(57)【要約】【課題】研磨面に対する研磨用の遊離砥粒の付着を防ぎ、しかもウェーハ乾燥後、研磨面上に残った超純水の膜に周辺の雰囲気ガス中のアルカリ成分が吸着されて生じる研磨面の面あれを防げる半導体ウェーハの洗浄乾燥方法を提供する。【解決手段】研磨後のシリコンウェーハＷに、界面活性剤を含む超純水により研磨後洗浄を施し、研磨面を親水性の面とした後、乾燥の直前に研磨面を超純水によりリンスする。それから、ウェーハを乾燥するので、研磨面に対する研磨用の遊離砥粒の付着を防げる。しかも、乾燥後、研磨面上の洗浄液の膜中に周辺の雰囲気ガスに含まれたアルカリ成分が吸着されて生じる研磨面のあれを防げる。【選択図】図４
2006179593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面研磨された直後の半導体ウェーハの研磨面を、界面活性剤を含む洗浄液により洗浄する研磨後洗浄工程と、
この研磨後洗浄工程を行ってから、半導体ウェーハを乾燥する乾燥工程とを備えた半導体ウェーハの洗浄乾燥方法において、
前記乾燥工程の直前に、半導体ウェーハの研磨面を超純水によりリンスする超純水リンス工程を設けた半導体ウェーハの洗浄乾燥方法。
【請求項２】
前記界面活性剤が、非イオン性の界面活性剤である請求項１に記載の半導体ウェーハの洗浄乾燥方法。
【請求項３】
前記乾燥が、スピン乾燥である請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハの洗浄乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体ウェーハの洗浄乾燥方法、詳しくは研磨面のパーティクルが少なく、アルカリ成分の付着による研磨面の面あれを防止する半導体ウェーハの洗浄乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
仕上げ研磨されたシリコンウェーハには、洗浄が施される。この研磨後の洗浄の一種として、“水研磨（ウォータポリッシュ）”と呼ばれる方法が知られている。これは、研磨装置による仕上げ研磨の直後、研磨液に代えて超純水を研磨布上に供給しながら、研磨装置を運転してシリコンウェーハの研磨面をリンスし、研磨面に付着した研磨液を洗い流すものである。
従来、この水研磨を利用したシリコンウェーハの洗浄乾燥方法として、例えば特許文献１が知られている。特許文献１では、まず、洗浄液による水研磨に連続して界面活性剤入りの洗浄液を研磨布上に供給し、かつ同様に研磨装置を運転してシリコンウェーハの研磨面をリンスする。その直後、図１０に示すように、シリコンウェーハＷをスピン乾燥ユニット１００まで搬送し、スピン乾燥する。
【０００３】
スピン乾燥ユニット１００は、大きな水受け槽１０１を有している。水受け槽１０１の底部には、平面視して円形状のウェーハ保持板１０２が、垂直な回転軸を中心にして回転自在に４つ配設されている。各ウェーハ保持板１０２の上面には、キャリアプレート１０３がそれぞれ着脱自在に装着されている。各ウェーハ保持板１０２は、水受け槽１０１の下方に配置された４台の回転モータ１０４により、それぞれ高速回転する。
各回転モータ１０４により各ウェーハ保持板１０２を回転させることで、対応するキャリアプレート１０３に貼着された４枚のシリコンウェーハＷが水平面内でそれぞれ高速回転させられる。そのため、各シリコンウェーハＷの研磨面に付着した水分が遠心力によって吹き飛ばされ、短時間のうちに各研磨面の乾燥がそれぞれ行われる。乾燥後、各キャリアプレート１０３は、順次、ウェーハ剥離ステージＳに移送され、ここで剥離刃１０５により、対応するキャリアプレート１０３から各シリコンウェーハＷが剥離される（図１１）。
【０００４】
特許文献１によれば、乾燥させられるシリコンウェーハＷの研磨面は親水性の面となり、その後、親水性の研磨面にスクラビングを施すことなく、シリコンウェーハＷをそのままスピン乾燥させる。その結果、スクラビングすることでウェーハＷの研磨面が疎水性の面となる従前法に比べて、この研磨面にパーティクルが付着し難くなる。
