(57)【要約】【課題】  被エッチング膜に対して、左右の側壁の傾斜角が互いに異なるトレンチを形成することができるトレンチ形成方法、２つの側壁の傾斜角が互いに異なる充填材のパターンの形成方法、これを用いた充填材のパターン及びデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】  基板１上に形成された被エッチング膜１０の一部をエッチングしてトレンチを形成するトレンチ形成方法であって、被エッチング膜１０上にトレンチに対応する開口３５を有するドライエッチングマスク３０を形成する工程と、ドライエッチングマスク３０をマスクとして被エッチング膜１０をエッチングしてトレンチを形成する工程と、を備え、ドライエッチングマスク３０において開口３５を挟んで対向する２つの側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲが互いに異なる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された被エッチング膜の一部をエッチングしてトレンチを形成するトレンチ形成方法であって、
前記被エッチング膜上に、前記トレンチに対応する開口を有したドライエッチングマスクを形成する工程と、
前記ドライエッチングマスクをマスクとして前記被エッチング膜をドライエッチングして前記トレンチを形成する工程と、を備え、
前記ドライエッチングマスクにおいて、前記開口内で対向する２つの側壁の傾斜角が互いに異なる、トレンチ形成方法。
【請求項２】
前記ドライエッチングマスクを形成する工程は、
前記被エッチング膜上において前記トレンチが形成されるべき部分の上にレジスト部を形成する工程と、
前記レジスト部をマスクとして、前記被エッチング膜に垂直な方向に対して傾斜した方向からスパッタ粒子を前記被エッチング膜に対して供給して前記ドライエッチングマスクを形成する工程と、を有する請求項１に記載のトレンチの形成方法。
【請求項３】
前記ドライエッチングマスクを形成する工程は、
前記被エッチング膜上において前記トレンチが形成されるべき部分の上にレジスト部を形成する工程と、
前記レジスト部をマスクとして、前記被エッチング膜に対してスパッタ粒子を供給して前記ドライエッチングマスクを形成する工程と、を有し、
前記レジスト部の互いに対向する２つの側壁の傾斜角が互いに異なる請求項１に記載のトレンチの形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかのトレンチ形成方法で形成されたトレンチが形成された薄膜。
【請求項５】
請求項４の薄膜を備えるデバイス。
【請求項６】
請求項１〜３の何れかの方法を用いて被エッチング膜にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチ内に充填材料を充填して充填材のパターンを形成する工程とを備える充填材のパターンの形成方法。
【請求項７】
前記充填材のパターンの形成後に前記被エッチング膜を除去する工程をさらに備える請求項６に記載の充填材のパターンの形成方法。
【請求項８】
請求項６又は７の方法で形成された充填材のパターン。
【請求項９】
請求項８の充填材のパターンを備えるデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチの形成方法、充填材のパターンの形成方法、充填材のパターン及びデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
被エッチング膜にトレンチを形成する方法として、ウエットエッチング、ドライエッチング等が知られている。このトレンチ内に、メッキ等によって充填材料を充填すると、充填材のパターンが得られる。このような、トレンチや充填材のパターンは、薄膜磁気ヘッド等のデバイス等において広く用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平５−２９９４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来の方法では、トレンチの左右の側壁の傾斜角を独立に設定することが困難であった。
【０００４】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、被エッチング膜に対して、左右の側壁の傾斜角が互いに異なるトレンチを形成することができるトレンチ形成方法、２つの側壁の傾斜角が互いに異なる充填材のパターンの形成方法、これを用いた充填材のパターン及びデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明にかかるトレンチ形成方法は、基板上に形成された被エッチング膜の一部をエッチングしてトレンチを形成するトレンチ形成方法であって、被エッチング膜上に、トレンチに対応する開口を有するドライエッチングマスクを形成する工程と、ドライエッチングマスクをマスクとして被エッチング膜をドライエッチングしてトレンチを形成する工程と、を備えている。そして、ドライエッチングマスクにおいて、開口内における２つの側壁の傾斜角が互いに異なる。
【０００６】
本発明によれば、ドライエッチングマスクの開口内の左右の側壁の傾斜角θＤが互いに異なる。したがって、このドライエッチングマスクをマスクとしてドライエッチングによりトレンチを形成すると、トレンチの左右の側壁は、ドライエッチングマスクの開口の両側壁の傾斜角θＤに応じてそれぞれ傾斜することとなる。具体的には、ドライエッチングマスクの開口の側壁の傾斜角θＤを、各側壁と被エッチング膜の表面とがなす角とすると、ドライエッチングマスクの一方の側壁の傾斜角θＤが他方よりも大きいと、その下に形成される被エッチング膜のトレンチの側壁の傾斜角θＴも他方よりも大きくなる。したがって、トレンチの左右の側壁の傾斜角θＴを独立に設定することが可能となる。ここで、被エッチング膜のトレンチの傾斜角θＴは、被エッチングマスクにおけるトレンチの各側壁と基板の表面とがなす角である。
【０００７】
ここで、ドライエッチングマスクを形成する工程は、被エッチング膜上におけるトレンチが形成されるべき部分の上にレジスト部を形成する工程と、レジスト部をマスクとして、被エッチング膜に垂直な方向に対して傾斜した方向からスパッタ粒子を被エッチング膜に供給してドライエッチングマスクを形成する工程と、を有することが好ましい。
【０００８】
