(57)【要約】【課題】  高調波を安定して減衰させることができる電気的特性に優れた小型の積層型バルントランスを得る。【解決手段】  セラミック誘電体層１１〜２０が積層されてなる積層体１０ａからなる積層型バルントランス。積層体１０ａには、不平衡信号端子Ｐ1、グランド端子Ｇ1、平衡信号端子Ｐ2、平衡信号端子Ｐ3、グランド端子Ｇ2、ダミー端子Ｐ4が形成されている。誘電体層１３，１５，１６には、入力信号波の１／４波長よりも充分短い線路長を有する第１の線路１３ａ、第２の線路１５ａ及び第３の線路１６ａが形成されている。第２の線路１５ａは、誘電体層１３，１４を間にして第１の線路１３ａと電磁的に結合し、誘電体層１５を間にして第３の線路１６ａと電磁的に結合している。【選択図】  図２
2006014276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２及び第３の線路がそれぞれ形成された誘電体層を含む積層体からなり、第２の線路が形成された誘電体層の厚み方向の一方側及び他方側に第１の線路が形成された誘電体層及び第３の線路が形成された誘電体層がそれぞれ積層されており、第２の線路に第１及び第３の線路が電磁的に結合している積層型バルントランスであって、
前記第１、第２及び第３の線路はいずれもその長さが入力信号波の１／４波長よりも短く、
前記第２の線路はその一端が不平衡信号端子とされており、他端が接地されており、
前記第１の線路は第２の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が接地されているとともに、他端が第１の平衡信号端子とされており、
前記第３の線路は第２の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が第２の平衡信号端子とされるとともに、他端が接地されていること、
を特徴とする積層型バルントランス。
【請求項２】
前記積層体がセラミックからなることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項３】
前記第１、第２及び第３の線路がスパイラル形状を有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層型バルントランス。
【請求項４】
前記第１、第２及び第３の線路が互いに異なる幅及び長さを有していることを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３に記載の積層型バルントランス。
【請求項５】
前記不平衡信号端子とグランドとの間にキャパシタが接続されていることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３又は請求項４に記載の積層型バルントランス。
【請求項６】
前記平衡信号端子のそれぞれとグランドとの間にキャパシタが接続されていることを特徴とする請求項５に記載の積層型バルントランス。
【請求項７】
前記第３の線路の下側の誘電体層にシールド電極を設けたことを特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５又は請求項６に記載の積層型バルントランス。
【請求項８】
前記第１の線路と前記第２の線路との間隔Ｔ１と前記第３の線路と前記第２の線路との間隔Ｔ２とが、Ｔ１＞Ｔ２の関係にあることを特徴とする請求項７に記載の積層型バルントランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型バルントランスに関し、より詳しくは、無線通信機器用集積回路の平衡−不平衡信号変換器や位相変換器などに用いられる積層型バルントランスに関する。
【背景技術】
【０００２】
バルントランスとは、たとえば、平衡伝送線路（バランス伝送線路）の平衡信号及び不平衡伝送線路（アンバランス伝送線路）の不平衡信号を相互に変換するためのものであり、バルンとはバランス−アンバランスの略称である。平衡伝送線路は対をなす二つの信号線路を備え、信号（平衡信号）が二つの信号線路間の電位差として伝搬するものをいう。平衡伝送線路では、外来ノイズは同じ位相（コモンモード）を有していて二つの信号線路に等しく影響するので、外来ノイズは相殺され、外来ノイズの影響を受けにくいという利点がある。
