(57)【要約】【課題】例えば化学機械的研磨法等の平坦化処理を要しない絶縁膜を形成し得る絶縁膜の形成方法、かかる絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備える多層配線基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の絶縁膜の形成方法は、基板２上に設けられた導電体３同士を絶縁する絶縁膜４の形成方法であり、導電体３同士の間の空間を埋めるように、液相成膜法により第１の絶縁材料４１を充填する第１の工程と、各導電体３および第１の充填材料４１を覆うように、気相成膜法により第２の絶縁材料４２を供給して、絶縁膜４を得る第２の工程とを有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に設けられた導電体同士を絶縁する絶縁膜の形成方法であって、
前記導電体同士の間の空間を埋めるように、液相成膜法により第１の絶縁材料を充填する第１の工程と、
前記各導電体および前記第１の絶縁材料を覆うように、気相成膜法により第２の絶縁材料を供給して、前記絶縁膜を得る第２の工程とを有することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
【請求項２】
前記第１の工程において、前記第１の絶縁材料を、前記導電体の厚さとほぼ等しくなるように充填する請求項１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項３】
前記第１の工程において、前記液相成膜法としてインクジェット法を用いる請求項１または２に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項４】
前記第２の工程において、前記気相成膜法として熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用いる請求項１ないし３のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、前記気相成膜法は、前記導電体が溶融する温度未満の雰囲気温度で行われる請求項１ないし４のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁材料と前記第２の絶縁材料とは、同種のものである請求項１ないし５のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項７】
前記第１の絶縁材料は、二酸化ケイ素を主成分とするものである請求項１ないし６のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項８】
前記第２の絶縁材料は、二酸化ケイ素を主成分とするものである請求項１ないし７のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項９】
前記第１の工程に先立って、前記導電体の前記基材と反対の面側に、前記液相成膜法に用いる液状材料に対する撥液性を付与する撥液処理を施す工程を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１０】
前記第２の工程に先立って、前記撥液処理が施された部分を除去する工程を有する請求項９に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１１】
前記第１の工程に先立って、前記導電体の表面および前記導電体から露出する前記基材の表面に、気相成膜法により第３の絶縁材料を主材料とする被膜を連続して形成する被膜形成工程を有する請求項１ないし１０のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１２】
前記被膜形成工程において、前記被膜の平均厚さをＣ［ｎｍ］とし、前記導電体の平均厚さをＤ［ｎｍ］としたとき、Ｃ／Ｄが０．０２〜０．２なる関係を満足するように、前記被膜を形成する請求項１１に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１３】
前記第３の絶縁材料は、前記第２の絶縁材料と同種のものである請求項１１または１２に記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１４】
前記第３の絶縁材料は、二酸化ケイ素を主成分とするものである請求項１１ないし１３のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１５】
前記絶縁膜は、その基材と反対側の面の平面度（ＪＩＳ  Ｂ  ０６２１に規定）が３００ｎｍ以下である請求項１ないし１４のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備えることを特徴とする多層配線基板。
【請求項１７】
請求項１６に記載の多層配線基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁膜の形成方法、多層配線基板、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化に伴って、多層配線基板が用いられるようになっている。この多層配線基板は、一般に、次にようにして製造される。
まず、基板上に、下部配線層を形成した後、この下部配線層を覆うように、例えば気相成膜法を用いて層間絶縁膜を形成する。
次に、層間絶縁膜の表面を、化学機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ）法を用いて平坦化する（例えば、特許文献１参照。）。
次に、エッチングにより層間絶縁膜の一部を除去して、下部配線層の一部が露出するように、コンタクトホールを形成する。
【０００３】
次に、コンタクトホール内を埋めるように、導電性材料を供給して接続部を形成する。
次に、この接続部に接触するように、層間絶縁膜上に上部配線層を形成する。これにより、下部配線層と上部配線層とが電気的に接続される。
以上のような工程を複数回繰り返すことにより、多層配線基板を得ることができる。
ところが、このような方法では、層間絶縁膜を形成する毎に、その表面を平坦化する必要があるが、その操作（作業）に時間と手間とを要し、結果として、製造コストの増大を招くという問題がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１５８８８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、例えば化学機械的研磨法等の平坦化処理を要しない絶縁膜を形成し得る絶縁膜の形成方法、かかる絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備える多層配線基板、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の絶縁膜の形成方法は、基材上に設けられた導電体同士を絶縁する絶縁膜の形成方法であって、