こうすると、被エッチング膜上におけるレジスト部の一方の側壁側の部分と、被エッチング膜上におけるレジスト部の他方の側壁側の部分とでは、スパッタ粒子の堆積挙動が異なるので、レジスト部の２つの側壁の傾斜角が同じであっても、ドライエッチングマスクの開口の２つの側壁の傾斜角が互いに異なることとなる。また、スパッタ粒子の供給角を変えることにより、同じレジスト部を用いた場合でも、ドライエッチングマスクの開口の左右の側壁に対して様々な傾斜角の組み合わせを設定可能である。
【０００９】
また、次のようにしてもよい。すなわち、ドライエッチングマスクを形成する工程が、被エッチング膜上における開口が形成されるべき部分の上にレジスト部を形成する工程と、レジスト部をマスクとして、被エッチング膜に対してスパッタ粒子を供給してドライエッチングマスクを形成する工程と、を有し、レジスト部の互いに対向する２つの側壁の傾斜角θＲが互いに異なるのである。
【００１０】
この場合は、スパッタ粒子の供給方向が基板表面に対して垂直であっても、レジスト部の側壁の傾斜角θＲの左右の違いに応じて、ドライエッチングマスクの開口の２つの側壁の傾斜角θＴを互いに異ならせることが容易である。
【００１１】
本発明に係る薄膜は、上述のいずれかのトレンチ形成方法で形成されたトレンチが形成されている。また、本発明に係るデバイスは、上述の薄膜を備える。
【００１２】
本発明に係る充填材のパターンの形成方法は、上述の何れかの方法を用いて被エッチング膜にトレンチを形成する工程と、トレンチ内に充填材料を充填して充填材のパターンを形成する工程とを備える。これによると、上述の如く２つの側壁の傾斜角θＴが互いに異なるトレンチ内に充填材料が充填されるので、このトレンチの２つの側壁の傾斜角θＴの違いを利用して、互いに側壁の傾斜角θＴが異なる充填材のパターンを形成できる。
【００１３】
ここで、充填材のパターンを形成後に被エッチング膜を除去してもよい。
【００１４】
また、本発明に係る充填材のパターンは上述の充填材のパターンの形成方法で形成されている。また、本発明に係るデバイスは、上述の充填材のパターンを備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、被エッチング膜に対して、左右の側壁の傾斜角が互いに異なるトレンチを形成することができるトレンチ形成方法、及び、２つの側壁の傾斜角が互いに異なる充填材のパターンの形成方法、これを用いた充填材のパターン及びデバイスが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して説明する。
【００１７】
（第一実施形態）
まず、第一実施形態のトレンチの形成方法及び充填材のパターンの形成方法について説明する。
【００１８】
まず、図１に示すように、基板１を用意する。基板１の材料は特に限定されないが、例えば、セラミック、金属、シリコン等の半導体、ポリエステル等のプラスチック等が挙げられる。
【００１９】
続いて、図２に示すように、基板１上に被エッチング膜１０を形成する。被エッチング膜１０の材料も特に限定されないが、例えば、アルミナ、シリカ、ノボラック樹脂等の絶縁体を挙げることができる。また、被エッチング膜１０の形成方法も特に限定されず、例えば、被エッチング膜の組成等に応じて、スパッタリング法、蒸着法、CVD法、スピンコート法等を利用できる。被エッチング膜１０の膜厚も特に限定されないが、例えば、０．１〜１μmとすることができる。
【００２０】
続いて、図３及び図４に示すように、被エッチング膜１０上に、レジスト部２０Ａを形成する。レジスト部２０Ａの平面形状、すなわち、レジスト部２０Ａを基板１に対して垂直な方向から見た時の形状は、得るべきトレンチ及び充填材の平面形状（パターン）に応じた所望の形状に設定し得る。本実施形態では、レジスト部２０Ａの平面形状は、細長線状である。レジスト部２０Ａの形成方法は、特に限定されず、公知のフォトリソグラフィー法を任意好適に採用できる。例えば、被エッチング膜上に感光性材料層を形成し、その感光性材料層に対してステッパーやスキャナーを用いて所望の平面形状に対応する潜像を露光し、その後適切な現像液を用いて現像すればよい。露光波長は、例えば、λ＝２４８ｎｍ等を使用できる。
【００２１】
レジスト部２０Ａの材料は、特に限定されず、例えば、ノボラック−ＮＱＤレジスト、ポリヒドロキシスチレン系化学増幅型レジスト（ＰＨＳ−ＣＡＲ）等を挙げることができる。
【００２２】
レジスト部２０Ａの膜厚２０Ｔは特に限定されないが、例えば０．１〜０．８μmとすることができる。
【００２３】
ここで、レジスト部２０Ａは、図３及び図４に示すように、互いに対向する側壁２０ＳＬ，２０ＳＲを有し、各側壁２０ＳＲ、２０ＳＬがそれぞれアンダーカットがなされたものであることが好ましい。すなわち、各側壁２０ＳＬ，２０ＳＲは、上部が側方に突出するように傾斜しており、レジスト部２０Ａにおける底面と側壁２０ＳＬ，２０ＳＲとのなす角がいずれも鈍角となっていることが好ましい。
【００２４】
ここで、レジスト部２０Ａの側壁２０ＳＬ，２０ＳＲの傾斜角θＲＬ、θＲＲを図４のように定義する。すなわち、図４のようなレジスト部２０Ａの断面において、レジスト部２０Ａの左側壁２０ＳＬと被エッチング膜１０の表面に対して垂直な垂線ｌとがなす角を傾斜角θＲＬ、レジスト部２０Ａの右側壁２０ＳＲと被エッチング膜１０の表面に垂直な垂線ｌとがなす角を傾斜角θＲＲとする。傾斜角θＲＬ，θＲＲが０°の場合は、側壁２０ＳＬ，２０ＳＲは被エッチング膜１０に対して垂直に配置される。θＲＬ，θＲＲは、それぞれ、０°以上、例えば、５〜２０°であることが好ましい。本実施形態では、θＲＬ＝θＲＲとしているが互いに異なっていても実施は可能である。
【００２５】
なお、レジスト部２０Ａの線幅は、特に限定されないが、例えば、底面における下幅２０ＷＤを０．０５〜０．２０μｍ、上面における上幅２０ＷＵを０．０７〜０．８０μｍとすることができる。
【００２６】
続いて、図５に示すように、レジスト部２０Ａをマスクとして被エッチング膜１０上にドライエッチングマスク３０をスパッタリング法により形成する。ドライエッチングマスク３０の材料は、後述のドライエッチング工程において、被エッチング膜１０よりも、ドライエッチングされにくい材料であれば特に限定されない。ドライエッチングマスク３０の材料としては、例えば、Ｔａ，ＴｉＮ，ＮｉＦｅ等が挙げられる。また、ドライエッチングマスク３０の膜厚は、例えば、０．００１〜０．５μｍ程度とすることができる。
【００２７】