【０００３】
また、アナログＩＣの信号用の入出力端子も、信号を二つの端子間で電位差として入力あるいは出力するバランス型であることが多い。これに対して、不平衡伝送線路は、信号（不平衡信号）がグランド電位（ゼロ電位）に対する１本の伝送線路の電位として伝搬するものをいい、たとえば同軸線路や基板上のマイクロストリップラインがこれに相当する。
【０００４】
従来、高周波回路における伝送線路の平衡−不平衡変換器として、フェライト等の磁性体コアに巻線をバイファイラ巻きした構造のバルントランスが用いられていた。しかしながら、この構造のバルントランスは、たとえばＵＨＦ帯以上の高周波帯域では変換損失が大きく、また、小型化にも限界があった。
【０００５】
このような周波数帯域に対しては、図６に示すような同軸構造のバルントランス６０が用いられていた。このバルントランス６０は中心電極６５を有し、該中心電極６５の一端には、入出力端子６２ａが接続されている。中心電極６５の他端は開放されている。中心電極６５の周囲には、二つの内部電極６６ａ，６６ｂが中心電極６５と電磁結合するように設けられている。内部電極６６ａ，６６ｂの対向する内側の端部は、引出線６７ａ，６７ｂを介して、他の入出力端子６２ｂ，６２ｃにそれぞれ接続されている。さらに、内部電極６６ａ，６６ｂの周囲には、誘電体を挟んで、グランド電極６８が設けられている。グランド電極６８の両端は、内部電極６６ａ，６６ｂの外側の端部に接続されている。図６のバルントランス６０は図７に示すような等価回路を有している。
【０００６】
前記バルントランス６０は、同軸構造を有しているため小型化が困難であり、たとえば移動無線機等のように小型のバルントランスが要求される機器には不適当なものであった。
【０００７】
同軸構造を有するバルントランスが有している前記のような問題点を解消するため、たとえば特許文献１には、図８に示すようなチップ型バルントランスが提案されている。このバルントランス７０は、引出電極７２ａを表面に設けた誘電体層７２と、１／２波長ストリップライン７３ａｂを表面に設けた誘電体層７３と、１／４波長ストリップライン７４ａ，７４ｂを表面に設けた誘電体層７４と、グランド電極７１ａ，７５ａをそれぞれ表面に設けた誘電体層７１，７５等で構成されている。
【０００８】
１／２波長ストリップライン７３ａｂは、スパイラル状の第１の部分７３ａ及び第２の部分７３ｂを有している。１／４波長ストリップライン７４ａ，７４ｂは、ストリップラ
イン７３ａｂの第１の部分７３ａ及び第２の部分７３ｂとそれぞれ電磁結合している。
【０００９】
前記バルントランス７０はチップ化されているので、同軸構造のバルントランス６０と比較して小型化されている。しかしながら、１／２波長ストリップライン７３ａｂは、スパイラル状の第１の部分７３ａ及び第２の部分７３ｂが１／４波長の１組の結合線路を構成しており、これら１／４波長の結合線路７３ａ，７３ｂに、いま１組の１／４波長ストリップライン７４ａ，７４ｂのそれぞれが電磁結合する構成を有しているので、１／４波長の結合線路を合計２組必要とする。
【００１０】
また、これらの結合線路７３ａ，７３ｂ，７４ａ，７４ｂは、原理的に、その線路長を１／４波長よりも短くすることはできない。さらには、１／２波長ストリップライン７３ａｂの第１の部分７３ａ及び第２の部分７３ｂは、誘電体層７３の同じ表面に並んで形成されており、１／４波長ストリップライン７４ａ，７４ｂも誘電体層７４の同じ表面に並んで形成されているので、誘電体層７３，７４の所要面積も大きくなる。このため、特許文献１に記載されたチップ型バルントランスも小型化には限界があった。
【００１１】
また、特許文献２には、図９に示すような積層型バルントランスが提案されている。この積層型バルントランス８０は、引出電極８２ａを表面に設けた誘電体シート８２と、１／４波長ストリップライン８３ａ，８４ａ，８６ａ，８７ａをそれぞれ表面に設けた誘電体シート８３，８４，８６，８７と、グランド電極８１ａ，８５ａ，８８ａをそれぞれ表面に設けた誘電体シート８１，８５，８８で構成されている。