前記導電体同士の間の空間を埋めるように、液相成膜法により第１の絶縁材料を充填する第１の工程と、
前記各導電体および前記第１の絶縁材料を覆うように、気相成膜法により第２の絶縁材料を供給して、前記絶縁膜を得る第２の工程とを有することを特徴とする。
これにより、化学機械的研磨法等の平坦化処理を要することなく平坦化された絶縁膜を得ることができる。
【０００７】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第１の工程において、前記第１の絶縁材料を、前記導電体の厚さとほぼ等しくなるように充填することが好ましい。
これにより、各導電体および第１の絶縁材料の基材と反対側の面をより平坦なものにすることができることから、形成される絶縁膜の基材と反対側の面もより平坦なものとなる。
【０００８】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第１の工程において、前記液相成膜法としてインクジェット法を用いることが好ましい。
かかる方法によれば、液状材料を導電体同士の間の空間に選択的に供給できることから、第１の絶縁材料が導電体の基材と反対側の面に付着するのを確実に防止することができる。
【０００９】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第２の工程において、前記気相成膜法として熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用いることが好ましい。
かかる方法を用いれば、より高密度かつ均一な量で第２の絶縁材料を導電体および第１の絶縁材料の基材と反対側の面に供給することができる。
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第２の工程において、前記気相成膜法は、前記導電体が溶融する温度未満の雰囲気温度で行われることが好ましい。
これにより、第２の絶縁材料を供給する際に、各導電体が不本意に溶融するのを確実に防止することができる。
【００１０】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第１の絶縁材料と前記第２の絶縁材料とは、同種のものであることが好ましい。
これにより、第１の絶縁材料と第２の絶縁材料との密着性をより向上させることができる。その結果、第１の絶縁材料と第２の絶縁材料との界面における剥離等を防止することができ、絶縁膜全体の膜強度の向上を図ることができる。
【００１１】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第１の絶縁材料は、二酸化ケイ素を主成分とするものであることが好ましい。
二酸化ケイ素は、絶縁性の高い材料であるとともに、液相成膜法により比較的高密度に導電体同士の間の空間に充填することができる材料である。このため、第１の絶縁材料として、二酸化ケイ素を主成分とするものを用いることにより、導電体同士をより確実に絶縁することができる。
【００１２】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第２の絶縁材料は、二酸化ケイ素を主成分とするものであることが好ましい。
気相成膜法により形成された二酸化ケイ素は、特に優れた絶縁性を発揮するものである。このため、第２の絶縁材料として二酸化ケイ素を主成分とするものを用いることにより、得られる絶縁膜全体としての絶縁性がさらに向上する。
また、絶縁膜上にさらに導電体を設ける場合には、この導電体と下層の導電体ともより確実に絶縁することができる。
【００１３】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第１の工程に先立って、前記導電体の前記基材と反対の面側に、前記液相成膜法に用いる液状材料に対する撥液性を付与する撥液処理を施す工程を有することが好ましい。
これにより、液状材料を導電体同士の間の空間に供給する際に、各導電体の基材と反対側の面に、液状材料（第１の絶縁材料）が不本意に付着するのを好適に防止することができる。
【００１４】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第２の工程に先立って、前記撥液処理が施された部分を除去する工程を有することが好ましい。
これにより、導電体および第１の絶縁材料の基材と反対側の面をさらに平坦化することができるとともに、かかる面の各部における第２の絶縁材料やその前駆体に対する濡れ性のバラツキを低減することができる。その結果、導電体および第１の絶縁材料の基材と反対側の面の各部における第２の絶縁材料の供給量のバラツキが防止される。これにより、得られる絶縁膜の上面のさらなる平坦化を図ることができる。
【００１５】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第１の工程に先立って、前記導電体の表面および前記導電体から露出する前記基材の表面に、気相成膜法により第３の絶縁材料を主材料とする被膜を連続して形成する被膜形成工程を有することが好ましい。
これにより、気相成膜法により形成される絶縁性の高い被膜を、導電体同士の間に介在させることができるため、導電体同士間をより確実に絶縁することができるようになる。また、これにより、液相成膜法により供給される第１の絶縁材料が、気相成膜法により高密度に供給される第２の絶縁材料と第３の絶縁材料とで覆われることになるため、絶縁膜が高温度環境に曝された場合でも、絶縁膜からのガスの発生を防止する効果も得られる。
【００１６】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記被膜形成工程において、前記被膜の平均厚さをＣ［ｎｍ］とし、前記導電体の平均厚さをＤ［ｎｍ］としたとき、Ｃ／Ｄが０．０２〜０．２なる関係を満足するように、前記被膜を形成することが好ましい。
これにより、絶縁膜の厚さが不要に大きくなるのを防止しつつ、被膜による確実な絶縁効果が発揮される。
【００１７】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第３の絶縁材料は、前記第２の絶縁材料と同種のものであることが好ましい。
