(57)【要約】【課題】本発明は可視光線帯域で作動するワイヤーグリッド偏光子を製作する際に、エンボス技法を利用してワイヤーグリッド偏光子を簡単に、反復的に生産できるようにして低価で大量生産することができるようにする。  また、本発明は可視光線帯域の赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂにおける偏光性能が優れたワイヤーグリッド偏光子を提供する。【解決手段】本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造方法は、型を製作する段階と、基板上に金属薄膜とポリマーを所定の順序で形成する段階と、型を利用してポリマーを成形する段階と、成形されたポリマーを利用して金属薄膜をエッチングして金属格子パターンを形成する段階と、ポリマーを除去する段階とを含むことを特徴とする。【選択図】図４Ａ−４Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、型により形成されて金属格子の周期が１２０ｎｍ以下である金属格子パターンが含まれることを特徴とするワイヤーグリッド偏光子。
【請求項２】
前記型の材質はシリコン（Ｓｉ）、ＳｉＯ2、クォーツガラス、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、高分子物質のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子。
【請求項３】
前記金属格子パターンは型を利用して熱エンボス技法または紫外線エンボス技法で製作されることを特徴とする請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子。
【請求項４】
型を製作する段階と、
基板上に金属薄膜とポリマーを所定の順序で形成する段階と、
前記型を利用してポリマーを成形する段階と、
前記成形されたポリマーを利用して金属薄膜をエッチングして金属格子パターンを形成する段階と、
前記ポリマーを除去する段階とを含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項５】
前記型の材質はシリコン（Ｓｉ）、ＳｉＯ2、クォーツガラス、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、高分子物質のうち一つであることを特徴とする請求項４に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項６】
前記型を利用してポリマーを成形する段階は、
前記型をポリマーに押してパターンを転写する段階と、
前記ポリマーを硬化させる段階と、
前記型をポリマーから分離させる段階とで構成されることを特徴とする請求項４に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項７】
前記ポリマーは熱硬化物質または紫外線硬化物質であることを特徴とする請求項４に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項８】
前記型を製作する段階は、
前記型基板に感光性ポリマーを形成する段階と、
前記感光性ポリマーをパターニングする段階と、
前記感光性ポリマーをマスクにして型基板をエッチングする段階と、
前記感光性ポリマーを除去する段階とをさらに含んで構成されることを特徴とする請求項４に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項９】
前記感光性ポリマーをパターニングする方法はフォトリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、半導体露光方法を利用することを特徴とする請求項８に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１０】
前記金属薄膜をエッチングする方法は乾式エッチングまたは湿式エッチング方法であることを特徴とする請求項４に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１１】
前記感光性ポリマーを除去する段階において、前記型の表面をシラン基が含まれた薬品を用いて処理することを特徴とする請求項８に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１２】
型を製作する段階と、
基板上にポリマーを形成する段階と、
前記型を利用してポリマーパターンを形成する段階と、
前記ポリマーパターンをエッチングして基板の一部を露出させる段階と、
前記ポリマーパターンと露出した基板上に金属薄膜を堆積させる段階と、
前記ポリマーパターンを除去する段階とを含むことを特徴とするワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１３】
前記型の材質はシリコン（Ｓｉ）、ＳｉＯ2、クォーツガラス、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、高分子物質のうち一つであることを特徴とする請求項１２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１４】
前記型を利用してポリマーパターンを形成する段階は、