【特許文献１】特開２００３−１０９９３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように、特許文献１では、界面活性剤入りの洗浄液を使用した水研磨の直後、シリコンウェーハＷを乾燥させるという工程順を有している。すなわち、界面活性剤を利用した水研磨工程とスピン乾燥工程との間には、シリコンウェーハＷを搬送する工程以外、特別な工程は存在しない。なぜならば、特許文献１では、洗浄液に添加された分量に見合った界面活性剤の効果（シリコンウェーハＷの研磨面の親水性）をできるだけ保持して、続くスピン乾燥をウェーハＷに施した方が、特許文献１の主旨に則るためである。
【０００６】
しかしながら、界面活性剤入りの洗浄液による水研磨の直後にスピン乾燥を行うと、殊に、界面活性剤の濃度が、特許文献１の明細書中に記載された５〜１０重量％と高い場合に、スピン乾燥後のシリコンウェーハＷの研磨面に、水研磨では除去しきれなかった微量の遊離砥粒（シリカ粒子など）ａが残り易くなる（図１２）。特に、スピン乾燥後、シリコンウェーＷの研磨面上に形成された洗浄液の膜１０６のうち、乾燥が早い薄い部分に遊離砥粒ａが存在すると、高濃度の界面活性剤が接着剤の役目を果たし、遊離砥粒ａがこの研磨面に固着されてしまう。その結果、研磨面のパーティクルの数が増加していた。
【０００７】
また、このように高濃度で高粘度の界面活性剤入りの洗浄液をスピン乾燥すると、ウェーハＷの研磨面の大半の部分には、厚い洗浄液の膜１０６が現出されてしまう。そのため、研磨室の雰囲気ガスに含まれたアルカリ成分が、厚い洗浄液の膜１０６に吸収され、シリコンウェーハＷの研磨面側の表層を浸食し、この研磨面に前記パーティクルＰだけでなく、面あれｂも発生させていた（図１３）。
そこで、例えば、予め洗浄液に添加される界面活性剤の濃度を低く抑えることが考えられる。しかしながら、このように事前に界面活性剤を低濃度化させると、水研磨されたシリコンウェーハＷをスピン乾燥工程まで搬送する間に、外部のパーティクルが新たに研磨面に付着したり、研磨面に重金属汚染などが発生し易くなるおそれがある。
【０００８】
そこで、発明者は、鋭意研究の結果、洗浄液に予め低濃度分の界面活性剤を添加するのではなく、乾燥の直前に、ウェーハの研磨面を超純水によりリンス（超純水リンス）するようにすれば、上述した問題点が全て解消されることを知見し、この発明を完成させた。
この発明は、半導体ウェーハの研磨面に対する研磨用の遊離砥粒の付着を防止することができ、しかもウェーハ乾燥後、研磨面上に残った超純水の膜に周辺の雰囲気ガス中のアルカリ成分が吸着されることで発生するウェーハの研磨面の面あれを防止することができる半導体ウェーハの洗浄乾燥方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、表面研磨された直後の半導体ウェーハの研磨面を、界面活性剤を含む洗浄液により洗浄する研磨後洗浄工程と、この研磨後洗浄工程を行ってから、半導体ウェーハを乾燥する乾燥工程とを備えた半導体ウェーハの洗浄乾燥方法において、前記乾燥工程の直前に、半導体ウェーハの研磨面を超純水によりリンスする超純水リンス工程を設けた半導体ウェーハの洗浄乾燥方法である。
【００１０】
請求項１に記載の発明によれば、表面研磨された半導体ウェーハを、界面活性剤を含む洗浄液により洗浄する。これにより、乾燥させられる半導体ウェーハの研磨面は親水性の面となる。その後、研磨面の親水性を保ったまま半導体ウェーハを乾燥させる。ただし、乾燥工程の直前に、研磨面を超純水によりリンスする。その結果、研磨後洗浄工程を行ったのち、研磨液中の微量の遊離砥粒が半導体ウェーハの研磨面に若干残ったとしても、超純水リンス工程でそれを除去することができる。
【００１１】
しかも、超純水により半導体ウェーハをリンスすると、研磨面上で膜を形成した界面活性剤入りの洗浄液は、低濃度化されて粘性が低下する。そのため、リンス後の半導体ウェーハを乾燥させれば（完全には乾燥させない）、研磨面上の洗浄液の膜は薄くなる。その結果、乾燥工程後、周辺の雰囲気ガスに含まれたアルカリ成分が、前記洗浄液の膜中に吸収される量は低減される。よって、洗浄液の膜中のアルカリ成分が半導体ウェーハの研磨面に吸着されて発生する面あれを防ぐことができる。
【００１２】
半導体ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハなどが挙げられる。半導体ウェーハの口径は限定されない。例えば、８インチウェーハ、３００ｍｍウェーハでもよい。