これにより、第２の絶縁材料と第３の絶縁材料（被膜）との密着性が高いものとなる。また、これにより、第２の絶縁材料の導電体との接触面積が実質的に増大するため、絶縁膜の各導電体からの剥離防止効果がより向上する。
【００１８】
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記第３の絶縁材料は、二酸化ケイ素を主成分とするものであることが好ましい。
これにより、第２の絶縁材料と第３の絶縁材料（被膜）との密着性がより高いものとなり、絶縁膜の各導電体からの剥離防止効果がさらに向上する。
本発明の絶縁膜の形成方法では、前記絶縁膜は、その基材と反対側の面の平面度（ＪＩＳ  Ｂ  ０６２１に規定）が３００ｎｍ以下であることが好ましい。
かかる範囲の平面度を有する絶縁膜は、平坦性が十分に高いことから、この絶縁膜上にさらに導電体を形成する場合においても、その面を平坦化するのを省略することができる。
【００１９】
本発明の多層配線基板は、本発明の絶縁膜の形成方法により形成された絶縁膜を備えることを特徴とする。
これにより、平坦化された絶縁膜を備える信頼性の高い多層配線基板が得られる。
本発明の電子デバイスは、本発明の多層配線基板を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の絶縁膜の形成方法、多層配線基板、電子デバイスおよび電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜絶縁膜の形成方法＞
まず、本発明の絶縁膜の形成方法の好適な実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の絶縁膜の形成方法の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の絶縁膜の形成方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２１】
図１に示す絶縁膜の形成方法は、［１−１］各導電体３の上面に撥液処理を施す撥液処理工程と、［１−２］導電体３同士の間の空間３０に、液相成膜法により第１の絶縁材料４１を充填する第１の絶縁材料充填工程と、［１−３］撥液処理が施された部分を除去する撥液処理部除去工程と、［１−４］各導電体３および第１の絶縁材料４１を覆うように、気相成膜法により第２の絶縁材料４２を供給する第２の絶縁材料供給工程とを有している。
【００２２】
以下、各工程について順次説明する。
［１−１］撥液処理工程
まず、図１（ａ）に示すように、複数の導電体（配線）３が形成された基板（基材）２を用意する。
導電体３は、それぞれ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌまたはこれらを含む合金等で構成されている。
【００２３】
次に、各導電体３の上面（基板２と反対側の面）に、次工程［１−２］で用いる液状材料に対する撥液性を付与する撥液処理を施す。
これにより、次工程［１−２］において、液状材料を導電体３同士の間の空間３０に供給する際に、各導電体３の上面に、液状材料（第１の絶縁材料４１）が不本意に付着するのを好適に防止することができる。
【００２４】
この撥液処理は、例えば、各導電体３の上面に撥液膜を形成する方法、フッ素イオン等の撥液性を付与し得るイオンを注入（打ち込む）方法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
これらの中でも、撥液処理には、図１（ｂ）に示すように、各導電体３の上面に撥液膜５を形成する方法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、比較的容易に、各導電体３の上面に撥液性を付与することができる。
【００２５】
この撥液膜５は、例えば、撥液膜形成用材料を供給した後、必要に応じて、乾燥すること等により形成することができる。
また、この場合、撥液膜５は、基板２の上面全体を覆うように形成した後、不要部分を除去するようにして形成してもよいが、各導電体３の上面に選択的に形成するのが好ましい。
【００２６】
各導電体３の上面に撥液膜形成用材料を選択的に供給する方法としては、例えば、撥液膜形成用材料を含浸させたパッドまたはスタンパ等を、各導電体３の上面に接触させる方法、撥液膜形成用材料をインクジェット法により各導電体３の上面に吐出する方法等が挙げられるが、前者の方法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、比較的容易かつ確実に、各導電体３の上面に撥液膜５を選択的に形成することができる。
【００２７】
撥液膜５の構成材料としては、例えば、撥液性を示す官能基を有するカップリング剤や、撥液性の樹脂材料等が挙げられる。
また、撥液膜形成用材料には、これらを溶媒または分散媒に混合して調製した溶液または分散液を用いることができる。
カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等を用いることができる。
【００２８】
撥液性を示す官能基としては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基等が挙げられる。
カップリング剤の具体例としては、例えば、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００２９】
一方、撥液性の樹脂材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂等が挙げられる。
【００３０】
また、溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
【００３１】
撥液膜形成用材料における撥液膜５の構成材料の濃度は、構成材料の種類等に応じて、例えば、次のようにするのが好ましい。
カップリング剤の場合、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。また、樹脂材料の場合、０．０１〜０．５ｗｔ％程度であるのが好ましく、０．１〜０．３ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
なお、本工程［１−１］は、次工程［１−２］の液相成膜法に用いる液状材料の供給方法等によっては、省略することもできる。
【００３２】
［１−２］第１の絶縁材料充填工程（第１の工程）
次に、図１（ｃ）に示すように、導電体３同士の間の空間３０に、液相成膜法により第１の絶縁材料４１を充填する。これにより、空間３０には、第１の絶縁材料４１を主材料とする充填部が形成される。