前記型をポリマーに押してパターンを転写する段階と、
前記ポリマーを硬化させる段階と、
前記型をポリマーから分離させる段階とで構成されることを特徴とする請求項１２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１５】
前記ポリマーは熱硬化物質または紫外線硬化物質であることを特徴とする請求項１２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１６】
前記型を製作する段階は、
前記型基板に感光性ポリマーを形成する段階と、
前記感光性ポリマーをパターニングする段階と、
前記ポリマーをマスクにしてエッチングする段階と、
前記ポリマーを除去する段階とをさらに含んで構成されることを特徴とする請求項１２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１７】
前記感光性ポリマーをパターニングする方法はフォトリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、半導体露光方法を利用することを特徴とする請求項１６に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１８】
前記金属薄膜をエッチングする方法は乾式エッチングまたは湿式エッチング方法であることを特徴とする請求項１２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【請求項１９】
前記感光性ポリマーを除去する段階において、前記型の表面をシラン基が含まれた薬品を用いて処理することを特徴とする請求項１６に記載のワイヤーグリッド偏光子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法に係り、可視光線領域で作動するワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波で特定の光だけを偏光させるために平行した導電体線を配列させる平行伝導電線（parallel conducｔing ｗires）のアレイを用い始めて約１００年が過ぎた。
【０００３】
一般にこれをワイヤーグリッド（ｗire grid）といっており、透明な基板上に形成されて電磁波のうちの赤外線領域用の偏光子として使用されている。
【０００４】
通常的に、ワイヤーグリッドの偏光子性能を決定する重要な要素は平行したワイヤーとワイヤー間の距離すなわち、平行グリッド要素の周期と入射する波の波長との関係である。
【０００５】
もし、ワイヤーグリッドの周期が入射波の波長より大きければ、ワイヤーグリッドは偏光子よりは回折格子としての機能を果たすようになり、入射した偏光した光を回折させる。
【０００６】
したがって、理論的によく知られた原理に従って回折干渉縞を形成させる。
【０００７】
そして、ワイヤーとワイヤーの周期が波長より短ければ、ワイヤーグリッドは偏光子として作用して電磁波がワイヤーグリッドに平行するように偏光された電磁波を反射させ、直交するように偏光された電磁波を透過させる。
【０００８】
一方、ワイヤーグリッド偏光ビームスプリッタを製作する時重要な要素としては周期、線幅、線の厚さ、グリッド物質の特性、基板の特性（屈折率）、入射波の波長と入射角などが考慮される。
【０００９】
多くの研究は、前記グリッド物質の特性が偏光ビームスプリッタの偏光特性に大きな影響を及ぼさないことを示している。
【００１０】
図１は、従来技術の基本的なワイヤーグリッドの実施形態を図示する図である。
【００１１】
図１を参照すると、ワイヤーグリッド１００は絶縁基板１２０に支持された多数の平行した伝導性ワイヤ１１０で構成される。
【００１２】
伝導性ワイヤ１１０の周期はΛで表示され、伝導性ワイヤ１１０の幅はｗで表示され、伝導性ワイヤ１１０の厚さはｔで表示される。
【００１３】
ここで、Ｓ、Ｐ偏光に対する一般的な定義を用いると、Ｓ偏光を有する光は入射平面に対して直交である偏光ベクトルを有し、伝導性要素に平行である。
【００１４】
反対に、Ｐ偏光を有する光は入射平面に平行である偏光ベクトルを有するので伝導性要素に直交である。
【００１５】
入射する電磁波の波長より伝導性ワイヤ１１０の配列周期が短い場合、伝導性ワイヤ１１０と平行した偏光成分（Ｓ偏光）は反射されて垂直な偏光成分（Ｐ偏光）は透過する。
【００１６】
一般に、ワイヤーグリッドを利用した偏光子は伝導性ワイヤに平行した電界ベクトルを有する光を反射し、伝導性ワイヤに垂直な電界ベクトルを有する光を透過させるが、入射平面はワイヤーグリッドに垂直であることもあってそうでない場合もある。ここで説明された幾何学的な表示は明らかに例示のためのである。
【００１７】
理想的にワイヤーグリッドは一つの偏光、すなわちＳ偏光に対しては完壁なミラーとして機能し、他の偏光、すなわちＰ偏光に対して完壁に透明なことである。
【００１８】
しかし、実際にはミラーとして使用された反射金属は入射光のわずかを吸収し、入射光の９０％から９５％程度だけを反射し、平面ガラスは表面反射のため１００％入射光を透過させることはできない。
【００１９】
図１に示したように、ワイヤーグリッド偏光子の性能は偏光消滅比（polarization extinction ratio）と透過率で示すことができる。
【００２０】
ここで、偏光消滅比と透過率は次の通り定義される。