半導体ウェーハは、少なくともデバイス形成面となるウェーハの表面が研磨されたものであればよい。すなわち、表面だけが研磨されたウェーハでもよいし、表裏両面が研磨されたウェーハでもよい。このうち、表面だけが鏡面化された表面研磨（片面研磨）ウェーハの製造時には、例えば片面研磨装置を採用することができる。一方、両面研磨ウェーハの製造時には、この片面研磨装置を採用してもよいし、遊星歯車方式などの両面研磨装置を採用してもよい。
【００１３】
研磨後洗浄工程とは、前述した水研磨工程をいう。これは、研磨に引き続いて行われる洗浄の最初から終了まで、界面活性剤を含む洗浄液を使用した洗浄でもよい。ただし、洗浄終了時を含むその洗浄工程の一部が、界面活性剤を含む洗浄液を使用した洗浄であればよい。洗浄工程のその他の部分は、超純水による洗浄である。
洗浄液としては、超純水、界面活性剤を含む超純水などが挙げられる。界面活性剤の種類は限定されない。ただし、非イオン性の界面活性剤が好ましい。または水溶性の高分子樹脂でもよい。
界面活性剤を含む洗浄液の温度は、例えば１８〜２０℃である。
研磨後洗浄の洗浄時間は限定されない。例えば１〜３分間、好ましくは１〜１．５分間である。
【００１４】
界面活性剤の濃度は、例えば１〜１０重量％、好ましくは２〜５重量％である。１重量％未満では、半導体ウェーハの研磨面の全域を完全には親水化できない。また、１０重量％を超えると研磨布に界面活性剤の成分が残って摩擦抵抗が低下し、研磨自体に影響が生じる。
界面活性剤を含む洗浄液の供給量は、処理される半導体ウェーハの大きさ（口径）などにより、適宜変更される。例えば、１〜２リットル／分である。
半導体ウェーハの乾燥方法としては、例えばスピン乾燥、引き上げ乾燥などを採用することができる。スピン乾燥の場合、高速回転による遠心力を利用してウェーハの表面に付着した水分を吹き飛ばすスピン乾燥装置が用いられる。
【００１５】
超純水リンス工程は、半導体ウェーハの乾燥工程の直前に行われる。そのため、例えば乾燥装置内に、リンスノズルを介して、超純水を半導体ウェーハの研磨面上に供給する超純水リンス装置を組み込んでもよい。または、乾燥装置の外部に超純水リンス装置を配置してもよい。
超純水の供給量は、界面活性剤を含む洗浄液中の界面活性剤の濃度、半導体ウェーハの大きさなどの各種条件により、適宜変更される。例えば０．５〜２リットル／分である。０．５リットル／分未満では、塗布ムラが発生する。また、２リットル／分を超えると、界面活性剤がウェーハ表面から流出しすぎて被膜効果が低下したり、純水の使用量が多くなり不経済となる。
超純水の使用温度は、例えば１８〜２０℃である。
【００１６】
超純水による半導体ウェーハの研磨面のリンス時間は、半導体ウェーハの大きさなどの各種条件により、適宜変更される。例えば１〜２分間である。１分間未満ではリンス不足となる。また、２分間を超えると外気雰囲気中のパーティクルが再付着する。
【００１７】
請求項２に記載の発明は、前記界面活性剤が、非イオン性の界面活性剤である請求項１に記載の半導体ウェーハの洗浄乾燥方法である。
非イオン性の界面活性剤としては、例えば日化精工（株）製の「ドライノン」を採用することができる。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、前記乾燥が、スピン乾燥である請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハの洗浄乾燥方法である。
スピン乾燥による乾燥時間は、超純水中の界面活性剤の濃度が低い（低粘度）ため、超純水リンス工程を施さない場合よりも２０〜２５％程度短縮される。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、研磨後の半導体ウェーハに、界面活性剤を含む洗浄液により研磨後洗浄工程を施し、半導体ウェーハの研磨面を親水性の面とし、乾燥工程の直前にこの研磨面を超純水によりリンスする。その後、半導体ウェーハを乾燥するので、研磨面に対する研磨用の遊離砥粒（パーティクル）の付着を防止することができる。しかも、乾燥工程後、研磨面上の洗浄液の膜中に周辺の雰囲気ガスに含まれたアルカリ成分が吸着されることで生じる研磨面の荒れを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００２１】