液相成膜法によれば、真空装置等の大掛かりな設備や、マスクパターン等を要せず、比較的容易に第１の絶縁材料４１を空間３０に選択的に充填することができる。
【００３３】
ここで、第１の絶縁材料４１としては、例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、水素含有シルセスキオキサン（ＨＳＱ）、メチル基含有シルセスキオキサン（ＭＳＱ）のようなシリコン酸化物、窒化シリコン（ＳｉＮ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のような窒化物等の無機絶縁材料、ポリイミド系樹脂、ポリパラキシリレン、ベンゾシクロブテン、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂のような芳香族系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンのようなポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂等の有機絶縁材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３４】
これらの中でも、第１の絶縁材料４１としては、シリコン酸化物、特に、二酸化ケイ素を主成分とするものが好ましい。シリコン酸化物は、絶縁性の高い材料である。また、二酸化ケイ素は、液相成膜法により比較的高密度に導電体３同士の間の空間３０に充填することができる材料である。このため、第１の絶縁材料４１として、二酸化ケイ素を主成分とするものを用いることにより、導電体３同士をより確実に絶縁することができる。
【００３５】
本工程［１−２］は、具体的には、次にようにして行われる。
まず、前述したような第１の絶縁材料４１および／またはその前駆体を含有する液状材料を調製する。
この液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、前記工程［１−１］において説明したのと同様のものを用いることができる。
【００３６】
次いで、調製された液状材料を、液相成膜法により空間３０に供給する。
この液相成膜法には、例えば、インクジェット法、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、マイクロコンタクトプリンティング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、これらの中でも、インクジェット法を用いるのが特に好ましい。
インクジェット法によれば、液状材料を空間３０に選択的に供給できることから、第１の絶縁材料４１が導電体３の上面に付着するのを確実に防止することができる。
【００３７】
その後、液状材料に対して所定の処理を施す。これにより、空間３０に第１の絶縁材料４１を充填することができる。
例えば、第１の絶縁材料４１の前駆体（以下、単に「前駆体」と言う。）を含有する液状材料を用いる場合には、前駆体を第１の絶縁材料４１に変化させる処理を行う。
この処理としては、前駆体の種類に応じて適宜選択され、特に限定されないが、例えば、加熱、紫外線の照射等が挙げられる。
なお、この処理に先立って、液状材料の調製に用いた溶媒または分散媒の少なくとも一部を除去するようにしてよい。
【００３８】
具体的には、第１の絶縁材料４１が二酸化ケイ素を主成分とするものの場合、その前駆体としては、例えば、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラエトキシシラン、テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン、トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ、酸化性雰囲気中で加熱すること等により、二酸化ケイ素に変化させることができる。
また、例えば、第１の絶縁材料４１そのものを含有する液状材料を用いる場合には、液状材料中の溶媒または分散媒を除去する処理を行う。
溶媒または分散媒を除去する方法としては、例えば、加熱による方法、真空（減圧）乾燥、不活性ガスを吹付ける方法等が挙げられる。
【００３９】
ここで、後工程［１−４］において、第２の絶縁材料４２は、気相成膜法により供給されるるため、各導電体３の上面および充填部（第１の絶縁材料４１）の上面（以下、「第２の絶縁材料供給面」と言う。）にほぼ一定の割合（厚さ）で堆積するが、第２の絶縁材料４２を供給するのに先立って、第１の絶縁材料４１を空間３０に充填しておくことにより、第２の絶縁材料供給面が平坦化され、第２の絶縁材料４２を主材料として構成される層の上面、すなわち、形成される絶縁膜４の上面を平坦なものにすることができる。
これにより、従来、多層配線基板を製造する際に、必要とされていた絶縁膜表面の平坦化処理（例えば、化学的研磨法等）を省略することができる。
【００４０】
かかる観点からは、第１の絶縁材料４１は、各導電体３の厚さとほぼ等しくなるように充填するのが好ましい。これにより、第２の絶縁材料供給面をより平坦なものにすることができ、前記効果をより向上させることができる。また、これにより、例えば、第２の絶縁材料４２を主材料として構成される層の一部が空間３０の上部に入り込むこと等により、得られる絶縁膜４全体としての比誘電率が目的とする値からズレるのを好適に防止することもできる。
【００４１】
［１−３］撥液処理部除去工程
次に、前記工程［１−２］において撥液性が付与された部分（領域）を除去する。
これにより、第２の絶縁材料供給面をさらに平坦化することができるとともに、かかる面の各部における第２の絶縁材料４２やその前駆体に対する濡れ性のバラツキを低減することができる。すなわち、第２の絶縁材料供給面の物理的および化学的特性の均一化を図ることができる。その結果、第２の絶縁材料供給面の各部における第２の絶縁材料４２の供給量のバラツキが防止される。
【００４２】
このように、次工程［１−４］に先立って、撥液性が付与された部分（領域）を除去することにより、得られる絶縁膜４の上面のさらなる平坦化を図ることができる。
撥液性が付与された部分を除去する方法としては、例えば、プラズマエッチング、リアクティブイオンエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、本工程［１−３］は、次工程［１−４］に用いる気相成膜法の種類等によっては、省略することもできる。
【００４３】
［１−４］第２の絶縁材料供給工程（第２の工程）
次に、図１（ｄ）に示すように、各導電体３および第１の絶縁材料４１（第２の絶縁材料供給面）を覆うように、気相成膜法により第２の絶縁材料４２を層状（または膜状）に供給する。これにより、第２の絶縁材料４２を主材料として構成される層（被覆層）が形成される。