続いて、スパッタリング法、すなわち、イオン源８２からイオンビームを放出してスパッタターゲット８０に照射し、スパッタターゲット８０からたたき出された原子等のスパッタ粒子を、ドライエッチングマスク３０をマスクとして被エッチング膜１０上に積層させる。そして、スパッタ粒子の堆積により形成されるドライエッチングマスク３０は、レジスト部２０Ａの側壁２０ＳＬ，２０ＳＲの近傍において、それぞれレジスト部２０Ａに向かって厚みが薄くなる略テーパ形状の側壁３５Ｌ，３５Ｒを有する。ここで、図５に示すように、ドライエッチングマスク３０において、ドライエッチングマスク３０の底面と、各側壁３５Ｌ，３５Ｒとがなす角をドライエッチングマスクの側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲとする。
【００２８】
そして、本実施形態においては、特に、ドライエッチングマスク３０を傾斜スパッタリング法により形成する。傾斜スパッタリング法では、スパッタ粒子を、被エッチング膜１０に対して、被エッチング膜１０や基板１に対して垂直な方向に供給するのでなく、垂直な方向に対してレジスト部２０Ａのいずれかの側壁２０ＳＬ，２０ＳＲ側へ傾斜した方向に供給する。本実施形態では、スパッタターゲット８０が、レジスト部２０Ａの垂直上方でなく、レジスト部２０Ａから見てレジスト部２０Ａの一方の側壁２０ＳＬ側に傾斜した方向に配置されている。このような傾斜スパッタは、例えば、通常のスパッタ装置において、基板１を傾斜させることにより容易に実現可能である。ここでは、基板１の表面と、スパッタ粒子の供給方向とがなす角θＶ（θＶ≦９０°）を、供給角θＶと定義する。
【００２９】
そうすると、図５に示すように、ドライエッチングマスク３０の側壁３５Ｌ，３５Ｒの形状が、レジスト部２０Ａの両側において互いに異なるようになる。具体的には、スパッタ粒子の供給方向が傾斜した側、すなわち図示左の側壁２０ＳＬ側においては、スパッタ粒子が十分にレジスト部２０Ａの下部まで入り込む一方、スパッタ粒子の供給方向が傾斜した側とは反対側、すなわち図示右の側壁２０ＳＲ側においては、スパッタ粒子が下部まで入り込みにくい。したがって、ドライエッチングマスク３０の左の側壁３５Ｌの傾斜角θＤＬは、右の側壁２０ＳＲの傾斜角θＤＲよりも大きくなる。言い換えると、レジスト部２０Ａの左右においてドライエッチングマスク３０の厚み分布が異なることとなる。なお、図５の断面図において、ドライエッチングマスク３０の側壁３５Ｌ，３５Ｒがそれぞれきれいな直線になる必要は無く、曲線等であっても、例えば、側壁３５Ｌ，３５Ｒの上端と下端とを結ぶ線や平均線等を利用して傾斜角を観念できる。
【００３０】
続いて、図６に示すように、レジスト部２０Ａを公知の方法によって除去する。除去方法は特に限定されず、例えば、アセトン、ＮＭＰ等の有機溶媒を用いることにより好適にレジスト部２０Ａを被エッチング膜１０から除去できる。これにより、形成すべきトレンチに対応した開口３５を有するドライエッチングマスク３０が被エッチング膜１０上に形成される。
【００３１】
続いて、図７に示すように、ドライエッチング法によって、ドライエッチングマスク３０をマスクとして被エッチング膜１０の一部を除去し、互いに対向する側壁１５ＳＬ，１５ＳＲを有するトレンチ１５を形成する。ドライエッチング法としては、例えば、イオンミリング法や、反応性イオンミリング法等が挙げられる。エッチングガスとしては、例えば、Ａｒ、Ｃｌ２、ＢＣｌ３等が挙げられる。
【００３２】
そうすると、ドライエッチングマスク３０は被エッチング膜１０に比してドライエッチングされにくいものの、ある程度ドライエッチングされるので、図７に示すように、ドライエッチングマスク３０の側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲの違いに応じて被エッチング膜１０の側壁１５ＳＬ，１５ＳＲに、下部が突き出る形状のテーパがそれぞれ形成される。ここで、被エッチング膜１０におけるトレンチ１５の側壁１５ＳＬ及び側壁１５ＳＲの傾斜角θＴＬ，θＴＲを、図７のように、被エッチング膜１０の底面と側壁１５ＳＬ、１５ＳＲとがなす角と定義する。
【００３３】
ここでは、図６において、ドライエッチングマスク３０の右の側壁３５Ｒの傾斜角θＤＲが、ドライエッチングマスク３０の左の側壁３５Ｌの傾斜角θＤＬよりも小さいので、図７に示すように、被エッチング膜１０のトレンチ１５の右の側壁１５ＳＲの傾斜角θＴＲは被エッチング膜１０のトレンチ１５の左の側壁１５ＳＬの傾斜角θＴＬよりも小さくなる。すなわち、右側のドライエッチングマスク３０のテーパ部分の幅が左側のテーパ部分に比べて広いので、これに対応して、右側の被エッチング膜１０のトレンチ１５のテーパの幅も右側の方が左側に比べて広くなる。
【００３４】
続いて、図８に示すように、トレンチ１５内に充填材層４０を形成する。充填材層４０の形成方法は特に限定されず、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法、メッキ法、塗布法等を採用できる。また、充填材層４０の材料も特に限定されず、例えば、金属、金属酸化物、樹脂等が可能である。また、充填材層４０の形成厚みも、トレンチ１５内を十分に充填できる程度の厚みであれば良く、例えば、０．１〜１．０μｍとすることができる。
【００３５】
最後に、図９に示すように、基板１の表面をＣＭＰ法等によって研磨することによって、余分な充填材層４０、及び、必要に応じてドライエッチングマスク３０を除去し、トレンチ１５に充填材が充填された充填材のパターン４２を完成する。充填材のパターン４２の側壁４２ＳＬ，４２ＳＲは、トレンチ１５の左右の側壁１５ＳＬ，１５ＳＲの傾斜角の違いに応じた傾斜角θＴＬ、θＴＲを有するものとなる。ここで、充填材のパターンの４２の側壁４２ＳＬ，４２ＳＲの傾斜角θＴＬ、θＴＲは、充填材のパターン４２の上面と、側壁４２ＳＬ，４２ＳＲとのなす角により定義する。
【００３６】
なお、必要に応じて、図１０に示すように、被エッチング膜１０を除去しても良い。この場合、充填材パターン４２が露出することになる。
【００３７】
本実施形態によれば、ドライエッチングマスク３０の開口３５内の左右の側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲが互いに異なる。したがって、このドライエッチングマスク３０をマスクとしてドライエッチングにより被エッチング膜１０に対してトレンチ１５を形成すると、トレンチ１５の左右の側壁１５ＳＬ，１５ＳＲは、ドライエッチングマスク３０の開口３５の両側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲに応じた傾斜角θＴＬ、θＴＲで傾斜することとなる。すなわち、傾斜角θＴＬ、θＴＲが互いに異なることとなる。したがって、トレンチ１５の左右の側壁１５ＳＬ，１５ＳＲの傾斜角θＴＬ、θＴＲを互いに異なる値に独立に設定することが可能となる。