以下、この発明の実施例１を図面を参照して説明する。
ＣＺ法により引き上げられた直径２００ｍｍ程度の単結晶シリコンインゴットは、スライス工程で、直径８インチ、厚さ８６０μｍの多数枚のシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）にスライスされる。得られたシリコンウェーハは、続く面取り工程で、その外周部に面取りが施される。ここでは、＃８００〜＃１５００のメタルボンド面取り用砥石が用いられる。
【００２２】
面取りされたシリコンウェーハは、次にラッピング工程に移送される。ここでは、シリコンウェーハを上下１対の平行なラップ定盤間で挟持し、遊離砥粒を含むラッピング液を供給しながら、ウェーハの表裏面がラッピングされて平行度が高められる。ラッピング量は、シリコンウェーハの片面３０μｍ、両面で６０μｍである。
次に、フッ酸と硝酸との混酸液（３５℃）を使用し、シリコンウェーハがエッチングされる。エッチング量は３０μｍである。
その後、シリコンウェーハの表面が１次研磨される。１次研磨には、１次研磨用の研磨布（ニッタハース株式会社製、商品名ＳｕＢａ８００）が使用される。研磨液としては、アルカリ溶液中に、０．０５μｍのシリカ粒子を１．５〜２重量％混入したものが使用される。ここでの研磨時間は５〜１０分間、研磨量は５μｍである。
【００２３】
それから、１次研磨されたシリコンウェーハの表面が２次研磨される。２次研磨には、２次研磨用の研磨布（ニッタハース株式会社製、商品名ＳｕＢａ６００）が使用される。研磨液としては、アルカリ溶液中に、０．０５μｍのシリカ粒子を１．５〜２重量％混入したものが使用される。２次研磨時間は５〜１０分間、研磨量は５μｍである。
【００２４】
続いて、２次研磨されたシリコンウェーハの表面が仕上げ研磨される。
ここでは、図１に示すような仕上げ研磨装置１０が用いられている。仕上げ研磨装置１０は、上面に仕上げ研磨用の研磨布１１が展張された研磨定盤１２と、この研磨定盤１２の上方に対向配置され、下面にシリコンウェーハＷがワックス貼着されたキャリアプレート１３がそれぞれ取り付けられた２台の研磨ヘッド１４とを備えている。ここでの仕上げ研磨時間は５分間、各シリコンウェーハＷの研磨量は０．１μｍである。
【００２５】
仕上げ研磨用の研磨布１１としては、東レコーテックス会社製、商品名シーガルが使用されている。研磨液（スラリー）としては、アルカリ溶液中に３２〜３８μｍのシリカ粒子を０．３重量％混入したものが使用される。
研磨布１１は、研磨定盤１２の上面に両面テープにより貼着されている。研磨定盤１２は、大径な受け皿１２ａの底板上に載置されている。
両研磨ヘッド１４の下面には、円板形状のキャリアプレート１３が着脱自在にそれぞれ取り付けられている。両キャリアプレート１３の下面には、４枚のシリコンウェーハＷがそれぞれワックス貼着されている。
研磨時には、１本のノズル１５を介して、仕上げ研磨用の研磨液を研磨布１１上に供給しながら、各シリコンウェーハＷを研磨布１１の表面（研磨作用面）に、所定の相対回転速度および所定の研磨圧でそれぞれ摺接させる。これにより、各シリコンウェーハＷの表面がそれぞれ鏡面研磨される。
【００２６】
得られた各シリコンウェーハＷは、次に研磨装置１０を利用し、研磨液に代えた超純水を、ノズル１５を通して研磨布１１上に供給しながら、それぞれ水研磨される（研磨後洗浄工程、図２）。超純水の供給量は、１〜３リットル／分である。水研磨の総時間は１分である。この水研磨により、仕上げ研磨後、研磨面に残った研磨液が洗い流される。水研磨のうち、超純水だけによる水研磨の時間は５０秒である。
次いで、３〜５重量％の界面活性剤を含む超純水（洗浄液）を研磨布１１上に供給しながら、各シリコンウェーハＷに対して、他の水研磨を１０秒間だけ行う（図２）。これが、研磨後洗浄工程における最終洗浄となる。界面活性剤には、非イオン性の日化精工（株）製の「ドライノン」が採用される。このように、界面活性剤を含む超純水により研磨面を水研磨することで、各研磨面はそれぞれ親水性の面となる。
【００２７】