【００４４】
気相成膜法によれば、第２の絶縁材料４２を高密度で供給することができるため、第２の絶縁材料を主材料として構成される層が緻密なものとなり、得られる絶縁膜４全体としての絶縁性がより向上する。
また、絶縁膜４上にさらに導電体を設ける場合には、この導電体と下層の導電体３とも確実に絶縁することができる。
【００４５】
さらに、気相成膜法により形成される層は、導電体３との密着性にも優れるため、仮に第１の絶縁材料４１と導電体３との密着性が若干低い場合でも、前記層と各導電体３との密着性が確保されるため、絶縁膜４が全体として各導電体３から剥離するのを防止することもできる。
ここで、第２の絶縁材料４２としては、例えば、二酸化ケイ素、フッ素含有シルセスキオキサン、炭素含有シルセスキオキサンのようなシリコン酸化物や、窒化シリコン、窒化チタンのような窒化物等の無機絶縁材料、ポリパラキシリレン、ポリビニルフェノール、ノボラック樹脂のような芳香族系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、アモルファスカーボンのようなカーボン材料等の有機絶縁材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
これらの中でも、第２の絶縁材料４２としては、シリコン酸化物、特に、二酸化ケイ素を主成分とするものが好ましい。シリコン酸化物は、前述したように、絶縁性の高い材料である。また、気相成膜法により形成された二酸化ケイ素は、特に優れた絶縁性を発揮するものである。このため、第２の絶縁材料４２として二酸化ケイ素を主成分とするものを用いることにより、前記効果をより向上させることができる。
【００４７】
また、第１の絶縁材料４１と第２の絶縁材料４２とは、互いに異なる種類（組成）の材料であってもよいが、同種のものを用いるのが好ましい。これにより、第１の絶縁材料４１と第２の絶縁材料４２との密着性をより向上させることができる。その結果、第１の絶縁材料４１（充填部）と第２の絶縁材料４２（被覆層）との界面における剥離等を防止することができ、絶縁膜４全体の膜強度の向上を図ることができる。
これらのことから、第１の絶縁材料４１と第２の絶縁材料４２との組み合わせとしては、これらのいずれもが二酸化ケイ素を主成分とするものが最適である。
【００４８】
本工程［１−４］で用いられる気相成膜法としては、例えば、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法のような化学的蒸着法（ＣＶＤ法）、真空蒸着法、スパッタリング（低温スパッタリング）法、イオンプレーティング法のような物理的蒸着法（ＰＶＤ法）、熱酸化法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、化学的気相成膜法、特に、熱ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法を用いるのが好ましい。
【００４９】
かかる方法を用いれば、より高密度かつ均一な量で第２の絶縁材料４２を第２の絶縁材料供給面に供給することができる。
ここで、気相成膜法として化学的蒸着法を用いる場合、第２の絶縁材料４２を供給するための材料としては、第２の絶縁材料の前駆体を用いるようにすればよい。
また、気相成膜法として物理的蒸着法を用いる場合、第２の絶縁材料４２を供給するための材料としては、第２の絶縁材料そのものを用いるようにすればよい。
【００５０】
例えば、二酸化ケイ素を主成分とする第２の絶縁材料４２を、熱ＣＶＤ法により供給する場合には、所定圧力のチャンバ内に、シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガス（キャリアガス）とを導入しチャンバ内を加熱することにより行うことができる。
シリコン酸化物前駆体としては、例えば、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、テトラエトキシシラン、テトラキス（ヒドロカルビルアミノ）シラン、トリス（ヒドロカルビルアミノ）シラン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００５１】
酸素原子を含むガスとしては、例えば、酸素（純酸素）、オゾン、過酸化水素、水蒸気、一酸化窒素、二酸化窒素、酸化二窒素等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
チャンバ内の温度（雰囲気の温度）は、特に限定されないが、導電体３が溶融する温度未満に設定されているのが好ましい。例えば、各導電体３がＡｌで構成される場合には、前記雰囲気の温度は、４５０℃未満に設定されているのが好ましい。これにより、第２の絶縁材料４２を供給する際に、各導電体３が不本意に溶融するのを確実に防止することができる。
【００５２】
加熱の時間（加熱時間）は、チャンバ内の温度により若干異なるが、１０〜９０分程度であるのが好ましく、２０〜６０分程度であるのがより好ましい。
チャンバ内の圧力（真空度）は、０．０５Ｔｏｒｒ〜大気圧（７６０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、０．１〜５００Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
また、シリコン酸化物前駆体と酸素原子を含むガスとの混合比は、モル比で１０：１〜１：１００程度であるのが好ましく、１：２〜１：１０程度であるのがより好ましい。
【００５３】
また、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする第２の絶縁材料４２を、プラズマＣＶＤ法により供給する場合には、前記熱ＣＶＤ法においてチャンバ内を加熱するのに代えて、高周波電力により酸素原子を含むガスをプラズマ励起することにより、行うことができる。
高周波電力の出力は、１００〜５００Ｗ程度であるのが好ましく、２５０〜３５０Ｗ程度であるのがより好ましい。
【００５４】
なお、プラズマＣＶＤ法によれば、供給される絶縁材料４２を、高エネルギー状態で導電体３の上面に到達させることができる。また、プラズマ励起されたガスにより導電体３の上面に付着している付着物を除去することができるとともに、その上面自体を粗いものにすることができる。このようなことが要因となり、導電体３の上面と第２の絶縁材料４２との間により高い密着性が得られる。すなわち、導電体３と第２の絶縁材料を主材料として構成される層との間により高い密着性が得られる。
