(57)【要約】【課題】  波長３００〜９００ｎｍのレーザーで良好な記録および再生が可能な光記録媒体および新規なビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を提供する。【解決手段】  ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を記録層に含有する光記録媒体。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一種以上のビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を少なくとも一層の記録層に含有する光記録媒体。
【請求項２】
ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体が一般式（１）で表される化合物である請求項１記載の光記録媒体。
【化１】
2006076209.tif 000023
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表わす。）
【請求項３】
ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体が互変可能な構造の一つとして一般式（２）で表される化合物である請求項１記載の光記録媒体。
【化２】
2006076209.tif 000024
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表し、Ａｒ２１及びＡｒ２２はそれぞれ独立に、置換または無置換の芳香族環残基を表わす。）
【請求項４】
一般式（１）で表される化合物。
【化３】
2006076209.tif 000025
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表す。）
【請求項５】
互変可能な構造の一つとして一般式（２）で表される化合物。
【化４】
2006076209.tif 000026
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表し、Ａｒ２１及びＡｒ２２はそれぞれ独立に、置換または無置換の芳香族環残基を表わす。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体に関するものであり、特に可視レーザーの一種である青色レーザー光により記録再生可能である光記録媒体に関する。加えて、本発明は、新規なビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応した光記録媒体としてＣＤ−Ｒ（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が広く普及している。ＣＤ−Ｒの記憶容量は６８０ＭＢ程度であるが、情報量の飛躍的増加に伴い、情報記録媒体に対する高密度化および大容量化への要求は高まっている。
【０００３】
記録媒体の高密度化を行う手段としては、記録再生に用いるレーザー波長の短波長化及び対物レンズの開口数（Ｎ．Ａ．：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を高くすることにより、ビームスポットを小さくすることが挙げられる。そして、光ディスクシステムに利用される短波長レーザーとして、５００ｎｍ〜７００ｎｍ、さらには６３０ｎｍ〜６９０ｎｍ前後、具体的には、６８０ｎｍ、６７０ｎｍ、６６０ｎｍ、６５０ｎｍ、６３５ｎｍ等の赤色レーザーが実用化されてきた。こうして半導体レーザーの短波長化、対物レンズの開口数大化、データ圧縮技術等により、動画記録及び大容量の情報の記録を可能にした光記録媒体の作製が可能となってきた。今日までに提案されている光記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物系光記録媒体、有機色素系光記録媒体等があるが、これらの中で、安価かつプロセス上容易であるという点から、有機色素系光記録媒体は優位性を有すると考えられる。こうした状況を踏まえ、ＣＤよりも高密度でＴＶ品質並の動画の記録再生が可能な光記録媒体として、普及しつつある市販のＤＶＤビデオプレーヤーやＤＶＤ−ＲＯＭプレーヤーで再生できる、発振波長６３０〜６９０ｎｍの赤色半導体レーザーで記録を施すことが可能な追記型光記録媒体として開発されたのが、追記型のデジタル多目的ディスク（以下、ＤＶＤ−Ｒと略す）である。ＤＶＤ−Ｒは、３．９ＧＢあるいは４．７ＧＢの記録容量を有する一度書き込み可能な光記録媒体であり、特にここ最近となって、片面４．７ＧＢ容量のＤＶＤ−Ｒ媒体が市場に供給され始めている。該ＤＶＤ−Ｒ媒体も、シアニン系色素、アゾ系色素等を記録層に用い、反射層を設けた積層構造を採用しており、０．６ｍｍ厚の基板を２枚貼り合わせたディスク構造を特徴としている。この容量に合った記録特性良好な光ディスクについて、現在では高速記録対応の媒体開発が活発に進められている。
【０００４】
さらに、将来的にはより高密度な記録が求められることが予想され、その情報量はディスク１枚あたり１５〜３０ＧＢにも達すると予想される。その記録密度を実現する為の手段として、より波長の短いレーザーを使用することは避けられない。従って、将来の有機色素系光記録媒体に用いる記録用色素としては、３００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲において良好な記録特性を有する色素が望まれる。
【０００５】
ところで、有機色素を記録層としたＤＶＤ−Ｒよりも高密度記録可能な媒体に関して、特許文献１には、発振波長６８０ｎｍ以下のレーザーを用い、記録容量８ＧＢ以上の密度を達成したとの開示がある。該文献の提案では、１０〜１７７μｍ厚さの光透過層越しに０．７以上の高開口数を有する対物レンズで６８０ｎｍ以下のレーザー光を収束することで、８ＧＢ以上の大容量記録を達成している。
【０００６】
その一方で、ここ近年、発振波長３９０〜４３０ｎｍの青色レーザーとしてＧａＮ系材料を用いた４１０ｎｍのレーザーや、半導体レーザーと光導波路素子の組合せによる波長４２５ｎｍのＳＨＧレーザーが開発されてきており、このようなレーザーに合わせた青色半導体レーザー対応色素の開発が現在展開されている。
【０００７】
更に、１９９９年初頭から発振波長４００〜４１０ｎｍの青紫色発光のＧａＮ系半導体レーザーが試供（日亜化学工業）されるに当たり、片面１５ＧＢ以上の更なる高密度容量を有するＨＤＴＶ（ｈｉｇｈ  ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）放送並の画質で、２時間程度の動画の記録が可能となる媒体（以下、ＨＤ−ＤＶＤ−Ｒ媒体と称す）の検討が始められている。この様な高密度容量を有するＨＤ−ＤＶＤ−Ｒ媒体では、現行放送並の画質であれば６時間程度の録画も可能であるため、家庭用ＶＴＲに代わる新しい記録メディアとしても注目されている。
【０００８】
かかる中、次世代高密度光ディスクの統一規格「Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ」が日欧韓９社により策定され、発表された（２００２年２月１９日）。この規格によると、青紫色レーザーとＮ．Ａ．＝０．８５の高開口レンズとを組み合わせ、１２ｃｍ円板の片面に最大２７ＧＢの映像データを繰り返し記録・再生でき、同規格のレコーダを使えば、ディスク１枚にＨＤＴＶ映像を２時間以上録画できるようになる。これは、現行放送ＮＴＳＣ方式の映像データなら録画時間は１３時間以上に相当する。
【０００９】
また、同規格のディスク厚みは１．２ｍｍで、１００μｍ程度の光透過層越しに形成された記録膜にレーザー光を合焦させるもので、２３．３、２５、２７ＧＢの３種類の記録容量が提案されている。さらに前述の規格に先立ち、青紫色レーザー、ならびにＮ．Ａ．＝０．８５の高開口レンズを用いた記録媒体への有機色素の適用可能性について言及された。
【００１０】
現在のところ、４００ｎｍ〜５００ｎｍの青色レーザーで記録できる有機色素化合物として、シアニン系色素化合物や、ポルフィリン系色素化合物の他、ポリエン系色素化合物、アゾ系色素化合物、ジシアノビニルフェニル化合物、クマリン化合物、ピリミジン化合物、ナフタロシアニン化合物、ヘテロ５員環化合物、ビスアゾール化合物、アミノピリジン化合物、ビスピリジニウム化合物、オキソノール化合物、スチリル化合物、アミノブタジエン化合物、金属キレート化合物、キノン化合物またはキノジメタン化合物、ヒドラゾン化合物、トリアジン化合物、カルボスチリル化合物またはナフチリジン化合物、縮合複素環化合物、およびスチルベン化合物等が提案されている。
【００１１】
また、記録層形成用の有機色素としてポルフィリン系色素やシアニン系色素等を主とする記録層および銀を主体とする金属反射層の２層が構成された特許文献２に記載の光記録媒体や、媒体構成に工夫したものとして、青色レーザーに感応するシアニン系色素を含有した青色レーザー感応色素層ならびに赤色レーザー感応色素層を有することで、２波長領域の記録を可能とする特許文献３に記載の光記録媒体や、青色レーザー用色素および赤色レーザー用色素の２種の色素を混合することで２波長領域の記録を可能とするインジゴイド系色素化合物を用いた特許文献４に記載の光記録媒体、シアノエテン系色素を用いた特許文献５に記載の光記録媒体、スクアリリウム系色素化合物を用いた特許文献６に記載の光記録媒体等が提案されている。
【００１２】
一方、４００〜５００ｎｍの青色領域で有機色素膜を記録に行う例として、ポルフィリン系化合物の中心金属に配位する分子化合物および高分子、あるいは中心金属を配位する分子構造を側鎖に有する高分子と混合することで、該ポルフィリン系化合物のソーレー(Ｓｏｒｅｔ)帯を長波長側にシフトさせて、４８８ｎｍのＡｒレーザーに対応させると共に、スピンコーティングによる成膜を可能ならしめて製造コストの低減を図る提案がなされている（特許文献７、８）。又、ポリエン系色素化合物（特許文献９、１０）は、本発明者らの検討によれば、光安定性が悪く、実用化にはクエンチャーのブレンド等の工夫が必要である。
【特許文献１】特開平１０−３０２３１０号公報
【特許文献２】特開平１１−５３７５８号公報
【特許文献３】特開平１１−２０３７２９号公報
【特許文献４】特開平１１−７８２３９号公報
【特許文献５】特開平１１−１０５４２３号公報
【特許文献６】特開平１１−１１０８１５号公報
【特許文献７】特開平７−３０４２５６号公報
【特許文献８】特開平７−３０４２５７号公報
【特許文献９】特開平４−７８５７６号公報
【特許文献１０】特開平４−８９２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
最近の状況として、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの青紫色半導体レーザーの実用化に目処がついたことで、該レーザーを用いた大容量追記型光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれている。
【００１４】
しかしながら、前述の光記録媒体では波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍのレーザー光に対して十分に適応していないのが実情である。すなわち、前述の有機色素を使用した媒体では、記録した信号の再生について、搬送波と雑音の比（Ｃ／Ｎ）が必ずしも良好な値でないために、信号の読み出しが必ずしも満足に行えない等の問題を我々は見出した。この問題を克服し、波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍのレーザー光で高密度記録再生可能な光記録媒体の開発が急務となっている。
【００１５】
上記のように、該レーザーを用いた大容量光記録媒体が盛んに開発され、特に高耐光性や良好な高速記録特性を有する色素の開発が望まれているにもかかわらず、該波長領域のレーザー光に対して記録再生が可能な記録材料として前述の色素化合物は、今だ十分な特性が得られておらず、改善の余地があるのが現状である。また、記録膜形成が簡便なスピンコート法等の塗布法による媒体製造の際には、有利な特性の１つとして、塗布溶媒への高溶解性を有することが挙げられ、この点についても配慮することが必要である。
【００１６】
また一般に、記録容量の増大を図るには、より高密度に記録を行う必要があり、そのため、記録に使用する光学ビームを絞るための対物レンズの開口数を高め、光学系のレーザー波長をより短波長化することが必須となる。ところが、絞り込んだ光学ビームは回折限界でその最小のビーム径が定められる。さらに高速記録特性を有するためには、記録時のレーザーパワーができる限り小さいことが重要である。すなわち、少ないレーザーエネルギーで良好なマークを形成し得る高感度な色素を開発することが重要である。
【００１７】
ところで、記録はビーム強度がある閾値を超えたところで成されるので、図１（ａ）に示すように、絞り込んだビームスポットよりも小さな記録マークが得られる。この記録マークの周囲はビームの強度ピークのすそ野にあたるが、より短波長化が進む現況では、記録マークの周囲でも記録層の光化学反応を助長し、殊に、前述の青紫色レーザーの波長領域では、有機化合物の光化学反応が容易に生じる波長領域となるため、記録時にはマークエッジが劣化し、信号特性が悪化するという問題がある。すなわち、図１（ｂ）に示すように、本来矩形波に対応して形成せねばならない記録情報〔図１（ｂ）の実線〕が、マークエッジの劣化によりブロードな波形〔図１（ｂ）の破線部〕となってしまう。又、記録時と同一の青紫色レーザー波長で再生を行うと、再生光のような微弱な光照射でも光反応が促進され、再生の度に劣化が進むという問題もあり、前記特開平７−３０４２５６号公報、特開平７−３０４２５７号公報でも、記録光と再生光とを異なる波長、実質的には、再生光を記録光よりも長波長とする対策を講じねばならなくなり、結果として、十分な高密度化の要求に応えられないのが現状である。又、記録波長と再生光波長を異ならしめることは、記録装置と再生装置を個別に用意するか、１つの装置に２つの光学系及びその制御系を設けなければならず、光記録媒体としての用途が限定されたり、装置の大型化、コストの増大を招き、汎用性の乏しいものとなってしまう。また、従来、ＣＤ−Ｒなどの光記録媒体においては、有機色素膜の融点、昇華点、相転移点或いは熱分解点などの物性上の明確な熱的閾値を境に記録のオン・オフが成されてきたものに対し、青紫色レーザー励起による光劣化モードの介在は、このコントラストを曖昧にし、とりわけ光学ビームよりも小さい細密記録マークを形成せねばならない高密度記録系においては、著しく記録信号品位を損なう懸念があった。
【００１８】
本発明の目的は、波長３００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲のレーザー光、殊に波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される青紫色のレーザー光で良好な記録および再生が可能な超高密度記録に適した記録層を有する光記録媒体を提供することにある。また、該光記録媒体に好適に使用できる新規な化合物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、
１．一種以上のビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を少なくとも一層の記録層に含有する光記録媒体、
２．ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体が一般式（１）で表される化合物である前記１に記載の光記録媒体、
【００２０】
【化１】
2006076209.tif 000002
【００２１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表す。）
３．ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体が互変可能な構造の一つとして、一般式（２）で表される化合物である前記１に記載の光記録媒体、
【００２２】
【化２】
2006076209.tif 000003
【００２３】
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表し、Ａｒ２１及びＡｒ２２はそれぞれ独立に、置換または無置換の芳香族環残基を表わす。）
４．波長３００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である前記１〜３のいずれかに記載の光記録媒体、
５．波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である前記１〜３のいずれかに記載の光記録媒体、
６．波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である前記１〜３のいずれかに記載の光記録媒体、
７．一般式（１）で表される化合物、
【００２４】
【化３】
2006076209.tif 000004
【００２５】
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表す。）
８．互変可能な構造の一つとして一般式（２）で表される化合物、
【００２６】
【化４】
2006076209.tif 000005