【００３８】
また、このようなドライエッチングマスク３０を形成するに当たり、被エッチング膜１０に垂直な方向に対して傾斜した方向から、被エッチング膜に対してスパッタ粒子を供給している。したがって、被エッチング膜１０上におけるレジスト部２０Ａの一方の側壁側の近傍と、他方の側壁側の近傍とでスパッタ粒子の堆積挙動が異なることとなり、レジスト部２０Ａの２つの側壁２０ＳＬ，２０ＳＲの傾斜角θＲＬ，θＲＲが互いに同じであっても、ドライエッチングマスクの２つの側壁３５Ｌ，３５Ｒの傾斜角θＤＬ，θＤＲを互いに異なる値に容易に設定できる。特に、スパッタ粒子の供給角θＶを変えることにより、同じレジスト部２０Ａを用いた場合でも様々な傾斜角θＤＬ，θＤＲの組み合わせを持つ開口３５を形成できる。なお、レジスト部２０Ａの傾斜角θＲＬ，θＲＲを互いに異なる値としても実施は可能である。
【００３９】
また、このようにして形成されたトレンチ１５内に充填材を充填することにより、トレンチ１５の２つの側壁１５ＳＬ，１５ＳＲの傾斜角θＴＬ，θＴＲの違いを利用して、側壁４２ＳＬ，４２ＳＲの傾斜角θＴＬ，θＴＲが互いに異なる充填材のパターン４２を形成できる。
【００４０】
（第二実施形態）
第二実施形態が、第一実施形態と異なる点は、図１１に示すように、レジスト部２０Ａに代えて、レジスト部２０Ｂを用いる点である。このレジスト部２０Ｂは、第一実施形態で使用したレジスト部２０Ａの下にさらに下レジスト部２２を設けたレジスト部である。具体的には、下レジスト部２２はアルカリ可溶性樹脂層（例えばＰＭＧＩ等）であり、上層であるレジスト部２０Ａはアルカリ非可溶の樹脂層である。下レジスト部２２の下幅２２Ｗは、上層であるレジスト部２０Ａの底面の幅２０ＷＤよりも小さくなっている。また、下レジスト部２２の厚みは、レジスト部２０Ａの厚みよりも十分に小さく、例えば、２０％以下である。
【００４１】
そして、第一実施形態と同様にして、傾斜スパッタリング法によりドライエッチングマスク３０を形成すると、図１２に示すように、第一実施形態と同様に傾斜角θＤＬ，θＤＲが互いに異なるドライエッチングマスク３０が形成される。このとき、特に、上層のレジスト部２０Ａと下レジスト部２２との間にはスパッタ粒子が入り込みにくいので、形成後のレジスト部２０Ｂの除去、すなわち、リフトオフが容易に行える。
【００４２】
（第三実施形態）
第三実施形態では、以下の点が第一実施形態とは異なる。すなわち、図１３に示すように、被エッチング膜１０上に、側壁２０ＳＬ，２０ＳＲの傾斜角θＲＬ，θＲＲが互いに異なるレジスト部２０Ｃを形成する。例えば、θＲＬ＝６°、θＲＲ＝１４°とすることができる。傾斜角θＲＬ，θＲＲは、例えば、それぞれ５〜２０°とすることができる。また、傾斜角θＲＬと傾斜角θＲＲとの差は、例えば、０．１〜１５°とすることができる。このように左右の側壁の傾斜角が互いに異なるレジスト部２０Ｃは、多階調マスク等を用いて容易に形成できる。
【００４３】
そして、図１４に示すように、レジスト部２０Ｃをマスクとして基板１に対してスパッタ粒子を供給することにより、被エッチング膜１０上にドライエッチングマスク３０を形成する。ここでは、供給角θＶは９０°でよい。なお、供給角θＶを９０°以外としてもよいのは言うまでもない。
【００４４】
これによっても、スパッタ粒子は、被エッチング膜１０上において、傾斜角θＲが大きい図示右の側壁２０ＳＲ側では、図示左の側壁２０ＳＬ側よりもスパッタ粒子の回り込みが少ないので、第一実施形態におけるドライエッチングマスク３０と同様に、ドライエッチングマスク３０の右の側壁３５Ｒの傾斜角θＤＲが、左の側壁３５Ｌの傾斜角θＤＬよりも小さい、すなわち、左右の側壁の傾斜角が互いに異なるドライエッチングマスク３０が得られる。そして、このドライエッチングマスクを用いて被エッチング膜１０のドライエッチングを行うえば第一実施形態と同様のトレンチ１５の形成や充填材のパターン４２の形成が可能となる。
【００４５】
（第四実施形態）
第四実施形態が、第三実施形態と異なる点は、図１５に示すように、レジスト部２０Ｃに代えて、レジスト部２０Ｄを用いる点である。このレジスト部２０Ｄは、上から順に、上レジスト部２１及び下レジスト部２２の２層構造を有している。
【００４６】
上レジスト部２１は、第三実施形態で使用したレジスト部２０Ｃと同様に側壁２１ＳＬ，２１ＳＲの傾斜角θＲＬ，θＲＲが互いに異なる。特に、本実施形態では、右の側壁２０ＳＲがアンダーカットでなくトップカット、すなわち、側壁２１ＳＲの下部が外側に突き出るように側壁２１ＳＲが傾斜している。
【００４７】
下レジスト部２２はアルカリ可溶性樹脂層（例えばＰＭＧＩ等）であり、上レジスト部２１はアルカリ非可溶の樹脂層である。下レジスト部２２の下幅２２Ｗは、上レジスト部２１の底面の幅２１Ｄよりも小さくなっている。また、下レジスト部２２の厚みは、上レジスト部２１の厚みよりも十分に小さく、例えば、２０％以下である。
【００４８】
そして、第三実施形態と同様にして、スパッタリング法によりドライエッチングマスク３０を形成すると、図１５に示すように、第三実施形態と同様に傾斜角θＤＬ，θＤＲが互いに異なるドライエッチングマスク３０が形成する。特に、レジスト部２０Ｄにおいてオーバーカット構造とされた側壁２１ＳＲ側では、ドライエッチングマスク３０の側壁３５Ｒがほぼ垂直とされ、対応するトレンチの側壁の傾斜角もほぼ垂直に近い値になる。
【００４９】
（第五実施形態）
第五実施形態が第三実施形態と異なる点は、図１６に示すように、レジスト部２０Ｂに代えてレジスト部２０Ｅを用いている点である。レジスト部２０Ｅは、レジスト部２０Ｂの各側壁２０ＳＬ，２０ＳＲの下部に、さらに、さらに傾斜の強いカット部２０ＳＲ２，２０ＳＬ２を形成した物である。このような形態のレジスト部２０Ｅは、第二実施形態や第四実施形態のレジスト部に類似するものと考えることができる。また、レジスト部２０Ｅの傾斜角θＲＬ，θＲＲが互いに同じである場合には傾斜スパッタリング法により、傾斜角θＲＬ，θＲＲが互いに異なる場合には垂直又は傾斜スパッタリング法によりドライエッチングマスク３０を形成すればよい。このようなレジスト部２０Ｅを用いると、ドライエッチングマスク３０の形成後に、レジスト部２０Ｅを除去するのが容易である。
【００５０】
（第六実施形態）