以上のような工程を経て、第１の絶縁材料４１（充填部）と第２の絶縁材料４２（被覆層）とで構成される絶縁膜４を得ることができる。
【００５５】
このような絶縁膜４の上面は、その平面度（ＪＩＳ  Ｂ  ０６２１に規定）が３００ｎｍ以下であるのが好ましく、１００ｎｍ以下であるのがより好ましい。かかる範囲の平面度を有する絶縁膜４は、平坦性が十分に高いことから、この絶縁膜４上にさらに導電体を形成する場合においても、その面を例えば化学的研磨法等を用いて平坦化するのを省略することができる。
【００５６】
＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の絶縁膜の形成方法の第２実施形態について説明する。
図２は、本発明の絶縁膜の形成方法の第２実施形態により、形成された絶縁膜の構成を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５７】
以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態では、前記工程［１−１］（撥液処理工程）に先立って、各導電体３の表面および各導電体３から露出する基板２の表面に、気相成膜法により第３の絶縁材料４３を主材料とする被膜を連続して形成する被膜形成工程を有し、それ以外は、第１実施形態と同様である。
【００５８】
これにより、気相成膜法により形成される絶縁性の高い被膜を、導電体３同士の間に介在させることができるため、導電体３同士間をより確実に絶縁することができるようになる。また、これにより、液相成膜法により供給される第１の絶縁材料４１（充填部）が、気相成膜法により高密度に供給される第２の絶縁材料４２（被覆層）と第３の絶縁材料４３（被膜）とで覆われることになるため、絶縁膜４が高温度環境に曝された場合でも、絶縁膜４からのガスの発生を防止する効果も得られる。
この気相成膜法には、前記工程［１−４］で説明したのと同様の方法を用いることができる。
【００５９】
第３の絶縁材料４３としては、第２の絶縁材料４２で挙げた材料と同様のものを用いることができるが、第２の絶縁材料４２と同種のものを用いるのが好ましい。これにより、第２の絶縁材料４２（被覆層）と第３の絶縁材料４３（被膜）との密着性が高いものとなる。また、これにより、第２の絶縁材料４２の導電体３との接触面積が実質的に増大するため、絶縁膜４の各導電体３からの剥離防止効果がより向上する。
このようなことから、第３の絶縁材料４３は、第１の絶縁材料４１および第２の絶縁材料４２と同様に、シリコン酸化物、特に、二酸化ケイ素を主成分とするものが好ましい。これにより、前記効果をさらに向上させることができる。
【００６０】
また、このような被膜は、被膜の平均厚さをＣ［ｎｍ］とし、各導電体３の平均厚さをＤ［ｎｍ］としたとき、Ｃ／Ｄが０．０２〜０．２なる関係を満足するように形成するのが好ましく、０．０５〜０．１なる関係を満足するように形成するのがより好ましい。これにより、絶縁膜４の厚さが不要に大きくなるのを防止しつつ、被膜による確実な絶縁効果が発揮される。
以上のようにして形成された絶縁膜４は、その表面（上面）に十分な平坦性を有するものであることから、例えば化学的研磨法等の平坦化処理を省略することができる。このため、本発明の絶縁膜の形成方法を用いることにより、時間と手間の低減、さらには、絶縁膜の製造コストの低減を図ることができる。
【００６１】
＜電子デバイス＞
次に、本発明の絶縁膜の形成方法を適用して形成された多層配線基板を備える半導体装置（本発明の電子デバイス）について説明する。
図３は、本発明の電子デバイスを半導体装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」という。
【００６２】
半導体装置１００は、多層配線基板２０と、この多層配線基板２０にボールバンプ５２を介して実装された半導体素子１０と、半導体素子１０を保護するカバー６０と、この半導体装置１００により制御する他の電子デバイスと接続するボールバンプ５１とを有している。
多層配線基板２０は、多層配線基板２０の支持体となるベース基板２１と、ベース基板２１上に設けられた多層配線部２２とにより構成されている。
【００６３】
多層配線部２２は、ベース基板２１上に設けられた複数の導電体（配線）３１と、この導電体３１が設けられたベース基板２１を覆うように形成された層間絶縁膜４０とを有するとともに、所定の位置の下層の導電体３１と上層の導電体３１とを電気的に接続する接続部３２を有している。そして、このような導電体３１と層間絶縁膜４０と接続部３２とがさらに２回積層されている。
【００６４】
導電体３１および接続部３２は、それぞれ、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌまたはこれらを含む合金等で構成されている。
各導電体３１の各平均厚さは、構成材料の種類によっても若干異なるが、１００〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５００〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。各導電体３１の各平均厚さが前記下限値未満の場合には、導電体３１の電気容量の低下や抵抗の増加等の問題が生じることにより、多層配線基板２０の信頼性が低下するおそれがある。また、前記平均厚さが前記上限値を超える場合には、多層配線基板２０全体の厚さが必要以上に大きくなり好ましくない。
【００６５】
また、層間絶縁膜４０において、導電体３１の上面から層間絶縁膜４０までの平均厚さは、５０〜８００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。これにより、上層と下層の導電体３１同士が確実に絶縁されるとともに、多層配線基板２０全体の厚さが必要以上に厚くなるのを確実に防止することができる。
ベース基板２１の構成材料としては、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム等の各種半導体材料、各種ガラス材料、各種樹脂材料等を用いることができる。
【００６６】
また、ベース基板２１には、ベース基板２１上すなわち最も下層に設けられた導電体３１とボールバンプ５１とが電気的に接続されるように、ベース基板２１の厚さ方向に貫通する導電部３３が設けられている。そして、ベース基板２１の下面に導電部３３と電気的に接続するようにボールバンプ５１が設けられている。
この導電部３３の構成材料としては、導電体３１および接続部３２で説明したのと同様のものを用いることができる。
【００６７】