【００２７】
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表し、Ａｒ２１及びＡｒ２２はそれぞれ独立に、置換または無置換の芳香族環残基を表わす。）
に関する。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、本発明のビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を記録層に用いることにより、高密度光記録媒体として非常に注目されている波長３００〜９００ｎｍレーザー、特に波長４００〜４１０ｎｍ青紫色レーザーでの記録および再生が可能な光記録媒体を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
本発明は、光記録媒体の記録層中にビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を含有することを特徴とする光記録媒体に関し、波長３００ｎｍ〜９００ｎｍ、特に波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択されるレーザー光により記録および再生が可能である新規な光記録媒体および新規なビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体に関するものである。
【００３０】
本発明に係る光記録媒体とは、情報を記録して再生することのできる光記録媒体を示すものである。但し、ここでは適例として基板上に記録層、反射層を有する本発明の光記録媒体に関して説明する。尚、以下の説明では、光記録媒体として、光ディスクであって、支持基板上に例えば案内溝と、この案内溝上に反射膜と有機色素を主成分とする記録層とを有し、波長３００〜５００ｎｍのレーザー光を照射して信号の記録再生を行う媒体に関して説明するが、本発明の光記録媒体は、この様な形状や構成に限定されるものではなく、カード状、シート状等その他各種の形状のもの、又、反射層を有さないもの、更に将来開発されるであろうより短波長のレーザーでの記録再生にも適用し得るものである。
【００３１】
本発明の光記録媒体は、例えば、図２に示すような基板１、記録層２、反射層３、及び保護層４が順次積層している４層構造を有しているか、図３に示すような貼り合わせ構造を有している。即ち、基板１上に記録層２が形成されており、その上に密着して反射層３が設けられており、さらにその上に接着層５を介して保護層４が貼り合わされている。但し、記録層２の下または上に別の層があっても良く、反射層３の上に別の層があっても構わない。また、図４に示すように基板１、反射層３、記録層２、保護層４の順に積層し、保護層側から記録再生する構造であっても良い。また、特開平１０−３２６４３５号公報記載のように光透過層の厚みが、光学系の開口数Ｎ．Ａ．及びレーザー波長λにより規定された媒体構造であっても構わない。また、本発明の光記録媒体は、必要に応じて特開平１１−２０３７２９号公報記載のように記録層を２種以上有する構造であっても構わない。
【００３２】
また、本発明を光ディスクに適用した例として、図５に示すような、基板１１、記録層１２、反射層１３及び保護層１４がこの順で積層され、更に接着層を兼ねる保護層１４上にダミー基板１５を貼り合わせたものが挙げられる。もちろん、基板１５の無い構成であっても良く、基板１１と記録層１２の間、記録層１２と反射層１３の間、反射層１３と保護層１４との間、保護層１４とダミー基板１５との間に、他の層が存在していても良い。図５の光ディスクにおいては、基板１１側から記録再生が行われる。
【００３３】
又、別の実施形態として、特開平１０−３０２３１０号公報に開示の構成、例えば、図６に示すように、案内溝の形成された支持基板１１’上に、反射層１３’、有機色素を主成分とする記録層１２’がこの順で成膜され、この記録層１２’上に任意に形成される透明保護層１４’を介して光透過層１５’が形成され、情報の記録及び再生は、光透過層１５’側から実施される。尚、逆に光透過層１５’側に案内溝を形成し、その上に透明保護層１４’、記録層１２’、反射層１３’を積層し、支持基板１１’と貼り合わせる構成としても良い。
【００３４】
あるいは、さらに別の実施形態として、特開２００２−１７５６４５号公報に開示の構成、例えば、図７に示すように、案内溝の形成された支持基板２１上に、有機色素を主成分とする記録層２２が成膜され、この記録層２２上に窒化物層２３、酸化物層２４を順次積層してなる誘電体層４０を形成し、さらに誘電体層４０上に、粘着剤を必要に応じて介し、光透過層２５が形成され、情報の記録および再生は、光透過層２５側から実施される。尚、逆に光透過層２５側に案内溝を形成し、その上に酸化物層２４、窒化物層２３を順次積層してなる誘電体層４０、記録層２２を積層し、支持基板２１と貼り合わせる構成としてもよい。このように、反射層を用いず、情報記録層上に誘電体層を形成して、多重干渉による光学的エンハンスメント効果を得ることで、適した初期反射率を得られる光記録媒体に本発明の化合物を適用可能である。
【００３５】
本発明においては、基板上に記録層を設けるが、本発明の記録層は、ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体、特に一般式（１）で表わされる化合物を記録用色素として少なくとも一種含有するものである。ここで記録用色素とは、着目のレーザー波長域で充分な吸収を有し、所定のエネルギーを有するレーザー光の照射により光・熱変換を伴って、物理的・化学的な変化、変質、分解して屈折率変化および／または形状変化することにより反射率の変化する部分（マーク）を形成できる色素である。また、本発明に係る化合物を用いることで、充分な変調度が獲得できる光記録媒体を得ることができる。本発明の光記録媒体は、特に３００ｎｍ〜９００ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長に対して記録再生が可能であり、中でも、波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍの範囲、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好な信号特性が得られる光記録媒体である。
【００３６】
本発明に係るビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体は、置換基の選択により吸光係数を保持した状態で吸収波長を任意に選択できるため、前記レーザー光の波長において、記録層に必要な光学定数を満足することが可能である。さらに、少ないレーザーエネルギーで良好なマーク形状を得ることのできる極めて有用な有機色素である。
【００３７】
以下、本発明についてさらに詳細を述べる。
【００３８】
本発明の光記録媒体においては、ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を一種以上記録層に含有するが、本発明に係るビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体としては、好ましくは、５，５’−ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体、６，６’−ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体、７，７’−ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体、８，８’−ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体が挙げられ、より好ましくは、６，６’− ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体が挙げられ、さらに好ましくは、下記一般式（１）で表わされる化合物が挙げられる。
【００３９】
【化５】
2006076209.tif 000006
【００４０】
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表す。）
【００４１】
一般式（１）で表わされる化合物において、Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表す。
【００４２】
尚、アリール基とは、フェニル基、ナフチル基等の炭素環式芳香族基、フリル基、チエニル基、ピリジル基等の複素環式芳香族基を表す。
【００４３】
一般式（１）で表される化合物において、Ｒ１〜Ｒ１０は、好ましくは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基、炭素数５〜２０の置換または無置換のアラルキル基、炭素数６〜２６の置換または無置換の炭素環式芳香族基、炭素数３〜２６の置換または無置換の複素環式芳香族基、炭素数１０〜２６の置換または無置換のメタロセニル基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアラルキルオキシ基、炭素数３〜２５の置換または無置換のアリールオキシ基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキルチオ基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアラルキルチオ基、炭素数３〜２５の置換または無置換のアリールチオ基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアシル基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアシルオキシ基、炭素数２〜２０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数６〜２０置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、炭素数４〜２６置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、無置換のアミノ基、炭素数１〜１５のモノ置換アミノ基あるいは炭素数２〜３０のジ置換アミノ基、炭素数１１〜４０のメタロセニル残基を有する基である。
【００４４】
Ｒ１〜Ｒ１０の具体例としては、水素原子、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基が挙げられ、
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、２−メチルブチル基、１−メチルブチル基、ネオペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，１−ジメチルプロピル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、１−メチルペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１，３−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、１，１−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、１，２，２−トリメチルブチル基、１，１，２−トリメチルブチル基、１−エチル−２−メチルプロピル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、２，４−ジメチルペンチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、２，５−ジメチルヘキシル基、２，５，５−トリメチルペンチル基、２，４−ジメチルヘキシル基、２，２，４−トリメチルペンチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、４−エチルオクチル基、４−エチル−４，５−メチルヘキシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、１，３，５，７−テトラエチルオクチル基、４−ブチルオクチル基、６，６−ジエチルオクチル基、ｎ−トリデシル基、６−メチル−４−ブチルオクチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、３，５−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチルヘプチル基、２，４−ジメチルヘプチル基、２，２，５，５−テトラメチルヘキシル基、１−シクロペンチル−２，２−ジメチルプロピル基、１−シクロヘキシル−２，２−ジメチルプロピル基等の無置換のアルキル基；
クロロメチル基、１−クロロエチル基、２−クロロエチル基、２−ブロモエチル基、２−ヨードエチル基、ジクロロメチル基、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基、ノナフルオロブチル基、パーフルオロデシル基等のハロゲン原子で置換されたアルキル基；
ヒドロキシメチル基、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、２−ヒドロキシ−３−メトキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−クロロプロピル基、２−ヒドロキシ−３−エトキシプロピル基、３−ブチルオキシ−２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルオキシプロピル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、４−ヒドロキシデカリル基等のヒドロキシル基で置換されたアルキル基；
ヒドロキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、２−（２'−ヒドロキシ−１'−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、２−（３'−フルオロ−２'−ヒドロキシプロピルオキシ）エチル基、２−（３'−クロロ−２'−ヒドロキシプロピルオキシ）エチル基、ヒドロキシブチルオキシシクロヘキシル基等のヒドロキシアルコキシ基で置換されたアルキル基；
ヒドロキシメトキシメトキシメチル基、ヒドロキシエトキシエトキシエチル基、［２'−（２'−ヒドロキ−１'−メチルエトキシ）−１'−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２'−（２'−フルオロ−１'−ヒドロキシエトキシ）−１'−メチルエトキシ］エトキシエチル基、［２'−（２'−クロロ−１'−ヒドロキシエトキシ）−１'−メチルエトキシ］エトキシエチル基等のヒドロキシアルコキシアルコキシ基で置換されたアルキル基；
シアノメチル基、２−シアノエチル基、３−シアノプロピル基、４−シアノブチル基、２−シアノ−３−メトキシプロピル基、２−シアノ−３−クロロプロピル基、２−シアノ−３−エトキシプロピル基、３−ブチルオキシ２−シアノプロピル基、２−シアノ−３−シクロヘキシルプロピル基、２−シアノプロピル基、２−シアノブチル基等のシアノ基で置換されたアルキル基；
メトキシメチル基、エトキシメチル基、ｎ−プロピルオキシメチル基、ｎ−ブチルオキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、ｎ−プロピルオキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエチル基、ｎ−ヘキシルオキシエチル基、（４−メチルペンチルオキシ）エチル基、（１，３−ジメチルブチルオキシ）エチル基、（２−エチルヘキシルオキシ）エチル基、ｎ−オクチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エチル基、（２−メチル−１−イソプロピルプロピルオキシ）エチル基、（３−メチル−１−イソプロピルブチルオキシ）エチル基、２−エトキシ−１−メチルエチル基、３−メトキシブチル基、（３，３，３−トリフルオロプロピルオキシ）エチル基、（３，３，３−トリクロロプロピルオキシ）エチル基等のアルコキシ基で置換されたアルキル基；
メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピルオキシエトキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエチル基、デカリルオキシプロピルオキシエトキシ基、（１，２−ジメチルプロピルオキシ）エトキシエチル基、（３−メチル−１−イソブチルブチルオキシ）エトキシエチル基、（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）エチル基、（２−ブチルオキシ１−メチルエトキシ）エチル基、２−（２'−エトキシ−１'−メチルエトキシ）−１−メチルエチル基、（３，３，３−トリフルオロプロピルオキシ）エトキシエチル基、（３，３，３−トリクロロプロピルオキシ）エトキシエチル基等のアルコキシアルコキシ基で置換されたアルキル基；
メトキシメトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエトキシエトキシエチル基、シクロヘキシルオキシエトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピルオキシプロピルオキシプロピルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシエトキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシエトキシエチル基等のアルコキシアルコキシアルコキシ基で置換されたアルキル基；
ホルミルメチル基、２−オキソブチル基、３−オキソブチル基、４−オキソブチル基、２，６−ジオキソシクロヘキサン−１−イル基、２−オキソ−５−tert−ブチルシクロヘキサン−１−イル基等のアシル基で置換されたアルキル基；
ホルミルオキシメチル基、アセトキシエチル基、ｎ−プロピオニルオキシエチル基、ｎ−ブタノイルオキシエチル基、バレリルオキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）ヘキシル基、（３−フルオロブチリルオキシ）エチル基、（３−クロロブチリルオキシ）エチル基等のアシルオキシ基で置換されたアルキル基；
ホルミルオキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピオニルオキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイル）オキシブチルオキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエチル基等のアシルオキシアルコキシ基で置換されたアルキル基；
アセトキシメトキシメトキシメチル基、アセトキシエトキシエトキシエチル基、ｎ−プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、（２−エチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（３，５，５−トリメチルヘキサノイルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−フルオロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基、（２−クロロプロピオニルオキシ）エトキシエトキシエチル基等のアシルオキシアルコキシアルコキシ基で置換されたアルキル基；
メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルメチル基、ｎ−ブチルオキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ｎ−ブチルオキシカルボニルエチル基、（４−エチルシクロヘキシルオキシカルボニル）シクロヘキシル基、（２，２，３，３−テトラフルオロプロピルオキシカルボニル）メチル基、（２，２，３，３−テトラクロロプロピルオキシカルボニル）メチル基等のアルコキシカルボニル基で置換されたアルキル基；
フェニルオキシカルボニルメチル基、（２−メチルフェニルオキシカルボニル）メチル基、（３−メチルフェニルオキシカルボニル）メチル基、（４−メチルフェニルオキシカルボニル）メチル基、（４−tert−ブチルフェニルオキシカルボニル）メチル基、フェニルオキシカルボニルエチル基、（４−tert−ブチルフェニルオキシカルボニル）エチル基、（１−ナフチルオキシカルボニ）メチル基、（２−ナフチルオキシカルボニ）メチル基、（２−フェニルフェニルオキシカルボニル）エチル基、（３−フェニルフェニルオキシカルボニル）エチル基、（４−フェニルフェニルオキシカルボニル）エチル基等のアリールオキシカルボニルで置換されたアルキル基；
ベンジルオキシカルボニルメチル基、ベンジルオキシカルボニルエチル基、フェネチルオキシカルボニルメチル基、（４−シクロヘキシルオキシベンジルオキシカルボニル）メチル基等のアラルキルオキシカルボニル基で置換されたアルキル基；
ビニルオキシカルボニルメチル基、ビニルオキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルメチル基、シクロペンタジエニルオキシカルボニルメチル基、オクテノキシカルボニルメチル基等のアルケニルオキシカルボニル基で置換されたアルキル基；
メトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエチル基、ブチルオキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシカルボニルオキシ）エチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシカルボニルオキシ）エチル基等のアルコキシカルボニルオキシ基で置換されたアルキル基；
メトキシメトキシカルボニルオキシメチル基、メトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、ｎ−ブチルオキシエトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基、（２，２，２−トリクロロエトキシ）エトキシカルボニルオキシエチル基等のアルコキシアルコキシカルボニルオキシ基で置換されたアルキル基；
ジメチルアミノメチル基、ジエチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノメチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノメチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノメチル基、ジ−ｎ−デシルアミノメチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノメチル基、ピペリジノメチル基、ジ（メトキシメチル）アミノメチル基、ジ（メトキシエチル）アミノメチル基、ジ（エトキシメチル）アミノメチル基、ジ（エトキシエチル）アミノメチル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノメチル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノメチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノメチル基、ジメチルアミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノエチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノエチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノエチル基、ジ−ｎ−デシルアミノエチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノエチル基、ピペリジノエチル基、ジ（メトキシメチル）アミノエチル基、ジ（メトキシエチル）アミノエチル基、ジ（エトキシメチル）アミノエチル基、ジ（エトキシエチル）アミノエチル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノエチル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノエチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノエチル基、ジメチルアミノプロピル基、ジエチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ブチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノプロピル基、ジ−ｎ−オクチルアミノプロピル基、ジ−ｎ−デシルアミノプロピル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノプロピル基、ピペリジノプロピル基、ジ（メトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（メトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシメチル）アミノプロピル基、ジ（エトキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノプロピル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノプロピル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノプロピル基、ジメチルアミノブチル基、ジエチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ブチルアミノブチル基、ジ−ｎ−ヘキシルアミノブチル基、ジ−ｎ−オクチルアミノブチル基、ジ−ｎ−デシルアミノブチル基、Ｎ−イソアミル−Ｎ−メチルアミノブチル基、ピペリジノブチル基、ジ（メトキシメチル）アミノブチル基、ジ（メトキシエチル）アミノブチル基、ジ（エトキシメチル）アミノブチル基、ジ（エトキシエチル）アミノブチル基、ジ（ｎ−プロピルオキシエチル）アミノブチル基、ジ（ｎ−ブチルオキシエチル）アミノブチル基、ビス（２−シクロヘキシルオキシエチル）アミノブチル基等のジアルキルアミノ基で置換されたアルキル基；
アセチルアミノメチル基、アセチルアミノエチル基、ｎ−プロピオニルアミノエチル基、ｎ−ブタノイルアミノエチル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、４−メチルシクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、スクシンイミノエチル基等のアシルアミノ基で置換されたアルキル基；
メチルスルホンアミノメチル基、メチルスルホンアミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、ｎ−プロピルスルホンアミノエチル基、ｎ−オクチルスルホンアミノエチル基等のアルキルスルホンアミノ基で置換されたアルキル基；
メチルスルホニルメチル基、エチルスルホニルメチル基、ブチルスルホニルメチル基、メチルスルホニルエチル基、エチルスルホニルエチル基、ｎ−ブチルスルホニルエチル基、２−エチルヘキシルスルホニルエチル基、２，２，３，３−テトラフルオロプロピルスルホニルメチル基、２，２，３，３−テトラクロロプロピルスルホニルメチル基等のアルキルスルホニル基で置換されたアルキル基；
フェニルスルホニルメチル基、フェニルスルホニルエチル基、フェニルスルホニルプロピル基、フェニルスルホニルブチル基、２−メチルフェニルスルホニルメチル基、３−メチルフェニルスルホニルメチル基、４−メチルフェニルスルホニルメチル基、４−メチルフェニルスルホニルエチル基、４−メチルフェニルスルホニルプロピル基、４−メチルフェニルスルホニルブチル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルメチル基、２，６−ジメチルフェニルスルホニルメチル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルエチル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルプロピル基、２，４−ジメチルフェニルスルホニルブチル基等のアリールスルホニル基で置換されたアルキル基；
チアジアゾリノメチル基、ピロリノメチル基、ピロリジノメチル基、ピラゾリジノメチル基、イミダゾリジノメチル基、オキサゾリル基、トリアゾリノメチル基、モルホリノメチル基、インドーリノメチル基、ベンズイミダゾリノメチル基、カルバゾリノメチル基等の複素環基で置換されたアルキル基；
等が挙げられる。
【００４５】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアラルキル基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキル基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキル基であり、具体例としては、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−ナフチルメチル基、２−ナフチルメチル基、フルフリル基、２−メチルベンジル基、３−メチルベンジル基、４−メチルベンジル基、４−エチルベンジル基、４−イソプロピルベンジル基、４−tert−ブチルベンジル基、４−ｎ−ヘキシルベンジル基、４−ｎ−ノニルベンジル基、３，４−ジメチルベンジル基、３−メトキシベンジル基、４−メトキシベンジル基、４−エトキシベンジル基、４−ｎ−ブチルオキシベンジル基、４−ｎ−ヘキシルオキシベンジル基、４−ｎ−ノニルオキシベンジル基、３−フルオロベンジル基、４−フルオロベンジル基、２−クロロベンジル基、４−クロロベンジル基等の置換または無置換のアラルキル基が挙げられる。
【００４６】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアリール基とは、無置換の炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基、あるいは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有する炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有する炭素環式芳香族基、複素環式芳香族基であり、具体例としては、フェニル基、４−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、２−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、２−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−イソブチルフェニル基、４−sec−ブチルフェニル基、２−sec−ブチルフェニル基、４−tert−ブチルフェニル基、３−tert−ブチルフェニル基、２−tert−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−イソペンチルフェニル基、４−ネオペンチルフェニル基、４−tert−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−（２'−エチルブチル）フェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−（２'−エチルヘキシル）フェニル基、４−ｎ−ノニルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、４−ｎ−ウンデシルフェニル基、４−ｎ−ドデシルフェニル基、４−ｎ−テトラデシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−（４'−メチルシクロヘキシル）フェニル基、４−（４'−tert−ブチルシクロヘキシル）フェニル基、３−シクロヘキシルフェニル基、２−シクロヘキシルフェニル基、２，３−ジメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、２，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、３，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、２，６−ジエチルフェニル基、２，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソブチルフェニル基、２，４−ジ−tert−ブチルフェニル基、２，５−ジ−tert−ブチルフェニル基、４，６−ジ−tert−ブチル−２−メチルフェニル基、５−tert−ブチル−２−メチルフェニル基、４−tert−ブチル−２，６−ジメチルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−５−ナフチル基、１，２，３，４−テトラヒドロ−６−ナフチル基、４−エチル−１−ナフチル基、６−ｎ−ブチル−２−ナフチル基、５−インダニル基、