【００１２】
ストリップライン８３ａ，８４ａは誘電体シート８３を挟んで対向して設けられ、電磁結合している。また、ストリップライン８６ａ，８７ａは誘電体シート８６を挟んで対向して設けられ、電磁結合している。ストリップライン８３ａの端部とストリップライン８７ａの端部とは、外部電極を介して電気的に接続されている。
【００１３】
前記積層型バルントランス８０では、１／４波長ストリップライン８３ａ，８７ａを異なる誘電体シート８３，８７にそれぞれ形成し、１／４波長ストリップライン８４ａ，８６ａも異なる誘電体シート８４，８６にそれぞれ形成しているので、１／４波長ストリップライン８３ａ，８４ａ，８６ａ，８７ａは誘電体シート８１〜８８の積層方向に配置される。このため、誘電体シート８１〜８８はその面積を小さくすることができるが、積層厚みが大きくなるという問題点があった。
【００１４】
また、積層型バルントランス８０では、１／４波長のストリップライン８３ａ，８４ａ，８６ａ，８７ａを使用しているので、奇数次の高調波は殆ど減衰されることなく通過し、偶数次の高調波についても、減衰特性が急峻なトラップ状で製品ごとやロットごとにトラップの中心周波数がばらつくためスペック化が困難であった。このため、別途、トラップフィルタなどを設けることにより、高調波を除去しなければならないという問題点もあった。
【特許文献１】特開平７−１７６９１８号公報
【特許文献２】特開平９−２６０１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
そこで、本発明の目的は、高調波を安定して減衰させることができる電気的特性に優れた小型の積層型バルントランスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するため、本発明に係る積層型バルントランスは、
第１、第２及び第３の線路がそれぞれ形成された誘電体層を含む積層体からなり、第２の線路が形成された誘電体層の厚み方向の一方側及び他方側に第１の線路が形成された誘電体層及び第３の線路が形成された誘電体層がそれぞれ積層されており、第２の線路に第１及び第３の線路が電磁的に結合している積層型バルントランスであって、
前記第１、第２及び第３の線路はいずれもその長さが入力信号波の１／４波長よりも短く、
前記第２の線路はその一端が不平衡信号端子とされており、他端が接地されており、
前記第１の線路は第２の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が接地されているとともに、他端が第１の平衡信号端子とされており、
前記第３の線路は第２の線路の前記一端と同じ極性を有する側の一端が第２の平衡信号端子とされるとともに、他端が接地されていること、
を特徴とする。
【００１７】
本発明に係る積層型バルントランスによれば、第１、第２及び第３の線路の三つの線路しか必要としないうえに、その線路長も１／４波長よりも短いので、積層体のサイズが小さくなるばかりでなく線路間の電磁結合が相対的に小さくなり、従来の積層型バルントランスと同じ誘電体材料を使用したときには、誘電体層の厚みを薄くすることができ、サイズの小さい積層型バルントランスを得ることができる。さらに、第１、第２及び第３の線路の線路長が１／４波長よりも短くなっているので、入力信号周波数の数倍の周波数まで良好な減衰を得ることができ、安定した減衰特性を得ることができる。これにより、減衰特性のスペック化も可能となる。
【００１８】
本発明に係る積層型バルントランスにおいては、前記積層体がセラミックからなることが好ましい。セラミックはＱ及び誘電率が高く、この種の積層体の材質として良好な特性を有している。また、前記第１、第２及び第３の線路がスパイラル形状を有していることが好ましい。それぞれの線路のスパイラルの巻数を調整することにより、線路のインダクタンスを調整し、容易に入出力の整合を調整することができる。
【００１９】