また、ボールバンプ５１の構成材料としては、例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系半田等のＰｂ含有半田や、Ｓｎ−Ａｇ系半田、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系半田等のような、実質的にＰｂを含まないＰｂ不含半田（Ｐｂフリー半田）、銀ろう、銅ろう、リン銅ろう、黄銅ろう、アルミろう、ニッケルろう等を用いることができる。
多層配線部２２の上部には、最も上層に設けられた導電体３１とボールバンプ５２および接続部３２を介して電気的に接続された半導体素子１０が搭載されている。
【００６８】
ボールバンプ５２の構成材料としては、ボールバンプ５１で説明したのと同様のものを用いることができる。
そして、半導体素子１０上には、カバー部材６２から半導体素子１０への衝撃を低減する緩衝材６１と、半導体素子１０を実質的に保護するカバー部材６２とにより構成されるカバー６０が設けられている。
【００６９】
カバー部材６２の構成材料としては、例えば、各種樹脂材料、ガラス材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、緩衝材６１は、半導体素子１０とカバー部材６２との間に設けられ、半導体素子１０から生じる熱を放熱する放熱材としても機能する。
このような半導体装置１００は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００７０】
［２−１］  まず、導電部３３が設けられたベース基板２１の下面に、この導電部３３と電気的に接続するように複数のボールバンプ５１を形成する。
［２−２］  次に、ベース基板２１の上面に、ベース基板２１が備える導電部３３と電気的に接続するように複数の導電体３１を形成する。
導電体３１は、例えば、ベース基板２１を覆うように金属膜を形成した後、この金属膜の不要部分を除去することにより形成することができる。
【００７１】
金属膜の形成には、例えば、熱酸化法、熱ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学的蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング（低温スパッタリング）、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法の他、金属箔の接合等を用いることができる。
また、金属膜の除去方法としては、例えば、前述したような物理的エッチング法、化学的エッチング法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７２】
［２−３］  次に、ベース基板２１上に、導電体３１を覆うように層間絶縁膜４０を形成する。この層間絶縁膜４０の形成に、本発明の絶縁膜の形成方法が適用される。
［２−４］  次に、層間絶縁膜４０の所定の位置に、コンタクトホールを形成する。このコンタクトホールは、下層の導電体３１と上層の導電体３１とを電気的に接続すべき位置に形成される。
コンタクトホールは、例えば、フォトリソグラフィー法等により、コンタクトホールを形成する領域に開口部を有するレジスト層を形成した後、このレジスト層をマスクとして用いて、層間絶縁膜４０をエッチングすることにより得ることができる。
【００７３】
なお、前記レジスト層は、層間絶縁膜４０上に、レジスト材料を塗布（供給）した後に、このレジスト材料を形成するコンタクトホールの形状に対応するフォトマスクを介して露光・現像することにより得ることができる。
レジスト材料を塗布する方法としては、例えば、前述したような液相成膜法（塗布法）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７４】
また、用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよい。
層間絶縁膜４０をエッチングする方法としては、例えば、前述したような物理的エッチング法、化学的エッチング法等を用いることができる。
ところで、コンタクトホールを形成する際に、導電体３１を覆って液相成膜法により形成された膜が存在すると、この膜中に残存する溶媒に起因するガスが発生することとなる。その結果、次工程［２−５］で接続部を形成する際に、このガスが接続部内に混入して、接続部の特性が低下する等の問題が生じることとなる。
これに対して、本発明を適用して形成された層間絶縁膜４０は、導電体３１を覆う部分は、気相成膜法により形成されるため、前記問題を生じることが防止され、特性の高い接続部３２を形成することができる。
【００７５】
［２−５］  次に、コンタクトホール内を埋めるように、導電性材料を供給して接続部３２を形成する。
接続部３２は、まず、コンタクトホール内を埋めように、かつ、層間絶縁膜４０を覆うようにして、導電性材料を供給した後、導電性材料を層間絶縁膜４０の上面が露出するまで除去することにより形成することができる。
【００７６】
導電性材料としては、導電体３１の構成材料と同様のものを用いることができる。
なお、導電性材料の供給には、例えば、前述したような乾式メッキ法、湿式メッキ法等を用いることができる。
また、導電性材料の除去方法としては、例えば、前述したような物理的エッチング法、化学的エッチング法等を用いることができる。
【００７７】
［２−６］  次に、前述した工程［２−２］〜工程［２−５］をさらに２回繰り返すことにより、多層配線部２２を形成する。
なお、本実施形態では、導電体３１が３層形成されているものを一例に説明したが、この工程の回数を適宜設定することにより、多層配線部における導電体３１の積層回数を所望のものにすることができる。
【００７８】
［２−７］  次に、ボールバンプ５２を備える半導体素子１０を、多層配線部２２の上面に設けられた接続部３２とボールバンプ５２とが電気的に接続するように、多層配線部２２上に搭載する。
［２−８］  次に、半導体素子１０とカバー部材６２との間に緩衝材６１を介在させた状態で、半導体素子１０をカバー部材６２により覆うようにして、カバー６０により半導体素子１０を封止する。
以上のような工程を経て、半導体装置１００を得ることができる。
なお、本発明の多層配線基板２０を備える電子デバイスは、半導体装置１００の他、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマ型表示装置との電子光学装置等に適用することができる。
【００７９】
＜電子機器＞
また、前述したような半導体装置１００（本発明の電子デバイス）は、各種電子機器に用いることができる。
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【００８０】