続いて、上述の製造方法を利用した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。
【００５１】
図１７は本実施形態で製造する薄膜磁気ヘッド１００の断面図である。図１７中、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面を示している。図１８は、薄膜磁気ヘッド１００の主磁極の斜視図である。図１９は、磁極部分層のエアベアリング面に露出する部分の平面図である。図１７〜図１９中の上向きの矢印Ｄは、薄膜磁気ヘッドに対して磁気記録媒体が相対的に移動する方向を示している。
【００５２】
この薄膜磁気ヘッド１００は、例えば、媒体進行方向Ｄに移動するハードディスクなどの磁気記録媒体に磁気的処理を施すためにハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載される。具体的には、薄膜磁気ヘッド１００は、例えば、磁気的処理として記録処理及び読取処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１７に示すように、例えば、アルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）などのセラミック材料により形成された基板１０１上に、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により形成された絶縁層１０２と、磁気抵抗効果を利用して読取処理を実行する読取ヘッド部１００Ａと、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により形成された分離層１０７と、垂直記録方式の記録処理を実行する記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層１１４とがこの順に積層された構成を有している。
【００５３】
読取ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層１０３と、シールドギャップ層１０４と、上部リードシールド層１０５とがこの順に積層された構造を有している。このシールドギャップ層１０４内には、記録媒体に対向するエアベアリング面１２０に一端面が露出するように読取素子としてのＭＲ素子１０６が埋設されている。
【００５４】
下部リードシールド層１０３及び上部リードシールド層１０５は、いずれもＭＲ素子１０６を周囲から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面１２０から後方に向かって延在している。下部リードシールド層１０３及び上部リードシールド層１０５はパーマロイ等から形成されている。
【００５５】
シールドギャップ層１０４は、ＭＲ素子１０６を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により形成されている。
【００５６】
ＭＲ素子１０６は、例えば、巨大磁気抵抗効果素子または、トンネル磁気抵抗効果などを利用して、記録媒体の磁気情報を読み取るものである。
【００５７】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、補助磁極層１０８と、薄膜コイル１１０を埋設したギャップ層１０９、ならびに、連結部１１１と、シード層１１２と、ギャップ層１０９に設けられた開口１０９ＣＫにおいて連結部１１１を介して補助磁極層１０８に磁気的に連結された主磁極層１１３とがこの順に積層された構造を有している。なお、図１８では、主磁極層１１３の斜視構造を示している。
【００５８】
補助磁極層１０８は、主磁極層１１３から放出された磁束を記録媒体を経由して還流させるものである。この補助磁極層１０８は、例えば、パーマロイ（ＮｉＦｅ）等の磁性材料により構成されており、その厚さは、例えば、１．０〜２．０μｍである。
【００５９】
ギャップ層１０９は、補助磁極層１０８上に設けられ、開口１０９ＣＫが設けられたギャップ層部分１０９Ａと、このギャップ層部分１０９Ａ及びこのギャップ層部分１０９Ａ上に設けられ、薄膜コイル１１０の各巻線間及びその周辺領域を覆うギャップ層部分１０９Ｂと、ギャップ層部分１０９Ａ，１０９Ｂを覆うように設けられ、開口１０９ＣＫが設けられたギャップ層部分１０９Ｃとを含んでいる。
【００６０】
ギャップ層部分１０９Ａは、例えば,アルミナやシリコン酸化物等の非磁性絶縁材料により形成されており、厚みは例えば０．１〜１．０μｍである。
【００６１】
ギャップ層部分１０９Ｂは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジストやスピンオングラスなどの非磁性絶縁材料により形成されていえる。
【００６２】
ギャップ層部分１０９Ｃは、例えば、アルミナやシリコン酸化物などの非磁性絶縁材料により形成されており、厚みは、ギャップ層部分１０９Ｂの厚みよりも大きくなっている。
【００６３】
薄膜コイル１１０は、記録用の磁束を発生させるものである。この薄膜コイル１１０は、例えば、銅などの導電性材料により形成されており、連結部１１１を中心としてスパイラル状に巻きまわされた巻線構造を形成している。
【００６４】
連結部１１１は、補助磁極層１０８と主磁極層１１３との間を磁気的に連結させるためのものであり、たとえば、パーマロイ等の磁性材料により形成されている。
【００６５】
シード層１１２は、主磁極層１１３の内の磁極部分層１１３Ａをメッキにより形成するために使用されるものであり、導電性の材料、たとえば、その磁極部分層１１３Ａと同様の磁性材料等により形成されている。
【００６６】
主磁極層１１３は、薄膜コイル１１０において発生した磁束を収容し、その磁束をエアベアリング面１２０から記録媒体に向けて放出するものである。この主磁極層１１３は、エアベアリング面１２０から後方に向かって延びており、例えば、ギャップ層部分１０９Ｃの内の前方部分上に設けられた磁極部分層１１３Ａと、この磁極部分層１１３Ａの後方部分を周囲から覆うように設けられたヨーク部分層１１３Ｂとを含んで構成されている。
【００６７】
磁極部分層１１３Ａは、磁束の放出部分として機能するものである。この磁極部分層１１３Ａは、例えば、ヨーク部分層１１３Ｂよりも飽和磁束密度が大きい磁性材料により形成されており、その厚さは例えば０．１〜１.０μｍである。この磁極部分層１１３Ａの構成材料としては、例えば、鉄及びニッケルを含む材料や、鉄、ジルコニア及び酸素を含む材料や、鉄及びニッケルを含む材料などが挙げられ、より具体的には、パーマロイ（ＮｉＦｅ、例えば、Ｎｉ：Ｆｅ＝４５ｍｏｌ％：５５ｍｏｌ％）、ＦｅＮ等の窒化鉄、ＦｅＣｏ等の鉄コバルト合金、ＦｅＭ等の鉄以外の金属Ｍを含む鉄合金、ＦｅＣｏＭ等の鉄及びコバルト以外の金属Ｍを含む鉄コバルト合金等が挙げられる。