また、前記第１、第２及び第３の線路は互いに異なる幅及び長さを有していてもよい。それぞれの線路のスパイラルの幅及び長さを調整することにより、線路のインダクタンスを変化させ、容易に入出力の整合を調整することができる。
【００２０】
また、前記不平衡信号端子とグランドとの間にキャパシタが接続されていてもよい。キャパシタの接続により不平衡信号端子に接続される第２の線路の共振周波数が下がるので、それだけ第２の線路の線路長を短くすることができる。これにより、積層型バルントランスをより小型化することができる。
【００２１】
さらに、前記平衡信号端子のそれぞれとグランドとの間にキャパシタが接続されていてもよい。このようなキャパシタの接続により平衡信号端子に接続される第１及び第３の線路の共振周波数が下がるので、それだけこれら線路の線路長を短くすることができる。これにより、積層型バルントランスをより小型化することができる。
【００２２】
また、前記第３の線路の下側の誘電体層にシールド電極を設けてもよい。このシールド電極の存在にて第３の線路のインダクタンスが小さくなり、第３の線路と第２の線路との間隔Ｔ２を第１の線路と第２の線路との間隔Ｔ１よりも小さく設定できる。すなわち、第２の線路と第３の線路の誘電体層の厚みを薄くすることにより両者をより接近させることができ、誘電体層の厚みを薄くして、セラミック積層体の積層厚を小さくすることができる。これにより、より小型の積層型バルントランスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る積層型バルントランスの実施例を添付図面を参照して説明する。
【００２４】
（第１実施例、図１〜図３参照）
本発明の第１実施例である積層型バルントランスの外観を図１に、その具体的な構成を図２に示す。
【００２５】
この積層型バルントランス１０は、セラミックの誘電体層１１〜２０が積層されてなるチップ状のセラミック積層体１０ａからなる。誘電体層１１〜２０は、いずれも、誘電体セラミック材料をドクターブレード法や引き上げ法などの手法で成形したセラミックグリーンシートが積層／圧着された後、焼成され、積層体１０ａが形成される際に、セラミックグリーンシートが焼結されて形成される。このため、図１において、誘電体層１１〜２０の積層方向で互いに隣り合う層間には、実際には、区分線が生じることはない。
【００２６】
誘電体層１１〜２０の積層により誘電体層１１から誘電体層２０にかけて形成される積層体１０ａの一つの積層面には、不平衡信号端子Ｐ1、グランド端子Ｇ1、平衡信号端子Ｐ2が形成されている。また、積層体１０ａの一つの積層面と対向するいま一つの積層面に
は、平衡信号端子Ｐ3、グランド端子Ｇ2、ダミー端子Ｐ4が形成されている。これらグラ
ンド端子Ｇ1，Ｇ2、不平衡信号端子Ｐ1、平衡信号端子Ｐ2，Ｐ3及びダミー端子Ｐ4は、セラミックグリーンシートの焼結前に予め印刷により形成されていてもよく、また、積層体１０ａの焼成の後に形成してもよい。
【００２７】
誘電体層１３，１５，１６には、それぞれの一の主面にいずれも同じ巻方向のスパイラル状線路パターンを有する第１の線路１３ａ、第２の線路１５ａ及び第３の線路１６ａが形成されている。これらの線路１３ａ，１５ａ，１６ａは、本第１実施例では互いに等しい一定の幅を有しており、かつ入力信号波の１／４波長よりも十分短い線路長、たとえば１／１２波長の線路長となるように形成されている。そして、第２の線路１５ａは、その上側に積層されている誘電体層１３，１４を間にして第１の線路１３ａと電磁的に結合するとともに、自身の形成されている誘電体層１５を間にして第３の線路１６ａと電磁的に結合している。
【００２８】
線路１３ａ，１５ａ，１６ａの線路長を入力信号波の１／４波長より短くしているのは、３本の線路を結合させる場合に、線路長が１／４波長だといずれか二つが強く結合し、残りの一つが結合しなくなるためである。線路長を短くすることによって強く結合していた方の結合が弱まり、逆に弱かった方の結合が強くなり、適当な長さ間隔などによってバランスが取れるようになる。
【００２９】