４−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−エトキシフェニル基、３−エトキシフェニル基、２−エトキシフェニル基、４−ｎ−プロピルオキシフェニル基、３−ｎ−プロピルオキシフェニル基、４−イソプロピルオキシフェニル基、２−イソプロピルオキシフェニル基、４−ｎ−ブチルオキシフェニル基、４−イソブチルオキシフェニル基、２−sec−ブチルオキシフェニル基、４−ｎ−ペンチルオキシフェニル基、４−イソペンチルオキシフェニル基、２−イソペンチルオキシフェニル基、４−ネオペンチルオキシフェニル基、２−ネオペンチルオキシフェニル基、４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル基、４−（２'−エチルブチル）オキシフェニル基、４−ｎ−ヘプチルオキシフェニル基、４−ｎ−オクチルオキシフェニル基、４−ｎ−ノニルオキシフェニル基、４−ｎ−デシルオキシフェニル基、４−ｎ−ウンデシルオキシフェニル基、４−ｎ−ドデシルオキシフェニル基、４−ｎ−テトラデシルオキシフェニル基、４−シクロヘキシルオキシフェニル基、２−シクロヘキシルオキシフェニル基、２，３−ジメトキシフェニル基、２，４−ジメトキシフェニル基、２，５−ジメトキシフェニル基、３，４−ジメトキシフェニル基、３，５−ジメトキシフェニル基、３，５−ジエトキシフェニル基、２−メトキシ−４−メチルフェニル基、２−メトキシ−５−メチルフェニル基、２−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−４−メトキシフェニル基、３−メチル−５−メトキシフェニル基、２−メトキシ−１−ナフチル基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−ｎ−ブチルオキシ−１−ナフチル基、５−エトキシ−１−ナフチル基、６−メトキシ−２−ナフチル基、６−エトキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ブチルオキシ−２−ナフチル基、６−ｎ−ヘキシルオキシ−２−ナフチル基、７−メトキシ−２−ナフチル基、７−ｎ−ブチルオキシ−２−ナフチル基、
４−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、２−フェニルフェニル基、４−（４'−メチルフェニル）フェニル基、４−（３'−メチルフェニル）フェニル基、４−（４'−エチルフェニル）フェニル基、４−（４'−イソプロピルフェニル）フェニル基、４−（４'−tert−ブチルフェニル）フェニル基、４−（４'−ｎ−ヘキシルフェニル）フェニル基、４−（４'−ｎ−オクチルフェニル）フェニル基、４−（４'−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４'−ｎ−ブチルオキシフェニル）フェニル基、２−（２'−メトキシフェニル）フェニル基、４−（４'−クロロフェニル）フェニル基、３−メチル−４−フェニルフェニル基、３−メトキシ−４−フェニルフェニル基、９−フェニル−２−フルオレニル基、９，９−ジフェニル−２−フルオレニル基、９−メチル−９−フェニル−２−フルオレニル基、９−エチル−９−フェニル−２−フルオレニル基、
４−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、２−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、３−クロロフェニル基、２−クロロフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、３，４−ジクロロフェニル基、３，５−ジクロロフェニル基、２，５−ジブロモフェニル基、２，４，６−トリクロロフェニル基、２−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−フルオロ−５−メチルフェニル基、３−フルオロ−２−メチルフェニル基、３−フルオロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−４−フルオロフェニル基、２−メチル−５−フルオロフェニル基、３−メチル−４−フルオロフェニル基、２−クロロ−４−メチルフェニル基、２−クロロ−５−メチルフェニル基、２−クロロ−６−メチルフェニル基、３−クロロ−４−メチルフェニル基、２−メチル−３−クロロフェニル基、２−メチル−４−クロロフェニル基、３−メチル−４−クロロフェニル基、２−クロロ−４，６−ジメチルフェニル基、２，４−ジクロロ−１−ナフチル基、１，６−ジクロロ−２−ナフチル基、２−メトキシ−４−フルオロフェニル基、３−メトキシ−４−フルオロフェニル基、２−フルオロ−４−メトキシフェニル基、２−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−フルオロ−６−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−メトキシフェニル基、３−フルオロ−４−エトキシフェニル基、２−クロロ−４−メトキシフェニル基、３−クロロ−４−メトキシフェニル基、２−メトキシ−５−クロロフェニル基、３−メトキシ−４−クロロフェニル基、３−メトキシ−６−クロロフェニル基、５−クロロ−２，４−ジメトキシフェニル基、２−ヒドロキシフェニル基、３−ヒドロキシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、２−ニトロフェニル基、３−ニトロフェニル基、４−ニトロフェニル基、２−シアノフェニル基、３−シアノフェニル基、４−シアノフェニル基、２−メチル−５−ニトロフェニル基、３，５−ジニトロフェニル基、２−ヒドロキシ−４−ニトロフェニル基等の置換または無置換の炭素環式芳香族基；
４−ピリジル基、３−ピリジル基、２−ピリジル基、４−メチル−２−ピリジル基、５−メチル−２−ピリジル基、６−メチル−２−ピリジル基、４，６−ジメチル−２−ピリジル基、４−メチル−５−ニトロ−２−ピリジル基、３−ヒドロキシ−２−ピリジル基、６−フルオロ−３−ピリジル基、６−メトキシ−３−ピリジル基、６−メトキシ−２−ピリジル基、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、２，６−ジメチル−４−ピリミジル基、４−キノリル基、３−キノリル基、４−メチル−２−キノリル基、３−フリル基、２−フリル基、３−チエニル基、２−チエニル基，４−メチル−３−チエニル基、５−メチル−２−チエニル基、３−メチル−２−チエニル基、２−オキサゾリル基、２−チアゾリル基、２−チアジアゾリル基、２−ベンゾオキサゾリル基、２−ベンゾチアゾリル基、２−ベンゾイミダゾリル基等の置換または無置換の複素環式芳香族基；
等が挙げられる。
【００４７】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のメタロセニル基とは、無置換のメタロセニル基、あるいは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有するメタロセニル基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有するメタロセニル基であり、具体例としては、フェロセニル基、コバルトセニル基、ニッケロセニル基、ジクロロチタノセニル基、トリクロロチタンシクロペンタジエニル基、ビス（トリフルオメタンスルホナト）チタノセニル基、ジクロロジルコノセニル基、ジメチルジルコノセニル基、ジエトキシジルコノセニル基、ビス（シクロペンタジエニル）クロム基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロモリブデン基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロハフニウム基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロニオブ基、ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム基、ビス（シクロペンタジエニル）バナジウム基、ビス（シクロペンタジエニル）ジクロロバナジウム基、オクタメチルフェロセニル基、オクタメチルコバルトセニル基、オクタメチルニッケロセニル基等の置換または無置換のメタロセニル基が挙げられる。
【００４８】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアルコキシ基とは、前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアルコキシ基であり、具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、tert−ブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、イソペンチルオキシ基、tert−ペンチルオキシ基、sec−ペンチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、１−メチルペンチルオキシ基、２−メチルペンチルオキシ基、３−メチルペンチルオキシ基、４−メチルペンチルオキシ基、１，１−ジメチルブチルオキシ基、１，２−ジメチルブチルオキシ基、１，３−ジメチルブチルオキシ基、２，３−ジメチルブチルオキシ基、１，１，２−トリメチルプロピルオキシ基、１，２，２−トリメチルプロピルオキシ基、１−エチルブチルオキシ基、２−エチルブチルオキシ基、１−エチル−２−メチルプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、メチルシクロペンチルオキシ基、ｎ−へプチルオキシ基、１−メチルヘキシルオキシ基、２−メチルヘキシルオキシ基、３−メチルヘキシルオキシ基、４−メチルヘキシルオキシ基、５−メチルヘキシルオキシ基、１，１−ジメチルペンチルオキシ基、１，２−ジメチルペンチルオキシ基、１，３−ジメチルペンチルオキシ基、１，４−ジメチルペンチルオキシ基、２，２−ジメチルペンチルオキシ基、２，３−ジメチルペンチルオキシ基、２，４−ジメチルペンチルオキシ基、３，３−ジメチルペンチルオキシ基、３，４−ジメチルペンチルオキシ基、１−エチルペンチルオキシ基、２−エチルペンチルオキシ基、３−エチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルブチルオキシ基、１，１，３−トリメチルブチルオキシ基、１，２，３−トリメチルブチルオキシ基、１，２，２−トリメチルブチルオキシ基、１，３，３−トリメチルブチルオキシ基、２，３，３−トリメチルブチルオキシ基、１−エチル−１−メチルブチルオキシ基、１−エチル−２−メチルブチルオキシ基、１−エチル−３−メチルブチルオキシ基、２−エチル−１−メチルブチルオキシ基、２−エチル−３−メチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピルブチルオキシ基、１−イソプロピルブチルオキシ基、１−イソプロピル−２−メチルプロピルオキシ基、メチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、１−メチルヘプチルオキシ基、２−メチルヘプチルオキシ基、３−メチルヘプチルオキシ基、４−メチルヘプチルオキシ基、５−メチルヘプチルオキシ基、６−メチルヘプチルオキシ基、１，１−ジメチルヘキシルオキシ基、１，２−ジメチルヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルヘキシルオキシ基、１，５−ジメチルヘキシルオキシ基、２，２−ジメチルヘキシルオキシ基、２，３−ジメチルヘキシルオキシ基、２，４−ジメチルヘキシルオキシ基、２，５−ジメチルヘキシルオキシ基、３，３−ジメチルヘキシルオキシ基、３，４−ジメチルヘキシルオキシ基、３，５−ジメチルヘキシルオキシ基、４，４−ジメチルヘキシルオキシ基、４，５−ジメチルヘキシルオキシ基、１−エチルヘキシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基���３−エチルヘキシルオキシ基、４−エチルヘキシルオキシ基、１−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、２−ｎ−プロピルペンチルオキシ基、１−イソプロピルペンチルオキシ基、２−イソプロピルペンチルオキシ基、１−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、１−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、２−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−１−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−２−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−３−メチルペンチルオキシ基、３−エチル−４−メチルペンチルオキシ基、１，１，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，１，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，１，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，２−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、１，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，２，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、２，３，３−トリメチルペンチルオキシ基、３，３，４−トリメチルペンチルオキシ基、１，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、２，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、３，４，４−トリメチルペンチルオキシ基、１−ｎ−ブチルブチルオキシ基、１−イソブチルブチルオキシ基、１−sec−ブチルブチルオキシ基、１−tert−ブチルブチルオキシ基、２−tert−ブチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピル−１−メチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピル−２−メチルブチルオキシ基、１−ｎ−プロピル−３−メチルブチルオキシ基、１−イソプロピル−１−メチルブチルオキシ基、１−イソプロピル−２−メチルブチルオキシ基、１−イソプロピル−３−メチルブチルオキシ基、１，１−ジエチルブチルオキシ基、１，２−ジエチルブチルオキシ基、１−エチル−１，２−ジメチルブチルオキシ基、１−エチル−１，３−ジメチルブチルオキシ基、１−エチル−２，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−１，１−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−１，２−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−１，３−ジメチルブチルオキシ基、２−エチル−２，３−ジメチルブチルオキシ基、１，１，３，３−テトラメチルブチルオキシ基、１，２−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，３−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、１，４−ジメチルシクロヘキシルオキシ基、エチルシクロヘキシルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基等の直鎖、分岐又は環状の無置換のアルコキシ基；  
メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、ｎ−プロピルオキシエトキシ基、イソプロピルオキシエトキシ基、ｎーブチルオキシエトキシ基、イソブチルオキシエトキシ基、tert−ブチルオキシエトキシ基、sec−ブチルオキシエトキシ基、ｎ−ペンチルオキシエトキシ基、イソペンチルオキシエトキシ基、tert−ペンチルオキシエトキシ基、sec−ペンチルオキシエトキシ基、シクロペンチルオキシエトキシ基、ｎ−ヘキシルオキシエトキシ基、エチルシクロヘキシルオキシエトキシ基、ｎ−ノニルオキシエトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）エトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブチルオキシ基、ｎ−デシルオキシエトキシ基、ｎ−ウンデシルオキシエトキシ基、ｎ−ドデシルオキシエトキシ基、３−メトキシプロピルオキシ基、３−エトキシプロピルオキシ基、３−（ｎ−プロピルオキシ）プロピルオキシ基、２−イソプロピルオキシプロピルオキシ基、２−メトキシブチルオキシ基、２−エトキシブチルオキシ基、２−（ｎ−プロピルオキシ）ブチルオキシ基、４−イソプロピルオキシブチルオキシ基、デカリルオキシエトキシ基、アダマンチルオキシエトキシ基等のアルコキシ基で置換されたアルコキシ基；
メトキシメトキシメトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、プロピルオキシメトキシメトキシ基、ブチルオキシメトキシメトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基、プロピルオキシエトキシメトキシ基、ブチルオキシエトキシメトキシ基、メトキシプロピルオキシメトキシ基、エトキシプロピルオキシメトキシ基、プロピルオキシプロピルオキシメトキシ基、ブチルオキシプロピルオキシメトキシ基、メトキシブチルオキシメトキシ基、エトキシブチルオキシメトキシ基、プロピルオキシブチルオキシメトキシ基、ブチルオキシブチルオキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、エトキシメトキシエトキシ基、プロピルオキシメトキシエトキシ基、ブチルオキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、プロピルオキシエトキシエトキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基、メトキシプロピルオキシエトキシ基、エトキシプロピルオキシエトキシ基、プロピルオキシプロピルオキシエトキシ基、ブチルオキシプロピルオキシエトキシ基、メトキシブチルオキシエトキシ基、エトキシブチルオキシエトキシ基、プロピルオキシブチルオキシエトキシ基、ブチルオキシブチルオキシエトキシ基、メトキシメトキシプロピルオキシ基、エトキシメトキシプロピルオキシ基、プロピルオキシメトキシプロピルオキシ基、ブチルオキシメトキシプロピルオキシ基、メトキシエトキシプロピルオキシ基、エトキシエトキシプロピルオキシ基、プロピルオキシエトキシプロピルオキシ基、ブチルオキシエトキシプロピルオキシ基、メトキシプロピルオキシプロピルオキシ基、エトキシプロピルオキシプロピルオキシ基、プロピルオキシプロピルオキシプロピルオキシ基、ブチルオキシプロピルオキシプロピルオキシ基、メトキシブチルオキシプロピルオキシ基、エトキシブチルオキシプロピルオキシ基、プロピルオキシブチルオキシプロピルオキシ基、ブチルオキシブチルオキシプロピルオキシ基、メトキシメトキシブチルオキシ基、エトキシメトキシブチルオキシ基、プロピルオキシメトキシブチルオキシ基、ブチルオキシメトキシブチルオキシ基、メトキシエトキシブチルオキシ基、エトキシエトキシブチルオキシ基、プロピルオキシシエトキシブチルオキシ基、ブチルオキシエトキシブチルオキシ碁、メトキシプロピルオキシブチルオキシ基、エトキシプロピルオキシブチルオキシ基、プロピルオキシプロピルオキシブチルオキシ基、ブチルオキシプロピルオキシブチルオキシ基、メトキシブチルオキシブチルオキシ基、エトキシブチルオキシブチルオキシ基、プロピルオキシブチルオキシブチルオキシ基、ブチルオキシブチルオキシブチルオキシ基、（４−エチルシクロへキシルオキシ）エトキシエトキシ基、（２−エチル−１−へキシルオキシ）エトキシプロピルオキシ基、〔４−（３，５，５−トリメチルヘキシルオキシ）ブチルオキシ〕エトキシ基等のアルコキシアルコキシ基で置換されたアルコキシ基；
メトキシカルボニルメトキシ基、エトキシカルボニルメトキシ基、ｎ−プロピルオキシカルボニルメトキシ基、イソプロピルオキシカルボニルメトキシ基、（４'−エチルシクロヘキシルオキシ）カルボニルメトキシ基等のアルコキシカルボニル基で置換されたアルコキシ基；
アセチルメトキシ基、エチルカルボニルメトキシ基、ｎ−オクチルカルボニルメトキシ基、フェナシルオキシ基等のアシル基で置換されたアルコキシ基；
アセチルオキシメトキシ基、アセチルオキシエトキシ基、アセチルオキシヘキシルオキシ基、ｎ−ブタノイルオキシシクロヘキシルオキシ基等のアシルオキシ基で置換されたアルコキシ基；
メチルアミノメトキシ基、２−メチルアミノエトキシ基、２−( ２−メチルアミノエトキシ)エトキシ基、４−メチルアミノブチルオキシ基、１−メチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−メチルアミノプロピルオキシ基、２−メチルアミノ−２−メチルプロピルオキシ基、２−エチルアミノエトキシ基、２−( ２−エチルアミノエトキシ) エトキシ基、３−エチルアミノプロピルオキシ基、１−エチルアミノプロピルオキシ基、２−イソプロピルアミノエトキシ基、２−（ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、３−（ｎ−ヘキシルアミノ）プロピルオキシ基、４−（シクロヘキシルアミノ）ブチルオキシ基等のアルキルアミノ基で置換されたアルコキシ基；
メチルアミノメトキシメトキシ基、メチルアミノエトキシエトキシ基、メチルアミノエトキシプロピルオキシ基、エチルアミノエトキシプロピルオキシ基、４−（２'−イソブチルアミノプロピルオキシ）ブチルオキシ基等のアルキルアミノアルコキシ基で置換されたアルコキシ基；
ジメチルアミノメトキシ基、２−ジメチルアミノエトキシ基、２−( ２−ジメチルアミノエトキシ) エトキシ基、４−ジメチルアミノブチルオキシ基、１−ジメチルアミノプロパン−２−イルオキシ基、３−ジメチルアミノプロピルオキシ基、２−ジメチルアミノ−２−メチルプロピルオキシ基、２−ジエチルアミノエトキシ基、２−( ２−ジエチルアミノエトキシ) エトキシ基、３−ジエチルアミノプロピルオキシ基、１−ジエチルアミノプロピルオキシ基、２−ジイソプロピルアミノエトキシ基、２−（ジ−ｎ−ブチルアミノ）エトキシ基、２−ピペリジルエトキシ基、３−（ジ−ｎ−ヘキシルアミノ）プロピルオキシ基等のジアルキルアミノ基で置換されたアルコキシ基；
ジメチルアミノメトキシメトキシ基、ジメチルアミノエトキシエトキシ基、ジメチルアミノエトキシプロピルオキシ基、ジエチルアミノエトキシプロピルオキシ基、４−（２'−ジイソブチルアミノプロピルオキシ）ブチルオキシ基等のジアルキルアミノアルコキシ基で置換されたアルコキシ基；
メチルチオメトキシ基、２−メチルチオエトキシ基、２−エチルチオエトキシ基、２−ｎ−プロピルチオエトキシ基、２−イソプロピルチオエトキシ基、２−ｎ−ブチルチオエトキシ基、２−イソブチルチオエトキシ基、（３，５，５−トリメチルヘキシルチオ）ヘキシルオキシ基等のアルキルチオ基で置換されたアルコキシ基；
等が挙げられる。
【００４９】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアラルキルオキシ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキルオキシ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキルオキシ基であり、具体例としては、ベンジルオキシ基、４−ニトロベンジルオキシ基、４−シアノベンジルオキシ基、４−ヒドロキシベンジルオキシ基、２−メチルベンジルオキシ基、３−メチルベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基、４−トリフルオロメチルベンジルオキシ基、１−ナフチルメトキシ基、２−ナフチルメトキシ基、４−シアノ−１−ナフチルメトキシ基、４−ヒドロキシ−１−ナフチルメトキシ基、６−ヒドロキシ−２−ナフチルメトキシ基、４−メチル−１−ナフチルメトキシ基、６−メチル−２−ナフチルメトキシ基、４−トリフルオロメチル−１−ナフチルメトキシ基、フルオレン−９−イルエトキシ基等の置換または無置換のアラルキルオキシ基が挙げられる。
【００５０】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアリールオキシ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアリールオキシ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアリールオキシ基であり、具体例としては、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、４−tert−ブチルフェノキシ基、２−メトキシフェノキシ基、４−イソプロピルフェノキシ基、ナフチルオキシ基等の置換または無置換のアリールオキシ基が挙げられる。
【００５１】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアルキルチオ基とは、前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアルキルチオ基であり、具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、イソペンチルチオ基、ネオペンチルチオ基、２−メチルブチルチオ基、メチルカルボキシルエチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，５，５−トリメチルヘキシルチオ基、デカリルチオ基等の置換または無置換のアルキルチオ基が挙げられる。
【００５２】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアラルキルチオ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキルチオ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキルチオ基であり、具体例としては、ベンジルチオ基、４−シアノベンジルチオ基、４−ヒドロキシベンジルチオ基、２−メチルベンジルチオ基、３−メチルベンジルチオ基、４−メチルベンジルチオ基、４−トリフルオロメチルベンジルチオ基、１−ナフチルメチルチオ基、４−ニトロ−１−ナフチルメチルチオ基、４−シアノ−１−ナフチルメチルチオ基、４−ヒドロキシ−１−ナフチルメチルチオ基、４−メチル−１−ナフチルメチルチオ基、４−トリフルオロメチル−１−ナフチルメチルチオ基、フルオレン−９−イルエチルチオ基等の置換または無置換のアラルキルチオ基が挙げられる。
【００５３】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアリールチオ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアリールチオ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアリールチオ基であり、具体例としては、フェニルチオ基、４−メチルフェニルチオ基、２−メトキシフェニルチオ基、４−tert−ブチルフェニルチオ基、ナフチルチオ基等の置換または無置換のアリールチオ基が挙げられる。
【００５４】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアシル基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアシル基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアシル基であり、具体例としては、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、tert−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、イソペンチルカルボニル基、ネオペンチルカルボニル基、２−メチルブチルカルボニル基、ベンゾイル基、２−メチルベンゾイル基、３−メチルベンゾイル基、４−メチルベンゾイル基、４−エチルベンゾイル基、４−ｎ−プロピルベンゾイル基、４−tert−ブチルベンゾイル基、４−ニトロベンジルカルボニル基、３−ｎ−ブトキシ−２−ナフトイル基、シンナモイル基等の置換または無置換のアシル基が挙げられる。
【００５５】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアシルオキシ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアシルオキシ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアシルオキシ基であり、具体例としては、ホルミルオキシ基、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、イソペンチルカルボニルオキシ基、ネオペンチルカルボニルオキシ基、２−メチルブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、２−メチルベンゾイルオキシ基、３−メチルベンゾイルオキシ基、４−メチルベンゾイルオキシ基、４−エチルベンゾイルオキシ基、４−ｎ−プロピルベンゾイルオキシ基、４−tert−ブチルベンゾイルオキシ基、４−ニトロベンジルカルボニルオキシ基、３−ｎ−ブトキシ−２−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基等の置換または無置換のアシルオキシ基が挙げられる。
【００５６】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基とは、前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアルコキシカルボニル基であり、具体例としては、メトシキカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、sec−ブチルオキシカルボニル基、tert−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、イソペンチルオキシカルボニル基、ネオペンチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、デカリルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、２−クロロエトキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシカルボニル基、２−ヒドロキシエトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；
メトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシエトキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシエトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシエトキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシエトキシエチル基、ｎ−ブチルオキシブチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシブチルオキシカルボニル基、ヒドロキシメトキシメトキシカルボニル基、ヒドロキシエトキシエトキシカルボニル基等のアルコキシ基で置換されたアルコキシカルボニル基；
メトキシメトキシメトキシカルボニル基、メトキシエトキシエトキシカルボニル基、エトキシエトキシエトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシエトキシエトキシカルボニル基、ｎ−ブチルオキシエトキシエトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシエトキシエトキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシエトキシエトキシカルボニル基等のアルコキシアルコキシ基で置換されたアルコキシカルボニル基；
等が挙げられる。
【００５７】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキルオキシカルボニル基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキルオキシカルボニル基であり、具体例としては、ベンジルオキシカルボニル基、４−ニトロベンジルオキシカルボニル基、４−シアノベンジルオキシカルボニル基、４−ヒドロキシベンジルオキシカルボニル基、２−メチルベンジルオキシカルボニル基、３−メチルベンジルオキシカルボニル基、４−メチルベンジルオキシカルボニル基、４−トリフルオロメチルベンジルオキシカルボニル基、１−ナフチルメトキシカルボニル基、２−ナフチルメトキシカルボニル基、４−シアノ−１−ナフチルメトキシカルボニル基、４−ヒドロキシ−１−ナフチルメトキシカルボニル基、６−ヒドロキシ−２−ナフチルメトキシカルボニル基、４−メチル−１−ナフチルメトキシカルボニル基、６−メチル−２−ナフチルメトキシカルボニル基、４−トリフルオロメチル−１−ナフチルメトキシカルボニル基、フルオレン−９−イルエトキシカルボニル基等の置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基が挙げられる。
【００５８】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアリールオキシカルボニル基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアリールオキシカルボニル基であり、具体例としては、フェニルオキシカルボニル基、２−メチルフェニルオキシカルボニル基、４−メチルフェニルオキシカルボニル基、４−tert−ブチルフェニルオキシカルボニル基、２−メトキシフェニルオキシカルボニル基、４−イソプロピルフェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基が挙げられる。
【００５９】