次に、両研磨ヘッド１４の下面から、キャリアプレート１３をそれぞれ離脱させる。その後、搬送ロボット１６のアーム１６ａを作動させてキャリアプレート１３を保持する（図３）。具体的には、アーム１６ａの先端部に設けられた吸着パッド１６ｂにより、キャリアプレート１３の上面（シリコンウェーハＷの貼着側とは反対側の面）を真空吸着させる。このとき、吸着パッド１６ｂに形成された吸引口と、外部に設けられた負圧発生装置の吸引部とは、アーム１６ａと吸引パイプとを介して連通状態にある。それから、アーム１６ａを軸線回りに回転し、キャリアプレート１３を反転させる。続いて、搬送ロボット１６を作動させ、多数枚のキャリアプレート１３を一括して高速回転可能なスピン乾燥ユニット（スピン乾燥装置）１７まで搬送する。
【００２８】
スピン乾燥ユニット１７は、大きな水受け槽１８を有する（図４）。水受け槽１８の底部には、平面視して円形状のウェーハ保持板１９が回転自在に４つ配設されている。各ウェーハ保持板１９の上部には、前記キャリアプレート１３がそれぞれ着脱自在に装着される。各ウェーハ保持板１９は、水受け槽１８の底板の裏面に配置された４台の回転モータ２０により高速回転可能に設けられている。また、水受け槽１８の底板の各ウェーハ保持板１９間の部分上には、各シリコンウェーハＷの研磨面に、超純水リンス工程で使用される超純水を供給する逆Ｌ字形のリンスノズル２１がそれぞれ立設させられている。各リンスノズル２１から、超純水のリンス液が対応するウェーハ保持板１９の上面に供給される。
【００２９】
搬送ロボット１６のアーム操作により、各キャリアプレート１３が、対応するウェーハ保持板１９にそれぞれ移載されると、各リンスノズル２１から超純水が３リットル／分で１分間、シリコンウェーハＷに向かってそれぞれ吹き出される。このとき、各ウェーハ保持板１９は、対応する回転モータ２０により３０ｒｐｍで低速回転させられている。その結果、各キャリアプレート１３において、貼着された全てのシリコンウェーハＷの研磨面が、対応する１本のリンスノズル２１から流出された超純水により均一にリンスされる。よって、水研磨後の各研磨面に、研磨液中の微量の遊離砥粒が残存していた場合でも、各研磨面上から遊離砥粒を略完全に除去することができる。しかも、この乾燥直前の超純水によるリンスにより、各シリコンウェーハＷの研磨面上で洗浄液の膜ｃを形成させていた界面活性剤入りの超純水は、界面活性剤の濃度がそれぞれ低下（低粘度化）させられる。
【００３０】
その後、各シリコンウェーハＷを同時にスピン乾燥させる。乾燥時には、ウェーハ保持板１９上に、最終洗浄により研磨面が親水性の面で維持されたシリコンウェーハＷの裏面を、キャリアプレート１３を介して真空吸着する。そして、回転モータ２０によりウェーハ保持板１９を高速回転させると、シリコンウェーハＷの研磨面に付着した水分が遠心力によって吹き飛ばされ、短時間のうちに研磨面が乾燥させられる。ウェーハ保持板１９の回転速度は６００ｒｐｍである。乾燥時間は１分である。
次に、乾燥後の各シリコンウェーハＷは、ウェーハ剥離ステージＳ上に搬送され、ここで剥離刃２２により、対応するキャリアプレート１３から剥離される（図５）。
剥離されたシリコンウェーハＷは、次にＳＣ−１洗浄液によりＳＣ−１洗浄される。それから、シリコンウェーハＷに対して、順次、平坦度測定、表面検査、仕上げ洗浄（ＳＣ−１洗浄後のＨＦ／ＨＣｌ洗浄）、梱包の各工程が施される。こうして製品化されたシリコンウェーハＷは、その後、デバイス工場などに出荷される。
【００３１】
このように、表面研磨されたシリコンウェーハＷを、界面活性剤を含む超純水により洗浄したことで、乾燥させられるシリコンウェーハＷの研磨面は親水性の面となる。その後、研磨面の親水性を保ったままシリコンウェーハＷの乾燥を行う。ただし、乾燥工程の直前に、超純水により研磨面をリンスする。その結果、研磨後洗浄工程を行ってから、研磨液中の微量の遊離砥粒がシリコンウェーハＷの研磨面に若干残ったとしても、超純水リンス工程でそれを略完全に除去することができる（図６）。
【００３２】
しかも、超純水によりシリコンウェーハＷをリンスすると、研磨面上で膜ｃを形成した界面活性剤入りの超純水は、低濃度化されてその粘度が低下する。そのため、リンス後のシリコンウェーハＷをスピン乾燥させれば、研磨面上の洗浄水の膜（超純水の膜）ｃは薄くなる（図７）。その結果、乾燥工程後、周辺の雰囲気ガスに含まれたアルカリ成分が、前記洗浄液の膜ｃ中に吸収される量は減少する。よって、従来の場合には、洗浄液の膜ｃ中のアルカリ成分がシリコンウェーハＷの研磨面に吸着されて発生していた面あれ（図１３）を、防止することができる（図７）。しかも、スピン乾燥による乾燥時間は、超純水中の界面活性剤の濃度が低い（低粘度）ため、超純水リンスを施さない場合よりも２０〜２５％程度短縮させることができる。