第２の線路１５ａは、そのスパイラルの外側に位置する一端が誘電体層１４に形成されたビアホールＶｈ1及び引出電極１４ａを通して不平衡信号端子Ｐ1に電気的に接続され、そのスパイラルの内側に位置する他端が前記誘電体層１４に形成されたビアホールＶｈ2
及び引出電極１４ｂを通してグランド端子Ｇ1に電気的に接続されている。また、第１の
線路１３ａは、第２の線路１５ａの一端と同じ極性を有する側（スパイラルの外側）の一端が誘電体層１２に形成されたビアホールＶｈ3及び引出電極１２ａを通してグランド端
子Ｇ2に電気的に接続され、第２の線路１５ａの一端とは異なる極性を有する側（スパイ
ラルの内側）の他端が誘電体層１２に形成されたビアホールＶｈ4及び引出電極１２ｂを
通して平衡信号端子Ｐ3に電気的に接続されている。ここで、二つの線路の一端が同じ極
性を有しているとは、一般にトランスなどでコイルを表す記号の一端側に黒丸印を付して示しているものと同じ意味で用いるものとする。従って、例えば、第１の線路１３ａの巻方向が第２の線路１５ａとは逆方向になっていれば、第１の線路１３ａにおいてはスパイラルの内側を一端、外側を他端と称することになる。
【００３０】
第３の線路１６ａは、第２の線路１５ａの一端と同じ極性を有する側（スパイラルの外側）の一端が誘電体層１６に形成されたビアホールＶｈ5及び誘電体層１７に形成された
引出電極１７ａを通していま一つの平衡信号端子Ｐ2に電気的に接続され、第２の線路１
５ａの一端と異なる極性を有する側（スパイラルの内側）の他端が誘電体層１６に形成されたビアホールＶｈ6及び誘電体層１７に形成された引出電極１７ｂを通してグランド端
子Ｇ2に電気的に接続されている。
【００３１】
誘電体層１８の一の主面にはグランド電極１８ａが形成されており、該グランド電極１８ａは引出電極１８ｂによりグランド端子Ｇ1に電気的に接続されている。また、誘電体
層１９の一の主面にはキャパシタ電極１９ａが形成されており、該キャパシタ電極１９ａは引出電極１９ｂにより不平衡信号端子Ｐ1に電気的に接続されている。
【００３２】
さらに、誘電体層２０の一の主面にもグランド電極２０ａが形成されており、該グランド電極２０ａは引出電極２０ｂによりグランド端子Ｇ1に電気的に接続されている。キャ
パシタ電極１９ａは、誘電体層１８を間にしてグランド電極１８ａに対向するとともに、誘電体層１９を間にしてグランド電極２０ａに対向している。これにより、不平衡信号端子Ｐ1とグランド端子Ｇ1との間には、図３で説明する静電容量Ｃ1が形成される。
【００３３】
以上に説明した積層型バルントランス１０は、図３に示した等価回路を有している。即ち、積層型バルントランス１０では、第２の線路１５ａは、その一端及び他端が不平衡信号端子Ｐ1及びグランド端子Ｇ1にそれぞれ接続される。第１の線路１３ａは、第２の線路１５ａの一端と同じ極性を有する一端がグランド端子Ｇ2に接続され、第２の線路１５ａ
の一端と異なる極性を有する他端が不平衡信号端子Ｐ3に接続される。第３の線路１６ａ
は、第２の線路１５ａの一端と同じ極性を有する一端が平衡信号端子Ｐ2に接続され、第
２の線路１５ａの一端と異なる極性を有する他端がグランド端子Ｇ2に接続される。そし
て、不平衡信号端子Ｐ1とグランド端子Ｇ1との間に前記静電容量（キャパシタ）Ｃ1が接
続される。
【００３４】
なお、図３において、第１の線路１３ａ、第２の線路１５ａ及び第３の線路１６ａの各一端にそれぞれ付された黒丸印は、これら一端が同じ極性を有するものであることを示している。
【００３５】
以上の構成からなる積層型バルントランス１０では、グランド端子Ｇ1，Ｇ2は通常は同じ電位で接地されるが、仮に第１の線路１３ａ、第２の線路１５ａ及び第３の線路１６ａにバイアス電圧を印加して使用するようなときには、グランド端子Ｇ2は信号周波数にお
いてインピーダンスの充分小さいキャパシタを介して接地される。そして、不平衡信号端子Ｐ1とグランド端子Ｇ1との間に不平衡信号が入力すると、該不平衡信号は第２の線路１５ａと電磁的に結合している第１の線路１３ａ及び第３の線路１６ａにより平衡信号に変換されて平衡信号端子Ｐ2，Ｐ3間から出力する。逆に、平衡信号端子Ｐ2，Ｐ3間に平衡信号が入力すると、該平衡信号は第１の線路１３ａ及び第３の線路１６ａと電磁的に結合している第２の線路１５ａにより不平衡信号に変換されて不平衡信号端子Ｐ1とグランド端子Ｇ1との間から出力する。