【００６８】
上述した構造式中のＭとしては、ニッケル、窒素、炭素、ホウ素、珪素、アルミニウム、チタン、ジルコニア、ハフニウム、モリブデン、タンタル、ニオブ、銅が挙げられる。
【００６９】
この磁極部分層１１３Ａは、例えば、エアベアリング面１２０側から順に、実質的な磁束の放出部分として機能し、記録媒体の記録トラック幅を規定する先端部１１３Ａ１と、この先端部１１３Ａ１の後方に磁気的に連結された後端部１１３Ａ２とを含んで形成されている。この先端部１１３Ａ１の一端面１２０Ｍは、エアベアリング面１２０に露出している。
【００７０】
ヨーク部分層１１３Ｂは、磁束の収容部分として機能するものである。このヨーク部分層１１３Ｂは、例えば、耐食性に優れ、かつ、磁極部分層１１３Ａよりも高抵抗な磁性材料により形成されており、厚みは例えば、１．０〜２．０μｍである。なお、例えば、ヨーク部分層１１３Ｂの構成材料として、磁極部分層１１３Ａの構成材料と同様の組成のものを用いる場合には、その磁極部分層１１３Ａよりもヨーク部分層１１３Ｂにおける飽和磁束密度を小さくするために鉄の含有割合を少なめにすることがこのましい。このヨーク部分層１１３Ｂはエアベアリング面１２０に露出しておらず、たとえばエアベアリング面１２０から１５μｍ以上後退している。
【００７１】
図１９に磁極部分層１１３Ａのエアベアリング面への露出面の拡大平面図を示す。磁極部分層１１３Ａを構成する先端部１１３Ａ１の露出面１２０Ｍは、媒体進行方向Ｄに対してトレーリング側（下流側）に位置し記録媒体の記録トラック幅を規定する幅Ｗ１を有する上壁Ｅ１と、媒体進行方向Ｄに対してリーディング側（上流）に位置すると共にこの上壁Ｅ１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２（Ｗ２＜Ｗ１）を有し上壁Ｅ１に対して平行な下壁Ｅ２と、幅方向（Ｘ軸方向）に位置する互いに平行でない２つの側壁Ｅ３，Ｅ４とにより構成された逆台形形状を有している。
【００７２】
トレーリング側とは、媒体進行方向Ｄに向かって移動する記録媒体の移動状態を流れと見た時に流れの流出する側すなわち下流側（図１７及び図１９における上方側）であり、リーディング側とは流れの流入する側すなわち上流側（図１７及び図１９における下方側）である。
【００７３】
ここで、上壁Ｅ１と左側の側壁Ｅ４とがなす角を傾斜角θＴＬ，上壁Ｅ１と右側の側壁Ｅ３とがなす角を傾斜角θＴＲとする。この磁極部分層１１３Ａが、前述の第一〜五実施形態における充填材のパターン４２に対応する。上壁Ｅ１は、磁気情報の記録時に磁束が集中することにより記録処理に大きく寄与する場所であり、いわゆる、トレーリングエッジである。ここでは、θＴＬ＜θＴＲであり、例えば、θＴＬ＝７６°、θＴＲ＝８６°とすることができる。これらのθＴＬ及びθＴＲは、薄膜磁気ヘッドのスキューに起因するサイドイレーズの発生状況等に応じて適宜設定可能である。これを適切に設定することによりサイドイレーズを抑制した薄膜磁気ヘッドが実現可能となる。
【００７４】
続いて、このような薄膜磁気ヘッドの製造方法について簡単に説明する。
【００７５】
まず、公知の方法により、基板１０１上に、絶縁層１０２、下部リードシールド層１０３、ＭＲ素子１０６を埋設したシールドギャップ層１０４、及び、上部リードシールド層１０５をこの順に形成して読取ヘッド部１００Ａを形成する。
【００７６】
続いて、読取ヘッド部１００Ａ上に、分離層１０７、補助磁極層１０８、薄膜コイル１１０を埋設したギャップ層１０９（１０９Ａ，１０９Ｂ，１０９Ｃ）、ならびに、ギャップ層１０９の開口１０９ＣＫに埋め込まれた連結部１１１と、シード層１１２と、主磁極層１１３を形成する。ここで主磁極層１１３の内の磁極部分層１１３Ａの製造方法について説明する。
【００７７】
まず、図２０に示すように、ギャップ層１０９上にスパッタリング法等によりシード層１１２を厚みＴ１で形成し、このシード層１１２上に、被エッチング膜としてのレジスト層１３１を形成する。その後、このレジスト層１３１上に、側壁の傾斜角θＤＬ，θＤＲが互いに異なるドライエッチングマスク１９０を前述の方法により形成し、このドライエッチングマスク１９０をマスクとしてドライエッチング法を利用して、図２１に示すように、レジスト層１３１に対して左右の側壁の傾斜角θＴＬ，θＴＲが異なるトレンチ１１５を形成する。
【００７８】
続いて、シード層１１２を電極としたメッキ法により図２２のようにトレンチ１１５内に充填材のパターンとしての磁極部分層１１３Ａを厚みＴ２で形成し、その後、図２３のようにレジスト層１３１を除去し、図２４のように、露出したシード層を磁極部分層１１３Ａをマスクとしてドライエッチング法により除去する。これにより、側壁Ｅ３，Ｅ４の傾斜角θＴＬ、θＴＲが互いに異なる磁極部分層１１３Ａが完成する。
【００７９】
その後、公知の方法で、ヨーク部分層１１３Ｂを形成して主磁極層１１３を完成し、その後記録ヘッド部１００Ｂ上にオーバーコート層１１４を形成すれば薄膜磁気ヘッドが完成する。
【００８０】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず様々な態様が可能である。
【００８１】
例えば、上記実施形態のレジスト部において、各側壁が、アンダーカット、垂直、又はオーバーカットのいずれの形態でも実施は可能でありる。
【００８２】
また、デバイスとして垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドを例示しているが、面内記録方式の薄膜磁気ヘッドでも良く、また、薄膜磁気ヘッド以外でもコモンモードフィルター等の形成にも適用できる。
【実施例】
【００８３】
続いて、本発明を実施例に基づいて説明する。
【００８４】
（実施例１Ａ−１、１Ａ−２、１Ａ−３、１Ａ−４、比較例１Ａ）
ここでは、第一実施形態に基づく実験を行った。まず、６インチのシリコン基板１を用意した。そして、シリコン基板１上に被エッチング膜１０としてバイアススパッタ法によりアルミナを厚さ０．８μm形成した。
【００８５】