偏光消滅比：（Ｓｉ／Ｓｔ）│Pi＝0
透過率：（Ｐｔ／Ｐｉ）│Si＝0
【００２１】
前記した式において、偏光消滅比は、Ｓ偏光した光が入射したとき、透過したＳ波（Ｓｔ）と入射したＳ波（Ｓｉ）の光パワーの比であり、透過率は、Ｐ偏光が入射する場合の透過したＰ波（Ｐｔ）と入射するＰ波（Ｐｉ）の光パワーの比である。
【００２２】
この時、ワイヤーグリッド偏光子が高い偏光消滅比を有するためにはワイヤーグリッドの周期が入射光の波長に比べてかなり短くなければならない。
【００２３】
しかし、ワイヤーグリッドの周期が短くなればなるほど製作が難しくなるので、ワイヤーグリッド偏光子は主にマイクロ波または赤外線領域で製作されて応用されてきた。これは短い波長の光を偏光させようとする場合ワイヤーグリッド周期がごく短くならなければならないためである。
【００２４】
しかし、半導体製造装備と露光技術の発達で微細パターン製作が可能になることによって可視光線で作動するワイヤーグリッド偏光子の製作が可能になっている。
【００２５】
可視光線領域は人が目で感知することができる普通４００ｎｍから７００ｎｍまでの波長帯を言う。
【００２６】
すなわち、青色を含む赤、青、緑（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の三原色に対して高いＥＲ（Extinction Range）特性を有するワイヤーグリッド偏光子の場合、ある程度の偏光特性を期待するためには、ワイヤーグリッドの周期が少なくとも２００ｎｍでなければならない。既存の偏光子より優れた偏光性能を得るためには０．１μｍ以下の周期を有するワイヤーグリッドが必要である。
【００２７】
現在最新の半導体工程の線幅は約０．１μｍである。線と線を周期的に描くようになれば線間の空間も同じ幅を必要とするので、グリッド周期は０．２μｍになる。
【００２８】
短波長であるアルゴンレーザーを用いて干渉効果を利用すると、２００ｎｍのワイヤーグリッドまで可能である。
【００２９】
このように、従来のワイヤーグリッド方式の偏光板で可能であった２００ｎｍ程度の周期を約１００ｎｍ程度の周期に減らせば、ワイヤーグリッド偏光板の性能を画期的に向上させることができ、偏光板の性能が向上するので、これに対する研究が必要な実情である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
本発明は可視光線帯域で作動するワイヤーグリッド偏光子を製作する際に、エンボス技法を利用してワイヤーグリッド偏光子を容易に反復的に生産できるようにして低価で大量生産できるようにするのが目的である。
【００３１】
また、本発明は可視光線帯域の赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂのすべてにおいて偏光性能が優れているワイヤーグリッド偏光子を提供することも目的である。
【課題を解決するための手段】
【００３２】
本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造方法は型を製作する段階と、基板上に金属薄膜とポリマーを所定の順序で形成する段階と、前記型を利用してポリマーを成形する段階と、前記成形されたポリマーを利用して金属薄膜をエッチングして金属格子パターンを形成する段階と、前記ポリマーを除去する段階とを含むことを特徴とする。
【００３３】
本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造方法は型を製作する段階と、基板上にポリマーを形成する段階と、前記型を利用してポリマーパターンを形成する段階と、前記ポリマーパターンをエッチングして基板一部領域を露出させる段階と、前記ポリマーパターンと露出した基板上に金属薄膜を堆積させる段階と、前記ポリマーパターンを除去する段階と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によるワイヤーグリッド偏光子はエンボス技法を利用して型を製作して、前記型を繰り返して用いることができるので製作費用を節減して大量生産することができる効果がある。
【００３５】
また、本発明によるワイヤーグリッド偏光子製作方法は付加的な装置が不要であり、工程時間が短いので製造収率を高めることができる効果がある。
【００３６】
さらに、本発明は可視光線での偏光消滅比が優秀であって平板ディスプレー、プロジェクションディスプレー、光学機器などに広範囲に応用できて利用価値が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、添付した図面を参照にして本発明によるワイヤーグリッド偏光子に対して具体的に説明する。
【００３８】
図２は、可視光線帯域でワイヤーグリッドの周期と偏光消滅比との関係を示すグラフである。
【００３９】
図２に示したように、ワイヤーグリッド偏光子の偏光効率はワイヤーグリッドの周期と密接な関連がある。
【００４０】
ワイヤーグリッドの材料はアルミニウム（Ａｌ）を用いており、ワイヤーグリッドの高さは１４０ｎｍである。
【００４１】
また、金属の線幅は６０ｎｍであって、赤Ｒ、緑Ｇ、青Ｂの周期はそれぞれ４５０ｎｍ、５５０ｎｍ、６５０ｎｍである。
【００４２】
偏光消滅比が１０，０００以上になるためにはワイヤーグリッドの周期が１２０ｎｍ以下にならなければならない。
【００４３】