Ｒ１〜Ｒ１０の置換または無置換のアミノ基とは、前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアミノ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアルキルアミノ基であり、具体例としては、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、３，５，５−トリメチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基等のモノアルキルアミノ基やジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メチルエチルアミノ基、ジブチルアミノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、ジ（アセチルオキシエチル）アミノ基、ジ（プロピオニルオキシエチル）アミノ基等のジアルキルアミノ基；
前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアラルキルアミノ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアラルキルアミノ基であり、具体例としては、ベンジルアミノ基、フェネチルアミノ基、３−フェニルプロピルアミノ基、４−エチルベンジルアミノ基、４−イソプロピルベンジルアミノ基等のモノアラルキルアミノ基や、ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基、ビス（４−エチルベンジル）アミノ基、ビス（４−イソプロピルベンジル）アミノ基等のジアラルキルアミノ基；
前記に挙げたアルキル基を置換基として有してもよいアリールアミノ基、または前記に挙げたアルキル基が有する置換基と同様な置換基を有してもよいアリールアミノ基であり、具体例としては、フェニルアミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、２−メチルフェニルアミノ基、３−メチルフェニルアミノ基、４−メチルフェニルアミノ基、２，４−ジメチルフェニルアミノ基、２，６−ジメチルフェニルアミノ基、４−エチルフェニルアミノ基、４−イソプロピルフェニルアミノ基、４−メトキシフェニルアミノ基、４−クロロフェニルアミノ基、４−アセチルフェニルアミノ基、４−メトキシカルボニルフェニルアミノ基、４−エトキシカルボニルフェニルアミノ基、４−プロピルオキシカルボニルフェニルアミノ基等のモノアリールアミノ基や、Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（３−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−エチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−tert−ブチルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−ｎ−ヘキシルフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−メトキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−エトキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−ｎ−ブチルオキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（１−ナフチル）アミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ（２−ナフチル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（３−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ｎ−オクチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−メトキシフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−エトキシフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−ｎ−ヘキシルオキシフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−フルオロフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（２−ナフチル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−フェニルフェニル）アミノ基等のジアリールアミノ基；
等が挙げられる。
【００６０】
Ｒ１〜Ｒ１０のメタロセニル残基を有する基とは、連結基および置換または無置換のメタロセニル基からなる基であり、好ましくは、下記一般式（３）で表わされる基である。
【００６１】
【化６】
2006076209.tif 000007
【００６２】
（式中、Ｌは連結基を表し、Ｑ３１、Ｑ３２はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアミノアルキル基またはジアリールホスフィノ基を表し、Ｍは二価の遷移金属を表す。）
【００６３】
一般式（３）で表される基において、Ｑ３１およびＱ３２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアミノアルキル基またはジアリールホスフィノ基を表し、Ｑ３１およびＱ３２の具体例としては、水素原子、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、
メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基、
メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ｎ−ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、sec−ブチルオキシ基、tert−ブチルオキシ基等のアルコキシ基、
アミノメチル基、アミノエチル基、アミノプロピル基、アミノブチル基等のアミノアルキル基、
ジフェニルホスフィノ基、フェニル−３，５−キシリルホスフィノ基等のジアリールホスフィノ基、
等が挙げられる。
【００６４】
一般式（３）で表される基において、Ｍは二価の遷移金属を表し、具体例としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｗ、Ｖ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ等が挙げられ、特に好ましくは、Ｆｅである。
【００６５】
一般式（３）で表される基において、Ｌは連結基を表し、好ましくは、下記式（４）のいずれかで表される基である。
【００６６】
【化７】
2006076209.tif 000008
【００６７】
〔式中、Ａは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｑ６）−のいずれかで表される基を表し、Ｌ１は単結合、置換または無置換の二価の脂肪族炭化水素基あるいは置換または無置換の二価の芳香族環基を表し、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ６はそれぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｑ３は−Ｏ−Ｑ７−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−Ｑ７−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｑ７−のいずれかで表される基を表し、Ｑ７は単結合、炭素数１〜４のアルキレン基、炭素数２〜４のアルケニレン基のいずれかを表し、Ｑ４は水素原子またはメチル基を表し、Ｑ５は−ＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−、−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−のいずれかで表される基を表し、ｍは０〜４の整数である。〕
【００６８】
上式中、Ｌ１は単結合、置換または無置換の二価の脂肪族炭化水素基あるいは置換または無置換の二価の芳香族環基を表し、具体例としては、単結合、
メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、シクロペンチレン基、ヘキサメチレン基、シクロヘキシレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デカメチレン基、ウンデカメチレン基、ドデカメチレン基、トリデカメチレン基、テトラデカメチレン基、ペンタデカメチレン基等のアルキレン基、
ビニレン基、プロペニレン基、１−ブテニレン基、１−ペンテニレン基、２−ペンテニレン基、デカニレン基等のアルケニレン基等の脂肪族炭化水素基；
フェニレン基、ナフチレン基、インデニレン基、アントラセニレン基、フルオレニレン基、アズレニレン基、ナフタセニレン基、クリセニレン基、ピレニレン基、ペリレニレン基等の芳香族炭化水素基；
フラニレン基、ピロリレン基、３−ピロリニレン基、ピロリジニレン基、１，３−オキソラニレン基、ピラゾリレン基、２−ピラゾリニレン基、ピラゾリジニレン基、イミダゾリレン基、オキサゾリレン基、チアゾリレン基、１，２，３−オキサジアゾリレン基、１，２，３−トリアゾリレン基、１，２，４−トリアゾリレン基、１，３，４−チアジアゾリレン基、４Ｈ−ピラニレン基、ピリジニレン基、ピペリジニレン基、ジオキサニレン基、モルホリニレン基、ピリダジニレン基、ピリミジニレン基、ピラジニレン基、ピペラジニレン基、トリアジニレン基、ベンゾフラニレン基、インドリレン基、チオナフセニレン基、ベンズイミダゾリレン基、ベンゾチアゾリレン基、プリニレン基、キノリニレン基、イソキノリレン基、クマリニレン基、シンノリニレン基、キノキサリニレン基、ジベンゾフラニレン基、カルバゾリレン基、フェナントロニリレン基、フェノチアジニレン基、フラボニレン基、ペリミジレン基等の複素環基；
等が挙げられる。  
【００６９】
Ｑ１、Ｑ２、Ｑ６の具体例としては、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基が挙げられる。
【００７０】
Ｑ７の具体例としては、上記に挙げたのと同様な炭素数１〜４のアルキレン基、ビニレン基、プロピレニレン基、１−ブテニレン基等の炭素数２〜４のアルケニレン基が挙げられる。
【００７１】
本発明における一般式（１）で表わされる化合物において、Ｒ５および／またはＲ１０が水素原子である場合には、互変可能な構造を有しており、互変異性体を有することが可能である。具体的な例示として、Ｒ５およびＲ１０が水素原子である場合には、下記一般式（１）および（１１）〜（１３）に示される互変異性体が挙げられる。本発明では、便宜上一般式（１）の構造を示すが、一般式（１１）〜（１３）の構造を有する化合物であってもよく、一般式（１）、（１１）〜（１３）の各構造の混合物であっても一向に構わず、自由に用いることができる。
【００７２】
【化８】
2006076209.tif 000009
【００７３】
また、本発明に係るビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体の好ましい形態としては、互変可能な構造の一つとして下記一般式（２）で表わされる化合物を挙げることができる。
【００７４】
【化９】
2006076209.tif 000010
【００７５】
（式中、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表し、Ａｒ２１及びＡｒ２２はそれぞれ独立に、置換または無置換の芳香族環残基を表わす。）
【００７６】
一般式（２）で表わされる化合物において、Ｒ２１〜Ｒ２８はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を表す。
【００７７】
一般式（２）で表される化合物において、Ｒ２１〜Ｒ２８は、好ましくは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキル基、炭素数５〜２０の置換または無置換のアラルキル基、炭素数６〜２６の置換または無置換の炭素環式芳香族基、炭素数３〜２６の置換または無置換の複素環式芳香族基、炭素数１０〜２６の置換または無置換のメタロセニル基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアラルキルオキシ基、炭素数３〜２５の置換または無置換のアリールオキシ基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルキルチオ基、炭素数６〜２０の置換または無置換のアラルキルチオ基、炭素数３〜２５の置換または無置換のアリールチオ基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアシル基、炭素数１〜２０の置換または無置換のアシルオキシ基、炭素数２〜２０の置換または無置換のアルコキシカルボニル基、炭素数６〜２０置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、炭素数４〜２６置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、無置換のアミノ基、炭素数１〜１５のモノ置換アミノ基あるいは炭素数２〜３０のジ置換アミノ基、炭素数１１〜４０のメタロセニル残基を有する基である。
【００７８】
Ｒ２１〜Ｒ２８の具体例としては、水素原子、
フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ならびに、Ｒ１〜Ｒ１０の具体例として挙げた、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を挙げることができる。
【００７９】
一般式（２）で表わされる化合物において、Ａｒ２１及びＡｒ２２はそれぞれ独立に、置換または無置換の芳香族環残基を表わす。
【００８０】
一般式（２）で表わされる化合物において、Ａｒ２１、Ａｒ２２で表される芳香族環残基として、好ましくは炭素数３〜７０の芳香族環残基が挙げられる。
【００８１】
Ａｒ２１、Ａｒ２２で表される芳香族環の具体例としては、ベンゼン環等の単環型炭素環式芳香族環；
ナフタレン環、ペンタレン環、インダセン環、アズレン環、ヘプタレン環、ビフェニレン環、フェナントレン環、アンスラセン環、フルオランテン環、アセナフチリレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、プレイアデン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環、ヘプタフェン環、ヘプタセン環、ピランスレン環、オヴァレン環、フラーレン環等の縮合多環型炭素環式芳香族環；
等の炭素環式芳香族環；
フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、キノキサリン環、インドリジン環、インドール環、インダゾール環、プリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、オキサジン化合物環、シンノリン環、プテリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、フェナンスリジン環、アクリジン環、ペリミジン環、フェナントロリン環、フェナジン環、フラザン環等の複素環式芳香族環；
等を挙げることができる。
【００８２】
Ａｒ２１、Ａｒ２２が置換基を有する場合の置換基の例としては、好ましくは、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基が挙げられる。
【００８３】
Ａｒ２１、Ａｒ２２が置換基を有する場合の置換基の具体例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、
ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ならびに、Ｒ１〜Ｒ１０の具体例として挙げた、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアラルキル基、置換または無置換のアリール基、置換または無置換のメタロセニル基、置換または無置換のアルコキシ基、置換または無置換のアラルキルオキシ基、置換または無置換のアリールオキシ基、置換または無置換のアルキルチオ基、置換または無置換のアラルキルチオ基、置換または無置換のアリールチオ基、置換または無置換のアシル基、置換または無置換のアシルオキシ基、置換または無置換のアルコキシカルボニル基、置換または無置換のアラルキルオキシカルボニル基、置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、置換または無置換のアミノ基、あるいはメタロセニル残基を有する基を挙げることができる。
【００８４】
一般式（２）で表わされる化合物は、互変可能な構造を有しており、互変異性体を有することが可能である。具体的には、下記一般式（２）および（２０１）〜（２１５）に示される構造であり、本発明では、便宜上一般式（２）の構造を示しているが、一般式（２０１）〜（２１５）の構造を有する化合物であってもよく、一般式（２）、一般式（２０１）〜（２１５）の各構造の混合物であっても一向に構わず、自由に用いることができる。