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００においては、例えば、表示ユニット１１０６の出力信号を制御する半導体素子（電子デバイス）として内蔵されている。
【００８１】
図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
この携帯電話機１２００においては、例えば、この表示部の出力信号を制御する半導体素子（電子デバイス）として内蔵されている。
【００８２】
図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００８３】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
このディジタルスチルカメラ１３００においては、例えば、この表示部の出力信号を制御する半導体素子（電子デバイス）として内蔵されている。
【００８４】
ケースの内側には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８には、撮像信号を記憶（格納）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者や表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８の記憶デバイスに転送・格納される。
【００８５】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、データ通信用入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８の記憶デバイスに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００８６】
本発明の電子デバイスは、例えば、ＣＣＤやデータ通信用入出力端子１３１４等の入力機器からの入力信号や、表示部やビデオ信号出力端子１３１２等の出力機器への出力信号等を制御する半導体素子（電子デバイス）として内蔵されている。
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００８７】
以上、本発明の絶縁膜の形成方法、多層配線基板、電子デバイスおよび電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明の絶縁膜の形成方法は、前述したような多層配線基板に用いられる層間絶縁膜の他、例えば、薄膜トランジスタの層間絶縁膜、ゲート絶縁膜等を形成する場合に適用することもできる。
【実施例】
【００８８】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
（実施例）
−１−  まず、Ａｌを主材料とする複数の導電体が形成された石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
なお、各導電体の平均膜厚および各導電体の間の空間の距離は、それぞれ、７００ｎｍおよび５００〜３５００ｎｍであった。
【００８９】
−２−  次に、オクタデシルトリメトキシシランを、０．１ｗｔ％となるようにトルエンに溶解した撥液膜形成用材料を、パッドに含浸させた。
そして、このパッドを導電体の上面に接触させつつ、一定の速度でずらすことにより、オクタデシルトリメトキシシランで構成される撥液膜（単分子膜）を導電体の上面に形成した。
なお、撥液膜形成時の処理条件は、以下に示す通りである。
・雰囲気の温度    ：２５℃
・パッドの移動速度：２ｍｍ／ｓｅｃ
【００９０】
−３−  次に、ポリシラザンを、０．５ｗｔ％となるようにキシレンに溶解した液状材料を、インクジェット法により、導電体同士の間の空間に選択的に供給した。
そして、以下の成膜条件で、加熱して液状材料を乾燥させることにより、空間に二酸化ケイ素を充填した。
・雰囲気      ：大気中
・雰囲気の温度：４５０℃
・加熱時間    ：１５分
【００９１】
−４−  次に、各導電体の上面に形成された撥液膜をプラズマエッチング法を用いて除去した。
−５−  次に、チャンバ内に、導電体が形成された側の面を鉛直下方として石英ガラス基板をセットした。そして、熱ＣＶＤ法により、この石英ガラス基板がセットされたチャンバ内に、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）の蒸気をキャリアガスとともに供給して、二酸化ケイ素を主材料とする層を得た。
【００９２】
また、熱ＣＶＤによりチャンバ内にテトラエトキシシランを供給した際の各種条件は、以下に示すとおりである。
・テトラエトキシシランの流量      ：２００ｓｃｃｍ
・キャリアガス                    ：酸素
・加熱時のチャンバ内の圧力        ：０．１Ｔｏｒｒ
・加熱時のチャンバ内の温度        ：２５０℃
・加熱時間                        ：２０分
・ＴＥＯＳと酸素の混合比（モル比）：１：２
以上のようにして得られた二酸化ケイ素を主材料とする絶縁膜の石英ガラス基板と反対側の面の平面度（ＪＩＳ  Ｂ  ０６２１に規定）は、５０ｎｍであり、ほぼ平坦な形状を有するもの（化学機械的研磨法等の平坦化処理を要しないもの）であった。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】絶縁膜の形成方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図２】絶縁膜の形成方法の第２実施形態により、形成された絶縁膜の構成を示す縦断面図である。
【図３】本発明の電子デバイスを半導体装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９４】
２……基板  ３、３１……導電体  ４……絶縁膜  ５……撥液膜  ４１……第１の絶縁材料  ４２……第２の絶縁材料  ４３……第３の絶縁材料（被膜）  １０……半導体素子  ２０……多層配線基板  ３０……空間  ２１……ベース基板  ２２……多層配線部  ３２……接続部  ３３……導電部  ４０……層間絶縁膜  ５１、５２……ボールバンプ  ６０……カバー  ６１……緩衝材  ６２……カバー部材  １００……半導体装置  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……回路基板  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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