ワイヤーグリッド偏光子をエンボス技法を利用して製作するためにはまず型を製作しなければならない。
【００４４】
図３は、本発明によるワイヤーグリッドを製造するための型を製作する過程を概略的に示す図である。
【００４５】
ここで、ワイヤーグリッド偏光子を製造するために使われる型の材料としては、シリコン（Ｓｉ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）、クォーツガラス、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、高分子物質などを使用することができる。すなわち、透明な型と金属からなる型を目的に応じて使用する。
【００４６】
ワイヤーグリッドを製作するために使われるエンボス技法には熱を加えてポリマーを成形するホットエンボス技法と型で押しながら紫外線を利用してポリマーを硬化させて成形する紫外線エンボス技法がある。
【００４７】
型の材料として羅列した物質はすべて熱エンボス技法に使用することができ、特に、クォーツガラス、透明高分子材料などは透明物質であるので紫外線エンボス技法にも適用することができる。
【００４８】
先に、図３Ａに示したように、シリコンのような型用の基板２００ａに高分子層２１０をスプレー法、スピンコーティング法などの方法により形成する。
【００４９】
高分子層２１０としては電子ビームに敏感な材料を用いており、ＰＭＭＡ（polymethylmethacrylate）などがその代表である。
【００５０】
高分子は電子ビームに敏感であるので、照射される部位に化学反応が起こる。このような性質を利用して電子ビーム照射と現像を介して所望するパターン形成が可能である。
【００５１】
高分子の種類がポジ型感光剤の場合に電子ビームに照射された部分が現像溶液に溶けて、ネガ型感光剤の場合に電子ビームに照射されない部分が現像溶液に溶ける。
【００５２】
したがって、前記したように、型基板２００ａ上に高分子層２１０を形成した後、図３Ｂに示したように、電子ビームを高分子層２１０に照射して格子パターンを作る。
【００５３】
次に、図３Ｃに示したように、現像溶液に浸して所望する格子パターン通りに現像する。
【００５４】
前記のように形成された格子パターンをエッチングマスクとして用いて図３Ｄに示したように、型基板を乾式エッチングまたは湿式エッチングする。
【００５５】
最後に、エッチングマスクとして用いた高分子層を除去すれば図３Ｅに示したように、所望するパターンを有するワイヤーグリッド偏光子製作用の型２００ｂが完成する。
【００５６】
ここで、前記のような型製作工程時に高分子と型の分離を容易にするためにシラン基が含まれた薬品を利用して型を表面処理する。
【００５７】
前記のように製作された型を利用して本発明による可視光線帯域で作動するワイヤーグリッド偏光子を製作する。
【００５８】
図４Ａないし４Ｈは、本発明による第１実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図である。
【００５９】
前に説明したように、製作された型を利用してワイヤーグリッド偏光子を製作するが、最初に、両面が研磨された透明ガラス基板３００を準備する（図４Ａ）。
【００６０】
そして、図４Ｂに示したように、ガラス基板３００上に金属薄膜３１０ａを堆積させる。
【００６１】
金属薄膜３１０ａとしてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）などを利用できる。
【００６２】
続いて、図４Ｃに示したように、金属薄膜３１０ａ上にポリマー３２０ａをコーティングする。
【００６３】
そして、前述のように製作された型３３０をポリマー３２０ａに圧力を加えて押し付け、型のパターンをポリマー３２０ａに転写させる。
【００６４】
ここで、ポリマー３２０ａが熱硬化材料の場合には型として金属型を用い、紫外線硬化材料の場合は透明な高分子型を用いることが望ましい。
【００６５】
ここで、ポリマー３２０ａが熱硬化材料の場合には熱エンボス技法を用いてポリマーを前ベーク（pre-bake）し、ポリマーが紫外線硬化材料の場合には、コーティングされたポリマーを硬化させないように、紫外線エンボス技法を用い、透明な型を用いる。
【００６６】
したがって、図４Ｄに示したように、型３３０上に熱を加えたり紫外線を照射してポリマー３２０ｂを硬化させる。
【００６７】
以後、図４Ｅのように型３３０をポリマー３２０ｂから分離する。
【００６８】
それによって、ポリマー３２０ｂに型３３０のパターンが転写されて型３３０と凹凸が反対のパターンが形成される。
【００６９】
熱エンボス技法を用いた場合には基板の温度が冷却してからポリマー３２０ｂから型３３０を分離させる。
【００７０】
紫外線技法を用いた場合には紫外線硬化が終わってから型３３０をポリマー３２０ｂから分離させる。
【００７１】
次に、図４Ｆに示したように、金属薄膜３１０ａの表面が露出するようにポリマー３２０ｂパターン全面を乾式エッチングする。
【００７２】
ポリマー３２０ｃは型３３０によって凹凸が形成されて段差があるので、ポリマー３２０ｃの厚さの薄い部分がエッチング工程により除去されて、金属薄膜３１０ａの表面を部分的に露出させる。
【００７３】
以後、図４Ｇに示したように、表面の一部が露出した金属薄膜３１０ａを乾式エッチングまたは湿式エッチング工程を介してエッチングして金属格子パターン３１０ｂを形成する。