【００３３】
ここで、図８および図９を参照して、研磨後洗浄（水研磨）後にそのままスピン乾燥する従来法により得られたシリコンウェーハＷの研磨面におけるパーティクルＰの発生分布（図８）と、スピン乾燥の直前に超純水リンスする実施例１の方法により得られたシリコンウェーハＷの研磨面におけるパーティクルＰの発生分布（図９）とを対比する。
図８および図９から明らかなように、スピン乾燥の直前に超純水リンスすることで、従来法に比べて実施例１の方法によるパーティクルＰの発生数は大幅に低減された。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法における仕上げ研磨工程を示す正面図である。
【図２】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法における研磨後洗浄工程を示す正面図である。
【図３】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法における研磨後洗浄が終了したキャリアプレートの搬送開始状態を示す正面図である。
【図４】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法における超純水リンス工程および乾燥工程を示す正面図である。
【図５】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法におけるキャリアプレートからの半導体ウェーハの剥離工程を示す正面図である。
【図６】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法におけるキャリアプレートから剥離された直後の半導体ウェーハを示す拡大断面図である。
【図７】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法により製造された半導体ウェーハを示す拡大断面図である。
【図８】従来手段に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法により得られた半導体ウェーハの研磨面に発生したパーティクルの分布状態を示す平面図である。
【図９】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法により得られた半導体ウェーハの研磨面に発生したパーティクルの分布状態を示す平面図である。
【図１０】従来手段に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法における乾燥工程を示す正面図である。
【図１１】従来手段に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法におけるキャリアプレートからの半導体ウェーハの剥離工程を示す正面図である。
【図１２】従来手段に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法におけるキャリアプレートから剥離された直後の半導体ウェーハを示す拡大断面図である。
【図１３】従来手段に係る半導体ウェーハの洗浄乾燥方法により製造された半導体ウェーハを示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
Ｗ  半導体ウェーハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006179593.tif 000009
【図８】
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【図９】
2006179593.tif 000011
【図１０】
2006179593.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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