続いて、被エッチング膜１０上に平面形状が線状のレジスト部２０Ａを形成した。レジスト材料としては、ＡＺエレクトロニックマテリアルズＡＺ５２０６熱反転型ネガレジストを用いた。レジスト材料層をスピンコート法により塗布した後、プリベークを１００℃で１５０秒行って、プリベーク後の膜厚は、０．５３μｍであった。レジスト材料層への露光は以下の手順で行った。露光機は、Ｎｉｋｏｎ  ＮＳＲ−ＴＦＨＥＸ１４Ｃ（露光波長λ＝２４８ｎｍ）、マスクしては、クリア幅が０．３μmの孤立線（レジスト部２０Ａの形状に対応）を有するバイナリマスクを用いた。露光条件は、ＮＡ＝０．６、σ＝０．７、Ｄｏｓｅ＝１００ｍＪ／ｃｍ２とした。露光後に、リバーサルベークを１１０℃で１２０秒行い、その後Ｃａｎｏｎ製、ＰＬＡ５０１（Ｂｒｏａｄ  ｂａｎｄ）を用いて２００ｍＪ／ｃｍ２で全面露光し、その後、２．３８％ＴＭＡＨ水溶液で現像を行い、レジスト部２０Ａを完成した。
【００８６】
レジスト部２０Ａの断面形状は、高さ２０Ｔが０．５μｍ、上幅２０ＷＵが０．３μｍ、下幅２０ＷＤが０．２μｍであり、それぞれθＲＬ＝θＲＲ＝約６°であった（図２５参照）。
【００８７】
続いて、ドライエッチングマスク３０を形成した。ここでは、Ｖｅｅｃｏ製、ＩＢＥ−ＩＢＤを用い、キセンガスの流量３．５ｓｃｃｍ(standard per cubic centimeter)として圧力１．５×１０−４Ｔｏｒｒ、ビーム電流２００ｍＡ、ビーム電圧１５００ＶのＤＣ、加速電圧−１５０Ｖとした。ターゲットはＮｉＦｅとし、ドライエッチングマスク３０の厚みは０．１μｍとした。また、実施例１Ａ−１、１Ａ−２、１Ａ−３、１Ａ−４、比較例１Ａ間において、それぞれスパッタ粒子の供給角θＶ（図２５参照）を変えた。すなわち、実施例１Ａ−１、１Ａ−２、１Ａ−３、１Ａ−４では傾斜スパッタリングを行い、比較例１Ａでは垂直スパッタリングを行った。
【００８８】
次に、レジスト部２０Ａを剥離した。剥離は、ＮＭＰ中に浸漬揺動することにより行った。続いて、ドライエッチングマスク３０をマスクとして被エッチング膜１０をドライエッチングにより除去した。ドライエッチング装置としては、日立ハイテクノロジーズ製のＩＣＰエッチング装置を用い、エッチングガスはＣｌ２：ＢＣｌ３＝10:20ml/min、ガス圧力０．４Pa、ソースパワー１０００W、ＲＦバイアスパワー１００Ｗ、基板温度７０℃、で行った。ドライエッチングは、被エッチング膜１０に形成される孤立トレンチ１５の底部幅が２００ｎｍになるまでエッチングした。
【００８９】
続いて、トレンチ１５内に充填材を埋め込むべくＮｉＦｅをスパッタリングにより積層した。スパッタリング装置としては、日電アネルバ製ＳＰＦ−７４０Ｈの直流スパッタ装置を用い、ＮｉＦｅターゲットにより、１０００Ｗ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、ガス圧力２．０ｍＴｏｒｒの条件でＮｉＦｅ膜を１μｍ形成した。
【００９０】
続いて、基板１の表面を研磨装置（ＳｐｅｅｄＦａｍ−ＩＰＥＣ  ＡｖａｎｔＧａａｒｄ）によりＣＭＰ研磨した。研磨パッドは発泡ウレタン製のものを用い、研磨液としては粒径２５０ｎｍのアルミナ粒子を含むスラリーを用い、ドライエッチングマスク３０上のＮｉＦｅ層の残り膜厚が０．６μmとなるように研磨を行った。
【００９１】
その後、日立製作所製ＦＩＢ装置で基板のトレンチ部分の断面を形成し、日立製作所製ＣＤ−ＳＥＭにより断面観察を行い、パターン寸法、トレンチの傾斜角などを測定した。その結果を図２５に示す。傾斜スパッタを行った実施例１Ａ−１〜１Ａ−４ではトレンチの傾斜角θＴＲ、θＴＬが互いに異なったのに対し、垂直スパッタを行った比較例１Ａでは、いずれも同一となった。
【００９２】
（実施例１Ｂ−１、１Ｂ−２、１Ｂ−３、１Ｂ−４、比較例１Ｂ）
続いて、被エッチング膜１０としてアルミナに代えて樹脂を用いた場合についても同様の実験を行った。実施例１Ｂ−１、１Ｂ−２、１Ｂ−３、１Ｂ−４、比較例１Ｂでは、被エッチング膜１０としてノボラック樹脂（ＡＺエレクトロニックマテリアルズＡＺＰ４２１０）を用い、レジストマスクの剥離をＩＰＡのスピン塗布により行う以外は実施例１Ａ−１、１Ａ−２、１Ａ−３、１Ａ−４、比較例１Ａとそれぞれ同様にしてトレンチを形成し、充填材としてＮｉＦｅを充填し、さらに、被エッチング膜をＮＭＰを用いた浸漬揺動により剥離し、充填材のパターンを露出させた。レジスト部２０Ａの断面形状についてのデータを図２６に示す。
【００９３】
ここで、被エッチング膜１０の形成は、基板１上に、ノボラック樹脂をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上で１７０℃で６分間プリベークし、常温まで冷却することにより形成し、厚みを０．８μｍとした。
【００９４】
その結果、図２６に示すように、傾斜スパッタリングを行った実施例１Ｂ−１〜１Ｂ−４ではトレンチの傾斜角θＤＲ、θＤＬが互いに異なったのに対し、垂直スパッタリングを行った比較例１Ｂでは、いずれも同一となった。
【００９５】
（実施例２Ａ−１、２Ａ−２、２Ａ−３、比較例２Ａ）
次に側壁の傾斜角が互いに異なるレジスト部２０を用い、垂直スパッタリングによってドライエッチングマスクを形成する実験を行った。本実施例は第三実施形態に基づくものである。
【００９６】
実施例２Ａ−１〜２Ａ−３が、それぞれ実施例１Ａ−１と異なる点は、レジスト部２０
の形成に使用したフォトマスクのパターンである。ここでは、クリア幅が０．２μｍの孤立線を複数有し、さらに、各孤立線の一方側に沿って幅０．０５〜０．１５μｍで透過率７０％のハーフトーン部を有しているフォトマスクを用いた。そして、これらのフォトマスクを用いて露光量１５５ｍＪ／ｃｍ２で露光し、現像することによりレジスト部２０Ｃを作成した。具体的には、図２７に示すように、実施例２Ａ−１ではハーフトーン部の幅を０．０５μｍ、２Ａ−２では０．１０μｍ、２Ａ−３では０．１５μｍとした一方、比較例２Ａではハーフトーン部の幅がゼロのものを用いた。
【００９７】
得られたレジスト部２０Ｃの断面形状のデータを、それぞれ、図２７に示す。すなわち、実施例２Ａ−１〜２Ａ−３では、レジスト部２０Ｃの傾斜角は、θＲＬ≠θＲＲとなった。比較例２Ａでは、レジスト部２０Ｃの傾斜角はθＲＬ＝θＲＲとなった。
【００９８】
そして、このレジスト部２０Ｃをマスクとして、スパッタ粒子の供給角θＶをすべて９０°とする以外は実施例１Ａ−１と同様にドライエッチングマスク３０を形成し、ドライエッチングにより被エッチング膜１０にトレンチを形成し、トレンチ内に充填材としてＮｉＦｅを供給して充填材パターンを得た。その結果、図２７に示すように、実施例２Ａ−１〜２Ａ−３ではトレンチの傾斜角θＤＲ、θＤＬが互いに異なったのに対し、比較例２Ａでは、同一となった。
【００９９】
（実施例２Ｂ−１、２Ｂ−２、２Ｂ−３、比較例２Ｂ）