【００７４】
最終的に、図４Ｈに示したように、金属格子パターン３１０ｂ上に残っているポリマー３２０ｃを除去する。
【００７５】
そうすることで、基板３００上に所望の格子パターンを有するワイヤーグリッド偏光子が完成する。
【００７６】
図５Ａないし５Ｇは、本発明による第２実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する他の工程を示す工程順序図である。
【００７７】
先に説明したように、製作された型を利用してワイヤーグリッド偏光子を製作するが、まず、両面が研磨された透明ガラス基板を準備する（図５Ａ）。
【００７８】
そして、図５Ｂに示したように、ガラス基板４００上にポリマー４１０ａをコーティングして、製作された型４３０を準備する。
【００７９】
さらに、図５Ｃに示したように、型４３０をポリマー４１０ａに圧力を加えて押し付けて型４３０のパターンをポリマー４１０ｂに転写させる。
【００８０】
したがって、ポリマー４１０ｂには型４３０のパターンが転写されて型４３０と凹凸が反対のパターンが形成される。
【００８１】
続いて、図５Ｄに示したように、型４３０上に熱を加えたり紫外線を照射してポリマー４１０ｂを硬化させる。
【００８２】
ここで、熱エンボス技法を用いた場合には基板４００の温度が冷却した後にポリマー４１０ｂから型４３０を分離させる。
【００８３】
そして、紫外線技法を用いた場合には紫外線硬化が終わってから型４３０をポリマー４１０ｂから分離させる。
【００８４】
ここで、ポリマーが熱硬化材料の場合には金属型を用いており、紫外線硬化材料の場合は透明な高分子型を用いる。
【００８５】
この時、ポリマーが熱硬化材料の場合熱エンボス技法を用いてポリマーを前ベークし、前記ポリマーが紫外線硬化材料の場合には紫外線エンボス技法を用いてコーティングされたポリマーを硬化させないで透明な型を用いる。
【００８６】
次に、図５Ｅに示したように、基板４００の表面が部分的に露出するようにポリマー４１０ｃパターン全面を乾式エッチングする。
【００８７】
ポリマー４１０ｃは先に型４３０によって凹凸が形成されて段差があるのでポリマー４１０ｃの厚さの薄い部分がエッチング工程により除去されて基板４００の表面を部分的に露出させる。
【００８８】
そして、図５Ｆに示したように、ガラス基板４００上に金属薄膜４２０ａを真空蒸着させる。
【００８９】
金属薄膜４２０ａとしてはアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）などを利用できる。
【００９０】
その後、金属薄膜４２０ａを蒸着したポリマー４１０ｃをエッチング液に浸して除去すると、図５Ｇに図示したような金属格子パターン４２０ｂが残る。
【００９１】
すなわち、基板４００上に所望する格子パターンを有するワイヤーグリッド偏光子を製造することができる。
【００９２】
以上本発明を具体的な実施形態を介して詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのことであって、本発明による波長フィルター製造方法はこれに限られなくて、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者によりその変形や改良が可能なことが明白である。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は可視光線領域で作動するワイヤーグリッド偏光子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】従来技術の基本的なワイヤーグリッドの実施形態を図示する図面。
【図２】可視光線帯域で金属格子の周期と偏光消滅比との関係を見せるグラフ。
【図３】本発明によるワイヤーグリッドを製造するための型を製作する過程を概略的に示す図面。
【図４Ａ−４Ｅ】本発明による第１実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。
【図４Ｆ−４Ｈ】本発明による第１実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。
【図５Ａ−５Ｅ】本発明による第２実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。
【図５Ｆ−５Ｇ】本発明による第２実施形態であって、ワイヤーグリッド偏光子を製作する工程を示す工程順序図。
【符号の説明】
【００９５】
１００…ワイヤーグリッド、１１０…伝導性電極、１２０…絶縁基板、２００ａ…型基板、２００ｂ、３３０、４３０…型、２１０…高分子層、３００、４００…ガラス基板、３１０ａ、４２０ａ…金属薄膜、３２０ａ、３２０ｂ、３２０ｃ…ポリマー、４１０ａ、４１０ｂ、４１０ｃ…ポリマー
【図１】
2006084776.tif 000003
【図２】
2006084776.tif 000004
【図３】
2006084776.tif 000005
【図４Ａ−４Ｅ】
2006084776.tif 000006
【図４Ｆ−４Ｈ】
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【図５Ａ−５Ｅ】
2006084776.tif 000008
【図５Ｆ−５Ｇ】
2006084776.tif 000009