【００８５】
【化１０】
2006076209.tif 000011
【００８６】
一般式（２）で表わされる化合物において、Ｒ２４および／またはＲ２８が水素原子である場合には、式（１）および式（１１）〜（１３）で示される互変異性体と同様の構造を有する互変異性体が挙げられる。
【００８７】
本発明の光記録媒体に用いられるビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。（表１〜表６）
【００８８】
【表１】
2006076209.tif 000012
【００８９】
【表２】
2006076209.tif 000013
【００９０】
【表３】
2006076209.tif 000014
【００９１】
【表４】
2006076209.tif 000015
【００９２】
【表５】
2006076209.tif 000016
【００９３】
【表６】
2006076209.tif 000017
【００９４】
本発明の光記録媒体に用いられるビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体は、例えば、以下の方法により製造することができる。すなわち、例えば、下記一般式（５）で表される化合物を、溶媒の存在／あるいは非存在下で加熱反応することにより、一般式（１）で表される化合物を製造することができる。また、反応の際、必要に応じて触媒を用いることもできる。
【００９５】
【化１１】
2006076209.tif 000018
【００９６】
〔上式中、Ｒ１〜Ｒ１０は一般式（１）の場合と同じ意味を表し、Ｒ１１およびＲ１２は炭素数1〜３のアルキル基を表す。〕
【００９７】
また、例えば、下記一般式（６）で表される化合物を、溶媒の存在／あるいは非存在下で加熱反応することにより、Ｒ５およびＲ１０が水素原子である一般式（１）で表される化合物を製造することができる。
【００９８】
【化１２】
2006076209.tif 000019
【００９９】
〔上式中、Ｒ１〜Ｒ４およびＲ６〜Ｒ９は一般式（１）の場合と同じ意味を表す。〕
【０１００】
また、例えば、より好ましい化合物として、一般式（２）で表わされる化合物は、下記一般式（７）で表わされる化合物と下記一般式（８）および下記一般式（９）で表わされる化合物とを、溶媒の存在／あるいは非存在下で加熱反応することにより製造することができる。また、反応の際、必要に応じて触媒を用いることもできる。
【０１０１】
【化１３】
2006076209.tif 000020
【０１０２】
〔式中、Ｒ２１〜Ｒ２８、Ａｒ２１およびＡｒ２２は一般式（２）と同じ意味を表す。〕
【０１０３】
加熱反応の際に使用する溶媒としては、スルホラン等の含硫溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、１，３−ジメチルイミダゾリジン−２−オン等のアミド系溶媒、１−クロロナフタレン、１，２−ジクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族溶媒、ニトロベンゼン等のニトロ化芳香族溶媒等が挙げられる。また、触媒としては、イソキノリン、１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ〔４．３．０〕−５−ノネン等のアミン化合物が挙げられる。
【０１０４】
本発明の光記録媒体においては基板上に記録層を設けるが、該記録層は、ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を少なくとも一種含有するものである。本発明の光記憶媒体は、波長３００ｎｍ〜９００ｎｍから選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して記録再生が可能であり、中でも、波長３９０ｎｍ〜４３０ｎｍ、更には波長４００ｎｍ〜４１０ｎｍの範囲から選択される記録レーザー波長および再生レーザー波長に対して良好なＣ／Ｎ比を得ることができ、また、再生光安定性も良く、高品位な信号特性が得られるものである。
【０１０５】
本発明の光記録媒体を構成している記録層の色素は、実質的に一種またはそれ以上のビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体からなるものであるが、波長２９０ｎｍ〜６９０ｎｍに吸収極大を持ち、３００ｎｍ〜７００ｎｍでの屈折率が大きい前記以外の化合物と混合しても良い。具体的には、シアニン系化合物、スクアリリウム系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、テトラピラポルフィラジン系化合物、インドフェノール系化合物、ピリリウム系化合物、チオピリリウム系化合物、アズレニウム系化合物、トリフェニルメタン系化合物、キサンテン系化合物、インダスレン系化合物、インジゴ系化合物、チオインジゴ系化合物、メロシアニン系化合物、チアジン系化合物、アクリジン系化合物、オキサジン系化合物、ジピロメテン系化合物、オキサゾール系化合物、アザポルフィリン系化合物、ポルフィリン系化合物等があり、複数の化合物の混合であっても良い。これらの化合物の混合割合は、０．１質量％〜３０質量％程度である。
【０１０６】
記録層を成膜する際に、必要に応じてビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体に、クエンチャー、化合物熱分解促進剤、紫外線吸収剤、接着剤、吸熱性又は吸熱分解性化合物、あるいは溶解性を向上させる高分子等の添加剤を混合することも可能である。
【０１０７】
クエンチャーの具体例としては、アセチルアセトナート系化合物、ビスジチオ−α−ジケトン系化合物やビスフェニルジチオール系化合物等のビスジチオール系化合物、チオカテコナール系化合物、サリチルアルデヒドオキシム系化合物、チオビスフェノレート系化合物等の金属錯体が好ましい。また、アミン系化合物も好適である。
【０１０８】
化合物熱分解促進剤としては、熱減量分析（ＴＧ分析）等により、化合物の熱分解の促進が確認できるのもであれば特に限定されず、例えば、金属系アンチノッキング剤、アセチルアセトナート系金属錯体等の金属化合物が挙げられる。
【０１０９】
吸熱性又は吸熱分解性化合物としては、特開平１０−２９１３６６号公報記載の化合物、又は、該公報に記載される置換基を有する化合物等が挙げられる。
【０１１０】
上述した各種のクエンチャー、化合物熱分解促進剤及び吸熱性又は吸熱分解性化合物は、必要に応じて、一種類で用いても、二種類以上を混合して用いても良い。
【０１１１】
あるいは、クエンチャー能、化合物熱分解促進能、紫外線吸収能、接着能を有する化合物をビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体の置換基として導入することも可能である。
【０１１２】
すなわち、ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体に対して、クエンチャー能、化合物熱分解促進能、紫外線吸収能、接着能、吸熱能又は吸熱分解能を有する化合物残基が少なくとも一つの単結合、二重結合、三重結合により、化学結合して一つの分子を形成してもよい。好ましくは、一般式（１）で表されるビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体の置換基の少なくとも一つが下記一般式（１０）で表される置換基が挙げられる。
【０１１３】
−Ｌ’−Ｊ        （１０）
〔式中、Ｌ’は一般式（１）で表されるビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体への結合部、すなわち単結合、または置換していてもよいメチレン基、メチン基、アミノ基、イミノ基、酸素原子または硫黄原子より少なくとも一種を選択して連結した原子数１〜２０の原子鎖を表し、Ｊはクエンチャー能、化合物熱分解促進能、紫外線吸収能、接着能、吸熱能又は吸熱分解能を有する化合物残基を表す。〕
【０１１４】
Ｌ’の好ましい原子鎖の例としては、単結合、−ＯＣＨ２−、−ＯＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ２ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＯＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ（ＣＨ３）ＯＣＨ（ＣＨ３）−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−等が挙げられる。
【０１１５】
さらに、記録層を成膜する際に、必要に応じてビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体に、バインダー、レベリング剤、消泡剤等の添加物質を加えても良い。好ましいバインダーとしては、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ニトロセルロース、酢酸セルロース、ケトン樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ウレタン樹脂、ポリビニルブチラール、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられる。
【０１１６】
記録層を基板の上に成膜する際に、基板の耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、基板の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０１１７】
ここで、記録層におけるビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体の含有量は、記録再生が可能な任意の量を選択することができるが、通常、３０％以上、好ましくは６０％以上である。尚、実質的に１００％であることも好ましい。
【０１１８】
記録層を設ける方法は、例えば、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法が挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【０１１９】
スピンコート法等の塗布法を用いる場合には、ビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は基板にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。塗布法に用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２−ブタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水等が挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【０１２０】
なお、必要に応じて、記録層の化合物を高分子薄膜等に分散して用いたりすることもできる。
【０１２１】
また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法等が有効である。
【０１２２】
記録層の膜厚は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍであるが、好ましくは２０ｎｍ〜３００ｎｍである。記録層の膜厚を１０ｎｍより薄くすると、熱拡散が大きいため記録できないか、記録信号に歪が発生する上、信号振幅が小さくなる場合がある。また、膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、再生信号特性が悪化する場合がある。
【０１２３】
次に記録層の上に、好ましくは５０ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、ＴａおよびＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｕ、Ａｇ、Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。青色レーザーでの記録再生を行う場合には、ＡｌまたはＡｇが好適である。これ以外でも下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉの金属および半金属を挙げることができる。また、ＡｇまたはＡｌを主成分とするものは反射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０１２４】
反射層を形成する方法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、再生光安定性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０１２５】
さらに、反射層の上に形成する保護層の材料としては反射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＡｌＮ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等が挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等を挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等は適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【０１２６】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。
【０１２７】
保護層の膜厚は、一般には０．１μｍ〜１００μｍの範囲であるが、本発明においては、３μｍ〜３０μｍであり、より好ましくは、５μｍ〜２０μｍである。
【０１２８】
保護層の上にさらにレーベル、バーコード等の印刷を行うこともできる。
【０１２９】
また、反射層面に保護シートまたは基板を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いても良い。
【０１３０】
基板鏡面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を成膜しても良い。
【０１３１】
また、図４のような光記録媒体を作製する場合、基板の上に、好ましくは１ｎｍ〜３００ｎｍの厚さの反射層を形成する。反射率を高めるためや密着性をよくするために、記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層を設けることができる。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＮｉおよびＰｔの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。この中でもＡｇ、Ａｌは反射率が高く反射層の材料として適している。これ以外でも必要に応じて下記のものを含んでいても良い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｐｄ、Ｔａの金属および半金属を挙げることができる。ＡｇまたはＡｌを主成分とするもので反射率の高い反射層が容易に得られるものが好適である。金属以外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能である。
【０１３２】
反射層を形成する方法としては、スパッタ法、イオンプレーティング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。また、基板の上や反射層の下に反射率の向上、記録特性の改善、密着性の向上等のために公知の無機系または有機系の中間層、接着層を設けることもできる。
【０１３３】
次に、記録層を反射層の上に製膜する際に、反射層の耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、反射層の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０１３４】
ここで、記録層における本発明に係るビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体の含有量は、記録再生が可能な任意の量を選択することができるが、通常、３０質量％以上、好ましくは６０質量％以上である。尚、実質的に１００質量％であることも好ましい。
【０１３５】
記録層を設ける方法は、スピンコート法、スプレー法、キャスト法、スライド法、カーテン法、エクストルージョン法、ワイヤー法、グラビア法、スプレッド法、ローラーコート法、ナイフ法、浸漬法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられるが、スピンコート法が簡便で好ましい。
【０１３６】