続いて、被エッチング膜１０としてアルミナに代えて樹脂を用いた場合についても実施例２Ａと同様の実験を行った。実施例２Ｂ−１、２Ｂ−２、２Ｂ−３、比較例２Ｂでは、被エッチング膜１０としてノボラック樹脂（ＡＺエレクトロニックマテリアルズＡＺ４２１０）を用い、レジストマスクの剥離をＩＰＡのスピンコートにより行う以外は実施例２Ａ−１、２Ａ−２、２Ａ−３、比較例２Ａとそれぞれ同様にしてレジスト部２０Ｃを形成し、トレンチを形成し、充填材としてＮｉＦｅを充填した。そして、その後、さらに、ＮＭＰ中に浸漬して被エッチング膜を剥離し、充填材のパターンを露出させた。
【０１００】
ここで、被エッチング膜１０の形成は、基板１上に、ノボラック樹脂をスピンコートにより塗布し、ホットプレート上で１７０℃で６分間プリベークし、常温まで冷却することにより形成し、厚みを０．８μｍとした。
【０１０１】
得られたレジスト部２０Ｃの断面形状のデータは、それぞれ、図２９に示すようになった。実施例２Ｂ−１〜２Ｂ−３ではレジスト部２０Ｃの側壁の傾斜角θＲＲ、θＲＬが互いに異なり、これによってトレンチの傾斜角θＴＲ、θＴＬも互いに異なったのに対し、比較例２Ｂでは、いずれも同一となった。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】図１は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する断面図である。
【図２】図２は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図１に続く断面図である。
【図３】図３は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図２に続く斜視断面図である。
【図４】図４は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図３の断面図である。
【図５】図５は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図４に続く断面図である。
【図６】図６は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図５に続く断面図である。
【図７】図７は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図６に続く断面図である。
【図８】図８は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図７に続く断面図である。
【図９】図９は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図８に続く断面図である。
【図１０】図１０は、第一実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図９に続く断面図である。
【図１１】図１１は、第二実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１２は、第二実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図１１に続く断面図である。
【図１３】図１３は、第三実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する断面図である。
【図１４】図１４は、第三実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する図１３に続く断面図である。
【図１５】図１５は、第四実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１６は、第五実施形態に係る充填材のパターンの製造方法を説明する断面図である。
【図１７】図１７は、第六実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法で製造する薄膜磁気ヘッドを説明する断面図である。
【図１８】図１８は、図１７の薄膜磁気ヘッドの主として主磁極の斜視図である。
【図１９】図１９は、図１８の薄膜磁気ヘッドの磁極部分層のエアベアリング面の露出部の平面図である。
【図２０】図２０は、第六実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する断面図である。
【図２１】図２１は、第六実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図２０に続く断面図である。
【図２２】図２２は、第六実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図２１に続く断面図である。
【図２３】図２３は、第六実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図２２に続く断面図である。
【図２４】図２４は、第六実施形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する図２３に続く断面図である。
【図２５】図２５は、実施例１Ａ−１，１Ａ−２、１Ａ−３，１Ａ−４及び比較例１Ａの条件及び結果を表す表である。
【図２６】図２６は、実施例１Ｂ−１，１Ｂ−２、１Ｂ−３，１Ｂ−４及び比較例１Ｂの条件及び結果を表す表である。
【図２７】図２７は、実施例２Ａ−１，２Ａ−２、２Ａ−３，２Ａ−４及び比較例２Ａの条件及び結果を表す表である。
【図２８】図２８は、実施例２Ａ−１，２Ａ−２、２Ａ−３，２Ａ−４及び比較例２Ｂの条件及び結果を表す表である。
【符号の説明】
【０１０３】
１…基板、１０…被エッチング膜（薄膜）、１５…被エッチング膜のトレンチ、１５ＳＬ，１５ＳＲ…被エッチング膜のトレンチの側壁、２０…レジスト部、２０Ｌ，２０Ｒ…レジスト部の側壁、３０…ドライエッチングマスク、３５…ドライエッチングマスクの開口、３５Ｌ，３５Ｒ…ドライエッチングマスクの開口の側壁、４２…充填材のパターン、θＤＬ，θＤＲ…ドライエッチングマスクの開口の側壁の傾斜角、θＲＬ，θＲＲ…レジスト部の側壁の傾斜角、θＴＬ，θＴＲ…被エッチング膜のトレンチの側壁の傾斜角。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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