【００３６】
積層型バルントランス１０では、第１、第２及び第３の線路１３ａ，１５ａ，１６ａの三つの線路しか必要としないうえに、その線路長も１／４波長よりも充分短い１／１２波長としているので、積層体１０ａのサイズを大幅に小さくすることができ、積層型バルントランス１０のサイズが大幅に小型化される。また、各線路１３ａ，１５ａ，１６ａの線路長が入力信号波の１／４波長よりも短くなると、線路間の電磁結合が相対的に小さくなり、そこで発生する磁界が外部に漏洩することも少なくなる。このため、第１の線路１３ａの上側にはシールド用の電極を設ける必要がない。しかも、従来の積層型バルントランスと同じ誘電体材料を使用したときには、誘電体層１３，１４，１５の厚みを薄くすることができる。このような点からも、積層型バルントランス１０のより一層の小型化を図る
ことができる。
【００３７】
さらに、各線路１３ａ，１５ａ，１６ａの線路長が入力信号波の１／１２波長となっているので、その長さで１／４波長となる信号の周波数は入力信号の周波数の３倍になる。すなわち、入力信号の３倍の周波数の信号にとって１／４波長線路を備えることになる。そして、そのような装置においてはさらにその２倍の周波数のところに最初の減衰極が現われるので、結果的に入力信号周波数の６倍の周波数までスプリアスのない良好な減衰特性を得ることができる。従って、入力信号周波数の２倍波、３倍波については、周波数特性がトラップ状にはなることがなく、安定した減衰特性を得ることができる。これにより、減衰特性のスペック化も可能となる。
【００３８】
さらに、不平衡信号端子Ｐ1とグランド端子Ｇ1との間に接続されるキャパシタＣ1によ
り、積層型バルントランス１０の不平衡信号側の入出力の整合を容易にとることができるばかりでなく、第２の線路１５ａとキャパシタＣ1とで共振回路が形成され、その共振周
波数がキャパシタＣ1の静電容量の増加とともに低下するので、第２の線路１５ａの線路
長をさらに短くすることができる。これにより、積層型バルントランス１０のさらなる小型化を図ることができる。
【００３９】
また、本第１実施例において、図２に示すように、第１の線路１３ａと第２の線路１５ａとの間隔Ｔ１と第３の線路１６ａと第２の線路１５ａとの間隔Ｔ２とが、Ｔ１＞Ｔ２の関係にある。すなわち、第３の線路１６ａの下側の誘電体層１８にはグランド電極１８ａが形成されているため、このグランド電極１８ａの存在にて第３の線路１６ａのインダクタンスが小さくなり、第３の線路１６ａと第２の線路１５ａとの間隔Ｔ２を第１の線路１３ａと第２の線路１５ａとの間隔Ｔ１よりも小さく設定できる。これにて、第３の線路１６ａと第２の線路１５ａとがより接近し、セラミック積層体１０の積層厚を小さくすることができる。
【００４０】
（第２実施例、図４参照）
本発明の第２実施例である積層型バルントランスを図４に示す。この積層型バルントランス３０は、図１及び図２を参照して説明した第１実施例である積層型バルントランス１０において、積層体１０ａの誘電体層１７と誘電体層１８との間に、主面に二つのキャパシタ電極２１ａ，２１ｂを形成した誘電体層２１を介して誘電体層１１〜２１により積層体１０ｂを形成し、二つのキャパシタ電極２１ａ，２１ｂを平衡信号端子Ｐ2，Ｐ3にそれぞれ接続したものである。キャパシタ電極２１ａ，２１ｂは、誘電体層２１を間にして誘電体層１８に形成されたグランド電極１８ａに対向し、その間に図３に点線で示した静電容量Ｃ2，Ｃ3がそれぞれ形成される。なお、図４において、図２に対応する部分には対応する符号を付して示し、重複した説明は省略する。
【００４１】
この積層型バルントランス３０にあっては、前記第１実施例である積層型バルントランス１０と同様の効果を奏する。さらに、平衡信号端子Ｐ2とグランド端子Ｇ1との間に接続されるキャパシタＣ2、平衡信号端子Ｐ3とグランド端子Ｇ1との間に接続されるキャパシ