スピンコート法等の塗布法を用いる場合にはビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を１〜４０質量％、好ましくは３〜３０質量％となるように溶媒に溶解あるいは分散させた塗布液を用いるが、この際、溶媒は反射層にダメージを与えないものを選ぶことが好ましい。塗布法に用いる溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、アリルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール等のアルコール系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂肪族または脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素、クロロホルム、テトラクロロエタン、ジブロモエタン等のハロゲン化炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトン、３−ヒドロキシ−３−メチル−２− ブタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、乳酸メチル等のエステル系溶媒、水等が挙げられる。これらは単独で用いても良く、あるいは、複数混合しても良い。
【０１３７】
なお、必要に応じて、記録層の化合物を高分子薄膜等に分散して用いたりすることもできる。
【０１３８】
また、反射層にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法等が有効である。
【０１３９】
記録層の膜厚は、通常１ｎｍ〜１０００ｎｍであるが、 好ましくは５ｎｍ〜３００ｎｍである。 記録層の膜厚を１ｎｍより薄くすると、記録できないか、 記録信号に歪が発生する上、 信号振幅が小さくなる場合がある。 また、 膜厚が１０００ｎｍより厚い場合は反射率が低下し、 再生信号特性が悪化する場合がある。
【０１４０】
さらに、記録層の上に形成する保護層の材料としては記録層を外力や雰囲気等、外部からの悪影響保護するものであれば特に限定しない。無機物質としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＡｌＮ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２等が挙げられる。また、有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂等を挙げることができる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等は適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後に、この塗布液を塗布し、乾燥することによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂はそのままもしくは適当な溶媒に溶解して塗布液を調製した後にこの塗布液を塗布し、紫外線を照射して硬化させることによって形成することができる。紫外線硬化性樹脂としては、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単独であるいは混合して用いても良く、１層だけでなく多層膜にして用いても良い。
【０１４１】
保護層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、この中でもスピンコート法が好ましい。なお、記録層にダメージを与えない溶媒を選択できない場合は、記録層を形成する際の条件と同様に、スパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法等が挙げられる。また、特開平１１−２７３１４７号公報に記載されているように、感圧性粘着シートまたはドライフォトポリマーシートなどの接着層を介して保護層を形成、あるいは感圧性粘着シートまたはドライフォトシート自体を保護層に用いることも可能である。
【０１４２】
さらに、保護層を記録層の上に製膜する際に、記録層の耐溶剤性や反射率、記録感度等を向上させるために、記録層の上に無機物やポリマーからなる層を設けても良い。
【０１４３】
保護層の膜厚は、一般には０．０１μｍ〜１０００μｍの範囲であるが、場合により０.１μｍ〜１００μｍ、さらには、１μｍ〜２０μｍとすることができる。
【０１４４】
また、基板面に保護シートまたは反射層を張り合わせる、あるいは基板面相互を内側とし対向させ、光記録媒体２枚を張り合わせる等の手段を用いても良い。
【０１４５】
保護層面側に、表面保護やごみ等の付着防止のために紫外線硬化性樹脂、無機系薄膜等を製膜しても良い。
【０１４６】
本発明の光記録媒体において、媒体全体を保護する目的で、例えば、フレキシブルディスクや光磁気ディスク等に見られるようにディスクを保護するケース型の保護ユニットを設置しても構わない。材質はプラスチックや、アルミニウム等の金属を使用することができる。
【０１４７】
基材の材質としては、基本的には記録光および再生光の波長で透明であればよい。支持基板の材質としては、図５に示すように基板１１を通じて青紫色レーザーの照射が行われる場合も加味すると、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料等の透明な材料が利用される。一方、図６に示す構成のように、基板１１’とは逆の光透過層１５’側からレーザー照射が行われる場合、基板の材質としては光学的諸要件を満たす必要はなく、より広範な材料から選択することができる。基板に要求される機械的特性、また基板生産性の観点からは、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の射出成型或いはキャスト成型可能な材料が好ましい。これらの基板材料は射出成形法等により円盤状に基板に成形してもよい。
【０１４８】
また、必要に応じて、これらの基板の表層には、サブミクロンオーダーの案内溝及び／又はプレピットが螺旋状又は同心円上に形成されていても良い。これら案内溝及びプレピットは、基板形成時に付与されているのが好ましく、スタンパー原盤を用いての射出成型や、フォトポリマーを用いた熱転写法により付与することができる。尚、図６における光透過層１５’に案内溝及び／又はプレピットを形成しても良く、付与する場合も同様の方法を適用できる。案内溝のピッチ及び深さは、ＤＶＤよりも高密度記録を行うＨＤ−ＤＶＤ−Ｒの場合、ピッチとして０．２５〜０．８０μｍ、深さとして２０〜１５０ｎｍの範囲から選択するのが好ましい。
【０１４９】
通常、光ディスクとして用いる場合は、厚さ１．２ｍｍ程度、直径８０ないし１２０ｍｍ程度の円盤状であってもよく、中央に直径１５ｍｍ程度の穴が開いていても構わない。
【０１５０】
ここで、本発明で言う波長３００ｎｍ〜５００ｎｍのレーザーは、特に制限はないが、可視光領域の広範囲で波長選択のできる色素レーザーや、窒素レーザー（３３７ｎｍ）等のガスレーザー、波長４４５ｎｍのヘリウムカドミウムレーザー、波長４５７ｎｍあるいは波長４８８ｎｍのアルゴンレーザー等のイオンレーザー、波長４００〜４１０ｎｍのＧａＮ系レーザー、ＣｒドープしたＬｉＳｎＡｌＦ６を用いた波長８６０ｎｍの赤外線レーザーの第２高調波４３０ｎｍを発振するレーザー他、波長４１５ｎｍ、波長４２５ｎｍ等の可視半導体レーザー等の半導体レーザー等があげられる。本発明では、上述のレーザー等を記録または再生を行う記録層の感応する波長に応じて適宜選択することができる。高密度記録および再生は各々、上述の該レーザーから選択される１波長または複数波長において可能となる。
【０１５１】
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれによりなんら限定されるものではない。
【実施例１】
【０１５２】
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、例示化合物番号Ａ−１の化合物を真空蒸着法にて厚さ７０ｎｍとなるように成膜し、記録層を形成した。
【０１５３】
この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いて銀をスパッタし、厚さ１００nｍの反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×１０−２Ｔｏｒｒ）で行った。
【０１５４】
さらに、反射層の上に紫外線硬化樹脂「ＳＤ−１７００」（商品名、大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。更に、保護層の上に紫外線硬化樹脂デソライト「ＫＺ−８６８１」（商品名、ＪＳＲ株式会社製）をスピンコートした後、前記基板と同様な案内溝のないポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【０１５５】
以上のようにして記録層が形成された光記録媒体について、以下のように評価試験を行った。
【０１５６】
波長４０３ｎｍ、開口数０．６５の青色レーザーヘッドを搭載した評価機により記録周波数９．７ＭＨｚ、記録レーザーパワー８．０ｍＷ、線速９．０ｍ／ｓ、最短マーク長０．３０μｍとして記録を行った。良好な形状のマークが規則正しく形成され、高密度に記録できた。記録後、同評価装置により、再生レーザーパワー０．６ｍＷにて線速９．０ｍ／ｓで再生を行ったところ、マークを読み取ることができた。再生を繰り返し行ったが、マークを読み取ることができ、再生光安定性に優れていた。
【０１５７】
また、４万ルクスのＸｅ光を当てる耐光性試験を行った。試験後も、マークを読み取ることができた。
【０１５８】
更に湿度８５％ＲＨ、８０℃の雰囲気下で放置する耐湿熱性試験を行った。試験後もマークを読み取ることができた。
【０１５９】
［実施例２〜１０］
実施例１において、記録層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−１の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号Ａ−２の化合物（実施例２）、例示化合物番号Ａ−６の化合物（実施例３）、例示化合物番号Ａ−７の化合物（実施例４）、例示化合物番号Ａ−８の化合物（実施例５）、例示化合物番号Ａ−１７の化合物（実施例６）、例示化合物番号Ｂ−１の化合物（実施例７）、例示化合物番号Ｂ−３の化合物（実施例８）、例示化合物番号Ｂ−４の化合物（実施例９）、例示化合物番号Ｂ−６の化合物（実施例１０）を使用した以外は、実施例１に記載の方法により光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。良好な形状のマークが形成され、マークを読み取ることができた。また、再生光安定性に優れていた。
【０１６０】
耐光性試験および耐湿熱性試験後もマークを読み取ることができた。
【０１６１】
［実施例１１］
例示化合物番号Ａ−４の化合物０．２ｇを２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１０ｍｌに溶解し、化合物溶液を調製した。
【０１６２】
ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッチ：０．７４μｍ）を有する外径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状の基板上に、この化合物溶液を回転速度１５００ｍｉｎ-1でスピンコートし、７０℃で３時間乾燥して、記録層を形成した。この記録層上にバルザース社製スパッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いて銀をスパッタし、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスにはアルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．３３Ｐａ（１．０×１０−２Ｔｏｒｒ）で行った。
【０１６３】
さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂「ＳＤ−１７００」（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした後、紫外線照射して厚さ５μｍの保護層を形成した。更に、保護層の上に紫外線硬化樹脂デソライト「ＫＺ−８６８１」（ＪＳＲ株式会社製）をスピンコートした後、前記基板と同様なポリカーボネート樹脂基板をのせ、紫外線照射して基板を貼り合わせ、光記録媒体を作製した。
【０１６４】
次に、実施例１と同様に記録と再生を行った。良好な形状のマークが形成され、マークを読み取ることができた。また、再生光安定性に優れていた。
【０１６５】
耐光性試験および耐湿熱性試験後もマークを読み取ることができた。
【０１６６】
［実施例１２〜２０］
実施例１１において、記録層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−４の化合物を使用する代わりに、例示化合物番号Ａ−１０の化合物（実施例１２）、例示化合物番号Ａ−１１の化合物（実施例１３）、例示化合物番号Ｂ−７の化合物（実施例１４）、例示化合物番号Ｂ−９の化合物（実施例１５）、例示化合物番号Ｂ−１０の化合物（実施例１６）、例示化合物番号Ｂ−１２の化合物を（実施例１７）、例示化合物番号Ｂ−１３の化合物（実施例１８）、例示化合物番号Ｂ−１５の化合物（実施例１９）、例示化合物番号Ｂ−１７の化合物を（実施例２０）使用した以外は、実施例１１に記載の方法により光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。良好な形状のマークが形成され、マークを読み取ることができた。また、再生光安定性に優れていた。
【０１６７】
耐光性試験および耐湿熱性試験後もマークを読み取ることができた。
【０１６８】
［比較例１］
実施例１において、記録層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−１の化合物の代わりに、式（ａ）の化合物を用いた以外は、実施例１と同様にして、光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。Ｃ／Ｎ比が４５ｄＢ未満と信号比は低かった。
【０１６９】
また、耐光性試験を行った結果、試験前の記録層の光吸収量を１００％としたとき、１００時間照射後の光吸収量の変化は、７０％以上と大きく、著しい劣化が見られた。
【０１７０】
【化１４】
2006076209.tif 000021
【０１７１】
［比較例２］
実施例１１において、記録層の形成に際して、例示化合物番号Ａ−４の化合物の代わりに、式（ｂ）の化合物を用いた以外は、実施例１１と同様にして、光記録媒体を作製し、実施例１と同様に記録と再生を行った。Ｃ／Ｎ比が２０ｄＢ以下と低く再生が困難であった。
【０１７２】
【化１５】
2006076209.tif 000022
【０１７３】
実施例１〜２０に記載されるように、本発明の光記録媒体は、青色レーザー波長領域において、記録再生が可能であり、記録特性に優れている。
【０１７４】
このことから、本発明で規定する構造の化合物を含有する記録層は、波長３００〜６００ｎｍから選択されるレーザー光による信号記録が可能であり、本発明の光記録媒体は波長３００〜６００ｎｍから選択されるレーザー光を記録再生に用いる光記録媒体に用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１７５】
本発明によれば、本発明に係るビ（ベンゾ［１，２，４］チアジアジニル）誘導体を記録層に用いることにより、高密度光記録媒体として非常に注目されている波長３００〜９００ｎｍレーザー、特に波長４００〜４１０ｎｍの青紫色レーザーでの記録および再生が可能な光記録媒体を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０１７６】
【図１】本発明の課題を説明する概念図である。
【図２】本発明の光記録媒体の一構成例を示す模式図である。
【図３】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【図４】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す模式図である。
【図５】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す模式図である。
【図６】本発明の光記録媒体の更に他の一構成例を示す模式図である。
【図７】本発明の光記録媒体の他の一構成例を示す。
【符号の説明】
【０１７７】
１    ：基板
２    ：記録層
３    ：反射層
４    ：保護層
５    ：接着層
１１  ：基板
１２  ：記録層
１３  ：反射層
１４  ：保護層
１５  ：ダミー基板層
１１’：支持基板
１２’：記録層
１３’：反射層
１４’：透明保護層
１５’：光透過層
２１  ：支持基板
２２  ：記録層
２３  ：窒化物層
２４  ：酸化物層
２５  ：光透過層
４０  ：誘電体層
１０１：ビームスポット
１０２：記録マーク
【図１】
2006076209.tif 000027
【図２】
2006076209.tif 000028
【図３】
2006076209.tif 000029
【図４】
2006076209.tif 000030
【図５】
2006076209.tif 000031
【図６】
2006076209.tif 000032
【図７】
2006076209.tif 000033