置し、両方の給電ラインから給電を受けられるようになっている。
【００５１】
このように、低抵抗領域の配置については、規則的に等ピッチ間隔で配置する構成に限らず、多種多様に複雑なパターンにすることが可能である。本発明の原理により、最適化の自由度が増すので、一般には、与えられた条件下で最適なパターンを選択すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】画像表示装置（ＦＥＤ）の概要を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿って切断した画像表示装置（ＦＥＤ）の端部近傍を示す部分拡大断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の蛍光面を示す拡大平面図。
【図４】第１の実施形態の画像表示装置を製造するための方法を示す工程図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る画像表示装置の蛍光面を示す拡大平面図。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る画像表示装置の蛍光面を示す拡大平面図。
【符号の説明】
【００５３】
１…背面基板、２…前面基板、３…側壁、
６…蛍光面、
７…メタルバック層、７ａ…分断されたメタルバック層、７ｂ…分断部、
８…電子放出素子、
２２…遮光層、
２３…蛍光体層、
２４，２４−１，２４−２…共通電極、
３０…抵抗材、
３３…高抵抗材、
３４…低抵抗材、
ＦＬ１１〜ＦＬ２２…給電ライン、
Ｒ２ｙ…接続抵抗、
ＨＬ１〜ＨＬ３…横ライン（ストライプ）、
Ｘ…走査方向に直交する方向、
Ｙ…走査方向。
【図１】
2006164919.tif 000003
【図２】
2006164919.tif 000004
【図３】
2006164919.tif 000005
【図４】
2006164919.tif 000006
【図５】
2006164919.tif 000007
【図６】
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