タＣ3により、積層型バルントランス３０の平衡信号側の入出力の整合を容易にとること
ができる。また、第１の線路１３ａ、第３の線路１６ａ、キャパシタＣ2，Ｃ3とで共振回路が形成され、その共振周波数がキャパシタＣ2，Ｃ3の静電容量の増加とともに低下するので、第１の線路１３ａ、第３の線路１６ａからなる二つの線路の線路長をさらに短くすることができる。これにより、積層型バルントランス３０のより一層の小型化を図ることができる。
【００４２】
（第３実施例、図５参照）
本発明の第３実施例である積層型バルントランスを図５に示す。この積層型バルントランス４０は、前記第１実施例である積層型バルントランス１０において、第１の線路１３ａ及び第３の線路１６ａの幅をいずれも第２の線路１５ａの幅よりも太くするとともに、第１の線路１３ａ及び第３の線路１６ａの長さをいずれも第２の線路１５ａの長さよりも短くし、引出電極１２ａ，１２ｂ，１７ａ，１７ｂやビアホールＶｈ3〜Ｖｈ6の長さが第１の線路１３ａ及び第３の線路１６ａに及ぼす影響を考慮して、線路１３ａ，１６ａのインダクタンスを必要な値に調整するようにしたものである。
【００４３】
このように、第１〜第３の線路１３ａ，１５ａ，１６ａは全てが同じ長さ、同じ幅である必要はなく、仕様などに応じて適宜変更しても構わないものである。従って、第１の線
路１３ａ及び第３の線路１６ａは、引出電極１２ａ，１２ｂ，１７ａ，１７ｂやビアホールＶｈ3〜Ｖｈ6の長さ等に応じて、前記とは逆に第２の線路１５ａに比較して幅が狭く形成されたり線路長が長く形成されることもある。
【００４４】
なお、図５において、図１及び図２に対応する部分には対応する符号を付して示し、重複した説明は省略する。
【００４５】
（他の実施例）
本発明に係る積層型バルントランスは前記実施例に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々の構成とすることができる。
【００４６】
特に、前記各実施例では、第１、第２及び第３の線路１３ａ，１５ａ，１６ａはスパイラル形状を有するものについて説明したが、これらの線路１３ａ，１５ａ，１６ａはたとえばミアンダ形状を有するものであってもよい。
【００４７】
また、前記積層体はセラミックにて構成したが、樹脂にて構成してもよい。但し，セラミックはＱ及び誘電率が高く、この種の積層体の材質として好ましいものである。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明に係る積層型バルントランスの第１実施例の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示した積層型バルントランスの分解斜視図である。
【図３】図１に示した積層型バルントランスの等価回路図である。
【図４】本発明に係る積層型バルントランスの第２実施例の分解斜視図である。
【図５】本発明に係る積層型バルントランスの第３実施例の分解斜視図である。
【図６】従来の同軸構造のバルントランスの説明図である。
【図７】図６に示したバルントランスの等価回路図である。
【図８】従来の積層型バルントランスの分解斜視図である。
【図９】従来のいま一つの積層型バルントランスの分解斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０，３０，４０…積層型バルントランス
１０ａ，１０ｂ…積層体
１１〜２１…誘電体層
１３ａ…第１の線路
１５ａ…第２の線路
１６ａ…第３の線路
１８ａ…グランド電極
１９ａ…キャパシタ電極
２０ａ…グランド電極
３０，４０…積層型バルントランス
Ｐ1…不平衡信号端子
Ｐ2，Ｐ3…平衡信号端子
Ｇ1，Ｇ2…グランド端子
Ｃ1，Ｃ2，Ｃ3…キャパシタ
【図１】
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【図２】
2006014276.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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